(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、ｍ（ｍは２〜１０の整数を表す）層からなる正孔注入層、発光層、電子注入層及び陰極を順次積層してなり、正孔注入層のイオン化ポテンシャルの値を陽極から順にＩｐｈ１，Ｉｐｈ２，Ｉｐｈ３・・・Ｉｐｈｍとしたとき、該正孔注入層の各層のイオン化ポテンシャルと、陽極の仕事関数の値（Ｉｐａ）と、発光層のイオン化ポテンシャルの値（Ｉｐｅ）との間に以下の式Ｉｐａ＜Ｉｐｈ１＜Ｉｐｈ２＜Ｉｐｈ３＜・・・＜Ｉｐｈｍ＜Ｉｐｅの関係を有し、かつ発光層に下記一般式［２］で示される化合物を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
一般式［２］
【化２】
0003988196.tif 000018
［式中、Ａ5 〜Ａ8 は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換のアリーレン基、置換もしくは未置換の２価の複素環基を表す。Ａ9 〜Ａ12は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換の複素環基を表す。Ｚは、炭素数３０以下からなる置換もしくは未置換の縮合アリール基または縮合アリール複素環基を表す。Ｘ1 〜Ｘ4 は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、＞Ｃ＝Ｏ、＞ＳＯ2 、＞Ｃ＝Ｓ、＞Ｃ＝（ＣＮ）2 、＞Ｃ＝Ｓ＝Ｏ、＞Ｃ＝Ｎ−ＣＮ、＞Ｃ＝Ｎ−Ｒ1 （Ｒ1 は、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換の複素環基を表す。）、（ＣＨ2 ）x −Ｏ−（ＣＨ2 ）y （ｘおよびｙは、それぞれ独立に０〜２０の正の整数を表すが、ｘ＋ｙ＝０となることはない）、置換もしくは未置換のアルキレン基、置換もしくは未置換のシクロアルキレン基を表す。］
【請求項２】
ｍが２である請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
発光層のイオン化ポテンシャルの値（Ｉｐｅ）が５．２〜６．０である請求項１または２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は平面光源や表示、通信用光源に使用される有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機物質を使用したＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。一般にＥＬは、発光層および該層をはさんだ一対の対向電極から構成されている。発光は、両電極間に電界が印加されると、陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。さらに、この電子が発光層において正孔と再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出する現象である。
【０００３】
従来の有機ＥＬ素子は、無機ＥＬ素子に比べて駆動電圧が高く、発光輝度や発光効率も低かった。また、特性劣化も著しく実用化には至っていなかった。近年、１０Ｖ以下の低電圧で発光する高い蛍光量子効率を持った有機化合物を含有した薄膜を積層した有機ＥＬ素子が報告され、関心を集めている（アプライド・フィジクス・レターズ、５１巻、９１３ページ、１９８７年参照）。この方法では、金属キレート錯体を蛍光体層、アミン系化合物を正孔注入層に使用して、高輝度の緑色発光を得ており、６〜７Ｖの直流電圧で輝度は１００ｃｄ／ｍ2 、最大発光効率は１．５ｌｍ／Ｗを達成して、実用領域に近い性能を持っている。
【０００４】
有機ＥＬ素子の構造としてはこれまでに２層構造（陽極と陰極の間に、ホール注入層と電子注入性発光層が形成された構造または、陽極と陰極の間に、ホール注入性発光層と電子注入層が形成された構造）、あるいは３層構造（陽極と陰極の間にホール注入層と発光層と電子注入層とが形成された構造）がある。しかしながら、現在までの有機ＥＬ素子は、構造の改善により発光強度は改良されているが、繰り返し使用時の安定性に劣るという大きな問題を持っている。従って、繰り返し使用時での安定性の優れた有機ＥＬ素子の開発のためには、更なる素子構造の改善が必要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、陽極と陰極の間に、ホール注入層と発光層と電子注入層が形成された構造の有機エレクトロルミネッセンス素子において、陽極とホール注入層の間に複数層のホール注入層を挿入することにより、発光輝度が大きく、繰り返し使用時での安定性の優れた有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、陽極、ｍ（ｍは２〜１０の整数を表す）層からなる正孔注入層、発光層、電子注入層及び陰極を順次積層してなり、正孔注入層のイオン化ポテンシャルの値を陽極から順にＩｐｈ１，Ｉｐｈ２，Ｉｐｈ３・・・Ｉｐｈｍとしたとき、該正孔注入層の各層のイオン化ポテンシャルと、陽極の仕事関数の値（Ｉｐａ）と、発光層のイオン化ポテンシャルの値（Ｉｐｅ）との間に以下の式
