(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに出力信号の位相が異なる複数の出力端子を有する差動増幅器と、圧電共振子と、入力信号の位相を所定量だけずらして出力信号として出力する移相回路と、を備え、前記差動増幅器、前記圧電共振子および前記移相回路により正帰還発振ループを形成した発振回路であって、
前記差動増幅器の出力端子のいずれかを用いて前記正帰還発振ループを構成させるべく、前記差動増幅器の出力端子のいずれか一つを選択する信号選択部を備えたことを特徴とする発振回路。
【請求項２】
互いに出力信号の位相が異なる複数の出力端子を有する差動増幅器と、圧電フィルタと、入力信号の位相を所定量だけずらして出力信号として出力する移相回路と、を備え、前記差動増幅器、前記圧電フィルタおよび前記移相回路により正帰還発振ループを形成した発振回路であって、
前記差動増幅器の出力端子のいずれかを用いて前記正帰還発振ループを構成させるべく、前記差動増幅器の出力端子のいずれか一つを選択する信号選択部を備えたことを特徴とする発振回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の発振回路において、
前記差動増幅器は、ＥＣＬラインレシーバを用いた差動増幅器を備えたことを特徴とする発振回路。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の発振回路において、
前記差動増幅器は、反転入力端子及び非反転入力端子を有し、
前記反転入力端子と前記非反転入力端子とは、インピーダンス回路を介して接続され、
前記反転入力端子および前記非反転入力端子のうち、いずれか一方にはバイアス電圧が印加され、他方は、前記正帰還発振ループの入力端として機能することを特徴とする発振回路。
【請求項５】
請求項４記載の発振回路において、
前記インピーダンス回路は、インダクタおよびキャパシタを有するタンク回路として構成され、
前記タンク回路は前記移相回路における出力信号の所望の周波数帯域のみを選択的に通過させることを特徴とする発振回路。
【請求項６】
請求項５記載の発振回路において、
前記圧電共振子は、水晶ＡＴカット共振子であり、
前記タンク回路は、前記水晶ＡＴカット共振子の奇数次オーバートーン発振周波数帯域あるいは所望の発信周波数帯域のみを選択的に通過させることを特徴とする発振回路。
【請求項７】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の発振回路において、
前記移相回路における出力信号のうち所定の周波数帯域成分のみを選択的に通過させる周波数選択部を備えていることを特徴とする発振回路。
【請求項８】
請求項７記載の発振回路において、
前記周波数選択部は、並列接続された周波数選択用コンデンサ及び周波数選択用コイルを備えたことを特徴とする発振回路。
【請求項９】
請求項８記載の発振回路において、
前記周波数選択用コンデンサは、その容量を可変することにより前記移相回路の出力信号の周波数帯域成分のみを選択的に通過させることを特徴とする発振回路。
【請求項１０】
請求項８または請求項９記載の発振回路において、
前記周波数選択用コンデンサは、レーザトリミング可能なコンデンサとして形成されていることを特徴とする発振回路。
【請求項１１】
請求項８または請求項９記載の発振回路において、
前記周波数選択用コンデンサは、基板上にパターンとして形成されたトリミング可能なコンデンサとして形成されていることを特徴とする発振回路。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の発振回路において、
前記移相回路は、当該移相回路の出力信号の周波数帯域成分を選択的に阻止する周波数選択部を備えていることを特徴とする発振回路。
【請求項１３】
請求項１２記載の発振回路において、
前記周波数選択部は、前記移相回路内にその容量を可変することが可能な可変容量コンデンサとして形成されていることを特徴とする発振回路。
【請求項１４】
請求項１３記載の発振回路において、
前記可変容量コンデンサは、レーザトリミング可能なコンデンサとして形成されていることを特徴とする発振回路。
【請求項１５】
請求項１３記載の発振回路において、
前記可変容量コンデンサは、基板上にパターンとして形成されたトリミング可能なコンデンサとして形成されていることを特徴とする発振回路。
【請求項１６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の発振回路において、
前記差動増幅器の出力端子側に出力用差動増幅器を有する出力バッファ回路を挿入したことを特徴とする発振回路。
【請求項１７】
請求項１６記載の発振回路において、
前記出力用差動増幅器は、ＥＣＬラインレシーバを用いた差動増幅器を備えたことを特徴とする発振回路。
【請求項１８】
請求項１ないし請求項１７のいずれかに記載の発振回路において、
前記正帰還発振ループ中に互いに出力信号の位相が異なる複数の出力端子を有する帰還用差動増幅器を有する帰還バッファ回路を挿入したことを特徴とする発振回路。
【請求項１９】
請求項１８記載の発振回路において、
前記帰還バッファ回路は、互いに並列接続され、前記複数の出力端子のいずれかを有する前記帰還用差動増幅器を複数有し、
前記複数の帰還用差動増幅器のうち、いずれか一つが前記正帰還発振ループ中に挿入されることを特徴とする発振回路。
【請求項２０】
請求項１８記載の発振回路において、
前記帰還バッファ回路は、直列接続された複数の前記帰還用差動増幅器を有し、
前記複数の帰還用差動増幅器のうち、一つまたは順次直列に接続された複数の帰還用差動増幅器が前記正帰還発振ループ中に挿入されることを特徴とする発振回路。
【請求項２１】
請求項１９または請求項２０記載の発振回路において、
前記帰還用差動増幅器は、それぞれ非等間隔の出力信号の位相差を有することを特徴とする発振回路。
【請求項２２】
請求項１９または請求項２０記載の発振回路において、
前記帰還用差動増幅器は、それぞれ等間隔の出力信号の位相差を有することを特徴とする発振回路。
【請求項２３】
請求項１８ないし請求項２２のいずれかに記載の発振回路において、
前記帰還用差動増幅器は、ＥＣＬラインレシーバを用いた差動増幅器を備えたことを特徴とする発振回路。
【請求項２４】
請求項１ないし請求項２３のいずれかに記載の発振回路において、
前記信号選択部は、前記移相回路における移相量がより少なくなるように前記選択を行う、
