(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に、所定の高さを有する複数本の突起部材を前記基板に形成してなる突起部材付基板であって、前記突起部材が、ガラスマトリックス中に少なくともＳｉまたはＭｇの金属の単体および該金属の酸化物が分散してなるとともに、前記突起部材の壁面部における前記金属の単体の含有量（ｍM1）と該金属の酸化物の含有量（ｍO1）との比（ｍM1／ｍO1）が前記突起部材の内部における金属の単体の含有量（ｍM2）と該金属の酸化物の含有量（ｍO2）との比（ｍM2／ｍO2）よりも小さいことを特徴とする突起部材付基板。
【請求項２】
前記突起部材中にＴｉＯ2を含有することを特徴とする請求項１記載の突起部材付基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の突起部材付基板の該突起部材先端面に他の基板を接合し、２枚の基板が前記突起部材によって所定の間隔で離間して平行に配設されてなり、一方の前記基板内面に形成した電極に信号電圧を印加することによって画像を形成することを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板表面に所定の高さの突起部材を複数本垂直に形成した突起部材付基板およびその製造方法並びにそれを用いた画像形成装置に関し、特に、所定の導電性を有し、かつ寸法精度の高い突起部材を良好に形成できる突起部材付基板に関する。
【０００２】
【従来技術】
近年、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel、ＰＤＰ）や、プラズマアドレス液晶パネル（Plasma Address Liquid Crystal、ＰＡＬＣ）、電界放出型ディスプレイ（Field Emission Display、以下ＦＥＤという）等の、平面型画像表示装置が開発され、中でも視野角の広さ、画質の良さでＦＥＤが注目されている。
【０００３】
かかる画像表示装置は、表面に蛍光体や放電用の電極等が形成された正面板と背面板との間で、蛍光体にプラズマや電子ビームを照射して蛍光体を発光させることによって画像を形成するものであり、該正面板と背面板間の周縁部を枠体によって封止してパネルを構成するが、該パネル内部を真空状態または減圧状態にする必要があるために外部の大気圧によりパネルが撓んで画像に歪みが生じることを防止するために、正面板と背面板の間を所定間隔に保つためのスペーサ（突起部材）を複数本形成することが知られている。
【０００４】
かかる平面型ディスプレイを作製するには、例えば、ＰＤＰにおいては、ガラス粉末とセラミックフィラー粉末とを添加したペーストを用いてガラス基板（背面板）表面に突起部材用成形体を作製した後、これをガラス基板ごと、ガラス基板が変形しない温度で焼成することによってスペーサ（突起部材）をガラス基板表面に形成する方法が知られている。
【０００５】
ところが、上記方法によれば、スペーサの高さが２００μｍ程度と低い場合には良好なスペーサを形成できるものの、スペーサの高さが特に３００μｍ以上と高くなるとスペーサの焼成時の収縮力によってスペーサが基板から剥離したり変形してしまうという問題があった。
【０００６】
そこで、本出願人らは、特願平１１−２４５３５４号にてガラス粉末にＳｉ、Ｚｎ、Ａｌ、ＳｎおよびＭｇ等の金属粉末を添加したペーストを用いてガラス基板表面に突起部材用成形体を作製し、酸化性雰囲気中で焼成することによって前記金属粉末が酸化膨張する結果、焼成時の収縮が抑制されてスペーサの剥離等を防止して良好なスペーサを作製できることを提案した。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特願平１１−２４５３５４号の方法では、スペーサの寸法精度を高めることはできるものの、金属粉末の性状や分散性が悪い場合には焼成後のスペーサの壁面部に酸化されていない金属粉末が残存することがあり、これとガラスマトリックスとのなじみが悪くて、スペーサ壁面部に残存する金属粉末がガラスマトリックスから脱粒して不純物としてパネル内に残存したり、脱粒によってスペーサ壁面部の平滑性が損なわれる恐れがあった。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、その目的は、基板表面に突起部材（スペーサ）を形成するに際して、基板からの剥離等がなく、かつ安定した壁面状態を有する突起部材を形成でき、高精度で安定な突起部材を備えた突起部材付基板およびその製造方法並びにそれを用いた画像形成装置を得ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、前記課題に対し、突起部材（スペーサ）の構成について検討した結果、基板表面に高精度な突起部材を形成でき、かつ安定な壁面状態の突起部材とできることを知見した。
