(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、入射光の光軸に対してほぼ４５度の斜面にビームスプリッタ膜が形成されているビームスプリッタにおいて、
前記ビームスプリッタ膜が、
屈折率がほぼ２．３０である第１層膜と、
前記第１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２層膜と、
前記第２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第３層膜と、
前記第３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第４層膜と、
前記第４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第５層膜と、
前記第５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第６層膜と、
前記第６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第７層膜と、
前記第７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第８層膜と、
前記第８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第９層膜と、
前記第９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１０層膜と、
前記第１０層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１１層膜と、
前記第１１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１２層膜と、
前記第１２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１３層膜と、
前記第１３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１４層膜と、
前記第１４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１５層膜と、
前記第１５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１６層膜と、
前記第１６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１７層膜と、
前記第１７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１８層膜と、
前記第１８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１９層膜と、
前記第１９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２０層膜とを有することを特徴とするビームスプリッタ。
【請求項２】
前記ビームスプリッタ膜の膜厚が、前記入射光の波長とほぼ等しいことを特徴とする請求項１に記載のビームスプリッタ。
【請求項３】
少なくとも半導体基板上に形成された第１の受光素子および第２の受光素子と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板とほぼ垂直な発光面を有する半導体レーザと、
前記第１の受光素子および第２の受光素子上に固着されるとともに、前記発光面から出射された往路光ビームを反射し、反射されて戻る復路光ビームを前記第１の受光素子に導くビームスプリッタ膜が形成されたビームスプリッタ膜形成面と、
前記第１の受光素子上面で反射された前記復路光ビームを反射して前記第２の受光素子に導く高反射面とが形成されたビームスプリッタとを有する複合光学素子において、
前記ビームスプリッタ膜が、
屈折率がほぼ２．３０である第１層膜と、
前記第１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２層膜と、
前記第２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第３層膜と、
前記第３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第４層膜と、
前記第４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第５層膜と、
前記第５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第６層膜と、
前記第６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第７層膜と、
前記第７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第８層膜と、
前記第８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第９層膜と、
前記第９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１０層膜と、
前記第１０層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１１層膜と、
前記第１１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１２層膜と、
前記第１２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１３層膜と、
前記第１３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１４層膜と、
前記第１４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１５層膜と、
前記第１５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１６層膜と、
前記第１６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１７層膜と、
前記第１７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１８層膜と、