Ｉｐａ＜Ｉｐｈ１＜Ｉｐｈ２＜Ｉｐｈ３＜・・・＜Ｉｐｈｍ＜Ｉｐｅ
の関係を有し、かつ発光層に下記一般式［２］で示される化合物を含有してなる有機エレクトロルミネッセンス素子である。
一般式［２］
【化４】
0003988196.tif 000002
［式中、Ａ5 〜Ａ8 は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換のアリーレン基、置換もしくは未置換の２価の複素環基を表す。Ａ9 〜Ａ12は、それぞれ独立に、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換の複素環基を表す。Ｚは、炭素数３０以下からなる置換もしくは未置換の縮合アリール基または縮合アリール複素環基を表す。Ｘ1 〜Ｘ4 は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、＞Ｃ＝Ｏ、＞ＳＯ2 、＞Ｃ＝Ｓ、＞Ｃ＝（ＣＮ）2 、＞Ｃ＝Ｓ＝Ｏ、＞Ｃ＝Ｎ−ＣＮ、＞Ｃ＝Ｎ−Ｒ 1（Ｒ1 は、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換の複素環基を表す。）、（ＣＨ2 ）x −Ｏ−（ＣＨ2 ）y （ｘおよびｙは、それぞれ独立に０〜２０の正の整数を表すが、ｘ＋ｙ＝０となることはない）、置換もしくは未置換のアルキレン基、置換もしくは未置換のシクロアルキレン基を表す。］
【０００８】
更に本発明は、ｍが２である上記有機エレクトロルミネッセンス素子である。
更に本発明は、発光層のイオン化ポテンシャルの値（Ｉｐｅ）が５．３〜６．０である上記有機エレクトロルミネッセンス素子である。
【発明の実施の形態】
【０００９】
有機ＥＬ素子は、陽極と陰極間に一層もしくは多層の有機薄膜を形成した素子である。一層型の場合、陽極と陰極との間に発光層を設けている。多層型は、（陽極／正孔注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子注入層／陰極）、（陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極）の多層構成で積層した有機ＥＬ素子がある。
【００１０】
従来の多層型有機ＥＬ素子の場合、陽極から発光層へのホール注入障壁が大きく、ジュール熱による有機層の結晶化を引き起こし、耐久性に問題があった。本発明では、一対の電極間に複数層の正孔注入層、発光層、電子注入層からなるエレクトロルミネッセンス素子において、前記式（Ｉ）の関係を満足するように陽極と発光層の間に複数のホール注入層を挿入することにより、ホール注入障壁を低下することができるため、有機ＥＬ素子の耐久性の向上を図ることが可能になる。本発明のホール注入障壁とは各層のイオン化ポテンシャルの差を意味し、イオン化ポテンシャルとは、金属電極薄膜、半導体電極薄膜、及び有機薄膜から電子を１個引き抜くために必要なエネルギーを意味し、本発明では大気雰囲気型紫外線光電子分析装置（表面分析装置ＡＣ−１：理研計器（株））によって評価を行った。また、本発明の有機ＥＬ素子は、正孔注入層が前記式（Ｉ）の関係を満足していれば、電子注入層は複数の層から構成されていても良い。
【００１１】
以下に本発明の有機ＥＬ素子を構成する好ましい材料について記す。発光材料としては、上記一般式［２］で示される材料を用いる。一般式［２］中のＺは、炭素数３０以下からなる置換もしくは未置換の縮合アリール基または縮合アリール複素環基を表し、具体例としては以下のシリール化合物の残基が挙げられる。
【００１２】
【表１】
0003988196.tif 000003
【００１３】
0003988196.tif 000004
【００１４】
一般式［２］中のＺへの置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ビフェニル基、ｏ，ｍ，ｐ−ターフェニル基、アントラニル基、フェナントレニル基、フルオレニル基、９−フェニルアントラニル基、９，１０−ジフェニルアントラニル基、ピレニル基等のアリール基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、２，２，３，３−テトラフルオロプロポキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロポキシ基、６−（パーフルオロエチル）ヘキシルオキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、ｐ−ニトロフェノキシ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基等のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等のアルキルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−ニトロフェニルチオ基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルチオ基、３−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、３−トリフルオロメチルフェニルチオ基等のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノまたはジ置換アミノ基、ビス（アセトキシメチル）アミノ基、ビス（アセトキシエチル）アミノ基、ビスアセトキシプロピル）アミノ基、ビス（アセトキシブチル）アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、ピロール基、ピロリン基、ピラゾール基、ピラゾリン基、イミダゾール基、トリアゾール基、ピリジン基、ピリダジン基、ピリミジン基、ピラジン基、トリアジン基、インドール基、プリン基、キノリン基、イソキノリン基、シノリン基、キノキサリン基、ベンゾキノリン基、フルオレノン基、ジシアノフルオレン基、カルバゾール基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール基、チアジアゾール基、トリアゾール基、イミダゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾトリアゾール基、ベンゾイミダゾール基、ビスベンゾオキサゾール基、ビスベンゾチアゾール基、ビスベンゾイミダゾール基、アントロン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、アントラキノン基、アクリドン基、フェノチアジン基、ピロリジン基、ジオキサン基、ピペリジン基、モルフォリン基、ピペラジン基等の複素環基等がある。
【００１５】
本発明における一般式［２］で示される化合物のＡ9 〜Ａ12における置換もしくは未置換のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等があり、置換もしくは未置換の複素環基としては、ピロール基、ピロリン基、ピラゾール基、ピラゾリン基、イミダゾール基、トリアゾール基、ピリジン基、ピリダジン基、ピリミジン基、ピラジン基、トリアジン基、インドール基、プリン基、キノリン基、イソキノリン基、シノリン基、キノキサリン基、ベンゾキノリン基、フルオレノン基、カルバゾール基、オキサゾール基、オキサジアゾール基、チアゾール基、チアジアゾール基、トリアゾール基、イミダゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾチアゾール基、ベンゾトリアゾール基、ベンゾイミダゾール基、ビスベンゾオキサゾール基、ビスベンゾチアゾール基、ビスベンゾイミダゾール基、アントロン基、ジベンゾフラン基、ジベンゾチオフェン基、アントラキノン基、アクリドン基、フェノチアジン基、ピロリジン基、ジオキサン基、モルフォリン基等の複素環基等がある。Ａ9 〜Ａ12の置換もしくは未置換のアリーレン基と置換もしくは未置換の２価の複素環基としては、上記アリール基または複素環基の結合可能な任意の位置に結合手を付けることによって得られる基がある。また、Ａ5 〜Ａ12の有する置換基としては上記のＺに置換できる置換基が挙げられる。
【００１６】
本発明における一般式［２］で示されるＸ1 〜Ｘ4 は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、＞Ｃ＝Ｏ、＞ＳＯ2 、＞Ｃ＝Ｓ、＞Ｃ＝（ＣＮ）2 、＞Ｃ＝Ｓ＝Ｏ、＞Ｃ＝Ｎ−ＣＮ、＞Ｃ＝Ｎ−Ｒ1 、（ＣＨ2 ）x −Ｏ−（ＣＨ2 ）y 、置換もしくは未置換のアルキレン基、置換もしくは未置換の複素環基、置換もしくは未置換のシクロアルキレン基を表す。ここでＲ1 は、水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換の複素環基を表し、ｘおよびｙは、それぞれ独立に０〜２０の正の整数を表すが、ｘ＋ｙ＝０となることはない。置換または未置換のアルキレン基としては炭素数１〜２０のアルキレン基もしくはその置換体、置換または未置換のシクロアルキレン基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の炭素数５〜７のシクロアルキルの２価の残基があげられる。置環基の例としては、ハロゲン原子、または上記記載のアミノ基、アルキル基、アリール基、シクロアルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ基、複素環基等であってもよい。Ｘ1 〜Ｘ4 の置換アルキレン基として好ましいものは、２−フェニルイソプロピレン基、ジクロロメチレン基、ジフルオロメチレン基、ベンジレン基、α−フェノキシベンジレン基、α, α−メチルフェニルベンジレン基、ジフェニルベンジレン基、α−ベンジルオキシベンジレン基などが挙げられる。
【００１７】
以下に発光材料の代表例を表２に具体的に例示するが、以下の代表例に限定されるものではない。以下の代表例の発光層のイオン化ポテンシャルの値は５．０〜６．２ｅＶの範囲内の値である。
【００１８】
【表２】
0003988196.tif 000005
【００１９】
【表２】
