(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動膜と背極板とが対向配置されてなるエレクトレットコンデンサ部と、このエレクトレットコンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、これらエレクトレットコンデンサ部およびインピーダンス変換素子を収容するケースと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
上記ケースが、インサート成形により複数の端子部材と一体的に形成された合成樹脂製のベース部材と、このベース部材に固定された合成樹脂製のハウジング部材とからなり、
上記各端子部材の一端部が、上記ベース部材の内面に導電パターンの一部を形成するようにして露出するとともに、上記各端子部材の他端部が、上記ベース部材の外面に外部接続端子部として露出しており、
上記インピーダンス変換素子が、上記導電パターンの所定部位において上記ベース部材に実装されており、
上記エレクトレットコンデンサ部と上記導電パターンとの間に、上記エレクトレットコンデンサ部と上記インピーダンス変換素子との導通を図るためのバネ部材が設けられている、ことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【請求項２】
上記ベース部材の所定部位に貫通孔が形成されるとともに、該貫通孔の形成箇所において上記導電パターンが分断されている、ことを特徴とする請求項１記載のエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【請求項３】
振動膜と背極板とが対向配置されてなるエレクトレットコンデンサ部と、このエレクトレットコンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、これらエレクトレットコンデンサ部およびインピーダンス変換素子を収容するケースと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
上記ケースが、ＭＩＤ成形により複数の端子部材と一体的に形成された合成樹脂製のベース部材と、このベース部材に固定された合成樹脂製のハウジング部材とからなり、
上記各端子部材の一端部が、上記ベース部材の内面に導電パターンの一部を形成するようにして露出するとともに、上記各端子部材の他端部が、上記ベース部材の外面に外部接続端子部として露出しており、
上記インピーダンス変換素子が、上記導電パターンの所定部位において上記ベース部材に実装されており、
上記エレクトレットコンデンサ部と上記導電パターンとの間に、上記エレクトレットコンデンサ部と上記インピーダンス変換素子との導通を図るためのバネ部材が設けられている、ことを特徴とするエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【請求項４】
上記エレクトレットコンデンサ部が、筒状の金属カバーで覆われている、ことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載のエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【請求項５】
上記金属カバーが略円筒状の外形形状を有するとともに上記ケースが略直方体状の外形形状を有しており、
上記ハウジング部材の各コーナ部に、上記ベース部材の内部空間と連通する凹状空間が形成されている、ことを特徴とする請求項４記載のエレクトレットコンデンサマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、エレクトレットコンデンサマイクロホンに関するものであり、特に、その表面実装を可能とするための構成に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、エレクトレットコンデンサマイクロホンは、振動膜と背極板とが対向配置されてなるエレクトレットコンデンサ部と、このエレクトレットコンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、このインピーダンス変換素子を実装する基板とが、筒状の金属ケース内に収容された構成となっている。
【０００３】
このエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいては、インピーダンス変換素子と導通する複数の端子部材が、基板からピン状に突出するようにして設けられているので、エレクトレットコンデンサマイクロホンを外部基板（例えば携帯電話機のプリント基板等）に表面実装することは構造上困難である。
【０００４】
