(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、前記媒体対向面の近傍に配置された薄膜磁気ヘッド素子とを有する薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法であって、
基板と、前記基板の上に配置された絶縁層と、前記絶縁層内に形成された薄膜磁気ヘッド素子とを含むスライダ用の素材に対して媒体対向面を形成する工程と、
前記媒体対向面に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の上面のうち、前記薄膜磁気ヘッド素子および絶縁層に対応する部分の上にマスクを形成する工程と、
前記保護膜を含めた前記素材における記録媒体に対向する面のうち、薄膜磁気ヘッド素子に対応する部分が、基板に対応する部分のうちの少なくとも一部と同一平面を形成するか、または基板に対応する部分のうちの少なくとも一部よりも記録媒体に近づく位置に配置されるように、前記マスクを用いて前記保護膜を部分的にエッチングする工程と
を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
【請求項２】
前記エッチングする工程ではイオンミリングを用いることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
【請求項３】
前記エッチングする工程では反応性イオンエッチングを用いることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
【請求項４】
前記媒体対向面を形成する工程は、前記スライダ用の素材における媒体対向面となる面の研磨を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
【請求項５】
前記保護膜はダイヤモンドライクカーボンによって形成されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
【請求項６】
前記保護膜の厚みは、前記エッチングする工程の前の状態における前記媒体対向面のうち、薄膜磁気ヘッド素子に対応する部分と基板に対応する部分のうちの少なくとも一部との間の段差以上であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
【請求項７】
前記エッチングする工程において、前記保護膜を含めた前記素材における記録媒体に対向する面のうちの基板に対応する部分に、スライダと記録媒体との吸着を防止するための凸部を形成することを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面と、媒体対向面の近傍に配置された薄膜磁気ヘッド素子とを有する薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドと読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）とも記す。）素子を有する再生ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magnetoresistive）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magnetoresistive ）と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがあり、ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギガビット／（インチ）2を超える再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／（インチ）2を超える再生ヘッドとして利用されている。近年は、ほとんどＧＭＲヘッドが利用されるようになってきている。
【０００３】
再生ヘッドの性能を向上させる方法としては、ＭＲ膜をＡＭＲ膜からＧＭＲ膜等の磁気抵抗感度の優れた材料に変える方法や、ＭＲ膜のパターン幅、すなわち、再生トラック幅やＭＲハイトを適切化する方法等がある。ＭＲハイトとは、ＭＲ素子のエアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。また、エアベアリング面は、薄膜磁気ヘッドにおける磁気記録媒体と対向する面である。
【０００４】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性能のうち面記録密度を高めるには、記録トラック密度を上げる必要がある。このためには、記録ギャップ層を挟んでその上下に形成された下部磁極および上部磁極のエアベアリング面での幅を数ミクロンからサブミクロン寸法まで狭くした狭トラック構造の記録ヘッドを実現する必要があり、これを達成するために半導体加工技術が利用されている。また、記録ヘッドの性能を決定する他の要因としては、パターン幅、特に、スロートハイト（Throat Height）がある。スロートハイトは、２つの磁極層が記録ギャップ層を介して対向する部分、すなわち磁極部分の、エアベアリング面側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）をいう。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。このスロートハイトは、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって決定される。
【０００５】
このように、薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形成することが重要である。
【０００６】
高密度記録を可能にする薄膜磁気ヘッドに要求される条件としては、再生ヘッドについては、再生トラック幅の縮小、再生出力の増加、ノイズの低減等があり、記録ヘッドについては、記録トラックの縮小、記録媒体上の既にデータを書き込んである領域にデータを重ね書きする場合の特性であるオーバーライト特性の向上、非線形トランジションシフト（Non-linear Transition Shift）の向上等がある。
【０００７】
ところで、ハードディスク装置等に用いられる浮上型薄膜磁気ヘッドは、一般的に、後端部に薄膜磁気ヘッド素子が形成されたスライダによって構成されるようになっている。スライダは、記録媒体の回転によって生じる空気流によって記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。
【０００８】
ここで、図１７ないし図２１を参照して、従来の薄膜磁気ヘッド素子の製造方法の一例について説明する。なお、図１７ないし図２０において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【０００９】
この製造方法では、まず、図１７に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１０１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層１０２を、約５〜１０μｍ程度の厚みで堆積する。次に、絶縁層１０２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層１０３を形成する。
