(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と配線層を逐次積層する薄膜多層基板の製造方法において、上記絶縁層、あるいは上記配線層を形成する毎に、最も新しく形成された層を光学的に検出し、パターンの欠陥の有無を検査し、この検査により検出された欠陥の位置データをもとに、上記パターンの欠陥を修正する薄膜多層基板の製造方法であって、上記最も新しく形成された層を光学的に検出する段階は、検査対象である上記薄膜多層基板に対して、多方向から照明し、この多方向からの照明光量比を検査対象層の段差の傾斜角に応じて検査対象層毎に変え、最も新しく形成された層の反射率とその直前に形成された下層の反射率の差が大きい波長帯域に限定するために、検査対象層毎に限定する波長帯域を変え、上記薄膜多層基板からの反射光を特定方向から検出することを特徴とする薄膜多層基板の製造方法。
【請求項２】
レジストを塗布し、露光，現像後、エッチングによりパターンを形成する絶縁層と、上記レジストを塗布し、露光，現像後、エッチングによりパターンを形成する配線層とを逐次積層する薄膜多層基板の製造方法において、上記絶縁層、上記配線層を問わず、新しい層を形成する際、露光，現像後のレジストパターンを光学的に検出し、最も新しく形成された層を光学的に検出し、上記レジストパターンの欠陥の有無を検査し、この検査により検出された欠陥の位置データをもとに、上記レジストパターンの欠陥を修正する薄膜多層基板の製造方法であって、上記最も新しく形成された層を光学的に検出する段階は、検査対象である上記薄膜多層基板に対して、多方向から照明し、この多方向からの照明光量比を検査対象層の段差の傾斜角に応じて検査対象層毎に変え、最も新しく形成された層の反射率とその直前に形成された下層の反射率の差が大きい波長帯域に限定するために、検査対象層毎に限定する波長帯域を変え、上記薄膜多層基板からの反射光を特定方向から検出することを特徴とする薄膜多層基板の製造方法。
【請求項３】
絶縁層と配線層を逐次積層する薄膜多層基板の製造方法において、上記絶縁層を形成する製造工程は、上記絶縁層をエッチングするためにパターンニングされたレジストを光学的に検出し、上記レジストのパターンの欠陥の有無を検査し、この検査により検出された欠陥の位置データをもとに、上記レジストのパターンの欠陥を修正した後で、上記絶縁層をエッチングし、エッチングされた上記絶縁層を光学的に検出して上記絶縁層のパターンの欠陥の有無を検査し、この検査により検出された欠陥の位置データをもとに、上記絶縁層のパターンの欠陥を修正することを特徴とし、上記配線層を形成する製造工程は、上記配線層をエッチングするためにパターンニングされたレジストを光学的に検出し、上記レジストのパターンの欠陥の有無を検査し、この検査により検出された欠陥の位置データをもとに、上記レジストのパターンの欠陥を修正した後で、配線層をエッチングし、エッチングされた配線層を光学的に検出して上記配線層のパターンの欠陥の有無を検査し、この検査により検出された欠陥の位置データをもとに、上記配線層のパターンの欠陥を修正する薄膜多層基板の製造方法であって、上記エッチングされた上記絶縁層を光学的に検出する段階は、検査対象である上記薄膜多層基板に対して、多方向から照明し、この多方向からの照明光量比を検査対象層の段差の傾斜角に応じて検査対象層毎に変え、最も新しく形成された層の反射率とその直前に形成された下層の反射率の差が大きい波長帯域に限定するために、検査対象層毎に限定する波長帯域を変え、上記薄膜多層基板からの反射光を特定方向から検出することを特徴とする薄膜多層基板の製造方法。
【請求項４】
