(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝が形成された透明基板上に、下部誘電体保護層、相変化型記録層、上部誘電体保護層、金属反射層を順次積層した構成からなり、前記溝と溝間の両方を記録領域として用い、７００ｎｍ以下の波長のレーザー光を照射することによって情報の記録、消去、再生を行なう光記録媒体であって、
（１）以下で定義される未記録領域からの反射光と記録領域からの反射光の位相差２πα
２πα＝（未記録領域からの反射光の位相）−（記録領域からの反射光の位相）が次式を満たし、
【数１】
（ｍ−０．１）π  ≦  ２πα  ≦  （ｍ＋０．１）π    （ｍは整数）
（２）溝幅と溝間の幅とがほぼ等しく、溝幅ＧＷ、溝間の幅ＬＷ、溝深さｄが以下の式を満たす
【数２】
０．３μｍ  ≦  ＧＷ  ≦  ０．８μｍ
【数３】
０．３μｍ  ≦  ＬＷ  ≦  ０．８μｍ
【数４】
０．６３×（λ／ＮＡ）  ≦  ＬＷ  ≦  ０．８×（λ／ＮＡ）
【数５】
（ＧＷ＋ＬＷ）／２  ＞  ０．６×（λ／ＮＡ）
【数６】
λ／７ｎ  ＜  ｄ  ＜  λ／５ｎ（ここで、λ：照射光の波長、ｎ：基板の屈折率、ＮＡ：集束レンズの開口数）ことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
照射レーザー光の記録層での吸収率を、記録層が結晶状態である場合をＡc、記録層がアモルファス状態である場合をＡaとしたとき、結晶状態とアモルファス状態の吸収率の比Ａc／Ａaが
【数７】
０．８４  ≦  Ａc／Ａa  ＜  １．０１
であることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
反射層がＡｌとＴｉまたはＴａの合金であり、ＴｉまたはＴａの含有
量が０．５〜３．５ａｔ％であることを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
下部誘電体保護層と上部誘電体保護層のうちの一方かまたは両方が、ＺｎＳと、ＳｉＯ2またはＹ2Ｏ3のうちのいずれか一方との混合膜であり、ＳｉＯ2またはＹ2Ｏ3の含量が５〜４０ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の光記録媒体を用い、溝と溝間の両方を記録領域として用い、いずれの領域にも７００ｎｍ以下の波長のレーザーの１ビームオーバーライトによって記録、消去、再生せしめることを特徴とする記録再生方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体および記録再生方法に関し、詳しくは、レーザー光の照射により、基板の溝部と溝間の両方に情報の記録、再生、消去を行うための光学的情報記録媒体およびこれを用いた記録再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報量の増大にともない、高密度でかつ高速に大量のデータの記録・再生ができる記録媒体が求められているが、光ディスクはまさにこうした用途に応えるものとして期待されている。
こうした記録媒体の高容量化、高密度化への要求は、膨大な画像情報や音声信号を扱う上で記録媒体と記録装置に課せられた時代の必然であり、デジタル変調技術およびデータ圧縮技術の進歩と歩調をあわせてその進歩はまさに日進月歩である。
【０００３】
高密度化の具体的な手段として、光ディスクにおいては、光源の短波長化や集束レンズの高ＮＡ(Numerical Aperture)化による照射光の収束ビーム径の縮小、記録マーク長の短小化、回転数一定のもとで外周に行くほど記録周波数を上げて内外周での記録密度を一定とするＭＣＡＶ(Modified Constant Angular Velocity)、マーク始端と後端に情報をのせるマークエッジ記録などが開発、利用されており、今後に向けてさらなる高密度化の手法が模索されているのが現状である。
【０００４】
記録が可能な光ディスクでは、あらかじめ案内溝がディスク上に刻まれ、いわゆるトラックが形成されている。
通常、案内溝相互間もしくは案内溝内にレーザー光が集光されることによって、情報信号の記録、再生または消去が行われる。現在市販されている一般的な光ディスクにおいては、通常案内溝相互間もしくは案内溝内のどちらか一方にのみ情報信号が記録され、他方は隣接トラックを分離して信号の漏れ込みを防ぐための境界の役割を果たしているに過ぎない。
【０００５】
この境界部分、例えば案内溝相互間に記録する場合においては案内溝内、また、案内溝内に記録する場合においては案内溝相互間、にも同様に情報の記録が可能となれば記録密度は２倍となり記録容量の大幅な向上が期待できる。
以下、案内溝をグルーブ、案内溝相互間をランド、ランドとグルーブの両方に情報を記録する方法をＬ＆Ｇ記録と略称する。
【０００６】
Ｌ＆Ｇ記録の提案としては、特公昭６３−５７８５９号などがあるが、このような技術を用いる場合には、クロストークの低減に格段の注意を払う必要がある。
すなわち、前述の特公昭６３−５７８５９号記載のＬ＆Ｇ記録では、あるトラックの記録マーク列とそれと隣合うトラックの記録マーク列同士の間隔が収束ビーム径の半分になるため、再生したい記録マーク列の隣の記録マーク列まで収束ビームが照射されてしまう。
【０００７】
このため、再生時のクロストークが大きくなり、再生Ｓ／Ｎが劣化するという問題がある。
クロストークを低減させるため、例えば、光ディスク再生装置に特別の光学系とクロストークキャンセル回路を設けてクロストークを低減しようとする手法がある。（ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．１３１６、  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄａｔａ  Ｓｔｏｒａｇｅ（１９９０）ｐｐ．３５）
【０００８】
