(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
a) 導電性の壁面（１１２，１１４，１１６）を有し、これらの壁面によって境界付けられた室内にイオン化ゾーン（１２０）を定めてイオン化し得る材料を受け入れ、かつイオンを放出するための出口開口を有するプラズマ室（１８）と、
b) このプラズマ室（１８）から出るイオンからイオンビーム（１４）を形成するための構造部（２１，２２，２６）に対して前記プラズマ室（１８）を位置決めする支持体（１５）と、
c) 前記プラズマ室（１８）と連通し、イオン化し得る材料を前記プラズマ室（１８）内に配給するための供給路と、
d) 前記プラズマ室内に露出した金属面を有し、前記プラズマ室（１８）内にエネルギーを放出する金属性アンテナ（１３０）と、
e) このアンテナ（１３０）をＲＦ信号を用いて励起し、前記アンテナ内に交流電流を生じさせるエネルギー源（１３４）とを備え、さらに、
前記アンテナ（１３０）をプラズマ室（１８）内に支持するための取り外し可能な支持体を含み、この支持体が、アンテナ（１３０）をプラズマ室（１８）の外側の領域からプラズマ室内に延ばすことを可能にするカットアウト部分（１５２）を有する壁面（１１４）と、前記アンテナを支持し、かつ前記壁面のカットアウト部分内にはめ込められる寸法を有するとともに、前記アンテナの露出した金属部分をこの金属部分に近接したイオン化ゾーン（１２０）内に位置決めるインサート部材（１５０）とを有することを特徴とするイオン注入機に使用するためのイオン源。
【請求項２】
アンテナ（１３０）は、アルミニウムにより構成されていることを特徴とする請求項１のイオン源。
【請求項３】
アンテナ（１３０）は、厚い壁面を有する金属チューブであり、さらにイオン注入機（１６）の作動時に前記金属チューブを通ってくみ上げられる冷却源を含んでいることを特徴とする請求項１のイオン源。
【請求項４】
前記金属チューブは、プラズマ室（１８）内に形成されたプラズマに露出するアルミニウム表面（１３２）を含んでいることを特徴とする請求項３のイオン源。
【請求項５】
金属チューブの露出したアルミニウム表面部分が、ほぼＵ形状のアルミニウムチューブで形成されていることを特徴とする請求項４のイオン源。
【請求項６】
イオン注入機に使用するための室内にイオンのプラズマを形成する方法であって、
a) 前記室内にイオン化ゾーン（１２０）を定める導電性の壁面（１１２，１１４，１１６）を有し、さらに、前記室内に作り出されたイオンがこの室内から出ることができるように出口開口（１２６）を有するプラズマ室（１８）を準備し、
b) このプラズマ室（１８）から放出されるイオンからイオンビームを形成するための構造部（２１，２２，２６）に対して前記プラズマ室（１８）を位置決めし、
c) イオン化し得る材料を前記プラズマ室（１８）に配給し、
d) 前記プラズマ室（１８）内にエネルギーを放出するために、露出した金属表面（１３２）が前記プラズマ室内に延びるように前記金属アンテナ（１３０）を取り付け、
e) 前記金属アンテナ（１３０）をＲＦ信号により励起して、このアンテナに交流電流を生じさせ、前記プラズマ室内の金属アンテナに近接するイオン化電界を誘導し、イオンビーム（１４）を形成するために、開口（１２６）を通って放出されるイオンのプラズマを形成する、各ステップを有し、
前記取付け工程(d) は、前記プラズマ室（１８）の壁面（１１４）にカットアウト部分（１５２）を用意し、このカットアウト部分内にはめ込まれるインサート部材（１５０）に前記アンテナを取り付ける工程を含んでいることを特徴とする方法。
【請求項７】
アンテナ（１３０）上での材料のスパッタリングによる汚染物質の影響を受けやすい領域において、アンテナ（１３０）の露出表面（１３２）をシールドするステップをさらに含むことを特徴とする請求項６の方法。