検査対象である薄膜多層基板に対して、多方向から照明する手段と、多方向からの照明光量比を前記薄膜多層基板の検査対象層の段差の傾斜角に応じて検査対象層毎に調節する制御手段と、検出波長帯域を限定する検出波長帯域限定手段と、該検出波長帯域限定手段で限定する波長帯域を最も新しく形成された層の反射率とその直前に形成された下層の反射率の差が大きい帯域に設定するために検査対象層毎に前記波長帯域を調整する波長帯域調整手段と、該波長帯域調整手段で前記波長帯域が調整された検出波長帯域限定手段を透過した上記薄膜多層基板からの反射光を特定方向から検出する手段と、検出した画像からパターン欠陥を抽出する手段とを有することを特徴とするパターン検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜多層配線基板の製造方法およびパターン検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜多層配線基板の製造技術、特に、薄膜配線を対象としたパターン検査技術は、特開平４−１０２３９５号公報に記載されている。それによれば、製造工程で、配線パターンを形成する毎に、最も新しく形成された配線パターンを検出し、この配線パターンの欠陥の有無を検査し、欠陥部分を修正した後、次の層の配線パターンを形成する。配線パターンの検査技術として、例えば、検査対象を一方向から照明し、ある限定した波長の正反射光と散乱光を検出することで、配線パターンを光学的に顕在化し、配線パターンの欠陥を検査する技術が示されている。また、検査対象を多方向から照明し、ある限定した波長の反射光を検出し、配線パターンを検査する技術、あるいは、検査対象を直線偏光で照明し、照明光の偏光方向に直交する偏光成分を選択して検出し、配線パターンを検査する技術、さらには、検査対象が発生する蛍光を検出し、配線パターンを検査する技術が示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
薄膜多層配線基板の製造技術では、配線パターンを形成する毎に最も新しく形成した配線パターンを検査し、この検査により検出した配線パターン欠陥を修正し、薄膜多層配線基板を製造している。しかし、配線パターンの層間を絶縁する絶縁膜の検査，修正を行っていない。このため、製造工程中、配線パターンの層間を絶縁する絶縁膜に欠陥が発生すると、短絡不良などが発生し、完成した薄膜多層配線基板が不良となる場合がある。
【０００４】
また、薄膜配線パターン検査技術は、それぞれ、ある特定構造の薄膜多層配線基板を対象とした場合にのみ有効に検査可能であり、検査対象工程によっては検査できないことがある。例えば、蛍光を検出して検査する技術では、蛍光を発する材料を使用した場合にのみ有効である。薄膜多層配線基板の製造工程で、配線パターンを形成する毎に検査すると、検査工程が複数工程に及ぶ。このため、薄膜配線パターン検査技術の内一つの検査技術で全ての検査工程を検査することが困難であり、得意な検査工程ごとに複数の検査技術を使用する必要がある。即ち、検査方式の異なる複数の検査装置が必要となる。さらには、薄膜多層配線基板の製造プロセスが変更になると、今まで使用していた検査装置では検査できなくなり、新たな検査装置が必要となる場合がある。
【０００５】
本発明の目的は、薄膜多層配線基板の製造歩留まりを向上させる製造方法を提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、薄膜多層配線基板を対象とした自動外観検査装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
