(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスパージョンヘッド内に整列された円形のプレート形状をなす第１ディフューザに向かってガスをフローさせる段階と、
前記ガスを前記第１ディフューザでブローキングさせ、前記ガスがフローする方向に前記ガスを一番目に発散させる段階と、
前記一番目に発散したガスの一部をチャンバの内部に整列された基板に向かうように前記ディスパージョンヘッドの出口を通じてガイドする段階と、
前記一番目に発散したガスの残りを前記第１ディフューザと前記基板との間に整列された環形のプレート形状をなす第２ディフューザでブローキングさせ、前記ガスがフローする方向の側方向に前記ガスを二番目に発散させる段階と、
前記二番目に発散したガスの一部を前記チャンバの内部に整列された基板に向かうように前記ディスパージョンヘッドの出口を通じてガイドする段階と、
を含むことを特徴とするガス供給方法。
【請求項２】
（ｎ−１）番目に発散したガスの残りを第（ｎ−１）ディフューザと前記基板の上に整列された第ｎディフューザとでブローキングさせ、前記ガスがフローする方向の側方向に前記ガスを発散させる段階と、
ｎ番目に発散したガスの一部を前記チャンバの内部に整列された基板に向かうように前記ディスパージョンヘッドの出口を通じてガイドする段階とを含み、
前記ｎは２より大きな自然数であることを特徴とする請求項１に記載のガス供給方法。
【請求項３】
前記ガスの一番目の発散は前記ディスパージョンヘッドの上側中心部位の第１地点で起り、前記ガスの二番目の発散は前記第１地点の下側で放射状に外側部位の第２地点で起ることを特徴とする請求項２に記載のガス供給方法。
【請求項４】
前記ガスのｎ番目の発散は（ｎ−１）番目地点の下側で放射状に外側部位の第ｎ地点で起ることを特徴とする請求項３に記載のガス供給方法。
【請求項５】
前記チャンバは、プラズマ反応チャンバであり、プラズマ反応により前記基板の上に膜を形成するために設けられていることを特徴とする請求項１に記載のガス供給方法。
【請求項６】
前記チャンバは、前記プラズマ反応チャンバであり、前記基板の上に形成されている膜をプラズマ反応によりエッチングするために設けられていることを特徴とする請求項５に記載のガス供給方法。
【請求項７】
ガスが供給される入口、ならびに前記ガスが排出される出口を有するディスパージョンヘッドと、
前記ディスパージョンヘッドの中心部位、ならびに前記ガスが供給される入口下部に整列されている円形のプレート形状をなす第１ディフューザと、
前記第１ディフューザの下部外側に放射方向に整列され、前記ディスパージョンヘッドの外郭部位に整列されている環形のプレート形状をなす第２ディフューザとを備え、
前記第１ディフューザおよび前記第２ディフューザは、前記入口を通じて供給されるガスの方向に対し垂直に相互に離隔されて配置され、前記ディスパージョンヘッドの中心部位および外郭部位に放射状に配置されていることを特徴とするガス供給装置。
【請求項８】
第（ｎ−１）ディフューザの下部外側に放射状に整列され、前記ディスパージョンヘッドの外郭部位に整列されている第ｎディフューザをさらに備え、
前記第ｎディフューザおよび前記第（ｎ−１）ディフューザは、前記入口を通じて供給されるガスの方向に対し垂直に相互に離隔されて配置され、前記ディスパージョンヘッドの中心部位および外郭部位に放射状に配置され、
前記ｎは２より大きな自然数であることを特徴とする請求項７に記載のガス供給装置。
【請求項９】
前記第２ディフューザの内部直径は前記第１ディフューザの外部直径より大きいことを特徴とする請求項７に記載のガス供給装置。
【請求項１０】
前記第（ｎ−１）ディフューザおよび前記第ｎディフューザは環形のプレート形状を有することを特徴とする請求項８に記載のガス供給装置。
【請求項１１】
前記第（ｎ−１）ディフューザの内部直径は前記第１ディフューザの外部直径より大きく、前記第ｎディフューザの内部直径は前記第（ｎ−１）ディフューザの外部直径より大きいことを特徴とする請求項１０に記載のガス供給装置。
【請求項１２】
前記出口は複数のホールを有することを特徴とする請求項７に記載のガス供給装置。
【請求項１３】
基板が置かれる受け台を有するチャンバをさらに備え、前記受け台は前記チャンバの下部に配置され、前記ディスパージョンヘッドは前記チャンバの上部に配置されていることを特徴とする請求項７に記載のガス供給装置。
【請求項１４】
前記チャンバは、プラズマ反応を利用し前記基板の上に膜を形成するためのチャンバであることを特徴とする請求項１３に記載のガス供給装置。
