(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層および配線導体層を積層するとともに、前記誘電体層の一部を挟んで対向する容量素子電極層が形成されて成る容量素子内蔵配線基板において、前記容量素子電極層は、一方の容量素子電極層の外周縁が他方の容量素子電極層の外周縁よりも外側に位置するようにして形成されるとともに、前記他方の容量素子電極層と同じ層間に前記一方の容量素子電極層と電気的に接続された枠状の補助容量素子電極層が、前記他方の容量素子電極層を取り囲み、かつ内周縁が前記一方の容量素子電極層の前記外周縁の内側に位置し、外周縁が前記一方の容量素子電極層の前記外周縁の外側に位置するようにして形成されており、前記他方の容量素子電極層は、前記補助容量素子電極層の一部に設けた切り欠き部を通る引き出し配線を介して導出されていることを特徴とする容量素子内蔵配線基板。
【請求項２】
前記補助容量素子電極層に設けた切り欠き部における前記引き出し配線と前記補助容量素子電極層との間隔が、前記容量素子電極層間の前記誘電体層の厚みの0.7倍以下であることを特徴とする請求項１記載の容量素子内蔵配線基板。
【請求項３】
前記一方の容量素子電極層は、前記補助容量素子電極層から外側に向けて引き出し配線を介して導出されていることを特徴とする請求項１記載の容量素子内蔵配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として発振回路やフィルタ回路等を形成するための配線基板として使用される容量素子内蔵配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
発振回路やフィルタ回路等を形成するための基板として使用される配線基板として、複数の誘電体層および配線導体層を積層するとともに、その誘電体層の一部を挟んで対向する容量素子電極層が形成されて成る容量素子内蔵配線基板が知られている。
【０００３】
この容量素子内蔵配線基板において、一般に、誘電体層は、ガラスセラミックス焼結体・酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料や、エポキシ樹脂をガラスクロスに含浸させた有機系材料や、セラミックフィラーを有機樹脂中に分散させた複合材料等により形成され、また配線導体層および電極層は、銅・銀・タングステン等の金属粉末メタライズや銅箔・銅めっき層等の金属材料により形成される。
【０００４】
また、このような容量素子内蔵配線基板は、例えば、誘電体層がガラスセラミックス焼結体から成る場合であれば、ホウ珪酸ガラス等のガラス粉末と酸化アルミニウム等のセラミック粉末とを有機溶剤・バインダとともにシート状に成形して成る複数のグリーンシートの表面に、銅・銀等の金属ペーストを所定の配線導体層および容量素子電極層のパターンに印刷塗布し、容量素子電極層となる金属ペーストが誘電体層となるグリーンシートを挟んで対向するようにしてグリーンシートを積層し、焼成することにより製作される。
【０００５】
そして、配線導体層の露出表面を外部電気回路基板の回路配線に半田等を介して接続することにより、容量素子内蔵配線基板が、外部電気回路において発振回路やフィルタ回路として作動することとなる。
【０００６】
従来、このような容量素子内蔵配線基板においては、複数の誘電体層および配線導体層を積層し、その誘電体層の一部を挟んで対向する容量素子電極層を形成する場合は、例えば、金属ペーストを印刷塗布したグリーンシートを積層する場合においては、いずれかの容量素子電極層が所定の位置からずれて積層される、いわゆる積層ずれを起こすと、この積層ずれにより対向する容量素子電極層の間に発生する静電容量値がばらつき、高精度の静電容量値が得られなくなるという問題があった。
【０００７】
従って、従来、一般的には、図３に要部断面図で示すように、面積が異なる容量素子電極層12および13を採用し、容量素子電極層12・13間に積層ずれが生じても面積の小さい方の容量素子電極層13が必ず面積の大きい方の容量素子電極層12の内側に収まるようにして、容量素子電極層12・13同士の対向する面積、つまり対向する容量素子電極層12・13の間の静電容量の変化を抑える手法がとられていた。
