(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の撮像セルが配列された撮像セルアレイを有する撮像デバイスから出力される画像信号を受ける入力手段と、
該入力手段に入力する画像信号を蓄積する第１の蓄積手段と、
該第１の蓄積手段に記憶した画像信号に前記複数の撮像セルのうちの欠陥のある撮像セルに対応する画素信号が含まれるときは、該画素信号を補正して前記第１の蓄積手段に蓄積する補正手段と、
前記欠陥のある撮像セルの欠陥の程度を表わす欠陥程度データを該欠陥のある撮像セルに対応して蓄積する第２の蓄積手段と、
前記欠陥程度データに応じて前記補正手段を制御し、該補正手段によって、前記欠陥のある撮像セルに対応する画素信号を補正させる制御手段と、
前記補正手段により前記画素信号が補正され、前記第１の蓄積手段に蓄積された画像信号を処理する信号処理手段とを含み、
該制御手段は、前記欠陥程度データを参照して前記欠陥のある撮像セルおよび欠陥の程度を識別し、
前記補正手段は、前記信号処理手段による処理に先だって、前記識別した欠陥の程度に従って該欠陥の程度の高い撮像セルから低い撮像セルの順に対応する画素信号を補正し、該補正する撮像セルに該当する場合は、補正された結果を欠陥の程度の低い撮像セルの画素信号の補正に使用することを特徴とする撮像デバイスの欠陥画素補正装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、前記補正手段は、前記欠陥のある撮像セルに隣接する撮像セルの画素信号を補正に使用することを特徴とする欠陥画素補正装置。
【請求項３】
請求項１に記載の欠陥画素補正装置を含み、前記撮像デバイスが前記入力手段に接続されていることを特徴とするディジタル電子スチルカメラ。
【請求項４】
複数の撮像セルが配列された撮像セルアレイを有する撮像デバイスから出力される画像信号を受ける入力手段と、
該入力手段に入力する画像信号を蓄積する第１の蓄積手段と、
該第１の蓄積手段に記憶した画像信号に前記複数の撮像セルのうちの欠陥のある撮像セルに対応する画素信号が含まれるときは、該画素信号を補正して前記第１の蓄積手段に蓄積する補正手段と、
前記欠陥のある撮像セルの欠陥の程度に従って該欠陥のある撮像セルを特定する識別データを蓄積する第２の蓄積手段と、
前記補正手段を制御し、該補正手段によって、前記欠陥のある撮像セルに対応する画素信号を補正させる制御手段と、
前記補正手段により前記画素信号が補正され、前記第１の蓄積手段に蓄積された画像信号を処理する信号処理手段とを含み、
前記制御手段は、前記識別データを参照して前記欠陥のある撮像セルおよび欠陥の程度を識別し、
前記補正手段は、前記信号処理手段による処理に先だって、前記識別した欠陥の程度に従って該欠陥の程度の高い撮像セルから低い撮像セルの順に対応する画素信号を補正し、該補正する撮像セルに該当する場合は、補正された結果を欠陥の程度の低い撮像セルの画素信号の補正に使用することを特徴とする撮像デバイスの欠陥画素補正装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置において、前記補正手段は、前記欠陥のある撮像セルに隣接する撮像セルの画素信号を補正に使用することを特徴とする欠陥画素補正装置。
【請求項６】
請求項４に記載の欠陥画素補正装置を含み、前記撮像デバイスが前記入力手段に接続されていることを特徴とするディジタル電子スチルカメラ。
【請求項７】
複数の撮像セルが配列された撮像セルアレイを有する撮像デバイスから出力される画像信号を用意する工程と、
該画像信号に前記複数の撮像セルのうちの欠陥のある撮像セルに対応する画素信号が含まれるときは、該画素信号を補正する第１の工程と、
前記欠陥のある撮像セルの欠陥の程度に関連するデータを用意する工程と、
該データを参照して、前記撮像セルのうちの欠陥のある撮像セルについて、欠陥の程度の高い撮像セルから低い撮像セルの順に対応する画素信号を補正する第２の工程と、
該第２の工程により前記画素信号が補正された画像信号を処理する信号処理工程とを含み、
前記第２の工程では、前記補正する撮像セルに該当する場合は、補正された結果を欠陥の程度の低い撮像セルの画素信号の補正に使用することを特徴とする撮像デバイスの欠陥画素補正方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、撮像デバイスの欠陥画素補正装置、およびその方法に関する。より具体的には、とくに固体撮像デバイスから得られる画像信号における欠陥撮像セルに起因する画素信号を補正する装置、およびその方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
