(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード、カソード、およびゲートを有して前記アノード・カソード間に並列に逆方向にダイオード（８１）を接続するサイリスタ（８）を、オンコマンド信号が存在する間にゲート電流を前記ゲートに供給することによって駆動するゲートドライバであって、
前記オンコマンド信号のリーディングエッジに応答してターンオンパルスを発生するターンオンパルス発生器（２）と、
前記ターンオンパルスの直後にダウンスロープ電流を生成するダウンコンバータ（３）と、
電流を前記ダウンコンバータから前記サイリスタのゲートに供給する、前記サイリスタのゲートに接続されるＭＯＳＦＥＴ（４０３）を有する電流リミッタ（４）とを備え、前記電流リミッタはゲート電圧を前記サイリスタのゲートにおいて監視して、前記ゲート電圧の負電圧増大に対して前記ＭＯＳＦＥＴの内部抵抗を増大させるゲートドライバ。
【請求項２】
前記ダウンコンバータが、
前記ダウンコンバータから生成される電流のパターンを発生するパターン発生器（３１０）と、
前記パターンに従って伝導パルスを発生する伝導パルス発生器（３１１）と、
前記伝導パルスに応答して電源（７）からの電流を導通して、パルス電流を生成するスイッチング素子（３１２）と、
前記パルス電流を平滑化するインダクタ（３１４）とを備え、
前記パターン発生器は立ち上がりエッジおよび立ち上がりエッジ後のダウンスロープ部を有するパターンを発生して、前記ダウンコンバータから生成される前記ダウンスロープ電流が前記パターンに比例して減少する請求項１に記載のゲートドライバ。
【請求項３】
前記ダウンコンバータが、
前記パターンに従って別の伝導パルスを発生する別の伝導パルス発生器（３２１）と、
前記別の伝導パルスに応答して前記電源（７）からの電流を導通して、別のパルス電流を生成する別のスイッチング素子（３２２）と、
前記ダウンスロープ電流が増大するように前記別のパルス電流を平滑化する別のインダクタ（３２４）とをさらに備える請求項２に記載のゲートドライバ。
【請求項４】
前記ダウンコンバータが、
前記インダクタ（３１４）と並列に設けられる追加インダクタ（３４４）と、
前記追加インダクタ（３４４）と直列に設けられて、より大きなダウンスロープ電流を生成する追加スイッチング素子（３４７）とをさらに備える請求項２に記載のゲートドライバ。
【請求項５】
前記ダウンコンバータが、
前記インダクタ（３１４）と並列に設けられる追加インダクタ（３４４）と、
前記追加インダクタ（３４４）と直列に設けられて、より大きなダウンスロープ電流を生成する飽和リアクトル素子（３５６）とをさらに備える請求項２に記載のゲートドライバ。
【請求項６】
前記電流リミッタが、
前記ダウンコンバータの出力における出力電圧（Ｖ３）を所定の電圧（Ｖ４０１）と比較し、前記出力電圧（Ｖ３）が前記所定の電圧（Ｖ４０１）より小さい場合に前記出力電圧（Ｖ３）と前記所定の電圧（Ｖ４０１）の間の差に対して調整信号を生成する比較器を備えて、
前記ＭＯＳＦＥＴ（４０３）が前記調整信号を受取り、前記調整信号に対してその内部抵抗を変化させる請求項１に記載のゲートドライバ。
【請求項７】
前記比較器が演算増幅器（４０２）を備える請求項６に記載のゲートドライバ。
【請求項８】
前記比較器がバイポーラトランジスタ（４１２、４１５、４１６）を備える請求項６に記載のゲートドライバ。
【請求項９】
前記電流リミッタが前記ＭＯＳＦＥＴと並列に接続されるフリーホイールダイオードをさらに備える請求項６に記載のゲートドライバ。
【請求項１０】
前記ターンオンパルス発生器（１）が、コンデンサ（２０５）と、前記コンデンサと並列に接続されるダイオード（２０６）と、スイッチング素子（２０２）と、リアクトル（２０４）とを備えて、鋭く大きいパルスを生成する請求項１に記載のゲートドライバ。
【請求項１１】
低レベルバイアス電流をサイリスタの前記ゲートに供給するバイアス電流発生器をさらに備える請求項１に記載のゲートドライバ。
【請求項１２】
前記サイリスタ（８）がＧＣＴである請求項１に記載のゲートドライバ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＧＣＴ（ゲート転流ターンオフ）サイリスタ、ＧＴＯ（ゲートターンオフ）サイリスタ、静電誘導サイリスタ（ＳＩＴＨ）、または電力トランジスタのようなサイリスタを安定な状態で駆動するゲートドライバに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＧＣＴオン状態ゲート電流必要条件
ＧＣＴおよびＧＴＯは、類似のターンオンおよびオン状態ゲート電流必要条件を有する。ゲートドライバは、ターンオンパルスに大きなｄＩ/ｄｔおよび尖頭電流を与えて、その後、定常ＤＣオン状態保持電流を与える。時々、ゲートドライバは、ＧＣＴ/ＧＴＯのオン状態中に負のゲート電圧を受取る。
【０００３】
ＧＴＯの場合と異なり、新しい状況がＧＣＴを駆動するために導入される。ＧＣＴ用ゲートドライバが、その特長をターンオン尖頭電流およびその形の大きさで有する。ＧＣＴの場合のターンオン電流の増加（ｄＩ/ｄｔ）は典型的ＧＴＯのそれより１０〜５０倍も大きく、また、ターンオン損失を減らすために、トリガー尖頭電流が５〜１０倍大きく選択される。従って、６インチＧＣＴがｄＩ/ｄｔ＝５００Ａ/μｓおよび３００Ａの尖頭電流を必要とすることがある。
