(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に熱処理を施す基板熱処理装置であって、
(a) 基板を収容する処理室と、
(b) 前記基板を加熱する加熱手段と、
(c) 前記処理室内にて前記基板を支持する支持手段と、
(d) ガス導入口から前記処理室内に導入した熱分解性ガスを排気口から排気することにより前記支持手段に支持された前記基板とほぼ平行な前記熱分解性ガスのガス流を形成するガス流形成手段と、
(e) 前記支持手段に支持された前記基板の被処理面に対向するとともに、当該被処理面との間隔が３ｍｍ〜２０ｍｍに近接するように前記支持手段に載置された板状部材と、
を備えることを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板熱処理装置であって、
前記支持手段が前記基板をほぼ水平に支持するものであり、
前記板状部材が前記支持手段に支持された前記基板を平面視でほぼ覆うものであることを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板熱処理装置であって、
前記支持手段が前記基板をほぼ水平に支持するものであり、
前記板状部材が平面視で前記処理室内全体をほぼ覆うものであることを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板熱処理装置であって、
前記加熱手段が光照射により加熱するものであり、
前記板状部材が光吸収性材料により形成されていることを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板熱処理装置であって、
前記板状部材がＳｉＣにより形成されていることを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板熱処理装置であって、
前記熱分解性ガスが亜酸化窒素ガスであることを特徴とする基板熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板（以下、単に「基板」という。）に熱処理を施す基板熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図６は従来の光照射型の基板熱処理装置の概略構成を説明するための図である。図６に示すように従来の基板熱処理装置は、光透過性材料で構成された偏平形状の処理室９１を水平に設置し、上下に配置した光源（図示せず）より光を照射し、処理室９１内に水平に保持した被処理基板Ｗを加熱する。その際、処理中の雰囲気となるガスは処理室９１の一方端に設けられたガス導入口９２より導入し、他方端に設けられた排気口９３より排出する構造となっている。つまり、被処理基板Ｗの周囲には図示のような方向性を持った雰囲気ガスの流れＧＳａを形成している。
【０００３】
このような加熱を伴う基板処理の例として、半導体製造の分野における基板表面の絶縁膜に窒素原子を導入することによる絶縁膜の形成処理がある。この基板処理では膜質改善技術が研究され、その処理雰囲気として亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ等）ガスが利用されるに及び、以下のような処理不均一の問題が注目されている。すなわち、処理室９１内に導入された亜酸化窒素ガスは、基板の周囲において複数の形に熱分解されながら基板との熱化学反応を生ずる。したがって、基板Ｗの周囲のガスとそれ以外におけるガスとの間ではガスの組成が異なる場合が多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、処理室９１下部の内壁面において熱せられた亜酸化窒素ガスは上昇し、ガス流ＧＳｂとなって基板Ｗの下面に至る。とりわけ、基板Ｗの周縁においては、基板Ｗ下面に至ったそれらのガスが上昇しようとするため乱流が生じ、対流により基板Ｗに至ったガスと、それと組成の異なる基板Ｗの周囲のガスとが混ざり合って基板処理に不均一が生じていた。
【０００５】
