(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に設けた微細な凹部に湿式めっきにより導電性金属を埋込んで配線を形成するにあたり、
基板の表面に、銅と、パラジウム、銀、白金または金との合金からなる下地膜を形成し、
この下地膜の表面に湿式銅めっきを施すことを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
前記下地膜を、スパッタリングまたはＣＶＤで形成することを特徴とする請求項１記載の配線形成方法。
【請求項３】
基板の表面に設けた微細な凹部の内部に、銅と、パラジウム、銀、白金または金との合金で形成した下地膜と、該下地膜の表面に湿式めっきで析出させた銅からなる配線を形成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記下地膜を、スパッタリングまたはＣＶＤで形成したことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線形成方法及び半導体装置に関し、特に半導体基板等の基板の表面に設けた配線用の微細な凹部に銅（Ｃｕ）等の導電性金属を埋込んで配線を形成する配線形成方法、及び該方法で形成された配線を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板上に配線回路を形成するための金属材料としては、アルミニウムまたはアルミニウム合金が一般に用いられているが、近年、銅を用いる動きが顕著となっている。これは、銅の電気抵抗率は、１．７２μΩｃｍとアルミニウムの電気抵抗率より４０％近く低いので、信号遅延現象に対して有利となるばかりでなく、銅のエレクトロマイグレーション耐性が現用のアルミニウムより遙かに高く、しかもアルミニウムの場合よりもデュアルダマシンプロセスを採用し易いので、複雑で微細な多層配線構造を相対的に安価に製造できる可能性が高い等の理由による。
【０００３】
ここで、デュアルダマシン法によって配線溝とビアホールに同時に銅等の金属を埋込む方法としては、▲１▼ＣＶＤ、▲２▼スパッタリング、▲３▼めっきの３つの手法がある。これらの手法のうち、めっき法は、微細な凹部内への埋込み性が比較的良く、相対的に容易で安価なプロセスによって導電性の良い線路形成を可能とする傾向が強いので、少なくとも０．１８μｍのデザインルール世代でこれを半導体量産ラインに組み込むことは常識化しつつある。
【０００４】
図７は、半導体基板の表面に銅めっきを施して、銅からなる配線が形成された半導体装置を得るのに使用される配線形成方法の基本工程を示す。即ち、半導体基板Ｗには、図７（ａ）に示すように、半導体素子が形成された半導体基材１上の導電層１ａの上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２が堆積され、この絶縁膜２の内部にリソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホール３と配線用の溝４とからなる微細な凹部５が形成され、その上にＴａＮ等からなる拡散抑制（バリア）層６が形成されている。
【０００５】
そして、図７（ｂ）に示すように、半導体基板Ｗの表面に銅めっきを施すことによって、半導体基材１の凹部（ホール）５内に銅７を充填するとともに、拡散抑制（バリア）層６上に銅７を堆積する。その後、化学機械研磨（ＣＭＰ）により、拡散抑制（バリア）層６上の銅７及び該拡散抑制（バリア）層６を除去して、コンタクトホール３および配線用の溝４に充填した銅７の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図７（ｃ）に示すように銅７からなる埋込み配線を形成する。
【０００６】
ここに、半導体基板Ｗの表面に設けた微細な凹部５の内部に、例えば電解めっき法で銅７を埋込む場合には、図８に示すように、銅めっきに先だって、半導体基板Ｗに形成した拡散抑制層６の表面に、例えばスパッタリングやＣＶＤ等で給電（シード）層となる銅等からなる下地膜８を形成することが広く行われている。この下地膜（シード層）８の主たる目的は、シード層の表面を電気的カソードとして液中金属イオンを還元し、金属固体として析出するために十分な電流を供給することにある。また、無電解めっき法にあっては、給電層の代わりに触媒層を設けることが広く行われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、下地膜８は、一般にスパッタリングやＣＶＤ等で形成されるが、配線の高密度化に伴って埋込み配線が微細化し、コンタクトホールおよびビアホールのアスペクト比が高くなり、例えば直径が０．１５μｍでアスペスト比が６程度の凹部（ホール）５に、例えば銅からなる下地膜８を形成すると、図８に示すように、下地膜８の凹部５の側面における膜厚Ｂ１の基板Ｗの表面における膜厚Ａ１に対する比：Ｂ１／Ａ１（サイドカバレージ）が５〜１０％程度になるばかりでなく、連続した下地膜８の形成が困難となる。これは、例えばスパッタ銅原子が成膜の際に凝集することが一因であると考えられる。