【０００４】
そのような鋭くて大きいパルスが、立ち上がり速度の大きいアノード電流を付随してＧＣＴを安全にオンする一方で、ＧＣＴ動作が立ち上がり速度の小さいアノード電流を伴う場合は、ＧＣＴをオン状態に維持するために、長いパルス時間を鋭くて大きいパルスの後に与える必要がある。その後で、ＧＴＯに類似のオン状態ゲート電流（４インチまたは６インチデバイスの場合、約１０Ａ）が印加される。
【０００５】
電流リミッタのような保護回路が設けられていない場合は、ＧＣＴまたはＧＴＯの負荷電流がその流れる方向を順方向から逆方向に変化する時に、ゲートドライバは損傷される。負荷電流は逆方向に流れて、負荷電流はＧＣＴに並列に設けられるフリーホイールダイオードを通って流れるだろう。従って、ＧＣＴのアノードがそのカソードに対して負に変わる。ＧＣＴの寄生ダイオードによって、負電位がＧＣＴのゲートに現れる。
【０００６】
その後で、負荷電流がその流れる方向を再び逆方向から順方向に変化する場合に、負荷電流はＧＣＴを通って再び流れることがある。そして、安全なＧＣＴオン状態を再び確立する必要がある。
【０００７】
基本的に、そのような必要条件はＧＴＯ動作からまた良く知られている。ＧＣＴ回路がより高いスイッチング周波数に対して設計されて、その結果、フリーホイールダイオードが非常に大きい順方向電圧降下に応答する必要があり、正常なコンバータ動作中に−５Ｖもの低ＧＣＴゲート電圧を生ずる。
【０００８】
従来技術による回路
尖頭電流は、抵抗およびコンデンサー回路によって電圧源から生成される。ステップおよび速い立ち上がり（ｄＩ/ｄｔ＝５００/μｓ）を有する大きいシューティングパルス、およびシューティングパルス後に比較的長いダウンスロープパルスを生成するために、複雑な調整を有するいくつかのＲＣ結合を必要とする。そのような設計では、全損失が６インチＧＣＴ駆動の場合に５０Ｗを超えることがある。
【０００９】
ドイツ特許出願公開公報第ＤＥ３７０９１５０号およびＰＣＴ国際公報第ＷＯ９４０７３０９号が、切換え電流源を使用するＧＴＯドライバを開示している。電流源を形成するためにインダクタが設けられて、余分のエネルギーが電源に戻される。
そのような方法では基本的に、非常に小さい損失を達成できる。しかし、４つの大電流スイッチ素子および３つのダイオードが、ターンオンパルスおよびオン状態電流を発生するために必要とされる。そして、大きいターンオフ尖頭電流は、スイッチング素子および追加ダイオードの直列接続を通過する必要がある。そのような回路は、ＧＣＴのゲートドライバには使用できない。
【００１０】
米国特許第４７９１３５０号が、ＧＴＯの定常状態用のソースとして、スイッチモードステップダウン電流レギュレータを使用するゲートドライバを開示している。レギュレータは、スイッチおよびフリーホイールダイオードを組込み、その出力がＧＴＯのゲートに直結されて、大電流パルスがスイッチおよび抵抗を有する別個の回路によって発生する。
【００１１】
この方法で、米国特許第４７９１３５０号は、ゲートドライバ損失を減らすことを提案している。しかし、負のＧＣＴゲート電圧が現れた場合は、レギュレータの出力電流が制御されずに増加するだろう。５Ａを超えるゲート電流が必要とされる場合に、さらに多量の損失がレギュレータのフリーホイールダイオードで発生する。また、大きい損失が大きい電流パルス抵抗から生ずる。
【００１２】
日本特許出願公開公報第Ｈ３−９７３１５号およびＥＰ特許公報第０４１６９３３号が、負のゲート電位の持つ問題を解決する回路を開示している。フリーホイールダイオードは負の電源ラインに接続される。インダクタは正電源によって充電される。フリーホイールにおいて、インダクタの電荷が負電源に対して放電されるでしょう。この方法で、回路はすべての正および負のＧＴＯゲート電圧状態で安定に動作する。
【００１３】
そのような回路は、小さいゲート電流を発生するのに適用できる。しかし、大きいゲート電流の場合に多くのエネルギーが正電源から負電源に移送されて、それは適当な電力戻り回路によって正電源に戻される必要がある。ＧＣＴの場合に、例えば、ゲート電流Ｉｇが約１０Ａで、ゲート電圧Ｖｇが約−２０Ｖであることがある。その時、循環電力が約２００Ｗであろう。これと対比すると、この基準による有効ゲート電力がＶｇｘＩｇ＝０．６Ｖｘ１０Ａ＝６Ｗしかないことがある。この結果、ゲート電流発生器および電源の大変過度の設計が必要とされて、多量の損失（約２０Ｗ〜４０Ｗ）が高性能スイッチモード回路においてさえも発生する。
【００１４】
ＥＰ特許公報第８９３８８３号が、ＧＣＴのフリーホイール状況を別の方法で処理するゲートドライバを開示している。エミッタホロワーとして構築されるバイポーラトランジスタが、ＧＣＴの負のゲート電圧におけるゲート電流を制限する。電流は電圧パルスから高効率で発生する。
【００１５】
ゲート電流Ｉｇが２Ａまでの場合に、回路を適当な部品で設計することができる。より大きいゲート電流で、バイポーラトランジスタ利得が２０より下がるだろう。その時、大きいベース電流が必要とされて、損失がより大きいＶＣＥｓａｔ（電圧Ｖｃｅの飽和）に因って大きくなるだろう。Ｉｇ＝１０Ａで、０．５Ａより大きいＩｂを必要とし、ＶＣＥｓａｔは既知のＰＮＰトランジスタで約１Ｖになるだろう。
