(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
前記Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領域に積層されており、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に対してショットキー特性を有するＴｉ製のショットキー電極と、
該ショットキー電極上に積層されたＡｕ製のＰ型ボンディング用電極と、
前記Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の略全体に設けられており、前記Ｐ型ボンディング用電極上に一部が積層されるとともに、該積層された部分を除いて、前記Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とオーミックコンタクトするように該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面に積層された透光性電極とを有し、
該透光性電極が、Ｎｉと該Ｎｉ上に積層されたＡｕとの積層構造にて構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
前記Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領域を除いた略全体に積層されており、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とオーミックコンタクトする金属製の透光性電極と、
前記Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面における前記透光性電極が設けられていない領域から前記透光性電極上にわたって積層されており、前記Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に対してショットキー特性を有するＴｉ製のショットキー電極と、
該ショットキー電極上に積層されたＡｕ製のＰ型ボンディング用電極とを有し、
前記透光性電極が、Ｎｉと該Ｎｉ上に積層されたＡｕとの積層構造にて構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、
該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領域に、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に対してショットキー特性を有するＴｉ製のショットキー電極を積層する工程と、
該ショットキー電極上にＡｕ製のＰ型ボンディング用電極を積層する工程と、
前記Ｐ型ボンディング用電極上および前記Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面上に積層されるように、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の略全体に、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面とオーミックコンタクトする透光性電極をＮｉと該Ｎｉ上に積層されたＡｕとの積層構造で形成する工程とを包含する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、
該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の略全体に、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とオーミックコンタクトする透光性電極をＮｉと該Ｎｉ上に積層されたＡｕとの積層構造で形成する工程と、
該透光性電極の表面の一部の領域を切り欠き、この切り欠かれた領域の表面から前記透光性電極上にわたって、前記Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層に対してショットキー特性を有するＴｉ製のショットキー電極を積層する工程と、
該ショットキー電極上にＡｕ製のＰ型ボンディング用電極を積層する工程とを包含する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、青色領域から紫外光領域で発光可能な半導体レーザやダイオード等の発光素子として使用される窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関し、特にＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の電極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１１及び図１２は、この種の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の従来例を示す。この窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、絶縁性のサファイヤ基板６上に、バッファ層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９をこの順に積層してなる。更に、発光透光面３となるＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上には透光性電極１’とＰ型ボンディング用電極２’が形成されている。
【０００３】
ここで、透光性電極１’はＮｉとＡｕの積層構造で構成されている。また、Ｐ型ボンディング用電極２’は、Ａｌ単体、又はＡｕ、Ａｌ及びＣｒより選択された少なくとも２種類以上の材料より構成されている。
【０００４】
また、透光性電極１’とＰ型ボンディング用電極２’は、基板として絶縁性のサファイヤ基板６を使用し、かつ最表面のＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９を発光透光面３とするため、発光領域全面に形成されている。なお、図１１において、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９が形成されておらず、一段低くなったＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層８上には、Ｎ型ボンディング用電極４が形成されている。
【０００５】
図１２は、透光性電極１’とＰ型ボンディング用電極２’の具体的な配置関係を示す。即ち、同図に示すように、矩形状の透光性電極１’の隅部を切り欠いて窓部１３を形成し、この窓部１３にＰ型ボンディング用電極２’が形成されている。図１１に示すように、Ｐ型ボンディング用電極２’の一部は透光性電極１’に重畳している。
【０００６】
なお、上記構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、例えば特開平７−９４７８２号公報に開示されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、透光性電極１’及びＰ型ボンディング用電極２’の材質に起因して、以下に示す問題点があった。
【０００８】
Ｐ型ボンディング用電極２’は、上記のように、Ａｌ単体、又はＡｕ、Ａｌ及びＣｒより選択された少なくとも２種類以上の材料より構成されるが、Ａｌを使用する場合は、
（１）Ａｌは表面酸化しやすいため、ワイヤーボンディングの際にボンディングワイヤーが剥がれやすく、信頼性及び歩留まりが低下する。
【０００９】
（２）Ｐ型ボンディング用電極２’とボンデイングワイヤーとの電気的接触性が悪くなり、信頼性が低下する。
【００１０】
（３）透光性電極１’のＡｕとの相互拡散が激しく、Ａｌが透光性電極１’にマイグレーションするため、透光性電極１’が変質し、透過率の低下及びオーミックコンタクトの悪化を招き、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の信頼性を著しく低下させる。
【００１１】
また、Ｐ型ボンディング用電極２’としてＣｒを使用する場合は、
（４）ＣｒはＡｌと同様に透光性電極１’にマイグレーションするため、透光性電極１が変質し、透過率の低下及びオーミックコンタクトの悪化を招き、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の信頼性を著しく低下させる。