【０００８】
この状態で電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきを施して銅配線を形成すると、めっき液によるエッチングで下地膜８が消失して、例えば電解めっきにあっては、シード層による導通が確保できずに銅が電析できなくなって、歩留が低下するといった問題があった。また、サイドカバレージを確保する目的で、図８の下地膜８に相当するシード層の膜厚を厚膜化すると、実質的アスペクト比を上げてしまい、埋め込み時にホール入口が閉塞されてホール内にボイドが発生し歩留まりが低下してしまう。
【０００９】
本発明は上記事情に鑑みて為されたもので、例え高アスペスト比な凹部であっても、この凹部内に欠陥のない健全な導電材料からなる埋込み配線を形成できるようにした配線形成方法及び該方法で形成した配線を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の配線形成方法は、基板の表面に設けた微細な凹部に湿式めっきにより導電性金属を埋込んで配線を形成するにあたり、基板の表面に、銅と、パラジウム、銀、白金または金との合金からなる下地膜を形成し、この下地膜の表面に湿式銅めっきを施すことを特徴とする。
【００１１】
これにより、例え高アスペスト比の凹部であっても、この凹部内に欠陥のない健全な導電材料からなる埋込み配線を形成することができる。これは、原子量の大きい金属粒子の凹部上部及び底部での再スパッタ作用と原子量の小さい金属粒子の凝集力を抑える作用を利用して、サイドカバレージ特性を向上させるとともに、下地膜に原子量の大きな金属粒子を含ませることで、エッチング耐性を向上させることができるためであると考えられる。
【００１５】
本発明は、前記下地膜をスパッタリングまたはＣＶＤで形成することを特徴とする。
【００１６】
本発明の半導体装置は、基板の表面に設けた微細な凹部の内部に、銅と、パラジウム、銀、白金または金との合金で形成した下地膜と、該下地膜の表面に湿式めっきで析出させた銅からなる配線を形成したことを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態の配線形成方法を工程順に示す。この例は、図１（ａ）に示すように、半導体素子を形成した半導体基材１０の上にＳｉＯ２からなる絶縁膜１２を堆積した基板Ｗに、例えばリソグラフィ・エッチング技術により、直径が０．１５μｍでアスペスト比が６程度の配線用の微細な凹部（ホール）１４を形成し、この凹部１４内に湿式めっき（電解めっきまたは無電解めっき）により銅を埋込んで銅配線を形成するようにしたものである。
先ず、図１（ａ）に示すように、例えば、スパッタリングにより、基板Ｗの表面に、例えばＴａＮ等からなる拡散抑制（バリア）層１６を形成する。
【００１９】
次に、図１（ｂ）に示すように、半導体基板Ｗに形成した拡散抑制層１６の表面に、例えばスパッタリングまたはＣＶＤで給電（シード）層または触媒層となる下地膜１８を形成する。この下地膜１８の材料として、配線形成材料と同じ材料である銅と、銅より原子量が大きい貴金属、例えば、パラジウム，銀，白金または金等との合金を使用する。この合金としては、例えば１０ａｔ％のパラジウムを含む銅合金（Ｃｕ−Ｐｄ（１０ａｔ％））が挙げられる。この銅合金におけるパラジウム，銀，白金または金等の含有量は、好ましくは、０．００１ａｔ％〜３０ａｔ％、更に好ましくは、０．００１ａｔ％〜１０ａｔ％である。
【００２０】
このように、Ｃｕ−Ｐｄ（１０ａｔ％）合金で下地膜１８を形成すると、この合金からなる下地膜１８の凹部１４の側面における膜厚Ｂ２の基板Ｗの表面における膜厚Ａ２に対する比：Ｂ２／Ａ２（サイドカバレージ）の方が、図８に示す、従来の銅で形成した下地膜８の凹部５の側面における膜厚Ｂ１の基板Ｗの表面における膜厚Ａ１に対する比：Ｂ１／Ａ１より大きくなってカバレージ特性が向上し、しかも連続した下地膜１８が形成される。
