(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板の一面側に設けられた検出部と、上記基板の他面側に設けられ上記検出部で検出された信号を処理する回路素子と、上記基板を厚さ方向に貫通して設けられ上記検出部と上記回路素子とを接続するスルーホール電極を有した配線部とを備え、
上記基板が多層配線基板からなり、上記基板の一面と他面との間に接地電位に設定されるグランド層が設けられ、上記回路素子が半導体のサブストレートの一面中央部に回路部を形成した集積回路のベアチップからなり、該ベアチップが上記回路部を上記基板の他面と対向するように上記基板の他面側にバンプによって接続され、上記グランド層が上記検出部と上記回路素子との間に設けられ、上記サブストレートが上記グランド層と導通されるとともに、上記回路部の一面側に上記グランド層が配置され、上記回路部の他面側とその周囲とが上記接地電位に設定されるサブストレートにより囲まれてなることを特徴とする、検出装置。
【請求項２】
上記グランド層と上記基板の他面との間に、電源層が設けられ、上記グランド層が上記基板の上記一面よりも上記電源層寄りに近接して配設されたことを特徴とする、請求項１記載の検出装置。
【請求項３】
上記基板には、上記回路素子と電気的に接続する複数の外部接続電極が設けられたことを特徴とする、請求項１または２に記載の検出装置。
【請求項４】
上記検出部が、上記基板の上記一面上に設けられた検出電極と、上記検出電極に対向配置されるとともに上記検出電極に対して変位可能に設けられた対向電極とを有し、上記検出電極と上記対向電極との間の静電容量を検出する静電容量式センサとして構成されたことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載の検出装置。
【請求項５】
上記検出部が、上記基板の上記一面上に設けられた一対の櫛歯状の検出電極の間の静電容量を検出する静電容量式センサとして構成されたことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載の検出装置。
【請求項６】
上記検出部が、上記基板の上記一面側に設けられた弾性部材と、上記弾性部材に形成された歪抵抗体とを有し、上記歪抵抗体の抵抗値を検出する歪抵抗式センサとして構成されたことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載の検出装置。
【請求項７】
上記検出部が、上記基板の上記一面側に設けられたコイルのインダクタンスを検出する磁気式センサとして構成されたことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかの項に記載の検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、センサ等の検出装置に関し、詳しくは、センサ本体部と検出用の回路素子との配置技術に関するするものである。
【０００２】
【従来の技術】
機器の小型化，機能向上に伴い、機器内部に組み込まれる各種検出装置（センサ）には検出精度の向上とともに小型化，軽量化，低消費電力化等の性能が要求されるようになっている。
例えば、ビデオカメラ等には手ぶれによる角度変化を検出するための角速度センサが組み込まれており、このセンサ出力に基づいて手ぶれ補正等の制御が行なわれている。このようなビデオカメラは年々小型化される傾向にあり、又、検出精度が使い勝手に大きく影響するため、センサには高い性能が要求される。
【０００３】
また、傾斜センサや回転角センサ等を小型化して家庭用ゲーム機向けのジョイスティックやゲームパッド等に組み込むことで、これまで大型の遊戯施設でしか楽しめなかった体感型ゲーム等を個人で楽しむことができるようになる。
さらに、このような携帯機器やゲーム機器以外についても機器の小型化，高性能化に対する要求は強い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、通常、このような検出装置では、センサ本体部と検出されたセンサ信号を処理する回路素子とは別体として構成されているため、センサ本体部と回路素子との間に長い引き回し配線が必要となる。このため、検出部で検出された電気信号は引き回し配線内を通る際に外部ノイズ等の外乱を受ける他、引き回し配線自体の寄生容量が生じるため、検出精度が損なわれる可能性を有していた。
【０００５】
また、上述のような高感度，低消費電力等の性能要求を満たすものとして、静電容量の変化を利用した静電容量式のセンサが開発されているが、小型の静電容量センサでは、その容量値は１ｐＦにも満たず、容量変化は０．０２〜０．０３ｐＦ程度と極めて小さくなる。そのため、上述のような外部ノイズ等の外乱は検出精度に大きな影響を与える虞があった。
本発明は、上述の課題に鑑み創案されたもので、容易に小型化でき検出精度を高めることができるようにした、検出装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の検出装置は、絶縁性の基板の一面側に設けられた検出部と、上記基板の他面側に設けられ上記検出部で検出された信号を処理する回路素子と、上記基板を厚さ方向に貫通して設けられ上記検出部と上記回路素子とを接続するスルーホール電極を有した配線部とを備え、上記基板が多層配線基板からなり、上記基板の一面と他面との間に接地電位に設定されるグランド層が設けられ、上記回路素子が半導体のサブストレートの一面中央部に回路部を形成した集積回路のベアチップからなり、該ベアチップが上記回路部を上記基板の他面と対向するように上記基板の他面側にバンプによって接続され、上記グランド層が上記検出部と上記回路素子との間に設けられ、上記サブストレートが上記グランド層と導通されるとともに、上記回路部の一面側に上記グランド層が配置され、上記回路部の他面側とその周囲とが上記接地電位に設定されるサブストレートにより囲まれてなることを特徴としている。
【０００７】
本構成によれば、基板を介して検出部と回路素子とを一体化することができるため、センサの構造が簡素化され製造コストを低減することができる。また、配線部は基板を厚さ方向に貫通するように設けられているため、配線部の長さが短くなり、検出部で検出された電気信号を略最短距離で回路素子に入力することができる。これにより、信号を回路素子に送出する際に外部ノイズ等の影響を極力排除でき、検出精度を飛躍的に高めることができる。さらに、配線部が短くなることで、配線部自身の寄生容量が小さくなり、更に検出精度を高めることができる。  
【０００８】
また、上記基板を多層配線基板にて構成し、上記基板の一面と他面との間に、接地電位に接地されるグランド層を設けたので、回路素子は基板一面側の外部ノイズ、検出部は基板の他面側の外部ノイズの影響をカットすることができる。
さらに、上記グランド層と上記基板の他面との間に電源層を設け、グランド層を上記基板の一面よりも電源層寄りに近接して配設することにより、グランド層と電源層とが近接した配置となり、グランド層と電源層との間にバイパスコンデンサを挿入したのと同様の機能を持たせることが可能となり、電源ラインとグランドライン間に一般的に取り付けられる外付け部品としてのノイズ吸収用のバイパスコンデンサを省略することができる。
【０００９】
