(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、陽極リード線と該陽極リード線が植設面から突出するように植設される弁作用金属の焼結成形体とを含むコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接するチップ型コンデンサにおいて、
前記陽極端子の前記接続舌片の根元から前記焼結成形体側にかけて、レーザ光の反射を防止する反射防止材が設けられていることを特徴とするチップ型コンデンサ。
【請求項２】
前記焼結成形体における前記植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成し、該樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成してなることを特徴とする請求項１記載のチップ型コンデンサ。
【請求項３】
前記焼結成形体における前記植設面に、白色顔料を含む撥水性部材層を形成してなることを特徴とする請求項１記載のチップ型コンデンサ。
【請求項４】
前記樹脂系絶縁膜層における前記白色顔料の含有量が１重量％〜８５重量％であることを特徴とする請求項２記載のチップ型コンデンサ。
【請求項５】
前記撥水性部材層がシリコーン樹脂を添加したフッ素樹脂からなることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項記載のチップ型コンデンサ。
【請求項６】
前記シリコーン樹脂の添加量が１重量％〜４０重量％であることを特徴とする請求項５記載のチップ型コンデンサ。
【請求項７】
一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、陽極リード線と該陽極リード線が植設面から突出するように植設される弁作用金属の焼結成形体とを含むコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接するチップ型コンデンサの製造方法において、
前記コンデンサ素子は、
前記焼結成形体における前記植設面に白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と、
該樹脂系絶縁膜層形成工程の後、前記樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程と、
該撥水性部材層形成工程の後、前記焼結成形体に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
該半導体層形成工程の後、前記半導体層上に陰極導電体層を形成する陰極導電体層形成工程と、
を経て形成されることを特徴とするチップ型コンデンサの製造方法。
【請求項８】
一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、陽極リード線と該陽極リード線が植設面から突出するように植設される弁作用金属の焼結成形体とを含むコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とを接続舌片の延出方向先端側から照射されるレーザ光によって溶接する溶接工程を含むチップ型コンデンサの製造方法において、
前記溶接工程の前に、前記陽極端子の前記接続舌片の根元から前記焼結成形体側にかけて、レーザ光の反射を防止する反射防止材を設ける反射防止材付設工程を経ることを特徴とするチップ型コンデンサの製造方法。
【請求項９】
前記コンデンサ素子は、
前記焼結成形体における前記植設面に白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と、
該樹脂系絶縁膜層形成工程の後、前記樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程と、
該撥水性部材層形成工程の後、前記焼結成形体に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
該半導体層形成工程の後、前記半導体層上に陰極導電体層を形成する陰極導電体層形成工程と、
を経て形成されることを特徴とする請求項８記載のチップ型コンデンサの製造方法。
【請求項１０】
前記コンデンサ素子は、
前記焼結成形体における前記植設面に白色顔料を含む撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程と、
該撥水性部材層形成工程の後、前記焼結成形体に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
該半導体層形成工程の後、前記半導体層上に陰極導電体層を形成する陰極導電体層形成工程と、
を経て形成されることを特徴とする請求項８記載のチップ型コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ型コンデンサおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチップ型コンデンサの製造方法に関するものとして特許第３０８４８９５号公報に開示されたものがある。このチップ型コンデンサの製造方法は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の接続舌片に、陽極リード線と該陽極リード線が植設面から突出するように植設される弁作用金属の焼結成形体とを含むコンデンサ素子の陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来のチップ型コンデンサの製造方法では、レーザ光によって溶接する際に、レーザ光が溶接部位から反射したり、レーザ光がスポット状に照射されることに起因して溶接部位以外から反射したりして、無関係の部分にまで照射されることがあり、特に、コンデンサ素子の陽極リード線を除く素子本体にレーザ光の反射光が照射されると、この素子本体の品質、ひいてはチップ型コンデンサの品質を低下させてしまうという問題が生じた。
【０００４】
ところで、コンデンサ素子は、陽極リード線を植設しつつ弁作用金属の粉末成形体を焼結して陽極体を形成し、この陽極体の焼結成形体に酸化金属皮膜からなる誘電体層を形成した後、半導体層を形成し、さらに、半導体層上に陰極導電体層を形成することで製造されることになるが、半導体層の形成時に半導体母液の陽極リード線への這い上がりが生じて半導体層が陽極リード線に接触した状態になると、漏れ電流が大きくなったり、コンデンサ特性が失われるという事態が生じることになる。これを防止するために、例えば、特開昭６４−２２０１８号公報には、焼結成形体の陽極リード線が植設された植設面に、撥水性樹脂を塗布する技術が記載されている。この公報では、コンデンサ素子の陽極リード線を陽極端子に電気抵抗溶接で溶接させる際の機械的ストレスによる不具合を防止するため、撥水性樹脂層上にさらに補強用樹脂層を形成している。
【０００５】
仮に、これらのような撥水性樹脂層および補強用樹脂層を形成したコンデンサ素子を、本来の溶接方法とは異なるレーザ溶接に適用したとすれば、レーザ光の反射光の素子本体への照射に対し撥水性樹脂層および補強用樹脂層が素子本体よりも前方に介在することになる。しかしながら、これら撥水性樹脂層および補強用樹脂層がいくら介在しても、これらは撥水性の発現および補強を目的とするものであるため、レーザ光の反射光の素子本体への影響を避けることはできない。よって、素子本体の品質を低下させてしまうという問題を生じてしまうのである。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、品質を向上させることができるチップ型コンデンサおよびその製造方法の提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の請求項１記載のチップ型コンデンサは、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、陽極リード線と該陽極リード線が植設面から突出するように植設される弁作用金属の焼結成形体とを含むコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接するものであって、前記陽極端子の前記接続舌片の根元から前記焼結成形体側にかけて、レーザ光の反射を防止する反射防止材が設けられていることを特徴としている。
