(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に形成された複数の走査線および複数のデータ線、該複数の走査線および複数のデータ線にそれぞれ電気的に接続された複数の画素スイッチング素子、および該複数の画素スイッチング素子にそれぞれ電気的に接続された複数の画素電極を備える第１の基板と、対向電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶とを有する電気光学装置において、
前記画素電極は、前記走査線および前記データ線のうちの少なくとも一方の信号線を挟んで隣接する画素電極に向けて、当該信号線を越えて張り出した張り出し領域を備えており、
前記画素電極の張り出し領域は、前記隣接する画素電極に向けて略矩形の平面形状をもって張り出し、
前記隣接する画素電極の前記張り出し領域は、前記信号線の延設方向で交互に並んでいることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１において、前記液晶は、垂直配向モードの液晶であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記張り出し領域が形成されている側で隣接する画素電極の間では、前記張り出し領域の張り出し方向と直交する方向における電極間距離が前記張り出し領域の張り出し方向における電極間距離よりも短いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記複数の画素電極は、第１の周期で反転駆動されるための第１の画素電極群と、前記第１の周期と相補の第２の周期で反転駆動されるための第２の画素電極群とからなり、
前記張り出し領域は、前記隣接する画素電極のうち、異なる画素電極群に属する画素電極に向けて張り出していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記画素電極は、透明な導電膜から形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記画素電極は、反射性を備える導電膜から形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに規定する電気光学装置を用いた投射型表示装置であって、光源と、該光源から出射された光を前記電気光学装置によって光変調する光変調手段と、該光変調手段で光変調された光を投射する投射光学系とを有することを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置およびこの電気光学装置を用いた投射型表示装置に関するものである。さらに詳しくは、電気光学装置における画素の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
各種の電気光学装置のうち、たとえば、アクティブマトリクス型の液晶装置においては、図１に示すように、画像表示領域に形成されている複数の画素１Ａの各々に対して、アクティブマトリクス基板（第１の基板）の側に、画素電極９と、この画素電極９を制御するためのＴＦＴ３０（薄膜トランジスタ／画素スイッチング素子）とがマトリクス状に複数形成され、これらのＴＦＴ３０のソースには、画像信号を供給するデータ線６が電気的に接続されている。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３が電気的に接続され、所定のタイミングで、走査線３にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで各画素１Ａに書き込む。各画素１Ａにおいて、画素電極９を介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する対向基板（第２の基板）に形成された対向電極との間に一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。
【０００３】
このように構成した電気光学装置において、従来のアクティブマトリクス基板では、たとえば、図１５に示すように、各画素１Ａを構成する複数の画素電極９（図１５では、輪郭を実線で示すとともに、形成領域に右上がりの斜線を付してある）の縦横の境界に沿って、データ線６（図１５では、輪郭を一点鎖線で示す）、走査線３（図１５では、輪郭を二点鎖線で示す）、および容量線４（図１５では、輪郭を二点鎖線で示す）が形成されている。また、島状に形成された半導体膜１０Ａを利用して、走査線３をゲート電極とするＴＦＴ３０が形成されている。
【０００４】
図１５のＥ−Ｅ′線における断面は、図１６に示すように表される。図１６に示すように、アクティブマトリクス基板１０には、各画素１Ａ毎に、ＴＦＴ３０および画素電極９が対になって形成され、その表面側には、ラビング処理などといった所定の配向処理が施された配向膜１４が形成されている。液晶５０を垂直配向モードで使用するときには、配向膜１４は、ポリイミド薄膜などの有機薄膜などからなる垂直配向膜として形成される。
【０００５】
電気光学装置１では、アクティブマトリクス基板１０に対して、対向電極２１が形成された対向基板２０が対向配置され、画素電極９と対向電極２１とが対向する状態にある。また、アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０との間には、電気光学物質の一例である液晶５０が封入され、液晶５０の層が形成される。
【０００６】
対向基板２０において、対向電極２１はその全面に渡って形成され、その表面側には、ラビング処理などといった所定の配向処理が施された配向膜２２が形成されている。液晶５０を垂直配向モードで使用するときには、配向膜２２も、ポリイミド薄膜などの有機薄膜などからなる垂直配向膜として形成される。液晶５０は、画素電極９からの電界が印加されていない状態で配向膜１４、２２により所定の配向状態をとる。なお、対向基板２０には、ブラックマトリクスあるいはブラックマスクなどと称せられる遮光膜２３も形成されている。
【０００７】
対向基板２０は、一般に光入射側に配置されるので、対向基板２０としては透明な基板が用いられ、対向電極２１は、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜などの透明導電膜から形成される。
【０００８】
このように構成した電気光学装置１では、直流電圧印加による液晶５０の劣化防止、表示画像におけるクロストークやフリッカの防止などのために、各画素電極９に印加される電位極性を所定期間毎に反転させる反転駆動方式が採用されていることが多い。
【０００９】
この反転駆動方式では、一のフレームまたはフィールドの画像信号に対応する表示を行う間は、奇数行に配列された画素電極９を対向電極２１の電位を基準として正極性の電位で駆動するとともに、偶数行に配列された画素電極９を対向電極２１の電位を基準として負極性の電位で駆動し、これに続く次のフレームまたはフィールドの画像信号に対応する表示を行う間は、逆に偶数行に配列された画素電極９を正極性の電位で駆動するととともに、奇数行に配列された画素電極９を負極性の電位で駆動する。この方式において、同一行の画素電極９を同一極性の電位により駆動しつつ、このような電位の極性を行毎にフレームまたはフィールド周期で反転させる方式を１Ｈ反転駆動方式といい、この方式は、制御が比較的容易であり高品位の画像表示を可能ならしめる反転駆動方式として用いられている。
