(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にめっきベースを形成し、めっきベースに通電して電解めっきを施すことによりめっきベース上に所定のパターンで導体部を形成し、導体部を残すようにめっきベースの不要部位をイオンミルによりエッチングして除去することにより高アスペクト比の導体パターンを形成する導体パターンの形成方法において、
前記イオンミルによりめっきベースを除去する際に、
入射角を基板の法線方向に対し斜め入射とするイオンミルにより基板の表面に形成されためっきベースをエッチングし、
次に、入射角を基板の法線方向と略一致する方向に設定して、導体部の基部近傍に残留するめっきベースをエッチングし、
最後に、入射角を導体部の側面に向かう方向に設定してイオンミルすることを特徴とする導体パターンの形成方法。
【請求項２】
導体部の側面をイオンミルする際に、導体部の側面をイオンミルによりエッチングして所定の導体パターンの幅寸法に形成することを特徴とする請求項１記載の導体パターンの形成方法。
【請求項３】
導体パターンをアスペクト比２〜４に形成することを特徴とする請求項１または２記載の導体パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は基板上に高いアスペクト比で狭幅の導体パターンを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ディスク装置で使用するＭＲヘッド等の電子部品の製造プロセスでは、基板上に狭パターン幅の導体パターンを形成する方法が広く行われている。これらの製造プロセスのうち、基板あるいは下地層にめっきベースを形成して所要の導体パターンを形成する方法がある。この方法では、スパッタリングあるいは蒸着等により基板にめっきベースを形成し、次に、めっきベースの表面に感光性レジストを塗布し、フォトリソグラフィー法により導体部を形成する部位を露出させる。次いで、めっきベースに通電して電解めっきを施し、めっきベースの露出部分に導体部を形成する。
次に、レジストを除去すると、めっきベース上に所定のパターンで導体部が形成された状態になるから、イオンミルを施して導体部間のめっきベースの不要部分を除去し、導体部間の基板表面を露出させる。こうして、基板上に所定の導体パターンが形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようにめっきベースを形成し、めっきベースに通電して導体部を形成し、めっきベースの不要部分をイオンミルによって除去する方法にあっては、イオンミルによってめっきベースを除去する際に、イオンミルによってめっきベースの残渣が導体パターンに付着し導体パターンを狭パターンに形成する妨げになるという問題があった。
本発明は、めっきベースを利用した電解めっきにより導体部を形成し、イオンミルによってめっきベースの不要部分を除去して導体パターンを形成する方法に関するものであり、きわめて狭パターンでかつ高アスペクト比の導体パターンを形成する方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、基板の表面にめっきベースを形成し、めっきベースに通電して電解めっきを施すことによりめっきベース上に所定のパターンで導体部を形成し、導体部を残すようにめっきベースの不要部位をイオンミルによりエッチングして除去することにより高アスペクト比の導体パターンを形成する導体パターンの形成方法において、前記イオンミルによりめっきベースを除去する際に、入射角を基板の法線方向に対し斜め入射とするイオンミルにより基板の表面に形成されためっきベースをエッチングし、次に、入射角を基板の法線方向と略一致する方向に設定して、導体部の基部近傍に残留するめっきベースをエッチングし、最後に、入射角を導体部の側面に向かう方向に設定してイオンミルすることを特徴とする。
また、導体部の側面をイオンミルする際に、導体部の側面をイオンミルによりエッチングして所定の導体パターンの幅寸法に形成することを特徴とする。
また、導体パターンをアスペクト比２〜４に形成することを特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施形態について、添付図面と共に詳細に説明する。
図１はめっきベースを用いて基板１０上に導体パターンを形成する方法の一実施形態を示す。
図１(a) は基板１０の表面にスパッタリングによりめっきベース１２を形成した状態を示す。めっきベース１２は電解めっきを施す通電用に設けるものであり、銅等の適宜金属を用いて形成することができる。
図１(b) はめっきベース１２の表面上に導体パターン形成をするため、めっきベース１２の表面にレジストを塗布し、露光・現像してレジストパターン１４を形成した状態を示す。１４ａがめっきベース１２上で導体パターンを形成する凹部であり、凹部１４ａの底面でめっきベース１２が露出する。
図１(c) は、次に、めっきベース１２に通電して電解銅メッキ等の電解めっきを施し、めっきベース１２上に導体部１６を形成した状態である。
