(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜形成工程が進められる反応炉の内部を複数個の領域に分割設定し、前記領域に複数枚のモニターリングウェーハをローディングした後、既存デポジションタイムと工程温度を参考にして前記モニターリングウェーハに薄膜形成工程を遂行する段階と、
薄膜形成工程が終了した前記モニターリングウェーハの平均薄膜厚さを算出して第１記憶手段に記憶する段階と、
前記複数個の領域のうち基準領域に位置したモニターリングウェーハの平均薄膜厚さが目標薄膜厚さに到達されるように第２記憶手段に記憶されたデポジションタイム補正演算式によってデポジションタイムを算出する段階と、
前記補正されたデポジションタイムを適用した状態で前記分割された各々の領域における代表薄膜厚さを前記第２記憶手段に記憶された代表薄膜厚さ演算式によって各々算出する段階と、
前記算出された代表薄膜厚さに影響を及ぼす工程温度を前記第２記憶手段に記憶された工程温度補正演算式によって算出して前記第１記憶手段に記憶する段階と、
前記第１記憶手段に記憶されている補正されたデポジションタイム及び補正された工程温度によって薄膜形成工程を遂行する段階と、を含むことを特徴とする半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項２】
前記複数個の領域は、前記反応炉の内部を、中央に位置したセンター領域と、前記センター領域の両側に位置したセンターアッパー領域及びセンターロー領域と、前記センターアッパー領域及びセンターロー領域の両側に位置したアッパー領域、ロー領域であり、
前記複数個のモニターリングウェーハは、前記センター領域、アッパー領域、ロー領域に各々ローディングされることを特徴とする請求項１記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項３】
前記モニターリングウェーハの平均薄膜厚さを算出して第１記憶手段に記憶する段階は、前記モニターリングウェーハ上の複数の位置から薄膜厚さを測定する段階と、
前記測定された薄膜厚さデータのうち上下に偏差が最も大きい薄膜厚さ値を除いた残りの薄膜厚さデータを算術平均して前記第１記憶手段に記憶する段階と、を含むことを特徴とする請求項２記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項４】
前記基準領域は前記センター領域であり、前記デポジションタイムは前記センター領域の平均薄膜厚さを基準にして補正されることを特徴とする請求項２記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項５】
前記デポジションタイムを補正する段階は、前記第２記憶手段に記憶された前記デポジションタイム補正演算式によって前記センター領域に位置した前記モニターリングウェーハの平均薄膜厚さと目標薄膜厚さとの偏差をデポジションタイム補正係数で割って補正デポジションタイムを算出する段階と、
前記算出された補正デポジションタイムと前記既存デポジションタイムとを合算する段階とを含むことを特徴とする請求項４記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項６】
前記デポジションタイム補正係数は、単位時間当りデポジションされる薄膜の厚さであることを特徴とする請求項５記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項７】
前記デポジションタイム補正係数は、前記基準領域のモニターリングウェーハの平均薄膜厚さを前記既存デポジションタイムで割って算出することを特徴とする請求項５記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項８】
前記デポジションタイム補正演算式は、
補正デポジションタイム＝既存デポジションタイム＋（目標薄膜厚さ−基準領域の平均薄膜厚さ）／デポジションタイム補正係数
であることを特徴とする請求項５記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項９】
前記デポジションタイム補正係数は、
デポジション厚さ(Å)／単位時間（ｓｅｃ）
であることを特徴とする請求項５記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項１０】
前記基準領域を除いた領域うち、前記モニターリングウェーハが存在する領域の代表薄膜厚さは、前記モニターリングウェーハの平均薄膜厚さに前記補正されたデポジションタイムによる工程進行によって加わる追加薄膜厚さを合算して算出し、
前記モニターリングウェーハが存在しない領域の代表薄膜厚さは、前記モニターリングウェーハが存在する領域によって算出された平均薄膜厚さを算術平均して算出することを特徴とする請求項１記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項１１】
前記工程温度補正段階は、前記基準領域に隣接した第１隣接領域の代表薄膜厚さを第１工程温度補正演算式に代入して前記第１隣接領域の補正工程温度を算出する段階と、
前記第１隣接領域の補正工程温度を勘案して前記第１隣接領域に接した第２隣接領域の代表薄膜厚さを前記代表薄膜厚さ修正演算式によって修正する段階と、前記修正された代表薄膜厚さを第２工程温度補正演算式に代入して前記第２隣接領域の補正工程温度を算出する段階とを含むことを特徴とする請求項１０記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項１２】
前記第１隣接領域は、前記基準領域に接したセンターアッパー領域及びセンターロー領域であり、前記第２隣接領域は、前記センターアッパー領域及び前記センターロー領域に接したアッパー領域及びロー領域であることを特徴とする請求項１１記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項１３】
前記第１工程温度補正演算式は、
ＴＥＭＰ（ｎ＋１）X＝ＴＥＭＰ（ｎ）X＋（ＴＨtarget−ＴＨX）／gaintemp
であり、
ＴＥＭＰ（ｎ＋１）Xは前記第１隣接領域の補正工程温度、ＴＥＭＰ（ｎ）Xは前記第１隣接領域の既存工程温度、ＴＨtargetは目標薄膜厚さ、ＴＨXは前記第１隣接領域における代表薄膜厚さ、gaintempは前記第１隣接領域の温度当たり利得率であることを特徴とする請求項１１記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項１４】