このため、エレクトレットコンデンサマイクロホンを外部基板に表面実装する際には、例えば特開平８−２３７７９７号公報に記載されているように、エレクトレットコンデンサマイクロホンを表面実装用の接触片を有するホルダに装着し、このホルダを介して外部基板への表面実装を行う工夫がなされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来のエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいては、これを外部基板に表面実装する際にホルダを介在させる必要があるので、余分な部品が必要となってしまい、しかも表面実装したときの全体の厚さがかなり大きなものとなってしまう、という問題がある。
【０００６】
本願発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、少ない部品点数でかつ薄型化を図った上で外部基板に表面実装することができるエレクトレットコンデンサマイクロホンを提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本願発明は、従来の基板および端子部材を新たな構成とすることにより、上記目的達成を図るようにしたものである。
【０００８】
すなわち、本願第１の発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンは、
振動膜と背極板とが対向配置されてなるエレクトレットコンデンサ部と、このエレクトレットコンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、これらエレクトレットコンデンサ部およびインピーダンス変換素子を収容するケースと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
上記ケースが、インサート成形により複数の端子部材と一体的に形成された合成樹脂製のベース部材と、このベース部材に固定された合成樹脂製のハウジング部材とからなり、
上記各端子部材の一端部が、上記ベース部材の内面に導電パターンの一部を形成するようにして露出するとともに、上記各端子部材の他端部が、上記ベース部材の外面に外部接続端子部として露出しており、
上記インピーダンス変換素子が、上記導電パターンの所定部位において上記ベース部材に実装されており、
上記エレクトレットコンデンサ部と上記導電パターンとの間に、上記エレクトレットコンデンサ部と上記インピーダンス変換素子との導通を図るためのバネ部材が設けられている、ことを特徴とするものである。
【０００９】
また、本願第２の発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンは、
振動膜と背極板とが対向配置されてなるエレクトレットコンデンサ部と、このエレクトレットコンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換するインピーダンス変換素子と、これらエレクトレットコンデンサ部およびインピーダンス変換素子を収容するケースと、を備えてなるエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、
上記ケースが、ＭＩＤ成形により複数の端子部材と一体的に形成された合成樹脂製のベース部材と、このベース部材に固定された合成樹脂製のハウジング部材とからなり、
上記各端子部材の一端部が、上記ベース部材の内面に導電パターンの一部を形成するようにして露出するとともに、上記各端子部材の他端部が、上記ベース部材の外面に外部接続端子部として露出しており、
上記インピーダンス変換素子が、上記導電パターンの所定部位において上記ベース部材に実装されており、
上記エレクトレットコンデンサ部と上記導電パターンとの間に、上記エレクトレットコンデンサ部と上記インピーダンス変換素子との導通を図るためのバネ部材が設けられている、ことを特徴とするものである。
【００１０】
上記「エレクトレットコンデンサマイクロホン」は、振動膜にエレクトレットの機能が付与されたホイルエレクトレット型のエレクトレットコンデンサマイクロホンであってもよいし、背極板にエレクトレットの機能が付与されたバックエレクトレット型のエレクトレットコンデンサマイクロホンであってもよい。
【００１１】
また、この「エレクトレットコンデンサマイクロホン」は、電子部品としてインピーダンス変換素子のみがケース内に収容された構成であってもよいし、インピーダンス変換素子以外にも例えばコンデンサ等の他の電子部品が収容された構成であってもよい。
【００１２】
上記「インピーダンス変換素子」は、コンデンサ部の静電容量の変化を電気インピーダンス変換することが可能なものであれば、特定の素子に限定されるものではなく、例えばＦＥＴ等が採用可能である。
【００１４】
上記「導電パターン」は、ベース部材の内面に形成可能なものあれば、その具体的なパターン形状は特に限定されるものではない。
【００１５】
上記各「外部接続端子部」は、ベース部材の外面に露出するものであれば、その具体的形状や配置等は特に限定されるものではない。
【００１６】