ことを特徴とする発振回路。
【請求項２５】
請求項１ないし請求項２４のいずれかに記載の発振回路において、
前記移相回路は、制御電圧の印加によりその移相量を可変することが可能な電圧制御移相回路として構成されていることを特徴とする発振回路。
【請求項２６】
請求項１ないし請求項５、請求項７ないし請求項２５のいずれかに記載の発振回路において、
前記圧電共振子は、ＳＡＷ共振子であることを特徴とする発振回路。
【請求項２７】
請求項２６記載の発振回路において、
前記ＳＡＷ共振子は、水晶、ランガサイト、ＬＢＯ（Lithium Tetraborate） のいずれかを用いて形成されていることを特徴とする発振回路。
【請求項２８】
請求項１ないし請求項５、請求項７ないし請求項２５のいずれかに記載の発振回路において、
前記圧電共振子は、水晶ＡＴカット共振子であることを特徴とする発振回路。
【請求項２９】
請求項１ないし請求項２８のいずれかに記載の発振回路を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波発振動作を行う発振回路およびこの発振回路を備えた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１８は帰還型発振器の原理構成を示す図である。
圧電共振子を用いた帰還型発振器において、帰還回路１０１には、共振子、位相回路、各素子を結ぶ線路が含まれる。
このうち、共振子が主として発振周波数を決定するものとなっている。
ゲインＧを有する増幅器１００の入力側に、入力電圧Viが印加されると、増幅器１００の出力側には、次式で示すように、入力電圧ViがG倍された出力電圧Voが出力される。
Vo ＝Vi・G
この出力電圧Voは、電圧帰還率βを有する帰還回路１０１を介してβＶ0だけ、次式で表されるフィードバック電圧Vfとして増幅器１００の入力側に帰還される。
0003900911.tif 000002
このとき
Vf＞Vi
であり、位相が等しければ、入力電圧よりも帰還された電圧の方が大きくなるので、正帰還となり、発振が起こる。
【０００３】
ここで、Viの位相をθi、Vfの位相をθf、増幅器Gの位相変化をθG、帰還回路１０１での位相変化をθβとすると、
【０００４】
【数１】
0003900911.tif 000003
【０００５】
(1)式が成り立つためには、位相が等しくなければならないので、
【数２】
0003900911.tif 000004
【数３】
0003900911.tif 000005
となる。
(2)式が発振器の位相条件、(3)式が振幅条件である。(2)，(3)式を満足すれば、図１８の帰還型発振器は発振する。
【０００６】
また、フィードバック電圧Vfが大きくなってくると、増幅器１００の出力電圧Voは飽和して定常状態となり、出力は安定する。この時の振幅条件は
G・β=1
となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
従来の圧電発振回路では、発振周波数に対し、相対的に増幅器の動作速度が高速であるため、遅延時間つまり位相遅れによる移相量が無視できるレベルであった。よって増幅器は、入力信号に対して正相または反転増幅器とみなされていた。
また、発振条件における移相条件においては、主に共振子および移相回路の移相条件が支配的であった。
【０００８】
しかしながら、高周波発振回路、特に３００ＭＨｚ以上の発振周波数帯域で発振する発振回路においては、共振子及び移相回路の移相条件に加えて、増幅器及び各素子を接続するための線路の移相量の影響が大きくなってくる。
移相回路の移相量と回路規模には相関関係が有り、発振回路の移相条件を満たすためには、必要とされる移相量に伴って移相回路の回路規模が大きくなってしまうという問題点があった。
また、回路規模が大きくなると製品毎のばらつきも大きくなってしまうという問題点があった。
【０００９】
さらに帰還ループのロス（損失）が大きくなってしまい、発振条件を満たすために利得Ｇの大きな増幅器を用いなければならず、ノイズなどの影響を受けやすくなってしまうという問題点もあった。
【００１０】
さらに、例えば、１５５［ＭＨｚ］の共振周波数を有する共振子を用いて発振回路を設計する場合と、６２２［ＭＨｚ］の共振周波数を有する共振子を用いて発振回路を設計する場合とでは、発振回路に必要とされる移相量は大きく異なる。従って、各々の共振子に合わせた回路基板の設計が必要であった。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、所望の発振周波数において、発振ループの位相条件を容易に満たすことが可能な発振回路および電子機器を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、互いに出力信号の位相が異なる複数の出力端子を有する差動増幅器と、圧電共振子と、入力信号の位相を所定量だけずらして出力信号として出力する移相回路と、を備え、前記差動増幅器、前記圧電共振子および前記移相回路により正帰還発振ループを形成した発振回路であって、前記差動増幅器の出力端子のいずれかを用いて前記正帰還発振ループを構成させるべく、前記差動増幅器の出力端子のいずれか一つを選択する信号選択部を備えたことを特徴とする。
【００１３】
上記構成によれば、信号選択部は、差動増幅器、圧電共振子および移相回路により正帰還発振ループを形成するに際し、差動増幅器の出力端子のいずれか一つを前記正帰還発振ループを構成させるべく選択する。
また、互いに出力信号の位相が異なる複数の出力端子を有する差動増幅器と、圧電フィルタと、入力信号の位相を所定量だけずらして出力信号として出力する移相回路と、を備え、前記差動増幅器、前記圧電フィルタおよび前記移相回路により正帰還発振ループを形成した発振回路であって、前記差動増幅器の出力端子のいずれかを用いて前記正帰還発振ループを構成させるべく、前記差動増幅器の出力端子のいずれか一つを選択する信号選択部を備えたことを特徴とする。
【００１４】
上記構成によれば、信号選択部は、差動増幅器、圧電共振子および移相回路により正帰還発振ループを形成するに際し、差動増幅器の出力端子のいずれか一つを前記正帰還発振ループを構成させるべく選択する。
【００１５】
これらの場合において、前記差動増幅器は、ＥＣＬラインレシーバを用いた差動増幅器を備えるようにしてもよい。
