(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布膜の成分と、溶剤分子が極性を有する溶剤と、を混ぜ合わせてなる塗布液を塗布された基板を減圧状態で乾燥し、前記塗布液から溶剤の除去を行う減圧乾燥装置において、
基板を載置する載置部を内部に備える密閉容器と、
この密閉容器に排気路を介して接続され、当該密閉容器内を減圧雰囲気とすることで基板上の塗布液から溶剤を揮発させる減圧排気手段と、
この減圧排気手段によって基板上の溶剤を揮発させるとき、塗布液から揮発した溶剤蒸気が前記排気路内で結露することを抑えるために、温度調節した不活性ガスを前記排気路に供給する不活性ガス供給手段と、
前記排気路における前記不活性ガスの供給位置よりも下流側に設けられ、電力供給部から交流電圧が供給される電極と、を備え、
前記排気路内に交流電圧を印加し、この排気路内の溶剤蒸気を振動させることにより、前記溶剤蒸気と不活性ガスとの各々の分子同士の衝突頻度を増加させることを特徴とする減圧乾燥装置。
【請求項２】
前記不活性ガス供給手段は、不活性ガス供給部と、この不活性ガス供給部からの不活性ガスの温度を調整するためのガス温調部と、前記不活性ガス供給部からの不活性ガスを前記排気路に供給するために、前記排気路の途中に接続されるガス配管と、を備えることを特徴とする請求項１記載の減圧乾燥装置。
【請求項３】
排気路における、当該排気路と前記ガス配管との接続部位よりも上流側の区間Ａの周囲には、当該部位を流れる溶剤蒸気が結露することを防ぐための温度調節手段が設けられることを特徴とする請求項２記載の減圧乾燥装置。
【請求項４】
不活性ガスは、密閉容器を介して排気路内に供給されることを特徴とする請求項１記載の減圧乾燥装置。
【請求項５】
排気路内におけるガス流量を検出するためのガス流量検出部と、
前記排気路における排気流量を調節する流量調節部と、
前記排気路における排気流量が一定値に維持されるように、前記ガス流量検出部にて検出されるガス流量検出値に基づいて前記流量調節部の制御を行う制御部と、を備えることを特徴とする請求項２または３に記載の減圧乾燥装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記排気路における、当該排気路と前記ガス配管との接続部位と、電極が設けられた個所との間を区間Ｂとし、電極が設けられた個所から下流側の領域を区間Ｃとしたときに、区間Ｃにおける溶剤蒸気と不活性ガスとの混合気体の温度が、区間Ｂにおける溶剤蒸気と不活性ガスとの混合気体の温度よりも高くなるように、前記電力供給部の制御を行なうことを特徴とする請求項５に記載の減圧乾燥装置。
【請求項７】
塗布膜の成分と、溶剤分子が極性を有する溶剤と、を混ぜ合わせてなる塗布液を塗布された基板を減圧状態で乾燥し、前記塗布液から溶剤の除去を行う減圧乾燥方法において、
前記塗布液が塗布された基板を、減圧乾燥装置に設けられる密閉容器内に載置する工程と、
減圧排気手段から排気路を介して排気を行うことで前記密閉容器内を減圧雰囲気とし、基板に塗布された塗布液中の溶剤を揮発させる工程と、
揮発した溶剤蒸気が前記排気路内で結露しないように、温度調節された不活性ガスを、前記排気路に供給することにより前記溶剤蒸気に混合すると共に、前記排気路における前記不活性ガスの供給位置よりも下流側にて、溶剤蒸気と不活性ガスとの混合気体に対して交流電圧を印加することで、各々の分子同士の衝突頻度を増加させる工程と、を含むことを特徴とする減圧乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）などの基板表面に例えば絶縁膜形成用の塗布液を供給し、この塗布液中に含まれる溶剤を除去して塗布膜（絶縁膜）を形成する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程の一つに、半導体デバイスの保護膜や層間絶縁膜等を形成するために、基板に対して所定の薬液を供給して当該基板の表面に塗布膜を形成し、次いで塗布液中の溶剤を乾燥させる処理がある。