(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素として少なくともＭｇ、Ｌａ、Ｔｉを含有する複合酸化物であって、これらのモル比による組成式をｘＭｇＯ・ｙＬａ２Ｏ３・ｚＴｉＯ２と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚを示す三元図において、下記点ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−ａで囲まれた多角形の範囲（線分含む）内にあるとともに、Ｌａ４Ｔｉ９Ｏ２４、ＭｇＴｉ２Ｏ５及びＬａ０．６６ＴｉＯ２．９９３のうち少なくとも一種を主結晶相とする主成分と、重量比による組成式をｌＢ２Ｏ３・ｍＡ２Ｏ・ｎＳｉＯ２・ｏＲＯと表した時、前記ｌ、ｍ、ｎ、およびｏが、
４０≦ｌ≦９０
８≦ｍ≦２０
１≦ｎ≦２０
１≦ｏ≦２０
ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＝１００
Ａ：アルカリ金属のうち少なくとも一種
Ｒ：アルカリ土類金属のうち少なくとも一種
である粒界相形成成分とからなり、前記主成分１００重量部に対して、前記粒界相形成成分が５〜３０重量部であることを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物。
点ａ（ｘ＝３５．５，ｙ＝０．５，ｚ＝６４．０）
点ｂ（ｘ＝１６．０，ｙ＝１６．０，ｚ＝６８．０）
点ｃ（ｘ＝１．０，ｙ＝２０．０，ｚ＝７９．０）
点ｄ（ｘ＝０．５，ｙ＝１４．５，ｚ＝８５．０）
点ｅ（ｘ＝２７．５，ｙ＝０．５，ｚ＝７２．０）
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
【請求項２】
前記粒界相形成成分のＲがＢａであることを特徴とする請求項１記載の高周波用誘電体磁器組成物。
【請求項３】
誘電体層を複数積層して成る基体の内部及び表面に、Ａｇ及び／またはＣｕを主成分とする導体を有する積層部品であって、前記誘電体層が請求項１又は２に記載の高周波用誘電体磁器組成物からなることを特徴とする積層部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ波、ミリ波等の高周波領域において、高いＱ値を有する高周波用誘電体磁器および積層体に関するものであり、例えばマイクロ波やミリ波などの高周波領域において使用される種々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波路用材料、積層型セラミックコンデンサの誘電体層等に用いることができる高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、誘電体磁器は、マイクロ波やミリ波等の高周波領域において誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電体基板や導波路等に広く利用されている。そして、近年においては、携帯電話をはじめとする移動体通信等の発達および普及に伴い、電子回路基板や電子部品の材料として、誘電体セラミックスの需要が増大しつつある。
【０００３】
電子回路基板や電子部品において、誘電体セラミックスと内部導体を同時焼成するに際しては、従来の誘電体セラミックスの焼成温度が１１００℃以上という高温であったため、導体材料としては、比較的高融点であるＰｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｍｏ等が使用されていた。これら高融点の導体材料は導通抵抗が大きいため、従来の電子回路基板において、共振回路やインダクタンスのＱ値が小さくなってしまい、導体線路の伝送損失が大きくなる等の問題があった。
【０００４】
そこで、このような問題点を解決すべく、導通抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等と同時焼成可能な低温焼成の誘電体セラミックスが提案されている。例えば、本出願人が先に出願した特開平８−２０８３３０号公報に開示された誘電体磁器組成物は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＴｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 からなるものであり、９００〜１０５０℃の比較的低温でＡｇ、Ｃｕ等の内部導体と同時に焼成でき、誘電体磁器の比誘電率εｒが１８以上、測定周波数７ＧＨｚでのＱ値が２０００以上、かつ共振周波数の温度係数τｆが±４０ｐｐｍ／℃以内の優れた特性を有し、高周波電子部品の小型化と高性能化を実現できるものであった。
