(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＩＩＩＢＶ半導体材料、ケイ化チタン、ゲルマニウム、ＰｂＳ、ＩｎＳｂおよびＳｉＧｅからなる群から選択された材料からなる光学的ヒューズであって、与えられた波長帯域における放射エネルギーを吸収するように構成された光学的ヒューズと、
該光学的ヒューズに隣接するパッケージ材料であって、該与えられた波長帯域における該放射エネルギーに対して透過的なパッケージ材料と
を備え、
該光学的ヒューズと該パッケージ材料とは、外部の放射エネルギー源からのエネルギー放射であって、該パッケージ材料を介して該光学的ヒューズに直接的に入射されるエネルギー放射を該光学的ヒューズが吸収するように配置されており、
該パッケージ材料は、該半導体配置物の支持体および該半導体配置物の基板のうちの一つである、半導体配置物。
【請求項２】
前記光学的ヒューズの一部分は、前記パッケージ材料に隣接している、請求項１に記載の半導体配置物。
【請求項３】
前記パッケージ材料は、ケイ素である、請求項１に記載の半導体配置物。
【請求項４】
前記ＡＩＩＩＢＶ半導体材料は、ＩｎＧａＡｓＰである、請求項１に記載の半導体配置物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学的ヒューズ（Ｆｕｓｅ）（エナメル橋（Ｓｃｈｍｅｌｚｂｒｕｅｃｋｅ、ヒューズ（Ｓｉｃｈｅｒｕｎｇ））、およびパッケージ材料を伴う半導体配置物（Ｈａｌｂｌｅｉｔｅｒａｎｏｒｄｎｕｎｇ）に関する。この光学的ヒューズは、少なくとも一定の波長領域において、放射エネルギーを吸収し得る材料からなる。このパッケージ材料には、少なくとも部分的にその光学的ヒューズが隣接する。
【０００２】
【従来の技術】
光学的にプログラミング可能なヒューズは、最近になって、とりわけ半導体記憶装置配置物において好ましく使用されており、その配置物では、そのヒューズは、例えば、ウエハ試験において冗長な素子の活性化のために使用されている。そのようなウエハ試験において、例えば、欠陥のある記憶装置セルが報告され、そしてヒューズ、またはアンチヒューズもまた焼くことによって、その欠陥のある記憶装置セルは、冗長な記憶装置セルに代用される。
【０００３】
半導体配置物が、「ウエハレベル」を超過した後、そして、半導体記憶装置配置物の例において、筐体中に記憶装置構成要素を充填したままにするためには、ヒューズの焼き付けを通じて、構成要素レベルで、欠陥があるかまたは弱い記憶装置セルを修復すること、および冗長な記憶装置セルで代用することは、現在不可能である。
【０００４】
この理由から、構成要素レベルについての最終試験（「バックエンド試験」）において欠陥が示される構成要素（例えば、バーンイン（Ｂｕｒｎ−Ｉｎ）（負荷試験）の後のドリフト（Ｄｒｉｆｔ））は、不適切である。換言すれば、構成要素レベルでの半導体配置物の修理は、これまで、光学的ヒューズを用いては不可能であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の課題は、光学的ヒューズを備える半導体配置物を作製することである。この半導体配置物はまた、そのヒューズの焼き付けを介して、構成成分レベルで修復可能であるべきである。
【０００６】
【課題を解決する手段】
この課題は、まず、従来の当該分野の光学的ヒューズにおいて、本発明に従い、そのパッケージ材料が、放射エネルギーについて少なくとも一定の波長範囲において部分的に透過性であることによって、解決される。この場合、極一般的には、パッケージ材料とは、例えば、半導体本体、および半導体配置物の基板または支持体を意味する。
【０００７】
従って、換言すれば、本発明に従う半導体配置物において、そのヒューズは、放射エネルギーを、その半導体配置物のそのパッケージ材料とは異なる他の波長の範囲内で、吸収する。
【０００８】
１つの局面において、本発明は、光学的ヒューズ（２）およびパッケージ材料（１）を備える半導体配置物を提供する。この配置物において、上記ヒューズは、少なくとも一定の波長領域において放射エネルギーを吸収し得る材料からなり、そして上記パッケージ材料上に、上記光学ヒューズが少なくとも部分的に隣接している。ここで、上記パッケージ材料は、上記放射エネルギーについて少なくとも部分的に、上記一定の波長領域において、透過性であり、そして上記ヒューズ（２）は、ＡIIIＢV半導体材料またはケイ化チタン、ゲルマニウム、ＰｂＳ、ＩｎＳｂもしくはＳｉＧｅからなることを特徴とする。
【０００９】
１つの実施形態において、記パッケージ材料は、半導体本体、および上記半導体配置物の基板または支持体を備え得る。
【００１０】
別の実施形態において、上記半導体配置物は、ケイ素を含み得る。
【００１１】
別の実施形態において、上記ＡIIIＢV半導体材料はＩｎＧａＡｓＰであり得る。
【００１２】
【発明の実施の形態】
例えば、Ｒａｍｂｕｓ  ＣＳＰ（Ｒａｍｂｕｓ＝ＤＲＡＭアーキテクチャ、例えば、ＳＤＲＡＭ；ＣＳＰ＝チップサイズパッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ））において、筐体（およびパッケージ）の背面は、この半導体配置物を備えるチップの剥き出しのケイ素からなる。次いで、このチップの前面において配置されたヒューズには、本体材料（ところで、本例においてはケイ素）の透明な領域において放射エネルギーを吸収する材料が選択される。この材料に関しては、例えば、ＡIIIＢV半導体材料が適切である。ＩｎＧａＳａＰは、このパッケージ材料が、半導体配置物のチップを通して形成される場合、ヒューズ材料として特に好ましい。同様に、ヒューズについて、例えば、金属、標準的な合金、特殊合金（例えば、ゲルマニウム、ＰｂＳ、ＩｎＳｂ、ＳｉＧｅなど）のような他の材料もまた適切である。例えば、タングステンベースまたはアルミニウムベース、銅およびケイ化チタンでの集積回路の標準的な金属塗装である。
