(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持するトップリングと研磨面を有したターンテーブルとを備え、基板上に半導体デバイスを形成した面を前記研磨面に摺接させて研磨するポリッシング装置において、
前記ターンテーブルの研磨面の下方に前記基板上の被研磨面に形成された導電性膜の膜厚を計測できる少なくとも１つのうず電流センサを設け、
前記少なくとも１つのうず電流センサに隣接して、投光素子から前記基板の被研磨面に光を照射し該被研磨面からの反射光を受光素子で受光する少なくとも１つの光学式センサを設け、
前記少なくとも１つのうず電流センサは、前記基板の被研磨面の円弧状の軌道を通過して前記基板の概略直径方向の面内均一性を検出するように構成され、
前記少なくとも１つのうず電流センサにより検出された被研磨面の面内均一性に基づいて研磨条件を変更する制御部を設け、
前記制御部は、前記基板上の導電性膜が所定の膜厚になるまで前記少なくとも１つのうず電流センサの信号を処理することにより前記導電性膜の膜厚をモニターし、前記基板上の導電性膜が前記所定の膜厚になった後に前記少なくとも１つの光学式センサの信号を処理することにより前記導電性膜の膜厚をモニターすることを特徴とするポリッシング装置。
【請求項２】
前記センサは前記ターンテーブル内に設置されていることを特徴とする請求項１記載のポリッシング装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つのうず電流センサは、前記基板の中心を通る軌道上に設置されていることを特徴とする請求項１又は２記載のポリッシング装置。
【請求項４】
前記研磨条件は、前記トップリングの押圧力または前記基板の上面に加える圧力分布であることを特徴とする請求項１乃至３記載のポリッシング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はポリッシング装置に係り、特に半導体ウエハ等の基板を研磨する際、基板をトップリングに装着した状態で基板の被研磨面を露出させることなく、基板の被研磨面に形成された導電性膜の膜厚をリアルタイムで連続的に検出することができるポリッシング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体基板上に配線回路を形成するためには、基板面上にスパッタリング等を用いて導体の成膜を行った後、さらにレジスト等のパターンマスクを用いたケミカルドライエッチングにより膜の不要部分を除去していた。
配線回路を形成するための材料としては、一般にアルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金が用いられていた。しかしながら、半導体の集積度が高くなるにつれて配線が細くなり、電流密度が増加して熱応力や温度上昇を生じる。これはストレスマイグレーションやエレクトロマイグレーションによってＡｌ等が薄膜化するに従いさらに顕著となり、ついには断線或いは短絡等のおそれが生じる。
【０００３】
そこで、通電による過度の発熱を避けるため、より導電性の高い銅などの材料を配線形成に採用することが要求されている。しかしながら、銅又はその合金はドライエッチングが難しく、基板全面に成膜してからパターンを形成する上記の方法の採用は困難である。そのため、予め所定パターンの配線用の溝を形成しておき、その中に銅又はその合金を充填する工程が考えられる。これによれば、膜をエッチングにより除去する工程は不要で、表面段差を取り除くための研磨工程を行えばよい。また、多層回路の上下を連絡する配線孔と呼ばれる部分も同時に形成することができる利点がある。
【０００４】
しかしながら、このような配線溝或いは配線孔の形状は、配線幅が微細化するに伴いかなりの高アスペクト比（深さと直径又は幅の比）となり、スパッタリング成膜では均一な金属の充填が困難であった。また、種々の材料の成膜手段として気相成長（ＣＶＤ）法が用いられるが、銅又はその合金では、適当な気体原料を準備することが困難であり、また、有機原料を採用する場合には、これから堆積膜中へ炭素（Ｃ）が混入してマイグレーション性が上がるという問題点があった。
【０００５】
