(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された少なくとも第１及び第２の情報記録層を備える光記録媒体に対し、光入射面からレーザビームを照射することによって情報を記録する情報記録方法であって、前記第１の情報記録層に対してはオフパルス記録方式によって情報の記録を行い、前記第２の情報記録層に対してはオンパルス記録方式によって情報の記録を行うことを特徴とする情報記録方法。
【請求項２】
前記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも前記光入射面側に位置していることを特徴とする請求項１に記載の情報記録方法。
【請求項３】
前記第１及び第２の情報記録層がいずれも相変化材料を含む記録膜及びこれを挟んで設けられた誘電体膜を備えており、前記第１の情報記録層の記録膜が前記第２の情報記録層の記録膜よりも薄いことを特徴とする請求項１または２に記載の情報記録方法。
【請求項４】
いずれも相変化材料を含む積層された少なくとも第１及び第２の情報記録層を備える光記録媒体に対し、光入射面からレーザビームを照射することによって情報を記録する情報記録方法であって、前記第１の情報記録層に対しては溶融消去可能な記録ストラテジによって情報の記録を行い、前記第２の情報記録層に対しては固相消去可能な記録ストラテジによって情報の記録を行うことを特徴とする情報記録方法。
【請求項５】
積層された少なくとも第１及び第２の情報記録層を備える光記録媒体に対し、光入射面からレーザビームを照射することによって情報を記録する情報記録装置であって、前記第１の情報記録層に対して情報を記録する場合にはオフパルス記録を行い、前記第２の情報記録層に対して情報を記録する場合にはオンパルス記録を行うことを特徴とする情報記録装置。
【請求項６】
前記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも前記光入射面側に位置していることを特徴とする請求項５に記載の情報記録装置。
【請求項７】
前記第１及び第２の情報記録層がいずれも相変化材料を含む記録膜及びこれを挟んで設けられた誘電体膜を備えており、前記第１の情報記録層の記録膜が前記第２の情報記録層の記録膜よりも薄いことを特徴とする請求項５または６に記載の情報記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体への情報記録方法に関し、特に、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体への情報記録方法に関する。また、本発明は、光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関し、特に、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関する。さらに、本発明は、光記録媒体に関し、特に、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。このような光記録媒体に要求される記録容量は年々増大し、これを達成するために種々の提案がなされている。かかる提案の一つとして、光記録媒体に含まれる情報記録層を２層構造とする手法が提案され、再生専用の光記録媒体であるＤＶＤ−ＶｉｄｅｏやＤＶＤ−ＲＯＭにおいて実用化されている。このような再生専用の光記録媒体においては、基板表面に形成されたプレピットが情報記録層となり、このような基板が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００３】
また、近年、ユーザによるデータの書き換えが可能な光記録媒体（書き替え型光記録媒体）についても、情報記録層が２層構造であるタイプの光記録媒体が提案されている（特開２００１−２７３６３８号公報参照）。情報記録層が２層構造である書き替え型光記録媒体においては、記録膜及びこれを挟んで形成された誘電体膜（保護膜）が情報記録層となり、かかる情報記録層が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００４】
書き替え型光記録媒体の記録膜としては、一般に相変化材料が用いられ、結晶状態である場合とアモルファス状態である場合の反射率差を利用してデータの記録が行われる。すなわち、未記録状態においては記録膜の実質的に全面が結晶状態となっており、データを記録する場合、記録膜の所定の部分がアモルファス状態に変化させられ、これが記録ピットとなる。結晶状態である相変化材料をアモルファス状態に変化させるためには、融点以上の温度に加熱した後、急冷すればよい。逆に、アモルファス状態である相変化材料を結晶状態に変化させるためには、結晶化温度以上の温度に加熱した後、徐冷すればよい。
【０００５】
このような加熱及び冷却は、レーザビームのパワー（出力）を調整することによって行うことができる。すなわち、レーザビームを強度変調することにより、未記録状態である記録膜にデータを記録するのみならず、既に何らかのデータが記録されている部分に異なるデータを直接上書き（ダイレクトオーバーライト）することが可能となる。一般に、記録膜を融点以上の温度に加熱するためには、レーザビームのパワーが記録パワー（Ｐｗ）から基底パワー（Ｐｂ）までの振幅を有するパルス波形で設定されたパワーとされ、記録膜を急冷するためには、レーザビームのパワーが基底パワー（Ｐｂ）に設定される。また、記録膜を結晶化温度以上の温度に加熱し、徐冷するためには、レーザビームのパワーが消去パワー（Ｐｅ）に設定される。この場合、消去パワー（Ｐｅ）は、記録膜が結晶化温度以上、融点未満の温度となるようなレベルに設定され、これによりいわゆる固相消去が行われる。
【０００６】
ここで、情報記録層が２層構造である書き替え型光記録媒体においては、レーザビームのフォーカスをいずれか一方の情報記録層に合わせることによってデータの記録／再生が行われることから、光入射面から遠い側の情報記録層（以下、「Ｌ１層」という）に対してデータの記録／再生を行う場合、光入射面から近い側の情報記録層（以下、「Ｌ０層」という）を介してレーザビームが照射されることになる。このため、Ｌ０層は十分な光透過率を有している必要があり、そのため、Ｌ１層を構成する記録膜の膜厚と比べ、Ｌ０層を構成する記録膜の膜厚はかなり薄く設定されることが一般的である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このように、情報記録層が２層構造である書き替え型光記録媒体においては、Ｌ０層を構成する記録膜の膜厚がかなり薄く設定されることから、Ｌ０層に対してダイレクトオーバーライトを行った場合、十分な消去率を確保することが困難であるという問題があった。これは、記録膜が一定以上の膜厚を有している場合であればアモルファス状態よりも結晶状態である方が安定であるため、固相消去によって十分な消去率を確保することができる一方、記録膜が非常に薄い場合には結晶状態よりもアモルファス状態である方が安定であり、固相消去を行うと結晶になりにくいためである。
【０００８】
したがって、本発明の目的は、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に対する情報記録方法であって、いずれの情報記録層に対してダイレクトオーバーライトを行った場合においても、十分な消去率を確保することが可能な情報記録方法を提供することである。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置であって、いずれの情報記録層に対してダイレクトオーバーライトを行った場合においても、十分な消去率を確保することが可能な情報記録装置を提供することである。
【００１０】
また、本発明のさらに他の目的は、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体であって、いずれの情報記録層に対してダイレクトオーバーライトを行った場合においても、十分な消去率を確保することが可能な光記録媒体を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のかかる目的は、積層された少なくとも第１及び第２の情報記録層を備える光記録媒体に対し、光入射面からレーザビームを照射することによって情報を記録する情報記録方法であって、前記第１の情報記録層に対してはオフパルス記録方式によって情報の記録を行い、前記第２の情報記録層に対してはオンパルス記録方式によって情報の記録を行うことを特徴とする情報記録方法によって達成される。
【００１２】
また、本発明の好ましい実施態様においては、前記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも前記光入射面側に位置している。
【００１３】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第１及び第２の情報記録層がいずれも相変化材料を含む記録膜及びこれを挟んで設けられた誘電体膜を備えており、前記第１の情報記録層の記録膜が前記第２の情報記録層の記録膜よりも薄い。
【００１４】
本発明の前記目的はまた、いずれも相変化材料を含む積層された少なくとも第１及び第２の情報記録層を備える光記録媒体に対し、光入射面からレーザビームを照射することによって情報を記録する情報記録方法であって、前記第１の情報記録層に対しては溶融消去可能な記録ストラテジによって情報の記録を行い、前記第２の情報記録層に対しては固相消去可能な記録ストラテジによって情報の記録を行うことを特徴とする情報記録方法によって達成される。
【００１６】
本発明の前記目的はまた、積層された少なくとも第１及び第２の情報記録層を備える光記録媒体に対し、光入射面からレーザビームを照射することによって情報を記録する情報記録装置であって、前記第１の情報記録層に対して情報を記録する場合にはオフパルス記録を行い、前記第２の情報記録層に対して情報を記録する場合にはオンパルス記録を行うことを特徴とする情報記録装置によって達成される。