周知のように、固体撮像デバイスは、多数の感光素子が配列された撮像セルのアレイが設けられている。撮像セルアレイに含まれる感光素子には、製造工程に起因して、入射光に反応しないセルや、入射光がなくても異常に多い暗電流を発生するセルが含まれていることがしばしばある。これらの欠陥セルは一般に、それぞれ「黒キズ」および「白キズ」と称し、固体撮像デバイスでは避けられない。
【０００３】
そこで、固体撮像デバイスから出力される画像信号において、これらの欠陥セルに起因する画素信号を、その周囲の撮像セルから得られる画素信号を利用して補正する欠陥画素の補正方式が多数、提案されている。また、特開平 7-59011号公報には、撮像セルアレイにおける欠陥セルの位置座標を記憶するメモリ領域の容量制限から、欠陥セルを識別する際、欠陥セルの欠陥の程度、すなわち欠陥レベルを判別して、欠陥レベルの大きいセルについてのみ、その位置座標を記憶する欠陥セルの自動検出装置が開示されている。
【０００４】
ところで、固体撮像デバイスからは、画像信号は一般に、水平および垂直走査方向に画素順次で時系列的にラスタ走査されて出力される。欠陥セルの画素信号を補正する場合、そのセルに隣接する複数の撮像セルの画素信号を用いて、たとえば単純平均して、その平均値を当該欠陥セルの画素信号に置き換える方式がある。また、隣接する複数の撮像セルが欠陥セルであるバースト状の欠陥の場合、バースト状の注目欠陥セルの画素信号を補正するときは、それに隣接する欠陥セルの、すでに補正された画素信号を使用する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の欠陥画素補正は、撮像セルの欠陥レベルによらず、または所定のレベル以上の欠陥セルについてのみ、補正アルゴリズムを適用して、行なっていた。したがって、たとえばバースト状に欠陥セルが存在する場合など、欠陥セルの位置によっては補正後の信号が他の欠陥セルの補正に悪影響を与えるなどして、十分に良好な欠陥画素補正が行なわれないことがあった。
【０００６】
固体撮像デバイスからラスタ走査にて画素順次に出力される画像信号について、その出力順、すなわち時系列的に欠陥セルの画素信号を補正すると、このようなバースト状の一連の欠陥セルにおける注目欠陥セルの画素信号の補正の適否は、それに隣接する欠陥セルの、すでに補正された画素信号に大きく左右されることがある。つまり、隣接欠陥セルの画素信号の補正が適切でないと、その適切でない補正値を注目欠陥セルの画素信号の補正に使用するので、その適切でない補正値の影響が注目セルの画素信号の補正に強く現れることがある。
【０００７】
本発明は、このような従来技術と比較して、より適切に固体撮像デバイスの欠陥撮像セルの画素信号を補正することができる撮像デバイスの欠陥画素補正装置、およびその方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、撮像デバイスにおける撮像セルの欠陥の程度、すなわち欠陥レベルに応じて、欠陥レベルの高い撮像セルを優先して欠陥画素補正を行ない、該当する場合、この補正された画素信号を使用して、他の撮像セルの欠陥画素補正を行なう。
【０００９】
より具体的には、本発明による撮像デバイスの欠陥画素補正装置は、複数の撮像セルが配列された撮像セルアレイを有する撮像デバイスから出力される画像信号を受ける入力手段と、この画像信号に複数の撮像セルのうちの欠陥のある撮像セルに対応する画素信号が含まれるときは、この画素信号を補正する補正手段と、欠陥のある撮像セルの欠陥の程度を表わす欠陥程度データをその欠陥のある撮像セルに対応して蓄積する蓄積手段と、欠陥程度データに応じて補正手段を制御し、補正手段によって、欠陥のある撮像セルに対応する画素信号を補正させる制御手段とを含み、制御手段は、欠陥程度データを参照してその欠陥のある撮像セルおよび欠陥の程度を識別し、補正手段は、識別した欠陥の程度に従って欠陥の程度の高い撮像セルから低い撮像セルの順に対応する画素信号を補正し、該当する場合は、補正された結果を欠陥の程度の低い撮像セルの画素信号の補正に使用する。
【００１０】