薄膜多層配線基板は、セラミック基板上に絶縁層と配線層を交互に積層し、製造される。絶縁層，配線層は、各層とも、例えば、レジストを塗布し、露光・現像後、エッチングによりパターンニングするという、リソグラフィ技術により形成される。本発明は、各層を形成する毎に、最も新しく形成された層を検査して、もし欠陥があれば、修正した後に、その上に次の層を形成する製造方法により、歩留まりを向上させるものである。絶縁層，配線層を問わず、新しい層を形成する際、まず、露光・現像後のレジストパターンを検査し、この検査により検出されたレジストの欠陥を修正した後にエッチングする。次に、エッチングされた絶縁層、あるいは、配線層のパターン検査を行い、この検査により検出された欠陥を修正する。このようにして、欠陥を無くした状態で、次の層を形成することで、良品の薄膜多層配線基板を製造する。
【０００８】
この製造方法を実現するためには、レジストパターン，配線パターン，絶縁層パターンを検査する自動外観検査装置が必要である。材料、表面状態、構造の異なる複数の検査工程で検査するために、薄膜多層配線基板に対して、多方向から照明し、それぞれの方向からの照明の光量を検査工程ごとに最適な値に調節し、照明の波長域を検査工程ごとに最適な値に調節し、薄膜多層配線基板からの反射光のうちある波長域の光を検出し、その検出波長域を検査工程ごとに最適な値に調節する手段でパターンを検出する。この検出光学系を用いて、最も新しく形成された層を光学的に顕在化して検出する。この時、検出光学系を一定温度に保ち、レンズの焦点ずれを防ぐため、照明光源を検出光学系とは別の筐体に納める。このようにして検出した画像信号をＡ／Ｄ変換し、デジタル画像信号とした後、画像処理を施し、パターン欠陥を検出する。画像処理は、電気回路で実現した論理によるハードウエア処理で高速に欠陥候補を検出し、そのあと、欠陥候補に対して、電子計算機によるソフトウェア処理で各検査工程に最適な画像処理を施し、真の欠陥を抽出する。このように、各検査工程ごとに最適なパターン検出方式と欠陥抽出処理方式を実現することで、１台の自動検査装置で薄膜多層配線基板の検査ができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明による薄膜多層配線基板の製造方法の一実施例を図１により説明する。多層セラミック基板１００は、その表面に銅のパッド１０１がある。工程（ａ）で、多層セラミック基板１００上にポリイミド系樹脂の絶縁膜１０２ａを塗布する。工程２で、ホトレジスト１０３を塗布し、露光・現像する。次に、パターンニングされたホトレジスト１０３を検査し、欠陥の有無及び欠陥の場所を出力する。工程（ｃ）で、その結果に基づいて欠陥部分を修正する。例えば、ホトレジストの余剰欠陥は、レーザ光を照射して、余剰部を飛ばす。ホトレジストの欠けやピンポールは、樹脂を局所的に微量塗布する。また、欠陥数が多い場合、ホトレジストを剥離し、工程（ｂ）に戻り、ホトレジストをパターンニングし直すこともあり得る。工程（ｄ）で、ホトレジストをマスクとして絶縁膜１０２ａをエッチングし、パッド１０１との接続をとるためのスルーホール１０２ｂを形成する。工程（ｅ）で、ホトレジストを剥離した後、絶縁膜をベークする。次に、絶縁膜１０２ｃを検査し、欠陥の有無及び欠陥の場所を出力する。工程（ｆ）で、その結果に基づいて欠陥部分を修正する。例えば、絶縁膜にスルーホールが開いていないときは、レーザ光を照射して、スルーホールを形成する。絶縁膜の欠けやピンポールは、樹脂を局所的に微量塗布する。また、欠陥数が多い場合、絶縁膜を剥離し、工程（ａ）に戻り、絶縁膜を形成し直すことも考えられる。以上、工程（ａ）から工程（ｆ）で１層の絶縁層が完成する。
【００１０】
