(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空引き可能になされた処理容器内の載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器の天井部に設けたシャワーヘッド部から処理ガスを供給して前記被処理体に所定の処理を施す処理装置において、前記処理装置に用いるアルミニウム製の金属部材の表面は、有機機械化学研磨処理とブラスト処理とアルマイト処理が順次施されて、前記金属部材の加工時に生じた切削跡が除去されて表面が滑らかになされていることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記有機機械化学研磨では、前記有機溶媒と研磨砥粒との混合物を用いてバフ研磨を行なうことを特徴とする請求項１記載の処理装置。
【請求項３】
前記有機溶媒はアルコールであることを特徴とする請求項２記載の処理装置。
【請求項４】
前記アルマイト処理では、約７０００Å以下の厚さのアルミナ層が形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の処理装置。
【請求項５】
前記アルミニウム製の金属部品は、前記処理容器及び前記シャワーヘッド部の内の少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の処理装置。
【請求項６】
前記所定の処理は、成膜処理であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の処理装置。
【請求項７】
真空引き可能になされた処理容器内の載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器の天井部に設けたシャワーヘッド部から処理ガスを供給して前記被処理体に所定の処理を施す処理装置に用いるアルミニウム製の金属部材の表面処理方法において、
前記金属部材の表面に、有機機械化学研磨処理を施す工程と、
前記有機機械化学研磨処理が施された前記金属部材の表面にブラスト処理を施す工程と、
前記ブラスト処理が施された前記金属部材の表面に約７０００Å以下の厚さのアルマイト処理を施す工程とを有し、
前記有機機械化学研磨処理を施す工程と前記ブラスト処理を施す工程とで前記金属部材の加工時に生じた切削跡が除去されて表面が滑らかになされていることを特徴とする金属部材の表面処理方法。
【請求項８】
前記有機機械化学研磨では、前記有機溶媒と研磨砥粒との混合物を用いてバフ研磨を行なうことを特徴とする請求項７記載の金属部材の表面処理方法。
【請求項９】
前記有機溶媒はアルコールであることを特徴とする請求項８記載の金属部材の表面処理方法。
【請求項１０】
前記アルミニウム製の金属部品は、前記処理容器及び前記シャワーヘッド部の内の少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の金属部材の表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハ等の被処理体に成膜処理等を施す処理装置及び金属部品の表面処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路の製造工程においては、被処理体である半導体ウエハ表面に配線パターンを形成するために或いは配線間等の凹部を埋め込むためにＷ（タングステン）、ＷＳｉ（タングステンシリサイド）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトライド）、ＴｉＳｉ（チタンシリサイド）等の金属或いは金属化合物を堆積させて薄膜を形成することが行なわれている。
【０００３】
