(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を電荷に変換する光電変換素子と、
前記光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス供給手段と、
前記バイアス供給手段からのバイアス電圧を切替えて前記光電変換素子へ供給するバイアス切替手段と、
前記バイアス供給手段と前記バイアス切替手段との間に配設され、前記バイアス電圧の帯域周波数を制限する前段の帯域制限手段と、
前記バイアス切替手段と前記光電変換素子との間に配設され、前記バイアス切替手段からのバイアス電圧の帯域周波数を制限する後段の帯域制限手段とを有し、
前記後段の帯域制限手段の帯域周波数と前記前段の帯域制限手段の帯域周波数とは異なることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記後段の帯域制限手段の帯域周波数は前記前段の帯域制限手段の帯域周波数よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記光電変換素子を複数配列したセンサパネルを有することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記各帯域制限手段は、抵抗、キャパシタ、コイルを有する積分回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記バイアス切替手段は、リレー又はマルチプレクサを含むことを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項６】
請求項１に記載の光電変換装置と、放射線を可視光に変換する蛍光体とを有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項７】
光を電荷に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス供給手段とを含む光電変換装置の駆動方法であって、
前記バイアス供給手段からのバイアス電圧を切替えて前記光電変換素子へ供給するに際して、
供給された前記バイアス電圧を切替える前段で当該バイアス電圧の帯域周波数を制限するとともに、前記バイアス電圧を切替えた後段で当該バイアス電圧の帯域周波数を制限し、
前記後段の帯域周波数と前記前段の帯域周波数とを異ならしめることを特徴とする光電変換装置の駆動方法。
【請求項８】
前記後段の帯域周波数は前記前段の帯域周波数よりも高いことを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置の駆動方法。
【請求項９】
薄膜電界効果型トランジスタと容量とを含む画素を複数配列して構成され、画像情報を読み取るためのセンサパネルを有する光電変換装置と、
前記センサパネルの撮影面に構成され、放射線を可視光に変換する蛍光体と
を有する撮影装置であって、
前記光電変換装置は、
前記可視光を電荷に変換する光電変換素子を含む前記画素と、
前記光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス供給手段と、
前記バイアス供給手段からのバイアス電圧を切替えて前記光電変換素子へ供給するバイアス切替手段と、
前記バイアス供給手段と前記バイアス切替手段との間に配設され、前記バイアス電圧の帯域周波数を制限する前段の帯域制限手段と、
前記バイアス切替手段と前記光電変換素子との間に配設され、前記バイアス切替手段からのバイアス電圧の帯域周波数を制限する後段の帯域制限手段とを有し、
前記後段の帯域制限手段の帯域周波数と前記前段の帯域制限手段の帯域周波数とは異なることを特徴とする撮影装置。
【請求項１０】
前記放射線は、Ｘ線であることを特徴とする請求項９に記載の撮影装置。
【請求項１１】
前記後段の帯域制限手段の帯域周波数は前記前段の帯域制限手段の帯域周波数よりも高いことを特徴とする請求項９に記載の撮影装置。
【請求項１２】
前記各帯域制限手段は、抵抗、キャパシタ、コイルを有する積分回路を含むことを特徴とする請求項９に記載の撮影装置。
【請求項１３】
