(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶振動子が装着されリテーナで押圧されている複数の水晶ホルダーを連続的に配列して成り水晶振動子の振動周波数の動向を検知することで蒸着状態を制御する水晶振動子の膜厚モニターであって、各水晶振動子は、円形外周に水晶振動子のＺ軸方向と平行な欠損部を形成して成りトップ面の中央部に実効抵抗値以下に構成された円形電極を配置し、ボトム面の中央部に実効抵抗値以下に構成された円形電極を配置すると共に周辺部には分割した円弧接触端子をＺ軸の方向に配置して円形電極と円弧接触端子間を接続部で連結して成り、リテーナは、円形外周に水晶振動子の欠損部に対応するＺ軸方向と平行な欠損部を形成し周辺部に水晶振動子の円弧接触端子に対峙させてＺ軸の方向に位置する押圧端子を形成しており、水晶ホルダーは、中央部に該水晶振動子とリテーナを載置する窪みを形成して該窪みの両側に該水晶振動子とリテーナの円形外周に形成された欠損部を嵌合させる平行部を構成することで装着された各水晶振動子のＺ軸方向を特定して水晶面に付着する負荷を低減させて配列することを特徴とする水晶振動子の膜厚モニター。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、水晶振動子型膜厚モニターに関し、特に、水晶振動Ｚ軸を特定することでスプリアス波形の影響を抑制して水晶振動子の稼働寿命を長期化する水晶振動子型膜厚モニターと水晶振動子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
水晶振動子は、従来からレンズや液晶プロジェクションテレビの反射防止膜、カメラ、光アイソレータ等の波長板・フィルター、高反射表面鏡、各種ミラー及び半導体集積回路等の成膜装置に用いられており、これらの成膜装置では、薄膜を形成する真空蒸着プロセスやスパッタリングプロセス等において、真空蒸着やスパッタリング中に薄膜の厚さを制御したり、蒸着速度・スパッタ速度等を制御するために、水晶振動子型膜厚モニターとして用いられている。
【０００３】
この水晶振動子型膜厚モニター３０は、図９に示すようにその複数個がターレット３１の上に配置されており、ターレット３１は、水晶振動子型膜厚モニター３０が成膜装置の蒸着位置に設定されるように成膜装置に装備されている。
【０００４】
ターレット３１は、最初に設定された水晶振動子型膜厚モニター３０が、蒸着するためのＭｏやＭｇＯ等によってその稼動特性を劣化させた場合には、その変化状態に対応させて順次に交換してゆくものであり、これによって、成膜装置を所定の時間や所望の蒸着形態に亘って連続的に制御することを可能にしている。
【０００５】
水晶振動子型膜厚モニター３０は、ターレット３１の円周上に６連に加工成形している水晶ホルダー３２に水晶振動子３３を装着して、この水晶振動子３３をリテーナ３４で押圧する形態で構成されている。水晶ホルダー３２は、ターレット３１の円周上に一体になって構成されていることから、水晶振動子３３のトップ面に貼設されている電極には、水晶ホルダー３２と同体のターレット３１を介して共通の一方電極３５が導通状態を形成されており、水晶振動子３３のボトム面に貼設されている電極には、リテーナ３４を介しながら電極３６が個別に接触して行くことで導通状態を形成している。
【０００６】
各電極３５、３６は、後述するようにターレット３１外に配置されている励起回路のオシレーターに接続されており、水晶振動子３３のトップ面に貼設されている電極を成膜装置の蒸着室に露出させることで、膜厚モニターとして稼働している。
【０００７】
水晶振動子型膜厚モニター３０は、ターレット３１を部分的に拡大表現している図１０の斜視図が示すように、水晶振動子３３を水晶ホルダー３２に装着した後にリテーナ３４によって押圧することで構成されており、水晶振動子３３は、後述するようにその表裏両面に各電極を貼着させており、水晶ホルダー３２に表面の電極を接続させると同時にリテーナ３４を裏面の電極に接続させている。
【０００８】
これによって、水晶振動子型膜厚モニター３０は、図１１に示す励起回路によって水晶振動子３３に振動を発生させるものであり、水晶振動子３３を水晶ホルダー３２に載置することで表面の電極を図示のようにオシレータ３７の一方端に接続すると共に、リテーナ３４で空隙を形成しながら押圧することによって裏面の電極をオシレータ３７の他方端に接続させることによって、オシレータ３７で共振させながら水晶振動子型膜厚モニター３０の発振を維持している。