この種の金属薄膜の形成方法には、３つの方式、例えばＨ2 （水素）還元法、ＳｉＨ4 （シラン）還元法、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ジクロルシラン）還元法などが知られており、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 還元法は配線パターンを形成するために例えば還元ガスとしてジクロルシランを用いて６００℃程度の高温下にてＷやＷＳｉ（タングステンシリサイド）膜を形成する方法であり、ＳｉＨ4 還元法は、同じく配線パターンを形成するために、例えば還元ガスとしてシランを用いて先程よりも低い４５０℃程度の低温下にてＷやＷＳｉ膜を形成する方法である。
【０００４】
また、Ｈ2 還元法は、配線間の凹部のようなウエハ表面上の穴埋めのために、例えば還元ガスとして水素を用いて３５０〜４５０℃程度の温度下でＷ膜を堆積させる方法である。
上記の場合、いずれも例えばＷＦ6（六フッ化タングステン）が使用される。 このような金属薄膜を形成する一般的な成膜装置は図８に示されており、例えばアルミニウム等により筒体状に成形された処理容器２内には、例えば薄いカーボン素材或いはアルミ化合物により成形された載置台４が設けられており、この下方には、石英製の透過窓６を介してハロゲンランプ等の加熱手段８を配置している。そして、半導体ウエハＷは、載置台４上に載置され、このウエハＷの周縁部は、昇降可能になされた例えば略リング状のクランプリング１０により押さえ込まれて載置台４上に固定される。この載置台４に対向させて例えばアルミニウム製のシャワーヘッド部１２を設けており、この下面には略均等に分布させて多数のガス噴射孔１３を形成している。また、一般的には上記アルミニウム製の処理容器２やシャワーヘッド部１２の内壁面、すなわち反応室側に接する面は、耐腐食性を向上させるためにアルマイト処理が施されている。
【０００５】
そして、加熱手段８からの熱線は透過窓６を透過して載置台４に至り、これを加熱し、この上に配置されている半導体ウエハＷを所定の温度に間接的に加熱維持する。これと同時に、載置台４の上方に設けたシャワーヘッド部１２のガス噴射孔１３からはプロセスガスとして例えばＷＦ6やＨ2 等がウエハ表面上に均等 に供給され、ウエハ表面上にＷ等の金属膜が形成されることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体ウエハに対する各種の処理においては、歩留り低下の原因となる微細なパーティクルが処理容器内に発生することを極力避ける必要がある。そして、例えば成膜処理にあっては、目的とするウエハ面上に膜が付着形成されるのみならず、処理容器２やシャワーヘッド部１２の内壁面にも不要な膜が付着することは避けられない。これらの不要な膜は、ウエハの処理枚数が増加するに従って増大して、ある一定の厚さになると壁面より剥がれ落ち、パーティクルの発生原因となる。
【０００７】
このため、一般的にはある程度、例えば１０００〜３０００枚程度の枚数のウエハの処理を行なったならば、ウエットクリーニング、或いはＣｌＦ3 ガス等を用いたドライクリーニングを行なって不要な付着膜の除去を行なわなければならない。スループットを向上させる上から、このようなクリーニング操作を行なうインターバルはできるだけ長い方がよいが、膜種にもよるが現状では上述のようにウエハ数が１０００〜３０００枚程度が限界である。
特に、膜種として金属タングステン膜を成膜する場合には、成膜ガスであるＷＦ6 ガスのフッ素がウエハ下地膜の例えばＴｉＮ膜をアタックしてＴｉＦ化合物のようなものを飛散させ、これが水分やタングステンと反応して青色のＷ・Ｔｉ・Ｆ・Ｏ複合化合物がシャワーヘッド部１２の内壁面や処理容器２の内壁面に付着し、これが核となって不要なタングステン膜の堆積を助長しており、クリーニングのインターバルを短くする原因となっていた。
【０００８】
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、処理容器も含めて金属部材の表面を特殊処理することにより、不要な膜が付着し難く、且つ剥がれ難くてクリーニングのインターバルを長くすることができると共にパーティクルの発生を抑制することができる処理装置及び金属部品の表面処理方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