【００１０】
すなわち、本発明の突起部材付基板は、基板表面に、所定の高さを有する複数本の突起部材を前記基板に形成してなる突起部材付基板であって、前記突起部材が、ガラスマトリックス中に少なくともＳｉまたはＭｇの金属の単体および該金属の酸化物が分散してなるとともに、前記突起部材の壁面部における前記金属の単体の含有量（ｍM1）と該金属の酸化物の含有量（ｍO1）との比（ｍM1／ｍO1）が前記突起部材の内部における金属の単体の含有量（ｍM2）と該金属の酸化物の含有量（ｍO2）との比（ｍM2／ｍO2）よりも小さいことを特徴とするものである。
【００１４】
さらに、本発明の画像形成装置は、上記突起部材付基板の該突起部材先端面に他の基板を接合し、２枚の基板が前記突起部材によって所定の間隔で離間して平行に配設されてなり、一方の前記基板内面に形成した電極に信号電圧を印加することによって画像を形成するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の突起部材付基板を備えた好適な応用例である画像形成装置について、その一例であるＦＥＤの概略断面図である図１を基に説明する。
図１において、ＦＥＤ１は、所定間隔で離間して平行に形成された背面板２と正面板３とが、それらの周縁部に配設された枠体４とそれぞれ接合し、背面板２、正面板３、枠体４によってＦＥＤ１内部が封止されている。
【００１６】
本発明によれば、ＦＥＤ１内には背面板２と正面板３とを所定の間隔にて支持するために、複数のスペーサ９が背面板２と正面板３と垂直に設けられており、このスペーサ９の高さｘの調整によって、背面板２側と正面板３側との距離はｘに一定に保持されている。なお、図１によれば、複数のスペーサ９はリブ状（長尺状）の形状からなり、互いに並列になるように配設されている。
【００１７】
ここで、本発明によれば、基板表面に、所定の高さを有する複数本の突起部材を前記基板に形成してなる突起部材付基板であって、前記突起部材が、ガラスマトリックス中に少なくともＳｉまたはＭｇの金属の単体および該金属の酸化物を分散してなるとともに、前記突起部材の壁面部における前記金属の単体の含有量（ｍM1）と該金属の酸化物の含有量（ｍO1）との比（ｍM1／ｍO1）が前記突起部材の内部における金属の単体の含有量（ｍM2）と該金属の酸化物の含有量（ｍO2）との比（ｍM2／ｍO2）よりも小さいことが大きな特徴であり、これによって、スペーサ用成形体を基板表面に被着形成して同時に焼成する方法によっても、特定金属が焼成中に酸化するとともに体積膨張する結果、焼成によるスペーサの収縮を防止することができ、背面板２または正面板３と一体にスペーサ９を精度よく形成することができる。これによって、スペーサ９壁面部に酸化されない金属粒子が残存することなくスペーサ９の壁面部に存在する金属粒子の表面を確実に酸化させて金属粒子の表面を酸化物にて被覆した形態とすることにより、スペーサ９壁面部においてガラスマトリックスと金属粒子との結合力を高めることができる結果、スペーサ９の壁面部の安定性を高めることができる。
【００１８】
なお、本発明における特定金属の含有量（ｍM）と該金属の酸化物の含有量（ｍo）との比（ｍM／ｍO）とは、図２に示すような突起部材（スペーサ９）壁面部および研磨面のＸ線回折チャートから特定金属と該特定金属の酸化物についてリートベルト法によってそれぞれの含有量を測定し、その比（ｍM／ｍO）によって求められる値を意味する。
【００１９】