前記バイアス切替手段は、リレー又はマルチプレクサを含むことを特徴とする請求項９に記載の撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光電変換装置、その駆動方法、放射線検出装置、及び撮影装置に関し、特に、センサバイアスの切替えを伴う駆動方式を用いた光電変換装置に用いて好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、ガラスあるいは半導体基板上に微少な光センサセルを１次元または２次元に配列して形成される光センサパネルによって、与えられた画像情報を読み取りセンサセルからの出力を信号処理回路で適宜処理し、センサセルに対する画素信号の集合として電気的に画像情報を得る光電変換装置がある。
【０００３】
そのような光電変換装置の一例として、図１に撮影モードとリフレッシュモードにおけるＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）型センサの等価回路図の一例を示す。図１では、１つの画素について示している。
【０００４】
図１において、１０４はＶ1を発生する電源、１０５はＶ2を発生する電源であり（Ｖ1＞Ｖ2）、１０３はバイアス供給／切替部、１０６及び１０７は電圧の観察点、１０１及び１０２はセンサ（光電変換素子）容量、１０８は読み出し用ＴＦＴをそれぞれ表している。
【０００５】
次に、ＭＩＳ型センサの動作においては、図１（１）に示す撮影モードと図１（２）に示すリフレッシュモードの２つのモードが有り、これらのモードを切替えることで画像の読み取りを行っている。
【０００６】
まず、図１（１）の撮影モードの動作について説明する。
センサバイアスは電源１０４によりＶ1が与えられている。これにより観察点１０６の電位はＶ1になっている。この状態でセンサに光が照射されると、フォトキャリアが生成され、センサ容量１０１に蓄積される。それに伴って観察点１０７の電位はＶ1に向かって上昇し、次いで読み出し用ＴＦＴ１０８をＯＮすることにより、光量に応じた電流がセンサ容量１０２を通して流れ、画像情報として取り出されることになる。
【０００７】
しかしこの場合、センサ容量１０１内部のキャリアは吐き出されること無く残っている。この状態でさらに光をあてると、それに応じてキャリアはセンサ容量１０１内部に蓄積されていき、ついには飽和してしまう。飽和するといくら光をあてても電位の変化は生じなくなり、光センサとして画像情報を出すことができなくなってしまう。そこでこの状態を解消するためにリフレッシュモードが存在する。
【０００８】
次に、図１（２）のリフレッシュモードの動作について説明する。
バイアス供給／切替部１０３内のスイッチを電源１０５側に切替えることにより、電位の観察点１０６、１０７は、１０６（Ｖ2）＜１０７（飽和時Ｖ1）となり、センサ容量１０１内部のキャリアは電源１０５方向へと吐き出される。これによりセンサ容量１０１内部は再びキャリアを溜めることができるようになり、撮影モードに移行することができる。
【０００９】
このように撮影モードの前にリフレッシュモードを行うことにより、センサは電気的に初期状態を保ち、連続して安定した撮影をすることができる。
【００１０】
しかし、ここで撮影時のセンサにバイアス電圧を供給している電源１０４にノイズが乗ると、蓄積されるキャリアは直接その影響を受け、取り出される画像情報にも「ノイズ」となって現れる。特にラインドライバが組み合わされたマトリクス状センサに低周波ノイズが混入した場合には、縞状の「ラインノイズ」として影響が観測される。ラインノイズは人間の視覚特性上感知されやすいために、ランダム性ノイズに比べて設計許容値が低く設定されているのが通常である。
【００１１】
そのため、この低周波ノイズをカットするためにバイアスライン上にＬＰＦ（帯域制御部）を構成することが従来より行われている。
以下、バイアス供給／切替部１０３について図を用いて更に詳細に説明する。
【００１２】
図２は、図１のバイアス供給／切替部１０３の後段（センサパネル側）にＬＰＦ部を配した場合のバイアス供給／切替回路図と、バイアス切替の時間的プロファイルの一例を示した図である。
【００１３】
