(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持具本体と、この保持具本体に取付けられて複数の基板を支持する支持部材と、支持部材を保持具本体に固定する固定手段とを備え、上記支持部材は、支持すべき基板よりも硬度の低い樹脂材料から構成されるとともに基板を配列するための複数のガイド部を有し、上記固定手段は、上記支持部材に設けられる断面三角形状の突起と、前記保持具本体側に設けられ、前記突起が嵌入される断面三角形状の取付孔とを有し、
前記保持具本体は、平坦面に所定間隔でＶ溝が形成される第１部材と、平坦面を有しこの平坦面を前記第１部材のＶ溝形成面に対して重ね合わせた状態で当該第１部材に対して一体に締結される第２部材とを有し、これら第１，第２部材の間に形成される前記Ｖ溝による隙間により前記取付孔が形成されていることを特徴とする基板保持具。
【請求項２】
上記支持部材は、上記ガイド部による基板の配列方向に分離可能な複数の単位部材から構成され、上記固定手段は、上記各単位部材を保持具本体に固定することを特徴とする請求項１記載の基板保持具。
【請求項３】
上記支持部材は、一列に配設される複数のガイド片かなり、隣合う一対のガイド片により上記ガイド部を形成するように構成され、上記固定手段は、上記各ガイド片を上記保持具本体に固定することを特徴とする請求項１記載の基板保持具。
【請求項４】
上記ガイド部は基板の縁部を支持する溝であって、基板を起立姿勢で、かつ隣合う基板同士が互いに平行となるように各基板を配列することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板保持具。
【請求項５】
上記保持具本体は、石英又は炭化ケイ素を材料として構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板保持具。
【請求項６】
上記支持部材は、デュロメータ硬さＤ９０以下の樹脂材料から構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板保持具。
【請求項７】
上記支持部材は、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体又はポリテトラフルオロエチレンを材料として構成されていることを特徴とする請求項６記載の基板保持具。
【請求項８】
上記請求項１乃至７のいずれかに記載の基板保持具と、この基板保持具に保持された基板に処理液を供給する処理液供給手段と、上記基板保持具との間で基板の受渡しを行う受渡し手段とを備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
上記処理液供給手段は、処理液を貯留する処理槽を備え、基板を基板保持具と一体に処理液に浸漬させることにより基板に処理液を供給することを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板、液晶表示器やプラズマ表示器用基板等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板を保持するのに適した基板保持具およびこの基板保持具を備えた基板処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、例えば、基板保持具により半導体基板等の基板を保持し、処理槽内に貯留した処理液に上記基板保持具と一体に基板を浸漬させて処理を施すようにした基板処理装置は一般に知られている。
【０００３】
この種の装置では、例えば、上記基板保持具に一定の間隔で基板保持用の溝が形成されており、複数の基板を起立姿勢で、かつ各基板を互いに平行に一定の間隔で一列に並べて保持するようになっている。
【０００４】
なお、基板保持具は、このように複数の基板を保持するものであるため十分な剛性を有している必要があり、また、基板と一体に処理液に浸漬されるため耐薬品性や耐熱性に優れている必要もある。そのため、一般には、これらの条件を満足し、かつ入手が比較的容易な石英を材料として基板保持具が構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、石英から構成された従来の基板保持具では、基板とその保持部分とが擦れてパーティクルが発生したり、基板にクラックが生じ易いという問題がある。そこで、近年では、基板保持具全体を樹脂材料から構成し、基板とその保持部分とが擦れてもパーティクルが発生したり、基板にクラックが生じることがないようにすることが考えられている。