【００１２】
このように、陽極端子の接続舌片の根元から焼結成形体側にかけて、レーザ光の反射を防止する反射防止材が設けられているため、陽極端子の接続舌片にコンデンサ素子の陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とを接続舌片の延出方向先端側から照射されるレーザ光によって溶接する際に、溶接部位に照射されずに陽極端子の接続舌片の根元から素子本体側にかけて照射されるレーザ光の反射を反射防止材が防止する。よって、この部位からの反射光の発生を防止でき、この反射光が焼結成形体を含む素子本体に照射されるのを防止できる。したがって、素子本体の品質低下を防止でき、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
【００１３】
本発明の請求項２記載のチップ型コンデンサは、請求項１記載のものに関し、前記焼結成形体における前記植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成し、該樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成してなることを特徴としている。
【００１４】
このように、焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成し、この樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成しているため、陽極端子の接続舌片にコンデンサ素子の陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層が反射させ、焼結成形体に照射されるのを防止する。したがって、焼結成形体を含む素子本体の品質低下を確実に防止でき、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
しかも、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成することにより、撥水性部材層が外表面となるため、同一箇所である焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する工程と撥水性部材層を形成する工程とを連続して行った後、半導体層を形成しても、この半導体層の形成時に半導体母液の陽極リード線への這い上がりが撥水性部材層で確実に防止され、その結果、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止できる。このように、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止し内側の樹脂系絶縁膜層による補強でコンデンサ素子の損傷を防止した上で、同一箇所である焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する工程と撥水性部材層を形成する工程とを連続して行うことができるため、作業効率の向上、生産設備の自動化が容易となる相乗効果が得られる。
【００１５】
本発明の請求項３記載のチップ型コンデンサは、請求項１記載のものに関し、前記焼結成形体における前記植設面に、白色顔料を含む撥水性部材層を形成してなることを特徴としている。
【００１６】
このように、焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む撥水性部材層を形成しているため、陽極端子の接続舌片にコンデンサ素子の陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む撥水性部材層が反射させ、焼結成形体に照射されるのを防止する。したがって、焼結成形体を含む素子本体の品質低下を確実に防止でき、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
【００１７】
本発明の請求項４記載のチップ型コンデンサは、請求項２記載のものに関し、前記樹脂系絶縁膜層における前記白色顔料の含有量が１重量％〜８５重量％であることを特徴としている。
【００１８】
このように、樹脂系絶縁膜層における白色顔料の含有量が１重量％〜８５重量％であるため、陽極端子の接続舌片にコンデンサ素子の陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む層が確実に反射させ、焼結成形体に照射されるのを確実に防止する。したがって、焼結成形体を含む素子本体の品質低下を確実に防止でき、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
【００２１】
本発明の請求項５記載のチップ型コンデンサは、請求項２乃至４のいずれか一項記載のものに関し、前記撥水性部材層がシリコーン樹脂を添加したフッ素樹脂からなることを特徴としている。
【００２２】
このように、撥水性部材層がシリコーン樹脂を添加したフッ素樹脂からなるため、その濡れ性を低くできる。よって、撥水性部材層を塗布形成する際に、塗布した場所にとどまりその存在を明確にできる。すなわち、フッ素樹脂のみであると濡れ性が良すぎて塗った場所にとどまりにくく、またどの場所に塗ったかを判別しにくいが、これらの問題がなくなる。
【００２３】
本発明の請求項６記載のチップ型コンデンサは、請求項５記載のものに関し、前記シリコーン樹脂の添加量が１重量％〜４０重量％であることを特徴としている。
【００２４】
このように、シリコーン樹脂の添加量が１重量％〜４０重量％であるため、濡れ性を確実に低くできる。よって、撥水性部材層を塗布形成する際に、塗布した場所に良好にとどまりその存在を良好に明確化できる。
【００２５】
本発明の請求項７記載のチップ型コンデンサの製造方法は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、陽極リード線と該陽極リード線が植設面から突出するように植設される弁作用金属の焼結成形体とを含むコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する方法であって、前記コンデンサ素子は、前記焼結成形体における前記植設面に白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と、該樹脂系絶縁膜層形成工程の後、前記樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程と、該撥水性部材層形成工程の後、前記焼結成形体に半導体層を形成する半導体層形成工程と、該半導体層形成工程の後、前記半導体層上に陰極導電体層を形成する陰極導電体層形成工程とを経て形成されることを特徴としている。
【００２６】
このように、コンデンサ素子を形成する際に、焼結成形体における植設面に白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と、この樹脂系絶縁膜層形成工程の後、樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程とを経るため、形成されたコンデンサ素子について、陽極端子の接続舌片に陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層が反射させ、焼結成形体に照射されるのを防止する。したがって、焼結成形体を含む素子本体の品質低下を防止でき、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
