(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気角運動量電子監視システムに使用されるマーカを製造する方法であって、
(a) アモルファス磁歪素子を提供し、
(b) 前記磁歪素子の近くにバイアス素子を配置し、
(c) 前記バイアス素子を、飽和より実質的に低い磁化の大きさまで磁化し、
(d) 前記配置及び磁化の工程後に前記マーカの共振周波数を検出し、さらに、  (e) 前記検出した共振周波数が電子物品監視システムの既定の作動周波数に一致しない場合に、前記マーカの共振周波数を前記既定の作動周波数に調整するために前記バイアス素子の磁化の大きさを調整する、マーカの製造方法。
【請求項２】
請求項１の方法において、前記配置の工程の後に前記磁化の工程を実行する方法。
【請求項３】
請求項１の方法において、前記磁歪素子を提供する工程が、少なくとも１０の細片であって各々が既定の一定の均一な長さを持つ細片のかたまりを形成するようにアモルファス材料を切断する工程を含む方法。
【請求項４】
請求項１の方法において、前記磁化の工程が前記バイアス素子にＡＣ成分及びＤＣオフセット成分を持つ磁界を与える工程を含む方法。
【請求項５】
請求項４の方法において、前記磁界のＡＣ成分がリングダウン特性を持つ方法。
【請求項６】
請求項１の方法において、前記磁化の工程が前記バイアス素子にＤＣ磁界を与える工程を含む方法。
【請求項７】
請求項１の方法において、さらに、前記配置工程の前に前記磁歪素子をアニールする工程を備え、前記磁歪素子の巻き上がりを減少させる方法。
【請求項８】
磁気角運動量電子物品監視システムに使用されるマーカであって、
(a) アモルファス磁歪素子と、
(b) 該アモルファス磁歪素子の近くに配置され、該磁歪素子用バイアス磁界を提供するために磁化されたバイアス素子であって、実質的に飽和より小さな磁化の大きさを持ち、該バイアス素子の磁化の大きさが、前記マーカの共振周波数を前記電子物品監視システムの既定の作動周波数に一致させるために調整されているバイアス素子とを備えるマーカ。
【請求項９】
請求項８のマーカにおいて、前記磁歪素子が、少なくとも１０の細片であって各々が既定の一定の均一な長さを持つ細片のかたまりを形成するようにアモルファス材料を切断することによって形成されているマーカ。
【請求項１０】
請求項９のマーカにおいて、前記バイアス素子が、前記バイアス素子にＡＣ成分及びＤＣオフセット成分を持つ磁界を与えることによって磁化されており、前記ＡＣ成分がリングダウン特性を持つマーカ。
【請求項１１】
請求項９のマーカにおいて、前記バイアス素子にＤＣ磁界を与えることによって該バイアス素子を磁化するマーカ。
【請求項１２】
請求項８のマーカにおいて、さらに、前記磁歪素子をアニールして該磁歪素子の巻き上がりを減少させたマーカ。
【請求項１３】
磁気角運動量電子物品監視システムであって、
(a) 呼び掛け区域において選択周波数で交番する電磁界を発生する発生手段であって、呼び掛けコイルを含む発生手段と、
(b) 前記呼び掛け区域の通過を命じられた物品に固定されたマーカであって、アモルファス磁歪素子と該磁歪素子の近くに配置されたバイアス素子とを備え、該バイアス素子が磁気的にバイアスされて前記磁歪素子が前記交番磁界にさらされたときに該磁歪素子に物理的な共振を引き起こし前記バイアス素子が実質的に飽和より小さな磁化の大きさを持ち、前記バイアス素子の磁化の大きさが、前記マーカの共振周波数を前記交番磁界の選択周波数に一致させるために調節されているマーカと、
(c) 前記磁歪素子の物理的な共振を検出する検出手段とを備える磁気角運動量電子物品監視システム。
【請求項１４】
請求項１３の磁気角運動量電子物品監視システムにおいて、前記磁歪素子が、少なくとも１０の細片であって各々が既定の一定の均一な長さを持つ細片のかたまりを形成するようにアモルファス材料を切断することによって作られている磁気角運動量電子物品監視システム。
【請求項１５】
請求項１３の磁気角運動量電子物品監視システムにおいて、前記バイアス素子にＡＣ成分及びＤＣオフセット成分を持つ磁界を与えることによって該バイアス素子が磁化されており、前記磁界のＡＣ成分がリングダウン特性を持つ磁気角運動量電子物品監視システム。
【請求項１６】
請求項１３の磁気角運動量電子物品監視システムにおいて、前記バイアス素子にＤＣ磁界を与えることによって該バイアス素子を磁化している磁気角運動量電子物品監視システム。
【請求項１７】
請求項１３の磁気角運動量電子物品監視システムにおいて、前記磁歪素子をアニールして該磁歪素子の巻き上がりを減少させている磁気角運動量電子物品監視システム。
【請求項１８】
磁気角運動量電子物品監視システムに用いるマーカの製造方法であって、
(a) バイアス素子を磁歪素子の近くにおいてマーカを形成する工程であって、前記磁歪素子が前記バイアス素子によって与えられるバイアス磁界のレベルに応じて変化する共振周波数を持つ形成工程と、
(b) 該形成工程の後に、前記バイアス素子の磁化の大きさを変えることによって前記磁歪素子の共振周波数を既定の周波数に設定する設定工程とを備える方法。
【請求項１９】
請求項１８の方法において、前記設定工程が前記磁歪素子の共振周波数を検出するために前記マーカを試験する工程を含み、前記検出した共振周波数が前記既定の周波数と一致しないときには、磁界を前記バイアス素子に与えて前記バイアス素子の磁化の大きさを変える方法。
【請求項２０】
請求項１９の方法において、前記バイアス素子に与えられた前記磁界がＡＣ成分とＤＣオフセット成分とを含む方法。
【請求項２１】
請求項２０の方法において、前記バイアス素子に与えられる前記磁界がＤＣ磁界である方法。
【請求項２２】
磁気角運動量電子物品監視システムに用いるマーカの製造方法であって、
(a) アモルファス磁気材料を選択し、
(b) 前記材料を既定の一定の均一な長さを持つ細片に切断し、
(c) 前記細片をバイアス素子の近くに配置し、さらに、
(d) 前記磁歪素子の共振周波数を、前記バイアス素子の磁化の大きさを変えることによって所望の周波数に設定する、マーカの製造方法。
【請求項２３】
請求項２２の方法において、前記切断工程が前記材料を切断することによって行われて前記既定の一定の均一な長さに切断された細片のかたまりを形成し、該かたまりが少なくとも１０の細片を含む方法。
【請求項２４】
請求項２２の方法において、前記設定工程が前記磁歪素子の共振周波数を検出するために前記マーカの試験を行う工程を含み、前記検出共振周波数が前記既定の周波数と一致しないときには磁界を前記バイアス素子に与えて前記バイアス素子の磁化の大きさを変える方法。
【請求項２５】
請求項２４の方法において、前記バイアス素子に与えられた前記磁界がＡＣ成分とＤＣオフセット成分とを含む方法。
【請求項２６】
請求項２４の方法において、前記バイアス素子に与えられる前記磁界がＤＣ磁界である方法。
【請求項２７】
磁気角運動量電子物品監視システムに用いるマーカであって、
(a) アモルファス磁気材料を選択し、さらに、前記材料を既定の一定の均一な長さを持つ細片に切断することによって作られた磁歪素子と、
