(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱電素子において、すなわち、ドーピングされた１つまたは複数の半導体の少なくとも1つのｎ層と少なくとも１つのｐ層とを備え、このｎ層とｐ層は少なくとも１つのｐｎ接合を形成しながら配置され、少なくとも１つのｎ層と少なくとも１つのｐ層が電気的に選択接触されており、温度勾配が、少なくとも１つのｎ層とｐ層の間の境界層に平行する方向（ｘ方向）に設けられまたは取り出される上記の熱電素子において、少なくとも１つのｐｎ接合が、本質的にｎ層（１）およびｐ層（２）の広がり全体に沿って、したがって本質的に境界層（３）の全体にそって、形成されていることを特徴とする、上記の熱電素子。
【請求項２】
ｐｎ接合が本質的にｎ層（１）とｐ層（２）のもっとも長い広がり全体に沿って形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項３】
ｎ層とｐ層（１、２）の選択的接触のため、接点は少なくともその一部が、個々の層の直接接触部（４、５）として形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の熱電素子。
【請求項４】
ｎ層とｐ層（１、２）の選択的接触のため、接点は少なくともその一部が、合金接合されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項５】
熱電素子の少なくとも１つのパラメーターが、境界層（３）と平行する方向において変化することを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項６】
熱電素子の物理的パラメーターが、その素材構成、そのドーピング、その層厚さおよび／またはその幅であることを特徴とする、請求項５に記載の熱電素子。
【請求項７】
熱電素子の物理的パラメーターが、境界層（３）に平行する方向において、温度勾配（Ｔ1、Ｔ2）の方向（ｘ方向）に変化することを特徴とする、請求項５または６に記載の熱電素子。
【請求項８】
設けられる温度勾配（Ｔ1、Ｔ2）が高温末端では、低温末端におけるより扁平に経過する（図１０）ことを特徴とする、請求項１〜７のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項９】
高温末端では、低温末端におけるより熱伝導度が高い素材を使用することを特徴とする、請求項８に記載の熱電素子。
【請求項１０】
温度勾配の方向を横切る方向に、そして境界層と平行する方向において測定された熱電素子の幅（ｙ）が、低温末端に近づくにつれて飛躍的に減少する（図１１）ことを特徴とする、請求項９に記載の熱電素子。
【請求項１１】
温度勾配の方向を横切る方向に、そして境界層と平行する方向において測定された熱電素子の幅（ｙ）が、低温末端に近づくにつれてその直前で飛躍的に減少する（図１１）ことを特徴とする、請求項１０に記載の熱電素子。
【請求項１２】
熱電素子の低温末端領域で電流を取り出すため、選択的接触（４、４′；５）を行うことを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１３】
素材として化合物半導体を用いることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１４】
化合物半導体がＢｉ2Ｔｅ3、ＰｂＴｅまたはＳｉＧｅであることを特徴とする、請求項１３に記載の熱電素子。
【請求項１５】
素材として３成分および／または４成分化合物を用いることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１６】
１０18ｃｍ-3およびそれ以上の高度ドーピングを用いることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１７】
２つまたはそれ以上のｐｎ接合を備え、ｎ層とｐ層は連続して交代する（図１２）ことを特徴とする、請求項１〜１６のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１８】