そこで、基板をめっき液中に浸漬させて例えば銅（Ｃｕ）の無電解又は電解めっきを行ない、その後表面の不要部分を化学機械研磨（ＣＭＰ）により除去する方法が提案されている。斯かるめっきによる成膜では、高アスペクト比の配線溝を均一に高導電率の金属で充填することが可能となる。前記ＣＭＰプロセスは、ターンテーブル上に貼設された研磨布にトップリングによって保持された半導体ウエハを押圧し、同時に砥粒を含有した研磨砥液を供給しつつ、半導体ウエハ上のＣｕ層を研磨するものである。
【０００６】
前記Ｃｕ層をＣＭＰプロセスにより研磨する場合、配線用の溝内に形成されたＣｕ層のみを残して半導体基板からＣｕ層を選択的に除去することが必要とされる。即ち、Ｃｕ層を配線用の溝部以外の箇処では、酸化膜（ＳｉＯ２）が露出するまで除去することが求められる。この場合、過剰研磨となって、配線用の溝内のＣｕ層を酸化膜（ＳｉＯ２）とともに研磨してしまうと、回路抵抗が上昇し、半導体基板全体を廃棄しなければならず、多大な損害となる。逆に、研磨が不充分で、Ｃｕ層が酸化膜上に残ると、回路の分離がうまくいかず、短絡が起こり、その結果、再研磨が必要となり、製造コストが増大する。この事情は、Ｃｕ層に限らず、Ａｌ層等の他の導電性膜を形成し、この導電性膜をＣＭＰプロセスで研磨する場合も同様である。
【０００７】
そのため、ＣＭＰプロセスの終点を検出するために、うず電流センサを用いた終点検出方法が提案されている。図７は、従来のポリッシング装置の主要部を示す図である。ポリッシング装置は、上面に研磨布４２を貼った回転するターンテーブル４１と、回転および押圧可能に半導体基板である半導体ウエハ４３を保持するトップリング４５と、研磨布４２に砥液Ｑを供給する砥液供給ノズル４８を備えている。トップリング４５はトップリングシャフト４９に連結されており、またトップリング４５はその下面にポリウレタン等の弾性マット４７を備えており、弾性マットに接触させて半導体ウエハ４３を保持する。さらにトップリング４５は、研磨中に半導体ウエハ４３がトップリング４５の下面から外れないようにするため、円筒状のリテーナリング４６を外周縁部に備えている。
【０００８】
ここで、リテーナリング４６はトップリング４５に対して固定されており、その下端面はトップリング４５の保持面から突出するように形成され、半導体ウエハ４３が保持面内に保持され、研磨中に研磨布４２との摩擦力によってトップリング外へ飛び出さないようになっている。またトップリング４５内には、うず電流センサ５０が埋め込まれており、このうず電流センサ５０は配線５１を介してトップリングシャフト４９内を通って外部のコントローラ（図示せず）に接続されている。
【０００９】
半導体ウエハ４３をトップリング４５の下面の弾性マット４７の下部に保持し、ターンテーブル４１上の研磨布４２に半導体ウエハ４３をトップリング４５によって押圧するとともに、ターンテーブル４１およびトップリング４５を回転させて研磨布４２と半導体ウエハ４３を相対運動させて研磨する。このとき、砥液供給ノズル４８から研磨布４２上に砥液Ｑを供給する。砥液は、例えばＣｕ（銅）を研磨する場合は酸化剤にアルミナやシリカといった微粒子からなる砥粒を懸濁したものを用い、Ｃｕ表面を化学反応で酸化させながら、砥粒による機械的研磨作用との複合作用によって半導体ウエハを研磨する。
【００１０】
上述の研磨中に、前記うず電流センサ５０によって半導体ウエハ４３の被研磨面に形成されたＣｕ層等の導電性膜の膜厚の変化を検出しつづける。そして、うず電流センサ５０の信号をモニターし、配線用の溝内に形成されたＣｕ層等の導電体のみを残して、酸化膜（ＳｉＯ２）上の導電性膜が除去されたときの周波数変化によりＣＭＰプロセスの終点を検出する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図７に示すうず電流センサを用いた方法では、該うず電流センサをトップリング側に設けていたため、半導体ウエハ上に形成されたＣｕ層等の導電性膜の膜厚はうず電流センサの直下しか計測できないという欠点があった。この場合、トップリング側に埋め込むセンサの数を増やせば、膜厚の計測箇処は増加するが、それでも、互いに離間した複数点（又は多数点）の断続的な計測値が得られるにすぎず、連続したプロファイルとしての計測値を得ることができないという問題点があった。またセンサ数の増加に伴って、装置コストが増加するとともに信号処理が複雑になるという問題点があった。