この発明は、従来技術における上述の問題の克服を意図しており、均一な基板処理を行うことができる基板熱処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、この発明の請求項１に記載の装置は、基板に熱処理を施す基板熱処理装置であって、(a) 基板を収容する処理室と、(b) 基板を加熱する加熱手段と、(c) 処理室内にて基板を支持する支持手段と、(d) ガス導入口から処理室内に導入した熱分解性ガスを排気口から排気することにより支持手段に支持された基板とほぼ平行な熱分解性ガスのガス流を形成するガス流形成手段と、(e) 支持手段に支持された基板の被処理面に対向するとともに、当該被処理面との間隔が３ｍｍ〜２０ｍｍに近接するように前記支持手段に載置された板状部材と、を備える。
【０００７】
また、この発明の請求項２に記載の装置は、請求項１に記載の基板熱処理装置であって、支持手段が基板をほぼ水平に支持するものであり、板状部材が支持手段に支持された基板を平面視でほぼ覆うものであることを特徴とする。
【０００８】
また、この発明の請求項３に記載の装置は、請求項１に記載の基板熱処理装置であって、支持手段が基板をほぼ水平に支持するものであり、板状部材が平面視で処理室内全体をほぼ覆うものであることを特徴とする。
【０００９】
また、この発明の請求項４に記載の装置は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板熱処理装置であって、加熱手段が光照射により加熱するものであり、板状部材が光吸収性材料により形成されていることを特徴とする。
また、この発明の請求項５に記載の装置は、請求項４に記載の基板熱処理装置であって、板状部材がＳｉＣにより形成されていることを特徴とする。
【００１０】
さらに、この発明の請求項６に記載の装置は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板熱処理装置であって、熱分解性ガスが亜酸化窒素ガスであることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１２】
＜１．実施の形態の装置構成＞
図１は、本発明に係る基板熱処理装置を示す部分縦断面図である。
【００１３】
炉壁５５の内部にはチャンバ（処理室）１０および複数のランプ２０が設けられている。また、チャンバ１０の前側（図１における右側）には炉口ブロック５０が設けられている。ランプ２０としては、赤外線ランプ、ハロゲンランプ、キセノンアークランプ等が使用される。チャンバ１０は、光を透過させる性質の材料（石英等）を用いて構成されており、ランプ２０から照射された光をその内部に透過させる。チャンバ１０と炉壁５５および炉口ブロック５０との接続部分にはそれぞれＯリング５５ａおよびＯリング５０ｂが設けられており、チャンバ１０内部の気密性が保てる構造とされている。
【００１４】
移動フランジ３０にはサセプタ（支持手段）３５が固設されている。サセプタ３５の各所上面には支柱３７が設けられており、それら支柱３７により板状部材４０がほぼ水平姿勢にてサセプタ３５に載置される。なお、板状部材４０の形状等については後述する。また、サセプタ３５は３本の支持ピン３６を備えており（図１および図３の側面図では２本のみ図示）、それら支持ピン３６によって処理対象の基板Ｗが略水平姿勢にて支持される。
【００１５】
そして、移動フランジ３０は、水平方向（図１中のＸ軸方向）に移動可能に構成されている。移動フランジ３０に固設されたサセプタ３５は板状部材４０が載置されるとともに、基板Ｗを支持しているため、移動フランジ３０の移動に伴って板状部材４０および基板ＷもＸ軸の正負方向に移動する。すなわち、移動フランジ３０に固設されたサセプタ３５は、板状部材４０を支持し、かつ基板Ｗを支持した状態でチャンバ１０への進入および退出を行うのである。
【００１６】
