(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ツール本体の下端に直接若しくはツール本体の下端に装着されている接続ブロックの下端にセラミックホルダーを装着すると共に前記セラミックホルダーの下端に接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ及びセラミック圧子を焼結せしめたチップ熱圧着ツールにおいて、前記セラミックホルダーの線膨張係数が、前記接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ及び前記セラミック圧子の線膨張係数と略等しく、かつ、前記セラミック圧子の熱伝導率は、前記接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータから前記セラミック圧子の先端側の加圧面に向うにつれて大きくなり、
前記セラミックホルダーの熱伝導率は、接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータから前記セラミックホルダーの基端側の取付面に向うにつれて小さくなることを特徴とするチップ熱圧着ツール。
【請求項２】
セラミックホルダーがセラミックブロックの積層体で構成されていると共に各セラミックブロック同士が焼結せしめられていることを特徴とする請求項１に記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項３】
セラミックブロックが接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ側からツール本体若しくは接続ブロック側へ向って熱伝導率の大きい順に積層せしめられていることを特徴とする請求項２に記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項４】
セラミック圧子がセラミック板の積層体で構成されていると共に各セラミック板同士が焼結せしめられていることを特徴とする請求項１，２又は３に記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項５】
セラミック板が接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ側からツール先端側（セラミック圧子の加圧面側）へ向って熱伝導率の小さい順に積層せしめられていることを特徴とする請求項４に記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項６】
接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータの発熱部及びセラミック圧子の上端部が、セラミックホルダーの下端面に形成されている取付け用凹部に嵌挿されて焼結せしめられていることを特徴とする請求項１，２，３，４又は５に記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項７】
ツール本体の下端に直接若しくはツール本体の下端に装着されている接続ブロックの下端にセラミックホルダーを装着すると共に前記セラミックホルダーの下端に接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ兼用圧子を焼結せしめたチップ熱圧着ツールにおいて、前記セラミックホルダーの線膨張係数が、前記接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ兼用圧子の線膨張係数と略等しく、かつ、前記セラミックホルダーの熱伝導率は、前記接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ兼用圧子から前記セラミックホルダーの基端側の取付面に向うにつれて小さくなることを特徴とするチップ熱圧着ツール。
【請求項８】
セラミックホルダーがセラミックブロックの積層体で構成されていると共に各セラミックブロック同士が焼結せしめられていることを特徴とする請求項７に記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項９】
セラミックブロックが接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ兼用圧子側からツール本体若しくは接続ブロック側へ向って熱伝導率の大きい順に積層せしめられていることを特徴とする請求項８に記載のチップ熱圧着ツール。
【請求項１０】
