(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子とフィルム基板に配線パターンが形成されている配線基板とからなり、半導体素子と配線パターンとが接続され、さらに半導体素子と配線基板とが樹脂で封止されている半導体装置において、
上記配線基板の半導体素子設置位置における配線パターンが形成されていない領域に、フィルム基板より線膨張係数の小さい材料で補強膜が形成されており、
上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記補強膜は、配線パターンと同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さの１／３〜２／３であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記フィルム基板上には、互いに独立した複数個の上記補強膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
隣り合う上記補強膜間の間隔は、隣り合う配線パターン間の間隔よりも広いことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体素子とフィルム基板に配線パターンが形成されている配線基板とからなり、半導体素子と配線パターンとが接続され、さらに半導体素子と配線基板とが樹脂で封止されている半導体装置において、
上記フィルム基板における少なくとも片面の、配線パターンが形成されていない領域に、フィルム基板より線膨張係数の小さい材料で補強膜が形成され、上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっており、
上記フィルム基板上には、互いに独立した複数個の上記補強膜が形成されているとともに、隣り合う上記補強膜間の間隔は、隣り合う配線パターン間の間隔よりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
上記補強膜は、フィルム基板上に点対称あるいは線対称に形成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記補強膜は、配線基板の両面に形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
上記補強膜は、三角形状、四角形状、あるいは円形状であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
上記補強膜が三角形状あるいは四角形状であって、隣接する補強膜の１辺が互いに対向していることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
半導体素子とフィルム基板に配線パターンが形成されている配線基板とからなり、半導体素子と配線パターンとが接続され、さらに半導体素子と配線基板とが樹脂で封止されている半導体装置において、
上記フィルム基板における少なくとも片面の、配線パターンが形成されていない領域に、フィルム基板より線膨張係数の小さい材料で補強膜が形成され、上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっており、
上記フィルム基板上には、互いに独立した複数個の上記補強膜が形成されているとともに、上記補強膜が三角形状あるいは四角形状であって、隣接する補強膜の１辺が互いに対向していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
フィルム基板に、配線パターンが形成され、該配線パターンに半導体素子を接続するための配線基板において、
その半導体素子設置位置における配線パターンが形成されていない領域に、フィルム基板よりも線膨張係数の小さい材料で補強膜が形成されており、
上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっていることを特徴とする配線基板。
【請求項１３】
請求項１２に記載の配線基板が、テープ上に複数形成されていることを特徴とするテープキャリア。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、携帯電話、携帯情報端末、液晶表示用パネル等の電子機器に用いられる、半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、例えば携帯電話、携帯情報端末、液晶表示用パネル、ノート型コンピュータ等の電子機器における小型化、薄型化、軽量化の進展はめざましいものがある。それに伴い、それらの機器へ搭載される半導体装置を始め、あらゆる部品も同様の小型化、軽量化、高機能化、高性能化、高密度化が進んでいる。
【０００３】
上記の状況の中、現在、半導体装置では、フィルム状の基板を使用することにより軽量化が、さらに、上記フィルム状の基板への半導体素子の実装を高密度化することにより形体の小型化、薄型化が実現されている。この実装の方式は、ＣＯＦ(Chip on FPC) 方式と呼ばれている。
【０００４】
