(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次同調回路と、２次同調回路と、第１および第２のバンド切替端子とを備えたチューナの複同調回路であって、
前記１次同調回路は、一端にテレビジョン信号が印加される１次側ハイバンド受信用コイルと、一端が前記１次側ハイバンド受信用コイルの他端に接続され他端が結合用のコイルを介して高周波的に接地された１次側ローバンド受信用コイルと、アノードが接地されカソードが前記１次側ハイバンド受信用コイルの一端に高周波的に接続された１次側バラクタダイオードと、アノードが前記１次側ハイバンド受信用コイルと前記１次側ローバンド受信用コイルとの接続点に高周波的に接続されると共に第１の給電抵抗を介して前記第２のバンド切替端子に直流的に接続されカソードが高周波的に接地されると共に抵抗を介し接地され、かつ前記第１のバンド切替端子に直流的に接続された１次側スイッチダイオードとを備え、
前記２次同調回路は、一端が出力端側に接続された２次側ハイバンド受信用コイルと、一端が前記２次側ハイバンド受信用コイルの他端に接続され他端が前記結合用のコイルを介して高周波的に接地されると共に第２の給電抵抗を介して前記第２のバンド切替端子に直流的に接続された２次側ローバンド受信用コイルと、アノードが接地されカソードが前記２次側ハイバンド受信用コイルの一端に接続された２次側バラクタダイオードと、アノードが前記２次側ハイバンド受信用コイルと前記２次側ローバンド受信用コイルとの接続点に接続されると共に当該接続点から前記２次側ハイバンド受信用コイルを介して前記２次側バラクタダイオードのカソードに対し高周波的に接続されカソードが高周波的に接地されると共に前記抵抗を介して接地され、かつ前記第１のバンド切替端子に直流的に接続された２次側スイッチダイオードとを備え、
前記第１のバンド切替端子に切替電圧を印加して前記各スイッチダイオードに逆方向の電圧を印加することで非導通状態としローバンドのテレビジョン信号受信状態とし、また前記第２のバンド切替端子に切替電圧を印加して前記各スイッチダイオードに順方向の電圧を印加することで導通状態としハイバンドのテレビジョン信号受信状態とすることを特徴とするチューナの複同調回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スイッチダイオードの導通または非導通によって複数の周波数帯に同調可能なように切替可能なチューナの複同調回路に関し、特にスイッチダイオードの非導通時に発生する端子間容量および抵抗の端子間容量によって構成される所望しない新たな同調回路による選択特性の悪化を防止するチューナの複同調回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチューナーの複同調回路について図５〜図７および図４によって説明する。図５において、複同調回路は、１次同調回路５１と２次同調回路５２とで構成されている。１次同調回路５１は、直列に接続された直流阻止コンデンサ５３およびバラクタダイオード５４と、図示の順序で直列に接続されたハイバンド受信用の同調コイル５５、ローバンド受信用の同調コイル５６、抵抗５７、結合用のコイル５８、直流阻止コンデンサ５９とが、並列に接続されて構成されている。ここで、バラクタダイオード５４は、アノードが接地され、カソードが直流阻止コンデンサ５３と接続されている。また、直流阻止コンデンサ５９の他端も接地されている。そして、直流阻止コンデンサ５３と同調コイル５５の接続点が、この複同調回路５１の入力端となっていて、前段の高周波増幅器６０に接続されている。
【０００３】
次に、同調コイル５５と同調コイル５６との接続点と、グランドの間に、直列に接続された直流阻止コンデンサ６１とスイッチダイオード６２と直流阻止コンデンサ６３が設けられている。ここで、スイッチダイオード６２は、アノードが直流阻止コンデンサ６１と、カソードが直流阻止コンデンサ６３と接続されている。
【０００４】
次に、直流阻止コンデンサ６１とスイッチダイオード６２との接続点は、給電抵抗６４を介し、ハイバンド受信用の切替端子６５に接続されている。
また、スイッチダイオード６２と直流阻止コンデンサ６３との接続点は、給電抵抗６６を介し、ローバンド受信用の切替端子６７に接続されている。
また、スイッチダイオード６２と直流阻止コンデンサ６３との接続点と、グランドとの間に、バイアス抵抗６８が設けられている。