【０００８】
また、容量素子電極層12・13は、形成が容易であり、かつ静電容量に不要な影響を及ぼすことがないことから、それぞれ貫通導体14を介して導出され、配線導体層（図示せず）と接続されていた。なお、図３において11は誘電体層である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、容量素子内蔵配線基板においては小型化、特に低背化が強く要求されるようになってきているため、容量素子内蔵配線基板を形成する各誘電体層も、その厚みを非常に薄くすることが必要となってきている。このように誘電体層の厚みを非常に薄くした場合には、容量素子電極層の対向する面積の変化を抑えたとしても、面積の大きな容量素子電極層のうち面積の小さな容量素子電極層と対向していない外縁部分から面積の小さな容量素子電極層にかけて電気力線が回り込むことによって生じる余分な静電容量成分の影響が非常に大きくなるため、静電容量値が所定の値からずれてしまうという問題が新たに発生するようになってきた。
【００１０】
また、容量素子電極層の積層ずれにより、配線導体層の容量素子電極層への投影面積が変化する。この変化によっても、内蔵容量素子の静電容量値のばらつきが引き起こされることになり、特に小面積の容量素子電極層については、その面積が小さくなるにつれて静電容量値のばらつきも大きくなるという問題があった。
【００１１】
また、容量素子電極層がそれぞれ貫通導体を介して導出されているため、この貫通導体を形成するために、少なくとも容量素子電極層の上下に１層ずつの誘電体層が必要であることから、容量素子内蔵配線基板の小型化・低背化が妨げられてしまうという問題があった。
【００１２】
本発明は以上のような従来の技術における問題に鑑みて案出されたものであり、その目的は、特に小型化・低背化の著しい近年の容量素子内蔵配線基板において、この小型化・低背化を容易に図ることが可能で、かつ容量素子電極層の積層ずれが生じても静電容量値のばらつきが小さい容量素子内蔵配線基板を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の容量素子内蔵配線基板は、複数の誘電体層および配線導体層を積層するとともに、前記誘電体層の一部を挟んで対向する容量素子電極層が形成されて成る容量素子内蔵配線基板において、前記容量素子電極層は、一方の容量素子電極層の外周縁が他方の容量素子電極層の外周縁よりも外側に位置するようにして形成されるとともに、前記他方の容量素子電極層と同じ層間に前記一方の容量素子電極層と電気的に接続された枠状の補助容量素子電極層が、前記他方の容量素子電極層を取り囲み、かつ内周縁が前記一方の容量素子電極層の前記外周縁の内側に位置し、外周縁が前記一方の容量素子電極層の前記外周縁の外側に位置するようにして形成されており、前記他方の容量素子電極層は、前記補助容量素子電極層の一部に設けた切り欠き部を通る引き出し配線を介して導出されていることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の容量素子内蔵配線基板は、上記構成において、前記補助容量素子電極層に設けた切り欠き部における前記引き出し配線と前記補助容量素子電極層との間隔が、前記容量素子電極層間の前記誘電体層の厚みの0.7倍以下であることを特徴とするものである。
【００１５】
