(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族系ポリエステル液晶ポリマーを素材とする基材(12)にエッチング処理と触媒付与処理とを行い、
その上に無電解銅めっきまたは無電解ニッケルめっき(22)し、
その後で無電解ニッケルめっき(42)し、
上記無電解ニッケルめっき(42)を硬化させるための熱処理を行い、
この熱処理の後、表面めっき(52,62,72)し、
さらに水分除去のため熱処理を行う
ことを特徴とするめっき部品の製法。
【請求項２】
芳香族系ポリエステル液晶ポリマーを素材とする基材(1) にエッチング処理と触媒付与処理とを行い、
その上に無電解銅めっきまたは無電解ニッケルめっき(2)し、
上記無電解銅めっきまたは無電解ニッケルめっき(2)にレーザ光線を照射して、回路成形部以外の絶縁回路となる部分を絶縁閉回路で囲むようにパターン加工し、
その後で電解銅めっき(3) し、
さらにエッチング処理によりパターンを形成し、
その後で無電解ニッケルめっき(4) し、
上記無電解ニッケルめっき(4)を硬化させるために熱処理を行い、
この熱処理の後、表面めっき(5,6,7) し、
さらに水分除去のため熱処理を行う
ことを特徴とする成形回路部品の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、芳香族系ポリエステル液晶ポリマー（以下「液晶ポリマー」という）の成形品である成形回路部品などめっき部品の製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から装飾や導電性あるいは耐熱性などの機能付与を目的とする成形回路部品（ＭＩＤ）の製法は、図４に示すように液晶ポリマーを素材とする基材１３にエッチング処理と触媒付与処理とを行い、この基材の上に０．３μｍ程度の無電解銅（またはニッケル）めっき２３し、その上面をレーザ加工してパターン加工し、その後で５μｍ程度の電解銅めっき３３し、さらにエッチング処理によりパターンを形成し、１５〜４０μｍの厚さの表面めっき５３，６３，７３するものであった。そして、この表面めっきとは、例えば電解銅めっき５３、電解ニッケルめっき６３、さらに０．３〜０．６μｍの電解金めっき７３をしたものがある。他の例として、電解銅めっき５３を省略して電解ニッケルめっき６３の後に電解金めっき７３したものでもよい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、成形回路部品への電気的導通手段の半田は、従来のように人手による局部的に加熱するものから近年では半田用の炉、つまり加熱されたオーブンの雰囲気中を挿通させ、この炉内で半田付けが行われる方式になっており、そのため成形回路部品全体が加熱されることになる。特に、この成形回路部品が適用される技術分野によっては高温に耐え、信頼性を得るには高温半田の成分、つまり錫と鉛の成分比率が高温でも耐えるものを使用し、例えば２５０℃の炉内を１０分間で通過して半田付けを行う構造の高温半田装置がある。このような高温半田構造では成形回路部品全体が加熱され、そのため従来の回路部品の表面の全体に熱により火膨れが点在する状態になり、この部分が剥離状態になることがあり、成形回路部品の不良化、引いては製品の信頼性の低下が問題になっている。
【０００４】
そこで、本発明の目的は耐熱性に優れ、高温半田の過程においても剥離が生じない成形回路部品などめっき部品の製法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる成形回路部品などめっき部品の製法の第１の特徴は、液晶ポリマーを素材とする基材にエッチング処理と触媒付与処理とを行い、その上に無電解銅めっきまたは無電解ニッケルめっきし、その後で無電解ニッケルめっきし、この無電解ニッケルめっきを硬化させるための熱処理を行い、この熱処理の後、表面めっきし、さらに水分除去のため熱処理を行うところにある。この第１の特徴では、基板にめっきのトータル厚が例えば１０μｍを越える厚いめっきを施す場合に有効なものである。
【０００６】
第２の特徴は、液晶ポリマーを素材とする基材にエッチング処理と触媒付与処理とを行い、その上に無電解銅めっきまたは無電解ニッケルめっきし、この無電解銅めっきまたは無電解ニッケルめっきにレーザ光線を照射して、回路成形部以外の絶縁回路となる部分を絶縁閉回路で囲むようにパターン加工し、その後で電解銅めっきし、エッチング処理によりパターン形成し、その後で無電解ニッケルめっきし、さらにこの無電解ニッケルめっきを硬化させるために熱処理を行い、この熱処理の後、表面めっきし、さらに水分除去のため熱処理を行うところにある。この第２の特徴でも、基板にめっきのトータル厚が例えば１０μｍを越える厚いめっきを施す場合に有効なものである。
【０００７】
