(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の絶縁膜上にヒューズ配線を形成する工程と、
前記半導体基板上に前記ヒューズ配線を被覆する第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記ヒューズ配線上の前記第１の絶縁膜上に導電膜からなるストッパ膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に前記ストッパ膜を被覆する第２の絶縁膜を成膜する工程と、
前記第２の絶縁膜上にパッシベーション膜を成膜する工程と、
前記ストッパ膜上の前記パッシベーション膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングし、ヒューズ開口部を形成する工程と、
前記ヒューズ開口部内の前記ストッパ膜をエッチングする工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ヒューズ開口部を、前記ストッパ膜よりも一回り小さく形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
第２の絶縁膜をエッチングする前記工程における前記ストッパ膜に対する前記第２の絶縁膜のエッチング選択比が、２以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜が、ＢＰＳＧ膜またはＳｉＯ２膜を含み、
前記ストッパ膜が、高融点金属シリサイド膜または多結晶シリコン膜を含み、
第２の絶縁膜をエッチングする前記工程が、ＡｒとＣＨＦ３とＣＦ４からなるエッチングガスを用いたドライエッチング法による
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記パッシベーション膜は、シリコン窒化膜であり、
前記第２の絶縁膜は、ＣＶＤ法による酸化膜である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜は、ＢＰＳＧ膜であることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ストッパ膜は、タングステンシリサイド膜または多結晶シリコン膜であることを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体装置の電気的な不具合を修正するためのヒューズ回路を設け、第１の絶縁膜を成膜した半導体基板の前記ヒューズ回路上に前記第１の絶縁膜を介して導電膜からなるストッパ膜を形成する工程と、
前記ストッパ膜を形成した半導体基板上に第２の絶縁膜を成膜する工程と、
前記ストッパ膜上の前記第２の絶縁膜をエッチングし、ヒューズ開口部を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜に前記ヒューズ開口部を形成した半導体基板上にパッシベーション膜を成膜する工程と、
前記ヒューズ開口部の側壁に前記パッシベーション膜を残すように、前記ヒューズ開口部内の前記パッシベーション膜および前記ストッパ膜をエッチングする工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
第２の絶縁膜が、ＴＥＯＳ／Ｏ３−ＳｉＯ２膜を含むことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、ストッパ膜をエッチングする前記工程のあとに、前記ヒューズ開口部内の前記ストッパ膜が除去されているか否かを観察することにより、ヒューズ部が正常に形成されているか否かを判定することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の電気的な不具合を修正するためのヒューズ回路を有する半導体装置の製造方法、およびヒューズ部の構造が正常であるか否かを判定する検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置（ＬＳＩ）の製造工程において発生する電気的な不具合は、製造工程中に発見することは難しく、製造工程のあとに実施される電気試験工程において明確になる。このためＬＳΙには上記の不具合を修復するためのヒューズ回路が形成される。電気試験工程で発見された電気的な不具合は、このヒューズ回路をレーザー光線で切断加工（ヒューズブロー）することにより、修復が可能となる。
