(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、
その表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加熱プレートと、
この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱する複数の発熱体と、
これら発熱体の間に配置された複数のヒートパイプと
を具備し、
前記複数の発熱体は直線状をなし、それぞれ略平行に配列され、前記複数のヒートパイプは直線状をなし、それぞれ前記隣接する発熱体の間に発熱体に対して略平行に配列されていることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項２】
基板を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、
その表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加熱プレートと、
この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱する複数の発熱体と、
これら発熱体の間に配置された複数のヒートパイプと、
前記加熱プレート上にその一端から他端に向かう一方向の気流を形成する一方向流形成手段と
を具備し、
前記複数の発熱体は直線状をなし、それぞれ前記一方向流形成手段により形成される気流の向きに対して略垂直に配列され、前記複数のヒートパイプは直線状をなし、それぞれ前記隣接する発熱体の間に発熱体に対して略平行に配列されていることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項３】
前記一方向流形成手段により形成される気流の上流側に位置する発熱体と下流側に位置する発熱体とで供給する電流を変化させる制御手段をさらに具備することを特徴とする請求項２に記載の加熱処理装置。
【請求項４】
前記複数の発熱体および複数のヒートパイプは、それぞれ略等間隔で配列されていることを特徴とする請求項１から請求項３いずれか１項に記載の加熱処理装置。
【請求項５】
前記加熱プレートに前記発熱体に対し略垂直に配置された垂直ヒートパイプをさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
【請求項６】
基板を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、
その表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加熱プレートと、
この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱する複数の発熱体と、
これら発熱体の間に配置された複数のヒートパイプと
を具備し、
前記複数の発熱体はリング状をなし、同心円状に配列され、前記複数のヒートパイプはリング状をなし、それぞれ前記隣接する発熱体の間に配列されていることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項７】
前記複数の発熱体および複数のヒートパイプは、略等間隔で配列されていることを特徴とする請求項６に記載の加熱処理装置。
【請求項８】
前記加熱プレート上にその外周から中央に向かう気流を形成する気流形成手段をさらに具備することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の加熱処理装置。
【請求項９】
前記気流形成手段により形成される気流の上流側に位置する外周側の発熱体と下流側に位置する中央部の発熱体とで供給する電流を変化させる制御手段をさらに具備することを特徴とする請求項８に記載の加熱処理装置。
【請求項１０】
基板を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、
その表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加熱プレートと、
この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱する複数の発熱体と、
前記各発熱体をそれぞれ収容する複数のヒートパイプと
を具備し、
前記複数のヒートパイプは、それぞれ、前記発熱体を収容する内管と、この内管を包囲する外管と、これら内管と外管との間に充填された作動液とを有することを特徴とする加熱処理装置。
【請求項１１】
前記複数のヒートパイプは、それぞれ直線状をなし、かつ略平行に配列され、前記複数の発熱体は直線状をなし、それぞれ直線状をなす内管に沿って配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の加熱処理装置。
【請求項１２】
前記複数のヒートパイプはリング状をなし、同心円状に配列され、前記複数の発熱体はリング状をなし、それぞれリング状をなす内管に沿って配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の加熱処理装置。
【請求項１３】
基板を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、
その表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加熱プレートと、
この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱する複数の発熱体と、
前記各発熱体をそれぞれ収容する複数のヒートパイプと、
前記加熱プレート上にその一端から他端に向かう一方向の気流を形成する一方向流形成手段と
を具備し、
前記複数のヒートパイプは直線状をなし、前記一方向流形成手段により形成される気流の向きに対して略垂直に配列され、それぞれ、前記発熱体を収容する内管と、この内管を包囲する外管と、これら内管と外管との間に充填された作動液とを有し、前記複数の発熱体は直線状をなし、それぞれ直線状をなす内管に沿って配置されていることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項１４】
