(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続を検査する半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置であって、
前記半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部に対向する電極を有する検査用基板と、
前記半導体ウェーハ検査用プローブの出力信号の切り替え手段と、
前記切り替え手段からの出力信号から前記基板側電極部の静電容量値を測定する静電容量測定手段と、
前記静電容量測定手段により測定される前記半導体ウェーハ検査用プローブと前記検査用基板との接続前の静電容量値及び接続後の静電容量値から、前記半導体ウェーハ検査用プローブの前記電気的接続の良否を判定する判定手段とを、
有する半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置。
【請求項２】
前記検査用基板に電位の基準となるＧＮＤ層を設け、前記静電容量測定手段によって、前記ＧＮＤ層と前記検査用基板の前記電極とにより形成されるコンデンサの静電容量値を測定する請求項１に記載の半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置。
【請求項３】
前記半導体ウェーハ検査用プローブの前記基板側電極部の先端と前記検査用基板の前記電極との電気的接続及び前記基板側電極部からの信号を外部に引き出す信号線の電気的接続の少なくとも一方を確認することができる請求項１又は２に記載の半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置。
【請求項４】
半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続を検査する半導体ウェーハ検査用プローブの検査方法であって、
前記半導体ウェーハ検査用プローブの未接続状態における静電容量値を測定する第１の静電容量値測定ステップと、
前記半導体ウェーハ検査用プローブと、前記半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部に対向する電極を有する検査用基板との位置合わせを行い、前記半導体ウェーハ検査用プローブの前記基板側電極部と前記検査用基板の前記電極とを接続する位置合わせステップと、
接続状態の前記半導体ウェーハ検査用プローブの前記基板側電極部における静電容量値を測定する第２の静電容量値測定ステップと、
前記第１の静電容量値測定ステップで測定された前記静電容量値と、前記第２の静電容量値測定ステップで測定された前記静電容量値との比較を行い、前記半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続の良否を判定する電気的接続判定ステップとを有する半導体ウェーハ検査用プローブの検査方法。
【請求項５】
前記検査用基板に電位の基準となるＧＮＤ層が設けられており、前記第２の静電容量測定ステップで、前記ＧＮＤ層と前記検査用基板の前記電極とにより形成されるコンデンサの静電容量値を測定する請求項４に記載の半導体ウェーハ検査用プローブの検査方法。
【請求項６】
前記半導体ウェーハ検査用プローブの前記基板側電極部の先端と前記検査用基板の前記電極との電気的接続及び前記基板側電極部からの信号を外部に引き出す信号線の電気的接続の少なくとも一方を確認することができる請求項４又は５に記載の半導体ウェーハ検査用プローブの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法に関し、特に、半導体ウェーハの接触部分と電気的接続をして、半導体ウェーハ上の回路の断線検査又は電気的な短絡検査を行う半導体ウェーハ検査用プローブの検査を行う半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体ウェーハ上の回路の電気的特性を検査する場合、半導体ウェーハ上に形成された複数の半導体集積回路素子の電極パッドとの電気的接続を行う基板側電極部を有する半導体ウェーハ検査用プローブを用いて、半導体ウェーハ状態で一括又は部分的な電気的接続を行って、半導体ウェーハの電気的特性の検査を行う方法が知られている。
【０００３】
また、従来の回路基板の検査装置及び方法として、特開平５−２６９４３号公報に回路パターンの検査装置及び検査方法が開示されている。図５は、従来の回路パターンの検査装置の一例を示す構成図である。図５に示す検査装置は、主に、ＧＮＤ電源接続機構５１と、信号パッド５２の検査用プローブ（半導体ウェーハ検査用プローブ）５３と静電容量測定器５４により構成されており、多層配線の回路基板５５の信号パッド５２を、検査用プローブ５３で１つずつ接触することによって、静電容量測定器５４で回路基板５５上の回路パターンの静電容量を測定し、断線及びショートの検査を行うものである。