【００２１】
これは、アスペクト比の高い凹部（コンタクトホールやピアホール）１４にあっては、銅に比べて原子量が大きいパラジウムの粒子の凹部１４の上部およびホール底部での再スパッタ作用で付き廻りが改善され、しかも、原子量が大きいパラジウム粒子が原子量の小さい銅粒子の凝集力を抑える作用をしているからであると考えられる。
【００２２】
次に、図１（ｃ）に示すように、半導体基板Ｗの表面に湿式銅めっき（電解めっきまたは無電解めっき）を施すことによって、凹部１４内に銅２０を充填するとともに、拡散抑制（バリア）層１６上に銅２０を堆積させる。これにより、凹部１４の内部に銅２０がボイドやシール等の欠陥を生じることなく埋込まれる。
【００２３】
これは、前述のように、下地膜１８のカバレージ特性が向上し、しかも下地膜１８内に銅より原子量が大きいパラジウムが含まれることで、図８に示す、従来の銅からなる下地膜８よりもエッチング耐性が向上して、めっき液によるエッチングが抑制されるためであると考えられる。
【００２４】
しかる後、図１（ｄ）に示すように、化学機械研磨（ＣＭＰ）により、拡散抑制（バリア）層１６上の銅２０及び該拡散抑制（バリア）層１６を除去して、凹部１４に充填した銅２０の表面と絶縁膜１２の表面とをほぼ同一平面して、銅２０からなる埋込み配線を形成する。これにより、例え高アスペスト比の凹部１４であっても、この凹部１４内に欠陥のない健全な銅２０からなる埋込み配線が形成される。
【００２５】
図２は、本発明の実施の形態の配線形成装置の平面配置図を示す。この配線形成装置は、同一設備内に、内部に複数の基板Ｗを収納する２基のロード・アンロード部３０と、各２基の下地膜形成用のスパッタリング装置３２及び埋め込み用の電解めっき装置３４と、洗浄装置３６と、これらの間で基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボット３８とを収納して構成されている。
【００２６】
そして、表面に拡散抑制層１６（図１（ａ）参照）を形成した基板Ｗをロード・アンロード部３０から搬送ロボット３８で取出し、下地膜形成用のスパッタリング装置３２に搬送して、拡散抑制層１６の表面にスパッタリングによる下地膜１８の形成を行う（図１（ｂ）参照）。この下地膜１８の材料として、前述のように、例えば銅配線にあっては、配線形成材料と同じ材料である銅と、銅より原子量が大きい貴金属、例えば、パラジウム，銀，白金または金等との合金、例えば１０ａｔ％のパラジウムを含む銅合金（Ｃｕ−Ｐｄ（１０ａｔ％））を使用する。そして、この基板Ｗを第１の洗浄装置３６に搬送し、その表面を洗浄し乾燥させた後、埋め込み用電解めっき装置３４に搬送して、銅の埋め込みを行う（図１（ｃ）参照）。しかる後、この埋め込み用電解めっき装置３４の内部で基板を洗浄し乾燥させた後、ロード・アンロード部３０に戻す。
【００２７】
なお、この例では、下地膜形成用にスパッタリング装置３２を使用した例を示しているが、このスパッタリング装置３２の代わりに、ＣＶＤ装置を使用してもよい。また、銅の埋め込みを行う電解めっき装置３４の代わりに、無電解めっき装置を使用してもよい。
【００２８】
図９は本発明の別実施例である。図示するように、本めっき装置は半導体ウエハを収容したウエハカセットの受け渡しを行う搬入・搬出エリア５２０と、プロセス処理を行うプロセスエリア５３０と、プロセス処理後の半導体ウエハの洗浄及び乾燥を行う洗浄・乾燥エリア５４０を具備する。洗浄・乾燥エリア５４０は搬入・搬出エリア５２０とプロセスエリア５３０の間に配置されている。搬入・搬出エリア５２０と洗浄・乾燥エリア５４０には隔壁５２１を設け、洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア５３０の間には隔壁５２３を設けている。
【００２９】
隔壁５２１には搬入・搬出エリア５２０と洗浄・乾燥エリア５４０との間で半導体ウエハを受け渡すための通路（図示せず）を設け、該通路を開閉するためのシャッター５２２を設けている。また、隔壁５２３にも洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア５３０との間で半導体ウエハを受け渡すための通路（図示せず）を設け、該通路を開閉するためのシャッター５２４を設けている。洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア５３０は独自に給排気できるようになっている。