【請求項１５】
前記チャンバは、前記基板の上に形成されている膜をプラズマ反応を利用しエッチングするためのチャンバであることを特徴とする請求項１３に記載のガス供給装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体工程に使用されるガス供給方法およびガス供給装置に関するものであり、より詳細にはディスパージョンヘッドを通じてチャンバにガスを供給する方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近来、コンピュータのような情報媒体の急速な普及により、半導体装置も飛躍的に発展している。その機能面において、半導体装置は高速で動作すると同時に大容量の貯蔵能力を有することが要求される。これにより、半導体メモリ素子は、集積度、信頼度および応答速度などを向上させる方向に製造技術が発展している。これにより、半導体装置の集積度向上のための主な技術として膜形成のための化学気相蒸着またはパターン形成のためのプラズマエッチングなどのような加工技術に対する要求も厳格になっている。
【０００３】
最近、半導体装置は０．１５μｍ以下のデザイン−ルールを有する。ゆえに、基板上に形成する膜またはパターンは均一の厚みを有するように形成しなければならない。このために、膜またはパターンを形成するとき、基板の全面に膜またはパターンを形成するためのガスが均一に供給されるかの可否を工程条件に設定し、ガスの供給を制御する。
【０００４】
したがって、膜またはパターンを形成する装置は、ガスを均一に供給するディスパージョンヘッド、ならびにディスパージョンヘッドに設けられるディフューザなどのような部材を含む。
ガスを均一に供給するための部材が設けられる装置に対する一例は、日本特開平２−７１５１１号、日本特開２０００−５８２９４号、ハラン（Ｈａｒｌａｎ）に許与された米国特許第５，５９５，６０２号、ならびに韓国特公開第９８−８２８５３号に開示されている。
【０００５】
図１は従来の半導体工程に使用される加工装置を説明するための構成図である。
図１に示したように、加工装置は基板Ｗ上に膜を形成する膜形成装置または基板上に形成されている膜をエッチングしパターンを形成するエッチング装置に該当する。膜形成装置またはエッチング装置に対する選択は工程条件により決定される。
【０００６】
加工装置はチャンバ１０内に基板Ｗが置かれる受け台１０１を含む。そして、加工装置はチャンバ１０の上側に設けられるディスパージョンヘッド１０３、ならびにディスパージョンヘッド１０３内部に設けられるディフューザ１０５を含む。ディスパージョンヘッド１０３は一側にガスが流入する入口、ならびに他側にガスが流出する出口を有する。出口は多数個のホールを含む。したがって、ガスはディスパージョンヘッド１０３の入口を通じて流入し、ディフューザ１０５により発散した後に、ディスパージョンヘッド１０３の出口を通じて、チャンバ１０内に置かれている基板Ｗに供給される。
【０００７】
図２は図１に設けられるディフューザを示す斜視図である。
図２に示したように、図面はディフューザ１０５を示す。ディフューザは円形のプレート形状を有する。
円形のプレート形状を有するディフューザはディスパージョンヘッド内部に設けられ、ディスパージョンヘッドを通じて供給されるガスをブローキングし発散させる。したがって、ガスが発散により均一である分布を有し、チャンバ内に置かれている基板に供給される。
【０００８】
その他にも、ディフューザはガスを均一に供給することができるように多様な形態に形成される。
米国特許第５，５９５，６０２号によると、多孔性のシンタリング（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）されたディフューザが開示されている。この多孔性のシンタリングされたディフューザにより基板の全面に均一にガスを供給する構成を有する。
【０００９】
韓国特公開第９８−８２８５３号によると、中心部位に貫通ホールを有するディフューザが開示されている。この貫通ホールを通じてガスが基板に供給されることにより、基板の全面に均一にガスを供給する構成を有する。
日本特開２０００−５８２９４号によると、同一の直径を有する二つのディフューザが開示されている。二つのディフューザは相互に異なる形態のホールを有し平行に設けられる。この二つのディフューザにより基板に全面に均一にガスを供給する構成を有する。
【００１０】
