(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にバンプを有する半導体チップのバンプ形成面上において、前記バンプの間隙部が樹脂で封止されたパッケージ形態の半導体装置の製造方法であって、
半導体ウェーハの中央部の領域を第１領域とし、前記半導体ウェーハの外周側の領域を第２領域として、少なくとも前記第１領域において複数個の前記半導体チップの回路パターンを形成し、前記第１領域と前記第２領域にわたって前記半導体チップ間の切断ラインを形成する工程と、
前記半導体ウェーハ上に、少なくとも前記第１領域において、前記半導体チップの回路パターンに接続するようにバンプを形成する工程と、
前記第１領域においては前記バンプの間隙部を封止しながら所定の膜厚で、前記第２領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域においては前記切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚で、前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程と、
前記第２領域の前記切断ラインの一部を含む領域において確認される切断ラインを基準位置とし、前記切断ラインに沿って前記半導体ウェーハを切断する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程が、
前記第１領域および前記第２領域において所定の膜厚で樹脂被膜を形成する工程と、
前記第２領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域において前記切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるまで前記樹脂被膜を薄膜化する工程と
を含む請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１領域および前記第２領域において所定の膜厚で樹脂被膜を形成する工程においては、前記半導体ウェーハを溶融樹脂中に浸漬して前記樹脂被膜を形成する
請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程においては、前記第１領域においては所定の膜厚となり、前記第２領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域においては前記切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるような型を用いて前記樹脂被膜を形成する
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程においては、前記第２領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域において膜厚が３０μｍ以下となるように前記樹脂被膜を形成する
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程においては、前記第１領域において前記バンプを完全に埋める膜厚で前記樹脂被膜を形成し、
前記半導体ウェーハを切断する工程の前に、前記第１領域において、少なくとも前記バンプの一部を露出させるまで前記樹脂被膜を薄膜化する工程をさらに有する
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体ウェーハを切断する工程においては、前記半導体ウェーハの画像を撮影し、コンピュータ上で画像処理して前記切断ラインの位置を確認する
請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、小型化および高密度化されたパッケージ形態を有する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年のＶＬＳＩなどの半導体装置においては、３年で７割の縮小化を実現し、高集積化及び高性能化を達成してきた。これに伴い、半導体装置のパッケージ形態も小型化、高密度化が達成されてきた。
【０００３】
従来、半導体装置のパッケージ形態としては、ＤＩＰ（Dual Inline Package ）あるいはＰＧＡ（Pin Grid Array）などのプリント基板に設けたスルーホールにリード線を挿入して実装するリード挿入型（ＴＨＤ：Through Hall Mount Device ）や、ＱＦＰ（Quad Flat (L-Leaded) Package）あるいはＴＣＰ（Tape Carrier Package）などのリード線を基板の表面にハンダ付けして実装する表面実装型（ＳＭＤ：Surface Mount Device）が用いられてきた。さらに、出力端子をエリア化したＢＧＡ（Ball Grid Array ）パッケージに代表されるパッケージ形態に移行してきている。
