(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気可能に構成された真空室と、
該真空室内に配置されるべき固体成膜材料の蒸発面に電子ビームを照射する電子ビーム発生装置とを有し、
前記真空室内に搬入された基板上に薄膜を成膜する電子ビーム蒸着装置であって、
前記真空室の槽壁に設けられた複数の差動排気室と、
前記各差動排気室に設けられた複数のローラと、
前記差動排気室をそれぞれ通り、端部が前記真空室の外部に位置し、中間部が前記真空室内に位置し、前記差動排気室内では表面と裏面が前記ローラに密着された第一、第二の固体成膜材料と、
前記真空室に接続され、前記真空室内を真空排気する真空ポンプと、
前記各差動排気室に接続され、前記各差動排気室を真空排気する排気装置と、
前記第一、第二の固体成膜材料を、表面が前記基板と平行な状態を維持しながら移動させる移動機構とを有し、
前記基板は、前記真空室内の前記第一、第二の固体成膜材料の間の位置に配置され、
前記基板の成膜面が鉛直になるように構成され、
前記第一、第二の固体成膜材料は、前記基板と平行に向き合うように配置された電子ビーム蒸着装置。
【請求項２】
前記移動機構は、前記電子ビームの照射位置と、前記基板との相対的な位置関係を変えないように前記第一、第二の固体成膜材料を移動させる請求項１記載の電子ビーム蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に薄膜を成膜する技術にかかり、特に、電子ビームを用いた電子ビーム蒸着装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
真空雰囲気内で薄膜の材料となる物質を蒸発させ、基板表面に付着させて成膜する技術は真空蒸着技術と呼ばれており、古くは、成膜材料が配置されたタングステンフィラメント等のヒーター材を発熱させることでその成膜材料を高温に加熱して蒸発させることが行われていた。近年では、そのような技術に替え、成膜材料に電子ビームを照射して蒸発させる電子ビーム蒸着技術や、成膜材料をるつぼ内に配置してヒーターで加熱し、高周波コイルでイオン化させてイオンプレーティングを行う蒸着技術が主流になっている。
【０００３】
このような電子ビーム蒸着技術のうち、従来行われているものを説明すると、図６(ａ)を参照し、１０１は電子銃型の電子ビーム蒸着装置であり、成膜材料１０６が納められた銅製のるつぼ１０７が真空室１４０の底面に配置され、該るつぼ１０７の上方に被成膜対象である基板１０４が配置され、前記るつぼ１０７の斜め上方に配置された電子銃１２０から射出される電子ビーム１０５が前記成膜材料１０６に照射されるように構成されている。
【０００４】
前記電子ビーム１０５は、前記電子銃１２０に設けられたエミッタであるタングステンフィラメント１２１によって発生され、前記タングステンフィラメント１２１と前記成膜材料１０６との間で、アノード１２２と収束レンズ１２３と偏向コイル１２４の順で設けられた加速、偏向装置によって照射位置が制御されるように構成されている。
【０００５】
前記真空室１４０内が高真空状態にされた後、前記るつぼ１０７を水冷すると供に、照射位置を変えながら前記電子ビーム１０５を前記成膜材料１０６に照射すると、電子の持つエネルギーが成膜材料１０６に吸収されて熱エネルギーに変換され、成膜材料物質が蒸発して蒸気流１０８が発生する。この蒸気流１０８が前記基板１０４表面に到達して付着すると前記基板１０４表面に成膜材料物質の薄膜を形成されることとなる。
【０００６】
他の従来技術の電子ビーム蒸着技術を説明すると、図６(ｂ)を参照し、符号１１１は磁界を偏向させる材料陽極型の電子ビーム蒸着装置であり、この電子ビーム蒸着装置１１１は、銅製で水冷可能に構成されたるつぼ１１７と、該るつぼ１１７の側方に配置されたエミッタであるタングステンフィラメント１３０と、前記るつぼ１１７の裏面に配置された電磁コイル１１９とを有しており、前記タングステンフィラメント１３０から射出された電子流１１５は前記電磁コイル１１９の作る磁界によって偏向され、るつぼ１１７内に置かれた成膜材料１１６に照射されて蒸気流１１８を発生するように構成されている。
【０００７】