前記代表薄膜厚さ修正演算式は、
ＴＨｙ’＝ＴＨｙ＋Ｃｙ×（ＴＨｔａｒｇｅｔ−ＴＨＸ）
であり、ＴＨｙは前記第１隣接領域の工程温度影響を受ける以前の代表薄膜厚さ、Ｃｙは修正係数、ＴＨＸは前記第２隣接領域に接した前記第１隣接領域における薄膜厚さであることを特徴とする請求項１１記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項１５】
前記第２工程温度補正演算式は、
ＴＥＭＰ（ｎ＋１）y＝ＴＥＭＰ（ｎ）y＋（ＴＨtarget−ＴＨy'）／gaintemp
であり、
ＴＥＭＰ（ｎ＋１）yは前記第２隣接領域の補正工程温度、ＴＥＭＰ（ｎ）ｙは前記第２隣接領域の工程温度、ＴＨtargetは目標薄膜厚さ、ＴＨy'は代表薄膜厚さ修正演算式によって算出された修正薄膜厚さであることを特徴とする請求項１４記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【請求項１６】
前記修正係数は、前記第１隣接領域で単位温度が変更された際、前記第１隣接領域における代表薄膜厚さと前記第２隣接領域における代表薄膜厚さの変更された比率であることを特徴とする請求項１４記載の半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法に係り、より詳細には、反応炉内部のウェーハ位置の違いによって生じるウェーハの薄膜厚さ偏差を補正するために、ウェーハボートの中間に複数枚のモニターリングウェーハを介した状態で薄膜形成工程を遂行して反応炉内部の位置別代表薄膜厚さデータを算出して、モニターリングウェーハのうち、基準になる基準モニターリングウェーハが目標薄膜厚さに到達するようにデポジションタイムを補正し、次に基準モニターリングウェーハを除いた残りのモニターリングウェーハは工程温度補正によって薄膜厚さが目標薄膜厚さに到達するようにし、これを持続的にフィードバック制御して均一な厚さの薄膜を得ることができるようにした半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体素子は、単結晶シリコン基板上に多様なドーパント(dopant)を用いてドーピング(doping)を遂行することによってNまたはPタイプ領域を形成したり、多様な機能を遂行する薄膜層で構成される。このような薄膜層及びデポジションドーピングによるN、Pタイプ領域は代表的に化学的気相蒸着(CVD;Chemical Vapor Deposition)と呼ばれる半導体薄膜製造工程によって遂行される。この化学的気相蒸着工程は工程圧力によって常圧化学気相蒸着工程、低圧化学気相蒸着に分類される。
【０００３】
低圧化学気相蒸着は、約０．１〜１００ｔｏｒｒの圧力範囲内で進められ、高い温度と高い圧力すなわち、高いエネルギーシステムを要求せず、酸化膜(Oxide film)、ポリ膜(poly film)、タングステン膜(tungsten film)、シリサイド膜(silicides film)、窒化膜(Nitride film)、エピタキシャル膜(epitaxial film)等の半導体工程上必要とするほぼ全ての薄膜の蒸着が可能で、パーティクル数が少なく、ステップカバレージ(step coverage)が優れると言った長所を有する。このような長所を有する低圧化学気相蒸着工程を遂行する設備は垂直型と水平型に再び分類され、このうち垂直型設備は鐘形(bell type)アウターチューブと、アウターチューブの内側に設けられてアウターチューブと一定離隔間隔を有するインナーチューブ、インナーチューブと連通されて反応ガスを供給するガス供給システム、アウターチューブと連通されて残留ガス及び廃ガスを排気させる排気システム、ウェーハをローディングするウェーハボートをインナーチューブにローディング及び工程終了後ウェーハボートをアンローディングさせるウェーハボートエレベーターシステム及びアウターチューブの外側に設けられて工程温度を維持する電気炉で構成される。
【０００４】
このように構成された低圧化学気相蒸着工程を遂行する垂直型設備は工程環境すなわち、蒸着時間(deposition time)、反応炉(furnace)内部における工程温度勾配(process temperature gradient)、反応ガス濃度(reaction gas density)によって反応炉内部のウェーハ載置位置が異なることにより薄膜の厚さが変わることになる。
【０００５】
このように反応炉内部で発生する工程温度勾配及びガス噴射管の位置によって発生する反応ガス濃度勾配による薄膜の蒸着厚さの不均一を防止するためにウェーハボートのあいだあいだには、蒸着厚さの不均一を補正するためにモニターリングウェーハがローディングされてモニターリングウェーハの蒸着厚さが測定され、このモニターリングウェーハは分析されて、後続工程では先行蒸着工程における厚さ偏差量を補正して追加時間が全体デポジションタイムに合算して工程が進められる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、低圧化学気相蒸着工程における薄膜の厚さは工程時間、工程温度と密接な連関を持っているにもかかわらず、単純にデポジションタイムを通して薄膜の厚さを制御するために反応炉内部の位置別ウェーハの薄膜厚さを精密に補正できなくて工程温度を作業者がモニターリングして管理するために工程準備時間の増大及び作業者の失敗による工程不良が発生する問題点がある。
【０００７】