さらに、本発明の容量素子内蔵配線基板は、上記構成において、前記一方の容量素子電極層は、前記補助容量素子電極層から外側に向けて引き出し配線を介して導出されていることを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の容量素子内蔵配線基板によれば、容量素子電極層は、一方の容量素子電極層の外周縁が他方の容量素子電極層の外周縁よりも外側に位置するようにして形成されるとともに、他方の容量素子電極層と同じ層間に一方の容量素子電極層と電気的に接続された枠状の補助容量素子電極層が、他方の容量素子電極層を取り囲み、かつ内周縁が一方の容量素子電極層の外周縁の内側に位置し、外周縁が一方の容量素子電極層の外周縁の外側に位置するようにして形成されていることから、一方の容量素子電極層と他方の容量素子電極層との対向する面積を常に一定に保つことができるとともに、積層ずれを生じたとしても、補助容量素子電極層と他方の容量素子電極層とは同じ層間にあることから両者の位置関係がずれることはなく、この間隔は変動しないため、他方の容量素子電極層と補助容量素子電極層との間に確実に一定の静電容量を生じさせることができ、内蔵容量素子全体として静電容量の値を常に一定に維持することができる。また、補助容量素子電極層の外周縁が一方の容量素子電極層の外周縁の外側に位置するようにして形成されていることから、一方の容量素子電極層と補助容量素子電極層とが電気的に接続され同電位であることにより、他方の容量素子電極層の外周部と補助容量素子電極層の内周部とでも電気力線を結び静電容量を得ることができ、その結果、一方の容量素子電極層のうち他方の容量素子電極層と対向していない部位と他方の容量素子電極層との間で電気力線が誘電体層を介して最短距離で回り込んで結ばれることがなくなり、積層ずれによる最短距離の変動による影響がなく、一方の容量素子電極層と他方の容量素子電極層との間で余分な静電容量成分が生じることを効果的に防ぐことができ、静電容量の変動が生じないものとすることができる。
【００１７】
また、他方の容量素子電極層は、補助容量素子電極層の一部に設けた切り欠き部を通る引き出し配線を介して導出されていることから、従来のようにこの他方の容量素子電極層を導出するための貫通導体を設けるために誘電体層を余分に積層する必要はなく、容量素子内蔵配線基板として低背化を容易に実現することができる。
【００１８】
この場合、補助容量素子電極層に設けた切り欠き部における引き出し配線と補助容量素子電極層との間隔を、容量素子電極層間の誘電体層の厚みの0.7倍以下としておくと、引き出し配線とこの引き出し配線に対向する一方の容量素子電極層との間で生じる静電容量成分を、容量素子内蔵配線基板としての静電容量にほとんど影響を与えない程度に小さなものとすることが確実にでき、内蔵容量素子全体として静電容量の値を常により一層確実に、一定に維持することができる。
【００１９】
また、一方の容量素子電極層を、補助容量素子電極層から外側に向けて引き出し配線を介して導出した場合には、配線基板の低背化をより一層容易に実現することができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の容量素子内蔵配線基板を添付の図面に基づき詳細に説明する。
【００２１】
図1は、本発明の容量素子内蔵配線基板の実施の形態の一例を示す要部断面図であり、図２（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の容量素子内蔵配線基板の実施の形態の一例および他の例を示す要部平面図である。これらの図において、１は誘電体層、２は一方の容量素子電極層、３は一方の容量素子電極層２に対向する他方の容量素子電極層、４は補助容量素子電極層、５は一方の容量素子電極層２と補助容量素子電極層４とを電気的に接続する貫通導体、６は配線導体層、７（７ａ・７ｂ）は引き出し配線であり、これらの誘電体層１・一方の容量素子電極層２・他方の容量素子電極層３・補助容量素子電極層４・貫通導体５・配線導体層６および引き出し配線７により、容量素子内蔵配線基板が形成される。なお、一方の容量素子電極層２と補助容量素子電極層４とは、貫通導体５により電気的に接続され同電位となる。
【００２２】
誘電体層１は、ガラスセラミックス焼結体・酸化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料や、エポキシ樹脂をガラスクロスに含浸させた有機系材料や、セラミックフィラーを有機樹脂中に分散させた複合材料等により形成される。
【００２３】
