(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物が載置されたステージと、
軸中心を中心として回転しながら前記被加工物に接触することにより該被加工物を切断するブレードと、
前記ブレードと前記被加工物とを所定の相対移動速度で移動させることにより前記ブレードと前記被加工物とを接触させる移動機構と、
前記ブレードが前記被加工物を切断する際の切断面と同一の平面内において、対象である前記軸中心を所定の軸中心回転速度、回転径、及び回転方向で回転するように振動させる軸中心の振動機構とを備えるとともに、
前記ブレードは外周刃を有し、
前記軸中心の振動機構は、前記軸中心を中心として前記ブレードが回転する方向と前記軸中心の前記回転方向とが同一であるように前記軸中心を振動させることによって、切りくずを前記被加工物から引き上げ引き離して前記ブレードが回転する方向に沿って排出するように作用し、
前記軸中心回転速度は前記相対移動速度よりも大きいことを特徴とする切断装置。
【請求項２】
被加工物が載置されたステージと、
軸中心を中心として回転しながら前記被加工物に接触することにより該被加工物を切断するブレードと、
前記ブレードと前記被加工物とを所定の相対移動速度で移動させることにより前記ブレードと前記被加工物とを接触させる移動機構と、
前記ブレードが前記被加工物を切断する際の切断面と同一の平面内において、対象である前記ステージを所定のステージ回転速度、回転径、及び回転方向で回転するように振動させるステージの振動機構とを備えるとともに、
前記ブレードは外周刃を有し、
前記ステージの振動機構は、前記軸中心を中心として前記ブレードが回転する方向と前記ステージの前記回転方向とが同一であるように前記ステージを振動させることによって、切りくずを前記被加工物から引き上げ引き離して前記ブレードが回転する方向に沿って排出するように作用し、
前記ステージ回転速度は前記相対移動速度よりも大きいことを特徴とする切断装置。
【請求項３】
軸中心を中心として回転するブレードによってステージに載置された被加工物を切断する切断方法であって、
前記ブレードが前記被加工物を切断する際の切断面と同一の平面内において、対象である前記軸中心を所定の軸中心回転速度、回転径、及び回転方向で回転するように振動させる工程と、
前記ブレードと前記被加工物とを所定の相対移動速度で移動させる工程と、
前記ブレードと前記被加工物とを接触させることにより該被加工物を切断する工程とを備えるとともに、
前記ブレードは外周刃を有し、
前記振動させる工程では、前記軸中心を中心として前記ブレードが回転する方向と前記軸中心の前記回転方向とが同一であるように前記軸中心を振動させることによって切りくずを前記被加工物から引き上げ引き離して前記ブレードが回転する方向に沿って排出し、前記軸中心回転速度を前記相対移動速度よりも大きくすることを特徴とする切断方法。
【請求項４】
軸中心を中心として回転するブレードによってステージに載置された被加工物を切断する切断方法であって、
前記ブレードが前記被加工物を切断する際の切断面と同一の平面内において、対象である前記ステージを所定のステージ回転速度、回転径、及び回転方向で回転するように振動させる工程と、
前記ブレードと前記被加工物とを所定の相対移動速度で移動させる工程と、
前記ブレードと前記被加工物とを接触させることにより該被加工物を切断する工程とを備えるとともに、
前記ブレードは外周刃を有し、
前記振動させる工程では、前記軸中心を中心として前記ブレードが回転する方向と前記ステージの前記回転方向とが同一であるように前記ステージを振動させることによって切りくずを前記被加工物から引き上げ引き離して前記ブレードが回転する方向に沿って排出し、前記ステージ回転速度を前記相対移動速度よりも大きくすることを特徴とする切断方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ブレード等のツールを使用して被加工物を切断する、切断装置及び切断方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、シリコン基板、セラミック基板、プリント基板等（以下、基板という）やシリコンインゴット等のような欠けやすい被加工物を切断する場合には、砥粒を含有する円板状の回転刃、すなわちブレードを回転させて、基板等を切断加工している。この場合には、ブレードを備えた、ダイサー、スライサー等と呼ばれる装置を使用する。これらの装置によって基板を切断する場合には、次のようにして行っている。すなわち、ステージ上に固定された基板に対して回転するブレードを移動させ、あるいは、回転するブレードに対して基板を固定したステージを移動させることによって、基板と回転するブレードとを接触させる。これにより、基板を切断することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の切断加工によれば、加工効率を高める目的でブレードの回転数、つまり周速を増加させた場合には、次のような問題がある。すなわち、ブレードの回転数を増加させた場合には、切断により発生した切りくずが充分に排出されなくなるので、基板からブレードが受ける加工抵抗が増加する。したがって、切断加工の効率化が阻害されるとともに、摩擦によってブレードの表面温度が上昇するのでブレードの寿命が短くなる。
