(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主鎖が、一般式（Ｉ）
【化１】
0003866637.tif 000013
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれハロゲン原子，炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、Ｚは単結合，炭素数１〜２０のアルキレン基若しくはアルキリデン基，炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ2−又は−ＣＯ−を示し、ｐ及びｑは、それぞれ０〜４の整数、ｎは繰り返し数を示す。）で表される構造を有するとともに、一般式（II)
【化２】
0003866637.tif 000014
（式中、Ｒ3はハロゲン原子，炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基を示し、ｒは０〜５の整数を示す。）で表される末端基を有し、かつその末端基の少なくとも８０モル％が、式（III)
【化３】
0003866637.tif 000015
で表されるものであって、粘度平均分子量が１２，０００〜１５，０００の範囲にあるポリカーボネートからなり、厚さ０．６ｍｍのデジタルビデオディスク基板。
【請求項２】
一般式（II）で表される末端基が、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基又はフェノキシ基である請求項１記載のデジタルビデオディスク基板。
【請求項３】
一般式（II）で表される末端基が、式（III)で表される末端基、又は式（III)で表される末端基とｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基又はフェノキシ基である請求項１記載のデジタルビデオディスク基板。
【請求項４】
一般式（Ｉ）で表される主鎖構造が、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンとホスゲンとの重縮合により形成されたものである請求項１記載のデジタルビデオディスク基板。
【請求項５】
粘度平均分子量が１２，５００〜１４，５００の範囲にある請求項１記載のデジタルビデオディスク基板。
【請求項６】
粘度平均分子量が１２，５００〜１４，５００の範囲にある請求項４記載のデジタルビデオディスク基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明はデジタルビデオディスク基板（ＤＶＤ基板又はデジタルバーサタイルディスク基板ともいう）に関し、さらに詳しくは、成形時の割れが少ない上、複屈折が小さく、かつ転写性に優れるポリカーボネートからなるデジタルビデオディスク基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の光ディスクであるＣＤやＣＤ−ＲＯＭなどの規格は、ディスク径：１２０ｍｍ、ディスク厚：１．２ｍｍ、構造：単板片面である。これに対し、デジタルビデオディスク（ＤＶＤ）の規格は、ディスク径：１２０ｍｍ、ディスク厚：１．２ｍｍ、構造：両面貼せであり、したがって、ディスク基板としては、厚み０．６ｍｍとなる。
このように、ディスク基板の厚みが１．２ｍｍから０．６ｍｍに薄くなると、成形時に破損が生じたり、複屈折が増大するなど、好ましくない事態を招来する。このディスク基板材料としては、透明性，耐熱性，耐衝撃性，耐水性などに優れることから、近年、ポリカーボネートが多用されている。該ディスク基板の成形時の割れを防止するために、基板材料のポリカーボネートの分子量を増加させると、複屈折がさらに増大する。また複屈折を低減するために、超音波成形，多段圧縮成形、高速充填成形などの方法を用いて、デジタルビデオディスク基板を成形する試みがなされているが、これらの成形方法でも、複屈折の低減は充分ではない上、むしろ、通常の成形方法に比べて破損が生じやすいという問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような状況下で、成形時の割れが少ない上、複屈折が小さく、かつ転写性に優れるデジタルビデオディスク基板を提供することを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、成形時の割れが少なく、かつ複屈折の小さいデジタルビデオディスク基板について鋭意研究を重ねた結果、基板材料として、特定の末端構造と分子量を有するポリカーボネートを用いることにより、前記目的を達成しうることを見出した。本発明はかかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、主鎖が、一般式（Ｉ）
【０００５】
【化４】
0003866637.tif 000002
【０００６】
（式中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれハロゲン原子，炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基を示し、それらはたがいに同一でも異なっていてもよく、Ｚは単結合，炭素数１〜２０のアルキレン基若しくはアルキリデン基，炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ２−又は−ＣＯ−を示し、ｐ及びｑは、それぞれ０〜４の整数、ｎは繰り返し数を示す。）
で表される構造を有するとともに、一般式（II)
【０００７】
【化５】
0003866637.tif 000003
【０００８】
（式中、Ｒ3はハロゲン原子，炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基を示し、ｒは０〜５の整数を示す。）