一般に、スループットを向上させるために従来種々のクリーニング方法が提案されているが、本発明者等は、不要な膜が付着する付着面に注目し、膜が成膜し難い条件を見い出すことによって、本発明に至ったものである。
請求項１に規定する発明は、真空引き可能になされた処理容器内の載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器の天井部に設けたシャワーヘッド部から処理ガスを供給して前記被処理体に所定の処理を施す処理装置において、前記処理装置に用いるアルミニウム製の金属部材の表面は、有機機械化学研磨処理とブラスト処理とアルマイト処理が順次施されて、前記金属部材の加工時に生じた切削跡が除去されて表面が滑らかになされているように構成したものである。
【００１０】
このように、処理装置のアルミニウム製の金属部材の表面を処理しておくことにより、所定の処理、例えば成膜等の処理を行なった時に、処理室に臨む金属部材の壁面には不要な膜が付着し難くなり、しかも付着しても膜が剥がれ難くなるので、クリーニング操作のインターバルを長くしてスループットを向上できるのみならず、パーティクルの発生を抑制できる。
請求項２に規定するように、前記有機機械化学研磨では、前記有機溶媒と研磨砥粒との混合物を用いてバフ研磨を行なう。
請求項３に規定するように、前記有機溶媒はアルコールである。
請求項４に規定するように、前記アルマイト処理では、約７０００Å以下の厚さのアルミナ層が形成される。
請求項５に規定するように、例えば前記アルミニウム製の金属部品は、前記処理容器及び前記シャワーヘッド部の内の少なくともいずれか一方である。
請求項６に規定するように、例えば前記所定の処理は、成膜処理である。
請求項７に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器内の載置台上に被処理体を載置し、前記処理容器の天井部に設けたシャワーヘッド部から処理ガスを供給して前記被処理体に所定の処理を施す処理装置に用いるアルミニウム製の金属部材の表面処理方法において、前記金属部材の表面に、有機機械化学研磨処理を施す工程と、前記有機機械化学研磨処理が施された前記金属部材の表面にブラスト処理を施す工程と、前記ブラスト処理が施された前記金属部材の表面に約７０００Å以下の厚さのアルマイト処理を施す工程とを有し、前記有機機械化学研磨処理を施す工程と前記ブラスト処理を施す工程とで前記金属部材の加工時に生じた切削跡が除去されて表面が滑らかになされていることを特徴とする金属部材の表面処理方法である。
請求項８に規定するように、前記有機機械化学研磨では、前記有機溶媒と研磨砥粒との混合物を用いてバフ研磨を行なう。
請求項９に規定するように、前記有機溶媒はアルコールである。
請求項１０に規定するように、前記アルミニウム製の金属部品は、前記処理容器及び前記シャワーヘッド部の内の少なくともいずれか一方である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る処理装置及び金属部品の表面処理方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る処理装置を示す断面構成図、図２は図１に示す装置のシャワーヘッド部を示す下面図、図３はアルミニウム製の金属材料の表面処理の工程を説明する説明図、図４はアルミニウム製の金属部材の表面を模式的に示す図である。
本実施例では、処理装置として成膜処理装置を例にとって説明する。この成膜処理装置１４には、例えばアルミニウム等により円筒状或いは箱状に成形された処理容器１６を有しており、この処理容器１６内には、処理容器底部より起立させた円筒状のリフレクタ１８上に、例えば断面Ｌ字状の保持部材２０を介して被処理体としての半導体ウエハＷを載置するための載置台２２が設けられている。このリフレクタ１８及び保持部材２０は、熱線透過性の材料、例えば石英により構成されており、また、載置台２２は、厚さ１ｍｍ程度の例えばカーボン素材、ＡｌＮなどのアルミ化合物等により構成されている。
【００１２】
