(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な基板と；
この透明な基板上に形成された複数の平行で不透明なパターンであって、この不透明なパターンの各々が、２つの平行な側部と、これらの２つの平行な側部の間の距離に等しい幅と、これらの２つの平行な側部と垂直な端部と、この端部から延びる３角形状領域であってこの３角形状領域が底辺と高さを有し且つこの底辺が上記端部により形成されている３角形状領域とを有する上記不透明なパターンと；
上記透明な基板上に形成された複数の位相シフトパターンと；及び
上記透明な基板上に形成された複数の透明なパターンと、
を有し、
上記不透明なパターンの端部に形成された上記３角形状領域の２つの辺と上記位相シフトパターンとが互いに隣接することを特徴とする位相シフトマスク。
【請求項２】
上記透明な基板が石英であることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項３】
上記不透明なパターンがクロムから形成されていることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項４】
上記幅が約０．５から２．５ミクロンであることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項５】
上記の高さ／幅が、約２から５であることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項６】
上記位相シフトパターンがスピン・オン・グラスから形成されていることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項７】
上記位相シフトパターンが、約３６５ナノメータの波長を有する光のために約１８０°の位相シフトを与えることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項８】
上記位相シフトパターンが、約２４８ナノメータの波長を有する光のために約１８０°の位相シフトを与えることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項９】
上記位相シフトパターンが、約１９３ナノメータの波長を有する光のために約１８０°の位相シフトを与えることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスク。
【請求項１０】
位相シフトマスクの形成方法であって、この方法が：
透明な基板を準備する工程と；
この透明な基板上に不透明な材料の層を形成する工程と；
この不透明な材料の層の上にホトレジスト第１層を形成する工程と；
このホトレジスト第１層に第１パターンを形成する工程と；
上記ホトレジスト第１層の上記第１パターンをマスクとして使用してエッチングにより上記不透明な材料の層に第１パターンを形成し、これにより複数の不透明な材料の第１パターン要素を形成し、この不透明な材料の第１パターン要素の各々が、２つの平行な側部と、これらの２つの平行な側部の間の距離に等しい幅と、これらの２つの平行な側部と垂直な端部と、この端部から延びる３角形状領域であってこの３角形状領域が底辺と高さを有し且つこの底辺が上記端部により形成されている３角形状領域とを有する工程と；
上記ホトレジスト第１層に形成された上記第１パターンを取り除く工程と；
上記透明な基板の上に、上記不透明な材料の層に形成された上記第１パターンを覆うホトレジスト第２層を形成する工程と；
このホトレジスト第２層に第２パターンを形成する工程であって、このホトレジスト第２層の第２パターンは複数の第２パターン要素を有し、このホトレジスト第２層の第２パターン要素の各々が２つの隣接する上記不透明な材料の第１パターン要素の間の上記透明な基板の部分を覆い且つこれらの２つの隣接する不透明な第１パターン要素と接触し、これにより、上記不透明な材料の第１パターン要素の各々が上記ホトレジスト第２層の一つのみの第２パターン要素と接触し、上記不透明なパターンの端部に形成された上記３角形状領域の２つの辺と上記位相シフトパターンとが互いに隣接する工程と；
上記不透明な材料の層に形成された上記第１パターン又は上記ホトレジスト第２層に形成された第２パターンに覆われていない上記透明な基板の部分を第１深さだけエッチングにより取り去る工程と；及び
上記ホトレジスト第２層に形成された上記第２パターンを取り除く工程と；を有することを特徴とする位相シフトマスクの形成方法。
【請求項１１】