そして、直流阻止コンデンサ５３とバラクタダイオード５４との接続点は、給電抵抗６９を介して、同調電圧端子７０に接続されている。
【０００５】
また、２次同調回路５２は、バラクタダイオード７１と、図示の順序で直列に接続されたハイバンド受信用の同調コイル７２、ローバンド受信用の同調コイル７３、抵抗７４、直流阻止コンデンサ７５、結合用のコイル５８、直流阻止コンデンサ５９とが並列に接続されて構成されている。ここで、バラクタダイオード７１は、アノードが接地され、カソードが同調コイル７２と接続されている。そして、バラクタダイオード７１と同調コイル７２との接続点に、直列に接続したバラクタダイオード７６と直流阻止コンデンサ７７が接続されている。ここで、バラクタダイオード７６は、アノードが直流阻止コンデンサ７７と接続され、カソードが同調コイル７２と接続されている。そして、直流阻止コンデンサ７７の他端がこの複同調回路の出力端となっていて、後段の混合器７８に接続されている。そして、混合器７８に発振器（図示せず）からの発振信号が入力され、中間周波信号を出力するようになっている。
【０００６】
次に、同調コイル７２と同調コイル７３との接続点と、スイッチダイオード６２と直流阻止コンデンサ６３との接続点とに、直列に接続された直流阻止コンデンサ７９とスイッチダイオード８０とが設けられている。ここで、スイッチダイオード８０は、アノードが直流阻止コンデンサ７９と、カソードが直流阻止コンデンサ６３と接続されている。
【０００７】
次に、直流阻止コンデンサ７９とスイッチダイオード８０との接続点は、給電抵抗８１を介し、ハイバンド受信用の切替端子６５に接続されている。
また、スイッチダイオード８０と直流阻止コンデンサ６３との接続点は、給電抵抗６６を介し、ローバンド受信用の切替端子６７に接続されている。
そして、バラクタダイオード７１と同調コイル７２との接続点は、給電抵抗８２を介して、同調電圧端子７０に接続されている。
【０００８】
以上のような構成によって、ハイバンド受信用の切替端子６５または、ローバンド受信用の切替端子６７に電圧を印加することで、スイッチダイオード６２およびスイッチダイオード８０を共に導通または非導通にすることにより、この複同調回路をハイバンドの受信状態またはローバンドの受信状態に切替えている。
【０００９】
ところで、図５に示すチューナの複同調回路をハイバンドのテレビジョン信号（例えば１７０ＭＨｚ〜２２２ＭＨｚ）を受信する状態に切り替えるときは、ハイバンド受信用の切替端子６５に、例えば５Ｖの電圧を印加し、ローバンド受信用の切替端子６７には電圧を印加しない。すると、スイッチダイオード６２およびスイッチダイオード８０には順方向の電圧が印加され、両スイッチダイオード６２および８０は導通状態になり、ハイバンド受信用の同調コイル５５とローバンド受信用の同調コイル５６の接続点が接地され、また、ハイバンド受信用の同調コイル７２とローバンド受信用の同調コイル７３の接続点も接地される。この結果、１次同調回路５１では、バラクタダイオード５４とハイバンド受信用の同調コイル５５とが互いに並列接続され、２次同調回路５２では、バラクタダイオード７１とハイバンド受信用の同調コイル７２とが互いに並列接続される。この時の高周波的な等価回路図は、直流阻止コンデンサおよび抵抗を無視すると、図６に示す複同調回路となり、バラクタダイオード５４および７１に印加する電圧の調整により所望の同調周波数が得られる。
【００１０】
また、図５に示すチューナの複同調回路をローバンドのテレビジョン信号（例えば９０ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚ）を受信する状態に切り替えるときは、ローバンド受信用の切替端子６７に、例えば５Ｖの電圧を印加し、ハイバンド受信用の切替端子６５には電圧を印加しない。すると、スイッチダイオード６２および８０には逆方向の電圧が印加され、両スイッチダイオード６２および８０は非導通状態になる。この結果、１次同調回路５１は、ハイバンド受信用の同調コイル５５、ローバンド受信用の同調コイル５６、結合用のコイル５８およびバラクタダイオード５４からなる並列同調回路（以下この回路を「主同調回路」という）となり、２次同調回路５２は、ハイバンド受信用の同調コイル７２、ローバンド受信用の同調コイル７３、結合用のコイル５８およびバラクタダイオード７１からなる並列同調回路となり、バラクタダイオード５４および７１に印加する電圧の調整により所望の同調周波数が得られる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ローバンド受信状態に切替えた複同調回路においては、スイッチダイオード６２、８０には逆方向の電圧が印加されている。一般に、ダイオードに逆方向の電圧を印加すると、例えば０．２ｐＦ程度の端子間容量が発生する。また、抵抗６４および８１にも少しの端子間容量がある。ここで、スイッチダイオード６２、８０の逆方向電圧での端子間容量と抵抗６４、８１の端子間容量が無視し得なくなると、ローバンド受信状態での複同調回路における高周波的な等価回路は、図７に示す複同調回路となる。