【００１２】
また、Ｐ型ボンディング用電極２’として、Ａｕを使用する場合は、
（５）ＡｕはＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９に対し熱処理なしでもオーミックコンタクトが得られるため、Ｐ型ボンディング用電極２’の直下にも電流が注入される。このため、発光層にて発生する光は、Ｐ型ボンディング用電極２’により阻害され、外部発光効率が低下する。
【００１３】
このように、上記構造の従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、透光性電極１’とＰ型ボンディング用電極２’の材質のいずれの組み合わせを選択したとしても、上記した問題点があった。
【００１４】
本発明は、このような現状に鑑みてなされたものであり、信頼性を向上でき、かつ外部発光効率を向上できる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にＰ型ボンディング用電極と透光性電極が形成され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の該Ｐ型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、該透光性電極と該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される構造を有しており、そのことにより上記目的が達成される。
【００１６】
好ましくは、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のＰ型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される前記構造を、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と該Ｐ型ボンディング用電極との間に形成されたショットキー電極と、該Ｐ型ボンディング用電極及び該ショットキー電極を覆うように該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該透光性電極で構成する。
【００１７】
また、好ましくは、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のＰ型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される前記構造を、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該透光性電極と、該透光性電極の表面の隅部を切り欠いて形成されたショットキー電極及び該Ｐ型ボンディング用電極の積層構造で構成する。
【００１８】
また、好ましくは、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のＰ型ボンディング用電極の直下の領域に電流が注入されるのを阻止する一方、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流が注入される前記構造を、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領域に形成されたショットキー電極と、該ショットキー電極を覆うように該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に形成された該透光性電極と、該透光性電極上の該ショットキー電極の上方に相当する部分に形成された該Ｐ型ボンディング用電極で構成する。
【００１９】
また、好ましくは、前記ショットキー電極がＴｉ、前記Ｐ型ボンディング用電極がＡｕ、前記透光性電極がＮｉ及びＡｕの積層構造である。
【００２０】
本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法は、基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領域にショットキー電極及びＰ型ボンディング用電極をこの順に形成する工程と、該ショットキー電極及び該Ｐ型ボンディング用電極を覆うように該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電極を形成する工程とを包含しており、そのことにより上記目的が達成される。
【００２１】
また、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法は、基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電極を形成する工程と、該透光性電極の表面の隅部を切り欠き、この部分にショットキー電極とＰ型ボンディング用電極からなる積層構造を形成する工程とを包含しており、そのことにより上記目的が達成される。
【００２２】
また、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法は、基板上にＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層され、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面を発光透光面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法において、該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面の一部の領域にショットキー電極を形成する工程と、該ショットキー電極を覆うように該Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の全面に透光性電極を形成する工程と、該透光性電極上の該ショットキー電極の上方に相当する部分に該Ｐ型ボンディング用電極を形成する工程とを包含しており、そのことにより上記目的が達成される。
【００２３】
以下に本発明の作用を説明する。
【００２４】
Ｐ型ボンディング用電極の直下での電流注入を阻止し、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流を注入する構造によれば、オーミックコンタクトしている領域のみの電流密度と発光密度を高くできる。このため、発光層、即ち活性層からの発生光を効率よく外部に取り出すことができる。即ち、外部発光効率を向上できる。
【００２５】
上記構造は、一例として、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面上にショットキー電極とＰ型ボンディング用電極の積層構造を形成することにより実現される。より具体的には、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面上にショットキー電極としてＴｉを形成し、その上にＰ型ボンディング用電極としてＡｕを形成する。ＴｉはＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層に対してショットキー特性を有するため、Ｐ型ボンディング用電極の直下での電流注入を阻止できる。
【００２６】
また、上記のように材質ＡｕからなるＰ型ボンディング用電極を用いると、マイグレーションによってＮｉとＡｕの積層構造からなる透光性電極が変質することがないので、透過率の低下及びオーミックコンタクトの低下を来すことがない。このため、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の信頼性を向上できる。
【００２７】
この結果、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子によれば、上記従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に比べて約２倍の輝度改善を図れることが確認できた。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づき具体的に説明する。
【００２９】
（実施形態１）
図１〜図４は本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態１を示す。まず、図１及び図２に基づき本実施形態１の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の概略構造について説明する。
