(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導放出のためにＡｌＧａＮ層である活性層より屈折が低い第１及び第２物質層を前記活性層を中心に対向するように形成し、前記物質層のうちから選択されたいずれか一つの物質層には、前記活性層に垂直な方向へ突出されるリッジ部を形成し、前記リッジ部と連結されるように電極を形成する半導体レーザーダイオードの製造方法において、
前記リッジ部を、側面が前記活性層の面に対して垂直であり当該リッジ部の幅が変化しない第１部分Ｃ１と、当該リッジ部の幅が前記活性層に近づくにつれて広がる第２部分Ｃ２とを有し、前記第２部分Ｃ２と前記第１部分Ｃ１との前記垂直な方向に沿ったサイズ比Ｃ２／Ｃ１が、１／１０以上２／１以下となるように形成する段階を有し、
前記リッジ部を、前記サイズ比Ｃ２／Ｃ１が、１／１０以上２／１以下となるように形成する段階は、
前記第２物質層上に前記リッジ部形成のためのマスクパターンを形成する段階と、
前記マスクパターンを蝕刻マスクとして、前記第２物質層の表面に対して触刻イオンビームを所定の入射角度で斜入射させて前記第２物質層が所定の厚さになるまで蝕刻する段階と、
前記マスクパターンを除去する段階と、を有し、
前記第１物質層は、
基板上にｎ−ＧａＮ層である第１化合物半導体層を形成する段階と、
前記ｎ−ＧａＮ層である第１化合物半導体層上にｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層である第１クラッド層を形成する段階と、
前記ｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層である第１クラッド層上に、当該ｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層である第１クラッド層より屈折率が高いｎ−ＧａＮ層である第１導波層を形成する段階とを通じて形成され、
前記第２物質層は、
前記活性層上にｐ−ＧａＮ層である第２導波層を形成する段階と、
前記ｐ−ＧａＮ層である第２導波層上に、当該ｐ−ＧａＮ層である第２導波層より屈折率が低いｐ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層である第２クラッド層を前記リッジ部を備えるように形成する段階と、
前記リッジ部の上部面の全面に、ｐ−ＧａＮ層である第２化合物半導体層を形成する段階とを通じて形成されることを特徴とする半導体レーザーダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記入射角度は、前記第２物質層の水平面に対して１０°〜７０°であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオードの製造方法。
【請求項３】
前記第１化合物半導体層上であって前記活性層と離隔された領域に、前記電極と極性が異なる電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオードの製造方法。
【請求項４】
前記基板の底面に、前記電極と極性が異なる電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザーダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザーダイオードの製造方法に係り、詳しくはリッジ導波管（リッジ部）を備える半導体レーザーダイオードの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体レーザーは、光通信等のような通信分野やコンパクトディスクプレーヤー(CDP)やディジタル多機能ディスクプレーヤー(DVDP)等のような装置でデータの伝送、記録、及び読み取りのための手段として広く使用されている。
【０００３】
このように半導体レーザーが広く使用される理由は色々あり得る。たとえば、適正に制限された空間内でレーザー特性を維持することができ、小型化が可能であり、何よりもレーザー発振のための臨界電流値が小さいことが、半導体レーザーが広く使用されている理由である。
【０００４】
半導体レーザーが使用される産業分野が増加した結果、その必要性が高まると共に、より小さい臨界電流値でレーザー発振可能な半導体レーザーの必要性も増加しつつある。
【０００５】