ここで、特定金属の酸化物の形態としては結晶相または非晶質（ガラス）相として存在することから特定金属の酸化物が結晶相として存在せず非晶質（ガラス）相として存在する場合、または特定金属の酸化物結晶の含有比率が同じである場合には、リートベルト法によって非晶質相の含有比率を算出するとともに、ＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分光分析法）によって非晶質（ガラス）相中の特定金属の酸化物の含有比率を求めることによって、非晶質相として存在する特定金属の酸化物の含有比率（ｍo）を算出することができる。
【００２０】
また、スペーサ９壁面部および内部には、特定金属粒子が分散含有されることから、所定の導電性を付与することができ、スペーサ９に蓄積する電荷を速やかに基板側に逃がしてスペーサ９が帯電することを防止できる。なお、スペーサ９壁面部の金属粒子および酸化物の含有比率を焼成条件等にて調整することによって、原料である金属粉末の添加量にあまり左右されず所望の導電性をスペーサ９の壁面部に付与することができる。
【００２１】
さらに、スペーサ９の先端面のうち、基板と接触した状態で焼成される側の先端面に存在する特定金属は、壁面部に存在する金属よりも酸化の度合いは低く、スペーサ９に蓄積された電荷をスムーズに基板側へ逃がすことができる。また、焼成によりスペーサ９の壁面部の金属がスペーサ９の内部の金属に比べてより酸化された先端面を作製するには、所望によりスペーサ９の表面をエッチングまたは研磨してもよい。
【００２２】
さらに、スペーサ９壁面部に、特に、特定金属の酸化物であるＳｎＯ2やＣｕＯを析出させることによってスペーサ９壁面部おける二次電子放出比を小さくでき、スペーサ９の帯電をさらに防止することができる。さらにまた、スペーサ９の壁面部に特定金属の酸化物であるＳｉＯ2、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3およびＭｇＯの群から選ばれる少なくとも１種の酸化物の含有比率を内部のそれよりも多くすることによって、スペーサ９の壁面部を内部に比べて白色化できることから、特にＰＤＰやＦＥＤにおいては輝度の向上を図ることができる。
【００２４】
また、スペーサ９の抵抗値は帯電を防止しつつ、背面板２と正面板３との間の絶縁性を確保するために、スペーサ９の比抵抗ρが１０4〜１０11Ωｃｍであることが好ましい。
【００２５】
（各部材の構成）
一方、上記背面板２、正面板３として、石英ガラス、ソーダライムガラス、低ソーダガラス、鉛アルカリケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ビスマス系ガラス等のガラス基板、アルミナ、シリカ、ジルコニア等のセラミックス基板、中でも高歪点の低ソーダガラスからなり、特に、正面板３は透明な材料にて形成される。
【００２６】
また、背面板２表面には、正電極及び負電極をなすそれぞれの導体層（図示せず。）が交差するように配置されて、該交差点で電子放出素子６が構成されている。なお、本発明では、上述した正、負電極間に絶縁体を介装した電子放出素子６に限定されるものではなく、例えば、表面伝導型や電界放出型、カーボンチューブ等の電子放出素子であってもよい。
【００２７】
また、電子放出素子６を形成する前記正電極および負電極用の導体層は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等の金属またはそれぞれを主成分とする合金、及び、アモルファスシリコン、ポリシリコン、グラファイト等を用いることができる。また、正電極用導体層と負電極用導体層との交差点にはＳｉ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｗ、Ａｌ、Ｐｄ等の酸化物や窒化物から選ばれる少なくとも１種からなる絶縁体が介層される。
【００２８】
また、所望により電子放出素子６への不純物拡散防止のために背面板２と電子放出素子６との間にシリカ、窒化ケイ素等のセラミックス薄膜等からなる拡散防止層１２が介在することが望ましい。
【００２９】
一方、正面板３のパネル５内面には、電子放出素子６に対向してそれぞれＲ、Ｇ、Ｂ等に発光する複数色の蛍光体層７（７Ｒ、７Ｂ、７Ｇ）が規則的に配列したものを１組とした単位画素８が複数配列し、電子放出素子６への入力信号に応じて放出された電子がそれぞれの電子放出素子６と対向する蛍光体層７に衝突することによって正面板３側にて発光する。
【００３０】
