(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ａ）  基板上に、下から第１反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、第２の磁性層、非磁性中間層、第１の磁性層、第３反強磁性層、非磁性層の順に積層された積層体を形成し、
このとき、前記第１の磁性層に、前記非磁性中間層との界面から上方に向けてＣｏＦｅ合金で形成された領域と、前記第３反強磁性層との界面から下方向へ向けてＣｏＦｅＸ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）合金で形成された領域とを形成し、
さらに前記第３反強磁性層の膜厚を２０Å以上で５０Å以下で形成し、前記非磁性層を、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈのいずれか１種または２種以上からなる貴金属で形成する工程、
（ｂ）  第１磁場中熱処理により、前記固定磁性層と第１反強磁性層との間に交換結合磁界を発生させて、前記固定磁性層の磁化を固定する工程、
（ｃ）  前記非磁性層のトラック幅方向の両側端部を削り、このとき前記両側端部を一部残す工程、
（ｄ）  前記非磁性層の両側端部上に第２反強磁性層を形成する工程、
（ｅ）  第２磁場中熱処理により、前記第２反強磁性層が前記非磁性層の両側端部を介して重ねられた前記第３反強磁性層の両側端部と、前記第１の磁性層の両側端部との間で交換結合磁界を生じさせ、前記第１の磁性層及び第２の磁性層の両側端部の磁化を反平行で且つ前記固定磁性層の磁化と直交する方向に固定するとともに、前記第２反強磁性層間の前記第１の磁性層及び第２の磁性層の中央部を反平行に磁化し且つ外部磁界に対し磁化方向が変動するフリー磁性層として機能させる工程。
【請求項２】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ｆ）  基板上に、下から第１反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、第２の磁性層、非磁性中間層、第１の磁性層、第３反強磁性層、非磁性層の順に積層された積層体を形成し、
このとき、前記第１の磁性層をＣｏＦｅ合金に元素Ｘ（Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）を含有した磁性材料で形成するとともに、元素Ｘの含有量を、前記第３反強磁性層との界面側で前記非磁性中間層との界面側よりも多くし、
さらに前記第３反強磁性層の膜厚を２０Å以上で５０Å以下で形成し、前記非磁性層を、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈのいずれか１種または２種以上からなる貴金属で形成する工程、
（ｇ）  第１磁場中熱処理により、前記固定磁性層と第１反強磁性層との間に交換結合磁界を発生させて、前記固定磁性層の磁化を固定する工程、
（ｈ）  前記非磁性層のトラック幅方向の両側端部を削り、このとき前記両側端部を一部残す工程、
（ｉ）  前記非磁性層の両側端部上に第２反強磁性層を形成する工程、
（ｊ）  第２磁場中熱処理により、前記第２反強磁性層が前記非磁性層の両側端部を介して重ねられた前記第３反強磁性層の両側端部と、前記第１の磁性層の両側端部との間で交換結合磁界を生じさせ、前記第１の磁性層及び第２の磁性層の両側端部の磁化を反平行で且つ前記固定磁性層の磁化と直交する方向に固定するとともに、前記第２反強磁性層間の前記第１の磁性層及び第２の磁性層の中央部を反平行に磁化し且つ外部磁界に対し磁化方向が変動するフリー磁性層として機能させる工程。
【請求項３】
前記第１の磁性層の前記第３反強磁性層との界面側での前記元素Ｘの含有量を、３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下にする請求項２記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１の磁性層の層内に、前記元素Ｘの含有量が、前記第３反強磁性層との界面側から前記非磁性中間層の界面側に向けて徐々に少なくなる領域を形成する請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項５】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ｋ）  基板上に、下から第１反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、第２の磁性層、非磁性中間層、第１の磁性層、第３反強磁性層、非磁性層の順に積層された積層体を形成し、
このとき、前記第１の磁性層を、少なくとも、前記非磁性中間層との界面と接するＣｏＦｅ合金で形成された磁性層と、前記第３反強磁性層との界面と接するＣｏＦｅＸ合金（ただし元素ＸはＣｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）で形成された磁性層とで形成し、
さらに前記第３反強磁性層の膜厚を２０Å以上で５０Å以下で形成し、前記非磁性層を、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈのいずれか１種または２種以上からなる貴金属で形成する工程、
（ｌ）  第１磁場中熱処理により、前記固定磁性層と第１反強磁性層との間に交換結合磁界を発生させて、前記固定磁性層の磁化を固定する工程、
（ｍ）  前記非磁性層のトラック幅方向の両側端部を削り、このとき前記両側端部を一部残す工程、
（ｎ）  前記非磁性層の両側端部上に第２反強磁性層を形成する工程、
（ｏ）  第２磁場中熱処理により、前記第２反強磁性層が前記非磁性層の両側端部を介して重ねられた前記第３反強磁性層の両側端部と、前記第１の磁性層の両側端部との間で交換結合磁界を生じさせ、前記第１の磁性層及び第２の磁性層の両側端部の磁化を反平行で且つ前記固定磁性層の磁化と直交する方向に固定するとともに、前記第２反強磁性層間の前記第１の磁性層及び第２の磁性層の中央部を反平行に磁化し且つ外部磁界に対し磁化方向が変動するフリー磁性層として機能させる工程。
【請求項６】
前記元素Ｘの組成比を３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下とする請求項１又は５に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項７】
ＣｏYとＦｅ100-Yとの原子比率Ｙを、８５％以上で９６％以下にする請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項８】
前記第２反強磁性層上に電極層を形成し、電流が前記積層体の各層の膜面に対し平行な方向に流れる構造とする請求項１ないし７のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１反強磁性層の下及び、前記第２反強磁性層上と前記第２反強磁性層間の前記非磁性層上に電極層を形成し、電流が前記積層体の各層の膜面に対し垂直方向に流れる構造とする請求項１ないし７のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１０】
前記前記第２反強磁性層上と前記第２反強磁性層間の前記非磁性層上に前記電極層を兼用する上部シールド層を形成する請求項９記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第２反強磁性層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上から前記第２反強磁性層間の前記非磁性層上にかけて前記電極層を形成する請求項９又は１０に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１反強磁性層の下に前記電極層を兼用する下部シールド層を形成する請求項９ないし１１のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第１反強磁性層の下に設けられた電極層のトラック幅方向の中央に、上方に突出した突出部を形成し、前記突出部のトラック幅方向の両側の凹部内に絶縁層を形成し、前記突出部及び前記絶縁層の上面に前記積層体を形成する請求項９ないし１２のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１４】
前記突出部の上面と、前記絶縁層の上面とを同一平面で形成する請求項１３記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１５】
前記非磁性材料層を非磁性導電材料で形成する請求項１ないし１４のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１６】
前記非磁性材料層を絶縁材料で形成する請求項９ないし１４のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第１反強磁性層、前記第２反強磁性層及び前記第３反強磁性層を、元素Ｚ（ただしＺは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成する請求項１ないし１６のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１８】
前記第１反強磁性層、前記第２反強磁性層及び前記第３反強磁性層を、元素Ｚ（ただしＺは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）と元素Ｚ´（ただし元素Ｚ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｒ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成する請求項１ないし１６のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク装置などに搭載される再生用の磁気検出素子に係り、特に抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を図ることができ、またフリー磁性層の磁化制御を適切に行うことが可能な磁気検出素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２６は従来における磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０００３】
図２６に示す符号１４はＴａなどの下地層であり、その上にＰｔＭｎなどの反強磁性層３０が形成されている。
【０００４】
前記反強磁性層３０の上には、磁性材料製の固定磁性層３１が形成されている。前記固定磁性層３１の上にはＣｕなどで形成された非磁性材料層３２が形成され、さらに前記非磁性材料層３２の上にはフリー磁性層３３が形成されている。前記フリー磁性層３３は、磁性層３７、３９と非磁性中間層３８の３層で形成された積層フェリ構造で形成されている。なお以下では前記非磁性材料層３２と接する側の磁性層３７を第２の磁性層と、前記第２の磁性層３７に非磁性中間層３８を介して対向する磁性層３９を第１の磁性層と呼ぶ。
【０００５】
図２６に示すように、前記フリー磁性層３３の上にはＴａなどで形成された保護層７が形成されている。
【０００６】
前記下地層１４から保護層７までの各層のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には、ハードバイアス層５が形成され、前記ハードバイアス層５の上には電極層８が形成されている。
【０００７】
この形態の磁気検出素子では、前記固定磁性層３１の磁化は、前記反強磁性層３０との間で発生する交換結合磁界によってハイト方向（図示Ｙ方向）に固定されている。
【０００８】
一方、前記フリー磁性層３３を構成する第２の磁性層３７と第１の磁性層３９は、ハードバイアス層５から供給される縦バイアス磁界と、前記第２の磁性層３７と第１の磁性層３９間で発生するＲＫＫＹ相互作用により、トラック幅方向に互いに反平行に磁化されており、例えば前記第２の磁性層３７がトラック幅方向のうち図示右方向（図示Ｘ方向）に磁化されると、前記第１の磁性層３９はトラック幅方向の図示左方向（図示Ｘ方向とは逆方向）に磁化される。
【０００９】
前記フリー磁性層３３を構成する第２の磁性層３７及び第１の磁性層３９は固定磁性層３１と異なって、外部磁界に対し磁化反転できる程度に弱く単磁区化された状態にあり、固定磁性層３１の固定磁化方向と外部磁界の影響を受けるフリー磁性層３３の磁化の方向との関係で電気抵抗が変化し、この電気抵抗値の変化に基づく電圧変化により、記録媒体からの外部信号が再生される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところで図２６に示すようにフリー磁性層３３が積層フェリ構造で形成されるとき、実際に磁気抵抗効果に寄与する層は、第２の磁性層３７である。
【００１１】
従って前記電極層８から非磁性材料層３２を中心にセンス電流が流れたとき、このセンス電流が前記第１の磁性層３９に分流するとシャントロスとなり抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の低下を招いた。
【００１２】
そこで、このシャントロスを低減させるべく、例えばＣｏＦｅ合金などで形成されていた第１の磁性層３９にＣｒなどを添加して、前記第１の磁性層３９の比抵抗を上げることが考えられたが、これによって前記第１の磁性層３９と第２の磁性層３７間で発生するＲＫＫＹ相互作用による結合磁界が小さくなり、前記フリー磁性層３３を構成する第２の磁性層３７と第１の磁性層３９とを適切に反平行状態に磁化できず、再生出力の低下やノイズ発生など再生特性の劣化を招いた。
【００１３】
図２７は、従来における別の構造の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。なお図２６と同じ符号が付けられている層は図２６と同じ層を示している。
【００１４】
図２７の磁気検出素子では、図２６の磁気検出素子と同様に、フリー磁性層３３が磁性層３７、３９とその間に非磁性中間層３８が形成された積層フェリ構造となっているが、図２７に示す構造では、前記フリー磁性層３３の第１の磁性層３９上にトラック幅方向（図示Ｘ方向）に所定の間隔を開けて反強磁性層４０が形成されている。図２７に示すように反強磁性層４０を用いてフリー磁性層３３の磁化を制御する方法をエクスチェンジバイアス方式と呼ぶ。
【００１５】
図２７に示す構造では、前記反強磁性層４０と第１の磁性層３９の両側端部Ａ間で交換結合磁界が発生し、前記第１の磁性層３９の両側端部Ａが例えばトラック幅方向の図示右方向（図示Ｘ方向）に磁化固定されると、前記第１の磁性層３９と非磁性中間層３８を介して対向する第２の磁性層３７の両側端部Ａは、前記第１の磁性層３９間で発生するＲＫＫＹ相互作用による結合磁界によってトラック幅方向の図示左方向（図示Ｘ方向とは逆方向）に磁化固定される。
【００１６】
一方、前記フリー磁性層３３の中央部Ｂでも、第２の磁性層３７と第１の磁性層３９の磁化は反平行状態になっているが、外部磁界に対して磁化反転できる程度に弱く単磁区化された状態になっている。
【００１７】
このエクスチェンジバイアス方式を用いた磁気検出素子においても図２６の磁気検出素子と同様に、フリー磁性層３３を構成する第１の磁性層３９がＣｏＦｅ合金で形成されていると、センス電流の分流によって抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）が低下する問題が発生し、また前記第１の磁性層３９がＣｏＦｅＣｒ合金で形成されると、一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）の低下が顕著になった。
【００１８】
ここで一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）とは、主として反強磁性層４０と第１の磁性層３９間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）と、第１の磁性層３９と第２の磁性層３７間で作用するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界とを合わせた磁界のことである。
【００１９】
図２８は、図２７と同様の積層構造で形成された磁気検出素子であって、第１の磁性層３９をＣｏＦｅＣｒ5at%で形成したときの、前記第１の磁性層３９の膜厚と一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）との関係を示すグラフである。
【００２０】
図２８に示すように、前記第１の磁性層３９をＣｏＦｅ合金で形成したときは、非常に高い一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を示すのに対し、前記第１の磁性層３９をＣｏＦｅＣｒで形成すると、前記一方向性交換バイアス磁界は急激に低下することがわかる。
【００２１】
また図２８に示すように、ＣｏＦｅＣｒで形成された前記第１の磁性層３９の膜厚を厚くしていくと、前記一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）は大きくなる傾向にあるが、前記第１の磁性層３９を厚くしていくと、今度は、前記第１の磁性層３９へのセンス電流の分流量が大きくなり、結局、従来では、フリー磁性層３３における一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）と抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上とを同時に得ることができなかったのである。
【００２２】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、積層フェリ構造で形成されたフリー磁性層の第１の磁性層の膜構成を改良して、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を図り、また一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくして、フリー磁性層の磁化制御を適切に行うことが可能な気検出素子の製造方法を提供することを目的としている。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
【００２４】
（ａ）  基板上に、下から第１反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、第２の磁性層、非磁性中間層、第１の磁性層、第３反強磁性層、非磁性層の順に積層された積層体を形成し、
このとき、前記第１の磁性層に、前記非磁性中間層との界面から上方に向けてＣｏＦｅ合金で形成された領域と、前記第３反強磁性層との界面から下方向へ向けてＣｏＦｅＸ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）合金で形成された領域とを形成し、
さらに前記第３反強磁性層の膜厚を２０Å以上で５０Å以下で形成し、前記非磁性層を、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈのいずれか１種または２種以上からなる貴金属で形成する工程、
（ｂ）  第１磁場中熱処理により、前記固定磁性層と第１反強磁性層との間に交換結合磁界を発生させて、前記固定磁性層の磁化を固定する工程、
（ｃ）  前記非磁性層のトラック幅方向の両側端部を削り、このとき前記両側端部を一部残す工程、
（ｄ）  前記非磁性層の両側端部上に第２反強磁性層を形成する工程、
（ｅ）  第２磁場中熱処理により、前記第２反強磁性層が前記非磁性層の両側端部を介して重ねられた前記第３反強磁性層の両側端部と、前記第１の磁性層の両側端部との間で交換結合磁界を生じさせ、前記第１の磁性層及び第２の磁性層の両側端部の磁化を反平行で且つ前記固定磁性層の磁化と直交する方向に固定するとともに、前記第２反強磁性層間の前記第１の磁性層及び第２の磁性層の中央部を反平行に磁化し且つ外部磁界に対し磁化方向が変動するフリー磁性層として機能させる工程。
【００２５】
このように本発明では前記第１の磁性層に元素Ｘを含んだ比抵抗の高い領域が存在するので、元素Ｘを含まない磁性材料のみで前記第１の磁性層を形成した場合に比べて、前記第１の磁性層へのセンス電流の分流ロスを低減させることができる。
【００２６】
しかも本発明では、第１の磁性層の全領域に元素Ｘを含有させているのではなく、非磁性中間層との界面側には元素Ｘを含まない領域が存在しているが、後述する実験によれば、元素Ｘを含まない領域が非磁性中間層との界面側に存在することによって、前記第１の磁性層と第２の磁性層間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくすることができることがわかった。
【００２７】
したがって本発明によれば、従来に比べて、前記磁気検出素子の抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができると同時に、フリー磁性層を構成する第１の磁性層と第２の磁性層間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、前記フリー磁性層の磁化制御を適切に行うことができ、再生特性に優れた磁気検出素子を製造することができる。
【００２８】
また本発明における磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とする。
【００２９】
（ｆ）  基板上に、下から第１反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、第２の磁性層、非磁性中間層、第１の磁性層、第３反強磁性層、非磁性層の順に積層された積層体を形成し、
このとき、前記第１の磁性層をＣｏＦｅ合金に元素Ｘ（Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）を含有した磁性材料で形成するとともに、元素Ｘの含有量を、前記第３反強磁性層との界面側で前記非磁性中間層との界面側よりも多くし、
さらに前記第３反強磁性層の膜厚を２０Å以上で５０Å以下で形成し、前記非磁性層を、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈのいずれか１種または２種以上からなる貴金属で形成する工程、
（ｇ）  第１磁場中熱処理により、前記固定磁性層と第１反強磁性層との間に交換結合磁界を発生させて、前記固定磁性層の磁化を固定する工程、
（ｈ）  前記非磁性層のトラック幅方向の両側端部を削り、このとき前記両側端部を一部残す工程、
（ｉ）  前記非磁性層の両側端部上に第２反強磁性層を形成する工程、
（ｊ）  第２磁場中熱処理により、前記第２反強磁性層が前記非磁性層の両側端部を介して重ねられた前記第３反強磁性層の両側端部と、前記第１の磁性層の両側端部との間で交換結合磁界を生じさせ、前記第１の磁性層及び第２の磁性層の両側端部の磁化を反平行で且つ前記固定磁性層の磁化と直交する方向に固定するとともに、前記第２反強磁性層間の前記第１の磁性層及び第２の磁性層の中央部を反平行に磁化し且つ外部磁界に対し磁化方向が変動するフリー磁性層として機能させる工程。
【００３０】
