(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族原料とＶ族原料とを用いて、気相成長法により、Ｇａ1-XＩｎXＮYＡｓ1-Y（０＜Ｘ＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体の結晶を成長する方法であって、
前記Ｖ族原料として、窒素含有Ｖ族原料とｔ−ブチルアルシンおよびトリメチルヒ素からなる群から選ばれる少なくとも１つの原料を含むヒ素含有Ｖ族原料とを併用して結晶成長を行ない、
前記ヒ素含有Ｖ族原料と前記ＩＩＩ族原料とのモル供給比は、１＜［ヒ素含有Ｖ族原料］／［ＩＩＩ族原料］≦１０である、化合物半導体の結晶成長方法。
【請求項２】
前記化合物半導体の結晶の成長温度が５００℃〜６００℃であることを特徴とする、請求項１記載の化合物半導体の結晶成長方法。
【請求項３】
前記窒素含有Ｖ族原料は、モノメチルヒドラジンおよびジメチルヒドラジンからなる群から選ばれる少なくとも１つの原料を含む、請求項１または請求項２に記載の化合物半導体の結晶成長方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化合物半導体の結晶成長方法に関するものであり、特に、気相成長法によるＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体の結晶成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
気相成長法によりＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の結晶を成長する際には、ＩＩＩ族元素を供給するＩＩＩ族原料と、Ｖ族元素を供給するＶ族原料とが用いられる。
【０００３】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の一例として、たとえば、３元系のＧａＡｓＮ系化合物半導体の結晶を成長する際には、Ｖ族原料として、Ｎ元素を供給する窒素含有Ｖ族原料と、Ａｓ元素を供給するヒ素含有Ｖ族原料とが併用されている。従来、窒素含有Ｖ族原料としては、窒素（Ｎ2 ）ガスや、文献１（Journal of Crystal Growth 145 （1994）p.99-103）に開示されているように、アンモニア（ＮＨ3 ）をＲＦプラズマにより活性化した窒素源が用いられていた。また、ヒ素含有Ｖ族原料としては、アルシン（ＡｓＨ3 ）が一般的に用いられていた。
【０００４】
一方、文献２（Appl. Phys. Lett. 70（21）,26 May 1997，p.2861-2863 ）には、窒素含有Ｖ族原料として、アンモニアの代わりに、ジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙ）を用いることが提案されている。ジメチルヒドラジンは、アンモニアよりも分解効率が高いため、窒化物混晶半導体を作製する際に窒素原子を効率的に結晶内に取込むことができる。さらに、文献２には、ヒ素含有Ｖ族原料として、アルシンの代わりにｔ−ブチルアルシン（ＴＢＡｓ）を用いることが提案されている。ｔ−ブチルアルシンは、アルシンよりも分解効率が高いため、ヒ素含有Ｖ族原料の消費量を削減することができるという効果がある。
【０００５】
また、文献３（特開平９−２８３８５７号公報）には、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の他の例として、４元系のＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体の結晶を成長する方法が開示されている。この文献３においては、窒素含有Ｖ族原料として、ジメチルヒドラジン等の有機系窒素化合物が用いられ、ヒ素含有Ｖ族原料としては、アルシンが用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ヒ素含有Ｖ族原料としてアルシンを用いた場合、アルシンは６００℃で５０％しか分解しない。そのため、良質の化合物半導体結晶を得るためには、文献４（Journal of Crystal Growth 115 （1991）p.1-11）に開示されるように、高温で結晶成長を行なうか、もしくはアルシンの供給量を増加する必要がある。
【０００７】
しかしながら、ＧａＡｓＮ系およびＧａＩｎＮＡｓ系等の化合物半導体結晶の成長の際、成長温度が高くなると、Ｎ元素の結晶内への取込が抑制されてしまう。そのため、Ｎ元素の結晶成長表面からの離脱を抑制するため、窒素含有Ｖ族原料の供給量を増加する必要がある。
【０００８】
また、アルシンの供給量を増加した場合には、ジメチルヒドラジン等の窒素含有Ｖ族原料との気相中での反応による結晶性への影響が危惧される。
【０００９】
さらに、成長温度を上げた場合、またはアルシンの供給量を増加した場合のいずれにおいても、原料ガスの供給量が増加するため、排ガス処理の負担や、環境汚染を考慮する必要が生じる。
【００１０】
さらに、発明者らは、化合物半導体結晶の中でも、特に４元系のＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体に注目している。このＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶は、ＧａＡｓ基板と格子整合するため、Ｇａ元素、Ｉｎ元素、Ｎ元素、Ａｓ元素の組成をそれぞれ制御することにより、長波長発光素子の作製が可能となるからである。
