(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）にて示されるジアリールエテン系化合物。
【化１】
0003921675.tif 000076
（但し、式中ｎは２〜５の整数を表し、Ａは一般式（２）または（５）を、Ｂは一般式（２）、（３）、（４）または（５）のいずれか１つを表す。）
【化２】
0003921675.tif 000077
【化３】
0003921675.tif 000078
【化４】
0003921675.tif 000079
【化５】
0003921675.tif 000080
（Ｒ１、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ１０、Ｒ１３はアルキル基を、Ｒ２、Ｒ１１は水素原子あるいはアルキル基を、Ｒ３、Ｒ１２、Ｒ１７は水素原子、アルキル基、フェニル基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、シアノフェニル基、ジアルキルアミノフェニル基、またはチエニル基、インドリル基、ベンゾチエニル基、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基を表す。ｍは１または２の整数、Ｒ６は水素原子、アルキル基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基またはアルコキシ基を、Ｒ７〜Ｒ９、Ｒ１４〜Ｒ１６は、水素原子を表す。）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、新規なジアリールエテン系化合物に係り、更に詳細にはフォトクロミック性を有し光記録材料、複写材料、調光材料、超解像用マスキング用材料、光変調素子材料等の可逆型光学材料に好適なジアリールエテン系化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光照射により可逆的に色相変化する、いわゆるフォトクロミック化合物は古くから知られており、これらを利用した記録・記憶材料、複写材料、調光材料、マスキング用材料、光量計、あるいは表示材料等の可逆型光学材料が種々提案されている。
【０００３】
これらフォトクロミック化合物としては、例えばベンゾスピロピラン類、ナフトオキサジン類、フルギド類、ジアゾ化合物類、あるいはジアリールエテン類等の化合物が提案されている。
【０００４】
近年、この様なフォトクロミック化合物を可逆的な光学材料として利用すべく、精力的に研究がなされているが、この分野へ応用するためには次の様な基本性能が要求される。すなわち、着色消色両状態の安定性、繰り返し耐久性、高い感度（含む半導体レーザー感受性）等である。
【０００５】
ところが、現在知られているフォトクロミック化合物の多くは、着色状態または消色状態のどちらか一方が熱的に不安定であり、室温に於ても、数時間以内により安定な状態に戻るため、記録の安定性が確保できないという欠点を有している。
【０００６】
これらの中で、光照射による二つの状態が熱的に比較的安定である化合物として、フルギド類やジアリールエテン類が知られているが、安定性が未だ不十分である、繰り返し耐久性が劣っている、感度（分子吸光係数、反応速度および半導体レーザー感受性）が小さい等といった欠点のいずれかを有しており、未だ全ての性能を満足するフォトクロミック化合物が得られていないのが実情である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような課題に鑑みなされたものであって、その目的とするところは、着色状態の熱安定性、繰り返し耐久性、感度（分子吸光係数、反応速度および半導体レーザー感受性）等、フォトクロミック材料として優れた性能を有する、新規ジアリールエテン系化合物を提供するにある。
【０００８】
【課題を解決する為の手段】
上述の目的は、下記一般式（１）にて示されるジアリールエテン系化合物により達成される。
【０００９】
【化６】
0003921675.tif 000002
【００１０】
（但し式中ｎ、Ａ、Ｂは前記に同じ。）
【００１１】
次に本発明を詳しく説明する。
本発明のジアリールエテン系化合物は、前記一般式（１）で示されるものであり、ｎは２〜５の整数で、二重結合と共同して４〜７員環の環状構造を有する。中でもｎが３または４である５または６員環構造が特に好ましいフォトクロミック特性を示す。
【００１２】
Ａは前記一般式（２）で示される５−エチニル−３−チエニル基、または前記一般式（５）で示される６−エチニル−３−ベンゾチエニル基を表す。Ｒ1 、Ｒ13はアルキル基、Ｒ2 は水素原子あるいはアルキル基を表すが、該アルキル基はメチル、エチル、プロピル基といった低級アルキル基が好ましい。Ｒ3 、Ｒ17は水素原子、アルキル基、フェニル基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、シアノフェニル基、ジアルキルアミノフェニル基、または置換あるいは未置換のチエニル基、インドリル基、ベンゾチエニル基、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基等のヘテロ環を表すが、化合物の吸収波長を半導体レーザー発振波長域まで長波長化するためには、アルコキシフェニル基またはジアルキルアミノフェニル基であることがより好ましい。Ｒ14〜Ｒ16は水素原子を表す。
【００１３】
Ｂは前記一般式（２）で示される５−エチニル−３−チエニル基、前記一般式（３）で示されるインドリル基、前記一般式（４）で示されるチエニル基、または前記一般式（５）で示される６−エチニル−３−ベンゾチエニル基を表す。ｍは１〜２の整数を表し、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ10はアルキル基を、Ｒ11は水素原子あるいはアルキル基を表すが、該アルキル基はメチル、エチル、プロピル基といった低級アルキル基が好ましい。Ｒ6 は水素原子、アルキル基、ジアルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基またはアルコキシ基を表すが、化合物の吸収波長を半導体レーザー発振波長域まで長波長化するためには、アルコキシ基またはジアルキルアミノ基であることが好ましい。また、Ｒ7 〜Ｒ9 は水素原子を、Ｒ12は水素原子、アルキル基、フェニル基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、シアノフェニル基、ジアルキルアミノフェニル基、または置換あるいは未置換のチエニル基、インドリル基、ベンゾチエニル基、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基等のヘテロ環を表す。Ｒ1 〜Ｒ3 、Ｒ13〜Ｒ17は前記と同じである。
