(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1の基板上に、該第1の基板側から、ｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層とをこの順で積層した機能層を形成する工程と、
前記機能層を構成する、前記ｎ型半導体層と、前記活性層と、前記ｐ型半導体層のうち、該ｐ型半導体層のみを部分的に除去して発光領域を形成する工程と、
前記機能層の前記ｐ型半導体層側に第1の電極を形成する第1電極形成工程と、
共通電極を有する第2の基板を用意する工程と、
前記第1の電極と前記共通電極とを電気的に接続するために、前記第1の基板と前記第2の基板とを貼りあわせる、貼りあわせ工程と、
前記第1の基板を除去あるいは薄膜化する工程と、
前記機能層を構成する、前記ｎ型半導体層と、前記活性層と、前記ｐ型半導体層とを貫通する分離溝を形成して素子分離を行なう素子分離工程と、
前記機能層の前記ｎ型半導体層側に第2の電極を形成する第2電極形成工程と、
を含むことを特徴とする面型光素子の製造方法。
【請求項２】
前記貼りあわせ工程の後に、前記素子分離工程を行なうことを特徴とする請求項1に記載の面型光素子の製造方法。
【請求項３】
前記第1電極形成工程の前に、前記素子分離工程を行なうこと特徴とする請求項1に記載の面型光素子の製造方法。
【請求項４】
前記第2の電極の上に絶縁層を形成する工程と、
該絶縁層に電極コンタクトを得るための開口部を形成する工程と、
該絶縁層に受・発光するための開口部を形成する工程と、
を更に有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の面型光素子の製造方法。
【請求項５】
請求項1ないし請求項4のいずれか一つに記載の面型光素子の製造方法により製造された面型光素子を有し、前記第2の基板はＳｉ集積回路がフリップチップ実装されている基板であることを特徴とする光電子融合ＭＣＭ。
【請求項６】
請求項5記載の光電子融合ＭＣＭが積層され、該光電子融合ＭＣＭの間には層間絶縁層を有することを特徴とする多層光電子融合ＭＣＭ。
【請求項７】
請求項5記載の光電子融合ＭＣＭを光源として、マルチレーザビームで光記録媒体に記録を行なうことを特徴とする光記録装置。
【請求項８】
ｐ型半導体層と、活性層と、ｎ型半導体層とを含み構成される機能層を有する面型光素子が複数設けられている装置であって、
前記ｎ型半導体層と、前記活性層と、前記ｐ型半導体層とを成長させるために用いられた成長基板とは異なる実装用基板の上に、複数の前記面型光素子が設けられており、
前記機能層の前記ｐ型半導体層側には、複数の前記面型光素子に共通する共通ｐ型電極を有し、
前記機能層を構成する、前記ｎ型半導体層と、前記活性層と、前記ｐ型半導体層のうち、該ｐ型半導体層のみが部分的に除去されることによって形成された発光領域を備え、
前記面型光素子の夫々は、前記機能層を構成する、前記ｎ型半導体層と、前記活性層と、前記ｐ型半導体層とを貫通する分離溝により、素子分離されていることを特徴とする複数の面型光素子を有する装置。
【請求項９】
請求項8記載の装置を有し、前記実装用基板は、Ｓｉ集積回路がフリップリップ実装されている基板であることを特徴とする光電子融合ＭＣＭ。
【請求項１０】
請求項9記載の光電子融合ＭＣＭを光源として、マルチレーザビームで光記録媒体に記録を行なうことを特徴とする光記録装置。
【請求項１１】
請求項8記載の装置に設けられている複数の前記面型光素子を光源として、光記録媒体に記録を行うことを特徴とする光記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、作製が容易で歩留まりの高い２次元アレイ型の構成に適した面型光素子、その製造方法、およびそれをＳｉ集積回路と集積化した光電子融合デバイス、それを用いた光配線装置、光記録装置などに関する。
【０００２】
【従来の技術】
大容量並列光情報処理、高速光接続、高密度光記録などの応用のため、２次元アレイ型の面型固体発光素子の開発が望まれており、特に面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ：ＶＣＳＥＬ）は、しきい値が低く（１ｍＡ前後）、消費電力が小さく、アレイ化が容易であるため、その光源の１つとして期待されている。また、Ｓｉ−ＩＣと上記面発光レーザを集積化すれば、高速にレーザ駆動できるとともに、パッケージングを小型化でき、Ｓｉ−ＩＣ間の信号伝送や、記録媒体への光記録などに適用する上で有利である。
【０００３】
光デバイスとＳｉ−ＩＣとの集積化については幾つかの方法があり、Ｓｉ−ＩＣを形成したＳｉ基板自体の上に光デバイスを接着して集積化する方法や、Ｓｉ−ＩＣと光デバイスを他の第３の支持基板（Ｓｉ基板、プリント回路基板、セラミック基板など）にハイブリッドに集積化する方法などがある。
【０００４】
前者については、特開平９−２２３８４８号公報で開示されているように、ポリイミド接着材を介して面発光レーザの発光層となるエピ成長面をＳｉ−ＩＣ上に接着し、レーザ発光層を成長したＧａＡｓ基板をエッチングにより除去してから、面発光レーザを作製する方法がある。その断面図を図１３に示す。接着、基板除去後に作製した面発光レーザ１００Ｂの電極は、配線４００を介してＳｉ−ＩＣ基板２００上の電極２００Ａと接続されるようになっている。もう一方の電極１００Ｄは、絶縁膜としてのポリイミド膜３００の上に配線パターンを形成して接続する。このような構成では、光デバイスのＳｉ−ＩＣに対するアライメントが不要で、また、光デバイス側の基板が除去されて機能層だけがＳｉ上に形成されているので、表面段差が小さい（５μｍ程度）ために、集積化したあとのホトリソグラフィー等のプロセスが可能である。尚、１００Ａは受光素子、１００Ｃは受光素子１００Ａの電極である。
【０００５】
