(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基体上に、少なくとも１層の記録層と記録層上の光透過層とを有する光記録媒体を製造する方法であって、記録層上にエネルギー線硬化性樹脂層を設け、この樹脂層に少なくとも２回のエネルギー線照射を行い、且つ、いずれかの回のエネルギー線照射とこの照射の次の回のエネルギー線照射との間に、アニール処理工程（熱緩和処理工程）を行うことにより光透過層を形成することを特徴とする、光記録媒体の製造方法。
【請求項２】
各回のエネルギー線照射の積算光量を、各回間において段階的に増大させる、請求項１に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項３】
エネルギー線が紫外線である、請求項１又は２に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項４】
アニール処理工程を６０℃以上の温度で行う、請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記光透過層の厚さは、２０〜２００μｍである、請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項６】
支持基体上にエネルギー線硬化性樹脂を塗布しエネルギー線硬化性樹脂層を設ける塗布手段と、
前記エネルギー線硬化性樹脂層にエネルギー線照射を行い半硬化状態の樹脂層とする第１のエネルギー線照射手段と、
前記半硬化状態の樹脂層を加熱するアニール処理手段と、
アニール処理された前記半硬化状態の樹脂層にエネルギー線照射を行い完全硬化状態の樹脂層とする第２のエネルギー線照射手段とを備える、光記録媒体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体の製造方法に関し、より詳しくは、記録層上にエネルギー線硬化性樹脂から形成される光透過層を有する光記録媒体の製造方法に関する。また、本発明は、前記光記録媒体の製造方法に用いることのできる好適な製造装置にも関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光記録媒体においては、動画像情報等の膨大な情報処理のためにさらに記録密度を高くすることが必要とされ、さらなる記録容量の高密度化のため研究開発が盛んに行われてきた。
【０００３】
その中のひとつとして、例えばＤＶＤに見られるように、記録・再生レーザー光の波長を短くし、対物レンズの開口数（ＮＡ）を大きくして、記録・再生時のスポット径を小さくすることが行われている。実際にＤＶＤでは、記録・再生波長λをＣＤの７８０ｎｍから６５０ｎｍに、開口数（ＮＡ）をＣＤの０．４５から０．６にすることにより、ＣＤの６〜８倍の記録容量（４．７ＧＢ／面）を達成している。
【０００４】
しかしながら、このように高ＮＡ化することによって、さまざまな問題が生じる。例えば、光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂直からずれる角度、いわゆるチルト角により発生する収差の許容量が小さくなってしまう。ここで、記録・再生レーザー光の波長をλ、基板の厚さをｔとすると、開口数ＮＡによって、光学系に対する光記録媒体の傾きの許容度、いわゆるチルトマージンＭが決まる。すなわち、チルトマージンＭは、λ／｛ｔ×（ＮＡ）3 ｝に比例する。チルトマージンＭを確保するためには、基板の厚さｔを薄くすることが必要となる。
【０００５】
従って、ＤＶＤでは基板の厚さを、従来のＣＤ基板の厚さ（１．２ｍｍ程度）の約半分（０．６ｍｍ程度）とすることにより、チルトマージンを確保している。
【０００６】
最近、高品位の動画像を長時間記録するために、さらに記録・再生レーザー光の波長λを４００ｎｍ程度まで短くし、開口数（ＮＡ）を０．８５まで大きくすることにより、ＤＶＤの４倍以上の記録容量となる高記録容量（＞２０ＧＢ／面）を達成しようとするシステムの開発が行われている。
【０００７】
このシステムにおいては、記録・再生光を、基板側からではなく０．１ｍｍ程度の厚さに設定された光透過層を通して照射するようになされている。このような光透過層を有する光記録媒体は、例えば特開平１０−２８９４８９号公報に記載されており、同公報に記載された媒体は、光硬化性樹脂からなる光透過層を有する。
【０００８】