【００３０】
この窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、絶縁性基板であるサファイヤ基板６上に、バッファ層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９をこの順に積層して形成されている。加えて、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上、即ち発光透光面３上には、ショットキー電極２ａが形成され、その上にＰ型ボンディング用電極２ｂが形成されている。図２に示すように、ショットキー電極２ａ及びＰ型ボンディング用電極２ｂは、発光透光面３の隅部に形成されている。また、これらは透光性電極１によって覆われている。
【００３１】
なお、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９が形成されておらず、一段低くなったＮ型窒化ガリウム系化合物半導体層８上には、Ｎ型ボンディング用電極４が形成されている。
【００３２】
次に、図３に基づき上記構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造工程について説明する。
【００３３】
まず、同図（ａ）に示すように、サファイヤ基板６上にバッファ層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９をこの順に積層形成する。次に、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８が露出するまでＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の一部をエッチングする。図中の符号５はこのエッチング領域を示す。
【００３４】
次に、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上、即ち発光透光面３上の隅部にショットキー電極２ａを形成し、続いて、その上にＰ型ボンディング用電極２ｂを形成する。
【００３５】
次に、同図（ｂ）に示すように、Ｐ型ボンディング用電極２ｂと発光透光面３の表面上に透光性電極１を形成する。
【００３６】
次に、同図（ｃ）に示すように、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８の表面上にＮ型ボンディング用電極４を形成する。以上の工程によって、図１及び図２に示す本実施形態１の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が作製される。
【００３７】
ここで、本実施形態１では、上記のショットキー電極２ａは、Ｔｉを２０〜５００ｎｍ（例えば、２５ｎｍ）積層して形成した。また、Ｐ型ボンディング用電極２ｂは、Ａｕを０．５〜１μｍ（例えば、８００ｎｍ）積層して形成した。
【００３８】
このような電極構造によれば、ＴｉはＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９に対してショットキー特性を有するため、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９のＰ型ボンディング用電極２ｂの直下に位置する領域に電流が注入されるのを阻止できる。
【００３９】
また、透光性電極１はＡｕ及びＮｉの積層構造とし、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上にＮｉを３〜１５ｎｍ（例えば、３ｎｍ）形成し、その上にＡｕを３〜１５ｎｍ（例えば、４ｎｍ）形成した。ここで、ＮｉはＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９に対してオーミックコンタクトを示す。このため、図４に示すように、透光性電極（オーミック電極）１のＮｉとＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９が接触している領域のみに電流を流すことができる。
【００４０】
それ故、本実施形態１の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子によれば、このオーミックコンタクトしている領域のみの電流密度を高く、かつ発光密度を高くできるので、発光層、つまり活性層７からの発生光を図４に示すように、効率よく外部に取り出すことができる。この結果、本発明者等の実験結果によれば、上記従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に比べて約２倍の輝度改善を図れることが確認できた。
【００４１】
なお、Ｔｉ、Ａｕ、Ｎｉは真空蒸着法、電子ビーム蒸着法等を用いて形成することができる。
【００４２】
また、ショットキー電極２ａは上記のように金属材料で形成されているため、Ａｕ及びＮｉと同じ製造方法を用いて容易に作製することができる。従って、その分、製造効率の向上に寄与できる。
【００４３】
また、透光性電極１の厚みが薄いため、透光性電極１がショットキー電極２ａの段差部にて不連続となっても、ショットキー電極２ａは金属であるため、Ｐ型ボンディング用電極２ｂと透光性電極１は電気的に接触が可能である。
【００４４】
（実施形態２）
図５〜図７は本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態２を示す。本実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、電極構造のみが実施形態１の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と異なっている。即ち、図５及び図６に示すように、本実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、透光性電極１の隅部を切り欠いた部分のＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上、即ち発光透光面３上にショットキー電極２ａとＰ型ボンディング用電極２ｂからなる積層構造を形成している。なお、実施形態１の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と対応する部分には同一の符号を付してある。
【００４５】
次に、図７に基づきこの窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造工程について説明する。
【００４６】
まず、同図（ａ）に示すように、サファイヤ基板６上にバッファ層７、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９をこの順に積層形成する。次に、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８が露出するまでＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の一部をエッチングする。図中の符号５はこのエッチング領域を示す。続いて、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上、即ち発光透光面３上に隅部を切り欠いた透光性電極１を形成する。
【００４７】
次に、同図（ｂ）に示すように、透光性電極１の隅部を切り欠いた部分のＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面上にショットキー電極２ａを形成し、続いてその上にＰ型ボンディング用電極２ｂを形成する。
【００４８】
次に、同図（ｃ）に示すように、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８の表面上にＮ型ボンディング用電極４を形成する。以上の工程によって、図５及び図６に示す本実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が作製される。
【００４９】
ここで、本実施形態２においても、ショットキー電極２ａの材質はＴｉであり、その厚みも実施形態１と同様である。また、Ｐ型ボンディング用電極２ｂの材質、厚みも同様である。更に、透光性電極１も同様のＡｕ及びＮｉからなる積層構造であり、その厚みも同様である。
【００５０】
