(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
突出部を有する型に、配線を、前記突出部の先端面及び前記突出部の周囲の領域に付着させて設け、
光ファイバを、前記光ファイバの一方の端面を前記型の前記突出部に向けて配置し、
前記一方の端面と、前記配線の前記型に対する付着面と、を避けて、成形材料を、前記型の前記突出部を有する面に付着させて前記光ファイバ及び前記配線を封止し、
前記型を、前記光ファイバ、前記配線及び前記成形材料から剥離することで、前記突出部に対応する窪み及び前記光ファイバに対応する孔を有し、前記孔に前記光ファイバが取り付けられ、前記配線が前記窪み内から前記窪みの周囲の領域に至るように設けられてなるプラットフォームを形成し、
同じ面に光学的部分及び電極を有する光素子を、前記窪み内で前記配線と前記電極が対向し、かつ、前記光学的部分が前記光ファイバの前記端面に対向するように、前記プラットフォームの前記窪み内に配置して、前記配線と前記電極を電気的に接続し、前記光学的部分と前記光ファイバを光学的に接続する工程を含む光モジュールの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の光モジュールの製造方法において、
前記配線はワイヤからなり、前記ワイヤの両端部をボンディングする光モジュールの製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の光モジュールの製造方法において、
予め前記型にボンディングパッドを形成し、前記ボンディングパッドに前記ワイヤをボンディングする光モジュールの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の光モジュールの製造方法において、
前記配線は導電層からなる光モジュールの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
前記型に離型材を塗布した状態で、前記成形材料により前記光ファイバ及び前記配線を封止する光モジュールの製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
前記型に、前記光ファイバの支持部材を取り付け、
前記光ファイバを、前記支持部材によって位置決めして配置する光モジュールの製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
前記光ファイバの一方の端部を前記型に形成された穴に挿入することで、前記光ファイバを、位置決めして配置する光モジュールの製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の光モジュールの製造方法において、
前記穴は、前記型の平坦な領域に形成されてなる光モジュールの製造方法。
【請求項９】
請求項７記載の光モジュールの製造方法において、
前記型は、前記突出部の前記先端面に凸部を有し、前記凸部の上端面に前記穴が設けられてなる光モジュールの製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
前記型は、突起を有し、前記突起が設けられた領域に前記配線を付着させ、
前記プラットフォームに前記突起に対応する凹部を形成する光モジュールの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の光モジュールの製造方法において、
前記凹部に導電材料を充填する工程をさらに含む光モジュールの製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
前記型に、前記配線と電気的に接続させて電子部品を搭載し、
前記成形材料で、前記光ファイバ及び前記配線とともに前記電子部品を封止する光モジュールの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の光モジュールの製造方法において、
前記光素子を封止する樹脂を設ける工程を含む光モジュールの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の光モジュールの製造方法において、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂を形成する光モジュールの製造方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の光モジュールの製造方法において、
前記プラットフォームの前記窪み内であって前記光素子上に、前記光素子を駆動するための半導体チップを搭載する工程を含む光モジュールの製造方法。
【請求項１６】
窪みが形成され、前記窪み内に孔が形成され、配線が前記窪み内から前記窪みの周囲の領域に至るように設けられてなるプラットフォームと、
前記孔に端部が取り付けられてなる光ファイバと、
同じ面に光学的部分及び電極を有する光素子と、
を含み、
前記光素子は、前記窪み内で前記配線と前記電極が対向し、かつ、前記光学的部分が前記孔に対向するように、前記プラットフォームの前記窪み内に配置され、前記配線と前記電極が電気的に接続され、前記光学的部分と前記光ファイバが光学的に接続されてなる光モジュール。
【請求項１７】
請求項１６記載の光モジュールにおいて、
前記プラットフォームに埋め込まれた金属製の支持部材をさらに有し、前記光ファイバは、前記支持部材にて支持されてなる光モジュール。
【請求項１８】
請求項１６記載の光モジュールにおいて、
前記光ファイバの前記端部は、前記プラットフォームの前記窪みの底面から突出せずに位置してなる光モジュール。
【請求項１９】
請求項１６から請求項１８のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記窪みは、複数段を形成する複数の底面を有し、
各底面に前記配線が形成されてなる光モジュール。
【請求項２０】
請求項１６から請求項１９のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記配線に凹部が形成されてなる光モジュール。
【請求項２１】
請求項２０記載の光モジュールにおいて、
前記配線に形成された前記凹部に、導電材料が充填されてなる光モジュール。
【請求項２２】
請求項１６から請求項２１のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記プラットフォームに、前記配線に電気的に接続された電子部品が内蔵されてなる光モジュール。
【請求項２３】
請求項１９記載の光モジュールにおいて、
前記光素子の前記光ファイバと対向する面とは反対の面と対向するように搭載され、前記配線と電気的に接続されてなる、前記光素子を駆動するための半導体チップをさらに前記窪み内に有する光モジュール。
【請求項２４】
請求項１６から請求項２３のいずれかに記載の光モジュールにおいて、
前記光素子を封止する樹脂をさらに有する光モジュール。
【請求項２５】
請求項２４記載の光モジュールにおいて、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂が形成されてなる光モジュール。
【請求項２６】
窪みが形成され、前記窪み内に孔が形成され、配線が前記窪み内から前記窪みの周囲の領域に至るように設けられてなる第１及び第２のプラットフォームと、
前記第１及び第２のプラットフォームの前記孔に両端部がそれぞれ取り付けられてなる光ファイバと、
同じ面に発光部及び電極を有し、前記第１のプラットフォームに搭載されてなる発光素子と、
同じ面に受光部及び電極を有し、前記第２のプラットフォームに搭載されてなる受光素子と、
を含み、
前記発光素子は、前記窪み内で前記配線と前記電極が対向し、かつ、前記発光部が前記孔に対向するように、前記第１のプラットフォームの前記窪み内に配置され、前記配線と前記電極が電気的に接続され、前記発光部と前記光ファイバが光学的に接続され、
前記受光素子は、前記窪み内で前記配線と前記電極が対向し、かつ、前記受光部が前記孔に対向するように、前記第２のプラットフォームの前記窪み内に配置され、前記配線と前記電極が電気的に接続され、前記受光部と前記光ファイバが光学的に接続されてなる光伝達装置。
【請求項２７】
請求項２６記載の光伝達装置において、
前記発光素子を駆動するために前記第１のプラットフォームに搭載されている第１の半導体チップと、前記受光素子を駆動するために前記第２のプラットフォームに搭載されている第２の半導体チップと、をさらに有し、
前記第１のプラットフォームの前記窪みは、複数段を形成する複数の底面を有し、各底面に前記配線の一部が形成されてなり、
前記第２のプラットフォームの前記窪みは、複数段を形成する複数の底面を有し、各底面に前記配線の一部が形成されてなり、
前記第１の半導体チップは、前記配線と電気的に接続され、前記発光素子の前記光ファイバと対向する面とは反対の面と対向するように前記窪み内に搭載され、
前記第２の半導体チップは、前記配線と電気的に接続され、前記受光素子の前記光ファイバと対向する面とは反対の面と対向するように前記窪み内に搭載されてなる光伝達装置。
【請求項２８】
請求項２６又は請求項２７記載の光伝達装置において、