上記「ＭＩＤ成形」とは、ＭＩＤ（ Molded Interconnect Device ）を製造するための成形法を意味するものである。ここに「ＭＩＤ」とは、３次元形状を有する樹脂成形品に３次元的な回路・パターンが形成されてなる３次元成形回路部品を意味するものである。
【００１７】
【発明の作用効果】
上記構成に示すように、本願発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンは、エレクトレットコンデンサ部とインピーダンス変換素子とを収容するケースの一部が、インサート成形またはＭＩＤ成形により複数の端子部材と一体的に形成された合成樹脂製のベース部材として構成されており、各端子部材はその一端部がベース部材の内面に導電パターンの一部を形成するようにして露出するとともに他端部がベース部材の外面に外部接続端子部として露出しており、そしてインピーダンス変換素子が導電パターンの所定部位においてベース部材に実装されているので、ベース部材に従来の基板としての機能を持たせるようにした上で各外部接続端子部の形状や配置を任意に設定することが容易に可能となる。そこで、各外部接続端子部の形状および配置を外部基板への表面実装に適したものとすれば、従来のようにホルダを介在させることなく直接エレクトレットコンデンサマイクロホンを外部基板に表面実装することが可能となる。
【００１８】
したがって本願発明によれば、エレクトレットコンデンサマイクロホンを少ない部品点数でかつ薄型化を図った上で外部基板に表面実装することができる。
【００１９】
しかも、従来のエレクトレットコンデンサマイクロホンは、一般にケースが金属製でありかつアース端子と導通しているので、ケースを外部基板から離して配置する必要があるが、本願発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンは、ベース部材が合成樹脂製であるので、ベース部材を外部基板から離す必要がなく、このためベース部材の外面と各外部接続端子部とを面一で形成することが可能となり、これによりエレクトレットコンデンサマイクロホンを外部基板に表面実装したときの厚さを一層薄くすることができる。
【００２０】
本願第１の発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいては、インサート成形後に、導電パターンの一部を切り起こすといった後加工を施すことも可能であり、これにより導電パターンのレイアウトの自由度を高めることができる。
【００２２】
本願第１の発明において、ベース部材の所定部位に貫通孔が形成されるとともに該貫通孔の形成箇所において導電パターンが分断された構成とすれば、インサート成形時には一体的に形成された導電パターンの一部を、導電パターンの他の部分との位置関係を一定に維持したまま電気的に分離させて島状に形成することができる。
【００２３】
一方、ＭＩＤ成形により複数の端子部材がベース部材と一体的に形成された本願第２の発明に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいては、めっきや印刷等の表面処理により導電パターンが形成されるので、ＭＩＤ成形の際に導電パターンの一部を島状に形成することができる。
【００２４】
本願発明において、エレクトレットコンデンサ部が筒状の金属カバーで覆われた構成とすれば、これらを１つのユニットとして取り扱うことができるので、エレクトレットコンデンサマイクロホンの製造工程を簡素化することができる。
【００２５】
本願発明においては、ケースがベース部材とこれに固定された合成樹脂製のハウジング部材とからなっているので、金属カバーがハウジング部材で覆われることとなる。このため、外部から熱が加えられた場合においても、合成樹脂製のハウジング部材の熱緩衝作用により熱が金属カバーに伝達されにくくなるようにすることができ、これによりエレクトレットコンデンサ部の温度上昇を抑制することができる。したがって、例えば、外部基板への表面実装をリフロー処理（すなわち、クリームハンダが塗布された基板上に電子部品を配置した後、リフロー炉で加熱してクリームハンダを溶かすことにより電子部品を基板に実装する処理）により行うようにした場合においても、リフロー処理の際に加えられる熱によってエレクトレットコンデンサ部のエレクトレットに着電されていた電荷が消失または減少してしまうのを効果的に抑制することができる。
【００２６】
ところで、エレクトレットコンデンサ部を覆う金属カバーは、その外形形状を略円筒状に設定するのが自然であると考えられるが、ケースについては、その外形形状を略直方体状に設定することが、表面実装の際にエレクトレットコンデンサマイクロホンを容易に位置決め可能とする上から好ましい。そして、このようにした場合には、ハウジング部材の各コーナ部にベース部材の内部空間と連通する凹状空間を形成しておくようにすれば、これら凹状空間によりエレクトレットコンデンサ部の背圧空間を拡大させることができ、これによりエレクトレットコンデンサマイクロホンの感度向上を図ることができる。また、これら各凹状空間を、ハウジング部材のヒケ発生防止を図るための肉盗み空間として利用することもできる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて、本願発明の実施の形態について説明する。