しかも、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成することにより、撥水性部材層が外表面となるため、同一箇所である焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程とを連続して行った後、半導体層を形成する半導体層形成工程を行っても、この半導体層の形成時に半導体母液の陽極リード線への這い上がりが撥水性部材層で確実に防止され、その結果、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止できる。このように、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止し内側の樹脂系絶縁膜層による補強でコンデンサ素子の損傷を防止した上で、同一箇所である焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程とを連続して行うことができるため、作業効率の向上、生産設備の自動化が容易となる相乗効果が得られる。
【００２８】
このように、コンデンサ素子を形成する際に、焼結成形体における植設面に白色顔料を含む撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程を経るため、形成されたコンデンサ素子について、陽極端子の接続舌片に陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む撥水性部材層が反射させ、焼結成形体に照射されるのを防止する。したがって、焼結成形体を含む素子本体の品質低下を防止でき、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
【００２９】
本発明の請求項８記載のチップ型コンデンサの製造方法は、一部が屈曲されて接続舌片とされた陽極端子の前記接続舌片に、陽極リード線と該陽極リード線が植設面から突出するように植設される弁作用金属の焼結成形体とを含むコンデンサ素子の前記陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とを接続舌片の延出方向先端側から照射されるレーザ光によって溶接する溶接工程を含む方法であって、前記溶接工程の前に、前記陽極端子の前記接続舌片の根元から前記焼結成形体側にかけて、レーザ光の反射を防止する反射防止材を設ける反射防止材付設工程を経ることを特徴としている。
【００３０】
このように、陽極端子の接続舌片の根元から焼結成形体側にかけて、レーザ光の反射を防止する反射防止材を設ける反射防止材付設工程を経てから、接続舌片と陽極リード線とを接続舌片の延出方向先端側から照射されるレーザ光によって溶接するため、陽極端子の接続舌片の根元から焼結成形体側にかけて設けられた反射防止材が、溶接部位に照射されずに陽極端子の接続舌片の根元から焼結成形体側にかけて照射されるレーザ光の反射を防止する。よって、この部位からの反射光が焼結成形体を含む素子本体に照射されるのを防止できる。したがって、素子本体の品質低下を防止でき、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
【００３１】
本発明の請求項９記載のチップ型コンデンサの製造方法は、請求項８記載の方法に関し、前記コンデンサ素子は、前記焼結成形体における前記植設面に白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と、該樹脂系絶縁膜層形成工程の後、前記樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程と、該撥水性部材層形成工程の後、前記焼結成形体に半導体層を形成する半導体層形成工程と、該半導体層形成工程の後、前記半導体層上に陰極導電体層を形成する陰極導電体層形成工程とを経て形成されることを特徴としている。
【００３２】
このように、コンデンサ素子を形成する際に、焼結成形体における植設面に白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と、この樹脂系絶縁膜層形成工程の後、樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程とを経るため、形成されたコンデンサ素子について、陽極端子の接続舌片に陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層が反射させ、焼結成形体に照射されるのを防止する。したがって、陽極体の品質低下を確実に防止でき、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
しかも、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成することにより、撥水性部材層が外表面となるため、同一箇所である焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程とを連続して行った後、半導体層を形成する半導体層形成工程を行っても、この半導体層の形成時に半導体母液の陽極リード線への這い上がりが撥水性部材層で確実に防止され、その結果、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止できる。このように、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止し内側の樹脂系絶縁膜層による補強でコンデンサ素子の損傷を防止した上で、同一箇所である焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程とを連続して行うことができるため、作業効率の向上、生産設備の自動化が容易となる相乗効果が得られる。
【００３３】
本発明の請求項１０記載のチップ型コンデンサの製造方法は、請求項８記載の方法に関し、前記コンデンサ素子は、前記焼結成形体における前記植設面に白色顔料を含む撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程と、該撥水性部材層形成工程の後、前記焼結成形体に半導体層を形成する半導体層形成工程と、該半導体層形成工程の後、前記半導体層上に陰極導電体層を形成する陰極導電体層形成工程とを経て形成されることを特徴としている。
【００３４】
このように、コンデンサ素子を形成する際に、焼結成形体における植設面に白色顔料を含む撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程を経るため、形成されたコンデンサ素子について、陽極端子の接続舌片に陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む撥水性部材層が反射させ、焼結成形体に照射されるのを防止する。したがって、陽極体の品質低下を確実に防止でき、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態を図面を参照して以下に説明する。
本実施形態のチップ型コンデンサ（チップ型固体電解コンデンサ）１１は、図１〜図３に示すように、陽極端子１２および陰極端子１３の両方にコンデンサ素子１４を接続させ、これら陽極端子１２、陰極端子１３およびコンデンサ素子１４を樹脂外装１５で覆ってなるものである。
【００４４】
コンデンサ素子１４は、タンタルワイヤからなる丸棒状の陽極リード線１７と、該陽極リード線１７を中央から一方側に突出させるように埋設させた直方体形状の素子本体１８とを有するものである。
【００４５】
コンデンサ素子１４は、素子本体１８を主として構成するタンタル粉末等の弁作用金属の粉末成形体を、陽極リード線１７を植設しつつプレス機で成形し、高真空かつ高温度で焼結することにより形成される陽極体２０を有している。すなわち陽極体２０は陽極リード線１７と弁作用金属の焼結成形体２１とで構成されている。
