(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
第２の基板と、
前記第１および第２の基板の間に注入・封止される液晶とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の基板と前記第２の基板とを互いに対向させて配置し、封着する第１の工程と、
前記第１の工程の後に、前記第１の基板と第２の基板との間に液晶を注入・封止する第２の工程と、
前記第２の工程の後で、前記第１の基板の少なくとも一辺の切断部に、切断溝を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、前記第１の基板の少なくとも１辺の外側部分を、基板切断ユニットを用いて自動的に切断する第４の工程とを備え、
前記基板切断ユニットは、前記第１の基板の少なくとも１辺の一方の面側に配置される支点部と、
前記第１の基板の少なくとも１辺の他方の面側に配置され、前記支点部を支点に前記第１の基板の少なくとも１辺に力を印加して、前記第１の基板の少なくとも１辺の外側部分を切断する力点部と、
前記第１の基板の移送、保持、回転を行う移送旋回ユニットと、
前記第１の基板の前記切断する辺の切断位置および基板サイズに応じて、前記力点部および支点部の位置変更を行う破材分離ユニットとを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
第１の基板を有する第１の電極基板と、
第２の基板を有する第２の電極基板と、
前記第１の電極基板および第２の電極基板の周縁部の間に設けられ、液晶が封入される空間を形成するシール材と、
前記第１の電極基板と第２の電極基板との間で、前記シール材により形成される空間に注入・封止される液晶とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１の電極基板を製造する第１の工程と、
前記第２の電極基板を製造する第２の工程と、
前記第１の電極基板、あるいは、前記第２の電極基板の周辺部にシール材を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後で、前記第１の電極基板と前記第２の電極基板とを互いに対向させて配置し、前記シール材を介して封着する第４の工程と、
前記第４の工程の後で、前記第１の基板の少なくとも一辺の切断部に、切断溝を形成する第５の工程と、
前記第５の工程の後に、前記第１の電極基板と第２の電極基板との間に液晶を注入・封止する第６の工程と、
前記第６の工程の後に、前記第１の基板の少なくとも１辺の外側部分を、基板切断ユニットを用いて自動的に切断する第７の工程とを備え、
前記基板切断ユニットは、前記第１の基板の少なくとも１辺の一方の面側に配置される支点部と、
前記第１の基板の少なくとも１辺の他方の面側に配置され、前記支点部を支点に前記第１の基板の少なくとも１辺に力を印加して、前記第１の基板の少なくとも１辺の外側部分を切断する力点部と、
前記第１の基板の移送、保持、回転を行う移送旋回ユニットと、
前記第１の基板の前記切断する辺の切断位置および基板サイズに応じて、前記力点部および支点部の位置変更を行う破材分離ユニットと、を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に係わり、特に、第１の基板（例えば、ガラス基板）の不要部分を切断する際に有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）方式、あるいはＴＦＴ（Thin Film Transistor）方式の液晶表示モジュールは、ノート型パーソナルコンピュータ等の表示装置として広く使用されている。
これらの液晶表示モジュールは、周囲に駆動回路（半導体チップ）が配置された液晶表示パネルと、当該液晶表示パネルを照射するバックライトユニットとで構成される。
なお、このような技術は、例えば、特開平５−２５７１４号公報などに記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
