(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子基板上に無鉛はんだ合金を形成する方法であって、
（ａ）パッドを備えた電子基板を準備する工程と、
（ｂ）前記パッド上に金属スタックを形成する工程であって、
(i)前記パッド上に接着層を堆積する工程と、
(ii)前記接着層上に１５００〜２０００ナノメートルの厚さのニッケル層を堆積する工程と、
(iii)前記ニッケル層上に銅層を蒸着またはめっきする工程と、
(iv)前記銅層上に多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程とを備えた工程と、
（ｃ）前記電子基板および前記金属スタックを所定の温度に加熱して前記錫および銀ならびに前記銅の一部を溶融させ、前記電子基板上に無鉛の錫銀銅合金を形成する工程とを備えた方法。
【請求項２】
前記多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程が、蒸着する工程であり、かつ、錫／銀合金を蒸着する工程を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記錫／銀合金がＡｇ３．５重量％および残余Ｓｎである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
さらに、前記工程（ｂ）（iii）と工程（ｂ）（ｉｖ）との間に、前記銅層上に金層を蒸着またはめっきする工程を備え、前記加熱する工程で、前記電子基板上に無鉛の錫銀銅金合金を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程が、一層の銀を蒸着またはめっきする工程と、一層の錫を蒸着またはめっきする工程とを備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
さらに、前記一層の錫を蒸着またはめっきする工程の前に、前記銀層上に金層を蒸着またはめっきする工程を備え、前記加熱する工程で、無鉛の錫銀銅金合金を前記電子基板上に形成する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記銅を２００〜４００ナノメートルの厚さに蒸着またはめっきする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記錫銀銅合金の組成が、銀３．５重量％、銅０．５〜１．０重量％、残余錫である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
さらに、前記加熱する工程を所定回数繰り返す工程を備え、前記銅が完全に侵食されるまで、各加熱工程ごとに前記無鉛の錫銀銅合金中の銅の量が増加する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記電子基板が半導体装置である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記電子基板がキャパシタである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
キャパシタ上に無鉛はんだ合金を形成する方法であって、
（ａ）パッドを備えたキャパシタを準備する工程と、
（ｂ）前記パッド上に金属スタックを形成する工程であって、
(i)前記パッド上に接着層を堆積する工程と、
(ii)前記接着層上に１５００〜２０００ナノメートルの厚さのニッケル層を堆積する工程と、
(iii)前記ニッケル層上に銅層を蒸着またはめっきする工程と、
(iv)前記銅層上に多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程とを備えた工程と、
（ｃ）前記電子基板および前記金属スタックを所定の温度に加熱して前記錫および銀ならびに前記銅の一部を溶融させ、前記電子基板上に無鉛の錫銀銅合金を形成する工程とを備えた方法。
【請求項１３】
前記多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程が、蒸着する工程であり、かつ、錫／銀合金を蒸着する工程を備えている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記錫／銀合金がＡｇ３．５重量％および残余Ｓｎである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