したがって、本発明はこのような従来の問題点を勘案したもので、本発明の目的は、複数枚のモニターリングウェーハによって算出された反応炉内部の位置別代表薄膜厚さを算出して代表薄膜厚さと目標薄膜厚さとの偏差を補正するために反応炉内部位置に該当する補正温度を算出してこれをフィードバックして制御することによって反応炉内部における薄膜厚さ偏差を克服することにある。本発明の他の目的は後述する本発明の詳細説明でより明確になることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような本発明の目的を達成するための半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法は、まず、一次的にベアーモニターリングウェーハを半導体薄膜製造設備の所定領域にローディングした状態で以前工程環境と同一な条件によって所定薄膜を製造し、薄膜が製造されたモニターリングウェーハをアンローディングしてモニターリングウェーハ上の複数の位置で薄膜厚さを測定し、その結果からモニターリングウェーハの平均薄膜厚さを算出して、この平均薄膜厚さを通して、反応炉の内部に設定された複数の領域のうち、基準になる領域の平均薄膜厚さが目標薄膜厚さに近接するようにデポジションタイムを一次的に補正した後、補正アルゴリズムによって補正されたデポジションタイムによる計算によって基準領域を除いた残りの領域に補正されたデポジションタイムが及んだ薄膜厚さの補正値を２次的に算出した次に補正値に該当する工程温度を再び３次的に算出して補正されたデポジションタイム、補正された工程温度によって薄膜形成工程を進行する。
【０００９】
すなわち本発明は、薄膜形成工程が進められる反応炉の内部を複数個の領域に分割設定し、前記領域に複数枚のモニターリングウェーハをローディングした後、既存デポジションタイムと工程温度を参考にして前記モニターリングウェーハに薄膜形成工程を遂行する段階と、薄膜形成工程が終了した前記モニターリングウェーハの平均薄膜厚さを算出して第１記憶手段に記憶する段階と、前記複数個の領域のうち基準領域に位置したモニターリングウェーハの平均薄膜厚さが目標薄膜厚さに到達されるように第２記憶手段に記憶されたデポジションタイム補正演算式によってデポジションタイムを算出する段階と、前記補正されたデポジションタイムを適用した状態で前記分割された各々の領域における代表薄膜厚さを前記第２記憶手段に記憶された代表薄膜厚さ演算式によって各々算出する段階と、前記算出された代表薄膜厚さに影響を及ぼす工程温度を前記第２記憶手段に記憶された工程温度補正演算式によって算出して前記第１記憶手段に記憶する段階と、前記第１記憶手段に記憶されている補正されたデポジションタイム及び補正された工程温度によって薄膜形成工程を遂行する段階と、を含むことを特徴とする半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による半導体基板への薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法の一実施形態を説明する。
【００１１】
図１は、本発明を適用するための低圧化学気相蒸着設備を示す図面である。
【００１２】
この低圧化学気相蒸着設備１００は、全体が円筒状で一側端部が開口された石英材質のアウターチューブ１０と、アウターチューブ１０より小さい直径を有して両端が開口されておりアウターチューブ１０の内側に設けられる石英材質のインナーチューブ２０によって反応炉が構成されている。アウターチューブ１０及びインナーチューブ２０はリング状の第１フレーム３０により支持固定され、第１フレーム３０はリング状の第２フレーム４０によって支持されている。ウェーハが載置収納されたウェーハボート５０がインナーチューブ２０内に、第２フレーム４０を通りボートエレベーター６０によってローディング、アンローディングされる。
【００１３】
インナーチューブ２０の内側空間と連通された第２フレーム４０には、工程ガスが噴射されるガス噴射ノズル７０が設けられ、第１フレーム３０には、インナーチューブ２０で工程が進められた後、発生した残留ガス及び廃ガスを排気するためにインナーチューブ２０からアウターチューブ１０に越えてきた残留ガス及び廃ガスを排気する排気口８０が形成される。
【００１４】
一方、アウターチューブ１０の外周面には工程に必要な熱をインナーチューブ２０に印加する電気炉９０が設けられている。ここで重要なことは、電気炉９０はインナーチューブ２０内部の位置別反応炉内部温度を連続的に制御できるように設けられなければならない。
【００１５】
また、電気炉９０によってインナーチューブ２０内部の位置別温度を連続的に制御するためには、インナーチューブ２０内部の位置別温度分布及び温度勾配を正確に認識及び調整が可能でなければならない。
【００１６】
このためには、図２に示すようにインナーチューブ２０の内部に、ウェーハがローディングされる領域を例えば５等分して５個の仮想領域に分割する。分割された５個の領域のうち、中央に位置した領域をセンター領域(centerarea)２１０、このセンター領域２１０の上部、下部領域を各々センターアッパー領域(center Upper area)２２０、センターロー領域(center low area)２３０、そして、センターアッパー領域２２０とセンターロー領域２３０のさらに上部下部をアッパー領域(upper area)２４０、ロー領域(low area)２５０と定義することにする。このうちセンター領域２１０は基準領域(standard area)になる。
【００１７】
各々の領域（センター領域２１０、センターアッパー領域２２０、センターロー領域２３０、アッパー領域２４０、ロー領域２５０）には、領域別内部温度勾配を認識するためにサーモカップルのような工程温度測定装置３００が設けられている。工程温度測定装置３００から測定された工程温度データは設備を制御する設備サーバー４００に入力される。設備サーバー４００はホストコンピュータ５００からダウンロードした工程データと測定された工程温度データを比較して電気炉９０に印加される信号を調節して反応炉内部の温度を調節する。
【００１８】
一方、インナーチューブ２０の内側下部から供給される工程ガス量も薄膜の厚さ形成に影響を及ぼすので、垂直型低圧化学気相蒸着設備の場合、ガスを供給するガス噴射ノズル７０が反応炉下部に設けられているため、ロー領域２５０で反応ガスの濃度が最も濃く、反応炉上部、すなわちアッパー領域２４０でガス濃度が最も薄い。このようなガス濃度勾配を測定するために、センター領域２１０、ロー領域２５０、およびアッパー領域２４０には各々反応ガス濃度測定装置６００が設けられる。
【００１９】
反応ガス濃度測定装置６００で測定されたガス濃度のデータは上述した設備サーバー４００に入力された後、ホストコンピュータ５００から設備サーバー４００にダウンロードされた工程データと比較され、設備サーバー４００は比較結果によって反応ガス濃度を調節する。
【００２０】