例えば、ＴＦＴ方式の液晶表示モジュールでは、カラーフィルタ等が形成されるフィルタ基板と、ドレイン信号線、ゲート信号線、画素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が形成されるＴＦＴ基板とを、両基板の周縁部に形成されるシール材により、配向膜が形成される面が互いに対向するように重ね合わせ、両基板間に液晶を注入・封止して、液晶表示パネルが形成される。
一般に、ＴＦＴ方式の液晶表示パネルの製造においては、スループット向上のために、１枚のガラス基板で複数個分のデバイスを同時に加工してから分割し、ＴＦＴ基板とカラーフィルタ基板とをシール材で張り合わせた後に、所定のサイズにＴＦＴ基板のガラス基板を切断している。
図１０は、切断前のＴＦＴ基板のガラス基板上に形成されるドレイン信号線（ＤＬ）およびゲート信号線（ＧＬ）を説明するための概念図である。
図１０において、１０１はＴＦＴ基板のガラス基板、１０２はフィルタ基板のガラス基板であり、ドレイン信号線（ＤＬ）の一方の端部、およびゲート信号線（ＧＬ）の一方の端部は、切断前のガラス基板上に形成された共通配線（ＳＨ）に接続される。
この共通配線（ＳＨ）は、ＴＦＴ基板の製造過程、例えば、配向膜のラビング処理などに発生する静電気により、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が破壊、あるいは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のしきい値電圧（Ｖｔｈ）が変動するのを防止するために設けられる。
【０００４】
そして、所定の製造工程を終了した後、切断線１（即ち、図１０に示す波線（Ａ−Ａ’，Ｂ−Ｂ’））に沿って切断され、ガラス基板１０１の共通配線（ＳＨ）が形成された部分（以下、本明細書では、不要部分という）が除去される。
図１１は、前述のガラス基板１０１の不要部分を切断、除去するための従来の工程を説明するための図である。
図１１に示すように、従来、ガラス基板１０１の不要部分を切断、除去するには、ブレーク定盤１６０で切断前の液晶表示パネルを吸着、保持し、かつ、このブレーク定盤１６０の端部を、切断前のガラス基板１０１の切断線１の裏面側に位置決めした上で、図１１に示す矢印ａの方向から力を加え、例えば、たたくなど方法により不要部分を除去していた。
あるいは、図１１に示す矢印ｂの方向に力を加え、例えば、折り曲げるなど方法により不要部分を除去していた。
この場合、ガラス基板１０１の切断線１の変更は、旋回ユニットにより、ブレーク定盤１６０を旋回させる等の方法で対処していた。
【０００５】
一方、液晶表示パネルは、次々に新製品が登場し、液晶表示パネルのＴＦＴ基板のガラス基板１０１として、例えば、図１２に示すように、基板サイズ、基板形状、切断線１の位置、加工する辺の数、基板の板厚が異なるのものが使用されている。
なお、図１２において、１は切断線、１０１はＴＦＴ基板のガラス基板、１０２はフィルタ基板のガラス基板を示す。
これらの他品種に対応するために、前述したＴＦＴ基板のガラス基板１０１の不要部分を切断する工程においては、ブレーク定盤１６０を各品種毎に切り替える必要があり、自動化が困難であり、実際は、人手を介した手作業で対応していた。
このため、前述したＴＦＴ基板のガラス基板１０１の不要部分を切断する工程は、極めて作業効率が悪く、液晶表示装置の製造コストが上昇するという問題点があった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、液晶表示装置の製造方法において、自動的に、かつ簡単に、第１の基板を所定のサイズに切断できるようにして、製造コストを低減させることが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
即ち、本発明は、第１の基板と、第２の基板と、前記第１および第２の基板の間に注入・封止される液晶とを備える液晶表示装置の製造方法であって、前記第１の基板と前記第２の基板とを互いに対向させて配置し、封着する第１の工程と、前記第１の工程の後に、前記第１の基板と第２の基板との間に液晶を注入・封止する第２の工程と、前記第２の工程の後に、前記第１の基板の少なくとも１辺の外側部分を、基板切断ユニットを用いて自動的に切断する第３の工程とを備え、前記基板切断ユニットは、前記第１の基板の少なくとも１辺の一方の面側に配置される支点部と、前記第１の基板の少なくとも１辺の他方の面側に配置され、前記支点部を支点に前記第１の基板の少なくとも１辺に力を印加して、前記第１の基板の少なくとも１辺の外側部分を切断する力点部とを有することを特徴とする。
