(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出／不活性化領域に位置するＥＡＳタグを感知し不活性化するため、不活性化可能なＥＡＳタグを利用するＥＡＳシステムに使用する不活性化装置にして、
検出フィールドを前記検出／不活性化領域に伝送するための検出伝送手段と、
前記検出フィールドに応答する前記ＥＡＳタグからの信号を感知するための検出受信手段と、
不活性化フィールドを前記検出／不活性化領域に伝送して前記ＥＡＳタグを不活性化する不活性化手段にして、前記検出伝送手段及び前記不活性化手段はそれぞれのフィールドを伝送するために共通のコイルを使用する前記不活性化手段と、を含み、
前記検出伝送手段は、増幅器にして該増幅器に電力を供給するため電源に応答するようになっている前記増幅器、及びスイッチを含み、該スイッチは前記増幅器と前記共通コイルの間に接続され、
前記不活性化手段は、パルス発生器にして該パルス発生器に電力を供給するため高圧電源に応答するようになっている前記パルス発生器を含み、該パルス発生器は前記スイッチに接続され、さらに
前記増幅器、前記スイッチ、及び前記パルス発生器を制御するための制御手段と、を含むことを特徴とする前記不活性化装置。
【請求項２】
前記共通コイルは方形のコイルである請求項１の不活性化装置。
【請求項３】
前記制御手段はマイクロプロセッサ手段を含む請求項１の不活性化装置。
【請求項４】
検出／不活性化領域に位置するＥＡＳタグを感知し不活性化するため、不活性化可能なＥＡＳタグを利用するＥＡＳシステムに使用する不活性化装置にして、
検出フィールドを前記検出／不活性化領域に伝送するための検出伝送手段と、
前記検出フィールドに応答する前記ＥＡＳタグからの信号を感知するための検出受信手段と、
不活性化フィールドを前記検出／不活性化領域に伝送して前記ＥＡＳタグを不活性化する不活性化手段にして、前記検出伝送手段及び前記不活性化手段はそれぞれのフィールドを伝送するために共通のコイルを使用する前記不活性化性手段と、を含み、
前記検出伝送手段は、パルス幅変調増幅器にして該パルス幅変調増幅器に電力を供給するため高圧電源に応答するようになっている前記パルス幅変調増幅器を含み、該パルス幅変調増幅器は前記共通コイルに接続され、前記不活性化手段は、パルス発生器にして該パルス発生器に電力を供給するため前記高圧電源に応答するようになっている前記パルス発生器を含み、該パルス発生器は前記共通コイルに接続され、さらに
前記パルス幅変調増幅器及び前記パルス発生器を制御する制御手段と、を含むことを特徴とする前記不活性化装置。
【請求項５】
前記制御手段はマイクロプロセッサ手段を含む請求項４の不活性化装置。
【発明の詳細な説明】
発明の分野
本発明は電子物品監視（ＥＡＳ）システムに関し、より詳細にはこのようなシステムに使用するための不活性化装置に関する。
発明の背景
電子物品監視（ＥＡＳ）システムは、二重状態ＥＡＳタグを監視すべき物品に添付するシステムとして知られている。二重状態ＥＡＳタグの一つのタイプは制御部材として使用される或る長さの磁化可能な材料に概ね平行に位置する、或る長さの高透磁率かつ低保磁力の磁性材料より成る。活性タブ、すなわち消磁した制御部材を有する活性タブを呼び掛け領域を形成する交流磁場中に置くと、タグは検出可能な正しいタグ信号を発生する。タグがその制御部材を磁化することによって不活性化されると、タグは検出可能な正しいタグ信号とは異なる検出可能な信号を発生する。
この種の方法と装置は米国特許第５,３４１,１２５号中に説明されている。この特許の装置では活性タグの存在を検出する検出セクション、及びタグを不活性化する強磁気パルスを発生する不活性化セクションを含む不活性化装置が使用されている。この検出セクション及び不活性化セクションは３個のコイルを使用している。その一つは検出受信コイル、もう一つは検出伝送コイル、最後の一つは不活性化コイルである。検出伝送コイルは活性タグに相互作用を与えるための検出フィールドを発生する。ついで、この相互作用から得られるフィールドは活性タグの存在を感知する検出受信コイルにより検出される。一旦、活性タグが発見されると不活性化コイルはタグを不活性化する不活性化フィールドを発生する。
上述した磁気ＥＡＳタグの前記米国特許第５,３４１,１２５号の不活性化装置を使用する際、伝送コイルは通常１キロヘルツ以下の周波数で励振される。これら周波数では所望のフィールド強度を効率的に発生するために巻数の多い伝送コイルを使用すべきである。不活性化コイルは大きくすべきであるが、受信コイルは幾分小さめにすることができる。結果として、不活性化装置はできるだけコンパクトにしないで、その用途を一定の応用に限定することになる。
