(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を、この順序に行うことを特徴とするワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法。
ａ．熱硬化性樹脂ワニスに平均直径が０．３〜３μｍで、平均長さが平均直径の５倍以上、１００μｍ以下の電気絶縁性セラミック系ウィスカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系ウィスカを前記熱硬化性樹脂ワニス中に均一に分散させた後、銅箔の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホールと導体回路を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、加熱加圧して積層一体化する工程。
ｂ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、そのエッチングレジストから露出した銅箔部分を、ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去する工程。
ｃ．エッチングレジストを除去する工程。
ｄ．ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去された銅箔の微細穴から露出した、前記硬化した熱硬化性樹脂層を、レーザ光を照射することにより、前記内層板の回路導体が露出するまで除去して、バイアホールとする工程。
ｅ．バイアホール壁面の前記硬化した熱硬化性樹脂層を、粗化剤を用いて粗化する工程。
ｆ．前記内層板の回路導体と前記銅箔とを電気的に接続するために、めっきを行う工程。
ｇ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、該エッチングレジストから露出した銅箔をエッチング除去する工程。
ｈ．前記エッチングレジストを除去する工程。
【請求項２】
工程ａに代えて、以下の工程を有することを特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法。
ａ１．熱硬化性樹脂ワニスに平均直径が０．３〜３μｍで、平均長さが平均直径の５倍以上、１００μｍ以下の電気絶縁性セラミック系ウィスカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系ウィスカを前記熱硬化性樹脂ワニス中に均一に分散させた後、樹脂との接着に適した粗さを有すると共に回路となる銅層と、全体としての金属層として取り扱いに十分な強度を有するキャリア層からなり、この２層が容易に剥離可能な複合金属箔であって、その銅層の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホールと導体回路を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、加熱加圧して積層一体化する工程。
ａ２．キャリア層のみを除去する工程。
【請求項３】
工程ａに代えて、以下の工程を有することを特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法。
ａ３．熱硬化性樹脂ワニスに平均直径が０．３〜３μｍで、平均長さが平均直径の５倍以上、１００μｍ以下の電気絶縁性セラミック系ウィスカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系ウィスカを前記熱硬化性樹脂中ワニスに均一に分散させた後、樹脂との接着に適した粗さを有すると共に回路となる１〜９μｍの厚さの第１の銅層と、全体としての金属層として取り扱いに十分な強度を有する厚さ１０〜１５０μｍの第２の銅層と、その２層の中間に設けられた厚さが０．０４〜１．５μｍのニッケル−リン合金層からなる複合金属箔の第１の銅層の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホールと導体回路を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、加熱加圧して積層一体化する工程。
ａ４．第２の銅層のみを除去する工程。
ａ５．ニッケル−リン合金層のみを除去する工程。
【請求項４】
工程ａ〜ｈ、ａ１〜ｈ、またはａ３〜ｈを必要な回数繰り返し、２層以上のバイアホールを形成する工程を有することを特徴とする請求項１〜３のうちいずれかに記載のワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
熱硬化性樹脂の樹脂フローが、５００μｍ以上あり、熱硬化性樹脂層の半硬化後の厚さが２５〜１００μｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれかに記載のワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
