(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスヒーターと該セラミックスヒーターにより加熱されるツールからなり、該ツールを被加熱物に接触させて加熱する接触加熱用ヒーターにおいて、前記セラミックスヒーターが前記ツールに備えられた挿入孔に挿入され、前記ツールと前記セラミックスヒーターとが熱伝導率２０W／ｍ・K以上の接着層によって固定されていることを特徴とする接触加熱用ヒーター。
【請求項２】
前記セラミックスヒーターが板状であることを特徴とする請求項１記載の接触加熱用ヒーター。
【請求項３】
前記セラミックスヒーターの主面がツールの加熱面と平行であることを特徴とする請求項２記載の接触加熱用ヒーター。
【請求項４】
前記セラミックスヒーターが窒化珪素、炭化珪素、アルミナ又は窒化アルミニウムを主成分とし、前記ツールが炭化珪素、窒化アルミニウム又は熱膨張係数３〜６×１０−６／℃のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系低熱膨張金属を主成分とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の接触加熱用ヒーター。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ベアチップを基板上に実装する際に用いるダイボンディングヒーター等、被加熱物に接触して加熱する接触加熱装用ヒーターに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ベアチップを基板上に実装する方法として、異方性導電膜（ＡＣＦ）等の樹脂系の接着材を使用したＡＣＦ接続方法、またはマルチチップモジュールに用いるようなＡｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材を使用したフリップチップ接続法が行われている。
【０００３】
例えば、フリップチップ接続法は、図５に示すように、多層パッケージ基板１３上に半導体チップ９を載置して、その上面からボンディング用ヒーター７と接着剤を用いた方法などで化学的に接合されたツール８で加熱しながら押圧することによって、接合を行っている。この時、両者に備えたハンダバンプ１１によって、接合するとともにワイヤリングを行うことができる。
【０００４】
ボンディング用ヒーター７に求められる特性としては、まず使用する接着材を軟化もしくは溶融するために必要十分な熱を半導体チップ９を介してハンダバンプ１１に代表される接着材まで効率よく伝える必要がある。
【０００５】
さらに、半導体チップ９を接合する際には、熱と同時に圧力も加えるため、ボンディング用ヒーター７及びツール８には機械的強度や耐摩耗性が要求される。
【０００６】
このような点から、ボンディング用ヒーター９としては、チタンやモリブデン等の耐熱金属材を用い、焼結ダイヤでツール８を構成するとともに、それ自体にパルス性大電流を流して発熱させるようにしたパルスヒーター方式があった。
【０００７】
また、特開２００１−３３２５８９号公報には、図６に示すように、セラミックス製のツール１７と、該ツール１７を加熱するためのセラミックヒーター１８と、これらをベース２１に結合するセラミックス製のホルダー１９とから構成され、前記ホルダー１９よりもツール１７の熱伝導率を高くしたことを特徴とするボンディング用ヒーターが提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、年々肥大化の一途をたどる半導体市場において、その急成長の牽引車となっている携帯電話、モバイルコンピューターのさらなる高性能化に伴い、半導体チップ実装の高集積化、小型化はとどまるところを知らない。これに伴い多層パッケージ基板に実装する半導体チップを実装する際の実装精度の要求が高まってきた。
【０００９】
また、半導体部品が汎用化するにつれ、上記のようなボンディング用ヒーターにも、コストダウンが要求されるようになってきた。
【００１０】
しかしながら、ツール１７として例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のような耐熱性金属を用いた場合、前記図５、図６に示すような構造のボンディング用ヒーターでは、ツール１７表面の均熱性に乏しく、半導体チップ全体を均一に加熱して、異方性導電膜（ＡＣＦ）等の樹脂系の接着材を使用したＡＣＦ接続方法、またはマルチチップモジュールに用いるようなＡｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材を使用したフリップチップ接続法を形成する際の半導体チップ全面における信頼性に乏しいという問題があった。