【００１７】
本発明の好ましい実施態様においては、前記第１の情報記録層が前記第２の情報記録層よりも前記光入射面側に位置している。
【００１８】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第１及び第２の情報記録層がいずれも相変化材料を含む記録膜及びこれを挟んで設けられた誘電体膜を備えており、前記第１の情報記録層の記録膜が前記第２の情報記録層の記録膜よりも薄い。
【００２２】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第１の情報記録層の記録膜が前記第２の情報記録層の記録膜の０．３〜０．８倍の膜厚を有している。
【００２３】
本発明によれば、いずれの情報記録層に対してダイレクトオーバーライトを行った場合においても、十分な消去率を確保することが可能となる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００２５】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【００２６】
図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、基体１１と、中間層１２と、光透過層１３と、中間層１２と光透過層１３との間に設けられたＬ０層２０と、基体１１と中間層１２との間に設けられたＬ１層３０とを備える。Ｌ０層２０は、光入射面１３ａから近い側の情報記録層を構成し、第１の誘電体膜２１、Ｌ０記録膜２２及び第２の誘電体膜２３によって構成される。また、Ｌ１層３０は、光入射面１３ａから遠い側の情報記録層を構成し、第３の誘電体膜３１、Ｌ１記録膜３２、第４の誘電体膜３３及び反射膜３４によって構成される。このように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、２層の情報記録層（Ｌ０層２０及びＬ１層３０）を有している。
【００２７】
基体１１は、光記録媒体１０の機械的強度を確保する役割を果たし、その表面にはグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが設けられている。これらグルーブ１１ａ及び／又はランド１１ｂは、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果たす。特に限定されるものではないが、グルーブ１１ａの深さとしては１０〜４０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピッチとしては０．２〜０．４μｍに設定することが好ましい。基体１１の厚みは約１．１ｍｍに設定され、その材料としては、特に限定されるものではないがポリカーボネートを用いることが好ましい。但し、基体１１は光入射面１３ａとは反対側の面を構成することから、特に光透過性を備える必要はない。
【００２８】
中間層１２は、Ｌ０層２０とＬ１層３０とを十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面にはグルーブ１２ａ及びランド１２ｂが設けられている。これらグルーブ１２ａ及び／又はランド１２ｂは、Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果たす。グルーブ１２ａの深さやピッチは、基体１１に設けられたグルーブ１１ａの深さやピッチと同程度に設定すればよい。中間層１２の厚みとしては、約１０〜５０μｍに設定することが好ましい。また、中間層１２の材料としては、特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。中間層１２は、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームの光路となることから、十分に高い光透過性を有している必要がある。
【００２９】
光透過層１３は、レーザビームの光路となるとともに光入射面１３ａを構成し、その厚みとしては、約３０〜２００μｍに設定することが好ましい。光透過層１３の材料としては、特に限定されるものではないが、中間層１２と同様、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。上述のとおり、光透過層１３はレーザビームの光路となることから、十分に高い光透過性を有している必要がある。
【００３０】
Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２は、いずれも相変化材料によって構成され、結晶状態である場合の反射率とアモルファス状態である場合の反射率とが異なることを利用してデータの記録が行われる。Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の具体的な材料としては、特に限定されるものではないがＳｂＴｅ系材料を用いることが好ましい。ＳｂＴｅ系材料としてはＳｂＴｅのみでもよいし、添加物としてＩｎ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ等を加えたＩｎＳｂＴｅＧｅやＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂＴｅＧｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ等を用いることができる。
【００３１】
ここで、Ｌ０記録膜２２は、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームの光路となることから、十分な光透過性を有している必要があり、このためＬ０記録膜２２の膜厚は、Ｌ１記録膜３２の膜厚と比べて十分に薄く設定される。具体的には、Ｌ１記録膜３２の膜厚としては、約３〜２０ｎｍに設定することが好ましく、Ｌ０記録膜２２の膜厚は、Ｌ１記録膜３２の膜厚に対して０．３〜０．８倍に設定することが好ましい。
【００３２】
Ｌ０記録膜２２を挟むように設けられた第１の誘電体膜２１及び第２の誘電体膜２３は、Ｌ０記録膜２２に対する保護膜として機能し、Ｌ１記録膜３２を挟むように設けられた第３の誘電体膜３１及び第４の誘電体膜３３は、Ｌ１記録膜３２に対する保護膜として機能する。第１の誘電体膜２１の厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好ましく、第２の誘電体膜２３の厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好ましく、第３の誘電体膜３１の厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好ましく、第４の誘電体膜３３の厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好ましい。
【００３３】
また、これら第１の誘電体膜２１〜第４の誘電体膜３３は、１層の誘電体膜からなる単層構造であってもよいし、２層以上の誘電体膜からなる積層構造であってもよい。これら第１の誘電体膜２１〜第４の誘電体膜３３の材料としては特に限定されないが、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｏ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＴａＯ、ＺｎＳ、ＣｅＯ２等、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｎの酸化物、窒化物、硫化物、炭化物あるいはそれらの混合物を用いることが好ましい。
【００３４】
反射膜３４は、光入射面１３ａから入射されるレーザビームを反射し、再び光入射面１３ａから出射させる役割を果たし、その厚さとしては２０〜２００ｎｍに設定することが好ましい。反射膜３４の材料としては特に限定されないが、ＡｇやＡｌを主成分とする合金を用いることが好ましく、ＡｕやＰｔ等を用いることもできる。また、反射膜３４の腐食を防止するために、反射膜３４と基体１１との間に防湿膜を設けてもよい。かかる防湿膜としては、第１の誘電体膜２１〜第４の誘電体膜３３と同様の材料を用いることができる。さらに、Ｌ０層２０は反射膜を備えていないが、３〜１５ｎｍ程度の薄い反射膜をＬ０層２０に設けても構わない。この場合、かかる反射膜の材料としては、反射膜３４と同じ材料を用いることができる。
【００３５】
このような構造を有する光記録媒体１０に記録されたデータを再生する場合、光入射面１３ａから２００〜４５０ｎｍの波長を持つレーザビームが照射され、その反射光量が検出される。上述のとおり、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２は相変化材料によって構成され、結晶状態である場合とアモルファス状態である場合とで光反射率が異なっていることから、レーザビームを光入射面１３ａから照射してＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の一方にフォーカスを合わせ、その反射光量を検出することにより、レーザビームが照射された部分におけるＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２が結晶状態であるかアモルファス状態であるかを判別することができる。
【００３６】