ここで、臨界電流値を小さくした種々の半導体レーザーが今までに提案され、現在も提案されているが、その一例を図１に示す。
【０００６】
図１は、従来技術による半導体レーザーダイオードを示しており、レーザー発振に必要な臨界電流値を減らすためのリッジ導波管（リッジ部）を備えた形態の半導体レーザーダイオードを示している。
【０００７】
図１を参照して従来技術による半導体レーザーダイオードを簡略に説明すれば、サファイア基板１０上にn−GaN層１２が備えられている。ｎ−GaN層１２は第１及び第２領域Ｒ１，Ｒ２に区分されている。第１領域Ｒ１上には、n−AlGaN/GaN層２４と、n−GaN導波層２６と、活性層２８(InGaN層)と、p−GaN導波層３０と、p−AlGaN/GaN層３２とが順次に備えられている。ｎ−及びp−AlGaN/GaN層２４，３２の屈折率はｎ−及びp−GaN導波層２６，３０より低く、n−及びｐ−GaN導波層２６，３０の屈折率は活性層２８の屈折率より低い。ｐ−AlGaN/GaN層３２は、上部の中間部分が突出されたリッジ形態を有する。突出された部分（リッジ部）の側面は、周囲の他の部分に対して垂直であり、上部面は前記側面に垂直な平面である。
【０００８】
前記突出された部分により、p−AlGaN/GaN層３２に流入される電流の流入幅が制限される。その結果、活性層２８からのレーザー発振のための共振領域が制限される。p−AlGaN/GaN層３２の突出された部分の上部面上にp−GaN層３４が備えられている。p−AlGaN/GaN層３２の全面は保護膜３６で覆われている。p−GaN層３４は、電流通路になる中間部分を除く両側一部領域が保護膜３６と接触されている。保護膜３６上にp−GaN層３４の全面と接触されるｐ型電極３８が備えられている。
【０００９】
一方、ｎ−GaN層１２の第２領域Ｒ２は、第１領域Ｒ１より低い領域であって、ｎ型電極３７が形成されている。
【００１０】
このように、従来の技術によるレーザーダイオードはリッジ構造により共振領域の幅が制限されるので、非リッジ構造に比べてレーザー発振のための臨界電流値が小さくなる利点がある。しかしながら、図２に示されるように、リッジ形成のための蝕刻が浅くなりリッジの高さが低くなる場合、p−AlGaN/GaN層３２の抵抗が非常に大きくなる問題が生じると共に、ｐ−GaN層３４を通じて注入される電流が活性層２８に到達される前にリッジ幅以上に広がってしまう。この結果、共振領域Alの幅が広がることによって、レーザー発振のための臨界電流値が増加する場合がある。反面、図３に示されたように、リッジ形成のための蝕刻が深くなりリッジが高くなる一方、リッジの周りのp−AlGaN/GaN層３２の層厚が薄くなる場合、電流が広がることは防止できるが、リッジの下部分がレーザー共振時における光導波路の領域に含まれてしまい光損失が発生し、これにより臨界電流値が増加する場合がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、臨界電流値を低めつつ、共振領域の幅を狭めることができるとともに、共振時にリッジの下部分が光導波路の領域に含まれることによって光損失が発生することを防止できる形態のリッジ導波管（リッジ部）を備える半導体レーザーダイオードの製造方法を提供することである。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
前記目的を達成するために、本発明は、誘導放出のためにＡｌＧａＮ層である活性層より屈折が低い第１及び第２物質層を前記活性層を中心に対向するように形成し、前記物質層のうちから選択されたいずれか一つの物質層には、前記活性層に垂直な方向へ突出されるリッジ部を形成し、前記リッジ部と連結されるように電極を形成する半導体レーザーダイオードの製造方法において、前記リッジ部を、側面が前記活性層の面に対して垂直であり当該リッジ部の幅が変化しない第１部分Ｃ１と、当該リッジ部の幅が前記活性層に近づくにつれて広がる第２部分Ｃ２とを有し、前記第２部分Ｃ２と前記第１部分Ｃ１との前記垂直な方向に沿ったサイズ比Ｃ２／Ｃ１が、１／１０以上２／１以下となるように形成する段階を有し、前記リッジ部を、前記サイズ比Ｃ２／Ｃ１が、１／１０以上２／１以下となるように形成する段階は、前記第２物質層上に前記リッジ部形成のためのマスクパターンを形成する段階と、前記マスクパターンを蝕刻マスクとして、前記第２物質層の表面に対して触刻イオンビームを所定の入射角度で斜入射させて前記第２物質層が所定の厚さになるまで蝕刻する段階と、前記マスクパターンを除去する段階と、を有することを特徴とする半導体レーザーダイオードの製造方法を提供する。