日本特開平２−７１５１１号によると、相異する直径のホールを有するディスパージョンヘッドが開示されている。このディスパージョンヘッドにより基板の全面に均一にガスを供給する構成を有する。
このように、ディスパージョンヘッドおよびディフューザによりガスは均一に分布して、チャンバ内に置かれている基板の全面に供給される。
【００１１】
しかし、円形のプレート形状を有するディフューザのブローキングによりガスを発散させる場合には、均一の分布を有するようにガスを発散できない場合が頻繁に発生する。したがって、チャンバ内に置かれている基板の全面に均一にガスが供給されない。これは、ディフューザによりガスがディスパージョンヘッドの外郭外部に偏重（ｐｒｅｐｏｎｄｅｒａｎｃｅ）し発散するためである。
【００１２】
図３は図１の加工装置を使用し基板上に膜を形成した状態を示す断面図である。
図３に示したように、基板３０上に膜３２が形成されている。膜３２には絶縁膜または金属膜などが該当する。絶縁膜または金属膜に対する選択は工程条件による。
【００１３】
そして、膜３２はガスの供給を受け、ガスとの反応により形成される。このとき、膜３２はガスが基板３０の全面に均一に供給される場合、均一の厚みを有するように形成される。
しかし、図１の装置を使用し基板３０上に膜３２を形成する場合、基板３０の周縁部位に形成される膜の厚み（ｌ1）が基板３０の中心部位に形成される膜の厚み（ｌ2）よりさらに厚く形成される。これは、基板３０の全面にガスが不均一に供給されるためである。即ち、基板３０の中心部位より周縁部位にガスが多く供給されるためである。
【００１４】
このように、膜の厚みが不均一に形成されることにより、ガスが不均一に供給されていることを確認できる。そして、ガスが不均一に供給される原因は、ガスを供給するディスパージョンヘッドおよびディフューザにあることが明白である。特に、ディフューザがガスをディスパージョンヘッドの中心領域に発散しないためである。
【００１５】
したがって、ディスパージョンヘッドおよびディフューザの欠陥によりガスを均一に供給しないので、膜またはパターンが不均一な厚みに形成される。これは、半導体工程において、不良の原因として作用する。したがって、不均一なガスの供給は半導体装置の製造における信頼度を低下させる問題点として作用する。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第１目的は、ディスパージョンヘッドの中心領域および外郭領域を含む全ての領域に均一にガスを発散させるガス供給方法を提供することにある。
本発明の第２目的は、ディスパージョンヘッドの中心領域および外郭領域を含む全ての領域で均一に発散したガスをチャンバに供給するガス供給方法を提供することにある。
【００１７】
本発明の第３目的は、ディスパージョンヘッドの中心領域および外郭領域を含む全ての領域にガスを均一に発散させるガス供給装置を提供することにある。
本発明の第４目的は、ディスパージョンヘッドの中心領域および外郭領域を含む全て領域で均一に発散したガスをチャンバに供給し工程を実施できるようにするガス供給装置を提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
前記の第１目的および第２目的を達成するための本発明の請求項１記載のガス供給方法は、ディスパージョンヘッド（ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ  ｈｅａｄ）内に整列された円形（ｃｉｒｃｌｅ  ｔｙｐｅ）のプレート形状をなす第１ディフューザ（ｄｉｆｆｕｓｅｒ）に向かってガスをフローさせる段階と、ガスをディフューザでブローキングさせることにより、ガスがフローする方向にガスを一番目に発散（ｄｉｆｆｕｓｉｎｇ）させる段階と、一番目に発散したガスの一部をディスパージョンヘッドの出口を通じて、チャンバ内に整列された基板に向かうようにガイドする段階と、一番目に発散させたガスの残りを第１ディフューザと基板との間に整列された環形（ａｎｎｕｌａｒ  ｔｙｐｅ）のプレート形状をなす第２ディフューザにブローキングさせることにより、ガスがフローする方向の側方向にガスを二番目に発散させる段階と、二番目に発散したガスの一部をディスパージョンヘッドの出口を通じて、チャンバ内に整列された基板に向かうようにガイドする段階とを含む。
【００１９】
