(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌをターゲット材とする平行平板型スパッタリング装置を用いて、Ａｒ，Ｎ2 の混合ガスをスパッタガスとし、形成されるＡｌ−Ｎ系膜であって、ＡｌとＡｌＮの混合状態となし、成長に伴いＡｌ−Ｎ系膜の表面の凹凸を増大させ、該Ａｌ−Ｎ系膜の表面の反射率を著しく低下させ、紫外・可視・近赤外波長領域の光の殆どを吸収する１μｍ以下の膜厚の膜からなるＡｌ−Ｎ系光吸収体。
【請求項２】
請求項１記載のＡｌ−Ｎ系光吸収体において、前記スパッタリング装置はＲＦスパッタリング装置であることを特徴とするＡｌ−Ｎ系光吸収体。
【請求項３】
請求項１記載のＡｌ−Ｎ系光吸収体において、前記スパッタリング装置はＤＣスパッタリング装置であることを特徴とするＡｌ−Ｎ系光吸収体。
【請求項４】
請求項１記載のＡｌ−Ｎ系光吸収体において、前記作製されたＡｌ−Ｎ系光吸収体の膜は、基板側では金属光沢を有し、膜表面側では黒色となっており、前記膜表面で吸収しきれなかった光を再び前記膜基板側で反射し戻す傾斜機能膜であることを特徴とするＡｌ−Ｎ系光吸収体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ａｌ−Ｎ系光吸収体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、一般に光吸収膜には“金黒”で知られたＡｕ原子の煤状体がある。
【０００３】
また、この種の膜に類似する研究はＤａｏ−ｙｕａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．：Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ａ１４（６），（１９９６）３０９２に見られるが、これは窒素ガス濃度のみに着目し、膜中窒素濃度のみが膜特性を決定すると結論付けている。また、光学特性評価も０．２〜１．１μｍの範囲でしか成されていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記したＡｕ原子の煤状体は、指でなぞれば直ぐ取れてしまうような固定性がよくないものであった。
【０００５】
また、Ｄａｏ−ｙｕａｎｇ  ｅｔ  ａｌ．もいまだ技術的に満足のいくものではなかった。
【０００６】
本発明は、上記状況に鑑みて、固定性がよく、材料のコストが低く、しかも広帯域の光の大きな吸収を示すことができる、Ａｌ−Ｎ系光吸収体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕Ａｌをターゲット材とする平行平板型スパッタリング装置を用いて、Ａｒ，Ｎ2 の混合ガスをスパッタガスとし、形成されるＡｌ−Ｎ系膜であって、ＡｌとＡｌＮの混合状態となし、成長に伴いＡｌ−Ｎ系膜の表面の凹凸を増大させ、該Ａｌ−Ｎ系膜の表面の反射率を著しく低下させ、紫外・可視・近赤外波長領域の光の殆どを吸収する１μｍ以下の膜厚の膜からなる。
【０００８】
〔２〕上記〔１〕記載のＡｌ−Ｎ系光吸収体において、前記スパッタリング装置はＲＦスパッタリング装置であることを特徴とする。
【０００９】
〔３〕上記〔１〕記載のＡｌ−Ｎ系光吸収体において、前記スパッタリング装置はＤＣスパッタリング装置であることを特徴とする。
【００１０】
〔４〕上記〔１〕記載のＡｌ−Ｎ系光吸収体において、前記作製されたＡｌ−Ｎ系光吸収体の膜は、基板側では金属光沢を有し、膜表面側では黒色となっており、前記膜表面で吸収しきれなかった光を再び前記膜基板側で反射し戻す傾斜機能膜であることを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら説明する。
【００１２】
図１は本発明の実施例を示す平行平板型ＲＦスパッタリング装置を用いたＡｌ−Ｎ系光吸収体の製造方法を示す模式図である。
【００１３】
この図において、１はＡｌターゲット、２はガラス基板、３はＡｒ，Ｎ2 の混合ガスからなるスパッタガス、４はガラス基板２上に形成される紫外・可視・近赤外波長領域の光の殆どを吸収する１μｍ以下の膜厚の膜からなるＡｌ−Ｎ系光吸収体である。
