(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に付着する不要物を液体の噴射によって除去する基板処理装置であって、
それぞれ、液体を粒状に噴射するとともに、噴射する液体の粒径が異なる複数のノズルと、
基板を搬送する搬送機構と、を備え、
前記複数のノズルは、基板の搬送に従って基板に噴射される液体の粒径が次第に小さくなるように配置されている、
基板処理装置。
【請求項２】
前記複数のノズルは、基板が絶え間なく液体の噴射を受けるように配置されている、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数のノズルは、互いの間隔が、３００ｍｍ以下である、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記複数のノズルには、少なくとも、第１ノズルと、前記第１ノズルよりも噴射する液体の粒径が小さい第２ノズルとが含まれており、
前記第１ノズルから噴射される液体の粒径が、前記第２ノズルから噴射される液体の粒径の２倍以上である、
請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記複数のノズルは、形状及び液体の供給圧力の違いにより、それぞれ噴射する液体の粒径が異なる、
請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記複数のノズルには、液体を単独で噴射する一流体ノズルと、液体に気体を混合させて噴射する二流体ノズルとが含まれている、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
それぞれ噴射する液体の粒径が異なる前記複数のノズルは、同じチャンバー内に配置されている、
請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記搬送機構は、水平面に対して基板を傾斜させた状態で、基板を搬送する、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記複数のノズルから噴射された液体のミストの拡散を防止するために、基板側が開口するとともに前記複数のノズルのそれぞれを覆うミストカバーをさらに備えた、請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記複数のノズルから噴射された液体のミストの拡散を防止するために、前記複数のノズルの間に設けられた仕切板をさらに備えた、請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記複数のノズルには、基板の搬送方向上流側に配置された上流ノズルと、前記上流ノズルの基板搬送方向下流側に配置された中流ノズルと、前記中流ノズルの基板搬送方向下流側に配置された下流ノズルと、が含まれている、請求項１から１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記複数のノズルは、基板の搬送方向上流側に向かって液体が噴射されるように傾斜して配置されている、請求項１から１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置、特に、基板に付着する不要物を液体の噴射によって除去する基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置またはプラズマ表示装置用のガラス基板（ＦＰＤ基板）や半導体ウエハ、プリント基板等の製造プロセスにおいては、種々の基板処理が必要となる。これらの基板処理の中には、基板に付着する不要物を液体の噴射によって除去する各種のウェット処理も含まれる。ウェット処理の具体例としては、洗浄処理、現像処理、レジスト剥離処理などが挙げられる。
【０００３】
このようなウェット処理を行う基板処理装置では、ノズルから液体をスプレー（噴射）することが多い。スプレーされた液体は、基板に付着している不要物に衝突し、基板から不要物を除去する。不要物とは、洗浄処理におけるパーティクル、カラーフィルタの現像処理におけるカラーレジスト、剥離処理におけるパーティクルやレジスト等である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ウェット処理を行う従来の基板処理装置の中には、処理効率を向上させるために、スプレー以外のブラシや超音波といった手段を組み合わせているものがある。
【０００５】
しかし、精密なパターンが形成されているプリント基板に対してブラシを用いる場合にはパターンへのダメージが懸念され、超音波を用いる場合にはコストアップを強いられることになる。
【０００６】
また、処理効率の向上を狙って、各チャンバーのスプレー圧を変える方法を採る装置もある。例えば、洗浄処理を行う装置においては、薬液スプレーチャンバー、低圧リンスチャンバー、高圧リンスチャンバー、超純水リンスチャンバー等が並べられるが、それぞれのチャンバーにおけるスプレー圧を変えているものがある。ここでは、低圧のスプレーによって比較的大きな不要物を除去し、高圧のスプレーによって比較的小さな不要物を除去することができる。
【０００７】
しかし、スプレー圧を変えるだけでは不要物を最適な方法で効率的に除去しているとは言えず、飛躍的な処理時間の短縮は困難である。
【０００８】