【００３０】
上記構成の半導体ウエハ配線用のめっき装置はクリーンルーム内に設置され、各エリアの圧力は、
（搬入・搬出エリア５２０の圧力）＞（洗浄・乾燥エリア５４０の圧力）＞（プロセスエリア５３０の圧力）
に設定され、且つ搬入・搬出エリア５２０の圧力はクリーンルーム内圧力より低く設定される。これにより、プロセスエリア５３０から洗浄・乾燥エリア５４０に空気が流出しないようにし、洗浄・乾燥エリア５４０から搬入・搬出エリア５２０に空気が流出しないようにし、さらに搬入・搬出エリア５２０からクリーンルーム内に空気が流出しないようにしている。
【００３１】
搬入・搬出エリア５２０には半導体ウエハ収容カセットを収納するロードユニット５２０ａとアンロードユニット５２０ｂが配置されている。洗浄・乾燥エリア５４０にはめっき処理後の処理を行う各２基の水洗部５４１、乾燥部５４２が配置されると共に、半導体ウエハの搬送を行う搬送部（搬送ロボット）５４３が備えられている。ここに水洗部５４１としては、例えば前端にスポンジがついたペンシル型のものやスポンジ付きローラ形式のものが用いられる。乾燥部５４２としては、例えば半導体ウエハを高速でスピンさせて脱水、乾燥させる形式のものが用いられる。
【００３２】
プロセスエリア５３０内には、半導体ウエハの下地膜形成を行うスパッタリング装置５３１と、銅めっき処理を行うめっき槽５３２が配置されると共に、半導体ウエハの搬送を行う搬送部（搬送ロボット）５４３が備えられている。
【００３３】
図１０は半導体ウエハ配線用のめっき装置内の気流の流れを示す。洗浄・乾燥エリア５４０においては、配管５４６より新鮮な外部空気が取込まれ、高性能フィルタ５４４を通してファンにより押込まれ、天井５４０ａよりダウンフローのクリーンエアとして水洗部５４１、乾燥部５４２の周囲に供給される。供給されたクリーンエアの大部分は床５４０ｂより循環配管５４５により天井５４０ａ側に戻され、再び高性能フィルタ５４４を通してファンにより押込まれて、洗浄・乾燥エリア５４０内に循環する。一部の気流は、水洗部５４１及び乾燥部５４２内からダクト５５２を通って排気される。
【００３４】
プロセスエリア５３０は、ウエットゾーンといいながらも、半導体ウエハ表面にパーティクルが付着することは許されない。このためプロセスエリア５３０内に天井５３０ａより、ファンにより押込まれて高性能フィルタ５３３を通してダウンフローのクリーンエアを流すことにより、半導体ウエハにパーティクルが付着することを防止している。
【００３５】
しかしながら、ダウンフローを形成するクリーンエアの全流量を外部からの給排気に依存すると、膨大な給排気量が必要となる。このため、室内を負圧に保つ程度の排気のみをダクト５５３よりの外部排気とし、ダウンフローの大部分の気流を配管５３４，５３５を通した循環気流でまかなうようにしている。
【００３６】
循環気流とした場合に、プロセスエリア５３０を通過したクリーンエアは薬液ミストや気体を含むため、これをスクラバ５３６及びミトセパレータ５３７，５３８を通して除去する。これにより天井５３０ａ側の循環ダクト５３４に戻ったエアは、薬液ミストや気体を含まないものとなり、再びファンにより押込まれて高性能フィルタ５３３を通ってプロセスエリア５３０内にクリーンエアとして循環する。
【００３７】
床部５３０ｂよりプロセスエリア５３０内を通ったエアの一部が配管５５３を通って外部に排出され、薬液ミストや気体を含むエアがダクト５５３を通って外部に排出される。天井５３０ａのダクト５３９からは、これらの排気量に見合った新鮮な空気がプロセスエリア５３０内に負圧に保った程度に供給される。
【００３８】
上記のように搬入・搬出エリア５２０、洗浄・乾燥エリア５４０及びプロセスエリア５３０のそれぞれの圧力は、
（搬入・搬出エリア５２０の圧力）＞（洗浄・乾燥エリア５４０の圧力）＞（プロセスエリア５３０の圧力）
に設定されている。従って、シャッター５２２，５２４（図９参照）を開放すると、これらのエリア間の空気の流れは図１１に示すように、搬入・搬出エリア５２０、洗浄・乾燥エリア５４０及びプロセスエリア５３０の順に流れる。また、排気はダクト５５２及び５５３を通して、図１２に示すように集合排気ダクト５５４に集められる。
【００３９】
図１２は本発明に係る半導体ウエハ配線用のめっき装置がクリーンルーム内に配置された一例を示す外観図である。搬入・搬出エリア５２０のカセット受渡し口５５５と操作パネル５５６のある側面が仕切壁５５７で仕切られたクリーンルームのクリーン度の高いワーキングゾーン５５８に露出しており、その他の側面はクリーン度の低いユーティリティゾーン５５９に収納されている。