上記透明な基板が石英であることを特徴とする請求項１０記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項１２】
上記不透明な材料がクロムであることを特徴とする請求項１０記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項１３】
上記幅が約０．５から２．５ミクロンであることを特徴とする請求項１０記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項１４】
上記の高さ／幅が、約２から５であることを特徴とする請求項１０記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項１５】
上記透明な基板の上記第１深さが、約３６５ナノメータの波長を有する光のために約１８０°の位相シフトを与えることを特徴とする請求項１０記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項１６】
上記透明な基板の上記第１深さが、約２４８ナノメータの波長を有する光のために約１８０°の位相シフトを与えることを特徴とする請求項１０記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項１７】
上記透明な基板の上記第１深さが、約１９３ナノメータの波長を有する光のために約１８０°の位相シフトを与えることを特徴とする請求項１０記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項１８】
位相シフトマスクの形成方法であって、この方法が：
透明な基板を準備する工程と；
この透明な基板上に不透明な材料の層を形成する工程と；
この不透明な材料の層の上にホトレジスト第１層を形成する工程と；
このホトレジスト第１層に第１パターンを形成する工程と；
上記ホトレジスト第１層の上記第１パターンをマスクとして使用してエッチングにより上記不透明な材料の層に第１パターンを形成し、これにより複数の不透明な材料の第１パターン要素を形成し、この不透明な材料の第１パターン要素の各々が、２つの平行な側部と、これらの２つの平行な側部の間の距離に等しい幅と、これらの２つの平行な側部と垂直な端部と、この端部から延びる３角形状領域であってこの３角形状領域が底辺と高さを有し且つこの底辺が上記端部により形成されている３角形状領域とを有する工程と；
上記ホトレジスト第１層に形成された上記第１パターンを取り除く工程と；
上記透明な基板の上に、上記不透明な材料の層に形成された上記第１パターンを覆う位相シフト材料層を形成する工程と；
この位相シフト材料層の上にホトレジスト第２層を形成する工程と；
このホトレジスト第２層に第２パターンを形成する工程であって、このホトレジスト第２層の第２パターンは複数の第２パターン要素を有し、このホトレジスト第２層の第２パターン要素の各々が２つの隣接する上記不透明な材料の第１パターン要素の間の上記透明な基板の部分を覆い且つ２つの隣接する上記不透明な材料の第１パターン要素の部分を覆い、これにより、上記不透明な材料の第１パターン要素の各々の上記部分が上記ホトレジスト第２層の一つのみの第２パターン要素に覆われ、上記不透明なパターンの端部に形成された上記３角形状領域の２つの辺と上記位相シフトパターンが互いに隣接する工程と；
上記ホトレジスト第２層に形成された上記第２パターンにより覆われていない上記位相シフト材料の上記部分をエッチングにより取り去る工程と；及び
上記ホトレジスト第２層に形成された上記第２パターンを取り除く工程と；
を有することを特徴とする位相シフトマスクの形成方法。
【請求項１９】
上記透明な基板が石英であることを特徴とする請求項１８記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項２０】
上記不透明な材料がクロムであることを特徴とする請求項１８記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項２１】
上記幅が約０．５から２．５ミクロンであることを特徴とする請求項１８記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項２２】
上記の高さ／幅が、約２から５であることを特徴とする請求項１８記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項２３】
上記位相シフト材料がスピン・オン・グラスであることを特徴とする請求項１８記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項２４】