さらに、前記工程（ｂ）（iii）と工程（ｂ）（ｉｖ）との間に、前記銅層上に金層を蒸着またはめっきする工程を備え、前記加熱する工程で、前記キャパシタ上に無鉛の錫銀銅金合金を形成する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程が、一層の銀を蒸着またはめっきする工程と、一層の錫を蒸着またはめっきする工程とを備えている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
さらに、前記一層の錫を蒸着またはめっきする工程の前に、前記銀層上に金層を蒸着またはめっきする工程を備え、前記加熱する工程で、無鉛の錫銀銅金合金を前記キャパシタ上に形成する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記銅を２００〜４００ナノメートルの厚さに蒸着またはめっきする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記錫銀銅合金の組成が、銀３．５重量％、銅０．５〜１．０重量％、残余錫である、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
さらに、前記加熱する工程を所定回数繰り返す工程を備え、前記銅が完全に侵食されるまで、各加熱工程ごとに前記無鉛の錫銀銅合金中の銅の量が増加する、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子デバイスをはんだ結合で基板に接続することに関し、特にチップやキャパシタなどの電子デバイスを無鉛はんだ結合で適切なセラミック基板または有機基板に接続することに関する。
【０００２】
【従来の技術】
（Ｃ４とも呼ばれる）いわゆるコントロール・コラプス・チップ結合は、（半導体装置とも呼ばれる）チップやキャパシタなどを（電子基板とも呼ばれる）有機パッケージまたはセラミック・パッケージに結合する手段である。Ｃ４結合を備えたチップを結合する手段は実際には、チップやキャパシタなど（以下、電子デバイスと総称する）の表面に設けられた小さなはんだボールから成るアレイである。
【０００３】
Ｃ４構造においては、電子デバイスの配線はボール限定冶金（ball-limiting metallurgy: ＢＬＭ）を形成する（金属スタックとも呼ばれる）複数の金属膜で終端している。ＢＬＭはバンプ下冶金（under bump metallurgy:ＵＢＭ）と呼ばれることもある。ＢＬＭは、（１）リフロー後のはんだバンプの大きさを画定し、（２）はんだによって濡（ぬ）れうるとともに、はんだと反応して良好な接着性を示しかつ機械応力と熱応力の存在下で許容範囲内の信頼性を示す表面を備えており、（３）相互接続中で電子デバイスと金属との間の障壁をなす。
【０００４】
典型的なＢＬＭは、ＣｒまたはＴｉＷの接着層、段階的に導入されたＣｒＣｕ層、およびＣｕから成る薄膜スタックである。通常用いられているはんだはＰｂ／Ｓｎはんだであり、Ｐｂ成分が９５パーセント以上と高濃度である。Ｓｎは最小限に抑えられ、通常、５重量パーセント未満に保たれる。というのは、ＳｎはＣｕと反応して通常、不所望の金属間化合物を形成しやすいからである。Ｓｎの濃度が高くなるほど、はんだはＣｕと反応しやすくなる。したがって、Ｃｕ層がはんだによって浸食されるのを防ぐため、あるいは、Ｃｕ層直下のＢＬＭ層を保護するためにＮｉまたはＣｏの障壁層も設けられている。
【０００５】
Ｐｂを含有するはんだ合金は現在では環境に有害であると認識されている。したがって、無Ｐｂはんだを使用することには顕著な利点がある。市販の無鉛はんだにはＳｎ−ＡｇとＳｎ−Ａｇ−Ｃｕがある。
【０００６】
ハー（Hur)らの米国特許第６０１３５７２号には、Ｓｎ／Ａｇ３．５重量％はんだバンプを製造する方法が開示されている。上記バンプはＴｉ、Ｃｒ、またはＴｉＷの第１の層とＣｕまたはＮｉの第２の層から成るＢＬＭ上にＡｇから成る第１の厚層とＳｎから成る第２の層をめっきすることにより形成する。上記ＢＬＭ層はスパッタリングで形成する。リフロー後、ＳｎＡｇ合金はんだバンプが形成される。
【０００７】
