(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、前記基材上に形成された反射防止積層体と、からなる反射防止フィルムにおいて、
前記反射防止積層体が、前記基材面上に形成されたハードコート層と、前記ハードコート層上に形成された中屈折率層と、前記中屈折率層上に形成された酸化チタン層と、前記酸化チタン層上に形成されたシリカ層からなり、        
かつ、前記中屈折率層が屈折率１．５５以上１．８０未満（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＴｉxＯyＣz（ｘ＝０．０５〜１、ｙ＝１．５〜４、ｚ＝０．０５〜１）であることを特徴とする反射防止フィルム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、珪素、チタン、酸素、及び炭素原子からなる光学層、及びこの光学層を用いた反射防止フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、ＣＲＴなどのコンピューター、ワープロ、テレビ、表示板等に使用される各種ディスプレイや、計器等の表示体、バックミラー、ゴーグル、窓ガラスなどには、ガラスやプラスチックなどの透明な基板が使用されている。そして、それらの透明な基板を通して、文字や図形その他の情報を読み取るため、透明な基板の表面で光が反射するとそれらの情報が読み取り難くなるという欠点がある。
【０００３】
現在では、上記欠点を解決するために、基材フィルム上に互いに屈折率の異なる光学層を積層することにより反射防止フィルムを形成し、当該反射防止フィルムを前記透明な基板表面に貼ることにより光の反射を防止することが行われている。
【０００４】
このような反射防止フィルムにおける反射防止積層体の層構成としては、屈折率が１．８０以上の光学層（一般的には、このような光学層を高屈折率層という。以下、本明細書中においても屈折率が１．８０以上の光学層を単に「高屈折率層」とする場合がある。）と、屈折率が１．５５未満の光学層（一般にはこのような光学層を低屈折率層という。以下、本発明においても屈折率が１．５５未満の光学層を単に「低屈折率層」とする場合がある。）とを繰り返し積層することにより、層界面での光の干渉を利用して、可視光域での反射率をコントロールしている。
【０００５】
しかしながら、高屈折率層と低屈折率層のみを用いて、優れた反射防止機能を有する反射防止積層体を形成しようとした場合には、一般的に、高屈折率層、低屈折率層、高屈折率層、低屈折率層を順次積層（つまり光学層を４層積層する）する必要があるこのように使用する光学層の層数が多いと、生産性の低下や、各層同士の密着性の低下による剥離の問題、生産時の条件制御の困難性の問題、など様々な問題が生じる。
【０００６】
このような問題を解決するために、現在においては、高屈折率層と低屈折率層のちょうど間の屈折率、つまり屈折率が１．５５以上１．８０未満（λ＝５５０ｎｍ）の光学層（一般的には、このような光学層を中屈折率層という。以下、本明細書中においても屈折率が１．５５以上１．８０未満の光学層を単に「中屈折率層」とする場合がある。）を用い、この中屈折率層と、前述の高屈折率層および低屈折率層、とを順次積層することにより、３層構造の反射防止積層体を形成することが行われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、中屈折率層と呼ばれる屈折率が１．５５以上１．８０未満の光学層を単一の組成で形成することは非常に困難であり、また、形成できたとしても機械強度に問題があったり、潮解性を有するため実用が困難な光学層がほとんどであった。また、このような中屈折率層を形成するための方法としては、スパッタリング法などが用いられていたため、歩留まりが悪く、生産コストにも問題があった。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みなされたものであり、反射防止フィルムの反射防止積層体に用いられる光学層において、屈折率が１．５５以上１．８０未満の光学層（いわゆる中屈折率層）を提供し、さらに、これを用いた反射防止フィルムを提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために、請求項１において、屈折率が１．５５以上１．８未満（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＴｉxＯyＣz（ｘ＝０．０５〜１、ｙ＝１．５〜４、ｚ＝０．０５〜１）であることを特徴とする光学層を提供する。