上記位相シフト材料が酸化珪素であることを特徴とする請求項１８記載の位相シフトマスクの形成方法。
【請求項２５】
上記位相シフト材料が、約３６５ナノメータの波長を有する光のために約１８０°の位相シフトを与える厚みを有することを特徴とする請求項１８記載の位相シフトマスクの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、位相コンフリクト問題が生じないようにした位相シフトマスク及びその形成方法に係わり、特に、明視野ラインとポジ形フォトレジストを用いてウエハー上で露光されたスペース・パターンとの間で、レベンソン(Levenson)の位相シフトマスクでの位相コンフリクトにより、ブリッジ問題が生じないようにした位相シフトマスク及びその形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路ウエハー上に多数の間隔が小さい平行な等しいラインとスペース明視野パターンを形成する際に、パターン・サイズが照射（露光）波長の分解能の限度を越える場合には、特に、位相シフトマスクが良く使用される。０°位相シフトの領域と１８０°位相シフトの領域の間の位相コンフリクト問題は、これらのパターンの端部でブリッジの問題を生じさせる。
ロルフソン(Rolfson) に付与された米国特許第 5,468,578号明細書には、不透明領域と透明領域を持つマスクパターンを用いて複数のマスクパターンを形成してマスクパターンの隣接する透明領域を結合し、これにより、位相コンフリクトを防止するようにした方法が開示されている。
【０００３】
ハセガワ(Hasegawa)らに付与された米国特許第 5,318,868号明細書には、マスクの異なる領域に異なる透過率の位相シフト材料を用いるようにしたものが開示あれている。
マーク・ディー・レベンソン(Marc D. Levenson)の論文“位相シフトマスクの戦略：分離暗ライン”（マイクロリソグラフィー・ワールド(Microlithography World)，３月／４月，１９９２年，６−１２頁）には、分離された暗ラインをパターン化する方法が開示されている。位相遷移でのブリッジが、ブリッジを制御するために位相シフト領域の端部の細ポイントの使用するものとして、議論されている。
マーク・ディー・レベンソン(Marc D. Levenson)の論文“位相シフトマスクの戦略：ライン・スペース・パターン”（マイクロリソグラフィー・ワールド(Microlithography World)，９月／１０月，１９９２年，６−１２頁）には、ライン・スペース・パターンをパターン化する方法が開示されている。位相遷移でのブリッジが、ブリッジを制御するために６０°と１２０°の追加の位相シフト層を使用するものとして、議論されている。
【０００４】
本発明は、微細な間隔の平行不透明ラインの端部で不透明微細ポイントを形成することにより、位相コンフリクト問題の発生を防止するようにした位相シフトマスクに係わる。位相シフト領域の端部での微細ポイントは、マスクが等ライン・スペース明視野パターンを形成するために使用される際に、半導体ウエハー上に残された残留レジストの問題を有する。この問題は、最終的に離間した平行不透明ラインの端部で不透明微細ポイントを用いることにより、防止される。また、本発明は、位相シフトマスクを形成する方法にも係わる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
半導体集積回路ウエハーの製造のための最小特徴長さが、サブミクロン領域まで小さくなってきているため、ホトリソグラフ処理に用いられるマスクに、大きな分解能が要求される。位相シフトマスクは、これらのマスクの分解能の限界を向上させるために良く使用される。
マスクからウエハーに転写されるパターンが一連の平行ラインを有する場合には、一連の平行ラインを有するグレーティング・パターンが使用可能である。これらの場合には、マスクは、それらの間にスペースを有する一連の平行不透明ラインを有する。この種の従来のマスクが図１に示されている。即ち、図１は、透明なマスク基板１０上に、それらの間にスペース１４を持つ平行な不透明ライン１２が形成された従来のマスクを示している。不透明ライン１２は、斜め影線で示されている。
【０００６】