また、前記差動増幅器は、反転入力端子及び非反転入力端子を有し、前記反転入力端子と前記非反転入力端子とは、インピーダンス回路を介して接続され、前記反転入力端子および前記非反転入力端子のうち、いずれか一方にはバイアス電圧が印加され、他方は、前記正帰還発振ループの入力端として機能するようにしてもよい。
さらに前記インピーダンス回路は、インダクタおよびキャパシタ有するタンク回路として構成され、前記タンク回路は前記移相回路における出力信号の所望の周波数帯域のみを選択的に通過させるようにしてもよい。
さらにまた、前記圧電共振子は、水晶ＡＴカット共振子であり、前記タンク回路は、前記水晶ＡＴカット共振子の奇数次オーバートーン発振周波数帯域あるいは所望の発信周波数帯域のみを選択的に通過させるようにしてもよい。
【００１６】
また、前記移相回路における出力信号のうち所定の周波数帯域成分のみを選択的に通過させる周波数選択部を備えるようにしてもよい。
さらに前記周波数選択部は、並列接続された周波数選択用コンデンサ及び周波数選択用コイルを備えるようにしてもよい。
さらにまた、前記周波数選択用コンデンサは、その容量を可変することにより前記移相回路の出力信号の周波数帯域成分のみを選択的に通過させるようにしてもよい。
また、前記周波数選択用コンデンサは、レーザトリミング可能なコンデンサとして形成されているようにしてもよい。
さらに前記周波数選択用コンデンサは、基板上にパターンとして形成されたトリミング可能なコンデンサとして形成されているようにしてもよい。
さらにまた、前記移相回路は、当該移相回路の出力信号の周波数帯域成分を選択的に阻止する周波数選択部を備えているようにしてもよい。
【００１７】
また、前記周波数選択部は、前記移相回路内にその容量を可変することが可能な可変容量コンデンサとして形成されているようにしてもよい。
さらに前記可変容量コンデンサは、レーザトリミング可能なコンデンサとして形成されているようにしてもよい。
さらにまた、前記可変容量コンデンサは、基板上にパターンとして形成されたトリミング可能なコンデンサとして形成されているようにしてもよい。
また、前記差動増幅器の出力端子側に出力用差動増幅器を有する出力バッファ回路を挿入するようにしてもよい。
さらに前記出力用差動増幅器は、ＥＣＬラインレシーバを用いた差動増幅器を備えるようにしてもよい。
さらにまた、前記正帰還発振ループ中に互いに出力信号の位相が異なる複数の出力端子を有する帰還用差動増幅器を有する帰還バッファ回路を挿入するようにしてもよい。
また、前記帰還バッファ回路は、互いに並列接続され、前記複数の出力端子のうちいずれかを有する前記帰還用差動増幅器を複数有し、前記複数の帰還用差動増幅器のうち、いずれか一つが前記正帰還発振ループ中に挿入されるようにしてもよい。
さらに前記帰還バッファ回路は、直列接続された複数の前記帰還用差動増幅器を有し、前記複数の帰還用差動増幅器のうち、一つまたは順次直列に接続された複数の帰還用差動増幅器が前記正帰還発振ループ中に挿入されるようにしてもよい。
【００１８】
さらにまた、前記帰還用差動増幅器は、それぞれ非等間隔の出力信号の位相差を有するようにしてもよい。
また、前記帰還用差動増幅器は、それぞれ等間隔の出力信号の位相差を有するようにしてもよい。
さらに前記帰還用差動増幅器は、ＥＣＬラインレシーバを用いた差動増幅器を備えるようにしてもよい。
さらにまた、前記信号選択部は、前記移相回路における移相量がより少なくなるように前記選択を行うようにしてもよい。
また、前記移相回路は、制御電圧の印加によりその移相量を可変することが可能な電圧制御移相回路として構成されているようにしてもよい。
さらに前記圧電共振子は、ＳＡＷ共振子であるようにしてもよい。
さらにまた、前記ＳＡＷ共振子は、水晶、ランガサイト、ＬＢＯ（Lithium Tetraborate） のいずれかを用いて形成されているようにしてもよい。
また、前記圧電共振子は、水晶ＡＴカット共振子であるようにしてもよい。
さらに、電子機器において、上記いずれかの発振回路を備えるようにしてもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
次に本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。
［１］第１実施形態
図１に基づいて、第１実施形態にかかる発振回路について説明する。
発振回路３０は、ＥＣＬラインレシーバにより構成された差動増幅回路３１を備えている。
この差動増幅回路３１の非反転入力端子Ｄ１には、原発振信号を生成し、出力するＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子３２の帰還ループ後段側の端子が接続されている。
【００２０】
また差動増幅回路３１の反転入力端子Ｄ２と圧電共振子であるＳＡＷ共振子３２の帰還ループ後段側の端子との間には、差動増幅回路３１の非反転入力端子Ｄ１および反転入力端子Ｄ２の間に所定の電位差を発生させるための電位差発生回路Ｚd（インピーダンス回路）が介挿されている。さらに差動増幅回路３１の反転入力端子Ｄ２にはバイアス電圧ＶBBが印加されている。差動増幅回路３１の非反転出力端子Ｄ１には、差動増幅回路（帰還用差動増幅回路）を有するバッファ回路（帰還バッファ回路）３３の非反転入力端子が接続されている。また差動増幅回路３１の反転出力端子Ｄ１には、バッファ回路３３の反転入力端子が接続されている。
【００２１】
この場合において、バッファ回路３３の非反転入力端子及び反転入力端子にそれぞれ入力される信号の出力信号の位相差は１８０［゜］となるように調整されている。
この結果、バッファ回路３３の非反転出力端子Ｑ１から出力される信号ＳＱ１と反転出力端子Ｑ２から出力される信号ＳＱ２との位相差は１８０［゜］となる。
【００２２】
バッファ回路３３の後段には、この非反転出力端子Ｑ１から出力される信号ＳＱ１あるいはその反転出力端子Ｑ２から出力される信号ＳＱ２のいずれかを選択するスイッチ回路（信号選択部）３４が設けられている。
スイッチ回路３４の後段には、移相回路３５が接続され、移相回路３５における移相量が少なくなるように、スイッチ回路３４は、信号ＳＱ１または信号ＳＱ２のいずれかを選択的に出力する。
差動増幅回路３１の正出力端子および負出力端子の後段には、差動増幅回路（出力用差動増幅器）を有する出力バッファ回路４０（出力用バッファ回路）が接続されている。ここで、図２を参照してスイッチ回路３４において信号選択を行うための手法について説明する。尚、バッファ回路３３や出力バッファ回路４０を追加することにより、正帰還発振ループの出力側に与える影響を低減することができる。