ここで、上記ＣＯＦ方式による従来の半導体装置について図６ないし図９に基づいて説明する。
【０００５】
この従来の半導体装置は、図６に示すように、半導体素子１８と、配線基板１６とからなる。半導体素子１８には、複数の電極が形成されている。この電極は、半導体素子１８上に形成されているアルミパッド１２と、そのアルミパッド１２上に形成されているバンプ電極（Ａｕバンプ）１３とからなる。配線基板１６は、図７に示すように、配線パターン１５が形成されているフィルム基板１４からなる。この配線パターン１５は、Ａｕバンプ１３と対応する位置に形成されている。そして、Ａｕバンプ１３と、配線パターン１５とが接続されている。
【０００６】
ここで、上記半導体装置の製造方法について、図８に基づいて説明する。
【０００７】
まず、配線基板１６に対して半導体素子１８の位置合わせを行う。つまり、Ａｕバンプ１３が、対応する配線パターン１５の所定の位置に合致するように位置合わせを行う。続いて、ボンディングツール１９を用いて、熱圧着することにより、Ａｕバンプ１３と配線パターン１５とを接続（接合）する。そして、半導体素子１８と配線基板１６とを樹脂封止する。
【０００８】
上記のように、半導体装置においてＡｕバンプ１３と配線パターン１５との接続には、熱圧着を用いることが現在の主流となっている。このため、熱圧着の際には、配線基板１６におけるフィルム基板１４および配線パターン１５には熱ストレスがかかる。この熱ストレスにより、フィルム基板１４および配線パターン１５は、それぞれ固有の線膨張係数に従い伸縮しようとする（実際には熱をかけるため伸長する）。このとき、フィルム基板１４の線膨張係数は、配線パターン１５の線膨張係数より大きいため、フィルム基板１４の方がより大きく伸長しようとする。
【０００９】
しかし、実際には、配線パターン１５がフィルム基板１４に形成されているので、配線パターン１５は、フィルム基板１４の伸長度合いに追随して（引っ張られて）より大きく伸長する。また逆に、フィルム基板１４では、配線パターン１５の伸長度合いに追随して伸長がより小さくなる。つまり、配線基板１６の寸法安定性は、良好なものではなく、配線パターン１５は位置ずれを起こし、Ａｕバンプ１３との位置合わせがずれてしまう。従って、Ａｕバンプ１３と配線パターン１５との接続に不具合を生じるという問題点がある。
【００１０】
また、熱圧着の際に加える温度を変化させ、製造バラツキが生じる配線基板１６のできあがり寸法に応じた位置ずれを補正することにより、半導体素子１８と配線基板１６との接続が行われている。しかし、この場合には、配線基板１６ごとに温度を変える必要があるため、生産効率が低下してしまう。
【００１１】
また、図７に示すように、配線基板１６における半導体素子１８（図６参照）が設置される位置である半導体素子設置位置１７（点線で囲んでいる部分）では、Ａｕバンプ１３（図６参照）が接続される箇所以外には、配線パターンが形成されていない。つまり、配線パターン１５の内側には、配線パターンが形成されておらず、フィルム基板１４が剥き出しとなっている。そのため、熱ストレスがかかると、配線パターン１５の内側では、配線パターン１５が形成されている部分よりフィルム基板１４が伸長するため、しわが発生してしまう。このようなしわが発生した半導体装置は、外観検査上の不良品となるという問題がある。さらに、このしわには、水分等が溜まる可能性があり、この水分等によってＡｕバンプ１３付近が腐食されることにより、半導体素子１８と配線基板１６との接続不良が発生するという問題もある。
【００１２】
そこで、特開２０００−２８６３０９号公報には、熱により伸縮して変形する（反る）ことを防止した配線基板が開示されている。この配線基板１６は、図９に示すように、フィルム基板１４上に、配線パターン１５が屈曲して（第１の方向と第２の方向に延びる部分を有して）形成されている構成である。この屈曲した配線パターン１５が、フィルム基板１４の伸長を複数の方向に支えることにより、フィルム基板１４の伸長により生じる反りを軽減している。また、上記配線基板１６では、デバイスホール２１に突出したインナーリード（配線パターン１５の一部）２２で半導体素子が接続されることとなる。このため、上記しわが生じる領域はデバイスホール２１となっているので、しわによる接続不良が生じることはない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開２０００−２８６３０９号公報に記載の配線基板では、半導体素子が接続される部分の周辺では、屈曲した配線パターンが形成されていない。そのため、半導体素子が接続される部分の周辺では、熱ストレスによりフィルム基板１４の伸長を配線パターン１５が複数の方向に支えることができない。そのため、配線基板１６（フィルム基板１４）の伸長が起こり、半導体素子の位置に対して、インナーリード２２が位置ずれを起こす。この位置ずれにより、半導体素子をインナーリード２２に確実に接続することができず、接続に不具合（導通不良）が生じるという問題点がある。
