(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブストレート（１）の上の第一の酸化物層（４）、前記第一の酸化物層（４）の上の下側電極及び上側電極（３１、３３）及びこれらの間に析出された金属酸化物含有コンデンサー材料層（３２）を有するコンデンサー（３）、及び、前記コンデンサー（３）及び前記第一の酸化物層（４）の上の第三の酸化物層（５）を有し、前記第三の酸化物層（５）及び前記第一の酸化物層（４）を貫通して前記サブストレート（１）に達する第一のコンタクトホール（４５，４６）と、前記第三の酸化物層（５）を貫通して前記コンデンサー（３）に達する第二のコンタクトホール（５１．５２）とを形成する半導体素子の製造法において、
前記サブストレート（１）の上の全面に前記第一の酸化物層（４）を設け、前記第一の酸化物層（４）の前記第一のコンタクトホール（４５．４６）を設ける領域上にマスク（６）を施与してこの第一の酸化物層（４）のドーピングをパターン化し、前記第一の酸化物層（４）を、プラズマドープ法の使用下に水素拡散バリアを前記第一の酸化物層（４）に形成するバリア物質でドープし、ドープされた第一の酸化物層（７Ａ）を形成し、
前記ドープされた第一の酸化物層（７Ａ）の上に前記下側電極（３１）、前記金属酸化物含有コンデンサー材料層（３２）及び前記上側電極（３３）を析出して前記コンデンサー（３）を形成し、
更に前記コンデンサー（３）および前記ドープされた第一の酸化物層（７Ａ）の上の全面に第二の酸化物層（７Ｂ）を被覆し、前記第二の酸化物層（７Ｂ）の前記第一のコンタクトホール（４５，４６）及び前記第二のコンタクトホール（５１，５２）に対応する領域にそれぞれマスク（９.１、９.２）を施与してこの第二の酸化物層（７Ｂ）のドーピングをパターン化し、前記第二の酸化物層（７Ｂ）をプラズマドープ法の使用下に、水素拡散バリアを前記第二の酸化物層（７Ｂ）に形成するバリア物質でドープし、ドープされた第二の酸化物層（７Ｂ）を形成し、
前記ドープされた第二の酸化物層（７Ｂ）の上の全面に前記第三の酸化物層（５）を形成し、その後、前記第一及び第二のコンタクトホール（４５、４６、５１、５２）を設ける酸化物エッチング工程を実施することを特徴とする、半導体素子の製造法。
【請求項２】
前記ドープされた第一の酸化物層（７Ａ）及び前記ドープされた第二の酸化物層（７Ｂ）が、前記コンデンサー（３）を全ての方向で包囲している、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記バリア物質が窒素である、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記第一及び第二のコンタクトホール（４５、４６、５１、５２）を設ける酸化物エッチング工程の後に、得られた構造物に、再度、プラズマドープ法の使用下に、前記バリア物質で、前記第一及び第二のコンタクトホール壁面のドーピングのためにドープする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記プラズマドープ法はＰＩＩＩ法である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記プラズマドープ法はＰＬＡＤ法である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記第一の酸化物層（４）及び／又は前記第二の酸化物層（７Ｂ）を前記プラズマドープ法の使用下にドープする際に、前記バリア物質の供与量が、原子１０１９〜１０２２個／ｃｍ２の範囲内である、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第一の酸化物層（４）及び／又は前記第二の酸化物層（７Ｂ）を前記プラズマドープ法の使用下にドープする際に、前記バリア物質の打ち込みエネルギーが、１〜１２ｋｅＶの範囲内である、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、請求項１及び２の上位概念による半導体素子の製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のマイクロ電子半導体記憶装置構成素子（ＤＲＡＭ）は、主として、スイッチングトランジスタとストレージコンデンサーとからなっている。この場合、記憶された情報は、ストレージコンデンサーの帯電状態によって保持される。放電現象に基づき、（揮発性）ＤＲＡＭ−記憶セルの帯電状態は、常にリフレッシュされなければならない。