更に、加工抵抗が増加することから、切断後の被加工物において、本来完全に除去されるべき部分が中途半端に残存して、ばり（かえり）が発生するおそれがある。特に、シリコン基板を切断してチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）用の半導体チップを形成する工程でばりが発生した場合には、プリント基板に半導体チップを装着する工程で、半導体チップの浮き、ひいては接続不良を引き起こすおそれがある。したがって、このようなばりは、ＣＳＰの信頼性を低下させる原因になる。
【０００４】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、加工効率を向上させ、ばりの発生を抑制するとともに、ブレードの長寿命化を可能にする切断装置及び切断方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上述の技術的課題を解決するために、本発明に係る切断装置は、被加工物が載置されたステージと、軸中心を中心として回転しながら被加工物に接触することにより該被加工物を切断するブレードと、ブレードと被加工物とを所定の相対移動速度で移動させることによりブレードと被加工物とを接触させる移動機構と、ブレードが被加工物を切断する際の切断面と同一の平面内において、対象である軸中心を所定の軸中心回転速度、回転径、及び回転方向で回転するように振動させる軸中心の振動機構とを備えるとともに、ブレードは外周刃を有し、軸中心の振動機構は、軸中心を中心としてブレードが回転する方向と軸中心の回転方向とが同一であるように軸中心を振動させることによって、切りくずを被加工物から引き上げ引き離してブレードが回転する方向に沿って排出するように作用し、軸中心回転速度は相対移動速度よりも大きいことを特徴とする。
【０００６】
これによれば、回転するブレードの軸中心が軸中心回転速度で、高速に微小な回転径で回転し、そのブレードがステージに載置された被加工物を、軸中心回転速度よりも小さいブレード移動速度で切り進んでいくことが可能になる。これにより、ブレードは、一定の移動距離において、より多くの回数だけ被加工物に対する接触と離脱とを繰り返す。したがって、被加工物が切断される際の加工抵抗は、被加工物がブレードに接触する時間が短くなり、かつブレードに接触していない状態が生じることによって、減少する。また、ブレードは外周刃を有するとともに、軸中心を中心としてブレードが回転する方向と所定の軸中心回転速度により回転する軸中心の回転方向とが同一であるように軸中心が振動する。したがって、被加工物に対するブレードの相対的な周速が加速されるので、加工効率が向上する。
【０００７】
また、本発明に係る切断装置は、被加工物が載置されたステージと、軸中心を中心として回転しながら被加工物に接触することにより該被加工物を切断するブレードと、ブレードと被加工物とを所定の相対移動速度で移動させることによりブレードと被加工物とを接触させる移動機構と、ブレードが被加工物を切断する際の切断面と同一の平面内において、対象であるステージを所定のステージ回転速度、回転径、及び回転方向で回転するように振動させるステージの振動機構とを備えるとともに、ブレードは外周刃を有し、ステージの振動機構は、軸中心を中心としてブレードが回転する方向とステージの回転方向とが同一であるようにステージを振動させることによって、切りくずを被加工物から引き上げ引き離してブレードが回転する方向に沿って排出するように作用し、ステージ回転速度は相対移動速度よりも大きいことを特徴とする。
【０００８】
これによれば、ステージがステージ回転速度で高速に微小な回転径で回転し、そのステージに載置された被加工物を、ブレードがステージ回転速度よりも小さいブレード移動速度で切り進んでいくことが可能になる。これにより、ブレードは、一定の移動距離において、より多くの回数だけ被加工物に対する接触と離脱とを繰り返す。したがって、被加工物が切断される際の加工抵抗は、被加工物がブレードに接触する時間が短くなり、かつブレードに接触していない状態が生じることによって、減少する。また、ブレードは外周刃を有するとともに、軸中心を中心としてブレードが回転する方向と、所定のステージ回転速度により回転するステージの回転方向とが同一であるように、ステージが振動する。これにより、ブレードと被加工物とが、互いに接触する個所の近傍で常に対向して逆方向に移動する。したがって、被加工物に対するブレードの相対的な周速が増加するので、加工効率が向上する。