前記加熱プレートの温度を検出するための温度検出手段と、この温度検出手段の検出温度に基づいて前記発熱体に供給する電流を制御する制御手段とをさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板に塗布・現像処理を施して半導体装置等を製造する際に用いられる、基板を加熱する加熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスのフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウエハ（以下、単にウエハという）にレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィー工程においては、レジスト塗布後の加熱処理（プリベーク）、露光後の加熱処理（ポストエクスポージャーベーク）、現像後の加熱処理（ポストベーク）等、種々の加熱処理が行われている。
【０００４】
これらの加熱処理は、通常、筐体内にヒーターによって加熱される加熱プレート（ホットプレート）を配置してなるホットプレートユニットにより行われる。加熱処理に際しては、加熱プレートの表面に半導体ウエハが近接あるいは載置されるが、その際に、ウエハの全面にわたって均一な温度で加熱処理できるように、加熱プレートは、その載置面の全面にわたって温度が均一であること（面内均一性）が要求されている。
【０００５】
このようなことから、加熱温度の面内均一性を良好に維持するために、加熱プレートに複数のリング状の発熱体を同心円状に設けて、その載置面における温度が周方向で略均一に維持するようにし、加熱処理時に加熱プレート上をカバーで覆い、その中に加熱プレートの外周から中央に向かう気流を形成し、カバーの中央から上方へ排気するようにしている。
【０００６】
しかしながら、このような加熱プレートの外周から中央に向かう気流を形成する場合には、カバー中央から上方に排気する排気口に気体が集まって滞留するため、気体に塵や埃等が混入していると、滞留した気体から塵や埃等がウエハ上に落下し、パーティクル付着の原因となるおそれがある。また、このようにカバー中央から上方に排気する排気口に気体が滞留するため、ウエハの中央付近において加熱プレートからの熱が不均一に作用しやすい。さらに、カバーの中央に、排気機構を設ける必要があるため、装置自体の上下方向の寸法を大きくせざるを得ない。
【０００７】
このような不都合を解消することができるホットプレートユニットとして、加熱プレート上にその一端から他端に向かう一方向の気流を形成するものが提案されている（例えば、特開平１１−２３８６６１号公報）。このホットプレートユニットは加熱プレート上のカバーの一端に吸気口を設け他端に排気口を設ければよいため、加熱プレート上方に排気口を設ける必要がなく、排気口に滞留した気体から塵や埃がウエハ上面に落下するおそれがない。また、カバー中央から排気する必要がないため、加熱プレートからの熱がウエハの中央付近に不均一に作用することがない。さらに、カバー中央に、排気機構を設ける必要がないため、装置自体の上下方向の寸法を小さくすることができる。
【０００８】
このようなタイプのホットプレートユニットは、矩形の加熱プレートが配置され、この加熱プレート内に複数の直線状の発熱体が気流に対して垂直な方向に平行に配列されているが、一つの直線状の発熱体は必ずしも抵抗値が均一ではなく、一つの発熱体の中で発熱量のばらつきが生じる。しかも、気流に垂直な方向は気流による熱移動が生じ難いたい。したがって、加熱プレートにおいて気流に対して垂直な方向に温度ばらつきが生じやすいという問題がある。
【０００９】
このようなばらつきを抑制するため、一つの発熱体に複数の制御チャンネルを設けることも考えられるが、加熱プレート全体として、制御チャンネルの数が多くなり過ぎて、発熱体の制御が極めて複雑になってしまう。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、複雑な制御を行わなくても加熱プレートの温度均一性を良好にすることができる加熱処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、第１に、基板を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、その表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加熱プレートと、この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱する複数の発熱体と、これら発熱体の間に配置された複数のヒートパイプとを具備し、前記複数の発熱体は直線状をなし、それぞれ略平行に配列され、前記複数のヒートパイプは直線状をなし、それぞれ前記隣接する発熱体の間に発熱体に対して略平行に配列されていることを特徴とする加熱処理装置を提供する。
【００１２】
本発明は、第２に、基板を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、その表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加熱プレートと、この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱する複数の発熱体と、これら発熱体の間に配置された複数のヒートパイプと、前記加熱プレート上にその一端から他端に向かう一方向の気流を形成する一方向流形成手段とを具備し、前記複数の発熱体は直線状をなし、それぞれ前記一方向流形成手段により形成される気流の向きに対して略垂直に配列され、前記複数のヒートパイプは直線状をなし、それぞれ前記隣接する発熱体の間に発熱体に対して略平行に配列されていることを特徴とする加熱処理装置を提供する。
【００１３】
上記本発明の第１によれば、加熱プレートに配置された複数の発熱体の間に複数のヒートパイプを配置するが、ヒートパイプは、内部に充填した作動液の蒸発現象と凝縮現象を利用して、一端から他端に大量の熱を容易に輸送する機能、およびその中に温度の高低がある場合に速やかに熱を輸送して温度を均一化する機能を有するため、一つの発熱体において抵抗値が不均一であってその発熱量が不均一となるような場合であっても、隣接する発熱体の間に配置されたヒートパイプの温度均一化作用により、一つの発熱体に複数の制御チャンネルを設けるといった複雑な制御を行わなくても発熱体の周囲の温度を均一に維持することができ、加熱プレートの温度均一性を良好にすることができる。また、このようなヒートパイプの温度均一化作用により、発熱体の抵抗値のばらつきが大きく従来不良品となっていた加熱プレートを使用できる可能性があり、装置歩留を高めることができる。さらに、複数の発熱体が隣接して配置されている場合には、一つの発熱体の温度を均一に維持するように制御しても、隣接する発熱体からの熱の影響を受け、一つの発熱体の温度が上昇して隣接する発熱体と相互に干渉し合うことがあったが、本発明によれば、隣接する発熱線の間に、ヒートパイプが配置されているため、隣接する発熱線の熱的な影響を排除して、相互干渉をなくすことができ、発熱線の温度制御の容易化を図ることができる。