【０００６】
図２はレジストパターン１４を溶解して除去し、めっきベース１２上に導体部１６を残した状態である。
導体パターンはめっきベース１２の不要部分を除去することによって得られる。このため、めっきベース１２に対してイオンミルを施し、基板１０上で露出しているめっきベース１２を除去するようにする。
図２はイオンミルを施す第１工程として、イオンミルの入射角を基板の法線方向に対し約４５度に設定してめっきベース１２をエッチングする状態を示す。基板に対してイオンミルの入射角を斜めに設定するのは、イオンミルによるエッチング効率を高めるためで、入射角を４５°程度に設定した場合がもっとも効率的である。斜め入射によるイオンミル加工では、導体部１６の両側から入射方向を変えてエッチングする。
【０００７】
図３は上記の斜め入射によってめっきベース１２をエッチングした状態に対して、次のイオンミルを施す工程を示す。
第１イオンミル工程では斜め入射により効率的にめっきベース１２をエッチングすることができるが、図３に示すように、導体部１６の基部がエッチングの影になって導体部１６の基部近傍にめっきベース１２が残るようになる。高アスペクト比の導体部１６の場合には、この導体部１６の基部のめっきベース１２の残りが大きくあらわれる。
図３に示すイオンミルの第２工程では、イオンミルの入射角を基板１０の法線方向に略一致する方向に設定してイオンミルする。基板１０の法線方向にイオンミルの入射角を定めることにより、導体部１６の基部に残っているめっきベース１２がエッチングされる。同時に、導体部１６も頂部側からエッチングされる。
【０００８】
図４は、第２工程により導体部１６の基部に残っていためっきベース１２が除去された状態を示す。この第２工程ではめっきベース１２をイオンミルした際に、めっきベース１２の残渣１２ａが導体部１６の側面に付着する。図４は残渣１２ａが導体部１６の側面に付着して導体部１６の幅寸法が大きくなった状態を示す。
イオンミルによる第３工程は、導体部１６の側面に付着しためっきベース１２の残渣１２ａを除去して、導体部１６を所要のパターン幅に形成する工程である。すなわち、イオンミルの第３工程では、導体部１６の側面を重点的にイオンミルすることを特徴とする。このため、この第３工程では導体部１６の側面方句に向けてイオンミルする。実施形態では第３工程のイオンミルの入射角を基板１０の法線方向に対して７０°に設定し、導体部１６の略側面に向かう方向としてイオンミルした。
【０００９】
図５はイオンミルによる第３工程を施した後の状態で、第２工程で導体部１６の側面に付着しためっきベース１２の残渣１２ａがエッチングされて除去され、また、導体部１６自体の側面部分もエッチングされて細幅となり、導体部１６が所定の導体パターン１８に形成される。
【００１０】
以上説明したように、めっきベース１２をイオンミルする際に入射角を基板の法線に対して斜め入射とするイオンミル工程、入射角を基板の略法線方向とするイオンミル工程、入射角を導体部の側面方向に向けたイオンミル工程を順次施すことによって高アスペクト比の導体パターンを形成することができる。
磁気ディスク装置に使用する磁気ヘッドの製造工程では、書き込み用の磁極をアスペクト比が２〜４といった高アスペクト比の細幅に形成する必要がある。本発明に係る導体パターンの形成方法はこのような高アスペクト比の導体パターンを狭幅で形成する方法としてきわめて有効である。もちろん、本発明に係る導体パターンの形成方法は種々の配線基板等の製造工程における導体パターンの形成に好適に適用することが可能である。
【００１１】
【発明の効果】
本発明に係る導体パターンの形成方法によれば、上述したように、イオンミルによってめっきベースを除去する際に、イオンミルの入射角の方向を変えてめっきベースを除去するようにしたことによって、効率的にめっきベースを除去することが可能となり、導体パターンを狭幅で形成することが可能になる。イオンミルを多段階に分けて行うことによって導体パターンをより精密にエッチングすることが可能になり高アスペクト比の導体パターンを形成することが容易に可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板上に導体部を形成する工程を示す説明図である。
【図２】斜め入射角によるイオンミル工程を示す説明図である。
【図３】法線方向の入射角によるイオンミル工程を示す説明図である。
【図４】導体部を側面方向からエッチングするイオンミル工程を示す説明図である。
【図５】基板上に導体パターンが形成された状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１０  基板
１２ａ  残渣
１２  ベース
１４ａ  凹部
１４  レジストパターン
１６  導体部
１８  導体パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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