(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御信号に従って容量性負荷を駆動する演算増幅器と、
前記制御信号に同期するとともに前記制御信号のパルス幅に依存するバイアス切り換え信号を生成するバイアス切り換え制御部と、
前記バイアス切り換え信号に従って前記演算増幅器のバイアス電流を制御するバイアス回路部とを備えた半導体集積回路装置であって、
前記バイアス切り換え制御部が、前記制御信号のパルス幅をカウントする第１カウンタ回路と、前記制御信号のパルスの終点からカウントを開始する第２カウンタ回路と、第２カウンタ回路のカウント値が第１カウンタ回路のカウント値を越えたとき出力反転するコンパレータ回路とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記第１カウンタ回路がｍビットカウンタおよび前記第２カウンタ回路がｍビットとｍ＋１ビットを切り換え可能なカウンタであり、前記コンパレータ回路が前記ｍビットおよびｍ＋１ビットの上位ｎビットで比較されることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記第１および第２カウンタ回路がｍビットカウンタであり、前記コンパレータ回路が前記ｍビットの上位ｎビットで比較されることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記第１カウンタ回路がｍビットカウンタおよび前記第２カウンタ回路がｍ＋１ビットカウンタであり、前記コンパレータ回路が前記ｍビットおよびｍ＋１ビットの上位ｎビットで比較されることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に容量性負荷を駆動するために制御信号の供給により駆動電圧が入出力される演算増幅器のバイアス電流を駆動電流が流れている時は高バイアスに、駆動電流が流れていない時は低バイアスに切り換え可能とした半導体集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置において、容量性負荷である液晶パネルのデータ線を駆動する水平ドライバＩＣの出力段には、水平ドライバＩＣの外部からシリアルに供給される階調を示すデジタルのデータ信号をパラレルにアナログ変換された階調電圧の駆動能力を上げて液晶パネルに駆動電圧として出力するために、ボルテージホロワ接続の演算増幅器を備えている。この演算増幅器を図５および図６を参照して説明する。図５に示す一例は、立ち上がり波形を立ち上がり専用演算増幅器１で出力するとともに立ち下がり波形を立ち下がり専用演算増幅器２で出力する２アンプ方式で、演算増幅器１の回路例は図７に、演算増幅器２の回路例は図８に示し、演算増幅器１には演算増幅器１のＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ５，Ｑ７にバイアス電圧を供給する端子３を有し、演算増幅器２には演算増幅器２のＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１５，Ｑ１７にバイアス電圧を供給する端子４を有している。演算増幅器１のＭＯＳトランジスタＱ５および演算増幅器２のＱ１５に流れるバイアス電流が大きくなるに従いそれぞれの出力波形の傾きは急峻となり、逆に小さくなるに従いそれぞれの出力波形の傾きは緩やかとなる。図６に示す他例は立ち上がり波形と立ち下がり波形の両方をひとつの演算増幅器５で出力する１アンプ方式で、演算増幅器５の回路例は図示しないが基本的には図７および図８の回路を一体化した回路で、演算増幅器５には図５に示す端子３，４に相当するバイアス電圧を供給する端子６，７を有している。
【０００３】
次に、上述の演算増幅器を用いた水平ドライバＩＣの例として、図６に示した１アンプ方式の演算増幅器５を用いた従来の水平ドライバＩＣを図９を参照して説明する。図において、水平ドライバＩＣ１００は出力段にデータ線３８４本に対応し３８４個の演算増幅器５と、各演算増幅器５の出力にそれぞれ接続された３８４個の出力端子８と、各演算増幅器５に共通のバイアス回路部２０と、バイアス回路部２０に接続されたバイアス切り換え端子９と、各演算増幅器５の入力に接続されたシフトレジスタ、データレジスタ、ラッチ、レベルシフタ及びＤ／Ａコンバータ（図示せず）を順次段接続した前段回路１０と、前段回路１０に接続されたデータ信号入力端子１１、クロック信号入力端子１２、ストローブ信号入力端子１３、および、図示しないが、スタート信号入力端子や階調電圧生成のための基準電圧入力端子等の入力端子とを備えている。
【０００４】
