(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が前記複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数のリード導体と、該複数のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用配線部材。
【請求項２】
前記テスト用接続パッドの各々が、測定用プローブの接触可能な大きさを有していることを特徴とする請求項１に記載の配線部材。
【請求項３】
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドが、前記複数の外部用接続パッドより前記複数のヘッド素子用接続パッドに近い位置の、前記少なくとも１対のリード導体の近傍に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線部材。
【請求項４】
前記配線部材が、サスペンション上に積層された配線部材からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の配線部材。
【請求項５】
前記配線部材が、ＦＰＣ（フレクシブルプリント回路）部材からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の配線部材。
【請求項６】
薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が前記複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、該複数の第１又は第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用配線部材。
【請求項７】
前記テスト用接続パッドの各々が、測定用プローブの接触可能な大きさを有していることを特徴とする請求項６に記載の配線部材。
【請求項８】
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドが、前記複数のＩＣチップ用接続パッドより前記複数のヘッド素子用接続パッドに近い位置の、前記第１のリード導体の前記少なくとも１対のリード導体の近傍に形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の配線部材。
【請求項９】
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドが、前記複数のヘッド素子用接続パッドより前記複数のＩＣチップ用接続パッドに近い位置の、前記第１のリード導体の前記少なくとも１対のリード導体の近傍に形成されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の配線部材。
【請求項１０】
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドが、前記複数の外部用接続パッドより前記複数のＩＣチップ用接続パッドに近い位置の、前記第２のリード導体の前記少なくとも１対のリード導体の近傍に形成されていることを特徴とする請求項６から９のいずれか１項に記載の配線部材。
【請求項１１】
前記配線部材が、サスペンション上に積層された配線部材からなることを特徴とする請求項６から１０のいずれか１項に記載の配線部材。
【請求項１２】
前記配線部材が、ＦＰＣ部材からなることを特徴とする請求項６から１０のいずれか１項に記載の配線部材。
【請求項１３】
少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダと、サスペンションと、該サスペンションに支持された請求項１から１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド用配線部材とを備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１４】
少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダと、ヘッドＩＣチップと、サスペンションと、該サスペンションに支持された請求項６から１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド用配線部材とを備えたことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１５】
少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダと、サスペンションと、該サスペンションに支持されており、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子に電気的に接続されたリード導体を含む配線部材とを備えたヘッドジンバルアセンブリの検査方法であって、前記配線部材に設けられたテスト用接続パッドと前記リード導体とを電気的に短絡し、該テスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を測定し、その後、前記テスト用接続パッドと前記リード導体との電気的短絡を解放することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの検査方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダと、ヘッドＩＣチップと、サスペンションと、該サスペンションに支持されており、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子及び前記ヘッドＩＣチップに電気的に接続されたリード導体を含む配線部材とを備えたヘッドジンバルアセンブリの検査方法であって、前記配線部材に設けられたテスト用接続パッドと前記リード導体とを電気的に短絡し、該テスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子又は前記ヘッドＩＣチップの電気的特性を測定し、その後、前記テスト用接続パッドと前記リード導体との電気的短絡を解放することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの検査方法。
【請求項１７】
前記テスト用接続パッドと前記リード導体との電気的短絡が、ボールボンディングによって行われることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の検査方法。
【請求項１８】
前記テスト用接続パッドと前記リード導体との電気的短絡が、接続ピンの接触によって行われることを特徴とする請求項１５又は１６に記載の検査方法。
【請求項１９】
薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が前記複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数のリード導体と、該複数のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材をサスペンション上に形成し、
少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを該サスペンションに固着すると共に、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の前記複数の端子電極と前記複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、
該少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を測定し、
その後、前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項２０】
薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が前記複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、該複数の第１又は第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材をサスペンション上に形成し、
ヘッドＩＣチップの複数の端子と前記複数のＩＣチップ用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを前記サスペンションに固着すると共に、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の前記複数の端子電極と前記複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、
該少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより前記ヘッドＩＣチップ又は前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を測定し、
その後、前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項２１】
薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が前記複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、該複数の第１又は第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材をサスペンション上に形成し、
ヘッドＩＣチップの複数の端子と前記複数のＩＣチップ用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、
該少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより前記ヘッドＩＣチップの電気的特性を測定し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、
その後、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを前記サスペンションに固着すると共に、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の前記複数の端子電極と前記複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項２２】
薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が前記複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数のリード導体と、該複数のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材を形成し、
少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを該配線部材に固着すると共に、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の前記複数の端子電極と前記複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、
該少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を測定し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、
その後、前記配線部材をサスペンションに固着することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項２３】
薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が前記複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、該複数の第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材を形成し、
ヘッドＩＣチップの複数の端子と前記複数のＩＣチップ用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、
該少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより前記ヘッドＩＣチップの電気的特性を測定し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、
少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを前記配線部材に固着すると共に、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の前記複数の端子電極と前記複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
その後、前記配線部材をサスペンションに固着することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項２４】
薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が前記複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、該複数の第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材を形成し、
ヘッドＩＣチップの複数の端子と前記複数のＩＣチップ用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、
該少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより前記ヘッドＩＣチップの電気的特性を測定し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、
前記配線部材をサスペンションに固着し、
その後、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを前記配線部材に固着すると共に、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の前記複数の端子電極と前記複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項２５】
薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が前記複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、該複数の第１又は第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材を形成し、
ヘッドＩＣチップの複数の端子と前記複数のＩＣチップ用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを前記配線部材に固着すると共に、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の前記複数の端子電極と前記複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、
該少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより前記ヘッドＩＣチップ又は前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を測定し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、
その後、前記配線部材をサスペンションに固着することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項２６】
薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が前記複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、該複数の第１のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対の第１のテスト用接続パッドと、該複数の第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対の第２のテスト用接続パッドとを含む配線部材を形成し、
ヘッドＩＣチップの複数の端子と前記複数のＩＣチップ用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