この種の膜の塗布液については、溶剤に揮発性の低いものが用いられることや、速やかに溶剤をウエハ表面から除去して塗布膜の膜厚均一性を確保するなどの理由から、ウエハ上に塗布液を塗布した後、直ぐに減圧乾燥ユニットに搬入して減圧乾燥を行うことが得策である。図７は従来の減圧乾燥装置１１を示す概略図である。図中１２は蓋体１３及び載置部１４にて構成される密閉容器であり、蓋体１３の天井部には開口部１３ａが形成されている。この開口部１３ａは排気管１５を介して例えば塗布膜形成装置の外部に設けられる減圧ポンプ１６と連通し、密閉容器１２の内部を減圧することができるようになっている。このような装置では、載置部１４にウエハＷを載置し、図示しない温度調節手段にて該ウエハＷを所定の温度に調整、例えば加熱すると共に減圧ポンプ１６により密閉容器１２内の減圧を行うことで、ウエハＷ表面に残る溶剤成分が揮発（乾燥）して減圧ポンプ１６側に吸引され、ウエハＷ表面には塗布膜成分のみが残ることとなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、減圧乾燥装置１１にて用いられる減圧ポンプ１６は、塗布膜形成装置外部のクリーンルーム側に設けられており、このため減圧乾燥時に揮発して減圧ポンプ１６側に吸引される溶剤は、排気管１５の途中で例えば２３℃程度に維持されるクリーンルーム側の雰囲気の影響を受けてしまう場合がある。絶縁膜の種類によっては例えば気圧が１３３Ｐａの雰囲気下において沸点が３０℃〜４０℃程度である高沸点シンナーが用いられるので、これらの溶剤蒸気は排気管１５の途中で結露し易い。減圧ポンプ１６における排気流量は一定に保たれているため、排気管１５内で溶剤蒸気が結露すると、当該結露の量に応じて排気流量が変化してしまい、製品の品質にばらつきが生じるという問題がある。また、徐々に結露の量が増えていくと、この増加量に応じて乾燥に要する時間も長くなってしまう。
【０００４】
そこで結露防止策として排気管１５の全区間に例えばテープヒータ等からなる真空配管ヒータに温度調節手段を設け、減圧乾燥時において当該排気管１５内の温度を溶剤が結露しない例えば４０℃程度の温度に維持する手法も考えられるが、密閉容器１２から減圧ポンプ１６へと至る排気管１５の長さは例えば５ｍ以上と長く、全区間に亘って温度調節を行うことは設備的な問題もさることながら、膨大な運転費用が必要となるというコスト面の問題が大きい。
【０００５】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、減圧乾燥装置において迅速且つ安定したペースで乾燥処理を行うことができる技術を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る減圧乾燥装置は、塗布膜の成分と、溶剤分子が極性を有する溶剤と、を混ぜ合わせてなる塗布液を塗布された基板を減圧状態で乾燥し、前記塗布液から溶剤の除去を行う減圧乾燥装置において、
基板を載置する載置部を内部に備える密閉容器と、
この密閉容器に排気路を介して接続され、当該密閉容器内を減圧雰囲気とすることで基板上の塗布液から溶剤を揮発させる減圧排気手段と、
この減圧排気手段によって基板上の溶剤を揮発させるとき、塗布液から揮発した溶剤蒸気が前記排気路内で結露することを抑えるために、温度調節した不活性ガスを前記排気路に供給する不活性ガス供給手段と、
前記排気路における前記不活性ガスの供給位置よりも下流側に設けられ、電力供給部から交流電圧が供給される電極と、を備え、
前記排気路内に交流電圧を印加し、この排気路内の溶剤蒸気を振動させることにより、前記溶剤蒸気と不活性ガスとの各々の分子同士の衝突頻度を増加させることを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、減圧乾燥時における排気路内の温度コントロールに温度調節した不活性ガスを用いるため、従来用いていたテープヒータ等のように高いコストを要せず、且つ迅速に減圧乾燥処理を行うことができる。また排気路内における溶剤の結露を確実に防ぐことができるので、排気流量が安定し、ロット間の製品の均一性が向上するというと利点もある。
【０００９】