【００１０】
これに対して、図１７を参照して後述するように、同一列の画素電極９を同一極性の電位により駆動しつつ、このような電位の極性を列毎にフレームまたはフィールド周期で反転させる方式は、１Ｓ反転駆動方式といい、この方式も、制御が比較的容易であり高品位の画像表示を可能ならしめる反転駆動方式として用いられている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このように構成した電気光学装置１において、液晶５０を垂直配向モードで使用すると、正面コントラストは、画素電極９と対向電極２１との間で液晶５０に電界が印加されることにより液晶５０がすべて同一方向に倒れたときに最大となる。しかしながら、電気光学装置１を１Ｈ反転駆動あるいは１Ｓ反転駆動（ソースライン反転駆動）などといったライン反転駆動や、ドット反転駆動を採用したときには、たとえ、配向処理などによって液晶５０にプレチルト角を付与しておいても、隣接する画素１Ａとの電位差によって生じる横電界のため、液晶５０の倒れる方向を制御できないことがある。このような現象が発生すると、例えばノーマリホワイトモードで用いたとき、電界をかけていない画素１Ａにおいても、隣接する画素１Ａからの横電界の影響を受けて液晶５０が倒れてしまうので、十分な明るさを得ることができないとともに、電界を加えたときには、液晶が倒れる向きを一様に制御できないので、画素領域で十分に光をさえぎることが出来ず、コントラストが低下する。
【００１２】
この様子を図１７を参照して説明する。図１７は、１Ｓ反転駆動方式を採用した電気光学装置１において、各画素電極９における電位極性と横電界が生じる領域との関係を示す説明図であり、この図１７には、画素電極９、走査線３およびデータ線６のみを図示してある。
【００１３】
図１７において、１Ｓ反転駆動方式を採用した電気光学装置１では、ｎ（但し、ｎは自然数）番目のフィールドあるいはフレームの画像信号を表示する期間中、画素電極９毎に「＋」または「−」で示す液晶駆動電位の極性は反転されず、列毎に同一極性で画素電極９が駆動される。その後、ｎ＋１番目のフィールドあるいはｎ+１番目のフレームの画像信号を表示するに際しては、各画素電極９における液晶駆動電位の極性は、図１７に示す状態から反転され、このｎ＋１番目のフィールドあるいは１フレームの画像信号を表示する期間中、画素電極９毎に「＋」または「−」で示す液晶駆動電位の極性は反転されず、列毎に同一極性で画素電極９が駆動される。このような極性反転は、列毎に１フィールドまたは１フレームの周期で繰り返されて１Ｓ反転駆動方式による駆動が行われる。このような駆動方法により、直流電圧印加による液晶５０の劣化を避けつつ、クロストークやフリッカの低減された画像表示を行える。但し、１Ｓ反転駆動方式を採用した電気光学装置１では、図１６および図１７からわかるように、図面に向かって横方向（Ｘ方向）に相隣接する画素電極９間の境界領域は、常時、横電界の発生領域Ｃ２となる。従って、１Ｓ反転駆動方式を採用した電気光学装置１では、データ線６を挟む両側の画素１Ａ間で液晶５０に対して横電界がかかる。それ故、例えばノーマリホワイトモードで用いた場合に、ある画素１Ａで白表示を行うときでも、この画素１Ａの液晶５０が画素周辺部から横電界の影響を受けて倒れてしまい、輝度が低下するとともに、黒表示についても、液晶が一様に倒れないので十分に光をさえぎることができず、コントラストが低下するのである。
【００１４】
このように従来の電気光学装置１では、画素電極９の端部全体が隣接する画素１Ａから横電界の影響を受ける結果、図１７に等コントラスト線を示すように、横電界の影響が画素電極９の広い範囲にわたって及ぶため、輝度が著しく低下するとともに、コントラストも著しく低下するという問題点がある。
【００１５】
このような横電界の影響は、ライン反転駆動方式やドット反転駆動方式を用いた場合に限らず、隣接する画素１Ａ間で、印加された画像信号に電位差があるときにも発生する。
【００１６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、隣接する画素間で横電界の影響が及ぶ領域を限定することにより、明るく、かつ、コントラストの高い表示を行なうことのできる電気光学装置、およびそれを用いた投射型表示装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、マトリクス状に形成された複数の走査線および複数のデータ線、該複数の走査線および複数のデータ線にそれぞれ電気的に接続された複数の画素スイッチング素子、および該複数の画素スイッチング素子にそれぞれ電気的に接続された複数の画素電極を備える第１の基板と、対向電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に挟持された液晶とを有する電気光学装置において、前記画素電極は、前記走査線および前記データ線のうちの少なくとも一方の信号線を挟んで隣接する画素電極に向けて、当該信号線を越えて張り出した張り出し領域を備えており、前記画素電極の張り出し領域は、前記隣接する画素電極に向けて略矩形の平面形状をもって張り出し、前記隣接する画素電極の前記張り出し領域は、前記信号線の延設方向で交互に並んでいることを特徴とする。
【００１８】
本発明では、画素電極の張り出し領域は、隣接する画素電極に向けて張り出しているので、隣接する画素電極間で横電界が発生したとき、この横電界の影響は、画素電極の張り出し領域に集中し、画素電極の中央部分にまで及ばない。また張り出し部の形状によって横電界が発生する方向を、液晶の配向に影響を与えにくい方向に制御することができる。従って、画素電極の張り出し領域と対向電極との間の液晶部分は、横電界の影響を受けて配向が乱れるが、画素電極の中央部分と対向電極との間の液晶部分は、横電界の影響を受けることなく配向する。このように、本発明では、横電界の影響を受けるのは、画素電極の張り出し領域に相当する部分に限定され、画素全体にまでは及ばないので、明るく、かつ、コントラストの高い表示を行なうことができる。
【００１９】
また、本発明は、前記液晶として、とくに垂直配向モードの液晶を用いたときに効果的である。
【００２０】
一般的に垂直配向モードの液晶を、初期配向状態が黒になる（ノーマリーブラック）ようにして用いると、高いコントラストが得られることが知られているが、横電界の影響によって、電界印加状態での液晶配向が一様にならないので光透過率が十分得られず、暗い表示になってしまう。しかし本発明の内容の適用により、このような問題を解決し、十分に明るく、かつコントラストも高い表示を得ることができる。
【００２１】
参考発明において、前記走査線および前記データ線のうちの少なくとも一方の信号線は、該信号線の延設方向において所定の間隔を空けて両側に向けて突出する突出部分を備え、前記画素電極の張り出し領域は、当該信号線の延設方向で隣接する前記突出部分の間に位置している構成を採用することができる。
【００２２】