前記少なくとも１対の第２のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、
該少なくとも１対の第２のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより前記ヘッドＩＣチップの電気的特性を測定し、
前記少なくとも１対の第２のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、
少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを前記配線部材に固着すると共に、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の前記複数の端子電極と前記複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
前記少なくとも１対の第１のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、
該少なくとも１対の第１のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を測定し、
前記少なくとも１対の第１のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、
その後、前記配線部材をサスペンションに固着することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項２７】
薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が前記複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が前記複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が前記複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、該複数の第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材を形成し、
該配線部材をサスペンションに固着し、
ヘッドＩＣチップの複数の端子と前記複数のＩＣチップ用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、
該少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより前記ヘッドＩＣチップの電気的特性を測定し、
前記少なくとも１対のテスト用接続パッドと前記少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、
少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを前記配線部材に固着すると共に、前記少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の前記複数の端子電極と前記複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリの製造方法。
【請求項２８】
前記テスト用接続パッドと前記リード導体との電気的短絡が、ボールボンディングによって行われることを特徴とする請求項１９から２７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項２９】
前記テスト用接続パッドと前記リード導体との電気的短絡が、接続ピンの接触によって行われることを特徴とする請求項１９から２７のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜磁気ヘッド用配線部材、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）、ＨＧＡの検査方法及びＨＧＡの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＨＧＡは、通常、金属製のサスペンション上に薄膜磁気ヘッド素子用のリード導体及び接続パッドを含む配線パターンを設けた構造を有している。例えば、特開平６−２１５５１３号公報や特開平３−７１４７７号公報等には、このような構造のＨＧＡが開示されている。即ち、特開平６−２１５５１３号公報には、ロードビーム上に薄膜磁気ヘッド素子用の配線パターンをフォトリソグラフィーでパターニングにより形成するＨＧＡが記載されており、特開平３−７１４７７号公報には、電気的接続を行うための導線部を有する金属層を可撓性シートの片面に接着し、他面にステンレス鋼を接着したサスペンションが記載されている。
【０００３】
このような公知のＨＧＡでは、そのいずれにおいても、薄膜磁気ヘッド素子に接続されるリード導体が、サスペンションを構成するベース金属に絶縁層を介して形成されている。従って、リード導体とベース金属との間でキャパシタが形成されることとなり、ベース金属がグランドレベルであるため、リード導体とグランドとの間に、寄生容量が生じることとなる。その結果、このような寄生容量及びリード導体の寄生インダクタンスと薄膜磁気ヘッド素子のインダクタンス成分とにより、データ転送周波数において共振が生じ、それ以上の周波数における読出しデータ転送が不可能となってしまう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従って、リード導体及び接続パッドを含む配線パターンに、余分な電極等のパターンを追加することは、寄生容量をより大きくしてデータ転送特性をさらに劣化させ、結果として、高周波における信号品質を大きく劣化させることとなる。
【０００５】
一方、ＨＧＡにおけるリード導体は非常に細く短いものであるため、テストパッド等の電極を設けない限り、測定用のプローブを接触させて薄膜磁気ヘッド素子に流れる電流やその電圧を測定することはほとんど不可能である。薄膜磁気ヘッド素子に接続されるヘッド素子用接続パッドに測定用のプローブを接触させることは可能であるが、このヘッド素子用接続パッドの部分にプローブを接触させると、その部分が機械的に変形してしまい磁気ヘッドスライダの浮上姿勢が変わってしまう恐れが多分にある。また、ヘッド素子用接続パッドの部分は、非常に面積が小さいため、プローブの先端が、通常、鋭利なものとなるため、パッドが傷つく恐れがある。このため、ヘッド素子用接続パッドを電気的特性測定に用いることは好ましくない。
【０００６】
また、外部接続のための外部用接続パッドには、通常、磁気ディスク装置の接続端子まで延長するための配線部材である中継用ＦＰＣ（フレクシブルプリント回路）の一方の接続パッドが接続されているため、測定用のプローブを接触させることができない。この中継用ＦＰＣの他方の接続パッドに測定用のプローブを接触させることは可能であるが、この部分で電気的特性測定を行っても、その測定値には線路の影響が多大に含まれてしまうことから、正しい測定を行うことが非常の困難となる。なお、中継用ＦＰＣがたとえ接続されていない場合であっても、外部用接続パッドに測定用のプローブを接触させて電気的特性測定を行うと、その測定値に線路の影響がかなり含まれてしまうので正しい測定を行うことは難しい。
【０００７】
前述したように、テストパッド等の電極を設けることは、寄生容量を著しく大きくしてデータ転送特性を大幅に劣化させ、高周波における信号品質を大きく劣化させる。
【０００８】
従って本発明の目的は、高周波における寄生容量及び寄生インダクタンスを増大させることなく、電気的特性を測定することが可能な薄膜磁気ヘッド用配線部材、ＨＧＡ、ＨＧＡの検査方法及びＨＧＡの製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数のリード導体と、複数のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを備えた薄膜磁気ヘッド用配線部材が提供される。
【００１０】
テスト用接続パッドが、リード導体と一時的にかつ電気的に短絡可能にそれぞれ配置されている。このため、電気的特性測定時にのみこのテスト用接続パッドをリード導体と短絡させて測定用プローブを接触させるようにし、測定が終わったらその短絡を解放させることができる。従って、高周波化のためにインピーダンス整合をとったＨＧＡにおいて、テスト用接続パッドを設けても寄生容量及び寄生インダクタンスが増大することを最低限に抑えられ、しかも、このパッドを用いて薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を容易に測定することが可能となる。その結果、高周波での読み書き動作が可能となり、近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化に伴う記録及び再生周波数のさらなる高周波数化を充分に満足させることができる。
【００１１】
テスト用接続パッドの各々が、測定用プローブの接触可能な大きさを有していることが好ましい。
【００１２】
少なくとも１対のテスト用接続パッドが、複数の外部用接続パッドより複数のヘッド素子用接続パッドに近い位置の、少なくとも１対のリード導体の近傍に形成されていることも好ましい。ヘッド素子用接続パッドに近い位置にテスト用接続パッドを設けることによって、測定値への線路の影響をより減少させることができる。
【００１３】
配線部材が、サスペンション上に積層された配線部材か、又はＦＰＣ部材からなることが好ましい。
【００１４】
さらに本発明によれば、薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、複数の第１又は第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを備えた薄膜磁気ヘッド用配線部材が提供される。
【００１５】
テスト用接続パッドが、リード導体と一時的にかつ電気的に短絡可能にそれぞれ配置されている。このため、電気的特性測定時にのみこのテスト用接続パッドをリード導体と短絡させて測定用プローブを接触させるようにし、測定が終わったらその短絡を解放させることができる。従って、高周波化のためにインピーダンス整合をとったＨＧＡにおいて、テスト用接続パッドを設けても寄生容量及び寄生インダクタンスが増大することを最低限に抑えられ、しかも、このパッドを用いて薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を容易に測定することが可能となる。その結果、高周波での読み書き動作が可能となり、近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化に伴う記録及び再生周波数のさらなる高周波数化を充分に満足させることができる。
【００１６】
テスト用接続パッドの各々が、測定用プローブの接触可能な大きさを有していることが好ましい。
【００１７】
少なくとも１対のテスト用接続パッドが、複数のＩＣチップ用接続パッドより複数のヘッド素子用接続パッドに近い位置の、第１のリード導体の少なくとも１対のリード導体の近傍に形成されていることも好ましい。ヘッド素子用接続パッドに近い位置にテスト用接続パッドを設けることによって、書込みヘッド素子に流れる電流及び読出しヘッド素子からの出力の測定値への線路の影響をより減少させることができる。
【００１８】
少なくとも１対のテスト用接続パッドが、複数のヘッド素子用接続パッドより複数のＩＣチップ用接続パッドに近い位置の、第１のリード導体の少なくとも１対のリード導体の近傍に形成されていることも好ましい。ＩＣチップ用接続パッドに近い位置にテスト用接続パッドを設けることによって、信号を増幅するアンプ回路に入る再生信号の測定値への線路の影響をより減少させることができる。
【００１９】
少なくとも１対のテスト用接続パッドが、複数の外部用接続パッドより複数のＩＣチップ用接続パッドに近い位置の、第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体の近傍に形成されていることも好ましい。ＩＣチップ用接続パッドに近い位置にテスト用接続パッドを設けることによって、測定値への線路の影響をより減少させることができる。
【００２０】
配線部材が、サスペンション上に積層された配線部材か、又はＦＰＣ部材からなることが好ましい。
【００２１】
本発明によれば、また、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダと、サスペンションと、このサスペンションに支持された上述の薄膜磁気ヘッド用配線部材とを備えたＨＧＡが提供される。さらにまた、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダと、ヘッドＩＣチップと、サスペンションと、サスペンションに支持された上述の薄膜磁気ヘッド用配線部材とを備えたＨＧＡが提供される。
【００２２】
本発明によれば、また、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダと、サスペンションと、サスペンションに支持されており、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子に電気的に接続されたリード導体を含む配線部材とを備えたＨＧＡの検査方法であって、配線部材に設けられたテスト用接続パッドとリード導体とを電気的に短絡し、テスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を測定し、その後、テスト用接続パッドとリード導体との電気的短絡を解放するＨＧＡの検査方法が提供される。
【００２３】
本発明によれば、さらに、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダと、ヘッドＩＣチップと、サスペンションと、サスペンションに支持されており、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子及びヘッドＩＣチップに電気的に接続されたリード導体を含む配線部材とを備えたＨＧＡの検査方法であって、配線部材に設けられたテスト用接続パッドとリード導体とを電気的に短絡し、テスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子又はヘッドＩＣチップの電気的特性を測定し、その後、テスト用接続パッドとリード導体との電気的短絡を解放するＨＧＡの検査方法が提供される。
【００２４】
電気的特性測定時にのみテスト用接続パッドをリード導体と短絡させて測定用プローブを接触させるようにし、測定が終わったらその短絡を解放させている。従って、高周波化のためにインピーダンス整合をとったＨＧＡにおいて、テスト用接続パッドを設けても寄生容量及び寄生インダクタンスが増大することを最低限に抑えられ、しかも、このパッドを用いて薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を容易に測定することが可能となる。その結果、高周波での読み書き動作が可能となり、近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化に伴う記録及び再生周波数のさらなる高周波数化を充分に満足させることができる。
【００２５】
テスト用接続パッドとリード導体との電気的短絡が、ボールボンディング又は接続ピンの接触によって行われることが好ましい。
【００２６】
本発明によれば、さらにまた、薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数のリード導体と、複数のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材を形成し、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを配線部材に固着すると共に、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極と複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、少なくとも１対のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を測定し、少なくとも１対のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、その後、配線部材をサスペンションに固着するＨＧＡの製造方法が提供される。
【００２７】
