(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエーハの製造方法において、少なくとも、リソグラフィー工程、熱処理工程、ＣＭＰ工程、エッチング工程の少なくとも１工程で使用される装置に関するデバイス製造工程情報を入手する段階と、前記デバイス製造工程情報を解析し前記デバイス製造工程情報に対応したウエーハ特性を有する半導体ウエーハを製造することができるウエーハ製造工程を選択する段階と、前記選択されたウエーハ製造工程により半導体ウエーハを製造する段階とから成ることを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
【請求項２】
前記デバイス製造工程で使用される装置に関する情報が、前記装置のウエーハチャックに関する情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエーハの製造方法。
【請求項３】
前記デバイス製造工程情報が、ウエーハ面内の基準線とウエーハ面との変位の最大値Ａ、最小値Ｂ、および変位の標準偏差Ｃから成るＡＢＣパラメータで表わされた情報を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体ウエーハの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半導体ウエーハの製造方法であって、前記半導体ウエーハに前記デバイス製造工程情報に対応したレーザーマークを印字する段階をさらに含むことを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
【請求項５】
半導体ウエーハ製造の受注方法であって、少なくとも、デバイスメーカとウエーハメーカの顧客コンピュータとをネットワークを介して接続する段階と、前記ウエーハメーカの顧客コンピュータが前記デバイスメーカから少なくともデバイスメーカでのリソグラフィー工程、熱処理工程、ＣＭＰ工程、エッチング工程の少なくとも１工程で使用される装置に関するデバイス製造工程情報をネットワークを介して受信する段階と、前記デバイス製造工程情報を解析し前記デバイス製造工程情報に対応したウエーハ特性を有する半導体ウエーハを製造することができるウエーハ製造工程を選択する段階とから成ることを特徴とする半導体ウエーハ製造の受注方法。
【請求項６】
前記デバイスメーカ側で使用される装置に関する情報が前記装置のウエーハチャックに関する情報を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体ウエーハ製造の受注方法。
【請求項７】
前記デバイス製造工程情報が、ウエーハ面内の基準線とウエーハ面との変位の最大値Ａ、最小値Ｂ、および変位の標準偏差Ｃから成るＡＢＣパラメータにより表わされた情報を含むことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の半導体ウエーハ製造の受注方法。
【請求項８】
請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の半導体ウエーハ製造の受注方法であって、前記選択されたウエーハ製造工程で製造される半導体ウエーハに関する半導体ウエーハ情報をデバイスメーカに返信する段階をさらに含むことを特徴とする半導体ウエーハ製造の受注方法。
【請求項９】
前記返信する半導体ウエーハ情報は製造する半導体ウエーハの前記ＡＢＣパラメータおよび／または半導体ウエーハの裏面形状を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体ウエーハ製造の受注方法。
【請求項１０】
請求項５ないし請求項９のいずれか１項に記載の半導体ウエーハの受注方法であって、前記デバイス製造工程情報の解析およびウエーハ製造工程の選択を、製造する半導体ウエーハの前記ＡＢＣパラメータおよび／または半導体ウエーハの裏面形状を用いて行うことを特徴とする半導体ウエーハ製造の受注方法。
【請求項１１】
半導体ウエーハ製造の受注システムであって、少なくとも、デバイスメーカのクライアント端末と、ウエーハメーカの顧客コンピュータから成り、前記クライアント端末はデバイスメーカにより少なくともデバイスメーカでのリソグラフィー工程、熱処理工程、ＣＭＰ工程、エッチング工程の少なくとも１工程で使用される装置に関するデバイス製造工程情報を入力され、前記デバイス製造工程情報をネットワークを介して送信するものであり、前記顧客コンピュータは前記送信されたデバイス製造工程情報を受信し、該デバイス製造工程情報を解析し前記デバイス製造工程情報に対応したウエーハ特性を有する半導体ウエーハを製造することができるウエーハ製造工程を選択するものであることを特徴とする半導体ウエーハ製造の受注システム。
【請求項１２】
前記デバイスメーカ側で使用される装置に関する情報が前記装置のウエーハチャックに関する情報を含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体ウエーハ製造の受注システム。
【請求項１３】
前記デバイス製造工程情報が、ウエーハ面内の基準線とウエーハ面との変位の最大値Ａ、最小値Ｂ、および変位の標準偏差Ｃから成るＡＢＣパラメータにより表わされた情報を含むことを特徴とする請求項１１又は請求項１２に記載の半導体ウエーハ製造の受注システム。
【請求項１４】
請求項１１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の半導体ウエーハ製造の受注システムであって、前記顧客コンピュータは前記選択されたウエーハ製造工程で製造される半導体ウエーハに関する半導体ウエーハ情報をクライアント端末に返信するものであることを特徴とする半導体ウエーハ製造の受注システム。
【請求項１５】
前記返信する半導体ウエーハ情報は製造する半導体ウエーハの前記ＡＢＣパラメータおよび／または半導体ウエーハの裏面形状を含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体ウエーハ製造の受注システム。
【請求項１６】
請求項１１ないし請求項１５のいずれか１項に記載の半導体ウエーハの受注システムであって、前記デバイス製造工程情報の解析およびウエーハ製造工程の選択を、製造する半導体ウエーハの前記ＡＢＣパラメータおよび／または半導体ウエーハの裏面形状を用いて行うものであることを特徴とする半導体ウエーハ製造の受注システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエーハメーカとデバイスメーカ間での半導体ウエーハの製造方法、および半導体ウエーハ製造の受注方法、ならびに受注システムに関する。特にデバイスメーカのデバイス製造工程毎に合ったウエーハを供給する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体製品の作製は、基板となる半導体ウエーハを製造するウエーハメーカと、このウエーハ上にメモリなどの各種デバイスを形成するデバイスメーカとに大きく分けられる。
