(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのコンタクト・スイッチの少なくとも一つのセンサー素子（１２）のための回路機構であって、制御信号（１７）が、作業周波数でセンサー素子に印加され、センサー素子の動作状態に応じて変化し、制御信号が周波数変調制御信号である、回路機構において、スイッチ手段（２９）が定電圧でセンサー素子（１２）に印加される各制御信号（１７）の一つの相を短絡させるように構成されていることを特徴とする回路機構。
【請求項２】
回路機構（１１）が少なくとも一つの制御部（１３）と１つのセンサー部（１４）と１つの評価部（１５）とを含み、特に各センサー素子（１２）が関連するセンサー部（１４）を有することを特徴とする請求項１に記載の回路機構。
【請求項３】
固定周波数変化を伴う作業周波数の周期的な変化が最小値と最大値の間で可能であることを特徴とする請求項１または２に記載の回路機構。
【請求項４】
制御信号（１７）が方形信号であり、特にデューティ比（開閉比）が約７０から９５％で信号レベルが約５Ｖの方形信号であることを特徴とする請求項１〜３の一つに記載の回路機構。
【請求項５】
要素（２２）が分圧器の第１部を形成し、センサー素子（１２）が分圧器の第２部を形成し、特に分圧器の第１部を形成する要素（２２）がセンサー部（１４）に含まれていることを特徴とする請求項１〜４の一つに記載の回路機構。
【請求項６】
スイッチ手段が、ゼロ電圧でセンサー素子（１２）に印加される各制御信号（１７）の一つの相を短絡させるように構成され、スイッチ手段が好ましくは１つのスイッチ（２９）、特に半導体要素を備えたスイッチを含んでいることを特徴とする請求項１〜５の一つに記載の回路機構。
【請求項７】
作業周波数で周波数変調された制御信号（１７）を発生する周波数発生器（１６）を備え、スイッチ手段（２９）の制御のための二つの反転要素（１９、２０）が好ましくは周波数発生器（１６）の後方およびセンサー素子（１２）の前方の信号経路中の任意の点に一方を他方の後方にして設けられ、この要素（１９）の出力において第１反転要素（１９）の後で一度反転された信号がスイッチ手段（２９）に通過させられるとともに、その制御をもたらすことを特徴とする請求項１〜６の一つに記載の回路機構。
【請求項８】
信号マルチプレキサ（４６）が、センサー部（１４）の少なくとも一つの出力（４４）との接続のための少なくとも一つの入力（４５）と、信号増幅器（４７）を介して接続された信号評価ユニット（４８）への出力を備えていて、特に信号マルチプレキサ（４６）が評価部（１５）に含まれていることを特徴とする請求項２に記載の回路機構。
【請求項９】
少なくとも一つのセンサー素子（１２）用に作業周波数で少なくとも制御信号（１７）の発生のために構成された少なくとも一つのマイクロコントローラ（４８）を備え、このマイクロコントローラは特に制御部（１３）及び／又は評価部（１５）及びスイッチ手段（２９）を含んでいることを特徴とする請求項１〜６の一つに記載の回路機構。
【請求項１０】
センサー素子（１２）が、それ自体柔軟性を有し、形状可変であって導電性要素をなし、好ましくは導電性発泡材料を含み、特に硬質ガラスまたはガラス・セラミック調理域（３４）のタッチ・コンタクト・スイッチでの使用のために意図されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の回路機構。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、起動信号がセンサー素子に印加され、センサー素子の作動状態の関数として変化する少なくとも一つのタッチ・コンタクト・スイッチの少なくとも一つのセンサー素子用の回路機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、タッチ・コンタクト・スイッチは多数の電気器具、特に家電器具に使用されている。普通金属面を有するスイッチを単にタッチすることによって、ユーザは所望のスイッチ工程に着手できる。
【０００３】
センサー素子を有する公知のタッチ・コンタクト・スイッチにおいて、配線はセンサー素子に、コンタクト・スイッチを作動させて修正された通常高い周波数の交流電圧を印加するように設けられている。この修正が検知され、スイッチング信号をトリガーする。しかし、相当な問題がインターフェアレンスとして発生し、信号に干渉するようにして重畳される。これらのインターフェアレンス現象はまずメインから供給される電圧から発生する。その理由は、電気器具の数が増大した結果、いわゆる電気スモッグの状態中で顕著に増大しているためである。これはメインにて電圧が多数の不正信号または外来信号に重畳されることを意味している。さらに、外来信号は他の電気器具、特にテレビ、コンピュータおよび移動電話のような家庭内の器具によって発生し、センサー素子の信号に干渉するようにして重畳される。