【０００９】
従って、蒸着もしくはスパッタリングで蒸着物質３８を水晶振動子３３の表面の電極に付着させると、水晶振動子型膜厚モニター３０の発振周波数が減少方向に変化することになり、この変化量を計測することによって真空蒸着やスパッタリング中における薄膜の厚さを制御したり、蒸着速度・スパッタ速度等を制御している。
【００１０】
図１２に示す水晶振動子３３は、結晶軸（Ｚ軸）に注意しながら図１２（ａ）に示されるような所定の厚さに薄く切り出された外周円形の水晶片３９から構成されており、その表面に、図１２（ａ）のように２００〜４００ｎｍ程度の厚さを有する銀または金の円形電極４０が全面に貼着されることで、成膜装置での稼動時には、ＭｏやＭｇＯ等が蒸着されるように配置されている。一方、その裏面には、同程度の厚さからなる電極４１が貼着されており、その形状は、図１２（ｂ）のように中央部に配置する円形電極４２、周辺部に分割して配置される所定幅の円弧接触端子４３及び円形電極４２と円弧接触端子４３との接続部４４から構成されている。
【００１１】
図１３は、水晶ホルダー３２の平面図（ａ）と側面図（ｂ）であり、上記水晶振動子３３が載置されるように、導電体から成る円筒体４５の中央表面４６に窪み４７を形成しており、水晶振動子３３の載置によって、水晶振動子３３の円形電極４０が窪み４７に接触することで導電状態を形成している。
【００１２】
又、窪み４７の中心位置には、露出開口４８が形成されており、蒸着もしくはスパッタリング中に蒸着物質３８を水晶振動子３３の電極に付着させるように構成されている。
【００１３】
そして、図１４は、リテーナ３４の平面図（ａ）と側面図（ｂ）であり、上記水晶振動子３３を押圧できるように構成されている。
【００１４】
リテーナ３４は、その材質を導電性ばね材から構成されており、外部周辺部４９を３箇所において均等に切り込みながら、下方に折り曲げることで３個の端子５０を形成している。
【００１５】
３個の端子５０は、水晶振動子３３に貼設した電極４１の円弧接触端子４３に対して、方向指示ができないＺ軸が如何なる位置にあっても確実に接触させることで通電させるためであり、水晶片３９のＺ軸が特定できないことから、水晶振動子３３とリテーナ３４との接続をこれらの構成によって補完するためであった。
【００１６】
従って、上述したように、水晶振動子３３を単独に製造する工程において、そのＺ軸を特定するために最高の注意を図りながら水晶振動子のＺ軸に対するスプリアス波形が所定値以下にあることを確認したとしても、水晶振動子３３を水晶振動子型膜厚モニター３０に装着する段階では、水晶振動子にＺ軸を特定する機構が施されていないために、水晶振動子３３の発振出力を検出する位置を特定することが不可能であり、結果的にＺ軸における主共振に対するスプリアス波形の影響（干渉）を所定値以下に抑制することができないという致命的な問題点を抱えていた。
【００１７】
実際に、その測定結果は、図１５の特性表及び図１６の波形図に見られるように、図中央の主共振に対して図の右側に現れる各スプリアス波形の方が大きく現れる場合等も多くなって、主共振に対するスプリアス波形の影響が大きく現れるものであり、主共振レベルに対するスプリアス波形の大きさが＋２００ｋＨｚで−１０ｄＢ以上、＋４００ｋＨｚで＋５ｄＢ以下を求められる合格レベルには、到達できない品質に成っていた。
【００１８】
即ち、水晶振動子が単独の製造段階では、水晶振動子のスプリアス波形が所定値以下にあることを確認した場合であっても、Ｎｏ．１の場合は、主共振レベルに対してスプリアス波形の大きさが＋２０５ｋＨｚに低下している（図１６（ａ）参照）。
【００１９】
又、Ｎｏ．2の場合は、主共振レベルに対してスプリアス波形の大きさが＋２１０ｋＨｚで０ｄＢ、＋２６０ｋＨｚでは＋１５ｄＢであり（図１６（ｂ）参照）、Ｎｏ．３の場合は、主共振レベルに対してスプリアス波形の大きさが＋２０５ｋＨｚで−１ｄＢ、＋４２５ｋＨｚでは＋１１ｄＢであった（図１６（ｃ）参照）。
【００２０】
