(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが搭載されるダイボンディング領域を内端部に有する第１の内部リードと、上記第１の内部リードと対向配置され、上記半導体チップとワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディング領域を内端部に有する第２の内部リードと、第１の内部リード、上記半導体チップないし第２の内部リードを封入するようにして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部リードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成された第２の外部リードと、を備え、ハンダリフローにより面実装される半導体装置であって、
上記樹脂パッケージのガラス転移点は上記ハンダリフローによる面実装時のハンダの固化温度より低いものである一方、
上記第１の内部リードはその外方部に対して内方部のダイボンディング領域が低位となるように形成されているとともに、上記第２の内部リードはその外方部に対して内方部のワイヤボンディング領域が低位となるようにクランク状に折曲されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
上記第１の内部リードは、クランク状に折曲されることによって、その外方部に対して内方部のダイボンディング領域が低位となるように形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記第１の内部リードの内方部には、上に開放するパラボラ部が一体成形されており、このパラボラ部の底面をダイボンディング領域としてここに半導体チップが搭載されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記パラボラ部には、軟質樹脂が充填されており、この軟質樹脂は、少なくとも半導体チップを包み込んでいる、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体チップが搭載されるダイボンディング領域を内端部に有する第１の内部リードと、上記第１の内部リードと対向配置され、上記半導体チップとワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディング領域を内端部に有する第２の内部リードと、第１の内部リード、上記半導体チップないし第２の内部リードを封入するようにして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部リードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成された第２の外部リードと、を備え、ハンダリフローにより面実装される半導体装置であって、
上記樹脂パッケージのガラス転移点は上記ハンダリフローによる面実装時のハンダの固化温度より低いものである一方、
上記第１の内部リードはその外方部に対して内方部のダイボンディング領域が高位となるようにクランク状に折曲されているとともに、上記第２の内部リードはその外方部に対して内方部のワイヤボンディング領域が高位となるようにクランク状に折曲されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項６】
上記半導体チップは、発光素子または受光素子である、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、適宜の回路基板などに面実装可能とされた樹脂パッケージ型の半導体装置、とくに光センサの発光部または受光部として好適に使用される半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
従来の樹脂パッケージ型の半導体装置の一例を図１２および図１３に示す。この半導体装置Ａは、金属板を打ち抜き形成することによって得られるフレームを用いて製造された、いわゆるフレームタイプの発光ダイオード（ＬＥＤ）として構成されたものである。具体的には、それぞれの一端部１ａ，２ａどうしが対峙するようにして一対のリード端子１，２が設けられており、一方のリード端子１の一端部１ａには半導体チップ３（発光素子）が実装されており、この発光素子３の上面３０と他方のリード端子２の一端部２ａとがワイヤＷを介して電気的に導通されている。そして、上記発光素子３およびワイヤＷを封入するようにしてエポキシ樹脂などの透明な樹脂パッケージ４が形成されており、上記各リード端子１，２のうちの樹脂パッケージ４に封入された部位がそれぞれ内部リード１０，２０とされている。一方、上記各端子リード１，２のうちの上記樹脂パッケージ４から延出する部位は、それぞれ屈曲形成されて先端側１１ａ，２１ａが上記樹脂パッケージの底面と同等高さ位置において所定長さ水平に延びる外部リード１１，２１とされている。