誘電体層１は、例えばガラスセラミックス焼結体から成る場合であれば、ホウ珪酸ガラス等のガラス粉末と酸化アルミニウム等のセラミック粉末とを有機溶剤・バインダとともにシート状に成形し複数枚のグリーンシートを得て、これに適当な孔あけ加工を施すとともに上下に積層し、約1000℃で焼成することにより製作される。
【００２４】
一方の容量素子電極層２および他方の容量素子電極層３は、配線基板の内蔵容量素子を形成するための対向電極として機能し、銅・銀・タングステン等の金属粉末メタライズや、銅箔・銅めっき層等の金属材料により形成され、例えば、誘電体層１がガラスセラミックス焼結体から成る場合であれば、銅・銀等の金属粉末に有機溶剤・バインダを添加して得た金属ペーストを誘電体層１となるグリーンシートの表面に所定パターンに印刷塗布しておくことにより形成される。
【００２５】
この場合、一方の容量素子電極層２の外周縁を他方の容量素子電極層３の外周縁よりも外側に位置するようにして形成する。
【００２６】
一方の容量素子電極層２の外周縁が他方の容量素子電極層３の外周縁よりも外側に位置することにより、いずれかの容量素子電極層に積層ずれを生じたとしても、一方の容量素子電極層２と他方の容量素子電極層３との対向する面積を常に一定とすることができ、この対向する面積に応じて生じる静電容量の値を一定に維持することができる。
【００２７】
また、本発明の容量素子内蔵配線基板においては、他方の容量素子電極層３と同じ層間に、一方の容量素子電極層２と電気的に接続された枠状の補助容量素子電極層４を、他方の容量素子電極層３を取り囲み、かつその内周縁が一方の容量素子電極層２の外周縁の内側に位置し、外周縁が一方の容量素子電極層２の外周縁の外側に位置するようにして形成しておくことが重要である。
【００２８】
この補助容量素子電極層４は、一方の容量素子電極層２とともに、他方の容量素子電極層３との間で一定の静電容量を形成する機能を有している。
【００２９】
本発明の容量素子内蔵配線基板によれば、この場合、一方の容量素子電極層２と補助容量素子電極層４とが電気的に接続され同電位であることから、他方の容量素子電極層３の外周部と補助容量素子電極層４の内周部とでも電気力線を結び静電容量を得ることができる。よって、一方の容量素子電極層２のうち他方の容量素子電極層３と対向していない部位と他方の容量素子電極層３との間で電気力線が誘電体層１を介して最短距離で回り込んで結ばれることがなくなり、積層ずれによる最短距離の変動による影響がなく、一方の容量素子電極層２と他方の容量素子電極層３との間で余分な静電容量成分が生じることを効果的に防ぐことができ、静電容量の変動が生じないものとすることができる。
【００３０】
また同時に、この補助容量素子電極層４は、他方の容量素子電極層３と同じ層間に形成され、後述するように他方の容量素子電極層３と同時に印刷すること等により形成することができるため、他方の容量素子電極層３との間で位置ずれを生じることはなく、その内周縁と他方の容量素子電極層３の外周縁との間の距離、つまり補助容量素子電極層４と他方の容量素子電極層３との間で生じる静電容量は確実に一定の静電容量値とすることができる。
【００３１】
なお、補助容量素子電極層４は、他方の容量素子電極層３を取り囲むようにして枠状に形成しておく必要がある。これは、積層ずれの方向に関わらず静電容量値を安定させるためである。
【００３２】
また補助容量素子電極層４は、その内周縁が一方の容量素子電極層２の外周縁の内側に位置し、外周縁が一方の容量素子電極層２の外周縁の外側に位置するようにして形成する必要がある。これは、補助容量素子電極層４と他方の容量素子電極層３との間で効果的に静電容量を生じさせるためであり、補助容量素子電極層４の内周縁が一方の容量素子電極層２の外周縁と同じ位置またはそれよりも外側に位置するようになると、補助容量素子電極層４と他方の容量素子電極層３との間の距離が大きくなりすぎ、それらの間で効果的に静電容量を得ることができなくなり、一方の容量素子電極層２と他方の容量素子電極層３との間で余分な静電容量成分が生じるのを防止することができなくなるためである。