(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ上に多数形成された半導体デバイスのバーンイン試験を一括して行うために使用されるコンタクトボードであって、
第１リングに張り渡されたメンブレンの一方の面に各半導体デバイスに接触させる第１バンプを有するとともに、メンブレンの他方の面に第１パッドを有し、メンブレンを貫通して形成されたバンプホールを介して前記第１バンプと前記第１パッドとを接続した構造を有する第１メンブレンリングと、
前記第１リングの外径より大きな内径を有する第２リングに張り渡されたメンブレンの一方の面に前記第１パッドに接触させる第２バンプを有するとともに、メンブレンの他方の面に第２パッドを有し、メンブレンを貫通して形成されたバンプホールを介して前記第２バンプと前記第２パッドとを接続した構造を有する第２メンブレンリングと、
前記第２リングの外径より大きな内径を有する第３リングに張り渡されたメンブレンの一方の面に前記第２パッドに接触させる第３バンプを有するとともに、メンブレンの他方の面に第３パッドを有し、メンブレンを貫通して形成されたバンプホールを介して前記第３バンプと前記第３パッドとを接続した構造を有する第３メンブレンリングと、
を有することを特徴とするフレキシブルコンタクトボード
【請求項２】
前記第１メンブレンリング及び前記第２メンブレンリングにおけるメンブレンに空気穴を形成するか、あるいは、前記第１〜第３のすべてのメンブレンリングにおけるメンブレンに空気穴を形成したことを特徴とする請求項１記載のフレキシブルコンタクトボード。
【請求項３】
内層のメンブレンリングに相当する前記第２メンブレンリングが、リングの径を異とする複数のメンブレンリングであって、請求項１記載のメンブレンリング間と同様の関係を有する複数のメンブレンリングからなることを特徴とする請求項１又は２記載のフレキシブルコンタクトボード。
【請求項４】
前記パッドがＣｕからなり、前記バンプがＮｉ又はＮｉ合金からなり、前記メンブレンがポリイミドからなることを特徴とする請求項１乃至３何れかか一項に記載のフレキシブルコンタクトボード。
【請求項５】
前記パッド及び／又は前記バンプの表面に、酸化しない金属を含む膜を形成したことを特徴とする請求項１乃至４何れかか一項に記載のフレキシブルコンタクトボード。
【請求項６】
前記酸化しない金属を含む膜が、金、Ａｕ−Ｃｏ合金、ロジウム、パラジウム及びこれらを含む合金のうちのいずれかからなることを特徴とする請求項５記載のフレキシブルコンタクトボード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンタクトボード等に関し、特に、ウエハ上に多数形成された半導体デバイスのバーンイン試験を一括して行うために使用されるコンタクトボードとして適したフレキシブルコンタクトボード等に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ウエハ上に多数形成された半導体ディバイスの検査は、プローブカードによる製品検査（電気的特性試験）と、その後に行われる信頼性試験であるバーンイン試験に大別される。
バーンイン試験は、固有欠陥のある半導体ディバイス、あるいは製造上のばらつきから、時間とストレスに依存する故障を起こすディバイスを除くために行われるスクリーニング試験の一つである。プローブカードによる検査が製造したディバイスの電気的特性試験であるのに対し、バーンイン試験は熱加速試験と言える。
【０００３】
バーンイン試験は、プローブカードによって１チップ毎に行われる電気的特性試験の後に、ウエハをダイシングによりチップに切断し、パッケージングしたものについて一つずつバーンイン試験を行う通常の方法（１チップバーンインシステム）ではコスト的に実現性に乏しい。そこで、ウエハ上に多数形成された半導体ディバイスのバーンイン試験を一括して行うためのバーンインボード（コンタクトボード）の開発及び実用化が進められている（特開平７−２３１０１９号公報）。バーンインボードを用いたウエハ・一括バーンインシステムは、コスト的に実現可能性が高い他に、ベアチップ出荷及びベアチップ搭載といった最新の技術的な流れを実現可能にするためにも重要な技術である。
【０００４】
図９にバーンインボードの具体例を示す。
バーンインボードは、図９に示すように、多層配線基盤８０上に、異方性導電ゴムシート７０を介して、バンプ付きメンブレンリング６０を固定した構造を有する。