【０００３】
図３はＬＳＩにおける従来のヒューズ部の断面構造図である。図３（ａ）に示すように、半導体基板１上にＬＳＩ配線３ａおよびヒューズ回路を構成するヒューズ配線３ｂ、３ｃが形成され、その上に絶縁膜４が成膜されている。絶縁膜４の上にはＬＳＩ配線５ａが形成され、その上には絶縁膜６が成膜されている。絶縁膜６の上にはＬＳＩ配線７が形成され、その上には絶縁膜２１が成膜されている。さらに絶縁膜２１の上にはＬＳＩ配線２３が形成され、その上には保護膜８が形成されている。絶縁膜２１にはヴィアホール２２が形成されており、このヴィアホール２２においてＬＳＩ配線７と２３とがコンタクトしている。また保護膜８およびヒューズ回路上の絶縁膜６および２１にはヒューズ開口部１０が形成されており、ヒューズ開口部１０の底部には絶縁膜４が露出している。ヒューズ回路と、その上の絶縁膜４と、ヒューズ開口部１０とはヒューズ部を構成している。
【０００４】
図３（ａ）においては、ヒューズ開口部１０の側壁に絶縁膜６および２１が露出しており、保護膜８で被覆されていない。絶縁膜６または２１には吸水性を有する絶縁膜が用いられることがあるので、図３（ａ）のような構造の場合には、絶縁膜６または２１、あるいは絶縁膜６または２１と絶縁膜４または保護膜８との界面から水分が侵入し、ＬＳＩ配線５ａ、７、または２３が腐食してしまうことがあった。これを解決するために図３（ｂ）に示す構造が採用された。図３（ｂ）においては、絶縁膜６および２１に第１ヒューズ開口部１０ａを形成してから保護膜８を成膜し、第１ヒューズ開口部１０ａの側壁に保護膜８を残すように、保護膜８に第１ヒューズ開口部１０ａよりも一回り小さな第２ヒューズ開口部１０ｂを形成する。図３（ｂ）の構造では、第１ヒューズ開口部１０ａ側壁の絶縁膜６および２１が保護膜８で被覆されているために、層間絶縁膜６および２１が露出していないので、ヒューズ開口部１０から水分が侵入することがなく、従ってＬＳＩ配線の腐食を防止できる。
【０００５】
図３に示したようなヒューズ回路を有するＬＳＩにおいては、ヒューズ部の構造が正常であり、ヒューズブローを正常に実施することができ、ヒューズ回路が正常に動作するか否かが、ＬＳΙの生産数量（歩留まり）を決める要因の１つとなる。ヒューズ部が正常であるためには、以下の条件を満たす必要がある。
（１）  製造工程中も含めてヒューズ配線が絶縁膜により全面的に被覆されていること。ヒューズ配線を露出させたまま製造工程を進めたり、空気中に放置すると、ヒューズ配線の抵抗値が変化してしまう。ヒューズ配線の抵抗値が変化してしまうと、ヒューズブローをしていないヒューズ配線がヒューズブローされた配線のような動作をすることがあり、ＬＳΙの回路動作が不安定となる。
（２）  ヒューズ回路上の絶縁膜がウェハ全面においてヒューズブローのときにレーザー光によりヒューズ配線を切断加工することが可能な膜厚以下であること。
【０００６】
また吸水性を有する絶縁膜６または２１がヒューズ開口部１０の底部にエッチングされずに残っていると、図３（ｂ）に示した構造を採用しても絶縁膜６または２１の露出部ができるので、ＬＳＩ配線が腐食してしまうことがあった。従って、ヒューズ部は、上記（１）、（２）の条件に加え、以下の条件を満たす必要がある。
