(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、前記絶縁基板上に帯状に形成された第一及、第二及び第三の導体と、前記絶縁基板の側端面に形成された複数の端子電極とを備え、前記第一及び第二の導体を互いに誘導結合させると共に、前記第一及び第二の導体の各端部を前記端子電極に個別に接続し、前記第三の導体の一端を前記第二の導体の長さ方向のほぼ中心の位置に接続すると共に、他端を他の前記端子電極に接続し、前記第一の導体に接続された二つの前記端子電極の一方を接地電極とした平衡−不平衡変換器において、前記第一の導体に接続された入力用の端子電極と接地用の端子電極を前記絶縁基板の第一の前記側端面に互いに隣接した位置に形成し、前記第三の導体に接続された他の前記端子電極を前記第一の側端面の前記接地用の電極と隣接した位置に形成し、前記第二の導体に接続された二つの前記端子電極を前記絶縁基板の前記第一の前記側端面に対向する第二の前記側端面に互いに隣接して形成し、前記第二の導体に接続された二つの前記端子電極の一方は、前記第一の導体に接続された前記接地用の端子電極と対向する位置に形成され、前記第二の導体に接続された二つの前記端子電極の他方は、前記第三の導体に接続された他の前記端子電極と対向する位置に形成したことを特徴とする平衡−不平衡変換器。
【請求項２】
前記絶縁基板をセラミック基板で構成したことを特徴とする請求項１に記載の平衡−不平衡変換器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、平衡−不平衡変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
代表的な平衡−不平衡変換器としては、従来から、トランスを使用して構成したものが知られている。
図５はその回路図であり、トランス２１の一次巻線２１ａの一端に信号が入力され、他端が接地される。二次巻線２１ｂの両端は平衡出力端であり、次段の平衡回路２２に接続される。平衡回路２２は、例えば差動増幅器で構成され、トランジスタ２２ａ、２２ｂのベースに二次巻線２１ｂが接続される。トランス２１は図示しないプリント基板に搭載され、平衡回路２２もプリント基板上に構成される。
【０００３】
また、二次巻線２１ｂと一方のトランジスタ２２ａのベースとの接続点にはプリント基板上に形成されたマイクロストリップ導体２３の一端が接続され、その他端は直流カットコンデンサ２４によって高周波的に接地される。マイクロストリップ導体２３の長さは一次巻線２１ａに入力される信号の１／４波長となっている。そして、マイクロストリップ導体２３の他端に印加された電圧が直接トランジスタ２２ａのベース、または二次巻線２１ｂを介してトランジスタ２２ｂのベースにそれぞれバイアス電圧として供給される。
【０００４】
以上の構成においては、マイクロストリップ導体２３の一端側から他端側を見たインピーダンスが極めて大きくなるので、マイクロストリップ導体２３の接続による損失は無視できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、トランスを使用することでコストアップを招き、形状的にも小型化が困難であった。また、平衡出力端に平衡回路を接続する場合、トランスの二次巻線の一方の出力端にバイアス用の電圧が印加されるので、平衡度が崩れるという問題も発生する。
【０００６】
そこで、本発明は、小型、軽量、低コストで、且つ使用状態における平衡度の低下が少ない平衡−不平衡変換器を実現することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明では、絶縁基板と、前記絶縁基板上に帯状に形成された第一及、第二及び第三の導体と、前記絶縁基板の側端面に形成された複数の端子電極とを備え、前記第一及び第二の導体を互いに誘導結合させると共に、前記第一及び第二の導体の各端部を前記端子電極に個別に接続し、前記第三の導体の一端を前記第二の導体の長さ方向のほぼ中心の位置に接続すると共に、他端を他の前記端子電極に接続し、前記第一の導体に接続された二つの前記端子電極の一方を接地電極とした平衡−不平衡変換器において、前記第一の導体に接続された入力用の端子電極と接地用の端子電極を前記絶縁基板の第一の前記側端面に互いに隣接した位置に形成し、前記第三の導体に接続された他の前記端子電極を前記第一の側端面の前記接地用の電極と隣接した位置に形成し、前記第二の導体に接続された二つの前記端子電極を前記絶縁基板の前記第一の前記側端面に対向する第二の前記側端面に互いに隣接して形成し、前記第二の導体に接続された二つの前記端子電極の一方は、前記第一の導体に接続された前記接地用の端子電極と対向する位置に形成され、前記第二の導体に接続された二つの前記端子電極の他方は、前記第三の導体に接続された他の前記端子電極と対向する位置に形成した。
【００１２】
また、前記絶縁基板をセラミック基板で構成した。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図１乃至図４によって本発明の平衡−不平衡変換器を説明する。図１は本発明の平衡−不平衡変換器の斜視図、図２及び図４は本発明の平衡−不平衡変換器に形成する導体の接続状態を示す上面図、図３は等価回路図である。
【００１４】