前記第１８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１９層膜と、
前記第１９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２０層膜とを有することを特徴とする複合光学素子。
【請求項４】
前記ビームスプリッタ膜の膜厚が、前記往路光ビームの波長とほぼ等しいことを特徴とする請求項３に記載の複合光学素子。
【請求項５】
少なくとも半導体基板上に形成された第１の受光素子および第２の受光素子と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板とほぼ垂直な発光面を有する半導体レーザと、
前記第１の受光素子および第２の受光素子上に固着されるとともに、前記発光面から出射された往路光ビームを反射し、反射されて戻る復路光ビームを前記第１の受光素子に導くビームスプリッタ膜が形成されたビームスプリッタ膜形成面と、
前記第１の受光素子上面で反射された前記復路光ビームを反射して前記第２の受光素子に導く高反射面とが形成されたビームスプリッタとを有する複合光学素子と、
前記往路光ビームを光記録媒体に集光する対物レンズとを有する光学ピックアップ装置において、
前記ビームスプリッタ膜が、
屈折率がほぼ２．３０である第１層膜と、
前記第１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２層膜と、
前記第２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第３層膜と、
前記第３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第４層膜と、
前記第４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第５層膜と、
前記第５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第６層膜と、
前記第６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第７層膜と、
前記第７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第８層膜と、
前記第８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第９層膜と、
前記第９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１０層膜と、
前記第１０層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１１層膜と、
前記第１１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１２層膜と、
前記第１２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１３層膜と、
前記第１３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１４層膜と、
前記第１４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１５層膜と、
前記第１５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１６層膜と、
前記第１６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１７層膜と、
前記第１７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１８層膜と、
前記第１８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１９層膜と、
前記第１９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２０層膜とを有することを特徴とする光学ピックアップ装置。
【請求項６】
前記ビームスプリッタ膜の膜厚が、前記往路光ビームの波長とほぼ等しいこと
を特徴とする請求項５に記載の光学ピックアップ装置。
【請求項７】
少なくとも半導体基板上に形成された第１の受光素子および第２の受光素子と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板とほぼ垂直な発光面を有する半導体レーザと、
前記第１の受光素子および第２の受光素子上に固着されるとともに、前記発光面から出射された往路光ビームを反射し、反射されて戻る復路光ビームを前記第１の受光素子に導くビームスプリッタ膜が形成されたビームスプリッタ膜形成面と、
前記第１の受光素子上面で反射された前記復路光ビームを反射して前記第２の受光素子に導く高反射面とが形成されたビームスプリッタとを有する複合光学素子と、
前記往路光ビームを光記録媒体に集光する対物レンズとを有する光学ピックアップ装置と、
前記光学ピックアップ装置をトラッキング方向に制御駆動する移動手段とを有する光記録再生装置において、
前記ビームスプリッタ膜が、
屈折率がほぼ２．３０である第１層膜と、
前記第１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２層膜と、
前記第２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第３層膜と、
前記第３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第４層膜と、
前記第４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第５層膜と、
前記第５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第６層膜と、
前記第６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第７層膜と、
前記第７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第８層膜と、
前記第８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第９層膜と、
前記第９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１０層膜と、