また本発明では、前記第１の磁性層の前記第３反強磁性層との界面側での前記元素Ｘの含有量を、３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下にすることが好ましい。
【００３１】
この第２の発明では、第１の磁性層の非磁性中間層との界面側にも元素Ｘが含まれているがその含有量は微量であり、前記元素Ｘの含有量は、前記非磁性中間層との界面と逆面側で大きくなるように調整されている。
【００３２】
この発明においても、前記第１の磁性層の比抵抗値を上げることができ、センス電流の分流ロスを低減させることができるとともに、前記第１の磁性層と第２の磁性層間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくすることができる。
【００３３】
したがって本発明では、従来に比べて前記磁気検出素子の抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができると同時に、フリー磁性層を構成する第１の磁性層と第２の磁性層間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、前記フリー磁性層の磁化制御を適切に行うことができ、再生特性に優れた磁気検出素子を製造することができる。
【００３４】
なお上記した発明において、前記第１の磁性層の層内に、前記元素Ｘの含有量が、前記第３反強磁性層との界面側から前記非磁性中間層の界面側に向けて徐々に少なくなる領域を形成することが好ましい。
これは、第１の磁性層の層内で、いわゆる組成変調が起こっていることを意味する。
【００３５】
次に本発明における磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
【００３６】
（ｋ）  基板上に、下から第１反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、第２の磁性層、非磁性中間層、第１の磁性層、第３反強磁性層、非磁性層の順に積層された積層体を形成し、
このとき、前記第１の磁性層を、少なくとも、前記非磁性中間層との界面と接するＣｏＦｅ合金で形成された磁性層と、前記第３反強磁性層との界面と接するＣｏＦｅＸ合金（ただし元素ＸはＣｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）で形成された磁性層とで形成し、
さらに前記第３反強磁性層の膜厚を２０Å以上で５０Å以下で形成し、前記非磁性層を、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈのいずれか１種または２種以上からなる貴金属で形成する工程、
（ｌ）  第１磁場中熱処理により、前記固定磁性層と第１反強磁性層との間に交換結合磁界を発生させて、前記固定磁性層の磁化を固定する工程、
（ｍ）  前記非磁性層のトラック幅方向の両側端部を削り、このとき前記両側端部を一部残す工程、
（ｎ）  前記非磁性層の両側端部上に第２反強磁性層を形成する工程、
（ｏ）  第２磁場中熱処理により、前記第２反強磁性層が前記非磁性層の両側端部を介して重ねられた前記第３反強磁性層の両側端部と、前記第１の磁性層の両側端部との間で交換結合磁界を生じさせ、前記第１の磁性層及び第２の磁性層の両側端部の磁化を反平行で且つ前記固定磁性層の磁化と直交する方向に固定するとともに、前記第２反強磁性層間の前記第１の磁性層及び第２の磁性層の中央部を反平行に磁化し且つ外部磁界に対し磁化方向が変動するフリー磁性層として機能させる工程。
【００３７】
上記した発明では、積層フェリ構造で形成されたフリー磁性層の第１の磁性層が少なくとも２層の磁性層で構成されており、前記磁性層のうち、非磁性中間層との界面と逆面側に位置する磁性層は、元素Ｘを含む比抵抗の高い磁性材料で形成されている。このように本発明では前記第１の磁性層内に比抵抗の高い磁性層が設けられているので、前記第１の磁性層へのセンス電流の分流ロスを低減させることができ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を図ることができる。
【００３８】
一方、非磁性中間層と接する側の磁性層は、元素Ｘを含まない磁性材料で形成されている。これによって前記磁性層と第２の磁性層間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくすることができる。
【００３９】
このように本発明では、従来に比べて前記磁気検出素子の抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができると同時に、フリー磁性層を構成する第１の磁性層と第２の磁性層間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、前記フリー磁性層の磁化制御を適切に行うことができ、再生特性に優れた磁気検出素子を製造することができる。
【００４０】
また本発明では、前記元素Ｘの組成比を３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下とすることが好ましい。
【００４１】
また本発明では、ＣｏYとＦｅ100-Yとの原子比率Ｙを、８５％以上で９６％以下にすることが好ましい。
【００４２】
後述する実験結果によれば、第１の磁性層の層内における元素Ｘを含む磁性領域が、前記第２反強磁性層との界面側に存在すると、前記第２反強磁性層と元素Ｘを含む磁性領域との間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）は、元素Ｘを含まない磁性領域を前記反強磁性層との界面に接して形成する場合に比べて大きくなることがわかった。
【００４３】
また上記したように、非磁性中間層を介してその上下の磁性層間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界は、非磁性中間層との界面側に、元素Ｘを含まない磁性領域が存在すると、元素Ｘを含む磁性領域を非磁性中間層との界面に接して形成する場合に比べて大きくなる。
【００４４】
従って以上から、本発明では、第１の磁性層に、第２反強磁性層との界面と接する側に元素Ｘを含む磁性領域を設け、一方、非磁性中間層との界面と接する側に元素Ｘを含まない磁性領域を設けることで、センス電流の分流ロスを抑え、抵抗変化率の向上を図ることができると共に、前記第１の磁性層と第２反強磁性層との間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）と、ＲＫＫＹ相互作用における結合磁界とを大きくでき、したがって前記フリー磁性層における一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を従来に比べて適切に大きくすることができる。
【００４５】
以上により、フリー磁性層をエクスチェンジバイアス方式によって磁化制御する構造において、従来に比べて抵抗変化率の向上を図ることができると共に、前記フリー磁性層の磁化制御をより良好に行うことができ、再生特性に優れた磁気検出素子を製造することが可能になる。
【００４６】
また本発明では、前記第２反強磁性層上に電極層を形成し、電流が前記積層体の各層の膜面に対し平行な方向に流れる構造としてもよい。
【００４７】
このように電流が前記磁気検出素子の各層の膜面に対し平行な方向に流れる磁気検出素子を、ＣＩＰ（current  in  the  plane）型の磁気検出素子と呼んでいる。
【００４８】
あるいは本発明では、前記第１反強磁性層の下及び、前記第２反強磁性層上と前記第２反強磁性層間の前記非磁性層上に電極層を形成し、電流が前記積層体の各層の膜面に対し垂直方向に流れる構造としてもよく、このような磁気検出素子をＣＰＰ（current  perpendicular  to  the  plane）型の磁気検出素子と呼んでいる。
【００４９】
本発明では前記ＣＰＰ型の磁気検出素子の場合、前記積層体の上に設けられた上部電極層は、磁性材料で形成された上部シールド層であることが好ましい。磁気検出素子の製造を容易化するとともに、ギャップ長Ｇｌを短くすることができ高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造できる。
【００５０】
またかかる場合、前記第２反強磁性層上に絶縁層を形成し、前記絶縁層上から前記第２反強磁性層間の前記非磁性層上にかけて前記電極層を形成することが好ましい。これによって前記上部電極層から前記積層体に流れる電流が前記第２反強磁性層に分流するのを適切に回避でき再生出力が大きく実効再生トラック幅の狭い、高密度化に適した磁気検出素子を製造することが可能になる。
【００５１】
また本発明では前記ＣＰＰ型の磁気検出素子の場合、前記積層体の下に設けられた下部電極層は、磁性材料で形成された下部シールド層であることが好ましい。磁気検出素子の製造を容易化できると共に、ギャップ長Ｇｌを短くすることができ高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造できる。
【００５２】
かかる場合、前記第１反強磁性層の下に設けられた電極層のトラック幅方向の中央に、上方に突出した突出部を形成し、前記突出部のトラック幅方向の両側の凹部内に絶縁層を形成し、前記突出部及び前記絶縁層の上面に前記積層体を形成することが好ましい。これによって前記下部電極層から前記積層体に流れる電流がトラック幅から広がって流れ難く、前記電流の分流ロスを抑制し、再生出力が大きく実効再生トラック幅の狭い磁気検出素子を製造することが可能になる。
【００５３】
また本発明では、前記突出部の上面と、前記下部電極層の両側端部上に設けられた絶縁層の上面とは同一平面で形成されることが好ましい。
【００５４】
また本発明では、前記非磁性材料層は非磁性導電材料で形成されることが好ましい。前記非磁性材料層が非磁性導電材料で形成された磁気検出素子を、スピンバルブＧＭＲ型磁気抵抗効果素子（ＣＩＰ−ＧＭＲあるいはＣＰＰ−ＧＭＲ）と呼んでいる。
【００５５】
また本発明では前記非磁性材料層は絶縁材料で形成されてもよい。この磁気検出素子をスピンバルブトンネル型磁気抵抗効果素子（ＣＰＰ−ＴＭＲ）と呼んでいる。
【００５６】
また本発明では、前記第１反強磁性層、前記第２反強磁性層及び前記第３反強磁性層を、元素Ｚ（ただしＺは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成することが好ましい。
【００５７】
あるいは本発明では、前記第１反強磁性層、前記第２反強磁性層及び前記第３反強磁性層を、元素Ｚ（ただしＺは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）と元素Ｚ´（ただし元素Ｚ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｒ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成することが好ましい。
【００５８】
【発明の実施の形態】
図１は参考例の磁気検出素子（シングルスピンバルブ型磁気抵抗効果素子）の全体構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。なお、図１ではＸ方向に延びる素子の中央部分のみを破断して示している。
【００５９】
このシングルスピンバルブ型磁気抵抗効果素子は、ハードディスク装置に設けられた浮上式スライダのトレーリング側端部などに設けられて、ハードディスクなどの記録磁界を検出するものである。なお、ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向はＺ方向であり、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方向はＹ方向である。
【００６０】
図１の最も下に形成されているのはＴａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち１種または２種以上の元素などの非磁性材料で形成された下地層６である。前記下地層６は例えば５０Å程度の膜厚で形成される。
【００６１】
前記下地層６の上には、シードレイヤ２２が形成されている。前記シードレイヤ２２を形成することで、前記シードレイヤ２２上に形成される各層の膜面と平行な方向における結晶粒径を大きくでき、耐エレクトロマイグレーションの向上に代表される通電信頼性の向上や抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上などをより適切に図ることができる。
【００６２】
前記シードレイヤ２２はＮｉＦｅＣｒ合金やＣｒなどで形成される。前記シードレイヤ２２がＮｉＦｅＣｒで形成される場合、例えばその組成比は、（Ｎｉ0.8Ｆｅ0.2）60at%Ｃｒ40at%である。
【００６３】
前記シードレイヤ２２の上に形成された反強磁性層４は、元素Ｚ（ただしＺは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。
【００６４】
これら白金族元素を用いたＺ−Ｍｎ合金は、耐食性に優れ、またブロッキング温度も高く、さらに交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくできるなど反強磁性材料として優れた特性を有している。特に白金族元素のうちＰｔを用いることが好ましく、例えば二元系で形成されたＰｔＭｎ合金を使用することができる。
【００６５】
また、前記反強磁性層４は、元素Ｚと元素Ｚ′（ただし元素Ｚ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されてもよい。
【００６６】
なお前記元素Ｚ′には、元素ＺとＭｎとで構成される空間格子の隙間に侵入し、または元素ＺとＭｎとで構成される結晶格子の格子点の一部と置換する元素を用いることが好ましい。ここで固溶体とは、広い範囲にわたって、均一に成分が混ざり合った固体のことを指している。
【００６７】
侵入型固溶体あるいは置換型固溶体とすることで、前記Ｚ−Ｍｎ合金膜の格子定数に比べて、前記Ｚ−Ｍｎ−Ｚ′合金の格子定数を大きくすることができる。これによって反強磁性層４の格子定数と固定磁性層３の格子定数との差を広げることができ、前記反強磁性層４と固定磁性層３との界面構造を非整合状態にしやすくできる。ここで非整合状態とは、前記反強磁性層４と固定磁性層３との界面で前記反強磁性層４を構成する原子と前記固定磁性層３を構成する原子とが一対一に対応しない状態である。
【００６８】
また特に置換型で固溶する元素Ｚ′を使用する場合は、前記元素Ｚ′の組成比が大きくなりすぎると、反強磁性としての特性が低下し、固定磁性層３との界面で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）が小さくなってしまう。特に、侵入型で固溶し、不活性ガスの希ガス元素（Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅのうち１種または２種以上）を元素Ｚ′として使用することが好ましいとしている。希ガス元素は不活性ガスなので、希ガス元素が、膜中に含有されても、反強磁性特性に大きく影響を与えることがなく、さらに、Ａｒなどは、スパッタガスとして従来からスパッタ装置内に導入されるガスであり、ガス圧を適正に調節するのみで、容易に、膜中にＡｒを侵入させることができる。
【００６９】
なお、元素Ｚ′にガス系の元素を使用した場合には、膜中に多量の元素Ｚ′を含有することは困難であるが、希ガスの場合においては、膜中に微量侵入させるだけで、熱処理によって発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）を、飛躍的に大きくできる。
【００７０】
なお、好ましい前記元素Ｚ′の組成範囲は、ａｔ％（原子％）で０．２から１０であり、より好ましくは、ａｔ％で、０．５から５である。また前記元素ＺはＰｔであることが好ましく、よってＰｔ−Ｍｎ−Ｚ′合金を使用することが好ましい。
【００７１】
また、反強磁性層４の元素Ｚあるいは元素Ｚ＋Ｚ′のａｔ％を４５（ａｔ％）以上で６０（ａｔ％）以下に設定することが好ましい。より好ましくは４９（ａｔ％）以上で５６．５（ａｔ％）以下である。これによって成膜段階において、固定磁性層３との界面が非整合状態にされ、しかも前記反強磁性層４は熱処理によって適切な規則変態を起すものと推測される。
【００７２】
前記反強磁性層４の上に形成されている固定磁性層３は３層構造となっている。
前記固定磁性層３は、前記反強磁性層４との界面４ａと接する第１の磁性層１３、および前記第１の磁性層１３上に非磁性中間層１２を介して形成された第２の磁性層１１とで構成される。
【００７３】
前記固定磁性層３の上には非磁性材料層２が形成されている。前記非磁性材料層２は、例えばＣｕなどの非磁性導電材料で形成される。
【００７４】
さらに前記非磁性材料層２の上にはフリー磁性層１が形成される。前記フリー磁性層１は、非磁性材料層２との界面２ａと接して形成される第２の磁性層４１と、前記第２の磁性層４１と非磁性中間層４２を介して対向する第１の磁性層４３の積層フェリ構造で形成されている。
【００７５】
前記フリー磁性層１の上には、金属材料あるいは非磁性金属のＣｕ，Ａｕ，Ａｇなどからなるバックド層１５が形成されている。例えば前記バックド層１５の膜厚は５〜２０Å程度で形成される。
【００７６】
前記バックド層１５の上には、保護層７が形成されている。前記保護層７は、Ｔａなどから成りその表面には酸化された酸化層（鏡面反射層）が形成されていることが好ましい。
【００７７】
前記バックド層１５が形成されることによって、磁気抵抗効果に寄与する＋スピン（上向きスピン：ｕｐ  ｓｐｉｎ）の電子における平均自由行程（ｍｅａｎ  ｆｒｅｅ  ｐａｔｈ）を延ばし、いわゆるスピンフィルター効果（ｓｐｉｎ  ｆｉｌｔｅｒ  ｅｆｆｅｃｔ）によりスピンバルブ型磁気素子において、大きな抵抗変化率が得られ、高記録密度化に対応できるものとなる。なお前記バックド層１５は形成されなくてもよい。積層フェリ構造における第１の磁性層４３に到達する伝導電子は既に非磁性中間層４２で散乱を受けてしまうためスピンフィルター効果は顕著に現れないからである。
【００７８】
図１に示す参考例では、前記下地層６から保護層７までの積層膜のトラック幅方向の両側にはハードバイアス層５及び電極層８が形成されている。前記ハードバイアス層５からの縦バイアス磁界によってフリー磁性層１を構成する、例えば第１の磁性層４３がトラック幅方向の図示右方向（図示Ｘ方向）に磁化されると、第２の磁性層４１は前記第１の磁性層４３との間で発生するＲＫＫＹ相互作用による結合磁界によって、前記第１の磁性層４３の磁化方向と反平行、すなわちトラック幅方向の図示左方向（図示Ｘ方向とは逆方向）に磁化される。
【００７９】
前記ハードバイアス層５，５は、例えばＣｏ−Ｐｔ（コバルト−白金）合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ（コバルト−クロム−白金）合金などで形成されており、電極層８，８は、α−Ｔａ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｃｕ（銅）やＷ（タングステン）などで形成されている。
【００８０】
上記したように、フリー磁性層１が積層フェリ構造で形成されている。
ここでフリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３には、膜組成に以下の特徴点がある。
【００８１】
すなわち、前記第１の磁性層４３には、前記非磁性中間層４２との界面４２ａの逆面４３ａ側から前記非磁性中間層４２側にかけて（図示Ｚ方向とは逆方向）、元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）を含有する磁性領域が存在すると共に、前記非磁性中間層４２との界面４２ａから前記逆面４３ａ側にかけて（図示Ｚ方向）の領域の一部に、前記元素Ｘを含まない磁性領域が存在するのである。
【００８２】
図１に示すように例えば模式図的に示せば、点線で区切られた前記逆面４３ａ側の領域Ｃは、元素Ｘを含有した磁性材料で形成されており、一方、前記点線で区切られた非磁性中間層４２側の領域Ｄは、元素Ｘを含有しない磁性材料で形成される。
【００８３】
なお領域Ｃ及びＤとの境界は説明をしやすくするために便宜的に設けたもので、以下に説明するように前記第１の磁性層４３は実際には元素Ｘにおける組成変調などを起しており、したがってこの境界を境として、元素Ｘの含有の有無がはっきりと分かれているわけではない。
【００８４】
非磁性中間層４２との界面４２ａの逆面４３ａ側に元素Ｘを含んだ領域Ｃが存在すると、その領域Ｃでの比抵抗値は、元素Ｘを含まない領域Ｄのそれよりも大きくなる。従って、前記第１の磁性層４３がすべて元素Ｘを含まない磁性領域である場合に比べて、前記電極層８から流れるセンス電流が、前記第１の磁性層４３に分流する量を減らすことができ、いわゆるシャントロスを低減でき、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を従来に比べて向上させることができる。
【００８５】
また前記第１の磁性層４３には、前記非磁性中間層４２側に元素Ｘを含まない磁性領域Ｄが設けられている。
【００８６】
この元素Ｘを含有しない磁性領域Ｄと、第２の磁性層４１とが非磁性中間層４２を介して対向していると、この磁性領域Ｄと第２の磁性層４１間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくすることができる。
【００８７】
従って、従来に比べて第１の磁性層４３へのセンス電流の分流を抑え、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を図ることができると同時に、第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間に生じるＲＫＫＹ相互作用による結合磁界を強めることができ、適切に前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１との磁化を反平行状態にでき、再生特性に優れた磁気検出素子を製造することができる。
【００８８】
次に前記第１の磁性層４３の材質について説明する。元素Ｘを含む領域ＣはＣｏＦｅＸ合金で、元素Ｘを含まない領域ＤはＣｏＦｅ合金で形成されることが好ましい。これはＣｏＦｅ合金を主体とした磁性材料で第１の磁性層４３を形成すると、ＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、前記第１の磁性層４３の磁化と第２の磁性層４１の磁化とを適切に反平行状態に保つことができるからである。
【００８９】
または元素Ｘを含む領域ＣはＣｏＦｅＮｉＸ合金で、元素Ｘを含まない領域ＤはＣｏＦｅＮｉ合金で形成されることが好ましい。これにより前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間に働くＲＫＫＹ相互作用による結合磁界を大きくでき、また前記第１の磁性層４３の軟磁気特性の向上を図ることができる。
【００９０】
ただし前記第１の磁性層４３がＣｏＦｅ合金やＣｏＦｅＮｉ合金を主体とした磁性材料で形成されることに限るものではない。例えば前記第１の磁性層４３はＮｉＦｅ合金を主体とした磁性材料で形成されることも可能である。かかる場合、元素Ｘを含む領域Ｃは、ＮｉＦｅＸ合金で形成され、一方、元素Ｘを含まない領域Ｄは、ＮｉＦｅ合金で形成される。あるいは前記第１の磁性層４３がＣｏを主体とした磁性材料で形成されてもよく、かかる場合、元素Ｘを含む領域ＣはＣｏＸ合金で、元素Ｘを含まない領域ＤはＣｏで形成される。
