(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面電極と反対側に形成された電極であって、金を含む薄膜と、上記薄膜上に形成された金を含むメッキとを有する電極から電流を注入して動作させる半導体装置において、
上記薄膜の端部および上記メッキの端部は上記半導体装置の一端部と同じ位置に設けられ、
上記メッキの厚みが１５０ｎｍより薄く形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
裏面電極と反対側に形成された電極であって、金を含む薄膜と、上記薄膜上に形成された金を含むメッキとを有する電極から電流を注入して動作させる半導体装置において、
上記薄膜の端部および上記メッキの端部は上記半導体装置の一端部と同じ位置に設けられ、
上記メッキの厚みが位置的分布を持ち、上記半導体装置の一端部における上記メッキの厚みが他の領域と比べて相対的に薄く形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
上記半導体装置の一端部における上記メッキの厚みが１５０ｎｍより薄く形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
裏面電極と反対側に形成された電極であって、金を含む薄膜と、上記薄膜上に形成された金を含むメッキとを有する電極から電流を注入して動作させる半導体装置において、
上記メッキは、厚みが１５０ｎｍより薄い第１のメッキと、上記第１のメッキの上に部分的に形成された第２のメッキとを有し、
上記半導体装置の一端部における上記薄膜の端部および上記第１のメッキの端部が、上記半導体装置の一端部と同じ位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
少なくとも上記半導体装置の一端部においては上記第１のメッキ上に上記第２のメッキが形成されていないことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
裏面電極と反対側に形成された電極であって、金を含む薄膜と、上記薄膜上に形成された金を含むメッキとを有する電極から電流を注入して動作させる半導体装置において、
上記薄膜の端部は、上記半導体装置の一端部と同じ位置に設けられ、
上記メッキの端部は、上記半導体装置の一端部から上記半導体装置の内側に向かって後退した位置に設けられ、
上記メッキの端部と上記半導体装置の一端部との間で、上記薄膜上に導電性材料が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
少なくとも上記半導体装置の一端部における上記導電性材料の厚みが、上記メッキの厚みと比べて薄く形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記半導体装置はリッジ導波路型半導体レーザであることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
電極から電流を注入して動作させる半導体装置の上記電極を製造する方法であって、
半導体基板の上で、金を含む薄膜を成膜した後、上記薄膜上に金を含むメッキを施し、上記薄膜と上記メッキの端部が上記半導体装置の一端部と同じ位置となるように上記半導体基板を劈開することによって上記電極を形成するようにし、
上記メッキの厚みを１５０ｎｍより薄く形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
電極から電流を注入して動作させる半導体装置の上記電極を製造する方法であって、
半導体基板の上で、金を含む薄膜を成膜した後、上記薄膜上に金を含むメッキを施し、上記薄膜と上記メッキの端部が上記半導体装置の一端部と同じ位置となるように上記半導体基板を劈開することによって上記電極を形成するようにし、
上記半導体装置の一端部の近傍において、上記メッキの厚みを上記半導体装置の一端部に向かって薄くし、少なくとも上記半導体装置の一端部における上記メッキの厚みを１５０ｎｍより薄く形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
電極から電流を注入して動作させる半導体装置の上記電極を製造する方法であって、