で表される末端基を有し、かつその末端基の少なくとも８０モル％が、式（III)
【０００９】
【化６】
0003866637.tif 000004
【００１０】
で表されるものであって、粘度平均分子量が１２，０００〜１５，０００の範囲にあるポリカーボネートからなり、厚さ０．６ｍｍのデジタルビデオディスク基板を提供するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明のデジタルビデオディスク基板の材料として用いられるポリカーボネートは、主鎖が、一般式（Ｉ）
【００１２】
【化７】
0003866637.tif 000005
【００１３】
で表される構造を有するものである。
上記一般式（Ｉ）において、Ｒ１及びＲ２は、それぞれハロゲン原子，炭素数１〜６のアルキル基又はフェニル基を示す。ここで、ハロゲン原子としては、塩素，臭素，フッ素，ヨウ素原子が挙げられ、炭素数１〜６のアルキル基としては、直鎖状，分岐状，環状のいずれであってもよく、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｔ−ブチル基，アミル基，イソアミル基，ヘキシル基，イソヘキシル基，シクロヘキシル基などが挙げられる。このＲ１及びＲ２は、たがいに同一でも異なっていてもよい。また、Ｒ１が複数ある場合は、複数のＲ１は同一でも異なっていてもよく、Ｒ２が複数ある場合は、複数のＲ２は同一でも異なっていてもよい。ｐ及びｑは、それぞれ０〜４の整数である。そして、Ｚは単結合，炭素数１〜２０のアルキレン基若しくはアルキリデン基，炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン基，−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−，−ＳＯ２−又は−ＣＯ−を示す。ここで、炭素数１〜２０のアルキレン基若しくはアルキリデン基としては、例えばメチレン基，エチレン基，プロピレン基，ブチレン基，ペンチレン基，ヘキシレン基，エチリデン基，イソプロピリデン基などが挙げられ、炭素数５〜２０のシクロアルキレン基若しくはシクロアルキリデン基としては、例えばシクロペンチレン基，シクロヘキシレン基，シクロペンチリデン基，シクロヘキシリデン基などが挙げられる。ｎは繰り返し数を示し、ポリカーボネートの粘度平均分子量が１０，０００〜１７，０００の範囲にあるような数である。
また、このポリカーボネートは、一般式（II）
【００１４】
【化８】
0003866637.tif 000006
【００１５】
で表される末端基を有することが必要である。上記一般式(II)において、Ｒ３はハロゲン原子，炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数６〜２０のアリール基を示す。ここで、ハロゲン原子としては、塩素，臭素，フッ素，ヨウ素原子が挙げられる。炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状，分岐状，環状のいずれであってもよく、例えばメチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，イソプロピル基，ｎ−ブチル基，イソブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，ペンチル基，ヘキシル基，オクチル基，デシル基，ドデシル基，シクロペンチル基，シクロヘキシル基などが挙げられる。一方、炭素数６〜２０のアリール基としては、芳香環上に置換基を有しないものであってもよいし、低級アルキル基などの適当な置換基を有するものであってもよく、例えばフェニル基，トリル基，キシリル基，ナフチル基，メチルナフチル基などが挙げられる。ｒは０〜５の整数を示し、Ｒ３が複数ある場合は、複数のＲ３は同一でも異なっていてもよい。この一般式(II)で表される末端基は一種含まれていてもよく、二種以上含まれていてもよいが、特にｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基及びフェノキシ基、又はこれと後述の式(III) あるいは式（IV) で表される末端基が好適である。また、本発明においては、式(III) で表されるｐ−クミルフェノキシ基あるいは式（IV) で表される４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノキシ基
【００１６】
【化９】
0003866637.tif 000007
【００１７】
が必須末端基として、一般式（II）で表される末端基に対し、少なくとも２５モル％含まれている。この割合が２５モル％未満ではＤＶＤ基板成形時に割れが生じるおそれがある。ＤＶＤ基板成形時の割れを効果的に抑制するには、この一般式（III)で表される末端基あるいは一般式（IV) で表される末端基の好ましい割合は５０〜１００モル％の範囲であり、特に８０〜１００モル％の範囲が好適である。
上記一般式（II）〜（IV）のいずれかで表される末端基の割合の調整方法としては、例えばポリカーボネートの製造時に、末端停止剤として、ｐ−クミルフェノールあるいは４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノール又はこのいずれかと一般式（Ｖ）
【００１８】
【化１０】
0003866637.tif 000008
【００１９】
（式中、Ｒ３及びｒは上記と同じである。）
で表される一価フェノールとの混合物を用いる方法、あるいは、ポリカーボネートの製造時に、末端停止剤として、ｐ−クミルフェノール及び４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノールのいずれかと各々のフェノール以外の上記一般式（Ｖ）で表される一価フェノールとをそれぞれ用い、両末端にｐ−クミルフェノキシ基を有するかあるいは４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノキシ基を有するポリカーボネート及び両末端にｐ−クミルフェノキシ基又は４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノキシ基以外の一般式（II）で表される基を有するポリカーボネートを製造し、それらを混合する方法などを挙げることができる。