アンドリカコス（Andricacos）らの米国特許第５９３７３２０号には、下敷きＣｕ層をＰｂＳｎはんだの侵食から守るためにＢＬＭ上にＮｉ障壁層をめっきしたＢＬＭの形成方法が開示されている。この結果、残されたＣｕとの相互接続は熱サイクルに起因する機械応力に打ち勝つことができる、という点に留意する必要がある。
【０００８】
クック（Cook）らの米国特許第５７１９０７０号には、Ｐｂ／Ｓｎはんだやビスマスはんだなどの適切なはんだと接合したＴｉ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ａｕから成るＢＬＭが開示されている。ＢＬＭとはんだは両方とも蒸着で形成する。Ｎｉ層の目的は下敷き高融点金属の腐食を低減することである。Ｎｉ層の厚さは４０〜１００ナノメートルである。
【０００９】
シャッツバーグ（Schatzberg）の米国特許第４７５６４６７号には、ＣｕワイヤにＡｇついでＳｎをめっきしたのち熱処理してＳｎ層とＡｇ層との間にＡｇ−Ｓｎ界面層を形成する方法が開示されている。
【００１０】
栗原の特開平１−２６４２３３号公報には、はんだが被着されるＢＬＭを応力を低減したＣｕ／Ｃｒ／Ｎｉ−Ｃｕ／Ａｕで形成したものが開示されている。
【００１１】
リサーチ・デイスクロージャ第３２８号（１９９１年８月）には、Ｃｒ／Ａｕ（またはＮｉ）／Ｃｕ／Ａｕ（またはＮｉ）／Ｃｒから成る捕獲パッドが開示されている。
【００１２】
上述した諸成果にかかわらず、無鉛はんだに適合したＢＬＭが依然として求められている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、無鉛はんだに適合したＢＬＭを提供することである。
【００１４】
本発明の別の目的は、無鉛はんだに適合し製造が容易なＢＬＭを提供することである。
【００１５】
本発明のさらに別の目的は、無鉛はんだに適合し当該無鉛はんだ中での溶解から保護されたＢＬＭを提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は次に示す方法を実現することにより達成される。
【００１７】
電子基板上に無鉛はんだ合金を形成する方法であって、
（ａ）パッドを備えた電子基板を準備する工程と、
（ｂ）前記パッド上に金属スタックを形成する工程であって、
(i)前記パッド上に接着層を堆積する工程と、
(ii) 前記接着層上にニッケル層を堆積する工程と、
(iii)前記ニッケル層上に銅層を蒸着またはめっきする工程と、
(iv) 前記銅層上に多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程と
を備えた工程と、
（ｃ）前記電子基板および前記金属スタックを所定の温度に加熱して前記錫および銀ならびに前記銅の一部を溶融させ、前記電子基板上に無鉛の錫銀銅合金を形成する工程と
を備えた
方法。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明は電子基板上への無鉛Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕはんだ合金のインサイチュ（in-situ:その場）形成に関する。Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕはんだ合金自体は市販されているけれども、これらの合金はペースト状をしており、電子基板の表面に不所望の残留物を残す。あるいは、このような合金は蒸着によって得られるが、このような合金を蒸着するにはきわめて高い温度を必要とする。特に、このような合金の銅部は、蒸着温度が錫よりもずっと高いから、蒸着するのにとりわけ高い温度を必要とする。
【００１９】
次に、図面を詳細に参照する。特に図１（ａ）と図１（ｂ）を参照して、本発明に係る方法の第１の実施形態を説明する。まず図１（ａ）に示すように、電子基板１０上に複数の薄膜から成る金属スタックを形成する。この金属スタックはたとえばＣｒまたはＴｉＷから成る少なくとも１つの接着層１２、１４、厚いＮｉ障壁層１６、Ｃｕ層１８、およびＳｎ／Ａｇ層２０を備えている。接着層１２、１４と厚いＮｉ障壁層１６は蒸着など既存の方法で堆積する。次いで、Ｃｕ層１８を蒸着またはめっきで形成する。その後、Ｓｎ／Ａｇ層２０をＣｕ層１８上に蒸着またはめっきする。Ｓｎ／Ａｇ層２０の公称組成はＡｇ３．５重量％と残余Ｓｎである。
【００２０】