半導体基板の上で、金を含む薄膜を成膜した後、上記薄膜上に厚みが１５０ｎｍより薄く金を含む第１のメッキを施し、次いで上記第１のメッキの上で、上記半導体装置の一端部の近傍以外の部分に第２のメッキを部分的に施し、上記薄膜と上記第１のメッキの端部が上記半導体装置の一端部と同じ位置となるように上記半導体基板を劈開することによって上記電極を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
電極から電流を注入して動作させる半導体装置の上記電極を製造する方法であって、
半導体基板の上で、金を含む薄膜を形成する工程と、  
上記半導体装置の一端部近傍に上記薄膜の表面が露出するように、上記半導体装置の一端部近傍以外の部分の上記薄膜の上に金を含むメッキを形成する工程と、
上記薄膜の端部が上記半導体装置の一端部と同じ位置となるように上記半導体基板を劈開することによって上記電極を形成する工程と、
上記半導体装置の一端部近傍の上記薄膜の露出した部分を覆うように導電性材料を付加する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に、光デバイスあるいは電子デバイスに必須となる電極の構造、より具体的には、特に小さな面積を有する電極に電流を注入する場合に有効となる電極構造およびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、光デバイスや電子デバイスでは、デバイス外部よりデバイスに電力を供給する場合、電力供給用の電極が必要となる。例えば光デバイスの場合、この電極は、ｎ型またはｐ型の不純物濃度が１×１０19／ｃｍ3以上ドーピングされた半導体の上に、ｎ型電極であるならば例えばＡｕＧｅＮｉ，ＴｉＡｕ，ＣｒＡｕなどの金薄膜、ｐ型電極であるならば例えばＡｕＺｎなどの金薄膜を真空蒸着し、更にこの金薄膜上に金メッキを施した構造となっている。このように積層構造を取らなければならないのは、電極と半導体とでオーミックコンタクトを取る必要があるためと、電極構造自体の強度を上げるためである。
【０００３】
図５に従来の光デバイスにおける電極構造の模式図を示す。
光デバイスに電流を注入するための電極構造として、金薄膜１３（膜厚４０〜３００ｎｍ）および金メッキ１１４（膜厚２０００〜３０００ｎｍ）が備えられている。
【０００４】
金薄膜１３は、金薄膜１３が接する半導体の伝導型によって異なる材料が用いられる。ｐ型半導体ならば例えばＡｕＺｎ（膜厚４０〜３００ｎｍ）、ｎ型半導体ならば例えばＡｕＧｅＮｉ，ＴｉＡｕ，ＣｒＡｕ（膜厚５０〜２００ｎｍ）などが用いられる。
【０００５】
図５に示すように、金メッキ１１４は、金薄膜１３の上にデバイス端部を除いて施される。金メッキ１１４がデバイス端部まで施されていないのは、厚い金メッキ１１４がデバイス端部まであると、劈開してデバイスを分離するのが困難になってしまうためである。この場合、金薄膜１３の面積が金メッキ１１４のそれよりも大きいので、金薄膜１３と金メッキ１１４との間には界面が生じる。
【０００６】
電流が半導体のいわゆるコンタクト層１１（膜厚６００ｎｍ）の領域だけに流れ込むように、絶縁膜１２（膜厚２００ｎｍ程度）が電極材料の下に形成されている。この絶縁膜１２は高い抵抗率を有する材料であればどんなものでもよく、一般的にはＳｉＯ2やＳｉＮ、場合によっては高抵抗化した半導体材料が用いられる。コンタクト層１１より注入された電流は、活性層４を流れ、半導体と反対の伝導性を有する基板を通り、最後に裏面電極１（膜厚〜１０００ｎｍ）に至る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
半導体デバイスにおいては電極が重要である。しかしながら、その電極を通じてデバイスに電流を注入する際、金薄膜１３と金メッキ１１４との比抵抗が異なるために、金薄膜１３と金メッキ１１４との界面に電流が集中してしまう。これは、金薄膜１３と金メッキ１１４の電導率が異なる結果、界面に過度に電流が集中する領域ができるために生じる。そのため、図６に示すように、半導体（コンタクト層１１）上の界面に当たる部分の金薄膜１００がそのジュール熱で溶解してしまうという不具合が生じることがあった。
【０００８】
今、光デバイスを例に挙げて従来技術とその課題を述べたが、金薄膜の上に金メッキを有する電極構造をもつ電子デバイスで、金薄膜の面積が金メッキの面積よりも大きいすべての電子デバイスにおいても上述の不具合が生じることが予想される。