前記光素子を封止する樹脂をさらに有する光伝達装置。
【請求項２９】
請求項２８記載の光伝達装置において、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂が形成されてなる光伝達装置。
【請求項３０】
請求項２６から請求項２９のいずれかに記載の光伝達装置において、
前記受光素子に接続されるプラグと、
前記発光素子に接続されるプラグと、
をさらに含む光伝達装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラットフォーム及び光モジュール並びにこれらの製造方法並びに光伝達装置に関する。
【０００２】
【発明の背景】
近年、情報通信が高速化・大容量化の傾向にあり、光通信の開発が進んでいる。光通信では、電気信号を光信号に変換し、光信号を光ファイバで送信し、受信した光信号を電気信号に変換する。電気信号と光信号との変換は光素子によって行われる。また、光素子がプラットフォームに搭載されてなる光モジュールが知られている。
【０００３】
従来、射出成形体に無電解メッキなどによって配線を形成して部品を製造する方法が知られている。この方法をプラットフォームの製造に適用することもできる。しかし、その場合、配線が射出成形体の表面上に形成されるため、プラットフォームの表面に配線による凸が形成されて平坦性を確保することができない。
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、配線による凸が形成されないプラットフォーム及び光モジュール並びにこれらの製造方法並びに光伝達装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係るプラットフォームの製造方法は、第１及び第２の領域を有する型に、配線を前記第１又は第２の領域に付着させて設け、
光ファイバを、前記光ファイバの一方の端面を前記型に向けて配置し、
前記一方の端面と、前記配線の前記型に対する付着面と、を避けて、成形材料で前記光ファイバ及び前記配線を封止し、
前記光ファイバとともに前記配線及び前記成形材料を、前記型から剥離する工程を含む。
【０００６】
本発明によれば、型に、配線の端部を付着させて設けてから、成形材料で配線を封止する。配線の型に対する付着面以外の部分は、成形材料に封止される。そして、成形材料を型で加工し、成形材料とともに配線を型から剥離すると、配線は、型に対する付着面を除き、成形材料に埋め込まれた形態となる。したがって、配線による凸が形成されない。
【０００７】
（２）このプラットフォームの製造方法において、
前記配線はワイヤからなり、前記ワイヤの両端部を前記第１及び第２の領域にボンディングしてもよい。
【０００８】
これによれば、ワイヤの両端部における型に対する付着面は露出し、それ以外の部分は内部に封止されたプラットフォームを得ることができる。これによれば、ワイヤが封止されているので、その断線を防止することができる。
【０００９】
（３）このプラットフォームの製造方法において、
予め前記型にボンディングパッドを形成し、前記ボンディングパッドに前記ワイヤをボンディングしてもよい。
【００１０】
これによれば、ワイヤをボンディングしにくい材料からなる型を使用しても、導電膜を形成しておくことで、ワイヤのボンディングが可能になる。
【００１１】
（４）このプラットフォームの製造方法において、
前記配線は導電層からなり、前記導電層を前記第１及び第２の領域に形成してもよい。
【００１２】
これによれば、導電層の型に対する付着面が露出し、それ以外の部分が内部に封止されたプラットフォームを得ることができる。
【００１３】
（５）このプラットフォームの製造方法において、
前記型に離型材を塗布した状態で、前記成形材料により前記光ファイバ及び前記配線を封止してもよい。
【００１４】
これによれば、成形材料の離型性を高めることができる。
【００１５】
（６）このプラットフォームの製造方法において、
前記型に、前記光ファイバの支持部材を取り付け、
前記光ファイバを、前記支持部材によって位置決めして配置してもよい。
【００１６】
これによれば、プラットフォームは、型によって成形材料を加工して形成するので正確な形状を形作ることが可能であり、正確な形状に対して、正確な位置に光ファイバを設けることができる。
【００１７】
（７）このプラットフォームの製造方法において、
前記光ファイバの前記一方の端部を前記型に形成された穴に挿入することで、前記光ファイバを、位置決めして配置してもよい。
【００１８】
これによれば、プラットフォームは、型によって成形材料を加工して形成するので正確な形状を形作ることが可能であり、正確な形状に対して、正確な位置に光ファイバを設けることができる。
【００１９】
（８）このプラットフォームの製造方法において、
前記型の前記第１の領域は、ほぼ平坦に形成されてなり、
前記穴は、前記第１の領域に形成されていてもよい。
【００２０】
これによれば、光ファイバを穴に挿入して成形材料で封止する。したがって、成形材料における型の第１の領域によって成形された面から、光ファイバの先端が突出した形態のプラットフォームを得ることができる。
【００２１】
（９）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、前記第１の領域に凸部を有し、前記凸部の上端面に前記穴が設けられていてもよい。
【００２２】
これによれば、成形材料には、型の凸部によって凹部が形成される。光ファイバを挿入する穴が型の凸部に形成されているので、光ファイバの先端は、成形材料に形成された凹部に位置する。したがって、成形材料における第１の領域によって形成された面から、光ファイバの先端が突出しない形態のプラットフォームを得ることができる。
【００２３】
（１０）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、前記第１の領域が前記第２の領域よりも突出して形成されてなり、
前記成形材料に、前記型の形状に対応して窪みを形成してもよい。
【００２４】
例えば、窪みを、光素子を収納できる大きさ及び深さで形成してもよい。
【００２５】
（１１）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、突起を有し、前記突起が設けられた領域に前記配線を付着させ、
前記成形材料に凹部を形成してもよい。
【００２６】
これによれば、凹部の内面で、配線と他の部材との電気的接続を図る構造を得ることができる。
【００２７】
（１２）このプラットフォームの製造方法において、
前記凹部に導電材料を充填する工程をさらに含んでもよい。
【００２８】
これによれば、導電材料を介して、配線と他の部材とを電気的に接続することができる。
【００２９】
（１３）このプラットフォームの製造方法において、
前記型に、前記配線と電気的に接続させて電子部品を搭載し、
前記成形材料で、前記光ファイバ及び前記配線とともに前記電子部品を封止してもよい。
【００３０】
これによれば、電子部品を内蔵するプラットフォームを得ることができる。
【００３１】
（１４）このプラットフォームの製造方法において、
前記型は、前記第１の領域と、前記第１の領域より低い位置に設けられる第２の領域と、前記第１及び前記第２の領域の間に設けられる第３の領域と、を有し、
前記配線を設ける工程では、前記配線を第１又は第２の領域と、第３との領域とに付着させてもよい。
【００３２】
これによれば、複数段形状の型によって、成形材料に、複数段形状の窪みを形成することができる。窪みには、光素子や半導体チップなどを搭載することができる。
【００３３】
（１５）本発明に係る光モジュールの製造方法は、上記方法によってプラットフォームを製造し、前記プラットフォームに光素子を搭載し、前記光素子と前記配線とを電気的に接続する工程を含む。
【００３４】
本発明によれば、上述したプラットフォームの製造方法で説明した作用効果を達成することができる。そして、配線による凸が形成されないプラットフォームに光素子を搭載することができる。
【００３５】
（１６）この光モジュールの製造方法において、
前記光素子を封止する樹脂を設ける工程を含んでもよい。
【００３６】
こうすることで、光素子を保護することができる。
【００３７】
（１７）この光モジュールの製造方法において、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂を形成してもよい。
【００３８】
（１８）この光モジュールの製造方法において、
上述した方法によって、第３の領域を有するプラットフォームを製造し、
前記プラットフォームの前記第３の領域に半導体チップを搭載する工程を含んでもよい。
【００３９】
本発明によれば、プラットフォームに複数段の窪みを形成することができ、窪みに光素子や半導体チップをコンパクトに収納することができる。
【００４０】
（１９）本発明に係るプラットフォームは、樹脂の成形体と、前記成形体から少なくとも一部が露出する配線と、を有し、一方の端面を露出させた光ファイバが前記成形体に固定されてなる。
【００４１】
本発明によれば、配線は、一部を除いて成形体に埋め込まれた形態であるから、配線による凸が形成されない。
【００４２】
（２０）このプラットフォームにおいて、
