(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
壁面に設けられた窓部に対向するように被処理物が配置されるプラズマ処理室と、
マイクロ波電源から出力されたマイクロ波を前記プラズマ処理室に放射するためのマイクロ波放射器と、
前記マイクロ波放射器内に設けられ、マイクロ波の伝搬方向を変えるためのフェライトコアと、
前記フェライトコアに磁界を印加するための磁場発生手段と
を備え、
前記フェライトコアは、前記マイクロ波放射器のマイクロ波伝播方向に対する中心を境にしてマイクロ波の磁界ベクトルに平行な面における左側部と右側部とを有し、
前記磁場発生手段は、前記フェライトコアの左側部及び右側部に互いに逆方向の直流磁界を外部から印加するようにしたプラズマ処理装置。
【請求項２】
壁面に設けられた窓部に対向するように被処理物が配置されるプラズマ処理室と、
マイクロ波電源から出力されたマイクロ波を前記プラズマ処理室に放射するためのマイクロ波放射器と、
前記マイクロ波放射器内に設けられ、マイクロ波の伝搬方向を変えるためのフェライトコアと、
前記フェライトコアに磁界を印加するための磁場発生手段と
を備え、
前記フェライトコアは、前記マイクロ波放射器のマイクロ波入力側に近い位置に、かつ、マイクロ波放射器の中心軸上又は付近に、ひとつ又は複数対向して配設され、
前記磁場発生手段は、マイクロ波の伝搬方向を周期的に変えるように前記フェライトコアに外部から交流磁界を印加するようにしたプラズマ処理装置。
【請求項３】
壁面に設けられた窓部に対向するように被処理物が配置されるプラズマ処理室と、
マイクロ波電源から出力されたマイクロ波を前記プラズマ処理室に放射するためのマイクロ波放射器と、
前記マイクロ波放射器内に設けられ、マイクロ波の伝搬方向を変えるためのフェライトコアと、
前記フェライトコアに磁界を印加するための磁場発生手段と
を備え、
前記フェライトコアは、前記マイクロ波放射器の管壁付近に配設し、
前記磁場発生手段は、前記フェライトコアに外部から直流磁界を印加するようにしたプラズマ処理装置。
【請求項４】
壁面に設けられた窓部に対向するように被処理物が配置されるプラズマ処理室と、
マイクロ波電源から出力されたマイクロ波を前記プラズマ処理室に放射するためのマイクロ波放射器と、
前記マイクロ波放射器内に設けられ、マイクロ波の伝搬方向を変えるためのフェライトコアと、
前記フェライトコアに磁界を印加するための磁場発生手段と
を備え、
前記フェライトコアは、前記マイクロ波放射器の中心軸上又は付近にマイクロ波の入力側から出力側に向かい棒状に配設され、
前記磁場発生手段は、前記フェライトコアの磁化方向がマイクロ波の入力側から出力側に向かうように直流磁界を印加するようにしたプラズマ処理装置。
【請求項５】
壁面に設けられた窓部に対向するように被処理物が配置されるプラズマ処理室と、
マイクロ波電源から出力されたマイクロ波を前記プラズマ処理室に放射するためのマイクロ波放射器と、
前記マイクロ波放射器内に設けられ、マイクロ波の伝搬方向を変えるためのフェライトコアと、
前記フェライトコアに磁界を印加するための磁場発生手段と
を備え、
前記マイクロ波放射器は、電源側導波管部とプラズマ処理室側導波管部とを備え、不連続部を含みステップ状に構成され、
マイクロ波のＨ面同士が平行に形成され、両Ｅ面がマイクロ波の進行方向に沿って不連続な段差状に伸長されて形成され、かつ、マイクロ波放射器の出力側開口部が細長い矩形のスリットを形成し、
前記電源側導波管部にひとつのモードのマイクロ波を入射し、
前記磁場発生手段により印加される磁場を調整することにより、前記プラズマ処理室側導波管部に複数のモードのマイクロ波を伝搬させるプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記マイクロ波放射器は、平行部とテーパー部を備え、
マイクロ波のＨ面同士が平行に形成され、両Ｅ面がマイクロ波の進行方向に沿って扇形に伸長されて形成され、かつマイクロ波放射器の出力側開口部が細長い矩形のスリットを形成していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記マイクロ波放射器は、電源側導波管部とプラズマ処理室側導波管部とを備え、不連続部を含みステップ状に構成され、
マイクロ波のＨ面同士が平行に形成され、両Ｅ面がマイクロ波の進行方向に沿って不連続な段差状に伸長されて形成され、かつ、マイクロ波放射器の出力側開口部が細長い矩形のスリットを形成していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記電源側導波管部にひとつのモードのマイクロ波を入射し、
前記磁場発生手段により印加される磁場を調整することにより、前記プラズマ処理室側導波管部に複数のモードのマイクロ波を伝搬させることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記プラズマ処理室内に配置された被処理物と前記プラズマ処理室の窓部との間の空間に磁界を発生するための手段又は、サイクロトロン共鳴を発生させるための手段が設けられていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜形成、表面改質およびエッチング等の処理を、大面積の被処理物に対し、均一かつ高速に行うためのプラズマ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体および液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造工程におけるエッチング、アッシング、化学蒸着方（ＣＶＤ）等にマイクロ波を用いたプラズマ装置が用いられている。図３１は、従来のプラズマ処理装置の概略構成図である。また、図３２は、図３１のＩ−Ｉ線断面図である。この装置は、マイクロ波電源１、アイソレータ２、方向性結合器３、インピーダンス整合器４、プラズマ処理をおこなう直方体状のプラズマ処理室７、プラズマ処理室の側面に取付けたプラズマ室結合用矩形導波管８、終端装置９を備える（Jpn. J.Appl. Phys. 32 (1993) L802 参照）。