しかしながらこの方法では、装置の光学系および信号処理系がさらに複雑なものになってしまうデメリットがある。
再生クロストーク低減のための特別な光学系や信号処理回路を特に設けることをせずに、クロストークを低減する方法として、グルーブとランドの幅を等しくし、グルーブ深さを再生光波長に対応したある範囲内とすることが効果的であるとの提案がある。（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ３２（１９９３）ｐｐ．５３２４−５３２８）。
【０００９】
これによれば、ランド幅＝グルーブ幅でかつグルーブ深さがλ／７ｎ〜λ／５ｎ（λ：再生光波長、ｎ：基板の屈折率）のときにクロストークが低減されることが、計算および実験事実として示されている。このことは特開平５−２８２７０５号にも記されている。
しかしながら、グルーブ深さを最適値とすることでクロストークの低減効果が得られるものの、ランドとグルーブでのＣＮ比がアンバランスとなってしまっている。
【００１０】
Ｌ＆Ｇ記録を行なう場合、ランドのキャリアレベル（信号品質）とグルーブのキャリアレベルとに違いが生じ、その結果、一方のＣＮ比が著しく低下することは、ディスクの信号品質において望ましいことではない。
【００１１】
一方、高密度のためにトラックピッチを詰める場合、通常は、クロストークの量が所定のレベル以下となるように、トラックピッチおよびグルーブ形状などを選べば良いのであるが、相変化媒体においては、もう一つ考慮しなければならない問題がある。
それは、あるトラックに繰返しオーバーライトしたときに、隣接トラックの非晶質ビットが消える、すなわち、再結晶化するという問題がある。
その理由は必ずしも明らかではないが、隣接トラックに記録する際、集束光ビーム強度分布の裾野部分の弱いレーザー光によって当該トラックが昇温され、非晶質ビット部の温度が結晶化温度以上に加熱されるためであると考えられる。
【００１２】
その時間は１回につき数百ナノ秒ではあるが、繰返し加熱されるうちに、徐々にではあるが再結晶化されてしまう。
例えば、繰返しオーバーライト１万回で、隣接トラックのＣＮ比が、初期５５ｄＢあったものが５０ｄＢ未満にまで低下するということがある。
この問題を以後クロスイレーズと称する。相変化媒体においては、光学的な回折限界よりも、クロスイレーズによる最小トラックピッチに留意しなければならないが、その限界については必ずしも明らかではなかった。
【００１３】
また、グルーブとランドの幅を１：１に保ったまま狭トラックピッチ化による高密度化を進めると、繰返しオーバーライト後の前マークの消え残りや記録マークのジッターの悪化の点で、ランドでの特性悪化が著しいことが判明した。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はかかる課題を解決するもので、特に波長７００ｎｍ以下のレーザー光を光源として用いるようなＬ＆Ｇ記録型光ディスクにおいて、ランドとグルーブの記録マークのキャリアレベルのアンバランスを解消し、ランドおよびグルーブのいずれに記録しても、同等な高い信号品質および繰返しオーバーライトに対する耐久性の得られる高密度光ディスクを提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、未記録領域と記録マークからの反射光の位相差とランド及びグルーブ形状とについて検討を重ねた結果なされたもので、その要旨は、溝が形成された透明基板上に、下部誘電体保護層、相変化型記録層、上部誘電体保護層、金属反射層を順次積層した構成からなり、前記溝と溝間の両方を記録領域として用い、７００ｎｍ以下の波長のレーザー光を照射することによって情報の記録、消去、再生を行なう光記録媒体であって、
（１）以下で定義される未記録領域からの反射光と記録領域からの反射光の位相差２πα
２πα＝（未記録領域からの反射光の位相）−（記録領域からの反射光の位相）
が次式を満たし、
【００１６】
【数８】
（ｍ−０．１）π  ≦  ２πα  ≦  （ｍ＋０．１）π    （ｍは整数）
【００１７】
（２）溝幅と溝間の幅とがほぼ等しく、溝幅ＧＷ、溝間の幅ＬＷ、溝深さｄが以下の式を満たす
【００１８】
【数９】
０．３μｍ  ≦  ＧＷ  ≦  ０．８μｍ
【００１９】
【数１０】
０．３μｍ  ≦  ＬＷ  ≦  ０．８μｍ
【００２０】
【数１１】
０．６３×（λ／ＮＡ）  ≦  ＬＷ  ≦  ０．８×（λ／ＮＡ）
【００２１】
【数１２】
（ＧＷ＋ＬＷ）／２  ＞  ０．６×（λ／ＮＡ）
【００２２】
【数１３】
λ／７ｎ  ＜  ｄ  ＜  λ／５ｎ
（ここで、λ：照射光の波長、ｎ：基板の屈折率、
ＮＡ：集束レンズの開口数）
ことを特徴とする光記録媒体に存する。
【００２３】
また、このような光記録媒体を用い、溝と溝間の両方を記録領域とし、いずれの領域にも７００ｎｍ以下の波長のレーザーの１ビームオーバーライトによって記録、消去、再生せしめることを特徴とする記録再生方法に存する。
【００２４】
【発明の実施の形態】
上記に示した構成により本発明の光ディスクでは、ランドとグルーブのいずれに記録しても記録マークのキャリアレベルは同等となり、またランドにおける繰返しオーバーライトに対する耐久性が高まる。
これらは、高密度記録を行うために、波長７００ｎｍ以下のレーザー光を光源として用いるようなＬ＆Ｇ記録方式の光ディスクの信頼性を保証する点において不可欠な規定である。
【００２５】
次に、本発明がランド＆グルーブ記録用光記録媒体の再生過程に如何に作用して効果をもたらすかについて、その有効となる根拠を簡単なモデルを用いて詳細に説明する。
図１〜図４にＬ＆Ｇ記録用光ディスクのランド上またはグルーブ上に再生光ビームが照射されている場合の模式図を示した。図を見やすくするために記録層２以外の層は省略した。
再生用の収束ビーム５は対物レンズなどを用いて集光され、基板１側から記録層２上に照射されている。
ランド３の幅とグルーブ４の幅は等しく、かつ、ビーム径の半分の長さであると仮定し、ランド３とグルーブ４の間の段差（溝深さ）をｄとする。