従来のイオンプレーティングを行う蒸着装置を説明すると、図６(ｃ)を参照し、符号１５２はその蒸着装置であり、真空室１５０を有している。該真空室１５０内の底面には、ヒーター１５６が気密に設けられ、真空室外に配置された電源１５５によって、該ヒーター１５６上に配置された成膜材料１５７を加熱できるように構成されている。
【０００８】
前記成膜材料１５７の上方には、高周波コイル１６１と基板ホルダー１６４がこの順で設けられており、前記基板ホルダー１６４の前記成膜材料１５７と対向する面には、基板１５４が配置されている。
【０００９】
前記真空室１５０に設けられたガス導入孔１７１から不活性ガス１７２を導入し、前記ヒーター１５６で前記成膜材料１５７を加熱して蒸気流１５３を発生させると供に、前記高周波コイル１６１に接続された高周波電源１６３を起動して、不活性ガス１７２と前記蒸気流１５３とでプラズマ１６２を発生させ、前記基板ホルダー１６４に接続された直流電源１６５によって前記基板１５４にバイアス電圧を印加すると、蒸気流１５３と供にイオンが基板１５４に入射されるので、該基板１５４表面に薄膜を成膜することが可能となる。
【００１０】
以上のような電子ビーム蒸着装置１０１、１１１を用いる場合は、投入パワー密度を１０3Ｗ以上と高くでき、数千Å／secの成膜速度を得ることが可能となる。また、成膜材料の加熱される部分は電子ビームが照射される蒸発面だけであるので、ヒーター等を用いた加熱蒸発の場合に問題となるような、成膜材料と発熱体との反応が生じることがないので、基板表面に高純度薄膜を成膜することが可能となる。
【００１１】
また、前述の蒸着装置１５２を用いれば、プラズマ中のイオンが加速されて前記基板１５４に入射するので、密着性のよい薄膜を成膜することが可能となる。
【００１２】
しかしながら、成膜材料をるつぼ内に納める電子ビーム蒸着装置やイオンプレーティングを行う蒸着装置では、成膜材料を真空室底面に配置せざるを得ず、また、それに対向させるために、基板を真空室の上方に配置する構成を採用せざるを得ない。その場合、基板の周囲に付着した成膜物質が剥離してダストの発生源となりやすく、剥離した成膜物質が成膜材料上に落下した場合には、それが不純物となって薄膜の純度を低下させてしまうという不都合がある。
【００１３】
また、近年ではシリコンウェハーやＬＣＤ表示装置のガラス基板等の大型化、薄型化が進んでいるが、従来技術の装置のように、基板を水平に支持した場合には、撓みや歪みが発生するため、基板変形が発生してしまうという問題もある。
【００１４】
近年では基板の両面に薄膜を成膜したい場合も多くなっているが、従来の電子ビーム蒸着装置やイオンプレーティングを行う蒸着装置では、片面しか成膜できず、その場合には基板自重による変形の他、基板に加えられる熱や薄膜の応力による基板変形も問題視されている。
【００１５】
更に、蒸着工程の前後の工程には、基板を縦にして成膜を行うスパッタ装置やＣＶＤ装置が使用される場合があり、このような一連の工程を基板搬送機構によって基板を移動させながら処理する装置も検討されているが、従来の蒸着装置では、基板支持台車や基板の加熱・冷却装置との接続性が悪く、解決が望まれていた。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたもので、その目的は、大型基板や薄型基板等の変形を起こしやすい基板表面の成膜に適した電子ビーム蒸着装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明装置は、真空排気可能に構成された真空室と、該真空室内に配置されるべき固体成膜材料の蒸発面に電子ビームを照射する電子ビーム発生装置とを有し、前記真空室内に搬入された基板上に薄膜を成膜する電子ビーム蒸着装置であって、前記真空室の槽壁に設けられた複数の差動排気室と、前記各差動排気室に設けられた複数のローラと、前記差動排気室をそれぞれ通り、端部が前記真空室の外部に位置し、中間部が前記真空室内に位置し、前記差動排気室内では表面と裏面が前記ローラに密着された第一、第二の固体成膜材料と、前記真空室に接続され、前記真空室内を真空排気する真空ポンプと、前記各差動排気室に接続され、前記各差動排気室を真空排気する排気装置と、前記第一、第二の固体成膜材料を、表面が前記基板と平行な状態を維持しながら移動させる移動機構とを有し、前記基板は、前記真空室内の前記第一、第二の固体成膜材料の間の位置に配置され、前記基板の成膜面が鉛直になるように構成され、前記第一、第二の固体成膜材料は、前記基板と平行に向き合うように配置された電子ビーム蒸着装置である。
