(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に所定の位相シフト量と透過率を有する半透光膜を形成し、この半透光膜をレジストパターンをマスクにドライエッチングして半透光膜パターンを形成する工程と、
前記工程の結果得られた線幅が許容範囲を越えたときに、その越えた線幅の要件が許容範囲内となり、位相差の要件が許容範囲を越えないようなエッチング条件に変更してドライエッチングを追加する工程とを具備することを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２】
透明基板上に所定の位相シフト量と透過率を有する半透光膜を形成し、この半透光膜をレジストパターンをマスクにドライエッチングして半透光膜パターンを形成する工程と、
前記工程の結果得られた位相差および線幅が許容範囲を越えたときに、その両方が調整されて両方が許容範囲内となるようなエッチング条件に変更してドライエッチングを追加する工程とを具備することを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法において、エッチング条件の変更は圧力により行うことを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
【請求項４】
請求項１または２記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法において、エッチング条件の変更はガス種により行うことを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法において、半透光膜は、酸化された遷移金属及びシリコン、窒化された遷移金属及びシリコン、酸化窒化された遷移金属及びシリコンのいずれかの薄膜であることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法において、遷移金属はモリブデンであることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＳＩなどの微細パターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるフォトマスク、特に露光光間に位相差を与えて解像度の向上を図ったハーフトーン位相シフトマスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ＬＳＩの製造において、微細パターン転写マスクたるフォトマスクの一つとして位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマスクは、マスクを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの解像度を向上できるようにしたものである。この位相シフトマスクの一つに、特に孤立したホールやスペースパターンを転写するのに適したマスクとして特開平４−１３６８５４号公報に記載の位相シフトマスクが知られている。
【０００３】
この位相シフトマスクは、透明基板上に、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同時に、通過する光の位相をシフトさせる半透光膜を形成し、この半透光膜の一部を選択的に除去することにより、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とを有するマスクパターンを形成したものである。この位相シフトマスクは、半透光部を通過する光の位相をシフトさせて、該半透光部を通過した光の位相が上記透光部を通過した光の位相に対して実質的に反転する関係になるようにすることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過して回折により回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにして、境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたものであり、ハーフトーン位相シフトマスクと称されている。
【０００４】
この位相シフトマスクにおいては、露光光の波長をλ、半透光膜の露光光に対する屈折率をｎとしたとき、一般には半透光膜の膜厚ｔの値が
ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝
を満たす値に設定され、また、露光光の波長における半透光膜の透過率が１〜５０％程度になるように設定されるのが普通である。
【０００５】
上述の半透光膜は二層構造になっており、主にＳＯＧ（塗布型ガラス：スピンオングラス）膜にて位相差を調整し、薄いクロム膜で透過率を決定するというものであった。ところが、上述の構造では、マスクパターンの作製上、いくつかの問題点があった。それは、ＳＯＧ膜とクロム膜では、成膜方法およびパターン加工法が異なるため、プロセス途中で欠陥が発生しやすいこと、ＳＯＧは屈折率が小さいため、露光光で位相反転させるための必要膜厚が通常の遮光膜に比べ厚くなり、加工が難しいこと、さらにＳＯＧは機械的強度が弱く、クロム膜との密着性も悪いため、膜剥がれが生じやすいといったことである。
【０００６】
そこで、これらの問題点を解決するために、位相差と透過率を一つの膜で同時に制御できる単層膜が開発されている。単層膜の組成としてはクロム系とモリブデンシリサイド系が一般的であり、クロム系はクロムの酸化膜、クロムの酸化窒化膜などが知られており、モリブデンシリサイド系は、酸化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯ）、窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）、酸化窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯＮ）、酸化炭化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯＣ）、酸化炭化窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯＣＮ）などが知られている。ＭｏＳｉＮは、より詳しくは、金属結合のＭｏＳｉと、Ｍｏ又はＳｉの窒化物からなる。これらの単層膜は、クロムまたはモリブデンシリサイドのターゲットを用いた反応性スパッタリング法により成膜される。また、マスクパターンの形成には、クロム系ではウエットエッチングまたはドライエッチング、モリブデンシリサイド系ではドライエッチングが利用される。
【０００７】
位相シフトマスクの特性を最大限に発揮させるためには、位相シフト量が１８０°であることが理想的であるが、実用上はおよそ±３°の範囲に入ることが望ましい。上記単層膜によるハーフトーン位相シフトマスクは、位相差と透過率を一つの膜で同時に制御するため、ハーフトーン位相シフトマスクブランクスの製造には膜質および膜厚の高精度な制御が要求される。また、マスクの線幅（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｔｉｏｎ）についても、通常のマスクに比べてより高精度化が要求される。
【０００８】
通常、クロム系フォトマスクブランクスによるマスク作製は、図７に示すような工程により行われる。まず、図７（ａ）に示すように、透明基板１１上にスパッタリング法等によりクロム膜１２を形成し、その上にレジスト１３を塗布してフォトマスクブランクスを得る。次に、図７（ｂ）に示すように、レジスト１３を露光、現像して、レジストパターン１３ａを得る。その後、レジストパターン１３ａをマスクとして図７（ｃ）に示すようにクロム膜１２をエッチングすることにより、クロム膜パターン１２ａを形成し、最後に図７（ｄ）に示すようにレジストパターン１３ａを剥離することにより、フォトマスクが完成する。このような工程は、モリブデンシリサイド系フォトマスクブランクスによる場合も同様である。
【０００９】
ここで、クロム系のエッチングには、例えば硝酸第２セリウムアンモンによるウエットエッチング、またはＣｌ2 、ＣＣｌ4 等によるドライエッチング技術が利用される。また、モリブデンシリサイド系では、ＣＦ4 等によるドライエッチング技術が利用される。これらの加工で、モリブデンシリサイド系の場合、通常のマスクでは問題にならないことがハーフトーン位相シフトマスクでは問題となってくる。
【００１０】
