(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱面および背面を備えるセラミック基体および発熱体を備えているセラミックヒーターであって、
前記基体の前記背面に、第一の領域、および前記第一の領域に比べて熱放射率が相対的に小さい第二の領域が設けられており、前記第二の領域の中心線平均表面粗さが０．６μｍ以下（０．０３μｍ未満を除く）であってかつ前記第一の領域の中心線平均表面粗さに比べて小さく、前記第二の領域がラッピング加工またはポリッシュ加工によって形成されており、前記加熱面におけるコールドスポットを前記基体の背面側に投射した投射領域に、前記第二の領域が設けられていることを特徴とする、セラミックヒーター。
【請求項２】
請求項１記載のセラミックヒーター、前記発熱体に接続された端子部、前記セラミックヒーターの背面に対して固定される中空の支持部材、および前記支持部材の内側空間に設けられ、前記端子部に対して電気的に接続されている電力供給手段を備えていることを特徴とする、半導体製造装置用加熱装置。
【請求項３】
加熱面および背面を備えるセラミック基体および発熱体を備えているセラミックヒーターを製造する方法であって、
前記セラミックヒーターの前記加熱面の温度分布を観測し、
前記基体の前記背面に、第一の領域、および前記第一の領域に比べて熱放射率が相対的に小さい第二の領域を設けるのに際して、
前記加熱面におけるコールドスポットを前記基体の前記背面側に投射した投射領域に前記第二の領域を設け、前記第二の領域の中心線平均表面粗さが０．６μｍ以下（０．０３μｍ未満を除く）であってかつ前記第一の領域の中心線平均表面粗さに比べて小さくなるように、前記第二の領域をラッピング加工またはポリッシュ加工によって形成することを特徴とする、セラミックヒーターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックヒーター、その製造方法および半導体製造装置用加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置においては、熱ＣＶＤなどによってシランガスなどの原料ガスから半導体薄膜を製造するに当たって、ウエハーを加熱するためのセラミックヒーターが採用されている。このようなヒーターにおいては、加熱面を高温に維持しながら、加熱面の温度の均一性を確保することによって、半導体不良を防止する必要がある。しかし、セラミックヒーターは、セラミック基体の内部に発熱体を埋設したものであり、加熱面にある程度の温度のバラツキが発生する。
【０００３】
特開平６−５３１４５号公報においては、セラミックヒーターのウエハー加熱面の温度の均一性を高める技術が開示されている。即ち、ウエハー加熱面を有する盤状のセラミックヒーターを製造した後、この加熱面の温度分布をサーモグラフによって観測する。次いで、求めた温度分布に基づき、画像処理を行い、反射板の温度分布を制御する。そして、反射板をセラミックヒーターの背面に対向する位置に設置する。セラミックヒーターの背面からの発熱が、反射板によって反射され、セラミックヒーターに戻る。このとき、加熱面の温度が低い領域では、反射板の熱吸収率を低下させる。これによって、反射板からセラミックヒーターへと反射される熱が増大するので、その領域の温度が増大するはずである。反射板の反射率を制御するためには、反射板の表面をサンドブラスト処理し、表面粗さを制御している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、本発明者が更に検討を進めた結果、特開平６−５３１４５号公報記載の技術では、以下の問題点が残されていることが判明してきた。即ち、半導体チャンバー内において、セラミックヒーターの背面に別体の反射板を設置する必要がある。ここで、反射板の設置後において、反射板の反射面の熱吸収率（あるいは熱反射率）の分布が、平面的に見たときに、反射板を設置しないときのセラミックヒーターの加熱面の温度分布に正確に対応していなければならない。しかし、セラミックヒーターの加熱面と反射板の反射面との平面的な位置合わせは非常に困難である。なぜなら、（１）セラミックヒーターの加熱面（円形）の中心と反射板の反射面（円形）の中心とを位置合わせする必要があるからである。しかも、両者の中心を位置合わせすると共に、（２）この中心の回りの回転角度を一致させなければならない。
【０００５】
