(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物に対して処理液を供給して処理する処理装置に使用される物体検出装置であって、
被処理物とその一端との接触により変位する振り子と、
該振り子の変位を検出する変位検出手段と、
内部に純水を収容して、収容した純水に前記振り子の支点から他端までを浸漬する液容器と、
前記液容器内の純水の液面を所定高さに維持する液面維持手段と、
を備え、
前記液面維持手段は、
前記液容器内に純水を供給する液供給手段と、
前記液容器内に収容された純水を排出する液排出手段と、
を有し、
前記液容器は、上方が開口し、当該開口には、前記振り子の変位を許容する蓋体が設けられていることを特徴とする物体検出装置。
【請求項２】
前記変位検出手段は、
磁性部材と、
該磁性部材から受ける磁界の変化に応じて信号を出力する磁電変換素子とからなることを特徴とする請求項１記載の物体検出装置。
【請求項３】
前記変位検出手段は、
前記磁性部材と前記磁電変換素子のいずれか一方が前記振り子に備えられていることを特徴とする請求項２記載の物体検出装置。
【請求項４】
基板を処理する処理室を構成する室構成体と、
前記処理室内に基板を支持して搬送する搬送機構と、
前記搬送機構により搬送される基板に対して前記処理室内で処理液を供給する液供給機構と、
前記搬送機構により搬送される基板を被検出物としてその位置を検出する物体検出装置と、
前記物体検出装置の検出結果に応じて前記搬送機構を制御する制御手段と、
を備え、
前記物体検出装置は、
被処理物とその一端との接触により変位する振り子と、
該振り子の変位を検出する変位検出手段と、
内部に純水を収容して、収容した純水に前記振り子の支点から他端までを浸漬する液容器と、
前記液容器内の純水の液面を所定高さに維持する液面維持手段と、
を備え、
前記液面維持手段は、
前記液容器内に純水を供給する液供給手段と、
前記液容器内に収容された純水を排出する液排出手段と、
を有し、
前記液容器は、上方が開口し、当該開口には、前記振り子の変位を許容する蓋体が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
前記液排出手段は、前記液容器から排出した純水を前記処理室外に排出することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示パネルやプラズマ表示パネルなどの製造に用いるガラス基板、半導体ウエハ、半導体製造装置用のマスク基板、プリント基板などの各種基板を取扱う装置や、その他工作機械などに用いる物体検出装置と、それらの基板の表面に対して、純水、洗浄薬液、現像液、剥離液などの各種処理液を供給して各種のウエット処理を施すための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体や液晶表示パネル、プラズマ表示パネルなどの製造工程で用いられるフォトリソグラフィのプロセスにおいては、処理すべき基板の表面にフォトレジストの被膜を形成し、現像、エッチング、剥離等のプロセス処理を所定の処理液を供給することにより施して所望のパターニングを行なう。そしてこれらの工程を実行する基板処理装置において、例えば、基板が搬送されたことを確認するなどのために、基板の有無を検出することが必要とされる場合がある。このような場合に用いられる基板検出装置としては、たとえば搬送されてきた基板と接触することによって変位する振り子と、その振り子の変位によって接点が開閉するスイッチとからなるものがある。
【０００３】
しかしながら、このような振り子を用いた基板検出装置では、基板の搬送速度が速い場合などには、基板との接触で振り子が大きく振れてしまって振動し、スイッチの接点の開閉が短時間で繰り返されるいわゆるチャタリングが発生し、誤検出の原因となっていた。また、基板処理装置において用いる処理液などによっては、処理室内において泡が発生し、その泡が基板検出装置の振り子の位置まで充満して振り子を押し上げてしまうことがあり、誤検出の原因となっていた。
【０００４】
また、処理液が振り子の支点に付着して溶質成分が結晶化して析出し、その動きが悪くなって誤検出してしまうことがあった。
【０００５】
また、このような基板検出装置を用いた基板処理装置においては、上記のような誤検出により、基板の搬送制御を確実に行なうことができず、装置が停止したり効率的な処理ができない事態が生じていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、チャタリングなどによる誤検出が発生しない物体検出装置を提供し、さらにその物体検出装置を使用してチャタリングや処理液の泡による誤検出が発生せず基板の搬送制御を確実に行なうことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