【０００４】
また、半導体ウェーハ検査用プローブ５３を全ての電極に対して個別に配線するのではなく、半導体ウェーハ検査用プローブ５３に共通の電源線又は共通の信号線を設けて、半導体回路素子の各電極パッドとの接続を行うこともある。そして、半導体ウェーハの検査を行う場合、半導体ウェーハ全体で数万にも上る電極パッドが存在する半導体ウェーハ上の全ての電極パッドについて、電気的接続を十分に行う必要がある。また、一部の電極パッドとの部分接続を行って検査を行う場合でも、数百の電極パッドと接続を行う必要がある。
【０００５】
半導体ウェーハ検査用プローブは、半導体ウェーハと電気的接続を行う基板側電極部と、基板側電極部から信号を外部に引き出す信号線が配置された多層配線基板によって構成されている。これらの半導体ウェーハ検査用プローブの構成部品は、それぞれ単体での製品の良否の検査は可能であるが、これらを組み合わせて半導体ウェーハ検査用プローブの完成品となった場合、半導体ウェーハとの電気的接続まで含めた半導体ウェーハ検査用プローブそのものの検査を行うためには、実際に検査を行う半導体ウェーハを用いて、半導体ウェーハ検査用プローブ全体での動作確認を行う必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、実際に検査を行う半導体ウェーハを用いて半導体ウェーハ検査用プローブの動作を検査する場合、動作歩留まり１００％の半導体ウェーハを用いて検査を行うか、動作歩留まりが比較的高い複数枚の半導体ウェーハを用い、その測定結果を重ね合わせて半導体ウェーハ検査用プローブ全体の検査を行うことが必要である。このような動作歩留まり１００％の半導体ウェーハは、現実的には入手及び利用が困難である。
【０００７】
また、動作歩留まりが１００％には及ばないものの、動作歩留まりが比較的高い半導体ウェーハに関しても、プロセスが確立されていない場合には何枚もの半導体ウェーハを用いる必要があり、一部分に関しては良品チップが得られない場合もあって、半導体ウェーハ検査用プローブ側における電気的接続が完全に保証されるわけではない。
【０００８】
また、半導体ウェーハの電極パッドはアルミパッドであることがほとんどであり、その表面は電気絶縁性の酸化膜で覆われている。したがって、こうしたアルミパッドと半導体ウェーハ検査用プローブとの間で確実に電気的接続が行われるようにするためには、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部の先端が、アルミパッドの酸化膜を破る必要がある。このため、従来は半導体ウェーハ検査用プローブの先端の微小部分を粗面化するなどして、アルミパッドの酸化膜を破る工夫が施されている。しかしながら、従来の検査装置及び検査方法では、半導体ウェーハ検査用プローブの先端の微小部分に安定した荷重を掛ける方法がなく、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部の電気的接続が十分に保証されるわけではない。
【０００９】
さらに、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部の１つ１つに対して、半導体ウェーハ検査用プローブを接続して測定及び検査を行う場合には、基板側電極部の個数が数万にも上るため、非常に時間がかかってしまうという問題がある。
【００１０】
上記問題に鑑み、本発明は、半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続及び動作を、短時間で確実に検査できる半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置は、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部に対向する電極を有する検査用基板と、半導体ウェーハ検査用プローブの出力信号の切り替え手段と、切り替え手段からの出力信号から基板側電極部の静電容量値を測定する静電容量測定手段と、静電容量測定手段により測定される半導体ウェーハ検査用プローブと検査用基板との接続前の静電容量値及び接続後の静電容量値から、半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続の良否を判定する判定手段とを有する構成となっている。
この構成により、半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続及び動作を、短時間で確実に検査することが可能となる。
