(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板（１００）に対し工程を進行できるように密閉空間を提供する反応チューブ（１）と、
この反応チューブの密閉空間内に装着され、且つ長さ方向が反応チューブ（１）の内側面と平行に上下方向に延びるように配置される柱状部分とこの柱状部分の上下方向に所定の間隔を置いて整列するように複数形成され柱状部分に直交し反応チューブの中央側に向けて柱状部分の内側面から所定長さ突出するように設けられる基板支持部（２６、２８）とを夫々が備え相互に上下移動する第１基板ローディング用ボート（３）と第２基板ローディング用ボート（４）とを含んでなり、且つ基板ホルダ（２）が載置される上下方向の間隔を提供するデュアルボート（９）と、
前記半導体基板（１００）の下面に３個の各上面が接し半導体基板を３点支持するように設けられる支持ロッド（２０）と、
Ｙ字状の開放両先端部からさらに夫々開放外側に向けて屈曲して延びる変形Ｙ字形状ロッド部とこの変形Ｙ字形状ロッド部の上面におけるＹ字状の付け根部分及びＹ字状の開放両先端部から屈曲する部分に夫々変形Ｙ字形状ロッド部の上面から上方に向けて円柱状に突出するように形成された３個の円柱状突出部とからなる昇降ロッド（２４）と、を具備する半導体製造装置であって、
前記基板ホルダ（２）は、上面に半導体基板（１００）の下面が接し半導体基板の下面を隠蔽するように載置可能な円盤状を成し、且つ上面外周縁から上方に向けて前記半導体基板の厚みに一致する高さで半導体基板の側面を囲むようにリング型状に突出する基板側ガード部（８）が形成され、且つ下面外周縁が前記第１基板ローディング用ボート（３）の基板支持部（２６）の上面に接するように載置される基板ホルダ本体（１０）を有し、
前記支持ロッド（２０）は、基板ホルダ本体（１０）の厚さ方向を貫通し基板ホルダ本体（１０）の上面と下面との中間で縮径された段部として形成されるガス流入遮断面（１４）を有する貫通孔（２２）に嵌合するように挿着されて上面及び下面が夫々基板ホルダ本体の上面及び下面と一致するようなキャップ状に形成され、
前記昇降ロッド（２４）は、昇降ロッドの前記３個の円柱状突出部の上面が夫々３個の前記貫通孔（２２）に挿着された支持ロッド（２０）の下面に当接するように配置され、且つ変形Ｙ字形状ロッド部の屈曲して延びる先端部分における底面に形成された凹状の挿着溝（３０）に前記第２基板ローディング用ボート（４）の基板支持部（２８）の端部が挿着結合され、
前記第２基板ローディング用ボート（４）を第１基板ローディング用ボート（３）に対して上方へ相対移動させた場合に、昇降ロッド（２４）の上面が基板ホルダ本体（１０）の下面に当接すると共に昇降ロッド（２４）の前記３個の円柱状突出部が前記貫通孔（２２）内に挿入され支持ロッド（２０）を貫通孔（２２）から上方に押し出すことによって前記半導体基板（１００）の下面を基板ホルダ本体（１０）の基板側ガード部（８）上面の上方へ押し上げるように構成したことを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造装置に関し、より詳しくは、デュアルボートが使用されて基板ホルダを通じてバックサイド蒸着を防止させた半導体製造装置において、工程時に半導体基板下面が工程反応ガスに曝されることをより基本的に防止させることで、半導体製造の歩留まり及び生産性を向上させた半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体基板を工程処理する半導体製造装置には、工程時間を減少させるために一枚ずつ工程を行う枚葉式と、工程処理能力の向上のために、内部に半導体基板を多量にローディングする基板ローディング用ボートを含む配置式とがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、従来の配置式の半導体製造装置は、工程進行時、スロットに半導体基板の端部が局部的に差込まれているため、例えば、膜形成の工程中に半導体基板の両面及び半導体基板の下部を支持するローディング用ボートとスロットにも半導体工程用膜が形成される。
【０００４】
したがって、半導体製造用膜工程の完了後、基板をアンローディングさせる時、基板とスロットとに一体で連結した膜が破砕され、破砕時にパーティクルが発生し、基板のバックサイドには比較的多くのパーティクルが発生する。
【０００５】