このように工程温度と反応ガス濃度を制御して調節する役割をする設備サーバー４００は、図３のブロック図に示すように、多量の工程データを有するホストコンピュータ５００とオンライン連結するためのオンラインモジュール４１０、キーボードやキーパッドのようなデータ入力装置４２０によって作業者から直接入力された各種データ、またオンライン連結されたホスト５００からダウンロードされた工程データ、さらに上述した工程温度測定装置３００、反応ガス濃度測定装置６００から入力された測定データなどが記憶される記憶装置４３０、測定データから補正されたデポジションタイム、工程温度、及び補正された反応ガス濃度を算出するアルゴリズムによって作成された応用プログラムが入力された工程データ補正モジュール４４０、ならびにこれらを制御する制御ユニット４５０からなる。
【００２１】
ここで、記憶装置４３０としてはRAM(Random Access Memory）が用いられ、工程データ補正モジュール４４０としてはROM(Read Only Memory）が用いられる。
【００２２】
既に遂行された工程によって今後遂行される工程のデポジションタイム、反応炉位置別工程温度、反応炉位置別反応ガス濃度を補正するためには、上述したセンター領域２１０、センターアッパー領域２２０、センターロー領域２３０、アッパー領域２４０、ロー領域２５０にモニターリングウェーハを各々ローディングして測定することが望ましい。しかし、単に薄膜の厚さ測定のために多くの枚数、例えばセンター領域２１０、センターアッパー領域２２０、センターロー領域２３０、アッパー領域２４０、及びロー領域２５０にすべてモニターリングウェーハを位置させた後、薄膜厚さを測定及び制御する場合、生産効率の低下と共にコストの増加を招くので、３枚または４枚のモニターリングウェーハを上述した５個の領域のうち、一定領域にローディングして一定工程条件下で工程を遂行した後、各々のモニターリングウェーハの薄膜厚さを測定して、測定されたモニターリングウェーハによって反応炉の全領域に該当するデータとしてデポジションタイム、工程温度を換算して算出することが望ましい。
【００２３】
図４及び図５は、このように測定されたモニターリングウェーハの薄膜厚さからデポジションタイム、及び領域別工程温度を制御するためのフローチャートである。
【００２４】
本実施形態では３枚のモニターリングウェーハを用いた場合で説明する。
【００２５】
まず、図６に示すように、反応炉内のセンター領域２１０、アッパー領域２４０、及びロー領域２５０には、作業者またはウェーハローディングユニットによってモニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３が１枚ずつウェーハボート５０のスロットにローディングされる(Ｓ１０)。
【００２６】
続いて、モニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３がウェーハボート５０のスロットにすべて挿入されると、設備サーバー４００はボートエレベーター６０を駆動させてウェーハボート５０を反応炉のインナーチューブ２０にローディングさせる(Ｓ２０)。
【００２７】
引続き、ウェーハボート５０がインナーチューブ２０の内部にローディングされると、設備サーバー４００はオンラインモジュール４１０を通してホストコンピュータ５００から既に進められた工程データのうち、いずれか一つをダウンロードした後、ダウンロードされた工程データによって工程環境、すなわち、工程温度、工程ガス量などをセッティングする(Ｓ３０)。
【００２８】
このとき、ホストコンピュータ５００からダウンロードした工程データは同一設備が以前に遂行した工程環境と同一なデータでなければならない。また、ここでは、工程ガス量は領域別誤差が微少であるために工程ガス量の偏差によって発生する薄膜厚さ偏差は極めて微少であるので工程ガス量による薄膜厚さ偏差は発生しないものと仮定する。
【００２９】
以後、工程環境設定が完了されると、設備サーバー４００は低圧化学気相蒸着設備を制御して設定された工程環境によって薄膜形成工程を遂行し(Ｓ４０)、薄膜形成工程が遂行されると設備サーバー４００はモニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３が受納されたウェーハボート５０をインナーチューブ２０から徐々にアンローディングさせる(Ｓ５０)。
【００３０】
所定の薄膜が蒸着されたモニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３はウェーハボート５０から取り出され、薄膜厚さ測定設備(図示せず)へ移送されて、薄膜厚さが測定される(Ｓ６０)。
【００３１】
このとき、モニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３の薄膜厚さは、一枚のモニターリングウェーハ上においても厚さ偏差が発生するのでモニターリングウェーハ上の均一な薄膜厚さを測定するために、モニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３上の各々５ケ所のポイントをサンプリングして測定する。
【００３２】
サンプリング位置は、例えば図７に示すようにモニターリングウェーハのセンターと、センターを中心に放射状に一定間隔離隔された４ケ所から測定する。ここでは、サンプリング位置を各々Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅと定義する。
【００３３】
このように各サンプリング位置で測定されたモニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３の薄膜厚さから各々のモニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３の平均薄膜厚さを算出する(Ｓ７０)。
【００３４】
このとき、平均薄膜厚さ測定の正確度を高めるためサンプリング後、測定された測定データの中、中心値から最も遠く外れた２個の測定値は捨てて、下記（１）式のように、残り測定値を取ってすべて合算した後、測定データの個数で割って算術平均された平均薄膜厚さを算出する。
【００３５】
ＴＨMW＝（X１＋X２＋X３）／データ個数    …（１）