【特許文献１】
特開平１０−２８９４８９号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
一方、従来のＣＤ、ＤＶＤ等の光記録媒体においては、保護層にエネルギー線硬化性樹脂が使用されており、樹脂の硬化収縮による反りの増大が問題となり、材料面からこの硬化収縮を小さくする検討がいろいろとなされている。しかしながら、この保護層のエネルギー線硬化性樹脂の塗布膜厚は２μｍ〜２０μｍ程度であり、これを越す厚い膜厚の場合の検討は十分ではなかった。
【００１０】
すなわち、０．１ｍｍ（１００μｍ）程度の厚さの光透過層をエネルギー線硬化性樹脂から形成する場合、樹脂材料の改良のみでは硬化収縮の問題を解決することは困難な状況にあると考えられる。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、エネルギー線硬化性樹脂を用いて光透過層を形成し、機械特性に優れた光記録媒体を製造する方法を提供することにある。
また、本発明の目的は、前記方法に用いることのできる好適な光記録媒体の製造装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意検討した結果、比較的硬化収縮度合いが小さいエネルギー線硬化性樹脂を用いて、樹脂を段階的に硬化させることにより、硬化収縮により発生する応力を分散し、ディスクに溜まる応力を極力小さくし、ディスクの変形が非常に抑えられた、機械特性に優れた光記録媒体が得られることを見いだし、本発明に到達した。
本発明者らはさらに、ディスクに溜まった応力をアニールにより一度開放させてから、再度硬化させることによって、さらに機械特性に優れた光情報媒体が得られることを見いだした。
【００１３】
本発明は、支持基体上に、少なくとも１層の記録層と記録層上の光透過層とを有する光記録媒体を製造する方法であって、記録層上にエネルギー線硬化性樹脂層を設け、この樹脂層に少なくとも２回のエネルギー線照射を行い、且つ、いずれかの回のエネルギー線照射とこの照射の次の回のエネルギー線照射との間に、アニール処理工程（熱緩和処理工程）を行うことにより光透過層を形成することを特徴とする、光記録媒体の製造方法である。
【００１４】
本発明は、各回のエネルギー線照射の積算光量を、各回間において段階的に増大させる、前記の光記録媒体の製造方法である。
本発明は、エネルギー線が紫外線である、前記の光記録媒体の製造方法である。
【００１５】
本発明は、アニール処理工程を６０℃以上の温度で行う、前記の光記録媒体の製造方法である。
【００１６】
本発明は、前記光透過層の厚さは、２０〜２００μｍである、前記の光記録媒体の製造方法である。
【００１７】
また、本発明は、支持基体上にエネルギー線硬化性樹脂を塗布しエネルギー線硬化性樹脂層を設ける塗布手段と、前記エネルギー線硬化性樹脂層にエネルギー線照射を行い半硬化状態の樹脂層とする第１のエネルギー線照射手段と、前記半硬化状態の樹脂層を加熱するアニール処理手段と、アニール処理された前記半硬化状態の樹脂層にエネルギー線照射を行い完全硬化状態の樹脂層とする第２のエネルギー線照射手段とを備える、光記録媒体の製造装置である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、光記録媒体（以下、光ディスクと略記する）の製造方法について説明する。以下、相変化型の光ディスクを例に説明するが、本発明はこれに限らず、読み取り専用の光ディスク、１回のみ記録可能な光ディスク等、記録層の種類によらず広く適用が可能である。
【００１９】
図１は、本発明の方法により製造される光ディスクの一例の概略断面図である。図１において、光ディスク(1) は、支持基体(2) の情報ピットやプリグルーブ等の微細凹凸が形成されている側の面上に、反射層(3) 、誘電体層(4) 、記録層(5) 、誘電体層(6) をこの順で有し、誘電体層(6) 上に光透過層(7) を有し、また中心孔(8) を有する。光ディスク(1) は、光透過層(7) を通して記録又は再生のためのレーザー光が入射するように使用される。
【００２０】
支持基体(2) は、厚さ０．３〜１．６ｍｍ、好ましくは厚さ０．５〜１．３ｍｍであり、記録層(5) が形成される側の面に、情報ピットやプリグルーブ等の微細な凹凸が形成されている。