【０００３】
ウエーハメーカでは、デバイスメーカからの製品仕様を受け、その仕様に応じた単結晶インゴットの引上げと、この単結晶インゴットをスライスし、少なくとも一主面を鏡面化するウエーハ加工、その他熱処理等を行ない半導体ウエーハを製造して、デバイスメーカに供給（販売）している。
【０００４】
デバイスメーカは、ウエーハメーカから供給された（購入した）ウエーハにステッパ等の露光装置を用いデバイスを形成し、ＤＲＡＭやフラッシュメモリなどの半導体製品を製造し販売している。
【０００５】
デバイスメーカからウエーハメーカに発注する一般的な仕様は、例えば、数量、納期、及びインゴット及びウエーハ特性（ウエーハの直径、導電型、抵抗率、酸素濃度、フラットネス）などである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
現状では、デバイスメーカからの要求仕様に基づき、ウエーハメーカでウエーハを製造、供給しているが、要求仕様に収まっていても（規格内であっても）デバイスメーカでの歩留まり等が悪化する問題が生じている。
【０００７】
これは、デバイスの高集積化等により、プロセスのマージがなくなってきており、要求仕様以上のウエーハ品質が必要な場合や、仕様にない品質が影響することが考えられる。
【０００８】
従来、これは現状で要求仕様に基づき製造されたウエーハと装置の相性が良い、悪いという判断になり、悪い場合は不良扱いされていた。これはウエーハメーカ側でたとえ一般的に要求される平坦度等の仕様を良くしても不良となる傾向があった。
【０００９】
そこで、ウエーハメーカ側では、ウエーハメーカ側独自でウエーハ製造工程を工夫し、デバイスメーカ毎にマッチングを行なってきた。この為に様々な工程のウエーハ製造ライン（ウエーハ製造条件）ができてしまう。
【００１０】
また、歩留まり等の問題はデバイスメーカ側の製造ラインの違い、特に使用する装置特性のバラツキなども大きな原因となることがある。
【００１１】
従って、ウエーハメーカ側で工夫しマッチングさせたウエーハでも、デバイスメーカ側のデバイス製造工程、特に使用される装置等が変更されるとマッチングが悪くなる事がある。このようにウエーハメーカ側のみの対応では、本当に好ましいウエーハは供給できない状況であった。
【００１２】
そこで、ウエーハメーカ側もデバイスメーカ側の製造条件等を考慮してウエーハの製造を行なわない限り安定供給が困難な状況になってきている。また、デバイスメーカ側のデバイス製造工程の変更に対し、ウエーハメーカ側の対応も迅速に行なう必要がでてきた。
【００１３】
本発明は、上記事情を鑑みなされたものであって、デバイスメーカ側のデバイス製造工程に合ったウエーハを適確に供給する半導体ウエーハの製造方法及び半導体ウエーハ製造の受注方法および受注システムを提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明は、半導体ウエーハの製造方法において、少なくとも、デバイス製造工程に関するデバイス製造工程情報を入手する段階と、前記デバイス製造工程情報を解析し前記デバイス製造工程情報に対応したウエーハ特性を有する半導体ウエーハを製造することができるウエーハ製造工程を選択する段階と、前記選択されたウエーハ製造工程により半導体ウエーハを製造する段階とから成ることを特徴とする半導体ウエーハの製造方法である。
【００１５】
このように、本発明の製造方法はデバイスメーカ側のデバイス製造工程情報により、デバイスメーカ側の工程毎に合ったウエーハ特性を有するウエーハを製造して供給することを特徴とする。従来一般的な仕様のみでウエーハを製造、供給していたが、仕様だけでなく、デバイスメーカ側の工程情報を利用し、その工程（個別の工程）に合ったウエーハを製造、供給するようにした。
【００１６】
このようなきめ細かな対応をすることで、少量、迅速なウエーハの供給ができる。またデバイスメーカ側では歩留まりの良いデバイスの製造が行なえる。
【００１７】
この場合、前記デバイス製造工程情報が前記デバイス製造工程で使用される装置に関する情報を含むことが好ましい。
特に、現状で問題であるのはウエーハ形状、特にウエーハ外周部の形状やウエーハ裏面形状と製造装置、評価・測定装置等のマッチングである。そこで、デバイスメーカ側のデバイス製造工程情報としては、デバイスメーカ側で使用する装置に関する情報であることが好ましい。現状では、装置毎に異なる歩留まりになる傾向があるためである。
【００１８】
このように本発明の製造方法では、デバイスメーカがデバイスを作るのにベストなウエーハを無駄なく供給するために、デバイスメーカの各装置特性に合わせたウエーハを製造・供給することができる。
【００１９】
この場合、前記デバイス製造工程で使用される装置に関する情報が、前記装置のウエーハチャックに関する情報を含むことが好ましい。
このように、デバイスメーカ側のデバイス製造工程情報が製造装置のチャック形状等の情報であることが特に好ましい。つまり、デバイス工程で用いられる露光装置やドライエッチング装置などに使用されている製造装置のウエーハ保持用チャックの形状等に関する情報である。
【００２０】
例えば露光装置に用いられるステッパはウエーハ形状に対する許容範囲が大変小さく問題を起こしやすい。従ってウエーハチャックに関する情報としては、使用時のチャックの平坦度、外周部の形状などの情報が有効である。
【００２１】
またドライエッチング工程では熱伝導度等が影響し温度調整を行なう必要がありウエーハ裏面状態（形状）とチャック形状のマッチングが悪いとウエーハ毎に温度のキャリブレーションが必要となり生産性が悪くなる。従って、このような工程で用いるウエーハチャックに関する情報としては、チャック面の状態、例えばウエーハ吸着面積や吸着方法、更に詳しい情報としては、チャック面の粗さ等となる。
【００２２】
また、前記デバイス製造工程情報が、ウエーハ面内の基準線とウエーハ面との変位の最大値Ａ、最小値Ｂ、および変位の標準偏差Ｃから成るＡＢＣパラメータで表わされた情報を含むことが好ましい。
ＡＢＣパラメータとは、特願２０００−３５０１５１号に示すように、ウエーハの面内で所定の間隔をおいてウエーハの形状（ウエーハ表面に対して垂直な方向の変位（高さ、粗さ）又はウエーハ厚さ）を測定し、この測定されたウエーハ形状より、図８に示すように基準線を算出するための第１の領域をウエーハ面内に設定し、該第１の領域における基準線を算出し、該第１の領域外に評価をしようとする第２の領域を設定（通常ウエーハの外周部に設定）し、前記基準線を該第２の領域まで外挿し、第２の領域の形状と該第２の領域内における該基準線との差を解析し、表面特性として算出する評価方法であり、この値の最大値（正の最大変位量又は正の最大厚さ差）を表面特性（ハネ）Ａ（Ａパラメータ）、また最小値（負の最大値）を表面特性（ダレ）Ｂ（Ｂパラメータ）として評価する方法である。また、該第１の領域内で、該基準線と実測値の差を求め、これらの差の標準偏差σを表面特性（うねり）Ｃ（Ｃパラメータ）として算出する評価方法である。