また、上記回路素子を、半導体のサブストレートの一面に回路部が形成された集積回路のベアチップにて構成し、このベアチップを上記基板の他面側に搭載することにより、回路素子のサイズを飛躍的に小さくすることができ、検出装置を小型、軽量とすることができる。この場合、上記ベアチップを、その回路部が上記基板の他面と対向するように、基板の他面側にバンプによって接続させる。このようにベアチップを基板とバンプ接続した場合、ベアチップをワイヤーボンディングするものと比べて、小型化が可能となるとともに、ワイヤーの寄生容量による影響が生じることがなく、また、ワイヤーに外部ノイズが誘導されるおそれもない。
【００１０】
さらに、上記回路部が基板の他面側と対向するように搭載したベアチップにおいて、上記半導体の上記サブストレートを上記基板のグランド層と導通させることにより、ベアチップの回路部の周囲が接地電位とされるため、回路部に対するシールド効果が増し、回路部外部からの外部ノイズの影響を充分にカットすることができる。したがって、検出部が僅かな静電容量の変化を検出する静電容量式センサであったとしても、ノイズの影響を受けにくく、精度の高い検出が可能となる。
【００１１】
また、上記基板に、上記回路素子と電気的に接続する複数の外部接続電極を設けてもよく、このようにすれば、検出装置を実装基板に容易に実装して使用することが可能となり、検出装置をあたかも一種の電気部品のように取り扱うことが可能となる。
なお、上記検出部を、上記基板の上記一面上に設けられた検出電極と、上記検出電極に対向配置されるとともに上記検出電極に対して変位可能に設けられた対向電極とを有し、上記検出電極と上記対向電極との間の静電容量を検出する静電容量式センサとして構成してもよい。
【００１２】
また、上記検出部を、上記基板の上記一面上に設けられた一対の櫛歯状の検出電極の間の静電容量を検出する静電容量式センサとして構成してもよい。
また、上記検出部を、上記基板の上記一面側に設けられた弾性部材と、上記弾性部材に形成された歪抵抗体とを有し、上記歪抵抗体の抵抗値を検出する歪抵抗式センサとして構成してもよい。
また、上記検出部を、上記基板の上記一面側に設けられたコイルのインダクタンスを検出する磁気式センサとして構成してもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面により、本発明の実施の形態について説明する。
まず、第１実施形態について説明すると、図１〜図７は本発明の第１実施形態としてのセンサ構造を示すもので、図１はその全体構成を示す模式的な概略断面図、図２はその分解斜視図、図３〜図７はいずれもその要部構成を示す基板の平面断面図である。
【００１４】
本実施形態に係るセンサ（検出装置）１００は、図１に示すように、基板１０の上面１１Ｓ側に電気信号を検出するための検出部２００を備え、基板１０の下面１３Ｒ側に検出部２００から検出された電気信号を処理する回路素子３００を備えて構成されている。本実施形態では、検出部２００は静電容量式の傾斜センサとして構成され、回路素子３００としてはＩＣ（集積回路）のベアチップが用いられている。
【００１５】
検出部２００は、センサ１００の傾斜を容量変化として検出する静電容量式の傾斜センサであり、図２に示すように、基板１０の上面１１Ｓ上に形成された四つの検出電極１１ａと、これらの検出電極１１ａに対向する金属板（対向電極）３０と、この金属板３０にひねり変形を加えるための錘４０とを備えて構成されている。
基板１０の上面１１Ｓの中央部には四つの検出電極１１ａが碁盤目状に形成され、上面１１Ｓの外周部には四つの検出電極１１ａを囲むように四角枠状の電極１１ｂが形成されている。そして、この電極１１ｂ上には矩形枠状をなした金属製の導電性スペーサ２０が配され、このスペーサ２０上に薄い金属板３０が積重されている。この金属板３０と検出電極１１ａとの間隔はスペーサ２０の厚みによって一定に保持され、金属板３０と四つの検出電極１１ａとにより四つの容量可変式の信号検出用のコンデンサが形成されている。
【００１６】
金属板３０は、この金属板３０の外周部として構成される枠状の支持部３０ａと、この支持部３０ａにより第１の軸部３０ｃ回りに揺動可能に支持された中間部３０ｂと、この中間部３０ｂにより上記の第１の軸部３０ｃと直交する第２の軸部３０ｅ回りに揺動可能に支持された導電性の搭載部３０ｄとからなり、搭載部３０ｄは軸部３０ｃ，３０ｅのひねり変形により二軸回りに揺動可能に構成されている。
【００１７】
具体的には、支持部３０ａはスペーサ２０と重なるように配置され、その対向する一対の辺の内周中央に、内側に向かう一対の第１の軸部３０ｃが設けられている。この一対の第１の軸部３０ｃの他端は、支持部３０ａの内周に沿うように設けられた枠状の中間部３０ｂにつながっており、中間部３０ｂは傾斜により一対の第１の軸部３０ｃがひねり変形することによりその軸線回りに揺動できるようになっている。
【００１８】
また、中間部３０ｂの内周には一対の第１の軸部３０ｃに直交する位置に互いに対向する一対の第２の軸部３０ｅが設けられている。この一対の第２の軸部３０ｅの他端は、その外周が中間部３０ｂの内周に沿うように設けられた矩形の搭載部３０ｄにつながっており、この搭載部３０ｄは第２の軸部３０ｅがひねり変形することによりその軸線回りに揺動できるようになっている。
なお、軸部３０ｃ，３０ｅの軸方向はそれぞれ碁盤目状に配置された検出電極１１ａの行方向又は列方向に一致するように構成されており、搭載部３０ｄの揺動を感度良く検出できるようになっている。
【００１９】
このような金属板３０は、例えば、ステンレスプレート等の薄い金属の単板に、支持部３０ａと中間部３０ｂとの間、及び中間部３０ｂと搭載部３０ｄとの間に平面視コ字形の溝孔を設けることで形成することができる。これにより、加工が容易となり製造精度を高めることができる。
錘４０は搭載部３０ｄ上に接着されて搭載されており、この錘４０の底面にはスペーサ２０の厚みに金属板３０の厚みを加えた厚さと同程度の高さに形成された突起部４０ｂが基板上面１１Ｓに向けて突設されている。そして、この突起部４０ｂは、突起部４０ｂの突設位置に対応して形成された搭載部３０ｄ中央部の穴３０ｆを通って四つの検出電極１１ａの中央部に当接している。これにより、錘４０は傾斜センサ１００の傾斜に応じて上記当接位置を中心として揺動し、軸部３０ｃ，軸部３０ｅのどちらか又は両方の軸回りに所定の大きさのモーメントを発生させるようになっている。
【００２０】
このようなモーメントは軸部３０ｅ，軸部３０ｃのどちらか一方又は両方の軸をひねり変形し、搭載部３０ｄはこのモーメントと軸部３０ｃ，３０ｅのひねりに対する弾性力とが釣り合う角度で停止する。
なお、この錘４０はその底部４０ａが本体部である頭部（上部）よりも細く形成され、錘４０の重心位置が高くなるように構成されている。このため、センサ１００の僅かな傾斜に対しても上記軸線方向に大きなモーメントを作用させることができ、センサ１００を軽量化しながら傾斜感度を高めることができるようになっている。
【００２１】
また、基板１０の上面１１Ｓ上には、上面１１Ｓの外周部に沿うように配された矩形枠状のパッキン５０を介して金属製のカバー６０が設けられている。このカバー６０は円筒型の頭部６０ｂとその周辺部に広がるフランジ部６０ａとからなり、そのフランジ部６０ａで支持部３０ａを押し付けて固定するとともに、フランジ部６０ａは適宜の手段により接地されており、防塵，防滴，センサ１００周辺の帯電物による容量ドリフト，ノイズ及び取り扱い上の不注意等からセンサ１００を保護するようになっている。なお、カバー６０の内面には、絶縁コート（図示せず）が施されており、これにより、金属製のカバー６０と金属板３０とが導通しないようになっている。