熱電素子が、熱的には並列かつ電気的には直列に接続された２つまたはそれ以上の個別の素子から構成されている（図１３）ことを特徴とする、請求項１〜１７のいずれかに記載の熱電素子。
【請求項１９】
低温末端および高温末端にある個別の素子が、それぞれ良好な熱伝導体（８、９）を経由して、熱的に結合されていることを特徴とする、請求項１８に記載の熱電素子。
【請求項２０】
熱伝導体（８、９）がセラミックスの熱伝導体であることを特徴とする、請求項１９に記載の熱電素子。
【請求項２１】
低温末端および高温末端にある個別の素子が、それぞれ良好な熱伝導体（８、９）に固定されていることを特徴とする、請求項１９または２０に記載の熱電素子。
【請求項２２】
請求項１〜２１のいずれかに記載の熱電素子を、温度差を電流に変換する熱電発電機として用いること。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれかに記載の熱電素子を、電流を加えることによって一方の末端が高温に、他方の末端が低温になる冷却エレメントとして用いること。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、１つまたは複数のドーピングされた半導体のｎ層を少なくとも１つ、ｐ層を少なくとも１つ持つ次のような熱電素子に関する。すなわちこの熱電素子の場合、ｎ層とｐ層は少なくとも１つのｐｎ接合を形成しながら配置され、その際少なくとも１つのｎ層と少なくとも１つのｐ層が電気的に選択接触され、少なくとも１つのｎ層とｐ層の間の境界層に平行する方向（ｘ方向）に温度勾配が設けられ、あるいは取り出される熱電素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
熱電効果は、すでに１００年来知られている。温度勾配を電流に変えることができる幅広い一連の素材がある。この効果の技術的応用は、これまでつねに共通の基本的構造（図１）に基づいていた。２つの異なる金属（ａ、ｂ）、または２つの異なる（ｎおよびｐ）ドーピングを受けた半導体が、１つの末端で、通常は高温の末端（温度Ｔ1）で連結され、他方の末端、通常は低温の末端（温度Ｔ2）から電流を取り出すことができる（図で抵抗Ｒは電流消費デバイスを象徴的に表す）。このような熱電素子は、たとえばＥＰ０９６９５２６Ａ１、ＪＰ１１１９５８１７Ａ、ＪＰ１０１４４９６９Ａ、ＪＰ１００２２５３１Ａ、ＪＰ１００２２５３０Ａ、ＪＰ５７―１２７６（Ａ）、ＪＰ０７０３８１５８Ａ、ＪＰ５９―９８０（Ａ）、ＪＰ５７−１６９２８３（Ａ）、ＪＰ４−６３４８１（Ａ）、ＵＳ５，００９，７１７といった文書から知られている。これらの場合その一部では、ｎ層とｐ層の接点面として導電層がｐ―ｎ接合領域に組み込まれている。これら熱電素子のすべてに共通するのは、ｐ―ｎ接合がｎ層とｐ層の間の小さい領域にのみ形成され、ｎ層とｐ層の間のそれより大きい領域は、空隙または絶縁層（ＪＰ―６３４８１（Ａ）およびＵＳ５，００９，７１７）として形成されていることである。
【０００３】
温度勾配から電流にできるだけ効果的に変換できるよう、複数の熱電素子を１つのモジュールにまとめ、その際個々の素子は電気的には直列に、熱的には並列に接続されるようにする。このモジュールをさらに大きなユニットにまとめることができる（図２）。
【０００４】
使用される素材の選択は、目標とされる温度領域で可能な限り最大の効率をという観点から行われる。この効率は一般には、性能指数Ｚ＝Ｓ2／ｐｋという特性（Ｓ＝ゼーベック係数または絶対微分熱電力、ｐ＝比抵抗、ｋ＝熱伝導率）で表される。ゼーベック係数の高い素材で、同時に比抵抗を低くし、熱伝導率も低くすると、高い効率が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の技術にはいくつかの欠点がある。素材の特性で熱電力にとって重要なもの（Ｓ＝ゼーベック係数、ｐ＝比抵抗、ｋ＝熱伝導率）の調節を、各特性相互間の依存なしに行えるのは、きわめてわずかな程度に過ぎない。このため、現在実現できる効率は約１０〜２０％に限定される。
