(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料上に電子線を走査するとき形成される電子線回折像の特定の回折スポットの検出面上での位置を検出するステップと、
前記検出された特定の回折スポットの位置の変化を検出するステップと、
前記電子線の走査と同期して、検出された前記特定の回折スポットの位置の変化を表す信号を画像表示装置に表示するステップとを含むことを特徴とする微小領域物性計測方法。
【請求項２】
試料上に電子線を走査するとき形成される電子線回折像のうち０次の回折スポットに対して対称な一対の回折スポットの検出面上での間隔の変化を検出するステップと、
前記電子線の走査と同期して、検出された前記一対の回折スポットの間隔の変化を表す信号を画像表示装置に表示するステップとを含むことを特徴とする微小領域物性計測方法。
【請求項３】
加速した電子線を試料に照射する集束レンズ系と、
前記電子線の試料照射位置を制御する電子線偏向手段と、
試料による電子線回折像を形成する対物レンズと、
前記電子線回折像を拡大する結像レンズ系と、
前記結像レンズ系によって拡大された電子線回折像の特定の回折スポットの位置及び位置の変化を表す信号を出力する二次元電子検出器と、
前記特定の回折スポットの位置の変化を表す出力信号を、前記電子線偏向手段の偏向と同期して表示する画像表示装置とを備えることを特徴とする微小領域物性計測装置。
【請求項４】
請求項３記載の微小領域物性計測装置において、前記二次元電子検出器の出力信号は、前記検出した回折スポット位置の所定の方向（Ｘ方向とする）の変位を表す信号ＶＸ、前記検出した回折スポット位置の前記Ｘ方向と垂直な方向（Ｙ方向とする）の変位を表す信号ＶＹ、それらの信号の二乗平均（√（ＶＸ２＋ＶＹ２））、及びａｔａｎ（ＶＹ／ＶＸ）のいずれか１つもしくは複数の組み合わせであることを特徴とする微小領域物性計測装置。
【請求項５】
請求項３又は４記載の微小領域物性計測装置において、前記電子線偏向手段による試料上の電子線走査と同期して、前記二次元電子検出器の出力信号に関する分布を前記画像表示装置に表示することを特徴とする微小領域物性計測装置。
【請求項６】
加速した電子線を試料に照射する集束レンズ系と、前記電子線の試料照射位置を制御する電子線偏向手段と、試料による電子線回折像を形成する対物レンズと、前記電子線回折像を拡大する結像レンズ系と、前記結像レンズ系によって拡大された電子線回折像のうち０次の回折スポットに対して対称な一対の回折スポットを各々検出して検出した回折スポット位置に依存する信号を出力する第一及び第二の二次元電子検出器と、前記第一の二次元電子検出器によって検出された回折スポットと前記第二の二次元電子検出器によって検出された回折スポットの間隔の変化を演算する演算手段と、前記電子線偏向手段による試料上の電子線走査と同期して、前記演算手段によって演算された回折スポットの間隔の変化を表す信号を表示する画像表示装置とを備えたことを特徴とする微小領域物性計測装置。
【請求項７】
請求項６記載の微小領域物性計測装置において、前記結像レンズ系は前記電子線回折像の拡大率を変更する機能を有し、前記第一及び第二の二次元電子検出器と前記電子線回折像との相対角度を変更する手段を備えることを特徴とする微小領域物性計測装置。
【請求項８】
請求項３〜７のいずれか１項記載の微小領域物性計測装置において、前記電子線回折像の特定の回折スポットを選択して通過させる回折スポット選択絞りを備えることを特徴とする微小領域物性計測装置。
【請求項９】
請求項３〜８のいずれか１項記載の微小領域物性計測装置において、前記対物レンズと前記二次元電子検出器との間に第二の電子線偏向手段を備えていることを特徴とする微小領域物性計測装置。
【請求項１０】
請求項９記載の微小領域物性計測装置において、前記電子線の試料照射位置を制御する電子線偏向手段と前記第二の電子線偏向手段とを同期して駆動することを特徴とする微小領域物性計測装置。
【請求項１１】
請求項３〜１０のいずれか１項記載の微小領域物性計測装置において、前記結像レンズ系は少なくとも２段の電子レンズ系から構成されていることを特徴とする微小領域物性計測装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の微小領域物性計測装置において、前記結像レンズ系は前記対物レンズの回折像面を前記二次元電子検出器の検出面に投影することを特徴とする微小領域物性計測装置。
【請求項１３】