支持基体(2) としては、光学的には透明である必要はなく、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル系樹脂、ポリオレフィン樹脂等の各種プラスチック材料等が使用できる。このように撓み易い材料を用いた場合に、本発明は反りの発生を抑えることができるので特に有効である。但し、ガラス、セラミックス、金属等を用いても良い。凹凸パターンは、プラスチック材料を用いる場合には、射出成形することにより作成されることが多く、プラスチック材料以外の場合には、フォトポリマー法（２Ｐ法）によって成形される。
【００２１】
支持基体(2) 上には、通常、反射層(3) がスパッタリング法により形成される。反射層の材料としては、金属元素、半金属元素、半導体元素又はそれらの化合物を単独あるいは複合させて用いる。具体的には、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｄ等の周知の反射層材料から選択すればよい。反射層は、厚さ２０〜２００ｎｍの薄膜として形成することが好ましい。
【００２２】
反射層(3) 上に、あるいは反射層のない場合には支持基体(2) 上に直接、誘電体層(4) 、記録層(5) 、誘電体層(6) がこの順でスパッタリング法により形成される。
【００２３】
記録層(5) は、レーザー光照射によって結晶状態とアモルファス状態とに可逆的に変化し、両状態の間で光学特性が異なる材料により形成される。例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｎ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等が挙げられる。さらに、これらの材料に、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｂｉ、Ｉｎ等から選ばれる金属のうちの少なくとも１種を微量に添加してもよく、窒素等の還元性ガスを微量に添加してもよい。
記録層(5) の厚さは、特に限定されることなく、例えば、３〜５０ｎｍ程度である。
【００２４】
誘電体層(4) 及び誘電体層(6) は、記録層(5) の上下両面側にこれを挟んで形成される。誘電体層(4) 及び誘電体層(6) は、記録層(5) の機械的、化学的保護の機能と共に、光学特性を調整する干渉層としての機能を有する。誘電体層(4) 及び誘電体層(6) はそれぞれ、単層からなっていてもよく、複数層からなっていてもよい。
【００２５】
誘電体層(4) 及び誘電体層(6) は、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇから選ばれる金属のうちの少なくとも１種を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいはこれらの複合物から形成されることが好ましい。また、誘電体層(4) 及び誘電体層(6) の消衰係数ｋは、０．１以下であることが好ましい。
【００２６】
誘電体層(4) の厚さは、特に限定されることなく、例えば、２０〜１５０ｎｍ程度が好ましい。誘電体層(6) の厚さは、特に限定されることなく、例えば、２０〜２００ｎｍ程度が好ましい。誘電体層(4) (6) の厚さをこのような範囲で選択することにより、反射の調整ができる。
【００２７】
誘電体層(6) 上に、光透過層(7) をエネルギー線硬化性樹脂を用いて形成する。
【００２８】
エネルギー線硬化性樹脂としては、光学的に透明で、使用されるレーザー波長領域での光学吸収や反射が少なく、複屈折が小さいことを条件として、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂から選択する。
【００２９】
具体的には、紫外線（電子線）硬化性化合物やその重合用組成物から構成されることが好ましい。このようなものとしては、アクリル酸やメタクリル酸のエステル化合物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレートのようなアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重結合、マレイン酸誘導体等の不飽和二重結合等の紫外線照射によって架橋あるいは重合する基を分子中に含有または導入したモノマー、オリゴマーおよびポリマー等を挙げることができる。これらは多官能、特に３官能以上であることが好ましく、１種のみ用いても２種以上併用してもよい。
