(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＹＬＦレーザ光源と、
このＹＬＦレーザ光源から放出される光の２倍波により励起されるチタンサファイアレーザ光源と、
ＹＬＦレーザ光源から放出される光を２倍波に波長変換する非線形光学結晶と、
チタンサファイアレーザ光源から放出される光を３倍波に波長変換する非線形光学結晶と、
上記ＹＬＦ光源から放出される光と上記非線形光学結晶から放出される光とが入射し、両者の和周波を放出する和周波結晶と、
和周波結晶から放出された光が入射し、この入射した光を誘導ラマン効果によって波長が略１５７ｎｍとなるように波長変換する、水素が封入されたセルとから構成され、
波長が略１５７ｎｍの光を放出するコヒーレント光源。
【請求項２】
ＹＡＧレーザ光源と、
このＹＡＧレーザ光源から放出された光が入射し、この入射した光を５倍波に波長変換する非線形光学結晶と、
この非線形光学結晶から放出された光が入射し、この入射した光を誘導ラマン効果によって波長が略１５７ｎｍとなるように波長変換する、水素が封入されたセルとから構成され、
波長が略１５７ｎｍの光を放出するコヒーレント光源。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載のコヒーレント光源と、
上記コヒーレント光源から放出される光をシード光として注入同期されて動作し、波長が１９０ｎｍ以下の光を放出するガスレーザ光源とから構成される
ことを特徴とする露光用レーザ装置。
【請求項４】
上記ガスレーザ光源がＦ2 レーザであることを特徴とする請求項３に記載の露光用レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
近年半導体装置の集積度はますます上がり、要求される線幅は狭くなるとともに、露光に必要とされる波長は短くなっている。
本発明は上記した線幅の狭い半導体装置等の製造に使用される露光用レーザ装置に関し、特に本発明は発振波長が狭帯域であるインジェクション・シーディングを用いた露光用レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体の製造に用いられるステッパーには、現在、ＫｒＦレーザが光源として使われている。これは、現在２５６ＭＢのＤＲＡＭの製造がメインであり、その線幅は０．２５ミクロンのためである。
今後、１ＧＢのＤＲＡＭの製造には、０．１８ミクロンの線幅が必要となり、これにはＡｒＦエキシマレーザが使用される。半導体の歴史から見て、集積度はますます上がり、４ＧＢの時代には０．１３ミクロンが要求され、このとき必要な波長は１５０ｎｍ程度と見込まれ、この光源としては、Ｆ2 レーザが有望であるといわれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、現状ではＦ2 レーザは発振するものの、その線幅の制御、波長の安定化にはまだ見通しが立っていない。特に、Ｆ2 レーザは自然光増幅（ＡＳＥ，Amplified Spontenious Emission) が強く、線幅を狭くする適当な手段がない。
Ｆ2 レーザを露光に適用するには狭帯域化が必要となるが、Ｆ2 レーザにおいては、共振器内を一回程度しか光が往復しないため、従来のエキシマレーザで行われていたようにエタロン等を共振器内に入れて狭帯域化するすることはできない。
本発明は上記した事情に鑑みなされたものであって、Ｆ2 レーザのように１９０ｎｍ以下の光を放出するガスレーザ光源の波長の安定化および狭帯域化を容易に行うことができる露光用レーザ装置を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明においては、波長１９０ｎｍ以下の光を放出するＦ2 レーザ等のガスレーザを別のレーザで制御するインジェクション・シード法を用いた。
通常、レーザの発振のきっかけは自然放出光である。自然放出光の内、レーザの共振器に合致した波長の光が増幅され、次第に大きくなって発振に至る。この自然光の代わりに、ほかのレーザからの光を予め共振器に導入しておくと、このレーザ光が種となって発振が起こる。これをインジェクション・シードという。