【００２８】
図１は、本願発明の一実施形態に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンを上向きに配置した状態で示す側断面図である。また、図２は、（ａ）が図１のIIa 方向矢視図であり、（ｂ）が図１のIIb 方向矢視図である。さらに、図３および４は、上記エレクトレットコンデンサマイクロホンを分解して示す側断面図および平面図である。
【００２９】
これらの図に示すように、本実施形態に係るエレクトレットコンデンサマイクロホン１０は、平面視において一辺４．５ｍｍ程度の略正方形の外形形状を有する高さ１．８ｍｍ程度の小型マイクロホンであって、ケース１２内に、エレクトレットコンデンサユニット１４と、ＦＥＴ１６（インピーダンス変換素子）と、２つのコンデンサ１８、２０と、コイルバネ２２と、コンタクトフレーム２４とが収容されてなっている。
【００３０】
エレクトレットコンデンサユニット１４は、上下方向に延びる背の低い円筒状の金属カバー３２内に、振動膜サブアッセンブリ３４、絶縁性リング３６、スペーサ３８、背極板４０および絶縁性ブッシュ４２が収容されてなっている。
【００３１】
金属カバー３２は、その上端壁に音孔３２ａが形成されており、その開放下端部３２ｂが絶縁性ブッシュ４２にカシメ固定されている。
【００３２】
振動膜サブアッセンブリ３４は、振動膜３４Ａが振動膜支持リング３４Ｂの下面に張設固定されてなっている。振動膜３４Ａは、円形の合成樹脂製（例えばＰＰＳ製）フィルムの上面にニッケル等の金属蒸着膜が形成されるとともに該金属蒸着膜において振動膜支持リング３４Ｂと導通しており、その中央部にはベントホール３４ａが形成されている。振動膜支持リング３４Ｂは、金属カバー３２の内径と略同じ外径を有する金属製のリング部材で構成されている。
【００３３】
絶縁性リング３６は、金属カバー３２の内径と略同じ外径を有するリング部材であって、アルミニウムの表面に絶縁処理（アルマイト被覆加工）が施されてなっている。
【００３４】
スペーサ３８は、絶縁性リング３６の内径と略同じ外径を有する合成樹脂製（例えばＰＰＳ製）の薄板リングで構成されている。
【００３５】
背極板４０は、ステンレス鋼製の背極板本体４０Ａと、この背極板本体４０Ａの上面に熱融着（ラミネート）された合成樹脂製（例えばＦＥＰ製）のエレクトレット４０Ｂとからなり、複数の貫通孔４０ａが形成されている。エレクトレット４０Ｂには、所定の表面電位（例えば−１２５Ｖ程度）が得られるよう分極処理が施されている。
【００３６】
金属カバー３２内においては、振動膜３４Ａとエレクトレット４０Ｂとがスペーサ３８を介して所定の微小間隔をおいて対向しており、これによりコンデンサ部Ｃを構成するようになっている。
【００３７】
絶縁性ブッシュ４２は、合成樹脂成形品（例えばＬＣＰ成形品）であって、絶縁性リング３６の内径と略同じ外径を有するリング部材で構成されている。
【００３８】
ケース１２は、上向きに開放された合成樹脂製（例えばＬＣＰ製）のベース部材５２と、下向きに開放された合成樹脂製（例えばＬＣＰ製）のハウジング部材５４とが、超音波溶着（これについては後述する）により固定されてなっている。
【００３９】
図５は、ベース部材５２を詳細に示す、図３のV-V 線断面図である。また、図６は、ベース部材５２およびその付属部品の製造組付工程を示す工程図である。なお、図３（および図１）においては、ベース部材５２を図４（ｃ）のIII-III 線に沿った断面で示している。
【００４０】
これらの図にも示すように、ベース部材５２は、略正方形の底壁部５２Ａと、この底壁部５２Ａの外周縁部から上方へ延びる周壁部５２Ｂとからなり、インサート成形により４つの端子部材５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ、５６Ｄと一体的に形成されている。これら４つの端子部材５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ、５６Ｄは、帯板状の導電性部材に打抜き加工および曲げ加工を施すことによりインサートとして形成されている。
【００４１】