本発明の課題は、基板に付着する不要物を液体の噴射によって除去する基板処理装置において、不要物の除去処理の効率を向上させることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る基板処理装置は、基板に付着する不要物を液体の噴射によって除去する装置であって、複数のノズルと、基板を搬送する搬送機構と、を備えている。複数のノズルは、それぞれ、液体を粒状に噴射するとともに、噴射する液体の粒径が異なる。そして、複数のノズルは、基板の搬送に従って基板に噴射される液体の粒径が次第に小さくなるように配置されている。
【００１０】
ここでは、複数のノズルが、それぞれ粒径の異なる液体を噴射して、基板から不要物を除去する。したがって、基板に付着している不要物の構成や種類に合わせて適切な粒径を設定すれば、基板から不要物を効率的に除去することができる。
【００１１】
例えば、不要物のうち比較的大きなものに対しては、それを除去するのに適した大きな粒径の液体をあるノズルから噴射させ、不要物のうち比較的小さなものやパターン間の小さな隙間にある不要物に対しては、それを除去するのに適した小さな粒径の液体を違うノズルから噴射させることが考えられる。
【００１２】
また、ここでは、複数のノズルは、搬送されている基板に対して液体を噴射する。したがって、搬送されている基板から見れば、相対的に、各ノズルが順番に異なる粒径の液体を噴射してくる状態となる。そして、上記の構成により、基板は、最初に粒径の大きな液体の噴射を受け、次第に粒径の小さな液体の噴射を受けるようになる。このため、基板に付着している不要物のうち比較的大きなものが先に除去され、比較的小さなものは後に除去される。これにより、大きな不要物が障害となって小さな不要物が除去されないという不具合が抑えられるようになる。
【００１３】
請求項２に係る基板処理装置は、請求項１に記載の装置であって、複数のノズルは、基板が絶え間なく液体の噴射を受けるように配置されている。
【００１４】
スプレー圧を変える従来の装置では、各ノズル間の距離が大きく、特にチャンバー間ではスプレーが途切れるため、せっかく除去した比較的大きな不要物が基板に再付着してしまい、大きな不要物の再付着に阻害されて小さな不要物まで除去できなくなるといった不具合が生じる場合がある。このような現象が起こる場合には、処理の質を低下させないために、処理時間を長くしなければならない。
【００１５】
特に、パターンが形成されているプリント基板では、大きな不要物がパターンの凸部とともに小さな不要物を隠すような状態となり、大きな不要物が再付着すると小さな不要物が除去されにくい傾向がある。
【００１６】
これに対し、請求項２に係る装置では、異なる粒径の液体を噴射する複数のノズルを使用して処理効率を上げるとともに、基板が絶え間なく液体の噴射を受け続けるように各ノズルを配置している。このため、いったん除去した不要物が基板に再付着することが少なくなる。したがって、小さな不要物を除去するための液体の噴射前において除去した大きな不要物が再付着し、小さな不要物の除去を阻害する現象が抑えられる。これにより、処理効率がより向上し、処理時間を短縮することも可能となる。
【００１７】
請求項３に係る基板処理装置は、請求項１又は２に記載の装置であって、複数のノズルは、互いの間隔が、３００ｍｍ以下である。
【００１８】
ここでは、隣接するノズルの間隔を３００ｍｍ以下としているため、基板がほぼ絶え間なく液体の噴射を受け続けるようになり、いったん除去した不要物の再付着が抑えられる。
【００１９】
請求項４に係る基板処理装置は、請求項１から３のいずれかに記載の装置であって、複数のノズルには、少なくとも、第１ノズル及び第２ノズルが含まれている。第２ノズルが噴射する液体の粒径は、第１ノズルが噴射する液体の粒径よりも小さい。第１ノズルから噴射される液体の粒径は、第２ノズルから噴射される液体の粒径の２倍以上である。
【００２０】
基板処理において除去すべき不要物を効率的に除去するために試験を繰り返した結果、大きな不要物及び小さな不要物の両方を効率的に除去するためには、噴射する液体の粒径に２倍以上（より望ましくは８倍以上）の開きがある第１及び第２ノズルを設置することが望ましいことが本願の発明者によって判明した。これに基づき、本請求項の装置では、第１ノズルから噴射される液体の粒径を、第２ノズルから噴射される液体の粒径の２倍以上としている。
【００２１】
請求項５に係る基板処理装置は、請求項１から４のいずれかに記載の装置であって、複数のノズルは、形状及び液体の供給圧力の違いにより、それぞれ噴射する液体の粒径が異なる。
【００２２】
請求項６に係る基板処理装置は、請求項５に記載の装置であって、複数のノズルには、一流体ノズルと二流体ノズルとが含まれている。一流体ノズルは、液体を単独で噴射する。二流体ノズルは、液体に気体を混合させて噴射する。
【００２３】
ここでは、比較的大きな粒径の液体の噴射に適している一流体ノズルと比較的小さな粒径の液体の噴射に適している二流体ノズルとの両方を用いるため、噴射する液体の最大粒径と最小粒径との寸法の開きを大きく設定することが容易となる。
【００２４】
請求項７に係る基板処理装置は、請求項１から６のいずれかに記載の装置であって、それぞれ噴射する液体の粒径が異なる複数のノズルは、同じチャンバー内に配置されている。
【００２５】
請求項８に係る基板処理装置は、請求項１に記載の装置であって、搬送機構は、水平面に対して基板を傾斜させた状態で、基板を搬送する。
【００２６】
請求項９に係る基板処理装置は、請求項１から７のいずれかに記載の装置であって、複数のノズルから噴射された液体のミストの拡散を防止するために、基板側が開口するとともに複数のノズルのそれぞれを覆うミストカバーをさらに備えている。