また、請求項２記載の手段を採用することにより、（ｎ−１）番目に発散させたガスの残りを第（ｎ−１）ディフューザと基板上に整列された第ｎディフューザとでブローキングさせることにより、ガスがフローする方向の側方向にガスを発散させる段階と、ｎ番目に発散したガスの一部をディスパージョンヘッドの出口を通じて、チャンバ内に整列された基板に向かうようにガイドする段階とを含み、ｎは２より大きな自然数である。
【００２０】
このように、ガスを順次に発散させることにより、ディスパージョンヘッドの全ての領域にガスが均一に分布される。そして、均一な分布を有するガスがチャンバに供給される。このとき、チャンバに供給されるガスは均一な分布を有するために均一に供給される。
【００２１】
前記の第３目的および第４目的を達成するための本発明の請求項７記載のガス供給装置は、ガスが供給される入口、ならびにガスが排出される出口を有するディスパージョンヘッドと、ディスパージョンヘッドの中心部位、ならびにガスが供給される入口下部に整列される円形のプレート形状をなす第１ディフューザと、第１ディフューザの下部外側に放射方向に整列され、ディスパージョンヘッド外郭部位に整列される環形のプレート形状をなす第２ディフューザとを備え、第１ディフューザと第２ディフューザは入口を通じて供給されるガスの方向に対し垂直に相互に離隔されて配置され、ディスパージョンヘッドの中心部位および外郭部位に放射状に配置される。
【００２２】
また請求項８記載の手段を採用することにより、第（ｎ−１）ディフューザの下部外側に放射方向に整列され、ディスパージョンヘッドの外郭部位に整列される第ｎディフューザをさらに備え、第ｎディフューザと第（ｎ−１）ディフューザは入口を通じて供給されるガスの方向に対し垂直に相互に離隔されて配置され、ディスパージョンヘッドの中心部位および外郭部位に放射状に配置され、ｎは２より大きな自然数である。
【００２３】
なお請求項９記載の手段を採用することにより、第２ディフューザの内部直径が第１ディフューザの外部直径より大きい。
【００２４】
また、請求項１４または１５記載の手段を採用することにより、チャンバは、プラズマ反応を利用し基板上に膜を形成するためのチャンバであり、または、チャンバはプラズマ反応を利用し基板上に形成されている膜をエッチングするためのチャンバである。
【００２５】
このように、第１ディフューザから第ｎディフューザを設け、ガスを発散させ、ガスをディスパージョンヘッドの全て領域に均一に発散させることができる。したがって、均一に発散したガスをチャンバに供給するため、ガスはチャンバに均一に供給される。ガスを均一に供給することにより、基板上に均一な厚みを有する膜またはパターンを形成することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の望ましい実施例をより詳細に説明する。
図４は本発明の第１実施例による半導体工程に使用される加工装置を説明するための構成図である。
図４に示したように、加工装置は基板Ｗ上に膜を形成する膜形成装置または基板Ｗ上に形成されている膜をエッチングし、パターンを形成するエッチング装置に該当する。膜形成装置またはエッチング装置に対する選択は、工程条件により決定される。そして、加工装置はプラズマ反応を用いて膜またはパターンを形成する加工装置を含む。
【００２７】
加工装置にシラン（ＳｉＨ4）ガスおよび酸素ガスを供給し、シランガスおよび酸素ガスを解離し、プラズマ状態に形成する工程条件を組成する場合、基板上に酸化膜が形成される。このとき、工程条件中で圧力、温度および時間などのような工程条件は、酸化膜の厚みなどにより決定される。
【００２８】
加工装置にＣＨＦ3ガスを供給し、ＣＨＦ3ガスを解離しプラズマ状態に形成する工程条件を組成する場合、基板上に形成されている酸化膜は酸化膜パターンにより形成される。このとき、パターンを形成するためのパターンマスクはフォトレジストパターンを使用する。そして、工程条件中で、圧力、温度、および時間などのような工程条件はエッチングされる酸化膜の厚みなどにより決定される。
【００２９】
加工装置はチャンバ４０内に基板Ｗ内に基板が置かれる受け台４０１を含む。そして、加工装置はチャンバ４０内に設けられるディスパージョンヘッド４０３、ならびにディスパージョンヘッド４０３内部に設けられる第１ディフューザ４０５ａおよび第２ディフューザ４０５ｂを含む。
【００３０】
第１ディフューザはガスが流入する方向を基準にディスパージョンヘッドの上側に設けられ、第２ディフューザはディスパージョンヘッド内部に第１ディフューザが設けられた下側に設けられる。第１ディフューザはディスパージョンヘッドの中心部位に設けられ、第２ディフューザはディスパージョンヘッドの中心部位を除外した外郭部位に設けられる。したがって、第１ディフューザはディスパージョンヘッドの中心部位を占め（ｏｃｃｕｐｙｉｎｇ）、第２ディフューザはディスパージョンヘッドの中心部位を除外した外郭部位を占める構成を有する。
