(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に対して液処理を行う液処理装置又は熱処理を行う熱処理装置と，これら液処理装置又は熱処理装置に対して被処理基板の搬入出を行う搬送装置とをケーシング内に備えたシステムであって，
被処理基板に対して前記液処理又は熱処理とは異なった処理を行う他の処理装置と，前記ケーシング内のインターフェース部を介して接続される処理システムにおいて，
前記ケーシング内の圧力を，前記他の処理装置よりも低く設定すると共に，
システムのケーシングと他の処理装置とは，トンネル部を介して接続され，
当該トンネル部を形成するトンネル部形成部材に，当該トンネル部外に通ずる通気部が形成されたことを特徴とする，処理システム。
【請求項２】
被処理基板に対して液処理を行う液処理装置又は熱処理を行う熱処理装置と，これら液処理装置又は熱処理装置に対して被処理基板の搬入出を行う搬送装置とをケーシング内に備えたシステムであって，
被処理基板に対して前記液処理又は熱処理とは異なった処理を行う他の処理装置と，前記ケーシング内のインターフェース部を介して接続される処理システムにおいて，
システムのケーシングと他の処理装置とは，トンネル部を介して接続され，
当該トンネル部におけるシステム側開口部には，当該トンネル部から流入する空気流を下方向へと整流する，下方向に湾曲した整流部材を設けたことを特徴とする，処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板に対して液処理や熱処理を行うための処理システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体製造プロセスにおけるフォトレジスト処理工程においては、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という）などの被処理基板の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、所定のパターンで露光した後に現像液で現像処理しているが、このような一連の処理を行うにあたっては、従来から塗布現像処理システムが用いられている。
【０００３】
通常、この塗布現像処理システムは、複数の処理ユニットを備えている。これら処理ユニットとは、例えばレジストの定着性を向上させるための疎水化処理（アドヒージョン処理）、レジスト液の塗布を行う塗布処理、レジスト液塗布後の被処理基板を所定の温度雰囲気に置いてレジスト膜を硬化させるための熱処理、露光後の被処理基板を所定の温度雰囲気に置くための熱処理、露光後の被処理基板に現像液を供給して現像する現像処理などの各処理を個別に行うものであり、搬送アームなどの搬送機構によって、被処理基板であるウエハは前記各処理ユニットに対して搬入出され、各処理ユニットにおいて相応する処理が施されるようになっている。
【０００４】
前記の塗布処理及び熱処理ユニットにてレジスト膜が形成されたウエハに対しては、所定のパターンを投影露光するために、ステップ式投影露光装置（以下、「ステッパ」という）などの露光処理装置が用いられている。
【０００５】
ところで上記した塗布、現像、露光などの各種処理は、当然のことながら清浄な雰囲気中で行うことが必要であり、ウエハなどの被処理基板に対する汚染を極力防止しなければならない。この点、前記塗布現像処理システム及びステッパなどの露光処理装置は、それぞれ適宜のケーシング材などで囲まれた構成になっており、さらにケーシング材の内部は清浄化された空気のダウンフローが形成されるようになっている。そして塗布現像処理システムとステッパなどの露光処理装置は気密に接続されており、かかる構成により、清浄な雰囲気の下で前記塗布現像処理システムと露光処理装置との間でのウエハの受け渡しが可能となっている。
【０００６】
前記塗布現像処理システムには、前述のようにウエハなどの被処理基板に対してレジスト液の塗布を行う塗布処理ユニットや温度調整をするための熱処理ユニットなどが設置されており、これらの処理ユニットからは有機溶剤の蒸気、高温度雰囲気、その他パーティクルなどが発生するおそれがある。しかも前記塗布現像処理システムや露光処理装置は各々の内部の圧力に関して、相互間の調整は行われていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように塗布現像処理システムと露光処理装置が接続される場合、塗布現像処理システム内部の圧力が露光処理装置内部の圧力よりも高くなると、塗布現像処理システムから露光処理装置への空気流が生じ、かかる空気流によって塗布現像処理システム内部で発生した有機溶剤の蒸気、高温度雰囲気、その他パーティクルなどが露光処理装置内へと流入することにもなりかねない。前記したステッパなどの露光処理装置は、極めて正確なアライメントと高い清浄度の雰囲気が要求されるため、当該露光処理装置の外部からの雰囲気、特に高温度雰囲気、有機溶剤の蒸気、及びパーティクルの流入は是非とも避けなければならない。
