(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
作業テーブルの背面に支持壁を設けて機枠を構成し、その作業テーブル上にベース盤を前記支持壁に沿った所定区間で往復動かつ上下動可能に設置し、前記支持壁には、複数の支持部材を前記作業テーブル上へ向けて突出状に並設するとともにそれら支持部材にセラミックスラリーを吐出する絶縁層形成ユニット、導電ペーストを噴射する電極層形成ユニット、乾燥機ユニットをそれぞれ１ないし複数個着脱可能に取り付け、前記ベース盤が前記区間を１ないし数往復する間にセラミック絶縁層上に所定の電極パターンが配設された薄膜層を形成し、それらを繰り返してセラミック積層体を形成するセラミック積層体の製造装置であって、
上記乾燥機ユニットの少なくとも１つが、前記区間の略中央部に配置され、該乾燥機ユニットの両側に、前記絶縁層形成ユニット、電極層形成ユニットの少なくとも１つが配置されていることを特徴とするセラミック積層体の製造装置。
【請求項２】
上記電極層形成ユニットが、導電ペーストを噴射して電極層を形成するインクジェット方式であり、上記絶縁層形成ユニットの少なくとも１つが、セラミックスラリーを噴射して絶縁層を形成するインクジェット方式である請求項１記載のセラミック積層体の製造装置。
【請求項３】
上記支持壁には、さらに前記絶縁層にバイヤホールを開孔するレーザー穿孔ユニットを着脱可能に取り付けることを特徴とする請求項２記載のセラミック積層体の製造装置。
【請求項４】
上記支持壁には、さらに前記薄膜層を積層する適時に上面を押圧する仮圧着ユニットを着脱可能に取り付け、該仮圧着ユニットが、表面に極微粘着性を有する押圧ロールであって、該押圧ロールに接触する除塵ローラを備えたことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項記載のセラミック積層体の製造装置。
【請求項５】
上記支持壁には、さらに前記薄膜層の状態を検出するために撮像するＣＣＤカメラユニットを着脱可能に取り付けることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項記載のセラミック積層体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はセラミック積層体の製造装置、詳しくは積層セラミックコンデンサ、積層インダクタや抵抗、フィルタ等の積層型セラミック電子部品を製造するために、複数のセラミック絶縁層とそれら絶縁層の界面に電極層とを備えたセラミック積層体の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、セラミック積層体の製造に関し、それまでベース材として慣用されていた樹脂製キャリアフィルムの使用を省くために、ベース板上に、セラミック絶縁層と所定の電極パターンとを形成する工程を繰り返して薄膜層を直接的に積層する方式が提案されている（特開平９−２３２１７４号公報）。
また、同公報によれば、ベース板は、サーボモータとボールねじとを用いた機構等により、ＸおよびＹ方向に移動可能とされること、それに代えて、スラリー噴射ヘッドをＸおよびＹ方向に移動可能とすることが例示され、また、前記ベース板に代えて、金属からなるエンドレスベルトを用いること、その場合にスラリー噴射ヘッドやペースト噴射ヘッドがエンドレスベルトの進行方向に対して垂直方向に移動するように制御されることが例示されている。
さらに、同公報には、前記エンドレスベルトの進行方向に沿って、所望数のスラリー噴射ヘッド、所望数のペースト噴射ヘッド等が所定の順序で配列され、エンドレスベルトの一方向の進行に伴って、積層体が次々と製造されるようにしてもよいことが例示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報による開示技術によれば、具体的な装置としては実用上多くの問題があり、そのまま実施することが困難である。
