(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を受け渡すための受け渡し台と、
前記受け渡し台の前後から挟むように配置され、基板を搬送する第１の搬送装置及び第２の搬送装置と、
前記受け渡し台との間で前記第１の搬送装置を挟むように配置され、基板を冷却処理する冷却処理ユニットと、
前記第１の搬送装置の側部に配置され、基板に対して処理液を供給する処理液供給ユニットと、
前記第２の搬送装置の側部に配置され、基板を加熱処理する加熱処理ユニットと
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理液供給ユニットが多段に積み重ねられ、かつ、前記第１の搬送装置がこれら多段に積み重ねられた各処理液供給ユニットに対してアクセス可能であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記冷却処理ユニットと積層するように配置され、前記第１の搬送装置とは反対側で外部と基板の受け渡しを行うための受け渡しユニットを具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１の搬送装置、前記冷却処理ユニット及び前記処理液供給ユニットにより構成される第１の領域に清浄エアーを供給する第１の清浄エアー供給部と、前記受け渡し台、前記第２の搬送装置及び前記加熱処理ユニットにより構成される第２の領域に清浄エアーを供給する第２の清浄エアー供給部とをそれぞれ別個に備え、前記第１の清浄エアー供給部だけが清浄エアーを所定の温度に温調する温調装置を有することを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１の搬送装置、前記冷却処理ユニット及び前記処理液供給ユニットにより構成される第１の領域と前記受け渡し台、前記第２の搬送装置及び前記加熱処理ユニットにより構成される第２の領域とに区分され、前記第１の領域に清浄エアーを供給する第１の清浄エアー供給部を備え、該第１の清浄エアー供給部は、前記第１の領域の下部から気体を排気し、該排気された気体を循環させて前記第１の領域の上部から温調された気体を吹き出すものであり、更に前記第１の領域と前記第２の領域とを分断するように前記第１の領域の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路を有することを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の清浄エアー供給部では、前記第１の領域に供給する前記清浄エアーの温度より低い温度を有する気体と前記排気された気体とが混合されて前記清浄エアーが生成されることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１の搬送装置、前記冷却処理ユニット及び前記処理液供給ユニットにより構成される第１の領域と前記受け渡し台、前記第２の搬送装置及び前記加熱処理ユニットにより構成される第２の領域とに区分され、前記第１の領域と前記第２の領域とを分断するように断熱壁が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体デバイス製造の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイス製造プロセスにおけるフォトレジスト工程では、例えば半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という。）等の表面に対してレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、パターンが露光された後のウエハに現像液を供給して現像処理している。かかる一連の処理を行うにあたっては、従来から塗布現像処理装置が使用されている。
【０００３】
この塗布現像処理装置には、ウエハを冷却する冷却処理ユニット、ウエハを加熱する加熱処理ユニット、ウエハにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット、ウエハに現像処理を施す現像処理ユニット等の各種の処理ユニットが備えられている。そして塗布現像処理装置全体をコンパクト化するため、複数の加熱処理ユニットと冷却処理ユニットとを混在して多段に積み重ねた熱処理ユニット群を形成している。この場合、熱処理ユニット群の上側には加熱処理ユニットを、下側には冷却処理ユニットをそれぞれ配置することにより熱処理ユニット群内の熱干渉を防止している。更にかかる塗布現像処理装置では、レジスト塗布ユニット及び現像処理ユニット近傍に熱処理ユニット群を配置し、搬送装置と共に全体として集約配置することで、塗布現像処理装置の更なる省スペース化を達成している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところでウエハが大口径化すると、これに伴って全ての処理ユニットも大型化する。従って、省スペース化のためには、各処理ユニットの配置を一層高集約化させる必要がある。
