(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランタノイド酸化物を含む研磨剤を用いて研磨した後、硝酸を含む酸及び還元剤を含みランタノイド酸化物を溶解する洗浄液を用いて洗浄する磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法。
【請求項２】
請求項１において、硝酸の濃度が０．００１〜０．５モル／Ｌであることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法。
【請求項３】
ランタノイド酸化物を含む研磨剤を用いて研磨した後、酸及び還元剤を含みランタノイド酸化物を溶解する洗浄液を用いて洗浄する磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法であって、還元剤は還元作用を有するキレート剤であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、該洗浄液による洗浄の後、さらにアルカリ洗剤の水溶液による洗浄を施すことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法。
【請求項５】
請求項４において、アルカリ洗剤の濃度が０．０００１〜５ｗｔ％であることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、該アルカリ洗剤の水溶液による洗浄後に、更にｐＨ１〜４のフッ化水素酸又は珪フッ化水素酸、もしくはｐＨ１〜７に調整したフッ化物を含む水溶液による洗浄を施すことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法。
【請求項７】
請求項３ないし６のいずれか１項において、前記酸及び還元剤を含む洗浄液中の酸が、硫酸、塩酸、硝酸、スルファミン酸及びリン酸の少なくとも１種であり、該洗浄液の酸濃度が０．００１〜１０モル／Ｌであることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法。
【請求項８】
請求項７において、酸が硝酸であり、その濃度が０．００１〜０．５モル／Ｌであることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法。
【請求項９】
請求項１，２，４ないし８のいずれか１項において、該洗浄液中の還元剤が過酸化水素である場合、その濃度が１〜５モル／Ｌであり、その他の場合は０．０００１〜０．１モル／Ｌであることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法。
【請求項１０】
ランタノイド酸化物を含む研磨剤を用いて基板を研磨する工程と、
該研磨後に請求項１ないし９のいずれか１項に記載の洗浄方法により前記基板を洗浄する工程と
を含むことを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記研磨及び前記洗浄により、基板表面に残留するランタノイド酸化物量が５０×１０１０原子／ｃｍ２以下となるように処理することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、前記研磨及び前記洗浄により、基板表面に残留するランタノイド酸化物量が０．５×１０１０原子／ｃｍ２以下となるように処理することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０ないし１２のいずれか１項において、前記研磨及び前記洗浄により、基板表面の表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下となるように仕上げることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０ないし１３のいずれか１項において、前記基板がアルミノシリケートガラスであることを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高い清浄度を必要とする磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法並びにその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク用ガラス基板、液晶用ガラス基板等に用いられる多成分系ガラス基板の応用分野では、ガラス基板は、通常高い平坦性を確保するため、ガラス基板成形後に酸化セリウム等の研磨剤で研磨される。
