(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性フェライト層と内部電極とが交互に積層されるとともに、前記内部電極と電気的に接続された外部電極とを有する積層型フェライト部品であって、
前記磁性フェライト層はＦｅ２Ｏ３：４５．０〜４９．８ｍｏｌ％，ＣｕＯ：７．０〜２５．０ｍｏｌ％，ＺｎＯ：１５．０〜３０．０ｍｏｌ％およびＮｉＯ：５．０〜４５．０ｍｏｌ％を主成分とし、Ｍｎ：０．７５ｗｔ％以下（０を含まず）およびＣｏ：０．０１〜０．６ｗｔ％を副成分として含み、組織に占めるＣｕの偏析が面積率で１．５〜１５．０％である磁性フェライト焼結体から構成され、
前記内部電極はＡｇまたはＡｇ合金から構成されることを特徴とする積層型フェライト部品。
【請求項２】
副成分としてＭｎを０．６ｗｔ％以下含むことを特徴とする請求項１に記載の積層型フェライト部品。
【請求項３】
副成分としてＭｎを０．２ｗｔ％以下含むことを特徴とする請求項１に記載の積層型フェライト部品。
【請求項４】
破壊電圧が、電位差の生じている導体間の磁性フェライト層１μｍあたり３０Ｖ以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の積層型フェライト部品。
【請求項５】
品質係数が４０以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の積層型フェライト部品。
【請求項６】
各々独立した複数の前記内部電極を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の積層型フェライト部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は積層型チップビーズ、積層型インダクタなどの積層型チップフェライト部品、ＬＣ複合積層型部品を代表とする複合積層型部品に用いられる磁性フェライト材料および積層型フェライト部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
積層型チップフェライト部品および複合積層型部品（本明細書中では積層型フェライト部品と総称する。）は、体積が小さいこと、信頼性が高いことなどから、各種電気機器に用いられている。この積層型フェライト部品は、通常、磁性フェライトからなる磁性層用のシートまたはペーストと内部電極用のペーストとを厚膜積層技術によって積層一体化した後、焼結し、得られた焼結体表面に外部電極用のペーストを印刷または転写した後に焼き付けて製造される。なお、積層一体化した後に焼結することを同時焼結と呼んでいる。内部電極用の材料としてその低抵抗率からＡｇまたはＡｇ合金が用いられているため、磁性層を構成する磁性フェライト材料としては、同時焼結が可能、換言すればＡｇまたはＡｇ合金の融点以下の温度で焼結（以下、「低温焼結」ということがある）ができることが絶対条件となる。したがって、高密度、高特性の積層型フェライト部品を得るためには、ＡｇまたはＡｇ合金の融点以下の温度で磁性フェライトを焼結できるかが鍵となる。
【０００３】
ＡｇまたはＡｇ合金の融点以下の温度で焼結できる磁性フェライトとしてＮｉＣｕＺｎフェライトが知られている。例えば、特開平８−１０４５６１号公報にはＦｅをＦｅ2Ｏ3に換算して４５.０〜５０.０ｍｏｌ％、ＮｉをＮｉＯに換算して５.０〜１０.０ｍｏｌ％、ＣｕをＣｕＯに換算して５.０〜１５.０ｍｏｌ％、ＺｎをＺｎＯに換算して２５.０〜３５.０ｍｏｌ％、ＭｎをＭｎ3Ｏ4に換算して０.１〜３.０ｍｏｌ％およびＬｉをＬｉ2Ｏに換算して０.０１〜３.０ｍｏｌ％を含む磁性フェライトが開示されている。また、特開平８−１０４５６２号公報には、ＦｅをＦｅ2Ｏ3に換算して４５.０〜５０.０ｍｏｌ％、ＮｉをＮｉＯに換算して１５.０〜３０.０ｍｏｌ％、ＣｕをＣｕＯに換算して８.０〜１５.０ｍｏｌ％、ＺｎをＺｎＯに換算して１５.０〜２５.０ｍｏｌ％、ＭｎをＭｎ3Ｏ4に換算して０.１〜３.０ｍｏｌ％およびＬｉをＬｉ2Ｏに換算して０.０１〜３.０ｍｏｌ％を含む磁性フェライトが開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
最近、高密度実装に対応するために、一つの積層型フェライト部品の中に複数の内部電極を配置する例が出てきている。この複数の内部電極を配置する積層型フェライト部品は、内部電極間に電位差（電圧）が生ずるために、内部電極間に存在するフェライト材料に耐電圧性が要求されるようになってきた。ここで耐電圧性とは、フェライト部品に電圧が生じた際に、より高い電圧までフェライト材料が電圧印加による絶縁破壊に耐え得ることを示している。ところが、これまで知られている磁性フェライト材料は、このような耐電圧性についての検討がなされていなかった。また、ＮｉＣｕＺｎフェライトが耐久性を有し長時間好適に使用しうるものであることが望ましい。
したがって本発明は、耐電圧性，耐久性に優れる磁性フェライト材料およびこれを用いた積層型フェライト部品を提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者は磁性フェライト材料の耐電圧性および耐久性を向上すべく検討を行なった。その結果、ＭｎおよびＣｏが所定の範囲で焼結組織中に存在する場合に、優れた耐電圧性および耐久性を得ることができることを知見した。本発明は以上の知見に基づきなされたものであり、磁性フェライト層と内部電極とが交互に積層されるとともに、前記内部電極と電気的に接続された外部電極とを有する積層型フェライト部品であって、前記磁性フェライト層はＦｅ２Ｏ３：４５．０〜４９．８ｍｏｌ％，ＣｕＯ：７．０〜２５．０ｍｏｌ％，ＺｎＯ：１５．０〜３０．０ｍｏｌ％およびＮｉＯ：５．０〜４５．０ｍｏｌ％を主成分とし、Ｍｎ：０．７５ｗｔ％以下（０を含まず）およびＣｏ：０．０１〜０．６ｗｔ％を副成分として含み、組織に占めるＣｕの偏析が面積率で１．５〜１５．０％である磁性フェライト焼結体から構成され、前記内部電極はＡｇまたはＡｇ合金から構成されることを特徴とする積層型フェライト部品を提供する。
本発明の積層型フェライト部品において、組織に占めるＭｎの量がＭｎ換算で０.６ｗｔ％以下（０を含まず）であることが望ましい。この範囲でＭｎを含むことにより、電位差の生じている導体間の磁性フェライト層１μｍあたり４０Ｖ以上という非常に優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ることができる。また本発明の積層型フェライト部品において、組織に占めるＭｎの量がＭｎ換算で０.２ｗｔ％以下（０を含まず）することによって、電位差の生じている導体間の磁性フェライト層１μｍあたり４５Ｖ以上の非常に優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ることができる。
【０００６】
さらに本発明の積層型フェライト部品において、その磁性フェライト層の組織に占めるＣｕの偏析が面積率で１．５〜１５．０％である。Ｃｕの偏析が所定の範囲で焼結組織中に存在する場合に、優れた耐電圧性を得ることができるという知見に基づくものである。なお、本発明におけるＣｕ偏析の面積率の算出方法は、後述する実施例で採用した算出方法によって特定されるものとする。
【０００７】
本発明の積層型フェライト部品は、破壊電圧が、電位差の生じている導体間の磁性フェライト層１μｍあたり３０Ｖ以上という優れた耐電圧性を備えている。なお、本発明における破壊電圧（Ｖｂ）は、後述する実施例で採用した破壊電圧の測定方法に基づいて特定されるものとする。また本発明の積層型フェライト部品は、品質係数（Ｑ）が４０以上という特性を備えている。なお、本発明における品質係数（Ｑ）は、後述する実施例で採用した品質係数の測定方法によって特定されるものとする。また本発明は、各々独立した複数の内部電極を有する積層型フェライト部品に適用することが望ましい。複数の内部電極を有すると各内部電極間で電位差が生じ、絶縁破壊に至るおそれがあるからである。
【０００８】
【発明の実施の形態】
はじめに、本発明における組成の限定理由を説明する。
Ｆｅ２Ｏ３の量は透磁率に大きな影響を与える。Ｆｅ２Ｏ３が４５．０ｍｏｌ％より少ないと透磁率が小さく、フェライトとしての化学量論組成に近づくにしたがって透磁率は上昇するが、化学量論組成をピークとして急激に低下する。したがって、上限を４９．８ｍｏｌ％とする。望ましいＦｅ２Ｏ３の量は４９．２〜４９．８ｍｏｌ％である。
ＣｕＯは、本発明において焼結温度低減に寄与する化合物であり、７．０ｍｏｌ％未満ではＡｇの融点以下の温度域における焼結が実現できなくなる。ただし、２５．０ｍｏｌ％を超えるとフェライトの固有抵抗が低下して品質係数Ｑが劣化するので７．０〜２５．０ｍｏｌ％とする。望ましいＣｕＯ量は１０．０〜２０．０ｍｏｌ％である。
【０００９】
ＺｎＯは、その量の増加とともに透磁率μを向上させることができるが、多すぎるとキュリー温度が１００℃以下となり、電子部品に要求される温度特性を満足することができなくなる。したがって、ＺｎＯ量は１５．０〜３０．０ｍｏｌ％とする。望ましいＺｎＯ量は１８．０〜２５．０ｍｏｌ％である。ＮｉＯの量は５．０〜４５．０ｍｏｌ％、望ましいＮｉＯの量は７．０〜３５．０ｍｏｌ％である。