【０００３】
プラズマ処理室７は、図３２に示すように、矩形導波管８側の側壁７ａに導波管８の管軸方向に沿って細長い矩形状の窓部７ｂが設けられ、この窓部７ｂは石英等の材質からなるマイクロ波透過窓１１により真空封じされている。このマイクロ波透過窓を介して、窓部７ｂは矩形導波管８のＥ面８ａに対向させた状態で配置されている。ここでＥ面とは、矩形導波管内の電界ベクトルの方向に平行な側面である。また、プラズマ処理室７には排気口７ｃが設けられ、この排気口は図示しない真空ポンプに接続されており、またプラズマ処理室７の１つの壁部を気密に貫通させてプロセスガス導入パイプ１２が取り付けられている。このプラズマ処理室７内には、シート状の被処理物１３が巻かれたローラ１４と、処理が終了した被処理物を巻き取る巻取りローラ１５とが対向配置され、被処理物１３は窓部７ｂに対向配置されている。
【０００４】
プラズマ室結合用矩形導波管８には、Ｅ面８ａに管軸方向に伸びるスロット８ｂが設けられている。このスロット８ｂは、プラズマ室７の窓部７ｂの長手方向とほぼ等しい長さを有するが、その幅寸法は、窓部７ｂの幅寸法よりも小さく設定されている。結合用矩形導波管８は、スロット８ｂをプラズマ処理室７の窓部７ｂに対向させた状態で電気的に接続されている。
【０００５】
終端装置９は、プラズマ処理室７側に供給されなかった余分なマイクロ波を吸収するマイクロ波吸収体から構成され、マイクロ波吸収体として水を用いている。プラズマ処理室７に伝搬しなかった余分なマイクロ波は、導入口９ａから導入した水に吸収させ、マイクロ波により加熱された水を排出口９ｂから排水させるようになっている。
【０００６】
このような従来のプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理について、以下に説明する。まず、プラズマ処理室７内に被処理物１３をセットした後、プラズマ処理室７内を高真空状態にする。その後プロセスガス導入パイプ１２から、プラズマ処理室７内に所定のプロセスガスを、プラズマ処理室内が所定の圧力になるまで供給する。この状態でマイクロ波電源１から、アイソレータ２、方向性結合器３、インピーダンス整合器４、を通してプラズマ室結合用矩形導波管８の一端にマイクロ波を供給すると、矩形導波管８内に進入したマイクロ波は、スロット８ｂから放射されてプラズマ処理室７の窓部７ｂを通してプラズマ処理室７内に伝搬し、プラズマ処理室内のプロセスガスをプラズマ化して、プラズマ処理室７の窓部７ｂに沿って帯状のプラズマを生成する。このプラズマを被処理物１３に照射しつつ、被処理物１３をローラ１５により巻き取り移動させることにより、広い面積に渡る処理を連続的に行わせることができる。
【０００７】
なお、特に、プラズマ処理室７の窓部７ｂと被処理物１３との間の空間に磁界を発生させる手段として電磁石１０ｃを設けると、プラズマ中の電子及びイオンがこの磁界により力を受けて螺旋運動する。その結果、反応性ガスの電離および励起の頻度が高められ、被処理物に照射されるプラズマ密度が高められる。さらに、上記空間内に電子サイクロトロン共鳴を生じさせるように、例えば永久磁石１０ａ、１０ｂを併用して用いることで、プラズマ密度を飛躍的に高めることができる。また、上記磁界を窓部７ｂからプラズマ処理室の中央部に向かうような発散磁界となるように設定することにより、プラズマを被処理物１３に効率よく照射させることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、図３３は、図３１のスロットの長手方向に対するマイクロ波電界強度の分布を示す図である。従来技術によるプラズマ処理装置では、長さＡ−Ｂのスロット８ｂからプラズマ処理室７に放射されるマイクロ波電界は、図３３に示されるように、プラズマ処理室７の長手方向に山谷を有した不均一な分布となっている。これは、導波管の側壁に設けられたスロットから放射されるマイクロ波が、自由空間波長λ0に対応した強弱を有する放射パターンとなることに起因する。従って、均一性の高いプラズマが要求されるにも拘わらず、発生するプラズマの分布は不均一となり、被処理物の広い面積に渡る均一処理が難しいという課題があった。
【０００９】
さらに、プラズマ室結合用矩形導波管８に入力されるマイクロ波電力のうち、スロット８ｂからプラズマ処理室７に放射されなかった電力は、矩形導波管８を通って終端装置９内のマイクロ波吸収体に消費されて全て電力損失となるため、電力の使用効率が悪いと共に、生成されるプラズマ密度が低くなるという課題があった。
【００１０】
本発明は、以上の点に鑑み、被処理物に対して広い面積に亘って均一にプラズマ処理することができ、しかもマイクロ波電力使用効率を従来例に比較して改善することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、導波管の終端部をマイクロ波放射器とし、しかもマイクロ波放射器の出力側開口部が被処理物の寸法に応じた細長い矩形のスリットを形成することにより、導波管の側壁にスロットを設けた場合に見られるマイクロ波電界分布に自由空間波長の２分の１毎の強弱が現れる現象が生じないようにすることを目的とする。
また、本発明は、マイクロ波放射器内部に配設したフェライトコアの材質、形状および寸法と、そこに印加する直流磁界の値を適切に設定することで、マイクロ波の伝搬方向およびマイクロ波の電界分布を適時調整できるようにし、プラズマ処理室へ放射されるマイクロ波の電力分布をプラズマ処理室の窓部の長辺方向に沿って均一にすることを目的とする。そして、本発明は、幅広い領域に渡りプラズマ密度の分布を均一にすることを目的とする。
さらに、本発明は、導波管の終端部からマイクロ波を放射する方式であるので、マイクロ波の使用効率が向上され生成されるプラズマの密度を高めることを目的とする。そして、本発明は、直線状プラズマを照射しつつ被処理物を移動させることにより、広い面積を均一にしかも高速にプラズマ処理することを目的とする。
【００１１】
本発明の第１の解決手段によると、
壁面に設けられた窓部に対向するように被処理物が配置されるプラズマ処理室と、