さらに本発明は、処理液の結晶化による不都合が生じない物体検出装置を提供し、さらにその物体検出装置を使用して基板の搬送制御を確実に行なうことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
また本発明は、処理室内の処理液の品質を損なうことがない物体検出装置を備えた基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、被処理物に対して処理液を供給して処理する処理装置に使用される物体検出装置であって、被処理物とその一端との接触により変位する振り子と、該振り子の変位を検出する変位検出手段と、内部に純水を収容して、収容した純水に前記振り子の支点から他端までを浸漬する液容器と、前記液容器内の純水の液面を所定高さに維持する液面維持手段とを備え、前記液面維持手段は、前記液容器内に純水を供給する液供給手段と、前記液容器内に収容された純水を排出する液排出手段とを有し、前記液容器は、上方が開口し、当該開口には、前記振り子の変位を許容する蓋体が設けられていることを特徴とする。
【００１４】
請求項２の発明は、請求項１において、前記変位検出手段が、磁性部材と、該磁性部材から受ける磁界の変化に応じて信号を出力する磁電変換素子とからなることを特徴とする。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項２において、前記変位検出手段が、前記磁性部材と前記磁電変換素子のいずれか一方が前記振り子に備えられていることを特徴とする。
【００２０】
請求項４の発明は、基板を処理する処理室を構成する室構成体と、前記処理室内に基板を支持して搬送する搬送機構と、前記搬送機構により搬送される基板に対して前記処理室内で処理液を供給する液供給機構と、前記搬送機構により搬送される基板を被処理物としてその位置を検出する物体検出装置と、前記物体検出装置の検出結果に応じて前記搬送機構を制御する制御手段とを備え、前記物体検出装置は、被処理物とその一端との接触により変位する振り子と、該振り子の変位を検出する変位検出手段と、内部に純水を収容して、収容した純水に前記振り子の支点から他端までを浸漬する液容器と、前記液容器内の純水の液面を所定高さに維持する液面維持手段とを備え、前記液面維持手段は、前記液容器内に純水を供給する液供給手段と、前記液容器内に収容された純水を排出する液排出手段とを有し、前記液容器は、上方が開口し、当該開口には、前記振り子の変位を許容する蓋体が設けられていることを特徴とする。
【００２１】
請求項５の発明は、請求項４において、前記液排出手段は、前記液容器から排出した純水を前記処理室外に排出することを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。図１は本発明に係る物体検出装置としての基板検出装置と、それを備えた基板処理装置の実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面図である。この基板処理装置は、角型のガラス基板Ｗ（以下、単に基板Ｗと称する）を水平姿勢または若干の傾斜姿勢として図中左から右へ向って水平方向にローラコンベア１で搬送しつつ、処理液として剥離液を供給して基板Ｗに対して剥離処理を施し、かつ当該処理後に純水を供給して洗浄処理する剥離装置である。この基板Ｗは、フォトレジストの被膜形成、露光、現像、エッチング等のプロセス処理を経て、その表面に剥離すべきフォトレジストの被膜が付着しているものである。なお、図示は省略しているが、さらにその後に基板Ｗに乾燥空気を供給するかまたは基板Ｗを回転させるなどして乾燥処理する乾燥処理部が、図１の右方に設けられる。この基板処理装置は、剥離液により処理を施す剥離処理部と、洗浄処理を施す洗浄処理部と、乾燥処理を施す乾燥処理部とからなるが、図１では剥離処理部Ｃと洗浄処理部Ｄのみを示す。
【００２３】
基板Ｗに対して剥離処理を施すための剥離処理室２および基板Ｗに対して洗浄処理を施すための洗浄処理室４は、室構成体３により区画形成される。また、室構成体３には、基板Ｗを剥離処理室２および洗浄処理室４へ搬入搬出するための開口５が形成され、その開口５を介して基板Ｗを剥離処理室２へ搬入し、さらに洗浄処理室４へ搬入し、洗浄処理室４から搬出するためのローラコンベア１が設けられている。基板Ｗは、剥離処理室２および洗浄処理室４内において、ローラコンベア１によって支持され、搬送される。
