(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、該絶縁基板の上面に設けられた抵抗体と、該抵抗体の両端部に接続して前記絶縁基板の上面に設けられた一対の電極と、該電極に接続された金属板から成る端子とを備え、前記端子は、底板と、該底板の直交し、隣り合う２つの側縁からそれぞれ上方に折り曲げられた第１脚部、及び第２脚部とを有し、前記第１脚部、及び前記第２脚部は、前記絶縁基板の角部の直交して隣り合う２つの側面に沿って配置されるものとされ、前記絶縁基板の組立時には、前記絶縁基板の直交する２つの側面を前記端子の前記第１脚部、及び前記第２脚部に当接させて、前記絶縁基板を前記端子の底板上に載置して位置決めし、その後、前記第１脚部、及び前記第２脚部の先端部を前記絶縁基板の上面側に間隔を隔てて位置するように折り曲げて、前記第１脚部、及び前記第２脚部の両先端部を、前記絶縁基板上の前記電極に高温半田によって接続するようにしたことを特徴とするチップ型可変抵抗器の製造方法。
【請求項２】
前記高温半田の融点が、２２０度〜３３０度の温度範囲であることを特徴とする請求項１記載のチップ型可変抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ型可変抵抗器の製造方法に関し、特に、半固定型のチップ型可変抵抗器の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のチップ型可変抵抗器について図面を用いて説明する。
図１５は、従来のチップ型可変抵抗器を示す上面図、図１６は、従来のチップ型可変抵抗器を示す断面図、図１７は、従来のチップ型可変抵抗器を示す下面図である。
【０００３】
図１５〜図１７に示すように、絶縁基板３０は、セラミック材から成り、焼成加工され、略矩形に形成され、上面３０ａと、下面３０ｂと、側面３０ｃとを有する。また、略中央部に設けられた太径の孔３０ｄと、一方の端部に設けられた３個の細径の孔３０ｅと、それぞれの孔３０ｅの近傍であって、側面３０ｃに３つの切り欠き部３０ｆとを有している。また、その縦×横×厚さ寸法は、約４ｍｍ×約３．５ｍｍ×約０．８ｍｍの大きさ（体積が約１１．２ｍｍ2）である。
【０００４】
抵抗体３１は、例えば、ガラス成分に金属等を混入して形成されるサーメットペースト、或いはバインダー樹脂にカーボンを混入したカーボンペースト等からなり、絶縁基板３０の上面３０ａに、孔３０ｄを囲むように円弧状に印刷形成されている。
電極３２は、例えば、ガラス、或いは樹脂に銀粉を混入した銀ペースト等からなり、絶縁基板３０の上面３０ａに設けられた抵抗体３１の両端部と、両端部の間とに設けられると共に、それぞれの孔３０ｅを囲むように設けられている。また、抵抗体３１の両端部の間（中央部）に設けられた電極３２は、抵抗体３１の内側で孔３０ｄを囲むように設けられた円環状の導電部（図示せず）と接続されている。
【０００５】
端子３３は、鋼や、銅や、その合金などの金属板から成り、打ち抜き・曲げ加工され、金属メッキされて、一方の端部の下面端子部３３ａと、他方の端部の上面端子部３３ｂとを有している。また、この端子３３は、絶縁基板３０の孔３０ｅに挿通されると共に、下面端子部３３ａは、絶縁基板３０の下面３０ｂ側に平行に折り曲げられ、上面端子部３３ｂは、上面３０ａ、及び切り欠き部３０ｆ内に沿うように折り曲げられている。
【０００６】
摺動子３４は、円柱状の中心軸部３４ａと、中心軸部３４ａの外周面に設けられた摺動子片３４ｂとを有する。この摺動子３４の中心軸部３４ａは、絶縁基板３０の孔３０ｄに上面３０ａ側から下面３０ｂ側に挿通され、中心軸部３４ａの一方の端部は、下面３０ｂ側にカシメ付けられて取り付けられている。この状態で、摺動子３４の摺動子片３４ｂは、抵抗体３１に弾接し、また、摺動子３４は、絶縁基板３０に対して回動自在に保持されている。
【０００７】
半田３５は、一般的な融点（例えば、約１８０度）の半田であって、この半田３５によって、それぞれの電極３２と端子３３の上面端子部３３ｂとが半田接続されている。