【請求項８】
インサート部材（１５０）は、前記壁面（１１４）またはインサート部材（１５０）の１つの取付られる強磁性部材（１７４）を引きつける磁石（１７０）によって壁面に固定されることを特徴とする請求項７の方法。
【請求項９】
a) 脱気された領域内でイオンビーム処理するために１つまたは複数の加工物を位置決めるためのイオン注入室（１７）と、
b) 前記脱気された領域内で前記加工物を処理するためにイオンビーム（１４）を形成するのに最適なイオンプラズマを発生させるイオン源（１２）とを有し、前記イオン源（１２）は、プラズマ室（１８）を形成する室内にイオン化ゾーン（１２０）を定める導電性の壁面（１１２，１１４，１１６）を有し、前記プラズマ室（１８）は、イオンを放出することができる１つまたは複数の出口開口（１２６）を形成する１つの壁面（１１６）を含み、さらに、
c) 前記イオン源（１２）からイオン注入室（１７）への脱気されたビーム経路を形成し、かつこのビーム経路内にイオンビームを進ませるための構造部（２１，２２，２６）と、
d) 前記プラズマ室（１８）から放出するイオンからイオンビーム（１４）を形成するために、前記構造部に対して前記プラズマ室（１８）を位置決めする支持体（１５）と、
e) 前記プラズマ室と連通し、この室内にイオン化材料を供給するための供給路と、
(f) 前記プラズマ室（１８）の内部に露出した金属表面（１３２）を有し、前記プラズマ室内にエネルギーを放射するための金属製アンテナ（１３０）と、
(g) このアンテナ（１３０）に近接してイオン化電界を誘導するために前記アンテナ内に交流電流を流すためのＲＦ信号を用いて前記アンテナを励起するエネルギー源（１３４）とを有し、さらに、
前記アンテナ（１３０）をプラズマ室（１８）内に支持するための取り外し可能な支持体を含み、この支持体が、アンテナ（１３０）をプラズマ室（１８）の外側の領域からプラズマ室内に延ばすことを可能にするカットアウト部分（１５２）を有する壁面（１１４）と、前記アンテナを支持し、かつ前記壁面のカットアウト部分内にはめ込められる寸法を有するとともに、前記アンテナの露出した金属部分をこの金属部分に近接したイオン化ゾーン（１２０）内に位置決めるインサート部材（１５０）とを有することを特徴とするイオン注入機。
【請求項１０】
アンテナ（１３０）は、プラズマ室（１８）内に支持されたＵ字形状セグメントを有することを特徴とする請求項９のイオン注入機。
【請求項１１】
アンテナ（１３０）は、プラズマ室（１８）内に支持されたアルミニウム製のＵ字形状セグメントを有することを特徴とする請求項９のイオン注入機。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、イオン注入機に用いるイオンを発生するための方法及び装置に関し、特に、イオンのプラズマが作り出されるイオン源の室内にイオン化エネルギーを供給するための方法及び構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
イオンビーム注入機は、シリコンウェハをイオンビームで処理するために使用される。そのような処理は、ｎまたはｐ型不純物半導体のドーピングを行うために使用できるか、集積回路の製造中に不活性化層を形成するために使用できる。
【０００３】
半導体のドーピングに使用される場合、イオンビーム注入機は、所望の不純物半導体を作り出すように選択された種類のイオンを注入する。アンチモン、ヒ素またはリン等の原料物質から発生したイオンを注入することによって、ｎ型不純物半導体ウェハが製造される。ｐ型不純物半導体ウェハを望む場合は、ホウ素、ガリウムまたはインジウム等の原料物質から発生したイオンを注入する。
【０００４】