(b) 前記磁歪素子の近くに置かれたバイアス素子であって、前記磁歪素子が既定の物理的な共振周波数で磁歪特性を表すようにバイアス磁界を与えるバイアス素子とを備えるマーカ。
【請求項２８】
請求項２７のマーカにおいて、前記バイアス素子が飽和より小さな磁化の大きさを持ち、該バイアス素子の磁化の大きさが、前記マーカの試験後に設定されて前記磁歪素子の共振周波数を検出するマーカ。
【請求項２９】
磁気角運動量電子物品監視システムであって、
(a) 呼び掛け区域において選択周波数で交番する電磁界を発生する発生手段であって、呼び掛けコイルを含む発生手段と、
(b) 前記呼び掛け区域の通過を指定された物品に固定されたマーカであって、アモルファス磁気材料を選択するとともに、該材料を既定の一定の均一な長さを持つ細片に切断することによって作られた磁歪細片を備え、さらに、該磁歪細片の近くに配置されたバイアス素子も備え、前記磁歪細片が前記交番磁界にさらされたときに物理的に共振するように、前記バイアス素子がバイアス磁界を与えるマーカと、
(c) 前記磁歪素子の前記物理的共振を検出する検出手段とを備える磁気角運動量電子物品監視システム。
【請求項３０】
請求項２９のシステムにおいて、前記バイアス素子が飽和より小さな磁化の大きさを持ち、前記バイアス素子の磁化の大きさが前記マーカを試験した後に設定されて前記磁歪素子の共振周波数を検出するシステム。
【請求項３１】
電子物品監視システムに用いるバイアス素子を磁化する装置であって、
(a) バイアス素子がさらされる磁界を発生するコイルと、
(b) 該コイルを付勢する駆動回路とを備え、該駆動回路が、
(b1)リングダウン特性をもつＡＣ信号を発生するＡＣ信号発生手段と、
(b2)ＤＣ信号を発生するＤＣ信号発生手段と、
(b3)前記リングダウン特性を持つ前記ＡＣ信号と前記ＤＣ信号とを組み合わせてＡＣリングダウン成分とＤＣオフセット成分とを含む駆動信号を形成する手段と、
(b4)前記駆動信号を前記コイルに供給する手段とを備え、前記コイルから発生した前記磁界がＡＣリングダウン成分とＤＣオフセット成分とを含む装置。
【請求項３２】
請求項３１の装置において、前記ＤＣ信号発生手段が前記ＤＣ信号のレベルを変える手段を含み、これにより、前記磁界の前記ＤＣオフセット成分のレベルが変えられる装置。
【請求項３３】
請求項３１の装置において、さらに、前記バイアス素子を前記磁界内に搬送する手段を備える装置。
【請求項３４】
既定の作動周波数で作動する磁気角運動量電子物品監視システムに用いるために提供するマーカを不活性化する方法であって、
(a) バイアス素子を磁歪素子の近くに置くことによって前記マーカを形成する工程であって、前記磁歪素子が前記バイアス素子から与えられるバイアス磁界のレベルに応じて変化する共振周波数を持つ形成工程と、
(b) 該形成工程の後に、前記バイアス素子の磁化の大きさを変えることによって前記磁歪素子の共振周波数を前記既定の作動周波数に設定する工程と、
(c) 該設定工程の後に、前記バイアス素子の磁化の前記大きさを変えて前記磁歪素子の共振周波数を前記既定の作動周波数からシフトさせるように前記マーカを離調する工程とを備える方法。
【請求項３５】
請求項３４の方法において、前記離調工程の後に、前記バイアス素子の磁化の大きさが、前記マーカが交番電磁界内にあるときに前記磁歪素子が検出可能な調和周波数を作らないようなものになる方法。
【請求項３６】
請求項３５の方法において、前記離調工程が前記バイアス素子の磁化の大きさを増加する工程を含む方法。
【請求項３７】
請求項３６の方法において、前記離調工程がＤＣ磁界を前記マーカに与えることによって前記バイアス素子を飽和する工程を含む方法。
【請求項３８】
請求項３７の方法において、前記設定工程が前記マーカにＡＣ成分とＤＣ成分とを含む磁界を与える工程を含む方法。
【請求項３９】
磁気角運動量電子物品監視システムを作動する方法であって、
(a) 呼び掛け区域で選択作動周波数で交番する電磁界を発生する手段を提供し、前記電磁界がパルス状で発生し、さらに、前記パルス間の静かな期間の間前記選択作動周波数で放射信号を検出する手段を提供し、
(b) バイアス素子を磁歪素子の近くに配置することによってマーカを形成し、前記磁歪素子が前記磁歪素子から与えられるバイアス磁界のレベルに従って変化する共振周波数を持ち、
(c) 前記形成工程の後、前記バイアス素子の磁化の大きさを変えることによって前記磁歪素子の共振周波数を前記選択作動周波数に設定し、
(d) 該設定工程の後、前記呼び掛け区域の通過を指定された物品に前記マーカを取り付け、
(e) 前記物品を前記呼び掛け区域を通過させる前に、前記バイアス素子の磁化の前記大きさを変えることによって前記磁歪素子の共振周波数を前記選択作動周波数からシフトさせて前記物品に取り付けられた前記マーカを不活性化する、磁気角運動量電子物品監視システムを作動する方法。
【請求項４０】
請求項３９の方法において、前記不活性化工程の後に、前記バイアス素子の磁化の大きさが、前記マーカが交番電磁界にあるときに前記磁歪素子が検出可能な調和周波数を作らないようなものになる方法。
【請求項４１】
請求項４０の方法において、前記不活性化工程が前記バイアス素子の磁化の大きさを増加する工程を含む方法。
【請求項４２】
請求項４１の方法において、前記不活性化工程がＤＣ磁界を前記マーカに与えることによって前記バイアス素子を飽和する工程を含む方法。
【請求項４３】
請求項４１の方法において、前記設定工程が前記マーカにＡＣ成分とＤＣ成分とを含む磁界を与える工程を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は電子物品監視（ＥＡＳ）システムに用いられる磁気角運動量マーカ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
小売店から商品の窃盗を防止又は阻止するための電子物品監視システムは公知である。典型的なシステムにおいては、マーカが店の出口に形成された電磁界又は磁界と相互作用するように設計されていて、それが商品の物品に取り付けられている。マーカがフィールドつまり「呼び掛けフィールド」に持ち込まれると、そのマーカの存在が検知され、警報が発生する。この種のマーカのいくつかは商品の支払いが行われるとチェックアウトで取り外されるようになっている。他の種類のマーカはチェックアウトにおいて不活性化（不活動化）装置によって不活性化（不活動化）され、その装置はマーカの電磁又は磁気特性を変えてそのマーカが呼び掛け区域においてそれ以後検出されないようにする。
【０００３】
ある種の磁気ＥＡＳシステムを調和システムと呼ぶが、その理由は、そのシステムが、選択周波数を持つ電磁界を通過した磁気材料は磁界を乱してその選択周波数の調和擾乱を発生するという原理に基づくからである。その検知システムはある調和周波数を認識するように調整され、存在する場合には警報を発生させる。
【０００４】