【００２３】
図２は、信号ＳＱ１あるいは信号ＳＱ２のいずれかを用いた場合に発振回路３０全体として位相条件を満たすために移相回路３５において必要とされる移相量を表した図である。
すなわち、発振回路３０における所望の発振周波数をｆ0とした場合、帰還ループ（正帰還発振ループ）において信号ＳＱ１を用いた場合に、帰還ループ全体において位相条件を満たさせるためには、移相回路３５における移相量をΔＱ１としなければならないということを表している。信号ＳＱ２についても同様である。
そこで、調整者は、位相差ΔＱ１と位相差ΔＱ２とを比較し、移相回路３５における移相量がより少なくなるＴＸ端子（Ｘ＝１，２）側にスイッチ回路３４を切り換える。
例えば、
ΔＱ１＞ΔＱ２
である場合には、スイッチ回路３４をバッファ回路３３の反転出力端子Ｑ２のＴ２端子側とする。また、
ΔＱ１＜ΔＱ２
である場合には、スイッチ回路３４をバッファ回路３３の非反転出力端子Ｑ１のＴ１端子側とする。
そして、移相回路３５において、位相差ΔＱ１（あるいは位相差ΔＱ２）をキャンセルするように、調整者がその調整を行う。
【００２４】
この結果、差動増幅回路３１、バッファ回路３３、スイッチ回路３４、移相回路３５、ＳＡＷ共振子３２および電位差発生回路Ｚdにより構成される帰還ループの位相条件として、差動増幅回路３１の入出力信号間の位相差θGおよびバッファ回路３３、スイッチ回路３４、移相回路３５、ＳＡＷ共振子３２および電位差発生回路Ｚd並びにこれらを接続する線路に起因する位相ずれθβの和が次式を満たす。
θG＋θβ＝２・ｎ・π      （ｎ＝０，１，……）
この結果、発振回路３０は発振状態となって非反転出力端子ＱＨ１及び反転出力端子ＱＨ２から基準信号が出力される。
【００２５】
上述したように本第１実施形態によれば、移相回路３５における移相量が少なくなるように、バッファ回路３３から出力される互いに相異なる位相を有する二つの信号ＳＱ１，ＳＱ２のうちからいずれかを選択している。
従って、移相回路３５における調整可能な移相量を少なく設定することができ、回路規模を小さくすることができる。これに伴って、製品毎の移相回路３５におけるばらつきの影響を低減することができる。
さらに帰還ループにおけるロスを減少させることができ、効率の高い発振回路を構成することができる。
【００２６】
さらにまた、上述したように１５５［ＭＨｚ］の共振周波数を有する共振子を用いて発振回路を設計する場合と、６２２［ＭＨｚ］の共振周波数を有する共振子を用いて発振回路を設計する場合とでは、発振回路に必要とされる移相量は大きく異なるがこのような場合でも帰還ループが逆にはなるが、同様の回路構成を採ることができ、設計を容易とすることができる。
【００２７】
また、動画像のような大量のデータが伝送できる１０ギガビットイーサネット（10 gigabit Ethernet）に代表されるような高速なネットワークシステムを構築することができる。
【００２８】
［２］第２実施形態
図３は第２実施形態の発振回路３０Ａの概略構成を示す図である。
図３において、図１の第１実施形態と同様の部分には同一の符号を付し、その詳細な説明については省略する。
第２実施形態は、第１実施形態における調整可能な移相量を最大で９０［゜］程度としていたものを、バッファ回路を複数個設けて、移相回路３５における調整可能な移相量の範囲をより狭くなるようにし、より移相回路３５の回路規模を小さくしたものである。本実施形態においては、３個のバッファを設けた例について説明する。
【００２９】
発振回路３０Ａが第１実施形態の発振回路３０と異なる点は、バッファ回路３３に代えて、全体として帰還バッファ回路を構成する３個のバッファ回路３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃを備えた点と、バッファ回路３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃの後段に、それぞれの非反転出力端子Ｑ１、Ｑ３、Ｑ５から出力される信号ＳＱ１、ＳＱ３、ＳＱ５及びそれぞれの反転出力端子Ｑ２、Ｑ４、Ｑ６から出力される信号ＳＱ２、ＳＱ４、ＳＱ６のいずれかを選択するスイッチ回路（信号選択部）３４Ａが設けられている点である。
【００３０】
この場合において、バッファ回路３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃのそれぞれの非反転出力端子Ｑ１、Ｑ３，Ｑ５から出力される信号ＳＱ１、ＳＱ３、ＳＱ５と、バッファ回路３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃの反転出力端子Ｑ２、Ｑ４、Ｑ６から出力されるそれぞれの信号ＳＱ２、ＳＱ４、ＳＱ６との位相差は、それぞれ１８０［゜］となるように調整されている。
ここで、信号ＳＱ１と信号ＳＱ３とはその位相差が６０［゜］、信号ＳＱ１と信号ＳＱ５との位相差は１２０［゜］となるように調整されている。
【００３１】
図４は、差動増幅回路３１の非反転出力端子Ｄ１からみた、各バッファ回路３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃのそれぞれの非反転出力端子Ｑ１、Ｑ３、Ｑ５及び反転出力端子Ｑ２、Ｑ４、Ｑ６における移相特性を示した図である。
図４に示すように、信号ＳＱ２、信号ＳＱ４、信号ＳＱ６、信号ＳＱ１、信号ＳＱ３、信号ＳＱ５の順番で位相を６０［゜］の等間隔でずらした例である。
【００３２】
従って、第１実施形態と同様に、所望の発振周波数をｆ0とした場合に、当該発振周波数における位相差ΔＱ１、ΔＱ２、ΔＱ３、ΔＱ４、ΔＱ５、ΔＱ６を互いに比較し、移相回路３５における移相量が少なくなる信号ＳＱＸ（Ｘ：１〜６）側を選択し、これに該当するＴＸ（Ｘ：１〜６）端子にスイッチ回路３４Ａを切り換えるものである。
例えば、図４の場合には、
ΔＱ４＜ΔＱ６＜ΔＱ２＜ΔＱ１＜ΔＱ３＜ΔＱ５
であるので、スイッチ回路３４はバッファ回路３３Ｂの反転出力Ｑ４側と接続する。
そして、移相回路３５により、位相差ΔＱ４がキャンセルされるように調整者によりその調整が行われる。
【００３３】
この結果、差動増幅回路３１、バッファ回路３３Ａ、３３Ｂ、３３Ｃ、スイッチ回路３４Ａ、移相回路３５、ＳＡＷ共振子３２および電位差発生回路Ｚd（インピーダンス回路）により構成される帰還ループの位相条件として、差動増幅回路３１の入出力信号間の位相差θGおよびバッファ回路３３、スイッチ回路３４、移相回路３５、ＳＡＷ共振子３２および電位差発生回路Ｚd並びにこれらを接続する線路に起因する位相ずれθβの和が次式を満たす。