イオンビーム注入機は、イオン化できる原料物質から正荷電イオンを発生するイオン源を備えている。発生したイオンはビームになって、所定のビーム経路に沿って加速されて注入部へ進む。イオンビーム注入機は、イオン源とイオン注入室との間に延在したビーム形成及び整形構造部を備えている。
【０００５】
このビーム形成及び整形構造部はイオンビームを維持して、ビームが注入室まで進む途中に通過する細長い内部キャビティすなわち領域を定めている。注入機を作動させる時、イオンが空気分子と衝突することによって所定のビーム経路から逸れる可能性を低くするため、この内部領域を脱気しなければならない。
【０００６】
本発明の譲受人であるイートン社（Eaton)は、製品番号ＮＶ１０、ＮＶ−ＧＳＤ／２００、ＮＶ−ＧＳＤ／１６０及びＮＶ−ＧＳＤ／８０の高電流型注入機を現在販売している。
【０００７】
一般的に公知のイオン注入機に用いられてイオンビームを発生するイオン源は、イオン化電子をイオン源の室内に閉じ込めるために、加熱フィラメント陰極を有している。これらの電子は、イオンと衝突して、イオン源の室内に供給される材料をイオン化する。これらのイオンは、出口開口を通してイオン源から放出される。比較的短い使用時間の後に、フィラメント陰極が減退し、イオンが再び十分な効力で発生できるようにもとに戻さなければならない。
【０００８】
イオン注入機用のイオン源におけるイオン化処理は、ＲＦ（無線周波）結合アンテナによってイオン源の室内に電力を配給することにより、開始されかつ維持することができるようになる。このアンテナは、導電性アンテナの表皮層内に交流が生じるＲＦ信号によって励起する。
【０００９】
アンテナ内を流れる交流電流は、時間により変化する磁界を生じ、この磁界はイオン源の室内で発生する自由電子が占有された領域内の電界を生じる。これらの自由電子は誘導電界により加速され、イオン源の室内のイオン化材料に衝突する。アンテナの形状は、イオン源の室内に誘導された電界に基づく。アンテナによって、イオン源の室内に定常状態の電力の配給が与えられると、イオン源の室内のプラズマによる電流は、アンテナを流れる電流とほぼ平行にかつ逆方向に流れる。
【００１０】
これまで、イオン源の室内へのエネルギーの配給により作り出されるプラズマ内にアンテナを直接突っ込むことができるとは思いもしなかった。
【００１１】
アンテナは、電気的絶縁を与えるために誘電体で被覆されていた。この誘電体の被覆は、使用により浸食され、イオン源の室内でのプラズマを汚染する。
【００１２】
従来の２つのイオン源の例示は、ルーウング等に付与された米国特許第４４８６６６５号明細書及び米国特許第４４４７７３２号明細書に開示されている。これら２つの特許では、イオン源の室内にイオン化電子を供給する複数のフィラメントを備えたイオン源が開示されている。
【００１３】
これらのフィラメントは直流電源により電力が供給され、直流電流がフィラメントに流れて、イオン源の室内に放出される電子が生じる。これらの電子は加速され、イオン源の室内に放射される原子と衝突して、二次利用のためのイオンを作り出す。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、イオン注入機に接続して用いることができるイオン源に関係している。ここで開示されるイオン源は、イオン化し得る材料を含んでいる室の内部でエネルギーを結合するためのアンテナを用いる。本発明の目的は、イオン源内部にエネルギーを配給するための金属製アンテナを設けたイオン源、これを用いたイオン注入機、及びイオンのプラズマを形成するための方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項に記載の構成を有する。本発明の形態に従って構成された装置は、プラズマ室を形成する導電性の壁面を有するイオン源を備える。導電性の壁面によりイオン化領域が定められ、プラズマ室は、また出口開口を形成してイオンがこの室から放出できるようにしている。