同様に、複数の水晶振動子３３が個々に発揮する特性の間にも、当然のことながら上記の理由でバラツキを形成することになり、結果的に水晶振動子型膜厚モニター３０の総寿命を短縮する状態を形成しており、半導体等の成膜装置に適用する膜厚モニターとしては問題であった。
【００２１】
以上のように、半導体等の成膜装置では、真空蒸着やスパッタリング中に薄膜の厚さを制御し、蒸着速度・スパッタ速度等を制御する必要があったが、水晶振動子を用いる現状では、薄膜の形成途中で水晶振動子の発振が不安定になって検出不能の状態に陥ることがあった。
【００２２】
水晶振動子の発振不安定の要因としては、蒸着物のトップツ、蒸着物のひび割れもしくは水晶振動子のスプリアスによる干渉が考えられているが、水晶振動子のスプリアスによる干渉は、水晶振動子型膜厚モニターの本質的な要因であり、その改善が嘱望されていた。
【００２３】
特に、蒸着する対象物類の多様化、高品質化の傾向は、成膜装置における稼動の安定性が求められており、水晶振動子の不安定性故にターレットへの水晶振動子型膜厚モニターの配置個数を増加させる方向も検討されているが、製造コストの高騰や稼動効率の低減を招くものであって望ましい対策ではなかった。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の動向に鑑みてその本質的な対策の確立のために提案するものであり、水晶振動子のＺ軸を特定することでスプリアス波形の影響を抑制して水晶振動子の稼働寿命を長期化できる水晶振動子型膜厚モニターを提供している。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明である水晶振動子型膜厚モニターは、水晶振動子が装着されリテーナで押圧されている複数の水晶ホルダーを連続的に配列して成り水晶振動子の振動周波数の動向を検知することで蒸着状態を制御する水晶振動子の膜厚モニターであって、各水晶振動子は、円形外周に水晶振動子のＺ軸方向と平行な欠損部を形成して成りトップ面の中央部に実効抵抗値以下に構成された円形電極を配置し、ボトム面の中央部に実効抵抗値以下に構成された円形電極を配置すると共に周辺部には分割した円弧接触端子をＺ軸の方向に配置して円形電極と円弧接触端子間を接続部で連結して成り、リテーナは、円形外周に水晶振動子の欠損部に対応するＺ軸方向と平行な欠損部を形成し周辺部に水晶振動子の円弧接触端子に対峙させてＺ軸の方向に位置する押圧端子を形成しており、水晶ホルダーは、中央部に該水晶振動子とリテーナを載置する窪みを形成して該窪みの両側に該水晶振動子とリテーナの円形外周に形成された欠損部を嵌合させる平行部を構成することで装着された各水晶振動子のＺ軸方向を特定して水晶面に付着する負荷を低減させて配列することを特徴とするものである。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明による水晶振動子型膜厚モニターは、基本的に、水晶振動子が装着されている複数の水晶ホルダーを連続的に配列して成り水晶振動子の振動周波数の動向を検知することで蒸着状態を制御する水晶振動子の膜厚モニターにおいて、各水晶振動子のＺ軸方向を特定して配列しており、具体的には、Ｚ軸方向の特定を水晶振動子のＺ軸方向の特定と水晶ホルダーにおける水晶振動子の特定支持とで構成するために、水晶振動子にはＺ軸方向に平行な欠損部と電極の形成で構成し、水晶ホルダーには水晶振動子の欠損部に対峙して水晶振動子のＺ軸方向を特定する支持部を形成すると共に、リテーナを、水晶振動子の電極に対峙して水晶振動子のＺ軸方向に位置する支持電極の形成で構成することを特徴としている。
【００２７】
これによって、本発明の膜厚モニターは、水晶振動子のＺ軸を特定することでスプリアス波形の影響を抑制し、水晶振動子の稼働寿命を長期化してターレットへの水晶振動子型膜厚モニターの配置個数を増加させることを回避し、製造コストの高騰や稼動効率の低減を解消している。
【００２８】
以下に、本発明による水晶振動子型膜厚モニターの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明するが、理解を容易にするために同一の部位については、同じ符号で表示している。
【００２９】
図１は、従来の例と同様にターレット３１を部分的に拡大して示す斜視図であり、本発明による水晶振動子型膜厚モニターの実施の形態を示している。
