(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置と、
外部からの操作を受け付ける操作部と、
半導体装置のパターンデータから前記操作部の操作に応じて指定された所定データのパターンを前記表示装置に表示し、前記表示したパターンの全部又は切り抜いた一部に対応するデータを、前記操作部の操作に応じて抽出するパターンデータ抽出手段と、
前記抽出されたデータに対応するパターン領域の製造プロセスに関するパラメータを設定するパラメータ設定手段と、
前記抽出されたデータと前記設定されたパラメータを用いて、前記抽出されたデータに対応するパターン領域を前記製造プロセスにより製造したときに得られる形状を予測するためのシミュレーションを行うシミュレーション手段と、
前記シミュレーションの結果を前記表示装置に表示するシミュレーション結果表示手段と、
前記表示装置に前記操作部を含む操作画面を表示し、前記操作画面上の操作に応じて、前記所定データの指定、並びに、前記パターンデータ抽出手段、前記シミュレーション手段及び前記シミュレーション結果表示手段への処理の実行指示を行う制御手段と、
を有する半導体シミュレーション計算装置。
【請求項２】
前記パターンデータ抽出手段は、前記パターンの一部に対応したデータを抽出する場合、前記表示されたパターンの一部を拡大表示した状態で前記操作部内のクリップボタンが操作されると、当該操作に応じて前記拡大表示されたパターンのデータを抽出する
請求項１記載の半導体シミュレーション計算装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記処理の実行指示を、同一の操作画面におけるＧＵＩ(Graphical User Interface)を利用した統一した方法により行う
請求項１記載の半導体シミュレーション計算装置。
【請求項４】
前記シミュレーションの結果を解析する解析手段をさらに有し、
前記シミュレーション手段は、電子線リソグラフィー工程のシミュレーションを行い、
前記解析手段は、前記電子線リソグラフィー工程のシミュレーションの結果より、レジスト中の蓄積エネルギーを算出し、算出した蓄積エネルギーに基づいて形成されるレジスト線幅を算出し、
前記シミュレーション結果表示手段は、前記算出されたレジスト線幅を表示する
請求項１記載の半導体シミュレーション計算装置。
【請求項５】
同一の操作画面上のＧＵＩ(Graphical User Interface)を利用した統一した方法により行われる操作により、
半導体装置のパターンデータから操作に応じて選択された所定データのパターンを表示し、
前記表示したパターンの全部又は切り抜いた一部に対応するデータを、操作に応じて抽出し、
前記抽出されたデータに対応するパターン領域の製造プロセスに関するパラメータを設定し、
前記抽出されたデータをシミュレーション用のパターンデータに変換し、
前記変換されたパターンデータに対して、前記設定されたパラメータを用いて、前記抽出されたデータが示すパターン領域を前記製造プロセスにより製造したときに得られる形状を予測するためのシミュレーションを行い、
前記シミュレーションの結果を表示する
半導体シミュレーション方法。
【請求項６】
前記パターンデータ抽出手段は、前記パターンの一部に対応したデータを抽出する場合、前記表示されたパターンの一部を拡大表示した状態で前記操作部内のクリップボタンが操作されると、当該操作に応じて前記拡大表示されたパターンのデータを抽出する
請求項５記載の半導体シミュレーション方法。
【請求項７】
前記シミュレーションの結果を解析する工程をさらに有し、
前記シミュレーションは、電子線リソグラフィー工程のシミュレーションを行い、
前記解析は、前記電子線リソグラフィー工程のシミュレーションの結果より、レジスト中の蓄積エネルギーを算出し、算出した蓄積エネルギーに基づいて形成されるレジスト線幅を算出し、
前記シミュレーションの結果の表示は、前記算出されたレジスト線幅を表示する
請求項５記載の半導体シミュレーション方法。
【請求項８】
半導体装置のパターンデータから前記操作部の操作に応じて指定された所定データのパターンを前記表示装置に表示し、前記表示したパターンの全部又は切り抜いた一部に対応するデータを、前記操作部の操作に応じて抽出するパターンデータ抽出手段を読み出す機能と、
前記抽出されたデータに対応するパターン領域の製造プロセスに関するパラメータを設定するパラメータ設定手段を読み出す機能と、
前記抽出されたデータと前記設定されたパラメータを用いて、前記抽出されたデータに対応するパターン領域を前記製造プロセスにより製造したときに得られる形状を予測するためのシミュレーションを行うシミュレーション手段を読み出す機能と、
前記シミュレーションの結果を前記表示装置に表示するシミュレーション結果表示手段を読み出す機能と、
前記表示装置に前記操作部を含む操作画面を表示し、前記操作画面上の操作に応じて、前記所定データの指定、並びに、前記パターンデータ抽出手段、前記シミュレーション手段及び前記シミュレーション結果表示手段への処理の実行指示を行う制御機能と、
を実現する半導体シミュレーション制御プログラムを記録した機械読み取り可能な記録媒体。
【請求項９】
