(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
汚泥脱水ケーキに石灰を混合撹拌し造粒した造粒物を、下流のロータリキルンの排ガスを流動化ガスとする流動層炉に投入し造粒物を流動媒体として乾燥、乾燥・予熱又は乾燥・有機物焼却・消石灰焼成を行った後、流動層炉からの粒状物をロータリキルンに導入して焼成し、焼成粒状物を流動層クーラに導入して冷却し、流動層炉からの排ガスをサイクロンに導入して除塵した後、サイクロンからの排ガスを熱交換器に導入して熱回収する方法であって、前記造粒物の製造過程で発生する臭気を熱交換器に導入して昇温し、加熱臭気をロータリキルンの燃焼用空気として該キルンの窯前に吹き込んで回収するとともに、余剰の加熱臭気を該キルンの窯尻もしくは流動層炉の風箱、及び／又はフリーボード部に吹き込んで脱臭し、加熱臭気のロータリキルンの窯前への吹込量、並びに加熱臭気の該キルンの窯尻もしくは流動層炉の風箱への吹込量、及び／又は加熱臭気の流動層炉のフリーボード部への吹込量を夫々調整できるようにし、ロータリキルンにおける焼成温度を製品品質を満足させる温度に設定し、この焼成温度を検出しこの検出温度によりロータリキルンの窯前に吹き込む臭気量を制御することを特徴とする地盤改良材の製造方法。
【請求項２】
製品品質を満足させる温度が９００〜１０００℃である請求項１記載の地盤改良材の製造方法。
【請求項３】
流動層炉の風箱温度をダストが付着しない温度に設定し、この温度を検出してこの検出温度によりロータリキルンの窯尻又は流動層炉の風箱に吹き込む臭気量を制御する請求項１又は２記載の地盤改良材の製造方法。
【請求項４】
ダストが付着しない温度が７５０℃以上である請求項３記載の地盤改良材の製造方法。
【請求項５】
流動層炉の出口排ガス温度を脱臭工程で脱臭可能な温度に設定し、この温度を検出してこの検出温度によりキルン燃料供給量を制御する請求項１〜４のいずれかに記載の地盤改良材の製造方法。
【請求項６】
脱臭工程で脱臭可能な温度にするために、流動層炉の出口排ガス温度を６００〜６５０℃に設定する請求項５記載の地盤改良材の製造方法。
【請求項７】
製品の活性度を満足させるように、キルン回転数を制御する請求項１〜６のいずれかに記載の地盤改良材の製造方法。
【請求項８】
造粒物の粒径が１〜２０mmである請求項１〜７のいずれかに記載の地盤改良材の製造方法。
【請求項９】
汚泥脱水ケーキと石灰とを混練し造粒した造粒物を投入し造粒物を流動媒体として乾燥、乾燥・予熱又は乾燥・有機物焼却・消石灰焼成を行うための流動層炉と、
流動層炉からの粒状物を導入して焼成するためのロータリキルンと、
ロータリキルンからの焼成粒状物を冷却するための流動層クーラと、
流動層炉からの排ガスを導入してダストを分離するためのサイクロンと、
このサイクロンからの排ガスを導入して熱回収するための熱交換器とを備え、
ロータリキルンの窯尻と流動層炉の風箱とが、ロータリキルン排ガス導管を介して接続されている装置であって、
熱交換器の臭気出口管がキルン窯前導入管、キルン窯尻導入管及び流動層炉フリーボード部導入管に分岐され、これらの分岐管に夫々臭気流量調節弁が備えられ、
ロータリキルンに焼成温度検出器又は／及び窯尻温度検出器が設けられ、該検出器とキルン窯前導入管の臭気流量調節弁とが、検出温度により臭気流量が制御可能に接続されていることを特徴とする地盤改良材の製造装置。
【請求項１０】
流動層炉の風箱に風箱温度検出器が設けられ、該検出器とキルン窯尻導入管の臭気流量調節弁とが、検出温度により臭気流量が制御可能に接続されている請求項９記載の地盤改良材の製造装置。
【請求項１１】
流動層炉の出口排ガス管に排ガス温度検出器が設けられ、該検出器とキルン燃料流量調節弁とが、検出温度によりキルン燃料供給量が制御可能に接続されている請求項９又は１０記載の地盤改良材の製造装置。
【請求項１２】