【０００３】
コンデンサー誘電体としては、ＤＲＡＭの場合、通常、最大で約８の比誘電率を有する酸化物層又は窒化物層が使用される。ストレージコンデンサーの小型化並びに不揮発性記憶装置の製造のためには、明らかにより高い比誘電率を有する「新規」の金属酸化物含有コンデンサー材料（常誘電体又は強誘電体）が必要とされる。強誘電性コンデンサー材料の公知の例は、ＳｒＢｉ２（Ｔａ、Ｎｂ）２Ｏ９（ＳＢＴ又はＳＢＴＮ）、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ），Ｂｉ４Ｔｉ３Ｏ１２（ＢＴＯ）、常誘電性の高ε−コンデンサー材料の公知の例は、（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ３（ＢＳＴ）である。
【０００４】
この新規のコンデンサー材料の使用により、技術的困難が生じた。まず、この新規の材料は、多結晶性珪素の旧来の電極材料と組み合わせることができない。従って、不活性電極材料、例えば白金（Ｐｔ）又は導電性金属酸化物（例えばＲｕＯ２）を使用しなければならない。その理由は、新規のコンデンサー材料は、析出後に、酸素含有雰囲気中で、約５５０〜８００℃の温度で、場合により数回熱処理（状態調節）されなければならないし、前記の不活性電極材料のみが、電極材料とコンデンサー材料との間の望ましくない化学反応を回避するために十分な熱安定性を有しているということである。
【０００５】
この種のストレージコンデンサーの製造の際のもう１つの困難は、金属酸化物含有コンデンサー材料が、通常、水素に対して高い感応性を有するということにある。しかしながら、ストレージコンデンサーの形成後に、水素含有環境中で行われる処理工程が実施されねばならない。この場合、Ｐｔ−電極が水素に対して透過性であり、従って、コンデンサー材料の水素損傷からの有効な保護とはならないことが欠点である。
【０００６】
原則的には、最後に挙げた問題についての種々の解決法が提供されている。材料技術的観点から、水素に対して透過性ではない電極材料又は水素に対して感応性ではない誘電体材料を見出そうと試みることもできる。処理技術的には、ストレージコンデンサーの形成後に、水素含有環境中で進行するそれぞれの処理工程を回避しようと試みることもできる。しかしながら、前記の解決の変法全体で、実地には、他の容易ならざる困難が生じている。
【０００７】
公知技術水準では、既に、ストレージコンデンサー上での水素バリア層の析出によって問題を解決しようと試みられていた。手近な公知技術水準をなす米国特許第５５２３５９５号には、強誘電性ストレージコンデンサーを用いる半導体素子の製造法が記載されている。該ストレージコンデンサーの形成後に、その上に、ＣＶＤ処理を用いて、ＴｉＯＮからなる水素バリア層を生じさせている。該バリア層によって、ストレージコンデンサーの上方のＰｔ−電極を通る水素の侵入が妨げられる。しかしながら、下方のＰｔ−電極を通る水素の侵入並びに強誘電体中への水素の側方からの侵入は相変わらず可能であるということが欠点である。従って、水素による劣化に退位するコンデンサー−強誘電体の完全な保護は存在していない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明には、強誘電性又は常誘電性のコンデンサー材料を使用するストレージコンデンサーが水素の侵入から十分に保護される半導体素子の製造法を記載するという課題が課されている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の基礎となる課題は、独立請求項の特徴部によって解決される。