【０００５】
しかしながら加熱処理ユニットが大型化すると、加熱処理ユニットの熱量も多くなる。従って、これまでのように熱処理ユニット群の中の一つの処理ユニットとして加熱処理装置が他の処理ユニットの近傍に配置されていると、常温付近でウエハに対して処理を行う他の処理ユニット、例えばレジスト塗布装置や冷却処理ユニット等における温度制御を精密に行うことができなくなる虞がある。そして、これらの処理ユニットで温度制御が乱れるとレジスト膜の膜厚が変化する、という問題を生じる。
【０００６】
また、その一方で、最近では省スペース化の要請が益々強くなっている。
【０００７】
本発明は、かかる事情に基づきなされたもので、常温付近で基板に対して処理を行うための処理液供給ユニットや冷却処理ユニットにおける温度制御を精密に行うことができ、更に省スペース化を実現することができる基板処理装置を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため、本発明の基板処理装置は、基板を受け渡すための受け渡し台と、前記受け渡し台の前後から挟むように配置され、基板を搬送する第１の搬送装置及び第２の搬送装置と、前記受け渡し台との間で前記第１の搬送装置を挟むように配置され、基板を冷却処理する冷却処理ユニットと、前記第１の搬送装置の側部に配置され、基板に対して処理液を供給する処理液供給ユニットと、前記第２の搬送装置の側部に配置され、基板を加熱処理する加熱処理ユニットとを具備することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、受け渡し台を挟んで、冷却処理ユニット及び処理液供給ユニットを含み、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の領域と、加熱処理ユニットを含み、基板に対して加熱処理を行うための第２の領域とに区分され、しかも少なくとも受け渡し台の幅分だけ第１の領域と第２の領域とを離すことができるので、第１の領域にある常温付近で基板に対して処理を行うための処理液供給ユニットや冷却処理ユニットが加熱処理ユニットを含む第２の領域から受ける熱的干渉を極力抑えることができる。従って、常温付近で基板に対して処理を行うための処理液供給ユニットや冷却処理ユニットにおける温度制御を精密に行うことができる。また、第１の搬送装置の周囲の四方の全てに処理ユニット等を配置することができ、更に第２の搬送装置の周囲の三方に処理ユニット等を配置することができ、かつ、残る一方については外部との基板の受け渡しに利用できるので、処理ユニット等を高密度に配置することができる。従って、省スペース化を実現することができる。
【００１０】
本発明の基板処理装置は、前記処理液供給ユニットが多段に積み重ねられ、かつ、前記第１の搬送装置がこれら多段に積み重ねられた各処理液供給ユニットに対してアクセス可能であることを特徴とする。これにより、処理液供給ユニットを高密度に配置することができ、省スペース化を実現することができる。
【００１１】
本発明の基板処理装置は、前記冷却処理ユニットと積層するように配置され、前記第１の搬送装置とは反対側で外部と基板の受け渡しを行うための受け渡しユニットを具備することを特徴とする。これにより、第１の搬送装置と外部との間で基板の受け渡しを行うための特別な領域が不要となり、省スペース化を実現することができる。
【００１２】
本発明の基板処理装置は、前記第１の搬送装置、前記冷却処理ユニット及び前記処理液供給ユニットにより構成される第１の領域に清浄エアーを供給する第１の清浄エアー供給部と、前記受け渡し台、前記第２の搬送装置及び前記加熱処理ユニットにより構成される第２の領域に清浄エアーを供給する第２の清浄エアー供給部とをそれぞれ別個に備え、前記第１の清浄エアー供給部だけが清浄エアーを所定の温度に温調する温調装置を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明では、第２の領域に清浄エアーを供給する第２の清浄エアー供給部において温調装置は要求されなくなるので、装置コストの低減を図ることができ、温調すべき範囲が限定されるので、第１の領域における温度管理をより精密に行うことができる。
【００１４】
本発明の基板処理装置は、前記第１の搬送装置、前記冷却処理ユニット及び前記処理液供給ユニットにより構成される第１の領域と前記受け渡し台、前記第２の搬送装置及び前記加熱処理ユニットにより構成される第２の領域とに区分され、前記第１の領域に清浄エアーを供給する第１の清浄エアー供給部を備え、該第１の清浄エアー供給部は、前記第１の領域の下部から気体を排気し、該排気された気体を循環させて前記第１の領域の上部から温調された気体を吹き出すものであり、更に前記第１の領域と前記第２の領域とを分断するように前記第１の領域の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明では、上記した構成の通路が第１の領域と第２の領域との間における断熱手段として機能する。しかも、かかる断熱手段である通路内には気体が循環しているので、通路内に熱が蓄積するようなことはなく、極めて良好な断熱手段として機能する。よって、本発明によれば、上記構成の通路が第２の領域から第１の領域への熱的干渉を防止し、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の領域における温度制御を極めて精密に行うことができる。