この載置台２２の下方には、複数本、例えば３本のリフタピン２４が支持部材２６に対して上方へ起立させて設けられており、この支持部材２６を処理容器底部に貫通して設けられた押し上げ棒２８により上下動させることにより、上記リフタピン２４を載置台２２に貫通させて設けたリフタピン穴３０に挿通させてウエハＷを持ち上げ得るようになっている。
【００１３】
上記押し上げ棒２８の下端は、処理容器１６において内部の気密状態を保持するために伸縮可能なベローズ３２を介してアクチュエータ３４に接続されている。上記載置台２２の周縁部には、ウエハＷの周縁部を保持してこれを載置台２２側へ固定するために、例えばウエハの輪郭形状に沿った略リング状のセラミック製クランプリング３８が設けられている。このクランプリング３８は、上記保持部材２０を遊嵌状態で貫通した支持棒４０を介して上記支持部材２６に連結されており、リフタピン２４と一体的に昇降するようになっている。ここで保持部材２０と支持部材２６との間の支持棒４０にはコイルバネ４２が介設されており、クランプリング３８等の降下を助け、且つウエハのクランプを確実ならしめている。これらのリフタピン２４、支持部材２６及び保持部材２０も石英等の熱線透過部材により構成されている。
【００１４】
また、載置台２２の直下の処理容器底部には、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓４４が気密に設けられており、この下方には、透過窓４４を囲むように箱状の加熱室４６が設けられている。この加熱室４６内には加熱部として複数個の加熱ランプ４８が反射鏡も兼ねる回転台５０に取り付けられており、この回転台５０は、回転軸を介して加熱室４６の底部に設けた回転モータ５４により回転される。従って、この加熱ランプ４８より放出された熱線は、透過窓４４を透過して載置台２２の下面を照射してこれを加熱し得るようになっている。尚、加熱手段として加熱ランプ４８に替えて、抵抗加熱ヒータを設けるようにしてもよい。
【００１５】
また、載置台２２の外周側には、多数の整流孔６０を有するリング状の整流板６２が、上下方向に環状に成形された支持コラム６４により支持させて設けられている。整流板６２の内周側には、クランプリング３８の外周部と接触してこの下方にガスが流れないようにするリング状の石英製アタッチメント６６が設けられる。整流板６２の下方の底部には排気口６８が設けられ、この排気口６８には図示しない真空ポンプに接続された排気路７０が接続されており、処理容器１６内を所定の真空度に維持し得るようになっている。また、処理容器１６の側壁には、ウエハを搬出入する際に開閉されるゲートバルブ７２が設けられる。
【００１６】
一方、上記載置台２２と対向する処理容器天井部には、処理ガス等を処理容器１６内へ導入するためのシャワーヘッド部７４が設けられている。具体的には、このシャワーヘッド部７４は、例えばアルミニウム等により円形箱状に成形されたヘッド本体７６を有し、この天井部にはガス導入口７８が設けられている。
このガス導入口７８には、ガス通路を介して処理に必要なガス、例えばＷＦ6 、Ａｒ、ＳｉＨ4、Ｈ2 、Ｎ2 等のガス源が流量制御可能に接続されている。
ヘッド本体７６の下部７９には、ヘッド本体７６内へ供給されたガスを処理空間Ｓへ放出するための多数のガス噴射孔８０が面内の略全体に配置されており、ウエハ表面に亘ってガスを放出するようになっている。
【００１７】
また、ヘッド本体７６内には、多数のガス分散孔８２を有する拡散板８４が配設されており、ウエハ面に、より均等にガスを供給するようになっている。
そして、本発明はの特徴として、この装置に用いるアルミニウム製の金属部材、すなわちここでは処理容器１６とシャワーヘッド部７４のそれぞれの表面は、この装置の組み立て前に有機機械化学処理（以下、ＯＭＣＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）と称す）とブラスト処理とアルマイト処理が順次施されて各処理層８６、８８が形成されている。ここでは処理容器１６とシャワーヘッド部７４の双方の表面に処理が加えられているが、少なくともいずれか一方の部材に表面処理を行なえば本発明の効果は現れる。