【００１０】
本発明の本質的な観点は、コンデンサー材料中への水素の侵入に対する保護のために、酸化物層をバリア物質でドープさせるということにある。酸化物層中に導入されたバリア物質−原子によって、ドープされた酸化物層は、水素に対して十分に不透過性になる。
【００１１】
「ドーピング」という概念で、本願においては、導電性の変化のための他原子の導入（いわゆるｐ−ドーピング又はｎ−ドーピング）ではなく、（酸化物層中での）水素の拡散能の低減のための他原子の導入を意味するものである。
【００１２】
本発明の第一の態様（請求項１）によれば、ドープされた（第一の）酸化物層は、コンデンサーの下方に形成されている。もう１つの方法（請求項２）は、コンデンサー上に薄い（第二の）酸化物層を析出させ、これを、少なくとも部分毎にドープすることにある。
【００１３】
本発明の前記の２つの態様は、互いに組み合わせることができる。この場合、処理変法は、ドープされた第一の酸化物層とドープされた第二の酸化物層が、コンデンサーを全ての方向で包囲していることによって特徴付けられる。
【００１４】
有利に、バリア物質とは窒素のことである。この場合、ドーピングによって第一もしくは第二の酸化物層の窒化が現実化される。あるいはまた、一般的には、別の適当な物質、例えば希ガスをバリア物質として使用することもできる。
【００１５】
酸化物層のドーピング（もしくは窒化）は、バリア物質を含有するプラズマ放電を用いて行われる。プラズマ放電は、短時間（約６０秒）で、十分に高いバリア物質濃度を、第一酸化物層及び／又は第二酸化物層中に生じさせることが可能であるが、この場合、５０〜１２０℃の範囲内のサブストレートの最高温度を上回ることはない。従って、プラズマドーピングは、従来のフォトラッカーマスキング技術と互換性がある。その結果、１つの有利な処理経過は、プラズマドーピングの前に、第一の酸化物層及び／又は第二の酸化物層の上にマスクを施し、該マスクを用いて酸化物層のドーピングをパターン化し、引き続き、酸化物エッチング工程を実施することによって特徴付けられる。これによって、酸化物エッチング工程の場合に更に（即ち従来の場合と同様に水素バリアなしに）、専ら酸化物層領域のみが必ずエッチングされるということが達成される。これとは異なり、例えばＴｉＯＮ−バリア層の使用の際には、別のエッチング手段が、前記の層の領域に応じた除去のために使用されなければならないし（これを回避するために、冒頭で記載した米国特許明細書の場合では、前記の層は、上方の接続面の上側に対応配置されており、これによって、再度その有効性が再度低下してしまう）、サンドイッチ層（例えば窒化物−酸化物−多重層）の使用の場合では、変化する層組成に基づき、アンダーカットもしくはオーバーハングが、層移行部の領域で生じてしまい、これが、以下の処理工程（例えばエッチング除去されたコンタクトホールの充填）の際に、明らかな妨害作用するのである。
【００１６】
事前に施与された（ラッカー）マスクを用いるコンタクトホールの前記の酸化物エッチングの場合、有利な処理変法は、作られたパターンが、再度、バリア物質を用いるプラズマドーピングにさらされることによって特徴付けられる。この場合、コンタクトホールるのホール壁面がドープされる（例えば窒化される）。前記手段の利点は、コンタクトホールのホール壁面を通って水素が漏出し、コンデンサー材料に向かって拡散することができないことにある。これは、丁度、例えばタングステン（Ｗ）でのコンタクトホールの引き続く充填の際に、相対的に多くの量の水素が遊離されるので重要である。
【００１７】
プラズマドーピングは、好ましくは、ＰＩＩＩ−（プラズマ浸漬−イオン注入）法又はＰＬＡＤ−（いわゆるプラズマドープ）法によって行うことができる。この２つの方法は、選択された処理パラメータに応じて、等方性（「プラズマ雲」）ドープ成分及び異方性（「衝撃注入」）ドープ成分の意図的な調節を可能にする。等方性ドープ成分の増大によって、例えば不規則な表面位相（例えば溝、ホール等）も一様にドープすることができる。