【００２３】
従来ウエーハの平坦度はＳＦＱＲ（Ｓｉｔｅ  Ｆｒｏｎｔ  ｌｅａｓｔ  ｓＱｕａｒｅｓ  Ｒａｎｇｅ）やＧＢＩＲ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｂａｃｋ−ｓｉｄｅ  Ｉｄｅａｌ  Ｒａｎｇｅ）と言った品質で評価され、これらが一般仕様に盛り組まれていたが、これらの品質では十分にデバイスメーカに合ったウエーハを供給する事ができなかった。このＡＢＣパラメータによる評価は、従来のＳＦＱＲ等の平坦度を示す指標より正確にウエーハ形状を規定でき好ましい。特にＡ，Ｂパラメータはハネやダレといったウエーハ外周部の形状を定量的に評価することで、ステッパ等のウエーハチャックで問題となる品質を正確に把握する事ができる。またＡＢＣパラメータはウエーハ形状のみならずチャック形状の評価などにも用いる事ができる。
【００２４】
このようにＡＢＣパラメータは半導体ウエーハの外周部分を特に精度良く評価できる。従って、デバイス製造工程情報がチャック形状や、希望するウエーハ形状についてＡＢＣパラメータで表わされた情報であれば、特にリソグラフィー工程で有効である。このような今までの仕様にない品質情報が有効である。
【００２５】
例えば、デバイスメーカがウエーハを発注する場合、ウエーハメーカは必要とされるＡＢＣパラメータの値をデバイス製造工程情報として入手する。また露光装置のチャック形状をＡＢＣパラメータで解析し、その情報をデバイス製造工程情報として入手しても良い。
【００２６】
この場合、前記デバイス製造工程情報がリソグラフィー工程、熱処理工程、ＣＭＰ工程、エッチング工程の少なくとも１工程に関する情報を含むことが好ましい。
現状はウエーハ形状が特に問題であり、ウエーハ形状に影響する工程情報が有用であるが、本発明ではこれに限る必要はない。例えばデバイスメーカ側のデバイス製造工程情報が露光装置やドライエッチング装置以外のリソグラフィー工程，熱処理工程，ＣＭＰ工程，エッチング工程に対する情報であっても良い。例えば熱処理工程の工程情報が熱処理炉等の情報であっても他の項目であっても良い。
【００２７】
これは、例えば、デバイスメーカ側のデバイス製造工程における熱処理条件、およびウエーハメーカ側のウエーハ製造工程において製造される単結晶インゴットの品種によりゲッタリング能力等が異なってくるため、デバイスメーカ側の熱処理条件により、ウエーハメーカ側で製造する単結晶インゴット特性などを微調整する必要があるためである。この場合、ウエーハメーカは、熱処理工程に関する情報として熱処理炉の種類、型番、熱処理条件等を入手して解析し、特に製造されるウエーハの酸素濃度、窒素濃度などを調整して、デバイス製造工程に対応したウエーハ製造工程を選択し、好ましいウエーハを製造する。
【００２８】
この場合、前記半導体ウエーハに前記デバイス製造工程情報に対応したレーザーマークを印字する段階をさらに含むことが好ましい。
このようにしておけば、デバイスメーカ側でも、購入したウエーハをどの工程に投入すれば良いかが簡単に把握できるためである。
【００２９】
また、このようなデバイス製造工程毎に合ったウエーハを供給する場合、デバイスメーカ側の工程能力に合った数量のみを供給する事になり、比較的少量のウエーハで、多くの種類（工程毎）の発注が多くなる。そこで、ウエーハメーカ側では、デバイスメーカの情報の収集と、半導体ウエーハの製造ラインの決定を迅速におこなう必要がでてきた。
【００３０】
そこで本発明は、半導体ウエーハ製造の受注方法であって、少なくとも、デバイスメーカとウエーハメーカの顧客コンピュータとをネットワークを介して接続する段階と、前記ウエーハメーカの顧客コンピュータが前記デバイスメーカから少なくともデバイスメーカでのデバイス製造工程に関するデバイス製造工程情報をネットワークを介して受信する段階と、前記デバイス製造工程情報を解析し前記デバイス製造工程情報に対応したウエーハ特性を有する半導体ウエーハを製造することができるウエーハ製造工程を選択する段階とから成ることを特徴とする半導体ウエーハ製造の受注方法である。
【００３１】
このように本発明は、半導体ウエーハの製造販売を行なうウエーハメーカと半導体ウエーハを用いデバイスを形成するデバイスメーカ間で行なう受注方法であって、デバイスメーカ（正確にはデバイスメーカの担当者あるいは中間業者）はクライアント端末等より、ウエーハメーカ側の顧客コンピュータに接続し、希望する一般製品仕様及びデバイスメーカ側のデバイス製造工程情報を入力し、ウエーハメーカ側では顧客コンピュータに入力された情報を解析し、最適なウエーハ製造工程を含む製造ラインをシミュレーションして選択することによりデバイスメーカ側の工程毎に合ったウエーハ特性を有するウエーハを製造供給することを可能とする。
【００３２】
デバイスメーカ側に合ったウエーハを供給するには、細かな情報の収集、及び迅速なウエーハ製造ラインの選定が重要であるが、上記のようなネットワークを介してコンピュータを用いた受注方法であれば、スムーズにデバイスメーカの情報が入手できサービスの向上がはかれる。またウエーハメーカ側のウエーハ製造ラインの決定も容易になり、更にデバイスメーカ側の工程に合った推奨のウエーハなどが提供できる。
【００３３】
この場合、前記デバイス製造工程情報が前記デバイスメーカでのデバイス製造工程で使用される装置に関する情報を含むことが好ましい。
デバイスメーカ側のデバイス製造工程情報としては、特に限定するものではないが、デバイスメーカ側で使用する装置情報であることが好ましい。装置の型番等により歩留まりが異なる傾向があるため、装置に合ったウエーハを供給する必要があるためである。
【００３４】
これは、デバイスメーカ側で現行（通常用いている）ラインで使用するウエーハを受注する場合に特に有効である。またデバイスメーカ側では使用する装置の型番等を入力するようにするだけでよいので入力が容易である。
【００３５】
この場合、特に前記デバイスメーカ側で使用される装置に関する情報が前記装置のウエーハチャックに関する情報を含むことが好ましい。
このように、デバイスメーカ側のデバイス製造工程情報が製造装置のウエーハチャックに関する情報であることが好ましい。つまり、デバイス製造で用いられる露光装置やドライエッチング装置などに使用されている製造装置のウエーハ保持用チャックの形状に対する情報である。
【００３６】
例えばリソグラフィー工程の露光装置として用いられるステッパはウエーハ形状に対する許容範囲が大変小さく、特にデバイスメーカ側ではステッパのチャック形状が問題である事が多いためである。したがって、この場合、ウエーハチャックに関する情報は、使用時のチャックの平坦度、外周部の形状などの情報が有効である。