バンプ付きメンブレンリング６０は、被検査素子と直接接触するコンタクト部分を受け持つ。バンプ付きメンブレンリング６０においては、リング６１に張り渡されたメンブレン６２の一方の面にはバンプ６３が、他方の面にはパッド６４が形成されている。バンプ付きメンブレンリング６０においては、ウエハ５０上の各半導体チップの周縁又はセンターライン上に形成されたパッド（約６００〜１０００ピン程度）に対応して、この数にチップ数を乗じた数のバンプ６３がメンブレン６２上に形成されている。
多層配線基盤８０はメンブレン６２上に孤立する各バンプ６３にパッド６４を介して所定のバーンイン試験信号を付与するための配線をムライト系セラミクス基板等の上に有する。多層配線基盤８０は配線が複雑であるため多層配線構造を有する。
異方性導電ゴムシート７０は、主面と垂直な方向にのみ導電性を有する弾性体であり、多層配線基盤８０上の端子とメンブレン６２上のパッド６４とを電気的に接続する。異方性導電ゴムシート７０は、その表面に形成された凸部でメンブレン６２上のパッド６４に当接することで、半導体ウエハ５０表面の凹凸及びバンプ６３の高さのバラツキを吸収し、半導体ウエハ上のパッドとメンブレン６２上のバンプ６３とを確実に接続する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述したバーンインボードには次に示す問題がある。
第１に、多層配線基板に反りがあるため、コンタクトの圧力が全面で均一になりずらい。また、配線層の形成によって多層配線基板に反りが生じて、多層配線基板の配線層形成面側の中央部分が反りによって盛り上がってしまう。また、バーンインボード全体としてのフレキシブル性に乏しく、バンプやパッドの高さのバラツキに構造的に対応しずらい。
第２に、構造が複雑で、製造コストが高い。
第３に、多層配線基板において層間ショートを起こすことがあり、その修正は困難である。
【０００６】
本発明は上述した背景の下になされたものであり、上述した問題点を解消できるフレキシブル性を有するコンタクトボード等の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、以下に示す構成としてある。
【０００８】
（構成１）ウエハ上に多数形成された半導体デバイスのバーンイン試験を一括して行うために使用されるコンタクトボードであって、第１リングに張り渡されたメンブレンの一方の面に各半導体デバイスに接触させる第１バンプを有するとともに、メンブレンの他方の面に第１パッドを有し、メンブレンを貫通して形成されたバンプホールを介して前記第１バンプと前記第１パッドとを接続した構造を有する第１メンブレンリングと、前記第１リングの外径より大きな内径を有する第２リングに張り渡されたメンブレンの一方の面に前記第１パッドに接触させる第２バンプを有するとともに、メンブレンの他方の面に第２パッドを有し、メンブレンを貫通して形成されたバンプホールを介して前記第２バンプと前記第２パッドとを接続した構造を有する第２メンブレンリングと、前記第２リングの外径より大きな内径を有する第３リングに張り渡されたメンブレンの一方の面に前記第２パッドに接触させる第３バンプを有するとともに、メンブレンの他方の面に第３パッドを有し、メンブレンを貫通して形成されたバンプホールを介して前記第３バンプと前記第３パッドとを接続した構造を有する第３メンブレンリングと、を有することを特徴とするフレキシブルコンタクトボード
【０００９】
（構成２）前記第１メンブレンリング及び前記第２メンブレンリングにおけるメンブレンに空気穴を形成するか、あるいは、前記第１〜第３のすべてのメンブレンリングにおけるメンブレンに空気穴を形成したことを特徴とする構成１記載のフレキシブルコンタクトボード。
【００１０】
（構成３）内層のメンブレンリングに相当する前記第２メンブレンリングが、リングの径を異とする複数のメンブレンリングであって、構成１記載のメンブレンリング間と同様の関係を有する複数のメンブレンリングからなることを特徴とする構成１又は２記載のフレキシブルコンタクトボード。
【００１１】
（構成４）前記パッドがＣｕからなり、前記バンプがＮｉ又はＮｉ合金からなり、前記メンブレンがポリイミドからなることを特徴とする構成１乃至３何れかか一に記載のフレキシブルコンタクトボード。
【００１２】
