(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の表面を水酸基化処理する工程と、両末端にＳｉＣｌ3基、ＣＯＯＨ基、Ｓｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3基、Ｓｉ（ＯＣＨ3）3基、ＰＨ2Ｏ3基の群から少なくとも１種以上から選択された有機単分子で表面が被覆されたダイヤモンド微粒子が分散された溶液に、前記基体を浸漬する工程とを有することを特徴とするダイヤモンド形成用基体の製造方法。
【請求項２】
前記有機単分子でダイヤモンド微粒子の表面を被覆する工程は、ダイヤモンド微粒子を硝酸溶液或いは硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬して、前記ダイヤモンド微粒子表面を酸化する工程と、純水に浸漬することにより、前記ダイヤモンド微粒子表面を水酸基化処理する工程と、前記有機単分子を含有した溶液に前記ダイヤモンド微粒子を浸漬する工程とからなることを特徴とする請求項１に記載のダイヤモンド形成用基体の製造方法。
【請求項３】
前記水酸基化処理の工程前に、前記ダイヤモンド微粒子を硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬することによって、ダイヤモンド微粒子中に存在する不純物を除去する工程と、フッ化水素酸溶液に浸漬することによりダイヤモンド微粒子表面を清浄化する工程を有することを特徴とする請求項２に記載のダイヤモンド形成用基体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン等の基体の表面に、合成ダイヤモンド薄膜を形成するためのダイヤモンド薄膜形成用基体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ダイヤモンドは硬度が高く、耐熱性、耐薬品性及び耐放射線性が優れており、また電気的には優れた絶縁体である。そして、ダイヤモンドの禁制帯幅は、約５．４ｅＶとシリコン及びゲルマニウム等の禁制帯幅よりも大きく、またダイヤモンドはドーピングにより半導体化が可能である。このため、ダイヤモンドは耐高温半導体としての応用が期待されている。また、ダイヤモンドは紫外光、可視光及び赤外光の広い波長範囲にわたり光学的に透明であるため、光学窓材料への応用も期待されている。上述したようにダイヤモンドは機能性材料として優れた特性を有しているので、半導体ダイヤモンド薄膜を使用したダイオード及びトランジスタ等の電子デバイスの研究開発が進められている。
【０００３】
従来、このような半導体ダイヤモンド薄膜を効率よく形成方法としてＣＶＤ法があり、炭化水素等の炭素源と水素との混合ガスを、熱フィラメント、マイクロ波プラズマ、直流放電プラズマ、直流アーク放電等により励起し、半導体ダイヤモンド薄膜を合成する方法の開発が進んでいる。しかし、ＣＶＤ法によるダイヤモンド合成法では、合成開始時の核発生が一般的に１０4個／ｃｍ2以下と少なく、平滑なダイヤモンド薄膜を合成することが困難であり、また主に基体表面温度が６００〜１０００℃で、原子状水素と炭素源となるラジカル等の活性種が存在する雰囲気中でないと初期の核発生は起こりにくいため、一般的に合成されたダイヤモンド膜の構成結晶粒の粒径が大きくなり、その結果、膜表面の凹凸は大きく、また合成ダイヤモンドの形成される面積も小さくなっていた。
【０００４】
特に、複雑な形状をした基体の場合、均一なダイヤモンド膜を表面に被覆することは困難であった。その問題を解決するために、ＣＶＤ法を用いて半導体ダイヤモンド薄膜を合成する場合、半導体ダイヤモンド薄膜を成長させようとする基体に、予め前処理を施して核発生密度を高めようとするさまざまな試みがなされている。
【０００５】
