(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
クリーンルーム側に設けられサッシュ枠に形成されたパネル取付部にシーリング剤により気密状態に取付けられた第１気密窓パネルと、外部側に設けられサッシュ枠に気密状態に取付けられた第２気密窓パネルと、第１気密窓パネルにおけるクリーンルームに面する側の表面に貼り付けられた導電性フィルムと、内装下地材の表面に取付けられた導電性を有するシート状内装仕上げ材と、シート状内装仕上げ材の表面から導電性フィルムの表面まで到達するようにサッシュ枠の表面に貼り付けられてシート状内装仕上げ材と導電性フィルムとを導通させる導電性テープとを備えたことを特徴とするクリーンルームのサッシュ。
【請求項２】
第１気密窓パネルよりクリーンルーム側に位置するサッシュ枠の下枠に、第１気密窓パネル側から下方に傾斜する傾斜面が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のクリーンルームのサッシュ。
【請求項３】
第１気密窓パネルとサッシュ枠との境目はガス発散の少ないシーリング剤でシーリング処理されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のクリーンルームのサッシュ。
【請求項４】
第１気密窓パネルの外周縁がクリーンルーム側のサッシュ枠のパネル取付部に設けられた溝内に嵌め込まれ、第２気密窓パネルの外周縁が外部側のサッシュ枠のパネル取付部に設けられた溝内に嵌め込まれたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のクリーンルームのサッシュ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造等に使用されるクリーンルームのサッシュに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造工場、手術室等のクリーンルームの壁にはサッシュが設けられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来のクリーンルームのサッシュは、帯電防止対策がとられておらず、サッシュ表面に電荷が溜まりやすいので、半導体製造等においてトラブルの原因となるという課題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係るクリーンルームのサッシュは、クリーンルーム側に設けられサッシュ枠に形成されたパネル取付部にシーリング剤により気密状態に取付けられた第１気密窓パネルと、外部側に設けられサッシュ枠に気密状態に取付けられた第２気密窓パネルと、第１気密窓パネルにおけるクリーンルームに面する側の表面に貼り付けられた導電性フィルムと、内装下地材の表面に取付けられた導電性を有するシート状内装仕上げ材と、シート状内装仕上げ材の表面から導電性フィルムの表面まで到達するようにサッシュ枠の表面に貼り付けられてシート状内装仕上げ材と導電性フィルムとを導通させる導電性テープとを備えた。
請求項２は、第１気密窓パネルよりクリーンルーム側に位置するサッシュ枠の下枠に、第１気密窓パネル側から下方に傾斜する傾斜面を形成した。
請求項３は、第１気密窓パネルとサッシュ枠との境目にガス発散の少ないシーリング剤でシーリング処理を施した。
請求項４は、第１気密窓パネルの外周縁がクリーンルーム側のサッシュ枠のパネル取付部に設けられた溝内に嵌め込まれ、第２気密窓パネルの外周縁が外部側のサッシュ枠のパネル取付部に設けられた溝内に嵌め込まれた構成とした。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図１，図２に基づき説明する。まず、本実施の形態によるサッシュが採用される半導体製造工場のクリーンルームの概要を図２に基づいて説明する。クリーンルームは３層構造となっている。即ち、半導体製造や検査などに必要な精密機器が設置されるプロセスエリア１０と、床下エリア２０と、天井エリア３０とを備える。プロセスエリア１０の床は有孔床（グレーチング）１１となっており、プロセスエリア１０の天井は有孔天井１２となっている。天井エリア３０には、空調機３１と空気洗浄フィルタ３２が設けられている。プロセスエリア１０の横には空気循環空間１０Ａが設けられ、これにより、空気が空気洗浄フィルタ３２で浄化されて、矢示のように各エリア１０，２０，３０を循環する構造となっている。また、出入口４０と外部との間にはエアーシャワーが装備された前室が設けられており、クリーンルームへの入室者は前室で空気洗浄を行った後にクリーンルーム内に入る。前室は、クリーンルーム側のドア４０ａと外部側のドアとで密閉空間となる。尚、４１は空気循環空間１０Ａとプロセスエリア１０との間の出入口、４１ａはこの出入口４１のドア、４２は柱、４３、４４は耐火被覆梁、４５はサッシュ、４６は廊下、４７は配線を収納する配線ピットである。