【００１８】
他の有利な手段は、従属請求項に記載してある。
【００１９】
本発明を、以下に、実施例に基づき、図面に関して詳細に説明する。
【００２０】
【実施例】
図１に基づき、記憶セルのための２つの自体公知の構成を説明するが、この場合、それぞれ、本発明による方法を使用することができる。この２つの構成には、スイッチングトランジスタＳ１、Ｓ２が、下方平面において半導体サブストレート１の上に直接形成され、ストレージコンデンサーＫ１、Ｋ２は、上方平面において対応配置されており、この場合、２つの平面は、その間に存在する絶縁層４によって互いに分離されていることが共通している。
【００２１】
第一の構成（「積層セル」）によれば、スイッチングトランジスタＳ１及びストレージコンデンサーＫ１は、本質的に直接重なり合って対応配置されているが、この場合、ストレージコンデンサーＳ１の下側電極３１は、導電性材料で充填されたコンタクトホール４１（「プラグ」）を介して、ＭＯＳトランジスタＳ１、２のドレイン領域２１と、絶縁層４を貫通して電気的に接続している。
【００２２】
第二の構成（「オフセットセル」）によれば、スイッチングトランジスタＳ２及びストレージコンデンサーＫ２は、互いにずれて対応配置しているが、この場合、ストレージコンデンサーＫ２の上側電極３３は、２つのコンタクトホールによって、ＭＯＳトランジスタＳ２、２のドレイン領域２１と電気的に接続している。
【００２３】
図１中には、２つの構成が、専ら簡略図の理由から、１つの構成素子中に合わせて記載してある。
【００２４】
以下に、構成素子構造体及びその製造法を、「積層セル」に基づき、詳細に説明する。この説明は、しかし、大部分は、「オフセットセル」にも応用できる。従って、「オフセットセル」の比較可能な構成素子は、同じ符号を付与されている。
【００２５】
半導体サブストレート１の上には、まず、ｎ−ドーピング又はｐ−ドーピングによって、ドレイン領域２１とソース領域２３を形成させ、これらの間に溝が存在していることによって、既に記載したＭＯＳトランジスタ２が製造されているが、これは、溝上に対応配置されているゲート２２によってその導電性を制御することができる。該ゲート２２は、記憶装置構成素子のワード線ＷＬによって形成されているか又はこれらと接続されていてもよい。ソース領域２３は、記憶装置構成素子のビット線ＢＬと接続させられている。
【００２６】
ＭＯＳトランジスタ２は、引き続き、平面化された絶縁層、例えば第一の酸化物層４で覆われている。
【００２７】
この第一の酸化物層４の上には、ストレージコンデンサー３が形成されている。このために、第一の酸化物層４の中へ、まず、コンタクトホール４１がエッチング除去され、導電性材料、例えば多結晶性珪素で充填される。更に、充填されたコンタクトホール４１（事情より、記載されていないバリア層によって「プラグ」から分離されている）の上には、下側電極３１が設けられている。
【００２８】
下側電極３１の上には、強誘電性又は常誘電性の材料の誘電性層３２が、例えばＭＯＣＶＤ又はスパッター法によって析出させられている。この誘電性層３２は、コンデンサー誘電体を形成している。誘電性層３２の上方では、上方電極３３が全面的に析出させられている。得られた構造体は、最終的に、例えば同様にＳｉＯ２からなる別の平坦な絶縁層５で覆われている。
【００２９】
上方の絶縁層５中には、別のコンタクトホール５１が形成されており、これによって、ストレージコンデンサー３の上側電極３３を、適当な導電性材料を用いて、外側の電気的接続部Ｐ（共通のコンデンサープレート）と接続させることができる。
【００３０】
最終的に、ＭＯＳトランジスタ２のソース領域２３は、２つの絶縁層４及び５に延在するコンタクトホール４５を形成させ、導電性材料で充填することによって、ビット線ＢＬと接続させられている。
