(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、第１及び第２のトランジスタと、第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオードを有して、前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作するよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波電圧制御発振器であって、
前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記第１のトランジスタのベースに、前記第２の電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記第２のトランジスタのベースに、それぞれ直接接続され、
前記第１のトランジスタのベースには、第１のインピーダンス素子の一端が、前記第２のトランジスタのベースには、第２のインピーダンス素子の一端が、それぞれ接続されると共に、前記第１及び第２のインピーダンス素子の他端並びに前記第１のトランジスタのコレクタ及び前記第２のトランジスタのコレクタには、共に電源電圧が印加され、
前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードと前記第２の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードが、誘導性素子を介して相互に接続される一方、
前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードには、第４のインピーダンス素子を介して、前記第２の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードには、第５のインピーダンス素子を介して、それぞれ容量可変用の制御電圧が印加され、
前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作して高周波発振出力が得られるよう構成されてなることを特徴とする高周波電圧制御発振器。
【請求項２】
少なくとも、第１及び第２のトランジスタと、第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオードを有して、前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作するよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波電圧制御発振器であって、
前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記第１のトランジスタのベースに、前記第２の電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記第２のトランジスタのベースに、それぞれ直接接続され、
前記第１のトランジスタのベースには、第１のインピーダンス素子の一端が、前記第２のトランジスタのベースには、第２のインピーダンス素子の一端が、それぞれ接続され、前記第１及び第２のインピーダンス素子の他端並びに前記第１のトランジスタのコレクタ及び前記第２のトランジスタのコレクタには、共に電源電圧が印加されると共に、前記第１のトランジスタのベースは、第６のインピーダンス素子を介して、前記第２のトランジスタのベースは、第７のインピーダンス素子を介して、それぞれアースに接続され、
前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードと前記第２の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードが、誘導性素子を介して相互に接続される一方、
前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードには、第４のインピーダンス素子を介して、前記第２の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードには、第５のインピーダンス素子を介して、それぞれ容量可変用の制御電圧が印加され、
前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作して高周波発振出力が得られるよう構成されてなることを特徴とする高周波電圧制御発振器。
【請求項３】
少なくとも、発振用トランジスタと電圧制御型可変容量ダイオードを有して、コルピッツ発振がなされるよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波電圧制御発振器であって、
前記電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記発振用トランジスタのベースに直接接続され、
前記発振用トランジスタのベースには、第１のインピーダンス素子の一端が接続され、当該第１のインピーダンス素子の他端及び前記発振用トランジスタのコレクタには電源電圧が印加され、
前記電圧制御型可変容量ダイオードのアノードとアースとの間に誘導性素子が接続されると共に、当該アノードには第４のインピーダンス素子を介して容量制御用の制御電圧が印加され、