本発明の好ましい実施の形態では、前記第２の工程の後で、前記第３の工程の前に、前記第１の基板の少なくとも一辺の切断部に、切断溝を形成する工程を備えることを特徴とする。
【０００７】
第１の基板を有する第１の電極基板と、第２の基板を有する第２の電極基板と、前記第１の電極基板および第２の電極基板の周縁部の間に設けられ、液晶が封入される空間を形成するシール材と、前記第１の電極基板と第２の電極基板との間で、前記シール材により形成される空間に注入・封止される液晶とを備える液晶表示装置の製造方法であって、前記第１の電極基板を製造する第１の工程と、前記第２の電極基板を製造する第２の工程と、前記第１の電極基板、あるいは、前記第２の電極基板の周辺部にシール材を形成する第３の工程と、前記第３の工程の後で、前記第１の電極基板と前記第２の電極基板とを互いに対向させて配置し、前記シール材を介して封着する第４の工程と、前記第４の工程の後に、前記第１の電極基板と第２の電極基板との間に液晶を注入・封止する第５の工程と、前記第５の工程の後に、前記第１の基板の少なくとも１辺の外側部分を、基板切断ユニットを用いて自動的に切断する第６の工程とを備え、前記基板切断ユニットは、前記第１の基板の少なくとも１辺の一方の面側に配置される支点部と、前記第１の基板の少なくとも１辺の他方の面側に配置され、前記支点部を支点に前記第１の基板の少なくとも１辺に力を印加して、前記第１の基板の少なくとも１辺の外側部分を切断する力点部とを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態では、前記第４の工程の後で、前記第５の工程の前に、前記第１の基板の少なくとも一辺の切断部に、切断溝を形成する工程を備えることを特徴とする。
本発明の好ましい実施の形態では、前記基板切断ユニットは、前記第１の基板の移送、保持、回転を行う移送旋回ユニットと、前記支点部と前記力点部とを有し、かつ、前記第１の基板の前記切断する辺の切断位置および基板サイズに応じて、前記力点部および支点部の位置変更を行う破材分離ユニットとを備えることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
なお、実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
〈本発明が適用されるＴＦＴ方式の液晶表示モジュールの基本構成〉
図１は、本発明が適用されるＴＦＴ方式の液晶表示モジュールの概略構成を示す分解斜視図である。
図１に示す液晶表示モジュールは、金属板から成る枠状のフレーム（上側ケース）１５０、液晶表示パネル１００、バックライトユニットとから構成される。液晶表示パネル１００は、画素電極、薄膜トランジスタ等が形成されるＴＦＴ基板と、対向電極、カラーフィルタ等が形成されるフィルタ基板とを、所定の間隙を隔てて重ね合わせ、該両基板間の周縁部近傍に枠状に設けたシール材により、両基板を貼り合わせると共に、シール材の一部に設けた液晶封入口から両基板間のシール材の内側に液晶を封入、封止し、さらに、両基板の外側に偏光板を貼り付けて構成される。なお、図１において、ＬＣＷは、フレーム１５０に形成された表示窓である。
【００１０】
液晶表示パネル１００の周囲には、駆動回路基板（ＰＣＢ１，ＰＣＢ２）が実装される。
この駆動回路基板（ＰＣＢ１，ＰＣＢ２）は、それぞれ液晶表示パネル１００の辺に沿って設けられ、各駆動回路基板（ＰＣＢ１，ＰＣＢ２）はフラットケーブル（図示せず）により電気的に接続される。
駆動回路基板（ＰＣＢ１）には、テープキャリアパッケージ（ＴＣＰ）、コンデンサ等の電子部品が実装されており、この駆動回路基板（ＰＣＢ１）はドレインドライバ用とゲートドライバ用との２つに分割されている。
駆動回路基板（ＰＣＢ２）には、半導体集積回路（ＩＣ）、コンデンサあるいは抵抗等の電子部品が実装されており、この駆動回路基板（ＰＣＢ２）は、インタフェース基板を構成する。
