(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に形成されたすだれ状電極を有するＳＡＷデバイスにおいて、
前記すだれ状電極は、前記圧電基板上に形成され、かつ、スリットが形成された第１メタル膜と、前記スリット内に充填された第２メタル膜とから構成され、前記スリットは、前記第１メタル膜の上面から下面に亘って形成されており、かつ、前記第２メタル膜は前記スリット内で前記第１メタル膜と前記圧電基板に接していることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項２】
請求項１記載のＳＡＷデバイスにおいて、前記スリットは、前記すだれ状電極における弾性表面波が伝搬する方向とは直交する方向に形成されていることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項３】
圧電基板上に形成されたすだれ状電極を有するＳＡＷデバイスにおいて、
前記すだれ状電極は、前記圧電基板上に形成され、かつ、凹部が形成された第１メタル膜と、前記凹部内に充填された第２メタル膜とから構成され、
前記凹部は前記第１メタル膜の上面から下面に向かって形成されており、かつ、前記凹部の深さの値は、前記第１メタル膜の厚さの値よりも小さいことを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載のＳＡＷデバイスにおいて、前記第２メタル膜は、前記第１メタル膜の前記上面及び側壁上に形成されていることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項５】
圧電基板上に形成されたすだれ状電極を有するＳＡＷデバイスにおいて、
前記すだれ状電極の電極指は、該電極指が延在する方向において複数に分割された第１メタル膜と、該複数に分割された第１メタル膜の間に形成され、かつ、少なくとも前記第１メタル膜の側壁を覆う第２メタル膜とから構成されることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項６】
請求項５記載のＳＡＷデバイスにおいて、前記第２メタル膜は、前記第１メタル膜の上面にも形成されていることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載のＳＡＷデバイスにおいて、前記第１メタル膜は、前記圧電基板と密着するクロム膜を含むことを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項記載のＳＡＷデバイスにおいて、前記第１メタル膜は、アルミニウムを主成分として含み、前記第２メタル膜は、チタン、クロム、コバルト、モリプデン、タンタル、タングステン、パラジウム、銅、ニオブ、ハフニウム、パナジウム、ニッケル、銀、ジルコニウム、白金、金のいずれかの材料から構成されていることを特徴とするＳＡＷデバイス。
【請求項９】
圧電基板上に形成された第１メタル膜及び第２メタル膜からなるすだれ状電極を有するＳＡＷデバイスの製造方法において、
前記圧電基板上に前記第１メタル膜を形成する工程と、
前記第１メタル膜をすだれ状にパターニングする工程と、
前記すだれ状に形成された前記第１メタル膜に、前記圧電基板が露出するようにスリットを形成する工程と、
前記第１メタル膜の前記スリット内に前記第２メタル膜を充填する工程とを有することを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１０】
圧電基板上に形成された第１メタル膜及び第２メタル膜からなるすだれ状電極を有するＳＡＷデバイスの製造方法において、
前記圧電基板上に前記第１メタル膜を形成する工程と、
前記第１メタル膜をすだれ状にパターニングする工程と、
前記すだれ状に形成された前記第１メタル膜に、該第１メタル膜の厚さの値よりも小さな値である深さの凹部を形成する工程と、