【００２６】
ここでは、未記録時の記録層が結晶状態、記録時の記録層がアモルファス状態とする。また、収束ビーム５の強度は実際のモデルに即してガウス分布とし、中心強度の１／ｅ2（ｅは自然対数の底）の範囲、すなわち０．８２（λ／ＮＡ）をビーム径とする（λは収束ビーム５の波長、ＮＡは集束レンズの開口数）。
図１と図３は未記録領域に収束ビーム５が存在する場合を示し、図２と図４は記録マーク８上に収束ビーム５が存在する場合を示している。
計算を簡単にするために、記録マーク８が収束ビーム５より十分長いと仮定する。後に実施例で示すように、実際には記録マークが収束ビーム径よりも短くても何ら問題はない。
【００２７】
収束ビーム５は基板１側から照射されるので、紙面の向こう側から入射して反射される。したがって、光源側から見るとランド３が凹となり、反対にグルーブ４が凸となっている。
グルーブ４面を位相の基準にとると、ランド３からの反射光は２π・２ｎｄ／λだけ位相が遅れる（ｎは基板１の屈折率、λは収束ビーム５の波長）。
【００２８】
位相の変化はグルーブ深さのみに起因するものではなく、一般に、記録層の相変化前後における光学定数の変化によっても位相差は変化する。ここでは、アモルファス領域からの反射光が結晶領域からの反射光よりも２παだけ位相が遅れると定義する。以下、グルーブ面を位相の基準にとって、収束ビームの振幅反射率を必要に応じて位相差２παを用いながら定式化することにする。
【００２９】
結晶領域に照射された収束ビーム５の中心部からの反射光量をＲc1、両端部からの反射光量をＲc2、アモルファス領域に照射された収束ビーム５の中心部からの反射光量をＲa1、両端部からの反射光量をＲa2とする。ランド幅＝グルーブ幅であるから、これはビーム中心がランドとグルーブのどちらにあるときも適用できる。
図１のようにアモルファス記録マークのないランド３に収束ビーム５がある場合の振幅反射率φ1は次式で表すことができる。なお、ｉは虚数単位である。
【００３０】
【数１４】
φ1＝Ｒc1・ｅｘｐ［−２πｉ・２ｎｄ／λ］
＋Ｒc2・ｅｘｐ［−２πｉ・０］    （ａ）
ただし、Ｒc1は収束ビームが照射されたランドの領域６からの反射光量、Ｒc2は収束ビームが照射されたグルーブの領域７からの反射光量である。
【００３１】
図２のようにアモルファス記録マーク８のあるランドに収束ビーム５がある場合の振幅反射率φ2は次式で表すことができる。
【００３２】
【数１５】
φ2＝Ｒa1・ｅｘｐ［−２πｉ・（２ｎｄ／λ＋α）］
＋Ｒc2・ｅｘｐ［−２πｉ・０］    （ｂ）
ただし、Ｒa1は収束ビームが照射されたランドの領域６からの反射光量、Ｒc2は収束ビームが照射されたグルーブの領域７からの反射光量である。
【００３３】
図３のようにアモルファス記録マークのないグルーブ４に収束ビーム５がある場合の振幅反射率φ3は次式で表すことができる。
【００３４】
【数１６】
φ3＝Ｒc1・ｅｘｐ［−２πｉ・０］
＋Ｒc2・ｅｘｐ［−２πｉ・２ｎｄ／λ］    （ｃ）
ただし、Ｒc1は収束ビームが照射されたグルーブの領域７からの反射光量、Ｒc2は収束ビームが照射されたランドの領域６からの反射光量である。
【００３５】
図４のようにアモルファス記録マーク８のあるグルーブに収束ビーム５がある場合の振幅反射率φ4は次式で表すことができる。
【００３６】
【数１７】
φ4＝Ｒa1・ｅｘｐ［−２πｉ・α］
＋Ｒc2・ｅｘｐ［−２πｉ・２ｎｄ／λ］    （ｄ）
ただし、Ｒa1は収束ビームが照射されたグルーブの領域７からの反射光量、Ｒc2は収束ビームが照射されたランドの領域６からの反射光量である。ここで、
【００３７】
【数１８】
Ｒc2＝βＲc1                                      （ｅ）
【００３８】
【数１９】
Ｒa2＝βＲa1                                      （ｆ）
と表すことができる（ただし、０＜β＜１）。Ｒc＝Ｒc1＋Ｒc2、Ｒa＝Ｒa1＋Ｒa2とおいて式（ｅ）と式（ｆ）を整理すると、
【００３９】
【数２０】
Ｒc1＝Ｒc／（１＋β）                             （ｇ）
【００４０】
【数２１】
Ｒc2＝βＲc／（１＋β）                           （ｈ）
【００４１】
【数２２】
Ｒa1＝Ｒa／（１＋β）                             （ｉ）
【００４２】
【数２３】
Ｒa2＝βＲa／（１＋β）                           （ｊ）
となる。
式（ｇ）〜式（ｊ）を式（ａ）〜式（ｄ）に代入して整理すると、
【００４３】
【数２４】
φ1＝［Ｒc／（１＋β）］［β＋ｅｘｐ［−４πｉｎｄ／λ］］    （ｋ）
【００４４】
【数２５】
φ2＝［１／（１＋β）］・
［βＲc＋Ｒa・ｅｘｐ［−４πｉｎｄ／λ−２πｉα］］  （ｌ）
【００４５】
【数２６】
φ3＝［Ｒc／（１＋β）］・
［１＋β・ｅｘｐ［−４πｉｎｄ／λ］］        （ｍ）
【００４６】
【数２７】
φ4＝［１／（１＋β）］・［Ｒa・ｅｘｐ［−２πｉα］
＋βＲc・ｅｘｐ［−４πｉｎｄ／λ］］     （ｎ）
ここで、ランドに記録した場合の再生キャリアレベルＣＬ’（Ｌ）は、
【００４７】
【数２８】
ＣＬ’（Ｌ）＝｜φ1｜2−｜φ2｜2                  （ｏ）
に比例する。同様にグルーブに記録した場合の再生キャリアレベルＣＬ’（Ｇ）は、
【００４８】
【数２９】
ＣＬ’（Ｇ）＝｜φ3｜2−｜φ4｜2                  （ｐ）
に比例する。
【００４９】
ランドとグルーブのキャリアレベルの差が生じないということは、式（ｏ）と式（ｐ）との差が０になるということに他ならない。式（ｋ）〜式（ｎ）を式（ｏ）と式（ｐ）に代入して差を計算し、その差が０になる必要条件を求めると、
【００５０】
【数３０】