磁性フェライトの磁気特性は組成依存性が非常に強く、上記組成範囲をはずれた領域では、透磁率μや品質係数Ｑが低くなり、積層型フェライト部品用磁性材料として適さなくなる。
【００１０】
次に、本発明による磁性フェライト材料は副成分としてＭｎおよびＣｏを含む。Ｍｎの量はＭｎ換算で０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）、Ｃｏの量はＣｏ換算で０．０１〜０．６ｗｔ％である。ＭｎおよびＣｏがこの範囲にある場合に、耐電圧性，耐久性に優れかつ品質係数Ｑが向上することを知見したことによる。このような範囲でＣｏを含むことにより、本発明の積層型フェライト部品は磁性フェライト層１μｍあたり３０Ｖ以上の破壊電圧を備えるとともに、４０以上の品質係数Ｑを得ることができる。またＭｎ量はＭｎ換算で０.６ｗｔ％以下（０を含まず）とすることが望ましい。Ｍｎがこの範囲であり、かつＣｏ量が０.０１〜０.６ｗｔ％である場合に、電位差の生じている導体間の磁性フェライト層１μｍあたり４０Ｖ以上という非常に優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ることができる。また、Ｍｎ量をＭｎ換算で０.２ｗｔ％以下（０を含まず）とし、かつＣｏ量を０.０１〜０.６ｗｔ％とすることにより、電位差の生じている導体間の磁性フェライト層１μｍあたり４５Ｖ以上という非常に優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ることが可能となる。ここで、「Ｍｎ換算」で、とは焼結体中に存在する形態によらず純Ｍｎとして含有される量をいう。例えば、Ｍｎ酸化物として含有されている場合でも、Ｍｎ酸化物としての量をいうのではなく、Ｍｎ酸化物を構成するＭｎの量をいうものである。同様に、「Ｃｏ換算」で、とは、焼結体中に存在する形態によらず純Ｃｏとして含有される量をいう。
【００１１】
次に、本発明による磁性フェライト焼結体は、組織に占めるＣｕの偏析が面積率で１.５〜１５.０％である。Ｃｕの偏析がこの範囲にある場合に、耐電圧性および耐久性が優れていることを知見したことによる。望ましいＣｕ偏析の面積率は５.０〜１５.０％である。このようなＣｕ偏析の組織とすることにより、本発明の積層型フェライト部品は磁性フェライト層１μｍあたり３０Ｖ以上の破壊電圧を備えることができ、しかも５０００ＭΩ以上の優れた絶縁抵抗（ＩＲ）を得ることができる。
組織に占めるＣｕの偏析を面積率で１.５〜１５.０％の範囲とするためには、いくつかの手法を採用することができるが、本発明者の検討によれば、焼結体中に含まれるＭｎ量およびＣｏ量を制御することによりＣｕ偏析の量を変動させることができる。Ｍｎ量の増加に伴ってＣｕ偏析の量は減少し、一方Ｃｏ量の増加に伴ってＣｕ偏析の量は増加する。よって、Ｍｎ量もしくはＣｏ量の一方を制御することにより、またはＭｎ量、Ｃｏ量の両方を制御することにより、組織に占めるＣｕの偏析を面積率で１.５〜１５.０％の範囲とすることが可能である。その場合のＭｎ量はＭｎ換算で０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とすることが望ましい。Ｍｎ量が０.７５ｗｔ％を超えると、Ｃｏ量を増加しても本発明が要求するＣｕ偏析の面積率を確保することが困難となる。
【００１２】
本発明による磁性フェライト材料は、原料粉末を混合する混合工程と、混合された前記原料粉末を仮焼きする仮焼き工程と、前記仮焼き工程により得られた仮焼き体を粉砕して粉砕粉末を得る粉砕工程と、前記粉砕工程により得られた前記粉砕粉末を用いて成形体を得る成形工程と、前記成形工程で得られた成形体を焼結する焼結工程により得ることができる。
原料粉末として、Ｆｅ2Ｏ3粉末、ＣｕＯ粉末、ＺｎＯ粉末およびＮｉＯ粉末を用意する。これらの粉末は本発明の耐電圧性に優れた磁性フェライト材料の主成分をなす粉末である。これらの主成分をなす粉末に加えて、副成分であるＭｎおよびＣｏについての原料粉末を用意する。Ｍｎについては、Ｍｎ酸化物（例えば、Ｍｎ2Ｏ3，Ｍｎ3Ｏ4）、あるいはＭｎ炭酸化物（例えば、ＭｎＣＯ3）からなる粉末が原料粉末となる。もっとも、これはあくまで一態様であって、焼結体中にＭｎがＭｎ換算で０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）含有されていれば、その添加の態様は問われない。またＣｏについては、Ｃｏ酸化物（例えば、ＣｏＯ，Ｃｏ3Ｏ4）、あるいはＣｏ炭酸化物（例えば、ＣｏＣＯ3）からなる粉末が原料粉末として挙げられるが、これに限定されるものではなく、焼結体中にＣｏがＣｏ換算で０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）含有されていればよい。
用意する各原料粉末の粒径は０.１〜１０μｍの範囲で適宜選択すればよい。また、用意された原料粉末は例えばボールミルを用いて湿式混合する。混合は、ボールミルの運転条件にも左右されるが、２０時間程度行なえば均一な混合状態を得ることができる。
【００１３】
原料粉末を混合した後、仮焼きを行なう。仮焼きの温度は８５０℃以下とする。すなわち、仮焼き温度が８５０℃を超えてしまうと仮焼き体が硬くなり、Ａｇの融点以下の温度域での焼結を可能とする粉末の粒度分布を得ることが困難となるからである。望ましい仮焼き温度は６５０〜７５０℃である。仮焼きの時間は５〜１５時間の範囲で適宜選択すればよい。
仮焼き後に仮焼き体は粉砕される。粉砕粉末の比表面積を６ｍ2／ｇ程度以上とすることがＡｇの融点以下の温度域での焼結にとって重要である。このような微細な粉末を得るためには粉砕条件を制御すればよいが、特に条件を制御することなく粉砕した粉末からこのような粒度分布の粉末を採集することもできる。ボールミルを用いた場合、粉砕は６０〜８０時間程度必要である。
以上で得られた粉砕粉末にバインダ等を添加した後に所定の形状に成形し、しかる後に焼結に供される。
【００１４】
次に、本発明の積層型フェライト部品について積層型チップインダクタアレイ１を例にして説明する。図１〜図３は積層型チップインダクタアレイ１を示す図であり、図１はその平面図、図２は図１のＡ−Ａ断面図、図３は図１のＢ−Ｂ断面図である。図１〜図３に示すように、積層型チップインダクタアレイ１は、磁性フェライト層２および内部電極３とが交互に積層された多層構造のチップ体５と、このチップ体５の両端部に内部電極３と引出し電極４を介して電気的に導通するように配置した外部電極６とから構成される。積層型チップインダクタアレイ１は、１つのチップ体５内に、４つの独立した内部電極３を備えている。このように複数の内部電極３を有すると、使用時に隣接する内部電極３間に電位差が生じることになるから、耐電圧性が要求されることになる。つまり、各々独立した複数の内部電極３を有する積層型フェライト部品について本発明を適用すると、その効果を十分に享受することができる。
磁性フェライト層２に本発明による磁性フェライト材料を用いる。つまり、所定組成の磁性フェライト粉末を、バインダおよび溶剤とともに混練して磁性フェライト層２形成用のペーストを得る。このペーストと内部電極３および引出し電極４形成用のペースト、とを交互に印刷、積層した後に焼結して一体のチップ体５を得る。
前記バインダとしては、エチルセルロース、アクリル樹脂、ブチラール樹脂等の公知のバインダを用いることができる。また、溶剤も、ターピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン等の公知の溶剤を用いることができる。バインダおよび溶剤の添加量には制限はない。ただし、バインダについては１〜５質量部、溶剤については１０〜５０質量部の範囲とすることが推奨される。
バインダおよび溶剤の他に、分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等を１０質量部以下の範囲で添加することもできる。分散剤としては、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステルを添加することができる。また、可塑剤としては、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ブチルフタリルグリコール酸ブチルを添加することができる。
【００１５】
磁性フェライト層２は、磁性フェライト層用シートを用いて形成することもできる。すなわち、本発明による所定組成の粉末を、ポリビニルブチラールを主成分とするバインダと、トルエン、キシレン等の溶媒とともにボールミル中で混練してスラリを得る。このスラリを、ポリエステルフィルム等のフィルム上に、例えばドクターブレード法により塗布、乾燥して磁性フェライト層用シートを得ることができる。この磁性フェライト層用シートを、内部電極３用のペーストと交互に積層した後に、焼結すれば多層構造のチップ体５を得ることができる。なお、バインダの量に制限はないが、１〜５質量部の範囲とすることが推奨される。また、分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等を１０質量部以下の範囲で添加することもできる。
