(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力回路からの信号に基づき制御対象を制御するための制御量を演算するマイクロコンピュータと、
前記マイクロコンピュータに備えられた前記制御を実行する制御プログラム及び各種データを格納する書換可能な不揮発性メモリと、
前記電源電圧が供給され前記不揮発性メモリに対する書込電圧を前記電源電圧に基づき供給する電圧供給手段と、
前記電源電圧の遷移状態を検出する電圧検出手段とを備え、
前記マイクロコンピュータに前記書込電圧が入力された状態で、前記電源電圧が前記不揮発性メモリの書換えに適した所定電圧以上になったときから所定時間ののち、マイクロコンピュータの初期化信号を書換許可状態とし、更に、前記電圧検出手段で検出される前記電源電圧が前記不揮発性メモリの書換えに適した所定電圧以上になったとき、前記電圧供給手段による前記書込電圧の供給を許可して前記不揮発性メモリを書換許可状態にすると共に、こののち一度でも書換えに適さない所定電圧以下になったときには、前記電圧供給手段による前記書込電圧の供給を禁止することで前記不揮発性メモリを書換禁止状態にし、前記電源電圧が再び上昇して前記所定電圧以上となっても前記書換電圧の供給禁止状態を維持し、前記電源電圧が再投入され再起動された際に前記電源電圧が前記所定電圧になったときに再び前記書込電圧の供給を許可する書換制御手段と
を具備することを特徴とする電子制御装置。
【請求項２】
更に、前記不揮発性メモリの書込内容を前記書換制御手段による前記書込電圧の供給に応じて書換える書換処理手段を具備し、前記書換処理手段は前記電圧検出手段による前記電源電圧の上昇途中における前記電圧供給手段からの前記書込電圧が所定電圧範囲にあるとき、前記マイクロコンピュータの初期化信号に立上がりエッジが発生すると前記不揮発性メモリに対する書換処理以外の処理に移行することを特徴とする請求項１に記載の電子制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、書換可能な不揮発性メモリを有する電子制御装置に関し、その不揮発性メモリに制御プログラムや各種データを適宜、書込可能な電子制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、所定の制御対象を制御する制御プログラム及び各種データを格納する書換可能な不揮発性メモリを有し、この不揮発性メモリの内容に対して必要に応じて書換処理を実施することができる電子制御装置が知られている。例えば、このものが搭載された車両では、組立完成状態で車種毎に適合する制御プログラム及び各種データを書換可能な不揮発性メモリに対して書込むことができ、極めて汎用性の高い電子制御装置であると言える。つまり、車両の組立完成後では、書換可能な不揮発性メモリに格納されその車両に適合する制御プログラムが電子制御装置内のマイクロコンピュータによって実行され、内燃機関や自動変速機等の制御対象が適切に制御されるのである。
【０００３】
ここで、車両の組立完成状態で書換可能な不揮発性メモリに対して車種毎に適合する制御プログラム及び各種データを書込む際には、別途用意されたメモリ書換機が電子制御装置に接続され、通信ライン等を介して電子制御装置内のマイクロコンピュータと接続される。そして、予め設定された書換条件が成立すると、メモリ書換機側から送信される所定の制御プログラム及び各種データがマイクロコンピュータにて受信され、書換可能な不揮発性メモリに対する書換処理が実施される。また、車両の市場への供給後であっても、書換可能な不揮発性メモリを有する電子制御装置は制御プログラム及び各種データに対し必要に応じて書換処理が実施できるため、制御対象における制御内容等の変更にも容易に対処することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、電子制御装置において、電源電圧の供給に応じて電源ＩＣからマイクロコンピュータ内の書換可能な不揮発性メモリに対する書換処理を実施するための書込電圧が供給される。この書込電圧が所定電圧まで立上がる途中において、電源ＩＣからマイクロコンピュータを初期化するための初期化信号に何らかの要因で立上がりエッジが発生すると、マイクロコンピュータは書換処理とは別の処理として例えば、マイクロコンピュータ自身を検査するための固有のテストモード等に移行してしまい、書換可能な不揮発性メモリに対する書換処理を実施しようとしているにも関わらず所望の書換処理が実施できなくなるという不具合が発生することがあった。
