(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、マスク露光し、現像し、エッチングして前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、
前記現像の工程とエッチングの工程の間に現像後のレジスト剥離を容易にするための非選択露光工程をなしその後レジストの密着性を高めるための高温によるポストベーク工程を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し前記レジストを露光、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、
液晶パネル用基板上に透明導電膜を形成する工程、前記透明導電膜の上にレジストを形成する工程、前記レジストをマスクを用いて露光する工程、露光された前記レジストを現像する工程、前記レジストを非選択露光する工程、前記レジストを高温によるポストベークを行う工程、前記透明電極膜をエッチングする工程および前記レジストを剥離する工程をこの順で行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し前記レジストを露光、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、
液晶パネル用基板上にカラーフィルターを形成する工程、前記カラーフィルターの上に保護膜を形成する工程、前記保護膜の上に透明導電膜を形成する工程、前記透明導電膜の上にレジストを形成する工程、前記レジストをマスクを用いて露光する工程、露光された前記レジストを現像する工程、前記レジストを非選択露光する工程、前記レジストを高温によるポストベークする工程、前記透明電極膜をエッチングする工程および前記レジストを剥離する工程をこの順で行うことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記レジストはポジレジストであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶装置、特に透明電極を備えた液晶パネル用基板を有する液晶装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パネル用基板に透明電極を備え、液晶パネル用基板間に液晶を挟持して、光の透過を制御する液晶装置は、薄型で消費電力が少ないという長所により、従来から、液晶表示装置、液晶プリンタ等情報機器に広く用いられている。かかる液晶装置に於いて、そのパネル用基板に透明電極を形成する製造方法として従来行われている方法につき図面を用いて説明する。図３は前記パネル用基板に透明電極を形成する従来の液晶装置の製造方法を示す断面図である。
【０００３】
図３に示すようにＳＴ３１に於いて、蒸着、スパッタリング等の製膜技術によりガラス等の液晶パネル用基板５１にＩＴＯ（酸化インジューム薄膜）等よりなる透明導電膜５２を被着する。次に、ＳＴ３２に於いて、前記透明導電膜５２の上にレジスト５３を塗布する。
【０００４】
次に、ＳＴ３３に於いて、前記ジスト５３をマスク５４を用いて露光する。マスク５４は遮光部５４ａと窓部５４ｂとを有し、前記露光により、レジスト５３前記窓部５４ｂに対応する部分は感光・変質した露光部分５３ｂとなり、前記遮光部５４ａに対応する部分は未露光部分５３ａとなる。次に、ＳＴ３４に於いて、現像液により、レジスト５３のうちで感光・変質した前記露光部分５３ｂのみを選択的に溶解除去する現像を行う。次に、ＳＴ３５に於いて、残されたレジスト５３の前記未露光部分５３ａを加熱してポストベークする。ここで、このポストベークは前記残されたレジスト５３の未露光部分５３ａと前記透明導電膜５２との密着力を高めるために行うものである。
【０００５】
次に、ＳＴ３６に於いて酸性のエッチング液を用いて、残されたレジスト５３の未露光部分５３ａにより被覆されいる透明導電膜５２の被覆部分５２ａを残して、これ以外の透明導電膜５２の部分をエッチングにより除去する。次に、ＳＴ３７に於いて、無機酸強アルカリ（例えば、ＫＯＨ、ＮＡＯＨ）の剥離液を用いて、透明導電膜５２の前記被覆部分５２ａの上に残されたレジスト５３の未露光部分５３ａを溶解・剥離し、前記被覆部分５２ａを透明電極５５とする。以上の工程を有する製造方法により、液晶装置のパネル用基板上５１上に透明電極５５が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
かかる液晶装置の製造方法に於いては、製造コストを低減させことが望ましく、そのためには、製造工程に於けるランニングコストが低く、スループットが高いことが必要である。一方、液晶装置としては表示、印刷等に於ける分解能、再現精度等の再現機能が高いことが望ましく、そのためには、透明電極５５のパターンの精度が高いことが必要である。しかし、従来の製造方法に於いては、製造コストの低減と透明電極５５パターン精度の向上というこれら二つの要求を共に満足させることは困難であった。