また、補助容量素子電極層４の外周縁が一方の容量素子電極層２の外周縁の外側に位置するようにして形成されていることから、一方の容量素子電極層２と補助容量素子電極層４とが電気的に接続され同電位であることにより、他方の容量素子電極層３の外周部と補助容量素子電極層４の内周部とでも電気力線を結び静電容量を得ることができ、その結果、一方の容量素子電極層２のうち他方の容量素子電極層３と対向していない部位と他方の容量素子電極層３との間で電気力線が誘電体層１を介して最短距離で回り込んで結ばれることがなくなり、積層ずれによる最短距離の変動による影響がなく、一方の容量素子電極層２と他方の容量素子電極層３との間で余分な静電容量成分が生じることを効果的に防ぐことができ、静電容量の変動が生じないものとすることができる。
【００３３】
このような補助容量素子電極層４は、一方の容量素子電極層２や他方の容量素子電極層３と同様に、銅・銀・タングステン等の金属粉末メタライズや、銅箔・銅めっき層等の金属材料により形成され、例えば、銅・銀等の金属粉末に有機溶剤・バインダを添加して得た金属ペーストを誘電体層１となるグリーンシートのうち他方の容量素子電極層３となる金属ペーストが印刷されるグリーンシートの表面に、他方の容量素子電極層３を枠状に囲むようにして印刷塗布しておくことにより形成される。この場合、他方の容量素子電極層３となる金属ペーストと補助容量素子電極層４となる金属ペーストとは、同じものを用いることができるため一つの製版で同時に印刷塗布することができ、両者間に位置ずれを生じることはない。
【００３４】
また本発明においては、他方の容量素子電極層３を、補助容量素子電極層４の一部に設けた切り欠き部を通る引き出し配線７ａを介して導出させることが重要である。
【００３５】
他方の容量素子電極層３を、補助容量素子電極層４の一部に設けた切り欠き部を通る引き出し配線７ａを介して導出させることにより、従来のように貫通導体14を介して導出させた場合に比べて、誘電体層１の層数を一層減らすことができ、容量素子内蔵配線基板の低背化を容易に実現することができる。
【００３６】
この場合、補助容量素子電極層４に設けた切り欠き部における引き出し配線７ａと補助容量素子電極層４との間隔ｇを、容量素子電極層２・３間の誘電体層１の厚みｄの0.7倍以下としておくと、他方の容量素子電極層３と同電位である引き出し配線７ａが一方の容量素子電極層２と対向することにより生じる余分な静電容量の発生を効果的に防止することができ、静電容量値の制御が容易・確実となって容量素子内蔵配線基板としての信頼性をより一層優れたものとすることができる。
【００３７】
また、補助容量素子電極層４に設けた切り欠き部における引き出し配線７ａと補助容量素子電極層４との間隔ｇが、容量素子電極層２・３間の誘電体層１の厚みｄに対してその0.7倍を超えるようになると、補助容量素子電極層４と引き出し配線７ａとの間隙部の間隔ｇが広くなりすぎるため、この間隙部において補助容量素子電極層４の効果が不十分となり、一方の容量素子電極層２から他方の容量素子電極層３にかけて電気力線が回り込むことによる余分な静電容量成分が生じ、静電容量値が所定の値からずれやすくなる傾向がある。
【００３８】
このように補助容量素子電極層４の一部に切り欠き部を設けるとともに、この切り欠き部を通る引き出し配線７ａを形成するには、例えば、切り欠き部に対応した非印刷部分が形成されるとともに、引き出し配線７ａとなるような印刷用の開口部が形成された製版を用いて、他方の容量素子電極層３およびこれに接続された引き出し配線７ａならびに補助容量素子電極層４となるパターンに金属ペーストを印刷するという手段を用いることができる。
【００３９】
また、本発明の容量素子内蔵配線基板においては、一方の容量素子電極層２を、補助容量素子電極層4から外側に向けて引き出し配線７ｂを介して導出するようにしておくと、一方の容量素子電極層２をその上方に導出させるための貫通導体を形成するために誘電体層を積層させる必要がなくなり、容量素子内蔵配線基板の低背化をより一層容易に実現することができる。
【００４０】
