(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を積み重ねて構成した積層体内に、電気機能素子を形成した多層電子部品において、
前記絶縁層に設けた長穴に導電体材料を充填したビアホールを実質的にλ／４の長さに連接したビアインダクタと、
前記絶縁層に設けたガス抜き穴とを備え、
前記ビアインダクタと前記ガス抜き穴が連接し、前記ガス抜き穴の開口部が前記ビアインダクタの直上であって前記積層体の表面に形成されており、
少なくとも前記積層体の前記ガス抜き穴を形成した絶縁層に接する絶縁層に配置されている前記ビアホールがシールド電極に含まれていること、
を特徴とする多層電子部品。
【請求項２】
前記ガス抜き穴の横断面積が、前記ビアインダクタの横断面積より小さいことを特徴とする請求項１に記載の多層電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は多層電子部品、特に、積層型ＬＣフィルタや多層基板などの多層電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
この種の多層電子部品として、従来より、図６に示す構成のＬＣフィルタ４０が知られている。このＬＣフィルタ４０は、インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜２３ｅ、共振用コンデンサ電極２４，２５，２６、結合用コンデンサ電極２７，２８、減衰極調整用コンデンサ電極２９、入出力引出し電極３３，３４、折り返し電極１４ａ〜１７ｂおよびシールド電極３０〜３２をそれぞれ設けた絶縁シート１〜１３などにて構成されている。
【０００３】
絶縁シート１〜１３は積み重ねられた後、圧着され、一体的に焼成されることにより、図７に示す積層体５５とされる。積層体５５には、入力端子５６、出力端子５７およびグランド端子Ｇが形成されている。入力端子５６には入力引出し電極３３が接続され、出力端子５７には出力引出し電極３４が接続されている。グランド端子Ｇにはシールド電極３０〜３２が接続されている。
【０００４】
以上のＬＣフィルタ４０は、インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜２３ｅがそれぞれ絶縁シート１〜１３の積み重ね方向に連接して柱状ビアインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を構成する。共振用コンデンサ電極２４，２５，２６は、それぞれ絶縁シート８〜１１を挟んでシールド電極３２に対向することにより、共振用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を形成する。柱状ビアインダクタＬ１とコンデンサＣ１とでＬＣ共振器Ｑ１を構成し、柱状ビアインダクタＬ２とコンデンサＣ２とでＬＣ共振器Ｑ２を構成し、柱状ビアインダクタＬ３とコンデンサＣ３とでＬＣ共振器Ｑ３を構成している。結合用コンデンサ電極２７，２８は、絶縁シート８，９を挟んで共振用コンデンサ電極２４〜２６に対向することにより、結合用コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を形成する。ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３は、結合用コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して結合され、３段のバンドパスフィルタ回路を構成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、絶縁シート１〜１３を積み重ねて圧着する際、積層体内部にエア溜まりを形成する場合がある。このようなエア溜まりが形成されている積層体を焼成すると、エア溜まりの部分で層間剥がれが起き易くなる。
【０００６】
また、インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜２３ｅの形成に使用される導電体材料は、通常、バインダの含有率が高い材料が使用される。インダクタ用の穴に充填される導電体材料の量が多すぎて過充填になると、焼成時の導電体材料の膨張収縮によって積層体に亀裂が生じることがあるので、過充填防止のためである。バインダは焼成時にガス化され、積層体の外に飛散する。しかし、焼成時間を短くするために急速に昇温すると、インダクタ用ビアホール２１ａ〜２３ｅの導電体材料から急激に発生するガスが積層体の外へ飛散することができず、インダクタ用ビアホール２１ａ〜２３ｅの周囲にガス溜まりが発生し、層間剥がれや電極剥離などの不具合が起きる。このため、昇温速度を抑えて焼成時間を長くし、ガスを徐々に発生させる必要があり、量産化を妨げる一つの要因となっていた。
【０００７】
