(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面側にメッキ層が形成されるとともに潤滑用として潤滑剤が予め散布されてなる板状の被溶接材に対し、前記一面上にポンチを押し込んで凹部を形成することにより、該凹部内にある前記メッキ層を剥離する剥離工程と、前記被溶接材の他面側から前記凹部に対応する位置に別のポンチを押し込んで別の凹部を形成することにより、前記凹部を押し戻して塞ぐ押戻し工程とを具備してなることを特徴とする被溶接材の処理方法。
【請求項２】
前記押し戻し工程後に、前記一面を平坦にする平坦化工程が備えられていることを特徴とする請求項１に記載の被溶接材の処理方法。
【請求項３】
前記押戻し工程において、逃げ穴が設けられてなる押戻し型を前記被溶接材の一面側に当接させるとともに前記逃げ穴を前記凹部に重ね合わせた状態で、前記別のポンチを押し込むことにより前記被溶接材の一部を前記逃げ穴内に押し出すことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の被溶接材の処理方法。
【請求項４】
前記平坦化工程において、前記押戻し工程により前記逃げ穴内に押し出された前記被溶接材の一部を平坦にすることを特徴とする請求項３に記載の被溶接材の処理方法。
【請求項５】
２つの被溶接材を電気抵抗溶接により溶接する方法であり、前記被溶接材のうちの一方が、請求項１乃至請求項４の何れかに記載の処理方法によって得られた、一面側にメッキ層が形成されてなるとともに前記メッキ層の一部が剥離されてなる剥離部を有する板状の被溶接材であり、各被溶接材を相互に接触させ、前記一方の被溶接材の前記剥離部に溶接用電極を突き当てるとともに、他方の被溶接材に別の溶接用電極を突き当てた状態で、各電極の間で通電を行うことにより、各被溶接材を相互に溶接することを特徴とする被溶接材の溶接方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、磁気ヘッドなどのように導電性のケースが設けられている電子機器部品と導電性の基台とを電気抵抗溶接する際に必要な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０において、符号１１はＶＴＲ装置に搭載される音声の記録再生および磁気ヘッドの走行コントロール用の磁気ヘッドである。この磁気ヘッド１１は基台２１に固定され、この基台２１に形成された図示略の取付穴によりＶＴＲ装置のユニットベースに固定される。最近では、上記磁気ヘッド１１と基台２１との固定を、電気抵抗溶接により行うのが一般的である。
【０００３】
従来の電気抵抗溶接の工程では、基台２１の表面で且つ磁気ヘッド１１のシールドケース１３の底面１３ａに対向する部分にプロジェクションと称される小突起２１ａを予め複数（図９では４つ）形成する。この小突起２１ａはプレス工程にて隆起成形され、その表面形状はほぼ半円錐状である。また、４ヶ所の小突起２１ａの配列中心位置に円形の孔２２を設けておく。
【０００４】
次に図１１及び図１２に示すように、シールドケース１３の底面１３ａに隣接する折曲部１３ｃを、小突起２１ａに点接触状態で突き当てる。次に基台２１の下側から孔２２を通じて、溶接用の主電極３１を底面１３ａに接触させる。同時に、２本の補助電極３２、３２を、基台２１の下面２１ｂ、すなわち磁気ヘッド１１の取付面の反対側の面の任意の箇所、好ましくは２つの小突起２１ａの間に対応する位置に突き当てる。
【０００５】
そして主電極３１と補助電極３２間に電流を流すと、図１２に示すように、この電流（図中一点鎖線）はシールドケース１３の底面１３ａから折曲部１３ｃを経て、小突起２１ａ及び基台２１を通過して補助電極３２に至る。このとき、小突起２１ａと折曲部１３ｃとの突き当て部境界に電流が集中してこの部分が電気抵抗発熱し、この熱により両部材が溶解されて互いに固着される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の磁気ヘッドでは、図１２に示すように、基台２１の材質として、鋼板２１ｄの両面に亜鉛メッキ層２１ｃを形成した亜鉛メッキ鋼販を用いるのが一般的である。この場合、補助電極３２、３２は基台２１の亜鉛メッキ層２１ｃに接触する状態となる。この亜鉛メッキ層２１ｃは比較的電気抵抗が高く、メッキ層の厚さによっては、補助電極３２と基台２１の間の接触抵抗が、小突起２１ａと折曲部１３ｃとの間より高くなる場合がある。このため、電気溶接時に補助電極３２と基台２１との間でスパークが生じ、磁気ヘッド１１と基台２１との溶接が十分に行えないという課題があった。