【００４６】
この焼結形成体２１には、その陽極リード線１７が突設された植設面２１ａの全面に白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４が下地層として、例えば５μｍ〜２００μｍの厚さに形成され、この樹脂系絶縁膜層２４上の全面に撥水性部材層２５が形成されている。また、植設面２１ａを除く、焼結形成体２１の全面に、五酸化タンタル等の酸化皮膜が誘電体被膜２６として形成され、さらに、この誘電体被膜２６の外側の全面に、導電性高分子層からなる半導体層２７が形成され、この半導体層２７の外側の全面に、陰極導電体層２８が形成されている。
【００４７】
ここで、樹脂系絶縁膜層２４中のベースとなる樹脂成分としては、ポリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ビスマリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂から選択した少なくとも一種が用いられ、例えば紫外線硬化型の樹脂が用いられる。
【００４８】
また、樹脂系絶縁膜層２４に含有される白色顔料としては、酸化チタン、酸化亜鉛、塩基性炭酸鉛、硫酸バリウム、硫化亜鉛、塩基性硫酸鉛、酸化アンチモン、シリカ、アルミナから選択した少なくとも一種が用いられ、この白色顔料が上記樹脂成分に混練調整される。なお、樹脂系絶縁膜層中における白色顔料の含有割合は、１重量％〜８５重量％とされている。
【００４９】
撥水性部材層２５は、シリコーン樹脂およびフッ素樹脂の少なくともいずれか一方が用いられている。望ましいのはシリコーン樹脂を添加したフッ素樹脂からなっており、撥水性部材層２５におけるシリコーン樹脂の添加量は１重量％〜４０重量％とされている。撥水性部材層２５の樹脂材料もコンデンサ素子内への染み込み防止として紫外線硬化型が望ましい。
【００５０】
樹脂外装１５は、エポキシ樹脂等からなるもので、略直方体形状をなしており、図１における下面である実装面１５ａにおいて図示せぬ印刷回路基板に載置され実装される。
【００５１】
陽極端子１２は、ニッケルと鉄の合金（ニッケル４２％）にハンダメッキを施してなる均一厚さの平板がプレス加工されてなるもので、樹脂外装１５の実装面１５ａ側かつコンデンサ長さ方向（図１における左右方向）における一方の外端面１５ｂ側に設けられており、実装面１５ａに露出する底板部３０と、コンデンサ幅方向（図１における紙面直交方向）における該底板部３０の中間の一部を切り起こすように屈曲させることにより形成されてコンデンサ素子１４の陽極リード線１７に接続される接続舌片３１と、該接続舌片３１が切り起こされることにより底板部３０のコンデンサ幅方向における接続舌片３１の両外側位置から、接続舌片３１よりも底板部３０に対し反対方向に延出される一対の側片部３２とを有している。
【００５２】
ここで、陽極端子１２の接続舌片３１の根元から素子本体１８すなわち焼結成形体２１側にかけて、具体的には素子本体１８の植設面２１ａよりもさらに奥側位置まで、レーザ光の反射を防止する黒色の反射防止材３４が設けられている。この反射防止材３４は、プレス加工の前に所定の位置に所定の範囲で塗布または貼付で形成され、プレス加工後に上記位置に配置される。ここで、この絶縁性の反射防止材３４の材料としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂から少なくとも一種が用いられている。
【００５３】
この陽極端子１２において、接続舌片３１の底板部３０および側片部３２に対し反対側となる上部には、溶接前において、図２に示すように、コンデンサ幅方向（図２における左右方向）における両端に、上方に突出するように、一対の溶接凸部３５が形成されており、その結果、これら溶接凸部３５の間に溶接凹部３６が形成されている。
【００５４】
そして、コンデンサ素子１４の陽極リード線１７は、該溶接凹部３６内に載置された状態で接続舌片３１にレーザ溶接で接合される。なお、接続舌片３１の形状は上記のような凹形状ではなく、溶接凸部３５を一つのみ有するＬ字形状としてもよい。
【００５５】
陰極端子１３は、ニッケルと鉄の合金にハンダメッキが施された均一厚さの平板がプレス加工されてなるもので、樹脂外装１５の実装面１５ａ側かつコンデンサ長さ方向（図１における左右方向）における他方の外端面１５ｃ側に設けられており、実装面１５ａに露出する底板部３８と、該底板部３８よりも上側にこれと平行をなして延在する載置板部３９とを有しており、該載置板部３９においてコンデンサ素子１４の素子本体１８の外周面を載置させる。なお、底板部３８および載置板部３９上には銀ペースト等の図示せぬ導電性接着剤が塗布されており、該導電性接着剤を介してコンデンサ素子１４の素子本体１８は陰極端子１３に接着される。
【００５６】
次に、上記したチップ型コンデンサ１１を製造する本実施形態の製造方法について説明する。
【００５７】
プレス成形によって、ハンダメッキが施された平板状のリードフレーム４１に、図４に示すように、互いに対向するように一対の陽極リード端子４２および陰極リード端子４３を形成する。その際に、打ち抜きおよび屈曲で陽極リード端子４２の陰極リード端子４３側に、溶接凸部３５および溶接凹部３６を有する接続舌片３１を切り起こすとともに底板部３０および側片部３２を形成する一方、陰極リード端子４３の陽極リード端子４２側に、陰極端子１３の底板部３８および載置板部３９を形成する。ここで、プレス成形前に、所定の位置に所定の範囲で反射防止材３４が設けられており、プレス成形後に、陽極リード端子４２の底板部３０の接続舌片３１の根元から素子本体１８側すなわち陰極リード端子４３側に反射防止材３４が配置される。すなわち、後述する溶接工程の前に、陽極リード端子４２の接続舌片３１の根元から素子本体１８側にかけて、レーザ光の反射を防止する反射防止材３４を設ける反射防止材付設工程を有している。なお、陽極端子１２の底板部３０および陰極端子１３の底板部３８は、陽極リード端子４２および陰極リード端子４３が後に切断されることで最終形状となる（切断線を図４、図１２および図１３において二点鎖線で示す）。
【００５８】
リードフレーム４１の互いに対向する一対の陽極リード端子４２および陰極リード端子４３は、一つのチップ型コンデンサ１１の陽極端子１２および陰極端子１３を形成するためのものであり、リードフレーム４１には、図示は略すが、このような一対の陽極リード端子４２および陰極リード端子４３が複数対コンデンサ幅方向（図４におけるＹ方向）に並列配置されている。
【００５９】
上記とは別に、コンデンサ素子１４を製造する。
コンデンサ素子１４は、素子本体１８を主として構成するタンタル粉末等の弁作用金属の粉末成形体を、陽極リード線１７を植設しつつプレス機で成形し、高真空かつ高温度で焼結して陽極体２０を形成する陽極体形成工程（図５参照）と、この陽極体形成工程の後に、陽極体２０の焼結成形体２１における陽極リード線１７の植設面２１ａに白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程（図６参照）と、この樹脂系絶縁膜層形成工程の後、樹脂系絶縁膜層２４の上に撥水性部材層２５を形成する撥水性部材層形成工程（図７参照）と、この撥水性部材層形成工程の後、陽極体２０の表面に五酸化タンタル等の酸化皮膜を誘電体被膜２６として形成する誘電体皮膜形成工程（図８参照）とを経る。
【００６０】
さらに、コンデンサ素子１４は、この誘電体皮膜形成工程の後、すなわち撥水性部材層形成工程の後、陽極体２０にポリピロール、ポリアリニン等の導電性高分子からなる半導体層２７を形成する半導体層形成工程（図９参照）と、この半導体層形成工程の後、半導体層２７の上に銀ペースト等の陰極導電体層２８を形成する陰極導電体層形成工程（図１０参照）とを経て製造されている。
【００６１】