0003988196.tif 000006
【００２０】
【表２】
0003988196.tif 000007
【００２１】
【表２】
0003988196.tif 000008
【００２３】
【表２】
0003988196.tif 000009
【００２４】
正孔注入材料としては、正孔を注入する能力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起子の電子注入層または電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、イミダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、ヒドラゾン、アシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、スチルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフェニルアミン、スチリルアミン型トリフェニルアミン、ジアミン型トリフェニルアミン等と、それらの誘導体、およびポリビニルカルバゾール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料等があるが、これらに限定されるものではない。以下に有用な正孔注入材料の代表例を表３に具体的に例示するが、以下の代表例に限定されるものではない。
【００２５】
【表３】
0003988196.tif 000010
【００２６】
0003988196.tif 000011
【００２７】
0003988196.tif 000012
【００２８】
0003988196.tif 000013
【００２９】
電子注入材料としては、電子を注入する能力を持ち、発光層または発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起子の正孔注入層または正孔注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能の優れた化合物が挙げられる。例えば、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサジアゾール、チアジアゾール、テトラゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン、ヒドロキシキノリン金属策体化等とそれらの誘導体があるが、これらに限定されるものではない。以下に有用な電子注入材料の代表例を表３に具体的に例示するが、以下の代表例に限定されるものではない。
【００３０】
【表４】
0003988196.tif 000014
【００３１】
0003988196.tif 000015
【００３２】
0003988196.tif 000016
【００３３】
0003988196.tif 000017
【００３４】
有機ＥＬ素子の陽極に使用される導電性材料は、４ｅＶより大きな仕事関数を持つものが好適であり、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等およびそれらの合金、ＩＴＯ基板、ＮＥＳＡ基板と称される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂が用いられる。
陰極に使用される導電性材料は、４ｅＶより小さな仕事関数を持つものが好適であり、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン等およびそれらの合金が用いられるが、これらに限定されるものではない。陽極および陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。
【００３５】
有機ＥＬ素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方は素子の発光波長領域において充分透明であることが望ましい。また、基板も透明であることが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明であれば限定されるものではないが、例示すると、ガラス基板、ポリエチレン板、ポリエーテルサルフォン板、ポリプロピレン板等の透明性樹脂があげられる。
【００３６】
本発明に係わる有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディッピング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限定されるものではないが、各層は適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通常の膜厚は５ｎｍから１０μｍの範囲が好適であるが、１０ｎｍから０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
【００３７】