【０００７】
すなわち、透明電極５５のパターン精度を高く維持するには前記のＳＴ３５のポストベークの工程に於いて、ポストベークの温度を上げ、レジスト５３の前記未露光部分５３ａと透明導電膜５２の密着性を十分に高める必要がある。なぜならば、この密着性が十分でないときはＳＴ３６のエッチング工程に於いてエッチング液が前記レジスト５３ａと透明導電膜５２の界面に食い込んで、図４に示すように、前記レジスト５３ａの端部５３ａ１よりも内側の部分に於いて、透明電極膜２の前記被覆部分５２ａの一部が溶解・除去されるオーバーエッチングを生じ、図３のＳＴ３７の剥離工程に示す透明電極５５のパターンの寸法精度を低下させるからである。ところが、かかるオーバーエッチングを回避するため、ポストベークの温度を上げると、レジスト５３ａはアルカリに溶けにくい材質に変質し、ＳＴ３７の剥離工程に於いて、アルカリ性の弱い剥離液を用いてレジスト５３ａを剥離する際に、剥離が困難となり、長時間を要し、剥離不十分で残渣を生じ易くなる。残渣があれば不良品となる。
【０００８】
従って、処理時間の増加および歩留りの低下を招く。全体の処理工程が、バッチ処理を含まず枚葉処理のみにより行われる自動化ラインに於いては、特にスループットを顕著に低下させることになる。一方、アルカリ性の強い剥離液を用いれば、処理時間の増加は防止できるが、材料費が高くなり、材料の取扱いに手間がかかり、環境悪化も増すため、ランニングコストが増加し、又、パネル基板１に他に保護膜等が設けられている場合はこれらを傷つけ易くなる。
【０００９】
本発明は上記した従来技術の問題点、すなわち、液晶装置のパネル用基板に設けた透明電極のパターン精度の向上とその製造に於ける製造コストの低減とを両立をさせることを解決すべき課題とするものである。そして本発明はかかる課題を解決し、パターン精度の高い透明電極を備えたパネルを有し、高品位の液層制御により、高品位の表示、印字等を行うことができる液晶装置を低い製造コストに於いて提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明の第１の手段は、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、マスク露光し、現像し、エッチングして前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、前記現像の工程とエッチングの工程の間に現像後のレジスト剥離を容易にするための非選択露光工程をなしその後レジストの密着性を高めるための高温によるポストベーク工程を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法である。
【００１１】
上記課題を解決するための本発明の第２の手段は、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し前記レジストを露光、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、液晶パネル用基板上に透明導電膜を形成する工程、前記透明導電膜の上にレジストを形成する工程、前記レジストをマスクを用いて露光する工程、露光された前記レジストを現像する工程、前記レジストを非選択露光する工程、前記レジストを高温によるポストベークを行う工程、前記透明電極膜をエッチングする工程および前記レジストを剥離する工程をこの順で行うことを特徴とする液晶装置の製造方法である。
【００１２】
上記課題を解決するための本発明の第３の手段は、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し前記レジストを露光、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、液晶パネル用基板上にカラーフィルターを形成する工程、前記カラーフィルターの上に保護膜を形成する工程、前記保護膜の上に透明導電膜を形成する工程、前記透明導電膜の上にレジストを形成する工程、前記レジストをマスクを用いて露光する工程、露光された前記レジストを現像する工程、前記レジストを非選択露光する工程、前記レジストを高温によるポストベークする工程、前記透明電極膜をエッチングする工程および前記レジストを剥離する工程をこの順で行うことを特徴とする液晶装置の製造方法である。
【００１３】
上記課題を解決するための本発明の第４の手段は、上記本発明の第１乃至第３のいずれか一の手段において前記レジストはポジレジストであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下図面に基づいて本発明の好適な実施の形態を第１の実施例について説明する。本実施例は液晶装置の製造方法に係るものであり、図１は本実施例の製造方法の工程を示す断面図である。
【００２７】