【０００８】
次に、従来のチップ型可変抵抗器をプリント配線基板に取り付けた状態について説明する。図１７は、従来のチップ型可変抵抗器をプリント配線基板に取り付けた状態を示す断面図である。
図１７に示すように、プリント配線基板２０は、例えば、ガラス入り合成樹脂材料やセラミック材料などから成り平板状で、プリント配線基板２０の少なくとも一方の面には、所望の導電パターン（図示せず）が形成されている。このプリント配線基板２０の導電パターン（図示せず）上に上述の従来のチップ型可変抵抗器の端子３３の下面端子部３３ａを載置する。
【０００９】
このとき所定の導電パターン上に一般的な融点（例えば、約１８０度）を有するクリーム半田３６を塗布しておき、このクリーム半田３６に接続するようにチップ型可変抵抗器の端子３３の下面端子部３３ａを載置する。
【００１０】
このクリーム半田３６の融点は、端子３３の上面端子部３３ｂと電極３２とが半田付けされている半田３５の融点とほぼ同一の融点を有する半田が用いられている。
この状態で、チップ型可変抵抗器が載置されたプリント配線基板２０をリフロー炉（図示せず：リフロー炉内の温度は、約２２０度）内に配置して、チップ型可変抵抗器の端子３３の下面端子部３３ａとプリント配線基板２０の導電パターンとをクリーム半田３６にて半田接続する。このとき、チップ型可変抵抗器の端子３３の上面端子部３３ｂと電極３２とは、半田３５で、半田接続されていることから、このリフロー炉内の温度では、一度（再び）溶融して流れだし、その後、リフロー炉外に取り出されて、再び半田は固まり、よって、半田接続がされる。
【００１１】
このリフロー炉内の温度は、プリント配線基板上に配置されている集積回路（ＩＣ）やチップ型コンデンサなどの耐熱温度を考慮すると比較的低い温度に設定されることが好ましく、又、一般的に半田融点より約４０〜５０度程度リフロー炉内の温度を高くしないと半田が充分に溶融しないから、この程度の温度に設定されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のチップ型可変抵抗器は、プリント配線基板の導電パターンに端子３３の下面端子部３３ａがクリーム半田３６によって、接続される際に、このクリーム半田３６の融点が、電極３２と端子３３の上面端子部３３ｂとを接続する半田３５の融点とほぼ同一の融点であることからプリント配線基板にチップ型可変抵抗器を電気的、及び機械的に接続する際のリフロー炉による半田付け作業を行うのに、このリフロー炉内にて電極３２と端子３３の上面端子部３３ｂとを接続する半田３５が再び溶融し、この後リフロー炉外にて半田３５が再び固まって半田付けされる。ところで、一般に金属である上面端子部３３ｂの半田に対する濡れ性は、ガラスやバインダー樹脂を含んだ電極３２に較べて良好である。このことから、電極３２と端子３３の上面端子部３３ｂとの半田接続は、最初の半田接続に対して、再度半田が溶融し、多くの半田が面端子部３３ｂに移行した状態で半田接続が行こなわれることになり、特に、この様に小型で接合面積の小さいチップ型可変抵抗器においては、接続が不安定になる可能性が生じるという問題がある。
【００１３】
本発明のチップ型可変抵抗器は、上述の問題点を解決するためのもので、その目的は、プリント配線基板上に半田によって接続されたチップ型可変抵抗器が安定した電気的及び機械的特性を有するチップ型可変抵抗器を提供する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明のチップ型可変抵抗器の製造方法は、絶縁基板と、該絶縁基板の上面に設けられた抵抗体と、該抵抗体の両端部に接続して絶縁基板の上面に設けられた一対の電極と、該電極に接続された金属板から成る端子とを備え、端子は、底板と、該底板の直交し、隣り合う２つの側縁からそれぞれ上方に折り曲げられた第１脚部、及び第２脚部とを有し、第１脚部、及び第２脚部は、絶縁基板の角部の直交して隣り合う２つの側面に沿って配置されるものとされ、絶縁基板の組立時には、絶縁基板の直交する２つの側面を端子の第１脚部、及び第２脚部に当接させて、絶縁基板を端子の底板上に載置して位置決めし、その後、第１脚部、及び第２脚部の先端部を絶縁基板の上面側に間隔を隔てて位置するように折り曲げて、第１脚部、及び第２脚部の両先端部を、絶縁基板上の電極に高温半田によって接続するようにしたことである。