前記第１メタル膜の前記凹部内に前記第２メタル膜を充填する工程とを有することを特徴するＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０記載のＳＡＷデバイスの製造方法において、前記第２メタル膜は、前記第１メタル膜の側壁上にも形成されることを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項９から１１のいずれか１項記載のＳＡＷデバイスの製造方法において、前記第１メタル膜を形成する前に、前記圧電基板上にクロム膜が形成される工程を含むことを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ＳＡＷ（弾性表面波）デバイスのメタル電極、例えばすだれ状電極〔以下、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）と略す。〕、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＳＡＷデバイスはＬｉＴａＯ３等の圧電基板上にすだれ状電極を形成していた。従来のＩＤＴ断面構造を図１２に示す。この図１２の例では、ＬｉＴａＯ３等の圧電基板１上にＡｌ（アルミニウム）等の導電性膜２を形成し、フォトレジストをマスクにしてエッチング処理することによってＩＤＴパターンを形成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来用いられてきたＡｌ膜をＩＤＴに使用した場合、マイグレーションによる耐電力性（面積当たりの電力耐性）が小さいという問題があった。耐電力性を向上させる方法として、Ａｌに他の金属を少量添加したり、図１３に示すような積層構造等が提案されているが、ＳＡＷデバイスの小型化や高周波化（電極の線幅と厚さは高周波化するにつれて小さくなる）の要求が大きくなるにつれ、性能を満たすことが困難な状況となっている。
【０００４】
図１３において、１は基板、３は導電性膜、４は第２導電性膜、５は第３の導電性膜である。
ＳＡＷデバイスにおける電極に関する耐電力性の劣化は、高電力印可と膜応力によってアルミニウム（Ａｌ）を用いて形成された電極にボイド（隙間）やヒロック（突出部）が発生するために生じる。すなわち、弾性表面波によって生じる歪みが電極膜に応力を発生させ、その応力が電極膜の限界応力を越えるとアルミ原子が結晶粒界を移動し、電極内部にボイドができたり、電極表面（側部も含む）にヒロックが発生することにより、電極の耐電力性が劣化する。特にヒロックがＩＤＴパターンのサイドに発生するとショートして破壊にいたる。
【０００５】
これら、ボイドやヒロックの発生を阻止しようとする先行技術は、特開平９−１９９９７６号公報に見受けられる。従来の弾性表面波素子電極は、Ａｌ材料を主成分としＣｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｐｄ等を少量添加することで電極膜の硬化を図ってきたが、高周波化に伴う抵抗の増大、電極に作用する応力の増大等により限界が生じた。これを解消するために、この先行技術では、Ｃｕ膜の特徴である低比抵抗、及び高ストレスマイグレーション・エレクトロマイグレーション耐性を維持し、しかも耐酸化性の向上を図ったＣｕ合金電極膜、および、無機保護膜を形成したＣｕ合金電極膜を提案することが示されている。
【０００６】
しかし、この先行技術は、Ｃｕを主成分とするものであることから、Ａｌと異なり、酸化防止が常に大きな課題として存在することとなる。また、無機保護膜は酸化防止の為に設けられるもので、２ｎｍ〜３０ｎｍ厚のＳｉＯ２等の無機材料となっていることから、弾性表面波の伝搬特性に影響を与えるものとなっていた。
【０００７】
さらには、ホトリソ・エッチング処理時、上記先行技術のように電極主材料がＣｕであると、ドライエッチングではハロゲン化できないため、ウエットエッチングを採用せざるをえないが、ウエットエッチング又はリフトオフ法ではサイドエッチング量が大きく、一方リフトオフ法ではレジストの断面形状の制御が困難なため、携帯電話機に使われている８００ＭＨｚ帯に対応する電極指幅約１．２μｍの電極幅を精度良く形成することができない。しかし、電極主材料がＡｌであると、ドライエッチングを採用することができ、その結果上記電極幅を高精度に形成することが可能となる。
