(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非金属の基材の表面の少なくとも一部に、導電性の材料で構成される導電膜を形成する工程と、
前記導電層の表面の少なくとも一部に、ドライエッチングにより除去することが可能であり、かつ、融点が１６００℃以上の材料で構成される高融点材料層を形成する工程と、
前記高融点材料層の表面の少なくとも一部に、主としてシリコンで構成されるシリコン層を形成する工程と、
前記シリコン層の表面の少なくとも一部に、フォトレジスト材料で構成されるレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層の一部を除去することにより、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジスト層が除去された部位の、前記シリコン層および前記高融点材料層を、ドライエッチングにより除去する工程と、
少なくとも、前記シリコン層および前記高融点材料層を除去した部位に、金属材料で構成されるめっき層を形成する工程とを有することを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
前記導電膜は、２層以上の積層体である請求項１に記載のめっき方法。
【請求項３】
前記導電膜は、融点が１６００℃以上の材料を含むものである請求項１または２に記載のめっき方法。
【請求項４】
前記基材が主としてシリコンで構成されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項５】
前記めっき層を形成する工程の後に、前記基材および前記導電膜を除去する工程を有する請求項１または４に記載のめっき方法。
【請求項６】
基材の表面の少なくとも一部に、主としてＡｌで構成されるアルミニウム層を形成する工程と、
前記アルミニウム層の表面の少なくとも一部に、ドライエッチングにより除去することが可能であり、かつ、融点が１６００℃以上の材料で構成される高融点材料層を形成する工程と、
前記高融点材料層の表面の少なくとも一部に、主としてシリコンで構成されるシリコン層を形成する工程と、
前記シリコン層の表面の少なくとも一部に、フォトレジスト材料で構成されるレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層の一部を除去することにより、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジスト層が除去された部位の、前記シリコン層および前記高融点材料層を、ドライエッチングにより除去する工程と、
少なくとも、前記シリコン層および前記高融点材料層を除去した部位に、金属材料で構成されるめっき層を形成する工程とを有することを特徴とするめっき方法。
【請求項７】
アルカリ処理により、前記アルミニウム層を除去し、前記基材を分離する工程を有する請求項６に記載のめっき方法。
【請求項８】
前記基材は、耐アルカリ性を有するものである請求項６または７に記載のめっき方法。
【請求項９】
前記高融点材料層をスパッタリングにより形成する請求項１ないし８のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項１０】
前記高融点材料層の平均厚さは、２０〜５００ｎｍである請求項１ないし９のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項１１】
前記高融点材料層は、主として、Ｔｉおよび／またはＷを含む金属または化合物で構成されたものである請求項１ないし１０のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項１２】
前記シリコン層をスパッタリングにより形成する請求項１ないし１１のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項１３】
前記シリコン層の平均厚さは、１０ｎｍ〜１μｍである請求項１ないし１２のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項１４】
前記シリコン層を形成する工程と、前記シリコン層および前記高融点材料層を、ドライエッチングにより除去する工程との間に、
前記レジスト層を形成し、その一部を硬化させる操作を複数回繰り返し行い、その後、前記レジスト層の非硬化部分を除去することにより、レジストパターンを形成する請求項１ないし１３のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項１５】
前記レジスト層の平均厚さは、５０〜５００μｍである請求項１ないし１４のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項１６】
前記めっき層を電解めっきにより形成する請求項１ないし１５のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項１７】
前記めっき層は、Ｎｉを含む材料で構成されたものである請求項１ないし１６のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項１８】
前記レジストパターンを形成する工程で、除去されずに残存する部位の前記レジスト層の幅をｗ１［μｍ］、高さをｈ１［μｍ］としたとき、ｈ１／ｗ１≧１の関係を満足する請求項１ないし１７のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項１９】
前記レジストパターンを形成する工程で、除去される部位の前記レジスト層の幅をｗ２［μｍ］、高さをｈ２［μｍ］としたとき、ｈ２／ｗ２≧１の関係を満足する請求項１ないし１８のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項２０】
請求項１ないし１９のいずれかに記載の方法により製造されたことを特徴とするめっき品。
【請求項２１】
インクジェットヘッド部品である請求項２０に記載のめっき品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、めっき方法およびめっき品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
インクジェット記録方式に適用されるインクジェットヘッドのような、微細な構造を有する構造体の製造には、フォトリソグラフィー法等が用いられている。
【０００３】
フォトリソグラフィー法は、一般に、基材の表面にフォトレジストを塗布しレジスト層を形成する工程と、露光により、フォトレジスト層を所定のパターンに硬化させる工程と、非硬化のフォトレジストを除去する工程とを有しており、その後、レジストが除去された部位等にめっき層を形成する。
【０００４】
ところで、近年、インクジェットプリンタによる印刷の高画質化、高密度化は、著しい勢いで進んでいるが、さらなる高画質化、高密度化が求められている。このような要求に応えるために、インクジェットヘッドの構造のさらなる微細化が検討されている。このように、構造の微細化が進行するのに伴い、フォトリソグラフィー法で形成されるパターン（レジストパターン）の微細化も進行させる必要がある。
【０００５】
しかしながら、レジストパターンを微細化させていくと、基材とレジストとの密着性が低下する傾向を示し、後のめっき工程等において、レジストが部分的または完全に剥離する等の問題を生じることがある。このようなレジストの剥離が発生すると、製造される構造体の性能の信頼性が低下したり、構造体を製造すること自体が困難になることもある。
【０００６】
上記のような傾向は、アスペクト比（レジストパターンにおける、残存するレジストの幅（または、除去されたレジストの幅）に対するレジスト層の厚さの比）が大きい場合に、特に顕著なものとなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、微細な構造を有するめっき品を提供すること、該めっき品を確実に製造することができるめっき方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
このような目的は、下記（１）〜（２１）の本発明により達成される。
【０００９】
（１）  非金属の基材の表面の少なくとも一部に、導電性の材料で構成される導電膜を形成する工程と、
前記導電層の表面の少なくとも一部に、ドライエッチングにより除去することが可能であり、かつ、融点が１６００℃以上の材料で構成される高融点材料層を形成する工程と、
前記高融点材料層の表面の少なくとも一部に、主としてシリコンで構成されるシリコン層を形成する工程と、
前記シリコン層の表面の少なくとも一部に、フォトレジスト材料で構成されるレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層の一部を除去することにより、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジスト層が除去された部位の、前記シリコン層および前記高融点材料層を、ドライエッチングにより除去する工程と、
少なくとも、前記シリコン層および前記高融点材料層を除去した部位に、金属材料で構成されるめっき層を形成する工程とを有することを特徴とするめっき方法。
【００１０】
（２）  前記導電膜は、２層以上の積層体である上記（１）に記載のめっき方法。
【００１１】
（３）  前記導電膜は、融点が１６００℃以上の材料を含むものである上記（１）または（２）に記載のめっき方法。
【００１２】
（４）  前記基材が主としてシリコンで構成されたものである上記（１）ないし（３）のいずれかに記載のめっき方法。
【００１３】
（５）  前記めっき層を形成する工程の後に、前記基材および前記導電膜を除去する工程を有する上記（１）または（４）に記載のめっき方法。
【００１４】
（６）  基材の表面の少なくとも一部に、主としてＡｌで構成されるアルミニウム層を形成する工程と、
前記アルミニウム層の表面の少なくとも一部に、ドライエッチングにより除去することが可能であり、かつ、融点が１６００℃以上の材料で構成される高融点材料層を形成する工程と、
前記高融点材料層の表面の少なくとも一部に、主としてシリコンで構成されるシリコン層を形成する工程と、