【００１４】
本発明のジアリールエテン系化合物は、公知の方法から適宜選択して製造することができるが、例えば次の様な方法で製造できる。
【００１５】
すなわち、第１番目は、下記一般式（６）で表される化合物とアリールリチウム誘導体ＡＬｉおよびＢＬｉ（Ａ，Ｂは前記と同じ。）を同時に反応させる方法である。
【００１６】
【化７】
0003921675.tif 000003
【００１７】
（ｎは２〜５の整数）
【００１８】
第２番目は、下記一般式（７）で示されるようにＡＬｉのみを反応させて一つのアリール基を導入したモノアリールエテン誘導体とし、次に、もう一つのアリールリチウム誘導体ＢＬｉと反応させる逐次反応方法である。
【００１９】
【化８】
0003921675.tif 000004
【００２０】
（但し、式中ｎ，Ａは前記に同じ。）
【００２１】
第３番目は、前記一般式（６）（ｎは２〜５の整数）とアリールリチウム誘導体ＣＬｉおよびＤＬｉを同時に反応させ下記一般式（８）で示されるジアリールエテン誘導体とした後保護基であるトリアルキルシリル基を、水素、アルキル基、置換または未置換のフェニル基、あるいは置換または未置換のヘテロ環化合物と置き換える方法である。
【００２２】
【化９】
0003921675.tif 000005
【００２３】
（Ｃは下記一般式（９）、または下記一般式（１０）を表し、Ｒ1 、Ｒ13、Ｒ18〜Ｒ23はアルキル基、Ｒ2 は水素原子あるいはアルキル基を表し、Ｒ14〜Ｒ16は水素原子を表す。Ｄは下記一般式（９）、下記一般式（１０）、前記一般式（３）で示されるインドリル基、または前記一般式（４）で示されるチエニル基のいずれか１つを表し、ｍ，Ｒ4 〜Ｒ12は前記に同じである。）
【００２４】
【化１０】
0003921675.tif 000006
【００２５】
【化１１】
0003921675.tif 000007
【００２６】
第４番目は、下記一般式（１１）で示されるようにＣＬｉのみを反応させて一つのアリール基を導入したモノアリールエテン誘導体とし、次に、もう一つのアリールリチウム誘導体ＤＬｉ（Ｄは前記に同じ。）と反応させジアリールエテン誘導体とした後保護基であるトリアルキルシリル基を、水素、アルキル基、置換または未置換のフェニル基、あるいは置換または未置換のヘテロ環化合物と置き換える方法である。
【００２７】
【化１２】
0003921675.tif 000008
【００２８】
（但し、式中ｎ，Ｃは前記に同じ。）
【００２９】
上記一般式（２）または（５）に於いてＲ3 、またはＲ17が水素またはアルキル基の場合には第２番目の方法が、又Ｒ3 、またはＲ17がその他の置換または未置換のアリール基の場合には第４番目の方法が各段階の収率および中間体の汎用性から、好ましい。
【００３０】
次に、好適な製造方法の一例を挙げると次の通りである。
まず、下記一般式（１２）で示されるハロゲン化チオフェン誘導体、または下記一般式（１３）で示されるハロゲン化ベンゾチオフェン誘導体を反応温度−４５〜−１２０℃で、好ましくは−７０〜−１１０℃で、アルキルリチウムまたは、リチウムジアルキルアミド等のリチオ化剤と反応させ、３位のハロゲン原子をリチウムに置換した一般式（１４）、または一般式（１５）で示されるリチオ化チオフェン誘導体、またはリチオ化ベンゾチオフェン誘導体とする。
【００３１】
【化１３】
0003921675.tif 000009
【００３２】
【化１４】
0003921675.tif 000010
【００３３】
（但し、式中Ｘ、Ｙは臭素原子またはヨウ素原子を表し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ13〜Ｒ16、Ｒ18〜Ｒ23は前記に同じ。）
【００３４】
【化１５】
0003921675.tif 000011
【００３５】
【化１６】
0003921675.tif 000012
【００３６】
（但し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ13〜Ｒ16、Ｒ18〜Ｒ23は前記に同じ。）
【００３７】
溶媒としては、テトラヒドロフランやジエチルエーテル等のエーテル系溶媒が好ましく用いられるが、低温での溶媒凝固を防ぐために、ｎ−ヘキサン、ｎ−ペンタン等の低級アルカン類を混合してもよい。
【００３８】
リチオ化剤のアルキルリチウム、リチウムジアルキルアミドとしては、ｎ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、フェニルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムジシクロヘキシルアミド等が挙げられるが、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液が好適に用いられる。リチオ化剤の量は、ハロゲン化チオフェン誘導体、またはハロゲン化ベンゾチオフェン誘導体の総量に対して１．０〜１．２倍モル使用するのが好ましい。
【００３９】
反応時間は通常２０分〜３時間で、好ましくは３０分〜２時間である。
【００４０】
次に、生成したリチオ化チオフェン誘導体、またはリチオ化ベンゾチオフェン誘導体に、前記一般式（６）で示されるパーフルオロシクロアルケン誘導体を添加するが、使用するパーフルオロシクロアルケン誘導体の量は、ハロゲン化チオフェン誘導体、またはハロゲン化ベンゾチオフェン誘導体の１．０〜１．５倍モル用いるのが好ましく、希釈せずに、あるいは溶媒に希釈して添加することができる。
【００４１】
反応温度は−６０〜−１１０℃、反応時間は３０分〜２時間が好ましい。
【００４２】
以上の操作により、下記一般式（１６）で示されるモノチエニルエテン誘導体、または下記一般式（１７）で示されるモノベンゾチエニルエテン誘導体が得られる。
【００４３】
【化１７】
0003921675.tif 000013
【００４４】
【化１８】
0003921675.tif 000014
【００４５】
（但し、ｎ、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ13〜Ｒ16、Ｒ18〜Ｒ23は前記に同じ。）
【００４６】
次に、上記一般式（１２）、または上記一般式（１３）（但し、式中Ｘ、Ｙ、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ13〜Ｒ16、Ｒ18〜Ｒ23は前記に同じ。）で示されるハロゲン化チオフェン誘導体、またはハロゲン化ベンゾチオフェン誘導体、あるいは下記一般式（１８）、または（１９）で示されるハロゲン化アリール誘導体のうちいずれか一つを前記と同じ方法でリチオ化物とし、これに前述のモノチエニルエテン誘導体のテトラヒドロフラン溶液を添加する。
【００４７】
【化１９】
0003921675.tif 000015
【００４８】
【化２０】
0003921675.tif 000016