【００１４】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、配線基板の寸法安定性を高め、半導体素子と配線基板の配線パターンとの位置ずれを防止することにより、半導体素子と配線パターンとを確実に接続することができる半導体装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明の半導体装置は、半導体素子とフィルム基板に配線パターンが形成されている配線基板とからなり、半導体素子と配線パターンとが接続され、さらに半導体素子と配線基板とが樹脂で封止されている半導体装置であって、上記配線基板の半導体素子設置位置における配線パターンが形成されていない領域に、フィルム基板より線膨張係数の小さい材料で補強膜が形成されており、上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっていることを特徴としている。
【００１６】
上記の構成によれば、フィルム基板には補強膜が形成されているので、フィルム基板の伸長は、補強膜のより小さい伸長に抑制される。つまり、補強膜が、フィルム基板の伸長を抑制する。これにより、配線基板の寸法安定性を向上させることができる。従って、半導体素子と配線パターンとの位置ずれが低減され、半導体素子と配線パターンとが確実に接続された半導体装置を提供することができる。また、上記のように、補強膜が形成されており、フィルム基板が伸長しにくくなるため、フィルム基板におけるしわの発生を防止することもできる。
【００１７】
また、本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっていることが好ましい。
【００１８】
上記の構成によれば、補強膜の厚さが配線パターンの厚さよりも小さくなっているので、半導体素子と配線基板との間に空間が生じる。この空間が生じているため、封止の際に、上記樹脂は半導体素子と配線基板との間に流れ込みやすくなる。従って、封止を容易に行うことができる。また、半導体素子との距離が離れるため、半導体素子と補強膜とが接触することを回避することができる。これにより、半導体素子の補強膜との接触による破壊を回避することができる。
【００１９】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜が、配線パターンと同じ材料で形成されていることが好ましい。
【００２０】
上記の構成によれば、配線パターンと補強膜とを、同時に形成することが容易となり、生産効率を高めることができる。また、新たな製造工程を設ける必要がなく、安価に補強膜を形成することができる。
【００２１】
また、上記補強膜は、配線パターンと同じ材料（例えば、金属等）で形成されているので、フィルム基板を通して半導体素子の表面にあたる外部からの光（α線）を遮光することができる。これにより、α線が当たることにより半導体装置が誤作動することを防止することができる。
【００２２】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜の厚さが、配線パターンの厚さの１／３〜２／３であることが好ましい。
【００２３】
上記の構成によれば、半導体素子と配線基板との間に、上記樹脂をより一層流れ込みやすくすることができ、封止をより一層容易に行うことができる。
【００２４】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記フィルム基板上には、互いに独立した複数個の上記補強膜が形成されていることが好ましい。
【００２５】
上記の構成によれば、互いに隣り合う補強膜の間にはスペースが生じる。上記スペースは、封止の際の樹脂の通路となり、樹脂の流れ込みをより一層促進することができる。これにより、封止をより一層容易に行うことができる。
【００２６】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、隣り合う上記補強膜間の間隔が、隣り合う配線パターン間の間隔よりも広いことが好ましい。
【００２７】
上記の構成によれば、補強膜の間のスペースがより一層広くなり、樹脂の流れ込みをより一層促進することができる。また、上記スペースには十分な量の樹脂を容易に流れ込ませることができ、樹脂による封止が不十分となる封止不良の発生を低減することができる。
【００２８】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜が、フィルム基板上に点対称あるいは線対称に形成されていることが好ましい。
【００２９】
上記の構成によれば、補強膜が対称（点対称あるいは線対称）に形成されているので、フィルム基板における補強膜が形成されている領域は、全ての方向に均一に伸長する。このため、フィルム基板全体における伸長する方向を揃えることができ、しわ等の発生をより一層回避することができる。
【００３０】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜が、配線基板の両面に形成されていることが好ましい。
【００３１】
上記の構成によれば、フィルム基板の熱ストレスによる伸縮をより一層抑えることができ、配線パターンと半導体素子との接続不良をより一層低減することができる。