【００１８】
ここで表面とは、装置の内側に面している部分であり、少なくとも処理空間Ｓに面している面を指す。具体的には、上記処理容器１６の内壁面全体に亘って処理層８６が形成される。また、シャワーヘッド部７４の下部７９の下面であるガス噴射面７４Ａ及び側面７４Ｂに処理層８８が形成されている。すなわち、好ましくは、処理空間Ｓを臨むアルミニウム面の全てに上述した一連の処理を施すのがよい。また、ヘッド本体７６の内壁面にも上述した一連の処理を施すようにしてもよい。ここでＯＭＣＰ処理は、例えばアルコールのような有機溶媒に例えばＡｌ2 Ｏ3 よりなる研磨砥粒を混ぜて、機械的なバフ研磨のような手法で被加工物の表面を研磨する処理である。上記研磨砥粒の大きさを変えて研磨粗さを変化させる。このＯＭＣＰ処理では、例えばアルミニウムのような比較的柔らかい金属に鏡面研磨ができ、しかもアウトガスや水分吸着が通常の研磨よりも少ないという利点を有する。
【００１９】
また、ブラスト処理は、例えば圧力が３ｋｇ／ｃｍ2 の高圧ガス（空気やアルゴン等）でアルミナ砥粒等を被加工物の表面に一定の距離を維持しつつ当てて表面に独特の微少な凹凸を付ける操作である。この場合、被加工物表面とノズルとの距離は２００ｍｍ程度であり、ガス圧力、距離、砥粒の材質及び粒径を変えることにより、処理条件を種々選択することができる。尚、このブラスト処理の後には、被加工物の表面に残っている砥粒や不純物を取り除くために、溶剤として例えば苛性ソーダを用いてエッチング処理を行なう。また、アルマイト処理は、アルミニウム部材の表面を陽極酸化することにより、一定の厚さ、例えばここでは７０００Å程度のアルミナ層を形成する。
【００２０】
ここで、図３を用いて上記した一連の処理の過程における被加工物、ここではシャワーヘッド部７４のヘッド本体７６の表面や処理容器１６の内壁面の形態が変化する様子を模式的に説明する。まず、図３（Ａ）は被加工物を所定の形状に切り出してその表面を所定の粗さで仕上げ加工した時の断面拡大図を示している。ここでは表面粗さＲａは設定値通りになっているが、表面に微少なギザギザ状の或いはささくれ状の切削跡９０が非常に多く存在している。次に、図３（Ｂ）に示すようにこの表面に前述したようなＯＭＣＰ処理を施すと、表面のうねり（粗さ）が少し小さくなる。これと同時に、切削跡９０も少し小さくなって円滑性が増した状態となる。
更に、図３（Ｃ）に示すようにこの表面に前述したようなブラスト処理を施すと表面の切削跡（ギザギザ状のもの）がなくなり、非常に表面が滑らかになって円滑性が向上する。そして、図３（Ｄ）に示すように、この表面にアルマイト処理を施して処理層８６（８８）を形成して表面処理を完了することになる。
【００２１】
次に、以上のように構成された本実施例の動作について説明する。
まず、ウエハ表面に例えばタングステンのような金属膜の成膜処理を施す場合には、処理容器１６の側壁に設けたゲートバルブ７２を開いて搬送アームにより処理容器１６内にウエハＷを搬入し、リフタピン２４を押し上げることによりウエハＷをリフタピン２４側に受け渡す。そして、リフタピン２４を、押し上げ棒２８を下げることによって降下させ、ウエハＷを載置台２２上に載置すると共に更に押し上げ棒２８を下げることによってウエハＷの周縁部をクランプリング３８で押圧してこれを固定する。
【００２２】
次に、図示しない処理ガス源から処理ガスとしてＷＦ6，ＳｉＨ4，Ｈ2 等を  シャワーヘッド部７４へ所定量ずつ供給して混合し、これをヘッド本体７６の下面のガス噴射孔８０から処理容器１６内へ略均等に供給する。これと同時に、排気口６８から内部雰囲気を吸引排気することにより処理容器１６内を所定の真空度、例えば２００Ｐａ〜１１０００Ｐａの範囲内の値に設定し、且つ載置台２２の下方に位置する加熱ランプ４８を回転させながら駆動し、熱エネルギを放射する。
放射された熱線は、透過窓４４を透過した後、載置台２２の裏面を照射してこれを加熱する。この載置台２２は、前述のように１ｍｍ程度と非常に薄いことから迅速に加熱され、従って、この上に載置してあるウエハＷを迅速に所定の温度まで加熱することができる。供給された混合ガスは所定の化学反応を生じ、例えばタングステン膜がウエハ表面に堆積し、形成されることになる。