【００２４】
剥離処理室２には、ローラコンベア１によって支持された剥離処理室２内の基板Ｗに対して処理液を低圧又は高圧で供給可能な液供給機構１０が付設される。液供給機構１０において、剥離液タンク１８は剥離処理室２の下方の開口１５と配管接続され、開口１５から排出される剥離液は剥離液タンク１８に受け入れられて貯溜される。剥離液タンク１８には、貯溜している剥離液を所定温度に保つための温度調節機構１４が付設されている。また、剥離液タンク１８は、ポンプ１９、流量調整可能な開閉弁２２及びフィルタ２３を介してノズル１１に配管接続されている。ポンプ１９はインバータ２０の出力によって駆動され、インバータ２０の出力は制御装置２１によって制御される。ポンプ１９は、制御装置２１によってインバータ２０の周波数を制御することにより、ノズル１１側に向けた吐出圧力を低圧と高圧とに任意に切り替えて駆動制御可能となっている。これにより、ローラコンベア１の上方に設置されたノズル１１は、ローラコンベア１上に支持された基板Ｗに対して剥離液を低圧又は高圧で供給可能となっている。なお、ノズル１１は、図１の紙面奥行き方向に長いものを使用するか、あるいは紙面奥行き方向に複数の同じノズル１１を配列して配置することにより、紙面奥行き方向に等しい状態で処理液が供給されるようにして、処紙面奥行き方向に処理ムラが生じるのを防止している。
【００２５】
また、剥離処理室２内のローラコンベア１の両端近く、すなわち両方の開口５近くの位置にはローラコンベア１上の基板Ｗの有無を検出するためのセンサ１６、１７が設けられている。センサ１６、１７はそれぞれ信号処理回路４６、４７を介して制御装置２１に接続されており、基板Ｗがローラコンベア１上をセンサ１６、１７のところまで搬送されてくると、制御装置２１は当該センサ１６、１７が発生する信号にもとづきそれを検知する。また、ローラコンベア１は後述のように制御装置２１によってその動作が制御されるが、ローラコンベア１のうち、特に剥離処理室２内に位置する部分には他の部分とは独立した駆動源として可逆転モータ（図示せず）が使用され、ローラコンベア１に乗せられて運ばれてきた基板Ｗを剥離処理室２内でセンサ１６とセンサ１７との間を周期的に往復移動させることができる。
【００２６】
なお、ノズル１１は、剥離液が高圧で供給されたときには基板Ｗに対しても高圧スプレー状で剥離液を供給する高圧スプレーノズルであるが、剥離液が低圧で供給されたときには、基板Ｗに対しても低圧スプレー状で供給する。また、各ノズル１１の周囲には、ノズル１１から高圧で吐出される剥離液がミストとなって周囲に飛散するのを抑制する覆い部材９が設けられている。
【００２７】
洗浄処理室４には、剥離処理室２からローラコンベア１により運ばれてきた基板Ｗの上下両面に対して純水をスプレー状で供給して洗浄するためのノズル２４が、ローラコンベア１の上下に設けられている。純水供給源２９からの純水はポンプ３０によって加圧され、流量調整可能な開閉弁３１及びフィルタ３２を介してノズル２４に配管接続されている。なお、洗浄処理室４の上部には、周囲の下降気流を清浄にして取り入れるためのフィルタ３３が設けられている。また、洗浄処理室４の下部には、取り入れた下降気流を排出するとともに使用後の純水を排出するための開口３４が形成されている。
【００２８】
制御装置２１はいわゆるマイクロコンピュータよりなり、上述したインバータ２０のほか、ポンプ３０や開閉弁２２、３１、ローラコンベア１等にも接続（図示省略）され、それらを制御することによって剥離液や純水の供給や基板の搬送などこの剥離装置全体の動作をつかさどる。特に、剥離処理室２内で剥離液を基板Ｗに供給する際において、制御装置２１は、基板Ｗが図中左から右方向に搬送されてセンサ１７の位置まで到達したことを検知するとその剥離処理室２内のローラコンベア１の駆動源を逆回転させ、こんどは基板Ｗを図中右から左方向に搬送する。そして、次に基板がセンサ１６の位置まで到達すると、今度は前記駆動源を正回転させることにより、基板Ｗを図中左から右方向に搬送する。制御装置２１はかかる制御動作を繰り返すことにより、基板Ｗを剥離処理室２内の所定の範囲で周期的に往復移動させることができる。そして、かかる往復移動によって基板Ｗへの剥離処理室２での処理が終了すると、ローラコンベア１の前記駆動源を正回転させて基板Ｗをセンサ１７の位置を越えて図中右方向へ搬送し、洗浄処理室４へ送り込むことができる。
【００２９】