【００４９】
（但し、式中Ｕ、Ｖは臭素原子または、ヨウ素原子を表し、ｍ、Ｒ4 〜Ｒ12は前記に同じ。）
【００５０】
使用するモノチエニルエテン誘導体の量は各々ハロゲン化誘導体の０．８〜１．２倍モル用いるのが好ましい。このときの反応温度は−６０〜−１１０℃、反応時間は３０分〜２時間が好ましい。
【００５１】
かくして得られた下記一般式（２０）（但しＣ，Ｄは上記に同じ。）で示されるジアリールエテン誘導体の保護基であるトリアルキルシリル基をメタノール、エタノール等のアルコール中でアルカリ金属アルコキシドと反応させて下記一般式（２１）で示されるジアリールエテン誘導体とする。
【００５２】
【化２１】
0003921675.tif 000017
【００５３】
【化２２】
0003921675.tif 000018
【００５４】
（但し、Ｅは下記一般式（２２）、または下記一般式（２３）を示し、Ｇは下記一般式（２２）、（２３）、（２４）あるいは（２５）を示す。）
【００５５】
【化２３】
0003921675.tif 000019
【００５６】
【化２４】
0003921675.tif 000020
【００５７】
【化２５】
0003921675.tif 000021
【００５８】
【化２６】
0003921675.tif 000022
（Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ4 〜Ｒ16、ｍは前記に同じ。）
【００５９】
使用するアルカリ金属アルコキシドとしては、ナトリウム、カリウム、リチウムのメトキシド、あるいはエトキシドが好ましく、使用する量は含有するトリアルキルシリル基の１．０〜２．５倍モル用いるのが好ましい。
【００６０】
このときの反応はリフラックス温度で、反応時間は１〜５時間が好ましい。
【００６１】
トリアルキルシリル基を脱離させる別の方法としては、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等の有機溶媒中でテトラアルキルアンモニウムフルオリドと反応させる方法もある。このとき用いるテトラアルキルアンモニウムフルオリドの量は含有するトリアルキルシリル基の１．０〜２．５倍モル用いるのが好ましく、温度は室温で、反応時間は１０〜６０分が好ましい。
【００６２】
かくして得られた前記一般式（２１）で示されるジアリールエテン誘導体と下記一般式（２６）、または下記一般式（２７）で示されるアリールハライドとを非プロトン性極性溶媒中触媒の存在下カップリングを行い、目的とする前記一般式（１）で示されるジアリールエテン系化合物を得る。
【００６３】
【化２７】
0003921675.tif 000023
【００６４】
【化２８】
0003921675.tif 000024
【００６５】
（Ｗ、Ｚは臭素あるいはヨウ素を示し、Ｒ3 、Ｒ17は前記に同じ。）
【００６６】
非プロトン性極性溶媒としてはジメチルスルホキシド、またはジメチルホルムアミドが好ましい。
【００６７】
触媒としては、一般にアセチレン−ハロゲン化アリールのカップリング反応に用いられているものはいずれも使用でき、具体的にはＮｉ（ＰＰｈ3 ）4 ，ＮｉＣｌ2 （ＰＰｈ3 ）2 ，ＮｉＣｌ2 （ｄｐｐｅ），ＮｉＣｌ2 （ＰＥｔ3 ）等のニッケル錯体やＰｄ（ＰＰｈ3 ）4 ，ＰｄＣｌ2 （ＰＰｈ3 ）2 ，ＰｄＣｌ2 （ｄｐｐｅ），等のパラジウム錯体が好適に用いられる。ここで、ｄｐｐｅは１，２−ビス（ジフェニルフォスフィノ）エタンを表す。また共触媒としてヨウ化銅を併用することが好ましい。
【００６８】
ハロゲン化アリールの量はアセチレン基質に対して１．０〜２．５倍モル、触媒の量はそれぞれ０．１〜５ｍｏｌ％用いるのが好ましい。
【００６９】
以上の方法で得られた反応物からジアリールエテン系化合物を得るには、抽出、カラムクロマトグラフ、再結晶等の方法を用いて分離、精製すればよい。
【００７０】
本発明のジアリールエテン系化合物は、その一例として１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）チエニル））−２−（３−（１，２−ジメチル−５−メトキシインドリル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの例について説明すると、有機溶媒や樹脂バインダー等の適当な媒体中に於いて、下記（２８）式の様に、開環体に紫外光を照射すると、閉環体に変化して着色し、この閉環体に可視光を照射すると、元の開環体に戻り、消色する。
【００７１】
【化２９】
0003921675.tif 000025
【００７２】
本発明のジアリールエテン系化合物を含有する記録媒体を利用した光学材料は公知の方法で容易に得ることが出来る。
【００７３】
例えば、本発明のジアリールエテン系化合物を公知の蒸着法により、適当な基板上に蒸着する方法や、本発明のジアリールエテン化合物を、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリメチルメタクリル酸樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂バインダーと共に、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルエチルケトン、アセトン、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、四塩化炭素、クロロホルム、セロソルブ、グライム等の溶媒に分散または溶解させて、適当な基板上に塗布する方法によって光学用材料を得ることが出来る。
【００７４】
この様な光学用材料中に於いて、本発明のジアリールエテン系化合物は、着色状態、消色状態共に熱安定性が高く、水分、酸素に対しても安定で長期間構造が変化せずに保持され、着消色の繰り返し耐久性にも優れている。又、着色状態の吸収極大波長は６４０ｎｍを越え、吸収端も８００ｎｍ以上であることから、６７０ｎｍや７８０ｎｍの発振波長を有する半導体レーザーに対する感受性を有しており、更に、その波長領域での感度が高い（大きな分子吸光係数を有する）等といった優れたフォトクロミック特性を有する為、可逆的な光学材料等に有効に使用することが出来る。
【００７５】
【発明の効果】
以上の様に、本発明のジアリールエテン系化合物は、熱安定性、着消色の繰り返し耐久性、半導体レーザー感受性、感度等に優れたフォトクロミック特性を有しており、記録・記憶材料、複写材料、調光材料、超解像用マスキング用材料、光量計、表示材料、光変調素子材料等の可逆型光学材料に用いることができる。
【００７６】
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７７】
（実施例１）