ここで、陽極体形成工程の後、図１１に示すように、多数の陽極体２０をそれぞれの陽極リード線１７においてアルミニウム等のホルダ４５に、焼結成形体２１が下側になるように溶接し、このようにホルダ４５に連結された多数の陽極体２０を、誘電体皮膜形成工程において、誘電体皮膜２６を形成するための誘電体母液に浸してそれぞれの表面に五酸化タンタル等の酸化皮膜を誘電体被膜２６として同時に形成し、さらに、半導体層形成工程において、半導体層２７を形成するための半導体母液に浸してそれぞれの表面に半導体層２７を同時に形成し、さらに、陰極導電体層形成工程において、陰極導電体層２８を形成するための導電体母液に浸してそれぞれの表面に陰極導電体層２８を形成することになる。
【００６２】
そして、上記のようにホルダ４５に溶接する際に、各陽極体２０をその陽極リード線１７において溶接機械で把持することになるが、このとき、溶接機械側から植設面２１ａに樹脂系絶縁膜層２４を塗布して紫外線で硬化させ（すなわち樹脂系絶縁膜層形成工程を行う）、その後に、さらに撥水性部材層２５を樹脂系絶縁膜層２４の上に塗布し紫外線で硬化させる（すなわち撥水性部材層形成工程を行う）ことになる。このようにホルダ４５への溶接時に樹脂系絶縁膜層２４および撥水性部材層２５を形成するようになっているため、上記のように、撥水性部材層形成工程の後に、誘電体皮膜形成工程が行われることになる。ただし、このような方法で樹脂系絶縁膜層２４および撥水性部材層２５を形成するのでなければ、誘電体皮膜形成工程は、陽極体形成工程の後かつ半導体層形成工程の前であれば、いずれのタイミングで行っても良く、例えば、樹脂系絶縁膜層形成工程の直前に行うようにしても良く、また、樹脂系絶縁膜層形成工程後かつ撥水性部材層形成工程前に行うようにしても良い。ここで、樹脂系絶縁膜層工程においては、ディップ法、ディスペンサによる塗布方法等を採用することもできる。
【００６３】
なお、半導体層形成工程においては、焼結成形体２１の植設面２１ａの外側全面に撥水性部材層２５がすでに形成されているため、陽極体２０の焼結成形体２１を半導体母液に浸した際に、半導体母液の陽極リード線１７への這い上がりを生じることがなく、陽極リード線１７と半導体層２７との接触によるＬＣ特性の劣化やショートを防ぐことができる。なお、半導体層２７を二酸化マンガンで形成することもできるが、二酸化マンガンの場合は高温での熱処理を行うことになるので、耐熱性を有する白色顔料を含む撥水性部材層を用いて行うとよい。半導体層を導電性高分子で形成する場合は高温での熱処理が必要ないので白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を用いて行う。
【００６４】
そして、以上のように陽極体形成工程、樹脂系絶縁膜層形成工程、撥水性部材層形成工程、誘電体皮膜形成工程、半導体層形成工程および陰極導電体層形成工程を経て製造されたコンデンサ素子１４をホルダ４５から切り離し、リードフレーム４１に載置したあと、レーザ溶接する。
【００６５】
図１２に示すように、リードフレーム４１の陽極リード端子４２および陰極リード端子４３の対にコンデンサ素子１４を接続させる。すなわち、陰極リード端子４３の底板部３８および載置板部３９の上面に銀ペースト等の導電性接着剤を塗布し、該導電性接着剤を介してコンデンサ素子１４の素子本体１８を陰極リード端子４３にレーザ溶接後に乾燥して接着させる。
【００６６】
そして、陽極リード端子４２の接続舌片３１の溶接凹部３６内にコンデンサ素子１４の陽極リード線１７を載置させ、これら接続舌片３１と陽極リード線１７とをレーザ光によって溶接する溶接工程を行う。このとき、図１３に示すように、接続舌片３１の延出方向前方すなわち上方にレーザ光Ｂを照射するＹＡＧレーザ等のレーザ溶接機のレーザ出射部（照射手段）４７が設けられており、このレーザ出射部４７が、接続舌片３１および陽極リード線１７の少なくともいずれか一方に、接続舌片３１の延出方向前方すなわち上方からレーザ光Ｂをスポット状に照射する。
【００６７】
この溶接工程においては、焼結成形体２１における陽極リード線１７の植設面２１ａに、すでに、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４が形成され、該樹脂系絶縁膜層２４上に撥水性部材層２５が形成されているため、溶接部位から反射してコンデンサ素子１４の方向に向かうレーザ光Ｂの反射光は、撥水性部材層２５を透過するものの、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４で反射させられ、焼結成形体２１に照射されるのが防止される。
【００６８】
しかも、陽極リード端子４２（陽極端子１２）の接続舌片３１の根元から素子本体１８側にかけて、レーザ光Ｂの反射を防止する反射防止材３４が設けられているため、溶接部位に照射されずに陽極リード端子４２の接続舌片３１の根元から素子本体１８側にかけて照射されるレーザ光Ｂの反射を反射防止材３４が防止する。よって、この部位からの反射光の発生を防止でき、この反射光が素子本体１８に照射されるのを防止する。
【００６９】
その後、図示は略すが、陽極リード端子４２および陰極リード端子４３の相互対向側、すなわち陽極リード端子４２の接続舌片３１、側片部３２および底板部３０を含む部分と、陰極リード端子４３の底板部３８および載置板部３９を含む部分と、これら陰極リード端子４３および陽極リード端子４２に接続されたコンデンサ素子１４とを樹脂外装１５で一体化し、その後、切断を行うことで、上記した構造のチップ型コンデンサ１１を得ることになる。
【００７０】
以上に述べた本実施形態によれば、コンデンサ素子１４を形成する際に、素子本体１８すなわち焼結成形体２１における陽極リード線１７の植設面２１ａに白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と、この樹脂系絶縁膜層形成工程の後、樹脂系絶縁膜層２４の上に撥水性部材層２５を形成する撥水性部材層形成工程とを経るため、形成されたコンデンサ素子１４は、焼結成形体２１における植設面２１ａの全面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４が形成され、この樹脂系絶縁膜層２４の上に撥水性部材層２５が形成されることになる。よって、陽極端子１２の接続舌片３１にコンデンサ素子１４の陽極リード線１７を載置させ、これら接続舌片３１と陽極リード線１７とをレーザ光Ｂによって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光Ｂの反射光を、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４が反射させ、素子本体１８に照射されるのを防止する。
しかも、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４上に撥水性部材層２５を形成することにより、撥水性部材層２５が外表面となるため、同一箇所である植設面２１ａに、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と撥水性部材層２５を形成する撥水性部材層形成工程とを連続して行った後、半導体層２７を形成しても、この半導体層２７の形成時に半導体母液の陽極リード線１７への這い上がりが撥水性部材層２５で確実に防止され、その結果、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止できる。このように、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止し内側の樹脂系絶縁膜層２４による補強でコンデンサ素子１４の損傷を防止した上で、同一箇所である植設面２１ａに、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と撥水性部材層２５を形成する撥水性部材層形成工程とを連続して行うことができるため、作業効率の向上、生産設備の自動化が容易となる相乗効果が得られる。