核発生密度を高める前処理方法として、ダイヤモンド微粉等を用いて基体表面に傷つけ処理を行う方法（特開昭６２−２２６８８９号公報等）、酸エッチングによる基体表面処理法（特開昭６３−１００１８２号公報等）やダイヤモンド微粒子を基体表面に予め分散させておく方法（特開昭６３−１６６７９８号公報）がある。さらに、特開平２−１８４５９７号公報にはカーボンブラックを予め基体表面に分散させる方法、特開平５−１３２３９４号公報には炭素質微粒とエステル溶剤とからなる処理剤を基体に塗布し、熱処理を施す方法、あるいは特開平６−１８３８９１号公報にはグリセリドまたは／及びポリエチレングリコールまたは／及びダイヤモンド微粒子の塗布液を基体に塗り、熱処理する方法が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
基体の前処理の方法として、特開昭６２−２２６８８９号公報に開示されるダイヤモンド微粉末による基体傷つけ方法の発明によると、傷つけ処理により基体に極僅かなダイヤモンドクラスターが表面に残留し、ダイヤモンド合成の際にそれらがダイヤモンド成長の核の役割を果たしていることがこれまでの研究結果から明らかになった。従って、良質なダイヤモンド薄膜を効率良く形成するためには、前処理によってダイヤモンドクラスターの基体へ吸着密度を如何に増大させるかが大きなキーポイントとなっている。しかしながら、ダイヤモンドで基体を傷つける方法では、ダイヤモンドクラスターを制御することは困難であり、偶発的な現象に基づいてダイヤモンド形成しているのに過ぎないので、緻密で平滑性の高いダイヤモンドを形成することができなかった。
【０００７】
そのために、特開昭６３−１６６７９８号公報、特開平５−１３２３９４号公報、特開平６−１８３８９１号公報等に開示された発明がなされたが、いずれの場合も有機膜の膜中にダイヤモンド微粉末を分散させたり、ダイヤモンドでないカーボンブラックを基体に分散させたりする方法では、原理的に高密度のダイヤモンド微粒子を基体上に乗せることが不可能であった。
【０００８】
これらの問題点に鑑み、本発明の目的は、初期の核発生密度を飛躍的に増大させ、緻密で平滑性が高く、大面積のダイヤモンド薄膜を容易に得ることのできるダイヤモンド薄膜形成用基体の製造方法及びそれに用いるダイヤモンド微粒子の有機単分子被覆方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るダイヤモンド形成用基体の製造方法は、基体の表面を水酸基化処理する工程と、両末端にＳｉＣｌ3基、ＣＯＯＨ基、Ｓｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3基、Ｓｉ（ＯＣＨ3）3基、ＰＨ2Ｏ3基の群から少なくとも１種以上から選択された有機単分子で表面が被覆されたダイヤモンド微粒子が分散された溶液に、前記基体を浸漬する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
また、前記有機単分子でダイヤモンド微粒子の表面を被覆する工程は、ダイヤモンド微粒子を硝酸溶液或いは硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬して、前記ダイヤモンド微粒子表面を酸化する工程と、純水に浸漬することにより、前記ダイヤモンド微粒子表面を水酸基化処理する工程と、前記有機単分子を含有した溶液に前記ダイヤモンド微粒子を浸漬する工程とからなることを特徴とする。
【００１１】
さらに、前記水酸基化処理の工程前に、前記ダイヤモンド微粒子を硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬することによって、ダイヤモンド微粒子中に存在する不純物を除去する工程と、フッ化水素酸溶液に浸漬することによりダイヤモンド微粒子表面を清浄化する工程を有することを特徴とする。
【００１３】