図１に示されたタイプのマスクの分解能を向上させるために、位相シフト材料が良く使用される。図２に示すように、平行不透明ライン２２が透明基板２０上に形成される。位相シフト材料２４が、交互に対となるラインの間のスペースに形成される。図２において、本明細書中の他の全ての平面図と同様に、不透明領域は斜め影線で示され、位相シフト領域は水平な影線で示され、０°位相シフトの透明領域は影線で示されていない。図２に示すように、不透明ライン２２の間又は最外部の不透明ラインに隣接する残りのスペース２１は、透明材料のみを有する。このタイプのマスクは、レベンソン(Levenson)又は交互アパチャーの位相シフトマスクと呼ばれることが多い。
図２に示された交互アパチャー位相シフトマスクを半導体ウエハー上のポジ形レジストと共に使用すると、ライン端部の位相コンフリクトにより問題が生じる。この位相コンフリクトは、位相シフト材料から、それらの間に位相シフト材料を持つライン対の端部の透明材料への急激な変化に起因する。図３に示すように、この位相コンフリクトにより、半導体ウエハー７０上に形成されたライン７２の端部でブリッジ・パターン７４が生じる。
【０００７】
また、不透明なラインの端部で生じる位相コンフリクトの問題を防止するために他の方法が用いられている。図４は、マスクの位相シフト領域の端部に３角形状のセクションを有する位相微細チップを用いた従来のマスクの平面図を示している。図５は、マスクの位相シフト領域の端部に６０°と１２０°の位相シフトステップを用いた従来のマスクの平面図を示している。
図４は、位相微細チップを用いて位相コンフリクト問題の発生を防止するようにしたマスクを示す。１８０°の位相シフトを行う位相シフト材料２４は、水平な影線で示されている。不透明な材料２２は、斜めの影線で示されている。不透明なライン２２と位相シフトライン２４は、透明なマスク基板２０上に形成されている。底辺２７と高さ２８を持つ３角形状セクション２５が、位相シフトラインの端部に形成されている。底辺幅２７に対する高さ２８の比が約３と等しくなったとき、ラインの端部で発生するブリッジ問題が防止される。しかしながら、この方法には、マスクを用いて等ラインとスペース明視野パターンを形成する場合、半導体ウエハー上に残留レジストが発生するという問題がある。
【０００８】
図５は、透明なマスク基板２０上に形成された１８０°位相シフトライン２４の端部で６０°の位相シフト領域３２と１２０°の位相シフト領域３０を使用するマスクの平面図である。図５において、不透明領域２２は斜めの影線で示され、１８０°の位相シフト領域２４は水平な影線で示され、１２０°の位相シフト領域３０は垂直な影線で示され、６０°の位相シフト領域３２は水平な破線の影線で示されている。このマスクにおいて、１８０°の位相シフトから０°の位相シフトまで緩やかに遷移するため、位相コンフリクト問題の発生が防止される。しかしながら、この方法には、余分なレベルである６０°と１２０°位相シフトを形成しなければならないため、コストが高くなり複雑となるという問題がある。
【０００９】
本発明の目的は、位相コンフリクト及びライン端部のブリッジの発生を防止する平行ラインを形成する位相シフトマスクを提供することにある。
また、本発明の目的は、位相コンフリクト及びライン端部のブリッジの発生を防止する平行ラインを形成する位相シフトマスクの形成方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明の位相シフトマスクは、位相シフトマスクの不透明なラインの端部で不透明な微細なチップ又は３角形状のセグメントを有することを特徴としている。
このように構成された本発明おいては、不透明な微細なチップにより、位相コンフリクト問題の発生が防止され、さらに、残留ホトレジスト及び６０°と１２０°の余分の位相シフトレベルの発生が防止される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図６乃至図８により、微細な不透明(opaque)チップを用いた本発明の位相シフトマスクの一実施形態を説明する。図６は、クロムなどの材料から作られた平行な不透明なライン２２を示し、この平行な不透明なライン２２は石英などの透明な(transparent) マスク基板上に形成される。図６において、不透明な領域は斜めの影線で示され、１８０°位相シフト領域は水平な影線で示される。平行な不透明ライン２２の各々の端部には３角形状のセグメント４０が形成され、各３角形状セグメント４０は、平行不透明ライン２２の幅３４及び高さ３６と等しい底辺幅を有する。位相シフト材料２４は、マスクを照らすために使用するライトのために約１８０°の位相シフトを持ち、この位相シフト材料２４は、各不透明ライン２２が位相シフト材料２４の一つのみの領域と透明な材料２０の一つの領域とに隣接するように、対の平行な不透明ライン２２の間に形成される。位相シフト材料２４の各領域の端部が広がって対応する不透明な微細チップ４０の間の領域を満たしている。