【０００５】
また、特開平９−３１５８５９号公報に開示された誘電体磁器組成物はＣａＯ、ＺｒＯ2 とＢ2 Ｏ3 、アルカリ金属化合物からなり、１２００℃以下の比較的低温で焼成できるものであった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平８−２０８３３０号公報に開示された誘電体磁器組成物では焼結温度がまだ高く、さらに焼結における収縮開始温度が８４５〜９６０℃と高温であるため、導体材料との収縮挙動のマッチングが悪く、焼成された基板や電子部品が反る、歪む等の問題があった。
【０００７】
また、特開平９−３１５８５９号公報に開示された誘電体磁器組成物も同様の問題があった。
【０００８】
即ち、導体としては、Ａｇおよび／またはＣｕを主成分とするもの、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、あるいはＡｇ、Ｃｕに対してガラス成分やセラミック成分、Ｐｔ、Ｐｄ等の金属を添加したものがあるが、これらの導体は、焼成時における収縮開始温度が高くとも６５０℃程度であるため、上記誘電体磁器組成物の収縮開始温度との差が大きく、これにより、基板等が変形する等の問題があった。
【０００９】
本発明は上記課題に鑑みなされたもので、収縮開始温度を低くして、導体の収縮開始温度に近づけることができ、ＡｇやＣｕを主成分とする導体と同時焼成した場合でも反りや歪みを抑制できる高周波用誘電体磁器および積層体を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の高周波用誘電体磁器は、金属元素として少なくともＭｇ、Ｌａ、Ｔｉを含有する複合酸化物であって、これらのモル比による組成式をｘＭｇＯ・ｙＬａ２Ｏ３・ｚＴｉＯ２と表した時、前記ｘ、ｙ、ｚが下記点ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−ａで囲まれる範囲内にあるとともにＬａ４Ｔｉ９Ｏ２４、ＭｇＴｉ２Ｏ５及びＬａ０．６６ＴｉＯ２．９９３のうち少なくとも一種を主結晶相とする主成分と、重量比による組成式をｌＢ２Ｏ３・ｍＡ２Ｏ・ｎＳｉＯ２・ｏＲＯと表した時、前記ｌ、ｍ、ｎ、およびｏが、
４０≦ｌ≦９０
８≦ｍ≦２０
１≦ｎ≦２０
１≦ｏ≦２０
ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＝１００
Ａ：アルカリ金属のうち少なくとも一種
Ｒ：アルカリ土類金属のうち少なくとも一種
からなる粒界相形成成分とからなり、前記主成分１００重量部に対して、前記粒界相形成成分が５〜３０重量部である。ここで、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、
点ａ（ｘ＝３５．５，ｙ＝０．５，ｚ＝６４．０）
点ｂ（ｘ＝１６．０，ｙ＝１６．０，ｚ＝６８．０）
点ｃ（ｘ＝１．０，ｙ＝２０．０，ｚ＝７９．０）
点ｄ（ｘ＝０．５，ｙ＝１４．５，ｚ＝８５．０）
点ｅ（ｘ＝２７．５，ｙ＝０．５，ｚ＝７２．０）
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００
である。このような高周波用誘電体磁器において、Ｑ値とその測定周波数との積で表されるＱｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上であることが望ましい。
主成分１００重量部に対して、ことを特徴とする高周波用誘電体磁器組成物。
【００１１】
また、ＲはＢａが望ましい。
【００１２】
また、誘電体層を複数積層して成る基体の内部及び表面に、Ａｇ及び／またはＣｕを主成分とする導体を有する積層部品であって、前記誘電体層が上述の高周波用誘電体磁器組成物からなる積層部品である。
【００１３】
【作用】
本発明の高周波用誘電体磁器は、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する粒界相形成成分により、セラミックフィラー自体の誘電特性をそれほど劣化させることなく、９４０℃以下の焼成温度で焼成できるとともに、収縮開始温度を８３０℃以下とすることができ、Ａｇ、Ｃｕ等の内部導体と同時焼成しても、基板の焼結挙動とＡｇ、Ｃｕ等の内部導体との焼成挙動を近似させることができ、基板の反りを防止できるものとなる。