請求項５記載の微小領域物性計測装置において、試料から放出される二次電子、反射電子、散乱電子及び／又は透過電子を検出する検出器を備え、前記電子線偏向手段による試料上の電子線走査と同期して前記二次元電子検出器の出力信号あるいはそれに基づいて生成された信号と前記検出器の信号とを前記画像表示装置に表示することを特徴とする微小領域物性計測装置。
【請求項１４】
請求項６記載の微小領域物性計測装置において、試料から放出される二次電子、反射電子、散乱電子及び／又は透過電子を検出する検出器を備え、前記電子線偏向手段による試料上の電子線走査と同期して、前記演算手段によって演算された回折スポットの間隔の変化を表す信号と前記検出器の信号とを前記画像表示装置に表示することを特徴とする微小領域物性計測装置。
【請求項１５】
加速した電子線を試料に照射する集束レンズ系と、
前記電子線の試料照射位置を制御する電子線偏向手段と、
試料による電子線回折像を形成する対物レンズと、
前記電子線回折像を拡大する結像レンズ系と、
前記結像レンズ系によって拡大された電子線回折像の特定の回折スポットの位置及び位置の変化を表す信号を出力する二次元電子検出器と、
前記二次元電子検出器の出力信号あるいはそれに基づいて生成された信号から、前記特定の回折スポットの位置の変化を表す出力信号を、前記電子線偏向手段の偏向と同期して表示する画像表示装置とを備えることを特徴とする微小領域物性計測装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、試料の微小領域物性計測方法及び装置に係り、特に、電子線回折像の特定スポット位置の変位を利用して試料の局所的な歪や応力を計測する微小領域物性計測方法及び微小領域物性計測装置に関する。
背景技術
金属材料などに機械加工時に発生する応力や歪は、それらの材料から製造される部品の信頼性のみでなく、それらの材料が最終的に組み合わさった製品レベルにおいてもその信頼性を左右する重要な設計要素の一つである。また、半導体装置の分野では、素子の微細化が進み、特に界面での残留応力・集中応力による電子状態の変化や微小欠陥発生に起因する電流のリーク性不良が大きな問題となりつつある。この傾向は今後、より顕著に表れるため、高分解能、高感度、高速な応力計測手段（歪み計測手段）が必要とされている。応力（歪）の計測は、特定箇所のピンポイント精密計測からはもちろんのこと、領域内部の応力（歪）分布計測からも多くの重要な情報が得られる。
応力・歪の測定方法としては、必要な分解能に応じて様々な手法が提案されている。最も簡便な方法として、歪ゲージがある。歪ゲージは、機械式と電気抵抗線式とに大別できる。機械式歪ゲージは、歪量を指針のねじれなどの物理量に変換して計測する。電気抵抗線式歪ゲージは、金属線が伸びるとその電気抵抗が増加する性質を利用した変換素子である。表面弾性波法は、材料表面に超音波を当てたときに発生する表面弾性波の速度が応力・歪の大きさによって異なることを利用して応力・歪計測を行う。顕微ラマン法は、レーザー光照射によって材料から発生する散乱光のエネルギーのピーク位置が応力・歪に応じて変化する原理を用いる。
収束電子線回折法（ＣＢＥＤ法）は、小さく収束した電子線を試料に照射し、透過した電子線の回折図形の変化から特定方位の応力・歪を計測する。ＣＢＥＤ法は、例えば特開２０００−６５７６２号公報やジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス、３２号（１９９３年）２１１頁に記載されている。フーリエ変換法は、透過形電子顕微鏡（ＴＥＭ）で撮影した高分解能写真に記録されている結晶格子像の格子間隔が応力・歪によって変化することを利用するもので、高分解能写真の一部分を切り出し高速フーリエ変換（ＦＦＴ）することにより、格子間隔を精密に割り出すことができる。フーリエ変換法は、例えば特開２０００−６５７６２号公報に記載されている。マイクロ（ナノ）ディフラクション法は、ＴＥＭで得られる電子線回折図形の回折スポットの位置が試料の応力・歪によって変化することを利用する。照射する電子線スポット径がμｍオーダーであればマイクロディフラクション法といい、ｎｍオーダーであればナノディフラクション法という。
試料の微小領域を観察する手段としては、ＴＥＭ、走査形電子顕微鏡（ＳＥＭ）、走査透過形電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）などがある。電子線を走査する技術は、従来よりＳＥＭ、ＳＴＥＭでは一般的に用いられている。どちらも照射レンズ系で小さく絞った電子線を偏向コイルなどを用いて二次元的に走査する。走査と同期して試料から発生する二次電子や反射電子、散乱電子や透過電子の信号強度分布を画像として表示する。これらの信号から得られる複数の情報を同時に表示する技術も公知である。最近では、試料を透過した電子線のエネルギーを分析し、試料でエネルギーを失った電子線の強度、又は異なるエネルギーを失った電子線の強度比を走査と同期して表示する技術も公知である。