本発明によれば、さらに、薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、複数の第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材を形成し、ヘッドＩＣチップの複数の端子と複数のＩＣチップ用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、少なくとも１対のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることによりヘッドＩＣチップの電気的特性を測定し、少なくとも１対のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを配線部材に固着すると共に、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極と複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、その後、配線部材をサスペンションに固着するＨＧＡの製造方法が提供される。
【００２８】
本発明によれば、さらに、薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、複数の第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材を形成し、ヘッドＩＣチップの複数の端子と複数のＩＣチップ用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、少なくとも１対のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることによりヘッドＩＣチップの電気的特性を測定し、少なくとも１対のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、配線部材をサスペンションに固着し、その後、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを配線部材に固着すると共に、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極と複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続するＨＧＡの製造方法が提供される。
【００２９】
本発明によれば、さらにまた、薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、複数の第１又は第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材を形成し、ヘッドＩＣチップの複数の端子と複数のＩＣチップ用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを配線部材に固着すると共に、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極と複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、少なくとも１対のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることによりヘッドＩＣチップ又は少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を測定し、少なくとも１対のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、その後、配線部材をサスペンションに固着するＨＧＡの製造方法が提供される。
【００３０】
本発明によれば、さらに、薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、複数の第１のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対の第１のテスト用接続パッドと、複数の第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対の第２のテスト用接続パッドとを含む配線部材を形成し、ヘッドＩＣチップの複数の端子と複数のＩＣチップ用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、少なくとも１対の第２のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、少なくとも１対の第２のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることによりヘッドＩＣチップの電気的特性を測定し、少なくとも１対の第２のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを配線部材に固着すると共に、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極と複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、少なくとも１対の第１のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、少なくとも１対の第１のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることにより少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を測定し、少なくとも１対の第１のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、その後、配線部材をサスペンションに固着するＨＧＡの製造方法が提供される。
【００３１】
本発明によれば、さらにまた、薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極に接続するための複数のヘッド素子用接続パッドと、ヘッドＩＣチップの複数の端子に接続するための複数のＩＣチップ用接続パッドと、外部接続のための複数の外部用接続パッドと、一端が複数のヘッド素子用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第１のリード導体と、一端が複数のＩＣチップ用接続パッドにそれぞれ接続されており、他端が複数の外部用接続パッドにそれぞれ接続された複数の第２のリード導体と、複数の第２のリード導体の少なくとも１対のリード導体と一時的に電気的に短絡可能にそれぞれ配置された少なくとも１対のテスト用接続パッドとを含む配線部材を形成し、配線部材をサスペンションに固着し、ヘッドＩＣチップの複数の端子と複数のＩＣチップ用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続し、少なくとも１対のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体とをそれぞれ電気的に短絡し、少なくとも１対のテスト用接続パッドに測定用プローブを接触させることによりヘッドＩＣチップの電気的特性を測定し、少なくとも１対のテスト用接続パッドと少なくとも１対のリード導体との電気的短絡を解放し、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を有する磁気ヘッドスライダを配線部材に固着すると共に、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子の複数の端子電極と複数のヘッド素子用接続パッドとをそれぞれ電気的に接続するＨＧＡの製造方法が提供される。
【００３２】
電気的特性測定時にのみテスト用接続パッドをリード導体と短絡させて測定用プローブを接触させるようにし、測定が終わったらその短絡を解放させている。従って、高周波化のためにインピーダンス整合をとったＨＧＡにおいて、テスト用接続パッドを設けても寄生容量及び寄生インダクタンスが増大することを最低限に抑えられ、しかも、このパッドを用いて薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を容易に測定することが可能となる。その結果、高周波での読み書き動作が可能となり、近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化に伴う記録及び再生周波数のさらなる高周波数化を充分に満足させることができる。
【００３３】
テスト用接続パッドとリード導体との電気的短絡が、ボールボンディング又は接続ピンの接触によって行われることが好ましい。
【００３４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明のＨＧＡの一実施形態の構造を示す平面図であり、図２は図１のＨＧＡにおけるフレクシャ及びその上に形成された配線部材の構造を示す平面図であり、図３は図２のテスト用接続パッドを含む部分を拡大した平面図であり、図４は図２の１つのテスト用接続パッド部分を示す平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ線断面図である。
【００３５】
図１に示すように、ＨＧＡは、サスペンション１０の先端部に、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を備えた磁気ヘッドスライダ１１を実装し、さらに、そのサスペンション１０の途中にヘッド駆動及び読出し信号増幅用ＩＣチップ１２を実装することによって構成される。
【００３６】
サスペンション１０は、磁気ヘッドスライダ１１を一方の端部で担持する弾性を有する金属製のフレクシャ１３と、フレクシャ１３を支持固着しておりこれも弾性を有する金属製のロードビーム１４と、ロードビーム１４の基部に設けられた金属製のベースプレート１５とから主として構成されている。
【００３７】
磁気ヘッドスライダ１１には、書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子による少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子が形成されている。磁気ヘッドスライダ１１の大きさは、単なる一例であるが、１．２５ｍｍ×１．０ｍｍ×０．３ｍｍである。
【００３８】
フレクシャ１３は、ロードビーム１４に設けられたディンプルを中心とする軟らかい舌部１３ａを持ち、この舌部１３ａで磁気ヘッドスライダ１１を柔軟に支えて浮上姿勢を安定させるような弾性を持っている。このフレクシャ１３は、本実施形態では、厚さ約２５μｍのステンレス鋼板（例えばＳＵＳ３０４ＴＡ）によって構成されている。
【００３９】
フレクシャ１３上には、薄膜パターンによる配線部材がほぼその全長に渡って形成されている。この配線部材は、４本の第１のリード導体１６ａ〜１６ｄと、４本の第２のリード導体１７ａ〜１７ｄとを有している。
【００４０】
第１のリード導体１６ａ〜１６ｄの一端は、フレクシャ１３の一方の端部（先端部）に設けられた磁気ヘッドスライダ１１の４つの薄膜磁気ヘッド素子用端子電極に接続するための４つのヘッド素子用接続パッド１８ａ〜１８ｄにそれぞれ接続されている。第１のリード導体１６ａ〜１６ｄの他端は、フレクシャ１３の中間部に設けられておりＩＣチップ１２の８つの端子に接続するための８つのＩＣチップ用接続パッド１９ａ〜１９ｈのうちの接続パッド１９ａ〜１９ｄにそれぞれ接続されている。
【００４１】
第２のリード導体１７ａ〜１７ｄの一端は、ＩＣチップ用接続パッド１９ｅ〜１９ｈにそれぞれ接続されている。これら第２のリード導体１７ａ〜１７ｄの他端は、フレクシャ１３の他方の端部（後端部）に設けられた外部接続のための５つの外部用接続パッド２０ａ〜２０ｅのうちのパッド２０ａ〜２０ｄにそれぞれ接続されている。接続パッド２０ｅは、本実施形態ではダミーパッドである。なお、これら外部用接続パッド２０ａ〜２０ｅには、実際には、図示しない中継ＦＰＣが接続されている。本実施形態において、１対の第２のリード導体１７ａ及び１７ｂは信号及び制御線であり、１対の第２のリード導体１７ｃ及び１７ｄは電源線である。
【００４２】
図３〜図５に明確に示されているように、配線部材は、本実施形態においては、第２のリード導体１７ａ〜１７ｄと一時的に短絡可能にそれぞれ配置された４つのテスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄをさらに有している。これらテスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄは、ＩＣチップ１２に近い位置に形成されている。
【００４３】
配線部材の薄膜パターンは、図５にそのテスト用接続パッドの部分の断面を示すように、厚さ約１０μｍのポリイミド層（下部絶縁層）５０、パターン化された厚さ約１０μｍの銅層（第１及び第２のリード導体１６ａ〜１６ｄ及び１７ａ〜１７ｄ、ヘッド素子用接続パッド１８ａ〜１８ｄ、ＩＣチップ用接続パッド１９ｅ〜１９ｈ、外部用接続パッド２０ａ〜２０ｅ又はテスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄ）５１及び厚さ約３μｍのポリイミド層（上部絶縁層）５２をこの順序でフレクシャ１３上に直接的に積層するか又はあらかじめ積層したものをフレクシャ１３上に貼り合わせることによって形成される。
【００４４】
ただし、ヘッド素子用接続パッド１８ａ〜１８ｄ、ＩＣチップ用接続パッド１９ａ〜１９ｈ及び外部用接続パッド２０ａ〜２０ｅの内側部分には、銅層上にニッケル層、金層が積層形成されており、その上には上部絶縁層が形成されてない。同様に、テスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄの測定用プローブの接触する部分２２ａ１（図４及び図５）及び第２のリード導体１７ａ〜１７ｄとの一時的接続部分２２ａ２（図４及び図５）と、第２のリード導体１７ａ〜１７ｄのテスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄとの一時的接続部分１７ａ１（図４及び図５）には、銅層上にニッケル層、金層が積層形成されており、その上には上部絶縁層が形成されてない。
【００４５】
ロードビーム１４は、磁気ヘッドスライダ１１を磁気ディスク方向に押さえつけて浮上量を安定させるための弾性を持っている。このロードビーム１４は、先端に向けて幅が狭くなる形状の約６０〜６５μｍ厚の弾性を有するステンレス鋼板で構成されており、フレクシャ１３をその全長に渡って固着支持している。フレクシャ１３とロードビーム１４とのこの固着は、レーザ等によるスポット溶接でなされている。なお、本実施形態のように、フレクシャ１３とロードビーム１４とが独立した部品である３ピース構造のサスペンションでは、ロードビーム１４の剛性はフレクシャ１３の剛性より高くなっている。
【００４６】
ベースプレート１５は、ロードビーム１４より肉厚のステンレス鋼又は鉄で構成されており、ロードビーム１４の基部にレーザ等によるスポット溶接で固着されている。このベースプレート１５の取り付け部１５ａを図示しない支持アームに機械的なかしめにより固着することによって、ＨＧＡの支持アームへの取り付けが行われる。
【００４７】
図３〜図５に示すように、テスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄは、第２のリード導体１７ａ〜１７ｄと隙間を隔てて配置されており、これにより、必要な時のみ第２のリード導体１７ａ〜１７ｄと一時的に短絡できるようになされている。その一時的な短絡方法としては、図６に示すように金ボール６０等を用いたボールボンディングであっても良いし、図７に示すように接続ピン７０を用いて短絡しても良い。
【００４８】
テスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄの大きさは、測定用のプローブが容易に接触できる程度の大きさを有している。その形状は、本実施形態では略長方形となっているが、他の多角形であっても、長円であっても、真円であっても良いし、その他のいかなる形状であっても良い。
【００４９】
テスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄを形成する位置は、ＩＣチップ１２にできるだけ近い位置であれば測定値に配線の影響が入らないので好ましいが、ＩＣチップ１２に近い位置に形成することがスペース的に難しい場合には、その他の任意の位置であっても良い。
【００５０】
図８は、本実施形態のＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。以下この図を用いて、ＨＧＡの製造方法について説明する。
【００５１】
まず、配線部材が上述のごとく積層されたフレクシャ１３と、ロードビーム１４とベースプレート１５とを用意する（ステップＳ１）。
【００５２】
次いで、レーザを用いたスポット溶接によりこれらを互いに固着してサスペンション１０を作成する（ステップＳ２）。
【００５３】
次いで、ＩＣチップ１２及び磁気ヘッドスライダ１１をこのサスペンション１０上に実装する（ステップＳ３）。ＩＣチップ１２の実装は、その端子をフレクシャ１３上のＩＣチップ用接続パッド１９ａ〜１９ｈに、はんだ又は金のバンプによるフリップチップボンディングによって電気的に接続し、必要に応じてアンダーフィル材を両者の間隙に充填することによって行われる。磁気ヘッドスライダ１１の実装は、磁気ヘッドスライダ１１をフレクシャ１３上の舌部１３ａに接着し、その端子電極をフレクシャ１３上のヘッド素子用接続パッド１８ａ〜１８ｄに、はんだ付け又はボールボンディングによって電気的に接続することによって行われる。