【０００５】
そこで、この発明はかかる不具合を解決するためになされたもので、書換可能な不揮発性メモリを有する電子制御装置であって、この不揮発性メモリの内容に対する所望の書換処理を適切に実施することができる電子制御装置の提供を課題としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の電子制御装置によれば、電圧検出手段で検出される電源電圧が所定電圧以上になると書換制御手段によって電圧供給手段による書換可能な不揮発性メモリに対する書込電圧が供給され書換許可状態とされ、こののち電源電圧が変動し一度でも所定電圧以下となると、書換制御手段によって電圧供給手段による不揮発性メモリに対する書込電圧の供給が停止され書換禁止状態とされる。これにより、本電子制御装置では電源電圧が不揮発性メモリの書換えに適した所定電圧以上となり、こののち書換えに適さない所定電圧以下に一度でも低下すると書込電圧の供給が停止されることで、書換処理を含めそれ以外の別の処理も実施されることがないため、それらの実施による不都合を未然に回避することができる。
【０００７】
請求項２の電子制御装置では、書換処理手段によって書換可能な不揮発性メモリの書込内容を電源電圧に基づき供給される書込電圧により書換えるのであるが、書込電圧が不揮発性メモリの書換えに適した所定電圧に達する以前の所定電圧範囲にあるとき所定信号に立上がりエッジが発生すると不揮発性メモリに対する書換処理とは別の処理が実行されるのである。このように、不揮発性メモリに対する書込電圧が所定電圧に達しておればその書換処理が確実に実行され、所定電圧に達する以前の所定電圧範囲であれば書換処理以外の別の処理が実行される可能性がある。これに対して、電源電圧が不揮発性メモリの書換えに適した所定電圧以上から書換えに適さない所定電圧以下に一度でも低下したタイミングを捉え書込電圧の供給を停止すれば、書換処理手段が書換処理以外の別の処理を実行することが回避できるのである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を実施例に基づいて説明する。
【０００９】
図１は本発明の実施の形態の一実施例にかかる電子制御装置の全体構成を示すブロック図である。
【００１０】
図１において、１０は電子制御装置（Electronic Control Unit;以下、単に、『ＥＣＵ』と記す）であり、ＥＣＵ１０内の入力回路１６には図示しない制御対象に配設された各種センサからのセンサ信号が入力される。これら各種センサからのセンサ信号は入力回路１６により波形整形処理、Ａ／Ｄ変換処理等が実行されたのちマイクロコンピュータ１１に入力される。このマイクロコンピュータ１１では入力回路１６からのセンサ信号に基づき制御対象を制御するための最適な制御量が演算され、その演算結果としての制御信号が出力回路１７に出力される。そして、出力回路１７からの制御信号により制御対象が制御される。また、ＥＣＵ１０はマイクロコンピュータ１１内の制御プログラム及びデータを書換える際に外部接続されるメモリ書換機３０との間でデータ通信を行うための通信回路１８を備えている。
【００１１】
ＥＣＵ１０内のマイクロコンピュータ１１は、周知の中央処理装置としてＣＰＵ１２、制御プログラム及びデータを格納するフラッシュＲＯＭ１３、各種データを格納するスタンバイＲＡＭ１４、入力回路１６及び通信回路１８等からの信号を受取ると共に、出力回路１７に制御信号を出力するＩ／Ｏ（Input-Output）回路１５及びそれらを接続するバスライン等からなる論理演算回路として構成されている。なお、フラッシュＲＯＭ１３は一旦書込まれたプログラムやデータを消去し再度、書込可能なメモリ、即ち、書換可能な不揮発性メモリであり、ＥＥＰＲＯＭ等を用いることもできる。