【０００３】
しかし、前記ガラス基板を研磨剤で研磨すると、その表面に研磨剤が強固に付着した状態で残留し、後工程でピンホールの形成等の問題が発生することがあった。このように付着残留する研磨剤は、多くの場合、水や中性洗剤では容易に除去することができないため、フッ化水素酸のようなエッチング作用のある薬液を用いて基板の洗浄が行われてきた（特開昭５０−４５４６５号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開昭５０−４５４６５号公報に記載されたフッ化水素酸を洗浄に用いた場合、フッ化水素酸中では、ガラス基板は負に帯電する性質を持つのに対し、研磨剤をはじめとする多くの汚れ粒子は、正に帯電する性質を持つため、両者に静電気的引力が働く。そのため、一旦除去した研磨剤等の汚れがガラス基板に再付着して高い清浄度が得られないという問題があった。
【０００５】
また、「光学ガラス（泉谷徹郎  著、共立出版）Ｐ．１６５」に記載されているように、市販のアルカリ洗剤のみで汚れを取り除いた場合には、研磨剤等の汚れが基板表面に残る、或いは汚れを完全に除去しようとするとガラスの侵食を伴い基板表面が荒れるという問題が生じる。
【０００６】
表面が荒れたり、研磨剤が残留したガラス基板に磁性膜や導電膜を積層した場合は、ディスクの読み書きができず、エラーが発生したり、電圧がかからず、文字エラー等が発生するという問題が生じた。
【０００７】
磁気ディスク基板に於いては、記録密度の向上を目指し、基板とヘッドとの距離がさらに近づく傾向にあり、基板表面に異物が付着したり、あるいは基板表面の平滑性が悪くなったりすると、読み書き時にヘッドが異物及び／又は基板の凸部と衝突し、ヘッドクラッシュの原因となる。このため基板表面の清浄度や平滑さがさらに要求されるようになった。
【０００８】
本発明は、上記従来技術の課題を解決するためになされたものであり、表面に潜傷の発生がなく、かつ残留異物のない高い清浄度が得られる磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ランタノイド酸化物を含む研磨剤を用いて研磨した後、硝酸を含む酸及び還元剤を含みランタノイド酸化物を溶解する洗浄液を用いて洗浄することを特徴とするものである。
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法は、また、ランタノイド酸化物を含む研磨剤を用いて研磨した後、酸及び還元剤を含みランタノイド酸化物を溶解する洗浄液を用いて洗浄する磁気ディスク用ガラス基板の洗浄方法であって、還元剤は還元作用を有するキレート剤であることを特徴とするものである。
【００１０】
このランタノイド酸化物としては、酸化セリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウム及び酸化プラセオジウムが挙げられる。この基板表面に残留するランタノイド酸化物量はとくに０．５×１０１０原子／ｃｍ２以下が好ましい。
【００１１】
かかる磁気ディスク用ガラス基板は、ランタノイド酸化物の残留量が極めて少なく、情報記録媒体に用いられるのにきわめて好適である。また、本発明の基板は、表面が過度に粗くなく、この点においても情報記録媒体として好適である。
【００１２】
この酸の種類は、特に限定されないが、ランタノイド酸化物を溶解し易いという点で、硝酸、硫酸、塩酸、スルファミン酸及びリン酸の少なくとも１種が好ましい。
【００１３】
