(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を合波あるいは分波するための分岐個所を含む光導波路を基板上に形成した光導波路装置において、
前記光導波路が前記基板にエッチング加工を施すことによって形成された導波路用溝内にコア材を充填することにより形成されたものであると共に、前記導波路用溝の相互間のエッチング残存部が、前記分岐個所における分岐の過程において幅および高さを漸増させた分岐堤となるように形成されたことを特徴とする光導波路装置。
【請求項２】
前記分岐堤は、前記分岐個所の分岐開始点において隆起を始めたその高さが、前記分岐個所の所定の位置において前記光導波路の上端と同じ高さとなるように連続して増える構成を有していることを特徴とする請求項１項記載の光導波路装置。
【請求項３】
前記光導波路は、１０μｍ以下の高さを有していることを特徴とする請求項１項記載の光導波路装置。
【請求項４】
前記光導波路は、円形、半円形、台形、３角形、あるいは４角形や６角形等の多角形の断面形状を有することを特徴とする請求項１項記載の光導波路装置。
【請求項５】
前記光導波路は、石英基板上、あるいはシリコン基板上に設けられた石英系ガラス上に形成されていることを特徴とする請求項１項記載の光導波路装置。
【請求項６】
前記光導波路は、Ｙ分岐回路、方向性結合回路、リング共振回路、スターカプラ回路あるいはＡＷＧ回路の少なくとも１つを前記分岐個所を含む回路として有することを特徴とする請求項１項記載の光導波路装置。
【請求項７】
光を合波あるいは分波するための分岐個所を含む光導波路を基板上に形成する光導波路装置の製造方法において、
分岐個所を形成すべき基板上の該当個所に前記分岐個所の分岐開始点より分岐側に向けて相互間隔の広がる所定の深さの複数の溝を形成し、
前記基板にエッチング加工を施すことによって前記複数の溝の部分にそれぞれ導波路用溝を形成するとともに、前記導波路用溝の相互間に前記分岐個所における分岐の過程において幅および高さを漸増させたエッチング残存部からなる分岐堤を形成し、
前記導波路用溝内に所定の屈折率のコア材を充填することにより光導波路を形成することを特徴とする光導波路装置の製造方法。
【請求項８】
前記複数の溝を形成するステップは、フォトリソグラフイによる所定のパターンのエッチング用マスク形成に基づくエッチング処理によって行われることを特徴とする請求項７項記載の光導波路装置の製造方法。
【請求項９】
前記エッチング処理のステップは、反応性イオンエッチング等のドライエッチングによって行われることを特徴とする請求項８項記載の光導波路装置の製造方法。
【請求項１０】
前記エッチング加工のステップは、スパッタエッチングによって行われることを特徴とする請求項７項記載の光導波路装置の製造方法。
【請求項１１】
前記スパッタエッチングのステップは、Ａｒガス、Ｏ2 ガスあるいはこれらの混合ガスを導入したプラズマ中で行われることを特徴とする請求項１０項記載の光導波路装置の製造方法。
【請求項１２】
前記エッチング加工による前記導波路用溝の形成のステップは、２つの基板に対して行われるとともに、前記２つの基板に形成された前記導波路用溝の形状が互いに鏡像関係となるように行われ、
前記導波路用溝を形成された前記２つの基板は、前記導波路用溝内を前記コア材で充填された後、前記コア材同士が互いに形状を合致させるように重ね合わされて一体に接合されることを特徴とする請求項７項記載の光導波路装置の製造方法。
【請求項１３】
光を合波あるいは分波するための分岐個所を含む光導波路を基板上に形成する光導波路装置の製造方法において、
分岐開始点より分岐側に向けて光導波路の相互間隔を広げた構成の形成すべき分岐個所に対応したパターンの開口部を有するエッチング用マスクを基板上に形成し、
前記エッチング用マスクの前記開口部を通して前記基板にウエットエッチング加工を施すことにより前記基板上に半円状の導波路用溝を形成し、前記導波路用溝の相互間に前記導波路用溝の端部同士の組み合わせによる突出部を形成するとともに、前記分岐個所における分岐の過程において幅及び高さを漸増させた前記突出部からなる分岐堤を形成し、