【００１０】
次に、下部シールド層１０３の上に、アルミナ等の絶縁材料よりなるシールドギャップ膜１０４を、例えばスパッタリングにより、例えば１００〜２００ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、再生用のＭＲ素子１０５を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜１０４の上に、ＭＲ素子１０５に電気的に接続される一対の電極層１０６を形成する。
【００１１】
次に、下部シールドギャップ膜１０４、ＭＲ素子１０５および電極層１０６の上に、アルミナ等の絶縁材料よりなるシールドギャップ膜１０７を、例えばスパッタリングによって形成し、ＭＲ素子１０５をシールドギャップ膜１０４，１０７内に埋設する。
【００１２】
次に、上部シールドギャップ膜１０７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）１０８を、約３μｍの厚みに形成する。
【００１３】
次に、図１８に示したように、下部磁極層１０８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層１０９を０．２μｍの厚みに形成する。次に、磁路形成のために、記録ギャップ層１０９を部分的にエッチングして、コンタクトホール１０９ａを形成する。次に、磁極部分における記録ギャップ層１０９の上に、記録ヘッド用の磁性材料よりなる上部磁極チップ１１０を、０．５〜１．０μｍの厚みに形成する。このとき同時に、磁路形成のためのコンタクトホール１０９ａの上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層１１９を形成する。
【００１４】
次に、図１９に示したように、上部磁極チップ１１０をマスクとして、イオンミリングによって、記録ギャップ層１０９と下部磁極層１０８をエッチングする。図１９（ｂ）に示したように、上部磁極部分（上部磁極チップ１１０）、記録ギャップ層１０９および下部磁極層１０８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。
【００１５】
次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる絶縁層１１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層１１１を、上部磁極チップ１１０および磁性層１１９の表面に至るまで研磨して平坦化する。
【００１６】
次に、平坦化された絶縁層１１１の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１１２を形成する。次に、絶縁層１１１およびコイル１１２の上に、フォトレジスト層１１３を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１３の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。次に、フォトレジスト層１１３の上に、第２層目の薄膜コイル１１４を形成する。次に、フォトレジスト層１１３およびコイル１１４上に、フォトレジスト層１１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１１５の表面を平坦にするために所定の温度で熱処理する。
【００１７】
次に、図２０に示したように、上部磁極チップ１１０、フォトレジスト層１１３，１１５および磁性層１１９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパーマロイ（ＮｉＦｅ）よりなる上部磁極層１１６を形成する。次に、上部磁極層１１６の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１１７を形成する。最後に、上記各層を含むスライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面１１８を形成して、薄膜磁気ヘッド素子が完成する。
【００１８】
図２１は、図２０に示した薄膜磁気ヘッド素子の平面図である。なお、この図では、オーバーコート層１１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略している。
【００１９】
次に、図２２ないし図２４を参照して、スライダの構成とその製造方法について説明する。図２２はスライダのエアベアリング面の構成の一例を示す底面図である。この図に示したように、スライダ１２０におけるエアベアリング面は、磁気ディスク等の記録媒体の回転によって生じる空気流によってスライダ１２０を記録媒体の表面からわずかに浮上させるために必要な形状に形成されている。なお、図２２において、符号１２１ａは凸部を表し、１２１ｂは凹部を表している。また、また、スライダ１２０におけるエアベアリング面の空気流出側（図２２における上側）の端部近傍には薄膜磁気ヘッド素子１２２が配置されている。この薄膜磁気ヘッド素子１２２の構成は、例えば図２０に示したようになっている。図２２におけるＣ部が、図２０（ｂ）に対応する。
【００２０】
スライダ１２０は、以下のようにして製造される。まず、それぞれ薄膜磁気ヘッド素子１２２を含むスライダとなる部分（以下、スライダ部分と言う。）が複数列に配列されたウェハを一方向に切断して、スライダ部分が一列に配列されたバーと呼ばれるブロックを形成する。次に、このバーに対して研磨加工を行ってエアベアリング面を形成し、更に、凸部１２１ａおよび凹部１２１ｂを形成する。次に、バーを切断して各スライダ１２０に分離する。
【００２１】
図２３は図２２のＤ−Ｄ線断面図である。図２３では、薄膜磁気ヘッド素子１２２のうちの主要な部分のみを示している。図２３に示したように、スライダ１２０の大部分は、例えばアルティックよりなる基板１０１で構成されている。スライダ１２０のうちの残りの部分は、例えばアルミナよりなる絶縁層１２７と、この絶縁層１２７内に形成された薄膜磁気ヘッド素子１２２等で構成されている。絶縁層１２７の大部分はオーバーコート層１１７である。
【００２２】
スライダ１２０におけるエアベアリング面には、下部シールド層１０３、下部磁極層１０８、上部磁極チップ１１０、上部磁極層１１６等の腐食等を防止するために、例えば特開平９−６３０２７号公報に示されるように、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等を用いた保護膜を形成してもよい。図２４は、このようにエアベアリング面に保護膜１２８を形成したスライダ１２０が、記録媒体１４０の表面からわずかに浮上している状態を示す断面図である。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ハードディスク装置の性能、特に面記録密度を向上させる方法には、線記録密度を高める方法とトラック密度を高める方法とがある。高性能のハードディスク装置を設計する際には、線記録密度とトラック密度のどちらに重点を置くかによって、記録ヘッド、再生ヘッド、あるいは薄膜磁気ヘッド全体における具体的な方策が異なる。すなわち、トラック密度に重点を置いた設計の場合には、例えば、記録ヘッドと再生ヘッドの双方においてトラック幅の縮小が求められる。