【００３１】
図１の右側部分に記載された「オフセットセル」構造体の場合、ＭＯＳトランジスタＳ２のドレイン領域２１を、導電性の横の連絡部材８と、上方の絶縁層５に延在する別のコンタクトホール５２とを用いてストレージコンデンサーＳ２、２の上側電極３３と接続させるために、コンタクトホール４５と比較可能なコンタクトホール４６が形成させられている。
【００３２】
従って、この２つの構成の場合、複数のコンタクトホール４１、５１、４５、４６、５２を導電性のコンタクトホール材料で充填することは必要である。殊に、より小さな寸法の構造体の場合、ＣＶＤ処理においては、析出させられたタングステン（Ｗ）がコンタクトホール材料として好適である。しかしながらこの場合、ＣＶＤ（化学蒸着）処理におけるＷ−析出は、水素含有雰囲気中で進行し、水素が、Ｐｔ−電極３１、３３に浸透することがあり、白金の触媒特性に基づき、コンデンサー材料３２が損傷することもあるという問題が生じる。
【００３３】
例えばＳＢＴが、強誘電性コンデンサー材料として使用される場合には、ＢｉＯｘの還元によって前記材料が損傷することになる。別の金属酸化物含有コンデンサー材料については、同様に、水素の浸透及びＰｔ（又は別の不活性電極材料）の触媒作用に帰因する同様の損傷メカニズムが存在している。
【００３４】
以下に、１つ又はそれ以上の酸化物層のプラズマによるドーピングの本発明の方法によって、どのようにしてコンデンサー材料３２中への水素の浸透を阻止することができるかを、図２Ａ〜２Ｅに基づき、「オフセットセル」の例につき説明する。より簡単な説明のために、バリア物質としての窒素によって開始し、図１中で記載した公知技術水準との関係で既に説明した処理工程を部分的に省略してある。
【００３５】
スイッチングトランジスタＳ２（図２Ａ〜２Ｅ中で、ワード線ＷＬ及びドレイン領域２１は、同じものを記載してある）の完成後に、図２Ａによれば、まず、既に図１に基づき説明した、第一の酸化物層４の析出が、通常の技術を用いて行っている。平坦な表面の形成のために、酸化物層４を、引き続き、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）によって平坦化した。
【００３６】
引き続く工程において、酸化物層４は、ラッカーマスク層で覆われるが、これは、この後で、例えばフォトリソグラフ法でパターン化される。この場合、後にコンタクトホール４６が形成されることになる同じ場所に、マスク構造体６が残されている。
【００３７】
その後に、本発明による低温窒化工程が実施される。この窒化工程は、５０℃から最高１２０℃までのサブストレート温度で行われるので、従って、使用したフォトマスク技術と互換性がある。プラズマ窒化法は、マスク構造体６以外に、表面付近の領域で、窒素原子を、第一の酸化物層４の中に組み込んでしまう。こうして得られた窒化された第１の酸化物層４の表面領域は、符号７Ａをつけて明示してある。
【００３８】
「積層セル」コンセプトの場合に、まず、コンタクトホール４１が形成され、充填され、バリア層が設けられ、次に、その上にストレージコンデンサーＫ１が実装されるのに対して、「オフセットセル」コンセプトの場合、直ちにストレージコンデンサーＫ２が形成させられる。このため、まず、下方Ｐｔ−電極３１が、第１の酸化物層４の窒化された表面領域７Ａの上に設けられる。この後、例えばＢＳＴ又は他の適当な材料、例えばＳＢＴＮ、ＰＺＴ、ＢＴＯ等からなる誘電性、殊に常誘電性又は強誘電性の層３２が析出させられている。
【００３９】
誘電性の層３２の上に、引き続き、上方のＰｔ−電極３３が析出させられ、かつ誘電性の層３２と一緒にフォトリソグラフィー及びエッチング技術によってパターン付与される。誘電性の層３２及び上方のＰｔ−電極３３の析出及びパターン化は、有利に、２つの層が、下側電極３１の少なくとも１つの面の上で、横方向に、この面を越えて延在し、段の形で下側電極３１に隣接しているようにして行われる。段の領域によって、有効コンデンサー面積は拡大する。
【００４０】