前記導波路用溝内に所定の屈折率のコア材を充填することにより光導波路を形成することを特徴とする光導波路装置の製造方法。
【請求項１４】
前記ウエットエッチング加工のステップは、前記開口部を通して前記基板に弗酸系液を作用させることによって行われることを特徴とする請求項１３項記載の光導波路装置の製造方法。
【請求項１５】
前記ウエットエッチング加工による前記導波路用溝の形成のステップは、２つの基板に対して行われるとともに、前記２つの基板に形成された前記導波路用溝の形状が互いに鏡像関係となるように行われ、
前記導波路用溝を形成された前記２つの基板は、前記導波路用溝内を前記コア材で充填された後、前記コア材同士が互いに形状を合致させるように重ね合わされて一体に接合されることを特徴とする請求項１３項記載の光導波路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路装置およびその製造方法に関し、特に、伝送損失の少ない分岐個所を備えた光導波路装置とこれを製造するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光通信の分野においては、複数の信号を波長の異なる複数の光にのせて一つの光ファイバにより伝送し、これによって情報量を増加させた高密度波長多重通信方式が採用されており、この方式においては、Ｙ分岐回路をはじめとして光を合波あるいは分波する光カプラ型の分岐個所を有した光導波路装置の機能が重要となる。
【０００３】
図６は、Ｙ分岐型光カプラ回路を形成した従来の光導波路装置の構成を示したもので、図６の（ａ）において１は石英等の基板、２は光導波路、３ａおよび３ｂは光導波路２より分岐された側の光導波路、４はその分岐個所を示す。分岐個所４は、分岐開始点４ａから光導波路の相互間隔を徐々に広げ、最終的に直線状の光導波路３ａおよび３ｂに繋げた構成を有している。
【０００４】
図６の（ｂ）および（ｃ）は、以上の構成の光カプラ分岐回路を備える光導波路装置５を製造するのに、多くの場合に採用される従来の製造方法を示し、まず、図６の（ｂ）に示される方法は、基板としてのアンダクラッド６にコア材７を堆積させ、次いで、このコア材７にフォトリソグラフイ処理とエッチング加工を施すことによって光導波路２、３ａおよび３ｂのためのコア８を形成する方法である。
【０００５】
また、図６の（ｃ）は、アンダクラッド６にフォトリソグラフイ処理とエッチング加工を施すことによって断面が矩形の溝９を形成し、次いで、この上に溝９が埋まるようにコア材７を堆積させた後、アンダクラッド６上の余分なコア材７を除去することによってコア８を形成する方法であり、これらの方法は、いずれも有効な光導波路装置の製造方法として活用されており、得られた光導波路も相応の評価を受けている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の光導波路装置によると、分岐個所４を構成する光導波路４ａおよび４ｂを光が伝搬するときの損失が大きく、このため、伝送損失特性において必ずしも満足できない面を有している。原因は、分岐個所４の光導波路４ａおよび４ｂが光導波路２をそのまま延長させて構成されていることと、製造方法上この構成にならざるを得ないことにある。
【０００７】
従って、本発明の目的は、伝送損失の少ない分岐個所を備えた光導波路装置とこれを製造するための有効な方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するため、光を合波あるいは分波する分岐個所を含む光導波路を基板上に形成した光導波路装置において、前記光導波路が基板にエッチング加工を施すことによって形成された導波路用溝内にコア材を充填することにより形成されたものであると共に、前記導波路用溝の相互間のエッチング残存部が、前記分岐個所における分岐の過程において幅および高さを漸増させた分岐堤となるように形成されたことを特徴とする光導波路装置を提供するものである。
