(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム（４０）の一面（４１）を露出させた状態で前記リードフレームがインサート成形されてなる樹脂ケース（２０）に、チップ（１０、６０）を搭載し、前記チップと前記リードフレームの一面とをワイヤ（５０）により結線してなるセンサ装置において、
前記樹脂ケースは、型によって成形された後イジェクタピン（Ｐ１）によって離型されたものであり、
前記樹脂ケースにおける前記チップの搭載面（２１、２２）には当該搭載面より凹んだ凹部（２３、２４）が形成され、その凹部の底部が、前記イジェクタピンが押し付けられる部位となっており、
前記樹脂ケースにおける前記チップの搭載面上からみたとき、前記凹部は、その少なくとも一部が前記チップと重なる位置で、かつ前記チップにおける前記ワイヤとの接続部（１５、６１）とは重ならない位置に設けられていることを特徴とするセンサ装置。
【請求項２】
前記凹部（２３、２４）の深さが０．３ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項３】
前記樹脂ケース（２０）における前記チップ（１０、６０）の搭載面（２１、２２）上からみたとき、前記凹部（２３、２４）は、その一部が前記チップとは重ならない位置となるように設けられて、前記凹部の内部が外部と連通していることを特徴とする請求項１または２に記載のセンサ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一面を露出させた状態でリードフレームがインサート成形されてなる樹脂ケースに、チップを搭載し、チップとリードフレームの一面とをワイヤにより結線してなるセンサ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種のセンサ装置の一般的な概略断面構成を図８に示す。このものは、大きくは、リードフレーム４０がセットされた成形型に樹脂を充填することで樹脂ケース２０を形成し、チップとしてのセンサチップ１０を搭載した後、ワイヤボンディングすることで、センサチップ１０とリードフレーム４０の一面４１とをワイヤ５０で電気的に接続することで製造される。
【０００３】
ここで、センサチップ１０は、例えばダイアフラム式の半導体圧力センサ素子１１を台座１２に一体化して支持させたものであり、樹脂ケース２０におけるセンサチップ１０の搭載面（チップ搭載面）２１に接着剤等を介して固定されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
図９は樹脂ケース２０を成形する際の様子を示す概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）中の丸で囲んだＡ部拡大図である。樹脂ケース２０を型Ｋ１によって成形した後、図９（ａ）中の白抜き矢印に示すように、型Ｋ１に設けられた可動なイジェクタピンＰ１によって樹脂ケース２０を押すことで、型Ｋ１から樹脂ケース２０が離れる、すなわち離型が行われる。
【０００５】
このとき、図９（ｂ）に示すように、イジェクタピンＰ１によって押された樹脂ケース２０の面には、樹脂によるバリＢ１が形成される。このバリＢ１は、イジェクタピンＰ１と型Ｋ１との間の可動クリアランスに樹脂が入り込むために形成されるものであり、避けられないものである。
【０００６】
イジェクタピンＰ１で樹脂ケース２０を押す場合、樹脂ケース２０においてイジェクタピンＰ１で押される部分を専用に設ければ良いが、樹脂ケース２０の小型化が望まれている現状では、そのようなことは難しい。そのため、離型時にイジェクタピンＰ１で樹脂ケース２０を押す場合、樹脂ケース２０におけるチップ搭載面２１またはリードフレーム４０の近傍部を押すことになる。
【０００７】
ここで、リードフレーム４０の近傍を押すと、リードフレーム４０の傾きによる平行度の悪化やリードフレーム４０の樹脂ケース２０からの浮きなどが生じ、ワイヤボンディングに悪影響を与える。したがって、樹脂ケース２０におけるチップ搭載面２１をイジェクタピンＰ１で押して離型することになる。
【０００８】
