(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明高分子フィルム上に、（Ａ）層／（Ｂ）層／（Ａ）層／（Ｃ）層がこれらの順に４層積層された積層構造を少なくとも有する透明導電フィルム。
（Ａ）層；Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの金属薄膜層。
（Ｂ）層；Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明導電薄膜層。
（Ｃ）層；Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層。
【請求項２】
２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルムから上層側にある（Ａ）層に外部からの端子を電気的に接続し得るように、該（Ａ）層の上面が外周縁部において露出している請求項１記載の透明導電フィルム。
【請求項３】
透明高分子フィルム上に、（Ａ）層／（Ｃ）層／（Ａ）層／（Ｃ）層がこれらの順に４層積層された積層構造を有し、両方の（Ｃ）層の外周形状が（Ａ）層の外周形状より小さいものであり、２つの（Ａ）層が電気的に接続されているものであり、かつ２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルムから上層側にある（Ａ）層が外部からの端子を電気的に接続し得るものである透明導電フィルム。
（Ａ）層；Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの金属薄膜層。
（Ｃ）層；Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層。
【請求項４】
透明高分子フィルムと積層構造の間に、（Ｃ）層を有するものである請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明導電フィルム。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の透明導電フィルムを用いてなる電磁波シールドフィルター。
【請求項６】
プラズマディスプレイに用いられる請求項５記載の電磁波シールドフィルター。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、透明導電フィルム、およびこれを用いたディスプレイ用の電磁波シールドフィルターに関する。
【０００２】
【従来の技術・発明が解決しようとする課題】
従来、透明導電フィルムは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の透明高分子フィルム上に、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電膜が積層されてなるのが一般的である。ＩＴＯによる透明導電膜において、透明性と導電性はトレードオフの関係にあることが多く、表面抵抗率が低く、特に１０Ω／□以下であり、かつ透明性の高い透明導電膜を成膜することは困難であり、さらに成膜温度条件に制限のある高分子フィルム基材上に成膜するのは困難である。
【０００３】
上記のような透明導電フィルムを、例えばプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の電磁波シールドフィルターとして用いる場合、ＰＤＰの内部からはグロー放電に伴う、紫外線や赤外線を含めた電磁波が放出され、周囲の電子機器のノイズになったり、使用者の健康を害する等の問題点が指摘されており、このような電磁波をＰＤＰ外部に漏らさないようなものとして機能しなくてはならない。ＰＤＰの背面および側面は筐体に公知の電磁波シールド処理を施せばよいが、パネル前面には透明なシールド材を配置する必要がある。これまでもパソコン等のＣＲＴ用電磁波シールドフィルターは各種発売されているが、ＰＤＰ用ではより高度な電磁波シールド性能が必要となる。つまり、このシールド材に用いる透明導電フィルムには透明性はもちろんのこと、優れた導電性（低抵抗率）が求められる。
【０００４】
このような要求特性を満足し得る透明導電フィルムとしてＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属薄膜を積層した導電フィルムがある。例えば、膜厚が１００Åから１５０Åの銀のスパッタリング膜をＰＥＴフィルム上に積層した透明導電フィルムは、表面抵抗率は数Ω／□と低く、光線透過率も７０％前後あり、低抵抗率と高光線透過率のバランスのとれた高性能な透明導電フィルムとなる。しかし、Ａｇ、Ｃｕ等の金属薄膜は環境安定性が悪く、高温高湿度下では、酸化が進み初期の性能が維持できなくなる。また、Ａｕはコスト高になり、着色度も大きい。
また、これらＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の金属薄膜を透明高分子フィルム上に積層したフィルムのように、電気伝導性を優先した透明導電フィルムでは、一般に金属薄膜はその膜厚の増加に従って電気伝導性は良くなるが、光線透過率も極端に低下し、２００Å以上では反射率９０％以上の金属光沢を持った膜となり、また高温高湿下での安定性が極端に悪く、ＰＤＰ画面前面の電磁波シールドフィルターとしては、不満足なものである。
【０００５】
このように、従来、プラズマディスプレイのように有害な電磁波を放出するディスプレイに適用し得る電磁波シールドフィルターを、好適に構成し得る透明導電フィルムはなかったのである。