ランタノイド酸化物は、硝酸、硫酸、塩酸、スルファミン酸及びリン酸を単独で用いても、ある程度溶解させることができるが、還元剤を加えると、ランタノイド酸化物が還元され、より溶解し易くなる。特に硝酸は、通常は酸化剤であるが、還元剤によっては亜硝酸になり、ランタノイド酸化物の還元作用との相乗効果で十分な溶解力を発揮でき、また洗浄槽によく用いられるステンレスを腐食させ難く好適である。
【００１４】
洗浄液中の酸の濃度は、０．００１〜１０モル／Ｌ、特に０．００１〜０．５モル／Ｌが好適である。
【００１５】
還元剤としては、水素、過酸化水素水、水素化ホウ素ナトリウム、硫酸ヒドロキシルアミン、塩酸ヒドロキシルアミン、亜硝酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、硫酸水素ナトリウム、硫化ナトリウム、硫化アンモニウム、ギ酸、アスコルビン酸、シュウ酸、アセトアルデヒド、ヨウ化水素、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、亜リン酸ナトリウム、硫酸第一鉄及び塩化第二スズの少なくとも１種が好適であり、中でもアスコルビン酸が最適である。この還元剤の洗浄液中の濃度は、過酸化水素水の場合は１〜５モル／Ｌが好ましく、その他の場合は溶解度の問題があり０．０００１〜０．１モル／Ｌが好適である。還元剤としては、還元作用を有するキレート剤であってもよい。この還元作用を有するキレート剤としては、カテコール類の酸化物、例えば上記のアスコルビン酸やムコン酸が例示される。このキレート剤は研磨剤粒子に配位して効果的な還元作用を発揮する。
【００１６】
過酸化水素水を添加した系では、１モル／Ｌより小さいと溶解度が低下し、５モル／Ｌより大きいと超音波印加時に過酸化水素水分解による気泡発生が激しくなり、洗浄度がかえって低下する。過酸化水素水以外の系では、０．０００１モル／Ｌより小さいと溶解度が低下し、０．１モル／Ｌより大きいと溶解せずに沈殿物が生じたり、洗浄液の寿命が短くなる。
【００１７】
本発明では、酸と還元剤の洗浄液による洗浄の後、さらにアルカリ洗剤の水溶液による洗浄を施しても良い。多成分系ガラス基板を酸と還元剤の洗浄液で処理した場合、「光学ガラス（泉谷徹郎  著、共立出版）Ｐ．５６」に記載されているような「青ヤケ」と呼ばれる表面変質層が生じ、表面硬度が低下したり、表面が斑になるという問題が生じる。そこで、アルカリ洗剤でこれをエッチング除去することが好ましい。ちなみに、半導体ウエハーを同様に洗浄した場合は、その表面に変質層は形成されないので、アルカリ洗剤による処理は不要である。また、ガラス基板の表面には研磨時に微小な研磨痕が発生し、その痕に研磨剤が深く入り込んでしまうと考えられる。このような研磨剤を完全に除去し、かつ青やけを防止するためにも、このアルカリ洗剤によるエッチングを行ったほうが良い。このアルカリ洗剤の水溶液の濃度は、０．０００１〜５ｗｔ％が好ましい。
【００１８】
また、このアルカリ洗剤による洗浄後に、更にｐＨ１〜４のフッ化水素酸又は珪フッ化水素酸、或いはｐＨ１〜７のバッファードフッ酸による洗浄を施すようにしても良い。このようにアルカリ洗浄後にフッ化水素酸、珪フッ化水素酸、あるいはバッファードフッ酸による洗浄を施すことにより、基板に埋まり込んだ研磨剤もさらに容易に除去される。
【００１９】
なお、基板上の酸化セリウムに起因した汚染物質を除去することを目的とした技術については、特開平９−２２８８５号公報に、硫酸−過酸化水素水、塩酸−過酸化水素水または硝酸を用いて、半導体基板上の酸化セリウムによる汚染を除去する旨の記載がある。これは、硫酸−過酸化水素水、塩酸−過酸化水素水または硝酸などの洗浄液により、酸化セリウム砥粒のゼータ電位を変化させることにより、残存した研磨粒子を凝集させ、大きな粒子とし、次工程のスクラブ洗浄で酸化セリウム粒子を除去し易くするというものである。
【００２０】
