(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造式（Ｉ）で示す多核アリールアミンで構成された電界発光デバイスにおいて、
【化１】
0003892951.tif 000010
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6がアリール基であり、Ａ1及びＡ2がビアリール基でありＰは炭化水素ブッリジであることを特徴とする電界発光デバイス。
【請求項２】
支持基板、陽極、構造式（Ｉ）で示す多核アリールアミンで構成された正孔注入構成要素、
【化２】
0003892951.tif 000011
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6はアリール基であり、Ａ1及びＡ2がビアリール基であり、Ｐが炭化水素ブッリジである）、電子注入構成要素及び陰極を順次含んで成ることを特徴とする電界発光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に、電界発光（ＥＬ）デバイス、特に、熱及び作動安定性が高められひいては耐久性が改善されしかも正孔伝達構成要素として或る種の大型で不安定度に制限のある多核アリールアミンを内含し、デジタル複写機及びプリンタ用の画像バー構成要素及びフラットパネルディスプレイとして選択できる有機ＥＬデバイスに関する。
【０００２】
特に、本発明の構成要素は、優れた熱安定性を持ちしかも高い真空下で容易に昇華又は蒸発可能で、安定した薄膜正孔注入及び伝達層を形成することのできる新しいクラスの大型多核アリールアミンに関する。これらのアリールアミンは、サイズが大きく立体的にかさ高であることから、薄膜として被着された時点で優れた結晶化耐性を示す。従ってこれらは、ＥＬデバイスのための熱安定性及び形態安定性のある正孔注入及び伝達構成要素として機能することができる。デバイスの発光効率及び耐久性を更に改善する目的で、同時蒸着によりアリールアミン層の中に、蛍光染料といったような適切な性能増強用発光添加剤を組み入れることが可能である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、熱及び作動安定性を高めたＥＬデバイスを提供することにある。
【０００４】
本発明のもう１つ別の課題においては、２０ボルト未満の比較的低い動作電圧で高い電界発光効率を示す改良型ＥＬデバイスが提供されている。
【０００５】
本発明の更なる課題は、ＥＬデバイスのための正孔注入及び正孔伝達構成要素として大型で不安定度の制限された多核アリールアミンを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明のこれらの及びその他の目的は、本書に示されているような或る種の大型で不安定度の制限された多核アリールアミン正孔注入及び伝達用分子を含み、かつ改善された熱及び作動安定性、優れた耐久性、高い電界発光効率を含めた数多くの利点を有ししかも真空蒸着技術を用いて容易に製造することができる層状有機ＥＬデバイスを提供することによって、その実施形態の中で達成されている。本発明の大型で不安定度の制限された多核アリールアミンは、より優れた熱安定性、真空蒸着プロセス中の分解又は構造変化に対する優れた耐性を有し、ここでこのようなプロセス中にポリアリールアミンの熱及び形態的に安定した正孔注入及び伝達薄膜が形成される。これらのアリールアミンを伴うＥＬデバイスは、改善された熱及び作動安定性及び、４０℃前後及びそれ以上の温度での優れたデバイス耐久性を示す。実施形態の中で、本発明は、陽極、有機正孔注入及び伝達構成要素、電子伝達構成要素及び陰極から成るＥＬデバイスに関し、ここで正孔注入及び伝達構成要素は、構造式（Ｉ）の大型で不安定度の制限された多核アリールアミンの蒸発された薄膜である。
【０００７】
実施形態において、本発明は、包含された構造式（Ｉ）の多核アリールアミン正孔注入及び正孔伝達構成要素及び陽極と陰極の間に挟まれた発光蛍光材料で任意にドーピングされた電子注入及び伝達構成要素の単一の蛍光層から成るＥＬデバイスに関する。