さらに、正面板３表面の蛍光体層７形成部以外の特定の位置には、ＦＥＤ１における色のにじみを防止して表示画面のコントラストを高めシャープな画像を得るためにブラックマトリックス１０が配置されることが望ましい。ブラックマトリックス１０は黒色または暗色となる材料からなり、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｎ等の酸化物粉末と低融点ガラスとの混合物や金属クロム、グラファイト等を用いることができる。
【００３１】
また、図１によれば、正面板３と蛍光体層７との間には、電子放出素子６から蛍光体層７に向かって放出される電子を加速するために、透明なＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）膜１１を形成されているが、本発明はこれに限られるものではなく、前記電子ビームを加速するため、および蛍光体層７の散乱した発光を反射して発光輝度を高めるために、ＩＴＯ膜１１に代えて正面板３の蛍光体層７表面に、例えば１００〜３００ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属箔からなるメタルバック（図示せず）を形成することが望ましい。
【００３４】
また、ガラス粉末としては、ＰｂＯ系ガラス、Ｂｉ2Ｏ3系ガラス、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラス、ソーダガラス、シリカ系ガラス等が適応可能であるが、特に金属粉末との濡れ性、基板と突起部材（スペーサ）との接合性の点で、ＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3およびＢ2Ｏ3から選ばれる少なくとも１種を含むこと、より具体的にはＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系ガラスやＢｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラス、Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ−ＺｎＯ系ガラスからなることが望ましい。
【００３５】
さらに、無機フィラーとしては、磁器強度向上、着色、誘電率、抵抗率制御、二次電子放出比を低減するために、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｎＯ2、Ｃｒ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ等のセラミックスまたは軟化点が７００℃以上の高軟化点ガラスが挙げられ、特に特定金属の酸化温度を低下させるとともに二次電子放出比を低めて突起部材が帯電することを防止する点で、ＴｉＯ2を前記ガラス粉末１００重量部に対して１乃至３５重量部の割合で添加することが望ましく、その他のフィラー成分は突起部材の緻密化、強度の点で０乃至２５重量部となることが望ましい。
【００３６】
また、有機成分としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、セルロース系樹脂、ブチラール樹脂、フェノール樹脂等の有機バインダと、溶剤に加えて、所望により、可塑剤、分散剤を添加することができる。
【００３８】
スペーサ用成形体の具体的な形成方法としては、（ａ）前記ペーストを複数回印刷塗布してスペーサ用成形体を得る方法、（ｂ）ゴム、金属、セラミックス等からなる成形型内に前記ペーストを充填し、前記成形型を基板に当接した後、該成形型を抜き取る方法、（ｃ）基板表面に前記ペーストを用いて所望の厚みのシートを形成し、該シートの表面にスペーサ形状の溝が形成された剛性の高い平板状の成形型を配置して押圧した後、該成形型を抜き取る方法、（ｄ）前記シート表面にスペーサ形状の溝が形成された剛性が高いロール状の成形型を配置し、押圧しながら回転移動させ、スペーサ用成形体を形成する方法、（ｅ）前記基板表面に樹脂層を形成し、これをスペーサ形状の突起が形成された成形型にて押圧後、型を抜き取ることで樹脂層に溝を形成し、該溝にスラリーを充填、硬化し、さらに樹脂層を除去する方法、（ｆ）サンドブラスト法、（ｇ）ペーストの前記シートを作製した後マスクを用いてフォトリソグラフィ法を用いて突起部材パターンに加工する方法等が使用可能である。上記（ａ）〜（ｇ）の中でも、特に高さが８００μｍ以上の高いスペーサを容易に形成できる点で方法（ｂ）または（ｅ）が好適である。