【０００６】
しかし、樹脂材料から構成した基板保持具は熱膨張により変形するため、例えば、高温の処理液に浸漬すると、基板保持用の溝のピッチが変動し、これにより処理中の基板のピッチが変動して基板の処理品質に悪影響を与えたり、あるいは後工程への基板の受渡しに支障をきたすことが考えられる。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板とその保持部分との擦れによるパーティクルの発生やクラックの発生を防止して基板を適切に処理することができ、また、基板の受渡しを良好に行うことができる基板保持具および基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の基板保持具は、保持具本体と、この保持具本体に取付けられて複数の基板を支持する支持部材と、支持部材を保持具本体に固定する固定手段とを備え、支持部材は、支持すべき基板よりも硬度の低い樹脂材料から構成されるとともに基板を配列するための複数のガイド部を有し、固定手段は、支持部材に設けられる断面三角形状の突起と、保持具本体側に設けられ、前記突起が嵌入される断面三角形状の取付孔とを有し、保持具本体は、平坦面に所定間隔でＶ溝が形成される第１部材と、平坦面を有しこの平坦面を第１部材のＶ溝形成面に対して重ね合わせた状態で当該第１部材に対して一体に締結される第２部材とを有し、これら第１，第２部材の間に形成される前記Ｖ溝による隙間により前記取付孔が形成されているものである（請求項１）。
【０００９】
この基板保持具によると、基板は支持部材により支持されるが、支持部材の硬度が基板の硬度よりも低いため、基板とその支持部分とが擦れてもパーティクルや基板のクラックが発生し難い。
【００１０】
また、基板を支持する部分だけを樹脂材料により構成することが可能なため、そのような構成とすれば基板保持具全体を樹脂材料から構成する場合に比べて基板を支持する部分の熱膨張による変形が小さくなる。しかも、基板の配列方向における一乃至複数箇所で支持部材が保持具本体に拘束されて、この拘束部分での変形が抑えられるようになっているため、これにより支持部材の熱膨張による変形が抑えられてガイド部の位置変動が防止される。そのため、基板を基板保持具と一体に高温の処理液等に浸漬させるような場合でも基板の配列が良好に維持される。
【００１１】
上記の構成においては、ガイド部による基板の配列方向に分離可能な複数の単位部材から上記支持部材を構成し、各単位部材を保持具本体に固定するように上記固定手段を構成することができる（請求項２）。
【００１２】
このように支持部材を細分化した構成とすると、支持部材全体を一体形成した場合に比べて支持部材の熱膨張による変形が小さくなる。
【００１３】
また、請求項１の構成においては、上記支持部材を、一列に配設される複数のガイド片から構成するとともに、隣合う一対のガイド片により上記ガイド部を形成するようにし、さらに、各ガイド片を保持具本体に固定するように上記固定手段を構成することもできる（請求項３）。
【００１４】
この場合も、支持部材が細分化された構成となるため、支持部材全体を一体形成した場合に比べて支持部材の熱膨張による変形が小さくなる。しかも、各ガイド片の位置が拘束されているためガイド部の変位が確実に防止される。
【００１６】
なお、ガイド部が基板の縁部を支持する溝からなり、基板を起立姿勢で、かつ隣合う基板同士が互いに平行となるように各基板を配列するような基板保持具では、基板の間隔を適切に保つことが基板の処理品質を確保したり、あるいは基板の受渡しを良好に行う上で重要となる。そのため、このような構成を有する基板保持具に上記請求項１乃至３のいずれかの構成を採用するのが有効である（請求項４）。
【００１７】
なお、請求項１乃至４記載の基板保持具においては、保持具本体を石英又は炭化ケイ素を材料として構成するのが好ましい（請求項５）。
【００１８】
一方、ガイド部材は、デュロメータ硬さＤ９０以下の樹脂材料により構成するのが好ましい（請求項６）。具体的は、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体又はポリテトラフルオロエチレンを材料として構成することができる（請求項７）。
【００１９】
上記課題を解決するために、本発明の基板処理装置は、上記請求項１乃至７のいずれかに記載の基板保持具と、この基板保持具に保持された基板に処理液を供給する処理液供給手段と、上記基板保持具との間で基板の受渡しを行う受渡し手段とを備えているものである（請求項８）。