【００１４】
ＡｌＮとＡｌは適当に混ざり合いながらガラス基板２上に堆積していく。堆積表面には膜厚の増加と共に凹凸が形成され、光を反射しなくなる（黒くなる）。この膜の特性は、スパッタガスのＮ2 濃度に左右される。
【００１５】
なお、膜のガラス基板２側は、ガラス基板２が平滑なため当然平滑になり、この面が金属光沢を持つ。そのため表面で吸収しきれなかった光を再び膜基板側で反射し戻すことができる。つまり、スパッタガスのＮ2 濃度が一定であるにもかかわらず、傾斜機能膜となっている。
【００１６】
このように、Ａｌをターゲット材とする平行平板型ＲＦスパッタリング装置を用いて、Ａｒ，Ｎ2 の混合ガスをスパッタガスとし、その混合比及び堆積時間（膜厚）を制御することにより、紫外・可視・近赤外波長領域の光の殆どを吸収する１μｍ以下の膜厚の膜からなるＡｌ−Ｎ系光吸収体を得ることができる。
【００１７】
そのＡｌ−Ｎ系光吸収体の膜は、ＡｌとＡｌＮの適度な混合状態にあり、成長に伴い膜表面の凹凸が増大し、膜表面側の反射率を著しく低下させることができる。
【００１８】
また、作製されたＡｌ−Ｎ系の光吸収体の膜は、基板側では金属光沢を有し、膜表面側で黒色となっており、膜表面で吸収しきれなかった光を再び膜基板側で反射し戻す傾斜機能膜である。
【００１９】
このように構成したので、本発明により作製されたＡｌ−Ｎ系光吸収体の膜は紫外・可視・近赤外波長領域で大きな光吸収率を有するため、例えば太陽光〔地上太陽光は波長０．２５〜２．３５μｍに分布（ＡＭ＝１）〕の９５％を吸収できるため、光熱エネルギー変換膜として利用できる。
【００２０】
また、光ファイバー通信（０．８５，１．３，１．５５μｍ帯など）におけるターミネータとして利用することができる。この他上記波長範囲の光を利用するデバイス、機器における散乱光処理に適応可能である。
【００２１】
さらに、本膜はスパッタ膜成長過程において自己傾斜機能構造を獲得しており、一成膜条件で一様な膜が形成されるという従来の発想を打破するドライプロセス技術であるため、現在の半導体デバイス等の製造工程に容易にとり入れることができる。
【００２２】
図２は本発明にかかる説明における記号及びそれらの意味を示す図である。
【００２３】
図中の記号は以下の意味を有する。
【００２４】
Ｔ0 ：垂直入射透過率
Ｔd ：拡散透過率
ＴT ：総透過率（ＴT ＝Ｔ0 ＋Ｔd ）
Ｒ0 ：垂直入射反射率〔＝Ｒ12：鏡面反射率（入射角度＝１２°）〕
Ｒd ：拡散反射率
ＲT ：総反射率（ＲT ＝Ｒ0 ＋Ｒd ）
Ａ：試料による吸収率
ここで、Ｒ0 は垂直入射反射率であるが、入射角度＝１２°の鏡面反射率Ｒ12として実験的に求めた。これらの定義を前提として、エネルギー保存則は次式で与えられる。
【００２５】
１＝（Ｔ0 ＋Ｔd ）＋（Ｒ0 ＋Ｒd ）＋Ａ＝ＴT ＋ＲT ＋Ａ
また、以下の記述において入射方向が膜側の場合はｆｉｌの上付き添え字を、入射方向が基板側の場合はｓｕｂの上付き添え字を用いて区別する。
【００２６】
図３は本発明にかかる膜側垂直入射透過率（Ｔ0 fil ）のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す。図４は図３における部分拡大であり、横軸に波長（μｍ）、縦軸に膜側垂直入射透過率（Ｔ0 fil ）を示している。
【００２７】
Ａｒ／Ｎ2 混合スパッタガス中のＮ2 濃度を０．０から１６．１％Ｎ2 まで変化させた場合の＃７０５９ガラス上の膜（Ａｌ−Ｎ及びＡｌ）膜の透過率波長依存性を示している。１１．５％Ｎ2 、１６・１％Ｎ2 の膜は透明膜となり干渉効果が現れている。０．０％Ｎ2 から９・４％Ｎ2 の膜の透過率は０．２４〜２．６μｍの範囲ではほとんど０である。
【００２８】
図５は本発明にかかる膜側入射総透過率（ＴT fil ）のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す。図３と比較してＴT fil ＝Ｔ0 fil であり、拡散透過率（Ｔd fil ＝ＴT fil −Ｔ0 fil ）は殆ど無視できることが分かる。