【００１４】
さらに、Ｑ値とその測定周波数との積で表される磁器のＱｆ値が１５０００〔ＧＨｚ〕以上となり、共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波路用材料、積層型セラミックコンデンサの誘電体層等に好適に用いることができる。
【００１５】
また、粒界相形成成分が、重量比による組成式をｌＢ2 Ｏ3 ・ｍＡ2 Ｏ・ｎＳｉＯ2 ・ｏＲＯ（Ａはアルカリ金属のうち少なくとも一種、Ｒはアルカリ土類金属のうち少なくとも一種）と表した時、ｌ、ｍ、ｎおよびｏが、４０≦ｌ≦９０、８≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦２０、１≦ｏ≦２０、ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＝１００を満足することにより、９２０℃以下の焼成温度で焼成できるとともに、焼成収縮開始温度を８３０℃以下にすることができ、Ａｇおよび／またはＣｕを主成分とする導体の収縮開始温度に近づけることができ、Ａｇ、Ｃｕを主成分とする導体と同時焼成した場合でも、基板や電子部品の反りや歪み等の発生を抑制することができ、さらに、Ｑｆ値が２００００（ＧＨｚ）以上となる。
【００１６】
また，積層部品において、上述の誘電体磁器組成物では、９４０℃以下の比較的低温で焼成することができるため、内部または表面の導体にＡｇやＣｕなどの導電率が優れ、高周波特性に優れた導体材料を用いることができ、しかも、一体的に焼成処理しても焼結挙動を近似させることができるため、基体にソリなどを発生させることなく積層部品が達成できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層部品を図面に基づいて詳説する。
【００１８】
図１は、本発明にかかる積層部品の断面図を示すものであり、例えば、トリプレート型積層共振部品を例に示す。図中、１ａ〜１ｄは高周波用誘電体磁器（単に誘電体層という）であり、この誘電体層１ａ〜１ｄから成る積層体（基体）１の内部に内部導体２が、表面に表面導体３が形成されている。
【００１９】
誘電体層１ａ〜１ｄは、金属元素として少なくともＭｇ、Ｌａ、Ｔｉを含有する複合酸化物であって、Ｌａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ2 Ｏ5 及びＬａ0.66ＴｉＯ2.993 のうち少なくとも一種を主結晶相とする主成分と、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する粒界相形成成分とからなる誘電体磁器である。
【００２０】
内部導体２は、ＡｇまたはＣｕを主成分とする導体膜からなり、誘電体層１ａ〜１ｄとの間及び誘電体層１ａ〜１ｄの厚みを貫く方向に内部導体２が形成されている。例えば、共振部品において、誘電体層１ｂと１ｃとの層間には、マイクロストリップ線路として動作し、その一端（短絡端）は誘電体層１ａと１ｂとの層間及び１ｃと１ｄとの層間に形成されたグランド電位となる導体膜にビアホール導体によって互いに接続されている。また、マイクロストリップ線路の他端及びグランド電位の導体膜はそれぞれビアホール導体を介して基体１の表面に導出されている。ここで、ストリップ線路、グランド電位の導体膜及びビアホール導体は、誘電体層１ａ〜１ｄと一体的に焼成される内部導体２と言え、そのほかに所定配線網を形成する導体として用いることもできる。
【００２１】
外部導体３は、ＡｇまたはＣｕを主成分とする導体膜からなり、基体１の表面に例えば上述のビアホール導体と導通するように形成された導体膜である。このように内部導体２と接続する導体以外に、端子電極となる導体、所定配線網を形成する配線パターンにも用いることができる。なお、この外部導体３は、好ましくは内部導体２と同様の材料を用い、基体と一体的に焼成することが望ましいが、内部導体２を有する基体１に、別焼成で外部導体３を焼き付け処理しても構わない。
【００２２】
上述の誘電体層１ａ〜１ｄは、例えば共振器として高周波特性、例えばＱｆ値が求められるとともに、構造的には少なくともＡｇやＣｕを主成分とする内部導体２と一体的に焼成処理することから、誘電体層の焼成温度がＡｇやＣｕの融点以下の例えば９４０℃以下で焼成でき、しかも、焼結挙動を合わせるために、誘電体層１ａ〜１ｄの焼結開始温度（収縮開始温度）が８３０℃以下とすることが重要となる。