【００２２】
また、カバー６０の形状は搭載部３０ｄの中心を通る軸に対して対称に構成されており、搭載部３０ｄと検出電極１１ａとの間の静電容量に余計なオフセットが発生することを防止できるようになっている。
ところで、基板１０はセラミックス又はエポキシ樹脂等からなる絶縁性の板材１１〜１４の積層体として構成された多層配線基板であり、各板材１１〜１３の上面１１Ｓ〜１３Ｓ及び板材１３，板材１４の下面１３Ｒ，１４Ｒはそれぞれ検出電極層，グランド層，電源層，チップ実装面，接続電極面として構成されている。
【００２３】
基板１０の上面（即ち、板材１１の上面）としての検出電極層１１Ｓには、図３に示すように、その中央部に四つの検出電極１１ａが例えば、Ａｇ（銀）のパターン印刷により碁盤目状に形成されている。また、検出電極層１１Ｓの外周部には、金属板３０と導通される電極１１ｂが矩形枠状に形成されている。
【００２４】
また、検出電極１１ａ及び電極１１ｂはそれぞれ検出電極層１１Ｓからチップ実装面１３Ｒまで貫通するスルーホール電極Ｈ１，Ｈ２によってチップ実装面１３Ｒ上の端子１３ａ，１３ｂに接続されている（図３〜６参照）。このスルーホール電極Ｈ１，Ｈ２はレーザー加工やプレス加工等の方法で形成した細孔の内側にスクリーン印刷法により銀ペーストを充填して、これを焼成させることにより導電部を形成したもので、各電極１１ａ，１１ｂはこのスルーホール電極Ｈ１，Ｈ２を介して端子１３ａ，１３ｂまで略最短距離で接続され、静電的な外乱の影響をほとんど受けることなく検出信号や駆動信号等の電気信号を回路素子３００と入出力できるようになっている。
【００２５】
グランド層１２Ｓは、金属板３０からの駆動信号が検出電極１１ａを介さずに回路素子３００に侵入するのを防ぐとともに、基板１０の外部（検出部２００においては基板１０の下面側、回路素子３００においては基板１０の上面側）から入るノイズをカットするノイズシールドとして機能し、図４に示すように、スルーホール電極Ｈ１，Ｈ２部分と板材１２の外周縁部とを除く略全面がＡｇ等の金属面（導電面）１２ｆとして構成されている。また、この金属面１２ｆは、図４に示すグランド層１２Ｓから図６に示すチップ実装面１３Ｒまで貫通する複数のスルーホール電極Ｈ３によってチップ実装面１３Ｒ上の金属面（導電面）１３ｆと導通して、端子１３ｄと接続されるとともに、基板１０の側面に形成された取り出し電極１４２を介して接地されるようになっている（図６参照）。なお、スルーホール電極Ｈ３を複数としているのは、グランドパターンとしての金属面１２ｆを均一なグランド電位とするためである。
【００２６】
また、金属板３０と検出電極１１ａとにより構成される信号検出用コンデンサとの容量結合を抑えるために、グランド層１２Ｓと検出電極層１１Ｓとは十分離間されており、例えば板材１１には厚さ０．４ｍｍ程度のものが用いられている。なお、この板材１１の厚さは０．３ｍｍ以上とすることが好ましく、これにより、検出部２００との容量結合を効果的に防止することができる。
電源層１３Ｓはグランド層１２Ｓとともにバイパスコンデンサとして機能し、図５に示すように、スルーホール電極Ｈ１〜Ｈ３部分と板材１３の外周縁部を除く略全面がＡｇ等の金属面（導電面）１３ｇとして構成されている。また、この金属面１３ｇは電源層１３Ｓからチップ実装面１３Ｒまで貫通するスルーホール電極Ｈ４によってチップ実装面１３Ｒ上の端子１３ｃと接続されているとともに（図６参照）、基板１０の側面に形成された取り出し電極１４１を介して電源電位に設定されるようになっている。
【００２７】
また、グランド層１２Ｓが基板１０の上面（検出電極層）１１Ｓよりも電源層１３Ｓ寄りとなって、電源層１３Ｓとグランド層１２Ｓとは近接して配置されており、例えば、板材１２には厚さ０．１ｍｍ程度の薄材が用いられている。これにより、グランド層１２Ｓと電源層１３Ｓとによりバイパスコンデンサが形成され、別途コンデンサを設ける必要がないため、センサ１００の構造を更に簡素化できるようになっている。なお、この板材１２の厚さは０．２ｍｍ以下とすることが好ましく、これにより、上述のようなバイパスコンデンサの機能を十分発揮することができる。
【００２８】
さらに、グランド層１２Ｓよりもノイズの影響を受けやすい電源層１３Ｓと回路素子３００との容量結合を抑えるために、金属面１３ｇでは、回路素子３００の搭載位置に対応する中央部分の金属パターンが抜かれて空白部１３Ｆとされている。
チップ実装面１３Ｒには、図６に示すように、検出部２００と回路素子３００とをつなぐ信号線用として、スルーホール電極Ｈ１，Ｈ２と端子（パッド）１３ａ，１３ｂとをそれぞれ接続する短い引き回し配線が形成されるとともに、回路素子３００から図示しない外部装置への出力用として、端子（パッド）１３３〜１３６と取り出し電極１４３〜１４６とをそれぞれ接続する引き回し配線が形成されている。また、外部ノイズをカットするために、スルーホール電極Ｈ１〜Ｈ４部分とこれらの引き回し配線以外の領域には接地されるＡｇ等の金属面１３ｆが形成されている。
【００２９】
また、上記電源層１３Ｓとグランド層１２Ｓとにより構成されるバイパスコンデンサとの容量結合を抑えるために、電源層１３Ｓとチップ実装面１３Ｒとは十分離間されており、例えば板材１３には厚さ０．２ｍｍ程度の厚材が用いられている。なお、この板材１３の厚さは０．１５ｍｍ以上とすることが好ましく、これにより、回路素子３００と検出部２００或いは回路素子３００と上記バイパスコンデンサとの容量結合を効果的に防止することができる。
【００３０】
接続電極面１４Ｒには、図７に示すように、六つの外部接続電極１４ａ〜１４ｆが形成され、それぞれ基板１０の側面に設けられた取り出し電極１４１〜１４６に接続されている。そして、接続電極面１４Ｒを外部の実装回路基板ＰＣＢに半田付け等で実装することで、検出装置１００が外部接続電極１４ａ〜１４ｆを介して図示しない外部装置に接続されるようになっている。そして、外部接続電極１４ｂを介してグランド層１２Ｓ（グランドパターンたる金属面１２ｆ）が接地されるとともに、外部接続電極１４ａを介して外部装置から電源層１３Ｓ（金属面１３ｇ）に電源が供給されて、外部接続電極１４ｃ〜１４ｆを介して回路素子３００の処理結果が外部装置に出力されるようになっている。
【００３１】
なお、板材１４には、回路素子３００を収納するための貫通孔からなる収納凹部１４ｇが中央部に形成されており、接続電極面１４Ｒを実装回路基板に表面実装できるように、すなわち、回路素子３００が接続電極面１４Ｒから突出しないように、板材１４の板厚が設定されている。
【００３２】
回路素子３００は、基板１０裏面側のチップ実装面１３Ｒに搭載されており、チップ実装面１３Ｒ内の信号検出用の端子１３ａ，１３ｂ、電源用の端子１３ｃ、グランド用の端子１３ｄ及び信号出力用の端子１３３〜１３６と回路素子３００の複数のアルミニウム製の端子３００ａとがそれぞれ金バンプ３１０で接続されている。そして、駆動用の端子１３ｂを介して金属板３０に駆動信号が加えられ、この金属板３０と対向配置された検出電極１１ａにより検出された電圧等の電気信号が検出用の端子１３ａを介して回路素子３００に入力され、該電気信号により信号検出用コンデンサの容量変化を求めている。
【００３３】