これらのイオンは、イオンビームを形成し、そしてビーム経路を通過して工作物を処理する。イオンを発生するプラズマ室からイオンビームを形成するために、構造上プラズマ室を位置決めるベースが設けられる。プラズマ室と連通する供給路は、イオン化し得る材料をプラズマ室内に供給する。この供給路は、例えば、プラズマ室の内部にイオン化ガスを供給する。イオン源内部にエネルギーを配給するための金属製アンテナは、イオン源の室内に露出した金属表面を有する。金属製アンテナは、ＲＦ信号を用いてこのアンテナを励起するエネルギー源と結合して、アンテナに交流電流を流す。この交流電流は、プラズマ室内にアンテナに近接したイオン化電界を誘導する。
【００１６】
アンテナの露出表面と、プラズマシース(plasma sheath) によってイオン源の室内に生じるプラズマとの間に電気的絶縁が与えられており、プラズマシースはアンテナを取り囲む低減した電荷密度領域を形成する。このシースは完全な絶縁媒体ではないが、その導電率は、プラズマの導電率及びより高い導電性の金属アンテナよりも非常に低いものである。プラズマと金属アンテナの両方に流れる非常に高い電流に関連して、シースは、絶縁障壁を形成するとみなすことができる。このシース領域は、非常に薄く、それゆえ、アンテナとプラズマとの間の有効な結合を与える。
【００１７】
アンテナとして選択される金属は非常に導電性が高いものが好ましい。最も好ましい金属として、アルミニウムが選択される。アルミニウムを選択する他の利点は、イオン注入機の半導体処理利用において、アルミニウムの場合、アンテナからプラズマに飛散する汚染が比較的問題とならないことである。好ましいアルミ製アンテナは、その寿命を長持ちさせる厚さの壁面を有するチューブである。冷却剤は、イオン源の作動中にこのチューブを通過して導かれる。
【００１８】
本発明の上記及び他の目的、利点及び特徴は、添付の図面を参照した本発明の好適な実施の形態についての詳細な説明から理解されるであろう。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照しながら説明すると、図１はイオンビーム注入機１０を示しており、これにはＬ字形状の支持体（ベース）１５に取付られたイオン源１２が設けられている。イオン源は、加速されるイオンを放出してイオンビーム１４を形成しており、このイオンビームはイオン源１２からイオン注入部１６へのビーム経路を通過する。
【００２０】
電子制御装置１００が、イオン注入部１６の一部を形成する注入室１７内でウェハ（図示せず）が受け取るイオン添加量を監視するために設けられている。イオンビーム内のイオンは、イオン源１２と注入室１７との間の構造により境界付けられた脱気領域を通過する、予め決められた望ましいビーム経路に従う。
【００２１】
イオン源１２はプラズマ室１８（図２参照）を含み、このプラズマ室は、その内部領域内でイオン化される原料物質を含んでいる。原料物質は、イオン化ガスまたは気化原料物質の形で供給することができる。ある原料物質は、イオン注入処理工程に用いられ、固相の原料物質を気化してから、イオン化されるためにプラズマ室１８内を通過する。
【００２２】
上述したように、イオンビームの一般的な使用は、シリコンウエハをドーピングして半導体材料を作ることである。ｎ型不純物半導体ウェハ材を望む場合、ホウ素、ガリウムまたはインジウムを使用する。ガリウム及びインジウムは固形の原料物質であるが、ホウ素は気体として、一般的に三フッ化ホウ素または二ホウ酸塩としてプラズマ室内へ噴射されるが、これはホウ素の蒸気圧が低すぎるために加熱するだけでは有効圧力が得られないからである。
【００２３】
ｐ型不純物半導体を形成しようとする場合、固形原材料としてアンチモン、ヒ素またはリンを選択できる。原料物質にエネルギを加えると、正荷電イオンがプラズマ室１８内に発生する。正荷電イオンは、プラズマ室１８の開放側に重ねられたカバープレートの楕円形アークスリットを通ってプラズマ室の内部から出る。