それは、クロム系のエッチングでは上記のような薬液、ガスではいずれも基板ガラスに耐性があり殆どエッチングされない、すなわちクロムとガラスのエッチング選択比が数十〜数百あるのに対し、モリブデンシリサイド系の場合ガラスも若干エッチングされてしまう（選択比はおよそ数〜数十）ことである。そして、通常のマスクでは基板ガラスが若干掘れることがあっても実際のマスク使用上は何等影響はないが、ハーフトーン位相シフトマスクでは、ガラス露出部と膜の間で１８０°の位相差を持たせているため、ガラスがエッチングされることで、ガラスの持つ屈折率とエッチングされた深さから計算される位相量が変化してしまうのである。
【００１１】
しかし、この問題点は、ガラスがエッチングされる量（すなわち位相差ズレ量）をあらかじめ計算に入れたハーフトーン膜設計を行うことで回避できる。特開平７−５６３１７号公報では、この事実を利用して目標位相差からのズレを補正し、精度の良い位相シフトマスクが得られることが示されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、クロム系のエッチングではエッチング時間を追加していくことで横方向にもエッチングされ、パターニングされたレジストの設計寸法よりもオーバーに仕上がる、別の言い方をすればＣＤコントロールができる一方で基板ガラスはほとんど影響されないのに対し、モリブデンシリサイド系では同様に設計寸法よりもオーバーに仕上がると同時に基板ガラスもエッチングされてしまうことになる。
【００１３】
図８および図９はその様子を示す図で、図８がクロム系の場合、図９はモリブデンシリサイド系の場合である。レジストパターン２１をマスクにクロム膜パターン２２またはモリブデンシリサイド膜パターン２３を追加エッチングした場合、図８に示すクロム系の場合は、図８（ｂ）に示すようにクロム膜パターン２２がサイドエッチングでオーバーに仕上がり、しかしガラス基板２４はほとんど影響されないのに対して、モリブデンシリサイド系の場合は、図９（ｂ）に示すようにモリブデンシリサイド膜パターン２３がオーバーに仕上がると同時にガラス基板２４もエッチングされてしまう。すなわち、ハーフトーン位相シフトマスクにおいて、クロム系ではＣＤと位相差を独立に制御できるのに対し、モリブデンシリサイド系ではそれができず、ＣＤと位相差が共に満足した値の高精度なマスクが得られないという問題点があった。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明（第１の本発明）は上述の課題を解決するために、透明基板上に所定の位相シフト量と透過率を有する半透光膜を形成し、この半透光膜をレジストパターンをマスクにドライエッチングして半透光膜パターンを形成する工程と、この工程の結果得られた位相差または線幅が許容範囲を越えたときに、その越えた要件のみが調整されて許容範囲内となるようなエッチング条件に変更してドライエッチングを追加する工程とを具備するハーフトーン位相シフトマスクの製造方法とする。
【００１５】
また、第２の本発明では、透明基板上に所定の位相シフト量と透過率を有する半透光膜を形成し、この半透光膜をレジストパターンをマスクにドライエッチングして半透光膜パターンを形成する工程と、この工程の結果得られた位相差および線幅が許容範囲を越えたときに、その両方が調整されて両方が許容範囲内となるようなエッチング条件に変更してドライエッチングを追加する工程とを具備するハーフトーン位相シフトマスクの製造方法とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
次に添付図面を参照して本発明によるハーフトーン位相シフトマスクの製造方法の実施の形態を詳細に説明するが、その前に本発明の概要について述べる。
【００１７】
第１の本発明では、モリブデンシリサイドなど金属シリサイド系ハーフトーン位相シフトマスクにおいて、ＣＤと位相差を極力独立に制御できＣＤと位相差が共に満足した値の高精度なマスクを得る方法を提供する。
【００１８】
一般に、ドライエッチングの制御パラメーターとしては、主にガス種、圧力、ＲＦパワーがあり、その組み合わせにより種々の条件設定が可能で、目的に応じた最適条件が存在する。
【００１９】
ラジカルが反応のメインであるものは、反応機構としてはウエットエッチングの場合と同じように図２で示すようにエッチングの進行は等方的である。
【００２０】
一方、イオンがエッチング反応のメインである場合は、イオンの直進性を利用しているためマスク転写性に優れ、図３に示すように異方性エッチングになる。モリブデンシリサイド系半透光膜をエッチングする場合、装置としては、平行平板電極を用いたＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）装置であり、活性イオンとラジカルの両者がエッチングに寄与するので、上記二つの中間の性質を持った条件にてエッチングされる。したがって、条件の設定によっては、ラジカル主体の反応（等方性エッチング）にも、イオン主体の反応（異方性エッチング）にも動かし得る。
