(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂材よりなる絶縁基板の上面側に、傾斜面及び底部を有する電子素子収納凹部を形成し、前記絶縁基板の上面側に前記電子素子収納凹部の傾斜面及び底部に延びる、対向する一対の上面電極を形成し、前記絶縁基板の裏面に、対向する一対の下面電極と、前記絶縁基板の側面に、前記上面電極及び下面電極と連なる側面電極を形成し、前記電子素子収納凹部の底部に延びる一方の上面電極の端部であるダイボンドパターンに電子素子の一方の電極を接続し、前記電子素子収納凹部の底部に延びる他方の上面電極の端部であるワイヤーボンドパターンと前記電子素子の他方の電極をボンディングワイヤーで接続し、前記ボンディングワイヤーと前記電子素子を保護するために前記電子素子収納凹部を
樹脂封止してなる表面実装型チップ部品において、前記絶縁基板及び封止樹脂は共にエポキシ樹脂よりなり、前記上面電極、側面電極及び下面電極は、エポキシ樹脂の表面にメッキで形成されていることを特徴とする表面実装型チップ部品。
【請求項２】
前記絶縁基板は、立体成形基板であることを特徴とする請求項１記載の表面実装型チップ部品。
【請求項３】
前記電子素子はＬＥＤ素子であり、前記絶縁基板の上面から電子素子収納凹部の底部及び傾斜面における前記上面電極パターンを避けた空きスペースに光反射用のダミーパターンが形成されていることを特徴とする請求項１記載の表面実装型チップ部品。
【請求項４】
前記ダミーパターンは、メッキで形成されていることを特徴とする請求項３記載の表面実装型チップ部品。
【請求項５】
エポキシ樹脂よりなる多数個取りする集合絶縁基板の各列間に長穴スルーホール、及び前記長穴スルーホール間で所定の間隔に、傾斜面及び底部を有する電子素子収納凹部を形成し、前記長穴スルーホール内面を含む全表面に銅メッキ層を形成し、メッキレジストをラミネートし、露光、現像後パターンマスクを形成し、パターンエッチング後、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ処理を行うことにより、前記集合絶縁基板の上面側には前記電子素子収納凹部の傾斜面及び底部に延びる、対向する一対の上面電極と、前記集合絶縁基板の下面側には対向する一対の下面電極、及び前記長穴スルーホール内には前記上面電極及び前記下面電極と連なる側面電極の電極パターンと、前記集合絶縁基板の上面から電子素子収納凹部の底面及び傾斜面に上面電極を避けるように形成されたダミーパターンを有する立体成形基板を形成する集合絶縁基板形成工程と、前記集合絶縁基板の電子素子収納凹部の底部に延びる一方の上面電極の端部であるダイボンドパターン上に、前記電子素子を導電性接着剤でダイボンドする電子素子ダイボンド工程と、前記集合絶縁基板の電子素子収納凹部
の底部に延びる他方の上面電極の端部であるワイヤーボンドパターン上に、前記電子素子からのボンディングワイヤーを接続して電気導通をとるワイヤーボンド工程と、前記ボンディングワイヤーと前記電子素子を保護するために前記電子素子収納凹部にエポキシ樹脂よりなる封止樹脂を注入する樹脂封止工程と、前記各工程を経て形成された前記表面実装型チップ部品集合体を直交する２つのカットラインに沿って切断して単個の表面実装型チップ部品に分割する切断工程とからなることを特徴とする表面実装型チップ部品の製造方法。
【請求項６】
前記電子素子がＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項５記載の表面実装型チップ部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は携帯電話、ＦＡ機器、ＯＡ機器及び一般電子機器に使用される表面実装型チップ部品及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の電子機器は、高性能化、多機能化とともに小型化、軽量化を追求している。そのため電子部品をプリント基板上に実装し、樹脂封止するものが多い。表面実装型チップ部品の多くは略平行六面体形状をしており、プリント基板上の配線パターンに半田付け等の固着手段で接続される。