【００１４】
また、上記本発明の第２によれば、一方向流形成手段により加熱プレート上にその一端から他端に向かう一方向の気流を形成する一方向流タイプの加熱処理装置において、複数の直線状をなす発熱体をそれぞれ一方向流形成手段により形成される気流の向きに対して略垂直に配列し、複数の直線状をなすヒートパイプを、それぞれ隣接する発熱体の間に発熱体に対して略平行に配列するので、ヒートパイプの均熱化作用により、発熱体の抵抗値のばらつきによって温度ばらつきが生じやすい一方向流タイプの加熱処理装置において、複雑な制御を行うことなく加熱プレートの温度均一性を良好にすることができる。
【００１５】
本発明は、第３に、基板を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、その表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加熱プレートと、この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱する複数の発熱体と、前記各発熱体をそれぞれ収容する複数のヒートパイプとを具備し、前記複数のヒートパイプは、それぞれ、前記発熱体を収容する内管と、この内管を包囲する外管と、これら内管と外管との間に充填された作動液とを有することを特徴とする加熱処理装置を提供する。
【００１６】
本発明は、第４に、基板を所定温度に加熱処理する加熱処理装置であって、その表面に基板を近接または載置して、加熱処理する加熱プレートと、この加熱プレートに配置され給電されることにより発熱する複数の発熱体と、前記各発熱体をそれぞれ収容する複数のヒートパイプと、前記加熱プレート上にその一端から他端に向かう一方向の気流を形成する一方向流形成手段とを具備し、前記複数のヒートパイプは直線状をなし、前記一方向流形成手段により形成される気流の向きに対して略垂直に配列され、それぞれ、前記発熱体を収容する内管と、この内管を包囲する外管と、これら内管と外管との間に充填された作動液とを有し、前記複数の発熱体は直線状をなし、それぞれ直線状をなす内管に沿って配置されていることを特徴とする加熱処理装置を提供する。
【００１７】
上記本発明の第３および第４によれば、二重管構造のヒートパイプの内管内に発熱体を挿入した構造のヒートパイプを加熱プレートに複数配列するので、ヒートパイプの温度均一化作用を一層有効に発揮することができるので、加熱プレートの温度均一性を一層良好にすることができる。また、このように発熱体をヒートパイプの内部に設けることにより、発熱体の配置密度を高くすることができる。また、発熱体とヒートパイプとを一体化しているので、組み立てが容易である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態に係るホットプレートユニットが搭載されたウエハのレジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図、図２はその正面図、図３はその背面図である。
【００１９】
この処理システムは、搬送ステーションであるカセットステーション１０と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション１１と、処理ステーション１１と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡すためのインターフェイス部１２とを具備している。
【００２０】
上記カセットステーション１０は、被処理体としての半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）Ｗを複数枚例えば２５枚単位でウエハカセットＣＲに搭載された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入またはこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハカセットＣＲと処理ステーション１１との間でウエハＷの搬送を行うためのものである。
【００２１】
このカセットステーション１０においては、図１に示すように、カセット載置台２０上に図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａが形成されており、この突起２０ａの位置にウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカセットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列されている。また、カセットステーション１０は、ウエハカセット載置台２０と処理ステーション１１との間に位置するウエハ搬送機構２１を有している。このウエハ搬送機構２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およびその中のウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有しており、この搬送アーム２１ａによりいずれかのウエハカセットＣＲに対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ搬送用アーム２１ａは、θ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション１１側の第３の処理部Ｇ３に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００２２】
上記処理ステーション１１は、半導体ウエハＷへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハＷが一枚ずつ処理される。この処理ステーション１１は、図１に示すように、中心部に搬送路２２ａを有し、この中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路２２ａの周りに全ての処理ユニットが配置されている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って多段に配置されている。
【００２３】
主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すように、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体４９はモータ（図示せず）の回転駆動力によって回転可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置４６も一体的に回転可能となっている。