【００１２】
また、上記本発明に加えて、検査用基板に電位の基準となるＧＮＤ層を設け、静電容量測定手段によって、ＧＮＤ層と検査用基板の電極とにより形成されるコンデンサの静電容量値を測定する構成となっている。
この構成により、半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続及び動作を、短時間で確実に検査することが可能となる。
【００１３】
また、上記本発明に加えて、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部の先端と検査用基板の前記電極との電気的接続及び基板側電極部からの信号を外部に引き出す信号線の電気的接続の少なくとも一方を確認することができる構成となっている。
この構成により、半導体ウェーハ検査用プローブ全体の電気的接続を確認することが可能となる。
【００１４】
また、上記目的を達成するため、本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査方法は、半導体ウェーハ検査用プローブの未接続状態における静電容量値を測定する第１の静電容量値測定ステップと、半導体ウェーハ検査用プローブと、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部に対向する電極を有する検査用基板との位置合わせを行い、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部と検査用基板の電極とを接続する位置合わせステップと、接続状態の半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部における静電容量値を測定する第２の静電容量値測定ステップと、第１の静電容量値測定ステップで測定された静電容量値と、第２の静電容量値測定ステップで測定された静電容量値との比較を行い、半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続の良否を判定する電気的接続判定ステップとを有する構成となっている。
【００１５】
また、上記本発明に加えて、検査用基板に電位の基準となるＧＮＤ層が設けられており、第２の静電容量測定ステップで、ＧＮＤ層と検査用基板の電極とにより形成されるコンデンサの静電容量値を測定する構成となっている。
この構成により、半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続及び動作を、短時間で確実に検査することが可能となる。
【００１６】
また、上記本発明に加えて、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部の先端と検査用基板の電極との電気的接続及び基板側電極部からの信号を外部に引き出す信号線の電気的接続の少なくとも一方を確認することができる構成となっている。
この構成により、半導体ウェーハ検査用プローブ全体の電気的接続を確認することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置及び検査方法に係る第１及び第２の実施の形態について説明する。
【００１８】
＜第１の実施の形態＞
まず、本発明に係る第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置に係る第１の実施の形態を示す構成図である。図１に示す半導体ウェーハ検査用プローブ９の検査装置は、検査用擬似ウェーハ１、信号切り替え器１０、静電容量測定器１１、パーソナルコンピュータ１２により構成されており、この構成によって、電気的接触などの検査対象となる半導体ウェーハ検査用プローブ９の検査を行う。
【００１９】
検査対象となる半導体ウェーハ検査用プローブ９は、半導体ウェーハと電気的接続を行う基板側の接触部（基板側電極部）６と、基板側電極部６からの信号を外部に引き出す多層配線基板５により構成されている。複数の基板側電極部６のそれぞれは、後述の検査用擬似ウェーハ１上のＧＮＤ（基準：Ground）パッド３及び信号線パッド４に対向した位置に配置され、所定の各信号線（信号線８）を介して、各基板側電極部６からの信号を多層配線基板５の外部に引き出すことが可能となっている。
【００２０】
なお、半導体ウェーハ上に配列されるＴＥＧ（ＴＥＧに関しては後述する）は、例えば、１つのＧＮＤパッド３及び２つの信号線パッド４を有しており、図１に示す半導体ウェーハ検査用プローブ９の構成として、各ＴＥＧの２つの信号線パッド４に対向する基板側電極部６のそれぞれが２本の信号線に接続し、さらに、ＧＮＤパッド３に対向する基板側電極部６がＧＮＤ線７に接続する一例が図示されている。