移動フランジ３０がチャンバ１０側に移動し、炉口ブロック５０に当接すると、炉口が塞がれるとともに、基板Ｗがチャンバ１０内の所定位置に略水平に収容・保持される。そして、この状態にてランプ２０から光照射を行うことにより基板Ｗの加熱処理が行われるのである。なお、炉口ブロック５０にはＯリング５０ａが設けられており、移動フランジ３０が炉口ブロック５０に当接した状態においては、Ｏリング５０ａによってチャンバ１０内部の気密性が維持される。
【００１７】
一方、移動フランジ３０がチャンバ１０とは反対側に移動すると、炉口が開放され、さらに移動フランジ３０が移動することにより基板Ｗがチャンバ１０および炉口ブロック５０の外側に引き出される。そして、この状態においては、装置外部の基板搬送ロボット（図示省略）とサセプタ３５との間で基板Ｗの受け渡し（未処理の基板Ｗと処理済み基板Ｗとの交換作業）が行われるのである。
【００１８】
既述したように、基板Ｗの加熱処理中は、加熱された基板Ｗに対して膜形成等の処理を施すため、周辺雰囲気を熱分解性の亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ等）ガス（熱分解性ガス）により満たすとともに、ほぼ水平方向の亜酸化窒素ガスのガス流をチャンバ１０内に形成する必要がある。そのため、本実施の形態の基板熱処理装置には、ガス流形成手段としてガス導入口６０およびガス排気口７０が設けられている。ガス導入口６０は、炉壁５５およびチャンバ１０の端部を貫通して設けられており、装置外部のガス供給手段に連通されている。また、ガス排気口７０は、炉口ブロック５０を貫通して設けられており、装置外部の排気手段に連通されている。そして、ガス導入口６０から導入された亜酸化窒素ガスは、チャンバ１０内を流れ、ガス排気口７０から排気されることによりチャンバ１０内にガス流ＧＳを形成する。すなわち、図１に示すように、ガス導入口６０側である上流側ＵＳからガス排気口７０側の下流側ＤＳに向けて亜酸化窒素ガスが流れるのである。
【００１９】
＜２．実施の形態の処理および特徴＞
以上のような概略構成を有する基板熱処理装置において、加熱処理を行うときは、まず移動フランジ３０が図１中のＸ軸の正側に移動した状態において、基板搬送ロボットからサセプタ３５に未処理の基板Ｗが渡される。そして、移動フランジ３０がチャンバ１０に向けて（Ｘ軸の負方向）移動し、チャンバ１０内の所定位置に基板Ｗが収容・保持される（図１の実線の状態）。
【００２０】
次に、ガス導入口６０から導入されたガスがガス排気口７０から排気されてチャンバ１０内に基板Ｗと略平行のガス流ＧＳを形成するとともに、基板Ｗに対して複数のランプ２０からの光照射が行われて加熱処理が実行される。このとき、板状部材４０は基板Ｗとともにチャンバ１０内に搬入されて、基板Ｗとともに加熱され、基板Ｗとともに搬出される。
【００２１】
図２および図３は、サセプタ３５に板状部材４０および基板Ｗが支持された状態を示す水平断面図および部分側面図である。サセプタ３５は、２本の平行棒状部３５ａ，３５ａと一部切欠きを有する円環状部３５ｂとを組み合わせた部材である。そして、サセプタ３５の円環状部３５ｂの内側には基板Ｗをほぼ水平に支持する３本の支持ピン３６が設けられている。
【００２２】
ここで、板状部材４０の形状、材質および機能についてさらに説明する。板状部材４０は、その外縁がチャンバ１０の内部水平断面とほぼ一致し（ほぼ合同）、したがって、平面視でチャンバ１０内全面をほぼ覆うものとなっている。
【００２３】
また、板状部材４０は、支持ピン３６に支持された基板Ｗの被処理面ＯＳに近接してサセプタ３５にほぼ水平に載置される。すなわち、この実施の形態では基板Ｗをその被処理面ＯＳを下方に向けて支持ピン３６により支持するのであるが、その際の基板Ｗの下方において基板Ｗに近接する高さに板状部材４０が支柱３７によりサセプタ３５に載置されるものとなっている。なお、板状部材４０のサセプタ３５の各支持ピン３６に対応する位置には、それら支持ピン３６を板状部材４０に対して貫通させるための穴４０ａが設けられており、板状部材４０をサセプタ３５に載置した状態で支持ピン３６の先端に基板Ｗを支持する。そして支柱３７および支持ピン３６のそれぞれの高さが、板状部材４０と基板Ｗとが互いに近接するように形成されているのである。そのため、チャンバ１０の内部下面において熱せられた雰囲気が対流により上昇しても、直接基板Ｗに被処理面ＯＳに至ることはなく、また、基板Ｗと板状部材４０とに温度差がほとんど生じないため、空間ＳＰ内の雰囲気には対流が生じにくい。したがって、組成の異なるガスが基板Ｗの被処理面ＯＳに至ることがほとんどない。なお、基板Ｗの被処理面ＯＳと板状部材４０との間隔は３〜２０ｍｍ程度が好ましく、５〜６ｍｍ程度が理想的な範囲となっている。