前記成形体に埋め込まれた金属製の支持部材をさらに有し、前記光ファイバは、前記支持部材にて支持されていてもよい。
【００４３】
これによれば、支持部材が金属製であって熱伝導性や導電性が高いので、その性質を活用することができる。
【００４４】
（２１）このプラットフォームにおいて、
前記成形体には、窪みが形成されてなり、
前記窪み内に前記光ファイバが前記一方の端面を露出させて固定されていてもよい。
【００４５】
なお、窪みを、光素子を収納できる大きさ及び深さで形成してもよい。
【００４６】
（２２）このプラットフォームにおいて、
前記光ファイバの前記露出する前記一方の端面は、前記成形体の前記窪みの底面から突出せずに位置してもよい。
【００４７】
これによれば、光ファイバの一方の端面が光素子と接触することを避けられる。
【００４８】
（２３）このプラットフォームにおいて、
前記窪みは、複数段を形成する複数の底面を有し、
各底面に前記配線の前記一部が露出していてもよい。
【００４９】
これによれば、窪みが複数段を形成しているので、各段に光素子や半導体チップなどを搭載することができる。
【００５０】
（２４）このプラットフォームにおいて、
前記成形体から底面が露出するように、前記配線に凹部が形成されていてもよい。
【００５１】
これによれば、凹部の底面で、配線と他の部材との電気的接続を図ることができる。
【００５２】
（２５）このプラットフォームにおいて、
前記配線に形成された前記凹部に、導電材料が充填されていてもよい。
【００５３】
これによれば、導電材料を介して、配線と他の部材とを電気的に接続することができる。
【００５４】
（２６）このプラットフォームにおいて、
前記成形体に、前記配線に電気的に接続された電子部品が内蔵されていてもよい。
【００５５】
これによれば、電子部品を内蔵するプラットフォームを得ることができる。
【００５６】
（２７）本発明に係る光モジュールは、上記プラットフォームと、
前記配線に電気的に接続されて前記プラットフォームに搭載された光素子と、
を有する。
【００５７】
本発明によれば、配線による凸が形成されないプラットフォームに、光素子が搭載される。配線は、樹脂の成形体に埋め込まれたことで保護されている。
【００５８】
（２８）この光モジュールにおいて、
前記光素子は、前記光ファイバの前記一方の端面と対向するように前記窪み内に搭載され、
前記光素子の前記光ファイバと対向する面とは反対の面と対向するように搭載され、前記配線と電気的に接続されてなる半導体チップをさらに前記窪み内に有してもよい。
【００５９】
本発明によれば、窪みが複数段を形成しており、窪みに光素子や半導体チップなどをコンパクトに収納することができる。
【００６０】
（２９）この光モジュールにおいて、
前記光素子を封止する樹脂をさらに有してもよい。
【００６１】
こうすることで、光素子を保護することができる。
【００６２】
（３０）この光モジュールにおいて、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂が形成されていてもよい。
【００６３】
（３１）本発明に係る光伝達装置は、上記複数のプラットフォームと、
各プラットフォームに搭載された光素子と、
各プラットフォームに取り付けられた光ファイバと、
を含み、
前記光素子は、受光素子又は発光素子であり、
前記光素子は、前記配線の前記露出部に電気的に接続されて搭載されてなる。
【００６４】
本発明によれば、配線による凸が形成されないプラットフォームに、光素子が搭載される。配線は、樹脂の成形体に埋め込まれたことで保護されている。
【００６５】
（３２）この光伝達装置において、
各プラットフォームに搭載された半導体チップをさらに有し、
前記光素子は、前記光ファイバの前記一方の端面と対向するように前記窪み内に搭載され、
前記半導体チップは、前記配線と電気的に接続され、前記光素子の前記光ファイバと対向する面とは反対の面と対向するように前記窪み内に搭載されていてもよい。
【００６６】
これによれば、窪みが複数段を形成しており、窪みに光素子や半導体チップなどをコンパクトに収納することができる。
【００６７】
（３３）この光伝達装置において、
前記光素子を封止する樹脂をさらに有してもよい。
【００６８】
こうすることで、光素子を保護することができる。
【００６９】
（３４）この光伝達装置において、
少なくとも前記光ファイバと前記光素子との間に、前記樹脂として、光を透過する特性を有する樹脂が形成されていてもよい。
【００７０】
（３５）この光伝達装置において、
前記受光素子に接続されるプラグと、
前記発光素子に接続されるプラグと、
をさらに含んでもよい。
【００７１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。
【００７２】
（第１の実施の形態）
図１〜図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図１に示す型１０を使用する。
【００７３】
型１０は、その表面に、第１の領域１２と、第２の領域１４と、を有する。例えば、型１０の上側において、第２の領域１４の中央部に第１の領域１２が位置する。言い換えると、第１の領域１２の周囲に第２の領域１４が位置する。第１の領域１２は、第２の領域１４よりも突出して形成されていてもよい。その場合、図１に示すように、第１及び第２の領域１２、１４は、第２の領域１４から傾斜した面（テーパ面）を以て接続されていることが好ましい。この形状によれば、後述する成形材料４０（図３参照）からの離型性がよい。あるいは、第１及び第２の領域１２、１４は、第２の領域１４から垂直に立ち上がる面を以て接続されていてもよい。
【００７４】
型１０は、樹脂、ガラス、セラミック又は金属で形成してもよいが、シリコン（例えばシリコンウエーハ）を使用すれば、エッチングによって微細加工ができる。エッチングの条件によって、第１及び第２の領域１２、１４を接続する面の形状（テーパ面あるいは垂直面）を決定してもよい。
【００７５】
第１の領域１２の表面は、ほぼ平坦に形成されている。第２の領域１４の表面も、ほぼ平坦に形成されている。第１の領域１２には穴１６が形成されている。穴１６は、後述する光ファイバ３０（図２参照）の先端部を挿入してその位置決めをするためのものである。したがって、穴１６は、精度よく形成することが好ましい。シリコンで型１０を形成するときには、エッチングによって穴１６も高精度で形成することができる。
【００７６】
本実施の形態では、図１に示すように、型１０に、配線２０、２２を設ける。詳しくは、配線２０、２２を、その端部を第１又は第２の領域１２、１４に付着させて設ける。
【００７７】
図１に示す配線２０は、ワイヤの両端部を、第１及び第２の領域１２、１４にボンディングして形成される。なお、第１の領域１２では、穴１６を避けてワイヤがボンディングされる。ワイヤは、半導体装置の製造に使用されるワイヤーボンダによってボンディングしてもよい。その場合、熱、圧力、超音波振動のうち少なくとも１つによってボンディングする。ワイヤは、金やアルミニウムからなるものであってもよい。
【００７８】
型１０が、シリコンなどの、ワイヤを構成する金属が付着しにくい材料で形成されている場合には、予め、型１０にボンディングパッド２４を形成しておくことが好ましい。ボンディングパッド２４は、導電膜あるいは、導電性でなくても、ワイヤを打つことができる膜であればよい。この場合は、ワイヤ及びボンディングパッド２４が一体化して配線２０となる。ボンディングパッド２４の表面は、ワイヤと同じ材料で形成してもよい。例えば、ワイヤが金からなるときには、クロムからなる膜と、その上の金からなる膜と、でボンディングパッド２４を形成してもよい。
【００７９】
図１に示す配線２２は、導電層である。導電層は、蒸着やメッキによって形成された金属箔であってもよい。メッキとして無電解メッキを適用するときには、触媒をインクジェット方式で吐出してもよい。導電層は、印刷、ポッティング又はインクジェット方式を適用して形成してもよい。導電層の材料は、導電性ペーストでもよい。金属箔からなる配線２２は、全長にわたって型１０に付着してもよい。導電性ペーストからなる配線２２は、端部が第１の領域１２に付着し、中間部が浮いた状態となって、他の端部が第２の領域１４に付着してもよい。
【００８０】
配線２０、２２は、型１０から剥離しやすいことが好ましい。例えば、配線２２を、スズなどのメッキで形成すれば剥離しやすい。または、印刷によって配線２２を形成した場合も、配線２２は比較的容易に剥離することができる。
【００８１】
次に、図２に示すように、光ファイバ３０を、型１０に先端を向けて配置する。例えば、光ファイバ３０の先端部を、型１０に形成された穴１６に挿入してもよい。こうすることで、穴１６によって光ファイバ３０の位置決めを行うことができる。
【００８２】
光ファイバ３０は、コアとこれを同心円状に囲むクラッドとを含むもので、コアとクラッドとの境界で光が反射されて、コア内に光が閉じこめられて伝搬するものである。また、クラッドの周囲は、ジャケットによって保護されることが多い。
【００８３】
必要であれば、型１０に離型剤（図示せず）を塗布しておく。離型剤（潤滑剤）は、次に述べる成形材料４０との密着性が低いものであり、離型剤を塗布することで、成形材料４０の型１０からの離型性が良くなる。