バイアス回路部２０は図１０に示すように、バイアス電流源２１とバイアス電圧取出し回路２２とを備えている。バイアス電流源２１は、相異なるオン抵抗Ｒ１，Ｒ２（Ｒ１＞Ｒ２）を有する並列接続のバイアス電流源用ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ２１，Ｑ２２と、インバータ２３とを有している。ＭＯＳトランジスタＱ２１，Ｑ２２はソースを高電圧側端子ＶDDに接続し、ドレインをバイアス電圧取出し回路２２に接続し、ゲートをＭＯＳトランジスタＱ２２のゲートはインバータ２３を介してＭＯＳトランジスタＱ２１のゲートに共通接続してバイアス切り換え端子９に接続している。
【０００５】
バイアス電圧取出し回路２２は、バイアス電流源２１と低電圧側端子ＶSS間に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ２３と、ＭＯＳトランジスタＱ２３にミラー接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ２４と、高電圧側端子ＶDDと低電圧側端子ＶSS間にＭＯＳトランジスタＱ２４とで直列接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ２５と、ＭＯＳトランジスタＱ２５にミラー接続されたＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ２６と、高電圧側端子ＶDDと低電圧側端子ＶSS間にＭＯＳトランジスタＱ２６とで直列接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ２７とを有している。ＭＯＳトランジスタＱ２３は、ドレインをＭＯＳトランジスタＱ２１，Ｑ２２のドレインに接続し、ソースを低電圧側端子ＶSSに接続し、ドレインとゲートとを短絡させてダイオード接続している。ＭＯＳトランジスタＱ２４は、ドレインをＭＯＳトランジスタＱ２５のドレインに接続し、ソースを低電圧側端子ＶSSに接続し、ゲートをＭＯＳトランジスタＱ２３のゲートに接続している。ＭＯＳトランジスタＱ２５は、ソースを高電圧側端子ＶDDに接続し、ドレインとゲートとを短絡させてダイオード接続して演算増幅器５のＰチャネルＭＯＳトランジスタにバイアス電圧を供給する端子７に接続している。ＭＯＳトランジスタＱ２６は、ソースを高電圧側端子ＶDDに接続し、ドレインをＭＯＳトランジスタＱ２７のドレインに接続し、ゲートをＭＯＳトランジスタＱ２５のゲートに接続している。ＭＯＳトランジスタＱ２７は、ソースを低電圧側端子ＶSSに接続し、ドレインとゲートとを短絡させてダイオード接続して演算増幅器５のＮチャネルＭＯＳトランジスタにバイアス電圧を供給する端子６に接続している。
【０００６】
次に上記のバイアス回路部２０の動作を説明する。バイアス切り換え端子９に“Ｌ（ロウ）”レベルのバイアス切り換え信号ＢＩＣが供給されるとＭＯＳトランジスタＱ２１がＯＮ動作してバイアス電流源２１の抵抗はＭＯＳトランジスタＱ２１のＯＮ抵抗Ｒ１（＞Ｒ２）となり、バイアス電流源２１にはＯＮ抵抗Ｒ１に対応した電流がＯＮ抵抗Ｒ２に対応した場合より小さい電流で流れ、バイアス電圧取出し回路２２からはＯＮ抵抗Ｒ２に対応した場合より端子７により小さい（ＶDDにより近い）バイアス電圧が供給され、端子６により小さい（ＶSSにより近い）バイアス電圧が供給される。バイアス切り換え端子９に“Ｈ（ハイ）”レベルのバイアス切り換え信号ＢＩＣが供給されるとＭＯＳトランジスタＱ２２がＯＮ動作してバイアス電流源２１の抵抗はＭＯＳトランジスタＱ２２のＯＮ抵抗Ｒ２（＜Ｒ１）となり、バイアス電流源２１にはＯＮ抵抗Ｒ２に対応した電流がＯＮ抵抗Ｒ１に対応した場合より大きい電流で流れ、バイアス電圧取出し回路２２からはＯＮ抵抗Ｒ１に対応した場合より端子７に、より大きい（ＶDDからより遠い）バイアス電圧が供給され、端子６に、より大きい（ＶSSからより遠い）バイアス電圧が供給される。
【０００７】
次に水平ドライバＩＣ１００を液晶パネルに接続したときの動作を説明する。前段回路１０に入力端子１１からシリアルにデジタルのデータ信号ＤＡＴが、入力端子１２からのクロック信号ＣＬＫのタイミングで取り込まれ、内部で、パラレルに変換され、入力端子１３からのストローブ信号ＳＴＢのタイミングで階調電圧にアナログ変換され、前段回路１０から各演算増幅器５、出力端子８を介して液晶パネルのデータ線に駆動電圧として供給される。
【０００８】