さらに、本発明のディスク基板の材料として用いられるポリカーボネートは、粘度平均分子量が１０，０００〜１７，０００の範囲にあることを要する。この粘度平均分子量が１０，０００未満ではＤＶＤ基板成形時に割れが生じるおそれがあり、また１７，０００を超えると得られるＤＶＤ基板の複屈折が増大する。ＤＶＤ基板成形時の割れ防止及びＤＶＤ基板の複屈折などの面から、この粘度平均分子量の好ましい範囲は１２，０００〜１５，０００であり、特に１２，５００〜１４，５００の範囲が好適である。
本発明のＤＶＤ基板の材料として用いられるポリカーボネートの製造方法としては、上記性状を有するポリカーボネートが得られる方法であればよく、特に制限されず様々な方法を用いることができるが、例えば次に示す二つの方法を好ましく用いることができる。
まず、第１の方法は、原料モノマーとして、一般式（VI）
【００２０】
【化１１】
0003866637.tif 000009
【００２１】
（式中、Ｒ１，Ｒ２，Ｚ，ｐ及びｑは前記と同じである。）
で表される二価フェノールを用い、不活性有機溶剤の存在下に、アルカリ水溶液に溶解させた上記二価フェノールとホスゲンとを反応させるに際し、反応前又は反応後に、末端停止剤として、ｐ−クミルフェノールあるいは４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノールと各々のフェノール以外の前記一般式（Ｖ）で表される一価フェノールとを、それぞれ２５〜１００モル％及び７５〜０モル％の割合で加えて、界面重縮合反応を行うことにより、所望のポリカーボネートを得る方法、あるいは一般式（VI）で表される二価フェノールと上記末端停止剤をピリジン又はピリジンと不活性有機溶剤との混合溶媒に溶解し、この溶液にホスゲンを吹込んで反応させ、所望のポリカーボネートを得る方法である。
次に、第２の方法は、末端停止剤として、ｐ−クミルフェノールあるいは４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノールと各々のフェノール以外の一般式（Ｖ）で表される一価フェノールとをそれぞれ用い、上記第１の方法の場合と同様にして、両末端にｐ−クミルフェノキシ基が結合するかあるいは４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノキシ基が結合したポリカーボネート及び両末端に一般式（II) で表される基が結合したポリカーボネートを製造し、これらのポリカーボネートを、ｐ−クミルフェノキシ基あるいは４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノキシ基が２５〜１００モル％で、一般式（II） で表される基が７５〜０モル％になるように混合する方法である。
【００２２】
上記一般式（VI）で表される二価フェノールの例としては、様々なものがあるが、特に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〔ビスフェノールＡ〕が好適である。ビスフェノールＡ以外の二価フェノールとしては、例えばビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン；ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン；ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン；１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン；２−メチル−１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン；２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン；１−エチル−１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン；２，２−−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン；２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン；２，２−ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン；２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン；２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン；１，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン；４−メチル−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘキサン；４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ノナン；１，１０−ビス（４−ヒドロキシフェニル）デカン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン；２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンなどのジヒドロキシジアリールアルカン類、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン；１，１−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン；１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロデカンなどのジヒドロキシジアリールシクロアルカン類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン；ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホン；ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）スルホンなどのジヒドロキシジアリールスルホン類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル；ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）エーテルなどのジヒドロキシジアリールエーテル類、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノン；３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノンなどのジヒドロキシジアリールケトン類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド；ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド；ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィドなどのジヒドロキシジアリールスルフィド類、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシドなどのジヒドロキシジアリールスルホキシド類などが挙げられる。これらの二価フェノールは単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２３】
一方、一般式（Ｖ）で表される一価フェノールとしては、例えばフェノール；ｏ−ｎ−ブチルフェノール；ｍ−ｎ−ブチルフェノール；ｐ−ｎ−ブチルフェノール；ｏ−イソブチルフェノール；ｍ−イソブチルフェノール；ｐ−イソブチルフェノール；ｏ−ｔ−ブチルフェノール；ｍ−ｔ−ブチルフェノール；ｐ−ｔ−ブチルフェノール；ｏ−ｎ−ペンチルフェノール；ｍ−ｎ−ペンチルフェノール；ｐ−ｎ−ペンチルフェノール；ｏ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｍ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｐ−ｎ−ヘキシルフェノール；ｏ−シクロヘキシルフェノール；ｍ−シクロヘキシルフェノール；ｐ−シクロヘキシルフェノール；ｏ−フェニルフェノール；ｍ−フェニルフェノール；ｐ−フェニルフェノール；ｏ−ｎ−ノニルフェノール；ｍ−ｎ−ノニルフェノール；ｐ−ｎ−ノニルフェノール；ｏ−ナフチルフェノール；ｍ−ナフチルフェノール；ｐ−ナフチルフェノール；２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；２，４−ジ−ｔ−ブチルフェノール；３，５−ジ−ｔ−ブチルフェノール；，ｐ−ｔ−アミルフェノールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよいが、これらの中で、特にｐ−ｔ−ブチルフェノール及びフェノールが好適である。
【００２４】
このようにして得られたポリカーボネートには、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により各種添加剤、例えば酸化防止剤，滑剤（離型剤），無機充填剤，難燃剤，着色剤などを適宜配合してもよい。
【００２５】
上記酸化防止剤としては、リン系酸化防止剤が好ましく、例えばトリメチルホスファイト，トリエチルホスファイト，トリブチルホスファイト，トリオクチルホスファイト，トリノニルホスファイト，トリデシルホスファイト，トリオクタデシルホスファイト，ジステアリルペンタエリスチルジホスファイト，トリス（２−クロロエチル）ホスファイト，トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスファイトなどのトリアルキルホスファイト；トリシクロヘキシルホスファイトなどのトリシクロアルキルホスファイト；トリフェニルホスファイト，トリクレジルホスファイト，トリス（エチルフェニル）ホスファイト，トリス（ブチルフェニル）ホスファイト，トリス（ノニルフェニル）ホスファイト，トリス（ヒドロキシフェニル）ホスファイトなどのトリアリールホスファイト；２−エチルヘキシルジフェニルホォスファイトなどのモノアルキルジアリールホスファイト；トリメチルホスフェート，トリエチルホスフェート，トリブチルホスフェート，トリオクチルホスフェート，トリデシルホスフェート，トリオクタデシルホスフェート，ジステアリルペンタエリスリチルジホスフェート，トリス（２−クロロエチル）ホスフェート，トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスフェートなどのトリアルキルホスフェート；トリシクロヘキシルホスフェートなどのトリシクロアルキルホスフェート；トリフェニルホスフェート，トリクレジルホスフェート，トリス（ノニルフェニル）ホスフェート，２−エチルフェニルジフェニルホスフェートなどのトリアリールホスフェートなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２６】
