(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物半導体を感ガス体として用いたガスセンサに直列に負荷抵抗を接続し、ガスセンサと負荷抵抗との直列回路に対して、ガス検出信号を取り込む期間だけ検出電圧を間欠的に印加してガス検出信号を出力させることを特徴とするガス検出方法。
【請求項２】
ガスセンサに設けたヒータの通電を制御することにより高温期間と低温期間とを交互に設定し、高温期間若しくは低温期間又は両期間にガス検出信号によりガス検出を行なう検出期間を設定するとしたことを特徴とする請求項１記載のガス検出方法。
【請求項３】
直流電源部と、金属酸化物半導体を感ガス体として用いたガスセンサと、該ガスセンサに直列に接続される負荷抵抗と、該ガスセンサと負荷抵抗の直列回路に対して、ガス検出信号を取り込む期間だけ直流電源部の電圧を検出電圧として間欠的に印加させる制御手段と、前記ガス検出信号を取り込みガス検出を行なうガス検出手段とから成ることを特徴とするガス検出装置。
【請求項４】
ガスセンサに設けたヒータの通電を制御してガスセンサを高温とする高温期間と、低温とする低温期間とを交互に設定するヒータ制御手段を備え、ガス検出手段は高温期間又は低温期間又は両期間において、負荷抵抗の両端電圧から所定ガスを検出することを特徴とする請求項３記載のガス検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス検出方法及びガス検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
金属酸化物半導体を感ガス体として用いたガスセンサを用いてガス検出装置が多く提供されているが、金属酸化物半導体を用いたガスセンサの問題点の１つは雰囲気中の湿度の影響を受け、検知感度が悪くなる、いわゆる湿度依存性を持つ点に有る。この問題を解決するためにセンサ材料の面からの研究が報告されているが未だ解決されていない。この湿度依存性を解決するために回路面からの補償も試みられているが、十分には湿度依存性を解決したものは未だ提供されていない。
【０００３】
また金属酸化物半導体を感ガス体として用いたガスセンサの他の問題点としては、長期使用によりガスセンサ（感ガス体）の抵抗値が変化し、検知精度が悪くなる点にある。この問題を解決するためにセンサ材料の面からの研究が報告されているが問題点を解決したガスセンサは未だ提供されていない。
更に金属酸化物半導体を用いたガスセンサはヒータによる加熱を必要とするため消費電力が大きく、電池電源を用いる場合、長期間稼働させることができず、消費電力の小さいガスセンサが要望されているが、やはり未だ実用化に至っていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点に鑑みて為されたもので、ガスセンサの湿度依存性を解決してヒーターによる加熱周期を長く、加熱時間を短くすることができるガス検出方法及びその装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために 請求項１の発明は、金属酸化物半導体を感ガス体として用いたガスセンサに直列に負荷抵抗を接続し、ガスセンサと負荷抵抗との直列回路に対して、ガス検出信号を取り込む期間だけ検出電圧を間欠的に印加してガス検出信号を出力させることを特徴とする。
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、ガスセンサに設けたヒータの通電を制御することにより高温期間と低温期間とを交互に設定し、高温期間若しくは低温期間又は両期間にガス検出信号によりガス検出を行なう検出期間を設定する。
請求項３の発明は、直流電源部と、金属酸化物半導体を感ガス体として用いたガスセンサと、該ガスセンサに直列に接続される負荷抵抗と、該ガスセンサと負荷抵抗の直列回路に対して、ガス検出信号を取り込む期間だけ直流電源部の電圧を検出電圧として間欠的に印加させる制御手段と、ガス検出信号を取り込みガス検出を行なうガス検出手段とから成ることを特徴とする。