【００９１】
なお元素Ｘには、Ｃｒを選択することが好ましい。これによって適切に第１の磁性層４３の領域Ｃの比抵抗値を上げることができる。前記ＣｏＦｅＣｒ合金で形成された磁性層であると、比抵抗値を概ね、５０μΩ・ｃｍ程度にすることができる。また前記ＣｏＦｅＮｉＣｒ合金で形成された磁性層であると、比抵抗値を概ね、５５μΩ・ｃｍ程度にすることができる。
【００９２】
次に、前記第１の磁性層４３を構成する元素の組成比について以下に説明する。前記元素Ｘの組成比は３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下であることが好ましい。前記元素Ｘの組成比が３ａｔ％よりも小さいと、元素Ｘを含んだ領域Ｃでの比抵抗を適切に大きくすることができず、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の改善効果が得られないので好ましくない。
【００９３】
一方、元素Ｘの組成比が１５ａｔ％よりも大きくなると、軟磁気特性が劣化するため好ましくない。
【００９４】
またＣｏＦｅあるいはＣｏＦｅＮｉを主体とした磁性材料で、前記第１の磁性層４３が形成されるとき、前記ＣｏYとＦｅ100%-Yとの原子比率Ｙは、８５％以上で９６％以下であることが好ましい。これによって第１の磁性層４３の面心立方晶の構造が安定になり、これにより前記第１の磁性層４３よりも上に位置する層の結晶配向性に悪影響を与えることが無くなる。
【００９５】
またＣｏＦｅＮｉを主体とした磁性材料で、前記第１の磁性層４３が形成されるとき、前記Ｎｉの組成比は、０．５ａｔ％以上で５ａｔ％以下で形成されることが好ましい。これにより前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間で発生するＲＫＫＹ相互作用における交換結合磁界をより適切に強くすることができる。Ｃｏ、Ｆｅ、元素Ｘ及びＮｉ組成比を上記した範囲内で適切に調整することで、スピンフロップ磁界（Ｈｓｆ）を具体的には約２９３（ｋＡ／ｍ）にまで大きくすることができる。また前記第１の磁性層４３の磁歪を−３×１０-6から３×１０-6の範囲内に収めることができ、また保磁力を７９０（Ａ／ｍ）以下に小さくできるなど、第１の磁性層４３の軟磁気特性の向上を適切に図ることができる。
【００９６】
次に第２の磁性層４１は、ＣｏＦｅ合金あるいはＣｏＦｅＮｉ合金で形成されることが好ましい。第１の磁性層４３がＣｏＦｅ合金を主体とした磁性材料で形成されるときは、前記第２の磁性層４１はＣｏＦｅ合金で、前記第１の磁性層４３がＣｏＦｅＮｉ合金を主体とした磁性材料で形成されるときは、前記第２の磁性層４１はＣｏＦｅＮｉ合金で形成されることがなお好ましい。ＣｏＦｅ合金、およびＣｏＦｅＮｉ合金の組成比については、上記の第１の磁性層４３のところで説明した組成範囲と同じである。
【００９７】
上記のように、前記第２の磁性層４１をＣｏＦｅ合金あるいはＣｏＦｅＮｉ合金で形成することで、第１の磁性層４３との間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、前記第２の磁性層４１の磁化と前記第１の磁性層４３の磁化とを適切に反平行状態にすることができる。また前記第２の磁性層４１と非磁性材料層２との間に、ＣｏやＣｏＦｅ合金からなる拡散防止層が設けられていてもよい。かかる場合、例えば前記第２の磁性層４１がＣｏＦｅＮｉ合金で形成され、前記第２の磁性層４１と非磁性材料層２との間にＣｏＦｅなどからなる拡散防止層が設けられる。これにより抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）のさらなる向上を図ることができる。
【００９８】
なお、前記第２の磁性層４１はＣｏＦｅ合金やＣｏＦｅＮｉ合金で形成されることに限定するものではなくＣｏあるいはＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成されていてもよい。
【００９９】
次に第１の磁性層４３及び第２の磁性層４１の膜厚等について以下に説明する。
前記第１の磁性層４３及び第２の磁性層４１の膜厚は１０Å以上で５０Å以下の範囲内であることが好ましい。ただし前記フリー磁性層１を適切な積層フェリ構造にするには、前記第１の磁性層４３の単位面積当たりの磁気モーメント（飽和磁化Ｍｓ×膜厚ｔ）と、第２の磁性層４１の単位面積当たりの磁気モーメントとを異ならせることが必要である。
【０１００】
これによって前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１のＭｓ・ｔの差がフリー磁性層１の実効的なＭｓ・ｔとなる。このＭｓ・ｔ差がゼロであるとフリー磁性層１の実効膜厚がゼロになって媒体磁界に反応して磁化回転することができなくなると共に、スピンフロップ磁界が著しく低下し反平行状態を安定に保つことができなくなる。
【０１０１】
従って、前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１とを異なる膜厚で形成することで、前記第１の磁性層４３の単位面積当たりの磁気モーメントと第２の磁性層４１の単位面積当たりの磁気モーメントを効果的に異ならせることができ、適切な積層フェリ構造を得ることができる。
【０１０２】
ところで図１のようにフリー磁性層１を積層フェリ構造にする利点は、フリー磁性層１の物理的な厚みを極端に薄くすることなしに磁気的な実効的フリー磁性層１の膜厚を薄くでき、外部磁界に対する感度を向上させることができる点にある。「物理的な厚み」とは、第１の磁性層４３及び第２の磁性層４１の膜厚そのものである。すなわち、第１の磁性層４３及び第２の磁性層４１の膜厚を上記した所定膜厚範囲内で形成すると共に、「磁気的な実効的フリー磁性層１の膜厚」、すなわち第１の磁性層４３と第２の磁性層４１との単位面積当たりの磁気モーメントの差を小さくすることで、前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間に働くＲＫＫＹ相互作用による結合磁界を弱めること無しに、狭トラック化においても、感度に優れたフリー磁性層１を形成することを可能とするものである。
【０１０３】
既に説明したように、第１の磁性層４３には元素Ｘを含有した比抵抗の高い領域Ｃが存在するが、この領域Ｃも元素Ｘを含まない領域Ｄと同様に磁性領域であるから、前記第１の磁性層４３の物理的な膜厚とは、図１に示す領域Ｃと領域Ｄとを合わせた膜厚であり、前記第１の磁性層４３に比抵抗の高い領域Ｃを設けたとしても、前記第１の磁性層４３の物理的な膜厚が小さくなるといったことはない。
【０１０４】
例えば、単に前記第１の磁性層４３に分流するセンス電流量を減らすなら、前記第１の磁性層４３の膜厚を極端に薄くしたり、あるいは第１の磁性層４３内に非磁性領域を設けるなどすればよい。しかしかかる場合、第１の磁性層４３の「物理的な膜厚」は小さくなり、またそれに合わせて第２の磁性層４１の物理的な膜厚を薄くしなければならず、薄くしない場合には、第２の磁性層４１との単位面積当たりの磁気モーメントの差が大きくなり、よって「磁気的な実効的フリー磁性層１の膜厚」が厚くなって磁気検出素子の感度が悪化するといった不具合が生じる。
【０１０５】
前記第１の磁性層４３に元素Ｘを含有し比抵抗の高い領域Ｃを形成しながらも、この領域Ｃは磁性領域であるから、前記第１の磁性層４３の「物理的な膜厚」を減少させることなく、さらに「磁気的な実効的フリー磁性層１の膜厚」を厚くすることなく積層フェリ構造とした利点を生かすと共に、センス電流の分流ロスを低減し抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を図ることが可能な磁気検出素子の製造に成功したのである。
【０１０６】
次に、前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間に介在する非磁性中間層４２は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕのうち１種または２種以上の合金で形成されることが好ましい。このうち本形態では、前記非磁性中間層４２がＲｕで形成されることがより好ましい。これよって第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間に発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１との磁化を適切に反平行状態にすることができる。
【０１０７】
次に第１の磁性層４３の層内で生じている組成変調について以下に説明する。後述する製造方法で説明するように、フリー磁性層１の第１の磁性層４３は、例えば非磁性中間層４２上に元素Ｘを含まない、好ましくはＣｏＦｅ合金あるいはＣｏＦｅＮｉ合金で形成された領域Ｄをスパッタ成膜した後、その上に元素Ｘを含む、好ましくはＣｏＦｅＸ合金あるいはＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成された領域Ｃをスパッタ成膜する。
【０１０８】
この後、前記反強磁性層４と固定磁性層３間に交換結合磁界（Ｈｅｘ）を生じさせるための熱処理を施すと、このとき、前記領域Ｃと領域Ｄとの境界で元素Ｘが熱拡散し、領域Ｄ内にも元素Ｘが入り込み、領域Ｃの領域Ｄとの境界付近での元素Ｘは低下する。すなわち熱処理を施すことで、前記第１の磁性層４３には元素Ｘの組成変調が起きている領域が存在するのである。
【０１０９】
従って、本形態では、前記第１の磁性層４３の層内には、前記元素Ｘの含有量が、前記逆面４３ａ側から前記非磁性中間層４２の界面４２ａ側に向けて徐々に少なくなる領域が存在することを確認することができる。
【０１１０】
このように元素Ｘを含む領域Ｃと、元素Ｘを含まない領域Ｄの境界をはっきりと見て取ることは困難で、この境界部分では元素Ｘの組成変調が起こっているのである。例えば電解放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ−ＴＥＭ）を用いたナノビーム特性Ｘ線分析（Ｎａｎｏ−ｂｅａｍ  ＥＤＸ）で前記組成変調を確認できる。
【０１１１】
次に第１の磁性層４３に形成された元素Ｘを含有した領域の範囲について以下に説明する。本形態では、前記第１の磁性層４３の膜厚のうち元素Ｘを含んでいてもその組成比が３ａｔ％よりも低い領域（この領域では非磁性中間層４２との界面４２ａ付近では元素Ｘは０ａｔ％である）の膜厚は３〜１０Åであり、元素Ｘを含み、元素Ｘの組成比が３ａｔ％以上となる領域の膜厚は、３〜１５Åであることが好ましい。
【０１１２】
これによって適切に第１の磁性層４３の比抵抗値を上げることができ、また第２の磁性層４１との間で発生するＲＫＫＹ相互作用による結合磁界を大きくでき、センス電流の分流ロスを適切に低減して抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を図ることができると同時に、前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１の磁化を適切に反平行状態に保つことができる。
【０１１３】
また本形態ではより好ましくは、元素Ｘを含み、元素Ｘの組成比が３ａｔ％以上となる領域の膜厚は、第１の磁性層４３全体の膜厚に対して０％よりも大きく８５％以下であると、前記第１の磁性層４３へのセンス電流の分流量を適切に抑制でき、いわゆるシャントロスを低減でき、よって抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を適切に向上させることが可能である。また前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間で生じるＲＫＫＹ相互作用における結合磁界の低減を防止することができる。
【０１１４】
次に、元素Ｘを含む領域がＣｏＦｅＸ合金あるいはＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成され、元素Ｘを含まない領域がＣｏＦｅ合金あるいはＣｏＦｅＮｉ合金で形成されるとき、前記ＣｏＦｅＸ合金あるいはＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成された領域が第１の磁性層４３に占める膜厚比（ＣｏＦｅＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）あるいは（ＣｏＦｅＮｉＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）は、０より大きく０．６１以下であることが好ましい。なお、３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下の元素Ｘを含んだＣｏＦｅＸあるいはＣｏＦｅＮｉＸからなる領域の膜厚比が０より大きく０．６１以下であることがより好ましい。これにより抵抗変化率を従来（第１の磁性層がＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉのみで形成、以下同じ）よりも大きくできる。また例えば後述する図６ないし１７に示すようなエクスチェンジバイアス方式においてはフリー磁性層１の両側端部における一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ*も例えば５３ｋＡ／ｍよりも大きくすることができる。
【０１１５】
または本形態では、（ＣｏＦｅＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）あるいは（ＣｏＦｅＮｉＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）の膜厚比は、０より大きく０．３６以下であることが好ましい。なお、３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下の元素Ｘを含んだＣｏＦｅＸあるいはＣｏＦｅＮｉＸからなる領域の膜厚比が０より大きく０．３６以下であることがより好ましい。これによってＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくできる。さらに抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を従来よりも大きくできる。
【０１１６】
または本形態では、（ＣｏＦｅＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）あるいは（ＣｏＦｅＮｉＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）の膜厚比は、０．２６以上で０．８２以下であることが好ましい。なお、３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下の元素Ｘを含んだＣｏＦｅＸあるいはＣｏＦｅＮｉＸからなる領域の膜厚比が０．２６以上で０．８２以下であることがより好ましい。これによって、抵抗変化率を例えば１０．２７％以上得ることができ、またシート抵抗変化量（ΔＲｓ）を従来よりも大きくすることができる。
【０１１７】
または本形態では、（ＣｏＦｅＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）あるいは（ＣｏＦｅＮｉＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）の膜厚比は、０．１２以上で０．６１以下であることが好ましい。なお、３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下の元素Ｘを含んだＣｏＦｅＸあるいはＣｏＦｅＮｉＸからなる領域の膜厚比が０．１２以上で０．６１以下であることがより好ましい。これによって抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を従来よりも大きくすることができるとともに、シート抵抗変化量（ΔＲｓ）を例えば１．４６７Ω／□以上にでき、また一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ*を例えば５３ｋＡ／ｍ以上にすることができる。
【０１１８】
または本形態では、（ＣｏＦｅＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）あるいは（ＣｏＦｅＮｉＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）の膜厚比は、０．２６以上で０．６１以下であることが好ましい。なお、３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下の元素Ｘを含んだＣｏＦｅＸあるいはＣｏＦｅＮｉＸからなる領域の膜厚比が０．２６以上で０．６１以下であることがより好ましい。これによって抵抗変化率を１０．２７％以上得ることができ、また一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ*を例えば５３ｋＡ／ｍ以上得ることができる。
【０１１９】
さらには本形態では、（ＣｏＦｅＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）あるいは（ＣｏＦｅＮｉＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）の膜厚比は、０．２６以上で０．３６以下であることが好ましい。なお、３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下の元素Ｘを含んだＣｏＦｅＸあるいはＣｏＦｅＮｉＸからなる領域の膜厚比が０．２６以上で０．３６以下であることがより好ましい。これによって抵抗変化率を１０．２７％以上得ることができ、さらにＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくすることができる。また一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ*を従来よりも大きくすることができる。
【０１２０】
また上記した形態では、前記第１の磁性層４３には、非磁性中間層４２との界面４２ａ付近では、元素Ｘを含まない領域が存在していたが、本形態では、前記第１の磁性層４３全体に元素Ｘが含有されていても、以下の膜組成であれば、適切に第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間に生じるＲＫＫＹ相互作用による結合磁界を大きくすることができる。
【０１２１】
すなわち本形態では、前記第１の磁性層４３の前記非磁性中間層４２との界面４２ａの逆面４３ａ側での前記元素Ｘの含有量が、前記非磁性中間層４２との界面４２ａでの前記含有量に比べて多くなっている形態を提供することができる。
【０１２２】
この形態では、前記非磁性中間層４２との界面４２ａ付近でも元素Ｘが微量ながら含まれており、したがって元素Ｘは第１の磁性層４３全体に含有された状態となっている。
【０１２３】
しかしながら、上記のように前記第１の磁性層４３の非磁性中間層４２との界面４２ａ付近では、元素Ｘの含有量は微量で、好ましくはこの領域での前記元素Ｘは３ａｔ％よりも小さく、これにより前記第２の磁性層４１との間で、適切な大きさのＲＫＫＹ相互作用による結合磁界を発生させることができる。
【０１２４】
また、前記第１の磁性層４３の前記非磁性中間層４２との界面４２ａの逆面４３ａ側では、前記第１の磁性層４３に含まれる元素Ｘの含有量は多量で、好ましくは３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下であり、前記第１の磁性層４３の比抵抗値を適切に上げることができ、前記第１の磁性層４３へのセンス電流の分流ロスを低減でき、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を図ることができる。
【０１２５】
従って上記の膜構成によっても、抵抗変化率の向上とともに、第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間で発生するＲＫＫＹ相互作用による結合磁界を強めることができ、前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１とを適切に反平行状態に磁化制御することができる。
【０１２６】
なお第１の磁性層４３の全域に元素Ｘが存在する場合は、元素Ｘが３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下含んだＣｏＦｅＸあるいはＣｏＦｅＮｉＸからなる領域の膜厚比が０より大きく０．６１以下、０より大きく０．３６以下、０．２６以上で０．８２以下、０．１２以上で０．６１以下あるいは０．２６以上で０．６１以下であることが好ましい。
【０１２７】
また図１の形態では、積層フェリ構造で形成された固定磁性層３の第１の磁性層１３も、フリー磁性層１の第１の磁性層４３と同様に、元素Ｘを含有する領域Ｅと元素Ｘを含有しない領域Ｆで構成されていることが好ましい。
【０１２８】
前記第１の磁性層１３の材質や組成比、前記第１の磁性層１３の中に占める３ａｔ％以上の元素Ｘを含む膜厚比等は、上記したフリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３の場合と同じである。
【０１２９】
図１に示すように、元素Ｘを含む領域Ｅが反強磁性層４との界面４ａ側に存在すると、前記反強磁性層４と元素Ｘを含む領域Ｅとの間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）は、元素Ｘを含まない磁性領域Ｆを、前記反強磁性層４との界面４ａに接して形成する場合に比べて大きくなる。
【０１３０】
また非磁性中間層１２を介してその上下の磁性層１１、１３間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界は、非磁性中間層１２との界面１２ａ側に、元素Ｘを含まない磁性領域Ｆが存在すると、元素Ｘを含む磁性領域Ｅを非磁性中間層との界面１２ａに接して形成する場合に比べて大きくなる。
【０１３１】
以上のように、固定磁性層３を構成する第１の磁性層１３に、反強磁性層４との界面４ａと接する側に元素Ｘを含む磁性領域Ｅを設け、一方、非磁性中間層１２との界面１２ａと接する側に元素Ｘを含まない磁性領域Ｆを設けることで、第１の磁性層１３と反強磁性層４間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくできると同時に、ＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、したがって前記固定磁性層３における一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を従来に比べて適切に大きくすることができる。
【０１３２】
ここで一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）とは、主として反強磁性層４と第１の磁性層１３間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）と、第１の磁性層１３と第２の磁性層１１間で作用するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界とを合わせた磁界のことである。
【０１３３】