【００２９】
図６は本発明にかかる膜側鏡面反射率（Ｒ0 fil ＝Ｒ12fil ：入射角１２°）のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す図であり、横軸に波長（μｍ）、縦軸に膜側鏡面反射率Ｒ0 fil を示している。
【００３０】
ここでは、図３に対応する膜の膜側反射率〔Ｒ0 fil （λ）〕を示しており、２．６％Ｎ2 から７．３％Ｎ2 の膜は、紫外、可視領域でほとんど反射せず、近赤外領域の増加が見られる。
【００３１】
図７は、本発明にかかる基板（＃７０５９）側の鏡面反射率（Ｒ0 sub ＝Ｒ12sub ：入射角１２°）Ｎ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す図であり、横軸に波長（μｍ）・縦軸に基板側鏡面反射率（Ｒ0 fil ）を示している。
【００３２】
ここでは、図３に対応する膜の基板側反射率〔Ｒ0 sub （λ）〕を示す。１１．５％Ｎ2 、１６．１％Ｎ2 の膜は透明膜となり干渉効果が現れている。図６の膜側鏡面反射率と比較して、ガラス基板の影響を考慮したとしても明らかな膜の表裏の差異が有る事が分かる。従って２．６％Ｎ2 から７．３％Ｎ2 の膜は膜表面側では光を吸収し、基板側では反射するという傾斜機能を有している事が分かる。
【００３３】
図８は本発明にかかる膜側拡散反射率〔Ｒd fil （λ）〕のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す。図９は図８における部分拡大であり、横軸に波長（μｍ）、縦軸に膜側拡散反射率Ｒd fil を示している。Ｎ2 ガス濃度０％のＡｌ膜から窒素ガス濃度増加とともに拡散反射率（鏡面反射を除く）は徐々に減少し、９．４％Ｎ2 以上では殆ど無視できる程度まで変化している。
【００３４】
図１０には本発明にかかる膜側総反射率〔ＲT fil （λ）＝Ｒ0 fil ＋Ｒd fil 〕のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す。これは図６の膜側鏡面反射率〔Ｒ0 fil （λ）〕と図８及び図９に示した膜側拡散反射率〔Ｒd fil （λ）〕の和として計算されている。Ｎ2 ガス濃度増加とともに全波長領域で膜側総反射率〔ＲT fil （λ）〕は減少し、７．３％Ｎ2 で最小値を示し、９．４％Ｎ2 で一旦増加し、その後、透過に伴い減少している。
【００３５】
図１１には本発明にかかるエネルギー吸収率〔Ａ（λ）〕のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す。ここで、〔ＴT fil （λ）〕を測定し、〔Ａ（λ）＝１−ＴT fil （λ）−ＲT fil （λ）〕により計算した。Ａ（λ）は７．３％Ｎ2 で全波長領域にわたり最大のエネルギー吸収率を示している。
【００３６】
図１２は本発明にかかるＡＭ＝１太陽光に対する吸収率（α）のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す図であり、横軸はＮ2 濃度（％）、縦軸は太陽光（ＡＭ＝１）エネルギー吸収率αを示している。
【００３７】
Ａｌ−Ｎ膜（４００ｎｍ）と＃７０５９ガラス基板全体による膜側吸収率はＡ（λ）＝１−ＴT fil （λ）−ＲT fil （λ）で与えられる。これにＡＭ＝１の地上太陽スペクトル〔Ｋ．Ｗ．Ｂｏｅｒ，Ｓｏ１ａｒ  Ｅｎｅｒｇｙ  １９，５２５（１９７７）〕を乗じて波長に対して積分することで太陽光エネルギー吸収率を算出した。この図によると、２．６％Ｎ2 から７．３％Ｎ2 においてαは０．８を越える高い吸収率を示している。
【００３８】
図１３は本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜側垂直入射透過率〔Ｔ0 fil （λ）〕の膜厚依存性を示し、図１４は膜側入射総透過率〔ＴT fil （λ）〕を示している。横軸は波長（μｍ）、縦軸はそれぞれの透過率を示している。図１３と図１４には殆ど差異が見られない。これは〔ＴT fil （λ）−Ｔ0 fil （λ）＝Ｔd fil （λ）〕であるので拡散反射が殆ど無視できる事を意味している。
