(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力用デバイス(1)への入力信号(VG)を変化することにより電力用デバイス(1)のパラメータ(IDQ)を調整する方法であり、上記電力用デバイスがトランジスタを含み、上記パラメータが上記トランジスタのバイアス点の指示子として使用される静止ドレイン電流(IDQ)である方法において、
上記電力用デバイス(1)の出力信号(POUT)のサンプルを取り出し(S2)、
上記取り出された出力信号(POUT)の基本周波数の第１電力レベル(P1ST)及び第２高調波以上の高調波の第２電力レベル(P2ND)を検出し(S5)、
検出された電力レベルが電力の対数に比例する場合は、第２電力レベル(P2ND)を第１電力レベル(P1ST)から減算し、検出された電力レベルが電力自体に比例する場合は、第２電力レベルと第１電力レベルとの比を求めることによって、上記検出された第１及び第２の電力レベル(P1ST,P2ND)を処理し(S6)、
上記処理段階(S6)で得られた結果に基づいて、上記パラメータ(IDQ)の変化の補償が必要とされるかどうか判断し(S7)、
このような変化を補償すべき場合には上記入力信号(VG)に対する変化値(ΔV)を決定し(S8)、そして
上記決定された変化値(ΔV)だけ上記入力信号(VG)を変化することにより上記パラメータ(IDQ)を調整する(S9)、
という段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
上記出力信号(POUT)は、上記電力用デバイス(1)の出力電力である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記入力信号(VG)は、上記トランジスタ(1)のゲート電圧である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記取り出された出力信号(POUT)を少なくとも第１及び第２の信号に分割し(S3)、そして
上記検出段階(S5)に使用される上記第１及び第２電力レベルを前処理する(S4)という段階を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記前処理段階(S4)において、少なくとも１つの分割信号の少なくとも１つの周波数部分が所定値だけ減衰される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
上記処理及び判断段階(S6,S7)において、第１電力レベル(P1ST)に対応するＤＣ値及び第２電力レベル(P2ND)に対応するＤＣ値を使用して、所定形式の計算を実行し、上記検出された電力レベルが電力の対数に比例していて、上記所定形式の計算は、第１電力レベルに対応するDC値と第２電力レベルに対応するDC値との差に依存する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
電力用デバイス(1)への入力信号(VG)を変化することにより電力用デバイス(1)のパラメータ(IDQ)を調整する装置であり、上記電力用デバイスがトランジスタを含み、上記パラメータが上記トランジスタのバイアス点の指示子として使用される静止ドレイン電流(IDQ)である装置において、
上記電力用デバイス(1)の出力信号(POUT)のサンプルを取り出すためのカプラー手段(2)と、
上記取り出された出力信号(POUT)の基本周波数の第１電力レベル(P1ST)及び第２高調波以上の高調波の第２電力レベル(P2ND)を検出するための検出手段(3,4)と、
上記検出された第１及び第２の電力レベル(P1ST,P2ND)を処理して、検出された電力レベルが電力の対数に比例する場合は、第２電力レベル(P2ND)と第１電力レベル(P1ST)との差を求め、検出された電力レベルが電力自体に比例する場合は、第２電力レベルと第１電力レベルとの比を求めるように構成されている処理回路(5)であり、且つ上記処理で得られた結果に基づいて、上記パラメータ(IDQ)の変化の補償が必要とされるかどうか判断し、このような変化を補償すべき場合には、上記入力信号(VG)に対する変化値(ΔV)を決定し、そして上記決定された変化値(ΔV)だけ上記入力信号(VG)を変化することにより上記パラメータ(IDQ)を調整するように構成された処理回路(5)と、