【００３０】
紫外線硬化性モノマーとしては、分子量２０００未満の化合物が、オリゴマーとしては分子量２０００〜１００００のものが好適である。これらはスチレン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールメタクリレート、1,6-ヘキサングリコールジアクリレート、1,6-ヘキサングリコールジメタクリレート等も挙げられるが、特に好ましいものとしては、ペンタエリスリトールテトラ（メタ) アクリレート、ペンタエリスリトール（メタ) アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ) アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ) アクリレート、フェノールエチレンオキシド付加物の（メタ) アクリレート等が挙げられる。この他、紫外線硬化性オリゴマーとしては、オリゴエステルアクリレートやウレタンエラストマーのアクリル変性体等が挙げられる。
【００３１】
また、紫外線硬化性材料としては、エポキシ樹脂および光カチオン重合触媒を含有する組成物も好適に使用される。エポキシ樹脂としては、脂環式エポキシ樹脂が好ましく、特に、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものが好ましい。脂環式エポキシ樹脂としては、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス−（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス−（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、ビニルシクロヘキセンジオキシド等の１種以上が好ましい。脂環式エポキシ樹脂のエポキシ当量に特に制限はないが、良好な硬化性が得られることから、６０〜３００、特に１００〜２００であることが好ましい。
【００３２】
光カチオン重合触媒は、公知のいずれのものを用いてもよく、特に制限はない。例えば、１種以上の金属フルオロホウ酸塩および三フッ化ホウ素の錯体、ビス（ペルフルオロアルキルスルホニル）メタン金属塩、アリールジアゾニウム化合物、６Ａ族元素の芳香族オニウム塩、５Ａ族元素の芳香族オニウム塩、３Ａ族〜５Ａ族元素のジカルボニルキレート、チオピリリウム塩、ＭＦ6 アニオン（ただしＭは、Ｐ、ＡｓまたはＳｂ）を有する６Ａ族元素、トリアリールスルホニウム錯塩、芳香族イオドニウム錯塩、芳香族スルホニウム錯塩等を用いることができ、特に、ポリアリールスルホニウム錯塩、ハロゲン含有錯イオンの芳香族スルホニウム塩またはイオドニウム塩、３Ａ族元素、５Ａ族元素および６Ａ族元素の芳香族オニウム塩の１種以上を用いることが好ましい。
【００３３】
光透過層に用いる放射線硬化性樹脂としては、１，０００〜１０，０００ｃｐの粘度（２５℃）を有するものが好ましい。
【００３４】
本発明において、誘電体層(6) 上に、エネルギー線硬化性樹脂を塗布し、未硬化のエネルギー線硬化性樹脂層を設ける。この際の塗布は、スピンコーティング法により行うとよい。
【００３５】
次に、未硬化のエネルギー線硬化性樹脂層に、エネルギー線照射を複数回に分けて行い、樹脂を段階的に硬化させる。すなわち、完全硬化前の半硬化状態までの照射、及び半硬化状態から完全硬化状態とする照射の少なくとも２回のエネルギー線照射を行う。エネルギー線としては、使用した樹脂に応じて、紫外線又は電子線を用いる。
【００３６】
初回のエネルギー線照射は、樹脂層表面にタックが残る程度の積算光量で行い、樹脂を半硬化の状態にする。樹脂材料によって異なるが、１回の照射で完全硬化させる場合に比べ、照射時間を短くするか、照射強度を小さくすることで可能となる。完全硬化前のこのようなエネルギー線照射を１回又は２回以上行う。完全硬化前の２回以上の照射を行う場合には、各回のエネルギー線照射の積算光量を、各回間において段階的に増大させる。
【００３７】
次に、最終的に樹脂を完全硬化させるために、完全硬化前の各エネルギー線照射のいずれの積算光量よりも増大させた積算光量で、最終回のエネルギー線照射を行い、樹脂を完全硬化の状態にする。完全硬化前の各照射に比べ、照射時間を長くするか、照射強度を大きくすることで可能となる。
【００３８】