他の種類のＥＡＳシステムは磁歪素子を備える磁気角運動量マーカを用いる。例えば、アンダーソン(Anderson)他に付与された米国特許第４，５１０，４８９は、磁歪アモルファス材料のリボン形状長さに形成されたもので、バイアス磁気材料に近接する細長いハウジングに入れられたマーカを開示する。磁歪材料は、バイアス素子が、あるレベルに磁化されたときに所定の周波数で共振するように作られている。呼び掛けフィールドでは、適当な発信器が所定の周波数のＡＣ磁界を形成し、マーカは、バイアス素子が、あるレベルに磁化されている場合に、フィールドにさらされるとその周波数で物理的に共振する。
【０００５】
アンダーソン他の特許に開示された１つの技術によると、そのマーカは上記の共振周波数に加えて「反共振周波数」を持ち、そこでは、磁気角運動量結合によって生じて蓄積された物理的エネルギーはほぼゼロとなる。呼び掛け区域に磁界を与える呼び掛け回路が、マーカの共振及び反共振周波数を含む周波数レンジを通じて掃引され、受信回路が呼び掛け区域に設けられていて、共振周波数で発生する伝達されたピークエネルギーレベルと反共振周波数での谷レベルとを検出することによってマーカの特徴的な特性を検出する。
【０００６】
アンダーソン他は磁歪素子を磁界が存在する中でアニール化して磁気角運動量結合因子ｋを強調することをも目的とする。アンダーソン他によると結合因子ｋが大きくなるとマーカの特徴的な特性の検出可能性が高まる。
【０００７】
アンダーソン他が目的とするさらに他の監視システムにおいては、磁歪マーカは呼び掛け周波数で用いられるが、その周波数は一掃されずむしろマーカの共振周波数として残る。この周波数での呼び掛けフィールドはパルス又はバーストで与えられる。その呼び掛けフィールドに存在するマーカは各バーストから刺激を受け、各バーストの終了後はマーカは減衰された物理的振動を受ける。マーカから放射された、その結果の信号は検出回路によって検出されるが、その検出回路は呼び掛け回路と同期し、また、バーストの後の静かな期間の間に作動するように構成されている。このようなパルスフィールドの種類のＥＡＳシステムはこの出願の譲り受け人によって商標「Ultra*Max」を用いて販売され、広く使用されている。
【０００８】
パルス呼び掛けシステムに用いるマーカのために、磁歪素子が各励起パルスの終了後に振動の振幅及び持続期間を表し続けるということは非常に重要である。残留振動（「リングダウン」(ring down)として知られている）の振幅及び持続時間が大きくなればなるほど、呼び掛け領域における静かな期間の間の信号がより特徴的になり、その結果、マーカを検出回路で検出するのがより容易になる。
【０００９】
望ましいリングダウン振幅及び持続時間を提供するために、磁気角運動量マーカは２５０から３００までの範囲内の品質因子（「Ｑ」として示す）を示すのが都合がよい。品質因子Ｑはマーカの帯域幅とは逆に変化し、従って、マーカが非常に狭い帯域幅を持つのが望ましい。しかし、マーカの共振周波数のあたりの帯域幅は狭いため、リングダウン振幅は、マーカの共振周波数が呼び掛けフィールドの周波数から外れると非常に強く逆方向に現れる。
【００１０】
磁気角運動量マーカの製造のための従来技術によると、磁歪素子はメタグラス(Metglas)（商標）2826MB（Fe40Ni36Mo4B18の組成を持つ）として知られているアモルファス材料の長いリボン状の鋳物から細片を切断することによって作られる。各細片はそれから容易に切れる程度の堅さの磁石とともにハウジングに配置され、その磁石は磁歪素子に対してバイアスフィールドを与えるために飽和状態まで磁化されている。
【００１１】
鋳ばなしメタグラスがリボンの長さ方向に沿って材料組成の変化を表し、これにより、長さに沿って切断された個々の細片が異なる磁歪特性を示すことがわかっている。切断後の磁歪素子における変化が非常に大きいので、製造工程しだいでは、各細片の共振周波数を測定する必要がある。要求があれば、各細片が切断された長さは、ひとかたまりの第３の細片の後に、前の３つの細片の測定共振周波数に基づいて調整される。一般には、切断長さはしばしば、各細片ごとに時々、さらに、ほぼたった５又は６の細片の後に調節しなければならない。従って、従来の鋳ばなし材料における変化を補償するために、従来の磁歪素子を製造する工程には、切断細片の共振周波数の頻繁な試験や、その後、所定の共振周波数を得るために細片が切断されなければならない長さの調整が含まれている。この工程は労力の集中を必要としかつ時間を消費するものである。また、切断長さに必要な調整は十分な精度を持って予想することができずその結果材料の変化を補うことができないので、その工程による製品の歩留まりは最適なものより低い。その結果、この方法により製造されたマーカのいくつかは所望の共振周波数を持つことができず、廃棄の対象となる。
【００１２】
マーカの共振周波数が所定の周波数から外れる状態を引き起こすような他の要因が存在する。例えば、バイアス素子が与えたバイアスフィールドの強度が基準レベルから外れているため、マーカの共振周波数が所定の周波数からシフトすることがある。バイアスフィールドの偏向はバイアス素子の組成若しくは寸法（例えば、厚さ）の変化又はバイアス素子の形成に用いられる処理の方法によることがある。バイアスフィールドの偏向によるマーカの共振周波数のシフトは、マーカを組み立ててしまうまでは検出することができず、従って、磁歪素子はマーカの組み立て前の切断工程によって作られるので、その長さの調整によってはそのシフトを補償することができない。
【００１３】
関連する他の事項はマーカの不活性化（不活動化）である。磁気角運動量マーカの不活性化は、バイアス素子を減磁して磁歪素子の物理的共振をやめさせ、つまりその共振周波数を変化させることによって行われる。しかし、バイアス素子を減磁すると、マーカはもはや磁気角運動量監視システムにおいて検出できなくなるが、磁歪素子は、それにもかかわらず、アモルファス磁気素子として作動することがあり、その素子はまだ電磁呼び掛けフィールドに応答して調和周波数を生成することがある。これは望ましくない。その理由は、磁気角運動量マーカが付いた商品の購入者がチェックカウンターで減磁されたマーカを持った後にその購入者がその後他の小売店に入るが、そこでは、調和ＥＡＳシステムが稼働中で、減磁されたマーカはその小売店の呼び掛け信号に応答して調和周波数を発生することがあるため、その減磁されたマーカが警報を作動させる可能性があるからである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本願発明の最初の目的は、パルスフィールドＥＡＳ呼び掛けシステムでの使用に適した磁気角運動量マーカを提供するにある。本願発明の他の目的は、従来の磁気角運動量マーカより容易に製造することができる磁歪マーカを提供することにある。本願発明のさらに他の目的は磁気角運動量を製造するために、より柔軟な方法を提供することにある。
【００１５】
さらに、本願発明の他の目的は、不活性化されたときに、調和ＥＡＳシステムによる呼び掛けに応答して実質的な振幅を持つ調和信号を発生しない磁気角運動量マーカを提供することにある。
【００１６】