【０００４】
一方で、半導体装置の小型化、高密度化に対する要求はさらに高まりつつあり、上記のＱＦＰなどのパッケージ形態では対応できなくなってきている。このため、半導体チップにパッケージサイズを限りなく近づけてさらなる小型化、高密度化を実現するチップサイズパッケージ（ＣＳＰ：Chip Size Package 、ＦＢＧＡ（Fine-Pitch BGA）とも呼ばれる）と呼ばれるパッケージ形態が注目を集めており、現在活発に研究がなされ、多くの提案が示されている。
【０００５】
上記のＣＳＰ形態の半導体装置と、これを実装する方法について説明する。例えば図８（ａ）の断面図に示すように、半導体チップ１０ａの図示しないパッド電極とベースボード（インタポーザ）１１とが、はんだなどのバンプ１２により機械的、電気的に接続されている。さらに、半導体チップ１０ａとベースボード１１の間隙部には、バンプ１２による接合を保護するための封止樹脂１３が充填され、封止されている。さらに、ベースボード１１の半導体チップ１０ａと接続している面の反対側の面には、実装基板と接続するためのはんだなどのバンプ１４が形成されている。バンプ１４は、半導体チップ１０ａのパッド電極とベースボード１１とを接続しているバンプ１２に対して、ベースボード１１中に形成された図示しないスルーホールなどの配線部を介して接続されている。これらにより、ＣＳＰ形態の半導体装置１００が形成されている。
【０００６】
上記の半導体装置１００を実装するための実装基板２は、例えばガラスエポキシ系材料よりなる基板２０の上面において、実装する半導体装置１００のバンプ１４の形成位置に対応する位置に形成されたランド（電極）２１と、ランド２１に接続して、基板２０の表面上あるいは裏面上、もしくは両面上に形成されている図示しないプリント配線部を有している。上記の半導体装置１００を上記の実装基板２に実装するには、実装基板２のランド２１形成面に対して、半導体装置１００のバンプ１４の形成面から、それぞれ対応するランド２１とバンプ１４を位置合わせしてマウントし、図８（ｂ）に示すように、バンプ１４をリフローさせるなどの方法により、半導体装置１００と実装基板２のランド２１とをバンプ１４を介して機械的、電気的に接続する。
【０００７】
上記の半導体装置１００は、半導体チップ１０ａと実装基板２の間に緩衝材となるベースボード（インタポーザ）１１を有しているが、さらなる小型化、低コスト化および電子回路の処理速度の向上のために、上記のベースボード（インタポーザ）を用いず、ウェーハレベルでパッケージ化処理を施す形態のＣＳＰについての研究開発が現在活発になされている。
【０００８】
上記のベースボード（インタポーザ）を用いないＣＳＰ形態の半導体装置と、これを実装する方法について説明する。例えば図９（ａ）の断面図に示すように、半導体チップ１０ａの図示しないパッド電極に接続してはんだなどのバンプ１２が形成されている。バンプ１２の間隙部における半導体チップ１０ａ表面は、樹脂被膜１５により封止されている。これらにより、ＣＳＰ形態の半導体装置１が形成されている。一方、上記の半導体装置１を実装するための実装基板２は、上記と同様に、例えばガラスエポキシ系材料よりなる基板２０の上面にランド（電極）２１と、図示しないプリント配線部を有している。上記の半導体装置１を上記の実装基板２に実装するには、実装基板２のランド２１形成面に対して、半導体装置１のバンプ１２の形成面から、それぞれ対応するランド２１とバンプ１２を位置合わせしてマウントし、図９（ｂ）に示すように、バンプ１２をリフローさせるなどの方法により、半導体装置１と実装基板２のランド２１とをバンプ１２を介して機械的、電気的に接続する。
【０００９】
上記のＣＳＰ形態の半導体装置１の製造方法について図面を参照して説明する。まず、図１０（ａ）に示すように、半導体チップの回路パターンが形成された半導体ウェーハ１０上に、半導体チップの回路パターンに接続するようにはんだなどのバンプ１２ａを形成する。
【００１０】
次に、図１０（ｂ）に示すように、上記の半導体ウェーハ１０全体を溶融樹脂中に浸漬し、バンプ１２ａの間隙部を封止しながら、バンプ１２ａを完全に埋める膜厚で、半導体ウェーハ１０のバンプ１２ａ形成面上に樹脂被膜１５を形成する。ここで、溶融樹脂中に浸漬する方法（ディッピング法）では、半導体ウェーハ１０の両面に樹脂被膜１５が形成される。
【００１１】
次に、図１１（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ１０のバンプ１２ａ形成面上から、バンプ１２ａの一部が露出するまで樹脂被膜１５を研削して薄膜化する。