【００１１】
しかしながら、４元系のＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶の成長に際しては、以下のように、３元系のＧａＡｓＮ系化合物半導体では見られない特有の問題がある。
【００１２】
すなわち、発明者らは、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶の成長につき実験を繰返した結果、結晶中のＩｎ元素の組成比が高くなるにつれて、Ｎ元素が結晶中に入りにくくなるという事実を見出した。なお、従来より青色レーザ素子の材料として利用が期待されている３元系のＧａＩｎＮ系化合物半導体結晶においても、同様の問題があったが、この場合には、結晶を構成しているＶ族元素がＮ元素のみであるためにＩｎ元素が結晶中に入りにくくなるという結果が観察されており、４元系のＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶における問題とは全く異なるものである。
【００１３】
４元系のＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶の成長において、Ｉｎ元素の組成比が高くなった場合にもＮ元素を結晶中に効果的に取込ませるためには、ヒ素含有Ｖ族原料に対する窒素含有Ｖ族原料の供給比を増加するか、もしくは結晶の成長温度を下げてＮ元素の結晶成長表面からの離脱を抑制する必要がある。
【００１４】
窒素含有Ｖ族原料の供給比を増加するためには、窒素含有Ｖ族原料の供給量を増加するか、もしくはヒ素含有Ｖ族原料の供給量を減少することが考えられるが、コスト面や環境面を考慮すると、ヒ素含有Ｖ族原料の供給量を減少することが好ましい。しかしながら、前述のように、ヒ素含有Ｖ族原料としてのアルシンは分解効率が悪いため、アルシンの供給量を減少すると、結晶特性の劣化を引き起こすおそれがある。
【００１５】
一方、結晶の成長温度を下げた場合にも、同様にアルシンの分解が妨げられ、結晶特性の劣化が問題となる。
【００１６】
この発明の目的は、上述の問題点を解決し、結晶特性の優れたＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶を、安全に成長することができるとともに、量産することができる方法を、提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本願発明による化合物半導体の結晶成長方法は、ＩＩＩ族原料とＶ族原料とを用いて、気相成長法により、Ｇａ1-X ＩｎX ＮY Ａｓ1-Y （０＜Ｘ＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体の結晶を成長する方法であって、Ｖ族原料として窒素含有Ｖ族原料とヒ素含有Ｖ族原料とを併用して結晶成長を行ない、ヒ素含有Ｖ族原料は有機Ｖ族化合物ガスである。
【００１８】
この明細書において、「有機Ｖ族化合物ガス」とは、Ａｓ元素を含むＶ族化合物のうち、特にメチル基またはエチル基等の有機基を有する化合物をいう。
【００１９】
この発明によれば、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体の結晶成長の際、ヒ素含有Ｖ族原料として、分解効率に優れた有機Ｖ族化合物ガスが用いられる。そのため、従来多用されていたアルシン使用の場合と比較して、少ない原料供給量で良好な特性を有する結晶を成長することができる。
【００２０】
有機Ｖ族化合物ガスとして、具体的には、ｔ−ブチルアルシン（ＴＢＡｓ）またはトリメチルヒ素（ＴＭＡｓ）等が挙げられる。これらｔ−ブチルアルシンおよびトリメチルヒ素は、いずれも室温で液体の物質であり、通常はステンレス（ＳＵＳ）製容器内に貯蔵されるが、水素（Ｈ2 ）ガス等のいわゆるキャリアガスでバブリングすることにより、半導体結晶の成長の原料ガスとして搬送が可能となる。
【００２１】
また、本願発明において、窒素含有Ｖ族原料としては、たとえば、モノメチルヒドラジン（ＭＭＨｙ）またはジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙ）等が挙げられる。これらは分解効率に優れているため、少ない原料供給量で良好な特性を有する結晶を成長することができる。
【００２２】
また、本願発明において、好ましくは、ヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比は、１＜［ヒ素含有Ｖ族原料］／［ＩＩＩ族原料］≦１０であるとよい。
【００２３】
［ヒ素含有Ｖ族原料］／［ＩＩＩ族原料］で表わされる原料モル供給比が１以下になると、結晶の特性が悪化してしまうからである。
【００２４】
一方、原料モル供給比が１より大きい場合には、いずれも良好な特性の結晶を成長することができる。従来、アルシンを用いた場合には原料モル供給比を約１６程度まで上げる必要があったが、本願発明によれば、有機Ｖ族化合物ガスを用いることにより、ヒ素含有Ｖ族原料の供給量を減少させることが可能となる。ただし、原料モル供給比が１０より大きくなると窒素含有Ｖ族原料を多量に供給する必要があることから、結晶の特性が悪化する可能性もある。したがって、本願発明において、ヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比は、１より大きく、かつ、１０以下であることがより好ましい。