【０００３】
このように構成された発光ダイオードＡは、適宜の回路基板５などに面実装されて各種の光源、たとえば光センサの発光部などとして使用される。しかしながら、上記構成の発光ダイオードＡのような光学的半導体装置の場合には、エポキシ樹脂を材料とする樹脂パッケージにフィラを混入することができないため、樹脂パッケージが熱によって大きく収縮するとともに、ガラス転移点以上に再加熱された場合に軟化する傾向を生じるため、ハンダリフローの手法によって面実装することができないという問題があった。この場合、やむなく非能率的な手ハンダによる実装を行わざるをえない。
【０００４】
すなわち、ハンダリフローの手法で面実装をしようとすれば、上記発光ダイオードＡの外部リード１１，２１の裏面側または回路基板５の端子パッド５０にクリームハンダを予め塗布しておき、上記外部リード１１，２１と上記端子パッド５０とを対応させて発光ダイオードＡを上記回路基板５に載置した状態でリフロー炉に搬入することになる。このリフロー炉では、ハンダペーストが２４０℃程度にまで加熱されてハンダ成分が再溶融させられるが、発光ダイオードＡが実装された回路基板５をリフロー炉から搬出して溶融ハンダを固化させれば上記発光ダイオードＡが上記回路基板５に実装固定される。
【０００５】
ハンダペーストがたとえば１８３℃程度で固化するのに対して、上記発光ダイオードＡの樹脂パッケージ４はガラス転移温度以上（たとえばフィラの混入されていないエポキシ樹脂では１２０℃以上）において高弾性で、しかも温度低下にともなって熱収縮する。すなわち、樹脂パッケージ４のガラス転移温度以上でハンダペーストの固化温度以下の温度では、上記発光ダイオードＡにおける各リード端子１，２が回路基板５に固定された状態であるにもかかわらず、樹脂パッケージ４が温度低下によってどんどん硬化収縮してしまうことになる。
【０００６】
樹脂パッケージ４の熱収縮率は、リード端子１，２（金属）のそれよりも大きく、しかもリード端子１，２の端部（外部リード１１，２１）が固定されているため、樹脂パッケージ４の収縮に追従してリード端子１，２が収縮することができない。このため、各端子リード１，２には、リード端子１，２が延びる方向であって樹脂パッケージ４の外方側（図中の矢印方向）に向けた応力、すなわち上記樹脂パッケージ４から各リード端子１，２を引き抜くような応力が作用してしまう。したがって、各リード端子１，２の一端部１ａ，２ａ間がワイヤＷによって繋げられてワイヤＷが延びる方向と各リード端子１，２の延び方向とが同一方向とされた発光ダイオードＡでは、ワイヤＷが引き延ばされるような大きな応力が作用することとなる。このとき、樹脂パッケージ４は、温度低下によって徐々に硬化するとともに、ファーストボンディング位置（発光素子３の上面３０）とセカンドボンディング位置（他方のリード端子２の一端部２ａ）の高さが異なるため、ワイヤＷ自体の展性や可撓性によっては十分に対応することができない。とくに、ワイヤＷを溶融圧着させるファーストボンディングに比較すればセカンドボンディング部位におけるワイヤＷの接続力が弱いため、セカンドボンディング部位においてワイヤが断線してしまうのである。
【０００７】
本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、ハンダリフローの手法を用いて回路基板などに半導体装置を実装する場合に、樹脂パッケージ内でワイヤが断線してしまわないようにすることをその課題としている。
【０００８】
【発明の開示】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００９】
すなわち、本願発明の第１の側面によって提供される半導体装置は、半導体チップが搭載されるダイボンディング領域を内端部に有する第１の内部リードと、上記第１の内部リードと対向配置され、上記半導体チップとワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディング領域を内端部に有する第２の内部リードと、第１の内部リード、上記半導体チップないし第２の内部リードを封入するようにして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部リードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成された第２の外部リードと、を備え、ハンダリフローにより面実装される半導体装置であって、上記樹脂パッケージのガラス転移点は上記ハンダリフローによる面実装時のハンダの固化温度より低いものである一方、上記第１の内部リードはその外方部に対して内方部のダイボンディング領域が低位となるように形成されているとともに、上記第２の内部リードはその外方部に対して内方部のワイヤボンディング領域が低位となるようにクランク状に折曲されていることを特徴としている。
【００１０】