熱硬化性樹脂に配合する電気絶縁性セラミック系ウィスカの配合量が、５〜５０ｖｏｌ％であることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれかに記載のワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の小型化、高性能化、多機能化に伴い、多層プリント配線板には、より高密度化が求められるようになってきており、この要望を満たすために、層間の薄型化、配線の微細化、層間接続穴の小径化が行われ、また、隣接する層間の導体のみを接続するインタースティシャルバイアホール（以下、ＩＶＨという。）や、ベリードバイアホール（以下、ＢＶＨという。）が用いられるようになり、このＩＶＨやＢＶＨもさらに小径化されつつある。
【０００３】
配線の多層化には、通常、複数の回路層と該間の層間絶縁層をまとめて重ね、加熱加圧して積層一体化し、必要な箇所に穴をあけ接続する多層配線板と、回路を形成した上に層間絶縁層を形成し、その上に回路を形成し、必要な箇所に穴を設け、というように回路層と絶縁層とを順次形成するビルドアップ多層配線板とがある。
【０００４】
このビルドアップ多層配線板の一例を示すと、めっきスルーホールと内層回路とが形成された内層回路板のスルーホールに、シルクスクリーン印刷法などによって熱硬化性樹脂を穴が完全に塞がるように埋め、加熱して硬化した後、穴からはみ出した樹脂を研磨等により除去し、熱硬化性の樹脂を塗布し、加熱硬化して絶縁層を形成し、その絶縁層の一部を選択的に除去することによって層間接続用の穴を設け、めっきなどによってその層間接続用の穴内壁の金属化を行うと共に、絶縁層上に回路導体を形成し、さらに回路を形成する。この回路を形成したものを内層回路板とすれば、上記と同様の操作によりさらに１層の絶縁層及び回路層の形成ができ、これを繰り返すことによって、必要とする多層回路が形成できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このようなビルドアップ多層配線板は、強度が低くなることが多い。というのも、通常ならば、ガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させたプリプレグを用いるので、ガラス布の強化材によって、絶縁層の強度を保つことができるが、ビルドアップ多層配線板の場合には、絶縁層をシルクスクリーン印刷法によって形成したり、層間接続用の穴を形成しやすくするために、強化材を用いていないからである。この強度がないことは、単に配線板としての機能のみに着目すれば、強度を必要としない箇所に用いるとか、あるいは、別途補強板を付けるとかすればよいのであるが、高密度が要求される配線板には、端子間隔の狭い半導体装置を実装したり、あるいは、半導体そのものを配線板に実装することが多々あり、半導体の機械特性とのバランスや、あるいは直接実装する場合に用いるワイヤボンディングを確実に行える土台を提供する必要がある。
【０００６】
本発明は、層間の薄型化、配線の微細化、また、ＩＶＨ、ＢＶＨの小径化に優れ、かつ強度に優れ、ワイヤボンディング性に優れた多層プリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法は、以下の工程を、この順序に行うことを特徴とする。
ａ．熱硬化性樹脂ワニスに平均直径が０．３〜３μｍで、平均長さが平均直径の５倍以上、１００μｍ以下の電気絶縁性セラミック系ウィスカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系ウィスカを前記熱硬化性樹脂ワニス中に均一に分散させた後、銅箔の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホールと導体回路を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、加熱加圧して積層一体化する工程。
ｂ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、そのエッチングレジストから露出した銅箔部分を、ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去する工程。
ｃ．エッチングレジストを除去する工程。
ｄ．ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去された銅箔の微細穴から露出した、前記熱硬化性樹脂層を、レーザ光を照射することにより、前記内層板の回路導体が露出するまで除去して、バイアホールとする工程。
ｅ．バイアホール壁面の硬化した前記熱硬化性樹脂層を、粗化剤を用いて粗化する工程。
ｆ．前記内層板の回路導体と前記銅箔とを電気的に接続するために、めっきを行う工程。
ｇ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、該エッチングレジストから露出した銅箔をエッチング除去する工程。
ｈ．前記エッチングレジストを除去する工程。
【０００８】
上記工程ａ〜ｈは、必要な回数繰り返し、２層以上のバイアホールを形成することもできる。