さて、ここで、センサ１６、１７は、その設置位置に基板Ｗが搬送されてきたか否かを検出する基板検出装置であって、本発明にかかる物体検出装置であり、この構成について以下に詳述する。図２および図３はこのセンサ１６、１７の正面図および側面図である。センサ１６、１７は同一の構成であって、容器７０内にて平行に向かい合うように立設された一対の支持板５０の間に、支点となる支軸５２によって回動変位自在となるように振り子部材５４が設けられる。振り子部材５４の一端には凹部５６が形成され、この凹部５６内にローラ５８が回転軸６０によって回転自在となるように取り付けられている。また、振り子部材５４の他端には、永久磁石６２が埋め込まれている。振り子部材５４は支軸５２からみて永久磁石６２側が重くなっており、通常は図２に実線で示すように永久磁石６２側が下方に位置している。そして、その下方に位置している永久磁石６２の下側近傍に、防滴カバー６４に覆われた磁電変換素子としてのホール素子６６が設けられている。ホール素子６６は周知のようにホール効果を利用して、作用している磁気量の変化を出力電圧の変化に変換する素子であり、電気配線６８により信号処理回路４６、４７に接続される。
【００３０】
基板Ｗと接触して変位する部材である振り子部材５４の先端に設けられているローラ５８は、基板Ｗと接触するために設けられている部材であり、基板Ｗの接触時の摩擦を軽減し基板の破損を防止するために回動自在に設けられている。またこれらの振り子部材５４とローラ５８とはテフロン樹脂により形成されている。なおここではテフロン樹脂を用いたが、高分子材料であればよく、たとえばデルリン、ポリイミドなどを用いてもよい。このように基板と接触するための部材に高分子材料を用いることで、基板Ｗの破損をより確実に防止できる。なお、ここでは基板Ｗと接触するための部材であるローラ５８だけでなく、振り子部材５４をも高分子材料で形成しており、センサ１６、１７の取り付けや位置調整などの際に、この振り子部材５４が基板Ｗと接触するなどしても、基板Ｗが破損するなどのおそれが少ない。
【００３１】
容器７０には、図外の純水供給源にバルブを介して接続された液供給管８１が導かれ、さらに、支軸５２よりも高い位置でかつ容器７０の上端よりも低い位置に、余剰の液体を排出する排出管８２が接続されている。上記制御装置２１によってバルブを制御することにより、容器７０内は液供給管８１から導かれた純水が満たされ、かつ余剰の純水が排出管８２からオーバーフローして排出されることにより、容器７０内の純水の液面は図中に二点鎖線で示す一定高さ、すなわち支軸５２を漬浸できる高さに維持される。排出管８２は室構成体３を貫通して剥離処理室２外の廃液ラインに接続されており、排出管８２から排出される純水は、剥離処理室２内において基板Ｗに供給される剥離液とは区別して、剥離処理室２外へ排出される。また、容器７０は上方が開口しており、当該開口には、剥離処理室２内にて使用される処理液が直接容器７０に入り込むのを抑制するために、蓋体７１が設けられている。その蓋体７１は、振り子部材５４が基板Ｗと接触した際にその振り子部材５４の変位を許容するようにその振り子部材５４の変位経路を避けた位置に設けられる。
【００３２】
このセンサ１６、１７は、容器７０の外側面を室構成体３に取り付けることにより剥離処理室２内の基板Ｗの搬送経路近傍に設けられる。センサ１６、１７は、ローラコンベア１により搬送される基板Ｗの高さにローラ５８が位置し、かつかかる基板Ｗが搬送方向（図２中に矢印で示す）に移動したときにローラ５８に接触し、振り子部材５４が支軸５２を中心として図２中に一点鎖線で示す如くに回動するように、振り子部材５４の回転面と基板Ｗの搬送方向が同一面内に位置するように設置される。
【００３３】
図４は信号処理回路４６、４７の回路ブロック図である。信号処理回路４６、４７は同一の構成であって、それぞれ、ホール素子６６の出力信号を適当なレベルまで増幅する増幅回路７２と、基板有無判定のためのしきい値となる基準信号を発生する基準信号発生回路７４と、前記増幅回路によって増幅されたホール素子６６からの出力信号と基準信号発生回路からの基準信号とを比較する比較回路７６とを主たる構成要素とする。また前記基準信号発生回路７４には、基準信号のレベルを任意に変更するための可変回路７８が付設されている。比較回路７６は、増幅回路７２によって増幅されたホール素子６６からの出力信号がしきい値としての基準信号よりも大か小かを比較することにより、基板の有無を判定する。可変回路７８には、基板処理装置のオペレータが操作できる可変抵抗器８０が備えられ、この可変抵抗器８０を操作することによって基準信号発生回路７４が発生する基準信号のレベルを任意に変更できる。
【００３４】