【００２４】
一方、線記録密度に重点を置いた設計の場合には、例えば、再生ヘッドにおいて、再生出力の向上や、再生出力における半値幅の縮小が求められる。線記録密度に重点を置いた設計の場合には、更に、ハードディスクとスライダとの間の距離（以下、磁気スペースと言う。）の縮小が求められる。２０〜３０ギガビット／（インチ）2の面記録密度を実現する場合には、磁気スペースとしては、例えば１５〜２５ｎｍであることが必要となる。
【００２５】
磁気スペースの縮小は、スライダの浮上量の縮小によって達成される。磁気スペースの縮小は、再生ヘッドにおける再生出力の向上や半値幅の縮小に寄与する他に、記録ヘッドにおけるオーバーライト特性の向上に寄与する。
【００２６】
以下、磁気スペースを縮小する場合における問題点について説明する。従来、スライダ１２０のエアベアリング面の研磨は、例えば、ダイヤモンドスラリーを用い、回転するスズ定盤上で行っていた。
【００２７】
ところで、スライダ１２０を構成する複数の材料には硬度に差がある。例えば、基板１０１に使用されるセラミックス材であるアルティックと、下部シールド層１０３、下部磁極層１０８、上部磁極チップ１１０、上部磁極層１１６等に使用される磁性材料、例えばＮｉＦｅと、絶縁層１２７に使用されるアルミナとで硬度を比較すると、アルティックの硬度が最も大きく、ＮｉＦｅの硬度が最も小さく、アルミナの硬度はアルティックの硬度とＮｉＦｅの硬度の中間である。
【００２８】
このように互いに硬度の異なる複数の層を含むスライダ１２０を、研磨剤としてダイヤモンドスラリーを用いてスズ定盤上で研磨すると、硬度の異なる複数の層の間で段差が生じることがあった。例えば、図２３に示したように、ＮｉＦｅ等の磁性材料よりなる層、例えば上部磁極層１１６と絶縁層１２７との間では、絶縁層１２７に対して上部磁極層１１６が引っ込んだ状態で１〜２ｎｍ程度の段差が生じ、絶縁層１２７と基板１０１との間では、基板１０１に対して絶縁層１２７が引っ込んだ状態で４〜５ｎｍ程度の段差が生じていた。この場合、薄膜磁気ヘッド素子１２２のエアベアリング面側の面と、保護膜１２８を除いた状態の基板１０１のエアベアリング面側の面との間の段差は５〜７ｎｍ程度となる。
【００２９】
ここで、図２４に示したように、保護層１２８の厚みを５ｎｍとすると、薄膜磁気ヘッド素子１２２のエアベアリング面側の面と、基板１０１に対応する部分における保護層１２８のエアベアリング面側の面との間の段差は１０〜１２ｎｍ程度となる。そして、スライダ１２０の浮上時におけるスライダ１２０と記録媒体１４０との間の距離を１０ｎｍとすると、スライダ１２０の浮上時における薄膜磁気ヘッド素子１２２のエアベアリング面側の面と記録媒体１４０との間の距離、すなわち磁気スペースは２０〜２２ｎｍ程度となる。この程度の磁気スペースでは、達成可能な面記録密度は３０ギガビット／（インチ）2程度が限界となる。
【００３０】
このように、従来の薄膜磁気ヘッドでは、スライダ１２０のエアベアリング面において、薄膜磁気ヘッド素子１２２に対応する部分が他の部分よりも引っ込んだ状態で段差が生じることから、磁気スペースを縮小することが困難であり、その結果、記録密度を向上させることが難しいという問題点があった。
【００３１】
また、従来の薄膜磁気ヘッドでは、上述のように、磁気スペースを縮小することが困難であることから、特に、再生ヘッドにおける再生出力の向上や半値幅の縮小といった再生ヘッドの特性の向上を十分に図ることができなかった。そのため、従来は、高密度記録用のハードディスク装置のエラーレートが高くなり、ハードディスク装置の歩留りが低くなるという問題点があった。
【００３２】
なお、特開平８−３３９５１１号公報には、スライダのエアベアリング面を研磨する工程において、薄膜磁気ヘッド素子を構成する構成部材に比べて、構成部材の周囲の絶縁体を不均衡に侵食して、構成部材が絶縁体よりも突き出るようしたスライダの製造方法が開示されている。
【００３３】
しかしながら、この技術では、スライダのエアベアリング面において、特に絶縁体と構成部材との間に大きな段差が生じるため、この段差を解消するために保護膜を必要以上に厚く形成する必要が生じるという問題点がある。
【００３４】
一方、磁気スペースを縮小してゆくと、スライダと記録媒体との衝突が生じやすくなり、記録媒体の損傷が生じやすくなる。これを防止するには、記録媒体の表面の平滑性を高めることが必要になる。しかし、記録媒体の表面の平滑性を高めると、スライダと記録媒体との吸着が生じやすくなる。
【００３５】
そこで、特開平８−２８７４４０号公報、特開平８−２９３１１１号公報、特開平１１−１２０５２８号公報等には、スライダの媒体対向面に吸着防止用の突起を設ける技術が示されている。
【００３６】
ところで、特開平７−２３０６１５号公報には、スライダの浮上面を平坦化するために、スライダの浮上面の加工時にスライダとヘッド素子との間に生じる凹み部に、絶縁膜よりなる保護膜を設ける技術が示されている。特開平７−２３０６１５号公報には、凹み部に保護膜を設ける方法として、次のような第１の方法と第２の方法とが示されている。第１の方法は、スライダの浮上面とヘッド素子部の浮上面とを含む面の全面にスパッタリングにより保護膜を形成した後、スライダの浮上面をラッピングすることにより、スライダの浮上面における保護膜を除去する方法である。第２の方法は、スライダの浮上面とヘッド素子部の浮上面とを含む面の全面に感光性有機膜を形成し、ヘッド素子部の浮上面における感光性有機膜のみを感光させて取り除き、その後、全面にスパッタリングにより保護膜を形成し、最後に、残りの感光性有機膜を取り除く方法である。
【００３７】
しかしながら、特開平７−２３０６１５号公報に示された技術では、スライダの浮上面すなわち媒体対向面は平坦化されるが、スライダの媒体対向面に前述の吸着防止用の突起を設ける等、スライダの媒体対向面を所望の形状に形成することが困難であるという問題点がある。
【００３８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、薄膜磁気ヘッド用スライダの低浮上化を可能とし、且つ薄膜磁気ヘッド用スライダの媒体対向面を所望の形状に形成することを可能にした薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法を提供することにある。
【００３９】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法は、記録媒体に対向する媒体対向面と、媒体対向面の近傍に配置された薄膜磁気ヘッド素子とを有する薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法であって、
基板と、基板の上に配置された絶縁層と、絶縁層内に形成された薄膜磁気ヘッド素子とを含むスライダ用の素材に対して媒体対向面を形成する工程と、
媒体対向面のうち、薄膜磁気ヘッド素子および絶縁層に対応する部分の上にマスクを形成する工程と、
媒体対向面のうち、薄膜磁気ヘッド素子に対応する部分が、基板に対応する部分のうちの少なくとも一部と同一平面を形成するか、または基板に対応する部分のうちの少なくとも一部よりも記録媒体に近づく位置に配置されるように、マスクを用いて媒体対向面を部分的にエッチングする工程と
を備えたものである。