【０００８】
【化３】
0003892951.tif 000002
尚式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、フェニル、トリル、キシリル、クロロフェニル、ナフチルといったような、例えば６〜約３０個の炭素原子を伴うアリール基であり、Ｐは、アルキレン又は例えば約１個〜約３０個の炭素原子を伴うアリーレン例えば、メチレン、ポリメチレン、ジメチルメチレンのようなアリーレン、ジフェニルメチレン、１，１−シクロヘキシレン、エチレン、フェニレン、トリレン、キシリレン及びクロロフェニレンといったような炭化水素ブッリジであり、Ａ1及びＡ2は、ビフェニル、ビトリルなどのような約１２個〜約６０個の炭素原子を伴うビアリール基であり、実施形態の中では前述の基を例えばハロゲンなどで置換することができる。
【０００９】
図１には、例えばガラスといった支持基板２、陽極３、構造式（Ｉ）の大型多核アリールアミンから成る真空蒸着された有機正孔注入及び正孔伝達層４、真空蒸着された電子注入及び電子伝達層５、そしてそれと接触した状態で、陰極６としての仕事関数の低い金属で構成された有機発光ダイオードを含むＥＬデバイスが例示されている。このＥＬデバイスでは、後続の発光を伴って電子−正孔の組み換えが起こる発光ゾーンが、正孔注入／伝達層及び／又は電子注入／伝達層を包含している。任意には、電子−正孔組み換えに続いて光を発することのできる蛍光材料は、電荷注入／伝達構成が親材料として利用されている発光ゾーンに付加させることもできる。
【００１０】
図２は、陽極３と陰極６の間に挟まれた単一の真空蒸着された発光層７を含む、本発明のもう１つのデバイス形態を例示している。本発明の実施形態においては、発光層７は、大型多核アリールアミン（Ｉ）から成る正孔注入／伝達構成要素、電子注入／伝達構成要素及び発光構成要素で構成されている。
【００１１】
支持基板の例としては、重合体成分、ガラスなど、及びポリエステル（例えばＭＹＬＡＲTM）、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリスルホン、石英などが含まれる。本質的に非機能的でありその他の層を支持することができるということを条件として、その他の基板を選択することも可能である。基板の厚みは、例えばデバイスの構造的ニーズに応じて約２５〜約１０００ミクロン以上であって良い。
【００１２】
基板に隣接する陽極としては、仕事関数(work function)が例えば約４電子ボルト以上である酸化錫インジウム、酸化錫、金、又はポリアニリン、ポリピロールといった導電性π共役重合体を含む、他の材料といった正電荷注入電極が含まれる。陽極の厚みは、約１０〜５０００オングストロームの範囲内であって良く、好ましい範囲は、陽極材料の光学定数によって決定される。
【００１３】
層４といった正孔注入／伝達層は、構造式（Ｉ）に例示されているような大型多核アリールアミンの薄膜を含んで成る。
【００１４】
【化４】
0003892951.tif 000003
尚式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6はアリール基であり、Ａ1及びＡ2がビアリール基でありＰは炭化水素ブッリジである。本発明のＥＬデバイスのために選択されたアリールアミン（Ｉ）の例としては化合物（１）〜（１５）が含まれる。
【００１５】
【化５】
0003892951.tif 000004
【化６】
0003892951.tif 000005
【化７】
0003892951.tif 000006
【化８】
0003892951.tif 000007
【化９】
0003892951.tif 000008
本発明の多核アリールアミン（Ｉ）は、スキーム１に示されているとおりの調製プロセスによって容易に合成できる。
【００１６】
スキーム１
多核アリールアミン誘導体の合成
【化１０】
0003892951.tif 000009