各回のエネルギー線照射の積算光量は、樹脂材料や樹脂層の厚さ等によって異なるが、例えば、２回の照射を行う場合、初回のエネルギー線照射の積算光量５〜３００ｍＪ／ｃｍ2 、２回目のエネルギー線照射の積算光量５００〜５０００ｍＪ／ｃｍ2 程度とする。
【００３９】
このように、樹脂を段階的に硬化させることで、一度にディスクにたまる硬化収縮による応力を小さくすることが可能となり、最終的にディスクにたまる応力が小さくなる。その結果、光透過層(7) の厚さが、２０μｍ以上２００μｍ以下、とりわけ７０μｍ以上１５０μｍ以下、より特別に７５μｍ以上１５０μｍ以下と厚い場合であっても、機械特性に優れたディスクを作成することができる。
【００４０】
また、硬化収縮による応力は、樹脂が硬化した瞬間に極大となり、時間の経過と共に緩和される。このため、ディスクにたまった応力を一旦開放させてから次の硬化を行うことで、硬化収縮でたまる応力をさらに減らすことが可能である。ただし、半硬化の状態で応力開放までの時間をかけることは生産的でないため、アニール処理工程を行い短時間で応力を開放させ、再度エネルギー線を照射し硬化させることが可能である。すなわち、本発明において、いずれかの回のエネルギー線照射とこの照射の次の回のエネルギー線照射との間に、アニール処理工程を行う。エネルギー線照射を３回以上行う場合には、１回目の照射と２回目の照射との間、２回目の照射と３回目の照射との間というように、各回の照射の終了毎にアニール処理工程を行うことが、硬化収縮応力を開放させる観点からは好ましい。
【００４１】
アニール処理温度としては、６０℃以上が好ましく、８０℃以上がさらに好ましい。アニール処理温度を８０℃以上とすることで、応力の開放をより早く完全に行うことができる。アニール処理温度の上限は、用いる支持基体の材質にもよるが、一般的に用いる材質のガラス転移温度Ｔｇより、少なくとも１０℃低い温度で行うことが好ましい。また、アニール処理時間は、アニール処理温度にもよるが、１〜５分間が生産効率上からも好ましい。
このようにアニール処理を行うことによって、さらに機械特性に優れたディスクを作成することができる。
【００４２】
また、本発明において、光透過層(7) の目標厚さの一部に相当する厚さの未硬化のエネルギー線硬化性樹脂層を形成し、エネルギー線照射を行ってこの樹脂を半硬化の状態として、半硬化状態の樹脂層上に、目標厚さの残部に相当する厚さの同樹脂の層を重ね塗りして形成し、その後、エネルギー線照射を行い、半硬化状態の樹脂層を完全硬化させると共に、未硬化の樹脂層を硬化させることも可能である。このようにすると、２つの樹脂層の界面でミキシングが起こり、両樹脂層間の密着性を高めることが可能である。
【００４３】
以上のように、図１に示される光ディスクを例に本発明の製造方法について説明した。しかしながら、本発明の製造方法は、図２に示されるいわゆる片面２層型の光ディスクにも適用されるものである。
【００４４】
図２において、光ディスク(11)は、支持基体(12)の情報ピットやプリグルーブ等の微細凹凸が形成されている側の面上に、第２記録層用誘電体層(14)、第２記録層（レイヤー１）(15)、第２記録層用誘電体層(16)、スペーサー層(21)、第１記録層用誘電体層(18)、第１記録層（レイヤー０）(19)、第１記録層用誘電体層(20)をこの順で有し、前記誘電体層(20)上に光透過層(17)を有し、また中心孔(22)を有する。図示は省略されているが、支持基体(12)と誘電体層(14)との間、スペーサー層(21)と誘電体層(18)との間にそれぞれ反射層が設けられても良い。光ディスク(11)は、光透過層(17)を通して記録又は再生のためのレーザー光が入射するように使用される。
【００４５】
次に、前述の本発明の光記録媒体の製造方法に用いることのできる好適な製造装置について、図３を参照して説明する。図３は、本発明の製造方法に用いることのできる好適な製造装置の概略を示す一部切り欠き平面図である。
【００４６】
図３において、光記録媒体の製造装置は、支持基体上にエネルギー線硬化性樹脂を塗布しエネルギー線硬化性樹脂層を設けるスピンコーティング装置(31)と、前記エネルギー線硬化性樹脂層にエネルギー線照射を行い半硬化状態の樹脂層とする第１の紫外線照射装置(32)と、前記半硬化状態の樹脂層を加熱するアニール処理装置(33)と、アニール処理された前記半硬化状態の樹脂層にエネルギー線照射を行い完全硬化状態の樹脂層とする第２の紫外線照射装置(34)とを備えている。