図２において、２０１はＶ1を発生するバイアス供給部、２０２はＶ2を発生するバイアス供給部であり（Ｖ1＞Ｖ2）、また各々は、ダイオードやトランジスタなどの半導体素子や、キャパシタや抵抗などの受動素子、あるいはそれらを集積したオペアンプやレギュレータなどの半導体集積回路素子などにより構成することができる。
【００１４】
２０３はバイアス切替部であり、リレーやマルチプレクサなどの半導体集積回路素子や、これとキャパシタや抵抗などの受動素子などを組み合わせて構成することができる。
【００１５】
２０４〜２０７は電圧の測定ポイントであり、図２にその測定ポイントにおける時間的プロファイルを示している。
【００１６】
２０８はＬＰＦ部（帯域制御部）であり、抵抗（Ｒ）、キャパシタ（Ｃ）、コイル（Ｌ）を組み合わせた積分回路によるものや、それらが集積された半導体集積回路素子などにより構成することができる。
【００１７】
ここでバイアス切替時の各測定ポイントにおける電圧の立ち上がり波形に注目すると、電圧の測定ポイント２０４及び２０５では、一定の電圧が供給されるため、電源ＯＮ時以外に電圧の変動は無い。また、電圧の測定ポイント２０６では電源ＯＮ時、バイアス切替時に電圧が変化する。
【００１８】
電圧の測定ポイント２０４、２０５、２０６での電圧切替による遅延は理想的にはゼロとなるが、一方、ノイズに対しては処置がされていないために、電源からの低周波ノイズ、スイッチに起因する熱雑音やスイッチングノイズなどは残ってしまう。
【００１９】
次に、電圧の測定ポイント２０７ではＬＰＦ部２０８による帯域制限がかかり、センサパネルにかかる低周波ノイズは減衰されているが、ここでのカットオフ周波数を低くすればするほど、時定数τは長くなり、バイアス切替時の立ち上がりは遅くなる。すなわち、立ち上がりが遅いということは、前述のリフレッシュモードを完了するのに時間がかかるということであり、センサ全体の駆動に時間がかかるようになってしまうということである。
【００２０】
次に、図３は図２の例に対して、ＬＰＦ部の挿入場所をバイアス切替部の前段（バイアス供給部側）に替えて構成したバイアス供給／切替回路図と、バイアス切替の時間的プロファイルの一例を示した図である。
【００２１】
図３において、３０１はＶ1を発生するバイアス供給部、３０２はＶ2を発生するバイアス供給部であり（Ｖ1＞Ｖ2）、また各々は、前述のバイアス供給部２０１、２０２と同様に、ダイオードやトランジスタなどの半導体素子や、キャパシタや抵抗などの受動素子、あるいはそれらを集積したオペアンプやレギュレータなどの半導体集積回路素子などにより構成することができる。
【００２２】
３０３はバイアス切替部であり、前述のバイアス切替部２０３と同様に、リレーやマルチプレクサなどの半導体集積回路素子、また、これらとキャパシタや抵抗などの受動素子などを組み合わせて構成することができる。
【００２３】
３０４〜３０８は電圧の測定ポイントであり、図３にその測定ポイントにおける時間的プロファイルを示している。
【００２４】
３０９、３１０はＬＰＦ部（帯域制御部）であり、前述のＬＰＦ部２０８と同様に、抵抗（Ｒ）、キャパシタ（Ｃ）、コイル（Ｌ）を組み合わせた積分回路によるものや、それらが集積された半導体集積回路素子などにより構成することができる。
【００２５】
ここでバイアス切替時の各測定ポイントにおける電圧の立ち上がり波形に注目すると、電圧の測定ポイント３０４、３０５では一定の電圧が供給されるため、電源ＯＮ時以外に電圧の変動は無い。
【００２６】
また、電圧の測定ポイント３０６、３０７では、それぞれＬＰＦ部３０９、ＬＰＦ部３１０による帯域制限がかかり、低周波ノイズは減衰されている。ただし、ここでの立ち上がりの遅延は電源投入後初期に発生するものであり、センサの駆動中に発生するものではないため、カットオフ周波数を十分に低く設定しても実使用上は問題になることは少ない。
【００２７】
次に、電圧の測定ポイント３０８では、スイッチング後にＬＰＦが無いため、応答の遅延は発生しないが、バイアス切替部３０３のバイアス切替時に内部の結合容量などを介して切替制御ラインから乗るノイズや、バイアス切替部３０３内部のＯＮ抵抗などに起因する熱雑音などが、センサバイアスに乗ったまま供給されることになる。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】