上述の方法を用いることによって、ダイヤモンド微粒子表面を変成することによって、ダイヤモンドを成長させる基体表面に有機単分子で表面が被覆されたダイヤモンド微粒子を高密度に吸着させる方法を見出した。さらに、ダイヤモンド微粒子同士が有機単分子を介してネットワーク的に結合させることにより、２次元ダイヤモンド微粒子膜を作製することができ、それをダイヤモンドを成長させる基体表面上に展開することができるため、ダイヤモンド微粒子を高密度に基体上に塗布することが可能であることを見出した。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明に係るダイヤモンド微粒子表面への有機単分子の被覆は、以下に記述する工程で実現させることができる。
ダイヤモンド微粒子は火薬などの衝撃圧力を用いて作製されているため、ダイヤモンド微粒子中には、ダイヤモンド微粒子以外の不純物が多く、精製しきれなかったＦｅ、Ｃｕ、Ｃｒ、或いはＡｌ等の金属、グラファイト、アモルファスカーボン、不飽和炭化水素化合物、ケイ酸塩、アルミナ等が混ざっており、さらにダイヤモンド微粒子の表面には有機系不純物が付着している。
【００１５】
そこで、まず、ダイヤモンド微粒子を濃硫酸と２０％過酸化水素水とを３：７の割合で混合した溶液に投入し、金属、無機物、有機物等の不純物を除去すると共に、ダイヤモンド微粒子表面の付着物を除去する。浸漬時間は、投入後気泡の発生が停止するまで行うが、約１〜５時間が好ましく、約３〜４時間がより好ましい。次に、純水で上記ダイヤモンド微粒子を洗浄する。
【００１６】
さらに、上記濃硫酸と過酸化水素水との混合溶液への浸漬処理、純水洗浄により、ダイヤモンド微粒子の表面には酸化物が形成されているため、この酸化物を除去するために、４０％フッ化水素酸溶液でエッチング処理を施す。処理時間は、好ましくは１時間〜１日の範囲で、より好ましくは３〜４時間程度である。溶液濃度は、４０％に限らず他の濃度でも構わないが、溶液濃度に応じて処理時間を変える必要がある。そして、純水によりダイヤモンド微粒子をリンスする。これにより、ダイヤモンド微粒子表面を清浄化する。
【００１７】
次に、ダイヤモンド微粒子表面を水酸基化処理するには、以下の手順を経る。ダイヤモンド微粒子の表面を清浄化した工程を経たダイヤモンド微粒子を約３０秒間濃硝酸中或いは、濃硫酸と２０％過酸化水素水とを３：７の割合で混合した溶液に投入してダイヤモンド微粒子表面を酸化処理し、その後、ダイヤモンド微粒子を純水に浸漬することによりダイヤモンド微粒子表面に水酸基を形成する。
【００１８】
この後、ダイヤモンド微粒子を不活性中で乾燥させ、少なくとも二つのＳｉＣｌ3基あるいはＣＯＯＨ基あるいはＳｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3基あるいはＳｉ（ＯＣＨ3）3基もしくはＰＨ2Ｏ3基から選択されたものを両末端に有する有機単分子を含む溶媒中に投入することにより、ダイヤモンド微粒子表面が有機単分子で覆われる。有機分子の濃度については、１ｍＭから１Ｍが使われるが、好ましくは１〜１０ｍＭが好ましい。
【００１９】
このようにして得られたダイヤモンド微粒子の分散溶液中に、予め表面を水酸基化処理したシリコン基体を投入することにより、ダイヤモンド微粒子を高密度に吸着させることができる。得られたダイヤモンド微粒子が吸着したシリコン基体を使って、従来のＣＶＤ法を用いて合成ダイヤモンド薄膜の形成を行う。このような本発明の製造方法を用いることにより非常に緻密で平滑なダイヤモンド薄膜が作製することが可能である。
【００２０】
初期核の発生密度での比較すると、基体表面に何も前処理をしない場合に比べて、ダイヤモンド微粉による傷つけ処理を施した場合及び特開平６−１８３８９号公報の前処理を施した場合には１０倍以上の高密度発生が得られるが、本発明の基体表面の前処理をすると２０倍以上の高密度発生が得られることが分かった。
【００２１】
以下に、実施の形態により詳説する。
［実施の形態１］