またさらに、本願発明の他の目的は、従来の磁気角運動量マーカより薄い磁気角運動量マーカを提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本願発明の１つの局面によると、磁気角運動量電子監視システムに使用されるマーカを製造する方法であって、アモルファス磁歪素子を用意し、その磁歪素子の近くにバイアス素子を配置し、そのバイアス素子を、実質的に飽和より低い磁化の程度まで磁化し、配置及び磁化の後にマーカの共振周波数を検出し、さらに、検出した共振周波数が電子物品監視システムの既定の作動周波数に一致しない場合には、マーカの共振周波数を電子物品監視システムの所定の作動周波数に調整するため、バイアス素子の磁化の大きさを調整する方法を提供する。
【００１８】
本願発明の他の局面によると、バイアス素子が磁歪素子の近くに配置された後にバイアス素子の磁化を行ない、磁歪素子が少なくとも１０の細片であって各々が既定の一定の均一な長さを持つ細片のかたまりを形成するようにアモルファス材料を切断することによって形成する。
【００１９】
さらに本願発明の他の局面によると、バイアス素子がＡＣ成分及びＤＣオフセット成分を持ち、ＡＣ成分がリングダウン特性を持つ磁界を与えることによって、そのバイアス素子を磁化する。
【００２０】
また、本願発明の他の局面によると、磁気角運動量電子物品監視システムに使用されるマーカを作る方法であって、バイアス素子を磁歪素子の近くに配置することによってマーカを形成し、その際に、磁歪素子はバイアス素子から与えられるバイアス磁界のレベルに従って変化する共振周波数を持ち、その後、磁歪素子の共振周波数を、バイアス素子の磁化の大きさを変えることによって既定の周波数に設定する方法を与える。
【００２１】
またさらに本願発明の他の局面によると、磁歪素子の共振周波数を設定する工程が、マーカを試験して磁歪素子の共振周波数を検出する工程と、磁界をバイアス素子に与えて、検出した共振周波数が所定の周波数と一致しないときは、バイアス素子の磁化の程度を変更する工程とを含む。
【００２２】
本願発明の他の局面によると、バイアス素子に供給される磁界がＡＣ成分及びＤＣオフセット成分を含む。
【００２３】
また、本願発明の他の局面によると、磁気角運動量電子物品監視システムに用いられるマーカを作る方法であって、アモルファス磁気材料を選択し、その材料を既定の一定の均一な長さを持つ細片に切断し、その細片をバイアス素子の近くに配置し、さらに、磁歪素子の共振周波数を、バイアス素子の磁化の程度を変えることによって、既定の周波数に設定する方法を与える。
【００２４】
本願発明の他の局面によると、材料の切断工程が、既定の一定の均一な長さに切断された細片のひとかたまりを形成する工程を含み、そのかたまりが少なくとも１０の細片を含む。
【００２５】
本願発明のさらに他の局面によると、電子物品監視システムに用いられるバイアス素子を磁化する装置であって、バイアス素子がさらされる磁界を発生するコイルと、このコイルを付勢する駆動回路とを備え、駆動回路がリングダウン特性をもつＡＣ信号を発生するＡＣ信号発生回路と、ＤＣ信号を発生するＤＣ信号発生回路と、リングダウン特性を持つＡＣ信号とＤＣ信号とを組み合わせてＡＣリングダウン成分とＤＣオフセット成分とを含む駆動信号を形成する回路と、駆動信号をコイルに供給する回路とを備え、コイルから発生した磁界がＡＣリングダウン成分とＤＣオフセット成分とから成る装置を与える。
【００２６】
さらに、本願発明の他の局面によると、ＤＣ信号発生回路がＤＣ信号レベルを変える構成を備え、それにより、磁界のＤＣオフセット成分のレベルを変化させる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下の説明において用語「磁歪素子」は能動磁気要素（図１に示す素子１２）について言及するもので、それは、特性が活性化されたときには、呼び掛け信号に応答して特有のリングダウン信号を発生することができる。用語「バイアス素子」は制御素子（図１の素子１６）に言及するもので、それは、磁歪素子の保持力と比べると比較的高い保持力を持つ磁気材料からなり、また、それは磁化または消磁（つまり、バイアスまたは非バイアス）ができて磁歪素子の物理的共振周波数を制御することができる。用語「マーカ」（概略図１に参照番号１０で示す）は、概略、ハウジング（図１の素子１４）内に含まれるバイアス素子１６および磁歪素子１２の組立体について言及するもので、窃盗から保護すべき商品に接続しまたは取り付けることができる。
【００２８】
図１の磁歪素子１２は従来のマーカに用いられる磁歪素子に似ているが、本願発明によると、磁歪素子１２は、鋳物アモルファス材料のリボンをそのリボンの長さ方向に沿って一定の間隔で切断して作ることができ、これにより、すべての長さが同一の一定の長さを持つような素子１０の束（かたまり）をつくることができる。その束の程度は、例えば、少なくとも１０から５０までの素子とすることができる。束やかたまりの大きさは理論上制限を受けず、鋳物材料における変度が甚だしく大きくない限り、数千の素子を含めることができる。素子１２を一定の長さに切断することは、連続する素子を切断すべき長さを決定するために、各素子の特性の測定を必要とする従来技術に比べて、より速くてより有効である。本願発明の一定長さの切断技術は、また、アモルファス材料を切断するために用いる器具の切断長さの設定を変更する際の遅延および不都合を防ぐ。
【００２９】
上記の従来のメタグラス材料から図１の素子１２を形成することは本願発明の意図の範囲内である。素子１２の寸法も、従来の磁歪素子の寸法と同様なものとすることができる。つまり、約１．２７cm（０．５インチ）の幅、３．８１cm（１．５インチ）の長さおよび０．０２５mm（０．００１インチ）の厚さである。
【００３０】
図１に示すバイアス素子１６は、バイアス素子１６が従来のバイアス素子より高い品質からなる点で、従来の磁気角運動量マーカとは異なる。例えば、従来のバイアス素子はアルノクローム(Arnokrome)IIIのような適度な固さの０．０５１mm（０．００２インチ）の厚さの磁気材料から作られ、約４５度の鋭角、約１．２７cm（０．５インチ）の幅および約３．９４cm（１．５５インチ）の鋭端から鋭端までの長さを持つ平行四辺形の形状に切断されている。
【００３１】
本願発明に係るバイアス素子１６は従来と同一の材料から作ることができるが、例えば、１．５から２倍の多さの量の磁気材料を含む。望ましい実施例によると、バイアス素子１６は従来のバイアス素子と同じ「フットプリント」(Foot print)を持つが、厚さは従来のバイアス素子より厚くて、約０．０７６mm（０．００３インチ）から０．１０２mm（０．００４インチ）の厚さを持つ。また、厚さの増加に加えて、またはその代わりに、従来のバイアス素子と比べてバイアス素子１６の幅および長さの一方または両方を増加することによって、バイアス素子の所望の容積の増加を達成することも意図するところである。
【００３２】
磁歪素子１２およびバイアス素子１６は従来の技術によりマーカ１０のハウジング１４内に配置されている。
【００３３】