このセンサ１６、１７による基板Ｗの検出動作を説明する。基板Ｗがセンサ１６、１７の設置位置に存在しないときには、振り子部材５４は図２に実線で示す位置にあり、永久磁石６２とホール素子６６とは最も近接しており、永久磁石６２の磁気が最も強くホール素子６６に作用している。ここへローラコンベア１によって基板Ｗが搬送されてくると、基板Ｗが振り子部材５４のローラ５８に接触してその振り子部材５４を図２に一点鎖線で示すように回動変位させる。これにより、永久磁石６２とホール素子６６との位置関係が変り、ホール素子６６が永久磁石６２から受ける磁気の量が変化し、ホール素子６６の出力信号電圧も変化する。かかる出力信号は増幅回路７２によって増幅され比較回路７６にてしきい値である基準信号と比較される。そして、増幅回路７２で増幅された出力信号がしきい値を越えたときに、基板Ｗが搬送されてきたこと、すなわちセンサ１６、１７の位置に基板Ｗが存在していると判定される。
【００３５】
そして、このとき、振り子部材５４の下方部分は容器７０内の純水に浸されているので、基板Ｗが振り子部材５４に接触してそれを変位させようとする際に純水の粘性抵抗が働いて緩衝作用をはたす。そのため、基板Ｗの搬送速度が高くても振り子部材５４の変位の勢いは抑制され、振り子部材５４が振動して出力信号が不安定になるチャタリング現象は抑制されてほとんど生じない。また、容器７０は、上方が開口しており、処理室２内で基板Ｗに供給される剥離液が振り子部材５４に付着したり容器７０内に混入するおそれがあるが、振り子部材５４の可動部分である支軸５２との擦動部分は純水で浸されているので、かかる可動部分に剥離液が付着してその成分が結晶化し、振り子部材５４の動きが円滑でなくなったり動かなくなったりする不都合が生じることはなく、それによる誤検出のおそれもない。また、かかる処理液の混入などにより容器７０内の液体の液面高さが上昇しようとしても、余剰の液体は排出管８２から排出されるので容器７０内の液面は常に所定の一定高さに保たれる。なお、容器７０内の液体に剥離液７０が混入してその濃度が濃くなるのを防止するため、容器７０に対して常時液供給管８１から新しい液体を常時少量づつ供給し続けるか、または定期的に新しい液体を供給することが望ましい。
【００３６】
そして制御装置２１はかかるセンサ１６、１７の検出結果に応じてローラコンベア１や剥離液供給などの剥離装置全体の動作を制御するので、基板Ｗの搬送制御やその他の装置全体の制御を確実に行なうことができて信頼性が高い。
【００３７】
なお、振り子部材５４は図２中において左右どちらの方向から基板Ｗが搬送されてきても検出できるように左右いずれの方向にも回動して振れることができ、また後述するように基板Ｗがセンサ１６、１７の位置を越えて搬送される際には、さらに大きく振れて基板Ｗの通過を妨げないようになっている。
【００３８】
ここで、可変回路７８の可変抵抗器８０を操作して基準信号のレベルを変更することにより、増幅回路７２で増幅された出力信号がしきい値である基準信号を超えるとき、すなわち基板有りと判定するときの出力信号のレベルが変ることになる。そしてこれにより、基板有りと判定するときの前記振り子部材５４の変位の程度を任意に設定し調整することができる。
【００３９】
さて、次にこの第１の実施形態の剥離装置の動作を説明する。まず第１工程として、剥離処理すべき基板Ｗがローラコンベア１によって搬送されてきて剥離処理室２へ搬入されたことがセンサ１６により検出されると、制御装置２１はポンプ１９を吐出圧力が低圧となるように駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル１１から剥離液を低圧でスプレー状に供給する。この第１工程においては、低圧で基板Ｗ上に供給された剥離液は、高圧で供給されたときのように基板Ｗ表面に衝突して跳ね返って周囲に飛散したりすることなく、基板Ｗの表面に液の膜を形成し、基板Ｗの表面に付着している剥離されるべき被膜、すなわちフォトレジストの被膜と十分に接触し、当該被膜を膨潤させる。この第１工程は、かかる膨潤が十分に進行する所定時間の間継続され、その間、剥離液の低圧状態での供給は継続される。この間、基板Ｗに対しては温度調節された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で基板Ｗに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合は生じない。
【００４０】