ロータリキルンにキルン回転数を調整するためのキルン回転数制御手段が設けられた請求項９、１０又は１１記載の地盤改良材の製造装置。
【請求項１３】
汚泥脱水ケーキと石灰とを混練するための混練機と、混練機からの混練物を造粒するための造粒機を備えた請求項９〜１２のいずれかに記載の地盤改良材の製造装置。
【請求項１４】
サイクロンが、上側部に接線方向に排ガスを導入する排ガス導入口を有するとともに、上面中央部に排ガス排出管を有する円筒胴体の下部に、略逆円錐胴体を連設し、この略逆円錐胴体の下部に拡大壁部を連設し、さらに、この拡大壁部に略逆円錐胴部を連設し、略逆円錐胴体の下端部内径Ｄ１と排ガス排出管の内径ｄがＤ１≧ｄの関係を有し、円筒胴体の内径Ｄと拡大壁部の下端部内径Ｄ２との間にＤ２＝（０．８〜１．０）×Ｄの関係を有するようにした高効率サイクロンである請求項９〜１３のいずれかに記載の地盤改良材の製造装置。
【請求項１５】
熱交換器が、臭気を通過させて加熱するための伝熱管が鉛直に配置された構造である請求項９〜１４のいずれかに記載の地盤改良材の製造装置。
【請求項１６】
流動層炉のガス分散板が、板体に貫通固定された多数の筒体の天壁部に、直径が流動媒体径の３倍以下の複数の小孔が設けられた構造である請求項９〜１５のいずれかに記載の地盤改良材の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、下水汚泥、産廃汚泥等の脱水ケーキに生石灰、消石灰等の石灰類を混合して脱水乾燥後造粒し、流動層炉で乾燥、有機物の焼却、消石灰の分解などの熱処理した後、ロータリキルンで焼成して地盤改良材を製造する方法及び装置、詳しくは、高品質で安定した製品を得ることができる地盤改良材の製造方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
下水汚泥、産廃汚泥等は、脱水乾燥された後、流動層炉又はロータリキルン等で汚泥中の有機物を焼却して埋立処分されていたが、近年、焼成、乾留等の処理を行う種々のリサイクル方法が開発されつつある。
従来、汚泥の脱水乾燥焼却方法及び装置として、例えば特開平６−１５２９７号公報には、汚泥と生石灰とを混合して汚泥の脱水・乾燥を行う脱水乾燥工程と、生成した固形分を流動層炉又は気流炉で加熱して汚泥中の有機物を焼却するとともに有機物の燃焼熱により消石灰を焼成して生石灰に再生する焼却再生工程からなる汚泥の脱水乾燥焼却システムが開示されている。
【０００３】
また、特開平１０−２３７８５２号公報には、下水汚泥等の有機汚泥と生石灰、消石灰等の石灰類とを混合し、その混合物を１〜１０mmに造粒した原料をロータリキルンで８００〜１０００℃の温度で乾燥・脱水・有機物焼却・消石灰焼成して地盤改良材を製造する方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記の特開平６−１５２９７号公報記載の汚泥の脱水乾燥焼却システムにおいては、流動層炉又は気流炉での滞留時間が短いため十分焼成できず、地盤改良材としての性能を満足させることができない。また、生石灰の微粉が再炭酸化及び再水酸化して装置内部に付着し、長期連続運転を行うことができないという問題がある。
また、特開平１０−２３７８５２号公報記載の地盤改良材の製造方法においては、ロータリキルンは伝熱性能が悪いため、ロータリキルンのみの乾焼・脱水・焼却・焼成では装置が大型化し、また、キルン排ガス中のダストが熱交換器に付着して連続運転を阻害し、付着物の除去に多大の労力を要する問題がある。
【０００５】
本発明は上記の諸点に鑑みなされたもので、本発明の目的は、高伝熱性能の流動層炉で造粒物（原料）の乾燥、乾燥・予熱又は乾燥・有機物焼却・消石灰焼成（分解）を行わせることにより、ロータリキルンを小型化することができ、高品質で安定した性能の良い地盤改良材を製造することができる方法及び装置を提供することにある。