１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）チエニル））−２−（３−（１，２−ジメチル−５−メトキシインドリル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
【００７８】
ａ）２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チオフェンの製造
容量３００ｍｌのナスフラスコに３，５−ジヨード−２，４−ジメチルチオフェン９．８５ｇ（２７．１ｍｍｏｌ）、エチニルトリメチルシラン２．６６ｇ（２７．１ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅３５０ｍｇ（１．８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィノ）パラジウム５３０ｍｇ（０．４６ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド１３０ｍｌ、トリエチルアミン２５．６ｍｌを入れ、７０〜８０℃に加熱し、８時間攪拌した。反応後、反応液を大量の希塩酸にあけ酢酸エチルで抽出後に溶媒を減圧留去した。得られた反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記構造式（２９）の化合物４．６６ｇ（収率５１．３％）を得た。
【００７９】
【化３０】
0003921675.tif 000026
【００８０】
0003921675.tif 000027
【００８１】
ｂ）１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンの製造
容量２００ｍｌの２つ口フラスコに、実施例１−ａ）で製造された２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チオフェン４．６６ｇ（１３．９ｍｍｏｌ）とジエチルエーテル１００ｍｌを入れ、窒素気流下で−７８℃に冷却後、ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）９．６ｍｌ（１５．３ｍｍｏｌ）を滴下し１時間攪拌した。
次に、パーフルオロシクロペンテン２．９ｍｌ（２０．９ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル溶液１０ｍｌを滴下し、１時間反応させた。
反応終了後メタノール１０ｍｌを加えて反応を停止し、更に水１００ｍｌを加えた後、酢酸エチル１００ｍｌで３回抽出し、この有機層を集め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。
得られた反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記構造式（３０）のモノアリールエテン系化合物３．９６ｇ（収率７１．１％）を得た。
【００８２】
【化３１】
0003921675.tif 000028
【００８３】
0003921675.tif 000029
【００８４】
ｃ）１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チエニル））−２−（３−（１，２−ジメチル−５−メトキシインドリル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
２００ｍｌのナスフラスコに３−ブロモ−１，２−ジメチル−５−メトキシインドール２．５１ｇ（９．８８ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン５０ｍｌを入れ窒素気流下−７８℃に冷却後、ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）６．８ｍｌ（１０．９ｍｍｏｌ）を滴下し１時間攪拌した。その後実施例１−ｂ）で合成した１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテン  ３．９６ｇ（９．８８ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液１５ｍｌを滴下し１時間攪拌した。
反応終了後メタノール１０ｍｌを加えて反応を停止し、更に水１００ｍｌを加えた後、酢酸エチル１００ｍｌで３回抽出し、この有機層を集め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。
得られた反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記構造式（３１）のジアリールエテン系化合物４．７７ｇ（収率８６．９％）を得た。
【００８５】
【化３２】
0003921675.tif 000030
【００８６】
0003921675.tif 000031
【００８７】
ｄ）１−（３−（２，４−ジメチル−５−エチニルチエニル））−２−（３−（１，２−ジメチル−５−メトキシインドリル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
１００ｍｌのナスフラスコに実施例１−ｃ）で得られた１−（２，４−ジメチル−５−（２−（トリメチルシリル）エチニル）−３−チエニル）−２−（３−（１，２−ジメチル−５−メトキシインドリル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン４．７７ｇ（８，６ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン３０ｍｌをいれ、これにテトラブチルアンモニウムフルオリドの１規定テトラヒドロフラン溶液９．０ｍｌを０℃で滴下した。攪拌１時間後、水１００ｍｌを加え、酢酸エチル１００ｍｌで３回抽出し、この有機層を集め、洗浄、乾燥の後、溶媒を減圧留去した。
得られた反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記構造式（３２）のジアリールエテン系化合物２．６０ｇ（収率６２．５％）を得た。
【００８８】
【化３３】
0003921675.tif 000032
【００８９】
0003921675.tif 000033
【００９０】
ｅ）１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）チエニル））−２−（３−（１，２−ジメチル−５−メトキシインドリル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