【００１６】
さらに、大きいベース電流は、０．４Ｖ以上に維持されるＧＣＴゲート電圧でもって維持される必要がある。そして、より大きいＧＣＴゲート電圧、かつ開回路状態（ＧＣＴが実装されていない）の場合に、設計を複雑にするか、あるいはゲートドライバの性能を制限するかのトレードオフを行う必要がある。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
大電流ＧＣＴ駆動を実現するのに適当な回路を見つける必要がある。それはＧＣＴターンオン用の鋭く大きいトリガー電流パルス、長いトリガー電流トレイル、および大きいゲート電流を小さい損失で発生する必要があり、そしてそれはすべてのゲート電圧動作状態において安全である必要がある。
さらに、この回路を、非常にコンパクトで経済的な解決法を可能にするために主としてＳＭＤ部品および技術で実現できることが必要である。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１が、アノード、カソード、およびゲートを有して前記アノード・カソード間に並列に逆方向にダイオード（８１）を接続するサイリスタ（８）を、オンコマンド信号が存在する間にゲート電流を前記ゲートに供給することによって駆動するゲートドライバを請求する。
前記ゲートドライバは、前記オンコマンド信号のリーディングエッジに対応してターンオンパルスを発生するターンオンパルス発生器（２）と、前記ターンオンパルスの直後にダウンスロープ電流を生成するダウンコンバータ（３）と、電流を前記ダウンコンバータから前記サイリスタのゲートに供給する、前記サイリスタのゲートに接続されるＭＯＳＦＥＴ（４０３）を有する電流リミッタであって、ゲート電圧を前記サイリスタのゲートにおいて監視して、前記ゲート電圧の負電圧増大に対して前記ＭＯＳＦＥＴの内部抵抗を増大させる電流リミッタ（４）とを備える。
【００１９】
請求項２が、前記ダウンコンバータが、前記ダウンコンバータから生成される電流のパターンを発生するパターン発生器（３１０）と、前記パターンに従って伝導パルスを発生する伝導パルス発生器（３１１）と、前記伝導パルスに応答してソース（７）からの電流を導通して、パルス電流を生成するスイッチング素子（３１２）と、前記パルス電流を平滑するインダクタ（３１４）とを備えて、前記パターン発生器は立ち上がりエッジおよび立ち上がりエッジ後のダウンスロープ部を有するパターンを発生し、そのため、前記ダウンコンバータから生成される前記ダウンスロープ電流は、前記パターンに比例して減少する請求項１に記載のゲートドライバを請求する。
【００２０】
請求項３が、前記ダウンコンバータが、前記パターンに従って別の伝導パルスを発生する別の伝導パルス発生器（３２１）と、前記別の伝導パルスに応答して前記電源（７）からの電流を導通して、別のパルス電流を生成する別のスイッチング素子（３２２）と、前記ダウンスロープ電流が増大するように前記別のパルス電流を平滑化する別のインダクタ（３２４）とをさらに備える請求項２に記載のゲートドライバを請求する。
【００２１】
請求項４が、前記ダウンコンバータが、前記インダクタ（３１４）と並列に設けられる追加インダクタ（３４４）と、前記追加インダクタ（３４４）と直列に設けられて、より大きなダウンスロープ電流を生成する追加スイッチング素子（３４７）とをさらに備える請求項２に記載のゲートドライバを請求する。
【００２２】
請求項５が、前記ダウンコンバータが、前記インダクタ（３１４）と並列に設けられる追加インダクタ（３４４）と、前記追加インダクタ（３４４）と直列に設けられて、より大きなダウンスロープ電流を生成する飽和リアクトル素子（３５６）とをさらに備える請求項２に記載のゲートドライバを請求する。
【００２３】
請求項６が、前記電流リミッタが、前記ダウンコンバータの出力における出力電圧（Ｖ３）を所定の電圧（Ｖ４０１）と比較し、前記出力電圧（Ｖ３）が前記所定の電圧（Ｖ４０１）より小さい場合に前記出力電圧（Ｖ３）と前記所定の電圧（Ｖ４０１）の間の差に対して調整信号を生成する比較器を備えて、前記ＭＯＳＦＥＴ（４０３）が前記調整信号を受取り、前記調整信号に対してその内部抵抗を変化する請求項１に記載のゲートドライバを請求する。
【００２４】
請求項７が、前記比較器が演算増幅器（４０２）を備える請求項６に記載のゲートドライバを請求する。
【００２５】
請求項８が、前記比較器がバイポーラトランジスタ（４１２、４１５、４１６）を備える請求項６に記載のゲートドライバを請求する。
【００２６】
請求項９が、前記電流リミッタが前記ＭＯＳＦＥＴと並列に接続されるフリーホイールダイオードをさらに備える請求項６に記載のゲートドライバを請求する。
【００２７】
請求項１０が、前記ターンオフパルス発生器（１）がコンデンサ（２０５）と、前記コンデンサと並列に接続されるダイオード（２０６）と、スイッチング素子（２０２）と、リアクトル（２０４）とを備えて、鋭く大きいパルスを生成する請求項１に記載のゲートドライバを請求する。
【００２８】