前記シリコン層の表面の少なくとも一部に、フォトレジスト材料で構成されるレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層の一部を除去することにより、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジスト層が除去された部位の、前記シリコン層および前記高融点材料層を、ドライエッチングにより除去する工程と、
少なくとも、前記シリコン層および前記高融点材料層を除去した部位に、金属材料で構成されるめっき層を形成する工程とを有することを特徴とするめっき方法。
【００１５】
（７）  アルカリ処理により、前記アルミニウム層を除去し、前記基材を分離する工程を有する上記（６）に記載のめっき方法。
【００１６】
（８）  前記基材は、耐アルカリ性を有するものである上記（６）または（７）に記載のめっき方法。
【００１７】
（９）  前記高融点材料層をスパッタリングにより形成する上記（１）ないし（８）のいずれかに記載のめっき方法。
【００１８】
（１０）  前記高融点材料層の平均厚さは、２０〜５００ｎｍである上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のめっき方法。
【００１９】
（１１）  前記高融点材料層は、主として、Ｔｉおよび／またはＷを含む金属または化合物で構成されたものである上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載のめっき方法。
【００２０】
（１２）  前記シリコン層をスパッタリングにより形成する上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載のめっき方法。
【００２１】
（１３）  前記シリコン層の平均厚さは、１０ｎｍ〜１μｍである上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載のめっき方法。
【００２２】
（１４）  前記シリコン層を形成する工程と、前記シリコン層および前記高融点材料層を、ドライエッチングにより除去する工程との間に、
前記レジスト層を形成し、その一部を硬化させる操作を複数回繰り返し行い、その後、前記レジスト層の非硬化部分を除去することにより、レジストパターンを形成する上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載のめっき方法。
【００２３】
（１５）  前記レジスト層の平均厚さは、５０〜５００μｍである上記（１）ないし（１４）のいずれかに記載のめっき方法。
【００２４】
（１６）  前記めっき層を電解めっきにより形成する上記（１）ないし（１５）のいずれかに記載のめっき方法。
【００２５】
（１７）  前記めっき層は、Ｎｉを含む材料で構成されたものである上記（１）ないし（１６）のいずれかに記載のめっき方法。
【００２６】
（１８）  前記レジストパターンを形成する工程で、除去されずに残存する部位の前記レジスト層の幅をｗ１［μｍ］、高さをｈ１［μｍ］としたとき、ｈ１／ｗ１≧１の関係を満足する上記（１）ないし（１７）のいずれかに記載のめっき方法。
【００２７】
（１９）  前記レジストパターンを形成する工程で、除去される部位の前記レジスト層の幅をｗ２［μｍ］、高さをｈ２［μｍ］としたとき、ｈ２／ｗ２≧１の関係を満足する上記（１）ないし（１８）のいずれかに記載のめっき方法。
【００２８】
（２０）  上記（１）ないし（１９）のいずれかに記載の方法により製造されたことを特徴とするめっき品。
【００２９】
（２１）  インクジェットヘッド部品である上記（２０）に記載のめっき品。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のめっき方法およびめっき品の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
【００３１】
図１は、本発明のめっき方法の第１実施形態を示す断面図である。
図１に示すように、本実施形態のめっき方法は、基材２の表面の少なくとも一部（１ａ）に、導電膜３を形成する工程（１ｂ）と、導電膜３の表面の少なくとも一部に高融点材料層４を形成する工程（１ｃ）と、高融点材料層４の表面の少なくとも一部にシリコン層５を形成する工程（１ｄ）と、シリコン層５の表面の少なくとも一部にレジスト層６を形成する工程（１ｅ）と、露光・現像処理によりレジスト層６の一部を除去することによりレジストパターンを形成する工程（１ｆ）と、レジスト層６が除去された部位の、シリコン層５および高融点材料層４を除去する工程（１ｇ）と、シリコン層５および高融点材料層４を除去した部位に、金属材料で構成されるめっき層を形成する工程（１ｈ）と、残存するレジスト層６を除去する工程（１ｉ）とを有する。
【００３２】
（１ａ）基材２
まず、非金属の材料で構成された基材２を用意する。
【００３３】
基材２は、非金属の材料であればいかなるものであってもよいが、特に、主として、シリコンで構成されたものであるのが好ましい。シリコンは、熱伝導率が高く、耐熱性にも優れている。このため、これにより、熱処理の条件を幅広くとることができ、ホットプレートでの熱処理等にも適している。また、シリコンは、耐酸性に優れ、一般的な電気めっき液に侵されないという利点も有している。
【００３４】
また、基材２と導電膜３との密着性の向上等を目的として、後述する導電膜３の形成に先立ち、基材２に対して、前処理を施してもよい。前処理としては、例えば、ブラスト処理、アルカリ洗浄、酸洗浄、水洗、有機溶剤洗浄、ボンバード処理等の清浄化処理、エッチング処理、下地層の形成等が挙げられる。
【００３５】
（１ｂ）導電膜３の形成
基材２の表面に、導電膜３を形成する。
【００３６】
導電膜３は、導電性を有する材料で構成されたものである。
導電膜３を構成する材料としては、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔａ等の金属材料や、前記金属材料のうち少なくとも１種を含む合金、前記金属材料のうち少なくとも１種を含む金属化合物（例えば、ＴｉＮ、ＷＯ２等）、またはこれらを２種以上組み合わせたもの等が挙げられる。
【００３７】
図示の構成では、導電膜３は、基材２に接触する第１の層３１と、第１の層３１に積層された第２の層３２とを有する積層体である。導電膜３がこのような積層体であると、各層の構成材料の特性を併有することができる。
【００３８】
第１の層３１は、基材２との密着性に優れた材料で構成されるものであるのが好ましい。このような材料としては、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔａ等の金属材料や、前記金属材料のうち少なくとも１種を含む合金、前記金属材料のうち少なくとも１種を含む金属化合物（例えば、ＴｉＮ、ＷＯ２等）、またはこれらを２種以上組み合わせたもの等が挙げられる。この中でも、第１の層３１の構成材料としては、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒのような高融点の金属材料や、前記金属材料のうち少なくとも１種を含む合金、前記金属材料のうち少なくとも１種を含む金属化合物であるのが好ましい。このような材料で構成されることにより、第２の層３２と基材２との密着性が特に優れたものとなる。また、第１の層３１が前記のような材料で構成されることにより、第２の層３２の構成材料と、基材２の構成材料とが反応するのを効果的に防止することができる。
【００３９】
第１の層３１の形成方法としては、例えば、電解めっき、浸漬めっき、無電解めっき等の湿式めっき法、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）等の乾式めっき法、溶射、金属箔の接合等が挙げられるが、この中でも特に、乾式めっき法が好ましく、スパッタリングがさらに好ましい。このような方法を用いることにより、基材２との密着性に優れた第１の層３１を形成することができる。その結果、めっき品の製造工程中等において、基材２と第１の層３１との間での不本意な剥離が発生するのを効果的に防止することができ、最終的に得られるめっき品１Ａの性能の信頼性を特に高いものとすることができる。
【００４０】
第１の層３１の平均厚さは、特に限定されないが、５〜５００ｎｍであるのが好ましく、１０〜２００ｎｍであるのがより好ましい。第１の層３１の平均厚さが前記下限値未満であると、前述した効果が十分に得られない可能性がある。一方、第１の層３１の平均厚さが前記上限値を超えると、第１の層３１の内部応力が大きくなり過ぎ、基材２の変形破損や、基材２から導電膜３が剥離してしまう可能性がある。
【００４１】
なお、第１の層３１の各部位における組成は、一定であっても、一定でなくてもよい。例えば、第１の層３１は、その厚さ方向に沿って、組成が順次変化するもの（傾斜材料）であってもよい。
【００４２】
また、第１の層３１と第２の層３２との密着性の向上等を目的として、第２の層３２の形成に先立ち、第１の層３１に対して、前処理を施してもよい。前処理としては、例えば、ブラスト処理、アルカリ洗浄、酸洗浄、水洗、有機溶剤洗浄、ボンバード処理等の清浄化処理、エッチング処理等が挙げられる。
【００４３】
また、第１の層３１は、図示の構成では基材２の全面に形成されているが、基材２の表面の少なくとも一部に形成されるものであればよい。
【００４４】
また、第２の層３２は、Ｃｕで構成されたものであるのが好ましい。これにより、低抵抗で、かつ、後述する高融点材料層４との密着性が特に優れた薄膜を、低コストで形成できる。
【００４５】
第２の層３２の形成方法としては、例えば、電解めっき、浸漬めっき、無電解めっき等の湿式めっき法、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）等の乾式めっき法、溶射、金属箔の接合等が挙げられるが、この中でも特に、乾式めっき法が好ましく、スパッタリングがさらに好ましい。このような方法を用いることにより、第１の層３１との密着性に優れた第２の層３２を形成することができる。その結果、めっき品の製造工程中等において、第１の層３１と第２の層３２との間での不本意な剥離が発生するのを効果的に防止することができ、最終的に得られるめっき品１Ａの性能の信頼性を特に高いものとすることができる。