また本形態では、前記第１の磁性層１３の反強磁性層４との界面４ａ側に、元素Ｘを含んだ比抵抗の高い磁性領域が存在するため、センス電流が前記第１の磁性層１３に分流する量を小さくでき、いわゆるシャントロスを低減でき、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）のさらなる向上を図ることができる。
【０１３４】
このように本形態では、固定磁性層３における一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくでき、耐エレクトロマイグレーションに代表される通電信頼性を向上させることができると共に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができる。
【０１３５】
また前記第１の磁性層１３では、固定磁性層３と反強磁性層４間で交換結合磁界を生じさせるために熱処理を施すことで、前記第１の磁性層１３を構成する元素Ｘが熱拡散を起し、前記第１の磁性層１３には、前記元素Ｘの含有量が、前記反強磁性層４との界面４ａ側から前記非磁性中間層１２の界面１２ａ側に向けて徐々に少なくなる領域が存在している。
【０１３６】
なお本形態では、前記固定磁性層３は積層フェリ構造で形成されていなくてもよく、例えばＣｏＦｅ合金などの磁性材料層の単層構造あるいは多層構造で構成されていてもよい。
【０１３７】
次に図２に示す磁気検出素子（参考例の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図）では、フリー磁性層１を構成する前記第１の磁性層４３が、磁性層４５と磁性層４６との２層構造で構成される。
【０１３８】
この実施形態では、前記磁性層４５、４６のうち、前記非磁性中間層４２との界面４２ａと逆面４３ａ側（バックド層１５と接する側）に位置する磁性層４５は、元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）を含んだ磁性材料で形成されており、一方、非磁性中間層４２と接する側の磁性層４６は、元素Ｘを含まない磁性材料で形成されている。
【０１３９】
本形態では前記磁性層４５はＣｏＦｅＸ合金で、磁性層４６はＣｏＦｅ合金で形成されることが好ましい。あるいは前記磁性層４５はＣｏＦｅＮｉＸ合金で、磁性層４６はＣｏＦｅＮｉ合金で形成されることが好ましい。これにより適切に第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間に発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を強くすることができ、前記フリー磁性層１の磁化制御を適切に行うことができる。
【０１４０】
この形態では、前記非磁性中間層４２と接する側に元素Ｘを含まない磁性層４６が形成されたことで、前記第２の磁性層４１との間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を、元素Ｘを含む磁性層を前記非磁性中間層４２に接して形成した場合に比べて大きくすることができる。
【０１４１】
またこの形態では、前記第１の磁性層４３の非磁性中間層４２との界面４２ａと逆面４３ａ側の位置に元素Ｘを含んだ、比抵抗の大きい磁性層４５が設けられたことで、前記電極層８から前記第１の磁性層４３へのセンス電流の分流を減らし、いわゆるシャントロスを低減させることができ、したがって抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができる。
【０１４２】
このように本形態によれば、フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３と第２の磁性層４１との間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１の磁化を適切に反平行状態に磁化制御できると共に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができ、今後の高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することが可能である。
【０１４３】
ところでこの形態では図１と異なり、第１の磁性層４３が２層構造となっている。成膜段階では、図１の第１の磁性層４３も図２と同じ２層構造であったが、磁場中熱処理を施すことで、２層の磁性層間で熱拡散を起し、このため前記第１の磁性層４３は、あたかも単一層のようになる。
【０１４４】
一方、図２において、前記第１の磁性層４３が２層構造として完成するのは、例えば反強磁性層４に熱処理を施さなくても、固定磁性層３との間で交換結合磁界（Ｈｅｘ）を発生し得る反強磁性材料を使用したり、あるいは熱処理を施す必要性があっても、その熱処理条件が、前記２層の磁性層４５、４６間で熱拡散を生じないほどの弱い条件であるからである。
【０１４５】
上記した理由から、図２では、第１の磁性層４３が磁性層４５、４６の積層構造を保ったまま完成するのである。
【０１４６】
なお図２では、磁性層４５、４６は２層構造であるが、これが３層以上であってもかまわない。かかる場合でも、非磁性中間層４２との界面４２ａと逆面４３ａ側の位置に元素Ｘを含む、例えばＣｏＦｅＸ合金やＣｏＦｅＮｉＸ合金からなる磁性層を形成し、一方、非磁性中間層４２との界面と接する側の磁性層を、元素Ｘを含まない、例えばＣｏＦｅ合金やＣｏＦｅＮｉ合金で形成する。
【０１４７】
また図２において、元素Ｘを含む磁性層４５の膜厚は、３〜１５Åであることが好ましく、また元素Ｘを含まない磁性層４６の膜厚は、３〜１５Åであることが好ましい。また前記元素Ｘを含む磁性層４５の膜厚は、第１の磁性層４３の膜厚に対して０％よりも大きく８５％以下であることが好ましい。
また元素Ｘの組成比は３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下であることが好ましい。
【０１４８】
これにより、元素Ｘを含有する磁性層４５の比抵抗を効果的に大きくでき、前記第１の磁性層４３へのセンス電流の分流ロスを減少させ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を適切に向上させることが可能である。
【０１４９】
また本形態では、元素Ｘを含む磁性層４５がＣｏＦｅＸ合金あるいはＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成され、元素Ｘを含まない磁性層４６がＣｏＦｅ合金あるいはＣｏＦｅＮｉ合金で形成されるとき、前記ＣｏＦｅＸ合金あるいは前記ＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成された磁性層４５が第１の磁性層４３に占める膜厚比（ＣｏＦｅＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）あるいは（ＣｏＦｅＮｉＸ合金の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）は、０より大きく０．６１以下であることが好ましい。これにより抵抗変化率が従来（第１の磁性層がＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉのみで形成、以下同じ）よりも大きく、また後述する図４ないし図８に示すエクスチェンジバイアス方式においては、フリー磁性層１の両側端部における一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ*を例えば５３ｋＡ／ｍ以上にすることができる。
【０１５０】
または本形態では、（ＣｏＦｅＸ合金で形成された磁性層４５の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）あるいは（ＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成された磁性層４５の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）の膜厚比は、０より大きく０．３６以下であることが好ましい。これによってＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、図４ないし図８に示すエクスチャン時バイアス方式においては、フリー磁性層１の両側端部における一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ*を従来よりも大きくできる。
【０１５１】
または本形態では、（ＣｏＦｅＸ合金で形成された磁性層４５の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）あるいは（ＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成された磁性層４５の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）の膜厚比は、０．２６以上で０．８２以下であることが好ましい。これによって、抵抗変化率を１０．２７％以上得ることができ、またシート抵抗変化量ΔＲｓを従来よりも大きくすることができる。
【０１５２】
または本形態では、（ＣｏＦｅＸ合金で形成された磁性層４５の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）あるいは（ＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成された磁性層４５の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）の膜厚比は、０．１２以上で０．６１以下であることが好ましい。これによって抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を従来よりも大きくすることができ、またシート変化量ΔＲｓを例えば１．４６７Ω／□以上にでき、また一方向性交換バイアス磁界を例えば５３ｋＡ／ｍ以上にすることができる。
【０１５３】
または本形態では、（ＣｏＦｅＸ合金で形成された磁性層４５の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）あるいは（ＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成された磁性層４５の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）の膜厚比は、０．２６以上で０．６１以下であることが好ましい。これによって抵抗変化率を１０．２７％以上得ることができ、また一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ*を例えば５３ｋＡ／ｍ以上にすることができる。
【０１５４】
さらには本形態では、（ＣｏＦｅＸ合金で形成された磁性層４５の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）あるいは（ＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成された磁性層４５の膜厚／第１の磁性層４３の膜厚）の膜厚比は、０．２６以上で０．３６以下であることが好ましい。これによって抵抗変化率を１０．２７％以上得ることができ、さらにＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくすることができる。また一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ*を従来よりも大きくすることができる。
【０１５５】
なお図２に示す形態では、固定磁性層３も積層フェリ構造であり、前記固定磁性層３を構成する第１の磁性層１３は２層の磁性層２３、２４からなる積層構造である。
【０１５６】
前記磁性層２３は元素Ｘを含有する磁性領域であり、一方、磁性層２４は元素Ｘを含まない磁性領域である。反強磁性層４との界面側に元素Ｘを含んだ磁性層２３が存在すると、前記反強磁性層４と磁性層２３間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくすることができる。また磁性層２３の比抵抗を高めることができ、前記第１の磁性層１３に分流するシャントロスを低減させることができ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を図ることができる。また非磁性中間層１２との界面側に元素Ｘを含まない磁性層２４が存在すると、第２の磁性層１１との間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を強めることができる。
【０１５７】
このように本形態では、固定磁性層３における一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を従来に比べて適切に大きくでき、通電信頼性を向上させることができると同時に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができ、今後の高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することが可能である。
【０１５８】
図３は、参考例の磁気検出素子（シングルスピンバルブ型薄膜素子）の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。なお図１及び２と同じ符号が付けられいる層は、図１及び２と同じ層を示している。
【０１５９】
図３では、フリー磁性層１が、反強磁性層４の下側に形成されており、図１及び２と比較すると積層構造が逆になっている。
【０１６０】
図３では、フリー磁性層１が、非磁性材料層２と接して形成される第２の磁性層４１と、非磁性中間層４２を介して前記第２の磁性層４１と対向する第１の磁性層４３との３層構造で構成されている。
【０１６１】
この形態においても前記第１の磁性層４３には、非磁性中間層４２の界面４２ａと逆面４３ａ側に、元素Ｘを含む磁性材料で形成で形成された領域Ｃと、非磁性中間層４２との界面４２ａ側に元素Ｘを含まない磁性材料で形成された領域Ｄとが形成されている。
【０１６２】
前記領域Ｃは、ＣｏＦｅＸ合金あるいはＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成され、領域Ｄは、ＣｏＦｅ合金あるいはＣｏＦｅＮｉ合金で形成されることが好ましい。
【０１６３】
そして、前記第１の磁性層４３の非磁性中間層４２との界面４２ａ側に元素Ｘを含有しない領域Ｄが存在すると、非磁性中間層４２との間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１の磁化を適切に反平行状態に保つことができる。
【０１６４】
しかも第１の磁性層４３には、元素Ｘを含む領域Ｃが前記非磁性中間層４２から離れた位置にあり、この領域Ｃは、元素Ｘが添加されたことによる比抵抗の高い領域であるため、電極層８からのセンス電流が前記第１の磁性層４３に分流するのを減らし、いわゆるシャントロスを低減させることができ、よって抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができる。
【０１６５】
このように本形態では、前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間のＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくすることができ、前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１の磁化を適切に反平行状態に保つことができ、再生特性の向上を図ることができると共に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができ、今後の高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することが可能である。
【０１６６】
また図３に示す形態では、固定磁性層３も積層フェリ構造であり、前記固定磁性層３を構成する第１の磁性層１３も、またフリー磁性層１の第１の磁性層４３と同様に、元素Ｘを含む領域Ｅと元素Ｘを含まない領域Ｆで構成されている。ただし前記固定磁性層３は磁性材料の単層構造あるいは多層構造で形成されていてもよい。
【０１６７】
なおフリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３、非磁性中間層４２及び第２の磁性層４１に使用される材質や、組成比、膜厚、膜厚比などについては図１及び２で説明したものと同じであるので、そちらを参照されたい。
【０１６８】
なお図１ないし図３に示す磁気検出素子の製造方法は、下地層６から保護層７までを成膜した後、この積層体を図のような略台形状にイオンミリングなどを用いて形成し、前記積層体のトラック幅方向の両側にハードバイアス層５及び電極層８を成膜する。
【０１６９】
ところで図１ないし図３に示す磁気検出素子は、磁気検出素子のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側にハードバイアス層５及び電極層８が設けられ、前記下地層６から前記保護層７まで積層された積層体内に流れる電流が、前記磁気検出素子内を各層の膜面に対して平行な方向に流れるＣＩＰ（current  in  the  plane）型の磁気検出素子と呼ばれる構造である。
【０１７０】
一方、図４に示す磁気検出素子は、前記積層体の上下に電極層６５、６８が設けられ、前記電極層６５、６８から前記積層体内に流れる電流が、前記積層体の各層の膜面に対し垂直方向に流れるＣＰＰ（current  perpendicular  to  the  plane）型と呼ばれる構造であり、本形態は、前記ＣＰＰ型の磁気検出素子にも適用可能である。
【０１７１】
なお積層体の積層構造は、図１と同じであるので説明を省略する。なお前記下地層６及び／またはシードレイヤ２２は設けられていなくてもよい。
【０１７２】
図４に示す形態では、前記下地層６の下には下部電極を兼ねた下部シールド層６５が設けられている。前記下部シールド層６５はパーマロイ（ＮｉＦｅ）などの磁性材料でメッキ形成されたものである。
【０１７３】
また図４に示すように前記積層体のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には下から絶縁層６６、ハードバイアス層５及び絶縁層６７がこの順で積層形成されている。前記絶縁層６６、６７はＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などで形成される。前記ハードバイアス層５は、少なくともフリー磁性層１の一方の磁性層と図示Ｘ方向で対向する位置に形成される。図４に示すように前記フリー磁性層１の両側全体と前記ハードバイアス層５とが図示Ｘ方向で対向していてもよい。
【０１７４】
図４に示すように前記絶縁層６７上から保護層７上にかけて上部電極を兼ねた上部シールド層６８が設けられている。
【０１７５】
このように図４に示す磁気検出素子では積層体の上下に電極を兼ねたシールド層６５、６８が設けられ、前記シールド層６５、６８間に流れる電流は、前記積層体内を膜面に対し垂直な方向に流れるようになっている。
【０１７６】
図４に示す磁気検出素子では、前記ハードバイアス層５の上下が、絶縁層６６、６７によって覆われているので、前記上部シールド層６８から前記積層体内に流れる電流が、前記ハードバイアス層５に分流せず、前記電流は積層体内を適切に流れる。よって図４に示す構造の磁気検出素子であれば、電流経路がトラック幅Ｔｗから広がるのを抑制でき再生出力の大きいＣＰＰ型の磁気検出素子を製造することが可能になる。
【０１７７】
また図４に示す磁気検出素子では磁気検出素子を構成する非磁性材料層２がＣｕなどの非磁性導電材料で形成されてもよいし、あるいは前記非磁性材料層２がＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成されてもよい。前者の磁気検出素子はスピンバルブＧＭＲ型磁気抵抗効果素子（ＣＰＰ−ＧＭＲ）と呼ばれる構造であり、後者の磁気検出素子はスピンバルブトンネル型磁気抵抗効果型素子（ＣＰＰ−ＴＭＲ）と呼ばれる構造である。
【０１７８】
トンネル型磁気抵抗効果型素子は、スピントンネル効果を利用して抵抗変化を生じさせるものであり、固定磁性層３とフリー磁性層１との磁化が反平行のとき、最も前記非磁性材料層２を介してトンネル電流が流れにくくなって、抵抗値は最大になり、一方、前記固定磁性層３とフリー磁性層１との磁化が平行のとき、最もトンネル電流は流れ易くなり抵抗値は最小になる。
【０１７９】
この原理を利用し、外部磁界の影響を受けてフリー磁性層１の磁化が変動することにより、変化する電気抵抗を電圧変化（定電流動作時）あるいは電流変化（低電圧動作時）としてとらえ、記録媒体からの洩れ磁界が検出されるようになっている。
【０１８０】
なお図４に示す積層体の膜構成は図１と同じであったが、この積層体構造が図２や図３と同じであってもかまわない。
【０１８１】
また図５のように、下部電極を兼用した下部シールド層６５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の中央部に、前記磁気検出素子方向（図示Ｚ方向）に突出した突出部６５ａが設けられ、この突出部６５ａの上面６５ａ１が前記積層体の下面に接しており、前記突出部６５ａから前記積層体内に（あるいは積層体から前記突出部６５ａに）電流が流れるようになっている。
【０１８２】
そして図５に示す形態では前記下部シールド層６５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端部６５ｂと前記絶縁層６６間に絶縁層６９が設けられている。前記絶縁層６９は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ2Ｏ3、Ｔｉ3Ｏ5などの絶縁材料で形成される。
【０１８３】
図５に示す形態では、下部シールド層６５は、突出部６５ａの形成によって磁気検出素子に対する電流経路が絞り込まれる。
【０１８４】
そして前記下部シールド層６５の両側端部６５ｂ上に絶縁層６９が設けられるので、仮に絶縁層６６が形成されず、前記絶縁層６９上からハードバイアス層５が形成されても前記両側端部６５ｂから前記ハードバイアス層５内に電流が分流することを適切に抑制でき、より効果的に再生出力が大きく実効トラック幅が狭い磁気検出素子を製造することが可能になる。
【０１８５】
ただし、上記のように絶縁層６６を設けない構成とする場合、前記突出部６５ａの上面６５ａ１のトラック幅方向における幅寸法Ｔ１を、前記積層体の下面のトラック幅方向における幅寸法Ｔ２と同じにするか、あるいは前記Ｔ２よりも小さくした方が適切に前記ハードバイアス層５への分流ロスを抑制できて好ましい。なお前記絶縁層６６と絶縁層６９は単一の絶縁層であってもよい。
【０１８６】
以上、詳述した図１ないし図５に示す磁気検出素子は、フリー磁性層１が積層フェリ構造であり、しかも前記フリー磁性層１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側にはハードバイアス層５が形成され、このハードバイアス層５からの縦バイアス磁界と、前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間で働くＲＫＫＹ相互作用による結合磁界とによって、前記フリー磁性層１の磁化制御を行うものであったが、以下に説明する図６ないし図１７に示す磁気検出素子では、フリー磁性層１上にトラック幅方向（図示Ｘ方向）に所定の間隔を開けて反強磁性層が形成された、エクスチェンジバイアス方式によって前記フリー磁性層１の磁化制御を行う構造である。以下、図６ないし図１７に示す磁気検出素子の構造について説明する。