前記パターンデータ抽出手段は、前記パターンの一部に対応したデータを抽出する場合、前記表示されたパターンの一部を拡大表示した状態で前記操作部内のクリップボタンが操作されると、当該操作に応じて前記拡大表示されたパターンのデータを抽出する
請求項８記載の半導体シミュレーション制御プログラムを記録した機械読み取り可能な記録媒体。
【請求項１０】
前記制御機能は、前記読み出された前記各手段に対する指示を、同一の操作画面におけるＧＵＩ(Graphical User Interface)を利用した統一した方法により行う機能を有する
請求項８記載の半導体シミュレーション制御プログラムを記録した機械読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の所定のパターンデータの表示からプロセスに係わるシミュレーションまでの処理を、一連の操作により効率よく行える半導体シミュレーション計算装置とその方法、および、そのように各処理モジュールを適切に制御することができる半導体シミュレーション制御プログラムを記録した機械読み取り可能な記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子線リソグラフィーは、フォトマスクの作成や、ウェハ上のレジストへ直接パターニングする場合などに利用されている。
これらの工程の検査段階において、レジスト寸法・形状が所望の寸法・形状になっていない不良箇所が発見された場合には、その部分のパターンを描画した際の電子線の照射量が最適であったか否かを検査する必要がある。
そのためこれまでは、マスクデータやレイアウトデータから、その不良箇所を含む領域のデータを抽出し、電子線のシミュレーション用のフォーマットのパターンデータに変換し、シミュレーションを行い、その不良箇所のレジスト中の蓄積エネルギーを計算し、最終的に目的の線幅を算出している。
【０００３】
また、エッチング時のローディング影響を調査するため、パターンデータの疎密情報が必要となる。近年の半導体デバイスは構造が複雑になっているため、ウェハ表面の段差が大きいと露光が難しくなるため、段差のシミュレーションが行われる。この際にも、実際のパターンデータが必要である。
また、半導体装置の製造工程においては、他にも多くのプロセスにおいてパターンデータを必要とする計算が存在する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、たとえば前述したレジスト寸法の不良原因を究明するための一連の作業は、トラブル対処のため直ちにシミュレーションの結果が必要であるにも関わらず、複数のプログラムを利用し、また、途中でフォーマット変換などの処理を介するため、処理時間がかかるという問題がある。その他のプロセスにおいても、前述したように、マスクデータやレイアウトデータをそのプロセスに適応したパターンデータへ変換し、さらに別のプログラムを利用して処理を行う場合が多く、いずれの場合もより効率的にそれらの検証やシミュレーションなどの処理を行いたいという要望がある。
【０００５】
また、このようなパターンデータを必要とする計算は、半導体装置の製造工程においては電子線リソグラフィに限ったことではない。たとえば、光リソグラフィでは、フォトマスクを使ってウェハ上のレジストにパターニングを行う。そのためトラブル時には光シミュレーションを行う必要があり、マスクデータやレイアウトデータを光シミュレーション用のマスクデータに変換しなければならない。そして、この場合もこれらの検証やシミュレーションなどの処理をより効率的に行いたいという要望がある。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、半導体装置の製造工程において、半導体装置の任意のパターンに対して、所望の領域の指定から当該指定された領域に対する所望の検証、シミュレーションなどの処理を一連の操作により効率よく実行できるような半導体シミュレーション装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、半導体装置の製造工程において、半導体装置の任意のパターンに対して、所望の領域の指定から当該指定された領域に対する所望の検証、シミュレーションなどの処理を一連の操作により効率よく実行できるような半導体シミュレーション方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、半導体装置の製造時において、半導体装置の任意のパターンに対する所望の領域の指定から当該指定された領域に対する所望の検証、シミュレーションなどの処理を、一連の操作により効率よく実行できるように、半導体シミュレーションプログラムを含む各処理モジュールを制御する半導体シミュレーション制御プログラムを記録した機械読み取り可能な記録媒体を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明の半導体シミュレーション計算装置は、表示装置と、外部からの操作を受け付ける操作部と、半導体装置のパターンデータから前記操作部の操作に応じて指定された所定データのパターンを前記表示装置に表示し、前記表示したパターンの全部又は切り抜いた一部に対応するデータを、前記操作部の操作に応じて抽出するパターンデータ抽出手段と、前記抽出されたデータに対応するパターン領域の製造プロセスに関するパラメータを設定するパラメータ設定手段と、前記抽出されたデータと前記設定されたパラメータを用いて、前記抽出されたデータに対応するパターン領域を前記製造プロセスにより製造したときに得られる形状を予測するためのシミュレーションを行うシミュレーション手段と、前記シミュレーションの結果を前記表示装置に表示するシミュレーション結果表示手段と、前記表示装置に前記操作部を含む操作画面を表示し、前記操作画面上の操作に応じて、前記所定データの指定、並びに、前記パターンデータ抽出手段、前記シミュレーション手段及び前記シミュレーション結果表示手段への処理の実行指示を行う制御手段とを有する。