また、種となるレーザをシードレーザ（またはシーダー）といい、インジェクションシードされるレーザをスレーブレーザと呼ぶ。
【０００５】
インジェクション・シードの特徴は次の通りである。
(1) スレーブレーザはシードレーザと全く同じ波長で発振する。
これは引き込み現象とよばれるもので、スレーブレーザの共振器のモードとシードレーザの波長がずれている場合でも、スレーブレーザは自分の共振器で決まる波長でなく、シード光の波長で発振する。
(2) シードレーザの強度はごく弱くてよい。
上記のように、種となるレーザ光が最初から存在すればよいわけで、実際の例として、１μＪのシード光で８０ｍＪの出力を得たという報告がある。
したがって、インジェクション・シード法によれば上記ガスレーザのシーダーとなるレーザの波長の安定化、狭帯域化を図ればよい。このため、容易に波長の安定化、狭帯域化を行うことができる。また、シーダーとして波長安定化した固体レーザを用いれば、寿命の長い安定なリソグラフィー用光源を得ることができる。
ここで、問題となるのは、如何にして上記ガスレーザと同じ波長のシード光を発生させるかにある。本発明においては、上記ガスレーザと同じ波長のシード光を発生させるために「誘導ラマン効果」を用いた。
【０００６】
図１は本発明の基本構成を示す図である。同図において、１はコヒーレント光源であり、コヒーレント光源１は発振波長が狭帯域であるパルス発振するレーザ光源と、非線型光学結晶／波長変換手段から構成され、非線型光学結晶はレーザ光源が出力する光の高調波もしくは和周波を発生し、波長変換手段は、誘導ラマン効果を利用して光の波長変換を行う。
２はコヒーレント光源１から放出されるシード光が注入同期され動作するＦ2 レーザ等のガスレーザ光源であり、ガスレーザ光源２は波長が１９０ｎｍ以下のパルス光を放出する。３は上記コヒーレント光源１が放出する光の波長安定化を行う波長安定化手段である。
【０００７】
上記コヒーレント光源１から放出されるパルス光の立ち上がりタイミングと、上記ガスレーザ光源２の発振パルスの立ち上がりタイミングは、タイミング調整手段４により調整され両者の同期がとられる。
上記ガスレーザ光源２としてＦ2 レーザを用いる場合、図２に示すように上記コヒーレント光源１およびその波長安定化手段３として下記のものを使用することができる。
【０００８】
▲１▼  ＹＬＦレーザ光源を使用し、その発振波長をアルゴン原子（ＡｒＩ）により１０４７．００５ｎｍに波長安定化し、第１コヒーレント光とする。
また、上記ＹＬＦレーザ光源の出力光の２倍波により励起されるチタンサファイアレーザ（Ｔｉ：Ａｌ2 Ｏ3 ）光源を用い、その出力光をネオン原子（ＮｅＩ）により７４２．５１７ｎｍに波長安定化し、その３倍波を第２コヒーレント光とする。そして、上記第１コヒーレント光と第２コヒーレント光の和周波（波長１９６．２４０ｎｍ）を得たのち、誘導ラマン効果を用いた波長変換手段により上記和周波を波長変換し、Ｆ2 レーザの発振波長（１５７．６３ｎｍ）に近い、波長１５７．６７２ｎｍ（３次反ストークス光）のシーダ光を得る。
【０００９】
▲２▼  ＹＡＧレーザ光源の２倍波をサマリウム原子（ＳｍＩ）により５３２．０６１ｎｍに光安定化し、ＹＡＧレーザ光源の出力光（波長１０６４．１２２ｎｍ）の５倍波（波長２１２．８２４ｎｍ）を得る。そして、上記波長２１２．８２４ｎｍの光を誘導ラマン効果を用いた波長変換手段により波長変換し、Ｆ2 レーザの発振波長（１５７．６３ｎｍ）に近い、１５７．２１５ｎｍ（４次反ストークス光）のシーダ光を得る。
【００１０】
ここで、誘導ラマン効果とは、分子振動や回転などの準位との相互作用により波長がシフトする現象をいい、通常は入射光よりも長い波長のストークス線が発生する。しかし、レーザ等の強い入射光で照射した場合は、波長が短い方へシフトする反ストークス線が出るようになる。このとき、このストークス線は入射光との位相関係を保つ方向に強められ、コヒーレントな光として放出される。