θG＋θβ＝２・ｎ・π      （ｎ＝０，１，……）
この結果、発振回路３０Ａにおいて、発振が行われ、非反転出力端子ＱＨ１及び反転出力端子ＱＨ２から基準信号が出力される。
【００３４】
上述したように本第２実施形態によれば、移相回路３５における調整可能な移相量範囲を第１実施形態の場合と比較してより少なく設定することができ、より高精度の調整を行うことができる。
また、移相回路３５の回路規模をさらに小さくすることができる。
【００３５】
以上の説明においては、バッファ回路を３つ設ける場合について説明したが、これに限定されず、任意の数を設けるように構成することも可能である。
また、各バッファ回路を選択して帰還ループを構成し、各バッファ回路の出力信号の位相差は、等間隔となるように設定した。しかしながら、各バッファ回路における出力信号の位相差の間隔は任意に設定が可能であり、互いに相異なっていれば、非等間隔であっても上述したと同様の効果を奏する。
すなわち、移相回路において、最も移相量が少なくなるようにな出力信号の位相差を有するバッファ回路、すなわち、帰還ループを選択して構成すればよい。
【００３６】
［３］第３実施形態
図５は第３実施形態における発振回路の構成を示す図である。図５において、図１の第１実施形態と同一部分については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００３７】
本第３実施形態は、ＳＡＷ共振子に代えて圧電共振子であるＡＴカット水晶共振子を使用し、ＡＴカット水晶共振子の奇数次オーバートーン（例えば、第３次オーバートーン、第５次オーバートーン、第７次オーバートーン、……）を利用するものである。また、本第３実施形態は、所望の発振周波数ｆ０以外の周波数における異常発振を防止するというものである。
【００３８】
本第３実施形態が第１実施形態と異なる点は、図５に示すように、電位差発生回路Ｚd（インピーダンス回路）としてコンデンサＣd（周波数選択用コンデンサ：キャパシタ）およびコイルＬd（周波数選択用コイル：インダクタ）を並列接続したタンク回路として構成された、所望の発振周波数帯域を選択的に通過させる周波数選択回路（バンドパスフィルタ）Ｚd１を用いた点およびＳＡＷ共振子に代えて、ＡＴカット水晶共振子３２Ａを用いた点である。
この結果、図６の帰還ループゲイン−周波数特性図に示すように、所望の発振周波数ｆ0近傍の周波数で帰還ループゲインが高く、安定に発振を行うことができる。
所望の発振周波数を他の周波数、例えば、ＡＴカット水晶共振子３２Ａの第５次オーバトーン利用時における第３次オーバートーンに相当する周波数ｆ1では、帰還ループゲインが低いため、異常発振が起きることを防止する。
【００３９】
［４］第４実施形態
本第４実施形態においては、周波数微調整方法について図７を参照して述べることとする。
周波数の微調整方法としては、代表的なものとして、以下の▲１▼〜▲３▼の３つが挙げられる。
【００４０】
▲１▼  移相回路３５のを電極をレーザで切断する等のレーザトリミングにより容量調節が行えるコンデンサを用いて構成し、このコンデンサを構成する電極部分（パターン）をレーザなどでトリミングすることにより、コンデンサの容量を調整し、周波数の微調整を行う。また、レーザトリミング可能なコンデンサに代えて、基板上にパターン形成されたコンデンサを用い、このコンデンサのトリミングを行うように構成しても良い。
同様に、移相回路３５をコンデンサおよびコイル（必要に応じてさらに抵抗）によりロウパスフィルタ、ハイパスフィルタあるいはバンドパスフィルタとして構成して、コイルと並列あるいはコイルと直列に接続されたコンデンサをレーザなどによりトリミングして周波数の微調整を行うようにしてもよい。
【００４１】
▲２▼  第３実施形態で示したように、電位差発生回路ＺdとしてコンデンサＣdおよびコイルＬdを並列接続した周波数選択回路を構成し、このコンデンサＣdを半導体基板上に構成し、コンデンサＣdを構成する電極部分（パターン）をレーザなどによりトリミングすることにより、コンデンサの容量を調整して周波数の微調整を行うようにしてもよい。ここで、コンデンサＣdは周波数調整コンデンサとして機能している。
このような構成とすることにより、異常発振防止とともに周波数微調整が行えることとなる。
同様に、コイルＬdに直列にコンデンサＣdを挿入し、このコンデンサＣdを構成する電極部分（パターン）をレーザなどによりトリミングすることにより、容量を調整してもよい。
【００４２】
▲３▼  また、バッファ回路３３の出力端子に、適当な抵抗値を有するＲＱ１、ＲＱ２を必要に応じて接続し、微調整を行うようにしてもよい。この場合においても、抵抗のトリミングを行うことにより、さらに高精度な調整をすることもできる。
【００４３】
［５］第５実施形態
次に本発明の第５実施形態について説明する。
以上の各実施形態における移相回路は、半固定型の構成を採用したが、本第５実施形態は、半固定型の移相回路に代えて、外部からの制御電圧ＶＣにより、移相量を可変することができる電圧制御移相回路８５を設けた場合の実施形態である。
【００４４】
第５実施形態の発振回路８０について図８を参照して説明する。この場合において、図２の第１実施形態と同様の部分には、同一の符号を付し、その詳細な説明については省略する。図８において、図１の第１実施形態と異なる点は、移相回路３５に代えて、電圧制御移相回路（移相回路）８５を設けた点である。
【００４５】
次に動作を説明する。以下の説明においては、発振回路８０における所望の発振周波数をｆ0とし、信号ＳＱ１の位相と発振回路８０が位相条件を満たすための位相との位相差がΔＱ１であり、信号ＳＱ２の位相と発振回路３０が位相条件を満たすための位相との位相差はΔＱ２である場合について説明する。
【００４６】
まず、調整者は位相差ΔＱ１と位相差ΔＱ２とを比較し、電圧制御移相回路８５における移相量が少なくなる側にスイッチ回路３４を切り換える。
そして、電圧制御移相回路８５により、位相差ΔＱ１（あるいは位相差ΔＱ２）がキャンセルされるように電圧制御端子Ｔvcに制御電圧ＶＣを印加して、調整が行われる。
この結果、差動増幅回路３１、バッファ回路３３、スイッチ回路３４、電圧制御移相回路８５、ＳＡＷ共振子３２および電位差発生回路Ｚdにより構成される帰還ループ（正帰還発振ループ）の位相条件として、差動増幅回路３１の入出力信号間の位相差θGおよびバッファ回路３３、スイッチ回路３４、移相回路３５、ＳＡＷ共振子３２および電位差発生回路Ｚd並びにこれらを接続する線路に起因する位相ずれθβの和が次式を満たすこととなる。