【０００８】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、露光処理装置などの他の処理装置が接続された塗布現像処理システムなどの処理システムにおいて、当該他の処理装置内部に対して処理システムからの雰囲気流入を防止することにより、当該他の処理装置内部の雰囲気を清浄に保つと共に、前記処理システム内部の雰囲気をも清浄に保ち、被処理基板に対して所定の処理を好適に施すことができる処理システムを提供し、前記問題の解決を図ることを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため，請求項１によれば，被処理基板に対して液処理を行う液処理装置又は熱処理を行う熱処理装置と，これら液処理装置又は熱処理装置に対して被処理基板の搬入出を行う搬送装置とをケーシング内に備えたシステムであって，被処理基板に対して前記液処理又は熱処理とは異なった処理を行う他の処理装置と，前記ケーシング内のインターフェース部を介して接続される処理システムにおいて，前記ケーシング内の圧力を，前記他の処理装置よりも低く設定すると共に，システムのケーシングと他の処理装置とは，トンネル部を介して接続され，当該トンネル部を形成するトンネル部形成部材に，当該トンネル部外に通ずる通気部が形成されたことを特徴とする，処理システムが提供される。
上記のような相互の圧力調整により，前記他の処理装置から処理システムへの空気の流れを形成すれば，例えば処理システムが前記した塗布現像処理システムの場合，当該現像処理システム内部において有機溶剤の蒸気，高温度雰囲気，その他パーティクルなどが発生した場合でも，これらが他の処理装置へ流入することがなくなる。従って，他の処理装置内部における被処理基板に対する所定の処理は，清浄かつ所定の温度雰囲気の下で施されることになる。
しかもかかる構成によれば，当該トンネル部に被処理基板が搬入される際に発生する当該トンネル内の圧力変動に対処することができる。トンネル部に被処理基板を搬入した場合，トンネル内部の圧力は上昇し，処理システム側から他の処理装置への空気流が発生し，その結果として処理システム内の不純物が他の処理装置へ流入することが予測される。上記のようにトンネル部に通気部を形成すれば，被処理基板をトンネル部に導入する際に，そのトンネル内部で発生する圧力上昇を緩和することができ，他の処理装置への不純物の流入を防ぐことができる。またトンネル部に通気部を設けることにより，他の処理装置と処理システムとの圧力差による空気流の流速を，トンネル内部において緩和することができ，流入される空気流による処理システム内部のダウンフローへの影響も少なくすることができる。
【００１０】
また請求項２に記載のように当該トンネル部におけるシステム側開口部に，当該トンネル部から流入する空気流を下方向へと整流する，下方向に湾曲した整流部材を設けるようにすれば，例えば当該空気流により処理システム内部に形成されているダウンフローが乱されることはなく，システム内部で発生したパーティクルなどの不純物はシステム内部の下部方向へ導かれ，処理システム内部の雰囲気をも清浄に保つことができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図に基づいて説明すると、図１〜図３は、各々実施の形態にかかる塗布現像処理システム１の全体構成の図であって、図１は平面、図２は正面、図３は背面からみた様子をそれぞれ示している。
【００１３】
この塗布現像処理システム１は、被処理基板としてのウエハＷをカセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚単位で外部からシステムに搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、カセットＣに対してウエハＷを搬入・搬出したりするためのカセットステーション１０と、塗布現像処理工程の中で１枚ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理装置を所定位置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処理ステーション１１に隣接して設けられる他の処理装置としての露光処理装置Ｓとの間で、トンネル部１３を介してウエハＷを受け渡しするためのインターフェース部１２とを一体に接続した構成を有している。
【００１４】
前記カセットステーション１０では、図１に示すように、載置部となるカセット載置台２０上の位置決め突起２０ａの位置に、複数個例えば４個までのカセットＣが、それぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けて（Ｘ方向）一列に載置され、このカセット配列方向（Ｘ方向）およびカセットＣ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能な、ウエハ搬送体２１が、搬送路２１ａに沿って移動自在であり、各カセットＣに選択的にアクセスできるようになっている。
【００１５】
さらにこのウエハ搬送体２１は、θ方向に回転自在に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の処理装置群Ｇ3の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００１６】
前記処理ステーション１１には、図１に示すように、その中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送手段２２が設けられ、その周りにユニットとしての各種処理装置が１組または複数の組に亙って多段集積配置されて処理装置群を構成している。本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１においては、５つの処理装置群Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、Ｇ5が配置可能な構成であり、第１および第２の処理装置群Ｇ1、Ｇ2は、システム正面側に配置され、第３の処理装置群Ｇ3はカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理装置群Ｇ4はインターフェース部１２に隣接して配置され、さらに破線で示した第５の処理装置群Ｇ5を背面側に配置することが可能になっている。