【００４７】
スピンコーティング装置(31)は、光透過層を形成すべきディスクを供給するディスク供給機(41)と、ディスクを載置し回転させる水平回転テーブル(42)と、ディスク表面にエネルギー線硬化性樹脂液を滴下する吐出ノズル(43)とを含む。ディスク供給機(41)は先端にディスクを吸着保持するためのバキュームパッドを有し、垂直上下運動及び９０度の水平回転運動により、ディスクを搬送・供給できるようにされている。吐出ノズル(43)は、可逆回転する垂直回転軸(44)に固定された水平アーム(45)に取り付けられており、垂直回転軸(44)の回転と共に水平方向に回転するようになされている。また、吐出ノズル(43)には、塗布液供給管(46)を通じて塗布液が供給され、ノズル先端部から塗布液が滴下される。
【００４８】
第１の紫外線照射装置(32)は、本体部(51)と、回転テーブル(42)上に載置されたディスク上方に設置された照射ヘッド(52)と、本体部(51)と照射ヘッド(52)とを連結する連結筒部(53)とを含む。本体部(51)内には紫外線光源としての超高圧水銀ランプが設置されている。本体部(51)内には更に、集光・送出光学系が設置されており、これにより、超高圧水銀ランプからの紫外線は集光され、連結筒部(53)に向かう紫外線ビームとして送出される。連結筒部(53)は筒体でありその内部にインテグレーターレンズが組み込まれており、紫外線ビームは筒部(53)を通過して照射ヘッド(52)に入射する。照射ヘッド(52)には反射板が内蔵されており、筒部(53)から入射した紫外線ビームを９０度折り曲げて下方のディスクに向けて照射できるようにされている。
【００４９】
アニール処理装置(33)は、アニールチャンバ(61)と、スピンコーティング装置(31)の回転テーブル(42)上のディスクをアニールチャンバ(61)の所定位置に搬送すると共に、アニール処理後のディスクを次工程の第２の紫外線照射装置(34)に搬送するコートハンド(65)とを含む。
【００５０】
アニールチャンバ(61)には、回転テーブル(62)と、その上方に設置された適宜枚数の赤外線フラットパネルヒータ(64)とが備えられている。回転テーブル(62)はその外周付近に３０度間隔で１２枚のディスクを載置できるように１２個のディスク支持部(63)が設けられ、テーブル(62)の中心周りに３０度ずつ図示の例では反時計方向に間欠的に回転する。回転テーブル(62)下方には、回転のための適宜装置が設けられている。
【００５１】
コートハンド(65)は、その垂直軸(65c) 周りに１２０度の範囲で回転可能とされている。コートハンド(65)は、図３に示された状態から時計方向に６０度回転し、コートハンド(65)の一方のアーム(65a) が、回転テーブル(42)上のディスク上に位置する。この位置において、アーム(65a) の先端部に設けられた真空吸着機構により回転テーブル(42)上のディスクをピックアップする。その後、コートハンド(65)は、反時計方向に１２０度回転し、アーム(65a) が回転テーブル(62)の所定位置、すなわち63A と示されたディスク支持部の上に位置する。この位置において、ディスクの真空吸着を開放してディスクをディスク支持部(63)にセットする。
【００５２】
また、コートハンド(65)の他方のアーム(65b) は、コートハンド(65)が図３に示された状態から時計方向に６０度回転した際に、63A と示されたディスク支持部の上に位置する。この位置において、アーム(65b) の先端部に設けられた真空吸着機構により63A と示されたディスク支持部上のアニール処理済のディスクをピックアップする。その後、コートハンド(65)が反時計方向に１２０度回転した際に、アーム(65b) は、次に説明する第２の紫外線照射装置(34)のディスク移動機構(73)の73A と示された位置に来る。この位置において、ディスクの真空吸着を開放してディスクをディスク移動機構(73)の73A と示された位置にセットする。
【００５３】
第２の紫外線照射装置(34)は、適宜支持部材(72)で支持された紫外線ランプ(71)と、ディスクを左方に直線移動させるディスク移動機構(73)と、光透過層が形成されたディスクを排出するディスク排出機(74)とを含む。ディスク移動機構(73)の詳細は示されないが、いわゆるコンベア式紫外線照射装置に備えられている公知の機構である。ディスクは73A の位置から73B の位置まで移動させられ、この間に、紫外線ランプ(71)からディスクに紫外線が照射されるようになされている。ディスク排出機(74)は、ディスク供給機(41)と同様の機構のものである。