【０００８】
本発明は、上記従来技術の欠点に鑑み、小型化および高周波化したときの耐電力性を向上することができるＳＡＷデバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
（１）圧電基板上に形成されたすだれ状電極を有するＳＡＷデバイスにおいて、前記すだれ状電極は、前記圧電基板上に形成され、かつ、スリットが形成された第１メタル膜と、前記スリット内に充填された第２メタル膜とから構成され、前記スリットは、前記第１メタル膜の上面から下面に亘って形成されており、かつ、前記第２メタル膜は前記スリット内で前記第１メタル膜と前記圧電基板に接していることを特徴とする。
【００１０】
（２）上記（１）記載のＳＡＷデバイスにおいて、前記スリットは、前記すだれ状電極における弾性表面波が伝搬する方向とは直交する方向に形成されていることを特徴とする。
【００１１】
（３）圧電基板上に形成されたすだれ状電極を有するＳＡＷデバイスにおいて、前記すだれ状電極は、前記圧電基板上に形成され、かつ、凹部が形成された第１メタル膜と、前記凹部内に充填された第２メタル膜とから構成され、前記凹部は前記第１メタル膜の上面から下面に向かって形成されており、かつ、前記凹部の深さの値は、前記第１メタル膜の厚さの値よりも小さいことを特徴とする。
【００１２】
（４）上記（１）〜（３）のいずれか１項記載のＳＡＷデバイスにおいて、前記第２メタル膜は、前記第１メタル膜の前記上面及び側壁上に形成されていることを特徴とする。
【００１３】
（５）圧電基板上に形成されたすだれ状電極を有するＳＡＷデバイスにおいて、前記すだれ状電極の電極指は、該電極指が延在する方向において複数に分割された第１メタル膜と、該複数に分割された第１メタル膜の間に形成され、かつ、少なくとも前記第１メタル膜の側壁を覆う第２メタル膜とから構成されることを特徴とする。
【００１４】
（６）上記（５）記載のＳＡＷデバイスにおいて、前記第２メタル膜は、前記第１メタル膜の上面にも形成されていることを特徴とする。
【００１５】
（７）上記（１）〜（６）のいずれか１項記載のＳＡＷデバイスにおいて、前記第１メタル膜は、前記圧電基板と密着するクロム膜を含むことを特徴とする。
【００１６】
（８）上記（１）〜（７）のいずれか１項記載のＳＡＷデバイスにおいて、前記第１メタル膜は、アルミニウムを主成分として含み、前記第２メタル膜は、チタン、クロム、コバルト、モリプデン、タンタル、タングステン、パラジウム、銅、ニオブ、ハフニウム、パナジウム、ニッケル、銀、ジルコニウム、白金、金のいずれかの材料から構成されていることを特徴とする。
【００１７】
（９）圧電基板上に形成された第１メタル膜及び第２メタル膜からなるすだれ状電極を有するＳＡＷデバイスの製造方法において、前記圧電基板上に前記第１メタル膜を形成する工程と、前記第１メタル膜をすだれ状にパターニングする工程と、前記すだれ状に形成された前記第１メタル膜に、前記圧電基板が露出するようにスリットを形成する工程と、前記第１メタル膜の前記スリット内に前記第２メタル膜を充填する工程とを有することを特徴とする。
【００１８】
（１０）圧電基板上に形成された第１メタル膜及び第２メタル膜からなるすだれ状電極を有するＳＡＷデバイスの製造方法において、前記圧電基板上に前記第１メタル膜を形成する工程と、前記第１メタル膜をすだれ状にパターニングする工程と、前記すだれ状に形成された前記第１メタル膜に、該第１メタル膜の厚さの値よりも小さな値である深さの凹部を形成する工程と、前記第１メタル膜の前記凹部内に前記第２メタル膜を充填する工程とを有することを特徴する。
【００１９】
（１１）上記（９）又は（１０）記載のＳＡＷデバイスの製造方法において、前記第２メタル膜は、前記第１メタル膜の側壁上にも形成されることを特徴とする。
【００２０】