【００２５】
さらに、本願発明において、化合物半導体結晶の気相成長の際には、成長温度を５００℃〜６００℃とすることが好ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
図１は、本願発明による化合物半導体の結晶成長方法を実施するための気相成長装置の一例の構成を示す断面図である。
【００２７】
なお、この例では横型反応炉を示しているが、本願発明は縦型反応炉を用いても実施できる。
【００２８】
図１を参照して、この気相成長装置は、気相成長を行なうステンレス（ＳＵＳ）製チャンバ１と、原料ガスを供給する石英製フローチャネル２と、排気管３とを備えている。ステンレス製チャンバ１内には、基板４を加熱するためのＳｉＣコートされたカーボンサセプタ５が設置されている。カーボンサセプタ５の下部には、気相成長の際に基板４を回転させるための回転装置５１が取付けられている。回転装置５１の中心には、基板４の温度を測定するための熱電対６が取付けられている。
【００２９】
このように構成される気相成長装置を用いて、本願発明に従い、以下のようにＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体の結晶成長を行なう。
【００３０】
まず、ステンレス製チャンバ１内に設けられたカーボンサセプタ５上に、基板４を載置する。基板４としては、エピタキシャル成長を促進するためにはＧａＡｓ基板が好ましいが、この他Ｇｅ基板、Ｓｉ基板等も用いることができる。
【００３１】
次に、カーボンサセプタ５を通電、加熱することにより、基板４を所定の温度まで加熱する。
【００３２】
続いて、石英製フローチャネル２より、キャリアガスと原料ガスとをステンレス製チャンバ１内に導入する。
【００３３】
キャリアガスとしては、水素純化装置により高純度化された水素（Ｈ2 ）ガスの他、純化装置により高純度化された窒素（Ｎ2 ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス等が用いられる。キャリアガスとして窒素（Ｎ2 ）ガスを用いた場合、結晶中のＮ元素の取込効率が向上する。
【００３４】
また、原料ガスとしては、ＩＩＩ族原料およびＶ族原料の他、必要に応じてｐ型またはｎ型ドーパント原料ガスが用いられる。Ｖ族原料としては、ｔ−ブチルアルシン（ＴＢＡｓ）、トリメチルヒ素（ＴＭＡｓ）等の有機Ｖ族化合物ガスからなるヒ素含有Ｖ族原料と、モノメチルヒドラジン（ＭＭＨｙ）、ジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙ）等の窒素含有Ｖ族原料とが用いられる。ＩＩＩ族原料としては、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）等が用いられる。
【００３５】
気相成長の際のステンレス製チャンバ１内の圧力は、減圧でもよいし、常圧でもよい。また、反応後の排気ガスは、排気管３によりステンレス製チャンバ１外部へ排気される。
【００３６】
【実施例】
（実施例１）
図１に示す気相成長装置を用いて、以下のように、Ｇａ1-X ＩｎX ＮY Ａｓ1-Y （０＜Ｘ＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体の結晶の成長を行なった。
【００３７】
基板としてはＧａＡｓを用い、ステンレス製チャンバ１内の圧力を１０分の１気圧の減圧下とした。ここで、結晶内のインジウム（Ｉｎ）元素の濃度がＸ＝０．１となるように、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を一定量供給した。キャリアガスとしては、水素（Ｈ2 ）を用いた。
【００３８】
［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を１としたところ、結晶性の劣化を示す半値幅が２５０ａｒｃｓｅｃというブロードなＸ線回折ピークが観測された。しかし、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を１より大きくしたところ、半値幅が急激に改善されることが判明した。
【００３９】
次に、成長温度を５５０℃とし、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を１．８とし、［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＢＡｓ］）で表わされるＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比を０．９８として、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶を０．５μｍ成長した。
【００４０】
図２は、このようにして得られたＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶のＸ線回折測定によるロッキングカーブを示す図である。図２において、横軸はΔ２θ（ｄｅｇ．）を示し、縦軸はＸ線回折強度（ａ．ｕ．）を示している。