本実施の形態の水晶振動子１は、水晶ホルダー２に装着した後にリテーナ３によって押圧されることで構成されており、水晶振動子１は、従来と同様にトップ面とボトム面に各電極を貼着させていることで、水晶ホルダー２にトップ面の電極を接続させると同時にリテーナ３をボトム面の電極に接続させている。
【００３０】
従って、水晶振動子型膜厚モニター５は、励起回路によって水晶振動子１に振動を発生させるものであり、励起回路のオシレータによって水晶振動子１を共振させながら、その発振を維持して薄膜を形成する真空蒸着プロセスやスパッタリングプロセス等において薄膜の厚さを制御したり、蒸着速度・スパッタ速度等を制御している。
【００３１】
又、本発明における水晶振動子は、基本的に、両面に電極を貼設して周辺にＺ軸方向に平行な欠損部を形成しており、具体的には、ボトム面の電極を中央部に配置した電極を所定の実効抵抗値以下に構成すると共に周辺に水晶振動子のＺ軸方向に形成される電極を構成したり、トップ面の電極をも中央部に配置した電極を所定の実効抵抗値以下に構成すると共に周辺に水晶振動子のＺ軸方向に形成される電極を構成することを特徴としており、水晶振動子におけるＺ軸方向を特定すると共に水晶面に付着する負荷を低減させている。
【００３２】
図２は、本発明における水晶振動子１の実施の形態であり、トップ面図（ａ）、ボトム面図（ｂ）及び側面図（ｃ）によって表現している。
【００３３】
水晶振動子１は、結晶軸（Ｚ軸）に注意しながら図２（ｃ）のように所定の厚さに薄く切り出され、そのＺ軸方向を特定するために、Ｚ軸方向と平行な欠損部６、６を円形外周に形成しており、そのトップ面には、従来と同様に図２（ａ）のように２００〜４００ｎｍ程度の厚さを有する円形電極４０が全面に貼着されている。
【００３４】
一方、図２（ｂ）のようにそのボトム面にも、同程度の厚さからなる電極７が貼着されているが、その形状は、従来と同様に中央部に配置する円形電極４２、周辺部に分割してＺ軸の方向に配置される所定幅の円弧接触端子４３及び円形電極４２と円弧接触端子４３との接続部４４から構成されており、円弧接触端子４３の両端部は、上記欠損部６、６に対応させて短く形成することで水晶片の負荷を軽減している。
【００３５】
図３は、水晶ホルダー８の平面図（ａ）と側面図（ｂ）であり、上記水晶振動子１が載置されるように、導電体から成る円筒体４５の中央表面４６に両側に平行部９、９を有する窪み１０を形成しているが、水晶振動子１の載置は、水晶振動子１の欠損部６、６と窪み１０の平行部９、９との嵌合によって各電極の位置を特定している。
【００３６】
そして、水晶振動子１の円形電極４０は、窪み１０に接触することで導電状態を形成すると同時に、窪み１０の中心位置に形成される露出開口４８から露出することで、従来と同様に蒸着もしくはスパッタリング中に蒸着物質３８を水晶振動子１の円形電極４０に付着させるように構成されている。
【００３７】
又、図４は、リテーナ３の平面図（ａ）と側面図（ｂ）であり、上記水晶振動子１に対応させて押圧するように構成されている。
【００３８】
リテーナ３は、従来と同様にその材質を導電性ばね材から構成されており、外部周辺部４９には、上記窪み１０の平行部９、９に対応する平行な欠損部１１、１１を形成している。さらに、外部周辺部４９には、欠損部１１、１１に関連付けながら２箇所において切り込み１２、１２が成され、その先端１３を下方に折り曲げることで２個の端子１４、１４を形成している。
【００３９】
リテーナ３は、水晶ホルダー８の窪み１０に装着されると、窪み１０の平行部９、９とリテーナ３の平行な欠損部１１、１１とが嵌合することで、水晶振動子１に対する水晶ホルダー２とリテーナ３の支持状態が特定されることになり、リテーナ３の各端子１４、１４は、水晶振動子１のボトム面に分割して配置されている円弧接触端子４３もしくは接続部４４に確実に接触することになる。
【００４０】
各端子１４は、水晶振動子１に貼設した電極７の円弧接触端子４３もしくは接続部４４に確実に接触することで、水晶片に特定されているＺ軸の方向は、水晶振動子１を水晶振動子型膜厚モニター５に設置した段階にあっても正確に特定されることになる。
【００４１】