【００１６】
内部電極３は、インダクタとして実用的な品質係数Ｑを得るために抵抗率の小さいＡｇまたはＡｇ合金、例えばＡｇ−Ｐｄ合金を用いることが望ましい。しかし、これに限るものではなく、Ｃｕ、Ｐｄまたはこれらの合金を用いることもできる。内部電極３を得るためのペーストは、ＡｇまたはＡｇ合金の粉末、若しくはこれらの酸化物粉末と、バインダおよび溶剤とを混合、混練して得ることができる。バインダおよび溶剤としては、前記磁性フェライト層２を形成するためのペーストに用いられていたものと同様のものを適用することができる。内部電極３は、各層が長円形状をなし、厚さ方向に隣接する内部電極３の各層はスパイラル状になって導通が確保されるので、閉磁路コイル（巻線パターン）を構成する。
外部電極６の材質としては、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ合金といった公知の材料を用いることができる。外部電極６は、これら材料を印刷法、メッキ法、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法等の各種の方法により形成することができる。
【００１７】
積層型チップインダクタアレイ１のチップ体５の寸法には特に制限はない。用途に応じて適宜設定することができる。一般的には、外形はほぼ直方体形状であり、寸法としては１.０〜４.５ｍｍ×０.５〜３.２ｍｍ×０.６〜１.９ｍｍの範囲のものが多い。また、磁性フェライト層２の電極間厚さおよびベース厚さにも特に制限はなく、電極間厚さとしては１０〜１００μｍ、ベース厚さとしては２５０〜５００μｍ程度で設定できる。さらに内部電極３自体の厚さとしては、通常、５〜３０μｍの範囲で設定でき、また、巻線パターンのピッチは１０〜１００μｍ、巻数は１.５〜２０.５ターン程度とすることができる。
【００１８】
磁性フェライト層２用のペーストまたはシートと内部電極３用のペーストとを交互に積層した後の焼結温度は、９４０℃以下とする。９４０℃を超えると、磁性フェライト層２中に内部電極３を構成する材料が拡散して、磁気特性を著しく低下させるおそれがあるからである。本発明の磁性フェライトが低温焼結に適しているとはいえ、８００℃未満の温度では焼結が不十分となる。したがって、焼結は８００℃以上とすることが望ましい。望ましい焼結温度は８２０〜９３０℃、さらに望ましくは８７５〜９２０℃である。なお、焼結時間は、０.０５〜５時間、望ましくは０.１〜３時間の範囲で設定すればよい。
【００１９】
次に、ＬＣ複合積層型部品の一実施形態であるＬＣ複合部品について説明する。図４はＬＣ複合部品１１の概略断面図である。図４に示すように、ＬＣ複合部品１１は、チップコンデンサ部１２とチップフェライト部１３とを一体化したものである。
チップコンデンサ部１２は、セラミックス誘電体層２１と内部電極２２とが交互に積層一体化された多層積層構造を有する。この内部電極２２間に電位差が生じ、絶縁破壊を起こすおそれがある。セラミックス誘電体層２１の材質に制限はなく、従来公知の種々の誘電体材料を用いることができる。本発明においては、焼結温度の低い酸化チタン系誘電体が望ましいが、チタン酸系複合酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混合物を用いることができる。さらに焼結温度を下げるために、ホウケイ酸ガラス等の各種ガラスを添加してもよい。内部電極２２としては、先に説明した積層型チップインダクタアレイ１の内部電極３と同様の材料を用いることができる。各内部電極２２は、交互に別の外部電極１５に電気的に接続されている。
【００２０】
チップフェライト部１３は、磁性フェライト層３２と電極層３３とが交互に積層した積層型チップインダクタから構成されている。この基本構成は先に説明した積層型チップインダクタアレイ１と同様である。したがって、ここでの詳細な説明は省略する。
ＬＣ複合部品１１の寸法に制限がないことは先に説明した積層型チップインダクタアレイ１と同様である。したがって、用途に応じて適宜設定することができる。通常、ほぼ直方体の外形を有し、１.６〜１０.０ｍｍ×０.８〜１５.０ｍｍ×１.０〜５.０ｍｍ程度の寸法を有している。
【００２１】
［実施例］
以下本発明を具体的実施例に基づき説明する。本実施例は、Ｆｅ2Ｏ3，ＣｕＯ，ＺｎＯおよびＮｉＯを主成分とし、副成分のＭｎ3Ｏ4およびＣｏＯを変動させ、６パターン（実施例ａ〜ｅ、比較例１）の実験を試みた。なお、Ｍｎ3Ｏ4についてはＭｎに換算されたｗｔ％として表示されており、同様にＣｏＯについてはＣｏに換算されたｗｔ％として表示されている。
＜実施例ａ（試料Ｎｏ.１〜６）＞
Ｍｎ3Ｏ4を０.０７０ｗｔ％に固定し、ＣｏＯを０.００６〜１.０２０ｗｔ％まで変動させた（ＣｏＯ：０.００６ｗｔ％，０.１０３ｗｔ％，０.２００ｗｔ％，０.４８８ｗｔ％，０.７００ｗｔ％，１.０２０ｗｔ％）。
＜実施例ｂ（試料Ｎｏ.７〜１２）＞
Ｍｎ3Ｏ4を０.１６８ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例ａと同一）。
＜実施例ｃ（試料Ｎｏ.１３〜１８）＞
Ｍｎ3Ｏ4を０.３５７ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例ａと同一）。
＜実施例ｄ（試料Ｎｏ.１９〜２４）＞
Ｍｎ3Ｏ4を０.５４４ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例ａと同一）。
＜実施例ｅ（試料Ｎｏ.２５〜３０）＞
Ｍｎ3Ｏ4を０.７３２ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例ａと同一）。
＜比較例１（試料Ｎｏ.３１〜３６）＞
Ｍｎ3Ｏ4を１.０２８ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例ａと同一）。
【００２２】
実施例ａ〜ｅおよび比較例１の実験結果を以下に示す。
＜実施例ａ＞
下記の混合〜粉砕条件にしたがって表１に示す６種類の粉砕粉末を得た。表１中、Ｆｅ2Ｏ3，ＣｕＯ，ＺｎＯおよびＮｉＯが主成分をなし、Ｍｎ3Ｏ4およびＣｏＯが副成分をなす。粉砕粉末の粒度分布のピーク位置は０.６μｍである。これら粉末を用いて以下に示す条件により積層型コンデンサを作製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定を行なった。また、測定用コアを作製して透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を測定した。
測定された結果を表２に示す。また、Ｃｏ量による破壊電圧（ＶＢ）の変動を示すグラフを図７（曲線ａ）に、Ｃｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図８（曲線ａ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示すグラフを図９（曲線ａ）に、またＣｏ量による品質係数（Ｑ）の変動を示すグラフを図１０（曲線ａ）にそれぞれ示す。
【００２３】
［混合〜粉砕条件］
混合および粉砕用ポット：ステンレスボールミルポット
混合および粉砕用メディア：スチールボール
混合時間：１６時間
仮焼き条件：７００℃×１０時間
粉砕時間：７２時間
［積層型コンデンサの仕様］
表１の組成を有する各粉末１００質量部に対して、エチルセルロース２.５質量部、ターピネオール４０質量部を加え、３本ロールにて混練して磁性フェライト層用ペーストを調整した。一方、平均粒径０.８μｍのＡｇ１００質量部に対して、エチルセルロース２.５質量部、ターピネオール４０質量部を加え、３本ロールにて混練して内部電極用ペーストを得た。前記磁性フェライト層用ペーストと前記内部電極用ペーストとを交互に印刷積層した後、８９０℃で２時間の焼結を行なって積層型チップコンデンサ４１を得た。図５および図６に積層型チップコンデンサ４１を示す。なお、図５は積層型チップコンデンサ４１の側断面図、図６は図５のＣ−Ｃ断面図である。図５および図６に示すように、積層型チップコンデンサ４１は、磁性フェライト層４２および内部電極４３とが交互に積層された多層構造のチップ体４４と、このチップ体４４の両端部に内部電極４３と電気的に導通するように配置した外部電極４５とから構成される。この積層型チップコンデンサ４１の寸法は、３.２ｍｍ×１.６ｍｍ×１.１ｍｍであり、内部電極４３の層数は４層とし積層方向に隣接する内部電極４３間の磁性フェライト層４２の厚さｄ（図６参照）を６０μｍとした。外部電極４５はＡｇを６００℃で焼き付けて形成した。
【００２４】
［破壊電圧（ＶＢ）］
作製した積層型チップコンデンサ４１に、多摩電測（株）製の自動昇圧破壊試験機（ＴＨＫ−２０１１ＡＤＭＰ）を用いて、１００Ｖ／ｓｅｃ.の速度で電圧を印加しつづけ、積層型チップコンデンサ４１が絶縁破壊される電圧を測定した。
［絶縁抵抗（ＩＲ）］