θG＋θβ＝２・ｎ・π      （ｎ＝０，１，……）
この結果、発振回路８０は、発振することになり、反転出力端子ＱＨ１および反転出力端子ＱＨ２から発振基準信号として出力される。
【００４７】
上述したように、本第５実施形態によれば、発振回路８０の位相条件を調整するために、電圧制御移相回路８５を設けたので、容易に、位相条件の調整が可能となる。
また、電圧制御移相回路８５における移相量が少なくなるように、バッファ回路３３から出力される互いに相異なる位相を有する二つの信号ＳＱ１，ＳＱ２のうちからいずれかを選択している。
【００４８】
従って、電圧制御移相回路３５における調整可能な移相量を少なく設定することができ、回路規模を小さくすることができる。
また、外部からの制御電圧ＶＣにより、電圧制御移相回路８５の移相量を(3)式を満たす範囲で可変することによって、発振回路８０の発振周波数の微調を行うことも可能である。つまり第５実施形態においては、電圧制御型発振回路としての動作も可能である。
【００４９】
［６］第６実施形態
次に本発明の第６実施形態について説明する。
本第６実施形態は、電圧制御移相回路８５を具体化した場合の実施形態である。
図９は、第６実施形態の発振回路８０Ａの概要構成を示す図である。図９において、図８の第５実施形態と同様の部分には同一の符号を付し、その詳細な説明については省略する。
【００５０】
図９において、電圧制御移相回路８５Ａは、可変容量ダイオードＣvのカソードが入力抵抗Ｒvを介して電圧制御端子Ｔvcに接続され、また、そのアノードが保護用の抵抗Ｒ１を介して電源ＶEEに接続される。そして、可変容量ダイオードＣvのカソードとスイッチ回路３４の間には、ＤＣカット用のコンデンサＣ１が介挿され、そのアノードとＳＡＷ共振子３２との間には、コイルＬv（周波数選択部）が介挿されている。
上記構成によれば、電圧制御端子Ｔvcに制御電圧ＶＣを印加すると、可変容量ダイオードＣvの容量値が変化し、電圧制御移相回路８５Ａの移相量が変化する。
従って、容易に位相条件の調整が可能となる。
なお、コイルＬvは、移相量の可変範囲全体を調整するものであり、移相量の可変範囲を調整する必要がない場合等には省略することも可能である。また、コイルＬvは、帰還ループ内の任意の位置に挿入することも可能である。
【００５１】
［７］第７実施形態
次に本発明の第７実施形態について説明する。
本第７実施形態は、第５実施形態の電圧制御移相回路８５を具体化した場合の他の実施形態である。
【００５２】
図１０は、第７実施形態の発振回路８０Ｂの概要構成を示す図である。図１０において、図８の第５実施形態と同様の部分には同一の符号を付し、その詳細な説明については省略する。
図１０によれば、電圧制御移相回路８５Ｂにおいて、可変容量ダイオードＣvのカソードは入力抵抗Ｒvを介して電圧制御端子Ｔvcに接続され、そのアノードは保護用の抵抗Ｒ１を介して電源ＶEEに接続されている。そして、可変容量ダイオードＣvのアノードとスイッチ回路３４の間には、ＤＣカット用のコンデンサＣ１が介挿され、カソードとＳＡＷ共振子３２との間には、移相の可変域（調整範囲）全体を調整するコイルＬvが介挿されている。
【００５３】
上記構成によれば、第６実施形態と同様に電圧制御端子Ｔvcに制御電圧ＶＣを印加すると、可変容量ダイオードＣvの容量値が変化し、電圧制御移相回路８５Ｂの移相量が変化する。
従って、移相量が所望の値となるように制御電圧ＶＣを制御すれば、容易に、位相条件の調整が可能となる。
【００５４】
［８］第８実施形態
次に本発明の第８実施形態について説明する。
本第８実施形態は、第５実施形態の電圧制御移相回路８５を具体化した場合のさらに他の実施形態である。
【００５５】
図１１は第８実施形態の発振回路８０Ｃの概要構成を示す図である。図１１において、図８の第５実施形態と同様の部分には同一の符号を付し、その詳細な説明については省略する。
図１１によれば、電圧制御移相回路８５Ｃは、可変容量ダイオードＣvのカソードは入力抵抗Ｒvを介して電圧制御端子Ｔvcに接続され、そのアノードはスイッチ回路３４に接続されている。
そして、可変容量ダイオードＣvのカソードとＳＡＷ共振子３２との間には、移相の可変域（調整範囲）全体を調整するコイルＬvが介挿されている。
【００５６】
上記構成によれば、第６実施形態と同様に電圧制御端子Ｔvcに制御電圧ＶＣを印加すると、可変容量ダイオードＣvの容量値が変化し、電圧制御移相回路８５Ｃの移相量が変化する。
従って、移相量が所望の値となるように制御電圧ＶＣを制御すれば、容易に、位相条件の調整が可能となる。
【００５７】
［９］第９実施形態
次に本発明の第９実施形態について説明する。
本第９実施形態は、第５実施形態の電圧制御移相回路８５を具体化するとともに、ＳＡＷ共振子３２及び電圧制御移相回路８５Ｄの帰還ループ中の介挿位置を入れ替え、電圧制御移相回路８５Ｄにタンク回路の機能も併せ持たせた場合の実施形態である。
【００５８】
図１２は第９実施形態の発振回路８０Ｄの概要構成を示す図である。図１２において、図８の第５実施形態と同様の部分には同一の符号を付し、その詳細な説明については省略する。
図１２によれば、電圧制御移相回路８５Ｄにおいて、可変容量ダイオードＣvのアノードは電源ＶEEに接続され、そのアノードは、ＤＣカット用コンデンサＣ12を介して差動増幅回路３１の反転入力端子Ｄ2に接続されている。
【００５９】
また、可変容量ダイオードＣvのカソードは、入力抵抗Ｒvを介して電圧制御端子Ｔvcに接続され、そのアノードは、可変容量ダイオードＣvおよび後述のコイルＬdと協働して周波数選択回路として機能するコンデンサＣdに接続されている。この場合において、可変容量ダイオードＣvの容量は、コンデンサＣdの容量以上の容量としておくのが好ましい。
【００６０】
さらに、コンデンサＣdとＳＡＷ共振子３２との間には、コイルＬvが介挿されている。直列接続されている可変容量ダイオードＣvおよびコンデンサＣdと並列にコイルＬdが接続されている。
さらに、コンデンサＣdとコイルＬvとの接続点には、ＤＣカット用コンデンサＣ11を介して、差動増幅回路３１の非反転入力端子Ｄ1に接続されている。
【００６１】
上記構成によれば、第６実施形態と同様に電圧制御端子Ｔvcに制御電圧ＶＣを印加すると、可変容量ダイオードＣvの容量値が変化し、電圧制御移相回路８５Ｄの移相量が変化する。
従って、移相量が所望の値となるように制御電圧ＶＣを制御すれば、容易に、位相条件の調整が可能となる。
