(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液中に基板を浸漬し、当該処理液から前記基板を離脱させることによって所定の処理を行う基板処理装置であって、
(a) 前記処理液を貯留する処理槽と、
(b) 前記処理槽内に設けられ、前記処理槽に前記処理液を供給する液供給手段と、
(c) 前記基板を保持する保持手段と、
(d) 前記処理槽を上昇させて前記保持手段に保持された基板を前記処理液中に浸漬させることと、前記液供給手段からの処理液供給によって前記処理槽から前記処理液をオーバーフローさせつつ前記処理槽を下降させて前記保持手段に保持された基板を前記処理液から離脱させることとができる処理槽昇降手段と、
(e) 前記処理槽の上方に設けられた開閉自在な開閉部と、前記処理槽と前記開閉部との間の空間部分を囲んで遮蔽する遮蔽面とを有し、前記開閉部を閉じているときに、前記処理槽の昇降状態に応じて体積が変化する閉空間を前記処理槽の上方に規定する閉空間規定手段と、
(f) 前記閉空間を減圧する減圧手段と、
(g) 前記処理槽が上昇しているときに前記閉空間に所定のガスを供給するガス供給手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置において、
前記保持手段を昇降させる保持手段昇降手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、処理液中に半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を浸漬し、当該処理液からその基板を離脱させることによって所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、上記基板の製造工程においては、フッ酸等の薬液による処理および純水による洗浄処理を順次行った後、純水から基板を引き出しつつイソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と称する）等の有機溶剤の蒸気を基板の周辺に供給して乾燥処理を行う基板処理装置が用いられている。
【０００３】
純水から基板を引き出しつつ乾燥処理を行う手法としては、一般に、引き上げ乾燥および引き下げ乾燥の２つが知られている。
【０００４】
引き上げ乾燥とは、リフタ等に載せられた基板を処理液から引き上げつつ乾燥処理を行う手法である。すなわち、基板はリフタに載置され、そのリフタによって処理槽中の処理液に降下・浸漬される。そして、浸漬処理（通常は、純水による洗浄処理）が終了後、リフタによって基板を処理槽から引き上げつつ、基板の周辺にＩＰＡを供給し、さらにその後減圧雰囲気とすることによって基板の乾燥処理を行っている。
【０００５】
一方、引き下げ乾燥とは、処理槽中の処理液を排液することによって基板の乾燥処理を行う手法である。すなわち、基板は処理槽中の定位置に不動に保持されており、その処理槽に処理液が満たされることによって浸漬処理が進行する。浸漬処理が終了すると、基板は定位置に保持されたまま、処理槽中の処理液が排液され、液面が低下することによって基板が気中に露出される。そして、基板の周辺にＩＰＡが供給され、さらにその後減圧雰囲気とすることによって基板の乾燥処理を行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、引き上げ乾燥を行う場合は、リフタによって基板を昇降移動させるため、移動時におけるリフタの駆動部の振動によって基板とリフタとの間で微量の摩擦が生じ、その摩擦に伴うパーティクル等の汚染物質が発生して基板に付着することがある。このようなリフタ駆動部の振動によって発生するパーティクルは微量ではあるものの、技術の進展によって乾燥処理時のパーティクル量が低下し、より一層の高い清浄度が要求されている近年の状況下においては、そのような微量のパーティクル発生であっても問題となる。
【０００７】