図２は磁歪素子１２の特性を図示するもので、そこでは、素子１２の磁気角運動量共振周波数が、素子１２が露出されたバイアス磁界の強度の関数として変化する。図２に示す結果は、上記の素子１２のような磁歪素子をソレノイドから発生するＤＣ磁界に露出させることによって得た。その磁界の強度は約０乃至１５Ｏｅの範囲にわたって変化した。図２に示すように、磁歪素子１２は約１ Ｏｅのバイアス磁界強度において６０Ｈｚを越えるピーク共振周波数を示す。バイアス磁界の強度が増加するときに、素子１２の共振周波数は、８ Ｏｅを僅かに越える磁界強度において５７Ｈｚを僅かに越える最小値まで減少する。その後、磁界強度がさらに増加するにしたがって、共振周波数は再び約１４ Ｏｅにおける約６０．５Ｈｚの別のピークレベルまで増加する。従来のパルスフィールド磁気角運動量ＥＡＳシステムには５８Ｈｚの基準呼び掛けフィールド周波数が用いられているので、約６ Ｏｅのバイアスフィールドが与えられるのが通例である。しかし、以前注目したように、磁歪素子の間の変度によって、図２に示す特性曲線がシフトすることがある。６ Ｏｅの付近では、バイアスフィールドの変化に応じて約６００Ｈｚ／Ｏｅの割合で共振周波数が変化する点にも注目できる。
【００３４】
図３は磁歪素子のリングダウン振幅特性が供給バイアスフィールドの関数としてどの様にして変化するのかを示す。図３に示す値は図２と同じバイアスフィールド強度の範囲にわたって得たものであり、その値は呼び掛けフィールドの励起パルスの終了の後の１msecで得た。ピークのリングダウン振幅は約６ Ｏｅのバイアスフィールドにおいて得られる点には注目できる。
【００３５】
従来の磁気角運動量マーカにおいては、バイアス素子の寸法（容積）は、飽和したとき、バイアス素子が磁歪素子をバイアスするために約６ ＯｅのＤＣ磁界を作る程度の大きさである。
【００３６】
しかし、本願発明に従ってより大きなバイアス素子１６を提供することにより、バイアス素子１６は、飽和より低い磁化の程度に磁化することができるが、それにもかかわらず約６ Ｏｅのバイアスフィールドを提供する。わかるであろうが、その後、マーカの共振周波数を所望の周波数、例えば、５８Ｈｚの基準パルスフィールドＥＡＳ周波数に一致させるために、バイアス素子１６の磁化の程度を調節することによってバイアスフィールドの強度を調節することができる。
【００３７】
本願発明によって磁気角運動量マーカを作りかつ調節する方法を図４に示すフローチャートを参照して説明する。
【００３８】
図４の工程はステップ２０から開始し、そこでは、マーカ１０が、従来より大きな（例えば、より厚い）バイアス素子１６を含む、図１に示すような構成要素を用いて作られる。その後、ステップ２２では、マーカ１０は、例えば、６ Ｏｅのような所定の強度のバイアスフィールドを与えるように、バイアス素子１６を磁化するために磁界にさらす。本願発明に係るバイアス素子１６は従来のバイアス素子よりも大きいので、６ Ｏｅのフィールドを作るのに必要な素子１６の磁化の大きさは素子１６の飽和より小さい。
【００３９】
マーカ１０をＤＣ磁界にさらすことによってステップ２２を実行するのは本願発明の意図の範囲内である。しかし、バイアス素子１６の磁化の程度をより正確に制御するためには、マーカ１０に図５に示す振幅特性を持つ磁界を与えることによってステップ２２を実行することが望ましい。一般に、図５の特性曲線はＤＣオフセットを持つＡＣリングダウンである。特に、図５に図示する望ましいフィールドはＤＣオフセットの量に相当するＤＣ成分を持ち、また、図５に示すようにＡＣ成分の多数のサイクルにわたって「リングダウン」するＡＣ成分をも持つ。（図５に示す磁界のＡＣリングダウン特性は、ＥＡＳシステムによって発生するパルス呼び掛けに応答する磁気角運動量マーカによって放射された「リングダウン」信号とは混乱すべきではない。）
【００４０】
バイアス素子１６が図５に示すフィールドにさらされた後に磁化される程度、およびその結果素子１６によって与えられる結果的なバイアスフィールドの強度は、一般に、供給磁界のＡＣ成分の最初のピーク値およびＤＣオフセットの量に依存する。図５に示すフィールドのための望ましいパラメータは、素子１６の形成に用いられた材料と、素子１６の寸法と、素子１６によって与えられるバイアスフィールドの強度とに依存する。ＡＣリングダウン成分およびＤＣオフセットの適切なパラメータは過度の実験をすることなく通常の技術によって容易に決定することができる。上記の種類のバイアス素子１６のためには、約２０−３０ ＯｅのＤＣオフセットおよび約３００ Ｏｅの最初のピークからピークへの振幅を持つＡＣ成分で十分である。約１００−５００Ｈｚの範囲内のＡＣ成分の周波数は好結果で用いられているが、より十分に高い周波数を用いることができる。ＡＣ成分が「リングダウン」する期間はＡＣ成分の約１０サイクルの程度とすることができる。
【００４１】
図５に示す供給磁界のＡＣ成分は、以前に素子１６を磁界にさらした際の素子１６の磁化に関するいかなる残存影響をも取り除く。この機能を達成するために、少なくとも１０サイクルのリングダウン期間が必要であり、１０サイクルよりいくぶん長いリングダウン期間が望ましい。比較してみると、ＤＣフィールドのみをステップ２２で用いると、以前磁界に素子１６を露出した際の残存効果があり、ステップ２２で生じた磁化の大きさがほとんど正確に制御できないことがある。
【００４２】
ＡＣ成分の振幅は図５に示すようにリングダウン期間にわたってほぼ直線状に減少するが、ＡＣ成分が非直線状に減少することがあることも予測できる。例えば、指数関数的リングダウンも本願発明の意図の範囲内にある。
【００４３】
図５の磁界をマーカ１０に与える装置が図６の概略図に示されている。図６の装置は図５に示す特性を持つ磁界を発生するためのソレノイド４０と、ソレノイド４０に接続されていてソレノイド４０を付勢するための駆動回路４２とを備える。駆動回路４２は駆動信号のＡＣリングダウン成分を発生するＡＣリングダウン信号発生回路４４と、ＤＣ信号発生回路４６とを備える。望ましくは、ＤＣ信号発生回路４６は、発生したＤＣ信号の振幅がそれによって変更できるように構成されている。制御回路４８は発生回路４４および４６の各々に接続されている。特に、制御回路４８はトリガ信号ＴRを提供して発生回路４４によるＡＣリングダウン信号の発生をトリガする。発生回路４４は、トリガ信号ＴRに応答して、所定の初期振幅、所定の期間および所定の特性形状を持つＡＣリングダウン信号を発生する。制御ブロック４８は振幅制御信号ＣaをＤＣ信号発生回路４６に与え、発生回路４６からのＤＣ信号出力の振幅は制御信号Ｃaに従って決定される。
【００４４】
発生回路４４および４６からのそれぞれの信号出力は、結合回路５０に与えられ、それはそこに与えられた信号を結合して、ＡＣリングダウン成分およびＤＣオフセット成分を持つ結合信号を出力する。その結果の信号は駆動増幅器５２に供給され、それはソレノイド４０を付勢して図５に示すような特性を持つ磁界を形成する。
【００４５】