前記第１０層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１１層膜と、
前記第１１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１２層膜と、
前記第１２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１３層膜と、
前記第１３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１４層膜と、
前記第１４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１５層膜と、
前記第１５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１６層膜と、
前記第１６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１７層膜と、
前記第１７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１８層膜と、
前記第１８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１９層膜と、
前記第１９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２０層膜とを有することを特徴とする光記録再生装置。
【請求項８】
前記ビームスプリッタ膜の膜厚が、前記往路光ビームの波長とほぼ等しいことを特徴とする請求項７に記載の光記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はビームスプリッタおよびこれを具備した複合光学素子、光学ピックアップ装置および光記録再生装置に関し、さらに詳しくは、半導体レーザから出射された往路光ビームを反射し、光記録媒体で反射されて戻る復路光ビームを透過するビームスプリッタ膜が形成されたビームスプリッタおよびこれを具備した複合光学素子、光学ピックアップ装置および光記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＲＯＭ(Read Only Memory)ディスクやＲＡＭ(Random Access Memory)ディスク等の光記録媒体に記録された情報を再生する、あるいは光記録媒体に情報を記録する光記録再生装置には、半導体レーザを光源とする光学ピックアップ装置が用いられている。近年では光記録再生装置の小型薄型化の要求とともに光学ピックアップ装置の小型薄型化も求められており、この観点から光源である半導体レーザと光記録媒体で反射された戻りの復路光ビームを受光して光電変換する受光素子とを同一の半導体基板上に一体的に構成した複合光学素子を用いた光学ピックアップ装置および光記録再生装置が注目されている。この複合光学素子を用いた光学ピックアップ装置および光記録再生装置の一例について、光学ピックアップ装置の概略構成図である図４および光記録再生装置の概略構成図である図５を参照し、その概略構成について説明する。
【０００３】
複合光学素子８は、図４に示したように、半導体基板４に形成された一対の第１の受光素子７ａおよび第２の受光素子７ｂと、この第１の受光素子７ａおよび第２の受光素子７ｂ上に接着剤等により固着され、半導体基板４の第１の受光素子７ａおよび第２の受光素子７ｂが形成された面とほぼ４５度傾斜するビームスプリッタ膜形成面３ａとほぼ平行な高反射面３ｂとが形成されたビームスプリッタ３と、ビームスプリッタ膜形成面３ａに対向する側の半導体基板４上のスペーサ５上面に固着された半導体レーザ６で概略構成されている。
【０００４】
そして、複合光学素子８上には２軸アクチュエータ等のサーボアクチュエータ９が配設されている。たとえば、サーボアクチュエータ９が２軸アクチュエータである場合には、たとえば図５に示したように、対物レンズ９ａを保持した可動部９ｂが固定部９ｄから延設された一対の平行バネ９ｃにより支持されており、可動部９ｂには、ともに図示を省略するフォーカシングコイルおよびトラッキングコイルが固着されている。フォーカシングコイルおよびトラッキングコイルは固定部９ｄに固着されて鉄等の磁性材で構成され、ともに図示を省略するヨークと、このヨークに固着されたマグネットとで構成された磁気回路の空隙部に配置される。フォーカシングコイルおよびトラッキングコイルには、後に説明するフォーカシングエラー信号およびトラッキングエラー信号に基づく制御信号が供給され、対物レンズ９ａを保持した可動部９ｂをフォーカシング方向およびトラッキング方向に制御駆動する。そして、光学ピックアップ装置は上記した複合光学素子８やサーボアクチュエータ９等を接着剤やネジ等により光学ブロック１１に固着した状態で概略構成されている。
【０００５】
光記録再生装置は、たとえば図５に示したように、光学ピックアップ装置が構成された光学ブロック１１をトラッキング方向に案内するとともに、フォーカシング方向とトラッキング方向の何れの方向も規制するメインガイド軸１２ａ、メインガイド軸１２ａとほぼ平行であり、フォーカシング方向のみを規制するサブガイド軸１２ｂ、光学ブロック１１をトラッキング方向に駆動し、リニアモータ等で構成された移動手段の他、何れも図示を省略するが、光記録媒体１０を回転させるスピンドルモータ、信号処理やシステムコントローラ等の回路等で概略構成されている。図５は移動手段を一対のリニアモータで構成した一例であり、マグネット１３を固着した外ヨーク１４と内ヨーク１５とで磁気回路を構成し、光学ブロック１１に固着されたコイル１６の内側に内ヨーク１５を挿通した事例である。
【０００６】
以下、光学系について再び図４を参照して説明する。
半導体レーザ６の発光面６ａから出射された往路光ビーム（図中の１点鎖線）は、ビームスプリッタ３のビームスプリッタ膜形成面３ａで反射され、２軸アクチュエータ等のサーボアクチュエータ９に具備された対物レンズ９ａを介して光記録媒体１０の信号記録面に集光される。そして、信号記録面で反射された復路光ビームは再び対物レンズ９ａを透過してビームスプリッタ膜形成面３ａからビームスプリッタ３内に導かれ、第１の受光素子７ａに照射される（図中の２点鎖線）。さらに、ビームスプリッタ３の第１の受光素子７ａとの対向面で反射された復路光ビームは高反射面３ｂで反射されて第２の受光素子７ｂに照射される。この第１の受光素子７ａおよび第２の受光素子７ｂで光電変換した信号からは、フォーカシングエラー信号、トラッキングエラー信号およびＲＦ信号等が検出される。このフォーカシングエラー信号、トラッキングエラー信号およびＲＦ信号の検出法の一例について、図４におけるＡ方向からみた第１の受光素子７ａおよび第２の受光素子７ｂの概略Ａ矢視図である図６を参照して説明する。