前記発振用トランジスタが発振動作するよう構成されてなることを特徴とする高周波電圧制御発振器。
【請求項４】
少なくとも、発振用トランジスタと電圧制御型可変容量ダイオードを有して、コルピッツ発振がなされるよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波電圧制御発振器であって、
前記電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記発振用トランジスタのベースに直接接続され、
前記発振用トランジスタのベースには、第１のインピーダンス素子の一端が接続され、当該第１のインピーダンス素子の他端及び前記発振用トランジスタのコレクタには、電源電圧が印加されると共に、前記発振用トランジスタのベースは、第６のインピーダンス素子を介してアースに接続され、
前記電圧制御型可変容量ダイオードのアノードとアースとの間に誘導性素子が接続されると共に、当該アノードには第４のインピーダンス素子を介して容量制御用の制御電圧が印加され、
前記発振用トランジスタが発振動作するよう構成されてなることを特徴とする高周波電圧制御発振器。
【請求項５】
少なくとも、発振用トランジスタと電圧制御型可変容量ダイオードを有して、コルピッツ発振がなされるよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波電圧制御発振器であって、
前記電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記発振用トランジスタのベースに直接接続され、
前記発振用トランジスタのコレクタには電源電圧が印加され、
前記発振用トランジスタのベースは、第６のインピーダンス素子の一端が接続され、当該第６のインピーダンス素子の他端はバイアス電源に接続され、
前記電圧制御型可変容量ダイオードのアノードとアースとの間に誘導性素子が接続されると共に、当該アノードには第４のインピーダンス素子を介して容量制御用の制御電圧が印加され、
前記発振用トランジスタが発振動作するよう構成されてなることを特徴とする高周波電圧制御発振器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電圧制御発振器に係り、特に、高周波信号を発振するものにあって、半導体集積回路化の容易性等を図ったものに関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波発振器は、例えば、通信機器等において基準信号の発振源等として用いられるが、その発振周波数の可変が必要とされることが多い。従来、このような用途には、いわゆるディスクリート素子で発振回路を構成し、電圧制御型可変容量ダイオードを使用して、電圧を変化させることにより発振周波数の制御を可能としたものが公知・周知となっている。
図５及び図６には、この種の公知・周知の高周波電圧制御型発振器の例が示されており、以下、同図を参照しつつこれら従来回路について概括的に説明する。
最初に、図５に示された回路例について説明すれば、同図は、平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路の回路構成例を示すものである。
すなわち、平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路は、差動的に動作するよう設けられた第１及び第２の発振用トランジスタ１，２を有すると共に、誘導性素子５と、第１乃至第３の分割コンデンサ１６〜１８とによる共振回路が形成されたものである。
【０００３】
水晶発振子やコイル等による誘導性素子５の両端は、それぞれ第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオード３，４を介して、それぞれ第１及び第２の発振用トランジスタ１，２のベースに接続されると共に、この誘導性素子５の両端には、それぞれ抵抗器１４，１５を介して、外部から制御電圧Ｖcが印加されるようになっている。
一方、第１の発振用トランジスタ１のベースとエミッタとの間に、第１の分割コンデンサ１６が、第２の発振用トランジスタ２のベースとエミッタとの間に、第３の分割コンデンサ１８が、そして第１及び第２の発振用トランジスタ１，２のエミッタ間に、第２の分割コンデンサ１７が、それぞれ接続されたものとなっている。
かかる構成においては、制御電圧Ｖcを可変することにより、周波数を変えることのできる平衡発振信号が発振用トランジスタ１，２のベース間から得られるようになっている。
【０００４】
一方、図６は、不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路の回路構成例を示すものである。
すなわち、不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路は、発振用トランジスタ１を有すると共に、誘導性素子５と分割コンデンサ１６，１７とによる共振回路が形成されたものとなっているものである。
水晶発振子やコイル等による誘導性素子５は、その一端がアースに接続される一方、他端が電圧制御型可変容量ダイオード３を介して発振用トランジスタ１のベースに接続されると共に、この誘導性素子５と電圧制御型可変容量ダイオード３との接続点に外部から抵抗器１４を介して制御電圧Ｖcが印加されるようになっている。