【０００４】
従って、印加される信号電圧を５Ｖ（電子回路の標準印加電圧）から２０ないし３０Ｖに高めて、このようなインターフェアレンスに対してあまり影響されない強い信号を発生することが既に試行されている。これには第２電圧供給源を必要とするが、指摘された問題に対する完璧な解決策とはならないことを意味している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、外来信号の影響を受けにくく、特に付加電源を必要としないタッチ・コンタクト・スイッチのセンサー素子の改良された回路機構を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の好ましい解決手段は、各請求項に記載されたセンサー素子の回路機構である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
前述の課題は起動信号が変調され、特に周波数変調された起動信号とすることで解決される。外来信号が任意の周波数範囲を含んでいる各場合において極めて短時間に起動信号と同期して発生するように、信号を任意の周波数範囲で周期的に通過させるのが好ましい。評価はスイッチ状態としてのみ修正信号レベルが認識されるという事実により、修正はより長い時間周期で、またはある一定周波数範囲にわたって生じ、どの部分も異なった、または固定周波数を有する外来信号によって揺動されない。加うるに、外来信号は通常特定周波数範囲でのみ発生し、前記範囲は広範なずっと広い周波数範囲での通過をほんの短時間カバーするだけである。
【０００８】
回路機構は少なくとも一つの起動部と、センサー部と評価部とを含み、より詳しくは各センサー素子が、関連するセンサー部、好ましくはセンサー回路を有している。この細分割の結果、数個のタッチ・コンタクト・スイッチを単一の起動部および単一の評価部と組み合わせることが可能になる。全操作を通じて、多数の要素、従って、費用および妨害感受性を減じることができる。
【０００９】
起動部に発生し、固定した周波数掃引を有する作業周波数ないし操作周波数は約５ｋＨｚを最小値とし約５０ｋＨｚを最大値とする最小値と最大値の間を周期的に可変であるのが好ましい。変調周波数は約２０ないし１０００Ｈｚが有利である。５ないし５０ｋＨｚの広範な周波数範囲にわたり、まったく外来信号のないところを通過する適切な範囲が保証される。詳しくはこれには低い周波数のインターフェアレンス、例えば基本周波数高調波は含まれていない。固定された変調周波数が、この周波数範囲を十分に速く通過することを保証する。このような周波数を発生させるための費用は固定出力周波数よりもそう高くはない。
【００１０】
特に好ましい方法において、起動信号は方形波信号、詳しくは約７０から９５％の開閉比を有するとともに約５Ｖの信号レベルを有する信号である。高い開閉比によりゼロレベル持続期間が過度にならないことが保証されるため、最終的に得られた直流電圧は適当な高さになる。５Ｖの信号レベルを使用することによって、電子要素のために使用される作動電圧を使用することができ、結論としてさらなる電源を必要としない。従って、費用は低減され、作動の信頼性が高揚され、さらなる電源によってもたらされるインターフェアレンスの影響が回避される。
【００１１】
ある要素、特にフィード・コンデンサが分圧器、詳しくは容量性分圧器の一部を有利に形成し、センサー素子が分圧器の他の部分、すなわち、第２部分を形成する。タッチ・コンタクト・スイッチはユーザの指容量によって作動されるので、容量性分圧器が有利である。この種の分圧器によって、部分電圧をモニターすることによる非常に簡単な方法で二つの静電容量の一方、この場合センサー容量の変化を検出することができる。フィード・コンデンサは一定静電容量を有していなければならない。
【００１２】
単一起動部を備えた数個のセンサー部の起動を許容するために、分圧器の第１部を形成する要素がセンサー部に含まれている。フィード分岐点ないし接続点から導出されている分岐線により、センサー部は起動部と接続可能であり、これによって同じ起動信号が全てのセンサー部に加えられる。
【００１３】