上記各特徴における液晶ポリマーは、全芳香族系ポリエステル液晶ポリマーも、半芳香族系ポリエステル液晶ポリマーも含む。また、表面めっきとは、例えば電解銅めっきし、この電解銅めっきの上に電解ニッケルめっきし、さらに表面の金めっきする。他の例として、電解銅めっきを省略して電解ニッケルめっきしその表面に金めっきしてもよい。上記各特徴において、ニッケルはニッケル燐、ニッケルボロンなどがある。上記パターン形成手段には、レーザ加工手段、紫外線露光手段、シルク印刷などから適宜選択することができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１に基づいて回路パターンを形成する実施例（請求項２に記載のもの）を説明すると、この製法は次の工程により行われる。
【０００９】
（ａ）先ず液晶ポリマーを素材とする基材１を脱脂し、めっき前処理として表面粗化（エッチング）処理した後で触媒付与処理を行う。このエッチング処理は苛性ソーダ（ＮａＯＨ）または苛性カリ（ＫＯＨ）を所定濃度に溶解したアルカリ性水溶液を所定温度、例えば５０〜９０℃に加熱し、この水溶液内に基材１を所定温度浸漬して行うものである。エッチング処理した後、ＨＣＬ水溶液で中和し、洗浄した後基材１の導電性の付与化をするために触媒を付与するが、これにはセンシタイジング・アクチベーティング方法と、キャタリスト・アクセラレーター方法がある。
【００１０】
（ｂ）活性化した後、基材１の上に０．３μｍ程度の無電解銅めっき２を施し洗浄し乾燥する。この無電解銅めっき２は無電解ニッケルめっきに代えることができる。
【００１１】
（ｃ）次に、無電解銅めっき２の上面にパターン加工するが、この加工手段としてレーザパワーが０．５ＷのＹＡＧレーザを照射してパターン加工をする。このレーザ加工はこの０．３μｍ程度の無電解銅めっき２の回路成形部以外の絶縁回路となる部分の輪郭線上にレーザ光線を照射してこの銅めっきを除去し、絶縁回路となる部分を絶縁閉回路で囲むものである。このレーザ光線の照射によるパターン加工は、無電解銅めっき２の厚さに関係し、この無電解銅めっきが厚過ぎると回路パターンの形成に強い出力のレーザ光を必要とし、そのため時には基材１を損傷することがあり、薄過ぎるとこの無電解銅めっき２による導電回路として十分な厚さのめっき層の確保が困難となる。したがって、この無電解銅めっき２の厚さは０．２〜２μｍ程度が好ましい。このようにレーザを照射してパターン加工をする。
【００１２】
（ｄ）このパターン加工した後、５μｍ程度の電解銅めっき３をする。さらに、電解銅めっき３の後で、回路形成のためにエッチング処理して回路パターンを形成する。
【００１３】
（ｅ）電解銅めっき３の後で３〜５μｍ程度の無電解ニッケルめっき４を施し、その後でこのニッケルを硬化させるための熱処理する。この熱処理は５０〜２５０℃程度に加熱されたオーブン内でほぼ１〜３時間の処理が行われ、これにより、このニッケルが硬化し、電解銅めっき３との間でアンカー効果による接着強度が向上する。
【００１４】
（ｆ）その後、表面めっき５，６，７を施すが、この表面めっきとして５〜３０μｍの厚さの電解銅めっき５を施し、この銅めっきの上に３〜９μｍの電解ニッケルめっき６をして、最後に表面めっきとして０．３〜０．６μｍの電解金めっき７を施す。他の例として、電解銅めっき５を省略し、電解ニッケルめっき６をし、さらに電解金めっき７を施してもよい。
【００１５】
（ｇ）最後に、基材１内の水分を除去するための熱処理を行う。この熱処理は１３０〜１７５℃に加熱された炉内に１〜２時間で処理できる。この温度、時間は適宜選択される。
【００１６】
このようにしてめっき加工された成形回路部品を、２５０℃の炉内を１０分間で通過させたが、火膨れ現象は全く発生しなかった。
【００１７】
次に、第２の実施例の具体的な構成を図２を参照して説明すると、この実施例では回路パターンを形成しない場合であって、前記の実施例における電解銅めっき３と無電解ニッケルめっき４が省略したものである。この実施例はめっきのトータル厚が例えば５μｍ以下の薄いめっきを施す場合のものである。
【００１８】
その具体的な構成は、次の通りである。
【００１９】
（ａ）前記したようにエッチング処理と触媒付与処理して活性化した基材１１の上に無電解銅（またはニッケル）めっき２１を施し洗浄し乾燥する。この無電解銅めっき２１は無電解ニッケルめっきに代えることができる。
【００２０】
（ｂ）その後、表面めっき５１，６１，７１を施すが、この表面めっきとして、電解銅めっき５１、この銅めっきの上に電解ニッケルめっき６１をして電解金めっき７１するもので、これは前記の実施例の（ｆ）と同様である。
【００２１】
（ｃ）さらに、基材１１内の水分を除去するための熱処理を行うが、この熱処理は前記の実施例の（ｇ）と同様である。
【００２２】
このようにしてめっき加工された部品を、２５０℃の炉内を１０分間で通過させたが、火膨れ現象は全く発生しなかった。
【００２３】
さらに、第３の実施例（請求項１に記載のもの）について、図３を参照して説明する。この実施例では回路パターンを形成しない場合であって、前記の実施例における電解銅めっき３が省略できる構成であって、この実施例はめっき厚が例えば１０μｍ以上の厚いめっきを施す場合のものである。
【００２４】
その具体的な構成は次の通りである。