請求項２記載の発明は、前記移動機構は、前記電子ビームの照射位置と、前記基板との相対的な位置関係を変えないように前記第一、第二の固体成膜材料を移動させる請求項１記載の電子ビーム蒸着装置である。
【００１８】
上述したような本発明の構成によれば、基板の成膜面が、真空排気可能に構成された真空室内で鉛直に配置されるので、基板の底面に基板支持台を設けたり、基板を吊り下げたりするだけで基板を支持できるので、基板は変形することがなく、また、ダストの発生も減少する。
【００１９】
その場合、特に、固体成膜材料を基板の両側に配置できるので、各固体成膜材料に電子ビームを照射して、一つの真空室内で基板を移動させずに基板両面に薄膜を成膜することが可能となる。このとき、基板の両面に同時に薄膜を成膜すれば、成膜時に生じる基板変形を小さくすることができるし、また、スループットを向上させることが可能となる。
【００２０】
また、予め、電子ビームが照射される固体成膜材料の蒸発面を平面状に形成し、前記成膜面と略平行になるように配置し、蒸発面内での電子ビーム照射位置を移動させるようにすれば、基板表面に成膜される薄膜の膜厚分布や膜質の面内均一性を向上させることができて都合がよい。この場合も、基板表面や固体成膜材料表面にダストが落下することがない。
【００２１】
更に、固体成膜材料を移動できるようにしておけば、使用効率を一層高めることができるが、前記固体成膜材料を平板状に成形しておき、大気を侵入させることなく、真空室の外部から内部へ連続的に供給できるように構成しておくと、固体成膜材料の寿命を飛躍的に長くすることができ、メンテナンス作業を行う回数を減少させることができる。
【００２２】
そして、固体成膜材料の蒸発面と基板との間に高周波コイルを配置し、その高周波コイルに高周波電圧を印加すると、その付近にプラズマ放電領域が形成され電子ビームで発生された蒸気の一部がイオン化されてイオンプレーティングを行うことが可能となる。
【００２３】
この場合、真空室内にガスを導入しなくてもよいが、前記蒸気流によってプラズマは維持できるが、前記真空室内に不活性ガスを導入した場合には、プラズマを安定化できるし、反応性ガスを導入した場合には、反応性イオンプレーティングを行うことが可能となる。
【００２４】
更に、基板にバイアス電圧を印加できるようにしておくと、放電電圧とは独立にイオンの加速電圧を制御できるようになるため、高エネルギー粒子を基板に入射させることができ、薄膜の膜質や密着性を向上させることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
図１の符号２は、本発明に関連する第１の参考例の形態の電子ビーム蒸着装置であり、真空室１８を有している。該真空室１８内の底面には基板支持台１１が設けられており、この基板支持台１１には、基板(ガラス基板)の着脱が可能に構成された凹部が設けられている。
【００２６】
この真空室１８の外部には図示しない基板搬送機構が設けられており、その基板搬送機構によって、略鉛直にした状態で前記真空室１８内に基板を搬入し、前記凹部に装着すると、その基板４の成膜面１４1、１４2が鉛直になるように構成されている(本発明では重力方向を「鉛直」と称する。)。
【００２７】
この基板支持台１１の両側には、バッキングプレート７1、７2が設けられており、前記各バッキングプレート７1、７2の表面には、化合物蒸発材料(ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3等)が平板状に成形されて成る固体成膜材料６1、６2が配置され、それら固体成膜材料６1、６2の周辺部に設けられた固定金具９1、９2によって前記各バッキングプレート７1、７2の表面に押しつけられ、脱落しないように支持されている。なお、固定金具９1、９2の代わりに前記固定成膜材料６1、６2の裏面を低融点金属によって前記バッキングプレート７1、７2の表面にボンディングするようにしてもよい。
【００２８】
