(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
準備室内で基体層を挟持して上記基体層の中心位置の調整を棒状の基板センタリング機構により行い、上記準備室内の上記基体層の上方において、中央に１個とその周囲に配置されて光の透過又は不透過により上記基体層のレジストマスクパターンの有無を検出する複数の光学センサーにより、上記基体層のレジストマスクパターンの有無を検出し、上記基体層のレジストマスクパターン無しと検出される上記センサーの数が最も多い場所で上記センタリング機構の回転を停止し、
次いで、上記準備室内の上記基体層が、搬送アームによって、上記準備室内からロードロック室に移載され、
次いで、上記ロードロック室が大気状態から真空状態になった時点で上記搬送アームによりさらに真空処理室に上記基体層が移載されて、上記基体層は、上記真空処理室の内部の電極上に、上記真空処理室に移載された上記基体層の位相が上記準備室での上記基体層の位相と同一になるように載置され、
上記真空処理室内にガスを導入しつつ上記真空処理室内の圧力を調整しながら上記真空処理室内に載置され、かつ、プラズマ光を透過する基体層上に被エッチング層が配置されて構成される基板を載置する上記カソード電極に対向して設けられたコイルに高周波電流を流すことで上記真空処理室内にプラズマを発生させ、上記電極の中央部及び周辺部の内部でかつ上記準備室に配置された上記センサーと同じ位置にそれぞれ少なくとも１点に配置された光ファイバーにより上記プラズマ光の強度の変化量を測定して、上記基板に形成された被エッチング層のエッチング量を監視することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
ロードロック室と、
上記ロードロック室の前方にある準備室と、
上記ロードロック室の後方にある真空処理室とを備えるとともに、
上記準備室には、
基体層を挟持して上記基体層の中心位置の調整を行なう棒状の基板センタリング機構と、
上記準備室内の上記基体層の上方に配置され、中央に１個とその周囲に配置されて光の透過又は不透過により上記基体層のレジストマスクパターンの有無を検出する複数の光学センサーと、
上記準備室と上記ロードロック室と上記真空処理室との間で上記基体層を搬送する搬送アームと、
上記真空処理室は、上記真空処理室内に載置されかつ基板を載置する電極と、上記電極に対向して設けられたコイルと、上記コイルに高周波電流を流すＲＦ電源とで構成されるプラズマエッチングモニター装置として構成され、上記電極の中央部及び周辺部の内部でかつ上記準備室に配置された上記センサーと同じ位置にそれぞれ少なくとも１点に光ファイバーが配置され、上記光ファイバーにより導かれた上記プラズマ光の強度の変化量を測定する光強度変化量測定装置を備えることを特徴とするドライエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば石英ガラスなどの透明な製品基板をプラズマエッチングする際にエッチング進行状態を監視し、特にそのエッチング終点検出に適した、ドライエッチング方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プラズマエッチング装置におけるエッチング終点検出モニターは、図６に示すように、真空処理室１０１内で励起されたプラズマ１０３の発光スペクトルの変化を、真空処理室１０１の側壁に配置されたプラズマ光の検出窓１３０を介して、分光フィルター又は分光器１３１によって特定の波長の光に分離し、分離した特定の波長光を真空処理室１０１の外部の終点検出器の光受容部１３２に伝達し、伝達された発光スペクトルの変化に基づいて、終点検出器１３３でエッチング処理の終点を検出する構成となっている。なお、図６において、１０２は誘電板、１０４はＩＣＰコイル、１０５はインピーダンス整合回路、１０６はＲＦ電源、１０７はガスコントローラ、１０８はガス供給部、１０９は被エッチング物、１１０はカソード電極、１１１は排気装置、１１２は電極リング、１１３はインピーダンス整合回路、１１４はＲＦ電源、１１８はリフトピンである。
【０００３】
しかし、エッチング処理を行なうと、反応生成物などの付着物が真空処理室１０１内に生じ、その付着物が検出窓１３０の処理室側面に付着し、プラズマ光の透過性が低下して、エッチング処理の終点検出が次第に困難となっていた。
【０００４】