【００２５】
（ａ）前記したように基材１２にめっき前処理としてエッチング処理、触媒付与処理して活性化する。
【００２６】
（ｂ）活性化した基材１２の上に無電解銅（めっき２２を施し洗浄し乾燥する。この無電解銅めっき２２は無電解ニッケルめっきに代えることができる。
【００２７】
（ｃ）その後、３〜５μｍ程度の無電解ニッケルめっき４２を施す。
【００２８】
（ｄ）その後でこのニッケルを硬化させるための熱処理する。この熱処理は５０〜２５０℃程度に加熱されたオーブン内でほぼ１〜３時間の処理が行われ、これにより、このニッケルが硬化し、無電解銅めっき２２との間でアンカー効果による接着強度が向上する。
【００２９】
（ｅ）その後、表面めっき５２，６２，７２を施すが、この表面めっき５２，６２，７２として、前記の実施例と同様に電解銅めっき５２を施し、さらにこの銅めっきの上に電解ニッケルめっき６２をして、最後に０．３〜０．６μｍの電解金めっき７２を施す。
【００３０】
（ｆ）最後に、基材１２内の水分を除去するための熱処理を行う。この熱処理は１３０〜１７５℃に加熱された炉内に１〜２時間で処理できる。この温度、時間は適宜選択される。
【００３１】
このようにしてめっき加工された部品を、２５０℃の炉内を１０分間で通過させたが、火膨れ現象は全く発生しなかった。
【００３２】
【実施例】
前記のめっき液の代表的な組成を示すと次の通りである。無電解銅めっき２，２１，２２のめっき液は、硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ）  ７ｇ／１、ホルマリン（３７％）  ２０ｍｌ／１、水酸化ナトリウム  １０ｇ／１、ロッセル塩  ２５ｇ／１、その他安定剤を微量で処理温度は室温である。電解銅めっき３，５，５１，５２のメッキ液は、硫酸銅（ＣｕＳＯ4 ・５Ｈ2 Ｏ）  ７５ｇ／１、硫酸  １９０ｇ／１、塩素イオン  ６６ｐｐｍ、光沢剤がを適量加え処理温度は２５℃である。
【００３３】
無電解ニッケルめっき４，４２のめっき液は、硫酸ニッケル  ２５ｇ／１、次亜リン酸ナトリウム  ２０ｇ／１、酢酸ナトリウム  １０ｇ／１、クエン酸ナトリウム  １０ｇ／１で、処理温度は９０℃である。電解ニッケルめっき６のめっき液は、硫酸ニッケル  ２４０ｇ／１、塩化ニッケル  ４５ｇ／１、ほう酸  ３０ｇ／１、光沢剤を適量加え処理温度は５０℃である。
【００３４】
電解金めっき４，４２のめっき液は、シアン化第一金カリウム  ５ｇ／１、シアン化カリウム  １５ｇ／１、炭酸カリウム  １５ｇ／１、リン酸ナトリウム  １５ｇ／１で処理温度は６０℃である。
【００３５】
【発明の効果】
本発明は、成形された回路成形部品などめっき部品は耐熱性に優れ、そのため高温半田用の炉内で加熱されても火膨れの発生が防止され、この成形回路部品などのめっき部品の信頼性が確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  請求項２に係る断面図である。
【図２】  他の実施例を示す断面図である。
【図３】  他の実施例（請求項１）を示す断面図である。
【図４】  従来例を示す断面図である。
【符号の説明】
１                    基材
２                    無電解銅またはニッケルめっき
３                    電解銅めっき
４                    無電解ニッケルめっき
５，６，７            表面めっき
５                    表面めっき（電解銅めっき）
６                    表面めっき（電解ニッケルめっき）
７                    表面めっき（電解金めっき）
１１                  基材
２１                  無電解銅またはニッケルめっき
５１，６１，７１      表面めっき
５１                  表面めっき（電解銅めっき）
６１                  表面めっき（電解ニッケルめっき）
７１                  表面めっき（電解金めっき）
１２                  基材
２２                  無電解銅またはニッケルめっき
４２                  無電解ニッケルめっき
５２，６２，７２      表面めっき
５２                  表面めっき（電解銅めっき）
６２                  表面めっき（電解ニッケルめっき）
７２                  表面めっき（電解金めっき）
【図１】
0003999834.tif 000002
【図２】
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【図３】
0003999834.tif 000004
【図４】
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