この構造体は、この後、例えばＳｉＯ２からなる薄い第二の酸化物層で覆われる。
【００４１】
次に、第二の酸化物層の上で適当な位置に、リソグラフィック法で、フォトラッカー−マスク構造体９．１及び９．２を設けさせる。マスク構造体９．２は、有利に、ストレージコンデンサーＫ２の上の中心に施与されている。マスク構造体９．１は、窒化された第１の酸化物層７Ａの窒化されていない領域の上に直接存在する第二の酸化物層の１つの領域を覆っている。
【００４２】
この薄い第二の酸化物層は、引き続き、同様にプラズマ窒化を施される。第二の酸化物層の層厚及び窒化の際に使用した処理パラメータに応じて、該層は、その厚さ全体又は専ら表面付近の領域でのみ窒化される。この場合、図２Ｂ中に示した窒化された第二の酸化物層７Ｂが形成されるが、これは、フォトラッカー−マスク構造体９．１及び９．２の下側で、更に、窒化されていない酸化物材料からなるものである。
【００４３】
記載した構造体の上で、この後、平坦化する上方絶縁層５には、有利に同様にＳｉＯ２層が堆積させられる。水素の関与下に行うことができるこの処理の場合、コンデンサー３は、既に、窒化された第二の酸化物層７Ｂによって保護されている。
【００４４】
この後、２つのコンタクトホール４６及び５２がエッチング除去される。マスキング６、９．１及び９．２によって得られた、窒化された酸化物層７Ａ及び７Ｂのパターン化に基づき、２つのコンタクトホール４６及び５２は、通常の酸化物エッチングによって形成させることができる。種々の層材料のエッチングは、必要とされない。従って、コンタクトホール４６及び５２は、正確に寸法に合った平坦な内壁面を有しており、これによって横方向の構造体の縮小が促される。コンタクトホール４６、５２は、一緒に１つのエッチング工程で又は２つの別々のエッチング工程で形成させることができる。
【００４５】
図２Ｄによれば、第三のプラズマ窒化工程を実施することができる。この場合、２つのコンタクトホール４６及び５２の表面付近の内部壁面領域７Ｃ並びに上方の酸化物層５の表面領域が窒化される。
【００４６】
コンタクトホール４６及び５２は、この後、既に記載した方法で、適当な導電性材料、例えばＷで充填される。この後、記載していない方法で、平坦な表面を得るためのＣＭＰ−工程を実施することもできる。
【００４７】
最後に、２つのコンタクトホール４６及び５２の上での導電性の横の連絡部材８の製造によって、ソース領域２１と、上方のコンデンサー電極３３との間の電気的接続が得られるが、図２Ｅを参照のこと。
【００４８】
次に、窒素−プラズマ中での、種々の酸化物層の窒化のための２つの方法を説明する。２つの方法は、適当なドープ剤を用いる珪素のｎ−ドーピングもしくはｐ−ドーピングとの関係で公知である。
【００４９】
ＰＩＩＩ−法は、通常、２つの室からなる装置中で実施される。１つの室中では、高いプラズマ密度の常に燃焼している窒素プラズマが得られる。プラズマ密度の制御のために磁場を調節することができる。
【００５０】
窒化すべき酸化物層を有するサブストレートは、別の室中に存在している。この２つの室は、ホールブラインドによって互いに接続されている。短時間だけ、サブストレートに電圧が印加され、これによって、窒素イオンがプラズマから抽出され、ホールブラインドによってサブストレート１の上に向かって加速され、それぞれの露出した酸化物層中で減速させられる。
【００５１】
プラズマ条件及び抽出条件の調節によって、窒化の異方性度が、著しく影響を及ぼされることもある。高い抽出電圧の場合、異方性のイオン注入が生じる。例えば抽出電圧の低下、プラズマ密度の上昇並びに形状寸法的挙動の変化によって、拡大した「プラズマ雲」による窒化が引き起こされることを達成することができる。この場合、酸化物層の一様な窒化は、不規則な表面位相の場合にも達成可能であり、約１：１２の開口比を有するコンタクトホールを、全長にわたり問題なく窒化させられることが判明した。
【００５２】