【００１２】
図６のマスクは、ラインとスペースのパターンを形成するポジ形ホトレジストを用いて、半導体ウエハー上に平行なラインとスペースを形成するために使用される。不透明な微細チップの底辺幅３４に対する高さ３６の比が約２〜５の場合には、この不透明な微細チップにより、隣接するラインの端部の間でブリッジを生じさせる０°位相シフト領域と１８０°位相シフト領域の間の急激な位相シフトが防止される。
図７は、図６の７−７’線に沿う位相シフトマスクの断面図である。この位相シフトマスクは、不透明な微細チップを用いている。この位相シフトマスクでは、位相シフトパターンが透明なマスク基板内でエッチングされ、さらに、透明なマスク基板の厚みが異なるため位相シフトが１８０°異なる。透明なマスク基板のマスク部分では、石英などの材料が、エッチングにより取り除かれ、透明な基板材料２４が位相シフト領域を形成するのに用いられる。不透明な領域２２はクロムなどの材料により形成される。
【００１３】
図８は、図６の８−８’線に沿う位相シフトマスクの断面図である。この位相シフトマスクは、不透明な微細チップを用いている。この位相シフトマスクでは、位相シフト材料が透明なマスク基板の上に形成され１８０°相違する位相シフトを与えている。このマスクでは、酸化珪素やスピンオングラス(spin-on-glass) が、透明なマスク基板２０の上で且つ対の不透明なライン２２の間に形成されている。位相シフト材料２４の厚みが調整され、マスクを照らすために使用される光の波長、例えば、３６５ナノメータのアイライン(i-line)、２４８ナノメータのクリプトンフッ化物、又は１９３ナノメータのアルゴンフッ化物で、約１８０°の位相シフトを与えている。
次に、図９乃至図１４を参照して本発明の不透明な微細チップを有する位相シフトマスクの形成方法の一実施形態を説明する。この位相シフトマスクでは、位相シフトパターンが透明なマスク基板内でエッチングされ、透明なマスク基板の厚みが異なりこれにより１８０°相違する位相シフトが与えられる。
【００１４】
図９に示すように、約８００乃至１４００オングストロームの厚みを有するクロムなどの材料の不透明層２１が、透明なマスク基板２０の上に形成される。この透明なマスク基板２０は、５インチのレティクル（網状のマスクパターン）用の約０．０９０インチの厚み又は６インチのレティクル用の約０．２５インチの厚みを有する石英などの材料である。ホトレジスト５０の層が、不透明材料２１の上に形成される。その後、平行な不透明なラインと不透明な微細チップのパターンが、電子ビーム露光法により、ホトレジスト５０の層に形成される。マスクとしてホトレジストパターンを使用して、パターンがウエットエッチング法により不透明なクロム層に形成される。
図１０は、不透明マスク基板２０上の不透明材料に形成された不透明な平行ライン２０と不透明な微細チップ４０を示している。図１１は、図１０の１１−１１’線に沿う断面図であり、透明なマスク基板２０上に形成され不透明なライン２２の断面を示している。
【００１５】
次に、図１２と図１３に示すように、ホトレジストパターン５２が、透明なマスク基板のこれらの領域の上に形成され、透明なマスク基板の余分な厚みにより、１８０°の位相シフトが与えられことになる。このホトレジストパターン５２は、ホトレジスト層の電子ビーム露光により形成される。図１３は、図１２の１３−１３’線に沿う断面図であり、透明なマスク基板２０上の不透明な平行ライン２２の上に形成されたホトレジストパターン５２の断面を示している。
次に、図１４に示すように、透明なマスク基板２０のホトレジストパターンに覆われていない部分が、異方性のドライエッチングにより部分的に取り除かれ、さらに、ホトレジストが取り去られる。平行で不透明なラインパターン２２の一部が、エッチングマスクの一部分となり、それがエッチングを不透明な材料に形成されるパターンに自動的に整合させる。透明なマスク基板の異方性ドライエッチングは、完成したマスクを照らすのに使用される波長の光のために１８０°の位相シフトを与える材料の量となるように、制御される。透明なマスク基板２４のエッテングされない部分は、完成されたマスクで１８０°の位相シフトを与える。
【００１６】