【００３９】
次に、上記工程によって得られた基板を脱脂後、酸化性雰囲気中、焼成して、前記成形体中の前記金属粉末の一部を酸化させるとともに、基板を突起部材と接合一体化させる。ここで、本発明によれば、突起部材の壁面部における特定金属の単体の含有量を突起部材の内部の金属の含有量よりも少なくするために、上記焼成温度を５００乃至１０００℃、特に５１０乃至６５０℃とすることが重要であり、また、焼成時間は２０乃至１２０分であること、大気よりも酸素過剰雰囲気中にて焼成することが望ましい。
【００４０】
なお、突起部材の焼成温度は基板が変形する温度より低くする必要があり、基板の材質によって上限温度が変わりうる。また、予め、表面に電子放出素子や蛍光体層、電極を形成した基板を焼成する場合には、それら各素子の耐熱温度より低い温度で焼成する必要がある。
【００４１】
本発明によれば、上記焼成によっても突起部材が収縮することなく、突起部材の焼成収縮に伴う反りやクラックの発生が抑えられ、基板と突起部材とを一体化することができるとともに、突起部材の壁面部における特定金属の単体の含有量を突起部材の内部における特定金属よりもより酸化することができることから突起部材壁面部にて酸化されずに残存する金属粒子の脱粒を防止して安定な壁面部を有する突起部材を作製することができる。
【００４２】
次に、本発明の画像形成装置の製造方法の一例について説明する。
まず、上述した材料からなる正面板３を作製し、所定形状にカットした後、格子状のブラックマトリックス１０をフォトリソグラフィ法、印刷法等により形成し、該ブラックマトリックス１０によって囲まれた領域の所定の位置に、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等の公知の方法により蛍光体層７を形成する。なお、スペーサ９の正面板３への接合強度向上の点で、蛍光体層７は正面板３のスペーサ９形成部にはマスク等を用いて形成しないことが望ましい。
【００４３】
また、蛍光体層７に蓄積される電荷を逃がすため、正面板３と蛍光体層７との間にペースト塗布法、蒸着法等によりＩＴＯ膜１１を形成するか、またはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、等からなり５０〜２００ｎｍ程度の厚みを有する箔からなるメタルバック（図示せず。）を蛍光体層７表面に蒸着法などによって形成することが望ましく、さらに、蛍光体層７の損傷を防ぐため、また前記メタルバックを薄くかつ均一な厚みに形成するために樹脂からなる保護層（図示せず）を蛍光体層７表面に形成することが望ましい。
【００４４】
なお、この保護層は後述のバインダ、溶剤の他、消泡材やレベリング材等を添加した樹脂ペーストをフォトリソグラフィー法、印刷法、インクジェット法等にて形成でき、後述の熱処理により消失することが望ましい。
【００４５】
他方、上述した材料からなる背面板２表面に、フォトリソグラフィ法等により上述した材料からなる導体層を正電極用導体層と負電極用導体層とが所定の位置で交差するように被着形成し、かつその交差点にはスパッタリング法、蒸着法、イオンビームスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法等により上述した材料からなる絶縁体が介装されることによって電子放出素子６を形成する。
【００４６】
そして、正面板３または背面板２の表面にスペーサ９を上述した方法によって形成する。なお、焼成温度が５５０℃を越える場合には、スペーサ９を形成した後、蛍光体層７を被着形成することが望ましい。
【００４７】
その後、背面板２と正面板３との間に枠体４を配置するとともに、フリットガラス等の接着剤を印刷法により背面板２のスペーサ９および枠体４を固着する部分、および／またはスペーサ９および枠体４の先端面に塗布し、上述した正面板３表面に形成されたスペーサ９の先端面を背面板２の所定の位置に位置合わせして４００〜５００℃で熱処理することによって枠体４およびスペーサ１０を貼り合わせた後、パネルの一端に真空ポンプを配設してパネル５内を１０-4Ｐａ程度まで真空減圧して封止することにより、本発明の画像形成装置を作製することができる。