図１に示す液晶表示モジュールは、前述のフレーム１５０、液晶表示パネル１００、光拡散板１５１、導光体１５２、反射板１５３、バックライト蛍光管１５４およびバックライトケース１５５が、図に示す配置関係で積み重ねられて組み立てられる。
【００１１】
図１に示す液晶表示モジュールは、フレーム１５０に設けられた爪とフックによって全体が固定されるようになっている。
バックライトケース１５５は、バックライト蛍光管１５４、光拡散板１５１、導光体１５２、反射板１５３を収納する形状になっており、導光体１５２の側面に配置されたバックライト蛍光管１５４の光を、導光体１５２、反射板１５３、光拡散板１５１により表示面で一様なバックライトにし、液晶表示パネル側に出射する。
バックライト蛍光管１５４にはインバータ回路基板（ＰＣＢ３）が接続されており、バックライト蛍光管１５４の電源となっている。
前記バックライト蛍光管１５４からの照射光は、バックライト側の偏光板、一対のガラス基板に注入封止された液晶層（ＬＣ）および表側の偏光板を透過して、液晶表示パネル１００から放射される。
そして、フレーム１５０の表示窓（ＬＣＷ）の領域が、液晶表示モジュールの表示領域を構成し、この液晶表示モジュールの表示領域以外の領域、即ち、シールドケース（ＳＨＤ）の表示窓の周囲の領域を、通常額縁と称する。
【００１２】
〈図１に示す液晶表示モジュールの画素部の構成〉
図２は、図１に示す液晶表示モジュールの１画素とその周辺を示す平面図である。
図３は、図２に示すＤ−Ｄ’切断線における断面を示す断面図である。
図２、図３に示す液晶表示パネルにおいて、各画素は隣接する２本のゲート信号線（または、走査信号線）（ＧＬ）と、隣接する２本のドレイン信号線（または、映像信号線）（ＤＬ）との交差領域（４本の信号線で囲まれた領域）内に配置され、各画素は、２個の薄膜トランジスタ（１２０ａ，１２０ｂ）と、画素電極１１３および保持容量１２３を含んでいる。
ゲート信号線１２２は図２では左右方向に延在し、上下方向に複数本配置され、また、ドレイン信号線１２１は図３では上下方向に延在し、左右方向に複数本配置される。
各薄膜トランジスタ（１２０ａ，１２０ｂ）は、ゲート電極１１６と、ゲート絶縁膜として用いられる絶縁膜１２４と、アモルファスシリコン１１９と、ソース電極１１７と、ドレイン電極１１８とを有する。
【００１３】
ゲート電極１１６は、ゲート信号線１２２から垂直方向に突出する形で、ゲート信号線１２２と連続して一体的に形成され、また、ゲート電極１１６とゲート信号線１２２とは単層の第２導電膜（ｇ２）で形成され、さらに、ゲート電極１１６とゲート信号線１２２上には陽極酸化膜（ＡＯＦ）が形成されている。
ソース電極１１７とドレイン電極１１８とは、Ｎ（＋）型半導体層（ｄ０）に接触する第２導電膜（ｄ２）とその上に形成された第３導電膜（ｄ３）とから構成され、また、ドレイン電極１１８はドレイン信号線１２１に接続され、ソース電極１１７は画素電極１１３に接続される。
また、ドレイン信号線１２１は、ドレイン電極１１８と同層の第２導電膜（ｄ２）とその上に形成された第３導電膜（ｄ３）とから構成され、画素電極１１３は透明な第１導電膜（ｄ１）で形成される。
【００１４】
図２、図３に示す液晶表示パネルにおいて、液晶層１１０を基準にして、ガラス基板１０１には薄膜トランジスタ（１２０ａ，１２０ｂ）および画素電極１１３が形成され、ガラス基板１０２にはカラーフィルタ（１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ）およびブラックマトリクス１０３が形成される。
ガラス基板１０２の内側（液晶層側）には、カラーフィルタ（１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ）およびブラックマトリクス１０３、保護膜１１５、透明導電膜からなるコモン電極１１４、配向膜１０７とが順次積層され、これらがフィルタ基板を構成する。
ガラス基板１０１の内側（液晶層側）には、ゲート電極１１６およびゲート信号線１２２、絶縁膜１２４、アモルファスシリコン１１９、画素電極１１３、ドレイン信号線１２１、ソース電極１１７、ドレイン電極１１８、保護膜１０５、配向膜１０６とが順次積層され、これらがＴＦＴ基板を構成する。