電子線の位置情報を二次元的に検出する手段としては、感光フィルム、ＴＶカメラ、ＳＳＣＣＤカメラ、イメージングプレートなど多数の手段が知られている。これらは電子線の強度分布を画像として記録する。高速に電子線の位置だけを検出する素子としては、二次元位置有感形検出器（ＰＳＤ：Ｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）、マイクロチャンネルプレート（ＭＣＰ）、位置有感形の光電子増倍管（ＰＳＰＭＴ）などがある。
材料の応力・歪の測定に当たっては、ある領域の平均的な量の測定も重要であるが、最近の半導体素子の微細化に伴い、数ｎｍ程度の高い空間分解能で局所的な量を測定することが必要となってきている。また、特定箇所の計測結果に加え、応力・歪の空間分布情報に対する要求も高い。もちろん、一点だけの計測よりも二次元的なマッピングを行う方が、多くの計測時間を要し、測定結果と測定場所の位置的な整合性確保に困難が生じることが予想される。
以下に、従来の計測法が、材料の応力・歪の二次元的なマッピングを行うのに必要な空間分解能、計測時間、高精細度、計測精度又は感度、測定結果と測定場所の位置整合性に対する条件を満たしているかどうかについて検討する。
歪ゲージは、機械式、電気抵抗線式のどちらの方式も安価ではあるが、空間分解能はｍｍオーダー程度に止まり、この領域内部の平均的な情報しか得られない。また、異なる点を計測するには歪ゲージを設置しなおす必要があり、応力・歪の二次元的なマッピングを行うのは困難である。表面弾性波法は、非晶質材料でも計測できる方法である。しかし、空間分解能は３〜１００μｍ程度であり、歪ゲージよりは高いが材料の局所的な応力・歪を計測するには不十分である。顕微ラマン法は、レーザービームを材料表面上で走査することにより応力・歪の分布を計測することができる。しかし、半導体分野への適用を考えると、基本的に金属に使えない点、空間分解能は３μｍ以下とかなり高いものの未だ分解能不足である点は大きな障壁となる。
ＣＢＥＤ法は、１０ｎｍ以下の高い空間分解能と精度を持っているが、解析ソフトの充実が遅れているため、簡単な構造の結晶試料に適用されることが多い。また、計測精度は０．０２％以下と、従来法の中では最も高い。しかし、一点の解析に時間がかかるうえ、計測場所との位置整合性が低いため、マッピングには不向きである。さらに、この方法は極めて高次回折の電子線を用いるため、試料内での非弾性散乱の影響を受けやすく、試料厚の増大と共に信号量が急激に減少する。従って、一般的な２００〜３００ｋＶの加速電圧を持つ電子顕微鏡で良好なＣＢＥＤパターンを取得するには試料厚さを数１０ｎｍとする必要がある。この時の問題は、試料の薄膜化と共に試料内部応力が減少し、例えばシリコンでは元の応力の１００分の１程度に減じてしまうことである。そのため、半導体素子に影響を及ぼしていた応力起因の原因を元の形で観察できないという問題がある。
フーリエ変換法は、１０ｎｍ以下の空間分解能があり、小さく区切った領域のＦＦＴをコンピュータで処理するため、二次元的な分布計測（マッピング）に有効である。コンピュータの性能が向上しているため、マッピング結果の高精細度と分析位置整合性は高いが、１０ｎｍ以下の空間分解能を得ようとすると分析精度は５％程度に低下する。また、電子顕微鏡写真を撮影してからの処理が多いため、実時間性は乏しい。
ナノディフラクション法は、照射する電子線を小さく絞ることで分解能が向上し、１０ｎｍ以下の空間分解能がある。計測精度は約０．１％以下と、ＣＢＥＤ法に次いで高い。電子線を走査することにより二次元的なマッピングも可能であるが、現在のところ、ＴＶカメラで撮影した電子線回折像の特定のスポットの位置を画像処理技術を用いて計測しているため、実時間性に乏しい。一方、ＳＴＥＭやＳＥＭのように、走査像との位置的な比較を行いやすい装置でナノディフラクション法を行えば、計測位置整合性は高くなる。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決し、高分解能、高感度で計測位置整合性が高く、かつ実時間計測が可能な応力・歪の二次元的な分布を計測する方法及び装置を提供することにある。
発明の開示