光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合も、光入射面１３ａから２００〜４５０ｎｍの波長を持つレーザビームが照射され、Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２にフォーカスが合わせられ、記録すべきデータにしたがい、Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２の所定の部分を融点以上の温度に加熱した後、急冷すれば、当該部分の状態がアモルファス状態となり、Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２の所定の部分を結晶化温度以上の温度に加熱した後、徐冷すれば、当該部分の状態が結晶状態となる。アモルファス状態となった部分は「記録マーク」と呼ばれ、記録データは、記録マークの始点から終点までの長さ及び終点から次の記録マークの始点までの長さに形成される。各記録マークの長さ及び記録マーク間の長さ（エッジ間）は、特に限定されるものではないが、（１，７）ＲＬＬの変調方式が採用される場合、２Ｔ〜８Ｔ（Ｔは、クロックの周期）に対応する長さのいずれかに設定される。尚、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジ及びＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジについては後述する。
【００３７】
Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合、レーザビームはＬ０層２０を介してＬ１記録膜３２に照射されることになる。このため、Ｌ０層２０は十分な光透過性を有している必要があり、上述のとおりＬ１記録膜３２の膜厚と比べて、Ｌ０記録膜２２の膜厚はかなり薄く設定されている。
【００３８】
次に、本実施態様にかかる光記録媒体１０の製造方法について説明する。
【００３９】
図２〜図５は、光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。
【００４０】
まず、図２に示されるように、スタンパ４０を用いて、グルーブ１１ａ及びランド１１ｂを有する基体１１を射出成形する。次に、図３に示されるように、基体１１のうちグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成されている面のほぼ全面に、スパッタリング法によって、反射膜３４、第４の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３２及び第３の誘電体膜３１を順次形成する。これにより、Ｌ１層３０が完成する。尚、スパッタリング直後におけるＬ１記録膜３２の状態は通常アモルファス状態である。
【００４１】
次に、図４に示されるように、Ｌ１層３０上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、その表面にスタンパ４１を被せた状態でスタンパ４１を介して紫外線を照射することにより、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂを有する中間層１２を形成する。次に、図５に示されるように、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂが形成された中間層１２のほぼ全面に、スパッタリング法によって、第２の誘電体膜２３、Ｌ０記録膜２２及び第１の誘電体膜２１を順次形成する。これにより、Ｌ０層２０が完成する。尚、スパッタリング直後におけるＬ０記録膜２２の状態は通常アモルファス状態である。
【００４２】
そして、図１に示されるように、Ｌ０層２０上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、紫外線を照射することによって光透過層１３を形成する。以上により、全ての成膜工程が完了する。本明細書においては、成膜工程が完了した状態の光記録媒体を「光記録媒体前駆体」と呼ぶことがある。
【００４３】
次に、光記録媒体前駆体をレーザ照射装置の回転テーブル（図示せず）に載置し、回転させながらトラックに沿った方向における長さが短く、且つ、トラックに垂直な方向における長さが長い矩形状のレーザビームを連続的に照射し、光記録媒体前駆体が１回転するごとに照射位置をトラックに対して垂直な方向にずらすことによって、矩形状のレーザビームをＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のほぼ全面に照射する。これにより、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２を構成する相変化材料は結晶化温度以上の温度に加熱され、その後徐冷されることから、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の実質的に全面が結晶状態、すなわち、未記録状態となる。このような工程は、一般に「初期化工程」と呼ばれる。
【００４４】
かかる初期化工程が完了すると、光記録媒体１０が完成する。
【００４５】
このようにして製造された光記録媒体１０に対しては、上述の通り、レーザビームのフォーカスをＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のいずれかに合わせて記録マークを形成することにより、所望のデジタルデータを記録することができる。また、光記録媒体１０のＬ０記録膜２２及び／又はＬ１記録膜３２にデータを記録した後は、上述の通り、レーザビームのフォーカスをＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のいずれかに合わせてその反射光量を検出することにより、記録されたデジタルデータを再生することができる。
【００４６】
次に、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジ及びＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジについて詳述する。
【００４７】
上述のとおり、Ｌ０記録膜２２の膜厚をＬ１記録膜３２の膜厚と比べてかなり薄く設定する必要があること、並びに、Ｌ１記録膜３２に対するデータの記録においてはＬ０層２０を介してレーザビームを照射する必要があることから、本実施態様においては、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合と、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合とで根本的に異なる記録ストラテジを採用している。
【００４８】
図６は、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号及び３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は４Ｔ信号及び５Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は６Ｔ信号及び７Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｄ）は８Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。
【００４９】
図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、本実施態様では、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合、いわゆる「オフパルス記録方式」を採用している。オフパルス記録方式では、レーザビームの強度は、記録パワー（Ｐｗ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）からなる２つの強度（２値）に変調される。記録パワー（Ｐｗ０）の強度としては、照射によってＬ０記録膜２２が溶融するような高いレベルに設定され、基底パワー（Ｐｂ０）の強度としては、照射されても、溶融しているＬ０記録膜２２が冷却されるような低いレベルに設定される。特に限定されるものではないが、記録パワー（Ｐｗ０）としては５．０ｍＷ程度に設定し、基底パワー（Ｐｂ０）として０．１ｍＷ程度に設定すればよい。尚、記録パワー（Ｐｗ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）の値は、レーザビームを照射した際の盤面における値である。
【００５０】
かかる記録方式においては、記録マークを形成する場合（Ｌ０記録膜２２をアモルファス状態にする場合）には、レーザビームを記録パワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）までの振幅を有するパルス波形とし、これにより融点以上に加熱されたＬ０記録膜２２を急冷する。一方、記録マークを消去する場合（Ｌ０記録膜２２を結晶状態にする場合）には、レーザビームを記録パワー（Ｐｗ０）に固定し、これにより融点以上に加熱されたＬ０記録膜２２を徐冷する。これによって、Ｌ０記録膜２２は溶融消去される。以下、具体的な記録ストラテジについて、記録マークごとに詳述する。
【００５１】
まず、図６（ａ）に示すように、Ｌ０記録膜２２に対して２Ｔ信号及び３Ｔ信号を形成する場合、オフパルス数は「１」に設定される。ここで、オフパルス数とは、レーザビームの強度が基底パワー（Ｐｂ０）まで低下させられた回数によって定義され、そのパルス幅Ａは、特に限定されるものではないが、２Ｔ信号を形成する場合にあっては２．６Ｔ〜３．０Ｔに設定することが好ましく、３Ｔ信号を形成する場合にあっては３．４Ｔ〜３．８Ｔに設定することが好ましい。尚、パルス幅Ａとは、図６（ａ）に示すように、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）に変化するタイミングｔ１１から、基底パワー（Ｐｂ０）から記録パワー（Ｐｗ０）に変化するタイミングｔ１２までの期間を示している。
【００５２】