【０００６】
温度勾配の推移は、従来の技術の場合、効率にほとんど影響を持たない。従来の熱電素子においては、熱電力と温度差の間に線形の関係があるため、高温側と低温側の温度の全体的な差だけが意味を持つ。
【０００７】
たとえばダイオード（ｐｎ接合）のような従来と異なるコンセプトを、ｐｎ接合の側が他の側よりも温度が高い状態で使用するという試みは、効率の向上を示すものの、当初のコンセプトを大きく拡張したことにはならない。
【０００８】
したがって本発明の課題は、改善された熱電素子を得ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この課題は本発明では、少なくとも１つのｐｎ接合を、ほぼｎ層とｐ層の好ましくはもっとも長い広がり全体にそって、したがってほぼその境界層全体にそって形成することによって得られる。
【００１０】
根本的に新しい中心的アイデアとして、少なくとも１つのｐｎ接合を用い、その際温度勾配は、対応する長手方向に広がりを持つｐｎ接合にそって推移するものとする。
【００１１】
従来の技術の場合のｐｎ接合は、多くの場合熱電素子の高温側で、温度一定な小さい接点領域にのみ形成されていた。したがってこの接合は、ｎドーピングされた部分とｐドーピングされた部分（層）の間の電気的接点を改善するのに役立つだけである。これと反対に本発明では設計上、少なくとも１つのｐｎ接合が、ｎ層とｐ層の広がりのほぼ全体にわたって形成され、その際１つの温度勾配がｐｎ接合面にそって設けられる。これにより温度差が、ｐ−ｎ層組み合わせの２つの末端間で縦長に形成されたこのｐｎ接合にそって生じる。そしてこの接合によって、本発明による熱電素子の効率は、ｐｎ接合にそっておよびその接合の中に温度勾配を示さない従来の技術よりも、いちじるしく高くなる。より正確な作用形態は、下記に図面を用いて説明するように、温度が異なる場合ｐｎ接合における電位モジュレーションの形態をさまざまに変えることによって得られる。
【００１２】
この新しい熱電素子の機能原理にとって重要なのは、ｎ層およびｐ層の選択的接触である。これは好ましい方法として、接点とそれと連結されるｐｎ接合との合金接合によるか、または個々の層の直接接触により行うことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明のその他の利点と細部を、下記に図面を用いてより詳しく説明する。図面の示す内容は次の通りである。本発明による熱電素子の構造原理を図３に示す。ｎ層１およびｐ層２は１つのｐｎ接合３を形成する。ｎ層１とｐ層２は接点４および５を介して接触し、これらの接点は導線６を経由して、抵抗となる電力消費デバイス７（Ｒ）につながる。温度勾配（Ｔ1は高温側の温度、Ｔ2は低温側の温度を示す）は、ｐｎ接合３（ｘ方向）と平行する方向に設けられる。
【００１４】
図３ａおよび３ｂは、ｎ層１ないしｐ層２の選択的接触に関する実施例を示す。層厚さはこの場合、ｘ方向における接点の広がりと比較して、明らかに大きく図示されている（係数約１００〜１０００）。図３に示された実施例でｐ層２は、表面に蒸着されたゴールドコンタクト５を直接介して接触されている（ゴールドワイヤ６）。ｎ層の接触のためには、合金接合された接点４´を用いる。ＰｂＴｅに対してはたとえばインジウムを、合金接合される接点に用いることができる。インジウムは表面に塗布され、加熱によって各層組み合わせの中に拡散する。ＰｂＴｅ―インジウム合金は、ｎ+タイプ（高度ドーピング）である。したがってｎ層１につながる抵抗性の接点と、ｐ層２につながるｐｎ接合とが形成される。
【００１５】
図３ｂに示した実施例の場合、ｎ層１とｐ層２の接触は直接行われる。これはたとえば表面層の選択的エッチングによれば可能である。
【００１６】
この解決法の特別な中心をなすのは、ｐｎ接合の非線形的な熱特性を活用することである。温度は、フェルミエネルギーだけでなく、（とくに）荷電粒子のエネルギー論的分布にも影響する。ｐｎ接合においては、その結果として電位モジュレーションの変化が生じる。この場合電位モジュレーションとは、半導体構造中の荷電粒子に対する、ｐｎ接合による電位のモジュレーションを意味する。こうして電子はエネルギー論的には、ｎ層におけるよりもｐ層におけるほうが高い電位にあり（正孔については逆になる）、これら両者の電位の差が電位モジュレーションである。いずれの温度に対しても電位モジュレーションの平衡値が存在し、温度が変化すると電位モジュレーションも変化する。