【００２７】
請求項１０に係る基板処理装置は、請求項１から７のいずれかに記載の装置であって、複数のノズルから噴射された液体のミストの拡散を防止するために、複数のノズルの間に設けられた仕切板をさらに備えている。
【００２８】
請求項１１に係る基板処理装置は、請求項１から１０のいずれかに記載の装置であって、複数のノズルには、基板の搬送方向上流側に配置された上流ノズルと、上流ノズルの基板搬送方向下流側に配置された中流ノズルと、中流ノズルの基板搬送方向下流側に配置された下流ノズルと、が含まれている。
【００２９】
請求項１２に係る基板処理装置は、請求項１から１１のいずれかに記載の装置であって、複数のノズルは、基板の搬送方向上流側に向かって液体が噴射されるように傾斜して配置されている。
【００３０】
【発明の実施の形態】
＜全体構成＞
図１に、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の一部を示す。この基板処理装置は、表面に配線パターンＰＴ（図２参照）が施された基板Ｗを搬送しながら洗浄する装置である。この装置は、主として、一連のチャンバー（導入チャンバー８０、水洗チャンバー１０，乾燥搬出チャンバー９０）と、各チャンバーを貫通して搬送路を形成する搬送ローラ１６とから構成されている。
【００３１】
基板Ｗが基板処理装置に運ばれてくると、まず基板Ｗは導入チャンバー８０に搬入される。その後、基板Ｗは、水洗チャンバー１０に送られて、表面に付着しているパーティクル等の異物（不要物）が洗い流される。そして、水洗処理を終えた基板Ｗは、水洗チャンバー１０に隣接する乾燥搬出チャンバー９０でエアーの吹き付けによる乾燥処理が行われた後、装置外に搬出される。
【００３２】
なお、基板Ｗは図１の左方から右方に向かう搬送方向Ｄの向きに搬送されるが、以下、図１左側を上流側、図１右側を下流側という。すなわち、水洗チャンバー１０に関しては、導入チャンバー８０が存在する側が上流側、乾燥搬出チャンバー９０が存在する側が下流側となる。
【００３３】
＜水洗チャンバーの構成＞
水洗チャンバー１０は、主として、ケーシング１９と、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂと、中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂと、下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂとを備えている。
【００３４】
ケーシング１９は、導入チャンバー８０と乾燥搬出チャンバー９０との間の空間を囲う枠体であり、上流側及び下流側の側面に基板Ｗを通すための開口が設けられている。
【００３５】
上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂは、ケーシング１９内において上流側部分に配置されている。上流スプレーノズル２１ａは搬送ローラ１６により搬送される基板Ｗの上方に配置され、上流スプレーノズル２１ｂは基板Ｗの下方に配置される。これらの上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂは、搬送方向Ｄと直交する方向に延びる純水供給パイプ１１ａ，１１ｂに装着されており、純水Ｌ１を基板Ｗに向けて噴射する。
【００３６】
また、複数の上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂが装着されている純水供給パイプ１１ａ，１１ｂは、噴射した純水Ｌ１のミストの拡散を防ぐ目的で、図１に示すような基板Ｗ側が開口したミストカバー３１ａ，３１ｂによって覆われている。
【００３７】
中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂは、ケーシング１９内において上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂの下流側に配置されている。中流スプレーノズル２２ａは搬送ローラ１６により搬送される基板Ｗの上方に配置され、中流スプレーノズル２２ｂは基板Ｗの下方に配置される。これらの中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂは、搬送方向Ｄと直交する方向に延びる純水供給パイプ１２ａ，１２ｂに装着されており、純水Ｌ２を基板Ｗに向けて噴射する。
【００３８】
また、複数の中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂが装着されている純水供給パイプ１２ａ，１２ｂは、噴射した純水Ｌ２のミストの拡散を防ぐ目的で、図１に示すような基板Ｗ側が開口したミストカバー３２ａ，３２ｂによって覆われている。
【００３９】
下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂは、ケーシング１９内において中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂの下流側に配置されている。下流スプレーノズル２３ａは搬送ローラ１６により搬送される基板Ｗの上方に配置され、下流スプレーノズル２３ｂは基板Ｗの下方に配置される。これらの下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂは、搬送方向Ｄと直交する方向に延びる純水供給パイプ１３ａ，１３ｂに装着されており、純水Ｌ３を基板Ｗに向けて噴射する。