式中、ＴＨMWは１枚のモニターリングウェーハにおける平均薄膜厚さであり、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３は各サンプル位置の薄膜厚さ測定データである。これらＸ１、Ｘ２、Ｘ３は５ケ所の薄膜厚さ測定値Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ５のうち、中間値(median value)を基準にして最も大きい値と最も小さい値を除いた測定値、ここではＸ４、Ｘ５の２個を除いた測定値である。したがって分母の「データ個数」は３になる。
【００３６】
本実施形態における具体的な値を表１に示す。なお、ここで、目標薄膜厚さ(target film thickness）は１６０Åである。
【００３７】
【表１】
0003898857.tif 000002
【００３８】
表中、ＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３はウェーハボート５０に挿入された３枚のモニターリングウェーハであり、Ａ〜ＥはモニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３の５ケ所における測定した薄膜厚さを示す。また、「平均１」項目はモニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３中Ａ〜Ｅの部分の測定値を平均したものであり、「平均２」項目は前記（１）式を用いてモニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３の算術平均値を示している。
【００３９】
前記（１）式は設備サーバー４００の工程データ補正モジュール４４０に記憶されており、測定装置によって測定された表１のモニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３のＡ〜Ｅに該当する薄膜厚さ測定データは設備サーバー４００の記憶装置４３０に記憶される。
【００４０】
以後、記憶されたＡ〜Ｅに該当する薄膜厚さ測定データは工程データ補正モジュール４４０によって演算が遂行されて表１に示した「平均２」項目が算出され、「平均２」項目は再び記憶装置４３０に記憶される。
【００４１】
表１の「平均２」項目で示すようにモニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３の平均薄膜厚さは目標薄膜厚さに対して偏差が発生しておいる。この偏差は図８のグラフに示すように、モニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ３で最も大きく、センター領域２１０に置かれたモニターリングウェーハＭＷ２で最も小さい傾向を示している。
【００４２】
すなわち、低圧化学気相蒸着設備１００によって工程が進められる時、反応炉の中間部分、ＭＷ２が属するセンター領域２１０で薄膜厚さが目標薄膜厚さ(２６０Å)に最も近くなることが分かる。
【００４３】
平均薄膜厚さが目標薄膜厚さに最も近接したセンター領域２１０を基準領域(standard area)と定義する。
【００４４】
このように基準領域が定義され、各々のモニターリングウェーハＭＷ１、ＭＷ２、ＭＷ３の平均薄膜厚さの結果が（１）式によって算出されると、優先的に基準領域に属しているＭＷ２の平均薄膜厚さが目標薄膜厚さになるように下記（２）式によって補正されたデポジションタイム(deposition time)に該当する補正値を算出する(Ｓ８０)。これは、基準領域はデポジションタイムによって薄膜厚さを補正し、基準領域を除いた残り領域は工程温度によって薄膜厚さを補正するためである。
【００４５】
そうするとまず基準領域の薄膜厚さが目標薄膜厚さになるようにデポジションタイム補正値を（２）式によって算出する。
【００４６】
Depotime（ｎ＋１）＝Depotime（ｎ）
＋（ＴＨtarget−ＴＨMW2）／GainDepo（ｎ）  …（２）（２）式は基準領域であるセンター領域２１０に含まれたモニターリングウェーハＭＷ２の５ケ所を測定することによって、前記（１）式により算出された平均薄膜厚さＴＨMW2と、目標薄膜厚さＴＨtarget及び時間利得率GainDepo（ｎ）、以前のデポジションタイムDepotime（ｎ）から次に進められる薄膜形成工程のデポジションタイムDepotime（ｎ＋１）を補正できることを示している。ここで、時間利得率GainDepo（ｎ）は単位時間当りＭＷ２にデポジションされる薄膜の厚さ、すなわち、デポジション厚さ(Å)／単位時間（ｓｅｃ）を意味する。この時間利得率は実際工程を何度も進行した後得られた実験値である。
【００４７】
目標薄膜厚さＴＨtargetから基準領域に位置したモニターリングウェーハＭＷ２の平均薄膜厚さＴＨMW2を引いた値は目標薄膜厚さからどれだけの薄膜偏差が発生したかを示すもので、この薄膜偏差を時間利得率GainDepo（ｎ）で割れば不足した薄膜厚さを補正するためのデポジション時間が算出され、追加されたデポジション時間と以前のデポジションタイムDepotime（ｎ）とを合算すると補正された新しいデポジションタイムが算出される。
【００４８】
例えば、以前のデポジションタイムが１８３０ｓｅｃ、目標薄膜厚さが１６０Å、ＭＷ２の平均薄膜厚さが表１＞及び（１）式で算出されたように１５８．６Å、時間利得率を１．８(Å／ｓｅｃ、１秒当たり１．８Åがモニターリングウェーハ上にデポジションされることを意味する）とすると、補正されたデポジションタイム＝１８３０＋（１６０−１５８．６）／１．８＝１８３０．７８が算出される。すなわち、補正されたデポジションタイムは以前のデポジションタイムに比べて約０．７８ｓｅｃ程度増加れることになり、補正前の薄膜厚さが１５８．６Åであった基準領域において、補正後は平均薄膜厚さが目標薄膜厚さである１６０Åにより近接するようになる。
【００４９】
このようにデポジションタイムが増加される場合、平均薄膜厚さに急激な変化が生じる場合があるので補正されたデポジションタイムに所定比率、例えば補正されたデポジションタイムの７０％に該当する時間と補正される以前のデポジションタイムの３０％に該当する時間を合算することで、デポジションタイムを変えることによる平均薄膜厚さの急激な変動を防止する。
【００５０】
このようにデポジションタイムを調整する場合、基準領域であるセンター領域２１０に含まれたモニターリングウェーハＭＷ２は目標薄膜厚さに到達するようになるが、それ以外の領域であるアッパー領域２４０、ロー領域２５０におけるデポジションタイムの増加による影響は不明である。表１の結果を参照すると、ロー領域２５０の場合むしろ偏差がさらに大きくなる場合もある。すなわち、これは補正されたデポジションタイムで新しい工程を進行する場合、他の領域はデポジションタイムだけでは基準領域程には目標薄膜厚さに到達しないこと意味する。