図１に、本発明に係るダイヤモンド薄膜形成用基体の製造方法を説明する図を示す。図１に示すように粒径０．０５〜０．２５μｍφダイヤモンド微粒子１を濃硫酸と２０％過酸化水素水とを３：７の割合で混合した溶液が入っている第１槽２に投入し、約４時間放置することにより金属、有機物等の不純物を除去する。その後、このダイヤモンド微粒子１を純水槽（図示せず）の純水で洗浄した。
【００２２】
次いで、得られたダイヤモンド微粒子１を、第２槽３の４０％フッ化水素酸溶液中に投入し、約６時間放置することによりダイヤモンド微粒子１の表面酸化物を除去した。その後、再び純水槽（図示せず）の純水にダイヤモンド微粒子１を投入し洗浄した。
【００２３】
次に、得られたダイヤモンド微粒子１を濃硝酸溶液の入った第３槽４に約３０秒浸漬し、ダイヤモンド微粒子１の表面に薄い酸化膜を形成させた後、純水槽に浸漬してダイヤモンド微粒子１の表面の酸化膜を水酸基に変える水酸基化処理した後、窒素乾燥を行った。
【００２４】
次に、クロロホルムとへキサデカンとを３：７の割合で混合した溶媒に、オクタジトリクロロシランＣｌ3Ｓｉ（ＣＨ2）8ＳｉＣｌ3を１ｍＭを溶かし込んだ溶液の入った第４槽５に、ダイヤモンド微粒子１を約２時間浸漬した。これにより、ダイヤモンド微粒子１の表面にオクタジトリクロロシラン単分子膜が形成された。作製されたダイヤモンド微粒子１を漉し取り、クロロホルムとへキサデカンとを３：７の割合で混合した溶液の入った第５層６に投入した。
【００２５】
最後に、予めダイヤモンド微粒子１を、水酸基化処理するのとほぼ同じ方法で水酸基化処理を施したシリコン基体７（４０×４０×０．６ｍｍ）を第５槽６に投入し、約２時間放置することで、ダイヤモンド微粒子１がシリコン基体７の表面に化学吸着した。
【００２６】
図２にダイヤモンド微粒子１１がシリコン基体１２に吸着した様子の模式図を示す。図２では、ダイヤモンド微粒子の表面が有機単分子１３で被覆されていることによって、ダイヤモンド微粒子同士をネットワーク的に結合させることができるため、ダイヤモンド微粒子を高密度に基体上に塗布することが可能となることを表している。
【００２７】
このシリコン基体の表面をフーリエ変換赤外分光法により調べた結果を図３に示す。図３に示されるように、ＣＨ2の対称振動２８５１ｃｍ-1及び非対称振動２９１８ｃｍ-1及びＣＨ3の対称振動２８９５ｃｍ-1及び非対称振動２９５８ｃｍ-1に吸収が見られた。また、このシリコン基体の表面をＡＦＭ観察した結果を図４に示す。図４に示すように、直径が数百Åから０．２μｍの凹凸が観察された。これらの結果よりダイヤモンド微粒子１がシリコン基体７表面に高密度に吸着したことが分かった。このダイヤモンド微粒子１の吸着したシリコン基体７を、熱フィラメント法気相ダイヤモンド合成反応装置（容量４０リットル）内のＷフィラメントの近傍（Ｗフィラメントとシリコン基体間隔３ｍｍ）に設置した。装置内雰囲気はアセトンを２ｖｏｌ％含む水素ガスで満たし、装置内の圧力は８０Ｔｏｒｒに保った。
【００２８】
その後、Ｗフィラメント温度を１１００℃程度に保ち、２０分間、シリコン基板７の熱処理を行った。その後、装置内雰囲気はそのままで、Ｗフィラメント温度を２１００℃にし、シリコン基体７の温度を７５０℃に上昇させ、３０分間ダイヤモンドの合成を行った。シリコン基体７の表面を観察した結果、Ｗフィラメントからの直線距離が１３ｍｍ以内の領域のシリコン基体７の表面に粒径１〜２μｍφのダイヤモンド粒が多数点在し、Ｗフィラメントからの直線距離が８ｍｍ以内の領域のシリコン基体７の表面でのダイヤモンド核発生密度は３×１０11個／ｃｍ2であり、合成されたダイヤモンド粒は互いに結合しており、完全な膜状になっていることを確認した。合成ダイヤモンドの膜厚は３μｍ、薄膜表面の最大粗さＲｍａｘは０．１μｍであった。また、これらの析出物についてラマン分光法を用いて解析した結果、ダイヤモンドによる鋭い１３３３ｃｍ-1のピークシフトを確認した。