請求項１〜９に記載のチップ熱圧着ツールのいずれか一つを備えていることを特徴とするチップ実装装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップ熱圧着ツール及びそれを備えたチップ実装装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶基板等、各種の基板にチップを熱圧着、すなわち、実装する際に用いられるチップ熱圧着ツールは、各種型式のものが公知である。その一つとして、例えば、特開平７−８６３４１号公報において開示されているように、ツール本体の下端にセラミックホルダーを装着すると共に前記セラミックホルダーの下端にセラミックヒータ及びセラミック圧子を装着したチップ熱圧着ツールが挙げられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この種のチップ熱圧着ツールは、セラミックホルダーとセラミックヒータとセラミック圧子との一体化（三者相互間の固着）を、適当な接着剤を用いて行っている関係上、接着剤の塗布厚さの不均一性に起因する熱膨張の相違や接着剤の経時的な劣化等によって、或いは、前記接着剤は一般に熱伝導率が小さい為に、これを挟む二者間に発生する温度差に起因する熱変形歪みによって、セラミック圧子の平行度（加工面と基板又は基板保持ステージとの平行度のこと）又は平面度（加工面の平面度のこと）、以下、かかる平行度又は平面度を単に平行度というが、これが経時的に変化し易くて一定しないといった欠点を有していた。
【０００４】
加えて、ツール本体が金属製である為、ツール本体とセラミックホルダーとをボルト締めによって固着していたが、この箇所の加熱冷却が繰り返されることに起因してボルト締めに緩みが生じたり、或いは、ツール本体の上端部に装着されている平行度調整機構に熱伝導し、これ等の影響によってもセラミック圧子の平行度が変化し易かった。
【０００５】
なお、セラミック圧子の平行度は、特に、ミクロン単位の精度が要求される実装において問題視され、かつ、それが規定内に一定に保たれないと、実装時にチップずれ等が生じて、例えば、それが数μｍ以下といった高精度の実装が困難になる。
【０００６】
そこで、本発明者等は先願（特願平９−２８２６１８）において、セラミックホルダーとセラミックヒータとセラミック圧子とを焼結せしめた熱圧着ツールを提案したが、これにおいては、それらの熱膨張及び熱伝導の影響を考慮していない為に、次々と実装して行くうちに、セラミックホルダー等が夫々異なった状態に熱膨張して歪みが発生すると共に、セラミックヒータからの伝熱によってツール本体も加熱されて同様に歪みが発生し、その為、チップ熱圧着ツールの平行度を規定内に一定に保つことが困難になり易く、従って、高精度の実装を一定して行うことの困難性を有していた。本発明は、このような欠点に鑑み、それを解消すべく鋭意検討の結果、得られたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明に係る熱圧着ツールの一つは、請求項１に記載するように、ツール本体の下端に直接若しくはツール本体の下端に装着されている接続ブロックの下端にセラミックホルダーを装着すると共に前記セラミックホルダーの下端に接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ及びセラミック圧子を焼結せしめたチップ熱圧着ツールにおいて、前記セラミックホルダーの線膨張係数が、前記接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ及び前記セラミック圧子の線膨張係数と略等しく、かつ、前記セラミック圧子の熱伝導率は、前記接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータから前記セラミック圧子の先端側の加圧面に向うにつれて大きくなり、
前記セラミックホルダーの熱伝導率は、接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータから前記セラミックホルダーの基端側の取付面に向うにつれて小さくなることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明に係る熱圧着ツールの他の一つは、請求項７に記載するように、ツール本体の下端に直接若しくはツール本体の下端に装着されている接続ブロックの下端にセラミックホルダーを装着すると共に前記セラミックホルダーの下端に接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ兼用圧子を焼結せしめたチップ熱圧着ツールにおいて、前記セラミックホルダーの線膨張係数が、前記接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ兼用圧子の線膨張係数と略等しく、かつ、前記セラミックホルダーの熱伝導率は、前記接続孔を有したＴ字状のセラミックヒータ兼用圧子から前記セラミックホルダーの基端側の取付面に向うにつれて小さくなることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明に係るチップ実装装置は、請求項１０に記載するように、請求項１〜９に記載のチップ熱圧着ツールのいずれか一つを備えていることを特徴とするものである。