【００１２】
更に、ＥＣＵ１０はマイクロコンピュータ１１、入力回路１６、出力回路１７等に作動電圧５〔Ｖ〕等を供給するための電源ＩＣ２０を備えており、外部スイッチ３６を介してバッテリ電源３５からの電源電圧＋Ｂが電源ＩＣ２０に供給される。また、この電源ＩＣ２０にはＥＣＵ１０に外部接続されたメモリ書換機３０に配設されたスイッチ３１を介して書換許可信号ＷＦＳＥが入力される。電源ＩＣ２０の＋Ｂ端子からの電源電圧＋Ｂは、作動電圧５〔Ｖ〕等の定電圧を生成する定電圧回路２１に入力される。この定電圧回路２１からの出力信号はパワーオンリセット回路２２に入力され、パワーオンリセット回路２２からの出力信号としての初期化信号ＩＮＩＴが電源ＩＣ２０のＩＮＩＴ端子からマイクロコンピュータ１１側に出力される。また、定電圧回路２１からの出力信号はフリップフロップ回路２３のＤ端子に入力される。
【００１３】
一方、メモリ書換機３０からの書換許可信号ＷＦＳＥはＮＯＴ回路２４を介してＮＯＲ回路２５に入力される。また、電源ＩＣ２０の＋Ｂ端子からの電源電圧＋Ｂは＋Ｂ電圧モニタ回路２６を介してＮＯＲ回路２５に入力される。そして、フリップフロップ回路２３のＱ端子からの出力信号はＮＯＲ回路２５に入力される。このＮＯＲ回路２５からの出力信号はフリップフロップ回路２３のＣＫ端子及びＶpp電圧発生回路２７に入力される。なお、フリップフロップ回路２３はＣＫ端子への入力信号の立下がりによりＤ端子への入力信号に基づく状態がＱ端子から出力される。更に、電源ＩＣ２０の＋Ｂ端子からの電源電圧＋ＢはＶpp電圧発生回路２７に入力される。そして、Ｖpp電圧発生回路２７で発生されるマイクロコンピュータ１１内のフラッシュＲＯＭ１３に対する書込電圧Ｖppは電源ＩＣ２０のＶpp端子からマイクロコンピュータ１１側に出力される。
【００１４】
次に、本実施例のＥＣＵ１０において、マイクロコンピュータ１１のフラッシュＲＯＭ１３に対する制御プログラム及びデータを書換える際の電源ＩＣ２０の作動について、図１の全体構成図及び図２のタイムチャートを参照して説明する。
【００１５】
図１に示すように、ＥＣＵ１０内のマイクロコンピュータ１１のフラッシュＲＯＭ１３に対する制御プログラム及びデータを書換えるために、メモリ書換機３０がコネクタ（図示略）を介してＥＣＵ１０内の通信回路１８に接続される。このように、メモリ書換機３０がＥＣＵ１０内の通信回路１８に接続されると、メモリ書換機３０とＥＣＵ１０内のマイクロコンピュータ１１との間におけるシリアル通信が可能となる。同時に、メモリ書換機３０に配設されているスイッチ３１の一端がバッテリ電源３５に接続され、そのスイッチ３１の他端がＥＣＵ１０内の電源ＩＣ２０のＷＦＳＥ端子に接続される。
【００１６】
このようにして、書換準備完了ののち、まず、図１に示すメモリ書換機３０のスイッチ３１がＯＦＦ（オフ）からＯＮ（オン）に切替えられる。これにより、ＥＣＵ１０内の電源ＩＣ２０のＷＦＳＥ端子に対する書換許可信号ＷＦＳＥがＬ（Ｌｏｗ：低）レベルからＨ（Ｈｉｇｈ：高）レベルとなる（図２の時刻ｔ00）。なお、メモリ書換機３０による制御プログラム及びデータ書換中はスイッチ３１がＯＮのままとされることで、書換許可信号ＷＦＳＥはＨレベルに保持され、ＮＯＴ回路２４からの出力信号はＬレベルに保持される。
【００１７】
次に、図１に示す外部スイッチ３６がＯＦＦからＯＮに切替えられることで、ＥＣＵ１０内の電源ＩＣ２０の＋Ｂ端子に対してバッテリ電源３５が供給され、＋Ｂ端子の電源電圧＋Ｂが０〔Ｖ〕から１４〔Ｖ〕まで徐々に上昇される（図２の時刻ｔ01〜時刻ｔ04）。このＥＣＵ１０内の電源ＩＣ２０の＋Ｂ端子に対してバッテリ電源３５から電源電圧＋Ｂが供給開始されることで図１に示す定電圧回路２１が作動開始され、電源電圧＋Ｂが３．７〔Ｖ〕を越えると図１に示すパワーオンリセット回路２２が作動されパワーオンリセット時間がセットされる（図２の時刻ｔ02）。そして、パワーオンリセット時間が経過すると、ＥＣＵ１０内の電源ＩＣ２０のＩＮＩＴ端子における初期化信号ＩＮＩＴがＬレベルからＨレベルとされる（図２の時刻ｔ06）。