後者については、例えば特開平７−３０２０９号公報で開示されているように、半導体基板上に形成した光素子の該基板を除去し、チップ状になった光素子をフィルム等に接着して、電子回路基板の電極とアライメントして光素子をフリップチップ実装させる方法がある。その作製工程を図１４に示す。図１４で、半導体基板１１０１上に能動層１１０６をエピ成長したあと（ａ）、光素子の駆動用電極１１０９を形成し（ｂ）、素子分離してから（ｃ）、半導体基板１１０１をエッチングで除去し（ｄ）、これを伸展性フィルム１１１４に接着して（ｅ）、伸展性フィルム１１１４を引き伸ばすと能動層１１０６のみとなった光素子１１１１が１つ１つのチップとなる（ｆ）。これらのうち、図１４（ｇ）のように電子回路基板１１１７上の必要なところに加圧治具１１１６で必要な光素子１１１１を融着固定する。この方法により、電子回路基板１１１７上の任意の位置に光素子１１１１をハイブリッド集積化した光電子融合ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈｉｐ−Ｍｏｄｕｌｅ）などが形成できる（ｈ）。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】
しかしながら、上記の特開平９−２２３８４８号公報の例では、ポリイミド膜３００が光素子１００Ａ、１００ＢとＳｉ基板２００との間にあるために放熱性が悪く、光素子の特性が通常の実装形態のものに比べて発光効率や光出力などの点で劣るという欠点がある。また、光素子１００Ａ、１００ＢとＳｉ−ＩＣとの間の熱や電気的クロストークのために特性向上が難しいという問題がある。さらに、光素子の機能層のみをＳｉ基板２００に転写してから光素子１００Ａ、１００Ｂの作製工程を行うことになり、ＩＣへのダメージを考えるとプロセスの自由度すなわち温度やプラズマ処理などについて制約が生じる。よって、光素子１００Ａ、１００Ｂの形態にも制限がある。
【０００７】
一方、特開平７−３０２０９号公報の例では、電極同士を直接接着するので、熱の伝導性は良いが、能動層１１０６の厚みは通常５μｍ前後であるため、基板を除去すると機械的に弱くなる。そのために取り扱いが困難になるとともに、結晶欠陥が入るなどして特性が劣化する。また、電気的接触を回路基板１１１７側でのみで行うため、１素子に対して２電極をアライメントするので、その精度が要求されることでコスト高になるという問題がある。
【０００８】
このような課題に鑑み、本発明の目的は、面型光素子を電子素子と集積化させる場合に面型光素子の特性を劣化させずかつ実装時のアライメントに高精度が要求されず、生産性の高い構造を持つ面型光素子、その製造方法、およびこれを用いた光電子融合ＭＣＭ、光配線装置、光記録装置などの装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の複数の面型光素子を有する装置は、次の特徴を有する。
ｐ型半導体層と、活性層と、ｎ型半導体層とを含み構成される機能層を有する面型光素子が複数設けられている装置であって、
前記ｎ型半導体層と、前記活性層と、前記ｐ型半導体層とを成長させるために用いられた成長基板（保持基板となる第1の基板）とは異なる実装用基板（第2の基板）の上に、複数の前記面型光素子が設けられており、
前記機能層の前記ｐ型半導体層側には、複数の前記面型光素子に共通する共通ｐ型電極を有し、
前記機能層を構成する、前記ｎ型半導体層と、前記活性層と、前記ｐ型半導体層のうち、該ｐ型半導体層のみが部分的に除去されることによって形成された発光領域を備え、
前記面型光素子の夫々は、前記機能層を構成する、前記ｎ型半導体層と、前記活性層と、前記ｐ型半導体層とを貫通する分離溝により素子分離されていることを特徴とする。
この本発明の装置では、例えば、その上面電極のみを他のＳｉ基板や回路基板などに電気的接触を得ながら接着した後、該面型光素子を作製した基板をエッチングなどにより除去或は薄膜化し、基板除去或は薄膜化後に現れた表面からもう一方の電極を取り出す構造にすることで、活性層と基板が近接化して熱特性を向上させるとともに、光素子接着時のアラメント精度が要求されない構造となっている。また、例えば、光素子を接着するときには保持基板がある状態なので、機能層にダメージを与えることもなくハンドリングが容易である。また、例えば、基板面に対して垂直に発光、受光を行う面型光素子の形成に必要な保持基板となる第1の基板を除去あるいは薄膜化して受・発光、電気的制御を行うために必要な機能層に形成した電極と第2の基板の電極とを電気的接触が得られるように接着することで、面型光素子の劣化はなく生産性の高い光電子集積素子を提供できる。
【００１０】
上記の基本構成に基づいて、以下の如き形態の構成が可能である。
該面型光素子は２個以上集積化されており、該第１の基板上で該面型光素子を形成したときの最表面の電極を共通電極として、第２の基板に形成した電極に全面を電気的接触が得られる様に接着されており、該２個以上の面型光素子の間は機能層が除去されて素子分離されており、該第１の基板を除去あるいは薄膜化して表れた表面に該共通電極とは異なるもう一方の電極を各素子毎に形成し、その表面に絶縁層を形成するとともに、電極コンタクトを得る為のコンタクトホールと受・発光を行なう為の窓を該絶縁層に形成し、該各素子毎の電極から該第２の基板までに電極配線を形成していることで該面型光素子を独立に駆動、制御する。上記面型光素子特に面型発光素子を複数アレイ化して集積化させる場合に、面型発光素子の特性を劣化させずに生産性の高い構造を実現できる。第２の基板側でベタの共通電極を形成しておき、面型光素子間で機能層を除去して電極分離してあって該ベタ電極と反対側の電極を素子毎に独立配線することで簡単にアレイ面型光素子を独立に駆動、制御する構造を実現できる。
【００１１】
該面型光素子は２個以上集積化されており、該２個以上の面型光素子の間は機能層が除去されて素子分離されており、該第１の基板上で該面型光素子を形成したときの最表面と、該第１の基板を除去あるいは薄膜化して表れた表面に夫々各素子毎に電極を形成し、該第２の基板側に形成したライン状の電気配線と該第１の基板を除去あるいは薄膜して表れた面に絶縁層を介して形成したライン状の電気配線によってマトリクス配線を構成したことで該面型光素子を独立に駆動、制御する。これによっても、上記面型光素子特に面型発光素子を複数アレイ化して集積化させる場合に、面型発光素子の特性を劣化させずに生産性の高い構造を実現できる。第２の基板側に形成したライン状の電極配線と第１の基板を除去或は薄膜化して表れた面に絶縁層を介して形成したライン状の電極配線によってマトリクス配線を構成したことで、アレイ面型光素子を独立に駆動、制御する構造を実現できる。