【０００９】
また、本発明は、上記の目的を達成するため、光を合波あるいは分波するための分岐個所を含む光導波路を基板上に形成する光導波路装置の製造方法において、分岐個所を形成すべき基板上の該当個所に前記分岐個所の分岐開始点より分岐側に向けて相互間隔の広がる所定の深さの複数の溝を形成し、前記基板にエッチング加工を施すことによって前記複数の溝の部分にそれぞれ導波路用溝を形成するとともに、前記導波路用溝の相互間に前記分岐個所における分岐の過程において幅および高さを漸増させたエッチング残存部からなる分岐堤を形成し、前記導波路用溝内に所定の屈折率のコア材を充填することにより光導波路を形成することを特徴とする光導波路装置の製造方法を提供するものである。
【００１０】
さらに、本発明は、上記の目的を達成するため、光を合波あるいは分波するための分岐個所を含む光導波路を基板上に形成する光導波路装置の製造方法において、分岐開始点より分岐側に向けて光導波路の相互間隔を広げた構成の形成すべき分岐個所に対応したパターンの開口部を有するエッチング用マスクを基板上に形成し、前記エッチング用マスクの前記開口部を通して前記基板にウエットエッチング加工を施すことにより前記基板上に半円状の導波路用溝を形成するとともに、前記導波路用溝の相互間に前記導波路用溝の端部同士の組み合わせによる突出部を形成し、前記分岐個所における分岐の過程において幅及び高さを漸増させた前記突出部からなる分岐堤を形成し、前記導波路用溝内に所定の屈折率のコア材を充填することにより光導波路を形成することを特徴とする光導波路装置の製造方法を提供するものである。
【００１１】
本発明の光導波路装置における上記の分岐堤としては、分岐個所の分岐開始点において隆起を始めたその高さが、分岐個所の所定の位置において光導波路の上端と同じ高さとなるように連続的に増える構成とすることが好ましく、分岐堤をこのように構成するときには、これに幅の変化を加えた三次元的変化が連続して行われることによって、最良の伝送損失特性を得ることができる。
【００１２】
光導波路としては、円形、半円形、台形、３角形、あるいは４角形や６角形等の多角形の断面形状に形成されるのが好ましく、４角形または６角形等の偶数の多角形の場合、その対角線のうちのいずれかが水平に配置されることが好ましい。  また、光導波路は、シングルモードでの光の伝搬性を確保するため、１０μｍ以下の高さに形成されることが好ましい。光導波路を形成する基板の材質としては、多くの場合、石英が使用されるが、シリコン基板上に石英系ガラスを形成した基板の使用も可能であり、その場合、上層の石英系ガラスとしては、光導波路の形成上、最低１０μｍの厚さを有しているべきである。
【００１３】
本発明の光導波路装置内に形成される光導波路の具体例としては、たとえば、Ｙ分岐回路、一対の光導波路の所定の個所を方向性結合器を介して相互に結合させた方向性結合回路、一方向に伸びる光導波路の所定の個所にリング状光導波路を結合させたリング共振回路、単一の光導波路より複数の光導波路を分岐させたスターカプラ回路、あるいは複数の光導波路を所定長ずつ長さを変えて配列したアレイ導波路の両端にスラブ導波路を介して単一あるいは複数の入出力用光導波路を配置して構成されるＡＷＧ回路のうちの少なくとも１つを、分岐個所を含む回路として備える光導波路が挙げられる。
【００１４】
本発明の製造方法において、基板上に複数の溝を形成する手段としては、フォトリソグラフイによる所定のパターンのエッチング用マスク形成に基づくエッチング処理によることが好ましく、なかでも、この種の用途においては、１０μｍ以下の高加工精度が要求されることから、反応性イオンエッチング等のドライエッチングによる方法が好ましい。
【００１５】
本発明の製造方法により導波路用溝の相互間に形成されるエッチング残存部からなる分岐堤の高さは、分岐個所の分岐開始点より分岐側の所定の位置まで連続して漸増することになる。これは、エッチング残存部のボリウムが、溝相互の間隔に比例したものとなるためであり、この結果、理想的な形状の分岐堤の形成が可能となる。