請求項１１が、低レベルバイアス電流をサイリスタの前記ゲートに供給するバイアス電流発生器をさらに備える請求項１に記載のゲートドライバを請求する。
【００２９】
請求項１２が、前記サイリスタ（８）がＧＣＴである請求項１に記載のゲートドライバを請求する。
【００３０】
【発明の実施の形態】
図１を参照すると、大容量スイッチング素子８をＯＮおよびＯＦＦ状態に駆動する、本発明によるゲートドライバのブロック図が示されている。本発明のゲートドライバは、様々なタイプのスイッチング素子８、例えば、ＧＣＴ（ゲート転流ターンオフ）サイリスタ、ＧＴＯ（ゲートターンオフ）サイリスタ、静電誘導サイリスタ（ＳＩＴＨ）、または電力トランジスタに適用できる。しかし、本発明はＧＣＴサイリスタと共に使用するのに特に適している。サイリスタ８はアノード、カソード、およびゲートを有する。サイリスタ８はダイオード８１と並列に逆方向に接続されて、サイリスタ８のそのアノードおよびカソードがダイオード８１のカソードおよびアノードにそれぞれ接続される。さらにサイリスタ８は負荷（示されていない）に直列に接続される。
【００３１】
図１で、参照数字１はターンオフパルスＩｇ３を発生するターンオフパルス発生器であり、２はターンオンパルス、すなわち起動パルスＩｇ１を生成するターンオンパルス発生器であり、３はダウンコンバータであり、４は電流リミッタであり、５はバイアス電流Ｉｇ４を発生するバイアス電流発生器であり、９はオンコマンド信号Ｓ１を生成するコントローラである。電流リミッタ４はダウンコンバータ３と関連して動作し、持続電流Ｉｇ２を生成する。電流Ｉｇ１、Ｉｇ２、Ｉｇ３、およびＩｇ４は共に加えられて、ゲート電流Ｉｇを形成する。
【００３２】
図２が、図１のゲートドライバの回路内の主要ポイントで観察される波形を示す。特に、図２（ａ）がサイリスタ８のアノードとカソードの間の電圧Ｖａｋを示し、図２（ｂ）がサイリスタ８を流れるアノード電流Ｉａを示し、図２（c）がサイリスタ８のゲートに流れるゲート電流Ｉｇを示し、図２（ｄ）がサイリスタ８のゲートにおけるゲート電圧Ｖｇを示し、そして図２（ｅ）がコントローラ９から生成されるオンコマンド信号Ｓ１を示す。
【００３３】
図２（ｅ）に示されるように、コントローラ９は、期間１０２〜１０９内にサイリスタ８をオンにするようにゲートドライバを起動する前記期間１０２〜１０９における高レベルオンコマンド信号Ｓ１を生成する。
【００３４】
図２（c）に示されるように、時間１０２におけるオンコマンド信号Ｓ１のリーディングエッジ、すなわち立ち上がりエッジに応答して、ターンオンパルス発生器２は起動されて、瞬間的な高レベル電流（起動パルス）Ｉｇ１を期間１０２〜１０３、すなわち５〜３０マイクロ秒間で生成する。起動パルスＩｇ１の尖頭電流値は、例えば、数百〜１０００アンペアである。起動パルスＩｇ１は、ゲート電流Ｉｇのまさに始まりでサイリスタ８のゲートに適用されて、サイリスタ８をオンする。
【００３５】
また、図２（c）に示されるように、オンコマンド信号Ｓ１のリーディングエッジに応答して、ダウンコンバータ３は、持続電流Ｉｇ２のリーディング部分としてダウンスロープ電流Ｉｇ２を生成する。ダウンスロープ電流Ｉｇ２は期間１０２〜１０４、すなわち１０〜１００マイクロ秒で生成される。ダウンスロープ電流は、時間１０２に立ち上がりエッジを、期間１０２〜１０４にダウンスロープ部分を有する。立ち上がりエッジは起動パルス内で重なる。しかし、ダウンスロープ電流はその立ち上がりエッジを時間１０３に有することが可能である。この場合に、ダウンスロープ部分は時間１０３〜１０４内に在る。ダウンスロープ電流が供給されて、起動パルス（時間１０２〜１０３）が消えた後でさえもサイリスタ８はそのオン状態を維持することを確実にする。
【００３６】
オンコマンド信号Ｓ１のリーディングエッジに応答して、バイアス電流発生器５は、例えば、期間１０２〜１０９における数百ミリアンペアであるバイアス電流Ｉｇ４を生成する。図２（c）に、バイアス電流Ｉｇ４は示されていない。何故なら、それは持続電流Ｉｇ２に比較して非常に小さいからである。
【００３７】
図２（ｂ）に示されるように、サイリスタ８に接続される負荷のある急な変化に因ってアノード電流Ｉａが時間１０５で負の値に急に減少する場合に、逆アノード電流Ｉａがダイオード８１を通って流れて、同時にゲート電圧Ｖｇはゼロより小さく減少する。電流リミッタ４が設けられて、ゲート電圧Ｖｇがゼロより小さく減少する場合でさえも、サイリスタ８のゲートに印加されるゲート電流Ｉｇが順バイアス電流のままであるように制御する。
【００３８】
回路１〜５の各々が以下に詳細に説明されるだろう。図３を参照すると、ターンオンパルス発生器２が示される。ターンオンパルス発生器２は、トリガーパルス発生器２０１と、スイッチングトランジスタ２０２と、フリーホイールダイオード２０３と、パルス形成リアクタ２０４と、パルスコンデンサ２０５と、コンデンサフリーホイールダイオード２０６と、リアクタ２０７と、ダイオード２０８とを備える。
【００３９】