【００１５】
また、本発明のチップ型可変抵抗器の製造方法は、高温半田の融点が、２２０度〜３３０度の温度範囲であることである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を図面を用いて説明する。
図１は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す分解斜視図、図２は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す上面図、図３は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す下面図、図４は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す断面図、図５は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す要部側面図、図６は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す要部上面図、図７は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の絶縁基板を示す上面図、図８は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の絶縁基板を示す下面図、図９は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の絶縁基板を示す側面図、図１０は、図７の１０−１０線における断面図である。
【００１８】
図１〜図１０に示すように、絶縁基板１は、セラミック材から成り、略矩形に焼成加工され、その縦×横×厚さ寸法は、約３．５ｍｍ×約３ｍｍ×約０．８ｍｍの小型の大きさ（体積が約８．４ｍｍ2）で、上面１ａと、下面１ｂと、四方を囲む側面１ｃ１〜１ｃ４と、上面１ａから下面１ｂに貫通する中心部に設けられた円形の孔１ｄとを有している。また、上面１ａの中央部には、孔１ｄを囲むように略円形の凹部１ｅが設けられ、下面１ｂの略中央部には、矩形の浅い溝状の溝部１ｆが設けられ、この溝部１ｆの一方の端部は側面１ｃ１方向が外部に開放している。
【００１９】
また、一方の対向する側面１ｃ１と側面１ｃ３（図２の上下方向）には、幅広の略矩形の切り欠き部１ｈと、幅狭の略矩形の切り欠き部１ｉとがそれぞれ設けられ、他方の対向する側面１ｃ２と側面１ｃ４（図２の左右方向）には、後述する電極３を挟んで、前記切り欠き部１ｉと対向して一対の矩形の切り欠き部１ｊが設けられている。
【００２０】
また、下面１ｂには、前記切り欠き部１ｉ側（図２参照）のそれぞれの角部に一対の矩形の凹部１ｇが設けられ、この凹部１ｇは、下面１ｂから凹んで形成されるとともに、直交して、隣り合う２つの側面１ｃ２と側面１ｃ３、及び側面１ｃ３と側面１ｃ４に繋がって形成され、それらの方向は、外部に開放した状態で形成されている。また、この凹部１ｇと溝部１ｆとの深さ寸法ｔ２は、例えば、約０．２ｍｍである。
この凹部１ｇは、該凹部１ｇの直交して、隣り合う側面１ｃ２、１ｃ３方向（及び側面１ｃ３、１ｃ４方向）が開放されたもので説明したが、これに限定されず、３つの側面方向を開放、或いは、対向する２つの側面方向を開放させた形状としても良い。
【００２１】
抵抗体２は、例えば、ガラス成分にパラジウムやルテニウム等の金属粉を混入したサーメット系のペーストなどから成り、絶縁基板１の上面１ａの凹部１ｅの周囲に略円弧状に印刷等によって形成されている。