一方、発振用トランジスタ１のベースとアースとの間には、分割コンデンサ１６，１７が直列接続されると共に、この分割コンデンサ１６，１７の相互の接続点は、発振用トランジスタ１のエミッタに接続され、さらに、発振用トランジスタ１のエミッタは、抵抗器１０を介してアースに接続されたものとなっている。
そして、かかる構成においては、制御電圧Ｖcを可変することにより、周波数を変えることのできる不平衡発振信号が発振用トランジスタ１のベースから得られるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のような発振回路において、誘導性素子を除いて半導体集積回路化するとした場合、例えば、図５における平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路においては、誘導性素子５及び電圧制御型可変容量ダイオードと発振用トランジスタ１，２のベースとを交流結合とするための直流阻止コンデンサＣ４，Ｃ５の容量値が、共振回路の共振周波数や周波数可変範囲に影響を与えない程度の値、具体的には例えば１００〜１０００ｐＦ程度必要となる。
しかしながら、半導体集積回路内において、１００〜１０００ｐＦの容量値のコンデンサを形成することは、いわゆるチップ面積の増大、コンデンサの対サブストレート寄生容量による性能劣化などの問題を招来し、現実的には困難であり、さらに、この直流阻止コンデンサＣ４，Ｃ５の半導体集積化が困難となることに伴い、第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオード３，４の集積も困難となるという問題があった。
これは、図６に示された不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路においても同様である。
【０００６】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、直流阻止コンデンサを要することなく電圧制御型可変容量ダイオードと発振用トランジスタとが結合される高周波電圧制御発振器を提供するものである。
本発明の他の目的は、半導体集積回路化の容易な高周波電圧制御発振器を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記発明の目的を達成するため、本発明に係る高周波電圧制御発振器は、少なくとも、第１及び第２のトランジスタと、第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオードを有して、前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作するよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波電圧制御発振器であって、前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記第１のトランジスタのベースに、前記第２の電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記第２のトランジスタのベースに、それぞれ直接接続され、前記第１のトランジスタのベースには、第１のインピーダンス素子の一端が、前記第２のトランジスタのベースには、第２のインピーダンス素子の一端が、それぞれ接続されると共に、前記第１及び第２のインピーダンス素子の他端並びに前記第１のトランジスタのコレクタ及び前記第２のトランジスタのコレクタには、共に電源電圧が印加され、前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードと前記第２の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードが、誘導性素子を介して相互に接続される一方、前記第１の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードには、第４のインピーダンス素子を介して、前記第２の電圧制御型可変容量ダイオードのアノードには、第５のインピーダンス素子を介して、それぞれ容量可変用の制御電圧が印加され、前記第１及び第２のトランジスタが平衡動作して高周波発振出力が得られるよう構成されてなるものである。
【０００８】
かかる構成においては、電圧制御型可変容量ダイオードのカソードがトランジスタのベースに直接接続されて、電圧制御型可変容量ダイオードのアノード側に発振周波数制御のための電圧が逆方向で印加されるため、従来と異なり、電圧制御型可変容量ダイオードとトランジスタとの間に直流阻止用のコンデンサを設けることなく、従来と同様に周波数可変で、且つ、半導体集積回路化可能な高周波発振器が提供されることとなるものである。
【０００９】