（１２）上記（９）から（１１）のいずれか１項記載のＳＡＷデバイスの製造方法において、前記第１メタル膜を形成する前に、前記圧電基板上にクロム膜が形成される工程を含むことを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２２】
〔本発明の第１実施例〕
図１（ａ）は本発明の第１実施例のＩＤＴの断面図である。また、図１（ｂ）は本発明の第１実施例のＩＤＴの平面図である。
【００２３】
ＬｉＴａＯ３等の圧電基板３１上に第１メタル膜３２を設け、第１メタル膜３２の側壁にこれより薄い第２メタル膜３３を１５０Å幅程度設ける。このとき、第１メタル膜３２は、Ａｌを主とし、Ｃｕを１重量％添加した材料を使用する。また、第２メタル膜３３はＴｉを使用する。電極は第１メタル膜３２と第２メタル膜３３よりなり、１本の電極指の幅Ｗは、８００ＭＨｚ帯ＳＡＷデバイスの場合、約１．２μｍで、２ＧＨｚ帯ＳＡＷデバイスの場合、約０．５μｍとなり、高周波になるほど狭くなる。第２メタル膜３３は、１５０Åとしたが、８００ＭＨｚ帯ＳＡＷデバイスの場合、特性上からみて１０００Å以下であれば実用上問題がない。
【００２４】
このように、第１メタル膜３２のサイドにこれより薄い第２メタル膜３３が設けられているため、第１メタル膜の内部から側壁に向かうアルミニウム粒子の移動が発生しても、第１メタル膜３２の側壁にヒロックが発生することを抑制することができる。また、第２メタル膜３３は薄い金属膜よりなるので、前記先行技術の酸化防止のための比較的厚い無機保護膜（ＳｉＯ２等）より格段に表面波の伝送特性が改善される。
【００２５】
図２は本発明の第１実施例のＩＤＴの製造工程図である。
【００２６】
まず、図２（ａ）に示すように、基板上にＡｌ等の第１メタル膜３２をマグネトロンスパッタ法により成膜し、ホトリソ・エッチング処理を施してＩＤＴパターンを形成する。続いて、図２（ｂ）に示すように、第１メタル膜３２上にＴｉ等の第２メタル膜３３を約１５０Å、マグネトロンスパッタ法により成膜する。次に、図２（ｃ）に示すように、ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ  Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチング装置を用いて異方性のエッチングを行い、第１メタル膜３２の側壁のみに第２メタル膜３３が残るようにする。この時、エッチング条件はＣＦ４ガスが５０ｃｃ、Ｏ２ガスが５ｃｃ、処理圧力１６ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワー３００ｍＡで３０％のオーバーエッチングとする。
【００２７】
上記マグネトロンスパッタ法の代わりに蒸着法でも可能である。
【００２８】
第２メタル膜３３の材料としては、上記Ｔｉのほかに、異方性のドライエッチングによる加工性の面を考慮すると、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｄが挙げられる。他にも、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｒ、Ｐｔ、Ａｕ等も有効である。
【００２９】
第２メタル膜３３は、上記先行技術のＳｉＯ２よりも密度が高い分、電極側部においてヒロックが発生しにくくなる。
【００３０】
〔本発明の第２実施例〕
図３は本発明の第２実施例のＩＤＴの断面図である。
【００３１】
圧電基板３１上に第１メタル膜３２を設け、第１メタル膜のパターンを被うように第２メタル膜３３を１５０Å程度設ける。
【００３２】
この時、第１メタル膜３２はＡｌを主とし、Ｃｕを１重量％添加した材料を使用する。第２メタル膜３３はＴｉを使用する。第１メタル膜３２と第２メタル膜３３との接合部にはアニール処理によって形成される合金層３４を設ける。
【００３３】
このように、第１メタル膜３２のサイドおよび上部に合金層３４および第２メタル膜３３が形成されているため、第１メタル膜３２のサイドおよび上部のヒロックが抑制される。従来、電極の上部にヒロックが発生するとＳＡＷデバイスの周波数特性が変動していたが、本発明の第２実施例のものは電極膜上部のヒロック発生が阻止されるので、周波数変動を抑制できる。