【００１６】
本発明の基板処理装置は、前記第１の搬送装置、前記冷却処理ユニット及び前記処理液供給ユニットにより構成される第１の領域と前記受け渡し台、前記第２の搬送装置及び前記加熱処理ユニットにより構成される第２の領域とに区分され、前記第１の領域と前記第２の領域とを分断するように断熱壁が設けられていることを特徴とする。
【００１７】
本発明では、断熱壁が第２の領域から第１の領域への熱的干渉を防止するので、常温付近で基板に対して処理を行うための第１の領域における温度制御を極めて精密に行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。図１〜図５は本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す図であり、図１は平面図、図２は正面図、図３は図１におけるＡ−Ａ矢視図、図４は図１におけるＢ−Ｂ矢視図、図４は図１におけるＣ−Ｃ矢視図を示している。
【００１９】
図１に示すように、この塗布現像処理システム１は、例えば２５枚のウエハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対してウエハＷを搬入出するためのカセットステーション２と、塗布現像処理工程の中でウエハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる第１の処理ステーション３と、この第１の処理ステーション３に隣接して配置された第１のステーション３とほぼ同様の構成の第２の処理ステーション４と、この第２の処理ステーション４に隣接して配置された露光装置（図示を省略）の間でウエハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。
【００２０】
カセットステーション２では、カセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカセットＣがウエハＷの出入口を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウエハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウエハ搬送体１１が搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２１】
このウエハ搬送体１１はθ方向にも回転自在に構成されており、後述する第１の処理ステーション３におけるアライメントユニットに対してアクセスできるように構成されている。
【００２２】
第１の処理ステーション３では、そのほぼ中央にウエハＷを受け渡すための受け渡し台（ＴＲＳ）が多段に積み重ねられた受け渡し台群１３が配置され、この受け渡し台群１３の前後から挟むように、ウエハＷを搬送する第１の搬送装置１４及び第２の搬送装置１５が配置されている。
【００２３】
また、この第１の処理ステーション３では、受け渡し台群１３との間で第１の搬送装置１４を挟むように、ウエハＷを冷却処理する冷却処理ユニット（ＣＰＬ）が多段に積み重ねられた冷却処理ユニット群１６が配置されている。更に、第１の搬送装置１４の一側部には、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウエハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）が多段に積み重ねられた反射防止膜塗布ユニット群１７が配置され、また第１の搬送装置１４の他側部には、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウエハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット（ＣＴ）が多段に積み重ねられたレジスト塗布ユニット群１８が配置されている。そして、第１の搬送装置１４、冷却処理ユニット群１６、反射防止膜塗布ユニット群１７及びレジスト塗布ユニット群１８によって、ウエハＷに対して常温で処理を行うための第１の領域２１を形成している。
【００２４】
一方、第２の搬送装置１５の両側部には、ウエハＷを加熱処理する加熱処理ユニット（ＨＰ）が多段に積み重ねられた加熱処理ユニット群１９、２０が配置されている。そして、第２の搬送装置１５及び加熱処理ユニット群１９、２０とによって、ウエハＷに対して加熱処理を行うための第２の領域２２を形成している。
【００２５】
同様に、第２の処理ステーション４では、そのほぼ中央にウエハＷを受け渡すための受け渡し台（ＴＲＳ）が多段に積み重ねられた受け渡し台群２３が配置され、この受け渡し台群２３の前後から挟むように、ウエハＷを搬送する第１の搬送装置２４及び第２の搬送装置２５が配置されている。
【００２６】