この金属板３０と検出電極１１ａとで構成される信号検出用コンデンサは４つあり、これら４つのコンデンサの容量変化に基づいて傾斜センサ１００の傾斜方向及び傾斜量を算出するようになっている。また、この算出結果は信号出力用の端子１３３〜１３６及び外部接続電極１４ｃ〜１４ｆを介して外部装置に出力されるようになっている。
なお、接合性を向上させるために、パッド１３ａ〜１３ｄ，１３３〜１３６及び端子３００ａには金メッキが施されていることが望ましい。
【００３４】
ここで、本実施形態において、回路素子３００は集積回路のベアチップにて構成されている。このベアチップは、シリコン等の半導体からなるサブストレート（半導体基材）３００ｂの一面の中央部に熱拡散法やイオン注入法等の手法により拡散層と呼ばれる回路部３００ｃが形成されたものである。そして、回路部（拡散層）３００ｃを含むベアチップ（回路素子）３００の一面（図１においては上面）は、ほぼ全域がＳｉＯ２（酸化ケイ素）等の絶縁膜（図示せず）によって覆われており、この絶縁膜上に複数の端子３００ａと一端がそれぞれ導通する複数のＡｌ（アルミニウム）パターン（図示せず）が形成されている。なお、回路部３００ｃ上に位置する上記絶縁膜には、所定の位置に複数の微小な貫通孔（スルーホール）が設けられており、この貫通孔を介して回路部３００ｃの所定箇所が上記Ａｌパターンと導通されている。
【００３５】
また、グランド用の端子（パッド）１３ｄとバンプ接続される端子３００ａに導通するＡｌパターンは、サブストレート３００ｂ上に位置する上記絶縁膜の図示しない微小孔を介してサブストレート３００ｂと接続されている。これにより、サブストレート３００ｂは、Ａｌパターン，グランド用の端子３００ａ，金バンプ３１０，パッド１３ｄ，スルーホール電極Ｈ３等を介して基板１０のグランドパターンである金属面１２ｆ（グランド層）と導通状態となっている。したがって、回路部３００ｃは、下面と周囲が接地されるサブストレート３００ｂによって囲まれ、上面側にはグランド層１２Ｓが存在するため、ほぼ完全にシールドされた構造をとることとなり、外部からのノイズの影響をほとんど受けることはない。
【００３６】
また、補強のために、回路素子（ベアチップ）３００とチップ実装面１３Ｒとをエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂３２０により接着し一体化させている。具体的には、回路素子３００の搭載面となるチップ実装面１２Ｒを上にしてパッドに囲まれた部分に液状のエポキシ樹脂３２０をディスペンサ等で塗布し、回路素子３００の回路部３００ｃ形成面側が基板１０と対向するようにチップ実装面１３Ｒ上に位置決めし載置する。この際、エポキシ樹脂３２０は流動性により押し広げられ金バンプ３１０の周囲まで達する。そして、超音波を回路素子３００の背面側から当ててパッド１３ａ〜１３ｄ，１３３〜１３６と回路素子３００の端子３００ａとを金バンプ３１０により超音波接合する。その後、加熱によりエポキシ樹脂３２０を加熱硬化させて回路素子３００がチップ実装面１３Ｒに一体に接合されている。
【００３７】
なお、この樹脂３２０は端子３００ａの周囲まで覆うように設けられ、接合部や端子３００ａを腐食等から保護するようになっている。また、回路素子３００全体を樹脂３２０で覆ってもよいが、サブストレート３００ｂが接地されるため、その必要はない。
【００３８】
本発明の第１実施形態としてのセンサ１００は、上述のように構成されているので、センサ１００を傾けると、錘４０が突起部４０ｂの基板１０との当接位置を中心として揺動し、その傾斜方向及び傾斜量に応じて、搭載部３０ｄに対し軸部３０ｃ又は軸部３０ｅ回りのモーメントを作用させる。そして、軸部３０ｃ，３０ｅのひねり変形に対する弾性力とこのモーメントとが釣り合う角度で搭載部３０ｄが停止する。
【００３９】
これにより、搭載部３０ｄと各検出電極１１ａとにより構成される信号検出用コンデンサの静電容量が変化し、その容量変化が、スルーホール電極Ｈ１，Ｈ２及び端子１３ａ，１３ｂを介して検出電極１１ａの略真下に実装された回路素子３００に電気信号として入力される。そして、回路素子３００による処理結果は、接続電極面１４Ｒの外部接続電極１４ｃ等を介して外部装置へ出力される。
【００４０】
したがって、本実施形態のセンサ１００によれば、基板１０の上面１１Ｓ側に検出部２００を設け、基板裏面１３Ｒ側に回路素子３００を実装しているため、基板１０を介して検出部２００と回路素子３００とが一体化され、センサ構造を簡素化して製造コストを低減できる。また、検出部２００は、基板１０を厚み方向に貫通するスルーホール電極Ｈ１，Ｈ２を介して回路素子３００に接続されているため、検出部２００で検出された信号を略最短距離で回路素子３００に入力することができ、信号送出の際の外部ノイズ及び内部信号のクロストーク等の影響を極力排除して検出精度を飛躍的に高めることができる。
【００４１】
この際、回路素子３００が基板１０を挟んで検出電極１１ａと対向する位置に実装されているため、スルーホール電極Ｈ１，Ｈ２から端子１３ａ，１３ｂまでの引き回し配線を短くすることができ、検出精度を最大限高めることができる。また、引き回し配線が短くなることで、引き回し配線自身の寄生容量も小さくなり、更に検出精度を高めることができる。
【００４２】
また、基板１０内にグランド層１２Ｓを設け、スルーホール電極Ｈ３を介して接地しているため、検出部２００は基板１０裏面側、回路素子３００は基板１０表面側の外部ノイズの影響をカットすることができる。この際、板材１１に０．３ｍｍ以上の厚材を用いて検出電極１１ａとグランド層１２Ｓとを０．３ｍｍ以上に離間しているため、グランド層１２Ｓと検出電極層１１Ｓとが十分離間され、信号検出用コンデンサとの容量結合を防止して検出精度を高めることができる。
【００４３】
さらに、板材１２に０．２ｍｍ以下の薄材を用いてグランド層１２Ｓと電源層１３Ｓとを０．２ｍｍ以下に近接して配置しているため、グランド層１２Ｓと電源層１３Ｓとの間でバイパスコンデンサが構成され、別途コンデンサを設ける必要がない。このため、更にセンサ１００を簡素化することができる。
また、板材１３に０．１５ｍｍ以上の厚材を用いて電源層１３Ｓとチップ実装面１３Ｒとを０．１５ｍｍ以上に離間してため、回路素子３００と上記バイパスコンデンサ（電源層１３Ｓ）との容量結合を防止することができる。
【００４４】
また、本発明の第１実施形態としてのセンサ（検出装置）１００は、回路素子３００として、集積回路のベアチップを用いているため、センサ１００を小型、軽量とすることができる。そして、このベアチップ３００は、回路部（拡散部）３００ｃが基板１０の下面（他面）と対向するように、基板１０とバンプ接続されているため、ワイヤーボンディングする際に問題となるワイヤーの寄生容量の影響がなく、より検出精度を高めることができる。また、補強及び保護のために使用される絶縁性の樹脂は基板１０とベアチップとの接合面と端子の周囲にさえあれば足りるため、絶縁性樹脂の使用量を少なくでき、薄型化を図ることができる。
【００４５】
さらに、ベアチップのサブストレート３００ｂをグランドパターンである金属面１２ｆと導通させて接地されるようにしているため、回路部３００ｃは接地されるベアチップのサブストレート３００ｂと基板１０のグランド層１２Ｓとの間に位置することとなるので、ほぼ完全にシールドされて、外部ノイズの影響を究極的に受けにくくすることができる。
【００４６】