電極３は、例えば、ガラス成分に銀粉等を混入したサーメット系の銀ペーストなどから成り、略矩形で、絶縁基板１の上面１ａに設けられ、抵抗体２の両端部にそれぞれ接続し、一対が印刷等によって形成されている。また、この電極３は、直交し、隣り合う絶縁基板１のそれぞれの側面１ｃ２、１ｃ３、及び側面１ｃ３、１ｃ４によって形成される角部の近傍に配置されている。
【００２２】
端子４は、鋼や、銅などの金属板から成り、打ち抜き・折り曲げ加工され、一対の第１端子５と、第２端子６とから構成されている。また、この端子４の厚さ寸法（板厚）ｔ３は、例えば、約０．１５ｍｍである。
【００２３】
そして、第１端子５は、略矩形（四角形）の底板５ａと、底板５ａの直交し、隣り合う２つの側縁からそれぞれ上方に折り曲げられた第１脚部５ｂ、及び第２脚部５ｃと、第１脚部５ｂ、及び第２脚部５ｃの間に底板５ａから外方に突出する突出部５ｄとを有する。また、一方の第１脚部５ｂは、幅広の根元部５ｅと、根元部５ｅから上方に延設され、底板５ａに略平行であるように折り曲げられるようになった根元部５ｅより幅狭の先端部５ｆとを備え、他方の第２脚部５ｃの幅寸法は、根元部から先端部５ｇまで同一の幅寸法に形成され、前記先端部５ｆとほぼ同じ幅で形成されると共に、この先端部５ｇは、底板５ａに略平行であるように折り曲げられている。
【００２４】
そして、第１端子５は、絶縁基板１に取り付けられ、詳しくは、第１端子５の底板５ａは、絶縁基板１の下面１ｂの凹部１ｇに当接して収納され、第１端子５の第１脚部５ｂ、及び第２脚部５ｃは、絶縁基板１の凹部１ｇが設けられている角部の直交して、隣り合う２つの側面１ｃ３、１ｃ２及び側面１ｃ３、１ｃ４に沿って配置され、更に、第１脚部５ｂ、及び第２脚部５ｃの先端部５ｆ、５ｇが、絶縁基板１の上面１ａ側に折り曲げられている。この状態のとき、第１脚部５ｂ、及び第２脚部５ｃの先端部５ｆ、５ｇは、絶縁基板１の上面１ａに設けられている電極３の抵抗体２側の外縁に沿って折り曲げられ、よって、絶縁基板１の角部との間に所定の間隔を隔てて位置する事となるので、電極３には、先端部５ｆ、５ｇによって被われていない比較的大きなエリアが形成されている。また、第１端子５は、第１脚部５ｂ、及び第２脚部５ｃが直交する側面１ｃ３、１ｃ４、及び側面１ｃ２、１ｃ３に当接した状態に配置され、このことから後述するように組み立て時に絶縁基板１の位置決めが容易に出来る。
【００２５】
また、この状態のとき、絶縁基板１の凹部１ｇに当接した第１端子５の底板５ａは、凹部１ｇの深さ寸法ｔ２が、例えば、約０．２ｍｍであり、底板５ａの厚さ寸法（板厚）ｔ３が、例えば、約０．１５ｍｍであることから、絶縁基板１の下面１ｂと底板５ａの下面との間には、約０．０５ｍｍの隙間ｔ１（ｔ１＝ｔ２−ｔ３）が形成されている。即ち、絶縁基板１の凹部１ｇに第１端子５の底板５ａが収納された状態に配置されている。
また、発明者は、この隙間ｔ１について種々の実験を行った結果、隙間ｔ１は、０＜ｔ１≦０．１ｍｍの範囲であれば良いことを確認している。
【００２６】
また、第２端子６は、略長方形の底板６ａと、底板６ａの一方の端部に上方に切り起こされた切り起こし部６ｂと、底板６ａの他方の端部側に上方に絞り加工にて設けられた円筒状の中空軸部６ｃとを有する。
【００２７】
また、第２端子６は、絶縁基板１に取り付けられ、詳しくは、第２端子６の底板６ａは、絶縁基板１の下面１ｂの溝部１ｆに収納されて当接し、中空軸部６ｃは、絶縁基板１の孔１ｄに挿通され、切り起こし部６ｂは、絶縁基板１の側面１ｃ１に設けられた切り欠き部１ｈの内壁に沿って上面１ａ方向に延びた状態で配置されている。
【００２８】
この状態のとき、前記第１端子５と同様に、絶縁基板１の下面１ｂと第２端子６の下面との間には、約０．０５ｍｍの隙間が形成されている。
【００２９】
摺動子７は、ステンレス、銅、その合金などの金属板から成り、打ち抜き・折り曲げて一体加工され、略円盤状に絞り加工にて形成された保持部７ａと、保持部７ａの上方に配置された操作部７ｂと、保持部７ａから延設された略Ｕ字状の摺動部７ｃとを有している。また、保持部７ａの中心部には、円形の孔７ｄ（図４参照）が形成され、操作部７ｂの中心部には、十字状の孔７ｅが形成されている。