一方、引き下げ乾燥を行う場合は、基板が移動されることはないためリフタの駆動部の振動に起因するパーティクルは発生しないものの、処理槽中の液面の低下にともなってその液面に漂うパーティクルが基板に付着するという問題が発生する。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理液から基板を離脱させるときに基板へのパーティクル付着を低減することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、処理液中に基板を浸漬し、当該処理液から前記基板を離脱させることによって所定の処理を行う基板処理装置であって、(a) 前記処理液を貯留する処理槽と、(b) 前記処理槽内に設けられ、前記処理槽に前記処理液を供給する液供給手段と、(c) 前記基板を保持する保持手段と、(d) 前記処理槽を上昇させて前記保持手段に保持された基板を前記処理液中に浸漬させることと、前記液供給手段からの処理液供給によって前記処理槽から前記処理液をオーバーフローさせつつ前記処理槽を下降させて前記保持手段に保持された基板を前記処理液から離脱させることとができる処理槽昇降手段と、(e) 前記処理槽の上方に設けられた開閉自在な開閉部と、前記処理槽と前記開閉部との間の空間部分を囲んで遮蔽する遮蔽面とを有し、前記開閉部を閉じているときに、前記処理槽の昇降状態に応じて体積が変化する閉空間を前記処理槽の上方に規定する閉空間規定手段と、(f) 前記閉空間を減圧する減圧手段と、(g) 前記処理槽が上昇しているときに前記閉空間に所定のガスを供給するガス供給手段と、を備えている。
【００１２】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明にかかる基板処理装置において、前記保持手段を昇降させる保持手段昇降手段をさらに備えている。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１４】
＜１．基板処理装置の構成＞
まず、本発明にかかる基板処理装置の構成について説明する。図１は、基板処理装置の正面図である。また、図２は、基板処理装置の側面図である。
【００１５】
この基板処理装置は、純水中に基板を浸漬して洗浄を行った後、純水から基板を離脱させて乾燥処理を行う装置である。基板処理装置は、外槽１０と、処理槽２０と、リフターアーム３０と、槽昇降機構４０とを備えている。
【００１６】
処理槽２０は、フッ酸等の薬液または純水（以下、これらを総称して「処理液」とする）を貯留して基板に表面処理を行うことが可能な槽であり、外槽１０の内部に収容されている。処理槽２０の内部には、処理槽２０に処理液を供給するための液供給ノズル２５を設けている。液供給ノズル２５は、ベローズ２６を介して外槽１０の処理液供給口に接続されている（図２参照）。さらに、当該処理液供給口は、図外の処理液供給源に接続されている。従って、処理液供給源から供給された処理液はベローズ２６を介して液供給ノズル２５に導かれ、処理槽２０内部に吐出される。
【００１７】
また、処理槽２０には、その下部に急速排液バルブ２７が設けられている。急速排液バルブ２７は、大口径のバルブであり、開放状態においては処理槽２０に貯留されている処理液を急速に排液することができる。急速排液バルブ２７は、ベローズ２８を介して外槽１０の排液口に接続されている。急速排液バルブ２７から排液された処理液は、ベローズ２８内を流れて外槽１０の外部に排出される。
【００１８】
リフターアーム３０は、外槽１０内において複数の基板Ｗを載置することが可能に設けられている。リフターアーム３０には、３本の保持部３１、３２、３３が固設されている。３本の保持部３１、３２、３３のそれぞれには基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定間隔にて配列して設けられている。
【００１９】
リフターアーム３０は、リフタ３５によって鉛直方向に昇降可能とされている。リフタ３５は、モータ３６とボールネジ３７とで構成されている。ボールネジ３７には、リフターアーム３０が螺合されるとともに、そのボールネジ３７はモータ３６によって回転自在とされている。モータ３６がボールネジ３７を正または逆方向に回転させると、それに螺合されているリフターアーム３０が昇降する。
【００２０】
リフターアーム３０が処理位置（図１中の実線にて示す位置）まで降下された状態においては、外槽１０の上部が蓋１５によって閉鎖されている。蓋１５が閉鎖されているときには、蓋１５と外槽１０との隙間はオーリング１２によってシールされている。一方、リフターアーム３０が基板受渡位置（図１中の２点鎖線にて示す位置）まで上昇しているときは、蓋１５が図示を省略する蓋開閉機構によって開けられ、外槽１０の上部が開放されている。