また、種々の膜が下面に重畳されるため、機械的なストレスが多くなって半導体基板が曲がり、半導体基板のバックサイド（下面）の膜均一性は上面の膜均一性に比べて顕著に減少するため、後続工程特にフォトリソグラフィ工程（Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）に多くの問題を発生させる。
【０００６】
本出願人は、半導体製造用成膜工程中に半導体基板の下面（バックサイド）の膜形成を根本的に遮断させることで、歩留まりを向上させ、全体の半導体製造工程の生産性を大幅向上させる半導体製造装置を韓国において出願した。
【０００７】
これは、図１に示すように、半導体基板に対し膜形成工程が行われる密閉空間を提供する反応チューブ１と、反応チューブ１の密閉空間内に装着され、少なくとも一つ以上の半導体基板１００がローディングされ、半導体基板１００のバックサイド（下面）が蒸着されないようにする基板ホルダ２を支持する第１基板ローディング用ボート３と、第１基板ローディング用ボート３の内側又は外側に隣接して第１基板ローディング用ボート３に対して微細に上下移動できるように構成され、半導体基板の端部を独立的に支持する基板支持台を含む第２基板ローディング用ボート４とからなる基板ローディング用デュアルボート９と、基板ローディング用デュアルボート９の下部に設置され、第１基板ローディング用ボート３及び第２基板ローディング用ボート４の下部を各々独立的に支持しながら、第１基板ローディング用ボートと第２基板ローディング用ボートの何れか一つ以上を上下に昇降させて半導体基板の支持状態を相対的に調節する間隔調節装置（又は駆動装置）５と、反応チャンバ内で行われる工程に必要な少なくとも一つ以上の工程ガスを供給するガス供給装置とを有する。
【０００８】
ここで、基板ホルダ２は、図２に示すように、実質的に円板状のホルダ本体６と、基板支持部との重畳部分を所定の形状で切開して形成した開放部７と、ホルダ本体６の板上に形成され、半導体基板１００の側縁部と密着して工程ガスが通過しないように形成された基板側ガード部８を有し、基板側ガード部８は半導体基板１００の側縁部に沿ってホルダ本体６の板面から半導体基板１００の厚さ高さだけ突設される一種のリング型で形成される。
【０００９】
このような基板ホルダ２及び基板ホルダ２が適用されるデュアルボート９を持つ半導体製造装置により半導体基板１００の下面には半導体膜が形成されないため、半導体基板の下面に蒸着される半導体膜による後続工程における工程不良を根本的に遮断できる。
【００１０】
【特許文献１】特開２０００−１０６３４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、基板ホルダ２によっても半導体基板が微細に露出してしまう。これは第２基板ローディング用ボート４の基板支持部を昇降させるために形成された開放部７のためである。
【００１２】
すなわち、工程完了後、半導体基板１００をデュアルボート９にアンローディング又はローディングするために、半導体基板１００を基板ホルダ２から離隔する必要があり、又、工程中にも基板ホルダから離隔させる必要があるため、基板ホルダとの干渉を回避して第２基板ローディング用ボートが組み合わされており、第２基板ローディングボートの動作のために開放部７が形成される。
【００１３】
この開放部７により半導体基板１００の微細区域が工程ガスに曝され、工程進行中にこの微細区域に工程膜が形成されるという問題があった。
【００１４】
そこで、本発明は上記従来の半導体製造装置の基板ホルダにおける問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、デュアルボートが使用されて基板ホルダを通じてバックサイド蒸着を防止させた半導体製造装置において、工程時に半導体基板下面が工程反応ガスに曝されることをより基本的に防止させることで、半導体製造の歩留まり及び生産性を向上させた半導体製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するためになされた本発明による半導体製造装置は、半導体基板（１００）に対し工程を進行できるように密閉空間を提供する反応チューブ（１）と；この反応チューブの密閉空間内に装着され、且つ長さ方向が反応チューブの内側面と平行に上下方向に延びるように配置される柱状部分とこの柱状部分の上下方向に所定の間隔を置いて整列するように複数形成され