フィルター、詳しくはＲ−Ｃフィルターはセンサー部出力の上流に接続されるのが好ましい。このフィルターの設けられていることによって、センサー素子信号が、開閉比、信号レベルおよびコンタクト・スイッチの作動状態に依存して直流電圧に変換される。最初の二つの量が固定されておれば、直流電圧の評価によって、コンタクト・スイッチの作動を検出することが可能である。この種のフィルターはそれ程費用をかけずに構成でき、また、得られた直流電圧は簡単な手段で評価され得る。インターフェアレンスを回避するために、各センサー部にフィルターを設けるのが有利である。
【００１４】
この回路機構は、一定電圧、特にゼロ電圧でセンサー素子に印加された起動信号の１相で各場合につき短絡するために構成されたスイッチング手段を含んでいるのが有利である。起動信号のゼロ相はゼロに位置付けられるのが好ましい。その結果、この相で発生し、特にゼロ相に重畳するように干渉する外来信号は簡単な方法で抑制される。従って、インターフェアレンスは少なくとも信号から部分的に除去される。
【００１５】
本発明の一実施例において、スイッチング手段にはスイッチ、特に半導体要素を含めることができる。半導体要素は、例えばトランジスタ、またはいずれか他の迅速に反応する要素である。
【００１６】
本発明の他の実施例によれば、起動部は作動周波数で周波数変調起動信号を発生するための周波数発生器を備えている。このような周波数発生器の費用は固定された作動周波数を有する発生器よりそう高くはない。なぜなら、この種の発生器は他の適用分野における標準的な特徴を備えているからである。
【００１７】
信号を起動するために二つの反転要素が信号経路中の周波数発生器の下流側とセンサー素子の上流側、例えばフィード・コンデンサの上流側の任意の位置に連続して使用されると、第１反転要素の出力における単独反転信号がスイッチに導入され、その起動を形成し、スイッチとその機能の作動周波数への自動結合が保証される。二つのインバータの直列接続により、不変起動信号が第２インバータの出力で再度得られる。インバータは迅速、かつ、確実に作動し、障害源を形成することはない。
【００１８】
数個の信号を評価するために、評価部がセンサー部の少なくとも一つの出力の接続のために少なくとも一つの入力を有する信号マルチプレクサを備えたその入力と、信号増幅器を介して信号評価ユニット、詳しくはマイクロコントローラにに接続された出力とを備えている。従って、ただ一つの信号評価ユニットが、使用された全てのセンサー素子に必要であって、費用が低減される。
【００１９】
本発明の実施例によれば、回路機構は少なくとも一つのマイクロコントローラを備えることができ、なかんずく少なくとも一つのセンサー素子のための作動周波数を有する起動信号を発生するように設定される。この種のソフトの生成により任意に変えられる起動信号が利用可能になり、適用範囲が広まる。これにより付加的な周波数発生器の節約が可能になり、経費が節減され、障害感受性が低減される。マイクロコントローラが周波数発生以外にセンサー信号の評価、または、タッチ・コンタクト・スイッチに属する器具の他の制御機能を評価するような処理にも都合良く利用可能である。
【００２０】
マイクロコントローラは、構成中に回路機構の起動部と評価部を含んでいるのが好ましい。この構成によりさらに経費を低減し、センサー素子に印加される信号の正確な評価を下すことが出来る。有利なことに、スイッチング手段は、マイクロコントローラ内に収容され定電圧、好ましくはゼロ電圧でセンサー素子に印加される起動信号の１相を各場合において短絡するように構成される。この構成では必要要素の数を最少限まで減じ、障害感受性に対して積極的な効果を有する。有利な測定方法はＡＤ測定であって、ＡＤ変換がデュアル・スロープ法、シングル・スロープ法（マイクロコントローラ中の比較器による）、またはそれ自体のＡＤコンバータで実行される。後者はマイクロコントローラを含んでいるのが好ましい。ＡＤ変換にはデュアル・スロープ法が使用されるのが好ましい。
【００２１】
本発明の特に有利な実施例によれば、センサー素子は本質的に柔軟性があり、三次元的に可変であって、導電性本体をなし、特に硬質ガラスまたはガラス・セラミック調理域のタッチ・コンタクト・スイッチに使用されることを意図している。導電性発泡体であるのが好ましい。この目的でこの種のセンサー素子が使用されると多数の利点が得られる。センサー素子は干渉の影響の抑制に役立つ物質上の特性を備えている。
【００２２】