以上の構成によって、本発明による水晶振動子型膜厚モニターは、従来からの問題点を解消するものであり、水晶振動子を単独に製造する工程においてそのＺ軸を特定するために最高の注意を図りながら、水晶振動子のスプリアス波形を所定値以下に限定する作業が、水晶振動子を水晶振動子型膜厚モニターに装着する段階においても、水晶振動子にＺ軸を特定支持する欠損部や平行部等の機構を施すことによって、水晶振動子の発振出力を検出する位置を特定しており、水晶振動子型膜厚モニターにおいても主共振に対してスプリアス波形の影響（干渉）を所定値以下に抑制することを可能にしている。
【００４２】
次に、本発明による水晶振動子型膜厚モニターの水晶振動子が、そのＺ軸を特定することによって所定の特性を発揮することを図５と図６、７の実験結果に基づいて確認する。
【００４３】
図５は、水晶振動子のＺ軸を特定した場合と特定されずに移動した場合とによる主共振レベルの減衰状態を示している。
【００４４】
図５（ａ）は、水晶振動子のＺ軸を正確に特定した場合の主共振レベルの減衰状態であり、減衰量が−３．３９ｄＢであるのに対して、図５（ｂ）は、水晶振動子のＺ軸を３０度ずらして発振させた場合の主共振レベルの減衰状態であり、減衰量は−３．７４ｄＢに増加して主共振レベルの発振量を減衰させている。
【００４５】
さらに、図５（ｃ）は、水晶振動子のＺ軸を６０度にずらせて発振させた場合の主共振レベルの減衰状態であり、減衰量は−４．４４ｄＢにさらに増加して主共振レベルにおける発振量の減衰を増大させている。
【００４６】
以上の傾向から明らかなように、水晶振動子のＺ軸が特定できない場合には、スプリアス波形が主共振レベルに与える影響（干渉）を大きくすることになり、結果的に水晶振動子の寿命を縮減するものである。
【００４７】
そして、本発明による水晶振動子型膜厚モニターは、図６の特性表及び図７の波形図に見られるように、主共振に対するスプリアス波形の影響を減衰させており、改善効果が大であることを検証している。
【００４８】
図６の特性表が示すように、Ｎｏ．１〜３の主共振レベルは、全て２５ｄＢ以上であり、Ｎｏ．４の主共振レベルだけが２３ｄＢに止まっている。
【００４９】
この主共振レベルに対して、Ｎｏ．１の場合にはスプリアス波形の大きさが＋２０５ｋＨｚで−２０ｄＢ、＋２６０ｋＨｚでも−２０ｄＢであって主共振レベルに対する影響を大幅に減少させている（図７（ａ）参照）。
【００５０】
又、Ｎｏ．2の場合は、スプリアス波形の大きさが＋２１０ｋＨｚで−２０ｄＢで、＋５２０ｋＨｚでも−１０ｄＢであり（図７（ｂ）参照）、Ｎｏ．３の場合も、スプリアス波形の大きさが＋２１０ｋＨｚで−１５ｄＢ、＋２７０ｋＨｚでは−７ｄＢであった（図７（ｃ）参照）。
【００５１】
さらに、主共振レベルが２３ｄＢであった場合では、スプリアス波形の大きさが＋２１０ｋＨｚで−１７ｄＢで、＋２８０ｋＨｚでも−１８ｄＢであって（図７（ｂ）参照）、主共振レベルに対する影響は同様に減少している。
【００５２】
以上の各数値が示すように、本実施の形態の場合には、主共振レベルの数値が安定化していると同時に、スプリアス波形の大きさは格段に減少しており、主共振レベルに対するスプリアス波形の影響は大幅に少なくなるものであることから、主共振レベルが１５ｄＢ以上であって、スプリアス波形の大きさが、＋２００ｋＨｚで−１０ｄＢ以上、＋４００ｋＨｚで＋５ｄＢ以下が求められている要求品質に充分に合格するレベルに到達していることが確認できる。
【００５３】
さらに、複数の水晶振動子１が個々に発揮する特性の間にも安定性があることから、水晶振動子型膜厚モニター５の総寿命を長期に維持できる状態を形成することを可能にしており、成膜装置に適用する膜厚モニターとして充分に期待できる結果を示している。
【００５４】
又、図８は、本発明における水晶振動子の他の実施形態を示している。
本実施の形態による水晶振動子１５には、図８（ａ）に示すように、そのトップ面に図２（ｂ）で示した上記実施の形態と同様の電極７が貼着されており、図８（ｂ）に示すように、そのボトム面にも、同様な電極７が貼着されており、水晶片の両面において付着する負荷を軽減して水晶振動子の寿命を延長させている。
【００５５】
以上、本発明による水晶振動子型膜厚モニターを、上記各実施の形態に基づいて詳細に説明したが、本発明は、これらの実施の形態に何ら限定されるものでなく、発明の主旨を逸脱しない範囲において各種の変更が可能であることは当然のことである。