マイクロ波電源から出力されたマイクロ波を前記プラズマ処理室に放射するためのマイクロ波放射器と、
前記マイクロ波放射器内に設けられ、マイクロ波の伝搬方向を変えるためのフェライトコアと、
前記フェライトコアに磁界を印加するための磁場発生手段と
を備え、
前記フェライトコアは、前記マイクロ波放射器のマイクロ波伝播方向に対する中心を境にしてマイクロ波の磁界ベクトルに平行な面における左側部と右側部とを有し、
前記磁場発生手段は、前記フェライトコアの左側部及び右側部に互いに逆方向の直流磁界を外部から印加するようにしたプラズマ処理装置が提供される。
本発明の第２の解決手段によると、
壁面に設けられた窓部に対向するように被処理物が配置されるプラズマ処理室と、
マイクロ波電源から出力されたマイクロ波を前記プラズマ処理室に放射するためのマイクロ波放射器と、
前記マイクロ波放射器内に設けられ、マイクロ波の伝搬方向を変えるためのフェライトコアと、
前記フェライトコアに磁界を印加するための磁場発生手段と
を備え、
前記フェライトコアは、前記マイクロ波放射器のマイクロ波入力側に近い位置に、かつ、マイクロ波放射器の中心軸上又は付近に、ひとつ又は複数対向して配設され、
前記磁場発生手段は、マイクロ波の伝搬方向を周期的に変えるように前記フェライトコアに外部から交流磁界を印加するようにしたプラズマ処理装置が提供される。
本発明の第３の解決手段によると、
壁面に設けられた窓部に対向するように被処理物が配置されるプラズマ処理室と、
マイクロ波電源から出力されたマイクロ波を前記プラズマ処理室に放射するためのマイクロ波放射器と、
前記マイクロ波放射器内に設けられ、マイクロ波の伝搬方向を変えるためのフェライトコアと、
前記フェライトコアに磁界を印加するための磁場発生手段と
を備え、
前記フェライトコアは、前記マイクロ波放射器の管壁付近に配設し、
前記磁場発生手段は、前記フェライトコアに外部から直流磁界を印加するようにしたプラズマ処理装置が提供される。
本発明の第４の解決手段によると、
壁面に設けられた窓部に対向するように被処理物が配置されるプラズマ処理室と、
マイクロ波電源から出力されたマイクロ波を前記プラズマ処理室に放射するためのマイクロ波放射器と、
前記マイクロ波放射器内に設けられ、マイクロ波の伝搬方向を変えるためのフェライトコアと、
前記フェライトコアに磁界を印加するための磁場発生手段と
を備え、
前記フェライトコアは、前記マイクロ波放射器の中心軸上又は付近にマイクロ波の入力側から出力側に向かい棒状に配設され、
前記磁場発生手段は、前記フェライトコアの磁化方向がマイクロ波の入力側から出力側に向かうように直流磁界を印加するようにしたプラズマ処理装置が提供される。
本発明の第５の解決手段によると、
壁面に設けられた窓部に対向するように被処理物が配置されるプラズマ処理室と、
マイクロ波電源から出力されたマイクロ波を前記プラズマ処理室に放射するためのマイクロ波放射器と、
前記マイクロ波放射器内に設けられ、マイクロ波の伝搬方向を変えるためのフェライトコアと、
前記フェライトコアに磁界を印加するための磁場発生手段と
を備え、
前記マイクロ波放射器は、電源側導波管部とプラズマ処理室側導波管部とを備え、不連続部を含みステップ状に構成され、
マイクロ波のＨ面同士が平行に形成され、両Ｅ面がマイクロ波の進行方向に沿って不連続な段差状に伸長されて形成され、かつ、マイクロ波放射器の出力側開口部が細長い矩形のスリットを形成し、
前記電源側導波管部にひとつのモードのマイクロ波を入射し、
前記磁場発生手段により印加される磁場を調整することにより、前記プラズマ処理室側導波管部に複数のモードのマイクロ波を伝搬させるプラズマ処理装置が提供される。
【００１２】
本発明は、特に、マイクロ波電源と、マイクロ波電源から出力されたマイクロ波を導入する矩形導波管と、矩形導波管の終端部に設けたマイクロ波放射器と、壁面に細長い窓部を設けて窓部に対向するように被処理物が配置されたプラズマ処理室とを備え、
前記マイクロ波放射器の出力側開口部がプラズマ処理室の細長い窓部に対向して電気的に接続され、かつ矩形導波管とマイクロ波放射器との間に整合用変成器を具備し、
前記矩形導波管に導入されたマイクロ波が前記窓部を通して放射することでプラズマを生成させ、被処理物に対して所定の処理を行うプラズマ処理装置に関するものである。
【００１３】
本発明においては、マイクロ波放射器がテーパー状に構成され、Ｈ面同士が平行に形成され、両Ｅ面がマイクロ波の進行方向に沿って扇形に伸長されて形成され、かつマイクロ波放射器の出力側開口部が細長い矩形のスリットを形成することができる。また、マイクロ波放射器内にマイクロ波の伝搬方向を変えるためのフェライトコアが配設され、前記フェライトコアに外部から直流磁界を印加するための磁場発生手段を具備することができる。
【００１４】
この場合、フェライトコアの材質、形状、寸法ならびに直流磁界の値を調整することにより、マイクロ波放射器からプラズマ処理室の細長い窓部に供給されるマイクロ波電力分布を所望の形状に任意の変えることができ、従ってプラズマ処理室の窓部に沿って帯状に、しかもイオン分布密度の均一性が高いプラズマを生成させることができる。
【００１５】
また、本発明は、マイクロ波放射器がステップ状に構成され、Ｈ面同士が平行に形成され、両Ｅ面がマイクロ波の進行方向に沿って不連続な段差状に伸長されて形成され、上記不連続部を境にして電源側導波管部とプラズマ処理室側導波管部とからなり、電源側導波管部の中心軸とプラズマ処理室側導波管部の中心軸とを一致させると共に、プラズマ処理室側導波管部の長辺の長さをマイクロ波の自由空間波長λ0の3/2以上とし、かつマイクロ波放射器の出力側開口部が細長い矩形のスリットを形成することができる。また、マイクロ波放射器内にマイクロ波の伝搬方向を変えるためのフェライトコアが配設され、前記フェライトコアに外部から直流磁界を印加するための磁場発生手段を具備することができる。
【００１６】