【００２４】
ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これらの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
【００２５】
また、図１に示すように、この実施の形態においては、４個の処理部Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４がウエハ搬送路２２ａの周囲に実際に配置されており、処理部Ｇ５は必要に応じて配置可能となっている。
【００２６】
これらのうち、第１および第２の処理部Ｇ１，Ｇ２はシステム正面（図１において手前）側に並列に配置され、第３の処理部Ｇ３はカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の処理部Ｇ４はインターフェイス部１２に隣接して配置されている。また、第５の処理部Ｇ５は背面部に配置可能となっている。
【００２７】
第１の処理部Ｇ１では、ウエハＷにレジストを塗布するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）およびレジストのパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理部Ｇ２も同様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。
【００２８】
第３の処理部Ｇ３においては、図３に示すように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわちレジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリングユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（ＣＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。
【００２９】
第４の処理部Ｇ４も、オーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。
【００３０】
主ウエハ搬送機構２２の背部側に第５の処理部Ｇ５を設ける場合には、案内レール２５に沿って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ移動できるようになっている。したがって、第５の処理部Ｇ５を設けた場合でも、これを案内レール２５に沿ってスライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことができる。
【００３１】
上記インターフェイス部１２は、奥行方向（Ｘ方向）については、処理ステーション１１と同じ長さを有している。図１、図２に示すように、このインターフェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部には、ウエハ搬送機構２４が配設されている。このウエハ搬送機構２４は、ウエハ搬送用アーム２４ａを有しており、このウエハ搬送用アーム２４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲおよび周辺露光装置２３にアクセス可能となっている。また、このウエハ搬送用アーム２４ａは、θ方向に回転可能であり、処理ステーション１１の第４の処理部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光装置側のウエハ受け渡し台（図示せず）にもアクセス可能となっている。
【００３２】
このようなレジスト塗布現像処理システムにおいては、まず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａがカセット載置台２０上の未処理のウエハＷを収容しているウエハカセットＣＲにアクセスして、そのカセットＣＲから一枚のウエハＷを取り出し、第３の処理部Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送する。
【００３３】
ウエハＷは、このエクステンションユニット（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。そして、第３の処理部Ｇ３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。
【００３４】
アドヒージョン処理が終了し、クーリングユニット（ＣＯＬ）で所定の温度に冷却さたウエハＷは、引き続き、ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、そこで塗布膜が形成される。塗布処理終了後、ウエハＷは処理部Ｇ３，Ｇ４のいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）内でプリベーク処理され、その後いずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）にて所定の温度に冷却される。
【００３５】
冷却されたウエハＷは、第３の処理部Ｇ３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこでアライメントされた後、第４の処理部群Ｇ４のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイス部１２に搬送される。
【００３６】
インターフェイス部１２では、周辺露光装置２３により余分なレジスト除去のための周辺露光がウエハ周縁の例えば１ｍｍの部分について施された後、インターフェイス部１２に隣接して設けられた露光装置（図示せず）により所定のパターンに従ってウエハＷのレジスト膜に露光処理が施される。
【００３７】
露光後のウエハＷは、再びインターフェイス部１２に戻され、ウエハ搬送機構２４により、第４の処理部Ｇ４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装置４６により、いずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）に搬送されてポストエクスポージャーベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により所定の温度に冷却される。
【００３８】