また、本願発明の第２の側面によって提供される半導体装置は、半導体チップが搭載されるダイボンディング領域を内端部に有する第１の内部リードと、上記第１の内部リードと対向配置され、上記半導体チップとワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディング領域を内端部に有する第２の内部リードと、第１の内部リード、上記半導体チップないし第２の内部リードを封入するようにして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部リードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成された第２の外部リードと、を備え、ハンダリフローにより面実装される半導体装置であって、上記樹脂パッケージのガラス転移点は上記ハンダリフローによる面実装時のハンダの固化温度より低いものである一方、上記第１の内部リードはその外方部に対して内方部のダイボンディング領域が高位となるようにクランク状に折曲されているとともに、上記第２の内部リードはその外方部に対して内方部のワイヤボンディング領域が高位となるようにクランク状に折曲されていることを特徴としている。
【００１１】
【００１２】
上記の各半導体装置における樹脂パッケージは、基本的には、透明エポキシ樹脂である。ただし、半導体チップとして発光素子または受光素子を選択する場合において、赤外光を外部に放射し、あるいは赤外光を選択的に検出するべく、可視光を透過せず、赤外光を透過しうるように処理された、肉眼では黒色に見える樹脂を用いる場合もある。いずれにしても、基本的には、透光性をもったエポキシ樹脂が樹脂パッケージの材料として採択されるのであって、したがって、この場合、その線膨張係数は比較的大きい。
【００１３】
上記半導体装置は、上記第１および第２の外部リードの一部を基板に対する面的な接続端子部としていることから、適宜の回路基板などに面実装可能な樹脂パッケージ型半導体装置として構成されている。この構成では、たとえば上記半導体装置を光センサの発光部または受光部などとして使用すべく回路基板などに実装する場合には、既に述べたようにハンダリフローの手法などが採用される。
【００１４】
本願発明の第１の側面および第２の側面に係る半導体装置においては、各内部リードがクランク状に折曲されるなどしてその各内端のチップボンディング領域およびワイヤボンディング領域が各内部リードの外方部に対して低位、あるいは高位となるようにされている。したがって、ハンダリフローによる面実装において、ハンダの固化温度（たとえば１８３℃）からエポキシ樹脂のガラス転移点（たとえば１２０℃）まで温度が低下してゆく過程でリード（内部リードないし外部リード）を樹脂パッケージから相対的に引き抜こうとする力が作用しても、クランク状の折曲部がリードの相対的な引き抜き動を阻止しようとする。したがって、ワイヤと第２の内部リードとの間の接続部に作用するストレスが軽減され、ワイヤが断線に至ることを解消ないし軽減しうる。くわえて、ガラス転移点以上の温度であるが故に樹脂パッケージが軟化していて、樹脂パッケージに対するリードの引き抜き方向の動きが生じたとしても、内部リードには、クランク折曲部を支点として、段下げ状の内端部が上動し、あるいは、段上げ状の内端部が下動するような回動変位が生じる。このような回動変位が生じる結果、内部リードの外方部が樹脂パッケージに対して実際に引き抜き方向に移動しても、内部リードの内端部のリード引き抜き方向の移動は起こらず、あるいはこの移動が軽減される。したがって、このことによっても、ワイヤと第２の内部リードとの間に作用するストレスが軽減され、ワイヤが断線に至ることを解消ないし軽減しうる。
【００１５】
【００１６】
以上の結果、本願発明に係る半導体装置によれば、フレーム形式で製造された樹脂パッケージ型の受光素子、あるいは発光素子をハンダリフローの手法によって基板等に面実装することが実質的に可能となる。
【００１７】
本願発明のその他の特徴および利点は、図面を参照しつつ以下に行う詳細な説明から、より明らかとなろう。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態を図面を参照して具体的に説明する。
【００１９】
図１は本願発明の第１の側面に係る半導体装置の一実施形態の全体斜視図、図２は平面図、図３は図１のIII −III 線に沿う断面図、図４は図１のIV−IV線に沿う断面図、図５〜図７は製造工程の説明図、図８は作用説明図、図９は第２の側面に係る半導体装置の一実施形態の要部説明図、図１０は本願発明の第３の側面に係る半導体装置の一実施形態の説明図、図１１は本願発明の第１の側面に係る半導体装置の他の実施形態の説明図である。これらの図において、図１２および図１３に示した従来例と同一または同等の部材または部分には、同一の符号を付してある。
【００２０】