ところで、液晶パネルは、全画面に同一色を出力する場合でも液晶の寿命を伸ばすためにドット反転駆動の場合はドットごと、ライン反転駆動の場合はラインごとにコモン電圧に対して正電圧と負電圧を交互に印加しなければならないので、演算増幅器５からは負電圧から正電圧の立ち上がり波形と正電圧から負電圧の立ち下がり波形の電圧が交互に出力される。この立ち上がり波形および立ち下がり波形は液晶パネルへの書き込みが正常に行なわれるためには傾きが急峻であることが要求される。この立ち上がり波形および立ち下がり波形は、バイアス切り換え端子９に“Ｈ（ハイ）”レベルのバイアス切り換え信号ＢＩＣが供給されることにより、演算増幅器５のバイアス電流がバイアス回路部２０で高バイアスに設定され、演算増幅器５から液晶パネルの負荷に駆動電流が流れることにより出力される。この立ち上がり波形および立ち下がり波形は、バイアス電流が一定の場合、液晶パネルが大型化して各データ線の負荷が大きくなるに従い、または、演算増幅器に含まれるＭＯＳトランジスタのバイアス電流が小さくなるに従い、緩やかな傾きとなり、逆に液晶パネルの負荷が小さくなるに従い、または、演算増幅器に含まれるＭＯＳトランジスタのバイアス電流が大きくなるに従い急な傾きとなる。従って、液晶パネルへの書き込みが正常に行なわれ、かつ、バイアス電流による消費電流が小さくなる適正な立ち上がり波形および立ち下がり波形の傾きとなるように、液晶パネルの負荷の大きさに応じて演算増幅器５のバイアス電流が高バイアスのときのバイアス回路部２０を設計して設定される。
【０００９】
液晶パネルに出力された波形が立ち上がりおよび立ち下がって所定の駆動電圧が出力されると演算増幅器５から液晶パネルの負荷に駆動電流が流れなくなる。しかし、この状態で、演算増幅器５のバイアス電流がバイアス回路部２０で高バイアスに設定されていると、このバイアス電流により電流が消費される。液晶パネルが大型化してデータ線の本数が増加するに従い、これに対応して演算増幅器の数も増加し、ドライバＩＣの消費電流も無視できなくなってくる。そのため、この波形の立ち上がりおよび立ち下がりの前後の所定期間を、バイアス切り換え端子９に“Ｌ（ロウ）”レベルのバイアス切り換え信号ＢＩＣが供給されることにより、演算増幅器５のバイアス電流がバイアス回路部２０で低バイアスに設定され、消費電流を低減している。この波形の立ち上がりおよび立ち下がりの前後の所定期間、すなわち、バイアス切り換え端子９に供給されるバイアス切り換え信号ＢＩＣの“Ｈ”、“Ｌ”のタイミングは、通常、水平ドライバＩＣ１００を用いるユーザ側で、液晶パネルの負荷の大きさ等を考慮して設定される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
従来のドライバＩＣは、バイアス切り換え端子９に供給されるバイアス切り換え信号ＢＩＣを、ドライバＩＣの外部信号により供給する必要があり、バイアス切り換え信号ＢＩＣを生成する回路をドライバＩＣのユーザ側で設ける必要があった。そのため、液晶パネルの大きさを変更したときや、液晶パネルの製造ばらつきによって、液晶パネルの抵抗または容量性負荷が変化したとき、ユーザ側で、切り換え信号のタイミングを設定し直す必要があり、ユーザ側に負担がかかるという問題があった。
従って、本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので、ユーザ側でバイアス切り換え信号を生成する回路を新たに設けることなく、演算増幅器の入出力を制御する信号を用いて、高バイアスから低バイアスへの切り換えタイミングを可変とした半導体集積回路装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明に係わる半導体集積回路装置は、制御信号に従って容量性負荷を駆動する演算増幅器と、前記制御信号に同期するとともに前記制御信号のパルス幅に依存するバイアス切り換え信号を生成するバイアス切り換え制御部と、前記バイアス切り換え信号に従って前記演算増幅器のバイアス電流を制御するバイアス回路部とを備えた半導体集積回路装置であって、前記バイアス切り換え制御部が、前記制御信号のパルス幅をカウントする第１カウンタ回路と、前記制御信号のパルスの終点からカウントを開始する第２カウンタ回路と、第２カウンタ回路のカウント値が第１カウンタ回路のカウント値を越えたとき出力反転するコンパレータ回路とを有することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に基づき、液晶表示装置において、液晶パネルを駆動する第１実施例の半導体集積回路装置として、図６に示した１アンプ方式の演算増幅器５を用いた水平ドライバＩＣを液晶パネルのデータ線３８４本分の駆動能力を有するものとして図１を参照して説明する。尚、図９と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。図１において、水平ドライバＩＣ２００は出力段にデータ線３８４本に対応し３８４個の演算増幅器５と、各演算増幅器５の出力にそれぞれ接続された３８４個の出力端子８と、各演算増幅器５に共通のバイアス回路部２０と、各演算増幅器５の入力に接続されたシフトレジスタ、データレジスタ、ラッチ、レベルシフタ及びＤ／Ａコンバータ（図示せず）を順次段接続した前段回路１０と、前段回路１０に接続されたデータ信号入力端子１１、クロック信号入力端子１２、ストローブ信号入力端子１３、および、図示しないが、スタート信号入力端子や階調電圧生成のための基準電圧入力端子等の入力端子と、ストローブ信号入力端子１３からの制御信号であるストローブ信号ＳＴＢに基づきバイアス回路部２０へのバイアス切り換え信号ＢＩＣを生成するバイアス切り換え制御部３０と、バイアス切り換え制御部３０に接続され、同一パルス幅のストローブ信号ＳＴＢに対して２種類の切り換えタイミングを選択するための選択信号ＳＲＣを供給する選択信号入力端子１４とを備えている。このドライバＩＣ２００はドット反転駆動にでもライン反転駆動にでも用いることができる。