本発明による微小領域物性計測方法は、試料上に電子線を走査するとき形成される電子線回折像の特定の回折スポットの検出面上での位置を検出するステップと、電子線の走査と同期して、検出された特定の回折スポットの位置の変化を表す信号を画像表示装置に表示するステップとを含むことを特徴とする。
本発明による微小領域物性計測方法は、また、試料上に電子線を走査するとき形成される電子線回折像のうち０次の回折スポットに対して対称な一対の回折スポットの検出面上での間隔又は間隔の変化を検出するステップと、電子線の走査と同期して、検出された一対の回折スポットの間隔又は間隔の変化を表す信号を画像表示装置に表示するステップとを含むことを特徴とする。
本発明による微小領域物性計測装置は、加速した電子線を試料に照射する集束レンズ系と、電子線の試料照射位置を制御する電子線偏向手段と、試料による電子線回折像を形成する対物レンズと、電子線回折像を拡大する結像レンズ系と、結像レンズ系によって拡大された電子線回折像の特定の回折スポットを検出して検出した回折スポット位置に依存する信号を出力する二次元電子検出器と、二次元電子検出器の出力信号あるいはそれに基づいて生成された信号を表示する画像表示装置とを備えることを特徴とする。
このような構成によれば、ナノディフラクション法によって試料の応力・歪を計測できるようになる。二次元電子検出器として二次元位置有感形電子検出器を用いれば、ナノディフラクション法による試料の応力・歪を高速に計測できるようになる。
二次元電子検出器の出力信号あるいはそれに基づいて生成された信号は、検出した回折スポット位置の所定の方向（Ｘ方向とする）の変位を表す信号ＶＸ、検出した回折スポット位置のＸ方向とほぼ垂直な方向（Ｙ方向とする）の変位を表す信号ＶＹ、それらの信号の二乗平均（√（ＶＸ２＋ＶＹ２））、及びａｔａｎ（ＶＹ／ＶＸ）のいずれか１つもしくは複数の組み合わせとすることができる。このような構成によれば、応力・歪のＸ，Ｙ成分と合成成分と方向を二次元表示できるようになる。
電子線偏向手段による試料上の電子線走査と同期して、二次元電子検出器の出力信号あるいはそれに基づいて生成された信号を画像表示装置に表示するようにすれば、試料の応力・歪の分布を二次元表示できるようになる。
本発明による微小領域物性計測装置は、また、加速した電子線を試料に照射する集束レンズ系と、電子線の試料照射位置を制御する電子線偏向手段と、試料による電子線回折像を形成する対物レンズと、電子線回折像を拡大する結像レンズ系と、結像レンズ系によって拡大された電子線回折像のうち０次の回折スポットに対して対称な一対の回折スポットを各々検出して検出した回折スポット位置に依存する信号を出力する第一及び第二の二次元電子検出器と、第一の二次元電子検出器によって検出された回折スポットと第二の二次元電子検出器によって検出された回折スポットの間隔あるいは間隔の変化を演算する演算手段と、電子線偏向手段による試料上の電子線走査と同期して、演算手段によって演算された回折スポットの間隔あるいは間隔の変化を表す信号を表示する画像表示装置とを備えることを特徴とする。
このような構成によれば、０次透過電子線に対して対称的に位置する回折スポットをそれぞれ独立の二次元位置有感形電子検出器で計測でき、電子線を走査したときに０次透過電子線の位置が変化してもキャンセルして応力・歪の計測精度を向上させることができるようになる。
この時、結像レンズ系は電子線回折像の拡大率を変更する機能を有し、第一及び第二の二次元電子検出器と電子線回折像との相対角度を変更する手段を備えるのが好ましい。このように構成すれば、回折スポットの位置合わせを容易に行うことができる。結像レンズ系のレンズ電流を変化させることにより電子線回折像の拡大率を任意に変更することにより、試料によらず、応力・歪の計測を行うことができるようになる。また、結像レンズ系のレンズ電流を変化させることにより、もしくは、二次元位置有感形電子検出器を回転させることにより、電子線回折像と二次元位置有感形電子検出器の相対角度を変更できるようにすることにより、試料の方向に寄らず、応力・歪の計測を行うことができるようになる。
本発明の微小領域物性計測装置は、電子線回折像の特定の回折スポットを選択して通過させる回折スポット選択絞りを二次元位置有感形電子検出器の前に備えるのが好ましい。このような構成によれば、特定の方向の応力・歪だけを抽出して計測できるようになる。
対物レンズと二次元電子検出器との間に第二の電子線偏向手段を備えてもよい。第二の子線偏向手段を用いると電子線回折図形の位置を調整し、特定の電子線回折スポットが絞りを通過できるようにすることができる。このような構成によれば、容易に応力・歪を計測できるようになる。
