(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズル開口に連通する圧力発生室が画成される流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に振動板を介して設けられる下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子と、前記流路形成基板の前記圧電素子側に接合され当該圧電素子の運動を阻害しない程度の空間を確保した状態で当該空間を封止する圧電素子保持部を有すると共に厚さ方向に貫通する貫通孔を有する封止基板とを具備するインクジェット式記録ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板上に前記振動板及び前記圧電素子を形成する工程と、前記流路形成基板との接合面側に前記貫通孔の一部を構成する第１の貫通孔形成用凹部を有する封止基板を前記流路形成基板に接合する工程と、異方性ウェットエッチングにより前記流路形成基板に前記圧力発生室を形成すると共に前記封止基板の前記流路形成基板との接合面とは反対面側に前記貫通孔の一部を構成する第２の貫通孔形成用凹部を形成する工程と、前記封止基板をドライエッチングすることにより前記第１の貫通孔形成用凹部と第２の貫通孔形成用凹部とを連通させて前記貫通孔を形成する工程とを有することを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記封止基板の第１の貫通孔形成用凹部を異方性ウェットエッチングにより形成することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット式記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板の表面に圧電素子を形成して、圧電素子の変位によりインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェット式記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの２種類が実用化されている。
【０００３】
前者は圧電素子の端面を振動板に当接させることにより圧力発生室の容積を変化させることができて、高密度印刷に適したヘッドの製作が可能である反面、圧電素子をノズル開口の配列ピッチに一致させて櫛歯状に切り分けるという困難な工程や、切り分けられた圧電素子を圧力発生室に位置決めして固定する作業が必要となり、製造工程が複雑であるという問題がある。
【０００４】
これに対して後者は、圧電材料のグリーンシートを圧力発生室の形状に合わせて貼付し、これを焼成するという比較的簡単な工程で振動板に圧電素子を作り付けることができるものの、たわみ振動を利用する関係上、ある程度の面積が必要となり、高密度配列が困難であるという問題がある。
【０００５】
一方、後者の記録ヘッドの不都合を解消すべく、特開平５−２８６１３１号公報に見られるように、振動板の表面全体に亙って成膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて圧力発生室毎に独立するように圧電素子を形成したものが提案されている。
【０００６】
これによれば圧電素子を振動板に貼付ける作業が不要となって、リソグラフィ法という精密で、かつ簡便な手法で圧電素子を作り付けることができるばかりでなく、圧電素子の厚みを薄くできて高速駆動が可能になるという利点がある。
【０００７】
また、圧力発生室が形成された流路形成基板に、圧電素子を封止する圧電素子保持部を有する封止基板を接合した構造が提案されている。これによれば、圧電素子を大気と遮断して、大気中の水分等による圧電素子の破壊を防止することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなインクジェット式記録ヘッドでは、一般的に、封止基板には、例えば、圧力発生室の共通のインク室となるリザーバ等、封止基板を厚さ方向に貫通する貫通孔が形成されている。
【０００９】
このため、流路形成基板を異方性ウェットエッチングすることによって圧力発生室を形成する際に、例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）やシリコン単結晶基板等からなる保護板を封止基板上に接合し、封止基板の貫通孔を封止する必要がある。すなわち、貫通孔を介して流路形成基板等がエッチングされるのを防止する必要があり、作業効率が低下して製造コストが増加してしまうという問題がある。
【００１０】
本発明はこのような事情に鑑み、製造効率を向上してコストの低減を図ることができるインクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェット式記録装置を提供することを課題とする。