【００２９】
本実施例ではシリコン基体の全面に対して水酸基化処理を行ったが、部分的に水酸基化処理を行うことによって、水酸基化処理を行った部分のみにダイヤモンド微粒子を吸着させても構わない。この場合には、気相ダイヤモンド合成での条件を適宜制御することによって、ダイヤモンド微粒子が吸着した部分にのみ合成ダイヤモンド薄膜を形成することができる。
【００３０】
［実施の形態２］
粒径０．０５〜０．２５μｍφダイヤモンド微粒子１を濃硫酸と２０％過酸化水素水とを３：７の割合で混合した溶液の入った第１槽２に投入し、約４時間放置することにより金属、有機物等の不純物を除去する。そして、このダイヤモンド微粒子１を純水槽（図示せず）の純水で洗浄した。
【００３１】
さらに、得られたダイヤモンド微粒子１を第２槽３の４０％フッ化水素酸溶液の中に投入し、約６時間放置することによりダイヤモンド微粒子１の表面酸化物を除去した。そして、再び純水槽（図示せず）の純水にダイヤモンド微粒子１を投入し、洗浄した。
【００３２】
次に、得られたダイヤモンド微粒子１を、濃硫酸と２０％過酸化水素水とを３：７の割合で混合した溶液の入った第３槽４に約１時間浸漬し、ダイヤモンド微粒子１の表面に薄い酸化膜を形成させた後、純水槽に浸漬して、ダイヤモンド微粒子１の表面の酸化物を水酸基に変えた後、窒素乾燥を行った。
【００３３】
次に、エタノール溶媒に溶かし込んだオクタデシルビスフォスフォン酸Ｏ3Ｈ2Ｐ（ＣＨ2）18ＰＨ2Ｏ3を１ｍＭ溶かし込んだ溶液の入った第４槽５に、上記水酸基化処理を行ったダイヤモンド微粒子１を約２時間浸漬した。これにより、ダイヤモンド微粒子１の表面にオクタデシルビスフォスフォン酸単分子膜が形成された。作製されたダイヤモンド微粒子１を漉し取り、第５槽６の純エタノール溶液に投入した。
【００３４】
最後に、予めダイヤモンド微粒子１を水酸基化処理した方法と同じ方法で、水酸基化処理を施したシリコン基体７（４０×４０×０．６ｍｍ）を、有機単分子膜で被覆されたダイヤモンド微粒子１の分散されている純エタノール溶液の入った第５槽６に投入し、約２時間放置することにより、ダイヤモンド微粒子１がシリコン基坂７表面に化学吸着した。
【００３５】
このシリコン基体７の表面をフーリエ変換赤外分光法により調べたところ、ＣＨ2の対称振動２８５１ｃｍ-1及び非対称振動２９１８ｃｍ-1及びＣＨ3の対称振動２８９５ｃｍ-1及び非対称振動２９５８ｃｍ-1に吸収が見られる。また、このシリコン基体７の表面をＡＦＭ観察した結果、直径が数百Åから０．２μｍの凹凸が観察された。これらの結果より、ダイヤモンド微粒子１がシリコン基体７の表面に高密度に吸着したことが分かった。
【００３６】
このダイヤモンド微粒子１が吸着したシリコン基体７を、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に載置した。装置内の真空引きを１０-7Ｔｏｒｒまで行った後、シリコン基体７の温度を７００℃まで加熱した。次に、ＣＶＤ装置内雰囲気をメタンガス３ｓｃｃｍ、水素ガスを３００ｓｃｃｍ導入し、装置内の圧力は５０Ｔｏｒｒに保った。その後、マイクロ波プラズマを２．４５ＧＨｚ、１．３ＫＷで発生させ、ダイヤモンド薄膜を６時間合成した。
【００３７】
合成したダイヤモンド薄膜が形成されたシリコン基体７の表面を観察した結果、シリコン基体７の表面のダイヤモンド核発生密度は３×１０11個／ｃｍ2であり、ダイヤモンド粒は互いに結合しており、完全な膜状になっていることを確認した。合成ダイヤモンドの膜厚は３μｍ、薄膜表面の最大粗さＲｍａｘは０．１μｍであった。また、これらの析出物についてラマン分光法を用いて解析した結果、ダイヤモンドによる鋭い１３３３ｃｍ-1のピークシフトを確認した。
【００３８】
［実施の形態３］
粒径０．０５〜０．２５μｍφのダイヤモンド微粒子１を、濃硫酸と２０％過酸化水素水とを３：７の割合で混合した溶液の入った第１槽２に投入し、約４時間放置することにより金属、有機物等の不純物を除去する。そして、このダイヤモンド微粒子１を純水槽（図示せず）の純水で洗浄した。