【００２１】
図４には、ガスとしてＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍを用い、かつＲＦパワーが１００Ｗにおいて、圧力を変化させたときのＭｏＳｉＮ（窒化されたモリブデン及びシリコン）と石英基板（ＱＺ）のエッチング速度変化を、また図５にはサイドエッチング量の圧力依存性を示す。両図から明らかなように、圧力が高いときは、ＭｏＳｉＮのエッチング速度は速く石英は遅くなり、等方的なエッチングとなって、エッチング時間を延長したときのサイドエッチング量増加率が大きくなる。逆に、圧力が低い場合は、エッチング速度の関係が逆になり、異方的なエッチングとなって、エッチング時間を延長してもサイドエッチング量の増加率が小さい反面、石英のエッチング速度が速いためエッチング量に相当して位相差が増加することになる。
【００２２】
したがって、上記のような性質を応用すれば、ＣＤと位相差をほぼ独立に制御することが可能となる。すなわち、最初にある程度異方性の条件にて石英基板の掘れ量も計算に入れてエッチングを行い、この工程でＣＤが設計値よりも細ければ石英の掘れ量が少なくサイドエッチング量の大きい等方性の条件にてエッチングを追加すれば位相差はそのままでＣＤのみを調整でき、反対にＣＤは設計値通りで位相差が若干低めのときは、逆にそのままの条件でエッチングを追加すればＣＤはほとんど変わらずに石英を堀り込んで位相差を調整することができる。
【００２３】
上記の圧力を低く設定して異方性を強くするエッチング条件では、レジストのエッチングが進み選択比が落ちる傾向になるため、他の方法として、圧力は一定で、ガス種を変えるようにしてもよい。上記ＣＦ4 に比べ堆積性の強い例えばＣＨＦ3 等を添加ガスとして用いれば、側壁保護効果によってサイドエッチング量すなわちＣＤはほぼ一定とすることができる。図６にはサイドエッチング量のＣＨＦ3 添加量依存性を示す。
【００２４】
また、上述の技術の関連として、第２の本発明では、ＣＤと位相差の両方が許容範囲に入らないときに、その両方を調整して両方が許容範囲内におさまるようにすることかできる。すなわち、最初のエッチング工程の結果、ＣＤが設計値よりも細く、かつ位相差が低めのときに、それらの両方が調整されるような条件でエッチングを追加すれば、ＣＤと位相差の両方を調整して両方とも許容範囲内とすることができる。
【００２５】
次に、本発明の第１の実施形態を図１を参照して説明する。第１の実施形態では、まず図１（ａ）に示すように、主表面を鏡面研磨した石英ガラスからなる透明基板３１上に、半透光膜として、窒化されたモリブデンおよびシリコンのＭｏＳｉＮ膜３２をスパッタリング法により膜厚９５０ｎｍ成膜する。次に、その上に、ＭｏＳｉＮ膜３２のパターン形成用としてポジ型電子線レジスト（ＺＥＰ８１０：日本ゼオン社製）３３をスピンコート法により５００ｎｍ塗布して乾燥させることで形成する。次に、ポジ型電子線レジスト３３に選択的に電子線描画を行い、現像して図１（ｂ）に示すようにＭｏＳｉＮ膜３２のパターン形成用レジストパターン３３ａを形成する。
【００２６】
次に、平行平板電極型のドライエッチング装置にてレジストパターン３３ａをマスクにしてＭｏＳｉＮ膜３２を以下の条件（エッチング条件１）でエッチングし、図１（ｃ）に示すようにＭｏＳｉＮ膜パターン３２ａを形成する。
エッチング条件１
ガス      ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ
ＲＦパワー：１００Ｗ
圧力      ：０．１５Ｔｏｒｒ
時間      ：６０ｓｅｃ
【００２７】
次に、レジストパターン３３ａはそのままで透過型ＣＤ測定機にて仮にＣＤを測定する。この場合、あらかじめレジスト付きの状態と、レジストを剥離した状態でのＣＤ変換差を調べておくことで、レジストを剥離する前に剥離後のＣＤを推測できる。このとき、設計値２．００μｍに対して、レジスト剥離後のＣＤが１．９０μｍになることが推測された。また、主パターン外の一部分のレジストを剥離して位相差を測定したところ１８１．０°であった。
【００２８】