【０００７】
第１の受光素子７ａおよび第２の受光素子７ｂは何れも４分割された受光部を有している。そして、第１の受光素子７ａに有する受光部をａ、ｂ、ｃ、ｄとし、第２の受光素子７ｂに有する受光部をｅ、ｆ、ｇ、ｈとすれば、フォーカシングエラー信号は（（ａｄ−ｂｃ）−（ｅｈ−ｆｇ））で検出され、トラッキングエラー信号は、たとえばＴＰＰ法(Top-hold and Push-Pull)と称される（ｃｄｇｈ−ａｂｅｆ）−Ｋｔ（（ｃｄｇｈのミラーレベル）−（ａｂｅｆのミラーレベル））で検出され（但し、Ｋｔはトラッキングエラー信号のオフセット量を調整する係数）、ＲＦ信号はａｂｃｄｅｆｇｈで検出される。
【０００８】
ビームスプリッタ膜形成面３ａに形成されるビームスプリッタ膜は、往路光ビームに対して、たとえば２０％は反射して対物レンズ９ａを介して光記録媒体１０へと導き、８０％は透過する膜が形成されている。また、ビームスプリッタ３の第１の受光素子７ａとの対向面にもこのようなビームスプリッタ膜が形成されており、復路光ビームに対して、たとえば４２％は反射して高反射面３ｂを介して第２の受光素子７ｂへと導き、５８％は透過させて第１の受光素子７ａに導く膜が形成されている。これらのビームスプリッタ膜では光吸収ロスが小であることが求められており、ビームスプリッタ３の２カ所に形成されるビームスプリッタ膜の特性は、複合光学素子８の光学特性、強いては光学ピックアップ装置および光記録再生装置の記録再生特性を大きく左右する。とくに、往路光ビームを反射させ、復路光ビームを透過させるビームスプリッタ膜形成面３ａに形成されるビームスプリッタ膜は、高性能な光学特性が要求される。
【０００９】
複合光学素子８を用いる光学ピックアップ装置では、一般的にコリメータレンズを用いない有限光学系で構成される。しかしながら、コリメータレンズを用いない有限光学系で構成され、複合光学素子８を用いる光学ピックアップ装置には、以下のような問題点がある。
第１の問題点は、ビームスプリッタ膜における反射率および透過率が入射光の入射角度に大きく依存性を有することである。
ビームスプリッタ３のビームスプリッタ膜形成面３ａや第１の受光素子７ａとの対向面に形成されたビームスプリッタ膜への入射光は発散光およびあるいは収束光であり、これらのビームスプリッタ膜に入射する入射角度はさまざまである。とくに、ビームスプリッタ膜形成面３ａに形成されたビームスプリッタ膜には、空気媒質からの入射であるとともに対物レンズ９ａのＮＡ(Numerical Aperture)から決定される収束光である復路光ビームが直接入射するので、たとえばビームスプリッタ膜形成面３ａの垂直軸と復路光ビームの光軸中心とのなす角度４５度±８度の範囲内において反射率がほぼ一定の２０％であることが求められる。第２の問題点は、ビームスプリッタ膜形成面３ａの垂直軸と往路光ビームおよび復路光ビームの光軸中心とのなす入射角度が、たとえば４５度±８度のような範囲があると、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分の光学特性の違いが大となることである。すなわち、有限光学系で構成された光学ピックアップ装置においては、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分との特性差である偏光分離差のないことが求められる。そして、偏光分離差がなければ、レーザ光の偏光比や光記録媒体１０の複屈折の影響等による偏光性のばらつきに対して、記録再生特性の劣化を招く虞がなくなる。したがって、ビームスプリッタ膜形成面３ａに形成されたビームスプリッタ膜には、たとえばビームスプリッタ膜形成面３ａの垂直軸と往路光ビームおよび復路光ビームの光軸中心とのなす入射角度が４５度±８度の範囲内にあるとき、Ｒｓ＝Ｒｐ＝２０％で偏光分離差が生じない、あるいは生じても極めて小であることが求められる。
【００１０】
以下、ビームスプリッタ３のビームスプリッタ膜形成面３ａに形成されるビームスプリッタ膜について説明する。
一般的にビームスプリッタ膜等の光学機能膜は、その膜厚を記録再生に用いられる光の波長とほぼ等しくして生じる光の干渉を利用したものである。たとえば単層のビームスプリッタ膜に垂直に入射する光に干渉を生じさせる条件はｎ×ｄ＝ｍ×４／λ（ただし、ｎは単層のビームスプリッタ膜の屈折率、ｄは単層のビームスプリッタ膜の膜厚、ｍは干渉次数（位相膜厚あるいはQuarter Wave Optical Thicknessとも言い、以下位相膜厚ｍと記す）、λは光の波長）で求めることができる。そして、単層のビームスプリッタ膜には、空気と単層のビームスプリッタ膜との第１の境界面および単層のビームスプリッタ膜と光学素子との第２の境界面の２つの屈折率が異なる境界面がある。位相膜厚ｍが奇数の場合は、第１の境界面からの反射波と第２の境界面からの反射波は位相がπずれるので干渉作用による反射光の弱めあう効果が最大となる。これとは逆に、位相膜厚ｍが偶数の場合では位相が揃い、反射光の強めあう効果が最大となる。
【００１１】
前記の干渉を生じさせる条件のｎ×ｄ＝ｍ×４／λから明らかなように、干渉条件は光学機能膜の屈折率ｎと光学機能膜の膜厚ｄによりその効果を制御することができ、任意の光学的な機能を得ることができる。しかしながら任意の光学機能膜を得ることができる光学材料は限られており、実際には安定した光学機能膜の形成が可能な光学材料を用いて高屈折率薄膜と低屈折率薄膜とを交互に積層し、積層薄膜構造の光学機能膜を形成するのが一般的である。したがって、干渉による光学特性は、光学インピーダンスを用いたマトリックス法で計算することができる。ここで、単層のビームスプリッタ膜の屈折率をｎ、単層のビームスプリッタ膜の膜厚をｄ、単層のビームスプリッタ膜への入射角をθとしたとき、単層のビームスプリッタ膜の特性マトリックスＭは、下記の式１の２行２列で表される。
【００１２】
【数１】
0003900703.tif 000002
【００１３】
また、多層のビームスプリッタ膜の特性マトリックスＭは各層のマトリックスの積であり、Ｍ＝（Ｍ１）（Ｍ２）…（Ｍｉ）で表される。このとき、多層のビームスプリッタ膜の反射率Ｒは、このマトリックス積の要素と入射媒質の屈折率ｎ0 、光学素子の屈折率ｎs から下記の式２で算出することができる。
【００１４】
【数２】
0003900703.tif 000003
【００１５】
ところで、複合光学素子８を構成するビームスプリッタ３の、ビームスプリッタ膜形成面３ａに形成されるビームスプリッタ膜の特性には、