また、本発明の目的は、造粒物（原料）の製造工場で発生する臭気を熱交換器でサイクロン排ガスと熱交換させることにより加熱した後、ロータリキルンの燃焼用空気としてロータリキルンの窯前に、並びにロータリキルンの窯尻もしくは流動層炉の風箱、及び／又はフリーボード部に吹き込むことにより、臭気処理をも確実に行うことができる地盤改良材の製造方法及び装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の地盤改良材の製造方法は、汚泥脱水ケーキに石灰を混合撹拌し造粒した造粒物を、下流のロータリキルンの排ガスを流動化ガスとする流動層炉に投入し造粒物を流動媒体として乾燥、乾燥・予熱又は乾燥・有機物焼却・消石灰焼成（分解）を行った後、流動層炉からの粒状物をロータリキルンに導入して焼成し、焼成粒状物（焼却灰とＣａＯの混合物）を流動層クーラに導入して冷却し、流動層炉からの排ガスをサイクロンに導入して除塵した後、サイクロンからの排ガスを熱交換器に導入して熱回収する方法であって、前記造粒物の製造過程で発生する臭気を熱交換器に導入して昇温し、加熱臭気をロータリキルンの燃焼用空気として該キルンの窯前に吹き込んで回収するとともに、余剰の加熱臭気を該キルンの窯尻もしくは流動層炉の風箱、及び／又はフリーボード部に吹き込んで脱臭し、加熱臭気のロータリキルンの窯前への吹込量、並びに加熱臭気の該キルンの窯尻もしくは流動層炉の風箱への吹込量、及び／又は加熱臭気の流動層炉のフリーボード部への吹込量を夫々調整できるようにし、ロータリキルンにおける焼成温度を製品品質（例えば、イグニションロス）を満足させる温度に設定し、この焼成温度を検出しこの検出温度によりロータリキルンの窯前に吹き込む臭気量を制御するように構成されている（図１参照）。
【０００７】
この方法において、製品品質を満足させる温度は８００〜１０００℃、望ましくは８５０〜９００℃である。
また、流動層炉の風箱温度をダストが付着しない温度に設定し、この温度を検出してこの検出温度によりロータリキルンの窯尻又は流動層炉の風箱に吹き込む臭気量を制御することが好ましい（図１参照）。この場合、ダストが付着しない温度とは、７５０℃以上、望ましくは８００℃以上である。
【０００８】
また、流動層炉の出口排ガス温度を脱臭工程で脱臭可能な温度に設定し、この温度を検出してこの検出温度によりキルン燃料供給量を制御することが好ましい（図１参照）。この場合、脱臭工程で脱臭可能な温度にするために、流動層炉の出口排ガス温度を６００〜６５０℃に設定する。さらに、製品の活性度を満足させるように、キルン回転数を制御することが好ましい（図１参照）。
これらの方法において、造粒物の粒径を流動層操作に適した１〜２０mm、望ましくは２〜１０mmとする。
【０００９】
本発明の地盤改良材の製造装置は、汚泥脱水ケーキと石灰とを混練し造粒した造粒物を投入し造粒物を流動媒体として乾燥、乾燥・予熱又は乾燥・有機物焼却・消石灰焼成を行うための流動層炉と、流動層炉からの粒状物を導入して焼成するためのロータリキルンと、ロータリキルンからの焼成粒状物を冷却するための流動層クーラと、流動層炉からの排ガスを導入してダストを分離するためのサイクロンと、このサイクロンからの排ガスを導入して熱回収するための熱交換器とを備え、ロータリキルンの窯尻と流動層炉の風箱とが、ロータリキルン排ガス導管を介して接続されている装置であって、熱交換器の臭気出口管がキルン窯前導入管、キルン窯尻導入管及び流動層炉フリーボード部導入管に分岐され、これらの分岐管に夫々臭気流量調節弁が備えられ、ロータリキルンに焼成温度検出器又は／及び窯尻温度検出器が設けられ、該検出器とキルン窯前導入管の臭気流量調節弁とが、検出温度により臭気流量が制御可能に接続されていることを特徴としている（図１参照）。
【００１０】