この場合、チップ搭載面２１にバリＢ１が発生し、図１０に示すように、センサチップ１０を搭載したときにバリＢ１の上にセンサチップ１０が載った形となる。すると、センサチップ１０が傾いて装着されてしまい、ワイヤボンディングができないなどの問題が生じる。そのため、樹脂ケース２０の成形後、上記バリＢ１を取り除く工程が必要となり、手間がかかってしまう。
【０００９】
そこで、本発明者は検討を行い、図１１に示すように、樹脂ケース２０のチップ搭載面２１においてイジェクタピンが押し付けられる部位に凹部２１ａを設けたセンサ装置を試作した。図１１において、（ａ）はチップ搭載面２１の上から見た概略平面図であり、（ｂ）はチップ搭載面２１と直交する方向に沿った概略断面図である。
【００１０】
そして、凹部２１ａの底部にイジェクタピンを押し付けるようにした。そのようにすれば、上記バリを当該凹部２１ａ内に留めておくことができ、センサチップ１０に上記バリが当たらないようにできるため、センサチップ１０の傾きを防止できる。
【００１１】
しかし、図１１に示すように、凹部２１ａがセンサチップ１０のパッド１５すなわちワイヤボンド部の下にある場合、さらに次のような問題が生じる。ワイヤボンディングの際にはボンディングツールでパッド１５にワイヤ５０を押し当てて荷重および超音波振動を加えながらボンディングを行う。
【００１２】
このとき、センサチップ１０のパッド１５の直下は樹脂ケース２０から浮いているため、センサチップ１０が傾いたり移動したりして（図１１（ｂ）中の白抜き矢印参照）、ワイヤボンディングの超音波パワーが逃げてしまう。よって、ワイヤボンドがしにくい、すなわちワイヤボンド性を確保できないという問題が発生する。
【００１３】
また、ワイヤボンディングされるリードフレーム４０の一面４１すなわちリードフレーム４０のボンディング面は樹脂から露出しているが、このボンディング面に対して、型成形時に樹脂が侵入して付着するとワイヤボンディングができなくなる。つまり、この場合もワイヤボンド性が確保できなくなる。
【００１４】
このように、一面を露出させた状態でリードフレームをインサート成形した樹脂ケースに、チップを搭載し該チップとリードフレームの一面とをワイヤで結線してなるセンサ装置一般において、チップ搭載面に何らかの凹部を設けた構成とした場合やリードフレームのボンディング面へ樹脂が付着した場合には、ワイヤボンディングができなくなるという問題を引き起こす可能性が大きい。
【００１５】
本発明は上記問題に鑑み、センサ装置においてワイヤボンド性を適切に確保できるようにすることを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、リードフレーム（４０）の一面（４１）を露出させた状態でリードフレームがインサート成形されてなる樹脂ケース（２０）に、チップ（１０、６０）を搭載し、チップとリードフレームの一面とをワイヤ（５０）により結線してなるセンサ装置において、樹脂ケースは、型によって成形された後イジェクタピン（Ｐ１）によって離型されたものであり、樹脂ケースにおけるチップの搭載面（２１、２２）には当該搭載面より凹んだ凹部（２３、２４）が形成され、その凹部の底部が、イジェクタピンが押し付けられる部位となっており、樹脂ケースにおけるチップの搭載面上からみたとき、凹部は、その少なくとも一部がチップと重なる位置で、かつチップにおけるワイヤとの接続部（１５、６１）とは重ならない位置に設けられていることを特徴とする。
【００１７】
それによれば、チップの搭載面上からみたとき、凹部とチップにおけるワイヤ接続部すなわちワイヤボンド部とは互いに重ならずに外れた位置関係にあり、チップにおけるワイヤボンド部の直下には凹部が存在しない。つまり、ワイヤボンディングの際、チップにおけるワイヤボンド部の直下ではチップは樹脂ケースに接して支持された形となる。
【００１８】
そのため、チップとリードフレームの一面とをワイヤボンディングするときに、チップが傾いたり移動したりすることを極力防止することができる。
【００２０】
また、凹部の底部が、イジェクタピンが押し付けられる部位となっているので、イジェクタピンにより発生する樹脂ケースのバリを凹部内に留めておくことができる。そのため、チップにバリが当たってチップが傾いて装着される等の不具合を防止できる。そのような凹部の深さとしては０．３ｍｍ以上であることが好ましい。