ＰＬＡＤ法は、通常、個別のプラズマ室中で実施される。この装置は、スパッター装置と同様に構成されている。２つの電極の間には、高周波電圧が印加され、窒素プラズマが点火されている。サブストレートは、同じ電極の上に存在しており、これに向かって窒素イオンが加速させられている。このシステムは、極性を変換されたスパッター装置のように合目的に作動している。
【００５３】
また、ＰＬＡＤ法の場合、窒化の異方性度は、装置の形状寸法及び窒素プラズマの形状によって希望通りに調節することができる。
【００５４】
２つの方法を用いて、代表的な窒化用量を、原子１０１９〜１０２２個／ｃｍ２の範囲内に調節することができる。代表的な窒化エネルギー（酸化物層への衝突の際の加速された窒素イオンの運動エネルギー）は、１〜１２ｋｅＶの範囲内である。２つの方法の場合、更に、窒化された酸化物層領域の所望の厚さを窒化エネルギーの変化によって窒化工程の間に徐々に形成させることが可能である。つぎに、この窒化現象は、最も高い窒化エネルギーで開始し、最も低い窒化エネルギーで終了する。窒化工程全体の期間は、原子１０２０個／ｃｍ２の場合に、代表的には約６０秒である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、記憶セルの本発明による方法の使用に適する、公知技術水準で知られた２つの構成の説明のための横断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明による方法の種々の段階における図１中に記載した構成の１つによる、本発明により製造された半導体素子の横断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明による方法の種々の段階における図１中に記載した構成の１つによる、本発明により製造された半導体素子の横断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明による方法の種々の段階における図１中に記載した構成の１つによる、本発明により製造された半導体素子の横断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、本発明による方法の種々の段階における図１中に記載した構成の１つによる、本発明により製造された半導体素子の横断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、本発明による方法の種々の段階における図１中に記載した構成の１つによる、本発明により製造された半導体素子の横断面図である。
【符号の説明】
１  サブストレート、  ２  ＭＯＳトランジスタ、  ３  ストレージコンデンサー、  ４  第一の絶縁層、  ５  第二の絶縁層、  ６  マスク構造体、  ７Ａ第一の酸化物層の窒化された領域、  ７Ｂ  第二の酸化物層の窒化された領域、  ７Ｃ  コンタクトホール４６、５２の窒化された内部壁面領域、  ８  横の連絡部材、  ９．１  マスク構造体、  ９．２  マスク構造体、  ２１  ドレイン領域、  ２２  ゲート、  ２３  ソース領域、  ３１  下側電極、  ３２  誘電性層、  ３３  上側電極、  ４１  コンタクトホール、  ４５  コンタクトホール、  ４６  コンタクトホール、  ５１  コンタクトホール、  ５２  コンタクトホール、  Ｐ  表面接続部、  ＢＬ  ビット線、  ＷＬ  ワード線、  Ｓ１ＭＯＳトランジスタ（「積層セル」）、  Ｓ２  ＭＯＳトランジスタ（「オフセットセル」）、  Ｋ１  ストレージコンデンサー（「積層セル」）、  Ｋ２  ストレージコンデンサー（「オフセットセル」）
【図１】
0003990542.tif 000002
【図２Ａ】
0003990542.tif 000003
【図２Ｂ】
0003990542.tif 000004
【図２Ｃ】
0003990542.tif 000005
【図２Ｄ】
0003990542.tif 000006
【図２Ｅ】
0003990542.tif 000007