【００３４】
図４は本発明の第２実施例のＩＤＴの製造工程図である。
【００３５】
まず、図４（ａ）に示すように、基板上にＡｌ−１ｗｔ％Ｃｕの第１メタル膜３２をマグネトロンスパッタ法により成膜し、ホトリソ・エッチング処理を施してＩＤＴパターンを形成する。続いて、図４（ｂ）に示すように、第１メタル膜３２上にＴｉ等の第２メタル膜３３を約１５０Å、マグネトロンスパッタ法により成膜する。次に、図４（ｃ）に示すように、アニール炉を用いて窒素雰囲気中で２５０℃、１時間の加熱処理を行う。加熱処理することで第１メタル膜３２と第２メタル膜３３は接合部で相互に拡散され合金層３４となる。次に、図４（ｄ）に示すように、フッ素系のガスを用いてドライエッチングを行う。これにより、メタル合金層３４はエッチングの進行が遅いため残り、その他の合金化されていない部分はエッチングにより除去される。
【００３６】
この製造方法では、アニール処理によりＡｌ粒界にＣｕが析出するため、この析出したＣｕがアルミニウム粒子の表面を覆うので、アルミニウム粒子の電極内部の移動や成長が抑制される。その結果、電極の内部におけるボイドやヒロックの発生を抑制することができる。以上のように、本発明の第２の実施の形態によれば、内部におけるボイドやヒロックの発生がより効果的に抑制されたＩＤＴ電極を有するＳＡＷデバイスを製造することができる。
【００３７】
〔本発明の第３実施例〕
図５は本発明の第３実施例のＩＤＴの断面図である。
【００３８】
圧電基板３１上に第１メタル膜３２を設け、第１メタル膜のパターン幅よりも広い幅で第２メタル膜３３を１５０Å程度設ける。このとき、第１メタル膜３２はＡｌを主とした材料で、Ｃｕを１％添加したものを使用している。また、第２メタル膜はＴｉを使用する。
【００３９】
以上のように、第１メタル膜３２の側壁においてだけでなく、第１メタル膜３２の上部においても第２メタル膜が形成されているので、第１メタル膜内部におけるボイドやヒロックの発生をより効果的に抑制することができる。その結果、耐電力性が大きく向上したＩＤＴ電極を有するＳＡＷデバイスを実現することができる。
【００４０】
図６は本発明の第３実施例のＩＤＴの製造工程図である。
【００４１】
まず、図６（ａ）に示すように、基板上にＡｌ等の第１メタル膜３２をマグネトロンスパッタ法により成膜し、ホトリソ・エッチング処理を施してＩＤＴパターンを形成する。続いて、図６（ｂ）に示すように、第１メタル膜３２上にＴｉ等の第２メタル膜３３を約１５０Å、マグネトロンスパッタ法により成膜する。次に、続いて、図６（ｃ）に示すように、第２メタル膜３３上に第１メタル膜３２の幅よりも広くなるような寸法で、レジスト３５のパターンを形成する。最後に、図６（ｄ）に示すように、レジストをマスクとして第２メタル膜３３をエッチング処理することにより、第１メタル膜３２を被うように第２メタル膜３３のパターンを形成する。この製造方法によれば、レジスト３５によるエッチングなので極めて容易に製造することができる。
【００４２】
〔本発明の第４実施例〕
図７は本発明の第４実施例のＩＤＴの断面図である。
【００４３】
圧電基板３１上に弾性表面波の伝搬方向と直交する方向にスリット３６を形成した第１メタル膜３２を設ける。即ち、第１メタル膜３２は電極指それぞれにスリット３６を入れた形状とする。
【００４４】
この時、第１メタル膜３２のスリット３６は、図７（ｃ）に示すように、交互に第１メタル膜３２の電極間に入り込んだ共通長さ部分に対応する長さＤを最低限必要とする。間にスリット３６を設けた第１メタル膜３２のパターンを被うように、第２メタル膜３３を１０００Å程度設ける。この時、第１メタル膜３２はＡｌを主とし、Ｃｕを１重量％添加した材料を使用する。また、第２メタル膜３３はＴｉを使用する。
【００４５】
本発明の第４実施例では、例えば、使用周波数が８００ＭＨｚのとき、スリット３６により分割した第１メタル膜３２の幅（電極幅）Ｆは、約１．２μｍとし、スリット３６の幅Ｇは０．４μｍとする。このとき、各電極である第１メタル膜３２のピッチＥは、例えば２．４μｍとする。