この装置において、流動層炉の風箱に風箱温度検出器が設けられ、該検出器とキルン窯尻導入管の臭気流量調節弁とが、検出温度により臭気流量が制御可能に接続されるように構成することが好ましい（図１参照）。また、流動層炉の出口排ガス管に排ガス温度検出器が設けられ、該検出器とキルン燃料流量調節弁とが、検出温度によりキルン燃料供給量が制御可能に接続されるように構成することが好ましい（図１参照）。さらに、ロータリキルンにキルン回転数を調整するためのキルン回転数制御手段が設けられた構成とすることが好ましい（図１参照）。
また、汚泥脱水ケーキと石灰とを混練するための混練機と、混練機からの混練物を造粒するための造粒機を備えるように構成することが好ましい（図１参照）。
【００１１】
サイクロンとしては、上側部に接線方向に排ガスを導入する排ガス導入口を有するとともに、上面中央部に排ガス排出管を有する円筒胴体の下部に、略逆円錐胴体を連設し、この略逆円錐胴体の下部に拡大壁部を連設し、さらに、この拡大壁部に略逆円錐胴部を連設し、略逆円錐胴体の下端部内径Ｄ１と排ガス排出管の内径ｄがＤ１≧ｄの関係を有し、円筒胴体の内径Ｄと拡大壁部の下端部内径Ｄ２との間にＤ２＝（０．８〜１．０）×Ｄの関係を有するようにした高効率サイクロンを用いることが好ましい（図２参照）。
【００１２】
また、熱交換器としては、臭気を通過させて加熱するための伝熱管が鉛直に配置された構造のものを用いることが好ましい（図３参照）。
さらに、流動層炉のガス分散板として、板体に貫通固定された多数の筒体の天壁部に、直径が流動媒体径の３倍以下、望ましくは２倍以下の複数の小孔が設けられた構造のものを用いることが好ましい（図４、図５参照）。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は下記の実施の形態に何ら限定されるものではなく、適宜変更して実施することができるものである。
図１は本発明の実施の第１形態による地盤改良材の製造装置を示している。１０は原料（造粒物）製造工場で、混練機１２、造粒機１４等を備えている。汚泥脱水ケーキと石灰類、例えば、生石灰を混練機１２に投入して混練する。生石灰は水分を吸収して消石灰となり、さらに発熱反応により汚泥脱水ケーキの水分を蒸発させる。生石灰の割合は、混練物の水分が造粒に適した範囲で、造粒物が流動層で破壊しない強度を有するよう選ばれる。汚泥・脱水ケーキの性状によるが、例えば、混練物の水分は２０〜３０％である。
混練物は造粒機１４に導入されて粒径１〜２０mm、望ましくは２〜１０mmに造粒される。なお、造粒機能を備えた混練機を用いることにより、混練と造粒とを１台の装置で同時に行うように構成することも可能である。
【００１４】
造粒機１４からの造粒物（原料）はホッパ１６に一旦貯留された後、供給機、例えばベルトフィーダ１８により流動層炉２０に供給される。流動層炉２０は、下部に風箱２２を備え、風箱上部のガス分散板２４の上側に造粒物が流動媒体となる流動層２６が形成されるように構成されている。この風箱２２には、後述のロータリキルン２８からの排ガスがロータリキルン排ガス導管３０を介して導入され、流動化ガスとして用いられる。
【００１５】
流動層炉２０に投入された造粒物（原料）は、ロータリキルン２８からの排ガスで流動化して、乾燥、又は乾燥・予熱、又は乾燥・汚泥中の有機物焼却・消石灰焼成（分解）が行われる。流動層炉２０からの粒状物（処理物）は気密排出機構、例えばＬバルブ３２を介してロータリキルン２８の窯尻３４に投入されてロータリキルン２８内で８００〜１０００℃、望ましくは８５０〜９００℃の温度で焼成される。３６はキルンバーナである。
ロータリキルン２８で焼成された焼成粒状物（焼却灰とＣａＯの混合物）は流動層クーラ３８に投入されて冷却用空気により冷却され、排出機、例えばロータリフィーダ４０により排出され、輸送機４２により製品として搬出される。流動層クーラ３８からの排ガスはバグフィルタ４４に導入されてダスト（微細焼成物）が分離された後、大気に放出される。捕集されたダストは輸送機４２により製品の一部として搬出される。４６は押込ブロワである。