なお不活性ガスを供給する際には、排気路内における不活性ガスの供給分だけ排気流量を増加させて排気流量を常に一定に保つことが好ましい。具体的には上述構成に加え、排気路内におけるガス流量を検出するためのガス流量検出部と、前記排気路における排気流量を調節する流量調節部と、前記排気路における排気流量が一定値に維持されるように、前記ガス流量検出部にて検出されるガス流量検出値に基づいて前記流量調節部の制御を行う制御部と、を備えた構成を挙げることができる。
【００１０】
また本発明に係る塗布膜形成方法は、塗布膜の成分と、溶剤分子が極性を有する溶剤と、を混ぜ合わせてなる塗布液を塗布された基板を減圧状態で乾燥し、前記塗布液から溶剤の除去を行う減圧乾燥方法において、
前記塗布液が塗布された基板を、減圧乾燥装置に設けられる密閉容器内に載置する工程と、
減圧排気手段から排気路を介して排気を行うことで前記密閉容器内を減圧雰囲気とし、基板に塗布された塗布液中の溶剤を揮発させる工程と、
揮発した溶剤蒸気が前記排気路内で結露しないように、温度調節された不活性ガスを、前記排気路に供給することにより前記溶剤蒸気に混合すると共に、前記排気路における前記不活性ガスの供給位置よりも下流側にて、溶剤蒸気と不活性ガスとの混合気体に対して交流電圧を印加することで、各々の分子同士の衝突頻度を増加させる工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る減圧乾燥装置を塗布膜形成装置に適用した場合を例に取り、説明を行う。先ずこの装置の全体構成について図１及び図２を参照しながら簡単に説明すると、図中２１はカセットステーションであり、例えば２５枚のウエハＷを収納したカセットＣを複数個載置できるように形成されたカセット載置部２２と、載置されたカセットＣとの間でウエハＷの受け渡しを行うための受け渡しアーム２３とが設けられている。この受け渡しアーム２３の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理部Ｓ１が接続されている。処理部Ｓ１の中央には主搬送手段２５が設けられており、これを取り囲むように例えば奥を見て右側には複数の塗布ユニット３が、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３が夫々配置されている。
【００１２】
棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、塗布ユニット３の前処理及び後処理を行うためのユニットなどを各種組み合わせて構成されるものであり、その組み合わせは例えば図２の棚ユニットＵ２に示すように塗布ユニット３にて表面に塗布液が塗られたウエハＷを減圧雰囲気下で乾燥し、該塗布液中に含まれる溶剤を揮発する減圧乾燥ユニット４、ウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット２６、ウエハＷを冷却する冷却ユニット２７等が含まれる。なお棚ユニットＵ２については、ウエハＷを受け渡すための受け渡し台を備えた受け渡しユニット２８も組み込まれる。また、上述した主搬送手段２５は例えば昇降及び前後に移動自在で且つ鉛直軸周りに回転自在に構成されており、塗布ユニット３及び棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３を構成する各ユニット間でウエハＷの受け渡しを行うことができる構成とされている。
【００１３】
ここで塗布ユニット３の構成について簡単に説明すると、塗布ユニット３内にはウエハＷを裏面側から吸着保持すると共に鉛直軸まわりに回転自在に構成される載置台３１と、この載置台３１に載置されたウエハＷの上方を移動可能なノズル３２とが設けられている。そして図示するようにウエハＷを回転させておき、薬液を吐出させた状態でノズル３２をウエハＷの中心部上方から径方向に移動させることで、ウエハＷ表面に塗布液をいわば一筆書きの要領で螺旋状に塗布できる構成とされている。塗布液としては、絶縁膜成分であるポリイミドを例えばＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）等のいわゆる高沸点シンナーに溶解させた混合溶液が用いられる。
【００１４】