このような構成により、隣接画素間だけでなく、画素と配線との間に生じる横電界の影響をも、抑えることができる。このような構成は、特にＴＦＴ素子などを用いた透過型の電気光学装置に適している。
【００２３】
本発明において、前記画素電極は、前記走査線および前記データ線のうちの少なくとも一方の信号線を挟んで隣接する画素電極に向けて、当該信号線を越えて張り出した張り出し領域を備えている。このような構成は、反射型の電気光学装置において横電界の影響を抑えるのに適している。
【００２４】
反射型の電気光学装置においては、配線部分と、画素電極を容易に積層することができ、表示エリア内における画素電極の面積を高くすることができる。その場合は、隣接画素同士の張り出し領域が噛み合った、このような構成により、横電界の影響を抑えることができる。
【００２５】
本発明において、前記画素電極の張り出し領域は、前記隣接する画素電極に向けて略矩形の平面形状をもって張り出し、前記隣接する画素電極の前記張り出し領域は、前記信号線の延設方向で交互に並んでいる。
【００２６】
このような張り出し領域の形状により、横電界の方向を、画素間方向だけでなく、それとは反対の画素間の境界線方向にも作り出すことができる。このように作り出された横電界により、画素間方向の横電界が画素中央部に及ぶのを抑えることが可能になる。
【００２７】
この場合に、前記張り出し領域が形成されている側で隣接する前記画素電極の間では、前記張り出し領域の張り出し方向と直交する方向における電極間距離が前記張り出し領域の張り出し方向における電極間距離よりも短いことが好ましい。
【００２８】
このように、画素電極の張り出し領域が張り出している方向と直交する方向において画素電極間の隙間が狭い構成であれば、張り出し領域が形成されている側で隣接する画素間で横電界が発生したとき、液晶などの電気光学物質は、画素電極間の隙間が狭い方向、すなわち横電界が作用する方向と直交する方向に横電界の影響を優先的に受けることになる。従って、画素電極の中央部分にまで横電界の影響が及ぶことを防止することができる。
【００２９】
参考発明において、前記画素電極の張り出し領域は、隣接する画素電極に頂点を向ける略三角形の平面形状をもって張り出し、隣接する画素電極の前記張り出し領域が前記信号線の延設方向で交互に並んでいる構成であってもよい。
【００３０】
このように、隣接する画素電極同士が張り出し領域の斜辺に相当する部分で隣接する構成であれば、張り出し領域が形成されている側で隣接する画素間で横電界が発生したとき、液晶などの電気光学物質は、横電界が作用する方向に対して斜めの方向に横電界の影響を優先的に受けることになる。従って、画素電極の中央部分にまで横電界の影響が及ぶことを防止することができる。
【００３１】
本発明は、前記複数の画素電極は、第１の周期で反転駆動されるための第１の画素電極群と、前記第１の周期と相補の第２の周期で反転駆動されるための第２の画素電極群とからなる場合に、前記張り出し領域は、隣接する画素電極のうち、異なる画素電極群に属する画素電極に向けて張り出していると効果的である。
【００３２】
本発明において、電気光学装置を透過型で構成する場合には、前記画素電極としては、透明な導電膜を用いる。
【００３３】
これに対して、電気光学装置を反射型で構成する場合には、前記画素電極としては、反射性を備える導電膜を用いる。本発明では、隣接する画素間での横電界の影響を最小限に抑えてあるので、反射型の電気光学装置において、隣接する画素に向けて画素電極を張り出させたときに、隣接する画素電極間の距離を狭くすることができる。従って、画素電極の形成面積を拡張することができるため、出射光量の増大を図ることができるので、明るい表示を行なうことができる。
【００３４】
本発明に係る電気光学装置は、コントラストが高く、かつ、明るい表示が可能であるので、光源と、該光源から出射された光を光変調する光変調手段と、該光変調手段で光変調された光を投射する投射光学系とを有する投射型表示装置において、光変調手段として本発明に係る電気光学装置として用いることが好ましい。
【００３５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の各実施形態は、電気光学装置の代表的な一例である液晶装置に本発明を適用したものである。なお、各実施形態毎の説明に先立って、各実施形態において共通な電気光学装置の全体構成を説明する。また、各実施形態の説明にあたっては、図１５ないし図１７を参照して説明した従来構成と共通する機能を有する部分には同一の符号を付して説明するとともに、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３６】
［全体構成］
図１は、電気光学装置において、画像表示領域でマトリクス状に形成された複数の画素の各々に形成された各種素子、配線などの等価回路図である。図２は、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置を対向基板の側から見た平面図である。図３は、図２のＨ−Ｈ´の断面図である。
【００３７】
図１において、電気光学装置１の画像表示領域を構成する複数の画素１Ａの各々には、画素電極９と、この画素電極９を制御するためのＴＦＴ３０（画素スイッチング素子）とがマトリクス状に複数形成されている。また、画素電極９の縦横の境界に沿っては、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを各画素１Ａに供給する走査線３と、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素１Ａに供給するデータ線６とがマトリクス状に形成されている。
【００３８】
各画素１Ａにおいて、ＴＦＴ３０のソースにはデータ線６が電気的に接続されている。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３が電気的に接続され、所定のタイミングで、走査線３にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを印加するように構成されている。また、画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。なお、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、容量線４を利用して、画素電極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量８０が付加されている。
【００３９】