この対策として、絶縁シート１〜１３を積み重ねて圧着した積層体にレーザやプレス等でガス抜き穴をあけた後、焼成する方法が提案されている。しかし、この方法では、絶縁シート１〜１３を積み重ねて圧着する際に起きるエア溜まりを防ぐことができないし、高度の穴あけ加工技術や設備が必要であり、製造コストが高価である。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、焼成時に積層体内部のガスを効率良く外へ飛散させることができる多層電子部品を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用】
前記目的を達成するため、本発明に係る多層電子部品は、絶縁層を積み重ねて構成した積層体内に、電気機能素子を形成した多層電子部品において、前記絶縁層に設けた長穴に導電体材料を充填したビアホールを実質的にλ／４の長さに連接したビアインダクタと、前記絶縁層に設けたガス抜き穴とを備え、前記ビアインダクタと前記ガス抜き穴が連接し、前記ガス抜き穴の開口部が前記ビアインダクタの直上であって前記積層体の表面に形成されており、少なくとも前記積層体の前記ガス抜き穴を形成した絶縁層に接する絶縁層に配置されている前記ビアホールがシールド電極に含まれていることを特徴とする。
【００１０】
ここに、ビアホールは、絶縁層に設けた穴にスクリーン印刷等の方法で導電体材料を実質的に充填したものを意味する。また、ガス抜き穴は、絶縁層に設けた穴に導電体材料を充填していない空穴、あるいは、絶縁層に設けた穴の内周壁にめっき等の方法で導電体材料を付与したもので穴が塞がっていないものを意味する。また、ビア導体は、例えばビアホールを連接することによりインダクタを構成するビアインダクタであり、ビア導体を構成しているビアホールは例えば長穴である。
【００１１】
以上の構成により、ガス抜き穴を通して、ビア導体と外界とが連通される。従って、ビア導体の導電体材料から発生するガスの抜け性が向上し、ビア導体の周囲にガスが溜まりにくくなる。
【００１２】
また、ガス抜き穴の横断面積をビア導体の横断面積より小さく設定することにより、外部端子形成用めっき液がガス抜き穴に侵入しにくくなり、内部電極の劣化等を防止することができる。また、ガス抜き穴に接しているビアホールをシールド電極に含めるようにすると、たとえ外部端子形成用めっき液がガス抜き穴に侵入しても、シールド電極で堰き止められ、内部電極の劣化等を防止することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る多層電子部品の実施形態について添付図面を参照して説明する。本実施形態は、図６および図７に示した従来の積層型ＬＣフィルタ４０に本発明を適用したものである。
【００１４】
図１に積層型ＬＣフィルタ４０Ａの構成を示し、図３および図４にそれぞれＬＣフィルタ４０Ａの外観斜視図および電気等価回路図を示す。ＬＣフィルタ４０ＡはＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を有する３段のバンドパスフィルタである。図１に示すように、積層型ＬＣフィルタ４０Ａは、従来の積層型ＬＣフィルタ４０の絶縁シート１，２にそれぞれ空穴４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂを設けたものである。
【００１５】
絶縁シート１〜１３は、誘電体粉末や磁性体粉末を結合剤と一緒に混練したものをシート状にしたものである。絶縁シート５は厚みが８８０μｍ（焼成後の寸法、以下同様）であり、絶縁シート７は厚みが７２０μｍである。これらのシート５，７は１枚で構成してもよいし、複数枚のシートを積層して（例えば厚み８０μｍのシートを１１枚あるいは９枚積層して）構成してもよい。シート１〜４，６，８〜１２は厚みが２８μｍである。さらに、シート１３は積層体５５の高さ寸法調整用ダミーシートであり、その厚みは約４０μｍである。
【００１６】
電極１４ａ〜１７ｂ，２４〜３２は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等からなり、スパッタリング法、蒸着法、フォトリソグラフィ法などの薄膜形成法、あるいはパターン印刷法により形成される。インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜２３ｅは、絶縁シート３〜７に金型、レーザ等で長穴をあけ、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等の導電体材料をこの長穴に充填することにより形成される。本実施形態の場合、長穴の長さを１０００μｍ、幅を１６７μｍに設定した。
【００１７】
インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜２３ｅは、それぞれ絶縁シート１〜１３の積み重ね方向に連接して実質的にλ／４の長さの柱状ビアインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３を形成する。本実施形態の場合、柱状ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の長さを１７１２μｍに設定した。この柱状ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の軸方向はシート１〜１３の表面に対して垂直である。ビアインダクタＬ１〜Ｌ３によってそれぞれ発生した磁界は、シート１〜１３の表面に対して平行な面を周回する。ビアインダクタＬ１〜Ｌ３のそれぞれの上端部（ビアホール２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ）は、シールド電極３０，３１に接続され、短絡されている。絶縁シート６に設けたビアホール２１ｄ，２３ｄにはそれぞれ、入力引出し電極３３および出力引出し電極３４が接続されている。