【００３０】
この摺動子７の保持部７ａは、絶縁基板１の上面１ａの凹部１ｅ内に配置されると共に、第２端子６の中空軸部６ｃが、絶縁基板１の孔１ｄに挿通された状態で、中空軸部６ｃの先端部が、孔１ｄに挿通されて、保持部７ａの孔７ｄにカシメ付けられ、この状態で、摺動子７は、絶縁基板１に対して回動可能に保持されている。このとき、摺動子７は、第２端子６に接触している。
【００３１】
また、このとき、摺動子７の摺動部７ｃは、絶縁基板１の上面１ａに設けられた抵抗体２に弾接され、摺動子７の回動に対応して、摺動部７ｃが抵抗体２上を摺動するようになっている。
【００３２】
半田９は、一般的な融点（例えば、約１８０度）の半田に比較して、高い融点を有する高温半田であって、その融点は、２２０度〜３３０度の温度範囲である。この半田９は、絶縁基板１の上面１ａに設けられた電極３と、第１端子５の第１脚部５ｂの先端部５ｆ、及び第２脚部５ｃの先端部５ｇとを接続している。このとき電極３の先端部５ｆ、及び先端部５ｇが被わない比較的大きなエリアが、半田付けエリアとなって、この半田付けエリアにて先端部５ｆ、及び先端部５ｇが電極３と半田付けされている。この半田９の融点の温度範囲が、２２０度〜３３０度であるのは、融点があまりに低温であると実装時に再溶隔し不都合を生じる場合があり、また、高温であると半田付けの際に多くの熱を必要とし、その熱が、その周囲の構成部材に悪影響を及ぼす危険があるため、これらが生じないように定めたためである。
【００３３】
次に、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の製造方法について説明する。  図１３は、本発明のチップ型可変抵抗器の製造方法を説明する工程図である。
図１３に示すように、先ず、最初の（Ａ）の工程にて、端子フープ１０に、絞り加工された円筒状の中空軸部６ｃが形成されると共に、送り孔１１が形成される。
【００３４】
そして更に、端子フープ１０に、所定の間隔毎に枠部１２が形成されると共に、一対の第１端子５と第２端子６とが形成され、このとき同時に第２端子６の切り起こし部６ｂが切り起こされて形成されると共に、一対の第１端子５の第１脚部５ｂ、及び第２脚部５ｃが、底板５ａの２つの側縁からそれぞれ上方に折り曲げられる。
【００３５】
ここで、絞り・曲げ・切断工程にて形成された端子フープについて詳細に説明する。
図１１は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の端子の製造工程における端子フープを示す要部平面図、図１２は、図１１の１２−１２線における断面図である。
【００３６】
図１１、図１２に示すように、端子フープ１０は、鋼や、銅などの帯状の金属板から成り、絞り・打ち抜き・曲げ・切断工程によって形成されている。また、端子フープ１０は、複数個連続して形成された略矩形の枠部１２と、枠部１２の板幅方向に対向し、所定の間隔で設けられた送り孔１１とを有する。
【００３７】
また、枠部１２には、送り孔１１の近傍から枠部１２の内方に突出し、枠部１２に繋がる一対の突出部５ｄと、それぞれの突出部５ｄに繋がる略四角形の底板５ａ（第１端子５）と、隣り合う２つの送り孔１１の間から枠部１２の内方に突出し、枠部１２に繋がる第２端子６とが設けられている。また、前記底板５ａには、前述の如く突出部５ｄを挟んで、上方に折り曲げられた第１脚部５ｂ、及び第２脚部５ｃが形成されている。
【００３８】
次に、図１３に示すように、（Ｂ）の載置・カシメ工程にて、別の工程（図示せず）にて製造され、抵抗体２及び電極３が上面に設けられた絶縁基板１からなる半製品を、端子フープ１０の枠部１２に繋がって形成されている第１端子５の底板５ａと第２端子６との上に載置する。このとき、半製品の絶縁基板１の側面１ｃ３、１ｃ２（及び側面１ｃ３、１ｃ４）を第１端子５の第１脚部５ｂ、及び第２脚部５ｃに当接させて、端子フープ１０に対する絶縁基板１の位置決めするような工程となっている。