【０００３】
前記一般的な従来の表面実装型チップ部品について、図面に基づいてその概要を説明する。
【０００４】
図７〜図１５は、従来の表面実装型チップ部品及びその製造方法を示し、図７は、ガラスエポキシ材よりなる集合絶縁基板の部分平面図。図８は、単個の電極パターン平面図。図９は、ＬＥＤ素子の斜視図。図１０〜図１５は、各工程を示す部分斜視図。図１６は、単個の表面実装型チップ部品の斜視図。図２１は、図１６のＡ−Ａ線断面図である。
【０００５】
図１６及び図２１において、表面実装型チップ部品１０について説明する。ガラエポ樹脂材よりなる絶縁基板１ａの上面側に対向する一対の上面電極２ａ、２ｂを設け、該一対の上面電極２ａ、２ｂは、それぞれその裏面に下面電極３ａ、３ｂと、その側面に、前記上面電極２ａ、２ｂ及び下面電極３ａ、３ｂと連なる側面電極（スルーホール電極）４ａ、４ｂが形成されている。前記一方の上面電極２ａのＡｕメッキされたダイボンドパターンに導電性接着剤９（銀ペースト）でＬＥＤ素子５の一方の電極をダイポンドする。他方の上面電極２ｂのＡｕメッキされたワイヤーボンドパターンに、ＬＥＤ素子５の他方の電極をボンディングワイヤー（Ａｕ線）６でワイヤーボンドして接続されている。
【０００６】
前記絶縁基板１ａの上面電極２ａに接着されたＬＥＤ素子５をとり囲むように、液晶ポリマー材で樹脂成形され、上方に開口した窓部７ａを有する下面に接着剤９ａを印刷した回路封止枠７を絶縁基板１ａに接着して一体化している。前記窓部７ａの傾斜面７ｂは、ＬＥＤ素子５の上面方向の輝度向上の機能を有している。
【０００７】
前記ＬＥＤ素子５とボンディングワイヤー６と、その接続部を保護するために、前記回路封止枠７の上面と面一になるように、窓部７ａ内にエポキシ樹脂よりなる封止樹脂８を注入して、樹脂封止することにより、表面実装型チップ部品１０が完成される。
【０００８】
図７〜図１５により、前記表面実装型チップ部品１０の製造方法について、その概要を説明する。図７において、集合絶縁基板形成工程は、略四角形状をしたガラスエポキシ樹脂材よりなる上下両面が銅箔張りされた多数個取りする集合絶縁基板１Ａは、各列毎に複数個のスルーホール１１をマトリックス状にＮＣ切削等で加工し、前記集合絶縁基板１Ａのスルーホール１１の内面を含む全表面を無電解、電解メッキにより銅メッキ層を形成する。
【０００９】
次に、レジストフィルムを貼付し、マスクを合わせ、露光、現像、エッチング後レジストを剥離する。更に、液状レジストを塗付し、マスク合わせ、露光、現像後、電解メッキによりニッケルメッキ層を形成し、電解メッキにより金メッキ層を形成する。
【００１０】
以上により、集合絶縁基板１Ａの上面側には、図８（図７の点線円で囲むＡ部）に示すように、対向する一対の上面電極２ａ、２ｂと、下面側に対向する一対の図示しない下面電極及び、前記上面電極２ａ、２ｂ及び前記下面電極と連なるようにスルーホール電極４ａ、４ｂが形成される。
【００１１】
ＬＥＤ素子５の構成は、図９に示すように、ジャンクション５ａを挟み、Ｎ層５ｂとＰ層５ｃで形成されている。ＬＥＤ素子５のダイボンド工程は、図１０に示すように、ＬＥＤ素子５の一方の電極５ｄを、集合絶縁基板１Ａに形成されている、個々の絶縁基板の一方の上面電極２ａにダイボンディングして導電性接着剤９等の固着手段で固着する。ワイヤーボンド工程は、図１１において、ＬＥＤ素子５の他方の電極５ｅを、個々の絶縁基板の他方の上面電極２ｂに示すごとくボンディングワイヤー６で接続する。
【００１２】
回路封止枠接着工程は、図１２及び図１３に示すように、液晶ポリマー材よりなる集合回路封止枠７Ａは、前記集合絶縁基板１Ａ上にダイボンドされたＬＥＤ素子５の位置に合致するように、所定間隔に複数個の窓部７ａが成形されている。前記集合回路封止枠７Ａは、その下面に事前に接着剤９ａ等を印刷しておき、ＬＥＤ素子５の周囲を取り囲むように、位置合わせして集合絶縁基板１Ａに接着して一体化する。