作製した積層型チップコンデンサ４１の絶縁抵抗（ＩＲ）を、ヒューレットパッカード（株）製の抵抗測定器（ＨＰ４３２９Ａ）を用い、１０Ｖの電圧を１分１５秒間印加して測定した。
［透磁率（μ）、品質係数（Ｑ）］
表１に示す６種類の粉砕粉末を用いてトロイダル形状の焼結体試料を作製した。この試料に銅製ワイヤ（線径０.３５ｍｍ）を２０ターン巻き、測定周波数１００ｋＨｚ、測定電流０.２ｍＡでＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード（株）製のＨＰ４１９２Ａ）を用いてインダクタンスを測定した。そして、下記の式を用いて透磁率（μ）を求めた。また、品質係数（Ｑ）については、複素透磁率の実数μ'および虚数μ"を求め、Ｑ（品質係数）＝μ'／μ"により算出した。
透磁率μ＝（ｌｅ×Ｌ）／（μ0×Ａｅ×Ｎ2）
ｌｅ：磁路長    Ｌ：試料のインダクタンス
μ0：真空の透磁率＝４π×１０-7（Ｈ／ｍ）  Ａｅ：試料の断面積
Ｎ：コイルの巻数
【００２５】
【表１】
0003921348.tif 000002
【００２６】
【表２】
0003921348.tif 000003
【００２７】
表２および図７曲線ａにおいて、焼結体中に占めるＣｏ換算でのＣｏの量（以下、Ｃｏ量）が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１）の破壊電圧（ＶＢ）は１.８１ｋＶであり良好な値を示している。Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％（Ｎｏ.２）になると破壊電圧（ＶＢ）は２.９６ｋＶまで向上し、Ｃｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３）には破壊電圧（ＶＢ）は更に向上して３.０１ｋＶとなる。この値をピークとして次第に破壊電圧（ＶＢ）は低下するものの、Ｃｏ量が０.４８８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４）の破壊電圧（ＶＢ）は２.８３ｋＶ、Ｃｏ量が０.７００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５）においても破壊電圧（ＶＢ）は２.６６ｋＶと良好な値を示している。ところが、Ｃｏ量が０.７００ｗｔ％（Ｎｏ.５）を超えると破壊電圧（ＶＢ）は大幅に低下し、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％の場合（Ｎｏ.６）には、破壊電圧（ＶＢ）は１.７５ｋＶまで低下した。
【００２８】
さらに表２には、破壊電圧（ＶＢ）を磁性フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値も示している。ここで、積層型チップコンデンサ４１の場合、積層方向に隣接する内部電極４３同士に電位差が生じる。したがって、この値は電位差の生じている導体間に存在する磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）であり、Ｎｏ.１〜５では３０Ｖ以上の優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ている。このなかで、Ｎｏ.２〜５では４０Ｖ以上、Ｎｏ.２〜４では４５Ｖ以上の特に優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ていることが注目される。
【００２９】
また表２および図８曲線ａにおいて、絶縁抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。Ｃｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１）の絶縁抵抗（ＩＲ）は７００ＭΩである。Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％（Ｎｏ.２）およびＣｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３）には、絶縁抵抗（ＩＲ）は１００００ＭΩ以上の優れた値を示す。Ｃｏ量が０.４８８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４）の絶縁抵抗（ＩＲ）は９２５０ＭΩ、Ｃｏ量が０.７００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５）の絶縁抵抗（ＩＲ）は６３００ＭΩと、ともに良好な値を示しているものの、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％（Ｎｏ.６）になると絶縁抵抗（ＩＲ）は１５１０ＭΩまで低下してしまう。
【００３０】
次に、表２，図９曲線ａ，図１０曲線ａを用いて、実施例ａによるフェライト焼結部材のＣｏ量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）の相関関係について説明する。
表２および図９曲線ａにおいて、Ｃｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１）に最良の透磁率（μ）を示しており、Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％（Ｎｏ.２）、０.２００ｗｔ％（Ｎｏ.３）と増加するにつれて透磁率（μ）は次第に低下する。一方、表２および図１０曲線ａを見ると、品質係数（Ｑ）もＣｏ量と関連性を有していることがわかる。Ｃｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１）の品質係数（Ｑ）は４０である。Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２）およびＣｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３）には品質係数（Ｑ）は１００以上の優れた値を示す。この値をピークとして品質係数（Ｑ）は次第に低下し、Ｃｏ量が０.４８８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４）には９４、Ｃｏ量が０.７００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５）は７５となるが、依然として良好な値を示している。さらにＣｏ量が増加して１.０２０ｗｔ％（Ｎｏ.６）になると、品質係数（Ｑ）は５０まで低下した。
【００３１】
＜実施例ｂ＞
実施例ｂは、表３に示す配合組成で、実施例ａと同様の製造条件で積層型コンデンサを作製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定を行なった。また、測定用コアを作製して透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を測定した。
測定された結果を表４に示す。また、Ｃｏ量による破壊電圧（ＶＢ）の変動を示すグラフを図７（曲線ｂ）に、Ｃｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図８（曲線ｂ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示すグラフを図９（曲線ｂ）に、またＣｏ量による品質係数（Ｑ）の変動を示すグラフを図１０（曲線ｂ）にそれぞれ示す。
【００３２】
【表３】
0003921348.tif 000004
【００３３】
【表４】
0003921348.tif 000005
【００３４】
表４および図７曲線ｂにおいて、焼結体中に占めるＣｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.７）の破壊電圧（ＶＢ）は１.９９ｋＶである。Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％（Ｎｏ.８）になると破壊電圧（ＶＢ）は２.９１ｋＶまで向上し、Ｃｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.９）には破壊電圧（ＶＢ）は更に向上して２.９６ｋＶとなる。また、Ｃｏ量が０.４８８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１０）およびＣｏ量が０.７００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１１）においても２.０ｋＶ以上の良好な破壊電圧（ＶＢ）を得ている。ところが、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１２）には、破壊電圧（ＶＢ）は１.７９ｋＶまで低下した。
【００３５】