【００２３】
誘電体層１ａ〜１ｄは、金属元素として少なくともＭｇ、Ｌａ、Ｔｉを含有する複合酸化物であって、これらのモル比による組成式をｘＭｇＯ・ｙＬａ2 Ｏ3 ・ｚＴｉＯ3 と表した時、図２の各モル比率であるｘ、ｙ、ｚの関係を示す三元図中の点ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−ａで囲まれる範囲（線分含む）内とすることが重要であり、Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する粒界相形成成分５〜３０重量部とから成ることが重要である。ここで、点ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅとは、各モル比率が点ａ（ｘ＝35.5，ｙ＝0.5 ，ｚ＝64.0）、点ｂ（ｘ＝16.0，ｙ＝16.0，ｚ＝68.0），点ｃ（ｘ＝ 1.0，ｙ＝20.0，ｚ＝79.0）、点ｄ（ｘ＝ 0.5，ｙ＝ 14.5 ，ｚ＝85.0）、点ｅ（ｘ＝27.5，ｙ＝ 0.5，ｚ＝72.0）としている。
【００２４】
これは、焼成後、Ｌａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ2 Ｏ5 及びＬａ0.66ＴｉＯ2.993 のうち少なくとも一種を主結晶相を形成されるためである。
【００２５】
このように、図２の３元図中の点ａ−ｂ−ｃ−ｄ−ｅ−ａで囲まれる多角形の領域（線分含む）では、良好のＱｆ値が得られる。
【００２６】
さらに、この領域に含まれるｆ−ｇ−ｈ−ｉ−ｊ−ｋ−ｆで領域、点ｆ（ｘ＝34.0，ｙ＝1.0 ，ｚ＝65.0）、点ｇ（ｘ＝28.7，ｙ＝ 5.3，ｚ＝65.9）、点ｈ（ｘ＝23.4，ｙ＝ 7.9，ｚ＝68.7）、点ｉ（ｘ＝17.2，ｙ＝10.3，ｚ＝72.5）、点ｊ（ｘ＝12.2，ｙ＝11.5，ｚ＝76.3）、点ｋ（ｘ＝29.7，ｙ＝ 2.0，ｚ＝68.3）内の組成では、共振周波数の温度係数τｆが±５０ｐｐｍ／℃内となり、図１に示す共振器のような高周波部品において、温度に対して特性が非常に安定することから好適である。
【００２７】
Ｂ、アルカリ金属、Ｓｉおよびアルカリ土類金属を含有する粒界相形成成分を用いたのは、これらの成分を用いることにより、焼成温度を９４０℃以下とすることができるとともに、焼成収縮開始温度を８３０℃以下とでき、Ｑｆ値を１５０００〔ＧＨｚ〕以上とすることができるからである。
【００２８】
粒界相形成成分量を、低損失セラミックフィラー１００重量部に対して５〜３０重量部としたのは、５重量部未満の場合には、焼成温度を低下させる効果が小さく、ＡｇまたはＣｕを主成分とする導体と同時焼成ができなくなり、逆に３０重量部を越える場合には、Ｑｆ値が低下してしまう。上記理由から、粒界相形成成分量は、主成分１００重量部に対して１０〜２０重量部が望ましい。
【００２９】
粒界相形成成分としては、重量比による組成式をｌＢ２Ｏ３・ｍＡ２Ｏ・ｎＳｉＯ２・ｏＲＯ（Ａはアルカリ金属の少なくとも一種、Ｒはアルカリ土類金属の少なくとも一種）と表した時、ｌ、ｍ、ｎおよびｏが、４０≦ｌ≦９０、８≦ｍ≦２０、１≦ｎ≦２０、１≦ｏ≦２０、ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＝１００を満足することが重要である。
【００３０】
ここで、Ｂ2 Ｏ3 量ｌを４０≦ｌ≦９０としたのは、ｌが４０重量％未満の場合は焼成温度を低下させる効果が小さく、融点が１０００℃前後のＡｇまたはＣｕを主成分とする導体と同時焼成が困難になる。逆に９０重量％を越える場合には、焼結体中のガラス相の割合が増加してＱｆ値が低下するからである。よって、焼結性を維持し、高いＱｆ値を得るという観点から５０≦ｌ≦７０重量％が望ましい。
【００３１】
また、Ａ2 Ｏ量ｍを８≦ｍ≦２０重量％としたのは、ｍが８重量％未満の場合には、焼成温度を低下させる効果が小さく、ＡｇまたはＣｕを主成分とする導体と同時焼成が困難になる。逆に２０重量％を越える場合には、結晶相が変化してＱｆ値が低下するからである。誘電体磁器のＱｆ値の観点から１２≦ｍ≦２０重量％が望ましい。ここで、Ａはアルカリ金属のうち少なくとも一種であり、アルカリ金属としてはＬｉ、Ｎａ、Ｋがあるが、特にＬｉが望ましい。
【００３２】