この場合、フェライトコアの材質、形状、寸法ならびに直流磁界の値を調整することにより、前記プラズマ処理室側導波管部を伝搬するマイクロ波の波数ベクトルの方向を任意に変えることで、高次のＴＥm0（m=3,5,7 …）モードのマイクロ波を任意の割合にて伝搬させることができる。このプラズマ処理室側導波管部の長辺の長さを、例えば（λ0／２）・３以上、（λ0／２）・５未満と設計した場合、マイクロ波放射器からプラズマ処理室の細長い窓部に供給されるマイクロ波電力分布を、ＴＥ10とＴＥ30との２つのモードの分布を任意に重ね合わせた形状に変えることができ、従ってプラズマ処理室の窓部に沿って帯状に、しかもイオン密度分布の均一性が高いプラズマを生成させることができる。
【００１７】
また、本発明は、マイクロ波放射器と、マイクロ波放射器内のマイクロ波入力側に近い位置に、しかもマイクロ波放射器の中心軸上にフェライトコアが配設され、マイクロ波の伝搬方向を周期的に変えるように前記フェライトコアに外部から交流磁界を印加するための磁場発生手段を具備するようにしてもよい。
【００１８】
この場合、フェライトコアの材質、形状、寸法ならびに交流磁界の振幅および周期を調整することにより、プラズマ処理室側導波管部を伝搬するマイクロ波の波数ベクトルの方向を時間的、空間的に振動させることができる。また、振動の周期は、印加する交流磁界の周期に対応して任意に設定でき、従ってマイクロ波放射器からプラズマ処理室の細長い窓部に供給されるマイクロ波電力分布の時間平均値を平坦化できる。
さらに、上記振動周期をプラズマ減衰時定数よりも十分短く設定することで、プラズマ処理室の窓部に沿って帯状に、しかもイオン密度分布の均一性が高いプラズマを生成させることができる。
【００１９】
また、本発明は、マイクロ波放射器と、マイクロ波放射器内に於けるマイクロ波の高周波磁界が集中している管壁付近にフェライトコアを配設し、前記フェライトコアに外部から直流磁界を印加するための磁場発生手段を具備するようにしてもよい。
【００２０】
この場合、フェライトコアの材質、形状、寸法ならびに印加磁界の値を調整することにより、前記フェライトコア外に在るマイクロ波電界をフェライトコア内へ偏移させることができ、従ってマイクロ波放射器からプラズマ処理室の細長い窓部に供給されるマイクロ波電力分布を均一化できる。それ故、プラズマ処理室の窓部に沿って帯状に、しかもイオン密度分布の均一性が高いプラズマを生成させることができる。
【００２１】
さらに、本発明は、テーパー状のマイクロ波放射器と、マイクロ波放射器の中心軸上にマイクロ波の入力側から出力側に向かい棒状のフェライトコアが配設され、前記フェライトコアの磁化方向がマイクロ波の入力側から出力側へ向かうように直流磁界を印加するための磁場発生手段を具備するようにしてもよい。
【００２２】
この場合、フェライトコアの材質、形状、寸法ならびに直流磁界の値を調整することにより、前記フェライトコア内に在るマイクロ波電界をフェライトコア外へ偏移させることができ、従ってマイクロ波放射器からプラズマ処理室の細長い窓部に供給されるマイクロ波電力分布を所望の形状に任意に変えることができる。それ故、プラズマ処理室の窓部に沿って帯状に、しかもイオン密度分布の均一性が高いプラズマを生成させることができる。
【００２３】
さらに、本発明は、上述のようなマイクロ波放射器を有するプラズマ処理装置において、プラズマ処理室の窓部と被処理物との間の空間に磁界を発生する磁界発生手段を具備することができ、また、電子サイクロトロン共鳴を発生するための手段を具備することもできる。
【００２４】
この場合、プラズマ中の電子及びイオンが前記磁界により力を受けて螺旋運動する。その結果、反応性ガスの電離および励起の頻度が高められ、被処理物に照射されるプラズマ密度が高められる。さらに、上記空間内に電子サイクロトロン共鳴を生じさせるように磁界の値を設定することで、プラズマ密度を飛躍的に高めることができる。
【００２５】
本発明においては、上述のように構成することにより、矩形導波管の側壁に細長いスロットを設けてスロットからプラズマ処理室へマイクロ波を放射する際に、従来の方式において生じたような、マイクロ波電界強度の分布が図３３に示すようにマイクロ波の２分の１波長毎に強弱を有した分布となることはない。
すなわち、マイクロ波放射器内にフェライトコアを配設し、このフェライトコアに静磁界を印加してマイクロ波の伝搬方向を調整することで、プラズマ処理室に放射されるマイクロ波電力の分布を均一にすることができる。
また、マイクロ波放射器内にフェライトコアを配設し、このフェライトコアに静磁界を印加してマイクロ波の波数ベクトルの方向を制御し、基本モードと高次モードのマイクロ波を任意に励振し重ね合わせることで、プラズマ処理室に放射されるマイクロ波電力の分布を均一にすることができる。
さらに、マイクロ波放射器内に配設したフェライトコア内のマイクロ波電界を空間的に偏移させることにより、プラズマ処理室に放射されるマイクロ波電力の分布を均一にすることができる。
最後に、上述の方式ではマイクロ波導波路の終端からマイクロ波を放射しているので、マイクロ波吸収体を含む終端装置が不要である為、マイクロ波電力の使用効率が高く、生成されるプラズマ密度も高くなる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明における第１の実施の形態を示すマイクロ波プラズマ処理装置の全体構成図である。この装置は、マイクロ波電源１、インピーダンス整合器４、整合用変成器５、マイクロ波放射器６、プラズマ処理室７、石英窓１１、プロセスガス導入パイプ１２、フェライトコア１６、磁場発生手段１７を備える。また、マイクロ波電源１から整合用変成器５までの導波路に、アイソレータや方向性結合器等を適宜備えても良い。図示するように、マイクロ波電源１により発生したマイクロ波はインピーダンス整合器４、整合用変成器５を通りマイクロ波放射器６に導入され、真空封じの石英窓１１を介してプラズマ処理室７に放射される。マイクロ波放射器６にはフェライトコア１６が配設されており、フェライトコアに外部から直流磁界を印加するための磁場発生手段１７が設けられている。
【００２７】