本発明によればまた、欠陥程度データに代わって、欠陥のある撮像セルの欠陥の程度に従ってその欠陥のある撮像セルを特定する識別データを蓄積手段に蓄積し、制御手段は、この識別データを参照して欠陥のある撮像セルおよび欠陥の程度を識別するように構成してもよい。
【００１１】
さらに、本発明による撮像デバイスの欠陥画素補正方法は、複数の撮像セルが配列された撮像セルアレイを有する撮像デバイスから出力される画像信号を用意する工程と、画像信号に複数の撮像セルのうちの欠陥のある撮像セルに対応する画素信号が含まれるときは、その画素信号を補正する工程と、欠陥のある撮像セルの欠陥の程度に関連するデータを用意する工程と、このデータを参照して、撮像セルのうちの欠陥のある撮像セルについて、欠陥の程度の高い撮像セルから低い撮像セルの順に対応する画素信号を補正する工程とを含み、この補正する工程では、該当する場合は、補正された結果を欠陥の程度の低い撮像セルの画素信号の補正に使用する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
次に添付図面を参照して本発明による撮像デバイスの欠陥画素補正装置の実施例を詳細に説明する。図１には、本発明を適用したディジタル電子スチルカメラの実施例が示されている。このカメラ 100は、たとえば電荷転送デバイス(CCD) などの固体撮像デバイス 102を有し、固体撮像デバイス 102から出力される画像信号 104の欠陥撮像セルに関連する画素信号を補正して装置出力 106から出力する撮影装置である。
【００１３】
固体撮像デバイス 102は、感光素子が２次元状に配列された撮像セルアレイ 103を有し、これらの感光素子のなかには一般に、製造工程に起因して、黒キズや白キズと称する欠陥セルが含まれていることがしばしばある。これらの欠陥セルは、たとえば、撮像デバイス 102の供給業者からそれらの位置、すなわちアレイ 103上の座標を特定する欠陥セルデータが提供されたり、または、均一な照度の２次元画像を撮像して得られた画像信号から、欠陥セルの撮像セルアレイ 103における位置を知ることができる。これらの位置は、好ましくは、撮像セルアレイ 103の２次元平面におけるＸ方向およびＹ方向（図２参照）における座標(X、Y) の形で表わされる。実施例のスチルカメラ 100は、このような欠陥セルの位置を示す欠陥セルデータを蓄積するためのメモリ 108を有している。この欠陥セルデータの構造については、後に詳述する。
【００１４】
撮像セルアレイ 103は、カメラ 100の撮像光学系（図示せず）を通して被写界から入射する入射光に応じた電荷を蓄積する多数の撮像セル10を有し、固体撮像デバイス 102は、後述するタイミング発生器 110の出力する駆動信号 112に応動して、この蓄積電荷を画像信号の形でその出力 104に生成する撮像装置である。この出力 104は、サンプリング回路 112の入力に接続されている。以下の説明において、信号は、その現れる接続線の参照符号にて指定する。本実施例では、固体撮像デバイスとしてCCD が採用されている。本発明はしかし、この特定のタイプの撮像デバイスに限定されず、たとえばMOS 型半導体撮像デバイスなどの他の方式の撮像装置であっても、効果的に適用される。
【００１５】
サンプリング回路 112は、撮像デバイス 102から入力される画像信号を増幅し、タイミング発生器 110より供給されるサンプリングパルス 116に応動して画像信号 104を標本化し、これをその出力 114に出力する増幅、標本化回路である。出力 114はアナログ・ディジタル(AD)変換器 118に接続されている。
【００１６】
アナログ・ディジタル変換器 118は、タイミング発生器 110から接続線 120を通して供給されるクロックパルスに応動して、入力 114の標本値を対応するディジタルデータに変換する変換回路である。アナログ・ディジタル変換器 118は、変換されたディジタルデータを出力する出力 122を有し、これは信号処理回路 124の入力に接続されている。
【００１７】
信号処理回路 124は、やはりタイミング発生器 110から接続線 120を通して供給されるクロックパルスや同期信号に応動して、入力 122に入力される画像データ 122に、たとえば階調補正やホワイトバランス調整などの信号処理を施して画像信号として装置出力 106に出力する信号処理機能部である。この信号処理に関連して、本装置はフレームメモリ 126を有し、これは、図示のように制御およびデータ線 128によって信号処理回路 124に接続されている。フレームメモリ 126は、少なくとも１コマ分の画像信号を蓄積する記憶容量を有する一時記憶装置であり、信号処理回路 124は、フレームメモリ 126の記憶領域を使用して画像データの信号処理を行なう。