なお式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5及びＲ6は、本書で例示されているとおり、フェニル、トリル、キシリル、クロロフェニル、ナフチルなどといったアリール基であり、Ｐはメチレン、ポリメチレン、アリーレン基、例えばメチレン、ジメチルメチレン、ジフェニルメチレン、１、１−シクロヘキシレン、エチレン、フェニレン、トリレン、キシリレン及びクロロフェニレンといった本書で例示されているような炭化水素ブリッジであり、Ａ1及びＡ2は、ビフェニル、ビトリルなどといったビアリール基などである。
【００１７】
スキーム１に示されている通り、大型多核アリールアミン（Ｉ）は、アリールアミン中間体（II）及び／又は（III）と二ヨウ化物中間体（IV）とのウルマン縮合（反応）によって調製される。縮合は一般に、１００℃以下から２８０℃以上、好ましくは約１１０℃〜約２５０℃の範囲の温度で、ドデカン、トリデカン、トルエン、キシレン、石油エーテルなどの不活性溶媒の中で達成される。銅粉末、酸化第一銅、塩化第一銅、臭化第一銅、ヨウ化第一銅、硫酸第二銅などを含むウルマン縮合（反応）に適したあらゆるタイプの銅触媒を本発明のプロセスのために利用することができる。アリールアミン中間体（II）に対する銅触媒の適切なモル比は、約０．００５〜約１の範囲である。縮合反応は、水酸化カリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウムなどを含むアルカリ金属水酸化物又は炭酸塩といった塩基を有効量添加することによって促進することができる。反応混合物は、その後およそ室温、即ち約２５℃まで冷却され、生成物は例えば濾過及びクロマトグラフィといった既知の方法により単離され、IＲ、ＮＭＲ、炭素、水素、窒素分析といった分析方法によって規定される。
【００１８】
電子伝達層５は、米国特許３，７６９，２９２号に開示されているもののような電子伝達物質で構成されている。適切な電子伝達物質の例としては、ジアリールブタジエン、スチルベン、光学光沢剤（光学輝化剤）及びオキシンのキレート化物を含む金属キレート化オキシノイド化合物がある。１つの好ましい電子伝達物質は、ＥＬデバイス内で発光体としても機能しうるトリス（８−ヒドロキシキノリネート）アルミニウム、ＡｌＱ3、である。
【００１９】
発光性蛍光物質は、例えば、親伝達層の約０．０１〜約１０重量パーセント、好ましくは約０．５〜約５重量パーセントの量で存在する。発光体又は蛍光染料の例はTang et al.によって例示されており、７−ジエチルアミノー４−メチルクマリン、４，６−ジメチル−７−エチルアミノクマリン、４−メチランベリフェロンなどのクマリン染料、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピランなどの蛍光性４−ジシアノメチレン−４Ｈ−ピラン、シアニン、メロシアニン、複合シアニン及びメロシアニンなどのポリメチン染料、オクソナル、ヘキシオクソノール、スチリル、メロスチリル、ストレプトシアニンなどといった、この目的で選定された既知の化合物を含んでいる。発光体材料としては、ペリレン、ルブレン及びアントラセンといったような芳香族化合物が同様に選択可能である。
【００２０】
陰極６は、電子注入／伝達層５上の上層部上に蒸着により適切に形成される。陰極６は好ましくはマグネシウム、カルシウム又はアルミニウムで構成されている。陰極６は例えば約１０〜約５０００オングストロームの厚みのものである。陰極６は、この目的にとって有用なあらゆる低仕事関数の金属を含むあらゆる金属で形成されていて良い。陰極６は、低仕事関数金属と少なくとも一つのその他の金属の組合せで形成されていても良い。低仕事関数金属というのは、例えば約４ｅＶ以下の仕事関数を持つ金属である。金属の仕事関数が低くなればなるほど、層５又は７内への電子注入に必要とされる電圧は低くなる。
【００２１】
適切な仕事関数陰極金属としては、IIＡ族の金属又はアルカリ土類金属、及び希土類金属及びアクチニド類の金属を含むIII族の金属が含まれる。アルカリ土類金属は、入手が容易でコストが低く、取扱が簡単でしかも環境に対する不利な影響が最小であることから好まれている。マグネシウム及びカルシウムが特に好ましい。３．０〜４．０ｅＶの範囲内の仕事関数を示す低仕事関数金属は通常、より低い仕事関数を示す金属よりも更に安定しており、従って好ましい。