【００１７】
したがってｎ層とｐ層の間の境界層に平行する方向の温度勾配によって、ｘ方向においてそれを横切る方向の電位勾配が構成され、それにより両極性の荷電粒子拡散が、そしてそれとともに補償電流が生じることになる。この場合両極性の荷電粒子拡散とは、同方向の濃度勾配における異種の荷電粒子の同方向拡散をいう。これを図７に示した。選択的接点（ｎ層およびｐ層のための接点であって、相互間では導電性接続されていない別々の接点）により、この内部の補償電流を外部に導くことができる。下記ではこの現象を簡単に説明する。
【００１８】
例として狭帯域半導体ＰｂＴｅ（テルル化鉛）に着眼したい。熱電素子の電位モジュレーションの変化、したがって理論上最大の利用可能電圧は、約２０ｍＶ／１００Ｋ＝２×１０-4Ｖ／Ｋ（ボルト／度ケルビン）であって、ゼーベック係数、約１×１０-6Ｖ／Ｋという水準よりも高い。素子を直列に接続してモジュールを構成することにより、これより高い電圧が得られる。
【００１９】
熱平衡にあるとき、荷電粒子（ｎおよびｐ）は、共通のフェルミエネルギーＥfが形成される状態で分布する（図４）。フェルミエネルギーの位置は温度の関数であって、電位モジュレーションΔｖが生じ、したがって電位モジュレーションもまた温度の関数となる。２つの異なる温度Ｔ1とＴ2があって、Ｔ1がＴ2より高いとすると、この２つの温度に対して図５に示すような状況が得られる。温度が高いＴ1のｐｎ接合の方が、小さい電位モジュレーションΔｖ1を持つ。
【００２０】
ここで少なくとも１つのｎ層とｐ層からなる層組み合わせで、温度勾配（Ｔ1＞Ｔ2）が、ｘ方向においてｎ層とｐ層の間の境界層に平行する方向にあるならば、温度が異なる領域が電気的に接触する。温度が高くなるにつれて電位モジュレーションが小さくなるので、その結果、ｘ軸にそって隣接する各ポイントは異なる電位上にある。図６はその概略を３Ｄ表示で示す。
【００２１】
電流が流れない限り、フェルミエネルギーＥfはｚ−Ｖ図表において水平である（図４）。したがってｐ層でもｎ層でもｘ方向にそれぞれ１つの電位勾配が形成される。電位勾配は両者の層のものが向い合い、したがって両者の層の荷電粒子（ｎ層の電子とｐ層の正孔）は同一方向に動かされる。この荷電粒子の搬送を両極性拡散という。図７は図６の側面図であって、この挙動を説明するためのものである（正孔には＋マークを、電子には−マークを付した）。
【００２２】
両極性拡散の結果、pn層組み合わせの高温Ｔ1側領域では、荷電粒子の搬出が行われて、荷電粒子不足が生じることになり、電位に対する遮蔽効果が減少して、電位モジュレーションが上昇する。その結果として、局所的ｐｎ接合はもはや熱平衡になく、熱による電子正孔ペアの発生が再結合を上回る（図８の矢印参照）。
【００２３】
低温Ｔ2領域では荷電粒子の過剰を生じ、これはさらに局所的電位に対する遮蔽効果を高め、熱平衡領域よりも局所的電位モジュレーションの減少を生じる。これにより電子正孔ペアの再結合が強化される（図９の矢印参照）。
【００２４】
総体として、この層組み合わせの領域がその他よりも温度が高い限り、すなわち境界層に平行する方向に温度勾配が存在する限り、ｐｎ接合を少なくとも１つ持つ層組み合わせ中を循環電流が流れる結果となる。この循環電流が熱を運ぶ。
【００２５】
したがってｎ層とｐ層の間の境界層に平行する方向にある温度勾配によって、高温領域中では電子正孔ペアが発生し、低温領域ではこのペアの再結合とそれにともなう補償電流が生じる。ｎ層とｐ層の間の電位モジュレーションが熱平衡時と比較して変化するので、ｎ層とｐ層の間に１つの電圧を測定できる。
【００２６】