【００３７】
またドライエッチング工程ではウエーハ裏面状態（形状）とチャック形状のマッチングが重要である。従ってこのような工程で用いるウエーハチャックに関する情報としてはチャック面の状態、例えばウエーハ吸着面積や吸着方法、更に詳しい情報としては、チャック面の粗さ等である。
【００３８】
この場合、前記デバイス製造工程情報が、ウエーハ面内の基準線とウエーハ面との変位の最大値Ａ、最小値Ｂ、および変位の標準偏差Ｃから成るＡＢＣパラメータにより表わされた情報を含むことが好ましい。
ＡＢＣパラメータとは、一般仕様にない品質情報で、前述したものであり、このＡＢＣパラメータによる評価は、従来の仕様にあるＳＦＱＲ等の平坦度を示す指標よりより正確にウエーハ形状を規定でき好ましい。特にＡ，Ｂパラメータはハネやダレといったウエーハ外周部の形状を定量的に評価することで、ステッパ等のチャックで問題となる品質を正確に把握する事ができる。このＡＢＣパラメータはウエーハ形状のみならずチャック形状の評価などにも用いる事ができる。従って、例えばＡＢＣパラメータの決まったウエーハを受注する場合、この値を受信する。また露光装置のチャック形状をＡＢＣパラメータで解析したものをデバイス製造工程情報として受信しても良い。
【００３９】
特にデバイスメーカ側で新規なデバイス製造ラインで最適なウエーハがどのようなものか過去の情報が不足している場合など、この特性による情報が好ましい。ＡＢＣパラメータであればウエーハ製造に多いに役に立つ情報であるからである。
【００４０】
この場合、前記デバイス製造工程情報がリソグラフィー工程、熱処理工程、ＣＭＰ工程、エッチング工程の少なくとも１工程に関する情報を含むことが好ましい。
現状はウエーハ形状が特に問題であり、上記のようなウエーハ形状に影響する工程情報が有用であるが、本発明ではこれに限る必要はない。例えばデバイスメーカ側のデバイス製造工程情報がリソグラフィー工程、熱処理工程、ＣＭＰ工程、エッチング工程等に対する情報であっても良い。例えば熱処理工程の工程情報が熱処理炉等の情報であっても他の項目であっても良い。
【００４１】
例えば、デバイスメーカ側の熱処理条件、ウエーハメーカ側で製造されるインゴットの品種によりゲッタリング能力等が異なってくるため、熱処理条件によりインゴット特性などを微調整する必要があるためである。この場合、熱処理工程に関する情報としては熱処理炉の種類、型番、熱処理条件等を受信し、解析して、特に望ましいウエーハの酸素濃度、窒素濃度など調整して、好ましいウエーハを製造することができるウエーハ製造工程を選択する。
【００４２】
この場合、前記選択されたウエーハ製造工程で製造される半導体ウエーハに関する半導体ウエーハ情報をデバイスメーカに返信する段階をさらに含むことが好ましい。
このように半導体ウエーハ情報をデバイスメーカに返信する事で、後にデバイスメーカ側でウエーハを発注する場合、このパラメータをデバイス製造工程情報として送信できるし、更にＡＢＣパラメータやウエーハ裏面形状等と歩留まりの関係を確認し、再度最適なウエーハに絞り込む事もでき、デバイス製造工程に合った好ましいウエーハの発注ができる。
【００４３】
この場合、返信する前記半導体ウエーハ情報は製造する半導体ウエーハの前記ＡＢＣパラメータおよび／または半導体ウエーハの裏面形状を含むことが好ましい。
ＡＢＣパラメータによる評価は従来のＳＦＱＲ等による指標よりも正確にウエーハ形状を規定できるからである。また半導体ウエーハの裏面形状はステッパ等でウエーハをチャックする際に問題となるからである。そのため、これらを推奨ＡＢＣパラメータ、推奨裏面形状として返信することにより、デバイスメーカ側では、デバイス製造工程に合った好ましいウエーハの発注ができるようになる。
【００４４】
この場合、前記デバイス製造工程情報の解析およびウエーハ製造工程の選択を、製造する半導体ウエーハの前記ＡＢＣパラメータおよび／または半導体ウエーハの裏面形状を用いて行うことが好ましい。
このように例えば顧客コンピュータで行なう情報の解析はＡＢＣパラメータおよび／または裏面形状をもとにして行なう事が好ましい。ＡＢＣパラメータまたは裏面形状とウエーハ製造ラインの関係等をリンクさせ解析することにより、要求されるウエーハ特性を有する半導体ウエーハを製造することができるウエーハ製造工程を選択することが容易になるためである。
【００４５】
また本発明は、半導体ウエーハ製造の受注システムであって、少なくとも、デバイスメーカのクライアント端末と、ウエーハメーカの顧客コンピュータから成り、前記クライアント端末はデバイスメーカにより少なくともデバイスメーカでのデバイス製造工程に関するデバイス製造工程情報を入力され、前記デバイス製造工程情報をネットワークを介して送信するものであり、前記顧客コンピュータは前記送信されたデバイス製造工程情報を受信し、該デバイス製造工程情報を解析し前記デバイス製造工程情報に対応したウエーハ特性を有する半導体ウエーハを製造することができるウエーハ製造工程を選択するものであることを特徴とする半導体ウエーハ製造の受注システムである。
【００４６】
デバイスメーカ側に合ったウエーハを供給するには、細かな情報の収集、及び迅速な製造ラインの選定が重要であるが、上記のようなネットワークを介しコンピュータを用いた受注システムであれば、スムーズにデバイスメーカの情報が入手できサービスの向上がはかれる。またウエーハメーカ側の製造ラインの決定も容易になり、更にデバイスメーカ側の工程に合った推奨のウエーハなどが提供できる。
【００４７】
この場合、前記デバイス製造工程情報が前記デバイスメーカでのデバイス製造工程で使用される装置に関する情報を含むことが好ましい。
装置の型番等により歩留まりが異なる傾向があるため、装置に合ったウエーハを供給する必要があるためである。これは、デバイスメーカ側で現行ラインで使用するウエーハを発注する場合に特に有効である。使用する装置の型番等をクライアント端末に入力するようにするだけでよいので入力が容易である。
【００４８】
この場合、前記デバイスメーカ側で使用される装置に関する情報が前記装置のウエーハチャックに関する情報を含むことが好ましい。
例えばリソグラフィー工程の露光装置として用いられるステッパはウエーハ形状に対する許容範囲が大変小さく、特にデバイスメーカ側ではステッパのチャック形状が問題である事が多いためである。この場合、ウエーハチャックに関する情報は、使用時のチャックの平坦度、外周部の形状などの情報が有効である。またドライエッチング工程ではウエーハ裏面状態（形状）とチャック形状のマッチングが重要である。従ってこのような工程で用いるウエーハチャックに関する情報としてはチャック面の状態、例えばウエーハ吸着面積や吸着方法、更に詳しい情報としては、チャック面の粗さ等の情報が有効である。
【００４９】