【００２０】
この装置によれば、高温の処理液を基板に供給して処理を施す場合でも、基板保持具により保持された基板の配列に変動が生じにくい。そのため、基板の処理品質を良好に保つことができ、また、基板保持具と受渡し手段の間での基板の受渡しを良好に行うことができる。
【００２１】
なお、処理液供給手段として、処理液を貯留する処理槽を備え、基板を基板保持具と一体に処理液に浸漬させることにより基板に処理液を供給するような装置では、複数の基板を一定の間隔で互いに平行に保持した状態で処理液に浸漬させることが行われるため、このような装置に請求項８の構成を採用するのが有効である（請求項９）。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
図１は、本発明に係る基板処理装置を示す斜視概略図である。なお、ここでは、方向関係を明確にするため、ＸＹＺ直角座標軸を併せて示している。
【００２３】
この図において、基板処理装置１０は、半導体基板（以下の説明では単に基板Ｗという）を処理する装置で、カセット搬入出ステージ１２と、カセット搬送ロボット１４と、基板移載部１６と、基板搬送ロボット１８と、基板処理部２０と、基板乾燥部２２と、カセット洗浄部２４とを備えている。
【００２４】
カセット搬入出ステージ１２は、前側（＋Ｙ方向）に位置し、処理前の複数の基板Ｗが起立姿勢で収納された２つの搬送用カセットＣ（以下、単にカセットＣという）が外部から搬入されて載置される搬入部３０と、後側（−Ｙ方向）に位置し、基板処理部２０で処理された複数の基板Ｗが起立姿勢で収納された２つのカセットＣが載置される搬出部３２とを備えている。なお、このカセット搬入出ステージ１２における各カセットＣ内の基板Ｗは、例えばそれぞれ２５枚収納されるようになっており、図示するように左右方向（Ｘ方向）に一列に並べられた状態となっている。
【００２５】
カセット搬送ロボット１４は、前後方向（Ｙ方向）及び上下方向（Ｚ方向）に移動可能で、かつ１８０度反転可能に構成され、搬入部３０に搬入されたカセットＣを把持した状態で１８０度反転させて該カセットＣを基板移載部１６に搬送する一方、基板移載部１６における処理済みの基板Ｗが収納されたカセットＣを把持した状態で１８０度反転させて該カセットＣを搬出部３２に搬出するものである。
【００２６】
基板移載部１６は、搬入部３０から搬送されたカセットＣ内の処理前の基板ＷをカセットＣの上方に取り出す一方、基板処理部２０で処理された基板ＷをカセットＣ内にその上方から収納するものである。
【００２７】
すなわち、基板移載部１６には、開口部３４ａ，３６ａをそれぞれ有したターンテーブル３４，３６が設けられているとともに、このターンテーブル３４，３６の下方に基板出入れ部材（図示せず）がそれぞれ昇降可能に配設され、これら基板出入れ部材が各開口部３４ａ，３６ａを介してテーブル上方に突出する駆動位置とテーブル下方の退避位置とにわたって昇降可能となっている。そして、各ターンテーブル３４，３６上に、処理前の基板Ｗが収納された２つのカセットＣがそれぞれ載置されると、各ターンテーブル３４，３６が互いに逆方向に９０度回転されて、各カセットＣ内の基板Ｗの向きがそれぞれ前後方向に一列に並んだ状態にセットされるとともに、基板出入れ部材が、カセットＣの下方に形成された開口部（図示せず）を介して上記駆動位置に変位され、これにより基板ＷをカセットＣの外部上方に取り出すようになっている。なお、基板処理部２０で処理された基板Ｗは、上記と逆の動作で各カセットＣ内に収納される。
【００２８】
基板搬送ロボット１８は、左右方向に移動可能に構成され、基板移載部１６で上記基板出入れ部材により２つのカセットＣ内から取り出されて一列に整列した状態の複数の基板Ｗをまとめて一体的に保持し、基板処理部２０の後述するリフタ４８に受け渡すとともに、基板処理部２０で処理されたリフタ４８上の基板Ｗを保持して基板移載部１６の基板出入れ部材に受け渡すものである。なお、基板搬送ロボット１８は、基板処理部２０の複数のリフタ４８間における基板Ｗの受渡しも行う。
【００２９】
基板搬送ロボット１８は、例えば、同図に示すように、一対のアーム３８，４０にそれぞれ取り付けられてなる一対の基板チャック４２，４４を有しており、この基板チャック４２，４４により基板Ｗを挾んで保持するようになっている。
【００３０】