これら各端子部材５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ、５６Ｄの一端部は、底壁部５２Ａの内面（上面）に導電パターンＰの一部を構成する４つのランド部５６Ａａ、５６Ｂａ、５６Ｃａ、５６Ｄａとして露出している。一方、各端子部材５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ、５６Ｄの他端部は、底壁部５２Ａの外面に４つの外部接続端子部５６Ａｂ、５６Ｂｂ、５６Ｃｂ、５６Ｄｂとして露出している。これら各外部接続端子部５６Ａｂ、５６Ｂｂ、５６Ｃｂ、５６Ｄｂは、底壁部５２Ａの各コーナ部近傍において底壁部５２Ａの下面から周壁部５２Ｂの外側面へ回り込むようにしてＬ字形に形成されている。その際、各外部接続端子部５６Ａｂ、５６Ｂｂ、５６Ｃｂ、５６Ｄｂは、底壁部５２Ａに対してはインサート成形により該底壁部５２Ａの下面と面一で形成されており、周壁部５２Ｂに対してはインサート成形後の切断および曲げ加工により該周壁部５２Ｂの外側面から板厚分だけ突出するようにして形成されている。
【００４２】
４つの端子部材５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ、５６Ｄのうち、端子部材５６Ａは、外部基板に実装されたとき負荷抵抗を介して電源に接続される出力端子であり、端子部材５６Ｂはアース端子であり、残り２つの端子部材５６Ｃ、５６Ｄはダミー端子である。
【００４３】
ベース部材５２の底壁部５２Ａには、インサート成形の際のインサート支持ピンにより複数の空洞部５２ａが形成されるが、そのうちの１つは、図６（ａ）示すように、導電パターンＰの下側に形成されるようになっている。そして、インサート成形後に、この空洞部５２ａに対して、上方から導電パターンＰを突き破るようにしてピンを挿入させることにより（あるいはレーザ光照射等により）、同図（ｂ）示すように、導電パターンＰを分断して貫通孔５２ｂを形成するようになっている。そしてこれにより、ベース部材５２の底壁部５２Ａの内面に、ランド部５６Ａａから電気的に分離した新たなランド部５８を形成するようになっている。
【００４４】
ＦＥＴ１６および各コンデンサ１８、２０は、導電パターンＰの所定部位においてベース部材５２に実装されている。
【００４５】
ＦＥＴ１６は、エレクトレットコンデンサ部Ｃの静電容量の変化を電気インピーダンス変換する素子であって、そのドレーン電極Ｄが端子部材５６Ａのランド部５６Ａａと導通し、ソース電極Ｓが端子部材５６Ｂのランド部５６Ｂａと導通し、ゲート電極Ｇがランド部５８と導通するようにして実装されている。また、コンデンサ１８、２０は、ノイズ除去のために設けられる静電容量の異なる２種類のコンデンサであって、端子部材５６Ａのランド部５６Ａａと端子部材５６Ｂのランド部５６Ｂａとに跨るようにして並列で実装されている。
【００４６】
ベース部材５２の底壁部５２Ａの内面には、ランド部５８の形成部位において上方へ突出するバネ装着用ボス５２ｃが形成されている。このバネ装着用ボス５２ｃにはコイルバネ２２が装着されている。このコイルバネ２２は、金属製であって、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０の組付けが行われたとき、その両端部がランド部５８と背極板本体４０Ａとに当接した状態で圧縮弾性変形するようになっている。そしてこれにより、ＦＥＴ１６のゲート電極Ｇを、ランド部５８およびコイルバネ２２を介して背極板本体４０Ａと導通させるようになっている。
【００４７】
コンタクトフレーム２４は、ステンレス鋼板を略Ｌ字形に打抜き加工するとともにその一部に曲げ加工を施すことにより形成されてなり、３箇所に斜め下方へ突出する３つの端子接触片２４ａ、２４ｂ、２４ｃが形成されている。このコンタクトフレーム２４は、ベース部材５２の周壁部５２Ｂの内面形状と略同じ大きさの外形形状を有しており、ベース部材５２内に装着されることにより、その各端子接触片２４ａ、２４ｂ、２４ｃが、各端子部材５６Ｂ、５６Ｃ、５６Ｄのランド部５６Ｂａ、５６Ｃａ、５６Ｄａと当接するようになっている。
【００４８】
そして、このコンタクトフレーム２４は、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０の組付けが行われたとき、エレクトレットコンデンサユニット１４の金属カバー３２との当接により各端子接触片２４ａ、２４ｂ、２４ｃが多少撓み変形するようになっている。そしてこれにより、ＦＥＴ１６のソース電極Ｓを、端子部材５６Ｂのランド部５６Ｂａ、コンタクトフレーム２４、金属カバー３２および振動膜支持リング３４Ｂを介して振動膜３４Ａと導通させるとともに、端子部材５６Ｃ、５６Ｄのランド部５６Ｃａ、５６Ｄａとも導通させ、これら端子部材５６Ｃ、５６Ｄをもアース端子として使用可能とするようになっている。
【００４９】
ベース部材５２の底壁部５２Ａの外面（下面）には、エレクトレットコンデンサユニット１４の外径と略同じ内径を有する浅い円形凹部５２ｄが形成されており、この円形凹部５２ｄには、該円形凹部５２ｄの深さよりも薄い金属製のシールドプレート６０が接着固定されている。
【００５０】