以上述べてきたように、駆動時にバイアス切替を伴うセンサにあっては、「センサバイアスのノイズを低減する」、「駆動の応答速度を上げる」という課題は二律背反する関係にあり、求める仕様によっては、どちらかを犠牲にして対処せざるを得なかった。
【００２９】
本発明は前述の問題点にかんがみてなされたもので、バイアス切替手段を有する光電変換装置において、バイアス切替によるノイズの除去と、センサの高速動作を両立させる光電変換装置を提供することを目的とする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
本発明の光電変換装置は、光を電荷に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス供給手段と、前記バイアス供給手段からのバイアス電圧を切替えて前記光電変換素子へ供給するバイアス切替手段と、前記バイアス供給手段と前記バイアス切替手段との間に配設され、前記バイアス電圧の帯域周波数を制限する前段の帯域制限手段と、前記バイアス切替手段と前記光電変換素子との間に配設され、前記バイアス切替手段からのバイアス電圧の帯域周波数を制限する後段の帯域制限手段とを有し、前記後段の帯域制限手段の帯域周波数と前記前段の帯域制限手段の帯域周波数とは異なることを特徴とするものである。
本発明の光電変換装置の他の態様は、前記後段の帯域制限手段の帯域周波数は前記前段の帯域制限手段の帯域周波数よりも高いことを特徴とするものである。
また、本発明の光電変換装置の更に他の態様は、前記光電変換素子を複数配列したセンサパネルを有することを特徴とするものである。
また、本発明の光電変換装置の更に他の態様は、前記各帯域制限手段は、抵抗、キャパシタ、コイルを有する積分回路を含むことを特徴とするものである。
また、本発明の光電変換装置の更に他の態様は、前記バイアス切替手段は、リレー又はマルチプレクサを含むことを特徴とするものである。
【００３１】
本発明の放射線検出装置は、前記に記載の光電変換装置と、放射線を可視光に変換する蛍光体とを有することを特徴としている。
【００３２】
本発明の光電変換装置の駆動方法は、光を電荷に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス供給手段とを含む光電変換装置の駆動方法であって、前記バイアス供給手段からのバイアス電圧を切替えて前記光電変換素子へ供給するに際して、供給された前記バイアス電圧を切替える前段で当該バイアス電圧の帯域周波数を制限するとともに、前記バイアス電圧を切替えた後段で当該バイアス電圧の帯域周波数を制限し、前記後段の帯域周波数と前記前段の帯域周波数とを異ならしめることを特徴とするものである。
本発明の光電変換装置の駆動方法の他の態様は、前記後段の帯域周波数は前記前段の帯域周波数よりも高いことを特徴とするものである。
【００３３】
本発明の撮影装置は、薄膜電界効果型トランジスタと容量とを含む画素を複数配列して構成され、画像情報を読み取るためのセンサパネルを有する光電変換装置と、前記センサパネルの撮影面に構成され、放射線を可視光に変換する蛍光体とを有する撮影装置であって、前記光電変換装置は、前記可視光を電荷に変換する光電変換素子を含む前記画素と、前記光電変換素子にバイアス電圧を供給するバイアス供給手段と、前記バイアス供給手段からのバイアス電圧を切替えて前記光電変換素子へ供給するバイアス切替手段と、前記バイアス供給手段と前記バイアス切替手段との間に配設され、前記バイアス電圧の帯域周波数を制限する前段の帯域制限手段と、前記バイアス切替手段と前記光電変換素子との間に配設され、前記バイアス切替手段からのバイアス電圧の帯域周波数を制限する後段の帯域制限手段とを有し、前記後段の帯域制限手段の帯域周波数と前記前段の帯域制限手段の帯域周波数とは異なることを特徴とするものである。
本発明の撮影装置の他の態様は、前記放射線は、Ｘ線であることを特徴とするものである。
また、本発明の撮影装置の更に他の態様は、前記後段の帯域制限手段の帯域周波数は前記前段の帯域制限手段の帯域周波数よりも高いことを特徴とするものである。
また、本発明の撮影装置の更に他の態様は、前記各帯域制限手段は、抵抗、キャパシタ、コイルを有する積分回路を含むことを特徴とするものである。