次に、工程（ｇ）で、配線となる金属膜１０４ａを成膜する。例えば、クロム，銅，クロムをスパッタリングで連続成膜し、３層の金属膜を配線とする。工程（ｈ）でホトレジスト１０５を塗布し、露光・現像する。次に、パターンニングされたホトレジスト１０５を検査し、欠陥の有無及び欠陥の場所を出力する。工程（ｉ）で、その結果に基づいて欠陥部分を修正する。例えば、ホトレジストの余剰欠陥は、レーザ光を照射して、余剰部を飛ばす。ホトレジストの欠けやピンポールは、樹脂を局所的に微量塗布する。また、欠陥数が多い場合、ホトレジストを剥離し、工程（ｈ）に戻り、ホトレジストをパターンニングし直すこともあり得る。工程（ｊ）で、ホトレジストをマスクとして金属膜１０４ａをエッチングし、配線パターン１０４ｂを形成する。工程（ｋ）で、ホトレジストを剥離する。工程（ｌ）で、金属膜１０４ｂを検査し、欠陥の有無及び欠陥の場所を出力する。工程（ｌ）で、その結果に基づいて欠陥部分を修正する。例えば、金属膜の余剰欠陥は、レーザ光を照射して、余剰部を飛ばす。以上、工程（ｇ）から工程（ｌ）で１層の配線層が完成する。
【００１１】
以後、工程（ａ）から工程（ｆ）、及び工程（ｇ）から工程（ｌ）を繰り返して、多層の絶縁層と配線層を形成し、薄膜多層配線基板が完成する。
【００１２】
本実施例によれば、欠陥を無くした絶縁層と配線層とを積層することができるため、製造歩留まりを上げることができる。
【００１３】
薄膜多層配線基板の製造システムの一実施例を図２より説明する。製造システムは、外観検査装置２０１、レーザカット修正装置２０２、局所塗布修正装置２０３、露光装置２１０、現像装置２１１、成膜装置２１２、エッチング装置２１３、塗布装置２１４、ベーク炉２１５、剥離装置２１６などから構成される。これらの装置を使用して、図１に示した製造工程に従い、薄膜多層配線基板を製造する。外観検査装置２０１、レーザカット修正装置２０２、局所塗布修正装置２０３は、ネットワーク２０５に接続されており、外観検査装置２０１の検査結果データがレーザカット修正装置２０２、局所塗布修正装置２０３に転送される。転送されたデータに従って、欠陥部を修正する。なお、検査結果データは、ホストコンピュータ２０４で管理する。
【００１４】
本実施例によれば、検査装置と修正装置がオンラインで結ばれ、検査装置の検査結果が修正装置に転送できるため、修正作業の効率が向上する。
【００１５】
薄膜多層配線基板を対象とした外観検査装置の全体構成を図３に示す。検査対象である薄膜多層配線基板３０１は、ワークホルダ３０２でチャックされ、ＸＹＺθステージ３０３に搭載される。ＸＹＺθステージ３０３は、コントローラ３０４で駆動される。その動きは、計算機３０５が指令し、指令は、バス３０６を介して、コントローラ３０４に伝えられる。
【００１６】
照明は、多重リングライトガイド３１０による全周からの斜方照明と落射照明の複合照明である。多重リングライトガイドは、光源群３１１からの光を薄膜多層基板３０１に導き、薄膜多層基板に対して全周より斜方から照明する。落射照明は、光源３１２とコンデンサレンズ３１３とハーフミラー３１４と対物レンズ３１５で実現される。光源からの光をコンデンサレンズで介してハーフミラーに導き、対物レンズを通して薄膜多層基板を照明する。
【００１７】
薄膜多層基板３０１からの反射光は、対物レンズ３１５と結像レンズ３１６でリニアセンサ３１７上に結像され、画像が検出される。光路の途中に、フィルタ３１８を挿入し、検出波長を限定する。ＸＹＺθステージ３０３の走査とリニアセンサの駆動を同期させることで、２次元の画像信号を検出する。
【００１８】
画像信号はＡ／Ｄコンバータ３２０でデジタル信号に変換され、前処理回路３２１で、暗レベル補正、ステージ速度変動補正、シェーデイング補正などが施され、二値化回路３２２で二値画像となる。二値画像は、欠陥検出回路３２３で処理され、欠陥が検出される。欠陥の有無と欠陥の位置はバス３０６を介して計算機３０５に出力される。
【００１９】
以下、外観検査装置の各要素の詳細を説明する。
【００２０】