【０００９】
（熱硬化性樹脂）
本発明の熱硬化性樹脂には、種々のものが使用できるが、中でも、単独ではフィルム形成能のない樹脂を用いることができることに大きな特徴がある。
ここでいう、フィルム形成能とは、その樹脂を溶媒に溶解しワニスとし、そのワニスをキャリアフィルムに塗布するときに厚さの制御が容易であり、かつ、加熱乾燥して半硬化状としたものを、搬送、切断、積層するときに、樹脂割れや欠落を生じにくく、さらにその後の加熱加圧成形時に絶縁層としての最少厚さを確保できる性能のことをいう。
このような熱硬化性樹脂としては、従来においてガラス布に含浸して使用していた樹脂があり、例えば、分子量が３０，０００を越えない樹脂であって、エポキシ樹脂、ビストリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、珪素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、シアン酸エステル樹脂、イソシアネート樹脂、またはこれらの変性樹脂等がある。
なかでも、エポキシ樹脂、ビストリアジン樹脂、及びポリイミド樹脂は、Ｔｇや弾性率、硬度が高く、好ましい。
エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、サリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ樹脂、イソシアヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族環状エポキシ樹脂、ならびにこれらのハロゲン化物、水素添加物から選択されたものを使用でき、併用することもできる。なかでも、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂と、サリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂は、耐熱性に優れ、好ましい。
【００１０】
（電気絶縁性セラミック系ウィスカ）
本発明の電気絶縁性セラミック系ウィスカには、弾性率が２００ＭＰａ以上必要であり、２００ＭＰａ未満では、剛性が不足し、必要とするワイヤボンディング性が得られない。
このような電気絶縁性セラミック系ウィスカには、例えば、ほう酸アルミニウム、ウォラスナイト、チタン酸カリウム、塩基性硫酸マグネシウム、窒化珪素、及びα−アルミナのなかから選択して用いることができる。なかでも、ほう酸アルミニウムと、チタン酸カリウムは、モース硬度が従来のＥガラスと同程度であり、従来のプリプレグと同等のワイヤボンディング性が得られ、さらに、ほう酸アルミニウムは、弾性率が４００ＭＰａと高い上に、ワニスと混合しやすく、好ましい。
この電気絶縁性セラミック系ウィスカの形状としては、平均直径が０．３〜３μｍ、平均長さが平均直径の５倍以上であることが必要である。
平均直径が、０．３μｍ未満であると、樹脂ワニスへの混合が困難となり、３μｍを越えると、樹脂への分散が十分でなく、塗布した表面の凹凸が大きくなり好ましくない。この平均直径は、０．３〜１μｍの範囲がより好ましい。
平均長さが、５倍未満であると、樹脂の剛性が得られず、さらには２０倍以上であることがより好ましい。また、上限として、１００μｍ以下であることが好ましく、この数値は、内層回路の回路間隔より小さいことが必要であり、現状では内層回路間隔が１００μｍ未満のものがないためである。この平均長さが、内層回路の間隔を越えると、両回路に接触した場合に、電気絶縁性セラミック系ウィスカに沿って銅イオンのマイグレーションが起こり易く、回路が短絡する可能性が高いので好ましくない。
この電気絶縁性セラミック系ウィスカと熱硬化性樹脂との濡れ性を高めるために、電気絶縁性セラミック系ウィスカの表面をカップリング剤で処理したものを用いることが好ましく、このようなカップリング剤には、シリコン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、ジルコアルミニウム系カップリング剤、クロム系カップリング剤、ボロン系カップリング剤、リン系カップリング剤、アミノ系カップリング剤等から選択して使用できる。
【００１１】
（硬化剤）
本発明の熱硬化性樹脂に用いる硬化剤には、上記した樹脂に用いる硬化剤であればどのようなものでも使用でき、例えば、樹脂にエポキシ樹脂を用いる場合には、ジシアンジアミド、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ポリビニルフェノール樹脂、ノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂ならびにこれらのハロゲン化物から選択して使用でき、なかでもビスフェノールＡノボラック樹脂が耐熱性に優れ好ましい。
この硬化剤の前記熱硬化性樹脂に対する配合比は、前記熱硬化性樹脂１００重量部に対して、２〜１００重量部の範囲が好ましく、ジシアンジアミドであれば２〜５重量部、それ以外の上記硬化剤では３０〜８０重量部の範囲が好ましい。２重量部未満であると、硬化不足となり、耐熱性が低下し、８０重量部を越えると、電気特性や耐熱性が低下する。