再び図４を参照すると、バイアス素子が磁化（ステップ２２）された後は、工程はステップ２４に前進し、そこでは、マーカ１０の共振周波数が試験される。この試験は従来技術に従って実行することができる。例えば、マーカ１０を呼び掛け信号に露出させてもよく、その信号はある周波数の範囲を通じて掃引され、その呼び掛け信号に応答してマーカ１０から放射された信号はマーカ１０の共振周波数を決定するために検出される。望ましい他の例によると、マーカ１０はパルスを用いて励起することができ、その後、そのパルスに応答してマーカ１０から放射されたリングダウン信号を、マーカ１０の共振周波数を決定するために計数することができる。
【００４６】
ステップ２２においてバイアス素子１６の磁化のために用いたのと同一のソレノイド４０を用いてステップ２４の試験を実行することは本願発明の意図するところである。従って、図６の装置はソレノイド４０に接続された試験回路５４を備える。試験回路５４はソレノイド４０を付勢してパルス呼び掛け信号を提供する試験信号発生回路５６と、マーカ１０の共振周波数を検出する受信器回路５８とを備える。
【００４７】
試験回路５４は駆動回路４２とは別のものとして示されているが、その２つの回路を同一の範囲内に重複させることができることを理解すべきである。例えば、試験回路５４は駆動回路４２の増幅器５２を分担することができる。さらに、回路４２および５４の両方を同一の制御ブロック４８によって制御することができる。
【００４８】
図４の工程流れのステップ２２および２４をそれぞれ実行するために別々の装置を用いることも本願発明の意図の範囲内にある。
【００４９】
再び図４を参照すると、ステップ２６がステップ２４に続く。ステップ２６では、ステップ２４の結果を基にして、マーカ１０が、そのマーカ１０を用いる予定のＥＡＳシステムの基準作動周波数と一致する共振周波数を持つか否かを決定する。基準周波数は５８Ｈｚであると現在の目的を仮定した。公称基準周波数の辺りにいくらかの許容範囲があり、その周波数内ではマーカが十分に作動することができる点にも注意すべきである。従って、「基準周波数に一致させる」という表現はマーカ１０が基準周波数の辺りの許容範囲内で共振周波数を持つという意味に理解すべきである。
【００５０】
ステップ２６でマーカ１０が十分な共振周波数を持つ場合には、その後、工程流れはステップ２８に示すように終了する。そうでない場合には、ステップ３０がステップ２６に続く。ステップ３０では、バイアス素子１６の磁化の大きさがマーカ１０を適当なフィールドにさらすことによって変えられ、これにより、マーカ１０の共振周波数を所定の基準周波数に調整することができる。ステップ３０で実行される調整はステップ２４の結果に基づいて行われる。とくに、マーカの共振周波数の所定の基準周波数からの偏差に基づいてバイアス素子１６の磁化の所望の大きさが決定される。より詳しくは、図５に示すＤＣオフセットの適当な値が決定され、１つの望ましい技術によると、図６のＤＣ信号発生回路によって出力されたＤＣ信号出力のレベルは調節され（制御回路ブロック４８からの適当な制御信号Ｃaに応答して）、所望の調節値をＤＣオフセットに現わす。従って、ステップ３０は、ステップ２２および２４とともに、図６の装置を用いて実行することができる。
【００５１】
ステップ２４および３０は１度に１つのマーカのみについて実行すべきである点は認識されるであろう。一方、ステップ２２で実行されるバイアス素子の磁化は、所定の磁化の基準の大きさまでであり、これにより、ステップ２２を、相当な数のマーカ１０からなるかたまりに対して実行することができる。従って、図６に示す装置をステップ２４および３０のみに用いる点、および、いくらか異なる装置を用いてマーカ１０のかたまりに対してステップ２２を実行することができる点も本願発明の意図の範囲内にある。とくに、図６の装置は試験回路５４を除くように変更することができる。加えて、ＤＣ発生回路４６はＤＣオフセットのレベルを変える機能を必然的に持つ必要がなくなるが、この機能は望ましい状態になるまで続いて、マーカの設計における他の材料またはバイアス素子１６として用いる別の材料の選択を補償することができる。ともかく、図６の装置のその様に変更した装置は図６に矢印６０で概略示すようなコンベアまたは同様な機構を含むことができ、これにより、マーカ１０またはマーカのかたまりをソレノイド４０によって発生した磁界へ向けてさらにその中へ送ることができる。
【００５２】
制御回路４８は、マーカのかたまりがソレノイド４０内の適当な位置に到達したことを感知装置（図示せず）を介して感知するように、さらに、そのかたまりがその適当な位置に到達したときにＡＣリングダウン発生回路４４をトリガするように構成されている。ステップ２２（図４）の磁化は瞬時に、例えば、１秒より小さい時間で完了することができる点に注目すべきである。
【００５３】
さらに、ステップ２４および３０に関して、制御回路４８はステップ２４の結果を自動的に受取り、その後にそのステップ２４の結果に基づいてステップ３０用の適当なパラメータを計算することができるように構成されており、これにより、これらのステップの試験および調整操作を非常に瞬時に行うことができる。
【００５４】
ステップ２０および２２の順序を変えて、バイアス素子１６またはそのバイアス素子のかたまりを、各素子がその個々のマーカ１０に組み込まれる前に所定の大きさまで磁化することができることも意図の範囲内である。
【００５５】
以上のことから、本願発明は、マーカの組み立ての後に、マーカに与えるバイアスフィールドを調整することによって磁気角運動量マーカの共振周波数を調整することを提供することを認識すべきである。この技術によって従来技術より非常に柔軟性が増加する。その従来技術は、磁歪素子の予想特性に基づいて、マーカを組み立てる前に磁歪素子の長さを調節することによって、あらかじめマーカの共振周波数を調整することを試みていた。例えば、本願発明の調整方法は、磁歪素子の寸法および・もしくは組成またはバイアス素子の変更を含む設計変更を補償することに用いることができるだけではなく、材料の変更の補償にも用いることができる。
【００５６】
図７は図５に示す磁界を発生する他の装置を示す。図７の装置は磁束コンデンサとして機能するＵ字状の磁気コアを備える磁化装置６２を含む。図６のと同様な駆動回路４２は磁化装置を付勢するために磁化装置に接続されていて、磁化装置が図５に示す特性を持つ磁界を発生することができる。図７には具体的には示していないが、図６に示すのと同様な試験回路５４および搬送機構６０を図７の磁化装置に接続することもできる点は理解すべきである。
【００５７】
さらに他の変更例によると、ステップ２２および３０の一方または両方を、図８Ａに概略を示すような比較的に単純な手持ちの磁化装置を用いて実施することができる。図８Ａの装置は簡略化した駆動回路４２′によって駆動される電磁石６６を含む。図８Ａの装置によって発生した磁界は図９に示す振幅特性を持つ。図９に示す特性もまたＡＣ成分およびＤＣオフセットを持つ磁界特性であるが、図９に示すＡＣ成分のピークからピークへの振幅は時間を通じて変わらない。従って、図９に示すＡＣ成分はリングダウンしない。
【００５８】