また、基板１０の下面に外部接続電極１４ａ〜１４ｆを設けていることから、検出装置（センサ）１００を電気部品のように容易に扱うことができ、外部の実装回路基板ＰＣＢに容易に実装することができる。
また、本実施形態の傾斜センサ１００では、検出電極１１ａを碁盤目状に四つ配置し、搭載部３０ｄをこの碁盤の目の方向と一致するように配置された二軸３０ｃ，３０ｅの回りに揺動可能に構成しているため、傾斜センサ１００の傾斜方向を二次元的に捉えることができる。
【００４７】
また、搭載部３０ｄに搭載された錘４０の底部４０ａに検出電極層１１Ｓに当接する突起部４０ｂが設けられているため、搭載部３０ｄはこの当接位置を中心として軸３０ｃ，３０ｅのひねり変形によりスムーズに揺動できる。また、この突起部４０ｂにより搭載部３０ｄの下向きの変位が防止されるため、重力等により検出信号に余計なオフセットが生じない。さらに、センサ１００を極端に傾けることがない限り錘４０の重さが軸部３０ｃ，３０ｅに直接かかることはないため、軸部３０ｃ，３０ｅの幅を細くしても永久変形しにくくなっている。このため、軸部３０ｃ，３０ｅの幅を細くして軸線方向のモーメントに対するひねり変形量を大きくすることで、傾斜に対する感度を更に高めることができる。
【００４８】
次に、本発明の第２実施形態について図８，図９を用いて説明する。なお、図１〜図７を用いて説明した上記第１実施形態と同様の部位については同じ符号を付し、その説明を一部省略する。
図８に示すように、本実施形態に係るセンサ（検出装置）１０１は、基板１０の上面側の検出電極層１１Ｓ上に検出部２０１としての回転角センサを備え、基板１０の裏面側のチップ実装面１３Ｒに回転角センサ２０１で検出された電気信号を処理する回路素子（ベアチップ）３００を備えて構成されている。
【００４９】
回転角センサ２０１は、絶縁性の円柱部材（バー）７０の回転角を容量変化として検出する静電容量式のセンサであり、基板上面１１Ｓ上に形成された検出電極１１ａ′と、バー７０と一体に回転可能な金属板（対向電極）７１とを備えて構成されている。
基板１０は、上記第１実施形態と同様に、板材１１〜１４の積層体として構成され、各板材１１〜１３の上面１１Ｓ〜１３Ｓ及び板材１３，１４の下面１３Ｒ，１４Ｒはそれぞれ検出電極層，グランド層，電源層，チップ実装面，接続電極面として構成されている。なお、グランド層１２Ｓ，電源層１３Ｓ，チップ実装面１３Ｒ，接続電極面１４Ｒについては、上記第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００５０】
検出電極層１１Ｓ上には、図９に示すように、中央部に楕円形の検出電極１１ａ′が形成されており、検出電極１１ａ′の中央部には絶縁性の突起部１１ｄが設けられている。検出電極１１ａ′は検出電極層１１Ｓからチップ実装面１３Ｒまで貫通するスルーホール電極Ｈ１によってチップ実装面１３Ｒ上の信号検出用の端子１３ａに接続されている。なお、検出電極１１ａ′は、小さな静電容量変化を精度良く検出するために、例えば、Ａｇ（銀）等のパターン印刷により形成されている。
【００５１】
また、検出電極層１１Ｓ上には、内面が絶縁コートされた金属製のカバー６１が接着により固定され、回転角センサ２０１を周辺の帯電物による容量ドリフトや外部ノイズ等から保護するようになっている。また、カバー６１の中央部には円形の穴が設けられており、バー７０の底部を嵌装し、バー７０を直立に保持している。
【００５２】
金属板７１は、図９に示すように、検出電極１１ａ′と略同一の楕円形状を有するステンレスプレート等の薄い金属板であり、下面側を突起部１１ｄによって支持され、検出電極１１ａ′に対して平行に配置されている。この金属板７１と検出電極１１ａ′との間隔は突起部１１ｄの高さによって一定に保持され、金属板７１と検出電極１１ａ′によって信号検出用コンデンサが構成されている。また、金属板７１はバー７０の底面に一体に取り付けられ、バー７０の回転に伴って一体に回転するようになっている。そして、バー７０の回転により検出電極１１ａ′との間のコンデンサ容量が変化し、例えば、金属板７１と検出電極１１ａ′との長軸同士が重なる位置で最大容量となり、長軸と短軸とが重なる位置で最小容量となるように構成されている。
【００５３】
また、金属板７１の上面にはバー７０に巻回された金属製のコイルバネからなるバネ部材７２が取り付けられており、このバネ部材７２の上端はカバー６１の内側面に取り付けられている。これにより、金属板７１は検出電極１１ａ′に平行な水平面内で一定の範囲で回転が許容されるようになっている。また、このバネ部材７２には予圧が印加されており、バネ部材７２の付勢力によって金属板７１が突起部１１ｄ上に安定的に保持されるようになっている。
【００５４】
さらに、このバネ部材７２の上端はカバー６１内側面に形成された金属リードＬ１によって、検出電極層１１Ｓからチップ実装面１３Ｒまで貫通するスルーホール電極Ｈ２に導通しており、バネ部材７２，金属リードＬ１，スルーホール電極Ｈ２を介して金属板７１に駆動信号が印加されるようになっている。なお、この金属リードＬ１は、例えば、Ａｇ（銀）のパターン印刷により絶縁コートされるカバー６１内側面に形成されている。
【００５５】
なお、図９に示すように、金属板７１及び検出電極１１ａ′は、中心位置がバー７０と同一軸心線上に配置された楕円形の電極として構成され、金属板７１が検出電極１１ａ′に平行な水平面内で回転した際に、その回転量に応じて信号検出用コンデンサの容量が増減し、その容量変化を演算することで金属板７１の回転量が検出されるようになっている。
【００５６】
ベアチップからなる回路素子３００は、上記第１実施形態と同様に、検出電極１１ａ′の略真下に実装されており、チップ実装面１３Ｒ内の信号検出用の端子１３ａ，１３ｂ、電源用の端子１３ｃ、グランド用の端子１３ｄ及び信号出力用の端子１３３〜１３６と回路素子３００の複数のアルミニウム製の端子３００ａとがそれぞれ金バンプ３１０で接続されている。そして、信号検出用の端子１３ａから入力された検出電極１１ａ′の電圧等の電気信号から信号検出用コンデンサの容量変化を求め、この容量変化に基づいて回転角センサ２０１の回転量を算出するようになっている。また、この算出結果は信号出力用の端子１３３〜１３６及び外部接続電極１４ｃ〜１４ｆを介して外部装置に出力されるようになっている。
【００５７】
なお、回路素子３００の構造や回路素子３００の基板１０への取り付け方法等は上記第１実施形態と同様に構成されているため説明を省略する。
本発明の第２実施形態としてのセンサ１０１は、上述のように構成されているので、図示しないハンドルによってバー７０を軸回りに回転すると、その回転量に応じて信号検出用コンデンサの容量が増減し、その容量変化は、スルーホール電極Ｈ１を介して、検出電極１１ａ′の略真下に実装された回路素子３００に入力される。そして、回路素子３００による処理結果は、接続電極面１４Ｒの外部接続電極１４ｃ〜１４ｆを介して外部装置へ出力される。
【００５８】
したがって、本実施形態のセンサ１０１によれば、上記第１実施形態と同様に、容量変化の信号を略最短経路で回路素子３００に入力することができるため、外部ノイズの影響を極力抑えることができ、検出精度を最大限高めることができる。
【００５９】
次に、本発明の第３実施形態について図１０を用いて説明する。なお、図１〜図７を用いて説明した上記第１実施形態と同様の部位については同じ符号を付し、その説明を一部省略する。