【００１６】
流動層炉２０からの排ガスはサイクロン４８に導入されてダストが捕集され、サイクロン４８からの排ガスは熱交換器に導入される。熱交換器としては、排ガス流に対して直列に２段に設けることが好ましい。以下、熱交換器を２段に設けた場合について説明する。高温側の熱交換器５０には原料製造工場１０で発生した臭気が臭気ファン５４により導入され、低温側の熱交換器５２には冷却用空気（大気）が押込ブロワ５６により導入される。
低温側の熱交換器５２からの排ガスは排ガス誘引ファン５８によりバグフィルタ６０に導入され、ここでダストが分離された後、煙突６２から排出される。
高温側の熱交換器５０で加熱された臭気の一部は、ロータリキルン２８の燃焼用空気としてロータリキルンのバーナ３６の近傍又は直接バーナ３６に吹き込まれ、ロータリキルン内で臭気成分が燃焼又は分解して脱臭される。
高温側の熱交換器５０で加熱された臭気の残部は、ロータリキルンの窯尻３４もしくは流動層炉の風箱２２に吹き込まれるか、又は流動層炉のフリーボード部６４に吹き込まれて脱臭される。
【００１７】
熱交換器を２段にする場合は、熱回収量は減少するが、装置を小型化（伝熱面積が１／３〜１／４となる）でき、また冷却用空気量を調整することにより、排ガス温度を一定にすることができる。このため、後流のバグフィルタを保護することができ、安定運転を継続することができるという利点がある。
【００１８】
高温側の熱交換器５０の臭気出口管は、キルン窯前導入管６６、キルン窯尻導入管６８及び流動層炉フリーボード部導入管７０に分岐しており、これらの分岐管に臭気流量調節弁７２、７４、７６が夫々設けられている。
ロータリキルン２８には、焼成温度検出器１０６及び窯尻温度検出器１０８が設けられ、これらの検出器１０６、１０８とキルン窯前導入管６６の臭気流量調節弁７２とが、検出温度により臭気流量が制御できるように連動接続されている。
また、流動層炉２０の風箱２２に風箱温度検出器１１０が設けられ、この検出器１１０とキルン窯尻導入管６８の臭気流量調節弁７４とが、検出温度により臭気流量が制御できるように連動接続されている。
【００１９】
また、流動層炉２０の出口排ガス管に排ガス温度検出器１１２が設けられ、この検出器１１２とキルン燃料流量調節弁１１４とが、検出温度によりキルン燃料供給量が制御できるように連動接続されている。
さらに、ロータリキルン２８には、キルン回転数を調整するためのキルン回転数制御手段１１６が設けられている。１１８はキルン回転用のモータ、１２０は回転数設定器である。
【００２０】
上記のような構成において、ロータリキルン２８における焼成温度を製品品質を満足させる温度、例えば、８００〜１０００℃、望ましくは８５０〜９００℃に設定し、この焼成温度を焼成温度検出器１０６及び／又は窯尻温度検出器１０８で検出し、この検出温度によりロータリキルン２８の窯前に（ロータリキルンに直接に、又はキルンバーナに）吹き込む臭気量を制御する。すなわち、焼成温度検出器１０６及び／又は窯尻温度検出器１０８の検出温度が設定温度より高くなると、弁７２の開度を大きくして臭気供給量を増やしてキルン内の温度を下げ、一方、検出温度が設定温度よりも低くなると、弁７２の開度を小さくして臭気供給量を減らしてキルン内の温度を上げる。
【００２１】
また、流動層炉２０の風箱温度をダストが付着しない温度、例えば、７５０℃以上、望ましくは８００℃以上に設定し、この温度を風箱温度検出器１１０で検出し、この検出温度によりロータリーキルン２８の窯尻３４又は流動層炉２０の風箱２２に吹き込む臭気量を制御する。すなわち、風箱温度検出器１１０の検出温度が設定温度より低くなると、弁７４の開度を小さくして臭気供給量を減らして風箱内の温度を上げる。なお、残りの臭気は流動層炉のフリーボード部６４に導入される。