【０００７】
請求項４の発明は、請求項３の発明において、ガスセンサに設けたヒータの通電を制御してガスセンサを高温とする高温期間と、低温とする低温期間とを交互に設定するヒータ制御手段を備え、ガス検出手段は高温期間又は低温期間又は両期間において、負荷抵抗の両端電圧から所定ガスを検出することを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
まず本発明は、本発明者らが金属酸化物半導体を感ガス体として用いたガスセンサの抵抗値測定を例えば１ｓｅｃ間に１回とし、印加する検出電圧の印加時間を１ｓｅｃ、１０ｍｓｅｃ、０．１ｍｓｅｃとした場合、検出電圧の印加時間が短いほど湿度依存性を改善することができることを発見したことによって為されたものである。
【０００９】
つまり、金属酸化物半導体を感ガス体として用いた図４に示すようなガスセンサ２を用い、ガスセンサ２の温度が約４００℃になるようにこのガスセンサ２に付設してあるヒータ４に直流電圧（５Ｖ）を印加して加熱状態とし、この加熱状態において、ガスセンサ２に直列に例えば１０ＫΩの負荷抵抗を直列接続し、該直列回路に検出電圧（直流５Ｖ）を連続印加とした場合（イ）と、１ｓｅｃ毎に１０ｍｓｅｃ間印加とした場合（ロ）と、１ｓｅｃ毎に０．１ｍｓｅｃ間印加とした場合（ハ）について、１０００ｐｐｍのＣＨ4 の中で夫々雰囲気温度が２０℃で、雰囲気湿度が２０％Ｒｈ，４０％Ｒｈ、６０％Ｒｈ、８０％Ｒｈにおけるガスセンサ２の抵抗値Ｒｓを１ｓｅｃ毎に１回測定して見たところ、図５に示すような結果が得られ、この結果から検出電圧の印加時間が短い程湿度依存性が低いことが分かった。
【００１０】
上記ガスセンサ２は次のような構造のものである。つまり厚さ０．３ｍｍで一辺の長さが２ｍｍの正方形のアルミナ基板１０の裏面に図４（ｂ）に示すようにヒータ４用の金電極１１，１１及び信号用の金電極１２，１２を形成してこれらの金電極１１，１１間に酸化ルテニュームからなるヒータ４を形成し、表面にはスルホールにより裏面の金電極１２，１２と接続された金電極１３，１３を図４（ａ）に示すように形成したもので、各金電極１３，１３との間に亘るように添加物を添加したＳｎＯ2 に骨材として例えぽ１０００メッシュのアルミナを等量混合し、更にテルピネオールを加えてペースト状にした後、塗布して例えば７００℃で２時間空気中で焼成し、この焼成により金電極１２，１２間に金属酸化物半導体たるＳｎＯ2 による感ガス体を構成する素子片１４を同一基板１上に形成している。またこの形成後アルミナ基板１０の裏面側の各電極２２，１２にはリードワイヤー１５を各々接続して、これらリードワイヤー１５によりヒータ接続用端子及び出力用端子を構成する。
【００１１】
またガスセンサ２として図６に示す構造のものを用いて上述と同様に湿度依存性について検証してみた。
この場合使用するガスセンサ２は長手方向が０．４ｍｍ乃至０．８ｍｍ、長手方向に直交する方向が０．２ｍｍ乃至０．７ｍｍの円球又は楕円球状に形成された金属酸化物半導体からなる感ガス体内に貴金属線からなるヒータ４を兼ねた電極コイルを埋設し、この電極コイルの内部に貴金属線からなる検知用電極を設けた小型のものである。ガスセンサ２の温度が約４００℃となるようにヒータ４に０．９Ｖの直流電圧を印加して加熱し、ガスセンサ２には１０ＫΩの負荷抵抗を直列接続した。そして、直列回路に検出電圧（直流６Ｖ）を連続印加とした場合（イ）と、１ｓｅｃ毎に１０ｍｓｅｃ間印加とした場合（ロ）と、１ｓｅｃ毎に０．１ｍｓｅｃ印加とした場合（ハ）について、１０００ｐｐｍのＣＨ4 の中で雰囲気温度が２０℃で、雰囲気湿度が２０％Ｒｈ，４０％Ｒｈ、６０％Ｒｈ、８０％Ｒｈにおけるガスセンサ２の抵抗値Ｒｓを１ｓｅｃ毎に１回測定して見たところ、図７に示すような結果が得られた。この結果からも検出電圧の印加時間が短い程湿度依存性が低いことが分かった。