【００１８】
信号処理回路 124は、とくに本発明に関連する機能として、後述のシステム制御部 130と協動して、固体撮像デバイス 102から出力される画像信号 104における欠陥セルに起因する画素信号をその周囲の撮像セルの画素信号を利用して補正する欠陥画素補正ないしは補間機能も有している。これについては、後に詳述する。フレームメモリ 126は、実時間にて画像信号を出力する構成の装置において、欠陥画素補正の方式によっては、必ずしも必要としない。また、走査方式がインタレース方式の場合、適用例によっては、フレームメモリでなくフィールドメモリであってもよい。
【００１９】
システム制御部 130は、タイミング発生器 110および信号処理回路 124と、それぞれ接続線 132および 134にて接続され、シャッタレリーズボタン（図示せず）の操作に応動して本装置全体の撮影動作および信号処理動作を統括、制御する全体制御部である。システム制御部 130はまた、接続線 136によって欠陥セルメモリ 108にも接続され、とくに本発明に関連する機能として、信号処理回路 124を制御して、欠陥セルメモリ 108に蓄積されている欠陥セル位置のデータに従って欠陥セルの画素信号を補正する欠陥画素補正機能の一部を分担している。
【００２０】
本実施例では、欠陥セルメモリ 108には、本装置 100に含まれている固体撮像デバイス 102について、その有する撮像セルアレイ 103に欠陥セルがある場合、その欠陥セルのそれぞれについて、撮像セルアレイ 103の２次元配列における位置を表わす座標データと、その欠陥レベルを表わす欠陥レベルデータが対応して蓄積されている。
【００２１】
図２を参照すると、同図には、固体撮像デバイス 102の撮像セルアレイ 103に多数の撮像セル10が２次元ＸおよびＹ方向に配列された様子の一部が模式的に示されている。Ｘ方向が、たとえば撮影画面の水平方向に、またＹ方向が垂直方向に相当する。各正方形が１個の撮像セル10を示す。また、その正方形10の内側に記載されている数字は、そのセル10の出力する輝度信号の相対的レベルを概念的に示している。上縁部にはＸ座標が、また左縁部にはＹ座標が数字で示されている。説明の複雑化を避けるため、同図には、撮像セルアレイ 103の内の少数の撮像セル10のみが示されているが、実際には、これよりはるかに多数のセルが２次元状に配列されていることは、言うまでもない。また、単に「輝度信号レベル」または「輝度レベル」と称しているが、これらは、いわゆる輝度信号Ｙのレベルのみに限定されず、たとえば特定の色成分、たとえばＧ信号などの信号レベル、すなわち大きさをも包含する広義に解釈するものとする。
【００２２】
たとえば、Ｘ、Ｙ座標(1、1) に位置するセル12の出力する輝度信号レベルを「１」とすれば、この例では、座標(2、3) に位置するセル14の出力する輝度信号レベルが「２」であり、座標(3、3) のセル16は輝度信号レベル「10」を出力する。他のセル10は、この例では、おしなべてレベル「１」の画素信号を出力している。これらのうち、２つの撮像セル14および16が欠陥セルであるならば、本実施例は、それらの個々の欠陥セルに上下および左右の方向において隣接する４個のセルの画素信号を単純平均して、欠陥セルの画素信号を補正する、すなわちその欠陥画素信号を補正値に置き換える「埋戻し」を行なうように構成されている。
【００２３】
これらの撮像セル14および16が欠陥セルであるか否かを示す情報は、本実施例では、欠陥セルメモリ 108に欠陥セル位置データとして保持されている。図３にこの欠陥セル位置データの様子を例示する。本発明は、このような特定の欠陥画素補間方式のみに限定されるものではない。たとえば、注目画素の斜め方向に隣接する４個の撮像セルの画像信号を加えて８個の隣接セルの画素信号を使用して欠陥画素補間を行なうように構成してもよい。または、水平Ｘ方向に隣接する２つの撮像セルの画素信号のみを用いるように構成してもよい。さらに、上述の単純加算平均でなく、画素位置によって重み付けした重み付け平均方式をとってもよい。
【００２４】