【００４６】
第２の層３２の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ〜１μｍであるのが好ましく、１００〜５００ｎｍであるのがより好ましい。第２の層３２の平均厚さが前記下限値未満であると、導電膜３の抵抗が大きくなるとともに、めっき品の厚みのばらつきが大きくなる傾向を示す。一方、第２の層３２の平均厚さが前記上限値を超えると、膜形成工程が長くなるだけでなく、内部応力が大きくなり過ぎて基材２の変形・破損や、基材２から剥離が発生する可能性がある。
【００４７】
なお、第２の層３２の各部位における組成は、一定であっても、一定でなくてもよい。例えば、第２の層３２は、その厚さ方向に沿って、組成が順次変化するもの（傾斜材料）であってもよい。
【００４８】
また、第２の層３２と高融点材料層４との密着性の向上等を目的として、後述する高融点材料層４の形成に先立ち、第２の層３２に対して、前処理を施してもよい。前処理としては、例えば、ブラスト処理、アルカリ洗浄、酸洗浄、水洗、有機溶剤洗浄、ボンバード処理等の清浄化処理、エッチング処理等が挙げられる。
【００４９】
また、第２の層３２は、図示の構成では基材２の全面に形成されているが、基材２の表面の少なくとも一部に形成されるものであればよい。
【００５０】
（１ｃ）高融点材料層４の形成
次に、導電膜３の表面（第２の層３２の表面）に、高融点材料層４を形成する。
【００５１】
高融点材料層４は、ドライエッチングにより除去することが可能で、かつ、融点が１６００℃以上の材料で構成されている。
【００５２】
このように、融点が１６００℃以上の材料で構成された高融点材料層４を設けることにより、導電膜３の構成材料（特に、第２の層３２の構成材料）がシリコン層５中に移行（拡散）するのを効果的に防止することができる。
【００５３】
ところで、後に詳述するように、シリコン層５は、レジスト層６との密着性に優れたものであるが、シリコン層５中に、導電膜３の構成材料が移行（拡散）することにより、レジスト層６との密着性が著しく低下する。したがって、高融点材料層４を形成することにより、シリコン層５とレジスト層６との密着性を十分に高い状態に維持することができる。その結果、めっき品１Ａの製造工程中等において、シリコン層５とレジスト層６との間での不本意な剥離が発生するのを効果的に防止することができ、最終的に得られるめっき品１Ａの性能の信頼性を特に高いものとすることができる。
また、高融点材料層４をドライエッチング可能な材料で構成することにより、後述するめっき層７を導電膜３の表面に形成することができる。
【００５４】
このような材料としては、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ等の金属材料や、前記金属材料のうち少なくとも１種を含む合金、前記金属材料のうち少なくとも１種を含む金属化合物（例えば、ＴｉＮ、ＷＯ２等）、またはこれらを２種以上組み合わせたもの等が挙げられる。この中でも、高融点材料層４を構成する材料としては、Ｔｉおよび／またはＷを含む金属（合金を含む）または化合物（特に、ＴｉＷ）であるのが好ましい。高融点材料層４がこのような材料で構成されることにより、導電膜３との密着性が特に優れたものになる。
【００５５】
高融点材料層４の形成方法としては、例えば、電解めっき、浸漬めっき、無電解めっき等の湿式めっき法、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）等の乾式めっき法、溶射、金属箔の接合等が挙げられるが、この中でも特に、乾式めっき法が好ましく、スパッタリングがさらに好ましい。このような方法を用いることにより、導電膜３との密着性に優れた高融点材料層４を得ることができる。その結果、めっき品の製造工程中等において、導電膜３と高融点材料層４との間での不本意な剥離が発生するのを効果的に防止することができ、最終的に得られるめっき品１Ａの性能の信頼性を特に高いものとすることができる。
【００５６】
高融点材料層４の平均厚さは、特に限定されないが、２０〜５００ｎｍであるのが好ましく、２０〜２００ｎｍであるのがより好ましい。高融点材料層４の平均厚さが前記下限値未満であると、導電膜３の構成材料等によっては、シリコン層５中への導電膜３の構成材料の移行を十分に防止するのが困難になる可能性がある。一方、高融点材料層４の平均厚さが前記上限値を超えると、内部応力が大きくなり過ぎ、基材２の変形・破損や基材２からの剥離が発生する可能性がある。
【００５７】
なお、高融点材料層４の各部位における組成は、一定であっても、一定でなくてもよい。例えば、高融点材料層４は、その厚さ方向に沿って、組成が順次変化するもの（傾斜材料）であってもよい。
【００５８】
また、高融点材料層４とシリコン層５との密着性の向上等を目的として、後述するシリコン層５の形成に先立ち、高融点材料層４に対して、前処理を施してもよい。前処理としては、例えば、ブラスト処理、アルカリ洗浄、酸洗浄、水洗、有機溶剤洗浄、ボンバード処理等の清浄化処理、エッチング処理等が挙げられる。
【００５９】
また、高融点材料層４は、図示の構成では導電膜３の全面に形成されているが、導電膜３の表面の少なくとも一部に形成されるものであればよい。
【００６０】
（１ｄ）シリコン層５の形成
次に、高融点材料層４の表面に、主としてシリコンで構成されるシリコン層５を形成する。
【００６１】
このようなシリコン層５は、後述するレジスト層６との密着性（特に、レジストパターン形成後のレジスト層６との密着性）に優れている。また、前述したように、シリコン層５と導電膜３との間には、高融点材料層４が形成されているため、少なくともめっき工程が完了するまで、シリコン層５とレジスト層６との間の優れた密着性を維持することができる。その結果、最終的に得られるめっき品１Ａの性能の信頼性を特に高いものとすることができる。
【００６２】
シリコン層５の形成方法としては、例えば、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）等の乾式めっき法、溶射等が挙げられるが、この中でも特に、乾式めっき法が好ましく、スパッタリングがさらに好ましい。このような方法を用いることにより、高融点材料層４との密着性に優れたシリコン層５を得ることができる。その結果、めっき品の製造工程中等において、高融点材料層４とシリコン層５との間での不本意な剥離が発生するのを効果的に防止することができ、最終的に得られるめっき品１Ａの性能の信頼性を特に高いものとすることができる。
【００６３】
シリコン層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ〜１μｍであるのが好ましく、１００〜５００ｎｍであるのがより好ましい。シリコン層５の平均厚さが前記下限値未満であると、シリコン層５が膜状にならず島状になってしまう可能性がある。その結果、高融点金属層４が露出し、レジスト層６との密着性が低下する。一方、シリコン層５の平均厚さが前記上限値を超えると、内部応力が大きくなり過ぎ、基材２の変形・破損や基材２からの剥離が発生する可能性がある。
【００６４】
なお、シリコン層５とレジスト層６と間での密着性のさらなる向上等を目的として、後述するシリコン層５の形成に先立ち、シリコン層５に対して、前処理を施してもよい。前処理としては、例えば、ブラスト処理、アルカリ洗浄、酸洗浄、水洗、有機溶剤洗浄、ボンバード処理等の清浄化処理、エッチング処理等が挙げられる。
【００６５】
また、シリコン層５は、図示の構成では高融点材料層４の全面に形成されているが、高融点材料層４の表面の少なくとも一部に形成されるものであればよい。
【００６６】
（１ｅ）レジスト層６の形成
次に、シリコン層５の表面に、フォトレジスト材料で構成されるレジスト層６を形成する。
【００６７】
レジスト層６は、後述するシリコン層５・高融点材料層４を除去する工程において、被覆した部位のシリコン層５・高融点材料層４を保護するマスクとして機能し、また、後述するめっき工程においては、被覆した部位にめっき層が形成されるのを防止するマスクとして機能する。その結果、所定のパターンのめっき層７を形成することが可能となる。
【００６８】
レジスト層６を構成する材料としては、例えば、ＮＡＮＯ  ＸＰ  ＳＵ−８（米国  ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ  Ｃｏｒｐ製）や、ＪＳＲ  ＴＨＢ−４３０Ｎ（ＪＳＲ株式会社製）等が挙げられる。
【００６９】
レジスト層６の形成方法としては、例えば、スピンコート、ロールコート、ディッピング、刷毛塗り、噴霧塗装、静電塗装、電着塗装等が挙げられる。
【００７０】
レジスト層６の平均厚さは、特に限定されないが、５μｍ〜２ｍｍであるのが好ましく、５０〜５００μｍであるのがより好ましい。レジスト層６の平均厚さが前記下限値未満であると、レジスト層６にピンホールが発生し易くなる傾向がある。このため、後述するめっき工程において、マスクとしての機能を十分に果たすのが困難になる可能性がある。一方、レジスト層６の平均厚さが前記上限値を超えると、レジスト層６の各部位における膜厚のバラツキが大きくなる傾向を示す。また、レジスト層６の内部応力が高くなり、結果として、レジスト層６とシリコン層５との密着性が低下したり、クラックが発生し易くなる。これにより、マスクとしての機能を十分に果たすのが困難になる可能性がある。
【００７１】
なお、図示の構成では、レジスト層６はシリコン層５の全面に形成されているが、シリコン層５の表面の少なくとも一部に形成されるものであればよい。
このようにして形成されたレジスト層６は、後述する工程（１ｆ）で、その一部が除去される。この工程において、レジスト層６の目的とする部位のみを選択的に除去するために、上記のようにして形成されたレジスト層６の一部を硬化させ（パターンを焼き付け）、硬化部６１を形成する。
【００７２】
レジスト層６の硬化は、例えば、フォトマスクを用いた密着露光、投影露光等の露光により行う。フォトマスクとしては、例えば、フィルムマスク、エマルジョンマスク、シースルーマスク等を用いることができる。また、露光に用いる光の波長は、特に限定されないが、通常、紫外線領域の波長に発光強度のピークを持つものが用いられる。
【００７３】
上記のような露光に先立ち、レジスト層６中に含まれる溶媒の除去等を目的として、乾燥、加温処理（プレベーク処理）等を行う。