本形態の電気光学装置１において、各画素１Ａを駆動するにあたっては、１Ｓ反転駆動方式（ソースライン反転方式）が採用されている。この駆動方式については、図１７を参照して説明したので、ここでは説明を省略するが、ＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から各画素１Ａの画素電極９に対して画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで供給される。このような信号供給によって、画素電極９を介して各画素１Ａに書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する対向基板に形成された対向電極と画素電極９との間に一定期間保持される。その結果、対向電極と画素電極９との間に挟持された液晶は、印加された電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することによって、入射してきた光を変調し、電気光学装置１での階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過不可能とされ、ノーマリーブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶部分を通過可能とされ、全体として電気光学装置１からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。
【００４０】
このような電気光学装置１は、たとえば、図２および図３に示すように構成される。図２および図３において、電気光学装置１は、画素電極９がマトリクス状に形成された透明なアクティブマトリクス基板１０（第１の基板）と、対向電極２１が形成された透明な対向基板２０（第２の基板）と、これらの基板１０、２０間に封入、挟持されている液晶５０（電気光学物質）とから概略構成されている。
【００４１】
アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０とは、対向基板２０の外周縁に沿って形成されたギャップ材含有のシール材５２によって所定の間隙を介して貼り合わされている。アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０との間には、ギャップ材含有のシール材５２によって液晶封入領域３９が区画形成され、この内側に液晶５０が封入されている。シール材５２としては、エポキシ樹脂や各種の紫外線硬化樹脂などを用いることができる。また、ギャップ材としては、約２μｍ〜約１０μｍの無機あるいは有機質のファイバ若しくは球を用いることができる。
【００４２】
対向基板２０はアクティブマトリクス基板１０よりも小さく、アクティブマトリクス基板１０の周辺部分は、対向基板２０の外周縁よりはみ出た状態に貼り合わされる。従って、アクティブマトリクス基板２０の駆動回路（走査線駆動回路７０やデータ線駆動回路６０）や入出力端子４５は対向基板２０から露出した状態にある。
【００４３】
シール材５２は、部分的に途切れて液晶注入口２４１が構成されている。対向基板２０とアクティブマトリクス基板１０とを貼り合わせた後、液晶注入口２４１から液晶を封入した後、液晶注入口２４１を封止剤２４２で塞ぐ。
【００４４】
対向基板２０には、ブラックマトリクスなどと称せられる遮光膜２３が形成されているとともに、その表面には、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向基板２０には、シール材５２の内側において画像表示領域７を見切りするための表示見切り用の遮光膜５５も形成されている。さらに、対向基板２０のコーナー部のいずれにも、アクティブマトリクス基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとるための上下導通材５６が形成されている。
【００４５】
［参考の形態１］
図４および図５はそれぞれ、本形態の電気光学装置１において、データ線、走査線、画素電極などが形成されたアクティブマトリクス基板の相隣接する複数の画素群の一部を示す平面図、およびこれらの構成要素のうち、データ線、走査線、画素電極のみを示した説明図である。図６は、図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で電気光学装置１を切断したときの断面図である。
【００４６】
図４および図５において、本形態の電気光学装置１は透過型の液晶装置であり、アクティブマトリクス基板１０では、いずれの画素１Ａにも、ＩＴＯ膜などからなる複数の透明な画素電極９（図４では、輪郭を実線で示すとともに、形成領域に右上がりの斜線を付してある）がマトリクス状に形成されている。また、画素電極９の縦横の境界に沿っては、データ線６（図４では、輪郭を一点鎖線で示す）、および走査線３（図４では、輪郭を二点鎖線で示す）とともに、容量線４（図４では、輪郭を二点鎖線で示す）が形成されている。
【００４７】
本形態において、データ線６は、ポリシリコン膜などからなる半導体膜１０Ａ（図４では、輪郭を点線で示す）のうち、ＴＦＴ３０のソース領域１６に対してコンタクトホールを介して電気的に接続している。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１５に対向するように走査線３がゲート電極として延びている。なお、蓄積容量８０は、ＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１０Ａの延設部分に相当する半導体膜４０Ａ（図４では、輪郭を点線で示す）を導電化したものを下電極４１とし、この下電極４１に対して容量線４が上電極として重なった構造になっている。
【００４８】
図６において、アクティブマトリクス基板１０の表面には下地絶縁膜１０１の上に島状の半導体膜１０Ａ、４０Ａが形成されている。また、半導体膜１０Ａの表面にはシリコン酸化膜などからなるゲート絶縁膜１３が形成され、このゲート絶縁膜１３の上に走査線３（ゲート電極）が形成されている。半導体膜１０Ａのうち、走査線３に対してゲート絶縁膜１３を介して対峙する領域がチャネル領域１５になっている。このチャネル領域１５に対して一方側には、低濃度ソース領域１６１および高濃度ソース領域１６２を備えるソース領域１６が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域１７１および高濃度ドレイン領域１７２を備えるドレイン領域１７が形成されている。
【００４９】
このようにして構成されたＴＦＴ３０については、ＬＤＤ構造をもつことが好ましいが、オフセット構造であってもよいし、走査線３をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み自己整合的に高濃度ソースおよびドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００５０】
ＴＦＴ３０の表面側には、第１の層間絶縁膜１９１および第２の層間絶縁膜１９２が形成され、第１の層間絶縁膜１９１の表面に形成されたデータ線６は、第１の層間絶縁膜１９１に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域１６２に電気的に接続している。画素電極９は、第２の層間絶縁膜１９２に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極１８に電気的に接続し、このドレイン電極１８は、第１の層間絶縁膜１９１に形成されたコンタクトホールを介してドレイン領域１７の高濃度ドレイン領域１７２に電気的に接続している。高濃度ドレイン領域１７２から延設された半導体膜４０Ａには、下電極４１が形成され、この下電極４１に対しては、ゲート絶縁膜１３と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して容量線４が対向している。このようにして蓄積容量８０が形成されている。