ラマンシフトが一番大きくなるものは水素分子（Ｈ2 ）であり、その波長シフト量は４１５５cm-1（cm-1はカイザといい、１cm当たりの波の数を表す）である。図３に示すように、ωＬの振動数のレーザ光がラマンセルから構成される波長変換手段に入射した場合、波長変換手段の出射側には、ωＬ±ｎωｓ（ｎは整数）の振動数の光がでてくる。
【００１１】
図４（ａ）は水素分子によるラマンシフトを示す図であり、波長変換手段の出力側の波長が、Ｆ2 レーザ光源の発振波長（１５７．６３ｎｍ）となる波長変換手段の入力側の波長および波数を示している。同図中のｎは反ストースク線の次数を示しており、次数が高くなる程、光の減衰が大きくなる。
図４（ａ）において、例えば３次の反ストークス光を用いる場合、波長変換手段２に波長が１９６．１８ｎｍ（５０９７５cm-1）の光を入射させることにより、１５７．６３ｎｍ（６３４４０cm-1）の光を出射させることができる。
また、同様に波長が２１３．５９ｎｍの光を波長変換手段２に入射させることにより、４次の反ストークス光として１５７．６３ｎｍの光を得ることができる。
【００１２】
したがって前記図２の▲１▼の場合には、波長１９６．２４０ｎｍの光を波長変換手段に入射させているので、波長変換手段から３次の反ストークス光として、Ｆ2 レーザ光源の発振波長１５７．６３ｎｍにぼぼ等しい波長１５７．６７２ｎｍの光を得ることができる。
また、前記図２の▲２▼の場合には、波長２１２．８２４ｎｍの光を波長変換手段に入射させているので、波長変換手段から４次の反ストークス光として、Ｆ2 レーザ光源の発振波長１５７．６３ｎｍにぼぼ等しい波長１５７．２１５ｎｍの光を得ることができる。すなわち、ＹＡＧレーザ光源の出力光の５倍波（波長２１２．８２４ｎｍ）をラマンセルから構成される波長変換手段に入力した場合、１次〜４次反ストークス光の波長および波数は図４（ｂ）に示すようになり、波長変換手段から放出される４次反ストークス光はＦ2 レーザ光源の発振波長１５７．６３ｎｍにぼぼ等しい波長となる。
【００１３】
Ｆ2 レーザから構成されるガスレーザ光源２は、波長変換手段から上記波長の狭帯域のシード光が注入されると、シード光と同じ発振波長で発振し、狭帯域の上記波長の光を放出する。
本発明においては、上記のように、コヒーレント光源１において、パルス発振し発振波長が狭帯域であるレーザ光源２が放出する光を波長安定化手段３で波長安定化し、誘導ラマン効果を用いた波長変換手段により波長変換して、ガスレーザ光源２の発振波長とほぼ等しい波長の光を得て、これをシード光としてガスレーザ光源２に注入し、ガスレーザ光源２を発振させているので、ガスレーザ光源２が放出する光を狭帯域化することができるとともに、その発振波長を安定化することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図５は本発明の第１の実施例を示す図であり、本実施例は前記図２の▲１▼に示したＹＬＦレーザ光源とチタンサファイア光源を用いる場合の構成を示している。
図５において、ＹＬＦレーザ光源１２は励起用半導体レーザ１１により励起されてパルス発振する。ＹＬＦレーザ光源１２が放出する光の一部がビームスプリッタＢｓ１で取り出されアルゴン原子（ＡｒＩ）を封入した吸収セルＣｅ１（原子の吸収スペクルトを用いる場合は放電管が使用される）中を透過する。上記吸収セルＣｅ１内を光が通過するとき、アルゴン原子（ＡｒＩ）は通過する光を吸収し、上の準位に遷移する。このとき、吸収される光は波長はアルゴン原子の場合、１０４７．００５ｎｍである。
上記吸収セルＣｅ１中を透過する光は、検出器Ｄｔ１に入射し、電気信号に変換される。このため、ＹＬＦレーザ光源１２が放出する光の波長が１０４７．００５ｎｍからずれると、検出器Ｄｔ１の出力が変化する。
【００１５】
検出器Ｄｔ１の出力は波長制御回路Ｃｎ１に入力され、波長制御回路Ｃｎ１は電歪素子ＰＺＴによりシーディング用半導体レーザ１３のグレーティングミラーを変位させ、その発振波長を制御する。
ＹＬＦレーザ光源１２はシーディング用半導体レーザ１３と同一の発振波長で発振するので、ＹＬＦレーザ光源１２が放出する光の波長が１０４７．００５ｎｍからずれ検出器Ｄｔ１の出力が変化すると、波長制御回路Ｃｎ１がシーディング用半導体レーザ１３の発振波長を変化させ、ＹＬＦレーザ光源１２が放出する光の波長を１０４７．００５ｎｍにロックする。