を備えたことを特徴とする装置。
【請求項８】
上記出力信号(POUT)は、上記電力用デバイス(1)の出力電力である請求項７に記載の装置。
【請求項９】
上記入力信号(VG)は、上記トランジスタ(1)のゲート電圧である請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
上記取り出された出力信号(POUT)を少なくとも第１及び第２の信号に分割する手段と、
上記検出手段(3,4)に供給される上記第１及び第２信号を前処理するための前処理手段(6,7)と、
を更に備えた請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
上記前処理手段(6,7)は、少なくとも１つの分割信号の少なくとも１つの周波数部分を所定値だけ減衰するように構成された請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
上記処理回路(5)は、第１電力レベル(P1ST)に対応するＤＣ値及び第２電力レベル(P2ND)に対応するＤＣ値を使用して、所定形式の計算を実行するように構成され、上記検出された電力レベルが電力の対数に比例していて、上記所定形式の計算は、第１電力レベルに対応するDC値と第２電力レベルに対応するDC値との差に依存する請求項７に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は、電力用デバイスへの入力信号を変化することにより電力用デバイスのパラメータを調整する方法、及びそれに対応する装置に係る。より詳細には、本発明は、バイアス点を調整することによりトランジスタの性能変化を補償するための方法及び対応装置に係る。
【０００２】
【背景技術】
例えば、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）や金属酸化物シリコン（ＭＯＳ）ＦＥＴのような半導体素子を使用する電力用デバイスは、色々な技術的分野に広く行きわたっている。このような電力用デバイスは、電力増幅用として設計され、そして高電圧及び大電流を取り扱うことができる。上記電力用デバイスの使用における大きな問題は、例えば、使用半導体素子の直線性、増幅利得、出力電力等の性能を長期間にわたって一定に保持することである。これは、可変包絡線信号にとって特に重要である。
熱作用（例えば自己発熱又は外部加熱）やエージング等のために、トランジスタの特性パラメータが変化し得る。それ故、半導体素子の一定性能、特に直線性を、長期間にわたって保証することができない。しかしながら、電力用デバイスを効果的に使用するには、一定性能（例えば直線性）が著しく重要となる。
【０００３】
それ故、電力用デバイス、即ちＭＯＳＦＥＴトランジスタのような半導体素子の性能を時間的にできるだけ安定に保持するために、これまでに多数の解決策が提案されている。１つの従来の解決策は、直列接続された抵抗器を経てドレイン電流ＩＤを検出することである。次いで、この検出された電流に基づいてバイアス制御が実行される。しかしながら、抵抗器が挿入されたことにより、高い電力の場合に、ドレイン電圧が著しく変化することが考えられる。更に、経路に導入される抵抗性素子は、増幅器の効率を低下させる。
別の既知の解決策は、トランジスタ構造体のセルを分離し、そしてそこから測定された信号を、ドレイン電流変化を補償するためのＤＣ基準として使用することである。しかしながら、この解決策は、新規な素子構造を必要とするために、素子の製造者でなければ準備することができない。
文書ＥＰ−Ａ−０７７１０６８号は、バッテリ作動式の携帯電話に組み込まれた高周波数電力増幅器の消費電力を最小にするために使用されるバイアス制御器を開示しており、これは、高周波数増幅器に供給されるバイアス電流を制御し、高周波数電力増幅器の出力信号が、歪をその許容範囲内でできるだけ大きく増加するようにする。というのは、バイアス電流が歪の大きさに逆比例するからである。バイアス制御のために、正及び負の半波が使用される。
【０００４】
【発明の開示】
そこで、本発明の目的は、電力用デバイスへの入力信号を変化することにより電力用デバイスの出力信号を制御するための方法及びそれに対応する装置であって、上述した欠点を解消する方法及び装置を提供することである。