【０１８７】
図６は、参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。なお図１と同じ符号が付けられている層は、図１と同じ層を示している。
【０１８８】
この形態では、フリー磁性層１上にトラック幅方向（図示Ｘ方向）に所定の間隔（＝トラック幅Ｔｗ）を開けて第２反強磁性層（エクスチェンジバイアス層）４７が形成されている。前記第２反強磁性層４７とフリー磁性層１との間に強磁性層が設けられていてもよい。
【０１８９】
また前記第２反強磁性層４７間の間隔４７ａ内から露出するフリー磁性層１上に例えばＴａなどで形成された非磁性層が設けられていてもよい。また非磁性層はＴａの酸化物などからなるスペキュラー層（鏡面反射層）であってもよい。
【０１９０】
図６に示すように前記フリー磁性層１は図１と同様に積層フェリ構造であり、前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３には、非磁性中間層４２の界面４２ａと逆面４３ａ側（第２反強磁性層４７と対向する側）に元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）を含有する磁性領域Ｃが存在し、非磁性中間層４２の界面４２ａと接する側に元素Ｘを含有しない磁性領域Ｄが存在する。
【０１９１】
前記領域Ｃは、ＣｏＦｅＸ合金やＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成され、領域Ｄは、ＣｏＦｅ合金やＣｏＦｅＮｉ合金で形成されることが好ましい。
【０１９２】
上記のように前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３のうち、元素Ｘを含んだ磁性領域Ｃが第２反強磁性層４７と接する側に形成されていると、前記第１の磁性層４３と前記第２反強磁性層４７との間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくできる。
【０１９３】
しかも前記第１の磁性層４３には元素Ｘを含有しない磁性領域Ｄが非磁性中間層４２と接する側にあるので、前記第１の磁性層４３と第２の磁性層４１との間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくできる。
【０１９４】
その結果、従来に比べてフリー磁性層１における両側端部Ｇでの一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくすることが可能である。
【０１９５】
従って、前記フリー磁性層１の両側端部Ｇの磁化のピン止めを適切に行うことができ、一方、前記フリー磁性層１の中央部Ｈでは、磁化が外部磁界に対し反転できる程度に弱く単磁区化された状態であり、よって図４に示す構造であれば、適切にフリー磁性層１の磁化制御を行うことが可能である。
【０１９６】
しかも前記第１の磁性層４３には元素Ｘを含む比抵抗の高い領域Ｃが存在するから、電極層８から前記第１の磁性層４３に流れるセンス電流のシャントロスを低減でき、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を適切に図ることが可能である。
【０１９７】
このように図６に示す形態では、フリー磁性層１の両側端部Ｇにおける一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくでき、フリー磁性層１の磁化制御を適切に行うことができると共に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができ、今後の高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することが可能である。
【０１９８】
なおフリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３、第２の磁性層４１及び非磁性中間層４２に使用できる材質や、組成比、膜厚などについては図１で説明したものと同じであるので、そちらを参照されたい。また前記第１の磁性層４３の膜構成は、図１で説明した領域Ｄが元素Ｘを含んでいてもその含有量が微量である構成、あるいは図２で説明した２層構造であってもよい。
【０１９９】
また固定磁性層３を構成する第１の磁性層１３も、フリー磁性層１の第１の磁性層４３と同じ構成で形成されていてもよい。
【０２００】
また上記では、フリー磁性層１と第２反強磁性層４７との間に強磁性層が形成されていてもよいと説明したが、かかる場合、前記強磁性層は元素Ｘを含んだ、例えばＣｏＦｅＸ合金、ＣｏＦｅＮｉＸ合金などで形成されていることが好ましい。
【０２０１】
これにより前記強磁性層と第２反強磁性層４７間で発生する交換結合磁界を大きくでき、よって前記フリー磁性層１の両側領域Ｇに生じる一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を適切に大きくでき、前記フリー磁性層１の磁化制御を適切に行うことが可能である。
【０２０２】
なお前記フリー磁性層１と第２反強磁性層４７間に介在する強磁性層は、前記フリー磁性層１の中央部Ｈ上にも形成されていてもよい。あるいは前記第２反強磁性層４７は図６の一点鎖線で示すように、前記フリー磁性層１の中央部Ｈ上にも一部形成されていてもよい。かかる場合、前記フリー磁性層１の中央部Ｈ上に形成された第２反強磁性層４７ｂと前記フリー磁性層１間に上記した強磁性層が介在していてもかまわない。
【０２０３】
ただし、前記フリー磁性層１の中央部Ｈ上に第２反強磁性層４７ｂが一部形成される場合には、前記第２反強磁性層４７ｂの膜厚を薄く形成し（５０Å以下）、前記第２反強磁性層４７ｂとフリー磁性層１の中央部Ｈ間で交換結合磁界が生じないように、あるいは生じてもその値が非常に小さくなるようにする必要性がある。前記フリー磁性層１の中央部Ｈと前記第２反強磁性層４７ｂ間で大きな交換結合磁界が生じると、前記中央部Ｈのフリー磁性層１が磁化固定されてしまい、前記フリー磁性層１の外部磁界に対する感度が鈍り、再生特性の劣化を招くからである。
【０２０４】
図６に示す磁気検出素子の製造方法は、例えば下地層６から第２反強磁性層４７までを連続成膜した後、前記第２反強磁性層４７の中央部Ｈをイオンミリングで掘り込み、図４に示すような、第２反強磁性層４７、４７間に間隔（穴部）４７ａを形成する。
【０２０５】
図７は、図６と同様にフリー磁性層１の磁化制御をエクスチェンジバイアス方式で行う構造であるが、前記フリー磁性層１よりも上側に形成された各層の構成が図６とでは異なる。
【０２０６】
図７に示す磁気検出素子の製造方法は、例えばまず下地層６からフリー磁性層１までを連続成膜した後、前記フリー磁性層１の上全面に反強磁性層（以下では、この反強磁性層を第３反強磁性層と呼ぶ）５０を成膜する。本形態では前記第３反強磁性層５０の膜厚を２０Å以上で５０Å以下で形成することが好ましく、より好ましくは３０Å以上で４０Å以下で形成する。
【０２０７】
さらに前記第３反強磁性層５０の上にＲｕなどの非磁性層５１を一定の膜厚で形成する。
【０２０８】
図７に示す実施形態では、前記フリー磁性層１上の全面に第３反強磁性層５０を形成し、しかも前記第３反強磁性層５０を５０Å以下の薄い膜厚で形成することに第１の特徴点がある。
【０２０９】
上記のように非磁性層５１までを成膜した後、固定磁性層３と反強磁性層４間に交換結合磁界を生じさせるための磁場中熱処理を施すが、前記第３反強磁性層５０を５０Å以下の薄い膜厚で形成することにより、前記第３反強磁性層５０は非反強磁性の性質を帯びており、このため上記の磁場中熱処理を施しても、前記第３反強磁性層５０は規則化変態しにくく、前記第３反強磁性層５０とフリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３間で交換結合磁界が発生せずあるいは発生してもその値は小さく、前記フリー磁性層１の磁化が、固定磁性層３と同じように強固に固定されることがない。
【０２１０】
そして次に、前記非磁性層５１のトラック幅方向の両側端部５１ａをイオンミリングで削って、前記両側端部５１ａの膜厚をさらに薄くした後、前記両側端部５１ａ上に第２反強磁性層４７、電極層８を成膜し、最後に第３反強磁性層５０の両側端部Ｇとフリー磁性層１の第１の磁性層４３間で交換結合磁界を発生させるための磁場中熱処理を施すのであるが、本形態では、前記非磁性層５１に、大気暴露によっても酸化されにくい緻密な層を使用しており、例えば前記非磁性層５１をＲｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈのいずれか１種または２種以上からなる貴金属で形成している。
【０２１１】
Ｒｕなどの貴金属からなる非磁性層５１は大気暴露によって酸化されにくい緻密な層であり、前記非磁性層５１の膜厚が薄くても前記第３反強磁性層５０が大気暴露によって酸化されるのを適切に防止できる。
【０２１２】
本形態では前記非磁性層５１を成膜段階で３Å以上で１０Å以下で形成している点に第２の特徴点があり、このように薄い膜厚で前記非磁性層５１を形成したことによって前記非磁性層５１の両側端部５１ａ上をイオンミリングで削る工程時に低エネルギーのイオンミリングを使用できミリング制御を適切に向上させることができる。
【０２１３】
図７に示す実施形態では、前記非磁性層５１の両側端部５１ａは、中央部５１ｂの膜厚よりもイオンミリングによって薄く形成され、前記両側端部５１ａ上に第２反強磁性層４７が形成されている。本形態では前記非磁性層５１の両側端部５１ａは、３Å以下の薄い膜厚であり（前記非磁性層５１の両側端部５１ａはイオンミリングによってすべて除去されていてもよい）、このように非磁性層５１の両側端部５１ａが非常に薄い膜厚で形成されたことで、前記両側端部５１ａ上に形成された第２反強磁性層４７と第３反強磁性層５０の両側領域Ｇとの間で反強磁性的な相互作用を生じさせることができ、前記第２反強磁性層４７と前記第３反強磁性層５０の両側端部Ｇとを一体の反強磁性層のように機能させることができるのである。
【０２１４】
また上記したように、非磁性層５１はＲｕなどで形成され、成膜段階において３Å〜１０Å程度の薄い膜厚で形成され、これによって前記非磁性層５１の両側端部５１ａをイオンミリングで削る工程で、低エネルギーのイオンミリングを使用できると説明したが、この低エネルギーのイオンミリングを使用できることで、非磁性層５１の両側端部５１ａを非常に薄い膜厚で残すことが可能になり、またたとえ前記非磁性層５１の両側端部５１ａをすべてイオンミリングで除去したとしても、それによって露出した第３反強磁性層５０の両側領域Ｇ上はイオンミリングのダメージを受け難く、前記第３反強磁性層５０の両側端部Ｇは反強磁性層としての性質を適切に保つことが可能である。従って、本形態では前記第２反強磁性層４７と前記第３反強磁性層５０の両側端部Ｇとを適切に一体の反強磁性層のように機能させることができ、前記フリー磁性層１の磁化制御を適切に行うことが可能になるのである。
【０２１５】
図７に示す実施形態においても図１ないし６と同じように、前記フリー磁性層１は積層フェリ構造であり、前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３には、非磁性中間層４２の界面４２ａと逆面４３ａ側（第３の反強磁性層５０と接する側）に元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）を含有する磁性領域Ｃが存在し、非磁性中間層４２の界面４２ａと接する側に元素Ｘを含有しない磁性領域Ｄが存在する。
【０２１６】
前記領域Ｃは、ＣｏＦｅＸ合金やＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成され、領域Ｄは、ＣｏＦｅ合金やＣｏＦｅＮｉ合金で形成されることが好ましい。
【０２１７】
そして前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３が、上記した膜構成であると、前記第３の反強磁性層５０の両側端部Ｇとの間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくできると共に、非磁性中間層２７との間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、その結果、フリー磁性層１における両側領域Ｇでの一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくすることが可能である。
【０２１８】
従って、前記フリー磁性層１の両側領域Ｇの磁化のピン止めを適切に行うことができ、一方、前記フリー磁性層１の中央部Ｈでは、磁化が外部磁界に対し反転できる程度に弱く単磁区化された状態であり、よって図７に示す構造であれば、適切にフリー磁性層１の磁化制御を行うことが可能である。
【０２１９】
しかも前記第１の磁性層４３には元素Ｘを含む比抵抗の高い領域Ｃが存在するから、電極層８から前記第１の磁性層４３に流れるセンス電流のシャントロスを低減でき、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を適切に図ることが可能である。
【０２２０】
このように本形態では、フリー磁性層１の両側領域Ｇにおける一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくでき、フリー磁性層１の磁化制御を適切に行うことができると共に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができ、今後の高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することが可能である。
【０２２１】
なおフリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３、非磁性中間層４２及び第２の磁性層４１に使用できる材質や、組成比、膜厚などについては図１で説明したものと同じであるので、そちらを参照されたい。また前記第１の磁性層４３の膜構成は、図１で説明した領域Ｄが元素Ｘを含んでいてもその含有量が微量である構成、あるいは図２で説明した２層構造であってもよい。
【０２２２】
また固定磁性層３を構成する第１の磁性層１３も、フリー磁性層１の第１の磁性層４３と同じ構成で形成されていてもよい。
【０２２３】
図８は参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０２２４】
図８に示す形態も図７と同様に、フリー磁性層１の上に、第３反強磁性層５０が形成され、前記第３反強磁性層５０の上にＲｕなどで形成された非磁性層５１が形成され、さらに非磁性層５１の上に第２反強磁性層４７が形成されている。
【０２２５】
図８に示す形態は、図７と異なる製造方法によって形成されたものであるが、第３反強磁性層５０及び非磁性層５１の材質や機能等は図７と同じである。
【０２２６】
図８の磁気検出素子の製造方法は、まず下地層６から非磁性層５１までを連続成膜した後、反強磁性層４と固定磁性層３間に交換結合磁界を生じさせるための第１の磁場中アニールを施す。次に前記非磁性層５１の上面を一律にイオンミリングによって薄くし（３Å以下）、さらに前記非磁性層５１の上に第２反強磁性層４７を形成した後、前記第２反強磁性層４７の中央部Ｈをイオンミリングなどによって掘り込む。そして前記第３反強磁性層５０の両側端部Ｇとフリー磁性層１の第１の磁性層４３間で交換結合磁界を生じさせるための第２の磁場中熱処理を施す。
【０２２７】
図８に示す形態では、前記非磁性層５１上に形成された第２反強磁性層４７は、中央部Ｈ上にも一部形成されている（残されている）が、さらにイオンミリングによってこの中央部Ｈの第２反強磁性層４７をすべて掘り込み、前記中央部Ｈに非磁性層５１の表面を露出させてもよい。
【０２２８】
なお前記中央部Ｈに残された第２反強磁性層４７ｂの膜厚と前記第３反強磁性層５０の膜厚とを足した総合膜厚が２０Å以上で５０Å以下になるように、上記したイオンミリングによる掘り込み量を調節し、前記第３反強磁性層５０の中央部Ｈが反強磁性の性質を帯びないようにする必要性がある。これによって前記第３反強磁性層５０の中央部Ｈとフリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３の中央部Ｈとの間で交換結合磁界が発生しないようにすることができる。
【０２２９】
なお上記したように前記中央部Ｈの前記第２反強磁性層４７をすべてイオンミリングで除去し、前記中央部Ｈから非磁性層５１表面を露出させてもよいし、あるいは前記中央部Ｈに露出した非磁性層４７をさらにすべて除去し、前記中央部Ｄから第３反強磁性層５０表面を露出させてもよい（このとき若干、第３反強磁性層５０表面が削れてもよい）。
【０２３０】
この図８に示す形態においても図１ないし７と同じように、前記フリー磁性層１は積層フェリ構造であり、前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３には、非磁性中間層４２の界面４２ａと逆面４３ａ側（第３の反強磁性層５０と接する側）に元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）を含有する磁性領域Ｃが存在し、非磁性中間層４２の界面４２ａと接する側に元素Ｘを含有しない磁性領域Ｄが存在する。
【０２３１】
前記領域Ｃは、ＣｏＦｅＸ合金やＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成され、領域Ｄは、ＣｏＦｅ合金やＣｏＦｅＮｉ合金で形成されることが好ましい。
【０２３２】
そして前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３が、上記した膜構成であると、前記第３の反強磁性層５０の両側端部Ｇとの間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくできると共に、非磁性中間層４２との間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、その結果、フリー磁性層１における両側領域Ｇでの一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくすることが可能である。
【０２３３】
従って、前記フリー磁性層１の両側領域Ｇの磁化のピン止めを適切に行うことができ、一方、前記フリー磁性層１の中央部Ｈでは、磁化が外部磁界に対し反転できる程度に弱く単磁区化された状態であり、よって図８に示す構造であれば、適切にフリー磁性層１の磁化制御を行うことが可能である。
【０２３４】
しかも前記第１の磁性層４３には元素Ｘを含む比抵抗の高い領域Ｃが存在するから、電極層８から前記第１の磁性層４３に流れるセンス電流のシャントロスを低減でき、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を適切に図ることが可能である。
【０２３５】
このように本形態では、フリー磁性層１の両側領域Ｇにおける一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくでき、フリー磁性層１の磁化制御を適切に行うことができると共に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができ、今後の高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することが可能である。
【０２３６】
なおフリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３、非磁性中間層４２や第２の磁性層４１に使用できる材質や、組成比、膜厚などについては図１で説明したものと同じであるので、そちらを参照されたい。また前記第１の磁性層４３の膜構成は、図１で説明した領域Ｄが元素Ｘを含んでいてもその含有量が微量である構成、あるいは図２で説明した２層構造であってもよい。
【０２３７】
また固定磁性層３を構成する第１の磁性層１３も、フリー磁性層１の第１の磁性層４３と同じ構成で形成されていてもよい。
【０２３８】
図９は参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０２３９】
図９に示す形態は図７に示す実施形態と異なって、前記フリー磁性層１の上に第３反強磁性層５０が設けられておらず、前記フリー磁性層１の中央部Ｈ上に非磁性層５１が形成されている。前記フリー磁性層１上に非磁性層５１を形成することで、前記フリー磁性層１を大気暴露による酸化から適切に保護することができる。
【０２４０】
本形態では、前記非磁性層５１は大気暴露によって酸化されにくい緻密な層である必要がある。本形態では前記非磁性層５１をＲｕ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕのいずれか１種または２種以上からなる貴金属で形成することが好ましい。また前記非磁性層５１はＣｒなどの酸化物からなるスペキュラー層（鏡面反射層）であってもよい。
【０２４１】
Ｒｕなどの貴金属からなる非磁性層５１は大気暴露によって酸化されにくい緻密な層である。したがって前記非磁性層５１の膜厚を薄くしてもフリー磁性層１が大気暴露によって酸化されるのを適切に防止できる。
【０２４２】
図９に示す磁気検出素子は、まず下地層６から非磁性層５１までを連続成膜する。前記非磁性層５１の成膜段階での膜厚は、３Å以上で２０Å以下であることが好ましい。より好ましくは３Å以上で１０Å以下である。この程度の薄い膜厚の非磁性層５１によっても適切に前記フリー磁性層１が大気暴露によって酸化されるのを適切に防止することが可能である。
【０２４３】
前記非磁性層５１までを成膜した後、第１の磁場中熱処理を施して固定磁性層３と反強磁性層４間に交換結合磁界を生じさせ、次に前記非磁性層５１の両側端部Ｇ（図７では前記両側端部Ｇには非磁性層５１が形成されていないが、前記非磁性層５１を成膜した段階では、この両側端部Ｇにも非磁性層５１は形成されている）を、イオンミリングなどで削り込む。図９に示す形態では、前記非磁性層５１の両側端部Ｇはすべて削って除去された状態となっているが、若干、前記非磁性層５１の両側端部Ｇを前記フリー磁性層１の両側端部Ｇ上に残してもよい。ただし、残された非磁性層５１の両側端部Ｇの膜厚は非常に薄い膜厚とし、前記フリー磁性層１の第１の磁性層４３の両側端部Ｇと、前記非磁性層５１を介して形成される強磁性層５２間に強磁性的な結合が生じるようにすることが必要である。
【０２４４】
本形態では上記のように前記非磁性層５１をＲｕなどの貴金属で形成し、しかも前記非磁性層５１を成膜段階で３Å〜２０Å程度、より好ましくは３Å〜１０Å程度の薄い膜厚で形成したことに特徴点がある。このように薄い膜厚で前記非磁性層５１を形成したことによって、前記非磁性層５１の両側端部Ｇをイオンミリングで除去する工程において、低エネルギーのイオンミリングで前記非磁性層５１の両側端部Ｇを除去できミリング制御を向上させることができる。
【０２４５】