（３）  ヒューズ開口部１０内の吸水性を有する絶縁膜が完全に除去されていること。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来のヒューズ部の製造工程においては、ヒューズ開口部を形成するための絶縁膜２１および６のエッチングにおいて、層間絶縁膜２１および６のエッチング速度を絶縁膜４のエッチング速度よりも大きい、すなわち絶縁膜４に対する層間絶縁膜２１の選択比が１よりも大きいエッチング条件を設定することが難しかった。また絶縁膜６および２１をウェハ全面で一定膜厚に成膜することが難しかった。このため、絶縁膜６および２１が薄くなっているウェハ領域においては絶縁膜４がエッチングされてしまい、また絶縁膜６および２１が厚くなっているウェハ領域においては絶縁膜２１または６がエッチングされずに残ってしまい、ウェハ全面においてヒューズ回路上に上記（１）および（２）の条件を満たす一定膜厚の絶縁膜を残すことができず、ヒューズ回路が誤動作したり、ヒューズブローができなくなることがあった。また絶縁膜６および２１の膜残りにより上記（３）の条件を満たすことができない場合があった。
【０００８】
以上のように従来の製造方法では上記（１）〜（３）の条件を同時にかつ確実に満たすことができなかった。従ってヒューズ回路を有するＬＳＩの製造方法では、上記（１）〜（３）の条件を同時にかつ確実に満たすような製造方法を確立することが現在の課題となっている。
【０００９】
さらに従来の製造工程においては、ヒューズ回路上の残存絶縁膜の膜厚を非破壊に確認する好適な検査方法がなかった。ヒューズ開口部の残存絶縁膜の膜厚を直接測定することができないので、ヒューズ開口部の絶縁膜２１および６のエッチングのときにモニタ部の絶縁膜２１および６もエッチングし、モニタ部の残存絶縁膜の膜厚を光学式の膜厚計で測定し、この測定値からヒューズ開口部の残存絶縁膜の膜厚を推定し、この推定値からヒューズ部が正常に形成されているか否かを判定していた。ヒューズ回路を有するＬＳＩの検査方法では、ヒューズ部が正常に形成されたか否かを簡単に確認することができる検査方法を確立することが現在の課題となっている。
【００１０】
本発明はこのような従来の課題を解決するものであり、ヒューズ回路上に一定膜厚の絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。またヒューズ開口部周辺のＬＳＩ配線の腐食を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。さらにヒューズ部が正常に形成されたか否かを簡単に確認することができる半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の絶縁膜上にヒューズ配線を形成する工程と、前記半導体基板上に前記ヒューズ配線を被覆する第１の絶縁膜を形成する工程と、前記ヒューズ配線上の前記第１の絶縁膜上に導電膜からなるストッパ膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に前記ストッパ膜を被覆する第２の絶縁膜を成膜する工程と、前記第２の絶縁膜上にパッシベーション膜を成膜する工程と、前記ストッパ膜上の前記パッシベーション膜及び前記第２の絶縁膜をエッチングし、ヒューズ開口部を形成する工程と、前記ヒューズ開口部内の前記ストッパ膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の他の半導体装置の製造方法は、半導体装置の電気的な不具合を修正するためのヒューズ回路を設け、第１の絶縁膜を成膜した半導体基板の前記ヒューズ回路上に前記第１の絶縁膜を介して導電膜からなるストッパ膜を形成する工程と、前記ストッパ膜を形成した半導体基板上に第２の絶縁膜を成膜する工程と、前記ストッパ膜上の前記第２の絶縁膜をエッチングし、ヒューズ開口部を形成する工程と、前記第２の絶縁膜に前記ヒューズ開口部を形成した半導体基板上にパッシベーション膜を成膜する工程と、前記ヒューズ開口部の側壁に前記パッシベーション膜を残すように、前記ヒューズ開口部内の前記パッシベーション膜および前記ストッパ膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１３】