【００２７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、ノズル開口に連通する圧力発生室が画成される流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に振動板を介して設けられる下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子と、前記流路形成基板の前記圧電素子側に接合され当該圧電素子の運動を阻害しない程度の空間を確保した状態で当該空間を封止する圧電素子保持部を有すると共に厚さ方向に貫通する貫通孔を有する封止基板とを具備するインクジェット式記録ヘッドの製造方法であって、前記流路形成基板上に前記振動板及び前記圧電素子を形成する工程と、前記流路形成基板との接合面側に前記貫通孔の一部を構成する第１の貫通孔形成用凹部を有する封止基板を前記流路形成基板に接合する工程と、異方性ウェットエッチングにより前記流路形成基板に前記圧力発生室を形成すると共に前記封止基板の前記流路形成基板との接合面とは反対面側に前記貫通孔の一部を構成する第２の貫通孔形成用凹部を形成する工程と、前記封止基板をドライエッチングすることにより前記第１の貫通孔形成用凹部と第２の貫通孔形成用凹部とを連通させて前記貫通孔を形成する工程とを有することを特徴とするインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【００２８】
かかる第１の態様では、封止基板の貫通孔を比較的容易に形成でき、製造効率が向上する。また、圧力発生室を形成する際に、封止基板によって圧電素子等が保護され、別途、保護板等を設ける必要がないため、製造コストを大幅に削減することができる。
【００２９】
本発明の第２の態様は、前記封止基板の第１の貫通孔形成用凹部を異方性ウェットエッチングにより形成することを特徴とする第１の態様のインクジェット式記録ヘッドの製造方法にある。
【００３０】
かかる第２の態様では、圧電素子保持部と第１の貫通孔形成用凹部とを同時に比較的容易に形成することができ、製造効率がさらに向上する。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３２】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及び断面図である。
【００３３】
図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には、異方性エッチングにより形成された複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、圧力発生室１２の長手方向外側には、後述する封止基板３０のリザーバ部３２と貫通部５１を介して連通し各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する連通部１３が形成され、各圧力発生室１２の長手方向一端部とそれぞれインク供給路１４を介して連通されている。
【００３４】
また、この流路形成基板１０の一方の面は開口面となり、他方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ１〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。
【００３５】
ここで、異方性エッチングは、シリコン単結晶基板のエッチングレートの違いを利用して行われる。例えば、本実施形態では、シリコン単結晶基板をＫＯＨ等のアルカリ溶液に浸漬すると、徐々に侵食されて（１１０）面に垂直な第１の（１１１）面と、この第１の（１１１）面と約７０度の角度をなし且つ上記（１１０）面と約３５度の角度をなす第２の（１１１）面とが出現し、（１１０）面のエッチングレートと比較して（１１１）面のエッチングレートが約１／１８０であるという性質を利用して行われる。かかる異方性エッチングにより、二つの第１の（１１１）面と斜めの二つの第２の（１１１）面とで形成される平行四辺形状の深さ加工を基本として精密加工を行うことができ、圧力発生室１２を高密度に配列することができる。
【００３６】
本実施形態では、各圧力発生室１２の長辺を第１の（１１１）面で、短辺を第２の（１１１）面で形成している。この圧力発生室１２は、流路形成基板１０をほぼ貫通して弾性膜５０に達するまでエッチングすることにより形成されている。ここで、弾性膜５０は、シリコン単結晶基板をエッチングするアルカリ溶液に侵される量がきわめて小さい。また各圧力発生室１２の一端に連通する各インク供給路１４は、圧力発生室１２より浅く形成されており、圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。すなわち、インク供給路１４は、シリコン単結晶基板を厚さ方向に途中までエッチング（ハーフエッチング）することにより形成されている。なお、ハーフエッチングは、エッチング時間の調整により行われる。
【００３７】
なお、このような圧力発生室１２等が形成される流路形成基板１０の厚さは、圧力発生室１２を配設する密度に合わせて最適な厚さを選択することが好ましい。例えば、１インチ当たり１８０個（１８０ｄｐｉ）程度に圧力発生室１２を配置する場合には、流路形成基板１０の厚さは、１８０〜２８０μｍ程度、より望ましくは、２２０μｍ程度とするのが好適である。また、例えば、３６０ｄｐｉ程度と比較的高密度に圧力発生室１２を配置する場合には、流路形成基板１０の厚さは、１００μｍ以下とするのが好ましい。これは、隣接する圧力発生室１２間の隔壁の剛性を保ちつつ、配列密度を高くできるからである。なお、本実施形態では、３６０ｄｐｉで圧力発生室１２を配置するようにしているため、流路形成基板１０の厚さは７０μｍとしている。