１．光吸収ロスが小であること
２．入射角度依存性が小であること
３．偏光分離差が小であること
の３点が求められることは先に述べた。
近年では、光記録媒体１０のさらなる高密度大容量化が図られ、これに対応する光学ピックアップ装置では、光源である半導体レーザ６の短波長化や対物レンズ９ａの大ＮＡ化が図られ、対物レンズ９ａを介して集光される集光スポットの小径化が図られている。しかしながら、半導体レーザ６は出射パワーを大とするにしたがい寿命が小となる傾向にあり、特にこの傾向は半導体レーザ６の短波長化とともに顕著となる。このため、短波長の半導体レーザ６対して、光吸収ロス、入射角度依存性および偏光分離差が小且つ高反射率性能なビームスプリッタ膜形成面３ａを有するビームスプリッタ３が求められ、これを用いて光記録媒体１０の高容量大容量化に対応する複合光学素子８、光学ピックアップ装置および光記録再生装置が求められている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、光吸収ロス、入射角度依存性および偏光分離差が何れも小且つ高反射率なビームスプリッタ膜が形成されたビームスプリッタ膜形成面を有するビームスプリッタを提供し、このビームスプリッタを具備して光記録媒体の高密度大容量化に対応する複合光学素子、光学ピックアップ装置および光記録再生装置を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のビームスプリッタでは、少なくとも入射光の光軸に対してほぼ４５度の斜面、すなわちビームスプリッタ膜形成面にビームスプリッタ膜が形成されているビームスプリッタにおいて、
たとえば光の波長６５５ｎｍに対するビームスプリッタ膜が、
屈折率がほぼ２．３０である第１層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第３層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第４層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第５層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第６層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第７層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第８層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第９層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１０層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１０層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１１層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１２層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１３層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第１３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１４層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１５層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１６層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１７層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第１７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１８層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１９層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２０層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜とを有することを特徴とする。
【００１８】
本発明の複合光学素子では、少なくとも半導体基板上に形成された第１の受光素子および第２の受光素子と、半導体基板上に形成されてこの半導体基板とほぼ垂直な発光面を有する半導体レーザと、第１の受光素子および第２の受光素子上に固着されるとともに、半導体レーザの発光面から出射された往路光ビームを反射し、反射されて戻る復路光ビームを第１の受光素子に導くビームスプリッタ膜が形成されたビームスプリッタ膜形成面と、第１の受光素子上面で反射された復路光ビームを反射して第２の受光素子に導く高反射面とが形成されたビームスプリッタとを有する複合光学素子において、
たとえば光の波長６５５ｎｍに対するビームスプリッタ膜が、
屈折率がほぼ２．３０である第１層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第３層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第４層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第５層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第６層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第７層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第８層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第９層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１０層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１０層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