【０００８】
このような半導体シミュレーション計算装置においては、パターンデータ抽出手段において、半導体装置のパターンデータから操作部の操作に応じて選択された所定データのパターンを表示装置に表示し、表示したパターンの全部又は切り抜いた一部に対応するデータを、操作部の操作に応じて抽出し、これにより、ユーザが表示装置を見て選んだデータに対応する所定のパターン領域のみが処理対象となる。一方で、制御手段からパラメータ設定手段に対して指示を行い、上記抽出されたデータに対応する所定のパターン領域の製造プロセスに関する所定のシミュレーションを行うためのパラメータが設定される。これらの抽出されたパターンデータおよび設定されたパラメータが、制御手段を介して、例えば適切な形態に変換されてシミュレーション手段に入力され、所望のシミュレーションが行われる。そして、その結果は、例えば再び制御手段を介して適切な形態に変換されてシミュレーション結果表示手段に入力され、表示される。
【０００９】
好適には、前記制御手段は、前記処理の実行指示を、同一の操作画面におけるＧＵＩを利用した統一した方法により行う。
また好適には、本発明の半導体シミュレーション計算装置は、前記シミュレーションの結果を解析する解析手段をさらに有し、前記シミュレーション手段は、電子線リソグラフィー工程のシミュレーションを行い、前記解析手段は、前記電子線リソグラフィー工程のシミュレーションの結果より、レジスト中の蓄積エネルギーを算出し、算出した蓄積エネルギーに基づいて形成されるレジスト線幅を算出し、前記シミュレーション結果表示手段は、前記算出されたレジスト線幅を表示する。
【００１０】
また、本発明の半導体シミュレーション方法は、同一の操作画面上のＧＵＩ(Graphical User Interface)を利用した統一した方法により行われる操作により、半導体装置のパターンデータから操作に応じて選択された所定データのパターンを表示し、表示したパターンの全部又は切り抜いた一部に対応するデータを、操作に応じて抽出し、抽出されたデータに対応するパターン領域の製造プロセスに関するパラメータを設定し、抽出されたデータをシミュレーション用のパターンデータに変換し、変換されたパターンデータに対して、設定されたパラメータを用いて、抽出されたデータが示すパターン領域を製造プロセスにより製造したときに得られる形状を予測するためのシミュレーションを行い、シミュレーションの結果を表示する。
【００１１】
また、本発明の半導体シミュレーション制御プログラムを記録した機械読み取り可能な記録媒体は、半導体装置のパターンデータから前記操作部の操作に応じて指定された所定データのパターンを前記表示装置に表示し、前記表示したパターンの全部又は切り抜いた一部に対応するデータを、前記操作部の操作に応じて抽出するパターンデータ抽出手段を読み出す機能と、前記抽出されたデータに対応するパターン領域の製造プロセスに関するパラメータを設定するパラメータ設定手段を読み出す機能と、前記抽出されたデータと前記設定されたパラメータを用いて、前記抽出されたデータに対応するパターン領域を前記製造プロセスにより製造したときに得られる形状を予測するためのシミュレーションを行うシミュレーション手段を読み出す機能と、前記シミュレーションの結果を前記表示装置に表示するシミュレーション結果表示手段を読み出す機能と、前記表示装置に前記操作部を含む操作画面を表示し、前記操作画面上の操作に応じて、前記所定データの指定、並びに、前記パターンデータ抽出手段、前記シミュレーション手段及び前記シミュレーション結果表示手段への処理の実行指示を行う制御機能と、を実現する半導体シミュレーション制御プログラムを記録している。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態の半導体シミュレーション装置について、図１〜図１０を参照して説明する。
本実施の形態の半導体シミュレーション装置は、汎用の計算機装置上などに搭載され、複数のプログラムモジュールにより構築される半導体シミュレーションシステムであり、検証やシミュレーションの必要なパターンデータの選択から、シミュレーションパラメータの選択、シミュレーションおよびその結果の表示までを統合して一連の操作により行うことができるシステムである。
【００１３】
その半導体シミュレーション装置１の基本構成を図１に示す。
図１に示すように、半導体シミュレーション装置１は、パターンデータブラウザ１００、入力ファイル選択ツール１１０、パラメータ選択モジュール１２０、パラメータ編集モジュール１３０、ゴーストオプション選択モジュール１４０、出力ファイル選択ツール１５０、シミュレーションモジュール１６０、結果表示モジュール１７０およびオペレーションモジュール１８０を有する。