更に、このような平面的な位置合わせを正確に行ったとしても、加熱面の温度の均一性を、仕様の範囲内に確保するには不十分である。なぜなら、セラミックヒーターの背面と反射板の反射面との間隔も重要だからである。具体的には、反射板の各点の熱吸収率は、反射板の反射面とヒーター背面との間隔が所定値αであるものとして計算、設計されている。ここで、ヒーターの背面と反射板の反射面との間隔がαよりも小さいと、反射面から背面へと伝わる熱量が増大し、加熱面の温度が上昇する。従って、（３）ヒーター背面と反射面との間隔がαとなるようにする必要があり、かつ、（４）ヒーター背面の全面にわたって、背面と反射面とが平行となるようにする必要がある。このような幾何学的位置関係を維持しながら反射板を半導体チャンバー内に設置することは、困難な場合があった。また、リフレクターを設置することにより、装置全体の構成が複雑になるばかりか、リフレクターの劣化、熱応力による破損や反り、プロセス流への影響が出る場合があった。
【０００６】
本発明の課題は、セラミック基体、および発熱体を備えているセラミックヒーターにおいて、セラミック基体とは別体の部材を設置する必要なしに加熱面の温度を制御できるようにすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、加熱面および背面を備えるセラミック基体および発熱体を備えているセラミックヒーターであって、
基体の前記背面に、第一の領域、および第一の領域に比べて熱放射率が相対的に小さい第二の領域が設けられており、第二の領域の中心線平均表面粗さが０．６μｍ以下（０．０３μｍ未満を除く）であってかつ第一の領域の中心線平均表面粗さに比べて小さく、第二の領域がラッピング加工またはポリッシュ加工によって形成されており、加熱面におけるコールドスポットを基体の背面側に投射した投射領域に、第二の領域が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、前記セラミックヒーター、発熱体に接続された端子部、セラミックヒーターの背面に対して固定される中空の支持部材、および支持部材の内側空間に設けられ、端子部に対して電気的に接続されている電力供給手段を備えていることを特徴とする、半導体製造装置用加熱装置に係るものである。
【０００９】
本発明における半導体製造装置とは、半導体の金属汚染が懸念されるような、幅広い半導体製造プロセスにおいて使用される装置のことを意味している。これには、成膜装置の他、エッチング装置、クリーニング装置、検査装置が含まれる。
【００１０】
また、本発明は、加熱面および背面を備えており，セラミック基体および発熱体を備えているセラミックヒーターを製造する方法であって、
セラミックヒーターの前記加熱面の温度分布を観測し、
基体の背面に、第一の領域、および第一の領域に比べて熱放射率が相対的に小さい第二の領域を設けるのに際して、
加熱面におけるコールドスポットを基体の背面側に投射した投射領域に、第二の領域を設け、第二の領域の中心線平均表面粗さが０．６μｍ以下（０．０３μｍ未満を除く）であってかつ第一の領域の中心線平均表面粗さに比べて小さくなるように、第二の領域をラッピング加工またはポリッシュ加工によって形成する。
【００１１】
本発明者は、セラミック基体それ自体の背面を、熱放射率の異なる複数の領域に分割することによって、基体の加熱面にいかなる影響があるかを研究してみた。この結果、加熱面の温度の均一性に対して予想外に大きな影響があることを見いた。
【００１２】
セラミック基体の加熱面にコールドスポットが生成した場合には、基体背面のこれに対応する投射領域をラッピングまたはポリッシュ加工によって平坦化する。これによって、コールドスポットの温度が若干上昇し、消去された。このように、セラミック基体の平坦化加工で加熱面の温度分布を顕著に改善できることは知られていなかった。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を適宜参照しつつ、本発明を更に詳細に説明する。
【００１４】
本発明の方法においては、まずセラミックヒーターの加熱面の温度分布を観測する。例えば図１に示すように、セラミックヒーター１は、板状のセラミック基体２と、基体２の内部に埋設されている発熱体３Ａ、３Ｂとを備えている。２ａは加熱面であり、２ｂは背面であり、２ｃは側面である。加熱面上に観測装置４を設置し、矢印Ａのように加熱面の温度分布を測定する。この測定情報を矢印Ｂのように演算処理装置５に送って画像処理し、この結果を、矢印Ｃのように表示装置６へと伝送する。
