(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体酸化容易層を含んで積層形成された化合物半導体層に於けるストライプ電流注入領域の両側に沿って延在するように導入された三族不純物を含んでなる酸化抑止領域と、
前記半導体酸化容易層の外縁から前記ストライプ電流注入領域に向かって延在し且つ前記酸化抑止領域で終端されて前記ストライプ電流注入領域を画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域と
を備えてなることを特徴とするエッジ・エミッション型半導体レーザ。
【請求項２】
半導体多層膜反射鏡を含んで積層形成された化合物半導体層に於ける円形電流注入領域の周縁に沿って延在するように導入された三族不純物を含んでなる酸化抑止領域と、
前記半導体多層膜反射鏡に含まれる半導体酸化容易層の外縁から前記円形電流注入領域に向かって延在し且つ前記酸化抑止領域で終端されて前記円形電流注入領域を画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域と
を備えてなることを特徴とする面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
一導電型半導体基板上に一導電型クラッド層と活性層と反対導電型半導体酸化容易層と反対導電型クラッド層と反対導電型コンタクト層とを積層形成する工程と、
次いで、ストライプ電流注入領域生成予定部分の両側に沿って延在するように三族不純物を導入して酸化抑止領域を形成する工程と、
次いで、前記反対導電型コンタクト層の表面から少なくとも前記反対導電型半導体酸化容易層の下地表面に達するメサ・エッチングを行なう工程と、
次いで、表出された前記反対導電型半導体酸化容易層の外縁から前記酸化抑止領域までの間を酸化させてストライプ電流注入領域を画成する工程と
が含まれてなることを特徴とするエッジ・エミッション型半導体レーザの製造方法。
【請求項４】
一導電型半導体基板上に一導電型半導体多層膜反射鏡と活性層を含む共振器と反対導電型半導体多層膜反射鏡と反対導電型コンタクト層とを積層形成する工程と、
次いで、円形電流注入領域生成予定部分の周縁に沿って延在するように三族不純物を導入して酸化抑止領域を形成する工程と、
次いで、前記反対導電型コンタクト層の表面から少なくとも前記反対導電型半導体多層膜反射鏡の下地表面に達するメサ・エッチングを行なう工程と、
次いで、表出された前記反対導電型半導体多層膜反射鏡に含まれる反対導電型半導体酸化容易層の外縁から前記酸化抑止領域までの間を酸化させて円形電流注入領域を画成する工程と
が含まれてなることを特徴とする面発光型半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化物を用いて電流狭窄構造を構成した半導体レーザ及びその製造方法に関する。
【０００２】
現在、面発光型半導体レーザに於いては、電流狭窄に酸化膜を用いた極低しきい値電流のものが実現されていて、その技術は、エッジ・エミッション型の半導体レーザにも応用されようとしている傾向にあり、本発明では、酸化物電流狭窄構造の製造歩留りを向上させる技術を開示しようとする。
【０００３】
【従来の技術】
図５は酸化物電流狭窄構造の従来の技術を説明する為のエッジ・エミッション型半導体レーザを表す要部切断正面図である。
【０００４】
図に於いて、１は基板、２は一導電型側クラッド層、３は活性層、４は酸化物電流狭窄層、４Ａは電流注入領域、５は反対導電型側クラッド層、６はコンタクト層、７は反対導電型側電極、８は一導電型側電極、ＬOXは酸化の深さをそれぞれ示している。
【０００５】
この半導体レーザに於いては、酸化物電流狭窄層４として酸化され易い材料を用い、酸化時間に依って電流注入領域４Ａの幅を制御している。
【０００６】