２πα＝ｍπ  （ただしｍは整数）                      （ｑ）
となる。位相差２παは必ずしも正確にｍπである必要はなく、如何なるディスク反射率をとっても±０．１πの範囲内にあれば効果がある。
【００５１】
もしも、これに反して位相差が（ｍ−０．１）π未満の場合にはランドのキャリアレベルがグルーブに比べて顕著に小さくなってしまうことが悪い点であり、また、位相差が（ｍ＋０．１）πを越える場合にはグルーブのキャリアレベルがランドに比べて顕著に小さくなってしまうことが悪い点となる。
【００５２】
このように、位相差２παを（ｍ±０．１）π以内とすることで、ランドまたはグルーブのいずれのトラックに記録しても高い信号品質を保証することができ、このために必要な相転移間位相差の範囲の特定は各層の光学定数と膜厚を適切に選択することで実現することができる。
【００５３】
次に、本発明の溝形状について詳細に説明する。
まず、溝幅、溝深さの測定方法について述べる。測定は、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（波長６３０ｎｍ）を基板の溝の付いていない側から照射し、透過光について基板の溝により回折した０次光強度Ｉ0、１次光強度Ｉ1、２次光強度Ｉ2および回折光の角度を測定することにより行う。
Ｐを溝ピッチ（グルーブピッチ）、ｗを溝幅、ｄを溝深さ（グルーブ深さ）、ｎを基板の屈折率、λをレーザー波長、θを０次光と１次光の間の角度とした場合、溝が矩形の時には、
【００５４】
【数３１】
Ｐ＝λ／ｓｉｎθ
となる。また、
【００５５】
【数３２】
ε＝ｗ／Ｐ、δ＝２（ｎ−１）πｄ／λ
とおくと、
【００５６】
【数３３】
Ｉ2／Ｉ1＝ｃｏｓ2(πε）
【００５７】
【数３４】
Ｉ1／Ｉ0＝｛２ｓｉｎ2(πε）（１−ｃｏｓδ）｝
／［π2｛１−２ε（１−ε）（１−ｃｏｓδ）｝］
【００５８】
の関係が成り立つため溝幅、溝深さが計算できる。実際の溝形状は完全な矩形ではないが、本発明においては溝形状は上記の測定法により溝の幅および溝深さを一義的に決定した値を用いている。従って、実際の溝形状が矩形からずれていてもよい。
【００５９】
ランドおよびグルーブの幅は０．３〜０．８μｍの範囲にあることが必要である。ランドおよびグルーブ幅が０．３μｍより狭い場合、安定なトラッキングが得られなくなり、また、現在のカッティング技術では製造が困難となる。また、０．８μｍより広い場合、記録の高密度化という目的が達せられない。
【００６０】
また、基板の溝深さについては、前述のとおり、グルーブ深さがλ／７ｎ〜λ／５ｎのときに隣接トラックからのクロストークが低減されるため、この範囲にあることが必要である。
【００６１】
さて、以上のようにランドとグルーブにおいてともに良好な初期特性が得られるようになった後、繰返しオーバーライトに対する耐久性、および前述のクロスイレーズに対する耐久性を一層改善する必要がある。
本発明者らの検討によれば、グルーブの繰返しオーバーライト耐久性は、グルーブ幅が狭い方が良好であった。勿論、グルーブ内から記録マークがはみ出さない必要がある。
これについては例えば特開平６−３３８０６４に収束ビーム形状と関連づけた記載がある。ただし、繰返しオーバーライト耐久性がグルーブ幅あるいはランド幅に影響されることは何ら触れられていない。
【００６２】
一方、ランドの繰返しオーバーライト耐久性はランド幅とビーム径との相対関係に依存し、ランド幅がビーム径に対して特定の値より狭くなると、急激に劣化することが判明した。
【００６３】
すなわち、ランド幅が０．６３×（λ／ＮＡ）から０．８×（λ／ＮＡ）の範囲内であれば、繰返しオーバーライトした場合の前マークの消え残りや記録マークのジッタの著しい悪化はなく、グルーブに記録した場合と同等の特性が保たれる。
ランド幅がこれより狭いと、ランド上に記録マークを繰返しオーバーライトした場合に前マークの消え残りが顕著になり、記録マークのジッタが著しく悪化する。
ランド幅がこれより大きい場合にはランドの繰返しオーバーライト特性に何ら問題はなく、良好な特性を得られるが、高密度記録という観点から無意味にランド幅を広げて記録密度を低下させるのは得策でない。
【００６４】
さらに、クロスイレーズ現象も、ビームスポット径と記録トラックピッチとの相対的関係に依存することが判明した。すなわち、クロスイレーズを実用上無視できるレベルにまで低減できる最小トラックピッチが存在し、それは、ビームスポット径のみに依存する。
【００６５】
Ｌ＆Ｇ記録のグルーブピッチ（ＧＷ＋ＬＷ）を１．２（λ／ＮＡ）より大とする、つまり、Ｌ＆Ｇ記録の実質的なトラックピッチ｛（ＧＷ＋ＬＷ）／２｝を０．６（λ／ＮＡ）より大とすれば、クロスイレーズによる隣接トラックの信号劣化を防止でき、１０4回オーバーライト後のＣＮ比の低下を３ｄＢ未満に抑えることができ、実用上問題のないレベルとなる。
【００６６】
この理論的意味について以下に考察する。
図５は収束ビームの形状を示す模式図である。
集束レンズ１２を通った収束ビーム９はメインピークとサブピークを持つ強度分布１０を有する。メインピークである中央スポットの直径は、ほぼ１．２（λ／ＮＡ）で表される。これをエアリーディスク（ａｉｒｙ  ｄｉｓｋ）１１という。
上記０．６（λ／ＮＡ）という値は、理論的にはこのエアリーディスク１１のちょうど半分に相当する。このことから、クロスイレーズ現象は、第１近似として、収束ビーム９のエアリーディスク１１の裾野部分の弱いレーザー光によって、隣接するトラックが昇温されるためという物理的意味あいがあると考えられる。
【００６７】
ところで、現在知られている、ＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＩｎＳｎＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ等 IIIｂ、IＶｂ、Ｖｂ、ＶIｂ族元素のいずれかまたはその混合物（合金）を主成分として４０ａｔ％以上含む相変化型記録層においては、熱伝導率が光磁気記録層等に比べて２〜３桁小さなオーダーである。また、記録に要する１０〜１００ナノ秒オーダーでは実質的に断熱である。