図１０に示すように、本実施形態に係るセンサ（検出装置）１０２は、圧力センサとして構成される検出部２０２を基板１０の検出電極層１１Ｓ上に備え、基板裏面のチップ実装面１３Ｒに圧力センサ２０２で検出された電気信号を処理する回路素子３００を備えて構成されている。
【００６０】
基板１０は、上記第１実施形態と同様に、板材１１〜１４の積層体として構成され、各板材１１〜１３の上面１１Ｓ〜１３Ｓ及び板材１３，１４の下面１３Ｒ，１４Ｒはそれぞれ検出電極層，グランド層，電源層，チップ実装面，接続電極面として構成されている。なお、グランド層１２Ｓ，電源層１３Ｓ，チップ実装面１３Ｒ，接続電極面１４Ｒについては、上記第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００６１】
検出電極層１１Ｓの中央部には、板材１１を貫通しない程度の深さの凹部Ｇが形成されており、この凹部Ｇの底面には、例えば、円形の検出電極１１ａ′′がＡｇ（銀）等のパターン印刷により形成されている。そして、検出電極１１ａ′′はこの凹部Ｇ底面からチップ実装面１３Ｒまで貫通するスルーホール電極Ｈ１によってチップ実装面１３Ｒ上の信号検出用の端子１３ａに接続されている。
【００６２】
また、検出電極層１１Ｓ上には、金属板（対向電極）３２が接着により取り付けられており、検出電極層１１Ｓからチップ実装面１３Ｒまで貫通するスルーホール電極Ｈ２を介して端子１３ｂに接続されている。また、この金属板３２には薄板が用いられており、流体圧により検出電極１１ａ′′に接近／離間する方向に弾性変形し、金属板３２と検出電極１１ａ′′とからなる信号検出用コンデンサの静電容量が増減するようになっている。
【００６３】
また、金属板３２上にはカバー６２が接着により固定されている。このカバー６２の中央部には流体の流入口としての開口部６２ａが形成されており、この開口部６２ａを介してカバー６２内へ気体や液体が流入しうるようになっている。なお、開口部６２ａにゴムホース等を接続してセンサ１０２が設置位置と離れた位置の流体圧を測定することも可能である。
【００６４】
ベアチップからなる回路素子３００は、上記第１実施形態と同様に、検出電極１１ａ′′の略真下に実装されており、チップ実装面１３Ｒ内の信号検出用の端子１３ａ，１３ｂ、電源用の端子１３ｃ、グランド用の端子１３ｄ及び信号出力用の端子１３３〜１３６と回路素子３００の複数のアルミニウム製の端子３００ａとがそれぞれ金バンプ３１０で接続されている。そして、信号検出用の端子１３ａから入力された検出電極１１ａ′′の電圧等の電気信号から信号検出用コンデンサの容量変化を求め、この容量変化に基づいて金属板３２上面にかかる流体圧を算出するようになっている。また、この算出結果は信号出力用の端子１３３〜１３６及び外部接続電極１４ｃ〜１４ｆを介して外部装置に出力されるようになっている。
【００６５】
なお、回路素子３００の構造や回路素子３００の基板１０への取り付け方法等は上記第１実施形態と同様に構成されているため説明を省略する。
本発明の第３実施形態としてのセンサ１０２は、上述のように構成されているので、開口部６２ａから流体が流入すると、この流体圧により金属板３２が弾性変形し、コンデンサ容量が変化する。この容量変化の信号はスルーホール電極Ｈ１を介して、検出電極１１ａ′′の略真下に実装された回路素子３００に入力され、回路素子３００による処理結果が接続電極面１４Ｒの外部接続電極１４ｃ〜１４ｆを介して外部装置へ出力される。
【００６６】
したがって、本実施形態のセンサ１０２によれば、上記第１実施形態と同様に、容量変化の信号を略最短経路で回路素子３００に入力することができるため、外部ノイズの影響を極力抑えることができ、検出精度を最大限高めることができる。
【００６７】
次に、本発明の第４実施形態について図１１，図１２を用いて説明する。なお、図１〜図７を用いて説明した上記第１実施形態と同様の部位については同じ符号を付し、その説明を一部省略する。
図１１に示すように、本実施形態に係るセンサ（検出装置）１０３は、タッチセンサとしての検出部２０３を基板１０の検出電極層１１Ｓ上に備え、基板裏面のチップ実装面１３Ｒにタッチセンサ２０３で検出された電気信号を処理する回路素子３００を備えて構成されている。
【００６８】
基板１０は、上記第１実施形態と同様に、板材１１〜１４の積層体として構成され、各板材１１〜１３の上面１１Ｓ〜１３Ｓ及び板材１３，１４の下面１３Ｒ，１４Ｒはそれぞれ検出電極層，グランド層，電源層，チップ実装面，接続電極面として構成されている。なお、グランド層１２Ｓ，電源層１３Ｓ，チップ実装面１３Ｒ，接続電極面１４Ｒについては、上記第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
タッチセンサ２０３は、誘電率変化を容量変化として検出する静電容量式のセンサであり、図１２に示すように、互いに噛み合うように形成された一対の櫛歯状の検出電極Ｔ１，Ｔ２を備えて構成されている。
【００６９】
検出電極Ｔ１，Ｔ２は検出電極層１１Ｓ上にＡｇ（銀）等のパターン印刷によって形成されており、指等の接近によって生じた検出電極Ｔ１，Ｔ２間の誘電率変化を容量変化として検出するようになっている。そして、一方の検出電極Ｔ１は検出電極層１１Ｓからチップ実装面１３Ｒまで貫通するスルーホール電極Ｈ１によってチップ実装面１３Ｒ上の端子１３ａに接続され、他方の検出電極Ｔ２は検出電極層１１Ｓからチップ実装面１３Ｒまで貫通するスルーホール電極Ｈ２を介して端子１３ｂに接続されている。
【００７０】
また、検出電極層１１Ｓには絶縁保護層８０が形成されており、検出電極Ｔ１，Ｔ２の損傷から保護するようになっている。また、この保護層８０には、例えば、ガラス薄膜が用いられており、指等が十分に接近することにより検出電極Ｔ１，Ｔ２間の容量を大きく変化させるようになっている。
【００７１】
ベアチップからなる回路素子３００は、上記第１実施形態と同様に、検出電極Ｔ１，Ｔ２の略真下に実装されており、チップ実装面１３Ｒ内の信号検出用の端子１３ａ，１３ｂ、電源用の端子１３ｃ、グランド用の端子１３ｄ及び信号出力用の端子１３３〜１３６と回路素子３００の複数のアルミニウム製の端子３００ａとがそれぞれ金バンプ３１０で接続されている。そして、信号検出用の端子１３ａ，１３ｂのいずれか一方（例えば端子１３ｂ）を、駆動信号を送出するための出力用端子とし、いずれか他方の入力端子（例えば端子１３ａ）から回路素子３００に入力された電圧等の電気信号から検出電極Ｔ１，Ｔ２間の容量変化を求め、この容量変化に基づいて指等の接近を検出するようになっている。この検出結果は信号出力用の端子１３３〜１３６及び外部接続電極１４ｃ〜１４ｆを介して外部装置に出力されるようになっている。
【００７２】
なお、回路素子３００の構造や回路素子３００の基板１０への取り付け方法等は上記第１実施形態と同様に構成されているため説明を省略する。
本発明の第４実施形態としてのセンサ１０３は、上述のように構成されているので、検出電極Ｔ１，Ｔ２に指等が近づくと、検出電極Ｔ１，Ｔ２間の誘電率が大きく変化し、コンデンサ容量が変化する。この容量変化の信号はスルーホール電極Ｈ１を介して、検出電極Ｔ１，Ｔ２の略真下に実装された回路素子３００に入力され、回路素子３００による処理結果が接続電極面１４Ｒの外部接続電極１４ｃ〜１４ｆを介して外部装置へ出力される。
【００７３】
したがって、本実施形態のセンサ１０３によれば、上記第１実施形態と同様に、容量変化の信号を略最短経路で回路素子３００に入力することができるため、外部ノイズの影響を極力抑えることができ、検出精度を最大限高めることができる。