【００７４】
また、露光後、硬化部６１（パターン焼き付け部位）における硬化反応（重合反応）の進行、完結等を目的として、必要に応じて、加熱処理を施してもよい。
【００７５】
（１ｆ）レジスト層６（非硬化部）の除去（現像工程）
次に、シリコン層５の表面に形成されたレジスト層６のうち、硬化部６１以外の部位（非硬化部）を除去する。これにより、前記工程で形成されたレジスト層６のうち硬化部６１が、レジストパターンとしてシリコン層５上に残存することになる。この工程は、通常、有機溶剤や有機の弱アルカリ水溶液で非硬化部を溶解、除去することにより行う。
【００７６】
ところで、従来のめっき方法では、いわゆるアスペクト比（形成されるレジストパターンの幅（除去されずに残存する部位のレジスト層６の幅、またはレジスト層６の除去された部位の幅）に対する、レジスト層６の厚さの比）の大きいレジストパターンを形成した場合、レジストの剥離等の問題を特に生じ易かった。これに対し、本発明は、レジストパターンのアスペクト比が比較的大きい場合であっても、優れた密着性を維持することができる。したがって、本発明は、アスペクト比の大きいレジストパターンを形成する場合において、特に顕著な効果を発揮するものであり、また、このような構成に適用するのが好ましい。
【００７７】
具体的には、硬化部６１（除去されずに残存する部位のレジスト層６）の幅をｗ１［μｍ］、高さ（厚さ）をｈ１［μｍ］としたとき、ｈ１／ｗ１≧１の関係を満足するのが好ましく、ｈ１／ｗ１≧２の関係を満足するのがより好ましい。また、除去された部位のレジスト層６の幅をｗ２［μｍ］、高さ（厚さ）をｈ２［μｍ］としたとき、ｈ２／ｗ２≧１の関係を満足するのが好ましく、ｈ２／ｗ２≧２の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足する場合、前述した本発明の効果が特に顕著に現れる。
【００７８】
また、上記のような現像工程（非硬化のレジスト層６の除去）後、除去されなかったレジスト層６（硬化部６１）の硬化反応のさらなる進行、完結等を目的として、必要に応じて、加熱処理、ポストベーク処理を施してもよい。
【００７９】
（１ｇ）シリコン層５および高融点材料層４の除去
次に、前記工程でレジスト層６が除去された部位のシリコン層５および高融点材料層４を除去する。これにより、シリコン層５および高融点材料層４が除去された部位に対応する部位の導電膜３が露出する。
【００８０】
シリコン層５および高融点材料層４は、ドライエッチングにより除去する。ドライエッチングを用いることにより、レジスト層６の開口部に対応する形状で導電膜３を露出させることができる。また、残存するレジスト層６に被覆された部位のシリコン層５がほとんど損なわれず、密着性の低下を効果的に防止することができる。
【００８１】
シリコン層５と高融点材料層４とは、例えば、一工程で除去されるものであってもよいし、それぞれ、別の工程で除去されるものであってもよい。
【００８２】
ドライエッチングの方法は、特に限定されないが、例えば、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）等を用いることができる。
【００８３】
ＲＩＥ法を用いて、シリコン層５および高融点材料層４を単一の工程で除去する場合、ドライエッチングの条件は、例えば、チャンバー内圧力：４０〜４００Ｐａ、Ｏ２流量：１〜５ｓｃｃｍ、ＣＦ４流量：１０〜１００ｓｃｃｍ、ＲＦ出力１００〜３００Ｗとすることができる。処理時間は、高融点材料層４とシリコン層５を完全に除去可能な時間でなければならないが、レジスト層６に対するプラズマのダメージを軽減するため、できるだけ短くするのが好ましい。例えば、高融点材料層４がＴｉＷで厚さ１００ｎｍ、シリコン層５の厚さが５００ｎｍの場合、約１５分である。
【００８４】
（１ｈ）めっき層７の形成（めっき工程）
少なくとも、シリコン層５および高融点材料層４を除去した部位に、めっき層７を形成する。
【００８５】
めっき層の構成材料としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｓｎ−Ｐｂ合金等が挙げられるが、この中でも特に、Ｎｉを主とするものであるのが好ましい。これにより、耐薬品性とコストのバランスがとれた条件で、めっき品を製造することができる。
【００８６】
めっき層７の形成方法としては、例えば、電解めっき、浸漬めっき、無電解めっき等の湿式めっき法、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）等の乾式めっき法等が挙げられるが、この中でも、湿式めっき法が好ましく、電解めっきがより好ましい。
【００８７】
このような方法でめっき層７を形成することにより、安定した組成、物性のめっき層７を、より確実に形成することができる。
【００８８】
電解めっきは、例えば、以下のような条件で行うことができる。
液組成  スルファミン酸ニッケル  ６００ｇ／リットル
ほう酸                    ３５ｇ／リットル
塩化ニッケル                ２ｇ／リットル
液温５０℃、ｐＨ＝４、電流密度０．２Ａ／ｄｍ２
ただし、電解めっき条件は上記に限定されるものではなく、安定して均一にめっきできる条件であればよい。
【００８９】
なお、このようにして形成されためっき層７に対して、例えば、研磨処理等の後処理を施してもよい。
【００９０】
（１ｉ）レジスト層６（硬化部６１）の除去
その後、残存するレジスト層６（硬化部６１）を除去することにより、本発明のめっき品１Ａが得られる。
【００９１】
この工程は、実質的に、残存するレジスト層６（硬化部６１）のみを選択的に除去できる方法を用いるのが好ましい。このような方法としては、溶媒を用いる方法や、空気、酸素中等で加熱分解する方法、反応性イオンドライエッチング法（ＲＩＥ法）等のドライエッチング法等が挙げられる。
【００９２】
ＲＩＥ法を用いて、レジスト層６を除去する場合、その条件は、例えば、チャンバー内圧力：１００〜５００Ｐａ、酸素流量：１０〜１００ｓｃｃｍ、ＣＦ４流量：５〜５０ｓｃｃｍ、ＲＦ出力：１００〜５００Ｗ、とすることができる。処理時間は、レジスト層６を完全に除去できる時間があれば良い。多少時間が長過ぎても、めっき層７や基材２はほとんど影響を受けない。
【００９３】
以上、説明した本発明のめっき方法を用いることにより、微細な構造を有し、かつ構造欠陥のないめっき品１Ａを、効率良く製造することができる。
【００９４】
得られるめっき品１Ａは、いかなるものであってもよいが、微細な構造を有することにより、優れた機能を発揮することができるものであるのが好ましく、例えば、インクジェットヘッド、マイクロモータ、マイクロタービン等のマイクロマシンやこれらの部品、および微細部品の射出成型用の型等が挙げられる。
【００９５】
なお、以上のようにして製造されためっき品１Ａに対しては、例えば、ブラスト処理、アルカリ洗浄、酸洗浄、水洗、有機溶剤洗浄、ボンバード処理等の清浄化処理、研磨処理等の後処理を施してもよい。
【００９６】
また、前記工程（１ｉ）の後、基材２、シリコン層５、高融点材料層４、導電膜３の少なくとも一部を除去してもよい。
【００９７】
次に、本発明のめっき方法およびめっき品（電鋳品）の第２実施形態について説明する。
【００９８】
図２は、本発明のめっき方法の第２実施形態を示す断面図である。
以下、第２実施形態のめっき方法および該方法を用いて製造される第２実施形態のめっき品について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項の説明については、その説明を省略する。
【００９９】
図２に示すように、本実施形態のめっき方法は、基材８の表面の少なくとも一部（２ａ）に、主としてＡｌで構成されるアルミニウム層９を形成する工程（２ｂ）と、アルミニウム層９の表面の少なくとも一部に高融点材料層４を形成する工程（２ｃ）と、高融点材料層４の表面の少なくとも一部にシリコン層５を形成する工程（２ｄ）と、シリコン層５の表面の少なくとも一部にレジスト層６を形成する工程（２ｅ）と、レジスト層６の一部を除去することによりレジストパターンを形成する工程（２ｆ）と、レジスト層６が除去された部位の、シリコン層５および高融点材料層４を除去する工程（２ｇ）と、シリコン層５および高融点材料層４を除去した部位に、金属材料で構成されるめっき層を形成する工程（２ｈ）と、残存するレジスト層６を除去する工程（２ｉ）と、アルミニウム層９を除去し、基材８を分離する工程（２ｊ）とを有する。
【０１００】
（２ａ）基材８
まず、基材８を用意する。
【０１０１】
基材８の構成材料は、特に限定されず、例えば、前述した第１実施形態で用いた基材２と同様の材料で構成されるものであってもよいが、耐アルカリ性を有するものであるのが好ましい。これにより、後述するアルミニウム層９を除去する工程等において分離される基材８を、めっき品１Ｂの製造に繰り返し利用することが可能となる。その結果、複数個のめっき品１Ｂを製造した場合における、各個体間での、特性、品質のバラツキが小さくなるとともに、めっき品１Ｂの製造コストの低減を図ることができる。
【０１０２】
上記のような耐アルカリ性を有する基材８の構成材料としては、例えば、ステンレス鋼、Ｔｉ、酸化ケイ素や窒化ケイ素等の薄膜で被覆したシリコン、石英、ほうけい酸ガラス等が挙げられる。なお、石英、ほうけい酸ガラス等はアルカリ水溶液に徐々に溶解するが、その溶解速度は極めて小さいので、本発明にも十分使用可能である。
【０１０３】
ステンレス鋼としては、例えば、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３０３、ＳＵＳ３１６、ＳＵＳ３１６Ｌ、ＳＵＳ３１６Ｊ１、ＳＵＳ３１６Ｊ１Ｌ等のＦｅ−Ｃｒ−Ｎｉ系合金、ＳＵＳ４０５、ＳＵＳ４２０Ｊ２、ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ４３４、ＳＵＳ４４４、ＳＵＳ４２９、ＳＵＳ４３０Ｆ等のＦｅ−Ｃｒ系合金等が挙げられる。また、快削鋼としては、例えば、ＳＵＭ１１、ＳＵＭ１２、ＳＵＭ２１、ＳＵＭ２２、ＳＵＭ２２Ｌ、ＳＵＭ２３、ＳＵＭ２３Ｌ、ＳＵＭ２４Ｌ、ＳＵＭ２５、ＳＵＭ３１、ＳＵＭ３１Ｌ、ＳＵＭ３２、ＳＵＭ４１、ＳＵＭ４２、ＳＵＭ４３等が挙げられる。
【０１０４】