このため、クロスイレーズ現象は相変化型記録層の熱伝導にはほとんど影響されない。
従って、最小トラックピッチは実質的にはビームスポット径、従って、光ビーム波長およびＮＡによってのみ決まる。
【００６８】
ただし、繰返しオーバーライト１０4回以上でのクロスイレーズの低減には、記録媒体の層構成や記録層物性の制限が若干であるが効果がある。
上述の合金記録層のうち、結晶／非晶質間の可逆的変化が可能でありクロスイレーズが少ない組成においては、融点Ｔｍが７００℃未満、結晶化温度Ｔｇが１５０℃以上のものが多い。
【００６９】
Ｔｇが１５０℃より低いと、非晶質状態の安定性が悪くクロスイレーズされやすい。また、Ｔｍが７００℃以上となると記録時に照射すべきエネルギーが高くなり、やはり隣接トラックにクロスイレーズを生じやすい。
実際、Ｇｅ1Ｓｂ2Ｔｅ4あるいはＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5近傍組成では、Ｔｍが６００〜６２０℃、Ｔｇが１５０〜１７０℃である。また、Ａｇ11Ｉｎ11Ｔｅ23Ｓｂ55では、Ｔｍが約５５０℃、Ｔｇが約２３０℃である。
一般に記録層膜厚が３０ｎｍを越えると、記録感度が低下し、また、記録時に隣接トラックへ熱が逃げ出しやすいためクロスイレーズが起きやすい。
【００７０】
アモルファス記録マークの形成時の相変化記録層溶融に関係する重要なパラメータとして、記録層の光吸収率がある。
ランドまたはグルーブのいずれのトラックにおいても高いキャリアレベルを得る点においては、記録層の光吸収率の相変化前後での比率をある範囲に特定することでより効果が増幅する。
【００７１】
相変化型光ディスクの特徴として特公平５−３２８１１などにあるように１ビームオーバーライトが挙げられる。
ＰＷＭ記録では記録マークの前端と後端に０または１の情報を割り当てるため、マーク前端と後端の形状が記録時に歪まないことが特に要求される。
しかしながら１ビームオーバーライトでは、記録前の記録層がアモルファス状態か結晶状態であるかによって熱伝導率が異なるなどの理由によって、昇温および降温過程が不均一となってしまい、記録マークが歪むことが指摘されている。また、例えば、特開平５−２９８７４７に記載されているように、アモルファス状態の光吸収率よりも結晶状態の光吸収率を大きくした方が大きなＣＮ比、高い消去率ならびに広いパワー許容幅（マージン）を得られるという提案がある。
【００７２】
しかしながら、本発明者らの検討によれば、結晶状態の光吸収率をアモルファス状態の光吸収率よりも著しく大きくする必要はなく、結晶状態の光吸収率をＡc、アモルファス状態の光吸収率をＡaとしたときの比Ａc／Ａaが、
【００７３】
【数３５】
０．８４  ≦  Ａc／Ａa  ＜  １．０１
の範囲にあるようにディスクの層構成を設計したディスクにおいて、ＣＮ比や記録マークのジッタが特に優秀であることが判明した。
これは、ディスクの回転速度が特定の狭い範囲にある場合に限らず、線速度１．４ｍ／ｓから１５ｍ／ｓの広い範囲にわたって、効果が顕著にみられた。
【００７４】
Ａc／Ａaが０．８４未満であると、記録トラック上にあらかじめ存在する記録マークの有無によってオーバーライト時の記録層溶融の際の昇温・降温過程にアンバランスが生じてマーク形状の歪みが問題となる。
また、ディスクの初期状態（未記録状態）を高反射率、記録状態を低反射率とするようなディスクにおいては、０．８４未満では記録感度が悪くなる傾向があるため、その点でも０．８４以上が望ましい。
【００７５】
金属反射層としては、感度や安定性を考慮すると、ＡｌとＴｉ、またはＡｌとＴａの合金であることが望ましい。
ＴｉまたはＴａの含有量は０．５ａｔ％から３．５ａｔ％であることが望ましい。このときディスクの反射率のロスが小さく、かつ適度な放熱層としての役割を発揮しやすい。
【００７６】
これら薄膜の作成法としては公知のものが使用でき、あらかじめグルーブを形成した樹脂やガラスなどの基板ディスクにマグネトロンＤＣスパッタリング、同ＲＦスパッタリングなどの通常の光学薄膜を形成する方法などがある。
金属反射層の上には、膜の保護のために樹脂層を塗布またはスピンコートで作成することが望ましい。
【００７７】
保護層に用いる誘電体としては種々の組合せが可能であり、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。
一般的には透明性が高く高融点であるＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐｂ等の酸化物、硫化物、窒化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物を用いることができる。
【００７８】
このうち、ＺｎＳと、ＳｉＯ2またはＹ2Ｏ3の少なくとも一方の混合膜を用いる場合、ＳｉＯ2またはＹ2Ｏ3の含量が５〜４０ｍｏｌ％であると、記録したディスクの保存安定性に優れ、好ましい。
【００７９】
本発明のディスクを設計するには、相変化前後の反射光の位相差を正確に把握する必要がある。位相差はレーザー干渉顕微鏡などによって実測することができる。
また、前記Ａc／Ａaをも正確に把握し、特定範囲内とすることがＣＮ比の向上や記録マークのジッタの低減の点でより望ましい。
Ａc／Ａaは多層構造の中の記録層のみの吸収率比であるため、直接測定して知ることができない。しかしながら、相変化前後の反射光の位相差も吸収率比Ａc／Ａaも各層の光学定数と膜厚を用いて計算によって求めることができる（計算方法は「分光の基礎と方法」（工藤恵栄著、オーム社、１９８５）３章に詳しい）。
本発明における位相差、吸収率比の計算値はこの文献に記載された方法に基づいて計算を行った。
各層の光学定数はあらかじめ単層膜をスパッタリングなどの方法で作製し、エリプソメーターなどで測定すればよい。