【００３２】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜が、三角形状、四角形状、あるいは円形状であることが好ましい。
【００３３】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜が、三角形状あるいは四角形状のときに、隣接する補強膜の１辺が互いに対向していることが好ましい。
【００３４】
また、本発明の半導体装置は、上記の課題を解決するために、半導体素子とフィルム基板に配線パターンが形成されている配線基板とからなり、半導体素子と配線パターンとが接続され、さらに半導体素子と配線基板とが樹脂で封止されている半導体装置において、上記フィルム基板における少なくとも片面の、配線パターンが形成されていない領域に、フィルム基板より線膨張係数の小さい材料で補強膜が形成され、上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっており、上記フィルム基板上には、互いに独立した複数個の上記補強膜が形成されているとともに、隣り合う上記補強膜間の間隔は、隣り合う配線パターン間の間隔よりも広いことを特徴としている。
【００３５】
また、本発明の半導体装置は、上記の課題を解決するために、半導体素子とフィルム基板に配線パターンが形成されている配線基板とからなり、半導体素子と配線パターンとが接続され、さらに半導体素子と配線基板とが樹脂で封止されている半導体装置において、上記フィルム基板における少なくとも片面の、配線パターンが形成されていない領域に、フィルム基板より線膨張係数の小さい材料で補強膜が形成され、上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっており、上記フィルム基板上には、互いに独立した複数個の上記補強膜が形成されているとともに、上記補強膜が三角形状あるいは四角形状であって、隣接する補強膜の１辺が互いに対向していることを特徴としている。
【００３６】
上記の課題を解決するために、本発明の配線基板は、フィルム基板に配線パターンが形成され、該配線パターンに半導体素子を接続するための配線基板であって、その半導体素子設置位置における配線パターンが形成されていない領域に、フィルム基板より線膨張係数の小さい材料で補強膜が形成されており、上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっていることを特徴としている。
【００３７】
上記の構成によれば、フィルム基板には補強膜が形成されているので、フィルム基板の伸長は、補強膜のより小さい伸長に抑制される。つまり、補強膜が、フィルム基板の伸長を抑制する。これにより、配線基板の寸法安定性を向上させることができる。
【００３８】
また、上記のように、補強膜が形成されており、フィルム基板が伸長しにくくなるため、フィルム基板におけるしわの発生を防止することもできる。
【００３９】
また、本発明のテープキャリアは、上記配線基板が、テープ上に複数形成されていることを特徴としている。
【００４０】
上記の構成によれば、例えば半導体装置の製造において、半導体素子と配線基板との接続を連続して行うことができ、半導体装置の生産効率を高めることができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態に係る半導体装置について、図１ないし図５に基づいて説明すれば、以下の通りである。また、本実施の形態で採用した各工程の条件などは、従来の半導体集積回路（半導体素子）の製造方法（実装工程）にて用いられている条件と同じであり、特段の場合を除いてその詳細な説明は省略する。
【００４２】
本実施の形態にかかる半導体装置は、図１に示すように、半導体素子１と、配線基板６とから構成されている。半導体素子１には、入出力用の電極が複数形成されている。この電極は、半導体素子１上に形成されているパッド２と、そのパッド２上に形成されているバンプ電極（Ａｕバンプ）３とからなる。配線基板６は、図２に示すように、フィルム基板４上に、金属膜（補強膜）８および配線パターン５が形成されている構成である。この配線パターン５は、Ａｕバンプ３と対応する位置に形成されている。また、配線パターン５は、半導体素子１との接続部であるインナーリード、液晶表示用パネル等の電子機器との接続部であるアウターリード、およびインナーリードとアウターリードとを接続している中間リードからなる。そして、Ａｕバンプ３と、配線パターン（インナーリード）５とが接続されている。この接続方法は、一般にＩＬＢ(Inner Lead Bonding)と呼ばれる。
【００４３】
また、金属膜８は、配線基板６の半導体素子設置位置７（点線で囲んだ部分）における配線パターンが形成されていない部分（領域）に形成されている（ここでは、長方形状）。さらに、半導体素子設置位置７および配線パターン５のアウターリード以外の領域には、保護膜９が形成されている。
【００４４】