接着層１２、１４の公称厚さはそれぞれ２５０ナノメートル、１５０ナノメートルである。Ｎｉ障壁層１６の厚さは約１５００〜２０００ナノメートルである。Ｎｉ障壁層１６は、応力の大きな層であるからあまり厚くできないが、障壁層として機能しなくなるからあまり薄くすることもできない。上述したＮｉの厚さの範囲は良好な結果が得られることが分かっているものである。Ｃｕ層１８の公称厚さは２００〜４００ナノメートルである。Ｃｕ層１８の正確な厚さとＳｎ／Ａｇ層２０の組成および厚さとは、リフローしたはんだの最終的に望ましい組成によって決まる。
【００２１】
次に図１（ｂ）を参照すると、電子基板１０と金属スタックは約２４５℃に再加熱されはんだをリフローさせている。図から分かるように、Ｃｕ層１８がＳｎ／Ａｇ層２０によって侵食され、リフローしたＳｎ／Ａｇ／Ｃｕはんだボール２２が形成されている。Ｓｎ、Ａｇ、およびＣｕの相対比率によっては、Ｃｕは最初のリフロー後に侵食されうる。一例では、厚さが３００ナノメートルのＣｕ層１８と、Ｓｎ９６．５重量％およびＡｇ３．５重量％の組成を有するＳｎ／Ａｇ層２０とは（Ｃｕ層１８とＳｎ／Ａｇ層２０の合計厚さは０．１１２ｍｍであった）、約２４５℃でリフローし、Ａｇ３．５重量％、Ｃｕ０．６重量％、および残余Ｓｎから成るＳｎ／Ａｇ／Ｃｕ組成物が得られた。Ｃｕ層１８は最初のリフロー後、完全に侵食された。リフローしたＳｎ／Ａｇ／Ｃｕはんだの好適な最終組成は、Ｓｎ９５．９重量％、Ａｇ３．５重量％、およびＣｕ０．６重量％である。
【００２２】
次に図２（ａ）と図２（ｂ）に示す本発明の第２の実施形態を参照する。特に図２（ａ）を参照すると、電子基板１０、接着層１２、１４、Ｎｉ障壁層１６、およびＣｕ層１８は上述したものと同じである。この実施形態では、上述したＳｎ／Ａｇ層はＡｇ層２４およびＳｎ層２６として個別に形成する。
【００２３】
Ａｇ層２４の公称厚さは１００ナノメートルであり、Ｓｎ層２６の公称厚さは０．１１０ｍｍである。上述したのと同様に、Ｃｕ層１８、Ａｇ層２４、およびＳｎ層２６の正確な厚さはＳｎ／Ａｇ／Ｃｕ合金の最終的に望ましい組成によって決まる。
【００２４】
次に図２（ｂ）を参照すると、電子基板１０と金属スタックは加熱され、個別に形成したＣｕ層１８、Ａｇ層２４、およびＳｎ層２６は溶融してリフローしたＳｎ／Ａｇ／Ｃｕはんだボール２２を形成している。一例では、厚さ３００ナノメートルのＣｕ層１８、厚さ１００ナノメートルのＡｇ層２４、および厚さ０．１１０ｍｍのＳｎ層２６が約２４５℃でリフローし、９７．２重量％のＳｎ、２重量％のＡｇ、および０．８重量％のＣｕから成るＳｎ／Ａｇ／Ｃｕ組成物が得られた。Ｃｕ層１８とＡｇ層２４は最初のリフロー後、完全に侵食された。
【００２５】
図１（ａ）に示した実施形態では、接着層１２、１４、Ｎｉ障壁層１６、およびＣｕ層１８を第１の蒸着段階で形成し（ただし各層はめっきではなく蒸着で形成する）、Ｓｎ／Ａｇ層２０を第２の蒸着段階で形成することができる。２つの蒸着段階間の移転の間に、Ｃｕ層１８は大気に露出されて酸化する。この結果、Ｓｎ／Ａｇ層２０が悪影響を受ける。したがって、図３（ａ）に示す本発明の第３の実施形態では、Ｃｕ層１８の表面にＡｕ層３０を付加している。Ａｕ層３０は障壁層として機能し、２つの蒸着段階間の移転の間に大気によって酸化されない。Ａｕ層３０の公称厚さは１００ナノメートルである。引き続いて加熱しＳｎ／Ａｇ層３２をリフローすると、Ｃｕ層１８とＡｕ層３０はＳｎ／Ａｇ層３２によって侵食され、図３（ｂ）に示すように、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ／Ａｕ４元はんだ合金３４が形成される。
【００２６】
図４（ａ）に示す本発明の第４の実施形態において、ここに示す金属スタックは図４（ａ）に示す金属スタックがさらにＡｕ層３０を備えている点を除いて、図２（ａ）に示す金属スタックと同一である。Ａｕ層３０は図３（ａ）のＡｕ層３０と同じ理由で付加されている。リフロー後、（図４（ａ）に示す）本発明の第４の実施形態は図４（ｂ）に示すようになる。ここでも、Ｃｕ層１８とＡｕ層３０はそれぞれＳｎ層２６とＡｇ層２４によって侵食され、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ／Ａｕ４元はんだ合金３４が形成される。このＳｎ／Ａｇ／Ｃｕ／Ａｕ４元はんだ合金３４の組成は、図３（ｂ）に示すＳｎ／Ａｇ／Ｃｕ／Ａｕ４元はんだ合金３４と同じである。
【００２７】