この場合、前記デバイス製造工程情報が、ウエーハ面内の基準線とウエーハ面との変位の最大値Ａ、最小値Ｂ、および変位の標準偏差Ｃから成るＡＢＣパラメータにより表わされた情報を含むことが好ましい。
ＡＢＣパラメータとは、前述したものであり、このＡＢＣパラメータによる評価は、従来のＳＦＱＲ等の平坦度を示す指標よりより正確にウエーハ形状を規定でき好ましい。
【００５０】
この場合、前記デバイス製造工程情報がリソグラフィー工程、熱処理工程、ＣＭＰ工程、エッチング工程の少なくとも１工程に関する情報を含むことが好ましい。
例えば、デバイスメーカ側の熱処理条件、ウエーハメーカ側の製造される単結晶インゴットの品種によりゲッタリング能力等が異なってくるためデバイスメーカ側の熱処理条件によりウエーハメーカ側で製造されるインゴット特性などを微調整する必要があるためである。
【００５１】
この場合、前記顧客コンピュータは前記選択されたウエーハ製造工程で製造される半導体ウエーハに関する半導体ウエーハ情報をクライアント端末に返信するものであることが好ましい。
このように顧客コンピュータが半導体ウエーハ情報をデバイスメーカに返信するものであれば、今後、デバイスメーカ側でウエーハを発注する場合、このパラメータをデバイス製造工程情報としてクライアント端末に入力できるし、更にＡＢＣパラメータやウエーハ裏面形状等と歩留まりの関係を確認し、再度最適なウエーハに絞り込む事もでき、デバイス製造工程に合った好ましいウエーハの発注ができるからである。
【００５２】
この場合、前記返信する半導体ウエーハ情報は製造する半導体ウエーハの前記ＡＢＣパラメータおよび／または半導体ウエーハの裏面形状を含むことが好ましい。
ＡＢＣパラメータによる評価は従来のＳＦＱＲ等による指標よりも正確にウエーハ形状を規定できるからである。また半導体ウエーハの裏面形状はステッパ等でウエーハをチャックする際に問題となるからである。そのため、これらを推奨ＡＢＣパラメータ、推奨裏面形状として返信することにより、デバイスメーカ側では、デバイス製造工程に合った好ましいウエーハの発注ができるようになる。
【００５３】
この場合、前記デバイス製造工程情報の解析およびウエーハ製造工程の選択を、製造する半導体ウエーハの前記ＡＢＣパラメータおよび／または半導体ウエーハの裏面形状を用いて行うものであることが好ましい。
このように顧客コンピュータで行なう情報の解析はＡＢＣパラメータおよび／または裏面形状をもとにして行なう事が好ましい。ＡＢＣパラメータまたは裏面形状とウエーハ製造ラインの関係等をリンクさせ解析することにより、要求されるウエーハ特性を有する半導体ウエーハを製造することができるウエーハ製造工程を選択することが容易になるためである。
【００５４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明に係る半導体ウエーハの製造方法および半導体ウエーハ製造の受注方法ならびに半導体ウエーハ製造の受注システムについて説明する。なお、実施の形態は一例であり種々の変更が可能である。以下の説明ではデバイス製造工程で使用される装置（露光装置）に合った形状のウエーハを供給する例について説明する。
【００５５】
本発明の受注システムは、図１に示すようにウエーハメーカと該半導体ウエーハを用いデバイスを形成するデバイスメーカ間でインターネット等のネットワークを介して接続され構成されている。デバイスメーカの担当者は、クライアント端末より、ウエーハメーカ側の顧客コンピュータに接続し、希望する一般製品仕様及びデバイスメーカ側の工程情報を入力するようになっている。
【００５６】
ウエーハメーカ側では、顧客コンピュータに入力された情報を解析し、最適な製造工程を含む製造ラインをシミュレーションする自動解析手段が構築してあり、この顧客コンピュータにより製造ラインを決定する。これによりデバイスメーカ側のデバイス製造工程に合ったウエーハ特性を有するウエーハを製造供給する。
【００５７】
更に詳しく実施の形態を説明すると、デバイスメーカの担当者はクライアント端末より、ウエーハメーカ側の顧客コンピュータに接続し、希望する一般製品仕様及びデバイスメーカ側のデバイス製造工程情報を入力する。具体的には、図１のようにインターネット等を介して、ウエーハメーカの顧客コンピュータに接続し、接続後、図２に示すような画面から顧客情報（デバイスメーカの名称や工場名）を入力する。これは予めコードなどを決めておくと好ましい。
【００５８】
顧客コードが入力されたら、図３に示すように希望する一般製品仕様を確認する。これはすでに決まったスペックＮｏ．等、細かな仕様が決まっていれば、その番号を入力する。また、ウエーハの品種、導電型、直径、抵抗率、酸素濃度、不純物特性、結晶性などの結晶品質及び厚さフラットネス、光沢度等のウエーハ品質など新たに設定したい場合、個別仕様入力画面（不図示）に移行し、詳細を入力できるようになっている（品質項目は任意である）。
【００５９】
次に、デバイス製造工程情報を入力する。入力可能なデバイス製造工程情報はデバイスメーカから予め確認しておく必要があるが、例えば、図４に示すようにデバイスメーカ側で使用する製造ラインが現行（これまでに使用している）製造工程か、それとも新規の製造ラインかを確認する（但し、このような情報入力は必ずしも入力する必要はない）。
【００６０】
次に図５に示すようにデバイス製造工程情報の詳細を入力する。これらもデバイスメーカ側からどの程度の情報が提供されるか確認する必要があり、それによりどのようなデバイス製造工程情報を入力するかまた最適ウエーハの決定（解析）をどのように行なうか決められるが、デバイス製造工程情報としては装置に関する情報、または更に細かく露光装置などのウエーハチャックの形状に関する情報などが好ましい。
【００６１】
特に現行で使用されている製造ラインでは、デバイスメーカ側のデバイス製造工程情報としてデバイスメーカ側で使用する装置に関する情報が好ましい。この場合、通常使用している装置の型番等を入力するようにする。デバイスメーカ側も複数の装置や工程を有するが、そのなかでも歩留まりの悪い装置に関する情報などを提供するようにする。
【００６２】
また、デバイスメーカ側のデバイス製造工程情報が露光装置のウエーハチャック形状に関する情報であると更に好ましい。特にデバイスメーカでは露光装置での歩留まりが問題であり、この工程に合ったウエーハを供給することが重要であるからである。
【００６３】
特にデバイスメーカ側の工程情報はＡＢＣパラメータによる情報が好ましい。これは、現行ラインでもそうであるが、特に新規のラインで使用するウエーハを発注及び受注する際に使用する。露光装置のチャック形状をＡＢＣパラメータで評価し、その情報をウエーハメーカに提供する。ＡＢＣパラメータを入手したウエーハメーカ側ではウエーハ製造工程を選択して製造ラインを決定する事が容易になり好ましい。
【００６４】