【００１２】
本発明は、上述の事情に鑑みなされたもので、研磨布又は固定砥粒プレートを備えたターンテーブル側にうず電流センサ等のセンサを配置することにより、半導体基板上の被研磨面に形成されたＣｕ層やＡｌ層等の導電性膜の膜厚をリアルタイムで連続した計測値として検出できるポリッシング装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するため、本発明は基板を保持するトップリングと研磨面を有したターンテーブルとを備え、基板上に半導体デバイスを形成した面を前記研磨面に摺接させて研磨するポリッシング装置において、前記ターンテーブルの研磨面の下方に前記基板上の被研磨面に形成された導電性膜の膜厚を計測できる少なくとも１つのうず電流センサを設け、前記少なくとも１つのうず電流センサに隣接して、投光素子から前記基板の被研磨面に光を照射し該被研磨面からの反射光を受光素子で受光する少なくとも１つの光学式センサを設け、前記少なくとも１つのうず電流センサは、前記基板の被研磨面の円弧状の軌道を通過して前記基板の概略直径方向の面内均一性を検出するように構成され、前記少なくとも１つのうず電流センサにより検出された被研磨面の面内均一性に基づいて研磨条件を変更する制御部を設け、前記制御部は、前記基板上の導電性膜が所定の膜厚になるまで前記少なくとも１つのうず電流センサの信号を処理することにより前記導電性膜の膜厚をモニターし、前記基板上の導電性膜が前記所定の膜厚になった後に前記少なくとも１つの光学式センサの信号を処理することにより前記導電性膜の膜厚をモニターすることを特徴とするものである。前記研磨面は研磨布又は固定砥粒プレートからなる。研磨面が研磨布からなる場合には、センサはターンテーブル内に設置されている。研磨面が固定砥粒プレートからなる場合には、センサは固定砥粒プレート内に設置されている。
【００１４】
本発明によれば、基板を研磨面に摺接させて導電性膜の研磨を行なう。この研磨中に、うず電流センサは、ターンテーブルが一回転する毎に半導体基板の被研磨面の直下を通過する。この場合、うず電流センサは半導体基板の中心を通る軌道上に設置されているため、センサの移動に伴って半導体基板の被研磨面の円弧状の軌道上で連続的に膜厚検出が可能である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るポリッシング装置の実施の形態を図１乃至図５を参照して説明する。
図１は、本発明のポリッシング装置の全体構成を示す縦断面図である。図１に示されるように、ポリッシング装置は、ターンテーブル１と、半導体ウエハ２を保持しつつターンテーブル１に押圧するトップリング３とを具備している。ターンテーブル１はモータ７に連結されており、矢印で示すようにその軸心回わりに回転可能になっている。また、ターンテーブル１の上面には、研磨布４が貼設されている。
【００１６】
また、トップリング３は、モータ（図示せず）に連結されるとともに昇降シリンダ（図示せず）に連結されている。これによって、トップリング３は、矢印で示すように昇降可能かつその軸心回わりに回転可能になっており、半導体ウエハ２を研磨布４に対して任意の圧力で押圧することができるようになっている。トップリング３はトップリングシャフト８に連結されており、またトップリング３はその下面にポリウレタン等の弾性マット９を備えている。またトップリング３の下部外周部には、半導体ウエハ２の外れ止めを行うガイドリング６が設けられている。
また、ターンテーブル１の上方には研磨砥液ノズル５が設置されており、研磨砥液ノズル５によってターンテーブル１に貼設された研磨布４上に研磨砥液Ｑが供給されるようになっている。
【００１７】
図１に示すように、ターンテーブル１内にはうず電流センサ１０が埋め込まれている。うず電流センサ１０の配線１４は、ターンテーブル１およびターンテーブル支持軸１ａ内を通り、ターンテーブル支持軸１ａの軸端に設けられたロータリコネクタ（又はスリップリング）１１を経由してコントローラ１２に接続されている。コントローラ１２は表示装置（ディスプレイ）１３に接続されている。
【００１８】