【００５１】
また、アクティブマトリクス基板１０において、画素電極９の表面側にはポリイミド系材料からなる配向膜１４が形成されている。
【００５２】
これに対して、対向基板２０の側には、透明な対向電極２１の他、各画素１Ａ毎の非開口領域を規定する遮光膜２３が形成され、対向電極２１の表面にはポリイミド系材料からなる配向膜２２が形成されている。
【００５３】
これらの配向膜１４、２２はそれぞれ、液晶５０を垂直配向モードで使用することを目的に、ポリイミド系材料などからなる垂直配向膜として形成されているとともに、液晶５０に所定のプレチルト角を付与するようにラビング処理などといった配向処理が施されている。従って、液晶５０は、電界を印加されていない状態で液晶分子がその長軸方向を基板の厚さ方向（基板に対して垂直方向）に向けて起立してホメオトロピック配向するとともに、負の誘電率異方性を有する液晶５０の場合には、電界を印加すると、液晶分子は、配向膜１４、２２のプレチルトで規定されながら基板に対して平行な方向に倒れてホモジニアス配向する。すなわち、電気光学装置１において、データ線６からＴＦＴ３０を介して各画素１Ａに対して画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ（図１を参照）が供給されたとき、画素電極９と対向電極２１との間に電界が印加された画素１Ａでは、液晶５０が配向膜１４、２２のプレチルトにより規定される方向に倒れる。
【００５４】
本形態の電気光学装置１では、１Ｓ反転駆動方式が採用されているので、同一の走査線３に沿って並ぶ各画素１Ａでは極性が反転した信号が印加される結果、図５および図６に示すように、横方向（Ｘ方向）に相隣接する画素１Ａ（画素電極９）の境界領域は、横電界の発生領域Ｃ２となる。すなわち、１Ｓ反転駆動方式を採用すると、第１の周期で反転駆動される第１の画素電極群と、第１の周期と相補の第２の周期で反転駆動される第２の画素電極群とがＸ方向で交互に並ぶことになり、Ｘ方向で隣接する異なる画素電極群に属する画素電極９の間に横電界が発生する。
【００５５】
このような横電界に対する対策として、本形態では、各画素１Ａの画素電極９は、データ線６の両側（Ｘ方向）で隣接する画素電極９に向けて張り出した張り出し領域９１を備えている。ここで、データ線６は、このデータ線６の延設方向（Ｙ方向）において所定の間隔を隔てて両側に突出する突出部分６１を備えており、画素電極９の張り出し領域９１は、データ線６の延設方向で隣接する突出部分６１の間に位置している。
【００５６】
このように構成した電気光学装置１において、Ｘ方向で隣接する画素１Ａやデータ線６との間に横電界が発生したとき、この横電界によって液晶５０の配向に乱れが発生する。しかるに本形態では、画素電極９には、Ｘ方向で隣接する画素電極９に向けて張り出した張り出し領域９１が形成され、この張り出し領域９１が形成されている部分では、Ｘ方向で隣接する画素電極９やデータ線６との間隔に比べて、Ｙ方向の間隔が短く作られている。従って、Ｘ方向で隣接する画素電極９やデータ線６との間で発生する横電界は、Ｘ方向よりもＹ方向に強く発生する。ここで液晶がＹ方向に一様に倒れた場合に透過率が最大になるように液晶にプレチルトなどが与えられていれば、ここで発生した横電界も主にＹ方向に液晶を倒すように作用するため、透過率は下がらない。ここで、Ｙ方向に隣接する画素間生じる横電界は、もともとＹ方向に発生するので、これも液晶の配向には大きな影響を与えない。
【００５７】
それ故、本形態では、電気光学装置１をノーマリホワイトモードで用いたとき、横電界の影響によって透過光量の低下やコントラストの低下が発生するのは、画素電極９の張り出し領域９１に相当する部分の一部に限定され、画素全体にまでは及ばない。よって、本形態の電気光学装置１によれば、図５に等コントラスト線を示すように、明るくてコントラストの高い表示を行なうことができる。
【００５８】
［実施の形態１］
図７および図８はそれぞれ、本形態の電気光学装置１において、データ線、走査線、画素電極などが形成されたアクティブマトリクス基板の相隣接する複数の画素群の一部を示す平面図、およびこれらの構成要素のうち、データ線、走査線、画素電極のみを示した説明図である。図９は、図７のＢ−Ｂ′線に相当する位置で電気光学装置１を切断したときの断面図である。なお、本形態の電気光学装置１は、実施の形態１に係る電気光学装置と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して図示するとともに、それらの説明を省略する。
【００５９】
図７および図８において、本形態の電気光学装置１は、参考の形態１に係る電気光学装置と違って、反射型の液晶装置であり、アクティブマトリクス基板１０では、いずれの画素１Ａにも、アルミニウム膜などといった反射性の導電膜からなる複数の画素電極９（図７では、輪郭を実線で示すとともに、形成領域に右上がりの斜線を付してある）がマトリクス状に形成されている。また、画素電極９の縦横の境界に沿っては、データ線６（図７では、輪郭を一点鎖線で示す）、および走査線３（図７では、輪郭を二点鎖線で示す）とともに、容量線４（図７では、輪郭を二点鎖線で示す）が形成されている。
【００６０】
本形態においても、参考の形態１と同様に、データ線６は、ＴＦＴ３０のソース領域１６に対してコンタクトホールを介して電気的に接続している。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１５に対向するように走査線３がゲート電極として延びている。
【００６１】
また、図９に示すように、画素電極９は、第２の層間絶縁膜１９２に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極１８に電気的に接続し、このドレイン電極１８は、第１の層間絶縁膜１９１に形成されたコンタクトホールを介してドレイン領域１７の高濃度ドレイン領域１７２に電気的に接続している。第２の層間絶縁膜１９２の表面は、その上に形成される画素電極９の反射率が高くなるよう、研磨などによる平坦化処理が施されている。
【００６２】
また、本形態のアクティブマトリクス基板１０でも、画素電極９の表面側にはポリイミド系材料からなる配向膜１４が形成されている。
【００６３】
これに対して、対向基板２０の側には、透明な対向電極２１の他、各画素１Ａ毎の非開口領域を規定する遮光膜２３が形成され、対向電極２１の表面にはポリイミド系材料からなる配向膜２２が形成されている。
【００６４】
これらの配向膜１４、２２はそれぞれ、液晶５０を垂直配向モードで使用することを目的に、ポリイミド系材料などからなる垂直配向膜として形成されているとともに、電界が印加されたとき、液晶がデータ線６の延設方向（Ｙ方向）に倒れるように液晶５０に所定のプレチルト角を付与するため、ラビング処理などといった配向処理が施されている。また図示しないが、ここではノーマリーブラックの表示になるように、照明系を含め光学部品が配置されている。
【００６５】
本形態の電気光学装置１でも、１Ｓ反転駆動方式が採用されているので、同一の走査線３に沿って並ぶ各画素１Ａでは極性が反転した信号が印加される結果、図８および図９に示すように、横方向（Ｘ方向）に相隣接する画素１Ａ（画素電極９）の境界領域は、常時、横電界の発生領域Ｃ２となる。
