(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属放熱板の上面に導体パターンを形成した絶縁基板を介して外部導出端子が搭載され、前記放熱板の外周には両端開口の絶縁ケースが被せられ、前記外部導出端子が前記絶縁ケースの外部に導出されると共に、前記絶縁ケースの上方開口端部に蓋体が係止して成る複合半導体装置において、前記絶縁ケースの上方開口端部に、前記蓋体を受ける段差部と、前記蓋体の浮き上がりを防止するための逆Ｌ字状の段部とを設け、前記段差部で前記蓋体の裏面側を受け、かつ、前記段部内側で前記蓋体の表面側を押さえ、前記蓋体を絶縁ケースの上方開口端部に係止させるようにし、前記段差部を、前記絶縁ケースの上方開口端部の全周にわたって配置するのではなく、前記段部が存在しない部分にのみ配置したことを特徴とする複合半導体装置。
【請求項２】
前記逆Ｌ字状の段部は、前記絶縁ケースの上方開口端部の対向する側面に複数箇所形成されていることを特徴とする請求項１に記載の複合半導体装置。
【請求項３】
前記逆Ｌ字状の段部は、逆Ｌ字状の突起であることを特徴とする請求項１又は２に記載の複合半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、絶縁ケースを備えた複合半導体装置に関し、特に該絶縁ケースの上方開口端部を蓋体で塞ぐ形式の複合半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の複合半導体装置の概略構造について、図６ないし図８を参照して説明する。
図６は複合半導体装置の平面図、図７は図６におけるＣ−Ｃ線に沿う断面図、図８は上記複合半導体装置における蓋体の他の係止方法を説明するための断面図である。
【０００３】
これらの図において、１は複合半導体装置全体を示す。
複合半導体装置１は、金属放熱板２の上面に導体パターン６を有する絶縁基板３を介して図示を省略した半導体チップや外部導出端子４等の電子部品が搭載されている。
【０００４】
また、前記放熱板２の外周には両端開口の絶縁ケース５が被せられ、前記半導体チップ等の電子部品に回路的に接続された外部導出端子４が絶縁ケース５の外部に導出されると共に、前記絶縁ケース５の上方開口端部には蓋体７がはめ込まれている。そして、前記絶縁ケース５と蓋体７との当接箇所には接着剤１０が塗布され固定されている。
【０００５】
また、蓋体７の外部に導出した外部導出端子４の端部は、絶縁ケース５の開口端面に平行になるように略直角に折曲げられ、ナット収納孔に収納されたナット８の逸脱を防止している。
【０００６】
図８は蓋体７の他の係止方法を示す断面図であり、蓋体７の裏面側から延在する突出部７ａが封止用樹脂９内に一部没入するようにし、該封止用樹脂９の硬化と共に、蓋体７が固定されるようにしたものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の複合半導体装置は、上記のように構成されているので、蓋体７は絶縁ケース５に対して接着剤１０で固定するか、若しくは絶縁ケース５の内部に充填する封止用樹脂９で固定しなければならない。
このため、接着剤１０の塗布・硬化工程が必要となり、また、封止用樹脂９で固定する場合には、蓋体７の裏面側から延在する突出部７ａを設ける等の特別な構造を必要とするなどの解決すべき課題があった。
【０００８】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、蓋体の接着工程を不要とし、かつ、蓋体裏面側に突出部等を設けることなく、簡易迅速に蓋体を絶縁ケースに係止させ得る構造の複合半導体装置を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明によれば、金属放熱板の上面に導体パターンを形成した絶縁基板を介して外部導出端子が搭載され、前記放熱板の外周には両端開口の絶縁ケースが被せられ、前記外部導出端子が前記絶縁ケースの外部に導出されると共に、前記絶縁ケースの上方開口端部に蓋体が係止して成る複合半導体装置において、前記絶縁ケースの上方開口端部に、前記蓋体を受ける段差部と、前記蓋体の浮き上がりを防止するための逆Ｌ字状の段部とを設け、前記段差部で前記蓋体の裏面側を受け、かつ、前記段部内側で前記蓋体の表面側を押さえ、前記蓋体を絶縁ケースの上方開口端部に係止させるようにし、前記段差部を、前記絶縁ケースの上方開口端部の全周にわたって配置するのではなく、前記段部が存在しない部分にのみ配置したことを特徴とする複合半導体装置が提供される。
請求項２に記載の発明によれば、前記逆Ｌ字状の段部は、前記絶縁ケースの上方開口端部の対向する側面に複数箇所形成されていることを特徴とする請求項１に記載の複合半導体装置が提供される。