これにより、２Ｔ信号及び３Ｔ信号を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ０）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ０記録膜２２がオフパルスによって急冷され、アモルファス状態となる。一方、その他の領域においては、記録パワー（Ｐｗ０）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ０記録膜２２が、レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
【００５３】
また、図６（ｂ）に示すように、Ｌ０記録膜２２に対して４Ｔ信号及び５Ｔ信号を形成する場合、オフパルス数は「２」に設定される。ここで、２つのオフパルスのパルス幅Ａ、Ｂは、特に限定されるものではないが、４Ｔ信号を形成する場合にあってはいずれも２．０Ｔ〜２．４Ｔに設定することが好ましく、５Ｔ信号を形成する場合にあってはいずれも２．４Ｔ〜２．８Ｔに設定することが好ましい。尚、図６（ｂ）に示すように、パルス幅Ａとは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）に１回目に変化するタイミングｔ２１から、基底パワー（Ｐｂ０）から記録パワー（Ｐｗ０）に変化する１回目のタイミングｔ２２までの期間を示し、パルス幅Ｂとは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）に２回目に変化するタイミングｔ２３から、基底パワー（Ｐｂ０）から記録パワー（Ｐｗ０）に変化する２回目のタイミングｔ２４までの期間を示している。さらに、タイミングｔ２２からタイミングｔ２３までの期間によって定義されるトップパルスＴｔｏｐのパルス幅は、特に限定されるものではないが、０．４Ｔ〜０．６Ｔに設定することが好ましい。
【００５４】
これにより、４Ｔ信号及び５Ｔ信号を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ０）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ０記録膜２２がオフパルスによって急冷され、アモルファス状態となる。一方、その他の領域においては、記録パワー（Ｐｗ０）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ０記録膜２２が、レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
【００５５】
さらに、図６（ｃ）に示すように、Ｌ０記録膜２２に対して６Ｔ信号及び７Ｔ信号を形成する場合、オフパルス数は「３」に設定される。ここで、３つのオフパルスのパルス幅Ａ、Ｂ、Ｃは、特に限定されるものではないが、６Ｔ信号を形成する場合にあってはいずれも１．６Ｔ〜２．０Ｔに設定することが好ましく、７Ｔ信号を形成する場合にあってはいずれも２．０Ｔ〜２．４Ｔに設定することが好ましい。尚、図６（ｃ）に示すように、パルス幅Ａとは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）に１回目に変化するタイミングｔ３１から、基底パワー（Ｐｂ０）から記録パワー（Ｐｗ０）に変化する１回目のタイミングｔ３２までの期間を示し、パルス幅Ｂとは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）に２回目に変化するタイミングｔ３３から、基底パワー（Ｐｂ０）から記録パワー（Ｐｗ０）に変化する２回目のタイミングｔ３４までの期間を示し、パルス幅Ｃとは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）に３回目に変化するタイミングｔ３５から、基底パワー（Ｐｂ０）から記録パワー（Ｐｗ０）に変化する３回目のタイミングｔ３６までの期間を示している。さらに、タイミングｔ３２からタイミングｔ３３までの期間によって定義されるトップパルスＴｔｏｐのパルス幅、タイミングｔ３４からタイミングｔ３５までの期間によって定義されるラストパルスＴｌｐのパルス幅は、特に限定されるものではないが、いずれも０．４Ｔ〜０．６Ｔに設定することが好ましい。
【００５６】
これにより、６Ｔ信号及び７Ｔ信号を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ０）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ０記録膜２２がオフパルスによって急冷され、アモルファス状態となる。一方、その他の領域においては、記録パワー（Ｐｗ０）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ０記録膜２２が、レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
【００５７】
そして、図６（ｄ）に示すように、Ｌ０記録膜２２に対して８Ｔ信号を形成する場合、オフパルス数は「４」に設定される。ここで、４つのオフパルスのパルス幅Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、特に限定されるものではないが、いずれも１．６Ｔ〜２．０Ｔに設定することが好ましい。尚、図６（ｄ）に示すように、パルス幅Ａとは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）に１回目に変化するタイミングｔ４１から、基底パワー（Ｐｂ０）から記録パワー（Ｐｗ０）に変化する１回目のタイミングｔ４２までの期間を示し、パルス幅Ｂとは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）に２回目に変化するタイミングｔ４３から、基底パワー（Ｐｂ０）から記録パワー（Ｐｗ０）に変化する２回目のタイミングｔ４４までの期間を示し、パルス幅Ｃとは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）に３回目に変化するタイミングｔ４５から、基底パワー（Ｐｂ０）から記録パワー（Ｐｗ０）に変化する３回目のタイミングｔ４６までの期間を示し、パルス幅Ｄとは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）に４回目に変化するタイミングｔ４７から、基底パワー（Ｐｂ０）から記録パワー（Ｐｗ０）に変化する４回目のタイミングｔ４８までの期間を示している。
【００５８】
さらに、タイミングｔ４２からタイミングｔ４３までの期間によって定義されるトップパルスＴｔｏｐのパルス幅、タイミングｔ４４からタイミングｔ４５までの期間によって定義されるマルチパルスＴｍｐのパルス幅、タイミングｔ４６からタイミングｔ４７までの期間によって定義されるラストパルスＴｌｐのパルス幅は、特に限定されるものではないが、いずれも０．４Ｔ〜０．６Ｔに設定することが好ましい。
【００５９】
これにより、８Ｔ信号を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ０）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ０記録膜２２がオフパルスによって急冷され、アモルファス状態となる。一方、その他の領域においては、記録パワー（Ｐｗ０）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ０記録膜２２が、レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
【００６０】
以上が、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジである。このように、本実施態様においては、光入射面１３ａに近いＬ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合、いわゆるオフパルス記録方式を採用することによって溶融消去を行っていることから、非常に薄い相変化膜に対して固相消去を行った場合にアモルファス状態に戻ってしまうという現象を回避することができる。これにより、十分な消去率を確保することができることから、良好なオーバーライト特性を得ることが可能となる。
【００６１】
次に、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジについて詳述する。
【００６２】
図７は、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。
【００６３】
図７（ａ）〜（ｄ）に示すように、本実施態様では、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合、いわゆる「オンパルス記録方式」を採用している。オンパルス記録方式では、レーザビームの強度は、記録パワー（Ｐｗ１）、消去パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）からなる３つの強度（３値）に変調される。記録パワー（Ｐｗ１）の強度としては、照射によってＬ１記録膜３２が溶融するような高いレベルに設定され、消去パワー（Ｐｅ１）の強度としては、照射によってＬ１記録膜３２が結晶化温度以上、溶融未満の温度に達するようなレベルに設定され、基底パワー（Ｐｂ１）の強度としては、照射されても、溶融しているＬ１記録膜３２が冷却されるような低いレベルに設定される。
【００６４】
この場合、レーザビームはＬ０層２０を介してＬ１記録膜３２に照射されることから、Ｌ１記録膜３２に到達するレーザビームはかなり減衰してしまう。したがって、Ｌ１記録膜３２を十分に溶融させるためには、記録パワー（Ｐｗ１）のレベルとして、Ｌ０記録膜２２に対して記録を行う場合に用いる記録パワー（Ｐｗ０）よりもかなり高く設定する必要があり、約２倍程度に設定することが好ましい。したがって、Ｌ０記録膜２２に対して記録を行う場合に用いる記録パワー（Ｐｗ０）を５．０ｍＷに設定する場合、Ｌ１記録膜３２に対して記録を行う場合に用いる記録パワー（Ｐｗ１）を１０．０ｍＷ程度に設定することが好ましい。記録パワー（Ｐｗ１）を１０．０ｍＷに設定する場合、特に限定されるものではないが、消去パワー（Ｐｅ１）としては４．０ｍＷ程度に設定し、基底パワー（Ｐｂ１）として０．１ｍＷ程度に設定すればよい。尚、記録パワー（Ｐｗ１）、消去パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）の値は、レーザビームを照射した際の盤面における値である。