【００１２】
該面型光素子は面発光レーザであり、該機能層は発光する為の活性層およびその両側に形成した分布反射型のミラー層を含む。これにより、低電流駆動が可能な面型発光素子を集積化させられる。面型光素子を面発光レーザにすることで消費電力の低い光電子集積素子を実現できる。
【００１３】
上記目的を達成する本発明の光電子融合ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈｉｐ−Ｍｏｄｕｌｅ）は、該第２の基板には、該面型光素子を駆動、制御する為のＳｉ集積回路のベアチップがフリップチップ実装されて上記の面型光素子と集積化されていることを特徴とする。これにより、Ｓｉ−ＩＣと面型光素子を小型集積化させて、電気信号の一部を光信号に変換して信号の授受ができるＭＣＭを実現できる。第２の基板に面型光素子を駆動、制御するためのＳｉ集積回路のベアチップがフリップチップ実装されることで生産性の高い光電子融合ＭＣＭを提供できる。
【００１４】
また、上記目的を達成する本発明の光電子融合ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈｉｐ−Ｍｏｄｕｌｅ）は、該第２の基板がＳｉであり、該面型光素子を駆動、制御する為のＳｉ集積回路が第２の基板に作製されていて上記の面型光素子と集積化されていることを特徴とする。これによっても、Ｓｉ−ＩＣと面型光素子を小型集積化させて、電気信号の一部を光信号に変換して信号の授受ができるＭＣＭを実現できる。該面型光素子を駆動、制御するためのＳｉ集積回路を第２の基板上に作製しておくことで生産性の高い光電子融合ＭＣＭを提供できる。
【００１５】
上記目的を達成する本発明の面型光素子の製造方法は、化合物半導体などの第１の基板上に機能層をエピタキシャル成長方法などで成膜する工程と、面型光素子の形状および電極を加工する工程と、第２の基板に電極を形成して該面型光素子の電極とアライメントして接着する工程と、第１の基板を除去あるいは薄膜化して機能層のみを転写する工程と、該面型光素子の素子間の機能層を除去して素子分離を行なって各素子に電極を形成する工程と、該転写された機能層表面に絶縁層を形成して電極コンタクトを得る部分および受・発光する部分に穴を開ける工程と、該絶縁層上に、転写された機能層表面の電極と該第２の基板との間に電極配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。これにより、上記の面型光素子と電子素子を集積化させるための生産性が高く歩留まりが高いプロセスを提供できる。
【００１６】
また、上記目的を達成する本発明の面型光素子の製造方法は、第１の基板上に機能層を成膜する工程と、面型光素子の形状を加工する工程と、該面型発光素子の素子間の機能層を除去して素子分離を行なってから電極を加工する工程と、第２の基板に電極を形成して該面型光素子の電極とアライメントして接着する工程と、第１の基板を除去あるいは薄膜化して機能層のみを転写する工程と、転写された機能層表面に電極を形成する工程と、該転写された機能層表面に絶縁層を形成して電極コンタクトを得る部分および受・発光する部分に穴を開ける工程と、該絶縁層上に、転写された機能層表面の電極と該第２の基板との間に電極配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。これによっても、上記の面型光素子と電子素子を集積化させるための生産性が高く歩留まりが高いプロセスを提供できる。
【００１７】
また、上記目的を達成する本発明の面型光素子の製造方法は、第１の基板上に機能層を成膜する工程と、面型光素子の形状を加工する工程と、該面型光素子の素子間の機能層を除去して素子分離を行なってから電極を加工する工程と、第３の基板にエピタキシャル層表面を接着する工程と、該第１の基板を除去あるいは薄膜化して機能層のみを残す工程と、該除去して現れた機能層表面に電極を形成する工程と、第２の基板に電極を形成して該面型光素子の電極とアライメントして接着する工程と、該第３の基板を除去して該第２の基板に機能層を転写する工程と、該転写された機能層表面に絶縁層を形成して電極コンタクトを得る部分および受・発光する部分に穴を開ける工程と、該絶縁層上に、転写された機能層表面の電極と該第２の基板との間に電極配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする。これによっても、上記の面型光素子と電子素子を集積化させるための生産性が高く歩留まりが高いプロセスを提供できる。
【００１８】
該第１の基板上に面型光素子の機能層を成膜する工程において、該基板と該機能層の間に基板を選択エッチングするためのエッチングストップ層も成膜する工程を含み、該第１の基板を除去する工程において該基板のエッチングは該エッチングストップ層で停止する様にしてもよい。これにより、歩留まりの高い光電子集積素子を実現できる。この場合、該第１の基板のエッチングは、該エッチングストップ層で停止する工程の後に、該エッチングストップ層を除去する工程を含み、該機能層のみを該第２の基板に転写する様にしてもよい。
【００１９】
上記目的を達成する本発明の光電子融合ＭＣＭの製造方法は、第２の基板上の複数の個所にアレイ状に逐次複数の面型光素子を接着し、該第２の基板上で電極を形成する工程、第１の基板を除去あるいは薄膜化して機能層を転写する工程、転写後に電極配線を行なう工程などを一括して行い、Ｓｉ集積回路をフリップチップ実装する場合にも逐次アレイ状に実装していき、最後に該第２の基板をダイシングすることで上記の光電子ＭＣＭを一回の工程で複数作製することを特徴とする。これにより、上記のような面型光素子と電子素子を集積化させるときに大面積基板に一括して複数のＭＣＭを作製して生産性の向上を実現することができる。
【００２０】
上記目的を達成する本発明の光配線装置は、上記の光電子融合ＭＣＭの面型光素子の面に対して垂直に光ファイバなどの光導波媒体を樹脂接着剤などで固定して、該光導波媒体を介して光送受信ができるようにしたことを特徴とする。これにより、上記の面型光素子と電子素子を集積化させたＭＣＭを用いて低コスト、低ＥＭＩ、高速の光配線装置を実現できる。
