(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦｅとＮｉの重量％の合計が０．３〜１．０ｗｔ％、Ｐが０．０５〜０．３ｗｔ％、ＦｅとＮｉの合計重量％とＰの重量％との比（（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ）が３〜１０、Ｆｅの重量％とＮｉの重量％との比（Ｆｅ／Ｎｉ）が０．８〜１．２、Ｚｎが０．１〜１．０ｗｔ％、残部が銅で構成される銅合金材を溶製した後、その溶製後の銅合金材を８００〜９５０℃に加熱後、３００℃以下まで２５℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して溶体化処理を施し、その溶体化処理後の銅合金材に、第１冷間圧延加工を施した後、４００〜５５０℃×０．５〜５ｈｒの第１時効処理を施し、その第１時効処理後の銅合金材に、第２冷間圧延加工を施した後、３００〜４５０℃×０．５〜５ｈｒの第２時効処理を施し、最後に、その第２時効処理後の銅合金材に、加工率４０％以上の第３冷間圧延加工を施すことを特徴とする高強度・高導電性銅合金材の製造方法。
【請求項２】
ＦｅとＮｉの重量％の合計が０．３〜１．０ｗｔ％、Ｐが０．０５〜０．３ｗｔ％、ＦｅとＮｉの合計重量％とＰの重量％との比（（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ）が３〜１０、Ｆｅの重量％とＮｉの重量％との比（Ｆｅ／Ｎｉ）が０．８〜１．２、Ｚｎが０．１〜１．０ｗｔ％、Ｍｇ又はＳｎ或いはＭｎから選択される１種以上を合計して０．０１〜０．３ｗｔ％、残部が銅で構成される銅合金材を溶製した後、その溶製後の銅合金材を８００〜９５０℃に加熱後、３００℃以下まで２５℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して溶体化処理を施し、その溶体化処理後の銅合金材に、第１冷間圧延加工を施した後、４００〜５５０℃×０．５〜５ｈｒの第１時効処理を施し、その第１時効処理後の銅合金材に、第２冷間圧延加工を施した後、３００〜４５０℃×０．５〜５ｈｒの第２時効処理を施し、最後に、その第２時効処理後の銅合金材に、加工率４０％以上の第３冷間圧延加工を施すことを特徴とする高強度・高導電性銅合金材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高強度・高導電性銅合金材の製造方法に係り、特に、半導体機器のリード材、端子、コネクタなどに使われる高強度で高導電性の銅合金材の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年におけるＩＣ・ＬＳＩの高集積化および高速化の潮流は、半導体チップの発熱量増大の要因となっており、現在、半導体パッケージの合理的な放熱が問題となっている。
【０００３】
半導体パッケージの放熱経路としては、絶縁モールドを通しての放散や、積極的にヒートシンクを取付けるといった方法の他、リード材を介して配線基板に放熱することも考えられる。
【０００４】
リード材を介して配線基板に放熱する場合、リード材自体の熱伝導率（導電率で評価可能）が高いことが、直接、半導体パッケージの放熱性に影響してくることになる。この方法による放熱を行う場合、従来のリード材用合金である４２合金（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）は、導電率が約３％ＩＡＣＳと極めて低いため、半導体パッケージの設計上で大きな問題となっている。
【０００５】
したがって、リード材用合金としては、より導電率の高い材料が求められており、４２合金から銅合金への転換が行われている。この場合、銅合金に要求される特性は、高導電率であると共に、一般的なリード材としての特性を合わせ持っていること、かつ、４２合金と同等の強度を有していることである。