この過程で、望ましくは、前記サイズ比（Ｃ２／Ｃ１）が１／２になるように形成する。また、前記入射角度は、前記第２物質層の水平面に対して１０°〜７０°であり、望ましくは、入射角度は、３０°である。なお、前記第１物質層は、基板上にｎ−ＧａＮ層である第１化合物半導体層を形成する段階と、前記ｎ−ＧａＮ層である第１化合物半導体層上にｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層である第１クラッド層を形成する段階と、前記ｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層である第１クラッド層上に当該ｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層である第１クラッド層より屈折率が高いｎ−ＧａＮ層である第１導波層を形成する段階とを通じて形成される。前記第２物質層は、前記活性層上にｐ−ＧａＮ層である第２導波層を形成する段階と、前記ｐ−ＧａＮ層である第２導波層上に、当該ｐ−ＧａＮ層である第２導波層より屈折率が低いｐ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層である第２クラッド層を前記リッジ部を備えるように形成する段階と、前記リッジ部の上部面の全面にｐ−ＧａＮ層である第２化合物半導体層を形成する段階とを通じて形成される。前記第１化合物半導体層上であって前記活性層と離隔された領域に、前記電極と極性が異なる電極を形成する。
【００１５】
本発明に係る製造方法によって製造されるリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードは、リッジ部の幅が一定した部分と、当該部分に連続した部分であって、活性層へ近づくにつれて幅が広がるように傾斜した部分を備えるため、電流の広がりによる共振領域の幅の増加を防止するとともに、リッジ部の下方が共振時の光導波路の領域に含まれてしまうことによって光損失が増加されることが防止でき、レーザー発振のための臨界電流値をさらに低められる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例にリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードの製造方法を、添付した図面を参照して詳細に説明する。この説明に使用される図面における層や領域の厚さは明細書の明確性のため誇張されて示されている。
【００１７】
先ず、本発明の実施態様による半導体レーザーダイオードに対して説明する。
【００１８】
図４を参照すれば、高抵抗性基板４０上に第１化合物半導体層４２が形成されている。高抵抗性基板４０は、高抵抗性のサファイア基板である。第１化合物半導体層４２は、GaN（窒化ガリウム）系のIII−V族窒化物化合物半導体層で形成される。この第１化合物半導体層４２は、直接遷移型の半導体層であることが望ましく、その中でもn−GaN層であることがさらに望ましい。しかしながら、本発明は、この場合に限られず、第１化合物半導体層４２はレーザーを放出できるIII−V族の他の化合物半導体層であってもよい。なお、遷移の型は必ずしも制限する必要がないため、第１化合物半導体層４２は、上記した幾つかの化合物半導体層に含まれる間接遷移形の物質層であってもよい。
【００１９】
第１化合物半導体層４２の一部領域は所定の深さで蝕刻されており、この触刻された領域上に導電層５５が形成されている。導電層５５はn型電極として使用される。前記一部領域との間で段差が形成された第１化合物半導体層４２の他の領域上に第１クラッド層４４が形成されている。第１クラッド層４４は、所定の屈折率を有するn−AlGaN/GaN層であることが望ましいが、誘導放出を生じさせるための他の化合物半導体層であってもよい。第１クラッド層４４上に共振器層４６が備えられている。共振器層４６は、実質的に誘導放出が起こる部分であって、第１クラッド層４４上に順次に形成された第１導波層４６ａ、活性層４６ｂ及び第２導波層４６ｃで構成されている。第１及び第２導波層４６ａ，４６ｃは活性層４６ｂより屈折率が低い物質層であって、各々はGaN系のIII−V族化合物半導体層であることが望ましいが、その中でもn−GaN層及びp−GaN層であることがさらに望ましい。