図８Ａに示す駆動回路４２′は図６の駆動回路４２の変形である。図８Ａに示す結合回路５０および増幅回路５２は図６の回路とほぼ同一のものとすることができる。しかし、ＡＣ信号発生回路４４′はＡＣリングダウンを生成しない。それより、発生回路４４′は時間を通じて変化しないピーク間振幅を持つＡＣ信号を生成する。さらに、図８Ａに示すＤＣ信号発生回路４６′はそれが出力するＤＣ信号のレベルを変更する機能を持つ必要はない。
【００５９】
しかし、手持ちの磁化装置用の駆動回路は図８Ｂに示すような可変ＤＣオフセットを持つのが望ましい。図８Ｂの装置においては、駆動回路４２″は概略図６に示す駆動回路４２と同様なものであるが、図８Ａにおいて注目したように、ＡＣ信号発生回路４４′はリングダウンしないＡＣ成分を発生する。
【００６０】
図８Ｂの装置のために、図６のと同様な試験回路５４が設けられ、それはアンテナ７８に接続されていて、試験信号を放射するとともに試験信号に応答してマーカ１０から再放射された信号を受け取る。データ通路８０が駆動回路４２″の制御回路４８′と試験回路５４との間に設けられている。試験回路５４は、制御回路４８′によって制御され、その制御は、回路４８′からデータ通路８０を経由して試験回路５４に伝達された制御信号によって行われる。加えて、試験回路５４を用いて行われた試験の結果は試験回路５４から信号通路８０を経由して制御回路４８′に送られる。
【００６１】
図４のステップ２２または３０を実行するために手持ちの磁化装置を用いる際には、その装置は所定の高さで、かつ所定の速度でマーカ１０の上を動かされる。そのような動きの終りにおいて、磁石６６とマーカ１０との間の距離が広がると、マーカ１０によって経験するように磁界のＡＣ成分が「リングダウン」すること、つまり、磁石６６とマーカ１０との間の距離が増加するために振幅が減少することが認識されるであろう。マーカ１０のバイアス素子１６の磁化の大きさの調節は、可変ＤＣ信号発生回路を用いるのに代えて、例えば、掃引動作のあいだのマーカ１０と磁石の移動経路との間の相対距離を変更することによって、または実施する掃引通過の数を変更することによって行うことができる。
【００６２】
明らかに、図８Ａおよび８Ｂに示す手持ちの装置は先に不活性化されているマーカ１０を活性化するためにも用いることができる。
【００６３】
マーカ１０のバイアス素子１６を磁化するための他の装置をここで図１０Ａおよび１０Ｂを参照して説明する。図１０Ａおよび１０Ｂに示すように、参照番号７０で概略を示す磁化装置が鋼製の保持プレート７６に乗せされた永久磁石の２つの平行な列７２および７４から構成されている。磁石の列７２および７４はそれらの列の間に挟まれた非磁石スペーサに隣接するとともにその保持プレート７６にも乗せられている。列７２のすべての磁石は図１０Ａおよび１０Ｂに示すように、それらのＮ極が保持プレート７６に隣接するように同一方向に向けられており、一方、他方の列７４のすべての磁石は列７２とは反対方向、つまり、この実施例においては、列７４のすべての磁石のＳ極が保持プレート７６に隣接するように向けられている。その結果、磁化装置７０は限定された長手方向へのＤＣ磁界を発生し、それはマーカ１０に与えられてそのバイアス素子１６を磁化することができる。磁界の供給は装置７０を既定の一定距離おいてマーカ１０上を掃引することによって行うことができる。マーカ１０のバイアス素子１６が既定の初期の状態、望ましくは減磁された状態にあるとすると、装置７０がマーカ１０上を既定距離をおいて掃引することにより、バイアス素子１６を所望のバイアスフィールド強度にチャージすることができる。従って、磁化装置７０は、図４に関連して説明したステップ２２および３０の一方または両方を実行するために用いることができる。
【００６４】
本願発明に係るマーカは従来の経験に従って減磁することによって不活性化（不能動化）することができる。しかし、上述の通り、減磁が用いられてマーカの不活性化が行われ、その後その不活性化されたマーカが調和ＥＡＳシステムの呼び掛け領域に持ち込まれると、そのマーカは調和ＥＡＳシステムによって検出され、それにより、警報を引き起こすような調和信号が発生することがある。
【００６５】
接触不活性化として知られている他の公知の不活性化の技術によると、そのマーカは磁気不活性化パッドと接触するように、または非常に接近するように置かれる。その不活性化パッドは多数の長手方向に延びた磁石から形成されており、その磁石は交互に代わる極性を有して空間で交互に変わる極性を持つ磁界を形成する。不活性化パッドに接触すると、マーカのバイアス素子１６は、空間で極性が交互に変わる極性を持つバイアスフィールドを形成するように磁化される。バイアス素子１６がこの状態に置かれた後、マーカの共振周波数は適当な作動周波数から相当シフトし、磁気角運動量ＥＡＳシステムによって検出できる信号を発生することがなくなる。同時にバイアス素子は磁歪素子１２を部分的にバイアスし続け、これにより、磁歪素子１２は調和ＥＡＳシステムによって発生される呼び掛け信号に応答して実質的な調和信号を発生しない。その結果、接触不活性化磁気角運動量マーカは調和ＥＡＳシステムにおいて警報を引き起こし難くなる。
【００６６】
しかし、製造者がＥＡＳマーカを製品上に又は製品の見えにくい部分若しくは接近しにくい部分に固定することは非常に般的なことである。この様に固定されたマーカに対して接触不活性化を実行することは困難か不可能な場合があることは明白である。したがって、バイアス素子１６を接触不活性化又は減磁化するというのではなく、飽和によって不活性化できる磁気角運動量マーカを提供することは、本願発明への望ましい接近方法である。その後で、バイアス素子１６を従来のバイアス素子よりも十分に大きな容積として、飽和したときに、バイアス素子１６が十分な強さ、例えば、従来の飽和したバイアス素子が与えるバイアスフィールドと比べて２倍の強さのバイアスフィールドを与えることができることが望ましい。この場合、不活性化装置を用いてもよく、それはバイアス素子１６を飽和するのに十分な強さの磁界を発生してマーカ１０の共振周波数を磁気角運動量ＥＡＳシステムの基準作動周波数から十分に離れるようにシフトさせ、これにより、マーカ１０は磁気角運動量ＥＡＳシステムのパルス呼び掛けフィールドに応答して検出可能なリングダウン信号を発生しなくなる。さらに、マーカの磁歪素子１２はそのような不活性化の後も飽和バイアス素子１６によってバイアスされ続けるので、磁歪素子１２は調和ＥＡＳシステムからの呼び掛け信号に応答して検出可能なレベルの調和信号を発生しない。従って、バイアス素子を飽和することによる不活性化は不活性化装置によって発生されるフィールドにおいて都合よく行うことができ、また、マーカを不活性化装置に接触させる必要がなくて、マーカが調和ＥＡＳシステムにおいて警報を引き起こすことのないマーカの不活性化状態を与える。
【００６７】
バイアス素子を飽和することによって不活性化する他の利点は、そのような不活性化は非常に信頼性があり、さらに、減磁によってマーカを不活性化する試みがマーカの共振周波数を十分にシフトさせることに失敗したときに遭遇するような偶然の問題を回避することができる点にある。そのようなまれなケースにおいては、マーカは意図せずに、磁気角運動量ＥＡＳシステムによって検出できるようなリングダウン信号を発生し続ける。