【００２４】
イオンビーム１４はイオン源１２から脱気経路を通って注入室１７まで進み、注入室１７も脱気されている。ビーム経路の脱気は真空ポンプ２０で行われる。そして、イオンビーム経路内の他の粒子とイオンビームが衝突することによるビームの発散を減じるようにする。
【００２５】
本発明に係る構成のイオン源１２の１つの利用は、低いエネルギーのイオン注入機のためのものであり、この種のイオン注入機１４は、そのイオンビーム経路の外側に拡散する傾向があり、本発明のイオン注入機では、そのイオン源から注入室までの経路がかなり短くなるように設計されている。
【００２６】
プラズマ室１８内のイオンは、プラズマ室のカバープレートのスリットから引き出されて、プラズマ室に隣接した１組の電極２４によって支持体１５に固定された質量分析磁石２２に向けて加速される。電極組２４はプラズマ室内部からイオンを引き出して、これを加速して質量分析または質量分離用の磁石２２によって定められた領域内へ進める。磁石内を通るイオンビーム経路は、アルミニウムのビームガイド２６によって形成されている。
【００２７】
イオンビーム１４を構成するイオンは、イオン源１２から出て、質量分析磁石２２によって形成された磁界内に入る。磁石２２によって発生する磁界の強さ及び向きは、電子制御装置１００で磁石の界磁巻線を流れる電流を調整することによって制御される。
【００２８】
質量分析磁石２２は、適当な質量対電荷比を備えたイオンだけがイオン注入部１６に到達できるようにする。プラズマ室１８内における原料物質のイオン化で所望の原子質量の正荷電イオンが発生する。しかし、所望種類のイオンに加えて、イオン化処理によって適当な原子質量以外のイオンも一部発生する。適当な原子質量より高いか低い原子質量のイオンは注入に適していない。
【００２９】
質量分析磁石２２によって発生する磁界によってイオンビーム内のイオンが湾曲軌道で移動する。磁界は、所望種類のイオンの原子質量と等しい原子質量を有するイオンだけがビーム経路を注入室１７まで進むように電子制御装置１００によって形成される。
【００３０】
磁石の下流側に分解プレート４０が配置されている。分解プレート４０はガラス質グラファイトで構成されており、それに設けられた細長い開口をイオンビーム１４内のイオンが通過する。分解プレート４０の位置において、エンベロープの幅によって定められるイオンビーム発散が最小になる。
【００３１】
分解プレート４０は、質量分析磁石２２と協働して、所望種類のイオンの原子質量に近いが同一ではない原子質量を有する不要種類のイオンをイオンビーム１４から除去する。前述したように、所望種類の原子質量に等しい原子質量を有するイオンだけが所定の所望ビーム経路で注入部１６まで進むように、質量分析磁石の磁界の強さ及び向きが、電子制御装置１００によって定められる。所望のイオンの原子質量よりはるかに大きいか、はるかに小さい原子質量を有する不要種類のイオンは大きく逸れて、ビームガイド２６か分解プレート４０で形成されたスリット境界部分に衝突する。
【００３２】
図１に示されているように、調整可能な分解スリット４１とファラディーフラグ４２が、分解プレート４０とイオンビーム中和器４４との間に配置されている。このファラディーフラグ４２は、イオンビーム１４を遮断してビーム特性を測定する位置へ回動できるように、ハウジング５０に回動可能に連結されており、測定が満足できるものである時、注入室１７でのウェハ注入を邪魔しないようにビーム線から後退した位置へ旋回させることができる。
【００３３】
調整可能な分解スリット４１は、２つの回転可能なシールド部を有し、その方向が開口４０から下流でのビーム径を調整するために制御される。第１の方向において、２つの回転可能なシールド部は、ビームのかなりの部分と交差し、かつ第２の方向において、ビームは狭くならないようになっている。