活性層４６ｂは誘導放出が起こる物質層なら、どのような物質層でも差し支えないが、臨界電流値が低くて横モ−ド特性が安定した誘導放出を得られる物質層であることが望ましく、その中でも、アルミニウム(Al)が所定割合で含有されたアルミニウムガリウムナイトライド層(AlGaN)であることが望ましい。共振器層４６上に第２導波層４６ｃより屈折率が低い第２クラッド層４８が形成されているが、この第２クラッド層４８は共振器層４６の表面に垂直な方向（すなわち、活性層４６ｂに垂直な方向でもある）へ突出されたリッジ部を備える。前記リッジ部の上部面上には、第２化合物半導体層５０を備える。第２クラッド層４８は注入された導電性不純物（ドーパント）が異なることを除いては第１クラッド層４４と同一な物質層である。従って、第１クラッド層４４が上述のようにn−型化合物半導体層なら、第２クラッド層４８はp型導電性不純物が注入された同一な化合物半導体層であり、その逆も成立つ。このように、第１クラッド層４４と第２クラッド層とは、伝導型（ｐ型、ｎ型）が互いに異なる。このような関係は、第２化合物半導体層５０と第１化合物半導体層４２との間にも適用される。従って、第２化合物半導体層５０がp型の化合物半導体層なら、第１化合物半導体層４２は上述のようにn型導電性不純物が注入された同一な化合物半導体層である。前記リッジ部の各側面は傾斜度が相異なる少なくとも二つ以上の領域よりなる。例えば、第１傾斜度を有する第１部分(C1)と、活性層を含む共振器層46に近づくにつれて第１部分(C1)と異なる傾斜度を有する第２部分(C2)とで構成されている。リッジ部の第１部分(C1)の側面は活性層の面に対して垂直なことが理想的であるが、製造工程上の影響によっては、完全に垂直ではなく、垂直方向に対して、小さい、ある程度の角度を有する場合もある。リッジ部の第２部分(C2)は、側面が活性層の面に対して傾斜した部分(B)を有する。このように、リッジ部の活性層に近い部分の幅は、活性層に近づくにつれて広がる。前記リッジ部の幅が活性層に近づくにつれて広がる第２部分(C2)と、リッジ部の幅が活性層に近づくにつれて広がらない第１部分(C1)との比、すなわち、上記の垂直な方向に沿ったサイズ比（C2/C1）は、最大２／１程度、最小１／１０程度まで可能であるが、前記比は１／２又��１／３程度が望ましい。第１及び第２部分(C1,C2)は連続的である。第２クラッド層４８の第１部分C1の上部面の全面に第２化合物半導体層５０が形成されている。
【００２０】
一方、第１部分(C1)は、第２クラッド層４８のリッジ部の上部面で始まることが望ましいが、製造工程上第２化合物半導体層５０が蒸着された後、リッジ部が形成されるため、本明細書中では、便宜上、第２化合物半導体層５０をリッジ部の一部と見なして、第１部分(C1)が第２化合物半導体層５０の表面で始まることと見なした。そして、リッジ部に第２化合物半導体層５０を含めるとしても、それによりレーザーダイオードの特性が異になることはない。
【００２１】
第２クラッド層４８上は、保護膜５２によって覆われており、保護膜５２は第２化合物半導体層５０の両側の一部領域上にまで拡張されている。したがって、保護膜５２は、第２化合物半導体層５０に対称的に接触された形態である。保護膜５２上には、第２化合物半導体層５０と接触された導電層５４が形成されている。導電層５４はp型電極である。
【００２２】
一方、図４の場合と異なり、図面に示されていないが、リッジ部が前記のような特徴を有しながら、各電極が共振器層４６を中心に互いに対向するように備えられたレーザーダイオードもあり得る。例えば、高抵抗性基板４０を炭化ケイ素（シリコンカ−ボン(SiC)）に代替し、その底面にn型電極がp型電極と対向するように備えられる。
【００２３】
続けて、図５を参照すれば、本発明の実施態様による半導体レーザーダイオードでリッジ部と第２クラッド層４８の水平領域は直角に接することなく、緩やかな傾斜をもって接する。従って,リッジ部の上部面上に形成された第２化合物半導体層５０を通じて注入される電流はリッジ部の第１部分(C1)により電流の広がりが防止されて、この結果、ニアフィ−ルドパターン(near field pattern)A3で見られるように、共振領域の幅Wがリッジ部の幅に制限されるとともに、共振時におけるリッジ部の下部分が光導派路の領域に含まれてしまって光損失が生じることが第２部分(C2)により防止される。