この特開平９−２２８８５号公報に記載の方法は、ゼータ電位の制御により、酸化セリウム粒子を成長させ、ブラシスクラブ洗浄により除去し易くすることを主旨としており、酸化セリウム等を還元剤と酸との作用により、溶解させて除去する本発明とは主旨が異なる。また、本発明では酸化セリウム等の粒子を溶解させるため、スクラブ洗浄工程が不要であるのに対して、特開平９−２２８８５号公報に記載の方法では、酸化セリウム除去にスクラブ洗浄工程が必須である。
【００２１】
さらに、本発明では、磁気ディスク用ガラス基板の洗浄を目的とするのに対して、特開平９−２２８８５号公報に記載の方法では、半導体基板の洗浄を目的とし、磁気ディスク用ガラス基板に関する示唆はない。
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、ランタノイド酸化物を含む研磨剤を用いて基板を研磨する工程と、前記本発明の洗浄方法により前記基板を洗浄する工程とを含むことを特徴とする。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい形態について説明する。
【００２３】
本発明の基板を構成するガラスとしては、ソーダ石灰ガラス、アルミノシリケートガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス及びこれらの結晶化ガラス等が挙げられる。磁気ディスク用ガラス基板としては耐候性の面およびコストの面からはアルミノシリケート系ガラスであることが好ましい。アルミノシリケートガラスの組成としてはモル分率で示して、
ＳｉＯ２      ６３〜７０モル％
Ａｌ２Ｏ３    ６〜１２．５モル％
Ｌｉ２Ｏ        ５〜１１モル％
Ｎａ２Ｏ        ６〜１４モル％
Ｋ２Ｏ            ０〜２モル％
ＴｉＯ２          ０〜５モル％
ＺｒＯ２      ０〜２．５モル％
ＭｇＯ        ０〜４．５モル％
ＣａＯ        ２〜７．５モル％
ＳｒＯ            ０〜３モル％
ＢａＯ            ０〜２モル％
（ただし、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの合計は２〜１２モル％）
であることが好ましい。
【００２４】
また、ガラス基板表面層の改質については、化学強化によって基板表面に圧縮応力層が形成されている場合等も挙げられるが、特に限定はされない。
【００２５】
後述の研磨及び洗浄処理によりこの基板は、表面粗さＲａが０．５ｎｍ以下とくに０．２５ｎｍ以下に仕上げられ、且つ表面に残留するランタノイド酸化物量が５０×１０１０原子／ｃｍ２特に０．５×１０１０原子／ｃｍ２以下となるように処理される。Ｒａが０．５ｎｍよりも大きいと、基板表面にアスペリティーと呼ばれる突出した突起が生じるからである。このように基板表面が平坦であり、且つ残留するランタノイド酸化物量が少ない基板は情報記録媒体としてきわめて好適である。
【００２６】
この基板を研磨するには、ランタノイド酸化物を含む研磨剤を用いる。この研磨剤としては、酸化セリウムを主成分とする研磨剤や、ランタノイド酸化物（酸化セリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウム、酸化プラセオジウム等）を主成分とする天然鉱石バストネサイトの焼成粉砕物等が挙げられる。
【００２７】
研磨方法それ自体に特に制限はなく、各種の研磨装置を用いることができる。
【００２８】
この研磨の後、酸及び還元剤を含む洗浄液で洗浄する。この酸は、強酸特に硫酸、塩酸及び硝酸の１種又は２種以上が好適であり、洗浄液中の酸濃度は０．００１〜１０モル／Ｌ特に０．００１〜０．５モル／Ｌが好ましい。酸濃度が０．００１モル／Ｌよりも低いと洗浄が不十分となり易く、１０モル／Ｌよりも高いとき基板表面がエッチングされ易くなる。酸としては、硝酸が特に好適であり、その濃度は０．００１〜０．５モル／Ｌとりわけ０．１〜０．５モル／Ｌが好ましい。この濃度が０．１モル／Ｌより小さいと、洗浄液の寿命が短くなるからである。硝酸は、還元剤と共に用いた場合に、研磨剤主成分であるランタノイド酸化物（酸化セリウム、酸化ランタン、酸化ネオジウム、酸化プラセオジウム等）を短時間で溶解できるという点においてより好ましい。また、硝酸を０．１Ｎ程度の低濃度域で用いても、十分な洗浄力が維持できることから、洗浄液の取り扱い、廃液処理の点で優れる。