次に本発明の半導体装置の検査方法は、ストッパ膜をエッチングする前記工程のあとに、ヒューズ開口部内のストッパ膜が除去されているか否かを観察することにより、ヒューズ部が正常に形成されているか否かを判定することを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
実施の形態１
図１は実施の形態１のＬＳＩの製造工程を説明する断面構造図である。まず図１（ａ）に示すように、所定領域にフィールド酸化膜２を形成したシリコン半導体基板１上に導電膜を成膜し、この導電膜をパターニングすることにより導電膜パターン３を形成する。導電膜パターン３は、ＬＳＩを機能させるための配線であるＬＳＩ配線３ａと、ヒューズ回路を構成するヒューズ配線３ｂ、３ｃからなる。図１では、ヒューズ回路はフィールド酸化膜２上の所定領域に形成されている。導電膜パターン３となる導電膜は、例えばスパッタ法による多結晶シリコン膜、あるいは多結晶シリコン膜と高融点金属シリサイド膜（タングステン、モリブデン、チタン等の高融点金属とシリコンとの共晶膜）との多層膜であり、１０００〜３０００［Å］の膜厚を有する。
【００１５】
次に図１（ｂ）に示すように、導電膜パターン３を形成した半導体基板１上に、絶縁膜４（第１の絶縁膜）と導電膜とをこの順に成膜し、この導電膜をパターニングすることにより導電膜パターン５を形成する。導電膜パターン５はＬＳＩ配線５ａと、ヒューズ回路全域をカバーするように形成されたストッパ膜５ｂからなる。ストッパ膜５ｂは配線としての機能はなく、ヒューズ回路上に絶縁膜４を介してアイランド状に形成されている。絶縁膜４は、例えばＳｉＨ4 ガスを用いたＣＶＤ法によるＢＰＳＧ膜（リンまたはホウ素をドープしたＳｉＯ2 膜）あるいはＳｉＯ2 膜とＢＰＳＧ膜との多層膜であり、５０００〜１５０００［Å］の膜厚を有する。また導電膜パターン５となる導電膜は、例えば多結晶シリコン膜あるいは多結晶シリコン膜と高融点金属シリサイド膜との多層膜であり、１０００〜３０００［Å］の膜厚を有する。
【００１６】
次に図１（ｃ）に示すように、導電膜パターン５を形成した半導体基板１上に絶縁膜６（第２の絶縁膜）と導電膜とをこの順に成膜し、この導電膜をパターニングすることによりＬＳＩ配線７を形成する。さらにこの上に保護膜（パッシベーション膜）８を成膜し、この保護膜８上にヒューズ回路上を開口するヒューズ開口部１０を有するホトレジストパターン９を形成する。絶縁膜６は、例えばＳｉＨ4 ガスを用いたＣＶＤ法によるＢＰＳＧ膜であり、７０００〜２００００［Å］の膜厚を有する。ＬＳＩ配線７となる導電膜は、例えばスパッタ法によるアルミニウムを主成分とする合金膜（Ａｌ合金膜）あるいはタングステン膜（Ｗ膜）である。保護膜８は、例えばＣＶＤ法によるシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）であり、７０００〜１００００［Å］の膜厚を有する。ヒューズ開口部１０は、ストッパ膜５ｂよりも一回り小さい寸法を有し、ストッパ膜５ｂと同様にアイランド状に形成されている。
【００１７】
次に図１（ｄ）に示すように、ホトレジストパターン９をマスクにしたドライエッチング法により、ヒューズ開口部１０内の保護膜８と絶縁膜６とを除去する。保護膜８のエッチングには例えば流量１０００［ｓｃｃｍ］のＡｒと、流量３０［ｓｃｃｍ］のＣＨＦ3 と、流量５０［ｓｃｃｍ］ＣＦ4 と、流量３０［ｓｃｃｍ］のＯ2 からなるエッチングガスを用いる。
【００１８】
絶縁膜６のエッチングには、下地となるストッパ膜５ｂに対する選択比（絶縁膜６のエッチング速度／ストッパ膜５ｂのエッチング速度）が２以上となるエッチング条件を用いる。ストッパ膜５ｂは絶縁膜ではなく導電膜なので、このようなエッチング条件を設定することが可能である。さらに保護膜８の膜残りが発生したときのことを考慮して保護膜８に対する選択比ができるだけ小さいエッチング条件を用いる。そして絶縁膜６のエッチング時間を絶縁膜６の膜厚に対しオーバーエッチングとなるように設定することにより、絶縁膜６および保護膜８の膜厚ばらつきと、それらの膜のエッチングばらつきとをストッパ膜５ｂにより吸収し、絶縁膜４をエッチングすることなく、ヒューズ開口部１０内の保護膜８および絶縁膜６を確実に除去することができる。