【００８０】
本発明の光ディスクの記録・消去・再生は対物レンズで集光した１ビームのレーザーを使用し、回転する光ディスクの基板側から照射する。
記録および消去時にはパルス状に変調したレーザービームを回転するディスクに照射し、記録層を結晶状態またはアモルファス状態の２つの可逆的な状態に相変化させ、記録状態または消去状態（未記録状態）とする。
このとき、記録しながら記録前に存在していたマークを同時に消去（オーバーライト）することもできる。
【００８１】
再生時には記録および消去時のレーザーパワーよりも低いパワーのレーザー光を回転するディスクに照射し、反射光の強度変化をフォトディテクタで検知して、記録または未記録状態を判定する。このとき、再生直前の記録層の相状態を変化させてはならない。
【００８２】
記録再生に用いるレーザ光の波長は高密度記録を実現するために７００ｎｍ以下であることが必須である。また、ディスク基板の紫外吸収を考慮すると３００ｎｍ以上が好ましい。レーザ光としては、例えばＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮなどのIII−Ｖ族半導体レーザの出力する５００〜７００ｎｍのレーザ光、Ａｒ、Ｋｒ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ｈｅ−Ｎｅなどのガスレーザが出力する４００〜６５０ｎｍのレーザ光、ＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＺｎＳｅＳなどのII−VI族半導体レーザの出力する４００〜５００ｎｍのレーザ光、III −Ｖ族半導体レーザ出力光をＳＨＧ（第二次高調波発生）素子を通して得られる３４０〜３９０ｎｍのレーザ光、半導体レーザ励起によるＹＡＧレーザ出力光をＴＨＧ（第三次高調波発生）素子を通して得られる３５０ｎｍのレーザ光が挙げられる。光ディスクシステムの小型化を考慮すれば、半導体レーザのレーザ光が好ましい。
【００８３】
隣接トラックからの信号のもれこみを、グルーブとランドのいずれに記録した場合においても小さくする目的では、グルーブ幅とランド幅は１：１にするのが望ましい。
しかしながら、トラッククロス信号を確保し、あるいは多数回の繰返し記録消去などを行った場合の特性の劣化を防止する目的からは、ランドとグルーブの最適な形状を考慮して、クロストークに問題が生じない範囲で、１：１から意図的に若干ずらしてもよい。
【００８４】
本発明のディスクは片面のみを利用した単板ディスクとして使用できるほか、２枚のディスクを基板と反対側の面を向い合わせにして貼り合わせて両面ディスクとすることもできる。
両面ディスクとした場合にも、ディスクの両側に光ピックアップを配置した構造のドライブを採用することにより、ディスク面の入れ替えをせずに両面同時に記録消去再生を行うことができる。
これはレーザー光照射側と反対側に磁石を必要とする光磁気ディスクにはない重要な特徴である。
【００８５】
また、本発明のＬ＆Ｇ記録用光ディスクは、書換え可能な光学的情報記録媒体であるとともに、一度だけ記録可能なライトワンス型として使用することもできる。例えば、消去あるいは書換えができないように、ドライブ側で情報の書込み禁止の信号をディスクに記録すればよい。
【００８６】
【実施例】
以下、具体例をもって本発明をさらに詳しく説明する。しかし、本発明はその要旨を越えない限り以下の実施例に限定されるものではない。
なお、実施例および比較例で用いた基板は全て射出成形により得られた同一のポリカーボネート基板であり、波長６８０ｎｍのレーザー光に対して屈折率は１．５６であった。また、実施例および比較例で示したいずれの記録条件でも、ランドに記録した場合のノイズレベルとグルーブに記録した場合のノイズレベルは同程度であった。したがって、ＣＮ比の比較は記録キャリアレベルの比較と同義である。
【００８７】
実施例１
螺旋状のグルーブを設けた基板を用意した。グルーブ幅およびランド幅は共に０．７５μｍ、グルーブ深さは約７０ｎｍであった。この基板上にスパッタリングにより、下部誘電体保護層、記録層、上部誘電体保護層、反射層を設けた。
【００８８】
下部誘電体保護層および上部誘電体保護層は（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20とし、下部誘電体保護層の膜厚を１００ｎｍ、上部誘電体保護層の膜厚を２０ｎｍとした。記録層はレーザー照射によってアモルファス相と結晶相との可逆的な相変化を起こすＧｅとＳｂとＴｅを主成分とする材料を用い、組成比をＧｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２：２：５（原子比）とした。記録層の膜厚は２５ｎｍとした。反射層はＡｌ97.5Ｔａ2.5を１００ｎｍとした。反射層上にさらに紫外線硬化樹脂を保護コートとして設けた。
成膜直後の記録層はアモルファス状態であるため、レーザー光により全面アニールを施し、結晶状態に相変化させ、これを初期（未記録）状態とした。
【００８９】
記録はトラック上に高パワーのレーザーの収束ビームを照射し、記録層をアモルファス状態に変化させて行い、その結果生じたアモルファス記録マークからの反射光量の変化によって、記録マークの検出を行った。
次にディスクを線速度１０ｍ／ｓで回転させ、６８０ｎｍの半導体レーザー光を開口数０．６０の対物レンズで記録層上に集光し、プッシュプル方式でトラッキング制御を行いながら信号の記録、再生を行った。
【００９０】
まず、任意のグルーブを選択し、周波数７．４７ＭＨｚの信号を記録した。記録パワーを１０〜１２ｍＷのあいだで１ｍＷ刻みで変化させ、消去パワー、ベースパワーを６ｍＷとして１ビームオーバーライトを行った。そののち再生し、スペクトラムアナライザーで解像帯域幅３０ｋＨｚで測定したところ、ＣＮ比は５４〜５５ｄＢと良好な値であった。
次に、任意のランドを選択し、同様な記録を行ってＣＮ比を測定したところ、グルーブの場合と全く等しいＣＮ比５４〜５５ｄＢが得られた。