【００２４】
このような特性により本発明の実施態様による半導体レーザーダイオードの臨界電流値も従来に比べて小さくなることが予測できるが、このような予測は図６で確認できる。
【００２５】
図６は前述したような本発明の実施態様による半導体レーザーダイオードと図１に示した従来技術による半導体レーザーダイオードに対する臨界電流値を測定した結果を示したグラフであって、第１グラフG1は本発明に係るレーザーダイオードに対する結果を、第２グラフG2は従来技術によるレーザーダイオードに対する結果を各々示す。
【００２６】
第１及び第２グラフG1,G2を参照すれば、従来技術による半導体レーザーダイオードでは、２５０ｍＡ程度で有効なレ−ザ−発振が始まったが、本発明に係るレーザーダイオードでは、これよりはるかに低い値の７５ｍＡ程度で有効なレーザー発振が始まることが分かった。
【００２７】
結果的に、本発明の実施態様によるレーザーダイオードは前記の利点を備えながらも臨界電流値が従来のそれに比べてずっと小さいことが分かった。
【００２８】
次に、前記の本発明の実施態様による半導体レーザーダイオードの製造方法に対して説明する。
【００２９】
図７を参照すれば、高抵抗性基板４０上に誘導放出のための第１物質層４２，４４、共振器層４６及び誘導放出のための第２物質層４８，５０を形成する。この際、高抵抗性基板４０はサファイア基板で形成することが望ましく、第１物質層４２，４４として、高抵抗性基板４０上に第１化合物半導体層４２と第１クラッド層４４とを順次に形成することが望ましい。ここで、第１化合物半導体層４２はIII−V族化合物半導体層で形成し、特に、GaN系の窒化物化合物半導体層であり、かつ直接遷移形の物質層で形成することが望ましい。例えば、第１化合物半導体層４２は、n−GaN層で形成するのが望ましい。第１クラッド層４４はn−AlGaN/GaN層で形成するのが望ましい。共振器層４６として、第１クラッド層４４上に第１導波層４６ａ、活性層４６ｂ及び第２導波層４６ｃを順次に形成する。第１及び第２導波層４６ａ，４６ｂは、第１クラッド層４４よりは屈折率が高く、かつ、活性層４６ｃよりは屈折率が低い化合物半導体層で形成し、相反する伝導型（ｐ型、ｎ型）の導電性不純物が注入された化合物半導体層で形成するのが望ましい。例えば、第１導波層４６ａはn−GaN層で形成し、第２導波層４６ｃはp−GaN層で形成するのが望ましい。活性層４６ｂは、誘導放出の可能なIII−V族化合物半導体層又はこれに所定の活性物質が添加された化合物半導体層で形成し、望ましくは、アルミニウムが所定の割合で添加されたGaN系のIII−V族窒化物化合物半導体層で形成するのが望ましい。活性層４６ｂは、例えば、AlGaN層で形成するのが望ましい。
【００３０】
一方、レイジングのための第２物質層４８，５０として、共振器層４６上に第２導波層４６ｃより屈折率の低い第２クラッド層４８と第２化合物半導体層５０とを順次に形成する。第２クラッド層４８は、注入された導電性不純物が異なることを除いては第１クラッド層４４と同一な化合物半導体層で形成する。例えば、第２クラッド層４８はp−AlGaN/GaN層で形成するのが望ましい。第2化合物半導体層５０も、注入された導電性不純物が第1化合物半導体層４２と異なることを除いて、第１化合物半導体層４２と同一な物質層で形成するのが望ましい。従って、第２化合物半導体層５０はp−形GaN層で形成するのが望ましい。
【００３１】
続けて、第２化合物半導体層５０の全面にマスク層(図示せず)を形成した後、パターニングして第２化合物半導体層５０の所定領域を覆って残りの領域は露出させるマスクパターンMを形成する。マスクパターンMはソフトマスクパターン、例えば、感光膜パターンで形成することもでき、ハードマスクパターン、例えば、ニッケル層(Ni)パターン、モリブデン(Mo)パターン、シリコン酸化膜(SiO2)パターンで形成することもできる。このようなマスクパターンMを蝕刻マスクとして第２化合物半導体層５０及び第２クラッド層４８を順次に蝕刻する。この触刻工程としては、乾式蝕刻するのが望ましく、第２化合物半導体層５０の表面に対して蝕刻イオンビ−ムIを所定の角度θに斜入射させることがさらに望ましい。蝕刻イオンビ−ムIは、第２化合物半導体層の水平面に対して１０°〜７０°程度に斜入射させることが望ましく、略３０°に斜入射させることがさらに望ましい。