【００１３】
樹脂封止工程は、図１４に示すように、前記集合回路封止枠７Ａの各窓部７ａ内に、ＬＥＤ素子５及びボンディングワイヤー６の接続部を保護するために、エポキシ樹脂よりなる封止樹脂８で、集合回路封止枠７Ａの上面と略面一になるように樹脂封止する。表面実装型チップ部品集合体１０Ａが完成される。
【００１４】
切断工程は、図１５に示すように、表面実装型チップ部品集合体１０Ａを、直交する２つのカットライン２（Ｘ方向のカットラインはスルーホール１１上を通る）に沿ってダイシング等の切断手段で単個に分割することにより、図１６で示す表面実装型チップ部品１０が完成される。
【００１５】
図１７〜図２０は、ＭＩＤ基板よりなる、従来の他の表面実装型チップ部品及びその製造方法に係わり、図１７は、ＭＩＤ基板よりなる集合絶縁基板の部分平面図。図１８は、単個の電極パターン平面図。図１９（ａ）〜（ｄ）は、各工程を示す部分斜視図。図２０は、単個の表面実装型チップ部品の斜視図。図２２は、図２０のＢ−Ｂ線断面図である。
【００１６】
図２０及び図２２において、ＭＩＤ絶縁基板１ｂは液晶ポリマー材よりなり、成形部品と立体的な三次元回路を一体化させた射出成形回路部品で、上述した絶縁基板と回路封止枠の製造プロセスに比べて、回路形成及び一体化組立が合理化されている。
【００１７】
図において、絶縁基板１ｂには、ＬＥＤ素子収納凹部１２が、すり鉢状に形成されている。前記ＬＥＤ素子収納凹部１２を含み、上面側に対向する一対の上面電極２ａ、２ｂと、下面側に対向する一対の下面電極３ａ、３ｂ及び、前記上面電極２ａ、２ｂ及び前記下面電極３ａ、３ｂと連なるように側面電極（長穴スルーホール電極）４ａ、４ｂが形成されている。上述と同様に、前記一対の上面電極の一方の上面電極２ａの底部に、ＬＥＤ素子５がダイボンドされ、他方の上面電極２ｂにＡｕワイヤ等よりなるボンディングワイヤ６で接続されている。前記ＬＥＤ素子５の周囲を囲むすり鉢状のＬＥＤ素子収納凹部１２は、Ａｕメッキされているので、ＬＥＤ素子５から発光した光を上面方向に反射し、集光させるので、輝度向上が図られる。
【００１８】
上述と同様に、絶縁基板１ｂのＬＥＤ素子収納凹部１２に、ＬＥＤ素子５及びボンディングワイヤー６と、その接続部を保護するために、エポキシ樹脂等の封止樹脂８で封止して、表面実装型チップ部品２０が完成される。
【００１９】
前記表面実装型チップ部品の製造方法は、上述した従来方法と同様に、多数個取りする集合基板の状態で行う。集合絶縁基の構成は、図１７に示すような略四角形状をした、液晶ポリマー材よりなる集合絶縁基板１Ｂの各列毎に長穴スルーホール１１ａ及び各列間で所定間隔に複数個のＬＥＤ素子収納凹部１２を射出成形で形成した成形品と、図１８（図１７の点線円で囲むＢ部）に示すような、三次元の電極パターンが、一体的にメッキ処理された構成となっている。
【００２０】
各製造工程は、図１９において、（ａ）は、ＬＥＤ素子５のダイボンド工程、（ｂ）は、ワイヤーボンディング工程、（ｃ）は、樹脂封止工程、（ｄ）は切断工程を示すものであり、上述した従来技術と同様であるので説明は省略する。
【００２１】
図２１〜図２４は、上述した、エポキシ樹脂基板及びＭＩＤ基板の信頼性試験における膨張及び収縮のメカニズムを示す断面図である。
【００２２】
図２１及び図２２は、ガラエポ樹脂基板及び液晶ポリマー樹脂よりなるＭＩＤ基板において、充填されたエポキシ樹脂が膨張する状態を示し、図２１では、充填した封止樹脂８と絶縁基板１ａとは同じエポキシ材で相性が良く、相互間の密着性の点でも問題がない。しかし、回路封止枠７の材料は充填した封止樹脂８と異なる液晶ポリマー材であるため、両者の線膨張係数が少し異なる。また、図２２では、立体成形の絶縁基板１ｂの材料が液晶ポリマーであるため、充填した封止樹脂８と材質が異なるため、両者の線膨張係数が少し異なり、両者の密着性の点で問題がある。充填した封止樹脂８が膨張すると、図の矢印Ｃ方向に樹脂は制約の無い上方に向かって膨らむ。この時、図２１に示すような、封止樹脂８と回路封止枠７との界面及び、図２２に示すような、封止樹脂８と絶縁基板１ｂ（液晶ポリマー材）との界面では、線膨張係数の差からズレが生じ、接着を剥がすような力が上方に働く。また、ボンディングワイヤー６及びＬＥＤ素子５にも上方に持ち上げるような力が働く。