【００１０】
光学層の組成をＳｉＴｉxＯyＣz（ｘ＝０．０５〜１、ｙ＝１．５〜４、ｚ＝０．０５〜１）とすることにより、屈折率層を１．５５以上１．８未満（λ＝５５０ｎｍ）とすることができ、反射防止フィルムの反射防止積層体における中屈折率層として好適に用いることができる。また、本発明の光学層は、機械強度も充分に強く、潮解性もない。
【００１１】
請求項１に記載の発明においては、請求項２に記載するように、プラズマＣＶＤ法により形成することが好ましい。
【００１２】
プラズマＣＶＤ法を用いることにより、当該光学層を形成する際の成層条件を比較的容易に管理することができ、また複数の薄層を同時に形成することができるため歩留まりの向上を図ることができるからである。
【００１３】
さらに、本発明においては、請求項３に記載するように、基材と、この基材上に設けられており、複数の薄層が積層されてなる反射防止積層体と、を有する反射防止フィルムにおいて、当該反射防止積層体を形成する薄層中には、少なくとも前記請求項１又は請求項２に記載の光学層が含まれていることを特徴とする反射防止フィルムを提供する。
【００１４】
上記請求項１又は請求項２に記載された本発明の光学層は、屈折率が１．５５以上１．８０未満であるため、反射防止フィルムにおけるいわゆる中屈折率層として好適に用いることができ、中屈折率層を用いることにより、従来の高屈折率層と低屈折率層のみを用いた４層構造の反射防止積層体と比べ、積層体を構成する層数を減少することができる。その結果、反射防止フィルムの製造の歩留まりを向上することができ、各層同士の剥離の問題も解消することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の光学層およびこれを用いた反射防止フィルムについて具体的に説明する。
【００１６】
［１］光学層について
本発明の光学層は、屈折率が１．５５以上１．８０未満（λ＝５５０ｎｍ）であり、層の組成がＳｉＴｉxＯyＣz（ｘ＝０．０５〜１、ｙ＝１．５〜４、ｚ＝０．０５〜１）であることに特徴を有している。以下にこれらの特徴について具体的に説明する。
【００１７】
本発明の光学層は、反射防止フィルムを構成する反射防止積層体中の一層として、より具体的にはいわゆる中屈折率層として利用することを主たる目的としているため、その屈折率は上記の範囲であることが好ましい。
【００１８】
また、本発明の光学層の組成は、ＳｉＴｉxＯyＣz（ｘ＝０．０５〜１、ｙ＝１．５〜４、ｚ＝０．０５〜１）、つまり、単なる酸化ケイ素（ＳｉＯx）や、単なる酸化チタン（ＴｉＯ2）による層ではなく、炭素（Ｃ）を含有して構成されていることに特徴を有している。このように、炭素を含有することにより、層のフレキシビリティを増すことができる。
【００１９】
ここで、本発明の光学層中に含まれているチタン原子（Ｔｉ）の数ｘは、ケイ素原子（Ｓｉ）の数を基準を１とした場合、０．０５〜１である。これは、含有されるチタン原子の数が０．０５より小さくなると、屈折率が１．５５以下となってしまい、反射防止フィルムの反射防止積層体中の中屈折率層として好適に用いることができなくなるからである。一方、含有されるチタン原子の数を１より多くすると、屈折率が１．８以上となり、中屈折率層として好ましくないからである。
【００２０】
また、本発明の光学層中のケイ素原子（Ｓｉ）又はチタン原子（Ｔｉ）と結合している酸素原子（Ｏ）の数ｙは１．５〜４である。これは、結合している酸素原子の数が１．５より少なくなると光学層の透明度が低下してしまい、反射防止積層体中の一層として好適に用いることができなくなるからである。一方、結合している酸素原子の数を４より多くすることは不可能である。
【００２１】
さらに、本発明の光学層に含有される炭素原子（Ｃ）の数ｚは０．０５〜１である。これは、結合している炭素原子の数が０．０５より少ないと層のフレキシビリティが低下してしまい、中屈折率層として好適に用いることができないからである。また一方、炭素原子の数を１より多くすると、光学層の透明度が低下してしまい、反射防止フィルムの反射防止積層体中の一層として好適に用いることができなくなるからである。
【００２２】