【００４６】
このように、第１メタル膜３２のサイドおよび上部に第２メタル膜３３を設け、かつ第１メタル膜３２を横方向に分割したスリット３６内部に第２メタル膜３３を充填したので、Ａｌ原子の動きがスリットを設けない場合（分割しない場合）に比べて抑制され、第１メタル膜３２のヒロック、特に横方向のヒロック発生が抑制される。
【００４７】
図８は本発明の第４実施例のＩＤＴの製造工程図である。
【００４８】
まず、図８（ａ）に示すように、基板上にＡｌ等の第１メタル膜３２をマグネトロンスパッタ法により成膜し、ホトリソ・エッチング処理を施してＩＤＴパターンを形成する。この時、第１メタル膜３２は弾性表面波の伝搬方向と直交する方向にスリット３６により２分割し、スリット３６は約０．４μｍとした。続いて、図８（ｂ）に示すように、第１メタル膜３２を被うようにマグネトロンスパッタ法によりＴｉ等の第２メタル膜３３を約１０００Å、第１メタル膜３２のスリット３６内に第２メタル膜３３が埋め込まれるような条件で成膜する。次に、図８（ｃ）に示すように、第１メタル膜３２全体の幅よりも広くなるような寸法で、レジスト３５のパターンを形成する。最後に、図８（ｄ）に示すように、スリット３６内部を含む第１メタル膜３２全体を被うように、第２メタル膜３３をレジストをマスクとしてエッチング処理する。
【００４９】
このように、スリットを設ける等の加工は第１メタル膜３２のみなので、他の膜に関係なく加工でき、また、第２メタル膜は第１メタル膜３２上に単に成膜するので、加工精度を高くでき、工程を簡単にできる。また、第１メタル膜３２全体を覆うようなレジストを形成することによって、確実に且つ簡単に第１メタル膜の側壁及び上部の両方に第２メタル膜３３を形成することができる。
【００５０】
〔本発明の第５実施例〕
図９は本発明の第５実施例のＩＤＴの断面図および平面図である。
【００５１】
前記実施例１〜４までのＩＤＴの膜構造は、図７（ａ）のＩＤＴパターン図で示したＸ方向の断面構造である。
【００５２】
この第５実施例の断面図である図９（ｂ）は、平面図である図９（ａ）のＹ−Ｙ’方向のパターン構造を示す（Ｘ方向は従来技術、及び実施例３、４の断面図で示しているので省略する）。
【００５３】
まず、圧電基板３１上に第１メタル膜３２を設ける。このとき、第１メタル膜３２は弾性表面波の伝搬方向と直交する方向であるＹ方向に、即ち電極指方向に、細かく分離させた構造、即ち、後述するドット状とする。
【００５４】
次に、第１メタル膜３２のパターンを被うように、第２メタル膜３３を設ける。このとき、図９（ｃ）に示すように、第１メタル膜３２は、下層がＴｉ膜、上層がＡｌ−Ｃｕ合金の２層構造とする。また、第２メタル膜３３は下層がＴｉで上層がＡｌ−Ｃｕ合金の２層構造とする。
【００５５】
このように、第１メタル膜３２をＹ方向に細かく分割したことにより、Ａｌ原子が移動し難くなるため、ボイドやヒロックの発生が抑制される。
【００５６】
図１０の（ａ−１）、（ａ−２）および（ｂ−１）、（ｂ−２）は、それぞれは平面図および断面図であり、全体として本発明の上記第５実施例のＩＤＴの製造工程図となっている。
【００５７】
まず、図１０（ａ−１）および（ｂ−１）に示すように、基板３１上にＴｉ、Ａｌ−Ｃｕ合金の順に第１メタル膜３２をマグネトロンスパッタ法により成膜し、ホトリソ・エッチング処理を施してＩＤＴパターンを形成する。この時、第１メタル膜３２はＹ方向に細かく分割しドット状に形成する。ドット状とは、連なることにより一本の電極指を構成するときの所定長さの短片の形状を云い、短片は面積を有する点、この点を直線上に引き延ばした形状および長方形を意味する。ドット−ドット間のスリット寸法は約０．５μｍとする。
【００５８】
続いて図１０（ａ−２）および（ｂ−２）に示すように、第１メタル膜３２上に、Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｕ合金の順に第２メタル膜３３をそれぞれ１５０Å、１０００Åの膜厚で、マグネトロンスパッタ法により成膜する。次に、第２メタル膜３３上にＸ方向は第１メタル膜幅よりも広くなるような寸法で且つ第１メタル膜３２パターンに重なるように、ホトレジストのパターンを形成する。最後に、レジスト３５をマスクとして、スリット３６内部を含む第１メタル膜３２全体が被われるように、第２メタル膜３３をエッチング処理する。