【００１１】
また、窒化アルミニウムからなるセラミックス製のヘッド１７は脆くて壊れやすく、試料と方当たりした際に破損する場合があった。また、非常に高価であるため、交換の費用が嵩むという問題点があった。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記問題点に鑑み、鋭意研究の結果、ツール表面の均熱性に優れ、異方性導電膜（ＡＣＦ）等の樹脂系の接着材を使用したＡＣＦ接続方法、またはマルチチップモジュールに用いるようなＡｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材を使用したフリップチップ接続法を形成する際に高い信頼性が得られる接触加熱用ヒーターを開発した。
【００１３】
すなわち、本発明の接触加熱用ヒーターは、セラミックスヒーターと該セラミックスヒーターにより加熱されるツールからなり、該ツールを被加熱物に接触させて加熱するものであって、前記セラミックスヒーターが前記ツールに備えられた挿入孔に挿入され、前記ツールと前記セラミックスヒーターとが熱伝導率２０W／ｍ・K以上の接着層によって固定されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の接触加熱用ヒーターは、前記セラミックスヒーターが板状であるのが好ましい。
【００１５】
本発明の接触加熱用ヒーターは、前記セラミックスヒーターの主面がツールの加熱面と平行であるのがより好ましい。
【００１６】
本発明の接触加熱用ヒーターは、前記セラミックスヒーターが窒化珪素、炭化珪素、アルミナ又は窒化アルミニウムを主成分とし、前記ツールが炭化珪素、窒化アルミニウム又は熱膨張係数３〜６×１０−６／℃のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系低熱膨張金属を主成分とするのがさらに好ましい。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下に、図１、２を用いて本発明の詳細について説明する。図１は本発明の接触加熱用ヒーターの斜視図、図２は断面図である。
【００１８】
本発明の接触加熱用ヒーターは、図１（ａ）に示すように、被加熱物を押圧するためのツール１と、そのツール１に形成した挿入孔３にこのツール１を加熱するためのセラミックスヒーター２を挿入し固定している。なお、図１（ｂ）、（ｃ）のように複数のセラミックスヒーター２を備えることもできる。
【００１９】
これらの部材を図２に示すように接合材５で一体化している。接合材５は厚みが厚くならないように、全面接合できる最少量とすることが好ましい。このため、ツール１およびセラミックスヒーター２の接合面は、平坦度を２００μｍ以下、表面粗さ（Ｒａ）を０．６μｍ以下とすることが好ましい。
【００２０】
前記接合材５の熱伝導率は２０W／ｍ・K以上が好ましい。その理由は、セラミックスヒーター２とツール１の接触面に於ける熱伝達を改良することにより、ツール１の押圧加熱面における面内均一温度分布を更に向上させるためである。
【００２１】
なお、焼きばめ法でツール１とセラミックスヒーター２を結合する方法や図３に示すようにツールを二つ割りとし、ツール１間にセラミックスヒーター２を挟んでネジ６でネジ止めするというように機械的に接合する場合には、接合材５を使用しなくても良い。また、接合材５を使用しないで焼きばめ方法でツール１とセラミックスヒーター２を接合しても本発明と同様の効果が得られるが、焼きばめ方法では使用できる温度の上限を高くできないという問題があるため、セラミックスヒーター２の表面にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉメタライズなどの金属化面を形成し、Ａｇ−Ｃｕロウなどの熱伝導率の高いロウ材、あるいは無機接着材や高温ハンダで接合することが望ましい。
【００２２】
ツール１とセラミックスヒーター２の接合部は、その全面が均一に接触できるようにする。この接触にバラツキがあると、ツール１を均一に加熱できなくなり、また、セラミックスヒーター２の接触している部分と接触していない部分との間に温度分布が発生するばかりでなく、場合によってはセラミックスヒーター２が局部的に異常発熱して寿命が短くなったり破損したりするので好ましくない。