【００１９】
絶縁膜６のエッチングには、例えば流量１０００［ｓｃｃｍ］のＡｒと、流量３０［ｓｃｃｍ］のＣＨＦ3 と、流量５０［ｓｃｃｍ］ＣＦ4 からなるエッチングガスを用い、放電圧力を０．２５［Ｔｏｒｒ］、投入電力を１３００［Ｗ］とする。このとき、ストッパ膜５ｂがタングステンシリサイド膜（ＷＳｉ膜）の場合には上記の選択比は２０〜３０程度となり、ストッパ膜５ｂが多結晶シリコン膜の場合には上記の選択比は３〜６程度となる。
【００２０】
次に図１（ｅ）に示すように、ホトレジストパターン９（図１（ｄ）参照）をマスクにしたドライエッチング法により、ヒューズ開口部１０内のストッパ膜５ｂを除去し、そのあとホトレジスト９を除去する。これにより、ヒューズ配線３ｂ、３ｃからなるヒューズ回路と、ヒューズ回路上の絶縁膜４（第１の絶縁膜）と、絶縁膜４を露出させるヒューズ開口部１０とにより構成されるヒューズ部が形成される。
【００２１】
ストッパ膜５ｂのエッチングには、下地となる絶縁膜４に対するストッパ膜５ｂの選択比が１よりも大きいエッチング条件を用いる。これにより、ヒューズ開口部１０内のストッパ膜５ｂを確実に除去し、ウェハ全面において、ヒューズ配線３ｂ、３ｃを露出させることなく、ヒューズ回路上にヒューズブローが可能な一定膜厚の絶縁膜４を残すことができる。
【００２２】
ストッパ膜５ｂのエッチングには、例えば流量１０００［ｓｃｃｍ］のＡｒと、流量７５［ｓｃｃｍ］のＳＦ6 と、流量３０［ｓｃｃｍ］のＯ2 からなるエッチングガスを用い、放電圧力を１［Ｔｏｒｒ］、投入電力を１３００［Ｗ］とする。このとき上記の選択比は１．５〜２程度となる。なおヒューズ開口部１０の寸法をストッパ膜５ｂよりも小さくしてあるために、ヒューズ開口部１０外にあるストッパ膜外周部５ｂ’がエッチングされずに残る。しかしストッパ膜外周部５ｂ’が残存することにより、ヒューズブローおよびＬＳＩの動作に悪影響を及ぼすことはない。
【００２３】
もしもヒューズ開口部１０内にストッパ膜５ｂの膜残りが発生した場合には、ヒューズブローができなくなるが、導電膜からなるストッパ膜５ｂと絶縁膜４とは色彩および明度の違いから光学顕微鏡で判別可能なので、図１（ｅ）に示すヒューズ開口部１０を光学顕微鏡で観察することにより、ストッパ膜５ｂの膜残りの有無を破壊検査によらず簡単に判別することができる。ヒューズ開口部１０内のストッパ膜５ｂが除去されていれば、ヒューズ開口部１０内の保護膜８や絶縁膜６も除去されていると考えられる。またストッパ膜５ｂの機能により絶縁膜４がエッチングされ、ヒューズ配線３ｂ、３ｃが露出することはないと考えられる。従って光学顕微鏡でヒューズ開口部１０内のストッパ膜５ｂの膜残りの有無を観察することによりヒューズ部が正常に形成されているか否かを簡単に検査することができる。
【００２４】
このように実施の形態１によれば、ヒューズ回路上の絶縁膜４と６の間に導電膜からなるストッパ膜５ｂを形成し、このストッパ膜５ｂを下地にして絶縁膜６をエッチングしてからストッパ膜５ｂをエッチングすることにより、ヒューズ回路上の絶縁膜６を確実に除去し、ウェハ全面においてヒューズ回路上に一定膜厚の絶縁膜４を残すことができるので、誤動作がなくヒューズブローを確実に実施できるヒューズ部を形成することができる。またストッパ膜５ｂはＬＳＩ配線５ａを形成する工程において形成することができるので、実施の形態１の工程数は従来と同じである。またヒューズ開口部内のストッパ膜５ｂの膜残りを光学顕微鏡で観察することにより、ヒューズ部が正常に形成されているか否かを非破壊で簡単に検査することができる。
【００２５】