【０００９】
上述の技術的課題を解決するために、本発明に係る加工方法は、軸中心を中心として回転するブレードによってステージに載置された被加工物を切断する切断方法であって、ブレードが被加工物を切断する際の切断面と同一の平面内において、対象である軸中心を所定の軸中心回転速度、回転径、及び回転方向で回転するように振動させる工程と、ブレードと被加工物とを所定の相対移動速度で移動させる工程と、ブレードと被加工物とを接触させることにより該被加工物を切断する工程とを備えるとともに、ブレードは外周刃を有し、振動させる工程では、軸中心を中心としてブレードが回転する方向と軸中心の回転方向とが同一であるように軸中心を振動させることによって切りくずを被加工物から引き上げ引き離して前記ブレードが回転する方向に沿って排出し、軸中心回転速度を相対移動速度よりも大きくすることを特徴とする。
【００１０】
これによれば、回転するブレードの軸中心を軸中心回転速度で高速に微小な回転径で回転させ、そのブレードを使用して、ステージに載置された被加工物を、軸中心回転速度よりも小さいブレード移動速度で切り進んでいくことが可能になる。これにより、ブレードが一定の距離だけ移動する間に、ブレードに、より多くの回数だけ被加工物に対する接触と離脱とを繰り返させる。したがって、被加工物がブレードに接触する時間が短くなり、かつブレードに接触していない状態が生じることによって、被加工物を切断する際の加工抵抗を減少させる。また、ブレードは外周刃を有するとともに、軸中心を中心としてブレードが回転する方向と所定の軸中心回転速度により回転する軸中心の回転方向とが同一であるように軸中心を振動させる。したがって、被加工物に対するブレードの相対的な周速が加速されるので、加工効率が向上する。
【００１１】
上述の技術的課題を解決するために、本発明に係る加工方法は、軸中心を中心として回転するブレードによりステージに載置された被加工物を切断する切断方法であって、ブレードが被加工物を切断する際の切断面と同一の平面内において、対象であるステージを所定のステージ回転速度、回転径、及び回転方向で回転するように振動させる工程と、ブレードと被加工物とを所定の相対移動速度で移動させる工程と、ブレードと被加工物とを接触させることによって該被加工物を切断する工程とを備えるとともに、ブレードは外周刃を有し、振動させる工程では、軸中心を中心としてブレードが回転する方向とステージの回転方向とが同一であるようにステージを振動させることによって切りくずを被加工物から引き上げ引き離してブレードが回転する方向に沿って排出し、ステージ回転速度を相対移動速度よりも大きくすることを特徴とする。
【００１２】
これによれば、ステージをステージ回転速度で、高速に微小な回転径で回転させ、そのステージに載置された被加工物を、ブレードを使用してステージ回転速度よりも小さいブレード移動速度で切り進んでいくことが可能になる。これにより、ブレードが一定の距離だけ移動する間に、ブレードに、より多くの回数だけ被加工物に対する接触と離脱とを繰り返させる。したがって、被加工物がブレードに接触する時間が短くなり、かつブレードに接触していない状態が生じることによって、被加工物を切断する際の加工抵抗を減少させる。また、ブレードは外周刃を有するとともに、軸中心を中心としてブレードが回転する方向と、所定のステージ回転速度により回転するステージの回転方向とが同一であるように、ステージを振動させる。これにより、ブレードと被加工物とが、互いに接触する個所の近傍で常に対向して逆方向に移動する。したがって、被加工物に対するブレードの相対的な周速が増加するので、加工効率が向上する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る切断装置及び切断方法を、図１〜図３を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る切断装置において、ブレードが基板を切断する際の要部を示す部分正面図である。
【００１４】