柱状部分に直交し反応チューブの中央側に向けて柱状部分の内側面から所定長さ突出するように設けられる基板支持部（２６、２８）とを夫々が備え相互に上下移動する第１基板ローディング用ボート（３）と第２基板ローディング用ボート（４）とを含んでなり、且つ基板ホルダ（２）が載置される上下方向の間隔を提供するデュアルボート（９）と；半導体基板（１００）の下面に３個の各上面が接し半導体基板を３点支持するように設けられる支持ロッド（２０）と；Ｙ字状の開放両先端部からさらに夫々開放外側に向けて屈曲して延びる変形Ｙ字形状ロッド部とこの変形Ｙ字形状ロッド部の上面におけるＹ字状の付け根部分及びＹ字状の開放両先端部から屈曲する部分に夫々変形Ｙ字形状ロッド部の上面から上方に向けて円柱状に突出するように形成された３個の円柱状突出部とからなる昇降ロッド（２４）と、を具備する半導体製造装置であって；基板ホルダ（２）は、上面に半導体基板（１００）の下面が接し半導体基板の下面を隠蔽するように載置可能な円盤状を成し、且つ上面外周縁から上方に向けて前記半導体基板の厚みに一致する高さで半導体基板の側面を囲むようにリング型状に突出する基板側ガード部（８）が形成され、且つ下面外周縁が前記第１基板ローディング用ボート（３）の基板支持部（２６）の上面に接するように載置される基板ホルダ本体（１０）を有し；支持ロッド（２０）は、基板ホルダ本体（１０）の厚さ方向を貫通し基板ホルダ本体（１０）の上面と下面との中間で縮径された段部として形成されるガス流入遮断面（１４）を有する貫通孔（２２）に嵌合するように挿着されて上面及び下面が夫々基板ホルダ本体の上面及び下面と一致するようなキャップ状に形成され；昇降ロッド（２４）は、昇降ロッドの前記３個の円柱状突出部の上面が夫々３個の前記貫通孔（２２）に挿着された支持ロッド（２０）の下面に当接するように配置され、且つ変形Ｙ字形状ロッド部の屈曲して延びる先端部分における底面に形成された凹状の挿着溝（３０）に第２基板ローディング用ボート（４）の基板支持部（２８）の端部が挿着結合され；第２基板ローディング用ボート（４）を第１基板ローディング用ボート（３）に対して上方へ相対移動させた場合に、昇降ロッド（２４）の上面が基板ホルダ本体（１０）の下面に当接すると共に昇降ロッド（２４）の前記３個の円柱状突出部が前記貫通孔（２２）内に挿入され支持ロッド（２０）を貫通孔（２２）から上方に押し出すことによって半導体基板（１００）の下面を基板ホルダ本体（１０）の基板側ガード部（８）上面の上方へ押し上げるように構成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の半導体製造装置によれば、ガス流入遮断面を含んで、基板ホルダの一部分が分離されて基板昇降具が形成されることで、従来の開部による半導体基板の工程ガスに曝されることが基本的に防止されるので、半導体の製造の歩留まり及び生産性が一層向上できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明に係る半導体製造装置を実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１８】
まず、本発明の半導体製造装置における基板ホルダは以下の図に示すリング型の基板ホルダだけに限定されない。特に、基板側ガード部は本発明の説明のためにリング型で示すだけで、本発明は基板ホルダ本体に関連した他の側ガード部を示すテーパ状やポケット状の基板ホルダにも適用可能である。
【００１９】
図３乃至図１０は本発明による半導体装置における基板ホルダの各実施例を示す斜視説明図及びその作動状態を示す概念図である。本発明は、半導体基板に対し工程を進行できるように密閉空間を提供する反応チューブを有し、この反応チューブが提供する密閉空間内に装着され、少なくとも一つ以上の半導体基板１００がローディングされ、相互に上下移動する第１基板ローディング用ボート３と第２基板ローディング用ボート４により基板ホルダが載置される間隔が提供されるデュアルボートを有すると共に、このデュアルボートに半導体基板が載置された基板ホルダ２を安定固着して、工程中の半導体基板の下面を隠蔽する半導体製造装置の基板ホルダにおいて、基板ホルダは、密閉された工程空間を提供する反応チューブ内で工程進行中に半導体基板の下面が隠蔽される基板ホルダ本体１０を有し、半導体基板１００のローディング時又はアンローディング時に基板ホルダ本体１０から半導体基板がデュアルボート９を通じて底部が支持されて昇降するように、基板ホルダ本体１０にはその一部が基板ホルダ本体１０から分離結合可能な基板昇降具１２を形成すると共に、基板ホルダ本体１０と基板昇降具１２の分離境界部には反応ガス流入を防止するように、ガス流入遮断面１４を形成して基板ホルダ本体と係合して分離結合がなされる。