【００１５】
ここで、加熱面に、仕様の範囲を超えたコールドスポットやホットスポットが生成していた場合には、次の工程に移る。例えば、図２（ａ）に示すように、加熱面２ａにコールドスポット７が生成していたものとする。この時点では、図２（ｂ）に示すように、基体２の側面２ｃおよび背面２ｂの全体が、ある程度の粗面９であるものとする。
【００１６】
次いで、少なくとも背面２ｂ内において、コールドスポット７のパターンに対応する投射領域に、中心線平均表面粗さが相対的に小さい第二の領域を形成する。このためには、例えば、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、セラミックヒーター１Ａの背面２ｂと側面２ｃとの全面をラッピングし、中心線平均表面粗さの小さい平滑化処理面１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃとする。なお、８は、コールドスポット７を背面２ｂに投射した投射領域である。
【００１７】
次いで、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、側面２ｃをマスク１２Ｂによって被覆する。また、コールドスポット７に対応する投射領域８をマスク１２Ａによって被覆する。
【００１８】
この状態で、基体２の背面２ｂを粗面化処理し、次いでマスク１２Ａ、１２Ｂを除去することによって、図５（ａ）、図５（ｂ）、図６に示すセラミックヒーター１Ｂを得る。
【００１９】
このヒーターにおいては、背面２ｂのうちコールドスポットに対応する投射領域は、マスクによって被覆されていたために、平滑化処理面１０Ｂが残留している。基体２の側面２ｃは、マスクによって被覆されていたために、平滑化処理面１０Ａが残留している。これらの平滑化処理面１０Ａおよび１０Ｂが第二の領域１３を形成している。背面２ｂのうち、マスクによって被覆されていない領域は粗面化処理面１４となり、相対的に中心線平均表面粗さの大きい第一の領域１５を形成する。
【００２０】
このように、コールドスポットの背面への投射領域や側面に、相対的に中心線平均表面粗さの小さい平滑領域１３を形成することによって、コールドスポットを消去することが可能であることが分かった。
【００２１】
しかも、このようにセラミック基体の背面の平坦化加工によって、加熱面の温度の均一性を制御できる点が重要であり、例えば従来技術におけるような反射板などの外部部材の設置は必要ない。
【００２２】
特に、本例においては、セラミック基体内に２層の抵抗発熱体３Ａ、３Ｂを埋設し、各抵抗発熱体の発熱量を２ゾーン制御している。むろん、３ゾーン以上の多ゾーン制御することも可能である。ここで、本例のような多ゾーン制御、特に複数層の抵抗発熱体を埋設して行う多ゾーン制御によって、通常は、加熱面の温度分布は、１０℃以下程度のオーダーで良く制御できるようになっている。しかし、実際の製造品においては、様々な要因から、本例のような多ゾーン制御を行っても、局所的なコールドスポットが発生することがある。
【００２３】
この場合には、コールドスポットが存在するゾーンにおいて、抵抗発熱体の発熱量を調節することによって、コールドスポットを消去することも考えられる。しかし、このような調節は実際には困難であった。なぜなら、抵抗発熱体に対する電力供給量を増加、減少させると、その抵抗発熱体の全体の発熱量が変化するだけであって、必ずしもセラミックスヒーター設置後の加熱面の温度分布が小さくなるわけではなく、かえって大きくなることもあるからである。また、多ゾーンヒーターは、加熱面の外周部分の平均温度や内周部分の平均温度を変化させるのには有効である。しかし、セラミックヒーター製品には、加熱面の一部のみにコールドスポットが発生することが多く、このため有効に対応できない。
【００２４】
本発明は、このように多ゾーン制御によって、ある程度の均熱性が得られている場合に、局所的なコールドスポットに対して１０℃以下程度のオーダーで対応可能とするものであり、これによって各製品ごとに個別に精密な温度分布制御が可能となる。
【００２５】
本発明においては、加熱面の温度分布を均一化することができる。ただし、本発明における制御は、加熱面の温度分布の均一化のみには限られない。例えば加熱面の所定領域に、周囲よりも温度の高い領域や、周囲よりも温度の低い領域を生じさせる際にも有効である。