また、ガラス基板（１０１，１０２）の外側には、それぞれ偏光板（１１１，１１２）が形成され、さらに、各ガラス基板（１０１，１０２）の両面にはディップ処理等によって形成された酸化シリコン膜（１２５〜１２８）が形成されている。
また、図３には図示していないが、液晶層１１０には、液晶層１１０の厚さを均一に保つためのスペーサが封入される。
【００１５】
〈図１に示す液晶表示モジュールの製造方法〉
図４は、図１に示す液晶表示モジュールの製造方法を説明するための図であり、以下、図４を用いて、図１に示す液晶表示パネルの製造方法の概要について説明する。
（イ）工程１
ガラス基板１０２上に、ブラックマトリクス１０３、カラーフィルタ（１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ）、保護膜１１５、コモン電極１１４、配向膜１０７とを順次積層して、フィルタ基板（Ｆ−ＳＵＢ）を製造する。
同様に、ガラス基板１０１上に、ゲート電極１１６およびゲート信号線１２２、絶縁膜１２４、アモルファスシリコン１１９、画素電極１１３、ドレイン信号線１２１、ソース電極１１７、ドレイン電極１１８、保護膜１０５、配向膜１０６とが順次積層して、ＴＦＴ基板（Ｔ−ＳＵＢ）を製造する。（図４（ａ）参照）
なお、ＴＦＴ方式の液晶表示パネル１００の製造においては、スループット向上のために、１枚のガラス基板で複数個分のデバイスを同時に加工するのが一般的であり、図４では、１枚のガラス基板に６個分のデバイスを同時に作成する場合を示している。
（ロ）工程２
一枚のガラスから、それぞれＴＦＴ基板（Ｔ−ＳＵＢ）とフィルタ基板（Ｆ−ＳＵＢ）とを、シートサイズにカットする（図４（ｂ）参照）。
（ハ）工程３
フィルタ基板の周辺部に熱硬化型エポキシ樹脂材料からなるシール材１３０を形成した後、ＴＦＴ基板とのパターン面を合わせて重ね合わせ、さらに、フィルタ基板とＴＦＴ基板との外面を加圧した状態で加熱してシール材１３０を硬化させ、フィルタ基板とＴＦＴ基板とを接着シールする（図４（ｃ）参照）。
【００１６】
（ニ）工程４
次に、前記重ね合わせられた基板を、任意のセル形状に切断した後、シール材１３０の液晶注入封止口から液晶層１１０を注入し、液晶注入封止口をエポキシ樹脂等で封止する（図４（ｄ）参照）。
（ホ）工程５
次に、ＴＦＴ基板のガラス基板１０１を所定の大きさに切断する（図４（ｅ）参照）。これは、前述した共通配線（ＳＨ）が形成されている部分を除去する工程である。
（ヘ）工程６
最後に、ガラス基板（１０１、１０２）の上に偏光板（１１１，１１２）を貼り付ける。その後、液晶表示パネル１００の周囲に半導体チップ（ＩＣ）を実装した後、図１に示す配置関係となるように、別途作製しておいたバックライトユニット上に、液晶表示パネルを配置し、液晶表示モジュールが完成する。
【００１７】
前述の工程５は、スクライブ加工と、ブレーク加工とからなり、図６は、このスクライブ加工を説明するための図である。
スクライブ加工は、図５に示すように、工程３の後に、先端が鋭利なスクライブホイール１７０に圧力を加えながら、前進させることにより、ＴＦＴ基板のガラス基板１０１の切断位置に、切断線１となるスクライブ線（または、切断溝）を形成する工程である。
ブレーク加工は、前述の切断線１の裏面側を支点に、ＴＦＴ基板のガラス基板１０１の不要部分に力を加え、切断線１に沿って引っ張り応力を与えることにより、不要部分を除去する工程である。
【００１８】
〈本発明の実施の形態の液晶表示モジュールの製造方法の特徴〉
本発明は、このブレーク加工を、基板切断ユニットを用いて自動化するものであり、以下、本発明の実施の形態の液晶表示モジュールの製造方法について説明する。
図６は、本発明の液晶表示モジュールの製造方法に用いられる基板切断ユニットの概要を説明するための概念図である。
図６に示すように、本実施の形態の基板切断ユニットは、液晶表示パネル１００を移送、保持、あるいは、回転させる移送旋回ユニット１０と、不要部分を切断する破材分離ユニット２０とを備える。
この破材分離ユニット２０は、ＴＦＴ基板のガラス基板１０１に形成された切断線１の裏面側に位置決めされる支点部２１と、この支点部２１を支点として、ＴＦＴ基板のガラス基板１０１の切断線側から力を加える力点部２２とを備え、この破材分離ユニット２０は、例えば、前後、あるいは左右に移動可能とされており、これにより、前記支点部２１と力点部２２との位置決めを行う。