【００２０】
本発明の各実施例において、共通的にガス流入遮断面１４は、基板ホルダ本体１０と基板昇降具１２とが結合された状態で工程進行中、境界面からの反応ガス流入を遮断することができるように、基板昇降具１２と基板ホルダ本体１０とが互いに対向するテーパ面１６にて係合して分離結合がなされる。
【００２１】
また、ガス流入遮断面１４は、基板ホルダ本体１０と基板昇降具１２が結合された状態で工程進行中、境界面からの反応ガス流入を遮断することができるように、基板昇降具１２と基板ホルダ本体１０が連続して屈曲した階段状面１８で係合して分離結合がなされる。
【実施例１】
【００２２】
上述のように本発明は基板昇降具１２により各実施例に区分され、図３及び図４は本発明による半導体製造装置の第１の実施例を示す斜視図及び断面図である。
【００２３】
第１の実施例として、基板ホルダの基板昇降具１２は基板ホルダ本体１０の基板側ガード部８の内側に半導体基板１００を少なくとも３点支持する支持ロッド２０を有し、基板ホルダ本体１０には支持ロッド２０が挿脱される貫通孔２２が形成され、この支持ロッド２０の底部には第２基板ローディング用ボート４により作動する昇降ロッド２４が配置される。
【００２４】
これはキャップタイプの基板昇降具を示し、分離されたキャップである支持ロッド２０が基板ホルダ本体１０から昇降して半導体基板を支持する。
【００２５】
ここで、キャップタイプは支持ロッド２０と貫通孔２２の結合面にガス流入遮断面１４としてテーパ面や階段状面が形成されてその断面形状によってガス流入を遮断する。
【００２６】
このようなキャップタイプの基板昇降具は、基板ホルダ本体１０の基板側ガード部８の内側に具備されるので、基板側ガード部８と連動して工程進行時に半導体基板１００の下面が工程ガスに曝されることを基本的に防止できる。
【００２７】
すなわち、工程を実行するために基板ホルダ本体１０に半導体基板１００を載置する場合、半導体基板側部は基板側ガード部８により隠蔽され、その下面は基板ホルダ本体１０により隠蔽されると共に、ガス流入遮断面１４は支持ロッド２０と基板ホルダ本体１０の結合境界面からガスが流入することを防止する。
【００２８】
このとき、基板ホルダ本体１０は第１基板ローディング用ボート３の基板支持部２６に載置され、支持ロッド２０の底部には昇降ロッド２４が配置され、昇降ロッド２４は第２基板ローディング用ボート４の基板支持部２８に結合される。
【００２９】
昇降ロッド２４の底部には挿着溝３０が形成され、この挿着溝３０に第２基板ローディング用ボート４の基板支持部２８の端部が挿入結合される。又、昇降ロッド２４は円形（円盤状）に形成することも可能である。
【００３０】
本実施例により、工程進行中には半導体基板１００の上面のみが露出するので、半導体基板１００の下面への蒸着が基本的に防止される。
【００３１】
次に、半導体基板１００のアンローディング時又はローディング時にロボットアームを作動するのためにはホルダ本体１０から半導体基板１００が離隔される必要があり、この時、第２基板ローディング用ボート４が上昇しながら基板支持部２８が昇降ロッド２４を上昇させ、これにより、支持ロッド２０は半導体基板１００を上昇させる。
【００３２】
このような本発明のデュアルボートにおいて、第１基板ローディング用ボート及び第２基板ローディング用ボートのスリットや基板支持部において設計自由度を持つことになる。これは、特に、第２基板ローディング用ボートの基板支持部２８が直接半導体基板と接触せず、微細接触面積が考慮された従来の開部確保が不要となるためである。
【００３３】
上述の理由から、本発明において特に第１基板ローディング用ボートと第２基板ローディングボートの基板支持部にある程度の変更が許容され、その自由度による第１基板ローディング用ボートと第２基板ローディングボートの基板支持部への詳細な説明は省略する。
【００３４】