また、この第１工程が終了しないうちに基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２の図中右側端部まで搬送されてしまったときには、センサ１７により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１はローラコンベア１の駆動源を逆回転駆動し、今度は基板Ｗを図中右から左方向へ搬送し、剥離処理室２内で第１工程を継続して実行する。第１工程が終了しないうちに基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２の図中左側端部まで搬送されてしまったときにも同様に、センサ１６により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１はローラコンベア１の駆動源を正回転駆動し、今度は基板Ｗを図中左から右方向へ搬送し、剥離処理室２内で第１工程を継続して実行する。このように基板Ｗが剥離処理室２内を周期的に往復移動し、その移動中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル１１から基板Ｗへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板Ｗの全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置２１は内蔵しているタイマにより第１工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が経過すると第１工程を終了する。
【００４１】
剥離処理室２内で第１工程が終了すると、引き続いて第２工程が実行される。第２工程においては、制御装置２１はポンプ１９を吐出圧力が高圧となるように駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル１１から剥離液を高圧でスプレー状に供給する。この第２工程においては、基板Ｗ面上に剥離液が高圧で供給され、第１工程の間に十分に膨潤しているフォトレジストの被膜に剥離液が高圧で衝突することによる物理的衝撃力が加わることになり、被膜が効果的に剥離除去される。この第２工程は、被膜の剥離除去が十分に行われる所定時間の間継続され、その間、剥離液の高圧状態での供給は継続される。この間、基板Ｗに対しては温度調節された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で基板Ｗに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合は生じない。
【００４２】
また、この第２工程が終了しないうちに基板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２のどちらかの端部まで搬送されてしまったときには、第１工程と同様に、センサ１６、１７により基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１がローラコンベア１の駆動源の回転方向を制御することにより基板Ｗを剥離処理室２内で周期的に往復移動させ、剥離処理室２内で第２工程を継続して実行する。このように基板Ｗが剥離処理室２内を移動中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル１１から基板Ｗへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板Ｗの全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置２１は内蔵しているタイマにより第２工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が経過すると第２工程を終了する。第２工程が終了すると、制御装置２１はローラコンベア１を駆動して基板Ｗをセンサ１７の位置を越えて搬送し、洗浄処理室４へ送る。
【００４３】
洗浄処理室４内においては第３工程が実行される。第３工程においては、制御装置２１はポンプ３０を駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル２４から純水スプレー状に供給して洗浄処理する。この第３工程においては、基板Ｗの上面、下面に付着して残留している剥離液や、剥離されたフォトレジスト被膜の破片などが純水スプレーにより洗い流される。この第３工程は、基板Ｗが洗浄処理室４の図中右側の開口５から搬出されるまで行われる。
【００４４】
第３工程が終了して洗浄処理室４の図中右側の開口５から搬出された基板Ｗは、図示しない搬送装置により前記乾燥装置へ搬送され、第４工程が実行される。この第４工程においては、基板Ｗは周知の乾燥装置、例えば基板を回転させることによる回転式乾燥装置やエアを吹き付けることによるエアナイフ式乾燥装置によって乾燥処理される。乾燥処理後の基板Ｗは直ちに次工程に送られるか、あるいは所定の容器に格納される。
【００４５】