【００３１】
図５は図４に設けられる第１ディフューザおよび第２ディフューザを説明するための平面図である。
図５は第１ディフューザ４０５ａおよび第２ディフューザ４０５ｂを示す。第１ディフューザ４０５ａは円形のプレート形状を有する。そして、第２ディフューザ４０５ｂは環形のプレート形状を有する。このとき、第２ディフューザは第１ディフューザの周縁部位から離隔される外郭を取囲む大きさを有する。
【００３２】
図６は本発明の第２実施例による第１ディフューザから第３ディフューザが設けられるガス供給装置を説明するための構成図である。
図６はディスパージョンヘッド６０３、ならびにディスパージョンヘッド６０３に設けられる第１ディフューザ６０５ａ、第２ディフューザ６０５ｂおよび第３ディフューザ６０５ｃを示す。第１ディフューザ６０５ａは円形のプレート形状を有する。そして、第２ディフューザ６０５ｂは環形のプレート形状を有する。このとき、第２ディフューザは第１ディフューザの周縁部位から離隔される外郭を取囲む大きさを有する。第３ディフューザ６０５ｃは第２ディフューザと同様に、環形のプレート形状を有する。このとき、第３ディフューザ６０５ｃは第２ディフューザ６０５ｂの周縁部位から離隔される外郭を取囲む大きさを有する。そして、第１ディフューザ６０５ａはディスパージョンヘッドの上側に設けられ、第２ディフューザ６０５ｂはディスパージョンヘッド内部に第１ディフューザが設けられた下側に設けられ、第３ディフューザ６０５ｃはディスパージョンヘッド内部に第２ディフューザが設けられた下側に設けられる。そして、第１ディフューザ６０５ａはディスパージョンヘッドの中心部位を占め、第２ディフューザ６０５ｂはディスパージョンヘッドの中心部位を除外した外郭部位を占め、第３ディフューザ６０５ｃは第２ディフューザが占める外郭部位より外側の部位を占める。
【００３３】
これを根拠に、ディスパージョンヘッド内部に第１ディフューザから第ｎ（ｎは自然数）ディフューザを順次に設けることができる。第１ディフューザから第ｎディフューザを設ける場合、第１ディフューザから第ｎディフューザの大きさはディスパージョンヘッドの大きさ、ならびにガスの発散方向を考慮すると、容易に決定することができる。
【００３４】
図７は図４に設けられるディスパージョンヘッドを説明するための平面図である。
図７はディスパージョンヘッド７０３を示す。ディスパージョンヘッド７０３はガスが流入する入口７０３ａ、ならびにガスが流出する出口７０３ｂを有する。入口７０３ａはガスを供給するガス供給ライン（図示せず）と連結される構成を有する。そして、入口７０３ａはディスパージョンヘッド７０３の中心部位に位置するように設けられる。出口７０３ｂは多数個のホール７０３ｃを含む。これにより、ガスは出口のホールを通じてチャンバに供給される構成を有する。また、ディスパージョンヘッド７０３は第１ディフューザおよび第２ディフューザにより発散するガスをガスが供給される供給部位にガイドする。即ち、ガスがガス供給部位に供給されるように誘導するものである。このとき、ガス供給部位は加工チャンバ内に位置する基板になる。
【００３５】
以上により、ガス供給装置はディスパージョンヘッド、ならびにディスパージョンヘッドに設けられる第１ディフューザおよび第２ディフューザを含む。そして、装置は第（ｎ−１）番目ディフューザおよび第ｎ（ｎは自然数）ディフューザをさらに含む。そして、加工装置はチャンバおよびチャンバにガスを供給するガス供給部を含む。チャンバはプラズマ反応を用いるプラズマ反応チャンバを含む。ガス供給部はディスパージョンヘッド、ならびにディスパージョンヘッドに設けられる第１ディフューザおよび第２ディフューザを含む。そして、ガス供給部は第（ｎ−１）番目ディフューザおよび第ｎ（ｎは自然数）ディフューザをさらに含む。
【００３６】
ガス供給装置により供給されるガスは次のとおりである。
図８は本発明の第３実施例によるガス供給方法を説明するための工程図である。
図８は、ディスパージョンヘッドの入口を通じて流入し、第１ディフューザおよび第２ディフューザにより発散し、ディスパージョンヘッドの出口を通じて流出するガスの流れを示す。そして、ディスパージョンヘッドを通じて流出するガスはチャンバに供給される。このとき、第１ディフューザはディスパージョンヘッドの上側に設けられ、第２ディフューザはディスパージョンヘッドの下側に設けられる。そして、第１ディフューザはディスパージョンヘッドの中心部位を占め、第２ディフューザはディスパージョンヘッドの外郭部位を占める。