ＳｉＯ2、ＴｉＯ2はそれぞれ低屈折率層、項屈折率層としての光学層として従来から使用されている。ＳｉＯ2は１．４０〜１．５５程度、ＴｉＯ2は１．８０〜２．９０程度の屈折率を持つ。これらの間の屈折率材料としては、Ａｌ2Ｏ3やＭｇＯ、その他の材料があるが、プラズマＣＶＤ法で製造する場合にはモノマー蒸気圧が低いという問題がある。また、他の低温薄層作成法においては屈折率値の制御範囲が狭いため所望の屈折率を得ることが困難であり、またＳｉＯ2層中の酸化原子数を減少させることにより屈折率を上昇させ屈折率１．５５以上の層を得ることができるが、可視域の短波長側の吸収が大きくなり、黄色味を帯びるという問題がある。本発明では、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉモノマーとＴｉモノマーの混合比を変更するだけで層組成を簡単に制御することができる。そして、このような組成とすることによりＳｉＯ2とＴｉＯ2の中間の屈折率１．５５〜１．８０の層を得ることができる。また、上記層中のＳｉ、Ｔｉ原子はほぼ充分酸化されているので可視域短波長側での吸収も抑えることができる。さらに有機成分を少量含むことによりフレキシビリティの高い層を得ることができる。
【００２３】
［２］反射防止フィルムについて
次に、上述してきた光学層を用いた反射防止フィルムについて説明する。
【００２４】
図１に示すように、本発明の反射防止フィルム１は、基材２と、この基材２上に設けられており、複数の薄層が積層されてなる反射防止積層体３とを有するものであり、当該反射防止積層体３を形成する薄層中には、上述した本発明の光学層が中屈折率層として含まれていることを特徴とするものである。
【００２５】
以下に図１を用いて本発明の反射防止フィルム１を構成する▲１▼反射防止積層体３、および▲２▼基材２についてそれぞれ説明する。
【００２６】
▲１▼反射防止積層体
まず、本発明の反射防止フィルム１を構成する反射防止積層体３について説明する。当該反射防止積層体３は、基材２上設けられるものであり、上述した本発明の光学層が少なくとも一層以上積層されていればよく、反射防止積層体３を構成するその他の薄層については特に限定するものではなく、反射防止フィルム全体として反射防止効果を奏するように自由に積層することが可能である。
【００２７】
図１に示す反射防止積層体３は、本発明の反射防止フィルムにおける反射防止積層体の一例を示すものであり、最外層（基材と接する層の反対側の層）を低屈折率層４とし、この低屈折率層から基材２の方向へ向かって、高屈折率層５、本発明の中屈折率層としての光学層６、およびハードコート層７を順次積層した構造となっている。
【００２８】
そして、図１に示す反射防止積層体３中の中屈折率層６には、屈折率が１．５５以上１．８０以下（λ＝５５０ｎｍ）であって、層の組成がＳｉＴｉxＯyＣz（ｘ＝０．０５〜１、ｙ＝１．５〜４、ｚ＝０．０５〜１）であることを特徴とする本発明の光学層が用いられている。
【００２９】
上記の光学層を中屈折率層６として用いることにより、反射防止積層体３中において、他の薄層との相乗的な効果をもって反射防止機能を高めることができる。
【００３０】
ここで、当該中屈折率層６を設ける位置については、本発明は特に限定するものではなく反射防止積層体３全体として反射防止機能が向上するような位置であればいかなる位置に設けることも可能である。しかしながら、図１に示すように高屈折率層５と低屈折率層４とは接触している方が効率よく光の反射を防止することができるため、当該中屈折率層６は高屈折率層５の下に設置することが好ましい。この位置に本発明の中屈折率層６としての光学層を用いることにより、積層体を構成する薄層の数を従来のそれよりも少なくすることができる。
本発明の光学層により形成される中屈折率層６の厚さは、特に限定されるものではなく、反射防止効果を奏することができればいかなる厚さでもよいが、０．００５〜０．３μｍが特に好ましく、０．０１〜０．１５μｍがさらに好ましい。層の厚さが０．００５μｍより薄いと、反射防止効果をほとんど期待できないからであり、逆に層の厚さが０．３μｍより厚いと、層の応力による基材変形や層剥れを発生するからである。
【００３１】
次に、図１に示す反射防止積層体３の最外層（基材と反対側の表面）に設けられた低屈折率層４について説明する。
【００３２】
低屈折率層４は、反射防止フィルムの光学特性（反射防止機能）を向上せしめるために設けられるものであり、当該低屈折率層４を最外層に設けることにより効率よく光を反射することができる。
【００３３】
本発明においては、当該低屈折率層について特に限定するものではなく、いかなる層を用いることも可能である。中でもシリカ層は、従来から低屈折率層として用いられていることが多く、本発明の反射防止フィルムにおいても好適に用いることが可能である。
【００３４】
次に、高屈折率層５について説明する。
【００３５】