【００２３】
ツール１を加熱するセラミックスヒーター２としては、その形状を板状とし、ツール１の加熱面１ａと平行になるように該ツール１内部にセラミックスヒーター２を挿入することが好ましい。上記セラミックスヒーター２を加圧面に対して平行に挿入した理由は、加圧面内に対してセラミックスヒーター２の占める面積を大きくできるから、加圧面に対してセラミックスヒーター２を垂直に挿入した場合より接触加熱用ヒーターの設計を小型化できるメリットがあるからである。
【００２４】
また、ツール１の加熱面１ａの表面からセラミックスヒーター２の表面までの距離は１〜３ｍｍ、さらに好ましくは１．５〜２．５ｍｍとすることが好ましい。前記距離が１ｍｍ未満では、セラミックスヒーター２間の温度分布を緩和できずツール１表面の温度分布が大きくなるので好ましくない。また、前記距離が３ｍｍを越えるとツール１の熱容量が大きくなり、昇温降温のサイクルが遅くなってしまうので好ましくない。
【００２５】
このように、ツール１にセラミックヒーター２を挿入してツール１と該ツール１を加熱するセラミックスヒーター２とを一体化したことにより、セラミックスヒーター２からツール１への熱伝導が促進され、ツール１の押圧加熱面における面内の温度分布を均一にすることができる。
【００２６】
例えば、ツール１の材質として、コストダウンのためにＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やステンレスを使用した場合、窒化アルミニウムを用いた場合に較べて熱伝導率が低い点が問題だが、セラミックスヒーター２の配置を図１（ａ）〜（ｃ）に示したように調整し、必要に応じてそれぞれのセラミックスヒーター２の出力を調整することにより、均熱性良好なものとすることができる。
【００２７】
また、セラミックスヒーター２は、図１（ｂ）（ｃ）のように、略同一平面に相互に並んで設置することが好ましい。このようにすることにより、昇温降温時の温度分布が調整しやすくなる。
【００２８】
図１（ｂ）、（ｃ）のように、前記ツール１に板状のセラミックスヒーター２を複数挿入する場合は、各セラミックスヒーター２間の距離ａが２ｍｍ以下であり、更に各セラミックスヒーター２とツール１の外周との距離ｂが２ｍｍ以下とすることが好ましい。この理由は、ツール１に複数本のセラミックスヒーター２が２ｍｍ以下の間隔で内蔵され、おのおののセラミックスヒーター２を独立してプログラムコントローラで制御することにより、ツール１の押圧加熱面の面内温度分布を更に向上させるためである。前記距離１ａ、１ｂが２ｍｍを越えると、ツール１表面の温度分布が大きくなってしまうので好ましくない。
【００２９】
ツール１に挿入するセラミックスヒーター２の大きさとしては、厚み１〜３ｍｍ、幅３〜８ｍｍ、発熱長さはツール１に挿入する深さと同等にすることが好ましい。また、前記セラミックスヒーター２の本数としては、ツール１の大きさにもよるが、複数設置し、別々に温度調整するようにすることが好ましい。
【００３０】
次に、本発明の接触加熱用ヒーターの製造方法を説明する。被加熱物と押圧するためのツール１としては、熱伝導率の点から炭化珪素、窒化アルミニウムなどを主成分とする焼結体を用いることが望ましいが、コストと加工性の点から熱膨張係数をセラミックスに合わせて３〜６×１０-6／℃程度としたＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系の低熱膨張金属をツール１として使用しても何ら差し支えない。
【００３１】
また、ツール１の材質として高熱伝導セラミックスを使用する場合には、たとえば焼結助剤としてＡｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3などを焼結助剤として含有させた窒化アルミニウム焼結体を使用することが好ましい。窒化アルミニウムセラミックス製のツールは、窒化アルミニウム粉末とＡｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3などの所望の焼結助剤粉末を所望の組成になるように調整して、メタノール、ＩＰＡなどの非水系溶媒と混合効率を上げるためのＡｌ2Ｏ3製又はＳｉ3Ｎ4製のメディアとともにボールミル、振動ミルといった方法で混合し、得られた窒化アルミニウム粉末を分散させたスラリーを２００メッシュ程度のメッシュに通して、メディアからの混入、ボールミル、振動ミルのライニングからの混入を取り去った後に防爆式の乾燥機により１２０℃程度で２４時間程度乾燥した後に４０メッシュ程度のメッシュパスを施す。