図２は、図１に示すポリッシング装置の平面図である。図示するように、うず電流センサ１０は、トップリング３に保持された研磨中の半導体ウエハ２の中心Ｃｗを通過する位置に設置されている。符号ＣＴはターンテーブル１の回転中心である。うず電流センサ１０は、半導体ウエハ２の下方を通過している間、通過軌跡上で連続的に半導体ウエハ２のＣｕ層等の導電性膜の膜厚を検出できるようになっている。
【００１９】
図３はうず電流センサ１０の埋め込み状態を示す要部拡大断面図であり、図３（ａ）はターンテーブル上に研磨布を貼設した場合を示し、図３（ｂ）はターンテーブル上に固定砥粒プレートを設置した場合を示している。図３（ａ）に示すように、ターンテーブル１上に研磨布４を貼設する場合には、うず電流センサ１０はターンテーブル１内に埋め込む。また図３（ｂ）に示すように、ターンテーブル１上に固定砥粒プレート１５を設置する場合には、うず電流センサ１０は固定砥粒プレート１５内に埋め込む。
【００２０】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すいずれの方法においても、研磨布４の上面の研磨面又は固定砥粒プレート１５の上面の研磨面、即ち半導体ウエハの被研磨面からうず電流センサ１０の上面までの距離Ｌは１.３mm以上あってもよい。図３（ａ）および図３（ｂ）には、酸化膜（ＳｉＯ２）２ａ上にＣｕ層やＡｌ層からなる導電性膜２ｂが形成された半導体ウエハ２が示されている。
【００２１】
研磨布には、例えば、ロデール社製のポリテックス（Ｐｏｌｉｔｅｘ）などの不織布やＩＣ１０００のような発泡ポリウレタンが用いられる。また固定砥粒プレート１５は粒度が数μｍ以下であるような微細な砥粒（例えばＣｅＯ２）を樹脂を結合剤として固め、円板状に成形したものが用いられる。
【００２２】
上記構成のポリッシング装置において、トップリング３の下面に半導体ウエハ２を保持させ、半導体ウエハ２を回転しているターンテーブル１の上面の研磨布４に昇降シリンダにより押圧する。一方、研磨砥液ノズル５から研磨砥液Ｑを流すことより、研磨布４に研磨砥液Ｑが保持されており、半導体ウエハ２の被研磨面（下面）と研磨布４の間に研磨砥液Ｑが存在した状態でポリッシングが行われる。この研磨中に、うず電流センサ１０は、ターンテーブル１が一回転する毎に半導体ウエハ２の被研磨面の直下を通過する。この場合、うず電流センサ１０は半導体ウエハ２の中心Ｃｗを通る軌道上に設置されているため、センサの移動に伴って半導体ウエハ２の被研磨面の円弧状の軌道上で連続的に膜厚検出が可能である。また、検出時間の間隔を短くするため、図２の仮想線で示すようにうず電流センサ１０を追加してテーブル上に２ヶ以上のセンサを設けても良い。
【００２３】
次に、うず電流センサを用いてＣｕ層やＡｌ層からなる半導体ウエハ上の導電性膜の膜厚を検出する原理を簡単に説明する。
うず電流式プロセスモニタのシステム原理は、センサコイルに高周波電流を流して、ウエハの導電性膜（金属膜）中にうず電流を発生させ、このうず電流が膜厚によって変化し、センサー回路との合成インピーダンスを監視することで、終点の検出を行なうものである。すなわち、センサコイルに高周波電流を流すと、導電性膜（金属膜）中にうず電流が発生する。そして、回路中のインピーダンスを監視する。
回路中のインピーダンスは、センサ部のＬ，Ｃと導電性膜のＲが並列に結合された形となり、以下に示す（１）式のＲが変化することによりＺが変化することとなる。また、この時、共振周波数も同時に変化し、この変化の度合いを監視することでＣＭＰプロセスの終点の判定を行なうことができる。
【数１】
0003907414.tif 000002
ここで、Ｚ：合成インピーダンス，ｊ：−１の平方根（虚数），Ｌ：インダクタンス，ｆ：共振周波数，Ｃ：コンデンサの静電容量，Ｒ：導電性膜（金属膜）の抵抗分，ω＝２πｆである。
【００２４】
図４は、上述の原理に基づき、半導体ウエハの研磨中に得られたうず電流センサ１０の検出信号をコントローラ１２で処理した結果を示すグラフである。図４において、横軸は研磨時間を示し、縦軸は共振周波数（Ｈｚ）を表している。そして、図４（ａ）は研磨中にうず電流センサ１０が半導体ウエハ２の直下を複数回通過する間の共振周波数の変化を表し、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ部拡大図である。図４（ａ）および図４（ｂ）においては、半導体ウエハ上に形成された導電性膜はＣｕ（銅）の場合を示している。