【００８４】
図３に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２及び光ファイバ３０を封止する。ワイヤをボンディングして形成する配線２０は、成形樹脂４０で封止されることで、ワイヤの切断が防止される。導電層によって形成する配線２２は、型１０との付着面を除いて成形材料４０で覆われる。
【００８５】
成形材料４０は、モールド樹脂であってもよい。その場合、型１０と、図示しない他の型とで形成されたキャビティに成形材料４０を充填する。あるいは、ポッティングによって成形材料４０を設けてもよい。
【００８６】
成形材料４０は、光ファイバ３０の先端面を避けて設けられる。穴１６に光ファイバ３０の先端部が挿入されることで、成形材料４０が光ファイバ３０の先端面を覆わないようになっている。穴１６は、光ファイバ３０を位置決めするのに必要な最低限の深さであることが好ましい。特に、穴１６は、第２の領域１４の表面よりも下に至らない深さで形成されることが好ましい。
【００８７】
成形材料４０の一部の表面形状は、型１０の第１及び第２の領域１２、１４の側の面によって加工される。詳しくは、第１の領域１２が第２の領域１４よりも突出しているため、成形材料４０に窪み４２が形成される。成形材料４０に離型剤を混入して、型１０との離型性を向上させてもよい。なお、成形材料４０がモールド樹脂であれば、キャビティを形成するために型１０とともに使用される他の型（図示せず）によっても、その表面形状が加工される。
【００８８】
次に、図４に示すように、成形材料４０を硬化させて型１０から剥離する。このとき、成形材料４０には光ファイバ３０が一体的に固着されている。また、成形材料４０とともに、配線２０、２２の型１０に対する付着面を、型１０から剥離する。配線２０は、ワイヤの端部の面又はボンディングパッド２４の面が、型１０から剥離される。導電層によって形成した配線２２は、その全長にわたって型１０に付着していたので、その全長にわたる面が型１０から剥離される。
【００８９】
こうして、プラットフォーム１が得られる。プラットフォーム１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み４２が形成されている。窪み４２は、光素子５０（図５参照）を収容できる大きさであることが好ましい。窪み４２の内側面にテーパが付けられていれば、光素子５０を入れやすい。また、成形体には、一部が露出する状態で配線２０、２２が埋め込まれている。配線２０は、ワイヤの端部の表面、あるいはワイヤの端部がボンディングされたボンディングパッド２４の表面が、成形体から露出している。配線２２は、その全長にわたる面が露出している。配線２０、２２は、窪み４２の内面（底面）と、窪み４２の周囲の面と、において露出している。すなわち、配線２０、２２は、上述した型１０の第１の領域１２にて形成された面に第１の露出部を有し、型１０の第２の領域１４にて形成された面に第２の露出部を有する。
【００９０】
成形体には、光ファイバ３０が、その先端面を露出させて成形体に固定されている。詳しくは、成形体に形成された窪み４２内で、光ファイバ３０がその先端面を露出させて固定されている。光ファイバ３０の端部は、窪み４２の底面から突出している。その突出長さは、光素子５０の光学的部分に接触しない長さであることが好ましい。
【００９１】
次に、図５に示すように、プラットフォーム１に光素子５０を搭載する。光素子５０は、発光素子であっても受光素子であってもよい。発光素子の一例として面発光素子、特に面発光レーザを使用することができる。面発光レーザなどの面発光素子は、表面から垂直方向に光を発する。光素子５０は、図示しない光学的部分を有する。光素子５０が発光素子であるときは、光学的部分は発光部であり、光素子５０が受光素子であるときは、光学的部分は受光部である。
【００９２】
光素子５０は、光学的部分が形成された側とその反対側とに、電極が形成されている場合が多い。すなわち、光素子５０には、表裏面に電極が形成されており、両方の電極間に電圧を印加するようになっている。なお、図５に示す光素子５０には、光学的部分が形成された側の電極にバンプ（又はハンダボール等）が設けられている。
【００９３】
図５に示すように、プラットフォーム１に形成された窪み４２に光素子５０を搭載する。窪み４２の深さ内に光素子５０を収容してもよい。図示しない光学的部分を、光ファイバ３０の露出した先端面に向けて、光素子５０をプラットフォーム１に搭載する。そして、光学的部分が形成された側の電極と、プラットフォーム１の配線２０、２２の露出部と、を電気的に接続（又は接合）する。
【００９４】
こうして、図５に示す光モジュール２が得られる。光モジュール２は、光素子５０の光学的部分が形成された側の電極が、配線２０、２２の第１の露出部（窪み４２内の露出部）に電気的に接続されている。したがって、光素子５０には、配線２０、２２の第２の露出部（プラットフォーム１の窪み４２の周囲に形成された露出部）から、電気的な接続をとることができる。また、光素子５０の裏面（光学的部分が形成された側とは反対側の面）にも、図示しない電極が形成されている。以上のことから、光モジュール２は、光ファイバ３０の導き出される方向とは反対側の面に、光素子５０に電圧を印加するための複数の外部端子（光素子５０の光学的部分とは反対側の電極と、配線２０、２２の第２の露出部）を有する。
【００９５】
図６に示すように、光モジュール２を基板６０に取り付けてもよい。基板６０には、配線パターン６２が形成されている。光モジュール２の複数の外部端子（光素子５０の光学的部分とは反対側の電極と、配線２０、２２の第２の露出部）と、配線パターン６２とは、導電材料６４によって電気的に接続されている。導電材料６４は、ハンダ等のろう材や、導電性ペーストであってもよいし、異方性導電膜や異方性導電ペーストであってもよい。
【００９６】
光素子５０を封止するために樹脂６６を設けることが好ましい。図６に示す例では、樹脂６６は、基板６０と光モジュール２との間に設けられるので、アンダーフィル材である。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間が形成されている場合には、少なくともその隙間に充填される樹脂６６は、透明樹脂である。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面とが密着しているときには、樹脂６６は光透過性を有していなくてもよい。
【００９７】
図７には、別の例となる光モジュール３を示す。光モジュール３は、プラットフォーム１に形成された窪み４２に樹脂６８を充填して形成される。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間が形成されている場合には、少なくともその隙間に充填される樹脂６８は、透明樹脂である。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面とが密着しているときには、樹脂６８は光透過性を有していなくてもよい。
【００９８】
図７に示す光モジュール３を、図８に示すように、基板６０に搭載してもよい。基板６０には配線パターン６２が形成されている。光モジュール３と配線パターン６２とが電気的に接続されている。光モジュール３は、光素子５０が樹脂６８にて封止されているので、基板６０に取り付けてからアンダーフィル材を充填することは必ずしも必要ではないが、充填してもよい。導電材料６４が導電性接着剤であれば、電気的な接続と接着を同時に行える。
【００９９】
以上説明したように、本実施の形態によれば、簡単な工程でプラットフォーム１を形成することができ、その工程に起因してプラットフォーム１には配線２０、２２による凸が形成されない。プラットフォーム１を有する光モジュール２、３は、配線２０、２２を有しているが、平坦な面の一部が電気的な接続部（露出部）となっている。したがって、光モジュール２、３を基板６０に取り付ける工程も行いやすい。
【０１００】
（第２の実施の形態）
図９〜図１２は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図９に示す型１１０を使用する。
【０１０１】
型１１０は、その表面に、第１の領域１１２と、第２の領域１１４と、を有する。第１の領域１１２には、上端面に穴１１６が形成された凸部１１８が形成されている。
【０１０２】
凸部１１８は、第１の領域１１２に、配線２０、２２を付着させる領域を残す大きさで形成されている。凸部１１８の上端面は平坦であってもよいし、凹凸があっても粗面であってもよい。
【０１０３】
穴１１６は、図１に示す穴１６と同様に、光ファイバ３０を、その先端部を挿入して位置決めするためのものである。穴１１６は、第１の領域１１２の高さよりも浅いことが好ましい。詳しくは、光ファイバ３０の先端部が穴１１６に挿入されたときに、光ファイバ３０の先端面が、第１の領域１１２の面よりも上に位置するように、穴１１６の深さを設定することが好ましい。
【０１０４】
型１１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。
【０１０５】