図３は、図２に示す撮像セルアレイ 103の部分について、欠陥セル14および16とその周囲のセルの欠陥セル位置データを例示している。同図の左縁部にメモリ 108の記憶位置アドレスが十進法で示されている。また、右縁部には、撮像セル10の座標(X、Y) が参考のために示されている。たとえば、番地#1003 は、撮像セル14に対応し、その次の番地#1004 は、撮像セル16に対応し、それぞれの記憶位置に、その撮像セルが正常か否か、および、欠陥セルであれば、その欠陥の程度、すなわち欠陥レベルを示すデータが蓄積されている。この実施例では、たとえば座標(1、3) などに位置する正常セル10については、欠陥レベル「０」が記録されていることで正常セルであることを示し、欠陥セルについては、その欠陥レベルを示す数値が記録される。たとえば、座標(2、3) に位置する欠陥セル14については、レベル「２」が、また座標(3、3) に位置する欠陥セル16については、レベル「10」が記録されている。これらの欠陥セル14および16は、いずれも、いわゆる「白キズ」に相当する。同図における数値はいずれも、説明の便宜上、十進数表記である。
【００２５】
欠陥レベルデータは、たとえば、固体撮像デバイス 102の供給業者から提供されるものが利用できる。または、たとえば均一な照度の２次元画像を撮像デバイス 102で撮像して得られた画像信号から、周囲の撮像セルより異常に高い、または低い輝度レベルの画素信号を生成するセルについて、その輝度レベルの値、またはそれに対応した値を欠陥レベル値として採用してもよい。本実施例では、説明を簡単にするため、後者の例をとった。
【００２６】
図４を参照すると、座標(62、22) および(63、22) にそれぞれ位置する撮像セル30および32は、いわゆる「黒キズ」である。他の正常セル10は、輝度レベル「10」の画素信号を出力しているのに対して、撮像セル30および32は、それぞれ輝度レベル「０」および「１」の画素信号を出力している。同図に示す撮像セルアレイ 103の部分について、欠陥セル30および32とその周囲のセルの欠陥セル位置データの例を図５に示す。同図は、図３と同じ表記方法をとっている。たとえば、番地#2001 は、欠陥撮像セル30に対応し、欠陥レベルが値「10」として記録されている。その次の番地#2002 は、撮像セル32に対応し、欠陥レベルが値「９」として記録されている。他の記憶位置は、それらのセルが正常であることを示す値「０」が記録されている。この例では、黒キズの撮像セルの欠陥レベル値は、均一な被写体を最高照度で撮像した場合の正常セルの出力レベルとの差で表わしている。この欠陥レベルの表示方法は、実施例の説明のためのものであって、本発明がこの特定の表示方法のみに限定されることはない。
【００２７】
たとえば、図６に示すように、欠陥セルメモリ 108の記憶領域#4000 以降、老い番の記憶位置へ向かって、欠陥レベルの高いセルから低いセルの順番に撮像セルの座標(X、Y) を記録するように構成してもよい。図示の例では、座標(X、Y) が十進数で示され、番地#4000 には、撮像セルアレイ 103において最高の欠陥レベル値を有する撮像セル16（図２）示す座標(3、3) が記録されている。その次の番地#4001 には、２番目の欠陥レベル値を示す欠陥セル30（図４）の座標(62、22) が記録されている。この例では、欠陥セル16および30では、欠陥レベルの値が同じ値「10」であるので、いずれを第１番目として扱ってもよい。さらに次の番地#4002 には、３番目の欠陥レベル値を示す欠陥セル14の座標(2、3) が記録されている。こうして、以降、この例では、白キズ、黒キズを問わず、欠陥レベルの高い方から低い順に、その位置座標(X、Y) がメモリ 108に記録されている。正常セル10は、図示のように、画面のラスタ走査の順番に位置座標が記録されている。
【００２８】
本発明は、ここに説明したような特定の欠陥レベルデータの構成例に限定されない。たとえば、白キズのセルを黒キズのセルと分けて欠陥レベルデータを構成してもよい。図６を参照して説明したメモリ 108の構成をとる適用例では、正常セル10について、メモリ 108にこのような座標データを記録しなくてもよい。また、撮像セル10の位置を特定するのに、本実施例では、その座標(X、Y) を使用している。しかし、このような座標によらず、たとえば個々の撮像セル10に番号や符号などの識別表示を付与し、これによって特定の撮像セル10を表わすように構成してもよい。
【００２９】