上記半導体素子１は、半導体装置が搭載される電子機器（例えば、液晶表示用パネル、携帯電話、ノート型パソコン等）の駆動を制御するものである。パッド２は、アルミニウム等の導電性材料で形成されている。また、バンプ電極３は、１０μｍ〜１８μｍ程度の厚さで形成されており、金（Ａｕ）等の導電性材料が用いられている。フィルム基板４は、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂等のプラスチックの絶縁材料が主材料として用いられている。配線パターン５は、１０μｍ〜２０μｍ程度の厚さで形成されており、銅（Ｃｕ）等の金属材料が用いられている。金属膜８は、フィルム基板４より線膨張係数の小さな材料で形成されており、例えば銅等の金属材料が用いられている。より具体的には、配線パターン５および金属膜８は、例えば、フィルム基板４に銅箔を接着剤で接着し、この銅箔をエッチングすることにより形成されている。保護膜９は、ソルダレジスト等の絶縁性材料により形成されており、配線パターン５を酸化等から保護するものである。
【００４５】
本発明の実施の一形態の半導体装置の製造方法、つまり、半導体素子１の配線基板６への実装方法について説明する。尚、この製造方法は、従来の技術（図８）で説明した半導体装置の製造方法と同様である。
【００４６】
まず、半導体素子１の配線基板６に対する位置合わせを行う。即ち、Ａｕバンプ３を、対応する配線パターン５の所定の位置（対応するインナーリードの位置）に合致するように位置合わせを行う。続いて、ボンディングツールを用いて熱圧着することにより、Ａｕバンプ３と配線パターン（インナーリード）５とを接続（接合）する。つまり、ＩＬＢを行う。
【００４７】
ＩＬＢの後、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の材料からなる熱硬化性樹脂（樹脂）で半導体素子１と配線基板６とを樹脂封止する。この樹脂封止は、例えばノズルにより半導体素子１の周囲の１辺ないし３辺（４辺の封止は、空気の逃げ道がないので不可能である）に上記樹脂を塗布（滴下）する。そして、樹脂を半導体素子１と配線基板６との間に流れ込ませ、リフロー方式等により熱を加えて、樹脂を硬化させる。上記樹脂には、紫外線硬化性樹脂を用いても良い。この場合、樹脂を硬化させるために、紫外線を照射する。
【００４８】
上記のように、本実施の形態の半導体装置によれば、図２に示すように、半導体素子設置位置７の配線パターンが形成されていない領域に、金属膜８が形成されている。このとき、フィルム基板４はポリイミド樹脂やポリエステル樹脂等の材料で形成されており、金属膜８は、銅等の金属材料で形成されている。これらの材料の特性（ポリイミド樹脂やポリエステル樹脂等の材料の方が、金属材料より線膨張係数が大きい）により、フィルム基板４の線膨張係数は、金属膜８の線膨張係数に比べて大きな値となっている。このため、同程度の熱ストレスをフィルム基板４および金属膜８に与えると、熱膨張係数の低いフィルム基板４のほうが、金属膜８よりも伸縮する（ここでは、熱を加えているので伸長する）。
【００４９】
しかし、フィルム基板４には金属膜８が接着されているので、フィルム基板４の伸長は、金属膜８のより小さい伸長に抑制される。これにより、金属膜８が、フィルム基板４の伸長を抑制し、配線基板６の寸法安定性を向上させることができる。また、半導体素子１と配線基板６との位置ずれ、すなわち、Ａｕバンプ３と配線パターン（インナーリード）５との位置ずれを低減することができ、Ａｕバンプ３と配線パターン（インナーリード）５との接続不良を低減することができる。従って、良好なＩＬＢが可能となる。
【００５０】
具体的な例を挙げると、上記フィルム基板４は、２０ｐｐｍ／Ｋ程度の熱膨張係数を有する。これに対して、金属膜８を形成したフィルム基板４の線膨張係数は、１５ｐｐｍ／Ｋ程度と小さくなる。これより、実際に、熱を加えたときに、フィルム基板４が伸長しにくくなっていることがわかる。つまり、配線基板６の寸法安定性が向上している。
【００５１】
また、上記金属膜が形成されていないフィルム基板４の領域には、フィルム基板４と配線パターン５との伸長の差により、しわが発生する可能性がある。しかしながら、この金属膜８が形成されることにより、フィルム基板４が伸長しにくくなるため、フィルム基板４におけるしわの発生を防止することもできる。
【００５２】
また、上記金属膜８は、フィルム基板４を通して半導体素子１の表面にあたる外部からの光（α線）を遮光することができる。従って、α線が当たることにより生じる半導体装置の誤作動を防止することができる。
【００５３】
また、上記配線パターン５と金属膜８とは、同じ材料で形成することが好ましい。これにより、配線パターン５と金属膜８とを、同時に形成することが容易となり、生産効率を高めることができる。また、新たな製造工程を設ける必要はなく、安価に金属膜８を形成することができる。
【００５４】
また、上記配線パターン５と金属膜８とは、同じ作製方法（同一工程）で形成することが好ましい。これにより、配線パターン５と金属膜８とを、同時に作製することが容易となり、より生産効率を高めることができる。また、新たな製造工程を設ける必要はなく、より安価に金属膜８を形成することができる。
【００５５】