本実施の形態では、図９に示すように、型１１０に、配線２０、２２を設ける。その詳細は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１０６】
次に、図１０に示すように、光ファイバ３０を、型１１０に先端を向けて配置する。その詳細は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１０７】
そして、図１１に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２及び光ファイバ３０を封止する。成形材料４０の一部の表面形状は、型１１０の第１及び第２の領域１１２、１１４の側によって加工される。その詳細は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１０８】
また、本実施の形態では、第１の領域１１２に凸部１１８が形成されているので、成形材料４０に、凹部１４４が形成される。詳しくは、成形材料４０には、窪み１４２が形成され、窪み１４２内に凹部１４４が形成される。
【０１０９】
次に、図１２に示すように、成形材料４０を硬化させて型１１０から剥離する。このとき、成形材料４０には光ファイバ３０が一体的に固着されている。
【０１１０】
光ファイバ３０は、凹部１４４内に固定されている。光ファイバ３０の先端面は、窪み１４２の底面（型１１０の第１の領域１１２によって形成される面）から突出しないことが好ましい。こうすることで、光素子５０の光学的部分に光ファイバ３０の先端が接触することを避けられる。そのためには、図１０に示すように、型１１０の穴１１６に光ファイバ３０を挿入したときに、光ファイバ３０の先端面が、第１の領域１１２の面よりも深くならないように、穴１１６の形状を設定しておく。その他の詳細は、第１の形態で説明した内容が該当する。
【０１１１】
こうして、プラットフォーム１０１が得られる。プラットフォーム１０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み１４２が形成されている。光ファイバ３０の先端面は、窪み１４２の底面から突出しないようになっている。その他の構成は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１１２】
次に、図１３に示すように、プラットフォーム１０１に光素子５０を搭載して、光モジュール１０２が得られる。詳しくは、第１の実施の形態で説明した通りである。また、プラットフォーム１０１の光素子５０を搭載する面から光ファイバ３０の先端が突出しないので、光素子５０の光学的部分に光ファイバ３０が当たらない。
【０１１３】
図１４に示すように、光モジュール１０２を基板６０に取り付けてもよい。光素子５０を封止するために樹脂１６６を設けることが好ましい。図１４に示す例では、樹脂１６６は、基板６０と光モジュール１０２との間に設けられるので、アンダーフィル材である。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間（凹部１４４）が形成されているので、少なくともその隙間に充填される部分において、樹脂１６６は透明樹脂である。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１１４】
図１５には、別の例となる光モジュール１０３を示す。光モジュール１０３は、プラットフォーム１０１に形成された窪み１４２に樹脂１６８、１７０を充填して形成される。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間（凹部１４４）が形成されているので、少なくともその隙間に充填される樹脂１６８は、透明樹脂であり、それ以外の領域（窪み１４２）に充填される樹脂１７０は、光透過性を有しない樹脂であってもよい。
【０１１５】
図１５に示す光モジュール１０３を、図１６に示すように、基板６０に搭載してもよい。詳しくは、第１の実施の形態で説明した通りである。
【０１１６】
以上説明したように、本実施の形態によれば、プラットフォーム１０１における光素子５０の搭載面となる窪み１４２の底面から、光ファイバ３０が突出しない。したがって、光素子５０の光学的部分に光ファイバ３０が接触することを防止できる。その他の効果については、第１の実施の形態で説明した通りである。
【０１１７】
（第３の実施の形態）
図１７〜図２０は、本発明を適用した第３の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図１７に示す型２１０を使用する。
【０１１８】
型２１０は、その表面に、第１の領域２１２と、第２の領域２１４と、を有する。第２の領域２１４には、後述する支持部材２２０を取り付けるためのガイド２１６が形成されている。図１７に示すように、第２の領域２１４に突起又は壁を形成して区画された領域をガイド２１６としてもよいし、第２の領域２１４に穴又は凹部して、これをガイド２１６としてもよい。
【０１１９】
型２１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。本実施の形態では、図１７に示すように、型２１０に、配線２０、２２を設ける。その詳細は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１２０】
次に、図１８に示すように、支持部材２２０を型２１０に取り付ける。支持部材２２０は、光ファイバ３０を位置決めして支持するものである。例えば、支持部材２２０に光ファイバ３０を挿通する穴が形成されている。支持部材２２０と型２１０との位置はガイド２１６によって正確に決まるので、光ファイバ３０を型２１０に対して正確に位置決めすることができる。
【０１２１】
支持部材２２０を樹脂で形成する場合には、成形材料４０と同じ熱膨張率の樹脂で形成することが好ましい。支持部材２２０を熱伝導率の高い材料、例えば金属で形成すれば、支持部材２２０が放熱性を高めることができる。支持部材２２０を導電率の高い材料、例えば金属で形成して、支持部材２２０を一定電位（ＧＮＤ電位）に接続してもよい。
【０１２２】
そして、図１８に示すように、光ファイバ３０を、型２１０に先端を向けて配置する。型２１０の第１の領域２１２には穴が形成されていないので、光ファイバ３０を、その先端面を第１の領域２１２の表面に接触又は密着させて、配置することが好ましい。
【０１２３】
そして、図１９に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２及び光ファイバ３０を封止する。また、成形材料４０で、支持部材２０も封止する。成形材料４０の一部の表面形状は、型２１０の第１及び第２の領域２１２、２１４の側の面によって加工される。その詳細は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１２４】
次に、図２０に示すように、成形材料４０を硬化させて型２１０から剥離する。このとき、成形材料４０には光ファイバ３０が一体的に固着されている。
【０１２５】
光ファイバ３０の底面は、窪み２４２の底面（型２１０の第１の領域２１２によって形成される面）と面一になっている。その他の詳細は、第１の形態で説明した内容が該当する。
【０１２６】
こうして、プラットフォーム２０１が得られる。プラットフォーム２０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み２４２が形成されている。光ファイバ３０の先端面は、窪み２４２の底面と面一になっている。
【０１２７】
プラットフォーム２０１には、支持部材２２０が内蔵されている。支持部材２２０の熱伝導率が高ければプラットフォーム２０１の放熱性が向上する。また、支持部材２２０の導電率が高ければ、支持部材２２０を例えば一定電位に電気的に接続してもよい。例えばＧＮＤ電位に支持部材２２０を接続して、電気信号に影響を与える電磁気を支持部材２２０に流してもよい。電気的な接続のためには、支持部材２２０の一部が露出していることが好ましい。例えば、型２１０に取り付けたときに、支持部材２２０における型２１０との接触面が成形材料４０にて覆われないようにする。型２１０にガイド２１６が形成されているときには、ガイド２１６に支持部材２２０の端部を挿入しておけば、この端部がプラットフォーム２０１において露出する。プラットフォーム２０１について、その他の構成は、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１２８】
次に、図２１に示すように、プラットフォーム２０１に光素子５０を搭載して、光モジュール２０２が得られる。詳しくは、第１の実施の形態で説明した通りである。
【０１２９】
以上説明したように、本実施の形態によれば、プラットフォーム２０１における光素子５０の搭載面となる窪み２４２の底面から、光ファイバ３０が突出しない。したがって、光素子５０の光学的部分に光ファイバ３０が接触することを防止できる。その他の効果については、第１の実施の形態で説明した通りである。
【０１３０】
さらに、プラットフォーム２１０が支持部材２２０を内蔵しており、支持部材２２０はその材料に応じた利用が可能である。光モジュール２０２も、第１の実施の形態で説明したように、基板６０に取り付けてもよいし、樹脂で封止してもよい。詳しくは、第１の実施の形態で説明した通りである。