【０００７】
このため、基台２１の亜鉛メッキ層２１ｃをレーザー照射によって部分的に取り除いたり、亜鉛メッキ層２１ｃ自体の材質を変更することによって、補助電極３２と基台２１との接触抵抗を低減させる試みがなされている。
しかし、レーザー照射は工程が増えるために生産コストの面で問題があり、またメッキの材質変更による接触抵抗の改善にも限界があった。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、メッキ層を有する被溶接材と溶接用の電極との接触抵抗を低減すべく、被溶接材のメッキ層を容易に除去することが可能な方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、溶接強度を向上させることが可能な被溶接材及び被溶接材の溶接方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の被溶接材の処理方法は、一面側にメッキ層が形成されるとともに潤滑用として潤滑剤が予め散布されてなる板状の被溶接材に対し、前記一面上にポンチを押し込んで凹部を形成することにより、該凹部内にある前記メッキ層を剥離する剥離工程と、前記被溶接材の他面側から前記凹部に対応する位置に別のポンチを押し込んで別の凹部を形成することにより、前記凹部を押し戻して塞ぐ押戻し工程とを具備してなることを特徴とする。
また、本発明の被溶接材の処理方法においては、前記押し戻し工程後に、前記一面を平坦にする平坦化工程が備えられていることが好ましい。
【００１０】
係る被溶接材の処理方法によれば、ポンチにより凹部を形成することにより該凹部内のメッキ層を剥離するので、従来のレーザー照射等の方法に比べて簡単にメッキ層を除去できる。また、押戻し工程において凹部を押し戻し、更に平坦化工程で一面側を平坦にすることで、メッキ層が剥離した部分を最終的に平坦化できる。
【００１１】
また、本発明の被溶接材の処理方法は、先に記載の被溶接材の処理方法であり、前記押戻し工程において、逃げ穴が設けられてなる押戻し型を前記被溶接材の一面側に当接させるとともに前記逃げ穴を前記凹部に重ね合わせた状態で、前記別のポンチを押し込むことにより前記被溶接材の一部を前記逃げ穴内に押し出すことを特徴とする。
係る被溶接材の処理方法によれば、被溶接材の一部を逃げ穴内に押し出すことにより、被溶接材が歪むおそれがない。
【００１２】
また、本発明の被溶接材の処理方法は、先に記載の被溶接材の処理方法であり、前記平坦化工程において、前記押戻し工程により前記逃げ穴内に押し出された前記被溶接材の一部を平坦にすることを特徴とする。
係る被溶接材の処理方法によれば、メッキ層が剥離した部分を最終的に平坦化できる。
【００１３】
また、本発明では、一面側にメッキ層が形成されてなり、前記メッキ層の一部が剥離されてなる剥離部が設けられるとともに、該剥離部の他面側に凹部が設けられてなる板状の被溶接材が好適に用いられる。
係る被溶接材によれば、メッキ層の一部に剥離部が設けられているので、この剥離部に溶接用の電極を突き当てた場合に、被溶接材と電極との接触抵抗を低減することができ、これにより溶接強度を向上できる。即ち、上記の被溶接材においては、前記剥離部が溶接用電極の突当部であることが好ましい。
【００１４】
次に、本発明の被溶接材の溶接方法は、２つの被溶接材を電気抵抗溶接により溶接する方法であり、前記被溶接材のうちの一方が、先の何れかに記載の処理方法によって得られた、一面側にメッキ層が形成されてなるとともに前記メッキ層の一部が剥離されてなる剥離部を有する板状の被溶接材であり、各被溶接材を相互に接触させ、前記一方の被溶接材の前記剥離部に溶接用電極を突き当てるとともに、他方の被溶接材に別の溶接用電極を突き当てた状態で、各電極の間で通電を行うことにより、各被溶接材を相互に溶接することを特徴とする。
係る溶接方法によれば、一方の被溶接材の剥離部に溶接用電極を突き当てて溶接を行うので、メッキ層の比抵抗が比較的高い場合でも、２つの被溶接材の溶接強度を高くすることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面により説明する。