【００２６】
セラミック基体の表面からの熱放射率は、以下のようにして測定する。セラミック基体を一定温度に保持し、これをサーモビュアーで観察する。このとき、サーモビュアーによる測定温度が、セラミック基体の設定温度になるように熱放射率の設定を行うことにより、簡易的な測定が可能である。
【００２７】
第一の領域に、機械加工によって高さ１μｍ以上の突起を形成することができる。好ましくは、この突起は、いわゆるエンボスまたはディンプルである。突起の高さは、本発明の効果を促進するという観点からは１０μｍ以上が好ましい。また、加工のしやすさや、プロセス中のガス流への影響を防止するという観点からは、１０００μｍ以下であることが好ましい。
【００２８】
第一の領域を化学的表面処理できる。こうした処理としては、後述のエッチングや酸化処理がある。
【００２９】
好適な実施形態においては、基体の加熱面の平均温度が６００℃のときの最高温度と最低温度との差が２０℃以下であり、特に好ましくは１０℃以下である。加熱面の平均温度が６００℃以上になると、粗面からの熱放射の効果が大きくなる。この結果、被加熱物の面内温度分布がある程度良い状態において、更に温度の均一性を改善する効果が、本発明によって達成しやすいからである。
【００３０】
本発明においては、セラミックヒーターの加熱面の温度分布を観測し、この温度分布に基づいて第一の領域および第二の領域を形成する。
【００３１】
本発明においては、加熱面におけるコールドスポットを背面側に投射した投射領域に、相対的に熱放射率の小さい第二の領域を設ける。
【００３２】
第一の領域の中心線平均表面粗さＲａと第二の領域の中心線平均表面粗さＲａとの差は、本発明の作用効果を奏する上で、０．０５μｍ以上が好ましく、０．１μｍ以上が更に好ましい。
【００３３】
第一の領域の中心線平均表面粗さＲａは、本発明の作用効果を奏する上で、０．６μｍ以上が好ましく、０．８μｍ以上が更に好ましい。
【００３４】
第二の領域の中心線平均表面粗さＲａは、本発明の作用効果を奏する上で、０．６μｍ以下とするが、０．４μｍ以下が更に好ましい。
【００３５】
中心線平均表面粗さは、表面粗さ計によって測定する。
【００３６】
第一の領域と第二の領域との間で中心線平均表面粗さを変化させるためには、第二の領域を平滑化処理するが、第一の領域を粗面化処理してもよい。
【００３７】
第一の領域の粗面化処理は限定されないが、ブラスト加工、エッチング加工が好ましい。以下は好適条件である。
（サンドブラスト）
サンドブラストにおけるブラスト材としては、炭化珪素、アルミナ等のセラミックが好ましく、金属はメタルコンタミネーション源となるので好ましくない。ブラスト材の粒径は、♯１８０以上の細かいものが、セラミックスの表面へのダメージを低減でき、ダメージ部のメタル成分残留量を低減できるため、好ましい。ブラストノズル材はセラミックスが好ましい。湿式、乾式のいずれであってもよい。
（エッチング）
フッ酸、塩酸、硝酸、アンモニアを使用したウエットエッチング、ＮＦ３、Ｃｌ２、ＣｌＦ３等のハロゲンガスを用いたドライエッチングが好ましい。
【００３８】
第二の領域の平滑化処理はラッピング、ポリッシングである。以下は好適条件である。
○  ♯８００以上のダイヤモンド砥石を用いた研磨加工。
○  アルミナやコロイダルシリカ等の遊離砥粒（粒径０．１μｍ以下）を使ったバフ研磨
○  ５μｍ以下のダイヤモンド砥粒を用いたラップ（回転数１０ｒｐｍ以上、圧力１００ｇ／ｃｍ２以上）
【００３９】
加熱面の温度分布の観測装置は特に限定されないが、赤外線サーモビュアーや熱電対付きウエハー、ＲＴＤウエハー、熱電対が好ましい。また、観測した温度分布の画像処理結果に応じてマスクを作成する方法は周知である。
【００４０】
基体の材質は特に限定されない。好ましくは、基体の材質は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素及びサイアロンなどの窒化物セラミックス、アルミナー炭化ケイ素複合材料などの公知のセラミックス材料であってよい。ハロゲン系ガスなどの腐食性ガスに対して高い耐腐食性を付与するためには、窒化アルミニウムやアルミナが特に好ましい。
【００４１】
基体の形状は特に限定されないが、円板形状が好ましい。半導体設置面の形状は、ポケット形状、エンボス形状、溝形状が施される場合もある。
【００４２】