【００２２】
陰極６は、保管中及び作動中の両方における安定性を増大させる目的で、第２の金属を含むことができる。第２の金属は、アルカリ金属以外のあらゆる金属から選ぶことができる。第２の金属自体、低仕事関数金属であって良い。第２の金属の適切な例としては、約４ｅＶ未満の仕事関数を有する第１の金属向けの金属の例が含まれる。
【００２３】
変形形態としては、第２の金属は、約４ｅＶより大きい仕事関数を有する様々な金属から選択されうる。このグループには、酸化に対し更に耐性があり、従って金属元素としてより一般的に製造される元素が含まれる。第２の金属は、陰極６の安定性に対して貢献する。
【００２４】
４ｅＶ以上の仕事関数を有する適切な金属としては、アルミニウム、ＩＢ族金属、ＩＶ族、Ｖ族及びＶＩ族中の金属、ＶIII族の遷移金属特に貴金属が含まれる。陰極６へ取り込むためには、アルミニウム、銅、銀、金、スズ、鉛、ビスマス、テルル及びアンチモンが特に好ましい高仕事関数の第２の金属である。
【００２５】
第２の金属の主要な機能は、第１の低仕事関数金属を安定化することにある。副次的な機能は、陰極の厚みの機能として陰極６のシート抵抗を減少させることにある。これにより結果として、受容できる程度の抵抗で高い電子注入効率を持つ極めて安定した薄い透過性の陰極６が得られる。第２の金属の第３の機能は、第１の金属の真空蒸着を容易にすることにある。
【００２６】
第２の金属の適切な割合は、陰極６の合計金属成分の約１％〜約９９％の範囲内にある。更なる適切な陰極構造及び陰極に適した金属及びその金属の機能については、Tang et al.により記述されている。
【００２７】
有機ＥＬデバイスの陽極３及び陰極６は両方とも、適切なあらゆる形のものであって良い。光透過性基板、例えば透明な又は実質的に透明なガラス板又はプラスチックフィルムの上に、薄い伝導性層をコーティングすることができる。ＥＬデバイスは、ガラス板上にコーティングされた酸化錫又は酸化錫インジウムから成る光透過性陽極３を含むことができる。同様に、金などの非常に薄い光透過性金属陽極を使用することが可能である。更に、ポリアニリン、又はポリピロルなどといったπ共役重合体の透明又は半透明の薄膜を陽極として選択することが可能である。基板としては、あらゆる光透過性重合体フィルムを利用することができる。更に、陽極３及び陰極６の適切な形状はTang et al.によって例示されている。
【００２８】
更に、実施形態においては、本発明は本書中に例示されているとおりのガラスといった支持基板、例えばインジウム又は錫の酸化物といった半透明層、本書に例示されているとおりの多核アリールアミンから成る活性単一層、発光体化合物、電子伝達化合物、そして最上層としての低仕事関数電極で構成された有機層状ＥＬデバイスに向けられている。
【００２９】
本書に記した特許の各々の開示は全て、本書に参考として内含される。
【００３０】
【発明の実施の形態】
実施例１
化合物（１）の合成
ビス（４−ヨードフェニル）メタン：水冷コンデンサー、機械式攪拌器及び温度計の備わった５００ミリリットル３口フラスコの中に、酢酸（２００ミリリットル）、ジフェニルメタン（２５．２グラム、０．１５モル）、ヨウ素（３４．２グラム、０．１３５モル）、過ヨウ素酸（１０．２６グラム、０．０４５モル）、濃硫酸（１０．０ミリリットル）及び水（６０ミリリットル）を入れた。フラスコの内容物を９０℃まで加熱し、１２時間攪拌した。勢い良く攪拌しながら氷水８００ミリリットルの中に反応混合物をそそぎ込むことによって反応を停止させた。濾過により沈殿物を収集し、水で洗浄し、真空オーブン内で乾燥させた。結果として得られた固体生成物を更にヘキサンからの再結晶化により精製した。収量は２６．８グラムであった。
【００３１】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）；δ３．８５（ｓ、２Ｈ、メチレンプロトン）、６．９０（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、４Ｈ、芳香族プロトン）、７．６０（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、４Ｈ、芳香族プロトン）