【００１２】
次に、図１１（ｄ）に示すように、バンプ１２ａに接続させてはんだボール１２ｂを転写する。バンプ１２ａとはんだボール１２ｂとから、バンプ１２が構成されている。
【００１３】
次に、図１１（ｅ）に示すように、半導体ウェーハ１０上に形成された半導体チップの回路パターンの間の領域であり、半導体ウェーハ１０の切り代となる領域である切断ラインに沿って、半導体ウェーハ１０を切断し（ダイシング工程）、個々に切断された半導体チップ１０ａを有するＣＳＰ形態の各半導体装置１と、半導体ウェーハ１０の外周部分であり、完全な回路パターンを有していない不要な部分３とに分割する。
【００１４】
上記の製造方法により製造する半導体装置１は、半導体ウェーハ１０をダイシング処理して、そのまま実装基板に実装することが可能であり、従来のベースボード（インタポーザ）を用いた半導体装置に比べて、コストの削減および納期の短縮が可能である。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の半導体装置の製造方法においては、半導体ウェーハ上の切り代となる切断ラインに沿って、正確に位置を合わせて半導体ウェーハを切断することが難しい。これは、例えば図１２（ａ）に示すような回路パターンと、各パターンに接続するバンプ１２を有し、各回路パターンの間の領域が切断ライン１６となる半導体ウェーハ１０に対して、樹脂被膜を形成すると、図１２（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ１０上の全領域で各回路パターンの間の領域である切断ライン１６が覆われてしまうために、この状態でＸ1 〜Ｘ6 およびＹ1 〜Ｙ6 の各切断ラインに沿って切断しようとしても、切断ラインの位置を確認することができなくなるためである。また、切断した位置が実際に上記の切断ラインに沿っているか確認することも困難であり、半導体装置の製造工程の品質管理上でも正確な管理が困難となっていた。
【００１６】
本発明は上記の問題を鑑みなされたものであり、本発明は、表面にバンプを有する半導体チップのバンプ形成面上のバンプの間隙部が樹脂で封止されたパッケージ形態の半導体装置を製造するためのダイシング工程において、半導体ウェーハ上の切り代となる切断ラインに正確に位置を合わせて半導体ウェーハを切断することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、表面にバンプを有する半導体チップのバンプ形成面上において、前記バンプの間隙部が樹脂で封止されたパッケージ形態の半導体装置の製造方法であって、半導体ウェーハの中央部の領域を第１領域とし、前記半導体ウェーハの外周側の領域を第２領域として、少なくとも前記第１領域において複数個の前記半導体チップの回路パターンを形成し、前記第１領域と前記第２領域にわたって前記半導体チップ間の切断ラインを形成する工程と、前記半導体ウェーハ上に、少なくとも前記第１領域において、前記半導体チップの回路パターンに接続するようにバンプを形成する工程と、前記第１領域においては前記バンプの間隙部を封止しながら所定の膜厚で、前記第２領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域においては前記切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚で、前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程と、前記第２領域の前記切断ラインの一部を含む領域において確認される切断ラインを基準位置とし、前記切断ラインに沿って前記半導体ウェーハを切断する工程とを有する。
【００１８】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハの中央部の領域を第１領域とし、半導体ウェーハの外周側の領域を第２領域として、少なくとも第１領域において複数個の半導体チップの回路パターンを形成し、第１領域と第２領域にわたって半導体チップ間の切断ラインを形成し、次に、少なくとも第１領域において、半導体チップの回路パターンに接続するようにバンプを形成する。次に、第１領域においてはバンプの間隙部を封止しながら所定の膜厚で、第２領域の少なくとも切断ラインの一部を含む領域においては切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚で、半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する。次に、第２領域の前記切断ラインの一部を含む領域において確認される切断ラインを基準位置とし、切断ラインに沿って半導体ウェーハを切断する。
【００１９】