【００３２】
ここで得られた、窒化アルミニウムと所望の焼結助剤の混合された粉末に、さらに、所望の有機バインダーを所望量混合し、スプレードライ法、乾式造粒法、湿式造粒法などの方法により造粒したのち、プレス成形またはＣＩＰ成形により所望の形状に加工し、５００〜７００℃程度の温度で脱脂することにより有機バインダーを飛散させ、得られた成形体を窒素中にて１８００℃〜２０００℃程度の温度で焼結させる。あるいは直接カーボン型中で成形と焼結を同時に行うホットプレスで焼結させても良い。また、炭化珪素質焼結体を用いる場合、例えば炭化珪素に対し０．２〜４．０重量％の炭化硼素や必要に応じて０．５〜５重量％の希土類元素酸化物を添加して、１９００〜２１００℃の真空中で焼成する。
【００３３】
また、セラミックスヒーター２は、窒化珪素、炭化珪素、アルミナ、窒化アルミニウムなどを主成分とするセラミックス中に発熱体８を埋設したものを用いることが好ましい。
【００３４】
たとえば焼結助剤としてＢ、Ｃなどを含有した炭化珪素もしくは、焼結助剤として、Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3などを焼結助剤として含有した窒化珪素を用いた。セラミックスヒーター２は、窒化珪素粉末とＡｌ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3などの所望の焼結助剤粉末を所望の組成になるように調整するか、又は炭化珪素粉末とＢ、Ｃなどの所望の焼結助剤粉末を所望の組成になるように調整して、メタノール、ＩＰＡなどの非水系溶媒と混合効率を上げるためのＡｌ2Ｏ3製又はＳｉ3Ｎ4製のメディアとともにボールミル、振動ミルといった方法で混合し、得られたスラリーを２００メッシュ程度のメッシュに通して、メディアからの混入、ボールミル、振動ミルのライニングからの混入を取り去った後、防爆式の乾燥機を用いて１２０℃程度で２４時間程度乾燥した後に４０メッシュ程度のメッシュに通す。
【００３５】
ここで得られた混合粉末に、スプレードライ法、乾式造粒法、湿式造粒法などの方法により所望の有機バインダーを所望の量だけ混合して、プレス成形、ＣＩＰ成形して所望の形状を得た後、脱脂工程を５００〜７００℃程度の温度で行い、有機バインダーを飛散させて得られた成形体を窒素中にて１８００℃〜２０００℃程度の温度で焼結させることにより窒化珪素製あるいは炭化珪素製の板を得る。あるいは直接カーボン型中で成形と焼結を同時に行うホットプレスでも窒化珪素製あるいは炭化珪素製の板を得ても良い。
【００３６】
ここで得られた窒化珪素製あるいは炭化珪素製の板をセラミックスヒーター２とする方法を以下に説明する。炭化珪素をセラミックスヒーター２として使用する場合には、その半導体的性質から、炭化珪素そのものに電流を通電して加熱する為に内蔵するような発熱体は設けてもよいし、設けなくてもよい。また窒化珪素をセラミックスヒーター２として使用する場合には、その絶縁性から直接窒化珪素に電流を通電するのではなく、窒化珪素の表面または内部に導電性セラミックスあるいは金属からなるＷ、Ｍｏ、ＷＣなどの発熱体を印刷するなどの方法で形成して、還元雰囲気中などでその発熱体を窒化珪素に後付又は窒化珪素の焼結と同時に焼き付け一体化することにより、セラミックスヒーター２として使用する。
【００３７】
さらに図１においてツール１とセラミックスヒーター２の接合方法であるが、ここでは熱膨張率が５×１０-6の低熱膨張金属製ツール１と内部にWで形成したヒーターを内蔵する窒化珪素製ヒーター２の接合方法について説明する。
【００３８】
最も簡単にできる方法としては、図３に示すようにツール１を二つ割りにしておいて、セラミックスヒーター２をツール１間に挟み込むことにより、ネジ６で締め込む方法である。焼きばめ方法は、低熱膨張金属製ツール１に窒化珪素製ヒーターの幅、厚みよりも若干小さい挿入孔３を窒化珪素製ヒーターを挿入させたい長さだけ加工しておき、低熱膨張金属製ツール１を窒化珪素製ヒーターが挿入できる６００℃程度まで加熱し、窒化珪素製ツール１を挿入して室温まで冷却する。この場合、低熱膨張金属製ツール１の穴寸法と窒化珪素製ヒーターの寸法との関係が特に重要である。
【００３９】