【００２１】
また、請求項３に記載の発明では、樹脂ケース（２０）におけるチップ（１０、６０）の搭載面（２１、２２）上からみたとき、凹部（２３、２４）は、その一部がチップとは重ならない位置となるように設けられて、凹部の内部が外部と連通していることを特徴とする。
【００２２】
上記請求項１に記載の発明では、凹部について、チップにおけるワイヤボンド部から外した位置としたうえで凹部の開口部をすべてチップにて覆った構成も採用される。しかし、その場合、チップによって凹部内に空気が封止されるため、封止された空気が熱膨張してチップの接着部を剥離させる等の可能性がある。
【００２３】
その点、請求項３に記載の発明によれば、凹部の内部は外部と連通して開放された形となることから、凹部内の空気が閉じこめられることは無くなり、好ましい。
【００２９】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図に示す実施形態について説明する。本実施形態は本発明のセンサ装置を圧力センサに適用したものとして説明する。図１は本実施形態に係る圧力センサＳ１の概略断面図、図２は図１中の矢印Ａ方向から見た概略平面図であり、蓋部８０は省略してある。
【００３１】
センサチップ１０は、シリコン基板等の半導体基板１１にキャビティを形成し、半導体基板１１とガラス等からなる台座１２とを接合することにより、このキャビティ内部に基準圧力室１３を形成してなるものである。つまり、センサチップ１０は、その内部に基準圧力室１３を有するとともに外表面に印加された圧力を検出する絶対圧型の検出素子である。
【００３２】
このセンサチップ１０においては、半導体基板１１のうち基準圧力室１３に対応した部分に形成されたダイアフラム１４に、ブリッジ回路を構成するようにゲージ抵抗（図示せず）が形成されている。
【００３３】
また、半導体基板１１には、上記ブリッジ回路と電気的に接続された図示しない増幅回路が形成されている。そして、該ダイアフラム１４が圧力を受けたときに歪み変形し、その歪み変形に基づく上記ブリッジ回路からの電気信号（電圧）を、上記増幅回路にて増幅して出力できるようになっている。
【００３４】
センサチップ１０は樹脂ケース２０におけるチップ搭載面２１に搭載されている。ここでは、樹脂ケース２０のうちセンサチップ１０が搭載される部分の面がセンサチップの搭載面すなわちチップ搭載面２１である。
【００３５】
そして、センサチップ１０における台座１２が、樹脂等からなる接着剤３０を介してチップ搭載面２１に接着され固定されている。この樹脂ケース２０はＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等の樹脂材料からなり、型成形されたものである。
【００３６】
そして、樹脂ケース２０にはリードフレーム４０がインサート成形により一体化されている。このリードフレーム４０は、Ｃｕ合金等からなる板材に対してプレスの打ち抜き加工を施すことにより成形されたものである。ここで、リードフレーム４０の樹脂ケース２０へのインサート部分においては、リードフレーム４０の一面４１が露出しており、他面４２が樹脂に接触している。
【００３７】
このリードフレーム４０の露出した一面４１とセンサチップ１０のパッド１５とが、ワイヤボンディングにより形成された金やアルミニウム等からなるワイヤ５０によって結線され電気的に接続されている。また、リードフレーム４０のうち樹脂ケース２０から外部に引き出された部分は、図１に示すように折り曲げられ、ベンド部４３を形成している。
【００３８】
そして、樹脂ケース２０から外部に引き出されたリードフレーム４０の先端部４４は、この圧力センサＳ１をプリント基板等の図示しない外部基板に実装する際の接続部となる。つまり、外部基板とこのリードフレーム４０の先端部４４とは、はんだや導電性接着剤等を介して電気的・機械的に接続される。
【００３９】
ここで、図２中、斜線ハッチングで示すように、リードフレーム４０の先端部４４の表面には、上記外部基板とのはんだ接続を行う際に、はんだ濡れ性を良くするためのＡｕフラッシュめっき等のめっき４５が形成されている。なお、Ａｕフラッシュめっきは、近年要望されている鉛フリー化に対応したもので、様々なはんだに対して濡れ性に優れるものである。