このような斜入射条件は、蝕刻装置の姿勢を制御するか、或いはウェーハステージの姿勢制御等を通じて得られる。前記蝕刻処理は、第２化合物半導体層５０の露出された部分が蝕刻され、さらに、第２クラッド層４８の露出された部分が所定の厚さになるまで実施する。以後、マスクパターンMを除去する。前記蝕刻で第２クラッド層４８のマスクパターンMにより覆われた部分を除外した周りの残り部分は所定の深さで蝕刻されるため、その結果、マスクパターンMが除去された後における、第２クラッド層４８のマスクパターンMにより覆われていた部分は、図８に示したように突出形態になる。こうして、第２クラッド層４８は一部領域が共振器層４６の表面に垂直な方向へ突出されており上部面に第２化合物半導体層５０を有するリッジ導波管構造を有する。
【００３２】
図８を参照すれば、第２クラッド層４８の突出された部分、即ちリッジ部は、その側面が第１傾斜度を有する第１部分(C1)と、前記第１傾斜度と異なる第２傾斜度とを有する第２部分(C2)と、になるように形成する。望ましくは、リッジ部の共振器層４６（活性層４６ｂ）に近い部分、すなわち第２部分(C2)の幅が、共振器層４６へ近づくにつれて広がるように形成するのが望ましい。前記蝕刻は第２部分(C2)と第１部分(C1)との比、すなわち、上記の垂直な方向に沿ったサイズ比(C2/C1)が、２／１以下になるように遂行するのが望ましい。従って、リッジ部は、例えば、前記比(C2/C1)が１／１になるように形成することもでき、さらに望ましくは、１／２又は１／３になるように形成することができる。第２部分(C2)のこのような特徴によれば、第２部分(C2)の側面には、第１部分(C1)と第２クラッド層４８の水平領域とを連結させる緩慢に傾斜した部分(B)が形成される。
【００３３】
このような特徴は、前記斜入射蝕刻の特徴である。前記斜入射蝕刻の際に、リッジ部の側面に照射された触刻イオンビームの一部は、前記リッジ部の側面と衝突した後に反射され、前記リッジ部からある程度離れた位置の第２クラッド層４８の表面と衝突する。こうして、第２クラッド層４８の前記リッジ部からある程度離れた部分の蝕刻の進行は、リッジ部の近傍に比べて速くなり、結果的に前記のような特徴を有するリッジ部が形成される。
【００３４】
続けて、図９を参照すれば、前記クラッド層４８に前記リッジ部を含む第１領域R1と前記リッジ部を含まない第２領域R2とを設定する。このような領域設定は第２クラッド層４８の下に形成された物質層、例えば第１化合物半導体層４２にも適用される。引き続き、前記第２クラッド層４８の全面に前記リッジ部を十分に覆うことができる程度の厚さで感光膜(図示せず)を塗布した後、パターニングして第２領域R2を露出させる感光膜パターン５６を形成する。感光膜パターン５６を蝕刻マスクとして、第２領域R２における第２クラッド層４８と共にその下に形成された物質層を連続的に蝕刻する。この際、前記蝕刻は、第１化合物半導体層４２の第２領域R2に対応する部分が所定の厚さになるまで実施する。以後、感光膜パターン５６を除去すれば、図１０に示したように、第１化合物半導体層４２上に順次に形成された物質層において、第２領域R2に対応する部分が除去され、第１化合物半導体層４２の第２領域R2に対応する部分も所定の厚さにわたって蝕刻される。この結果、第１化合物半導体層４２の第１及び第２領域R1,R2の間に段差が形成される。以後、図１１に示したように、第２クラッド層４８上に保護膜５２を形成する。、この保護膜５２は、第２化合物半導体層５０の端部の一部領域上にまで拡張されるように形成し、この第２化合物半導体層５０に対称的に接触されるように形成する。保護膜５２上に第２化合物半導体層５０と接触されるように導電層５４を形成し、第１化合物半導体層４２の蝕刻された領域上にも共振器層４６と離隔されるように導電層５５を形成する。導電層５４は、共振器層４６上に形成された誘導放出を生じさせるための物質層４８，５０と接触されるp型電極であり、一方、導電層５５は、高抵抗性基板４０と共振器層４６との間に形成される誘導放出を生じさせるための物質層４２，４４と接触されるn型電極として使用される。
【００３５】
一方、図１１の場合と異なり、図面に示されていないが、各電極を、共振器層を中心に互いに対向するように形成することもできる。例えば、高抵抗性基板４０を炭化ケイ素（シリコンカーボン(SiC)）基板に代替して、その底面にn型電極として使用される導電層５５を形成してもよい。
【００３６】