その後、ウエハＷは現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われる。現像処理終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により所定温度に冷却される。このような一連の処理が終了した後、第３処理ユニット群Ｇ３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセットステーション１０に戻され、いずれかのウエハカセットＣＲに収容される。
【００３９】
次に、図４から図７を参照して本発明の第１の実施形態に係るホットプレートユニットについて説明する。図４は本発明の第１の実施形態に係るホットプレートユニットを模式的に示す断面図、図５はその制御系を示すブロック図、図６は図４のホットプレートユニットの加熱プレート部分を模式的に示す斜視図、図７は図４のホットプレートユニットに設けられたヒートパイプを一部切り欠いて示す模式図である。
【００４０】
ホットプレートユニット（ＨＰ）は、ケーシング５０を有し、その内部の下側には矩形状をなす加熱プレート５１が配置されている。加熱プレート５１は、表面がウエハ対向面となるフェイスプレート５２と、その下側に設けられたボトムプレート５３とを有している。フェイスプレート５２の表面にはプロキシミティピン５４が設けられており、このプロキシミティピン５４上に加熱プレート５１のフェイスプレート５２の表面に近接した状態でウエハＷが載置されるようになっている。
【００４１】
ボトムプレート５３の上面には、複数の直線状の発熱体６０が略平行に配列されており、ボトムプレート５３の上にフェイスプレート５２が配置されることにより、これら発熱体６０が加熱プレート５１に埋設された状態となる。そして、これら発熱体６０は通電されることにより発熱し、加熱プレート５１を加熱してウエハＷを昇温するようになっている。この場合に、各直線状発熱体６０への通電量はそれぞれ独立に制御可能であることが好ましい。
【００４２】
加熱プレート５１は支持部材５５に支持されており、支持部材５５内は空洞となっている。加熱プレート５１には、その中央部に３つの（図４では２つのみ図示）貫通孔５６が形成されており、これら貫通孔５６にはウエハＷを昇降させるための３本の昇降ピン５７が昇降自在に設けられている。これら昇降ピン５７は支持板５８に支持されており、この支持板５８を介して支持部材５５の側方に設けられたシリンダー５９により昇降されるようになっている。
【００４３】
加熱プレート５１および支持部材５５の周囲にはそれらを包囲支持するサポートリング６１が設けられており、このサポートリング６１の上には上下動自在のカバー６２が設けられている。そして、このカバー６２がサポートリング６１の上面まで降下した状態でシールリング６３により外部から密閉された処理室Ｓが形成される。
【００４４】
加熱プレート５１の一方側には、加熱プレート５１の略一辺の幅を有し、処理室Ｓ内に不活性ガス、空気等の気体を供給するための気体供給ノズル６４が設けられ、この気体供給ノズル６４には、不活性ガス、空気等の気体を供給するための気体供給管６５が接続されている。この気体供給管６５には、通流する気体の流量および流速を調整するための電磁弁６６が介装されている。
【００４５】
一方、加熱プレート５１の他方側には、加熱プレート５１の略一辺の幅を有し、処理室Ｓ内の気体を排出するための排気ノズル６７が設けられ、この排気ノズル６７には、排気管６８が接続されている。この排気管６８には、排気量を調整するための電磁弁６９が介装されている。
【００４６】
そして、気体供給ノズル６４から処理室Ｓへ供給された気体は排気ノズル６７から排気され、処理室Ｓ内には図４に矢印で示すような加熱プレート５１の一端側から他端側に向かう一方向の気流が形成される。
【００４７】
加熱プレート５１のフェースプレート５２内の適宜箇所には、複数の温度センサー７０が設けられ、これにより加熱プレート５１の温度が計測されるようになっている。この温度センサー７０からの検出信号は、図５に示すように、このホットプレートユニット（ＨＰ）を制御するためのユニットコントローラ７１に送信され、その検出情報に基づいてコントローラ７１から温調器７２に制御信号が送信され、その制御信号に基づいて温調器７２から発熱体電源７４に出力調整信号が送信される。さらに、このユニットコントローラ７１は、加熱処理に際して、シリンダー５９に制御信号を送って昇降ピン５７の昇降を制御するとともに、電磁弁６６，６９に制御信号を送って、気体供給ノズル６４からの気体の供給量および排気ノズル６７からの排気量を制御する。なお、ユニットコントローラ７１は、塗布・現像システムのシステムコントローラ（図示略）からの指令に基づいて制御信号を出力するようになっている。
【００４８】
ユニットコントローラ７１による発熱体６０の制御は、各直線状発熱体６０への通電量がそれぞれ独立に制御可能である場合に、加熱プレート５１上に形成される一方向の気流の上流側に位置する発熱体と下流側に位置する発熱体とで供給する電流を変化させるように制御することが好ましい。すなわち、矩形の加熱プレート５１において、複数の発熱体６０がそれぞれ直線状であって略平行に配列され、加熱プレート５１上に一方向の気流が発熱体６０に対して略垂直方向に流れるように構成され、さらに、ウエハＷはプロキシミティピン５４によって載置面から若干離間されているため、供給された気体がウエハＷの裏面側にも流れて、ウエハＷの下流側ほど多くの気体が滞留し、発熱体６０の供給電流が同じであると、ウエハＷの下流側ほど温度が若干上昇するといったことがある。したがって、ユニットコントローラ７１によって発熱体６０を制御する際には、気流の上流側に位置する発熱体と下流側に位置する発熱体とで供給する電流を変化させる。具体的には、気流の下流側に位置する発熱体６０よりも上流側に位置する発熱体６０により多くの電流を供給するように、ユニットコントローラ７１により電源７４を制御することが好ましい。これにより、加熱プレート５１の温度は、気流の方向（すなわち、発熱体６０に対して略垂直方向）で均一に維持される。
【００４９】
加熱プレート５１に設けられた直線状をなす複数の発熱体６０の間には、複数の直線状のヒートパイプ８０が配列されている。具体的には、図４に示すように、ヒートパイプ８０は、ボトムプレート５３の上面に形成された凹部に嵌め込まれており、図６の模式的な斜視図に示すように、発熱体６０に対して平行に上記一方向の気流の方向に対して垂直に配置されている。これら複数のヒートパイプ８０および発熱体６０は、それぞれ略等間隔で設けられることが好ましい。
【００５０】