次に、顧客コンピュータに入力された情報を解析し、最適なウエーハ製造ラインをシミュレーションする手法について説明する。ウエーハメーカ側の顧客コンピュータには、顧客情報及び製造ライン情報等が蓄積されている。この蓄積情報は種々の形態が考えられ特に限定するものではないが、例えば、過去のデバイスメーカからのクレーム情報及び歩留まり情報などが蓄積されている。その他にウエーハメーカのウエーハ製造ライン情報が入力されておりこれらをリンクさせてある。
【００６５】
また、デバイスメーカ側の製造ライン毎に最適なウエーハ形状がＡＢＣパラメータの品質でデータ蓄積がされていると好ましい。
【００６６】
ウエーハメーカ側ではウエーハ製造ラインとウエーハ形状特性などの情報が複数ストックされている。特にウエーハ形状については製造ライン毎に製造しやすいＡＢＣパラメータを求め記録しておく。
【００６７】
このＡＢＣパラメータでは特にウエーハ外周部の形状を正確に把握でき、露光装置等との相性を確認するうえで優れた品質である。
【００６８】
本実施形態の解析手順としては、デバイスメーカから入力されたデバイス製造工程情報をもとに最適なウエーハ製造工程から成るウエーハ製造ラインをシミュレーションし選択する。
【００６９】
一般的な流れとしては、図７に示すようにデバイスメーカ側でデバイス製造工程に関するデータが入力されると、ウエーハメーカ側の顧客コンピュータにデータが蓄積され、更に過去のデータ等を利用し最適なウエーハ製造工程を解析する。この解析のパラメータとしてＡＢＣパラメータを用いて実施し、デバイスメーカのデバイス製造工程に合った推奨のＡＢＣパラメータを決定する。次にこのＡＢＣパラメータのウエーハを製造できるウエーハ製造工程から成るウエーハ製造ラインを決定する。その製造ラインの稼動状況等を考慮に入れ納期などが決定され、その結果をデバイスメーカに返信するようになっている。
【００７０】
以上のウエーハメーカ側のデータ蓄積及び解析からウエーハメーカ製造ラインの決定及び納期の決定までは、顧客コンピュータ上で自動的にシミュレーションするようにプログラミングされているのが好ましい。
【００７１】
シミュレーションの方法は特に限定するものではない。デバイスメーカ側のデバイス製造工程情報により種々の解析プログラミングを構築しておく。
【００７２】
一例を示すと、デバイスメーカ側から入力された工程情報により過去にその製造ラインでクレームを発生させた事が無いかなど照合するようにすればよい。これにより、クレームが無かった場合、ウエーハメーカ側で過去に製造した製造ラインのリストをピックアップするようにし、次にピックアップした製造ラインで製造されやすいウエーハ形状をＡＢＣパラメータでリストアップする。ＡＢＣパラメータを解析し、発注のあったデバイスメーカのデバイス製造工程、デバイス製造ラインに合ったウエーハ形状を決定する等の解析プログラミングを用いることができる。
【００７３】
また、過去にクレームがあった場合、その製造ラインをさけるような決定を行なうようにプログラミングされている。そして、クレームのあった工程で形成しやすいウエーハ形状のウエーハは製造出荷しないように管理される。
【００７４】
また、例えばデバイスメーカＸの型番が１１１である装置にはＡＢＣパラメータがいくつのウエーハ、デバイスメーカＹの工程ＭＭにはＡＢＣパラメータがいくつのウエーハというようにデバイスメーカの工程や装置毎にデータを蓄積しておいたり、これを照合するようにしても良い。
【００７５】
この他にも、新規な製造ラインの場合、デバイスメーカから露光装置のチャックの形状をＡＢＣパラメータなどで入力してもらう。このＡＢＣパラメータと製造すべきウエーハのＡＢＣパラメータを解析し好ましいウエーハ及びそれを製造することができる製造工程を選択し製造ラインを決定する。なお、装置の型番などを入力してもらい、同様な装置を用いている過去の情報と照合解析し、最適なウエーハを推測するようにしても良い。このようにＡＢＣパラメータを軸とした解析をおこなうとウエーハ形状に対する問題は解決しやすい。
【００７６】
他にも、ＡＢＣパラメータが公知なウエーハ（標準ウエーハ）をウエーハメーカからデバイスメーカに供給し、デバイスメーカ側で該標準ウエーハを用い、該当するステッパ等の装置に該ウエーハをセットし、ステッパにセットした状態の形状データ等を得て、これをデバイス製造工程情報として入力してもらい、このデータをもとに標準サンプルのＡＢＣとの差等を考慮に入れ、ウエーハメーカ側で該ステッパに合ったウエーハをシミュレーションし当該ステッパに合ったウエーハのＡＢＣパラメータを決めても良い。
【００７７】
以上のようにデバイス製造工程において好ましいウエーハのＡＢＣパラメータを解析する。次にこの結果とウエーハメーカ側のウエーハ製造ラインのＡＢＣパラメータ情報をリンクさせ最適なウエーハ製造ラインを決定する。
【００７８】
ウエーハメーカ側の製造ライン毎に、形成しやすいウエーハ形状（ＡＢＣパラメータや裏面粗さ又は光沢度）を蓄積しておき、先にシミュレーションしたデバイス側で好ましいウエーハのＡＢＣパラメータ等を製造できる製造ラインを決定する。
【００７９】
このように顧客コンピュータでは、ウエーハ製造ライン情報とデバイスメーカ側のデバイス製造情報がリンクされ、最適なウエーハ製造ラインをシミュレーションするように構築されているので、これを用いてシミュレーションすることにより、最適なウエーハの受注・製造・供給を迅速に実施できる。従来デバイスメーカ側の情報はウエーハメーカ側の営業担当から入手されるのが一般的であるが、本発注方法を使用する事により、例え営業担当等が変更になっても、デバイスメーカ側の情報は顧客コンピュータに入力されているので的確な対応ができる。
【００８０】
さらに、顧客コンピュータにはデバイスメーカ自らデバイス製造工程情報を入力することができるので、正確かつ迅速な対応が行なえる。
【００８１】
このように選択、決定されたウエーハ製造工程から成る製造ラインでウエーハ製造を行なう。なお、ウエーハメーカ側の製造ラインは複数の工程がある。シリコンウエーハの一般的な製造方法は、チョクラルスキー（Czochralski；CZ ）法等を使用して単結晶インゴットを製造する単結晶成長工程と、この単結晶インゴットをスライスし、少なくとも一主面が鏡面状に加工されるウエーハ加工工程からなる。更に詳しくウエーハ加工工程について示すと、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、該スライス工程によって得られたウエーハの割れ、欠けを防止するためにその外周部を面取りする面取り工程と、このウエーハを平坦化するラッピング工程と、面取り及びラッピングされたウエーハに残留する加工歪みを除去するエッチング工程と、そのウエーハ表面を鏡面化する研磨（ポリッシング）工程と、研磨されたウエーハを洗浄して、これに付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程を有している。上記ウエーハ加工工程は、主な工程を示したもので、他に熱処理工程等の工程が加わったり、同じ工程を多段で行なったり、工程順が入れ換えられたりする。