【００１２】
次に図６のガスセンサ２の温度を高温域と低温域とに交互に変化させ、低温域でのガスセンサ２の出力から一酸化炭素ガスを検出する場合のガスセンサ２の湿度依存性を測定してみたところ、図８に示すようになった。つまり上述と同様にガスセンサ２に１０ＫΩの負荷抵抗を直列に接続し、ガスセンサ２は１０ｓｅｃ毎に３ｓｅｃ間、約４００℃になるようにヒータ４に０．９Ｖの直流電圧を印加して加熱し、残りの７ｓｅｃ間は非加熱状態とし、ガスセンサ２の抵抗値測定のために印加する検出電圧（６Ｖ）の印加時点をヒータ４に０．９Ｖの直流電圧を印加する１ｓｅｃ前とし、その印加時間を１ｓｅｃする場合（イ）と１０ｍｓｅｃとする場合（ロ）と、０．１ｍｓｅｃ（ハ）とする場合について、１００ｐｐｍのＣＯの中で雰囲気温度が２０℃で、雰囲気湿度が２０％Ｒｈ，４０％Ｒｈ、６０％Ｒｈ、８０％Ｒｈにおけるガスセンサ２の抵抗値Ｒｓを測定して見たところ、図８に示すような結果が得られた。この結果から上述と同様に検出電圧の印加時間が短い程湿度依存性が低いことが分かった。
【００１３】
また上述と同様にガスセンサ２の温度を高温域と低温域とに交互に変化させ、高温域でのガスセンサ２の出力からメタン、プロパン、アルコール等の可燃性ガスを検出する場合のガスセンサ２の湿度依存性を測定してみたところ、図９に示すようになった。つまり上述と同様にガスセンサ２に１０ＫΩの負荷抵抗を直列に接綻し、ガスセンサ２は１０ｓｅｃ毎に３ｓｅｃ間、約４００℃になるようにヒータ４に０．９Ｖの直流電圧を印加して加熱し、残りの７ｓｅｃ間は非加熱状態とし、ガスセンサ２の抵抗値測定のために印加する検出電圧（６Ｖ）の印加時点をヒータ４に０．９Ｖの直流電圧を印加を終了する１ｓｅｃ前とし、その印加時間を１ｓｅｃする場合（イ）と、１０ｍｓｅｃとする場合（ロ）と、０．１ｍｓｅｃ（ハ）とする場合について、１００ｐｐｍのＣＨ4 の中で雰囲気温度が２０℃で、雰囲気湿度が２０％Ｒｈ，４０％Ｒｈ、６０％Ｒｈ、８０％Ｒｈにおけるガスセンサ２の抵抗値Ｒｓを測定して見たところ、図９に示すような結果が得られた。この結果から上述と同様に検出電圧の印加時間が短い程湿度依存性が低いことが分かった。
【００１４】
以上の結果に基づいて湿度依存性について考察してみたところ検出電圧の印加時間とガスセンサ２の表面に吸着する吸着水の量に相関関係があり、検出電圧を印加するとガスセンサ２の表面に吸着した吸着水の吸着形態が変わり、吸着水がより吸着しやすい状態となり、時間と共により多くの吸着水が吸着すると考えられる。従って検出電圧の印加時間は短ければ短いほど、吸着水の量が少ないため、湿度依存性を向上させることができる。またガスセンサ７の表面に長時間多量の吸着水が存在すると、添加されている触媒種や金属酸化物半導体自身がシンタリングを起こし易くなり、長期安定性が損なわれることが分かった。
【００１５】
そしてガスセンサ２に検出電圧を印加する場合、間欠的に行ない且つその印加時間を信号処理に必要最小の時間とすることにより、湿度依存性を小さくすることができることが分かった。
また湿度依存性が改善できることにより、ガスセンサ２を加熱する場合、長い周期で且つ短時間で良いことが分かった。
【００１６】
以上の発見と考察に基づいて為された本発明方法及び装置を実施形態により詳述する。
（実施形態１）
本実施形態装置は、検出対象ガスを一酸化炭素ガスとするもので、図１に示すように直流電源部たる電池電源１（例えばＤＣ６Ｖ）と、金属酸化物半導体を感ガス体として用いた例えば図６に示すガスセンサ２と、警報回路３と、ガスセンサ２の検知電圧の印加を制御するとともに、ガスセンサ２に設けたヒータ４の通電を制御する制御機能と警報回路３及び発光ダイオードＬＥＤ1 ，ＬＥＤ2 からなる表示部の制御を行なう制御機能及びガスセンサ２に直列された負荷抵抗Ｒ0 の両端電圧を取り込み、この両端電圧によりガス検出を行なうガス検出機能を備えたマイクロコンピュータからなる演算制御部５とを主なる構成要素として備えている。