この直線状のヒートパイプ８０は、図７に示すように、両端を閉塞した筒状の金属、例えば銅または銅合金からなる外殻部材としてのコンテナ８１と、その内周壁に設けられた例えば網状部材のウイック８２とを有し、その中に水などの作動液が充填された密閉構造を有している。ウィック８２は毛細管現象を利用して作動液を移動させる機能を有している。この直線状のヒートパイプ８０は、内部に充填した作動液の蒸発現象と凝縮現象を利用して、一端から他端に大量の熱を容易に輸送する機能、およびその中に温度の高低がある場合に速やかに熱を輸送して温度を均一化する機能を有する。具体的には、例えばヒートパイプ８０の一端を加熱すると作動液が蒸発し、蒸気流となって低温部へ高速移動し、次いで管壁に接触して冷却されて凝縮する。凝縮液はウィック８２の毛細管現象により加熱部へ戻る。なお、ウィック８２を用いる代わりに凝縮液を重力で戻すこともできる。
【００５１】
以上のように構成されたホットプレートユニット（ＨＰ）により加熱処理を行う際には、まず、ウエハ搬送装置４６により、ウエハＷがホットプレートユニット（ＨＰ）の筐体５０内に搬入されて、突出した状態の昇降ピン５７に受け渡され、この昇降ピン５７が降下されて、ウエハＷが加熱プレート５１のフェースプレート５２の表面に設けられたプロキシミティピン５４に載置される。
【００５２】
次いで、カバー６２が降下されて処理室Ｓが形成され、電磁弁６６，６９が制御されて、処理室Ｓに加熱プレート５１の一端側から他端側に向かう一方向の気流が形成される。
【００５３】
このような一方向の気流が形成された状態で、発熱体６０に給電することにより、加熱プレート５１上のウエハＷを加熱処理する。このように加熱プレート５１の上面に一方向の気流を形成するので、カバー６２の中央部に排気口が設けられておらず、滞留した気体から塵や埃がウエハ上面に落下するといったことがない。また、ウエハＷの中央付近の上方に気体が滞留することがないため、加熱プレート５１からの熱がウエハＷの中央付近に不均一に作用することがない。さらに、カバー６２に不活性ガス等の排気構造が設けられる必要がないため装置自体の上下方向の寸法を小さくすることができる。
【００５４】
この場合に、一つの直線状の発熱体６０は必ずしも抵抗値が均一ではなく、一つの発熱体６０の中で発熱量のばらつきが生じ、しかも、発熱体６０は熱移動が生じ難い気流に垂直な方向に配置されているので、加熱プレート５１において気流に対して垂直な方向に温度ばらつきが生じやすいが、本実施形態では発熱体６０の間に略平行にヒートパイプ８０が設けられているので、ヒートパイプ８０の温度均一化作用により、発熱体６０の周囲の温度を均一に維持することができ、加熱プレート５１の温度均一性を良好にすることができる。したがって、一つの発熱体内において複数の制御チャンネルを設けるといった複雑な制御を行わなくても、一つの発熱体に対して一つの制御チャンネルがあれば十分である。そして温度センサー７０も各発熱体６０に対応して設ければ十分である。
【００５５】
また、発熱体６０で抵抗値のばらつきが大きく従来不良品となっていた加熱プレートであっても、ヒートパイプ８０の温度の均一化作用により、この抵抗値のばらつきに起因する発熱量の不均一の影響を排除することができるため、製品として用いることができる可能性があり、製品の歩留まりを向上することができる。
【００５６】
さらに、複数の発熱体６０が隣接して配置されていると、一つの発熱体６０の温度を均一に維持するように制御しても、隣接する発熱体６０からの熱の影響を受け、一つの発熱体６０の温度が上昇して隣接する発熱体６０と相互に干渉し合うことがあるが、本実施形態によれば、隣接する発熱体６０の間に、ヒートパイプ８０が配置されているため、隣接する発熱体６０の熱的な影響を排除して、相互干渉をなくすことができ、発熱体６０の温度制御の容易化を図ることができる。
【００５７】
さらにまた、このような矩形の加熱プレート５１に円形のウエハＷを載置する場合には、ウエハＷの端部はウエハＷが存在しない載置面からの熱の影響を受けて、その温度がウエハＷの中央部に比べて上昇しやすく、ウエハＷの端部と中央部との温度の均一性を維持し難いが、発熱体６０の間に配置されたヒートパイプ８０の温度の均一化作用により、このような不都合も回避することができる。
【００５８】
このようにしてウエハＷの加熱処理が終了した後、カバー６２が上方に移動されて、ウエハＷが昇降ピン５７により持ち上げられ、ウエハ搬送装置４６に受け渡されて、ホットプレートユニット（ＨＰ）から搬出され、次工程のユニットに搬送される。
【００５９】
以上の例では、気流に対して垂直な方向にヒートパイプ８０を設け、その温度均一化作用により、気流に対して垂直な方向の温度均一化を図ったが、図８に示すように、例えば加熱プレート５１の裏面側に、気流方向（すなわち、発熱体６０に対して略垂直方向）に沿って複数（一本のみ図示）の垂直ヒートパイプ８３を設け、その温度均一化作用により気流方向の温度均一化を図ってもよい。すなわち、加熱プレート５１において気流方向に温度の不均一が生じた場合でも、この垂直ヒートパイプ８３の温度均一化作用により、その不均一を解消することができ、加熱プレート５１の温度の均一性を一層向上させることができる。なお、垂直ヒートパイプ８３の構造は、図７に示したヒートパイプ８０と同様である。
【００６０】
次に、図９および図１０を参照して本発明の第２の実施形態に係るホットプレートユニットについて説明する。図９は本発明の第２の実施形態に係るホットプレートユニットの主要部を模式的に示す断面図であり、図１０はそれに用いられる二重管型ヒートパイプを示す斜視図である。
【００６１】
第２の実施形態では、第１の実施形態で用いたヒートパイプ８０に代えて、直線状をなす二重管型ヒートパイプ８５を用いており、この複数の二重管型ヒートパイプ８５はボトムプレート５３の上面に略平行に配列されている。この二重管型ヒートパイプ８５は、図１０に示すように、内管８６と、この内管８６を包囲する外管８７と、この内管８６および外管８７の間に設けられたウイック８８を有しており、水などの作動液が充填されている。そして、直線状の発熱体６０が、内管８６内にその長手方向に沿って挿入されている。したがって、この二重管型ヒートパイプ８５も、作動液の蒸発現象と凝縮現象を利用して、一端から他端に大量の熱を容易に輸送する機能、およびその中に温度の高低がある場合に速やかに熱を輸送して温度を均一化する機能を有する。
【００６２】
したがって、本第２実施の形態でも、発熱体６０において抵抗値のばらつきにより、発熱量のばらつきが生じたとしても、この二重管型ヒートパイプ８５の温度均一化作用により、発熱体６０の周囲の温度を均一に維持することができ、加熱プレート５１の温度均一性を良好にすることができる。この場合に、発熱体６０はヒートパイプ８５の内部に設けられているので、ヒートパイプ８５の温度均一化作用を一層有効に発揮させることができ、発熱体６０の発熱量のばらつきを一層小さくすることができる。また、このように発熱体６０をヒートパイプ８５の内部に設けることにより、発熱体６０の配置密度を高くすることができる。さらに、発熱体６０とヒートパイプ８５とを一体化しているので、組み立てが容易である。