そこで、真空処理室の側壁に延長フランジを設置し、その先に検出窓を設置して、処理される製品基板から検出窓までの距離を離すことによって、検出窓への反応生成物などの付着量を低減し、ブラズマ光の透過性の低下を防ぐことができるようにしたものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した延長フランジを設置しても、検出窓への反応生成物などの付着が全く無くなるわけではなく、処理する製品基板の数量に限りがあった。さらに、処理した製品基板の数量が増加したり、真空処理室をウェットクリーニングした際に延長フランジの洗浄が不完全であると、これがパーティクル発生源となって、製品基板の歩留りを著しく低下させる問題があった。
【０００６】
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、エッチング処理によって付着物が真空処理室内で生成された場合でも、プラズマの発光スペクトルの光量が低下すること無く、製品基板の正確なエッチングの終点検出を行なうことが可能なドライエッチング方法及び装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
【０００８】
本発明の第１態様によれば、準備室内で基体層を挟持して上記基体層の中心位置の調整を棒状の基板センタリング機構により行い、上記準備室内の上記基体層の上方において、中央に１個とその周囲に配置されて光の透過又は不透過により上記基体層のレジストマスクパターンの有無を検出する複数の光学センサーにより、上記基体層のレジストマスクパターンの有無を検出し、上記基体層のレジストマスクパターン無しと検出される上記センサーの数が最も多い場所で上記センタリング機構の回転を停止し、
次いで、上記準備室内の上記基体層が、搬送アームによって、上記準備室内からロードロック室に移載され、
次いで、上記ロードロック室が大気状態から真空状態になった時点で上記搬送アームによりさらに真空処理室に上記基体層が移載されて、上記基体層は、上記真空処理室の内部の電極上に、上記真空処理室に移載された上記基体層の位相が上記準備室での上記基体層の位相と同一になるように載置され、
上記真空処理室内にガスを導入しつつ上記真空処理室内の圧力を調整しながら上記真空処理室内に載置され、かつ、プラズマ光を透過する基体層上に被エッチング層が配置されて構成される基板を載置する上記カソード電極に対向して設けられたコイルに高周波電流を流すことで上記真空処理室内にプラズマを発生させ、上記電極の中央部及び周辺部の内部でかつ上記準備室に配置された上記センサーと同じ位置にそれぞれ少なくとも１点に配置された光ファイバーにより上記プラズマ光の強度の変化量を測定して、上記基板に形成された被エッチング層のエッチング量を監視することを特徴とするドライエッチング方法を提供する。
本発明の第２態様によれば、
ロードロック室と、
上記ロードロック室の前方にある準備室と、
上記ロードロック室の後方にある真空処理室とを備えるとともに、
上記準備室には、
基体層を挟持して上記基体層の中心位置の調整を行なう棒状の基板センタリング機構と、
上記準備室内の上記基体層の上方に配置され、中央に１個とその周囲に配置されて光の透過又は不透過により上記基体層のレジストマスクパターンの有無を検出する複数の光学センサーと、
上記準備室と上記ロードロック室と上記真空処理室との間で上記基体層を搬送する搬送アームと、
上記真空処理室は、上記真空処理室内に載置されかつ基板を載置する電極と、上記電極に対向して設けられたコイルと、上記コイルに高周波電流を流すＲＦ電源とで構成されるプラズマエッチングモニター装置として構成され、上記電極の中央部及び周辺部の内部でかつ上記準備室に配置された上記センサーと同じ位置にそれぞれ少なくとも１点に光ファイバーが配置され、上記光ファイバーにより導かれた上記プラズマ光の強度の変化量を測定する光強度変化量測定装置を備えることを特徴とするドライエッチング装置を提供する。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２３】
図１は、本発明の第１実施形態にかかるプラズマエッチングモニター方法を実施することができるプラズマエッチングモニター装置を有するドライエッチング装置の構造を示す模式図である。
【００２４】
真空処理室１中には、３種類のガスを供給可能なガス供給部８から３個のガスコントローラ７を通して３種類の反応性ガスが導入され、排気装置１１によって適当な圧力に真空処理室１内が調整されている。真空処理室１の上部外側には、絶縁体の誘電板２を介して渦巻き状のＩＣＰコイル４が設置されている。ＩＣＰコイル４には、真空処理室１外に配置されたインピーダンス整合回路５を介してＲＦ電源６が接続されており、上記３種類の反応性ガスが真空処理室１内に導入されかつ適当な圧力に真空処理室１内が調整された状態でＲＦ電源６からインピーダンス整合回路５を介してＩＣＰコイル４に高周波電流を流すことにより、誘導結合によってプラズマ３を真空処理室１内に発生させることができる。また、真空処理室１内の下部にはカソード電極１０が設けられていて、製品基板である被エッチング物９は基体層上に被エッチング層が配置されて構成され、被エッチング物９がカソード電極１０上に載置される。カソード電極１０にも、真空処理室１外に配置されたインピーダンス整合回路１３を介してＲＦ電源１４が接続されて、ＲＦ電源１４からインピーダンス整合回路１３を介して高周波電流を流すようにしている。カソード電極１０と真空処理室１の間は絶縁性の電極リング１２で絶縁されている。