【００１６】
図６はシーディング用半導体レーザ光源を用いて波長安定化を行う場合の構成例を示す図である。同図に示すように、励起用半導体レーザ１１により励起されるＹＬＦレーザ光源１２は共振器ミラーＬＭ１，ＬＭ２と、レーザロッドＲｏ（ＹＬＦ結晶）から構成され、レーザロッドＲｏと共振器ミラーＬＭ２の間に狭帯域化のためのエタロン板ＥＴが設けられている。
また、前記したように、吸収セルＣｅ１を透過した光が検出器Ｄｔ１に入射し、検出器Ｄｔ１の出力により波長制御回路Ｃｎ１がシーディング用半導体レーザ光源１３の電歪素子ＰＺＴを駆動し、シーディング用半導体レーザ光源１３の回折格子を変位させ、その発振波長を制御する。
【００１７】
波長制御回路Ｃｎ１は、例えば図７に示すように、位相敏感検波器Ｄ１と、直流増幅器Ａｍｐと数１０Ｈｚ程度の低周波ｆｏを発生する発振回路ＯＳＣと、加算器Ａｄｄから構成されており、上記発振器ＯＳＣの出力は位相敏感検波器Ｄ１と加算器Ａｄｄに与えられ加算器Ａｄｄの出力により、シーディング用半導体レーザ光源１３の電歪素子ＰＺＴを駆動し、シーディング用半導体レーザ光源１３が出力する光の波長を微小振動させている。また、上記発振器ＯＳＣの出力は位相敏感検波器Ｄ１にも与えられ、位相敏感検波器Ｄ１は上記検出器Ｄｔ１が出力する微小振動の位相と、上記発振器ＯＳＣの位相から、吸収セルＣｅ１（同図では吸収セルＣｅ１として放電管用電源Ｐ１により放電する放電管が示されている）に封入された原子／分子の吸収スペクトルの一次微分に対応した出力を発生し、上記電歪素子ＰＺＴに負帰還してシーディング用半導体レーザ光源１３の発振波長を制御する。
その結果、単一周波数で発振するシーディング用半導体レーザ１３の発振波長が、吸収セルＣｅ１に封入されたアルゴン原子の吸収スペクトルである波長１０４７．００５ｎｍにロックされる。
【００１８】
シーディング用半導体レーザ１３が放出するシード光はファラディー回転子ＦＤ、１／２波長板Ｗ、偏光ビームスプリッタＢｓを介してＹＬＦレーザ光源１２に注入され、ＹＬＦレーザ光源１２はシード光の波長で発振する。
図６、図７では、吸収セルを用いた波長安定化の例を示したが、レーザ光を吸収セル（放電管）に入射させ、吸収セルにおける放電の常数の変化を検出することにより波長安定化を行ってもよい（光ガルバノ効果による波長安定化）。
なお、光ガルバノ効果を用いた波長安定化については、本発明者らが先に出願した特願平９−１１２３４６号等を参照されたい。
【００１９】
図５に戻り、ビームスプリッタＢｓ１を通過した光は、ビームスプリッタＢｓ２に入射し、その光の一部がＫＴＰ、ＬＢＯもしくはＢＢＯ結晶からなる非線型光学結晶１４に入射して２倍波に変換されチタンサファイアレーザ光源１５に注入される。また、ビームスプリッタＢｓ２に入射した光の他の一部がミラーＭ１，Ｍ２を介してダイクロイックミラーＤＭに入射し、ＣＬＢＯもしくはＢＢＯ結晶からなる和周波結晶１８に入射する。
チタンサファイアレーザ光源１５は上記非線型光学結晶１４の出力光により励起されてパルス発振する。チタンサファイア光源１５はリング型共振器の構成を持ち、その一辺に光アイソレータ、波長選択素子としてのエタロン板、複屈折フィルタ等が設けられている。
【００２０】
チタンサファイアレーザ光源１５が放出する光の一部がビームスプリッタＢｓ３で取り出されネオン原子（ＮｅＩ）を封入した吸収セルＣｅ２中を透過する。
ネオン原子（ＮｅＩ）は吸収セルＣｅ２中を透過する光の内、波長７２４．５１７ｎｍの線スペクトルを吸収する。このため、チタンサファイアレーザ光源１５が放出する光の波長が波長７２４．５１７ｎｍからずれると、検出器Ｄｔ２の出力が変化し、前記したように波長制御回路Ｃｎ２が単一周波数で発振するシーディング用半導体レーザ１６の発振波長を変化させ、チタンサファイアレーザ光源１５が放出する光の波長を７２４．５１７ｎｍにロックする。
【００２１】
ビームスプリッタＢｓ３を通過した光は、ＬＢＯ，ＢＢＯもしくはＣＬＢＯ結晶からなる非線型光学結晶１７、１８に順次入射しその３倍波に変換され、ＣＬＢＯもしくはＢＢＯ結晶からなる和周波結晶１９に入射する。