【００５６】
【発明の効果】
本発明の水晶振動子型膜厚モニターは、水晶振動子が装着されリテーナで押圧されている複数の水晶ホルダーを連続的に配列して成り水晶振動子の振動周波数の動向を検知することで蒸着状態を制御するものであって、各水晶振動子は、円形外周に水晶振動子のＺ軸方向と平行な欠損部を形成して成りトップ面の中央部に実効抵抗値以下に構成された円形電極を配置し、ボトム面の中央部に実効抵抗値以下に構成された円形電極を配置すると共に周辺部には分割した円弧接触端子をＺ軸の方向に配置して円形電極と円弧接触端子間を接続部で連結して成り、リテーナは、円形外周に水晶振動子の欠損部に対応するＺ軸方向と平行な欠損部を形成し周辺部に水晶振動子の円弧接触端子に対峙させてＺ軸の方向に位置する押圧端子を形成しており、水晶ホルダーは、中央部に該水晶振動子とリテーナを載置する窪みを形成し該窪みの両側に該水晶振動子とリテーナの円形外周に形成された欠損部を嵌合させる平行部を構成することで装着された各水晶振動子のＺ軸方向を特定して水晶面に付着する負荷を低減させて配列することを特徴としているので、下記の効果を発揮している。
１．    水晶振動子の円形外周にＺ軸方向と平行な欠損部を形成することで各水晶振動子におけるＺ軸方向の特定を容易にしている。
２．    リテーナの円形外周に水晶振動子の欠損部に対応する欠損部を形成し周辺部に水晶振動子の円弧接触端子に対峙させてＺ軸の方向に位置する押圧端子を形成することで各水晶振動子におけるＺ軸方向の特定を助成にしている。
３．    水晶ホルダーの中央部に水晶振動子とリテーナを載置する窪みを形成し、窪みの両側に水晶振動子とリテーナの円形外周に形成された欠損部を嵌合させる平行部を構成することで各水晶振動子を水晶ホルダーに載置しても各水晶振動子におけるＺ軸方向の特定を確実にしている。
４．    各水晶振動子におけるＺ軸方向を水晶ホルダーに水晶振動子とリテーナを載置した後も特定することでスプリアス波形の影響を抑制すると共に各水晶振動子の電極を所定の実効抵抗値以下にすることで振動特性を向上させて水晶振動子型膜厚モニターの稼動寿命を長期化している。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による水晶振動子型膜厚モニターの実施の形態を示す斜視図
【図２】  本発明における水晶振動子の実施の形態図
【図３】  本発明における水晶ホルダーの実施形態図
【図４】  本発明におけるリテーナの実施形態図
【図５】  本発明における水晶振動子のＺ軸特定による主共振レベルの減衰状態図
【図６】  本発明による水晶振動子型膜厚モニターの特性表図
【図７】  本発明による水晶振動子型膜厚モニターの波形図
【図８】  本発明による水晶振動子の他の実施形態図
【図９】 従来の水晶振動子型膜厚モニターのターレット装着図
【図１０】 従来の水晶振動子型膜厚モニターを示す斜視図
【図１１】 従来の水晶振動子型膜厚モニターに対する振動励起回路図
【図１２】 従来の水晶振動子図
【図１３】 従来の水晶ホルダー図
【図１４】 従来のリテーナ図
【図１５】 従来の水晶振動子型膜厚モニターの特性表図
【図１６】 従来の水晶振動子型膜厚モニターの波形図
【符号の説明】
１、１５、３３…水晶振動子、  ２、８、３２…水晶ホルダー、  ３、３４…リテーナ、  ５、３０…水晶振動子型膜厚モニター、  ６、１１…欠損部、  ７、４１…電極、  ９…平行部、  １０、４７…窪み、  １２…切り込み、  １３…先端、  １４、５０…端子、  ４０、４２…円形電極、  ３１…ターレット、  ３５、３６…電極、  ３７…オシレータ、  ３８…蒸着物質、  ３９…水晶片、  ４３…円弧接触端子、  ４４…接続部、  ４５…円筒体、  ４６…中央表面、  ４８…露出開口、  ４９…外部周辺部、
【図１】
0003907103.tif 000002
【図２】
0003907103.tif 000003
【図３】
0003907103.tif 000004
【図４】
0003907103.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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