【００２１】
上記目的を達成する本発明の多層光電子融合ＭＣＭは、光電子融合ＭＣＭの表面に平坦化した層間絶縁層を形成して挟み更にその表面に光電子融合ＭＣＭを構成するようにして複数の光電子融合ＭＣＭが積層され、各層の信号の授受を光を用いて行うことが可能であることを特徴とする。これにより、上記の面型光素子と電子素子を集積化させたＭＣＭを複数積層して高速処理が可能な高機能ＭＣＭを実現できる。
【００２２】
上記目的を達成する本発明の多層光電子ＭＣＭは、上記の光電子融合ＭＣＭの第２の基板として絶縁薄膜を用い、複数の該光電子融合ＭＣＭが積層され、各層の信号の授受を光を用いて行うことが可能であることを特徴とする。これにより、上記の面型光素子と電子素子を集積化させたＭＣＭを複数積層して高速処理が可能で高機能な多層光電子ＭＣＭを実現できる。
【００２３】
上記目的を達成する本発明の光記録装置は、面型光素子が面発光レーザである上記の光電子融合ＭＣＭを光源として、マルチレーザビームで高速に光記録媒体に記録を行うことを特徴とする。これにより、上記の面型光素子と電子素子を集積化させたＭＣＭを用いた高機能なレーザビームプリンタ装置、ＣＤ−Ｒ０Ｍ装置、光磁気ディスク装置などの高速な光記録装置を実現できる。
【００２４】
本発明による典型的な光素子では、図１の断面斜視図に示すように、光素子の発光または受光層を含む機能層のみを他の基板に転写した構造となっており、転写後に表面電極を形成している。その構造を簡単に説明する。他の基板として例えばＡｌＮセラミック基板１を用い、面発光レーザが実装される領域には電極２が形成されており、共通電極となっている。面発光レーザ３は該電極２上の一部に形成されたＡｕ／Ｓｎハンダ（不図示）によって、面発光レーザのｐ側電極として形成された電極４と加熱により接合されている。ｎ電極９は基板除去後にパターニングにより作製する。
【００２５】
Ｓｉ−ＩＣは上記のような光素子の転写プロセス後にベアチップの状態で同一ＡｌＮ基板１上にフリップチップ実装して光電子融合ＭＣＭとすることができる。もちろん、Ｓｉ−ＩＣを作製したＳｉ基板に光素子を転写してもよいが、Ｓｉ−ＩＣと光素子を個々に作製して最後に同一基板上にハイブリッド実装する手法が、プロセスの最適化や歩留まり、クロストークの観点などから優れていると考えられる。
【００２６】
このような面型の光素子を具備したＭＣＭを提供することで、ボード間などを配線するときに光伝送で行うことができる光インターコネクション装置が低コストで作製できたり、ＩＣを３次元スタック化した高密度ＭＣＭが提供できる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に具体的な本発明の実施の形態を図を参照しながら説明する。
【００２８】
［実施例１］
本発明による第１の実施例は、面型光素子として面発光レーザを用い、その発光層およびミラー層を含む機能層のみを熱伝導性の良いセラミック基板（ＡｌＮなど）に転写したものである。その断面斜視図を図１に示す。
【００２９】
ＡｌＮセラミック基板１上の面発光レーザ３が実装される領域にはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる電極２が形成されており、共通電極となっている。面発光レーザ３は、該電極２上の一部に形成されたＡｕ／Ｓｎハンダ（不図示）によって、面発光レーザのｐ側電極として形成されたｎ／Ｐｔ／Ａｕ電極４が共通電極２と加熱により接合されている。このとき、接着方法は、ここでの例のように蒸着やメッキにより形成されたハンダを用いてもよいが、ハンダボールを用いる方法、あるいは導電性接着剤を用いる方法、Ａｕ同志の圧着による方法などでもよい。
【００３０】
面発光レーザは、絶縁膜５、ｐ−ＡｌＧａＡｓのＡｌ組成比を１から０．１までの範囲で変えた２種の半導体（例えば、Ａｌ組成比が０．１と０．９のＡｌＧａＡｓ）の交互多層膜から成るＤＢＲ層６、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓから成る多重量子井戸活性層をＡｌＧａＡｓスペーサ層でサンドイッチして１波長の厚さとした共振器層７、ｎ−ＡｌＧａＡｓ多層膜から成るＤＢＲ層８、ｎ側電極となるＡｕＧｅ／Ａｕ層９から成る。電極コンタクトを良くするために、電極との界面にはＧａＡｓのハイドープ層（不図示）が形成してある。また、ｎ側の最表面にはパッシベーション膜としてＳｉＮｘなどの膜（不図示）を、反射の影響がないような厚さで形成してもよい。また、発光領域となる部分１０は１５μｍφの円筒形としており、ｐ−ＤＢＲミラー６側に電流狭窄のためのポリイミド１１が埋め込まれている。このような構造の面発光レーザ３は、ｎ−ＧａＡｓ基板上に機能層をエピタキシャル成長したのちに加工したもので、ｐ側電極４を上記のようにセラミック基板１に接合してから、該ＧａＡｓ基板を除去して成るものである。
【００３１】
以上は面発光レーザの構造の一例を示しているが、電流狭窄構造としては、ｐ−ＤＢＲ層１０のＡｌ組成比の高い層のみ横方向に酸化してＡｌｘＯｙとする選択酸化の手法を用いたり、プロトン注入で機能層の周りに絶縁層を形成したりする構造も採り得る。また、ｐ側が平坦でない凹凸形状のもの（ポスト型）であっても本実施例の図２（ａ）で示すような実装方法を適用できる。
【００３２】
また、図１では４つの面発光レーザ３が２次元アレイ状に実装されているが、もちろん個数に限定はない。また、図７のように１次元アレイとして並べてもよい。この場合、面発光レーザ上を他の面発光レーザからの電気配線が通ることがないので、絶縁層としてのポリイミドはＧａＡｓ表面には必要なく、素子の端面に図２（ａ）の符号１９のような絶縁層を形成し、ＡｌＮ基板１側の電極２との絶縁を保てる膜を形成しておけばよい。素子間には分離溝を図１のように形成することが望ましいが、分離後に溝にポリイミドなどを埋め込んで平坦化してもよい。ｎ側電極９の形状がＬ字型になっているのも、これに限らず、発光領域１０からの光が取り出せるように窓が開いている構造であれば、全面に電極が形成されていてもよい。