【００２３】
図２３及び図２４は、ガラエポ樹脂基板及び液晶ポリマー樹脂よりなるＭＩＤ基板において、充填されたエポキシ樹脂が収縮する状態を示し、上述と同様に、図２３の封止樹脂８（エポキシ樹脂）と回路封止枠７（液晶ポリマー）、図２４の封止樹脂８（エポキシ樹脂）と絶縁基板１ｂ（液晶ポリマー）と材料が異なるため、両者の線膨張係数が少し異なり、両者の密着性の点で問題がある。充填した封止樹脂８が収縮すると、図の矢印Ｄに示すように、樹脂は内部に向かって縮む。この応力をＬＥＤ素子５が受けることになる。
【００２４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した２つの従来の表面実装型チップ部品には次のような問題点がある。即ち、上述したように、信頼性試験において、温度サイクル試験とか、高温通電試験等の過酷な環境条件で製品が使用された場合、線膨張係数の小さい、前記液晶ポリマー材よりなる回路封止枠とか、立体成形基板は、それほど膨張・収縮しないのに対し、線膨張係数の大きいエポキシ樹脂よりなる封止樹脂が、大いに膨張・収縮するので、両者の間にズレを生じる。その結果、充填樹脂が膨張した場合は、回路封止枠、立体成形基板の界面で剥離が生じる。また、収縮した場合は、樹脂の応力が、脆弱なＬＥＤ素子に加わりＬＥＤ素子の特性を劣化させてしまう恐れがある等、表面実装型チップ部品の信頼性の点で問題があった。
【００２５】
また、絶縁基板として高価なガラエポ基板を使用し、絶縁基板に別体の回路封止枠を導電性接着剤等で一体化するので、金型による回路封止枠の成形、接着剤の印刷、絶縁基板との一体化工程等を要し、コストアップになる。
【００２６】
また、絶縁基板として、高価な立体成形基板を使用し、成形基板のワイヤーボンディング面が平滑でないため、ワイヤーボンディング不良が発生し、組立工程の歩留りに悪影響を及ぼしてしまう等のさまざまな問題があった。
【００２７】
本発明は上記従来の課題に鑑みなされたものであり、その目的は、絶縁基板及び充填する封止樹脂に、線膨張係数の略同一な材料を使用することにより、信頼性が向上し、回路封止枠を使用しない、寸法精度の高い立体成形基板で、製品のコストダウン及び歩留りが向上し、更に、輝度性能のアップを図った安価な表面実装型チップ部品及びその製造方法を提供するものである。
【００２８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明における表面実装型チップ部品は、樹脂材よりなる絶縁基板の上面側に、傾斜面及び底部を有する電子素子収納凹部を形成し、前記絶縁基板の上面側に前記電子素子収納凹部の傾斜面及び底部に延びる、対向する一対の上面電極を形成し、前記絶縁基板の裏面に、対向する一対の下面電極と、前記絶縁基板の側面に、前記上面電極及び下面電極と連なる側面電極を形成し、前記電子素子収納凹部の底部に延びる一方の上面電極の端部であるダイボンドパターンに電子素子の一方の電極を接続し、前記電子素子収納凹部の底部に延びる他方の上面電極の端部であるワイヤーボンドパターンと前記電子素子の他方の電極をボンディングワイヤーで接続し、前記ボンディングワイヤーと前記電子素子を保護するために前記電子素子収納凹部を樹脂封止してなる表面実装型チップ部品において、前記絶縁基板及び封止樹脂は共にエポキシ樹脂よりなり、前記上面電極、側面電極及び下面電極は、エポキシ樹脂の表面にメッキで形成されていることを特徴とするものである。
【００２９】
また、前記絶縁基板は電子素子収納凹部が形成された立体成形基板であることを特徴とするものである。
【００３０】