【００１２】
（硬化促進剤）
本発明の熱硬化性樹脂と硬化剤には、さらに、硬化促進剤が必要であり、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合には、硬化促進剤には、イミダゾール化合物、有機リン化合物、第三級アミン、第四級アンモニウム塩等を使用することができる。
この硬化促進剤の配合比は、前記熱硬化性樹脂１００重量部に対し、０．０１〜２０重量部の範囲が好ましく、０．１〜１．０の範囲がより好ましい。０．０１重量部未満であると、硬化不足となり耐熱性が低下し、２０重量部を越えると、Ｂステージの寿命が短くなり耐熱性が低下する。
【００１３】
（希釈剤）
上記熱硬化性樹脂、電気絶縁性セラミック系ウィスカ、硬化剤、硬化促進剤は、溶剤に希釈して用い、この溶剤には、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、メチルイソブチレン、酢酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、メタノール、エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が使用できる。
この希釈剤の上記熱硬化性樹脂に対する配合比は、上記熱硬化性樹脂１００重量部に対し、１〜２００重量部の範囲が好ましく、３０〜１００重量部の範囲がより好ましい。１重量部未満であると、粘度が高くなり塗りむらができやすく、２００重量部を越えると、粘度が低くなりすぎ必要な厚さにまで塗布することができない。
【００１４】
（熱硬化性樹脂と電気絶縁性セラミック系ウィスカの割合）
熱硬化性樹脂と電気絶縁性セラミック系ウィスカの割合は、硬化した熱硬化性樹脂の中で電気絶縁性セラミック系ウィスカが５〜５０ｖｏｌ％となるように調整することが必要である。さらには、２０〜４０ｖｏｌ％であることがより好ましい。
５ｖｏｌ％未満であると、熱硬化性樹脂のフィルム形成能が少なく、切断時に飛散する等、取り扱いが困難であり、剛性も低く、ワイヤボンディング性が低下する。５０ｖｏｌ％を越えると、前記工程ａ、ａ１、またはａ３において、加熱加圧成形時に、内層回路板の穴や回路間隙への埋め込みが不十分で、成形後にボイドやかすれを生じ、絶縁性が低下する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（工程ａ）
ａ．熱硬化性樹脂ワニスに電気絶縁性セラミック系ウィスカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系ウィスカを前記熱硬化性樹脂中に均一に分散させた後、銅箔の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホールと導体回路を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、加熱加圧して積層一体化する工程。
この工程において、銅箔に、熱硬化性樹脂と電気絶縁性セラミック系ウィスカを塗布するには、上記熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、及び希釈剤を混合した溶液（以下、熱硬化性樹脂ワニスという。）に、電気絶縁性セラミック系ウィスカを混合し、撹拌したワニスを、塗布し、加熱して、半硬化させるものであり、ブレードコータ、ロッドコータ、ナイフコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、あるいはトランスファロールコータ等、銅箔と平行な方向に剪断力を負荷できるか、あるいは銅箔の面に垂直な方向に圧縮力を負荷できる塗布方法を選択することが好ましい。
この熱硬化性樹脂ワニスの樹脂フローは、５００μｍ以上あり、熱硬化性樹脂層の半硬化後の厚さが２５〜１００μｍの範囲であることが好ましい。この樹脂フローとは、樹脂の厚さが５０μｍの銅箔付プリプレグに３０ｍｍ角の穴をあけ、銅張り積層板の銅箔面に樹脂が接触するように重ね、１７０℃、２．５ＭＰａで６０分間、加熱加圧して積層接着したときに３０ｍｍ角の穴の縁から銅箔表面に流れ出した樹脂の最少距離とする。
この樹脂フローは５００μｍ〜１０ｍｍの範囲に調整することが好ましく、５００μｍ未満であると、内層銅箔の埋め込み性が小さく表面に凹凸を生じ、１０ｍｍを越えると積層後の端部の厚さが薄く、絶縁性が低下する。
【００１６】
（工程ａ１，ａ２）
ａ１．熱硬化性樹脂に電気絶縁性セラミック系ウィスカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系ウィスカを前記熱硬化性樹脂中に均一に分散させた後、樹脂との接着に適した粗さを有すると共に回路となる銅層と、全体としての金属層として取り扱いに十分な強度を有するキャリア層からなり、２層が容易に剥離可能な複合金属箔の銅層の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホールと導体回路を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、加熱加圧して積層一体化する工程。