【００１８】
一方、空穴４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂは、絶縁シート１，２に金型、レーザ等で穴をあけることにより形成される。必要であれば、空穴４１ａ〜４３ｂの内周壁に印刷やめっき等の方法でＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｕ，Ａｇ−Ｐｄ等の導電体材料を付与する（ただし、穴は塞がっていない）。空穴４１ａ，４１ｂ、４２ａ，４２ｂ、４３ａ，４３ｂは、それぞれ絶縁シート１〜１３の積み重ね方向に連接してガス抜き穴４１，４２，４３を形成する。ガス抜き穴４１，４２，４３の下端（空穴４１ｂ，４２ｂ，４３ｂ）は、ビアインダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３に連接している。
【００１９】
なお、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３やガス抜き穴４１〜４３は、それぞれインダクタ用ビアホールや空穴を連接させたものに限るものではなく、分厚い絶縁シートに一つのインダクタ用ビアホールや空穴を設けたものでもよい。
【００２０】
絶縁シート８の表面に配設されている共振用コンデンサ電極２４，２５，２６は、それぞれ絶縁シート８〜１１を挟んでシールド電極３２に対向し、共振用コンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３を形成する。共振用コンデンサ電極２４は、インダクタＬ１の下端（ビアホール２１ｅ）に接続し、インダクタＬ１とコンデンサＣ１とでＬＣ共振器Ｑ１を形成する。共振用コンデンサ電極２５はインダクタＬ２の下端（ビアホール２２ｅ）に接続し、インダクタＬ２とコンデンサＣ２とでＬＣ共振器Ｑ２を形成する。 共振用コンデンサ電極２６はインダクタＬ３の下端（ビアホール２３ｅ）に接続し、インダクタＬ３とコンデンサＣ３とでＬＣ共振器Ｑ３を形成する。インダクタＬ１とＬ２との間、並びにインダクタＬ２とＬ３との間には、それぞれ相互インダクタンスＭが形成され、共振器Ｑ１とＱ２、並びに共振器Ｑ２とＱ３を磁気的に結合する。
【００２１】
また、共振用コンデンサ電極２４，２５は、絶縁シート８を挟んで結合用コンデンサ電極２７に対向し、ＬＣ共振器Ｑ１とＱ２間を結合するための結合用コンデンサＣｓ１を形成する。共振用コンデンサ電極２５，２６は、絶縁シート８を挟んで結合用コンデンサ電極２８に対向し、ＬＣ共振器Ｑ２とＱ３間を結合するための結合用コンデンサＣｓ２を形成する。さらに、減衰極調整用コンデンサ電極２９は、絶縁シート９を挟んで結合用コンデンサ電極２７，２８に対向し、減衰極調整用コンデンサＣｓ３を形成する。
【００２２】
絶縁シート１の上面の手前側および奥側の辺にはそれぞれグランド端子用折り返し電極１４ａ，１５ａが形成され、左右の辺の中央部にはそれぞれ入力端子用折り返し電極１６ａおよび出力端子用折り返し電極１７ａが形成されている。グランド端子用折り返し電極１４ａ，１５ａは略コ字形パターンであり、両端部分は絶縁シート１の左右の辺に露出している。同様に、絶縁シート１３の下面の手前側および奥側の辺にはそれぞれグランド端子用折り返し電極１４ｂ，１５ｂが形成され、左右の辺の中央部にはそれぞれ入力端子用折り返し電極１６ｂおよび出力端子用折り返し電極１７ｂが形成されている。
【００２３】
シールド電極３０〜３２は、それぞれシ−ト３，４，１２の表面に広面積に形成され、引出し部がシート３，４，１２の四辺に露出している。シールド電極３２と共振用コンデンサ電極２４〜２６との間には、結合用コンデンサ電極２７，２８および減衰極調整用コンデンサ電極２９が配置されている。
【００２４】
各シート１〜１３は積み重ねられ、圧着されて図２に示すように積層体５５とされる。ガス抜き穴４１〜４３の開口部（空穴４１ａ，４２ａ，４３ａ）は積層体５５の上面に形成されている。つまり、ガス抜き穴４１〜４３を通してビアインダクタＬ１〜Ｌ３と外界とが連通されている。この積層体５５を焼成すると、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の導電体材料から発生するガスはガス抜き穴４１〜４３を通って効率良く外界へ飛散する。従って、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の周囲にガスが溜まりにくくなる。
【００２５】