また、前記電子素子はＬＥＤ素子であり、前記絶縁基板の上面から電子素子収納凹部の底部及び傾斜面における前記上面電極パターンを避けた空きスペースに光反射用のダミーパターンが形成されていることを特徴とするものである。
【００３１】
また、前記ダミーパターンは、前記電子素子収納凹部の底面及び上方に広がる傾斜面に、前記上面電極を避けた空きスペースにメッキで形成されていることを特徴とするものである。
【００３３】
また、本発明における表面実装型チップ部品の製造方法は、エポキシ樹脂よりなる多数個取りする集合絶縁基板の各列間に長穴スルーホール、及び前記長穴スルーホール間で所定の間隔に、傾斜面及び底部を有する電子素子収納凹部を形成し、前記長穴スルーホール内面を含む全表面に銅メッキ層を形成し、メッキレジストをラミネートし、露光、現像後パターンマスクを形成し、パターンエッチング後、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ処理を行うことにより、前記集合絶縁基板の上面側には前記電子素子収納凹部の傾斜面及び底部に延びる、対向する一対の上面電極と、前記集合絶縁基板の下面側には対向する一対の下面電極、及び前記長穴スルーホール内には前記上面電極及び前記下面電極と連なる側面電極の電極パターンと、前記集合絶縁基板の上面から電子素子収納凹部の底面及び傾斜面に上面電極を避けるように形成されたダミーパターンを有する立体成形基板を形成する集合絶縁基板形成工程と、前記集合絶縁基板の電子素子収納凹部の底部に延びる一方の上面電極の端部であるダイボンドパターン上に、前記電子素子を導電性接着剤でダイボンドする電子素子ダイボンド工程と、前記集合絶縁基板の電子素子収納凹部の底部に延びる他方の上面電極の端部であるワイヤーボンドパターン上に、前記電子素子からのボンディングワイヤーを接続して電気導通をとるワイヤーボンド工程と、前記ボンディングワイヤーと前記電子素子を保護するために前記電子素子収納凹部にエポキシ樹脂よりなる封止樹脂を注入する樹脂封止工程と、前記各工程を経て形成された前記表面実装型チップ部品集合体を直交する２つのカットラインに沿って切断して単個の表面実装型チップ部品に分割する切断工程とからなることを特徴とするとするものである。
【００３４】
また、前記電子素子がＬＥＤ素子であることを特徴とするものである。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下図面に基づいて本発明における表面実装型チップ部品について説明する。図１は、本発明の実施の形態である表面実装型チップ部品の斜視図である。図において、従来技術と同一部材は同一符号で示す。
【００３６】
図１において、１は、略平行六面体形状のエポキシ樹脂等よりなる立体成形した絶縁基板であり、絶縁基板１には、ＬＥＤ素子収納凹部１２の底面にＬＥＤ素子５を固着し、前記底面及び上方に広がる４面の傾斜面には、上面電極２ａ、２ｂと干渉しない空きスペースに、上面電極２ａ、２ｂと共にＡｕメッキされたＬＥＤの光反射用ダミーパターン１３が形成されている。絶縁基板１の上面側及び傾斜面に対向する一対の上面電極２ａ、２ｂと、下面に下面電極３ａ、３ｂと、前記上面電極２ａ、２ｂ及び下面電極３ａ、３ｂと連なるように側面電極４ａ、４ｂが形成されている。前記一方の上面電極２ａと、その端部のダイボンドパターンは共にＡｕメッキされ、ダイボンドパターンには、導電性接着剤９の固着手段でＬＥＤ素子５を固着し、前記他方の上面電極２ｂと、その端部のワイヤーボンドパターンは共にＡｕメッキされ、ワイヤーボンドパターンには、Ａｕワイヤ等よりなるボンディングワイヤ６がワイヤボンディングされている。８は、前記絶縁基板１と同材のエポキシ樹脂等の封止樹脂で、ＬＥＤ素子５と接続部を保護するために、絶縁基板１の上面と略面一になるように樹脂封止されている。以上の構成より表面実装型チップ部品３０が形成されている。
【００３７】