ターンオンパルス発生器２の動作は次の通りである。第１に、コンデンサ２０５は、電圧Ｖｂを有する電源７からリアクタ２０７とダイオード２０８を通る充電回路によって、事前設定された電圧２Ｖｂまで充電される。時間１０２において、コントローラ９からのオンコマンド信号Ｓ１のリーディングエッジに応答して、データフリップフロップのようなパルス発生器を有するトリガーパルス発生器２０１は、所定のパルス幅を有するトリガーパルスを生成する。トリガーパルスはトランジスタ２０２に印加される。従って、時間１０２において、トランジスタ２０２はオンする。そして、コンデンサ２０５はリアクタ２０４に接続されて、ゲートパルス電流Ｉｇ１がサイリスタ８のゲートに流入し始める。ゲートパルス電流Ｉｇ１が増加するにつれて、コンデンサ２０５の電圧が減少するだろう。
コンデンサ２０５の電圧がゼロに達すると、ゲートパルス電流は最大レベルに達する。従って、コンデンサ２０５およびリアクタ２０４は共振動作を行うように選択されて、そのためゲートパルス電流の始動ｄＩ/ｄｔおよび尖頭電流がサイリスタ８の要求条件を満足する。従って、コンデンサ２０５の放電中、ゲートパルス電流Ｉｇ１は図３に示されるように線Ａ１に沿って流れる。
【００４０】
コンデンサ２０５の両端の電圧が負に変わると、ダイオード２０６が導通して点線によって示されるバイパス電流Ａ２が流れて、共振動作が停止する。その結果、バイパス電流Ａ２を使用して、リアクタ２０４の電流は高レベルに保たれる。そして、電流Ａ１はサイリスタ８のゲート電圧に因って、またリアクタ２０４、スイッチングトランジスタ２０２、およびダイオード２０６の損失に因ってゆっくりと減少する。
【００４１】
所定の時間後に、トリガーパルス発生器２０１はトリガーパルスを発生することを止め、従って、スイッチングトランジスタ２０２をオフにする。そして、リアクタ電流は線Ａ３に沿って流れるように転換し、そのため、リアクタ２０４に蓄積されたエネルギーがフリーホイールダイオード２０３を通して負電源中に放出される。
【００４２】
負のゲートバイアス電圧が存在する場合の動作は、上述の動作に非常に類似している。トリガーパルス発生器２０１によるトランジスタ２０２のトリガーによって、コンデンサ２０５は放電し、リアクタ２０４はエネルギーを累積する。そして、コンデンサ２０５がゼロボルトまで放電された後に、フリーホイールダイオード２０６は導通する。負のゲートバイアス電圧の大きさに依存して、ゲート電流はゆっくりと減少するか、または時間と共に増加するだろう。時間１０３において、トランジスタ２０２はオフとなり、リアクタ２０４のエネルギーは電源６中に放出される。
【００４３】
小さい負のゲートバイアス電圧によって、回路の安全動作を達成することができる。大きい負のゲートバイアス電圧が高速高電圧ＧＣＴフリーホイールダイオードの場合と同様に処理される必要がある場合に、短い期間（１０２〜１０３）内でさえもゲート電流は過大電流になることがある。そのような場合に、トランジスタ２０２に対するゲート駆動電圧およびその特性は、そのような電流を制限するように選択される。その結果、大きい負のゲートバイアス電圧においてさえも安全動作は達成される。
【００４４】
図４を参照すると、ダウンコンバータ３および電流リミッタ４が示される。先ず、ダウンコンバータ３が説明される。
【００４５】
ダウンコンバータ３は、パターン発生器３１０、伝導パルス発生器３１１、ＦＥＴ３１２、低損失ショットキーダイオード３１３、インダクタ３１４、電流検出抵抗３１５、およびダイオード３１６を有する。伝導パルス発生器３１１、ＦＥＴ３１２、低損失ショットキーダイオード３１３、インダクタ３１４、および電流検出抵抗３１５は接続されて、低損失ステップダウンコンバータを形成する。
【００４６】
コントローラ９からのオンコマンド信号に応答して、パターン発生器はパターン信号S２を発生し、図５（ｄ）に示されるように、上限信号S２-ｕｐおよび下限信号S２-ｌｏｗを生成する。パターン信号S２は、時間１０２において立ち上がりエッジ、時間１０２〜１０４間にダウンスロープ部分、および時間１０４〜１０９間に一定レベルを有する。上限信号S２-ｕｐおよび下限信号S２-ｌｏｗは、以下に説明される方法で、図６（ａ）に示される伝導パルスを発生する伝導パルス発生器３１１に印加される。
【００４７】
伝通パルス発生器３１１は抵抗３１５を通って流れる電流を検出し、電流レベルを上限信号S２-ｕｐおよび下限信号S２-ｌｏｗと比較する。電流Ｉ３１５が下限信号S２-ｌｏｗより小さくなると、伝導パルス発生器３１１は伝導パルス（図６（ａ））を生成し、ＦＥＴ３１２を駆動して導通状態にする。このようにして、電源７からの電流は、インダクタ３１４、抵抗３１５、およびＦＥＴ４０３の直列接続を通してサイリスタ８のゲートに印加される。ＦＥＴ４０３を通して導通される電流はパルス電流であるが、インダクタ３１４の後で平滑化される。その結果、誘導電圧が正になって、電流Ｉ３１５は、Ｖ３１４およびインダクタ３１４のインダクタンスによって与えられる立ち上がり速度で増加する。
【００４８】
その後に、図６（ｂ）に示されるように、電流Ｉ３１５が上限信号S２-ｕｐまで増加した場合に、伝導パルス発生器３１１は、ＦＥＴ３１２をブロッキング状態に切換えるように伝導パルスを終了する。電流Ｉ３１５はダイオード３１３の方へ転換する。電圧Ｖ３１４は逆転されて、次のように表される。
Ｖ３１４＝−（Ｖ３＋Ｖ３１３＋Ｒ３１５ｘＩ３１５）
ここで、Ｖ３はダウンコンバータ３の出力電圧である。そして、電流Ｉ３１５は下限信号S２-ｌｏｗに向かって再び減少する。
【００４９】