【０００６】
本発明の目的は、優れた環境安定性を有し、特に透光性を維持したまま電気伝導性を改善した透明導電フィルムを提供することにある。また、該透明導電フィルムを用いてなり、特にプラズマディスプレイ用に有用な電磁波シールドフィルターを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、かかる問題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、透明高分子フィルム上に、Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの金属薄膜層、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明導電薄膜層、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層を特定の順序で積層することにより、環境安定性（特に、高温高湿下での透明性）および電気伝導性を兼ね備えた透明導電フィルムとなることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
即ち本発明は、以下の通りである。
（１）透明高分子フィルム上に、（Ａ）層／（Ｂ）層／（Ａ）層／（Ｃ）層がこれらの順に４層積層された積層構造を少なくとも有する透明導電フィルム。
（Ａ）層；Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの金属薄膜層。
（Ｂ）層；Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明導電薄膜層。
（Ｃ）層；Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層。
【０００９】
（２）２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルムから上層側にある（Ａ）層に外部からの端子を電気的に接続し得るように、該（Ａ）層の上面が外周縁部において露出している上記（１）記載の透明導電フィルム。
【００１０】
（３）透明高分子フィルム上に、（Ａ）層／（Ｃ）層／（Ａ）層／（Ｃ）層がこれらの順に４層積層された積層構造を有し、両方の（Ｃ）層の外周形状が（Ａ）層の外周形状より小さいものであり、２つの（Ａ）層が電気的に接続されているものであり、かつ２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルムから上層側にある（Ａ）層が外部からの端子を電気的に接続し得るものである透明導電フィルム。
（Ａ）層；Ａｇを主成分とする厚さ５０Å〜２００Åの金属薄膜層。
（Ｃ）層；Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる透明ガスバリア薄膜層。
【００１１】
（４）透明高分子フィルムと積層構造の間に、（Ｃ）層を有するものである上記（１）〜（３）のいずれかに記載の透明導電フィルム。
【００１２】
（５）上記（１）〜（４）のいずれかに記載の透明導電フィルムを用いてなる電磁波シールドフィルター。
【００１３】
（６）プラズマディスプレイに用いられる上記（５）記載の電磁波シールドフィルター。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の透明導電フィルムは、図１〜４にその積層構成の例を示すように、透明高分子フィルム（Ｄ）側を下とし、その上に、（Ａ）層、（Ｂ）層または（Ｃ）層、（Ａ）層、（Ｃ）層の順に４層積層された積層構造を少なくとも有することを特徴とする。
また、（Ｄ）側からの透過ガスによる（Ａ）層の劣化防止の点から、透明高分子フィルムと上記積層構造の間に（Ｃ）層を有していてもよい（図３および図４）。
【００１５】
具体的には、下層側から上層側へ記載するものとして（以下、同様である）、（Ｄ）／（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）／（Ｃ）、（Ｄ）／（Ａ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）、（Ｄ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｂ）／（Ａ）／（Ｃ）、（Ｄ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）のような積層構成が挙げられる。
【００１６】
また、図のように該透明導電フィルムにおいて、２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルム（Ｄ）から上層側にある（Ａ）層に外部からの端子を電気的に接続し得るように、該（Ａ）層の上面が外周縁部においてその一部または全部が露出していることが好ましい。
さらに、図２および図４に示すように、透明高分子フィルム（Ｄ）上に積層される積層構造が、（Ａ）／（Ｃ）／（Ａ）／（Ｃ）であって、両方の（Ｃ）層の外周形状が（Ａ）層の外周形状より小さいものであり、２つの（Ａ）層のうち透明高分子フィルム（Ｄ）から上層側にある（Ａ）層が、外部からの端子を電気的に接続し得るもの（例えば、前記のように該（Ａ）層の上面が外周縁部において露出する形態等）であることが好ましい。またさらに、上記２つの（Ａ）層が電気的に接続されている（例えば、図２および図４のように（Ａ）層同士が外周縁部で直接積層される形態等）ことが好ましい。
【００１７】