ここで、高精度なマスクに仕上げるためには、位相差はそのままで、ＣＤのみ設計値に近づけることが必要である。そこで、以下の条件（エッチング条件２）にて追加でエッチングを行う。
エッチング条件２
ガス      ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ
ＲＦパワー：１００Ｗ
圧力      ：０．３Ｔｏｒｒ
時間      ：７ｓｅｃ
【００２９】
ここで、図４および図５から圧力０．３Ｔｏｒｒの条件においてサイドエッチング速度は０．０１５μｍ／ｓｅｃ、石英ガラスのエッチング速度は０．５８Å／ｓｅｃであることが分っているため、上記条件でエッチングを追加することでレジスト剥離後のＣＤ値は０．１０５μｍ進んで２．００５μｍ、位相差は０．３°進んで（ここで波長２４８ｎｍでの石英ガラスの屈折率を１．５０８とすると、１°あたり１３．５Åとなる）１８１．３０°となり、位相差はほとんど一定のままでＣＤを設計値に近づけることができた。
【００３０】
次に、本発明の第２の実施形態を説明する。第２の実施形態では、エッチング条件１によるエッチングまで、前記第１の実施形態と工程は全く同様である。次に、レジストパターン３３ａはそのままで透過型ＣＤ測定機にて仮にＣＤを測定する。このとき、設計値２．００μｍに対してレジスト剥離後のＣＤが１．９９μｍになることが推測された。また、主パターン外の一部分のレジストを剥離して位相差を測定したところ１７５．０°であった。
【００３１】
ここで、高精度なマスクに仕上げるためには、ＣＤはそのままで、位相差のみ設計値に近づけることが必要である。そこで、以下の条件（エッチング条件３）にて追加でエッチングを行う。
エッチング条件３
ガス      ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ
ＲＦパワー：１００Ｗ
圧力      ：０．０７５Ｔｏｒｒ
時間      ：２１ｓｅｃ
【００３２】
ここで、図４および図５から圧力０．０７５Ｔｏｒｒの条件においてサイドエッチング速度は０．００１５μｍ／ｓｅｃ、石英ガラスのエッチング速度は３．２Å／ｓｅｃであることが分っているため、上記条件でエッチングを追加することでレジスト剥離後のＣＤ値は０．０３μｍ進んで２．０２μｍ、位相差は５．０°進んで（ここで波長２４８ｎｍでの石英ガラスの屈折率を１．５０８とすると、１°あたり１３．５Åとなる）１８０．０°となり、ＣＤはほとんど一定のままで、位相差を設計値に近づけることができた。
【００３３】
次に、本発明の第３の実施形態を説明する。第３の実施形態では、エッチング条件１によるエッチングまで、前記第１の実施形態と工程は全く同様である。次に、レジストパターン３３ａはそのままで透過型ＣＤ測定機にて仮にＣＤを測定する。このとき、設計値２．００μｍに対してレジスト剥離後のＣＤがちょうど２．００μｍになることが推測された。また、主パターン外の一部分のレジストを剥離して位相差を測定したところ１７６．０°であった。
【００３４】
ここで、高精度なマスクに仕上げるためには、ＣＤはそのままで、位相差のみ設計値に近づけることが必要である。そこで、以下の通り圧力一定で、ＣＨＦ3 ガスを添加した条件（エッチング条件４）にて追加でエッチングを行う。
エッチング条件４
ガス      ：ＣＦ4 ／ＣＨＦ3 ／Ｏ2 ＝８５／１０／５ｓｃｃｍ
ＲＦパワー：１００Ｗ
圧力      ：０．１５Ｔｏｒｒ
時間      ：５０ｓｅｃ
【００３５】
ここで、図６から上記の条件においてサイドエッチング速度は０．０００４μｍ／ｓｅｃ、また石英ガラスのエッチング速度は１．１Å／ｓｅｃであることが分っているため、上記条件でエッチングを追加することで、レジスト剥離後のＣＤ値は０．０２μｍ進んで２．０２μｍ、位相差は４．０°進んで（ここで波長２４８ｎｍでの石英ガラスの屈折率を１．５０８とすると、１°あたり１３．５Åとなる）１８０．０°となり、ＣＤはほとんど一定のままで、位相差を設計値に近づけることができた。
【００３６】
次に、本発明の第４の実施形態を説明する。第４の実施形態では、エッチング条件１によるエッチングまで、前記第１の実施形態と工程は全く同様である。次に、レジストパターン３３ａはそのままで透過型ＣＤ測定機にて仮にＣＤを測定する。このとき、設計値２．００μｍに対してレジスト剥離後のＣＤが１．９５μｍになることが推測された。また、主パターン外の一部分のレジストを剥離して位相差を測定したところ１７３．０°であった。