図１において、１は切断装置に固定され被加工物を載置するステージ、２はステージ１の被加工物載置面に貼付され両面に粘着層を有する粘着テープ、３は粘着テープ２によりステージ１に固定された例えばシリコンからなる基板である。４は、主軸（図示なし）の回転に従って一定の周速で回転する回転軸である。５は、回転軸４が回転する際の中心を仮想的に示す軸中心である。そして、軸中心５自体が、軸中心回転機構（図示なし）により、それぞれ所定の軸中心回転速度ＶRAで、かつ微小な回転径で高速に回転するように構成されている。６は、砥粒を含有し回転軸４に固定された回転刃、すなわちブレードである。７は、軸中心５を中心としてブレード６が回転する方向であるブレード回転方向を示す。ＶLBは、ブレード６が、軸中心５を中心として１回転する間に、直線的に水平移動する方向と速度の大きさとを示すブレード移動速度である。本実施形態では、軸中心回転速度ＶRAの大きさが、ブレード移動速度ＶLBよりも大きく、かつ、ブレード移動速度ＶLBに対して所定の比率になるように、設定されている。
【００１５】
図１に示された切断装置の動作を説明する。まず、回転軸４が、軸中心５を中心として所定のブレード回転方向７（図１では反時計回り方向）に回転するとともに、軸中心５が、それぞれ所定の軸中心回転速度ＶRAで、かつ微小な回転径で高速に回転する。これにより、ブレード６は、周縁部、すなわち刃先が一定の周速になるように軸中心５を中心としてブレード回転方向７に回転しながら、ブレード６全体が、それぞれ所定の軸中心回転速度ＶRAで、かつ微小な回転径で高速に回転するように振動、すなわち回転振動することになる。
ここで、基板３を厚さ方向に完全に切断するためには、ブレード６の下端が、ステージ１上に固定された基板３の下面よりも下方に位置する状態が生じるようにして、軸中心５を回転させる。また、基板３に対するブレード６の相対的な周速を増加させるとともに、切断により発生した切りくずを排出しやすくするためには、軸中心５の回転方向を、ブレード回転方向７と同じ方向にすることが好ましい。
【００１６】
次に、ブレード６は、移動機構（図示なし）により、所定のブレード移動速度ＶLBで図１の左側に水平移動して、基板３に接触する。そして、ブレード６が含有する砥粒により基板３を切削して基板３の上面に溝を形成し、基板３の下面にまで達する切り欠きを形成する。引き続いてブレード６は左に水平移動して、最終的には基板３を、上面から下面にわたって図１の右から左へと切断する。
【００１７】
ここで、本実施形態に係る切断装置及び切断方法の特徴は、ブレード移動速度ＶLBに対して、所定の比率で、かつ、それよりも大きい軸中心回転速度ＶRAで、軸中心５が回転することである。また、ブレード移動速度ＶLBに対して、軸中心５の回転径を、所定の値に設定することである。また、軸中心５の回転方向を、ブレード回転方向７と同じ方向にすることである。
例えば、ブレード６が１回転する間における、そのブレード６の水平方向への移動速度、すなわちブレード移動速度が、ＶLB（μｍ／回転）である場合について考える。この場合には、基板３の材質や切りくずの大きさ等に応じて、ブレード６が１回転する間の軸中心５の回転速度、すなわち軸中心回転速度ＶRA（μｍ／回転）と、軸中心５の回転径とを、次のように設定する。
まず、軸中心回転速度ＶRAを、ブレード移動速度ＶLBに対して所定の比率を有するとともに、それより大きい値に設定する。また、軸中心５の回転径を、ブレード移動速度ＶLBに対する所定の値に設定する。
これらのことにより、ブレード移動速度ＶLBで基板３を切り進んでいくブレード６の軸中心５が、ブレード移動速度ＶLBよりも大きい所定の軸中心回転速度ＶRAで、かつ微小な回転径で高速に回転する。そして、ブレード６は、一定の移動距離において、より多くの回数だけ基板３に対する接触と離脱とを繰り返すことになる。したがって、被加工物が切断される際の加工抵抗は、被加工物がブレードに接触する時間が短くなり、かつブレードに接触していない状態が生じることによって、減少する。
【００１８】
本実施形態に係る切断装置及び切断方法の作用について、図２を参照して詳細に説明する。図２（１），（２）は、本実施形態に係る切断装置及び切断方法において、ブレードが基板を切断する際に、基板に対してブレードが押しつけられる場合と引き離される場合との作用をそれぞれ示す部分断面図である。
【００１９】
まず、図２（１）に示されているように、軸中心５は、軸中心回転速度ＶRAで回転する。これにより、回転軸４は、軸中心５を中心としてブレード回転方向７に回転しながらブレード移動速度ＶLBで移動するブレード６の刃先を、ブレード回転方向７と同一の方向に沿って基板３に押しつける。したがって、ブレード６が含有する砥粒により基板３が切削され、切りくず８が発生する。発生した切りくず８は、ブレード６の刃先近傍に供給される切削水（図示なし）により、ブレード回転方向７に沿って移動してブレード６の刃先と基板３の表面との間から排出される。しかし、ブレード６の刃先が基板３に押しつけられているので、切りくず８は十分には排出されない。
【００２０】