また、電子線の試料照射位置を制御する電子線偏向手段と第二の電子線偏向手段とを同期して駆動するようにしてもよい。このような構成によれば、０次透過電子線の位置を電子線の走査によらず、ほぼ一定にできるため、応力・歪の計測精度を向上させることができるようになる。具体的には、２つの電子線偏向手段を電気的に直列接続し、試料上を電子線走査するとき０次の回折スポットの位置が変動しないように第二の電子線偏向手段の偏向量を調整すればよい。
対物レンズの下にある結像レンズ系は少なくとも２段の電子レンズ系から構成するのが好ましい。このような構成によれば、対物レンズの回折像面を正確に二次元位置有感形電子検出器面上に拡大投影することができ、０次透過電子線の位置を電子線の走査によらず、ほぼ一定にできるため、応力・歪の計測精度を向上させることができるようになる。
前記微小領域物性計測装置は、試料から放出される二次電子、反射電子、散乱電子及び／又は透過電子を検出する検出器を備え、電子線偏向手段による試料上の電子線走査と同期して二次元電子検出器の出力信号あるいはそれに基づいて生成された信号と二次電子等の検出器の信号とを画像表示装置に表示するのが好ましい。このように微小領域物性計測装置に備えられた試料の形態情報（二次電子像、透過像、散乱像など）と同期して二次元位置有感形電子検出器からの信号を表示することにより、測定結果と測定場所の位置整合性を向上することができるようになる。
また、前記微小領域物性計測装置は、試料から放出される二次電子、反射電子、散乱電子及び／又は透過電子を検出する検出器を備え、電子線偏向手段による試料上の電子線走査と同期して、演算手段によって演算された回折スポットの間隔あるいは間隔の変化を表す信号と二次電子等の検出器の信号とを画像表示装置に表示するのが好ましい。このような構成によれば、測定結果と測定場所の位置整合性が向上する。
発明を実施するための最良の形態
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１に、本発明による微小領域物性計測装置１の一例のブロック図を示す。電子銃２から射出された電子線４は、集束レンズ３により集束されて試料６に照射される。偏向系制御装置１４は偏向系制御信号１７を発生して、照射偏向系５の偏向強度を制御し、照射電子線４の試料６上における位置を決定する。試料６を透過した電子線は、試料６の構造を反映した透過電子線７と回折電子線８となり、対物レンズ９と投影レンズ１０により、適切な倍率に拡大される。複数個ある回折電子線８のうち、特定の回折スポットのみが回折スポット選択絞り１２を通過し、二次元位置有感形電子検出器（以下、ＰＳＤと略す）１３上に到達する。回折スポット選択絞り１２は、その位置を調整することによりをＰＳＤ１３に到達する回折スポットを選択できる。回折スポット選択絞り１２は、微小領域物性計測装置１の鏡筒に固定する構造であっても、ＰＳＤ１３に対して固定する構造であってもよい。また、中間偏向系１１により、回折スポット選択絞り１２と回折電子線８の位置関係を電気的に微調整することも可能である。
照射電子線４は、できるだけ平行度を保った状態で、かつ小さい領域に収束するようにして試料６に照射される。照射電子線４がナノメートルオーダーにまで収束されているとき、この状態をナノディフラクションという。
ＰＳＤ１３は、回折電子線８が到達したＰＳＤ上の場所を電圧値として出力する。回折電子線８が異なる場所に入射すれば異なる電圧値を出力し、入射場所が初期値から離れれば離れるほど、大きく異なる電圧値を二次元位置信号１５として出力する。こうして得られた二次元位置信号１５は、画像表示装置１６上に輝度信号として表示される。偏向系制御装置１４から出力される偏向系制御信号１７は、試料６上の矩形領域を順次走査するように出力される。この順次走査に同期した偏向系同期信号１８を用いて、二次元位置信号１５を試料６の位置と対応させて画像表示装置１６に表示する。
もし試料６が均一な構造をしていれば、照射電子線４が試料６のどの場所を透過しても、ＰＳＤ１３からの二次元位置信号１５は一定の値となる。つまり、画像表示装置１６には一定のコントラストの画像が表示される。もし試料６の一部の領域で、応力・歪のために格子間隔が変化していれば、回折電子線８の回折角度がその領域を走査するときだけ変化する。すると、ＰＳＤ１３上の回折電子線８の位置が変化し、二次元位置信号１５の電圧値が変化する。つまり、画像表示装置１６上には、試料６の応力・歪が存在する領域だけ多の領域と異なるコントラストがつくことになる。すなわち、画像表示装置１６に試料６の応力・歪の分布を表示できることになる。なお、ＰＳＤ１３からの二次元位置信号１５の電圧値を適当な規則で色に変換して画像表示装置１６に表示してもよい。その場合、画像表示装置１６には、試料の応力・歪みの分布が色彩によって表示されることになる。