【００１６】
即ち、複数の溝の相互間隔が小の部分では、残存ボリウム量がエッチングによって短時間に少なくなる一方、相互間隔が大の部分では、残存ボリウムが長く残ることになり、従って、相互間隔大の部分が所定の水準に加工されるまでには、相互間隔小の部分の残存ボリウムは大きく減じ、結果として、相互間隔大の部分から小の部分まで連続して高さの低くなるエッチング残存部（分岐堤）が形成されることになる。
【００１７】
導波路用溝形成のためのエッチング加工の手段としては、スパッタエッチングが好ましく、なかでも、Ａｒガス、Ｏ2 ガスあるいはこれらの混合ガスを導入したプラズマ中で実施するスパッタエッチングが特に好ましい。スパッタエッチングは、溝上端の角部より選択的に進行する性質を有しているとともに、傾斜部を形成しながら加工が進む性質を有しており、従って、この方法によるときには、断面が３角形あるいは台形のエッチング残存部が形成されることとなる。
そして、エッチング残存部の両側に形成される傾斜部は、全長に亙ってその角度が一定となるため、本発明の光導波路装置の分岐堤にとっては、特に好適な形状となる。
【００１８】
なお、スパッタエッチングにおいては、３角形あるいは台形のエッチング残存部の裾の部分にエッチングの進行とともに堆積が生じ、溝相互間の部分が３角形等に変じた時点でのその底辺幅が、加工前より大きくなる傾向がある。従って、このことを考慮して溝幅を狭く設定する場合には、隣接するエッチング残存部の裾部同士が接触するようになり、分岐堤としてより好ましい形態とすることが可能となる。
【００１９】
導波路用溝の形成をウエットエッチングによって行う本発明の製造方法においては、導波路用溝の形状が半円状となるため、形成された導波路用溝の間には、隣接する半円状の導波路用溝の端部同士の組み合わせによる突出部が形成されることになる。本発明の光導波路装置の分岐堤を構成することとなるこの突出部は、光導波路の相互間隔を分岐開始点より分岐側に向けて広げた関係から、その高さは、分岐が進むにつれて必然的かつ連続的に高くなる。
【００２０】
高さが連続的に変化するのは、
【００１６】で述べたのと同じ理由によるものであり、この結果、光導波路の相互間には、伝送損失上有利となる高さの漸増した突出部（分岐堤）が形成されることとなる。なお、ウエットエッチングに好適な加工液としては、弗酸、あるいは弗酸と他の酸との混合液を挙げることができる。
【００２１】
本発明の製造方法に共通する好ましい製造手段として、鏡像加工を利用する方法が挙げられる。即ち、互いに鏡像関係となる導波路用溝を２つの基板のそれぞれに形成し、これらの導波路用溝内にコア材を充填した後、充填したコア材同士の形状を互いに合致させるようにして２つの基板を重ね合わせて一体に接合する製造方法であり、コア上へのオーバークラッド形成を省略できる点で効率的に有利となる。
【００２２】
本発明の製造方法に共通する好ましい製造手法としては、導波路用溝内にコア材を充填し、基板上から余分な堆積コア材を表面研磨等によって除去するに際しては、高品質かつ効率的な作業を行うため、ＣＭＰ法あるいはエッチバック法を採用することが好ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明による光導波路装置およびその製造方法の実施の形態を説明する。  図１は、本発明の光導波路装置をＹ分岐型の光カプラ回路に適用したときの構成例を示し、図１の（ａ）において、１１は光カプラ回路、１２はその光導波路、１３は分岐個所、１４ａおよび１４ｂは分岐個所１３において分岐された分岐側の光導波路を示す。
【００２４】
図１の（ｂ）は、図１の（ａ）のＡ〜Ｃの断面を示したものである。