【００５９】
このように、スリットを設ける等の加工は第１メタル膜３２のみなので、他の膜に関係なく加工でき、また、第２メタル膜は第１メタル膜３２上に単に成膜するので、加工精度を高くでき、工程を簡単にできる。また、第１メタル膜３２全体を覆うようなレジストを形成することによって、確実に第１メタル膜の側壁および上部の両方に第２メタル膜を形成することができる。
【００６０】
〔本発明の第６実施例〕
図１１は本発明の第６実施例のＩＤＴの断面図である。
【００６１】
前記第１実施例から第１０実施例までのＩＤＴの膜構造は、主に第１メタル膜３２および第２メタル膜３３からなる２層構造について説明してきたが、第１メタル膜３２および第２メタル膜３３はそれぞれ１層（第５実施例に示した各膜が異金属の組合せ構造を含む）である必要はなく、２層以上の積層構造であってもよい。また、第１メタル膜３２はＡｌまたはＡｌに少量の遷移金属を含有したもので、第２メタル膜３３はＴｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｖ、Ｚｒ、Ｃｕ等の導電性膜、あるいは前記導電性膜の酸化膜、窒化膜等の膜であっても良い。前記第５実施例では、第２メタル膜３２にＡｌ−Ｃｕ膜も用いている。
【００６２】
第６実施例では、第１実施例の第１メタル膜を４層の積層構造にした実施の形態について示している。
【００６３】
図１１（ａ）では、第１メタル膜３２は上から順にＡｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｒであり、それぞれの膜厚は使用周波数が８００〜８５０ＭＨｚのとき、上から順に１７２５Å／１００Å／１７２５Å／１５０Åとした。
【００６４】
ホトリソ・エッチング処理を行い第１メタル膜のパターンを形成する。ここで、第１メタル膜３２のＡｌやＴｉをドライエッチングした場合、ＡｌやＴｉ膜はエッチング速度が速いため、第１メタル膜３２を突き抜けてエッチングが進行し基板に損傷を与える可能性が高い。
【００６５】
そこで、図１１（ａ）に示すように、エッチング速度がＡｌの約５％と遅いＣｒ膜を最下層に用いることにより、基板３１に損傷を与えることなくＣｒ膜でエッチングを止めることが可能となる。最下層の残ったＣｒ膜は硝酸第２セリウムアンモニウムを主成分とする薬品を用いてウエットエッチングして除去するか、基板へのダメージが少ない条件でドライエッチングして除去する。その後Ｔｉ膜を約１５０Å成膜した後、異方性エッチングを行うことにより、第１メタル膜３２の側壁のみに第２メタル膜３３を残す。
【００６６】
このように、最下層にＣｒを使用すれば、圧電基板３１の損傷を抑制しながらＩＤＴ電極を形成することができる。また、Ｃｒ膜を介在させることによってＩＤＴ電極とＬｉＴａＯ３等の基板３１との密着性が向上することが実験的に確認されている。
【００６７】
また、図１１（ｂ）に示すように、最下層をＴｉとすることにより、Ａｌ粒子の配向性を良くすることができる。
【００６８】
更に、図１１（ｃ）に示すように、上層からＡｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ／Ａｌ−Ｃｕ／Ｃｒと多層に積層することにより、耐電力性を向上するとともにＣｒを使用することにより、圧電基板３１との密着性を向上させることができる。
【００６９】
〔本発明の第７実施例〕
図１２は本発明の第７実施例のＩＤＴの断面図である。
【００７０】
図１２のＩＤＴ構成は、図７および図８に示された電極指方向のスリット３６や、図９および図１０に示された電極指方向と直角に分割されたスリットの代わりに、第１メタル膜３２に凹部３７を設ける例である。
【００７１】
