(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
射出成形にて少なくとも偏平状軟磁性体粉末と有機結合剤からなる複合磁性体を製造する方法において、
前記射出成形に用いられる金型における偏平状軟磁性体粉末と有機結合剤を含む射出材料の流入口の直後にスリットを設けると共に、該スリットに隣接して電磁石を配置し、射出材料を該スリットに通過させると共に、該スリットを通過する扁平状軟磁性体粉末に磁場配向を加えることにより、前記複合磁性体における偏平状軟磁性体粉末を配向・配列させることを特徴とする複合磁性体の製造方法。
【請求項２】
前記複合磁性体が低周波対応部と高周波対応部を有するように成形するために、前記金型における前記流入口として、低周波ノイズ用の偏平状軟磁性体粉末を含む射出材料の第１の流入口と、高周波ノイズ用の偏平状軟磁性体粉末を含む射出材料の第２の流入口とを設けることを特徴とする請求項１記載の複合磁性体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波領域において不要電磁波の干渉によって生じる電磁障害を抑制するために用いられる複合磁性体の製造方法に関し、特に高周波電子回路／装置において問題となる電磁干渉の抑制に有効な複素透磁率特性の優れた複合磁性体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、過密に実装された電子部品類やプリント配線には、信号処理速度の高速化が図られているため、静電及び電磁結合による線間結合の増大化や放射ノイズによる干渉が生じ、電子機器類の正常な動作を妨げる事態が少なからず生じている。
【０００３】
このようないわゆる電磁障害に対して、従来は回路の出力端子毎にローパスフィルタ等を接続し、不要な高周波電流を抑制したり、問題となる回路を遠ざけるような方策を講じる等で電磁障害の原因となる電磁結合、不要輻射や伝導ノイズ等を抑制していた。
【０００４】
これら高周波電子機器のさらなる小型、軽量化を実現する具体策として、例えば、一枚のプリント配線基板に異なる回路を混在（例えば、電力回路と小信号回路）させたり、回路ごとに小基板化し、それらを重ね合わせて実装するといった手段が取られることが多くなってきている。
【０００５】
しかし、特に、複数の配線基板を重ね合わせて実装する場合においては、部品間や配線基板間の電磁干渉に由来する電磁障害の起こりうる可能性が極めて高くなり、何等かの対策が不可欠となる。これらの配線基板間における干渉の対策手段としては、一般に、導電性のシールド材（銅、アルミニウム等）を配線基板間に挿入することが行われている。上記した配線基板では、部品実装密度が高くなっているために、高周波磁界波はノイズ源に対して低インピーダンスとなっている。
【０００６】
しかし、上述した配線基板では、ノイズ源となる一方の配線基板に対向する他方の配線基板に対しての遮蔽効果は期待できるものの、同じ基板面に対しては、不要輻射の反射が生じてしまい、ノイズ源側の同一配線基板内での二次的な電磁結合が助長される。
【０００７】
そこで、電磁波の透過に対しては、導電性のシールド材と同等の遮蔽効果をもち、電磁波の反射に対しては、少なくとも反射による電磁結合を助長させることのない複合磁性体を用いた電磁干渉抑制体が特開平７−２１２０７９号公報によって提案されている。この種の電磁干渉抑制体は、主に軟磁性体粉末を有機結合材中に混合してなる複合磁性体から構成されており、それに到来した電磁波を複合磁性体で吸収することによって不要電磁波の干渉を抑制する。すなわち、不要電磁波の干渉によって生じる電磁波障害を抑制するために使用される。
【０００８】
以下、特開平７−２１２０７９号公報によって開示されている従来の複合磁性体を用いた電磁干渉抑制体の一例を説明する。電磁干渉抑制体を構成している複合磁性体は、扁平状（もしくは針状）の軟磁性粉末と有機結合剤を含んで構成されている。
【０００９】
複合磁性体を構成する有機結合溶剤としては、ポリエステル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系樹脂、ニトリル−ブタジエン系ゴム、スチレン−ブタジエン系ゴム等の熱可塑性樹脂或いはそれらの共重合体、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミド系樹脂、イミド系樹脂等の熱硬化性樹脂等を採用している。