（構成５）前記パッド及び／又は前記バンプの表面に、酸化しない金属を含む膜を形成したことを特徴とする構成１乃至４何れかか一に記載のフレキシブルコンタクトボード。
【００１３】
（構成６）前記酸化しない金属を含む膜が、金、Ａｕ−Ｃｏ合金、ロジウム、パラジウム及びこれらを含む合金のうちのいずれかからなることを特徴とする構成５記載のフレキシブルコンタクトボード。
【００１４】
【作用】
構成１によれば、次の作用がある。
第１に、従来の多層配線基板の代わりに配線用のメンブレンリングを使用している、すなわち、バーンインボード全体を複数のメンブレンリングで構成しているので、フレキシブル性やクッション性が高く、したがって、コンタクトの圧力が全面で均一になり、また、バンプやパッドの高さのバラツキにも構造的に対応できる。
第２に、構造が簡単で、製造コストが安い（約５分の１以下にできる）。バーンインボード全体を複数のメンブレンリングだけで構成しているので、多層配線基板及び異方性導電性ゴムを用いる場合に比べ、はるかに廉価である。また、各メンブレンリングは一枚ずつ個別に製作するので工程も単純で歩留まりも良く、また修正もできる。
第３に、各メンブレンリングに分解できるので、欠陥の修正が容易で、修正が困難な場合であっても欠陥のあるメンブレンリングだけ交換できる。
【００１５】
構成２によれば、空気穴を形成することで、真空吸引によりウエハにフレキシブルコンタクトボードを吸着させた場合、各層全面に圧力が均等にかかり、コンタクトの圧力が全面でより均一になる。なお、前者の態様の場合、第３メンブレンリングには、大気圧の圧着のリークがでてしまうので、空気穴は不要である。後者の態様の場合は、第３メンブレンリングにも空気穴を設ける。
【００１６】
構成３によれば、メンブレンリングの積層数を、４層以上とすることで、より自由な設計が可能となる。
【００１７】
構成４では、パッド、バンプ、メンブレンについて現在のところ好ましい材料を示している。
【００１８】
構成５では、パッド及び／又はバンプの表面に、酸化しない金属を含む膜を形成することで、コンタクト抵抗を低減するとともに、化学的耐久性を高めることができる。
【００１９】
構成６では、酸化しない金属を含む膜について現在のところ好ましい材料を示している。なお、これらの膜は酸化せず、導電性も良い。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００２１】
実施の形態１
（１）第１メンブレンリングの作製
メンブレンリングの作製工程
メンブレンリングの作製方法について、図６を用いて説明する。
【００２２】
まず、図６（ａ）に示すように、平坦度の高いアルミニウム板２上に厚さ５ｍｍの均一の厚さのシリコンゴムシート３を置く。
その一方で、例えば、厚さ１８μｍの銅箔と、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを貼り合せた構造のフィルム４、あるいは厚さ２５μｍのポリイミドフィルム上に、スパッタ法又はめっき法で銅を厚さ１８μｍで成膜したフィルム４を準備する。
なお、フィルム４の材料、形成方法、厚さ等は適宜選択できる。例えば、厚さ２５μｍ（１２〜５０μｍ）程度のポリイミドフィルムや、厚さ０．３ｍｍ（０．１〜０．５ｍｍ）程度のシリコンゴムシートを使用できる。フィルムの形成方法もコーティング法で形成したり、市販のフィルム又はシートを利用したりできる。さらに、銅箔にポリイミド前駆体をキャスティングした後、ポリイミド前駆体を加熱して乾燥及び硬化させて、銅箔とポリイミドフィルムを貼り合せた構造のフィルムを形成することもできる。また、フィルムの一方の面に複数の導電性金属を順次成膜して、フィルムの一方の面に積層構造を有する導電性金属層を形成した構造のものを使用することもできる。
また、ポリイミドとＣｕの間には、両者の接着性を向上させること、及び膜汚染を防止することを目的として、特に図示しないが薄いＮｉ膜を形成してもよい。
【００２３】
次いで、上記シリコンゴムシート３上に、銅箔とポリイミドフィルムを貼り合せた構造のフィルム４を銅箔側を下にして均一に展開した状態で吸着させる。この際、シリコンゴムシート３にフィルム４が吸着する性質を利用し、しわやたわみが生じないように、空気層を追い出しつつ吸着させることで、均一に展開した状態で吸着させる。
【００２４】