【００２３】
このようにして、連続して多数枚のウエハに対して成膜処理を行なうと、ウエハ表面以外に主として処理空間Ｓに面している部分、例えばシャワーヘッド部７４のヘッド本体７６のガス噴射面７４Ａやその側面７４Ｂ及び処理容器１６の内壁面に不要な膜が付着する傾向となる。しかしながら、本実施例にあっては、このヘッド本体７６の表面７４Ａ、７４Ｂや処理容器１６の内壁面には、前述したような一連の処理を行なっているので、表面円滑性が良好となっており、この表面部分に不要な堆積膜が付着し難くなっている。また、不要な膜が付着しても、これが剥がれ難くなっている。従って、クリーニング操作のインターバルを長くできのみならず、パーティクルの発生も抑制することが可能となる。
【００２４】
この点について、図４を参照して説明する。図４（Ａ）は従来の例えばシャワーヘッド部の表面の拡大断面の模式図であり、表面には切削跡９２が存在した状態でアルマイトの処理層９４が形成されている。これに対し、図４（Ｂ）は本発明のシャワーヘッド部７４のヘッド本体７６の表面の拡大断面の模式図であり、表面は非常に滑らかになされた状態でアルマイトの処理層８８が形成されている。
図４（Ａ）に示す従来のシャワーヘッド部の場合には、数ミクロン程度の切削跡９２が多数残っていることから、不要な膜が容易に付着し易く、且つ表面とその不要な膜の密着性も低いことから容易に剥がれ易くなっている。また、切削跡９２自身もはがれ落ち易いのみならず、切削跡９２の部分は処理層９４の耐腐食性も劣っているので、これより腐食が発生する。更には、切削跡９２が有ることから、アルマイトの耐性が劣化してＡｌ表面がむき出しになり易く、この結果、このむき出し部分に不要な付着物が付き易い。これに対して、図４（Ｂ）に示す本発明のシャワーヘッド部の場合には、表面が非常に滑らかになっているので、これに不要な膜が付着し難く、且つ不要な膜が付着しても密着性が高いので容易に剥がれ落ちることはない。また、切削跡も少ないことから、処理層８８の耐腐食性を高く維持することができる。
【００２５】
ここで、従来のシャワーヘッド部（表面アルマイト処理）と本発明のシャワーヘッド部の比較実験を行なったので、その結果を図５及び図６に示す。図５（Ａ）は従来のシャワーヘッド部であり、１０００枚のウエハを成膜処理した時の状態を示す。これによると、シャワーヘッド部の中央部より中周部にかけて多くの不要な膜が付着している。これに対して、図５（Ｂ）は本発明のシャワーヘッド部であり、３０００枚のウエハを成膜処理した時の状態を示す。これによると、図５（Ａ）の場合よりも３倍も多いウエハを成膜処理したにもかかわらず、不要な膜がそれ程付着していないのが判明する。
【００２６】
また、図６（Ａ）は他の従来のシャワーヘッド部であり、１０００枚のウエハを成膜処理した時の状態を示す。これによれば、ガス噴射面全体に亘って不要な膜が付着している。これに対して、図６（Ｂ）は本発明のシャワーヘッド部であり、５０００枚のウエハを成膜処理した時の状態を示す。これによると、図６（Ａ）の場合よりも５倍も多いウエハを成膜処理しているにもかかわらず、不要な膜の付着は非常に少ないことが判明する。
また、シャワーヘッド部の耐腐食性に対する表面粗さＲａの影響及びブラスト処理の影響も調べるために、表面粗さＲａを少し変え、且つブラスト処理の有無の基で試験を行なった。その時の表面粗さＲａ、表面粗さの最大値Ｒｍａｘ、表面の円滑性、耐腐食性は表１に示す。
【００２７】
【表１】
0003911902.tif 000002
【００２８】
尚、腐食の程度は、少ないが○、中程度が△、多いが×の記号でそれぞれ示される。また、耐腐食性の試験は、塩化ナトリウム溶液に塩化第二銅を添加した酢酸酸性の溶液（ｐＨ３）を表面に噴霧して行なった。
また、図７に併せて各例の表面の顕微鏡写真（２００倍）も示す。