【００５１】
しかし、全領域で平均薄膜厚さ、目標薄膜厚さに到達するべきである。このために基準領域を除いた残りの領域はデポジションタイムではなく、工程温度によって薄膜厚さを制御するようにする。
【００５２】
そこで、まず、反応炉内部のモニターリングウェーハが置かれたアッパー領域２４０と、ロー領域２５０における工程温度を補正してアッパー領域２４０とロー領域２５０の補正工程温度が算出する。続いてアッパー領域２４０とセンター領域２１０の間に位置したセンターアッパー領域２２０と、センター領域２１０とロー領域２５０の間に存在するセンターロー領域２３０の補正工程温度を算出する。
【００５３】
これには、表１を利用して領域を代表する代表薄膜厚さを算出する(Ｓ９０)。まず、アッパー領域２４０、ロー領域２５０における代表薄膜厚さを算出することにする。
【００５４】
センター領域２１０の代表薄膜厚さをＴＨC、アッパー領域２４０の代表薄膜厚さをＴＨU、ロー領域２５０の代表薄膜厚さをＴＨLと定義することにし、ＴＨUからＴＨC及びＴＨLに至るまで反応炉内部のウェーハ薄膜厚さは不連続的に変わらなく一定傾向によってリニア(linear)に変更される。
【００５５】
表１の「平均２」項目から分かるようにセンター領域２１０に位置したＭＷ２の平均薄膜厚さ１５８．６Åと目標薄膜厚さ１６０Åは約１．４Å程度の薄膜偏差があって、この１．４Åの薄膜偏差は新しいデポジションタイムを約０．７８ｓｅｃ程度増やすことによって克服されることは上述したとおりである。
【００５６】
このようにセンター領域２１０に含まれたモニターリングウェーハＭＷ２のデポジションタイムを増やすことによって、ＭＷ２の平均薄膜厚さは当然に１．４Å増えるが、デポジションタイム増加による影響はＭＷ２のみならずアッパー領域２４０に属するモニターリングウェーハＭＷ１とロー領域２５０に属するモニターリングウェーハＭＷ３の平均薄膜厚さにも同一な影響を及ぼすようになるのでＭＷ１、ＭＷ２の平均薄膜厚さもデポジションタイム補正によって同一に各々１．４Å程増えることは明らかである。
【００５７】
これを勘案してアッパー領域２４０とロー領域２５０における代表薄膜厚さを算出する。
【００５８】
まず、モニターリングウェーハＭＷ１が含まれたアッパー領域２４０における代表薄膜厚さはＭＷ１の平均薄膜厚さにデポジションタイム増加の影響によって付加的に得られた１．４Åの薄膜厚さを合算して算出する。（３）式を参照する。
【００５９】
ＴＨU＝ＴＨMW1＋（ＴＨtarget−ＴＨMW2）    …（３）
式中、ＴＨUはアッパー領域２４０における代表薄膜厚さ、ＴＨMW1は基準領域における平均薄膜厚さ、ＴＨtargetは目標薄膜厚さ、ＴＨMW2はアッパー領域２４０における平均薄膜厚さである。例えば、表１のデータを参照すると、ＴＨU＝１５８．４Å＋（１６０Å−１５８．６Å）＝１５９．８Åになる。
【００６０】
ＴＨL＝ＴＨMW3＋(ＴＨtarget−ＴＨMW2)   …（４）
（４）式に示すように、ロー領域２５０における代表薄膜厚さＴＨLはロー領域２５０に含まれたモニターリングウェーハＭＷ３の平均薄膜厚さに、上述したようにモニターリングウェーハＭＷ２におけるデポジションタイム補正によって追加される薄膜の厚さ程を合算すると簡単に求められる。例えば、表１のデータを参照すると、ＴＨL＝１６２．６Å＋（１６０Å−１５８．６Å）＝１６４Åになる。
【００６１】
このようにアッパー領域２４０、ロー領域２５０における代表薄膜厚さがすべて求められると、上述したようにセンターアッパー領域２２０とセンターロー領域２３０における代表薄膜厚さが算出可能である。下記（５）式はセンターアッパー領域２２０における代表薄膜厚さＴＨCUの算出式である。
【００６２】
ＴＨCU＝（ＴＨMW1＋ＴＨMW2）／２＋（ＴＨtarget−ＴＨMW2）    …（５）センターアッパー領域２２０にはモニターリングウェーハが存在しないために直接的にセンターアッパー領域２２０における代表薄膜厚さを算出できないが、センターアッパー領域２２０はセンター領域２１０とアッパー領域２４０の中間に位置し、薄膜厚さもセンター領域２１０からアッパー領域２４０に行きながら一定な傾向を持って連続的に変化するため、間接的にセンターアッパー領域２２０の代表薄膜厚さ算出が可能である。
【００６３】
センターアッパー領域２２０における代表薄膜厚さはアッパー領域２４０におけるモニターリングウェーハＭＷ１と、センター領域２１０におけるモニターリングウェーハＭＷ２の平均薄膜厚さを利用して算出し、算出されたセンターアッパー領域２２０の代表薄膜厚さにデポジションタイム補正によって追加される薄膜厚さを合算することによって、センターアッパー領域２２０における代表薄膜厚さＴＨCUが算出される。例えば、ＴＨCU＝｛（１５８．４Å＋１５８．６Å）÷２｝＋（１６０Å−１５８．６Å）＝１５９．９Åになる。
【００６４】
次に、センターロー領域２３０の代表薄膜厚さの算出式を（６）式に示す。
【００６５】
ＴＨCL＝（ＴＨMW2＋ＴＨMW3）／２＋（ＴＨtarget−ＴＨMW2）    …（６）センターロー領域２３０にもモニターリングウェーハがないために直接的には代表薄膜厚さを測定できない。しかし、センター領域２１０とロー領域２５０は上述したように不連続でなくて連続的に変化する代表薄膜厚さを有するため、センターロー領域２３０における代表薄膜厚さは（６）式によって可能であり、ここにセンター領域２１０を基準にして補正されたデポジションタイムによって別途に追加される薄膜厚さを合算することによってセンターロー領域２３０における代表薄膜厚さＴＨCLの算出が可能である。例えば、ＴＨCL＝（１５８．６Å＋１６２．６Å）／２＋（１６０Å−１５８．６Å）＝１６２Åとなる。
【００６６】
なお、前記に詳述した（３）〜（６）式は設備サーバー４００の工程データ補正モジュール４４０に記憶され、工程データ補正モジュール４４０によって算出された各領域における代表薄膜厚さデータは記憶装置４３０に記憶される。
【００６７】
図９には、上述のようにして算出された各領域における代表薄膜厚さを示すグラフである。
【００６８】