２０ｍｌのナスフラスコに実施例１−ｄ）で得られた１−（３−（２，４−ジメチル−５−エチニル）チエニル）−２−（３−（１，２−ジメチル−５−メトキシインドリル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン４８３ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィノ）パラジウム２０ｍｇ（０．０１７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅１３ｍｇ（０．０６６ｍｍｏｌ）４−ヨードメトキシベンゼン０．２３４ｇ（１．０ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド５ｍｌ、トリエチルアミン１ｍｌを入れ、窒素置換後７０℃で１晩撹判した。
反応後、反応液を大量の希塩酸にあけ酢酸エチルで抽出後に溶媒を減圧留去した。得られた反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記構造式（３３）の化合物３２０ｍｇ（収率５４．３％）を得た。
【００９１】
【化３４】
0003921675.tif 000034
【００９２】
0003921675.tif 000035
【００９３】
（実施例２）
１，２−ビス（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
【００９４】
ａ）１，２−ビス（３−（２，４−ジメチル−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
容量１０ｍｌの２つ口フラスコに、実施例１−ａ）と同様にして製造された３−ヨード−２，４−ジメチル−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チオフェン３．３４ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）と実施例１−ｂ）と同様にして製造された１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテン４．０ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）とを実施例１−ｃ）と同様の方法で反応させ、下記構造式（３４）の化合物３．７１ｇ（収率６３．０％）を得た。
【００９５】
【化３５】
0003921675.tif 000036
【００９６】
分析値：
ＭＳ
ｍ／ｅ    ５８８（Ｍ+ ）
【００９７】
ｂ）１，２−ビス（３−（２，４−ジメチル−５−エチニル）チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
テトラブチルアンモニウムフルオリドのテトラヒドロフラン溶液を実施例２−ａ）で得られた１，２−ビス（３−（２，４−ジメチル−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン３．７１ｇに対して２倍当量用いること以外は実施例１−ｄ）と同様にして、下記構造式（３５）の化合物２．０１ｇ（収率７２．０％）を得た。
【００９８】
【化３６】
0003921675.tif 000037
【００９９】
分析値：
ＭＳ
ｍ／ｅ    ４４４（Ｍ+ ）
【０１００】
ｃ）１，２−ビス（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
２０ｍｌのナスフラスコに実施例２−ｂ）で得られた１，２−ビス（３−（２，４−ジメチル−５−エチニル）チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテン４４２ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィノ）パラジウム４０ｍｇ（０．０３４ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅２６ｍｇ（０．１２２ｍｍｏｌ）４−ヨードメトキシベンゼン０．４６８ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド１０ｍｌ、トリエチルアミン２ｍｌをいれ、窒素置換後７０℃で１晩撹判した。
反応後、反応液を大量の希塩酸にあけ酢酸エチルで抽出後に溶媒を減圧留去した。得られた反応生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、下記構造式（３６）の化合物３１６ｍｇ（収率４８．２％）を得た。
【０１０１】
【化３７】
0003921675.tif 000038
【０１０２】
0003921675.tif 000039
【０１０３】
（実施例３）
１，２−ビス（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−ジメチルアミノフェニル）エチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
実施例２−ｃ）項に於て、４−ヨードメトキシベンゼンを用いる代わりに、４−ヨード−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノベンゼンを用い、同様の方法で下記構造式（３７）のジアリールエテン系化合物２７４ｍｇ（収率４０．２％）を得た。
【０１０４】
【化３８】
0003921675.tif 000040
【０１０５】
0003921675.tif 000041
【０１０６】
（実施例４）
１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−ジメチルアミノフェニル）エチニル）チエニル））−２−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−ジメチルアミノフェニル）エテニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
実施例１においてｃ）項の３−ブロモ−１，２−ジメチル−５−メトキシインドールの代わりに３−ブロモ−２，４−ジメチル−５−（２−（４−ジメチルアミノフェニル）エテニル）チオフェンを用い、且つｅ）項の４−ヨード−メトキシベンゼンの代わりに４−ブロモ−ジメチルアミノベンゼンを用いることによって下記構造式（３８）で示されるジアリールエテン系化合物を得た。
【０１０７】
【化３９】
0003921675.tif 000042
【０１０８】
0003921675.tif 000043
【０１０９】
（実施例５）
１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−ジメチルアミノフェニル）エチニル）チエニル））−２−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−ピリジル）エテニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