【００３９】
さらに、得られたダイヤモンド微粒子１を、第２槽３の４０％フッ化水素酸溶液の中に投入し、約６時間放置することによりダイヤモンド微粒子１の表面酸化物を除去した。そして、再び純水槽（図示せず）の純水にダイヤモンド微粒子１を投入し洗浄した。
【００４０】
次に、得られたダイヤモンド微粒子１を濃硝酸溶液の入った第３槽４に約３０秒浸漬し、ダイヤモンド微粒子１表面に薄い酸化膜を形成させた後、純水に浸漬して前記酸化膜を水酸基に変えた後、窒素乾燥を行った。
【００４１】
次に、エタノール溶媒に溶かし込んだオクタデシルビスカルボン酸ＨＯＯＣ（ＣＨ2）18ＣＯＯＨを１ｍＭ溶かし込んだ溶液の入った第４槽５に、上記水酸基化処理を行ったダイヤモンド微粒子１を約２時間浸漬した。これにより、ダイヤモンド微粒子１の表面にオクタデシルビスカルボン酸単分子層が形成された。作製されたダイヤモンド微粒子１を漉し取り、第５槽６の純エタノール溶液に投入した。
【００４２】
最後に、予めダイヤモンド微粒子１を水酸基化処理した方法と同じ方法で水酸基化処理を施したシリコン基体７（４０×４０×０．６ｍｍ）をこの溶液に投入し、約２時間放置することで、ダイヤモンド微粒子１がシリコン基体７の表面に化学吸着した。このシリコン基体７の表面をフーリエ変換赤外分光法により調べたところ、ＣＨ2の対称振動２８５１ｃｍ-1及び非対称振動２９１８ｃｍ-1及びＣＨ3の対称振動２８９５ｃｍ-1及び非対称振動２９５８ｃｍ-1に吸収が見られた。また、このシリコン基体７の表面をＡＦＭ観察した結果、粒径が数百Åから０．２μｍの凹凸が観察された。これらの結果より、ダイヤモンド微粒子１がシリコン基体７の表面に選択的に吸着したことが分かった。
【００４３】
このダイヤモンド微粒子１が、吸着したシリコン基体７をＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に設置した。装置内の真空引きを１０-7Ｔｏｒｒまで行った後、シリコン基体７の温度を７００℃まで加熱した。
次に、装置内雰囲気をメタンガス３ｓｃｃｍ、水素ガスを３００ｓｃｃｍ導入し、装置内の圧力は５０Ｔｏｒｒに保った。その後、マイクロ波プラズマを２．４５ＧＨｚ、１．３ＫＷで発生させ、合成ダイヤモンド薄膜を形成した。
【００４４】
合成ダイヤモンド薄膜形成後、シリコン基体７の表面を観察した結果、シリコン基体７の表面のダイヤモンド核発生密度は３×１０11個／ｃｍ2であり、ダイヤモンド粒は互いに結合しており、完全な膜状になっていることを確認した。合成したダイヤモンドの膜厚は３μｍ、薄膜表面の最大粗さＲｍａｘは０．１μｍであった。また、これらの析出物についてラマン分光法を用いて解析した結果、ダイヤモンドによる鋭い１３３３ｃｍ-1のピークシフトを確認した。
【００４５】
［実施の形態４］
粒径０．０５〜０．２５μｍφダイヤモンド微粒子１を、濃硫酸と２０％過酸化水素水とを３：７の割合で混合した溶液の入った第１槽２に投入し、約４時間放置することにより金属、有機物等の不純物を除去する。そして、このダイヤモンド微粒子１を純水槽（図示せず）の純水で洗浄した。
さらに、得られたダイヤモンド微粒子１を、第２槽３の４０％フッ化水素酸溶液中に投入し、約６時間放置することによりダイヤモンド微粒子１の表面酸化物を除去した。そして、再び純水槽の純水にダイヤモンド微粒子１を投入し洗浄した。
【００４６】
次に、得られたダイヤモンド微粒子１を、濃硝酸溶液の入った第３槽４に約３０秒浸漬し、ダイヤモンド微粒子１の表面に薄い酸化膜を形成させた後、純水に浸漬して水酸基化処理を行った後、窒素乾燥を行った。