【００４０】
上記のように、洗浄・乾燥エリア５４０を搬入・搬出エリア５２０とプロセスエリア５３０の間に配置し、搬入・搬出エリア５２０と洗浄・乾燥エリア５４０の間及び洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア５３０の間にはそれぞれ隔壁５２１を設けたので、ワーキングゾーン５５８から乾燥した状態でカセット受渡し口５５５を通して半導体ウエハ配線用のめっき装置内に搬入される半導体ウエハは、半導体ウエハ配線用のめっき装置内でめっき処理され、洗浄・乾燥した状態でワーキングゾーン５５８に搬出されるので、半導体ウエハ面にはパーティクルやミストが付着することなく、且つクリーンルーム内のクリーン度の高いワーキングゾーン５５８をパーティクルや薬液や洗浄液ミストで汚染することはない。
【００４１】
なお、図９及び図１０では、半導体ウエハ配線用のめっき装置が搬入・搬出エリア５２０、洗浄・乾燥エリア５４０、プロセスエリア５３０を具備する例を示したが、プロセスエリア５３０内に又はプロセスエリア５３０に隣接してＣＭＰ装置を配置するエリアを設け、該プロセスエリア５３０又はＣＭＰ装置を配置するエリアと搬入・搬出エリア５２０の間に洗浄・乾燥エリア５４０を配置するように構成しても良い。要は半導体ウエハ配線用のめっき装置に半導体ウエハが乾燥状態で搬入され、めっき処理の終了した半導体ウエハが洗浄され、乾燥した状態で搬出される構成であればよい。
【００４２】
上記例では基板めっき装置を半導体ウエハ配線用のめっき装置を例に説明したが、基板は半導体ウエハに限定されるものではなく、まためっき処理する部分も基板面上に形成された配線部に限定されるものではない。また、上記例ではＣｕめっきを例に説明したが、Ｃｕめっきに限定されるものではない。
【００４３】
（実施例１）
図１（ａ）に示す基板Ｗとして、半導体基材１０の上にＳｉＯ２からなる絶縁膜１２を形成し、この絶縁膜１２に直径０.１５μｍ、深さ０.９μｍ（アスペクト比：６）の凹部（ホール）１４を形成したものを用意し、この表面に、ＴａＮからなる厚さ３０ｎｍの拡散抑制（バリア）層１６をスパッタリングにより形成し、この表面に、Ｃｕ−Ｐｄ（１０ａｔ％）合金からなる厚さ９０ｎｍの下地膜（シード層）１８をスパッタリングにより形成して試料を作成した（図１（ｂ）参照）。そして、この試料の表面に、電解銅めっきを施して、凹部１４内に銅２０を埋込んだ（図１（ｃ）参照）。この時のめっき液組成及びめっき条件は以下の通りである。
（めっき液組成）
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ    ２００  ｇ／Ｌ
Ｈ２ＳＯ４                ５５  ｇ／Ｌ
Ｃｌ−                    ６０  ｍｇ／Ｌ
添加剤                      少々
（めっき条件）
２．５  Ａ／ｄｍ２，２ｍｉｎ，２５℃
【００４４】
めっき処理後の断面ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真を模式化した図面を図３に示す。この図から、凹部１４の内部に銅２０が均一に埋込まれて、欠陥のない健全な銅配線が形成されていることが判る。
【００４５】
（実施例２）
前記実施例１と同様に、Ｃｕ−Ｐｄ（１０ａｔ％）合金からなる厚さ９０ｎｍの下地膜（シード層）１８をスパッタリングにより形成した試料を作成し、この試料の表面に、無電解銅めっきを施して、下地膜（シード層）１８の補強を行った。この時のめっき液組成及びめっき条件は以下の通りである。
（めっき液組成）
ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ    ２．５  ｇ／Ｌ
ＥＤＴＡ・２Ｎａ        ２０  ｇ／Ｌ
ＮａＯＨ                ４  ｇ／Ｌ
ＨＣＨＯ（３７％）      ５  ｍｌ／Ｌ
（めっき条件）
６５℃，６０ｓｅｃ
【００４６】
めっき処理後の断面ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真を模式化した図面を図４に示す。この図から、シード層の補強が一様に均一に行われ、欠陥のない健全なシード層１８が形成されていることが判る。
【００４７】
（比較例１）