【００５４】
次いで、テスト用接続パッド２１ａ〜２１ｄと第２のリード導体１７ａ〜１７ｄとを電気的に短絡させる（ステップＳ４）。この短絡は、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【００５５】
次いで、測定器の測定用プローブを、テスト用接続パッド２２ａ及び２２ｂに接触させ、第２のリード導体１７ａ及び１７ｂを介してＩＣチップ１２に入力される若しくはＩＣチップ１２から出力される信号を測定したり、テスト用接続パッド２２ｃ及び２２ｄに接触させて第２のリード導体１７ｃ及び１７ｄを介するＩＣチップ１２への電源電圧を測定したり、又は４つのテスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄに接触させてこれらを全て測定し、ＩＣチップ１２の電気的特性を得る（ステップＳ５）。なお、このようにして得られた電気的特性からこのＨＧＡが不良品であると判別された場合には、ＩＣチップの再実装や調整又はＨＧＡの廃棄が行われる。
【００５６】
その後、金ボール又ははんだ等を除去することによって、テスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄと第２のリード導体１７ａ〜１７ｄとの電気的短絡を解放し、ＨＧＡが完成する（ステップＳ６）。
【００５７】
なお、本実施形態においては、薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性は、この後に、リードライトテスタ等を用いて測定する。
【００５８】
また、サスペンション１０における、フレクシャ、ロードビーム及びベースプレートの構造は、上述した構造に限定されることなく、他の種々の構造が適用可能であることはもちろんである。
【００５９】
以上述べたように、本実施形態によれば、電気的特性測定時にのみテスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄを第２のリード導体１７ａ〜１７ｄと短絡させて測定用プローブを接触させるようにし、測定が終わったらその短絡を解放させている。従って、テスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄを用いてＩＣチップの電気的特性を容易に測定することができるにもかかわらず、高周波化のためにインピーダンス整合をとったＨＧＡの実際の使用時に、高周波における寄生容量及び寄生インダクタンスが増大することを最低限に抑えられる。その結果、高周波での読み書き動作が可能となり、近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化に伴う記録及び再生周波数のさらなる高周波数化を充分に満足させることができる。
【００６０】
本実施形態においては、テスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄの全てを一時的に短絡するようにしているが、必要なテスト用接続パッドのみを一時的に短絡するようにしても良いことは明らかである。
【００６１】
また、本実施形態では、第２のリード導体が４本（信号線兼制御線２本、電源線２本）の構成であるが、１本の制御線を信号線とは別個に設けた５本の構成であっても良い。
【００６２】
図９は、図８の製造方法の変更態様における一部工程を示すフローチャートである。以下この図を用いて、ＨＧＡの製造方法の変更態様について説明する。
【００６３】
まず、配線部材が前述のごとく積層されたフレクシャ１３と、ロードビーム１４とベースプレート１５とを用意する（ステップＳ１１）。
【００６４】
次いで、レーザを用いたスポット溶接によりこれらを互いに固着してサスペンション１０を作成する（ステップＳ１２）。
【００６５】
次いで、ＩＣチップ１２のみをこのサスペンション１０上に実装する（ステップＳ１３）。ＩＣチップ１２の実装は、その端子をフレクシャ１３上のＩＣチップ用接続パッド１９ａ〜１９ｈに、はんだ又は金のバンプによるフリップチップボンディングによって電気的に接続し、必要に応じてアンダーフィル材を両者の間隙に充填することによって行われる。
【００６６】
次いで、テスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄと第２のリード導体１７ａ〜１７ｄとを電気的に短絡させる（ステップＳ１４）。この短絡は、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【００６７】
次いで、測定器の測定用プローブを、テスト用接続パッド２２ａ及び２２ｂに接触させ、第２のリード導体１７ａ及び１７ｂを介してＩＣチップ１２に入力される若しくはＩＣチップ１２から出力される信号を測定したり、テスト用接続パッド２２ｃ及び２２ｄに接触させて第２のリード導体１７ｃ及び１７ｄを介するＩＣチップ１２への電源電圧を測定したり、又は４つのテスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄに接触させてこれらを全て測定し、ＩＣチップ１２の電気的特性を得る（ステップＳ１５）。なお、このようにして得られた電気的特性からこのＩＣチップ付きサスペンションが不良品であると判別された場合には、ＩＣチップの再実装や調整又はこのＩＣチップ付きサスペンションの廃棄が行われる。
【００６８】
次いで、金ボール又ははんだ等を除去することによって、テスト用接続パッド２２ａ〜２２ｄと第２のリード導体１７ａ〜１７ｄとの電気的短絡を解放する（ステップＳ１６）。
【００６９】
その後、サスペンション１０上に磁気ヘッドスライダ１１を実装する（ステップＳ１７）ことによって、ＨＧＡが完成する。磁気ヘッドスライダ１１の実装は、磁気ヘッドスライダ１１をフレクシャ１３上の舌部１３ａに接着し、その端子電極をフレクシャ１３上のヘッド素子用接続パッド１８ａ〜１８ｄに、はんだ付け又はボールボンディングによって電気的に接続することによって行われる。
【００７０】
この変更態様におけるその他の構成、作用効果等は、図１の実施形態の場合と同様である。
【００７１】
図１０は、本発明のＨＧＡの他の実施形態の構造を示す平面図であり、図１１は図１０のＨＧＡにおけるフレクシャ及びその上に形成された配線部材の構造を示す平面図であり、図１２は図１１のテスト用接続パッドを含む部分を拡大した平面図である。
【００７２】
図１０に示すように、ＨＧＡは、サスペンション１００の先端部に、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を備えた磁気ヘッドスライダ１０１を実装することによって構成される。
【００７３】
サスペンション１００は、磁気ヘッドスライダ１０１を一方の端部で担持する弾性を有する金属製のフレクシャ１０３と、フレクシャ１０３を支持固着しておりこれも弾性を有する金属製のロードビーム１０４と、ロードビーム１０４の基部に設けられた金属製のベースプレート１０５とから主として構成されている。
【００７４】
磁気ヘッドスライダ１０１には、書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子による少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子が形成されている。磁気ヘッドスライダ１０１の大きさは、単なる一例であるが、１．２５ｍｍ×１．０ｍｍ×０．３ｍｍである。
【００７５】
フレクシャ１０３は、ロードビーム１０４に設けられたディンプルを中心とする軟らかい舌部１０３ａを持ち、この舌部１０３ａで磁気ヘッドスライダ１０１を柔軟に支えて浮上姿勢を安定させるような弾性を持っている。このフレクシャ１０３は、本実施形態では、厚さ約２５μｍのステンレス鋼板（例えばＳＵＳ３０４ＴＡ）によって構成されている。
【００７６】
フレクシャ１０３上には、薄膜パターンによる配線部材がほぼその全長に渡って形成されている。この配線部材は、４本のリード導体１０６ａ〜１０６ｄを有している。
【００７７】
リード導体１０６ａ〜１０６ｄの一端は、フレクシャ１０３の一方の端部（先端部）に設けられた磁気ヘッドスライダ１０１の４つの薄膜磁気ヘッド素子用端子電極に接続するための４つのヘッド素子用接続パッド１０８ａ〜１０８ｄにそれぞれ接続されている。リード導体１０６ａ〜１０６ｄの他端は、フレクシャ１０３の他方の端部（後端部）に設けられた外部接続のための５つの外部用接続パッド１１０ａ〜１１０ｅのうちのパッド１１０ａ〜１１０ｄにそれぞれ接続されている。接続パッド１１０ｅは、本実施形態ではダミーパッドである。なお、これら外部用接続パッド１１０ａ〜１１０ｅには、実際には、図示しない中継ＦＰＣが接続されている。
【００７８】
図１２に明確に示されているように、配線部材は、本実施形態においては、リード導体１０６ａ〜１０６ｄと一時的に短絡可能にそれぞれ配置された４つのテスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄをさらに有している。これらテスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄは、磁気ヘッドスライダ１０１に近い位置に形成されている。
【００７９】
配線部材の薄膜パターンは、図５に示したものと同様に、厚さ約１０μｍのポリイミド層（下部絶縁層）、パターン化された厚さ約１０μｍの銅層（リード導体１０６ａ〜１０６ｄ、ヘッド素子用接続パッド１０８ａ〜１０８ｄ、外部用接続パッド１１０ａ〜１１０ｅ又はテスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄ）及び厚さ約３μｍのポリイミド層（上部絶縁層）をこの順序でフレクシャ１０３上に直接的に積層するか又はあらかじめ積層したものをフレクシャ１０３上に貼り合わせることによって形成される。
【００８０】
ただし、ヘッド素子用接続パッド１０８ａ〜１０８ｄ及び外部用接続パッド１１０ａ〜１１０ｅの内側部分には、銅層上にニッケル層、金層が積層形成されており、その上には上部絶縁層が形成されてない。同様に、テスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄの測定用プローブの接触する部分１１１ａ１及びリード導体１０６ａ〜１０６ｄとの一時的接続部分１１１ａ２と、リード導体１０６ａ〜１０６ｄのテスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄとの一時的接続部分１０６ａ１には、銅層上にニッケル層、金層が積層形成されており、その上には上部絶縁層が形成されてない。
【００８１】
ロードビーム１０４は、磁気ヘッドスライダ１０１を磁気ディスク方向に押さえつけて浮上量を安定させるための弾性を持っている。このロードビーム１０４は、先端に向けて幅が狭くなる形状の約６０〜６５μｍ厚の弾性を有するステンレス鋼板で構成されており、フレクシャ１０３をその全長に渡って固着支持している。フレクシャ１０３とロードビーム１０４とのこの固着は、レーザ等によるスポット溶接でなされている。なお、本実施形態のように、フレクシャ１０３とロードビーム１０４とが独立した部品である３ピース構造のサスペンションでは、ロードビーム１０４の剛性はフレクシャ１０３の剛性より高くなっている。
【００８２】
ベースプレート１０５は、ロードビーム１０４より肉厚のステンレス鋼又は鉄で構成されており、ロードビーム１０４の基部にレーザ等によるスポット溶接で固着されている。このベースプレート１０５の取り付け部１０５ａを図示しない支持アームに機械的なかしめにより固着することによって、ＨＧＡの支持アームへの取り付けが行われる。
【００８３】
図１２に示すように、テスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄは、リード導体１０６ａ〜１０６ｄと隙間を隔てて配置されており、これにより、必要な時のみリード導体１０６ａ〜１０６ｄと一時的に短絡できるようになされている。その一時的な短絡方法としては、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【００８４】
テスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄの大きさは、測定用のプローブが容易に接触できる程度の大きさを有している。その形状は、本実施形態では略長方形となっているが、他の多角形であっても、長円であっても、真円であっても良いし、その他のいかなる形状であっても良い。
【００８５】
テスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄを形成する位置は、磁気ヘッド素子にできるだけ近い位置であれば測定値に配線の影響が入らないので好ましいが、その近い位置に形成することがスペース的に難しい場合には、その他の任意の位置であっても良い。
【００８６】
図１３は、本実施形態のＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。以下この図を用いて、ＨＧＡの製造方法について説明する。
【００８７】
まず、配線部材が上述のごとく積層されたフレクシャ１０３と、ロードビーム１０４とベースプレート１５とを用意する（ステップＳ２１）。
【００８８】
次いで、レーザを用いたスポット溶接によりこれらを互いに固着してサスペンション１００を作成する（ステップＳ２２）。
【００８９】
次いで、磁気ヘッドスライダ１０１をこのサスペンション１００上に実装する（ステップＳ２３）。この磁気ヘッドスライダ１０１の実装は、磁気ヘッドスライダ１０１をフレクシャ１０３上の舌部１０３ａに接着し、その端子電極をフレクシャ１０３上のヘッド素子用接続パッド１０８ａ〜１０８ｄに、はんだ付け又はボールボンディングによって電気的に接続することによって行われる。
【００９０】
次いで、テスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄとリード導体１０６ａ〜１０６ｄとを電気的に短絡させる（ステップＳ２４）。この短絡は、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【００９１】
次いで、測定器の測定用プローブを、テスト用接続パッド１１１ａ及び１１１ｂに接触させ、リード導体１０６ａ及び１０６ｂを介して薄膜磁気ヘッド素子の例えばＭＲ読出しヘッド素子に入力される若しくはＭＲ読出しヘッド素子から出力される信号を測定したり、テスト用接続パッド１１１ｃ及び１１１ｄに接触させてリード導体１０６ｃ及び１０６ｄを介して薄膜磁気ヘッド素子の例えば書込みヘッド素子に入力される信号を測定したり、又は４つのテスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄに接触させてこれらを全て測定し、薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を得る（ステップＳ２５）。なお、このようにして得られた電気的特性からこのＨＧＡが不良品であると判別された場合には、磁気ヘッドスライダの再実装や調整又はＨＧＡの廃棄が行われる。
【００９２】
その後、金ボール又ははんだ等を除去することによって、テスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄとリード導体１０６ａ〜１０６ｄとの電気的短絡を解放し、ＨＧＡが完成する（ステップＳ２６）。
【００９３】
なお、サスペンション１００における、フレクシャ、ロードビーム及びベースプレートの構造は、上述した構造に限定されることなく、他の種々の構造が適用可能であることはもちろんである。
【００９４】
以上述べたように、本実施形態によれば、電気的特性測定時にのみテスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄをリード導体１０６ａ〜１０６ｄと短絡させて測定用プローブを接触させるようにし、測定が終わったらその短絡を解放させている。従って、テスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄを用いて薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を容易に測定することができるにもかかわらず、高周波化のためにインピーダンス整合をとったＨＧＡの実際の使用時に、高周波における寄生容量及び寄生インダクタンスが増大することを最低限に抑えられる。その結果、高周波での読み書き動作が可能となり、近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化に伴う記録及び再生周波数のさらなる高周波数化を充分に満足させることができる。
【００９５】
本実施形態においては、テスト用接続パッド１１１ａ〜１１１ｄの全てを一時的に短絡するようにしているが、必要なテスト用接続パッドのみを一時的に短絡するようにしても良いことは明らかである。