また、本発明の撮影装置の更に他の態様は、前記バイアス切替手段は、リレー又はマルチプレクサを含むことを特徴とするものである。
【００３４】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。
【００３５】
（第１の実施形態）
図４は、本実施形態の光電変換装置の等価回路図である。
【００３６】
図４において、４０１はひとつのセンサセルを表しており、４０２はそのセンサセル４０１内の（光電変換素子）容量部を、４０５はそのセンサセル４０１内のＴＦＴスイッチ部を、４０４はそのセンサセル４０１からの出力ラインを示している。このセンサセル４０１を、ガラスまたは半導体基板上に複数配列し作製したものがセンサパネルである。
【００３７】
また、４０６はセンサパネルの全体あるいはその一部に供給するバイアス供給／切替部を表しており、４０３はバイアス供給／切替部４０６からの電源ラインを示している。さらに、４０７はセンサセル４０１からの出力の処理を行う出力処理回路、４０８は転送用ＴＦＴを駆動するＴＦＴ駆動回路を表している。
【００３８】
具体的なセンサセルの構造としては、ａ−Ｓｉのような非結晶半導体材料により、光電変換半導体層と薄膜電界効果型トランジスタ（ＴＦＴ）の半導体層とを同時もしくは順次形成して、ＭＩＳ型二次元エリア撮像素子としている。
【００３９】
まず、撮影モード時においては、センサセル４０１に吸収された光によってフォトキャリア（電荷）が生成され、容量部４０２に蓄積される。そこで蓄積されたフォトキャリアは、ＴＦＴ駆動回路４０８によりＴＦＴスイッチ部４０５をＯＮすることで、出力ライン４０４、出力処理回路４０７を介して画像情報として取り出される。
【００４０】
次に、図４のバイアス供給／切替部４０６の内部について、図５でＬＰＦ部を含む実施形態を説明する。
図５は、ＬＰＦ部をバイアス切替部の前段（バイアス供給部側）及び後段（センサパネル側）に配した場合の回路の概略図と、バイアス切替の時間的プロファイルの一例を示した図である。
【００４１】
図５において、５０１はＶ1（バイアス電圧Ｖ1）を発生するバイアス供給部、５０２はＶ2（バイアス電圧Ｖ2）を発生するバイアス供給部であり（Ｖ1＞Ｖ2）、また各々は、前述のバイアス供給部２０１、２０２と同様に、ダイオードやトランジスタなどの半導体素子や、キャパシタや抵抗などの受動素子、あるいはそれらを集積したオペアンプやレギュレータなどの半導体集積回路素子などにより構成することができる。
【００４２】
５０３はバイアス切替部であり、前述のバイアス切替部２０３と同様に、リレーやマルチプレクサなどの半導体集積回路素子、また、それらとキャパシタや抵抗などの受動素子などを組み合わせて構成することができる。
【００４３】
５０４〜５０８は電圧の測定ポイントであり、図５にその測定ポイントにおける時間的プロファイルを示している。
【００４４】
５０９〜５１１はＬＰＦ部（帯域制御部）であり、前述のＬＰＦ部２０８と同様に、抵抗（Ｒ）、キャパシタ（Ｃ）、コイル（Ｌ）を組み合わせた積分回路によるものや、それらが集積された半導体集積回路素子などにより構成することができる。
【００４５】
ここでバイアス切替時の各測定ポイントにおける電圧の立ち上がり波形に注目すると、電圧の測定ポイント５０４、５０５では一定の電圧が供給されるため、電源ＯＮ時以外に電圧の変動は無い。
【００４６】
また、電圧の測定ポイント５０６、５０７では、それぞれＬＰＦ部（前段の帯域制限手段）５０９、ＬＰＦ部（前段の帯域制限手段）５１０による帯域制限がかかり、低周波ノイズは減衰されている。ただし、ここでの立ち上がりの遅延は電源投入後初期のものであり、センサの駆動中に発生するものではないため、カットオフ周波数ｆｃ（前）は十分に低く設定しても実使用上は問題になることは少ない。
【００４７】
次に、電圧の測定ポイント５０８では、バイアス切替部５０３のスイッチング後に、さらにＬＰＦ部（後段の帯域制限手段）５１１による帯域制限がかかり、スイッチングに起因するノイズは減衰されているが、カットオフ周波数ｆｃ（後）はＬＰＦ部５０９、５１０のカットオフ周波数ｆｃ（前）に比べると十分高く設定されており、時定数τをセンサの駆動時間に影響を与えない程度に短くすることが可能である。
【００４８】