こうして、図３に示す積層体５５（例えば、長さ５．０ｍｍ、幅４．０ｍｍ、高さ２．０ｍｍ）とされる。積層体５５の左右の端面にはそれぞれ、ディップ法や薄膜形成法、フォトリソグラフィ法、パターン印刷法、転写印刷法などの方法で入力端子５６、出力端子５７が形成され、手前側および奥側の側面にはそれぞれグランド端子Ｇが形成されている。入力端子５６には入力引出し電極３３が接続され、出力端子５７には出力引出し電極３４が接続され、グランド端子Ｇにはシールド電極３０〜３２が接続されている。
【００２６】
以上の構成からなる積層型ＬＣフィルタ４０Ａは、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３に連接したガス抜き穴４１〜４３を備えているので、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の周囲にガスが溜まりにくい。従って、焼成の際に急速昇温させて、絶縁シート１〜１３や電極２４〜３２、および、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の導電体材料から急激にガスが発生しても、このガスはガス抜き穴４１〜４３を通って効率良く積層体５５の外へ飛散される。特に、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の導電体材料は、金属成分とバインダ成分（溶剤を含む）の比率が例えば５０：５０の導電性ペーストであり、電極２４〜３２の形成に使用される導電性ペーストよりもバインダ成分の割合が高い。このため、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の部分から発生するガス量は、電極２４〜３２の部分から発生するガス量と比較して相対的に多く、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３にガス抜き穴４１〜４３を連接させる効果は大きい。この結果、層間剥がれや電極剥離などの不具合を発生させることなく、焼成時間を短くすることができる。
【００２７】
さらに、従来の積層型ＬＣフィルタ４０は、インダクタ用の穴に充填される導電体材料の量が多すぎて過充填になると、焼成後にビアインダクタＬ１〜Ｌ３の部分が隆起して絶縁シート１，２を押し上げ、積層体５５の表面にクラックが発生することがあった。しかし、本実施形態の積層体ＬＣフィルタ４０Ａは、ガス抜き穴４１〜４３が形成されているので、ガス抜き穴４１〜４３に余分な導電体材料が回り込んだり、ガス抜き穴４１〜４３から余分な導電体材料が突出する。従って、積層体５５の表面のクラックを抑えることができる。
【００２８】
また、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３を備えたＬＣフィルタの場合、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の位置のばらつきが電気特性に大きく影響を及ぼす。例えば、ＬＣフィルタを多数設けたマザー基板からＬＣフィルタを切り出す際、カット位置が左右いずれかにずれると、ビアインダクタＬ１と入力端子５６間の距離が、ビアインダクタＬ３と出力端子５７間の距離とは異なり、インダクタンス値が変化してしまう（前後も同じ）。しかし、本実施形態の積層体ＬＣフィルタ４０Ａは、ガス抜き穴４１〜４３が形成されているので、積層体５５の内部のビアインダクタＬ１〜Ｌ３の位置をガス抜き穴４１〜４３を通して確認できる。従って、イメージセンサ等でガス抜き穴４１〜４３、つまりビアインダクタＬ１〜Ｌ３の位置を検出して、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の位置に合わせてＬＣフィルタ４０Ａをマザー基板から切り出すことができるため、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の位置が安定し、電気特性ばらつきが低減する。
【００２９】
さらに、積層体５５の上面にガス抜き穴４１〜４３が形成されているため、積層体５５の上面の確認ができ、方向性識別標識としてもガス抜き穴４１〜４３は機能する。
【００３０】
さらに、絶縁シート１〜１３を積み重ねて圧着する際に、積層体５５内部に溜まったエアも、ガス抜き穴４１〜４３を通って積層体５５の外へ放出することができ、層間剥がれや電極剥離などの不具合をより一層抑えることができる。
【００３１】
また、ガス抜き穴４１〜４３の横断面積をビアインダクタＬ１〜Ｌ３の横断面積より小さく設定することにより、外部端子形成用めっき液がガス抜き穴４１〜４３に侵入しにくくなり、内部電極３０等の劣化を防止することができる。ガス抜き穴４１〜４３をビアインダクタＬ１〜Ｌ３より小さくすることにより、絶縁シート１〜１３のプレス圧着時の部分的な圧力ダウンを小さくすることができる。ビアインダクタＬ１〜Ｌ３の露出面を小さくでき、導電体材料のマイグレーションなどによる外部端子５６，５７などへの短絡を防止できる。さらに、ビアインダクタＬ１〜Ｌ３からの導電体材料の抜け、落下を防止できる。
【００３２】
また、ガス抜き穴４１〜４３に接しているビアホール２１ａ，２１ｂをシールド電極３０，３１に含めるようにすると、たとえ外部端子形成用めっき液がガス抜き穴４１〜４３に侵入しても、シールド電極３０，３１で堰き止められ、内部電極３０等の劣化を防止することができる。