ここで、コンデンサ８３、８４、８５、８６はそれぞれスイッチダイオード６２、スイッチダイオード８０、抵抗６４、抵抗８１の端子間容量と等価とする。
【００１２】
図７において、１次同調回路５１では、バラクタダイオード５４、同調コイル５５、コンデンサ８３、８５により主同調回路とは別の新たな同調回路８７（以下この回路を「寄生同調回路」という）が構成される。また、２次同調回路５２では、バラクタダイオード７１、同調コイル７２、コンデンサ８４、８６により寄生同調回路８８が構成される。そして、この寄生同調回路８７、８８での同調周波数は、１次側寄生同調回路８７と２次側寄生同調回路８８ともほぼ同一の周波数であり、例えば、主同調回路での所望の同調周波数を１２７ＭＨｚとすると、寄生同調回路８７、８８での同調周波数は、６００〜７００ＭＨｚ域のＵＨＦ帯に現れていた。
【００１３】
したがって、このローバンド受信状態での複同調回路は、例えば図４の実線で示されるような周波数選択特性となり、主同調回路による同調周波数（図４Ａ部）の他に、寄生同調回路８７、８８による同調周波数（図４Ｂ部）によるピーク特性が発生していた。そして、この寄生同調回路８７、８８による同調周波数域における信号が、この複同調回路の出力端に接続されている混合器７８に入力され、混合器７８で発振信号と混合されると、発振信号の周波数のＮ倍と寄生同調回路８７、８８による同調周波数における信号の周波数との和または差によって作られる信号が、混合器７８からの出力である中間周波信号（５４ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ）に妨害を及ぼしていた。
【００１４】
すなわち、一例をあげれば、主同調回路による同調周波数を１２７ＭＨｚとすると、発振信号の周波数は、主同調回路による同調周波数より５７ＭＨｚ高い１８４ＭＨｚであり、その３倍の周波数である５５２ＭＨｚと寄生同調回路による同調周波数の６０９ＭＨｚとの差が５７ＭＨｚとなって混合器７８から出力されていた。
【００１５】
本発明は、この問題を解決するもので、その目的は、ローバンド受信状態においてスイッチダイオード６２、８０の非導通時の端子間容量８３、８４と、抵抗６４、８１の端子間容量８５、８６とによって新たに構成される寄生同調回路８７、８８による影響を少なくした良好な選択特性を持つチューナーの複同調回路を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明の請求項１に記載のチューナの複同調回路は、１次同調回路と、２次同調回路と、第１および第２のバンド切替端子とを備えたチューナの複同調回路であって、前記１次同調回路は、一端にテレビジョン信号が印加される１次側ハイバンド受信用コイルと、一端が前記１次側ハイバンド受信用コイルの他端に接続され他端が結合用のコイルを介して高周波的に接地された１次側ローバンド受信用コイルと、アノードが接地されカソードが前記１次側ハイバンド受信用コイルの一端に高周波的に接続された１次側バラクタダイオードと、アノードが前記１次側ハイバンド受信用コイルと前記１次側ローバンド受信用コイルとの接続点に高周波的に接続されると共に第１の給電抵抗を介して前記第２のバンド切替端子に直流的に接続されカソードが高周波的に接地されると共に抵抗を介し接地され、かつ前記第１のバンド切替端子に直流的に接続された１次側スイッチダイオードとを備え、前記２次同調回路は、一端が出力端側に接続された２次側ハイバンド受信用コイルと、一端が前記２次側ハイバンド受信用コイルの他端に接続され他端が前記結合用のコイルを介して高周波的に接地されると共に第２の給電抵抗を介して前記第２のバンド切替端子に直流的に接続された２次側ローバンド受信用コイルと、アノードが接地されカソードが前記２次側ハイバンド受信用コイルの一端に接続された２次側バラクタダイオードと、アノードが前記２次