また、上記金属膜８と配線パターン５とを同等の厚さで形成すれば、同時に形成することが容易となり、より一層生産効率を高めることができる。なお、「同等の厚さ」とは、金属膜８と配線パターン５とが実質的に同じ厚さであることをいう。また、新たな製造工程を設ける必要はなく、より一層安価に金属膜８を形成することができる。
【００５６】
また、上記金属膜８の厚さは、配線パターン５の厚さ以下であることが好ましい。なお、配線パターン５は実質的に金属膜８と同じ厚さであってもよい。ここで、半導体素子１を配線基板６に接続したときに、半導体素子１が金属膜８に接触する可能性がある。しかしながら、半導体素子１の表面に保護膜を形成しておけば、半導体素子１と金属膜８とが軽く接触しても、半導体素子１が破壊されることはない。また、金属膜８の厚さは、配線パターン５の厚さ以下であるので、半導体素子１と配線基板６との間にはＡｕバンプ３の厚さの分だけ、空間が生じる。この空間により、樹脂封止の際には、樹脂が半導体素子１と配線基板６との間に流れ込みやすくなる。従って、樹脂封止を容易に行うことができる。
【００５７】
また、金属膜８の厚さは、配線パターン５の厚さの１／３〜２／３であることがより好ましい。金属膜８の厚さを配線パターン５の厚さの１／３未満にすると、厚さが薄いので製造するのが困難であり、さらに、製造した場合には製造コストがかかってしまう。また、金属膜８の厚さが２／３を越える（配線パターン５の厚さと同等またはそれに近い）と、半導体素子１を配線基板６に接続したときに、金属膜８に半導体素子１が接触する可能性がある。金属膜８に半導体素子１が接触した場合には、半導体素子１がショートのため破壊される可能性がある。つまり、上記の範囲の厚さでは、金属膜８の製造が容易であり、さらに、半導体素子１が金属膜８に接触して破壊される可能性を低減することができる。また、半導体素子１と配線基板６との間に金属膜８が薄くなった分だけ、より広い空間が生じる。この空間により、樹脂封止の際には、樹脂が半導体素子１と配線基板６との間により一層流れ込みやすくなる。従って、樹脂封止をより一層容易に行うことができる。
【００５８】
また、金属膜８は、配線パターン５とは分離して形成されており、電気的に接続されていないことが好ましい。上記金属膜８は、フィルム基板４の熱ストレスによる伸長を抑制するためのものであり、寸法安定性を向上させるために構成するものである。従って、金属膜８と配線パターン５との電気的な接続は不要である。
【００５９】
さらに、長方形状の金属膜８を１つ形成する代わりに、図３（ａ）に示すように、三角形状の金属膜８を複数個形成してもよい。
【００６０】
上記のように金属膜８を複数個形成することにより、互いに隣り合う金属膜８の間にはスペースが生じる。上記スペースは、樹脂封止の際の樹脂の通路となり、樹脂の流れ込みを促進することができる。これにより、樹脂封止を容易に行うことができる。
【００６１】
また、複数の金属膜８を形成する場合は、互いに隣り合う金属膜８同士の間隔を、隣り合う配線パターン５同士の間隔よりも広くすることが好ましい。
【００６２】
これにより、隣り合う金属膜８間のスペースが広くなり、樹脂の流れ込みをより一層促進することができる。また、上記スペースには十分な量の樹脂を容易に流れ込ませることができ、樹脂による封止が不十分となる封止不良の発生を低減することができる。
【００６３】
また、図３（ｂ）に示すように、円形状の金属膜８を複数個形成してもよい。さらに、図３（ｃ）に示すように、ストライプ状の金属膜８を複数個形成してもよい。さらに、図示していないが、金属膜の形状は、四角形状、菱形状、台形状等でもよい。上記のように、複数個の金属膜を形成する場合には、数十個〜数百個を均一に配列することが好ましい。
【００６４】
また、上記金属膜８は、半導体素子設置位置７において点対称または線対称となるように形成（配列）することが好ましい。ここで、点対称および線対称をあわせて対称と呼ぶことにする。
【００６５】
フィルム基板４は、一般に上下左右対称（フィルム基板４の面上のすべての方向に均一）に伸長する。しかし、金属膜８が形成されることにより、金属膜８の形成されているフィルム基板４の領域の伸長が抑制される。そこで、上記のように金属膜８を配列することにより、フィルム基板４における金属膜８が形成されている領域は、全ての方向に均一に伸長する。このため、フィルム基板４全体における伸長する方向を揃えることができるため、しわ等の発生をより一層回避することができる。
【００６６】
また、金属膜８が三角形状の場合は、隣り合う金属膜８において三角形の１辺（底辺）が互いに対向するように、形成することが好ましい。また、金属膜８が台形状の場合は、上底あるいは下底が互いに対向するように形成することが好ましい。
【００６７】
また、上記金属膜８は、図４に示すように、フィルム基板４の両面に形成してもよい。これにより、フィルム基板４の熱ストレスによる伸縮をより一層抑えることができ、配線パターン５と半導体素子１との接続不良をより一層低減することができる。また、上記金属膜８は、配線基板６の配線パターンが形成されていない面だけに形成してもよい。
【００６８】
半導体装置を連続的に形成する場合には、図５に示すように、テープ上に上記配線基板６が連続して並んで（複数）形成されている、いわゆるテープキャリア１０としてもよい。ここで、配線基板６が並んでいる方向を長手方向、長手方向と垂直な方向を幅方向とする。