【００２９】
還元剤としては、水素、過酸化水素水、水素化ホウ素ナトリウム、硫酸ヒドロキシルアミン、塩酸ヒドロキシルアミン、亜硝酸ナトリウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、硫酸水素ナトリウム、硫化ナトリウム、硫化アンモニウム、ギ酸、アスコルビン酸、シュウ酸、アセトアルデヒド、ヨウ化水素、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、亜リン酸ナトリウム、硫酸第一鉄及び塩化第二スズ並びに還元作用を有するキレート剤（例えばカテコール類の酸化物）の少なくとも１種が好適であり、中でもアスコルビン酸が最適である。このアルコルビン酸は、キレート剤でもある。
【００３０】
なお、アスコルビン酸に次いで、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウム、シュウ酸が好適である。アルコルビン酸以外の好適なキレート剤としてはムコン酸などが例示される。
【００３１】
この還元剤の洗浄液中の濃度は、過酸化水素水の場合は１〜５モル／Ｌが好ましく、その他の場合は溶解度の問題があり０．０００１〜０．１モル／Ｌが好ましい。
【００３２】
過酸化水素水を添加した系では、１モル／Ｌより小さいと溶解度が低下し、５モル／Ｌより大きいと超音波印加時に過酸化水素水分解による気泡発生が激しくなり、洗浄度がかえって低下する。過酸化水素水以外の系では、０．０００１モル／Ｌより小さいと溶解度が低下し、０．１モル／Ｌより大きいと溶解せずに沈殿物が生じたり、洗浄液の寿命が短くなる。
【００３３】
この洗浄液を用いて基板を洗浄するには、研磨後の基板を純水のシャワーで洗って付着物を洗い落した後、基板を洗浄液中に浸漬して超音波を加える方法を採用することができる。この洗浄時の洗浄液の温度は、特に限定されないが、研磨剤の溶解反応を促進する観点からは２０℃以上が好ましく、洗浄液の蒸発等の影響を考慮すると２０〜８０℃が好適である。
【００３４】
この洗浄液による洗浄後、アルカリ洗剤の水溶液により基板を洗浄しても良い。このアルカリ洗剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどが好ましい。このアルカリ洗剤水溶液は、さらに界面活性剤、キレート剤などを含んでいても良い。
【００３５】
酸と還元剤の洗浄液だけでもガラス基板の表面は十分に平坦になるが、研磨時に研磨剤がガラス基板表面層に埋まることがあり、この研磨剤が洗浄液で溶解されると、その部分が微小凹部となって残る。そこで、アルカリ洗剤による洗浄を施すことにより、基板の穏やかなエッチングによって前記微小凹部を均す効果（より平坦化できる）が発揮される。また、ガラス基板とそれに付着する汚れ粒子等との間に静電気的反発力が働き、ガラス基板の洗浄度がさらに高くなる効果、ならびに、上記青ヤケと呼ばれる表面変質層を除去する効果も発揮される。
【００３６】
アルカリ洗剤、界面活性剤及びキレート剤の濃度は、特に限定されないが、アルカリ洗剤濃度は０．０００１〜５ｗｔ％が好ましい。アルカリ洗剤濃度が０．０００１ｗｔ％よりも低いと、水溶液のｐＨが空気中の炭酸ガスの影響により７に近づいてしまう。５ｗｔ％以上の高濃度のアルカリ洗剤水溶液は、コスト高であると共に、廃液処理コストも高くなる。界面活性剤の濃度は０．００１〜１ｗｔ％が好ましく、キレート剤の濃度は０．００１〜１ｗｔ％が好ましい。
【００３７】