センサー素子の本体はコンタクト面の方向に少なくとも一つの開口を有し、ここに硬質ガラスまたはガラス・セラミック調理域を介して見ることの可能な照明素子を収容させることが有利である。前記素子は、コンタクト・ボタンの正確な位置を表示できる、例えばＬＥＤである。
【００２３】
これらの特徴およびさらなる特徴は特許請求の範囲、発明の詳細な説明および図面から知ることができる。また、単独、または下位の組み合わせ形態のいずれかによって個々の特徴を本発明の実施例で実施できる。また他の分野でも実施できる。権利保護のために有利な、独立して保護できる構成を示すことが可能である。中間的な表現だけでなく本願発明の各セクションへ細分割した説明は次に示す一般的な説明の効力を決して限定するものではない。
【００２４】
【実施例】
図１はセンサー素子１２の回路機構１１を示し、起動部１３とセンサー部１４と評価部１５を備えている。起動部１３は作動周波数で起動信号１７を発生する周波数発生器１６を含んでおり、この起動信号１７は周波数発生器１６の出力１８で出力され、周波数変調方形波信号で形成される。信号は第１インバーター１９から第２インバーター２０に送られ、その後フィード抵抗２１からフィード接続点２３に通される。フィード接続点から、図では１本のみを示しているが多数のセンサー部１４に接続できる第１分岐線２４が導出されている。第１分岐線２４から接続線でフィード・コンデンサ２２を介してセンサー部１４の信号接続点２５に接続されている。
【００２５】
第１インバーター１９の下流側にはスイッチ接続点２７へ導出された分岐線２６が設けられ、ここから第２分岐線２８が出ており、ここに複数のスイッチ２９が接続されている。各センサー部１４は、その一方の端子が信号接続点２５に、また、他方の端子が接地ないしアースされた回路機構１１のゼロ・レベルに接続されたスイッチ２９を含んでいる。
【００２６】
信号接続点２５からセンサー素子１２に接続するための結線が出ており、この結線は図４ないし図７のセンサー素子１２に配備されたプリント回路基板３８によってなされる。センサー素子１２の構造は、図３から知ることができる。回路基板２３から、導電性でなければならない、好ましくは金属索で形成されたばね要素３０が上方向に延長し、センサー回路基板３１を担っている。この回路基板は硬質ガラスまたはガラス・セラミック調理域３４に抗してばね要素３０によって押圧されている。センサー素子１２は漂遊コンデンサ３３があり、これが接地されている。
【００２７】
センサー素子１２をガラスセラミック調理域３４に機械的に結合することによって、空隙コンデンサ３５が形成される。これは製造工程によるノブ・システム３２の調理域３４の下側との結合が図５に拡大して示したように空隙３６が形成されるからである。
【００２８】
ガラスセラミック調理域３４の静電容量はガラス・コンデンサ３７で表示してある。図４はセンサー素子１２上のガラスセラミック調理域３４に接触する指３９を示し、従って、ガラス・コンデンサ３７には直列接続された指コンデンサ４０が付加され、これが接地されている。
【００２９】
信号接続点２５から接続線がフィルター４１に延長している。このフィルターは直列フィルター抵抗器４２と、接地されたフィルター・コンデンサ４３のＲ−Ｃフィルターとして形成される。接続線がフィルター４１からセンサー部１４の出力４４へ導出されている。
【００３０】
センサー部１４のこの出力４４は信号マルチプレクサ４６の数個の入力４５の一つに連絡している。信号マルチプレクサ４６が信号増幅器４７によって信号評価装置、詳しくはマイクロコントローラ４８に接続されている。これらの三つの要素が評価部１５を形成しており、これに信号マルチプレクサが有しているのと同数のセンサー部１４を接続することができる。マイクロコントローラは出力４９によって回路の図示していない部分に接続され、例えば電気調理器の電力をオン・オフするマイクロコントローラによって発生された指令を伝送する。
【００３１】
図２はマイクロコントローラ４８内の起動信号の発生の実施例を示す。起動信号１７は、端子Ａ０、共通の直列抵抗器、個々のフィード・コンデンサ２２と抵抗器５３を通過してセンサー素子１２に送られる。図２は可変コンデンサとしてセンサー素子１２を示し、その静電容量はコンタクト・スイッチとの接触によって変化する。これと同時に、センサー素子１２は抵抗器５３を通り、さらなる抵抗器５４とコンデンサ５５を介して接地されている。
【００３２】
各端子Ｌ０およびＬ１が抵抗器５４とによりＲＣ素子を形成するコンデンサ５５を放電する働きをする。センサー素子１２に印加される起動信号１７の評価は、端子１０および１１をＲＣ素子のコンデンサ５５へ接続することによって実行される。
【００３３】