【００１０】
軟磁性粉末としては、高周波透磁率の大きな鉄アルミ珪素合金（センダスト）、鉄ニッケル合金（パーマロイ）をその代表的素材として挙げることができ、粉末のアスペクト比は十分に大きい（おおよそ１０：１以上）ことが望ましい。
【００１１】
本発明者らは、扁平状軟磁性粉末を複合磁性体の面内方向に配向する程度、すなわち軟磁性粉末の並び具合を定量的に把握するための有効なパラメータについて、軟磁性体の高周波透磁率が反磁界の大きさに強く依存することに着目した。前記反磁界の大きさを定量的に把握できるパラメータとして、磁化困難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈdeを求めることによって、複合磁性体試料中の磁性粉末の充填率や、粉末その者の反磁界係数が変化した場合でも実効的な反磁界の大きさが把握できるようにし、さらに、その比率を試料形状を立方体としたときに４以上とすることで、優れた透磁率特性が得られることを見出した。また、この比Ｈdd／Ｈdeの制御は、上のように複合磁性体の製造方法によって行える。
【００１２】
尚、ここで、「反磁界」Ｈｄについて、図５を参照して説明する。複合磁性体試料に、その磁性粒子配向方向がわかるように、印を付して、立方体形状に加工する。この立方体試料についてＶＳＭ（振動型磁力計）を用いて、磁性粒子の配向方向（磁化容易軸方向）および配向方向に直行する方向（磁化困難軸方向）の各々のＭ−Ｈ曲線（磁化曲線）を求める。Ｍ−Ｈ曲線を図５に示す。得られたＭ−Ｈ曲線の線形の領域部分に平行に原点を通る直線（図５に点線で示す）を引き、この直線とＭｓ線（飽和磁化線）との交点に対応する磁界を「反磁界」Ｈｄとする。尚、「磁化容易軸方向」の反磁界をＨdeで表し、「磁化困難軸方向」の反磁界をＨddで表すものとする。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上記した複合磁性体の製造として射出成形による方法がよく知られている。その射出成形において、ただ射出成形を行なうと、偏平磁性粉の配向が射出される速度、原料の流れによって制限され、所望の配向度が得られない。
【００１４】
また、例えばパーソナルコンピュータ等、低周波ノイズと、高周波ノイズの隣接するものについては、それらの隣接部に、各々対応した複合磁性体を用いることで対応も可能であるが、管理上部品点数が増えることになり、コストもかかるという問題が生じる。
【００１５】
それ故に本発明の課題は、上記問題点を解消し、所望の配向度を簡単な構造で得ることができ、低周波ノイズ及び高周波ノイズの隣接するものについても低コストで対応できる複合磁性体の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、射出成形にて少なくとも偏平状軟磁性体粉末と有機結合剤からなる複合磁性体を製造する方法において、前記射出成形に用いられる金型における偏平状軟磁性体粉末と有機結合剤を含む射出材料の流入口の直後にスリットを設けると共に、該スリットに隣接して電磁石を配置し、射出材料を該スリットに通過させると共に、該スリットを通過する扁平状軟磁性体粉末に磁場配向を加えることにより、前記複合磁性体における偏平状軟磁性体粉末を配向・配列させることを特徴とする複合磁性体の製造方法が得られる。
【００１８】
また、本発明によれば、前記複合磁性体が低周波対応部と高周波対応部を有するように成形するために、前記金型における前記流入口として、低周波ノイズ用の偏平状軟磁性体粉末を含む射出材料の第１の流入口と、高周波ノイズ用の偏平状軟磁性体粉末を含む射出材料の第２の流入口とを設けることを特徴とする複合磁性体の製造方法が得られる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について図１乃至図３を参照して説明する。図１は本発明の製造方法によって得られた複合磁性体を示した図である。図１（ａ）は平面図で図１（ｄ）は（ａ）の斜視図で、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれ高周波帯用及び低周波帯用の部分の拡大斜視図である。図１に示すように、複合磁性体１には低周波帯用の低周波部２と高周波帯用の高周波部３とに分けて構成されている。これによって、一つの製品で低周波ノイズ及び高周波ノイズの隣接するものについても対応できる。