さらに、ＳｉＯ2 量ｎを１≦ｎ≦２０重量％としたのは、ｎが１重量％未満の場合には誘電体磁器の焼結過程における収縮開始温度が８３０℃よりも高くなり、導体の焼結挙動と近似させることが困難となり、基板の反りなどが発生し易い。一方、２０重量％を越えると誘電体磁器のＱｆ値が低下するからである。誘電体磁器のＱｆ値の観点からは、ｃは５≦ｎ≦１５重量％が望ましい。
【００３３】
さらにまた、ＲＯ量ｏを１≦ｏ≦２０重量％としたのは、ｏが１重量％未満の場合には誘電体磁器の焼結過程における収縮開始温度が８３０℃よりも高くなり、導体の焼結挙動と近似させることが困難となり、基板の反りなどが発生し易い。一方、２０重量％を越えると誘電体磁器のＱｆ値が低下するからである。とりわけ誘電体磁器の焼結性とＱｆ値の観点からはｄは、５≦ｏ≦１５重量％が好ましい。ここで、Ｒはアルカリ土類金属のうち少なくとも一種であり、アルカリ土類金属としてはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等があるが、Ｑｆ値の観点からこのうちＢａが望ましい。
【００３４】
本発明の高周波用誘電体磁器組成物は、原料粉末として、ＭｇＣＯ3 粉末、Ｌａ2 Ｏ3 粉末、ＴｉＯ2 粉末を所定量秤量し、該原料粉末をＺｒＯ2 等のボールにより混合、粉砕した後、該混合物を乾燥し、次いで該乾燥物を大気中等の酸化性雰囲気において９５０〜１２００℃で１〜４時間仮焼する。
【００３５】
得られた仮焼粉に、例えばＢ2 Ｏ3 粉末、Ｌｉ2 ＣＯ3 粉末、ＳｉＯ2 粉末、さらにアルカリ土類金属含有化合物（炭酸塩、水酸化物等）粉末を所定量秤量添加し、ＺｒＯ2 ボールにより混合・粉砕し、この混合粉末を６５０〜８５０℃で仮焼した後、再度ＺｒＯ2 ボールにより粉砕粒径が２．５μｍ以下になるまで粉砕、乾燥して得た粉末を、プレス成形やドクターブレード法等の公知の方法により所定形状に成形し、大気中または酸素雰囲気中または窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気において９４０℃以下、特に８７０〜９２０℃で０．５〜２時間焼成することにより得られる。原料粉末は、焼成により酸化物を生成する水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用いても良い。
【００３６】
アルカリ土類金属は、Ｂ、Ｌｉ、Ｓｉを含むガラスフリットとして添加することが焼結性向上の点から望ましい。この場合には、Ｂ、Ｌｉ、Ｓｉ量は、ガラスフリットに含有される量と、粉末として添加される量の合計量となる。
【００３７】
こうして得られる誘電体磁器には、ＴｉＯ2 、Ｌａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ2 Ｏ5 、Ｌａ0.66ＴｉＯ2.993 、Ｌａ2 Ｔｉ2 Ｏ7 の５つの結晶相のうち少なくとも１相を含む結晶が生成されるが、これらの結晶相のうちＬａ4 Ｔｉ9 Ｏ24、ＭｇＴｉ2 Ｏ5 或いはＬａ0.66ＴｉＯ2.993 が主結晶相として存在することが望ましい。
【００３８】
本発明の高周波用誘電体磁器では、ＭｎＯ2 を添加含有してもよく、原料の混合粉砕工程等の製造過程で、Ａｌ等が混入したり、原料の不可避不純物として、Ａｌ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｓｎ等が含まれることもある。
【００３９】
【実施例】
実施例１
先ず、純度９９％以上のＭｇＣＯ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 の各原料粉末を表１に示す割合で秤量し、該原料粉末に媒体として純水を加えてＺｒＯ2 ボールを用いたボールミルにて２０時間粉砕・混合した後、該混合物を乾燥し、次いで乾燥物を大気中で１１５０℃の温度で３時間仮焼した。
【００４０】
得られた仮焼物と純度９９％以上のＢ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 、Ｎａ2 ＣＯ3 、Ｋ2 ＣＯ3 、ＳｉＯ2 粉末、さらにアルカリ土類金属含有化合物として炭酸塩粉末を用い、表１に示す割合となるように秤量し、純水を媒体とし、ＺｒＯ2 ボールを用いたボ−ルミルにて２０時間湿式混合した。次にこの混合物を乾燥し、８００℃で１時間仮焼した。この仮焼物を、粉砕粒径が１．０μｍ以下になるように粉砕し、誘電特性評価用の試料として直径約１０ｍｍ高さ約８ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力でプレス成形し、これを表１に示す温度で２時間焼成し、直径約８ｍｍ、高さ約６ｍｍの円柱状の試料を得た。この際、熱収縮の測定により、収縮開始温度を測定した。