【００６５】
かかる記録方式においては、記録マークを形成する場合（Ｌ１記録膜３２をアモルファス状態にする場合）には、レーザビームを記録パワー（Ｐｗ１）或いは記録パワー（Ｐｗ１）から基底パワー（Ｐｂ１）までの振幅を有するパルス波形とすることによりＬ１記録膜３２を融点以上に加熱し、その後、レーザビームを基底パワー（Ｐｂ１）に設定することによりＬ１記録膜３２を急冷する。一方、記録マークを消去する場合（Ｌ１記録膜３２を結晶状態にする場合）には、レーザビームを消去パワー（Ｐｅ１）に固定し、これによりＬ１記録膜３２を結晶化温度以上、溶融未満の温度に加熱し、徐冷する。これによって、Ｌ１記録膜３２は固相消去される。以下、具体的な記録ストラテジについて、記録マークごとに詳述する。
【００６６】
まず、図７（ａ）に示すように、Ｌ１記録膜３２に対して２Ｔ信号を形成する場合、オンパルス数は「１」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。ここで、オンパルス数とは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ１）まで高められた回数によって定義される。また、冷却期間Ｔｃｌにおいては、レーザビームの強度が基底パワー（Ｐｂ１）に設定される。したがって、２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ５１以前においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ５１からタイミングｔ５２までの期間（Ｔｔｏｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タイミングｔ５２からタイミングｔ５３までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設定され、タイミングｔ５３以降においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【００６７】
ここで、タイミングｔ５１からタイミングｔ５２までの期間によって定義されるトップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐは、特に限定されるものではないが、０．３Ｔ〜０．５Ｔに設定することが好ましい。また、タイミングｔ５２からタイミングｔ５３までの期間によって定義される冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．７Ｔ〜１．０Ｔに設定することが好ましい。
【００６８】
これにより、２Ｔ信号を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ１）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ１記録膜３２が冷却期間Ｔｃｌにおいて急冷され、アモルファス状態となる。一方、その他の領域においては、消去パワー（Ｐｅ１）をもつレーザビームの照射によってＬ１記録膜３２が結晶化温度以上、融点未満の温度に加熱され、その後レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
【００６９】
また、図７（ｂ）に示すように、Ｌ１記録膜３２に対して３Ｔ信号を形成する場合、オンパルス数は「２」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、３Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ６１以前においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ６１からタイミングｔ６２までの期間（Ｔｔｏｐ）及びタイミングｔ６３からタイミングｔ６４までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タイミングｔ６２からタイミングｔ６３までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ６４からタイミングｔ６５までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設定され、タイミングｔ６５以降においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【００７０】
ここで、タイミングｔ６１からタイミングｔ６２までの期間によって定義されるトップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐは、特に限定されるものではないが、０．３Ｔ〜０．５Ｔに設定することが好ましく、タイミングｔ６３からタイミングｔ６４までの期間によって定義されるラストパルスのパルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、０．４Ｔ〜０．６Ｔに設定することが好ましい。また、タイミングｔ６２からタイミングｔ６３までの期間によって定義されるオフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定されるものではないが、０．５Ｔ〜０．７Ｔに設定することが好ましく、タイミングｔ６４からタイミングｔ６５までの期間によって定義される冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．７Ｔ〜１．０Ｔに設定することが好ましい。
【００７１】
これにより、３Ｔ信号を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ１）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ１記録膜３２が冷却期間Ｔｃｌにおいて急冷され、アモルファス状態となる。一方、その他の領域においては、消去パワー（Ｐｅ１）をもつレーザビームの照射によってＬ１記録膜３２が結晶化温度以上、融点未満の温度に加熱され、その後レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
【００７２】
さらに、図７（ｃ）に示すように、Ｌ１記録膜３２に対して４Ｔ信号を形成する場合、オンパルス数は「３」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、４Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ７１以前においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ７１からタイミングｔ７２までの期間（Ｔｔｏｐ）、タイミングｔ７３からタイミングｔ７４までの期間（Ｔｍｐ）及びタイミングｔ７５からタイミングｔ７６までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タイミングｔ７２からタイミングｔ７３までの期間（Ｔｏｆｆ）、タイミングｔ７４からタイミングｔ７５までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ７６からタイミングｔ７７までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設定され、タイミングｔ７７以降においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【００７３】
ここで、タイミングｔ７１からタイミングｔ７２までの期間によって定義されるトップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐは、特に限定されるものではないが、０．３Ｔ〜０．５Ｔに設定することが好ましく、タイミングｔ７３からタイミングｔ７４までの期間によって定義されるマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐは、特に限定されるものではないが、０．３Ｔ〜０．５Ｔに設定することが好ましく、タイミングｔ７５からタイミングｔ７６までの期間によって定義されるラストパルスのパルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、０．４Ｔ〜０．６Ｔに設定することが好ましい。
【００７４】
また、タイミングｔ７２からタイミングｔ７３までの期間、並びに、タイミングｔ７４からタイミングｔ７５までの期間によって定義されるオフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定されるものではないが、０．５Ｔ〜０．７Ｔに設定することが好ましく、タイミングｔ７６からタイミングｔ７７までの期間によって定義される冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．７Ｔ〜１．０Ｔに設定することが好ましい。
【００７５】
これにより、４Ｔ信号を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ１）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ１記録膜３２が冷却期間Ｔｃｌにおいて急冷され、アモルファス状態となる。一方、その他の領域においては、消去パワー（Ｐｅ１）をもつレーザビームの照射によってＬ１記録膜３２が結晶化温度以上、融点未満の温度に加熱され、その後レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