図を用いて、ナノディフラクションによる応力・歪計測の原理を詳細に説明する。図２が光線図で、図３がＰＳＤ１３上に電子線が入射したときの出力の説明図である。試料６のうち、応力・歪のために異なる格子間隔を持つ２つの領域２１，２２が存在するとする。試料の領域２１に照射された電子線２３は０次の透過波２４と回折波２５とに分離される。対物レンズ９と投影レンズ１０により、０次の透過波２４はＰＳＤ１３と光軸１９との交点３１に到達し、回折波２５はそれとは異なる場所３２に到達する。一方、試料の領域２２に照射された電子線２６は、やはり０次の透過波２７と回折波２８に分離され、それぞれがＰＳＤ１３と光軸１９との交点３１とそれとは異なる場所３３に到達する。領域２１と２２の格子間隔が異なるため、回折波２８の回折角度は回折波２５の回折角度とは異なり、場所３３は場所３２とは異なる。ＰＳＤ１３には、対物レンズ９の後ろ焦点面２９の拡大図形が結像されており、透過波２４，２７や回折波２５，２８は一点になっている。透過波のスポット（０次の回折スポット）３１は、絞り１２により遮断され、回折波のスポット３２，３３のみがＰＳＤ１３上に到達する。なお、図中の３０は対物レンズ９の像面を表す。
ＰＳＤ１３は、表面に蛍光体２０が塗布されており、到達した電子線を光に変換して検出する。電極３４は、ＰＳＤ１３面内の電子線到達点を、Ｘ方向とＹ方向同時に、予め設定された原点７３からの距離に比例した電圧として出力する。それぞれのスポット位置で出力される電圧の差をＶΔＸ，ＶΔＹとすると、実際のスポットの移動距離Δ＝√（ΔＸ２＋ΔＹ２）に相当する電圧は、Ｖ＝√（ＶΔＸ２＋ＶΔＹ２）で与えられ、ΔはＶに比例する。ΔとＶの間の比例係数を予め求めておけば、電圧ＶΔＸ，ＶΔＹから移動距離Δを求めることができる。回折波のスポットの０次のスポット３１からの距離は、格子定数に反比例する。すなわち、回折波のスポット３３は、格子間隔が短くなれば０次のスポットから遠くへ、長くなれば０次のスポットの近くに到達する。この関係を用いて、回折スポット３３の移動距離Δから格子間隔の変化量を計測できる。
微小領域物性計測装置１の加速電圧を２００ｋＶ、試料６の基本的な格子間隔を０．２ｎｍとすると、回折角度は約１２．５ｍｒａｄとなる。ＰＳＤ１３上のカメラ長を２ｍとすると、ＰＳＤ１３上の回折スポットは、０次のスポットから２５ｍｍ離れたところにある。応力・歪によって格子間隔が１％変化し、０．２０２ｎｍになったとすると、ＰＳＤ１３上の回折スポットの０次のスポットからの距離は２４．７５ｍｍとなり、０．２５ｍｍだけ位置がずれる。例えば現在のＰＳＤ１３の位置分解能や、蛍光体２０の粒径などによる最終的な分解能が１０μｍ以下であることを考慮すると、これだけのずれの検出は容易であり、また、最終的な応力・歪の分解能は、分解能０．１％以下を容易に達成できる。
ＰＳＤ１３からの二次元位置信号１５の出力は、わずかな時間的な遅れをもつが、ほぼ実時間であると言ってよい。すなわち、照射電子線４の順次走査を速く行えば、実時間での応力・歪分布の表示が可能となる。
試料面内では応力・歪は一方向ではなく、Ｘ方向、Ｙ方向共に計測する必要がある。図４のようにＰＳＤ４５と４６を二つ組み合わせることにより、Ｘ方向（ＶＸ）、Ｙ方向（ＶＹ）を独立に測定することができる。図の例は、０次のスポット３１の位置を原点とするＸＹ座標軸を考えるとき、Ｘ軸上の特定の回折スポットの位置変動をＰＳＤ４６で検出し、Ｙ軸上の特定の回折スポットの位置変動をＰＳＤ４５により検出する。２つのＰＳＤ４５，４６が検出する回折スポットとしてできるだけ直交した方向の回折スポットを選択すると便利であるが、直交していなくても方向成分が既知であれば実用上問題ない。
応力・歪のない試料領域からの回折スポットがＰＳＤ４５，４６の原点にそれぞれ入射していたとして（Ｖ＝０）、試料の測定場所の回折スポットの原点からの移動距離を検出したＰＳＤ４６の合成出力をＶＸ、ＰＳＤ４５の合成出力をＶＹとするとき、測定場所の合計の応力・歪量は、√（ＶＸ２＋ＶＹ２）から求めることができる。また、ａｔａｎ（ＶＹ／ＶＸ）は、応力・歪の方向を表している。Ｘ，Ｙ共に大きくなる場合と、小さくなる場合とでは、ａｔａｎ（ＶＹ／ＶＸ）の値が区別できないので、ＶＸ（又はＶＹ）の符号を乗じて出力するとよい。これらの出力値は、電気回路で設計すると実時間に処理できるが、ＶＹ，ＶＸだけを記録しておき、後からコンピュータなどで解析するようにしてもよい。