【００８２】
各工程のなかでも様々な装置を用いているし、また加工条件等も多くある。従って、ウエーハの製造ラインの種類は無数に存在する事になる。従って、現状要求されている一般的な仕様を満たすウエーハ製造工程は多数存在することになる。そして、デバイスメーカ側で問題となる特性とウエーハメーカ側で改善すべきウエーハ製造工程は経験的に把握されているので、この最先端の製造ラインの中の僅かな条件を変える事によってデバイスメーカ側に合ったウエーハとなったり、不適なウエーハとなったりする。例えば、ウエーハ品質に影響を与える工程は、インゴットの単結晶引上工程及びウエーハ形状であれば鏡面研磨工程などが特に重要な工程であるので、主にこれらの工程における条件を調整する。
【００８３】
また、デバイス製造ラインで露光装置を用いた工程では、ウエーハ形状、特にウエーハ外周部の形状が重要であることがわかってきた。一般的にウエーハ形状は高平坦度のほうが好ましいが、デバイスメーカの製造ライン、特に露光装置を用いた工程などにおいては、ウエーハの外周形状がダレていたほうが歩留まりが良い場合や逆に跳ね上がった形状の方が良い場合、またはダレ量をある一定範囲で管理しないといけない場合などがある。
【００８４】
そこで、デバイスメーカ側の各デバイス製造工程に合ったウエーハ特性を有するウエーハを製造する簡単な例としてはウエーハメーカ側では、デバイスメーカのデバイス製造工程（デバイス製造工程情報）により、ウエーハを製造する場合にウエーハ外周部を跳ねさせるか、ダレさせるか、または一定範囲に管理するか、大雑把に分けて３系統のウエーハ製造ラインを用意しておく。
【００８５】
なお、図６に示すようにウエーハ製造ラインが決定したら、そのウエーハ製造ラインの処理能力、現状のウエーハ製造オーダー等を考慮に入れ、納期等をシミュレーションしデバイスメーカ側に返信する。また供給するウエーハ形状として、ＡＢＣパラメータあるいはウエーハの裏面形状を参考値として添付するなどしても良い。このような半導体ウエーハ情報をデバイスメーカに返信する事でデバイスメーカ側でもＡＢＣパラメータや裏面形状とデバイス製造ラインの相性が把握でき、今後の発注時に役に立つ。
【００８６】
このように供給したウエーハのデバイスメーカの製造ラインとの相性がよければ次回からはこのＡＢＣパラメータや裏面形状による発注を行なえば良くなり、次回以降の発注操作も容易になる。
【００８７】
このようにすることで、ウエーハメーカ側でもバッチ処理に対する考え方が変わる。つまり多品種、少量生産が行なえる。
【００８８】
なお、ウエーハメーカ側で製造が終わったら、デバイスメーカにウエーハを供給する際にウエーハに工程情報に対応したレーザーマークを印字して供給する事が好ましい。このようにしておけば、デバイスメーカ側でも、購入したウエーハをどの工程に投入すれば良いかが簡単に把握できるためである。
【００８９】
【実施例】
以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
（デバイスメーカによるデバイス製造工程情報データの入力）
デバイスメーカＸのクライアント端末より、ネットワークを介して顧客コンピュータに接続し発注があった。デバイスメーカＸでは、従来の製造ラインＬＬのウエーハの発注である。デバイス製造工程情報として、ステッパ工程で用いられる装置の型番ｌｌｌが入力されている。
【００９０】
（ウエーハメーカによるデバイス製造工程情報データ蓄積及び解析）
顧客コンピュータで過去情報を照合したところ、該デバイスメーカのステッパ工程で用いられる型番が１１１の装置については、歩留まり低下のクレームがあった。この時供給したウエーハは、ウエーハメーカのウエーハ製造ラインαによるものであった。この製造ラインを避け、一般仕様に見合う工程をピックアップした。この中に過去ウエーハを供給している製造ラインβ、γが存在する。この製造ラインについては、歩留まりは良好である。
【００９１】
（推奨ＡＢＣパラメータの決定）
また、上記ウエーハ製造ラインで製造できるウエーハ形状（ＡＢＣパラメータ）が顧客コンピュータに蓄積されているため、これらのウエーハ製造工程とウエーハ形状を照合したところ、ウエーハ製造ラインαはウエーハ外周部が跳ね形状である事がわかった。（Ａパラメータが１５０μｍ以上）、製造ラインβ、γはダレ形状が形成しやすいライン（Ａパラメータが１００μｍ以下）であった。従ってデバイスメーカＸの、従来製造ラインＬＬのステッパ工程で用いられる装置の型番ｌｌｌに好ましいウエーハのＡパラメータは１００μｍ以下である。他にＢパラメータ＝−４００μｍ〜−８００μｍ、Ｃパラメータ＝２０μｍ以下であった。
【００９２】
（ウエーハメーカによるウエーハ製造ラインの決定及び納期の決定）
次に、上記ＡＢＣパラメータをもとにウエーハ製造ラインを選択し決定する。上記条件に見合うウエーハを製造できるラインは製造ラインβ、γ、ζ、η等の複数の工程があった。処理能力及び製造コストを考慮し、ウエーハメーカ側ではウエーハ製造ラインγを選択し、納期を算出した。
【００９３】
（デバイスメーカへの半導体ウエーハ情報返信）
上記のような半導体ウエーハ情報をデバイスメーカ側に返信した。返信には上記ＡＢＣパラメータの情報を添付した。
【００９４】
上記結果をもとにデバイスメーカからウエーハの発注が正式に行なわれた。ウエーハメーカでは、ウエーハ製造ラインγでウエーハを製造し、デバイスメーカＸの製造ラインＬＬに投入することを示すナンバリングをレーザマークを印字することにより行い、デバイスメーカにウエーハを供給した。
【００９５】
（実施例２）
（デバイスメーカによるデバイス製造工程情報データ入力）
デバイスメーカＹのクライアント端末より、ネットワークを介して顧客コンピュータに接続し発注があった。デバイスメーカＹでは、従来の製造ラインＭＭのウエーハの発注である。デバイス製造工程情報として、過去に情報提供したＡＢＣパラメータの入力があった。
【００９６】
（ウエーハメーカによるデバイス製造工程情報データ蓄積及び解析）
顧客コンピュータで過去情報を照合したところ、上記ＡＢＣパラメータのウエーハでクレームの発生が無い事を確認した。過去にウエーハを供給した製造ラインをピックアップした。製造ラインα、δ、εであった。
【００９７】
（推奨ＡＢＣパラメータの決定）
過去にクレームが無い事から、先にデバイスメーカ側から入力されたＡＢＣパラメータをそのまま推奨ＡＢＣパラメータとした。
【００９８】
（ウエーハメーカによるウエーハ製造ラインの決定及び納期の決定）
次に、上記ＡＢＣパラメータをもとにウエーハ製造ラインを選択し決定する。上記条件に見合うウエーハを製造できるラインはウエーハ製造ラインα、δ、ε、θ等の複数の工程があった。処理能力及び製造コストを考慮し、ウエーハメーカ側ではウエーハ製造ラインδを選択し、納期を算出した。
【００９９】
（デバイスメーカへの半導体ウエーハ情報返信）