１１層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１２層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１３層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第１３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１４層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１５層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１６層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１７層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第１７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１８層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１９層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２０層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜とを有することを特徴とする。
【００１９】
本発明の光学ピックアップ装置では、少なくとも半導体基板上に形成された第１の受光素子および第２の受光素子と、半導体基板上に形成されてこの半導体基板とほぼ垂直な発光面を有する半導体レーザと、第１の受光素子および第２の受光素子上に固着されるとともに、半導体レーザの発光面から出射された往路光ビームを反射し、反射されて戻る復路光ビームを第１の受光素子に導くビームスプリッタ膜が形成されたビームスプリッタ膜形成面と、第１の受光素子上面で反射された復路光ビームを反射して第２の受光素子に導く高反射面とが形成されたビームスプリッタとを有する複合光学素子と、往路光ビームを光記録媒体に集光する対物レンズとを有する光学ピックアップ装置において、
たとえば光の波長６５５ｎｍに対するビームスプリッタ膜が、
屈折率がほぼ２．３０である第１層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第３層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第４層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第５層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第６層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第７層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第８層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第９層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１０層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１０層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１１層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１２層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１３層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第１３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１４層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１５層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１６層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１７層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第１７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１８層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１９層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２０層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜とを有することを特徴とする。
【００２０】
本発明の光記録再生装置では、少なくとも半導体基板上に形成された第１の受光素子および第２の受光素子と、半導体基板上に形成されてこの半導体基板とほぼ垂直な発光面を有する半導体レーザと、第１の受光素子および第２の受光素子上に固着されるとともに、半導体レーザの発光面から出射された往路光ビームを反射し、反射されて戻る復路光ビームを第１の受光素子に導くビームスプリッタ膜が形成されたビームスプリッタ膜形成面と、第１の受光素子上面で反射された復路光ビームを反射して第２の受光素子に導く高反射面とが形成されたビームスプリッタとを有する複合光学素子と、往路光ビームを光記録媒体に集光する対物レンズとを有する光学ピックアップ装置と、光学ピックアップ装置をトラッキング方向に制御駆動する移動手段とを有する光記録再生装置において、
たとえば光の波長６５５ｎｍに対するビームスプリッタ膜が、