ところで、本発明が開示する技術は、エッジ・エミッション型半導体レーザ以外に適用しても性能を向上させることができ、そして、本発明の実施の形態で面発光半導体レーザも対象にしているので、ここで、従来の面発光型半導体レーザについて説明する。
【０００７】
図６は酸化物電流狭窄構造をもった面発光型半導体レーザを表す要部切断側面図である。
【０００８】
図に於いて、１１は基板、１２はＤＢＲ（（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層、１３は共振器層、１４はＤＢＲ層、１５並びに１６は電極、１２Ａ及び１４Ａは酸化物電流狭窄層をそれぞれ示している。
【０００９】
図５及び図６に見られる従来の半導体レーザに於ける酸化物電流狭窄層４或いは酸化物電流狭窄層１２Ａ及び１４Ａに於いては、それら電流注入領域の幅や直径、従って、酸化物領域の幅や直径は、酸化時間の如何で制御しているものであるから、酸化温度の揺らぎ、或いは、酸化温度の分布などに起因して酸化の深さＬoxが変わるので、再現性に乏しく、素子特性がばらつく旨の問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、エッジ・エミッション型或いは面発光型の半導体レーザに酸化物電流狭窄層を作り込むに際し、酸化の深さ、従って、電流注入領域の幅や直径を正確に再現性よく確保できるようにしようとする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明では、電流注入領域となる部分の縁辺に難酸化領域、即ち、酸化抑止領域を設けることで、酸化容易層を酸化させた場合、酸化の進行を前記酸化抑止領域で停止させ、正確な幅或いは直径をもつ電流注入領域を再現性良く形成できるようにするものである。
【００１２】
前記したところから、本発明の半導体レーザ及びその製造方法に於いては、
（１）
半導体酸化容易層（例えば酸化容易層２６）を含んで積層形成された化合物半導体層（例えばｎ側クラッド層２２、ＳＣＨ層２３、歪み量子井戸活性層２４、ＳＣＨ層２５、酸化容易層２６、ｐ側クラッド層２７、コンタクト層２８など）に於けるストライプ電流注入領域（例えばストライプ電流注入領域２６Ａ）の両側に沿って延在するように導入された三族不純物（例えばＧａ又はＩｎなど）を含んでなる酸化抑止領域（例えば酸化抑止領域２９）と、前記半導体酸化容易層の外縁から前記ストライプ電流注入領域に向かって延在し且つ前記酸化抑止領域で終端されて前記ストライプ電流注入領域を画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域（例えば絶縁領域２６）とを備えてなることを特徴とするか、又は、
【００１３】
（２）
半導体多層膜反射鏡（例えばｐ側ＤＢＲ層４６）を含んで積層形成された化合物半導体層（例えばｎ側ＤＢＲ層４２、ｎ側クラッド層４３、クラッド兼不純物拡散抑止層４３Ａ、歪み量子井戸活性層４４、ｐ側クラッド層４５、クラッド兼不純物拡散抑止層４５Ａ、ｐ側ＤＢＲ層４６、ＤＢＲ兼コンタクト層４６Ａ）に於ける円形電流注入領域（例えば円形電流注入領域４６Ｂ）の周縁に沿って延在するように導入された三族不純物（例えばＧａ又はＩｎなど）を含んでなる酸化抑止領域（例えば酸化抑止領域４７）と、前記半導体多層膜反射鏡に含まれる半導体酸化容易層（例えばＡｌＡｓ層）の外縁から前記円形電流注入領域に向かって延在し且つ前記酸化抑止領域で終端されて前記円形電流注入領域を画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域（例えば絶縁領域４６Ｃ）とを備えてなることを特徴とするか、又は、
【００１４】
（３）