【０００６】
しかし、導電率が高い銅合金は熱放散性に優れているものの、４２合金と比べると強度が比較的弱い。ここで、２００ピンを越えるようなＬＳＩパッケージが製造されるようになって以来、リード材の厚さはより薄く、かつ、インナーリードおよびアウターリードの幅はより細くしたいという需要・要求が強くなっており、リード材そのものの強度が重要視されている。
【０００７】
このため、強度を高めた様々な銅合金の開発がなされてきており、例えば、Ｃｕ−Ｓｎ系、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系、Ｃｕ−Ｃｒ系などの合金が挙げられる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＳｎをＣｕに固溶させて強度を高めたＣｕ−Ｓｎ系銅合金は導電率が３０％ＩＡＣＳ程度しかなく、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金も導電率が５０％ＩＡＣＳ程度である。また、Ｃｕ−Ｃｒ系銅合金においては、７０％ＩＡＣＳ以上の高導電率が得られるものの、強度の点でやや不十分であり、かつ、Ｃｒが難溶解材であると共に、耐火材であるＣとＣｒが反応し易いことから溶解・鋳造が困難であるという問題がある。
発明者等は、４２合金に匹敵する強度と６０％ＩＡＣＳ以上の高い導電率を備えた高強度・高導電性銅合金としてＣｕ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ−Ｚｎ系銅合金を先に提案した（特願平１０−２２５６９２号：以下、先願と呼ぶ）。それは次のようなものである。
ＦｅとＮｉの重量％の合計（以下、Ｆｅ＋Ｎｉと表示）が０．３〜１．０ｗｔ％、Ｐが０．０５〜０．３ｗｔ％、ＦｅとＮｉの合計重量％とＰの重量％の比（以下、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐと表示）が３〜１０、Ｆｅの重量％とＮｉの重量％との比（以下、Ｆｅ／Ｎｉと表示）が０．８〜１．２、Ｚｎが０．１〜１．０ｗｔ％、必要によりＭｇ、Ｓｎ、Ｍｎから選択される１種以上を合計で０．０１〜０．３ｗｔ％、残部が銅で構成される銅合金材である。しかし、この銅合金材でも加工方法によって引張強度にバラツキが見受けられた。
【０００９】
そこで本発明は、先願と同組成の銅合金材において、４２合金に匹敵する約６２０ＭＰａ以上の引張強度および６５％ＩＡＣＳ以上の高導電率を有していると共に、製造が容易な高強度・高導電性銅合金材の製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために請求項１の発明は、
ＦｅとＮｉの重量％の合計が０．３〜１．０ｗｔ％、
Ｐが０．０５〜０．３ｗｔ％、
ＦｅとＮｉの合計重量％とＰの重量％との比（（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ）が３〜１０、Ｆｅの重量％とＮｉの重量％との比（Ｆｅ／Ｎｉ）が０．８〜１．２、
Ｚｎが０．１〜１．０ｗｔ％、
残部が銅で構成される銅合金材を溶製した後、その溶製後の銅合金材を８００〜９５０℃に加熱後、３００℃以下まで２５℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して溶体化処理を施し、その溶体化処理後の銅合金材に、第１冷間圧延加工を施した後、４００〜５５０℃×０．５〜５ｈｒ、好ましくは４５０〜５００℃×１〜２ｈｒの第１時効処理を施し、その第１時効処理後の銅合金材に、第２冷間圧延加工を施した後、３００〜４５０℃×０．５〜５ｈｒ、好ましくは３５０〜４００℃×１〜２ｈｒの第２時効処理を施し、最後に、その第２時効処理後の銅合金材に、加工率４０％以上の第３冷間圧延加工を施すものである。
【００１１】
請求項２の発明は、
ＦｅとＮｉの重量％の合計が０．３〜１．０ｗｔ％、