なお、これらの一方の容量素子電極層２と補助容量素子電極層４との電気的接続は、例えば、誘電体層１に形成した貫通導体５を介して行なわれる。
【００４１】
この貫通導体５は、誘電体層１となるグリーンシートにあらかじめ孔あけ加工を施すとともに、各容量素子電極層２・３と同様の金属ペーストを印刷充填しておくことにより形成される。
【００４２】
このように一方の容量素子電極層２と補助容量素子電極層４との電気的接続を貫通導体５を介して行なう場合は、貫通導体５は枠状の補助容量素子電極層４の全周にわたって、ほぼ等間隔となるようにして複数設けておくことが好ましい。これにより一方の容量素子電極層２と補助容量素子電極層４とをより一層確実に同電位とすることができ、補助容量素子電極層４と他方の容量素子電極層３との間に生じる静電容量値をより一層確実に一定の値とすることができる。
【００４３】
なお、他方の容量素子電極層３の外周縁と補助容量素子電極層４の内周縁との間の距離は、他方の容量素子電極層３の全周にわたってほぼ等距離となるようにしておくことが好ましい。これは、等距離にすることで、その間に生じる静電容量値を位置に寄らず一定にすることができるため、内蔵容量素子全体の静電容量値を安定にすることができるためである。
【００４４】
また、一方の容量素子電極層２および他方の容量素子電極層３は、通常、ほぼ四角形状のいわゆるベタ塗りパターンであるが、その角部に、容量素子電極層２および３の幅の５％〜10％程度の長さを持つ曲率半径の丸みを設けておくと、誘電体層１に対する被着強度を向上させることができ、容量素子内蔵配線基板としての信頼性をより一層優れたものとすることができるので、好ましい。
【００４５】
配線導体層６は、内蔵した容量素子の電極を外部に導出・接続する導電路として機能し、通常、一方の容量素子電極層２や他方の容量素子電極層３と同様の材料から成り、例えば、銅・銀・タングステン等の金属粉末メタライズや、銅箔・銅めっき層等の金属材料により形成され、例えば、銅・銀等の金属粉末に有機溶剤・バインダを添加して得た金属ペーストを誘電体層１となるグリーンシートの表面に所定の回路状パターンに印刷塗布しておくことにより形成される。
【００４６】
これらの一方の容量素子電極層２・他方の容量素子電極層３・補助容量素子電極層４および配線導体層６は、その露出する表面にニッケル・金等の耐食性の良好な金属から成るめっき層を、例えば、厚みが１μｍ〜10μｍ程度のニッケルめっき層／厚みが0.03μｍ〜３μｍ程度の金めっき層の順に被着させておくことが好ましい。
【００４７】
以上により本発明の容量素子内蔵配線基板が形成され、配線導体層６の露出表面の一部に半導体素子等の電子部品を接続するとともに外部電気回路に半田等を介して接続することによって、内蔵した容量素子と外部電気回路とが電気的に接続され、容量素子内蔵配線基板が外部電気回路とともに発振回路やフィルタ回路として作動することとなる。
【００４８】
なお、本発明の容量素子内蔵基板は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々に変形させることができる。特に、枠状の補助容量素子電極層４の形状は、上記の要件を満たしているものであれば任意の形状を採用することができる。
【００４９】
また、一方の容量素子電極層２・他方の容量素子電極層３および補助容量素子電極層４は、これら全部が積層された誘電体層１の内部に位置するようにして形成される必要はなく、一方の容量素子電極層２が、または他方の容量素子電極層３および補助容量素子電極層４が外表面に露出するようにして形成されてもよい。
【００５０】
また、一方の容量素子電極層２と補助容量素子電極層４との導通は、貫通導体５で行なうものに限らず、誘電体層１の外表面の側面にいわゆるキャスタレーション導体等の側面導体層を形成し、この側面導体層と配線導体層６とを介して導通させるようにしてもよい。
【００５１】
また、他方の容量素子電極層３の引き出し配線７ａと接する部分に円弧状の張り出し部分を設け、他方の容量素子電極層３と引き出し配線７ａとの電気的接続をより一層確実なものとするようにしてもよい。
【００５２】
【発明の効果】