【００４０】
このめっき４５は当該先端部４４におけるリードフレーム４０の一面４１および他面４２のみならず側面、先端部４４の端面にも形成されている。つまり、めっき４５は当該先端部４４のすべての外面すなわちリードフレーム４０における外部基板との接続部のすべての外面に形成されている。
【００４１】
また、図２に示すように、樹脂ケース２０においてセンサチップ１０の隣には回路チップ６０が設けられている。この回路チップ６０は樹脂ケース２０における回路チップ用のチップ搭載面２２に搭載されており、回路チップ６０は、このチップ搭載面２２に接着剤等を介して接着固定されている。
【００４２】
そして、回路チップ６０のパッド６１は、センサチップ１０やリードフレーム４０の一面４１とワイヤ５０によって結線され電気的に接続されている。本例では、回路チップ６０が搭載されているチップ搭載面２２と、センサチップ１０が搭載されているチップ搭載面２１とは段差を有しており、両チップ１０、６０の高さとリードフレーム４０の高さとを略同一とすることでワイヤボンドをしやすくしている。
【００４３】
この回路チップ６０は、センサチップ１０からの出力信号を調整する機能を有するものである。つまり、センサチップ１０からの出力信号（出力電圧）は、ワイヤ５０を介して回路チップ６０にて調整され、さらにワイヤ５０からセンサチップ５０に戻り再びワイヤ５０からリードフレーム４０を介して外部に出力されるようになっている。
【００４４】
ここにおいて、本実施形態のセンサチップ１０および回路チップ６０が本発明でいうチップであり、それぞれのチップ搭載面２１、２２が本発明でいうチップの搭載面である。
【００４５】
そして、このようなチップ搭載面２１、２２を有するとともにリードフレーム４０の一面４１を露出させた状態でリードフレーム４０がインサート成形されてなる樹脂ケース２０と、チップ搭載面２１、２２の上に搭載されたチップ１０、６０と、このチップ１０、６０とリードフレーム４０の一面４１とを結線するワイヤ５０とを備えるセンサ装置Ｓ１において、本実施形態の主たる特徴は以下のようなものである。
【００４６】
すなわち、図１、図２に示すように、両チップ搭載面２１、２２には、それぞれ当該搭載面２１、２２より凹んだ凹部２３、２４が形成されている。そして、この凹部２３、２４は、図２に示すように、樹脂ケース２０におけるチップ搭載面２１、２２上からみたとき、チップ１０、６０におけるワイヤ５０との接続部すなわちパッド１５、６１に重ならない位置に設けられている。
【００４７】
この特徴点は言い換えると、チップ搭載面２１、２２の上に搭載されているチップ１０、６０におけるワイヤ５０との接続部１５、６１の直下では、該凹部２３、２４が存在せずチップ搭載面２１、２２にチップ１０、６０が接して支持されている、ということである。
【００４８】
本例では図２に示すように、両凹部２３、２４はともに略矩形の開口形状を有し、その開口部の一部がチップ１０、６０に重なり、残りの開口部の部分はチップ１０、６０とは重ならずチップ１０、６０から外れて位置している。
【００４９】
ここで、樹脂ケース２０は、型によって成形された後、上記図９に示したのと同様に、イジェクタピンによって離型されるものである。これら凹部２３、２４の底部は、その離型時においてイジェクタピンが押し付けられる部位となっている。そして、凹部２３、２４の深さは、発生するバリの高さ以上の深さを有するものであり、例えば０．３ｍｍ以上の深さが好ましい。
【００５０】
また、図１に示すように、センサチップ１０の表面すなわちセンサチップ１０における半導体基板１１の表面、および、リードフレーム４０の一面４１とワイヤ５０との接続部は、ゲル部材７０によって被覆されており、これら部位はゲル部材７０によって保護されている。
【００５１】
また、図１に示すように、樹脂ケース２０には、チップ搭載面２１側を覆うようにＰＰＳ等の樹脂からなる蓋部８０が接着等により設けられている。樹脂ケース２０に搭載されたセンサチップ１０、回路チップ６０およびワイヤ５０等は、この蓋部８０によって封止されている。
【００５２】
この蓋部８０には、外気に連通する圧力導入孔８１が設けられている。そして、蓋部８０と樹脂ケース２０にて区画された空間には、この圧力導入孔８１を通じて測定環境の圧力が導入されるようになっている。