Ｐが０．０５〜０．３ｗｔ％、
ＦｅとＮｉの合計重量％とＰの重量％との比（（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ）が３〜１０、Ｆｅの重量％とＮｉの重量％との比（Ｆｅ／Ｎｉ）が０．８〜１．２、
Ｚｎが０．１〜１．０ｗｔ％、
Ｍｇ又はＳｎ或いはＭｎから選択される１種以上を合計して０．０１〜０．３ｗｔ％、
残部が銅で構成される銅合金材を溶製した後、その溶製後の銅合金材を８００〜９５０℃に加熱後、３００℃以下まで２５℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して溶体化処理を施し、その溶体化処理後の銅合金材に、第１冷間圧延加工を施した後、４００〜５５０℃×０．５〜５ｈｒ、好ましくは４５０〜５００℃×１〜２ｈｒの第１時効処理を施し、その第１時効処理後の銅合金材に、第２冷間圧延加工を施した後、３００〜４５０℃×０．５〜５ｈｒ、好ましくは３５０〜４００℃×１〜２ｈｒの第２時効処理を施し、最後に、その第２時効処理後の銅合金材に、加工率４０％以上の第３冷間圧延加工を施すものである。
【００１２】
上記数値範囲の限定理由を以下に説明する。
まず、ＦｅおよびＮｉとＰの関係について述べる。ＦｅとＮｉは、それぞれＰとの化合物を形成し、強度および導電率を向上させる性質を有している。Ｐの含有量として設定した０．０１５〜０．３重量％よりもＰの量が少なくなると、燐化合物の生成量が不足することから良好な強度が得られず、逆に、０．３重量％を超えるときには、鋳造時に燐化合物が偏析して鋳造割れが発生するようになり、実用的でない。このＰに課せられた０．０５〜０．３重量％の規制内において、熱処理によって燐化合物を効率的に生成させるためには、ＦｅとＮｉの量を合計で０．３〜１．０重量％の範囲内に設定する必要があり、これが０．３重量％を下回る時には、燐化合物の生成が不充分となり、逆に、１．０重量％を超過すると、余剰のＦｅとＮｉがＣｕ中に固溶し、特に、導電率の面において特性を低下させるようになる。
燐化合物生成による導電率の向上効果を充分に得るためには、ＦｅとＮｉの合計重量とＰの重量の比率を（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐ＝３〜１０となるように設定する必要がある。設定比率がこの範囲よりも下回るときにはＰが過剰となり、逆に、この範囲を超えるときにはＦｅ、Ｎｉが過剰となることから、燐化合物生成に関与しないこれら過剰の元素がＣｕ中に固溶状態で存在することになり、その結果、特に、導電率が大きく阻害されるようになる。高い導電率を確保する上において、これらＦｅおよびＮｉとＰの比率は特に重要であり、これをより限定された重量比に設定するとすれば、重量比でＰが１に対し、ＦｅおよびＮｉの合計量を４〜６に設定することができる。
ＦｅとＮｉの最適な比率は、強度と導電率のバランスを考慮して決める必要がある。Ｆｅは、強度向上への貢献は少ないが、導電率を向上させる性質を有しており、一方、Ｎｉは、強度向上に効果大である反面、導電率の点ではＦｅに比べて高いものを得にくい。
従って、強度および導電率に調和の取れた材料を設計するためには、合計量が０．３〜１．０重量％の範囲内において、両者の重量比率を１対１にする必要があり、さらに、厳密な配合組成下での運転が必ずしも充分であるとはいい難い量産設備による溶解鋳造作業に配慮するときには、これをＦｅ／Ｎｉ＝０．８〜１．２の範囲内に設定する必要がある。
Ｆｅ／Ｎｉが０．８未満になると、Ｎｉ過剰のために導電率が不充分なものとなり、逆に、１．２を超過するときには、Ｆｅが過剰になって強度が不足するようになる。
Ｚｎの含有量を０．１〜１．０重量％に設定する理由は、０．１重量％未満では、この元素を含有させることによって得られるリードフレームの加工時のはんだ付け性と強度向上に充分なものが得られず、逆に、１．０重量％を超えると導電率の低下をもたらすことによる。