また、本発明の目的を達成するため、本発明に係る高周波電圧制御発振器は、少なくとも、発振用トランジスタと電圧制御型可変容量ダイオードを有して、コルピッツ発振がなされるよう半導体集積回路内に構成されてなる高周波電圧制御発振器であって、前記電圧制御型可変容量ダイオードのカソードが前記発振用トランジスタのベースに直接接続され、前記発振用トランジスタのベースには、第１のインピーダンス素子の一端が接続され、当該第１のインピーダンス素子の他端及び前記発振用トランジスタのコレクタには電源電圧が印加され、前記電圧制御型可変容量ダイオードのアノードとアースとの間に誘導性素子が接続されると共に、当該アノードには第４のインピーダンス素子を介して容量制御用の制御電圧が印加され、前記発振用トランジスタが発振動作するよう構成されてなるものも好適である。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図１乃至図４を参照しつつ説明する。
なお、以下に説明する部材、配置等は本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨の範囲内で種々改変することができるものである。
最初に、本発明の実施の形態の第１の構成例における高周波電圧制御発振器について、図１を参照しつつ説明する。なお、図５及び図６に示された従来回路と同一の構成要素については、同一の符号を付すこととする。
この第１の構成例における高周波電圧制御発振器は、平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路によって実現されたものである。
まず、この平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路の回路構成について説明する。
この平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路は、第１及び第２の発振用トランジスタ１，２を有すると共に、誘導性素子５と第１乃至第３の分割コンデンサ１６〜１８とによる共振回路が形成されてなる点は、基本的に従来回路と同様のものであり、後述するように、第１及び第２の発振用トランジスタ１，２に対する第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオード３，４の接続が従来と異なるものである。
以下、具体的に説明すれば、まず、ｎｐｎ型の第１及び第２の発振用トランジスタ１，２は、コレクタ同士が相互に接続されて外部から所定の電源電圧Ｖccが印加されるようになっている。一方、第１の発振用トランジスタ１のエミッタとベースとの間には、第１の分割コンデンサ（図１においては「Ｃ１」と表記）１６が、第２の発振用トランジスタ２のエミッタとベースとの間には、第３の分割コンデンサ（図１においては「Ｃ３」と表記）１８が、それぞれ接続されると共に、第１及び第２の発振用トランジスタ１，２のエミッタ間が、第２の分割コンデンサ（図１においては「Ｃ２」と表記）１７を介して相互に接続されるようになっている。
【００１１】
また、第１の発振用トランジスタ１のベースには、第１及び第２のバイアス抵抗器（図１においては、それぞれ「Ｒ１」、「Ｒ２」と表記）６，７の相互の接続点が接続されてバイアス電圧が印加されるようになっている。すなわち、第１及び第２のバイアス抵抗器６，７は直列接続されており、第１のインピーダンス素子としての第１のバイアス抵抗器６の他端（第２のバイアス抵抗器７と接続された端部と反対側）には、電源電圧Ｖccが印加されるようになっている一方、第６のインピーダンス素子としての第２のバイアス抵抗器７の他端（第１のバイアス抵抗器６と接続された端部と反対側）はアースに接続されたものとなっている。
一方、第２の発振用トランジスタ１のベースには、第３及び第４のバイアス抵抗器（図１においては、それぞれ「Ｒ３」、「Ｒ４」と表記）８，９の相互の接続点が接続されてバイアス電圧が印加されるようになっている。すなわち、第３及び第４のバイアス抵抗器８，９は直列接続されており、第２のインピーダンス素子としての第３のバイアス抵抗器８の他端（第４のバイアス抵抗器９と接続された端部と反対側）には、電源電圧Ｖccが印加されるようになっている一方、第７のインピーダンス素子としての第４のバイアス抵抗器９の他端（第３のバイアス抵抗器８と接続された端部と反対側）はアースに接続されたものとなっている。
さらに、第１の発振用トランジスタ１のエミッタは、第５のバイアス抵抗器（図１においては「Ｒ５」と表記）１０を介して、第２の発振用トランジスタ２のエミッタは、第６のバイアス抵抗器（図１においては「Ｒ６」と表記）１１を介して、それぞれアースに接続されたものとなっている。
【００１２】
また、第１の発振用トランジスタ１のベースには、第１の電圧制御型可変容量ダイオード３のカソードが、第２の発振用トランジスタ２のベースには、第２の電圧制御型可変容量ダイオード４のカソードが、それぞれ接続されている。
そして、第１の電圧制御型可変容量ダイオード３のアノードと第２の電圧制御型可変容量ダイオード４のアノードとの間には、第３のインピーダンス素子としての誘導性素子５が接続されるものとなっている。なお、本発明の実施の形態においては、図１において、一点鎖線で囲まれた部分１００は、半導体集積回路化される部分であり、誘導性素子（例えば、水晶素子、コイル等）５は、外部、すなわち半導体集積回路の外部で、外部素子接続端子２１ａ，２１ｂに接続されて、この外部素子接続端子２１ａ，２１ｂを介して第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオード３，４のアノード間に接続されるものとなっている。
【００１３】