【００３７】
ここで、高精度なマスクに仕上げるためには、ＣＤおよび位相差を両方とも設計値に近づけることが必要である。そこで、以下の条件（エッチング条件５）にて追加でエッチングを行う。
エッチング条件５
ガス      ：ＣＦ4 ／Ｏ2 ＝９５／５ｓｃｃｍ
ＲＦパワー：１００Ｗ
圧力      ：０．１５Ｔｏｒｒ
時間      ：７６ｓｅｃ
【００３８】
ここで、図４および図５から圧力０．１５Ｔｏｒｒの条件においてサイドエッチング速度は０．００５３μｍ／ｓｅｃ、石英ガラスのエッチング速度は１．４２Å／ｓｅｃであることが分っているため、上記条件でエッチングを追加することでレジスト剥離後のＣＤ値は０．４μｍ進んで１．９９μｍ、位相差は８．０°進んで（ここで波長２４８ｎｍでの石英ガラスの屈折率を１．５０８とすると、１°あたり１３．５Åとなる）１８１．０°となり、ＣＤおよび位相差を両方とも設計値に近づけることができた。
【００３９】
なお、上記の実施形態では、半透光膜として、窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）を用いたが、酸化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯ）、酸化窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯＮ）などを用いることもできる。また、モリブデン（Ｍｏ）の代わりに、Ｍｏと同様の遷移金属であるタングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）などを用いた金属シリサイドとすることもできる。さらに、単層膜以外にも、例えば、モリブデンシリサイドとＳＯＧなどの２層膜を用いることもできる。これら他の膜を用いて上記実施形態と同様にすることができる。
【００４０】
さらに、第３の実施形態では、堆積性の強いガスとしてＣＨＦ3 を添加したが、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ4 Ｆ8 あるいはＣＨ2 Ｆ2 などのガスを用いることもできる。
【００４１】
また、上述の各実施形態では、透明基板として石英ガラスを用いているが、他にも、例えば、ソーダライムガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス等の他のガラスを用いることができる。ただし、その場合、その材料の屈折率やエッチング速度等に応じたプロセスが必要である。
【００４２】
さらに、レジストパターンを形成する際に、電子線描画による方法以外に、光による露光でもよく、その場合にはその露光条件に応じたレジストを用いることは勿論である。
【００４３】
【発明の効果】
このように本発明のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法によれば、モリブデンシリサイドなど金属シリサイド系のハーフトーン位相シフトマスクの作製において、ＣＤと位相差を独立に制御することができ、ＣＤと位相差が共に満足した値の高精度なマスクを得ることができる。また、本発明によれば、ＣＤと位相差の両方が許容範囲内にない場合も、追加のエッチングでＣＤと位相差の両方を許容範囲内におさめることができ、高精度なマスクを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるハーフトーン位相シフトマスクの製造方法の第１の実施形態を示す断面図。
【図２】等方性エッチングを示す断面図。
【図３】異方性エッチングを示す断面図。
【図４】エッチング速度の圧力依存性を示す特性図。
【図５】サイドエッチング量の圧力依存性を示す特性図。
【図６】サイドエッチング量のＣＨＦ3 添加依存性を示す特性図。
【図７】クロム系フォトマスクブランクスによるマスク作製を示す断面図。
【図８】クロム系のエッチング時における様子を示す断面図。
【図９】モリブデンシリサイド系のエッチング時における様子を示す断面図。
【符号の説明】
３１    透明基板
３２    ＭｏＳｉＮ膜
３２ａ    ＭｏＳｉＮ膜パターン
３３ａ    レジストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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