次に、図２（２）に示されているように、軸中心５は、引き続き軸中心回転速度ＶRAで回転する。これにより、回転軸４は、軸中心５を中心としてブレード回転方向７に回転しながらブレード移動速度ＶLBで移動するブレード６の刃先を、基板３から引き離す。ここで、ブレード移動速度ＶLBに対して、軸中心５の回転径を適当に設定すれば、ブレード６の刃先と基板３との間隙が十分に広がる。また、ブレード回転方向７に沿って移動する切りくず８に対して、軸中心回転速度ＶRAが、切りくず８を基板３から引き上げ、引き離してブレード回転方向７に沿って排出するように作用する。これらのことにより、切りくず８は、切削水とともにブレード回転方向７に沿って移動しやすくなるので、ブレード６の刃先と基板３の表面との間から容易に排出される。したがって、ブレード６が基板３を切断する際の加工抵抗が減少する。
【００２１】
次に、図２（１）に示されているように、軸中心５は、引き続き軸中心回転速度ＶRAで回転する。これにより、回転軸４は、基板３に対して、ブレード回転方向７と同一の方向に沿って、ブレード６の刃先を押しつける。したがって、ブレード６が含有する砥粒によって基板３が切削され、切りくず８が発生する。
以下、同様に、ブレード６の刃先を基板３に押しつけて基板３を切削する工程と、ブレード６の刃先を基板３から引き離して切りくず８を排出する工程とを繰り返す。
【００２２】
以上説明したように、本実施形態によれば、第１に、切りくず８が、切削水とともにブレード回転方向７に沿って移動しやすくなって、ブレード６の刃先と基板３の表面との間から容易に排出される。これにより、切りくず８がブレード６による切断を阻害しにくくなるので、加工抵抗の増加が抑制される。第２に、ブレード６が基板３に接触してこれを切削する工程を、断続的に繰り返す。これにより、被加工物がブレードに接触する時間が短くなり、かつブレードに接触していない状態が生じるので、ブレード６の回転速度が増加しても、加工抵抗の増加が抑制される。したがって、ブレード６の回転速度を増加させることにより、加工抵抗が大幅に増加することなく、基板３を高速に切断して加工効率を向上させることができる。
また、加工抵抗の増加が抑制されるので、ブレード６が基板３に接触する際に発生する摩擦熱が抑制される。加えて、発生した摩擦熱が、ブレード６が基板３に接触していない状態において、切削水を介してブレード６から放出される。したがって、ブレード６の表面温度が上昇しにくくなるので、ブレード６の長寿命化を図ることができる。
更に、加工抵抗の増加が抑制されるので、切断後の基板３においてばりの発生が抑制される。したがって、シリコン基板を切断して形成した半導体チップを使用してチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）を組み立てる際に、半導体チップの浮きを防止することができるので、ＣＳＰの信頼性を向上させることができる。
【００２３】
本実施形態に係る切断装置を、図３を参照して説明する。図３は、本実施形態に係る切断装置の構成を示す部分断面図である。
図３において、９は回転軸４を内設する円筒、１０，１１は円筒９の内面において両端付近に設けられ回転軸４を支持する軸受け等の支持部材、１２は円筒９を内設するビルトインモータ、１３はビルトインモータ軸である。ビルトインモータ軸１３の内面は、円筒９の外面に接しており、円筒９，ビルトインモータ軸１３がそれぞれ回転する中心は、回転軸４が回転する中心、すなわち軸中心５に一致している。ビルトインモータ１２とビルトインモータ軸１３とは、併せて円筒回転機構１４を構成する。
１５，１６は、それぞれ回転軸４において、支持部材１０，１１によって支持されている部分の近傍に組み込まれた圧電素子である。ここで、圧電素子１５，１６は、所定の電圧を印加すると、いずれも軸中心５にほぼ垂直な方向に所定量だけ変位するように、かつ、圧電素子１５，１６の変位する方向が互いにほぼ垂直になるように設定されている。支持部材１０，１１と、圧電素子１５，１６とは、併せて、軸中心回転機構１７を構成する。軸中心回転機構１７は、軸中心５をそれぞれ所定の軸中心回転速度ＶRAで、かつ微小な回転径で高速に回転させることによって、回転刃であるブレード６自体を、軸中心５を中心とする本来の回転とは別に、高速に微小な回転径で回転するように振動、すなわち回転振動させる。
【００２４】
図３の切断装置は、次のようにして動作する。まず、ビルトインモータ軸１３が回転することにより円筒９が回転し、更に、支持部材１０，１１によって円筒９に支持されている回転軸４が回転する。これにより、回転軸４に固定されたブレード６が、ブレード回転方向７に回転する。
【００２５】