側ハイバンド受信用コイルと前記２次側ローバンド受信用コイルとの接続点に接続されると共に当該接続点から前記２次側ハイバンド受信用コイルを介して前記２次側バラクタダイオードのカソードに対し高周波的に接続されカソードが高周波的に接地されると共に前記抵抗を介して接地され、かつ前記第１のバンド切替端子に直流的に接続された２次側スイッチダイオードとを備え、前記第１のバンド切替端子に切替電圧を印加して前記各スイッチダイオードに逆方向の電圧を印加することで非導通状態としローバンドのテレビジョン信号受信状態とし、また前記第２のバンド切替端子に切替電圧を印加して前記各スイッチダイオードに順方向の電圧を印加することで導通状態としハイバンドのテレビジョン信号受信状態とすることを特徴とする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のチューナの複同調回路の実施の形態を図１〜図４を参照して説明する。
【００１９】
図１は、本発明のチューナの複同調回路の回路図である。本発明のチューナの複同調回路は、１次同調回路１１と２次同調回路１２と第１のバンド切替端子２７と第２のバンド切替端子２５で構成されている。第１のバンド切替端子２７には、１次同調回路１１と２次同調回路１２とをローバンドのテレビジョン信号受信状態に切り替えるための切替電圧が印加され、第２のバンド切替端子２５には、１次同調回路１１と２次同調回路１２とをハイバンドのテレビジョン信号受信状態に切り替えるための切替電圧が印加される。
【００２０】
１次同調回路１１は、互いに直列に接続された直流阻止コンデンサ１３およびバラクタダイオード１４と、図示の順序で直列に接続されたハイバンド受信用の同調コイル１５、ローバンド受信用の同調コイル１６、ダンピング抵抗１７、結合用のコイル１８、直流阻止コンデンサ１９とが並列に接続されて構成されている。ここで、バラクタダイオード１４は、アノードが接地され、カソードが直流阻止コンデンサ１３と接続されている。また、直流阻止コンデンサ１９の他端も接地されている。そして、直流阻止コンデンサ１３と同調コイル１５の接続点がこの１次同調回路１１の入力端となっていて、前段の高周波増幅器２０に接続されている。
【００２１】
次に、同調コイル１５と同調コイル１６との接続点と、グランドの間に、直列に接続された直流阻止コンデンサ２１とスイッチダイオード２２と直流阻止コンデンサ２３が設けられている。ここで、スイッチダイオード２２は、一端（例えばカソード）が直流阻止コンデンサ２３を介してグランドと接続されているので、高周波的に接地されている。
【００２２】
次に、スイッチダイオード２２と直流阻止コンデンサ２３との接続点は、給電抵抗２６を介し、ローバンド受信用の第１のバンド切替端子２７に接続されている。つまり、スイッチダイオード２２の高周波的に接地されている側の端子は、直流的にバンド切替端子２７に接続されている。
また、直流阻止コンデンサ２１とスイッチダイオード２２との接続点は、給電抵抗２４を介し、ハイバンド受信用の第２のバンド切替端子２５に接続されている。つまり、スイッチダイオード２２の高周波的に接地されていない側の端子は、抵抗２４を介し、直流的にバンド切替端子２５に接続されている。
また、スイッチダイオード２２と直流阻止コンデンサ２３との接続点とグランドとの間に、バイアス抵抗２８が設けられている。
そして、直流阻止コンデンサ１３とバラクタダイオード１４との接続点は、給電抵抗２９を介して、同調電圧端子３０に接続されている。
【００２３】
また、２次同調回路１２は、バラクタダイオード３１と、図示の順序で直列に接続されたハイバンド受信用の同調コイル３２、直流阻止コンデンサ３３、ローバンド受信用の同調コイル３４、ダンピング抵抗３５、直流阻止コンデンサ３６、結合用のコイル１８、直流阻止コンデンサ１９とが並列に接続されて構成されている。ここで、バラクタダイオード３１は、アノードが接地され、カソードが同調コイル３２と接続されている。そして、バラクタダイオード３１と同調コイル３２との接続点に、互いに直列に接続したバラクタダイオード３７と直流阻止コンデンサ３８が接続されている。ここで、バラクタダイオード３７は、アノードが直流阻止コンデンサ３８と、カソードが同調コイル３２と接続されている。そして、直流阻止コンデンサ３８の他端がこの複同調回路の出力端となっていて、後段の混合器３９に接続されている。そして、混合器３９に発振器（図示せず）からの発振信号が入力され、中間周波信号を出力するようになっている。