かくして、２つの金属薄膜層の間に異質の透明薄膜層を設け、必要に応じて周辺部で２つの金属薄膜層を互いに電気的に接続することで、合計膜厚が厚くなっても透光性を持たせたまま、電気伝導性を向上することができる。
【００１８】
本発明の透明導電フィルムの構成によって、フィルム全体としての透明性は、全光線透過率として６５％以上が達成可能である。
本発明において、全光線透過率とは、ヘイズメーター（日本電色工業（株）製，ＮＤＨ−１００１ＤＰ）により測定されたものである。
また、導電性は、最外層の（Ｃ）層を除いた状態の積層フィルムの表面抵抗率として１０Ω／□以下が達成可能である。
本発明において、表面抵抗率とは、抵抗率計（三菱油化（株）製，ロレスタ・ＡＰ）を用いて測定されたものである。
【００１９】
本発明の透明導電フィルムに用いられる（Ａ）層、即ち金属薄膜層は、Ａｇを主成分とする薄膜であり、可視域の吸収が少なく、電気伝導性の高いものであれば特に限定されないが、全光線透過率として７０％以上、表面抵抗率が１０Ω／□以下であることが好ましい。例えば、Ａｇ薄膜あるいはＡｇと他の金属との合金からなる薄膜等が挙げられる。他の金属としては、例えばＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｐｔ等が挙げられる。中でも、合金状態が安定であることによる耐久性、導電率の向上の点から、Ａｇ−Ａｕ合金、Ａｇ−Ｃｕ合金が好ましい。また、Ａｇのマイグレーション防止の点からは、Ａｇ−Ｐｄ合金が好ましい。当該合金におけるＡｇの組成は、光学特性の点から、薄膜層中５０原子％以上、好ましくは６０原子％以上、より好ましくは７０〜１００原子％の範囲である。
【００２０】
また、当該金属薄膜層の膜厚は５０Å〜２００Åである。膜厚が５０Å未満では薄膜が不連続な島状構造となり、電気伝導性が低く、一方２００Åを超えると金属光沢の強い膜となり、反射率が急に高くなる。
【００２１】
金属薄膜層の成膜法としては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法（物理蒸着法）等の公知の方法を用いることができるが、５０Å〜２００Åという薄い膜を安定的に成膜するためにはスパッタリング法のような高エネルギー粒子による成膜法が好ましい。特に、合金の薄膜形成の場合は、組成・膜厚の均一性の観点からスパッタリング法が好ましい。
【００２２】
本発明に用いられる（Ｂ）層、即ち透明導電薄膜層は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、Ｚｎ、ＡｌおよびＳｂからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物を有してなる導電性薄膜であり、全光線透過率が８０％以上である。
当該全光線透過率が８０％未満であると、積層フィルム全体としての全光線透過率が６５％を下回る傾向がある。好ましくは８５〜９５％の範囲である。
当該全光線透過率は、透明導電薄膜層の組成や膜厚等により調整することができる。
【００２３】
透明導電薄膜層の膜厚は、その電気伝導性の発現より、５０Å以上が好ましく、より好ましくは１５０Å以上、さらに好ましくは２００〜３０００Åの範囲である。
透明導電薄膜の成膜法としては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法（物理蒸着法）、ＣＶＤ法（化学蒸着法）等の高真空中での薄膜形成法等の公知の方法が用いられる。
【００２４】
本発明に用いられる（Ｃ）層、即ち透明ガスバリア薄膜層は、金属薄膜層の電気伝導性および透光性の低下の原因である酸化を防ぐ目的のために、酸素、水蒸気等の気体透過性の極めて低いものであればよいが、酸素透過係数としては５ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ以下、水蒸気透過係数としては５ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ以下であることが好ましい。
【００２５】
透明ガスバリア薄膜層の具体的な構成は、Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｅからなる群より選ばれる一種以上の金属の酸化物薄膜を有してなる。また、該透明ガスバリア薄膜層はその全光線透過率が８０％以上である。
当該全光線透過率が８０％未満であると、積層フィルム全体としての全光線透過率が６５％を下回る傾向がある。好ましくは８５〜９５％の範囲である。
当該全光線透過率は、透明ガスバリア薄膜層の組成や膜厚等により調整することができる。
【００２６】
ここで、酸素透過係数は、ＪＩＳ  Ｋ７１２６に準じ、モダンコントロールズ社製酸素透過度測定装置（ＯＸ−ＴＲＡＮ１００型）により、測定温度２５℃、相対湿度０％ＲＨにて測定されるものであり、透明ガスバリア薄膜層の組成、膜厚等により調整することができる。
また、水蒸気透過係数は、ＪＩＳ  Ｋ７１２９に準じ、リッシー社製水蒸気透過度測定装置（Ｌ８０−４０００型）により、測定温度４０℃にて測定されるものであり、透明ガスバリア薄膜層の組成や膜厚等により調整することができる。
【００２７】
透明ガスバリア薄膜層の膜厚は、そのガスバリア性の発現より、１００Å以上が好ましく、より好ましくは１５０Å以上、さらに好ましくは１５０〜５００Åの範囲である。
透明ガスバリア薄膜層の成膜法としては、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法（物理蒸着法）、ＣＶＤ法（化学蒸着法）等の高真空中での薄膜形成法等の公知の方法が用いられる。