【０００９】
本発明は、このような問題を解決するために成されたものであり、過度に集中する電流によって電極が溶解してしまう不具合をなくすことができるようにすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項１に係る半導体装置は、裏面電極と反対側に形成された電極であって、金を含む薄膜と、上記薄膜上に形成された金を含むメッキとを有する電極から電流を注入して動作させる半導体装置において、上記薄膜の端部および上記メッキの端部は上記半導体装置の一端部と同じ位置に設けられ、上記メッキの厚みが１５０ｎｍより薄く形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
この発明の請求項２に係る半導体装置は、裏面電極と反対側に形成された電極であって、金を含む薄膜と、上記薄膜上に形成された金を含むメッキとを有する電極から電流を注入して動作させる半導体装置において、上記薄膜の端部および上記メッキの端部は上記半導体装置の一端部と同じ位置に設けられ、上記メッキの厚みが位置的分布を持ち、上記半導体装置の一端部における上記メッキの厚みが他の領域と比べて相対的に薄く形成されていることを特徴とするものである。
この発明の請求項３に係る半導体装置は、請求項２に係る半導体装置において、上記半導体装置の一端部における上記メッキの厚みが１５０ｎｍより薄く形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
この発明の請求項４に係る半導体装置は、裏面電極と反対側に形成された電極であって、金を含む薄膜と、上記薄膜上に形成された金を含むメッキとを有する電極から電流を注入して動作させる半導体装置において、上記メッキは、厚みが１５０ｎｍより薄い第１のメッキと、上記第１のメッキの上に部分的に形成された第２のメッキとを有し、上記半導体装置の一端部における上記薄膜の端部および上記第１のメッキの端部が、上記半導体装置の一端部と同じ位置に設けられていることを特徴とするものである。
この発明の請求項５に係る半導体装置は、請求項４に係る半導体装置において、少なくとも上記半導体装置の一端部においては上記第１のメッキ上に上記第２のメッキが形成されていないことを特徴とするものである。
【００１３】
この発明の請求項６に係る半導体装置は、裏面電極と反対側に形成された電極であって、金を含む薄膜と、上記薄膜上に形成された金を含むメッキとを有する電極から電流を注入して動作させる半導体装置において、上記薄膜の端部は、上記半導体装置の一端部と同じ位置に設けられ、上記メッキの端部は、上記半導体装置の一端部から上記半導体装置の内側に向かって後退した位置に設けられ、上記メッキの端部と上記半導体装置の一端部との間で、上記薄膜上に導電性材料が形成されていることを特徴とするものである。
この発明の請求項７に係る半導体装置は、請求項６に係る半導体装置において、少なくとも上記半導体装置の一端部における上記導電性材料の厚みが、上記メッキの厚みと比べて薄く形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】
この発明の請求項８に係る半導体装置は、請求項１〜７のいずれかの半導体装置において、上記半導体装置はリッジ導波路型半導体レーザであることを特徴とするものである。
【００１５】
この発明の請求項９に係る半導体装置の製造方法は、電極から電流を注入して動作させる半導体装置の上記電極を製造する方法であって、半導体基板の上で、金を含む薄膜を成膜した後、上記薄膜上に金を含むメッキを施し、上記薄膜と上記メッキの端部が上記半導体装置の一端部と同じ位置となるように上記半導体基板を劈開することによって上記電極を形成するようにし、上記メッキの厚みを１５０ｎｍより薄く形成するようにしたことを特徴とするものである。
【００１６】
この発明の請求項１０に係る半導体装置の製造方法は、電極から電流を注入して動作させる半導体装置の上記電極を製造する方法であって、
半導体基板の上で、金を含む薄膜を成膜した後、上記薄膜上に金を含むメッキを施し、上記薄膜と上記メッキの端部が上記半導体装置の一端部と同じ位置となるように上記半導体基板を劈開することによって上記電極を形成するようにし、上記半導体装置の一端部の近傍において、上記メッキの厚みを上記半導体装置の一端部に向かって薄くし、少なくとも上記半導体装置の一端部における上記メッキの厚みを１５０ｎｍより薄く形成するようにしたことを特徴とするものである。