本発明によれば、この目的は、電力用デバイスへの入力信号を変化することにより電力用デバイスのパラメータを調整する方法において、上記電力用デバイスの出力信号のサンプルを取り出し、この取り出された出力信号の基本周波数の第１電力レベル及び第２高調波以上の高調波の第２電力レベルを検出し、この検出された第１及び第２の電力レベルを処理し、この処理段階で得られた結果に基づいて、上記パラメータの変化の補償が必要とされるかどうか判断し、このような変化を補償すべき場合には上記入力信号に対する変化値を決定し、そしてその決定された変化値だけ上記入力信号を変化することにより上記パラメータを調整するという段階を含む方法によって達成される。
【０００５】
更に、本発明は、電力用デバイスへの入力信号を変化することにより電力用デバイスのパラメータを調整する装置において、上記電力用デバイスの出力信号のサンプルを取り出すためのカプラー手段と、上記取り出された出力信号の基本周波数の第１電力レベル及び第２高調波以上の高調波の第２電力レベルを検出するための検出手段と、上記検出された第１及び第２の電力レベルを処理し、この処理で得られた結果に基づいて、上記パラメータの変化の補償が必要とされるかどうか判断し、このような変化を補償すべき場合には、上記入力信号に対する変化値を決定し、そしてこの決定された変化値だけ上記入力信号を変化することにより上記パラメータを調整するように構成された処理回路とを備えた装置を提案する。
本発明の更に別の効果的な開発は、従属請求項に記載する。
【０００６】
本発明によれば、ここに提案する方法及び／又は装置は、素子の構造に何らの変更も必要としない。又、抵抗器のような素子は回路網内に必要とされず、それ故、例えば、高い電力において性能が更に変化するおそれが防止される。
更に、本発明は、ＲＦ電力をほとんど消費せずそして容易に実施できる回路を提供することである。更に、例えば、エージングによる長期間にわたるドレイン電流のドリフト作用を補償できるだけでなく、例えば、半導体素子の急激な温度変化による短時間変化も補償することができる。制御は、半導体素子（即ち、トランジスタ）の直線性に直接関係しているので、本発明によるバイアス制御方法は非常に正確に機能する。より詳細には、測定又は調整に中断を必要としないので、本発明は、電力用デバイスの効果的な制御を提供する。
【０００７】
【発明を実施するための最良の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
トランジスタは、規定されたクラス、いわゆる動作クラスで動作される。この動作クラスは、トランジスタの静止電流に依存する。本発明に使用されるトランジスタは、動作クラスＡＢ又はＢで機能しなければならない。上記クラスでは、基本信号の高調波が発生され、これが本発明に使用される。
本発明は、電力用増幅器（トランジスタ）の出力信号の高調波（基本周波数、第２高調波等）のレベルがそのトランジスタに対してセットされたバイアス点に依存するという考え方からスタートする。それ故、基本周波数、及び例えば第２高調波に関する信号の比を使用して、バイアス点に作用する効果を監視することができる（図６も参照）。
【０００８】
以下に述べる理論の説明は、ＦＥＴ又はＭＯＳＦＥＴトランジスタの用語をベースとする。しかしながら、バイポーラトランジスタ等の他の電力用デバイスも使用できる。
図５Ａには、上述したトランジスタの理想的な伝達特性が示されている。ゲート電圧ＶＧがスレッシュホールドレベルＶＴＨより下がると、ドレイン電流ＩＤがゼロとなる。ゲート電圧ＶＧが上記スレッシュホールドレベルより上昇すると、ドレイン電流は、飽和電流ＩＳＡＴ（オープンチャンネル電流としても知られている）に到達するまで増加する。
図５Ｂには、ドレイン電流ＩＤがドレイン電圧ＶＤの関数として示されている。ここで、静止ドレイン電流ＩＤＱと飽和電流ＩＳＡＴ（即ち最大ドレイン電流ＩＤ）との間の比として定義されたパラメータｘが指示されている。静止バイアス点は、ドレイン電圧が供給電圧ＶＤＤであるときの電流値に定義される。この静止バイアス点は、ドレイン電圧ＶＤ＝ＶＤＤにおける静止ドレイン電流ＩＤＱに対応する。
【０００９】