図９のグラフを通して各領域における代表薄膜厚さを調べると、センター領域２１０における代表薄膜厚さはデポジションタイム補正によって既に目標薄膜厚さに近接することが分かるが、その他の領域であるセンターロー領域２３０、センターアッパー領域２２０、ロー領域２４０、アッパー領域２５０における代表薄膜厚さはむしろデポジションタイム補正を遂行する以前より大きい誤差範囲を有しながら目標薄膜厚さから外れることになる。この際、上述したように基準領域を除いた残り領域で目標薄膜厚さから外れた薄膜偏差は各領域別工程温度補正によって補正される。
このように基準領域であるセンター領域２１０を除いた残り領域における薄膜厚さを補正するために、上述した（３）〜（６）式によって各領域における代表薄膜厚さが算出されると、続いて、各領域における補正すべき工程温度を算出する(Ｓ１００)。
【００６９】
補正すべき工程温度の算出は、上述したように各領域の代表薄膜厚さと目標薄膜厚さの偏差を求めた次に偏差を温度当たり利得率gaintempで割れば簡単に算出できる。
【００７０】
【表２】
0003898857.tif 000003
【００７１】
表２は領域での既存工程温度を示しており、この既存工程温度は設備サーバー４００の記憶装置４３０に記憶される。
【００７２】
表２を参照すると、ロー領域２５０における工程温度が最も低く、センター領域２１０をすぎてアッパー領域２５０に到達するまでだんだん工程温度が増える傾向を示している。
【００７３】
ここで、センター領域２１０の工程温度は補正せず、既存の工程温度を維持する。これはセンター領域２１０における代表薄膜厚さは工程温度と関係なく、前述した通り、既にデポジションタイム補正によって補正したためである。
【００７４】
したがって、代表薄膜厚さが算出されたセンターロー領域２３０とセンターアッパー領域２２０における工程温度を補正する。
【００７５】
このとき、センターロー領域２３０とセンターアッパー領域２２０の工程温度をアッパー領域２４０、ロー領域２５０より先に補正する。この理由としてはセンターロー領域２３０及びセンターアッパー領域２２０の工程温度変化がロー領域２５０及びアッパー領域２４０に多くの影響を及ぼすためである。
【００７６】
こういうわけでまず、センターロー領域２３０とセンターアッパー領域２２０の工程温度を補正した後、センターアッパー領域２２０とセンターロー領域２３０によって影響受けたアッパー領域２４０及びロー領域２５０の工程温度を補正する順序を踏むようにすることが望ましい。
【００７７】
ＴＥＭＰCU（ｎ＋１）＝ＴＥＭＰCU（ｎ）
＋（ＴＨtarget−ＴＨCU）／gaintemp    …（７）
（７）式は、センターアッパー領域２２０における補正すべき工程温度ＴＥＭＰCU（ｎ＋１）の算出式である。
【００７８】
この式は表２に示された既存工程を遂行する時のセンターアッパー領域２２０における工程温度ＴＥＭＰＣU（ｎ）に補正温度を追加して算出するものである。補正温度は目標薄膜厚さＴＨtargetから先に算出したセンターアッパー領域２２０の代表薄膜厚さを差し引きして算出される薄膜厚さ偏差を温度当たり利得率gaintempで割って算出する。
【００７９】
温度当たり利得率gaintempは工程温度の変化による薄膜厚さの変化量を意味する。すなわち、工程温度が１℃変わる場合薄膜の厚さが１．８Å増加したならば温度当たり利得率は１．８（Å／℃）になる。
【００８０】
例えば、温度当たり利得率が１．８（Å／℃）のとき、工程温度を１０℃程増加させると、これにより代表薄膜厚さは１８Å程度増加する。
【００８１】
表２を使って（７）式により具体的に算出すると、ＴＥＭＰCU（ｎ＋１）＝８９９℃＋｛（１６０Å−１５９．９Å）÷１．８（Å／℃）｝＝８９９．０５５℃になる。
【００８２】
すなわち、センターアッパー領域２２０における薄膜厚さが目標薄膜厚さである１６０Åに０．１Å未達であるからセンターアッパー領域２２０で以後遂行される工程温度は８９９℃より０．５５℃高い８９９．０５５のとき、センターアッパー領域２２０の代表薄膜厚さは１５９．９Åから１６０Åになることが分かる。
【００８３】
ＴＥＭＰCL（ｎ＋１）＝ＴＥＭＰCL（ｎ）
＋（ＴＨtarget−ＴＨCL）／gaintemp    …（８）
（８）式も（７）式と同様な意味である。例えばＴＥＭＰCL（ｎ＋１）＝８９５℃＋（１６０Å−１６２Å）÷１．８（Å／℃）は８９５℃＋（−２／１．８℃）になり８９３．８８℃となる。すなわち、センターロー領域２３０における代表薄膜厚さは目標薄膜厚さよりおおよそ２Å程度が厚いために後続工程で目標薄膜厚さに近接した薄膜厚さを得るためには工程温度を８９５℃から８９３．８８℃に落とさなければならないことがすぐ分かる。
【００８４】
結果的に、（７）式と（８）式を見てもセンターアッパー領域２２０における補正すべき工程温度算出値ＴＥＭＰCU（ｎ＋１）は約０．０５５℃程度の温度が以前工程温度より高まって、センターロー領域２３０における補正すべき工程温度算出値ＴＥＭＰCL（ｎ＋１）は以前工程温度より１．１２℃程度工程温度が低くなることが分かる。
【００８５】
すなわち、平均薄膜厚さが目標薄膜厚さより薄い領域では工程温度を算出された工程温度程高く設定し、平均薄膜厚さが目標薄膜厚さより厚い領域では工程温度を算出された温度程低く設定することによって平均薄膜厚さが目標薄膜厚さにだんだん近接されるようにする。
【００８６】
センターアッパー領域２２０、センターロー領域２３０で補正された工程温度値がすべて算出されると残りロー領域２５０、アッパー領域２４０の工程温度補正値を算出する。上述したようにセンター領域２１０では工程温度変更が発生しなかったためにセンターアッパー領域２２０、センターロー領域２３０にはセンター領域２１０による影響が発生しない。
【００８７】
しかし、ロー領域２５０及びアッパー領域２４０とセンターアッパー領域２２０及びセンターロー領域２３０は物理的に区分された領域でないため、センターアッパー領域２２０及びセンターロー領域２３０における工程温度変更はすぐロー領域２５０、アッパー領域２４０における代表薄膜厚さに影響を及ぼすので、ロー領域２５０と、アッパー領域２４０の代表薄膜厚さはセンターアッパー領域２２０、センターロー領域２３０によって影響を受けた薄膜厚さを算出した後、これを利用して補正工程温度を算出して薄膜厚さ算出誤差を最小化できる。
【００８８】
ＴＨU'＝ＴＨU＋ＣU×（ＴＨtarget−ＴＨCU）    …（９）