【００１７】
この発明の請求項１１に係る半導体装置の製造方法は、電極から電流を注入して動作させる半導体装置の上記電極を製造する方法であって、半導体基板の上で、金を含む薄膜を成膜した後、上記薄膜上に厚みが１５０ｎｍより薄く金を含む第１のメッキを施し、次いで上記第１のメッキの上で、上記半導体装置の一端部の近傍以外の部分に第２のメッキを部分的に施し、上記薄膜と上記第１のメッキの端部が上記半導体装置の一端部と同じ位置となるように上記半導体基板を劈開することによって上記電極を形成するようにしたことを特徴とするものである。
【００１８】
この発明の請求項１２に係る半導体装置の製造方法は、電極から電流を注入して動作させる半導体装置の上記電極を製造する方法であって、  電極から電流を注入して動作させる半導体装置の上記電極を製造する方法であって、
半導体基板の上で、金を含む薄膜を形成する工程と、  
上記半導体装置の一端部近傍に上記薄膜の表面が露出するように、上記半導体装置の一端部近傍以外の部分の上記薄膜の上に金を含むメッキを形成する工程と、
上記薄膜の端部が上記半導体装置の一端部と同じ位置となるように上記半導体基板を劈開することによって上記電極を形成する工程と、
上記半導体装置の一端部近傍の上記薄膜の露出した部分を覆うように導電性材料を付加する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、以下では光デバイスを例に挙げて説明するが、金薄膜の上に金メッキを有する電極構造をもつ電子デバイスで、金薄膜の面積が金メッキの面積よりも大きいすべての電子デバイスにおいても上述の不具合が生じることが予想される。したがって、以下の実施の形態で提案する電極構造は、金薄膜上に金メッキを有する電極構造を持つすべての光デバイスおよび電子デバイスに適用することが可能である。
【００２０】
すなわち、本発明は、特に小さな面積を有する電極構造に電流を注入する場合に適用して有効なものとなる。以下に述べる各実施の形態では、電極面積が一般に小さくなり、注入電流値が大きい半導体光デバイスの場合を例にとって説明するが、例えばＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＣＰＵなどの一般の電子デハイスまで拡張を行っても電極の果たす役割は同じであるため、本発明の適用範囲は一般の電子デバイスまで及ぶ。
【００２１】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体光デバイスの構造を示す図である。図１に示す半導体光デバイスは、公知の技術を用いて作製したリッジ導波路型半導体レーザである。なお、レーザ構造をエピタキシャル成長する半導体基板の伝導型は問わない。また、どんな種類の半導体材料（ＩｎＰ，ＧａＡｓ，Ｓｉ等）を基板またはレーザ構造に用いたとしても、本発明の一般性は失わない。
【００２２】
ここでは便宜上、ｎ−ＩｎＰ基板上に作製したＡｌＧａＩｎＡｓリッジレーザを例にとってその製造プロセスを説明することとする。はじめに、裏面電極１の上に形成したｎ−ＩｎＰ単結晶基板２上に、ｎ−ＩｎＰバッファー層３（膜厚０．３〜１．０μｍ）とｎ−ＡｌＧａＩｎＡｓＢＤＲ層４（膜厚０．０５〜０．１ｍｍ）をエピタキシャル成長する。
【００２３】
さらにその上に、ｎ−ＡｌＩｎＡｓ光閉じ込め層５（膜厚０．０５〜０．１μｍ）、ｎ−ＡｌＧａＩｎＡｓＧＲＩＮ層６（膜厚０．７５〜１．２５μｍ）、ＡｌＧａＩｎＡｓＭＱＷ構造７、ＡｌＧａＩｎＡｓＧＲＩＮ層８（膜厚０．７５〜１．２５μｍ）をエピタキシャル成長する。この後、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層９、ｐ−ＩｎＰ層１０（１〜２μｍ）、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１（０．５〜１．０μｍ）をエピタキシャル成長し、エピウエハの作製を終了する。
【００２４】
その後、公知のリッジレーザのウエハプロセスを行う。すなわち、まずコンタクト層１１だけに電流を流入するようにするために、例えばＳｉＯ2などの絶縁膜１２（膜厚５０〜２００ｎｍ）を成膜する。そして、その絶縁膜１２の上に金薄膜１３（膜厚２００〜３００ｎｍ）を堆積し、更にその上に金メッキ１４を堆積する。