【００６６】
このような横電界に対する対策として、本形態では、各画素１Ａの画素電極９は、データ線６の両側（Ｘ方向）で隣接する画素電極９に向けて張り出した張り出し領域９２を備えている。また、画素電極９の張り出し領域９２は、下層に形成されているデータ線６に重なる形で、隣接する画素電極９に向けて矩形の平面形状をもって左右それぞれ２つずつ張り出している。従って、画素電極９の張り出し領域９２は、隣接する画素電極９の端部において張り出し部９２の各間に相当する凹部内に位置している。それ故、隣接する画素電極９の張り出し領域９２は、データ線６の延設方向（Ｙ方向）で交互に並んでいる。
【００６７】
また、画素電極９は、隣接する画素電極９に対して所定の間隙を隔てているが、本形態では、図８に示すように、画素電極９において張り出し領域９２が形成されている側（Ｘ方向）で隣接する画素電極９の間において、張り出し領域９２の張り出し方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）おける電極間距離ＧＹは、張り出し領域９２の張り出し方向（Ｘ方向）における電極間距離ＧＸよりも短い。
【００６８】
このように構成した電気光学装置１において、Ｘ方向で隣接する画素１Ａの間に横電界が発生したとき、この横電界によって液晶５０の配向に乱れが発生する。しかるに本形態では、画素電極９には、Ｘ方向で隣接する画素電極９に向けて張り出し領域９２が張り出しており、Ｘ方向で隣接する画素電極９の各張り出し領域９２は、横電界が発生する方向と直交する方向（データ線６の延設方向）で交互に並んでいる。従って、Ｘ方向で隣接する画素電極９間で横電界が発生したとき、この横電界は、隣接する画素電極９の張り出し領域９２の間において、横電界が発生する方向と直交する方向（データ線６の延設方向）にも作用する。
【００６９】
しかも、本形態では、Ｘ方向で隣接する画素電極９の間において、張り出し領域９２の張り出し方向（Ｘ方向）と直交する方向（Ｙ方向）おける電極間距離ＧＹが短いので、隣接する画素電極９の間に発生する横電界は、張り出し領域９２の張り出し方向（Ｘ方向）と直交する方向（データ線６の延設方向）において優先的に作用する。このため、Ｘ方向で隣接する画素電極９の間に作用する横電界の影響は、もともと液晶を電界によって倒したい方向に強く作用するため、コントラストがあまり低下することがない。また張り出し領域９２の張り出し方向（Ｘ方向）に作用する横電界も、このようにそれに直交する方向（Ｙ方向）に作用する電界が強いため画素電極９の中央部分にまで及ばない。
【００７０】
また、Ｙ方向に隣接する画素電極との間に発生する横電界は、もともと液晶を倒したい方向に一致して発生するので、これの影響によってコントラストなどが低下することもない。
【００７１】
従って、画素電極９の張り出し領域９２と対向電極２１との間の、一部の液晶部分は、横電界の影響を受けて配向が乱れるが、画素電極９の大部分と対向電極２１との間の液晶部分は、横電界の影響を受けることなく所定の条件に配向する。それ故、本形態では、電気光学装置１をノーマリブラックモードで用いたとき、横電界の影響によって透過光量の低下やコントラストの低下が発生するのは、画素電極９の張り出し領域９２の一部に限定され、画素全体にまでは及ばない。よって、本形態の電気光学装置１によれば、図８に等コントラスト線を示すように、明るくてコントラストの高い表示を行なうことができる。
【００７２】
また、本形態では、Ｘ方向で隣接する画素電極９の間に発生する横電界の影響を最小限に抑えてあるので、反射型の電気光学装置１において、隣接する画素１Ａに向けて画素電極９を張り出させるときに、隣接する画素電極９の間の距離を最小限まで狭くすることができる。従って、画素電極９の形成面積を拡張することができる。それ故、本形態の電気光学装置１では、出射光量が大きいので、明るい表示を行なうことができる。
【００７３】
また、本実施例では、液晶の駆動デバイスとしてＴＦＴ素子を用いた場合について説明したが、本例のような反射型の表示デバイスに液晶を用いる際には、Ｓｉウエハー上にマトリクス状にＭＯＳトランジスターアレイを形成し、その上に、上記に説明したような光反射性の画素電極を形成した駆動デバイスを用いることも可能である。また用いる液晶モードについても、垂直配向モードだけでなく、ＴＮモードや、ＥＣＢモードなど、あらゆる液晶モードに対して、本件の内容は効果がある。
【００７４】
［参考の形態２］
図１０および図１１はそれぞれ、本形態の電気光学装置１において、データ線、走査線、画素電極などが形成されたアクティブマトリクス基板の相隣接する複数の画素群の一部を示す平面図、およびこれらの構成要素のうち、データ線、走査線、画素電極のみを示した説明図である。図１２は、図１０のＣ−Ｃ′線に相当する位置で電気光学装置１を切断したときの断面図である。なお、本形態の電気光学装置１は、参考の形態１に係る電気光学装置と同様であるため、共通する機能を有する部分には同一の符号を付して図示するとともに、それらの説明を省略する。
【００７５】
図１０および図１１において、本形態の電気光学装置１は、実施の形態１に係る電気光学装置と同様、反射型の液晶装置であり、アクティブマトリクス基板１０では、いずれの画素１Ａにも、アルミニウム膜などといった反射性の導電膜からなる複数の画素電極９（図１０では、輪郭を実線で示すとともに、形成領域に右上がりの斜線を付してある）がマトリクス状に形成されている。また、画素電極９の縦横の境界に沿っては、データ線６（図１０では、輪郭を一点鎖線で示す）、および走査線３（図１０では、輪郭を二点鎖線で示す）とともに、容量線４（図１０では、輪郭を二点鎖線で示す）が形成されている。
【００７６】
本形態においても、参考の形態１と同様に、データ線６は、ＴＦＴ３０のソース領域１６に対してコンタクトホールを介して電気的に接続している。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１５に対向するように走査線３がゲート電極として延びている。
【００７７】
また、図１２に示すように、画素電極９は、第２の層間絶縁膜１９２に形成されたコンタクトホールを介してドレイン電極１８に電気的に接続し、このドレイン電極１８は、第１の層間絶縁膜１９１に形成されたコンタクトホールを介してドレイン領域１７の高濃度ドレイン領域１７２に電気的に接続している。
【００７８】
また、本形態のアクティブマトリクス基板１０でも、画素電極９の表面側にはポリイミド系材料からなる配向膜１４が形成されている。
【００７９】
これに対して、対向基板２０の側には、透明な対向電極２１の他、各画素１Ａ毎の非開口領域を規定する遮光膜２３が形成され、対向電極２１の表面にはポリイミド系材料からなる配向膜２２が形成されている。
【００８０】
これらの配向膜１４、２２はそれぞれ、液晶５０を垂直配向モードで使用することを目的に、ポリイミド系材料などからなる垂直配向膜として形成されているとともに、電界が印加されたとき、液晶がデータ線６の延設方向（Ｙ方向）に倒れるように液晶５０に所定のプレチルト角を付与するため、ラビング処理などといった配向処理が施されている。また図示しないが、ここではノーマリーブラックの表示になるように、照明系を含め光学部品が配置されている。