本発明においては、当該高屈折率層５についても特に限定するものではなく、いかなる層を用いることも可能である。中でも酸化チタン層は、従来から高屈折率層として用いられていることが多く、本発明の反射防止フィルムにおいても好適に用いることが可能である。
【００３６】
また、図１に示す反射防止積層体３中には、ハードコート層７も設けられている。
【００３７】
本発明に用いられるハードコート層７は、本発明の反射防止フィルムに強度を持たせることを目的として形成される層である。従って、反射防止フィルムの用途によっては必ずしも必要なものではない。
【００３８】
ハードコート層７を形成するための材料としては、同様に可視光域で透明な材料であり反射防止フィルムに強度をもたせることができるものであれば特に限定されるものではなく、例えばＵＶ硬化型アクリル系ハードコートや熱硬化型シリコーン系コーティング等を用いることができる。また、当該ハードコート層の肉厚は、通常１〜３０μｍの範囲内であり、このようなハードコート層の製造方法は、通常のコーティング方法を用いることも可能であり、特に限定されるものではない。
【００３９】
また、ハードコート層を設ける位置であるが、ハードコートを設ける目的は反射防止フィルムに強度を持たせることであり、反射防止機能を向上せしめるためのものではないため、最上層のシリカ層４から離れた位置に設置することが好ましく基材２のすぐ上に設置することが好ましい。
【００４０】
▲２▼基材
次に基材２について説明する。本発明の反射防止フィルムにおいて、基材２は、前記の低屈折率層としてのシリカ層の反対面に位置するものであり、当該反射防止フィルムの土台となる部分である。基材２は、可視光域で透明な高分子フィルムであれば特に限定されるものではない。前記高分子フィルムとしては、例えば、トリアセチルセルロースフィルム、ジアセチルセルロースフィルム、アセテートブチレートセルロースフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリアクリル系フィルム、ポリウレタン系フィルム、ポリエステルフィルム、ポリカーボネイトフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリエーテルフィルム、トリメチルペンテンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、アクリロニトリルフィルム、メタクリロニトリルフィルム等が挙げられる。さらには、無色のフィルムがより好ましく使用できる。中でも、一軸または二軸延伸ポリエステルフィルムが透明性、耐熱性に優れていることから好適に用いられ、特にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムが好ましい。また、光学異方性のない点でトリアセチルセルロースも好適に用いられる。高分子フィルムの厚みは、通常は６μm〜１８８μm程度のものが好適に用いられる。
【００４１】
図２は、本発明の反射防止フィルムの別の実施の形態を示す概略断面図である。
【００４２】
図２に示す反射防止フィルム１０は、上述した本発明の中屈折率層としての光学層と、低屈折率層と、ハードコート層７を順次積層することにより反射防止積層体を形成したものである。このように、最外層として低屈折率層を用い、当該低屈折率層と接する層として中屈折率層を用いることにより、低屈折率層と中屈折率層のみで足り、反射防止フィルムを従来のそれよりも全体として薄いものとすることができ、より可撓性に優れたものとすることができる。
【００４３】
［３］本発明の光学層及び反射防止フィルムの製造方法について
次に、本発明の光学層及びこれを用いた反射防止フィルムの製造方法について説明する。ここで、前記［１］で説明した本発明の光学層の製造方法ついても、本発明の反射防止フィルムにおける光学層と同様であるため同時に説明することとする。
【００４４】
本発明においては、上述してきたような反射防止積層体を形成することが可能であれば、その製造方法について特に限定するものではなく、例えば、真空蒸着法やスパッタリング法、熱ＣＶＤ法、あるいは、ゾルゲル法等によるウエットコーティングなどの方法を用いることができる。
【００４５】
上記製造方法の中でも、本発明の光学層及び反射防止フィルムを製造する際には、プラズマＣＶＤ法を用いることが好ましい。
【００４６】