【００２１】
本発明にかかる基板処理装置においては、外槽１０内に処理槽２０を昇降させる槽昇降機構４０を設けている。槽昇降機構４０は、モータ４１、プーリ４２、ベルト４３、従動プーリ４４およびボールネジ４５を備えている。モータ４１に接続されたプーリ４２と、ボールネジ４５に接続された従動プーリ４４とにはベルト４３が掛けられている。モータ４１が正または逆方向に回転動作を行うと、それに伴ってプーリ４２が回転し、ベルト４３が回走する。そして、ベルト４３が従動プーリ４４およびボールネジ４５を回転させる。ボールネジ４５には、処理槽２０の槽壁外側に固設されたバスホルダ２１が螺合されている。よって、モータ４１の回転によってボールネジ４５が回転すると、処理槽２０が昇降することとなるのである。
【００２２】
基板Ｗを載置したリフターアーム３０が下降している状態において、処理液を貯留した処理槽２０が処理位置（図１中の２点鎖線位置）まで上昇すると、該処理液中に基板Ｗを浸漬させることができる。そして、リフターアーム３０を停止させたまま、処理槽２０が待機位置（図１中の実線位置）まで下降すると、リフターアーム３０に保持された基板Ｗが処理液から離脱されるのである。
【００２３】
また、処理槽２０のバスホルダ２１の上側には上部ジャバラ１８が設けられている。さらに、バスホルダ２１の下側には下部ジャバラ１９が設けられている。上部ジャバラ１８は、バスホルダ２１の上端と外槽１０の上壁との間に伸縮自在に設けられたシール部材である。蓋１５（開閉部）が閉鎖されている状態においては、蓋１５、オーリング１２、上部ジャバラ１８（遮蔽面）、バスホルダ２１によって処理槽２０の上方に閉空間が形成されている。ここで、上部ジャバラ１８は伸縮自在であるため、処理槽２０が昇降しても、その動作に追随して上部ジャバラ１８が伸縮し、当該閉空間の気密性が維持されるとともに、該閉空間のサイズ（体積）が増減する。なお、下部ジャバラ１９は、槽昇降機構４０を処理液の雰囲気から遮断するために設けられた伸縮自在のシール部材である。
【００２４】
バスホルダ２１の一部には排液ベローズ２２が接続されている。排液ベローズ２２は、処理槽２０からバスホルダ２１に溢れ出た処理液を装置外部に排出するための部材である。排液ベローズ２２は、伸縮自在であるため、処理槽２０が昇降してもその排液機能を喪失することはない。なお、処理液供給のためのベローズ２６および急速排液のためのベローズ２８も、処理槽２０が昇降に追随して自在に伸縮することが可能である。
【００２５】
外槽１０の内部であって、上部ジャバラ１８によって形成される閉空間の内側には、ＩＰＡ・Ｎ2供給ノズル５０が配置されている。ＩＰＡ・Ｎ2供給ノズル５０は、装置外部のガス供給源から導かれたＩＰＡ、窒素またはそれらの混合ガスを該閉空間に供給するガス供給手段である。
【００２６】
また、基板処理装置は減圧部６０を備えている。減圧部６０は、吸引ポンプおよびそれに付随するバルブ等によって構成されており、上部ジャバラ１８によって形成される閉空間内を減圧することができる。
【００２７】
＜２．基板処理装置の動作＞
次に、上記の構成を有する基板処理装置の動作について図３から図９を参照しつつ説明する。図３から図９は、基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【００２８】
まず、図外の基板搬送ロボットからリフターアーム３０に複数の未処理基板Ｗが渡される（図３）。このときには、蓋１５が開けられて、外槽１０の上部が開放されており、その開放部分を通過してリフターアーム３０が基板受渡位置まで上昇している。また、処理槽２０は槽昇降機構４０によって下降されている。なお、本実施形態においては、液供給ノズル２５から純水が供給され処理槽２０内部には純水が貯留されているものとする。そして、処理槽２０から溢れ出た純水はバスホルダ２１によって回収され、排液ベローズ２２から外槽１０の外部に排出されている。
【００２９】