【００４１】
図２を参照して、Ｇａ0.9 Ｉｎ0.1 ＮＡｓ化合物半導体結晶のピーク半値幅は３０ａｒｃｓｅｃとなり、良好な結晶性が得られていることが判明した。
【００４２】
また、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を変化させて結晶の光学特性を観察したところ、ヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比が１より大きくなるに従い、フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルの半値幅が小さくなることがわかった。しかしながら、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を１０より大きくした場合、光学特性に変化が見られなくなった。
【００４３】
次に、［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＭＡｓ］）で表わされるＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比を変化させて、得られた結晶内の窒素（Ｎ2 ）濃度の変化を観察した。
【００４４】
図３は、その結果を示す図である。図３において、横軸はＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比を示し、縦軸は窒素濃度（％）を示している。なお、窒素濃度（％）は、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectroscopy ：２次イオン質量分析）によって見積もった。
【００４５】
図３を参照して、Ｖ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比を変化させることにより、窒素濃度を自由に制御しながらＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶の成長が可能であることがわかる。
【００４６】
（実施例２）
基板としてはＧａＡｓを用い、ステンレス製チャンバ１内の圧力を１０分の１気圧の減圧下として、Ｇａ1-X ＩｎX ＮY Ａｓ1-Y （０＜Ｘ＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体結晶を成長した。
【００４７】
ここで、結晶内のインジウム（Ｉｎ）元素の濃度がＸ＝０．１５となるように、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を一定量供給した。キャリアガスとしては、水素（Ｈ2 ）を用いた。成長温度を５３０℃とし、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を２とし、［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＢＡｓ］）で表わされるＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比を０．９６５として、ＧａＡｓ基板にほぼ格子整合したＧａ0.85Ｉｎ0.15Ｎ0.05Ａｓ0.95で表わされる化合物半導体結晶を成長した。
【００４８】
図４は、得られた結晶の室温でのフォトルミネッセンス（ＰＬ）測定の結果を示す図である。図４において、横軸は波長（ｎｍ）を示し、縦軸はＰＬ発光強度（ａ．ｕ．）を示している。
【００４９】
図４を参照して、ほぼ１．３μｍの波長での発光が確認できた。
次に、キャリアガスとして窒素（Ｎ2 ）を用いた場合に結晶内へのＮ元素の取込効率が向上することを利用して、成長温度を６００℃に上げ、キャリアガスとして窒素（Ｎ2 ）を用いて成長を行なった。その結果、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を２とした場合に、ＧａＡｓ基板に格子整合したＧａ0.85Ｉｎ0.15Ｎ0.05Ａｓ0.95化合物半導体結晶を成長することができた。この場合の［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＢＡｓ］）で表わされるＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比は、０．９８であった。
【００５０】
（実施例３）
次に、ヒ素含有Ｖ族原料としてトリメチルヒ素（ＴＭＡｓ）を用いて、Ｇａ1-X ＩｎX ＮY Ａｓ1-Y （０＜Ｘ＜１，０＜Ｙ＜１）で表わされる化合物半導体結晶を成長した。
【００５１】
まず、結晶内のインジウム（Ｉｎ）元素の濃度がＸ＝０．１となるように、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を一定量供給した。また、［ＴＭＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を２とし、［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＭＡｓ］）で表わされるＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比を０．９８とし、成長温度を５５０℃とした。ステンレス製チャンバ１内の圧力は、１０分の１気圧の減圧下とした。