上記の本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１領域においてはバンプの間隙部を封止しながら所定の膜厚で、第２領域の少なくとも切断ラインの一部を含む領域においては切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚で、半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成するので、後工程で半導体ウェーハを切断するときに、第２領域の少なくとも切断ラインの一部を含む領域において切断ラインの位置を確認することが可能であり、半導体ウェーハ上の切り代となる切断ラインに正確に位置を合わせて半導体ウェーハを切断することができる。
【００２０】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェーハの中央部の領域を第１領域とし、半導体ウェーハの外周側の領域を第２領域として、少なくとも第１領域において複数個の半導体チップの回路パターンを形成し、第１領域と第２領域にわたって半導体チップ間の切断ラインを形成する。
第２領域の少なくとも一部上では樹脂被膜の膜厚を薄く形成してしまうので、半導体装置としては使えない領域となってしまうが、半導体ウェーハの外周側の領域は元々完全な回路パターンを有していない不要な部分であるので、この領域を利用して第２領域とすることができる。
【００２１】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程が、前記第１領域および前記第２領域において所定の膜厚で樹脂被膜を形成する工程と、前記第２領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域において前記切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるまで前記樹脂被膜を薄膜化する工程とを含む。第２領域において厚膜に形成してしまっても、薄膜化することで切断ラインの一部の位置を確認できるようにすることができる。
【００２２】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記第１領域および前記第２領域において所定の膜厚で樹脂被膜を形成する工程においては、前記半導体ウェーハを溶融樹脂中に浸漬して前記樹脂被膜を形成する。これにより、１領域および第２領域において所定の膜厚で樹脂被膜を形成することができる。
【００２３】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程においては、前記第１領域においては所定の膜厚となり、前記第２領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域においては前記切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるような型を用いて前記樹脂被膜を形成する。これにより、第２領域において切断ラインの一部の位置を確認できるように薄膜に形成することができる。
【００２４】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程においては、前記第２領域の少なくとも前記切断ラインの一部を含む領域において膜厚が３０μｍ以下となるように前記樹脂被膜を形成する。これにより、切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚とすることができる。
【００２５】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成する工程においては、前記第１領域において前記バンプを完全に埋める膜厚で前記樹脂被膜を形成し、前記半導体ウェーハを切断する工程の前に、前記第１領域において、少なくとも前記バンプの一部を露出させるまで前記樹脂被膜を薄膜化する工程をさらに有する。これにより、バンプの一部が露出して、実装基板に実装するときに電気的に接続することが可能となる。
【００２６】
上記の本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、前記半導体ウェーハを切断する工程においては、前記半導体ウェーハの画像を撮影し、コンピュータ上で画像処理して前記切断ラインの位置を確認する。半導体装置の設計ルールが、例えば０．３５μｍから０．２５μｍあるいは０．１８μｍとますます微細化されるに従い、上記の半導体チップ間に切断ラインも幅が狭められていき、目視で確認することが困難となっても、コンピュータ上で画像処理を行うことにより確実に切断ラインの位置を確認することができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２８】