ここで、プラズマＣＶＤ法とは、所定のガスが導入された反応室内でプラズマ生成することにより原子または分子ラジカル種が生成されて固体表面に付着し、多くの場合表面反応によってさらに揮発性分子を放出して固体表面に取り込まれる現象を利用した成層方法である。プラズマＣＶＤ法を用いて本発明の光学層を形成する際の原料を有機ケイ素化合物と有機チタン化合物の混合ガスとすることにより、当該光学層を効率よく形成することができるからである。また、当該プラズマＣＶＤ法には、プラズマを発生するために用いる電力の印加方法の違いにより、容量結合型プラズマＣＶＤ法と、誘導結合型のプラズマＣＶＤ法の２種類があるが、本発明においてはどちらのプラズマＣＶＤ法を用いることも可能である。
【００４７】
ここで、本発明においては上記のようなプラズマＣＶＤ法の中でも、図３に示すようなプラズマＣＶＤ装置を用いることが特に好ましい。当該プラズマＣＶＤ装置により本発明の反射防止フィルムを連続的に製造でき、かつ基材となる高分子フィルムの温度制御も正確に行うことができるからである。
【００４８】
図３に示すプラズマＣＶＤ装置３０は容量結合型のプラズマＣＶＤ装置であり、ウエッブ状の高分子フィルム３１は基材巻き出し部３２より巻きだされて、真空容器３３中の反応室（ａ，ｂ，ｃ）に導入される。そして、当該反応室内の成層用ドラム３４上で所定の層が形成され、基材巻き取り部３６により巻き取られる。
【００４９】
当該プラズマＣＶＤ装置３０は、複数（３つ）の反応室を有している点に特徴を有し、夫々の反応室（ａ，ｂ，ｃ）は隔離壁３５で隔離されることで形成されている。ここで、以下の説明の便宜上、当該３つの反応室を右側から反応室ａ、反応室ｂ、反応室ｃとする。そして、各反応室には、夫々電極版ａ１、ｂ１、ｃ１及び原料ガス導入口ａ２、ｂ２、ｃ２が設置されている。各反応室（ａ，ｂ，ｃ）は、成層用ドラム３４の外周に沿って設置されている。これは、反射防止積層体が形成される高分子フィルムは、成層用ドラム３４と同期しながら反応室内に挿入され、かつ成層用ドラム上において反射防止積層体を形成するものであることから、このように配置することにより連続して各層を積層することができるからである。
【００５０】
上述したようなプラズマＣＶＤ装置３０によれば、各反応室へ導入する原料ガスを変化させることにより、夫々の反応室内で独立して薄層を形成することが可能である。
【００５１】
例えば、図１に示す反射防止フィルム１を製造する場合においては、まず、基材２となるＰＥＴフィルム上にハードコート層を従来からのウェットコーティングにより形成して、その後、中屈折率層としての本発明の光学層、及び高屈折率層としての酸化チタン層、低屈折率層としてのシリカ層を当該プラズマＣＶＤ装置により形成することができる。この場合、それぞれの反応室（ａ，ｂ，ｃ）に原料となるガスを導入することにより、高分子フィルム３１が成層用ドラム３４を経て基材巻き取り部３６へ巻き取られるまでに当該高分子フィルム３１上に本発明の中屈折率層、及び高屈折率層と低屈折率層が形成された反射防止フィルムを形成することが可能となる。
【００５２】
本発明の反射防止フィルムを上記図３に示すプラズマＣＶＤ装置で製造する場合において、本発明の光学層（中屈折率層）を形成するための原料としてはＳｉ原料としては、有機シリコーンが好ましく、具体的には、ヘキサメチレンジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、メチルトリメトキシシラン（ＭＴＭＯＳ）、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシランジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、テトラメトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラエトキシシラン、等が好ましい。またＴｉ原料としては、チタンテトライソプロポキシド、チタンテトラメトキシド、チタンテトラエトキシド、チタンテトラｎ−プロポキシド、チタンテトラｎ−ブトキシド、チタンテトラｔ−ブトキシド、チタンテトラｓｅｃ−ブトキシドのチタンアルコキシド、及び四塩化チタンなどが挙げられる。その中でもチタンテトライソプロポキシド、チタンテトラｔ−ブトキシドは、蒸気圧が高いという理由で好適である。
【００５３】
なお、本発明は、上述してきた反射防止フィルム及びその製造方法に限定されるものではない。上記実施の形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的範囲と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５４】
【実施例】
本発明を実施例により更に詳細に説明する。