ａ２．キャリア層のみを除去する工程。
この工程は、上記工程ａに代えて、工程ａ１，及びａ２を用いるものであり、工程ａにおいて扱う銅箔が、非常に薄くなると、取り扱う行程で、折れたり、しわになることがあるため、薄い銅箔とキャリアからなる複合金属箔を使用し、取り扱いを容易にしておいて、内層回路板に積層した後に、キャリアを剥離して、薄い銅箔を加工して回路を形成することが、回路導体のより微細な加工を可能にするものである。
【００１７】
（工程ａ３，ａ４，ａ５）
ａ３．熱硬化性樹脂に電気絶縁性セラミック系ウィスカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系ウィスカを前記熱硬化性樹脂中に均一に分散させた後、樹脂との接着に適した粗さを有すると共に回路となる１〜９μｍの厚さの第１の銅層と、全体としての金属層として取り扱いに十分な強度を有する厚さ１０〜１５０μｍの第２の銅層と、その２層の中間に設けられた厚さが０．０４〜１．５μｍのニッケル−リン合金層からなる複合金属箔の第１の銅層の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホールと導体回路を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、加熱加圧して積層一体化する工程。
ａ４．第２の銅層のみを除去する工程。
ａ５．ニッケル−リン合金層のみを除去する工程。
この工程は、薄い銅箔を扱う場合に、物理的に剥離可能なキャリアでは、取り扱いの行程で、銅箔表面に傷の発生や異物の付着が起こることもあり、これを防ぐために、密着度の高い複合金属箔を用い、キャリアの除去に、回路導体と異なる化学的除去条件を有する金属層を用いるものである。ところで、このような金属層は、厚くすると経済的でなく、また、工程も長くなるので、エッチングを止めたい位置に、中間層として用いるものである。
また、第２の銅層のみをエッチング除去する溶液としては、塩素イオンとアンモニウムイオンと銅イオンを含む溶液（以下、アルカリエッチャントという。）を用いる。処理方法は、浸漬、噴霧等の溶液に接触させることによって行う。
さらに、ニッケル−リン合金層のみを除去する工程では、硝酸と過酸化水素を主成分とする液に、添加剤としてカルボキシル基を有する有機酸、環構成員として、−ＮＨ−，−Ｎ＝の形で窒素を含む複素環式化合物を配合した水溶液に浸漬するか、あるいはそのような水溶液を噴霧して行う。
【００１８】
（工程ｂ）
ｂ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、そのエッチングレジストから露出した銅箔部分を、ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去する工程。
この工程では、通常の配線板の回路導体を形成する方法と同じ方法によって、ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去することができる。ここで用いるエッチングレジストは、レジストインクを、シルクスクリーン印刷法によって銅箔の表面に印刷する方法や、レジストフィルムを銅箔の表面にラミネートし、フォトマスクを介して、回路部分が残るように紫外線を照射し、回路部分以外を現像して除去する方法を使用することができる。
銅箔をエッチングするには、前記に形成したエッチングレジストから露出している銅箔に、化学エッチング液を接触させ、選択的に除去するものであり、このような化学エッチング液としては、塩化第二銅溶液や塩化第二鉄溶液等がある。
【００１９】
（工程ｃ）
ｃ．エッチングレジストを除去する工程。
この工程では、上記で使用したエッチングレジストを、化学的に除去するものであり、通常は、溶剤やアルカリ水溶液を用いて除去する。
【００２０】
（工程ｄ）
ｄ．ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去された銅箔の微細穴から露出した、前記熱硬化性樹脂層を、レーザ光を照射することにより、前記内層板の回路導体が露出するまで除去して、バイアホールとする工程。
この工程において使用できるレーザは、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等があり、生産性の点から炭酸ガスレーザが好ましい。このときのレーザ光の照射条件は、時間が短く、出力の大きなパルス状の発振をするものが好ましく、例えば、１パルスの幅が１〜４０μｓｅｃで、パルス繰り返し周波数が１５０〜１０，０００Ｈｚ、繰り返しパルス数が１〜１０パルスの条件で、出力の大きさが、２〜５パルスの範囲で、穴加工できる出力の出せるレーザ発振器が、発振、制御が容易となり好ましい。この出力は、エネルギー密度にして、１５〜４０Ｊ／ｃｍ2の範囲である。
時間あたりの出力が、上記範囲未満であると、樹脂層を蒸発、発散することができず、上記範囲を越えると、必要以上の穴径となり制御が困難で、一旦蒸発した樹脂が炭化して付着することもあり、付着した炭化物の除去を行わなければならない。