基板チャック４２，４４はアーム３８，４０に対してそれぞれ回転可能となっており、その表裏両面に基板Ｗの保持部を有している。基板チャック４２，４４における基板Ｗの保持部には、前後方向に一定のピッチで保持溝が形成されており、この保持溝に基板Ｗを介在させた状態で各基板Ｗを保持することにより基板Ｗを前後方向に等間隔で保持するようになっている。そして、例えば、基板移載部１６から基板処理部２０に基板Ｗを搬送する際には、基板チャック４２，４４の各表面で基板Ｗを保持し、基板処理部２０から基板移載部１６に基板Ｗを搬送する場合には基板チャック４２，４４の各裏面で基板Ｗを保持するようになっている。つまり、処理前の基板Ｗと処理済みの基板Ｗとを基板チャック４２，４４の異なる面で保持することにより、処理済みの基板Ｗの汚染を防止するようにしている。
【００３１】
基板処理部２０は、基板移載部１６でカセットＣ内から取り出された基板Ｗを処理するもので、処理液が貯留される複数（図示では３つ）の処理槽４６と、各処理槽４６内において昇降可能に配設され、基板Ｗを保持した状態で処理槽内に進入して基板Ｗを処理液に浸漬させる一方、処理槽内から退出して処理の終了した基板Ｗを処理液から引き上げるリフタ４８とを備えている。そして、上記基板搬送ロボット１８と各処理槽４６に対応するリフタ４８との間で基板Ｗを受渡しながら、順次各処理槽４６において基板Ｗに所定の処理を施すようになっている。なお、リフタ４８の構成については後に詳述する。
【００３２】
基板乾燥部２２は、基板処理部２０で処理された基板Ｗを基板搬送ロボット１８によりリフタ４８から受け取り、その受け取った基板Ｗを乾燥処理するものである。また、カセット洗浄部２４は、処理前の基板Ｗが取り出された後の空のカセットＣを処理済みの基板Ｗを収納するのに先立ち洗浄するもので、基板移載部１６にある空のカセットＣがカセット搬送ロボット１４によりカセット洗浄部２４に搬送されて洗浄が行われるようになっている。
【００３３】
図２〜図５は、基板処理部２０のリフタ４８の具体的な構成を示している。
リフタ４８は、図２に示すように、上下方向に移動可能な昇降軸５０を有している。この昇降軸５０の上端にはヘッド部５２が設けられ、このヘッド部５２に本発明に係る基板保持具である基板保持部５４が設けられている。
【００３４】
基板保持部５４は、上記ヘッド部５２に取付けられて下方に延びる背板６０と、この背板６０の左右下端部にそれぞれ取付けられて前後方向に延びる左ガイド６２及び右ガイド６４と、これらの間において同じく背板６０に取付けられて前後方向に延びる中央ガイド６６と、これら各ガイド６２，６４，６６の各先端部を連結するエンドプレート６８とから構成されており、複数の基板Ｗを起立姿勢（同図に示す状態）で、かつ前後方向に互いに平行に一定の間隔で保持するようになっている。
【００３５】
上記各ガイド６２，６４，６６の構成について、上記中央ガイド６６を例に詳しく説明すると、中央ガイド６６は、図３に示すようにフレーム８０と、このフレーム８０の上端部に装着される支持部材８２とを有している。
【００３６】
支持部材８２は、図４及び図５に示すように、前後方向に細長で、その上部には前後方向に一定のピッチで複数の保持溝８４（ガイド部）が形成されている。つまり、各保持溝８４に基板Ｗの縁部を介在させて支持することにより基板Ｗを前後方向に一定の間隔で保持するようになっている。
【００３７】
一方、支持部材８２の裏面には、複数の突起８６が前後方向に一定のピッチで突設されている。突起８６は上記フレーム８０に形成された取付孔８１に嵌入されており、これにより支持部材８２がフレーム８０に固定されている。なお、フレーム８０は、図３及び図６に示すように、左右一対の単位板８０ａ，８０ｂがボルト・ナット８５により互いに締結固定されることにより構成されている。一方側の単位板８０ａには、上記突起８６に対応するピッチで前後方向に複数のＶ溝が形成されており、両単位板８０ａ，８０ｂが締結固定されると、上記Ｖ溝により取付孔８１が形成されるようになっている。なお、当実施形態では、図６に示すように取付孔８１は三角形断面の孔とされており、明確に示していないが突起８６はこの取付孔８１に嵌入可能なように三角柱状に形成されている。
【００３８】
以上は、中央ガイド６６の構成であるが、上記左ガイド６２及び右ガイド６４も、基本的には中央ガイド６６と同様にフレーム７２，７６と、これらフレーム７２，７６の上端部に装着される支持部材７４，７８とから構成されており、従って、その詳しい説明は省略する。
【００３９】