次に、内径２２０ｍｍφ、外径２４０ｍｍφ、高さ２ｍｍの円形のＳｉＣリング１１の接着面に熱硬化性接着剤５を薄く均一に、５０〜１００μｍ程度の厚さで塗布し、フィルム４上に置く。ここで、熱硬化性接着剤５としては、バーンイン試験の設定温度８０〜１５０℃よりも０〜５０℃高い温度で硬化するものを使用する。本実施の形態では、ボンドハイチップＨＴ−１００Ｌ（主剤：硬化剤＝４：１）（コニシ（株）社製）を使用した。
さらに、平坦性の高いアルミニウム板（重さ約２．５ｋｇ）を重石として、リング１１上に載せる（図示せず）。
【００２５】
上記準備工程を終えたものをバーンイン試験の設定温度（８０〜１５０℃）以上の温度（例えば２００℃、２．５時間）で加熱して前記フィルム４と前記リング１１を接着する（図（６ｂ））。
この際、シリコンゴムシート３の熱膨張率はフィルム４の熱膨張率よりも大きいので、シリコンゴムシート３に吸着したフィルム４はシリコンゴムシート３と同じだけ熱膨張する。すなわち、フィルム４を単にバーンイン試験の設定温度（８０〜１５０℃）以上の温度で加熱した場合に比べ、より熱膨張する。このようにテンションの大きい状態で、熱硬化性接着剤５が硬化し、フィルム４とリング１１が接着される。また、シリコンゴムシート３上のフィルム４は、しわやたわみ、ゆるみなく均一に展開した状態で吸着されているので、フィルム４にしわやたわみ、ゆるみなく、リング１１にフィルム４を接着することができる。さらに、シリコンゴムシート３は平坦性が高く、弾力性を有するので、リング１１の接着面に、均一にむらなくフィルム４を接着することができる。
なお、熱硬化性接着剤を使用しない場合、フィルムが収縮し、張力が弱まる他に、接着剤の硬化時期が場所によってばらつくため、リングの接着面に均一にむらなく接着ができない。
【００２６】
上記加熱接着工程を終えたものを常温まで冷却し、加熱前の状態まで収縮させる。その後、カッターでリング１１の外周に沿ってリング１１の外側のフィルム４を切断除去する（図６（ｃ））。その後、表面を良く洗浄する。
【００２７】
なお、上記メンブレンリングの作製工程において、ＳｉＣリングの代わりに、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、インバーニッケルや、その他のＳｉに近い熱膨張率を有し強度の高いセラミクス、低膨張ガラス、金属、その他の材料からなるリングを用いてもよい。
また、アルミニウム板の代わりに、テフロン板を用いてもよい。
さらに、シリコンゴムシートの代わりに、粘着性を持たせたフッ素ゴムを用いてもよい。
また、熱硬化性接着剤として、他の市販の各種熱硬化性接着剤を用いてもよい。例えば、エイブルボンド７３６等を使用できる。
【００２８】
メンブレンリングの加工工程
次に、上記で作製したメンブレンリングを加工してバンプ及びパッドを形成する工程について説明する。
図７にメンブレンリングの加工工程を説明するための要部断面図を示す。なお、図７では、メンブレンにリングが接着されているが、リングの図示は省略する。
【００２９】
まず、図７（ａ）に示す、上記で作製したメンブレンリングにおける銅箔とポリイミドフィルムを貼り合せた構造のフィルム４の銅箔（Ｃｕ）上に、図７（ｂ）に示すように、電気めっきにより、Ｎｉを０．３μｍ（０．１〜３μｍ）めっきした後、その上にＡｕを０．５μｍ（０．３〜５μｍ）で形成して、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／ポリイミドフィルム積層膜構造を形成する。
なお、無電解めっきでＮｉ膜、Ａｕ膜を形成することもできるが、無電解めっきは膜を厚付けできず、密着力及び強度が弱いため、電気めっきを適用してＮｉ膜、Ａｕ膜を形成するのが好ましい。
【００３０】
次いで、図７（ｃ）に示すように、ポリイミドフィルムの所定位置に、エキシマレーザを用いて、直径が約３０μｍのバンプホールを形成する。
【００３１】
次に、図７（ｄ）に示すように、最上層のＡｕ膜の表面がめっきされないようにするために、レジスト等の保護膜を、電極として使用するＡｕ膜の一部を除く全面に約２〜３μｍの厚さで塗布して、Ａｕ膜を保護する。
なお、Ａｕ膜上に保護膜を塗布する以外にも、治具を使用してＮｉ膜を保護することもできる。
【００３２】
次いで、前記最上層のＡｕ膜に電極の一方を接続し、ポリイミドフィルム側にＮｉあるいはＮｉ合金の電気めっきを行う。この電気めっきにより、めっきは図７（ｄ）に示すバンプホールを埋めるようにして成長した後、ポリイミドフィルムの表面に達すると、等方的に広がってほぼ半球状に成長し、ＮｉまたはＮｉ合金からなるバンプ（ポリイミドフィルム表面からの高さ２０μｍ、径７０μｍ）が形成される。