【００２１】
また、２本の信号線８からの信号は、信号切り替え器１０に供給される。信号切り替え器１０は、２本の信号線８から供給される信号のいずれか一方を静電容量測定器１１に対して出力し、静電容量測定器１１は、信号切り替え器１０に信号を供給する信号線（すなわち、各信号線８）とＧＮＤ線７との間の静電容量値を測定する。
【００２２】
また、検査用疑似ウェーハ（検査用基板）１は、半導体ウェーハ検査用プローブ９の基板側電極部６に対向する位置に配列するＧＮＤパッド３及び信号線パッド４と、ＧＮＤパッド３に接続するＧＮＤ層２により構成されている。ここで、各信号線パッド４とＧＮＤ層２との間には、微小コンデンサが形成される。
【００２３】
また、不図示ではあるが、半導体ウェーハ検査用プローブ９の基板側電極部６と検査用擬似ウェーハ１の電極パッド（以下、ＧＮＤパッド３及び信号線パッド４とをまとめて電極パッドと呼ぶことがある。）との位置合わせを行って、検査用疑似ウェーハ１の電極パッドと多層配線基板５の基板側電極部６とを接続する不図示のアライメント装置（位置合わせ装置）も存在する。
【００２４】
次に、図１に示す半導体ウェーハ検査用プローブ９の検査装置及び検査方法を用いた具体的な検査方法を示す。図２（ａ）は、本発明に係る半導体ウェーハ検査用プローブからの信号線の接続態様を示す部分的な平面図、図２（ｂ）は、本発明に係る検査用疑似ウェーハを示す部分的な平面図、図２（ｃ）は、図２（ａ）に示す半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部と、図２（ｂ）に示す検査用擬似ウェーハの電極パッドとの位置合わせを行って接続し、さらに、信号切り替え器及び静電容量測定器と接続した状態を示す平面模式図である。また、図３は、本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査方法に係る一実施の形態を説明するためのフローチャートである  。
【００２５】
まず、ステップＳ１０１において、半導体ウェーハ検査用プローブ９単体の静電容量値（半導体ウェーハ検査用プローブ９の未接続状態における静電容量値）の測定を行う。すなわち、例えば、図２（ａ）に示すように、各信号線８との接続を信号切り替え器１０で切り替えて、各ＧＮＤ線７と各信号線８との間（ＧＮＤ線７Ａと信号線８Ａａ及び信号線８Ａｂとの間、ＧＮＤ線７Ｂと信号線８Ｂａ及び信号線８Ｂｂとの間、ＧＮＤ線７Ｃと信号線８Ｃａ及び信号線８Ｃｂとの間）の静電容量値の測定を行う。なお、それぞれの静電容量値の測定結果はパーソナルコンピュータ１２に供給されて、パーソナルコンピュータ１２内の記憶手段（不図示）に記憶される。
【００２６】
一方、図２（ｂ）に示すように、検査用擬似ウェーハ１には複数の被測定試験素子ＴＥＧ（Test Element Group：テストエレメントグループ）１３が配列されている。そして、図２（ａ）に示す多層配線基板５上の基板側電極部６のうち、信号線８Ａａ及び信号線８Ａｂに接続する基板側電極部６は検査用擬似ウェーハ１上の２個のＴＥＧ１３、信号線８Ｂａ及び信号線８Ｂｂに接続する基板側電極部６は検査用擬似ウェーハ１上の４個のＴＥＧ１３、信号線８Ｃａ及び信号線８Ｃｂに接続する基板側電極部６は、検査用擬似ウェーハ１上の３個のＴＥＧ１３に、それぞれ対向して接続するものとする。
【００２７】
次に、ステップＳ１０２において、図２（ａ）に示す半導体ウェーハ検査用プローブ９と図２（ｂ）に示す複数のＴＥＧ１３が配列されている検査用疑似ウェーハ１とを対向させて、不図示のアライメント装置を用いて位置合わせを行い、各基板側電極部６と各ＴＥＧ１３のＧＮＤパッド３及び信号線パッドとが接続するようにする。この接続状態は、図２（ｃ）に示される状態であり、これによって、各信号線は複数のＴＥＧ１３と接続している状態となる。
【００２８】
そして、位置合わせを行った後、ステップＳ１０３において、検査用擬似ウェーハ１と接続した半導体ウェーハ検査用プローブ９の静電容量値の測定を行う。なお、この静電容量値の測定は、ステップＳ１０１で行った静電容量値の測定と同一の方法で行う。すなわち、検査用擬似ウェーハ１と半導体ウェーハ検査用プローブ９との位置合わせを行い、検査用擬似ウェーハ９の電極パッド（ＧＮＤパッド３及び信号線パッド４）と半導体ウェーハ検査用プローブ９の基板側電極部６とが接触した状態で、各信号線８との接続を信号切り替え器１０で切り替えて、各ＧＮＤ線７と各信号線８との間の静電容量値の測定を行う。なお、ステップＳ１０１と同様、それぞれの静電容量値の測定結果はパーソナルコンピュータ１２に供給されて、パーソナルコンピュータ１２内の記憶手段（不図示）に記憶される。
【００２９】