第１実施形態
本実施形態にかかる半導体装置は、図１（ａ）の断面図に示すように、半導体チップ１０ａの図示しないパッド電極に接続してはんだなどのバンプ１２が形成されており、バンプ１２の間隙部における半導体チップ１０ａ表面は、樹脂被膜１５により封止されている。半導体チップ１０ａのバンプ１２形成面と反対側の表面上も樹脂被膜で被覆されていてもよい。これらにより、ＣＳＰ形態の半導体装置１が形成されている。
【００２９】
上記の半導体装置１を実装するための実装基板２としては、図１（ａ）中に示すように、例えばガラスエポキシ系材料よりなる基板２０の上面にランド（電極）２１と、図示しないプリント配線部を有している。上記の半導体装置１を上記の実装基板２に実装するには、実装基板２のランド２１形成面に対して、半導体装置１のバンプ１２の形成面から、それぞれ対応するランド２１とバンプ１２を位置合わせしてマウントし、図１（ｂ）に示すように、バンプ１２をリフローさせるなどの方法により、半導体装置１と実装基板２のランド２１とをバンプ１２を介して機械的、電気的に接続する。
【００３０】
上記のＣＳＰ形態の半導体装置１の製造方法について図面を参照して説明する。まず、図２（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１０上に半導体チップの回路パターン（不図示）と、半導体チップ間の切断ライン（不図示）を形成する。ここで、半導体チップの完全な回路パターンが形成されている半導体ウェーハ１０の中央部の領域を第１領域Ａとし、完全な回路パターンを有しておらず、不要な領域となる半導体ウェーハ１０の外周側の領域を第２領域Ｂとする。半導体チップ間の切断ラインは、第１領域Ａから第２領域Ｂにわたって形成する。次に、少なくとも第１領域Ａにおいて、半導体チップの回路パターンに接続するように、蒸着法あるいは転写法などにより、はんだあるいは金などからなるバンプ１２ａを形成する。
【００３１】
次に、図２（ｂ）に示すように、上記の半導体ウェーハ１０全体を溶融樹脂中に浸漬し、第１領域Ａにおいてバンプ１２ａの間隙部を封止しながら、バンプ１２ａを完全に埋める膜厚で、第１領域Ａおよび第２領域Ｂにおいて、半導体ウェーハ１０のバンプ１２ａ形成面上に樹脂被膜１５を形成する。ここで、溶融樹脂中に浸漬する方法（ディッピング法）では、半導体ウェーハ１０の両面に樹脂被膜１５が形成されるが、バンプ１２ａ形成面の裏面側の樹脂被膜は必ずしも形成しなくてもよい。
【００３２】
次に、図２（ｃ）に示すように、第２領域Ｂの少なくとも切断ラインの一部を含む領域において、切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるまで樹脂被膜１５を薄膜化する。第２領域Ｂの一部である薄膜領域１６ａにおいては、樹脂被膜１５の膜厚が例えば２０〜３０μｍとなっており、樹脂被膜の下層のパターンが透けて見えるため、切断ラインの一部の位置を確認することができる。
【００３３】
次に、図３（ｄ）に示すように、第１領域Ａにおいて、少なくともバンプ１２ａの一部を露出させるまで樹脂被膜１５を研削して薄膜化する．
【００３４】
次に、図３（ｅ）に示すように、第１領域Ａにおいて、バンプ１２ａに接続させてはんだボール１２ｂを転写する。バンプ１２ａとはんだボール１２ｂとから、バンプ１２が構成されている。
【００３５】
次に、図３（ｆ）に示すように、第１領域Ａおよび第２領域Ｂにおいて半導体ウェーハ１０上に形成された半導体チップの回路パターンの間の領域であり、半導体ウェーハ１０の切り代となる領域である切断ラインに沿って、半導体ウェーハ１０を切断し（ダイシング工程）、個々に切断された半導体チップ１０ａを有するＣＳＰ形態の各半導体装置１と、半導体ウェーハ１０の外周部分であり、完全な回路パターンを有していない不要な部分３とに分割する。ここで、切断ラインに沿って半導体ウェーハ１０を切断するにあたっては、第２領域Ｂ中に形成された薄膜領域１６ａにおいて、薄い樹脂被膜１５を通して透けて見える下層のパターンから切断ラインの位置を目視によって確認し、あるいは、半導体ウェーハ１０の画像をＣＣＤカメラなどで撮影し、得られた画像をコンピュータ上で画像処理して、切断ラインの位置を確認し、確認された切断ラインを基準位置として切断ラインに沿って半導体ウェーハ１０を切断する。
【００３６】