【００７６】
そして、図７（ｄ）に示すように、Ｌ１記録膜３２に対して５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合、オンパルス数はそれぞれ「４」〜「７」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。マルチパルスの数は、５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合それぞれ「２」〜「５」に設定される。この場合も、Ｔｔｏｐ（タイミングｔ８１からタイミングｔ８２までの期間）、Ｔｍｐ（タイミングｔ８３からタイミングｔ８４までの期間、タイミングｔ８５からタイミングｔ８６までの期間等）及びＴｌｐの期間（タイミングｔ８７からタイミングｔ８８までの期間）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、オフ期間Ｔｏｆｆ（タイミングｔ８２からタイミングｔ８３までの期間、タイミングｔ８６からタイミングｔ８７までの期間等）及び冷却期間Ｔｃｌ（タイミングｔ８８からタイミングｔ８９までの期間）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設定され、その他の期間においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。また、特に限定されるものではないが、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ及びラストパルスのパルス幅Ｔｌｐとしては、それぞれ０．３Ｔ〜０．５Ｔ、０．３Ｔ〜０．５Ｔ及び０．４Ｔ〜０．６Ｔに設定することが好ましく、オフ期間Ｔｏｆｆ及び冷却期間Ｔｃｌとしては、それぞれ０．５Ｔ〜０．７Ｔ及び０．７Ｔ〜１．０Ｔに設定することが好ましい。
【００７７】
これにより、５Ｔ信号〜８Ｔを形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ１）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ１記録膜３２が冷却期間Ｔｃｌにおいて急冷され、アモルファス状態となる。一方、その他の領域においては、消去パワー（Ｐｅ１）をもつレーザビームの照射によってＬ１記録膜３２が結晶化温度以上、融点未満の温度に加熱され、その後レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
【００７８】
以上が、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジである。このように、本実施態様においては、光入射面１３ａから遠いＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合、いわゆるオンパルス記録方式を採用し、記録パワー（Ｐｗ１）よりも強度の低い消去パワー（Ｐｅ１）を用いて記録マークの消去を行っていることから、Ｌ１記録膜３２に対しオフパルス記録を行った場合に生じるレーザ発生装置（半導体レーザ等）への負荷を低減することが可能となる。
【００７９】
以上説明したＬ０層２０及びＬ１層３０にそれぞれ対応する記録ストラテジを特定するための情報は、「記録条件設定情報」として当該光記録媒体１０内に保存しておくことが好ましい。このような記録条件設定情報を光記録媒体１０内に保存しておけば、ユーザが実際にデータの記録を行う際に、情報記録装置によりかかる記録条件設定情報が読み出され、これに基づいて記録ストラテジを決定することが可能となる。したがって、例えば、ユーザがＬ０層２０に対するデータの記録を指示した場合には、情報記録装置は図６に示した記録ストラテジを用いてデータの記録を行い、ユーザがＬ１層３０に対するデータの記録を指示した場合には、情報記録装置は図７に示した記録ストラテジを用いてデータの記録を行う。
【００８０】
記録条件設定情報としては、Ｌ０層２０及びＬ１層３０にそれぞれ対応する記録ストラテジのみならず、光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合に必要な各種条件（記録線速度等）を特定するために必要な情報を含んでいることがより好ましい。記録条件設定情報は、ウォブルやプレピットとして記録されたものでもよく、Ｌ０記録膜２２及び／又はＬ１記録膜３２にデータとして記録されたものでもよい。また、データの記録に必要な各条件を直接的に示すもののみならず、情報記録装置内にあらかじめ格納されている各種条件のいずれかを指定することにより記録ストラテジの特定を間接的に行うものであっても構わない。
【００８１】
図８は、光記録媒体１０に対してデータの記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図である。
【００８２】
情報記録装置５０は、図８に示すように光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２と、光記録媒体１０にレーザビームを照射するとともにその反射光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ５２及びヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４と、ヘッド５３にレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路５５と、ヘッド５３にレンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路５６とを備えている。
【００８３】
さらに、図８に示すように、コントローラ５４にはフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９が含まれている。フォーカスサーボ追従回路５７が活性化すると、回転している光記録媒体１０の記録面にフォーカスがかかった状態となり、トラッキングサーボ追従回路５８が活性化すると、光記録媒体１０の偏芯している信号トラックに対して、レーザビームのスポットが自動追従状態となる。フォーカスサーボ追従回路５７及びトラッキングサーボ追従回路５８には、フォーカスゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能及びトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能がそれぞれ備えられている。また、レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報に基づいて、適切なレーザ駆動信号の生成を行う。
【００８４】
尚、これらフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９については、コントローラ５４内に組み込まれた回路である必要はなく、コントローラ５４と別個の部品であっても構わない。さらに、これらは物理的な回路である必要はなく、コントローラ５４内で実行されるソフトウェアであっても構わない。
【００８５】
このような構成からなる情報記録装置５０を用いて本実施態様にかかる光記録媒体１０に対するデータの記録を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報が読み出され、これに基づいて記録ストラテジが決定される。したがって、情報記録装置５０は、Ｌ０層２０に対してデータの記録を行う場合、読み出された記録条件設定情報に基づき、図６に示した記録ストラテジを用いてデータの記録を行い、Ｌ１層３０に対してデータの記録を行う場合、読み出された記録条件設定情報に基づき、図７に示した記録ストラテジを用いてデータの記録を行う。
【００８６】
以上説明したように、本実施態様においては、光入射面１３ａに近いＬ０層２０に対してデータの記録を行う場合にあってはオフパルス記録方式を用い、光入射面１３ａから遠いＬ１層３０に対してデータの記録を行う場合にあってはオンパルス記録方式を用いていることから、Ｌ０層２０に対してダイレクトオーバーライトを行った場合にも十分な消去率を確保することが可能となるとともに、レーザ発生装置（半導体レーザ等）への負荷を低減することが可能となる。
【００８７】
尚、上記実施態様においては、２００〜４５０ｎｍの波長を持つレーザビームを用いてデータの記録／再生を行う次世代型の光記録媒体に本発明を適用した例について説明したが、本発明の適用対象がこれに限定されるものではなく、ＤＶＤのように波長が約６５０ｎｍのレーザビームを用いてデータの記録／再生を行うタイプの光記録媒体に対して本発明を適用することも可能である。以下、この種の光記録媒体（以下、「ＤＶＤ型光記録媒体」と呼ぶ）に対して本発明を適用した場合の好ましい実施態様について説明する。
【００８８】
ＤＶＤ型光記録媒体の構造は、基本的に図１に示した光記録媒体１０の構造と同じであるが、主に、基体１１、中間層１２及び光透過層１３の厚みやグルーブ形状において上記光記録媒体１０と相違する。具体的には、基体１１、中間層１２及び光透過層１３の厚みがそれぞれ４００〜８００μｍ、１０〜１００μｍ及び３０〜７００μｍに設定され、グルーブ１１ａ（グルーブ１２ａ）の深さ及びピッチがそれぞれ４０〜１００ｎｍ及び０．４〜０．９μｍに設定される。
【００８９】
このようなＤＶＤ型光記録媒体に対してデータの記録を行う場合には、光入射面１３ａから約６５０ｎｍの波長を持つレーザビームのフォーカスがＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２にフォーカスが合わせられ、その強度を変調することによって所望の部分を結晶状態またはアモルファス状態とすることができる。この場合、変調方式としては８／１６の変調方式（３Ｔ〜１４Ｔに変調）を用いることが好ましい。