【００３４】
ビーム形成構造部２１，２２，２６は、一般的に電子シャワーと呼ばれるイオンビーム中和器４４を備えている。１９９２年１１月１７日にベンベニスト(Benveniste)に付与された米国特許第５，１６４，５９９号明細書には、イオンビーム注入機内の電子シャワー装置が開示されており、その開示内容は参考として本説明に含まれる。
【００３５】
プラズマ室１８から引き出されたイオンは正帯電している。イオンの正電荷がウェハの注入前に中和されない場合、ドーピングを行ったウェハは有効正電荷を示す。第５，１６４，５９９号特許に記載されているように、そのようなウェハの有効正電荷は望ましくない特性を備えている。
【００３６】
中和器４４の下流側端部が、ウェハにイオンが注入される注入室１７に隣接している。注入室１７内にディスク形ウェハ支持体６０が回転可能に支持されている。処理すべきウェハをウェハ支持体の周縁部付近に位置決めしてから、支持体をモータ６２によって回転させる。モータ６２の出力軸は、ベルト６６によって支持体駆動軸６４に連結されている。イオンビーム１４が、円形経路で回転中のウェハに衝突してそれを処理する。注入部１６はハウジング５０に対して回動可能であり、ハウジング５０に可撓性ベローズ（図１）で連結されている。注入部１６が回動できることによって、ウェハに対するイオンビーム１４の入射角を調整することができる。
【００３７】
プラズマ室１８
図２に示されたイオン源１２は、本発明に従う構成のプラズマ室１８を含んでいる。このプラズマ室１８は、この室内にイオン化ゾーン１２０を定める導電性の壁面１１２，１１４，１１６を有している。壁面１１４は、プラズマ室１８の中心軸線の回りに対称に配置された円筒となっている。質量分析磁石２２に対面する壁面１１６は、プラズマ室の支持体１２２に連結されている。
【００３８】
また、壁面１１６は、プラズマ室１８からイオンが放出できる多数の開口を有する開口板１２４を支持し、かつ離設され電気的に絶縁した多数の引出し電極２４の下流位置にイオンビーム１４を形成するためにこの開口板１２４に結合している。開口板１２４は、特定のパターンに配置された多数の開口を含み、このパターンは、離設した複数の引出し電極において同一形状の多数の開口が整列した配置となっている。
【００３９】
図２の開口板１２４には、多数の開口のただ１つのみが示されている。イオン源は、その室内からイオンが放出できるように多数の開口を有するパターン１２６を備えており、これらのイオン源は、ベンベニステ等に付与された米国特許第４８８３９６８号明細書に開示され、本発明の譲受人に譲渡され、かつその開示内容はここに包含される。
【００４０】
イオン化し得る材料は、プラズマ室１８外部のイオン源からプラズマ室内部のイオン化ゾーン１２０に導かれる。この材料の種類及び特性は、イオン化する材料の種類による。
【００４１】
金属製アンテナ１３０の金属表面１３２は、プラズマ室の内部に露出し、プラズマ室１８内にエネルギーを放射する。プラズマ室１８外側の電源１３４は、アンテナ１３０に交流電流を流し始めるため、ＲＦ信号を用いてアンテナ１３０にエネルギーを供給し、これにより、アンテナに近接するプラズマ室内にイオン化電界が誘導される。
【００４２】
プラズマ室１８は、アンテナ１３０と開口板１２４との間のプラズマ室の内部領域に延びている磁気フィルタアセンブリ１４０を含んでいる。このフィルタアセンブリ１４０は、ルーウング等に付与され、米国合衆国政府に譲渡された米国特許第４４４７７３２号に開示する技術と一致した作動を行う。この特許における開示内容は、参考として本明細書に包含される。
【００４３】