図１に示すように、ＳＴ１に於いて、蒸着、スパッタリング等の製膜技術によりガラス等の液晶パネル用基板１にＩＴＯ（酸化インジューム薄膜）等よりなる透明導電膜２を被着する。
【００２８】
次に、ＳＴ２に於いて、前記透明導電膜２の上にレジスト３を塗布する。ここで、レジスト３はポジレジストであり、例えばノボラックに感光剤を添加した材料よりなる。
【００２９】
次に、ＳＴ３に於いて、前記レジスト３をマスク４を用いて露光する。マスク４は後述する透明電極５のパターンに対応する遮光部４ａと光を通す窓部４ｂとを有し、前記露光により、レジスト３の前記窓部４ｂに対応する部分は感光・変質した露光部分３ｂとなり、前記遮光部４ａに対応する部分は未露光部分３ａとなる。ここで、レジスト３は露光されない状態では、アルカリに溶けにくい性質を有し、露光されると、アルカリに溶け易い性質に変わる。従って、前記レジスト３の記未露光部分３ａはアルカリに溶けにくく、前記露光部分３ｂはアルカリに溶け易い性質を有する。
【００３０】
次にＳＴ４に於いて、アルカリ性の現像液を用いて、レジスト３のうちで前記露光部分３ｂのみを選択的に溶解除去する現像を行う。
【００３１】
次に、ＳＴ５に於いて、マスクを用いない非選択的露光を行うことにより、残されたレジスト３の前記未露光部分３ａを感光・変質させ、アルカリに溶け易い性質の第２の露光部分３ｃとする。実際には、数百ワットの水銀ランプを用いた。
当然、マスクを用いても、本願の効果は得られる。
【００３２】
次に、ＳＴ６に於いて例えば１２０℃以上の温度でポストベークする。ここで、このポストベークは前記残されたレジスト５３の前記第２の露光部分５３ｃと前記透明導電膜２との密着性を高めるために行うものである。
【００３３】
次に、ＳＴ７に於いて酸性のエッチング液（例えば、塩化第２鉄、臭化水素、塩酸、硝酸）を用いて、残されたレジスト３の前記第２の露光部分３ｃにより被覆されいる被覆部分２ａを残して透明導電膜２をエッチングにより除去する。
【００３４】
次に、ＳＴ８に於いて、アルカリ性の剥離液（例えば、数％のＫＯＨを含む安いアルカリ液）を用いて、透明導電膜２の前記被覆部分２ａの上に被覆されたレジスト３の前記第２の露光部分３ｃを溶解・剥離する。これにより、前記液晶パネル用基板１の上には透明導電膜２の前記被覆部分２ａが透明電極５として残され、透明電極５が液晶パネル用基板１の上に形成される。この際、レジスト３の前記第２の露光部分３ｃは前記のようにアルカリに解け易いものとなっているので、短時間で、残渣を残さず確実なレジスト３の剥離を行うことができる。
【００３５】
本実施例に於いては、従来の製造方法と異なり、上記のように１回目の露光工程（ＳＴ３）の後、レジストの現像工程（ＳＴ４）とポストベーク工程（ＳＴ６）の間に２回目の露光工程（ＳＴ５）を行う。この２回目の露光工程により、エッチング後のレジストの剥離工程（ＳＴ８）に於けるレジストの剥離が、かかる２回目の露光工程を行わない従来の製造方法に比して、容易で確実なものとなる。
【００３６】
すなわち、従来の場合は、図３に示すように、現像工程（ＳＴ３４）後に残されたレジスト５３の未露光部分５３ａは露光されることなく、ポストベーク工程（ＳＴ３５）、エッチング工程（ＳＴ３６）を経て、剥離工程（ＳＴ３７）に入る。ここで、前記レジスト５３の未露光部分５３ａのアルカリに対する溶け易さおよび透明導電膜５２への密着力はポストベーク工程（ＳＴ３５）に於ける加熱温度に依存する。すなわち、ある温度以上でポストベークを行った場合、ポストベーク前に比較すれば、全般的には、アルカリに対する溶け易さおよび透明導電膜５２への密着力は向上する傾向にはあるが、その中で、温度が比較的低い場合は、密着力が不十分で、すでに述べたようエッチング工程（ＳＴ３６）においてオーバーエッチングを起こし、図４に示す透明電極５５のパターン精度が低下する。
【００３７】
本実施例に於いては、前記２回目の露光工程（ＳＴ５）より、エッチング工程（ＳＴ７）の際に前記透明導電膜２の保護膜となるレジスト３の第２の感光部分３ｃはアルカリに溶け易い性質に変質し、ポストベーク工程（ＳＴ６）の際の加熱温度をかなり上げてもその性質は維持される。一方、前記保護膜と前記透明導電膜２との密着力はポストベーク工程（ＳＴ）の際の加熱温度を上げることにより向上する。従って、前記加熱温度を適切に選択することにより、前記密着力と前記アルカリへの溶け易さを共に十分に高く維持することができる。そして、前記密着力の向上により、エッチング工程（ＳＴ７）に於けるアンダーエッチングを十分に小さくして前記透明電極５のパターン精度を十分に確保し、向上させ、前記アルカリへの溶け易さの維持により、レジストの剥離（ＳＴ８）が容易となり、剥離工程のランニングコストを十分に低くし又はスループット、歩留りを十分に大にすることができる。
【００３８】