【００４０】
また、複数の下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂが装着されている純水供給パイプ１３ａ，１３ｂは、噴射した純水Ｌ３のミストの拡散を防ぐ目的で、図１に示すような基板Ｗ側が開口したミストカバー３３ａ，３３ｂによって覆われている。
【００４１】
＜各スプレーノズルから噴射される純水の粒径＞
この基板処理装置の水洗チャンバー１０では、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂから噴射される純水Ｌ１の粒径、中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂから噴射される純水Ｌ２の粒径、及び下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂから噴射される純水Ｌ３の粒径を、段階的に変えている。装置上流側から下流側に向かって純水の粒径が段々と小さくなっていくように構成されており、中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂから噴射される純水Ｌ２の粒径は上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂから噴射される純水Ｌ１の粒径よりも小さく、下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂから噴射される純水Ｌ３の粒径は中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂから噴射される純水Ｌ２の粒径よりもさらに小さい。
【００４２】
この基板処理装置における具体的な噴射純水の設定粒径は、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂで約３００μｍ、中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂで約１００μｍ、下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂで約３０μｍである。
【００４３】
なお、各スプレーノズルから設定粒径の純水を噴射させるために、各スプレーノズルの先端噴射口の大きさを変えるとともに、下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂでは、図示しないエアー配管から供給されるエアーをノズル内に引き込み、純水とエアーとを混合させることによって噴射する純水Ｌ３の粒径を小さくしている。すなわち、ここでは、下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂとして、単独で純水の噴射する一流体ノズルではなく、純水にエアーを混合させて噴射する二流体ノズルを採用している。
【００４４】
また、上記のように各スプレーノズルの構造を異ならせるとともに、各スプレーノズルに純水を供給する純水供給ラインをスプレーノズル毎に設けて、各ノズル構造に適した圧力で純水が各スプレーノズルに供給されるように構成している。
【００４５】
＜水洗チャンバーでの基板洗浄動作＞
基板Ｗが導入チャンバー８０から水洗チャンバー１０に搬送されてくると、基板Ｗは、まず、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂから、約３００μｍの粒径の純水Ｌ１の噴射を受ける。この約３００μｍの粒径の純水Ｌ１の噴射は、主として、基板Ｗの表面に付着している大きな異物を取り除く。
【００４６】
基板Ｗが下流側に搬送されていくと、次に、中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂから、約１００μｍの粒径の純水Ｌ２が基板Ｗに噴射される（図２（ａ）参照）。ここでは、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂによる噴射で取り除けなかった異物のうち比較的大きな異物Ｐ１が取り除かれる（図２（ｂ）参照）。
【００４７】
さらに下流側に搬送されていくと、基板Ｗは、図２（ｃ）に示すように、下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂから約３０μｍの粒径の純水Ｌ３の噴射を受ける。これにより、基板Ｗの表面に形成されているパターンＰＴの間に入り込んだ小さな異物Ｐ２や滞留水が除去される。
【００４８】
なお、図２においては、理解の容易のために、基板Ｗの下面の洗浄については図示を省略している。
【００４９】
＜装置の特徴＞
（１）
本実施形態の基板処理装置では、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂ、中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂ、下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂが、それぞれ粒径の異なる純水Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を噴射して、基板Ｗから異物を除去する。そして、基板Ｗに付着している異物に合わせて各スプレーノズルが噴射する純水の粒径を設定しているため、基板Ｗから効率的に異物が除去される。
【００５０】
（２）