ここで、（Ｃ）層の外周形状が（Ａ）層の外周形状より小さい場合は、例えば（Ｃ）層の成膜を周辺端部の一部または全部にマスキングをかけて行い、次の層を成膜する前にマスキングを剥離して行えばよい。
【００２８】
本発明に用いられる透明高分子フィルムは、透明かつ成膜プロセスに耐える機械強度、耐熱性を有するものであれば特に限定されず、例えばポリエステル系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリスチレン等のフィルムが挙げられる。具体的には、ポリエステル系樹脂としてはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート等が、ポリオレフィン系樹脂としては非晶質環式ポリオレフィン等が、ポリスルホン系樹脂としてはポリエーテルスルホン等が挙げられる。中でも、特性（透明性、機械強度等）と価格のバランスよりＰＥＴフィルムが好ましく用いられる。
【００２９】
また、該透明高分子フィルムにおける透明とは、その全光線透過率が８５％以上であることを意味する。
当該全光線透過率が８５％未満であると、積層フィルム全体としての全光線透過率を下げる傾向がある。好ましくは８７％以上、より好ましくは８８〜９５％の範囲である。
当該全光線透過率は、高分子フィルムの組成、膜厚、成膜法等により調整することができる。
【００３０】
当該透明高分子フィルムの厚さは５０〜３００μｍが好ましく、より好ましくは１００〜２００μｍである。
【００３１】
該透明高分子フィルムは、自体既知の方法により製造することができる。
【００３２】
また、これらの透明高分子フィルムは、その機械的特性（例えば、耐衝撃性、屈曲性等）および光学特性を損なわない程度の着色剤、紫外線吸収剤、安定剤、可塑剤、色素等の公知の添加剤を含有していてもよく、またそれらを含むコート層を公知の方法で設けてもよい。とくに、プラズマディスプレイの電磁波シールドフィルターとして用いる場合には、リモコンや赤外線通信の誤動作の原因となる近赤外線を吸収する色素を含有することが好ましい。
【００３３】
本発明の電磁波シールドフィルターは、上記透明導電フィルムを用いてなる。当該電磁波シールドフィルターは、透明導電フィルム以外に、フィルターの耐衝撃性向上のためのポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等の無色透明板、リモコン誤動作防止のための各種カラーフィルター（近赤外線カットフィルター）、反射率低減による画面輝度向上のための反射防止膜、ノングレア処理膜、画面傷つき防止のためのハードコート膜等が付与されることが好ましい。また、グランド端子は、例えば周辺部の導電ペースト印刷や導電金属テープにより付与することができる。
【００３４】
【実施例】
以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。各物性は以下のようにして測定した。
〔表面抵抗率〕
表面抵抗率は、抵抗率計（三菱油化（株）製，ロレスタ・ＡＰ）を用いて測定した。
【００３５】
〔全光線透過率およびヘイズ〕
全光線透過率およびヘイズは、ヘイズメーター（日本電色工業（株）製，ＮＤＨ−１００１ＤＰ）を用いて測定した。
【００３６】
〔電磁波シールド特性〕
電磁波シールド特性の測定は、スペクトラムアナライザー（アドバンテスト社製，Ｒ３３６１Ａ）およびシールドボックス（アドバンテスト社製，ＴＲ１７３０１Ａ）を用い、電界、磁界についてそれぞれ測定した。測定周波数は１ＭＨｚ〜１ＧＨｚで行った。
【００３７】
〔酸素透過係数〕
ＪＩＳ  Ｋ７１２６に準じ、モダンコントロールズ社製酸素透過度測定装置（ＯＸ−ＴＲＡＮ１００型）を用いて、測定温度２５℃、相対湿度０％ＲＨの雰囲気下で測定した。
【００３８】
〔水蒸気透過係数〕
ＪＩＳ  Ｋ７１２９に準じ、リッシー社製水蒸気透過度測定装置（Ｌ８０−４０００型）を用いて、測定温度４０℃で測定した。
【００３９】
実施例１
長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線透過率９２％）に、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層した。次に（Ｂ）層として２００Åの酸化錫の透明導電膜（全光線透過率８５％）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。さらに（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）を前記（Ａ）層と同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は２Ω／□であった。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５５ｄＢであった。
【００４０】
実施例２
長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線透過率９２％）に、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｂ）層として２００Åの酸化錫（全光線透過率８５％）の透明導電膜を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。マスキングを剥がし、さらに（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）を前記（Ａ）層と同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は１Ω／□であった。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであった。