【００６９】
上記テープキャリア１０には、幅方向の両側縁に送り孔１１が長手方向に沿って所定の間隔で形成されている。この送り孔１１に図示しない送り装置を噛み合わせることにより、テープキャリア１０を長手方向に移動させることができる。そのため、連続して半導体素子と配線基板６との接続を行うことができ、半導体装置の生産効率を高めることができる。
【００７０】
半導体素子をテープキャリア１０の配線基板６に接続し、半導体素子を実装した部分（図５における点線で囲んだ部分）を、テープキャリア１０からカッターやパンチ等で打ち抜く。この打ち抜かれたものが、個別の半導体装置となる。この半導体装置は、電子機器に実装される。
【００７１】
本発明にかかる半導体装置は、上記のように、各配線基板６と半導体素子との接続時の位置ずれが低減されているので、連続して接続を行うテープキャリア１０における累積の位置ずれも低減することができる。従って、連続して半導体素子の実装を行った場合にも、Ａｕバンプと配線パターンとの接続不良を低減することができる。
【００７２】
【発明の効果】
以上のように、本発明の半導体装置は、半導体素子とフィルム基板に配線パターンが形成されている配線基板とからなり、半導体素子と配線パターンとが接続され、さらに半導体素子と配線基板とが樹脂で封止されている半導体装置であって、上記配線基板の半導体素子設置位置における配線パターンが形成されていない領域に、フィルム基板より線膨張係数の小さい材料で補強膜が形成されており、上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっている構成である。
【００７３】
上記の構成によれば、補強膜が、フィルム基板の伸長を抑制するので、配線基板の寸法安定性を向上させることができる。従って、半導体素子と配線パターンとの位置ずれが低減され、半導体素子と配線パターンとが確実に接続された半導体装置を提供することができるという効果を奏する。また、上記のように、補強膜が形成されており、フィルム基板が伸長しにくくなるため、フィルム基板におけるしわの発生を防止することもできるという効果を併せて奏する。
【００７４】
また、本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっている構成である。
【００７５】
上記の構成によれば、半導体素子と配線基板との間に空間が生じるため、封止の際に、上記樹脂は半導体素子と配線基板との間に流れ込みやすくなる。従って、封止を容易に行うことができるという効果を奏する。また、半導体素子との距離が離れるため、半導体素子と補強膜とが接触することを回避することができ、半導体素子の補強膜との接触による破壊を回避することができるという効果を併せて奏する。
【００７６】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜が、配線パターンと同じ材料で形成されている構成である。
【００７７】
上記の構成によれば、配線パターンと補強膜とを、同時に形成することが容易となり、生産効率を高めることができるという効果を奏する。また、新たな製造工程を設ける必要がなく、安価に補強膜を形成することができるという効果を併せて奏する。また、上記補強膜は、フィルム基板を通して半導体素子の表面にあたる外部からの光（α線）を遮光することができ、α線が当たることにより半導体装置が誤作動することを防止することができるという効果を併せて奏する。
【００７８】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜の厚さが、配線パターンの厚さの１／３〜２／３である構成である。
【００７９】
上記の構成によれば、半導体素子と配線基板との間に、上記樹脂をより一層流れ込みやすくすることができ、封止をより一層容易に行うことができるという効果を奏する。
【００８０】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記フィルム基板上には、互いに独立した複数個の上記補強膜が形成されている構成である。
【００８１】
上記の構成によれば、互いに隣り合う補強膜の間にはスペースが生じる。上記スペースは、封止の際の樹脂の通路となり、樹脂の流れ込みをより一層促進することができる。これにより、封止をより一層容易に行うことができるという効果を奏する。
【００８２】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、隣り合う上記補強膜間の間隔が、隣り合う配線パターン間の間隔よりも広い構成である。
【００８３】
上記の構成によれば、補強膜の間のスペースがより一層広くなり、樹脂の流れ込みをより一層促進することができるという効果を奏する。また、上記スペースには十分な量の樹脂を容易に流れ込ませることができ、樹脂による封止が不十分となる封止不良の発生を低減することができるという効果を併せて奏する。
【００８４】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜が、フィルム基板上に点対称あるいは線対称に形成されている構成である。