本実施例の製造方法を前記２回目の露光工程を有しない従来の製造方法と更に対比すると、ポストベーク工程に於ける加熱温度が同一の場合、本実施例は従来に比し、レジストと透明導電膜の密着力はほぼ等しいが、レジストのアルカリへの溶解度は常に高い。すなわち、前記密着力が同一のときに、本実施例の場合は従来に比し常に前記アルカリへの溶解度が高くなり、レジスト剥離（ＳＴ８）が容易となる。よって、本実施例によれば、透明電極につき、同一のパターン精度を得ようとするときは従来よりもランニングコストの低減又はスループットの向上をすることができる。逆に、同一のアルカリへの溶け易さとなる前記加熱温度ついていえば、本実施例の方が従来よりも高い温度とすることができる。すなわち、同一の前記溶け易さに於いて従来よりも前記密着力を高め、透明電極のパターン精度を上げることができる。よって、本実施例によれば、同一のランニングコスト又はスループットに於いて、従来よりも透明電極のパターン精度を上げることができる。
【００３９】
以下図面に基づいて本発明の好適な実施の形態を第２の実施例について説明する。本実施例は液晶装置の製造方法に係るものであり、図２は本実施例の製造方法の工程を示す断面図である。
【００４０】
図２に示すようにＳＴ１１に於いて、ガラス等の液晶パネル用基板１上に公知の技術を用いてＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルター６および該カラーフィルター６を覆い、保護する透明な保護膜７を形成する。ここでカラーフィルター６および保護膜７は一般的に有機材料（例えば、ゼラチン、アクリル、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、塩化ビニール等）にて形成される。
【００４１】
ＳＴ１２に於いて、蒸着、スパッタリング等の製膜技術により前記保護膜７の上にＩＴＯ（酸化インジューム薄膜）等よりなる透明導電膜２を被着する。
【００４２】
次に、ＳＴ１３に於いて、前記透明導電膜２の上にレジスト３を塗布する。
【００４３】
次に、ＳＴ１４に於いて、前記レジスト３に対しマスク４を用いて前記第１の実施例のＳＴ３と同様の露光を行ない、同様の原理により、レジスト３を感光・変質した露光部分３ｂと未露光部分３ａに区分する。
【００４４】
次にＳＴ１５に於いて、前記第１の実施例のＳＴ４と同様にして、同様の原理によりレジスト３の現像を行う。
【００４５】
次に、ＳＴ１６に於いて、前記第１の実施例のＳＴ５と同様の２回目の露光により、残されたレジスト３の前記未露光部分３ａをアルカリに溶け易い性質の第２の露光部分３ｃとする。
【００４６】
次に、ＳＴ１７に於いて、前記第１の実施例のＳＴ６と同様のポストベークを行う。
【００４７】
次に、ＳＴ１８に於いて、前記第１の実施例のＳＴ７と同様のエッチングにより、前記第２の露光部分３ｃにより被覆されいる被覆部分２ａを残して透明導電膜２を除去する。
【００４８】
次に、ＳＴ１９に於いて、前記第１の実施例のＳＴ８と同様の剥離工程により、透明導電膜２の前記被覆部分２ａの上に被覆されたレジスト３の前記第２の露光部分３ｃを溶解・剥離する。これにより、保護膜７の上には透明導電膜２の前記被覆部分２ａが透明電極５として残され、透明電極５が液晶パネル用基板１の上に設けられたカラーフィルタ６を被覆する保護膜７の上に形成される。この際、レジスト３の前記第２の露光部分３ｃは前記のようにアルカリに解け易いものとなっているので、弱アルカリ性の剥離液を用いて、比較的短時間で残渣を残さず確実なレジスト３の剥離を行うことができる。
【００４９】
ここで、前記保護膜７はすでに述べたように有機材料よりなっているので、酸に対しては比較的耐性が強いが、アルカリに対しては必ずしも耐性が強くなく、弱アルカリには侵されにくいが、強アルカリには侵され易い。本実施例に於いては、上記のように弱アルカリ性の剥離液を用いてレジスト３の剥離を行うことができるので、剥離工程に於いて、前記保護膜７傷つけることはない。
【００５０】
従来は、パネル基板１の上にカラーフィルター６および該カラーフィルターを被覆する保護膜７を形成し、更にその上に透明電極を形成する方法として、前記ＳＴ１１と同様のカラーフィルターおよび保護膜形成の工程の後に図３に示したＳＴ３１からＳＴ３７に至る工程と同様の工程を行っていた。本実施例とかかる従来の製造方法を対比すると、本実施例のような２回目の露光工程（ＳＴ１６）を有しない従来の製造方法によれば、そのレジスト５３ａの剥離工程（図３のＳＴ３７に相当する工程）に於いて、すでに述べたのと同様の理由により、レジスト５３ａはアルカリに溶けにくい性質を有している。従って、弱アルカリ性の剥離液を用いた場合は剥離に長時間を要し、スループットを低下させる。更に、剥離が不完全で残渣を生じ易い。かかる問題を回避しようとして剥離液をアルカリ性の強いものとすると、前記保護膜７が傷つき、パネルが不良品となる。
【００５１】