また、１パッド（１つの電極パッド）当たりの静電容量値は下記の式（１）によって示されるものとなる。
Ｃ＝ε0・εr（Ｓ／ｄ）  …  （１）
なお、上記の式（１）で、Ｃは静電容量［Ｆ］、ε0は真空中の誘電率、εrは検査用擬似ウェーハ１材料の比誘電率、Ｓは電極パッドの面積［ｍ2］、ｄはＧＮＤパッド３と電極パッドの間の距離［ｍ］である。
【００３０】
ここで、検査用疑似ウェーハ１を位置合わせする前に測定されるＧＮＤ線７と各信号線８との間の静電容量値（ステップＳ１０１で測定された静電容量値）を下記の通りとする。
信号線８Ａａに係る静電容量値：Ｃ0（Ａａ）
信号線８Ａｂに係る静電容量値：Ｃ0（Ａｂ）
信号線８Ｂａに係る静電容量値：Ｃ0（Ｂａ）
信号線８Ｂｂに係る静電容量値：Ｃ0（Ｂｂ）
信号線８Ｃａに係る静電容量値：Ｃ0（Ｃａ）
信号線８Ｃｂに係る静電容量値：Ｃ0（Ｃｂ）
【００３１】
また、検査用疑似ウェーハ１を位置合わせした後に測定されるＧＮＤ線７と各信号線８との間の静電容量値（ステップＳ１０３で測定された静電容量値）を下記の通りとする。
信号線８Ａａに係る静電容量値：Ｃ1（Ａａ）
信号線８Ａｂに係る静電容量値：Ｃ1（Ａｂ）
信号線８Ｂａに係る静電容量値：Ｃ1（Ｂａ）
信号線８Ｂｂに係る静電容量値：Ｃ1（Ｂｂ）
信号線８Ｃａに係る静電容量値：Ｃ1（Ｃａ）
信号線８Ｃｂに係る静電容量値：Ｃ1（Ｃｂ）
【００３２】
ステップＳ１０４において、パーソナルコンピュータ１２を用いて、位置合わせ前後に測定された静電容量値を比較して、対応する静電容量値の差（ステップＳ１０１で測定された静電容量値とステップＳ１０３で測定された静電容量値との差）を求める。
【００３３】
例えば、上記の静電容量値より、位置合わせ前後に測定された静電容量値の差は、下記の通りとなる。
ΔＣ（Ａａ）≡Ｃ1（Ａａ）−Ｃ0（Ａａ）
ΔＣ（Ａｂ）≡Ｃ1（Ａａ）−Ｃ0（Ａｂ）
ΔＣ（Ｂａ）≡Ｃ1（Ｂａ）−Ｃ0（Ｂａ）
ΔＣ（Ｂｂ）≡Ｃ1（Ｂｂ）−Ｃ0（Ｂｂ）
ΔＣ（Ｃａ）≡Ｃ1（Ｃａ）−Ｃ0（Ｃａ）
ΔＣ（Ｃｂ）≡Ｃ1（Ｃｂ）−Ｃ0（Ｃｂ）
なお、ここでは、ΔＣ（Ｘｙ）を信号線８Ｘｙに係る静電容量値の差と定義する。
【００３４】
ここで、１パッド当たりの微小コンデンサの静電容量値をＣpとすると、半導体ウェーハ検査用プローブ９と検査用疑似ウェーハ１との電気的接続が確実に行われている場合には、位置合わせ前後に測定される静電容量値の差は、下記の通りとなるはずである。
ΔＣ（Ａａ）≒２Ｃp
ΔＣ（Ａｂ）≒２Ｃp
ΔＣ（Ｂａ）≒４Ｃp
ΔＣ（Ｂｂ）≒４Ｃp
ΔＣ（Ｃａ）≒３Ｃp
ΔＣ（Ｃｂ）≒３Ｃp
【００３５】
また、同様にして、検査用疑似ウェーハ１を位置合わせする前に測定されるＧＮＤ線７と各信号線８との間の静電容量値をＣa、検査用疑似ウェーハ１を位置合わせした後に測定される静電容量値をＣbとした場合には、対象の信号線８における位置合わせ前後の静電容量値の差ΔＣは、
ΔＣ＝（Ｃb−Ｃa）
となる。
【００３６】
一方、全ての基板側電極部６において電気的接続が確実に行われている場合における信号線８の静電容量値の期待値Ｃeは、１つの信号線８に接続されるＴＥＧ数をＮとすると、
Ｃe＝Ｃp×Ｎ
となる。
【００３７】
ここで、ステップＳ１０５において、パーソナルコンピュータによってΔＣ≒Ｃeとなるか否かを判定し、電気的接触の良否の判定を行う。ΔＣ≒Ｃeとなる場合には、ステップＳ１０６において、信号線８での電気的接続が確実に行われている（電気的接続が良）と判定される。なお、１パッド当たりの静電容量値Ｃpがあまりに微小である場合には、静電容量値の測定の分解能が低下するため、Ｃpは数１０［ｐＦ］以上であることが好ましい。
【００３８】
一方、ΔＣ≠Ｃeとなる場合には、ステップＳ１０７において、多層配線基板５内部の信号線８や基板側電極部６の先端などにおける電気的接続の不良や、基板側電極部６の先端と検査用疑似ウェーハ１との接触面での電気的接続の不良などが存在する（電気的接続が不良）と判定される。
【００３９】
また、電気的不良が存在する場合、
ｋ≡Ｎ−（ΔＣ／Ｃp）
を求めることにより、電気的不良によってｋ個の基板側電極部６における測定が不可能となっていることがわかる。
【００４０】
以上により、全ての基板側電極部６で電気的接続が確立している場合には、各信号線８に接続される電極パッド数に比例した静電容量値が測定されることになり、このようにして、検査用疑似ウェーハ１を位置合わせする前に半導体ウェーハ検査用プローブ９の各信号線８が有する静電容量値と、検査用疑似ウェーハ１を位置合わせした後に測定される静電容量値との差を求め、各信号線８に接続されている電極パッド数を判別することによって、半導体ウェーハ検査用プローブ９の電気的接続の良否の判定を行うことが可能となる。
【００４１】
＜第２の実施の形態＞