図９に示す形態では、前記非磁性層５１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側から露出したフリー磁性層１の両側端部Ｇ上に強磁性層５２が形成され、さらに前記強磁性層５２の上に第２反強磁性層４７、電極層８が形成されている。
【０２４６】
上記したように、非磁性層５１の両側端部Ｇをイオンミリングで除去する工程において、低エネルギーのイオンミリングで前記非磁性層５１の両側端部Ｇを削り込むことができるから、露出した前記フリー磁性層１の第１の磁性層４３の両側端部Ｇの磁気特性を良好に保つことができ、前記フリー磁性層１の第１の磁性層４３の両側端部Ｇ上に形成される強磁性層５２との間での強磁性的な結合を強めることができる。
【０２４７】
電極層８まで形成した後、前記第２反強磁性層４７と強磁性層５２間に交換結合磁界を生じさせるための第２の磁場中熱処理を施す。
【０２４８】
前記交換結合磁界を強めるには、前記強磁性層５２に元素Ｘが含有されていることが好ましい。前記強磁性層５２は例えばＣｏＦｅＸ合金やＣｉＦｅＮｉＸ合金で形成されることが好ましい。
【０２４９】
図９に示す形態においても図１ないし図８と同じように、前記フリー磁性層１は積層フェリ構造であり、前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３には、非磁性中間層４２の界面４２ａと逆面４３ａ側（強磁性層５２や非磁性層５１と接する側）に元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）を含有する磁性領域Ｃが存在し、非磁性中間層４２の界面４２ａと接する側に元素Ｘを含有しない磁性領域Ｄが存在する。
【０２５０】
前記領域Ｃは、ＣｏＦｅＸ合金やＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成され、領域Ｄは、ＣｏＦｅ合金やＣｏＦｅＮｉ合金で形成されることが好ましい。
【０２５１】
元素Ｘが含有された前記強磁性層５２の層厚が５Å程度に薄い場合には、第２反強磁性層４７との間で発生する交換結合磁界Ｈｅｘを十分に大きくできないが、本形態のように前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３が、上記した膜構成であると、第１の磁性層４３のＣ領域と合計することによりＸを含有した領域を厚くすることができ、交換結合磁界Ｈｅｘを効果的に大きくできる。また第１の磁性層４３と第２の磁性層４１間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、その結果、フリー磁性層１における両側領域Ｇでの一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくすることが可能である。
【０２５２】
従って、前記フリー磁性層１の両側領域Ｇの磁化のピン止めを適切に行うことができ、一方、前記フリー磁性層１の中央部Ｈでは、磁化が外部磁界に対し反転できる程度に弱く単磁区化された状態であり、よって図９に示す構造であれば、適切にフリー磁性層１の磁化制御を行うことが可能である。
【０２５３】
しかも前記第１の磁性層４３には元素Ｘを含む比抵抗の高い領域Ｃが存在するから、電極層８から前記第１の磁性層４３に流れるセンス電流のシャントロスを低減でき、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を適切に図ることが可能である。
【０２５４】
このように本形態では、フリー磁性層１の両側領域Ｇにおける一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくでき、フリー磁性層１の磁化制御を適切に行うことができると共に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができ、今後の高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することが可能である。
【０２５５】
なおフリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３、非磁性中間層４２や第２の磁性層４１に使用できる材質や、組成比、膜厚などについては図１で説明したものと同じであるので、そちらを参照されたい。また前記第１の磁性層４３の膜構成は、図１で説明した領域Ｄが元素Ｘを含んでいてもその含有量が微量である構成、あるいは図２で説明した２層構造であってもよい。
【０２５６】
また固定磁性層３を構成する第１の磁性層１３も、フリー磁性層１の第１の磁性層４３と同じ構成で形成されていてもよい。
【０２５７】
図１０は、参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０２５８】
図１０に示す形態では、フリー磁性層１の上に、非磁性層５１が形成され、前記非磁性層５１上に強磁性層５２が形成され、さらに前記強磁性層５２上に第２反強磁性層４７が形成されている。
【０２５９】
図１０に示す磁気検出素子は図９に示す磁気検出素子と異なる製造方法によって製造されたものである。なお前記非磁性層５１や強磁性層５２の材質や機能等は図９と同じである。
【０２６０】
図１０に示す磁気検出素子の製造方法は、まず下地層６から非磁性層５１までを成膜した後、反強磁性層４と固定磁性層３間に交換結合磁界を生じさせるための第１の磁場中熱処理を施す。
【０２６１】
次に前記非磁性層５１表面を一律にイオンミリングによって削って薄くした後、前記非磁性層５１上に強磁性層５２、第２反強磁性層４７、電極層８を成膜し、前記第２反強磁性層４７の中央部Ｈをイオンミリングで掘り込む。そして前記強磁性層５２と第２反強磁性層４７間で交換結合磁界を生じさせるための第２の磁場中熱処理を施す。
【０２６２】
この形態では、前記中央部Ｈにも一部、第２反強磁性層４７ｂが残されており、この中央部Ｈに残された第２反強磁性層４７ｂの膜厚（５０Å以下）は、両側端部Ｇに形成された第２反強磁性層４７の膜厚よりも薄く形成されている。中央部Ｈに残された第２反強磁性層４７ｂの膜厚を薄くすると、前記第２反強磁性層４７ｂと強磁性層５２間で交換結合磁界が発生しない、あるいは発生してもその値を非常に小さくすることができる。
【０２６３】
図１０に示すＲｕなどで形成された非磁性層５１の膜厚（イオンミリング後の膜厚）は３Å以下と非常に薄く、これによって前記強磁性層５２とフリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３間に強磁性的な結合が生じさせることができる。
【０２６４】
前記強磁性層５２の両側端部Ｇが第２反強磁性層４７との間で発生する交換結合磁界によってトラック幅方向に磁化固定されると、前記フリー磁性層１の第１の磁性層４３の両側端部Ｇも強磁性層５２との強磁性的な結合によって、前記強磁性層５２の磁化方向と同一方向に磁化固定される。一方、前記フリー磁性層１の第２の磁性層４１の両側端部Ｇは、前記第１の磁性層４３との間で生じるＲＫＫＹ相互作用における結合磁界によって、前記第１の磁性層４３の磁化方向と反対方向に磁化固定される。
【０２６５】
前記フリー磁性層１の中央部Ｈでは、外部磁界に対し磁化反転できる程度に単磁区化されており、前記中央部Ｈでの第１の磁性層４３の磁化と第２の磁性層４１の磁化は反平行状態を保った状態で、外部磁界に対して磁化反転するようになっている。
【０２６６】
この図１０に示す形態においても図９と同じように、前記フリー磁性層１は積層フェリ構造であり、前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３には、非磁性中間層４２の界面４２ａと逆面４３ａ側（強磁性層５２や非磁性層５１と接する側）に元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）を含有する磁性領域Ｃが存在し、非磁性中間層４２の界面４２ａと接する側に元素Ｘを含有しない磁性領域Ｄが存在する。
【０２６７】
前記領域Ｃは、ＣｏＦｅＸ合金やＣｏＦｅＮｉＸ合金で形成され、領域Ｄは、ＣｏＦｅ合金やＣｏＦｅＮｉ合金で形成されることが好ましい。
【０２６８】
元素Ｘが含有された前記強磁性層５２の層厚が５Å程度に薄い場合には、第２反強磁性層４７との間で発生する交換結合磁界Ｈｅｘを十分に大きくできないが、本形態のように前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３が、上記した膜構成であると、第１の磁性層４３のＣ領域と合計することによりＸを含有した領域を厚くすることができ、交換結合磁界Ｈｅｘを効果的に大きくできる。また第１の磁性層４３と第２の磁性層４１との間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、その結果、フリー磁性層１における両側領域Ｇでの一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくすることが可能である。
【０２６９】
従って、前記フリー磁性層１の両側領域Ｇの磁化のピン止めを適切に行うことができ、一方、前記フリー磁性層１の中央部Ｈでは、磁化が外部磁界に対し反転できる程度に弱く単磁区化された状態であり、よって図１０に示す構造であれば、適切にフリー磁性層１の磁化制御を行うことが可能である。
【０２７０】
しかも前記第１の磁性層４３には元素Ｘを含む比抵抗の高い領域Ｃが存在するから、電極層８から前記第１の磁性層４３に流れるセンス電流のシャントロスを低減でき、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の向上を適切に図ることが可能である。
【０２７１】
このように本形態では、フリー磁性層１の両側領域Ｇにおける一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくでき、フリー磁性層１の磁化制御を適切に行うことができると共に、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができ、今後の高記録密度化に適切に対応可能な磁気検出素子を製造することが可能である。
【０２７２】
また前記第２反強磁性層４７の中央部Ｈをイオンミリングで削り込む工程時に、前記中央部Ｈの全ての第２反強磁性層４７を削って、前記中央部Ｈから強磁性層５２表面（このとき前記強磁性層５２表面が一部削れていてもよい）を露出させてもよいし、さらに前記中央部Ｈから露出した強磁性層５２をも全て削って前記中央部Ｈから非磁性層５１表面を露出させてもよいし、さらに前記中央部Ｈから露出した前記非磁性層５１をすべて削って、フリー磁性層１の第１の磁性層４３表面を前記中央部Ｈから露出させてもよい。
【０２７３】
なおフリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３、非磁性中間層４２や第２の磁性層４１に使用できる材質や、組成比、膜厚などについては図１で説明したものと同じであるので、そちらを参照されたい。また前記第１の磁性層４３の膜構成は、図１で説明した領域Ｄが元素Ｘを含んでいてもその含有量が微量である構成、あるいは図２で説明した２層構造であってもよい。
【０２７４】
また固定磁性層３を構成する第１の磁性層１３も、フリー磁性層１の第１の磁性層４３と同じ構成で形成されていてもよい。
【０２７５】
ところで図６ないし図１０に示す磁気検出素子は、下地層６からフリー磁性層１（図７、８では第３反強磁性層５０、図１０では強磁性層５２）まで積層された積層体のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両端部Ｇ上に電極層８が設けられ、前記電極層８から前記積層体内に流れる電流が、前記積層体内を各層の膜面に対して平行な方向に流れるＣＩＰ（current  in  the  plane）型の磁気検出素子と呼ばれる構造である。
【０２７６】
一方、図１１以降で説明する磁気検出素子は、前記積層体の上下に電極層７０、７１が設けられ、前記電極層７０、７１から前記積層体内に流れる電流が、前記積層体の各層の膜面に対し垂直方向に流れるＣＰＰ（current  perpendicular  to  the  plane）型と呼ばれる構造であり、本形態は、前記ＣＰＰ型の磁気検出素子にも適用可能である。
【０２７７】
図１１に示す磁気検出素子の構造は図６に示す磁気検出素子の下地層６から第２反強磁性層４７までの膜構成と同じであるが、以下の点で構造が異なる。
【０２７８】
図１１に示す下地層６の下には下部電極を兼ねた下部シールド層７０が設けられている。前記下部シールド層７０はパーマロイ（ＮｉＦｅ）などの磁性材料でメッキ形成されたものである。なお前記下地層６及び／またはシードレイヤ２２は形成されなくてもよく、かかる場合、前記下部シールド層７０は前記シードレイヤ２２の下面、あるいは反強磁性層４の下面に設けられる。
【０２７９】
また図１１に示すように前記第２反強磁性層４７上には第１絶縁層７２が設けられている。前記第１絶縁層７２は、例えばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔｉ3Ｏ5、Ｔｉ2Ｏ3などの絶縁材料で形成される。
【０２８０】
また前記間隔４７ａは、前記第１絶縁層７２、第２反強磁性層４７を貫通し、前記間隔４７ａの側面４７ａ１は、前記第１絶縁層７２、第２反強磁性層４７の内側端面の連続面として形成されている。前記側面４７ａ１はトラック幅方向（図示Ｘ方向）に対して垂直面となっているが、前記フリー磁性層１から離れるに従って徐々に前記間隔４７ａのトラック幅方向への寸法が広がる傾斜面あるいは湾曲面で形成されていてもよい。
【０２８１】
図１１に示すように前記間隔４７ａの側面４７ａ１には、第２絶縁層７３が形成されている。前記第２絶縁層７３は、例えばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔｉ3Ｏ5、Ｔｉ2Ｏ3などの絶縁材料で形成される。
【０２８２】
本形態では、前記第２反強磁性層４７上に形成された第１絶縁層７２と、前記間隔４７ａの側面４７ａ１に形成された第２絶縁層７３とは別体で形成される。後述する製造方法によれば、第１絶縁層７２と第２絶縁層７３とを別々に形成することができ、それぞれの絶縁層７２、７３は分流ロスを防ぐことができる適度な膜厚を有して形成される。
【０２８３】
また図１１に示すように、前記第２絶縁層７３上から前記間隔４７ａの底面４７Ｃ（図１１に示す形態では、この底面４７Ｃはフリー磁性層１の上面に該当する）にかけて上部電極を兼ねた上部シールド層７１が設けられている。
【０２８４】
このように図１１に示す磁気検出素子では前記積層体の上下に電極を兼ねたシールド層７０、７１が設けられ、前記シールド層７０、７１間に流れる電流は、前記積層体内を膜面に対し垂直な方向に流れるようになっている。
【０２８５】
図１１に示す磁気検出素子では、前記第２反強磁性層４７の上面、および間隔４７ａの側面４７ａ１が絶縁層７２、７３によって覆われているので、前記上部シールド層７１から前記積層体内に流れる電流が、第２反強磁性層４７等に分流せず、前記電流は前記間隔４７ａの底面４７ｃ上の第２絶縁層７３、７３間の間隔で決定されるトラック幅Ｔｗ内を適切に流れる。よって図１１に示す構造の磁気検出素子であれば、電流経路がトラック幅Ｔｗから広がるのを抑制でき再生出力の大きいＣＰＰ型の磁気検出素子を製造することが可能になる。
【０２８６】
また図１１に示すように前記第１絶縁層７２上から第２絶縁層７３上、および間隔４７ａの底面４７ｃ上にかけて点線で描かれた非磁性層７６が設けられていてもよい。前記非磁性層７６は、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕなどの非磁性導電材料で形成されることが好ましい。前記非磁性層７６は、上部ギャップ層としての役割を有するものであるが、前記非磁性層７６は前記間隔４７ａの底面４７ｃ上にも形成されるため、電流経路の出入口となる凹部４７ａの底面４７ｃ上を例えば絶縁材料からなる非磁性層７６で覆うことは前記電流が磁気検出素子内に流れにくくなるため好ましくない。よって本形態では前記非磁性層７６を非磁性導電材料で形成することが好ましい。
【０２８７】
また図１１に示す磁気検出素子では磁気検出素子を構成する非磁性材料層２がＣｕなどの非磁性導電材料で形成されてもよいし、あるいは前記非磁性材料層２がＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成されてもよい。前者の磁気検出素子はスピンバルブＧＭＲ型磁気抵抗効果素子（ＣＰＰ−ＧＭＲ）と呼ばれる構造であり、後者の磁気検出素子はスピンバルブトンネル型磁気抵抗効果型素子（ＣＰＰ−ＴＭＲ）と呼ばれる構造である。
【０２８８】
トンネル型磁気抵抗効果型素子は、スピントンネル効果を利用して抵抗変化を生じさせるものであり、固定磁性層３とフリー磁性層１との磁化が反平行のとき、最も前記非磁性材料層２を介してトンネル電流が流れにくくなって、抵抗値は最大になり、一方、前記固定磁性層３とフリー磁性層１との磁化が平行のとき、最もトンネル電流は流れ易くなり抵抗値は最小になる。
【０２８９】
この原理を利用し、外部磁界の影響を受けてフリー磁性層１の磁化が変動することにより、変化する電気抵抗を電圧変化（定電流動作時）あるいは電流変化（低電圧動作時）としてとらえ、記録媒体からの洩れ磁界が検出されるようになっている。
【０２９０】
図１２は、図７に示す磁気検出素子を図１１と同様にＣＰＰ型の磁気検出素子にした実施形態である。図１２に示す磁気検出素子は図１１と異なり、第２反強磁性層４７上に１層の絶縁層７７のみが形成され、この絶縁層７７によって第２反強磁性層４７の上面が覆われている。このような違いは後述するように製造方法の違いによるものであるが、前記絶縁層７７の機能は、図１１に示した第１絶縁層７２及び第２絶縁層７３と同じで、前記上部シールド層７１から多層膜に流れる電流が前記第２反強磁性層４７に分流するのを適切に防止する役割を有している。なお絶縁層７７の内側先端部７７ａは、非磁性層５１の中央部５１ｂの端部上にまで延びて形成されていてもよい。これにより、さらに電流が前記第２反強磁性層４７に分流するのを抑制できる。
【０２９１】
図１３は、図８に示す磁気検出素子を図１１と同様にＣＰＰ型の磁気検出素子にした形態、図１４は、図９に示す磁気検出素子を図１２と同様にＣＰＰ型の磁気検出素子にした形態、図１５は図１０に示す磁気検出素子を図１１と同様にＣＰＰ型の磁気検出素子にした形態である。
【０２９２】
なお図１２及び図１４に示す磁気検出素子では第２反強磁性層４７の内側端面４７ｄは、前記内側端面４７ｄ間の間隔が下側から上側にかけて徐々にトラック幅方向（図示Ｘ方向）の間隔が広がる傾斜面あるいは湾曲面で形成されているが、このように前記内側端面４７ｄを傾斜面や湾曲面で形成すると、前記内側端面４７ｄ上に適切な膜厚を有する絶縁層７７を形成しやすくなり、分流ロスの低減を適切に図ることができて好ましい。
【０２９３】
また上記した前記第２反強磁性層４７の内側端面を傾斜面あるいは湾曲面で形成することは図１１、図１３、図１５に示す磁気検出素子でも実現可能である。
【０２９４】
図１６及び図１７に示す磁気検出素子は、図１１ないし図１５と同様にＣＰＰ型の磁気検出素子であるが、下部シールド層７０の形状が図１１ないし図１５のそれとは異なっている。
【０２９５】
図１６に示す形態は、図１１と同じ膜構成のＣＰＰ型の磁気検出素子であるが、下部電極を兼用した下部シールド層７０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の中央部に、前記積層体方向（図示Ｚ方向）に突出した突出部７０ａが設けられ、この突出部７０ａの上面７０ａ１が前記下地層６の下面に接しており、前記突出部７０ａから前記積層体内に（あるいは積層体から前記突出部７０ａに）電流が流れるようになっている。
【０２９６】
そして図１６に示す形態では前記下部シールド層７０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端部７０ｂと前記下地層６間に絶縁層７８が設けられている。前記絶縁層７８は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔｉ3Ｏ5、Ｔｉ2Ｏ3などの絶縁材料で形成される。
【０２９７】
図１６に示す形態では、下部シールド層７０は、突出部７０ａの形成によって電流経路が絞り込まれ、さらに前記下部シールド層７０の両側端部７０ｂと積層体間に絶縁層７８が設けられたことで、前記両側端部７０ｂから前記積層体内に電流が分流することを適切に抑制でき、より効果的に再生出力が大きく実効トラック幅が狭い磁気検出素子を製造することが可能になる。
【０２９８】
図１６に示す形態では、前記下部シールド層７０の突出部７０ａの上面７０ａ１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法は領域Ｈのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法と一致しているが、前記上面７０ａ１の幅寸法が前記領域Ｈの幅寸法より広くてもよい。より好ましくは前記上面７０ａ１の幅寸法がトラック幅Ｔｗと一致することである。これによってより効果的に磁気検出素子に対しトラック幅Ｔｗの領域内にのみ電流を流すことができ再生出力の大きい磁気検出素子を製造することが可能である。
【０２９９】
また図１６に示す形態では、前記下部シールド層７０に形成された突出部７０ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側面７０ａ２は、前記突出部７０ａのトラック幅方向における幅寸法が、前記積層体から離れる（図示Ｚ方向と逆方向）にしたがって徐々に広がる傾斜面あるいは湾曲面で形成されているが、前記両側面７０ａ２は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）に対して垂直面であってもかまわない。
【０３００】
図１７に示す形態は、図１６に示す形態と同じ形状の下部シールド層７０を有している。すなわち図１７に示す下部シールド層７０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の中央部には、前記積層体方向（図示Ｚ方向）に突出した突出部７０ａが設けられ、この突出部７０ａの上面７０ａ１が前記下地層６の下面に接しており、前記突出部７０ａから前記積層体内に（あるいは積層体から前記突出部７０ａに）電流が流れるようになっている。そして前記下部シールド層７０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端部７０ｂと前記下地層６間に絶縁層７８が設けられている。
【０３０１】
図１７に示す形態では図１６と異なって、第２反強磁性層４７上に第１絶縁層７２が設けられておらず、また前記間隔４７ａの両側面４７ａ１に第２絶縁層７３が設けられていない。そして上部電極を兼用した上部シールド層７１は前記第２反強磁性層４７上から前記間隔４７ａの両側面４７ａ１上及び底面４７ｃ上にかけて直接接合されている。
【０３０２】
図１７に示す形態では、図１６に示す形態に比べて上部シールド層７１と第２反強磁性層４７間、及び前記上部シールド層７１と前記間隔４７ａの両側面４７ａ１間が絶縁されていないので、電流経路はトラック幅Ｔｗよりも広がりやすく再生出力は劣るものと考えられるが、磁気検出素子の下面側で、下部シールド層７０に突出部７０ａを形成したことによって電流経路を絞り込むことができ、電流経路の広がりを抑えて再生出力の低下を抑制することができる。
【０３０３】