ｎ層とｐ層の間で電位モジュレーションが変化し、発生電流と再結合電流が流れるので、次のような接点を用いなければならない。すなわち、選択的にそれぞれｎ層だけに接触する接点と、電流を外部に導き出すことができるよう、選択的にそれぞれＰ層にだけ接触する接点である。この選択性は、合金形成して（図３ａ）ｐｎ接合を形成することによるか、あるいは個々の層を直接接触させる（図３、図３ｂ）ことによって得られる。
【００２７】
ｐｎ接合の原理は普遍的に有効である。したがってｐｎ接合を形成する素材ならすべて、熱電気に興味を付与するものである。
【００２８】
ある１つの素材の熱電気に重要な特性（Ｓ＝ゼーベック係数、ｐ＝比抵抗、ｋ＝熱伝導率）の調節を、各特性相互間の依存なしに行えるのは、きわめてわずかな程度に過ぎない。ここに紹介する原理の場合、ｘ方向における重要な物理的パラメーターのそれを横切る方向の変化は、素子全体に影響を持つ。したがって効率を向上させる多くの新しい可能性が開かれる。これら物理的パラメーターには、使用される素材、ドーピング、層厚さ、幅などが含まれる。
【００２９】
温度勾配の状態は効率に影響を持つ。すなわち温度分布を上手に選択することにより、効率を向上させることができる。図１０が示すように、高温領域が低温領域よりも非常に大きい場合は（勾配は高温側で扁平に、低温側で急峻になる）、電子正孔ペアを発生する領域（図では＋印を付した）が大きくなり、再結合が増加する領域（図では−印を付した）は小さくなる。すなわちシステム全体の循環電流と効率が上昇する。
【００３０】
このような勾配は、さまざまな措置によって得ることができる。１つの方法は素材の構成におけるバリエーションであって、高温末端では、低温末端におけるよりも熱伝導度の高い素材を用いる。幅のバリエーションによっても、図１１に概略を示したように、希望の温度勾配を生じることができる。
【００３１】
低温末端における電流取り出しは、再結合が強化されたような効果を持ち、ｘ方向における内部の電位勾配が増加する。このことは両極性拡散を強化する。すなわち荷電粒子の両極性拡散は、電流取り出しによってさらに強化される。これは、電流取り出しによって効率が向上することを意味する。
【００３２】
本発明にとっては、従来のコンセプトと同様な物理的パラメーターが重要である。しかしここに紹介したコンセプトによって、これらパラメーター相互の依存性を調節することができる。パラメーターの横方向の変化が、構造全体の効率に影響を持つからである。
【００３３】
さらにこのコンセプトは、良好な熱電素材が新たな候補となる多くの可能性を開く。
【００３４】
すべての導電性物質は熱電（ゼーベック）効果を示すので、素材の選択に制限はほとんどない。もちろんこれらの素材は、その効率において、そして温度の関数としての効率においてもさまざまに異なる。したがって使用される素材を、希望の温度領域に基づいて選択できる。
【００３５】
化合物半導体は熱伝導度が低いので、熱電素子に好ましい素材である。良好な熱電素材の例は、Ｂｉ2Ｔｅ3、ＰｂＴｅ、ＳｉＧｅである。いくつかの３成分および４成分化合物は高い効率を示す。現在の研究は、主としてこれら新しい素材の探索にかかわるものである。
【００３６】
単体半導体（たとえばＳｉ）は熱伝導性がよすぎるので、従来型の構造物においては効率が悪く、したがって熱電素子としては用いられていない。
【００３７】
しかしここに紹介したアイデアによって、これらの素材によっても高い効率が得られる。導電率と熱伝導率の比に加えて、温度分布も重要な役割を果たすからである。
【００３８】
比抵抗をできるだけ小さく抑えるには、高度のないし非常に高度のドーピングが必要である。ドーピングの数値はもちろん素材に依存する。たとえばＰｂＴｅの場合、１０18ｃｍ  -3およびそれ以上のドーピングが必要である。
【００３９】
接触の方法は、この新しいコンセプトにとって最大の重要性を持つ。内部の補償電流を分岐させたいので、各層に選択的に接触しなければならない。この選択的接触は、希望の層に直接かつ選択的に接続することによって、あるいは接点の合金結合によって行う。
【００４０】
絶対的な温度差が重要であるだけでなく、温度勾配も大きな役割を果たす。高温領域では勾配が扁平で、低温の末端近くでは勾配が急峻な温度分布を上手に選択することによって、効率を向上することができる。
【００４１】