上記基板保持部５４では、基板Ｗを直接支持する部分、つまり各ガイド６２，６４，６６の支持部材７４，７８，８２が樹脂材料から構成され、その他の部分（本発明の保持具本体に相当する部分）、具体的には、背板６０、各ガイド６２，６４，６６のフレーム７２，７６，８０及びエンドプレート６８が石英を材料として構成されている。
【００４０】
支持部材７４，７８，８２の材料は、この基板処理装置１０により処理すべき基板Ｗ（半導体基板）よりも硬度の低い材料が用いられており、当実施の形態では、デュロメータ硬さＤ９０以下の材料、具体的には、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体；デュロメータ硬さＤ６０）又はＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン；デュロメータ硬さＤ５５）が適用されている。なお、デュロメータ硬さとは、ＡＳＴＭ（アメリカ材料試験協会）試験法Ｄ１７０６により測定した硬さをいうものである。
【００４１】
以上のように構成された上記の基板処理装置１０によると、基板Ｗは、カセットＣに収納された状態で上記カセット搬入出ステージ１２の搬入部３０に搬入され、カセット搬送ロボット１４によりカセットＣと一体に基板移載部１６に搬送される。そして、ここでカセットＣの上部に基板Ｗが取り出されて基板搬送ロボット１８に受け渡された後、基板処理部２０に搬送され、基板処理部２０の最初の処理槽４６に対応するリフタ４８に受け渡される。具体的には、基板搬送ロボット１８がリフタ４８の上方にセットされてからリフタ４８が上昇し、これにより基板Ｗをリフタ４８で下方から支持した後、基板搬送ロボット１８の基板チャック４２，４４が開放される。これにより基板Ｗがリフタ４８へと受け渡される。
【００４２】
基板Ｗが受け渡されると、リフタ４８が下降して基板Ｗが処理槽４６に貯留された処理液に浸漬され、これにより基板Ｗに対して当該処理液による処理が施される。そして、最初の処理槽４６での処理が終了すると、上記基板搬送ロボット１８により次の処理槽４６のリフタ４８に基板Ｗが受け渡され、その処理槽４６での処理が終了するとさらに基板搬送ロボット１８により次の処理槽４６のリフタ４８に基板Ｗが受け渡されて順次処理が行われる。
【００４３】
こうして全ての処理槽４６での処理が終了すると、基板搬送ロボット１８により基板Ｗが基板乾燥部２２に搬送される。次に、ここで乾燥処理が施された後、基板搬送ロボット１８により基板移載部１６にセットされたカセットＣの上方に基板Ｗが搬送されてカセットＣ内に収納される。そして、カセット搬送ロボット１４によりカセットＣと一体に搬出部３２に搬送される。こうして基板処理装置１０による一連の基板Ｗの処理が終了する。
【００４４】
このような一連の処理動作において、上記基板処理装置１０では、基板処理部２０における各リフタ４８の基板保持部５４を上述のように構成しているため次のような作用効果を得ることができる。
【００４５】
すなわち、上記基板保持部５４では、基板Ｗを直接支持する部分、つまり支持部材７４，７８，８２が基板Ｗよりも硬度の低い樹脂材料から構成されているため、基板Ｗを支持する際に支持部材７４等と基板Ｗとが擦れても、従来のようにパーティクルが発生したり、基板Ｗにクラックが生じることが殆どない。
【００４６】
また、基板保持部５４の大部分は石英から構成され、上記のように基板Ｗを支持する部分（支持部材７４，７８，８２）だけが樹脂材料により構成されているため、基板保持部５４の全体を樹脂材料により構成する場合に比べると基板Ｗを支持する部分の熱膨張による変形が極めて小さく、上記のように基板Ｗと一体に基板保持部５４３を高温の処理液に浸漬させても、各保持溝８４に生じるピッチの変動は無視できる程に極めて小さい。しかも、上述のように各支持部材７４，７８，８２がフレーム７２，７６，８０に対してその前後方向における複数箇所で固定されていることにより保持溝８４のピッチ変動が効果的に防止される。すなわち、各支持部材７４，７８，８２の固定箇所、つまり取付孔８１に突起８６が嵌入されている箇所では、各支持部材７４，７８，８２がフレーム７２，７６，８０に拘束されるため熱膨張による変形が生じにくい。そのため、このような拘束箇所が前後方向複数箇所に設けられている上記各支持部材７４，７８，８２では、各支持部材７４，７８，８２の前後方向の変形が生じにくく、これにより保持溝８４のピッチ変動が防止されることとなる。
【００４７】