【００６８】
図８、１０Ａ、及び１０Ｂの手持ちの装置を用いて以前に不活性化したマーカを再活性化することは本願発明の意図の範囲内である。図８の装置によって与えられるＡＣ成分のために、そのような装置は、飽和、減磁又は接触不活性化によって不活性化されたマーカを再活性化するために簡単に使用することができる。一方、図１０Ａ及び１０Ｂの装置は減磁によって不活性化されているマーカを再活性化するのに最も有効に使用することができる。
【００６９】
本願発明が提供する他の利点は、従来の磁気角運動量マーカより薄い形状の磁気角運動量マーカを製造することができる点にある。図１１Ａは磁歪細片１２′を備える従来技術に係るマーカ１０′を示す。図１１Ａに多少の概略を示すように、細片１２′には十分な大きさの巻き上がりがあり、それは残留応力によるものであると信じられている。従って、従来のマーカ１０′用のハウジング１４′は、細片の所望の磁気角運動量の共振を抑制することがないように巻き上がった細片１２′を収容するために、相対的に大きな高さＨ′を持たなければならない。応力を軽減し細片の巻き上がりを減少させるために磁歪細片をアニールすることは可能であるが、それを行うと、細片の磁歪特性が変化する傾向があり、それにより、従来の製造技術を用いた場合には、その結果のマーカは所望の基準共振周波数を現すことができないことがある。しかし、ここに開示した試験及び調整技術を用いると、アニールによって引き起こされた磁歪素子の特性のいかなる変化をもマーカを組み立てた後に補償することができ、それはバイアス素子の磁化の大きさを調節してマーカの共振周波数を所望の基準周波数に一致させることによって行う。従って、図１１Ｂに示すように、細片１２をアニールしてマーカ１０を組み立てる前に巻き上がりを減少させ、それにより、従来のマーカ１０′より非常に小さな形状を持ち、さらに、従来のマーカの高さＨ′よりも非常に低い高さを持つハウジング１４を提供することができる。例えば、Ｈ′が約１．７７８mm−２．７９４mm（７０−１１０mil）のハウジング１４′は、厚さ約０．０２５mm（１mil）の従来の細片１２′を収容する必要があるが、そのような細片を本願発明に従ってアニールし、その結果生じる共振周波数の調整をマーカの組み立て後に実行すると、その後細片１２を完全に平坦な状態にすることができ、これにより、本願発明に従って作られたマーカ１０のハウジング１４は高さＨ＝０．１２７mmから０．７６２mm（５から３０mil）までのみを持つ必要がある。これにより、製品に、より都合よく取り付けられるより薄いマーカを提供することができる。薄くてかさばらないマーカがより望ましい。マーカ用のハウジングの全体の厚さはハウジングを形成するために用いられる材料の厚さ及び均一性にも依存する。
【００７０】
図１２はパルス呼び掛けＥＡＳシステムを示しており、そのシステムは本願発明に従って作られた磁気角運動量マーカを用いる。図１２に示されたシステムは、受信器回路２０２及び付勢回路２０１の作動を制御する同期回路２００を含む。その同期回路２００は同期ゲートパルスを付勢回路２０１に送り、同期ゲートパルスは付勢回路２０１を作動する。作動すると付勢回路２０１は呼び掛け信号を発生し、それを同期パルスの持続期間にわたって呼び掛けコイル２０６に送る。その呼び掛け信号に応答して呼び掛けコイル２０６は呼び掛け磁界を発生し、それは次にマーカ１０を刺激して物理的共振を起こす。
【００７１】
パルス呼び掛け信号が終了すると、同期回路２００はゲートパルスを受信器回路２０２に送り、後の方のゲートパルスが回路２０２を活性化する。回路２０２が活性化されている期間の間、マーカが呼び掛け磁界に存在すると、そのマーカは受信コイル２０７にマーカの物理的な共振周波数で信号を発生する。この信号は受信器回路２０２で感知され、その回路は信号を指示器に発生して警報又はそのようなものを発生させることによってその感知信号に応答する。端的に述べると、受信器回路２０２は付勢回路と同期がとられ、これにより、受信器回路２０２はパルス呼び掛けフィールドのパルス間の静かな期間のみに作動する。
【００７２】
上記のマーカ及び装置の様々な変形及び説明した実施の改変は本願発明を逸脱することなく導くことができる。本願発明の特に望ましい実施例は従って例示を意図するもので意義を限定するものではない。本願発明の真の意図及び範囲は特許請求の範囲に述べる通りである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る磁気角運動量マーカの構成を示す図である。
【図２】マーカに与えられたバイアス磁界の変化にともなって磁気角運動量マーカの共振周波数がどのように変化するのかを示す図である。
【図３】マーカに与えられたバイアス磁界の変化にともなって磁気角運動量マーカのリングダウン信号振幅がどのように変化するのかを示す図である。
【図４】本願発明に係る磁気角運動量マーカの共振周波数を調整し及び磁気角運動量マーカを作る工程を示すフローチャートである。
【図５】磁気角運動量マーカのバイアス素子を磁化するために、本願発明に従って与えられた磁界の振幅特性のグラフ図である。
【図６】図５の磁界を磁気角運動量マーカに与えるための装置の概略図である。
【図７】図５の磁界を磁気角運動量マーカに与えるための装置の他の実施例を示す概略図である。
【図８】図８Ａは本願発明に係る磁気角運動量マーカのバイアス素子を磁化するための手持ちの装置の概略図である。
図８Ｂは本願発明に係る磁気角運動量マーカのバイアス素子を磁化するための手持ちの装置の概略図である。
【図９】図８によって発生した磁界の振幅特性を示すグラフである。
【図１０】図１０Ａは本願発明に係る磁気角運動量マーカのバイアス素子を磁化するための他の手持ちの装置の平面図である。
図１０Ｂは本願発明に係る磁気角運動量マーカのバイアス素子を磁化するための他の手持ちの装置の正面図である。
【図１１】図１１Ａは従来技術に係るマーカの断面を示す正面概略図である。
図１１Ｂは本願発明に係るマーカの断面を示す正面概略図である。
【図１２】図１の磁気角運動量マーカを用いる電子物品監視システムのブロック図である。
【符号の説明】
１０  マーカ
１２  磁歪素子
１４  ハウジング
１６  バイアス素子
４０  ソレノイド
４２  駆動回路
５４  試験回路
【図１】
0003877344.tif 000002
【図２】
0003877344.tif 000003
【図３】
0003877344.tif 000004
【図４】
0003877344.tif 000005
【図５】
0003877344.tif 000006
【図６】
0003877344.tif 000007
【図７】
0003877344.tif 000008
【図８】
0003877344.tif 000009
【図９】
0003877344.tif 000010
【図１０】
0003877344.tif 000011
【図１１】
0003877344.tif 000012
【図１２】
0003877344.tif 000013