分岐開始点１５の直近部に位置するＡ断面においては、基板を構成するアンダークラッド１６の上面にコア材１７で充填された光導波路１４ａおよび１４ｂが形成されており、さらに、これらの光導波路１４ａおよび１４ｂは、分岐開始点１５より隆起をはじめた断面３角形の分岐堤１８ａによって互いに区画されている。１９はコア材１７を覆うためにアンダークラッド１６上に設けられたオーバークラッドを示す。
【００２５】
Ｂ断面は、分岐堤１８ｂが高く形成されている点でＡ断面とは異なり、また、Ｃ断面は、光導波路１４ａおよび１４ｂが完全に独立しているとともに、分岐堤１８ｃが光導波路１４ａおよび１４ｂと同じ高さを有し、オーバークラッド１９の下面に接した断面台形の形状を有している点でＢ断面およびＣ断面とは異なる。  以上の構成の結果、分岐堤１８ａ、１８ｂおよび１８ｃは、分岐が進むのに伴いその高さと幅をｈ1 、ｈ2 、ｈ3 およびｗ1 、ｗ2 、ｗ3 と漸増させている。
【００２６】
以上のように、分岐堤の高さと幅を分岐個所１３の分岐開始点１５から分岐側に向けて連続的に漸増させ、これによって光導波路１４ａおよび１４ｂを区画している結果、この構成の分岐個所を光導波路に有する光導波路装置は、従来品より有利な低伝送損失を示すことになる。その損失改善の度合は、後述する実施例によって実証される。
【００２７】
【実施例１】
図２の（ａ）は、この実施例において対象とするＡＷＧ回路の構成を示し、２０はＡＷＧ回路、２１および２２は入出力用光導波路、２３は複数の光導波路を所定長ずつ長さを変えて配列したアレイ導波路、２４はスラブ導波路、２５はこれらより構成されるスターカプラ回路、２６はその分岐個所を示す。分岐個所２６においては、４０本の光導波路が１本の幅広の光導波路と連結されている。
【００２８】
図２の（ｂ）は、分岐個所２６の形成手順を示したもので、図示の便宜上、光導波路数を３本にした分岐個所の形成過程を示してある。まず、工程▲１▼において石英基板２７上にフォトリソグラフイによってエッチング用マスク２８が形成される。このエッチング用マスク材２８には、分岐個所２６の分岐がＤ断面、Ｅ断面、Ｆ断面と進行するのに伴って相互間隔の広がる複数の溝状の開口部２９が形成されている。
【００２９】
次に、このエッチング用マスク２８上から工程▲２▼の反応性イオンエッチングによるドライエッチング加工が施され、これによって開口部２９に応じた相互位置関係、即ち、Ｄ、ＥおよびＦ断面となるにしたがって順に相互間隔が広げられた複数の溝３０が石英基板２７上に形成される。溝３０の深さは６μｍ、最小幅は２μｍであり、さらに、溝間の最小距離は２μｍである。
【００３０】
次いで、▲３▼のＡｒプラズマ中でのスパッタエッチング工程によって溝３０に対する加工が施される。加工は、圧力２Ｐａおよび３００Ｗ電力の条件のもとに行われ、スパッタエッチング特有の性質によって溝３０の上端角部３０ａより加工を進行させ、▲４▼に示されるように角度θが一律に４５°の導波路用溝３１ｄ、３１ｅおよび３１ｆを形成する。
【００３１】
これらの導波路用溝３１ｄ〜３１ｆは、Ｄ、Ｅ、Ｆ断面と分岐が進むのに伴って形状を変化させており、さらに、これらの相互間には、図１の（ｂ）の分岐堤１８ｄ〜１８ｆに相当する断面三角形のエッチング残存部３２ｄ、３２ｅと断面台形のエッチング残存部３２ｆとが、Ｄ、ＥおよびＦ断面の順に幅と高さを漸増させて形成されている。なお、エッチング加工の度合は、終了時▲４▼におけるＤ断面のエッチング残存部３２ｄの高さが、０．２μｍ以下の水準となるまで行われる。
【００３２】
次に、形成された導波路用溝３１ｄ、３１ｅおよび３１ｆに対するコア材の堆積充填作業が▲５▼の工程において行われる。作業はＣＶＤ法によって行われ、Ｇｅをドーパントとして含み、石英基板２７より屈折率の大きな石英系ガラスのコア材３３が導波路用溝３１ｄ〜３１ｆに充填される。
【００３３】
▲６▼はＣＭＰ法での研磨加工によるコア材の除去工程を示し、ここにおいて石英基板２７上の余分なコア材が除去された後、工程▲７▼においてオーバークラッド３４がＣＶＤ法によって形成される。オーバークラッド３４は、ドーパントを含まない純粋なＳｉＯ2 により構成され、これによって石英基板２７とほぼ同レベルの屈折率が与えられる。３５ｄ〜３５ｆは、Ｄ〜Ｆ断面のそれぞれに形成された光導波路を示す。