【００５３】
それによって、センサチップ１０においては、基準圧力室１３と導入された測定圧力との差によってダイアフラム１４が歪み変形し、その歪み変形に基づく電気信号が電圧としてセンサチップ１０から出力される。そして、この出力電圧は、ワイヤ５０を介して回路チップ６０にて調整され、さらにワイヤ５０を介してセンサチップ１０に戻され、再びワイヤ５０、リードフレーム４０を介して外部に出力される。
【００５４】
このような圧力センサＳ１は、次のようにして製造することができる。まず、リードフレーム４０であるが、本実施形態ではリードフレーム４０の先端部４４の端面までもめっき４５が形成された構成としている。このようなリードフレーム４０の作成方法を述べる。
【００５５】
図３は、上記図２と同じ視点にてリードフレーム４０をカットする前の状態で示す概略平面図である。リードフレーム４０は各フレーム部４０ａやタイバー４０ｂ等によって一体に連結されている。
【００５６】
本実施形態のリードフレーム４０は、例えばＣｕ合金からなる板材をプレスの打ち抜き加工によって図３に示す形にした後、まず、その全面にＮｉめっきを施す。このＮｉめっきはワイヤボンド性を確保するためのものである。
【００５７】
そして、このＮｉメッキの上において図３中の斜線ハッチングに示す部位にストライプめっき手法を用いて、上記めっき４５として例えばＡｕフラッシュめっき４５を施す。打ち抜き加工によりすでにリードフレーム４０の先端部４４の端面が露出しているので、当該端面にも、上記ＮｉめっきおよびＡｕフラッシュめっき４５が形成される。
【００５８】
こうして作成されたリードフレーム４０を、樹脂ケース２０に対応した形状を有する型の内部にセットし、型内部に樹脂を注入、充填することでリードフレーム４０がインサート成形され一体化された樹脂ケース２０ができあがる。樹脂ケース２０の離型は、上述したようにイジェクタピンを凹部２３、２４の底部に押し当てることで行う。
【００５９】
そして、センサチップ１０および回路チップ６０を樹脂ケース２０の各チップ搭載面２１、２２へ接着し、ワイヤボンディングを行ってワイヤ５０を形成し、次に、ゲル部材７０や蓋部８０の取付を行う。その後、リードフレーム４０の成形（折り曲げ等）やカットを行うことで圧力センサＳ１が完成する。
【００６０】
ちなみに、従来のリードフレームでは、本実施形態のリードフレーム４０のように、はんだ濡れ性向上のためのめっき４５を先端部４４の端面まで施すということは行っていなかった。従来のリードフレームの加工例を図４に示す。
【００６１】
従来では、板材をプレスの打ち抜き加工によって図４に示す平面形状に成形し、これに上記Ａｕフラッシュめっきを施した後に、フレーム部４０ａやタイバー４０ａのカットを行う。このとき、図４中の一点鎖線Ｃに沿ってカットすることでリードフレームの先端部を形成していた。
【００６２】
そのため、この先端部の表裏両面および側面はめっきが形成されるが、先端部の端面すなわち切断面はめっきされない。このことから、従来のリードフレームでは、先端部の端面のはんだ濡れ性が低く、リードフレームと外部基板等とのはんだ接合が、正常になされたかの検査が困難であった。
【００６３】
それに対して、本実施形態では、リードフレーム４０における外部基板等とのはんだ付け部の全周にめっき４５が形成され、はんだ濡れ性を確保することができるとともに、該先端部のはんだフィレットの出来を検査することで良否判定が容易にできるため、好ましい。
【００６４】
ところで、本実施形態では、上記図２に示すように、チップ搭載面２１、２２上からみたとき、凹部２３、２４は、チップ１０、６０におけるパッド１５、６１すなわちチップ１０、６０におけるワイヤボンド部とは重ならない位置関係にあり、各チップ１０、６０におけるワイヤボンド部の直下には凹部２３、２４が存在しない。
【００６５】
つまり、ワイヤボンディングの際、チップ１０、６０におけるワイヤボンド部の直下ではチップ１０、６０は樹脂ケース２０に接して支持された形となる。そのため、チップ１０、６０とリードフレーム４０の一面４１とをワイヤボンディングするときに、チップ１０、６０が傾いたり移動したりすることを極力防止できる。
【００６６】