本実施形態の基板処理装置では、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂ、中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂ、下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂが、基板Ｗの搬送に従って基板Ｗに噴射される純水の粒径が次第に小さくなるように配置されている。このため、図２（ａ）に示すように基板Ｗ上のパターンＰＴ及び大きな異物Ｐ１に囲まれる空間に小さな異物Ｐ２が付着している場合においても、基板Ｗに付着している大きな異物Ｐ１が先に除去され、小さな異物Ｐ２は下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂからの純水Ｌ３の噴射によって後から除去される。すなわち、大きな異物Ｐ１が障害となって小さな異物Ｐ２が除去されないという不具合が少なくなっている。
【００５１】
（３）
本実施形態の基板処理装置では、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂが約３００μｍの粒径の純水Ｌ１を噴射し、下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂが約３０μｍの粒径の純水Ｌ３を噴射する。すなわち、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂから噴射される純水Ｌ１の粒径は、下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂから噴射される純水Ｌ３の粒径の約１０倍である。このような粒径の設定は、洗浄処理において除去すべき一般的な異物（パーティクル等）を効率的に除去するために試験を繰り返した結果得られたものである。試験の結果、大きな異物及び小さな異物の両方を効率的に除去するためには、噴射する純水の粒径に２倍以上（より望ましくは８倍以上）の開きがある２種以上のスプレーノズルを設置することが望ましいことが本願の発明者によって判明している。
【００５２】
特に、この実施形態では、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂの粒径が、約３００μｍであって、中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂの粒径（約１００μｍ）の約３倍となっている。さらに、中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂの粒径が、約１００μｍであって、下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂの粒径（約３０μｍ）の約３倍となっている。すなわち、この実施形態では、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂと中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂ、中流スプレーノズル２２ａと下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂのそれぞれで、約３倍の粒径差がある。したがって、それぞれのスプレーノズルが異なった大きさの異物を有効に除去することになり、幅広く種々の大きさの異物が有効に除去される。
【００５３】
また、ここでは、装置上流側から下流側に向かって噴射する純水の粒径を段階的に大きなものから小さなものへと変化させているため、大きな異物から小さな異物までが段階的に除去されるようになり、除去効率が向上している。
【００５４】
＜第１変形例＞
図３に、上記実施形態の第１変形例を示す。ここでは、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂと中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂ、及び中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂと下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂの間隔を詰めて、基板Ｗが確実に絶え間なく純水の噴射を受けるように構成している。
【００５５】
具体的には、搬送方向Ｄに隣接するスプレーノズル間の間隔Ｓを３００ｍｍ以下にして、基板Ｗへの純水の噴射が切れ目無く為されるようにしている。
【００５６】
このように、基板Ｗが絶え間なく純水の噴射を受け続けるように各スプレーノズルを配置しているため、いったん除去した大きな異物が基板に再付着することが少なくなる。したがって、小さな異物を除去するための純水の噴射前において除去した大きな異物が再付着し、小さな異物の除去を阻害する現象が抑えられる。これにより、処理効率がより向上し、処理時間も短縮される。
【００５７】
また、図３に示すように各スプレーノズル間の間隔Ｓを小さくすることによって、水洗チャンバー１０の長さも短くなり、装置のコンパクト化も図られる。
【００５８】
＜第２変形例＞