【００２１】
（工程ｅ）
ｅ．バイアホール壁面の硬化した前記熱硬化性樹脂層を、粗化剤を用いて粗化する工程。
この粗化剤は、樹脂を膨潤、溶解するものであればどのようなものでも使用でき、通常は、アルカリ過マンガン酸水溶液を使用することが好ましい。
【００２２】
（工程ｆ）
ｆ．前記内層板の回路導体と前記銅箔とを電気的に接続するために、めっきを行う工程。
このめっきは、通常の配線板のスルーホールめっきと同様の技術を用いる。すなわち、パラジウム等のめっきの核になる物質を、前記粗化した樹脂層に付着させ、イオン化しためっき金属と、めっき金属の錯化剤と、そのめっき金属の還元剤とを有する無電解めっき液に接触させ、その核にめっきを析出させ、さらにめっきの先にめっきを析出させ、核になる物質を付着した壁全体にめっき金属を析出させる。このように、めっきを行うと、外層の銅箔と、ＩＶＨの壁面と、内層板の回路導体とを電気的に接続することができる。
【００２３】
（工程ｇ）
ｇ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、該エッチングレジストから露出した銅箔をエッチング除去する工程。
工程ｂと同様にして、外層の回路を形成する。
【００２４】
（工程ｈ）
ｈ．前記エッチングレジストを除去する工程。
工程ｃと同様にして、エッチングレジストを除去する。
【００２５】
【実施例】
実施例１
・工程ａ３：
図１（ａ）に示すように、厚さ０．６ｍｍのガラス布−エポキシ樹脂含浸両面銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、穴あけ、無電解銅めっきを行い、通常のサブトラクト法によってスルーホール１０１を有する内層板１を作製した。
図１（ｂ）に示すように、厚さ５μｍの第１の銅層／厚さ０．２μｍのニッケル−リン合金層／厚さ１５μｍの第２の銅層からなる複合金属箔３の第１の銅層の面に、以下の組成の熱硬化性樹脂ワニスに対して、３０ｖｏｌ％のほう酸アルミニウムウィスカを混合、撹拌し、ナイフコータで塗布し、１５０℃で１０分間乾燥して、半硬化させた厚さ５０μｍの熱硬化性樹脂層２を有する銅箔付き接着フィルムを作製した。
（熱硬化性樹脂ワニスの組成）
・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部
（エポキシ当量：２００）
・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部
（水酸基当量：１０６）
・２−エチル−４−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・０．５重量部
（硬化剤）
・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部
（希釈溶剤）
このようにして作製した内層板１と銅箔付き接着フィルムとを、内層板１の回路導体と接着フィルムの熱硬化性樹脂層２とが接するように重ね、１７０℃で、６０分間、２．５ＭＰａの圧力で、加熱加圧して積層一体化した。この条件によって、樹脂フローは、３ｍｍであった。
・工程ａ４：
第２の銅層のみを、以下のアルカリエッチャントでエッチング除去した。
（アルカリエッチャント）
・ＣｕＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７５ｇ／ｌ
・ＮＨ4ＯＨ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１５４ｇ／ｌ
・ＮＨ4Ｃｌ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２３６ｇ／ｌ
液温５０℃
・工程ａ５：
ニッケル−リン合金層のみを、以下の組成のエッチング液で、エッチング除去した。
（エッチング液組成）
・硝酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２００ｇ／ｌ
・過酸化水素（３５％）・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｍｌ／ｌ
・カルボキシル基を含む有機酸・・・・・・・・・・・・・・・１００ｇ／ｌ
（ＤＬリンゴ酸）
・ベンゾトリアゾール・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・５ｇ／ｌ
・工程ｂ：
図１（ｃ）に示すように、前記第１の銅箔上に、ドラフィルムフォテックＨ−Ｋ４２５（日立化成工業株式会社製、商品名）によるエッチングレジストを形成し、そのエッチングレジストから露出した銅箔部分を、バイアホールを形成するための銅箔の開口部４として、直径１００μｍの円形の形状にエッチング除去した。
・工程ｃ：
エッチングレジストを、２重量％のＮａＯＨ水溶液によって、４０℃で２分間の条件で除去した。
・工程ｄ：