【００１７】
ガスセンサ２は感ガス体をトランジスタＱ1 と負荷抵抗Ｒ0 とを介して直流電源たる電池電源１に接続し、付設しているヒータ４を電池電源１を構成する電池群の一部１ａ（例えばＤＣ１．５Ｖ）にトランジタＱ2 を介して接続しており、トランジスタＱ1 のオン時に例えば１０ＫΩの負荷抵抗Ｒ0 と感ガス体との直列回路に電池電源１から検出電圧が印加され、またトランジスタＱ3 のオン時にヒータ４が通電され、この通電期間が制御されることにより感ガス体が所定温度に加熱されるようになっている。
【００１８】
演算制御部５は制御機能により、外部に設けたセラミック発振子等からなる基準クロック発生部６の基準クロックに基づいて所定周期で所定時間トランジスタＱ1 を直接駆動する駆動信号を出力ポートＯ1 より出力するとともに、この駆動信号とは別の所定周期で後述する高温期間設定時にトランジスタＱ3 をオン、オフさせるための制御信号を出力ポートＯ2 より出力し、またトランジスタＱ1 をオン駆動している期間に負荷抵抗Ｒ0 の両端電圧をガス検出信号として入力ポートＩ1 より取り込み、検出機能により予め設定してある基準値と比較して対象ガスを検出する。本実施形態の場合検知対象ガスを一酸化炭素ガスとするため、低温期間で１ｓｅｃ毎に、０．６ｍｓｅｃ間トランジスタＱ1 をオンさせそのオン期間において取り込むガス検出信号たる電圧と基準値との比較を行なう。
【００１９】
更にガス検出機能によって対象ガスが検出された時に警報制御機能により出力ポートＯ3 を”Ｌ”とし内部回路を通じて警報回路３の通電路をオンさせるようになっている。
ここで上記トランジスタＱ3 は上記トランジスタＱ2 を介してヒータ４に安定化した電圧（０．９Ｖ）を供給するための安定化回路７に直列に挿入されており、オン時に安定化回路７に電池電源１に安定化回路７のオペアンプＯＰを接続し、このオペアンプＯＰはツェナーダイオードＺＤのツェナー電圧（２Ｖ）を可変抵抗器ＶＲ1 で分圧された電圧（０．９Ｖ）を非反転端子に、またヒータ４の電圧を反転入力端に入力してその差が零となるようにトランジスタＱ2 のベース電流を制御し、このトランジスタＱ2 により電池電源１の一部１ａからヒータ４に印加される電圧を０．９Ｖに設定する。
【００２０】
而してヒータ４はトランジスタＱ3 のオン、オフに同期して０．９Ｖの電圧が印加され、その加熱温度が約４００℃となるように制御されることになる。
警報回路３は圧電ブザーＢＺを備えたもので、演算制御部５が検出対象のガスを検出して出力ポートＯ3 を”Ｌ”とした時に通電され、トランジスタＱ4 と圧電素子Ｑ5 等で発振回路を構成する圧電ブザーＢＺが間欠的に鳴動し警報音を発するようになっている。また表示部の発光ダイオードＬＥＤ1 ，ＬＥＤ2 は夫々演算制御５の出力ポートＯ4 ，Ｏ5 に接続されており、発光ダイオードＬＥＤ1 は演算制御部５が検出対象のガスを検出した時の出力ポートＯ4 の所定周期の”Ｈ””Ｌ”の出力に応じて点滅発光し警報表示を行なう。また発光ダイオードＬＥＤ3 は、感度調整スイッチＳＷがオンされたときに、演算制御部５が出力ポートＯ3 を”Ｌ”とすることにより点灯するもので、調整モードを表示する。
【００２１】
尚サーミスタＴＨと抵抗Ｒ1 の直列回路は接続点電圧を演算制御部５に入力させ、演算制御部５の温度補償を行なうための回路であり、抵抗Ｒ2 と可変抵抗器ＶＲ2 との直列回路は接続点電圧を演算制御部５にガス検知の際の基準電圧として入力するもので、調整モード時に可変抵抗器ＶＲ2 により基準電圧を可変設定して感度調整を行なうことができるようになっている。
【００２２】
尚図中８は電源リセット回路であって、電源投入時にマイクロコンピュータからなる演算制御部５のリセット端子ＲＳにリセット信号を与えて初期状態にするためのものである。