【００１７】
図２に示すように、第１の処理装置群Ｇ1では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置、例えばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ2においても同様に、２台のスピンナ型処理装置、例えばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）および現像処理装置（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
【００１８】
図３に示すように、第３の処理装置群Ｇ3では、ウエハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理装置、例えば冷却処理を行うクーリング装置（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疏水化処理を行うアドヒージョン装置（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメント装置（ＡＬＩＭ）、イクステンション装置（ＥＸＴ）、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）および露光処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が、下から順に例えば８段に重ねられている。
【００１９】
第４の処理装置群Ｇ4においても、オーブン型の処理装置、例えばクーリング装置（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンション装置（ＥＸＴ）、クーリング装置（ＣＯＬ）、プリベーキング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）およびポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられている。
【００２０】
図１、２に示すように、このインターフェース部１２の正面部には、可搬型のピックアップカセットＣＲと、定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には周辺露光装置２３が配設され、さらにまた中央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセットＣＲ、ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセスできるようになっている。前記ウエハ搬送体２４は、θ方向への回転及びＹ方向への移動が自在となるように構成されており、処理ステーション１１側の第４の処理装置群Ｇ4に属するイクステンション装置（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光処理装置Ｓ側のウエハ受渡し台（図示せず）にもトンネル部１３を介してアクセスできるようになっている。
【００２１】
さらにこの塗布現像処理システム１においては、前記したカセット載置台２０、ウエハ搬送体２１の搬送路２１ａ、第１〜第５の処理装置群Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、Ｇ5、インターフェース部１２に対して、上方から清浄な空気のダウンフローが形成されるよう、図２に示すように、システム上部に例えばＵＬＰＡフィルタなどの高性能フィルタ３１が、前記３つのゾーン（カセットステーション１０、処理ステーション１１、インターフェース部１２）毎に設けられている。そしてこの高性能フィルタ３１の上流側から供給された空気は、該高性能フィルタ３１を通過する際に清浄化され、図２の実線矢印や破線矢印に示したように、清浄なダウンフローが形成される。また特に装置内に有機成分を発生するレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）や現像処理装置（ＤＥＶ）に対しては、図４のとおり、その内部に対しても清浄なダウンフローが形成されるように、適宜ダクトが配管されている。
【００２２】
塗布現像処理システム１の周囲は、図４に示したように、側板４１、４２等で囲まれており、さらに上部には天板４３、下部には通気孔板４４との間に空間Ｐを介して底板４５が設けられている。そしてシステムの一側には壁ダクト４６が形成されており、天板４３下面側に形成された天井チャンバ４７と通じている。
【００２３】
底板４５には、排気口４８が形成されており、通気孔板４４を介して回収されるシステム内の下流側雰囲気は、この排気口４８に接続された排気管４９から外部に排気される一方、前記排気管４９に接続されている導入管５０によってその一部は、例えば気液接触空間が内設されたフィルタ装置５１へと導入されるようになっている。なお排気管４９の排気先は、例えば工場などの集中排気系に通ずるように構成してもよい。前記フィルタ装置５１において、気液接触によってアンモニアなどのアルカリ成分が除去された空気は、送出管５２を通じて、前記壁ダクト４６へと送出される。
【００２４】
前記した天井チャンバ４７の下方には、前記した高性能フィルタ５３が設置され、前記フィルタ装置５１から送られてきた清浄な空気は、壁ダクト４６を経由した後、該高性能フィルタ５３を介してシステム内にダウンフローとして吹き出されるようになっている。