【０１３１】
（第４の実施の形態）
図２２〜図２５は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図２２に示す型３１０を使用する。
【０１３２】
型３１０は、その表面に、第１の領域３１２と、第２の領域３１４と、を有する。第１の領域３１２には、上端面に穴３１６が形成された凸部３１８が形成されている。凸部３１８及び穴３１６は、図９に示す凸部１１８及び穴１１６と同じ構成である。
【０１３３】
型３１０は、突起３２０を有する。突起３２０は、第１及び第２の領域３１２、３１４の少なくとも一方（図２２では両方）に形成されている。突起３２０は、配線２０、２２を上端面に付着させるためのものである。突起３２０によって、成形材料４０に、配線２０、２２が底面に露出する凹部３４６（図２５参照）が形成される。
【０１３４】
型３１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。
【０１３５】
本実施の形態では、図２２に示すように、型３１０に、配線２０、２２を設ける。詳しくは、突起３２０（例えばその上端面）に一部を付着させて、配線２０、２２を設ける。ワイヤを突起３２０にボンディングするときには、突起３２０に予めボンディングパッド２４を形成しておく。その他の内容は、第１の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【０１３６】
次に、図２３に示すように、光ファイバ３０を、型３１０に先端を向けて配置する。その詳細は、図１０に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１３７】
そして、図２４に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２及び光ファイバ３０を封止する。成形材料４０の一部の表面形状は、型３１０の第１及び第２の領域３１２、３１４の側の面によって加工される。その詳細は、図１１に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１３８】
次に、図２５に示すように、成形材料４０を硬化させて型３１０から剥離する。このとき、成形材料４０には光ファイバ３０が一体的に固着されている。その他の詳細は、第２の形態で説明した内容が該当する。
【０１３９】
こうして、プラットフォーム３０１が得られる。プラットフォーム３０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み３４２が形成されている。光ファイバ３０の先端部は、窪み３４２の底面に形成された凹部３４４内で突出するが、光ファイバ３０の先端面は、窪み３４２の底面から突出しないようになっている。
【０１４０】
プラットフォーム３０１には、配線２０、２２の一部が内面（側面又は底面）に露出する凹部３４６が形成されている。凹部３４６は、型３１０の突起３２０によって形成されたものである。その他の構成は、第２の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１４１】
次に、図２６に示すように、プラットフォーム３０１に光素子５０を搭載して、光モジュール３０２が得られる。光モジュール３０２は、プラットフォーム３０１に形成された窪み３４２に樹脂３６８、３７０を充填して形成される。光素子５０の光学的部分（図示せず）と光ファイバ３０の先端面との間に隙間（凹部３４４）が形成されているので、少なくともその隙間に充填される樹脂３６８は、透明樹脂であり、それ以外の領域（窪み３４２）に充填される樹脂３７０は、光透過性を有しない樹脂であってもよい。
【０１４２】
また、配線２０、２２が内面に露出していた凹部３４６には、図２６に示すように、導電材料３８０を充填してもよい。この状態では、配線２０、２２の一部は、露出せずに、凹部３４６の内面の一部を形成する。導電材料３８０は、ハンダ等のろう材であってもよいし、導電ペーストであってもよい。図２６に示す例では、光素子５０の電極（バンプ）が、窪み３４２内に形成された凹部３４６に充填された導電材料３８０に接合されている。
【０１４３】
図２７に示すように、光モジュール３０２には、外部との電気的接続を図るために、ハンダボールなどの外部端子３８２を設けてもよい。例えば、図２７に示すように、光素子５０における光ファイバ３０とは反対側に形成された電極（図示せず）に外部端子３８２を設ける。また、窪み３４２の周囲で、プラットフォーム３０１に形成された凹部３４６に充填された導電材料３８０に、外部端子３８２を設ける。光モジュール３０２は、第１の実施の形態で説明したように、基板に搭載してもよい。
【０１４４】
以上説明したように、本実施の形態によれば、第２の実施の形態で説明した効果に加えて、凹部３４６に導電材料３８０を充填してあるので、電気的な接続を図りやすい。
【０１４５】
（第５の実施の形態）
図２８〜図３１は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図２８に示す型４１０を使用する。
【０１４６】
型４１０は、その表面に、第１の領域４１２と、第２の領域４１４と、を有する。第１の領域４１２には、上端面に穴４１６が形成された凸部４１８が形成されている。凸部４１８及び穴４１６は、図９に示す凸部１１８及び穴１１６と同じ構成である。
【０１４７】
型３１０は、突起４２０を有する。突起４２０は、第１及び第２の領域４１２、４１４の少なくとも一方（図２８では両方）に形成されている。突起４２０は、配線２０、２２を表面（例えば上端面）に付着させるためのものである。突起４２０によって、成形材料４０に、配線２０、２２が内面（底面又は側面）に露出する凹部４４６（図３１参照）が形成される。また、配線２０、２２を付着させずに、電子部品を支持するための突起４２２を形成してもよい。
【０１４８】
型４１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。本実施の形態では、図２８に示すように、型４１０に、配線２０、２２を設ける。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。
【０１４９】
さらに、型４１０に、電子部品４３０を搭載する。電子部品４３０は、配線２０、２２に電気的に接続される。例えば、突起４２０に付着した配線２０、２２上に電子部品４３０を搭載したり、電子部品４３０に配線２０をボンディングする。電子部品４３０として、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム、ヒューズ、ペルチエ素子又はヒートパイプ等の冷却用部品などが挙げられる。
【０１５０】
次に、図２９に示すように、光ファイバ３０を、型４１０に先端を向けて配置する。その詳細は、図１０に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１５１】
そして、図３０に示すように、成形材料４０で、配線２０、２２、光ファイバ３０及び電子部品４３０を封止する。その詳細は、図１１に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１５２】
次に、図３１に示すように、成形材料４０を硬化させて型４１０から剥離する。詳しくは、第２の形態で説明した内容が該当する。
【０１５３】
こうして、プラットフォーム４０１が得られる。プラットフォーム４０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み４４２が形成されている。光ファイバ３０の先端部は、凹部４４４内で突出するが、窪み４４２の底面から突出しないようになっている。
【０１５４】
プラットフォーム４０１には、配線２０、２２の一部が内面（側面又は底面）に露出する凹部４４６が形成されている。凹部４４６は、型４１０の突起４２０によって形成されたものである。また、プラットフォーム４０１には、電子部品４３０を支持するための突起４２２によっても凹部４４８が形成されている。電子部品４３０の電極が突起４２２上に載せられるのであれば、凹部４４８内に電子部品４３０の電極が凹部４４８内に露出する。その他の構成は、第２の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１５５】
図３２に示すように、プラットフォーム４０１に光素子５０を搭載して、光モジュール４０２が得られる。光モジュール４０２は、プラットフォーム４０１に形成された窪み４４２に樹脂４６８、４７０を充填して形成される。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。
【０１５６】
また、凹部４４６には、図３２に示すように、導電材料４８０を充填してもよい。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。なお、凹部４４８にも導電材料４８０を充填してもよい。
【０１５７】