このアルカリ洗剤による洗浄後に、更にｐＨ１〜４のフッ化水素酸又は珪フッ化水素酸、或いはｐＨ１〜７に調整したフッ化物を含む水溶液による洗浄を行っても良い。これにより研磨痕に深く埋まり込んだ研磨剤でさえも完全に除去できるようになる。フッ化水素酸又は珪フッ化水素酸の場合は、ｐＨ１〜４でガラスに対して十分なエッチング作用があるが、ｐＨ４以上ではガラスのエッチングが十分にできない。ｐＨ１〜７に調整したフッ化物を含む水溶液は、フッ化水素酸溶液、フッ化水素アンモニウム溶液又は珪フッ化水素酸溶液にｐＨ調整剤を添加してｐＨを２以上７以下に調整したものが好ましい。このｐＨ調整剤はアルカリ成分またはフッ化物であって、具体的にはアルカリ成分としてはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイト、苛性ソーダ、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムまたはアンモニアのうち少なくとも１種が、一方フッ化物としては、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化アンモニウム、ホウフッ化アンモニウム又は珪フッ化アンモニウムのうちの少なくとも１種が好ましい。ｐＨ調整剤を添加するため、ｐＨ２〜７の領域でもガラスに対して十分なエッチング作用があるが、ｐＨ７以上ではガラスのエッチングが十分でなくなる。
【００３８】
【実施例】
以下に、本発明について実施例及び比較例を挙げて説明する。
【００３９】
（実施例１〜３５）
(1)  基板組成がＳｉＯ２  ６６．０ｍｏｌ％，Ａｌ２Ｏ３  １１．０ｍｏｌ％，Ｌｉ２Ｏ  ８．０ｍｏｌ％，Ｎａ２Ｏ  ９．１ｍｏｌ％，ＭｇＯ  ２．４ｍｏｌ％，ＣａＯ  ３．６ｍｏｌ％であるガラス基板を、酸化セリウムを主成分とする研磨剤（三井金属鉱業(株)製ミレークＳＯＳ）とスエードパッドを用いて研磨した後、純水のシャワーで洗って、基板表面に弱く付着した研磨剤を除去した。
(2)  引き続き表１〜４に示す温度に保持した表１〜４に示す種類及び濃度の酸及び還元剤を含む洗浄液中に基板を３分間浸漬し、約４８ｋＨｚ、１Ｗ／ｃｍ２の超音波を３分間照射した後、引き上げて純水浴中でリンスして洗浄液を除去した。
(3)  次いで、５０℃に保持した市販のｐＨ１１のアルカリ洗剤（ｐＨ１１、株式会社ケミカルプロダクツ製ＲＢ２５）を純水で５０倍に希釈した浴中に基板を３分間浸漬し、約４８ｋＨｚ、１Ｗ／ｃｍ２の超音波を３分間照射した後、引き上げて純水浴中でリンスしてアルカリ洗剤を除去した。ただし、実施例３０では、この工程(3)のアルカリ洗浄は行わなかった。
(4)  なお、実施例３１，３２，３３では、この(3)のアルカリ洗浄工程の後、５０℃の０．００１％フッ酸水溶液（実施例３１）、０．０１％フッ酸及び０．５％フッ化アンモニウム水溶液（実施例３２）又は０．０１％珪フッ化水素酸（実施例３３）に３分間浸漬し、４８ｋＨｚ、１Ｗ／ｃｍ２の超音波を３分間照射した後引き上げて純水浴中でリンスした。その他の実施例１〜５９，６３，６４ではこの工程(4)の酸洗浄は行わなかった。
(5)  その後、基板を純水浴に浸漬してリンスする操作を３回繰り返し、最後にイソプロピルアルコールの浴に基板を浸漬して約４８ｋＨｚの超音波を２分間照射した後、イソプロピルアルコール蒸気中で１分間乾燥させ、実施例１〜３５の試料とした。
【００４０】
この試料について、以下の条件で全反射ＸF測定を行い、残留Ｃｅ，Ｌａ，Ｎｄ量（原子／ｃｍ２）を定量した。
【００４１】
装置        ：(株)テクノス製全反射蛍光Ｘ線分析装置ＴＲＥＸ６０１Ｔ
分析エリア  ：１ｃｍΦ
Ｘ線侵入深さ：約５０〜１００
分析条件    ：ターゲット（タングステン）、検出器（Ｓｉ（Ｌｉ）ＳＳＤ）、電圧（３０ｋＶ）、電流（１００ｍＡ）、入射角度（０．０５ｄｅｇ）、測定時間（５００ｓｅｃ）
Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔ社製Ｎａｎｏ  Ｓｃｏｐｅ  IIIａを用いてタッピングモード（共振周波数で短針を振動させるモード）で洗浄後の基板表面を観察した。
測定項目      ：表面粗さ（Ｒａ）
スキャンエリア：１０μｍ×１０μｍ
走査線数      ：２５６本／Ｙ方向スキャン
補正          ：Ｘ，Ｙ方向のＰｌａｎｅ  Ｆｉｔ  Ａｕｔｏ補正