【００３７】
具体的に、ディスパージョンヘッドの入口を通じてガスが供給される。ガスは第１ディフューザにより一番目にブローキングされる（Ｓ８０段階）。これにより、ガスはガスが供給される方向の側方向に発散する。そして、その側方向に発散するガスは連続的にディスパージョンヘッドの下側に供給される。このとき、ディスパージョンヘッドは第１ディフューザにより発散したガスを加工チャンバ内に位置する基板にガイドする。一番目のブローキングにより発散したガスは第２ディフューザにより二番目にブローキングされる（Ｓ８２段階）。これにより、ガスはガスが供給される方向の側方向に発散する。このとき、ディスパージョンヘッドは第２ディフューザにより発散したガスを加工チャンバ内に位置する基板にガイドする。そして、二番目に発散したガスを（ｎ−１）番目およびｎ番目まで続けてブローキングすることができる。このとき、ブローキングは第（ｎ−１）ディフューザおよび第ｎディフューザによる。これにより、ガスはガスが供給される方向の側方向に続けて発散する。
【００３８】
ガスはディスパージョンヘッドの中心部位および外郭部位を含む全ての部位に発散する。そして、全ての部位に発散したガスはディスパージョンヘッドの出口を通じてチャンバに供給される。したがって、ガスはチャンバに置かれている基板上に均一に供給される。
【００３９】
ガスが均一に供給されるにつれて、基板上に形成される膜またはパターンは均一な厚みを有するように形成される。
図９は本発明の第４実施例によるチャンバ内へのガスの供給方法を説明するための工程図である。
【００４０】
図９はディスパージョンヘッドを通じてチャンバにガスが供給される流れを示す。具体的には、チャンバを用意する（Ｓ９０段階）。
チャンバにはディスパージョンヘッドと、第１ディフューザおよび第２ディフューザとを含むガス供給部が設けられる。ディスパージョンヘッドは入口および出口を有する。入口はディスパージョンヘッド中心部位に設けられ、出口は多数個のホールを含む。そして、第１ディフューザは、ディスパージョンヘッド上側に設けられ、中心部位を占める。第２ディフューザはディスパージョンヘッドに第１ディフューザが設けられた下側に設けられ、中心部位を除外した外郭部位を占める。そして、チャンバは基板が置かれる受け台を含む。また、チャンバはプラズマ反応を用いて膜を形成する加工装置またはパターンを形成する加工装置を含む。
【００４１】
チャンバ内に基板を位置させる。（Ｓ９１段階）基板はチャンバ内の受け台に置かれる。このとき、基板はディスパージョンヘッドの下側に位置し、ディスパージョンヘッドと向き合う。
チャンバ内にガスを供給するために、ディスパージョンヘッドにガスを流入させる（Ｓ９２段階）。ガスはディスパージョンヘッドの入口を通じて供給される。
【００４２】
ガスは第１ディフューザにより一番目にブローキングされる（Ｓ９３段階）。したがって、ガスはガスが供給される方向の側方向に発散し、発散によりディスパージョンヘッドの中心部位に供給される。
ガスは第２ディフューザにより二番目にブローキングされる（Ｓ９４段階）。したがって、ガスはガスが供給される方向の側方向に発散され、発散によりディスパージョンヘッドの外郭部位に供給される。
【００４３】
そして、第１ディフューザおよび第２ディフューザにより発散するガスはディスパージョンヘッドにより加工チャンバ内に位置する基板にガイドされる。
このように、中心部位および外郭部位に供給されるガスはディスパージョンヘッドの出口を通じてチャンバに供給される（Ｓ９５段階）。
【００４４】
このとき、チャンバに供給されるガスは均一な分布を有する。これは、ガスが第１ディフューザおよび第２ディフューザによりディスパージョンヘッドの中心領域および外郭領域を含む全ての領域に均一に発散されるためである。したがって、チャンバに均一に供給されるものである。
【００４５】
これにより、チャンバ内に置かれている基板上に均一にガスが供給される。均一なガスの供給により基板上に形成する膜またはパターンは均一な厚みを有するように形成される。
そして、二番目に発散したガスを（ｎ−１）番目およびｎ番目まで続けてブローキングすることができる。このとき、ブローキングは第（ｎ−１）ディフューザおよび第ｎディフューザによる。これにより、ガスはガスが供給される方向の側方向に続けて発散する。したがって、ガスは均一にチャンバに供給される。