また、この第２の処理ステーション４では、受け渡し台群２３との間で第１の搬送装置２４を挟むように、ウエハＷを冷却処理する冷却処理ユニット（ＣＰＬ）が多段に積み重ねられた冷却処理ユニット群２６が配置されている。更に、第１の搬送装置２４の両側部には、カップ内でウエハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウエハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット（ＤＥＶ）が多段に積み重ねられた現像処理ユニット群２７、２８が配置されている。そして、第１の搬送装置２４、冷却処理ユニット群２６及び現像処理ユニット群２７、２８によって、ウエハＷに対して常温で処理を行うための第１の領域３１を形成している。
【００２７】
一方、第２の搬送装置２５の両側部には、ウエハＷを加熱処理する加熱処理ユニット（ＨＰ）が多段に積み重ねられた加熱処理ユニット群２９、３０が配置されている。そして、第２の搬送装置２５及び加熱処理ユニット群２９、３０とによって、ウエハＷに対して加熱処理を行うための第２の領域３２を形成している。
【００２８】
インターフェイス部５では、その背面側には周辺露光装置３４が配置され、その正面側には垂直方向に昇降可能とされ、更にθ方向に回転可能とされたウエハ搬送体３５が配置されている。そして、ウエハ搬送体３５は第２の処理ステーション４における後述するアライメントユニット、周辺露光装置３４、露光装置（図示せず）に対してアクセスできるように構成されている。
【００２９】
図３に示すように、第１の処理ステーション３における上述の冷却処理ユニット群１６では、ウエハＷの位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）と、７個の冷却処理ユニット（ＣＰＬ）とが下から順に例えば８段に積み重ねられている。アライメントユニット（ＡＬＩＭ）に対しては、ウエハ搬送体１１及び第１の搬送装置１４の両方からウエハＷの受け渡しが行えるようになっている。これにより、第１の搬送装置１４と第１の処理ステーション３からみた外部であるカセットステーション２との間でウエハＷの受け渡しを行うための特別な領域が不要となり、省スペース化を実現することができる。なお、第２の処理ステーション４における冷却処理ユニット群２６もこれと同様の構成とされており、冷却処理ユニット群２６のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に対しては、第１の処理ステーション３における第２の搬送装置１５及び第２の処理ステーション４における第１の搬送装置２４の両方からウエハＷの受け渡しが行えるようになっている。
【００３０】
図４に示すように、第１の処理ステーション３における上述の反射防止膜塗布ユニット群１７では、反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）が３段に積み重ねられており、同様に第１の処理ステーション３における上述のレジスト塗布ユニット群１８では、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）が３段に積み重ねられている。そして、第１の搬送装置１４は冷却処理ユニット群１６における各ユニットの他にこれらの反射防止膜塗布ユニット群１７及びレジスト塗布ユニット群１８における各ユニットにアクセスが可能にされている。第２の処理ステーション４における現像処理ユニット群２７、２８においては、それぞれ現像処理ユニット(ＤＥＶ）が２段に積み重ねられており、同様のアクセスが可能とされている。
【００３１】
図５に示すように、第１の処理ステーション３の加熱処理ユニット群１９、２０では、それぞれ加熱処理ユニット（ＨＰ）が８段に積み重ねられおり、第２の搬送装置１５はこれら各ユニットに対してアクセスが可能とされている。第２の処理ステーション４の加熱処理ユニット群２９、３０においても、それぞれ加熱処理ユニット（ＨＰ）が８段に積み重ねられおり、第２の搬送装置２５はこれら各ユニットに対してアクセスが可能とされている。
【００３２】
図６は上述した第１の処理ステーション３における受け渡し台群１３の構成を示す断面図である。
【００３３】
受け渡し台群１３では、受け渡し台（ＴＲＳ）が２段に積み重ねられている。各受け渡し台（ＴＲＳ）は第１の搬送装置１４及び第２の搬送装置１５との間でウエハＷの受け渡しを行うための開口部４１、４２が設けられた筐体４３を有し、この筐体４３のほぼ中央には支持ピン４４が３本程度設けられた受け渡し板４５が配置されている。なお、第２の処理ステーション４における受け渡し台群２３においても同様に構成されている。
【００３４】
図７は第１及び第２の処理ステーション３、４における第１及び第２の搬送装置１４、１５、２４、２５の構成を示す斜視図であり、上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部５１、５２からなる筒状支持体５３の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウエハ搬送手段５４を備えている。筒状支持体５３はモータ５５の回転軸に接続されており、このモータ５５の回転駆動力で、前記回転軸を中心としてウエハ搬送手段５４と共に一体に回転する。従って、ウエハ搬送手段５４はθ方向に回転自在となっている。