また、滑剤（離型剤）としては、例えばステアリルアルコールや、ステアリン酸モノグリセリド，ペンタエリスリトールステアリン酸エステルなどのステアリン酸エステル、あるいは蜜ろうなどが挙げられる。これらの滑剤は成形時の離型性を向上させる作用を有している。
上記ポリカーボネート及び所望により用いられる各種添加成分からなる成形材料を用い、本発明のＤＶＤ基板を成形する方法としては特に制限はなく、ディスク成形用金型を使用し、射出成形又は圧縮成形する通常の成形法の他に、超音波成形，多段圧縮成形，高速充填成形などの方法も用いることができる。
【００２７】
成形温度は、通常３００〜３９０℃、好ましくは３００〜３４５℃の範囲、金型温度は通常８０〜１２５℃の範囲である。複屈折の低減及び転写性向上のためには、樹脂の流動性を向上させる必要があるが、成形温度が３９０℃、特に３４５℃を超えるとポリカーボネートの劣化が生じ、透明性が低下するおそれがある。ＤＶＤ基板は透明性に優れていることが不可欠である。また、金型温度についても、流動性向上の点からは、高い方が好ましいが、１２５℃を超えると基板の形が崩れるおそれがある。さらに、射出率に関しては１５０ｃｍ３／秒以上、好ましくは２００ｃｍ３／秒以上が有利である。この射出率が１５０ｃｍ３／秒未満では金型内で成形材料が急冷されて流動圧力損失が大きくなり、樹脂の配向性が増加し、その結果、成形品に歪みなどの不良が生じるおそれがある。また、金型の材質としては特に制限はなく、金属，セラミックス，グラファイトなどが用いられる。
【００２８】
このようにして得られた本発明のＤＶＤ基板は再生専用型，追記型，書換え型など各種デジタルビデオディスク（ＤＶＤファミリー）の基板として好適である。本発明のＤＶＤ基板を用いてデジタルビデオディスク基板を製造する方法としては特に制限はなく、通常のコンパンクトディスクの場合と同様の方法を用いることができる。例えば成膜工程により、該基板上に、保護層及び記録層を設け、さらにその上にハードコート層及び必要に応じてオーバーコート層を設けて２枚のディスク単板を作製したのち、一般的な方法、例えばホットメルト型接着剤や粘着シートを用いて貼合し、必要に応じハブ付けを行うことにより、所望のデジタルビデオディスクが得られる。
この際用いられるホットメルト型接着剤としては、例えばエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）系，ポリオレフィン系，合成ゴム系，ポリエステル系，ポリアミド系などが挙げられる。一方、粘着シートの接着剤としては、例えばゴム系，アクリル系，シリコーン系などが挙げられ、またシートの材料としては、例えばポリエステル系，ポリイミド系，ポリウレタン系，ポリオレフィン系などの樹脂シートやアルミ箔などの金属のシートを挙げることができる。
【００２９】
【実施例】
次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
製造例１  ポリカーボネートオリゴマーの調製
５重量％水酸化ナトリウム水溶液４００リットルに、ビスフェノールＡ６０ｋｇを溶解し、ビスフェノールＡの水酸化ナトリウム水溶液を調製した。
次いで、室温に保持したこのビスフェノールＡの水酸化ナトリウム水溶液を、１３８リットル／時間の流量で、またメチレンクロライドを６９リットル／時間の流量で、内径１０ｍｍ，管長１０ｍの管型反応器にオリフィス板を通して導入し、これにホスゲンを並流して１0.７ｋｇ／時間の流量で吹き込み、３時間連続的に反応させた。ここで用いた管型反応器は二重管となっており、ジャケット部分には冷却水を通して反応液の排出温度を２５℃に保った。
また、排出液のｐＨは１０〜１１を示すように調整した。このようにして得られた反応液を静置することにより、水相を分離除去し、メチレンクロライド相（２２０リットル）を採取し、ポリカーボネートオリゴマーを得た。
【００３０】
製造例２  ポリカーボネート樹脂Ａの製造
製造例１で得られたポリカーボネートオリゴマー１０．０リットルに、ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇを溶解させ、これに、水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ：７５ｇ，水：1.０リットル）とトリエチルアミン1.１７ミリリットルを加え、３００ｒｐｍで常温にて３０分間攪拌した。次いで、メチレンクロライド８リットル及びビスフェノールＡの水酸化ナトリウム水溶液（ビスフェノールＡ：６０７ｇ，ＮａＯＨ：３２０ｇ，水：５リットル）を加え、５００ｒｐｍで常温にて１時間攪拌した。
その後、メチレンクロライド５リットル及び水５リットルを加え、５００ｒｐｍで常温にて１０分間攪拌した。攪拌停止後、静置分離し、有機相を得た。この有機相を０．０３規定の水酸化ナトリウム水溶液５リットルでアルカリ洗浄、０．２規定の塩酸５リットルで酸洗浄及び水５リットルで水洗（２回）を順次行ったのち、メチレンクロライドを留去し、フレーク状のポリカーボネート樹脂Ａを得た。
【００３１】
製造例３  ポリカーボネート樹脂Ｂの製造
製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６６．７７ｇの代わりに、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１１８．０ｇを用いた以外は、製造例２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｂを得た。
製造例４  ポリカーボネート樹脂Ｃの製造
製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇの代わりに、フェノール７３．９ｇを用いた以外は、製造例２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｃを得た。
製造例５  ポリカーボネート樹脂Ｄの製造