【００２２】
また、流動層炉２０の出口排ガス温度を、後流の脱臭工程で脱臭可能な温度、例えば６００〜６５０℃に設定し、この温度を排ガス温度検出器１１２で検出し、この検出温度によりキルン燃料供給量を制御する。すなわち、排ガス温度検出器１１２の検出温度が設定温度より高くなると、キルン燃料流量調節弁１１４の開度を小さくして燃料供給量を減らして流動層炉排ガス内の温度を下げ、一方、検出温度が設定温度よりも低くなると、弁１１４の開度を大きくして燃料供給量を増やして流動層炉排ガスの温度を上げる。
【００２３】
最終製品としては、活性度に優れた製品、つまり反応性の良いＣａＯを含む製品であることが要求される。ロータリキルン２８内で焼成しすぎると活性が低下するので、焼成しすぎないように、ロータリキルンの回転数を適正に調整することが好ましい。
このためには、例えば、回転数設定器１２０に適正な回転数を設定し、モータ１１８を制御してキルン回転数を適正回転数に制御する。
【００２４】
上記のように、高温側の熱交換器５０からの加熱臭気の分岐された導入管６６、６８、７０には、それぞれ流量調節弁７２、７４、７６が設けられており、加熱臭気のロータリキルン２８窯前のバーナ３６近傍もしくはバーナへの吹込量、並びに加熱臭気のロータリキルンの窯尻３４もしくは流動層炉の風箱２２への吹込量、及び／又は加熱臭気の流動層炉のフリーボード部６４への吹込量を、それぞれ調整することができるように構成されている。
このように、臭気の吹込配分を調整することができるので、各部の温度をダスト付着のない温度、すなわち、例えば、流動層炉風箱７５０〜８００℃以上、熱交換器入口５５０〜６００℃以上に設定することができる。
【００２５】
上記の装置において、熱交換器５０、５２内のダストの付着を減少させて熱効率を維持する必要がある。このため、サイクロン４８としては、例えば、実公平７−４６３５７号公報に示されているような高効率サイクロン（コマ型サイクロン）を用いることが好ましい。この高効率サイクロンは、図２に示すように、上側部に接線方向に排ガスを導入する排ガス導入口８２を有するとともに、上面中央部に排ガス排出管８４を有する円筒胴体８６の下部に、略逆円錐胴体８８を連設し、この略逆円錐胴体８８の下部に拡大壁部９０を連設し、さらに、この拡大壁部９０に略逆円錐胴部９２を連設し、略逆円錐胴体８８の下端部内径Ｄ１と排ガス排出管８４の内径ｄがＤ１≧ｄの関係を有し、円筒胴体８６の内径Ｄと拡大壁部９０の下端部内径Ｄ２との間にＤ２＝（０．８〜１．０）×Ｄの関係を有するように構成されたものである。このような構造のサイクロンを使用することにより、流動層炉２０からの排ガス中のダストを効率よく捕集することができる。
【００２６】
また、熱交換器５０としては、図３に示すように、臭気を通過させて加熱するための伝熱管９４が鉛直に配置された構造のものを用いることが好ましい。このように構成すれば、ダストの付着、堆積が少なく清掃も容易となる。なお、低温側の熱交換器５２も同様の構造とすることが好ましい。
さらに、流動層炉２０のガス分散板２４として、例えば、実公平７−３７１１３号公報に示されているような特殊構造の分散板とすることが好ましい。この特殊構造の分散板は、図４及び図５に示すように、板体９６に貫通固定された多数の筒体９８の天壁部１００に、直径が流動媒体径の３倍以下、望ましくは２倍以下の複数の小孔１０２が設けられたものである。このような構造の分散板を用いることにより、流動媒体を高温のまま保持するホットバンキングが可能となる。また、ガス分散板２４の上側近傍に補助バーナ（図示略）を設けることがあり、この場合は、立ち上げ時の臭気の脱臭が可能となる。
【００２７】
【発明の効果】
本発明は上記のように構成されているので、つぎのような効果を奏する。