この電子ビーム蒸着装置２の平面図(Ｉ−Ｉ線断面図)を図２に示すと、前記各固体成膜材料６1、６2の側方に位置する真空室４の部分には、２台の電子ビーム発生装置１０1、１０2が気密に設けられており、前記真空室１８に接続された図示しない真空ポンプを起動して高真空状態にした後、電子ビーム５1、５2を照射すると前記固体成膜材料６1、６2表面が加熱される。この固体成膜材料６1、６2は加熱によって昇華する材料で構成されているので、その表面である蒸発面１６1、１６2の部分は瞬間的に蒸発し、蒸気流８1、８2が発生する。この蒸気流８1、８2が前記基板４の成膜面１４1、１４2に到達して薄膜１２1、１２2が成膜される。
【００２９】
ところで、この電子ビーム発生装置１０1、１０2は前記電子銃１２０と同様に、電子ビームを偏向させる偏向コイルを有しており、図３に示すように、その偏向コイルによって磁場の向き１５を上下左右に変化させれば、固体成膜材料６1、６2に照射される電子ビーム５1、５2の位置を上下左右に移動させることができ、各固体成膜材料６1、６2表面から均等に蒸気流８1、８2を発生させられるように構成されている。
【００３０】
このとき、前記各バッキングプレート７1、７2は、前記固体成膜材料６1、６2の蒸発面１６1、１６2が鉛直になるように配置されており、且つ、前記基板支持台１１に鉛直に支持された基板４と略平行に対向して位置するようにされているので、前述したように電子ビーム５1、５2の照射位置を移動させると、前記基板４の両面の成膜面１４1、１４2に同時に成膜される前記薄膜１２1、１２2の面内均一性(膜厚、膜質)が良好となる。
【００３１】
なお、前記各バッキングプレート７1、７2内に冷却水循環経路１３1、１３2を設け、その冷却水循環経路１３1、１３2内に冷却水を流すようにすれば、前記固体成膜材料６1、６2の局部加熱ができるので、加熱時に放出されるガスの影響が殆どなく、蒸発速度のシビアな制御ができ、連続作業の信頼性が向上するなどの利点があり、特に金属酸化物その他の化合物の蒸着に都合がよい。
【００３２】
次に、本発明に関連する第２の参考例の電子ビーム蒸着装置を、図４の符号２２に示して説明する。この図４では、上述の電子ビーム蒸着装置２と共通する部材には共通の符号を付すものとする。
この電子ビーム蒸着装置２２は、前述の電子ビーム蒸着装置２と同様に、真空室１８を有しており、該真空室１８内に固体成膜材料６1、６2を略鉛直に支持するようにバッキングプレート７1、７2が設けられている。各バキッキングプレート７1、７2は互いに平行に配置されており、図示しない搬送機構によって略鉛直にされた状態で基板４が搬入され、前記各固体成膜材料６1、６2と平行になるように配置されている。
【００３３】
この電子ビーム蒸着装置２２では、前記固体成膜材料６1、６2と前記基板４との間には、高周波コイル２１1、２１2がそれぞれ配置されており、各高周波コイル２１1、２１2の一端は、前記真空室１８の側面に設けられた絶縁部材２３1、２３2を介して大気中に気密に導出され、高周波電源２４1、２４2に接続されている。
【００３４】
前記真空室１８に接続された図示しない真空ポンプを起動して、真空室１８内を高真空状態にした後、前記高周波電源２４1、２４2を起動して前記高周波コイル２１1、２１2に１３．５６ＭＨｚの高周波を印加しながら、前記真空室１８に設けられた前記電子ビーム発生装置１０1、１０2を起動して、前記固体成膜材料６1、６2の蒸発面１６1、１６2に電子ビーム５５1、５５2を照射すると、前記蒸気流８1、８2が電離され、固体成膜材料６1、６2表面近傍にプラズマ２５1、２５2が発生する。
【００３５】
前記基板４は、絶縁部材２３3を介して真空室外に配置されたバイアス電源２６に接続されており、該バイアス電源２６を直流電源として用い、前記基板４を負電圧にバイアスすると、各プラズマ２５1、２５2内で発生された前記蒸気流８1、８2の正イオン２７1、２７2が前記基板４に入射するので、前記基板４の成膜面１４1、１４2にイオンプレーティングによる成膜を行うことが可能となる。
【００３６】
その場合、前記高周波コイル２１1、２１2に付着した薄膜が剥離しても、固体成膜材料６1、６2の表面や基板４の表面に落下することはないので、欠陥のない薄膜を成膜することが可能となる。
【００３７】
なお、前記電子ビーム発生装置１０1、１０2は、電子ビーム５1、５2の照射位置を移動させながら蒸気流８1、８2を発生させられるように構成されており、この電子ビーム蒸着装置２２でも、基板４の表面に成膜される薄膜の膜厚分布や膜質の面内均一性を向上させることができる。