以上述べた各元素のほかに、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｍｎのうちの少なくとも１種を含有させることによって、一層の強度向上を図ることができる。これらの元素は、単独或は２種以上の併用の形で添加され、特に、後者の場合に、高い強度向上を示す。最適な含有量は０．０１〜０．３重量％である。０．０１重量％未満では効果が不充分となり、０．３重量％を超えると導電率の低下を招くことから、上記範囲を超えての含有は避ける必要がある。
【００１３】
第１時効処理の処理温度および処理時間を、４００〜５５０℃×０．５〜５ｈｒ、好ましくは４５０〜５００℃×１〜２ｈｒと限定したのは、この範囲よりも高温及び／又は長時間の場合、析出する化合物（Ｆｅ−Ｐ化合物およびＮｉ−Ｐ化合物）が粗大化して十分な強度が得られなくなるためである。また、この範囲よりも低温及び／又は短時間の場合、化合物の析出が十分に進行せず、十分な強度および導電率が得られなくなるためである。
【００１４】
第２時効処理の処理温度および処理時間を、３００〜４５０℃×０．５〜５ｈｒ、好ましくは３５０〜４００℃×１〜２ｈｒと限定したのは、この範囲よりも高温及び／又は長時間の場合、析出する化合物（Ｆｅ−Ｐ化合物およびＮｉ−Ｐ化合物）が粗大化して十分な強度が得られなくなるためである。また、この範囲よりも低温及び／又は短時間の場合、析出物の生成が十分に進行せず、十分な導電率が得られなくなるためである。
【００１５】
第３冷間圧延加工の加工率を４０％以上と限定したのは、加工率が４０％未満の場合、十分な強度が得られないためである。
【００１６】
以上の製造方法によれば、溶製後の銅合金材に、順に、溶体化処理→第１冷間圧延加工→第１時効処理→第２冷間圧延加工→第２時効処理→第３冷間圧延加工を施すと共に、各熱処理の処理温度・時間および各加工処理の加工率を所定の範囲に調整しているため、約６２０ＭＰａ以上の引張強度および６５％ＩＡＣＳ以上の高導電率を達成することができる。
【００１７】
以下、本発明の好適一実施の形態を説明する。
【００２０】
先ず、化学組成が、Ｆｅ＋Ｎｉが０．３〜１．０ｗｔ％、Ｐが０．０５〜０．３ｗｔ％、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐが３〜１０、Ｆｅ／Ｎｉが０．８〜１．２、Ｚｎが０．１〜１．０ｗｔ％、残部が銅で構成される銅合金材を溶製する。
【００２１】
次に、溶製後の銅合金材を所定の形状に形成した後、合金元素をＣｕマトリックス中に十分に固溶させるべく、８００〜９５０℃に加熱後、３００℃以下まで２５℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却して溶体化処理を施す。
【００２２】
加熱温度を８００〜９５０℃と高温に規定し、冷却速度を２５℃／ｍｉｎ以上に規定することによって、冷却中に粗大な析出物が形成することを防いでいる。
【００２３】
次に、溶体化処理後の銅合金材に、第１冷間圧延加工を施した後、４００〜５５０℃×０．５〜５ｈｒ、好ましくは４５０〜５００℃×１〜２ｈｒの第１時効処理を施す。
【００２４】
第１冷間圧延によって、銅合金材中に析出物生成の起点となる格子欠陥が導入され、次の工程である第１時効処理において微細析出物が生成するのを促進する。また、第１時効処理によって、前工程の第１冷間圧延時に導入された格子欠陥を起点とし、Ｆｅ−Ｐ化合物およびＮｉ−Ｐ化合物が、Ｃｕマトリックス中に微細な形状で析出し、強度および導電率の向上が図られる。
【００２５】
次に、第１時効処理後の銅合金材に、第２冷間圧延加工を施した後、３００〜４５０℃×０．５〜５ｈｒ、好ましくは３５０〜４００℃×１〜２ｈｒの第２時効処理を施す。
【００２６】