【００３８】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側で連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、又は不錆鋼などからなる。ノズルプレート２０は、一方の面で流路形成基板１０の一面を全面的に覆い、シリコン単結晶基板を衝撃や外力から保護する補強板の役目も果たす。また、ノズルプレート２０は、流路形成基板１０と熱膨張係数が略同一の材料で形成するようにしてもよい。この場合には、流路形成基板１０とノズルプレート２０との熱による変形が略同一となるため、熱硬化性の接着剤等を用いて容易に接合することができる。
【００３９】
ここで、インク滴吐出圧力をインクに与える圧力発生室１２の大きさと、インク滴を吐出するノズル開口２１の大きさとは、吐出するインク滴の量、吐出スピード、吐出周波数に応じて最適化される。例えば、１インチ当たり３６０個のインク滴を記録する場合、ノズル開口２１は数十μｍの直径で精度よく形成する必要がある。
【００４０】
一方、流路形成基板１０の開口面とは反対側の弾性膜５０の上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．１μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０、及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜６０は圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動ＩＣや配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。
【００４１】
また、圧電素子３００の個別電極である上電極膜８０の長手方向一端部近傍には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０が接続され、このリード電極９０は、流路形成基板１０の端部近傍まで引き出されている。なお、図示しないが、このリード電極９０は、圧電素子３００を駆動するための駆動ＩＣ等に接続される。
【００４２】
なお、流路形成基板１０の連通部１３に対応する領域の弾性膜５０上には、圧電素子３００とは不連続の不連続下電極膜６１、不連続圧電体層７１及び不連続上電極膜８１が残されており、連通部１３と後述する封止基板３０のリザーバ部３１とを連通する貫通部５１は、これらの複数の層を貫通して設けられている。
【００４３】
また、流路形成基板１０の圧電素子３００側には、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を確保した状態で、その空間を密封可能な圧電素子保持部３１を有する封止基板が接合され、圧電素子３００はこの圧電素子保持部３１内に密封されている。
【００４４】
また、封止基板３０には、その厚さ方向に貫通する貫通孔、例えば、本実施形態では、複数の圧力発生室１２の共通のインク室であるリザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３２が設けられている。このリザーバ部３２は、封止基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、上述したように流路形成基板１０の連通部１３と貫通部５１を介して連通されてリザーバ１００を構成している。
【００４５】
ここで、封止基板３０のリザーバ部３２は、異方性ウェットエッチングによって形成されたウェットエッチング部３２ａと、ドライエッチングによって形成されたドライエッチング部３２ｂとで構成されている。例えば、本実施形態では、リザーバ部３２の両開口部分がウェットエッチング部３２ａで構成され、これらウェットエッチング部３２ａの間の部分がドライエッチング部３２ｂで構成されている。すなわち、両開口部分のウェットエッチング部３２ａがドライエッチング部３２ｂによって連通されている。
【００４６】
詳しくは後述するが、このような構成とすることにより、流路形成基板１０の圧力発生室１２等と、封止基板３０のリザーバ部３２とを比較的容易に形成することができ、製造コストを低減することができる。
【００４７】
なお、このような封止基板３０の材料としては、異方性ウェットエッチング及びドライエッチングによって貫通部であるリザーバ部３２を比較的高精度に形成できる材料であれば、特に限定されないが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料を用いることが好ましい。なお、本実施形態では、厚さ４００μｍ程度のシリコン単結晶基板を用いている。
【００４８】
また、この封止基板３０の流路形成基板１０上には、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなりリザーバ部３２を形成する際のマスクとなる保護膜１１０が形成されている。
【００４９】
そして、この保護膜１１０のリザーバ部３２に対応する領域には、封止膜４１及び固定板４２からなるコンプライアンス基板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止され、内部圧力の変化によって変形可能な可撓部３３となっている。
【００５０】