【００１３】
バイアス切り換え制御部３０は、図２に示すように、ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅をクロックでカウントするｍ＝８ビットの第１カウンタ回路３１と、ストローブ信号ＳＴＢのパルスの終点からクロック数のカウントを開始するｍ＝８ビットまたはｍ＋１＝９ビットに切り換え可能な第２カウンタ回路３２と、第２カウンタ回路３２の上位ｎ＝３ビットのカウント値が第１カウンタ回路３１の上位ｎ＝３ビットのカウント値を越えたとき、“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに出力反転するコンパレータ回路３３とを有する。
【００１４】
次に上記のバイアス切り換え制御部３０の動作を図３および表１を参照して説明する。
【００１５】
【表１】
0003981539.tif 000002
【００１６】
先ず、選択信号ＳＲＣ＝“Ｌ”レベルであり、ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝クロック数が１〜３１クロック分のときについて説明する。選択信号入力端子１４に、図３（ｂ）に示すように、“Ｌ”レベルの選択信号ＳＲＣが供給されると、第２カウンタ回路３２が８ビットカウンタとして機能する。この状態でストローブ信号入力端子１３に、図３（ａ）に示すように、クロック数＝１〜３１クロック分のパルス幅のストローブ信号ＳＴＢが供給されると、第１カウンタ回路３１が、このストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりから立ち下がりまでのクロック数＝１〜３１クロック分をカウントし、上位３ビットのカウント値をコンパレータ回路３３に出力する。また、第２カウンタ回路３２が、このストローブ信号ＳＴＢの立ち下がりからクロック数のカウントを開始し、上位３ビットのカウント値をコンパレータ回路３３に出力する。第１カウンタ回路３１の上位３ビットのカウント値は、クロック数＝１〜３１クロック分をカウント後において“０００”のままである。第２カウンタ回路３２の上位３ビットのカウント値は、ストローブ信号ＳＴＢの立ち下がりからクロック数＝３２クロック分をカウント時点で“０００”から“００１”となる。従って、コンパレータ回路３３は、図３（ｂ）に示すように、第２カウンタ回路３２がストローブ信号ＳＴＢの立ち下がりからクロック数＝３２クロック分をカウント時点で、“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに出力反転する。すなわち、ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝１〜３１クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋３２クロック分経過時点で、バイアス切り換え制御部３０は、“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに出力反転するバイアス切り換え信号を出力する。
【００１７】
次に、選択信号ＳＲＣ＝“Ｌ”レベルであり、ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝クロック数が３２〜６３クロック分のときについて説明する。選択信号入力端子１４に“Ｌ”レベルの選択信号ＳＲＣが供給されると、第２カウンタ回路３２が８ビットカウンタとして機能する。この状態でストローブ信号入力端子１３に、クロック数＝３２〜６３クロック分のパルス幅のストローブ信号ＳＴＢが供給されると、第１カウンタ回路３１が、このストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりから立ち下がりまでのクロック数＝３２〜６３分をカウントし、上位３ビットのカウント値をコンパレータ回路３３に出力する。また、第２カウンタ回路３２が、このストローブ信号ＳＴＢの立ち下がりからクロック数のカウントを開始し、上位３ビットのカウント値をコンパレータ回路３３に出力する。第１カウンタ回路３１の上位３ビットのカウント値は、クロック数＝３２クロック分をカウント時点で“０００”から “００１”となり、クロック数＝３２〜６３クロック分をカウント後において“００１”のままである。第２カウンタ回路３２の上位３ビットのカウント値は、ストローブ信号ＳＴＢの立ち下がりからクロック数＝６４クロック分をカウント時点で“００１”から“０１０”となる。