上記の半導体装置の製造方法においては、例えば図４に示すような回路パターンと、各パターンに接続するバンプ１２を有し、各回路パターンの間の領域が切断ライン１６となる半導体ウェーハ１０に対して、樹脂被膜１５を形成するが、図５（ａ）あるいは図５（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ１０上の完全な回路パターンを有していない不要な部分となる領域中の切断ラインの一部を含む領域（例えば図５（ａ）および（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ上から４か所選択する）において、切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるまで樹脂被膜１５を薄膜化して形成することにより、この薄膜領域１６ａにおいては、樹脂被膜の下層のパターンが透けて見えるため、切断ライン１６の位置を確認することができ、Ｘ1 〜Ｘ6 およびＹ1 〜Ｙ6 の各切断ラインに沿って半導体ウェーハ１０を切断するときに、半導体ウェーハ１０上の切り代となる切断ライン１６に正確に位置を合わせて半導体ウェーハ１０を切断することができる。
【００３７】
第２実施形態
本実施形態にかかる半導体装置は、第１実施形態にかかる半導体装置と実質的に同一であり、説明を省略する。
【００３８】
本実施形態にかかる半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。まず、図６（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１０上に半導体チップの回路パターン（不図示）と、半導体チップ間の切断ライン（不図示）を形成する。ここで、半導体チップの完全な回路パターンが形成されている半導体ウェーハ１０の中央部の領域を第１領域Ａとし、完全な回路パターンを有しておらず、不要な領域となる半導体ウェーハ１０の外周側の領域を第２領域Ｂとする。半導体チップ間の切断ラインは、第１領域Ａから第２領域Ｂにわたって形成する。次に、少なくとも第１領域Ａにおいて、半導体チップの回路パターンに接続するように、蒸着法あるいは転写法などにより、はんだあるいは金などからなるバンプ１２ａを形成する。
【００３９】
次に、図６（ｂ）に示すように、第１金型３０の上に上記の半導体ウェーハを戴置し、その上に樹脂タブレット１５ａを戴置する。その上方から第２金型３１を押しつけ、タブレット状の樹脂を溶融し、第１領域Ａにおいてバンプ１２ａの間隙部を封止しながら再固化させ、半導体ウェーハ１０のバンプ１２ａ形成面上に樹脂被膜１５を形成する。ここで、上記の半導体ウェーハ１０の第１領域Ａにおいてはバンプ１２ａを完全に埋める膜厚で、第２領域Ｂの少なくとも切断ラインの一部を含む領域においては、切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚となるような第１金型３０および第２金型３１の対を用いることで、図６（ｃ）に示すように、第２領域Ｂの一部である薄膜領域１６ａにおける樹脂被膜１５の膜厚を２０〜３０μｍとすることができ、樹脂被膜の下層のパターンが透けて見えるために、切断ラインの一部の位置を確認することができる。
【００４０】
次に、図７（ｄ）に示すように、第１領域Ａにおいて、少なくともバンプ１２ａの一部を露出させるまで樹脂被膜１５を研削して薄膜化する．
【００４１】
次に、図７（ｅ）に示すように、第１領域Ａにおいて、バンプ１２ａに接続させてはんだボール１２ｂを転写する。バンプ１２ａとはんだボール１２ｂとから、バンプ１２が構成されている。
【００４２】
次に、図７（ｆ）に示すように、第１領域Ａおよび第２領域Ｂにおいて半導体ウェーハ１０上に形成された半導体チップの回路パターンの間の領域であり、半導体ウェーハ１０の切り代となる領域である切断ラインに沿って、半導体ウェーハ１０を切断し（ダイシング工程）、個々に切断された半導体チップ１０ａを有するＣＳＰ形態の各半導体装置１と、半導体ウェーハ１０の外周部分であり、完全な回路パターンを有していない不要な部分３とに分割する。ここで、切断ラインに沿って半導体ウェーハ１０を切断するにあたっては、第２領域Ｂ中に形成された薄膜領域１６ａにおいて、薄い樹脂被膜１５を通して透けて見える下層のパターンから切断ラインの位置を確認し、あるいは、半導体ウェーハ１０の画像をＣＣＤカメラなどで撮影し、得られた画像をコンピュータ上で画像処理して、確認された切断ラインを基準位置として切断ラインに沿って半導体ウェーハ１０を切断する。
【００４３】
上記の半導体装置の製造方法においては、第１実施形態と同様に、上記の薄膜領域１６ａにおいて、樹脂被膜の下層のパターンが透けて見えるため、切断ライン１６の位置を確認することができ、Ｘ1 〜Ｘ6 およびＹ1 〜Ｙ6 の各切断ラインに沿って半導体ウェーハ１０を切断するときに、半導体ウェーハ１０上の切り代となる切断ライン１６に正確に位置を合わせて半導体ウェーハ１０を切断することができる。金型を用いて形成する薄膜領域としては、図５（ａ）あるいは図５（ｂ）に示すようなパターンとすることができる。
【００４４】