【００２２】
次に、射出成型に用いられる金型にスリットが無い場合、その配向は原料の流れ性のみにより左右され、磁化困難軸方向の反磁界Ｈddと磁化容易軸方向の反磁界Ｈdeとの比Ｈdd／Ｈde（以下、配向度と呼ぶ）は２．９未満でさほど得られない。そこで図２に示すように射出成型に用いられる金型１１にスリット１４を設けることによって配向度が３．６前後にまで改善される。
【００２３】
ここで、図１に示した複合磁性体１を製造するためには図３（ａ）に示すような金型１１を用いる。実際には図３（ａ）に示す金型１１の上方から蓋（図示せず）を被せた後に、ノズル２１から複合磁性体を構成する材料を金型１１の溝に流し込む。図中の矢印は流し込んだときの流れる範囲を示している。図３（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。金型１１の下側の低周波部２の周囲と高周波部３の周囲にそれぞれ図４に示すように磁場配向をかけるための電磁石１２と電磁石１３を配置する。電磁石１２と電磁石１３は具体的には、図３（ｂ）に示すように金型１１の下側の低周波部２の周囲と高周波部３の周囲に電磁石を埋め込めるような形状の溝が形成されている。さらに金型１１の下側の低周波部２と高周波部３形成用の溝には、図３（ｃ）に示すようなスリット３１が形成されている。この磁場配向を用いると、配向度３．９前後の高い配向度が得られる。
【００２４】
また図１に示すように部分的に、高周波帯用と低周波帯用の２つの特性を分けた成形体を製造する場合、原料を分けて射出できるようにして射出を行なえば所要の成形体ができる。加えて前述のスリットを入れて射出する方法又は電磁石を用いた磁場配向にて配向を得ることができ、部分的に異なる機能を持つ一体物として成形することができる。
【００２５】
【発明の効果】
本発明によれば、金型にスリットを設け、その部分を通過させることで磁性粉の配向が得られる。
【００２６】
又、本発明によれば、部分的に更に配向を必要とする場合、その部分に対応した金型の所定部分にあらかじめ電磁石を配置させることにより、磁場による配向を限定的に行わせることができる。
【００２７】
又、本発明によれば、低周波及び高周波ノイズの発生源が隣接するような場合にも部分的に分けた成形を行なうことで一つの複合磁性体で対処できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明の製造方法で得られた複合磁性体の一実施の形態を示した上面図であり、（ｂ）は（ａ）の斜視図であり、（ｃ）は低周波部の拡大斜視図であり、（ｄ）は高周波部の拡大斜視図である。
【図２】（ａ）はスリットを設けた金型の一部を示す図であり、（ｂ）は成形後のスリット部側面図である。
【図３】（ａ）は図１の複合磁性体を製造するための金型の構造を示した図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´線断面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ´線断面図である。
【図４】（ａ）は磁場配向を印加するための電磁石を金型に組み込んだ状態を示した図であり、（ｂ）は電磁石の一実施の形態を示した図であり、（ｃ）は電磁石の他の実施の形態を示した図である。
【図５】本発明の説明で用いる「反磁界」を説明するための図である。
【符号の説明】
１    複合磁性体
２    低周波部
３    高周波部
１１    金型
１２，１３    電磁石
１４，３１    スリット
２１    ノズル
【図１】
0003926447.tif 000002
【図２】
0003926447.tif 000003
【図３】
0003926447.tif 000004
【図４】
0003926447.tif 000005
【図５】
0003926447.tif 000006