アンテナ１３０は、取り外し可能な支持プレート（インサート部材）１５０によってプラズマ室１８内に位置決めされている。この支持プレート１５０は、側壁面１１４によって、アンテナが延在する円形カットアウト１５２を有する位置に支持されている。アンテナのための支持プレート１５０は、壁面１１８におけるカットアウト１５２内にはめ込まれるように寸法が決められており、また一方、アンテナ１３０の露出したＵ字形金属部分（金属表面）１３２をイオン化ゾーン１２０内に位置決める。
【００４４】
支持プレート１５０は、２つの真空圧力用取付具１５６を収容するそれぞれの貫通が設けられている。アンテナ１３０の延長した脚部１５７が取付具を介して押圧された後、端部キャップ１５８が取付具にねじ込まれ、取付具１５６と脚部１５７間の接触領域をシールする。
【００４５】
アンテナ１３０は、放射線放射領域においてＵ字形が好ましく、かつアルミニウム製であることが好ましい。
【００４６】
このアンテナチューブは、真空圧力用取付具１５６を通過させる外形寸法を有している。使用中、アンテナは、その回りから熱を吸収する。この熱を放散させるために、冷却剤がアンテナチューブの中心に導かれている。
【００４７】
支持プレート１５０は、プラズマ室１８の内部に露出するほぼ平らな表面１６０と、プラズマ室内部から離れて対面する平行な外側表面１６２とを有している。支持プレート１５０のフランジ部分１６４は、壁１１８のカットアウト部を取り囲み、かつコネクタ１７２によって壁１１８に取付られているリング磁石１７０を覆っている。
【００４８】
支持プレート１５０に取付られた強磁性体のインサート１７４は、磁石１７０上にはめ込められ、支持プレート１５０がインサート１７４をカットアウト部１５２内に位置決め、また磁石１７０が互いに引き合い、プラズマ室の内部に延びるアンテナ１３０と共に支持プレート１５０を適所に固定する。
【００４９】
イオン源の作動中、熱が発生し、この熱は壁面１１２，１１４，１１６，１１８によって吸収される。この吸収された熱は、取付具１８１を介して導かれる冷却剤によってプラズマ室１８から取り除かれる。この冷却剤は、第２の出口取付具（図示略）によって壁面を通り、プラズマ室から離れた通路内に水を流すようになっている。
【００５０】
支持プレート１５０の近くのアンテナの領域は、イオン注入機の作動中、飛散した材料で被覆されやすい。２つのシールド部１８０は、アンテナが 支持プレート１５０に挿入される前に、アルミ製のアンテナ上に挿入されている。また、これらのシールド部１８０は、アルミニウムから構成されるのが最も好ましく、かつアンテナ１３０の露出した外側表面とシールド部との間の摩擦嵌合によって適所に維持される。
【００５１】
アンテナ１３０を励起する電源（エネルギー源）１３４は、一般的に、マサチューセッツ、ボストンに在所するアドバンスド エナジー インコーポレイテッドから商業的に利用できる。この電源は、１３．５ＭＨz の周波数で３ＫＷの電力を供給できる。
【００５２】
本発明の特定の形態を詳細に説明してきたが、これらの開示内容は、当業者であれば、改良、変更、修正ができることは明らかであろう。このような全ての改良、変更、修正は、本発明の技術的思想または特許請求の範囲に記載の範囲内であれば包含されるものと思う。
【図面の簡単な説明】
【図１】回転するウエハ支持体に取付られるシリコンウエハ等の加工物をイオンビームで処理するためのイオン注入機の概略図である。
【図２】図１のイオン注入機において、イオンビームを作り出す本発明のイオン源を示す一部断面図である。
【符号の説明】
１０ イオン注入機
１２ イオン源
１４ イオンビーム
１５ 支持体
１７ 注入室
１８ プラズマ室
２０ 真空ポンプ
２２ 質量分析磁石
２４ 電極
２６ ビームガイド
１００ 電子制御装置
１１２，１１４，１１６ 壁面
１２０ イオン化ゾーン
１２６ 出口開口
１３０ アンテナ
１３２ 金属表面
１３４ 電源（エネルギー源）
【図１】
0003924734.tif 000002
【図２】
0003924734.tif 000003