【００４１】
誘電特性の評価は、前記円柱試料の両端面を平面研削した後、誘電体円柱共振器法にて周波数４〜１０ＧＨｚにおける比誘電率とＱ値を測定した。Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表されるＱｆ値を表１に記載した。
【００４２】
尚、共振周波数の温度係数τｆは、２５℃での共振周波数を基準にして−４０℃および＋８５℃における共振周波数の温度係数τｆを算出した結果、すべての試料の共振周波数の温度係数τｆが±１７０〔ｐｐｍ／℃〕の範囲内であった。
【００４３】
また、図２中、点ｆ−ｇ−ｈ−ｉ−ｊ−ｋ−ｆで囲まれる組成範囲では、共振周波数の温度係数τｆが±５０ｐｐｍ／℃内の優れた特性が得られた。
【００４４】
【表１】
0003905993.tif 000002
【００４５】
この表１から、本発明の誘電体磁器は、比誘電率が１９〜５２、Ｑｆ値が２００００〔ＧＨｚ〕以上の優れた誘電特性を有するとともに、７７０〜８３０℃で焼結収縮が開始し、９２０℃以下で焼成が可能な優れた焼結性を有していることが判る。
【００４７】
尚、アルカリ金属としては、試料番号８でＫを、試料番号１０でＮａを用い、その他はＬｉを用いた。また、アルカリ土類金属としては、試料番号４０でＢａを、試料番号４１でＳｒを用い、その他ではＢａとＣａを用いた。この際ＢａＯとＣａＯの重量比を１：１とした。特に、試料番号４０（Ｂａ）と試料番号１８、４１（Ｓｒ）との比較より、アルカリ土類金属にＢａのみを用いた場合、Ｑｆ値が３００００〔ＧＨｚ〕と非常に良好な値が得られる。
【００４８】
図２中の多角形の線分ａ−ｂの外の試料（試料番号２１、２２）あるいは、線分ｃ−ｄの外の試料（試料番号２３）では、Ｑ値の低い結晶相であるＬａ２Ｔｉ２Ｏ７が形成されてしまい、その結果、Ｑｆ値が２５００、５０００、５０００〔ＧＨｚ〕と非常に低下してしまう。
【００４９】
また、図２中の多角形の線分ｄ−ｅの外の試料（試料番号２５、２６）あるいは、線分ｅ−ａの外の試料（試料番号２７）では、粒界形成成分と反応してしまい、収縮開始温度や焼結温度が高温化したり、Ｑｆ値が実用レベルに達しなくなる。
【００５０】
また、図２中、多角形ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、ｋ、ｆで囲まれる領域（試料番号１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０）では、比誘電率が２０〜３０、Ｑｆ値が２５０００〔ＧＨｚ〕以上の優れた誘電特性を有するとともに、７７０〜８００℃で焼結収縮が開始し、９００℃以下で焼成が可能な優れた焼結性を有する高周波用誘電体磁器を得ることができる。
【００５１】
上述の高周波用誘電体磁器組成物からなる誘電体層を用いて、基体１を構成し、その内部にＡｇやＣｕなどの導電率に優れた導体材料でマイクロストリップライン、容量電極などの高周波動作を行なう内部導体２を形成することができる。
【００５２】
しかも、内部導体２と誘電体層１ａ〜１ｄとを、ＡｇやＣｕの融点に達することのない焼成温度（９２０℃以下）で同時に焼成処理でき、しかも、磁器の収縮開始温度も内部導体２の導体材料の焼結反応の開始と近似させることができるため、基体１にソリが発生しない積層部品が得られる。
【００５３】
なお、外部導体３も、基体１と当然同時に焼成処理することも可能となる。
【００５４】
【発明の効果】
本発明の高周波用誘電体磁器組成物によれば、高周波領域において２００００〔ＧＨｚ〕以上のＱｆ値を有するため高周波部品や基板の小型・高性能化が実現できるとともに、焼成温度を９２０℃以下、収縮開始温度を８３０℃以下とすることが可能となる。
【００５５】
このため、ＡｇやＣｕ等の導体材料と同時に焼成でき、その際導体金属の収縮挙動のミスマッチから発生する基板の反りや歪みが抑制される積層部品となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる積層部品の一例、たとえば共振器の断面図である。
【図２】本発明の高周波用誘電体磁器組成物のｘ、ｙ、ｚの各モル比率の関係を示す三元図である。
【図１】
0003905993.tif 000003
【図２】
0003905993.tif 000004