電源７の電圧がＶｇよりかなり大きく設定される。このように、電流Ｉ３１５の大きい立ち上がり速度（ｄＩ３１５/ｄｔ）はＦＥＴ３１２の導通時に達成されて、小さいｄＩ３１５/ｄｔはダイオード３１３の導通時に発生して、ダイオード３１３の長い導通およびＦＥＴ３１２の短い導通を生ずる。その結果、電源７から引き出される平均電流はＩ３１５に比較して小さくて、電源７は標準小電力装置で発生され得る。
【００５０】
ダイオード３１３およびＦＥＴ４０３は、小さいオン状態抵抗値（ＲＤＳｏｎ）に対して設定される。このように、Ｖ３１３およびＶ４０３はＶｇより小さくなり、抵抗３１５を同じように設定すると、５０％オーダーの全効率がＶｇ＝０．６ＶかつＩ３１５＝１０Ａにおいてさえも達成される。したがって、ダウンコンバータ３から生成される電流が、起動直後に徐々にではあるが減少する。
【００５１】
インダクタ３１４は、大きな飽和電流に対して設定される。そして、ＦＥＴおよびダイオードの特性に因って、高レベルの電流が発生して、時間１０３〜１０４の間サイリスタ８のゲートに供給され得る。これを達成するために、パターン発生器３１０は上限信号S２-ｕｐおよび下限信号S２-ｌｏｗを大きくする。このように、スロープの長いパルス（時間１０３〜１０４）も高い効率で発生する。スロープの長いパルスは、時間１０３〜１０４の間で生成されるとして説明されるが、起動パルス（時間１０２〜１０３）と部分的に重なる時間１０２〜１０４の間で生成され得る。
【００５２】
図４をさらに参照して、電流リミッタ４が次に説明される。電流リミッタ４は、定電圧源４０１、演算増幅器によって形成される比較器４０２、およびｐチャンネルＦＥＴ４０３を有する。ゲート電圧Ｖｇが負のアノード電圧（時間１０５〜１０６）によって負に引き寄せられる場合に、ダウンコンバータ３の出力電圧Ｖ３も減少する。比較器４０２は、ダウンコンバータの出力電圧Ｖ３を所定の定電圧４０１と比較することによって、ゲート電圧Ｖｇを検出する。ゲート電圧Ｖｇが定電圧４０１以下に減少した場合に、比較器４０２は、定電圧４０１より小さくダウンコンバータ出力電圧の減少するレベルに比例するレベルを有する調整信号を生成する。調整信号はＦＥＴ４０３のゲートに印加されて、その結果、これは内部抵抗を大きくし始めて、ＦＥＴ４０３の両端の電圧降下が大きくなる。従って、ＦＥＴの出力側（サイリスタ８のゲートに接続される側）の電圧が減少し、その入力側が殆ど同じに維持される。従って、サイリスタ８のゲートで観察される電圧降下はＦＥＴ４０３の両端に生ずる電圧降下によって主として吸収されて、そのため、ゲート電圧Ｖｇがゼロより下に下がる場合でさえも、図５（ｂ）に示されるように、ＦＥＴ４０３の入力側に印加される電圧Ｖ３が正の領域内に維持されるだろう。従って、低損失ステップダウンコンバータは正常な動作状態で動作し続けるだろう。
【００５３】
上記から明らかなように、電流リミッタ４はサイリスタ８のゲートにおけるゲート電圧Ｖｇを監視して、ゲート電圧がゼロボルトより下に下がる場合でさえも、サイリスタ８のゲートへの順バイアス電流を維持する。リミッタ４によって、急な電流降下がアノード電流内に現れる場合でさえも、サイリスタ８はオン状態に維持され得る。また、リミッタ４によって、ゲート電流Iｇは順バイアス電流に維持されるので、ゲートドライバ内の様々な回路を最終的に保護し、特に、ダウンコンバータ内の回路が逆バイアス電流を受取るのを防止できる。
【００５４】
比較器４０２が高レベル信号を発生することを停止した直後に、すなわち、ゲート電圧Ｖｇが負から正に変化する時間１０６において、ダウンスロープ電流が生成されることがあるということが注目されるべきである。このために、比較器４０２の出力もパターン発生器３１０に印加できる。
【００５５】
高速フリーホイールダイオードの場合と同様に−５Ｖしかない負のゲート電圧が、リミッタ内で大きい損失を生成する。そして、ゲート電圧への接続を付加することによって、パターン発生器３１０が起動されて、そのような時間中にパターン信号Ｓ２を減らすことがある。図２（ｃ）に示されるように、これは、１０５と１０６の間の期間でゲート電流の減少、およびＭＯＳＦＥＴ４０３での損失のかなりの減少をもたらす。ダウンコンバータ３によってそのような小さい電流を設定するには、伝導パルス発生器３１１のセンスアンプにおいて極めて高い精度を必要とする。従って、バイアス発生器がゲート駆動回路に含まれる。そして、ダウンコンバータ３の出力電流が、パターン発生器３１０によって小さい設定ゲート電圧、すなわち−２Ｖでゼロに設定されて、ゲートバイアス電流がバイアス発生器によって維持される。図７を参照すると、バイアス電流発生器５が示される。バイアス電流発生器５は、パルス発生器５０１、スイッチングトランジスタ５０２、ダイオード５０３、リアクトル５０４、および抵抗５０５を有する。パルス発生器５０１は、コントローラ９から生成されるオンコマンド信号Ｓ１のリーディングエッジ、すなわち立ち上がりエッジに応答して、時間１０２でパルスを生成する。従って、パルス発生器５０１からのパルスに応答して、スイッチングトランジスタ５０２はオンとなって、リアクトル５０４および抵抗５０５を通してサイリスタ８のゲートに印加される正方向パルスを生成する。フリーホイールダイオード５０３はソース６の負電位に接続される。その結果、バイアス電流発生器は、ソース６の出力しかないゲート電圧においても正常な動作を維持するだろう。