【００１４】
パターンデータブラウザ１００は、オペレーションモジュール１８０によって起動され、指示されたファイル名のデバイスデータ、すなわちマスクデータやレイアウトデータなどをサーチし表示する。この時、パターンデータブラウザ１００は、ズームインおよびズームアウト、座標変換、回転などをしてパターンデータを表示するとともに、パターンデータ情報の表示なども行う。また、パターンデータを表示している状態でパターンデータブラウザ１００上のボタンをクリックすると、その表示しているパターンデータが所定のファイルに記憶される。
【００１５】
そして、たとえば後述するオペレーションモジュール１８０が提供するＧＵＩ上の所定のクリップボタンをオペレータがクリックすることによりオペレーションモジュール１８０よりパターンデータブラウザ１００にクリッピング命令が入力されると、パターンデータブラウザ１００は、パターンデータブラウザ１００上で選択されファイルに記憶されているデバイスデータを抽出し、オペレーションモジュール１８０へ転送する。
【００１６】
入力ファイル選択ツール１１０は、オペレーションモジュール１８０からの命令に基づいて動作し、半導体シミュレーション装置１においてアクセス可能なデバイスデータのファイルに関する情報を検索し、検索したその情報をオペレーションモジュール１８０に通知する。
【００１７】
パラメータ選択モジュール１２０は、オペレーションモジュール１８０からの命令に基づいて動作し、半導体シミュレーション装置１においてアクセス可能なシミュレーション用のパラメータに関する情報を検索し、検索したその情報をオペレーションモジュール１８０に通知する。
【００１８】
パラメータ編集モジュール１３０は、オペレーションモジュール１８０からの命令に基づいて動作し、後述するオペレーションモジュール１８０が提供するＧＵＩ上でオペレータが行うパラメータ編集の操作に基づいてパラメータ選択モジュール１２０により選択したパラメータなどを編集する。編集が終了したら、変数処理が終了したことをオペレーションモジュール１８０に通知するとともに、オペレーションモジュール１８０からの指示に基づいてその編集したパラメータの転送、格納などを行う。
【００１９】
ゴーストオプション選択モジュール１４０は、シミュレーションにおいて、ゴースト露光オプションを行うか否かの設定を受け付けるためのモジュールであり、後述するオペレーションモジュール１８０が提供するＧＵＩ上でオペレータが行うゴースト露光オプションの指定操作に対してその操作環境、指定条件などを提供する。たとえば、選択されている描画装置が、ゴースト露光を印加することができる装置か否かを検査し、オペレータにより適切な指定が行われるような選択処理の制御などを行う。
【００２０】
出力ファイル選択ツール１５０は、オペレーションモジュール１８０からの命令に基づいて動作し、シミュレーションの結果のデータを記憶するファイルを指定するためのツールであり、具体的には、半導体シミュレーション装置１内のファイルシステムなどの情報を管理しておき、オペレータが所望のディレクトリに所望の名称で適切に結果のデータを記憶できるようなファイル指定操作環境を提供する。
【００２１】
シミュレーションモジュール１６０は、実際にプロセスシミュレーションを行うモジュールであり、本実施の形態においてはＥＢリソグラフィにおける電子線の蓄積エネルギーの計算を行う露光強度計算モジュールが具えられている。シミュレーションモジュール１６０は、オペレーションモジュール１８０より、シミュレーション用デバイスデータ、パラメータ、出力ファイル、ゴースト露光オプションの有無などの情報を入力され、さらにオペレーションモジュール１８０からの命令に基づいてシミュレーションを行う。シミュレーション結果は、その指示された出力ファイルに記憶する。
【００２２】
結果表示モジュール１７０は、オペレーションモジュール１８０からの命令に基づいて、シミュレーションモジュール１６０において行われたシミュレーション結果の結果出力ファイルを読み出すことにより、その結果を、所望の形態で表示する。計算結果表示モジュール１７０は、そのシミュレーション結果を直接的に、あるいは、所定の解析を行った結果として表示する。
本実施の形態においては、結果表示モジュール１７０は、シミュレーションモジュール１６０で行われた電子線リソグラフィーのシミュレーションの結果より、レジスト中の蓄積エネルギーを計算し、これにより形成されるレジスト線幅を算出し、この線幅を直接的に確認できるように表示する。
【００２３】
オペレーションモジュール１８０は、半導体シミュレーション装置１の全体の制御モジュールであって、半導体シミュレーション装置１が全体として所定のデバイスデータに対して所定のシミュレーションを行い所望の形態でオペレータがその結果を確認できるように、前述した各プログラムモジュールを制御する。
具体的には、オペレーションモジュール１８０はオペレータに対して所定のＧＵＩ環境を提供し、それら複数のモジュールに対する処理を一括的かつ容易に指示できるようにする。またそのＧＵＩを介したオペレータの指示などに基づいて、前述した各プログラムモジュールに対して所定の処理の指示や、所定のデータの転送などを行う。その際に、各モジュールに対して適切な形態でデータが受け渡されるように、そのデータ形式の変換などの処理も行う。