【００９６】
図１４は、本発明のＨＧＡのさらに他の実施形態の構造を示す平面図であり、図１５は図１４のＨＧＡにおけるフレクシャ及びその上に形成された配線部材の構造を示す平面図である。
【００９７】
図１４に示すように、ＨＧＡは、サスペンション１４０の先端部に、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を備えた磁気ヘッドスライダ１４１を実装し、さらに、そのサスペンション１４０の途中にヘッド駆動及び読出し信号増幅用ＩＣチップ１４２を実装することによって構成される。
【００９８】
サスペンション１４０は、磁気ヘッドスライダ１４１を一方の端部で担持する弾性を有する金属製のフレクシャ１４３と、フレクシャ１４３を支持固着しておりこれも弾性を有する金属製のロードビーム１４４と、ロードビーム１４４の基部に設けられた金属製のベースプレート１４５とから主として構成されている。
【００９９】
磁気ヘッドスライダ１４１には、書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子による少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子が形成されている。磁気ヘッドスライダ１４１の大きさは、単なる一例であるが、１．２５ｍｍ×１．０ｍｍ×０．３ｍｍである。
【０１００】
フレクシャ１４３は、ロードビーム１４４に設けられたディンプルを中心とする軟らかい舌部１４３ａを持ち、この舌部１４３ａで磁気ヘッドスライダ１４１を柔軟に支えて浮上姿勢を安定させるような弾性を持っている。このフレクシャ１４３は、本実施形態では、厚さ約２５μｍのステンレス鋼板（例えばＳＵＳ３０４ＴＡ）によって構成されている。
【０１０１】
フレクシャ１４３上には、薄膜パターンによる配線部材がほぼその全長に渡って形成されている。この配線部材は、４本の第１のリード導体１４６ａ〜１４６ｄと、４本の第２のリード導体１４７ａ〜１４７ｄとを有している。
【０１０２】
第１のリード導体１４６ａ〜１４６ｄの一端は、フレクシャ１４３の一方の端部（先端部）に設けられた磁気ヘッドスライダ１４１の４つの薄膜磁気ヘッド素子用端子電極に接続するための４つのヘッド素子用接続パッド１４８ａ〜１４８ｄにそれぞれ接続されている。第１のリード導体１４６ａ〜１４６ｄの他端は、フレクシャ１４３の中間部に設けられておりＩＣチップ１４２の８つの端子に接続するための８つのＩＣチップ用接続パッド１４９ａ〜１４９ｈのうちの接続パッド１４９ａ〜１４９ｄにそれぞれ接続されている。
【０１０３】
第２のリード導体１４７ａ〜１４７ｄの一端は、ＩＣチップ用接続パッド１４９ｅ〜１４９ｈにそれぞれ接続されている。これら第２のリード導体１４７ａ〜１４７ｄの他端は、フレクシャ１３の他方の端部（後端部）に設けられた外部接続のための５つの外部用接続パッド１５０ａ〜１５０ｅのうちのパッド１５０ａ〜１５０ｄにそれぞれ接続されている。接続パッド１５０ｅは、本実施形態ではダミーパッドである。なお、これら外部用接続パッド１５０ａ〜１５０ｅには、実際には、図示しない中継ＦＰＣが接続されている。本実施形態において、１対の第２のリード導体１４７ａ及び１４７ｂは信号及び制御線であり、１対の第２のリード導体１４７ｃ及び１４７ｄは電源線である。
【０１０４】
配線部材は、本実施形態においては、第１のリード導体１４６ａ〜１４６ｄと一時的に短絡可能にそれぞれ配置された４つの第１のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄと、第２のリード導体１４７ａ〜１４７ｄと一時的に短絡可能にそれぞれ配置された４つの第２のテスト用接続パッド１５２ａ〜１５２ｄとをさらに有している。これら第１のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄは磁気ヘッドスライダ１４１に近い位置に形成されており、第２のテスト用接続パッド１５２ａ〜１５２ｄはＩＣチップ１４２に近い位置に形成されている。
【０１０５】
配線部材の薄膜パターンは、図５に示したものと同様に、厚さ約１０μｍのポリイミド層（下部絶縁層）、パターン化された厚さ約１０μｍの銅層（第１及び第２のリード導体１４６ａ〜１４６ｄ及び１４７ａ〜１４７ｄ、ヘッド素子用接続パッド１４８ａ〜１４８ｄ、ＩＣチップ用接続パッド１４９ｅ〜１４９ｈ、外部用接続パッド１５０ａ〜１５０ｅ又は第１及び第２のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄ及び１５２ａ〜１５２ｄ）及び厚さ約３μｍのポリイミド層（上部絶縁層）をこの順序でフレクシャ１４３上に直接的に積層するか又はあらかじめ積層したものをフレクシャ１４３上に貼り合わせることによって形成される。
【０１０６】
ただし、ヘッド素子用接続パッド１４８ａ〜１４８ｄ、ＩＣチップ用接続パッド１４９ａ〜１４９ｈ及び外部用接続パッド１５０ａ〜１５０ｅの内側部分には、銅層上にニッケル層、金層が積層形成されており、その上には上部絶縁層が形成されてない。同様に、第１及び第２のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄ及び１５２ａ〜１５２ｄの測定用プローブの接触する部分及び第１及び第２のリード導体１４６ａ〜１４６ｄ及び１４７ａ〜１４７ｄとの一時的接続部分と、第１及び第２のリード導体１４６ａ〜１４６ｄ及び１４７ａ〜１４７ｄの第１及び第２のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄ及び１５２ａ〜１５２ｄとの一時的接続部分には、銅層上にニッケル層、金層が積層形成されており、その上には上部絶縁層が形成されてない。
【０１０７】
ロードビーム１４４は、磁気ヘッドスライダ１４１を磁気ディスク方向に押さえつけて浮上量を安定させるための弾性を持っている。このロードビーム１４４は、先端に向けて幅が狭くなる形状の約６０〜６５μｍ厚の弾性を有するステンレス鋼板で構成されており、フレクシャ１４３をその全長に渡って固着支持している。フレクシャ１４３とロードビーム１４４とのこの固着は、レーザ等によるスポット溶接でなされている。なお、本実施形態のように、フレクシャ１４３とロードビーム１４４とが独立した部品である３ピース構造のサスペンションでは、ロードビーム１４４の剛性はフレクシャ１４３の剛性より高くなっている。
【０１０８】
ベースプレート１４５は、ロードビーム１４４より肉厚のステンレス鋼又は鉄で構成されており、ロードビーム１４４の基部にレーザ等によるスポット溶接で固着されている。このベースプレート１４５の取り付け部１４５ａを図示しない支持アームに機械的なかしめにより固着することによって、ＨＧＡの支持アームへの取り付けが行われる。
【０１０９】
図３及び図１２に示したものと同様に、第１及び第２のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄ及び１５２ａ〜１５２ｄは、第１及び第２のリード導体１４６ａ〜１４６ｄ及び１４７ａ〜１４７ｄとそれぞれ隙間を隔てて配置されており、これにより、必要な時のみ第１及び第２のリード導体１４６ａ〜１４６ｄ及び１４７ａ〜１４７ｄと一時的に短絡できるようになされている。その一時的な短絡方法としては、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【０１１０】
第１及び第２のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄ及び１５２ａ〜１５２ｄの大きさは、測定用のプローブが容易に接触できる程度の大きさを有している。その形状は、本実施形態では略長方形となっているが、他の多角形であっても、長円であっても、真円であっても良いし、その他のいかなる形状であっても良い。
【０１１１】
第１のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄを形成する位置は、磁気ヘッドスライダ１４１にできるだけ近い位置であれば書込みヘッド素子に流れる電流及び読出しヘッド素子からの出力の測定値に配線の影響が入らないので好ましいが、逆に、ＩＣチップ１４２にできるだけ近い位置であればこのアンプ回路に実際に入る再生信号を測定することが可能になるので好ましい。従って、両方の位置に設けることがより好ましい。また、第２のテスト用接続パッド１５２ａ〜１５２ｄを形成する位置は、ＩＣチップ１４２にできるだけ近い位置であれば測定値に配線の影響が入らないので好ましい。これらに近い位置に形成することがスペース的に難しい場合には、その他の任意の位置であっても良い。
【０１１２】
図１６は、本実施形態のＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。以下この図を用いて、ＨＧＡの製造方法について説明する。
【０１１３】
まず、配線部材が上述のごとく積層されたフレクシャ１４３と、ロードビーム１４４とベースプレート１４５とを用意する（ステップＳ３１）。
【０１１４】
次いで、レーザを用いたスポット溶接によりこれらを互いに固着してサスペンション１４０を作成する（ステップＳ３２）。
【０１１５】
次いで、ＩＣチップ１４２及び磁気ヘッドスライダ１４１をこのサスペンション１４０上に実装する（ステップＳ３３）。ＩＣチップ１４２の実装は、その端子をフレクシャ１４３上のＩＣチップ用接続パッド１４９ａ〜１４９ｈに、はんだ又は金のバンプによるフリップチップボンディングによって電気的に接続し、必要に応じてアンダーフィル材を両者の間隙に充填することによって行われる。磁気ヘッドスライダ１４１の実装は、磁気ヘッドスライダ１４１をフレクシャ１４３上の舌部１４３ａに接着し、その端子電極をフレクシャ１４３上のヘッド素子用接続パッド１４８ａ〜１４８ｄに、はんだ付け又はボールボンディングによって電気的に接続することによって行われる。
【０１１６】
次いで、第１のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄと第１のリード導体１４６ａ〜１４６ｄとを、第２のテスト用接続パッド１５２ａ〜１５２ｄと第２のリード導体１４７ａ〜１４７ｄとをそれぞれ電気的に短絡させる（ステップＳ３４）。この短絡は、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【０１１７】
次いで、測定器の測定用プローブを、第２のテスト用接続パッド１５２ａ及び１５２ｂに接触させ、第２のリード導体１４７ａ及び１４７ｂを介してＩＣチップ１４２に入力される若しくはＩＣチップ１４２から出力される信号を測定したり、第２のテスト用接続パッド１５２ｃ及び１５２ｄに接触させて第２のリード導体１４７ｃ及び１４７ｄを介するＩＣチップ１４２への電源電圧を測定したり、又は４つの第２のテスト用接続パッド１５２ａ〜１５２ｄに接触させてこれらを全て測定し、ＩＣチップ１４２の電気的特性を得ること、及び／又は測定用プローブを、第１のテスト用接続パッド１５１ａ及び１５１ｂに接触させ、第１のリード導体１４６ａ及び１４６ｂを介してリード導体１４６ａ及び１４６ｂを介して薄膜磁気ヘッド素子の例えばＭＲ読出しヘッド素子に入力される若しくはＭＲ読出しヘッド素子から出力される信号を測定したり、テスト用接続パッド１５１ｃ及び１５１ｄに接触させてリード導体１４６ｃ及び１４６ｄを介して薄膜磁気ヘッド素子の例えば書込みヘッド素子に入力される信号を測定したり、又は４つの第１のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄに接触させてこれらを全て測定し、薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を得ることを行う（ステップＳ３５）。なお、このようにして得られた電気的特性からこのＨＧＡが不良品であると判別された場合には、ＩＣチップ又は磁気ヘッドスライダの再実装や調整又はＨＧＡの廃棄が行われる。
【０１１８】
その後、金ボール又ははんだ等を除去することによって、第１のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄと第１のリード導体１４６ａ〜１４６ｄとの電気的短絡を解放し、さらに、第２のテスト用接続パッド１５２ａ〜１５２ｄと第２のリード導体１４７ａ〜１４７ｄとの電気的短絡を解放し、ＨＧＡが完成する（ステップＳ３６）。
【０１１９】
なお、サスペンション１４０における、フレクシャ、ロードビーム及びベースプレートの構造は、上述した構造に限定されることなく、他の種々の構造が適用可能であることはもちろんである。
【０１２０】
以上述べたように、本実施形態によれば、電気的特性測定時にのみ第１及び第２のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄ及び１５２ａ〜１５２ｄを、第１及び第２のリード導体１４６ａ〜１４６ｄ及び１４７ａ〜１４７ｄと短絡させて測定用プローブを接触させるようにし、測定が終わったらその短絡を解放させている。従って、第１及び第２のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄ及び１５２ａ〜１５２ｄを用いてＩＣチップ及び薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を容易に測定することができるにもかかわらず、高周波化のためにインピーダンス整合をとったＨＧＡの実際の使用時に、高周波における寄生容量及び寄生インダクタンスが増大することを最低限に抑えられる。その結果、高周波での読み書き動作が可能となり、近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化に伴う記録及び再生周波数のさらなる高周波数化を充分に満足させることができる。
【０１２１】
本実施形態においては、第１及び第２のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄ及び１５２ａ〜１５２ｄの全てを一時的に短絡するようにしているが、必要なテスト用接続パッドのみを一時的に短絡するようにしても良いことは明らかである。また、本実施形態では、第１及び第２のテスト用接続パッド１５１ａ〜１５１ｄ及び１５２ａ〜１５２ｄを同時に用いて電気的特性を測定しているが、これらを別々に使用して電気的特性を測定しても良いことは明らかである。
【０１２２】
また、本実施形態では、第２のリード導体が４本（信号線兼制御線２本、電源線２本）の構成であるが、１本の制御線を信号線とは別個に設けた５本の構成であっても良い。
【０１２３】
図１７は本発明のＨＧＡのまたさらに他の実施形態の構造を示す斜視図であり、図１８は図１７のＨＧＡにおけるＦＰＣのテスト用接続パッドを含む部分を拡大した平面図である。
【０１２４】
本実施形態は、配線部材としてＦＰＣ部材を用いた場合であり、図１７に示すように、ＨＧＡは、サスペンション１７０と、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を備えた磁気ヘッドスライダ１７１を先端部に実装しさらにその途中にヘッド駆動及び読出し信号増幅用ＩＣチップ１７２を実装したＦＰＣ１８３をサスペンション１７０に固着することによって構成される。
【０１２５】
サスペンション１７０は、弾性を有する金属製のフレクシャ１７３と、フレクシャ１７３を先端部で支持固着しておりこれも弾性を有する金属製のロードビーム１７４と、ロードビーム１７４の基部に設けられた金属製のベースプレート１７５とから主として構成されている。
【０１２６】
磁気ヘッドスライダ１７１には、書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子による少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子が形成されている。磁気ヘッドスライダ１７１の大きさは、単なる一例であるが、１．２５ｍｍ×１．０ｍｍ×０．３ｍｍである。
【０１２７】
フレクシャ１７３は、ロードビーム１７４に設けられたディンプルを中心とする軟らかい舌部（図示なし）を持ち、この舌部で磁気ヘッドスライダ１７１を柔軟に支えて浮上姿勢を安定させるような弾性を持っている。このフレクシャ１７３は、本実施形態では、厚さ約２５μｍのステンレス鋼板（例えばＳＵＳ３０４ＴＡ）によって構成されている。
【０１２８】
ロードビーム１７４は、磁気ヘッドスライダ１７１を磁気ディスク方向に押さえつけて浮上量を安定させるための弾性を持っている。このロードビーム１７４は、先端に向けて幅が狭くなる形状の約６０〜６５μｍ厚の弾性を有するステンレス鋼板で構成されており、フレクシャ１７３をその先端部で固着支持している。フレクシャ１７３とロードビーム１７４とのこの固着は、レーザ等によるスポット溶接でなされている。なお、本実施形態のように、フレクシャ１７３とロードビーム１７４とが独立した部品である３ピース構造のサスペンションでは、ロードビーム１７４の剛性はフレクシャ１７３の剛性より高くなっている。
【０１２９】