【００２５】
真空処理室１内に、ガス供給部８からガスコントローラ７を通して反応性ガスが導入され、排気装置１１によって適当な圧力に真空処理室１内が調整され、ＲＦ電源１４からカソード電極１０に高周波電流を流すとともにＲＦ電源６からＩＣＰコイル４に高周波電流を流し、誘導結合によってプラズマ３を真空処理室１内に発生させて、カソード電極１０上で被エッチング物９の被エッチング層に対するエッチングが始まると、被エッチング物９すなわち被エッチング層及び基体層を透過したプラズマ光は、カソード電極１０及び電極リング１２に設けたプラズマ光検出穴１５、例えば、カソード電極１０の中央部及び電極リング１２の中央部を貫通して設けたプラズマ光検出穴１５を通過して、真空処理室１の底部の外部に配置された分光装置１６によって分光され、分光された特定の波長の光が光センサー１７で光電変換される。光電変換された電気信号は、終点検出器を構成するコンピュータ１８で処理され、モニタしている上記分光された特定の波長の光の強度が大きく変化したとき、エッチングの終点として検出する。これらの分光装置１６、光センサー１７、コンピュータ１８とにより、上記プラズマエッチングモニター装置の光強度変化量測定装置を構成している。
【００２６】
ここで、上記特定の波長の光とは、上記被エッチング層の有無に関わらず発光強度の変化が著しく小さい特定の波長の光、又は、プラズマ中で生成されたエッチング反応種による発光波長の光を意味する。上記被エッチング層の有無に関わらず発光強度の変化が著しく小さい特定の波長の光の一例としては、以下のような光を使用することができる。
【００２７】
ここで、一般的に、プラズマの発光は、以下の様に３つに分類できる。
【００２８】
（１）被エッチング材料のエッチング反応に消費される反応種の発光
被エッチング材料がエッチングされてなくなると、消費されなくなるため、発光強度が大きくなる。
【００２９】
（２）被エッチング材料がエッチング反応種と反応して生成される反応生成物の発光
被エッチング材料がエッチングされてなくなると、発光強度は急激に小さくなる。
【００３０】
（３）被エッチング材料のエッチング反応に関与しない反応種の発光
被エッチング材料の有無に関わらず、発光強度は一定である。
【００３１】
このような３種類のプラズマの発光のうち、上記被エッチング層の有無に関わらず発光強度の変化が著しく小さい特定の波長の光とは、上記（３）に相当する光、すなわち、被エッチング材料のエッチング反応に関与しない反応種の発光を使用することができる。よって、発光強度はほとんど変化しないものであり、例えば、±３％以下の変動と思われる。
【００３２】
被エッチング物９のうちの基体層が石英ガラスなどのプラズマ光を透過する材質であり、基体層上の被エッチング層がプラズマ光を透過しない材質の場合は、始め、光センサー１７には何も検出されない。しかし、エッチングが進行し、被エッチング層がほとんど無くなると、プラズマ光が基体層を透過するため、基体層を透過したプラズマ光が、カソード電極１０及び電極リング１２に設けたプラズマ光検出穴１５を通過して、真空処理室１の底部の外部の光センサー１７によって検出される。このとき、被エッチング物９の有無に関わらず発光強度が変化しない波長の光、又は、反応性ガスがプラズマとなって発光する波長の光の強度変化を分光装置１６によって分光して光センサー１７で光電変換され、光電変換された電気信号を終点検出器１８によって検出する。こうすることにより、真空処理室１の側壁の付着物に影響されない、被エッチング物９の終点検出が可能となる。
【００３３】
また、被エッチング物９の基体層が石英ガラスなどのプラズマ光を透過する材質であり、被エッチング層がプラズマ光を透過する材質の場合は、被エッチング層がプラズマと反応して生成される反応生成物の発光波長、又は、反応性ガスがプラズマとなって発光する波長の光の強度変化を終点検出器１８によって検出することによって、真空処理室１の側壁の付着物に影響されない被エッチング層よって被エッチング物９の終点検出が可能となる。
【００３４】