これらの図に示されるように、半導体装置Ａは、半導体チップ３を内蔵する樹脂パッケージ４と、半導体チップ３に導通する一対のリード１，２とを備える。リード１，２は、樹脂パッケージ４の内部に対向状に延入する第１の内部リード１０および第２の内部リード２０と、各内部リード１０，２０に連続して樹脂パッケージ４の外部に延出する第１の外部リード１１および第２の外部リード２１からなる。この半導体装置Ａは後述するように金属板を打ち抜いて形成されるフレーム７を用いて製造されることから、各リード１０，２０は、所定厚み所定幅の帯板状の形態をもつ。
【００２１】
半導体チップは、本願発明の場合、光学的半導体チップが採用される。具体的には、発光素子としての発光ダイオードチップ、受光素子としてのフォトダイオードチップ、あるいはフォトトランジスタチップが採用される。図面に示される半導体チップ３は、発光ダイオードチップであり、全体としてサイコロ状をしているとともに、下面に全面電極が、上面に部分的な電極パッドが形成され、各電極間に電流を流すと、活性層が発光する。
【００２２】
上記半導体チップ３は、第１の内部リード１０の内端部に形成されるチップボンディング領域１５上にチップボンディングされる。これによって半導体チップ３の下面全面電極と第１の内部リード１０とが電気的に接続されるとともに、半導体チップ３は第１の内部リード１０上に機械的に支持される。また、第２の内部リード２０の内端部にはワイヤボンディング領域１６が形成され、このワイヤボンディング領域と上記半導体チップ３の上面電極間が金線などからなるワイヤＷによって結線される。これにより、半導体チップ３の上面電極と第２の内部リード２０との間が電気的に接続される。ワイヤＷは、半導体チップ３の上面電極に対してはいわゆるボールボンディングされ、第２の内部リード２０に対してはいわゆるスティッチボンディングされる。
【００２３】
そうして、本願発明の第１の側面においては、第１の内部リード１０と第２の内部リード２０のそれぞれは、側面視においてたとえばクランク状に折曲させられ、それぞれの内端部における水平状のチップボンディング領域１５およびワイヤボンディング領域１６は、各内部リード１０，２０の外端（すなわち、外部リードと連続する部位）の水平領域に対して低位とされている。
【００２４】
また、各外部リード１１，２１は、やはりクランク状に折曲させられ、その外端部には、基板に対する面的な接続端子部１１ａ，２１ａが水平状に形成されている。この接続端子部は、好ましくは樹脂パッケージ４の底面と同等または略同等高さに形成される。
【００２５】
また、樹脂パッケージ４は、所定厚みをもつ平面視矩形状または略矩形状をした形態をもっており、上記第１および第２の内部リード２０、第１の内部リード１０にボンディングされた半導体チップ３、この半導体チップ３の上面電極と第２の内部リード２０間を結線するワイヤＷのすべてを封止する。この樹脂パッケージ４は、いわゆるトランスファモールド法に適したエポキシ樹脂が好適に採用される。ただし、本願発明に係る半導体装置は、光学的半導体装置であるため、樹脂パッケージ４は、透光性を有したエポキシ樹脂で形成する必要がある。このような透光性を有するエポキシ樹脂には、肉眼で透明であるものと、赤外光のみを透過して可視光を透過しないように処理された、肉眼では黒色に見えるものなどが含まれる。樹脂パッケージ４は、このように透光性を有するエポキシ樹脂で形成される結果、その線膨張係数は比較的大きなものとならざるをえない。なお、図に示す実施形態では、この樹脂パッケージ４の上面における上記半導体チップ３と平面的に対応する部位に、凸レンズ部６が一体形成されている。発光素子としての半導体チップ３から発する光を効果的に対象物に向けて放射することができるとともに、対象物から到達した光を効果的に受光素子としての半導体チップ３に集光させることができる。
【００２６】
上記構成を備える半導体装置Ａは、図５に示すような製造用フレーム７を用い、以下に説明する工程を経て製造される。製造用フレーム７は、金属薄板材料を打ち抜きプレスして形成されるものであって、長手方向両側のサイドフレーム部１２，１２と、両サイドフレーム部１２，１２から内向き対向状に延出するリード部９，９と、必要に応じて両サイドフレーム部１２，１２間を掛け渡すクロスフレーム部１３を備えており、図５に符号Ａで示す区間の構成がフレーム７の長手方向に連続して形成されている。上記リード部９，９は、上記外部リード１１，２１ないし内部リード１０，２０となるべき部分であり、このフレーム状態において、先端がクランク状に折曲されている。
【００２７】
図６に示すように、上記製造用フレーム７の一方のリード部９の先端、すなわち、第１の内部リードとなるべき部分の低位とされた先端部に半導体チップ３をボンディングするチップボンディング工程が施されるとともに、半導体チップ３の上面電極と他方のリード部９の先端、すなわち、第２の内部リードとなるべき部分の低位とされた先端部との間を金線ワイヤＷで結線するワイヤボンディング工程が施される。
【００２８】