このとき絶縁基板１の孔１ｄに第２端子６の中空軸部６ｃが挿通されて配置される。
【００３９】
この載置工程の後に、絶縁基板１の上面１ａ側に第１脚部５ｂ、及び第２脚部５ｃのそれぞれの先端部５ｆ、５ｇを折り曲げて、第１端子５と第２端子６とを半製品にカシメ付ける曲げ工程が成される。この曲げ工程にて、第１脚部５ｂ、及び第２脚部５ｃのそれぞれの先端部５ｆ、５ｇは、電極３の抵抗体２との境界近傍の外縁に沿って折り曲げられ、電極３には、比較的大きな半田付けエリアが設けられる。
【００４０】
次に、（Ｃ）の半田付け工程にて、第１端子５の第１脚部５ｂ、及び第２脚部５ｃの先端部５ｆ、５ｇが、電極３に設けられた半田付けエリアにて高温半田にて半田付けされ、第１端子５と電極３とが接続される。
【００４１】
次に、摺動子組み込み・切断工程にて、第１端子５が半田付けされた半製品に摺動子７が組み込まれ、組み込まれた摺動子７は、第２端子６の中空軸部６ｃにカシメ付けられ、半製品と摺動子７と第２端子６とは一体化され、（Ｄ）の単品切断工程にて、第２端子６の切り起こし部６ｂの近傍と、第１端子５の突出部５ｄとを切断して枠体１１から単品としてのチップ型可変抵抗器を分離する。
【００４２】
次に、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器がプリント配線基板に取付けられるチップ型可変抵抗器の取付方法について説明する。
図１４は、本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器がプリント配線基板に取付けられた状態を示す断面図である。
【００４３】
図１４示すように、プリント配線基板２０は、例えば、ガラス入り合成樹脂材料などから成り平板状で、プリント配線基板２０の少なくとも一方の面には、所望の導電パターン（図示せず）が形成されている。このプリント配線基板２０の導電パターン（図示せず）上に上述の本発明のチップ型可変抵抗器を載置する。このとき所定の導電パターン上にクリーム半田１３を塗布しておき、このクリーム半田１３に接続するようにチップ型可変抵抗器の第１端子５と第２端子６とを載置する。
【００４４】
このクリーム半田１３の融点は、例えば、約１８０度のものが用いられ、この約１８０度の融点は、第１端子５が電極３に半田付けされている高温半田（融点が、２２０度〜３３０度）よりも融点が、低い温度の半田が用いられている。
この状態で、チップ型可変抵抗器が載置されたプリント配線基板２０をリフロー炉（図示せず：リフロー炉内の温度は、約２２０度）内に配置して、チップ型可変抵抗器とプリント配線基板２０の導電パターン２１とを半田接続するが、リフロー炉の温度は、半田の融点に対し、約４０〜５０度程度高い温度に設定されていないと半田が溶融しないことが一般に知られている。このチップ型可変抵抗器の第１端子５と電極３とは、高温半田で、半田接続されており、クリーム半田１３の融点より、約４０〜５０度程度高い温度でリフロー炉内の温度が設定されているから、このリフロー炉内の温度では、クリーム半田１３が溶融すると共に、高温半田９は溶融せずに安定した半田接続がされている。
【００４５】
また、このとき、チップ型可変抵抗器の絶縁基板１の下面と第１端子５の底面５ａの下面との間、及び絶縁基板１の下面と第２端子６の下面との間に、それぞれ隙間が形成されており、更に、絶縁基板１の凹部１ｇと、溝部１ｆとの各側面方向が開放されていることから、プリント配線基板２０へのチップ型可変抵抗器の第１、第２端子５、６の半田付けに際して、クリーム半田１３内のフラックス及び溶剤が前記隙間を通って側面方向の開放部分から確実に飛散される。
【００４６】
【発明の効果】
以上のように、本発明のチップ型可変抵抗器の製造方法によれば、端子は、底板と、該底板から絶縁基板の側面に沿って延びる第１の脚部と第２の脚部を有し、第１と第２の脚部の先端部が絶縁基板の上面側に間隔を隔てて位置するように折り曲げられ、第１と第２の脚部の両先端部が、絶縁基板上の電極に高温半田によって接続されていることによって、プリント配線基板へのチップ型可変抵抗器をリフロー炉にて半田付け（クリーム半田）するときに、チップ型可変抵抗器の端子と電極との半田付けが高温半田にて行なわれていることから、この端子と電極との高温半田がリフロー炉内で溶融せずに安定した接続を保つことが出来るチップ型可変抵抗器を提供できる。また、組立時に絶縁基板の位置決めが容易にできる。