図１及び図２には、図９に示したのと同様の磁気ヘッド１を示す。図１及び図２において、符号１はＶＴＲ装置に搭載される音声の記録再生および磁気ヘッドの走行コントロール用の磁気ヘッドである。この磁気ヘッド１は基台（被溶接材）２に固定され、この基台２に形成された図示略の取付穴によりＶＴＲ装置のユニットベースに固定される。
【００１６】
磁気ヘッド１は、コアとこれに巻かれたコイルとがシールドケース３内にて樹脂で固定されているものである。磁気ヘッド１の前面は曲面形状のテープ摺接面１ａであり、このテープ摺接面１ａにはコア１ｂの一部およびコアに形成されたギャップ部が現れている。磁気ヘッド１のシールドケース３は導電性の板材により形成されたもので、底面３ａと側面３ｂとの境界部が曲面状の折曲部３ｃとなっている。
【００１７】
また、基台（被溶接材）２は、一面２ａ側及び他面２ｂ側にメッキ層が形成されてなる板状金属板であり、シールドケース３の板厚よりも厚い寸法のものとなっている。例えば、この基台２として、鋼板の両面に亜鉛メッキ層が形成された亜鉛メッキ鋼販を例示できる。
この基台２の他面２ｂ側には、前記シールドケース３の折曲部３ｃが当接する小突起４が４ヶ所突出形成されている。この小突起４は、その形状が例えば半円錐形状とされており、シールドケース３の曲面状の折曲部３ｃと点接触するように構成されている。
そして、各小突起４と折曲部３ｃとの接触部分が溶接されることにより、磁気ヘッド１が基台２に固定されている。
【００１８】
また、図２に示すように、基台２の一面２ａ側には、メッキ層が剥離除去されてなる剥離部２ｃが２箇所形成されている。この剥離部２ｃからは下地である鋼板の表面が露出している。各剥離部２ｃは、２つの小突起４の間に位置するように形成されている。また、図１に示すように、剥離部２ｃの反対側、即ち他面２ｂの剥離部２ｃに対応する位置に凹部２ｄが形成されている。更に、基台２の小突起４…が囲む領域内、具体的には小突起４…の配列中心位置に貫通孔５が形成されている。
【００１９】
次に、基台２（被溶接材）の処理方法（製造方法）並びに基台２と磁気ヘッド１の溶接方法について説明する。
まず、基台２の処理方法は、メッキ層を剥離する剥離工程と、押戻し工程と、平坦化工程とからなる。
図３には、処理前の基台２の断面図を示す。図３に示すように、この基台２は、鋼板等の板状の金属板２ｅの両面２ａ、２ｂに、亜鉛メッキ等のメッキ層２ｆ、２ｆが形成されている。
【００２０】
次に剥離工程として、図４に示すように、基台２の一面２ａ上にポンチＰ1を押し込んで凹部Ａ1を形成する。ポンチＰ1は先端形状が略円錐状のもので、このポンチＰ1を押し込むことで基台２の一面２ａ上にポンチＰ1の先端形状が反映された平面視円形のすり鉢状の凹部Ａ1が形成される。
即ち凹部Ａ1は、ポンチＰ1の押し込みによって基台２１の一面１ａの一部が引き延ばされるとともに金属板２ｅ内に押し込まれて形成される。この時、凹部Ａ１内に同時に押し込まれたメッキ層２ｆ1は、凹部Ａ1の形成に伴い、ポンチＰ1により引き延ばされて分断された状態となり、金属板２ｅから剥離される。
尚、凹部Ａ1は、他面２ｂ側にある４つの小突起４のうちの相互に隣接する２つの小突起４，４の中間点に対応する位置に形成される。
また、分断されたメッキ層２ｆ1は、ポンチＰ1が基台２から離れた際に、潤滑用として基台２に散布された潤滑油によって洗い流される。
【００２１】
次に押戻し工程として、図５に示すように、基台２の一面２ａ側に、逃げ穴Ｃ2が設けられてなる押戻し型Ｃ1を当接させる。押戻し型Ｃ1は、平面視略円形の逃げ穴Ｃ2が凹部Ａ1の位置に重なるように、より好ましくは逃げ穴Ｃ2の中心が凹部Ａ1の最深点Ａ2に一致するように配置する。
次に、図６に示すように、基台２の他面２ｂ側から別のポンチＰ2を押し込むことにより、先に形成した凹部Ａ1に対応する位置に別の凹部Ａ3を形成する。ポンチＰ2の押し込み位置は、より好ましくは、ポンチＰ2の先端Ｐ3が先の凹部Ａ1の最深点Ａ2の位置に重なるようにすることが好ましい。
【００２２】
ポンチＰ2を基体２に押し込むことで、他面２ｂ上に平面視略円形ですり鉢状の凹部Ａ3が形成されると同時に、先に形成されていた凹部Ａ1が、凹部Ａ3の形成に伴う金属板２ｅの変形により押し戻されて塞がれる。
この時、変形した金属板２ｅの一部が逃げ穴Ｃ2に押し出されて凸部Ｄが形成される。凸部Ｄ及びその周辺部は、先に形成された凹部Ａ1の内面が押し戻されてなるものであり、このため凹部Ｄ及びその周辺ではメッキ層が先の剥離工程で剥離された状態となる。