【００７４】
次に、本発明の第５実施形態について図１３を用いて説明する。なお、図１〜図７を用いて説明した上記第１実施形態と同様の部位については同じ符号を付し、その説明を一部省略する。
図１３に示すように、本実施形態に係るセンサ（検出装置）１０４は、荷重センサとしての検出部２０４を基板１０の検出電極層１１Ｓ上に備え、基板裏面のチップ実装面１３Ｒに荷重センサ２０４で検出された電気信号を処理する回路素子３００を備えて構成されている。
【００７５】
基板１０は、上記第１実施形態と同様に、板材１１〜１４の積層体として構成され、各板材１１〜１３の上面（一面）１１Ｓ〜１３Ｓ及び板材１３，１４の下面（他面）１３Ｒ，１４Ｒはそれぞれ検出電極層，グランド層，電源層，チップ実装面，接続電極面として構成されている。なお、グランド層１２Ｓ，電源層１３Ｓ，チップ実装面１３Ｒ，接続電極面１４Ｒについては、上記第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００７６】
荷重センサ２０４は、弾性歪を抵抗変化として検出する歪抵抗式のセンサであり、弾性変形可能なステンレスプレート等からなる板バネ（弾性部材）３３と、この板バネ３３上に設けられた歪抵抗体３３ａとを備えて概略構成されている。検出電極層１１Ｓ上には板バネ３３が取り付けられており、この板バネ３３上には歪抵抗体３３ａとの絶縁を確実にとるためのポリイミド樹脂等からなる絶縁膜（図示せず）が形成されており、この絶縁膜上に図１３の左右方向に延びる帯状をした歪抵抗体３３ａがスクリーン印刷等により形成されている。なお、板バネ３３は適宜の手段により接地されている。
【００７７】
この歪抵抗体３３ａにはカーボン等の歪み抵抗材料が用いられている。
また、検出電極層１１Ｓ中央部には、歪抵抗体３３ａの形成部位に対応する位置に、板材１１を貫通しない程度の深さの凹部Ｇ′が形成されており、板バネ３３はこの凹部Ｇ′において上下方向に弾性変形しうるようになっている。
また、歪抵抗体３３ａの両端部は、絶縁膜上に形成された図示していない一対の導電パターンに接続されており、これら導電パターンは、それぞれ検出電極層１１Ｓからチップ実装面１３Ｒまで貫通するスルーホール電極Ｈ１，Ｈ２によってチップ実装面１３Ｒの端子１３ａ，１３ｂに接続されており、歪抵抗体３３ａ両端の電気抵抗を検出できるようになっている。
【００７８】
ベアチップからなる回路素子３００は、上記第１実施形態と同様に、凹部Ｇ′の略真下（真反対側）に実装されており、チップ実装面１３Ｒ内の信号検出用の端子１３ａ，１３ｂ、電源用の端子１３ｃ、グランド用の端子１３ｄ及び信号出力用の端子１３３〜１３６と回路素子３００の複数のアルミニウム製の端子３００ａとがそれぞれ金バンプ３１０で接続されている。そして、信号検出用の端子１３ａ，１３ｂから検出された歪抵抗体３３ａ両端部の抵抗値に基づいて、板バネ３３にかかる弾性力を算出するようになっている。また、この算出結果は信号出力用の端子１３３〜１３６及び外部接続電極１４ｃ〜１４ｆを介して外部装置に出力されるようになっている。
【００７９】
なお、回路素子３００の構造や回路素子３００の基板１０への取り付け方法等は上記第１実施形態と同様に構成されているため説明を省略する。
本発明の第５実施形態としてのセンサ１０４は、上述のように構成されているので、カンチレバーによりセンサ１０４に応力Ｆがかかると、板バネ３３は弾性変形し、歪抵抗体３３ａを歪ませる。これにより、歪抵抗体３３ａが伸張し、歪抵抗体３３ａの両端間の抵抗値が高くなる。この抵抗変化は、スルーホール電極Ｈ１，Ｈ２を介して凹部Ｇ′の略真下に実装された回路素子３００に入力され、回路素子３００による処理結果は、接続電極面１４Ｒの外部接続電極１４ｃ〜１４ｆを介して外部装置へ出力される。
【００８０】
したがって、本実施形態のセンサ１０４によれば、上記第１実施形態と同様に、抵抗変化の信号を略最短経路で回路素子３００に入力することができるため、外部ノイズの影響を極力抑えることができ、検出精度を最大限高めることができる。
【００８１】
次に、本発明の第６実施形態について図１４を用いて説明する。なお、図１〜図７を用いて説明した上記第１実施形態と同様の部位については同じ符号を付し、その説明を一部省略する。
図１４に示すように、本実施形態に係るセンサ（検出装置）１０５は、傾斜センサとしての検出部２０５を基板１０の検出電極層１１Ｓ上に備え、基板裏面のチップ実装面１３Ｒに傾斜センサ２０５で検出された電気信号を処理する回路素子３００を備えて構成されている。
【００８２】
基板１０は、上記第１実施形態と同様に、板材１１〜１４の積層体として構成され、各板材１１〜１３の上面（一面）１１Ｓ〜１３Ｓ、板材１３の下面（他面）１３Ｒ及び板材１４の側面１４Ｅはそれぞれ検出電極層，グランド層，電源層，チップ実装面，接続電極面として構成されている。なお、グランド層１２Ｓ，電源層１３Ｓ，チップ実装面１３Ｒについては、上記第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
傾斜センサ２０５は、センサ１０５の傾斜量をコイルのインダクタンス変化として検出する磁気式のセンサであり、図１４に示すように、ボビン９２に巻回されたコイル９１と、ボビン９２内を転がり可能に嵌装された球体９０とを備えて構成されている。
【００８３】
合成樹脂からなるボビン９２は検出電極層１１Ｓ上に一体に取り付けられており、外周面にコイル９１が巻回されている。また、ボビン９２は軸心部分が中空となっており、この中空部９２ａにはフェライト等の透磁率の大きな軟磁性体からなる球体９０が転がり可能に嵌装されている。
また、検出電極層１１Ｓ上にはボビン９２の中空部９２ａと連続する筒部６３ａを有するハウジング６３が取り付けられている。そして、センサ１０５が傾斜すると、球体９０はその傾斜角度に応じた速度で中空部９２ａ側から筒部６３ａ側へ、又は、筒部６３ａ側から中空部９２ａ側へ自由に転がりながら移動し、これによりコイル９１のインダクタンスを変化させるようになっている。
【００８４】
コイル９１の上端部及び下端部はそれぞれハウジング６３内側面に形成された金属リードＬ１′,Ｌ２′により、検出電極層１１Ｓからチップ実装面１３Ｒまで貫通するスルーホール電極Ｈ１,Ｈ２に導通しており、球体９０がコイル９１内を移動すると、コイル９１のインダクタンスが変化し、この変化を検出できるようになっている。
【００８５】
ベアチップからなる回路素子３００は、ボビン９２の略真下（真反対側）に実装されており、チップ実装面１３Ｒ内の信号検出用の端子１３ａ，１３ｂ、電源用の端子１３ｃ、グランド用の端子１３ｄ及び信号出力用の端子１３３〜１３６と回路素子３００の複数のアルミニウム製の端子３００ａとがそれぞれ金バンプ３１０で接続されている。そして、コイル９１両端部は、金属リードＬ１′，Ｌ２′,スルーホール電極Ｈ１,Ｈ２を介して回路素子３００に略最短経路で接続されるようになっている。そして、回路素子３００にて検出されたインダクタンスの大きさ及びその変化の方向に基づいて球体９０の移動方向及び移動速度を求め、センサ１０５の傾斜方向や傾斜角度を算出するようになっている。
【００８６】
なお、本実施形態のセンサ１０５では、基板１０を横に倒した状態で実装回路基板ＰＣＢに実装するため、外部接続電極１４Ｅは板材１４の実装回路基板ＰＣＢ側の側面に形成されており、回路素子３００での処理結果はこの接続電極面１４Ｅを介して外部装置へ出力されるようになっている。