【００１９】
図７は、図６に示す基板切断ユニットを用いるブレーク加工の概要を説明するための概念図である。
この図７は、ＴＦＴ基板のガラス基板の互いに隣接する２辺の不要部分を除去する場合を図示している。
初めに、移送旋回ユニット１０により、ＴＦＴ基板のガラス基板１０１の一辺を、破材分離ユニット２０と対向させる（図７（ａ）参照）。
次に、破材分離ユニット２０を移動させて、前述の支点部２１を切断線１の裏面側に位置決めした後、支点部２１を支点として、力点部５２からＴＦＴ基板のガラス基板１０１に力を加えて、不要部分を除去する。（図７（ｂ）参照）。
次に、破材分離ユニット２０を移動させた後、移送旋回ユニット１０により、液晶表示パネル１００を回転させて、次に加工する辺を破材分離ユニット２０と対向させる（図７（ｃ）参照）。
次に、破材分離ユニット５０を移動させて、前述のように、支点部２１を切断線１の裏面側に位置決めした後、支点部２１を支点として、力点部２２からＴＦＴ基板のガラス基板１０１に力を加えて、不要部分を除去する。（図７（ｄ）参照）。
次に、破材分離ユニット２０を移動させた後、移送旋回ユニット１０により、液晶表示パネル１００を回転させて、ＴＦＴ基板のガラス基板を元の状態とする（図７（ｅ）参照）。
【００２０】
図８は、本実施の形態の基板切断ユニットの平面図、図９は、本実施の形態の基板切断ユニットの側面図である。
図８、図９に示すように、移送旋回ユニット１０は、移動台２０１を備え、この移動台２０１は、基板移送水平軸モータ２１１を回転させて、回転軸２２１を回転させることにより、図８の矢印Ａの方向に移動させることができる。
移動台２０１は、移動台２０２を備え、この移動台２０２は、基板移送上下軸モータ２１２を回転させて、回転軸２２２を回転させることにより、図９の矢印Ｂの方向に移動させることができる。
この移動台２０２には、基板吸着パッド２３０を支持する支持部２０３が取り付けられ、この基板吸着パッド２３０は、基板旋回モータ２１３を回転させることにより、回転させることができる。
破材分離ユニット２０は、移動台２０４を備え、この移動台２０４は、破材分離水平軸モータ２１４を回転させて、回転軸２２４を回転させることにより、図９の矢印Ｃの方向に移動させることができる。
移動台２０４は、支点部２１と力点部２２とを支持する支持部２０５を備え、この支持部２０５は、破材分離上下軸モータ２１５を回転させて、回転軸２２５を回転させることにより、図９の矢印Ｄの方向に移動させることができる。
また、力点部２２は、破材分離シリンダ２１６により、図９の矢印Ｅの方向に移動させることができる。
【００２１】
スクライブＰＯＳでスクライブ加工後の液晶表示パネルは、移送旋回ユニット内の基板吸着パッド２３０で吸着保持され、基板移送水平モータ２１１、および基板移送上下軸モータ２１２を駆動させることにより、スクライブＰＯＳから、ブレーク加工ＰＯＳに移送される。
この場合に、液晶表示パネル１００は、破材分離ユニット上で、一旦一次停止し、基板支持定盤２３５の上に固定後、加工品種に応じて、破材分離ユニット２０の破材分離水平軸モータ２１４、および破材分離上下軸モータ２１５を駆動させ、支点部２１と切断線１との位置合わせをおこない、その後、破材分離シリンダ２１６を駆動させて力点部２２を押下させて、ＴＦＴ基板のガラス基板１０１に、例えば、０．５〜１．０ＫｇＦ／ｃｍ２の力を作用させることで、不要部分を除去する。
また、別の辺の不要部分の除去に関しては、破材分離シリンダ２１６、破材分離ユニット２０の破材分離水平軸モータ２１４、および破材分離上下軸モータ２１５を駆動させて、液晶表示パネル１００を基板支持定盤２３５の上から待避後、基板旋回モータ２１３により、切断する辺の切り替えを行い、以下、同様に切断する辺の不要部分を除去する。
そして、不要部分の除去後、液晶表示パネル１００は、再び、基板移送水平モータ２１１、および基板移送上下軸モータ２１２により、次工程ＰＯＳ（基板の面取り工程）に移動される。
【００２２】