図示したように、マイクロコントローラ４８は起動部３０と評価部１５両者の結合したのもである。センサー部１４は、フィード・コンデンサ２２、抵抗器５３、５４およびコンデンサ５５だけでなく、センサー素子１２によっても形成される。使用されたマイクロコントローラ４８のタイプの機能としては、センサー部１４またはセンサー素子１２の数を変えて作動させることができる。
【００３４】
導電性柔軟発泡体で生成されたセンサー素子１２の等価回路を図６に示す。この回路は直列接続された誘導抵抗器５１と等価抵抗器５０と、並列コンデンサ５２との並列接続によって表わされる。
【００３５】
図７は導電性柔軟発泡体で生成され、プリント回路基板３８とガラスセラミック調理域３４との間に固定されたセンサー素子１２を示す。図８はガラスセラミック調理域３４のノブ付き下面にぴったり適合して空隙３６の発生が回避されているセンサー素子１２を示す。
【００３６】
作用
まず周波数発生器を備えた構造を参照されたい。回路は図１の回路図に基づき、好ましくはＳＭＤ技術で、かつ、プリント回路基板３８上に形成され、また、支持部さらにはセンサー素子１２用の端子を構成する。５Ｖ信号レベルを使用することが重要な利点を有し、ただ一つの５Ｖ電源を必要とするだけである。なぜらなこの電圧が信号マルチプレキサ４６とマイクロコントローラ４８の作動電圧だからである。
【００３７】
周波数発生器１６はまず５Ｖ信号レベルで、開閉比が約７０ないし９５％、周波数が２０ないし５００ｋＨｚの方形波信号を発生する。この方形波信号は２０から１０００Ｈｚ、すなわち典型的には５から５０ｋＨｚの変調周波数で周波数変調され、これによって起動信号１７が得られる。
【００３８】
第１インバーター１９はスイッチ２９を起動させるために必要である。起動信号１７がゼロに戻ると、インバーター１９が反転され５Ｖを発生し、この結果スイッチ２９が作動し、信号接続点５５を接地側に閉する。従って、信号接続点２５における信号は、起動信号１７がゼロのときは常にゼロであり、これによってこの時間の間インターフェアレンスが抑制される。第１インバーターの後方にある第２インバーター２０によって、元の出力信号１７が再度発生する。この信号がフィード抵抗器２１、分岐線２４を通ってフィード・コンデンサ２２に送られる。
【００３９】
非作動状態において、センサー素子１２はそれ自体の漂遊コンデンサ０３のみを有しており、このコンデンサがフィード・コンデンサ２２とともにフィード・コンデンサに供給され出力電圧を発生する分圧器を形成している。フィード・コンデンサ２２は、センサー素子１２に印加される電圧の半分となるように、すなわち、フィード静電容量がほぼ漂遊コンデンサ３３と同じくらいの大きさの容量にする。タッチ・コンタクト・スイッチの作動において、漂遊コンデンサ３３と並列に、直列接続された空量コンデンサ３５とガラス・コンデンサ３７と指コンデンサ４０が付加される。この並列接続の結果、センサー素子１２の全容量が大きくなり、フィード・コンデンサ２２の容量に対する総容量の分割比が変化し、センサー素子、従って信号接続点２５における電圧が降下する。信号接続点２５に接続されたフィルター４１の出力において、直流電圧が発生し、この電圧は任意の信号レベルによって左右されるだけであり、開閉比は既知であり、かつ、不変であり、また、センサー電圧はタッチ・コンタクト・スイッチの作動状態によって左右される。
【００４０】
この直流電圧が信号マルチプレキサ４６に印加され、数個のセンサー回路１４からの数個の直流電圧の内一つが選択され、この電圧が信号増幅器４７を介してマイクロコントローラ４８に印加される。マイクロコントローラ４８がこの直流電圧を評価してタッチ・コンタクト・スイッチが作動されたか否かを検知する。評価はある一定時間周期で、この一定時間周期にわたる周波数範囲で行なわれるのが好ましく、評価は例えば加算または積分方式でなされる。直流電圧がこの時間周期で変化しこれを超えたときにのみ、評価はスイッチが作動されたことを表わすことになる。ここで固定周波数に伴う不正信号が発生すれば、もし発生したとしても、直流電圧は瞬間的に変化するだけで、かつ評価の実行される時間内では重要なことではない。検出に依存して、マイクロコントローラがその出力４９でさらなる回路、例えば、調理域を加熱するための制御回路に指令を発する。
【００４１】