図８に示す基板として、半導体基材１の上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２を形成し、この絶縁膜２に直径０.１５μｍ、深さ０.９μｍ（アスペクト比：６）の凹部（ホール）５を形成したものを用意し、この表面に、ＴａＮからなる厚さ３０ｎｍの拡散抑制（バリア）層６をスパッタリングにより形成し、この表面に、銅からなる厚さ９０ｎｍの下地膜（シード層）８をスパッタリングにより形成して試料を作成した。そして、この試料の表面に、前記実施例１と同じ条件で電解銅めっきを施して、凹部５内に銅７を埋込んだ。
【００４８】
めっき処理後の断面ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真を模式化した図面を図５に示す。この図から、凹部５の内部に埋込まれた銅７の下部の約２／３に空窩（めっき欠け）Ｃが生じていることが判る。
【００４９】
（比較例２）
前記比較例１と同様に、厚さ９０ｎｍの下地膜（シード層）８をスパッタリングにより形成して試料を作成し、この試料の表面に、前記実施例２と同じ条件で無電解銅めっきを施して、下地膜（シード層）８の補強を行った。めっき処理後の断面ＳＥＭ（走査電子顕微鏡）写真を模式化した図面を図６に示す。この図から、凹部（ホール）５内のシード層８の下部の約２／３にシード層欠けが生じていることが判る。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、例えアスペクト比の高いコンタクトホールやピアホール等を有する微細配線構造であっても、埋込み配線を安価な湿式めっきで歩留り良く形成することができる。
【００５１】
これによって、従来の下地膜（シード層）では、▲１▼サイドカバレージ特性、▲２▼ボトムアップ特性の双方を満足する必要があり、このため、めっき液の組成を決める上での制約が大きかったが、本発明によれば、下地膜（シード層）のサイドカバレージ特性が良いので、めっき工程では、配線のボトムアップ特性のみに着目してめっき液の組成を最適化でき、これによって、例えばボトムアップ特性を左右する因子であるキャリア（ブライトナ）の濃度を上げることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の実施の形態の配線形成方法を工程順に示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の配線形成装置の平面配置図を示す図である。
【図３】実施例１によって電解銅めっきを施した基板の断面ＳＥＭ写真を模式化した図である。
【図４】実施例２によって無電解銅めっきを施した基板の断面ＳＥＭ写真を模式化した図である。
【図５】比較例１によって電解銅めっきを施した基板の断面ＳＥＭ写真を模式化した図である。
【図６】比較例２によって無電解銅めっきを施した基板の断面ＳＥＭ写真を模式化した図である。
【図７】半導体基板の表面にめっきにより配線を形成した半導体装置の基本的な配線形成方法を工程順に示す断面図である。
【図８】従来の方法で高アスペスト比の凹部（ホール）の表面に下地膜（シード層）を形成した時の状態を示す断面図である。
【図９】本発明の半導体ウエハ配線用のめっき装置の平面構成を示す図である。
【図１０】本発明の半導体ウエハ配線用のめっき装置内の気流の流れを示す図である。
【図１１】本発明の半導体ウエハ配線用のめっき装置の各エリア間の空気の流れを示す図である。
【図１２】本発明の半導体ウエハ配線用のめっき装置をクリーンルーム内に配置した一例を示す外観図である。
【符号の説明】
１０  半導体基材
１２  絶縁膜
１４  凹部
１６  拡散抑制（バリア）層
１８  下地膜
２０  銅
【図１】
0003933442.tif 000002
【図２】
0003933442.tif 000003
【図３】
0003933442.tif 000004
【図４】
0003933442.tif 000005
【図５】
0003933442.tif 000006
【図６】
0003933442.tif 000007
【図７】
0003933442.tif 000008
【図８】
0003933442.tif 000009
【図９】
0003933442.tif 000010
【図１０】
0003933442.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
0003933442.tif 000013