本発明の好適な一実施形態では、図３（ａ）と図４（ａ）のＡｕ層３０はＣｕ層１８（図３（ａ））またはＡｇ層２４（図４（ａ））を酸化から保護するためには望ましい。しかし、Ｃｕ層１８（図３（ａ））またはＡｇ層２４（図４（ａ））はＳｎ／Ａｇ層３２（図３（ａ））を蒸着する前にスパッタ・クリーニングすることができるから、Ａｕ層３０は必ずしも必要ではない。さらに、Ｓｎ／Ａｇ層３２（図３（ａ））またはＳｎ層２６（図４（ａ））をめっきで形成する場合には、めっき槽によっても被めっき層から酸化物を除去することができるから、Ａｕ層が不要になる。
【００２８】
本発明にとって適切な電子基板１０としては、半導体装置、たとえばチップ、ウェーハ、キャパシタ（特に減結合キャパシタ）などの受動素子などを用いることができる。本発明を半導体装置用に用いる場合、Ｃｕ層、Ａｇ層、Ｓｎ（またはＡｇ／Ｓｎ）層は蒸着またはめっきによって形成することができる。本発明をキャパシタ（特に減結合キャパシタ）用に用いる場合、Ｃｕ層、Ａｇ層、Ｓｎ（またはＡｇ／Ｓｎ）層は蒸着によってしか形成することができない。なぜなら、キャパシタ本体はきわめて小さい（およそ１．６×１．８５×０．８７５ｍｍ）ので、めっき用の電極を接続する場所がないからである。
【００２９】
上述したように、本発明者らは、フラックスが必要なことおよびリフロー後に有機金属残留物が生じることのためＳｎ／Ａｇ／Ｃｕペーストを使用するのは望ましくない、と信じている。本発明者らはさらに、Ｓｎ／Ａｇ層（または個別のＳｎ層とＡｇ層）を形成する前にＣｕ層を堆積することによりはんだリフローの間にＮｉ障壁層の保護能力が増大する、と信じている。Ｃｕ層はＮｉ障壁層を保護する。Ｃｕ層がすべて侵食されると、複雑なＣｕ／Ｓｎ／Ａｇ金属間化合物がＮｉ障壁層との界面に形成される。これにより、Ｎｉ障壁層が劣化するのが防止される。本発明者らは、はんだリフローを１３回行ったあとでも、Ｎｉ障壁層は連続層のままであることを見いだした。これに対して、（Ｃｕなしの）Ｓｎ／Ａｇはんだ合金では、Ｎｉ障壁層がより多く侵食されるから、Ｎｉ障壁層は不連続になる。
【００３０】
ここで特に説明した実施形態を超えて本発明を変更することは本発明の本旨の範囲内でなしうる、ということは当業者にとって明らかである。したがって、そのような変更は特許請求の範囲のみによって限定される本発明の範囲内のものであると考えられる。
【００３１】
まとめとして以下の事項を開示する。
（１）
電子基板上に無鉛はんだ合金を形成する方法であって、
（ａ）パッドを備えた電子基板を準備する工程と、
（ｂ）前記パッド上に金属スタックを形成する工程であって、
(i)前記パッド上に接着層を堆積する工程と、
(ii) 前記接着層上にニッケル層を堆積する工程と、
(iii)前記ニッケル層上に銅層を蒸着またはめっきする工程と、
(iv) 前記銅層上に多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程と
を備えた工程と、
（ｃ）前記電子基板および前記金属スタックを所定の温度に加熱して前記錫および銀ならびに前記銅の一部を溶融させ、前記電子基板上に無鉛の錫銀銅合金を形成する工程と
を備えた
方法。
（２）
前記多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程が、
蒸着する工程であり、かつ、
錫／銀合金を蒸着する工程を備えている、
上記（１）に記載の方法。
（３）
前記錫／銀合金がＡｇ３．５重量％および残余Ｓｎである、
上記（２）に記載の方法。
（４）  さらに、
前記工程（ｂ）（iii ）と工程（ｂ）（ｉｖ）との間に、
前記銅層上に金層を蒸着またはめっきする工程
を備え、
前記加熱する工程で、前記電子基板上に無鉛の錫銀銅金合金を形成する、
上記（１）に記載の方法。
（５）
前記多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程が、
一層の銀を蒸着またはめっきする工程と、
一層の錫を蒸着またはめっきする工程と
を備えている、
上記（１）に記載の方法。
（６）  さらに、
前記一層の錫を蒸着またはめっきする工程の前に、前記銀層上に金層を蒸着またはめっきする工程
を備え、
前記加熱する工程で、無鉛の錫銀銅金合金を前記電子基板上に形成する、
上記（５）に記載の方法。
（７）
前記ニッケルを１５００〜２０００ナノメートルの厚さに堆積し、前記銅を２００〜４００ナノメートルの厚さに蒸着またはめっきする、