前述したように、多くの事項が具体的に記載されているが、それらは発明の範囲を限定するものでなく、望ましい実施例の例示として解されなければならない。例えば、本発明の属する技術分野で通常の知識を持つ者なら前述したリッジ部の特徴をそのまま有しつつ、共振器層の構成や誘導放出を生じさせるための物質層の構成を異とした多様な変形された実施例を具現することもできる。なお、本発明の思想は、利得導波型レーザーダイオードだけではなく、屈折導波型レーザーダイオードなどの種々の形態のレーザーダイオードにも適用することができる。このため、本発明の範囲は、説明された実施例により決定されるべきことではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により決定されなければならない。
【００３７】
【発明の効果】
前述したように、本発明に係る半導体レーザーダイオードの製造方法によれば、リッジ導波管（リッジ部）を備える半導体レーザーダイオードを製造することができ、このリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードは、リッジ部の幅が一定の部分と、この部分に連続する部分であって活性層へ近づくにつれて幅が広がる部分とを備えているために、流入される電流の広がりによる共振領域の幅の増加を防止することとともに、共振時においてリッジ部の下方部分が光導波路に含まれてしまい光損失が増加することを防止でき、レーザー発振のための臨界電流値をさらに低くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来技術によるリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードの断面図である。
【図２】  従来技術によるリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードにおいて生じ得る問題点を示した断面図である。
【図３】  従来技術によるリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードにおいて生じ得る他の問題点を示した断面図である。
【図４】  本発明の実施の態様によるリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードの断面図である。
【図５】  図４のリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードの誘導放出の特性を示した断面図である。
【図６】  本発明及び従来技術によるリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードに対する電気的特性の測定結果を示したグラフ図である。
【図７】  図４に示したリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードの製造方法を段階別に示した断面図である。
【図８】  図７に後続する、図４に示したリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードの製造方法を段階別に示した断面図である。
【図９】  図８に後続する、図４に示したリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードの製造方法を段階別に示した断面図である。
【図１０】  図９に後続する、図４に示したリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードの製造方法を段階別に示した断面図である。
【図１１】  図１０に後続する、図４に示したリッジ導波管を備える半導体レーザーダイオードの製造方法を段階別に示した断面図である。
【符号の説明】
４０・・・高抵抗性基板、
４２・・・第１化合物半導体層、
４４・・・第１クラッド層、
４６・・・共振器層、
４６ａ・・・第１導波層、
４６ｂ・・・活性層、
４６ｃ・・・第２導波層、
４８・・・第２クラッド層、
５０・・・第２化合物半導体層、
５２・・・保護膜、
５４，５５・・・導電層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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