【００６３】
次に、図１１から図１３を参照して、本発明の第３の実施形態に係るホットプレートユニットについて説明する。図１１は本発明の第３の実施形態に係るホットプレートユニットを模式的に示す断面図であり、図１２は図１１のホットプレートユニットの加熱プレート部分を模式的に示す斜視図であり、図１３は図１１のホットプレートユニットに設けられたリング状のヒートパイプを一部切り欠いて示す模式図である。
【００６４】
本第３実施の形態では、円形の加熱プレート５１’が設けられており、この加熱プレート５１’はフェイスプレート５２’およびボトムプレート５３’からなっている。加熱プレート５１’は支持部材５５’に支持されており、支持部材５５’内は空洞となっている。加熱プレート５１’および支持部材５５’の周囲には、それらを包囲するサポートリング６１’が設けられており、このサポートリング６１’の上には上下動自在のカバー６２’が設けられている。そして、このカバー６２’がサポートリング６１’の上面まで降下した状態でシールリング６３’により外部から密閉された処理室Ｓ’が形成される。また、カバー６２’は、外側から中心部に向かって次第に高くなるような円錐状をなし、中央の頂上部には排気管９４に接続された排気口９３を有している。
【００６５】
サポートリング６１’の上端には加熱プレート５１’に沿って、処理室Ｓ’に不活性ガスまたは空気等の気体を供給するための気体供給口９１が設けられている。気体供給口９１は加熱プレート５１’の外周に沿って多数設けられていてもよく、リング状であってもよい。気体供給口９１には、気体を供給するための気体供給路９２が接続されている。したがって、気体供給口９１から処理室Ｓ’に供給された気体は排気口９３から排気管９４を介して排気され、処理室Ｓ’には加熱プレート５１’の周囲から中央に向かう気流が形成される。
【００６６】
ボトムプレート５３’の上面には、複数のリング状の発熱体９０が略同心円状に配列されおり、ボトムプレート５３’の上にフェイスプレート５２’が配置されることにより、これら発熱体９０が加熱プレート５１’に埋設された状態となる。そして、これら発熱体９０は図示しない電源から通電されることにより発熱し、加熱プレート５１を加熱してウエハＷを昇温するようになっている。この場合に、各リング状発熱体９０への通電量はそれぞれ独立に制御可能であることが好ましい。
【００６７】
加熱プレート５１’のフェースプレート５２’内の適宜箇所には、複数の温度センサー７０が設けられ、これにより加熱プレート５１’の温度が計測されるようになっている。この温度センサー７０からの検出信号は、第１の実施形態と同様、図５に示すホットプレートユニット（ＨＰ）を制御するためのユニットコントローラ７１に送信され、その検出情報に基づいてコントローラ７１から温調器７２に制御信号が送信され、その制御信号に基づいて温調器７２から発熱体電源７４に出力調整信号が送信され、発熱体９０の出力が制御される。
【００６８】
ユニットコントローラ７１による発熱体９０の制御は、各リング状発熱体９０への通電量がそれぞれ独立に制御可能である場合に、処理室Ｓ’に形成される気流の上流側に位置する外周側の発熱体と下流側に位置する中央部の発熱体とで供給する電流を変化させるように制御することが好ましい。すなわち、ウエハＷはプロキシミティピン５４によって載置面から若干離間されているため、供給された気体はウエハＷの裏面側にも流れて、ウエハＷの下流側ほど（すなわち、ウエハＷの中央部ほど）多くの気体が滞留し、リング状の発熱体９０の供給電流が同じであると、ウエハＷの下流側ほど（すなわち、ウエハＷの中央部ほど）温度が若干上昇するといったことがある。したがって、ユニットコントローラ７１によって発熱体９０を制御する際には、気流の上流側（すなわち、ウエハＷの外周側）に位置する発熱体と下流側（すなわち、ウエハＷの中央部）に位置する発熱体とで供給する電流を変化させる。具体的には、気流の下流側（すなわち、ウエハＷの中央）に位置するリング状の発熱体９０よりも、不活性ガス等の上流側（すなわち、ウエハＷの外周側）に位置するリング状の発熱体９０に、より多くの電流を供給するように、ユニットコントローラ７１により電源７４が制御することが好ましい。これにより、ウエハＷの温度は、不活性ガス等の流れ方向（すなわち、ウエハＷの周縁から中央方向）に均一に維持される。
【００６９】
加熱プレート５１’に設けられたリング状をなす複数の発熱体９０の間には、複数のリング状のヒートパイプ９５が配列されている。このリング状のヒートパイプは、図１３に示すように、リング状をなす筒状の金属、例えば銅または銅合金からなるコンテナ９６と、その内周壁に設けられたウイック９７とを有し、その中に水などの作動液が充填された密閉構造を有している。ウィック９７は毛細管現象を利用して作動液を移動させる機能を有している。このリング状のヒートパイプ９５は、内部に充填した作動液の蒸発現象と凝縮現象を利用して、大量の熱を容易に輸送する機能、およびその中に温度の高低がある場合に速やかに熱を輸送して温度を均一化する機能を有する。具体的には、例えばヒートパイプ９５の一部を加熱すると作動液が蒸発し、蒸気流となって低温部へ高速移動し、次いで管壁に接触して冷却されて凝縮する。凝縮液はウィック９７の毛細管現象により加熱部へ戻る。
【００７０】
以上のように構成されたホットプレートユニット（ＨＰ）により加熱処理を行う際には、まず、ウエハ搬送装置４６により、ウエハＷがホットプレートユニット（ＨＰ）の筐体５０内に搬入されて、突出した状態の昇降ピン５７に受け渡され、この昇降ピン５７が降下されて、ウエハＷが加熱プレート５１’のフェースプレート５２’の表面に設けられたプロキシミティピン５４’に載置される。
【００７１】
次いで、カバー６２’が降下されて処理室Ｓ’が形成され、気体供給口９１から処理室Ｓ’に気体が供給され、中央の排気口９３から排気され、加熱プレート５１’の周囲から中央に向かう気流が形成される。
【００７２】
このような一方向の気流が形成された状態で、発熱体９０に給電することにより、加熱プレート５１’上のウエハＷを加熱処理する。
【００７３】