まず、検出光学系の構成を図４に示す。６重リングライトガイド４０１は、薄膜多層配線基板３０１に対して、全周かつ高さ方向六つの角度から照明する光ファイバーのライトガイドである。リング状に配置された光射出部４０２ａ，４０２ｂ，４０２ｃ，４０２ｄ，４０２ｅ，４０２ｆの照明角度αは、それぞれ、１６°，２８°，４０°，５１．５°，６３°，７４．５°である。光射出部４０２ａは光ファイバーによりランプハウス４０３ａにつながっており、４０２ｂは４０３ｂに、４０２ｃと４０２ｄは４０３ｃに、４０２ｅと４０２ｆは４０３ｄにつながっている。
【００２１】
ランプハウス４０３ａ〜ｄは、光量を調節するための電動メカ絞り４０４と、光路を開閉するシャッタ４０５と、照明波長を限定するフィルタ４０６と光を発生するランプ４０７とファイバ端に光を集光させる楕円ミラー４０８が内蔵されている。ランプ４０７には、水銀ランプあるいは、水源キセノンランプを用いる。電動メカ絞り４０４とシャッタ４０５は、先に図３に示した計算機３０５の指令に従って制御される。４台のランプハウスの光量を独立に制御することができるので、６重リングライトガイドの角度ごとの照明光量を調節できる。即ち、１６°を上段１と呼び、２８°を上段２と呼び、４０°と５１．５°を一緒にして中段と呼び、６１．５°と７４．５°を一緒にして下段と呼ぶと、上段１と上段２と中段と下段の光量バランスを自由に設定できる。本実施例では、４台のランプハウスを使用しているが、６台使用すると、六つの角度全ての照明バランスを調節できる。
【００２２】
６重リングライトガイドのファイバー長を数ｍと長くして、ランプハウス４０３を光源筐体４０９内に実装する。ランプハウスはかなりの熱を発生するため、その台数が多くなると、合計の熱量は膨大となる。検出光学系に使用するレンズ、特に対物レンズは、温度変化に敏感であり、焦点距離が変化する。このため、ランプハウスを検出光学系と同じ筐体に実装すると、ランプハウスの廃熱により検出光学系の温度が変化し、焦点位置が移動し、ピントがぼける。これを防止するために、検出光学系が納められた筐体とは別の光源筐体にランプハウスを実装する。
【００２３】
落射照明はケーラー照明である。ランプ４１０で発生した光をコンデンサレンズ４１１で一旦平行光とした後、リレーレンズ４１３，４１４とを介して、ハーフミラー４１５で光路９０度曲げて、対物レンズ４１６を通して照明する。コンデンサレンズとリレーレンズ間の平行光であるところに、各種フィルタ４２１を内蔵した電動ターレット４１２を配置する。電動ターレットは、先に図３に示した計算機３０５の指令に従って制御され、内蔵してあるフィルタ４２１を自由に選択できる。フィルタとして遮光板を内蔵しておくと、シャッタの機能も実現できる。また、ＮＤフィルタを内蔵すると、照明光量の制御が可能である。この時は、電動ターレットの台数を増やし、複数のフィルタが同時に光路上に挿入されるようにすると良い。
【００２４】
対物レンズ４１６は、無限遠補正方式が望ましく、結像レンズ４１７と対に使用する。倍率は、検出したい最小欠陥寸法により決めるが、例えば、検査対象である薄膜配線の最小線幅が３０μ程度であれば、５倍の対物レンズを使用する。倍率の異なる結像レンズを複数用意し、電動ターレットに装着すると、検出画素寸法を自由に選択できる。１．３倍の結像レンズ４１７ａと０．８７倍の結像レンズ４１７ｂと０．６５倍の結像レンズ４１７ｃを電動ターレット４１８に装着する。画素ピッチ１３μのラインセンサ４１９を使用すると、それぞれ、検出画素寸法は、２μ，３μ，４μとなる。ラインセンサには、ＴＤＩ（Ｔｉｍｅ  Ｄｅｌａｙ  ＆  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）ラインセンサが好適であり、非常に明るい画像が得られる。電動ターレット４１８は、先に図３に示した計算機３０５の指令に従って制御され、検出画素寸法を自由に選択できる。ハーフミラー４１５と結像レンズ間の平行光であるところに、各種フィルタ４２２を内蔵した電動ターレット４２０を配置する。電動ターレットは、先に図３に示した計算機３０５の指令に従って制御され、内蔵してあるフィルタ４２２を自由に選択できる。例えば、波長限定フィルタを内蔵すると、検出波長を選択できる。