また、基材８とアルミニウム層９との密着性の向上等を目的として、後述するアルミニウム層９の形成に先立ち、基材８に対して、前処理を施してもよい。前処理としては、例えば、ブラスト処理、アルカリ洗浄、酸洗浄、水洗、有機溶剤洗浄、ボンバード処理等の清浄化処理、エッチング処理、下地層の形成等が挙げられる。
【０１０５】
（２ｂ）アルミニウム層９の形成
基材８の表面に、アルミニウム層９を形成する。
【０１０６】
アルミニウム層９は、主としてアルミニウムで構成されたものである。
アルミニウム層９の形成方法としては、例えば、電解めっき、浸漬めっき、無電解めっき等の湿式めっき法、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤ等の化学蒸着法（ＣＶＤ）等の乾式めっき法、溶射、金属箔の接合等が挙げられるが、この中でも特に、乾式めっき法が好ましく、スパッタリングがさらに好ましい。このような方法を用いることにより、基材８との密着性に優れたアルミニウム層９を形成することができる。その結果、めっき品の製造工程中等において、基材８とアルミニウム層９との間での不本意な剥離が発生するのを効果的に防止することができ、最終的に得られるめっき品１Ｂの性能の信頼性を特に高いものとすることができる。
【０１０７】
アルミニウム層９の平均厚さは、特に限定されないが、５０ｎｍ〜２μｍであるのが好ましく、１００ｎｍ〜１μｍであるのがより好ましい。アルミニウム層９の平均厚さが前記下限値未満であると、基材８が耐アルカリ性を有するものである場合、後述のアルミニウム層９の除去工程に非常に長い時間を要する。一方、アルミニウム層９の平均厚さが前記上限値を超えると、内部応力によって基材８の変形・破損やアルミニウム層９の基材８からの剥離が発生する可能性がある。
【０１０８】
なお、アルミニウム層９と高融点材料層４との密着性の向上等を目的として、高融点材料層４の形成に先立ち、アルミニウム層９に対して、前処理を施してもよい。前処理としては、例えば、ブラスト処理、アルカリ洗浄、酸洗浄、水洗、有機溶剤洗浄、ボンバード処理等の清浄化処理、エッチング処理等が挙げられる。
【０１０９】
また、アルミニウム層９は、図示の構成では基材８の全面に形成されているが、基材８の表面の少なくとも一部に形成されるものであればよい。
【０１１０】
（２ｃ）高融点材料層４の形成
前述した工程（１ｃ）と同様。
【０１１１】
（２ｄ）シリコン層５の形成
前述した工程（１ｄ）と同様。
【０１１２】
（２ｅ）レジスト層６の形成
前述した工程（１ｅ）と同様。
【０１１３】
（２ｆ）レジスト層６（非硬化部）の除去（現像工程）
前述した工程（１ｆ）と同様。
【０１１４】
（２ｇ）シリコン層５および高融点材料層４の除去
前述した工程（１ｇ）と同様。
【０１１５】
（２ｈ）めっき層７の形成（めっき工程）
前述した工程（１ｈ）と同様。
【０１１６】
（２ｉ）レジスト層６（硬化部６１）の除去
前述した工程（１ｉ）と同様。
【０１１７】
（２ｊ）アルミニウム層９を除去する工程
【０１１８】
その後、アルミニウム層９を除去し、基材８を分離することにより、本発明のめっき品１Ｂが得られる。
アルミニウム層９は、アルカリ処理により除去することができる。
アルミニウム層９を除去するアルカリ処理の条件は、アルミニウム層９の厚さ等により異なるが、３〜３０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液を用いた場合、例えば、温度：６０〜８０℃、浸漬時間：３０〜２４０分間とすることができる。なお、浸漬時間等はめっき品１Ｂの形状・寸法等によっても適宜異ならせることができる。
【０１１９】
なお、以上のようにして製造されためっき品１Ｂに対しては、例えば、ブラスト処理、アルカリ洗浄、酸洗浄、水洗、有機溶剤洗浄、ボンバード処理等の清浄化処理、研磨処理等の後処理を施してもよい。
【０１２０】
また、前記工程（２ｊ）の後、基材８、シリコン層５、高融点材料層４、アルミニウム層９の少なくとも一部を除去してもよい。
【０１２１】
次に、本発明のめっき方法およびめっき品（電鋳品）の第３実施形態について説明する。
【０１２２】
図３〜図９は、本発明のめっき方法の第３実施形態を示す斜視図であり、図１０は、図９に示すめっき品１Ｃを上下反転させた状態を示す斜視図である。なお、図７〜図１０中（後述する図１１も同様）、導電膜３を構成する第１の層３１と、第２の層３２との境界は省略した。また、各図中では、各層の相対的な位置関係を説明するために、一部の層の厚さを誇張して示しており、実際のめっき品での寸法を反映するものではない。
【０１２３】
以下、第３実施形態のめっき方法および該方法を用いて製造される第３実施形態のめっき品について、前記第１および第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項の説明については、その説明を省略する。
【０１２４】
本実施形態のめっき方法では、前記第１実施形態のめっき方法の変形例であり、めっき品１Ｃとして、インクジェットヘッド部品を製造する方法である。
【０１２５】
まず、前記第１実施形態で説明したような基材２を用意し、この片側の面に、導電膜３（第１の層３１および第２の層３２）、高融点材料層４、シリコン層５をこの順に、前記と同様な方法で形成し、積層体を得る（図３参照）。
【０１２６】
次に、シリコン層５の表面に、レジスト層６を形成する。形成したレジスト層６に対して、例えば、フォトマスクを用いた露光処理を施すこと等により、レジスト層６の一部を硬化させ、後述するリザーバ室７１、インク室７２等に対応する所定のパターンの硬化部６１を形成する（図４参照）。なお、図４中、レジスト層６の硬化部６１は、斜線を施して示す（後述する図５、図８における硬化部６１’も同様）。
【０１２７】
その後、硬化部６１が形成されたレジスト層６の表面に、レジスト層６’を形成する。形成したレジスト層６’に対して、例えば、フォトマスクを用いた露光処理を施すこと等により、レジスト層６’の一部を硬化させ、後述するリザーバ室７１、ノズル連通孔７４に対応する所定のパターンの硬化部６１’を形成する（図５参照）。
【０１２８】
その後、レジスト層６およびレジスト層６’の非硬化の部位（硬化部６１、６１’以外の部位）を前記と同様な方法で除去する（図６参照）。
【０１２９】
レジスト層６およびレジスト層６’の非硬化部を除去することにより露出したシリコン層５とそれに対応する部位の高融点材料層４とを前記と同様な方法で除去する（図７参照）。
【０１３０】
次に、シリコン層５および高融点材料層４を除去することにより露出した導電膜３（第２の層３２）上に、めっき層７を前記と同様な方法で形成する（図８参照）。
【０１３１】
その後、残存するレジスト層６、６’（硬化部６１、６１’）を前記と同様な方法で除去し、さらに、基材２、導電膜３を除去することにより、めっき品１Ｃ（インクジェットヘッド部品）が得られる（図９、図１０参照）。
【０１３２】
基材２、導電膜３の除去の方法は、特に限定されず、いかなる方法で行ってもよい。
【０１３３】
例えば、基材２がシリコンで構成されていて、その厚さが１ｍｍ程度の場合、８０℃、１０ｗｔ％のＫＯＨ水溶液に７時間程度浸漬することによって、溶解、除去することができる。
【０１３４】
また、例えば、導電膜３が、ＴｉＷ合金で構成される第１の層３１と、Ｃｕで構成される第２の層３２の積層体である場合、３〜３０ｗｔ％のＫＯＨ水溶液に、温度：６０〜８０℃、浸漬時間：１０〜６０分間という条件で浸漬することにより、第１の層３１を除去することができ、また、１〜２ｗｔ％の過硫酸アンモニウム水溶液に、温度：２０〜３０℃、浸漬時間：１〜５分間という条件で浸漬することにより、第２の層３２を除去することができる。
【０１３５】
なお、基材２と導電膜３（第１の層３１と第２の層３２）とは、それぞれ、別々に（複数の工程に分けて）除去するものであってもよいし、一工程でまとめて除去するものであってもよい。
【０１３６】
このようにして得られためっき品１Ｃは、インクジェットヘッド部品として用いられる。めっき品１Ｃを用いたインクジェットヘッド１０の構成を図１１に示す。
【０１３７】
インクジェットヘッド１０は、めっき品１Ｃと、振動板１１と、複数の圧電素子１２と、ノズルプレート１３とを有している。
【０１３８】
ノズルプレート１３は、めっき品１Ｃのノズル連通孔７４が形成された側の面に取り付けられ、ノズル連通孔７４と対応した位置にノズル孔１３１が形成されている。
【０１３９】
めっき品１Ｃは、図示しないインクカートリッジから供給されるインクを一時的に貯留するリザーバ室７１と、リザーバ室７１に連通する複数のインク室７２とを有している。各インク室７２には、リザーバ室７１からインクが供給される構成になっている。リザーバ室７１と各インク室７２とは、側壁（隔壁）７３および振動板１１によりそれぞれが区画形成されている。
【０１４０】
また、めっき品１Ｃには、インクを吐出するためのノズル孔１３１に通じるノズル連通孔７４が、インク室７２の数に対応する数だけ形成されており、これらは、それぞれ各インク室７２に連通している（図９、１０参照）。
【０１４１】
各インク室７２は、後述する振動板１１の振動により容積が変化し、この容積変化により、ノズル孔１３１からインクを吐出するように構成されている。
【０１４２】
また、インク室７２には、リザーバ室７１側に、インクの流路面積を小さくするような凸部７６が形成されている。このような凸部７６を有することにより、振動板１１の振動によりインク室７２の容積変化を生じたときに、インク室７２内のインクが、リザーバ室７１に押し戻されるのを防止、抑制しつつ、インクをノズル孔１３１から効率よく吐出させることができる。
【０１４３】
振動板１１には、その厚さ方向に貫通する連通孔１１１が形成されている。この連通孔１１１を介して、インクカートリッジからリザーバ室７１にインクが供給可能とされている。
【０１４４】
また、振動板１１の表面（めっき品１Ｃと接触する側の面とは反対側の面）には、複数個の圧電素子１２が接合されている。各圧電素子１２は、それぞれ、各インク室７２の中央部に対応して配設されている。各圧電素子１２は、図示しない圧電素子駆動回路に電気的に接続され、圧電素子駆動回路からの信号に基づいて作動するように構成されている。
【０１４５】
圧電素子１２は、振動板１１に接触する面側から、下部電極、圧電体、上部電極がこの順に積層された構成になっている（図示せず）。
【０１４６】