次に、０．０２Ｍのドデシルビスメトキシシラン酸（ＯＣＨ3）3Ｓｉ（ＣＨ2）12Ｓｉ（ＯＣＨ3）3を２０ｍＭ、６．６ｍＭの塩酸、及び０．３Ｍの純水をテトラヒドロフラン溶媒に溶かし込んだ溶液とシクロへキサンを１対２０の割合で混合して作製した溶液の入った第４槽５に、ダイヤモンド微粒子１を約１時間浸漬した。これにより、ダイヤモンド微粒子１の表面にドデシルビスメトキシシラン単分子層が形成された。作製されたダイヤモンド微粒子１を漉し取り、第５槽６のテトラヒドロフラン溶液に投入した。
【００４７】
最後に、予めダイヤモンド微粒子１の表面を水酸基化処理した方法と同じ方法で、表面を水酸基化処理を施したシリコン基体７（４０×４０×０．６ｍｍ）をこの溶液に投入し、約２時間放置することで、ダイヤモンド微粒子１がシリコン基体７の表面に化学吸着した。
【００４８】
このシリコン基体７の表面をフーリエ変換赤外分光法により調べたところ、ＣＨ2の対称振動２８５１ｃｍ-1及び非対称振動２９１８ｃｍ-1及びＣＨ3の対称振動２８９５ｃｍ-1及び非対称振動２９５８ｃｍ-1に吸収が見られた。また、このシリコン基体７の表面をＡＦＭ観察した結果、直径が数百Åから０．２μｍの凹凸が観察された。これらの結果より、ダイヤモンド微粒子１がシリコン基体７の表面に選択的に吸着したことが分かった。
【００４９】
このダイヤモンド微粒子１の吸着したシリコン基体７を、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置内に設置した。装置内の真空引きを１０-7Ｔｏｒｒまで行った後、シリコン基体７の温度を７００℃まで加熱した。次に、該装置内雰囲気をメタンガス３ｓｃｃｍ、水素ガスを３００ｓｃｃｍ導入し、装置内の圧力は５０Ｔｏｒｒに保った。その後、マイクロ波プラズマを２．４５ＧＨｚ、１．３ｋＷで発生させ、ダイヤモンド薄膜を８時間合成した。
【００５０】
８時間の合成後、シリコン基体７の表面を観察した結果、シリコン基体７の表面のダイヤモンド核発生密度は３×１０11個／ｃｍ2であり、ダイヤモンド粒は互いに結合しており、完全な膜状になっていることを確認した。合成ダイヤモンドの膜厚は３μｍ、薄膜表面の最大粗さＲｍａｘは０．１μｍであった。また、これらの析出物についてラマン分光法を用いて解析した結果、ダイヤモンドによる鋭い１３３３ｃｍ-1のピークシフトを確認した。
【００５１】
本実施の形態では、有機単分子膜として両末端を同じ官能基を有するものを用いたが、ＳｉＣｌ3基、ＣＯＯＨ基、Ｓｉ（ＯＣＨ2ＣＨ3）3基、Ｓｉ（ＯＣＨ3）3基、ＰＨ2Ｏ3基などの基であれば異なっていても構わない。
【００５２】
【発明の効果】
上記のように、ダイヤモンド微粒子の表面を水酸基化処理後、有機単分子で被覆すると共に、ダイヤモンド薄膜を形成させるシリコン基体の表面を水酸基化処理して、有機単分子で表面が被覆されたダイヤモンド微粒子を、シリコン基体の表面に化学吸着させることにより、高密度でダイヤモンド微粒子を吸着させて、ダイヤモンド薄膜合成用の核を形成することができ、表面が滑らかで、大面積の欠陥のないダイヤモンド薄膜を合成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るダイヤモンド薄膜形成用基体の製造方法を説明するための図である。
【図２】本発明に係る有機単分子で被覆処理したダイヤモンド微粒子を吸着後のシリコン基体表面の模式図である。
【図３】本発明に係るダイヤモンド微粒子を吸着後のシリコン基体表面の赤外吸収スペクトルである。
【図４】本発明に係るダイヤモンド微粒子を吸着後のシリコン基体表面のＡＦＭ観察の結果の図である。
【符号の説明】
１  ダイヤモンド微粒子
２  第１槽
３  第２槽
４  第３槽
５  第４槽
６  第５槽
７  シリコン基体
１１  ダイヤモンド微粒子
１２  シリコン基体
１３  有機単分子
【図１】
0003970399.tif 000002
【図２】
0003970399.tif 000003
【図３】
0003970399.tif 000004
【図４】
0003970399.tif 000005