（９）式はセンターアッパー領域２２０で変更された工程温度がアッパー領域２４０に及んだ影響によって変更されたアッパー領域２４０における代表薄膜厚さ補正値を求める数学式である。ここで、ＣUは実験によって得られた無次元補正係数である。
【００８９】
例えば、補正係数はセンターアッパー領域２２０の工程温度が１℃変更された際代表薄膜厚さが一実施例で１０Å増加し、アッパー領域２４０の代表薄膜厚さは５Å増加したならば、割合で見た時センターアッパー領域２２０の工程温度１℃変更によってアッパー領域２４０では５／１０になるので無次元補正係数ＣUは０．５となる。
【００９０】
無次元補正係数ＣUに該当する０．５は一定温度変化が発生したセンターアッパー領域２２０の代表薄膜厚さ変化量の１／２に該当する薄膜厚さがアッパー領域２４０に影響を及ぼすことを意味する。
【００９１】
（９）式に戻って、アッパー領域２４０における補正された代表薄膜厚さＴＨU'の数値を既に算出されたアッパー領域２４０における代表薄膜厚さＴＨUに加えればよい。補正値はセンターアッパー領域２２０における目標薄膜厚さとセンターアッパー領域２２０における代表薄膜厚さＴＨCUの偏差量に補正係数を掛けた値である。
【００９２】
例を挙げて説明すると、ＴＨU'＝１５９．８Å＋０．５×（１６０Å−１５９．９Å）＝１５９．８５Åになる。すなわち、アッパー領域２４０における代表薄膜厚さはセンターアッパー領域２２０の工程温度変化によって約０．０５Åの影響を受けたことが分かる。
【００９３】
このように他の領域における温度影響によって薄膜厚さがＴＨUからＴＨU'に補正されると、（１０）式によって実際アッパー領域２４０における補正すべき工程温度の算出が可能になる。
【００９４】
ＴＥＭＰU（ｎ＋１）＝ＴＥＭＰU（ｎ）
＋（ＴＨtarget−ＴＨU'）／gaintemp  …（１０）
（１０）式によって、センターアッパー領域２２０の工程温度によって影響を受けたアッパー領域２４０の代表薄膜厚さと目標薄膜厚さとの薄膜厚さ偏差を算出した後に、偏差を温度当たり利得率gaintempで割って補正すべき工程温度が算出された後、算出された補正温度を以前工程温度に合算して補正されたアッパー領域２４０の工程温度が算出される。
【００９５】
例えば、ＴＥＭＰU（ｎ＋１）＝９００℃＋（１６０Å−１５９．８５Å）÷１．８＝９００．０８３℃になってアッパー領域２４０における代表薄膜厚さは以前工程温度９００℃より約０．０８３℃程度をもっと上げた９００．０８３℃になるべきことが分かる。
【００９６】
ＴＨL'＝ＴＨL＋ＣL×（ＴＨtarget−ＴＨCL）    …（１１）
（１１）式は（９）式と対等な概念であり、例を挙げて説明するとＴＨL（ｎ'）＝１６４Å＋０．５×（１６０Å−１６４Å）＝１６３Åになって、後述される（１２）式によってロー領域２５０における補正温度が算出される。
【００９７】
ＴＥＭＰL（ｎ＋１）＝ＴＥＭＰL（ｎ）
＋（ＴＨtarget−ＴＨL'）／gaintemp    …（１２）
（１２）式は（１０）式と同一な概念であり例を挙げて説明すると、ＴＥＭＰＬ（ｎ＋１）＝８９３℃＋（１６０Å−１６３Å）÷１．８＝８９１．３３℃が算出される。
【００９８】
（７）〜（１２）式はいずれも工程データ補正モジュール４４０に記憶されており、制御ユニット４５０が工程データ補正モジュール４４０に記憶された数学式を用いて、記憶装置４３０に記憶された既存工程温度、各領域別代表薄膜厚さ、目標薄膜厚さデータを参照し補正温度データを算出する。算出された補正工程温度データは再び記憶装置４３０に記憶される（Ｓ１１０）。
【００９９】
図１０は、領域別工程温度補正を示したグラフである。グラフＡは既存領域別工程温度であり、グラフＢは補正された領域別工程温度でグラフＡとグラフＢはセンター領域２１０を基準にしてセンターアッパー領域２２０、アッパー領域２４０及びセンターロー領域２３０、ロー領域２５０の工程温度が補正されることを示している。
【０１００】
以上のように、記憶装置４３０に記憶された補正工程温度データは再び設備サーバー４００の制御ユニット４５０によって処理された後、制御ユニット４５０は補正された工程温度データに対応する制御信号を各領域別に電気炉９０に印加して、各領域における薄膜厚さが目標薄膜厚さに近接するように制御し、半導体薄膜形成工程を遂行するＳ１２０)。その後、このような薄膜形成工程は繰り返すほど補正も繰り返して遂行されることになり、薄膜厚さは工程が進行されるほど均一になる。
【０１０１】
【発明の効果】
以上、詳しく説明したように、本発明によれば、複数枚のモニターリングウェーハ上に形成された薄膜の厚さを測定し、この測定結果に基づいてデポジションタイム、及び工程温度を補正することにしたので、反応炉内部のウェーハ載置位置に関係なく薄膜の厚さを均一化する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体薄膜形成工程を進行する低圧化学気相蒸着設備の一実施例を概念的に示した概念図である。
【図２】本発明による仮想分割された反応炉と温度測定装置及び反応ガス測定装置を示した概念図である。
【図３】本発明による設備サーバーを示したブロック図である。
【図４】本発明による半導体薄膜形成工程における薄膜厚さ制御方法を説明するためのフローチャートである。
【図５】図４に続くフローチャートである。
【図６】本発明による一実施例を示した説明図である。
【図７】本発明によってウェーハで薄膜厚さ測定位置を示した平面図である。
【図８】本発明によってウェーハから測定された平均薄膜厚さを示したグラフである。
【図９】本発明によって反応炉の各領域における代表薄膜厚さを示したグラフである。
【図１０】本発明によって補正された工程温度分布を示したグラフである。
【符号の説明】
４１０  オンラインモジュール
４２０  入力装置
４３０  記憶装置
４４０  工程データ補正モジュール
４５０  制御ユニット
【図１】
0003898857.tif 000004
【図２】
0003898857.tif 000005
【図３】
0003898857.tif 000006
【図４】
0003898857.tif 000007
【図５】
0003898857.tif 000008
【図６】
0003898857.tif 000009
【図７】
0003898857.tif 000010
【図８】
0003898857.tif 000011
【図９】
0003898857.tif 000012
【図１０】
0003898857.tif 000013