すなわち、撥水性部材層の上に樹脂層を形成したのでは、工程順序が、陽極体形成工程、撥水部材層形成工程、誘電体皮膜形成工程、半導体層形成工程、陰極導電体層形成工程、樹脂層形成工程の順となってしまい、同一箇所である植設面２１ａに複数の層を形成する工程が分かれてしまうことになるのであるのに対し、上記実施形態では、陽極体形成工程、樹脂系絶縁膜層形成工程、撥水性部材層形成工程、誘電体皮膜形成工程、半導体層形成工程、陰極導電体層形成工程の順となり、同一箇所である植設面２１ａに、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４を形成する工程と撥水性部材層２５を形成する工程とを連続して行うことができるため、作業効率の向上、生産設備の自動化が容易となる相乗効果が得られる。
【００７１】
しかも、陽極端子１２の接続舌片３１の根元から素子本体１８側にかけて、レーザ光Ｂの反射を防止する反射防止材３４を設ける反射防止材付設工程を経てから、接続舌片３１と陽極リード線１７とを接続舌片３１の延出方向先端側から照射されるレーザ光Ｂによって溶接する。このため、溶接工程を行う際には、陽極端子１２の接続舌片３１の根元から素子本体１８側にかけて、レーザ光Ｂの反射を防止する反射防止材３４が設けられていることになり、この反射防止材３４が、溶接部位に照射されずに陽極端子１２の接続舌片３１の根元から素子本体１８側にかけて照射されるレーザ光Ｂの反射を防止する。よって、この部位からの反射光が素子本体１８に照射されるのをも防止できる。
【００７２】
したがって、素子本体１８の品質低下を確実に防止でき、より高品質のチップ型コンデンサ１１を得ることができる。
【００７３】
ここで、樹脂系絶縁膜層２４の樹脂材料としてポリブタジエン樹脂を用いれば、黄変度が少なく、溶接レーザ光による反射光に対して損傷しにくい上、耐熱性、電気的特性等に優れるとともに、陽極リード線１７の根元部分の補強ができ、焼結成形体２１へのストレスの発生を防止でき、半田耐熱および熱衝撃テストにおいても良好な結果を得るため、特に好適である。また、樹脂系絶縁膜層２４として紫外線硬化型の樹脂を用いることで、塗布後すぐに硬化させることができ、樹脂の焼結成形体２１へのしみ込みを防止できる。
【００７４】
また、白色顔料として酸化チタンを用いた場合、溶接工程において用いられるＹＡＧレーザ出力である１．０６μｍ波長の光に対する反射率が高いので、より効果的に素子本体１８の損傷を防止でき、また、耐熱性、電気的特性にも優れているため非常に好適である。
【００７５】
また、本実施形態によれば、樹脂系絶縁膜層２４における白色顔料の含有量が１重量％〜８５重量％であるため、陽極端子１２の接続舌片３１にコンデンサ素子１４の陽極リード線１７を載置させ、これら接続舌片３１と陽極リード線１７とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光Ｂの反射光を、白色顔料を含む層が確実に反射させ、焼結成形体２１に照射されるのを確実に防止する。したがって、焼結成形体２１を含む素子本体１８の品質低下を確実に防止でき、より高品質のチップ型コンデンサ１１を得ることができる。
【００７６】
すなわち、白色顔料の含有量が１重量％未満であるとレーザ溶接の際の反射光を反射させる目的上ほとんど効果が期待できず、また、８５重量％を越えると樹脂系絶縁膜層２４の塗布時の接着性および流れ性が悪くなり、塗布が良好に行えないことになる。また、この樹脂系絶縁膜層２４に、塗布性、作業性を上げる目的で溶剤、チクソ剤等を添加することも可能である。
【００７７】
さらに、本実施形態によれば、撥水性部材層２５がシリコーン樹脂を添加したフッ素樹脂からなるため、濡れ性を低くできる。よって、撥水性部材層２５を塗布形成する際に、塗布した場所にとどまりその存在を明確にできる。すなわち、フッ素樹脂のみであると濡れ性が良すぎて塗った場所にとどまりにくく、またどの場所に塗ったかを判別しにくいが、これらの問題がなくなる。
【００７８】
ここで、シリコーン樹脂の添加量が１重量％〜４０重量％としているため、濡れ性を確実に低くできる。よって、撥水性部材層２５を塗布形成する際に、塗布した場所に良好にとどまりその存在を良好に明確化できる。すなわち、シリコーン樹脂の添加量が１重量％未満であると、濡れ性を低くする目的上ほとんど効果が期待できず、また、４０重量％を越えると濡れ性が低くなりすぎて塗布の作業性が悪くなる。
【００７９】
なお、以上の実施形態を以下のように変更することも可能である。
【００８０】
「変形例１」
陽極端子１２の接続舌片３１の根元から素子本体１８側にかけてレーザ光Ｂの反射を防止する反射防止材３４を設ける反射防止材付設工程を行わず、焼結成形体２１の植設面２１ａに白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と、この樹脂系絶縁膜層形成工程の後、樹脂系絶縁膜層２４の上に撥水性部材層２５を形成する撥水性部材層形成工程とを行う、すなわち陽極端子１２に反射防止材３４を設けずに、焼結成形体２１の植設面２１ａに白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４と撥水性部材層２５とを形成する。このようにしても、素子本体２１の品質低下を防止でき、高品質のチップ型コンデンサ１１を得ることができる。
【００８１】
「変形例２」
逆に、焼結成形体２１の植設面２１ａに白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程を行わず、陽極端子１２の接続舌片３１の根元から素子本体１８側にかけてレーザ光Ｂの反射を防止する反射防止材３４を設ける反射防止材付設工程を行う、すなわち焼結成形体２１の植設面２１ａに白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４を設けず、撥水性部材層２５のみを設けるとともに、陽極端子１２に反射防止材３４を設ける。このようにしても、素子本体１８の品質低下を防止でき、高品質のチップ型コンデンサ１１を得ることができる。
【００８２】
「変形例３」
図１４に示すように、溶接工程において、レーザ出射部４７とコンデンサ素子１４との間に、陽極端子１２の接続舌片３１の根元から素子本体１８すなわち焼結成形体２１側にかけてのレーザ光Ｂの照射を遮蔽する遮蔽板（遮蔽部材）５０を設けた状態で、陽極リード線１７および接続舌片３１の少なくともいずれか一方に、接続舌片３１の延出方向前方からレーザ光Ｂを照射する。
【００８３】
このようにすれば、溶接部位に照射されずに陽極端子１２の接続舌片３１の根元から素子本体１８すなわち焼結成形体２１側にかけてのレーザ光Ｂの照射を防止する。よって、この部位からの反射光が焼結成形体２１を含む素子本体１８に照射されるのを防止できる。したがって、素子本体１８の品質低下を防止でき、高品質のチップ型コンデンサ１１を得ることができる。しかも、この場合、接続舌片３１と素子本体１８との隙間に入り込むことなくレーザ出射部４７とコンデンサ素子１４との間に配置される遮蔽板５０を用いるため、簡単に遮蔽を行うことができる。なお、遮蔽板５０としては、熱伝導率が高い銅板を用いるのが好ましい。
【００８４】
「変形例４」
上記変形例３では、遮蔽板５０によって、溶接部位に照射されずに陽極端子１２の接続舌片３１の根元から素子本体１８すなわち焼結成形体２１側にかけてのレーザ光Ｂの照射を防止することになるため、上記変形例３に対し、陽極端子１２の接続舌片３１の根元から素子本体１８側にかけてレーザ光Ｂの反射を防止する反射防止材３４を設ける反射防止材付設工程を行わず、すなわち陽極端子１２に反射防止材３４を設けない。このようにしても、遮蔽板５０と白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４とで素子本体１８の品質低下を防止でき、高品質のチップ型コンデンサ１１を得ることができる。
【００８５】
「変形例５」