屈折率がほぼ２．３０である第１層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第３層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第４層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第５層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第６層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第７層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第８層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第９層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１０層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１０層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１１層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１１層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１２層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１２層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１３層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第１３層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１４層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１４層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１５層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１５層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１６層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１６層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．４６である第１７層膜、たとえば屈折率１．４６のＳｉＯ2 膜と、
第１７層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第１８層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜と、
第１８層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ２．３０である第１９層膜、たとえば屈折率２．３２のＴｉＯ2 膜と、
第１９層膜上に形成されるとともに、屈折率がほぼ１．６３である第２０層膜、たとえば屈折率１．６３のＡｌ2 Ｏ3 膜とを有することを特徴とする。
なお、ここで言う光記録再生装置は、再生のみを行う再生専用装置、記録のみを行う記録専用装置、記録と再生の何れも可能な装置を含むものである。
【００２１】
上述した手段によれば、光吸収ロス、入射角度依存性および偏光分離差が何れも小であり且つ高反射率なビームスプリッタ膜が形成されたビームスプリッタ膜形成面を有するビームスプリッタの提供が可能となる。そして、このビームスプリッタを具備した複合光学素子は、光記録媒体の高密度大容量に対応する短波長半導体レーザの小電力化とともに長寿命化が可能となり、結果的に複合光学素子自体の長寿命化を図ることができる。したがって、この複合光学素子を具備する光学ピックアップ装置およびこの光学ピックアップ装置を具備する光記録再生装置では、さらなる光記録媒体の高密度大容量化への対応が可能となる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明は、少なくとも入射光の光軸に対してほぼ４５度の斜面であるビームスプリッタ膜形成面上にビームスプリッタ膜が形成されているビームスプリッタ、このビームスプリッタ、受光素子、半導体レーザ等を半導体基板上に構成した複合光学素子、少なくともこの複合光学素子と対物レンズとを有する光学ピックアップ装置、この光学ピックアップ装置と光学ピックアップ装置をトラッキング方向に制御駆動する移動手段とを有する光記録再生装置に適用することができる。
【００２３】
【実施例】
以下、本発明を適用し、光の波長６５５ｎｍで屈折率が１．７６の光学ガラスＳＦ１１を用いて台形のプリズムを作製し、このプリズムの斜面、すなわちビームスプリッタ膜形成面に、ビームスプリッタ膜の一例であるハーフミラー膜を形成してビームスプリッタを作製する事例について、図１〜図３を参照して説明する。なお、図中の構成要素で従来の技術と同様の構造を成しているものについては、同一の参照符号を付すものとする。また、本発明が適用されるビームスプリッタ３、複合光学素子、光学ピックアップ装置および光記録再生装置の概略構成は、たとえば従来の技術において図４，５，６を参照して説明した事例と同様であるので、重複する説明を省略する。
【００２４】
まず、ビームスプリッタ３の概略断面図である図１に示したように、プリズム１の後にビームスプリッタ膜形成面３ａとなる面上に、第１層膜２ａとして屈折率２．３２であるとともに膜厚７８．６ｎｍ（光学膜厚１８２．４ｎｍ）のＴｉＯ2 膜を形成する。
つぎに、第１層膜２ａ上に、第２層膜２ｂとして屈折率１．６３であるとともに膜厚１１５．９ｎｍ（光学膜厚１８８．９ｎｍ）のＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する。つぎに、第２層膜２ｂ上に、第３層膜２ｃとして屈折率１．４６であるとともに膜厚１１９．０ｎｍ（光学膜厚１７３．７ｎｍ）のＳｉＯ2 膜を形成する。
つぎに、第３層膜２ｃ上に、第４層膜２ｄとして屈折率１．６３であるとともに膜厚１０６．２ｎｍ（光学膜厚１７３．１ｎｍ）のＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する。つぎに、第４層膜２ｄ上に、第５層膜２ｅとして屈折率２．３２であるとともに膜厚７７．２ｎｍ（光学膜厚１７９．１ｎｍ）のＴｉＯ2 膜を形成する。
つぎに、第５層膜２ｅ上に、第６層膜２ｆとして屈折率１．６３であるとともに膜厚１１３．１ｎｍ（光学膜厚１８４．４ｎｍ）のＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する。つぎに、第６層膜２ｆ上に、第７層膜２ｇとして屈折率１．４６であるとともに膜厚１０９．７ｎｍ（光学膜厚１８０．４ｎｍ）のＳｉＯ2 膜を形成する。