【００３８】
また、前記真空室１８には、ガス導入孔３５、３６が設けられており、例えば、前記成膜の際に、そのガス導入孔３５、３６の一方から流量制御しながら酸素ガスを導入すれば、前記プラズマ２５1、２５2により、導入酸素ガスが活性化されるので、この電子ビーム蒸着装置２２を使用して、前記基板４表面にアルミナ(Ａｌ2Ｏ3)や、シリカ(ＳｉＯ2)、ＩＴＯ膜(酸化インジウムと酸化錫の合金)等の金属酸化物薄膜を成膜することもできるように構成されている。なお、この場合、他方のガス導入孔からアルゴンガスを導入してプラズマを安定化させてもよい。
【００３９】
また、前記バイアス電源２６を交流電源で構成してもよく、前記基板４に交流バイアスを印加した場合には、基板のチャージアップを防止することができるし、更に、前記基板４に、負の直流電圧に高周波電圧を重畳した電圧を印加するようにしてもよい。
【００４０】
次に、本発明の実施の形態を図５の符号５２に示して説明する。
この電子ビーム蒸着装置５２は、真空室６８を有しており、その内部には基板５４が略垂直に配置されている。
【００４１】
前記真空室６８には、４つの差動排気室７１a、７１b、７２a、７２bが設けられており、横長の平板状に成形された固体成膜材料５６1、５６2が、前記各差動排気室７１a、７１b、７２a、７２bを介して、前記真空室６８を貫通させられており、その結果、各固体成膜材料５６1、５６2の端部は前記真空室６８外に位置し、中間部は前記真空室６８内に位置するように構成されている。
【００４２】
前記真空室６８には電子ビーム発生装置６０1、６０2と図示しない真空ポンプとが設けられており、この電子ビーム蒸着装置５２でも、その真空ポンプを起動して前記真空室６８内を高真空状態にした後、前記各電子ビーム発生装置６０1、６０2を起動して、照射位置を移動させながら前記固体成膜材料５６1、５６2の蒸発面６６1、６６2に電子ビーム５５1、５５2を照射すると、発生した蒸気流５８1、５８2が前記基板５４の成膜面６４1、６４2上に入射して薄膜６２1、６２2を成膜できるように構成されている。
【００４３】
前記固体成膜材料５６1、５６2には、図示しない移動機構が設けられており、各固体成膜材料５６1、５６2は、電子ビームが照射される領域と前記基板５４の成膜面６２1、６２2との相対位置関係を変えないように、略平行な状態を維持しながら移動できるように構成されている。
【００４４】
前記各差動排気室７１a、７１b、７２a、７２b内部には複数のローラー６７が設けられ、前記固体成膜材料５６1、５６2と密着されており、また、図示しない真空差動排気装置が接続されており、前記固体成膜材料５６1、５６2の移動の際には各ローラー６７が気密に回転するとともに、前記真空差動排気装置が各差動排気室７１a、７１b、７２a、７２b内部を排気するので、前記真空室６８内には大気は侵入せず、高真空状態に保てるように構成されている。
【００４５】
この電子ビーム蒸着装置２２を用い、前記固体成膜材料５６1、５６2を一定速度で移動させた場合には、前記蒸発面６６1、６６2の全域に均等に電子ビーム５５1、５５2を照射することができるので、固体成膜材料５６1、５６2の蒸発面６６1、６６2の面積は、真空室内に静置されるような前述の固体成膜材料６1、６2の蒸発面１６1、１６2に比べると大面積にでき、成膜時間を長くすることが可能となる。また、前記真空室６８外には種々の装置を配置できるので、成膜中でも前記固体成膜材料５６1、５６2のクリーニング等のメンテナンス処理を行うことが可能となる。
【００４６】
なお、前記固体成膜材料５６1、５６2は、一定速度で移動させる場合の他、間欠的に移動させたり、成膜対象の基板を交換する毎に移動させるようにしてもよい。
【００４７】
以上は、２つの固体成膜材料を、鉛直に配置された１枚の基板の両面に１つずつ配置した場合を説明したが、２枚の基板を、互いに成膜面が外側に向くように鉛直に配置し、それら２枚の基板の各表面に薄膜が成膜されるようにしてもよい。また、鉛直に配置した基板の片側にだけ固体成膜材料を配置した電子ビーム蒸着装置も本発明に含まれる。更に、鉛直に配置された基板両側の成膜面に、それぞれ１つあるいは２つ以上の固体成膜材料を配置した電子ビーム蒸着装置も本発明に含まれる。特に、異なる物質で構成された２つ以上の固体成膜材料が配置された基板の面には、異なる物質の蒸気流が到達するので、基板表面で化学反応を生じさせて薄膜を形成することが可能となる。