図２は、マイクロ波放射器６とフェライトコア１６の位置関係を示す概略図である。マイクロ波放射器６は、平行部６ａとテーパー部６ｂを備え、マイクロ波の入力側から出力側に向かいテーパー状に構成される。すなわち、このような構成により、Ｈ面同士は平行に形成され、両Ｅ面間の間隔がマイクロ波の進行方向に沿って扇形に伸長されて形成される。かつ、マイクロ波放射器６の出力側開口部が、長さＡ―Ｂの細長い矩形のスリットを形成している。またマイクロ波放射器６内には、例えば、平行部６ａとテーパー部６ｂの継ぎ目Ｘ−Ｘ’線の位置（図１のＸ―Ｘ’線に対応）に薄厚円柱状のフェライトコア１６が配設される。
【００２８】
図３に、図１のＸ−Ｘ’線における断面図を示す。図３は、前記フェライトコアに外部から直流磁界を印加するための磁場発生手段１７を示す概略図であり、図１及び図２のＸ−Ｘ’線断面に対応している。フェライトコア１６の上下にはポールピース１７ａがあり、ポールピースはヨーク１７ｂを介して永久磁石１８に接続されている。図３のように構成することで、フェライトコアの上下面内に均一に直流磁界を印加することができる。
【００２９】
次に、フェライトコアとそこに印加する直流磁界によりマイクロ波放射器６内のマイクロ波の伝搬方向が変化する原理を説明する。
図４に、マイクロ波放射器内のマイクロ波高周波磁界の分布図を示す。図４は、マイクロ波放射器内を伝搬するマイクロ波の高周波磁界のある瞬間の様子を示す。磁界はループ状に閉じており、隣り合う高周波磁界の回転方向は互いに逆向きである。磁界のループは時間の経過とともに図中のｙ軸方向に進んでいる。中央から左側のＡ−Ａ’線上の任意の点でみると、磁界ベクトルは１→２→３→４と変化するのでｚ軸の負方向からみて左まわりに回転する。これに反して中央から右側のＢ−Ｂ’線上の任意の点でみると、磁界ベクトルは４→３→２→１と変化するのでｚ軸の負方向からみて右まわりに回転する。いま紙面に垂直でｚ軸の正方向を向く直流磁界Ｂを印加した場合、Ａ−Ａ’線上の任意の点においたフェライト内部では高周波磁界は直流磁界Ｂに対し左まわりに回転し、したがってフェライトの比透磁率はμ−となり、Ｂ−Ｂ’線上の任意の点においたフェライト内部では回転の向きは反転し、したがってフェライトの比透磁率はμ＋となる。ここで図５は比透磁率μ＋、μ−の直流磁界Ｂ依存性を示す。
共鳴磁界Ｂresより小さい磁界の領域では、μ−＞μ＋である。マイクロ波の伝搬速度Ｖと比透磁率μとの間には次式の関係があるので、
Ｖ＝Ｃ／√（εμ）      （１）
Ａ−Ａ’線上とＢ−Ｂ’線上とではマイクロ波の速さが異なる。ここで、ｃは真空中の光速度、εは比誘電率である。
【００３０】
つぎに、図６は、本発明の第１の実施の形態におけるマイクロ波の進行方向を示す概略図である。この図には、マイクロ波放射器内の図２に示す位置にフェライトコアを配設し、紙面に垂直にこちら向きの直流磁界を印加した場合のマイクロ波の進行方向を示す。フェライトコア内部では、中央線Ｙ−Ｙ’から左側のマイクロ波の速さＶ−、中央線Ｙ−Ｙ’から右側のマイクロ波の速さＶ＋との間には、
Ｖ＋  ＞  Ｖ−      （２）
の関係が成り立ち、従ってマイクロ波は左側へと進む。
図７は、本発明の第１の実施の形態によるマイクロ波電界の分布図である。図７には、図６におけるマイクロ波放射器の出力側Ｃ−Ｃ’線でのマイクロ波電界強度の分布を示す。ここで、破線はフェライトコアがない場合、実線はフェライトコアが有る場合をそれぞれ示す。図示のように、電界強度の最大位置は、フェライトコアにより左側に移動する。
【００３１】
図８は、本発明の第１の実施の形態におけるマイクロ波の進行方向を示す概略図である。図８には直流磁界Ｂの向きを反転した時のマイクロ波の進行方向を示す。この場合、フェライトコア内部で中央線Ｙ−Ｙ’から左側のマイクロ波の速さはＶ＋、中央線Ｙ−Ｙ’から右側のマイクロ波の速さはＶ−となり、従ってマイクロ波は右側へと進む。
図９は、本発明の第１の実施の形態によるマイクロ波電界の分布図である。図９には、図８におけるマイクロ波放射器の出力側Ｃ−Ｃ’線でのマイクロ波電界強度の分布を示す。ここで、破線はフェライトコアがない場合、実線はフェライトコアが有る場合をそれぞれ示す。図示のように、電界強度の最大位置は右側に移動する。
【００３２】
つぎに、図１０は、他の実施の形態における、図１のＸ−Ｘ’線における断面図である。フェライトコアによる電界強度分布の移動効果を高めるために、またフェライトコアの放熱効率を良くするために、例えば、図１０に示すようにフェライトコアを分割し、マイクロ波放射器の上下Ｈ面にフェライトコア１６ａ，１６ｂを対向させて配設してもよい。
【００３３】
図１１は、本発明の第１の実施の形態によるフェライトコアとそこに印加する直流磁界の構成を示す図である。図１１には、マイクロ波放射器の中心線Ｙ−Ｙ’を境にして左側部と右側部とにフェライトコアを分割し、左側部のフェライトコア１６ｃには紙面に垂直にこちら向きの直流磁界を印加し、右側部のフェライトコア１６ｄには紙面に垂直にむこう向きの直流磁界を印加した場合のマイクロ波の進行方向を示す。
また、図１２は、図１１のＸ−Ｘ’線における断面図である。図１２には、上述の直流磁界を印加するための磁場発生手段の例を示す。直流磁界の値を適切に設定することでマイクロ波放射器の出力側Ｃ−Ｃ’線でのマイクロ波電界分布を均一化することができる。
図１３は、本発明の第１の実施の形態によるマイクロ波電界の分布図である。図１３には、均一化を行う前後でのマイクロ波電界強度の分布を示す。破線は均一化実施前の状態で、基本モード（すなわちＴＥ10モード）のマイクロ波による分布である。これに対し、実線は均一化実施後の状態で、実施後は両端部の電界強度が高められＣ−Ｃ’線に沿った広い幅に渡り、マイクロ波電界強度の分布が改善されている。なお、１１及び図１２では、フェライトコアを分割した例を示したが、分割部を接合したり境界部材を介して接合したり、分割しないで一体の構成としてもよい。
【００３４】