実施例１においてｃ）項の３−ブロモ−１，２−ジメチル−５−メトキシインドールの代わりに３−ブロモ−２，４−ジメチル−５−（２−（４−ピリジル）エテニル）チオフェンを用い、且つｅ）項の４−ヨード−メトキシベンゼンの代わりに４−ブロモ−ジメチルアミノベンゼンを用いることによって下記構造式（３９）で示されるジアリールエテン系化合物を得た。
【０１１０】
【化４０】
0003921675.tif 000044
【０１１１】
0003921675.tif 000045
【０１１２】
（実施例６）
１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）チエニル））−２−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−メトキシフェニル）エテニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
実施例１においてｃ）項の３−ブロモ−１，２−ジメチル−５−メトキシインドールの代わりに３−ブロモ−２，４−ジメチル−５−（２−（４−メトキシフェニル）エテニル）チオフェンを用い、且つｅ）項の４−ヨード−メトキシベンゼンの代わりに４−ブロモ−シアノベンゼンを用いることによって下記構造式（４０）で示されるジアリールエテン系化合物を得た。
【０１１３】
【化４１】
0003921675.tif 000046
【０１１４】
0003921675.tif 000047
【０１１５】
（実施例７）
１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−ジメチルアミノフェニル）エチニル）チエニル））−２−（３−（２，４−ジメチル−５−（４−（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
実施例１においてｃ）項の３−ブロモ−１，２−ジメチル−５−メトキシインドールの代わりに３−ブロモ−２，４−ジメチル−５−（４−（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル）チオフェンを用い、且つｅ）項の４−ヨード−メトキシベンゼンの代わりに４−ブロモ−ジメチルアミノベンゼンを用いることによって下記構造式（４１）で示されるジアリールエテン系化合物を得た。
【０１１６】
【化４２】
0003921675.tif 000048
【０１１７】
0003921675.tif 000049
【０１１８】
（実施例８）
１，２−ビス（３−（２，４−ジメチル−５−（２−フェニルエチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
ａ）２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−フェニルエチニル）チオフェンの製造
実施例１−ａ）に於いてエチニルトリメチルシランの代わりにフェニルアセチレンを用いること以外は同様に行うことによって下記構造式（４２）で示されるチオフェン誘導体を得た。
【０１１９】
【化４３】
0003921675.tif 000050
【０１２０】
分析値：
ＭＳ
ｍ／ｅ    ３３８（Ｍ+ ）
【０１２１】
ｂ）１，２−ビス（３−（２，４−ジメチル−５−（２−フェニルエチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
ａ）で得られたチオフェン誘導体を用いて実施例１−ｂ）および１−ｃ）で行ったのと同様の操作を行うことによって下記構造式（４３）で示されるジアリールエテン系化合物を得た。
【０１２２】
【化４４】
0003921675.tif 000051
【０１２３】
0003921675.tif 000052
【０１２４】
（実施例９）
１，２−ビス（３−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
ａ）３−ブロモ−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチオフェンの製造
実施例１−ａ）に於いて３，５−ジヨード−２，４−ジメチルチオフェンの代わりに３−ブロモ−６−ヨード−２−メチルベンゾチオフェンを用い、エチニル．リメチルシランの代わりに４−メトキシフェニルアセチレンを用いること以外は同様に行うことによって、下記構造式（４４）で示されるベンゾチオフェン誘導体６．９３ｇ（収率６８．７％）を得た。
【０１２５】
【化４５】
0003921675.tif 000053
【０１２６】
0003921675.tif 000054
【０１２７】
ｂ）１−（３−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンの製造
実施例１−ｂ）に於いて２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チオフェンの代わりに実施例９−ａ）で得られた３−ブロモ−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチオフェンを用いること以外は、同様の操作を行うことによって、下記構造式（４５）で示されるモノアリールエテン系化合物２．５６ｇ（収率８８．２％）を得た。
【０１２８】
【化４６】
0003921675.tif 000055
【０１２９】
分析値：
ＭＳ
ｍ／ｅ    ４７０（Ｍ+ ）
【０１３０】
ｃ）１，２−ビス（３−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
実施例１−ｃ）に於いて３−ブロモ−１，２−ジメチル−５−メトキシインドールの代わりに実施例９−ａ）で得られた３−ブロモ−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチオフェンを用い、１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンの代わりに実施例９−ｂ）で得られた１−（３−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンを用いる以外は同様の操作を行うことによって、下記構造式（４６）で示されるジアリールエテン系化合物１．３６ｇ（収率７６．６％）を得た。
【０１３１】
【化４７】
0003921675.tif 000056
【０１３２】
0003921675.tif 000057
【０１３３】
（実施例１０）
１−（３−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
ａ）２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）チオフェンの製造
実施例１−ａ）に於いてエチニルトリメチルシランの代わりに４−メトキシフェニルアセチレンを用いること以外は同様に行うことによって下記構造式（４７）で示されるチオフェン誘導体５．２３ｇ（収率６０．２％）を得た。