【００４８】
なお、画像形成装置の製造方法においては、正面板側にスペーサを形成したが、本発明はこれに限定されるものでなく、背面板側にスペーサを形成してもよい。
【００４９】
【実施例】
（実施例１）
平均粒径０．８μｍのＢｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラスに対して、表１に示す金属および無機フィラーを添加し、これに無機粉末１００重量部に対して、アクリル樹脂からなる有機バインダ、重合開始剤、溶剤、分散剤の有機物成分を４２重量部となるように添加、混練して、突起部材用ペーストを作製し、シリコーンゴム型に前記ペーストを充填して十分に脱泡した後、ソーダライムガラス製の基板表面に当接して、真空封止し、１１０℃で３０分間熱処理を行い、シリコーンゴム型を抜き取ることによりスペーサ用成形体を形成した。
【００５０】
得られた成形体は、レーザー変位計（キーエンス社製ＬＣ−２４４０／２４００）を用いて成形体スペーサの厚みと高さの測定を行い、測定精度内でシリコーンゴム型と同サイズであることを確認した。
【００５１】
なお、前記シリコーンゴム型は、凹部の深さ（スペーサの高さ）が１２００μｍ、凹部幅（スペーサの厚み）が２００μｍ、凹部（スペーサ）の長さが８ｃｍ、凹部間の距離（スペーサ間距離）が８００μｍのものを使用した。
【００５２】
さらに、該成形体を０．３ｍ3の焼成空間を有する焼成炉中に載置して、酸素ガス気流（流速２リットル／分）中、５２０℃、２０分間焼成し、上記と同様にレーザー変位計にてスペーサの高さを測定し、スペーサ用成形体の高さに対するスペーサの高さに対する比率（（スペーサの高さ／スペーサ用成形体の高さ）×１００（％））を寸法変化率である収縮率として算出した。
【００５３】
また、スペーサの外観を実体顕微鏡にて観察し、剥がれや反り、曲がり、切れの有無を判定し、さらにスペーサの壁面部について金属粒子の脱粒の有無を確認して無いものは良好として表１に示した。また、スペーサの壁面部および壁面から３０μｍ以上研磨した研磨面をスペーサの内部とみなしてそれぞれ任意５点についてＸ線回折測定を行い、壁面および研磨面それぞれについてリートベルト法により金属およびその酸化物の含有量（ｍM1、ｍO1、ｍM2、ｍO2）を求め、これらの比（ｍM1／ｍO1およびｍM2／ｍO2）を算出し、壁面部と内部との強度比を比較した。壁面部の強度比（ｍM1／ｍO1）が内部の強度比（ｍM2／ｍO2）よりも小さいものを＜として、同じであるものを＝として表１に金属の分布状態として示した。なお、試料Ｎｏ．２、３、６におけるＸ線回折チャート中にはＳｉＯ2のピークが確認されなかった（図２に示す試料Ｎｏ．６についてのＸ線回折チャート参照）ため、Ｘ線回折測定面の非晶質（ガラス）相についてＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分光分析法）を行い、ＳｉＯ2の含有比率を求め、かつリートベルト法により定量した非晶質（ガラス）相中のＳｉＯ2の含有量を特定金属の酸化物の含有量（ｍO）として算出した。
【００５４】
さらに、スペーサの一部について絶縁計にて体積固有抵抗値（表では抵抗と記載）を測定した。結果は表１に示した。
【００５５】
【表１】
0003999942.tif 000002
【００５６】
表１から、所定の金属を添加しない試料Ｎｏ．１では、焼成による収縮率が大きく絶縁基板から剥離してしまった。また、４６０℃で１５分焼成し、突起部材の壁面部の金属含有量が内部の金属含有量と同じ試料Ｎｏ．２では、突起部材の壁面にて金属粒子の脱粒がみられた。
【００５７】
これに対して、本発明に従い、特定の金属を分散し、かつ壁面部の金属の含有量が内部の金属の含有量よりも少ない試料Ｎｏ．３〜８では、スペーサの焼成収縮率が小さく、絶縁基板から剥離することなく、かつ壁面部から金属粒子が脱粒することなく形成することができた。
【００５８】
（実施例２）
まず、寸法７０ｍｍ×７０ｍｍ×２ｍｍの高歪点の低ソーダガラス基板の一方の表面に蒸着法によりＩＴＯ膜を形成し、さらに低融点ガラス粉末とＭｎＯ2粉末を混合したペーストを用いて、スクリーン印刷法によりブラックマトリックスを被着形成し、５５０℃の焼成により基板と一体化させた。