【００２５】
図４（ａ）に示すように、研磨が進行するにつれて、うず電流センサ１０の信号をコントローラ１２で処理した値は漸次減少してゆく。即ち、導電性膜の膜厚が減少するにつれて、うず電流センサ１０の信号をコントローラ１２で処理した値である共振周波数が減少してゆく。図４（ａ）においては、初期の６８００（Ｈｚ）から漸次減少してゆく。したがって、予め、導電性膜が配線部を除いて除去されたときの共振周波数の値を調べておけば、共振周波数の値をモニターすることにより、ＣＭＰプロセスの終点を検出できる。図４（ａ）においては、導電性膜が配線部を除いて除去されたときの共振周波数の値は６６２０（Ｈｚ）である。また研磨終点に至らない手前のある周波数を閾値として設定しておけば、この閾値に到達するまで、研磨速度（ポリッシングレート）が高い固定砥粒プレート１５（図３（ｂ）参照）を用いて研磨し、閾値に到達した後に固定砥粒プレート１５より遅い研磨速度の研磨布４（図３（ａ）参照）を用いて研磨し、研磨終点に達したら、ＣＭＰプロセスを終了させることもできる。
【００２６】
また、うず電流センサはセンサコイルへ供給する高周波電流の周波数によって導電性膜厚の測定感度が異なる。例えば、周波数が２０ＭＨｚの高周波電流をセンサコイルへ供給した場合、導電性膜厚が０〜１００００Åの広範囲に渡って測定可能であるのに対して、周波数が１６０ＭＨｚの高周波電流をセンサコイルへ供給した場合、導電性膜厚が０〜１０００Åの狭範囲に敏感なセンサとなる。このように、研磨加工プロセス（測定すべき膜厚や膜種）によってうず電流センサに供給する高周波電流の周波数を選択したり、複数のうず電流センサを組み合わせることにより、導電性膜厚を正確に測定することが可能になり、プロセスの効率化を図ることができる。また、研磨加工プロセスによってうず電流センサを変更してもよい。
【００２７】
また図４（ｂ）に示すように、うず電流センサ１０が半導体ウエハ２の直下を通過したときに、被研磨面の面内の共振周波数の変化が検出できる。すなわち、周波数変化は膜厚の変化に対応しており、うず電流センサ１０は研磨中の半導体ウエハ２の中心Ｃｗを通過する位置に設置されているため、うず電流センサの信号をモニターすることにより、半導体ウエハの概略直径方向の研磨の均一性を検出できる。この検出された被研磨面の面内均一性をポリッシング装置の制御部に入力することにより、トップリングの押圧力や半導体ウエハの上面に加える圧力分布を変える等の研磨条件の変更を行うことができ、被研磨面の面内均一性の向上を達成できる。
【００２８】
図５は、１枚の研磨布によって、複数枚の半導体ウエハを研磨した場合のうず電流センサの信号をコントローラで処理して得られた共振周波数の変化を表わすグラフである。図５において、横軸は研磨時間を示し、縦軸は共振周波数（Ｈｚ）を表している。研磨布は、１枚目の半導体ウエハを研磨した状態から、複数回のドレッシングおよび複数回の研磨による消耗のために０.７mm消耗している。図５に示すように、各研磨の研磨開始時にうず電流センサの信号を処理することにより得られる周波数は、研磨布の使用開始時よりも研磨布を繰り返し使用して消耗した時の方が上昇している。即ち、研磨布の使用開始時の６８００（Ｈｚ）から６９００（Ｈｚ）に上昇している。したがって、各研磨の研磨開始時の共振周波数の値をモニターすることにより、研磨布の消耗度合を判定できるため、研磨布の取り換え時期を正確に知ることができる。
【００２９】
図６は本発明のポリッシング装置の他の実施形態を示す図であり、図６（ａ）はポリッシング装置のターンテーブルの平面図であり、図６（ｂ）はポリッシング装置の断面図である。
本実施形態のポリッシング装置は、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、うず電流センサ１０に隣接して光学式センサ３０が設置されている。光学式センサ３０は、投光素子と受光素子を具備し、投光素子から半導体ウエハの被研磨面に光を照射し、被研磨面からの反射光を受光素子で受光するように構成されている。この場合、投光素子から発せられる光は、レーザー光もしくはＬＥＤである。光学式センサ３０は、Ｃｕ層やＡｌ層等の導電性膜が所定厚の薄膜になってくると、投光素子から被研磨面に照射された光の一部が導電性膜を透過し、導電性膜の下層の酸化膜から反射された反射光と、導電性膜の表面から反射された反射光との二種類の反射光が存在することになる。この二種類の反射光を受光素子で受光し、受光素子からの信号をコントローラ３２で処理することにより酸化膜上に残存した導電性膜の膜厚をうず電流センサよりも正確に検出できる。