従って、コンパレータ回路３３は、第２カウンタ回路３２がストローブ信号ＳＴＢの立ち下がりからクロック数＝６４クロック分をカウント時点で、“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに出力反転する。すなわち、ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝３２〜６３クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋６４クロック分経過時点で、バイアス切り換え制御部３０は、“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに出力反転するバイアス切り換え信号を出力する。
【００１８】
以下、表１に示すように、選択信号ＳＲＣ＝“Ｌ”レベルにおいて、
ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝６４〜９５クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋９６クロック分経過時点で、
ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝９６〜１２７クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋１２８クロック分経過時点で、
ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝１２８〜１５９クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋１６０クロック分経過時点で、
ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝１６０〜１９１クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋１９２クロック分経過時点で、
ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝１９２〜２２３クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋２２４クロック分経過時点で、
バイアス切り換え制御部３０は、“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに出力反転するバイアス切り換え信号を出力する。
【００１９】
次に、選択信号ＳＲＣ＝“Ｈ”レベルであり、ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝クロック数が１〜３１クロック分のときについて説明する。選択信号入力端子１４に、図３（ｃ）に示すように、“Ｈ”レベルの選択信号ＳＲＣが供給されると、第２カウンタ回路３２が９ビットカウンタとして機能する。この状態でストローブ信号入力端子１３に、図３（ａ）に示すように、クロック数＝１〜３１クロック分のパルス幅のストローブ信号ＳＴＢが供給されると、第１カウンタ回路３１が、このストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりから立ち下がりまでのクロック数＝１〜３１クロック分をカウントし、上位３ビットのカウント値をコンパレータ回路３３に出力する。また、第２カウンタ回路３２が、このストローブ信号ＳＴＢの立ち下がりからクロック数のカウントを開始し、上位３ビットのカウント値をコンパレータ回路３３に出力する。第１カウンタ回路３１の上位３ビットのカウント値は、クロック数＝１〜３１クロック分をカウント後において“０００”のままである。第２カウンタ回路３２の上位３ビットのカウント値は、ストローブ信号ＳＴＢの立ち下がりからクロック数＝６４クロック分をカウント時点で“０００”から“００１”となる。従って、コンパレータ回路３３は、図３（ｃ）に示すように、第２カウンタ回路３２がストローブ信号ＳＴＢの立ち下がりからクロック数＝６４クロック分をカウント時点で、“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに出力反転する。すなわち、ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝１〜３１クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋６４クロック分経過時点で、バイアス切り換え制御部３０は、“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに出力反転するバイアス切り換え信号を出力する。
【００２０】