【００２４】
たとえば、前述したように、パターンデータブラウザ１００により所望のパターンデータがサーチされ、所望の領域が選択され、前述したようにその領域のデータが所定のファイルに記憶されている場合に、後述するＧＵＩ画面のクリッピングボタンが押下されると、オペレーションモジュール１８０は、クリッピング命令をパターンデータブラウザ１００に入力し、前述した所定のファイルよりその選択されたパターンデータのデータを読み込み、順次シミュレーション形式のデータに変換して、そのＧＵＩ画面上に表示する。
【００２５】
なお、本実施の形態の半導体シミュレーション装置１においては、これらの各プログラムモジュールの中の入力ファイル選択ツール１１０〜出力ファイル選択ツール１５０およびオペレーションモジュール１８０が一体的に１のプログラムとして構成され、パターンデータブラウザ１００、シミュレーションモジュール１６０および結果表示モジュール１７０は、各々独立したプログラムとして構成されている。したがって、オペレーションモジュール１８０から見ると、入力ファイル選択ツール１１０〜出力ファイル選択ツール１５０は内部プログラムとして、パターンデータブラウザ１００、シミュレーションモジュール１６０および結果表示モジュール１７０は外部プログラムとして管理される。
また、これらの各モジュールおよびツールは、オペレーションモジュール１８０を介さなくとも各々単独に動作させることも可能なモジュールである。
【００２６】
次に、本実施の形態の半導体シミュレーション装置１のＧＵＩについて説明する。
図２は、半導体シミュレーション装置１のパターンデータブラウザ１００の表示ウィンドウを示す図である。
パターンデータブラウザ１００においては、指示されたファイル名のマスクデータやレイアウトデータをサーチし、ズームインおよびズームアウト、座標変換、回転などをして、このようなウィンドウ上に表示する。また、このような表示ウィンドウ内で、オペレータが所定の領域を選択することにより、さらにその所定の領域が選択され、そのパターンデータが所定のファイルに記憶される。このファイルに記憶されたデータが、後にオペレーションモジュール１８０に転送されてシミュレーションに供される。
【００２７】
次に、オペレーションモジュール１８０により提供される半導体シミュレーション装置１のＧＵＩについて説明する。
図３は、半導体シミュレーション装置１の表示装置上に表示される基本画面３００を示す図である。
この基本画面は、５つのブロック３１０〜３５０より構成されている。
第１のブロック３１０は、シミュレーション対象のデバイスパターンデータを指定したり選択するためにファイルを指示するためのオブジェクトである。第１のブロック３１０は、デバイスパターンを指定するために、直接ファイル名を入力する機能と、入力ファイル選択ツール１１０を起動してファイルを選択する機能を有している。ファイル名を直接入力するか、入力ファイル選択ツール１１０を起動して目的のパターンファイルを選択すると、自動的にパターンデータブラウザ１００が起動されるので、これにより選択したパターンデータを表示し、所望の領域の選択などを行うことになる。
【００２８】
第２のブロック３２０は、半導体シミュレーション装置１に取り込んだパターンデータを表示するオブジェクトである。たとえば、パターンデータブラウザ１００において目的とするパターンを選択し、第２のブロック３２０のクリップボタン３２２("clipping data") をクリックすると、第２のブロック３２０の表示部３２１に選択したパターン、すなわちパターンデータブラウザ１００におけるパターンと同じものが表示される。この時点でシミュレーションのためのパターンをカットしたものが半導体シミュレーション装置１に取り込まれる。
また、第２のブロック３２０は、単に、クリッピング処理したデータを表示するだけではなく、パターンデータの拡大・縮小・原点の移動などを行って、詳細にパターンデータを確認することができる。
【００２９】
なお、シミュレーション用のパターンデータの取り込みは、第１のブロック３１０によるファイル指定を介す方法の他に、第２のブロック３２０のシミュレーション用マスクパターンのロードボタン３２３("load")をクリックすることによっても行われる。この場合は、予め作成したシミュレーション用のマスクデータ、または、予めクリッピングして記憶されているデータよりシミュレーション用のデータを選択することになる。ロードボタン３２３をクリックすると、図４に示すような、予め作成したシミュレーション用のマスクデータおよび予めクリッピングして記憶されているデータの一覧が表示されるので、それらの一覧から目的とするファイルを選択することによって、そのパターンデータが取り込まれ、第２のブロック３２０に選択したファイルのパターンが表示される。
【００３０】