ベースプレート１７５は、ロードビーム１７４より肉厚のステンレス鋼又は鉄で構成されており、ロードビーム１７４の基部にレーザ等によるスポット溶接で固着されている。このベースプレート１７５の取り付け部１７５ａを図示しない支持アームに機械的なかしめにより固着することによって、ＨＧＡの支持アームへの取り付けが行われる。
【０１３０】
ロードビーム１７４及びフレクシャ１７３には、ＦＰＣ１８３が接着剤によって密に接着固定されている。このＦＰＣ１８３は、ベースプレート１７５の斜め前方及びベースプレート１７５の後方では、空間に浮いた構造となっている。
【０１３１】
ＦＰＣ１８３は、図１７には示されていないが、４本の第１のリード導体１７６ａ〜１７６ｄと、４本の第２のリード導体１７７ａ〜１７７ｄとを有している。
【０１３２】
第１のリード導体１７６ａ〜１７６ｄの一端は、ＦＰＣ１８３の一方の端部（先端部）に設けられた、磁気ヘッドスライダ１７１の４つの薄膜磁気ヘッド素子用端子電極に接続するための４つのヘッド素子用接続パッド１７８ａ〜１７８ｄにそれぞれ接続されている。第１のリード導体１７６ａ〜１７６ｄの他端は、ＦＰＣ１８３の中間部に設けられておりＩＣチップ１７２の８つの端子に接続するための８つのＩＣチップ用接続パッド１７９ａ〜１７９ｈのうちの接続パッド１７９ａ〜１７９ｄにそれぞれ接続されている。
【０１３３】
第２のリード導体１７７ａ〜１７７ｄの一端は、ＩＣチップ用接続パッド１７９ｅ〜１７９ｈにそれぞれ接続されている。これら第２のリード導体１７７ａ〜１７７ｄの他端は、ＦＰＣ１８３の他方の端部（後端部）に設けられた外部接続のための４つの外部用接続パッド１８０ａ〜１８０ｄにそれぞれ接続されている。本実施形態において、１対の第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂは信号及び制御線であり、１対の第２のリード導体１７７ｃ及び１７７ｄは電源線である。
【０１３４】
図１８に明確に示されているように、ＦＰＣ１８３は、本実施形態においては、第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂと一時的に短絡可能にそれぞれ配置された２つのテスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂをさらに有している。これらテスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂは、ＩＣチップ１７２に近い位置に形成されている。
【０１３５】
ＦＰＣ１８３は、例えばポリイミド等による薄い樹脂層（ベースフィルム層）と、その上に形成された例えばＣｕによるリード導体層と、リード導体層を覆う例えばポリイミド等による被覆層（オーバーコート層）とから構成されている。ベースフィルム層とロードビーム１７４とは、例えばＵＶ樹脂系又はエポキシ樹脂系の接着剤によって密に固着されている。
【０１３６】
ただし、ヘッド素子用接続パッド１７８ａ〜１７８ｄ、ＩＣチップ用接続パッド１７９ａ〜１７９ｈ及び外部用接続パッド１８０ａ〜１８０ｄの内側部分には、銅層上にニッケル層、金層が積層形成されており、その上にはオーバーコート層が形成されてない。同様に、前に述べた実施形態のように、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂの測定用プローブの接触する部分及び第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂとの一時的接続部分と、第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂのテスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂとの一時的接続部分とには、銅層上にニッケル層、金層が積層形成されており、その上にはオーバーコート層が形成されてない。
【０１３７】
図１８に示すように、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂは、第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂと隙間を隔てて配置されており、これにより、必要な時のみ第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂと一時的に短絡できるようになされている。その一時的な短絡方法としては、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【０１３８】
テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂの大きさは、測定用のプローブが容易に接触できる程度の大きさを有している。その形状は、本実施形態では略長方形となっているが、他の多角形であっても、長円であっても、真円であっても良いし、その他のいかなる形状であっても良い。
【０１３９】
テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂを形成する位置は、ＩＣチップ１７２にできるだけ近い位置であれば測定値に配線の影響が入らないので好ましいが、ＩＣチップ１７２に近い位置に形成することがスペース的に難しい場合には、その他の任意の位置であっても良い。
【０１４０】
図１９は、本実施形態のＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。以下この図を用いて、ＨＧＡの製造方法について説明する。
【０１４１】
まず、上述したごとくリード導体及び接続パッドが形成されたＦＰＣ１８３を用意する（ステップＳ４１）。図２０はフレームに連結されているこの状態の複数のＦＰＣ１８３を示している。
【０１４２】
次いで、このフレームに連結された状態の各ＦＰＣ１８３にＩＣチップ１７２を実装する（ステップＳ４２）。ＩＣチップ１７２の実装は、その端子をＦＰＣ１８３上のＩＣチップ用接続パッド１７９ａ〜１７９ｈに、はんだ又は金のバンプによるフリップチップボンディングによって電気的に接続し、必要に応じてアンダーフィル材を両者の間隙に充填することによって行われる。図２１はフレームに連結されている、ＩＣチップ１７２が実装された複数のＦＰＣ１８３を示している。
【０１４３】
次いで、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂと第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂとを電気的に短絡させる（ステップＳ４３）。この短絡は、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【０１４４】
次いで、測定器の測定用プローブを、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂに接触させ、第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂを介してＩＣチップ１７２に入力される若しくはＩＣチップ１７２から出力される信号を測定し、ＩＣチップ１７２の電気的特性を得る（ステップＳ４４）。なお、このようにして得られた電気的特性からこのＩＣチップ付きＦＰＣが不良品であると判別された場合には、ＩＣチップの再実装や調整又はこのＩＣチップ付きＦＰＣの廃棄が行われる。
【０１４５】
その後、金ボール又ははんだ等を除去することによって、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂと第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂとの電気的短絡を解放する（ステップＳ４５）。
【０１４６】
次いで、磁気ヘッドスライダ１７１をこのＦＰＣ１８３上に実装する（ステップＳ４６）。磁気ヘッドスライダ１７１の実装は、磁気ヘッドスライダ１７１の端子電極をＦＰＣ１８３上のヘッド素子用接続パッド１７８ａ〜１７８ｄに、はんだ付け又はボールボンディングによって電気的に接続することによって行われる。
【０１４７】
一方、フレクシャ１７３と、ロードビーム１７４とベースプレート１７５とを用意する（ステップＳ４７）。
【０１４８】
次いで、レーザを用いたスポット溶接によりこれらを互いに固着してサスペンション１７０を作成する（ステップＳ４８）。
【０１４９】
その後、ＩＣチップ１７２及び磁気ヘッドスライダ１７１を実装したＦＰＣ１８３をこのサスペンション１７０上に接着固定して、ＨＧＡが完成する（ステップＳ４９）。
【０１５０】
なお、本実施形態においては、薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性は、この後に、リードライトテスタ等を用いて測定する。
【０１５１】
また、サスペンション１７０における、フレクシャ、ロードビーム及びベースプレートの構造は、上述した構造に限定されることなく、他の種々の構造が適用可能であることはもちろんである。
【０１５２】
以上述べたように、本実施形態によれば、電気的特性測定時にのみテスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂを第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂと短絡させて測定用プローブを接触させるようにし、測定が終わったらその短絡を解放させている。従って、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂを用いてＩＣチップの電気的特性を容易に測定することができるにもかかわらず、高周波化のためにインピーダンス整合をとったＨＧＡの実際の使用時に、高周波における寄生容量及び寄生インダクタンスが増大することを最低限に抑えられる。その結果、高周波での読み書き動作が可能となり、近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化に伴う記録及び再生周波数のさらなる高周波数化を充分に満足させることができる。
【０１５３】
本実施形態においては、第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂと一時的に短絡可能なテスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂのみが設けられているが、第２のリード導体１７７ｃ及び１７７ｄと一時的に短絡可能なテスト用接続パッドをも設けて良いことは明らかである。
【０１５４】
また、本実施形態では、第２のリード導体が４本（信号線兼制御線２本、電源線２本）の構成であるが、１本の制御線を信号線とは別個に設けた５本の構成であっても良い。
【０１５５】
図２２は、図１９の製造方法の変更態様における一部工程を示すフローチャートである。以下この図を用いて、ＨＧＡの製造方法の変更態様について説明する。
【０１５６】
まず、リード導体及び接続パッドが形成されたＦＰＣ１８３を用意する（ステップＳ５１）。
【０１５７】
次いで、このＦＰＣ１８３にＩＣチップ１７２を実装する（ステップＳ５２）。ＩＣチップ１７２の実装は、その端子をＦＰＣ１８３上のＩＣチップ用接続パッド１７９ａ〜１７９ｈに、はんだ又は金のバンプによるフリップチップボンディングによって電気的に接続し、必要に応じてアンダーフィル材を両者の間隙に充填することによって行われる。
【０１５８】
次いで、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂと第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂとを電気的に短絡させる（ステップＳ５３）。この短絡は、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【０１５９】
次いで、測定器の測定用プローブを、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂに接触させ、第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂを介してＩＣチップ１７２に入力される若しくはＩＣチップ１７２から出力される信号を測定し、ＩＣチップ１７２の電気的特性を得る（ステップＳ５４）。なお、このようにして得られた電気的特性からこのＩＣチップ付きＦＰＣが不良品であると判別された場合には、ＩＣチップの再実装や調整又はこのＩＣチップ付きＦＰＣの廃棄が行われる。
【０１６０】
その後、金ボール又ははんだ等を除去することによって、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂと第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂとの電気的短絡を解放する（ステップＳ５５）。
【０１６１】
一方、フレクシャ１７３と、ロードビーム１７４とベースプレート１７５とを用意する（ステップＳ５６）。
【０１６２】
次いで、レーザを用いたスポット溶接によりこれらを互いに固着してサスペンション１７０を作成する（ステップＳ５７）。
【０１６３】
その後、ＩＣチップ１７２を実装したＦＰＣ１８３をこのサスペンション１７０上に接着固定する（ステップＳ５８）。
【０１６４】
次いで、磁気ヘッドスライダ１７１をサスペンション１７０上のＦＰＣ１８３上に実装して、ＨＧＡが完成する（ステップＳ５９）。磁気ヘッドスライダ１７１の実装は、磁気ヘッドスライダ１７１の端子電極をＦＰＣ１８３上のヘッド素子用接続パッド１７８ａ〜１７８ｄに、はんだ付け又はボールボンディングによって電気的に接続することによって行われる。
【０１６５】
なお、本変更態様においても、薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性は、この後に、リードライトテスタ等を用いて測定する。
【０１６６】
この変更態様におけるその他の構成、作用効果等は、図１７の実施形態の場合と同様である。
【０１６７】
図２３は、図１９の製造方法の他の変更態様における一部工程を示すフローチャートである。以下この図を用いて、ＨＧＡの製造方法の変更態様について説明する。
【０１６８】
まず、リード導体及び接続パッドが形成されたＦＰＣ１８３を用意する（ステップＳ６１）。
【０１６９】
次いで、このＦＰＣ１８３にＩＣチップ１７２及び磁気ヘッドスライダ１７１を実装する（ステップＳ６２）。ＩＣチップ１７２の実装は、その端子をＦＰＣ１８３上のＩＣチップ用接続パッド１７９ａ〜１７９ｈに、はんだ又は金のバンプによるフリップチップボンディングによって電気的に接続し、必要に応じてアンダーフィル材を両者の間隙に充填することによって行われる。磁気ヘッドスライダ１７１の実装は、磁気ヘッドスライダ１７１の端子電極をＦＰＣ１８３上のヘッド素子用接続パッド１７８ａ〜１７８ｄに、はんだ付け又はボールボンディングによって電気的に接続することによって行われる。
【０１７０】
次いで、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂと第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂとを電気的に短絡させる（ステップＳ６３）。この短絡は、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【０１７１】
次いで、測定器の測定用プローブを、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂに接触させ、第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂを介してＩＣチップ１７２に入力される若しくはＩＣチップ１７２から出力される信号を測定し、ＩＣチップ１７２の電気的特性を得る（ステップＳ６４）。なお、このようにして得られた電気的特性からこのＩＣチップ付きＦＰＣが不良品であると判別された場合には、ＩＣチップの再実装や調整又はこのＩＣチップ付きＦＰＣの廃棄が行われる。
【０１７２】
その後、金ボール又ははんだ等を除去することによって、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂと第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂとの電気的短絡を解放する（ステップＳ６５）。
【０１７３】
一方、フレクシャ１７３と、ロードビーム１７４とベースプレート１７５とを用意する（ステップＳ６６）。
【０１７４】
次いで、レーザを用いたスポット溶接によりこれらを互いに固着してサスペンション１７０を作成する（ステップＳ６７）。
【０１７５】
その後、ＩＣチップ１７２及び磁気ヘッドスライダ１７１を実装したＦＰＣ１８３をこのサスペンション１７０上に接着固定して、ＨＧＡが完成する（ステップＳ６８）。
【０１７６】
なお、本変更態様においても、薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性は、この後に、リードライトテスタ等を用いて測定する。
【０１７７】
この変更態様におけるその他の構成、作用効果等は、図１７の実施形態の場合と同様である。
【０１７８】
図２４は本発明のＨＧＡのさらに他の実施形態の構造を示す斜視図であり、図２５及び図２６は図２４のＨＧＡにおけるＦＰＣのテスト用接続パッドを含む部分を拡大した平面図である。
【０１７９】
本実施形態は、配線部材としてＦＰＣ部材を用いた場合であり、図２４に示すように、ＨＧＡは、サスペンション２４０と、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を備えた磁気ヘッドスライダ２４１を先端部に実装しさらにその途中にヘッド駆動及び読出し信号増幅用ＩＣチップ２４２を実装したＦＰＣ２５３をサスペンション２４０に固着することによって構成される。
【０１８０】
サスペンション２４０は、弾性を有する金属製のフレクシャ２４３と、フレクシャ２４３を先端部で支持固着しておりこれも弾性を有する金属製のロードビーム２４４と、ロードビーム２４４の基部に設けられた金属製のベースプレート２４５とから主として構成されている。
【０１８１】
磁気ヘッドスライダ２４１には、書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子による少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子が形成されている。磁気ヘッドスライダ２４１の大きさは、単なる一例であるが、１．２５ｍｍ×１．０ｍｍ×０．３ｍｍである。
【０１８２】
フレクシャ２４３は、ロードビーム２４４に設けられたディンプルを中心とする軟らかい舌部（図示なし）を持ち、この舌部で磁気ヘッドスライダ２４１を柔軟に支えて浮上姿勢を安定させるような弾性を持っている。このフレクシャ２４３は、本実施形態では、厚さ約２５μｍのステンレス鋼板（例えばＳＵＳ３０４ＴＡ）によって構成されている。
【０１８３】
ロードビーム２４４は、磁気ヘッドスライダ２４１を磁気ディスク方向に押さえつけて浮上量を安定させるための弾性を持っている。このロードビーム２４４は、先端に向けて幅が狭くなる形状の約６０〜６５μｍ厚の弾性を有するステンレス鋼板で構成されており、フレクシャ２４３をその先端部で固着支持している。フレクシャ２４３とロードビーム２４４とのこの固着は、レーザ等によるスポット溶接でなされている。なお、本実施形態のように、フレクシャ２４３とロードビーム２４４とが独立した部品である３ピース構造のサスペンションでは、ロードビーム２４４の剛性はフレクシャ２４３の剛性より高くなっている。
【０１８４】
ベースプレート２４５は、ロードビーム２４４より肉厚のステンレス鋼又は鉄で構成されており、ロードビーム２４４の基部にレーザ等によるスポット溶接で固着されている。このベースプレート２４５の取り付け部２４５ａを図示しない支持アームに機械的なかしめにより固着することによって、ＨＧＡの支持アームへの取り付けが行われる。
【０１８５】
ロードビーム２４４及びフレクシャ２４３には、ＦＰＣ２５３が接着剤によって密に接着固定されている。このＦＰＣ２５３は、ベースプレート２４５の斜め前方及びベースプレート２４５の後方では、空間に浮いた構造となっている。
【０１８６】
ＦＰＣ２５３は、図２４には示されていないが、４本の第１のリード導体２４６ａ〜２４６ｄと、４本の第２のリード導体２４７ａ〜２４７ｄとを有している。
【０１８７】
第１のリード導体２４６ａ〜２４６ｄの一端は、ＦＰＣ２５３の一方の端部（先端部）に設けられた、磁気ヘッドスライダ２４１の４つの薄膜磁気ヘッド素子用端子電極に接続するための４つのヘッド素子用接続パッド２４８ａ〜２４８ｄにそれぞれ接続されている。第１のリード導体２４６ａ〜２４６ｄの他端は、ＦＰＣ２５３の中間部に設けられておりＩＣチップ２４２の８つの端子に接続するための８つのＩＣチップ用接続パッド２４９ａ〜２４９ｈのうちの接続パッド２４９ａ〜２４９ｄにそれぞれ接続されている。
【０１８８】
第２のリード導体２４７ａ〜２４７ｄの一端は、ＩＣチップ用接続パッド２４９ｅ〜２４９ｈにそれぞれ接続されている。これら第２のリード導体２４７ａ〜２４７ｄの他端は、ＦＰＣ２５３の他方の端部（後端部）に設けられた外部接続のための４つの外部用接続パッド２５０ａ〜２５０ｄにそれぞれ接続されている。本実施形態において、１対の第２のリード導体２４７ａ及び２４７ｂは信号及び制御線であり、１対の第２のリード導体２４７ｃ及び２４７ｄは電源線である。
【０１８９】
図２５及び図２６に明確に示されているように、ＦＰＣ２５３は、本実施形態においては、第１のリード導体２４６ａ〜２４６ｄと一時的に短絡可能にそれぞれ配置された４つの第１のテスト用接続パッド２５１ａ〜２５１ｄと、第２のリード導体２４７ａ〜２４７ｄと一時的に短絡可能にそれぞれ配置された４つの第２のテスト用接続パッド２５２ａ〜２５２ｄとをさらに有している。これら第１のテスト用接続パッド２５１ａ〜２５１ｄは磁気ヘッドスライダ２４１に近い位置に形成されており、第２のテスト用接続パッド２５２ａ〜２５２ｄはＩＣチップ２４２に近い位置に形成されている。
【０１９０】
ＦＰＣ２５３は、例えばポリイミド等による薄い樹脂層（ベースフィルム層）と、その上に形成された例えばＣｕによるリード導体層と、リード導体層を覆う例えばポリイミド等による被覆層（オーバーコート層）とから構成されている。ベースフィルム層とロードビーム２４４とは、例えばＵＶ樹脂系又はエポキシ樹脂系の接着剤によって密に固着されている。
【０１９１】
ただし、ヘッド素子用接続パッド２４８ａ〜２４８ｄ、ＩＣチップ用接続パッド２４９ａ〜２４９ｈ及び外部用接続パッド２５０ａ〜２５０ｄの内側部分には、銅層上にニッケル層、金層が積層形成されており、その上には上部絶縁層が形成されてない。同様に、第１及び第２のテスト用接続パッド２５１ａ〜２５１ｄ並びに２５２ａ及び２５２ｂの測定用プローブの接触する部分及び第１及び第２のリード導体２４６ａ〜２４６ｄ及び２４７ａ〜２４７ｄとの一時的接続部分と、第１及び第２のリード導体２４６ａ〜２４６ｄ及び２４７ａ〜２４７ｄの第１及び第２のテスト用接続パッド２５１ａ〜２５１ｄ並びに２５２ａ及び２５２ｂとの一時的接続部分には、銅層上にニッケル層、金層が積層形成されており、その上には上部絶縁層が形成されてない。
【０１９２】
図２５及び図２６に示すように、第１及び第２のテスト用接続パッド２５１ａ〜２５１ｄ並びに２５２ａ及び２５２ｂは、第１及び第２のリード導体２４６ａ〜２４６ｄ並びに２４７ａ及び２４７ｂとそれぞれ隙間を隔てて配置されており、これにより、必要な時のみ第１及び第２のリード導体２４６ａ〜２４６ｄ並びに２４７ａ及び２４７ｂと一時的に短絡できるようになされている。その一時的な短絡方法としては、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【０１９３】
第１及び第２のテスト用接続パッド２５１ａ〜２５１ｄ並びに２５２ａ及び２５２ｂの大きさは、測定用のプローブが容易に接触できる程度の大きさを有している。その形状は、本実施形態では略長方形となっているが、他の多角形であっても、長円であっても、真円であっても良いし、その他のいかなる形状であっても良い。
【０１９４】
第１のテスト用接続パッド２５１ａ〜２５１ｄを形成する位置は、磁気ヘッドスライダ２４１にできるだけ近い位置であれば書込みヘッド素子に流れる電流及び読出しヘッド素子からの出力の測定値に配線の影響が入らないので好ましいが、逆に、ＩＣチップ２４２にできるだけ近い位置であればこのアンプ回路に実際に入る再生信号を測定することが可能になるので好ましい。従って、両方の位置に設けることがより好ましい。また、第２のテスト用接続パッド２５２ａ及び２５２ｂを形成する位置は、ＩＣチップ２４２にできるだけ近い位置であれば測定値に配線の影響が入らないので好ましい。これらに近い位置に形成することがスペース的に難しい場合には、その他の任意の位置であっても良い。
【０１９５】
図２７は、本実施形態のＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。以下この図を用いて、ＨＧＡの製造方法について説明する。
【０１９６】
まず、上述したごとくリード導体及び接続パッドが形成されたＦＰＣ２５３を用意する（ステップＳ７１）。
【０１９７】
次いで、このＦＰＣ２５３にＩＣチップ２４２を実装する（ステップＳ７２）。ＩＣチップ２４２の実装は、その端子をＦＰＣ２５３上のＩＣチップ用接続パッド２４９ａ〜２４９ｈに、はんだ又は金のバンプによるフリップチップボンディングによって電気的に接続し、必要に応じてアンダーフィル材を両者の間隙に充填することによって行われる。
【０１９８】
次いで、第２のテスト用接続パッド２５２ａ及び２５２ｂと第２のリード導体２４７ａ及び２４７ｂとを電気的に短絡させる（ステップＳ７３）。この短絡は、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【０１９９】
次いで、測定器の測定用プローブを、テスト用接続パッド２５２ａ及び２５２ｂに接触させ、第２のリード導体２４７ａ及び２４７ｂを介してＩＣチップ２４２に入力される若しくはＩＣチップ２４２から出力される信号を測定し、ＩＣチップ２４２の電気的特性を得る（ステップＳ７４）。なお、このようにして得られた電気的特性からこのＩＣチップ付きＦＰＣが不良品であると判別された場合には、ＩＣチップの再実装や調整又はこのＩＣチップ付きＦＰＣの廃棄が行われる。
【０２００】
その後、金ボール又ははんだ等を除去することによって、テスト用接続パッド２５２ａ及び２５２ｂと第２のリード導体２４７ａ及び２４７ｂとの電気的短絡を解放する（ステップＳ７５）。
【０２０１】
次いで、磁気ヘッドスライダ２４１をこのＦＰＣ２５３上に実装する（ステップＳ７６）。磁気ヘッドスライダ２４１の実装は、磁気ヘッドスライダ２４１の端子電極をＦＰＣ２５３上のヘッド素子用接続パッド２４８ａ〜２４８ｄに、はんだ付け又はボールボンディングによって電気的に接続することによって行われる。
【０２０２】
次いで、第１のテスト用接続パッド２４１ａ〜２４１ｄと第１のリード導体２４６ａ〜２４６ｄとを電気的に短絡させる（ステップＳ７７）。この短絡は、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【０２０３】
次いで、測定器の測定用プローブを、第１のテスト用接続パッド２５１ａ及び２５１ｂに接触させ、リード導体２４６ａ及び２４６ｂを介して薄膜磁気ヘッド素子の例えばＭＲ読出しヘッド素子に入力される若しくはＭＲ読出しヘッド素子から出力される信号を測定したり、第１のテスト用接続パッド２５１ｃ及び２５１ｄに接触させて第１のリード導体２４６ｃ及び２４６ｄを介して薄膜磁気ヘッド素子の例えば書込みヘッド素子に入力される信号を測定したり、又は４つの第１のテスト用接続パッド２５１ａ〜２５１ｄに接触させてこれらを全て測定し、薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を得る（ステップＳ７８）。なお、このようにして得られた電気的特性からこのＩＣチップ及び磁気ヘッドスライダ付きＦＰＣが不良品であると判別された場合には、磁気ヘッドスライダの再実装や調整又はこのＩＣチップ及び磁気ヘッドスライダ付きＦＰＣの廃棄が行われる。
【０２０４】
その後、金ボール又ははんだ等を除去することによって、第１のテスト用接続パッド２５１ａ〜２５１ｄと第１のリード導体２４６ａ〜２４６ｄとの電気的短絡を解放する（ステップＳ７９）。
【０２０５】
一方、フレクシャ２４３と、ロードビーム２４４とベースプレート２４５とを用意する（ステップＳ８０）。
【０２０６】
次いで、レーザを用いたスポット溶接によりこれらを互いに固着してサスペンション２４０を作成する（ステップＳ８１）。
【０２０７】
その後、ＩＣチップ２４２及び磁気ヘッドスライダ２４１を実装したＦＰＣ２５３をこのサスペンション２４０上に接着固定して、ＨＧＡが完成する（ステップＳ８２）。
【０２０８】
なお、サスペンション２４０における、フレクシャ、ロードビーム及びベースプレートの構造は、上述した構造に限定されることなく、他の種々の構造が適用可能であることはもちろんである。
【０２０９】
以上述べたように、本実施形態によれば、電気的特性測定時にのみ第１のテスト用接続パッド２５１ａ〜２５１ｄを第１のリード導体２４６ａ〜２４６ｄと短絡させて測定用プローブを接触させるようにし、さらに、第２のテスト用接続パッド２５２ａ及び２５２ｂを第２のリード導体２４７ａ及び２４７ｂと短絡させて測定用プローブを接触させるようにし、測定が終わったらそれらの短絡を解放させている。従って、テスト用接続パッドを用いてＩＣチップ及び薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を容易に測定することができるにもかかわらず、高周波化のためにインピーダンス整合をとったＨＧＡの実際の使用時に、高周波における寄生容量及び寄生インダクタンスが増大することを最低限に抑えられる。その結果、高周波での読み書き動作が可能となり、近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化に伴う記録及び再生周波数のさらなる高周波数化を充分に満足させることができる。
【０２１０】
本実施形態においては、第１のテスト用接続パッド２５１ａ〜２５１ｄの全てを一時的に短絡するようにしているが、必要なテスト用接続パッドのみを一時的に短絡するようにしても良いことは明らかである。また、第２のリード導体２４７ａ及び２４７ｂと一時的に短絡可能な第２のテスト用接続パッド２５２ａ及び２５２ｂのみが設けられているが、第２のリード導体２４７ｃ及び２４７ｄと一時的に短絡可能な第２のテスト用接続パッドをも設けて良いことは明らかである。さらに、本実施形態では、第２のテスト用接続パッド２５２ａ及び２５２ｂと、第１のテスト用接続パッド２５１ａ〜２５１ｄとを別々に使用しているが、これらを同時に用いて電気的特性を測定しても良いことは明らかである。
【０２１１】
図２８は本発明のＨＧＡのまたさらに他の実施形態の構造を示す斜視図であり、図２９は図２８のＨＧＡにおけるＦＰＣのテスト用接続パッドを含む部分を拡大した平面図である。
【０２１２】
本実施形態は、配線部材としてＦＰＣ部材を用いた場合であり、図２８に示すように、ＨＧＡは、サスペンション２８０と、少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子を備えた磁気ヘッドスライダ２８１を先端部に実装したＦＰＣ２９３をサスペンション２８０に固着することによって構成される。
【０２１３】
サスペンション２８０は、弾性を有する金属製のフレクシャ２８３と、フレクシャ２８３を先端部で支持固着しておりこれも弾性を有する金属製のロードビーム２８４と、ロードビーム２８４の基部に設けられた金属製のベースプレート２８５とから主として構成されている。
【０２１４】
磁気ヘッドスライダ２８１には、書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子による少なくとも１つの薄膜磁気ヘッド素子が形成されている。磁気ヘッドスライダ２８１の大きさは、単なる一例であるが、１．２５ｍｍ×１．０ｍｍ×０．３ｍｍである。
【０２１５】
フレクシャ２８３は、ロードビーム２８４に設けられたディンプルを中心とする軟らかい舌部（図示なし）を持ち、この舌部で磁気ヘッドスライダ２８１を柔軟に支えて浮上姿勢を安定させるような弾性を持っている。このフレクシャ２８３は、本実施形態では、厚さ約２５μｍのステンレス鋼板（例えばＳＵＳ３０４ＴＡ）によって構成されている。
【０２１６】
ロードビーム２８４は、磁気ヘッドスライダ２８１を磁気ディスク方向に押さえつけて浮上量を安定させるための弾性を持っている。このロードビーム２８４は、先端に向けて幅が狭くなる形状の約６０〜６５μｍ厚の弾性を有するステンレス鋼板で構成されており、フレクシャ２８３をその先端部で固着支持している。フレクシャ２８３とロードビーム２８４とのこの固着は、レーザ等によるスポット溶接でなされている。なお、本実施形態のように、フレクシャ２８３とロードビーム２８４とが独立した部品である３ピース構造のサスペンションでは、ロードビーム２８４の剛性はフレクシャ２８３の剛性より高くなっている。
【０２１７】
ベースプレート２８５は、ロードビーム２８４より肉厚のステンレス鋼又は鉄で構成されており、ロードビーム２８４の基部にレーザ等によるスポット溶接で固着されている。このベースプレート２８５の取り付け部２８５ａを図示しない支持アームに機械的なかしめにより固着することによって、ＨＧＡの支持アームへの取り付けが行われる。
【０２１８】
ロードビーム２８４及びフレクシャ２８３には、ＦＰＣ２９３が接着剤によって密に接着固定されている。このＦＰＣ２９３は、ベースプレート２８５の斜め前方及びベースプレート２８５の後方では、空間に浮いた構造となっている。
【０２１９】
ＦＰＣ２９３は、図２８には示されていないが、４本のリード導体２８６ａ〜２８６ｄを有している。
【０２２０】