図３３に示すように、光モジュール４０２には、外部との電気的接続を図るために、ハンダボールなどの外部端子４８２を設けてもよい。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。光モジュール４０２は、第１の実施の形態で説明したように、基板に搭載してもよい。
【０１５８】
以上説明したように、本実施の形態によれば、第２の実施の形態で説明した効果に加えて、凹部４４６に導電材料４８０を充填してあるので、電気的な接続を図りやすい。また、本実施の形態に係るプラットフォーム４０１は、電子部品４３０を内蔵しており、成形体自体に電子部品４３０が封止されているので、品質の安定化を図ることができる。
【０１５９】
（第６の実施の形態）
図３４〜図３５は、本発明を適用した第６の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。本実施の形態では、図３４に示す型５１０を使用する。
【０１６０】
型５１０は、複数段を有する山形状をなし、その平面形状は円形であっても矩形であってもよい。型５１０は、第１の領域５１１と、第１の領域５１１よりも低く位置する第２の領域５１２と、第１及び第２の領域５１１、５１２の間の高さに位置する少なくとも１段（図３４では複数段）の第３の領域５１３と、を有する。
【０１６１】
第１の領域５１１には、上端面に穴５１６が形成された凸部５１８が形成されている。凸部５１８及び穴５１６は、図９に示す凸部１１８及び穴１１６と同じ構成である。
【０１６２】
型５１０は、突起５２０を有する。図３４に示す突起５２０は、第２及び第３の領域５１２、５１３に形成されているが、いずれか一方のみに形成されてもよく、第１の領域５１１に形成されてもよい。突起５２０は、配線２０、２２を表面（例えば上端面）に付着させるためのものである。突起５２０によって、成形材料４０に、配線２０、２２が内面（底面又は側面）に露出する凹部５４６（図３５参照）が形成される。
【０１６３】
型５１０について、その他の構成は、図１に示す型１０について説明した内容が該当する。本実施の形態では、図３４に示すように、型５１０に、配線２０、２２を設ける。
【０１６４】
例えば、複数の配線２０のそれぞれの一部（例えば一方の端部）を、第１又は第２の領域５１１、５１２に付着させ、他の一部（例えば他方の端部）を、第３の領域５１３に付着させる。または、複数段の第３の領域５１３に、いずれかの配線２０の両端部を付着させる。あるいは、第３の領域５１３をとばして、第１及び第２の領域５１１、５１２に、配線２０を付着させてもよい。なお、配線２０を付着させる前に、第１の実施の形態で説明したように、ボンディングパッド２４を形成しておいてもよい。また、型５１０に付着した配線２０の上に、他の配線２０を付着させてもよい。
【０１６５】
同様に、配線２２を、その一部を第１、２又は第３の領域５１１、５１２、５１３に付着させて設ける。図３４に示す例では、第１、２及び３の領域５１１、５１２、５１３に、連続的に配線２２が形成されている。これとは異なる例として、第１及び第３の領域５１１、５１３間にのみ、あるいは第３及び第２の領域５１３、５１２間にのみ配線２２を形成してもよい。
【０１６６】
さらに、型５１０に、電子部品５３０を搭載してもよい。電子部品５３０は、配線２０、２２に電気的に接続される。例えば、突起５２０に付着した配線２２上に電子部品５３０を搭載する。必要であれば、電子部品５３０の電極と、配線２０、２２とをワイヤ５３２などで電気的に接続してもよい。その他の詳細は、第５の実施の形態で説明した通りである。
【０１６７】
次に、光ファイバ３０を、型５１０に先端を向けて配置する。その詳細は、図１０に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１６８】
そして、成形材料４０で、配線２０、２２、光ファイバ３０及び電子部品５３０を封止し、成形体を型５１０から剥離して、図３５に示すプラットフォーム５０１を形成する。その詳細は、図１１〜図１２に示す形態と同様であるため説明を省略する。
【０１６９】
プラットフォーム５０１は、成形材料（例えば樹脂）４０からなる成形体を有する。成形体には、窪み５４２が形成されている。窪み５４２内には、複数の底面５５１〜５５３によって段が形成されている。最も深い底面５５１には、凹部５４４が形成されている。光ファイバ３０の先端部は、凹部５４４内で突出するが、光ファイバ３０の先端面は、最も深い底面５５１から突出しないようになっている。
【０１７０】
窪み５４２の底面５５１〜５５３に、配線２０、２２の一部が露出している。最も深い底面５５１には、底面５５１と面一で配線２０、２２が露出している。最も深い底面５５１以外の底面５５２、５５３には、配線２０、２２の一部が内面（側面又は底面）に露出する凹部５４６が形成されている。凹部５４６は、型５１０の突起５２０によって形成されたものである。また、プラットフォーム５０１の表面であって窪み５４２の周囲にも、凹部５４６が形成されている。
【０１７１】
凹部５４６には、図３６に示すように、導電材料５８０を充填してもよい。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。
【０１７２】
次に、図３６に示すように、プラットフォーム５０１に光素子５０を搭載する。詳しくは、光学的部分５２を光ファイバ３０の先端面に向けて、窪み５４２の最も深い底面５５１に光素子５０を搭載する。また、配線２０、２２の底面５５１に露出した部分と、光素子５０の電極（バンプ）とを電気的に接続する。例えば、フェースダウンボンディングを適用する。また、光素子５０と光ファイバ３０との間には、樹脂５６８を充填する。特に、光ファイバ３０の先端面と、光素子５０の光学的部分５２との間で、樹脂５６８は、光透過性を有する（透明である）。
【０１７３】
続いて、窪み５４２内で光素子５０よりも浅い位置に半導体チップ５６０、５６２を搭載する。半導体チップ５６０、５６２は、光素子５０を駆動するためのものである。半導体チップ５６０、５６２には、光素子５０を駆動するための回路が内蔵されている。半導体チップ５６０、５６２には、内部の回路に電気的に接続された複数の電極（又はパッド）が形成されている。なお、半導体チップの代わりに、半導体を使用しないで形成された回路を内蔵するチップを適用しても、同じ作用効果を達成することができる。
【０１７４】
最も深い底面５５１以外の底面５５２、５５３に、半導体チップ５６０、５６２を搭載する。底面５５２、５５３は、型５１０の第３の領域５１３によって形成された面である。また、配線２０、２２の底面５５２、５５３に露出した部分と、半導体チップ５６０の電極（バンプ）とを電気的に接続する。配線２０、２２は、底面５５２、５５３に形成された凹部５４６（図３５参照）内で露出している。あるいは、配線２０、２２の一部は、底面５５２、５５３に形成された凹部５４６（図３５参照）の内壁面の一部を形成している。
【０１７５】
光素子５０及び半導体チップ５６０、５６２は、樹脂５７０によって封止する。すなわち、窪み５４２に樹脂５７０を充填する。光素子５０の光学的部分５２と光ファイバ３０の先端面との間の隙間が、透明な樹脂５６８によって埋められていれば、樹脂５７０は光透過性を有していてもいなくてもよい。
【０１７６】
こうして、光モジュール５０２が得られる。光モジュール５０２には、外部との電気的接続を図るために、ハンダボールなどの外部端子５８２を設けてもよい。詳しくは、第４の実施の形態で説明した通りである。光モジュール５０２は、第１の実施の形態で説明したように、基板に搭載してもよい。
【０１７７】
以上説明したように、本実施の形態によれば、他の実施の形態で説明した効果に加えて、光モジュール５０２に、半導体チップ５６０、５６２をコンパクトに内蔵させることができる。
【０１７８】
（第７の実施の形態）
図３７は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る光モジュールを示す図である。この光モジュールは、複数の光素子５０と、複数の光ファイバ３０と、を含む。各光ファイバ３０は各光素子５０に対応して設けられている。図３７に示す例は、４つの光素子５０を有する光モジュールであり、これをカラー画像信号の伝送に使用するときには、光素子５０及び光ファイバ３０は、Ｒ、Ｇ、Ｂの信号及びクロック信号の送受信に使用される。
【０１７９】
本実施の形態に係る光モジュールは、上述した他の実施の形態で説明した型を複数組み合わせた形状の型を使用して、上述した光モジュールの製造方法によって製造することができる。例えば、図３７に示す光モジュールは、図１に示す型１０を４つ並べた型を使用し、第１の実施の形態で説明した方法で製造することができる。
【０１８０】
（第８の実施の形態）
図３８は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。光伝送装置５９０は、コンピュータ、ディスプレイ、記憶装置、プリンタ等の電子機器５９２を相互に接続するものである。電子機器５９２は、情報通信機器であってもよい。光伝送装置５９０は、ケーブル５９４の両端にプラグ５９６が設けられたものであってもよい。ケーブル５９４は、１つ又は複数（少なくとも一つ）の光ファイバ３０（図２参照）を含む。プラグ５９６は、半導体チップを内蔵してもよい。
【０１８１】