また図１６及び図１７に示す磁気検出素子では、下部シールド層７０に形成された突出部７０ａの上面７０ａ１と、その両側に形成された絶縁層７８の上面とが同一平面で形成されていることが好ましい。これによって前記突出部７０ａ上から絶縁層７８上にかけて形成される積層体の各層の膜面をトラック幅方向に、より平行に形成でき、再生特性に優れた磁気検出素子を製造することが可能になる。
【０３０４】
なお図１１ないし図１７に示すＣＰＰ型の磁気検出素子ではいずれも下部シールド層７０及び上部シールド層７１を積層体の上下に接して形成し、前記シールド層７０、７１に電極層の機能を持たせているが、このような構成によって電極層とシールド層とを別々に形成する必要性が無くなり、ＣＰＰ型の磁気検出素子の製造を容易化することが可能になる。
【０３０５】
しかも前記電極機能とシールド機能とを兼用させれば、シールド層間の間隔で決定されるギャップ長Ｇ１を非常に短くすることができ（図１１を参照、なお非磁性層７６が設けられる場合は、非磁性層７６の膜厚も含めてギャップ長Ｇｌが決定される）、今後の高記録密度化により適切に対応可能な磁気検出素子を製造することが可能になる。
【０３０６】
ただし本形態では、図１１ないし図１７に示す形態に限るものではなく、前記積層体の上面及び／または下面に、例えばＡｕ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔａなどからなる電極層を設け、前記磁気検出素子と反対側の前記電極層の面にギャップ層を介して磁性材料製のシールド層を設ける構成であってもかまわない。
【０３０７】
次に図１１に示す磁気検出素子と図１２に示す磁気検出素子の製造方法について以下に説明する。
【０３０８】
まずメッキ形成された磁性材料製の下部シールド層７０上に、下地層６、シードレイヤ２２、反強磁性層４、固定磁性層３、非磁性材料層２、フリー磁性層１、第２反強磁性層４７、第１絶縁層７２を連続スパッタ成膜する。
【０３０９】
あるいは図１３の磁気検出素子のように、第３反強磁性層５０を設けるには、前記フリー磁性層１上に第３反強磁性層５０（３０〜５０Å）、非磁性層５１（Ｒｕ等）（３〜１０Å）を成膜し、次にＹ方向に磁場を印加しつつ第１のアニールを施して反強磁性層４を規則化する。続いて非磁性層５１を低エネルギーのイオンミリングで除去し真空を破らずに第２反強磁性層４７、第１絶縁層７２を連続スパッタ成膜する。
【０３１０】
次に図１８に示すように前記第１絶縁層７２の上に露光現像によってトラック幅方向（図示Ｘ方向）の中央部に穴部８０ａが設けられたレジスト層８０を形成する。なお前工程で第１絶縁層７２をベタ膜で連続成膜せず、第２反強磁性層４７の上あるいは前記第２反強磁性層４７の上に設けられた保護層の上にレジストなどを用いて予め図１８の形状のような第１絶縁層７２を形成した場合には、次工程でレジストを形成する必要がなく、第１絶縁層７２そのものがエッチングの際のマスクとして機能させることができる。
【０３１１】
次に図１８に示す矢印Ｆ方向からのイオンミリングによって前記レジスト層８０に覆われていない第１絶縁層７２及び第２反強磁性層４７を削り込む（図１８に示す点線部分の各層が除去される）。
【０３１２】
なお図１８に示す前記レジスト層８０の内側端面８０ｂは、垂直面であるが、これが傾斜面あるいは湾曲面であると、前記イオンミリングによる削り込みによって磁気検出素子に形成された間隔４７ａの両側面４７ａ１も傾斜面あるいは湾曲面として形成される。そして前記レジスト層８０を除去する。
【０３１３】
図１９に示す工程では、前記第１絶縁層７２上から前記間隔４７ａの側面４７ａ１及び底面４７ｃにかけてＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＡｌＮあるいはＡｌ−Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ、Ｔｉ3Ｏ5、Ｔｉ2Ｏ3などの絶縁材料からなる第２絶縁層７３をスパッタ成膜する。スパッタ法には、イオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、コリメーションスパッタ法などを使用できる。
【０３１４】
ここで注意すべき点は、前記第２絶縁層７３を形成する際のスパッタ角度θ１（図示Ｚ方向からの傾き）にある。図１９に示すようにスパッタ方向Ｇは、積層体の各層の膜面の垂直方向に対しθ１のスパッタ角度を有しているが本形態では前記スパッタ角度θ１をできる限り大きくして（すなわちより寝かせて）、前記間隔４７ａの側面４７ａ１に第２絶縁層７３が成膜されやすいようにすることが好ましい。例えば前記スパッタ角度θ１は５０〜７０°である。
【０３１５】
このように前記スパッタ角度θ１を大きくすることで、前記間隔４７ａの側面４７ａ１に形成される第２絶縁層７３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）への膜厚Ｔ３を、第1絶縁層７２の上面及び間隔４７ａの底面４７ｃに形成される第２絶縁層７３の膜厚Ｔ４よりも厚く形成できる。このように前記第２絶縁層７３の膜厚を調整しないと次工程でのイオンミリングで、前記間隔４７ａの側面４７ａ１の第２絶縁層７３がすべて除去されてしまい、あるいは第２絶縁層７３が残ってもその膜厚は非常に薄くなり、適切に分流ロスを低減させるための絶縁層として機能させることができない。
【０３１６】
次に図１９に示すように積層体の各層の膜面と垂直方向（図示Ｚ方向と平行な方向）あるいは垂直方向に近い角度（積層体の各層表面の垂直方向に対し０°〜２０°程度）からイオンミリングを施す。このとき前記間隔４７ａの底面４７ｃに形成された第２絶縁層７３を適切に除去するまでイオンミリングを施す。このイオンミリングによって第２反強磁性層４７の上面に形成された第２絶縁層７３も除去される。一方、前記間隔４７ａの側面４７ａ１に形成された第２絶縁層７３も若干削れるものの、前記間隔４７ａの底面４７ｃに形成された第２絶縁層７３よりも厚い膜厚Ｔ３を有し、しかもイオンミリングのミリング方向Ｈは、前記間隔４７ａの側面４７ａ１に形成された第２絶縁層７３から見ると斜め方向になるため、間隔４７ａの側面４７ａ１に形成された第２絶縁層７３は、間隔４７ａの底面４７ｃに形成された第２絶縁層７３に比べて削られ難く、よって前記間隔４７ａの側面４７ａ１には適度な膜厚の第２絶縁層７３が残される。
【０３１７】
その状態が図２０である。前記凹部４７ａの側面４７ａ１に残される第２絶縁層７３のトラック幅方向における膜厚Ｔ３は５〜１０ｎｍ程度であることが好ましい。
【０３１８】
図２０に示すように前記第２反強磁性層４７の上面は第１絶縁層７２によって覆われ、また前記間隔４７ａの側面４７ａ１は前記第２絶縁層７３によって覆われた状態になっている。次にトラック幅方向に弱い磁場を印加しつつ第２のアニールを施し第２反強磁性層４７（図１３に示す磁気検出素子では第２、第３反強磁性層４７、５０）を規則化し、両側端部のフリー磁性層１の磁化をＸ方向に固定する。そして必要ならば、前記絶縁層７２、７３から前記間隔４７ａの底面４７ｃにかけて図１１に示す非磁性層７６を形成した後、上部電極を兼ね備えた上部シールド層７１をメッキ形成する。
【０３１９】
以上のようにして形成された磁気検出素子では、第２反強磁性層４７上、および間隔４７ａの側面４７ａ１上を適切に絶縁層７２、７３によって覆うことができ、シールド層から流れる電流の分流ロスを適切に抑制できるＣＰＰ型の磁気検出素子を製造することが可能になる。
【０３２０】
次に図１２に示す磁気検出素子では、まずメッキ形成された磁性材料製の下部シールド層７０上に、下地層６、シードレイヤ２２、反強磁性層４、固定磁性層３、非磁性材料層２、フリー磁性層１、非磁性層５１を連続スパッタ成膜する。
【０３２１】
次に前記非磁性層５１の中央部５１ｂ上にリフトオフ用のレジスト層を形成した後、前記レジスト層に覆われていない前記非磁性層５１の両側端部５１ａを所定の位置まで削り込み、さらに前記非磁性層５１の両側端部５１ａ上に第２反強磁性層４７、絶縁層７７を連続スパッタ成膜する。そして前記絶縁層７７上から前記非磁性層５１の中央部５１ｂ上にかけて上部シールド層７１と同一材料の下地層をスパッタ成膜した後、磁性材料製の上部シールド層７１をメッキ形成する。なお前記絶縁層７７を形成するときのスパッタ角度（図示Ｚ方向からの傾き）を、前記第２反強磁性層４７の形成時におけるスパッタ角度よりも大きくする（すなわちより寝かせる）と、前記非磁性層５１の中央部５１ｂの両端部上にまで前記絶縁層７７の内側先端部７７ａを形成しやすくなる。
【０３２２】
なお図１３、図１５に示す磁気検出素子の上側領域は図１１と同じ工程によって（すなわち図１８ないし図２０を用いて）形成することができるので、説明を省略する。また図１４に示す磁気検出素子の上側領域は図１２と同じ工程によって形成することができるので説明を省略する。
【０３２３】
図１６及び図１７に示す磁気検出素子では下部シールド層７０に突出部７０ａ及び前記下部シールド層７０の両側端部７０ｂと下地層６に絶縁層７８を形成するものであるが、これはまず下部シールド層７０をメッキやスパッタで形成し表面を平滑化するポリシングを施した後、前記下部シールド層７０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の中央部上にレジスト層を形成し、このレジスト層に覆われていない前記下部シールド層７０の両側端部７０ｂをイオンミリングで途中まで削り込む。これによって前記下部シールド層７０のトラック幅方向の中央部に突出部７０ａを形成することができる。
【０３２４】
さらに前記レジスト層に覆われていない前記下部シールド層７０の両側端面７０ｂ上に絶縁層７８をスパッタ成膜し、前記絶縁層７８の上面が前記下部シールド層７０の突出部７０ａの上面７０ａ１とほぼ同一平面となった時点で前記スパッタ成膜を終了する。そして前記レジスト層を除去する。なお前記レジスト層を除去した後、前記下部シールド層７０の突出部７０ａの上面７０ａ１及び絶縁層７８の上面をＣＭＰなどを用いて研磨し、前記突出部７０ａの上面７０ａ１と絶縁層７８の上面を高精度に同一平面となるようにしてもよい。この場合、最初のポリシング工程は不要である。
【０３２５】
次に各形態において共通する磁気検出素子の製造方法のうち、特にフリー磁性層１の製造方法を中心に以下に説明する。図２１を参照しながら説明する。なお図２１は、製造方法を説明するための部分模式図である。
【０３２６】
まず基板２５上に前記下地層６を形成する。なお前記下地層６は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上の元素で形成されていることが好ましい。次に前記下地層６上にシードレイヤ２２をスパッタ成膜する。スパッタ成膜のときには、ＮｉＦｅＣｒまたはＣｒで形成されたターゲットを用意する。前記シードレイヤ２２を、例えば２０Åから６０Å程度でスパッタ成膜する。ちなみに前記シードレイヤ２２をＮｉＦｅＣｒで形成するときは、例えばその組成比は概ね、（Ｎｉ0.8Ｆｅ0.2）60at%Ｃｒ40at%である。
【０３２７】
次に前記シードレイヤ２２上に反強磁性層４をスパッタ成膜する。
本形態では、前記反強磁性層４を、元素Ｚ（ただしＺは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料でスパッタ成膜することが好ましい。
【０３２８】
また本形態では前記反強磁性層４を、Ｚ−Ｍｎ−Ｚ′合金（ただし元素Ｚ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｒ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）でスパッタ成膜してもよい。
【０３２９】
また本形態では、前記元素Ｚあるいは元素Ｚ＋Ｚ′の組成比を、４５（ａｔ％）以上６０（ａｔ％）以下とすることが好ましい。
【０３３０】
さらに前記反強磁性層４の上に固定磁性層３をスパッタ成膜し、さらに前記固定磁性層３上にＣｕなどで形成された非磁性材料層２を形成し、前記非磁性材料層２の上にフリー磁性層１を形成する。本形態では前記フリー磁性層１を積層フェリ構造で形成する。前記フリー磁性層１は、非磁性材料層２に接して形成される第２の磁性層４１と、前記第２の磁性層４１に非磁性中間層４２を介して形成される第１の磁性層４３との３層構造である。
【０３３１】
本形態では前記フリー磁性層１を以下の方法によって形成する。まず本形態では前記非磁性材料層２上に第２の磁性層４１をスパッタ成膜する。本形態では前記第２の磁性層４１を如何なる磁性材料で形成してもよいが、以下で説明する前記第１の磁性層４３との間で発生するＲＫＫＹ相互作用による結合磁界を適切に大きくするには、ＣｏＦｅ合金やＣｏＦｅＮｉ合金を使用することが好ましい。
【０３３２】
次に、前記第２の磁性層４１の上に非磁性中間層４２をスパッタ成膜する。前記非磁性中間層４２をＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕのうち１種または２種以上の合金で形成することが好ましい。
【０３３３】
次に前記非磁性中間層４２上に第１の磁性層４３を形成する。本形態では、まず前記非磁性中間層４２上に、元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）を含まない磁性材料、例えば好ましくはＣｏＦｅ合金で形成された磁性層４６をスパッタ成膜する。
【０３３４】
次に前記磁性層４６の上に元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）を含んだ磁性材料、例えば好ましくはＣｏＦｅＸやＣｏＦｅＮｉＸ（より好ましくはＣｏＦｅＣｒ、ＣｏＦｅＮｉＸ）合金で形成された磁性層４５をスパッタ成膜する。前記Ｘの組成比は３ａｔ％以上で１５ａｔ％以下であることが好ましい。
【０３３５】
次に熱処理を施す。反強磁性層４は上記したＺ−Ｍｎ合金やＺ−Ｍｎ−Ｚ′合金で形成されることが好ましいが、これら反強磁性材料を使用する場合には、熱処理をしないと前記固定磁性層３との界面で交換結合磁界（Ｈｅｘ）を発生しない。したがって本形態では熱処理を施すことで前記反強磁性層４と固定磁性層３との界面で交換結合磁界（Ｈｅｘ）を発生させることができる。またこのとき図示Ｙ方向と平行な方向に磁場をかけることで前記固定磁性層３の磁化を図示Ｙ方向と平行な方向に向け固定することができる。
【０３３６】
本形態ではフリー磁性層１の第１の磁性層４３には、非磁性中間層４２と接する側に元素Ｘを含有しない磁性層４６が形成されており、この磁性層４６と第２の磁性層４１間でＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を強めることができる。
【０３３７】
上記した反強磁性層４と固定磁性層３間に交換結合磁界を発生させるための磁場中熱処理、あるいは図６ないし図１７に示す形態の磁気検出素子では、フリー磁性層１の第１の磁性層４３と第２反強磁性層４７間や、第２反強磁性層４７と強磁性層５２間等で交換結合磁界を発生させるための磁場中熱処理を施すことで、前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３の磁性層４５と磁性層４６間には熱拡散が生じ、前記磁性層４５と磁性層４６との界面で元素が入り交じる。
【０３３８】
このため熱処理後では、図２１に示すような磁性層４５と磁性層４６間に、はっきりとした境界を見ることはできず、フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３は単一層のようになる。このため熱処理後におけるフリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３の組成比を測定すると、前記第１の磁性層４３には組成変調が生じていることがわかる。
【０３３９】
この組成変調は、フリー磁性層１の磁性層４５と磁性層４６との界面付近で、元素Ｘの組成比が、前記第１の磁性層４３の非磁性中間層４２との界面４２ａと逆面４３ａ側から非磁性中間層４２側に向うにしたがって（図示Ｚ方向とは逆方向）徐々に少なくなる領域として現われる。
【０３４０】
ただし、例えば前記反強磁性層４や第２反強磁性層４７等が、熱処理を必要としなくても固定磁性層３やフリー磁性層１等との間で交換結合磁界（Ｈｅｘ）を発生し得る材質であったり、また熱処理条件も、フリー磁性層１の前記第１の磁性層４３を構成する磁性層４５と磁性層４６間で熱拡散を生じない程度の条件であった場合には、上記した組成変調は生じない場合があり、かかる場合、前記磁性層４５と磁性層４６間の界面をはっきりと見ることができたり、あるいは前記界面を見ることができないとしても、前記第１の磁性層４３の非磁性中間層４２との逆面４３ａ側から非磁性中間層４２側に向けて前記界面付近で、元素Ｘが急激に０ａｔ％に近づくような極端な元素Ｘの組成比の変動を見ることができる。
【０３４１】
なお、図２１に示す製造方法では、前記第１の磁性層４３を磁性層４５と磁性層４６の２層構造で構成したが、２層よりも多い製造構造であってもよい。かかる場合であっても非磁性中間層４２との界面と逆面４３ａ側の位置に元素Ｘを含む比抵抗の高い磁性層を設け、非磁性中間層４２と接する側に元素Ｘを含まない比抵抗の低い磁性層を設ける。
【０３４２】
あるいは別の製造方法としては、前記第１の磁性層４３の成膜時に、例えばＣｏＦｅやＣｏＦｅＮｉからなるターゲットと、元素Ｘ（好ましくはＣｒ）からなるターゲットを用意し、非磁性中間層４２との界面上に前記第１の磁性層４３を成膜する初期段階では、まずＣｏＦｅやＣｏＦｅＮｉからなるターゲットにのみ電力を供給して、ＣｏＦｅやＣｏＦｅＮｉからなる磁性層を成膜し、徐々に元素Ｘからなるターゲットに対しても電力を供給していき、これによって成膜されるＣｏＦｅやＣｏＦｅＮｉ内に元素Ｘを入り込ませ、元素Ｘを含むＣｏＦｅＸ合金やＣｏＦｅＮｉＸ合金からなる磁性層を非磁性中間層４２との界面と逆面４３ａ側の位置に成膜できるようにする。
【０３４３】
これによっても、前記非磁性中間層４２との界面では、元素Ｘを含まない比抵抗の小さいＣｏＦｅ合金やＣｏＦｅＮｉが存在し、前記第２の磁性層４１との間で大きなＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を発生させることができる。一方、前記非磁性中間層４２との界面と逆面４３ａ側に元素Ｘを含んだ比抵抗の大きい磁性層を形成することができ、よってセンス電流の前記第１の磁性層４３に対する分流ロスを低減させることができ、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）の大きい磁気検出素子を製造することが可能になっている。
【０３４４】
特に図６ないし図１７に示すエクスチェンジバイアス方式によって前記フリー磁性層１の磁化制御を行う構造では、前記フリー磁性層１を構成する第１の磁性層４３の元素Ｘを含んだ磁性層側が、第２反強磁性層４７（図５及び図６では、第３反強磁性層）と対向するため、前記フリー磁性層１の第１の磁性層４３と前記第２反強磁性層４７間で発生する交換結合磁界を強めることができ、前記フリー磁性層１における一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を大きくすることができ、前記フリー磁性層１の磁化制御をより適切に行うことが可能になっている。
【０３４５】
図２２は、図１ないし図３、図６ないし図１０に示す磁気検出素子が形成された読み取りヘッドの構造を記録媒体との対向面側から見た断面図である。
【０３４６】
符号６０は、例えばＮｉＦｅ合金などで形成された下部シールド層であり、この下部シールド層６０の上に下部ギャップ層６１が形成されている。また下部ギャップ層６１の上には、図１ないし図３、図６ないし図１０に示す磁気検出素子６２が形成されており、さらに前記磁気検出素子６２の上には、上部ギャップ層６３が形成され、前記上部ギャップ層６３の上には、ＮｉＦｅ合金などで形成された上部シールド層６４が形成されている。
【０３４７】
前記下部ギャップ層６１及び上部ギャップ層６３は、例えばＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3（アルミナ）などの絶縁材料によって形成されている。図２２に示すように、下部ギャップ層６１から上部ギャップ層６３までの長さがギャップ長Ｇｌであり、このギャップ長Ｇｌが小さいほど高記録密度化に対応できるものとなっている。
【０３４８】
本形態では、前記反強磁性層４や第２反強磁性層４７の膜厚を小さくしてもなお大きな交換結合磁界（Ｈｅｘ）を発生させることができる。前記反強磁性層４や第２反強磁性層４７の膜厚は、例えば１５０Å以上で形成され、３００Å程度の膜厚であった従来に比べて前記反強磁性層４や第２反強磁性層４７の膜厚を十分に小さくできる。このように大きな交換結合磁界（Ｈｅｘ）を得ることができるのは、本形態では、フリー磁性層１の第１の磁性層４３の第２反強磁性層４７と対向する側に元素Ｘを含んだ、例えばＣｏＦｅＸやＣｏＦｅＮｉＸからなる比抵抗の大きい領域Ｃや、固定磁性層３の第１の磁性層１３の反強磁性層４と対向する側に元素Ｘを含んだ磁性材料、例えばＣｏＦｅＸ合金からなる、比抵抗の大きい領域Ｅを形成しているからであり、これによって前記反強磁性層４や第２反強磁性層４７の膜厚を薄く形成しても、十分に大きい交換結合磁界（Ｈｅｘ）を得ることが可能になっている。
【０３４９】
よって狭ギャップ化により高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０３５０】
なお前記上部シールド層６４の上には書き込み用のインダクティブヘッドが形成されていてもよい。
【０３５１】
なお本形態における磁気検出素子は、ハードディスク装置内に内蔵される磁気ヘッド以外にも磁気センサなどに利用可能である。
【０３５２】
なお図４、図５、および図１１ないし図１７に示すＣＰＰ型の磁気検出素子の場合、符号６５、６８、７０、７１の層をシールド層として機能させることができるから、かかる場合、図４、図５、および図１１ないし図１７に示す形態そのものが、図２２に示す形態と同様の薄膜磁気ヘッドを構成している。
【０３５３】
【実施例】
以下の膜構成を有する積層膜を形成し、フリー層が磁性層の単層で形成されたときの、前記フリー層と反強磁性層（第２反強磁性層）間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）の大きさを、前記フリー層の材質を４種類用意して、それぞれについて測定した。
【０３５４】
膜構成は、下から、シードレイヤ：（Ｎｉ0.8Ｆｅ0.2）60at%Ｃｒ40at%（５５）／固定磁性層：[Ｎｉ80at%Ｆｅ20at%（５０）／Ｃｏ90at%Ｆｅ10at%（１０）]／非磁性材料層：Ｃｕ（４０）／フリー磁性層：材質は表１に記載（３０）／反強磁性層：Ｐｔ50at%Ｍｎ50at%（１６０）／保護層：Ｔａ（３０）である。なお括弧内の数値は膜厚を示しており、単位はオングストロームである。上記の実験の膜構成では、固定磁性層とシードレイヤの間に挿入されるべき第１反強磁性層が形成されていないが、これはフリー磁性層の交換結合磁界Ｈｅｘを磁気抵抗曲線（Ｒ−Ｈカーブ）から測定するために、便宜的に省略したのである。
【０３５５】
上記した膜構成の磁気検出素子を成膜したあと、熱処理を施して前記反強磁性層とフリー磁性層間に交換結合磁界（Ｈｅｘ）を発生させ、それを測定した。その実験結果は、表１に示されている。
【０３５６】
【表１】
0003908557.tif 000002
【０３５７】
表１に示すように、フリー磁性層には、（Ｃｏ0.9Ｆｅ0.1）95at%Ｃｒ5at%合金、Ｃｏ90at%Ｆｅ10at%合金、Ｆｅ50at%Ｃｏ50at%合金、Ｎｉ80at%Ｆｅ20at%合金をそれぞれ使用した。
【０３５８】