ここで、ＴＦＴ基板のガラス基板１０１の不要部分には、加工するガラス基板１０１の、基板サイズ、基板形状、切断線１の位置、加工する辺の数、基板の板厚の情報を記憶する２次元バーコード（図７（ａ）の３１）が付与されており、図９に示す制御装置３０が、この２次元バーリードを読み取り、前述した一連の動作を繰り替えすことで、例えば、図１２に示すような、基板サイズ、基板形状、切断線１の位置、加工する辺の数、基板の板厚がそれぞれ異なる、他品種のＴＦＴ基板のガラス基板１０１の不要部分の除去を自動で行うことが可能となる。なお、前記実施の形態では、本発明をＴＦＴ方式の液晶表示モジュールに適用した実施の形態について主に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明は、ＳＴＮ方式の液晶表示モジュールにも適用可能であることはいうまでもない。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【００２３】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、自動的に、かつ簡単に、第１の基板を所定のサイズに切断することができるので、液晶表示装置の製造コストを低減させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるＴＦＴ方式の液晶表示モジュール（ＬＣＭ）の概略構成を示す分解斜視図である。
【図２】図１に示す液晶表示モジュールの１画素とその周辺を示す平面図である。
【図３】図２に示すＤ−Ｄ’切断線における断面を示す断面図である。
【図４】図１に示す液晶表示モジュールの製造方法を説明するための図である。
【図５】図１に示す液晶表示モジュールのＴＦＴ基板を切断する際の、スクライブ加工の概要を説明するための概念図である。
【図６】本発明の液晶表示モジュールの製造方法に用いられる基板切断ユニットの概要を説明するための概念図である。
【図７】図６に示す基板切断ユニットを用いるブレーク加工の概要を説明するための概念図である。
【図８】本発明の実施の形態の基板切断ユニットの平面図である。
【図９】本発明の実施の形態の基板切断ユニットの側面図である。
【図１０】切断前のＴＦＴ基板のガラス基板上に形成されるドレイン信号線（ＤＬ）およびゲート信号線（ＧＬ）を説明するための概念図である。
【図１１】図１０に示すガラス基板の不要部分を切断、除去するための従来の工程を説明するための図である。
【図１２】切断前のＴＦＴ基板のガラス基板の形状を示す図である。
【符号の説明】
１…切断線、１０…移送旋回ユニット、２０…破材分離ユニット、２１…支点部、２２…力点部、３０…制御装置、３１…２次元バーリード、１００…液晶表示パネル、１０１，１０２…ガラス基板（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２）、１０３…ブラックマトリクス（ＢＭ）、１０４ａ…赤のカラーフィルタ（ＦＩＬ（Ｒ））、１０４ｂ…緑のカラーフィルタ（ＦＩＬ（Ｇ））、１０４ｃ…青のカラーフィルタ（ＦＩＬ（Ｂ））、１０５，１１５…保護膜（ＰＳＶ１，ＰＳＶ２）、１０６，１０７…配向膜（ＯＲＩ１，ＯＲＩ２）、１１０…液晶（ＬＣ）、１１１，１１２…偏光板（ＰＯＬ１，ＰＯＬ２）、１１３…画素電極（ＩＴＯ１）、１１４…コモン電極（ＩＴＯ２）、１１６…ゲート電極（ＧＴ）、１１７…ソース電極（ＳＤ１）、１１８…ドレイン電極（ＳＤ２）、１１９…アモルファスシリコン（ＡＳ）、１２０ａ，１２０ｂ…薄膜トランジスタ（ＴＦＴ１，ＴＦＴ２）、１２１…ドレイン信号線（ＤＬ）、１２２…ゲート信号線（ＧＬ）、１２３…保持容量（Ｃａｄｄ）、１２４…絶縁膜（ＧＩ）、１２５，１２６，１２７，１２８…酸化シリコン膜（ＳＩＯ）、１５０…フレーム（上側ケース）、１５１…光拡散板、１５２…導光体、１５３…反射板、１５４…バックライト蛍光管、１５５…バックライトケース、１６０…ブレーク定盤、１７０…スクライブホイール、２０１，２０２，２０４…移動台、２１１，２１２，２１３，２１４，２１５…モータ、２２１，２２２，２２４，２２５…回転軸、２０３，２０５…支持部、２１６…破材分離シリンダ、２３０…基板吸着パッド、２３５…基板支持定盤、ＬＣＷ…表示窓、ＰＣＢ…回路基板、ＳＨ…共通配線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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