【００１０】
なお、チップ実装装置とは、チップを搭載するマウント装置やチップを接合するボンディング装置に加えて、例えば、基板とチップ、基板と接着剤（ＡＣＦ、ＮＣＦ等）など予め対象物同士が接触（搭載又は仮接着等）されたものを加熱加圧することによって固着又は転写させる装置を包含する広い概念の装置をいう。また、基板保持ステージ側は、加熱式、非加熱式のいずれの形態であってもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
正面図である図１及び図１の左側面図である図２において、チップ熱圧着ツールの下端部分が示されているが、このツールの下端部分は、金属製のツール本体１の下端に直接、セラミックホルダー２（セラミック製のホルダー）が複数のボルト３で固着されていると共に、このホルダー２の下端に、セラミックヒータ４及びセラミック圧子５（セラミック製の圧子）が焼結されている。
【００１２】
なお、セラミック圧子５に温度検出手段３１（例えば、熱電対、放射温度計など）を設けて設定温度に制御可能な形態に設けられている。
【００１３】
すなわち、セラミックヒータ４は、図３において示されているように、発熱部６と端子部７とをＴ字状に配した所定厚さ（例えば、１ｍｍ程度）のパネル体に形成されているが、このヒータ４の発熱部６が、セラミックホルダー２の下端面に形成されている取付け用凹部８に嵌挿されてセラミックホルダー２と焼結されていると共にセラミック圧子５の上端部も、取付け用凹部８に嵌挿されてセラミックホルダー２及びセラミックヒータ４と焼結されている。なお、セラミック圧子５に温度検出手段３１（例えば、熱電対、放射温度計など）を装着して設定温度に制御可能に設けている。
【００１４】
また、前記焼結は、窒化けい素粉、窒化アルミニウム粉又は窒化ほう素粉等が混入されているバインダーを各部の接触面に塗布した状態で数千気圧下、１７００℃〜１８００℃に加熱して行うことができ、かつ、これにより、セラミックホルダー２とセラミックヒータ４とセラミック圧子５とを一体化させることができるが、その際、セラミックヒータ４の発熱部６及びセラミック圧子５の上端部が取付け用凹部８に嵌挿されているので、位置ずれを生じさせないで強固に接合することができる。
【００１５】
また、セラミックヒータ４は、図３及び図４（発熱部６の縦断面図）において示されているように、電気絶縁材であるセラミック材１０で発熱体９を被覆して構成され、その端子部７から発熱体９の端子１１を突出せしめていると共に発熱部６に接続孔１２を貫通せしめており、そして、この接続孔１２は、図１において示されているように、セラミック圧子５に貫通せしめられているチップ吸着孔１３とセラミックホルダー２に貫通せしめられている接続孔１４とに接続されている。
【００１６】
なお、セラミックホルダー２、セラミックヒータ４のセラミック材１０及びセラミック圧子５は、窒化けい素に所定量のガラスなどが添加された材で構成され、かつ、セラミックホルダー２の線膨張係数は、セラミックヒータ４及びセラミック圧子５の線膨張係数と同等若しくは略等しく、しかも、それらの熱伝導率は、セラミックヒータ４を基点としてセラミック圧子５の加圧面側（チップ吸着孔１３が開口されている面側）へ向う程大きいと共にそれと反対側のセラミックホルダー２の取付面側へ向う程小さくなるように設けている。
【００１７】
より具体的には、セラミックホルダー２、セラミックヒータ４及びセラミック圧子５の線膨張係数は、２．５〜３．０（×１０-6）／℃であると共に、セラミック圧子５の熱伝導率は、８４Ｗ／ｍ・Ｋ、セラミックホルダー２のそれは、１７〜８４Ｗ／ｍ・Ｋである。
【００１８】
なお、上述のようにセラミックヒータとセラミック圧子とを別体にしないで、それらを一体に構成したセラミックヒータ兼用圧子を装着する場合においては、両者の線膨張係数は、同一又は略同一に設けられると共に熱伝導率は、セラミックホルダー取付部方向へ向う程、小さくなるように設けられる。
【００１９】
また、セラミック材は、周知のように、窒化けい素等（主成分）及びガラスなど（添加物）を組成分とするが、ガラスの混入量によって熱伝導率が異なっているので、所定の熱伝導率のものを選択することができる。
【００２０】
また、図１においては、接続孔１４の上端が示されていないが、接続孔１４は、ツール本体１に貫通せしめられている接続孔１５に接続されている。このように、接続孔１２と１４と１５とでチップ吸着孔１３に連通される吸気通路１６を形成している。その為、ツール本体１に装着されている耐圧ホース１７を経て吸気することによりチップ吸着孔１３から吸気することができ、従って、セラミック圧子５でチップ（図示されていない）を吸着保持することができる。