【００３３】
本実施例では、各面発光レーザ３の素子の大きさは１５０μｍ□とし、素子ピッチは２５０μｍとしたが、これに限るものではない。
【００３４】
ｎ側電極９の配線やＳｉ−ＩＣ２０との接続の仕方を含めた断面図および平面図を図２に示す。図２（ａ）は面発光レーザ部分のみを説明するための図であり図２（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。図１と同じ部分に相当する部分には同じ番号を付している。
【００３５】
面発光レーザ３の構造についてはすでに説明した通りであり、素子分離溝にはポリイミド１２を埋め込んでいる。面発光レーザの最表面には絶縁層として感光性ポリイミド１３を形成し、光取り出し部に窓１４を電極コンタクト部にホール１７をパターニングにより形成する。該ホール１７を介して電極コンタクトを取り、電極配線１５を介してセラミック基板１上まで引き出す。符号１６は電極配線のうち奥に見えているものである。面発光レーザ３のサイドウォールにも絶縁性を保つために、表面上のポリイミドパターニングのときにセルフアラインでポリイミド１９を形成している。すなわち、素子表面にポリイミドを塗布して全面を覆った後、Ｏ２プラズマなどでエッチングするとセルフアラインで該サイドウォールにポリイミドが残る。
【００３６】
図２（ｂ）の平面図では、ロジック信号から面発光レーザを駆動させるためのＳｉ−ＩＣのベアチップ２０が同一セラミック基板１上にフリップチップ実装されており、配線１５（例えばＴｉ／Ａｕ）で面発光レーザ３と接続されている。面発光レーザのｐ側の共通電極となる部分２は配線１８を介して電源に接続される。
【００３７】
このようにして光素子３とＳｉ−ＩＣ２０が同一基板１上に形成されたＭＣＭを提供することができる。ここで、光素子は成長基板を除去して薄膜化しているので、電気配線を表面プロセスによって形成することができ、歩留まり、小型化、高速性に問題があるワイヤボンディングを用いる必要がなくなる。
【００３８】
また、本実施例による構造では、面発光レーザのプロセスを化合物半導体基板（成長基板）上で行うために、共通基板への機能層転写後の複雑なプロセスが必要なく、該プロセスについて、機械強度、加熱の制限などの条件が図１３の例等に比して緩和される。セラミック基板に接着するときにもアライメント精度が必要ないために歩留まりが向上する。さらに、電極２、４同志を直接接着しているので熱伝導性が非常に良く、面発光レーザの特性が向上し、ｐ側電極４が共通すなわちアノードコモンでの駆動が可能になるために、駆動ＩＣとしてｎｐｎ型トランジスタあるいはｎチャネルのＭＯＳ−ＩＣを用いることができ、高速駆動に有利となる。
【００３９】
さらに、接触抵抗が大きくなり易いｐ側電極４のコンタクト面積を大きくできる構造なので、素子抵抗が低減でき、熱特性、出力パワーなどの特性改善につながる。本実施例では、実装基板１としてセラミック基板を用いたが、Ｓｉ基板、金属板、ガラスエポキシ系のプリント回路基板などでもよい。必要に応じて基板表面に絶縁膜を形成するなどして素子間の絶縁を取ればよい。
【００４０】
次に、図３をもとに作製プロセスを説明する。図３（ａ）において、ｎ−ＧａＡｓ基板３０上に有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）などで、ｎ−ＧａＡｓバッファ層、ｎ−ＡｌＡｓエッチストップ層、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層（以上不図示）、ｎ−ＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多層膜から成るＤＢＲミラー層８、アンドープのＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ３重量子井戸をＡｌＧａＡｓスペーサ層で挟んで１波長分の厚さとした活性層７、ｐ−ＡｌＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多層膜から成るＤＢＲミラー層６、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（不図示）をエピタキシャル成長する。その後、発光領域１０を形成するためにドーナツ状に活性層７近傍までエッチングして、エッチ部にポリイミド１１を埋め込んで平坦化し、共通電極となるｐ型電極としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ４を全面に形成する。
【００４１】
図３（ｂ）において、ＡｌＮ基板１上に共通電極となるＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極２を形成し、面発光レーザ３が接着される領域にＡｕ／Ｓｎハンダ（不図示）を蒸着などにより形成して、加熱圧着により接着する。
【００４２】
図３（ｃ）において、面発光レーザ側のＧａＡｓ基板３０を除去するために、過酸化水素水とアンモニア水の混合液でＡｌＡｓエッチストップ層までエッチングを行い、ＡｌＡｓエッチストップ層はＨＣｌでエッチングして、ＧａＡｓコンタクト層を露出させる。その後、素子間の分離溝を形成してポリイミド１２で平坦化した後、ｎ側電極としてＡｕＧｅ／Ａｕ９を形成する。電極コンタクトを向上させるために、４００℃で２分程度のアニールを行ってもよい。このとき、ＡｌＮ基板１と面発光レーザ３の接着におけるＡｕ／Ｓｎはんだのリフローの工程を兼ねることになる。
【００４３】
図３（ｄ）において、配線を形成するために感光性ポリイミド１３を用いてｎ−ＧａＡｓ表面をカバーし、光取り出し窓１４およびコンタクトホール１７の部分だけパターニングによりポリイミドを抜いている。その後、図２のようにＩＣとの配線パターン１５を形成してから、フリップチップ実装でＳｉ−ＩＣ２０を実装してやればよい。
【００４４】
以上のプロセスでは、素子分離を基板除去後に行うために機能層を転写したあとのプロセスが複雑化するという難点があるので、素子分離を基板除去前に行ってもよい。その場合のプロセスを図４に示す。すなわち、図４（ａ）において図３の場合と同じように面発光レーザを作製するが、ｐ電極４を形成する前に素子分離溝４０を基板３０に到達するように形成し、絶縁膜５およびポリイミドの埋め込みを行う。図４（ｂ）においてＡｌＮ基板１に接着を行い、図４（ｃ）において、ＧａＡｓ基板３０を除去すれば、図４（ａ）で分離溝４０に形成しておいた絶縁膜５が表面に現れた状態でエッチングが停止する。この場合、基板３０除去すればすでに素子分離されているので、基板除去後のプロセスが軽減される。
【００４５】
また、基板の除去をエッチングにより行なっているが、研磨との併用、あるいは研磨のみで基板を薄膜化してもよい。その場合、例えばＧａＡｓ基板３０を１μｍ厚までＣＭＰ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）で研磨し、その表面に電極９を形成すれば、上記で説明したようなＡｌＡｓエッチストップ層、ＧａＡｓコンタクト層は不要になり、薄膜化されたＧａＡｓ基板３０の表面に直接電極形成ができる。
【００４６】
また、上面の電極配線工程を省略するためにＴＡＢテープを使用してもよい。すなわち、ポリイミドフィルムのような薄膜基板に電極配線を形成して、面発光レーザの電極９のコンタクトが必要なところにスルーホールで該電極配線の裏面側の該薄膜基板に電極パッドを形成しておき、該電極パッドと面発光レーザの電極９をアライメントして接着すれば、図２と同様な構造が作製可能である。この場合、ポリイミドフィルムに光取り出し窓として穴を開けておく。
【００４７】
本実施例では、０．８５μｍ帯の面発光レーザについて実施例を説明したが、他の材料、波長帯、すなわちＩｎＰ系における１．３μｍ帯や１．５５μｍ帯、ＩｎＧａＡｌＰを活性層に用いた赤色帯、あるいはＧａＮ系を用いた紫外〜青色の波長帯などにも適用できる。また、面型ＬＥＤや有機ＥＬ素子などにも本実施例の構造を適用することができる。
【００４８】
また、Ｓｉ−ＩＣをフリップチップ実装でハイブリッド化する構造について述べたが、Ｓｉ−ＩＣを作製した基板を符号１で示す基板として、ＩＣの形成されていない領域に光素子の転写を行ってもよい。この場合、図２（ｂ）の符号２０の部分がＩＣの作製された領域に相当する。
【００４９】
［実施例２］
本発明による第２の実施例は、実装基板側の共通電極をベタ電極とせず、電極パターンを形成して、簡単なアライメントにより、薄膜化した面発光レーザの機能層を実装するものである。アレイ数が多くなる場合には、図６のようにマトリックス配線にした方が電極配線を簡単化する上で有利になるので、電極分離ができるようにしたものである。
【００５０】
面発光レーザの構造としては図１などと同様であるが、図６のようにＡｌＮ基板１上の電極パターン６０をライン状に形成し、実施例１と同様に面発光レーザ３の機能層をその上に転写する。このとき、ｐ側電極は個々の素子で独立になるように分離しておく。ＧａＡｓ基板表面に形成する電極パターンも図６のようにライン状の電極６１とする。
【００５１】
実施例１と異なる図５のようなプロセスで本実施例のマトリクス配線構造を形成してもよい。すなわち、まず図５（ａ）において、実施例１と同様に面発光レーザの構造を形成するが、ｐ側電極５０に光取り出し用の窓５１を形成しておく。図５（ｂ）において、ガラス基板５２などにエレクトロンワックスなどでｐ電極５０側を貼り付けて、ＧａＡｓ基板３０を除去し、ｎ電極５３を形成する。このとき、図５（ａ）ですでに素子分離しているので各素子に対応する位置に電極５３を形成すれば、電極分離ができている。
【００５２】
次に、図５（ｃ）において、図６のようにＡｌＮ基板１上にライン状に電極パターン６０を形成しておき、ガラス基板５２を通して顕微鏡などで観察すれば簡単に該電極パターン６０と面発光レーザの位置合わせをすることができるので、アライメントして実施例１と同様の方法で電極５３と電極パターン６０を接着する。加熱により保持基板として用いたガラス基板５２は簡単に外すことができ、キシレンで洗浄すれば完全にワックスを除去できる。
【００５３】
その後、実施例１と同様の方法で、表面に表われているｐ電極５０とコンタクトを取りながら図６のようなライン状電極６１を形成すれば、マトリックス配線が実現できる。
【００５４】
本実施例のようにマトリクス配線にすれば、共通電極という概念がないために、ｎ電極側を回路基板側に実装することもできる。ｎ電極側を接着する場合には、構造上、電流狭窄層となるポリイミド１１による熱特性の悪化を防ぐことができる。すなわち、図５（ｃ）を見れば分かる通り、活性層７から基板１までには単結晶のＡｌＡｓ／ＧａＡｓ層８だけが存在するので、熱伝導性が良く熱特性が向上する。
【００５５】
［実施例３］
これまでの実施例では、１つのＭＣＭのプロセスを中心に述べてきたが、生産性を上げるためにはウエハレベルで一括プロセスができることが望ましい。
【００５６】
そのための概念図を図８に示す。本実施例では、基板コストの安いＳｉ基板を用いている。Ｓｉ基板８０上に素子の実装される領域８１が特定のピッチでアレイ化されている。まず、該Ｓｉ基板８０上の面発光レーザが実装される部分８１に実施例１または２のようにウエハ単位で電極を形成し、必要なアレイ数の面発光レーザ８４をＧａＡｓ基板８３から切り出して、ダイボンダ装置により逐次該電極に実装していく。このとき、ホトリソグラフィーにより該電極領域を形成すればホトマスク精度でアレイ化でき、ダイボンダ装置の図形合わせにより精度良く実装できる。よって、その後のマスク合わせ工程も可能である。
【００５７】
次に、ウエハレベルで面発光レーザのＧａＡｓ基板８３をエッチングにより除去する。このとき、エッチングしない領域や面発光レーザの端部は損傷を受けないようにレジストで保護しておくとよい。再び、ホトリソグラフィ工程により、実施例１または２のように感光性ポリイミドによるパターニングおよび電極配線の形成を行う。このとき、ＧａＡｓ基板をエッチングしてＳｉ基板８０表面に残っている面発光レーザの機能層の厚さは５μｍ程度なので、ホトリソグラフィーによる一括表面プロセスが可能となっている。
【００５８】
続いて、形成された電極配線の必要なところにＳｉ−ＩＣ８５を逐次実装していくことで、ＭＣＭの集合体基板が完成する。最後に破線８２のようにＳｉ基板８０をダイシングすることで、単体のＭＣＭを提供することができる。以上のような工程により、非常に低コストで光電子ＭＣＭ基板を提供できる。