次に、図４の矢印Ａ１にて示すように、リフタ３５がリフターアーム３０を鉛直方向下向きに降下させる。リフターアーム３０の降下に伴って、それに載置された基板Ｗも当然に降下する。このときには、処理槽２０は下方に待機したまま移動しない。なお、処理槽２０内においては液供給ノズル２５からの純水供給が継続されており、処理槽２０からは純水が溢れ出し続けている。
【００３０】
リフターアーム３０が外槽１０内の所定の処理位置まで降下すると、蓋１５が閉じられる。蓋１５が閉じられた時点にて、蓋１５、オーリング１２、上部ジャバラ１８、バスホルダ２１によって処理槽２０の上方に閉空間が形成されることとなる。
【００３１】
次に、図５の矢印Ａ２にて示すように、槽昇降機構４０が処理槽２０を鉛直方向上向きに上昇させる。このときには、リフターアーム３０が所定の処理位置にて待機している。また、上述のように、排液ベローズ２２、ベローズ２６およびベローズ２８は、処理槽２０の上昇に連動して伸縮する。
【００３２】
処理槽２０が上昇するのに伴って、リフターアーム３０に保持された基板Ｗが徐々に処理槽２０中の純水に浸かる。やがて、処理槽２０が処理位置まで上昇すると、図５に示すように、基板Ｗの全体が処理槽２０中の純水に浸漬されることとなる。
【００３３】
図５に示すような状態にて液供給ノズル２５から純水を供給し続けることにより、基板Ｗの水洗処理が進行する。なお、洗浄処理に供された水は、処理槽２０から溢れ出た後バスホルダ２１によって回収され、伸張した排液ベローズ２２から外槽１０の外部に排出される。
【００３４】
基板Ｗの水洗処理が所定時間行われた後、ＩＰＡのプレパージが行われる（図６）。ＩＰＡのプレパージは、ＩＰＡ・Ｎ2供給ノズル５０から上方に向けてＩＰＡを噴出し、上部ジャバラ１８によって形成される閉空間ＳＰ内をＩＰＡ雰囲気とする処理である。
【００３５】
このときに、処理槽２０が上昇しているため、閉空間ＳＰの容量は小さなものとなる。従って、プレパージにおけるＩＰＡ・Ｎ2供給ノズル５０からのＩＰＡ供給量を少なくすることができるとともに、供給時間を短縮することもできるのである。なお、ＩＰＡのプレパージが行われているときも液供給ノズル２５からの純水供給は続けられ、処理槽２０からは純水が溢れ出している。
【００３６】
閉空間ＳＰがＩＰＡ雰囲気にて満たされると、図７の矢印Ａ３にて示すように、槽昇降機構４０が処理槽２０を鉛直方向下向きに下降させる。処理槽２０が下降するのにしたがって、基板Ｗが徐々に処理槽２０中の純水から離脱され、処理槽２０が元の待機位置まで下降すると、図７に示すように、基板Ｗの全体が純水から離脱される。処理槽２０の下降段階においては、常に液供給ノズル２５からの純水供給は続けられ、処理槽２０からは純水が溢れ出している。
【００３７】
また、この段階では、ＩＰＡ・Ｎ2供給ノズル５０からのＩＰＡ噴出が続行されており、閉空間ＳＰ内へのＩＰＡパージが行われている。ＩＰＡ雰囲気中に露出された基板Ｗの表面にはＩＰＡ蒸気が凝縮し、基板Ｗに付着した水滴がＩＰＡに置換される。
【００３８】
処理槽２０の下降段階においては、リフターアーム３０は処理位置に待機したまま移動しない。従って、リフターアーム３０の昇降に伴う振動が基板Ｗに伝わることはなく、リフタ３５の振動に起因した基板Ｗとリフターアーム３０の保持部３１、３２、３３との摩擦が生じることもない。よって、摩擦によるパーティクル発生は防止され、基板Ｗへのパーティクル付着を低減することができる。
【００３９】
また、処理槽２０の下降段階においては、常に液供給ノズル２５からの純水供給は続けられ、処理槽２０の上部からは純水が溢れ出しているため、液面に漂うパーティクルは処理槽２０から溢れ出す純水とともに槽外に排出されることとなる。従って、そのような液面に漂うパーティクルが基板Ｗに付着するのを防止することができる。
【００４０】
このように、本発明にかかる基板処理装置は、槽昇降機構４０によって処理槽２０自体を昇降させることができるため、基板Ｗを保持するリフターアーム３０を停止させたまま、純水を処理槽２０からオーバーフローさせつつ処理槽２０（すなわち、液面）を下降させることができ、その結果、基板Ｗへのパーティクル付着を低減することができるのである。換言すれば、本発明にかかる基板処理装置は処理槽２０を昇降させることによって、従来の引き上げ乾燥の利点（処理槽から純水をオーバーフローさせつつ基板を引き上げられる）と引き下げ乾燥の利点（基板に振動を与えない）とを巧みに兼ね備えているのである。