続いて、バンプの表面に膜厚１〜２μｍのＡｕからなる電気めっき層を形成する。このように、バンプを形成した直後にバンプ表面に酸化しない金属を含む膜を形成することで、バンプ表面の酸化を回避し、酸化膜の除去工程が不要となる。
その後、特に図示しないが、前記保護膜を剥離する。
【００３３】
次に、図７（ｅ）に示すように、最上層のＡｕ上に新たにレジスト（ヘキスト社製：ＡＺ１３５０）を全面に塗布し、９０℃で３０分間ベークした後、パッドを形成する部分以外のレジストをフォトマスクを用いて露光し、現像によって除去し、パッド形成部にレジストパターンを形成する。
【００３４】
次いで、図７（ｆ）に示すように、Ａｕをヨウ素・ヨウ化カリウム水溶液にてエッチングし、Ｎｉ膜及びＣｕ膜を４０ボーメ度塩化第二鉄水溶液にてエッチングを行い、よくリンスした後、前記レジストを剥離して、図７（ｇ）に示すように、パッドを形成する。なお、エッチングはスプレー方式を使用するとサイドエッチングが少なく、望ましい。
【００３５】
その後、ポリイミドフィルムの所定位置に、エキシマレーザ等を用いて、直径が約１００μｍの空気穴（貫通孔）を形成する（図示せず）。
【００３６】
以上の工程を経て、図１に示す第１メンブレンリングが作製される。図１に示すように、第１メンブレンリング１０では、第１リング１１に張り渡されたメンブレン１２の一方の面に各半導体デバイスに接触させる第１バンプ１３を有するとともに、メンブレン１２の他方の面に第１パッド１４を有し、メンブレン１２の所定位置に空気穴１５が形成してある。
【００３７】
（２）第２メンブレンリングの作製
メンブレンリングの作製工程
内径２４０．１ｍｍφ、外径２６０ｍｍφ、高さ２．１ｍｍの円形のＳｉＣリングを用いたこと以外は、上記（１）と同様にしてメンブレンリングを作製した。
【００３８】
メンブレンリングの加工工程
バンプ及びパッドの形成位置を変えるとともに、パッドの形状を内層配線パターンとしたこと以外は、上記（１）と同様にして、図２に示す第２メンブレンリング（内層配線メンブレンリング）を作製した。図２に示すように、第２メンブレンリング２０では、第２リング２１に張り渡されたメンブレン２２の一方の面に上記第１パッド１４に接触させる第２バンプ２３を有するとともに、メンブレン２２の他方の面に内層配線としての第２パッド２４を有し、メンブレン２２の所定位置に空気穴２５が形成してある。
【００３９】
（３）第３メンブレンリングの作製
メンブレンリングの作製工程
内径２６０．１ｍｍφ、外径２８５ｍｍφ、高さ２．２ｍｍの円形のＳｉＣリングを用いたこと以外は、上記（１）と同様にしてメンブレンリングを作製した。
【００４０】
メンブレンリングの加工工程
バンプ及びパッドの形成位置を変えるとともに、パッドの形状を表層配線パターン及び外周パッドとしたこと以外は、上記（１）と同様にして、図３に示す第３メンブレンリング（表層配線メンブレンリング）を作製した。図３に示すように、第３メンブレンリング３０では、第３リング３１に張り渡されたメンブレン３２の一方の面に上記第２パッド２４に接触させる第３バンプ３３を有するとともに、メンブレン３２の他方の面に、表層配線及び外周パッドとしての第３パッド３４を有する。なお、外周パッドは、テスター先端（ポゴピン、プローブピン）を当接する際の強度を確保しピンの接触を安定させるため、リングの上部に位置する部分に形成してある。また、最上層の外周パッド（Ｃｕ層）は、上述したコンタクト方式に適用させて機械的強度を考慮し１０μｍ以上の厚さとした。
【００４１】
（４）組立
図４に示すように、上記で作製した第１、第２及び第３メンブレンリング１０、２０、３０を、各層をそれぞれ位置合わせして、固定する。次いで、３つのリング１１、２１、３１の下面をエポキシ樹脂３６にて固着して、本発明のフレキシブルコンタクトボード１が完成する。なお、リングの固着方法は特に制限されず、公知の材料及び方法を利用できる。また、リングの下面に平坦性の良い板状体等を介在させることもできる。
【００４２】
上記本発明のフレキシブルコンタクトボードは、構造が簡単で、製造コストが約５分の１以下にできた。また、各メンブレンリングに分解できるので、欠陥の修正が容易であり、修正が困難な場合であっても欠陥のあるメンブレンリングだけ容易に交換できた。
【００４３】
（５）バーンイン試験
次に、バーンイン試験について説明する。