上記のような半導体ウエーハ情報をデバイスメーカ側に返信した。返信には上記ＡＢＣパラメータの情報を添付した。デバイスメーカではこれを確認し発注を行なった。
【０１００】
（実施例３）
（デバイスメーカによるデバイス製造工程情報データ入力）
デバイスメーカＺのクライアント端末より、ネットワークを介して顧客コンピュータに接続し発注があった。デバイスメーカＺでは、新規の製造ラインＮＮのウエーハの発注である。デバイス製造工程情報として、ステッパ工程で用いられる装置型番及びチャック形状が入力されていた。
【０１０１】
（ウエーハメーカによるデバイス製造工程情報データ蓄積及び解析）
顧客コンピュータで過去情報を照合したところ、該デバイスメーカから歩留まり低下のクレームがあった。この時供給したウエーハは、ウエーハメーカの製造ラインαによるものであった。この製造ラインを避け、一般仕様に見合う工程をピックアップした。（新規製造ラインであるため）この中に過去ウエーハを供給している製造ラインは存在しない。次にステッパ工程で用いられる装置型番について、過去情報を照合した。この装置は、デバイスメーカＺのものではないが、他のデバイスメーカでも使用されており、その装置の好ましい形状としてダレ形状であることがわかっていた。
【０１０２】
（推奨ＡＢＣパラメータの決定）
また、ウエーハチャック形状の情報によりＡＢＣパラメータとして、１５０ｎｍ以下、Ｂパラメータ−８００ｎｍ以下、Ｃパラメータ２５μｍ以下とした。
【０１０３】
（ウエーハメーカによるウエーハ製造ラインの決定及び納期の決定）
次に、上記ＡＢＣパラメータをもとにウエーハ製造ラインを決定する。上記条件に見合うウエーハを製造できるラインはウエーハ製造ラインβ、γ、ζ、η、ι等の複数の工程があった。処理能力及び製造コストを考慮し、ウエーハメーカ側ではウエーハ製造ラインβを選択し、納期を算出した。
【０１０４】
（デバイスメーカへの半導体ウエーハ情報返信）
上記のような半導体ウエーハ情報をデバイスメーカ側に返信した。返信には上記ＡＢＣパラメータの情報を添付した。デバイスメーカではこれを確認し発注を行なった。
【０１０５】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術範囲に包含される。
【０１０６】
例えば、上記実施態様はリソグラフィー工程、特にステッパ等の露光装置の歩留まりが問題なデバイス製造ラインからの発注であり、ＡＢＣパラメータを主に最適ウエーハの解析を行なっている。しかし、デバイスメーカ側において、ドライエッチング工程等の歩留まりが特に問題な場合、ドライエッチング工程用の解析のアルゴリズムを使用すればよい。つまり、デバイスメーカ側のデバイス製造工程に合った解析用のアルゴリズムをプログラミングしておく。
【０１０７】
例えば、ドライエッチング工程では、熱伝導率が問題でありウエーハの裏面形状に注意する必要があり、裏面形状のパラメータを主に最適ウエーハの解析を行なう。つまりデバイスメーカより入手したチャック形状、特にウエーハを保持するチャック面状態、例えばウエーハ吸着面積や吸着方法、更に詳しい情報としては、チャック面の粗さ等により、最適なウエーハ裏面形状を解析し、推奨の裏面形状を決定して、その結果をもとにウエーハの製造ラインを決定し、更に納期等を決定し、その結果を返信するようにする。ドライエッチング工程などでは、チャック面とウエーハ裏面との接触面積が問題であり、上記したチャック面形状等を考慮に入れ、好ましい接触面積となるようにウエーハ裏面のそりやうねり、更に細かい周期の粗さ等を規定すればよい。つまりウエーハ裏面形状とは、主に裏面側のそりやうねり、更に細かい周期の粗さということになる。但しこれらの形状をひとつの数値で表すことは困難であるため、これらの形状を反映した代替品質としてグロスメータで測定した輝度で裏面形状を規定しても良い。輝度（光沢度）は一般的な仕様にも含まれるが、数値的には広範な範囲である。実際にはもっと狭い範囲で規定することが重要であり、デバイスメーカ側の工程に合った裏面形状（光沢度）を返信するようにする。
【０１０８】
更にデバイス工程では、他の態様のリソグラフィー工程、熱処理工程、ＣＭＰ工程、エッチング工程が含まれており、これらの工程で歩留まりが低下することもある。従って、デバイス製造工程情報にこれらの工程に関する情報を上記解析のアルゴリズムに組合せ、これらに関するＡＢＣパラメータ及び裏面形状（光沢度）を組合せて、更に最適なウエーハを絞込みウエーハ製造工程を規定しても良い。
【０１０９】
また上記実施態様では、デバイスメーカ側の担当者が、クライアント端末より、ウエーハメーカ側の顧客コンピュータに接続し情報を入力するが、これをウエーハメーカ側の営業担当がデバイス製造工程情報を聞き、デバイス製造工程情報を入力しても同様な効果が得られる。
【０１１０】
また、実施の形態で示した図２〜６などの画面の表示内容や、入力項目などは特に限定するものではなく任意に設定すればよいものである。
【０１１１】
なお本発明においては、適当な情報セキュリティ手段が設けられることは言うまでもない。例えば、顧客認証のための認証手段や顧客情報の保持のための暗号化等の機密保持手段、アクセス制御手段等が適宜設けられる。
【０１１２】
【発明の効果】
本発明のような製造方法によりウエーハを製造するとデバイスメーカの工程毎に合ったウエーハ形状のものが供給でき、デバイスメーカ側の歩留まりが向上する。
また本発明のような受注方法を行い、受注システムを使用するとデバイスメーカのデバイス製造ライン毎に木目細かな対応ができる。またウエーハメーカ側もウエーハ製造ライン等の決定が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体ウエーハ製造の受注方法における半導体ウエーハ製造の受注システムの概略を示した説明図である。
【図２】本発明の半導体ウエーハ製造の受注方法におけるクライアント端末の顧客情報の入力画面の一例を示した図である。
【図３】本発明の半導体ウエーハ製造の受注方法におけるクライアント端末の一般仕様の入力画面の一例を示した図である。
【図４】本発明の半導体ウエーハ製造の受注方法におけるクライアント端末のデバイス製造工程情報の入力画面の一例を示した図である。
【図５】本発明の半導体ウエーハ製造の受注方法におけるクライアント端末のデバイス製造工程情報の入力画面の一例を示した図である。
【図６】本発明の半導体ウエーハ製造の受注方法における半導体ウエーハ情報をデバイスメーカに返信したときのクライアント端末の画面の一例を示した図である。
【図７】本発明の半導体ウエーハ製造の受注方法の一例を示したフロー図である。
【図８】ＡＢＣパラメータを評価する手法を模式的に示す説明図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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