（１）  高伝熱性能の流動層炉で原料（造粒物）の乾燥、又は乾燥・予熱、又は乾燥・有機物の焼却・消石灰の焼成（分解）を行うので、下流のロータリキルンを小型化することができる上に、焼成温度を製品品質（イグニションロス）を満足する温度に設定し、窯前に吹き込む臭気量を制御するので、高品質で安定した製品を得ることができる。
（２）  原料が造粒物であるので、造粒物自体が流動媒体となり、他の流動媒体は不要である。また、クーラとして小型、高効率の流動層クーラを使用することができる。
（３）  流動層炉からの処理物をロータリキルンで十分時間をかけて焼成することができるので、高品質の地盤改良材を得ることができる。
（４）  流動層炉の排ガスで臭気を加熱し熱回収することにより、熱消費を低減することができる。
（５）  臭気の吹込配分を調整する場合は、各部の温度をダスト付着のない温度に設定することができる。また、各部の温度を脱臭可能な温度に設定することができるので、臭気処理を確実に行うことができる。
（６）  流動層炉の風箱温度を所定温度以上に設定し、窯尻に吹き込む臭気量を制御することにより、流動層炉のガス分散板のダストによる目詰まりをより確実に防止することができ、長期連続安定運転が可能となる。
（７）  流動層炉の出口排ガス温度を所定温度に設定し、キルン燃料供給量を制御することにより、臭気をより確実に脱臭することができる。
（８）  製品品質（活性度）を満足させるように、キルン回転数を制御することにより、さらに高品質で安定した製品を得ることができる。
（９）  流動層炉の排ガスを高集塵効率のサイクロンで除塵する場合は、熱交換器内のダスト付着が大幅に減少し、熱効率を維持することができるとともに、長期連続運転が可能となる。
（１０）  伝熱管が鉛直に配列された熱交換器を用いる場合は、ダストの付着、堆積が少なく清掃も容易となる。
（１１）  特殊構造のガス分散板を用いる場合は、ホットバンキングを行うことが可能となる。従って、起動・停止操作が短時間で行え、異常時の操作も容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の第１形態による地盤改良材の製造装置を示す系統的概略構成図である。
【図２】図１におけるサイクロンの一例を示す立面説明図である。
【図３】図１における熱交換器の一例を示す立面説明図である。
【図４】図１における流動層炉のガス分散板の一例を示す断面説明図である。
【図５】図４におけるガス分散板の要部の平面図である。
【符号の説明】
１０  原料製造工場
１２  混練機
１４  造粒機
１６  ホッパ
１８  ベルトフィーダ
２０  流動層炉
２２  風箱
２４  ガス分散板
２６  流動層
２８  ロータリキルン
３０  ロータリキルン排ガス導管
３２  Ｌバルブ
３４  窯尻
３６  キルンバーナ
３８  流動層クーラ
４０  ロータリフィーダ
４２  輸送機
４４、６０  バグフィルタ
４６、５６  押込ブロワ
４８  サイクロン
５０、５２  熱交換器
５４  臭気ファン
５８  排ガス誘引ファン
６２  煙突
６４  フリーボード部
６６  キルン窯前導入管
６８  キルン窯尻導入管
７０  流動層炉フリーボード部導入管
７２、７４、７６  臭気流量調節弁
８２  排ガス導入口
８４  排ガス排出管
８６  円筒胴体
８８  略逆円錐胴体
９０  拡大壁部
９２  略逆円錐胴部
９４  伝熱管
９６  板体
９８  筒体
１００  天壁部
１０２  小孔
１０６  焼成温度検出器
１０８  窯尻温度検出器
１１０  風箱温度検出器
１１２  排ガス温度検出器
１１４  キルン燃料流量調節弁
１１６  キルン回転数制御手段
１１８  モータ
１２０  回転数設定器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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