上記変形例３に対し、焼結成形体２１の植設面２１ａに白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程を行わない、すなわち焼結成形体２１の植設面２１ａに白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４を設けず撥水性部材層２５のみを設ける。このようにしても、遮蔽板５０および反射防止材３４で素子本体１８の品質低下を防止でき、高品質のチップ型コンデンサ１１を得ることができる。
【００８７】
「変形例６」
上記実施形態、変形例１、変形例３および変形例４のすべてについて、焼結成形体２１の植設面２１ａに白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層２４を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と、樹脂系絶縁膜層２４上に撥水性部材層２５を形成する撥水性部材層形成工程とに換えて、焼結成形体２１における植設面２１ａに上述と同様の白色顔料を所定の比率で（例えば１重量％〜８５重量％の含有量で）含む撥水性部材層５１を形成する撥水性部材層工程を行う。このように構成すると、図１５に示すように、コンデンサ素子１４は、焼結成形体２１の植設面２１ａに、白色顔料を含む撥水性部材層５１が一層のみ形成されることになる。なお、このとき、撥水性部材層５１を形成する樹脂としては、フッ素樹脂を用いることができ、このようにフッ素樹脂を用いれば、耐熱性が得られるため、半導体層２７を熱処理を伴う二酸化マンガンで形成することができる（勿論、半導体層２７を上記と同様に導電性高分子で形成することもできる）。しかも、植設面２１ａに撥水性部材層５１が一層のみ形成されるものであるため、塗布回数および硬化の回数を減らすことができる。
【００８８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の請求項１記載のチップ型コンデンサによれば、陽極端子の接続舌片の根元から焼結成形体側にかけて、レーザ光の反射を防止する反射防止材が設けられているため、陽極端子の接続舌片にコンデンサ素子の陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とを接続舌片の延出方向先端側から照射されるレーザ光によって溶接する際に、溶接部位に照射されずに陽極端子の接続舌片の根元から素子本体側にかけて照射されるレーザ光の反射を反射防止材が防止する。よって、この部位からの反射光の発生を防止でき、この反射光が焼結成形体を含む素子本体に照射されるのを防止できる。したがって、素子本体の品質低下を防止でき、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
【００９１】
本発明の請求項２記載のチップ型コンデンサによれば、焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成し、この樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成しているため、陽極端子の接続舌片にコンデンサ素子の陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層が反射させ、焼結成形体に照射されるのを防止する。したがって、焼結成形体を含む素子本体の品質低下を確実に防止でき、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
しかも、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成することにより、撥水性部材層が外表面となるため、同一箇所である焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する工程と撥水性部材層を形成する工程とを連続して行った後、半導体層を形成しても、この半導体層の形成時に半導体母液の陽極リード線への這い上がりが撥水性部材層で確実に防止され、その結果、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止できる。このように、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止し内側の樹脂系絶縁膜層による補強でコンデンサ素子の損傷を防止した上で、同一箇所である焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する工程と撥水性部材層を形成する工程とを連続して行うことができるため、作業効率の向上、生産設備の自動化が容易となる相乗効果が得られる。
【００９２】
本発明の請求項３記載のチップ型コンデンサによれば、焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む撥水性部材層を形成しているため、陽極端子の接続舌片にコンデンサ素子の陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む撥水性部材層が反射させ、焼結成形体に照射されるのを防止する。したがって、焼結成形体を含む素子本体の品質低下を確実に防止でき、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
【００９３】
本発明の請求項４記載のチップ型コンデンサによれば、樹脂系絶縁膜層における白色顔料の含有量が１重量％〜８５重量％であるため、陽極端子の接続舌片にコンデンサ素子の陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む層が確実に反射させ、焼結成形体に照射されるのを確実に防止する。したがって、焼結成形体を含む素子本体の品質低下を確実に防止でき、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
【００９５】
本発明の請求項５記載のチップ型コンデンサによれば、撥水性部材層がシリコーン樹脂を添加したフッ素樹脂からなるため、濡れ性を低くできる。よって、撥水性部材層を塗布形成する際に、塗布した場所にとどまりその存在を明確にできる。すなわち、フッ素樹脂のみであると濡れ性が良すぎて塗った場所にとどまりにくく、またどの場所に塗ったかを判別しにくいが、これらの問題がなくなる。
【００９６】
本発明の請求項６記載のチップ型コンデンサによれば、シリコーン樹脂の添加量が１重量％〜４０重量％であるため、濡れ性を確実に低くできる。よって、撥水性部材層を塗布形成する際に、塗布した場所に良好にとどまりその存在を良好に明確化できる。
【００９７】
本発明の請求項７記載のチップ型コンデンサの製造方法によれば、コンデンサ素子を形成する際に、焼結成形体における植設面に白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と、この樹脂系絶縁膜層形成工程の後、樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程とを経るため、形成されたコンデンサ素子について、陽極端子の接続舌片に陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層が反射させ、焼結成形体に照射されるのを防止する。したがって、焼結成形体を含む素子本体の品質低下を防止でき、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