圧電素子１２は、振動源として機能するものであり、振動板１１は、圧電素子（振動源）１２の振動により振動し、インク室７２の内部圧力を瞬間的に高める機能を有するものである。
【０１４７】
このようなインクジェットヘッド１０は、圧電素子駆動回路から所定の吐出信号が入力されていない状態、すなわち、圧電素子１２の下部電極と上部電極との間に電圧が印加されていない状態では、圧電体層に変形が生じない。このため、振動板１１にも変形が生じず、インク室７２には容積変化が生じない。したがって、ノズル孔１３１からインク滴は吐出されない。
【０１４８】
一方、圧電素子駆動回路から所定の吐出信号が入力された状態、すなわち、圧電素子１２の下部電極と上部電極との間に一定電圧（例えば、１０〜５０Ｖ程度）が印加された状態では、圧電体層に変形が生じる。これにより、振動板１１が大きくたわみ（図１１中下方にたわみ）、インク室７２の容積の減少（変化）が生じる。このとき、インク室７２内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル孔１３１からインク滴が吐出される。
【０１４９】
１回のインクの吐出が終了すると、圧電素子駆動回路は、下部電極と上部電極との間への電圧の印加を停止する。これにより、圧電素子１２は、ほぼ元の形状に戻り、インク室７２の容積が増大する。なお、このとき、インクには、インクカートリッジからノズル孔１３１へ向かう圧力（正方向への圧力）が作用している。このため、空気がノズル孔１３１からインク室７２へ入り込むことが防止され、インクの吐出量に見合った量のインクがインクカートリッジ（リザーバ室７１）からインク室７２へ供給される。
【０１５０】
このようにして、インクジェットヘッド１０において、印刷させたい位置の圧電素子１２に、圧電素子駆動回路から吐出信号を順次入力することにより、任意の（所望の）文字や図形等を印刷することができる。
【０１５１】
次に、本発明のめっき方法およびめっき品（電鋳品）の第４実施形態について説明する。
【０１５２】
以下、本実施形態のめっき方法およびめっき品について、前記第３実施形態と同様に、図３〜図１０に基づいて説明する。なお、本実施形態のめっき方法およびめっき品について、前記第１〜第３実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項の説明については、その説明を省略する。
【０１５３】
本実施形態のめっき方法は、前記第２実施形態のめっき方法の変形例であり、めっき品１Ｄとして、インクジェットヘッド部品を製造する方法である。
【０１５４】
まず、前記第２実施形態で説明したような基材８を用意し、この片側の面に、アルミニウム層９、高融点材料層４、シリコン層５をこの順に、前記と同様な方法で形成し、積層体を得る（図３参照）。
【０１５５】
次に、シリコン層５の表面に、レジスト層６を形成する。形成したレジスト層６に対して、例えば、フォトマスクを用いた露光処理を施すこと等により、レジスト層６の一部を硬化させ、リザーバ室７１、インク室７２等に対応する所定のパターンの硬化部６１を形成する（図４参照）。
【０１５６】
その後、硬化部６１が形成されたレジスト層６の表面に、レジスト層６’を形成する。形成したレジスト層６’に対して、例えば、フォトマスクを用いた露光処理を施すこと等により、レジスト層６’の一部を硬化させ、リザーバ室７１、ノズル連通孔７４に対応する所定のパターンの硬化部６１’を形成する（図５参照）。
【０１５７】
その後、レジスト層６およびレジスト層６’の非硬化の部位（硬化部６１、６１’以外の部位）を前記と同様な方法で除去する（図６参照）。
【０１５８】
レジスト層６およびレジスト層６’の非硬化部を除去することにより露出したシリコン層５とそれに対応する部位の高融点材料層４とを前記と同様な方法で除去する（図７参照）。
【０１５９】
次に、シリコン層５および高融点材料層４を除去することにより露出したアルミニウム層９上に、めっき層７を前記と同様な方法で形成する（図８参照）。
【０１６０】
その後、残存するレジスト層６、６’（硬化部６１、６１’）を前記と同様な方法で除去する。さらに、アルミニウム層９を前記と同様な方法で除去することにより、基材８を分離し、めっき品１Ｄ（インクジェットヘッド部品）を得る（図９、図１０参照）。
【０１６１】
このようにして得られためっき品１Ｄは、前記第３実施形態で説明したのと同様に、インクジェットヘッド１０を構成するインクジェットヘッド部品として用いられる。
【０１６２】
以上、本発明のめっき方法およびめっき品の好適な実施形態について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１６３】
例えば、前記第１実施形態では、導電膜が２層の積層体で構成されたものとして説明したが、導電膜は、１層からなるものであってもよいし、また、３層以上の積層体であってもよい。
【０１６４】
また、前記第２実施形態では、硬化したレジスト層を除去した後に、アルミニウム層を除去する構成について説明したが、アルミニウム層を先に除去してもよい。
【０１６５】
また、前記第２実施形態では、アルミニウム層の除去により、基材が分離する構成について説明したが、基材を溶解等により除去した後、アルミニウム層を除去してもよい。
【０１６６】
また、前記第２実施形態では、アルミニウム層を除去することにより、基材を分離する構成について説明したが、基材、アルミニウム層は、分離、除去することなく、そのまま、めっき品として用いてもよい。
【０１６７】
また、前記実施形態では、めっき層を形成した後に、硬化したレジストを除去する工程を有しているが、レジストの少なくとも一部は除去されずに残存するものであってもよい。
【０１６８】
また、めっき品の表面の少なくとも一部には、耐食性、耐候性、耐水性、耐油性、耐摩耗性、耐変色性等を付与し、防錆、防汚、防曇、防傷等の効果を向上する保護層等が形成されていてもよい。
【０１６９】
また、前記実施形態では、ネガ型のフォトレジストを使用した例を説明したが、高アスペクト比のパターンが形成可能であれば、ポジ型のフォトレジストを使用してもよい。
【０１７０】
【実施例】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
【０１７１】
（実施例１）
以下に示すような方法によりサンプルＮｏ．１〜１０の１０種のめっき品を製造した。
【０１７２】
＜サンプルＮｏ．１のめっき品の製造＞
図１に示すような方法により、めっき品（サンプルＮｏ．１）を製造した。
【０１７３】
まず、基材として、直径８インチ、厚さ１ｍｍのシリコン基板を用意した。
このシリコン基板上に、スパッタリングにより、導電膜を形成した。導電膜は、Ｃｒからなる第１の層（基材に接触する側の層）と、Ｃｕからなる第２の層とで構成される積層体として形成した。第１の層の平均厚さ、第２の層の平均厚さは、それぞれ、３０ｎｍ、３００ｎｍであった。
【０１７４】
次に、第２の層の表面に、スパッタリングにより、高融点材料層を形成した。高融点材料層の構成材料としては、Ｔｉ−Ｗ合金を用いた。高融点材料層の平均厚さは、１５０ｎｍであった。
【０１７５】
次に、高融点材料層の表面に、スパッタリングにより、シリコン層を形成した。シリコン層の平均厚さは、４００ｎｍであった。
【０１７６】
次に、シリコン層の表面に、スピンコートにより、レジスト層を形成した。レジスト層の構成材料としては、ＮＡＮＯ  ＸＰ  ＳＵ−８（米国  ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ  Ｃｏｒｐ．社製）を用いた。レジスト層の平均厚さは、５００μｍであった。
その後、形成したレジスト層に対して、プレベーク処理を９５℃×６０分間という条件で施した。
【０１７７】
冷却後、フォトマスクを用いた紫外線照射（露光）を行い、レジスト層へのパターンの焼き付けを行った。
その後、９５℃×１５分間という条件の加熱処理を施した。
【０１７８】
加熱処理後、レジスト層の非硬化部を除去した（現像工程）。レジスト層の除去は、専用現像液に３０分間浸漬し、アセトンによるリンス、エタノールによるリンス、流水洗浄、乾燥を順次施すことにより行った。この現像工程により得られたレジストパターンは、残存する硬化部の幅ｗ１が２５μｍ、高さ（厚さ）ｈ１が５００μｍであり、除去された部位の幅ｗ２が２５μｍ、高さ（厚さ）ｈ２が５００μｍであった。
現像工程後、残存するレジスト層（硬化部）に対して、１５０℃×１分間という条件のポストベーク処理を施した。
【０１７９】
その後、レジスト層が除去された部位のシリコン層および高融点材料層をＲＩＥ法により除去した。ＲＩＥ法の条件としては、チャンバー内圧力：１２０Ｐａ、酸素流量：３ｓｃｃｍ、ＣＦ４流量：３０ｓｃｃｍ、ＲＦ出力：３００Ｗ、処理時間：１５分間とした。
【０１８０】
シリコン層および高融点材料層を除去することにより露出した導電膜を電極として、電解めっきを行い、Ｎｉで構成されるめっき層を形成した。
【０１８１】
電解めっきは、液組成がスルファミン酸ニッケル６００ｇ／リットル、ほう酸３５ｇ／リットル、塩化ニッケル２ｇ／リットルのめっき液を用いて、浴温：５０℃、ｐＨ＝４、電流密度：０．２Ａ／ｄｍ２、時間：２０．２時間という条件で行った。
【０１８２】
その後、残存するレジスト層（硬化部）を除去することにより、めっき品を得た。レジスト層の除去は、ＲＩＥ法により行った。ＲＩＥ法の条件は、チャンバー内圧力：４００Ｐａ、酸素流量：１６ｓｃｃｍ、ＣＦ４流量：８ｓｃｃｍ、ＲＦ出力：３００Ｗ、処理時間：１２．５時間とした。
【０１８３】
＜サンプルＮｏ．２〜Ｎｏ．４のめっき品の製造＞
高融点材料層の構成材料を表１に示すように変更した以外は、前記サンプルＮｏ．１のめっき品と同様にして製造した。
【０１８４】
＜サンプルＮｏ．５のめっき品の製造＞
高融点材料層を形成しないで、導電膜（第２の層）の表面に、シリコン層を直接形成した以外は、前記サンプルＮｏ．１のめっき品と同様にして製造した。
【０１８５】
＜サンプルＮｏ．６〜Ｎｏ．９のめっき品の製造＞
シリコン層を形成しないで、高融点材料層の表面に、レジスト層を直接形成した以外は、前記サンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．４のめっき品と同様にして製造した。
【０１８６】
＜サンプルＮｏ．１０のめっき品の製造＞