化合物（１）：１００ミリリットル丸底フラスコの中に、上記で調製されたビス（４−ヨードフェニル）メタン（４．２０グラム、０．０１モル）、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−Ｎ−フェニルベンチジン（１０．５７グラム、０．０２４モル）、酸化銅（Ｉ）（１．４３グラム、０．０１ミリモル）、水酸化カリウム（８．０６グラム、０．１４５モル）及びＩＳＯＰＡＲＭTM（８．０ミリリットル）を入れた。フラスコを１８０℃まで加熱し、１８時間勢い良く攪拌した。混合物を１２０℃まで冷却し、トルエン（１００ミリリットル）を添加した。２０分間攪拌した後、トルエン層を分離し、その後１．０時間還流にてアルミナと混合した。アルミナを濾過で除去し、濾液を蒸発させ、溶離剤としてヘキサン−トルエン（５：２）を用いてシリカゲル上でクロマトグラフィにて粗生成物を得、これをヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒からの再結晶化によって更に精製した。収量は７．５グラムであった。
【００３２】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）；δ２．２６（ｓ、１２Ｈ、メチルプロトン）、３．９０（ｓ、２Ｈ、メチレンプロトン）、６．８１〜７．２８（ｍ、４２Ｈ、芳香族プロトン）、７．４１〜７．４６（ｍ、８Ｈ、芳香族プロトン）。
【００３３】
化合物１は構造式（Ｉ）のアリールアミンに対応している。
【００３４】
実施例II
化合物２の合成
標題化合物を、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−Ｎ−フェニルベンチジンの代わりにＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−ｍ−トリルベンチジンを使用したという点を除いて、実施例Ｉに記した通りに化合物（１）の手順に従って合成した。収率は７８パーセントであった。
【００３５】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）；δ２．２５（ｓ、６Ｈ、メチルプロトン）、３．９１（ｓ、２Ｈ、メチレンプロトン）、６．８０〜７．２８（ｍ、４４Ｈ、芳香族プロトン）、７．４０〜７．４５（ｍ、８Ｈ、芳香族プロトン）。
【００３６】
実施例III
化合物１０の合成
２、２ビス（４−ヨードフェニル）プロパン：  添加用漏斗及び水冷コンデンサーを備えた５００ミリリットル２口フラスコの中に、２、２−ジフェニルプロパン（１０．０グラム、０．０５１ミリモル）、酢酸（１００ミリリットル）、ヨウ素（１２．９グラム、０．０５１ミリモル）及び濃硫酸（２３．７６グラム）を入れた。添加用漏斗内に、硝酸（６．８ミリリットル）を入れた。フラスコ内の混合物を６０℃まで加熱し、硝酸を２０分間にわたり滴下により添加した。添加が完了した後、反応混合物を８０℃まで加熱し、この温度で更に２０分間攪拌した。氷水（５００ミリリットル）中に反応混合物をそそぎ込むことによって反応を停止させた。沈殿した固体を濾過によって収集し、水、メタノールで洗浄し、真空中で乾燥させた。薄黄色の固体をヘキサンからの再結晶化によって更に精製して、無色の結晶を得た。収量は１６．３グラムで、融点は１１４〜１１５℃であった。
【００３７】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）；δ１．６１（ｓ、６Ｈ、メチルプロトン）、６．９０（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、４Ｈ、芳香族プロトン）、７．６０（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、４Ｈ、芳香族プロトン）。
【００３８】