さらに、第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオード３，４のアノード間には、第４及び第５のインピーダンス素子としての第１及び第２の高周波阻止用抵抗器（図１においては、それぞれ「Ｒ９」、「Ｒ１０」と表記）１４，１５が直列接続されており、その相互の接続点には外部から制御電圧Ｖcが印加されるようになっている。
そして、第１の発振用トランジスタ１のベースには第１の出力端子２２ａが、第２の発振用トランジスタ２のベースには第２の出力端子２２ｂが、それぞれ接続されており、平衡発振出力が得られるようになっている。
【００１４】
次に、かかる構成における動作について説明する。
この第１の構成例における高周波電圧制御発振器は、平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路によって実現されたものであるが、その発振の基本的原理は公知・周知となっているこの種のコルピッツ発振回路と同様である。すなわち、コルピッツ発振は、第１及び第２の発振用トランジスタ１，２のエミッタとベース間における正帰還作用により生じ、その発振周波数は、誘導性素子５と第１乃至第３の分割コンデンサ１６〜１８による共振回路によって決定される点は従来回路と変わるところがない。
そして、発振周波数は制御電圧Ｖcを変化させることで可変可能である点も従来と同様であるが、本発明の実施の形態における平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路の場合、第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオード３，４のカソードが、それぞれ第１及び第２の発振用トランジスタ１，２のベースに接続されていることから、制御電圧Ｖcは０ｖ〜ベース電位ｖの範囲で変化されて、第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオード３，４に対して逆方向電圧として印加され、発振周波数の可変が可能となっている。なお、第１及び第２の発振用トランジスタ１，２のベースバイアス電圧を、電源電圧Ｖccに近い値に設定することにより、従来回路と同等の周波数可変範囲を確保できるものとなっている。
これに対して、図５に示された従来回路の場合、第１及び第２の電圧制御型可変容量ダイオード３，４のアノードがそれぞれコンデンサＣ４，Ｃ５を介して第１及び第２の発振用トランジスタ１，２のベースに接続されると共に、それぞれ抵抗器Ｒ７，Ｒ８を介してアースに接続されており、アノードはアース電位固定となっており、制御電圧Ｖcは、アース電位〜電源電圧Ｖccの範囲となっている。
【００１５】
次に、第２の構成例における高周波電圧制御発振器について、図２を参照しつつ説明する。なお、図１に示された構成例における構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付すこととする。
この第２の構成例における高周波電圧制御発振器は、不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路によって実現されたものである。
まず、この不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路の回路構成について説明する。
この不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路は、発振用トランジスタ１を有すると共に、誘導性素子５と第１及び第２の分割コンデンサ１６，１７とによる共振回路が形成されてなる点は、基本的に従来回路と同様のものであり、後述するように、発振用トランジスタ１に対する電圧制御型可変容量ダイオード３の接続が従来と異なるものである。
以下、具体的に説明すれば、まず、ｎｐｎ型の発振用トランジスタ１のベースには、電源電圧Ｖccとアース間において直列接続された第１及び第２のバイアス抵抗器６，７の相互の接続点が接続されたものとなっている。すなわち、第１及び第２のバイアス抵抗器６，７の一端は相互に接続されると共に発振用トランジスタ１のベースに接続される。また、第１のバイアス抵抗器６の他端は、発振用トランジスタ１のコレクタと共に外部（半導体集積回路の外部）で電源電圧Ｖccが印加されるようになっている一方、第２のバイアス抵抗器７の他端はアースに接続されたものとなっている。なお、図２において、一点鎖線で囲まれた部分１０１は、半導体集積回路化される部分である。
【００１６】
また、発振用トランジスタ１のベースとアース間には、第１及び第２の分割コンデンサ１６，１７が直列接続されると共に、相互の接続点は発振用トランジスタ１のエミッタに接続されており、さらに、エミッタは、第５のバイアス抵抗器１０を介してアースに接続されたものとなっている。
さらに、発振用トランジスタ１のベースには、電圧制御型可変容量ダイオード３のカソードが接続されており、この電圧制御型可変容量ダイオード３のアノードには、外部において、誘導性素子５の一端及び高周波阻止用抵抗器１４の一端が接続されるようになっている。そして、誘導素子５の他端はアースに接続される一方、高周波阻止用抵抗器１４の他端には、制御電圧Ｖcが印加されるようになっている。
また、発振用トランジスタ１のべースには出力端子２２ａが接続されており、外部へ不平衡発振信号が取り出せるようになっている。