本実施例の場合はポストベーク工程（ＳＴ１７）に於ける加熱温度を高くしてレジスト３ｃと透明導電膜２の密着力を十分高めても、レジスト３ｃをアルカリに溶け易い性質に維持することができるので、透明電極５のパターン精度を上げることができるとともに、レジスト３ｃの剥離工程（ＳＴ１９）に於いて上記のごとく弱アルカリ性の剥離液を用い、短時間で確実な剥離をすることができる。このように、本実施例の製造方法によれば、カラーフィルタ６の保護膜７を傷つけることなく、レジス３ｃの剥離のスループットおよび確実性を従来よりも顕著に向上することができる。
【００５４】
本発明のその他の実施の形態について以下に説明する。前記第１の実施例に於ける２回目の露光工程（ＳＴ５）又は第２の実施例に於ける２回目の露光工程（ＳＴ１６）に於ける露光は、マスクを用いない露光であると説明したが、本発明はこれに限らず、２回目の露光はたとえマスクを用いた露光であっても、現像後に、透明電極パターン部を被覆するべく残さたレジスト３を実質的に露光するものであればよい。また、レジスト剥離以降の工程まで、一部のレジストパターンを基板上に、例えばアライメントマークやロット番号として残しておきたい場合などは、本発明を応用し２回目の露光にマスクを用い、残したい部分を露光しないことでアルカリ溶解度に差をもうけて、選択的レジスト剥離を行うこともできる。更に、本発明に於いては露光は２回に限らず必要に応じ３回以上であっても良い。例えば、マスクを用いた選択的露光に加え、現像後エッチング迄の間の露光およびエッチング後でレジストの剥離前の露光を行うこともできる。
【００５５】
本発明は以上に述べた実施の形態のように製造方法のみに限定されるものではなく、例えば第１の実施例、第２の実施例、又は第３の実施例の製造方法により製造された透明電極を備えたパネル基板を有する液晶装置を含むものである。かかる液晶装置はすでに説明した理由により、透明電極のパターン精度に優れているので高品位の液晶層制御により、高品位の表示、印字等を行うことができ、且つ、低いランニングコストと高いスループットにより製造され、製造コストが低いという利点を有する。
また、本発明は、第１ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、前記レジストの露光工程を少なくとも２回行うことの特徴を有する液晶装置の製造方法である。さらに、本発明は第２ａの手段として、前記第１ａの手段に於いて前記レジストの露光工程をレジストの現像工程よりも前および後に於いて行うことの特徴を有する液晶装置の製造方法である。さらに発明は第３ａの手段として、前記第１ａの手段又は第２ａの手段に於いて前記レジストの現像工程よりも前に行う露光工程の露光はレジストの一部を感光させ、残部を感光させない選択的な露光であり、前記現像工程よりも後に行う露光はレジストの全部を感光させる非選択的な露光であることの特徴を有する液晶装置の製造方法である。
また、本発明は第４ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、露光し、現像し、ポストベークし、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、前記レジストの現像工程と前記レジストのポストベーク工程の間に前記レジストの露光工程を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法である。さらに、本発明は第５ａの手段として、前記第４ａの手段に於いて、前記レジストの現像工程よりも後のレジストの露光工程の露光により、ポストベーク工程後のレジストの密着性を保持しつつ該レジストをアルカリに可溶とすることを特徴とする液晶装置の製造方法である。
また、本発明は第６ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法に於いて、前記レジストのマスクを用いた露光工程及び前記レジストの現像工程及び前記レジストのマスクを用いない露光工程及び前記レジストのポストベーク工程及び前記透明導電膜のエッチング工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法である。
また、本発明は第７ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成する第１の工程、前記レジストをマスクを用いて露光する第２の工程、露光された前記レジストを現像する第３の工程、マスクを用いないで現像後の前記レジストを露光する第４の工程、現像後の前記レジストをポストベークする第５の工程、前記透明導電膜をエッチング第６の工程および現像後の前記レジストを剥離する第７の工程を有する液晶装置の製造方法に於いて、露光された前記レジストを現像する前記第３の工程と現像後の前記レジストをポストベークする前記第５の工程の間に、マスクを用いないで現像後の前記レジストを露光する前記第４の工程を行うことを特徴とする液晶装置の製造方法で
ある。