【００５６】
変形例１
図８を参照すると、第１の変形例が示されている。ダウンコンバータ３は、パターン発生器３１０、第１のコンバータ３ａ、および第２のコンバータ３ｂを有する。第１のコンバータ３ａは、伝導パルス発生器３１１、ＦＥＴ３１２および３１７、インダクタ３１４、抵抗３１５、およびダイオード３１６を有する。
同様に、第２のコンバータ３ｂは、伝導パルス発生器３２１、ＦＥＴ３２２および３２３、インダクタ３２４、および抵抗３２５を有する。
【００５７】
パターン発生器３１０は、上述の方法と類似の方法で上限信号S２-ｕｐおよび下限信号S２-ｄｏｗｎを生成する。インダクタ３２４は、インダクタ３１４のインダクタンスの半分に等しいインダクタンスを有するということが注目される。伝導パルス発生器３２１はダウンスロープ期間（時間１０２〜１０４）中だけ動作し、伝導パルス発生器３１１は全オン期間（時間１０２〜１０９）中動作する。インダクタ、ダイオード３１６、および伝導パルス発生器３２１以外に、第１のコンバータ３ａ内の回路素子が第２のコンバータ３ｂ内のそれらと同じである。
【００５８】
従って、図９（ａ）に示されるように、第１のコンバータ３ａは部分Aによって示される電流を生成し、第２のコンバータ３ｂは部分Ｂによって示される電流を生成する。リアクトル３２４がリアクタンス（１/２）Ｌを有し、リアクトル３１４がリアクタンスＬを有するので、部分Ｂにおける電流は部分Aにおける電流の２倍もある。図８の回路によって、電流部分AおよびＢを含む３倍のスロープパルス（時間１０３〜１０４）を高効率で生成できる。
【００５９】
変形例２
図１０を参照すると、第２の変形例が示されている。ダウンコンバータ３は変更されている。図４に示されるダウンコンバータ３と比較される場合に、図１０に示されるダウンコンバータ３は、ダイオード３１３の代わりにＦＥＴトランジスタ３１９を有する。他の配列は図４に示される配列と同一である。図１１に示されるように、ＦＥＴ３１９のゲートに印加される信号が、ＦＥＴ３１２のゲートに印加される信号の位相と反対の位相を有する。この変形例で、同期整流器（ＦＥＴ３１２および３１９）が実装されて、長いスロープパルス電流（時間１０３〜１０４）を発生する。ＦＥＴ３１９に対して低いオン状態（ＲＤＳｏｎ）を選択した場合に、ＦＥＴ３１９の両端の電圧Ｖ３１９は、図４のダイオード３１３の両端の電圧よりかなり小さい（Ｖ３１９≪Ｖ３１３）。従って、５０％を明らかに超える、長いスロープパルスを得る効率が達成される。
【００６０】
変形例３
図１２を参照すると、第３の変形例が示されている。ダウンコンバータ３は変更されている。図１０に示されるダウンコンバータと比較される場合に、図１２に示されるダウンコンバータは、リアクトル３４４、抵抗３４５、ダイオード３４６、およびＦＥＴ３４７をさらに有する。ＦＥＴ３４７のゲートはパターン発生器３１０に接続される。ＦＥＴ３４７はパターン発生器３１０からの制御パルスによって制御されて、スロープ期間（時間１０２〜１０４、または１０３〜１０４）の間だけ導通する。
【００６１】
図１２に示される変形例で、唯一の同期整流回路（３１１、３１２、３１９）が設けられて、図９に示される電流部分AおよびＢを含む２倍の長いスロープパルス（時間１０３〜１０４）を発生する。電流部分Ｂは、回路素子３４４、３４５、３４６、および３４７によって発生されて、整流回路（３１１、３１２、３１９）は部分AおよびＢを発生するために共通に使用される。リアクトル３４４がリアクタンス（１/２）Ｌを有し、リアクトル３１４がリアクタンスＬを有する。電流部分Ｂの発生が以下に説明される。
【００６２】
時間１０３で、ＦＥＴ３４７はパターン発生器３１０によって導通される。リアクトル３４４と抵抗３４５の直列接続が、リアクトル３１４と検出抵抗３１５の直列接続と並列に接続されるので、付加電流がリアクトル３４４と抵抗３４５の直列接続を通して流れるだろう。従って、ダウンスロープ電流は増加する。
時間１０４で、ダウンスロープ電流は安定なバイアス電流に達する。従って、パターン発生器３１０は制御パルスを生成するのを終止する。そして、ＦＥＴ３４７はオフにされる。ダイオード３４６を通して、リアクトル３４４に蓄積されたエネルギーが正電源７に放出されて、安定なバイアス電流供給がリアクトル３１４と検出抵抗３１５によって続く。
【００６３】
変形例４
図１３を参照すると、第４の変形例が示されている。ダウンコンバータ３は変更されている。図１３に示されるダウンコンバータは、図１２に示されるダウンコンバータに非常に類似している。図１２のＦＥＴ３４７の代わりに、飽和リアクトル３５６が設けられる。また、ダイオード３４６は図１３では省かれている。他の回路素子は図１２に示される回路素子と同じである。その動作は次のようである。
【００６４】
時間１０２で、パターン発生器３１０は、リアクトル３１４およびリアクトル３４４を通して大きいＤＣ電流を増大させるように大きいパターン信号Ｓ２を生成する。そして、リアクトル３５６はリアクトル３４４を通るＤＣ電流によって飽和する。リアクトル３５６は、小さい飽和インダクタンス値を呈するという特長を有し、そのため、エネルギーは主にリアクトル３４４および３１４に蓄積される。その結果、大量の電流が素子３４４、３４５、および３５６によって生成される。