バーンイン試験は、図５に示すように、バキュームチャック４０上にＳｉウエハ５０を載せ、その上にフレキシブルコンタクトボード１を置く。第１メンブレンリング１０における第１バンプ１３（コンタクトバンプ）を、ウエハ５０上の各半導体チップ上に形成されたパッドと位置合わせして接触させる。
その後、Ｓｉウエハ５０をバキューム孔４１から真空吸引して吸着固定するとともに、バキューム孔４２から真空吸引してフレキシブルコンタクトボード１を吸着固定する。第１メンブレンリング１０とバキュームチャック４０との間にはシールリング４３が配設されており、第１及び第２メンブレンリング１０、２０には空気穴１５、２５が設けられているので、フレキシブルコンタクトボード１が吸着されるとともに、各層全面に圧力が均等にかかり、コンタクトの圧力が全面でより均一になる。
第３メンブレンリング３０上の外周パッドに、テスター先端の電極取り出し口（ポゴピン３７）を当接し、この接続したテスターで評価していく。
その結果、フレキシブル性（クッション性）が高く、コンタクトの圧力が全面で均一になり、また、バンプやパッドの高さのバラツキにも構造的に対応でき、したがって、密着不良による誤認はなかった。
【００４４】
実施の形態２
図８に示すように、第３メンブレンリング３０におけるメンブレン３２の所定位置に空気穴３５を形成する（したがってすべてのメンブレン１２、２２、３２に空気穴１５、２５、３５を形成する）とともに、フレキシブルコンタクトボード１の上にシリコンゴム３８を介して平坦性の高い基板３９（ガラス基板など）を重ねて置いたこと以外は実施の態様１と同様とした。なお、シールリング（Ｏリング）４３は、シリコンゴム３８と同じ厚さとした。シリコンゴム３８は、ウエハ上のパッド電極、メンブレン１２、２２、３２上のバンプ及びパッド電極の凹凸によるコンタクト不良をなくす役割を果たす。
バキューム孔４２から真空吸引すると、シリコンゴム３８を介して平坦性の高い基板３９で加圧でき、よりコンタクト性を向上できる。
なお、バンプは基本的に離れて形成されているので、このバンプ間に存在する空気についてもこの方法によれば真空にできる。一方、実施の態様１では、最表面には空気穴がなく、最表面より下の部分のみで真空にするので、バンプ間に存在する空気までは抜くことができない。また、メンブレンは軟らかいのでメンブレンによる圧力は強くはないが、平坦性の高い基板３９で圧力をかけると圧力が強く有効である。
【００４５】
なお、本発明は、上記実施の態様に限定されず、本発明の範囲内で適宜変形実施できる。
【００４６】
例えば、パッド、バンプ、メンブレン等の材料及び形成方法等は、上記実施の態様に限定されない。
【００４７】
具体的には、バンプの形成材料としては、導電性が良く安価で形成が容易であるとともに耐久性が良いという観点からはニッケル（Ｎｉ）もしくはニッケル合金等が好ましいが、これに限定されない。また、バンプホールの形成方法も特に制限されないが、精度や経済性を考慮するとレーザー又はフォトリソグラフィー法を用いて形成することが好ましい。
【００４８】
パッド（導電層）の形成材料、形成方法、厚さ等は適宜選択できる。導電性が良く安価で形成が容易であるという観点からは銅（Ｃｕ）が好ましい。また、パッドはＣｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなど複数の金属層の積層構造とすることができる。パッド（導電層）の形成方法としては、スパッタ法や蒸着法などの成膜法や、無電解メッキや電気メッキなどのメッキ法、あるいは、銅箔を接着する方法などを利用できる。パッド（導電層）の厚さは、レーザーによって穴のあかない程度の薄さ（２〜５μｍ程度）以上であればよいが、耐久性が必要なため５〜３５μｍ程度が望ましい。
【００４９】
また、パッド表面及びバンプ表面に、Ａｕめっきの代わりにＡｕ−Ｃｏ合金による電気めっきを施すこともできる。この場合、ＡｕよりもＡｕ−Ｃｏ合金の方がバンプ及びパッド表面の摩耗が少ない。すなわち、バンプのＡｕめっきは電気めっきなので、合金を形成することができ、純金では軟らかすぎるので、合金にすることにより硬度を上げることができる。また、Ａｕ、Ａｕ−Ｃｏ合金のかわりに、バラジウム、ロジウムもしくはそれら金属を含む合金を形成しても同様の効果を得ることができる。電気めっきは、無電解めっきに比べ、めっきを短時間で行うことができ、機械的強度及び密着力が強く剥がれにくい。また、めっきの膜厚を厚く形成することができるため、被接触部分との付着性（コンタクト性）が良い。