次に、圧電素子１５，１６に、それぞれ所定の電圧を印加する。これにより、圧電素子１５，１６は、いずれも軸中心５に対してほぼ垂直に、かつ、互いにほぼ垂直な方向に変位する。したがって、圧電素子１５，１６による変位が合成されることによって、軸中心５は、ブレード６が固定されている端部において、それぞれ所定の軸中心回転速度ＶRAで、かつ微小な回転径で高速に回転する。すなわち、回転刃であるブレード６自体が、軸中心５を中心とする本来の回転とは別に、高速に微小な回転径で回転振動する。
ここで、圧電素子１５，１６について、それぞれ変位量、変位方向、及び変位するタイミングを、予め適当に設定する。これにより、軸中心５の端部が、図１のブレード移動速度ＶLBに対して所定の比率で、かつ、それよりも大きい軸中心回転速度ＶRAと、微小な回転径とで回転するように、設定することができる。
【００２６】
以上説明したように、本実施形態によれば、ブレード６の回転速度を増加させた場合に、加工抵抗の増加が抑制される。したがって、加工効率を向上させることができ、ブレード６の長寿命化を図ることができ、切断後の基板３においてばりの発生を防止することができる、切断装置及び切断方法を提供することが可能になる。
【００２７】
なお、軸中心回転機構１７において圧電素子１５，１６を使用したが、これに代えて、軸中心５を高速に微小な回転径で回転させることができる他の機構があれば、その機構を使用することができる。
【００２８】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る切断装置及び切断方法を、図４〜図６を参照して説明する。本実施形態は、第１の実施形態ではブレードの軸中心が高速に微小な回転径で回転するのに対して、ステージ自体が高速に微小な回転径で回転するものである。
【００２９】
図４は、本実施形態に係る切断装置において、ブレードが基板を切断する際の要部を示す部分正面図である。図４において、ステージ１は、ステージ回転機構（図示なし）により、それぞれ所定のステージ回転速度ＶRSで、かつ微小な回転径で高速に回転するように構成されている。本実施形態では、ステージ回転速度ＶRSの大きさが、ブレード移動速度ＶLBよりも大きく、かつ、ブレード移動速度ＶLBに対して所定の比率になるように、設定されている。
【００３０】
図４に示された切断装置の動作を説明する。まず、回転軸４が、軸中心５を中心として所定のブレード回転方向７（図４では反時計回り方向）に回転する。それとともに、ステージ１が、ステージ回転速度ＶRSで図１の反時計回り方向に、所定の微小な回転径で高速に回転するように振動、すなわち回転振動する。このことにより、ブレード６の周縁部、すなわち刃先が一定の周速になるようにブレード回転方向７に回転するブレード６に対して、ステージ１は、ステージ回転速度ＶRSで、高速に微小な回転径で回転振動することになる。
【００３１】
次に、第１の実施形態と同様に、ブレード６は、所定のブレード移動速度ＶLBで図４の左側に水平移動して、基板３に接触して、最終的には基板３を上面から下面にわたって右から左へと切断する。
ここで、加工効率を向上させるためには、ステージの回転方向を、ブレード回転方向７と同じ方向（図４では反時計回り方向）にすることが好ましい。これにより、ブレード６と基板３とが接触する個所の近傍では、ブレード６と基板３とが常に対向して逆方向に移動する。したがって、基板３に対するブレード６の相対的な周速が増加するので、加工効率が向上する。
【００３２】
ここで、本実施形態に係る切断装置及び切断方法の特徴は、ブレード移動速度ＶLBに対して、所定の比率で、かつ、それより大きいステージ回転速度ＶRSで、ステージ１が回転することである。また、ブレード移動速度ＶLBに対して、ステージ１が回転する際の回転径を所定の値に設定することである。また、ステージの回転方向を、ブレード回転方向７と同じ方向にすることである。
例えば、ブレード移動速度ＶLBに対して、基板３の材質や切りくずの大きさ等応じて、次のようにしてステージ回転速度ＶRSを定める。すなわち、ブレード移動速度ＶLBがｘμｍ／回転であるブレード６について、ブレード移動速度ＶLBに対する所定の比率を有するとともに、それよりも大きいステージ回転速度ＶRS、例えば、ブレード６が１回転する間にｙμｍの周速でステージ１を回転させる。また、ステージ１が回転する際の回転径を、ブレード移動速度ＶLBに対する所定の値、例えば直径ｚμｍに設定する。
これらにより、ステージ１が、それぞれ所定のステージ回転速度ＶRSで、かつ微小な回転径で高速に回転する。そして、そのステージ１に載置された基板３をブレード６がブレード移動速度ＶLBで切り進んでいく場合に、ブレード６は、一定の移動距離においてより多くの回数だけ基板３に対する接触と離脱とを繰り返すことになる。したがって、被加工物が切断される際の加工抵抗は、被加工物がブレードに接触する時間が短くなり、かつブレードに接触していない状態が生じることによって、減少する。