従って、上記基板処理部２０による基板Ｗの処理に際しては、基板Ｗの擦れによるパーティクルの発生、あるいは基板Ｗのクラックを効果的に防止することができ、しかも、基板Ｗを高温の処理液に浸漬させる場合でも、支持した基板Ｗの間隔を適切に保つことができる。そのため、基板Ｗの間隔の変動による処理品質の劣化を有効に防止することができ、また、リフタ４８と基板搬送ロボット１８との間の基板Ｗの受渡しを良好に行うことができる。
【００４８】
なお、以上説明した基板処理装置１０は、本発明に係る基板処理装置の一の実施の形態であって、基板処理装置１０および上記基板保持部５４の具体的な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００４９】
例えば、上記実施の形態の基板保持部５４では、支持部材８２全体を一体形成しているが、支持部材８２を、その長手方向に複数に分離可能な構造とし、各分離体（単位部材）に突起８６を設けるようにしてもよい。このように支持部材８２を細部化した構造とすれば、支持部材８２を一体形成する場合に比べて支持部材８２全体の熱膨張による変形が小さくなるため、保持溝８４のピッチ変動をより効果的に防止することができる。なお、このように支持部材８２に保持溝８４を形成する構成においては、保持溝８４の底部の肉厚（図５に符号ｈを符して示す）を十分に薄く形成するのが望ましい。このようにすれば、支持部材８２が膨脹した際には保持溝８４の側壁部分が溝内に迫り出すこととなり、これにより支持部材８２の長手方向への変形が抑えられて保持溝８４にピッチ変動が起きにくくなる。
【００５０】
また、上記支持部材８２の構成に代えて、例えば、図７に示すように、ＰＦＡ又はＰＴＦＥ等の樹脂材料からなる円錐状のガイド片８８をフレーム７２，７６，８０の上端部に一列に並べて装着し、隣設されるガイド片８８により基板Ｗを保持するための保持溝８９（図８参照）を形成するような支持部材の構成を採用してもよい。この場合には、例えば、図８に示すように上記ガイド片８８の下方に軸体８８ａを一体に形成し、この軸体８８ａをフレーム８０等の上記取付孔８１に嵌入させることによりガイド片８８をフレーム８０等に固定するようにすればよい。この場合、同図に示すように軸体８８ａを取付孔８１に貫通させて裏側からフレーム８０等に溶着するようにしてもよい。このような構成によれば、各ガイド片８８の位置が完全に拘束されるので各ガイド片８８が熱膨張しても保持溝８９のピッチが変動することがなく、基板Ｗの間隔を適切に保つことができる。なお、ガイド片８８は、上記のような円錐状のものに限られず、基板Ｗを良好に保持できるように適宜形状を選定すればよい。
【００５１】
ところで、上記の基板処理装置１０では、本発明に係る基板保持具の構成を基板処理部２０のリフタ４８に適用しているが、基板搬送ロボット１８の基板チャック４２，４４や基板移載部１６の基板出入れ部材についても本発明に係る基板保持具の構成を採用することができる。
【００５２】
また、この種の基板処理装置においては、基板Ｗを処理用カセットに収納し、この処理用カセットと一体に基板Ｗを処理液に浸漬させて処理する装置も存在しており、このような装置では、処理用カセットに本発明に係る基板保持具の構成を採用するようにしてもよい。この場合には、図９に示すように、石英から構成される上部開口を有した箱型のケース本体９０を設け、その内部に樹脂材料から構成されるガイド片９２を一定の間隔で取付け、ケース９０の内部に、隣設されるガイド片９２により基板Ｗを保持するための保持溝９３を形成するようにすればよい。この場合、ガイド片９２には、図１０に示すように、取付用の突起９４を突設するとともに、ケース本体９０に取付け用の貫通孔９１を形成しておき、上記突起９４を貫通孔９１に貫通させて反対側から溶着することによりガイド片９２をケース本体９０に取付けるようにすればよい。このような構成によれば、処理用カセットに基板Ｗを収納して処理液に浸漬させる場合にも、処理用カセットと基板Ｗとが擦れてパーティクルが発生したり、あるいは基板Ｗにクラックが発生するようなことがなく、また、処理用カセットからの基板の出入れも良好に行うことができる。つまり、本発明に係る基板保持具の構成は、基板Ｗを保持する種々の部分に適用することが可能である。
【００５３】