【００２５】
塗布現像処理システム１内部に設置された第１の処理装置群Ｇ1における現像処理装置（ＤＥＶ）６１については、その外壁を構成するケーシング６２内の上部に、別途サブチャンバ６３が形成されていて、このサブチャンバ６３はシステムの壁ダクト４６と連通されている。従って壁ダクト４６内を流れる清浄化された後の空気は、サブチャンバ６３の下方に設置された高性能フィルタ６４を介して、現像処理装置（ＤＥＶ）６１内にダウンフローとして吐出されるようになっている。なおこの現像処理装置（ＤＥＶ）６１内の雰囲気は、別途設けた排気管６５から通気孔板４４下の空間Ｐへと排気されるようになっている。
【００２６】
またレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）７１も同様に、ケーシング７２内の上部に、別途サブチャンバ７３を形成し、このサブチャンバ７３は壁ダクト４６と連通されている。従って壁ダクト４６内を流れる清浄化された後の空気は、サブチャンバ７３の下方に設置された高性能フィルタ７４を介して、レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）７１内にダウンフローとして吐出されるようになっている。なおレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）７１内の雰囲気は、前記排気管６５から通気孔板４４下の空間Ｐへと排気されるようになっている。
【００２７】
トンネル部１３において、塗布現像処理システム１側開口部１３ａの上方には露光処理装置Ｓからの空気流を特定方向へと整流させるための整流部材１３ｂが設けられている。前記整流部材１３ｂは、図４に示すように下方向に湾曲した形状を有しているが、これに限らず露光処理装置Ｓからの空気流を淀みなく特定方向へ整流させる形状であればよい。さらに前記整流部材１３ｂは空気流を適宜の方向へ調節できるように、その曲率を調節可能な構造としてもよい。前記開口部１３ａは、ウエハ搬送体２４が通過する程度の開口面積が確保されている。
【００２８】
図５に示すように、トンネル部１３の断面は四角形を呈しているが、これに限らず例えば円形としてもよい。トンネル部１３の材質には、例えばステンレス鋼、アルミニウム、プラスティックなどパーティクルやアルカリ成分が発生しないものを採用することが好ましい。
【００２９】
本実施の形態にかかる塗布現像処理システム１、露光処理装置Ｓ、及び前記塗布現像処理システム１と露光処理装置Ｓを接続するトンネル部１３は以上のように構成されており、まずカセットステーション１０において、ウエハ搬送体２１がカセット載置台２０上の処理前のウエハを収容しているカセットＣにアクセスして、そのカセットＣから１枚のウエハＷを取り出す。その後ウエハ搬送体２１は、まず処理ステーンション１１側の第３の処理装置群Ｇ3の多段装置内に配置されているアライメント装置（ＡＬＩＭ）まで移動し、当該アライメント装置（ＡＬＩＭ）内にウエハＷを移載する。
【００３０】
そして当該アライメント装置（ＡＬＩＭ）においてウエハＷのオリフラ合わせおよびセンタリングが終了すると、主ウエハ搬送手段２２はアライメントが完了したウエハＷを受け取り、第３の処理装置群Ｇ3において前記アライメント装置（ＡＬＩＭ）の下段に位置するアドヒージョン装置（ＡＤ）の前まで移動して、装置に前記ウエハＷを搬入し、以下各処理装置においてウエハＷに対して順次レジスト液塗布処理が施されていく。
【００３１】
所定のレジスト液塗布処理が施されたウエハＷは、塗布現像処理システム１のインターフェース部１２におけるウエハ搬送体２４によって、トンネル部１３を経由して露光処理装置Ｓへ移送される。当該露光処理装置Ｓにおいて所定のパターンの露光処理が施されたウエハＷは、再び前記ウエハ搬送体２４によって、トンネル部１３を経由して前記塗布現像処理システム１のインターフェース部１２へ戻される。ウエハＷはウエハ搬送体２４によって、処理ステーション１１側の第４の処理装置群Ｇ4の多段装置に属するイクステンション装置（ＥＸＴ）へ搬入され、所定のウエハ受取り台上に載置される。その後ウエハＷは、イクステンション装置（ＥＸＴ）から現像処理装置（ＤＥＶ）６１へと順次搬送され、所定の処理が施されていく。
【００３２】
このようにして所定の処理が終了したウエハＷは、ウエハ搬送体２１によって載置台２０上の処理済みウエハ収容用のカセットＣ内に収納される。
【００３３】
このような一連の動作からわかるように、塗布現像処理システム１とこれに隣接する露光処理装置Ｓとの間のウエハＷの受け渡しは、トンネル部１３を経由して行われるために、当該ウエハＷは塗布現像処理システム１や露光処理装置Ｓの外の雰囲気にさらされることはなく、ウエハＷに対するその後の各種処理にとっては好ましい。
【００３４】
露光処理装置Ｓにおいては、非常に高い清浄度の雰囲気と正確なアライメントが要求される。ところが露光処理装置Ｓは、現像処理装置（ＤＥＶ）６１、レジスト液塗布処理装置（ＣＯＴ）７１、熱処理装置などを有する塗布現像処理システム１とトンネル部１３によって接続されているために、上記各処理装置から発生する有機溶剤の蒸気などの不純物や熱雰囲気が、当該トンネル部１３を経由して露光処理装置Ｓへ流入する可能性も否定できない。
【００３５】