シリコン層を形成しないで、導電膜（第２の層）の表面に、レジスト層を直接形成した以外は、前記サンプルＮｏ．５のめっき品と同様にして製造した。
【０１８７】
（実施例２）
以下に示すような方法によりサンプルＮｏ．１１〜Ｎｏ．２０の１０種のめっき品を製造した。
【０１８８】
＜サンプルＮｏ．１１のめっき品の製造＞
図２に示すような方法により、めっき品（サンプルＮｏ．１１）を製造した。
【０１８９】
まず、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）で構成された基材（直径８インチ、厚さ１ｍｍ）を用意した。
【０１９０】
このシリコン基板上に、スパッタリングにより、アルミニウム層を形成した。アルミニウム層の平均厚さは、３００ｎｍであった。
【０１９１】
次に、アルミニウム層の表面に、スパッタリングにより、高融点材料層を形成した。高融点材料層の構成材料としては、Ｔｉ−Ｗ合金を用いた。高融点材料層の平均厚さは、１００ｎｍであった。
【０１９２】
次に、高融点材料層の表面に、スパッタリングにより、シリコン層を形成した。シリコン層の平均厚さは、５００ｎｍであった。
【０１９３】
次に、シリコン層の表面に、スピンコートにより、レジスト層を形成した。レジスト層の構成材料としては、ＮＡＮＯ  ＸＰ  ＳＵ−８（米国  ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ  Ｃｏｒｐ．社製）を用いた。レジスト層の平均厚さは、５００μｍであった。
その後、形成したレジスト層に対して、プレベーク処理を９５℃×６０分間という条件で施した。
【０１９４】
冷却後、フォトマスクを用いた紫外線照射（露光）を行い、レジスト層へのパターンの焼き付けを行った。
その後、９５℃×１５分間という条件の加熱処理を施した。
【０１９５】
加熱処理後、レジスト層の非硬化部を除去した（現像工程）。レジスト層の除去は、専用現像液に３０分間浸漬し、アセトンによるリンス、エタノールによるリンス、流水洗浄、乾燥を順次施すことにより行った。この現像工程により得られたレジストパターンは、残存する硬化部の幅ｗ１が２５μｍ、高さ（厚さ）ｈ１が５００μｍであり、除去された部位の幅ｗ２が２５μｍ、高さ（厚さ）ｈ２が５００μｍであった。
現像工程後、残存するレジスト層に対して、１５０℃×１分間という条件のポストベーク処理を施した。
【０１９６】
その後、レジスト層が除去された部位のシリコン層および高融点材料層をＲＩＥ法により除去した。ＲＩＥ法の条件としては、チャンバー内圧力：１２０Ｐａ、酸素流量：３ｓｃｃｍ、ＣＦ４流量：３０ｓｃｃｍ、ＲＦ出力：３００Ｗ、処理時間：１５分間とした。
【０１９７】
シリコン層および高融点材料層を除去することにより露出した導電膜を電極として、電解めっきを行い、Ｎｉで構成されるめっき層を形成した。
【０１９８】
電解めっきは、液組成がスルファミン酸ニッケル６００ｇ／リットル、ほう酸３５ｇ／リットル、塩化ニッケル２ｇ／リットルのめっき液を用いて、浴温：５０℃、ｐＨ＝４、電流密度：０．２Ａ／ｄｍ２、時間：２０．２時間という条件で行った。
【０１９９】
その後、残存するレジスト層（硬化部）を除去した。レジスト層の除去は、ＲＩＥ法により行った。ＲＩＥ法の条件は、チャンバー内圧力：４００Ｐａ、酸素流量：１６ｓｃｃｍ、ＣＦ４流量：８ｓｃｃｍ、ＲＦ出力：３００Ｗ、処理時間：１２．５時間とした。
【０２００】
その後、アルミニウム層を除去し、基材を分離することにより、めっき品を得た。
【０２０１】
アルミニウム層の除去は、１０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液を用いたアルカリ処理（温度：８０℃、浸漬時間：４時間）により行った。
【０２０２】
なお、分離された基材は、外観上、利用前と比べてもなんら変化なく、洗浄することにより、前記と同様のめっき方法に再利用可能であった。
【０２０３】
＜サンプルＮｏ．１２〜Ｎｏ．１４のめっき品の製造＞
高融点材料層の構成材料を表２に示すように変更した以外は、前記サンプルＮｏ．１１のめっき品と同様にして製造した。
【０２０４】
＜サンプルＮｏ．１５のめっき品の製造＞
高融点材料層を形成しないで、アルミニウム層の表面に、シリコン層を直接形成した以外は、前記サンプルＮｏ．１１のめっき品と同様にして製造した。
【０２０５】
＜サンプルＮｏ．１６〜Ｎｏ．１９のめっき品の製造＞
シリコン層を形成しないで、高融点材料層の表面に、レジスト層を直接形成した以外は、前記サンプルＮｏ．１１〜Ｎｏ．１４のめっき品と同様にして製造した。
【０２０６】
＜サンプルＮｏ．２０のめっき品の製造＞
シリコン層を形成しないで、アルミニウム層の表面に、レジスト層を直接形成した以外は、前記サンプルＮｏ．１５のめっき品と同様にして製造した。
【０２０７】
（実施例３）
以下に示すような方法によりサンプルＮｏ．２１〜Ｎｏ．３０の１０種のめっき品を製造した。
【０２０８】
＜サンプルＮｏ．２１のめっき品の製造＞
図３〜図１０に示すような方法により、めっき品（サンプルＮｏ．２１）を製造した。
【０２０９】
まず、基材として、直径８インチ×厚さ１ｍｍのシリコン基板を用意した。
このシリコン基板上に、スパッタリングにより、導電膜を形成した。導電膜は、Ｔｉ−Ｗ合金で構成される第１の層（基材に接触する側の層）と、Ｃｕで構成される第２の層とで構成される積層体として形成した。第１の層の平均厚さ、第２の層の平均厚さは、それぞれ、５０ｎｍ、３００ｎｍであった。
【０２１０】
次に、第２の層の表面に、スパッタリングにより、高融点材料層を形成した。高融点材料層の構成材料としては、Ｔｉ−Ｗ合金を用いた。高融点材料層の平均厚さは、１００ｎｍであった。
【０２１１】
次に、高融点材料層の表面に、スパッタリングにより、シリコン層を形成した。シリコン層の平均厚さは、５００ｎｍであった。
【０２１２】
次に、シリコン層の表面に、スピンコートにより、レジスト層（第１のレジスト層）を形成した。レジスト層の構成材料としては、ＮＡＮＯ  ＸＰ  ＳＵ−８（米国  ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ  Ｃｏｒｐ．社製）を用いた。レジスト層の平均厚さは、８０μｍであった。
その後、形成したレジスト層に対して、プレベーク処理を９５℃×３０分間という条件で施した。
【０２１３】
冷却後、フォトマスクを用いた紫外線照射（露光）を行うことにより、レジスト層に、図４に示すような形状のパターンの硬化部を形成した。
【０２１４】
次に、リザーバ室、インク室等に対応する形状のパターンを焼き付けたレジスト層（第１のレジスト層）の表面に、スピンコートにより、レジスト層（第２のレジスト層）を積層した。レジスト層（第２のレジスト層）の構成材料としては、ＮＡＮＯ  ＸＰ  ＳＵ−８（米国  ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ  Ｃｏｒｐ．社製）を用いた。レジスト層（第２のレジスト層）の平均厚さは、２２０μｍであった。その後、形成したレジスト層（第２のレジスト層）に対して、プレベーク処理を９５℃×６０分間という条件で施した。
【０２１５】
冷却後、フォトマスクを用いた紫外線照射（露光）を行うことにより、レジスト層に、リザーバ室、ノズル孔に対応する形状のパターンの硬化部を形成した（図５参照）。
その後、９５℃×１５分間という条件の加熱処理を施した。
【０２１６】
加熱処理後、レジスト層（第１のレジスト層および第２のレジスト層）の非硬化部を除去した（現像工程）。レジスト層の除去は、専用現像液に３０分間浸漬し、アセトンによるリンス、エタノールによるリンス、流水洗浄、乾燥を順次施すことにより行った。この現像工程により得られたレジストパターンは、リザーバ室からインク室に通じるインク流路に相当する部位の幅ｗ１が２０μｍ、高さ（厚さ）ｈ１が８０μｍ、側壁（隔壁）に相当する部位の幅ｗ２が４０μｍ、高さ（厚さ）ｈ２が８０μｍ、ノズル連通孔に相当する部位の直径１００μｍ、高さ（厚さ）２２０μｍであった。
現像工程後、残存するレジスト層に対して、１５０℃×１分間という条件のポストベーク処理を施した。
【０２１７】
その後、レジスト層が除去された部位のシリコン層および高融点材料層をＲＩＥ法により除去した。ＲＩＥ法の条件としては、チャンバー内圧力：１２０Ｐａ、酸素流量：３ｓｃｃｍ、ＣＦ４流量：３０ｓｃｃｍ、ＲＦ出力：３００Ｗ、処理時間：１５分間とした。
【０２１８】
シリコン層および高融点材料層を除去することにより露出した導電膜を電極として、電解めっきを行い、Ｎｉで構成されるめっき層を形成した。
【０２１９】
電解めっきは、液組成がスルファミン酸ニッケル６００ｇ／リットル、ほう酸３５ｇ／リットル、塩化ニッケル２ｇ／リットルのめっき液を用いて、浴温：５０℃、ｐＨ＝４、電流密度：０．２Ａ／ｄｍ２、時間：１２．１時間という条件で行った。
【０２２０】
その後、残存するレジスト層（硬化部）を除去した。レジスト層の除去は、ＲＩＥ法により行った。ＲＩＥ法の条件は、チャンバー内圧力：４００Ｐａ、酸素流量：１６ｓｃｃｍ、ＣＦ４流量：８ｓｃｃｍ、ＲＦ出力：３００Ｗ、処理時間：８時間とした。
【０２２１】
その後、基材を除去した。基材の除去は、アルカリ水溶液によるエッチングにより行った。エッチングは、８０℃の１０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液に、８時間浸漬することにより行った。
【０２２２】
その後、導電膜を構成する第１の層および第２の層を、この順に除去し、得られためっき物を切り分け、図９、図１０に示すような形状のめっき品を得た。
【０２２３】
本実施例においては、第１の層は、基材とともにアルカリ水溶液に溶解した。また、第２の層の除去は、２．５ｗｔ％の過硫酸アンモニウム水溶液を用いた処理（温度：２５℃、浸漬時間：２分間）により行った。
【０２２４】
＜サンプルＮｏ．２２〜Ｎｏ．２４のめっき品の製造＞
高融点材料層の構成材料を表１に示すように変更した以外は、前記サンプルＮｏ．２１のめっき品と同様にして製造した。
＜サンプルＮｏ．２５のめっき品の製造＞
高融点材料層を形成しないで、導電膜（第２の層）の表面に、シリコン層を直接形成した以外は、前記サンプルＮｏ．２１のめっき品と同様にして製造した。
【０２２５】
＜サンプルＮｏ．２６〜Ｎｏ．２９のめっき品の製造＞