【００２５】
従来のリッジレーザのウエハプロセスでは、図５に示したように、金薄膜１３の上に膜厚２０００〜３０００ｎｍの金メッキ１１４を部分的（デバイス端部を除く領域）に堆積していた。これに対して、本実施の形態１では、従来よりも薄い（例えば膜厚１５０ｎｍ程度の）金メッキ１４を金薄膜１３上にすべて堆積する。このようにすることで、金薄膜１３と金メッキ１４との界面がなくなるので、過度の電流集中を回避することができ、電極の溶断をなくすことができる。
【００２６】
すなわち、上記のように構成した半導体デバイス（図１ではレーザダイオード）では、通常の半導体光デバイスのように、上部および下部の電極１，１４から注入された電子と正孔が、量子井戸７で再結合してレーザ発振に至る。このとき、金薄膜１３と金メッキ１４との間には界面がないため、過度の電流が集中する部位がなくなり、図６で示したリッジ構造上の電極溶解をなくすことができる。
【００２７】
また、本実施の形態１では、金メッキ１４の膜厚（１５０ｎｍ程度）を従来の金メッキ１１４の膜厚（２０００〜３０００ｎｍ）と比べて薄く形成しているので、金メッキ１４をデバイス端部（劈開部）まで堆積しても、デバイス端部での劈開を容易に行うことができる。
【００２８】
なお、今の例では、金メッキ１４の膜厚を従来の金メッキ１１４の膜厚よりも薄くする例について説明したが、金メッキ１４の膜幅を従来よりも狭くするようにしても良い。この場合も、金メッキ１４をデバイス端部まで堆積しても、デバイス端部での劈開を容易に行うことができる。もちろん、金メッキ１４の膜厚と膜幅の両方を小さくするようにしても良い。
【００２９】
実施の形態２．
図２は、実施の形態２に係る半導体光デバイスの構造を示す図である。図２に示す半導体光デバイスも、公知の技術を用いて作製したリッジ導波路型半導体レーザである。なお、リッジレーザのエピウエハを作製するまでの手順および金薄膜１３を作製するまでの手順は、実施の形態１の場合と同様であり、ここでは重複する説明を省略する。また、デバイスの構造については、実施の形態１と同じ部分に同じ符号を付すとともに図示を簡略化し、金メッキ周辺の構造のみを詳細に示している。
【００３０】
本実施の形態２においても、金メッキ２４を金薄膜１３上にすべて堆積する。ただし、金薄膜１３上に金メッキ２４を堆積する際に、リッジ上部からデバイス端部に至る金メッキ部２４の厚みに傾斜をかけ、デバイス端部での厚みを例えば１５０ｎｍ以下にして作製する。
【００３１】
このようにすることにより、金薄膜１３と金メッキ２４との界面がなくなるので、金薄膜１３から過度の電流が集中する部位を取り除くことができ、金薄膜１３が溶解する故障を防ぐことが可能となる。
【００３２】
また、少なくともデバイス端部における金メッキ２４の膜厚が従来と比べて薄いので、金メッキ２４をデバイス端部まで堆積しても、デバイス端部での劈開を容易に行うことができる。なお、金メッキ２４の膜幅あるいは膜厚と膜幅の両方を従来より小さくするようにしても良い。
【００３３】
さらに、本実施の形態２では、金薄膜１３上の全ての領域で金メッキ２４の膜厚を薄くするのではなく、デバイス端部における膜厚と比べて相対的に厚い部分も有することにより、電極と半導体とのオーミックコンタクトおよび電極構造の強度を十分に得ることができるというメリットも有する。
【００３４】
実施の形態３．
図３は、実施の形態３に係る半導体光デバイスの構造を示す図である。図３に示す半導体光デバイスも、公知の技術を用いて作製したリッジ導波路型半導体レーザである。なお、リッジレーザのエピウエハを作製するまでの手順および金薄膜１３を作製するまでの手順は、実施の形態１，２の場合と同様であり、ここでは重複する説明を省略する。また、デバイスの構造については、実施の形態１，２と同じ部分に同じ符号を付すとともに図示を簡略化し、金メッキ周辺の構造のみを詳細に示している。
【００３５】
本実施の形態３においては、従来よりも薄い膜厚（例えば１５０ｎｍ程度）の第１の金メッキ１４を金薄膜１３上にすべて堆積し、さらにその上に、従来の金メッキ１１４と同じ構造にて同じ膜厚（２０００〜３０００ｎｍ）の第２の金メッキ３４を部分的（デバイス端部を除く領域）に堆積する。
【００３６】