【００２４】
次に、直流阻止コンデンサ３３と同調コイル３４との接続点と、スイッチダイオード２２と直流阻止コンデンサ２３との接続点との間に、スイッチダイオード４０が設けられている。ここで、スイッチダイオード４０は、一端（例えばカソード）が直流阻止コンデンサ２３を介してグランドと接続されているので、高周波的には接地されている。
【００２５】
次に、抵抗３５と直流阻止コンデンサ３６との接続点は、給電抵抗４１を介し、ハイバンド受信用の切替端子２５に接続されている。ここで、給電抵抗４１は、スイッチダイオード４０のアノード側の給電抵抗となっている。つまり、１次同調回路１１におけるスイッチダイオード２２と相違して、２次同調回路１２におけるスイッチダイオード４０の他端（アノード）は、ローバンド受信用の同調コイル３４と抵抗４１とを直列に介し、直流的にバンド切替端子２５に接続されている。
また、スイッチダイオード４０の一端は、給電抵抗２６を介し、ローバンド受信用の切替端子２７に接続されている。つまり、スイッチダイオード４０の高周波的に接地されている側の端子は、直流的にバンド切替端子２７に接続されている。
そして、バラクタダイオード３１と同調コイル３２との接続点は、給電抵抗４２を介して、同調電圧端子３０に接続されている。
【００２６】
以上のような構成によって、ハイバンド受信用の切替端子２５またはローバンド受信用の切替端子２７にバンド切替電圧を印加することで、スイッチダイオード２２およびスイッチダイオード４０を共に導通または非導通にすることにより、この複同調回路をハイバンドの受信状態またはローバンドの受信状態に切り替えている。
【００２７】
ところで、図１に示すチューナの複同調回路をハイバンドのテレビジョン信号（例えば１７０ＭＨｚ〜２２２ＭＨｚ）を受信する状態に切り替えるときは、ハイバンド受信用の切替端子２５に、例えば５Ｖの切替電圧を印加し、ローバンド受信用の切替端子２７に電切替圧を印加しない。すると、スイッチダイオード２２およびスイッチダイオード４０には順方向の電圧が印加され、両スイッチダイオード２２および４０は導通状態になり、ハイバンド受信用の同調コイル１５とローバンド受信用の同調コイル１６の接続点が高周波的に接地され、直流阻止コンデンサ３３とローバンド受信用の同調コイル３４の接続点も高周波的に接地される。この結果、１次同調回路１１では、バラクタダイオード１４とハイバンド受信用の同調コイル１５とが互いに並列接続され、２次同調回路１２では、バラクタダイオード３１とハイバンド受信用の同調コイル３２とが互いに並列接続される。この時の高周波的な等価回路は、直流阻止コンデンサおよび抵抗を無視すると、図２に示す複同調回路となり、バラクタダイオード１４および３１に印加する同調電圧の調整により所望の同調周波数が得られる。
【００２８】
また、ローバンドのテレビジョン信号（例えば９０ＭＨｚ〜１０８ＭＨｚ）を受信する状態に切り替えるときは、ローバンド受信用の切替端子２７に、例えば５Ｖの切替電圧を印加し、ハイバンド受信用の切替端子２５には切替電圧を印加しない。すると、スイッチダイオード２２およびスイッチダイオード４０には逆方向の電圧が印加され、両スイッチダイオード２２および４０は非導通状態となる。この結果、１次同調回路１１では、ハイバンド受信用の同調コイル１５、ローバンド受信用の同調コイル１６、結合用のコイル１８およびバラクタダイオード１４からなる並列同調回路（以下この回路を「主同調回路」という）となり、２次同調回路１２は、ハイバンド受信用の同調コイル３２、ローバンド受信用の同調コイル３４、結合用のコイル１８およびバラクタダイオード３１からなる並列同調回路（主同調回路）となり、バラクタダイオード１４および３１に印加する同調電圧の調整により所望の同調周波数が得られる。
【００２９】
ところで、ローバンド受信状態に切り替えた複同調回路においては、スイッチダイオード２２、４０には逆方向の電圧が印加されている。一般に、ダイオードに逆方向の電圧を印加すると、例えば０．２ｐＦ程度の端子間容量が発生する。また、給電抵抗２４および４１にも少しの端子間容量がある。ここで、スイッチダイオード２２、４０の逆方向電圧での端子間容量と給電抵抗２４、４１の端子間容量が無視し得なくなると、ローバンド受信状態での複同調回路における高周波的な等価回路は、図３に示す複同調回路となる。
ここで、コンデンサ４３、４４、４５、４６はそれぞれスイッチダイオード２２、スイッチダイオード４０、抵抗２４、抵抗４１の端子間容量と等価とする。