【００３９】
図１３及び図１４では、７．３％Ｎ2 膜のそれぞれの透過率の膜厚依存性を示す。膜厚はＡｌ−Ｎ膜成膜後に膜厚既知のＭｇＯを被覆し、表面粗さ計にて測定した。膜厚増加とともに透過率は減少し、４００ｎｍ以上の膜ではほとんど透過しない膜となっている。
【００４０】
図１５は本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の膜側鏡面反射率Ｒ0 fil （λ）〔＝Ｒ12fil （λ）〕の膜厚依存性を示す図であり、横軸は波長（μｍ）、縦軸は反射率Ｒ0 fil を示している。
【００４１】
ここでは、７．３％Ｎ2 膜の膜側鏡面反射率の膜厚依存性を示しており、膜厚増加とともに反射率は減少している。
【００４２】
図１６は本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の膜側拡散反射率〔Ｒd fil （λ）〕の膜厚依存性を示す図であり、横軸は波長（μｍ）、縦軸は反射率（Ｒd fil ）を示している。膜厚増加とともに反射率の極大値は長波長側に移行しつつ増大し５００ｎｍ以上では近赤外領域に広がっている。
【００４３】
図１７は本発明にかかる膜側総反射率〔ＲT fil （λ）〕の膜厚依存性を示す図であり、横軸は波長（μｍ）、縦軸は反射率（ＲT fil ＝Ｒ0 fil ＋Ｒd fil ）を示している。これは図１５のＲ0 fil （λ）及び図１６のＲd fil （λ）より、ＲT fil （λ）＝Ｒ0 fil （λ）＋Ｒd fil （λ）より計算した。
【００４４】
ＲT fil （λ）の膜厚依存性はＲ0 fil （λ）と同様である。
【００４５】
図１８は本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の膜側エネルギー吸収率：Ａ（λ）の膜厚依存性を、図１４、図１７の結果を基にＡ（λ）＝１−ＴT fil （λ）−ＲT fil （λ）より求めたものである。膜厚の増加とともに長波長領域においてエネルギー吸収率は増大し、５００ｎｍ以上では波長に対してほぼ一定の高い値を示している。
【００４６】
図１９は本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の太陽光エネルギー吸収率（α）の膜厚依存性を示す。これは図１８のＡ（λ）にＡＭ＝１のスペクトルを乗じ、積分して求めた７．３％Ｎ2 膜の太陽光吸収率の膜厚依存性を示しており、膜厚の増加とともに吸収率は増大し、飽和している。
【００４７】
図２０は本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の表面ＡＦＭ観察（膜厚５０ｎｍ）結果を示す図であり、図２０（ａ）はそのＡＦＭ像を示す図、図２０（ｂ）はその断面プロファイル〔ただし、図２０（ａ）の白線部〕を示す図、図２０（ｃ）はその鳥瞰図である。
【００４８】
この図から明らかなように、７．３％Ｎ2 膜（膜厚５０ｎｍ）の表面は面内方向１００ｎｍ程度、膜法線方向１０ｎｍ程度の凹凸が観察されている。
【００４９】
図２１は本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の表面ＡＦＭ観察（膜厚１５０ｎｍ）結果を示す図であり、図２１（ａ）はそのＡＦＭ像を示す図、図２１（ｂ）はその断面プロファイル〔ただし、図２１（ａ）の白線部〕を示す図、図２１（ｃ）はその鳥瞰図である。
【００５０】
この図から明らかなように、７．３％Ｎ2 膜（膜厚１５０ｎｍ）の表面は面内方向２００ｎｍ程度、膜法線方向８０ｎｍ程度の凹凸が観察されている。図２０と比較すると、膜表面の凹凸は増幅されている。
【００５１】
図２２は本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の表面ＡＦＭ観察（膜厚２００ｎｍ）結果を示す図であり、図２２（ａ）はそのＡＦＭ像を示す図、図２２（ｂ）はその断面プロファイル〔ただし、図２２（ａ）の白線部〕を示す図、図２２（ｃ）はその鳥瞰図である。