第３のブロック３３０は、シミュレーション用のパラメータを操作するためのオブジェクトである。シミュレーションパラメータ選択部は、基本的に、予め用意されているレジストおよび基板ごとのパラメータデータベースから、所望のパラメータを選択することにより行われる。目的のパラメータ番号がわかっている場合には、パラメータ番号入力ボックス３３１から直接パラメータの番号を入力すればそのパラメータを選択できる。また、目的のパラメータ番号が分からない場合には、パラメータ選択ボタン３３２("Select Parametor")をクリックすると、図５に示すようなパラメータの一覧が表示され、この一覧ボックスから目的とするパラメータを選択すると、自動的にパラメータの番号が選択される。これらのパラメータ選択の処理は、オペレータがこれらのボタンなどを操作することによりパラメータ選択モジュール１２０が起動されて行われる。
【００３１】
また、第３のブロック３３０においては、パラメータを編集したい場合に、パラメータの編集ボタン３３３をクリックする。そうすると、パラメータ編集モジュール１３０が起動され、図６に示すような、パラメータ編集画面３３４が表示される。このパラメータ編集画面３３４のリストボックス３３５にリストアップされている任意のパラメータをダブルクリックすると、そのパラメータの値が編集フィールド３３６にコピーされ、そこでのパラメータの編集が可能となる。これにより、パラメータの追加、削減、変更を行うことが可能となる。
【００３２】
さらに第３のブロック３３０は、ゴースト露光オプション指定オブジェクト３３７を有しており、シミュレーション時のゴースト露光計算のオプションを指定することができる。ただし、ゴースト露光オプションは描画装置に依存した機能であるため、特定の描画装置が選択された時にのみこの指定は有効となる。
ゴースト露光オプション指定オブジェクト３３７は、図７（Ａ）に示すように、通常は、デフォルト値としてゴースト露光オプションを非選択となっているが、前述したパラメータ選択により描画装置としてゴーストオプションを指定可能な描画装置が指定されたパラメータが選択されると、ゴーストオプション選択モジュール１４０が起動され、ゴーストボタン３３８を押下することが可能となる。この状態で、ゴーストボタン３３８を押下すると、図７（Ｂ）に示すように表示が代わり、ゴースト露光オプションが選択される。
【００３３】
第４のブロック３４０は、シミュレーション結果の出力先ならびにファイル名を指定するオブジェクトである。デフォルトでは、出力先はプログラムを起動した時のカレントディレクトリ、ファイル名はマスクデータネーム＋”ｅｂｏ”となる。出力ディレクトリを変更するには、ディレクトリ指定ボタン３４１をクリックする。すると、出力ファイル選択ツール１５０が起動され、図８に示すようなディレクトリのセレクター３４２が表示されるので、このセレクター上で所望のディレクトリに移動する。
【００３４】
第５のブロック３５０は、外部プログラムを利用するためのブロックである。本実施の形態においては、パターンデータブラウザ１００、シミュレーションモジュール１６０および結果表示モジュール１７０が外部プログラムとして管理されているが、この中のシミュレーションモジュール１６０および結果表示モジュール１７０についてはこの第５のブロック３５０を介して起動される。
したがって、半導体シミュレーション装置１においては、第５のブロック３５０に、シミュレーション開始ボタン３５１およびシミュレーション結果表示ボタン３５２が第５のブロック３５０に予め割り当てられている。
【００３５】
第５のブロック３５０のシミュレーション開始ボタン３５１をクリックすると、入力パターンデータ、パラメータ番号、ゴースト露光オプション、出力ファイル名の情報をオペレーションモジュール１８０はシミュレーションモジュール１６０に渡し、シミュレーションモジュール１６０を起動する。なお、シミュレーション開始ボタン３５１は、マスクパターンとパラメータを選択しないと選択できないように設定してある。
そして、シミュレーションが開始されたら、図９に示すようなメッセージウィンドウ３５４が表示される。
【００３６】
第５のブロック３５０のシミュレーション結果表示ボタン３５２をクリックすると、結果表示モジュール１７０が起動され、シミュレーションの結果を出力ファイルから読み出し、たとえば図１０に示すように表示する。
【００３７】
なお、本実施の形態のオペレーションモジュール１８０においては、第５のブロック３５０に半導体シミュレーション装置１を終了するための終了ボタン３５３も設けられている。この終了ボタン３５３をクリックすると、オペレーションモジュール１８０は処理を終了し、半導体シミュレーション装置１の処理も終了する。
【００３８】
次に、このようなＧＵＩ機能を有するこの半導体シミュレーション装置１の動作について説明する。
まず、半導体シミュレーション装置１を起動すると、図３に示すような基本画面が表示される。
この状態において、ユーザは、まず、マスクパターンの選択およびシミュレーションのためのパラメータの選択を行う。
【００３９】
マスクパターンの選択は、デバイスを構成するマスクパターンデータから引用する方法と、予めシミュレーションのために作成しておいたマスクパターンデータを呼び出す方法のいずれかにより行う。
デバイスを構成するマスクパターンデータから引用する場合には、ユーザは第１のブロック３１０の機能を使って、ファイル名を選択し、パターンデータブラウザ１００を起動する。そして、このパターンデータブラウザ１００上で、目的とする領域のパターン部分を表示させ、たとえばハサミ形状のアイコンなどの所定のクリップボタンをクリックすると、そのパターンデータが取り込まれ、パターンデータブラウザ１００からオペレーションモジュール１８０にそのパターンデータが転送される。