ハウジング部材５４は、ベース部材５２の底壁部５２Ａと同一形状の天壁部５４Ａと、この天壁部５４Ａの外周縁部から下方へ延びる周壁部５４Ｂと、エレクトレットコンデンサユニット１４を囲むようにして上壁部５４Ａから下方へ延びる環状壁部５４Ｃとからなっている。このハウジング部材５４の天壁部５４Ａには複数の放音孔５４ａが形成されている。また、このハウジング部材５４の各コーナ部には、周壁部５４Ｂと環状壁部５４Ｃとにより、ベース部材５２の内部空間と連通する凹状空間５４ｂが形成されている。
【００５１】
ベース部材５２とハウジング部材５４との超音波溶着は、次のようにして行われるようになっている。
【００５２】
すなわち、図３に示すように、超音波溶着前のベース部材５２は、その周壁部５２Ｂの上端面５２ｅが全周にわたって略角錐面状に形成されている。一方、超音波溶着前のハウジング部材５４は、その周壁部５４Ｂの下端面５４ｃが全周にわたって平面状に形成されている。そして、これら周壁部５２Ｂの上端面５２ｅと周壁部５４Ｂの下端面５４ｃとを全周にわたって面接触させた状態で超音波振動を付与することにより、主として周壁部５２Ｂの上端面近傍部位を塑性変形させ、これにより、図１に示すように、周壁部５２Ｂの上端面５２ｅと周壁部５４Ｂの下端面５４ｃとを全周にわたって溶着固定するようになっている。
【００５３】
以上詳述したように、本実施形態に係るエレクトレットコンデンサマイクロホン１０は、エレクトレットコンデンサ部ＣとＦＥＴ１６およびコンデンサ１８、２０とを収容するケース１２の一部が、インサート成形により複数の端子部材５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ、５６Ｄと一体的に形成された合成樹脂製のベース部材５２として構成されており、各端子部材５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ、５６Ｄは、その一端部がベース部材５２の底壁部５２Ａの内面に導電パターンＰの一部を形成するランド部５６Ａａ、５６Ｂａ、５６Ｃａ、５６Ｄａとして露出するとともに、その他端部がベース部材５２の底壁部５２Ａの外面に外部接続端子部５６Ａｂ、５６Ｂｂ、５６Ｃｂ、５６Ｄｂとして露出しており、そしてＦＥＴ１６およびコンデンサ１８、２０が導電パターンＰの所定部位においてベース部材５２に実装されているので、ベース部材５２に従来の基板としての機能を持たせるようにした上で各外部接続端子部５６Ａｂ、５６Ｂｂ、５６Ｃｂ、５６Ｄｂの形状や配置を任意に設定することが容易に可能となる。
【００５４】
そして本実施形態においては、各外部接続端子部５６Ａｂ、５６Ｂｂ、５６Ｃｂ、５６Ｄｂがベース部材５２の各コーナ部にプレート状に形成されているので、これらを外部基板への表面実装に適したものとすることができ（具体的には、例えば外部基板に対する表面実装を安定的に行うことができ）、これにより従来のようにホルダを介在させることなく直接エレクトレットコンデンサマイクロホン１０を外部基板に表面実装することが可能となる。
【００５５】
したがって本実施形態によれば、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０を少ない部品点数でかつ薄型化を図った上で外部基板に表面実装することができる。
【００５６】
特に本実施形態においては、コンタクトフレーム２４の存在により、端子部材５６Ｂのみならず端子部材５６Ｃ、５６Ｄもアース端子として使用可能となっているので、外部基板に対する表面実装を一層容易に行うことが可能となる。
【００５７】
本実施形態に係るエレクトレットコンデンサマイクロホン１０は、ベース部材５２が合成樹脂製であるので、ベース部材５２を外部基板から離す必要がなく、しかも各外部接続端子部５６Ａｂ、５６Ｂｂ、５６Ｃｂ、５６Ｄｂがベース部材５２の各コーナ部にその底壁部５２Ａの下面と面一で形成されているので、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０を外部基板に表面実装したときの厚さを一層薄くすることができる。
【００５８】
また本実施形態においては、ベース部材５２の底壁部５２Ａの所定部位に貫通孔５２ｂが形成されるとともに該貫通孔５２ｂの形成箇所において導電パターンＰが分断されているので、インサート成形時には一体的に形成された導電パターンＰの一部を、導電パターンＰの他の部分との位置関係を維持したまま電気的に分離させて島状に形成することができる。すなわち本実施形態においては、ベース部材５２の底壁部５２Ａの内面に、ＦＥＴ１６のゲート電極Ｇと導通されるランド部５８を、ＦＥＴ１６のドレーン電極Ｄと導通される端子部材５６Ａのランド部５６Ａａに対する位置関係を一定に維持したまま島状に形成することができる。
【００５９】
さらに本実施形態においては、エレクトレットコンデンサ部Ｃが筒状の金属カバー３２で覆われており、これによりエレクトレットコンデンサユニット１４として構成されているので、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０の製造工程を簡素化することができる。
【００６０】