【００２４】
ところで、本実施の形態の板状部材４０は、光吸収性および熱伝導性がよく、化学的に安定した材料であるＳｉＣ製であり、特に半導体製造の分野でＳｉ基板の製造等に対して適したものとなっている。板状部材４０はこのような特性を有するため、基板Ｗの加熱処理中、板状部材４０も加熱され、それにより、ガス導入口６０から導入される亜酸化窒素ガスはチャンバ１０の上流側ＵＳから基板Ｗに至るまでの間に板状部材４０により加熱されて、その分解が進行し、基板Ｗに至る頃には基板Ｗの温度における化学的に平衡な状態に近い組成比のものとされる。そのため、基板Ｗ上においては、亜酸化窒素ガスの組成の変化が少なくなる。
【００２５】
また、上記のように板状部材４０は基板Ｗと近接してサセプタ３５により支持されるので、ガスの粘性により基板Ｗと板状部材４０との間の空間ＳＰ内におけるガス流ＧＳ1は緩やかなものとなる。そのため、空間ＳＰ内のガス流ＧＳ1に含まれるガスはその組成がほぼ均一なものとなっている。
【００２６】
また、板状部材４０は上記のように平面視でチャンバ１０内全面をほぼ覆うものとなっているため、基板Ｗ周縁での乱流の発生を抑えることができ、また、板状部材４０は前述のように熱伝導性が高いため、基板Ｗに対向した面内において均一な温度分布となる。そのため、基板Ｗとの間の空間ＳＰ内の雰囲気（亜酸化窒素ガス）を均一に加熱することができ、空間ＳＰ内の雰囲気の熱膨張によりその空間ＳＰ内のガス圧がその外部の空間のガス圧に対して高くなり、空間ＳＰ内への雰囲気の巻き込みを生じにくい。そのため空間ＳＰ内のガス流ＧＳ1を一層均一にすることができる。
【００２７】
さらに、前述のように基板Ｗとチャンバ１０内壁との間には温度差が生じ易く、その温度差は基板Ｗとチャンバ１０内壁との間の亜酸化窒素ガスに対流を生じさせ易い。すなわち、水平方向のガス流ＧＳ，ＧＳ1に対して垂直な方向のガス流ＧＳ2を生じ易い。したがって、このガス流ＧＳ2に含まれるガスの組成はガス流ＧＳ1に含まれるガスの組成とは異なっているが、ガス流ＧＳ2は板状部材４０により阻まれ、基板Ｗの被処理面ＯＳに至ることがほとんどない。なお、この実施の形態の装置では、板状部材４０が基板Ｗと近接しており、平衡状態では両者はほぼ等しい温度であると考えられるため、空間ＳＰ内においてはガスの対流はほとんど生じないものと考えられる。
【００２８】
また、上述のように板状部材４０は支持ピン３６に支持された基板Ｗに近接しているので、基板Ｗの周縁から放熱された場合に、板状部材４０のその部分に近い部分からの熱輻射により基板Ｗの周縁部に熱を補うことで、基板Ｗの周縁の温度低下を防止する「熱補償手段」としての機能をも有している。
【００２９】
以上により、基板Ｗに対して均一な基板処理を行うことができる。図４は、この実施の形態による基板処理の均一性を説明する図であり、図４（ａ）および図４（ｂ）はそれぞれ従来装置および実施の形態の装置により基板の被処理面に形成された膜厚分布を示している。図中には基板の被処理面を表わすＸ−Ｙ平面と、基板の被処理面に形成された膜厚を示すＺ軸とからなるＸ−Ｙ−Ｚ座標が定義されている。図４（ａ）と図４（ｂ）を比較すると明らかなように、この実施の形態の装置を用いることにより膜厚の均一性すなわち、基板処理の均一性の著しい向上が認められる。
【００３０】
処理の説明に戻る。基板Ｗの加熱処理が終了すると、移動フランジ３０が図１のＸ軸正方向に移動し、基板Ｗがチャンバ１０および炉口ブロック５０の外側に出される。そして、基板搬送ロボットがサセプタ３５から処理済み基板Ｗを取り出すことによって、一連の加熱処理が終了する。
【００３１】