【００８１】
本形態の電気光学装置１でも、１Ｓ反転駆動方式が採用されているので、同一の走査線３に沿って並ぶ各画素１Ａでは極性が反転した信号が印加される結果、図１１および図１２に示すように、Ｘ方向に相隣接する画素１Ａ（画素電極９）の境界領域は、常時、横電界の発生領域Ｃ２となる。
【００８２】
このような横電界に対する対策として、本形態では、各画素１Ａの画素電極９は、データ線６の両側（Ｘ方向）で隣接する画素電極９に向けて張り出した張り出し領域９３を備えている。また、画素電極９の張り出し領域９３は、データ線６を越えて、隣接する画素電極９に向けて頂点を向ける三角形の平面形状をもって左右それぞれ３つずつ張り出している。従って、画素電極９の張り出し領域９３は、Ｘ方向で隣接する画素電極９の端部において張り出し部９３の各間に相当する凹部内に位置している。それ故、隣接する画素電極９の張り出し領域９３は、データ線６の延設方向で交互に並んでおり、隣接する画素電極９の張り出し領域９３は、三角形の斜辺に相当する部分で所定の隙間を隔てて隣接している。
【００８３】
このように構成した電気光学装置１において、横方向（Ｘ方向）で隣接する画素１Ａの間に横電界が発生したとき、この横電界によって液晶５０の配向に乱れが発生する。しかるに本形態では、画素電極９には、Ｘ方向で隣接する画素電極９に向けて三角形の張り出し領域９３が張り出しており、隣接する画素電極９の張り出し領域９３は、三角形の斜辺に相当する部分で所定の隙間を隔てて隣接している。従って、Ｘ方向で隣接する画素電極９間で横電界が発生したとき、この横電界は、隣接する画素電極９の張り出し領域９３の間において、三角形の斜辺に対応する斜めの方向に主に作用する。このとき、画素電極周辺部には、三角形を形成するもう一方の斜辺に対応する横電界が発生し、それぞれは、ほぼ直交するように斜辺の向きが設定されているため、これらは画素周辺部において打ち消し合い、このため、Ｘ方向で隣接する画素電極９の間に作用する横電界の影響は、張り出し部９３が形成されている領域に集中し、画素電極９の中央部分にまで及ばない。
【００８４】
従って、画素電極９の張り出し領域９３と対向電極２１との間の液晶部分は、横電界の影響を受けて配向が乱れるが、画素電極９の中央部分と対向電極２１との間の液晶部分は、横電界の影響を受けることなく所定の条件に配向する。それ故、本形態では、電気光学装置１をノーマリブラックモードで用いたとき、横電界の影響によって透過光量の低下やコントラストの低下が発生するのは、画素電極９の張り出し領域９３に相当する部分に限定され、画素全体にまでは及ばない。よって、本形態の電気光学装置１によれば、図１１に等コントラスト線を示すように、明るくてコントラストの高い表示を行なうことができる。
【００８５】
さらに、実施の形態１に比べ、本形態の場合、横電界の影響を受け、配向が乱れる部分の面積は増えるが、画素電極の形状を四角形に近い形に保つことができるという利点がある。
【００８６】
また、本形態では、Ｘ方向で隣接する画素電極９の間に発生する横電界の影響を最小限に抑えてあるので、反射型の電気光学装置１において、隣接する画素に向けて画素電極９を張り出させるときに、Ｘ方向で隣接する画素電極９の間の距離を最小限まで狭くすることができる。従って、画素電極９の形成面積を拡張することができる。それ故、本形態の電気光学装置１では、出射光量が大きいので、明るい表示を行なうことができる。
【００８７】
［その他の実施形態］
上記の各実施形態では、データ線駆動回路６０および走査線駆動回路７０がアクティブマトリクス基板１０の上に形成されていたが、その代わりに、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に実装された駆動用ＬＳＩがアクティブマトリクス基板１０の周辺部に対して異方性導電フィルムなどを介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
【００８８】
また、以上説明した各実施形態における電気光学装置１は、投射型表示装置に適用されるため、３枚の電気光学装置１がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０などに対してカラーフィルタが設けられていない。しかしながら、遮光膜２３が形成されていない領域のうち、画素電極９に対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜ととも、対向基板２０の側などに形成してもよい。このようにすれば、投射型表示装置以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置に対して各実施形態における電気光学装置を適用できる。
【００８９】
さらに、以上の各実施形態において、アクティブマトリクス基板１０上においてＴＦＴ３０に対向する位置（即ち、ＴＦＴの下側）にも、例えば高融点金属からなる遮光膜を設けてもよい。このような遮光膜を設ければ、アクティブマトリクス基板１０の側からの裏面反射（戻り光）や複数の電気光学装置をプリズムなどを介して組み合わせて一つの光学系を構成する場合に、他の電気光学装置からプリズムなどを突き抜けて来る投射光部分などが当該電気光学装置のＴＦＴに入射するのを未然に防ぐことができる。
【００９０】
さらにまた、対向基板２０上に１画素につき１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、アクティブマトリクス基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９下などにカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置１が実現できる。さらにまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置１が実現できる。
【００９１】
本発明は、上述した各実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【００９２】
［透過型投射型表示装置への適用例］
図１３は、本発明に係る透過型の電気光学装置１を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【００９３】
図１３に示す投射型表示装置１１００は、カラー画像を拡大投射するもので、参考の形態１を参照して説明した透過型の電気光学装置１、偏光板および位相差板などを含む液晶モジュールを３個準備し、各電気光学装置１をＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）用の透過型のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（光変調手段）として用いる。従って、このタイプの表示装置に用いる電気光学装置１には、カラーフィルタが形成されていない。この投射型表示装置１１００において、メタルハライドランプなどの白色光源のランプユニット１１２０から光が出射されると、この光は、３枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲ、Ｇ、Ｂの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分離された後、対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに各々導かれる。この際に、青色光成分Ｂは、光路が長いので、光損失を防ぐために入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３、および出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによって各々変調された３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂは、ダイクロイックプリズム１１１２（光合成手段）に３方向から入射され、再度合成された後、投射レンズ１１１４（投射光学系）を介してスクリーン１１２０などにカラー画像として投射される。