【００５４】
本発明において、まず、光透過層を形成すべき少なくとも１層の記録層が形成されたディスクを、ディスク供給機(41)により回転テーブル(42)上に載置し、真空吸着する。回転テーブル(42)上に載置されたディスク表面に、所定量のエネルギー線硬化性樹脂液を吐出ノズル(43)先端部から滴下する。滴下の際、ディスクは静止状態あるいは回転状態のいずれでもよい。次に、ディスクを高速で回転させてディスク表面に均一な膜厚の樹脂層を形成する。
【００５５】
未硬化の樹脂層に照射ヘッド(52)から初回の紫外線照射を行い、所望の半硬化状態とする。この際、ディスクは回転されたままである。
【００５６】
ディスクの回転を止め、コートハンド(65)の一方のアーム(65a) によって、ディスクをピックアップし、アニール処理装置(33)の回転テーブル(62)の所定位置、すなわち63A と示されたディスク支持部(63)にセットする。回転テーブル(62)を３０度ずつ図示の例では反時計方向に間欠的に３６０度回転させ、その間に、アニールチャンバ(61)内においてディスクは所定の時間及び温度でアニール処理される。この時間及び温度は、適宜調整できる。
【００５７】
アニール処理されて63A の位置に戻ってきたディスクを、コートハンド(65)の他方のアーム(65b) によってピックアップし、第２の紫外線照射装置(34)のディスク移動機構(73)の73A と示された位置にセットする。ディスクを73A の位置から73B の位置まで直線移動させ、この間に、紫外線ランプ(71)からディスクに紫外線を照射し、完全硬化の状態とする。このようにして、光透過層が形成される。
【００５８】
この装置では、２回の紫外線照射とそれら照射の間のアニール処理を行うことができるが、３回以上の紫外線照射とそれら各回の照射の間のアニール処理を行うためには、さらにアニール処理装置と紫外線照射装置とを配置するか、あるいは、この装置を用いてアニール処理と紫外線照射の一連の処理を繰り返せばよい。
【００５９】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【００６０】
［実施例１］（参考例）
以下の手順で光ディスクサンプルを作成した。
プリグルーブを形成したディスク状支持基体（ポリカーボネート製、直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍ）の表面に、Ａｇを主成分とする合金からなる厚さ１００ｎｍの反射層をスパッタリング法により形成した。グルーブの深さは、波長λ＝４０５ｎｍにおける光路長で表してλ／１０とし、記録トラックピッチが０．３μｍのランド／グルーブ基板とした。
【００６１】
次いで、反射層表面に、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）ターゲットを用いて、スパッタリング法により厚さ３０ｎｍの誘電体層を形成した。次いで、この誘電体層表面に、相変化材料からなる合金ターゲットを用いて、スパッタリング法により厚さ１２ｎｍの記録層を形成した。記録層の組成は、ＧｅＳｂＴｅ系とした。
次いで、記録層表面に、ＺｎＳ（８０モル％）−ＳｉＯ2 （２０モル％）ターゲットを用いて、スパッタリング法により厚さ１００ｎｍの誘電体層を形成した。この状態のディスクについて、株式会社コアーズ製機械精度測定機ＤＣ−１０１０Ｃにて機械特性（ディスク半径方向の反り角、ディスク円周方向の反り角）を測定した。
【００６２】
測定後、上の誘電体層表面に、ウレタンアクリレートを主成分とする紫外線硬化性樹脂（硬化収縮率５．５％、２５℃における粘度５０００ｃＰ）をスピンコートにより塗布し、２０００ｒｐｍで８秒間振り切り、厚さ１００μｍの未硬化の樹脂層を得た。
【００６３】
この様にして形成した紫外線硬化性樹脂層に紫外線をＵＶ積算光量１４０ｍＪ／ｃｍ2 で照射し、半硬化状態の樹脂層を得た。その後、樹脂層に紫外線をＵＶ積算光量３０００ｍＪ／ｃｍ2 で照射し、樹脂層を完全に硬化させ、光透過層を形成した。このように作成したディスクサンプルについて、前記のＤＣ−１０１０Ｃにて機械特性（ディスク半径方向の反り角、ディスク円周方向の反り角）を測定した。