システム制御部 130は、信号処理回路 124がフレームメモリ 126に蓄積されている画像信号に欠陥画素信号の補正を行なう際、欠陥セルメモリ 108の欠陥レベルデータを参照し、欠陥レベルの高い撮像セルを欠陥レベルの低い撮像セルや正常な撮像セルに優先して扱う。こうすることによって本実施例では、たとえバースト状に欠陥セルが存在しても、隣接する欠陥セルの画素信号が相互に適切に補正される。したがって、従来のように、隣接する欠陥セルの適切でない補正値を注目欠陥セルの画素信号の補正に使用する、すなわち埋め戻すことによって、その適切でない補正値の影響が注目セルの画素信号の補正に強く現れることはない。
【００３０】
動作状態において、シャッタレリーズボタン（図示せず）を操作すると、タイミング発生器 110からの駆動パルス 116に応動して、固体撮像デバイス 102は、撮像セルアレイ 103から被写界を表わす画像信号 104をサンプリング回路 112に出力する。サンプリング回路 112は、この画像信号 104を増幅し、サンプリングパルス 116に応動してこれを標本化し、その出力 114からアナログ・ディジタル変換器 118に与える。
【００３１】
アナログ・ディジタル変換器 118は、クロックパルス 120に応動して入力 114の画像信号標本値をディジタルデータに変換する。変換されたディジタルデータ 122は信号処理回路 124に入力され、本実施例では、信号処理回路 124によってフレームメモリ 126に一時蓄積される。
【００３２】
そこで信号処理回路 124は、たとえば、階調補正などの信号処理に先立って、フレームメモリ 126に蓄積された画像信号に欠陥セルに対応する画素信号の補正を行なう。システム制御部 130は、まず、欠陥セルメモリ 108の欠陥レベルデータを参照し、欠陥レベルの高い撮像セルから低い撮像セルの順に欠陥セルを識別し、これらの欠陥セルについて画素信号を補正する。欠陥画素補正が施された画像信号は、一旦、フレームメモリ 126に蓄積され、および／または、信号処理回路 124から装置出力 106へ出力される。装置出力 106には、たとえばメモリカードなどの画像記憶装置や通信線等の利用装置（図示せず）が着脱可能に接続され、欠陥画素補正がされ、階調補正などの信号処理の施された画像信号がこれらの利用装置にて利用される。
【００３３】
より詳細には、本実施例によれば、欠陥撮像セルの画素信号は、欠陥の程度、すなわち欠陥レベルに応じて、欠陥レベルの高いセルの画素信号を先に補正し、その補正の結果の値を使用して欠陥レベルの低いセルの画素信号を補正する。説明を簡略にするため、図２に示す画素信号の例で、撮像セルアレイ 103に含まれる欠陥セルは白キズのセル14および16のみであるとすると、システム制御部 130は、欠陥セルメモリ 108の欠陥レベルデータを参照して、まず、最も欠陥レベルの高いセルが、この例では座標(3、3) に位置するセル16であることを識別する。
【００３４】
欠陥セルメモリ 108に、欠陥セルのデータが図３に示す形式で格納されている適用例では、システム制御部 130は、メモリ 108を参照して、その記憶領域全体を検索し、最も欠陥レベルの値の高い蓄積内容の記憶位置、この例では#1004 を識別する。これから、システム制御部 130は、座標(3、3) の位置にある欠陥セルを識別することができる。また、欠陥セルのデータが図６に示す形式で格納されている適用例では、システム制御部 130は、メモリ 108を参照して、まず、その欠陥セルデータの記憶位置の先頭#4000 の蓄積内容を読み出し、これからシステム制御部 130は、座標(3、3) の位置にあるセルが最も高レベルの欠陥セルであることを識別する。以降、第２位以下の欠陥レベルの撮像セルを索出するには、番地の値の大きい記憶位置について順番に、同様の読み出し動作を行なう。
【００３５】
識別された欠陥セル16の位置は、システム制御部 130から信号処理回路 124に通知される。これによって信号処理部 124は、欠陥セル16の出力する輝度信号レベル「10」の画素信号を他より優先して補正することになる。この例では、座標(3、3) のセル16からの画素信号が輝度信号レベルの値「10」でフレームメモリ 126に蓄積されている。
【００３６】
本実施例では、欠陥セル16に上下および左右の方向において隣接するセル24、26および14、16の画素信号を平均して欠陥セル16の画素信号を補正する単純平均方式に従って、信号処理回路 124は、フレームメモリ 126の画像信号について、欠陥セル16の隣接セル24、26および14、28の輝度レベル「１」「１」および「２」「１」を単純平均する。その結果、欠陥セル16の補正された画素信号の値「1.25」が算出される。この補正値は、フレームメモリ 126の撮像セル16に対応する記憶位置に蓄積される。