この点、前記塗布現像処理システム１において、ケーシング内の圧力は露光処理装置Ｓのケーシング内の圧力よりも低く設定されている。従って図４に示すようにトンネル部１３の内部においては、矢印方向の空気流が形成される。その結果、塗布現像処理システム１からの雰囲気の流入を防ぎ、露光処理装置Ｓ内部を清浄かつ所定の温度雰囲気に保つことができるため、かかる露光処理装置Ｓにおいては、ウエハＷに対して好適な露光処理を施すことができる。またトンネル部１３の内部に形成された露光処理装置Ｓからの空気流は、整流部材１３ｂによって例えば下方向に整流されるために、高性能フィルタ５３からのダウンフローを乱すことはない。従って塗布現像処理システム１内の雰囲気をも清浄に保つことができる。
【００３６】
前記実施の形態におけるトンネル部１３に代えて、図６に示すように、通気孔１４ａを具有するトンネル部１４を用いてもよい。このトンネル部１４によれば、ウエハ搬送体２４が進入した際に、トンネル部１４の内部の圧力が上昇した場合でも、通気孔１４ａが圧力の上昇を緩和し、塗布現像処理システム１から露光処理装置Ｓへの空気流の発生を防ぐことができる。従って塗布現像処理システム１内部の雰囲気が露光処理装置Ｓへ流入することはなく、露光処理装置Ｓの内部を清浄かつ所定の温度雰囲気に維持することができる。
【００３７】
さらに前記通気孔１４ａによれば、トンネル部１４内部に形成されている露光処理装置Ｓからの空気流において、かかる空気流の一部を次第にトンネル部１４外部へリークさせていくことにより、最終的に塗布現像処理システム１へ吹き出す空気流の流量を調節することができる。この空気流の流量調節により、塗布現像処理システム１のインターフェース部１２に形成されているダウンフローに影響を与えることがなく、従って雰囲気の清浄度を保つことができる。
【００３８】
上記のトンネル部１４の通気孔１４ａに対して、他の整流部材を追加したトンネル部１５を採用することもできる。図７に示すように、このトンネル部１５の通気孔１５ａには塗布現像処理システム１側へと向けた整流フィン１５ｂ、１５ｃが設けられている。かかる整流フィン１５ｂ、１５ｃは、トンネル部１５内部の空気流を当該トンネル部１５の外部へスムーズに送出させることができる。しかも前記整流フィン１５ｂ、１５ｃは通気孔１５ａを覆うような形態となっているため、たとえ塗布現像処理システム１や露光処理装置Ｓがシステムダウンした場合にも、クリーンルーム内に浮遊しているパーティクルなどの不純物がトンネル部１５内部へ流入することはない。
【００３９】
以上の実施の形態にかかる処理システムは、ウエハＷに対してレジスト液塗布処理や現像処理を行うシステムとして、また他の処理装置はウエハＷに対して所定のパターンを投影露光する露光処理装置として構成されていたが、本発明はこれに限らず縦型炉を有する拡散処理装置とその搬入部などに対しても適用可能である。また被処理基板も前記した半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板やＣＤ基板、フォトマスク、各種のプリント基板、セラミック基板であってもよい。
【００４０】
【発明の効果】
請求項１〜２の処理システムによれば，当該処理システムに接続された他の処理装置において，処理システムからの雰囲気の流入を防ぎ，清浄かつ所定の温度雰囲気の下で，被処理基板に対して所定の処理を施すことができる。
【００４１】
また，被処理基板をトンネル部に搬入する際の圧力変動に伴う，処理システムから他の処理システムへの雰囲気の流入を防ぐことができる。さらに他の処理装置から処理システムへの空気の流速を緩和することができるために，処理システム内に形成されているダウンフローを乱すことなく，結果的に当該処理システム内部の雰囲気を好適に維持することが可能である。
【００４２】
特に請求項２によれば，当該処理システムと他の処理装置の雰囲気を容易に調整することができる。さらに他の処理装置から流入する空気流によって，処理システム内部のダウンフローが乱されないことはないため，前記処理システム内部の雰囲気を好適に保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態にかかる塗布現像処理システムと露光処理装置の平面から見た説明図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムと露光処理装置の正面から見た説明図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムと露光処理装置の背面から見た説明図である。
【図４】図１の塗布現像処理システムと露光処理装置の内部を示す縦断面の説明図である。
【図５】図１の塗布現像処理システムと露光処理装置の接続に用いたトンネル部の縦断面の説明図である。
【図６】図１のトンネル部とは異なった他のトンネル部の縦断面の説明図である。
【図７】図６のトンネル部とは異なった他のトンネル部の縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
１２    インターフェース部
１３、１４、１５    トンネル部
２１    ウエハ搬送体
２２    主ウエハ搬送手段
２４    ウエハ搬送体
６１    現像処理装置（ＤＥＶ）
７１    レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）
Ｗ    ウエハ
Ｓ    露光処理装置
【図１】
0003926890.tif 000002
【図２】
0003926890.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003926890.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003926890.tif 000008