【００６４】
［実施例２］
未硬化の樹脂層の形成までは、実施例１と同様に行った。紫外線硬化性樹脂層に紫外線をＵＶ積算光量１４０ｍＪ／ｃｍ2 で照射し、半硬化状態の樹脂層を得た。次に、６０℃で３分間アニール処理を行い、その後、樹脂層に紫外線をＵＶ積算光量３０００ｍＪ／ｃｍ2 で照射し、樹脂層を完全に硬化させ、光透過層を形成した。このように作成したディスクサンプルについて、前記のＤＣ−１０１０Ｃにて機械特性を測定した。
【００６５】
［比較例１］
未硬化の樹脂層の形成までは、実施例１と同様に行った。樹脂層を半硬化させることなく、樹脂層に紫外線をＵＶ積算光量３０００ｍＪ／ｃｍ2 で照射し、樹脂層を完全に硬化させ、光透過層を形成した。このように作成したディスクサンプルについて、前記のＤＣ−１０１０Ｃにて機械特性を測定した。
【００６６】
［実施例３］（参考例）
ウレタンアクリレートを主成分とする紫外線硬化性樹脂として、実施例１で用いた樹脂よりも硬化収縮がやや大きい樹脂（硬化収縮率５．９％、２５℃における粘度５８００ｃＰ）を用いた以外は、実施例１と同様にしてディスクサンプルを作成した。ディスクサンプルについて、前記のＤＣ−１０１０Ｃにて機械特性を測定した。
【００６７】
［実施例４］
紫外線硬化性樹脂として実施例３で用いた樹脂を用い、アニール処理温度を８０℃とした以外は、実施例２と同様にしてディスクサンプルを作成した。ディスクサンプルについて、前記のＤＣ−１０１０Ｃにて機械特性を測定した。
【００６８】
［比較例２］
紫外線硬化性樹脂として実施例３で用いた樹脂を用いた以外は、比較例１と同様にしてディスクサンプルを作成した。ディスクサンプルについて、前記のＤＣ−１０１０Ｃにて機械特性を測定した。
【００６９】
【表１】
0003977711.tif 000002
【００７０】
以上の測定結果を表１にまとめて示す。表１において、Ｒ−Ｓｋｅｗ (deg.) はディスク半径方向の反り角（°）を表し、Ｔ−Ｓｋｅｗ (deg.) はディスク円周方向の反り角（°）を表す。なお、測定機のレーザーヘッドにディスクの光透過層側が向くようにして、反り角を測定した。反りが光透過層側に凹の場合はプラス、逆の場合はマイナスの数値で表す。
ΔＲ−Ｓｋｅｗは、光透過層の形成前から光透過層の形成後における変化量であり、ΔＲ−Ｓｋｅｗ＝（光透過層形成後のＲ−Ｓｋｅｗ）−（光透過層形成前のＲ−Ｓｋｅｗ）である。同様に、ΔＴ−Ｓｋｅｗ＝（光透過層形成後のＴ−Ｓｋｅｗ）−（光透過層形成前のＴ−Ｓｋｅｗ）である。
【００７１】
なお、実施例１、２、及び比較例１における光透過層形成前のＲ−Ｓｋｅｗ値、Ｔ−Ｓｋｅｗ値は、同一の値となるべきであるが、現実に測定された値には僅かなバラツキが見られた。実施例３、４、及び比較例２においても同様に、僅かなバラツキが見られた。
【００７２】
表１より、実施例１〜４のいずれのディスクサンプルも、紫外線照射による樹脂の硬化収縮が非常に抑制され、光透過層の形成前後における反り角の変化量が小さく、機械特性に優れていた。特に、実施例４では、硬化収縮度合いがやや大きい樹脂を用いたにも係わらず、的確なアニール処理を行ったので、ディスクサンプルは機械特性に優れていた。
【００７３】
【発明の効果】
本発明によれば、０．１ｍｍ（１００μｍ）程度の厚さの光透過層を光硬化性樹脂を用いて形成し、機械特性に優れた光記録媒体を製造することができる。また、本発明によれば、前記方法に用いることのできる好適な光記録媒体の製造装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の方法により製造される光ディスクの一例の概略断面図である。
【図２】  本発明の方法により製造される光ディスクの他の一例の概略断面図である。
【図３】  本発明の製造方法に用いることのできる好適な製造装置の概略を示す一部切り欠き平面図である。
【符号の説明】
(1) ：光ディスク
(2) ：支持基体
(3) ：反射層
(4) ：誘電体層
(5) ：記録層
(6) ：誘電体層
(7) ：光透過層
(8) ：中心孔
(31)：スピンコーティング装置
(32)：第１の紫外線照射装置
(33)：アニール処理装置
(34)：第２の紫外線照射装置
【図１】
0003977711.tif 000003
【図２】
0003977711.tif 000004
【図３】
0003977711.tif 000005