【００２１】
また、セラミックホルダー２に、長穴状の複数の冷却スリット１８と第１エアー吹出し通路１９と接続孔２０（図５参照）とが貫通せしめられているが、第１エアー吹出し通路１９は、セラミックヒータ４の発熱部６の上端面上に形成され、かつ、図１において、その左右両端が開口せしめられている。
【００２２】
また、接続孔２０は、第１エアー吹出し通路１９とツール本体１に貫通せしめられている接続孔２１（図５参照）とに接続されている。このように、接続孔２０と２１とで第１エアー吹出し通路１９に連通される第１エアー供給通路２２を形成している。
【００２３】
また、第１エアー供給通路２２は、図６において示されているように一対設けられている。その為、ツール本体１に装着されている耐圧ホース２３（図５参照）を経てエアーを供給することにより、図１において、第１エアー吹出し通路１９の左右両端の開口からエアーを吹き出すことができる。
【００２４】
よって、セラミックヒータ４の発熱部６から発せられる熱が、かかるエアーによって奪われ、従って、セラミックヒータ４及びセラミック圧子５を急速に冷却することができると共にセラミックホルダー２に過度に熱伝導するのを防止することができ、しかも、冷却スリット１８によって、加熱されたセラミックホルダー２を冷却して、セラミックホルダー２と金属製のツール本体１との接合部が過度に加熱されるのを防止することができる。
【００２５】
更に、図２において示されているように、セラミックホルダー２の上端面に一対の第２エアー吹出し通路２４が設けられているが、この第２エアー吹出し２４は、同図において、前後両端が開口せしめられ、かつ、これに、ツール本体１に貫通せしめられている第２エアー供給通路２５が連通せしめられているので、ツール本体１に装着されている耐圧ホース２６を経てエアーを供給することにより、図２において、第２エアー吹出し通路２４の前後両端の開口からエアーを吹き出すことができて、セラミックホルダー２と金属製のツール本体１との接合部を強制的に冷却することができる。
【００２６】
このように、本発明に係るチップ熱圧着ツールの一つは、線膨張率の低い金属製のツール本体１の下端に直接、装着されたセラミックホルダー２とセラミックヒータ４とセラミック圧子５とを焼結すると共に、セラミックホルダー２の線膨張係数は、セラミックヒータ４及びセラミック圧子５の線膨張係数と同等若しくは略等しく、しかも、それらの熱伝導率は、セラミックヒータ４を基点としてセラミック圧子５の加圧面側（チップ吸着孔１３が開口されている面側）へ向う程大きいと共にそれと反対側のセラミックホルダー２の取付面側へ向う程小さくなるように設けている。
【００２７】
また、セラミックヒータとセラミック圧子とを一体にした形態のセラミックヒータ兼用圧子を装着する場合においては、両者（上側のヒータ部分とその下側の圧子部分）の線膨張係数は、同一又は略同一に設けられると共に熱伝導率は、セラミックホルダー取付部方向へ向う程、小さくなるように設けている。
【００２８】
その為、このチップ熱圧着ツールを備えたボンディング装置によって次々と熱圧着（実装）を行っても、セラミック圧子５の平行度を長期間にわたって規定内に保つことがことができ、従って、高精度の実装を一定して行うことができる。
【００２９】
図示されていないが、チップ実装装置は、水平面内において移動し得るように装着されている基板保持ステージで液晶基板等の基板を支持すると共に、かかるステージの移動制御若しくは移動回転制御によって基板の実装箇所を、それの上方に装着されているチップ熱圧着ツールが吸着保持しているチップに対して精密に位置合わせせしめ、次いで、チップ吸着孔１３を介してチップを吸着保持しているチップ熱圧着ツールを降下させて基板保持ステージ上の前記基板に熱圧着（実装）することができるように構成されている。
【００３０】
なお、上記基板保持ステージは、ＸＹ方向若しくはＸＹθ方向に移動制御可能な可動テーブル上に装着されていると共にチップ熱圧着ツールは、水平方向には移動し得ないが、垂直に上下動し得るように装着される。しかし、これ以外の形態に設けてもよい。例えば、チップ熱圧着ツールを回転させ得るように装着したり或いは水平方向へ移動し得るように装着したりしてもよい。
【００３１】
また、チップ熱圧着ツールに関し、吸気通路１６及びチップ吸着孔１３を設けていないものであってもよいが、温度制御の高速応答が図れるので、それらを設ける方が好ましい。また、セラミックホルダー２、セラミックヒータ４及びセラミック圧子５は、アルミナ、ジルコニアのような酸化物系セラミックや、窒化アルミニウム、窒化ほう素、窒化けい素のような非酸化物系セラミックのいずれを用いて構成してもよいが、好ましくは、セラミック圧子５は、前者に比して熱伝導率を調整できる後者が用いられる。
【００３２】