そしてさらに、第２のブロック３２０のクリップボタン３２２を押下すると、表示部３２１にクリップしたパターンデータが表示される。
【００４０】
予めシミュレーションのために作成しておいたマスクパターンデータを呼び出す場合には、第２のブロック３２０のロードボタン３２３をクリックすることにより図４に示すようなシミュレーション用パターンデータのリストを表示させ、これを用いてファイルを選択する。選択されたパターンデータは表示部３２１に表示されるので、ここでシミュレーションを行うためのマスクデータの確認ができる。この時、確認のために、ズームインおよびズームアウトなどが実行できる。
なお、これらのマスクパターンデータを得る際のファイル名を指定する際には、第１のブロック３１０または第２のブロック３２０を介して入力ファイル選択ツール１１０が起動されて行われる。
【００４１】
シミュレーションのためのパラメータの選択は、基本画面３００の第３のブロック３３０を用いて、パラメータ選択モジュール１２０を起動して行う。必要なパラメータ番号が分からない時は、パラメータ選択ボタン３３２をクリックし、図５のようなパラメータリストを表示させ、所望のパラメータ部をダブルクリックすることによってパラメータが選択される。また、予めパラメータ番号が分かっていれば、パラメータ番号入力ボックス３３１に直接番号を入力することもできる。
また、パラメータの追加や変更は、編集ボタン３３３をクリックすると、パラメータ編集モジュール１３０が起動され、図６に示すようなパラメータ編集画面３３４が登場するので、このパラメータ編集画面３３４を用いて行う。
【００４２】
また、シミュレーションを行う描画装置がゴースト露光可能な装置の場合は、図７に示すようなゴースト露光オプション指定オブジェクト３３７を介して、ゴーストオプション選択モジュール１４０を起動し、ゴースト露光を考慮したシミュレーションを行うか否かをセットする。ゴースト露光オプションを選択する場合には、ゴーストボタン３３８をクリックする。
さらに、第４のブロック３４０を用いて、出力ファイル選択ツール１５０を起動し、シミュレーションの結果の出力ファイルを決定する。この時、結果ファイルをカレントディレクトリ以外のディレクトリに格納したければ、ディレクトリ指定ボタン３４１をクリックしてディレクトリセレクター３４２を表示させ、これにより所望のディレクトリを選択する。
【００４３】
そして、第５のブロック３５０のシミュレーション開始ボタン３５１をクリックすると、シミュレーションモジュール１６０が起動され、セットした各条件に基づいてシミュレーションが開始される。シミュレーション中は、図９に示すようなメッセージウィンドウ３５４が表示される。
シミュレーションが終了すると、第５のブロック３５０のシミュレーション結果表示ボタン３５２がクリック可能となるので、このボタンをクリックすると、結果表示モジュール１７０が起動され、図１０に示すようにシミュレーション結果が表示される。
【００４４】
最後に、このような構成の半導体シミュレーション装置１を搭載する実際のハードウェアについて説明する。
前述したように、半導体シミュレーション装置１は、汎用の計算機装置上などに複数のプログラムモジュールが搭載されて構築されたものである。そのような、プログラムモジュールが搭載される計算機装置本体の構成を図１１に示す。
図１１は、半導体シミュレーション装置１のハードウェアの構成を示すブロック図であり、半導体シミュレーション装置１は、システムコントローラ１０、ＣＰＵ２０、メモリ３０、ＣＲＴ４０、グラフィックメモリ４１、グラフィックコントローラ４２、ハードディスク５０、ハードディスク（ＨＤ）コントローラ５１、フロッピードライブ６０、フロッピードライブ（ＦＤ）コントローラ６１、キーボード７０、キーボードコントローラ７１、マウス８０およびマウスコントローラ８１が図示のごとくシステムバス９０を介して接続されたものである。
【００４５】
このようなハードウェア構成において、前述した各ブログラムモジュール、各デバイスデータ、各パラメータおよび結果ファイルなどは、ハードディスク５０上に記憶される。そして、処理に応じて適宜メモリ３０に呼び出され、ＣＰＵ２０により前述したような各処理が行われる。
基本画面３００の表示や各種のサブウィンドウの表示などは、ＣＰＵ２０の指示によりグラフィックメモリ４１を用いてグラフィックコントローラ４２により制御され、実際にＣＲＴ４０上に表示される。
【００４６】
このように、本実施の形態の半導体シミュレーション装置１によれば、実際のパターンデータから所望の領域を選択し、シミュレーションを行い、その結果を確認するまでの処理を、一連の操作により効率よく行うことができる。したがって、プロセス開発時に問題が生じた場合に、シミュレーションを行って短時間で検証を行い、原因を究明することができる。
【００４７】
具体的には、各処理は各々独立した処理モジュールを用いているので、これまで利用していたパターンデータを取り扱うモジュールや、シミュレーションモジュール、パラメータ決定モジュール、結果表示・解析結果モジュールなどをそのまま、あるいは、Ｉ／Ｆ部などを改良する程度の簡単な変更を行うことにより、用いることができる。