しかも、ケース１２はベース部材５２とこれに固定された合成樹脂製のハウジング部材５４とからなっているので、外部から熱が加えられた場合においても、金属カバー３２を覆うハウジング部材５４の熱緩衝作用により熱が金属カバー３２に伝達されにくくなるようにすることができ、これによりエレクトレットコンデンサ部Ｃの温度上昇を抑制することができる。したがって、例えば、外部基板への表面実装をリフロー処理により行うようにした場合においても、リフロー処理の際に加えられる熱によってエレクトレットコンデンサ部Ｃのエレクトレット４０Ｂに着電されていた電荷が消失または減少してしまうのを効果的に抑制することができる。
【００６１】
本実施形態においては、ベース部材５２とハウジング部材５４との固定が、その全周にわたって超音波溶着によって行われているので、両部材のシール性を高めることができる。またこれにより、接着剤を使用する必要がなくなるので、外部基板への表面実装をリフロー処理により行うようにした場合においても、リフロー処理の際に接着剤からガスが発生してケース１２内に溜まり、このガスによってエレクトレットコンデンサ部Ｃのエレクトレット４０Ｂに着電されていた電荷が消失または減少してしまう、といった事態が発生するおそれをなくすことができる。
【００６２】
さらに、ベース部材５２は、超音波溶着前の状態では、その周壁部５２Ｂの上端面５２ｅが略角錐面状に形成されているので、該周壁部５２Ｂとハウジング部材５４の周壁部５４Ｂとの当接面に超音波振動エネルギを集中させることができ、これによりハウジング部材５４との超音波溶着を容易に行うことができる。しかも、この超音波溶着は、周壁部５２Ｂの上端面５２ｅと周壁部５４Ｂの下端面５４ｃとを全周にわたって面接触させた状態で行われるようになっているので、面沿い方向の横振動により超音波振動を付与することが可能となる。そして、この横振動を採用することにより、ベース部材５２に実装された部品（ＦＥＴ１６および各コンデンサ１８、２０）に対する振動の影響を小さく抑えることができる。
【００６３】
なお、本実施形態のように周壁部５２Ｂの上端面５２ｅを全周にわたって略角錐面状に形成する代わりに、所定間隔をおいて周壁部５２Ｂの複数箇所に山形に突出させるようにして略角錐面状の上端面５２ｅを形成するようにしてもよい。このようにした場合においても、最終的にはベース部材５２とハウジング部材５４とをその全周にわたって超音波溶着により固定することができるので、両部材のシール性を十分に確保することができる。
【００６４】
また、ベース部材５２における周壁部５２Ｂの上端面５２ｅを略角錐面状に形成する代わりに、ハウジング部材５４における周壁部５４Ｂの下端面５４ｃを略角錐面状に形成するようにしてもよく、このようにした場合においても本実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００６５】
本実施形態においては、ケース１２の外形形状が略直方体状に設定されているので、外部基板への表面実装を行う際、エレクトレットコンデンサマイクロホン１０を容易に位置決めすることができる。しかも、ハウジング部材５４の各コーナ部には、ベース部材５２の内部空間と連通する凹状空間５４ｂが形成されているので、これら凹状空間５４ｂによりエレクトレットコンデンサ部Ｃの背圧空間を拡大させることができ、これによりエレクトレットコンデンサマイクロホン１０の感度向上を図ることができる。また、各凹状空間５４ｂをハウジング部材のヒケ発生防止を図るための肉盗み空間として利用することもできる。
【００６６】
次に、上記実施形態の変形例について説明する。
【００６７】
図７は、本変形例を示す、図５と同様の図である。
【００６８】
図示のように、本変形例においては、ＭＩＤ成形により４つの端子部材７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃ、７６Ｄがベース部材７２と一体的に形成されている。なお、エレクトレットコンデンサマイクロホンの他の構成要素については、上記実施形態と同様の構成である。
【００６９】
ベース部材７２は、上記実施形態のベース部材５２と同様、略正方形の底壁部７２Ａと、この底壁部７２Ａの外周縁部から上方へ延びる周壁部７２Ｂとからなっている。一方、各端子部材７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃ、７６Ｄは、銅めっき等の表面処理被膜として形成されている。
【００７０】
各端子部材７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃ、７６Ｄは、その一端部がベース部材７２の底壁部７２Ａの内面（上面）に導電パターンＰの一部を構成する４つのランド部７６Ａａ、７６Ｂａ、７６Ｃａ、７６Ｄａとして露出しており、その他端部がベース部材７２の外面に４つの外部接続端子部７６Ａｂ、７６Ｂｂ、７６Ｃｂ、７６Ｄｂとして露出している。その際、これら各外部接続端子部７６Ａｂ、７６Ｂｂ、７６Ｃｂ、７６Ｄｂは、周壁部７２Ｂの外側面から底壁部７２Ａの下面に回り込むようにして周壁部７２Ｂおよび底壁部７２Ａと面一で形成されている。