上記第１実施形態のプラズマエッチングモニター方法によれば、プラズマエッチング用の真空処理室１の外部において、エッチング処理すべき製品基板９を透過するプラズマ光の強度の変化量を測定して、エッチング処理すべき製品基板９のエッチング量を監視することができるため、反応生成物等による真空処理室１の内壁の汚れの影響を受けること無く、エッチング終点検出を安定して行なうことができる。また、第１実施形態のプラズマエッチングモニター装置によれば、プラズマエッチング用の真空処理室１の外部において、エッチング処理すべき製品基板９を透過するプラズマ光の強度の変化量を測定する上記光強度変化量測定装置を備えるようにしたので、上記光強度変化量測定装置によってエッチング処理すべき製品基板９のエッチング量を監視することができ、反応生成物等による真空処理室１の内壁の汚れの影響を受けること無く、エッチング終点検出を安定して行なうことができる。
【００３５】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。
【００３６】
図２は、本発明の第２実施形態にかかるプラズマエッチングモニター方法を実施することができるプラズマエッチングモニター装置を有するドライエッチング装置の構造を示すものである。被エッチング物９の基体層を透過したプラズマ光はカソード電極１０及び電極リング１２の各中央部にそれぞれ貫通して設けたプラズマ光検出穴１５内に設置したガラスファイバーなどの光ファイバー２０を経由して、真空処理室１の外部に設置された分光装置１６に導かれる。分光装置１６に導かれたプラズマ光は、分光装置１６によって分光され、分光された特定の波長の光が光センサー１７で光電変換される。光電変換された電気信号は終点検出器１８で処理され、モニタしている上記分光された特定の波長の光の強度が大きく変化したとき、エッチングの終点として検出する。これらの光ファイバー２０、分光装置１６、光センサー１７、コンピュータ１８とにより、上記プラズマエッチングモニター装置の光強度変化量測定装置を構成している。なお、１９は、被エッチング物９の基体層をカソード電極１０から突き上げるための複数の製品基板突き上げピンの一例としてのリフトピンである。
【００３７】
上記第２実施形態によれば、光ファイバー２０をカソード電極１０及び電極リング１２にそれぞれ設けたプラズマ光検出穴１５の内部に設置することにより、各プラズマ光検出穴１５の中での異常放電を防ぐことができるとともに、分光装置１６及び光センサー１７の取付位置を真空処理室１から離すことができるため、光強度変化量測定装置のメンテナンス性を向上させることができる。
【００３８】
図３は、本発明の第３実施形態にかかるプラズマエッチングモニター方法を実施することができるプラズマエッチングモニター装置を有するドライエッチング装置の構造を示すものである。この第３実施形態が第２実施形態と異なる点は、被エッチング物９の基体層を透過したプラズマ光を分光装置１６へ導く光ファイバー２１により、基体層を交換する際に基体層をカソード電極１０から突き上げる複数のリフトピン１９のうちの少なくとも１本又は全部を構成していることである。その他は第２実施形態と同様である。
【００３９】
この第３実施形態によれば、リフトピン１９のうちの少なくとも１本を光ファイバーすなわちガラスファイバー製のリフトピン２１により構成することによって、光ファイバー２１を配置するための特別な空間をカソード電極１０及び電極リング１２の内部にそれぞれ設ける必要がなく、カソード電極１０及び電極リング１２の構造を単純にしてコストを抑えることができる。また、複数のリフトピン１９を光ファイバー２１で構成することによって、リフトピンである光ファイバー２１上に基体層のレジストマスクパターンの無い部分が配置される確率を増すことができる。
【００４０】
図４は、本発明の第４実施形態にかかるプラズマエッチングモニター方法を実施することができるプラズマエッチングモニター装置を有するドライエッチング装置の構造を示すものである。被エッチング物９の基体層を透過したプラズマ光を分光装置１６へ導く光ファイバー２０を、基体層を載せるカソード電極１０の中央部の少なくとも１点とカソード電極１０の周辺部の少なくとも１点の内部にそれぞれ配置している。複数の光ファイバー２０の後段に個別の分光装置１６及び光センサー１７をそれぞれ接続して、基体層の複数の位置でのエッチング状況を１つの終点検出器１８で検出する。これらの複数の光ファイバー２０、複数の分光装置１６、複数の光センサー１７、１つの終点検出器１８とにより、上記プラズマエッチングモニター装置の光強度変化量測定装置を構成している。
【００４１】