したがって本発明の第一の目的はＥＡＳシステムのための改良した不活性装置を提供することである。
本発明のさらなる目的はよりコンパクトなＥＡＳシステムのための不活性装置を提供することである。
発明の概要
本発明の原理によれば上記及びその他の目的は、検出／不活性化領域に検出フィールドを伝送するための検出伝送手段、検出フィールドに応答する活性ＥＡＳタグからの信号を感知するための検出受信手段、及び不活性化フィールドを検出／不活性化領域に伝送して活性ＥＡＳタグを不活性化するための不活性化手段より成る不活性化装置にして、前記検出伝送手段と前記不活性化手段はそれぞれのフィールドを伝送するのに共通のコイルを使用する、前記不活性化装置に実現される。
【図面の簡単な説明】
本発明の上記及び他の特徴と局面は、添付する図面と共に以下の詳細な説明を読めばより明らかになるであろう。
図１は本発明の原理にしたがう不活性化装置を説明し、
図２は図１の不活性化装置のコイル形状を詳細に説明し、
図３は図１の不活性化装置で不活性化することができる二重タイプのＥＡＳタグを示し、
図４Ａは図１の不活性化装置のブロックダイヤグラムを示し、
図４Ｂは図１の不活性化装置の代替的実施例のブロックダイヤグラムを示し、
図５Ａは図４Ａの不活性化装置の構成要素を具体化するための回路構成を示し、そして
図５Ｂは図４Ｂの不活性化装置の構成要素を具体化するための回路構成を示している。
詳細な説明
図１は本発明の原理にしたがう不活性化装置１０を示す。図解されるように、不活性化装置１０は検出体／不活性化体パッド１へ信号を供給し同パッド１からの信号を受信する電子装置２より成る。電子装置２はカバー２Ａ、電源８、検出電子７、及び不活性化電子装置８Ａを有する。
図２に示すように、検出体／不活性化体パッド１は検出受信コイル５を使用する。このコイル５は二つの隣接する平坦なコイル部分５Ａを有する。各コイル部分５Ａは直線セグメント５Ｂ及びそれぞれの直線セグメント５Ｂの端部を結合する半円球、すなわち弧状のセグメント５Ｃを有する。通常の使用ではコイル部分５Ａは移相はずれで結合され、そこに結合される伝送フイールドを抹消する。
本発明の原理に従えば、前記パッド１は検出伝送コイル６としても不活性化コイルとしても作動する単一コイル６をも含む。これらの機能のために前記単一コイル６を使用すると、前記パッド１に必要なコイルの数、すなわち前記パッドのサイズを少さくすることができる。図示するようにコイル６は方形をしている。
図３は不活性化装置１０により不活性化することができる二重状態の磁気タグ９の代表的な形を示す。図示のようにタグ９は高透磁率かつ低保持力の磁性材料とすることができる応答部材９Ａより成る。この応答部材９Ａに概ね重なって位置しこれに隣接するのは磁化可能な材料である制御部材９Ｂである。
図１の不活性化装置１０のブロックダイヤグラムを示す図４Ａでは、ＥＡＳタグ９は検出／不活性化ゾーン、すなわち領域２６内に位置する。領域２６は装置１０によって画定され、ＥＡＳタグ９がこの領域内にあるときこのタグは検出されついで不活性化される。
図４Ａに示すように装置１０の電源８は、コイル６がそのいろいろな作動モード、すなわち検出伝送コイルとして、及び不活性化コイルとして、作動するとき、このコイル６に使用する多くの独立した電源を含む。より具体的にはコイル６が不活性化コイルとして機能するとき、不活性化パルス発生器２１を介してコイル６に電源を供給するのに＋４００Ｖの電圧源として示される高圧電源２５が使用される。一方、コイル６が伝送検出コイルとして動作するとき、＋２８Ｖの電圧源として示される低圧電源２７がコイルを励振する伝送増幅器２２に電源を供給する。
作動中、ゾーン２６中のタグ９の存在を検出するためには、検出コイル６がまず所定の周波数で伝送増幅器２２によって励振される。後者の増幅器は順次、伝送マイクロプロセッサ１９によって発生した信号に応答する。伝送増幅器２２によって励振されると、検出コイル６がゾーン２６中に交流磁気検出フィールドを形成する。タグ９がその活性状態で通路Ａに沿ってゾーン２６を移動すると、タグ９はこの通路に沿う少なくとも一つの位置で検出可能な応答信号を発生する。
検出受信コイル５はゾーン２６中の磁束変化を受信するように構成されており、かくしてタグ９により発生した検出可能な応答信号を受信する。受信した信号は検出受信コイル５により受信増幅器３１に結合され、この受信増幅器３１からタグにより発生した検出可能な応答信号を分離する受信フイルタ２３に結合される。受信フイルタ２３の出力はレシーバ信号調整器３２中で調整され、調整された信号はレシーバマイクロプロセッサ３３のアナログ／デジタル入力２４へ送られる。マイクロプロセッサ３３は受信した検出可能な応答信号が臨界レベルより大きいとき、ゾーン２６中のタグ９の存在を検出することを決定する。