このように、第１メタル膜３２に凹部３７を設けると、第１電極膜３２のＡ線部分のアルミニウムＡｌ粒子は、弾性表面波の進行方向における第１メタル膜３２外への移動が第２メタル３３により制限され、スリットを設ける場合程ではないにしても、サイドヒロックの発生が抑制される。
【００７２】
図１２のＩＤＴ構成は、第４実施例または第５実施例におけるスリットの代わりに凹部を形成する工程を置き換えた製造方法により製造することができる。
【００７３】
この凹部３７が狭くても、マグネトロンスパッタ法により凹部内に確実に第２メタル膜３３を成膜することができる。
【００７４】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば以下のような効果を奏する。
（１）第１メタル膜のサイドにこれより薄い第２メタル膜が設けられているため、第１メタル膜の内部から側壁に向かうアルミニウム粒子の移動が発生しても、第１メタル膜の側壁にヒロックが発生することを抑制することができる。また、第２メタル膜は薄い金属膜よりなるので、前記先行技術の酸化防止のための比較的厚い無機保護膜（ＳｉＯ２等）より格段に表面波の伝送特性が改善される。
（２）第１メタル膜に凹部を設けると、第１電極膜のＡ線部分のアルミニウム粒子は、弾性表面波の進行方向における第１メタル膜外への移動が第２メタルにより制限され、スリットを設ける場合程ではないにしても、サイドヒロックの発生が抑制される。
（３）第１メタル膜のサイドに第２メタル膜を設け、かつ第１メタル膜を横方向に分割したスリット内部に第２メタル膜を充填したので、アルミニウム原子の動きがスリットを設けない場合（分割しない場合）に比べて抑制され、第１メタル膜のヒロック、特に横方向のヒロック発生が抑制される。
（４）第１メタル膜をＹ方向に細かく分割したことにより、アルミニウム原子が移動し難くなるため、ボイドやヒロックの発生が抑制される。
（５）本発明の製造方法は、スリットを設ける等の加工は第１メタル膜のみなので、他の膜に関係なく加工でき、また、第２メタル膜は第１メタル膜上に単に成膜するので、加工精度を高くでき、工程を簡単にできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例のＩＤＴの構成図である。
【図２】本発明の第１実施例のＩＤＴの製造工程図である。
【図３】本発明の第２実施例のＩＤＴの断面図である。
【図４】本発明の第２実施例のＩＤＴの製造工程図である。
【図５】本発明の第３実施例のＩＤＴの断面図である。
【図６】本発明の第３実施例のＩＤＴの製造工程図である。
【図７】本発明の第４実施例のＩＤＴの平面図および断面図を示す。
【図８】本発明の第４実施例のＩＤＴの製造工程図である。
【図９】本発明の第５実施例のＩＤＴの平面図および断面図である。
【図１０】本発明の第５実施例のＩＤＴの製造工程図である。
【図１１】本発明の第６実施例のＩＤＴの断面図である。
【図１２】本発明の第７実施例のＩＤＴの断面図である。
【図１３】第１の従来技術の断面構造である。
【図１４】第２の従来技術の断面構造である。
【符号の説明】
３１    基板
３２    第１メタル膜
３３    第２メタル膜
３４    合金層
３５    レジスト
３６    スリット
３７    凹部
【図１】
0003926633.tif 000002
【図２】
0003926633.tif 000003
【図３】
0003926633.tif 000004
【図４】
0003926633.tif 000005
【図５】
0003926633.tif 000006
【図６】
0003926633.tif 000007
【図７】
0003926633.tif 000008
【図８】
0003926633.tif 000009
【図９】
0003926633.tif 000010
【図１０】
0003926633.tif 000011
【図１１】
0003926633.tif 000012
【図１２】
0003926633.tif 000013
【図１３】
0003926633.tif 000014
【図１４】
0003926633.tif 000015