よって、本実施形態によれば、ワイヤボンディングの超音波パワーを逃がすようなことはなくなり、ワイヤボンディングを容易に行うことができる。すなわち、チップ搭載面２１、２２に凹部２３、２４を設けた場合において、ワイヤボンド性を適切に確保することができる。
【００６７】
また、本実施形態では、樹脂ケース２０の離型時に凹部２３、２４の底部にイジェクタピンを押し付けるようにするため、イジェクタピンにより発生する樹脂ケース２０のバリを凹部２３、２４内に留めておくことができる。そのため、上記図１０に示したようなチップ１０、６０にバリが当たってチップ１０、６０が傾いて装着される等の不具合を防止できる。
【００６８】
また、本実施形態では、上記図２に示したように、樹脂ケース２０におけるチップ搭載面２１、２２上からみたとき、凹部２３、２４は、その一部がチップ１０、６０とは重ならずチップ１０、６０から外れた位置となるように設けられている。
【００６９】
各凹部２３、２４について、チップ１０、６０におけるワイヤボンド部１５、６１から外した位置としたうえで凹部２３、２４の開口部をすべてチップ１０、６０にて覆った構成としても良いが、その場合、チップ１０、６０によって凹部２３、２４内の空気が封止される。そのため、封止された空気が熱膨張してチップ１０、６０の接着部を剥離させる等の可能性がある。
【００７０】
その点、上記図２に示したようにすれば、凹部２３、２４の内部は外部と連通して開放された形となることから、凹部２３、２４内の空気が閉じこめられることは無くなり、好ましい。
【００７１】
さらに、本実施形態においては、以下のような好ましい形態を採用することができる。まず、上述したように、リードフレーム４０はプレスの打ち抜き加工により成形されたものであるが、ここで好ましくは、リードフレーム４０のうち当該打ち抜き加工における固定金型（ダイ）側の面を、リードフレーム４０の一面４１つまりワイヤボンディングされる面とする。
【００７２】
このような構成としたリードフレーム４０の断面構成を図５に示す。上記打ち抜き加工において、リードフレーム４０の一面４１を固定金型側の面とすることで、当該一面４１の端部には、打ち抜き方向へ突出するバリ４１ａが形成される。いっぽうリードフレーム４０の他面４２は打ち抜き加工における可動金型（パンチ）側の面であり、当該他面４２の端部はＲ形状となる。
【００７３】
図６は、このようなバリ４１ａが形成されたリードフレーム４０をインサート成形する方法を示す概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）中の丸で囲んだＤ部分を拡大して示す図である。図４に示すように、樹脂ケース２０の成形は下型Ｋ１２内にリードフレーム４０をセットし、上型Ｋ１１を合致させた後、型内に樹脂を充填することで行う。
【００７４】
このとき、図６に示すように、リードフレーム４０の一面４１の端部においては、上記バリ４１ａが上型Ｋ１１に対して押し潰されるように密着する。すると、このバリ４１ａがダムの役割を果たすことになり、樹脂がリードフレーム４０一面４１内へ侵入するのを防止することができる。
【００７５】
ちなみに、図７に示すように、リードフレーム４０のうちプレスの打ち抜き加工における可動金型側の面を、リードフレーム４０の一面４１つまりワイヤボンディングされるボンディング面とした構成も本実施形態では採用される。しかし、その場合、当該ボンディング面の端部はＲ形状となるため樹脂の回り込みが発生しやすいため、ボンディング面への樹脂の付着が起こりやすい。
【００７６】
したがって、上記図５に示す好ましいリードフレーム構成を採用すれば、ワイヤボンドされるリードフレーム４０の一面４１への樹脂の付着を防止できることから、より高レベルのワイヤボンド性を確保することができる。
【００７７】
この好ましいリードフレーム構成のさらなる効果は、リードフレーム４０における外部基板との接続部に現れる。上述した図７では、圧力センサＳ１のリードフレーム４０を外部基板上に載せたとき、リードフレーム４０のバリが外部基板に当たることで、外部基板から圧力センサＳ１が傾いて実装されてしまう可能性がある。その点、好ましい構成ではそのようなことは無く、安定した実装が可能となる。
【００７８】