この実施形態の剥離装置では、基板Ｗは剥離処理室内で処理に必要な時間だけ周期的に往復移動してその間に処理が行なわれるので、処理室の大きさや搬送速度にかかわらず、被膜の状態などに応じて処理時間を容易に変更することができる。特にこの実施形態の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理工程と、剥離液を高圧で吐出する処理工程のそれぞれの時間を自由に変更して設定することができる。また、この実施形態の装置では、剥離液を低圧で吐出する処理と高圧で吐出する処理とを一つの剥離処理室２で行なっており、装置が小型化できる。特にこの実施形態の装置では、ノズル１１やポンプ１９などの液供給機構１０を高圧吐出と低圧吐出の両方に共用しており、装置の小型化、低コスト化の効果が大きい。
【００４６】
本実施形態ではセンサ１６、１７を上述のように構成しているので、基板Ｗの検出のために電気接点を機械的に開閉するものではないから、各種の処理液雰囲気にさらされる基板処理装置の処理室内でも制約なく使用することがでる。そして、基板Ｗとの接触によって変位する部材からの磁気により基板Ｗを検出しているので、基板Ｗが透明なガラス基板であっても確実に検出でき、また処理液雰囲気によって検出に誤りが生じるおそれがきわめて少ない。また本実施形態では、ホール素子６６は防滴カバー６４に覆われていてかつ固定的に設けられているので、より信頼性に優れる。そして、ホール素子６６の出力信号に基づき信号処理回路４６、４７が基板Ｗの有無を判定し、その結果に基づいて制御装置２１が基板Ｗを搬送するためのローラコンベア１を制御するので、処理液雰囲気の剥離処理室２内の基板Ｗの位置を確実に検出して基板処理を良好に行なうことができる。また、もし何らかの原因で防滴カバー６４に破損などが起こっても、容器７０内には液体、例えば純水がみたされているから、処理室内で使用する酸やアルカリなどの各種処理液が直接にホール素子６６などに触れることがなく、素子への悪影響が少なく、素子の保護に役立つ。容器７０には蓋体７１が設けられているので、剥離処理室２内で使用されている処理液が容器７０内に入れてある液体に混入するのが抑制され、容器７０内の液体が処理液によって汚染されたり、逆に処理液が液体とともに排出管８２から排出されて減少してしまうといった不都合も抑制される。
【００４７】
なお、以上の実施形態の説明では、ローラコンベア１は、剥離処理室２や洗浄処理室４内で基板Ｗを水平姿勢または若干の傾斜姿勢として搬送するものと説明したが、若干の傾斜姿勢で搬送するものとすることが、以下の理由により望ましい。すなわち基板Ｗを例えば搬送方向にして対して左右いずれかに若干傾斜させて支持することにより、剥離されたフォトレジスト被膜の破片や汚れた剥離液、純水等がその傾斜にそって速やかに流れ落ちて基板Ｗ表面から除去されるので、基板Ｗをより清浄に保つことができる。
【００４８】
また、上記実施形態では、処理液として剥離液を使用する剥離装置を基板処理装置の実施例として説明したが、本発明の基板処理装置はこれに限らず、例えば洗浄、現像、エッチングなど各種処理を施す基板処理装置に対して適用できる。また本発明の物体検出装置は、基板処理装置に限らず、基板の搬送装置や工作機械など各種装置に適用できる。また上記実施形態では、剥離処理室２内において基板Ｗが往復移動しつつ処理されるものであったが、本発明の物体検出装置はこれに限らず、例えば単純に基板を一方向へ搬送しながら処理する基板処理装置において、基板の位置検出のために用いてもよい。
【００４９】
また、上記実施形態では、基板検出装置であるセンサ１６、１７に、磁電変換素子として、ホール素子６６を使用したが、他の磁電変換素子、例えば磁気により動作するリードスイッチや、磁気抵抗素子を使用してもよい。
【００５０】
また、上記実施形態では、基板との接触により変位するよう設けられた振り子部材５４に永久磁石６２を設け、防滴カバー６４内に磁電変換素子としてのホール素子６６を設けたが、これらを入れ替えて次のように構成してもよい。すなわち変位部材である振り子部材５４側に磁界の変化に応じて信号を出力する磁電変換素子を設け、防滴カバー６４内に  は基板との接触による振り子部材５４の変位に応じて前記磁電変換素子に及ぼす磁界が変化するように永久磁石６２を設ける。なお、この変形例では基板との接触で変位する変位部材側に磁電変換素子を設けているので、磁電変換素子から信号を取り出す電気配線については変位部材の変位を妨げないように設けることが望ましく、上記実施形態はそのような配慮が必要ない点でより優れている。
【００５１】