図６は、トランジスタの出力電力信号の第２高調波と基本周波数の電力比を、出力電力信号の基本周波数の電力の関数として示すグラフである。異なる曲線は、異なる値ｘ即ち異なる静止ドレイン電流ＩＤＱを各々表わす。クラスＡＢ増幅器（又はトランジスタ）のためのパラメータの典型値は、例えば、０．０８ないし０．１２である。クラスＢ増幅器の場合、ｘはゼロである。図６に示すように、曲線の位置は、基本周波数の電力に依存するだけでなく、トランジスタのバイアス点にも依存する。出力電力の値が固定であるときには、第２高調波と基本周波数との比がパラメータｘのみに依存し、即ち静止ドレイン電流ＩＤＱのみに依存する。これは、上述したようにエージング等によって変化し得る静止ドレイン電流ＩＤＱを、例えば、トランジスタの出力信号の基本周波数及び第２高調波のレベルの測定値を使用することにより修正する機会を与える。この測定結果は、ゲート電圧を変化させてバイアス点（即ち静止ドレイン電流）を調整するように使用できる。修正の必要性の指示として、基本周波数と第２高調波との比が使用される。
【００１０】
熱的変化は静止ドレイン電流ＩＤＱにも影響するので、基本周波数と第２高調波との比を対応的に使用することができる。それ故、本発明は、トランジスタに対する熱的作用を補償するように使用することもできる。
上述した理論的な考え方を使用することにより、本発明は、出力電力を取り出し、そしてその元の出力信号の基本周波数及び第２高調波のレベルのような信号成分を検出して性能変化を決定することにより、トランジスタ、例えば、ＭＯＳＦＥＴトランジスタ（電力用デバイス）のバイアス点を調整する方法を提供する。図１を参照してこの方法を以下に説明する。この方法を説明するために、多数のステップを含むフローチャートを使用するが、本発明による方法は、同時に実行することもできる。
【００１１】
図１において、ステップＳ１で制御手順を開始した後に、トランジスタの出力信号のサンプル、例えば、横方向拡散の金属酸化物半導体（ＬＤＭＯＳ）トランジスタの出力電力ＰＯＵＴが取り出される。ここでは、出力信号のサンプルを取り出すことは、出力信号を連続的に取り出すこととも理解できる。この出力信号は、ＲＦ信号の形態をとる。
サンプリングされた出力信号ＰＯＵＴは、互いに対応する２つの信号部分に分割される（ステップＳ３）。ステップＳ５において、これら信号部分の一方から、元の出力信号の基本周波数のレベルＰ１ｓｔが検出され、そして他方の信号から、元の出力信号の第２高調波のレベルＰ２ｎｄが検出される。この検出段階Ｓ５において、ＲＦ信号がＤＣ信号に変換されることに注意されたい。
【００１２】
次いで、ステップＳ６では、基本周波数及び第２高調波の検出レベルＰ１ｓｔ、Ｐ２ｎｄが処理される。この処理段階Ｓ６において、検出されたレベルが、例えば、電力の対数に比例する場合には、第２高調波レベルＰ２ｎｄを基本周波数レベルＰ１ｓｔから減算して、差即ちエラー信号を得る。他の場合には（即ち、検出されたレベルが電力の対数に比例せず、例えば、電力自体に比例する）、別の種類の計算が必要とされる。このように電力自体に比例する場合には、例えば、第２高調波レベルＰ２ｎｄと基本周波数レベルＰ１ｓｔとの比がステップＳ６の処理に必要とされる。
得られた結果は、性能変化を補償するために、トランジスタ１への入力信号（ひいては、トランジスタ１の出力信号ＰＯＵＴ）の変化が必要とされるかどうか判断する（ステップＳ７）のに使用される。この判断は、例えば、差の信号（例えば、トランジスタの出力電力が一定値であるときには、差がゼロであるかどうか）をチェックするだけで行うことができる。別の可能性は、上記差の信号を、各変化値に各々関連した所定値と比較することである。
【００１３】
ステップＳ７の判断が否定であり、即ち出力信号（性能）の変化の補償が必要とされない場合には、プロセスが直接最初へ復帰して（ステップＳ１０）、制御手順が再スタートされる。ステップＳ７の判断が肯定であり、即ち補償が必要とされる場合には、ステップＳ８において、トランジスタの静止ドレイン電流ＩＤＱ（即ちバイアス点）を調整するためのトランジスタの入力信号の変化値ΔＶが決定される。上述したように、この変化値ΔＶは、上記処理ステップＳ６で得られた差の信号それ自体を使用するか、又はその差信号と比較される所定値を使用することにより決定されて、各変化値が得られる。バイアス点を調整するために変化されるべき信号は、例えば、上記ＬＤＭＯＳの場合には、静止ドレイン電流ＩＤＱに作用するゲート電圧ＶＧである。ステップＳ９では、上記ゲート電圧ＶＧは、所定の変化値ΔＶに基づいて変化される。その後、プロセスは、制御手順の始めに復帰する（ステップＳ１０）。