而して本実施形態において、電池電源１が接続されると演算制御部５は予めプログラムしてある所定周期で低温期間と高温期間とを設定し、高温期間においてトランジタＱ3 をオン、オフし、このトランジスタＱ3 のオン、オフに同期して安定化回路７及びトランジスタＱ2 により安定化された電圧が間欠的にガスセンサ２のヒータ４に印加され、ヒータ４による加熱が行なわれ、低温期間ではトランジスタＱ3 をオフ状態にしてヒータ４による加熱を停止する。ここで、ガスセンサ２の温度を高温期間と低温期間とを交互に設定するために、演算制御部５は１８０ｓｅｃ毎に１ｓｅｃ間トランジスタＱ3 をオン、オフ駆動させるＰＷＭ信号を出力しており、このトランジスタＱ3 のオン、オフ期間中トランジスタＱ2 を介してヒータ４に電池電源１の一部１ａから０．９Ｖの電圧が間欠的に印加され、ガスセンサ２は略４００℃に加熱される。そして通電されない１７９ｓｅｃ間を低温期間とする。
【００２３】
そして演算制御部５は低温期間中１ｓｅｃ毎に０．６ｍｓｅｃ間トランジスタＱ1 をオンする駆動信号を出力して負荷抵抗Ｒ0 とガスセンサの感ガス体との直列回路に電池電源１を接続して検出電圧を印加するようになっている。この検出電圧が印加されると、負荷抵抗Ｒ0 と感ガス体との直列回路には感ガス体の抵抗値変化に応じた電流が流れ、負荷抵抗Ｒ0 の両端には感ガス体の抵抗値変化に応じた電圧が発生することになる。この電圧をガス検出信号として演算制御部５は検出電圧印加と同期して取り込み、この電圧と予め設定してある基準電圧とを比較して対象ガスを検出し、入力した電圧が基準電圧を越えると、検出対象ガスが検出されたと判断して出力ポートＯ3 を”Ｌ”にして警報回路３を動作させとともに、出力ポートＯ4 を一定周期で”Ｈ””Ｌ”とし、発光ダイオードＬＥＤ1 を点滅させる。
【００２４】
図２は１ｓｅｃ毎に０．６ｍｓ検出電圧を印加する本実施形態装置にて長時間使用したガスセンサ２を、雰囲気温度が２０℃で、雰囲気湿度が夫々２０％Ｒｈの場合と８０％Ｒｈの場合に設定した状態で、一酸化炭素ガスの濃度が０ｐｐｍ（イ）、６０ｐｐｍ（ロ）、１２０ｐｐｍ（ハ）、２４０ｐｐｍ（ニ）、４８０ｐｐｍ（ホ）における感ガス体の加熱時から抵抗値Ｒｓの変化を測定した結果を示しており、各濃度に応じて抵抗値Ｒｓが安定し、且つ夫々の濃度に応じて抵抗値Ｒｓの差があり、特に０ｐｐｍ（イ）、つまり空気のみの場合略抵抗値Ｒｓは高い値に固定され、一酸化炭素ガスとを識別できることを示しており、このことは略１８０ｓｅｃの間に１回加熱するだけで、略１８０ｓｅｃ間一酸化炭素ガスの濃度が検出できることを示している。
【００２５】
これに対して図３に示すように連続的に検知電圧をガスセンサ２に印加し、雰囲気温度が２０℃で、雰囲気湿度が夫々２０％Ｒｈの場合と８０％Ｒｈの場合に設定した状態で、一酸化炭素ガスの濃度が０ｐｐｍ（イ）、６０ｐｐｍ（ロ）、１２０ｐｐｍ（ハ）、２４０ｐｐｍ（ニ）、４８０ｐｐｍ（ホ）における感ガス体の加熱時から抵抗値Ｒｓを測定してみたところ、０ｐｐｍ（イ）の場合も急激に低下して、６０ｐｐｍ（ロ）、１２０ｐｐｍ（ハ）、２４０ｐｐｍ（ニ）、４８０ｐｐｍ（ホ）の場合と殆ど差が取れなくなり、一酸化炭素ガスの検知が不可能になっていることが分かる。
【００２６】
かように本実施形態では、１８０秒間に１回（０．６ｓｅｃ）程度のヒータ４によっても充分に感度を得ることができ、そのため消費電力を大幅に低減できて容量の小さな電池電源１を用いても１年以上に亘り連続使用することが可能となる。
尚本実施形態ではヒータ４の通電を１８０ｓｅｃ毎に１ｓｅｃ間とした構成であったが、１８００ｓｅｃ毎というような長周期で加熱を行なうことも可能で、この場合一層の消費電力の低減が図れる。
【００２７】
また本実施形態では検出電圧の印加時間を０．６ｍｓｅｃとしたが、印加時間は演算処理部５が負荷抵抗Ｒ0 の両端電圧の取り込みに要する時間を下限とし１０ｍｓｅｃ程度を上限とする範囲であれば湿度依存性を小さくでき且つ長期に亘って安定した特性が得られ、その結果上記のように加熱周期を長くすることができるので、実施形態の印加周期及び印加時間に特に限定されない。