さらに表４には、破壊電圧（ＶＢ）を磁性フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、つまり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｎｏ.７〜１１はいずれも３０Ｖ以上という優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ている。このなかで、Ｎｏ.８〜１１は４０Ｖ以上、Ｎｏ.８〜１０では４５Ｖ以上という特に優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ていることが注目される。
【００３６】
また表４および図８曲線ｂにおいて、絶縁抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。Ｃｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.７）の絶縁抵抗（ＩＲ）は１５２０ＭΩである。Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％（Ｎｏ.８）になると絶縁抵抗（ＩＲ）が９５００ＭΩまで急激に向上し、Ｃｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.９）に絶縁抵抗（ＩＲ）はピーク値９７００ＭΩを示す。Ｃｏ量が０.４８８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１０）およびＣｏ量が０.７００ｗｔ％（Ｎｏ.１１）の場合においても絶縁抵抗（ＩＲ）は５０００ＭΩ以上の良好な値を示している。ところが、Ｃｏ量が０.７００ｗｔ％（Ｎｏ.１１）を超えると絶縁抵抗（ＩＲ）は急激に低下し、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１２）には１４３０ＭΩまで低下した。
【００３７】
次に、表４，図９曲線ｂ，図１０曲線ｂを用いて、実施例ｂによるフェライト焼結部材のＣｏ量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）の相関関係について説明する。
図９曲線ｂはＣｏ量の増加に伴い透磁率（μ）が次第に低下することを示している。一方、図１０曲線ｂはＣｏ量を所定量の範囲にすることによって、きわめて良好な品質係数（Ｑ）を得ることができることを示している。
表４において、Ｃｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.７）には、透磁率（μ）が４５７、品質係数（Ｑ）が５０と、ともに良好な値を示している。Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％（Ｎｏ.８）になると、透磁率（μ）は３００に低下するものの、品質係数（Ｑ）が１００まで向上することが注目される。Ｃｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.９）、Ｃｏ量が０.４８８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１０）およびＣｏ量が０.７００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１１）においても品質係数（Ｑ）は６０以上という優れた結果を示している。ところが、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１２）には、Ｃｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.７）以下の品質係数（Ｑ）まで低下してしまう。
【００３８】
＜実施例ｃ＞
実施例ｃは、表５に示す配合組成で、実施例ａと同様の製造条件で積層型コンデンサを作製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定を行なった。また、測定用コアを作製して透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を測定した。
測定された結果を表６に示す。また、Ｃｏ量による破壊電圧（ＶＢ）の変動を示すグラフを図７（曲線ｃ）に、Ｃｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図８（曲線ｃ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示すグラフを図９（曲線ｃ）に、またＣｏ量による品質係数（Ｑ）の変動を示すグラフを図１０（曲線ｃ）にそれぞれ示す。
【００３９】
【表５】
0003921348.tif 000006
【００４０】
【表６】
0003921348.tif 000007
【００４１】
表６および図７曲線ｃにおいて、焼結体中に占めるＣｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１３）の破壊電圧（ＶＢ）は２.２７ｋＶであり、良好な値を示している。Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％（Ｎｏ.１４）になると破壊電圧（ＶＢ）は２.７１ｋＶまで向上し、Ｃｏ量が０.２００ｗｔ％（Ｎｏ.１５）になると破壊電圧（ＶＢ）は更に向上して３.０１ｋＶとなる。この値をピークに破壊電圧（ＶＢ）は次第に低下し、Ｃｏ量が０.７００ｗｔ％（Ｎｏ.１７）の場合には２.３５ｋＶと、Ｃｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１３）と同じレベルの破壊電圧（ＶＢ）まで低下した。さらに、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１８）には、破壊電圧（ＶＢ）は１.５２ｋＶまで低下した。
【００４２】
さらに表６には、破壊電圧（ＶＢ）を磁性フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、つまり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｎｏ.１３〜１７はいずれも３０Ｖ以上という優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ている。このなかで、Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１４）、Ｃｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１５）およびＣｏ量が０.４８８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１６）には、いずれも４０Ｖ以上という非常に優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ていることが注目される。
【００４３】
また表６および図８曲線ｃにおいて、絶縁抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。Ｃｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１３）の絶縁抵抗（ＩＲ）は３２００ＭΩである。Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％（Ｎｏ.１４）になると絶縁抵抗（ＩＲ）が８３００ＭΩまで向上し、Ｃｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１５）には絶縁抵抗（ＩＲ）は更に向上して９０００ＭΩとなる。ところが、Ｃｏ量が０.７００ｗｔ％（Ｎｏ.１７）を超えると絶縁抵抗（ＩＲ）は急激に低下し、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１８）には８５１ＭΩまで低下してしまう。
【００４４】
次に、表６，図９曲線ｃ，図１０曲線ｃを用いて、実施例ｃによるフェライト焼結部材のＣｏ量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）の相関関係について説明する。表６および図９曲線ｃに示すように、Ｃｏを添加することにより透磁率（μ）は若干減少するものの、Ｎｏ.１３〜１７においては品質係数（Ｑ）はいずれも６０以上と良好な値を示している（表６および図１０曲線ｃ参照）。このなかで、Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１４）、Ｃｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１５）およびＣｏ量が０.４８８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１６）には、品質係数（Ｑ）はいずれも７０以上と特に良好な値を示している。ところが、Ｃｏ量が０.７００ｗｔ％（Ｎｏ.１７）を超えると、品質係数（Ｑ）は大幅に低下し、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％（Ｎｏ.１８）の場合には、品質係数（Ｑ）は３４まで低下してしまう。