【００５２】
このようにして得られた結晶の混晶比は、Ｇａ0.9 Ｉｎ0.1 Ｎ0.03Ａｓ0.97となり、１．２μｍでの発光が確認された。
【００５３】
（実施例４）
一般に、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶においては、結晶内のＮ元素の濃度が低い方が、光学特性の優れた結晶が得やすい。そこで、Ｎ元素の濃度を低くする代わりにＩｎ元素の濃度を高くして、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶を成長することにより、長波長発光素子を作製した。
【００５４】
まず、結晶内のインジウム（Ｉｎ）元素の濃度がＸ＝０．３となるように、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を一定量供給した。キャリアガスとしては、水素（Ｈ2 ）を用いた。結晶中のインジウム（Ｉｎ）混晶比が大きい場合、Ｎ元素が取込まれにくいことから、Ｎ元素の結晶成長表面での吸着率を上げるために、成長温度を５００℃とし、［ＤＭＨｙ］／（［ＤＭＨｙ］＋［ＴＢＡｓ］）で表わされるＶ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比を、０．９８５とした。また、［ＴＢＡｓ］／（［ＴＥＧ］＋［ＴＭＩ］）で表わされるヒ素含有Ｖ族原料とＩＩＩ族原料とのモル供給比を２とし、ステンレス製チャンバ１内の圧力を１０分の１気圧とした。
【００５５】
このようにして、図５に示すような量子井戸構造を形成した。まず、ｎ型ＧａＡｓ基板上に、成長温度６００℃で膜厚０．３μｍのｎ型ＧａＡｓバッファ層を成長した後、膜厚１．５μｍのｎ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ障壁層を成長した。このとき、ｎ型ドーパント原料として、テトラエチルシラン（ＴｅＥＳｉ）を使用した。引続き、膜厚０．１５μｍのアンドープＧａＡｓスペーサ層の成長中に成長温度を５００℃に下げ、井戸層として膜厚６０ÅのＧａ0.7 Ｉｎ0.3 Ｎ0.01Ａｓ0.99で表わされる化合物半導体結晶を成長した。さらに、再び膜厚０．１５μｍのアンドープＧａＡｓスペーサ層成長中に成長温度を６００℃に上げ、膜厚１．５μｍのｐ型Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 Ａｓ障壁層と膜厚０．２μｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層とを成長した。ｐ型ドーパント原料としては、ジエチル亜鉛（ＤＥＺｎ）を使用した。
【００５６】
このようにして得られた量子井戸構造を有する半導体多層膜において、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層上にｐ型電極を、ｎ型ＧａＡｓ基板裏面上にｎ型電極を形成し、長波長発光素子を作製した。この長波長発光素子においては、井戸層を構成するＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶が基板に格子整合せずに歪みを持っている。しかしながら、井戸層の厚さは臨界膜厚以下であるため、転位の少ない結晶を成長することができ、長波長発光素子を作製することができた。
【００５７】
なお、今回開示された実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００５８】
【発明の効果】
以上説明したように、本願発明によれば、ＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体を成長する際にヒ素含有Ｖ族原料として有機Ｖ族化合物ガスを用いることにより、従来のアルシン（ＡｓＨ3 ）使用時に比べ、低いヒ素含有Ｖ族原料供給比で良好な結晶成長をすることが可能となる。したがって、有毒なヒ素（Ａｓ）含有廃棄物の低減が期待でき、環境汚染の防止の点でも効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明による化合物半導体の結晶成長方法を実施するための気相成長装置の一例の構成を示す断面図である。
【図２】実施例１で得られたＧａ0.9 Ｉｎ0.1 ＮＡｓ化合物半導体結晶のＸ線回折測定によるロッキングカーブを示す図である。
【図３】Ｖ族原料全体に対する窒素含有Ｖ族原料のモル供給比を変化させたときのＧａＩｎＮＡｓ系化合物半導体結晶内の窒素濃度の変化を示す図である。
【図４】実施例２で得られたＧａ0.85Ｉｎ0.15ＮＡｓ化合物半導体結晶の室温でのＰＬ測定の結果を示す図である。
【図５】実施例４で得られた量子井戸構造の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１  ステンレス製チャンバ
２  石英製フローチャネル
３  排気管
４  基板
５  カーボンサセプタ
６  熱電対
５１  回転装置
【図１】
0003900653.tif 000002
【図２】
0003900653.tif 000003
【図３】
0003900653.tif 000004
【図４】
0003900653.tif 000005
【図５】
0003900653.tif 000006