【００４１】
実施例３
長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線透過率９２％）に、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）の透明導電膜を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。マスキングを剥がし、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）を前記（Ａ）層と同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は５Ω／□であった。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４２】
実施例４
長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線透過率９２％）に、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。次に（Ａ）層として、１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層した。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。マスキングを剥がし、（Ａ）層として１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）を前記（Ａ）層と同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は２Ω／□であった。次に周辺部全周にわたって幅１０ｍｍのマスキングを施してから、（Ｃ）層として２００Åの二酸化珪素（全光線透過率９０％，酸素透過係数１ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数１ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ）を高周波マグネトロンスパッタリングにより積層した。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４３】
実施例５
実施例２の全ての（Ａ）層を６０ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率９０％）に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は１０Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は８５％、ヘイズは１．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は８３％、ヘイズは１．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は４５ｄＢであった。
【００４４】
実施例６
実施例２の全ての（Ａ）層を１７５ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率７５％）に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は０．５Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は６７％、ヘイズは３．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６５％、ヘイズは３．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６５ｄＢであった。
【００４５】
実施例７
実施例２の全ての（Ａ）層を１００ÅのＡｇ−Ｐｄ合金薄膜〔Ａｇ：Ｐｄ（原子数比）＝８：２，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であり、変化がなかった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４６】
実施例８
実施例２の全ての（Ａ）層を１００ÅのＡｇ−Ａｕ合金薄膜〔Ａｇ：Ａｕ（原子数比）＝９：１，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４７】
実施例９
実施例２の全ての（Ａ）層を１００ÅのＡｇ−Ｃｕ合金薄膜〔Ａｇ：Ｃｕ（原子数比）＝９：１，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００４８】
実施例１０
実施例２の（Ｂ）層を２００ÅのＺｎＯ−Ａｌ2 Ｏ3 薄膜〔ＺｎＯ：Ａｌ2 Ｏ3 （重量比）＝９８：２，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであった。
【００４９】
実施例１１
実施例２の（Ｂ）層を２００ÅのＳｎＯ2 −Ｓｂ2 Ｏ3 薄膜〔ＳｎＯ2 ：Ｓｂ2 Ｏ3 （重量比）＝９５：５，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであった。