このように構成したインクジェット式記録ヘッドは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動回路等からの記録信号に従い、上電極膜８０と下電極膜６０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００５１】
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図５を参照して説明する。なお、図３〜図５は、圧力発生室１２の長手方向の断面図である。
【００５２】
まず、図３（ａ）に示すように、流路形成基板１０となる単結晶シリコン基板のウェハを約１１００℃の拡散炉で熱酸化してその両面のそれぞれに二酸化シリコンからなる弾性膜５０及び保護膜５５を形成する。
【００５３】
次に、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０上の全面にスパッタリングで下電極膜６０を形成すると共に、所定形状にパターニングする。例えば、本実施形態では、流路形成基板１０の圧力発生室１２が形成される領域に、下電極膜６０を所定形状にパターニングすると共に、連通部１３が形成される領域に圧電素子３００を構成する下電極膜６０とは不連続の不連続下電極膜６１を残している。
【００５４】
この下電極膜６０の材料としては、白金等が好適である。これは、スパッタリング法やゾル−ゲル法で成膜する後述の圧電体層７０は、成膜後に大気雰囲気下又は酸素雰囲気下で６００〜１０００℃程度の温度で焼成して結晶化させる必要があるからである。すなわち、下電極膜６０の材料は、このような高温、酸化雰囲気下で導電性を保持できなければならず、殊に、圧電体層７０としてチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を用いた場合には、酸化鉛の拡散による導電性の変化が少ないことが望ましく、これらの理由から白金、イリジウム又はそれらの複層膜が好適である。
【００５５】
次に、図３（ｃ）に示すように、下電極膜６０及び不連続下電極膜６１上に亘って圧電体層７０を成膜する。例えば、本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて形成した。圧電体層７０の材料としては、ＰＺＴ系の材料がインクジェット式記録ヘッドに使用する場合には好適である。なお、この圧電体層７０の成膜方法は、特に限定されず、例えば、スパッタリング法又はＭＯＤ法（有機金属熱塗布分解法）等のスピンコート法により成膜してもよい。
【００５６】
さらに、ゾル−ゲル法又はスパッタリング法もしくはＭＯＤ法等によりチタン酸ジルコン酸鉛の前駆体膜を形成後、アルカリ水溶液中での高圧処理法にて低温で結晶化させる方法を用いてもよい。
【００５７】
何れにしても、このように成膜された圧電体層７０は、バルクの圧電体とは異なり結晶が優先配向しており、且つ本実施形態では、圧電体層７０は、結晶が柱状に形成されている。なお、優先配向とは、結晶の配向方向が無秩序ではなく、特定の結晶面がほぼ一定の方向に向いている状態をいう。また、結晶が柱状の薄膜とは、略円柱体の結晶が中心軸を厚さ方向に略一致させた状態で面方向に亘って集合して薄膜を形成している状態をいう。勿論、優先配向した粒状の結晶で形成された薄膜であってもよい。なお、このように薄膜工程で製造された圧電体層の厚さは、一般的に０．２〜５μｍである。
【００５８】
次に、図３（ｄ）に示すように、圧電体層７０上に上電極膜８０を成膜する。上電極膜８０は、導電性の高い材料であればよく、アルミニウム、金、ニッケル、白金、イリジウム等の多くの金属や、導電性酸化物等を使用できる。本実施形態では、白金をスパッタリングにより成膜している。
【００５９】
次に、図４（ａ）に示すように、圧電体層７０及び上電極膜８０のみをエッチングして圧電素子３００のパターニングを行うと同時に、保護膜５５をエッチングによりパターニングして圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４が形成される領域に開口部５５ａを形成する。このとき、不連続下電極膜６０上には、圧電素子３００とは不連続の不連続圧電体層７１及び不連続上電極膜８１を残すようにしている。
【００６０】
次に、図４（ｂ）に示すように、リード電極９０を流路形成基板１０の全面に亘って形成すると共に圧電素子３００毎にパターニングする。
【００６１】
次に、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板１０の圧電素子３００側の面に、封止基板３０を接着剤等によって接合する。
【００６２】
ここで、封止基板３０には、圧電素子保持部３１と共に流路形成基板１０との接合面側にリザーバ部３２の一部となる第１のリザーバ形成用凹部３５を異方性ウェットエッチングにより予め形成しておく。なお、このような第１のリザーバ形成用凹部３５は、異方性ウェットエッチングにより圧電素子保持部３１を形成する際に、同時に形成することが好ましい。
【００６３】
また、封止基板３０の流路形成基板１０とは反対側の面には、例えば、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなり、リザーバ部３２が形成される領域に開口部１１１を有する保護膜１１０を予め形成しておく。この保護膜１１０は、封止基板３０をエッチングしてリザーバ部３２を形成する際のマスクとなるものであり、その形成方法は特に限定されるものではない。例えば、本実施形態では、封止基板３０を熱酸化することによって形成している。