本実施例は、切削仕上げ、ＯＭＣＰ処理、ブラスト処理及びアルマイト処理を行なっている。比較例１は、切削仕上げ、ＯＭＣＰ処理及びアルマイト処理を行なった場合（ブラスト処理はなし）、比較例２は、切削仕上げとアルマイト処理を行なった場合（ＯＭＣＰ処理とブラスト処理はなし）、比較例３も、切削仕上げとアルマイト処理を行なった場合（ＯＭＣＰ処理とブラスト処理はなし、但し表面粗さＲａは変更）である。
【００２９】
この結果から、図７も参照するとブラスト処理を行なわない比較例１〜３は切削跡が多く残っており、耐腐食性も×或いは△であって好ましくない。これに対し、本実施例は切削跡がほとんどなくて表面が滑らかであり、耐腐食性も良好（○）である。これによれば、腐食性については表面粗さはほとんど関与していないことが判明する。
試験後に、実際にアルミニウムが侵食されている部位を観察してみると、切削跡に沿って侵食する部位が見られた。従って、切削跡の部分がアルマイト被膜が弱くなっているものと推測できる。従って、ブラスト処理を行なうことによって、切削跡のささくれ部が減少し、これによって耐腐食性が向上したものと推測できる。
【００３０】
尚、本実施例では、シャワーヘッド部の表面と処理容器の表面の双方に一連の処理を施した場合を例にとって説明したが、これらの部材のいずれか一方のみに一連の表面処理を行なった場合にも本発明の効果を発揮するのは勿論である。
更には、上記シャワーヘッド部と処理容器の２つの部材に限らず、処理容器内の他のアルミニウム製の部材にも、同様に一連の処理を施すようにしてもよい。
また、ここではタングステンの金属成膜を行なう場合を例にとって説明したが、これに限定されず、ＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などの絶縁膜等の他の膜を形成する場合、更には、成膜装置に限らず、酸化拡散装置、アニール装置、スパッタ装置、エッチング装置、アッシング装置等にも適用できるのは勿論である。
更に、被処理体としては、半導体ウエハに限定されず、ＬＣＤ基板、ガラス基板等に成膜等の所定の処理を行なう場合にも適用できる。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理装置及び金属部品の表面処理方法によれば、次のような優れた作用効果を発揮することができる。
処理装置に用いるアルミニウム製の金属部材の表面に一連の処理を施すようにしたので、表面の切削跡が抑制されて表面が非常に滑らかとなり、このため、この表面に不要な膜が付着することを抑制できるのみならず、膜に対する密着性が向上して付着した膜の剥離も抑制することができる。
従って、クリーニング操作のインターバルを長くしてスループットを向上できるのみならず、パーティクルの発生を抑制して歩留りも向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る処理装置を示す断面構成図である。
【図２】図１に示す装置のシャワーヘッド部を示す下面図である。
【図３】アルミニウム製の金属材料の表面処理の工程を説明する説明図である。
【図４】アルミニウム製の金属部材の表面を模式的に示す図である。
【図５】従来のシャワーヘッド部と本発明のシャワーヘッド部の不要膜の付着状態を示す図面代用写真である。
【図６】従来のシャワーヘッド部と本発明のシャワーヘッド部の不要膜の付着状態を示す図面代用写真である。
【図７】本発明の実施例と比較例の表面の状態を示す図面代用写真である。
【図８】従来の処理装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
１４  成膜処理装置（処理装置）
１６  処理容器（金属部材）
２２  載置台（金属部材）
４４  透過窓
４８  加熱ランプ
７４  シャワーヘッド部
７６  ヘッド本体
７４Ａ  ガス噴射面
７４Ｂ  側面
８６，８８  処理層
Ｓ  処理空間
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
0003911902.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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