一導電型半導体基板（例えばｎ型基板２１）上に一導電型クラッド層（例えばｎ側クラッド層２２）と活性層（例えば歪み量子井戸活性層２４）と反対導電型半導体酸化容易層（例えばｐ型酸化容易層２６）と反対導電型クラッド層（例えばｐ側クラッド層２７）と反対導電型コンタクト層（例えばｐ型コンタクト層２８）とを積層形成する工程と、次いで、ストライプ電流注入領域生成予定部分の両側に沿って延在するように三族不純物（例えばＧａ或いはＩｎなど）を導入して酸化抑止領域（例えば酸化抑止領域２９）を形成する工程と、次いで、前記反対導電型コンタクト層の表面から少なくとも前記反対導電型半導体酸化容易層の下地表面に達するメサ・エッチングを行なう工程と、次いで、表出された前記反対導電型半導体酸化容易層の外縁から前記酸化抑止領域までの間を酸化させてストライプ電流注入領域（例えばストライプ電流注入領域２６Ａ）を画成する工程とが含まれてなることを特徴とするか、又は、
【００１５】
（４）
一導電型半導体基板（例えばｎ型基板４１）上に一導電型半導体多層膜反射鏡（例えばｎ側ＤＢＲ層４２）と活性層（例えば歪み量子井戸層４４Ｂなど）を含む共振器（例えば共振器４４）と反対導電型半導体多層膜反射鏡（例えばｐ側ＤＢＲ層４６）と反対導電型コンタクト層（例えばＤＢＲ兼コンタクト層４６Ａ）とを積層形成する工程と、次いで、円形電流注入領域生成予定部分の周縁に沿って延在するように三族不純物（例えばＧａ或いはＩｎなど）を導入して酸化抑止領域（例えば）を形成する工程と、次いで、前記反対導電型コンタクト層の表面から少なくとも前記反対導電型半導体多層膜反射鏡の下地表面に達するメサ・エッチングを行なう工程と、次いで、表出された前記反対導電型半導体多層膜反射鏡に含まれる反対導電型半導体酸化容易層（例えばＡｌＡｓ層）の外縁から前記酸化抑止領域までの間を酸化させて円形電流注入領域（例えば円形電流注入領域４６Ｂ）を画成する工程とが含まれてなることを特徴とする。
【００１６】
前記手段を採ることに依り、半導体酸化容易層に対する酸化は、三族イオンの注入に依って形成された酸化抑止領域に於いて確実に停止され、その酸化を制御する為の酸化抑止領域を形成するイオン注入の精度は、酸化物電流狭窄層の酸化を時間で制御する場合に比較して正確さの点で大差があり、その再現性は極めて良好であって、製造歩留りは向上する。
【００１７】
また、半導体酸化容易層に於ける電流注入領域の幅や直径は、酸化抑止領域を形成する為のイオン注入を行なう際のマスクの如何に依って簡単に選択することができるから、その実施は容易である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に於ける実施の形態であるエッジ・エミッション型半導体レーザを表す要部切断正面図である。
【００１９】
図に於いて、２１は基板、２２はｎ側クラッド層、２３はＳＣＨ（ｓｅｐａｒａｔｅ  ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層、２４は歪み量子井戸活性層、２４Ａはバリヤ層、２４Ｂは量子井戸層、２５はＳＣＨ層、２６は酸化容易層、２６Ａはストライプ電流注入領域、２６Ｂは絶縁領域、２７はｐ側クラッド層、２８はコンタクト層、２９は酸化抑止領域、３０はパッシベーション膜、３１はｐ側電極、３２はｎ側電極をそれぞれ示している。
【００２０】
図１に見られる半導体レーザの各構成部分に関する主要なデータを例示すると次の通りである。
【００２１】
（１）  基板２１について
材料：ｎ−ＧａＡｓ
不純物：Ｓｉ
不純物濃度：２×１０18〔cm-3〕
厚さ：１００〔μｍ〕
【００２２】
（２）  ｎ側クラッド層２２について
材料：ｎ−ＩｎＧａＰ
不純物：Ｓｉ
不純物濃度：２×１０18〔cm-3〕
厚さ：１〔μｍ〕
【００２３】
（３）  ＳＣＨ層２３について
材料：ｉ−ＡｌＧａＡｓ
厚さ：１００〔ｎｍ〕
【００２４】
（４）  歪み量子井戸活性層２４について
○  バリヤ層２４Ａ
材料：ｉ−ＧａＡｓ
厚さ：１０〔ｎｍ〕
○  量子井戸層２４Ｂ
材料：ｉ−ＩｎＧａＡｓ
厚さ：８〔ｎｍ〕
【００２５】
（５）  ＳＣＨ層２５について
材料：ｉ−ＡｌＧａＡｓ
厚さ：１００〔ｎｍ〕
【００２６】
（６）  酸化容易層２６について
材料：ｐ−ＡｌＡｓ
不純物：Ｚｎ
不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕
厚さ：１０〔ｎｍ〕
【００２７】
（７）  ｐ側クラッド層２７について
材料：ｐ−ＩｎＧａＰ
不純物：Ｚｎ
不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕
厚さ：１〔μｍ〕
【００２８】
（８）  コンタクト層２８について
材料：ｐ−ＧａＡｓ
不純物：Ｚｎ
不純物濃度：２×１０19〔cm-3〕
厚さ：０．３〔μｍ〕
【００２９】
（９）  酸化抑止領域２９について
注入イオン：Ｇａ
加速電圧：１５０〔ｋＶ〕
ドーズ量：１×１０13〔cm-2〕
幅：１〔μｍ〕
間隔：１〔μｍ〕
【００３０】
（１０）  パッシベーション膜３０について
材料：ＳｉＯ2 
厚さ：３００〔ｎｍ〕
【００３１】
（１１）  ｐ側電極３１について
材料：Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ
厚さ：１００〔ｎｍ〕／３００〔ｎｍ〕／３〔μｍ〕
【００３２】
（１２）  ｎ側電極３２について
材料：ＡｕＧｅ／Ａｕ／Ａｕ
厚さ：３０〔ｎｍ〕／１５０〔ｎｍ〕／３〔μｍ〕
【００３３】
図２は図１に見られる半導体レーザを製造する工程について説明する為の工程要所に於ける半導体レーザを表す要部切断正面図であり、次に、図２及び図１を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【００３４】
図２（Ａ）参照
２−（１）
ＭＢＥ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｂｅａｍ  ｅｐｉｔａｘｙ）法を適用することに依り、基板２１上にｎ側クラッド層２２、ＳＣＨ層２３、歪み量子井戸活性層２４、ＳＣＨ層２５、酸化容易層２６、ｐ側クラッド層２７、コンタクト層２８を成長させる。尚、ここで適用するＭＢＥ法は、例えばＭＯＶＰＥ（ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ  ｖａｐｏｒ  ｐｈａｓｅ  ｅｐｉｔａｘｙ）法などに代替して良い。
【００３５】
２−（２）
リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用することに依り、共振器長方向に延在する２本の酸化抑止領域形成予定部分に開口３３Ａをもつレジスト膜３３を形成する。
【００３６】
ここで、開口３３Ａの幅は１〔μｍ〕、そして、２本の開口３３Ａの間隔は１〔μｍ〕である。
【００３７】
２−（３）
イオン注入法を適用することに依り、Ｇａイオンの打ち込みを行なって、コンタクト層２８の表面からＳＣＨ層２５の表面に達する酸化抑止領域２９を形成する。
【００３８】
図２（Ｂ）参照
２−（４）
アセトン液中に浸漬してレジスト膜３３を除去してから、改めてレジスト・プロセスを適用することに依り、共振器長方向に延在する電流注入領域形成予定部分及び２本の酸化抑止領域２９を覆う例えば幅１０〔μｍ〕程度のストライプ・レジスト膜（図示せず）を形成する。
【００３９】
２−（５）
エッチャントをＢｒ系エッチング液とするウエット・エッチング法を適用することに依り、ストライプ・レジスト膜をマスクとしてコンタクト層２８の表面から、少なくともＳＣＨ層２５の表面に達するメサ・エッチングを行なう。
【００４０】
２−（６）
アセトン液中に浸漬してストライプ・レジスト膜を除去してから、窒素バブリングで供給される温度４００〔℃〕の水蒸気雰囲気中で酸化容易層２６の酸化を行なう。
【００４１】
この酸化は、Ｇａが導入された酸化抑止領域２９で急激に遅くなるので、そこで、殆ど停止状態にすることができ、電流注入領域２６Ａの幅は正確に確保することができる。
【００４２】
図１参照
１−（１）
ＣＶＤ法を適用することに依り、全体をパッシベーション膜３０で覆う。
【００４３】
１−（２）
リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、フッ酸系エッチング液を用いたウエット・エッチング法を適用することに依り、メサ頂面のパッシベーション膜３０のエッチングを行なって、幅１０〔μｍ〕のストライプの開口を形成する。
【００４４】
１−（３）
パッシベーション膜３０のエッチング・マスクとして用いたレジスト膜を除去してから、リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、真空蒸着法、リフト・オフ法を適用することに依り、ｐ側電極３１を形成する。
【００４５】
１−（４）
ＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を適用することに依り、基板２１の厚さが例えば１００〔μｍ〕程度となるように裏面を研磨する。
【００４６】
１−（５）
真空蒸着法を適用することに依り、基板２１の裏面にｎ側電極３２を形成する。
【００４７】
この後、劈開して素子を完成するが、この半導体レーザに於いては、前記したように、電流注入領域２６Ａの幅が設計通りに確保されるので、全ての素子は特性が略均一である。
【００４８】
図３は本発明に於ける実施の形態である面発光型半導体レーザを表す要部切断側面図である。尚、ここでは、ＧａＡｓ系材料を用いた０．９８〔μｍ〕帯の面発光型半導体レーザを対象としている。
【００４９】
図に於いて、４１は基板、４２はｎ側ＤＢＲ層、４３はｎ側クラッド層、４３Ａはクラッド兼不純物拡散抑止層、４４は活性層を含む共振器、４４Ａはバリヤ層、４４Ｂは歪み量子井戸層、４５Ａはクラッド兼不純物拡散抑止層、４５はｐ側クラッド層、４６はｐ側ＤＢＲ層、４６ＡはＤＢＲ兼コンタクト層、４６Ｂは円形電流注入領域、４６Ｃは絶縁領域、４７は酸化抑止領域、４８はパッシベーション膜、４９はｐ側電極、５０は無反射膜、５１はｎ側電極をそれぞれ示している。
【００５０】
図３に見られる面発光半導体レーザの各構成部分に関する主要なデータを例示すると次の通りである。
【００５１】
（１）  基板４１について
材料：ｎ−ＧａＡｓ
不純物：Ｓｉ
不純物濃度：２×１０18〔cm-3〕
厚さ：１００〔μｍ〕
【００５２】
（２）  ＤＢＲ層４２について
材料：ｎ−ＧａＡｓ（λ／４）／ｎ−ＡｌＡｓ（λ／４）
不純物：Ｓｉ
不純物濃度：２×１０18〔cm-3〕
層数：２２．５対
【００５３】
（３）  ｎ側クラッド層４３について
材料：ｎ−ＡｌＧａＡｓ
不純物：Ｓｉ
不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕
厚さ：１０４．７５〔ｎｍ〕
【００５４】
（４）  クラッド兼不純物拡散抑止層４３Ａについて
材料：ｉ−ＡｌＧａＡｓ
厚さ：３０〔ｎｍ〕
【００５５】
（５）  歪み量子井戸活性層４４について
○  バリヤ層４４Ａ
材料：ｉ−ＧａＡｓ
厚さ：１０〔ｎｍ〕
○  量子井戸層４４Ｂ
材料：ｉ−ＩｎＧａＡｓ
厚さ：８〔ｎｍ〕
【００５６】
（６）  クラッド兼不純物拡散抑止層４５Ａ
材料：ｉ−ＡｌＧａＡｓ
厚さ：３０〔ｎｍ〕
【００５７】
（７）  ｐ側クラッド層４５について
材料：ｐ−ＡｌＧａＡｓ
不純物：Ｂｅ
不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕
厚さ：１０４．７５〔μｍ〕
【００５８】
（８）  ＤＢＲ層４６について
材料：ｐ−ＧａＡｓ（λ／４）／ｐ−ＡｌＡｓ（λ／４）
不純物：Ｂｅ
不純物濃度：２×１０18〔cm-3〕
層数：２５対
【００５９】
（９）  ＤＢＲ兼コンタクト層４６Ａについて
材料ｐ+ −ＧａＡｓ
不純物：Ｂｅ
不純物濃度：２×１０19〔cm-3〕
厚さ：５０〔ｎｍ〕
【００６０】
（１０）  酸化抑止領域４７について
注入イオン：Ｇａ
加速電圧：５０〔ｋＶ〕から３００〔ｋＶ〕まで変化
ドーズ量：１×１０13〔cm-2〕
内径：５〔μｍ〕
外径：７〔μｍ〕
幅：１〔μｍ〕
【００６１】
（１１）  パッシベーション膜４８について
材料：ＳｉＯ2 
厚さ：３００〔ｎｍ〕