【００３５】
ウエハ搬送手段５４の搬送基台５６上には、ウエハＷを保持する複数、例えば２本のピンセット５７、５８が上下に備えられている。各ピンセット５７、５８は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持体５３の両壁部５１、５２間の側面開口部を通過自在な形態及び大きさを有している。また、各ピンセット５７、５８は搬送基台５６に内蔵されたモータ（図示せず）により前後方向の移動が自在となっている。
【００３６】
図１及び図２に示すように、第１の処理ステーション３における反射防止膜塗布ユニット群１７、レジスト塗布ユニット群１８及び第２の処理ステーション４における現像処理ユニット群２７、２８の加熱処理ユニット群１９、２０、２９、３０側には、それぞれ断熱壁６１及び後述する第１の領域２１、３１の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路６２が配置されている。即ち、断熱壁６１及び通路６２は、それぞれ第１の領域２１、３１と第２の領域２２、３２との間を分断するように配置されている。なお、第２の処理ステーション４における現像処理ユニット群２７、２８の第１の処理ステーション３側にも断熱壁６１が設けられている。
【００３７】
この塗布現像処理システム１の上部には、第１の領域２１、３１に対して上部から温調された清浄エアーを供給する第１の清浄エアー供給部６３と、第２の領域２２、３２に対して上部から清浄エアーを供給する第２の清浄エアー供給部６４とが配置されている。
【００３８】
第１の清浄エアー供給部６３は、例えばＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）及び温度や湿度を調整する温調装置等を備え、第１の領域２１、３１の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路６２を介して流入した気体から温度及び湿度を調整してパーティクル等を除去した清浄エアーを通路６５を介して第１の領域２１、３２における各ユニットに供給する。
【００３９】
一方、第２の清浄エアー供給部６４は、例えばＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）等を備え、第２の領域の下部から排気された気体をその上部に循環させるための通路（図示せず）を介して流入した気体からパーティクル等を除去した清浄エアーを各加熱処理ユニット（ＨＰ）に供給する。
【００４０】
第１の領域２１、３１では常温に温調する必要があるのに対して、第２の領域２２、３２ではこのような温調は不要である。従って、本実施形態のように第１の領域２１、３１に対する清浄エアーの供給と第２の領域２２、３２に対する清浄エアーの供給をそれぞれ別個に行うように構成し、第１の領域２１、３１に対する清浄エアーのみを温調するように構成することで、温調装置のコストを低減することができ、しかも第１の領域２１、３１に対する温調をより精密に行うことができる。
【００４１】
また、第１の清浄エアー供給部６３の温調機構として、次のような機構を用いることができる。すなわち、第１の清浄エアー供給部６３にて、各塗布処理ユニット（ＢＣＴ、ＤＥＶ）に供給されるエアーの温度よりも低い温度の新しい気体と、第１の領域２１、３１の下部からそれぞれ排気され通路６２を通過した気体とを、混合することによって所望の温度に清浄エアーを温調してもよい。
【００４２】
なお、第１の領域２１、３１においては、塗布系のユニットでは温度管理の他に湿度管理が必要であるのに対して、冷却処理ユニットでは湿度管理は不要である。そこで、塗布系のユニットに対して清浄エアーを供給する手段と冷却処理ユニットに対して清浄エアーを供給する手段とを別個に設け、塗布系のユニットに対する清浄エアーのみを湿度制御するように構成すれば、温調装置のコスト低減及び精密温調の効果をより高めることができる。
【００４３】
また、図１、図３及び図４に示すように、第１の領域２１、３１の両側、即ち第１の処理ステーション３における反射防止膜塗布ユニット群１７、レジスト塗布ユニット群１８及び第２の処理ステーション４における現像処理ユニット群２７、２８の側部には、それぞれ各ユニットで使われる処理液、例えばレジスト液や反射防止膜液を蓄える容器を収容する領域としての容器棚６６が設けられている。この容器棚６６は例えば正面側に開閉可能な扉のような構造となっており、この扉に容器が収容可能となっている。これにより、容器の交換や保守点検を容易に行うことができる。
【００４４】
次に、このように構成された塗布現像処理システム１における処理工程を説明する。
【００４５】
塗布現像処理システム１において、カセットＣ内に収容された未処理のウエハＷはカセットステーション２のウエハ搬送体１１によって取り出された後、第１の処理ステーション３の冷却処理ユニット群１６におけるアライメントユニット（ＡＬＩＭ）内に搬送され、位置合わせが行われる。