【００５２】
この図から明らかなように、７．３％Ｎ2 膜（膜厚２００ｎｍ）の表面は面内方向４００ｎｍ程度、膜法線方向１００ｎｍ程度の凹凸が観察されている。
【００５３】
図２０、図２１、図２２と比較すると、膜表面の凹凸は膜厚の増加とともに増幅されており、この様な形態が膜厚増加とともに誘起される事が、広い波長範囲で高い吸収率を実現する一因となっていると考えられる。
【００５４】
また、波長０．２５〜２．３５μｍに分布する太陽光の照射に対し、その９５％が吸収され、光熱エネルギー変換膜として有用である事が確かめられた。
【００５５】
これらの機能は膜が成長する（膜厚増加）とともにＡｌ−Ｎ物質の突起状ないしは壁状の凹凸が形成され、凹部（谷）には大気または真空（屈折率＝１）領域が存在し、この大気または真空部を一部残しつつ膜が堆積することにより、膜側基板表面からの膜表面に向かっての標高を長さとしたときの単位長さあたりの平均屈折率が、基板から表面に向かって変化することを一因とする傾斜機能を有する構成であることに由来しており、一つの成膜プロセス中にこの傾斜構造膜を形成することができる。
【００５６】
また、上記実施例では、平行平板型ＲＦスパッタリング装置を用いたが、平行平板型ＤＣスパッタリング装置を用いるようにしてもよい。
【００５７】
例えば、Ａｌをターゲット材とする平行平板型ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いてＡｒ，Ｎ2 の混合ガスをスパッタガスとし、その混合比、堆積時間（膜厚）、基板温度を制御することにより、Ａｌ−Ｎ系光吸収膜を作製した。ＤＣマグネトロンスパッタリング装置では混合比０％Ｎ2 から２％Ｎ2 まで安定した放電成膜が実現された。３％Ｎ2 以上では不安定な放電状態となった。また、ＲＦに比較して、混合比の範囲は狭くなった。これは相対的にプラズマ密度が高くなり、窒化反応が促進されるためと考えられる。
【００５８】
膜厚５０ｎｍ／７０５９ガラスでは０％Ｎ2 ，１％Ｎ2 ，２％Ｎ2 ，３％Ｎ2 でそれぞれ太陽光エネルギー（ＡＭ１）吸収率（１が１００％の吸収に対応）は、０．４０，０．３９，０．４３，０．５２であった。そこで、２％Ｎ2 で基板温度室温（２５℃）とし、膜厚８００ｎｍで太陽光エネルギー（ＡＭ１）吸収率０．９４を得た。また基板温度７０℃とし、２％Ｎ2 において、膜厚４００ｎｍで０．９５の太陽光エネルギー（ＡＭ１）吸収率を得た。
【００５９】
このように、ＤＣスパッタリングでもＮ2 ガス混合比を少なく抑えたり、基板温度を制御することにより、ＲＦスパッタリング同様に波長０．２５〜２．３５μｍに分布する太陽光でその９５％が吸収されることが明らかになり、膜構成は表面から基板に向かって膜成分比が傾斜し、且つ表面側が突起状ないしは壁状の凹凸をなし、ＤＣスパッタリングの場合と同様の特徴があることが確認された。
【００６０】
また、用途としては、光熱変換装置、光通信分野、光電変換素子の電極層等の光熱吸収ないしは光吸収と電導とが要求される分野等にある。
【００６１】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００６２】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば以上のような効果を奏することができる。
（Ａ）固定性がよく、材料のコストが低く、しかも紫外、可視、近赤波長におよぶ広帯域の光の吸収を示すことができる。
（Ｂ）膜表面の凹凸は増幅されており、この様な形態が膜厚増加とともに誘起されることで、広い波長範囲で高い吸収率を実現することができる。
（Ｃ）波長０．２５〜２．３５μｍに分布する太陽光の照射に対し、その９５％が吸収され、光熱エネルギー変換膜として有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施例を示す平行平板型ＲＦスパッタリング装置を用いたＡｌ−Ｎ系光吸収体の製造方法を示す模式図である。
【図２】  本発明にかかる説明における記号及びそれらの意味を示す図である。