次に、図９乃至図１１及び図１５乃至図１８を参照して、本発明の不透明な微細チップを有する位相シフトマスクの形成方法の他の実施形態を説明する。この位相シフトマスクでは、透明なマスク基板上に位相シフトを形成しこれにより１８０°相違する位相シフトが与えられる。不透明な微細チップを有する不透明な平行ラインのパターンが、上述した実施形態（図９乃至図１１参照）と同様に形成される。次に、図１５に示すように、位相シフト材料６０の層が、透明なマスク基板２０上で不透明なライン２２を覆うように形成される。位相シフト材料は、酸化珪素又はスピン・オン・グラスのような材料であり、さらに、完成されたマスクを照らすのに使用される光の波長のために１８０°の位相シフトを与える厚みを有する。次に、ホトレジストパターン５５が、１８０°の位相シフトを与えるためにその後に残される位相シフト材料の領域を覆うように、位相シフト材料の層の上に形成される（図１６と図１７参照）。ホトレジストパターンが、電子ビーム露光及び成長したホトレジスト層を用いて、形成される。
【００１７】
次に、図１８に示すように、ホトレジストにより覆われていない位相シフト材料６２の層の部分が、異方性のドライエッチングにより取り除かれ、さらに、ホトレジストが取り去られる。位相シフト材料が、交互に対をなす隣接した平行で不透明なライン２２と不透明な微細チップの間の透明な基板２０の領域の上に依然として残っている。位相シフト材料６２は、不透明な平行ライン２２の一部分を覆っており、これにより、位相シフト材料の端部位置が臨界的なものとならない。位相シフト材料６２が１８０°の位相シフトを与える。
以上、本発明を好適な実施形態に関して説明したが、当業者は特許請求の範囲に記載された範囲内において、種々の変更・修正等が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  半導体ウエハー上に平行なラインとスペースを形成する平行な不透明ラインを有し、通常バイナリー又はクロム・マスクと呼ばれている従来のマスクを示す平面図
【図２】  複数対の不透明ラインの間に位相シフト材料を有する平行な不透明ラインを備え、通常レベルソン位相シフトマスク又は交互位相シフトマスクと呼ばれている従来のマスクを示す平面図
【図３】  図２の従来のマスクを用いて形成された半導体ウエハー上の隣接する平行ラインの間のブリッジを示す平面図
【図４】  微細位相チップを用いて位相コンフリクト問題の発生を防止するようにした従来のマスクを示す平面図
【図５】  ６０°と１２０°の位相領域を用いて位相コンフリクト問題の発生を防止するようにした従来のマスクを示す平面図
【図６】  本発明による不透明な微細チップを用いた位相シフトマスクを示す平面図
【図７】  透明なマスク基板の異なる厚みにより１８０°位相シフトパターンが形成され、不透明な微細チップを用いた本発明の位相シフトマスクの図６の７−７’線に沿う断面図
【図８】  透明なマスク基板上の位相シフト材料のパターン化された層が１８０°の位相シフトパターンを形成し、不透明な微細チップを用いた本発明の位相シフトマスクの図６の８−８’線に沿う断面図
【図９】  透明なマスク基板上に形成された不透明材料層とホトレジスト層を示す断面図
【図１０】  本発明のマスクのために不透明ラインの端部に形成された不透明微細チップを示す平面図
【図１１】  図１０の１１−１１’線に沿う断面図
【図１２】  透明マスク基板をエッチングして１８０°の位相シフトパターンを形成するために、透明なマスク基板上の不透明なラインの上に形成されたホトレジストパターンを示す平面図
【図１３】  図１２の１３−１３’線に沿う断面図
【図１４】  透明なマスク基板をエッチングして１８０°の位相シフトパターンを形成する本発明の完成した位相シフトマスクを示す断面図
【図１５】  透明なマスク基板と不透明なラインの上に位相シフト材料の層が形成され、この透明なマスク基板上に形成された不透明なラインを示す断面図
【図１６】  位相シフト材料の層で１８０°位相シフトパターンをエッチングするために図１５に示す不透明なラインと位相シフト材料の層の上に形成されたホトレジストのパターンを示す平面図
【図１７】  図１６の１７−１７’線に沿う断面図
【図１８】  位相シフト材料内でエッチングされた１８０°の位相シフトパターンを用いた本発明の完成した位相シフトマスクを示す断面図
【符号の説明】
２０  透明なマスク基板
２１  不透明層（不透明材料）
２２  不透明なライン（不透明な領域）
２４  位相シフト材料
３４  幅
３６  高さ
４０  不透明な微細チップ（３角形状のセグメント）
５０  ホトレジスト
５２  ホトレジストパターン
５５  ホトレジストパターン
６０  位相シフト材料
６２  位相シフト材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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