また、図１４は、本発明の第１の実施の形態による永久磁石の配置を示す図である。ここでは、石英窓１１に近接するように磁場発生手段として永久磁石１０ａ，１０ｂが設けられている。これにより反応性ガスの電離および励起の頻度が高められ、被処理物に照射されるプラズマ密度が高められる。なお、永久磁石の変わりに電磁石でもよい。さらに、例えば、プラズマ処理室７の石英窓１１と被処理物１３との間の空間内に、電子サイクロトロン共鳴を生じさせるように磁界の値を設定することで、プラズマ密度を飛躍的に高めることができ、被処理物１３を効率よくプラズマ処理することができる。さらに、上記磁界を石英窓１１からプラズマ処理室の中央部に向かうような発散磁界となるように設定することで、プラズマを被処理物１３に効率よく照射させることができる。
【００３５】
（第２の実施の形態）
図１５は、本発明における第２の実施の形態を示すマイクロ波プラズマ処理装置の全体構成図である。この装置は、マイクロ波電源１、インピーダンス整合器４、整合用変成器５、マイクロ波放射器６、プラズマ処理室７、石英窓１１、プロセスガス導入パイプ１２、フェライトコア１６、磁場発生手段１７を備える。また、マイクロ波電源１から整合用変成器５までの導波路に、アイソレータや方向性結合器等を適宜備えても良い。図示するように、マイクロ波電源１により発生したマイクロ波はインピーダンス整合器４、整合用変成器５を通りマイクロ波放射器６に導入され、真空封じの石英窓１１を介してプラズマ処理室７に放射される。マイクロ波放射器６にはフェライトコア１６が配設されており、フェライトコア１６に外部から直流磁界を印加するための磁場発生手段１７が設けられている。
【００３６】
マイクロ波放射器６はマイクロ波の入力側から出力側に向かいステップ状の不連続部が構成される。この不連続部により、Ｈ面同士は平行に形成され、両Ｅ面間の間隔がマイクロ波の進行方向に沿って不連続な段差状に伸長されて形成される。マイクロ波放射器６は、この不連続部を境にして電源側導波管部６ｃとプラズマ処理室側導波管部６ｄとを有し、電源側導波管部６ｃの中心軸とプラズマ処理室側導波管部６ｄの中心軸とを一致させると共に、プラズマ処理室側導波管部６ｄの長辺の長さａをマイクロ波の自由空間波長λ0の3/2以上とし、かつマイクロ波放射器６の出力側開口部が長さＡ−Ｂの細長い矩形のスリットを形成している。マイクロ波放射器６内には、例えばステップ部の継ぎ目Ｘ−Ｘ’線の位置に薄厚円柱状のフェライトコア１６が配設される。フェライトコア６に外部から磁場を印加するための磁場発生手段は、図３または図１０等に示すものと同様である。
【００３７】
次に、フェライトコアとそこに印加する直流磁界によりマイクロ波放射器内に高次のＴＥｍ０（ｍ＝３，５，７…）モードのマイクロ波を任意の割合にて伝搬させる原理と、それによるマイクロ波電界分布の均一化の方法を説明する。
図１６は、本発明の第２の実施の形態におけるマイクロ波の波数ベクトルの方向を示す概略図である。図１６の矢印１９は、矩形導波管の側壁に入射・反射を繰り返しながら導波管内を斜め伝搬するマイクロ波の波数ベクトルの様子を示した模式図である。マイクロ波放射器の電源側導波管部６ｃでは基本モードのＴＥ１０波のみが伝搬可能であり、一方、プラズマ処理室側導波管部６ｄでは次式で与えられるｎ次モードのＴＥｎ０波までが伝搬可能である。
ｎ＜２ａ／λ０      （３）
ここでλ０はマイクロ波の自由空間波長、ａはプラズマ処理室側導波管部の長辺の長さである。また、マイクロ波の矩形導波管側壁への入射角θｎと、その時の伝搬モードの次数ｎとの関係は、
ｃｏｓ  θｎ＝（λ０／２ａ）・ｎ  （ｎ＝１，２，３，・・）    （４）
で与えられる。高次モードのマイクロ波を伝搬させるには入射角θｎを小さく設定すればよい。その為には、ステップ状の継ぎ目Ｘ−Ｘ’線の位置に薄厚円柱状のフェライトコアを配設し、このフェライトコアに紙面に垂直な直流磁界を印加することでマイクロ波の波数ベクトル１９の方向を変えればよい。直流磁界の値を比較的大きく設定すると、フェライトコアの比透磁率が大きく変化し、波数ベクトルの方向も大きく変わる。したがって矩形導波管側壁への入射角を図示するようにθ１からθ２へ、さらにθ３へと徐々に小さくできる。
このプラズマ処理室側導波管部の長辺の長さａを、例えば（λ０／２）・３以上、（λ０／２）・５未満と設計した場合、（３）式に示すようにマイクロ波放射器内にＴＥ１０とＴＥ３０との２つのモードの波を伝搬させることができる。ここでＴＥ２０モードおよびＴＥ４０モードはマイクロ波放射器のＹ−Ｙ’軸対称性から原理的に生じない。
【００３８】
図１７は、本発明の第２の実施の形態によるマイクロ波電界の分布図である。図１７には、ＴＥ10とＴＥ30との２つのモードのマイクロ波電界と、それらを任意に重ね合わせた合成電界の分布を示す。図１７に示す破線および一点鎖線は、ＴＥ10およびＴＥ30モードのマイクロ波電界の分布を、実線はそれらの合成電界の分布をそれぞれ示す。
また、図１８は、本発明の第２の実施の形態によるマイクロ波電界強度の分布図である。ここで、実線は、ＴＥ10とＴＥ30の合成電界を示し、破線は基本モードを示す。従ってマイクロ波電界強度の分布は、図１８の実線で示されるようになり、破線点線で示す基本モード（すなわちＴＥ10モード）の波のみによるマイクロ波電界強度に比べて均一性が高くなる。上述のように得られたマイクロ波電界強度の分布によって、プラズマ処理室７の窓部に沿って帯状に、しかもイオン密度分布の均一性が高いプラズマを生成させることができる。
【００３９】
（第３の実施の形態）
図１９は、本発明における第３の実施の形態の概略構成図を示し、第１の実施の形態に適用した場合の磁場発生手段の構成を示す図である。図１９は図１のＸ−Ｘ’線断面に対応し、２個のコイル２０ａ，２０ｂは同じ極性の磁界がフェライトコア１６に印加されるように巻き上げられている。また、これら２個のコイル２０ａ、２０ｂは、励磁電流を印加するための電源２１に接続されている。
【００４０】
図２０は、本発明の第３の実施の形態における励磁電流の波形を示す図である。コイルには図２０に示す交流電流が印加され、各時間における電流値に対応して、マイクロ波放射器内のマイクロ波の波数ベクトルの方向が変化する。