【００４８】
また、上記電子ビーム蒸着装置２、５２では２台の電子ビーム発生装置１０1、１０2や、２台の電子ビーム発生装置６０1、６０2を用いたが、１台の電子ビーム発生装置で２つの固体成膜材料に電子ビームを照射するようにしてもよい。更にまた、３台以上の電子ビーム発生装置を用いてもよい。
基板の両側に固体成膜材料を配置した場合には、各固体成膜材料に同時に電子ビームが照射されるようにしてもよいし、交互に照射されるようにしてもよい。
【００４９】
更に、固体成膜材料は化合物に限定されるものではなく、昇華性のある固体状の物質や、電子ビームが照射されると瞬間的に蒸発する物質であればよい。また、その形状が平板状である場合は冷却効率が高くて好ましいが、必ずしもその形状に限定されるものではない。その場合、電子ビームが照射される蒸発面を平面にしておけば基板の成膜面と平行にできるので、基板表面に成膜される薄膜の面内均一性を向上させることができる。但し、本発明は、蒸発面と基板表面とを平行に配置する場合に限定されるものではない。
【００５０】
なお、上記各実施の形態では、基板支持台によって基板を鉛直に指示する場合について説明したが、基板を吊り下げて鉛直にする電子ビーム蒸着装置も本発明に含まれる。また、固体成膜材料を支持する部材はバッキングプレートに限定されるものではなく、固体成膜材料を吊り下げてもよいし、吊り下げながら移動させてもよい。
【００５１】
更に、本発明の電子ビーム蒸着装置は基板や固体成膜材料(ターゲット)を鉛直に配置搬送することから、前後の工程で基板を鉛直配置するスパッタリング装置やＣＶＤ装置が使われる場合には、基板搬送機構の共通化が図れ、設計工数や製作コストの大幅な削減を期待できる。
【００５２】
【発明の効果】
大型基板や薄型基板が撓むことがないので基板変形を小さくできる。
ダスト発生源が減少し、また、発生したダストも基板や固体成膜材料表面に落下することがなくなる。
また、真空室内に固体成膜材料を複数配置できるので、一つの真空室内で基板の両面に薄膜を成膜したり、２枚以上の基板に同時に薄膜を成膜することが可能となり、成膜装置全体を小型化できる。
基板の両面に薄膜を同時に成膜る場合には、基板変形を一層小さくすることができ、また、スループットを向上させることができる。
【００５３】
高周波コイルを用いた場合は、膜欠陥のないイオンプレーティングを行うことが可能となる。
固体成膜材料を移動させるようにすれば、成膜処理時間を長くすることができる。
固体成膜材料の蒸発面の面積は、真空室内に静置されるような前述の固体成膜材料の蒸発面に比べると大面積にでき、成膜時間を長くすることが可能となる。
また、前記真空室外には種々の装置を配置できるので、成膜中でも前記固体成膜材料のクリーニング等のメンテナンス処理を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の参考例である電子ビーム蒸着装置の側面を示す図
【図２】  その平面断面図
【図３】  電子ビーム照射位置の移動を説明するための図
【図４】  本発明の第２の参考例である電子ビーム蒸着装置の側面を示す図
【図５】  本発明の実施の形態である電子ビーム蒸着の平面図
【図６】  (ａ)電子銃を用いた従来技術の電子ビーム蒸着装置の一例
(ｂ)陽極型の従来技術の電子ビーム蒸着装置の一例
(ｃ)イオンプレーティングを行う従来技術の蒸着装置の一例
【符号の説明】
２、２２、５２……電子ビーム蒸着装置    ４、５４……基板    ５1、５2、５５1、５５2……電子ビーム    ６1、６2、５６1、５６2……固体成膜材料    ７1、７2……バッキングプレート  １１……基板支持台    １２1、１２2、６２1、６２2……薄膜    １４1、１４2、６４1、６４2……成膜面    １６1、１６2、６６1、６６2……蒸発面
【図１】
0003865841.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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