また、本発明は第８ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法により製造された透明電極を有する液晶装置に於いて、前記レジストの露光工程を少なくとも２回行う製造方法により製造された透明電極を有することを特徴とする液晶装置である。さらに、本発明は第９ａの手段として、前記第８ａの手段の液晶装置に於いて、前記レジストの露光工程をレジストの現像工程よりも前および後に於いて行う製造方法により製造された透明電極を有することを特徴とする液晶装置である。さらに、本発明は第１０ａの手段として、前記第８の手段又は第９ａの手段の液晶装置に於いて、前記レジストの現像工程よりも前に行う露光工程の露光はレジストの一部を感光させ、残部を感光させない選択的な露光であり、前記現像工程よりも後に行う露光はレジストの全部を感光させる非選択的な露光である製造方法により製造された透明電極を有することを特徴とする液晶装置である。
また、本発明は第１１ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、露光し、現像し、ポストベークし、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する液晶装置の製造方法により製造された透明電極を有する液晶装置に於いて、前記レジストの現像工程と前記レジストのポストベーク工程の間に前記レジストの露光工程を行うことにより製造された透明電極を有することを特徴とする液晶装置である。さらに、本発明は第１２ａの手段として、前記第１１ａの手段の液晶装置に於いて前記レジストの現像工程よりも後のレジストの露光工程の露光により、ポストベーク工程後のレジストの密着性を保持しつつ該レジストをアルカリに可溶とする製造方法により製造された透明電極を有することを特徴とする液晶装置である。
また、本発明は第１３ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成し、エッチングにより、前記透明導電膜の一部を除去して透明電極を形成する製造方法により製造された液晶装置に於いて、前記レジストのマスクを用いた露光工程及び前記レジストの現像工程及び前記レジストのマスクを用いない露光工程及び前記レジストのポストベーク工程及び前記透明導電膜のエッチング工程を有する製造方法により製造された透明導電膜を有することを特徴とする液晶装置である。
また、本発明は第１４ａの手段として、液晶パネル用基板に形成した透明導電膜の上にレジストを形成する第１の工程、前記レジストをマスクを用いて露光する第２の工程、露光された前記レジストを現像する第３の工程、マスクを用いないで現像後の前記レジストを露光する第４の工程、現像後の前記レジストをポストベークする第５の工程、前記透明導電膜をエッチング第６の工程および現像後の前記レジストを剥離する第７の工程を有する製造方法により製造される液晶装置に於いて、露光された前記レジストを現像する前記第３の工程と現像後の前記レジストをポストベークする前記第５の工程の間に、マスクを用いないで現像後の前記レジストを露光する前記第４の工程を行う製造方法により製造された透明電極を有することを特徴とする液晶装置である。
さらに、本発明は第１５ａの手段として、前記第１ａの手段乃至第７ａの手段のいずれか一の手段の製造方法に於いて前記レジストはポジレジストであることを特徴とする液晶装置の製造方法である。
さらに、本発明は第１６ａの手段として、前記第８ａの手段乃至第１４ａの手段のいずれか一の手段の液晶装置に於いて、前記液晶装置はその液晶パネル用基板にカラーフィルターを備えていることを特徴とする液晶装置である。
【００５６】
【発明の効果】
以上に述べたように、本発明によれば、従来は困難であった液晶装置の液晶パネル用基板に設けた透明電極パターンの精度向上とその製造に於けるスループットの向上の両立を容易に実現させることができる。この結果、本発明によれば、パターン精度の高い透明電極を備えたパネルを有し、高品位の液層制御により、高品位の表示、印字等を行うことができる液晶装置を低い製造コストに於いて提供することができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一つである液晶装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の一つである液晶装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】従来の液晶装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】従来の液晶装置の製造方法に於けるオーバーエッチングの状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１  液晶パネル用基板
２  透明導電膜
３  レジスト
４  マスク
５  透明電極
６  カラーフィルター
７  保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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