【００６２】
（１２）  ｐ側電極４９について
材料：Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ
厚さ：１００〔ｎｍ〕／３００〔ｎｍ〕／３〔μｍ〕
【００６３】
（１３）  無反射膜５０について
材料：ＳｉＮ
厚さ：λ／４
【００６４】
（１４）  ｎ側電極５１について
材料：ＡｕＧｅ／Ａｕ／Ａｕ
厚さ：３０〔ｎｍ〕／１５０〔ｎｍ〕／３〔μｍ〕
【００６５】
図４は図３に見られる面発光半導体レーザを製造する工程について説明する為の工程要所に於ける面発光半導体レーザを表す要部切断正面図であり、次に、図４及び図３を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
【００６６】
図４（Ａ）参照
４−（１）
ＭＢＥ法を適用することに依り、基板４１上にＤＢＲ層４２、ｎ側クラッド層４３、クラッド兼不純物拡散抑止層４３Ａ、歪み量子井戸活性層４４、クラッド層兼不純物拡散抑止層４５Ａ、ｐ側クラッド層４５、ＤＢＲ層４６、ＤＢＲ兼コンタクト層４６Ａを成長させる。尚、ここで適用するＭＢＥ法は、例えばＭＯＶＰＥ法などに代替して良い。
【００６７】
４−（２）
リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセスを適用することに依り、酸化抑止領域形成予定部分上に対応し、内径５〔μｍ〕及び外径７〔μｍ〕、従って、幅１〔μｍ〕の円形帯状開口５２Ａをもったレジスト膜５２を形成する。
【００６８】
４−（３）
イオン注入法を適用することに依り、レジスト膜５２をマスクとしてＤＢＲ層の深さ方向全体にＧａイオンの打ち込みを行なって酸化抑止領域４７を形成する。
【００６９】
図４（Ｂ）参照
４−（４）
アセトン液中に浸漬してレジスト膜５２を除去してから、改めてレジスト・プロセスを適用することに依り、電流注入領域形成予定部分並びに酸化抑止領域４７を覆うと共にそれ等の外側に伸び出る直径例えば２０〔μｍ〕程度の円形レジスト膜（図示せず）を形成する。
【００７０】
４−（５）
エッチャントをＢｒ系エッチング液とするウエット・エッチング法を適用することに依り、円形レジスト膜をマスクとしてＤＢＲ兼コンタクト層４６Ａの表面から、少なくともｐ側クラッド層４５の表面に達するメサ・エッチングを行なう。
【００７１】
４−（６）
アセトン液中に浸漬して円形レジスト膜を除去してから、窒素バブリングで供給される温度４００〔℃〕の水蒸気雰囲気中でＤＢＲ層４６中の半導体酸化容易層であるＡｌＡｓ層の酸化を行なう。
【００７２】
この酸化も、Ｇａが導入された酸化抑止領域４７で急激に遅くなるので、そこで、殆ど停止状態にすることができ、電流注入領域４６Ａの直径は正確に確保することができる。
【００７３】
図３参照
３−（１）
ＣＶＤ法を適用することに依り、全体をのＳｉＯ2 からなるパッシベーション膜４８で覆う。
【００７４】
３−（２）
リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、及び、フッ酸系エッチング液を用いたウエット・エッチング法を適用することに依り、メサ頂面のパッシベーション膜４８のエッチングを行なって、直径１０〔μｍ〕の円形開口を形成する。
【００７５】
３−（３）
パッシベーション膜４８のエッチング・マスクとして用いたレジスト膜を除去してから、リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、真空蒸着法、リフト・オフ法を適用することに依り、ｐ側電極４９を形成する。
【００７６】
３−（４）
ＣＭＰ法を適用することに依り、基板４１の厚さが例えば１００〔μｍ〕程度となるように裏面を研磨する。
【００７７】
３−（５）
リソグラフィ技術に於けるレジスト・プロセス、真空蒸着法、リフト・オフ法を適用することに依り、厚さがλ／４、従って、２４５０〔Å〕である無反射膜５０及びｎ側電極５１を形成する。
【００７８】