また上記実施形態では、基板との接触により変位する変位部材を、支軸５２まわりで回転自在な振り子状の部材として設けたが、これに限らず、たとえば直線移動する基板が接触することで直線移動するようにしてもよく、要するに被検出物である基板との接触によって変位部材が変位したときに磁石が磁電変換素子に及ぼす磁界が変化するように設けてあればよい。なお、このように変位部材として振り子状の部材を用いれば、例えば搬送されてきた基板をいったん検出し、その後基板が通り過ぎたような場合に、変位部材は重力により自動的に元の位置に復帰するので、変位部材を元の位置に強制的に戻すような例えばばねのような駆動手段を設ける必要がない。
【００５２】
また上記実施形態では、変位部材である振り子部材５４の一部のみが純水に浸るようにしたが、全部が浸るようにしてもよい。上記実施形態では変位部材の支点である支軸５２まで純水に浸るようにして、変位部材を緩衝することによるチャタリングの防止と、処理液を結晶化させないことによる誤検知の防止とを同時に達成できた。他の実施形態としては、たとえば容器７０内の純水液面を振り子部材５４の支軸５２よりも低くして、純水の粘性抵抗を利用した緩衝作用だけを果たすようにしても、チャタリングを防止して誤検知を無くし、搬送制御を確実にすることができる。その場合、さらに支軸５２部分に液体をスプレーするような他の液体供給手段を設けることで、可動部分である支軸５２部分における処理液の結晶化とそれによる誤検知をも防ぐことができる。ただし、可動部分における処理液の結晶化防止のためには、可動部分に液体をスプレー状に供給するよりも、可動部分が容器７０内の液体に浸漬するように容器７０を設けてその内部に液体を収容するほうが、より結晶化防止の効果において優れている。
【００５３】
また、容器７０内の液面を所定高さに維持するための手段として、上記実施形態ではオーバーフローする排出管を使用したが、それに限らず、例えば容器７０の壁面に液面検出センサを設けて、その検出結果によって制御装置２１を介して液供給のためのバルブを開閉するといったものでもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、容器７０から排出管８２を介して排出される液体を、処理室２内で使用される処理液とは別に独立して排出しているので、処理室２内で使用する処理液をタンクに回収し、循環して再使用する上記実施形態のような場合であっても処理液を液体によって変質させたり薄めてしまったりして品質を低下させるといった不都合がない。もちろん、処理液を循環再使用しない場合であれば、排出管８２から排出した液体は処理室２内へ排出して処理液と一括して排出廃棄する構成でもよい。また、容器７０に供給する液体は特に純水である必要はなく、その粘性等を考慮して任意に選択して使用すればよいが、この実施形態のように物体検出装置を基板処理装置に使用する場合には、処理室２における処理に悪影響を与えないものである必要があり、コストや取扱の容易さなどから純水を使用するのがよい。
【００５５】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、チャタリングなどによる誤検出が発生しない物体検出装置を提供し、さらにその物体検出装置を使用してチャタリングや処理液の泡などによる誤検出がなく基板の搬送制御を確実に行なうことができる基板処理装置を提供することができる。
【００５６】
さらに本発明によれば、処理液の結晶化による不都合が生じない物体検出装置を提供し、さらにその物体検出装置を使用して基板の搬送制御を確実に行なうことができる基板処理装置を提供することができる。
【００５７】
また本発明によれば、処理室内の処理液の品質を損なうことがない物体検出装置を備えた基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面図である。
【図２】本発明に係る基板検出装置の実施形態の要部の正面断面図である。
【図３】本発明に係る基板検出装置の実施形態の要部の側面断面図である。
【図４】本発明に係る基板検出装置に用いられる信号処理回路のブロック図である。
【符号の説明】
Ｗ・・・基板
１・・・ローラコンベア
２・・・剥離処理室
３・・・室構成体
１０・・・液供給機構
１６、１７・・・センサ
２１・・・制御装置
４６、４７・・・信号処理回路
５４・・・振り子部材
６２・・・永久磁石
６６・・・ホール素子
７０・・・容器
７１・・・蓋体
８１・・・液供給管
８２・・・排出管
可可変抵抗器
【図１】
0003905672.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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