【００４１】
処理槽２０が待機位置まで下降し、基板Ｗの表面に付着した水滴がＩＰＡに置換されると、液供給ノズル２５からの純水供給が停止されるとともに急速排液バルブ２７が開放され、処理槽２０内の純水が急速排液バルブ２７およびベローズ２８を介して急速排水される。また、それと同時に、ＩＰＡ・Ｎ2供給ノズル５０からは窒素ガスが噴出され（Ｎ2パージ）、閉空間ＳＰ内のＩＰＡ雰囲気が窒素雰囲気に置換される。
【００４２】
その後、図８の矢印Ａ４にて示すように、槽昇降機構４０が処理槽２０を鉛直方向上向きに再び上昇させる。なお、この段階においては、処理槽２０の内部は排水されて空であり、また、ＩＰＡ・Ｎ2供給ノズル５０からの窒素ガス噴出は停止されている。
【００４３】
処理槽２０が処理位置まで上昇した後、減圧部６０（図１参照）が吸引を開始し、閉空間ＳＰ内を減圧雰囲気とする。リフターアーム３０に保持された基板Ｗの周辺が減圧雰囲気となることにより、基板Ｗに付着していたＩＰＡが蒸発し、基板Ｗの乾燥が促進される。
【００４４】
このときに、処理槽２０が上昇しているため、閉空間ＳＰの容量は小さなものとなる。従って、減圧段階における減圧部６０の負担を軽減することができるとともに、減圧時間を短縮することもできるのである。このことは、既述したＩＰＡ供給時間の短縮と相俟って、基板処理時間全体の短縮に繋がる。
【００４５】
基板Ｗの乾燥が完了すると、再びＩＰＡ・Ｎ2供給ノズル５０から窒素ガスが噴出されてＮ2パージが行われる。そして、閉空間ＳＰ内の気圧が大気圧にまで戻ると、蓋１５が開けられる（図９）。その後、リフタ３５がリフターアーム３０を鉛直方向上向きに上昇させ、リフターアーム３０から基板搬送ロボットに基板Ｗが渡されて一連の基板処理が終了する。
【００４６】
＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、処理槽２０の上方に閉空間を形成するために、伸縮自在のシール部材たる上部ジャバラ１８を使用していたが、これに限定されず、図１０のようにしても良い。図１０は、本発明にかかる基板処理装置の他の例の正面図である。
【００４７】
図１０の基板処理装置が、図１に示した基板処理装置と異なる点は、伸縮自在のシール部材たる上部ジャバラ１８に代えて、オーリング１６とシール壁１７を用いている点である。オーリング１６は、バスホルダ２１の端部に設けられている。オーリング１６はバスホルダ２１とシール壁１７との隙間をシールする（いわゆるオーリングシール）ことができ、シール壁１７に対して摺動自在とされている。従って、上記実施形態と同様に、蓋１５が閉鎖されていると、蓋（開閉部）１５、オーリング１２、オーリング１６、シール壁（遮蔽面）１７、バスホルダ２１によって処理槽２０の上方に閉空間が形成される。そして、オーリング１６がシール壁１７に対して摺動自在となるようにされているため、処理槽２０の昇降が可能であり、その昇降によっても当該閉空間の気密性が維持されるとともに、該閉空間のサイズ（体積）が増減する。なお、残余の点については上記実施形態の基板処理装置と同じである。
【００４８】
よって、図１０の基板処理装置においても、槽昇降機構４０によって処理槽２０自体を昇降させることができるため、基板Ｗを保持するリフターアーム３０を停止させたまま、純水をオーバーフローさせつつ処理槽２０を下降させることができ、基板Ｗへのパーティクル付着を低減することができる。また、ＩＰＡ供給段階や減圧段階において、処理槽２０の上方に形成された閉空間の容量を小さなものとすることができるため、ＩＰＡ供給時間や減圧時間を短縮することができる。
【００４９】
また、上記実施形態においては、基板Ｗを保持するリフターアーム３０を停止させたまま、処理槽２０を昇降させて乾燥処理を行っていたが、リフターアーム３０と処理槽２０とを同時に昇降させて乾燥処理を行うようにしても良い。すなわち、純水による洗浄処理の終了後、リフターアーム３０を上昇させつつ処理槽２０を下降させ、基板Ｗを処理槽２０中の純水から離脱させるのである。
【００５０】
このようにすると、リフターアーム３０の昇降に伴う振動が基板Ｗに伝わることは避けられないものの、リフターアーム３０と処理槽２０とを同時に昇降させているため、迅速に基板Ｗを純水から離脱させることができる。従って、基板Ｗの清浄度よりも乾燥処理時間の短縮が要求されているような状況下においては、最適な態様となる。