次に、本発明に係る第２の実施の形態について説明する。図４は本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置に係る第２の実施の形態を示す構成図である。図４に示す半導体ウェーハ検査用プローブ９の検査装置では、検査用擬似ウェーハ１の裏面（電極パッドが存在する面と対になっている電極パッドが存在しないもう一方の面）全域を覆う電極として、図１に示すＧＮＤ層２に対応するＧＮＤ面２１を配置している。
【００４２】
そして、このＧＮＤ面２１に擬似ウェーハＧＮＤ線２２を接続して、半導体ウェーハ検査用プローブ９のＧＮＤ線７を含む各信号線８の共通ＧＮＤとし、この共通ＧＮＤの電位を基準にして、静電容量測定器１１で静電容量値の測定を行うようにしている。この図４に示す装置を用いて、図３に示すフローチャートと同一の処理を行って、半導体ウェーハ検査用プローブ９の電気的接続の良否判定を行う。
【００４３】
上記のように本発明の第２の実施形態によれば、図１で示したＧＮＤ層２に対応するＧＮＤ面２１を検査用擬似ウェーハ１の裏面全面に配置することによって、ＧＮＤ（基準）の測定が容易になり、安価で検査用擬似ウェーハ１を製作することが可能となる。
【００４４】
また、上記第１及び第２の実施形態では、静電容量測定器１１を用いて静電容量値の測定を行うようにしているが、例えば、直流の定電圧を印加した際の過渡電流を測定する電流測定回路を用いることも可能である。
【００４５】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明によれば、半導体ウェーハ検査用プローブの未接続状態における静電容量値を測定し（第１の静電容量値測定ステップ）、半導体ウェーハ検査用プローブと、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部に対向する電極を有する検査用基板との位置合わせを行って半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部と検査用基板の電極とを接続し、半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部における静電容量値を測定し（第２の静電容量値測定ステップ）、第１の静電容量値測定ステップで測定された静電容量値と、第２の静電容量値測定ステップで測定された静電容量値との比較を行い、半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続の良否を判定するので、半導体ウェーハ検査用プローブの電気的接続及び動作を、短時間で確実に検査することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置に係る第１の実施の形態を示す構成図
【図２】（ａ）  本発明に係る半導体ウェーハ検査用プローブからの信号線の接続態様を示す平面図
（ｂ）  本発明に係る検査用疑似ウェーハを示す平面図
（ｃ）  図２（ａ）に示す半導体ウェーハ検査用プローブの基板側電極部と、図２（ｂ）に示す検査用擬似ウェーハの電極パッドとの位置合わせを行って接続し、さらに、信号切り替え器及び静電容量測定器と接続した状態を示す平面模式図
【図３】本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査方法に係る一実施の形態を説明するためのフローチャート
【図４】本発明の半導体ウェーハ検査用プローブの検査装置に係る第２の実施の形態を示す構成図
【図５】従来の回路パターンの検査装置の一例を示す構成図
【符号の説明】
１  検査用疑似ウェーハ（検査用基板）
２  ＧＮＤ層
３  ＧＮＤパッド（電極）
４  信号線パッド（電極）
５  多層配線基板
６  基板側電極部
７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ  ＧＮＤ線
８、８Ａａ、８Ａｂ、８Ｂａ、８Ｂｂ、８Ｃａ、８Ｃｂ  信号線
９、５３  半導体ウェーハ検査用プローブ（検査用プローブ）
１０  信号切り替え器（切り替え手段）
１１、５４  静電容量測定器（静電容量測定手段）
１２  パーソナルコンピュータ（判定手段）
１３  ＴＥＧ（被測定用試験素子：Test Element Group）
２１  ＧＮＤ面
２２  擬似ウェーハＧＮＤ線
５１  ＧＮＤ電源接続機構
５２  信号パッド
５５  回路基板
【図１】
0003990124.tif 000002
【図２】
0003990124.tif 000003
【図３】
0003990124.tif 000004
【図４】
0003990124.tif 000005
【図５】
0003990124.tif 000006