【００７１】
このような各端子部材７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃ、７６Ｄの構成を実現するため、ベース部材７２の周壁部７２Ｂの４箇所には、底壁部７２Ａの内面と略面一で切り欠かれた切欠き部７２ａが形成されている。
【００７２】
本変形例においては、上記ＭＩＤ成形の際、ベース部材７２の底壁部７２Ａの内面に、各ランド部７６Ａａ、７６Ｂａ、７６Ｃａ、７６Ｄａから電気的に分離したランド部７８も同時に形成されるようになっている。
【００７３】
本変形例の構成を採用した場合においても、上記実施形態と同様の作用効果を得ることができる。しかも本変形例においては、ＭＩＤ成形の際に導電パターンＰの一部を島状に形成することができる。
【００７４】
また、本変形例においては、各端子部材７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃ、７６Ｄの外部接続端子部７６Ａｂ、７６Ｂｂ、７６Ｃｂ、７６Ｄｂが周壁部７２Ｂおよび底壁部７２Ａと面一で形成されているので、エレクトレットコンデンサマイクロホンをコンパクトに構成することができ、これを外部基板に表面実装したときの専有スペースを小さくすることができる。
【００７５】
本変形例においては、ベース部材７２とハウジング部材との超音波溶着を全周にわたって行うことはできないが、各切欠き部７２ａに後から充填材等を詰めるようにすれば、両部材のシール性を確保することが可能である。
【００７６】
なお、本変形例のように各端子部材７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃ、７６Ｄを、周壁部７２Ｂの外側面から底壁部７２Ａの下面に回り込むように形成する代わりに、ベース部材７２の底壁部７２Ａに４つの貫通孔を形成しておき、これら各貫通孔を介して各端子部材７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃ、７６Ｄの他端部をベース部材７２の下面に露出させるように構成することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の一実施形態に係るエレクトレットコンデンサマイクロホンを上向きに配置した状態で示す側断面図
【図２】図１のIIa 方向矢視図（ａ）およびIIb 方向矢視図（ｂ）
【図３】上記エレクトレットコンデンサマイクロホンを分解して示す側断面図
【図４】上記エレクトレットコンデンサマイクロホンを分解して示す平面図
【図５】上記エレクトレットコンデンサマイクロホンのベース部材を詳細に示す、図３のV-V 線断面図
【図６】上記ベース部材およびその付属部品の製造組付工程を示す工程図
【図７】上記実施形態の変形例を示す、図５と同様の図
【符号の説明】
１０  エレクトレットコンデンサマイクロホン
１２  ケース
１４  エレクトレットコンデンサユニット
１６  ＦＥＴ（インピーダンス変換素子）
１８、２０  コンデンサ
２２  コイルバネ
２４  コンタクトフレーム
２４ａ、２４ｂ、２４ｃ  端子接触片
３２  金属カバー
３２ａ  音孔
３２ｂ  開放下端部
３４  振動膜サブアッセンブリ
３４Ａ  振動膜
３４Ｂ  振動膜支持リング
３４ａ  ベントホール
３６  絶縁性リング
３８  スペーサ
４０  背極板
４０Ａ  背極板本体
４０Ｂ  エレクトレット
４２  絶縁性ブッシュ
５２  ベース部材
５２Ａ  底壁部
５２Ｂ  周壁部
５２ａ  空洞部
５２ｂ  貫通孔
５２ｃ  バネ装着用ボス
５２ｄ  円形凹部
５２ｅ  上端面
５４  ハウジング部材
５４Ａ  天壁部
５４Ｂ  周壁部
５４Ｃ  環状壁部
５４ａ  放音孔
５４ｂ  凹状空間
５４ｃ  下端面
５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃ、５６Ｄ  端子部材
５６Ａａ、５６Ｂａ、５６Ｃａ、５６Ｄａ  ランド部
５６Ａｂ、５６Ｂｂ、５６Ｃｂ、５６Ｄｂ  外部接続端子部
５８  ランド部
６０  シールドプレート
７２  ベース部材
７２Ａ  底壁部
７２Ｂ  周壁部
７２ａ  切欠き部
７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃ、７６Ｄ  端子部材
７６Ａａ、７６Ｂａ、７６Ｃａ、７６Ｄａ  ランド部
７６Ａｂ、７６Ｂｂ、７６Ｃｂ、７６Ｄｂ  外部接続端子部
７８  ランド部
Ｃ  エレクトレットコンデンサ部
Ｄ  ドレーン電極
Ｇ  ゲート電極
Ｐ  導電パターン
Ｓ  ソース電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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