【００５１】
また、上記実施形態においては、リフタ３５および槽昇降機構４０をモータとボールネジとを用いて構成していたが、これに限定されるものではなく、例えば、プーリとベルトを用いた機構としても良く、リフタ３５および槽昇降機構４０の高さ位置と昇降速度を制御可能な機構であればかまわない。
【００５２】
さらに、本発明にかかる技術は、１つの処理槽内にて薬液処理と水洗処理とを行ういわゆるワンバスタイプの処理装置にも適用可能であるし、薬液処理および水洗処理を異なる処理槽で行ういわゆる多槽式の処理装置であっても適用可能である。多槽式の処理装置に適用する場合は、通常、最終の仕上水洗槽に適用するのが効果的であるが、他の水洗槽や薬液槽に適用しても良い。
【００５３】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項１の発明によれば、処理槽を上昇させて保持手段に保持された基板を処理液中に浸漬させることと、液供給手段からの処理液供給によって処理槽から処理液をオーバーフローさせつつ処理槽を下降させて保持手段に保持された基板を処理液から離脱させることとができるため、基板を保持する保持手段を停止させたまま、液面に漂うパーティクルを処理液とともに処理槽からオーバーフローさせつつその処理槽を下降させることができ、処理液から基板を離脱させるときに基板へのパーティクル付着を低減することができる。また、処理槽昇降手段が処理槽を昇降させることによって、その体積が変化する閉空間を処理槽の上方に規定する閉空間規定手段と、閉空間を減圧する減圧手段と、を備えているため、減圧手段が閉空間を減圧するときに、その体積を減少させることができ、減圧手段の負担を軽減するとともに、減圧時間を短縮することができる。さらに、処理槽が上昇しているときに閉空間に所定のガスを供給するガス供給手段を備えており、ガス供給量を少なくすることができるとともに、供給時間を短縮することができる。
【００５６】
また、請求項２の発明によれば、保持手段を昇降させる保持手段昇降手段を備えているため、保持手段と処理槽とを同時に昇降させることができ、処理に要する時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる基板処理装置の正面図である。
【図２】図１の基板処理装置の側面図である。
【図３】図１の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図４】図１の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図５】図１の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図６】図１の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図７】図１の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図８】図１の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図９】図１の基板処理装置における処理の様子を説明する図である。
【図１０】本発明にかかる基板処理装置の他の例の正面図である。
【符号の説明】
１０  外槽
１５  蓋
１６  オーリング
１７  シール壁
１８  上部ジャバラ
２０  処理槽
２５  液供給ノズル
３０  リフターアーム
３５  リフタ
４０  槽昇降機構
５０  ＩＰＡ・Ｎ2供給ノズル
６０  減圧部
ＳＰ  閉空間
Ｗ  基板
【図１】
0003865969.tif 000002
【図２】
0003865969.tif 000003
【図３】
0003865969.tif 000004
【図４】
0003865969.tif 000005
【図５】
0003865969.tif 000006
【図６】
0003865969.tif 000007
【図７】
0003865969.tif 000008
【図８】
0003865969.tif 000009
【図９】
0003865969.tif 000010
【図１０】
0003865969.tif 000011