請求項３に記載の発明によれば、前記逆Ｌ字状の段部は、逆Ｌ字状の突起であることを特徴とする請求項１又は２に記載の複合半導体装置が提供される。
【００１０】
【実施例】
以下、本発明の複合半導体装置を図を参照して説明する。
図１は本発明の複合半導体装置の平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
また、図４は本発明の特徴部分の一部を示す外観図、図５は同じく本発明の特徴部分の他の実施例を示す外観図である。
これらの図において、従来の複合半導体装置と同一又は同等部分に同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【００１１】
本発明では絶縁ケース５の外周に蓋体７の外周部裏面側を受ける段差部５１を設ける。また、蓋体７の浮き上がりを防止するための逆Ｌ字状の段部５２を設ける。この段部５２は絶縁ケース５の側面から内側方向に突出するように形成した端子台部５３の一部に形成される。
そして、上記逆Ｌ字状の段部５２の裏面側から段差部５１までの寸法Ｈ１は、蓋体７の厚さと略等しく形成されている。
【００１２】
一方、蓋体７の外周は、絶縁ケース５の上端開口部の形状に合わせた形状に形成されている。特に逆Ｌ字状の段部５２に対応する蓋体７の外周部は、端子台部５３の対向端面５４よりも奥に位置するような形状となっている。
このため、樹脂製の蓋体７の外周部を対向端面５４に沿って下方に強制的に押圧すると、樹脂の弾性により前記蓋体７の外周部が若干上方向に湾曲しつつ、対向端面５４を滑って段部５２に落ち込む。
【００１３】
この時、蓋体７の裏面側は絶縁ケース５の段差部５１に当たり、それ以上下方には下がらない。一方、蓋体７の表面側は逆Ｌ字状の段部５２に押さえられ上方向への抜け出しが防止される。
【００１４】
以上のようにして従来のように接着剤を塗布・硬化させることなく、蓋体７と絶縁ケース５の係止構造により上端開口部が閉塞される。
【００１５】
図５は、上記係止構造の他の実施例を示すもので、逆Ｌ字状の一連の段部５２に代え、端子台部５３の対向端面５４に突起５５を設けたものである。この突起５５の下方端面５６と段差部５１との間で蓋体５の外周部を押さえるようにしたもので、上記の実施例と同様に接着剤を塗布・硬化させることなく、蓋体７を絶縁ケース５に係止することができる。
なお、上記の係止手段を絶縁ケース５の側壁内周位置に複数箇所設けることにより、さらに確実に蓋体７を絶縁ケース５に係止させることができる。
また、上記の係止手段は、絶縁ケース５の内部へ封止用樹脂の充填の有無にかかわらず広く蓋体７の係止手段として利用すること可能である。
【００１６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、上記のように絶縁ケースの上端開口部に蓋体を受ける段差部と蓋体を押さえる逆Ｌ字状の段部を設けたので、この段差部と段部との間で蓋体を係止させることができる。このため接着剤の塗布・接着工程を不要とすると共に、蓋体に封止用樹脂に没入する突出部を設けることなく簡易迅速かつ確実に絶縁ケースの上端開口部を閉塞することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の複合半導体装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線の沿う断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線の沿う断面図である。
【図４】本発明の特徴部分の一部を示す外観図である。
【図５】同じく本発明の特徴部分の他の実施例を示す外観図である。
【図６】従来の複合半導体装置の平面図である。
【図７】図６におけるＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図８】上記従来の複合半導体装置における蓋体の他の係止方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１    複合半導体装置
２    金属放熱板
３    絶縁基板
４    外部導出端子
５    絶縁ケース
６    導体パターン
７    蓋体
５１  段差部
５２  段部
５３  端子台部
５４  対向端面
５５  突起
５６  下方端面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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