【００６２】
なお、本第９実施形態の場合、移相量を変更すると、周波数選択回路の機能としての選択周波数が変化するので、精度を要求される場合には、さらにコンデンサＣdについてレーザトリミングなどのトリミングを行って、選択周波数範囲を所望の範囲とする必要がある。
【００６３】
［１０］第１０実施形態
次に本発明の第１０実施形態について説明する。
本第１０実施形態は、第９実施形態の変形例である。
図１３は第１０実施形態の発振回路８０Ｅの概要構成を示す図である。図１３において、図１２の第９実施形態と同様の部分には同一の符号を付し、その詳細な説明については省略する。
【００６４】
図１３において、図１２の第９実施形態と異なる点は、ＤＣカット用コンデンサＣ12を削除し、ＤＣカット用コンデンサＣ11と差動増幅器３１の反転入力端子Ｄ2との間に電位差発生回路Ｚd（インピーダンス回路）が介挿されている点である。
上記構成によれば、第９実施形態と同様に電圧制御移相回路８５Ｅの電圧制御端子Ｔvcに制御電圧ＶＣを印加すると、可変容量ダイオードＣvの容量値が変化し、電圧制御移相回路８５Ｅの移相量が変化する。
従って、移相量が所望の値となるように制御電圧ＶＣを制御すれば、容易に、位相条件の調整が可能となる。
【００６５】
なお、本第１０実施形態においても、移相量を変更すると、周波数選択回路の機能としての選択周波数が変化するので、精度を要求される場合には、さらにコンデンサＣdについてレーザトリミングなどのトリミングを行って、選択周波数範囲を所望の範囲とする必要がある。
【００６６】
［１１］第１１実施形態
次に本発明の第１１実施形態について説明する。
図１４は、第１１実施形態の発振回路８０Ｆの概要構成を示す図である。図１４において、図１３の第１０実施形態と同様の部分には同一の符号を付し、その詳細な説明については省略する。
図１４において、図１３の第１０実施形態と異なる点は、コンデンサＣdに代えて、カソードを可変容量ダイオードＣvのカソードに接続した第２の可変容量ダイオードＣv1を設けた点である。
上記構成においても、第１０実施形態と同様に電圧制御移相回路８５Ｆの電圧制御端子Ｔvcに制御電圧ＶＣを印加すると、可変容量ダイオードＣvおよび可変容量ダイオードＣv1の容量値それぞれ変化し、可変容量ダイオードＣvおよび可変容量ダイオードＣv1が協働して電圧制御移相回路８５Ｆの移相量を変化させる。
【００６７】
さらにこの構成によれば、可変容量ダイオードＣvおよび可変容量ダイオードＣv1の組み合わせの範囲が広がるので、合成容量変化を大きくすることが可能となる。したがって、より広範囲で移相量を調整することが可能となる。この結果、移相量が所望の値となるように制御電圧ＶＣを制御すれば、容易かつ広範囲で位相条件の調整が可能となる。
【００６８】
［１２］第１２実施形態
次に本発明の第１２実施形態について説明する。
本第１２実施形態は、第１１実施形態の変形例である。
図１５は第１２実施形態の発振回路８０Ｇの概要構成を示す図である。図１５において、図１４の第１１実施形態と同様の部分には同一の符号を付し、その詳細な説明については省略する。
【００６９】
図１５において、図１４の第１１実施形態と異なる点は、電圧制御移相回路およびＳＡＷ共振子の位置を入れ替え、電圧制御移相回路とスイッチ回路３４の間にコンデンサＣ１１を挿入した点である。
【００７０】
上記構成においても、第１１実施形態と同様に電圧制御移相回路８５Ｇの電圧制御端子Ｔvcに制御電圧ＶＣを印加すると、可変容量ダイオードＣvおよび可変容量ダイオードＣv1の容量値が変化し、電圧制御移相回路８５Ｇの移相量が変化する。
【００７１】
この構成によれば、第１１実施形態と同様に、可変容量ダイオードＣvおよび可変容量ダイオードＣv1の組み合わせの範囲が広がるので、合成容量変化を大きくすることが可能となり、より広範囲で移相量を調整することが可能となる。したがって、移相量が所望の値となるように制御電圧ＶＣを制御すれば、容易かつ広範囲で位相条件の調整が可能となる。
【００７２】
［１３］第１３実施形態
次に、本発明の第１３実施形態について説明する。
図１６は、第１実施形態にかかる帰還発振回路を用いた、１０．３１２５ギガビットの光ネットワーク用光インタフェースモジュールの概略構成を示す図である。
この光インターフェースモジュール１０は、例えば、サーバ用コンピュータと光ネットワークとの間で、光／電変換あるいは電／光変換のためのインターフェース機能を実現するものである。
【００７３】
図１６に示すように、第１実施形態の発振回路３０と同一の二つの正帰還型の発振回路３０-1，３０-2がビット符号変換部１３を介して接続された３．１２５ギガビットのＳ／Ｐ変換部１１，Ｐ／Ｓ変換部１２及び１０．３１２５ギガビットのＰ／Ｓ変換部１４，Ｓ／Ｐ変換部１５における基準信号として用いられている。
【００７４】
また、Ｐ／Ｓ変換部１４は電気／光変換部１６に接続され、電気／光変換部１６は入力データの電気／光変換を行い、光ネットワーク側に送出することとなる。
さらに、Ｓ／Ｐ変換部１５は光／電気変換部１７に接続され、光／電気変換部１７は光ネットワーク側からの入力データに基いて光／電気変換を行いＳ／Ｐ変換部１５に出力する。
【００７５】
上述したように本第１３実施形態によれば、移相回路３５における移相量が少なくなるように、バッファ回路３３から出力される互いに相異なる位相を有する二つの信号ＳＱ１，ＳＱ２のうちからいずれかを選択している。
【００７６】
従って、移相回路３５における調整可能な移相量を少なく設定することができ、移相回路３５の回路規模を小さくすることができる。この結果、位相光ネットワーク用光インタフェースモジュールの回路規模を小さくすることができる。併せて、製品毎の移相回路３５におけるばらつきの影響を低減することができる。
また、動画像のような大量のデータが伝送できる１０ギガビットイーサネット（10 gigabit Ethernet）に代表されるような高速なネットワークシステムを容易に構築することができる。
上記説明は、第１実施形態の発振回路を用いた場合であったが、第２実施形態から第１２実施形態の発振回路を用いても同様の効果を得ることができる。
【００７７】
［１４］実施形態の変形例
［１４．１］第１変形例
以上の説明において、バッファ回路を複数設ける場合には、各バッファ回路を並列に設けるようにしていたが、複数のバッファ回路を直列に設け、いずれかのバッファ回路の出力端子の出力を移相回路に入力するように構成することも可能である。これにより、移相量を加算的にシフトすることができ、様々な移相量を容易に実現できる。