つぎに、第７層膜２ｇ上に、第８層膜２ｈとして屈折率１．６３であるとともに膜厚１１０．７ｎｍ（光学膜厚１８０．６ｎｍ）のＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する。つぎに、第８層膜２ｈ上に、第９層膜２ｉとして屈折率１．４６であるとともに膜厚１２３．７ｎｍ（光学膜厚１８０．６ｎｍ）のＳｉＯ2 膜を形成する。
つぎに、第９層膜２ｉ上に、第１０層膜２ｊとして屈折率１．６３であるとともに膜厚１２８．５ｎｍ（光学膜厚２０９．５ｎｍ）のＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する。
つぎに、第１０層膜２ｊ上に、第１１層膜２ｋとして屈折率２．３２であるとともに膜厚７８．０ｎｍ（光学膜厚１８１．０ｎｍ）のＴｉＯ2 膜を形成する。つぎに、第１１層膜２ｋ上に、第１２層膜２ｌとして屈折率１．６３であるとともに膜厚１１１．１ｎｍ（光学膜厚１８１．１ｎｍ）のＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する。
つぎに、第１２層膜２ｌ上に、第１３層膜２ｍとして屈折率１．４６であるとともに膜厚１１９．４ｎｍ（光学膜厚１７４．３ｎｍ）のＳｉＯ2 膜を形成する。
つぎに、第１３層膜２ｍ上に、第１４層膜２ｎとして屈折率１．６３であるとともに膜厚１１３．８ｎｍ（光学膜厚１８５．５ｎｍ）のＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する。
つぎに、第１４層膜２ｎ上に、第１５層膜２ｏとして屈折率２．３２であるとともに膜厚７９．３ｎｍ（光学膜厚１８４．０ｎｍ）のＴｉＯ2 膜を形成する。つぎに、第１５層膜２ｏ上に、第１６層膜２ｐとして屈折率１．６３であるとともに膜厚１０６．０ｎｍ（光学膜厚１７２．８ｎｍ）のＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する。
つぎに、第１６層膜２ｐ上に、第１７層膜２ｑとして屈折率１．４６であるとともに膜厚１２１．４ｎｍ（光学膜厚１７７．２ｎｍ）のＳｉＯ2 膜を形成する。
つぎに、第１７層膜２ｑ上に、第１８層膜２ｒとして屈折率１．６３であるとともに膜厚９５．２ｎｍ（光学膜厚１５５．２ｎｍ）のＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する。
つぎに、第１８層膜２ｒ上に、第１９層膜２ｓとして屈折率２．３２であるとともに膜厚１０１．８ｎｍ（光学膜厚２３６．２ｎｍ）のＴｉＯ2 膜を形成する。
つぎに、第１９層膜２ｓ上に、第２０層膜２ｔとして屈折率１．６３であるとともに膜厚９６．４ｎｍ（光学膜厚１５７．１ｎｍ）のＡｌ2 Ｏ3 膜を形成する。以上により、ビームスプリッタ膜形成面３ａに膜厚２１０５ｎｍのハーフミラー膜２を形成したビームスプリッタ３の作製を終えた。
【００２５】
そして、作製したビームスプリッタ３のハーフミラー膜２が形成されたビームスプリッタ膜形成面３ａに、波長４５０ｎｍ〜８５０ｎｍのレーザ光を入射角度４５度で入射し、ハーフミラー膜２の偏光分離差を測定した。この結果のグラフを図２に示す。
図２から明らかなように、特にレーザ光の波長６５５ｎｍのところでみればＲｐ＝５０．５％、Ｒｓ＝５０．１％であり、偏光分離差Ｒｐ−Ｒｓ＝０．４％と１％以下であった。また、レーザ波長は製造ばらつきや使用環境温度変化により±１５ｎｍ程度変動するが、たとえば６５５ｎｍ−１５ｎｍの６４０ｎｍで偏光分離差をみれば３．２％であり、６５５ｎｍ＋１５ｎｍの６７０ｎｍで偏光分離差をみれば３．４％と非常に波長依存性が小であることがわかる。
【００２６】
また、作製したビームスプリッタ３のハーフミラー膜２が形成されたビームスプリッタ膜形成面３ａに、波長６５５ｎｍのレーザ光を入射角度３５度〜５５度変化させて入射し、ハーフミラー膜２の入射角度依存性を測定した。この結果のグラフを図３に示す。
図３から明らかなように、Ｒｓは入射角度４５度±５度の範囲で５０±１．１％以内であるとともに、Ｒｐは入射角度４５度±５度の範囲で５０±３．４％以内であった。
【００２７】
【発明の効果】
本発明のビームスプリッタによれば、光吸収ロス、入射角度依存性および偏光分離差が何れも小であり且つ高反射率なビームスプリッタ膜形成面を有するビームスプリッタの提供が可能となる。このビームスプリッタを具備した複合光学素子は、光記録媒体の高密度大容量に対応する短波長半導体レーザの小電力化とともに長寿命化が可能となり、結果的に複合光学素子自体の長寿命化を図ることができる。また、この複合光学素子を具備した光学ピックアップ装置およびこの光学ピックアップ装置を具備した光記録再生装置は、さらなる光記録媒体の高密度大容量化に対応することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のビームスプリッタの概略断面図である。
【図２】  本発明に係るハーフミラー膜の反射率特性のグラフである。
【図３】  本発明に係るハーフミラー膜の入射角度依存性のグラフである。
【図４】  従来の光学ピックアップ装置の概略構成図である。
【図５】  従来の光記録再生装置の概略構成図である。
【図６】  図４のＡ方向からみた概略Ａ矢視図である。
【符号の説明】
１…プリズム、２…ハーフミラー膜、２ａ…第１層膜、２ｂ…第２層膜、２ｃ…第３層膜、２ｄ…第４層膜、２ｅ…第５層膜、２ｆ…第６層膜、２ｇ…第７層膜、２ｈ…第８層膜、２ｉ…第９層膜、２ｊ…第１０層膜、２ｋ…第１１層膜、２ｌ…第１２層膜、２ｍ…第１３層膜、２ｎ…第１４層膜、２ｏ…第１５層膜、２ｐ…第１６層膜、２ｑ…第１７層膜、２ｒ…第１８層膜、２ｓ…第１９層膜、２ｔ…第２０層膜、３…ビームスプリッタ、３ａ…ビームスプリッタ膜形成面、３ｂ…高反射面、４…半導体基板、５…スペーサ、６…半導体レーザ、７ａ…第１の受光素子、７ｂ…第２の受光素子、８…複合光学素子、９…サーボアクチュエータ、９ａ…対物レンズ、９ｂ…可動部、９ｃ…平行バネ、９ｄ…固定部、１０…光記録媒体、１１…光学ブロック、１２ａ…メインガイド軸、１２ｂ…サブガイド軸、１３…マグネット、１４…外ヨーク、１５…内ヨーク、１６…コイル
【図１】
0003900703.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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