【００３３】
なお、本発明に係る多層電子部品は、前記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。前記実施形態は、３段のバンドパスフィルタを例にして説明しているが、２段、あるいは４段以上のバンドパスフィルタであってもよいし、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタであってもよい。さらに、例えば、多層基板や、ＲＦダイオードスイッチ、デュプレクサ、トリプレクサ、ダイプレクサなどの送受信デバイス、ＲＦモジュールなどの高周波複合部品も含む。また、シールド電極が積層体の上部又は下部のいずれか一方にのみ配設されているものであってもよい。
【００３４】
さらに、インダクタ用ビアホールの横断面形状は任意である。例えば、ＬＣフィルタ４０Ａのように３段のバンドパスフィルタの場合、入出力端のＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ３の共振周波数を、残りの（中央の）ＬＣ共振器Ｑ２の共振周波数より低くすることがある。そこで、図５に示すように、インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２３ａ〜２３ｅの横断面積を、インダクタ用ビアホール２２ａ〜２２ｅの横断面積より小さくしてもよい。インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２３ａ〜２３ｅの横断面の長さＤ１，Ｄ３を、インダクタ用ビアホール２２ａ〜２２ｅの横断面の長さＤ２より短くしている。あるいは、インダクタ用ビアホール２２ａ〜２２ｅの横断面の幅Ｗ２を、インダクタ用ビアホール２１ａ〜２１ｅ，２３ａ〜２３ｅの横断面の幅Ｗ１，Ｗ３より広くしてもよい。
【００３５】
また、ガス抜き穴も、その横断面形状、穴の深さ、数、位置などは任意である。全てのガス抜き穴の形状が同一である必要はない。さらに、ガス抜き穴の開口部は多層電子部品の上面、実装面（底面）や側面のいずれの面に形成されていてもよく、また、上面および実装面の両方の面に形成してもよい。さらに、ガス抜き穴は、部品内部で任意の方向に屈曲していてもよいし、途中で穴の形状が変わってもよい。ビアインダクタの上端下端両方にそれぞれに、ガス抜き穴を連接させてもよい。
【００３６】
さらに、前記実施形態は、それぞれ電極やビアホールが形成された絶縁シートを積み重ねた後、一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されない。絶縁シートは予め焼成されたものを用いてもよい。また、以下に説明する製法によって多層電子部品を製造してもよい。印刷等の方法によりペースト状の絶縁材料にて絶縁層を形成した後、その絶縁層の表面にペースト状の導電性材料を塗布して電極やビアホールを形成する。次にペースト状の絶縁材料を上から塗布して絶縁層とする。同様にして、順に重ね塗りすることにより積層構造を有する多層電子部品が得られる。
【００３７】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、ガス抜き穴を通して、ビア導体と外界とが連通される。従って、ビア導体の導電体材料から発生するガスの抜け性が向上し、ビア導体の周囲にガスが溜まりにくくなる。この結果、層間剥がれや電極剥離などの不具合を発生させることなく、焼成時間を短くすることができる。
【００３８】
また、ガス抜き穴の横断面積をビア導体の横断面積より小さく設定することにより、外部端子形成用めっき液がガス抜き穴に侵入しにくくなり、内部電極の劣化等を防止することができる。また、ガス抜き穴に接しているビアホールをシールド電極に含めるようにすると、たとえ外部端子形成用めっき液がガス抜き穴に侵入しても、シールド電極で堰き止められ、内部電極の劣化等を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る多層電子部品の一実施形態を示す分解斜視図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ断面図。
【図３】図１に示した多層電子部品の外観斜視図。
【図４】図３に示した多層電子部品の電気等価回路図。
【図５】ビアホールの変形例を示す横断面図。
【図６】従来の多層電子部品を示す分解斜視図。
【図７】図６に示した多層電子部品の外観斜視図。
【符号の説明】
４０Ａ…積層型ＬＣフィルタ
１〜１３…絶縁シート
２１ａ〜２１ｅ，２２ａ〜２２ｅ，２３ａ〜２３ｅ…インダクタ用ビアホール
２４，２５，２６…共振用コンデンサ電極
３０，３１，３２…シールド電極
４１，４２，４３…ガス抜き穴
４１ａ，４１ｂ，４２ａ，４２ｂ，４３ａ，４３ｂ…空穴
Ｌ１〜Ｌ３…ビアインダクタ
Ｃ１〜Ｃ３…共振用コンデンサ
Ｑ１〜Ｑ３…ＬＣ共振器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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