【００８５】
上記の構成によれば、補強膜が対称（点対称あるいは線対称）に形成されているので、フィルム基板における補強膜が形成されている領域は、全ての方向に均一に伸長する。このため、フィルム基板全体における伸長する方向を揃えることができ、しわ等の発生をより一層回避することができるという効果を奏する。
【００８６】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜が、配線基板の両面に形成されている構成である。
【００８７】
上記の構成によれば、フィルム基板の熱ストレスによる伸縮をより一層抑えることができ、配線パターンと半導体素子との接続不良をより一層低減することができるという効果を奏する。
【００８８】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜が、三角形状、四角形状、あるいは円形状であることが好ましい。
【００８９】
本発明の半導体装置は、上記の構成に加えて、上記補強膜が、三角形状あるいは四角形状のときに、隣接する補強膜の１辺が互いに対向していることが好ましい。
【００９０】
本発明の半導体装置は、以上のように、半導体素子とフィルム基板に配線パターンが形成されている配線基板とからなり、半導体素子と配線パターンとが接続され、さらに半導体素子と配線基板とが樹脂で封止されている半導体装置において、上記フィルム基板における少なくとも片面の、配線パターンが形成されていない領域に、フィルム基板より線膨張係数の小さい材料で補強膜が形成され、上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっており、上記フィルム基板上には、互いに独立した複数個の上記補強膜が形成されているとともに、隣り合う上記補強膜間の間隔は、隣り合う配線パターン間の間隔よりも広い構成である。
【００９１】
また、本発明の半導体装置は、以上のように、半導体素子とフィルム基板に配線パターンが形成されている配線基板とからなり、半導体素子と配線パターンとが接続され、さらに半導体素子と配線基板とが樹脂で封止されている半導体装置において、上記フィルム基板における少なくとも片面の、配線パターンが形成されていない領域に、フィルム基板より線膨張係数の小さい材料で補強膜が形成され、上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっており、上記フィルム基板上には、互いに独立した複数個の上記補強膜が形成されているとともに、上記補強膜が三角形状あるいは四角形状であって、隣接する補強膜の１辺が互いに対向している構成である。
【００９２】
以上のように、本発明の配線基板は、フィルム基板に配線パターンが形成され、該配線パターンに半導体素子を接続するための配線基板であって、その半導体素子設置位置における配線パターンが形成されていない領域に、フィルム基板より線膨張係数の小さい材料で補強膜が形成されており、上記補強膜の厚さは、配線パターンの厚さよりも小さくなっている構成である。
【００９３】
上記の構成によれば、フィルム基板には補強膜が形成されているので、フィルム基板の伸長は、補強膜のより小さい伸長に抑制されるため、配線基板の寸法安定性を向上させることができるという効果を奏する。また、上記のように、フィルム基板が伸長しにくくなるため、フィルム基板におけるしわの発生を防止することもできるという効果を併せて奏する。
【００９４】
また、本発明のテープキャリアは、上記配線基板が、テープ上に複数形成されている構成である。
【００９５】
上記の構成によれば、例えば半導体装置の製造において、半導体素子と配線基板との接続を連続して行うことができ、半導体装置の生産効率を高めることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の一形態にかかる半導体装置の要部の断面図である。
【図２】  上記半導体装置の配線基板の平面図である。
【図３】  （ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の他の形態にかかる半導体装置の配線基板の平面図である。
【図４】  本発明の実施のさらに他の形態にかかる半導体装置の配線基板の平面図である。
【図５】  本発明の実施のさらに他の形態にかかる半導体装置の配線基板（テープキャリア）の平面図である。
【図６】  従来の半導体装置の要部の断面図である。
【図７】  従来の半導体装置の配線基板の平面図である。
【図８】  従来の半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】  従来の配線基板の平面図である。
【符号の説明】
１  半導体素子
２  パッド
３  バンプ電極（Ａｕバンプ）
４  フィルム基板
５  配線パターン
６  配線基板
８  金属膜（補強膜）
１０  テープキャリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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