図２１は、本発明の第３の実施の形態におけるマイクロ波の進行方向を示す概略図である。図２１には、波数ベクトルの変化の様子を示す。例えば、電流値が図２０の１に示す状態の時、図２１のフェライトコアに紙面の下方から上方に向かう磁界Ｂが印加されるとすると、図２１のＣ−Ｃ’線上の１に示す方向を向く波数ベクトル１９ａとなる。同様に考えると、交流が付加される場合、マイクロ波放射器内のマイクロ波の波数ベクトルは、交流電流の一周期にわたり１９ａ→１９ｂ→１９ｃ→１９ｂ→１９ａのように振動する。
図２２は、本発明の第３の実施の形態によるマイクロ波電界強度の分布図である。図２２には、マイクロ波電界の時間変化を示す。図中の１，２，３の番号は図２０および図２１中の番号と対応している。
【００４１】
つぎに、図２３は、本発明の第３の実施例によるイオン密度分布を示す図である。さらに、上述の振動の周期をプラズマ減衰時定数よりも十分短く設定することで、図２３の実線で示すようなプラズマ処理室の窓部に沿って帯状に、しかもイオン密度分布の均一性が高いプラズマを生成させることができる。図中の点線は、フェライトコアを具備しないマイクロ波放射器を用いた場合のイオン密度分布を示してある。
【００４２】
（第４の実施の形態）
図２４は、本発明における第４の実施の形態の概略構成図を示し、第１の実施の形態に適用した場合のマイクロ波放射器の内部を示す図である。図示するように、マイクロ波の高周波磁界が集中している管壁付近の、しかも出力側開口部６ｂにフェライトコア３１ａ、３１ｂが配設されている。またマイクロ波を効率良くフェライトコアへ導入するために、フェライトコア３１ａ、３１ｂに近接させて整合用の誘電体３２ａ、３２ｂが付加されている。
図２５は、図２４のＰ−Ｐ’線における断面図を示したものである。ここでは、フェライトコア３１ａ，３１ｂにそれぞれ直流磁界を印加するための磁場発生手段の概略図が示される。左右のフェライトコア３１ａ，３１ｂに印加される直流磁界の極性が互いに逆向きになるように構成されている。
【００４３】
本実施の形態においては、図２４に示すようにマイクロ波放射器内を入力側６ａから出力側６ｂへ伝搬しているマイクロ波に対して、フェライトコア３１ａには紙面の下方から上方へ向かう直流磁界Ｂ1を、フェライトコア３１ｂは紙面の上方から下方へ向かう直流磁界Ｂ2を印加すると、各々のフェライトコア内で高周波磁界が直流磁界Ｂ1およびＢ2に対して左回りに回転をしているのでフェライトの比透磁率は共にμ−となる、図５に示すように左回り、すなわち負方向回転の比透磁率μ−は印加する直流磁界Ｂの値によっては１よりも大きな値を示し、さらにフェライトの比誘電率も１０〜２０と大きいのでマイクロ波はフェライト媒質内に引き込まれる。
【００４４】
図２６は、本発明の第４の実施例によるマイクロ波電界の分布図である。上述の結果マイクロ波電界の分布は、マイクロ波放射器内の管壁付近で大きくなり、反対に中央付近では減少して図２６の実線で示す曲線のようになる。図中の斜線部はフェライトコアの位置を示し、点線は上記フェライトコアが存在しない場合の基本モード（すなわちＴＥ10モード）のみの電界分布を示す。点線と比較して実線で示す分布は、両端の管壁付近の電界分布を改善しており、マイクロ波放射器の出力側開口部におけるマイクロ波電力分布の均一化が図れる。
【００４５】
図２６の実線で示すようなマイクロ波電界の分布を得ることで、プラズマ処理室の窓部に沿って帯状に、しかもイオン密度分布の均一性が高いプラズマを生成させることができる。
【００４６】
（第５の実施の形態）
図２７は、本発明における第５の実施の形態の概略構成図を示し、第１の実施の形態に適用した場合のマイクロ波放射器の内部を示す図である。図示するように、マイクロ波放射器の中心軸Ｙ−Ｙ’上にマイクロ波の入力側６ａから出力側６ｂに向かい棒状のフェライトコア３３が配設され、フェライトコア３３に外部から直流磁界を印加するための磁場発生手段３４ａ、３４ｂを備えている。直流磁界は、図中の矢印３５で示すようにマイクロ波の入力側から出力側に向かう方向に印加される。またマイクロ波を効率良くフェライトコアへ導入するため、整合用の誘電体３６が配設してある。磁場発生手段３４ａ、３４ｂの具体的構成としては、電磁石又は永久磁石を用いることができる。電磁石の場合は、例えば、小さなコイル（鉄心又は空心）を並設したり、ヘルムホルツタイプのコイルでフェライトコアを囲むようにする等適宜の構成とすることができる。
図２８は、例えば、図２７のｂ−ｂ’線における断面図である。これは、マイクロ波放射器内部のフェライトコア３３の固定位置を示すもので、Ｚ−Ｚ’線に対し対称に配設してある。
【００４７】
次に、フェライトコアとそこに印加する直流磁界を図２７に示すように構成することで、マイクロ波放射器の出力側開口部におけるマイクロ波電界分布を均一化する原理を説明する。図示するようにマイクロ波の伝搬方向に直流磁界を加えるならば、フェライトコア内の比透磁率は図５のμ＋、μ−のほぼ中間の値となる。これを実効比透磁率と呼びμeffで表す。このμeffの値はμ＋、μ−の値を用いて次式で関係づけられている。
μeff＝２μ＋μ−／（μ＋ ＋ μ−）      （５）
図２９は、フェライトコアの実効比透磁率の直流磁界に対する値を示す図である。これは、μeffの直流磁界依存性を示すものである。直流磁界の値を適当にするとμeffは０に近づき、やがて負の値をとる領域がある。マイクロ波の伝送系において比透磁率が負になるということは、その領域で電界はフェライトをさけて通る。従って、マイクロ波放射器内のもともと電界の強い位置にフェライトコアを置き直流磁界の値を適切に設定してμeffを１以下の適当な正の値とすることで、電界の強度を弱めるとともにもともと電界の弱い位置へ電界を偏移させることができる。
【００４８】
図３０は、本発明の第５の実施例によるマイクロ波電界強度の分布図である。図３０には、マイクロ波放射器内における、マイクロ波の進行方向に垂直な３つの異なる面内でのマイクロ波電界の分布の様子を示す。図３０の曲線１，２，３は、それぞれ図２７のａ−ａ’、ｂ−ｂ’、ｃ−ｃ’線断面でのマイクロ波電界分布に対応する。テーパー状のマイクロ波放射器では主に基本モードのＴＥ10の電界分布となるが、本実施の形態では電界の偏移の効果で広い範囲にわたり均一な分布が得られる。