【００４６】
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）で位置合わせが行われたウエハＷは、第１の搬送装置１４によって冷却処理ユニット群１６における冷却処理ユニット（ＣＰＬ）内に搬送され、冷却処理が行われる。
【００４７】
冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で冷却処理が行われたウエハＷは、第１の搬送装置１４によって反射防止膜塗布ユニット群１７における反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）内に搬送され、反射防止膜用の処理液が塗布される。
【００４８】
反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）で反射防止膜用の処理液が塗布されたウエハＷは、第１の搬送装置１４、受け渡し台群１３における受け渡し台（ＴＲＳ）、及び第２の搬送装置１５を介して加熱処理ユニット群１９、２０における加熱処理ユニット（ＨＰ）内に搬送され、加熱処理が行われる。
【００４９】
加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱処理されたウエハＷは、第２の搬送装置１５、受け渡し台群１３における受け渡し台（ＴＲＳ）、及び第１の搬送装置１４を介して冷却処理ユニット群１６における冷却処理ユニット（ＣＰＬ）内に搬送され、冷却処理が行われる。
【００５０】
冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で冷却処理が行われたウエハＷは、第１の搬送装置１４によってレジスト塗布ユニット群１８におけるレジスト塗布ユニット（ＣＴ）内に搬送され、レジスト液が塗布される。
【００５１】
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）でレジスト液が塗布されたウエハＷは、第１の搬送装置１４、受け渡し台群１３における受け渡し台（ＴＲＳ）、及び第２の搬送装置１５を介して加熱処理ユニット群１９、２０における加熱処理ユニット（ＨＰ）内に搬送され、加熱処理が行われる。
【００５２】
加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱処理されたウエハＷは、第２の搬送装置１５、第２の処理ステーション４の冷却処理ユニット群２６におけるアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及び第１の搬送装置２４を介して冷却処理ユニット群２６における冷却処理ユニット（ＣＰＬ）内に搬送され、冷却処理が行われる。
【００５３】
冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で冷却処理が行われたウエハＷは、第１の搬送装置２４、受け渡し台群２３における受け渡し台（ＴＲＳ）、第２の搬送装置２５、加熱処理ユニット群２９における加熱処理ユニット（ＨＰ）及びウエハ搬送体３５を介して周辺露光装置３４内に搬送され、周辺露光が行われる。
【００５４】
周辺露光装置３４で周辺露光が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体３５によって露光装置（図示せず）に搬送される。
【００５５】
露光装置によって露光処理が行われたウエハＷは、ウエハ搬送体３５、加熱処理ユニット群２９における加熱処理ユニット（ＨＰ）及び第２の搬送装置２５を介して加熱処理ユニット群２９、３０におけるいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）内に搬送され、加熱処理が行われる。
【００５６】
加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱処理されたウエハＷは、第２の搬送装置２５、受け渡し台群２３における受け渡し台（ＴＲＳ）及び第１の搬送装置２４を介して冷却処理ユニット群２６における冷却処理ユニット（ＣＰＬ）内に搬送され、冷却処理が行われる。
【００５７】
冷却処理ユニット（ＣＰＬ）で冷却処理が行われたウエハＷは、第１の搬送装置２４によって現像処理ユニット群２７、２８における現像処理ユニット（ＤＥＶ）に搬送され、現像処理が行われる。
【００５８】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）で現像処理が行われたウエハＷは、第１の搬送装置２４、冷却処理ユニット群２６におけるアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及び第１の処理ステーション３における第２の搬送装置１５を介して加熱処理ユニット群１９、２０における加熱処理ユニット（ＨＰ）内に搬送され、加熱処理が行われる。
【００５９】