また、回路素子３００の構造や回路素子３００の基板１０への取り付け方法等は上記第１実施形態と同様に構成されているため説明を省略する。
【００８７】
本発明の第６実施形態としてのセンサ１０５は、上述のように構成されているので、センサ１０５が右側（図１４中ｒ１側）に傾くと、球体９０はその傾斜角度に応じた速度で中空部９２ａ側から筒部６３ａ側へ転がりながら移動する。これにより、コイル９１のインダクタンスが低下する。逆に、センサ１０５が左側（図１４中ｒ２側）に傾くと、球体９０はその傾斜角度に応じた速度で筒部６３ａ側から中空部９２ａ側に転がりながら移動する。これにより、コイル９１のインダクタンスが増大する。
【００８８】
そして、検出された電気信号は金属リードＬ１′，Ｌ２′及びスルーホール電極Ｈ１,Ｈ２を介してボビン９２の略真下に実装された回路素子３００に入力される。そして、回路素子３００による処理結果は、外部接続電極１４Ｅを介して外部装置へ出力される。
したがって、本実施形態のセンサ１０５によれば、上記第１実施形態と同様に、インダクタンス変化の信号を略最短経路で回路素子３００に入力することができるため、外部ノイズの影響を極力抑えることができ、検出精度を最大限高めることができる。
【００８９】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
例えば、上記第２実施形態において、金属板７１及び検出電極１１ａ′の形状は楕円形に限定されず、長方形等の長軸と短軸を有する形状でもよい。この際、電極形状を変えることにより、回転角と出力電圧には任意の関数を設定できる。また、検出電極層１１Ｓに二つの検出電極１１ａ′，１１ａ′を配置するとともに、金属板７１を検出電極１１ａ′に対して若干傾けて配置してもよい。この場合、金属板７１と上記二つの検出電極１１ａ′，１１ａ′の容量変化を算出することで、バー７０の回転量のみならず回転方向を検出することができる。
【００９０】
また、上記第３実施形態のセンサ１０２は、ハウジング６２を取り外すことで、静電容量式の荷重センサとして用いることができる。
さらに、上記第６実施形態では、外部接続電極１４Ｅは実装回路基板ＰＣＢ側の側面にのみ形成されているが、センサ１０５を実装回路基板ＰＣＢに実装する際の向きの自由度をもたせるために、外部接続電極を他面側にも設けてもよい。
【００９１】
【発明の効果】
以上、詳述したように本発明によれば、基板を介して検出部と回路素子とを一体化することができるため、センサの構造が簡素化され製造コストを低減することができる。また、配線部は基板を厚さ方向に貫通するように設けられているため、配線部の長さが短くなり、検出部で検出された電気信号を略最短距離で回路素子に入力することができる。これにより、信号を回路素子に送出する際に外部ノイズ等の影響を極力排除でき、検出精度を飛躍的に高めることができる。さらに、配線部が短くなることで、配線部自身の寄生容量が小さくなり、更に検出精度を高めることができる。
また、上記回路素子を、半導体のサブストレートの一面に回路部が形成された集積回路のベアチップにて構成し、このベアチップを上記基板の他面側に搭載することにより、回路素子のサイズを飛躍的に小さくすることができ、検出装置を小型、軽量とすることができる。この場合、上記ベアチップを、その回路部が上記基板の他面と対向するように、基板の他面側にバンプによって接続させる。このようにベアチップを基板とバンプ接続した場合、ベアチップをワイヤーボンディングするものと比べて、小型化が可能となるとともに、ワイヤーの寄生容量による影響が生じることがなく、また、ワイヤーに外部ノイズが誘導されるおそれもない。
さらに、上記回路部が基板の他面側と対向するように搭載したベアチップにおいて、上記半導体の上記サブストレートを上記基板のグランド層と導通させることにより、ベアチップの回路部の周囲が接地電位とされるため、回路部に対するシールド効果が増し、回路部外部からの外部ノイズの影響を充分にカットすることができる。したがって、検出部が僅かな静電容量の変化を検出する静電容量式センサであったとしても、ノイズの影響を受けにくく、精度の高い検出が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態に係るセンサ（検出装置）の全体構成を示す概略断面図である。
【図２】  本発明の第１実施形態に係るセンサの全体構成を示す分解斜視図である。
【図３】  本発明の第１実施形態に係るセンサの基板の構造を説明するための平面断面図（板材１１の平面図）である。
【図４】  本発明の第１実施形態に係るセンサの基板の構造を説明するための平面断面図（板材１２の平面図）である。
【図５】  本発明の第１実施形態に係るセンサの基板の構造を説明するための平面断面図（板材１３の平面図）である。
【図６】  本発明の第１実施形態に係るセンサの基板の構造を説明するための平面断面図（板材１３の背面図）である。
【図７】  本発明の第１実施形態に係るセンサの基板の構造を説明するための平面断面図（板材１４の背面図）である。
【図８】  本発明の第２実施形態に係るセンサの全体構成を示す概略断面図である。
【図９】  本発明の第２実施形態に係るセンサの要部構成を示す上面視図である。
【図１０】  本発明の第３実施形態に係るセンサの全体構成を示す概略断面図である。
【図１１】  本発明の第４実施形態に係るセンサの全体構成を示す概略断面図である。
【図１２】  本発明の第４実施形態に係るセンサの要部構成を示す上面視図である。
【図１３】  本発明の第５実施形態に係るセンサの全体構成を示す概略断面図である。
【図１４】  本発明の第６実施形態に係るセンサの全体構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１０  基板（多層配線基板）
１１ａ，１１ａ′，１１ａ′′  検出電極
１２ｆ  金属面（グランドパターン）
１２Ｓ  グランド層
１３Ｓ  電源層
１４ａ〜１４ｆ  外部接続電極
３０  金属板（対向電極）
３２  金属板（対向電極）
３３  板バネ（弾性部材）
３３ａ  歪抵抗体
７１  金属板（対向電極）
９１  コイル
２００，２０１，２０２，２０３，２０４，２０５  検出部
３００  回路素子（ベアチップ）
３００ｂ  サブストレート
３００ｃ  回路部（拡散層）
３１０  金バンプ（バンプ）
Ｈ１〜Ｈ４  スルーホール電極
Ｔ１，Ｔ２  検出電極
【図１】
0003926202.tif 000002
【図２】
0003926202.tif 000003
【図３】
0003926202.tif 000004
【図４】
0003926202.tif 000005
【図５】
0003926202.tif 000006
【図６】
0003926202.tif 000007
【図７】
0003926202.tif 000008
【図８】
0003926202.tif 000009
【図９】
0003926202.tif 000010
【図１０】
0003926202.tif 000011
【図１１】
0003926202.tif 000012
【図１２】
0003926202.tif 000013
【図１３】
0003926202.tif 000014
【図１４】
0003926202.tif 000015