第２冷間圧延によって、銅合金材中に析出物生成の起点となる格子欠陥が新たに導入され、次の工程である第２時効処理において新たな微細析出物が生成するのを促進する。また、第２時効処理によって、前工程の第２冷間圧延時に導入された格子欠陥を起点とし、第１時効処理時に析出しきれなかった合金元素（Ｆｅ−Ｐ化合物およびＮｉ−Ｐ化合物）がＣｕマトリックス中に微細な形状で析出し、更なる導電率の向上が図られる。
【００２７】
その後、第１時効処理および第２時効処理により十分に導電率が向上した銅合金材に、加工率４０％以上の第３冷間圧延加工を施すものである。この第３冷間圧延加工の加工硬化によって、十分な強度向上が得られる。
【００２８】
溶体化処理の加熱手段および第１〜第３冷間圧延加工の加工手段としては、一般の溶体化処理および冷間圧延加工に用いられるものであればよく、特に限定するものではない。
【００２９】
第１冷間圧延加工の加工率は特に限定するものではないが、加工率が５０〜８０％が好ましく、特に６０〜７０％が望ましい。
【００３０】
第２冷間圧延加工の加工率は特に限定するものではないが、加工率が４０〜７０％が好ましく、特に５０〜６０％が望ましい。
【００３１】
本実施の形態の高強度・高導電性銅合金材の製造方法によれば、溶製後の銅合金材に施す溶体化処理の処理温度と時間、時効処理の処理温度と時間、および冷間圧延加工の加工率を、所定の範囲に調整しているため、４２合金に匹敵する約６２０ＭＰａ以上の引張強度と、６５％ＩＡＣＳ以上の高導電率の両方の達成が可能な銅合金材を得ることができる。
【００３２】
また、銅合金材の組成中に溶解・鋳造が困難なＣｒを含有していないため、製造が容易であり、製造コストを低く抑えることができる。
【００３３】
さらに、本実施の形態の製造方法で得られた高強度・高導電性銅合金材を用いることで、放熱性に優れた多ピンのリードフレームを低コストで作製することができ、ＩＣやＬＳＩの高集積化・高速化に大きく貢献する。
【００３４】
次に、本発明の他の実施の形態を説明する。
【００３６】
本実施の形態では、前記の実施形態における添加元素の外にＭｇ又はＳｎ或はＭｎから選択される１種以上を合計して０．０１〜０．３ｗｔ％を含み、残部が銅で構成される銅合金材を用いるものである。この銅合金材を用いる以外、各熱処理（溶体化処理および時効処理）の条件および各加工処理の条件は、前記の実施形態と同じとする。
【００３７】
本実施の形態の高強度・高導電性銅合金材の製造方法においても、前記の実施形態と同様の効果を奏することは言うまでもなく、更に強度を高めることができるという新たな効果を発揮する。
【００３８】
【実施例】
（実施例１）
Ｆｅが０．４ｗｔ％、Ｎｉが０．４ｗｔ％、Ｆｅ＋Ｎｉが０．８ｗｔ％、Ｐが０．２ｗｔ％、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐが４、Ｆｅ／Ｎｉが１．０、Ｚｎが０．３ｗｔ％、残部が無酸素銅で構成される銅合金素材を、高周波溶解炉で溶製した後、鋳型に流し込んで直径３０ｍｍ、長さ２５０ｍｍのインゴットを鋳造する。
【００３９】
次に、このインゴットを８５０℃に加熱した後、押出加工を施して幅２０ｍｍ、厚さ８ｍｍの銅合金板に形成する。その後、銅合金板に冷間圧延加工を施して厚さ２．０ｍｍの銅合金薄板を形成する。
【００４０】
その後、この銅合金薄板を９００℃に加熱して１０ｍｉｎ保持した後、水中に投入すると共に室温（約２５℃）まで約３００℃／ｍｉｎの冷却速度で冷却して溶体化処理を施す。
【００４１】
次に、溶体化処理後の銅合金薄板に第１冷間圧延加工を施して厚さ０．７ｍｍに形成した後、４７０℃×２ｈｒの第１時効処理を施す。
【００４２】
その後、第１時効処理後の銅合金薄板に第２冷間圧延加工を施して厚さ０．３ｍｍに形成した後、３８０℃×２ｈｒの第２時効処理を施す。
【００４３】
最後に、第２時効処理後の銅合金薄板に加工率５０％の第３冷間圧延加工を施して厚さ０．１５ｍｍに形成し、高強度・高導電性銅合金薄板を作製する。
【００４４】
（実施例２）