次いで減圧乾燥ユニット４に組み込まれる減圧乾燥装置の構成について、図５を参照しながら説明する。図中４１はウエハＷを載置する載置部であり、その上部には蓋体４２が設けられている。この蓋体４２は保持アーム４３ａや駆動部４３ｂ等からなる昇降機構４３の働きにより昇降自在とされており、下降時には載置部４１の周縁部とシール材であるＯリングＲ１を介して気密に接合し、ウエハＷの置かれる雰囲気を密閉雰囲気とする密閉容器４０を構成する。
【００１５】
載置部４１の内部には、既述の主搬送手段２５に設けられるウエハ搬送アーム１００（図１参照）との間でウエハＷの受け渡しができるように、３本のリフトピン４４が貫通して設けられ、このリフトピン４４は昇降板４５を介して例えばエアシリンダなどの昇降部４６により昇降できるようになっている。またウエハＷの置かれる雰囲気がリフトピン４４の貫通孔４４ａを介して大気側と連通するのを防ぐため、昇降板４５の周縁部と載置部４１との間にはベローズ４５ａが設けられている。
【００１６】
載置部４１の表面近傍には、減圧乾燥時にウエハＷを所定温度に調整する温度調節手段例えば抵抗加熱体などにより構成されるヒータ４７が埋設されている。一方、蓋体４２の天井部４２ａには密閉容器４０内の雰囲気を吸引排気できるように開口部４８が形成され、また蓋体４２内のウエハＷと対向する空間には、載置部４１に載置されるウエハＷと対向すると共に蓋体４２の天井部４２ａ及び側壁４２ｂのいずれとも隙間を有するように板状の整流部材４９が設けられている。この整流部材４９は図示しない昇降機構の働きにより昇降時材とされており、乾燥処理時に例えばウエハＷ表面の上方２ｍｍ程度の高さとなるように接近させることで、蓋体４２の内壁面に沿って均一な排気流が形成されるようになっている。
【００１７】
前記開口部４８には、例えばステンレスにより構成される排気路をなす排気管５が接続されており、この排気管５の他端側は例えばクリーンルーム内に設けられる減圧排気手段をなす減圧ポンプ５１へとバルブＶ１を介して接続している。また排気管５におけるバルブＶ１の上流側には、ガス流量検出部である流量計５２及びバタフライバルブ等を備えてなる流量調節部５２ａが介設されており、排気管５における排気流量の調節は、制御部６が流量計５２から得た流量検出値に基づき流量調節部５２ａを介して行うように構成されている。
【００１８】
排気管５の途中にはガス配管５３が接続されており、このガス配管５３の他端側はガス温調部５４を介して不活性ガス供給部５５へと接続している。これらガス配管５３、ガス温調部５４及び不活性ガス供給部５５は、特許請求の範囲に記載の不活性ガス供給手段に相当するものである。また、排気管５とガス配管５３との接続部位Ｐ１よりも下流側（減圧ポンプ５１側）には当該部位の管内温度を検出するための第１の温度検出部５６が設けられており、制御部６ではこの第１の温度検出部５６から得られる温度検出値に基づき、例えば不活性ガス供給部５５から供給される不活性ガス例えばＮ2（窒素）ガスの流量調節や、ガス温調部５４における温度調節等の各制御を行うように構成されている。
【００１９】
接続部位Ｐ１の下流側、例えば接続部位Ｐ１近傍位置には、不活性ガスと溶剤蒸気との混合気体に対して交流電圧を印加するための一対の電極５７（５７ａ，５７ｂ）が設けられている。他方、接続部位Ｐ１の上流側（密閉容器４０側）には、当該部位の管内温度を検出するための第２の温度検出部５８が設けられており、取得した温度検出値を制御部６に送信する構成とされている。また接続部位Ｐ１の上流側には、例えば減圧乾燥時において排気管５内を流れる溶剤蒸気が開口部４８から接続部位Ｐ１に至るまでの間に結露することを防ぐため、温度調節手段をなすテープヒータ５９が設けられている。そして電極５７（５７ａ，５７ｂ）は交流発振部からなる第１の電力供給部６１と、テープヒータ５９は第２の電力供給部６２と夫々接続されており、詳細は後述するが、制御部６から夫々の出力調整を行うように構成されている。
【００２０】
次に上述実施の形態の作用について説明する。先ずカセットＣがカセットステーション２１に搬入されると、受け渡しアーム２３によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは受け渡しアーム２３から棚ユニットＵ２中の受け渡しユニット２８を介して主搬送手段２５へと受け渡され、塗布ユニット３内に搬入されて既述のようにして表面全体に塗布液が塗布される。