【００４５】
＜実施例ｄ＞
実施例ｄは、表７に示す配合組成で、実施例ａと同様の製造条件で積層型コンデンサを作製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定を行なった。また、測定用コアを作製して透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を測定した。
測定された結果を表８に示す。また、Ｃｏ量による破壊電圧（ＶＢ）の変動を示すグラフを図７（曲線ｄ）に、Ｃｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図８（曲線ｄ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示すグラフを図９（曲線ｄ）に、またＣｏ量による品質係数（Ｑ）の変動を示すグラフを図１０（曲線ｄ）にそれぞれ示す。
【００４６】
【表７】
0003921348.tif 000008
【００４７】
【表８】
0003921348.tif 000009
【００４８】
表８および図７曲線ｄにおいて、焼結体中に占めるＣｏ量が１.０２０ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２４）を除いたＮｏ.１９〜２３では２.０ｋＶ以上の破壊電圧（ＶＢ）を示している。破壊電圧（ＶＢ）がピークとなるのはＣｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２１）であり、Ｎｏ.２０〜２２は２.５ｋＶ以上の優れた破壊電圧（ＶＢ）を得ている。
さらに表８には、破壊電圧（ＶＢ）を磁性フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、つまり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｎｏ.１９〜２３はいずれも３０Ｖ以上という優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ている。このなかで、Ｎｏ.２０〜２３はいずれも４０Ｖ以上の特に優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ていることが注目される。
【００４９】
また表８および図８曲線ｄにおいて、絶縁抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。Ｃｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１９）の絶縁抵抗（ＩＲ）は２６３０ＭΩである。Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％（Ｎｏ.２０）になると絶縁抵抗（ＩＲ）が７３００ＭΩまで急激に向上し、Ｃｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２１）には絶縁抵抗（ＩＲ）は更に向上して８２００ＭΩとなる。この値をピークとして絶縁抵抗（ＩＲ）は次第に低下し、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２４）には絶縁抵抗（ＩＲ）は７０８ＭΩまで低下した。
【００５０】
次に、表８，図９曲線ｄ，図１０曲線ｄを用いて、実施例ｄによるフェライト焼結部材のＣｏ量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）の相関関係について説明する。表８および図９曲線ｄに示すように、Ｃｏを添加することにより透磁率（μ）は若干低下する。一方、表８および図１０曲線ｄに示すように、Ｎｏ.１９〜２３では品質係数（Ｑ）はいずれも５０以上と良好な値を得ている。このなかで、Ｎｏ.２０〜２２の品質係数（Ｑ）はいずれも７０以上と、特に優れた値を示している。ところが、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％（Ｎｏ.２４）の場合には品質係数（Ｑ）は３８まで低下してしまう。
【００５１】
＜実施例ｅ＞
実施例ｅは、表９に示す配合組成で、実施例ａと同様の製造条件で積層型コンデンサを作製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定を行なった。また、測定用コアを作製して透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を測定した。
測定された結果を表１０に示す。また、Ｃｏ量による破壊電圧（ＶＢ）の変動を示すグラフを図７（曲線ｅ）に、Ｃｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図８（曲線ｅ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示すグラフを図９（曲線ｅ）に、またＣｏ量による品質係数（Ｑ）の変動を示すグラフを図１０（曲線ｅ）にそれぞれ示す。
【００５２】
【表９】
0003921348.tif 000010
【００５３】
【表１０】
0003921348.tif 000011
【００５４】
表１０および図７曲線ｅにおいて、焼結体中に占めるＣｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２５）の破壊電圧（ＶＢ）は１.８２ｋＶである。Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％（Ｎｏ.２６）になると破壊電圧（ＶＢ）は２.３２ｋＶまで向上し、Ｃｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２７）およびＣｏ量が０.４８８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２８）にも２.０ｋＶ以上の良好な破壊電圧（ＶＢ）を示している。ところが、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％（Ｎｏ.３０）になると、破壊電圧（ＶＢ）は１.４５ｋＶまで低下した。
【００５５】
さらに表１０には、破壊電圧（ＶＢ）を磁性フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、つまり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｎｏ.２５〜２９はいずれも３０Ｖ以上という優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ているのに対し、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３０）には、破壊電圧（Ｖｂ）は２４.２Ｖまで低下した。
【００５６】
また表１０および図８曲線ｅにおいて、絶縁抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。Ｃｏ量が０.００６ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２５）の絶縁抵抗（ＩＲ）は７２８ＭΩである。Ｃｏ量が０.１０３ｗｔ％（Ｎｏ.２６）になると絶縁抵抗（ＩＲ）が３９８０ＭΩまで向上し、Ｃｏ量が０.２００ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２７）には絶縁抵抗（ＩＲ）は更に向上して４３１０ＭΩとなる。Ｃｏ量が０.７００ｗｔ％（Ｎｏ.２９）を超えると絶縁抵抗（ＩＲ）は急激に低下し、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３０）には４１７ＭΩまで低下してしまう。
【００５７】
次に、表１０，図９曲線ｅ，図１０曲線ｅを用いて、実施例ｅによるフェライト焼結部材のＣｏ量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）の相関関係について説明する。表１０および図９曲線ｅに示すように、Ｃｏを添加することにより透磁率（μ）は若干低下するものの、Ｎｏ.２５〜２９においては品質係数（Ｑ）はいずれも４０以上と良好な値を示している。ところが、Ｃｏ量が１.０２０ｗｔ％（Ｎｏ.３０）の場合には品質係数（Ｑ）は３２まで低下した。
【００５８】
＜比較例１＞
比較例１は、表１１に示す配合組成で、実施例ａと同様の製造条件で積層型コンデンサを作製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定を行なった。また、測定用コアを作製して透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を測定した。