また、ツール本体１に対してセラミックホルダー２を、適当な接着剤を用いて固着してもよいが、セラミックヒータ４が損傷した場合等において交換することができるようにボルト締めにより装着するのが好ましく、更には、その他のクランプ機構であってもよい。
【００３３】
また、冷却スリット１８は、貫通せしめられるのが好ましいが、貫通させないで所定深さに設けてもよく、かつ、その個数は必要に応じて所定個数が選択されると共に、その形状も必要に応じて所定形状に設けられる。
【００３４】
以上、金属製のツール本体１の下端に直接、セラミックホルダー２を装着した場合の形態について述べたが、本発明においては、図７〜９において示されているように、金属製のツール本体１の下端に金属製の接続ブロック３０を装着し、そして、この接続ブロック３０の下端にセラミックホルダー２を装着すると共にセラミックホルダー２とセラミックヒータ４とセラミック圧子５とを焼結してもよい。
【００３５】
なお、図７は正面図、図８，９は図７の左側面図であるが、これらの図において示されているように、接続ブロック３０には、吸気通路１６ａを形成する為の接続孔１５ａが貫通せしめられていると共に、第２エアー供給通路２５ａ及び第１エアー供給通路２２ａを形成する為の接続孔２１ａが貫通せしめられ、そして、第１エアー供給通路２２ａは、図６において示されている上述の
第１エアー供給通路２２と同様に、図９において前後方向に所定間隔に一対設けられ、更に、耐圧ホース１７ａ、２３ａ、２６ａが装着されている。
【００３６】
よって、金属製のツール本体１の下端に接続ブロック３０を装着したチップ熱圧着ツールにおいても、金属製のツール本体１の下端に直接、セラミックホルダー２を装着したチップ熱圧着ツールと同様に、セラミックヒータ４の発熱部６からセラミックホルダー２への熱伝導を抑制することができる。
【００３７】
従って、セラミックホルダー２の温度昇降の大きさを小さくすることができることにより、歪みが発生しないので、ボルトの緩みも無くなると共に、平行調整機能を有したツール本体の熱膨張による伸び、平行度の狂い（歪み）を無くすることができる。
【００３８】
なお、図示されていないが、接続ブロック３０は、ボルト締めによって金属製のツール本体１の下端に装着されている。また、セラミック圧子５に、測温用の熱電対３１（図２，８参照）が装着されていると共に、ツール本体１は、図示されていないＸＹＺ方向に移動制御可能な可動テーブルを介して三軸方向へ移動し得るように装着されている。
【００３９】
しかし、これ以外の、例えば、Ｚ軸方向だけに移動、或いはそれらに加えて所定角度θに回転し得るように装着してもよく、更に、第１，２エアー供給通路２２（又は２２ａ），２５（又は２５ａ）から第１，２エアー吹出し通路１９，２４に供給されるエアーについても、常温エアー、冷却エアーのいずれであってもよい。
【００４０】
また、セラミックホルダー２に関し、上述のような一体型（図１〜９において示されているような型）に代えて、積層型に設けてもよい。図１０，１１において、二層型のものが示されているが、このホルダー２は、下側のセラミックブロック２ａと上側のセラミックブロック２ｂとを焼結せしめて形成されている。
【００４１】
なお、両ブロック２ａ，２ｂは、その熱膨張係数が略同一であるが、その熱伝導率は、上側のセラミックブロック２ｂの熱伝導率の方が、下側のセラミックブロック２ａのそれよりも小さい。このように、二個以上の、すなわち、複数のセラミックブロックをセラミックヒータ側からセラミックホルダー取付部に向って熱伝導率の大きい順に積層して形成（熱伝導率が大きなセラミックブロックの上に、それよりも熱伝導率が小さいセラミックブロックを順に積層して形成）してもよい。
【００４２】
このように、セラミックホルダー２を積層型に設けることにより、ホルダー自身及び平行調整機能を有したツール本体１に温度上昇による歪みが発生するのを、より効果的に防止することができ、従って、チップ熱圧着ツールの平行度が短期間で規定外に変化するのを防止することができる。
【００４３】
また、上述の図１０、１１において示されているセラミックブロック２ａ，２ｂでは、平面的に積層しているが、凹凸形にして組み合わせた形態であってもよい。更に積層が増えても同様である。
【００４４】
すなわち、セラミックホルダー２が、前記一体型（非積層型）及び前記積層型のいずれであっても、セラミックヒータ４部分は高温（例えば、２５０℃）であると共にツール本体１の下端部分は低温（例えば、３０℃〜５０℃）である。しかし、前記一体型においては、セラミックホルダー２の中間部分で急激に温度が下がる為に、その温度差による熱変形歪みが発生し易いのに対し、前記積層型においては、そのように熱伝導を妨げる部分がなく急激に温度が下がらず緩やかに下がる故、歪みが発生し難く、従って、これの方が有利である。
【００４５】