製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇの代わりに、ｐ−クミルフェノール１４１．７ｇ及びｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１７．７ｇを用いた以外は、製造例２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｄを得た。なお、ｐ−クミルフェノール：ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールモル比は８５：１５である。
【００３２】
製造例６  ポリカーボネート樹脂Ｅの製造
製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇを１８８．４ｇに変更した以外は製造例２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｅを得た。
製造例７  ポリカーボネート樹脂Ｆの製造
製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇの代わりに、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１３３．３ｇを用いた以外は、製造例２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｆを得た。
製造例８  ポリカーボネート樹脂Ｇの製造
製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇの代わりに、ｐ−クミルフェノール５２．４ｇ及びｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール８６．４ｇを用いた以外は、製造例２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｇを得た。なお、ｐ−クミルフェノール：ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールモル比は３０：７０である。
【００３３】
製造例９  ポリカーボネート樹脂Ｈの製造
製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇの代わりに、ｐ−クミルフェノール３４．９ｇ及びｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール９８．８ｇを用いた以外は、製造例２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｈを得た。なお、ｐ−クミルフェノール：ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールモル比は２０：８０である。
製造例１０  ポリカーボネート樹脂Ｉの製造
製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇを１１７．２ｇに変更した以外は製造例２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｉを得た。
製造例１１  ポリカーボネート樹脂Ｊの製造
製造例２において、ｐ−クミルフェノール１６６．７ｇを３６２．０ｇに変更した以外は製造例２と同様にしてポリカーボネート樹脂Ｊを得た。
【００３４】
実施例１〜５及び比較例１〜１０
第１表に示す配合割合で、各成分をドライブレンドし、２３０℃にて押出して、ペレット化した。なお、酸化防止剤としては、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトを、離型剤としては、ステアリン酸モノグリセリドを用いた。得られたペレットの粘度平均分子量（Ｍｖ）を第１表に示す。この粘度平均分子両（Ｍｖ）は、ウベローデ型粘度管にて、２０℃におけるメチレンクロライド溶液の極限粘度〔η〕を測定し、次の関係式より計算した。〔η〕＝1.２３×１０−５・Ｍｖ０．８３
【００３５】
次に、得られたペレットを、成形機：東芝機械社製ＩＳ８０ＥＰＮ，型締力：５０トン，射出率：２５０ｃｍ3／秒，射出圧力：２，６００ｋｇ／ｃｍ2，金型材質：ジュラルミン２０２４，成形温度：３４０℃，金型温度：１１５℃，冷却時間：５秒，キャビティ部：無電解ニッケルメッキの条件で射出成形し、径１２０ｍｍ，厚さ０．６ｍｍのＤＶＤ基板を作成した。各１００枚成形し、割れなかった枚数を第２表に示す。また、成形後、４８時間経過時の成形品の落錘衝撃強度を荷重３．７６ｋｇ，速度１ｍ／秒，受台長径５０ｍｍで測定した。なお、半径１８ｍｍの所の内部を打撃した落錘衝撃強度のエネルギー（Ｊ）を第２表に示す。さらに、実施例１，４〜５及び比較例３〜６のものについて、転写性及び複屈折（Δｎ）を測定した。
【００３６】
ここで、転写性とは、〔成形品の凸部の高さ／金型面の凹部深さ（５μｍ）〕×１００をいい、２０箇所の平均値を用いた。なお、測定はニコン社製メジャースコープＵＭ−３を用いた。結果を第３表に示す。
また、複屈折（Δｎ）の測定は、オーク社製ダブルリフラクションメジャーメントシステムＡＤＲ−２０００を用い、ディスクの中心から３０ｍｍ及び５０ｍｍの円周上の任意の点を選んで測定した。第３表にレターデーションの絶対値（Ｒ＝Δｎ・ｔ）の値を示す。ここで、ｔはディスク厚さ（ｎｍ）である。
【００３７】
【表１】
0003866637.tif 000010
【００３８】
【表２】
0003866637.tif 000011
【００３９】
【表３】
0003866637.tif 000012
【００４０】
【発明の効果】
本発明のデジタルビデオディスク基板は、特定の末端構造を有するポリカーボネートからなるものであって、成形時の割れが少ない上、複屈折が小さく、かつ転写性に優れており、再生専用型，追記型，書換え型などのデジタルビデオディスク（ＤＶＤファミリー）の基板として好適に用いられる。