本発明の容量素子内蔵配線基板によれば、容量素子電極層は、一方の容量素子電極層の外周縁が他方の容量素子電極層の外周縁よりも外側に位置するようにして形成されるとともに、他方の容量素子電極層と同じ層間に一方の容量素子電極層と電気的に接続された枠状の補助容量素子電極層が、他方の容量素子電極層を取り囲み、かつ内周縁が一方の容量素子電極層の外周縁の内側に位置し、外周縁が一方の容量素子電極層の外周縁の外側に位置するようにして形成されていることから、一方の容量素子電極層と他方の容量素子電極層との対向する面積を常に一定に保つことができるとともに、積層ずれを生じたとしても、補助容量素子電極層と他方の容量素子電極層とは同じ層間にあることから両者の位置関係がずれることはなく、この間隔は変動しないため、他方の容量素子電極層と補助容量素子電極層との間に確実に一定の静電容量を生じさせることができ、内蔵容量素子全体として静電容量の値を常に一定に維持することができる。また、補助容量素子電極層の外周縁が一方の容量素子電極層の外周縁の外側に位置するようにして形成されていることから、一方の容量素子電極層と補助容量素子電極層とが電気的に接続され同電位であることにより、他方の容量素子電極層の外周部と補助容量素子電極層の内周部とでも電気力線を結び静電容量を得ることができ、その結果、一方の容量素子電極層のうち他方の容量素子電極層と対向していない部位と他方の容量素子電極層との間で電気力線が誘電体層を介して最短距離で回り込んで結ばれることがなくなり、積層ずれによる最短距離の変動による影響がなく、一方の容量素子電極層と他方の容量素子電極層との間で余分な静電容量成分が生じることを効果的に防ぐことができ、静電容量の変動が生じないものとすることができる。
【００５３】
また、他方の容量素子電極層は、補助容量素子電極層の一部に設けた切り欠き部を通る引き出し配線を介して導出されていることから、従来のようにこの他方の容量素子電極層を導出するための貫通導体を設けるために誘電体層を余分に積層する必要はなく、容量素子内蔵配線基板として低背化を容易に実現することができる。
【００５４】
この場合、補助容量素子電極層に設けた切り欠き部における引き出し配線と補助容量素子電極層との間隔を、容量素子電極層間の誘電体層の厚みの0.7倍以下としておくと、引き出し線とこの引き出し線に対向する一方の容量素子電極層との間で生じる静電容量成分を、容量素子内蔵配線基板としての静電容量にほとんど影響を与えない程度に小さなものとすることが確実にでき、内蔵容量素子全体として静電容量の値を常により一層確実に、一定に維持することができる。
【００５５】
また、一方の容量素子電極層を、補助容量素子電極層から外側に向けて引き出し配線を介して導出した場合には、配線基板の低背化をより一層容易に実現することができる。
【００５６】
以上により、本発明によれば、この小型化・低背化を容易に図ることが可能で、かつ容量素子電極層の積層ずれが生じても静電容量値のばらつきが小さい容量素子内蔵配線基板を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の容量素子内蔵配線基板の実施の形態の一例を示す要部断面図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本発明の容量素子内蔵配線基板の実施の形態の一例および他の例を示す要部平面図である。
【図３】従来の容量素子内蔵配線基板の一例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
１・・・・・誘電体層
２・・・・・一方の容量素子電極層
３・・・・・他方の容量素子電極層
４・・・・・補助容量素子電極層
５・・・・・貫通導体
６・・・・・配線導体層
７・・・・・引き出し配線
７ａ・・・他方の容量素子電極層３からの引き出し配線
７ｂ・・・補助容量素子電極層４からの引き出し配線
【図１】
0003921404.tif 000002
【図２】
0003921404.tif 000003
【図３】
0003921404.tif 000004