また、ここではＰＳＤ４５からの１つの合成出力とＰＳＤ４６からの１つの合成出力を用いて解析する例を説明したが、回折パターンの座標系と各ＰＳＤ内の座標系との関係が既知であれば、各ＰＳＤから得られる生の信号、すなわちＰＳＤ４５から得られる２成分の出力と、ＰＳＤ４６から得られる２成分の出力を用いて応力・歪量を解析するようにしてもよい。
以上の説明では、０次の回折スポットの位置が変化しないことを前提としていたが、実際には変化することが考えられる。このようなときの問題点と対策方法について以下に説明する。
０次の回折スポットの位置が変化する原因としては、図５に示すように、投影レンズ１０が対物レンズ９の後ろ焦点面２９をＰＳＤ１３上に正確に投影していないことなどが考えられる。試料６上を電子線２３が走査するとき、投影レンズ１０による回折像３１，３２は、投影レンズの回折像面３５上では移動しないが、回折像面３５に一致していないＰＳＤ１３上では移動する。応力・歪を計測するには、０次のスポット３１からの距離の変化量を測定しなければならないため、０次のスポット３１が移動すれば、正確に計測できなくなる。また、０次のスポット３１の移動量が大きすぎれば、絞り１２で特定のスポットを選択できなくなる。
図６は、回折スポットの移動を補正する方法の一例を示す説明図である。この方法では、投影レンズ１０の近傍に補正用電子線偏向系４０を設け、補正用電子線偏向系４０によって回折スポットの移動を補正する。補正用電子線偏向系４０には、照射電子線２３の走査信号１７と同期した信号１８を用いて走査信号１７と比例した電流を印加する。補正用電子線偏向系４０を照射偏向系５と直列に接続し、補正用電子線偏向系４０のコイルのターン数や可変抵抗６０で電流を調整すれば、非常に高速な応答が得られる。可変抵抗６０は、試料６上を照射電子線２３で走査するとき０次のスポット３１が移動しないように調整する。
図７は、投影レンズ１０が対物レンズ９の後ろ焦点面２９をＰＳＤ１３上に正確に投影していないときの問題点を回避する別の手段の説明図である。この方法は、投影レンズ３６，３７を二段設け、対物レンズ９の後焦点面２９に現れる回折パターンをＰＳＤ１３面上に拡大投影する。もちろん、投影レンズは三段以上あってもよい。このとき、第一投影レンズ３６と第二投影レンズ３７の励磁電流の組み合わせによって拡大率を変化させ、ＰＳＤ１３上の回折スポットの位置の測定精度を変化させることができる。応力・歪が小さい試料の場合は、拡大率を上げることで精度よく計測できるようになる。逆に応力・歪が大きい試料の場合は、拡大率を下げることで全体の分布を適切に計測できるようになる。
図８は、投影レンズ１０が対物レンズ９の後ろ焦点面２９をＰＳＤ１３上に正確に投影していないときの問題点を回避するさらに別の手段の説明図である。試料の異なる領域２１，２２に入射する照射電子線２３，２６は、それぞれの透過電子線２４，２７と、ある方向への回折電子線２５，２８、及びそれらとは対称的な方向への回折電子線３９，４０に分かれる。それぞれが、対物レンズ９及び投影レンズ１０によって回折パターンとして結像され、透過電子線は４１，４３に、ある方向への回折電子線は３２，３３に、対称的な方向への回折電子線は４２，４４に到達する。回折スポット３２と３３を第一のＰＳＤ４５で検出し、回折スポット４２，４４を第二のＰＳＤ４６で検出する。
試料の領域２１からの回折スポット３２と４２の位置を第一、第二のＰＳＤ４５，４６で測定し、スポット間距離をΔ１とする。また、試料の領域２２からの回折スポット３３と４４の位置を第一、第二のＰＳＤ４５，４６で測定し、スポット間距離をΔ２とする。Δ１の値を基準とすれば、すなわち領域２１を応力・歪無しの領域であるとすれば、領域２２における回折スポットの移動量は、（Δ２─Δ１）／２で表される。
この方式を図４において説明したように拡張して、Ｘ方向とＹ方向の応力・歪成分を同時に計測することも可能である。その場合、ＰＳＤは四個必要になる。
これまで、ＰＳＤを２個あるいは四個配置することによって、応力・歪みを精度よく、しかもＸ方向とＹ方向の同時計測が可能であることを説明した。ところで、予め試料６の構造と方位、及び対物レンズ９と投影レンズ１０による像回転角度が分かっていれば、ＰＳＤを正しく配置することが可能である。しかし、一般的にはこれらの条件は不明な場合が多く、得られた電子線回折スポットのうち、特定のものを選択する手段が必要になってくる。