図１において、絶縁基板１は直方体のセラミック基板等からなり、第一の側端面１ａには複数の端子電極２、３、４が印刷等の手段によって形成され、第一の側端面１ａに対向する第二の側端面１ｂには端子電極５、６、７が印刷等の手段によって形成される。そして、図２に示すように、絶縁基板１の表面に三本の帯状の導体８、９、１０が印刷等の手段によって形成される。
【００１５】
第一の導体８は絶縁基板１の上面、下面、側端面を巻き回するように形成され、その一端が上面にて端子電極２に接続され、他端が下面にて端子電極３に接続される。
また、第二の導体９も絶縁基板１の上面、下面、側端面を巻き回するように形成され、その一端が上面にて端子電極５に接続され、他端が下面にて端子電極６に接続される。
第一の導体８と第二の導体９とは互いに平行に巻き回されている部分があるので誘導結合する。
更に、第三の導体１０も絶縁基板１の上面、下面、側端面を巻き回するように形成され、その一端が第二の導体９の長さ方向のほぼ中心の位置（図２では第二の側端面１ｂの位置Ｔ）に接続され、他端は端子電極４に接続される。
【００１６】
以上の構成では、第一の導体８と第二の導体９とは誘導結合しているので、端子電極２−３間に入力された信号は端子電極５−６間に現れる。したがって、端子電極３を接地して端子電極２に信号を入力すれば、図３に示すように、端子電極５、６を平衡出力端とする平衡−不平衡変換器が構成される。
【００１７】
また、端子電極４に電圧を加えることで端子電極５、６にその電圧が現れるので、端子電極５、６に接続される外部の平衡回路（図示せず）にバイアス電圧を供給できる。
【００１８】
なお、第一の導体８に接続された二つの端子電極２、３は互いに隣接し、第二の導体９に接続された二つの端子電極５、６も互いに隣接しているが、端子電極２、３と端子電極５、６とはそれぞれ第三の側端面１ｃ側と第四の側端面１ｄ側とに離間するように配置されるので、端子電極２、３が端子電極５、６に結合することが無く、平衡度が崩れない。
さらに、絶縁基板１をセラミック基板とすることで、信号の損失を少なくできる。
【００１９】
図４は第一の導体８と第二の導体９とを絶縁基板１の上面だけに形成して互いに結合させ、第三の導体１０を上面、第二の側端面、下面にわたって形成したものである。
この場合の各導体のインダクタンスは図２に示す導体に比較して少なくなるが、信号周波数が高ければ平衡−不平衡変換器として十分に機能する。
【００２０】
なお、図２、図４の説明では、電圧印加用の端子電極４を第一の側端面１ａに設けたが、第二の側端面１ｂに設けた端子電極７を使用しても良い。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の平衡−不平衡変換器は、絶縁基板と、絶縁基板上に帯状に形成された第一及、第二及び第三の導体と、絶縁基板の側端面に形成された複数の端子電極とを備え、第一及び第二の導体を互いに誘導結合させると共に、第一及び第二の導体の各端部を端子電極に個別に接続し、第三の導体の一端を第二の導体の長さ方向のほぼ中心の位置に接続すると共に、他端を他の端子電極に接続し、第一の導体に接続された二つの端子電極の一方を接地電極としたので、小型化、軽量化が図られ、コストも低減出来る。
【００２２】
また、第一の導体に接続された二つの端子電極を絶縁基板の第一の側端面に互いに隣接して形成し、第二の導体に接続された二つの端子電極を絶縁基板の第一の側端面に対向する第二の側端面に互いに隣接して形成したので、不平衡側の端子電極と平衡側の端子電極との互いの結合が少なくなり平衡側の平衡度が崩れない。
【００２３】
また、第一の導体に接続された二つの端子電極と第二の導体に接続された二つの端子電極とを第三の側端面側方向と第四の側端面側方向とに互いに離間したので、平衡側の端子電極と平衡側の端子電極との互いの結合が一層少なくなる。
【００２４】
また、第一の導体に接続された二つの端子電極のうち、第２の導体に接続された二つの端子電極に近い方を接地電極としたので、更に、平衡側の端子電極と平衡側の端子電極との互いの結合が少なくなる。
【００２５】
また、第三の導体に接続された他の端子電極を第一の側端面または第二の側端面に形成したので、端子電極を形成し易い。
【００２６】
また、絶縁基板をセラミック基板で構成したので、信号の損失が少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の平衡−不平衡変換器の斜視図である。
【図２】本発明の平衡−不平衡変換器に形成する導体の接続状態を示す上面図である。
【図３】本発明の平衡−不平衡変換器の等価回路図である。
【図４】本発明の平衡−不平衡変換器に形成する導体の接続状態を示す上面図である。
【図５】従来の平衡−不平衡変換器の回路図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
１ａ  第一の側端面
１ｂ  第二の側端面
１ｃ  第三の側端面
１ｄ  第四の側端面
２、３、４、５、６、７  端子電極
８  第一の導体
９  第二の導体
１０  第三の導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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