このようにすることにより、金薄膜１３と金メッキ１４との界面がなくなるので、金薄膜１３に過度の電流が流れるパスをなくすことができ、金薄膜１３が溶解する故障を防ぐことが可能となる。
【００３７】
また、少なくともデバイス端部においては、従来と比べて膜厚が薄い第１の金メッキ１４が堆積されているので、第１の金メッキ１４をデバイス端部まで堆積しても、デバイス端部での劈開を容易に行うことができる。なお、第１の金メッキ１４の膜幅あるいは膜厚と膜幅の両方を従来より小さくするようにしても良い。
【００３８】
さらに、本実施の形態３では、金薄膜１３上の全ての領域で金メッキの膜厚を薄くするのではなく、第１の金メッキ１４に加えて第２の金メッキ３４も堆積された膜厚の厚い部分も有することにより、電極と半導体とのオーミックコンタクトおよび電極構造の強度を十分に得ることができるというメリットも有する。
【００３９】
実施の形態４．
図４は、実施の形態４に係る半導体光デバイスの構造を示す図である。図４に示す半導体光デバイスも、公知の技術を用いて作製したリッジ導波路型半導体レーザである。なお、リッジレーザのエピウエハを作製するまでの手順と金メッキ１１４を作製するまでの手順およびそのデバイスの構造は従来の場合と同様である。
【００４０】
本実施の形態４においては、金薄膜１３と金メッキ１１４との界面で生じる過度の電流が流れるパスを生じさせないために、金薄膜１３と金メッキ１１４との界面に導電性材料４１を形成する。例えば、金を主として含む材料を蒸着する。この例では、金薄膜１３上に導電性材料４１を作製する場合、リッジ上部からデバイス端部に至る導電性材料４１の厚みに傾斜をかけ、デバイス端部での厚みが例えば１５０ｎｍ以下になるようにする。
【００４１】
このようにすることにより、金薄膜１３と金メッキ１１４との界面がなくなるので、金薄膜１３が溶解する故障を防ぐことができる。また、少なくともデバイス端部における導電性材料４１の厚は十分に薄くなっているので、導電性材料４１をデバイス端部まで堆積しても、デバイス端部での劈開を容易に行うことが可能である。
【００４２】
さらに、本実施の形態４では、金薄膜１３上のデバイス端部以外の領域に、従来と同じ膜厚を有する金メッキ１１４を堆積しているので、電極と半導体とのオーミックコンタクトおよび電極構造の強度を十分に得ることができるというメリットも有する。
【００４３】
なお、以上に説明した各実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその精神、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【００４４】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したような電極の構造を用いているので、薄膜に過度の電流が集中する部位を取り除くことができ、電極が溶解する不具合を防ぐことができる。
【００４５】
この発明の他の態様では、少なくともデバイス端部におけるメッキの厚みを従来と比べて薄く形成しているので、メッキをデバイス端部まで堆積しても、デバイス端部での劈開を容易に行うことができる。
【００４６】
この発明による電極構造は、光デバイスや電子デバイス一般に適用できるが、特に注入電流値が大きい光デバイスの電極に適用した場合に顕著な効果が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施の形態１に係る半導体光デバイスの構造を示す図である。
【図２】  実施の形態２に係る半導体光デバイスの構造を示す図である。
【図３】  実施の形態３に係る半導体光デバイスの構造を示す図である。
【図４】  実施の形態４に係る半導体光デバイスの構造を示す図である。
【図５】  従来の半導体光デバイスの構造を示す図である。
【図６】  従来の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
１１  コンタクト層、  １２  絶縁膜、  １３  金薄膜、  １４，２４，３４，１１４  金メッキ、  ４１  導電性材料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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