【図３】  本発明にかかる膜側垂直入射透過率（Ｔ0 fil ）のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す図である
【図４】  図３における部分拡大図である。
【図５】  本発明にかかる膜側入射総透過率（ＴT fil ）のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す図である。
【図６】  本発明にかかる膜側鏡面反射率（Ｒ0 fil ＝Ｒ12fil ：入射角１２°）のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す図である。
【図７】  本発明にかかる基板（＃７０５９）側の鏡面反射率（Ｒ0 sub ＝Ｒ12sub ：入射角１２°）Ｎ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す図である。
【図８】  本発明にかかる膜側拡散反射率〔Ｒd fil （λ）〕のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す図である。
【図９】  図８における部分拡大図である。
【図１０】  本発明にかかる膜側総反射率〔ＲT fil （λ）＝Ｒ0 fil ＋Ｒd fil 〕のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す図である。
【図１１】  本発明にかかるエネルギー吸収率〔Ａ（λ）〕のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す図である。
【図１２】  本発明にかかるＡＭ＝１太陽光に対する吸収率（α）のＮ2 ガス濃度依存性（膜厚４００ｎｍ／＃７０５９）を示す図である。
【図１３】  本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の膜側垂直入射透過率〔Ｔ0 fil （λ）〕の膜厚依存性を示す図である。
【図１４】  本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の膜側入射総透過率〔ＴT fil （λ）〕を示す図である。
【図１５】  本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の膜側鏡面反射率Ｒ0 fil （λ）〔＝Ｒ12fil （λ）〕の膜厚依存性を示す図である。
【図１６】  本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の膜側拡散反射率〔Ｒd fil （λ）〕の膜厚依存性を示す図である。
【図１７】  本発明にかかる膜側総反射率〔ＲT fil （λ）〕の膜厚依存性を示す図である。
【図１８】  本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の膜側エネルギー吸収率〔Ａ（λ）〕の膜厚依存性を示す図である。
【図１９】  本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の太陽光エネルギー吸収率（α）の膜厚依存性を示す図である。
【図２０】  本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の表面ＡＦＭ観察（膜厚５０ｎｍ）結果を示す図である。
【図２１】  本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の表面ＡＦＭ観察（膜厚１５０ｎｍ）結果を示す図である。
【図２２】  本発明にかかる７．３％Ｎ2 膜の表面ＡＦＭ観察（膜厚２００ｎｍ）結果を示す図である。
【符号の説明】
１    Ａｌターゲット
２    ガラス基板
３    Ａｒ，Ｎ2 の混合ガスからなるスパッタガス
４    Ａｌ−Ｎ系光吸収体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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