【００９０】
ＤＶＤ型光記録媒体においても、上述した光記録媒体１０と同様、Ｌ０記録膜２２の膜厚をＬ１記録膜３２の膜厚と比べてかなり薄く設定する（約０．３〜０．８倍）必要があること、並びに、Ｌ１記録膜３２に対するデータの記録においてはＬ０層２０を介してレーザビームを照射する必要があることから、本実施態様においても、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合にはオフパルス記録方式を採用し、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合にはオンパルス記録方式を採用している。
【００９１】
図９は、本実施態様においてＬ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、図９（ａ）は１０Ｔ信号及び１１Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、図９（ｂ）は１２Ｔ信号乃至１４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。３Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジは、図６（ａ）〜（ｄ）に示したこれら信号を形成する場合の記録ストラテジと同様である。また、９Ｔ信号を形成する場合には、図６（ｄ）に示した記録ストラテジにおいて、パルス幅Ａ〜Ｄが１．８Ｔ〜２．２Ｔに設定される他は、８Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジと同様である。
【００９２】
図９（及び図６）に示すように、本実施態様においても、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合にはオフパルス記録方式が採用され、レーザビームの強度は、記録パワー（Ｐｗ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）からなる２つの強度（２値）に変調される。特に限定されるものではないが、本実施態様においては、記録パワー（Ｐｗ０）としては１０．０ｍＷ程度に設定し、基底パワー（Ｐｂ０）として０．１ｍＷ程度に設定すればよい。
【００９３】
まず、図９（ａ）に示すように、Ｌ０記録膜２２に対して１０Ｔ信号及び１１Ｔ信号を形成する場合、オフパルス数は「５」に設定される。ここで、５つのオフパルスのパルス幅Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅは、特に限定されるものではないが、１０Ｔ信号を形成する場合にあってはいずれも２．０Ｔ〜２．４Ｔに設定することが好ましく、１１Ｔ信号を形成する場合にあってはいずれも２．４Ｔ〜２．８Ｔに設定することが好ましい。尚、図９（ａ）に示すように、パルス幅Ａとはタイミングｔ９１からタイミングｔ９２までの期間を示し、パルス幅Ｂとはタイミングｔ９３からタイミングｔ９４までの期間を示し、パルス幅Ｃとはタイミングｔ９５からタイミングｔ９６までの期間を示し、パルス幅Ｄとはタイミングｔ９７からタイミングｔ９８までの期間を示し、パルス幅Ｅとはタイミングｔ９９からタイミングｔ９１０までの期間を示す。
【００９４】
さらに、タイミングｔ９２からタイミングｔ９３までの期間によって定義されるトップパルスＴｔｏｐのパルス幅、タイミングｔ９４からタイミングｔ９５までの期間及びタイミングｔ９６からタイミングｔ９７までの期間によって定義されるマルチパルスＴｍｐのパルス幅、タイミングｔ９８からタイミングｔ９９までの期間によって定義されるラストパルスＴｌｐのパルス幅は、特に限定されるものではないが、いずれも０．４Ｔ〜０．６Ｔに設定することが好ましい。
【００９５】
また、図９（ｂ）に示すように、Ｌ０記録膜２２に対して１２Ｔ信号乃至１４Ｔ信号を形成する場合、オフパルス数は「６」に設定される。ここで、６つのオフパルスのパルス幅Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆは、特に限定されるものではないが、１２Ｔ信号を形成する場合にあってはいずれも１．６Ｔ〜２．０Ｔに設定することが好ましく、１３Ｔ信号を形成する場合にあってはいずれも１．８Ｔ〜２．２Ｔに設定することが好ましく、１４Ｔ信号を形成する場合にあってはいずれも２．０Ｔ〜２．４Ｔに設定することが好ましい。尚、図９（ｂ）に示すように、パルス幅Ａとはタイミングｔ１０１からタイミングｔ１０２までの期間を示し、パルス幅Ｂとはタイミングｔ１０３からタイミングｔ１０４までの期間を示し、パルス幅Ｃとはタイミングｔ１０５からタイミングｔ１０６までの期間を示し、パルス幅Ｄとはタイミングｔ１０７からタイミングｔ１０８までの期間を示し、パルス幅Ｅとはタイミングｔ１０９からタイミングｔ１０１０までの期間を示し、パルス幅Ｆとはタイミングｔ１０１１からタイミングｔ１０１２までの期間を示す。
【００９６】
さらに、タイミングｔ１０２からタイミングｔ１０３までの期間によって定義されるトップパルスＴｔｏｐのパルス幅、タイミングｔ１０４からタイミングｔ１０５までの期間、タイミングｔ１０６からタイミングｔ１０７までの期間及びタイミングｔ１０８からタイミングｔ１０９までの期間によって定義されるマルチパルスＴｍｐのパルス幅、タイミングｔ１０１０からタイミングｔ１０１１までの期間によって定義されるラストパルスＴｌｐのパルス幅は、特に限定されるものではないが、いずれも０．４Ｔ〜０．６Ｔに設定することが好ましい。
【００９７】
以上が、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジである。このように、本実施態様においても、光入射面１３ａに近いＬ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合、いわゆるオフパルス記録方式を採用することによって溶融消去を行っていることから、非常に薄い相変化膜に対して固相消去を行った場合にアモルファス状態に戻ってしまうという現象を回避することができる。これにより、十分な消去率を確保することができることから、良好なオーバーライト特性を得ることが可能となる。
【００９８】
次に、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジについて詳述する。
【００９９】
図１０は、本実施態様においてＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は５Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｄ）は６Ｔ信号〜１４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。
【０１００】
図１０（ａ）〜（ｄ）に示すように、本実施態様においても、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合にはオンパルス記録方式が採用され、レーザビームの強度は、記録パワー（Ｐｗ１）、消去パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）からなる３つの強度（３値）に変調される。特に限定されるものではないが、本実施態様においては、記録パワー（Ｐｗ１）としては１４．０ｍＷに設定し、消去パワー（Ｐｅ１）としては７．０ｍＷ程度に設定し、基底パワー（Ｐｂ１）として０．１ｍＷ程度に設定すればよい。
【０１０１】
まず、図１０（ａ）に示すように、Ｌ１記録膜３２に対して３Ｔ信号を形成する場合、上述した光記録媒体１０のＬ１記録膜３２に対して２Ｔ信号を形成する場合と同様、オンパルス数は「１」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、３Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ１１１以前においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ１１１からタイミングｔ１１２までの期間（Ｔｔｏｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タイミングｔ１１２からタイミングｔ１１３までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設定され、タイミングｔ１１３以降においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【０１０２】
ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ及び冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、それぞれ０．５Ｔ〜０．７Ｔ及び０．７Ｔ〜１．０Ｔに設定することが好ましい。
【０１０３】
また、図１０（ｂ）に示すように、Ｌ１記録膜３２に対して４Ｔ信号を形成する場合、上述した光記録媒体１０のＬ１記録膜３２に対して３Ｔ信号を形成する場合と同様、オンパルス数は「２」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、４Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ１２１以前においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ１２１からタイミングｔ１２２までの期間（Ｔｔｏｐ）及びタイミングｔ１２３からタイミングｔ１２４までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タイミングｔ１２２からタイミングｔ１２３までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ１２４からタイミングｔ１２５までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設定され、タイミングｔ１２５以降においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【０１０４】
ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ、ラストパルスのパルス幅Ｔｌｐ、オフ期間Ｔｏｆｆ及び冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、それぞれ０．３Ｔ〜０．５Ｔ、０．４Ｔ〜０．６Ｔ、０．５Ｔ〜０．７Ｔ及び０．７Ｔ〜１．０Ｔに設定することが好ましい。
【０１０５】
さらに、図１０（ｃ）に示すように、Ｌ１記録膜３２に対して５Ｔ信号を形成する場合、上述した光記録媒体１０のＬ１記録膜３２に対して４Ｔ信号を形成する場合と同様、オンパルス数は「３」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、５Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ１３１以前においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ１３１からタイミングｔ１３２までの期間（Ｔｔｏｐ）、タイミングｔ１３３からタイミングｔ１３４までの期間（Ｔｍｐ）及びタイミングｔ１３５からタイミングｔ１３６までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タイミングｔ１３２からタイミングｔ１３３までの期間（Ｔｏｆｆ）、タイミングｔ１３４からタイミングｔ１３５までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ１３６からタイミングｔ１３７までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設定され、タイミングｔ１３７以降においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【０１０６】
ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ、ラストパルスのパルス幅Ｔｌｐ、オフ期間Ｔｏｆｆ及び冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、それぞれ０．３Ｔ〜０．５Ｔ、０．３Ｔ〜０．５Ｔ、０．４Ｔ〜０．６Ｔ、０．５Ｔ〜０．７Ｔ及び０．７Ｔ〜１．０Ｔに設定することが好ましい。
【０１０７】
そして、図１０（ｄ）に示すように、Ｌ１記録膜３２に対して６Ｔ信号〜１４Ｔ信号を形成する場合、オンパルス数はそれぞれ「４」〜「１２」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。マルチパルスの数は、６Ｔ信号〜１４Ｔ信号を形成する場合それぞれ「２」〜「１０」に設定される。この場合も、Ｔｔｏｐ（タイミングｔ１４１からタイミングｔ１４２までの期間）、Ｔｍｐ（タイミングｔ１４３からタイミングｔ１４４までの期間、タイミングｔ１４５からタイミングｔ１４６までの期間等）及びＴｌｐの期間（タイミングｔ１４７からタイミングｔ１４８までの期間）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、オフ期間Ｔｏｆｆ（タイミングｔ１４２からタイミングｔ１４３までの期間、タイミングｔ１４６からタイミングｔ１４７までの期間等）及び冷却期間Ｔｃｌ（タイミングｔ１４８からタイミングｔ１４９までの期間）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設定され、その他の期間においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。また、特に限定されるものではないが、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ及びラストパルスのパルス幅Ｔｌｐとしては、それぞれ０．３Ｔ〜０．５Ｔ、０．３Ｔ〜０．５Ｔ及び０．４Ｔ〜０．６Ｔに設定することが好ましく、オフ期間Ｔｏｆｆ及び冷却期間Ｔｃｌとしては、それぞれ０．５Ｔ〜０．７Ｔ及び０．７Ｔ〜１．０Ｔに設定することが好ましい。
【０１０８】
以上が、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジである。このように、本実施態様においては、光入射面１３ａから遠いＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合、いわゆるオンパルス記録方式を採用し、記録パワー（Ｐｗ１）よりも強度の低い消去パワー（Ｐｅ１）を用いて記録マークの消去を行っていることから、Ｌ１記録膜３２に対しオフパルス記録を行った場合に生じるレーザ発生装置（半導体レーザ等）への負荷を低減することが可能となる。
【０１０９】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【０１１０】
例えば、上記実施態様においては、光記録媒体１０が２つの記録層（Ｌ０層２０、Ｌ１層３０）を備えている場合を例に説明したが、本発明の対象が記録層を２層のみ有する光記録媒体に限定されるものではなく、３層以上の記録層を有する光記録媒体に適用することも可能である。この場合、少なくとも光入射面１３ａに最も近い記録層に対するデータの記録に際してはオフパルス記録方式を用い、少なくとも光入射面１３ａから最も遠い記録層に対するデータの記録に際してはオンパルス記録方式を用いればよい。
【０１１１】
また、上記実施態様においては、Ｌ１層３０に対して情報の記録を行う場合、オンパルス記録方式を採用し、レーザビームの強度を記録パワー（Ｐｗ１）、消去パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）からなる３つの強度（３値）に変調しているが、レーザビームの強度を４値以上の強度に変調することによって情報の記録を行っても構わない。
【０１１２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、複数の情報記録層を有する光記録媒体に対してダイレクトオーバーライトを行った場合に、十分な消去率を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。
【図３】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。
【図４】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。
【図５】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。
【図６】光記録媒体１０のＬ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号及び３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は４Ｔ信号及び５Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり（ｃ）は６Ｔ信号及び７Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり（ｄ）は８Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。
【図７】光記録媒体１０のＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。
【図８】光記録媒体１０に対してデータの記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図である。
【図９】ＤＶＤ型光記録媒体のＬ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は１０Ｔ信号及び１１Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は１２Ｔ信号乃至１４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。
【図１０】ＤＶＤ型光記録媒体のＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は５Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｄ）は６Ｔ信号〜１４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。
【符号の説明】
１０  光記録媒体
１１  基体
１２  中間層
１１ａ，１２ａ  グルーブ
１１ｂ，１２ｂ  ランド
１３  光透過層
１３ａ  光入射面
２０  Ｌ０層
２１  第１の誘電体膜
２２  Ｌ０記録膜
２３  第２の誘電体膜
３０  Ｌ１層
３１  第３の誘電体膜
３２  Ｌ１記録膜
３３  第４の誘電体膜
３４  反射膜
４０，４１  スタンパ
５０  情報記録装置
５２  スピンドルモータ
５３  ヘッド
５４  コントローラ
５５  レーザ駆動回路
５６  レンズ駆動回路
５７  フォーカスサーボ追従回路
５８  トラッキングサーボ追従回路
５９  レーザコントロール回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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