図２〜図６により、前記表面実装型チップ部品３０の製造方法について説明する。図２及び図４において、集合絶縁基板形成工程は、略四角形状をしたエポキシ樹脂よりなる上下両面が銅箔張りされた多数個取りする集合絶縁基板１Ｃに、所定の間隔で各列毎に複数個の長穴スルーホール１１Ａ及び各列間で所定間隔に複数個のＬＥＤ素子収納凹部１２が形成される立体成形基板である。前記集合絶縁基板１Ｃの全表面を無電解メッキにより銅メッキ層を形成し、裏面レジストシルク印刷、エッチング（メッキ密着性向上）、キャタリスト（Ｎｉ無電解のためＰｂ，Ｓｎ触媒担持）、アクセレーター（活性化処理）、レジスト露光（レジスト硬化）、レジスト剥離、無電解Ｎｉメッキ、レジスト剥離、電気Ｎｉメッキ、Ａｕメッキフラッシュ＋Ａｕメッキ、水洗いの各工程を経てエポキシ樹脂からなる立体成形の集合絶縁基板が形成される。
【００３８】
集合絶縁基板１Ｃの上面側には、図３（図２の点線円で囲むＣ部）に示すように、ＬＥＤ素子収納凹部１２の傾斜面及び底部に延びる、対向する一対の上面電極２ａ、２ｂと、前記ＬＥＤ素子収納凹部１２の底面及び底面周囲４面の傾斜面に、上面電極２ａ、２ｂと干渉しない空きスペースに、Ａｕメッキで形成された光反射用のダミーパターン１３が形成されている。下面側には対向する一対の図示しない下面電極及び、前記上面電極２ａ、２ｂ及び前記下面電極と連なる側面電極４ａ、４ｂが形成されている。
【００３９】
図５において、ＬＥＤ素子ダイボンド工程及びワイヤーボンド工程は、図４（ａ）に示すＬＥＤ素子５を、個々のＬＥＤ素子収納凹部１２内の底面に延びる一方の上面電極２ａの端部であるダイボンドパターンに導電性接着剤９で固着する。他方の上面電極２ｂの端部であるワイヤーボンドパターンにはＬＥＤ素子５からボンディングワイヤー６で接続する。
【００４０】
図６における樹脂封止工程及び切断工程は、前記ＬＥＤ素子収納凹部１２内に、ＬＥＤ素子５及びボンディングワイヤー６の接続部を保護するために、集合絶縁基板１Ｃと同材のエポキシ樹脂の封止樹脂８で、集合絶縁基板１Ｃの上面と略面一になるように樹脂封止することにより表面実装型チップ部品集合体３０Ａが形成される。切断工程は、前記表面実装型チップ部品集合体３０Ａを、直交する２つのカットライン２のＸ、Ｙ（Ｘ方向のカットランは長穴スルーホール１１Ａ上を通る）に沿ってスライシング又はダイシング等の切断手段で単個に分割することにより、図１で示す表面実装型チップ部品３０が完成される。
【００４１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、表面実装型チップ部品において、立体成形基板及び封止樹脂は共に同じエポキシ材のため、線膨張係数が同じなので、膨張・収縮の際に、基板と充填樹脂が共に、伸び縮し、基板と樹脂の境目が剥がれる恐れがない。また、ＬＥＤ素子への応力の心配もなく、製品寿命の点で効果が極めて大きく、信頼性が向上する。
【００４２】
また、立体成形基板では、電極パターンとそれらの電極パターンと干渉しない空きスペースに、光反射用のダミーパターンを同時に形成できるので、余計な工程を掛けず、上面方向への輝度アップを図ることができる。
【００４３】
また、従来のように、回路封止枠を使用しないので、金型が不要となり、更に、回路封止枠への接着剤の印刷、これを基板と一体化する作業も不要となる。また、従来のＭＩＤ基板が抱えていた、基板の悪い品質（ワイヤーボンディング面が平滑でない）に起因する組立工程の歩留りダウンが解消される。
【００４４】
また、製造方法において、集合状態の絶縁基板に安価なエポキシ樹脂材を使用して寸法精度の高い立体成形基板を作り、多数個取りするので、信頼性に優れた表面実装型チップ部品を安価に大量に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係わる表面実装型チップ部品の斜視図である。
【図２】本発明の製造方法を示す集合絶縁基板の部分平面図である。
【図３】図２の点線円Ｃ部の電極パターンを示す平面図である。
【図４】ＬＥＤ素子と図２の集合絶縁基板の部分斜視図である。