この後、劈開して素子を完成するが、この面発光型半導体レーザでは、前記したように、電流注入領域４６Ｂの直径が設計通りに確保されるので、全ての素子は特性が略均一である。
【００７９】
【発明の効果】
本発明に依って得られる半導体レーザに於いては、半導体酸化容易層を含んで積層形成された化合物半導体層に於けるストライプ電流注入領域の両側に沿って延在するように導入された三族不純物からなる酸化抑止領域と、前記半導体酸化容易層の外縁から前記ストライプ電流注入領域に向かって延在し且つ前記酸化抑止領域で終端されて前記ストライプ電流注入領域を画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域とを備えるか、或いは、半導体多層膜反射鏡を含んで積層形成された化合物半導体層に於ける円形電流注入領域の周縁に沿って延在するように導入された三族不純物からなる酸化抑止領域と、前記半導体多層膜反射鏡に含まれる半導体酸化容易層の外縁から前記円形電流注入領域に向かって延在し且つ前記酸化抑止領域で終端されて前記円形電流注入領域を画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域とを備える。
【００８０】
【発明の効果】
本発明に依って得られる半導体レーザに於いては、半導体酸化容易層を含んで積層形成された化合物半導体層に於けるストライプ電流注入領域の両側に沿って延在するように導入された三族不純物を含んでなる酸化抑止領域と、前記半導体酸化容易層の外縁から前記ストライプ電流注入領域に向かって延在し且つ前記酸化抑止領域で終端されて前記ストライプ電流注入領域を画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域とを備えるか、或いは、半導体多層膜反射鏡を含んで積層形成された化合物半導体層に於ける円形電流注入領域の周縁に沿って延在するように導入された三族不純物を含んでなる酸化抑止領域と、前記半導体多層膜反射鏡に含まれる半導体酸化容易層の外縁から前記円形電流注入領域に向かって延在し且つ前記酸化抑止領域で終端されて前記円形電流注入領域を画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域とを備える。
【００８１】
また、半導体酸化容易層に於ける電流注入領域の幅や直径は、酸化抑止領域を形成する為のイオン注入を行なう際のマスクの如何に依って簡単に選択することができ、その実施は容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に於ける実施の形態であるエッジ・エミッション型半導体レーザを表す要部切断正面図である。
【図２】図１に見られる半導体レーザを製造する工程について説明する為の工程要所に於ける半導体レーザを表す要部切断正面図である。
【図３】本発明に於ける実施の形態である面発光型半導体レーザを表す要部切断側面図である。
【図４】図３に見られる半導体レーザを製造する工程について説明する為の工程要所に於ける半導体レーザを表す要部切断正面図である。
【図５】酸化物電流狭窄構造の従来の技術を説明する為のエッジ・エミッション型半導体レーザを表す要部切断正面図である。
【図６】酸化物電流狭窄構造をもった面発光型半導体レーザを表す要部切断側面図である。
【符号の説明】
２１  基板
２２  ｎ側クラッド層
２３  ＳＣＨ層
２４  歪み量子井戸活性層
２４Ａ  バリヤ層
２４Ｂ  量子井戸層
２５  ＳＣＨ層
２６  酸化容易層
２６Ａ  ストライプ電流注入領域
２６Ｂ  絶縁領域
２７  ｐ側クラッド層
２８  コンタクト層
２９  酸化抑止領域
３０  パッシベーション膜
３１  ｐ側電極
３２  ｎ側電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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