【００９１】
なお、記録層が結晶状態とアモルファス状態とでの反射光の位相差は、計算により、アモルファス状態の反射光が０．０１π進んでいた。また記録層の吸収率比Ａc／Ａaは、計算により０．８４であった。
【００９２】
実施例２
実施例１と同じディスクを、線速１５ｍ／ｓで回転させ、任意のグルーブを選択し、実施例１と同じ信号記録装置を用いて周波数１１ＭＨｚの信号を記録した。記録パワーは１２ｍＷ、消去パワー、ベースパワーは７ｍＷとして１ビームオーバーライトを行った。そののち再生し、解像帯域幅３０ｋＨｚで測定したところ、ＣＮ比５２ｄＢが得られた。
記録後、パワーが７ｍＷのＤＣレーザー光を記録トラックに照射したところ、キャリアレベルが２５ｄＢ減少し、消去比２５ｄＢと良好な消去特性を示した。次に、任意のランドを選択し、同様な記録を行ってＣＮ比を測定したところ、グルーブの場合と全く等しいＣＮ比５２ｄＢが得られ、消去比もグルーブと同等な値２４ｄＢが得られた。
【００９３】
実施例３
記録層の組成をＧｅ22Ｓｂ25Ｔｅ53とした以外は実施例１と全く同様にしてディスクを作製した。
なお、量論組成のＧｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２：２：５は線速１０ｍ／ｓ以上で記録再生を行う場合に好適であり、１０ｍ／ｓ以下の線速においては再結晶化による記録マーク形状の歪みを防止するため、若干Ｓｂ量を増やすのが効果的である。
【００９４】
ディスクを線速度３ｍ／ｓで回転させ、任意のグルーブを選択し、実施例１と同じ信号記録装置を用いて周波数２．２４ＭＨｚの信号を記録した。記録パワーを８．５〜１０．５ｍＷのあいだで０．５ｍＷ刻みで変化させ、消去パワー、ベースパワーを４．５ｍＷとして１ビームオーバーライトを行った。そののち再生し、解像帯域幅１０ｋＨｚで測定したところ、ＣＮ比は５７〜５９ｄＢと良好な値であった。
次に、任意のランドを選択し、同様な記録を行ってＣＮ比を測定したところ、グルーブの場合と全く等しいＣＮ比５７〜５９ｄＢが得られた。
このとき記録マークのジッターは８ｎｓであった。なお、ジッターはマークの始端から後端までを信号波形の２回微分のゼロクロス点を検出して測定した。
【００９５】
記録層が結晶状態とアモルファス状態とでの反射光の位相差は、計算により、アモルファス状態の反射光が０．０１π進んでいた。また記録層の吸収率比Ａc／Ａaは、計算により０．８４であった。
図６に本実施例により得られた記録パワーとＣＮ比の関係を示す。
【００９６】
実施例４
下部誘電体保護層の膜厚を１５０ｎｍとした以外は実施例３と全く同様にしてディスクを作製した。
ディスクを線速度３ｍ／ｓで回転させ、任意のグルーブを選択し、実施例１と同じ信号記録装置を用いて周波数２．２４ＭＨｚの信号を記録した。記録パワーは１０〜１２ｍＷのあいだで０．５ｍＷ刻みで変化させ、消去パワー、ベースパワーを４．５ｍＷとして１ビームオーバーライトを行った。そののち再生し、解像帯域幅１０ｋＨｚで測定したところ、ＣＮ比５４〜５５ｄＢと良好な値であった。
【００９７】
次に、任意のランドを選択し、同様な記録を行ってＣＮ比を測定したところ、グルーブの場合と全く等しいＣＮ比５４〜５５ｄＢが得られた。
ランドとグルーブのＣＮ比は等しく十分な値ではあったが、実施例３に比べてＣＮ比が約４ｄＢ低下した上に、最適な記録パワーが約１．５ｍＷ余計に必要になった。記録感度の悪化は使用するドライブのレーザー光寿命の低下に直結する。
【００９８】
記録層が結晶状態とアモルファス状態とでの反射光の位相差は、計算により、アモルファス状態の反射光が０．０３π遅れていた。また記録層の吸収率比Ａc／Ａaは、計算により０．７５であった。
【００９９】
比較例１
記録層の膜厚を２０ｎｍとした以外は実施例３と全く同様にしてディスクを作製した。
ディスクを線速度３ｍ／ｓで回転させ、任意のグルーブを選択し、実施例１と同じ信号記録装置を用いて周波数２．２４ＭＨｚの信号を記録した。記録パワーは５〜１０ｍＷのあいだで１ｍＷ刻みで変化させ、消去パワー、ベースパワーを４．５ｍＷとして１ビームオーバーライトを行った。そののち再生し、解像帯域幅１０ｋＨｚで測定したところ、ＣＮ比５６ｄＢと良好な値であった。
【０１００】
次に、任意のランドを選択し、同様な記録を行ってＣＮ比を測定したところ、５３ｄＢであった。このように、ランドとグルーブの信号品質が同等でなくなり、ＣＮ比に３ｄＢもの差を生じた。
記録層が結晶状態とアモルファス状態とでの反射光の位相差は、計算により、アモルファス状態の反射光が０．２０π進んでいた。また記録層の吸収率比Ａc／Ａaは、計算により０．８５であった。
【０１０１】
比較例２
下部誘電体保護層の膜厚を１８０ｎｍ、記録層の膜厚を２０ｎｍ、上部誘電体保護層の膜厚を８０ｎｍとした以外は実施例３と全く同様にしてディスクを作製した。
ディスクを線速度３ｍ／ｓで回転させ、任意のランドを選択し、実施例１と同じ信号記録装置を用いて周波数２．２４ＭＨｚの信号を記録した。記録パワーは８〜９ｍＷのあいだで０．５ｍＷ刻みで変化させ、消去パワー、ベースパワーを４．５ｍＷとして１ビームオーバーライトを行った。そののち再生し、解像帯域幅１０ｋＨｚで測定したところ、ＣＮ比は５０〜５１ｄＢであった。
【０１０２】
次に、任意のグルーブを選択し、同様な記録を行ってＣＮ比を測定したところ、３９〜４０ｄＢしか得られなかった。このように、ランドとグルーブの信号品質の一方が著しく悪化し、ＣＮ比に実に１１ｄＢもの差を生じた。
【０１０３】
記録層が結晶状態とアモルファス状態とでの反射光の位相差は、計算により、アモルファス状態の反射光が０．１６π遅れていた。
記録層の吸収率比Ａc／Ａaは、計算により１．１９もあったにもかかわらず、ランドで測定した記録マークのジッターは１３ｎｓであり、実施例３より劣っていた。
図７に本比較例により得られた記録パワーとＣＮ比の関係を示す。
【０１０４】
比較例３