化合物（１０）：１００ミリリットル丸底フラスコの中に、２，２−ビス（４−ヨードフェニル）プロパン（４．４８グラム、０．０１モル）、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−Ｎ−フェニルベンチジン（１０．０３グラム、０．０２２モル）、硫酸第２銅５水和物（０．１６３グラム、０．６６モル）、炭酸カリウム（２．７６グラム、０．０２モル）及びｎ−トリデカン（７．０ミリリットル）を入れた。フラスコ中の混合物を２３０℃まで加熱し、１８時間勢い良く攪拌した。混合物を１２０℃まで冷却し、トルエン（１００ミリリットル）を添加した。２０分間攪拌した後、トルエン層を分離し、次に１時間還流下でアルミナと混合した。アルミナを濾過で除去し、濾液を蒸発させ、溶離剤としてヘキサンートルエン（５：２）を用いてシリカゲル上でクロマトグラフィーで粗生成物を得、ヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒からの再結晶化によりこれを更に精製した。収量は５．５グラムであった。
【００３９】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）；δ１．６８（ｓ、６Ｈ、メチルプロトン）、２．２５（ｓ、１２Ｈ、メチルプロトン）、６．８２〜７．２９（ｍ、４２Ｈ、芳香族プロトン）、７．４３（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、８Ｈ、芳香族プロトン）。
【００４０】
実施例IV
化合物（１１）の合成
標題化合物は、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−Ｎ−フェニルベンチジンの代わりに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ−ｍ−トリルベンチジンを使用するという点を除いて、実施例IIIに記述された通りの化合物（１）のための手順に従って合成された。収率は６９パーセントであった。
【００４１】
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）；δ１．６９（ｓ、６Ｈ、メチルプロトン）、２．２５（ｓ、６Ｈ、メチルプロトン）、６．８１〜７．２９（ｍ、４２Ｈ、芳香族プロトン）、７．４２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ、８Ｈ、芳香族プロトン）。
【００４２】
実施例Ｖ
５０ミリリットル×５０ミリリットルの酸化錫インジウムでコーティングされたガラス板（ＩＴＯガラス）を希ＨＣｌでエッチングして６ミリメートルのストリップを形成し、その後、脱イオン水で洗浄し１時間６０℃で真空オーブン内で乾燥させた。使用直前に、０．５時間ＵＶオゾンでガラスを処理した。その後ＩＴＯガラスを、有機層の蒸着のため真空蒸着チャンバー内に入れた。蒸着速度及び最終層厚は、Inficon ＩＣ／５型制御装置により制御した。５×１０-6トール以下の圧力下で、実施例Ｉで得られたような正孔伝達化合物（１）をまず、１秒当たり０．４ナノメートルの速度で電気的に加熱したタンタルボートから熱により蒸発させて厚み８０ナノメートルの（１）の層をＩＴＯガラス上に被着させた。その後同じく発光体として機能できるAldrich Chemicalsから購入した電子及び電子伝達層化物トリ（８−ヒドリキシキノリネート）アルミニウムを同じ要領で蒸発させて、正孔伝達層の上に８０ナノメートルの層を形成した。最後にそれぞれＭｇ及びＡｇを含む２つの独立して制御されたタンタルボートからの熱蒸発により前記有機層上のパターンマスクを通して、Ｍｇ：Ａｇ合金の幅１mmの陰極を１０個形成させた。標準的組成はＭｇ対Ａｇの原子比で５：１であった。１秒当たり０．５ナノメートルの合計蒸着速度で厚み１００ナノメートルの合金層を形成させた。最後に、周囲温度から反応性Ｍｇを保護することを目的としてＭｇ：Ａｇ陰極上に約２００ナノメートルのＡｇをオーバーコーティングした。
【００４３】