シリコン層を形成しないで、高融点材料層の表面に、レジスト層を直接形成した以外は、前記サンプルＮｏ．２１〜Ｎｏ．２４のめっき品と同様にして製造した。
【０２２６】
＜サンプルＮｏ．３０のめっき品の製造＞
シリコン層を形成しないで、導電膜（第２の層）の表面に、レジスト層を直接形成した以外は、前記サンプルＮｏ．２５のめっき品と同様にして製造した。
【０２２７】
（実施例４）
以下に示すような方法によりサンプルＮｏ．３１〜Ｎｏ．４０の１０種のめっき品を製造した。
【０２２８】
＜サンプルＮｏ．３１のめっき品の製造＞
図３〜図１０に示すような方法により、めっき品（サンプルＮｏ．３１）を製造した。
【０２２９】
まず、ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）で構成された基材（直径８インチ×厚さ１ｍｍ）を用意した。
【０２３０】
このシリコン基板上に、スパッタリングにより、アルミニウム層を形成した。アルミニウム層の平均厚さは、３００ｎｍであった。
【０２３１】
次に、アルミニウム層の表面に、スパッタリングにより、高融点材料層を形成した。高融点材料層の構成材料としては、Ｔｉ−Ｗ合金を用いた。高融点材料層の平均厚さは、１００ｎｍであった。
【０２３２】
次に、高融点材料層の表面に、スパッタリングにより、シリコン層を形成した。シリコン層の平均厚さは、５００ｎｍであった。
【０２３３】
次に、シリコン層の表面に、スピンコートにより、レジスト層（第１のレジスト層）を形成した。レジスト層の構成材料としては、ＮＡＮＯ  ＸＰ  ＳＵ−８（米国  ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ  Ｃｏｒｐ．社製）を用いた。レジスト層の平均厚さは、８０μｍであった。
その後、形成したレジスト層に対して、プレベーク処理を９５℃×３０分間という条件で施した。
【０２３４】
冷却後、フォトマスクを用いた紫外線照射（露光）を行うことにより、レジスト層に、図４に示すような形状のパターンの硬化部を形成した。
【０２３５】
次に、リザーバ室、インク室等に対応する形状のパターンを焼き付けたレジスト層（第１のレジスト層）の表面に、スピンコートにより、レジスト層（第２のレジスト層）を積層した。レジスト層（第２のレジスト層）の構成材料としては、ＮＡＮＯ  ＸＰ  ＳＵ−８（米国  ＭｉｃｒｏＣｈｅｍ  Ｃｏｒｐ．社製）を用いた。レジスト層（第２のレジスト層）の平均厚さは、２２０μｍであった。その後、形成したレジスト層（第２のレジスト層）に対して、プレベーク処理を９５℃×６０分間という条件で施した。
【０２３６】
冷却後、フォトマスクを用いた紫外線照射（露光）を行うことにより、レジスト層に、リザーバ室、ノズル孔に対応する形状のパターンの硬化部を形成した（図５参照）。
その後、９５℃×１５分間という条件の加熱処理を施した。
【０２３７】
加熱処理後、レジスト層（第１のレジスト層および第２のレジスト層）の非硬化部を除去した（現像工程）。レジスト層の除去は、専用現像液に３０分間浸漬し、アセトンによるリンス、エタノールによるリンス、流水洗浄、乾燥を順次施すことにより行った。この現像工程により得られたレジストパターンは、リザーバ室からインク室に通じるインク流路に相当する部位の幅ｗ１が２０μｍ、高さ（厚さ）ｈ１が８０μｍ、側壁（隔壁）に相当する部位の幅ｗ２が４０μｍ、高さ（厚さ）ｈ２が８０μｍ、ノズル連通孔に相当する部位の直径が１００μｍ、高さ（厚さ）が２２０μｍであった。
現像工程後、残存するレジスト層に対して、１５０℃×１分間という条件のポストベーク処理を施した。
【０２３８】
その後、レジスト層が除去された部位のシリコン層および高融点材料層をＲＩＥ法により除去した。ＲＩＥ法の条件としては、チャンバー内圧力：１２０Ｐａ、酸素流量：３ｓｃｃｍ、ＣＦ４流量：３０ｓｃｃｍ、ＲＦ出力：３００Ｗ、処理時間：１５分間とした。
【０２３９】
シリコン層および高融点材料層を除去することにより露出した導電膜を電極として、電解めっきを行い、Ｎｉで構成されるめっき層を形成した。
【０２４０】
電解めっきは、液組成がスルファミン酸ニッケル６００ｇ／リットル、ほう酸３５ｇ／リットル、塩化ニッケル２ｇ／リットルのめっき液を用いて、浴温：５０℃、ｐＨ＝４、電流密度：０．２Ａ／ｄｍ２、時間：１２．１時間という条件で行った。
【０２４１】
その後、残存するレジスト層（硬化部）を除去した。レジスト層の除去は、ＲＩＥ法により行った。ＲＩＥ法の条件は、チャンバー内圧力：４００Ｐａ、酸素流量：１６ｓｃｃｍ、ＣＦ４流量：８ｓｃｃｍ、ＲＦ出力：３００Ｗ、処理時間：８時間とした。
【０２４２】
その後、アルミニウム層を除去することにより基材を分離し、さらに、得られためっき物を切り分けて、図９、図１０に示すような形状のめっき品を得た。
【０２４３】
アルミニウム層の除去は、１０ｗｔ％ＫＯＨ水溶液を用いたアルカリ処理（温度：８０℃、浸漬時間：４時間）により行った。
【０２４４】
なお、分離された基材は、外観上、利用前と比べてもなんら変化なく、洗浄することにより、前記と同様のめっき方法に再利用可能であった。
【０２４５】
＜サンプルＮｏ．３２〜Ｎｏ．３４のめっき品の製造＞
高融点材料層の構成材料を表１に示すように変更した以外は、前記サンプルＮｏ．３１のめっき品と同様にして製造した。
【０２４６】
＜サンプルＮｏ．３５のめっき品の製造＞
高融点材料層を形成しないで、アルミニウム層の表面に、シリコン層を直接形成した以外は、前記サンプルＮｏ．３１のめっき品と同様にして製造した。
【０２４７】
＜サンプルＮｏ．３６〜Ｎｏ．３９のめっき品の製造＞
シリコン層を形成しないで、高融点材料層の表面に、レジスト層を直接形成した以外は、前記サンプルＮｏ．３１〜Ｎｏ．３４のめっき品と同様にして製造した。
【０２４８】
＜サンプルＮｏ．４０のめっき品の製造＞
シリコン層を形成しないで、アルミニウム層の表面に、レジスト層を直接形成した以外は、前記サンプルＮｏ．３５のめっき品と同様にして製造した。
【０２４９】
＜評価＞
以下のような評価を行った。
【０２５０】
１．レジストパターン
めっき品の製造工程において形成されるレジストパターン（非硬化部が除去されたレジスト層）とレジスト形成面との密着性を以下の４段階の基準にしたがい評価した。
【０２５１】
◎：密着性が特に優れており、レジスト層の浮き、剥がれ等は、一切認められない。
○：密着性にやや劣り、レジスト層またはシリコン層の浮きがわずかに認められる。
△：密着性に劣っており、レジスト層またはシリコン層の剥がれがはっきりと認められる。
×：密着性が極めて劣っており、レジスト層またはシリコン層の剥がれがはっきりと認められる。
【０２５２】
２．めっき品
得られためっき品の外観を以下の４段階の基準にしたがい評価した。
【０２５３】
◎：めっきの不良等は一切認められず、寸法バラツキ（３σ）が１μｍ未満である。
○：めっきの不良等は一切認められず、寸法バラツキ（３σ）が２μｍ以上５μｍ未満である。
△：めっき不良がわずかに認められる。
×：めっき不良がはっきりと認められる。
これらの結果を表１、表２に示す。
【０２５４】
【表１】
0003969140.tif 000002
【０２５５】
【表２】
0003969140.tif 000003
【０２５６】
表１、表２から明らかなように、本発明のめっき方法では、微細なレジストパターンを形成した場合であっても、レジストの浮き、剥がれ等の問題を生じることなく、目的とするめっき品を製造することができる。また、本発明で得られためっき品は、めっき不良等の発生もなく、寸法精度に優れたものであった。
【０２５７】
これに対し、比較例の製造方法では、レジストの浮き、剥がれ等の問題を生じた。また、得られためっき品も、めっき不良等を有しており、寸法精度にも劣っていた。
【０２５８】
また、サンプルＮｏ．２１〜Ｎｏ．２４、Ｎｏ．３１〜Ｎｏ．３４のめっき品を用いて、図１１に示すようなインクジェットヘッドを製造した。これらのインクジェットヘッドを用いて印字評価を行ったところ、良好な印字特性が得られた。
【０２５９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、微細な構造を有するめっき品を精度良く製造することができる。
【０２６０】
また、本発明では、アスペクト比の大きいレジストパターンであっても、確実に形成することができるため、従来では、製造するのが困難であったような、特に微細な構造を有する構造体であっても、容易かつ確実に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のめっき方法の第１実施形態を示す断面図である。
【図２】  本発明のめっき方法の第２実施形態を示す断面図である。
【図３】  本発明のめっき方法の第３実施形態（第４実施形態）を示す斜視図である。
【図４】  本発明のめっき方法の第３実施形態（第４実施形態）を示す斜視図である。
【図５】  本発明のめっき方法の第３実施形態（第４実施形態）を示す斜視図である。
【図６】  本発明のめっき方法の第３実施形態（第４実施形態）を示す斜視図である。
【図７】  本発明のめっき方法の第３実施形態（第４実施形態）を示す斜視図である。
【図８】  本発明のめっき方法の第３実施形態（第４実施形態）を示す斜視図である。
【図９】  本発明のめっき方法の第３実施形態（第４実施形態）を示す斜視図である。
【図１０】  図９に示すめっき品を上下反転させた状態を示す斜視図である。
【図１１】  図９、図１０に示すめっき品を有するインクヘッドの分解斜視図である。
【符号の説明】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ……めっき品  ２……基材  ３……導電膜  ３１……第１の層  ３２……第２の層  ４……高融点材料層  ５……シリコン層  ６、６’……レジスト層  ６１、６１’……硬化部  ７……めっき層  ７１……リザーバ室  ７２……インク室  ７３……側壁  ７４……ノズル連通孔  ７６……凸部８……基材  ９……アルミニウム層  １０……インクジェットヘッド  １１……振動板  １１１……連通孔  １２……圧電素子  １３……ノズルプレート  １３１……ノズル孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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