等価抵抗器５０がフィード・コンデンサ２２と漂遊コンデンサ３３とによりフィルターを形成し、タッチ・コンタクト・スイッチを作動する指３９を介して不正信号の結合を減衰させる。センサー素子１２の材料を導電性にするために、種々の材料、例えば、黒鉛、銀等を混合することができる。これに代えて、またはこれにフェライト材料を付加すると、誘導抵抗器５１が得られ、さらなる不正信号の減衰を改善することにつながる。これは「センサー・ボタンを備えたタッチ・コンタクト・スイッチ」の名称で本願と同日出願の特許願（整理番号Ｐ９８１１２）に示し、開示したセンサー素子に使用すると特に有利である。従って、この種のセンサー素子によれば、発明の特定する利点を得ることができる。起動信号を発生する両バージョンにも使用できる。
【００４２】
図２に基づく構成において、センサー素子１２は次のようにして制御される。まず、抵抗器５４とコンデンサ５５によって形成されたＲＣ素子が端子Ｌ０の両端で放電される。次いで、論理ハイレベルが入力１０で測定されるまで、コンデンサ５５が端子Ｌ０の両端で充電される。実際、この動作はコンデンサ５５が５Ｖの普通の作動電圧まで充電されたときに起こる。
【００４３】
第３段階において、特定時間周期で端子Ａ０に発明の変調、すなわち、周波数変調によって起動信号が発生し、結果としてコンデンサ５５が抵抗器５４を介して放電される。起動信号は周波数発生器を有する構造と実質上一致させることができる。この段階において、端子Ｌ０は信号の各変化が端子Ａ０の高い抵抗状態でローからハイになる前に、また、ゼロ電圧に対して端子Ａ０の低い抵抗状態でハイからローに変化する前に切替えられる。従って、この構成において、接地は起動信号のゼロ相中に行なわれる。
【００４４】
第４段階において、抵抗器５４とコンデンサ５５によるＲＣ素子が再度端子Ｌ０の両端で充電される。端子Ｉ０における信号がハイレベルに変化するまでの時間が測定される。上述の様に、端子Ｉ０またはＩ１に印加される信号のＡＤ変換がデュアルスロープ法で実行されるのが好ましい。センサー素子に印加される電圧の評価は、動的に行なわれるので、信号レベルの温度ドリフトが補償される。
【００４５】
図１に基づく実施例に示したように、起動信号１７に対する変化はこれによって供給されたセンサー素子１２に接触することにより起こる。得られる切替工程は同じ方法で正確に実行される。
【図面の簡単な説明】
【図１】起動部、センサー部および評価部を含み、センサー素子がガラス・セラミック調理域に固定された回路構成を示す図である。
【図２】起動部および評価部を含むマイクロコントローラを備えた回路構成を示す図である。
【図３】ガラス・セラミック調理域に固定するための従来使用されたセンサー素子を示す図である。
【図４】ガラス・セラミック調理域に固定するための従来使用されたセンサー素子を示す図である。
【図５】ガラス・セラミック調理域に固定するための従来使用されたセンサー素子を示す図である。
【図６】ガラス・セラミック調理域に固定するための本発明の特徴に基づく新規なセンサー素子を示す図である。
【図７】ガラス・セラミック調理域に固定するための本発明の特徴に基づく新規なセンサー素子を示す図である。
【図８】ガラス・セラミック調理域に固定するための本発明の特徴に基づく新規なセンサー素子を示す図である。
【符号の説明】
１１    回路機構
１２    センサー素子
１３    起動部
１４    センサー部
１５    評価部
１６    周波数発生器
１７    起動信号
１８    出力
１９    第１インバーター
２０    第２インバーター
２１    フィード抵抗
２２    フィード・コンデンサ
２３    フィード接続点
２４    第１分岐線
２５    信号接続点
２６    分岐線
２７    スイッチ接続点
２８    第２分岐線
２９    スイッチ
３０    ばね要素
３１    センサー回路基板
３３    漂遊コンデンサ
３４    ガラス・セラミック調理域
３５    空隙コンデンサ
３６    空隙
３７    ガラス・コンデンサ
３８    プリント回路基板
４０    指コンデンサ
４１    フィルター
４２    フィルター抵抗器
４３    フィルターコンデンサ
４４    出力
４５    入力
４６    信号マルチプレクサ
４７    信号増幅器
４８    マイクロコントローラ
４９    出力
５０    等価抵抗器
５１    誘導抵抗器
５２    並列コンデンサ
５３    抵抗器
５４    抵抗器
５５    コンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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