【００１４】
それとは別に、ステップＳ３においてサンプルされた出力信号ＰＯＵＴを分割した後であって、ステップＳ５において基本周波数レベル及び第２高調波レベルを検出する前に、もし必要であれば、ステップＳ４において分割信号成分を前処理することも考えられる。この前処理段階は、上記検出段階Ｓ５において充分な検出を行うために上記分割信号成分の一方又は両方（又は周波数部分）を減衰することである。例えば、上記分割信号の少なくとも一方を、特に、基本周波数レベルＰ１ｓｔの検出のために、数十ｄＢ（例えば、２０−４０ｄＢ）下げることができる。更に、上記分割信号の少なくとも一方を、例えば、検出に対して第２高調波の充分な信号レベルを得るためにフィルタしてもよく、即ち、元の信号における基本周波数を第２高調波に比して（例えば１０ｄＢ）下げねばならない。
【００１５】
以下、図２を参照し、上記方法を実行するための装置の第１例について説明する。ここでは、トランジスタ１の出力信号を監視することにより、電力用デバイスとして使用されるトランジスタ１のバイアス点を制御する装置を説明する。トランジスタ、例えば、ＬＤＭＯＳトランジスタは、クラスＡＢ又はＢで動作されねばならない。
トランジスタ１のドレインは、抵抗器又はインダクタのような電気的素子Ｅを経て電源ＶＤＤに接続される。トランジスタのソースは接地される。参照記号Ａ及びＢは、トランジスタ１に接続されるマッチング回路網を各々示す。参照番号２は、出力信号ＰＯＵＴのサンプルを取り出すためのカプラーを示す。このカプラー２は、例えば、出力電力制御カプラーである。参照番号３は、サンプリングされた出力信号ＰＯＵＴの基本周波数のレベルＰ１ｓｔを検出するための検出器を示し、そして参照番号４は、サンプリングされた出力信号ＰＯＵＴの第２高調波のレベルＰ２ｎｄを検出するための検出器を示す。上述したように、これらの検出器は、ＲＦ出力信号を、更なる処理のためにＤＣ信号に変換する。これらの検出器３、４は、例えば、ダイオード、ログ検出器等である。
【００１６】
参照番号５は、処理回路、例えば、ＤＣフィードバック回路を示す。上記検出器３、４により検出された基本周波数及び第２高調波のレベルは、上記処理回路５の入力端子に供給される。この回路５において、入力レベル（ＤＣ信号）が処理され、例えば、上述したように減算されそして比較される。このような処理回路の一例を、図４を参照して以下に説明する。
この処理回路は、性能変化（出力信号ＰＯＵＴを監視することにより確認された）を補償するために、トランジスタ１の静止ドレイン電流（ひいては、バイアス点）を調整すべきかどうかそしてどれほどの値調整すべきかを判断する。それ故、この回路は、電力用デバイスとして使用されるトランジスタの性能を一定に保つために、トランジスタの入力信号として例えばゲート電圧ＶＧを変化させるための変化値ΔＶを出力する。
【００１７】
本発明の第２の実施形態においては、図３に示す装置が使用される。ここでは、上記手段Ａ及びＢ並びに１ないし５に加えて、前処理手段６及び７が含まれる。基本周波数の検出器３への経路には、減衰器６が含まれる。この減衰器６は、基本周波数の検出器３へ供給される分割信号を、第２高調波に等しい信号レベルに到達するために、例えば、数十ｄＢ（例えば２０ないし４０ｄＢ）下げるのに使用される。減衰器６は、例えば、チップ抵抗器で構成されたいわゆるＴ型減衰器である。
【００１８】
上述した回路要素６及び７に加えて、第２の実施形態では、減衰器やフィルタのような更に別の要素を装置の経路に追加することもできる。これは、検出されるべき高調波のレベルに依存する。例えば、基本周波数の検出器３への経路では、分割信号を前処理するためのフィルタが必要とされてもよい。