【００３０】
図３において、１次同調回路１１では、バラクタダイオード１４、同調コイル１５、コンデンサ４３、コンデンサ４５により、主同調回路とは別の新たな同調回路４７（以下この回路を「寄生同調回路」という）が構成され、また、２次同調回路１２では、バラクタダイオード３１、同調コイル３２、コンデンサ４４、コンデンサ４６により、寄生同調回路４８が構成される。そして、この寄生同調回路４７、４８での同調周波数は、例えば、主同調回路での所望の同調周波数を１２７ＭＨｚとすると、６００〜７００ＭＨｚ域のＵＨＦ帯に現れる。
【００３１】
図３において、寄生同調回路４７と寄生同調回路４８とを比較すると、コンデンサ４３とコンデンサ４４は、ほぼ同じ容量であるが、寄生同調回路４７においてのコンデンサ４３とコンデンサ４５の合成容量は和となるので、明らかに、寄生同調回路４８のコンデンサ４４より大となる。ここで、バラクタダイオード１４とバラクタダイオード３１との容量を等しく、さらに同調コイル１５と同調コイル３２のインダクタンスを等しくすれば、コンデンサ４３とコンデンサ４５の合成容量はコンデンサ４４より大なので、寄生同調回路４７による同調周波数は、寄生同調回路４８による同調周波数より低くなる。言い換えると、寄生同調回路４８による同調周波数は、寄生同調回路４７による同調周波数と同一でなく、少し高い周波数に現れる。
【００３２】
したがって、このローバンド受信状態での複同調回路は、例えば図４の点線で示されるような周波数選択特性となり、主同調回路での同調周波数を１２７ＭＨｚ（図４Ａ部）とすると、寄生同調回路４７によるピークは図４Ｃ部となり、寄生同調回路４８によるピークは図４Ｄ部となり、２つのピークに分散される。つまり、従来のピークである図４Ｂ部と比べると、寄生同調回路４７によるピーク（図４Ｃ部）は同じ周波数で大きさが減少していて、寄生同調回路４８によるピーク（図４Ｄ部）は少し高い周波数に発生して大きさはやはり減少している。したがって、後段の混合器３９からの出力である中間周波信号（５４ＭＨｚ〜６０ＭＨｚ）に妨害となる信号が発生が少なくなる。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、ハイバンド受信用の給電抵抗を、１次同調回路ではスイッチダイオードに直接接続し、２次同調回路ではローバンド受信用コイルを介してスイッチダイオードに接続したことにより、スイッチダイオードの非導通時の端子間容量および抵抗の端子間容量によって新たに構成される寄生同調回路は、１次同調回路においての寄生同調回路による同調周波数が２次同調回路においての寄生同調回路による同調周波数より低くなるので、寄生同調回路により発生する周波数特性のピークを２つに分散することができる。したがって、周波数特性ピークを減少させることができ、この結果中間周波信号への妨害を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のチューナの複同調回路の回路図である。
【図２】本発明のチューナの複同調回路のハイバンド受信時の等価回路図である。
【図３】本発明のチューナの複同調回路のローバンド受信時の等価回路図である。
【図４】本発明および従来のチューナの複同調回路のローバンド受信時での選択特性図である。
【図５】従来のチューナの複同調回路の回路図である。
【図６】従来のチューナの複同調回路のハイバンド受信時の等価回路図である。
【図７】従来のチューナの複同調回路のローバンド受信時の等価回路図である。
【符号の説明】
１１  １次同調回路
１２  ２次同調回路
１４、３１  バラクタダイオード
１５、３２  ハイバンド受信用同調コイル
１６、３４  ローバンド受信用同調コイル
２２、４０  スイッチダイオード
２４、４１  給電抵抗
２５  第２のバンド切替端子
２７  第１のバンド切替端子
４３、４４  スイッチダイオード２２、４０の端子間容量と等価なコンデンサ
４５、４６  給電抵抗２４、４１の端子間容量と等価なコンデンサ
４７、４８  寄生共振回路
【図１】
0004014772.tif 000002
【図２】
0004014772.tif 000003
【図３】
0004014772.tif 000004
【図４】
0004014772.tif 000005
【図５】
0004014772.tif 000006
【図６】
0004014772.tif 000007
【図７】
0004014772.tif 000008