【００１８】
また、電源電圧＋Ｂは＋Ｂ電圧モニタ回路２６に入力されており、この＋Ｂ電圧モニタ回路２６からは電源電圧＋Ｂが０〔Ｖ〕側から８〔Ｖ〕を越えたのち電圧低下して一度でも７．５〔Ｖ〕以下となるとそれまでのＬレベルに替えてＨレベルがＮＯＲ回路２５に出力される。更に、定電圧回路２１からの電圧値がフリップフロップ回路２３のＤ端子に入力されており、フリップフロップ回路２３はＤ端子の電圧値が５〔Ｖ〕でありＣＫ端子への入力信号の立下がりがあるとＱ端子からの出力信号がそれまでのＬレベルに替えてＨレベルがＮＯＲ回路２５に出力される。
【００１９】
上述したように、ＥＣＵ１０内の電源ＩＣ２０のＷＦＳＥ端子に対する書換許可信号ＷＦＳＥがＨレベルでＮＯＴ回路２４を介したＮＯＲ回路２５に対する入力信号はＬレベルである。また、フリップフロップ回路２３のＱ端子からＮＯＲ回路２５への入力信号はＬレベルである。そして、外部スイッチ３６がＯＮとされ、電源ＩＣ２０の＋Ｂ端子の電源電圧＋Ｂが８〔Ｖ〕以上となったのち７．５〔Ｖ〕以下と＋Ｂ電圧低下するまで＋Ｂ電圧モニタ回路２６からＮＯＲ回路２５への入力信号はＬレベルである。したがって、ＮＯＲ回路２５からの出力信号はＨレベルとなり、電源電圧＋Ｂが８〔Ｖ〕以上となると、図１に示す電源ＩＣ２０のＶpp端子におけるＶpp電圧発生回路２７からの書込電圧Ｖppは０〔Ｖ〕から７．８〔Ｖ〕まで徐々に上昇される（図２の時刻ｔ03〜時刻ｔ05）。
【００２０】
そして、パワーオンリセット回路２２によるパワーオンリセット時間の経過後の図２に示す時刻ｔ06以降において、メモリ書換機３０によるＥＣＵ１０内のマイクロコンピュータ１１のフラッシュＲＯＭ１３に対する書換許可状態となり、メモリ書換機３０からの制御プログラム及びデータによる書換処理が適宜実施される。ここで、何らかの要因により電源電圧＋Ｂが１４〔Ｖ〕に達したのち時刻ｔ07から徐々に低下し時刻ｔ09で５〔Ｖ〕になったとする。この途中において、電源電圧＋Ｂが７．５〔Ｖ〕以下となると図１に示す＋Ｂ電圧モニタ回路２６からの出力信号がそれまでのＬレベルからＨレベルに切替えられる。すると、ＮＯＲ回路２５からの出力信号がそれまでのＨレベルからＬレベルに立下がることとなり、Ｖpp電圧発生回路２７による書込電圧Ｖppがそれまでの７．８〔Ｖ〕から０〔Ｖ〕にドロップされる（図２の時刻ｔ08）。
【００２１】
同時に、ＮＯＲ回路２５からの出力信号のＨレベルからＬレベルに立下がる遷移状態を捉えてフリップフロップ回路２３のＱ端子からの出力信号はそれまでのＬレベルからＨレベルに切替えられる。すると、図２に示す時刻ｔ08以降では、後述するように外部スイッチ３６がＯＦＦとされるまでフリップフロップ回路２３のＱ端子からの出力信号はＨレベルに保持されることとなり、ＮＯＲ回路２５からの出力信号はＬレベルに保持されるため、図１に示す電源ＩＣ２０のＶpp端子におけるＶpp電圧発生回路２７からの書込電圧Ｖppは０〔Ｖ〕に保持される。
【００２２】
したがって、上述したように、図１に示す電源ＩＣ２０のＶpp電圧発生回路２７からの書込電圧Ｖppが図２に示す時刻ｔ08で０〔Ｖ〕に一旦ドロップすると＋Ｂ端子における電源電圧＋Ｂが図２に示す時刻ｔ11で再び１４〔Ｖ〕に達しても書込電圧Ｖppは復帰することなく０〔Ｖ〕のままであり、メモリ書換機３０によるＥＣＵ１０内のマイクロコンピュータ１１のフラッシュＲＯＭ１３に対する書換禁止状態が保持される。このため、図２に示す時刻ｔ10〜時刻ｔ11の電源電圧＋Ｂの上昇途中において、初期化信号ＩＮＩＴの立上がりエッジが現れても書込電圧Ｖppの供給が停止されたままであるため何ら不都合が起こることはない。
【００２３】