Ｘ，Ｙ方向のＰｌａｎｅ  Ｆｉｔ  Ａｕｔｏ補正は、Ｘ，Ｙ方向の画像の歪を除去するために用いた。全てのデータポイントを用いてＸ軸、Ｙ軸方向のZの平均値を求め、これをもとにＸ軸、Ｙ軸方向の最適な２次曲線を計算し、全てのＸライン、Ｙラインから差し引く。また、ノイズなどを除去するスムージング処理のために、イメージ画素の強度を、その画素とそれを囲む８画素の重み平均で置き換えて表示するＬｏｗｐａｓｓ補正を行った。また、ガラス基板を目視で観察し、青やけが生じていないか確認した。
【００４２】
結果を表１〜４に示す。
【００４３】
（比較例１）
実施例１と同様にして、上記(1)の研磨剤の除去を行い、その後の洗浄処理を全く施していない基板について同様の測定を行った。
【００４４】
（比較例２）
還元剤を洗浄液に含有させなかったこと、及びフッ酸処理を行わなかったこと以外は実施例３１と同一の処理を行った。
【００４５】
（比較例３）
還元剤を洗浄液に含有させなかったこと以外は実施例３１と同一の処理を行った。
【００４６】
（比較例４）
還元剤を洗浄液に含有させなかったこと、及びフッ酸処理時のフッ酸の濃度を０．１％としたこと以外は実施例３１と同一の処理を行った。
【００４７】
（比較例５）
還元剤を洗浄液に含有させなかったこと以外は実施例３０と同一の処理を行った。これは比較例２においてアルカリ溶液処理を省略した処理に相当する。
【００４８】
（比較例６）
還元剤を洗浄液に含有させなかったこと、及びアルカリ溶液処理を行わなかったこと以外は実施例３１と同一の処理を行った。これは比較例３においてアルカリ溶液処理を省略した処理に相当する。
【００４９】
（比較例７）
還元剤を洗浄液に含有させなかったこと、アルカリ溶液処理を行わなかったこと、及びフッ酸処理時のフッ酸の濃度を０．１％としたこと以外は実施例３１と同一の処理を行った。これは比較例４においてアルカリ溶液処理を省略した処理に相当する。
【００５０】
これらの比較例１〜７の評価結果を表４に示す。
【００５１】
表１〜４から明らかな通り、実施例１〜３５のものは、いずれもランタノイド酸化物残留量がきわめて少なく高清浄であると共に、表面粗さも小さい。特に、還元剤としてアスコルビンを用いた場合、少量の使用量で優れたランタノイド酸化物除去硬化が得られ、また、表面粗さも小さなものとなる。
【００５２】
なお、実施例３０〜３３と比較例２〜４との対比より、洗浄液に還元剤を添加することによりランタノイド酸化物残留量が著しく低下することが分る。また、実施例３０〜３３の対比より、アルカリ洗浄及びフッ素系溶液でのエッチング処理によりランタノイド酸化物残留量が著しく低下することが分る。
【００５３】
また、実施例３０〜３３と、比較例２〜４と、比較例５〜７との対比より、酸洗浄の後にアルカリ洗浄を行わなければ確実に青やけが生じることが判る。
【００５４】
【表１】
0003956587.tif 000002
【００５５】
【表２】
0003956587.tif 000003
【００５６】
【表３】
0003956587.tif 000004
【００５７】
【表４】
0003956587.tif 000005
【００５８】
なお、実験の結果、硝酸とアスコルビン酸とを含む洗浄液はランタノイド酸化物溶解速度が他の組み合わせに比べ大きいことが分った。
【００５９】
また、実験の結果より以下の知見が得られた。
（１）  ランタノイド酸化物は、硫酸よりも硝酸により溶けやすい。
（２）  ランタノイド酸化物は、酸に還元剤を添加するとより溶けやすくなるが、この場合も硫酸系溶液よりも硝酸系溶液により溶けやすい。
（３）  還元剤のランタノイド酸化物溶解を促進する能力の序列は、アスコルビン酸＞＞過酸化水素水である。
（４）  アスコルビン酸添加系の場合は、過酸化水素水添加系の約１／１０の酸濃度で同程度の溶解能力がある。
（５）  酸洗浄後にアルカリ洗浄を行わなければ青やけが生じる。
【００６０】
【発明の効果】
以上から明らかなように、本発明によれば、ランタノイド酸化物残留量が極めて少ない良好な清浄度の基板が提供される。また、酸洗浄後にアルカリ洗浄を行うことにより、青やけが防止された基板が得られる。