回折スポットを一つだけ選択する手段としては、図１に示したように、回折スポット選択絞り１２を用いれば容易である。しかし、複数個の回折スポットを選択し、かつ別々のＰＳＤで検出するためには、方向と０次の回折スポットからの距離を調節する必要がある。方向を合わせるには、ＰＳＤを回転させる方法が考えられる。この時、回折スポット絞りは複数個のＰＳＤにそれぞれ固定して設けておけばよい。また、電子レンズは励磁と比例する量だけ像が回転する特性を利用し、回折パターンを回転させる方法が考えられる。後者の場合は、より自由度を高めるために、図７で示したように複数段の投影レンズを用いるとよい。
また、０次の回折スポットからの距離を調整するには、回折スポットの拡大率（カメラ長）を変更する手段が必要となる。これは、投影レンズの励磁を変えることで容易に達成することができる。現在の汎用型のＴＥＭは、中間レンズ二段と投影レンズ二段を有するものが多く、広いカメラ長変化範囲と任意の回転方向を同時に達成することが可能であり、任意の結晶性試料の応力・歪分布を計測することができる。
図９は、試料の二次電子像、散乱電子像、及び／又は透過電子像を応力・歪分布と同時に表示することのできる微小領域物性計測装置の一例のブロック図である。
二次電子検出器４８は試料から発生する二次電子４７を検出し、散乱電子検出器５１は試料６で散乱した散乱電子５０を検出し、透過電子検出器５４は試料を透過した透過電子５３を検出する。これらの信号は、試料６の形態情報を含んでおり、応力・歪の分布と同時に表示すれば、より有意な情報を提供する。これは、偏向系制御装置１４からの偏向系同期信号１８と同期して、二次電子信号４９、散乱電子信号５２、透過電子信号５５を応力・歪の大きさを表す二次元位置信号１５と同時に画像表示装置１６に入力することにより容易に達成でき、測定結果と測定場所の位置整合性を向上することができるようになる。
ＴＥＭ、ＳＴＥＭ、ＳＥＭには、エネルギー分散型Ｘ線分光分析装置（ＥＤＸ）、エネルギーロス分光分析装置（ＥＥＬＳ）を取り付けることにより、元素分析や元素分布表示が可能である。カソードルミネッセンス、反射電子など、試料の物性を評価する信号との同時表示も上記した手段により、容易に達成できる。
図１０は、試料の二次電子像、透過電子像、散乱電子像などと応力・歪の分布を同時表示した表示画面の例を示す図である。図は、画像表示装置１６の表示画面７０に二次電子像７１と応力・歪の分布像７２を並べて表示した例を示す。
一般に、形状の情報以外に、二次電子信号４９は、試料の表面構造、内部構造などの情報を、散乱電子信号５２は、試料の構成元素などの情報を、透過電子信号５５は、試料の欠陥などの情報を含んでいる。したがって、例えば、二次電子像７１と応力・歪の分布像７２を並べて表示すると、試料の形状や表面・内部の構造と、応力・歪の位置的な対応がつき、壊れている不良箇所、別の構造と接している界面などに応力・歪が集中しているのか、それとも、その周辺に集中しているのか、また、急峻に変化しているのか、緩和していく様子はどうか、などの情報を可視化できるようになる。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明によれば、試料の応力（歪）の二次元的な分布を、高い空間分解能で、高感度で、高い計測位置整合性で、実時間表示することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明による微小領域物性計測装置及びそれを用いた微小領域物性計測方法の一実施例のブロック図である。
図２は、ナノディフラクションによる応力・歪計測の原理図である。
図３は、ＰＳＤ上の出力の説明図である。
図４は、Ｘ方向とＹ方向の応力・歪計測方法の説明図である。
図５は、ＰＳＤ上に回折像が結像されないときの説明図である。
図６は、補正用電子線偏向系によって、回折スポットの移動を補正する方法の原理図である。
図７は、投影レンズを二段設けることによって、回折スポットの移動を補正する方法の原理図である。
図８は、ＰＳＤを２つ配置することによって、回折スポットの移動を補正する方法の原理図である。
図９は、二次電子、透過電子、散乱電子などと同時表示することのできる微小領域物性計測装置のブロック図である。
図１０は、試料の二次電子像、透過電子像、散乱電子像などと応力・歪の分布を同時表示した表示画面の例を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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