この第４実施形態によれば、基体層の複数の箇所を透過するプラズマ光をそれぞれの分光装置１６及び光センサー１７によりそれぞれ検出することによって、基体層の複数の位置でのエッチング終点検出が個別に可能となり、基体層の面内均一性を監視することができる。すなわち、プラズマ光の強度の変化量を複数箇所で測定することによって、基体層の面内エッチング均一性をリアルタイムで監視することができるため、歩留りの低下を未然に防ぐことができる。
【００４２】
図５は、本発明の第５実施形態にかかるプラズマエッチングモニター方法を実施することができるプラズマエッチングモニター装置を有するドライエッチング装置の構造を示すものである。被エッチング物９の基体層６１は、準備室６５を挟んで一対対向して配置された基板収納カセット５１内にそれぞれ所定間隔をあけて多数重ねて収納されている。この基板収納カセット５１からそれぞれ大略Ｌ字状の搬送アーム５２で、基体層６１が１枚ずつ、ロードロック室５６の前方エリアである準備室６５まで移載される。
【００４３】
次に、準備室６５内でリフター５３が上昇して、搬送アーム５２に保持されている基体層６１を搬送アーム５２から持ち上げることにより、基体層６１が搬送アーム５２から離脱される。その後、搬送アーム５２が原点に戻った後、リフター５３が下降して、等間隔に配置された４本の棒状の基板センタリング機構５５によって、リフター５３上における基体層６１の中心位置の調整が行なわれる。すなわち、例えば、リフター５３の径方向沿いに進退可能な４本の棒状の基板センタリング機構５５のリフター５３の中心位置側への移動により、基体層６１の中心位置とリフター５３の中心位置とが一致するように、リフター５３上で基体層６１が横方向に若干移動させられて位置調整される。
【００４４】
その後、準備室６５の基体層６１の上方に配置された、レジストマスクパターンの有無を検出する検出装置の一例としての複数のセンサー５４、例えば、中央に１個の光学センサー５４とその周囲に等間隔に配置された４個の光学センサー５４によって、光の透過又は不透過によりリフター５３上での基体層６１のレジストマスクパターンの有無を検出しながらセンタリング機構５５が回転して、センタリング機構５５により挟持された基体層６１がリフター５３上で回転し、レジストマスクパターン無しと検出されるセンサー５４の数が最も多い場所でセンタリング機構５５の回転を停止する。
【００４５】
次に、準備室６５内のリフター５３上の基体層６１が、大略半円環状の搬送アーム５７によって、リフター５３上から搬送アーム５７上に移載され、搬送アーム５７とともに、準備室６５内からロードロック室５６に移載される。
【００４６】
次いで、ロードロック室５６が大気状態から真空状態になった時点で搬送アーム５７によりさらに真空処理室５８に移載される。基体層６１は、真空処理室５８（先の実施形態の真空処理室１に対応。）の内部のカソード電極５９（先の実施形態のカソード電極１０に対応。）上に載置される。カソード電極５９の内部には準備室６５に配置されたセンサー５４と同じ位置に光ファイバー６０が配置されている。この結果、搬送アーム５７により、準備室６５からロードロック室５６を経て真空処理室５８に移載された基体層６１の位相が準備室６５と同一になるようにすれば、基体層６１の位相はレジストマスクパターン無しと検出されるセンサー５４の数が最も多い状態となっており、よって、センサー５４と同じ位置にある光ファイバー６０は、基体層６１のレジストマスクパターン無しの部分に配置される数が最も多い状態となっている。これらの光ファイバー６０を経由して基体層６１を透過するプラズマ光が、上記分光装置１６及び光センサー１７を介して終点検出器１８に伝達されて、エッチング終点検出を行なう。これらの複数の光ファイバー６０、分光装置１６、光センサー１７、終点検出器１８とにより、上記プラズマエッチングモニター装置の光強度変化量測定装置を構成している。
【００４７】
上記第５実施形態によれば、上記エッチング処理すべき製品基板である被エッチング物９の基体層６１のレジストマスクパターンが無い部分に効率良く光ファイバー６０が配置させることができ、基体層６１のレジストマスクパターンに対応して最も有効にプラズマ光を上記光強度変化量測定装置で測定することができる。
【００４８】
なお、ロードロック室５６の準備室６５でのセンサー５４によるレジストマスクパターンの有無検出は、基体層６１上の被エッチング層がブラズマ光を透過しない性質である場合にのみ使用するものである。
【００４９】
なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
【００５０】