内部に構成される電位勾配は、たとえばドーピングに勾配をつけて、ｎ層とｐ層の間の電位モジュレーションを変化させることによって増加させることができる。熱伝導度も、厚さの変化または構成の変化によって横方向（ｘ方向）に調節でき、それにより希望の温度勾配を得ることができる。
【００４２】
内部の電位勾配は、荷電粒子の取り出しによってさらに強化される。これにより都合のよいフィードバックが得られ、エネルギー変換の効率が向上する。
【００４３】
少なくとも１つのｐｎ接合を設けなければならない。１つ以上の接合を用いることもできるが、その場合ｎ層とｐ層はつねに交代しなければならない。図１２は、層列ｐ―ｎ―ｐと２つのｐｎ接合ｐｎ1およびｐｎ2とを持つ実施例を示す。
【００４４】
ここに紹介した本発明による素子は、モジュールにまとめて、電気的には直列、熱的には並列の接続を得ることができる。そのようなモジュールであって考えられる構造を図１３に示した。
【００４５】
図１３に示した実施例の場合、図１３上部のような層列を持つ熱電素子３つが、２つのプレート８および９の間に、熱的には並列に配置されている。電気的にはこれらの素子は直列に、しかもクロスしてつながれた導線６´によって直列に配置されている。プレート８および９は熱的連結の改善に役立ち、希望によっては取り外すこともできる。これらのプレートは好ましくは良好な熱伝導体として形成され、電気的短絡を防止するために好ましくはセラミックスの非導電性素材（たとえばＡｌ2Ｏ3）から構成されるものとする。
【００４６】
２つの層１、２（ｎドーピングされたものとｐドーピングされたもの）からなる熱電素子の効率、およびそれらの層の間に形成されたｐｎ接合の効率を改善するため、図１４に示すように、さらに２つの層１ａ、２ａを付加することができる。既存のｎ層１には高度ドーピングされたｎ層１ａを、ｐ層２には高度ドーピングされたｐ層２ａを付加し、その際ｎ+―ｎ―ｐ―ｐ+という４層構造が得られるようにする。
【００４７】
選択的接触は、２層の場合と同一のままとする。
【００４８】
とくに下記の３領域で、本発明を応用できる。
１．温度差を電流に直接変換する熱電発電機。余熱が発生してもこれまでは利用されないままであったが、このコンセプトによって余熱を利用することができる。
２．発電とは逆の作用。電流によって一方の末端は高温に、他方は低温となる。この効果を能動的な冷却（低温を得るためまたは熱を排出するため）に用いることができる。
３．熱伝導性の強化。たとえば冷房設備または（パワー）エレクトロニクスにおいて、能率的な受動的冷却に役立つことができるもの。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１：従来の技術による熱電素子の原理略図。
【図２】図２：従来の技術による熱電モジュール。
【図３】図３：本発明による熱電素子の実施例の原理略図。
【図３ａ】図３ａ：その他の実施例。ｎ層ないしｐ層の選択的接触が前図と異なる。
【図３ｂ】図３ｂ：その他の実施例。ｎ層ないしｐ層の選択的接触が前図と異なる。
【図４】図４：ｐｎ接合領域における電位ｖ。ｐｎ接合に対して垂直な場所座標ｚの関数として示す。
【図５】図５：図４と同様な図であるが、温度Ｔ1とＴ2が異なる場合。
【図６】図６：ｎ層およびｐ層で生じた電位勾配の３次元表示略図。
【図７】図７：両極性発散の発生の略図。
【図８】図８：電子正孔ペア発生の図示。
【図９】図９：電位モジュレーションの縮小による電子正孔ペアの再結合。
【図１０】図１０：熱電素子上における温度勾配の有利な推移。
【図１１】図１１：熱電素子の幅を変化させた場合、その上面図とそれにより得られた温度勾配。
【図１２】図１２：２つのｐｎ接合を持つ実施例。
【図１３】図１３：本発明による熱電素子複数からなる熱電モジュールの構造。
【図１４】図１４：高度ドーピングされたｎ層、ｎ層、ｐ層および高度ドーピングされたｐ層を持つ実施例。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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