【００９４】
［反射型投射型表示装置への適用例］
図１４は、本発明に係る反射型の電気光学装置１を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【００９５】
図１４に示すように、反射型の電気光学装置１をライトバルブ（光変調手段）として用いた投射型表示装置２１００では、システム光軸Ｌに沿って、光源部１１０、インテグレータレンズ１２０、偏光変換素子１３０を備える偏光照明装置１４０と、偏光照明装置１４０から出射された偏光光束をＳ偏光光束反射面２０１により反射させる偏光ビームスプリッタ２００と、偏光ビームスプリッタ２００のＳ偏光反射面２０１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー４１２と、分離された青色光(Ｂ)を変調する反射型の電気光学装置１を備えるライトバルブ１００Ｂと、青色光が分離された後の光束のうち赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー４１３と、分離された赤色光（Ｒ）を変調する反射型の電気光学装置１を備えるライトバルブ１００Ｒと、ダイクロイックミラー４１３を透過する残りの緑色光（Ｇ）を変調する反射型の電気光学装置１を備えるライトバルブ１００Ｇと、３つのライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー４１２、４１３、偏光ビームスプリッタ２００にて合成し（合成手段）、この合成光をスクリーン６００に投射する投射レンズからなる拡大投射光学系５００（投射光学系）とから構成されている。
【００９６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、画素電極には、隣接する画素電極に向けて張り出した張り出し領域が形成されており、このため隣接する画素電極間で生じる横電界の向きを液晶の配向に影響を与えにくい向きに発生させる、もしくはこの横電界の影響を画素電極の張り出し領域に集中させ、画素電極の中央部分にまで及ばないようにすることができる。従って、画素電極の張り出し領域と対向電極との間の一部の液晶部分は、横電界の影響を受けて配向が乱れるが、画素電極の中央部分と対向電極との間の液晶部分は、横電界の影響を受けることなく配向する。それ故、本発明によれば、横電界の影響が画素全体にまでは及ばないので、明るく、かつ、コントラストの高い表示を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  アクティブマトリクス型の電気光学装置において、画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素の各々に形成された各種素子、配線などの等価回路図である。
【図２】  図２は、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置を対向基板の側から見た平面図である。
【図３】  図２のＨ−Ｈ´の断面図である。
【図４】  参考の形態１に係る電気光学装置において、データ線、走査線、画素電極などが形成されたアクティブマトリクス基板の相隣接する複数の画素群の一部を示す平面図である。
【図５】  図４に示す画素の各構成要素のうち、データ線、走査線および画素電極のみを抜き出して示す説明図である。
【図６】  図４のＡ−Ａ′線に相当する位置で電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図７】  本発明の実施の形態１に係る電気光学装置において、データ線、走査線、画素電極などが形成されたアクティブマトリクス基板の相隣接する複数の画素群の一部を示す平面図である。
【図８】  図７に示す画素の各構成要素のうち、データ線、走査線および画素電極のみを抜き出して示す説明図である。
【図９】  図７のＢ−Ｂ′線に相当する位置で電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図１０】  参考の形態２に係る電気光学装置において、データ線、走査線、画素電極などが形成されたアクティブマトリクス基板の相隣接する複数の画素群の一部を示す平面図である。
【図１１】  図１０に示す画素の各構成要素のうち、データ線、走査線および画素電極のみを抜き出して示す説明図である。
【図１２】  図１０のＣ−Ｃ′線に相当する位置で電気光学装置を切断したときの断面図である。
【図１３】  透過型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【図１４】  反射型の電気光学装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【図１５】  従来の電気光学装置において、データ線、走査線、画素電極などが形成されたアクティブマトリクス基板の相隣接する複数の画素群の一部を示す平面図である。
【図１６】  図１５に示す画素の各構成要素のうち、データ線、走査線および画素電極のみを抜き出して示す説明図である。
【図１７】  図１５のＥ−Ｅ′線に相当する位置で電気光学装置を切断したときの断面図である。
【符号の説明】
１  電気光学装置
１Ａ  画素
３  走査線
６  データ線
７  画像表示領域
９  画素電極
１０  アクティブマトリクス基板（第１の基板）
１０Ａ  半導体膜
１３  ゲート絶縁膜
１５  チャネル領域
１４、２２  配向膜
１６  ソース領域
１７  ドレイン領域
１８  ドレイン電極
２０  対向基板（第２の基板）
２１  対向電極
３０  ＴＦＴ（画素スイッチング素子）
５０  液晶（電気光学物質）
６０  データ線駆動回路
７０  走査線駆動回路
８０  蓄積容量
９１、９２、９３  画素電極の張り出し領域
Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍ  走査信号
Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎ  画像信号
【図１】
0003982137.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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