【００４０】
本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法では、媒体対向面を部分的にエッチングすることにより、スライダの媒体対向面のうち、薄膜磁気ヘッド素子に対応する部分が、基板に対応する部分のうちの少なくとも一部と同一平面を形成するようになるか、または基板に対応する部分のうちの少なくとも一部よりも記録媒体に近づく位置に配置されるようになる。
【００４１】
本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法において、エッチングする工程ではイオンミリングを用いてもよいし、反応性イオンエッチングを用いてもよい。
【００４２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法において、媒体対向面を形成する工程は、スライダ用の素材における媒体対向面となる面の研磨を含んでいてもよい。
【００４３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法は、更に、エッチングする工程の後に、媒体対向面に保護膜を形成する工程を備えていてもよい。この場合、保護膜はダイヤモンドライクカーボンによって形成されてもよい。
【００４４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法は、更に、媒体対向面を形成する工程の後に、媒体対向面に保護膜を形成する工程を備え、媒体対向面を部分的にエッチングする代りに保護膜を部分的にエッチングしてもよい。この場合、保護膜はダイヤモンドライクカーボンによって形成されてもよい。また、保護膜の厚みは、エッチングする工程の前の状態における媒体対向面のうち、薄膜磁気ヘッド素子に対応する部分と基板に対応する部分のうちの少なくとも一部との間の段差以上であってもよい。
【００４５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法では、エッチングする工程において、媒体対向面、または保護膜を含めた素材における記録媒体に対向する面のうちの基板に対応する部分に凸部を形成するようにしてもよい。
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
本発明の第１の実施の形態が適用される薄膜磁気ヘッド用スライダ（以下、単にスライダと記す。）は、記録媒体に対向する媒体対向面としてのエアベアリング面と、エアベアリング面の近傍に配置された薄膜磁気ヘッド素子とを有している。
【００４７】
まず、図１ないし図７を参照して、本発明の第１の実施の形態が適用されるスライダにおける薄膜磁気ヘッド素子の製造方法の一例について説明する。なお、図１ないし図６において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００４８】
本例における薄膜磁気ヘッド素子の製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）よりなる絶縁層２を、約５μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料、例えばパーマロイよりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を、約３μｍの厚みに形成する。下部シールド層３は、例えば、フォトレジスト膜をマスクにして、めっき法によって、絶縁層２の上に選択的に形成する。次に、図示しないが、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層を、例えば４〜５μｍの厚みに形成し、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）によって、下部シールド層３が露出するまで研磨して、表面を平坦化処理する。
【００４９】
次に、図２に示したように、下部シールド層３の上に、絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５を、数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子５は、一端部がエアベアリング面３０に配置される。ＭＲ素子５は、例えば、スパッタによって形成したＭＲ膜を選択的にエッチングすることによって形成する。なお、ＭＲ素子５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される一対の電極層６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜４およびＭＲ素子５の上に、絶縁膜としての上部シールドギャップ膜７を、例えば約２０〜４０ｎｍの厚みに形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。シールドギャップ膜４，７に使用する絶縁材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、シールドギャップ膜４，７は、スパッタ法によって形成してもよいし、化学的気相成長（ＣＶＤ）法によって形成してもよい。
【００５０】
次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）８の第１の層８ａを、約１．０〜１．５μｍの厚みで、選択的に形成する。なお、下部磁極層８は、この第１の層８ａと、後述する第２の層８ｂ、第３の層８ｃとで構成される。下部磁極層８の第１の層８ａは、後述する薄膜コイルの少なくとも一部に対向する位置に配置される。
【００５１】
次に、下部磁極層８の第１の層８ａの上に、下部磁極層８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃを、約１．５〜２．５μｍの厚みに形成する。第２の層８ｂは、下部磁極層８の磁極部分を形成し、第１の層８ａの後述する記録ギャップ層側（図２において上側）の面に接続される。第３の層８ｃは、第１の層８ａと後述する上部磁極層とを接続するための部分であり、後述する薄膜コイルの中心の近傍の位置に配置される。第２の層８ｂのうち上部磁極層と対向する部分におけるエアベアリング面３０とは反対側の端部の位置は、スロートハイトを規定する。
【００５２】
下部磁極層８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃは、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。
【００５３】
次に、図３に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁膜９を、約０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。
【００５４】
次に、フォトレジストをフォトリソグラフィ工程によりパターニングして、薄膜コイルをフレームめっき法によって形成するための図示しないフレームを形成する。次に、このフレームを用いて、フレームめっき法によって、例えば銅（Ｃｕ）よりなる薄膜コイル１０を、例えば約１．０〜２．０μｍの厚みおよび１．２〜２．０のコイルピッチで形成する。次に、フレームを除去する。なお、図中、符号１０ａは、薄膜コイル１０を、後述する導電層（リード）と接続するための接続部を示している。