光ファイバ３０の一方の端部に接続される光素子５０は、発光素子である。一方の電子機器５９２から出力された電気信号は、発光素子である光素子５０によって光信号に変換される。光信号は光ファイバ３０を伝わり、他方の光素子５０に入力される。この光素子５０は、受光素子であり、入力された光信号が電気信号に変換される。電気信号は、他方の電子機器５９２に入力される。こうして、本実施の形態に係る光伝達装置５９０によれば、光信号によって、電子機器５９２の情報伝達を行うことができる。
【０１８２】
（第９の実施の形態）
図３９は、本発明を適用した第９の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。光伝送装置５９０は、電子機器６００間を接続する。電子機器６００として、液晶表示モニター又はディジタル対応のＣＲＴ（金融、通信販売、医療、教育の分野で使用されることがある。）、液晶プロジェクタ、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ディジタルＴＶ、小売店のレジ（ＰＯＳ（Point of Sale Scanning）用）、ビデオ、チューナー、ゲーム装置、プリンター等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図５】図５は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図７】図７は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図９】図９は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明を適用した第３の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明を適用した第３の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図１９】図１９は、本発明を適用した第３の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２０】図２０は、本発明を適用した第３の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２１】図２１は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２２】図２２は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２３】図２３は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２４】図２４は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２５】図２５は、本発明を適用した第４の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２６】図２６は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２７】図２７は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図２８】図２８は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図２９】図２９は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３０】図３０は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３１】図３１は、本発明を適用した第５の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３２】図３２は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図３３】図３３は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図３４】図３４は、本発明を適用した第６の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３５】図３５は、本発明を適用した第６の実施の形態に係るプラットフォームの製造方法を示す図である。
【図３６】図３６は、本発明を適用した第６の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図３７】図３７は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る光モジュールの製造方法を示す図である。
【図３８】図３８は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る光伝達装置を示す図である。
【図３９】図３９は、本発明を適用した第９の実施の形態に係る光伝達装置の使用形態を示す図である。
【符号の説明】
１  プラットフォーム
２  光モジュール
３  光モジュール
１０  型
１２  第１の領域
１４  第２の領域
１６  穴
２０  配線
２２  配線
２４  ボンディングパッド
３０  光ファイバ
４０  成形材料
４２  窪み
５０  光素子
５２  光学的部分
１０１  プラットフォーム
１０２  光モジュール
１０３  光モジュール
１１０  型
１１２  第１の領域
１１４  第２の領域
１１６  穴
１１８  凸部
１４２  窪み
１４４  凹部
１６６  樹脂
１６８  樹脂
１７０  樹脂
２０１  プラットフォーム
２０２  光モジュール
２１０  型
２１２  第１の領域
２１４  第２の領域
２２０  支持部材
２４２  窪み
３０１  プラットフォーム
３０２  光モジュール
３１０  型
３１２  第１の領域
３１４  第２の領域
３１６  穴
３１８  凸部
３２０  突起
３４２  窪み
３４４  凹部
３４６  凹部
３６８  樹脂
３７０  樹脂
３８０  導電材料
４０１  プラットフォーム
４０２  光モジュール
４１０  型
４１２  第１の領域
４１４  第２の領域
４１６  穴
４１８  凸部
４２０  突起
４２２  突起
４３０  電子部品
４４２  窪み
４４４  凹部
４４６  凹部
４６８  樹脂
４７０  樹脂
４８０  導電材料
５０１  プラットフォーム
５０２  光モジュール
５１０  型
５１１  第１の領域
５１２  第２の領域
５１３  第３の領域
５１６  穴
５１８  凸部
５２０  突起
５３０  電子部品
５４２  窪み
５４４  凹部
５４６  凹部
５６０  半導体チップ
５６２  半導体チップ
５６８  樹脂
５７０  樹脂
５８０  導電材料
【図１】
0003865036.tif 000002
【図２】
0003865036.tif 000003
【図３】
0003865036.tif 000004
【図４】
0003865036.tif 000005
【図５】
0003865036.tif 000006
【図６】
0003865036.tif 000007
【図７】
0003865036.tif 000008
【図８】
0003865036.tif 000009
【図９】
0003865036.tif 000010
【図１０】
0003865036.tif 000011
【図１１】
0003865036.tif 000012
【図１２】
0003865036.tif 000013
【図１３】
0003865036.tif 000014
【図１４】
0003865036.tif 000015
【図１５】
0003865036.tif 000016
【図１６】
0003865036.tif 000017
【図１７】
0003865036.tif 000018
【図１８】
0003865036.tif 000019
【図１９】
0003865036.tif 000020
【図２０】
0003865036.tif 000021
【図２１】
0003865036.tif 000022
【図２２】
0003865036.tif 000023
【図２３】
0003865036.tif 000024
【図２４】
0003865036.tif 000025
【図２５】
0003865036.tif 000026
【図２６】
0003865036.tif 000027
【図２７】
0003865036.tif 000028
【図２８】
0003865036.tif 000029
【図２９】
0003865036.tif 000030
【図３０】
0003865036.tif 000031
【図３１】
0003865036.tif 000032
【図３２】
0003865036.tif 000033
【図３３】
0003865036.tif 000034
【図３４】
0003865036.tif 000035
【図３５】
0003865036.tif 000036
【図３６】
0003865036.tif 000037
【図３７】
0003865036.tif 000038
【図３８】
0003865036.tif 000039
【図３９】
0003865036.tif 000040