【００６４】
このような封止基板３０を流路形成基板１０に接合後、前述したアルカリ溶液によるシリコン単結晶基板の異方性ウェットエッチングを行う。すなわち、図５（ａ）に示すように、流路形成基板１０を保護膜５５の開口部５５ａを介して異方性エッチングすることにより圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４を形成する。また、同時に、保護膜１１０の開口部１１１を介して封止基板３０をエッチングして第２のリザーバ形成用凹部３６を形成する。
【００６５】
この第２のリザーバ形成用凹部３６の深さは、第１のリザーバ形成用凹部３５と連通しない程度の深さであればよいが、本実施形態では、圧力発生室１２と同時に形成しているため、第２のリザーバ形成用凹部３６の深さは、圧力発生室１２と略同一となっている。
【００６６】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１のリザーバ形成用凹部３５と第２のリザーバ形成用凹部３６との間の封止基板３０をドライエッチングすることにより、これら第１のリザーバ形成用凹部３５と第２のリザーバ形成用凹部３６とを連通する連通部３７を形成する。これにより、ウェットエッチング部３２ａ（３５，３６）とドライエッチング部３２ｂ（３７）とからなるリザーバ部３２が形成される。
【００６７】
このように、本実施形態では、流路形成基板１０に圧力発生室１２を形成後、封止基板３０の貫通孔、本実施形態では、リザーバ部３２を貫通させるようにしたので、圧力発生室１２を異方性ウェットエッチングで形成する際に、封止基板３０上に、例えば、ステンレス鋼やシリコン単結晶基板等からなる保護板を設ける必要がない。これにより、材料費を削減することができると共に、作業工程が減少するため、製造コストを大幅に低減することができる。
【００６８】
また、本実施形態では、圧電素子保持部３１と第１のリザーバ用形成凹部３５とを同時に形成するようにし、また圧力発生室１２と第２のリザーバ用形成凹部３６とを同時に形成するようにしたので、製造効率をさらに向上することができる。
【００６９】
なお、その後、図５（ｃ）に示すように、弾性膜５０、不連続下電極膜６１、不連続圧電体層７１及び不連続上電極膜８１を貫通する貫通孔５１を形成し、連通部１３とリザーバ部３２とを連通させてリザーバ１００を形成する。
【００７０】
そして、流路形成基板１０の圧電素子３００とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接着剤等によって接合し、リザーバ形成基板３０上に封止膜４１と固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０を接合することによってインクジェット式記録ヘッドとする。
【００７１】
（他の実施形態）
以上、本発明の各実施形態を説明したが、インクジェット式記録ヘッドの基本的構成は上述したものに限定されるものではない。
【００７２】
例えば、上述の実施形態では、成膜及びリソグラフィプロセスを応用して製造される薄膜型のインクジェット式記録ヘッドを例にしたが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型のインクジェット式記録ヘッドにも本発明を採用することができる。
【００７３】
また、これら各実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図６は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
【００７４】
図６に示すように、インクジェット式記録ヘッドを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
【００７５】
そして、駆動モータ６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８上を搬送されるようになっている。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、接合基板の貫通孔を異方性ウェットエッチングにより形成されるウェットエッチング部とドライエッチングにより形成されるドライエッチング部とで構成するようにしたので、圧力発生室を形成する際に、保護板等を設ける必要がないため、材料費を削減することができる。また、保護板等を設ける必要がないことによって作業工数が減少するため、製造コストを大幅に削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るインクジェット式記録装置の概略図である。
【符号の説明】
１０  流路形成基板
１２  圧力発生室
２０  ノズルプレート
２１  ノズル開口
３０  封止基板
３１  圧電素子保持部
３２  リザーバ部
３２ａ  ウェットエッチング部
３２ｂ  ドライエッチング部
４０  コンプライアンス基板
６０  下電極膜
７０  圧電体層
８０  上電極膜
９０  リード電極
１００  リザーバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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