接合材５を使用する場合には、無機接着材の場合は、低熱膨張金属製ツール１の挿入孔３と窒化珪素製のセラミックスヒーター２の両方の表面に無機接着材を充分に塗布し、無機使用する接着材に相応しい室温乾燥、高温乾燥を施して接着する。ロウ材を使用して結合する場合には、窒化珪素製ヒーターの表面に例えば１０から１５μｍ程度のＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉメタライズ層を形成した後、Ａｇ−Ｃｕロウにて低熱膨張金属製ツール１と窒化珪素製ヒーターを結合する。
【００４０】
【実施例】
以下本発明の実施例を説明する。
【００４１】
実施例１
ここでは、熱膨張率が５×１０-6／℃の低熱膨張金属製であるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金製の２４ｍｍ×２４ｍｍ×５ｍｍｔの寸法のツール１を得、セラミックスヒーター２を設置する位置に、幅２０ｍｍ、深さ２２ｍｍ、厚み２ｍｍの挿入孔３を形成した。
【００４２】
セラミックスヒーター２としては、窒化珪素製ヒーターを以下の手順で準備した。Ｙｂ2Ｏ3を焼結助剤とする窒化ケイ素粉末をバインダーと混合後にプレス成形し２５ｍｍ角の窒化ケイ素成形体を得た後に発熱体としてＷＣインクを印刷し、もう一つの２５ｍｍ角の窒化ケイ素成形体でＷＣインクを挟み込み、１７００〜１８００℃でホットプレスを行うことにより、ＷＣを内蔵する窒化ケイ素質焼結体を得た。これを平面研削盤を用いて、発熱部は２０ｍｍ×２２ｍｍ×２ｍｍｔとしてセラミックスヒーター２とした。
【００４３】
以上のように得たツール１の挿入孔３にセラミックスヒーター２を挿入、結合して本発明の接触加熱用ヒーターを得た。
【００４４】
この接触加熱用ヒーターを３００℃まで加熱し、１０秒保持したところで赤外線カメラを用いて低熱膨張金属製ツール１表面の最高温度と最低温度を測定し、その差ΔTを温度分布として評価した。比較例として、図４に示すようにセラミックスヒーター２の上にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金製のツール１を載置した場合の温度分布を測定した。
【００４５】
【表１】
0003898504.tif 000002
【００４６】
表１に示すように本発明の範囲内の接触加熱用ヒーターでは、ツール１とセラミックスヒーター２の接合方法を焼きばめ法、無機接着材による接着、高温ハンダによるハンダ接続、ロウ付けによる接合、図３に示すネジによるネジ止めで低熱膨張金属製ツール１表面の温度分布を測定したが、全て１０℃以下の温度分布となった。これに対し、図４に示す本発明の範囲外の接触加熱用ヒーターでは、ツール１表面の温度分布は２５℃と温度分布が大きかった。
【００４７】
本発明によれば、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金のような耐熱性金属製のツール１を用いた場合でも、良好な温度分布を示す接触加熱用ヒーターを得ることができるようになった。また、このような効果は、熱伝導性良好な窒化アルミニウム製のツール１を本発明の構造に使用した場合、温度分布が良くなることは言うまでもない。
【００４８】
実施例２
ここでは、低熱膨張金属製で２４ｍｍ×２４ｍｍ×５ｍｍｔの寸法のツール１を得、窒化珪素製ヒーターの挿入孔として、幅９ｍｍ、深さ２２ｍｍ、厚み２ｍｍの孔部を二個所セラミックスヒーター２間の距離１ａとツール１外周からセラミックスヒーター２までの距離１ｂが同じになるように形成した。
【００４９】
セラミックスヒーター２としては、窒化珪素製ヒーターを以下の手順で準備した。Ｙｂ2Ｏ3を焼結助剤とする窒化ケイ素粉末をバインダーと混合後にプレス成形し２５×１１ｍｍ角の窒化ケイ素成形体を得た後に発熱体としてＷＣインクを印刷し、もう一つの２５×１１ｍｍ角の窒化ケイ素成形体でＷＣインクを挟み込み、１７００〜１８００℃でホットプレスを行うことにより、ＷＣを内蔵する窒化ケイ素質焼結体を得た。これを平面研削盤を用いて、発熱部は９ｍｍ×２２ｍｍ×２ｍｍｔとしてセラミックスヒーター２とした。この場合のヒーター間の距離は２ｍｍであるが、セラミックスヒーター２間の距離１ａを２ｍｍ以下とするため、発熱部が１０．５ｍｍ×２２ｍｍ×２ｍｍｔのセラミックスヒーター２も作製した。このセラミックスヒーター２の場合はツール１の挿入孔３形状も変更され、セラミックスヒーター２間の距離１ａは１ｍｍとした。更に比較例として、発熱部が７．５ｍｍ×２２ｍｍ×２ｍｍｔのセラミックスヒーター２も作製した。この場合は、セラミックスヒーター間の距離１ａは３ｍｍとした。