ヒーターの基体の製法は限定されないが、ホットプレス製法、ホットアイソスタティックプレス製法が好ましい。
【００４３】
加熱素子の形状は、コイル形状、リボン形状、メッシュ形状、板状、膜状であってよい。加熱素子の材質は、タンタル、タングステン、モリブデン、白金、レニウム、ハフニウム及びこれらの合金である高融点金属であることが好ましい。特に、セラミックス基体を窒化アルミニウムから構成した場合においては、モリブデン及びモリブデン合金であることが好ましい。また、上記高融点金属以外に、カーボン、ＴｉＮ、ＴｉＣなどの導電性材料を使用することもできる。
【００４４】
図６は、本発明の一実施形態に係る加熱装置２２を背面２ｂ側から見た斜視図であり、図７は、加熱装置２２の断面図である。
【００４５】
加熱装置２２は、円板状のヒーター１Ｂと支持部材２１とを備えている。ヒーター１Ｂは図５のものである。基体２の加熱面２ａは、半導体Ｗを設置するための半導体設置面になっている。ヒーター１Ｂの背面２ｂには、中空の支持部材２１の端面２１ｃが接合されている。この接合方法は特に限定されず、例えばろう材によって接合でき、あるいは特開平８−７３２８０号公報に記載のようにして固相接合できる。また、ヒーターと支持部材とは、Ｏリングやメタルパッキングなどのシール部材を用いてシール接合することができる。
【００４６】
支持部材２１は筒状を呈している。支持部材２１の内側空間１９は、チャンバー内の雰囲気２０とは隔離されている。内側空間１９には電力供給手段１８が収容されている。電力供給手段１８の末端は端子１７に接続されている。２１ａは支持部材２１の外周面であり、２１ｂは内周面である。ヒーターの端子部１７や電力供給手段１８が支持部材の内側空間１９に収容され、半導体製造装置内部の雰囲気２０とは隔離されることから、端子部１７や電力供給手段１８の腐食を防止、抑制し、半導体の金属汚染を防止することができる。
【００４７】
支持部材の材質は限定されないが、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素及びサイアロンなどの窒化物セラミックス、アルミナー炭化ケイ素複合材料などの公知のセラミックス材料であってよい。
【００４８】
電力供給手段の形態は限定されず、ロッド形状、ワイヤー形状、ロッドとワイヤーとの複合体を例示できる。電力供給手段の材質も限定されないが、チャンバー内雰囲気２０から隔離されており、腐食を受けにくいことから、その材質を金属とすることが好ましく、特にニッケルが好ましい。
【００４９】
図８（ａ）、（ｂ）、図９は、それぞれ、本発明の他の実施形態に係るセラミックスヒーター１Ｃ、１Ｄ、１Ｅの要部を示す断面図である。
【００５０】
図８（ａ）のヒーター１Ｃにおいては、第二の領域１３は、前述した平滑化処理面である。第一の領域１５には、Ｖ溝２４が互いに平行に一定間隔で多数形成されている。これによって、第一の領域１５からの熱放射率が、平滑化処理された第二の領域１３からの熱放射率よりも大きくなっている。
【００５１】
図８（ｂ）のヒーター１Ｄにおいては、第二の領域１３は平滑化処理面である。第一の領域１５には、ディンプル状ないしエンボス状の突起２５が一定間隔で多数形成されている。これによって、第一の領域１５からの熱放射率が、平滑化処理された第二の領域１３からの熱放射率よりも大きくなっている。
【００５２】
図９のヒーター１Ｅにおいては、第二の領域１３は平滑化処理面である。第一の領域１５においては、基体の表面領域が研削加工によって除去されており、これによって研削加工面２６が露出している。この面２６の明度は、平滑化処理面１０Ａ、１０Ｂの明度よりも低くなっており、これによって領域１５からの熱放射率が領域１３からの熱放射率よりも大きくなっている。このように、セラミック基体の表面をある程度加工することによって、表面の明度が変化する場合には、基体表面の加工のみによって明度をコントロールできる。
【００５３】
【実施例】
図１〜図５を参照しつつ説明した方法に従って、セラミックヒーターを製造した。基体２の材質は窒化アルミニウム焼結体とし、基体２の直径φは２５０ｍｍとし、厚さは１０ｍｍとした。基体２の内部には、モリブデン製のコイルスプリング形状の発熱体３Ａ、３Ｂを埋設した。端子はモリブデン製の円柱状端子とした。
【００５４】