【００３７】
システム制御部 130は次に、同様にしてメモリ 108の欠陥セルデータから、２番目に欠陥レベルの高いセル、この例では、座標(2、3) に位置する欠陥セル14を識別する。信号処理回路 124は、そこで、当面の注目欠陥セル14に隣接するセルのうち、先に補正の対象となった隣接セル16については、その補正の結果の値「1.25」を輝度レベルとして使用して、注目欠陥セル14の画素信号を補正する。そこで、この新たな注目セル14については、その上下および左右方向の隣接セル18、20および22、24の輝度レベル「１」「１」および「１」「1.25」を単純平均する。その結果の値「1.06」は、フレームメモリ 126の撮像セル14に対応する記憶位置に、好ましくは補正前の値と置換されて、蓄積される。
【００３８】
こうして得られた欠陥セル16および14についての補正の結果値は、「1.25」および「1.06」となる。これらは、周囲の正常セル10、12、18、20、22などの輝度レベル「１」にかなり近い値であることがわかる。
【００３９】
比較のために、従来技術で行なわれているように仮に撮像デバイス 102から出力される画像信号をそのラスタ走査の順に、つまり被写界画面の左上の画素から水平方向に右に、垂直方向に下方に、画素信号の時系列的に欠陥画素補正を行なったとすると、欠陥セル14および16の補正された輝度レベルは、周囲の正常セル10、12、18、20、22などの輝度レベル「１」と比較して、かなり掛け離れた値、つまり、それぞれ「3.25」および「1.56」となるであろう。
【００４０】
より詳細には、図２に示す例において、まず、座標(2、3) に位置する欠陥セル14に欠陥画素補正を行なう。その上下および左右の方向において隣接するセル18、20および22、24の輝度レベル「１」「１」および「１」「10」を単純平均すると、結果の値は「3.25」となる。画素順次のラスタ走査方法は、Ｘ方向であるから、次に、Ｘ方向における次の欠陥セル16の画素信号を補正することになる。その場合、注目画素セル16に隣接する欠陥セル14については、その補正値「3.25」を使用することになる。そこで、この新たな欠陥セル16に上下および左右の方向において隣接するセル24、26および14、28の輝度レベル「１」「１」および「3.25」「１」を単純平均する。したがって、欠陥セル16の補正された画素信号の値は「1.56」となるであろう。つまり、欠陥セル14および16の補正された輝度レベルは、それぞれ「3.25」および「1.56」である。これらの値は、周囲の正常セル10、12、18、20、22などの輝度レベル「１」と比較して、かなり掛け離れた値である。
【００４１】
【発明の効果】
このように本発明によれば、撮像デバイスの撮像セルの欠陥に起因する欠陥画素信号を、従来技術に比較してより適切に補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用したディジタル電子スチルカメラの実施例の構成を示す概略ブロック図である。
【図２】図１に示す実施例における撮像セルアレイから出力される画素信号のレベルの例を概念的に示す説明図である。
【図３】同実施例における欠陥セルメモリに蓄積されている欠陥セルデータの例を図２に示す撮像セルに関連して示す説明図である。
【図４】同実施例における撮像セルアレイから出力される画素信号のレベルの他の例を概念的に示す、図２と同様の説明図である。
【図５】同実施例における欠陥セルメモリに蓄積されている欠陥セルデータの他の例を図４に示す撮像セルに関連して示す、図３と同様の説明図である。
【図６】同実施例における欠陥セルメモリに蓄積されている欠陥セルデータの他の例を示す、図３と同様の説明図である。
【符号の説明】
10  撮像セル
14、16  欠陥撮像セル
102   固体撮像デバイス
103   撮像セルアレイ
108   欠陥セルメモリ
124   信号処理回路
126   フレームメモリ
130   システム制御部
【図１】
0003990059.tif 000002
【図２】
0003990059.tif 000003
【図４】
0003990059.tif 000004
【図３】
0003990059.tif 000005
【図６】
0003990059.tif 000006
【図５】
0003990059.tif 000007