【００１３】
ケイ素は、放射エネルギーについて、約９５０ｎｍの波長から強力に減少する吸収係数を有し、そして１０５０ｎｍから波長領域において、ほとんど透過性である。放射エネルギーについて、およそ１３５０ｎｍの波長を有するレーザが使用され、その結果、レーザ放射はチップのケイ素をほぼ干渉なく透過する。しかし、１３５０ｎｍの波長を有する範囲の放射は、すべてのＡIIIＢV半導体材料によって顕著に吸収される。その結果、このＡIIIＢV半導体材料からなるヒューズは、レーザー放射の作用を通じて焼き付けられ得る。
【００１４】
本発明は、最終試験において、欠陥が同定される場合、ヒューズの焼き付けによってそのパッケージの後の最終試験において構成要素のレベルで半導体配置物を修復することを可能にする。これは、その構成要素のパッケージ（例えば、その半導体配置物の筐体）について、放射エネルギーが透過性である材料が使用され、他方、修復が可能な（ｈｅｒａｎｇｅｚｏｇｅｎｅｎ）ヒューズは、そのパッケージから通過する放射エネルギーをまさに吸収する材料からなることによって達成される。
【００１５】
本発明は、好ましくは、半導体記憶装置配置物において使用可能である。しかし、当然、本発明はまた、他の半導体配置物においても、目的に応じた方法で使用され得る。この場合、必要に応じて欠陥のある構成要素を代用するために、あるヒューズの焼き付けを通じて、冗長な構成要素が連結される。
【００１６】
このヒューズは、本発明の半導体配置物において、少なくとも部分的に外からその半導体配置物の上に作用する放射エネルギーに対して、そのパッケージ材料を通じて透過可能であるように提供される。これは、半導体チップの表面上にヒューズが提供され得、そのチップのケイ素の本体自身がそのパッケージを形成する。
【００１７】
当然、本発明はまた、他の形態のパッケージにおいても使用可能である。そのヒューズにより吸収される放射エネルギーに対してそのパッケージが透過性であること、そしてその放射エネルギーがそのパッケージを飛び越えそのヒューズ上で作用し得ることのみが重要である。
【００１８】
「パッケージ（Ｖｅｒｐａｃｋｕｎｇ）」とは、一般的な意味で筐体であることを意味することがなお認識され、この筐体は、半導体配置物（すなわち、それにおいて含有する集積回路）を保護する。上記の例において、そのパッケージは、チップ自身によって形成される。
【００１９】
このパッケージはまた、モジュール（例えばＲＩＭＭ（Ｒａｍｂｕｓ−Ｉｎｌｉｎｅ−Ｍｅｍｏｒｙ−Ｍｏｄｕｌ））上にはんだつけされ得る。重要なのは、そのヒューズが放射エネルギーに対して、そのパッケージを通じて透過性のままであり、そしてこの放射エネルギーを吸収し得ることである。
【００２０】
次に、本発明は、図面を参照してより良く理解される。その図面において、図１には、半導体配置物が示される。
【００２１】
【実施例】
ケイ素製の半導体本体１は、半導体記憶装置配置物をその表面に備える（図では下）。そのような半導体記憶装置配置物は、例えば、ＤＲＡＭまたはＳＤＲＡＭであり得る。
【００２２】
特に、半導体本体１の半導体記憶装置配置物が存在する面の上には、なお、ヒューズ２が存在する。これは、ＩｎＧａＡｓＰからなる。このヒューズおよびその半導体本体１のその半導体記憶装置配置物が存在する面は、適切な絶縁体（例えば、エポキシ樹脂（Ｅｐｏｘｙｄｈａｒｚ））からなるチップ筐体３中に埋め込まれる。連結導線５は、このエポキシ樹脂から突き出ており、そして外部への連結を担当する。
【００２３】
半導体本体１のケイ素は、上述のように、およそ１０５０ｎｍを超える波長領域の放射エネルギーについて、実質的に透過性である。対応して、およそ１３５０ｎｍの波長を有するレーザ放射４は、半導体本体１のケイ素を実質的に干渉なく通過し得、そしてその結果、半導体本体１の背面から出て、ヒューズ２に達する。しかし、そのヒューズ２が１３５０ｎｍを有する放射エネルギーを吸収するＩｎＧａＡｓＰからなることから、そのヒューズは、レーザ放射４によって焼き付けられる。
【００２４】
当然、そのパッケージについて、他の材料もまた、半導体本体１のケイ素として使用され得る。これは、ヒューズについても同様である。これはまた、ＩｎＧａＡｓＰ以外の他のＡIIIＢV半導体材料からなり得る。ＡIIIＢV半導体材料以外でもまた、パッケージ材料から通過して出てくるこの放射エネルギーが吸収される限り、ヒューズ２について他の材料が使用され得る。
【００２５】
【発明の効果】
光学的ヒューズを備える半導体配置物が提供される。本発明は、半導体に関する。この半導体において、そのパッケージ材料（１）は、そのパッケージ材料（１）に隣接するヒューズ（２）の材料が吸収する放射エネルギーについて透過性である材料からなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の半導体配置物を示す。
【図１】
0003905722.tif 000002