【００４７】
また、本発明のチップ型可変抵抗器の製造方法によれば、高温半田の融点が、２２０度〜３３０度の温度範囲であることから、端子と電極との半田付けにおいて、チップ型可変抵抗器を形成する各構成部材への熱による影響が少なく、また、２２０度の高温半田であればリフロー炉内の温度が一般的に考えられる約２２０〜２３０度程度では高温半田は溶けず、よって、安定した電気的、及び機械的特性を有するチップ型可変抵抗器を提供出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す分解斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す上面図である。
【図３】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す下面図である。
【図４】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す要部側面図である。
【図６】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器を示す要部上面図である。
【図７】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の絶縁基板を示す上面図である。
【図８】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の絶縁基板を示す下面図である。
【図９】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の絶縁基板を示す側面図である。
【図１０】本発明の図７の１０−１０線における断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態のチップ型可変抵抗器の端子の製造工程における端子フープを示す要部平面図である。
【図１２】図１１の１２−１２線における断面図である。
【図１３】本発明のチップ型可変抵抗器の製造方法を説明する工程図である。
【図１４】本発明のチップ型可変抵抗器をプリント配線基板に取り付けた状態を示す断面図である。
【図１５】従来のチップ型可変抵抗器を示す上面図である。
【図１６】従来のチップ型可変抵抗器を示す断面図である。
【図１７】従来のチップ型可変抵抗器を示す下面図である。
【図１８】従来のチップ型可変抵抗器をプリント配線基板に取り付けた状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板
１ａ  上面
１ｂ  下面
１ｃ１、１ｃ２、１ｃ３、１ｃ４  側面
１ｇ  凹部
１ｆ  溝部
２  抵抗体
３  電極
４  端子
５  第１端子（端子）
５ａ  底板
５ｂ  第１脚部
５ｃ  第２脚部
５ｄ  突出部
５ｅ  根元部
５ｆ、５ｇ  先端部
６  第２端子（端子）
６ａ  底板
６ｂ  切り起こし部
６ｃ  中空軸部
７  摺動子
７ｃ  摺動部
９  半田（高温半田）
１０  端子フープ
１１  送り孔
１２  枠部
１３  クリーム半田
【図１】
0003967833.tif 000002
【図２】
0003967833.tif 000003
【図３】
0003967833.tif 000004
【図４】
0003967833.tif 000005
【図５】
0003967833.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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