測定された結果を表１２に示す。また、Ｃｏ量による破壊電圧（ＶＢ）の変動を示すグラフを図７（曲線ｆ）に、Ｃｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図８（曲線ｆ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示すグラフを図９（曲線ｆ）に、またＣｏ量による品質係数（Ｑ）の変動を示すグラフを図１０（曲線ｆ）にそれぞれ示す。
【００５９】
【表１１】
0003921348.tif 000012
【００６０】
【表１２】
0003921348.tif 000013
【００６１】
図７において、実施例ａ〜ｅにかかる曲線ａ〜ｅと比較例１にかかる曲線ｆを対比すると、曲線ｆではＣｏ添加による破壊電圧（ＶＢ）の上昇率がほとんどみられないことがわかる。
また図８〜１０を見ると、比較例１にかかる曲線ｆは、絶縁抵抗（ＩＲ），透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）においても、曲線ａ〜ｅと比較して低いレベルにあることが明らかである。
【００６２】
＜実施例の評価＞
以上、実施例ａ〜ｅ，比較例１の破壊電圧（ＶＢ），絶縁抵抗（ＩＲ），透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）の測定結果を示した。以下、これらの結果に基づき、実施例の評価を行なう。
▲１▼破壊電圧（ＶＢ）についての評価
最初に図７を用いて、破壊電圧（ＶＢ）についての評価を行なう。
図７に示すように、破壊電圧（ＶＢ）は曲線ａ〜ｆの順位になっている。そして、曲線ａ〜ｅと比べて、曲線ｆが低いレベルにあることは一目瞭然である。ここで曲線ａのＭｎ量は０.０７０ｗｔ％、曲線ｂのＭｎ量は０.１６８ｗｔ％、曲線ｃのＭｎ量は０.３５７ｗｔ％、曲線ｄのＭｎ量は０.５４４ｗｔ％、曲線ｅのＭｎ量は０.７３２ｗｔ％、曲線ｆのＭｎ量は１.０２８ｗｔ％である。よって、良好な破壊電圧（ＶＢ）を得るためには、焼結体中に占めるＭｎ量を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とする必要があることがわかった。
また、Ｍｎ量が本発明で推奨する範囲にある曲線ａ〜ｅにおいて、焼結体中に占めるＣｏ量が０.７００ｗｔ％を超えて１.０２０ｗｔ％になると、破壊電圧（ＶＢ）は１.８ｋＶ以下にまで低下する。この傾向から、優れた破壊電圧（ＶＢ）を得るためには、焼結体中に占めるＭｎ量を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とするとともに、焼結体中に占めるＣｏ量を本発明で推奨する所定の範囲、すなわち０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とする必要があることが明らかとなった。
【００６３】
次に、焼結体中に占めるＭｎ量およびＣｏ量がともに本発明で推奨する範囲において、特に優れた破壊電圧（ＶＢ）を得ることができる範囲を検討する。
焼結体中に占めるＣｏ量が０.７５ｗｔ％以下の範囲において、特に良好な破壊電圧（ＶＢ）を得ているのは曲線ａ〜ｄである。曲線ａは２.５ｋＶ以上の優れた破壊電圧（ＶＢ）を呈しており、また曲線ｂ〜ｄも、曲線ａほどではないにしても、広範囲にわたって２.０ｋＶ以上の破壊電圧（ＶＢ）を得ていることが注目される。したがって、特に優れた破壊電圧（ＶＢ）を得るためには、焼結体中に占めるＭｎ量を０.６ｗｔ％以下とし、かつＣｏ量を０.７５ｗｔ％以下の範囲とすることが望ましい。さらに望ましいＭｎ量は０.２ｗｔ％以下である。また、Ｍｎ量が０.０７０ｗｔ％である曲線ａにおいて良好な破壊電圧（ＶＢ）を得ていることから、Ｍｎ量が０.０１ｗｔ％程度含有されれば良好な破壊電圧（ＶＢ）が得られると推測される。Ｃｏ量については、Ｃｏ量が０.２ｗｔ％のときに曲線ａ〜ｄがピーク値を得ていることから、Ｃｏ量は０.０５〜０.６ｗｔ％、さらには０.１〜０.４ｗｔ％とすることが望ましい。
【００６４】
曲線ｅも、曲線ａ〜ｄと同様に、Ｃｏ量が０.２ｗｔ％のときに破壊電圧（ＶＢ）がピークとなり、約２.５ｋＶの優れた値を示す。一方、曲線ａ〜ｄはＣｏ量が０.７５ｗｔ％前後のときにおいても２.５ｋＶ近辺の破壊電圧（ＶＢ）を示しているのに対し、曲線ｅはＣｏ量が０.７００ｗｔ％になると破壊電圧（ＶＢ）が２.０ｋＶより低い値となってしまう。この傾向から、焼結体中に占めるＭｎ量が０.６ｗｔ％以上であるときには、Ｃｏ量を０.０５〜０.６ｗｔ％、さらには０.１〜０.４ｗｔ％とすることが望ましい。焼結体中に占めるＭｎ量が０.６ｗｔ％以上であるときには、Ｃｏ量を０.０５〜０.６ｗｔ％とすることにより、２.０ｋＶ以上の優れた破壊電圧（ＶＢ）を得ることができる。
【００６５】
▲２▼絶縁抵抗（ＩＲ）についての評価
次に、図８を用いて、絶縁抵抗（ＩＲ）についての評価を行なう。
図８に示されるように、絶縁抵抗（ＩＲ）は曲線ａ〜ｆの順位となっている。そして、破壊電圧（ＶＢ）の場合と同様に、曲線ａ〜ｆのなかで曲線ｆの絶縁抵抗（ＩＲ）のレベルは低いものとなっている。したがって、良好な絶縁抵抗（ＩＲ）を得るためにも、焼結体中に占めるＭｎ量を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とすることが必要であるといえる。
また、Ｍｎ量，Ｃｏ量がともに本発明で推奨する範囲、すなわち０.７５ｗｔ％以下にある曲線ａ〜ｅにおいて、良好な絶縁抵抗（ＩＲ）を得ているのは曲線ａ〜ｄである。このなかで特に良好な絶縁抵抗（ＩＲ）を得ているのは曲線ａおよびｂである。よって、焼結体中に占めるＭｎ量を０.６ｗｔ％以下、さらに望ましくは０.２ｗｔ％以下とすることにより、非常に優れた絶縁抵抗（ＩＲ）を得ることが可能となる。もっとも、Ｍｎ量があまり低くなるとその効果を享受することができなくなるので、０.０１ｗｔ％以上、さらに０.０３ｗｔ％以上の範囲で含有せしめるのが望ましい。さらに、絶縁抵抗（ＩＲ）についても焼結体中に占めるＣｏ量が０.２ｗｔ％のときにピーク値を得ていることから、Ｃｏ量の最適範囲は０.０５〜０.６ｗｔ％、さらには０.０１〜０.４ｗｔ％であるといえる。
【００６６】
▲３▼透磁率（μ）についての評価
次に、図９を用いて、透磁率（μ）についての評価を行なう。
図９では、曲線ａ〜ｅがほぼ同等レベルにあり、曲線ｆのみが低いレベルにあることが示されている。したがって、良好な透磁率（μ）を得るためにも、焼結体中に占めるＭｎ量を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とすればよい。
また、曲線ａ〜ｅのなかでは、曲線ｃ〜ｅが特に良好な透磁率（μ）を示しており、次いで曲線ｂ、曲線ａとなっている。つまり、上述の破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）とは異なる傾向を示している。この傾向から、透磁率（μ）についてのＭｎ量の望ましい範囲は０.１〜０.７５ｗｔ％、さらには０.３〜０.７５ｗｔ％であるといえる。
さらに、曲線ａ〜ｅにおいても、１５０以上の良好な透磁率（μ）を確保するためには、焼結体中に占めるＣｏ量を本発明で推奨する範囲、すなわち０.７５ｗｔ％以下とすることが望ましい。
【００６７】
▲４▼品質係数（Ｑ）についての評価
次に、図１０を用いて、品質係数（Ｑ）についての評価を行なう。
図１０を見ると、品質係数（Ｑ）も曲線ａ〜ｆの順位となっており、曲線ｆの品質係数（Ｑ）はそのピーク値においても４０以下となっている。したがって、４０以上の良好な品質係数（Ｑ）を得るためには、焼結体中に占めるＭｎ量を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とする必要があることがわかった。
曲線ａ〜ｅのなかで特に良好な品質係数（Ｑ）を得ているのは曲線ａおよびｂであり、曲線ｅは曲線ａ〜ｄと比較すると低いレベルとなっている。したがって、良好な品質係数（Ｑ）を得るためには、焼結体中に占めるＭｎ量が０.７５ｗｔ％を超えないようにＭｎを含めばよい。より望ましいＭｎ量は０.１〜０.６ｗｔ％、さらには０.１〜０.２ｗｔ％である。この範囲では、特に優れた品質係数（Ｑ）を得ることができる。
【００６８】
次にＣｏ量に着目すると、Ｃｏ量が０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）の範囲にある場合には、曲線ａ〜ｅは４０以上という優れた品質係数（Ｑ）を呈する。一方、Ｃｏ量が０.７５ｗｔ％を超えて１.０２０ｗｔ％になると、曲線ｃ〜ｅの品質係数（Ｑ）は４０以下となってしまう。また、曲線ａ〜ｅにおいて、Ｃｏ量が約０.６ｗｔ％のときには５０以上の非常に優れた品質係数（Ｑ）を示し、Ｃｏ量が０.２ｗｔ％のときに品質係数（Ｑ）のピーク値を得ていることがわかる。したがって、優れた品質係数（Ｑ）を得るためには、Ｃｏ量が０.７５ｗｔ％を超えないように焼結体中にＣｏを含めればよい。より望ましいＣｏ量は０.０５〜０.６ｗｔ％、さらには０.１〜０.４ｗｔ％である。
【００６９】