また、本実施の形態の基板熱処理装置においては、サセプタ３５が板状部材４０を載置し、基板Ｗを支持した状態でチャンバ１０への進入および退出を行う。従って、次に未処理の基板Ｗをサセプタ３５にて受け取る際に、サセプタ３５及び板状部材４０が常にチャンバ１０内にある場合に比較して、サセプタ３５および板状部材４０の温度がある程度低下しており、基板Ｗに急激な温度変化を与えるのを防止することができる。
【００３２】
以上説明したように、この実施の形態の基板熱処理装置によれば、サセプタ３５に支持された基板Ｗの被処理面ＯＳに対向するとともに、当該被処理面ＯＳに近接する板状部材４０を備えるため、基板Ｗと板状部材４０との間に温度差がほとんど生じないので、基板Ｗと板状部材４０との間の空間ＳＰ内の雰囲気に対流が生じにくく、また、空間ＳＰ以外の雰囲気も基板Ｗの被処理面ＯＳに直接至ることも少ないため、組成の異なる亜酸化窒素ガス（一般に熱分解性ガス。以下同様）が基板Ｗの被処理面ＯＳに至ることが少ないので、均一な基板処理を行うことができる。また、基板Ｗと板状部材４０との間における基板Ｗの被処理面ＯＳと平行な熱分解性ガスの流れを緩やかにできるので、ガス流ＧＳ1中の亜酸化窒素ガスの組成をほぼ一定にすることができるため、より均一な基板処理を行うことができる。さらに、従来装置に比して板状部材４０を備えるだけの簡単な機構の変更のみであるので、基板の回転機構等の大がかりな機構の変更が不要となり、低コストで均一な処理を実現できる。
【００３３】
また、板状部材４０がサセプタ３５にほぼ水平に支持された基板Ｗを平面視で覆うものであるため、基板Ｗの被処理面ＯＳ全体に対して均一なガス流ＧＳ1を形成することができ、基板Ｗ全面において均一な基板処理を行うことができる。
【００３４】
また、板状部材４０が平面視でチャンバ１０内全体をほぼ覆うため、チャンバ１０全体におけるガス流ＧＳを整流し、とりわけ基板Ｗの周縁におけるガス流の巻き込み等の乱れを抑えて、より均一な基板処理を行うことができる。また、ガス流ＧＳが基板Ｗに対して上流側ＵＳにおいて板状部材４０の近傍を通過する間に亜酸化窒素ガス（一般に熱分解性ガス）の化学的な分解が進行し、基板Ｗに達する際にはほぼ化学的に平衡状態に達するので、基板回転手段やガス供給経路等の大掛かりな機構を必要としない簡単な装置構成で、基板位置を流れる間の亜酸化窒素ガスの分解の度合いの変化を抑えて均一な処理を行うことができる。
【００３５】
また、このような板状部材４０がサセプタ３５に支持された基板Ｗと近接した位置に支持されるため、基板Ｗの周縁からの放熱を補うことができ、基板Ｗの温度を面内均一に保ってより均一な基板処理を行うことができる。また、板状部材４０が、光吸収性および熱伝導性のよい材料で形成されているので、基板Ｗとともに温度上昇することにより、基板Ｗの上流側ＵＳにおける亜酸化窒素ガスの化学的な分解の進行をその時点での基板Ｗの温度における平衡状態近くにまで進行させることができ、基板Ｗ近傍を通過中のガスの組成変化を少なくして、より均一な基板処理を行うことができる。
【００３６】
さらに、板状部材４０をサセプタ３５に取付け、基板Ｗを支持したサセプタ３５とともにチャンバ１０に対して出し入れするため、板状部材をチャンバ内に常設する場合のように板状部材が常に高温であることがないので、基板Ｗの搬入時にも基板Ｗとの温度差が少なく、基板Ｗの処理品質に悪影響を及ぼすことが少ない。
【００３７】
＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
【００３８】
例えば、上記実施の形態においては、基板Ｗの被処理面ＯＳを下方に向けて、それに対向するように基板Ｗの下方において近接するように板状部材４０を設けるものとしたが、基板Ｗの被処理面ＯＳを上方に向けて、板状部材を基板Ｗの上方において近接して設けるものとしてもよい。
【００３９】
また、上記実施の形態では板状部材４０をチャンバ１０の内部断面を覆い尽くすものとしたが、この変形例の板状部材を説明する図５に示すように、板状部材４１のように基板Ｗとほぼ一致する程度の大きさのものとする等、その他の大きさのものとしてもよく、さらには板状部材の外形は上記実施の形態のような長方形や、図５のような円形以外にも多角形等その他の形状としてもよい。