【０００６】
次に、実施の形態によるサッシュ４５の詳細を図１に基づいて説明する。
図１では、クリーンルーム側が接続部材１ａを介して鉄骨１による壁下地に取付けられ、外部側が接続部材２ａを介してＡＬＣ（軽量気泡コンクリート）等の成形コンクリート板２による壁下地に取付けられるサッシュ枠３の例を示している。壁下地の表面側には下地ボード４が設けられ、この下地ボード４の表面４ａに導電性クロス５が貼り付けられる。
クリーンルーム側に設けられるガラス等の第１気密窓パネル６は、外周縁がサッシュ枠３のパネル取付部３ａに嵌め込まれ、ガス発散の少ないシーリング剤７を用いたシーリング処理により気密状態に取付けられている。外部側に設けられるガラス等の第２気密窓パネル８は、外周縁がサッシュ枠３のパネル取付部３ｂに嵌め込まれ、一般のシーリング剤９を用いたシーリング処理により気密状態に取付けられている。
第１気密窓パネル６におけるクリーンルームに面する側の表面には導電性フィルム６０が貼り付けられている。
また、第１気密窓パネル６よりクリーンルーム側に位置するサッシュ枠３の下枠３Ａには、第１気密窓パネル６側から下方に傾斜する傾斜面３Ｂが形成されている。
そして、サッシュ枠の下枠３Ａ側においては、導電性フィルム６０の表面から傾斜面３Ｂを含む下枠３Ａの表面に沿って導電性クロス５の表面５ａまで到達するようにアルミテープ６１が貼り付けられており、これにより、導電性フィルム６０と導電性クロス５とを導通させている。
【０００７】
以上によれば、第１，第２気密窓パネル６，８による二重気密パネルにより、クリーンルームの気密性が確保される。
また、第１気密窓パネル６のクリーンルーム側の面に貼り付けた導電性フィルム６０と導電性クロス５とがアルミテープ６１を介して電気的に接続されているので、例えば、導電性クロス５をアースすることにより、導電性フィルム６０とサッシュ枠３と導電性クロス５とが均一電位となり、導電性フィルム６０とサッシュ枠３と導電性クロス５の表面の帯電電流をアースに素早く逃がすことができるようになり、半導体製造等のトラブルの原因となる静電気の蓄積を防止できる帯電防止効果の高いクリーンルームのサッシュ４５及び壁が得られる。また、静電気による壁やサッシュへの埃の吸着も防止でき、クリーンルームの埃汚染を少なくできる。
また、サッシュ枠３の下枠３Ａには、第１気密窓パネル６側から下方に傾斜する傾斜面３Ｂを備えるので、下枠３Ａ上の埃溜りを防止できる。
また、以上の埃溜り防止及び帯電防止構造により、静電気スパークによる有機物反応により生じるガスの発生も防止でき、クリーンルーム内のガス汚染を少なくできる。
また、クリーンルーム側のシーリング処理に、ガス発散の少ないシーリング剤７を用いているので、クリーンルーム内のガス汚染を少なくできる。
【０００８】
尚、上記では、成形コンクリート下地の場合について説明したが、本発明は、コンクリート躯体下地や鉄骨下地の場合にも同様に適用できる。
また、本発明は、手術室のようなクリーンルームにも適用できる。
【０００９】
【発明の効果】
本発明の請求項１に係るクリーンルームのサッシュによれば、クリーンルームの気密性能と帯電防止効果が得られ、クリーンルームの埃汚染やガス汚染も少なくできる。
請求項２によれば、下枠上の埃溜りを防止できて、クリーンルームの埃汚染やガス汚染も少なくできる。
請求項３によれば、クリーンルーム内のガス汚染を少なくできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態によるクリーンルームのサッシュの断面図。
【図２】  実施の形態によるサッシュを採用するクリーンルームの概要を示す断面図。
【符号の説明】
３  サッシュ枠、３Ａ  下枠、３Ｂ  傾斜面、６  第１気密窓パネル、
７  シーリング剤、８  第２気密窓パネル、６０  導電性フィルム、
６１  アルミテープ（導電性テープ）。
【図１】
0003898518.tif 000002
【図２】
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