【０１３４】
【化４８】
0003921675.tif 000058
【０１３５】
0003921675.tif 000059
【０１３６】
ｂ）  １−（３−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
実施例１−ｃ）に於いて３−ブロモ−１，２−ジメチル−５−メトキシインドールの代わりに実施例１０−ａ）で得られた２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）チオフェンを用い、１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンの代わりに実施例９−ｂ）で得られた１−（３−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンを用いる以外は同様の操作を行うことによって、下記構造式（４８）で示されるジアリールエテン系化合物１．８７ｇ（収率８１．２％）を得た。
【０１３７】
【化４９】
0003921675.tif 000060
【０１３８】
0003921675.tif 000061
【０１３９】
（実施例１１）
１−（３−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
ａ）２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）チオフェンの製造
実施例１−ａ）に於いてエチニルトリメチルシランの代わりに４−シアノフェニルアセチレンを用いること以外は同様に行うことによって下記構造式（４９）で示されるチオフェン誘導体４．０６ｇ（収率７５．２％）を得た。
【０１４０】
【化５０】
0003921675.tif 000062
【０１４１】
0003921675.tif 000063
【０１４２】
ｂ）  １−（３−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
実施例１−ｃ）に於いて３−ブロモ−１，２−ジメチル−５−メトキシインドールの代わりに実施例１１−ａ）で得られた２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）チオフェンを用い、１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンの代わりに実施例９−ｂ）で得られた１−（３−（２−メチル−６−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンを用いる以外は同様の操作を行うことによって、下記構造式（５０）で示されるジアリールエテン系化合物２．０１ｇ（収率７１．０％）を得た。
【０１４３】
【化５１】
0003921675.tif 000064
【０１４４】
0003921675.tif 000065
【０１４５】
（実施例１２）
１−（３−（２−メチル−６−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
ａ）３−ブロモ−（２−メチル−６−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）ベンゾチオフェンの製造
実施例１−ａ）に於いて３，５−ジヨード−２，４−ジメチルチオフェンの代わりに３−ブロモ−６−ヨード−２−メチルベンゾチオフェンを用い、エチニルトリメチルシランの代わりに４−シアノフェニルアセチレンを用いること以外は同様に行うことによって下記構造式（５１）で示されるチオフェン誘導体３．５４ｇ（収率５７．５％）を得た。
【０１４６】
【化５２】
0003921675.tif 000066
【０１４７】
0003921675.tif 000067
【０１４８】
ｂ）  １−（３−（２−メチル−６−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンの製造
実施例１−ｂ）に於いて２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チオフェンの代わりに実施例１２−ａ）で得られた３−ブロモ−（２−メチル−６−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）ベンゾチオフェンを用いて同様の操作を行うことによって下記構造式（５２）で示されるモノアリールエテン系化合物１．８７ｇ（収率８１．２％）を得た。
【０１４９】
【化５３】
0003921675.tif 000068
【０１５０】
分析値：
ＭＳ
ｍ／ｅ    ４６５（Ｍ+ ）
【０１５１】
ｃ）  １−（３−（２−メチル−６−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
実施例１−ｃ）に於いて３−ブロモ−１，２−ジメチル−５−メトキシインドールの代わりに実施例１０−ａ）で得られた２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（４−メトキシフェニル）エチニル）チオフェンを用い、１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンの代わりに実施例１２−ｂ）で得られた１−（３−（２−メチル−６−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンを用いる以外は同様の操作を行うことによって、下記構造式（５３）で示されるジアリールエテン系化合物１．０２ｇ（収率６８．１％）を得た。
【０１５２】
【化５４】
0003921675.tif 000069
【０１５３】
0003921675.tif 000070
【０１５４】
（実施例１３）
１−（３−（２−メチル−６−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））−２−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
実施例１−ｃ）に於いて３−ブロモ−１，２−ジメチル−５−メトキシインドールの代わりに実施例１１−ａ）で得られた２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）チオフェンを用い、１−（３−（２，４−ジメチル−５−（２−トリメチルシリルエチニル）チエニル））−２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンの代わりに実施例１２−ｂ）で得られた１−（３−（２−メチル−６−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）ベンゾチエニル））２，３，３，４，４，５，５−ヘプタフルオロシクロペンテンを用いる以外は同様の操作を行うことによって、下記構造式（５４）で示されるジアリールエテン系化合物１．２５ｇ（収率６３．５％）を得た。