【００５９】
一方、平均粒径０．５μｍのＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3ガラス粉末に対して、表１の試料Ｎｏ．６に示す割合で金属と無機フィラーを添加し、これにアクリルバインダ、溶剤、分散剤を添加、混練してペーストを作製した。
【００６０】
他方、スペーサ（突起部材）を形成するための溝部を有するウレタンゴムからなる成形型を準備し、該溝部内に上記のスペーサ形成用のペーストを充填して乾燥した後、上記ＩＴＯ膜とブラックマトリックスとを形成した正面板の所定位置に転写し、正面板表面にスペーサ成形体を作製した。このスペーサ成形体を形成した基板を、酸素フロー雰囲気（２リットル／分）中にて、５２０℃で２０分間焼成することによって正面板と一体化した幅（厚み）１５０μｍ、長さ５０ｍｍ、高さ１０００μｍのスペーサをピッチ１０．９８ｍｍで４本形成し、スペーサ付基板を得た。
【００６１】
また、インクジェット法によって正面板の突起部材形成面の所定位置に蛍光体層形成用ペーストを被着形成し、大気中、４５０℃で２０分間加熱してペースト中の有機物成分を除去した。
【００６２】
一方、正面板側と同じ寸法の高歪点低ソーダガラス基板の一方の表面にスクリーン印刷法により電極を、蒸着法により電子放出素子を形成し、背面板を作製した。さらに上記正面板のスペーサの頂部を研磨し、高さを揃えると共に、先端の高い割合で酸化している部分を除去した。次に該スペーサ頂部および別体で用意した枠体の両面に低融点ガラスと銀粉末、ビークルを混合した導電性フリットガラスペーストを塗布して背面板の所定位置に枠体、正面板を載置、接着し、４３０℃にてフリットガラスを溶かして封着後、容器内が１０-3Ｐａ以下となるように真空排気した状態で封止、固定してＦＥＤパネルを作製した。
【００６３】
得られたＦＥＤパネルについて、電子放出素子に電圧を印加してパネルの全面を発光させ、発光ムラの有無を確認した結果、発光ムラがなく良好な発光が可能であることを確認した。
【００６４】
【発明の効果】
以上、詳述したとおり、本発明の突起部材付基板によれば、基板表面に、所定の高さを有する複数本の突起部材を前記基板に形成してなる突起部材付基板であって、前記突起部材が、ガラスマトリックス中に少なくともＳｉまたはＭｇの金属の単体および該金属の酸化物を分散してなるとともに、前記突起部材の壁面部における前記金属の単体の含有量（ｍM1）と該金属の酸化物の含有量（ｍO1）との比（ｍM1／ｍO1）が前記突起部材の内部における金属の単体の含有量（ｍM2）と該金属の酸化物の含有量（ｍO2）との比（ｍM2／ｍO2）よりも小さいことによって、基板表面に高精度な突起部材を形成でき、かつ安定な壁面状態の突起部材とできる。
【００６５】
また、突起部材に所定の導電性を付与できることから、突起部材（スペーサ）の帯電を防止でき、さらに、突起部材の壁面部に特定金属の酸化物のうち、ＳｎＯ2を存在せしめることによって、二次電子放出比を低めて突起部材の帯電をさらに抑制でき、画面の表示（発光）ムラも抑制することができる。
【００６６】
また、突起部材（スペーサ）の壁面部にＳｉＯ2、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＭｇＯを存在せしめることによって、突起部材（スペーサ）の壁面部を白色化でき、同じ消費電力で表示パネルの輝度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の突起部材付基板の好適な応用例である画像形成装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の突起部材付基板の突起部材の壁面部と内部についてのＸ線回折ピークの例である。
【符号の説明】
１・・・画像形成装置（ＦＥＤ）
２・・・背面板
３・・・正面板
４・・・枠体
５・・・パネル（真空部）
６・・・電子放出素子
７・・・蛍光体層
８・・・単位画素
９・・・スペーサ（突起部材）
１０・・ブラックマトリックス
１１・・ＩＴＯ膜
１２・・拡散防止層
【図１】
0003999942.tif 000003
【図２】
0003999942.tif 000004