次に、図７に示すように、各リード部９，９の内部リードとなるべき部分、上記半導体チップ３ないし上記ワイヤのすべてを所定外形形態の透光性樹脂１４で封止して樹脂パッケージ４を形成する樹脂モールド工程が施される。この透光性樹脂としては、前述したように透明エポキシ樹脂が好適に採用され、モールド法としては、いわゆるトランスファモールド法が好適に採用される。
【００２９】
続いて、製造用フレーム７にリードカット工程を施すとともにリードをクランク状に屈曲させるリードフォーミング工程を施して最終的に図１〜図４に示す個々の半導体装置Ａを得る。
【００３０】
この半導体装置Ａは、いわゆるハンダリフローによる面実装によって基板等に実装することができる。すなわち、基板５上の導体パッド５０上にクリームハンダ５１を印刷等によって塗布しておき、そして、図８に示されるように各導体パッド５０と各外部リード１１，２１の接続端子部１１ａ，２１ａとが対応するように位置決めしつつ半導体装置Ａを基板５上に載置する。そして、この状態の基板をリフロー炉に導入し、かつ冷却を行う。ハンダリフローのために、リフロー炉内の温度はたとえば２００℃以上とされる。リフロー炉内の熱により、クリームハンダ中のハンダ成分が再溶融するとともに、溶剤成分が消散する。溶融ハンダは導体パッド５０と外部リード１１，２１の接続端子部１１ａ，２１ａの双方に濡れた状態となる。そうして、ハンダが冷却固化されると、半導体装置Ａは、基板５に対して電気的かつ機械的に接続され、実装が完了する。
【００３１】
図１３に示す従来例においては、上記のようなハンダリフローによる面実装を行おうとすると、ワイヤ断線の問題が頻発したが、上記構成を有する本願発明に係る半導体装置Ａにおいては、次に説明するように、このようなワイヤ断線の問題は解消ないしは軽減される。
【００３２】
リフロー炉による加熱状態（たとえば２４０℃）において、透光性のエポキシ樹脂よりなる樹脂パッケージ４は、その線膨張係数が比較的大きい（たとえば11〜12×10-5／℃）ため、熱膨張を起こすとともに、ガラス転移点以上の温度であるために軟化する。その後、温度が次第に低下してゆくが、この時、まず、ハンダの固化温度（たとえば１８３℃）で外部リード１１，２１が基板５に固定される。そして、エポキシ樹脂のガラス転移点に到達するまでは、この樹脂パッケージ４は軟化状態のまま熱収縮を続ける。したがってこのとき、リード１，２を樹脂パッケージ４から引き抜こうとする力が作用するが、内部リード１０，２０はクランク状に折曲されているので、このようなリード１，２の引き抜き方向の動きが阻止、ないしは緩和される。その結果、ワイヤＷと内部リード２０との接続点に過大なストレスが作用することが回避ないしは緩和され、ワイヤＷが断線に至りにくくなる。
【００３３】
さらに、リード１，２の引き抜き方向の力が作用するとき、図８に強調して示すように、クランク折曲部１７が支点となって内部リード２０が回動しようとし、このとき、内部リード２０の段下げ状のワイヤボンディング領域が上動するように変位しようとする。ワイヤボンディング領域１６は内部リード２０の回動支点よりも下に位置するので、このような回動変位が起こると、ワイヤボンディング領域１６は相対的に水平方向内方へ変位する。したがって、内部リード２０の外方部が実際に樹脂パッケージ４に対して若干水平方向に動いてしまったとしても、内部リード２０の上記のような回動変位によって、ワイヤボンディング領域１６の水平方向への絶対的な変位をなくすか、または軽減することができる。そしてこのことによっても、ワイヤＷと内部リード２０の接続点に過大なストレスが作用してワイヤ断線に至ることを解消ないしは緩和することができる。
【００３４】
図９は、本願発明の第２の側面に係る半導体装置Ｂの一実施形態の要部を示している。上記第１の実施形態に係る半導体装置Ａでは、内部リード１０，２０の内端チップボンディング領域１５またはワイヤボンディング領域１６が、内部リード１０，２０の外方部に対して低位となるように内部リードをクランク状に折曲させていたのに対し、この第２の実施形態においては、内部リード１０，２０の内端チップボンディング領域１５またはワイヤボンディング領域１６が、内部リード１０，２０の外方部に対して高位となるように内部リード１０，２０がクランク状に折曲されている点が相違し、その余の構成は同一であり、また、この第２の実施形態に係る半導体装置Ｂは第１の実施形態に係る半導体装置Ａと同様の製造工程を経て製造することができる。
【００３５】
このように構成しても、第１の実施形態において述べたのと同等の作用効果を期待することができる。すなわち、内部リード１０，２０がクランク状に折曲されていることがリード１，２の引き抜き方向の動きを阻止し、また、内部リード１０，２０が回動変位することによって、内部リード１０，２０の外端が若干引き抜き方向に動いたとしても、内部リード２０の内端段上げ部におけるワイヤＷとの接続点の水平方向への絶対的な動きをなくすか、緩和することができる。
【００３６】