下部誘電体保護層の膜厚を２２０ｎｍ、記録層の膜厚を２０ｎｍ、上部誘電体保護層の膜厚を８０ｎｍとした以外は実施例３と全く同様にしてディスクを作製した。
ディスクを線速度３ｍ／ｓで回転させ、任意のランドを選択し、実施例１と同じ信号記録装置を用いて周波数２．２４ＭＨｚの信号を記録した。記録パワーは８〜９ｍＷのあいだで０．５ｍＷ刻みで変化させ、消去パワー、ベースパワーを４．５ｍＷとして１ビームオーバーライトを行った。そののち再生し、解像帯域幅１０ｋＨｚで測定したところ、ＣＮ比５１〜５２ｄＢであった。
次に、任意のグルーブを選択し、同様な記録を行ってＣＮ比を測定したところ、４４〜４５ｄＢしか得られなかった。このように、ランドとグルーブの信号品質の一方が著しく悪化し、ＣＮ比に７ｄＢもの差を生じた。
【０１０５】
記録層が結晶状態とアモルファス状態とでの反射光の位相差は、計算により、アモルファス状態の反射光が０．２５π遅れていた。
記録層の吸収率比Ａc／Ａaは、計算により１．２１もあったにもかかわらず、ランドで測定した記録マークのジッターは１０ｎｓであり、実施例３より劣っていた。
【０１０６】
実施例５
螺旋状のグルーブを、グルーブピッチを１．１〜１．６μｍまで０．５μｍ刻みで変えたものを複数枚用意した。いずれもグルーブ幅とランド幅は等しくした。実質的な記録トラックピッチは０．５５〜０．８μｍである。また、グルーブ深さは約７０ｎｍであった。
この基板上にスパッタリングにより、下部誘電体保護層、記録層、上部誘電体保護層、反射層を設けた。記録層の組成をＧｅ22Ｓｂ23.5Ｔｅ54.5とした以外は、層構成は実施例１と同じとした。
【０１０７】
このディスクについて、繰返しオーバーライト記録を行い、クロスイレーズの程度を評価した。
まずグルーブあるいはランド上に記録を行い、次に隣接両ランドあるいはグルーブに繰返しオーバーライトを行って、最初にグルーブあるいはランドに記録された信号のＣＮ比の低下を測定した。
【０１０８】
ディスクを線速度１０ｍ／ｓで回転させ、６８０ｎｍの半導体レーザー光を開口数０．６０の対物レンズで記録層上に集光し、プッシュプル方式でトラッキング制御を行いながら信号の記録、再生を行った。
まず、任意のグルーブを選択し、周波数２．２４ＭＨｚの信号をデューティ２５％で記録した。記録パワーを８〜９ｍＷとし、消去パワー、ベースパワーを４．５ｍＷとして、１ビームオーバーライトを行った。
【０１０９】
その結果、グルーブピッチが１．４５μｍ（記録トラックピッチ０．７２５μｍ）以上では、１万回オーバーライト後の隣接グルーブまたはランド間のＣＮ比の低下を３ｄＢ未満とでき、実用上問題のないレベルであった。
なお、記録層が結晶状態とアモルファス状態とでの反射光の位相差は、計算により、アモルファス状態の反射光が０．０１π進んでいた。また記録層の吸収率比Ａc／Ａaは、計算により０．８５であった。
【０１１０】
本発明者らの熱拡散方程式を数値計算によって解いた解析結果によれば、本実施例で用いた層構成は横方向の熱拡散が最も多いものの一つであり、クロスイレーズに関しては最も厳しい条件で検討したことになる。従って、他の層構成についても、上記最小トラックピッチ以上であれば問題ないと考えてよい。
【０１１１】
実施例６
実施例５と同じディスクについて、ランド上に繰返しオーバーライトを行い、そのランド上の信号のマーク長ジッターを測定した。記録再生条件は、集束レンズのＮＡ＝０．５５のものを用いた以外は実施例５と同様とした。
グルーブピッチ１．５５μｍおよび１．６μｍ（記録トラックピッチ０．７７５μｍおよび０．８μｍ）の場合にのみ、１０3回のオーバーライトに対するジッター増加が２０％程度に抑えられた。
一方、グルーブピッチ１．４μｍ（記録トラックピッチ０．７μｍ）では、ジッターの増加が著しく、１０3回のオーバーライトに対し、２倍以上となった。
【０１１２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明による光記録媒体および記録再生方法によれば、ランドの記録マークのキャリアレベルとグルーブのキャリアレベルの間の好ましからざる差を解消でき、また、ランドとグルーブの両方に信号を記録する場合も、隣接トラックからのクロストークの影響を低減することができる。
したがってランドとグルーブのいずれに記録しても同等なレベルの再生信号振幅が得られ、高品質で高信頼性のランド＆グルーブ記録用ディスクを提供できる。
【０１１３】
さらに、本発明の光記録媒体の記録層がアモルファス状態の場合と結晶状態の場合との、記録層に吸収される照射光の割合の比率を特定のものとすることにより、高ＣＮ比かつ記録マークのジッタの低い優れたディスクを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における光ディスクの溝形状と照射レーザー光の収束ビームの位置関係を説明するための拡大斜視図
【図２】本発明における光ディスクの溝形状と照射レーザー光の収束ビームの位置関係を説明するための拡大斜視図
【図３】本発明における光ディスクの溝形状と照射レーザー光の収束ビームの位置関係を説明するための拡大斜視図
【図４】本発明における光ディスクの溝形状と照射レーザー光の収束ビームの位置関係を説明するための拡大斜視図
【図５】収束ビームの形状を示す模式図
【図６】実施例３における記録パワーとＣＮ比の関係を示した図
【図７】比較例２における記録パワーとＣＮ比の関係を示した図
【符号の説明】
１    基板
２    記録層
３    ランド
４    グルーブ
５    収束ビーム
６    ランドに照射された収束ビームの領域
７    グルーブに照射された収束ビームの領域
８    記録マーク
９    収束ビーム
１０  収束ビームの強度分布
１１  エアリーディスク
１２  集束レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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