【００３０】
このように、二種類の膜厚計測用のセンサをポリッシング装置に搭載することにより、導電性膜が所定厚の薄膜になるまでは、うず電流センサ１０の信号を処理することにより膜厚をモニターし、所定厚の薄膜になって膜厚を光学式センサ３０で検出できるようになった時点で光学式センサ３０の信号を処理することにより薄膜の膜厚をモニターする。これにより、薄膜に対する測定感度が高い光学式センサ３０を用いて導電性膜が配線部を除いて除去されたことを正確に検出でき、ＣＭＰプロセスの終点を決定できる。勿論、うず電流センサ１０と光学式センサ３０をＣＭＰプロセスの終点まで併用することもできる。即ち、導電性膜が配線部を除いて除去されることをうず電流センサ１０と光学式センサ３０の両者からの信号を処理し、モニターすることにより検出し、ＣＭＰプロセスの終点を決定することもできる。本実施の形態においては、導電性膜としてＣｕおよびＡｌを説明したが、Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉ等の他の金属であってもよい。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、研磨布又は固定砥粒プレートを備えたターンテーブル側にうず電流センサ等のセンサを配置することにより、半導体基板上の被研磨面に形成されたＣｕ層やＡｌ層等の導電性膜の膜厚をリアルタイムで連続した計測値として検出できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のポリッシング装置の全体構成を示す縦断面図である。
【図２】本発明のポリッシング装置の平面図である。
【図３】うず電流センサの埋め込み状態を示す要部拡大断面図であり、図３（ａ）はターンテーブル上に研磨布を貼設した場合を示し、図３（ｂ）はターンテーブル上に固定砥粒プレートを設置した場合を示している。
【図４】半導体ウエハの研磨中に得られたうず電流センサの検出信号をコントローラで処理した結果を示すグラフであり、図４（ａ）は研磨中にうず電流センサが半導体ウエハの直下を複数回通過する間の周波数の変化を表し、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ部拡大図である。
【図５】１枚の研磨布によって、複数枚の半導体ウエハを研磨した場合のうず電流センサの信号をコントローラで処理して得られた周波数の変化を表わすグラフである。
【図６】本発明のポリッシング装置の他の実施形態を示す図であり、図６（ａ）はポリッシング装置のターンテーブルの平面図であり、図６（ｂ）はポリッシング装置の断面図である。
【図７】従来のポリッシング装置の主要部を示す図である。
【符号の説明】
１    ターンテーブル
１ａ  ターンテーブル支持軸
２    半導体ウエハ
３    トップリング
４    研磨布
５    研磨砥液ノズル
６    ガイドリング
７    モータ
８    トップリングシャフト
９    弾性マット
１０    うず電流センサ
１１    ロータリコネクタ（又はスリップリング）
１２    コントローラ
１３    表示装置（ディスプレイ）
１４    配線
１５    固定砥粒プレート
３０    光学式センサ
３２    コントローラ
４１    ターンテーブル
４２    研磨布
４３    半導体ウエハ
４５    トップリング
４６    リテーナリング
４７    弾性マット
４８    砥液供給ノズル
４９    トップリングシャフト
５０    うず電流センサ
５１    配線
【図１】
0003907414.tif 000003
【図２】
0003907414.tif 000004
【図３】
0003907414.tif 000005
【図４】
0003907414.tif 000006
【図５】
0003907414.tif 000007
【図６】
0003907414.tif 000008
【図７】
0003907414.tif 000009