しかも、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成することにより、撥水性部材層が外表面となるため、同一箇所である焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程とを連続して行った後、半導体層を形成する半導体層形成工程を行っても、この半導体層の形成時に半導体母液の陽極リード線への這い上がりが撥水性部材層で確実に防止され、その結果、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止できる。このように、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止し内側の樹脂系絶縁膜層による補強でコンデンサ素子の損傷を防止した上で、同一箇所である焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程とを連続して行うことができるため、作業効率の向上、生産設備の自動化が容易となる相乗効果が得られる。
【００９９】
本発明の請求項８記載のチップ型コンデンサの製造方法によれば、陽極端子の接続舌片の根元から焼結成形体側にかけて、レーザ光の反射を防止する反射防止材を設ける反射防止材付設工程を経てから、接続舌片と陽極リード線とを接続舌片の延出方向先端側から照射されるレーザ光によって溶接するため、陽極端子の接続舌片の根元から焼結成形体側にかけて設けられた反射防止材が、溶接部位に照射されずに陽極端子の接続舌片の根元から焼結成形体側にかけて照射されるレーザ光の反射を防止する。よって、この部位からの反射光が焼結成形体を含む素子本体に照射されるのを防止できる。したがって、素子本体の品質低下を防止でき、高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
【０１００】
本発明の請求項９記載のチップ型コンデンサの製造方法によれば、コンデンサ素子を形成する際に、焼結成形体における植設面に白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と、この樹脂系絶縁膜層形成工程の後、樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程とを経るため、形成されたコンデンサ素子について、陽極端子の接続舌片に陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層が反射させ、焼結成形体に照射されるのを防止する。したがって、陽極体の品質低下を確実に防止でき、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
しかも、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層上に撥水性部材層を形成することにより、撥水性部材層が外表面となるため、同一箇所である焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程とを連続して行った後、半導体層を形成する半導体層形成工程を行っても、この半導体層の形成時に半導体母液の陽極リード線への這い上がりが撥水性部材層で確実に防止され、その結果、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止できる。このように、漏れ電流が増大することおよびコンデンサ特性が失われることを確実に防止し内側の樹脂系絶縁膜層による補強でコンデンサ素子の損傷を防止した上で、同一箇所である焼結成形体における陽極リード線の植設面に、白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層を形成する樹脂系絶縁膜層形成工程と撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程とを連続して行うことができるため、作業効率の向上、生産設備の自動化が容易となる相乗効果が得られる。
【０１０１】
本発明の請求項１０記載のチップ型コンデンサの製造方法によれば、コンデンサ素子を形成する際に、焼結成形体における植設面に白色顔料を含む撥水性部材層を形成する撥水性部材層形成工程を経るため、形成されたコンデンサ素子について、陽極端子の接続舌片に陽極リード線を載置させ、これら接続舌片と陽極リード線とをレーザ光によって溶接する際に、溶接部位から反射するレーザ光の反射光を、白色顔料を含む撥水性部材層が反射させ、焼結成形体に照射されるのを防止する。したがって、陽極体の品質低下を確実に防止でき、より高品質のチップ型コンデンサを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサを概略的に示す側断面図である。
【図２】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサを示す外装樹脂を透過状態で示す正面図である。
【図３】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサを示す外装樹脂を透過状態で示す平面図である。
【図４】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサのリードフレームを示す斜視図である。
【図５】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサのコンデンサ素子の陽極体形成工程後の状態を概略的に示す側断面図である。
【図６】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサのコンデンサ素子の樹脂系絶縁膜層形成工程後の状態を概略的に示す側断面図である。
【図７】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサのコンデンサ素子の撥水性部材層形成工程後の状態を概略的に示す側断面図である。
【図８】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサのコンデンサ素子の誘電体皮膜形成工程後の状態を概略的に示す側断面図である。
【図９】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサのコンデンサ素子の半導体層形成工程後の状態を概略的に示す側断面図である。
【図１０】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサのコンデンサ素子の陰極導電体層形成工程後の状態を概略的に示す側断面図である。
【図１１】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサのコンデンサ素子の陽極体形成工程後、多数がホルダに連結された状態を示す斜視図である。
【図１２】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサのリードフレームにコンデンサ素子を配置した状態を示す斜視図である。
【図１３】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサの溶接工程を概略的に示す側面図である。
【図１４】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサの変形例３の溶接工程を概略的に示す側面図である。
【図１５】  本発明の一実施形態のチップ型コンデンサの変形例７を示す外装樹脂を透過状態で示す側断面図である。
【符号の説明】
１１  チップ型コンデンサ
１２  陽極端子
１４  コンデンサ素子
１７  陽極リード線
１８  素子本体
２０  陽極体
２１  焼結成形体
２１ａ  植設面
２４  樹脂系絶縁膜層（白色顔料を含む樹脂系絶縁膜層）
２５  撥水性部材層
２６  誘電体皮膜
２７  半導体層
２８  陰極導電体層
３１  接続舌片
３４  反射防止材
４７  レーザ出射部（照射手段）
５０  遮蔽板（遮蔽部材）
５１  撥水性部材層（白色顔料を含む撥水性部材層）
Ｂ  レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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