これにより、駆動の際にバイアス電圧を切替えることが必須であるセンサにおいても、駆動・読み出しの速度（周波数）の制限を避けつつ、できるだけ高速で、かつ電源から混入するような低周波ノイズや、バイアス切替時に発生するような高周波ノイズが除去された高品質な電源電圧を、センサバイアスとして供給することができる。
【００４９】
本発明における実施形態から、前述のセンサバイアス切替部の前後段に設けられたＬＰＦ部の帯域周波数（カットオフ周波数）を、前段は時間的な遅れよりも、低い周波数帯域までのノイズ除去を優先し、電源から乗ってくるノイズをカットするように低く設定し、バイアス切替部以後の後段では、応答速度を優先して、スイッチＯＮ／ＯＦＦ時に内部の結合容量などを介して制御ラインから乗るノイズや、スイッチ内部のＯＮ抵抗などに起因する熱雑音などの除去を目的として高く設定している。
【００５０】
以上の手段を用いることにより、電源由来の低周波ノイズを減衰させつつ、スイッチングなどに由来する高周波ノイズをも減衰させ、かつ、高速なバイアス切替に追従するだけの応答速度を確保できるようになる。
【００５１】
（第２の実施形態）
本実施形態は、第１の実施形態における光電変換装置のセンサパネルを用いた撮影装置に関するものである。
図６は、本実施形態の撮影装置を利用したＸ線撮影システムの概略構成図である。図６において、６０はＸ線を発生させるＸ線発生装置であり、センサパネル６１とは相対して配置されている。センサパネル６１は、薄膜電界効果型トランジスタと容量を有するセンサセルを、複数マトリクス状に配列したものであり、また、その撮影面側に、Ｘ線を可視光に変換するＸ線可視変換蛍光体６２が配設されている。
【００５２】
センサパネル６１での出力は画像取込装置６３を介し、その取込んだ画像は、記憶装置６４に記憶され、また表示装置６５に画面表示される。
【００５３】
図６のように、センサパネル６１のＸ線発生装置側にＸ線可視変換蛍光体６２を配設することで、被検体Ｓを透過したＸ線の出力を可視光として取り出せ、その可視光をセンサパネルで電気信号に変換し画像として取込めるようになる。尚、このセンサパネル６１とＸ線可視変換蛍光体６２とを有するものを、放射線検出装置として用いることができる。
【００５４】
このように光電変換装置の応用を図ることにより、人体用Ｘ線装置や、また、非破壊検査装置として利用することも可能である。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、バイアス切替手段のバイアス供給部側の前段と、センサパネル側の後段に設けられたバイアス電圧の帯域周波数を制限する帯域制限手段の帯域周波数を、前段ものと後段のものとが異なるように設定することにより、バイアス電圧の低ノイズ化とセンサ駆動の高速化の両立を図った光電変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来例を示し、撮影モードとリフレッシュモードにおけるＭＩＳ型センサの等価回路の一例を示した図である。
【図２】従来例を示した図１のバイアス供給／切替部１０３の後段に、ＬＰＦ部を配した場合の回路図と、バイアス切替の時間的プロファイルの一例を示した図である。
【図３】従来例を示した図１のバイアス供給／切替部１０３の前段に、ＬＰＦ部を配した場合の回路図と、バイアス切替の時間的プロファイルの一例を示した図である。
【図４】本発明の第１の実施形態を示し、光電変換装置の等価回路図である。
【図５】本発明の第１の実施形態を示し、ＬＰＦ部をバイアス切替部の前段及び後段に配した場合の回路の概略図と、バイアス切替の時間的プロファイルの一例を示した図である。
【図６】本発明の第２の実施形態を示し、撮影装置を利用したＸ線撮影システムの概略構成図である。
【符号の説明】
５０１  Ｖ1を発生させるバイアス供給部
５０２  Ｖ2を発生させるバイアス供給部
５０３  バイアス切替部
５０４〜５０８  電圧の測定ポイント
５０９〜５１１  ＬＰＦ部
【図１】
0003990896.tif 000002
【図２】
0003990896.tif 000003
【図３】
0003990896.tif 000004
【図４】
0003990896.tif 000005
【図５】
0003990896.tif 000006
【図６】
0003990896.tif 000007