【００５０】
以上のように得たツール１の挿入孔３にセラミックスヒーター２を挿入、結合してセラミックスヒーター２をツール１に複数本挿入した本発明の接触加熱用ヒーターを得た。
【００５１】
この接触加熱用ヒーターを３００℃まで加熱し、１０秒保持したところで赤外線カメラを用いて低熱膨張金属製ツール１表面の最高温度と最低温度を測定し、その差ΔTを温度分布として評価した。
【００５２】
【表２】
0003898504.tif 000003
【００５３】
セラミックスヒーター２間の距離を１、２、３ｍｍと変えて低熱膨張金属製ツール１表面の温度分布を測定した。全ての評価で低熱膨張金属製ツール１表面の温度分布は１０℃以下となった。更に低熱膨張金属製ツール１表面の温度分布を向上させるため、セラミックスヒーター２間の距離を２ｍｍ以下としたところ、３℃以下の温度分布が得られた。
【００５４】
実施例３
ここでは、低熱膨張金属製で２４ｍｍ×２４ｍｍ×５ｍｍｔの寸法のツール１を得、窒化珪素製ヒーター設置用の挿入孔３として、幅２０ｍｍ、深さ２２ｍｍ、厚み２ｍｍの挿入孔３を形成した。
【００５５】
セラミックスヒーター２としては、窒化珪素製ヒーターを以下の手順で準備した。Ｙｂ2Ｏ3を焼結助剤とする窒化ケイ素粉末をバインダーと混合後にプレス成形し２５ｍｍ角の窒化ケイ素成形体を得た後に発熱体としてＷＣインクを印刷し、もう一つの２５ｍｍ角の窒化ケイ素成形体でＷＣインクを挟み込み、１７００〜１８００℃でホットプレスを行うことにより、ＷＣを内蔵する窒化ケイ素質焼結体を得た。これを平面研削盤を用いて、発熱部は２０ｍｍ×２２ｍｍ×２ｍｍｔとしてセラミックスヒーター２とした。
【００５６】
以上のように得たツール１にセラミックスヒーター２を挿入、いろいろな熱伝導率の接合材で結合して本発明の接触加熱用ヒーターを得た。
【００５７】
この接触加熱用ヒーターを３００℃まで加熱し、１０秒保持したところで赤外線カメラを用いて低熱膨張金属製ツール１表面の最高温度と最低温度を測定し、その差ΔTを温度分布として評価した。
【００５８】
【表３】
0003898504.tif 000004
【００５９】
接合材の熱伝導率を変えて低熱膨張金属製ツール１表面の温度分布を測定したところ、どの接合材の熱伝導率においても１０℃以下の温度分布が得られた。接合材の熱伝導率を２０W／ｍ・Ｋ以上とすることにより、５℃以下の温度分布となった。
【００６０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、ツール表面の均熱性に優れた接触加熱用ヒーターが得られ、半導体チップ全体を均一に加熱して、異方性導電膜（ＡＣＦ）等の樹脂系の接着材を使用したＡＣＦ接続方法、またはマルチチップモジュールに用いるようなＡｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｓｎ等の低融点ロウ材を使用したフリップチップ接続法を形成する際の半導体チップ全面における信頼性が確保でき、安価で耐久性良好な接触加熱用ヒーターが提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ)〜（ｃ）は、本発明の接触加熱用ヒーターを示す斜視図である。
【図２】本発明の接触加熱用ヒーターを示す断面図である。
【図３】本発明の接触加熱用ヒーターを示す分解図である。
【図４】比較例の接触加熱用ヒーターを示す斜視図である。
【図５】従来の接触加熱用ヒーターを示す斜視図である。
【図６】従来の接触加熱用ヒーターを示す斜視図である。
【符号の説明】
１  ：  ツール
１ａ：  加熱面
２  ：  セラミックスヒーター
３  ：  凹部
４  ：  リード部
５  ：  接合材
【図１】
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【図２】
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【図３】
0003898504.tif 000007
【図４】
0003898504.tif 000008
【図５】
0003898504.tif 000009
【図６】
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