【００３３】
本実施形態に係る切断装置及び切断方法の作用を、図５を参照して説明する。図５（１），（２）は、本実施形態に係る切断装置及び切断方法において、ブレードが基板を切断する際に、ブレードに対して基板が押しつけられる場合と引き離される場合との作用をそれぞれ示す部分断面図である。
【００３４】
図５（１），（２）に示されるように、図２の場合と同様に本実施形態によれば、第１に、切りくず８は、ブレード６の刃先と基板３の表面との間から容易に排出される。したがって、ブレード６が基板３を切断する際の加工抵抗の増加が抑制される。第２に、基板３に接触してこれを切削する工程を断続的に繰り返すので、加工抵抗の増加が抑制される。第３に、ブレード６と基板３とが、互いに接触する個所の近傍において常に対向して逆方向に移動する。したがって、基板３に対するブレード６の相対的な周速が増加するので、加工効率が向上する。
【００３５】
本実施形態に係る切断装置を、図６を参照して説明する。図６は、本実施形態に係る切断装置の構成を示す斜視図である。
図６において、１８及び１９は、それぞれ印加された電圧に応じて、所定の方向、すなわち垂直及び水平方向に微小に変位する圧電素子からなる、垂直微動機構及び水平微動機構である。２０は、垂直微動機構１８が変位する垂直方向を示す垂直微動方向である。２１は、水平微動機構１９が変位する水平方向を示す水平微動方向である。すなわち、垂直微動方向２０と水平微動方向２１とは、互いにほぼ垂直である。
【００３６】
図６の切断装置は、次のようにして動作する。まず、回転軸４が回転することにより、回転軸４に固定されたブレード６がブレード回転方向７に回転する。
【００３７】
次に、それぞれ垂直微動機構１８と水平微動機構１９とに、例えば所定の正弦波状の電圧を印加する。これにより、垂直微動機構１８は垂直微動方向２０に、水平微動機構１９は水平微動方向２１に、それぞれ微小に変位した後に元の位置に復帰し、これを繰り返して往復微動する。したがって、垂直微動機構１８と水平微動機構１９とによる変位が合成されることにより、ブレード６の回転面と同一の平面において、ステージ１自体が所定のステージ回転速度ＶRS及び微小な回転径で、高速に回転振動する。
ここで、垂直微動機構１８と水平微動機構１９とについて、それぞれ変位量、変位方向、及び変位するタイミングを、予め適当に設定する。これにより、ステージ１自体が、ブレード移動速度ＶLBに対して所定の比率で、かつ、それよりも大きいステージ回転速度ＶRSと、微小な回転径とで回転するように、設定することができる。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、ブレード６の回転速度を増加させた場合であっても、ブレード６が基板３を切断する際の加工抵抗の増加が抑制される。加えて、基板３に対するブレード６の相対的な周速が増加するので、これらによって、加工効率が向上する。
また、加工抵抗の増加が抑制されるので、ブレード６の表面温度が上昇しにくくなる。したがって、ブレード６の長寿命化を図ることができる。
更に、加工抵抗の増加が抑制されるので、切断後の基板３においてばりの発生が抑制される。したがって、シリコン基板を切断して形成した半導体チップを使用してチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）を組み立てる際に、半導体チップの浮きを防止することができるので、ＣＳＰの信頼性を向上させることができる。
【００３９】
なお、本実施形態では、垂直微動機構１８及び水平微動機構１９として圧電素子を使用した。これに限らず、ステージ１に対して互いに垂直な往復微動を与えて、ステージ１を高速に微小な回転径で回転させることができる他の機構があれば、その機構を使用することができる。
【００４０】
なお、上述の各実施形態の説明では、ブレード６を水平方向に移動させることによって、ブレード６とステージ１に固定された基板３とを接触させることとした。これに代えて、ステージ１を水平方向に移動させてもよい。更に、ステージ１とブレード６との双方を、それぞれ適当な方向に適当な速度で移動させることにより、基板３とブレード６とを相対的に移動させて接触させてもよい。
【００４１】
また、ステージ１及びブレード６の回転振動は、真円状の回転振動であってもよく、楕円状の回転振動であってもよい。更に、２方向の変位のうちいずれか一方を停止させて、ステージ１又はブレード６が、一方向のみからなる往復微動による回転振動、すなわち単振動を行う状態で、基板３を切断してもよい。いずれの場合においても、基板３と回転するブレード６とが断続的に接触することによって、基板３を効率的に切断することができる。