上記（１）に記載の方法。
（８）
前記錫銀銅合金の組成が、銀３．５重量％、銅０．５〜１．０重量％、残余錫である、
上記（１）に記載の方法。
（９）  さらに、
前記加熱する工程を所定回数繰り返す工程
を備え、
前記銅が完全に侵食されるまで、各加熱工程ごとに前記無鉛の錫銀銅合金中の銅の量が増加する、
上記（１）に記載の方法。
（１０）
前記電子基板が半導体装置である、
上記（１）に記載の方法。
（１１）
前記電子基板がキャパシタである、
上記（１）に記載の方法。
（１２）
キャパシタ上に無鉛はんだ合金を形成する方法であって、
（ａ）パッドを備えたキャパシタを準備する工程と、
（ｂ）前記パッド上に金属スタックを形成する工程であって、
(i)前記パッド上に接着層を堆積する工程と、
(ii) 前記接着層上にニッケル層を堆積する工程と、
(iii)前記ニッケル層上に銅層を蒸着またはめっきする工程と、
(iv) 前記銅層上に多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程と
を備えた工程と、
（ｃ）前記電子基板および前記金属スタックを所定の温度に加熱して前記錫および銀ならびに前記銅の一部を溶融させ、前記電子基板上に無鉛の錫銀銅合金を形成する工程と
を備えた
方法。
（１３）
前記多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程が、
蒸着する工程であり、かつ、
錫／銀合金を蒸着する工程を備えている、
上記（１２）に記載の方法。
（１４）
前記錫／銀合金がＡｇ３．５重量％および残余Ｓｎである、
上記（１３）に記載の方法。
（１５）  さらに、
前記工程（ｂ）（iii ）と工程（ｂ）（ｉｖ）との間に、
前記銅層上に金層を蒸着またはめっきする工程
を備え、
前記加熱する工程で、前記キャパシタ上に無鉛の錫銀銅金合金を形成する、
上記（１２）に記載の方法。
（１６）
前記多量の錫および銀を蒸着またはめっきする工程が、
一層の銀を蒸着またはめっきする工程と、
一層の錫を蒸着またはめっきする工程と
を備えている、
上記（１２）に記載の方法。
（１７）  さらに、
前記一層の錫を蒸着またはめっきする工程の前に、前記銀層上に金層を蒸着またはめっきする工程
を備え、
前記加熱する工程で、無鉛の錫銀銅金合金を前記キャパシタ上に形成する、
上記（１６）に記載の方法。
（１８）
前記ニッケルを１５００〜２０００ナノメートルの厚さに堆積し、前記銅を２００〜４００ナノメートルの厚さに蒸着またはめっきする、
上記（１２）に記載の方法。
（１９）
前記錫銀銅合金の組成が、銀３．５重量％、銅０．５〜１．０重量％、残余錫である、
上記（１２）に記載の方法。
（２０）  さらに、
前記加熱する工程を所定回数繰り返す工程
を備え、
前記銅が完全に侵食されるまで、各加熱工程ごとに前記無鉛の錫銀銅合金中の銅の量が増加する、
上記（１２）に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）リフロー前の本発明に係る方法の第１の実施形態を示す図である。（ｂ）リフロー後の本発明に係る第１の実施形態を示す図である。
【図２】  （ａ）リフロー前の本発明に係る方法の第２の実施形態を示す図である。（ｂ）リフロー後の本発明に係る第２の実施形態を示す図である。
【図３】  （ａ）リフロー前の本発明に係る方法の第３の実施形態を示す図である。（ｂ）リフロー後の本発明に係る第３の実施形態を示す図である。
【図４】  （ａ）リフロー前の本発明に係る方法の第４の実施形態を示す図である。（ｂ）リフロー後の本発明に係る第４の実施形態を示す図である。
【符号の説明】
１０  電子基板
１２  接着層
１４  接着層
１６  Ｎｉ障壁層
１８  Ｃｕ層
２０  Ｓｎ／Ａｇ層
２２  Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕはんだボール
２４  Ａｇ層
２６  Ｓｎ層
３０  Ａｕ層
３２  Ｓｎ／Ａｇ層
３４  Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ／Ａｕ４元はんだ合金
【図１】
0003899050.tif 000002
【図２】
0003899050.tif 000003
【図３】
0003899050.tif 000004
【図４】
0003899050.tif 000005