【０１５５】
【化５５】
0003921675.tif 000071
【０１５６】
0003921675.tif 000072
【０１５７】
（実施例１４）
１，２−ビス（３−（２，４−ジメチル−５−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）チエニル））−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロシクロペンテンの製造
実施例１１−ａ）で得られた２，４−ジメチル−３−ヨード−５−（２−（４−シアノフェニル）エチニル）チオフェンを用いて実施例１−ｂ）及び１−ｃ）と同様の操作を行うことによって下記構造式（５５）で示されるジアリールエテン系化合物１．２５ｇ（収率６３．５％）を得た。
【０１５８】
【化５６】
0003921675.tif 000073
【０１５９】
0003921675.tif 000074
【０１６０】
試験例１（吸収スペクトルの測定）
実施例１で得られた化合物をベンゼンに２．６３ｘ１０-5ｍｏｌ／ｌになるように溶解して得た溶液を１ｃｍｘ１ｃｍｘ４ｃｍの石英ガラスセルに入れた。これにガラスフィルターを装着した１００Ｗ超高圧水銀灯を用いて攪拌しながら３６５ｎｍの光を３０分間照射し、溶液を着色させた後、この光定常状態に於ける溶液の吸収スペクトルを測定した。
次に、上記水銀灯のガラスフィルターを紫外光カットフィルターに換装して、５００ｎｍ以上の光を３０分間照射し溶液を着色させた後、再度、吸収スペクトルを測定した。
【０１６１】
実施例１の化合物について、着色体、および消色体の吸収スペクトルを図１に示す。
図１から分かる通り、着色状態の吸収スペクトルの吸収極大は６４２ｎｍであり、吸収端は８００ｎｍを越え、吸収極大位置での化合物の吸光度は０．２０であり、分子吸光係数は計算により７６００という高い値を示した。又、この着消色反応は可逆的に行う事ができた。
【０１６２】
次に、実施例２から１４の化合物についても同様な測定をした、着色体の吸収極大波長（λmax ）と、この極大波長に於ける化合物の分子吸光係数（ελmax ）とを表１にあわせて示す。
【０１６３】
【表１】
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【０１６４】
また、実施例２から１４の化合物について着色体、および消色体の吸収スペクトルを図２から１４に示す。
【０１６５】
試験例２（高分子フィルム中の繰り返し耐久性）
実施例９で得られた化合物の１０ｍｇをポリスチレン１００ｍｇと共にキシレン１ｍｌに溶解し、これを３ｃｍｘ３ｃｍ角のガラス板上にスピンコーティング法により塗布した。
【０１６６】
このフィルムに、ガラス干渉フィルターを装着した１００ｍＷ水銀灯二より３６５ｎｍ光を飽和着色するまで１０分間照射した後５６５ｎｍにおける吸光度を測定した。
【０１６７】
次に、上記水銀灯のガラスフィルターを紫外光カットフィルターに換装して、５００ｎｍ以上の可視光を３分間照射し消色させた後、５６５ｎｍにおける吸光度を測定した。
【０１６８】
この３６５ｎｍ光、可視光の交互照射による着消色を１サイクルとして、繰り返し耐久試験を行った結果を図１５に示す。
図１５に示す様に、２００回着消色を繰り返しても初期吸光度０．２０１に対し０．１８０と９０％着色し良好な繰り返し特性を有していた。
【０１６９】
試験例３（保存耐久性）
繰り返し耐久性で使用したものと同様にして作製した実施例９で得られた化合物の着色状態、消色状態のフィルムの、５６５ｎｍにおける吸光度の８０℃，６５％ＲＨにおける経日変化を図１６に示す。
【０１７０】
図１６に示す様に、３０日間経過しても初期吸光度０．２０１に対し０．１８１と９０％着色状態を保持し良好な保存耐久性を有していた。
【０１７１】
この様に、エチニル基の導入により、着色体の吸収極大波長は長波長化し、化合物の分子吸光係数を増大させることができ、発振波長６８０ｎｍ、半導体レーザー感受性が付与され、繰り返し耐久性、保存耐久性に優れた光記録材料、複写材料、調光材料、超解像用マスキング用材料、光変調素子材料等の可逆型光学材料に好適なジアリールエテン系化合物が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図２】実施例２で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図３】実施例３で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図４】実施例４で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図５】実施例５で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図６】実施例６で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図７】実施例７で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図８】実施例８で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図９】実施例９で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図１０】実施例１０で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図１１】実施例１１で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図１２】実施例１２で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図１３】実施例１３で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図１４】実施例１４で得られた化合物の、ベンゼン溶液中での光照射に基づく吸収スペクトルの変化を示す図である。
【図１５】実施例９で得られた化合物の高分子フィルム中の３６５ｎｍ光、可視光交互照射に伴う５６５ｎｍにおける吸光度変化を示した図である。
【図１６】実施例９で得られた化合物を繰り返し耐久性で使用したものと同様にして作製した着色状態、消色状態のフィルムの５６５ｎｍにおける吸光度の８０℃，６５％ＲＨにおける経日変化を示した図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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