図１（ｄ）に示すように、銅箔の開口部４から露出した、前記硬化した熱硬化性樹脂層２を、炭酸ガスレーザ光によって、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ2、発振時間１μｓｅｃ、発振周波数１５０Ｈｚ，４パルスの条件で、照射することにより、前記内層板の回路導体が露出するまで除去して、バイアホール５とした。
・工程ｅ：
バイアホール壁面の前記硬化した熱硬化性樹脂層を、粗化剤である、７％のアルカリ過マンガン酸水溶液を用いて、液温７０℃、時間５分間の条件で粗化した。
・工程ｆ：
前記内層板の回路導体と前記銅箔とを電気的に接続するために、以下の組成の無電解めっき液を用いて、液温７０℃の条件で、めっきを行った。
（無電解めっき液の組成）
・ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｇ／ｌ
・ＥＤＴＡ・４Ｎａ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・４０ｇ／ｌ
・３７％ＨＣＨＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３ｍｌ／ｌ
・ＮａＯＨ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｐＨを１２．３とする量
・工程ｇ：
前記銅箔上にドライフィルムフォテックＨ−Ｗ４４０（日立化成工業株式会社製、商品名）によるエッチングレジストを形成し、そのエッチングレジストから露出した銅箔部分を、エッチング除去した。
・工程ｈ：
図１（ｅ）に示すように、前記エッチングレジストを除去した。
・工程ｉ：
図１（ｆ）〜（ｉ）に示すように、前記工程ａ３〜ｈを繰り返し行った。但し、図１（ｈ）に示すように、レーザ光により前記内層板の回路導体が露出するまで除去して、バイアホール１０とした後に、スルーホール１１となる穴をあけ、工程ｅと同様に粗化を行った。
さらに、ソルダーレジスト１６を形成し、ボンディングパッド部に以下の組成の無電解ニッケルめっきを液温９０℃で１２分間行った。その結果めっきの厚さは５μｍであった。
（無電解ニッケルめっき液組成）
・硫酸ニッケル・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３０ｇ／ｌ
・次亜リン酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｇ／ｌ
・酢酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｇ／ｌ
・ｐＨ：５
次に、以下の組成の無電解金めっきを、液温９０℃で７分間行った。その結果めっきの厚さは０．５μｍであった。
（無電解金めっき液組成）
・シアン化金カリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２ｇ／ｌ
・塩化アンモニウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・７５ｇ／ｌ
・クエン酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・５０ｇ／ｌ
・次亜リン酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｇ／ｌ
【００２６】
実施例２
熱硬化性樹脂ワニスに対して、１０ｖｏｌ％のほう酸アルミニウムウィスカを混合、撹拌した以外は、全て実施例１と同様に行った。
レーザ穴あけ条件は、炭酸ガスレーザで、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ2、発振時間１μｓｅｃ、発振周波数１５０Ｈｚ、パルス数３であった。
【００２７】
実施例３
熱硬化性樹脂ワニスに対して、４５ｖｏｌ％のほう酸アルミニウムウィスカを混合、撹拌した以外は、全て実施例１と同様に行った。
レーザ穴あけ条件は、炭酸ガスレーザで、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ2、発振時間１μｓｅｃ、発振周波数１５０Ｈｚ、パルス数５であった。
【００２８】
実施例４
実施例１の工程ａ３〜ａ５に代えて、以下の工程ａ１及びａ２を用いた以外は、実施例１と同様にして作製した。
・工程ａ１：
厚さ０．６ｍｍのガラス布−エポキシ樹脂含浸両面銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用し、穴あけ、無電解銅めっきを行い、通常のサブトラクト法によって内層板１を作製した。
厚さ５μｍの薄い銅層／厚さ７０μｍのキャリア銅層からなる複合金属箔の薄い銅層の面に、以下の組成の熱硬化性樹脂ワニスに対して、３０ｖｏｌ％のほう酸アルミニウムウィスカを混合、撹拌し、ナイフコータで塗布し、１５０℃で１０分間乾燥して、半硬化させた銅箔付き接着フィルムを作製した。
（熱硬化性樹脂ワニスの組成）
・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部
（エポキシ当量：２００）
・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部