ここで、図２の時刻ｔ10〜時刻ｔ11に一点鎖線にて、従来における書込電圧Ｖppの遷移状態を示すように、電源電圧＋Ｂの上昇に応じ書込電圧Ｖppが再上昇するとする。そして、この書込電圧Ｖppが上昇途中で所定電圧範囲（例えば、０．６〜７．５〔Ｖ〕）にあるときに、初期化信号ＩＮＩＴに何らかの要因で立上がりエッジが生じたとする。すると、前述したように、マイクロコンピュータ１１は書換処理とは別の処理として例えば、マイクロコンピュータ１１自身を検査するための固有のテストモード等に移行してしまうこととなる。このテストモード等としては、具体的には、マイクロコンピュータ１１の出力端子が正常であるか、ＣＰＵ１２が正常動作しているかを調べるため、特定の出力端子から強制的に所望の出力信号を発生させる処理である。このときの出力状態をみて作業者等はマイクロコンピュータ１１、ＣＰＵ１２が正常であるかを知ることができる。ところで、ＥＣＵ１０が車両に組付けられたのち、このようなテストモードに突入した状態となると、マイクロコンピュータ１１からの強制的な信号によりインジェクタや点火プラグ等のアクチュエータが駆動され、プログラム等の書込処理を実施している作業者等にとって予期しない車両の動作状態が起こる可能性がある。しかし、本実施例のＥＣＵ１０によれば、電源電圧＋Ｂの挙動によって書込電圧Ｖppが０〔Ｖ〕に一旦ドロップすると次に再起動が行われるまでそのままの状態が保持されるため、テストモード等に突入するようなことが回避されている。
【００２４】
次に、外部スイッチ３６が図２に示す時刻ｔ12でＯＦＦされると、電源電圧＋Ｂが１４〔Ｖ〕から０〔Ｖ〕となる（図２の時刻ｔ12〜時刻ｔ14）。この途中において、電源電圧＋Ｂが３．７〔Ｖ〕以下となると初期化信号ＩＮＩＴがそれまでのＨレベルからＬレベルとなる（図２の時刻ｔ13）。なお、図２の時刻ｔ15以降は図１に示す外部スイッチ３６が再度ＯＮされたとき（再起動時）における各種電圧及び信号の遷移状態を表し、時刻ｔ15〜時刻ｔ20は上述の時刻ｔ01〜時刻ｔ06に対応しており、その説明を省略する。
【００２５】
また、上述したように、図１に示すＶpp電圧発生回路２７からの書込電圧Ｖppが、図２の時刻ｔ00以降で、０〔Ｖ〕から７．８〔Ｖ〕までの上昇途中の所定電圧範囲において、初期化信号ＩＮＩＴの立上がりエッジが現れてもパワーオンリセット回路２２によりセットされたパワーオンリセット時間の経過途中であり初期化信号ＩＮＩＴは未だＬレベルである。つまり、ＥＣＵ１０内のマイクロコンピュータ１１のフラッシュＲＯＭ１３に対する書換許可状態となる以前であり、これ以外の別の処理として例えば、マイクロコンピュータ１１自身のテストモード等に移行してしまうという不都合も起こることはない。
【００２６】
更に、上述したように、書換許可信号ＷＦＳＥがＬレベルからＨレベルとなり、電源電圧＋Ｂが０〔Ｖ〕から８〔Ｖ〕以上に上昇することで書込電圧Ｖppが０〔Ｖ〕から７．８〔Ｖ〕に立上がったのち、電源電圧＋Ｂに変動があって７．５〔Ｖ〕以下となると書込電圧Ｖppが０〔Ｖ〕にドロップされる。そして、こののち外部スイッチ３６により再起動されるまでは書込電圧Ｖppは０〔Ｖ〕のままであり復帰されることはない。このため、ＥＣＵ１０内のマイクロコンピュータ１１によるフラッシュＲＯＭ１３に対する書換処理は勿論、これ以外の別の処理が例えノイズ等の重畳により初期化信号ＩＮＩＴに立上がりエッジが発生しても誤って起動されることはない。
【００２７】
このように、本実施例のＥＣＵ１０は、電源電圧＋Ｂの遷移状態を検出する＋Ｂ電圧モニタ回路２６にて達成される電圧検出手段と、所定の制御対象を制御する制御プログラム及び各種データを格納する書換可能な不揮発性メモリとしてのフラッシュＲＯＭ１３に対する書込電圧Ｖppを電源電圧＋Ｂに基づき供給するＶpp電圧発生回路２７にて達成される電圧供給手段と、前記電圧検出手段で検出される電源電圧＋ＢがフラッシュＲＯＭ１３の書換えに適した所定電圧８〔Ｖ〕以上になったとき、前記電圧供給手段による書込電圧Ｖppを供給しフラッシュＲＯＭ１３を書換許可状態にすると共に、こののち一度でも書換えに適さない所定電圧７．５〔Ｖ〕以下になったときには、前記電圧供給手段による書込電圧Ｖppの供給を停止しフラッシュＲＯＭ１３を書換禁止状態にするフリップフロップ回路２３及びＮＯＲ回路２５にて達成される書換制御手段とを具備するものである。