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の適切な溶媒に溶解または分散して薄膜を形成するが、その溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの薄膜においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用しても良い。
このような樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げることができる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げることができる。
【００３８】
発光層にドーピング物質を使用して発光色を変化させることも可能となる。発光層に使用できるドーピング物質としては、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、金属フタロシアニン、ルブレン等およびそれらの誘導体があるが、これらに限定されるものではない。
【００３９】
本発明により得られた有機ＥＬ素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けたり、シリコンオイル等を封入して素子全体を保護することも可能である。
【００４３】
実施例３
洗浄したＩＴＯ電極付きガラス板上に、化合物（Ｂ−３）を真空蒸着して、膜厚３０ｎｍの第一正孔注入層を作製した。さらに、化合物（Ｂ−２）を真空蒸着して、膜厚２０ｎｍの第二正孔輸送層を作製した。次いで、化合物（Ａ−２）を真空蒸着して膜厚３０ｎｍの発光層を作成し、化合物（Ｃ−１１）を真空蒸着して膜厚４０ｎｍの電子注入層を作製した。その上に、マグネシウムと銀を１０：１で混合した合金で膜厚１００ｎｍの電極を形成して有機ＥＬ素子を得た。正孔注入層および発光層は１０-6Ｔｏｒｒの真空中で、基板温度室温の条件下で蒸着した。この素子は、直流電圧１０Ｖで約７００００ｃｄ／ｍ2 の発光が得られた。この素子を２５ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度において低電流駆動させたところ、発光輝度１０００ｃｄ／ｍ2 を示した。４０時間経過後でも７００ｃｄ／ｍ2 の高輝度を示した。このときＩＴＯ電極のＩＰ値は４．９５ｅＶ、第一正孔注入層のＩＰ値は５．０５ｅＶ、第二正孔注入層のＩＰ値は５．４０ｅＶ、発光層のＩＰ値は５．６１ｅＶであり請求項１記載の関係式を満足する。
【００４４】
比較例２
第一正孔注入層として化合物（Ｂ−２）を第二正孔輸送層として化合物（Ｂ−３）を用いた以外、実施例３と同様に有機ＥＬ素子を作製した。この素子を２５ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度において低電流駆動させたところ、発光輝度６００ｃｄ／ｍ2 を示したが、４０時間経過後でも７０ｃｄ／ｍ2 の輝度しか得られず、耐久性が著しく劣っていた。
【００４５】
実施例４
第一正孔注入層を化合物（Ｂ−１３）に変える以外は、実施例３と同様に素子を作製した。この素子は、直流電圧１０Ｖで約８００００ｃｄ／ｍ2 の発光が得られた。この素子を２５ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度において低電流駆動させたところ、発光輝度１２００ｃｄ／ｍ2 を示した。４０時間経過後でも９００ｃｄ／ｍ2 の高輝度を示した。このときＩＴＯ電極のＩＰ値は４．９５ｅＶ、第一正孔注入層のＩＰ値は５．１０ｅＶ、第二正孔注入層のＩＰ値は５．４０ｅＶ、発光層のＩＰ値は５．６１ｅＶであり請求項１記載の関係式を満足する。
【００４６】
実施例５
第二正孔注入層を化合物（Ｂ−５）に変える以外は、実施例３と同様に素子を作製した。この素子は、直流電圧１０Ｖで約６５０００ｃｄ／ｍ2 の発光が得られた。この素子を２５ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度において低電流駆動させたところ、発光輝度９００ｃｄ／ｍ2 を示した。４０時間経過後でも６５０ｃｄ／ｍ2 の高輝度を示した。このときＩＴＯ電極のＩＰ値は４．９５ｅＶ、第一正孔注入層のＩＰ値は５．０５ｅＶ、第二正孔注入層のＩＰ値は５．５３ｅＶ、発光層のＩＰ値は５．６１ｅＶであり請求項１記載の関係式を満足する。
【００４７】
実施例６
第一正孔注入層を化合物（Ｂ−４）に変える以外は、実施例３と同様に素子を作製した。この素子は、直流電圧１０Ｖで約７５０００ｃｄ／ｍ2 の発光が得られた。この素子を２５ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度において低電流駆動させたところ、発光輝度１１００ｃｄ／ｍ2 を示した。４０時間経過後でも１０００ｃｄ／ｍ2 の高輝度を示した。このときＩＴＯ電極のＩＰ値は４．９５ｅＶ、第一正孔注入層のＩＰ値は５．１３ｅＶ、第二正孔注入層のＩＰ値は５．４０ｅＶ、発光層のＩＰ値は５．６１ｅＶであり請求項１記載の関係式を満足する。
【００４９】
【発明の効果】
本発明により、従来に比べて陽極から発光層へのホール注入障壁を低下することができるため、ジュール熱の発生を低減でき、有機ＥＬ素子の耐久性の向上を図ることが可能となった。