なお、上記実施の形態では、支持部材７４，７８，８２をＰＦＡ又はＰＴＦＥを材料として構成しているが、勿論、基板Ｗより硬度の低い樹脂材料であって、上記耐薬品性等の条件を満たせばこれ以外の樹脂材料を用いて構成することも可能である。この場合、上記実施の形態では基板Ｗとして半導体基板を処理するためデュロメータ硬さＤ９０以下の樹脂材料を用いるのが望ましい。なお、基板Ｗが半導体基板以外の基板である場合には、支持部材７４，７８，８２を構成する樹脂材料は、その基板の材質に応じ、基板より低い硬度の樹脂材料であって処理内容に応じた緒条件を満たす範囲で適宜選定するようにすればよい。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の基板保持具は、基板を支持する支持部材が、支持ずべき基板より硬度の低い樹脂材料から構成されているため、基板がその支持部分と擦れパーティクルが発生したり、基板にクラックが生じることが殆どない。また、基板を支持する部分だけを樹脂材料により構成することが可能なため、そのような構成とすれば基板保持具全体を樹脂材料から構成する場合に比べて基板を支持する部分の熱膨張による変形が小さくなる。しかも、支持部材は、基板の配列方向における一乃至複数箇所で保持具本体に固定され、これにより上記配列方向への支持部材の変形が阻止されるようになっているため、支持部材に形成されたガイド部の熱膨張による変位が良好に防止される。そのため、基板保持具と一体に基板を高温の処理液等に浸漬させるような場合でも基板の配列が良好に維持され、基板の間隔の変動等による処理品質の劣化が防止される。また、基板の受渡しも良好に行うことができる。
【００５５】
上記のような基板保持具において、特に、ガイド部による基板の配列方向に分離可能な複数の単位部材から支持部材を構成すれば、支持部材全体を一体形成した場合に比べて支持部材の熱膨張による変形が小さくなるため、ガイド部の変位をより効果的に防止することができる。また、一列に配設される複数のガイド片から支持部材を構成するとともに、隣合う一対のガイド片により上記ガイド部を形成するようにしても、同様に支持部材が細分化された構成となり、ガイド部の変位を効果的に防止することができる。
【００５７】
なお、ガイド部が溝からなり、基板を起立姿勢で、かつ隣合う基板同士が互いに平行となるように配列する基板保持具では、基板の間隔を適切に保つことが処理品質を確保する等の上で重要となる。そのため、このような構成を有する基板保持具に上記各構成を採用するのが有効である。
【００５８】
なお、上記の構成においては、保持具本体を石英又は炭化ケイ素を材料として構成し、また、支持部材をデュロメータ硬さＤ９０以下の材料、具体的は、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体又はポリテトラフルオロエチレンを材料として構成すれば良好な結果を得ることができる。
【００５９】
一方、本発明の基板処理装置は、上記の基板保持具と、この基板保持具に保持された基板に処理液を供給する処理液供給手段と、上記基板保持具との間で基板の受渡しを行う受渡し手段とを備えているので、基板保持具に保持した基板がその支持部分と擦れてもパーティクルが発生したり、基板にクラックが生じることが殆どない。その上、高温の処理液を基板に供給して処理を施す場合でも、基板保持具により保持された基板の間隔を適切に保持することができるので、処理中の基板の間隔の変動による処理品質の劣化を未然に防止でき、また、基板保持具と受渡し手段との間の基板の受渡しも良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の一の実施の形態を示す斜視図である。
【図２】リフタに適用される基板保持部の構成を示す斜視図である。
【図３】基板保持部を示す図２のＡ矢視図（一部断面図）である。
【図４】中央ガイドを示す図３のＢ矢視図である。
【図５】中央ガイドを示す図４のＣ−Ｃ断面図である。
【図６】中央ガイドを示す図５のＤ−Ｄ断面図である。
【図７】基板保持部の他の構成を示す斜視図である。
【図８】図７に示す基板保持部の中央ガイドを示す断面図である。
【図９】本発明に係る基板保持具の構成を処理用カセットに適用した例を示す斜視図である。
【図１０】ガイド片の取付け構造を示す処理用カセットの断面図である。
【符号の説明】
１０  基板処理装置
１８  基板搬送ロボット
２０  基板処理部
４６  処理槽
４８  リフタ
５０  昇降軸
５２  ヘッド部
６０  背板
６２  左ガイド
６４  右ガイド
６６  中央ガイド
６８  エンドプレート
７２，７６，８０  支持部材
７４，７８，８２  ガイド部材
８４  保持溝
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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