【００２５】
本実施例によれば、多重リングライトガイドの各照明角度毎に光量が調節でき、かつ、落射照明の光量も調節できるため、各検査工程毎に最適な光量バランスを実現することができる。さらに、検出波長を切り替えることができるため、各検査工程ごとに最もコントラストが良くなるような波長で、画像を検出できる。また、検出画素寸法も変えられるため、各検査工程毎にパターン寸法が異なっていても効率良く検査することができ、検査時間が短縮される。
【００２６】
６重リングライトガイドが段差のあるパターンの検出に有効であることを図５に従って説明する。傾斜角θの段差を持つパターン５０１を考える。リングライトガイドの照明光５０２の照明角度をαとし、対物レンズ５０３の開口角をφとすると、９０°−φ＜２θ＋α＜９０°＋φの関係を満足する反射光５０４を対物レンズで捉えることができる。例えば、開口数ＮＡ＝０．１４（開口角φ＝８°）の対物レンズを使用し、６重リングライトガイドの照明角度α＝１６°，２８°，４０°，５１．５°，６３°，７４．５°とすれば、落射照明と合わせて、０°から４１°までの傾斜角θを持つ段差を検出できる。
【００２７】
薄膜多層配線基板の検査で、多重リングライトガイドの照明角度ごとの光量バランスを検査工程毎に最適化する必要が発生する理由を説明する。図６は薄膜多層配線基板のある検査工程における断面である。多層セラミック基板６０１は、その表面に銅のパッド６０２がある。絶縁層６０３は、ポリイミド系の樹脂であり、パッド６０２の上にスルーホール６１０が形成されている。配線層６０４は、例えば、クロム，銅，クロムの３層の金属膜であり、スルーホール６１０によりパッド６０２上にも形成されている。配線層６０４の上に形成された絶縁層６０５は、スルーホール６１２が形成されており、また、配線層６０４のエッジにより段差６１１が発生している。最上層は、配線層６０６である。配線層６０６の外観検査では、配線層６０６と絶縁層６０５を分離検出する必要がある。検出波長を紫色に限定すると、金属配線層を明るく、ポリイミド系樹脂の絶縁層６０５を暗く検出することができる。但し、落射照明だけであれば、スルーホール６１０，６１２による傾斜部が暗く検出され、配線層６０６全てを明るく検出することができない。この傾斜部を明るく検出するために、多重リングライトガイドによる斜方照明が必要となる。多重リングライトガイドによる照明では、スルーホール６１０，６１２による段差を明るくするだけではなく、ポリイミド系の絶縁膜の表面反射により、絶縁層６０５の段差６１１が明るく検出され得る。スルーホール６１０とスルーホール６１２と段差６１１の傾斜角はそれぞれ異なるので、スルーホール６１０，６１２による段差を明るくし、段差６１１を暗く検出するように、多重リングライトガイドの各照明角の光量バランスを設定すれば良い。さらに、明るくしたい段差の傾斜角や暗くしたい段差の傾斜角は、検査工程毎に異なるため、検査工程毎に光量バランスを最適化する必要がある。これは、図４に示した検出光学系で実現できる。
【００２８】
検出波長を検査工程毎に切り替える利点を説明する。図７は多層薄膜配線基板の製造に使用する材料の分光反射特性の例である。ポリイミド系樹脂の例を２例、レジストの例を１例、金属膜の例を３例示した。金属膜は、波長によらず、比較的、反射率が高く、かつ一定であるが、ポリイミド系樹脂やレジストの有機材料は、長い波長に対しては、反射率が高く、短い波長に対しては、反射率が低い。このため、短い波長を選択的に透過するフィルタを使用すると、金属膜と、有機材料とを分離検出できる。さらに、ポリイミド系樹脂とレジストの分光反射率を良くみると、材料により、反射率が最小になる波長が異なっていることが判る。検出コントラストを最大にするには、反射率の最小の波長で検出すればよい。検査工程により、材料が異なるので、検査工程毎に検出波長を切り替えた方が良い。これは、図４に示した検出光学系で実現できる。