（水酸基当量：１０６）
・２−エチル−４メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・・０．５重量部
（硬化剤）
・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部
（希釈溶剤）
このようにして作製した内層板１と銅箔付き接着フィルムとを、内層板１の回路導体と接着フィルムの熱硬化性樹脂層が接するように重ね、１７０℃で、６０分間、２．５ＭＰａの圧力で、加熱加圧して積層一体化した。この条件によって、樹脂フローは、５ｍｍであった。
・工程ａ２：
キャリア層のみを、引き剥がして除去した。
【００２９】
比較例１
実施例１の銅箔付き接着剤に代えて、以下のプリプレグを用いた。
（プリプレグ）
（熱硬化性樹脂ワニスの組成）
・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部
（エポキシ当量：２００）
・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部
（水酸基当量：１０６）
・２−エチル−４−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・０．５重量部
（硬化剤）
・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部
（希釈溶剤）
・ガラス布
【００３０】
比較例２
実施例１の銅箔付き接着剤に代えて、以下の熱硬化性樹脂ワニスを塗布したものを用いた。
（熱硬化性樹脂ワニスの組成）
・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部
（エポキシ当量：２００）
・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部
（水酸基当量：１０６）
・２−エチル−４−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・０．５重量部
（硬化剤）
・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部
（希釈溶剤）
【００３１】
比較例３
実施例１の銅箔付き接着剤に代えて、以下の熱硬化性樹脂ワニスを、内層板１の上に直接、シルクスクリーン印刷法によって塗布し、銅箔を上に重ねて、加熱加圧して積層一体化したものを用いた。
（熱硬化性樹脂ワニスの組成）
・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部
（エポキシ当量：２００）
・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部
（水酸基当量：１０６）
・２−エチル−４−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・０．５重量部
（硬化剤）
・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部
（希釈溶剤）
【００３２】
以上のようにして作製した基板に、以下の試験を行った。結果を表１に示す。
（試験）
・ワイヤボンディング性：
図２に示すように、作製した基板に、ダイボンド材１５によってＩＣチップ１３を固定し、このＩＣチップ１３と作製した基板を接続するために、直径２８μｍの金線１４を用い、ワイヤボンダであるＨＷ２２Ｕ−Ｈ（九州松下電器株式会社製、商品名）を用い、基板加熱温度１５０℃と２００℃の条件でワイヤボンディングした。
ワイヤボンディングした金線の引っ張り強度を、プルテスターＰＴＲ−０１（株式会社レスカ製、商品名）を用いて測定した。結果を、表１に示す。
【００３３】
【表１】
0003865088.tif 000002
【００３４】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明によって、層間の薄型化、配線の微細化、また、ＩＶＨ、ＢＶＨの小径化に優れ、かつ強度に優れ、ワイヤボンディング性に優れた多層プリント配線板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｉ）は、それぞれ本発明の一実施例を説明するための各工程を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
１．内層板                        ２，７．熱硬化性樹脂層
３，８．銅箔                      ４，９．銅箔の開口部
５，１０．バイアホール
１１．スルーホール                １３．ＩＣチップ
１４．金線                        １５．ダイボンド材
１６．ソルダーレジスト            １０１．スルーホール
【図１】
0003865088.tif 000003
【図２】
0003865088.tif 000004