【００５５】
次に、図４に示したように、全体に、例えばアルミナよりなる絶縁層１１を、約３〜４μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、下部磁極層８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃが露出するまで、絶縁層１１を研磨して、表面を平坦化処理する。ここで、図４（ａ）では、薄膜コイル１０は露出していないが、薄膜コイル１０が露出するようにしてもよい。
【００５６】
次に、露出した下部磁極層８の第２の層８ｂおよび第３の層８ｃと絶縁層１１の上に、絶縁材料よりなる記録ギャップ層１２を、例えば０．２〜０．３μｍの厚みに形成する。記録ギャップ層１２に使用する絶縁材料としては、一般的に、アルミナ、窒化アルミニウム、シリコン酸化物系材料、シリコン窒化物系材料、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等がある。また、記録ギャップ層１２は、スパッタ法によって形成してもよいし、ＣＶＤ法によって形成してもよい。
【００５７】
次に、磁路形成のために、下部磁極層８の第３の層８ｃの上において、記録ギャップ層１２を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。また、薄膜コイル１０の接続部１０ａの上の部分において、記録ギャップ層１２および絶縁層１１を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【００５８】
次に、図５に示したように、記録ギャップ層１２の上において、エアベアリング面３０から下部磁極層８の第３の層８ｃの上の部分にかけて上部磁極層１３を約２．０〜３．０μｍの厚みに形成すると共に、薄膜コイル１０の接続部１０ａに接続されるように導電層１６を約２．０〜３．０μｍの厚みに形成する。上部磁極層１３は、下部磁極層８の第３の層８ｃの上の部分に形成されたコンタクトホールを介して、下部磁極層８の第３の層８ｃに接触し、磁気的に連結されている。
【００５９】
上部磁極層１３は、ＮｉＦｅ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）や、高飽和磁束密度材料であるＮｉＦｅ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）等を用い、めっき法によって形成してもよいし、高飽和磁束密度材料であるＦｅＮ，ＦｅＺｒＮ等の材料を用い、スパッタによって形成してもよい。この他にも、高飽和磁束密度材料であるＣｏＦｅ，Ｃｏ系アモルファス材等を用いてもよい。また、高周波特性の改善のため、上部磁極層１３を、無機系の絶縁膜とパーマロイ等の磁性層とを何層にも重ね合わせた構造としてもよい。
【００６０】
次に、上部磁極層１３をマスクとして、ドライエッチングにより、記録ギャップ層１２を選択的にエッチングする。このときのドライエッチングには、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層８の第２の層８ｂを選択的に約０．３〜０．６μｍ程度エッチングして、図５（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止することができる。
【００６１】
次に、図６に示したように、全体に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を、２０〜４０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面３０を形成して、薄膜磁気ヘッド素子が完成する。
【００６２】
図７は、図６に示した薄膜磁気ヘッド素子の主要部分を示す平面図である。なお、図７では、オーバーコート層１７や、その他の絶縁層および絶縁膜を省略している。
【００６３】
本例における薄膜磁気ヘッド素子は、再生ヘッドと記録ヘッド（誘導型電磁変換素子）とを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子５と、記録媒体に対向する媒体対向面すなわちエアベアリング面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置され、ＭＲ素子５をシールドする下部シールド層３および上部シールド層（下部磁極層８）とを有している。
【００６４】
記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、エアベアリング面３０側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極層８および上部磁極層１３と、下部磁極層８の磁極部分と上部磁極層１３の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層１２と、少なくとも一部が下部磁極層８および上部磁極層１３の間に、これらに対して絶縁された状態で設けられた薄膜コイル１０とを有している。
【００６５】
次に、図８を参照して、本実施の形態に係るスライダの製造方法が適用されるスライダの一例について説明する。図８はスライダのエアベアリング面の構成の一例を示す底面図である。この図に示したように、スライダ２０におけるエアベアリング面は、磁気ディスク等の記録媒体の回転によって生じる空気流によってスライダ２０を記録媒体の表面からわずかに浮上させるために必要な形状に形成されている。なお、図８において、符号２１ａは凸部を表し、２１ｂは凹部を表している。また、スライダ２０におけるエアベアリング面の空気流出側（図８における上側）の端部近傍には薄膜磁気ヘッド素子２２が配置されている。この薄膜磁気ヘッド素子２２の構成は、例えば図６に示したようになっている。図８におけるＡ部が、図６（ｂ）に対応する。
【００６６】
次に、図９ないし図１１を参照して、本実施の形態に係るスライダの製造方法について説明する。図９は本実施の形態に係るスライダの製造方法における一工程を説明するための断面図である。図１０は図９に続く工程を示す断面図である。図１１は図１０に続く工程を示すと共に、スライダが記録媒体の表面からわずかに浮上している状態を示す断面図である。図９ないし図１１は、図８におけるＢ−Ｂ線で表される断面を表している。また、図９ないし図１１では、薄膜磁気ヘッド素子２２のうちの主要な部分のみを示している。
【００６７】
本実施の形態に係るスライダの製造方法では、まず、それぞれ薄膜磁気ヘッド素子２２を含むスライダ２０となる部分（以下、スライダ部分と言う。）が複数列に配列されたウェハを一方向に切断して、スライダ部分が一列に配列されたバーと呼ばれるブロックを形成する。バーは、本発明におけるスライダ用の素材に対応する。
【００６８】
次に、図９に示したように、スライダ２０となる部分を含むバーに対して研磨加工を行ってエアベアリング面３０を形成する。スライダ２０の大部分は、例えばアルティックよりなる基板１で構成されている。スライダ２０のうちの残りの部分は、例えばアルミナよりなる絶縁層２７と、この絶縁層２７内に形成された薄膜磁気ヘッド素子２２等で構成されている。絶縁層２７の大部分はオーバーコート層１７である。
【００６９】