図１０は、本願発明の参考例としての半導体装置Ｃを示している。この半導体装置Ｃにおいては、各内部リード１０はクランク状に折曲されてはいないが、第１の内部リード１０にボンディングされる半導体チップ３、ないしこの半導体チップ３の上面電極と第２の内部リード２０間を結線するワイヤＷの全体が、軟質樹脂１８で包み込まれている。このような軟質樹脂１８は、たとえはシリコーンゴムが好適に使用される。
【００３７】
このように構成すれば、ハンダリフローによる面実装の冷却過程において、内部リード１０，２０が樹脂パッケージ４に対して相対的に引き抜き方向に変位したとしても、内部リード１０，２０とワイヤＷとの接続点ないしはワイヤＷの一部は、これらを包んでいる樹脂が軟質であるが故に内部リード１０，２０の動きに伴って移動し、ワイヤＷと内部リード１０，２０との接続点に過大なストレスが作用してワイヤ断線に至ることを防止することができる。
【００３８】
本願発明は、上記した各実施形態の構成に限定されない。たとえば、本願発明の第１の側面に係る半導体装置の場合、図１１に示すように変更することができる。同図に示す半導体装置Ｄにおいては、第１の内部リード１０の内端部にカップ状をしたパラボラ部１０ａが一体に形成され、このパラボラ部の底面をダイボンディング領域としてここにＬＥＤチップ等の半導体チップ３をボンディングするとともに、この半導体チップ３の上面電極と第２の内部リード２０の内方において低位とされたワイヤボンディング領域との間をワイヤで結線している。また、上記パラボラ部には、シリコーン樹脂等の軟質の樹脂１９が上記半導体チップ３を包み込むようにして充填されている。そして、その余の構成は、図１ないし図４に示した形態と同様である。
【００３９】
上記の構成において、第１の内部リード１０の内端にパラボラ部が形成されていることにより、樹脂パッケージ４の熱収縮時に第１の内部リード１０が引き抜き方向へ移動することを阻止しうることは、容易に理解されよう。また、第２の内部リード２０には、クランク状の折曲部を介して段下げされたワイヤボンディング領域が形成されていることから、図８を参照して説明したのと同様の作用により、樹脂パッケージ４の熱収縮時にワイヤと第２の内部リードとの接続点が絶対位置に対して動くことを緩和ないしは解消し、ワイヤＷの断線を回避しうることも、容易に理解されよう。
【００４０】
くわえて、半導体チップ３は、第１の内部リード１０のパラボラ部１０ａの内部にボンディングされているので、樹脂パッケージ３の上面に凸レンズ部６が形成されていることとあいまって、たとえば半導体素子としてのＬＥＤチップが発する光の多くを、対象物に向けて効率的に照射することができる。また、半導体チップ３は軟質樹脂１９に覆われて熱応力等から保護されるが、この軟質樹脂は、製造過程においてチップボンディングおよびワイヤボンディング後の製造用フレームのパラボラ部に液状樹脂を滴下すればよく、製造工程上きわめて好都合となる。
【００４１】
以上のように、本願発明に係る上記の各半導体装置によれば、ハンダリフローの手法によって面実装する場合のワイヤ破断の不具合の発生が効果的に抑制され、装置の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本願発明の一実施形態に係る半導体装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】  図１に示す半導体装置の平面図である。
【図３】  図１のIII −III 線に沿う断面図である。
【図４】  図１のIV−IV線に沿う断面図である。
【図５】  本願発明の半導体装置の製造工程の説明図である。
【図６】  本願発明の半導体装置の製造工程の説明図である。
【図７】  本願発明の半導体装置の製造工程の説明図である。
【図８】  本願発明の作用説明図である。
【図９】  本願発明の他の実施形態に係る半導体装置の要部断面図である。
【図１０】  本願発明の参考例としての半導体装置の要部断面図である。
【図１１】  本願発明のさらに他の実施形態に係る半導体装置の要部断面図である。
【図１２】  従来の半導体装置の全体構成を示す斜視図である。
【図１３】  図１２のXIII−XIII線に沿う断面図である。
【符号の説明】
Ａ  半導体装置
Ｗ  ワイヤ
１，２  リード端子
３  半導体チップ
４  樹脂パッケージ
６  凸レンズ
７  製造用フレーム
１０  第１の内部リード
１１  第１の外部リード
２０  第２の内部リード
２１  第２の外部リード
１１ａ，２１ａ  接続端子部
１５  チップボンディング領域
１６  ワイヤボンディング領域
【図１】
0003908383.tif 000002
【図２】
0003908383.tif 000003
【図３】
0003908383.tif 000004
【図４】
0003908383.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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