【００５０】
実施例１２
実施例２の（Ｂ）層を２００ÅのＩｎ2 Ｏ3 −ＺｎＯ薄膜〔Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＺｎＯ（重量比）＝８０：２０，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであった。
【００５１】
実施例１３
実施例２の（Ｂ）層を２００ÅのＩｎ2 Ｏ3 −ＳｎＯ2 薄膜〔Ｉｎ2 Ｏ3 ：ＳｎＯ2 （重量比）＝９０：１０，全光線透過率８５％〕に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は１Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７０％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は６８％、ヘイズは２．２％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は６０ｄＢであった。
【００５２】
実施例１４
実施例３の（Ｃ）層を２００ÅのＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 薄膜〔Ａｌ：Ｓｉ（原子数比）＝３０：７０，全光線透過率９５％，酸素透過係数０．５ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数０．５ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ〕に変えた以外は実施例３と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００５３】
実施例１５
実施例３の（Ｃ）層を２００ÅのＺｒＯ2 −ＳｉＯ2 薄膜〔Ｚｒ：Ｓｉ（原子数比）＝１：１，全光線透過率９５％，酸素透過係数０．５ｃｃ／ａｔｍ・ｍ2 ・ｄａｙ，水蒸気透過係数０．５ｇ／ｍ2 ・ｄａｙ〕に変えた以外は実施例３と同様にして積層体を作製した。最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率は５Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。また、周辺部のマスキングを剥がし、導電ペーストによりアース線を取り付けた。電磁波シールド特性は５０ｄＢであった。
【００５４】
比較例１
長さ３００ｍｍ、幅２１０ｍｍ、厚さ１８８μｍの２軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム基板（全光線透過率９２％）に、１００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率８５％）をＤＣマグネトロンスパッタリングにより積層した。得られた積層体の表面抵抗率は５Ω／□、全光線透過率は８０％、ヘイズは１．５％であった。またこの積層体を６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の表面抵抗率は１００Ω／□以上で、全光線透過率は５０％以下、ヘイズは１０％以上であり、外観的にも酸化によるＡｇ膜の変色が見られた。
【００５５】
比較例２
実施例１の（Ｃ）層を積層しないこと以外は実施例１と同様に積層した。この積層体の表面抵抗率は２Ω／□であった。得られた積層体の全光線透過率は７５％、ヘイズは２．０％であった。６０℃、９５％ＲＨの恒温恒湿槽に１０００時間放置した後の全光線透過率は５５％、ヘイズは１０％であり、外観的にもＡｇ膜の変色が見られた。
【００５６】
比較例３
実施例２の全ての（Ａ）層を３０ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率９２％）に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。金属薄膜層が不連続な島状構造となり、十分な導電性がでなかった（最外層の二酸化珪素積層前の表面抵抗率∞Ω／□）。
【００５７】
比較例４
実施例２の全ての（Ａ）層を３００ÅのＡｇ金属薄膜（全光線透過率２％以下）に変えた以外は実施例２と同様にして積層体を作製した。得られた積層体は、不透明な全反射膜であった（全光線透過率１％以下）。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、優れた環境安定性、特に透光性と、電気伝導特性を有する透明導電フィルムが提供できる。従って、本発明の透明導電フィルムは、電磁波シールドフィルターとして、特にプラズマディスプレイ用電磁波シールドフィルターとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の透明導電フィルムの構成例を示す断面図である。
【図２】本発明の透明導電フィルムの他の構成例を示す断面図である。
【図３】本発明の透明導電フィルムの他の構成例を示す断面図である。
【図４】本発明の透明導電フィルムの他の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
（Ａ）  金属薄膜
（Ｂ）  透明導電薄膜
（Ｃ）  透明ガスバリア薄膜
（Ｄ）  透明高分子フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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