【００２９】
次に、欠陥判定処理系の構成を図８に従って説明する。図３における前処理回路３２１からのデジタル信号８０１は、二値化回路８０２により二値化され、二値画像メモリ８０３に記憶される。二値画像メモリは、３枚のメモリ８０３ａ，ｂ，ｃより構成されている。画像の検出には、リニアセンサ３１７を使用しているので、最初の１走査分の画像をメモリ８０３ａに、次の走査分の画像をメモリ８０３ｂに、三回目の走査分の画像をメモリ８０３ｃに、４回目の走査分の画像をメモリ８０３ａに、順番に格納していく。一方、磁気ディスク装置８０５には、各検査工程の正常なパターン形状が予め格納されている。検査開始に当って、磁気ディスク装置８０５から、検査工程の正常なパターンを二値画像メモリ８０４に格納しておく。二値画像メモリ８０３から検出画像を、二値画像メモリ８０４から正常パターンを読みだし、位置合せ回路８０６で、画像同士の位置合わせを行い、欠陥判定回路８０７で不一致部を欠陥をして出力する。欠陥データは、バス８０８を介して、画像処理用計算機８１０に送られる。画像処理用計算機８１０は、欠陥データに基づき、欠陥近傍の検出画像を二値画像メモリ８０３から呼出し、ソフトウェアによる画像処理でその欠陥が真の欠陥か、あるいは虚報であるかを判断する。さらには、欠陥の大きさも調べる。二値画像メモリ８０３は、３枚あるので、１枚は二値化回路８０２からの信号の格納に、１枚は位置合せ回路８０６への呼出しに、１枚は、画像処理用計算機８１０からの呼出し用として使用する。最終的な欠陥データは、画像処理用計算機８１０から制御用計算機８０９に送られ、制御用計算機が管理する。
【００３０】
本実施例によれば、電気回路で実現した論理によるハードウエア処理で高速に欠陥候補を検出し、そのあと、欠陥候補に対して、電子計算機によるソフトウェア処理で各検査工程に最適な画像処理を施し、真の欠陥を抽出することができる。
【００３１】
【発明の効果】
本発明によれば、薄膜多層配線基板の製造工程で、各層を形成する毎に、最も新しく形成された層を検査して、欠陥を修正した後に、次の層を形成するため、既に検査及び修正を完了した下層の検査及び修正の必要がなく、歩留まりを向上できる。
【００３２】
また、１台の検査装置で全ての検査工程の検査が可能であり、検査工程毎に異なる検査装置を準備する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による薄膜多層配線基板の製造方法の一実施例を示した断面図。
【図２】本発明による薄膜多層配線基板の製造システムの一実施例を示したブロック図。
【図３】本発明による外観検査装置のブロック図。
【図４】本発明による外観検査装置の検出光学系の説明図。
【図５】パターン傾斜部の検出に多重リングライトガイドによる照明が有効であることの説明図。
【図６】薄膜多層配線基板のある工程における断面図。
【図７】数種類の材料の分光反射率を示した特性図。
【図８】本発明による外観検査装置の欠陥判定処理部のブロック図。
【符号の説明】
１００…多層セラミック基板、１０１…パッド、１０２ａ…絶縁膜、１０３…ホトレジスト、１０４ａ…金属膜、１０５…ホトレジスト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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