以下、図４を参照し、第１及び第２の実施形態に適用できるＤＣフィードバック回路として使用される回路の一例を説明する。ここでは、例えば、電力が一定であり、そして上述した検出器３、４からの入力（ＤＣ）信号が、ｄＢｍで表わされた電力の値（即ち電力の対数）に比例しそしてほぼ同じレベルにある場合に使用できる簡単な実施形態を説明する。しかしながら、他に必須条件がある場合には、トランジスタのバイアス点を調整するための変化値として使用される正しい出力を受け取るために、ＤＣフィードバック回路の構造を適宜に変更しなければならない。
【００１９】
図４において、基本周波数の検出されたレベルＰ１ｓｔに対応するＤＣ信号は差動増幅器の負の入力に供給され、そして第２高調波の検出されたレベルＰ２ｎｄに対応するＤＣ信号は、差動増幅器の正の入力に供給される。これは、上述したエラー又は差信号である差動増幅器の出力信号ΔＶが、基本周波数及び第２高調波に対応するＤＣ信号の比に依存するだけであることを意味する。固定の外部電圧ソースＶＲＥＦが基準として使用される。
或いは又、例えば、ダイナミックレンジがもっと広い出力電力を取り出すべき場合には、正しい調整のためにゲート電圧ＶＧをどれほどの値だけ変化すべきか決定するために、ルックアップテーブル（図示せず）が基準として使用される。次いで、ゲート電圧ＶＧ（即ち、静止電流ＩＤＱ）を調整するために、変化値ΔＶがローパスフィルタを経てトランジスタ１へ供給される。
【００２０】
差の信号ΔＶは、高調波の平均包絡線に依存するだけであるから、本発明は、一般に、元の出力信号に使用される変調の種類に関わりなく機能できることを述べておく。
好ましい実施形態として、本発明は、１段の電力増幅器内で使用される。上記説明では、電力用デバイスの半導体素子として、横方向拡散の金属酸化物半導体（ＬＤＭＯＳ）トランジスタを取り上げた。しかしながら、本発明は、長期間にわたって安定化されるべき他のいかなる電力用デバイスにも適用できることが明らかである。
高い効率を得るために、両検出器３、４から供給されるＤＣ信号が著しく相違してはならない。これは、上述した減衰のような対応手段によって実現することができる。更に、効率を改善するために、出力信号ＰＯＵＴが著しく及び／又は迅速に低下する場合には、ゲート電圧の変化（即ち調整）レベル範囲を、例えば所定のスレッシュホールド値で制限することができる。
【００２１】
上述したように、本発明では、半導体素子１の調整に基本周波数及び第２高調波が使用されたが、第３、第４等の高調波の１つ以上を調整レベルの計算に使用することもできる。この場合には、本発明による方法及び装置は、これらのパラメータを考慮に入れるように非常に容易に変更することができる。
本発明は、電力用デバイスへの入力信号ＶＧを変化することによって電力用デバイス１のパラメータＩＤＱを調整する方法において、上記電力用デバイス１の出力信号ＰＯＵＴのサンプルを取り出し（Ｓ２）、この取り出された出力信号ＰＯＵＴの少なくとも第１及び第２の信号成分レベルＰ１ｓｔ、Ｐ２ｎｄを検出し（Ｓ５）、その検出された少なくとも第１及び第２の信号成分レベルＰ１ｓｔ、Ｐ２ｎｄを処理し（Ｓ６）、この処理段階（Ｓ６）で得られた結果に基づいて、上記パラメータＩＤＱの変化の補償が必要とされるかどうか判断し、このような変化を補償すべき場合には、上記入力信号ＶＧに対する変化値ΔＶを決定し（Ｓ８）、そしてその決定された変化値ΔＶだけ上記入力信号ＶＧを変化することにより上記パラメータＩＤＱを調整する（Ｓ９）という段階を含む方法を提案する。更に、本発明は、それに対応する装置も提案する。
上記説明及び添付図面は、本発明を一例として示すものに過ぎないことを理解されたい。従って、本発明の好ましい実施形態は、請求の範囲内で種々変更し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による方法を示すフローチャートである。
【図２】  第１の実施形態による装置を示すブロック回路図である。
【図３】  第２の実施形態による装置を示すブロック回路図である。
【図４】  これら実施形態による装置の１つの素子を示すブロック回路図である。
【図５Ａ】  トランジスタの特性を示す図である。
【図５Ｂ】  トランジスタの特性を示す図である。
【図６】  異なるパラメータに対するトランジスタの出力信号の比を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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