以下、表１に示すように、選択信号ＳＲＣ＝“Ｈ”レベルにおいて、選択信号ＳＲＣ＝“Ｌ”レベルのときと同様に、
ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝３２〜６３クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋１２８クロック分経過時点で、
ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝６４〜９５クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋１９２クロック分経過時点で、
ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝９６〜１２７クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋２５６クロック分経過時点で、
ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝１２８〜１５９クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋３２０クロック分経過時点で、
ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝１６０〜１９１クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋３８４クロック分経過時点で、
ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝１９２〜２２３クロック分のとき、ストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋４４８クロック分経過時点で、
バイアス切り換え制御部３０は、“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに出力反転するバイアス切り換え信号を出力する。
【００２１】
以上のように、ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅により、バイアス切り換え制御部３０の出力反転のタイミングを可変にすることができる。
【００２２】
次に水平ドライバＩＣ２００を液晶パネルに接続したときの動作を説明する。前段回路１０に入力端子１１からシリアルにデジタルのデータ信号ＤＡＴが、入力端子１２からのクロック信号ＣＬＫのタイミングで取り込まれ、内部で、パラレルに変換され、入力端子１３からのストローブ信号ＳＴＢのタイミングで階調電圧にアナログ変換され、前段回路１０から各演算増幅器５、出力端子８を介して液晶パネルのデータ線に供給される。
【００２３】
入力端子１２からのクロック信号ＣＬＫおよび入力端子１３からのストローブ信号ＳＴＢは、バイアス切り換え制御部３０にも供給され、さらに、入力端子１４からの選択信号ＳＲＣがバイアス切り換え制御部３０に供給される。選択信号ＳＲＣのレベルおよびストローブ信号ＳＴＢのパルス幅は、液晶パネルの大きさに応じて設定し、例えば、選択信号ＳＲＣ＝“Ｈ”レベル、ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＝クロック数が２０クロック分で供給されると、バイアス切り換え制御部３０からストローブ信号ＳＴＢの立ち上がりからストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋６４クロック分経過するまで “Ｈ”レベル、ストローブ信号ＳＴＢのパルス幅＋６４クロック分経過時点で“Ｌ”レベルのバイアス切り換え信号ＢＩＣがバイアス回路部２０へ供給される。この“Ｈ”レベルのバイアス切り換え信号ＢＩＣがバイアス回路部２０へ供給されると、演算増幅器５のバイアス電流が高バイアスに設定され、この間に演算増幅器５から駆動電流が流れ、液晶パネルの負荷に立ち上がり波形および立ち下がり波形が出力される。液晶パネルに出力された波形が立ち上がりおよび立ち下がって所定の駆動電圧が出力されると演算増幅器５から液晶パネルの負荷に駆動電流が流れなくなり、“Ｌ”レベルのバイアス切り換え信号ＢＩＣがバイアス回路部２０へ供給されると、演算増幅器５のバイアス電流が低バイアスに設定され、演算増幅器５の消費電流を低減する。
【００２４】