ただし、第１の実施例では間隔配置上、第２基板ローディング用ボートがロボットアームに代替できる。これは、第１の実施例において、支持ロッドを押し出すために、下部に半導体基板のアンローディング時にロボットアームが作動する空間を提供できるだけの必要長さを持つ昇降ロッドが必要であり、昇降ロッドの厚さ、基板ホルダ底部での所定の離隔長さ及び反応ガスの流動のための必要空間部を勘案し、ローディング時又はアンローディング時にロボットアームの必要作業空間部を勘案すれば、配置式の半導体製造装置における半導体基板の配列間隔が若干広くなってしまうためである。
【００３５】
したがって、本発明の第１の実施例において、基板昇降具は第２基板ローディング用ボートを代替する別途のロボットアーム（図示せず）が配置され、このロボットアームに昇降ロッドを含んだ支持ロッドを昇降させるという構成でも可能である。
【実施例２】
【００３６】
次に、図５乃至図７は、本発明による半導体製造装置の第２の実施例を示す斜視図、及び概略断面図である。第２の実施例として、基板ホルダの基板昇降具１２は基板ホルダ本体１０が上下２分割された構造でなされる。第２基板ローディング用ボート４により作動する上部基板ホルダ本体３２は半導体基板１００を昇降させながら半導体基板１００のローディング又はアンローディングのためのロボットアームの挿入空間を提供する区域として切開部３６が形成され、第１基板ローディング用ボート３に装着される下部基板ホルダ本体３４には前記切開部３６と係合される突出顎部３８が形成され、上部基板ホルダ本体３２の基板ホルダ形状の部分が突出顎部３８上に延長されると共に、その外周部には第２基板ローディング用ボート４の基板支持部２８を通じて上部基板ホルダ本体３２を昇降させることができるように開部４０を形成する。
【００３７】
これは第１の実施例とは異なり、第１の実施例の昇降ロッド２４を分割された下部基板ホルダ本体３４が担当し、下部基板ホルダ本体３４と上部基板ホルダ本体３２は工程進行中には互いに密接しているので、基板ホルダの配置間隔をより狭くすることができる。
【００３８】
このために、上部基板ホルダ本体３２には半導体基板１００が載置され、これを昇降させる面とともにロボットアームの挿入作動空間を提供する切開部３６が形成され、下部基板ホルダ本体３４には突出顎部３８が形成され、上部基板ホルダ本体３２の基板ホルダ形状の部分（基板側ガード部８）が突出顎部３８上に延長される。
【００３９】
そして、下部基板ホルダ本体３４には基板側ガード部８の円周より外側に開部４０が形成される。下部ホルダ本体３４は第１基板ローディング用ボート３の基板支持部２６に載置され、開部４０を通じて上部基板ホルダ本体３２が第２基板ローディング用ボート４の基板支持部２８に載置される。
【００４０】
したがって、工程進行中には、上部基板ホルダ本体３２と上部基板ホルダ本体の切開部を担当する下部基板ホルダ本体３４の突出顎部３８により、半導体基板１００の上面のみが工程ガスに曝される。
【００４１】
続けて、半導体基板のアンローディング時又はローディング時には、第２基板ローディング用ボート４が昇降され、その基板支持部２８は開部４０を通じて昇降される。これにより上部ホルダ本体３２が昇降されて切開部３６が開口される。
【００４２】
この切開部３６を通じてロボットアームが半導体基板１００のアンローディング又はローディングを行う。
【００４３】
一方、図７は、ガス流入遮断面の他の実施例を示す断面説明図であって、上述のガス流入遮断面１４は分離された両部材間の境界から反応ガスが流入することを防止させるもので、上述の実施例では図６のようにテーパ面１６で形成したが、屈曲した階段状面１８で形成するも可能あり、この２種類の形態を組合わせることも可能である。
【実施例３】
【００４４】
次に、図８乃至図１０は、本発明による半導体製造装置の第３の実施例を示す斜視図と概略断面図である。第３の実施例として、基板昇降具１２は、デュアルボート９が結合される基板ホルダ本体１０から分離され、第２基板ローディング用ボート４の基板支持部２８と結合される基板昇降支持台４２が形成され、この基板昇降支持台４２は基板ホルダ本体１０から分離されても少なくとも半導体基板１００の外周部が載置されるように、基板側ガード部８の内側方向に延長されて形成される一方、第１基板ローディング用ボート３は基板昇降支持台４２の側部に隣接して基板ホルダ本体１０が載置される。
【００４５】
ここで、基板昇降支持台４２は、その底部又は第２基板ローディング用ボート４の基板支持部２８の何れか一方に凹部４４が形成され、他方に凹部４４と係合される結合ピン４６が形成されて、基板昇降支持台４２と第２基板ローディング用ボート４が結合される。