和周波結晶１９は前記したＹＬＦレーザ光源１２から放出される光と、チタンサファイアレーザ光源１５が放出する光の３倍波の和周波である波長１９６．２４０ｎｍのパルス光を出射する。
【００２２】
和周波結晶１８が出射する波長１９６．２４０ｎｍの光は、波長変換手段である水素ラマンセル２０に入射し、水素ラマンセル２０は前記図３に示したように上記波長１９６．２４０ｎｍの光の３次反ストークス光である波長１５７．６７２ｎｍのパルス光を出射する。
上記ラマンセル２０が出射する波長１５７．６７２ｎｍの光は非安定共振器で構成されるＦ2 レーザ２１に入射し、Ｆ2 レーザ２１は上記光によりシーディングされて発振し、波長１５７．６７２ｎｍのパルス光を放出する。
上記ＹＬＦレーザ光源１２、チタンサファイアレーザ光源１５が放出するパルス光の立ち上がりタイミング、およびＦ2 レーザの発振パルスの立ち上がりタイミングは図示しないタイミング調整手段により調整され同期がとられる。
【００２３】
本実施例においては、上記Ｆ2 レーザ２１として集光性能などのビームの品質を向上させるため非安定発振器を用いている。
通常レーザ共振器は、２枚にミラーで構成され、図８（ｂ）に示すようにミラー間で光をミラーからはみ出さないように往復させる。このような共振器を安定型共振器という。
安定型共振器では、モードの制御を回折損失との違いで行っている。例えば、ミラー間隔１ｍの共振器では、基本モードであるＴＥＭ００モードと次のモードとの回折損失に差をつけるために、１ｍｍ以下の小さな絞りを共振器内に設置しなければならない。Ｈｅ−Ｎｅレーザなどのゲインの小さいレーザの場合は、共振器損失をなるべく小さくする必要があるので、安定型共振器を使用する場合が多い。しかし、ＴＥＡ炭酸ガスレーザのようにゲインが大きくゲイン媒質の体積も大きいレーザでは、安定型共振器を用いると多モード発振となり、ビームを集光する性能が低下する。
【００２４】
このような場合に用いられるのが、非安定共振器である。
非安定共振器はミラー間を往復する光を一部ミラーからはみださせ、外部に射出する構造を持っている。図８（ａ）に示すように凸面鏡と凹面鏡の組み合わせで共焦点型の配置を取ることが多い。このような構造を取ると、高次のモードの発生を比較的容易に抑えることができるので、集光性能などのビームの品質がよくなる。また、大きなモード体積を取るので、大出力レーザに適している。
なお、水素ラマンセル２０に入射させる１９６．２ｎｍ付近の和周波を発生させる方法としては、本実施例に限るものではなく、例えば、次にような方法がある。
（１）Ｔｉ：Ａｌ2 Ｏ3 レーザを７８５ｎｍで発振させ、これの２倍波、３倍波、４倍波を発生させる方法。
（２）ＹＡＧレーザの２倍波、４倍波を発生させ、これとＴｉ：Ａｌ2 Ｏ3 レーザの７４７ｎｍの発振との和周波を作る方法。
（３）図５の例において、ＹＬＦレーザをＹＡＧレーザに変更する方法。
（４）図５の例において、Ｔｉ：Ａｌ2 Ｏ3 レーザをＯＰＯに変更する方法。
【００２５】
図９は本発明の第２の実施例を示す図であり、本実施例は前記図２の▲２▼に示したＹＡＧレーザ光源の５倍波を用いる場合の構成を示している。
図９において、ＹＡＧレーザ光源３２は励起用半導体レーザ３１により励起されてパルス発振する。ＹＡＧレーザ光源３２が放出する光はＫＴＰ，ＬＢＯもしくはＢＢＯ結晶からなる非線型光学結晶３３に入射しその２倍波に変換される。非線型光学結晶３３から出射する光の一部はビームスプリッタＢｓ１で取り出されサマリウム原子（ＳｍＩ）を封入した吸収セルＣｅ３中を透過する。
サマリウム原子は吸収セルＣｅ３中を透過する光の内、波長５３２．０６１ｎｍの線スペクトルを吸収するので、非線型光学結晶３３から出射する光の波長が５３２．０６１ｎｍからずれると、検出器Ｄｔ３の出力が変化する。
【００２６】
検出器Ｄｔ３の出力は波長制御回路Ｃｎ３に入力され、波長制御回路Ｃｎ３は電歪素子ＰＺＴにより単一周波数で発振するシーディング用半導体レーザ３４の発振波長を制御する。このため、ＹＡＧレーザ光源３２が放出する光の波長が波長１０６４．１２２ｎｍからずれ、その２倍波が５３２．０６１ｎｍからずれると、検出器Ｄｔ３の出力が変化し、前記したように波長制御回路Ｃｎ３がシーディング用半導体レーザ３４の発振波長を変化させ、ＹＡＧレーザ光源３２が放出する光の波長を１０６４．１２２ｎｍにロックする。