表１に示すように、フリー磁性層にＣｏＦｅＣｒ合金を使用したとき、ＣｏＦｅ合金を使用した場合に比べて交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくできることがわかる。またフリー磁性層にＮｉＦｅ合金を使用した場合に比べても約２倍程度の高い交換結合磁界（Ｈｅｘ）を得ることができることがわかる。
【０３５９】
また表１の最も右側欄に記載されたのは、単位面積当たりの交換結合エネルギーＪであるが、ＣｏＦｅＣｒ合金がもっとも高い交換結合エネルギーＪを有していることがわかる。
【０３６０】
この実験からわかったことは、反強磁性層との間で大きな交換結合磁界（Ｈｅｘ）を発生させるには、フリー磁性層にＣｏＦｅ合金ではなく、ＣｏＦｅＣｒ合金を使用した方が好ましいということである。
【０３６１】
次に、以下の膜構成を有する積層膜を用いて、積層フェリ構造におけるフリー磁性層の一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）の大きさを、フリー磁性層の第１の磁性層の材質が異なるそれぞれのサンプルに対して測定した。
【０３６２】
なおここで、前記一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）とは、主として上記した反強磁性層との間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）と、フリー磁性層を構成する第１の磁性層と第２の磁性層間で発生するＲＫＫＹ相互作用による結合磁界とを合わせた磁界の大きさである。
【０３６３】
実験に使用した膜構成は下から、
シードレイヤ：（Ｎｉ0.8Ｆｅ0.2）60at%Ｃｒ40at%（５５）／固定磁性層：[Ｎｉ80at%Ｆｅ20at%（１８）／Ｃｏ90at%Ｆｅ10at%（１０）]／非磁性材料層：Ｃｕ（２１）／フリー磁性層：[第２の磁性層：材質は表２を参照（３２）／非磁性中間層：Ｒｕ（８．７）／第１の磁性層：材質は表２を参照]（１８）／反強磁性層：Ｐｔ50at%Ｍｎ50at%（１６０）／保護層：Ｔａ（３０）である。なお括弧内の数値は膜厚を示しており、単位はオングストロームである。上記の実験の膜構成では、固定磁性層とシードレイヤの間に挿入されるべき第１反強磁性層が形成されていないが、これはフリー磁性層の交換結合磁界Ｈｅｘを磁気抵抗曲線（Ｒ−Ｈカーブ）から測定するために、便宜的に省略したのである。
【０３６４】
上記した膜構成の磁気検出素子を成膜した後、熱処理を施し、フリー層の一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を測定した。
【０３６５】
【表２】
0003908557.tif 000003
【０３６６】
表２に示すように、第１の磁性層及び第２の磁性層にＣｏＦｅ合金を選択した場合が、最も高い一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を発生させることができることがわかる。
【０３６７】
また飽和磁界（Ｈｓ）も、他の試料に比べて非常に高いことがわかる。飽和磁界（Ｈｓ）は、非磁性中間層を介した第１の磁性層と第２の磁性層の磁化が共に同じ方向を向くときの磁界の大きさである。この飽和磁界（Ｈｓ）が大きいことは、第１の磁性層と第２の磁性層間で発生するＲＫＫＹ相互作用による結合磁界が強く、前記第１の磁性層と第２の磁性層との磁化が反平行状態から崩れ難いことを意味する。
【０３６８】
すなわち、第１の磁性層及び第２の磁性層にＣｏＦｅ合金を選択した場合には、最も第１の磁性層と第２の磁性層との磁化の反平行状態が崩れ難く、ＲＫＫＹ相互作用による結合磁界は、他の試料に比べて非常に高いものと推測することができる。
【０３６９】
このことと、表１から得られた結論を総合すると、反強磁性層との間で発生する交換結合磁界（Ｈｅｘ）を大きくするために、第１の磁性層の反強磁性層側にＣｏＦｅＣｒ合金からなる磁性層を形成し、ＲＫＫＹ相互作用による結合磁界を大きくするために、第１の磁性層の非磁性中間層側にＣｏＦｅ合金からなる磁性層を形成する。
【０３７０】
これによって、反強磁性層とＣｏＦｅＣｒ合金間で大きな交換結合磁界（Ｈｅｘ）を得ることができると共に、非磁性中間層側に形成された第１の磁性層のＣｏＦｅ合金と、第２の磁性層間で発生するＲＫＫＹ相互作用による結合磁界を大きくすることができ、したがってフリー磁性層における一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を、第１の磁性層をＣｏＦｅ、あるいはＣｏＦｅＣｒ合金の単層で形成した場合に比べて、大きくすることができる。
【０３７１】
次に以下の積層膜を用いて、第１の磁性層をＣｏＦｅＣｒ合金とＣｏＦｅ合金の積層構造で形成したときの前記ＣｏＦｅＣｒ合金の最適な膜厚及び膜厚比について種々の特性から規定することとした。
【０３７２】
前記積層膜の構成は、下から、
Ｓｉ基板／アルミナ／シードレイヤ：（Ｎｉ0.8Ｆｅ0.2）60at%Ｃｒ40at%（６０）／固定磁性層：Ｃｏ90at%Ｆｅ10at%（２０）／非磁性材料層：Ｃｕ（２１）／フリー磁性層：[第２の磁性層：Ｃｏ90at%Ｆｅ10at%（３２）／非磁性中間層：Ｒｕ（８．７）／第１の磁性層：Ｃｏ９０at%Ｆｅ10at%（１４−Ｘ）／（Ｃｏ0.9Ｆｅ0.1）95at%Ｃｒ5at%（Ｘ）]／反強磁性層：Ｐｔ50at%Ｍｎ50at%（１５０）／保護層：Ｔａ（３０）である。なお括弧内の数値は膜厚を示しており、単位はオングストロームである。上記の実験の膜構成では、固定磁性層とシードレイヤの間に挿入されるべき第１反強磁性層が形成されていないが、これはフリー磁性層の交換結合磁界Ｈｅｘを磁気抵抗曲線（Ｒ−Ｈカーブ）から測定するために、便宜的に省略したのである。
【０３７３】
下記の積層膜を成膜後、２９０℃で４時間、８００ｋＡ／ｍの磁場中熱処理を施した。なお実験後、第１の磁性層を構成するＣｏＦｅＣｒ合金とＣｏＦｅ合金間では拡散によって界面がはっきりと解らなくなった。
【０３７４】
実験では、上記した第１の磁性層を構成するＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚を０Åから１４Åまで厚くしていき、一方、第１の磁性層を構成するＣｏＦｅ合金の膜厚を１４Åから０Åまで薄くしていった。なお第１の磁性層の膜厚は１４Åに保たれている。
【０３７５】
そして前記ＣｏＦｅＸ合金の膜厚Ｘ及び膜厚比（ここでいう膜厚比とは、第１の磁性層全体の膜厚に対するＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚の比のこと。図の横軸の膜厚値の下に括弧書きで記載された数値が膜厚比を表している）と抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）との関係について調べた。その実験結果を図８に示す。
【０３７６】
図２３に示すように、ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚を厚くしていくほど徐々に抵抗変化率は上昇していくが、前記ＣｏＦｅＣｒ合金が１０Åよりも厚くなると抵抗変化率は低下し始めることがわかる。
【０３７７】
ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚としては、少なくとも第１の磁性層がＣｏＦｅ合金の単体で形成されている場合（すなわちＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚が０Å）の抵抗変化率（１０．２０％）よりも大きくなる膜厚を選択することが好ましい。
【０３７８】
従って前記ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚を０Åよりも大きく１１．５Å以下（膜厚比としては０より大きく０．８２以下）とした。これにより１０．２％以上の抵抗変化率を得ることができる。
【０３７９】
また前記ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚は３．７Å以上で１１．５Å以下（膜厚比としては０．２６以上で０．８２以下）であることがより好ましく、これによって１０．２７％以上の抵抗変化率を得ることができる。
【０３８０】
次に、ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚とシート抵抗変化量（ΔＲｓ）との関係について調べた。シート抵値が高いほど、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）は高くなるものと考えられる。
【０３８１】
図２４に示すように、ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚が厚くなるほどシート抵抗変化量は大きくなり、前記ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚が７Å程度以上になると前記シート抵抗変化量はほぼ一定値となることがわかる。
【０３８２】
この実験結果から、ＣｏＦｅＣｒ合金は、０Åよりも大きく１４Åより小さい（膜厚比としては０より大きく１より小さい）範囲であれば、第１の磁性層がＣｏＦｅ合金のみで形成された場合（すなわちＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚が０Åのとき）に比べてシート抵抗変化量を大きくでき、１．４５９Ω／□よりも大きいシート抵抗変化量を得ることができる。
【０３８３】
またＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚が１．６８Å以上で１４Åより小さい（膜厚比としては０．１６以上で１より小さい）範囲であると、１．４６７Ω／□以上のシート抵抗変化量を得ることができる。
【０３８４】
さらにＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚が、７．０Å以上で１４Åより小さい（膜厚比としては０．５以上で１より小さい）範囲であると、１．４８５Ω／□以上のシート抵抗変化量を得ることができる。
【０３８５】
ここで、上記したようにシート抵抗変化量は大きいほど、大きな抵抗変化率を得ることができると考えられたが、実際は図２３に示すようにシート抵抗変化量が高い１０Å以上の膜厚であっても、抵抗変化率は低下する傾向が見られた。これは次に説明する一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）の低下も影響を与えているものと考えられる。
【０３８６】
図２５は、ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚と、一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）との関係を示すグラフである。
【０３８７】
図２５に示すように、ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚を４Å程度にすると一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）は最も大きな値を取るが、それよりも厚い膜厚とすると前記一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）は低下してしまう。
【０３８８】
これはＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚が厚くなることで、第２の磁性層との間で発生するＲＫＫＹ相互作用による結合磁界が低下するためであると考えられる。
【０３８９】
この図２５の実験から、ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚は０Åよりも大きく５Å以下（膜厚比としては０より大きく０．３６以下）であることが好ましい。これによって６３ｋＡ／ｍよりも大きな一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を得ることができる。
【０３９０】
なお図２３と同様に、ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚の絶対値の下に記載されている括弧書きの数値は、第１の磁性層全体の膜厚に対するＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚の膜厚比を示している。
【０３９１】
図２５に示すように、ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚は５Åよりも大きくなると特に一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）の低下が顕著に現れるが、このＨｅｘ*の低下によりフリー磁性層の磁化が不安定化するため、図２３に示すように、抵抗変化率が低下していくものと考えられる。
【０３９２】
以上の実験結果により、以下の膜厚比を好ましい範囲とした。
前記ＣｏＦｅＣｒ合金で形成された磁性層が第１の磁性層に占める膜厚比（ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚／第１の磁性層の膜厚）は、０より大きく０．６１以下であることが好ましい。これにより抵抗変化率が従来よりも大きく、また一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ*も５３ｋＡ／ｍより大きくなる。
【０３９３】
または（ＣｏＦｅＣｒ合金で形成された磁性層の膜厚／第１の磁性層の膜厚）の膜厚比は、０より大きく０．３６以下であることが好ましい。これによって一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を従来よりも（約６３ｋＡ／ｍよりも）大きくきる。さらに抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を従来よりも大きくできる。
【０３９４】
または（ＣｏＦｅＣｒ合金で形成された磁性層の膜厚／第１の磁性層の膜厚）の膜厚比は、０．２６以上で０．８２以下であることが好ましい。これによって、抵抗変化率を１０．２７％以上得ることができ、またシート抵抗変化量ΔＲｓを従来よりも大きくすることができる。
【０３９５】
または、（ＣｏＦｅＣｒ合金で形成された磁性層の膜厚／第１の磁性層の膜厚）の膜厚比は、０．１２以上で０．６１以下であることが好ましい。これによって抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を従来よりも大きくすることができ、シート抵抗変化量ΔＲｓを１．４６７Ω／□以上にでき、また一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ*を５３ｋＡ／ｍ以上に大きくすることができる。
【０３９６】
または、（ＣｏＦｅＣｒ合金で形成された磁性層の膜厚／第１の磁性層の膜厚）の膜厚比は、０．２６以上で０．６１以下であることが好ましい。これによって抵抗変化率を１０．２７％以上得ることができ、また一方向性交換バイアス磁界Ｈｅｘ*を５３ｋＡ／ｍ以上得ることができる。
【０３９７】
さらには、（ＣｏＦｅＣｒ合金で形成された磁性層の膜厚／第１の磁性層の膜厚）の膜厚比は、０．２６以上で０．３６以下であることが好ましい。これによって抵抗変化率を１０．２７％以上得ることができ、さらに一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）を従来よりも（約６３ｋＡ／ｍよりも）大きくすることができる。
【０３９８】
なお実験では元素ＸとしてＣｒを選択したが、Ｃｒと化学的性質が近い、ＩＶＡ〜ＶＩＡ族元素であるＴｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗを元素Ｘとして選択したとしても、上記実験結果とほぼ同じ結果が得られる。
【０３９９】
また上記した実験結果は、特に元素Ｘを含んだＣｏＦｅＮｉＸ合金でも上記実験結果とほぼ同じ結果が得られる。
【０４００】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明における磁気検出素子では、フリー磁性層は、非磁性材料層との界面と接して形成される第２の磁性層と、前記第２の磁性層と非磁性中間層を介して対向する第１の磁性層とを有して形成された積層フェリ構造であり、前記第１の磁性層には、元素Ｘ（ただし元素Ｘは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗのうち少なくとも１種以上の元素）を含有する領域が、前記非磁性中間層との界面の逆面側から前記非磁性中間層側にかけて存在するとともに、前記非磁性中間層との界面から前記逆面側にかけての領域の一部に、前記元素Ｘを含まない領域が存在することを特徴とするものである。
【０４０１】
本発明では、上記のように、積層フェリ構造で形成されたフリー磁性層の第１の磁性層の非磁性中間層の界面との逆面側には、元素Ｘが含まれた領域が存在し、一方、非磁性中間層側には前記元素Ｘを含まない領域が存在する。
【０４０２】
元素Ｘを含む磁性領域は、元素Ｘを含まない磁性領域に比べて比抵抗が大きくなっている。
【０４０３】
このように本発明では前記第１の磁性層に元素Ｘを含んだ比抵抗の高い領域が存在するので、元素Ｘを含まない磁性材料のみで前記第１の磁性層を形成した場合に比べて、前記第１の磁性層へのセンス電流の分流ロスを低減させることができる。
【０４０４】
しかも本発明では、第１の磁性層の全領域に元素Ｘを含有させているのではなく、非磁性中間層との界面側には元素Ｘを含まない領域が存在し、この領域の存在によって、前記第１の磁性層と第２の磁性層間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくすることができる。
【０４０５】
したがって本発明によれば、従来に比べて、前記磁気検出素子の抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を向上させることができると同時に、フリー磁性層を構成する第１の磁性層と第２の磁性層間で発生するＲＫＫＹ相互作用における結合磁界を大きくでき、前記フリー磁性層の磁化制御を適切に行うことができ、再生特性に優れた磁気検出素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図２】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図３】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図４】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図５】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図６】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図７】実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図８】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図９】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図１０】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図１１】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図１２】実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図１３】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図１４】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図１５】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図１６】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図１７】参考例の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た断面図、
【図１８】図１１の磁気検出素子の製造方法を示す一工程図、
【図１９】図１８に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２０】図１９に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２１】各形態における磁気検出素子の製造方法を説明するための一工程図（模式図）、
【図２２】磁気検出素子を有する薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図２３】第１の磁性層がＣｏＦｅＣｒ合金とＣｏＦｅ合金との２層構造で形成されたときの、ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚と、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）との関係を示すグラフ、
【図２４】第１の磁性層がＣｏＦｅＣｒ合金とＣｏＦｅ合金との２層構造で形成されたときの、ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚と、シート抵抗変化量（ΔＲｓ）との関係を示すグラフ、
【図２５】第１の磁性層がＣｏＦｅＣｒ合金とＣｏＦｅ合金との２層構造で形成されたときの、ＣｏＦｅＣｒ合金の膜厚と、一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）との関係を示すグラフ、
【図２６】従来における磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図２７】従来における別の構造の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図２８】積層フェリ構造の第１の磁性層を、ＣｏＦｅ単層で形成した場合、ＣｏＦｅＣｒ単層で形成した場合の、前記第１の磁性層の膜厚と、一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ*）との関係を示すグラフ、
【符号の説明】
１  フリー磁性層
２  非磁性材料層
３  固定磁性層
４  反強磁性層
５  ハードバイアス層
６  下地層
７  保護層
８  電極層
１１、４１  第２の磁性層
１２、４２  非磁性中間層
１３、４３  第１の磁性層
１５  バックド層
２２  シードレイヤ
４５、４６  磁性層
４７  第２反強磁性層
５０  第３反強磁性層
５１  非磁性層
５２  強磁性層
６０、６５、７０  下部シールド層
６４、６８、７１  上部シールド層
６６、６７、７７、７８  絶縁層
７２  第１絶縁層
７３  第２絶縁層
８０  レジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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