【００４６】
これは第２の実施例とは異なり、第２の実施例の上下に分割されて形成された上部基板ホルダ本体３２を同一平面上に分割配置された基板昇降支持台４２が担当し、基板ホルダ本体１０と基板昇降支持台４２は水平で配置されるので、一つの基板ホルダ厚さだけが必要になって基板ホルダの配置間隔を一層減少させることができる。
【００４７】
このために、基板昇降支持台４２は基板ホルダ本体１０の開部４８に係合（嵌合）する分離結合可能な形状を有し、基板昇降支持台４２の一部は基板側ガード部８の内側に延長されて半導体基板の外周下部と接触する。
【００４８】
そして、基板昇降支持台４２は、第２基板ローディング用ボート４の基板支持部２８と結合され、第１基板ローディング用ボート３の基板支持部２６は基板昇降支持台４２が提供する開部４８と隣接して基板ホルダ本体１０の底部を載置する。
【００４９】
したがって、工程進行中には基板昇降支持台４２と基板ホルダ本体１０が結合（嵌合）されて、半導体基板１００の上面のみが工程ガスに曝される。
【００５０】
続けて、半導体基板１００のアンローディング時又はローディング時には第２基板ローディング用ボート４の基板支持部２８が上昇され、これに結合された基板昇降支持台４２が上昇しながら半導体基板１００を上昇させ、ロボットアームが作業を行えるようになる。
【００５１】
一方、基板昇降支持台４２とホルダ本体１０は、上狭下広のガス流入遮断面１４を持ち（テーパ面形状）、図１０は、ガス流入遮断面の他の例として、上述した屈曲した階段状面１８を持つガス流入遮断面を示す。
【００５２】
このように、本発明の各実施例を通じて配置式の半導体製造装置において、多量の半導体基板がローディングされても半導体基板の上面のみを工程ガスに曝して、半導体基板のバックサイド（下面）の膜形成を基本的に防止させることができる。
【００５３】
上述の各実施例は各々の特長を生かしたもので、例えば、第１の実施例と第３の実施例を比較すれば、第１の実施例は支持ロッドが基板側ガード部の内側に配置されて半導体基板の露出が基本的に防止されるが、昇降ロッドにより半導体基板の配置間隔が増加するのに対して、第３の実施例では既存の半導体基板配置間隔を十分に維持させながらも既存ラインの最小限変更で適用が可能であるが、基板昇降支持台の形成によって基板側ガード部に切開線が発生し、切開線部分の精密な隙間調節が必要になる。
【００５４】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】従来のデュアルボートと基板ホルダを有したバックサイド蒸着を防止する半導体製造装置を示す概略断面図である。
【図２】従来の半導体製造装置に適用される基板ホルダを示す概略図である。
【図３】本発明による半導体製造装置の第１の実施例を示す斜視図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線での断面図である。
【図５】本発明による半導体製造装置の第２の実施例を示す斜視図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ線での断面図である。
【図７】第２の実施例でのガス流入遮断面の他の例を示す断面図である。
【図８】本発明による半導体製造装置の第３の実施例を示す斜視図である。
【図９】図８のＣ−Ｃ線での断面図である。
【図１０】第３の実施例でのガス流入遮断面の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１００  半導体基板
１ 反応チューブ
２ 基板ホルダ
３  第１基板ローディング用ボート
４  第２基板ローディング用ボート
８  基板側ガード部
９  デュアルボート
１０  ホルダ本体
１２  基板昇降具
１４  ガス流入遮断面
１６  テーパ面
１８  屈曲階段状面
２０  支持ロッド
２２  貫通孔
２４  昇降ロッド
２６、２８  基板支持部
３０  挿着溝
３２  上部基板ホルダ本体
３４  下部基板ホルダ本体
３６  切開部
３８  突出顎部
４０、４８  開部
４２  基板昇降支持台
４４  凹部
４６  結合ピン
【図１】
0003988948.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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