【００２１】
しかる後ウエハＷは、主搬送手段２５にて減圧乾燥ユニット４へと搬送される。減圧乾燥ユニット４へのウエハＷの搬入は、先ず蓋体４２が上昇した状態で主搬送手段２５のウエハ搬送アーム１００が載置部４１の上方まで進入し、リフトピン４４を上昇させて該アームからウエハＷを受け取った後、このリフトピン４４を下降させて行う。その後、蓋体４２を下降させて密閉容器４０を構成し、ヒータ４７にて例えば５０℃程度にウエハＷを加熱すると共にバルブＶ１を開いて減圧ポンプ５１により密閉容器４０内の吸引を開始し、ウエハＷの置かれる雰囲気を溶剤が沸点に至るよりも少し高い圧力例えば３５０Ｐａの減圧雰囲気とする。これによりウエハＷ表面上に塗布された塗布液中の溶剤が激しく揮発し、揮発した溶剤蒸気は整流部材４９に当たって径方向に均等に広がり、排気流と共に開口部４８を介して排気管５へと向かう。
【００２２】
ここで便宜上、排気管５を三区分に分け、図６に示するように接続部位Ｐ１よりも上流側を区間Ａ、接続部位Ｐ１から電極５７設置個所までの間を区間Ｂ、電極５７から下流側を区間Ｃと呼ぶものとすると、区間Ａではテープヒータ５９によって排気管５内において溶剤蒸気が結露しない程度まで加熱されており、密閉容器から流入してきた溶剤蒸気は管内に付着することなく区間Ｂへと向かう。このとき制御部６は、第２の温度検出部５８を介して温度検出値の監視を行っており、例えば溶剤蒸気が一定温度に保たれるように第２の電力供給部６２を介してテープヒータ５９の温度調整を行う。
【００２３】
その一方で、制御部６では第１の温度検出部５６から得られる区間Ｂにおける管内温度、及び流量計５２から得られる排気流量の検出値に基づいて不活性ガス供給部５５、ガス温調部５４及び流量調節部５２ａの制御が行われ、その結果ガス配管５３から例えば溶剤蒸気が区間Ｂにおいても結露しないように温度調節されたＮ2ガスが適当な流量で供給される。これに伴い流量調節部５２ａではオフセット分即ちＮ2ガスの供給分だけ排気流量が増加するように開度の調節（開く）が行われ、結果として排気流量は一定に保たれる。
【００２４】
こうしてＮ2ガスと溶剤蒸気とは区間Ｂにて混じり合うこととなるが、その混合度合いが十分でないこともあることから、これら混合気体に対して第１の電力供給部６１及び電極５７（５７ａ，５７ｂ）による交流電圧の印加が行われる。これは、本実施の形態にて用いる高沸点シンナーが極性を有することから当該シンナー分子に交流電圧を印加して振動させ、この振動により両者の気体同士を十分に混合させようというものである。即ち電極５７（５７ａ，５７ｂ）間に電圧を印加すると、例えば図７に示すようにシンナー分子σ+が電極５７ａ，５７ｂ間を振動し、これによりシンナー分子σ+とＮ2分子との衝突頻度が高まり、結果として混合気体が全体的に均一化すると共に当該部位における管内温度も上昇する。制御部６では混合気体が十分に混じり合い、且つ区間Ｃにおいて溶剤成分が結露することがないように第１の電力供給部６１の制御を行う。具体的には例えば区間Ｂに設けた第１の温度検出部５６に加えて、電極５７（５７ａ，５７ｂ）を挟むように区間Ｃに図示しない温度検出部を設けておき、各温度検出手段にて得る温度検出値に基づいて区間Ｂにおける混合気体の温度（管内温度）よりも区間Ｃにおける混合気体の温度の方が高くなるように制御を行うことが好ましい。
【００２５】
こうして、溶剤蒸気は排気管５の下流側に設けられる図示しない捕集手段に回収され、密閉容器４０内ではウエハＷ表面が短時間で乾燥される。乾燥処理終了後には図示しないガス供給源を介して例えば乾燥した空気や窒素ガスなどで密閉容器４０内をパージし、密閉容器４０内を大気圧に戻す。そして蓋体４２を上昇させ、減圧乾燥ユニット４への搬入時と逆順の工程を経てウエハＷは主搬送手段２５により搬出される。
【００２６】
これまで述べてきたように本実施の形態によれば、減圧乾燥時に排気管５内へ温度調節したＮ2ガスを供給することで、塗布液から揮発する溶剤蒸気の温度コントロールをしているため、従来よりも少ないコストで排気管５内における溶剤蒸気の結露を抑え、且つ乾燥処理を迅速に行うことができる。加えて、排気管５内における溶剤の結露を防ぐことで排気流量のばらつきを抑えられるため、処理を繰り返して行っても毎回処理の開始から終了に至るまで安定した排気流量を維持することができ、結果としてウエハＷのロット間の品質が均一化する。