【００２８】
したがって、ＥＣＵ１０にメモリ書換機３０が接続され、外部スイッチ３６のＯＮにより電源電圧＋Ｂが徐々に上昇され８〔Ｖ〕以上となるとＶpp電圧発生回路２７からの書込電圧Ｖppが上昇開始され７．８〔Ｖ〕となり、パワーオンリセット回路２２からの初期化信号ＩＮＩＴがＨレベルとなると、フラッシュＲＯＭ１３に対する書換許可状態となる。こののち、電源電圧＋Ｂが７．５〔Ｖ〕以下に一度でも低下するとフラッシュＲＯＭ１３に対する書換禁止状態とするため書込電圧Ｖppが０〔Ｖ〕にドロップされ保持される。これにより、電源電圧＋ＢがフラッシュＲＯＭ１３の書換えに適した所定電圧であるときのみＶpp電圧発生回路２７から書込電圧Ｖppの７．８〔Ｖ〕が供給され、初期化信号ＩＮＩＴがＨレベルであるとフラッシュＲＯＭ１３に対する書換許可状態となり、この他のタイミングでは書込電圧Ｖppが停止されるため何らかの要因により初期化信号ＩＮＩＴに立上がりエッジが発生したとしても、フラッシュＲＯＭ１３に対する書換処理以外の別の処理が実施されるという不都合が起こることがない。
【００２９】
また、本実施例のＥＣＵ１０は、更に、不揮発性メモリとしてのフラッシュＲＯＭ１３の書込内容をフリップフロップ回路２３及びＮＯＲ回路２５にて達成される書換制御手段による書込電圧Ｖppの供給に応じて書換えるマイクロコンピュータ１１にて達成される書換処理手段を具備し、マイクロコンピュータ１１は＋Ｂ電圧モニタ回路２６にて達成される電圧検出手段による電源電圧＋Ｂの上昇途中におけるＶpp電圧発生回路２７にて達成される電圧供給手段からの書込電圧Ｖppが所定電圧範囲にあるとき所定信号として初期化信号ＩＮＩＴに立上がりエッジが発生するとフラッシュＲＯＭ１３に対する書換処理以外の処理に移行するものである。
【００３０】
つまり、マイクロコンピュータ１１はフラッシュＲＯＭ１３の書込内容を電源電圧＋Ｂに基づき供給される書込電圧Ｖppにより書換えるのであるが、書込電圧ＶppがフラッシュＲＯＭ１３の書換えに適した所定電圧に達する以前の所定電圧範囲にあるとき初期化信号ＩＮＩＴに立上がりエッジが発生するとフラッシュＲＯＭ１３に対する書換処理以外の処理が実行されるのである。このように、Ｖpp電圧発生回路２７からの書込電圧Ｖppが所定電圧に達しておればマイクロコンピュータ１１によるフラッシュＲＯＭ１３の書換処理が確実に実行され、所定電圧に達する以前の所定電圧範囲であればマイクロコンピュータ１１による書換処理以外の処理が実行される可能性がある。これに対して、電源電圧＋ＢがフラッシュＲＯＭ１３の書換えに適した所定電圧以上から書換えに適さない所定電圧以下に一度でも低下したタイミングを捉え書込電圧Ｖppの供給を停止すれば、マイクロコンピュータ１１が書換処理以外の別の処理としてテストモード等を実行することが回避できるのである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は本発明の実施の形態の一実施例にかかるＥＣＵの全体構成を示すブロック図である。
【図２】  図２は本発明の実施の形態の一実施例にかかるＥＣＵの電源ＩＣにおける各種電圧及び信号の遷移状態を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
１０  ＥＣＵ（電子制御装置）
１１  マイクロコンピュータ
１３  フラッシュＲＯＭ（書換可能な不揮発性メモリ）
２０  電源ＩＣ
２３  フリップフロップ回路（書換制御手段）
２５  ＮＯＲ回路（書換制御手段）
２６  ＋Ｂ電圧モニタ回路（電圧検出手段）
２７  Ｖpp電圧発生回路（電圧供給手段）
【図１】
0003924945.tif 000002
【図２】
0003924945.tif 000003