本発明の上記実施形態にかかるプラズマエッチングモニター方法及び装置によれば、プラズマエッチング用の真空処理室外部において、エッチング処理すべき製品基板を透過するプラズマ光の強度の変化量を測定して、エッチング処理すべき製品基板のエッチング量を監視することができるため、反応生成物等による真空処理室内壁の汚れの影響を受けること無く、エッチング終点検出を安定して行なうことができる。
【００５１】
また、本発明の上記実施形態によれば、プラズマ光の強度の変化量を複数箇所で測定するようにすれば、基体層の面内エッチング均一性をリアルタイムで監視することができるため、歩留りの低下を未然に防ぐことができる。
【００５２】
さらに、本発明の上記実施形態によれば、基体層のプラズマ光の測定位置を事前に検出して位置調整するようにすれば、被エッチング層がプラズマ光を透過しない性質のものであっても、終点検出を効率良く行うことができる。
【００５３】
また、本発明の上記実施形態において、上記プラズマ光を光ファイバーを使用して上記光強度変化量測定装置まで導き、上記光強度の変化量を測定するようにすれば、例えば、カソード電極などに設けたプラズマ光検出穴の内部での異常放電を防ぐことができるとともに、上記光強度変化量測定装置の取付位置を真空処理室から離すことができるため、上記光強度変化量測定装置のメンテナンス性を向上させることができる。
また、本発明の上記実施形態において、製品基板突き上げピンのうちの少なくとも１本又は全部を光ファイバーにより構成することによって、光ファイバーを配置するための特別な空間をカソード電極の内部にそれぞれ設ける必要がなく、カソード電極の構造を単純にしてコストを抑えることができる。また、複数の製品基板突き上げピンを光ファイバーで構成することによって、製品基板突き上げピンである光ファイバー上に基体層のマスクパターンの無い部分が配置される確率を増すことができる。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、上記エッチング処理すべき製品基板である被エッチング物の基体層のレジストマスクパターンが無い部分に効率良く光ファイバーを配置させることができ、基体層のレジストマスクパターンに対応して最も有効にプラズマ光を上記光強度変化量測定装置で測定することができる
また、本発明によれば、プラズマ光の強度の変化量を複数箇所で測定するようにしたので、基体層の面内エッチング均一性をリアルタイムで監視することができるため、歩留りの低下を未然に防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態にかかるプラズマエッチングモニター方法を実施することができるプラズマエッチングモニター装置を有するドライエッチング装置の構造を示す概略的な断面図である。
【図２】  本発明の第２実施形態にかかるプラズマエッチングモニター方法を実施することができるプラズマエッチングモニター装置を有するドライエッチング装置の構造を示す概略的な断面図である。
【図３】  本発明の第３実施形態にかかるプラズマエッチングモニター方法を実施することができるプラズマエッチングモニター装置を有するドライエッチング装置の構造を示す概略的な断面図である。
【図４】  本発明の第４実施形態にかかるプラズマエッチングモニター方法を実施することができるプラズマエッチングモニター装置を有するドライエッチング装置の構造を示す概略的な断面図である。
【図５】  本発明の第５実施形態にかかるプラズマエッチングモニター方法を実施することができるプラズマエッチングモニター装置を有するドライエッチング装置の構造を示す概略的な装置構成図である。
【図６】  従来例のプラズマエッチングモニター方法を実施することができるドライエッチング装置の構造を示す概略的な断面図である。
【符号の説明】
１…真空処理室、２…誘電板、３…プラズマ、４…ＩＣＰコイル、５…インピーダンス整合回路、６…ＲＦ電源、７…ガスコントローラ、８…ガス供給部、９…被エッチング物、１０…カソード電極、１１…排気装置、１２…電極リング、１３…インピーダンス整合回路、１４…ＲＦ電源、１５…プラズマ光検出穴、１６…分光装置、１７…光センサー、１８…コンピュータ（終点検出器）、１９…リフトピン、２０…光ファイバー、２１…ガラスファイバー製リフトピン、５１…基板収納カセット、５２…基板搬送アーム、５３…リフター、５４…センサー、５５…センタリング機構、５６…ロードロック室、５７…基板搬送アーム、５８…真空処理室、５９…カソード電極、６０…光ファイバー、６１…基体層。
【図１】
0003924427.tif 000002
【図２】
0003924427.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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