なお、上記実施の形態１においては、配線層を３層（ＬＳＩ配線３ａ、５ａ、７）、層間絶縁層を２層（絶縁膜４、６）としたが、配線層は４層以上（従って層間絶縁層は３層以上）であっても良い。また絶縁膜６およびＬＳＩ配線７の上にさらに層間絶縁層および配線層を多層形成する場合には、例えば導電膜パターン５となる導電膜によりヒューズ配線を形成し、ＬＳＩ配線７となる導電膜によりストッパ膜を形成しても良い。この場合には絶縁膜６がヒューズ回路上に残されるべき第１の絶縁膜となり、ストッパ膜上から保護膜下までの絶縁膜がヒューズ回路上から除去されるべき第２の絶縁膜となる。
【００２６】
実施の形態２
図２は実施の形態２のＬＳＩの製造工程を説明する断面構造図である。図２において図１と同じものには同一符号を付してある。まず図２（ａ）に示すように、図１（ａ）〜（ｃ）と同じ手順により、フィールド酸化膜２を形成した半導体基板１上にヒューズ配線３ｂ、３ｃを含む導電膜パターン３を形成し、この上に絶縁膜４（第１の絶縁膜）を成膜し、絶縁膜４上にストッパ膜５ｂを含む導電膜パターン５を形成し、この上に絶縁膜６を成膜し、絶縁膜６上にＬＳＩ配線７を形成する。
【００２７】
さらにＬＳＩ配線７を形成した半導体基板１上に、ＬＳＩ配線７に達するビアホール２２を有する絶縁膜２１を形成し、この絶縁膜２１上に導電膜を成膜し、この導電膜をパターニングすることによりＬＳＩ配線２３を形成し、この上に第１ヒューズ部開口部１０ａを有するホトレジストパターン２４を形成する。実施の形態２ではヒューズ回路上から除去されるべき第２の絶縁膜は絶縁膜６および２１である。ＬＳＩ配線７と２３とはビアホール２２においてコンタクトしている。第１ヒューズ開口部１０ａは、ストッパ膜５ｂよりも一回り小さい寸法を有し、ストッパ膜５ｂと同様にアイランド状に形成されている。ＬＳＩ配線２３となる導電膜は、例えばスパッタ法によるＡｌ合金膜あるいはＷ膜である。絶縁膜２１は、例えばＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane ）とＯ3 とを反応させるＣＶＤ法によるＴＥＯＳ／Ｏ3 −ＳｉＯ2 膜であり、５０００〜１００００［Å］の膜厚を有する。このＴＥＯＳ／Ｏ3 −ＳｉＯ2 膜は、ＬＳＩ配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上にさせる等の利点がある反面、吸水性が高いという欠点がある。
【００２８】
次に図２（ｂ）に示すように、ホトレジストパターン２４をマスクにしたドライエッチング法により、第１ヒューズ開口部１０ａ内の絶縁膜２１および６を除去し、このあとホトレジストパターン２４を除去する。この第２の絶縁膜をエッチングする工程は、吸水性を有する絶縁膜２１を保護膜８で被覆するために、上記実施の形態１とは異なり、保護膜８を成膜する前に実施される。絶縁膜２１および６のエッチングには、上記実施の形態１における絶縁膜６のエッチング工程と同じエッチング条件を用いる。ストッパ膜５ｂにより、第１ヒューズ開口部１０ａ内において、絶縁膜４をエッチングすることなく、吸水性を有する絶縁膜２１を含む第２の絶縁膜を確実に除去することができる。
【００２９】
次に図２（ｃ）に示すように、第１ヒューズ開口部１０ａ内の絶縁膜２１および６を除去した半導体基板１上に保護膜８を成膜し、ヒューズ開口部の側壁に露出していた絶縁膜２１を保護膜８で被覆する。さらにこの上に第１ヒューズ開口部１０ａよりも一回り小さな寸法の第２ヒューズ開口部１０ｂを有するホトレジストパターン２６を形成する。第１ヒューズ開口部１０ａの側壁に形成された保護膜８はホトレジストパターン２６により被覆され、第１ヒューズ開口部１０ａの底部に形成された保護膜８は第２ヒューズ開口部１０ｂにより露出する。
【００３０】
次に図２（ｄ）に示すように、ホトレジストパターン２６をマスクにしたドライエッチング法により、第２ヒューズ開口部１０ｂ内の保護膜８およびストッパ膜５ｂを除去し、このあとホトレジストパターン２６を除去する。保護膜８およびストッパ膜５ｂのエッチングには、上記実施の形態１と同じエッチング条件を用いる。以上により、ヒューズ配線３ｂ、３ｃからなるヒューズ回路と、ヒューズ回路上の絶縁膜４（第１の絶縁膜）と、絶縁膜４を露出させるヒューズ開口部１０とにより構成されるヒューズ部が形成される。