二つ目の好ましい形態もリードフレーム４０に関するものであり、具体的には上記図２に現れている。すなわち、リードフレーム４０の樹脂ケース２０への埋設部は、図２中、破線で図示されているが、くびれ形状をなしている。
【００７９】
リードフレームの樹脂埋設部をくびれ形状とすることで、リードフレーム４０と樹脂との引っかかり度合が強くなる。それにより、例えばリードフレームの成形時のフォーミング荷重など、リードフレーム４０の水平方向への引っ張り荷重に対し、樹脂ケース２０においてリードフレーム４０の保持強度を十分に耐性のあるものにできる。
【００８０】
三つ目の好ましい形態もリードフレーム４０に関するもので、具体的には上記図１に現れている。図１中の寸法Ｌすなわちリードフレーム４０における外部基板への接続面からベンド部４３までの高さを、２ｍｍ以上とすることである。これはリードフレーム４０と外部基板とをはんだ付けする際に有効な構成である。
【００８１】
この寸法Ｌが１ｍｍ程度である場合、はんだがリードフレーム４０の背面（つまり図１では他面４２）を這い上がってベンド部４３まで付着する。ベンド部４３はリードフレーム４０における応力緩和作用をする部分であり、このベンド部４３がはんだに覆われて固くなってしまうと応力緩和作用を発揮することができなくなる。
【００８２】
そこで、本発明者が鋭意検討を行った結果、寸法Ｌを２ｍｍ以上とすれば、はんだがベンド部４３まで這い上がるのを防止し、ベンド部４３による応力緩和効果が十分に発揮されることがわかった。
【００８３】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態に示した圧力センサＳ１において、上述したように、リードフレーム４０のうち打ち抜き加工における固定金型側の面を、リードフレーム４０の一面４１つまりボンディング面とした場合、樹脂ケース２０のチップ搭載面２１、２２は上記凹部を設けずに平坦面であっても良い。
【００８４】
この場合、チップ搭載面２１、２２に存在する樹脂のバリはバリ取り工程で取り除くようにしても良い。そして、この場合には、上述したように、ボンディング面への樹脂の付着が防止されることによって、本発明の目的であるワイヤボンド性の適切な確保を実現できる。
【００８５】
また、本発明は上記圧力センサに限定されるものではなく、一面を露出させた状態でリードフレームがインサート成形されてなる樹脂ケースに、チップを搭載し、チップとリードフレームの一面とをワイヤにより結線してなるセンサ装置であれば適用可能である。例えば、赤外線センサやガスセンサ、フローセンサ、湿度センサ等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る圧力センサの概略断面図である。
【図２】図１の蓋部を省略したＡ矢視平面図である。
【図３】上記実施形態においてリードフレームをカットする前の状態を示す概略平面図である。
【図４】従来のリードフレームの加工例を示す図である。
【図５】リードフレームのうちプレスの打ち抜き加工における固定金型側の面を露出させてインサート成形した樹脂ケースの概略断面構成を示す図である。
【図６】図５に示す構成を成形する方法を示す概略断面図である。
【図７】リードフレームのうちプレスの打ち抜き加工における可動金型側の面を露出させてインサート成形した樹脂ケースの概略断面構成を示す図である。
【図８】従来のセンサ装置の一般的な概略断面構成を示す図である。
【図９】樹脂ケースを成形する際の様子を示す図である。
【図１０】樹脂ケースに生じるバリによるセンサチップの傾きの様子を示す図である。
【図１１】本発明者の試作品を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【符号の説明】
１０…センサチップ、１５…センサチップのパッド、２０…樹脂ケース、２１、２２…チップ搭載面、２３、２４…凹部、４０…リードフレーム、
４１…リードフレームの一面、５０…ワイヤ、６０…回路チップ、
６１…回路チップのパッド、Ｐ１…イジェクタピン。
【図１】
0003888228.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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