【００４６】
図１０は図４の加工装置を使用し基板上に膜を形成した状態を示す断面図であり、図１１は図４の加工装置を使用し基板上にパターンを形成した状態を示す断面図である。
図１０は基板１上に膜２が形成されている状態を示す。ここで、膜２は基板１の中心部位の厚み（ｌ４）と周縁部位厚み（ｌ３）が同一に形成されている。これは、膜を形成するとき、ガスを基板の全ての部位に均一に供給するためである。
【００４７】
したがって、第１ディフューザおよび第２ディフューザによるガス発散によりガスを均一に供給することを確認できる。
図１１は基板３にパターン４が形成されている状態を示す。ここで、パターン４は基板３の中心部位の厚み（ｌ６）と周縁部位の厚み（ｌ５）が同一に形成されている。これは、パターンを形成するときガスを基板の全ての部位に均一に供給するためである。
【００４８】
したがって、第１ディフューザおよび第２ディフューザによるガスの発散によりガスを均一に供給することを確認できる。
このように、少なくとも二つのディフューザを含むガス供給装置はガスを続けて発散させるためにガスを均一に供給することができる。
以上、本発明の実施例を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明の実施例を修正または変更できるであろう。
【００４９】
【発明の効果】
本発明によると、チャンバに供給されるガスの均一度を確保することができる。このように、ガスの均一度が確保されるガスがチャンバ内に位置する基板上に供給されることにより、基板上に形成される膜またはパターンを均一な厚みを有するように形成することができる。均一な厚みを有する膜またはパターンは高信頼度を有するために、不良の原因として作用しない。特に、微細加工を要する最近の半導体装置で均一な厚みを有する膜またはパターンの形成は必要事項に該当する。
このように、本発明はガスを均一に供給することができる方法および装置を提供することにより、半導体装置の製造による信頼度が向上される効果を提供する。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の加工装置を示す模式図である。
【図２】従来の加工装置のディフューザを示す斜視図である。
【図３】従来の加工装置を使用し基板上に膜を形成した状態を示す断面図である。
【図４】本発明の第１実施例によるガス供給装置を有する加工装置を示す模式図である。
【図５】本発明の第１実施例によるガス供給装置に設けられる第１ディフューザおよび第２ディフューザを示す平面図である。
【図６】本発明の第２実施例によるガス供給装置を示す模式図である。
【図７】本発明の第１実施例によるガス供給装置のディスパージョンヘッドを示す斜視図である。
【図８】本発明の第３実施例によるガス供給方法を説明するための工程図である。
【図９】本発明の第４実施例によるガス供給方法を説明するための工程図である。
【図１０】本発明の第１実施例によるガス供給装置を有する加工装置を使用し基板上に膜を形成した状態を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１実施例によるガス供給装置を有する加工装置を使用し基板上にパターンを形成した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１、３、３０、Ｗ    基板
４    パターン
１０、４０    チャンバ
３２    膜
１０１、４０１    受け台
１０３、４０３、６０３、７０３    ディスパージョンヘッド
４０５ａ、６０５ａ    第１ディフューザ
４０５ｂ、６０５ｂ    第２ディフューザ
６０５ｃ    第３ディフューザ
７０３ａ    入口
７０３ｂ    出口
７０３ｃ    ホール
【図１】
0003866113.tif 000002
【図２】
0003866113.tif 000003
【図３】
0003866113.tif 000004
【図４】
0003866113.tif 000005
【図５】
0003866113.tif 000006
【図６】
0003866113.tif 000007
【図７】
0003866113.tif 000008
【図８】
0003866113.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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