このセラミックヒーター１を昇温し、加熱面２ａの平均温度が約７００℃となるようにした。そして、加熱面２ａの温度分布をサーモビュアーによって観測した。この結果を図１０に示す。図１０から分かるように、図２（ａ）のような略円弧状のコールドスポット７が生成していた。最高温度と最低温度との差を測定したところ、８．５℃であった。
【００５５】
次いで、図３に示すように、基体２の側面２ｃおよび背面２ｂを全面にわたってラップ加工した。得られた平滑化処理面１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃの中心線平均表面粗さは０．５μｍである。
【００５６】
次いで、図４に示すようなマスク１２Ａ、１２Ｂを設置し、サンドブラスト加工を行った。そしてマスクを除去し、図５に示すようなセラミックヒーター１Ｂを得た。第一の領域１３の中心線平均表面粗さは０．５μｍであり、第二の領域１５の中心線平均表面粗さは１．０μｍであった。
【００５７】
このセラミックヒーター１Ｂを昇温し、加熱面２ａの平均温度が約７００℃となるようにした。そして、加熱面２ａの温度分布をサーモビュアーによって観測した。この結果を図１１に示す。図１０に示したようなコールドスポットが消滅していることが分かる。最高温度と最低温度との差を測定したところ、４．５℃であった。
【００５８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、セラミック基体と発熱体とを備えているセラミックヒーターにおいて、セラミック基体とは別体の部材を設置する必要なしに加熱面の温度を制御できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】セラミックヒーター１の加熱面２ａの温度分布の測定法を説明するための模式図である。
【図２】（ａ）は、セラミックヒーター１を加熱面２ａ側から見た平面図であり、（ｂ）は、ヒーター１の側面２ｃ近傍の断面図である。
【図３】（ａ）は、ラップ加工後のセラミックヒーター１Ａを背面２ｂ側から見た底面図であり、（ｂ）は、ヒーター１Ａの側面２ｃ近傍の断面図である。
【図４】（ａ）は、マスク設置後のセラミックヒーター１Ａを背面２ｂ側から見た底面図であり、（ｂ）は、マスク設置後のヒーター１Ａの側面２ｃ近傍の断面図である。
【図５】（ａ）は、粗面化処理後のセラミックヒーター１Ｂを背面２ｂ側から見た底面図であり、（ｂ）は、ヒーター１Ｂの側面２ｃ近傍の断面図である。
【図６】加熱装置２２を背面２ｂ側から見た斜視図である。
【図７】加熱装置２２の断面図である。
【図８】（ａ）はセラミックヒーター１Ｃの要部を示す断面図であり、第一の領域１５に溝２４が形成されている。（ｂ）は、セラミックヒーター１Ｄの要部を示す断面図であり、第一の領域１５に突起２５が規則的に形成されている。
【図９】セラミックヒーター１Ｅの要部を示す断面図である。
【図１０】処理前のセラミックヒーター１の加熱面の温度分布の測定結果を示す図である。
【図１１】処理後のセラミックヒーター１Ｂの加熱面の温度分布の測定結果を示す図である。
【符号の説明】
１  処理前のセラミックヒーター        １Ａ  側面および背面をラップ加工した後のセラミックヒーター        １Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ  本発明の処理後のセラミックヒーター        ２  セラミック基体        ２ａ  加熱面        ２ｂ  背面        ２ｃ  側面        ３Ａ、３Ｂ  発熱体        ４  温度分布の観測装置        ５  演算処理装置      ６  表示装置        ７  コールドスポット        １０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ  平滑化処理面        １２Ａ、１２Ｂ  マスク        １３  第一の領域        １４  粗面化処理面        １５  第二の領域        １７  端子部        １８  電力供給手段        ２１  支持部材        ２２  加熱装置        ２４  凹部        ２５  突起        ２６  表面加工部分      Ｗ  半導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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