尚、ポンチＰ2の押し込みの際に、金属板２ｅの一部が逃げ穴Ｃ2に押し込まれるので、金属板２ｅがポンチＰ2によって歪むおそれがない。
【００２３】
次に平坦化工程として、図７に示すように、押戻し型Ｃ1を取りはずした後に、一面２ａ上に突出する凸部Ｄにプレス冶具Ｐ3を押し当てて一面２ａを平坦化する。このようにして、基台２の一面２ａ側に、メッキ層の一部が剥離されてなる平坦な剥離部２ｃが形成される。
【００２４】
上記の処理方法によれば、ポンチＰ1により凹部Ａ1を形成することにより凹部Ａ1内のメッキ層２ｆ1を剥離するので、従来のレーザー照射等の方法に比べて簡単にメッキ層を除去できる。
また、押戻し工程において凹部Ａ1を押し戻し、更に平坦化工程で一面２ａ側を平坦にするので、メッキ層が剥離した部分を最終的に平坦化できる。
【００２５】
次に、上記の処理方法によってメッキ層の一部を剥離した基台２と、磁気ヘッド１との溶接方法について説明する。
まず図８及び図９に示すように、シールドケース３の底面３ａに隣接する折曲部３ｃを、小突起４に点接触状態で突き当てる。次に基台２の下側から貫通孔５を通じて、溶接用の主電極３１を底面３ａに接触させる。同時に、２本の補助電極３２、３２を、基台２の一面２ａにある剥離部２ｃに突き当てる。即ち、剥離部２ｃが補助電極３２の突当部となる。
【００２６】
そして主電極３１と補助電極３２間に電流を流すと、図９に示すように、この電流（図中一点鎖線）はシールドケース３の底面３ａから折曲部３ｃを経て、小突起４及び基台２を通過して補助電極３２に至る。このとき、小突起４と折曲部３ｃとの突き当て部境界に電流が集中してこの部分が電気抵抗発熱し、この熱により両部材が溶解されて互いに固着される。
また、補助電極３２が剥離部２ｃに突き当てられているため、補助電極３２が高比抵抗のメッキ層２ｆに触れることがなく、これにより基台２と補助電極３２、３２との接触抵抗を低減できる。
従って、従来の電気溶接のように、補助電極３２と基台２との間でスパークが生じるおそれがなく、磁気ヘッド１と基台２との溶接強度を向上することができる。
【００２７】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の被溶接材の処理方法によれば、ポンチにより凹部を形成することにより該凹部内のメッキ層を剥離するので、従来のレーザー照射等の方法に比べて簡単にメッキ層を除去できる。
また、押戻し工程において凹部を押し戻し、更に平坦化工程で一面側を平坦にするので、メッキ層が剥離した部分を最終的に平坦化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】   本発明の実施形態の磁気ヘッドを示す分解斜視図。
【図２】   図１に示す磁気ヘッドを別方向から見た斜視図。
【図３】   本発明の実施形態の基台の処理方法を説明する工程図であって、図１のＭ−Ｍ’線に対応する断面図。
【図４】   本発明の実施形態の基台の処理方法を説明する工程図であって、図１のＭ−Ｍ’線に対応する断面図。
【図５】   本発明の実施形態の基台の処理方法を説明する工程図であって、図１のＭ−Ｍ’線に対応する断面図。
【図６】   本発明の実施形態の基台の処理方法を説明する工程図であって、図１のＭ−Ｍ’線に対応する断面図。
【図７】   本発明の実施形態の基台の処理方法を説明する工程図であって、図１のＭ−Ｍ’線に対応する断面図。
【図８】   本発明の実施形態の磁気ヘッドの溶接方法を説明する斜視図。
【図９】   本発明の実施形態の磁気ヘッドの溶接方法を説明する断面模式図。
【図１０】   従来の磁気ヘッドを示す分解斜視図。
【図１１】   従来の磁気ヘッドの溶接方法を説明する斜視図。
【図１２】   従来の磁気ヘッドの溶接方法を説明する断面模式図。
【符号の説明】
１  磁気ヘッド（他方の被溶接材）
２  基台（被溶接材（一方の被溶接材））
２ａ  一面
２ｂ  他面
２ｃ  剥離部
２ｆ  メッキ層
２ｆ1  メッキ層（凹部内のメッキ層）
３１  主電極（溶接用電極）
３２  補助電極（別の溶接用電極）
Ａ1  凹部
Ａ3  別の凹部
Ｐ1  ポンチ
Ｐ2  別のポンチ
Ｃ1  押戻し型
Ｃ2  逃げ穴
Ｄ  凸部（被溶接材の一部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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