上述の通りに調製したデバイスは、窒素ガスで連続的にパージされた乾燥ボックス中に保持した。直流測定の下でその電流−電圧特性及び光出力を測定することによって、その性能を走査した。電流−電圧特性は、Keithley ２３８型高電流源測定ユニットを用いて決定した。ＩＴＯ電極は常に電流源のプラスの端子に接続した。同様に、デバイスからの光出力をシリコンフォトダイオードにより監視した。
【００４４】
このデバイスは、緑色の光を発し２０ボルトの直流電圧で５，５００cd／m2の輝度を提供した。デバイスの作動安定性を６７mA／cm2の高い定電流密度の強制条件下で、２０℃で評価した。初期光強度は１２００cd／m2であり、これは実用のために必要とされるものをはるかに上回る強度であった。光の強度は経時的にゆっくりと低下し、１１０時間連続動作の後に光強度の７０パーセント低下が観察された。更にデバイスは、７２時間４０℃の温度に付された後でさえ、電流−光強度特性の変化を全く示さなかった。
【００４５】
比較例
Ｎ、Ｎ−ビス−［４’−（Ｎ−フェニル−Ｎ−ｍ−トリルアミノ）−４−ビフェニリル］アニリン（１）の代わりに、既知の先行技術の正孔伝達物質Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）１、１’−ビフェニル−４、４’−ジアミンを使用するという点を除いて、実施例Ｖの手順に従って、比較用ＥＬデバイスを製造した。
【００４６】
この比較用デバイスは、２０ボルトの直流電圧で４，７００cd／m2の輝度を提供した。67mA／cm2の定電流密度の下で、このデバイスは、９１０cd／m2の初期光強度を付与したが、光強度は急速に減少し、わずか４５時間の連続動作の後７０パーセントの減少が記録された。その上、デバイスは７２時間４０℃の温度に付された後に、機能しなくなった。
【００４７】
実施例VI
正孔伝達物質（１）の代わりに実施例IIで調製されたような正孔伝達化合物（２）が使用されたという点を除いて、実施例Ｖの手順に従ってＥＬデバイスを製造した。
【００４８】
このデバイスは、緑色の光を発し２０ボルトの直流電圧で４，８７５cd／m2の輝度を提供した。６７mA／cm2の定電流密度の下で、このデバイスは９５０cd／m2の初期光強度を付与し、光強度は１０５時間の連続動作の後７０パーセントの減少を記録した。更に、デバイスは、７２時間４０℃の温度に付された後、電流−光強度特性のいかなる変化も示さなかった。
【００４９】
実施例VII
正孔伝達化合物（１）の代わりに実施例IIIで調製されたような正孔伝達化合物質（１０）を使用したという点を除いて、実施例Ｖの手順に従ってＥＬデバイスを製造した。
【００５０】
デバイスは、緑色の光を発し２０℃で２０ボルトの直流電圧で４，８５０cd／m2の輝度を提供した。６７mA／cm2の定電流密度の下で、このデバイスは約１０１０cd／m2の初期光強度を付与し、８５時間の連続動作の後に光強度は７０パーセント低下を記録した。更に、デバイスは、７２時間４０℃の温度に付された後でも電流−光強度特性の変化を全く示さなかった。
【００５１】
実施例VIII
正孔伝達化合物（１）の代わりに実施例IVで調製された正孔伝達化合物質（１１）を使用したという点を除いて、実施例Ｖの手順に従ってＥＬデバイスを製造した。
【００５２】
デバイスは、緑色の光を発し２０℃で２０ボルトの直流電圧で４，７５０cd／m2の輝度を提供した。６７mA／cm2の定電流密度の下でこのデバイスは８５０cd／m2の初期光強度を付与し、９７時間の連続動作の後に光強度は７０パーセント減少を記録した。更に、デバイスは、７２時間４０℃の温度に付された後でも、電流−光強度特性の変化を全く示さなかった。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のＥＬデバイスの例を示す図である。
【図２】  本発明のＥＬデバイスの例を示す図である。
【符号の説明】
１  有機発光ダイオード、２  支持基板、３  陽極、４  真空蒸着有機正孔注入及び正孔伝達層、５  真空蒸着電子注入及び電子伝達層、６  陰極、７  単一の真空蒸着発光層。
【図１】
0003892951.tif 000012
【図２】
0003892951.tif 000013