【００７８】
［１４．２］第２変形例
以上の説明においては、差動増幅器の非反転入力端子Ｄ１に入力信号を入力し、反転入力端子Ｄ２にバイアス電圧ＶBBを印加する構成を採っていたが、差動増幅器の反転入力端子Ｄ２に入力信号を入力し、非反転入力端子Ｄ１にバイアス電圧ＶBBを印加する構成を採ることも可能である。
【００７９】
［１４．３］第３変形例
以上の説明においては、発振回路をネットワーク用の光インターフェースモジュールに用いる場合についてのみ説明したが、発振回路、特に高周波発振回路を必要とする携帯電話などの無線通信機器など各種電子機器に適用することが可能である。
【００８０】
［１４．４］第４変形例
以上の説明においては、原則的に、ＳＡＷ共振子または水晶ＡＴ共振子（圧電共振子）→差動増幅器（差動増幅器）→バッファ回路（帰還用バッファ回路）→スイッチ回路（信号選択部）→移相回路（または電圧制御移相回路）の順番で閉ループ（正帰還発振ループ）を形成していた。
しかしながら、閉ループ中において、ＳＡＷ共振子または水晶ＡＴ共振子、差動増幅器および移相回路（または電圧制御移相回路）の配置については任意である。
【００８１】
［１４．５］第５変形例
以上の説明においては、移相回路または電圧制御移相回路は一つ設ける構成を採っていたが、任意の数だけ設けるように構成することも可能である。この場合においてもいずれかを選択的に用いたり、多段に接続して用いるようにすることも可能である。
【００８２】
［１４．６］第６変形例
以上の説明においては、発振源として圧電共振子（ＳＡＷ共振子、ＡＴカット水晶共振子）の場合について説明したが、圧電共振子に代えて、圧電フィルタを用いても同様の効果を得ることが可能である。
【００８３】
［１４．７］第７変形例
尚以上の説明においては、差動増幅器及びバッファについては、詳しく述べなかったが、尚以上差動増幅器及びバッファ回路（帰還用バッファ回路および出力用バッファ回路）はＥＣＬ（エミッタ結合論理）ラインレシーバを用いた差動増幅器で構成するのが好ましい。
これは、ＥＣＬラインレシーバが高速デジタル通信分野において高速動作に適し、かつ、消費電力が低く抑えられることを特徴としているからである。
【００８４】
ＥＣＬラインレシーバは、図１７の基本回路に示すような構成となっており、非反転入力端子（ＩＮ＋）、反転入力端子（ＩＮ−）、バイアス電圧用端子（ＢＩＡＳ）、非反転出力端子（ＯＵＴ＋）及び反転出力端子（ＯＵＴ−）を有している。
そして、ＥＣＬラインレシーバは、バイアス電圧用端子（ＢＩＡＳ）に所定のバイアス電圧を印加することにより、非反転入力端子（ＩＮ＋）および反転入力端子（ＩＮ−）に入力された信号の電圧差に応じて所定の位相差を有する出力信号を非反転出力端子（ＯＵＴ＋）及び反転出力端子（ＯＵＴ−）から出力するＥＣＬ差動増幅器として機能する。
このＥＣＬラインレシーバは、他の発振回路または増幅器の正弦波のような信号または一般的に他の信号を、ＥＣＬ回路によって用いられる電気レベルに変換するために利用される。
【００８５】
以上の説明のように、発振回路の差動増幅器にＥＣＬラインレシーバを用いることにより、容易にＥＣＬ電気レベルの周波数信号出力を得ることができる。
【００８６】
［１４．８］第８変形例
以上の説明においては、ＳＡＷ共振子を構成する圧電材料については、詳しく述べなかったが、水晶の他、他の圧電材料としてランガサイトやＬＢＯ(Lithium
Tetraborate)などを用いたものを用いることが可能である。
【００８７】
［１４．９］第９変形例
以上の説明においては、周波数選択部として、移相回路における出力信号のうち所定の周波数帯域成分のみを選択的に通過させるＢＰＦ（Band Pass Filter）として機能するものについてのみ説明したが、移相回路における出力信号のうち所定の周波数帯域成分のみを選択的に阻止するＢＥＦ（Band Elimination Filter）として機能するように構成することも可能である。
【００８８】
【発明の効果】
本発明によれば、移相回路の回路規模を大きくすることなく、容易に発振回路のループ利得を確保して、効率の良い発振を行わせることが可能となる。
また、共振周波数の異なる圧電共振子を用いてそれぞれに対応する発振回路を設計する場合でも、正帰還発振ループが逆になるものの、ほぼ同様の回路構成を採ることが可能となり、設計の容易化を図ることができる。
さらに差動増幅器としてＥＣＬラインレシーバを用いることにより、容易にＥＣＬ電気レベルの周波数信号出力を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１実施形態の発振回路の概要構成図である。
【図２】  第１実施形態の動作説明図である。
【図３】  第２実施形態の発振回路の概要構成図である。
【図４】  第２実施形態の動作説明図である。
【図５】  第３実施形態の発振回路の概要構成図である。
【図６】  第３実施形態の動作説明図である。
【図７】  第４実施形態の発振回路の概要構成図である。
【図８】  第５実施形態の発振回路の概要構成図である。
【図９】  第６実施形態の発振回路の概要構成図である。
【図１０】  第７実施形態の発振回路の概要構成図である。
【図１１】  第８実施形態の発振回路の概要構成図である。
【図１２】  第９実施形態の発振回路の概要構成図である。
【図１３】  第１０実施形態の発振回路の概要構成図である。
【図１４】  第１１実施形態の発振回路の概要構成図である。
【図１５】  第１２実施形態の発振回路の概要構成図である。
【図１６】  第１３実施形態の光インターフェースモジュールの概要構成ブロック図である。
【図１７】  ＥＣＬラインレシーバの基本回路図である。
【図１８】  帰還型発振器の原理説明図である。
【符号の説明】
１０……光インターフェースモジュール
３０、８０……発振回路
３１……差動増幅回路（差動増幅器）
３２……ＳＡＷ共振子（圧電共振子）
３２Ａ……ＡＴカット水晶共振子（圧電共振子）
３３……バッファ回路（帰還用バッファ回路）
３４、３４Ａ……スイッチ回路（信号選択部）
３５……移相回路（第２移相部）
４０……出力バッファ回路（出力用バッファ回路）
８５……電圧制御移相回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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