この場合に、一つのリング状の発熱体９０は必ずしも抵抗値が均一ではなく、一つの発熱体９０の中で発熱量のばらつきが生じ、発熱体９０の配置方向に沿って加熱プレート５１’に温度のばらつきが生じるおそれがあるが、本実施形態ではリング状の発熱体９０の間にリング状のヒートパイプ９５が設けられているので、ヒートパイプ９５の温度均一化作用により、発熱体９０の周囲の温度を均一に維持することができ、加熱プレート５１’の温度均一性を良好にすることができる。したがって、一つの発熱体内において複数の制御チャンネルを設けるといった複雑な制御を行わなくても、一つの発熱体に対して一つの制御チャンネルがあれば十分である。そして温度センサー７０も各発熱体９０に対応して設ければ十分である。また、隣接するリング状の発熱体９０の間に、リング状のヒートパイプ９５が配置されているため、隣接するリング状の発熱体９０の熱的な影響を排除して、相互干渉をなくすことができ、発熱体９０の温度制御の容易化を図ることができる。
【００７４】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば上記実施の形態では、発熱体およびヒートパイプを直線状またはリング状にしたが、これに限らず他の形状であってもよい。また、加熱処理装置の構造としても上記実施形態において例示したホットプレートユニットに限るものではなく種々の形態が可能である。さらに、レジスト塗布・現像処理システムの加熱処理について示したが、それ以外に用いられる加熱処理に適用することも可能である。さらにまた、上記実施形態ではウエハをプロキシミティピン上に載置して間接的に加熱を行った場合について示したが、ウエハを加熱プレート上に直接載置して加熱してもよい。さらにまた、上記実施形態では基板として半導体ウエハを用いた場合について説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基板、例えばＬＣＤ基板の加熱処理を行う場合についても適用可能である。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、加熱プレートに配置された複数の発熱体の間に複数のヒートパイプを配置するが、ヒートパイプは温度均一化作用を有するため、一つの発熱体において抵抗値が不均一であってその発熱量が不均一となるような場合であっても、隣接する発熱体の間に配置されたヒートパイプの温度均一化作用により、一つの発熱体に複数の制御チャンネルを設けるといった複雑な制御を行わなくても発熱体の周囲の温度を均一に維持することができ、加熱プレートの温度均一性を良好にすることができる。また、このようなヒートパイプの温度均一化作用により、発熱体の抵抗値のばらつきが大きく従来不良品となっていた加熱プレートを使用できる可能性があり、装置歩留を高めることができる。さらに、複数の発熱体が隣接して配置されている場合には、一つの発熱体の温度を均一に維持するように制御しても、隣接する発熱体からの熱の影響を受け、一つの発熱体の温度が上昇して隣接する発熱体と相互に干渉し合うことがあったが、本発明によれば、隣接する発熱線の間に、ヒートパイプが配置されているため、隣接する発熱線の熱的な影響を排除して、相互干渉をなくすことができ、発熱線の温度制御の容易化を図ることができる。
【００７６】
また、本発明によれば、一方向流形成手段により加熱プレート上にその一端から他端に向かう一方向の気流を形成する一方向流タイプの加熱処理装置において、複数の直線状をなす発熱体をそれぞれ一方向流形成手段により形成される気流の向きに対して略垂直に配列し、複数の直線状をなすヒートパイプを、それぞれ隣接する発熱体の間に発熱体に対して略平行に配列するので、ヒートパイプの均熱化作用により、発熱体の抵抗値のばらつきによって温度ばらつきが生じやすい一方向流タイプの加熱処理装置において、複雑な制御を行うことなく加熱プレートの温度均一性を良好にすることができる。
【００７７】
さらに、本発明によれば、二重管構造のヒートパイプの内管内に発熱体を挿入した構造のヒートパイプを加熱プレートに複数配列するので、ヒートパイプの温度均一化作用を一層有効に発揮することができるので、加熱プレートの温度均一性を一層良好にすることができる。また、このように発熱体をヒートパイプの内部に設けることにより、発熱体の配置密度を高くすることができる。また、発熱体とヒートパイプとを一体化しているので、組み立てが容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の加熱処理装置の一実施形態であるホットプレートユニットを備えた半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図。
【図２】本発明の加熱処理装置の一実施形態であるホットプレートユニットを備えた半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムの全体構成を示す正面図。
【図３】本発明の加熱処理装置の一実施形態であるホットプレートユニットを備えた半導体ウエハのレジスト塗布現像処理システムの全体構成を示す背面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るホットプレートユニットを模式的に示す断面図。
【図５】図４のホットプレートユニットの制御系を示す図。
【図６】図４のホットプレートユニットの加熱プレート部分を模式的に示す斜視図。
【図７】図４のホットプレートに設けられたヒートパイプを一部切り欠いて示す模式図。
【図８】本発明の第１の実施形態に係るホットプレートユニットの変形例を模式的に示す断面図。
【図９】本発明の第２の実施形態に係るホットプレートユニットの主要部を模式的に示す断面図。
【図１０】図９のホットプレートユニットに用いられる二重管型ヒートパイプを示す斜視図。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係るホットプレートユニットを模式的に示す断面図。
【図１２】図１１のホットプレートユニットの加熱プレート部分を模式的に示す斜視図。
【図１３】図１１のホットプレートユニットに設けられたリング状のヒートパイプを一部切り欠いて示す模式図。
【符号の説明】
５１，５１’；加熱プレート
５４，５４’；プロキシミティピン
５７；昇降ピン
６０，９０；発熱体
６２、６２’；カバー
６４；気体供給ノズル
６５；気体供給管
６６；電磁弁
６７；排気ノズル
６８；排気管
６９；電磁弁
７０；温度センサー
７１；ユニットコントローラ（制御手段）
７２；温調器（制御手段）
７４；発熱体電源
８０；直線状ヒートパイプ
８５；二重管ヒートパイプ
８６；内管
８７；外管
９５；リング状ヒートパイプ
Ｓ；処理室
Ｗ；半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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