【００３４】
以上の方法により形成された分岐個所２６を備えるＡＷＧ回路を対象に光導波路の伝送損失特性を測定したところ、図６に示される製造方法に基づくもの（以下、従来品という）に比べて１ｄＢの損失減少を示した。光導波路装置として顕著な差であり、本発明による優れた効果が確認された。なお、この実施例おいては、コア材３３としてＧｅドーパントの石英系ガラスを使用したが、Ｔｉをドーパントとする石英系ガラスによっても同様の効果が得られることが確認されている。
【００３５】
【実施例２】
実施例１において、溝３０の最小幅を４μｍとした以外は同一条件の製造を実施し、所定のＡＷＧ回路を得た。この例の場合には、Ｆ断面以外の部分でもエッチング残存部の形状が台形となり、その伝送損失は、従来品よりも１ｄＢ低い値を示した。
【００３６】
【実施例３】
実施例１において、ＣＭＰ法によるコア材の除去工程▲６▼の代わりにエッチバック処理を施し、他を同一条件とすることにより所定のＡＷＧ回路を製作した。
なお、エッチバック処理は、１３００℃に加熱することによってコア材３３の表面を平坦化させた後、石英基板２７の表面が現れるまで反応性イオンエッチング加工を行うことによって実施し、コア材３３としては、純粋石英よりも軟化点の低いＧｅドーパント石英系ガラスを使用した。得られたＡＷＧ回路の伝送損失は、従来品より１ｄＢ低い値を示した。
【００３７】
【実施例４】
実施例１において、スパッタエッチング工程▲３▼における圧力を１Ｐａに設定し、他を同一条件とすることにより所定の構成の分岐個所２６を有するＡＷＧ回路を製作した。この実施例における角度θは５０°であり、伝送損失は、従来品より１ｄＢ低い結果を示した。
【００３８】
【実施例５】
実施例１において、工程▲３▼を高密度Ｏ2 プラズマ使用、プラズマ発生側電力１１００Ｗ、引出電極側電力３００Ｗおよび圧力０．２Ｐａの条件で実施し、他を同一条件とすることにより所定の分岐個所２６を有するＡＷＧ回路を製作した。この実施例における角度θは６０°であり、伝送損失は、従来品より１．２ｄＢ低い値を示した。
【００３９】
【実施例６】
図３は、鏡像関係を利用した形成手順を示し、（ａ）および（ｂ）は、実施例１の工程▲１▼〜▲６▼を実施した結果である。いずれも図２のＤ断面に相当する部分のみを示したもので、２つの石英基板３６ａと３６ｂ（実施例１の符号２７に相当）には、平面から見た形状が互いに鏡像関係となる導波路用溝３７ｄａと３７ｄｂ（実施例１の符号３１ｄに相当）、およびエッチング残存部３８ｄａと３８ｄｂ（実施例１の３２ｄに相当）がそれぞれ形成され、これらの溝内にコア材３９が充填される。
【００４０】
次に、それぞれのコア材３９側の面を過酸化水素水とアンモニア水で洗浄した後、顕微鏡と微動台を使用してコア材３９同士が形状を合致させるようにしながら２つの石英基板３６ａおよび３６ａを（ｃ）のように重ね合わせ、その後、これにＯ2 雰囲気下で８００℃の熱処理を施すことによって一体に接合し、所定の分岐個所を有するＡＷＧ回路を製作した。この光導波路装置の伝送損失は、従来品より０．８ｄｂ低い値を示した。
【００４１】
【実施例７】
図４は、ウエットエッチングによる分岐個所２６の形成例を示す。実施例１における図２の（ｂ）の▲１▼〜▲４▼に代わる工程を示したもので、それ以降の工程は、実施例１をそのまま踏襲する。まず、工程▲１▼において、フォトリソグラフイを実施し、石英基板４０上にエッチング用マスク４１を形成する。このエッチング用マスク４１には、所定のパターンを有する開口部４２が形成されており、開口部４２が有するその形状は、形成すべき分岐個所２６の形状に対応したパターンとされている。
【００４２】
即ち、その形状を図１の（ａ）によって説明すると、分岐個所２６は、分岐開始点１５より分岐側に向けて光導波路１４ａと１４ｂの相互間隔を広げた構成を有しており、従って、エッチング用マスク４１の開口部４２も、これと同一のパターンを有している。工程▲２▼に示される図は、ウエットエッチング処理を行った後の石英基板４０の断面構成を示す。