【００２８】
また本実施形態では、検出対象ガスを一酸化炭素ガスとし低温期間中１ｓｅｃ毎に０．６ｍｓｅｃの間検出電圧を印加してガス検出を行なうようにしているが、メタン、プロパン、アルコール等の可燃性がスを検出対象ガスとする場合には、高温期間中に検出電圧を印加してガス検出動作を行なうようにすれば良い。
また低温期間と、高温期間とにおいて夫々検出電圧を印加するタイミングを設定することにより、一酸化炭素ガスと、可燃性ガスとを検出するガス検出装置を実現することができる。
【００２９】
【発明の効果】
請求項１の発明は、金属酸化物半導体を感ガス体として用いたガスセンサに直列に負荷抵抗を接続し、ガスセンサと負荷抵抗との直列回路に対して、ガス検出信号を取り込む期間だけ検出電圧を間欠的に印加してガス検出信号を出力させるので、金属酸化物半導体を感ガス体として用いたガスセンサの湿度依存性を小さくすることができ、そのためヒータによる加熱周期を長くまたその加熱時間を短くすることができるという効果がある。
【００３０】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、ガスセンサに設けたヒータの通電を制御することにおり高温期間と低温期間とを交互に設定し、高温期間若しくは低温期間又は両期間をガス検出信号によりガス検出を行なう検出期間としたので、ガスセンサの湿度依存性が小さく、ヒータの通電周期を長く通電時間を短くすることができて、電力消費を押えつつ、可燃性ガス又は一酸化炭素ガス或いは両者を検出することができるガス検出方法が実現できるという効果がある。
【００３１】
請求項３の発明は、直流電源部と、金属酸化物半導体を感ガス体として用いたガスセンサと、該ガスセンサに直列に接続される負荷抵抗と、該ガスセンサと負荷抵抗の直列回路に対して、ガス検出信号を取り込む期間だけ直流電源部の電圧を検出電圧として間欠的に印加させる制御手段と、ガス検出信号を取り込みガス検出を行なうガス検出手段とから成るので、ガスセンサの湿度依存性を小さく、そのためヒータ加熱の周期を長く且つ加熱期間を短く設定することができ、そのため消費電力が小さくなり、電池電源による長期使用が可能となるという効果がある。
【００３２】
請求項４の発明は、請求項３の発明において、ガスセンサに設けたヒータの通電を制御してガスセンサを高温とする高温期間と、低温とする低温期間とを交互に設定するヒータ制御手段を備え、ガス検出手段は高温期間又は低温期間又は両期間において、負荷抵抗の両端電圧から所定ガスを検出するので、請求項３の発明の効果に加えて、可燃性ガス又は一酸化炭素ガス或いは両者を検出することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の回路図である。
【図２】同上による湿度依存性の特性図である。
【図３】同上と比較するための例の湿度依存性の特性図である。
【図４】（ａ）は金属酸化物半導体を用いたガスセンサの表面側からみた斜視図である。
（ｂ）は同上センサの裏面側からみた斜視図である。
【図５】同上センサを用いて湿度依存性の測定結果を示すグラフ。
【図６】（ａ）は別の金属酸化物半導体を用いたガスセンサの断面図である。
（ｂ）は同上センサの内部ヒータ及び電極構造の説明図である。
（ｃ）同上の斜視図である。
【図７】同上センサを用いて湿度依存性の測定結果を示すグラフ。
【図８】同上センサを用いて別の湿度依存性の測定結果を示すグラフ。
【図９】同上センサを用いて他の湿度依存性の測定結果を示すグラフ。
【符号の説明】
１    電池電源
２    ガスセンサ
３    警報回路
４    ヒータ
５    演算制御部
７    安定化回路
Ｑ1 乃至Ｑ4   トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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