【００６５】
時間１０４で、パターン発生器３１０は、大きいパターン信号を生成することを終止する。リアクトル３５６は、そのような状態での飽和から脱するように設計される。そして、リアクトル３５６は大きいインダクタンス値を呈するという特長を有し、それだから、少量の電流が素子３４４、３４５、および３５６を通して流れる。そのようにして、長いスロープパルスの発生中の検出抵抗３１５における低損失およびＩｇ２の高精度を達成できる。
【００６６】
変形例５
図１４を参照すると、第５の変形例が示されている。電流リミッタ４は変更されている。図４に示される電流リミッタ４と比較される場合に、比較器４０２は３つのバイポーラトランジスタ４１２、４１５、および４１６、ならびに４１３、および４１４と置き換えられる。図１４の電流リミッタ４内の他の回路素子は、図４の電流リミッタ４内のそれらと同じである。動作は次のようである。
【００６７】
トランジスタ４１２はそのベース・エミッタ閾値を定電圧Ｖ４０１と入力電圧Ｖ３の間の電圧差と比較し、抵抗４１４の両端電圧を制御する。トランジスタ４１２のベース電圧が降下する場合に、トランジスタ４１２はより導通状態となり、トランジスタ４１６のベース電圧を増大させて、トランジスタ４１６のエミッタ電圧を徐々に増大させる。トランジスタ４１６のエミッタ電圧は、ＦＥＴ４０３の内部抵抗を調整する調整信号として役立つ。調整信号が増大する場合に、ＦＥＴ４０３は内部抵抗を増大させ始めるので、図４に関連して上述された方法でサイリスタ８のゲートにおける電圧降下のブロッキングを生ずる。このようにして、非常に小型、かつ経済的な電流リミッタを実現できる。
【００６８】
【発明の効果】
本発明の請求項１に記載のゲートドライバが、大電力ＧＣＴまたはＲＧＣＴ用の低損失、かつ小形の回路を実現する。パターン発生器およびスイッチング素子の使用によって低損失回路が可能となるので、長く大きいダウンスロープ電流を生成する。また、大きい損失を要するいかなる構成要素も使用されない。電流リミッタ内の主電流経路中の１つまたは複数のＭＯＳＦＥＴが、ダウンコンバータ内の回路構成要素を保護する。
【００６９】
請求項２によれば、ダウンコンバータにおける損失が、従来のダイオードの代わりに制御されるＭＯＳＦＥＴを導入することによって減少する。
請求項３によれば、ダウンコンバータにおける損失が、そのような電流の発生に対して最適化される別の発生素子によって、大きいダウンスロープ電流の発生中に減少する。
請求項４によれば、多数の回路素子を減らすことができる。
請求項５によれば、簡単な回路を用いて多数の回路素子を減らすことができる。
請求項６によれば、電流リミッタはダウンコンバータ内の回路素子を、特に負のＧＣＴゲートバイアス中に保護する。また、正と負のゲートバイアス間の遷移を円滑に実行できる。
【００７０】
請求項７によれば、電流リミッタを、高帯域電力演算増幅器を使用して、簡単な回路を用いて低コストで配置できる。
請求項８によれば、電流リミッタを、高帯域トランジスタを使用して、簡単な回路を用いて低コストで配置できる。
請求項９によれば、サイリスタのゲート電流を、非常に低損失で負のゲート電圧の全範囲を通して制御できる。
【００７１】
請求項１０によれば、ターンオンパルスを、簡単な、かつ小形の回路素子を用いて発生できる。従って、低損失および負のゲートバイアスに対する完全な保護を実現できる。
請求項１１によれば、ゲート電流を、非常に低損失で負のゲート電圧の全範囲においてゲート電流が大きくても制御できる。
請求項１２によれば、大きい負荷電流のスイッチングを急速に、かつ着実に遂行できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  サイリスタ用ゲートドライバのブロック図である。
【図２】  図１のブロック図における主要なポイントで観察される波形を示す図である。
【図３】  図１に示されるターンオンパルス発生器の回路図である。
【図４】  図１に示されるダウンコンバータおよび電流リミッタの回路図である。
【図５】  図４の回路における主要なポイントで観察される波形を示す図である。
【図６】  図４のダウンコンバータで観察される波形を示す図である。
【図７】  図１に示されるバイアス電流発生器の回路図である。
【図８】  第１の変形例による回路図である。
【図９】  図８の回路で観察される波形を示す図である。
【図１０】  第２の変形例による回路図である。
【図１１】  図１０の回路で観察される波形を示す図である。
【図１２】  第３の変形例による回路図である。
【図１３】  第４の変形例による回路図である。
【図１４】  第５の変形例による回路図である。
【符号の説明】
１  ターンオフパルス発生器
２  ターンオンパルス発生器
３  ダウンコンバータ
４  電流リミッタ
５  バイアス電流発生器
９  コントローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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