また、これらの一連の操作は、ＧＵＩにより行うことができるので、容易かつ効率よく、それらの操作を行うことができる。特に、各モジュールの詳細な使用方法や特徴などを知らないオペレータなどでも、容易にこれら一連の処理を行うことができる。
【００４８】
なお、本発明は本実施の形態に限られるものではなく、種々の改変が可能である。
たとえば、本実施の形態は、電子線シミュレーションについて本発明を適用した場合について説明したが、パラメータリストを光強度シミュレーション用のデータベースに変更し、シミュレーションプログラムを光強度シミュレーションに置換することによって、容易に光強度シミュレーションを実行することが可能となる。
【００４９】
また、図３に基本画面を例示したような、半導体シミュレーション装置１のＧＵＩ画面の構成、詳細な各ボタン、ツ−ルの機能、表示されるサブウィンドウ、サブツールの構成およびその機能などは、任意に決定してよい。
また、本実施の形態の半導体シミュレーション装置１においては、結果表示モジュール１７０において、シミュレーションモジュール１６０で行われた電子線リソグラフィーのシミュレーションの結果を解析し、形成されるレジスト線幅を算出していた。しかし、このシミュレーションの結果に対する解析は、結果表示モジュール１７０とは別のモジュール（プログラム）により行い、この解析結果を結果表示モジュール１７０に転送して表示するような構成でもよい。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体シミュレーション計算装置およびその方法によれば、半導体装置の製造時において、半導体装置の任意の指定パターンに対する所望の領域（パターンの全部又は一部の）の抽出から当該抽出された領域に対する所望の検証、シミュレーションなどの処理を、一連の操作により効率よく実行できる。その結果、トータルのプロセス開発の時間を大幅に短縮することができる。
また、本発明の半導体シミュレーション制御プログラムを記録した機械読み取り可能な記録媒体によれば、半導体装置の製造時において、半導体装置の任意の指定パターンに対する所望の領域（パターンの全部又は一部）の抽出から当該抽出された領域に対する所望の検証、シミュレーションなどの処理を、一連の操作により効率よく実行できるように、半導体シミュレーションプログラムを含む各処理モジュールを制御するプログラムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の半導体シミュレーション装置の基本構成を示す図である。
【図２】図１に示した半導体シミュレーション装置のパタンデータブラウザの表示ウィンドウを示す図である。
【図３】図１に示した半導体シミュレーション装置の表示装置上に表示される基本画面を示す図である。
【図４】図３に示した基本画面のクリップボタンを選択して表示されるシミュレーション用データの選択ウィンドウを示す図である。
【図５】図３に示した基本画面のパラメータ選択ボタンを選択して表示されるパラメータ一覧ボックスを示す図である。
【図６】図３に示した基本画面の編集ボタンを選択して表示されるパラメータ編集画面を示す図である。
【図７】図３に示したゴースト露光オプション指定オブジェクトの説明をするための図である。
【図８】図３に示した基本画面のディレクトリ指定ボタンを選択して表示されるディレクトリセレクターを示す図である。
【図９】シミュレーション実行に表示されるメッセージウィンドウを示す図である。
【図１０】結果表示モジュールにより表示されているシミュレーション結果を示す図である。
【図１１】図１に示した半導体シミュレーション装置を搭載するハードウェアの構成を示す図である。
【符号の説明】
１…半導体シミュレーション装置、１０…システムコントローラ、２０…ＣＰＵ、３０…メモリ、４０…ＣＲＴ、４１…グラフィックメモリ、４２…グラフィックコントローラ、５０…ハードディスク、５１…ＨＤコントローラ、６０…フロッピードライブ、６１…ＦＤコントローラ、７０…キーボード、７１…キーボードコントローラ、８０…マウス、８１…マウスコントローラ、９０…システムバス、１００…パターンデータブラウザ、１１０…入力ファイル選択ツール、１２０…パラメータ選択モジュール、１３０…パラメータ編集モジュール、１４０…ゴーストオプション選択モジュール、１５０…出力ファイル選択ツール、１６０…シミュレーションモジュール、１７０…結果表示モジュール、１８０…オペレーションモジュール、３００…基本画面、３１０…第１のブロック、３２０…第２のブロック、３２１…表示部、３２２…クリップボタン、３２３…ロードボタン、３３０…第３のブロック、３３１…パラメータ番号入力ボックス、３３２…パラメータ選択ボタン、３３３…編集ボタン、３３４…パラメータ編集画面、３３５…リストボックス、３３６…編集フィールド、３３７…ゴースト露光オプション指定オブジェクト、３３８…ゴーストボタン、３４０…第４のブロック、３４１…ディレクトリ指定ボタン、３４２…ディレクトリセレクター、３５０…第５のブロック、３５１…シミュレーション開始ボタン、３５２…シミュレーション結果表示ボタン、３５３…終了ボタン、３５４…メッセージウィンドウ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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