本発明の半導体装置としては、ＭＯＳトランジスタ系半導体装置、バイポーラ系半導体装置、ＢｉＣＭＯＳ系半導体装置、ロジックとメモリを搭載した半導体装置など、半導体装置であれば何にでも適用可能である。
【００４５】
本発明の半導体装置は上記の実施の形態に限定されない。例えば、第２領域において、切断ラインが確認できるように樹脂被膜を薄膜化する際に、薄膜領域においては樹脂被膜を完全に除去してしまってもかまわない。樹脂被膜は最初からバンプの一部が露出する膜厚で形成することも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００４６】
【発明の効果】
上記のように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、第１領域においてはバンプの間隙部を封止しながら所定の膜厚で、第２領域の少なくとも切断ラインの一部を含む領域においては切断ラインの一部の位置を確認できる膜厚で、半導体ウェーハのバンプ形成面上に樹脂被膜を形成するので、後工程で半導体ウェーハを切断するときに、第２領域の少なくとも切断ラインの一部を含む領域において切断ラインの位置を確認することが可能であり、半導体ウェーハ上の切り代となる切断ラインに正確に位置を合わせて半導体ウェーハを切断することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は第１実施形態にかかる半導体装置と、その実装基板への実装方法を説明する断面図であり、（ａ）は実装基板への半導体装置のマウント工程まで、（ｂ）はリフロー工程までをそれぞれ示す。
【図２】図２は第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）はバンプの形成工程まで、（ｂ）は樹脂被膜の形成工程まで、（ｃ）は第２領域の一部における樹脂被膜の薄膜化工程までを示す。
【図３】図３は図２の続きの工程を示し、（ｄ）は第１領域における樹脂被膜の薄膜化工程まで、（ｅ）はバンプへのはんだボールの転写工程まで、（ｆ）は切断ラインに沿って半導体ウェーハを切断する工程までを示す。
【図４】図４は第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の製造工程のバンプの形成工程後の半導体ウェーハの斜視図である。
【図５】図５は第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法の製造工程の第２領域の一部に薄膜領域を形成する工程後の半導体ウェーハの斜視図である。
【図６】図６は第２実施形態にかかる半導体装置の製造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）はバンプの形成工程まで、（ｂ）は金型への半導体ウェーハの戴置工程まで、（ｃ）は樹脂被膜の形成工程までを示す。
【図７】図７は図６の続きの工程を示し、（ｄ）は第１領域における樹脂被膜の薄膜化工程まで、（ｅ）はバンプへのはんだボールの転写工程まで、（ｆ）は切断ラインに沿って半導体ウェーハを切断する工程までを示す。
【図８】図８は第１従来例にかかる半導体装置と、その実装基板への実装方法を説明する断面図であり、（ａ）は実装基板への半導体装置のマウント工程まで、（ｂ）はリフロー工程までをそれぞれ示す。
【図９】図９は第２従来例にかかる半導体装置と、その実装基板への実装方法を説明する断面図であり、（ａ）は実装基板への半導体装置のマウント工程まで、（ｂ）はリフロー工程までをそれぞれ示す。
【図１０】図１０は第２従来例にかかる半導体装置の製造方法の製造工程を示す断面図であり、（ａ）はバンプの形成工程まで、（ｂ）は樹脂被膜の形成工程までを示す。
【図１１】図１１は図１０の続きの工程を示し、（ｃ）は樹脂被膜の薄膜化工程まで、（ｄ）はバンプへのはんだボールの転写工程まで、（ｅ）は切断ラインに沿って半導体ウェーハを切断する工程までを示す。
【図１２】図１２は第２従来例にかかる半導体装置の製造方法の製造工程における（ａ）はバンプの形成工程後、（ｂ）は樹脂被膜形成後の半導体ウェーハの斜視図である。
【符号の説明】
１，１００…半導体装置、２…実装基板、３…不要な部分、１０…半導体ウェーハ、１０ａ…半導体チップ、１１…ベースボード（インタポーザ）、１２，１２ａ…バンプ、１２ｂ…はんだボール、１３…封止樹脂、１４…バンプ、１５…樹脂被膜、１５ａ…樹脂タブレット、１６…切断ライン、１６ａ…薄膜領域、２０…基板、２１…ランド（電極）、３０…第１金型、３１…第２金型。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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