図３０の曲線３で示すようなマイクロ波電界の分布を得ることで、プラズマ処理室の窓部に沿って帯状に、しかもイオン密度分布の均一性が高いプラズマを生成させることができる。
【００４９】
なお、フェライトコアは、分割部を接合したり境界部材をはさんで接合したり、分割しないで一体の構成としてもよい。また、フェライトコアは、左右、上下に適宜分割したり、一体化してもよく、また、ひとつ又は適宜の複数個設けるようにしてもよい。フェライトコアの大きさ、形状（円、楕円、球、三角、菱形等）は、適宜のものを用いることができる。磁場発生手段も、フェライトコアの構成に従い、適宜の数、適宜の配置とすることができる。
【００５０】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、導波管の終端部をマイクロ波放射器とし、しかもマイクロ波放射器の出力側開口部が被処理物の寸法に応じた細長い矩形のスリットを形成しているので、導波管の側壁にスロットを設けた場合に見られるマイクロ波電界分布に自由空間波長の２分の１毎の強弱が現れる現象が生じない。
また、本発明によれば、マイクロ波放射器内部に配設したフェライトコアの材質、形状および寸法と、そこに印加する直流磁界の値を適切に設定することで、マイクロ波の伝搬方向およびマイクロ波の電界分布を適時調整することができ、プラズマ処理室へ放射されるマイクロ波の電力分布をプラズマ処理室の窓部の長辺方向に沿って均一にすることができる。よって、本発明によれば、幅広い領域に渡りプラズマ密度の分布を均一にすることができる。
さらに、本発明によれば、導波管の終端部からマイクロ波を放射する方式であるので、マイクロ波の使用効率が向上され生成されるプラズマの密度を高めることができる。したがって、本発明によれば、直線状プラズマを照射しつつ被処理物を移動させることにより、広い面積を均一にしかも高速にプラズマ処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】マイクロ波放射器とフェライトコアの位置関係を示す構成図である。
【図３】図１のＸ−Ｘ’線における断面図である。
【図４】マイクロ波放射器内のマイクロ波高周波磁界の分布図である。
【図５】フェライトコアの円偏波に対する比透磁率の直流磁場依存性を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態におけるマイクロ波の進行方向を示す概略図（１）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態によるマイクロ波電界の分布図（１）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態におけるマイクロ波の進行方向を示す概略図（２）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態によるマイクロ波電界の分布図（２）である。
【図１０】他の実施の形態における、図１のＸ−Ｘ’線における断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態によるフェライトコアとそこに印加する直流磁界の構成を示す図である。
【図１２】図１１のＸ−Ｘ’線における断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態によるマイクロ波電界の分布図（３）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態による永久磁石の配置を示す図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態を示す概略構成図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態におけるマイクロ波の波数ベクトルの方向を示す概略図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態によるマイクロ波電界の分布図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態によるマイクロ波電界強度の分布図である。
【図１９】本発明の第３の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２０】本発明の第３の実施の形態における励磁電流の波形を示す図である。
【図２１】本発明の第３の実施の形態におけるマイクロ波の進行方向を示す概略図である。
【図２２】本発明の第３の実施の形態によるマイクロ波電界強度の分布図である。
【図２３】本発明の第３の実施の形態によるイオン密度分布を示す図である。
【図２４】本発明の第４の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２５】図２４のＰ−Ｐ’線における断面図である。
【図２６】本発明の第４の実施の形態によるマイクロ波電界の分布図である。
【図２７】本発明の第５の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２８】図２７のｂ−ｂ’線における断面図である。
【図２９】フェライトコアの実効比透磁率の直流磁界に対する値を示す図である。
【図３０】本発明の第５の実施の形態によるマイクロ波電界強度の分布図である。
【図３１】従来のプラズマ処理装置の全体構成図である。
【図３２】図３１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図３３】図３１のスロットの長手方向に対するマイクロ波電界強度の分布を示す図である。
【符号の説明】
１    マイクロ波電源
４    インピーダンス整合器
５    整合用変成器
６    マイクロ波放射器
７    プラズマ処理室
１１  石英窓
１２  プロセスガス導入パイプ
１６  フェライトコア
１７  磁場発生手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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