上記研磨加工の後、スライダ２０のエアベアリング面３０には、硬度の異なる複数の層の間で段差が生じている。研磨加工は、例えば、研磨剤としてのダイヤモンドにアルカリ系潤滑液を加えたアルカリ系スラリーを用い、回転するスズ定盤上で行われる。この場合には、アルカリ系スラリーによってアルミナよりなる絶縁層２７を化学エッチングしながら、絶縁層２７と、磁性材料よりなる下部シールド層３、下部磁極層８および上部磁極層１３を機械的に研磨することができるので、絶縁層２７と、下部シールド層３、下部磁極層８および上部磁極層１３と間の段差をほぼゼロにすることができる。
【００７０】
しかしながら、上記のアルカリ系スラリーを用いた研磨によっても、絶縁層２７と基板１との間で生じる段差を解消することはできず、絶縁層２７と基板１との間では、基板１に対して絶縁層２７が引っ込んだ状態で４〜５ｎｍ程度の段差が生じる。この場合、薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と、基板１のエアベアリング面３０側の面との間の段差は４〜５ｎｍ程度となる。
【００７１】
本実施の形態では、次に、図１０に示したように、スライダ２０のエアベアリング面３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２および絶縁層２７に対応する部分の上に、選択的にフォトレジスト膜３１を形成する。次に、フォトレジスト膜３１をマスクとして、エッチング、好ましくはイオンミリングや反応性イオンエッチングのようなドライエッチングにより、エアベアリング面３０を部分的にエッチングする。このときのエッチング量は、薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と、基板１のエアベアリング面３０側の面との間の段差以上の量、例えば５ｎｍとする。本実施の形態では、エアベアリング面３０を部分的にエッチングする工程は基板１をエッチングすることになる。
【００７２】
上記のエッチングにより、図１１に示したように、保護膜２８の形成前におけるスライダ２０のエアベアリング面３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分が、基板１に対応する部分と同一平面を形成するか、または基板１に対応する部分よりも記録媒体４０に近づく位置に配置されるようになる。
【００７３】
次に、スライダ２０のエアベアリング面３０に、例えば図８に示したような凸部２１ａおよび凹部２１ｂを形成して、エアベアリング面３０を、記録媒体の回転によって生じる空気流によってスライダ２０を記録媒体の表面からわずかに浮上させるために必要な形状とする。
【００７４】
次に、図１１に示したように、スライダ２０のエアベアリング面３０の全面に、薄膜磁気ヘッド素子２２を保護するための保護膜２８を形成する。この保護膜２８の材料には、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）が用いられる。
【００７５】
最後に、バーを切断して各スライダ２０に分離する。なお、本実施の形態では、スライダ２０のエアベアリング面３０に凸部２１ａおよび凹部２１ｂを形成する工程において、図１１に示したように、スライダ２０のエアベアリング面３０側のエッジのうち、薄膜磁気ヘッド素子２２の近傍である空気流出側（図１１における左側）のエッジを面取りしている。
【００７６】
図１１に示したように、本実施の形態に係る製造方法によって製造されたスライダ２０では、保護層２８の厚みを５ｎｍとし、スライダ２０の浮上時におけるスライダ２０と記録媒体４０との間の距離を１０ｎｍとすると、スライダ２０の浮上時における薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と記録媒体４０との間の距離、すなわち磁気スペースは１５ｎｍとなる。このスライダ２０における磁気スペースは、図２４に示した従来のスライダ１２０における磁気スペースに比べて、５ｎｍ以上縮小されている。
【００７７】
以上説明したように、本実施の形態では、保護膜２８の形成前におけるスライダ２０のエアベアリング面３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分が、基板１に対応する部分と同一平面を形成するか、または基板１に対応する部分よりも記録媒体４０に近づく位置に配置されるように、エアベアリング面３０を部分的にエッチングし、その後、エアベアリング面３０の全面に保護膜２８を形成するようにしている。
【００７８】
これにより、本実施の形態によれば、薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と、基板１のエアベアリング面３０側の面との間の段差をゼロにしたり、薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面を、基板１のエアベアリング面３０側の面よりも記録媒体４０に近づく位置に配置することができる。その結果、本実施の形態によれば、スライダ２０の低浮上化、すなわち磁気スペースの縮小が可能になる。また、本実施の形態によれば、磁気スペースの縮小により、再生ヘッドにおける再生出力の向上や半値幅の縮小が可能になり、その結果、記録密度を向上させることができる。図１２は、本実施の形態に係る製造方法によって製造されたスライダ２０の薄膜磁気ヘッド素子２２における再生出力の波形の一例を示したものである。この図において、符号ＰＷ５０は再生出力における半値幅を表している。半値幅ＰＷ５０は、再生出力がピーク時の５０％以上となる時間である。
【００７９】
また、本実施の形態によれば、磁気スペースの縮小により、記録ヘッドにおけるオーバーライト特性を向上させることが可能になる。
【００８０】
また、本実施の形態によれば、スライダ２０のエアベアリング面３０を部分的にエッチングするようにしたので、スライダ２０のエアベアリング面３０を所望の形状、例えば、図１１に示したように、エアベアリング面３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分が、基板１に対応する部分よりも記録媒体４０に近づく位置に配置されるような形状に形成することが可能になる。
【００８１】
また、本実施の形態によれば、スライダ２０のエアベアリング面３０側のエッジのうち、薄膜磁気ヘッド素子２２の近傍である空気流出側（図１１における左側）のエッジを面取りしたので、スライダ２０のより低浮上化が可能になる。
【００８２】
［第２の実施の形態］
次に、図１３および図１４を参照して、本発明の第２の実施の形態に係るスライダの製造方法について説明する。図１３は本実施の形態に係るスライダの製造方法における一工程を説明するための断面図である。図１４は図１３に続く工程を示すと共に、スライダが記録媒体の表面からわずかに浮上している状態を示す断面図である。図１３および図１４は、図８におけるＢ−Ｂ線で表される断面を表している。また、図１３および図１４では、薄膜磁気ヘッド素子２２のうちの主要な部分のみを示している。
【００８３】
本実施の形態に係るスライダの製造方法では、図９に示したように、スライダ２０となる部分を含むバーに対して研磨加工を行ってエアベアリング面３０を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【００８４】