以上説明の通り、焼結体中に占めるＭｎ量を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とし、かつＣｏ量を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とすることにより、４０以上の優れた品質係数（Ｑ）を得ることができる。しかも、Ｍｎ量が０.０１〜０.６ｗｔ％およびＣｏ量が０.０５〜０.７５ｗｔ％である場合には、８０以上の優れた品質係数（Ｑ）を得ることも可能となる。また、Ｍｎ量が０.６ｗｔ％以上の場合にも、Ｃｏ量を０.０５〜０.６ｗｔ％とすることによって、５０以上の良好な品質係数（Ｑ）を得ることができる。
【００７０】
＜実施例の総合評価＞
本実施例により、焼結体中に占めるＭｎ量が０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）であり、かつＣｏ量が０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）の範囲において、優れた破壊電圧（ＶＢ），絶縁抵抗（ＩＲ），透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を得ることができることが明らかとなった。この範囲で特に優れた破壊電圧（ＶＢ），絶縁抵抗（ＩＲ）および品質係数（Ｑ）を得るためには、焼結体中に占めるＭｎ量を０.６ｗｔ％以下とすることが望ましい。また、焼結体中に占めるＭｎ量が０.６ｗｔ％以上の場合においても、Ｃｏ量を０.６ｗｔ％以下、さらには０.４ｗｔ％以下とすることによって、優れた破壊電圧（ＶＢ），絶縁抵抗（ＩＲ）および品質係数（Ｑ）を得ることが可能となる。さらにまた、焼結体中に占めるＭｎ量を０.２ｗｔ％以下とし、かつＣｏ量を０.６ｗｔ％以下とした場合には、特に優れた破壊電圧（ＶＢ），絶縁抵抗（ＩＲ）および品質係数（Ｑ）を得ることが可能となる。
【００７１】
以上、本実施例の破壊電圧（ＶＢ），絶縁抵抗（ＩＲ），透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）の測定結果を示した。次に、加速寿命試験（ＨＡＬＴ）およびＣｕ偏析の面積率の測定結果を表１３に示す。試料としては、実施例ａにおけるＮｏ.１およびＮｏ.３、実施例ｃにおけるＮｏ.１６、実施例ｄにおけるＮｏ.２１、比較例１におけるＮｏ.３６を用いた。これらの粉末を用いて上記実施例と同様の条件により積層型コンデンサを作製し、加速寿命試験（ＨＡＬＴ）の測定を行なった。また、焼結体組織における元素分布を電子線プローブ・マイクロ・アナライザ（ＥＰＭＡ）によって観察し、焼結体組織に占めるＣｕ偏析の面積率を算出した。
［加速寿命試験（ＨＡＬＴ）］
作製した積層型チップコンデンサ４１に、１７５℃の高温下で８０Ｖの電圧を４８時間印加した後に不良となるか否か観察した。なお、観察したサンプルは、各々２０個である。
［ＥＰＭＡ測定条件、Ｃｕ偏析の面積率］
電子線プローブ・マイクロ・アナライザ（ＥＰＭＡ）として、日本電子(株)製のＪＣＭＡ７３３を用いて以下の条件で組織観察を行なった。また、この条件で測定した場合に、所定の測定点のカウント数が（測定点全体のカウント数の平均値×１.３倍）以上になったとき、その測定点をＣｕの偏析とし、Ｃｕの偏析の総数を全測定点の数で割って１００をかけた値を組織に占めるＣｕ偏析の面積率（Ｃｕ偏析率）とした。
Ｃｕ偏析の面積率（％）＝１００×（Ｃｕ偏析の点数）／（全測定点数）
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【００７２】
【表１３】
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【００７３】
Ｃｏ量が０.００６ｗｔ％であるＮｏ.１とＣｏ量が０.２００ｗｔ％であるＮｏ.３を対比すると、Ｎｏ.３において不良サンプル数が激減していることがわかる。Ｎｏ.１およびＮｏ.３は主成分の組成が同一であり、副成分としてのＭｎ量も０.０７０ｗｔ％と等しい。よって、不良サンプル数の激減には、Ｃｏ量が関係していることが明らかとなった。
Ｎｏ.３およびＮｏ.１６では、１７５℃の高温下で８０Ｖの電圧を１０時間印加した後においても不良サンプル数０と、良好な結果を示している。特に、Ｎｏ.１６では、４８時間印加した後においても不良サンプル数４と、極めて良好な結果を得ている。よって、ＮｉＣｕＺｎフェライトに副成分としてＭｎおよびＣｏを０.３〜０.５ｗｔ％ずつ添加し、Ｃｕ偏析率を６.０〜１０.０％の範囲とすることにより、非常に優れた耐久性を示す部品が得られることがわかった。またＮｏ.２１でも、１０時間印加した後の不良サンプル数１、２４時間印加した後の不良サンプル数７と良好な結果を得ている。一方、Ｍｎ量およびＣｏ量がともに０.７５ｗｔ％を超えているＮｏ.３６では、Ｎｏ.１と同レベルにまで不良サンプル数が増加してしまう。
以上の結果から、Ｍｎ量を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とし、かつＣｏ量を０.０１〜０.７５ｗｔ％とすることにより、耐久性に非常に優れた部品が得られることがわかった。
【００７４】
さらに表１３には焼結体中に占めるＣｕ偏析の面積率（以下、Ｃｕ偏析率）も示してある。Ｃｕ偏析率が１.１％（Ｎｏ.３６）から５.２％（Ｎｏ.２１）まで増加すると不良サンプル数が激減する。そして、Ｃｕ偏析率が８.１％（Ｎｏ.１６）および１３.８％（Ｎｏ.３）においても不良サンプル数が少ないことがわかる。この結果から、Ｃｕ偏析率が本発明で推奨する所定の範囲、つまり１.５％〜１５.０％の範囲にあるときに耐久性に優れた部品が得られることがわかった。
次に、表１３のＣｕ偏析率の欄およびＭｎ量，Ｃｏ量の欄を対比して、Ｍｎ量とＣｕ偏析率との関係、Ｃｏ量とＣｕ偏析率との関係について述べる。Ｃｏ量が０.００６ｗｔ％であるＮｏ.１とＣｏ量が０.２００ｗｔ％であるＮｏ.３を対比すると、Ｎｏ.３のＣｕ偏析率の方が若干高い値となっている。Ｎｏ.１とＮｏ.３は主成分および副成分としてのＭｎ量が等しいから、Ｃｏ量の増加に伴ってＣｕ偏析率が上昇することがわかった。一方、主成分および副成分としてのＣｏ量が等しく、Ｍｎ量のみ異なるＮｏ.３（Ｍｎ量：０.０７０ｗｔ％）とＮｏ.２１（Ｍｎ量：０.５４４ｗｔ％）を対比すると、Ｎｏ.２１の方がＣｕ偏析率の値が低くなっている。この結果から、Ｍｎ量の増加に伴ってＣｕ偏析率が低下することがわかった。
【００７５】
また表１３において、Ｃｕ偏析率が１.１％の場合（Ｎｏ.３６）には破壊電圧（ＶＢ）が１.３９ｋＶであるのに対し、Ｃｕ偏析率が５.２％（Ｎｏ.２１）になると破壊電圧（ＶＢ）は２.７５ｋＶまで向上する。Ｃｕ偏析率が８.１％（Ｎｏ.１６）の場合もＣｕ偏析率が５.２％（Ｎｏ.２１）の場合とほぼ同じレベルの優れた破壊電圧（ＶＢ）を得ている。Ｃｕ偏析率が１３.８％の場合（Ｎｏ.３）には、破壊電圧（ＶＢ）は更に向上して３.０１ｋＶとなる。この傾向から、ＭｎおよびＣｏを所定量含み、かつＣｕ偏析率が１.５〜１５.０％の範囲にある場合に、破壊電圧（ＶＢ）の向上を図れることがわかった。また、この範囲で特に高い破壊電圧（ＶＢ）を得るためには、Ｃｕ偏析率は５.０〜１５.０％の範囲とすることが望ましい。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば従来に比して耐電圧性，耐久性に優れる磁性フェライト材料およびこれを用いた積層型フェライト部品を低コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本実施の形態に係る積層型チップインダクタアレイの平面図である。
【図２】  図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】  図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】  本実施の形態に係るＬＣ複合部品である。
【図５】  実施例で用いた積層型チップコンデンサの側断面図である。
【図６】  図５のＣ−Ｃ断面図である。
【図７】  本実施例で測定したＣｏ量による破壊電圧（ＶＢ）の変動を示すグラフである。
【図８】  本実施例で測定したＣｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフである。
【図９】  本実施例で測定したＣｏ量による透磁率（μ）の変動を示すグラフである。
【図１０】  本実施例で測定したＣｏ量による品質係数（Ｑ）の変動を示すグラフである。
【符号の説明】
１…積層型チップインダクタアレイ、２…磁性フェライト層、３…内部電極、４…引出し電極、５…チップ体、６…外部電極、１１…ＬＣ複合部品、１２…チップコンデンサ部、１３…チップフェライト部、１５…外部電極、２１…セラミックス誘電体層、２２…内部電極、３２…磁性フェライト層、３３…電極層、４１…積層型チップコンデンサ、４２…磁性フェライト層、４３…内部電極、４４…チップ体、４５…外部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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