加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱処理されたウエハＷは、第２の搬送装置１５、受け渡し台群１３における受け渡し台（ＴＲＳ）及び第１の搬送装置１４を介して冷却処理ユニット群１６におけるアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送される。
【００６０】
アライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送されたウエハＷは、カセットステーション２のウエハ搬送体１１によってカセットＣ内に収容される。
【００６１】
以上のように構成された本実施形態に係る塗布現像処理システム１によれば、受け渡し台（ＴＲＳ）を挟んで、常温付近でウエハＷに対して処理を行うための第１の領域２１、３１と、ウエハＷに対して加熱処理を行うための第２の領域２２、３２とに区分され、しかも少なくとも受け渡し台（ＴＲＳ）の幅分だけ第１の領域２１、３１と第２の領域２２、３２とを離すことができるので、第１の領域２１、３１にある常温付近でウエハＷに対して処理を行うためのユニットが第２の領域２２、３２から受ける熱的干渉を極力抑えることができる。従って、常温付近でウエハＷに対して処理を行うためのユニットにおける温度制御を精密に行うことができる。
【００６２】
また、このように構成された塗布現像処理システム１によれば、第１の搬送装置１４、２４の周囲の四方の全てに処理ユニット等（第１の処理ステーション３における第１の搬送装置１４では、冷却処理ユニット群１６、反射防止膜塗布ユニット群１７、レジスト塗布ユニット群１８及び受け渡し台群１３、第２の処理ステーション４における第１の搬送装置２４では、冷却処理ユニット群２６、現像処理ユニット群２７、２８及び受け渡し台群２３）を配置することができ、更に第２の搬送装置１５、２５の周囲の三方に処理ユニット等（第１の処理ステーション３における第２の搬送装置１５では、加熱処理ユニット群１９、２０及び受け渡し台群１３、第２の処理ステーション４における第２の搬送装置２５では、加熱処理ユニット群２９、３０及び受け渡し台群２）を配置することができ、かつ、残る一方（第２の搬送装置１５から第２の処理ステーション４における冷却処理ユニット群２６側）については外部とのウエハＷの受け渡しに利用できるので、処理ユニット等を高密度に配置することができる。従って、省スペース化を実現することができる。
【００６３】
尚、上記実施形態では、基板としてウエハを例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも本発明を適用することができる。またレジストの塗布現像システムばかりでなく、他のシステム、例えば基板上に層間絶縁膜を形成するＳＯＤ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）処理システム等にも本発明を適用することができる。
【００６４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、常温付近で基板に対して処理を行うための処理液供給ユニットや冷却処理ユニットにおける温度制御を精密に行うことができ、更に省スペース化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムを示す平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムのＡ−Ａ断面図である。
【図４】図１に示した塗布現像処理システムのＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図１に示した塗布現像処理システムのＣ−Ｃ断面図である。
【図６】第１の処理ステーションにおける受け渡し台群の構成を示す断面図である。
【図７】図１に示した第１及び第２の搬送装置の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１    塗布現像処理システム
３    第１の処理ステーション
４    第２の処理ステーション
１３、２３    受け渡し台群
１４、２４    第１の搬送装置
１５、２５    第２の搬送装置
１６、２６    冷却処理ユニット群
１７    反射防止膜塗布ユニット群
１８    レジスト塗布ユニット群
１９、２０、２９、３０    加熱処理ユニット群
２１、３１    第１の領域
２２、３２    第２の領域
６６    容器棚
６１    断熱壁
６２    通路
６３    第１の清浄エアー供給部
６４    第２の清浄エアー供給部
ＡＬＩＭ    アライメントユニット
ＴＲＳ    受け渡し台
ＢＣＴ    反射防止膜塗布ユニット
ＣＰＬ    冷却処理ユニット
ＣＴ    レジスト塗布ユニット
ＤＥＶ    現像処理ユニット
ＨＰ    加熱処理ユニット
Ｗ    ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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