このため、本実施形態２においても、実施形態１同様に、オーミックコンタクトしている領域のみの電流密度を高く、かつ発光密度を高くできるので、発光層、つまり活性層７からの発生光を効率よく外部に取り出すことができる。
【００５１】
（実施形態３）
図８〜図１０は本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態３を示す。本実施形態３の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、電極構造のみが実施形態１及び実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と異なっている。
【００５２】
即ち、図８及び図９に示すように、本実施形態３の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の表面の一部の領域にショットキー電極２ａを形成し、このショットキー電極２ａを覆うようにＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の全面に透光性電極１を形成し、透光性電極１上のショットキー電極２ａの上方に相当する部分にＰ型ボンディング用電極２ｂを形成している。なお、実施形態１及び実施形態２の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と対応する部分には同一の符号を付してある。
【００５３】
次に、図１０に基づきこの窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造工程について説明する。
【００５４】
まず、同図（ａ）に示すように、サファイヤ基板６上にバッファ層７、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８及びＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９をこの順に積層形成する。次に、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８が露出するまでＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の一部をエッチングする。図中の符号５はこのエッチング領域を示す。続いて、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層９表面の一部の領域にショットキー電極２ａを形成する。
【００５５】
次に、同図（ｂ）に示すように、ショットキー電極２ａを覆うようにＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層９の全面に透光性電極１を形成する。
【００５６】
次に、同図（ｃ）に示すように、透光性電極１上のショットキー電極２ａの上方に相当する部分にＰ型ボンディング用電極２ｂを形成する。また、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層８の表面上にＮ型ボンディング用電極４を形成する。以上の工程によって、図８及び図９に示す本実施形態３の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が作製される。
【００５７】
ここで、本実施形態３においても、ショットキー電極２ａの材質はＴｉであり、その厚みも実施形態１及び実施形態２と同様である。また、Ｐ型ボンディング用電極２ｂの材質、厚みも同様である。更に、透光性電極１も同様のＡｕ及びＮｉからなる積層構造であり、その厚みも同様である。
【００５８】
このため、本実施形態３においても、実施形態１及び実施形態２同様に、オーミックコンタクトしている領域のみの電流密度を高く、かつ発光密度を高くできるので、発光層、つまり活性層７からの発生光を効率よく外部に取り出すことができる。
【００５９】
（その他の実施形態）
以上の実施形態１〜実施形態３では、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造はホモ構造のものについて説明したが、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であれば、ダブルヘテロ構造、シングルヘテロ構造、単一量子井戸活性層及び多量子井戸活性層を持つダブルヘテロ構造等あらゆる構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に適用できることは言うまでもない。
【００６０】
また、上記の各実施形態では、基板としてサファイヤ基板を用いたが、他の絶縁性の基板を用いることも可能であるし、導電性の基板、例えばＳｉＣ基板、ＧａＮ基板を用いることも可能である。
【００６１】
【発明の効果】
以上の本発明によれば、Ｐ型ボンディング用電極の直下での電流注入を阻止し、透光性電極とＰ型窒化ガリウム系化合物半導体層がオーミックコンタクトしている領域のみに電流を注入することができるので、オーミックコンタクトしている領域のみの電流密度と発光密度を高くできる。このため、発光層、即ち活性層からの発生光を効率よく外部に取り出すことができる。即ち、外部発光効率を向上できる。
【００６２】
また、特に請求項５記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子によれば、マイグレーションによってＮｉとＡｕの積層構造からなる透光性電極が変質することがないので、透過率の低下及びオーミックコンタクトの低下を来すことがない。このため、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の信頼性を向上できる。
【００６３】
また、特に請求項６〜請求項８記載の製造方法によれば、そのような特性を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を作製できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態１を示す断面図。
【図２】  本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態１を示す平面図。
【図３】  本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態１を示す、（ａ）〜（ｃ）は製造工程図。
【図４】  本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態１を示す特性説明図。
【図５】  本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態２を示す断面図。
【図６】  本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態２を示す平面図。
【図７】  本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態２を示す、（ａ）〜（ｃ）は製造工程図。
【図８】  本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態３を示す断面図。
【図９】本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態３を示す平面図。
【図１０】本発明窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の実施形態３を示す、（ａ）〜（ｃ）は製造工程図。
【図１１】従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の断面図。
【図１２】従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の平面図。
【符号の説明】
１  透光性電極
２ａ  ショットキー電極
２ｂ  Ｐ型ボンディング用電極
３  発光透光面
４  Ｎ型ボンディング用電極
５  エッチング領域
６  サファイヤ基板
７  バッファ層
８  Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層
９  Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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