【００５９】
本実施例で用いたＳｉ基板８０は素子間の絶縁性を保つために半絶縁性の基板を用いたが、通常のＳｉ基板を用いて、絶縁が必要な領域（例えばＳｉ−ＩＣを実装する領域）の表面に絶縁膜を形成したものでもよい。また、実施例１で用いたようなＡｌＮなどの絶縁性セラミック基板でもよい。
【００６０】
［実施例４］
本発明による第４の実施例は、機能層を転写したＭＣＭを用いて光配線を行う装置に係る。図９において、９４は実施例１のように面発光レーザアレイ９５とＳｉ−ＩＣ９６が実装されたＭＣＭである。そして、４本の光ファイバが束ねられたリボンファイバ９３の端面を固定する部材９１をアライメントして面発光レーザの出力端にＵＶ硬化樹脂で直接接着している。部材９１には、複数の光ファイバを等間隔で固定するための穴９２が形成されており、ファイバを穴９２に固定した後に部材９１と光ファイバを同時に研磨して平坦面を出している。部材９１の材質としてはガラス、樹脂、Ｓｉなどが適している。また、光ファイバとしては、石英ファイバでもよいが、アライメント精度を必要としないプラスティックオプティカルファイバ（ＰＯＦ）が短距離伝送には適している。特に、全フッ素化したポリイミドをコアとするＰＯＦでは０．６μｍから１．３μｍの広い波長帯で使用できるので、ここではこれを使用した。
【００６１】
一方、９０は面発光レーザの代わりに面型受光素子が同様に実装されたＭＣＭであり、やはりリボンファイバ９３の端面を固定する部材９１に樹脂で直接接着されている。受光素子としては、ｐｉｎ型、ＭＳＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型のいずれでもよく、また、材料系も信号速度や波長帯によってＧａＡｓ系、Ｓｉ系、ＩｎＧａＡｓ系のいずれかを選択することができる。
【００６２】
ＭＣＭ９４および９０からマザーボードヘの接続は、コネクタピン９７を用いた脱着、はんだ付け、フリップチップ実装などで行うことができ、電子機器内のボード間の接続などとして用いることができる。従って、距離が短い場合には光ファイバのかわりに樹脂で形成したアレイ光導波フィルムでもよい。また、アライメントについてはＭＣＭ側にアライメトマーク９８を基板に形成しておき、パッシブでアライメントすることで低コストな光実装が可能である。または、金属膜をＭＣＭとアレイ光ファイバ端面を固定する部材に形成しておいてハンダボールを介してセルフアライメントで接着する方法や、アライメントマークの位置にガイド部材を固定する方法などでもよい。
【００６３】
［実施例５］
本発明による第５の実施例は、機能層を転写したＭＣＭを図１０のように３次元スタック化したものである。元基板として表面に絶縁層を持つＳｉ基板１００を用い、１層目に実施例１のようにＳｉ−ＩＣベアチップ１０６、面発光レーザ１０４を実装し、表面を平坦化するために全体を絶縁性の部材１０１でカバーする。そして、配線のためのコンタクトホールを形成して埋め込み電極材１０３を形成して、該絶縁層１０１上に配線パターン１０２を形成する。ここで、面発光レーザ１０４は実施例１のようにＧａＡｓ基板を除去して５μｍ程度の機能層のみが実装されており、それに合わせて、Ｓｉ−ＩＣ１０６もＣＭＰによって５μｍ程度まで薄膜化した状態で実装されている。この場合、Ｓｉ−ＩＣ１０６の表面を上側にしてＳｉ基板を研磨により薄膜化してから研磨面をダイボンディングで基板１００に実装し、コンタクトを埋め込み電極材１０３を通して上面の電極配線１０２で電気接続してもよい。一方、Ｓｉ−ＩＣ１０６を電極面を下にしてフリップチップ実装する場合には、Ｓｉ−ＩＣ１０６および面発光レーザ１０４を実装した状態で一括してＣＭＰを行ってもよい。
【００６４】
２層目、３層目も同様に形成するが、層間絶縁層１０７を形成してからスタックしていく。絶縁層１０７としてはポリイミド、ＰＳＧなどが通常使用されるが、熱膨張係数を近くするためにアラミド樹脂を用いてもよい。２層目には受光素子１０５が実装されていて、一層目の面発光レーザ１０４からの光信号を受信するようになっており、多層配線の層間の信号接続を光を使って行うようになっている。もちろん埋め込み電極１０３を用いて電気的層間接続を併用してもよく、高速伝送や層間の絶縁が要求される部分などに光接続を適用していけばよい。
【００６５】
図１０では面発光レーザの実装された層と受光素子の実装された層を別の層としているが、同一層内に面発光レーザと面型受光素子が実装されていてもよい。
【００６６】
このような３次元ＭＣＭを作製する方法として、各層を別々に形成して最後に重ね合わせこともできる。そのための作製方法を図１１をもとに簡単に説明する。
【００６７】
例えばＡｌＮフィルム１１０（ＡｌＮを樹脂薄膜で一体化したもの）上に実施例１のように面発光レーザ１１１、受光素子１１２、Ｓｉ−ＩＣ１１３を実装して、絶縁膜１１４でカバーして平坦化し、表面にコンタクトホールを形成して配線パターンを作製する（配線に関して図面上では省略）。配線パターンはＡｌＮフィルム１１０上に予め形成しておくこともできる。また、各半導体素子１１１、１１２はＣＭＰなどで薄膜化するのは上記に説明したとおりである。
【００６８】
また、層間の接続（光、電気とも）が必要な部分にはエッチングあるいはレーザアブレイションなどで穴１１６を開け、電気接続が必要な部分には電極材を埋め込んでおく。
【００６９】
絶縁フィルムなどに光の波長に対して透明な材料を使う場合には光接続のための穴を開けなくてもよい。さらに、全て光接続で行う場合には穴を開ける必要はなく、作業の容易化によりコスト削減が可能となる。
【００７０】
ドーターボードなど１つの機能を持つモジュールを構成するためには、Ｌ、Ｃ、Ｒ受動素子の実装が不可欠であるが、多層配線板の中でこのような受動素子を実装する層も設けておくか、最上層でこれらを実装してもよい。あるいは、半導体素子を薄膜化したものと同程度（５μｍ）の厚さの薄膜受動素子１１５を同一層内に実装してもよい。
【００７１】