【００３１】
図２（ｄ）に示すヒューズ開口部１０を光学顕微鏡で観察することにより、ストッパ膜５ｂの膜残りの有無を破壊検査によらず簡単に判別することができる。ヒューズ開口部１０内のストッパ膜５ｂが除去されていれば、ヒューズ開口部１０内の保護膜８や絶縁膜２１および６も除去されていると考えられる。従って上記実施の形態１と同様に、光学顕微鏡でヒューズ開口部１０内のストッパ膜５ｂの膜残りの有無を観察することによりヒューズ部が正常に形成されているか否かを簡単に検査することができる。
【００３２】
このように実施の形態２によれば、ストッパ膜５ｂを下地にして第２の絶縁膜をエッチングしてからストッパ膜５ｂをエッチングすることにより、ウェハ全面においてヒューズ回路上に一定膜厚の絶縁膜４を残すことができるので、誤動作がなくヒューズブローを確実に実施できるヒューズ部を形成することができる。さらにストッパ膜５ｂを下地にしたエッチングにより吸水性を有する絶縁膜２１を含む第２の絶縁膜を確実に除去してから保護膜８を成膜し、ヒューズ開口部の側壁に露出する第２の絶縁膜を保護膜８で被覆することにより、第２の絶縁膜の露出部を確実に保護膜８で被覆することができるので、ＬＳＩ配線の腐食を防止することができる。またヒューズ開口部内のストッパ膜５ｂの膜残りを光学顕微鏡で観察することにより、ヒューズ部が正常に形成されているか否かを非破壊で簡単に検査することができる。
【００３３】
なお、上記実施の形態２において、絶縁膜６として吸水性を有する絶縁膜を用いた場合にも、絶縁膜６の露出部を完全に保護膜８で被覆することができるので、ＬＳＩ配線の腐食を防止することができる。また導電膜パターン５となる導電膜によりヒューズ配線を形成し、ＬＳＩ配線７となる導電膜によりストッパ膜を形成しても良い。この場合には絶縁膜６がヒューズ回路上に残されるべき第１の絶縁膜となり、絶縁膜２１がヒューズ回路上から除去されるべき第２の絶縁膜となる。また上記実施の形態２においては、配線層を４層（ＬＳＩ配線３ａ、５ａ、７、２３）、層間絶縁層を３層（絶縁膜４、６、２１）としたが、配線層は５層以上（従って層間絶縁層は４層以上）であっても良い。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の半導体装置の製造方法によれば、ストッパ膜を下地にして第２の絶縁膜をエッチングすることによりヒューズ回路上の第２の絶縁膜を確実に除去してからストッパ膜をエッチングすることにより、ウェハ全面においてヒューズ回路上に一定膜厚の第１の絶縁膜を残すことができるので、誤動作がなくヒューズブローを確実に実施できるヒューズ部を形成することができるという効果がある。
【００３５】
また本発明の他の製造方法によれば、ストッパ膜を下地にして第２の絶縁膜をエッチングすることによりヒューズ回路上の第２の絶縁膜を確実に除去し、その上に保護膜を成膜することによりヒューズ開口部における第２の絶縁膜の露出部を保護膜で完全に被覆することができ、第２の絶縁膜が吸湿性を有するものであっても半導体装置内部に水分が侵入することがないので、内部に形成された配線の腐食を防止することができるという効果がある。
【００３６】
次に本発明の半導体装置の検査方法によれば、ヒューズ開口部内のストッパ膜が除去されているか否かを観察することにより、ヒューズ部が正常に形成されているか否かを簡単に確認することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図３】従来の半導体装置の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
１  半導体基板、  ３ｂ，３ｃ  ヒューズ配線、  ４，６，２１  絶縁膜、  ５ｂ  ストッパ膜、  １０  ヒューズ開口部。
【図１】
0003907279.tif 000002
【図２】
0003907279.tif 000003
【図３】
0003907279.tif 000004