【００４２】
また、ブレード回転方向７が、いわゆるダウンカットになる場合について説明したが、これに限らず、アッパーカットになるようにしてもよい。また、軸中心５を中心としたブレード回転方向７と、軸中心５又はステージ１の回転方向とが同一方向であるとした。これに限らず、被加工物の材質によっては、ブレード回転方向７と軸中心５又はステージ１の回転方向とが、逆方向になるようにしてもよい。
【００４３】
また、基板３の厚さ方向において、基板３を完全に切断するいわゆるフルカットを行う場合について説明した。これに限らず、基板３を途中まで部分的に切削するいわゆるハーフカットを行う場合においても、本発明を適用することができる。
【００４４】
また、被加工物である基板３は、シリコン基板に限らず、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、化合物半導体基板、ガラス基板、セラミック基板、金属ベース基板、石材、宝石類、結晶体等であってもよい。
【００４５】
また、ブレード６の軸中心５自体、又は、ステージ１自体を、高速に微小な回転径で回転振動させることとした。これに限らず、ブレード６の軸中心５とステージ１とを、同時に高速に微小な回転径で回転振動させることもできる。これによっても、ブレード６の刃先と基板３とを接触させて基板３を切削する工程と、ブレード６の刃先と基板３とを引き離して切りくず８を排出する工程とを繰り返すことができる。
【００４６】
更に、円板状のブレード６に代えて、例えば、ツールが回転運動ではなく直線運動をすることにより被加工物を加工する場合にも、本発明を適用することができる。この場合にも、加工抵抗が減少し、切りくずが排出されやすくなる。したがって、加工効率が向上するとともに、ばりの発生が抑制される。更に、ツールにおいて発生した摩擦熱が放出されやすくなるので、ツールの長寿命化を図ることができる。
【００４７】
【発明の効果】
本発明によれば、軸中心を中心として回転するブレードと被加工物とが、相対移動速度で移動する。そして、軸中心自体が相対移動速度よりも大きな軸中心回転速度で回転する状態で、ブレードと被加工物とが断続的に接触する。また、ステージが、相対移動速度よりも大きなステージ回転速度で回転し、そのステージに載置された被加工物とブレードとが断続的に接触する。これにより、被加工物が加工される際の加工抵抗が減少する。したがって、加工効率が向上するとともに加工後のばりの発生が抑制される。更に、切断の際に発生した摩擦熱が、ブレードが被加工物に接触していない状態においてブレードから放出されるので、ブレードの長寿命化を図ることができる。
これらのことにより、本発明は、加工効率を向上させ、ばりの発生を抑制するとともに、ブレードの長寿命化を可能にする切断装置及び切断方法を提供できるという、優れた実用的な効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施形態に係る切断装置において、ブレードが基板を切断する際の要部を示す部分正面図である。
【図２】  （１），（２）は、本発明の第１の実施形態に係る切断装置及び切断方法において、ブレードが基板を切断する際に、基板に対してブレードが押しつけられる場合と引き離される場合との作用をそれぞれ示す部分断面図である。
【図３】  本発明の第１の実施形態に係る切断装置の構成を示す部分断面図である。
【図４】  本発明の第２の実施形態に係る切断装置において、ブレードが基板を切断する際の要部を示す部分正面図である。
【図５】  （１），（２）は、本発明の第２の実施形態に係る切断装置及び切断方法において、ブレードが基板を切断する際に、ブレードに対して基板が押しつけられる場合と引き離される場合との作用をそれぞれ示す部分断面図である。
【図６】  本発明の第２の実施形態に係る切断装置の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１  ステージ
２  粘着テープ
３  基板（被加工物）
４  回転軸
５  軸中心
６  ブレード
７  ブレード回転方向
８  切りくず
９  円筒
１０，１１  支持部材
１２  ビルトインモータ
１３  ビルトインモータ軸
１４  円筒回転機構
１５，１６  圧電素子
１７  軸中心回転機構（軸中心の振動機構）
１８  垂直微動機構
１９  水平微動機構
２０  垂直微動方向
２１  水平微動方向
ＶLB  ブレード移動速度（相対移動速度）
ＶRA  軸中心回転速度
ＶRS  ステージ回転速度
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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