ビームスプリッタＢｓ１を通過した光は、ＢＢＯもしくはＣＬＢＯ結晶からなる非線型光学結晶３５、３６に入射し５倍波（波長２１２．８２４ｎｍ）に変換され、ミラーＭ１，Ｍ２を介して水素ラマンセル２０に入射する。
【００２７】
水素ラマンセル２０は前記図３に示したように上記波長２１２．８２４ｎｍの光の４次反ストークス光である波長１５７．２１５ｎｍの光を出射する。
上記ラマンセル２０が出射する波長１５７．２１５ｎｍの光は前記したように非安定共振器の構造を持つＦ2 レーザ２１に入射し、Ｆ2 レーザ２１は上記光によりシーディングされて発振し、波長１５７．２１５ｎｍの光を放出する。
上記ＹＡＧレーザ光源３２が放出するパルス光の立ち上がりタイミング、およびＦ2 レーザの発振パルスの立ち上がりタイミングは図示しないタイミング調整手段により調整され同期がとられる。
【００２８】
本実施例においては、上記のようにＹＡＧレーザ光源が放出する波長１０６４．１２２ｎｍの５倍波（波長２１２．８２４ｎｍ）を水素ラマンセル２０に入射して、その４次反ストークス光である波長１５７．２１５ｎｍを得ているので、前記第１の実施例に示したように、チタンサファイアレーザ光源や和周波結晶を用いることなく、極めて簡単な構造のコヒーレント光源によりＦ2 レーザ２１のシーディング光を得ることができる。
【００２９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明においては、パルス発振し発振波長が狭帯域であるレーザ光源が放出する光を波長安定化手段で波長安定化し、誘導ラマン効果を用いた波長変換手段により波長変換して、ガスレーザ光源の発振波長とほぼ等しい波長の光を得て、これをシード光としてガスレーザ光源を発振させているので、ガスレーザ光源が放出する光を容易に狭帯域化することができるとともに、その発振波長を安定化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基本構成を示す図である。
【図２】本発明において使用することができるコヒーレント光源およびその安定化手段を示す図である。
【図３】誘導ラマン効果を説明する図である。
【図４】水素分子によるラマンシフトを示す図である。
【図５】本発明の第１の実施例を示す図である。
【図６】シーディング用半導体レーザを用いた波長安定化を説明する図である。
【図７】波長制御回路の構成例を示す図である。
【図８】非安定共振器を説明する図である。
【図９】本発明の第２の実施例を示す図である。
【符号の説明】
１                コヒーレント光源
２                ガスレーザ光源
３                波長安定化手段
１１，３１        励起用半導体レーザ
１２              ＹＬＦレーザ光源
１３，１６，３４  シーディング用半導体レーザ
１４，１７，３３  非線型光学結晶（２倍波結晶）
１５              チタンサファイアレーザ光源
１８              非線型光学結晶（３倍波結晶）
１９              非線型光学結晶（和周波結晶）
２０              水素ラマンセル
２１              Ｆ2 レーザ
３２              ＹＡＧレーザ光源
３５              非線型光学結晶（４倍波結晶）
３６              非線型光学結晶（５倍波結晶）
Ｂｓ１〜Ｂｓ３    ビームスプリッタ
ＤＭ              ダイクロイックミラー
Ｍ１〜Ｍ４        ミラー
Ｃｅ１〜Ｃｅ３    吸収セル
Ｄｔ１〜Ｄｔ３    検出器
Ｃ１〜Ｃ３        波長制御回路
ＰＺＴ１〜ＰＺＴ３電歪素子
【図１】
0003956447.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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