また、セラミック圧子も、セラミックヒータ側からツール先端側（セラミック圧子の加圧面側）に向って熱伝導率の小さい順にセラミック板を積層し、かつ、線膨張係数を同一又は略同一にすることにより、熱による歪み、伸びの影響を無くすことができる。
【００４６】
以上からして明らかのように、本発明に係るチップ熱圧着ツールの構成形態としては、（１）セラミックホルダーとセラミックヒータ兼用圧子との組み合わせと、（２）二層以上のセラミックブロック積層型ホルダーとセラミックヒータ兼用圧子との組み合わせと、（３）セラミックホルダーとセラミックヒータとセラミック圧子との組み合わせと、（４）二層以上のセラミックブロック積層型ホルダーとセラミックヒータとセラミック圧子との組み合わせと、（５）セラミックホルダーとセラミックヒータと二層以上のセラミック板積層型圧子との組み合わせと、（６）二層以上のセラミックブロック積層型ホルダーとセラミックヒータと二層以上のセラミック板積層型圧子との組み合わせ等が挙げられる。
【００４７】
なお、セラミックホルダーとセラミックヒータとセラミック圧子との組み合わせ全体の熱伝導率の理想バランスとしては、セラミック圧子の加圧面からセラミックホルダー取付部方向へ向って熱伝導率が小さくなるように設ける方が好ましいが、セラミックヒータは発熱源である為、前記熱伝導率のバランスから外れ出た場合においても本効果は得られ、かつ、かかる本効果は、セラミックホルダー、セラミック圧子夫々を積層型に設けた場合、及び、セラミックホルダーとセラミックヒータとを個別に設けないで、それに代えて、セラミックヒータ兼用圧子を設けても同じである。
【００４８】
また、セラミックヒータ及びセラミック圧子は、焼結によって固着せしめる場合のみならず、必要に応じて、取り外し可能な形態に装着、例えば、吸着方法、静電気方法、メカクランプ方法等によって装着してもよい。なお、温度検出手段３１はセラミックヒータ４又はセラミックホルダー２に装着してもよいが、チップ吸着位置に最も近い箇所に装着するのが好ましい。
【００４９】
また、セラミックホルダー、セラミックヒータ及びセラミック圧子は、基板保持ステージ側に設けることもあるが、この場合、基板保持ステージに装着されたセラミックホルダーの上端にそれらを焼結したり、或いは、取り外し可能な形態に装着、例えば、吸着方法、静電気方法、メカクランプ方法等によって装着したり、更には、重力のみで保持せしめる場合もある。
【００５０】
また、本発明におけるチップとは、例えば、半導体チップ、ＩＣチップ、光素子、ウエハなど、その種類や大きさに関係なく、基板に対して搭載又は接合させようとする実装対象物をいう。
【００５１】
更に、基板とは、例えば、樹脂基板、ガラス基板、フィルム基板、チップ、ウエハなど、上記チップが搭載又は接合せしめられる方の実装対象物をいう。
【００５２】
【発明の効果】
上述のように、本発明によると、セラミックホルダー、セラミックヒータ、セラミック圧子等の省スペース中で、ツール本体とセラミックホルダーの取付部へ熱を伝えにくいように構成したことにより、平行調整機能を有したツール本体の熱膨張による伸び、平行度の狂い（歪み）を無くすることができる。
【００５３】
また、セラミックホルダーは、セラミックヒータ側からセラミックホルダ取付部に向って熱伝導を徐々に低下するように焼結により構成し、かつ、線膨張係数を同一又は略同一にするような積層構造にすることにより、隣り合う積層間では温度差を小さくすることができる（急激に熱を落とすのではなく徐々に落とすことができる）為、セラミック圧子、セラミックヒータ、セラミックホルダー、ツール本体の熱変形を押さえることができる。
【００５４】
従って、この積層構造により、熱は、チップ加圧側へは伝え易く、平行調整機能を有したツール本体側には伝え難く、線膨張係数は同一又は略同一である為、熱が要因となる問題を無くすことができ、高精度な実装を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】チップ熱圧着ツールの下端部分の正面図である。
【図２】図１の左側面図である。
【図３】セラミックヒータの斜視図である。
【図４】セラミックヒータの発熱部の縦断面図である。
【図５】図１の左側面図である。
【図６】チップ熱圧着ツールの下端部分の正面図である。
【図７】チップ熱圧着ツールの下端部分の正面図である。
【図８】図７の左側面図である。
【図９】図７の左側面図である。
【図１０】他の例に係るチップ熱圧着ツールの正面図である。
【図１１】図１０の左側面図である。
【符号の説明】
１：ツール本体
２：セラミックホルダー
４：セラミックヒータ
５：セラミック圧子
６：発熱部
８：取付け用凹部
１３：チップ吸着孔
３０：接続ブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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