本実施の形態では、次に、図１３に示したように、スライダ２０のエアベアリング面３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２および絶縁層２７に対応する部分の上に、選択的にフォトレジスト膜３１を形成する。このとき、同時に、スライダ２０のエアベアリング面３０のうち、基板１に対応する部分の一部の上に、後述する吸着防止等の機能を有する凸部を形成するために用いられるフォトレジスト膜３２を形成する。
【００８５】
次に、フォトレジスト膜３１，３２をマスクとして、エッチング、好ましくはイオンミリングや反応性イオンエッチングのようなドライエッチングにより、エアベアリング面３０を部分的にエッチングする。このときのエッチング量は、薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と、基板１のエアベアリング面３０側の面との間の段差以上の量、例えば５ｎｍとする。本実施の形態では、エアベアリング面３０を部分的にエッチングする工程は基板１をエッチングすることになる。
【００８６】
上記のエッチングにより、図１４に示したように、保護膜２８の形成前におけるスライダ２０のエアベアリング面３０のうち、基板１に対応する部分の一部に、吸着防止等の機能を有する凸部３３が形成される。同時に、エアベアリング面３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分が、基板１に対応する部分（凸部３３に対応する部分を除く。）と同一平面を形成するか、または基板１に対応する部分（凸部３３に対応する部分を除く。）よりも記録媒体４０に近づく位置に配置されるようになる。
【００８７】
次に、スライダ２０のエアベアリング面３０に、例えば図８に示したような凸部２１ａおよび凹部２１ｂを形成して、エアベアリング面３０を、記録媒体の回転によって生じる空気流によってスライダ２０を記録媒体の表面からわずかに浮上させるために必要な形状とする。
【００８８】
次に、図１４に示したように、スライダ２０のエアベアリング面３０の全面に、薄膜磁気ヘッド素子２２を保護するための保護膜２８を形成する。この保護膜２８の材料には、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）が用いられる。
【００８９】
最後に、バーを切断して各スライダ２０に分離する。なお、本実施の形態においても、スライダ２０のエアベアリング面３０に凸部２１ａおよび凹部２１ｂを形成する工程において、図１４に示したように、スライダ２０のエアベアリング面３０側のエッジのうち、薄膜磁気ヘッド素子２２の近傍である空気流出側（図１４における左側）のエッジを面取りしている。
【００９０】
本実施の形態によれば、保護膜２８の形成前におけるスライダ２０のエアベアリング面３０を部分的にエッチングするようにしたので、スライダ２０のエアベアリング面３０を所望の形状、例えば、図１４に示したように、吸着防止用の凸部３３を有するような形状に形成することが可能になる。
【００９１】
また、本実施の形態によれば、スライダ２０のエアベアリング面３０のうち、基板１に対応する部分の一部に凸部３３を設けたので、記録媒体４０の回転開始時におけるスライダ２０と記録媒体４０との吸着を防止することができると共に、記録媒体４０が回転している状態から回転を停止した状態に移行し、スライダ２０が記録媒体４０に接触する際における衝撃を軽減することができる。
【００９２】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００９３】
［第３の実施の形態］
次に、図１５および図１６を参照して、本発明の第３の実施の形態に係るスライダの製造方法について説明する。図１５は本実施の形態に係るスライダの製造方法における一工程を説明するための断面図である。図１６は図１５に続く工程を示すと共に、スライダが記録媒体の表面からわずかに浮上している状態を示す断面図である。図１５および図１６は、図８におけるＢ−Ｂ線で表される断面を表している。また、図１５および図１６では、薄膜磁気ヘッド素子２２のうちの主要な部分のみを示している。
【００９４】
本実施の形態に係るスライダの製造方法では、図９に示したように、スライダ２０となる部分を含むバーに対して研磨加工を行ってエアベアリング面３０を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【００９５】
本実施の形態では、次に、図１５に示したように、スライダ２０のエアベアリング面３０の全面に、薄膜磁気ヘッド素子２２を保護するための保護膜２８を形成する。この保護膜２８の材料には、例えばダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）が用いられる。この保護膜２８の厚みは、薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と、基板１のエアベアリング面３０側の面との間の段差以上の量、例えば５ｎｍとする。
【００９６】
次に、スライダ２０のエアベアリング面３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２および絶縁層２７に対応する部分の上に、選択的にフォトレジスト膜３１を形成する。このとき、同時に、スライダ２０のエアベアリング面３０のうち、基板１に対応する部分の一部の上に、後述する吸着防止等の機能を有する凸部を形成するために用いられるフォトレジスト膜３２を形成する。
【００９７】
次に、フォトレジスト膜３１，３２をマスクとして、エッチング、好ましくはイオンミリングや反応性イオンエッチングのようなドライエッチングにより、エアベアリング面３０を部分的にエッチングする。このときのエッチング量は、薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と、基板１のエアベアリング面３０側の面との間の段差以上の量、例えば５〜１０ｎｍとする。本実施の形態では、エアベアリング面３０を部分的にエッチングする工程は、保護膜２８をエッチングし、場合によっては更に基板１をエッチングすることになる。
【００９８】
上記のエッチングにより、図１６に示したように、スライダ２０のエアベアリング面３０のうち、基板１に対応する部分の一部に、吸着防止等の機能を有する凸部３４が形成される。同時に、エアベアリング面３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分が、基板１に対応する部分（凸部３４に対応する部分を除く。）と同一平面を形成するか、または基板１に対応する部分（凸部３４に対応する部分を除く。）よりも記録媒体４０に近づく位置に配置されるようになる。
【００９９】
次に、スライダ２０のエアベアリング面３０に、例えば図８に示したような凸部２１ａおよび凹部２１ｂを形成して、エアベアリング面３０を、記録媒体の回転によって生じる空気流によってスライダ２０を記録媒体の表面からわずかに浮上させるために必要な形状とする。
【０１００】
最後に、バーを切断して各スライダ２０に分離する。なお、本実施の形態においても、スライダ２０のエアベアリング面３０に凸部２１ａおよび凹部２１ｂを形成する工程において、図１６に示したように、スライダ２０のエアベアリング面３０側のエッジのうち、薄膜磁気ヘッド素子２２の近傍である空気流出側（図１６における左側）のエッジを面取りしている。