リード導体２８６ａ〜２８６ｄの一端は、ＦＰＣ２９３の一方の端部（先端部）に設けられた、磁気ヘッドスライダ２８１の４つの薄膜磁気ヘッド素子用端子電極に接続するための４つのヘッド素子用接続パッド２８８ａ〜２８８ｄにそれぞれ接続されている。このリード導体２８６ａ〜２８６ｄの他端は、ＦＰＣ２９３の他方の端部（後端部）に設けられた外部接続のための４つの外部用接続パッド２９０ａ〜２９０ｄにそれぞれ接続されている。
【０２２１】
図２９に明確に示されているように、ＦＰＣ２９３は、本実施形態においては、リード導体２８６ａ〜２８６ｄと一時的に短絡可能にそれぞれ配置された４つの第１のテスト用接続パッド２９１ａ〜２９１ｄをさらに有している。これらテスト用接続パッド２９１ａ〜２９１ｄは磁気ヘッドスライダ２８１に近い位置に形成されている。
【０２２２】
ＦＰＣ２９３は、例えばポリイミド等による薄い樹脂層（ベースフィルム層）と、その上に形成された例えばＣｕによるリード導体層と、リード導体層を覆う例えばポリイミド等による被覆層（オーバーコート層）とから構成されている。ベースフィルム層とロードビーム２８４とは、例えばＵＶ樹脂系又はエポキシ樹脂系の接着剤によって密に固着されている。
【０２２３】
ただし、ヘッド素子用接続パッド２８８ａ〜２８８ｄ及び外部用接続パッド２９０ａ〜２９０ｄの内側部分には、銅層上にニッケル層、金層が積層形成されており、その上には上部絶縁層が形成されてない。同様に、テスト用接続パッド２９１ａ〜２９１ｄの測定用プローブの接触する部分及びリード導体２８６ａ〜２８６ｄとの一時的接続部分と、リード導体２８６ａ〜２８６ｄのテスト用接続パッド２９１ａ〜２９１ｄとの一時的接続部分には、銅層上にニッケル層、金層が積層形成されており、その上には上部絶縁層が形成されてない。
【０２２４】
図２９に示すように、テスト用接続パッド２９１ａ〜２９１ｄは、リード導体２８６ａ〜２８６ｄとそれぞれ隙間を隔てて配置されており、これにより、必要な時のみリード導体２８６ａ〜２８６ｄと一時的に短絡できるようになされている。その一時的な短絡方法としては、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【０２２５】
テスト用接続パッド２９１ａ〜２９１ｄの大きさは、測定用のプローブが容易に接触できる程度の大きさを有している。その形状は、本実施形態では略長方形となっているが、他の多角形であっても、長円であっても、真円であっても良いし、その他のいかなる形状であっても良い。
【０２２６】
テスト用接続パッド２９１ａ〜２９１ｄを形成する位置は、磁気ヘッドスライダ２８１にできるだけ近い位置であれば書込みヘッド素子に流れる電流及び読出しヘッド素子からの出力の測定値に配線の影響が入らないので好ましいが、これらに近い位置に形成することがスペース的に難しい場合には、その他の任意の位置であっても良い。
【０２２７】
図３０は、本実施形態のＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。以下この図を用いて、ＨＧＡの製造方法について説明する。
【０２２８】
まず、上述したごとくリード導体及び接続パッドが形成されたＦＰＣ２９３を用意する（ステップＳ９１）。
【０２２９】
次いで、磁気ヘッドスライダ２８１をこのＦＰＣ２９３上に実装する（ステップＳ９２）。磁気ヘッドスライダ２８１の実装は、磁気ヘッドスライダ２８１の端子電極をＦＰＣ２９３上のヘッド素子用接続パッド２８８ａ〜２８８ｄに、はんだ付け又はボールボンディングによって電気的に接続することによって行われる。
【０２３０】
次いで、テスト用接続パッド２９１ａ〜２９１ｄとリード導体２８６ａ〜２８６ｄとを電気的に短絡させる（ステップＳ９３）。この短絡は、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【０２３１】
次いで、測定器の測定用プローブを、テスト用接続パッド２９１ａ及び２９１ｂに接触させ、リード導体２８６ａ及び２８６ｂを介して薄膜磁気ヘッド素子の例えばＭＲ読出しヘッド素子に入力される若しくはＭＲ読出しヘッド素子から出力される信号を測定したり、テスト用接続パッド２９１ｃ及び２９１ｄに接触させてリード導体２８６ｃ及び２８６ｄを介して薄膜磁気ヘッド素子の例えば書込みヘッド素子に入力される信号を測定したり、又は４つのテスト用接続パッド２９１ａ〜２９１ｄに接触させてこれらを全て測定し、薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を得る（ステップＳ９４）。なお、このようにして得られた電気的特性からこの磁気ヘッドスライダ付きＦＰＣが不良品であると判別された場合には、磁気ヘッドスライダの再実装や調整又はこの磁気ヘッドスライダ付きＦＰＣの廃棄が行われる。
【０２３２】
その後、金ボール又ははんだ等を除去することによって、テスト用接続パッド２９１ａ〜２９１ｄとリード導体２８６ａ〜２８６ｄとの電気的短絡を解放する（ステップＳ９５）。
【０２３３】
一方、フレクシャ２８３と、ロードビーム２８４とベースプレート２８５とを用意する（ステップＳ９６）。
【０２３４】
次いで、レーザを用いたスポット溶接によりこれらを互いに固着してサスペンション２８０を作成する（ステップＳ９７）。
【０２３５】
その後、磁気ヘッドスライダ２８１を実装したＦＰＣ２９３をこのサスペンション２８０上に接着固定して、ＨＧＡが完成する（ステップＳ９８）。
【０２３６】
なお、サスペンション２８０における、フレクシャ、ロードビーム及びベースプレートの構造は、上述した構造に限定されることなく、他の種々の構造が適用可能であることはもちろんである。
【０２３７】
以上述べたように、本実施形態によれば、電気的特性測定時にのみテスト用接続パッド２９１ａ〜２９１ｄをリード導体２８６ａ〜２８６ｄと短絡させて測定用プローブを接触させるようにし、測定が終わったらそれらの短絡を解放させている。従って、テスト用接続パッドを用いて薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を容易に測定することができるにもかかわらず、高周波化のためにインピーダンス整合をとったＨＧＡの実際の使用時に、高周波における寄生容量及び寄生インダクタンスが増大することを最低限に抑えられる。その結果、高周波での読み書き動作が可能となり、近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化に伴う記録及び再生周波数のさらなる高周波数化を充分に満足させることができる。
【０２３８】
本実施形態においては、テスト用接続パッド２９１ａ〜２９１ｄの全てを一時的に短絡するようにしているが、必要なテスト用接続パッドのみを一時的に短絡するようにしても良いことは明らかである。
【０２３９】
図３１は、さらに他の実施形態におけるＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。この実施形態において最終的に形成されるＨＧＡは、図１７に示したものと同様である。従って、以下の説明では、図１７の実施形態の場合と同じ構成要素には同じ参照番号を使用する。
【０２４０】
以下、図３１を用いて、本実施形態におけるＨＧＡの製造方法について説明する。
【０２４１】
まず、リード導体及び接続パッドが形成されたＦＰＣ１８３を用意する（ステップＳ１０１）。
【０２４２】
一方、フレクシャ１７３と、ロードビーム１７４とベースプレート１７５とを用意する（ステップＳ１０２）。
【０２４３】
次いで、レーザを用いたスポット溶接によりこれらを互いに固着してサスペンション１７０を作成する（ステップＳ１０３）。
【０２４４】
次いで、ＦＰＣ１８３をこのサスペンション１７０上に接着固定する（ステップＳ１０４）。
【０２４５】
次いで、このＦＰＣ１８３にＩＣチップ１７２を実装する（ステップＳ１０５）。ＩＣチップ１７２の実装は、その端子をＦＰＣ１８３上のＩＣチップ用接続パッド１７９ａ〜１７９ｈに、はんだ又は金のバンプによるフリップチップボンディングによって電気的に接続し、必要に応じてアンダーフィル材を両者の間隙に充填することによって行われる。
【０２４６】
次いで、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂと第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂとを電気的に短絡させる（ステップＳ１０６）。この短絡は、金ボール等を用いたボールボンディングであっても良いし、接続ピンを用いて短絡しても良い。
【０２４７】
次いで、測定器の測定用プローブを、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂに接触させ、第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂを介してＩＣチップ１７２に入力される若しくはＩＣチップ１７２から出力される信号を測定し、ＩＣチップ１７２の電気的特性を得る（ステップＳ１０７）。なお、このようにして得られた電気的特性からこのＩＣチップ付きＦＰＣを備えたサスペンションが不良品であると判別された場合には、ＩＣチップの再実装や調整又はこのＩＣチップ付きＦＰＣを備えたサスペンションの廃棄が行われる。
【０２４８】
その後、金ボール又ははんだ等を除去することによって、テスト用接続パッド１８２ａ及び１８２ｂと第２のリード導体１７７ａ及び１７７ｂとの電気的短絡を解放する（ステップＳ１０８）。
【０２４９】
次いで、磁気ヘッドスライダ１７１をサスペンション１７０上のＦＰＣ１８３上に実装して、ＨＧＡが完成する（ステップＳ１０９）。磁気ヘッドスライダ１７１の実装は、磁気ヘッドスライダ１７１の端子電極をＦＰＣ１８３上のヘッド素子用接続パッド１７８ａ〜１７８ｄに、はんだ付け又はボールボンディングによって電気的に接続することによって行われる。
【０２５０】
なお、本実施形態においては、薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性は、この後に、リードライトテスタ等を用いて測定する。
【０２５１】
本実施形態におけるその他の構成、作用効果等は、図１７の実施形態の場合と同様である。
【０２５２】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【０２５３】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、テスト用接続パッドが、リード導体と一時的にかつ電気的に短絡可能にそれぞれ配置されている。このため、電気的特性測定時にのみこのテスト用接続パッドをリード導体と短絡させて測定用プローブを接触させるようにし、測定が終わったらその短絡を解放させることができる。従って、高周波化のためにインピーダンス整合をとったＨＧＡにおいて、テスト用接続パッドを設けても寄生容量及び寄生インダクタンスが増大することを最低限に抑えられ、しかも、このパッドを用いて薄膜磁気ヘッド素子の電気的特性を容易に測定することが可能となる。その結果、高周波での読み書き動作が可能となり、近年の磁気ディスク装置の大容量化及び高密度記録化に伴う記録及び再生周波数のさらなる高周波数化を充分に満足させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のＨＧＡの一実施形態の構造を示す平面図である。
【図２】図１のＨＧＡにおけるフレクシャ及びその上に形成された配線部材の構造を示す平面図である。
【図３】図２のテスト用接続パッドを含む部分を拡大した平面図である。
【図４】図２の１つのテスト用接続パッド部分を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線断面図である。
【図６】テスト用接続パッドとリード導体との短絡方法の一例を示す平面図である。
【図７】テスト用接続パッドとリード導体との短絡方法の他の例を示す平面図である。
【図８】図１の実施形態のＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。
【図９】図８の製造方法の変更態様における一部工程を示すフローチャートである。
【図１０】本発明のＨＧＡの他の実施形態の構造を示す平面図である。
【図１１】図１０のＨＧＡにおけるフレクシャ及びその上に形成された配線部材の構造を示す平面図である。
【図１２】図１１のテスト用接続パッドを含む部分を拡大した平面図である。
【図１３】図１０の実施形態のＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。
【図１４】本発明のＨＧＡのさらに他の実施形態の構造を示す平面図である。
【図１５】図１４のＨＧＡにおけるフレクシャ及びその上に形成された配線部材の構造を示す平面図である。
【図１６】図１４の実施形態のＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。
【図１７】本発明のＨＧＡのまたさらに他の実施形態の構造を示す斜視図である。
【図１８】図１７のＨＧＡにおけるＦＰＣのテスト用接続パッドを含む部分を拡大した平面図である。
【図１９】図１７の実施形態のＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。
【図２０】図１７の実施形態において、フレームに連結された状態の複数のＦＰＣを示す平面図である。
【図２１】図１７の実施形態において、フレームに連結されておりＩＣチップを実装した状態の複数のＦＰＣを示す平面図である。
【図２２】図１９の製造方法の変更態様における一部工程を示すフローチャートである。
【図２３】図１９の製造方法の他の変更態様における一部工程を示すフローチャートである。
【図２４】本発明のＨＧＡのさらに他の実施形態の構造を示す斜視図である。
【図２５】図２４のＨＧＡにおけるＦＰＣのテスト用接続パッドを含む部分を拡大した平面図である。
【図２６】図２４のＨＧＡにおけるＦＰＣのテスト用接続パッドを含む部分を拡大した平面図である。
【図２７】図２４の実施形態のＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。
【図２８】本発明のＨＧＡのまたさらに他の実施形態の構造を示す斜視図である。
【図２９】図２８のＨＧＡにおけるＦＰＣのテスト用接続パッドを含む部分を拡大した平面図である。
【図３０】図２８の実施形態のＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。
【図３１】本発明のさらに他の実施形態におけるＨＧＡの製造方法の一部工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０、１００、１４０、１７０、２４０、２８０  サスペンション
１１、１０１、１４１、１７１、２４１、２８１  磁気ヘッドスライダ
１２、１０２、１４２、１７２、２４２  ＩＣチップ
１３、１０３、１４３、１７３、２４３、２８３  フレクシャ
１３ａ、１０３ａ、１４３ａ  舌部
１４、１０４、１４４、１７４、２４４、２８４  ロードビーム
１５、１０５、１４５、１７５、２４５、２８５  ベースプレート
１５ａ、１０５ａ、１４５ａ、１７５ａ、２４５ａ、２８５ａ  取り付け部
１６ａ〜１６ｄ、１４６ａ〜１４６ｄ、１７６ａ〜１７６ｄ、２４６ａ〜２４６ｄ  第１のリード導体
１７ａ〜１７ｄ、１４７ａ〜１４７ｄ、１７７ａ〜１７７ｄ、２４７ａ〜２４７ｄ  第２のリード導体
１８ａ〜１８ｄ、１０８ａ〜１０８ｄ、１４８ａ〜１４８ｄ、１７８ａ〜１７８ｄ、２４８ａ〜２４８ｄ、２８８ａ〜２８８ｄ  ヘッド素子用接続パッド
１９ａ〜１９ｈ、１４９ａ〜１４９ｈ、１７９ａ〜１７９ｈ、２４９ａ〜２４９ｈ  ＩＣチップ用接続パッド
２０ａ〜２０ｅ、１１０ａ〜１１０ｅ、１５０ａ〜１５０ｅ、１８０ａ〜１８０ｄ、２５０ａ〜２５０ｄ、２９０ａ〜２９０ｄ  外部用接続パッド
２２ａ〜２２ｄ、１１１ａ〜１１１ｄ、１８２ａ、１８２ｂ、２９１ａ〜２９１ｄ  テスト用接続パッド
１５１ａ〜１５１ｄ、２５１ａ〜２５１ｄ  第１のテスト用接続パッド
１５２ａ〜１５２ｄ、２５２ａ、２５２ｂ  第２のテスト用接続パッド
５０  下部絶縁層
５１  銅層
５２  上部絶縁層
６０  金ボール
７０  接続ピン
１０６ａ〜１０６ｄ、２８６ａ〜２８６ｄ  リード導体
１８３、２５３、２９３  ＦＰＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
0003988420.tif 000020
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
0003988420.tif 000026
【図２６】
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【図２７】
0003988420.tif 000028
【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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