【００１７】
次に、かかる構成における動作について説明する。
この第２の構成例における高周波電圧制御発振器は、不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路によって実現されたものであるが、その発振の基本的原理は公知・周知となっているこの種のコルピッツ発振回路と同様である。すなわち、コルピッツ発振は、発振用トランジスタ１のエミッタとベース間における正帰還作用により生じ、その発振周波数は、誘導性素子５と第１及び第２の分割コンデンサ１６，１７による共振回路によって決定される点は従来回路と変わるところがない。
そして、発振周波数は制御電圧Ｖcを変化させることで可変可能である点も従来と同様であるが、本発明の実施の形態における不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路の場合、電圧制御型可変容量ダイオード３のカソードが、発振用トランジスタ１のベースに接続されていることから、制御電圧Ｖcは０ｖ〜ベース電位ｖの範囲で変化されて、電圧制御型可変容量ダイオード３に対して逆方向電圧として印加され、発振周波数の可変が可能となっている。なお、発振用トランジスタ１のベースバイアス電圧を、電源電圧Ｖccに近い値に設定することにより、従来回路と同等の周波数可変範囲を確保できるものとなっている。
【００１８】
上記いずれの構成例においても、発振用トランジスタ１，２のバイアス電圧は、第１及び第２のバイアス抵抗器６，７、第３及び第４のバイアス抵抗器８，９でそれぞれ決定されるような構成（いわゆる電流帰還バイアス回路）としたが、バイアス回路としては、これに限定される必要はなく、他のバイアス回路であっても勿論良いものである。
図３及び図４には、他のバイアス回路の具体的な構成例が示されており、以下、同図を参照しつつ他のバイアス回路について説明する。なお、図３及び図４は、いずれも第１の発振用トランジスタ１の場合について示されているが、第２の発振用トランジスタ２についても基本的に全く同様である。そして、この構成は、勿論、図２に示された構成例における発振用トランジスタ１ついても適用され得るものである。
最初に、図３に示されたバイアス回路について説明する。
この構成例において、発振用トランジスタ１のベースには、第１のバイアス抵抗器６の一端が接続され、この第１のバイアス抵抗器６の他端には、電源電圧Ｖccが印加され、いわゆる固定バイアス回路が構成されたものとなっている。
【００１９】
一方、図４は、図３の構成例と同じく固定バイアス回路であるが、専用のバイアス電源を設ける構成としたものである。
すなわち、図４において、第２のバイアス抵抗器７の一端は、第１の発振用トランジスタ１のベースに接続される一方、他端は、第１のバイアス電源１９に接続されたものとなっている。なお、図１に示された構成例における第２の発振用トランジスタ２についても、このバイアス回路を適用する際には、図示は省略してあるが、第２のバイアス電源が必要となる。
【００２０】
【発明の効果】
以上、述べたように、本発明によれば、電圧制御型可変容量ダイオードのカソードを発振用トランジスタのベースに直接接続し、アノードに逆方向電圧を印加して発振周波数の制御ができるような構成とすることにより、従来回路と異なり、電圧制御型可変容量ダイオードと発振用トランジスタのベースとの間に直流阻止用のコンデンサが不要となり、そのため、誘導素子を除く発振回路の部分を半導体集積回路化することが容易となるという効果を奏するものである。
高周波電圧制御発振器が誘導素子と集積回路化された発振回路とによって実現することができるので、従来のいわゆるディスクリート部品で構成されたものと異なり、部品点数の削減、配線等の簡素化、物理的サイズの小型化を図ることができ、ひいては信頼性の向上に寄与することができるという効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の第１の構成例における高周波電圧制御発振器の回路例を示す回路図である。
【図２】本発明の実施の形態の第２の構成例における高周波電圧制御発振器の回路例を示す回路図である。
【図３】バイアス回路の他の構成例を示す回路図である。
【図４】バイアス回路の第２の他の構成例を示す回路図である。
【図５】従来の平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路の回路構成例を示す回路図である。
【図６】従来の不平衡型電圧制御高周波コルピッツ発振回路の回路構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
１…第１の発振用トランジスタ
２…第２の発振用トランジスタ
３…第１の電圧制御型可変容量ダイオード
４…第２の電圧制御型可変容量ダイオード
５…誘導性素子
２２ａ…第１の出力端子
２２ｂ…第２の出力端子
【図１】
0003990158.tif 000002
【図２】
0003990158.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003990158.tif 000005
【図５】
0003990158.tif 000006
【図６】
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