【００２７】
また本実施の形態では、不活性ガスを排気管５の途中から供給しているため、排気管５とガス配管５３との接続部位Ｐ１よりも上流側で溶剤蒸気が結露するおそれが生じるが、当該部位はテープヒータ５９にて温度調節可能とされているため、溶剤蒸気は排気管５のいずれの部位でも結露しにくい。「発明が解決しようとする課題」でも述べたように、このテープヒータ５９はコスト的な問題があるものの、本実施の形態では密閉容器４０からガス配管５３の接続部位Ｐ１までの一定区間でのみ使用しているため、全体的にみればコストは低く済む。
【００２８】
更に排気管５の接続部位Ｐ１より下流側に電極５７（５７ａ，５７ｂ）を設け、溶剤蒸気とＮ2ガスとの混合気体に交流電界を印加しているため、溶剤分子とＮ2分子との衝突を促進させ、当該混合気体の均一性を高めることができ、その上両分子同士の衝突頻度をコントロールすることで混合気体の温度調節も可能であるため、より確実に溶剤蒸気の結露を防止することができる。
【００２９】
なお、溶剤蒸気と不活性ガスとの混合気体に電界を印加する手法は、溶剤分子が極性を有するものであることに着目したものであるため、同様に極性を有するものであれば高沸点シンナーを用いた場合のみならず、他の極性を有する溶剤を用いた塗布液を塗布した基板を乾燥する装置においても有効である。また第１の電力供給部６１に接続する電極５７の設置形態は、上述実施の形態に示した如く（図４〜図６参照）いわば排気管５を挟むようなものに限られず、例えば一対の電極を排気方向に並べて設けても構わない。具体的には、例えば一対のメッシュ状の電極を用意し、これを排気方向に対向させるようにして排気管５内に設けたものを挙げることができる。更にまた、第１の電力供給部６１に接続する電極５７を一つとし、他方をアースに接続する構成としてもよい。
【００３０】
また、排気管５に不活性ガスを供給する場所（例えばＰ１）は、溶剤蒸気が排気管５の外部雰囲気からの影響を受けやすい箇所よりも上流側であれば、いずれの部位であってもよく、例えばガス配管５３を密閉容器４０に接続して密閉容器４０の内部から排気管５側へ温度調節した不活性ガスを送り込むようにしてもよい。
【００３１】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、減圧乾燥装置において迅速且つ安定したペースで乾燥処理を行うことができる。更にはロット間における製品の均一性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る減圧乾燥装置を組み込んだ塗布膜形成装置の全体構造を示す平面図である。
【図２】上記塗布膜形成装置の全体構造を示す斜視図である。
【図３】上記塗布膜形成装置に組み込まれる塗布ユニットについて示す概略説明図である。
【図４】本発明に係る減圧乾燥装置の実施の形態を示す縦断面図である。
【図５】本実施の形態の作用を示す作用説明図である。
【図６】本実施の形態の作用を示す作用説明図である。
【図７】従来発明における減圧乾燥装置を説明する概略断面図である。
【符号の説明】
Ｗ        半導体ウエハ
３        塗布ユニット
４        減圧乾燥ユニット
４０      密閉容器
４１      載置部
４７      ヒータ
５        排気管（排気路）
５１      減圧ポンプ
５２      流量計
５２ａ    流量調節部
５３      ガス配管
５４      ガス温調部
５５      不活性ガス供給部
５６      第１の温度検出部
５７（５７ａ，５７ｂ）    電極
６        制御部
６１      第１の電力供給部
６２      第２の電力供給部
【図１】
0003990927.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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