【００５５】
（実施例１）
本発明の実施例１として図３の装置を使用して光学層を形成した。なお、当該実施例においては、形成する薄層は、一層のみであるため、反応室はａのみを用いた。以下に条件を示す。
0004004815.tif 000002
上記条件により形成した実施例１の光学層の特性は以下のとおりである。
屈折率  ：１．７６（λ＝５５０ｎｍ）
消衰係数  ：０．０００２７（λ＝５５０ｎｍ）
組成  ：ＳｉＴｉ0.4Ｏ2.7Ｃ0.4
なお、上記の組成分析には光電子分光分析装置を用い、光学層中の結合状態の把握に赤外吸収分光分析装置を用い、光学特性測定には紫外可視分光分析装置とエリプソメーターを用いた。
【００５６】
（比較例１）
次に比較例として公知のスパッタリング装置を用いて基材上に中屈折率層としてのシリカ層を形成した。この際の条件を以下に示す。
ターゲット材料  ：Ｓｉ
導入ガス  ：Ａｒ、Ｏ2
プラズマ生成手段  ：１３．５６ＭＨｚのＲＦ波
基材  ：ＰＥＴフィルム（商品名：ルミラーＴ６０  東レ製）
Ａｒガスの流量  ：０．５ｓｌｍ
Ｏ２ガスの流量  ：０．２５ｓｌｍ
成層速度  ：０．０５μｍ・ｍ／ｍｉｎ
上記条件により、基材上に下記の特性を有するシリカ層を形成した。
屈折率  ：１．７０（λ＝５５０ｎｍ）
消衰係数  ：０．００２４（λ＝５５０ｎｍ）
組成  ：ＳｉＯ1.5Ｃ0.1Ｈ
なお、上記特性の分析には実施例１と同様の装置を用いた。
【００５７】
実施例１と比較例１とを比較すると、消衰係数が比較例の方が大きく、光の吸収が大きくなっていることが分かる。
【００５８】
（実施例２）
本発明の実施例として、図３の装置を使用して基材上に本発明の中屈折率層としての光学層を１００ｎｍ形成し、この上に高屈折率層としての酸化チタン層を４０ｎｍ形成し、この上に低屈折率層としてのシリカ層を１０２ｎｍ形成することにより、図１に示すような反射防止フィルムを形成した。この際、当該装置の反応室ａで本発明の中屈折率層としての光学層を、反応室ｂで高屈折率層としての酸化チタン層を、反応室ｃで低屈折率層としてのシリカ層を形成した。以下にそれぞれの反応室の成層条件を示す。なお、基材は、紫外線硬化型アクリル系ハードコートを１０μｍ塗布したトリアセチルセルロースフィルムを用いた。
【００５９】
0004004815.tif 000003
反応室ｂ（酸化チタン層）
原料ガス  ：Ｔｉ（Ｏ−ｉＣ3Ｈ7）3とＯ2
原料ガスの流量  ：１００ｓｃｃｍ
プラズマ生成手段  ：１３．５６ＭＨｚのＲＦ波
Ｏ２ガスの流量  ：５ｓｌｍ
Ｈｅガスの流量  ：０ｓｌｍ
電力  ：２ｋＷ
圧力  ：７Ｐａ
反応室ｃ（低屈折率層としてのシリカ層）
原料ガス  ：（ＣＨ3）3ＳｉＯＳｉ（ＣＨ3）3とＯ2
原料ガスの流量  ：１ｓｌｍ
プラズマ生成手段  ：１３．５６ＭＨｚのＲＦ波
Ｏ２ガスの流量  ：３ｓｌｍ
Ｈｅガスの流量  ：０ｓｌｍ
電力  ：０．５ｋＷ
圧力  ：１３Ｐａ
上記条件により、形成した反射防止フィルムの基材裏面（反射防止積層体が形成されている面と反対側の面）に黒色のテープを貼付けて反射率を測定した結果視感度反射率は０．４２％であり、良好な反射防止フィルムを得ることができた。
【００６０】
なお、上記の光学特性測定には紫外可視分光分析装置を用いた。
【００６１】
【発明の効果】
本発明の光学層は、その屈折率が１．５５以上１．８０未満（λ＝５５０ｎｍ）で層の組成がＳｉＴｉxＯyＣz（ｘ＝０．０５〜１、ｙ＝１．５〜４、ｚ＝０．０５〜１）であるので、反射防止積層体を有する反射防止フィルムにおいて、中屈折率層として用いることが可能である。また、この光学層を用いることにより、当該反射防止フィルムをプラズマＣＶＤ法により効率よく形成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の反射防止フィルムを説明するための概略断面図である。
【図２】本発明の反射防止フィルムの一例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の反射防止フィルムを製造するためのプラズマＣＶＤ装置の概略断面図である。
【符号の説明】
１…反射防止フィルム
２…基材
３…反射防止積層体
４…低屈折率層としてのシリカ層
５…高屈折率層としての酸化チタン層
６…中屈折率層としての光学層
７…ハードコート層
３０…プラズマＣＶＤ装置
【図１】
0004004815.tif 000004
【図２】
0004004815.tif 000005
【図３】
0004004815.tif 000006