Ｆｅが０．４ｗｔ％、Ｎｉが０．４ｗｔ％、Ｆｅ＋Ｎｉが０．８ｗｔ％、Ｐが０．２ｗｔ％、（Ｆｅ＋Ｎｉ）／Ｐが４、Ｆｅ／Ｎｉが１．０、Ｚｎが０．３ｗｔ％、Ｍｇが０．０５ｗｔ％、Ｓｎが０．０５ｗｔ％、残部が無酸素銅で構成される銅合金素材を用いる以外は、実施例１と同様にして、高強度・高導電性銅合金薄板を作製する。
【００４５】
（比較例１）
溶体化処理の処理温度を７５０℃とする以外は、実施例１と同様にして、銅合金薄板を作製する。
【００４６】
（比較例２）
第１時効処理の処理温度を３８０℃とする以外は、実施例１と同様にして、銅合金薄板を作製する。
【００４７】
（比較例３）
第１時効処理の処理温度を５７０℃とする以外は、実施例１と同様にして、銅合金薄板を作製する。
【００４８】
（比較例４）
第２時効処理の処理温度を２８０℃とする以外は、実施例１と同様にして、銅合金薄板を作製する。
【００４９】
（比較例５）
第２時効処理の処理温度を４７０℃とする以外は、実施例１と同様にして、銅合金薄板を作製する。
【００５０】
（比較例６）
第３冷間圧延加工の加工率を３０％とする以外は、実施例１と同様にして、銅合金薄板を作製する。
【００５１】
実施例１，２の高強度・高導電性銅合金薄板および比較例１〜比較例６の銅合金薄板の製造条件（熱処理および加工処理）を表１に示し、実施例１，２の高強度・高導電性銅合金薄板および比較例１〜比較例６の銅合金薄板の特性（引張強さ（ＭＰａ）および導電率（％ＩＡＣＳ））を表２に示す。
【００５２】
【表１】
0003900733.tif 000002
【００５３】
【表２】
0003900733.tif 000003
【００５４】
表２に示すように、本発明の製造方法により作製された高強度・高導電性銅合金薄板においては、いずれも、引張強さが６２０ＭＰａ（６２０ＭＰａ、６４４ＭＰａ）以上、導電率が６５％ＩＡＣＳ（７０％ＩＡＣＳ、６８％ＩＡＣＳ）であった。
【００５５】
これに対して、比較例１の銅合金薄板は、導電率は７０％ＩＡＣＳと良好であるものの、溶体化処理の処理温度が規定範囲より低い７５０℃であるため、強度が不十分となり、引張強さが５７０ＭＰａであった。
【００５６】
比較例２の銅合金薄板は、第１時効処理の処理温度が規定範囲より低い３８０℃であるため、強度がやや不十分、および導電率が不十分となり、引張強さが５８６ＭＰａ、導電率が５８％ＩＡＣＳであった。また、比較例３の銅合金薄板は、導電率は７４％ＩＡＣＳと良好であるものの、第１時効処理の処理温度が規定範囲より高い５７０℃であるため、強度が不十分となり、引張強さが５３８ＭＰａであった。
【００５７】
比較例４の銅合金薄板は、引張強さは６２４ＭＰａと良好であるものの、第２時効処理の処理温度が規定範囲より低い２８０℃であるため、導電率があまり良好ではなく、６０％ＩＡＣＳであった。また、比較例５の銅合金薄板は、導電率は７４％ＩＡＣＳと良好であるものの、第２時効処理の処理温度が規定範囲より高い４７０℃であるため、強度がやや不十分となり、引張強さが５７８ＭＰａであった。
【００５８】
比較例６の銅合金薄板は、導電率は７０％ＩＡＣＳと良好であるものの、第３冷間圧延加工の加工率が規定範囲未満の３０％であるため、強度がやや不十分となり、引張強さが５９６ＭＰａであった。
【００５９】
本発明の製造方法により得られた高強度・高導電性銅合金材は、小型・多ピンのリードフレーム材として用いる以外に、約６２０ＭＰａ以上の引張強度および６５％ＩＡＣＳ以上の高導電率が要求される部材、例えば、半導体機器の端子材又はコネクタ材、電子機器用材などにも適用することができることは言うまでもない。
【００６０】
【発明の効果】
以上要するに本発明によれば、溶製後の銅合金材に施す溶体化処理の処理温度と時間、時効処理の処理温度と時間、および冷間圧延加工の加工率を、所定の範囲に調整することで、４２合金に匹敵する約６２０ＭＰａ以上の引張強度と、６５％ＩＡＣＳ以上の高導電率の両方の達成が可能な銅合金材を得ることができるという優れた効果を発揮する。