【００４３】
ウエットエッチングは、１０％濃度の弗酸液を作用させることによって行われ、これにより、Ｄ、ＥおよびＦの各断面に半円状の導波路用溝４３ｄ、４３ｅおよび４３ｆが形成される。この導波路用溝４３ｄ〜４３ｆは、深さを６μｍおよび最小幅１３μｍに形成され、相互間には、これらの溝の端部同士の組み合わせによる分岐堤となる突出部４４ｄ、４４ｅおよび４４ｆが形成されている。
【００４４】
そして、突出部４４ｄ〜４４ｆは、その幅と高さをＤ断面、Ｅ断面およびＦ断面の順に漸増させており、これによって、図１の（ｂ）の分岐堤１８ｄ〜１８ｆに相当する部分を構成している。以後は、図２の（ｂ）の工程▲５▼〜▲７▼、あるいはこれに実施例３の工程▲６▼を加味した手順と同じである。なお、Ｄ〜Ｆ断面のうち最小となる突出部４３ｄの高さは２μｍである。
以上により得られたＡＷＧ回路の伝送損失を測定したところ、従来品より０．８ｄｂ低い結果を示した。
【００４５】
図５は、石英基板４５上に形成された直線状の光導波路４６とリング状の光導波路４７を方向性結合回路４８で結合することによって構成されたリング共振回路の例を示す。この例の方向性結合回路４８における分岐個所にも、図２〜図４に示される製造方法は適用可能である。光を合波あるいは分波するための分岐個所を有している光導波路装置であるかぎり本発明は適用可能であり、前述したのと同様の効果が得られる。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、分岐個所で分岐された光導波路の相互間を分岐の過程において幅および高さを漸増させた分岐堤で区画することによって、伝送損失の少ない分岐個所を備えた光導波路装置を提供するとともに、この光導波路装置を製造するのに適した有効な製造方法を提供するものであり、その有用性は大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光導波路装置の実施の形態を示す説明図であり、（ａ）は適用対象の光カプラ回路の概要、（ｂ）はそのＡ部、Ｂ部およびＣ部の断面を示す。
【図２】本発明による光導波路装置の製造方法の実施の形態を示す説明図であり、（ａ）は製造対象のＡＷＧ回路の概要、（ｂ）は製造手順を示す。
【図３】本発明による光導波路装置の製造方法の他の実施の形態を示す説明図であり、（ａ）〜（ｃ）は製造手順の要点を示す。
【図４】本発明による光導波路装置の製造方法の、さらに他の実施の形態の要点を示す説明図。
【図５】リング共振回路の概要を示す説明図。
【図６】従来の光導波路装置の説明図であり、（ａ）は構成概要、（ｂ）および（ｃ）はその製造手順を示す。
【符号の説明】
１１      光カプラ回路
１２、１４ａ、１４ｂ、３５ｄ〜３５ｆ      光導波路
１３、２６      分岐個所
１５      分岐開始点
１６      アンダークラッド（基板）
１７、３３、３９      コア材
１８ａ〜１８ｃ      分岐堤
１９、３４      オーバークラッド
２０      ＡＷＧ回路
２１、２２      入出力用光導波路
２３      アレイ導波路
２４      スラブ導波路
２５      スターカプラ回路
２７、３６ａ、３６ｂ、４０、４５      石英基板
２８、４１      エッチング用マスク
２９、４２      開口部
３０      溝
３０ａ      上端肩部
３１ｄ〜３１ｆ、３７ｄａ、３７ｄｂ、４３ｄ〜４３ｆ      導波路用溝
３２ｄ〜３２ｆ、３８ｄａ、３８ｄｂ      エッチング残存部
４４ｄ〜４４ｆ      突出部
４６      直線状の光導波路
４７      リング状の光導波路
４８      方向性結合回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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