【０１０１】
図１６に示したように、本実施の形態に係る製造方法によって製造されたスライダ２０では、保護層２８の厚みを５ｎｍとし、スライダ２０の浮上時におけるスライダ２０と記録媒体４０との間の距離を１０ｎｍとすると、スライダ２０の浮上時における薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と記録媒体４０との間の距離、すなわち磁気スペースは１５ｎｍとなる。このスライダ２０における磁気スペースは、図２４に示した従来のスライダ１２０における磁気スペースに比べて、５ｎｍ以上縮小されている。
【０１０２】
以上説明したように、本実施の形態では、段差を有するエアベアリング面３０に保護膜２８を形成した後に、スライダ２０のエアベアリング面３０のうち、薄膜磁気ヘッド素子２２に対応する部分が、基板１に対応する部分と同一平面を形成するか、または基板１に対応する部分よりも記録媒体４０に近づく位置に配置されるように、保護膜２８を部分的にエッチングするようにしている。
【０１０３】
これにより、本実施の形態によれば、保護膜２８を含めた薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面と、基板１のエアベアリング面３０側の面との間の段差をゼロにしたり、保護膜２８を含めた薄膜磁気ヘッド素子２２のエアベアリング面３０側の面を、基板１のエアベアリング面３０側の面よりも記録媒体４０に近づく位置に配置することができる。その結果、本実施の形態によれば、第１の実施の形態と同様に、スライダ２０の低浮上化、すなわち磁気スペースの縮小が可能になる。また、本実施の形態によれば、磁気スペースの縮小により、再生ヘッドにおける再生出力の向上や半値幅の縮小が可能になり、その結果、記録密度を向上させることができる。
【０１０４】
また、本実施の形態によれば、スライダ２０のエアベアリング面３０を部分的にエッチングするようにしたので、スライダ２０のエアベアリング面３０を所望の形状、例えば、図１６に示したように、吸着防止用の凸部３４を有するような形状に形成することが可能になる。
【０１０５】
また、本実施の形態によれば、スライダ２０のエアベアリング面３０のうち、基板１に対応する部分の一部に凸部３４を設けたので、記録媒体４０の回転開始時におけるスライダ２０と記録媒体４０との吸着を防止することができると共に、記録媒体４０が回転している状態から回転を停止した状態に移行し、スライダ２０が記録媒体４０に接触する際における衝撃を軽減することができる。
【０１０６】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０７】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明は、誘導型電磁変換素子を有しない再生専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子のみを有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０１０８】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法によれば、保護膜を含めた素材における記録媒体に対向する面のうち、薄膜磁気ヘッド素子に対応する部分が、基板に対応する部分のうちの少なくとも一部と同一平面を形成するか、または基板に対応する部分のうち少なくとも一部よりも記録媒体に近づく位置に配置されるように、保護膜を部分的にエッチングするようにしたので、薄膜磁気ヘッド用スライダの低浮上化が可能になり、且つ薄膜磁気ヘッド用スライダの媒体対向面を所望の形状に形成することが可能になるという効果を奏する。
【０１０９】
また、請求項７記載の薄膜磁気ヘッド用スライダの製造方法によれば、エッチングする工程において、保護膜を含めた素材における記録媒体に対向する面のうちの基板に対応する部分に凸部を形成するようにしたので、スライダと記録媒体との吸着を防止することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】薄膜磁気ヘッド素子の製造方法の一例における一工程を示す断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】薄膜磁気ヘッド素子の一例の構成を示す断面図である。
【図７】図６に示した薄膜磁気ヘッド素子の主要部分を示す平面図である。
【図８】スライダのエアベアリング面の構成の一例を示す底面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係るスライダの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を示す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程を示すと共にスライダが記録媒体の表面からわずかに浮上している状態を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法によって製造されたスライダの薄膜磁気ヘッド素子における再生出力の波形の一例を示す特性図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態に係るスライダの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を示すと共にスライダが記録媒体の表面からわずかに浮上している状態を示す断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態に係るスライダの製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を示すと共にスライダが記録媒体の表面からわずかに浮上している状態を示す断面図である。
【図１７】従来の薄膜磁気ヘッド素子の製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図１８】図１７に続く工程を説明するための断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図である。
【図２０】従来の薄膜磁気ヘッド素子の断面図である。
【図２１】従来の薄膜磁気ヘッド素子の平面図である。
【図２２】スライダのエアベアリング面の構成の一例を示す底面図である。
【図２３】図２２のＤ−Ｄ線断面図である。
【図２４】スライダが記録媒体の表面からわずかに浮上している状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、５…ＭＲ素子、８…下部磁極層、１０…薄膜コイル、１２…記録ギャップ層、１３…上部磁極層、１７…オーバーコート層、２０…スライダ、２２…薄膜磁気ヘッド素子、２７…絶縁層、２８…保護膜、３０…エアベアリング面、４０…記録媒体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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