【００５０】
バンプ表面やバンプが接触するパッドの表面に半田をコートすることができる。
【００５１】
本発明のフレキシブルコンタクトボードの用途は特に制限されない。例えば、バーンインボードとしての用途以外に、プローブカード用の多層配線基盤、プリントボード、ＭＣＭ基盤等に代表される高密度多層配線基盤、多層ＴＡＢ、ＦＰＣなどに使用できる。
本発明のフレキシブルコンタクトボードにおけるメンブレンリングの積層数は３層に限られず、１０層あるいはそれ以上としても良い。バーンインボードとしては、メモリ用では３〜４層、ロジック用では５〜６層、ハイブリッド用では１０層程度となる。本発明では、ショートや断線を修正できるので、層数の多いコンタクトボードを高歩留まりで得られる。
また、第１メンブレンリング（コンタクト用メンブレンリング）と第３メンブレンリング（表層配線メンブレンリング）とで２層以上の構成のフレキシブルコンタクトボードを形成することもできる。
【００５２】
【発明の効果】
本発明のフレキシブルコンタクトボードは、以下の効果を有する。
第１に、従来の多層配線基板の代わりに配線用のメンブレンリングを使用している、すなわち、バーンインボード全体を複数のメンブレンリングで構成しているので、フレキシブル性やクッション性が高く、したがって、コンタクトの圧力が全面で均一になり、また、バンプやパッドの高さのバラツキにも構造的に対応でき、密着不良がない。
第２に、構造が簡単で、製造コストが安い（約５分の１以下にできる）。
第３に、各メンブレンリングに分解できるので、欠陥の修正が容易で、修正が困難な場合であっても欠陥のあるメンブレンリングだけ交換できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の態様における第１メンブレンリングの概略を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の態様における第２メンブレンリングの概略を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の態様における第３メンブレンリングの概略を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の態様にかかるフレキシブルコンタクトボードの概略を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の態様におけるバーンイン試験の様子を示す断面図である。
【図６】本発明の実施態様におけるメンブレンリングの形成工程を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施態様におけるメンブレンリングの加工工程を説明するための要部断面図である。
【図８】本発明の他の実施の態様にかかるフレキシブルコンタクトボードによるバーンイン試験の様子を示す断面図である。
【図９】従来のバーンインボード及び試験を説明するための図である。
【符号の説明】
１      フレキシブルコンタクトボード
２      アルミニウム板
３      シリコンゴムシート
４      フィルム
５      熱硬化性接着剤
１０      第１メンブレンリング
１１      第１リング
１２      第１メンブレン
１３      第１バンプ
１４      第１パッド
１５      空気穴
２０      第２メンブレンリング
２１      第２リング
２２      第２メンブレン
２３      第２バンプ
２４      第２パッド
２５      空気穴
３０      第３メンブレンリング
３１      第３リング
３２      第３メンブレン
３３      第３バンプ
３４      第３パッド
３６      シールリング
３７      ポゴピン
３８      シリコンゴム
３９      平坦性の高い基板
４０      バキュウムチャック
５０      シリコンウエハ
６０      バンプ付きメンブレンリング
７０      異方性導電ゴムシート
８０      多層配線基盤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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