【図５】図４のＬＥＤ素子を固着するダイボンド及びワイヤーボンド工程を示す集合絶縁基板の部分斜視図である。
【図６】図５に封止樹脂を注入する樹脂封止及び切断工程を示す表面実装型チップ部品集合体の部分斜視図である。
【図７】従来の表面実装型チップ部品の製造方法を示す集合絶縁基板の部分平面図である。
【図８】図７の点線円Ａ部の電極パターンを示す平面図である。
【図９】ＬＥＤ素子の斜視図である。
【図１０】図７にＬＥＤ素子を固着するダイボンド工程を示す集合絶縁基板の部分斜視図である。
【図１１】図１０にワイヤをワイヤーボンディングするワイヤーボンド工程を示す集合絶縁基板の部分斜視図である。
【図１２】図１１の集合絶縁基板に回路封止枠接着工程を示す部分斜視図である。
【図１３】図１２の一体化された集合絶縁基板の部分斜視図である。
【図１４】図１３に封止樹脂を注入する樹脂封止工程を示す表面実装型チップ部品集合体の部分斜視図である。
【図１５】図１４のカッティングラインに沿って単個の表面実装型チップ部品に切断する切断工程を示す部分斜視図である。
【図１６】従来の表面実装型チップ部品を示す斜視図である。
【図１７】従来の他の表面実装型チップ部品の製造方法を示す集合絶縁基板の部分平面図である。
【図１８】図１７の点線円Ｂ部の電極パターンを示す平面図である。
【図１９】ＬＥＤ素子ダイボンド工程、ワイヤーボンド工程、樹脂封止工程、切断工程を示す集合絶縁基板の部分斜視図である。
【図２０】従来の他の表面実装型チップ部品を示す斜視図である。
【図２１】従来の表面実装型チップ部品の信頼性試験における膨張のメカニズムを示す図１６のＡ−Ａ線断面図である。
【図２２】従来の表面実装型チップ部品の信頼性試験における膨張のメカニズムを示す図２０のＢ−Ｂ線断面図である。
【図２３】従来の表面実装型チップ部品の信頼性試験における収縮のメカニズムを示す図１６のＡ−Ａ線断面図である。
【図２４】従来の表面実装型チップ部品の信頼性試験における収縮のメカニズムを示す図２０のＢ−Ｂ線断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
１Ｃ  集合絶縁基板
２ａ、２ｂ  上面電極
３ａ、３ｂ  下面電極
４ａ、４ｂ  側面電極
５  ＬＥＤ素子
６  ボンディングワイヤ
８  封止樹脂
９  導電性接着剤
１１Ａ  長穴スルーホール
１２  ＬＥＤ素子収納凹部
１３  ダミーパターン
３０  表面実装型チップ部品
３０Ａ  表面実装型チップ部品集合体
【図１】
0003900613.tif 000002
【図２】
0003900613.tif 000003
【図３】
0003900613.tif 000004
【図４】
0003900613.tif 000005
【図５】
0003900613.tif 000006
【図６】
0003900613.tif 000007
【図７】
0003900613.tif 000008
【図８】
0003900613.tif 000009
【図９】
0003900613.tif 000010
【図１０】
0003900613.tif 000011
【図１１】
0003900613.tif 000012
【図１２】
0003900613.tif 000013
【図１３】
0003900613.tif 000014
【図１４】
0003900613.tif 000015
【図１５】
0003900613.tif 000016
【図１６】
0003900613.tif 000017
【図１７】
0003900613.tif 000018
【図１８】
0003900613.tif 000019
【図１９】
0003900613.tif 000020
【図２０】
0003900613.tif 000021
【図２１】
0003900613.tif 000022
【図２２】
0003900613.tif 000023
【図２３】
0003900613.tif 000024
【図２４】
0003900613.tif 000025