次に、本発明に基づき、液晶パネルを駆動する第２実施例の半導体集積回路装置として、図５に示した２アンプ方式の演算増幅器１，２を用いた水平ドライバＩＣを液晶パネルのデータ線３８４本分の駆動能力を有するものとして図４を参照して説明する。尚、図１および図９と同一部分には同一符号を付してその説明を省略する。図４において、水平ドライバＩＣ３００は出力段にデータ線３８４本のＮ番目（Ｎ＝１，３，…，３８３）と（Ｎ＋１）番目を１組として対応しＮ番目と（Ｎ＋１）番目を１組として配置した、１９２組の演算増幅器１，２と、各演算増幅器１，２の出力にそれぞれ接続された３８４個の出力端子８と、Ｎ番目と（Ｎ＋１）番目の演算増幅器１，２とＮ番目と（Ｎ＋１）番目の出力端子８間に接続した切り換えスイッチ１５と、各演算増幅器１，２に接続されたバイアス回路部２０と、各演算増幅器１，２の入力に接続されたシフトレジスタ、データレジスタ、ラッチ、レベルシフタ及びＤ／Ａコンバータ（図示せず）を順次段接続した前段回路１６と、前段回路１６に接続されたデータ信号入力端子１１、クロック信号入力端子１２、ストローブ信号入力端子１３、および、図示しないが、スタート信号入力端子や階調電圧生成のための基準電圧入力端子等の入力端子と、ストローブ信号入力端子１３からの制御信号であるストローブ信号ＳＴＢに基づきバイアス回路部２０へのバイアス切り換え信号ＢＩＣを生成するバイアス切り換え制御部３０と、バイアス切り換え制御部３０に接続され、同一パルス幅のストローブ信号ＳＴＢに対して２種類の切り換えタイミングを選択するための選択信号ＳＲＣを供給する選択信号入力端子１４とを備えている。バイアス回路部２０の演算増幅器１，２への接続は、演算増幅器１の端子３にＭＯＳトランジスタＱ２７のゲートと演算増幅器２の端子４にＭＯＳトランジスタＱ２５のゲートを接続することにより行っている。切り換えスイッチ１５はＮ番目と（Ｎ＋１）番目の演算増幅器１，２の出力をＮ番目と（Ｎ＋１）番目の出力端子８に交互に出力する。従って、この水平ドライバＩＣ３００はドット反転駆動に用いることができる。尚、水平ドライバＩＣ３００を液晶パネルに接続したときの動作は水平ドライバＩＣ２００に準じるので説明を省略する。
【００２５】
以上で説明したように、ユーザ側でバイアス切り換え信号ＢＩＣを生成する回路を新たに設けることなく、クロック信号およびストローブ信号ＳＴＢは前段回路に供給するものを用い、水平ドライバＩＣの外部から新たに選択信号ＳＲＣを供給するだけで、高バイアスから低バイアスへの切り換えタイミングを可変としたバイアス切り換え信号ＢＩＣを水平ドライバＩＣの内部に設けたバイアス切り換え制御部３０で生成することができる。
【００２６】
尚、上記実施例において、バイアス回路部として、バイアス回路部２０を例として説明したが、これに限定されることなく、バイアス切り換え信号により演算増幅器のバイアス電流を適切な電流値の高バイアスと低バイアスとに切り換え設定可能な回路であればよい。
また、切り換え制御部およびバイアス回路部をバイアス切り換え信号が“Ｈ”レベルのとき高バイアスとなる実施例で説明したが、逆にバイアス切り換え信号が“Ｌ”レベルのとき高バイアスとなる回路構成であってもよい。
また、切り換え制御部において、第２カウンタ回路を８ビットまたは９ビットに切り換え可能なもので説明したが、８ビットのみまたは９ビットのみとしてもよい。このときは、選択信号入力端子は不要となる。
また、外部からデジタルのデータ信号が供給される水平ドライバＩＣで説明したが、アナログのデータ信号が供給される水平ドライバＩＣにも適用できる。
また、液晶表示装置の水平ドライバＩＣで説明したが、これに限定されることなく、容量性負荷を駆動するために制御信号の供給により駆動電圧が入出力される複数個の演算増幅器を備えた他の半導体集積回路装置にも適用できる。
【００２７】
【発明の効果】
本発明に係わる半導体集積回路装置によれば、演算増幅器の入出力を制御する信号を用いて、バイアス切り換え制御部でバイアス切り換え信号を生成することにより、ユーザ側でバイアス切り換え信号を生成する回路を新たに設けることなく、高バイアスから低バイアスへの切り換えタイミングを制御信号のパルス幅により可変とした半導体集積回路装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例である水平ドライバＩＣの要部回路図。
【図２】図１の水平ドライバＩＣに使用されるバイアス切り換え制御部を示す回路図。
【図３】図２のバイアス切り換え制御部の動作を説明するタイムチャート。
【図４】本発明の第２実施例である水平ドライバＩＣの要部回路図。
【図５】２アンプ方式のボルテージホロア接続の演算増幅器の説明図。
【図６】１アンプ方式のボルテージホロア接続の演算増幅器の説明図。
【図７】立ち上がり専用演算増幅器を示す回路図。
【図８】立ち下がり専用演算増幅器を示す回路図。
【図９】従来の水平ドライバＩＣの要部回路図。
【図１０】図９の水平ドライバＩＣのバイアス回路部を示す回路図。
【符号の説明】
１，２，５  演算増幅器
２０  バイアス回路部
３０  バイアス切り換え制御部
３１  第１カウンタ回路
３２  第２カウンタ回路
３３  コンパレータ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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