【００４０】
また、上記実施の形態では板状部材４０をサセプタ３５に取付け、基板Ｗとともにチャンバ１０に対して出し入れするものとしたが、板状部材および基板の支持手段をチャンバ内に常設するものとして、基板のみを出し入れするものとしてもよい。
【００４１】
また、上記実施の形態ではサセプタ３５に支持ピン３６を設けて、それにより基板Ｗを支持したが、板状部材に支持ピンを直接取り付けて、それにより基板を支持するものとしてもよい。
【００４２】
また、上記実施の形態では熱処理に使用する熱分解性ガスを亜酸化窒素ガスとしたが、熱分解性のガスであれば塩化水素ガス等その他のガスを用いてもよい。
【００４３】
さらに、上記実施の形態では板状部材４０を光吸収性、熱伝導性の良好な材料であるＳｉＣ製としたが、光吸収性、熱伝導性の良好な材料であればＳｉ，ポリシリコン等その他の材質のものとしてもよい。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし請求項６の発明によれば、支持手段に支持された基板の被処理面に対向するとともに、当該被処理面に近接する板状部材を備えるため、基板と板状部材との間に温度差がほとんど生じないので、基板と板状部材の間の雰囲気に対流が生じにくく、また、基板と板状部材との間以外の雰囲気が基板の被処理面に至ることも少ないため、組成の異なる熱分解性ガスが基板の被処理面に至ることが少ないので、均一な基板処理を行うことができる。また、基板と板状部材との間における基板の被処理面と平行な熱分解性ガスの流れを緩やかにできるので、ガス流中の熱分解性ガスの組成をほぼ一定にすることができるため、より均一な基板処理を行うことができる。さらに、板状部材を備えるだけの簡単な機構の変更でよいので、基板の回転機構等の大がかりな機構の変更が不要となり、低コストで均一な処理を実現できる。
【００４５】
また、とくに請求項２の発明によれば、板状部材が支持手段にほぼ水平に支持された基板を平面視でほぼ覆うものであるため、基板の被処理面全体に対して均一なガス流を形成することができ、基板全面において均一な基板処理を行うことができる。
【００４６】
また、とくに請求項３の発明によれば、板状部材が平面視で処理室内全体をほぼ覆うため、処理室全体におけるガス流を整流し、とりわけ基板の周縁におけるガス流の巻き込み等の乱れを抑えてより均一な基板処理を行うことができる。
【００４７】
さらに、とくに請求項４の発明によれば、加熱手段が光照射により加熱するものであり、板状部材が光吸収性材料により形成されているため、基板の被処理面を加熱手段からの直接の光によってではなく、その光によって加熱された板状部材による２次輻射によって基板を加熱するため、基板の被処理面の加熱を緩やかに行うことができるので、より均一な基板処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板熱処理装置を示す部分縦断面図である。
【図２】サセプタに板状部材および基板が支持された状態を示す水平断面図である。
【図３】サセプタに板状部材および基板が支持された状態を示す側面図である。
【図４】この実施の形態による基板処理の均一性を説明する図である。
【図５】変形例の板状部材を説明する図である。
【図６】従来より用いられていた基板熱処理装置を示す側面図である。
【符号の説明】
１０  チャンバ（処理室）
２０  ランプ（加熱手段）
３５  サセプタ（支持手段）
４０  板状部材
６０  ガス導入口
７０  ガス排気口（６０と併せてガス流形成手段）
Ｗ  基板
【図１】
0003907842.tif 000002
【図２】
0003907842.tif 000003
【図３】
0003907842.tif 000004
【図４】
0003907842.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003907842.tif 000007