ゾーン２６中にタグ９が存在すること検出したとき、マイクロプロセッサ３３は伝送マイクロプロセッサ１９に信号を送って不活性化を開始する。この信号を送ることによりマイクロプロセッサ１９は増幅器２２に信号を送りこの増幅器を遮断して切替え過度作用を防止する。この増幅器２２は不活性化制御信号をスイッチ２０に送る。スイッチ２０は伝送増幅器２２又は不活性化パルス発生器２１のいずれかをそのスイッチ部材２０ａのスイッチ接点２０ｂ又は２０ｃへの接続を介してコイル６に結合させる。不活性化制御信号を受信するとスイッチ２０はそのスイッチ部材２０ａをスイッチ接点２０ｂからスイッチ接点２０ｃに切り替えて、不活性化パルス発生器２１を伝送／不活性化コイル６へ送る。
この際、マイクロプロセッサ１９は又制御信号を不活性化パルス発生器２１へ送り、この発生器がパルスを発生するようにする。このパルスはついでスイッチ２０を介してコイル６に結合される。このパルスに応答するコイル６は検出／不活性化ゾーン２６中に不活性化電磁フィールドを発生する。
コイル６は、発生した不活性化電磁フィールドが、検出伝送モードにあるとき検出コイル６により形成した磁気検出フィールドの範囲と方向に概ね整合するよう構成されている。この方法では、ゾーン２６内の位置又は点に対しては、不活性化フィールドの磁束線は磁気検出フィールドの磁束線と概ね同じ方向にある。
その結果タグ９が、検出フィールドが検出可能な応答信号になり、タグの長さに沿う磁束線を有する位置にあるとき、不活性化フィールド（若し発生すれば）の磁束線は又タグの長さに沿う。この検出位置に不活性化フィールドをかけることにより、タグの磁化可能制御部材（制御部材９Ｂ）の長さに沿う磁束線が生じ、これが部材を磁化し、したがってタグを不活性化する。したがって不活性化フィールドが検出フィールドに整合すると、通路Ａに沿ういかなる検出位置においてもタグ９が検出され、その後に不活性化フィールドをかけると、概ね検出位置にある不活性化位置においてそのタグが不活性化される。
図４Ｂは不活性化装置１０の第２の実施例を示す。この実施例はスイッチ装置２０を除去し、増幅器２２をパルス幅変調伝送増幅器５０と取り替えることで図４Ａの実施例と相違する。
この実施例では検出伝送中及び不活性化中の両方に高圧電源２５を使用する。その出力電圧は不活性化電圧（約３００ボルトピーク）を満たすに十分でなければならない。一方、パルス幅変調増幅器５０はこの高電圧から効率良く伝送信号をも発生する能力を有する必要がある。共通電源を使用するのでスイッチ装置２０は必要ではない。この実施例は高検出伝送電圧レベルに対して有利である。
図４Ｂの不活性化装置１０の作動ではゾーン２６中のタグ９の存在を検出するためにはコイル６は増幅器５０により所定の周波数で励振される。タグ９の存在が検出されると、マイクロプロセッサ３３はマイクロプロセッサ１９に信号を送ることにより不活性化を開始する。後者のマイクロプロセッサはついで信号を増幅器５０へ送り、増幅器を遮断する。又、これが信号を不活性化パルス発生器２１へ送り、パルス発生器をしてコイル６に高パワーパルスを加えさせる。この作動の結果、コイル６に電圧が印加され、ゾーン２６中に不活性化電磁フィールドを形成され、タグ９を不活性化する。
装置１０のスイッチ２０は電子パワーアナログスイッチ（背中合せパワー金属酸化物半導体（ＭＯＳ）電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ））又は簡単なリレースイッチとして実行される。伝送増幅器２２は標準のリニア電力増幅器すなわちクラスＤ（パルス幅変調（ＰＷＭ）型）でよいが、増幅器５０は効率的な電圧転換（３００Ｖから３０Ｖへの逓降）をするためにクラスＤ（パルス幅変調（ＰＷＭ）／転換モード）増幅器とする必要がある。
図５Ａ及び図５Ｂは、図４Ａのスイッチ２０とその関連する構成要素のためと、図４ＢのＰＷＭ増幅器５０とその関連する構成要素のための、実際の回路構成をそれぞれ説明している。
全ての場合において、上記に説明した構成は本発明の応用を表わす単に多くの有り得る特定の実施例の説明的なものであることが理解される。本発明の多くの変更を加えた他の構成が本発明の精神と範囲から逸脱することなく本発明の原理にしたがって容易に考案される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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