各層の実装ができた後に、元基板１００上にスタックして加熱、圧着することでＡｌＮフィルム１１０同志を接着させれば３次元ＭＣＭが作製できる。ＡｌＮフィルム以外にも、ポリイミド、アラミド樹脂などのフィルムでもよい。また、図２のように各層ともＳｉなどの元基板に実装を行なってから、該基板を研磨により薄膜化してスタックさせてもよい。
【００７２】
このような層間の接続に光を用いた３次元ＭＣＭは、小型の高速電子機能素子として電子機器を構成するためのマザーボードやドーターボードそのものとして機能させることができる。また、光接続を用いることで、基板からの放射される電磁波ノイズを低減できるので、ノイズ対策のコストを低減することができる。特に、携帯電話、モバイル機器、ノートＰＣ、デジカメ、カムコーダなどの小型携帯機器には有効である。
【００７３】
［実施例６］
本実施例では、今まで述べてきた面発光レーザアレイをレーザビームプリンタに適用したものである。図１２にその簡単な構成図を示す。
【００７４】
本発明による面発光レーザアレイを具備した光電子ＭＣＭ１２０を光源としてを使うと、図１２に示すように、一回のスキャンで感光ドラム１２３へ数列の帯状に光書き込みができるため、非常に高速なプリントが可能となる。ドラム面１２３上でのビームのピッチはレンズ系１２４で任意の幅にすることができ、例えば１２５μｍピッチの面発光レーザアレイの光をドラム面１２３上では２０μｍピッチにすることも容易である。制御の上では１次元で８個を集積化した面発光レーザなどが使いやすい。レーザの波長としては０．７７μｍ帯のものを用いた。尚、１２２はタイミングをとる為に用いられる受光器である。
【００７５】
レーザビームプリンタの高速化のためには、ポリゴンミラー１２１の回転数には限界があり、本発明によるＳｉ−ＩＣが集積化された光電子ＭＣＭ１２０を用いることで高速化を簡単に達成できる。また、端面発光レーザをアレイ化した場合には注入電流量が多いため、消費電力の上昇の問題があったが、本発明による面発光レーザアレイを用いれば１桁以上消費電力を低減することができる。これは、端面発光レーザでの駆動電流が５０ｍＡであることに対し、面発光レーザの場合は１０ｍＡ程度で駆動できるためである。さらに、アレイ数を増やして１２００ピクセル程度にすれば、ポリゴンミラーなしで光電子ＭＣＭをスキャンするだけで高速のレーザビームプリンタを構成できる。
【００７６】
本実施例以外の適用例としては、ＣＤ−ＲＯＭ、光磁気ディスク等の光源として本発明による面型光素子を用いることができる。
【００７７】
【発明の効果】
本発明によって、面型光素子を電子素子と集積化させる場合に面型光素子の特性を劣化させずに且つ実装時のアライメントに高精度が要求されず生産性の高い構造を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による第１実施例の面発光レーザアレイの断面斜視図である。
【図２】本発明による光電子融合ＭＣＭの断面と平面を説明する図である。
【図３】本発明による面発光レーザアレイの作製方法を説明する断面図である。
【図４】本発明による面発光レーザアレイの第２の作製方法を説明する断面図である。
【図５】本発明による面発光レーザアレイの第３の作製方法を説明する断面図である。
【図６】本発明によるマトリックス配線された面発光レーザアレイの平面図である。
【図７】本発明による１次元アレイ化された面発光レーザアレイの平面図である。
【図８】本発明による第３実施例のウエハレベルでの光電子融合ＭＣＭの作製方法を説明する図である。
【図９】本発明による第４実施例の光電子融合ＭＣＭを用いた光配線装置を説明する斜視図である。
【図１０】本発明による第５実施例の多層光電子融合ＭＣＭを説明する断面図である。
【図１１】本発明による多層光電子融合ＭＣＭの作製方法を説明する分解斜視図である。
【図１２】本発明による光電子融合ＭＣＭを用いたレーザビームプリンタを説明する図である。
【図１３】従来の機能層転写型の面発光レーザアレイの断面図である。
【図１４】機能層転写型光デバイスの作製方法の従来例を説明する図である。
【符号の説明】
１、８０、１００    ＭＣＭ用基板
４６０    ＭＣＭの電極
３、９５、１０４、１１１    面発光素子
４、９、５０、５３    レーザ電極
５    絶縁膜
６、８    分布反射型ミラー層
７    活性層
１０    発光領域
１１    埋込み層
１２、４０    素子分離埋め込み層
１３、１９、１０１、１１４、３００    絶縁層
１４、５１、１１６    光取り出し窓
１５、１６、１８、６１、１０２    電極配線
１７    コンタクトホール
２０、８５、９６、１０６、１１３    Ｓｉ集積回路
３０、８３    半導体基板
５０、２００    基板
８１    実装領域
８２    ダイシングライン
８４    光素子
９０、９４、１２０    光電子融合ＭＣＭ
９１    固定部材
９２    光導波媒体入射端
９３    光導波媒体
９７    接続用端子
９８    アライメントマーク
１０３    埋め込み電極
１０５、１１２    受光素子
１０７、１１０    層間絶縁層
１１５    受動素子
１２１    ポリゴンミラー
１２２    受光器
１２３    感光ドラム
１２４    シリンドリカルレンズ
１００Ａ      受光素子
１００Ｂ    発光素子
１００Ｃ、１００Ｄ、４００、２００Ａ      電気配線
【図１】
0003990846.tif 000002
【図２】
0003990846.tif 000003
【図３】
0003990846.tif 000004
【図４】
0003990846.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003990846.tif 000007
【図７】
0003990846.tif 000008
【図８】
0003990846.tif 000009
【図９】
0003990846.tif 000010
【図１０】
0003990846.tif 000011
【図１１】
0003990846.tif 000012
【図１２】
0003990846.tif 000013
【図１３】
0003990846.tif 000014
【図１４】
0003990846.tif 000015