図４に、上記実施形態の第２変形例を示す。ここでは、ケーシング１９の内部空間を仕切板４１により区切っている。仕切板４１は、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂと中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂとの間、及び中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂと下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂとの間に設けられており、ケーシング１９の内部空間を３分割している。
【００５９】
これにより、上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂの純水Ｌ１の噴射に起因するミストは概ね上流スプレーノズル２１ａ，２１ｂのある空間５１だけに拡散し、下流側には殆ど拡散しなくなる。また、中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂの純水Ｌ２の噴射に起因するミストについても、概ね中流スプレーノズル２２ａ，２２ｂのある空間５２だけに拡散し、下流側の下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂのある空間５３には殆ど拡散しなくなる。
【００６０】
したがって、いったん除去された大きな異物が下流側に流れて基板Ｗに再付着するという現象が抑えられ、異物の除去効率が向上する。
【００６１】
なお、図４では、仕切板４１の位置において基板Ｗに対する純水噴射が途切れているが、基板Ｗへの純水噴射が途切れないように、各スプレーノズル間の間隔を詰めたり噴射角度を拡げたりすることがより望ましい。
【００６２】
＜第３変形例＞
図５に、上記実施形態の第３変形例を示す。ここでは、各スプレーノズルを上流側に傾斜させて、噴射された純水が下流側に流れることを抑えている。これにより、いったん除去した異物が下流側に流れて基板Ｗに再付着するという現象が少なくなり、除去効率が向上する。
【００６３】
＜第４変形例＞
図６に、上記実施形態の第４変形例を示す。図６は、水洗チャンバー１０の横断面図である。
【００６４】
ここでは、搬送ローラ１６は、基板Ｗを水平面に対して傾斜させた状態で搬送する。これに合わせて、各スプレーノズルも傾斜した状態で配置されている。
【００６５】
この場合には、基板Ｗに噴射された純水が傾斜に沿って側方に流れるため基板Ｗの上面に純水が滞留することが抑えられる。これにより、基板Ｗに噴射する純水の粒径を段階的に変えてきめ細かく異物を除去する本発明の適用の効果が、より明瞭に現れるようになる。
【００６６】
一方、傾斜搬送で基板Ｗの上面に純水が溜まりにくくなるため異物が再付着する恐れがあるが、下流スプレーノズル２３ａ，２３ｂによる小さな異物の除去まで基板Ｗに絶え間なく純水の噴射を続けてやることによって、再付着を最小限に抑えることができる。
【００６７】
［他の実施形態］
（Ａ）
上記実施形態の基板処理装置は基板洗浄のための装置であるが、本発明を適用することのできる基板処理装置はこれに限定されるものではない。薬液工程の後に水洗を行う基板処理装置、レジストやパーティクルを除去するレジスト剥離装置、カラーレジストの除去処理を含む現像装置、あるいはこれらの複数の処理を連続的に行う基板処理装置にも本発明を適用することができる。
【００６８】
（Ｂ）
上記実施形態の基板処理装置は表面に配線パターンが施された基板を処理対象としているが、表面に凹凸のない基板を処理する基板処理装置に対しても本発明の適用は有効である。さらに、処理対象となる基板は、半導体基板用のシリコンウエハ、液晶表示器用のガラス基板、プリント基板等、種々の基板が想定される。
【００６９】
（Ｃ）
上記実施形態の基板処理装置では純水を基板Ｗに噴射する方法で基板洗浄を行っているが、必要がある場合には、これにブラシや超音波による洗浄を組み合わせることも可能である。但し、本発明が適用された上記実施形態の基板処理装置は、従来よりも高い洗浄能力を備えており、従来ブラシや超音波を必要としていたような場合においてもブラシや超音波による洗浄を省略することができる。
【００７０】
【発明の効果】
本発明では、複数のノズルがそれぞれ粒径の異なる液体を噴射するように構成しているため、基板に付着している不要物の構成や種類に合わせて適切な粒径を設定することにより、基板から不要物を効率的に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略側面図。
【図２】  基板から異物が除去される状態を表す図。
【図３】  基板処理装置の第１変形例に係る概略側面図。
【図４】  基板処理装置の第２変形例に係る概略側面図。
【図５】  基板処理装置の第３変形例に係る概略側面図。
【図６】  基板処理装置の第４変形例に係る横断面図。
【符号の説明】
１０    水洗チャンバー
１６    搬送ローラ（搬送手段）
１９    ケーシング
２１ａ，２１ｂ    上流スプレーノズル（第１ノズル）
２２ａ，２２ｂ    中流スプレーノズル
２３ａ，２３ｂ    下流スプレーノズル（第２ノズル）
Ｌ１    上流スプレーノズルから噴射される純水
Ｌ２    中流スプレーノズルから噴射される純水
Ｌ３    下流スプレーノズルから噴射される純水
Ｐ１    比較的大きな異物
Ｐ２    小さな異物
ＰＴ    パターン
Ｗ    基板
【図１】
0003881169.tif 000002
【図２】
0003881169.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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