例えば、前記開示技術の実施例に記載のように、ＸおよびＹ方向に移動可能なベース板上の所定位置に、絶縁層形成手段としてのスラリー噴射ヘッド、電極層形成手段としてのペースト噴射ヘッド等を交互に出し入れする態様によれば、それら噴射ヘッドの移動に時間及び位置決め制御に時間を要し、１００〜数百層の積層体を製造するには実用的な生産性が期待できない。
また、上記エンドレスベルトを用いて、該エンドレスベルトの一方向の進行に伴って、積層体を次々と製造する態様によれば、数百層の積層体を製造するにはそれに相当する数のスラリー噴射ヘッド、ペースト噴射ヘッド等を配置しなければならず、著しく設備費用が多大になるばかりでなく大きな設置床面積を要して装置が大型化することになる。
【０００４】
しかも、生産性を高めるためには、絶縁層や電極層等を形成する度に該層を乾燥させる乾燥手段が必須であり、また、必要に応じて仮圧着手段、穿孔手段等を必要とするが、その場合には、前記スラリー噴射ヘッド、ペースト噴射ヘッドに加えて乾燥手段や仮圧着手段、穿孔手段等を追加して配置しなければならず、一段と生産性の低下や装置の大型化、設備費用の増大をきたす不具合がある。
【０００５】
本発明は、上記従来事情に鑑みその不具合を解消して、セラミック積層体の各層毎の製造速度を高めて生産性を向上させるとともに、作業器具を機枠に着脱可能なユニット化することにより、実用化が容易な小型化した製造装置を提供せんとすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
斯る本発明のセラミック積層体の製造装置は、作業テーブルの背面に支持壁を設けて機枠を構成し、その作業テーブル上にベース盤を前記支持壁に沿った所定区間で往復動かつ上下動可能に設置し、前記支持壁には、複数の支持部材を前記作業テーブル上へ向けて突出状に並設するとともにそれら支持部材にセラミックスラリーを吐出する絶縁層形成ユニット、導電ペーストを噴射する電極層形成ユニット、乾燥機ユニットをそれぞれ１ないし複数個着脱可能に取り付け、前記ベース盤が前記区間を１ないし数往復する間にセラミック絶縁層上に所定の電極パターンが配設された薄膜層を形成し、それらを繰り返してセラミック積層体を形成するものであって、上記乾燥機ユニットの少なくとも１つが、前記区間の略中央部に配置され、該乾燥機ユニットの両側に、前記絶縁層形成ユニット、電極層形成ユニットの少なくとも１つが配置されていることを特徴とする（請求項１）。
【０００７】
上記絶縁層形成ユニット及び電極層形成ユニットは、一般に知られているドクターブレード方式、インクジェット方式、あるいはローラ塗布方式等を採用するが、電極層や絶縁層の緻密化に対応し精度を高めるためには、電極層形成ユニットはインクジェット方式とし、絶縁層形成ユニットは、少なくとも１つにインクジェット方式を採用することが好ましい（請求項２）。
但し、薄膜層の一層全面に絶縁層を形成する部分には、前記ドクターブレード方式やローラ塗布方式を採用すること、すなわちインクジェット方式と他の方式を組み合わせることも任意である。
【０００８】
上記電極層形成ユニットをインクジェット方式とする場合には、そのユニットで上下薄膜層の電極層を接続するバイヤ電極を形成することも可能である。すなわち、バイヤ電極を有するインダクタ用セラミック積層体を製造することができる。
そして、上記バイヤ電極は、通常行われるように、薄膜層の絶縁層にバイヤホールを開孔して該ホールに導電ペーストを充填するようにしてもよく、その場合には、穿孔手段としてレーザー穿孔方式を採用することが好ましい。具体的には、上記支持壁に、さらに前記絶縁層にバイヤホールを開孔するレーザー穿孔ユニットを着脱可能に取り付ける構成とする（請求項３）。
【０００９】
また、上記薄膜層のセラミックスラリーや導電ペーストに生じる微細な凹凸を均して平坦性を確保し、積層を均一にして積層精度を高めるためには、薄膜層を一層形成する度などの適時に該層の上面を押圧することが好ましい。そのために、上記支持壁に、さらに前記薄膜層を積層する適時に上面を押圧する仮圧着ユニットを着脱可能に取り付け、該仮圧着ユニットが、表面に極微粘着性を有する押圧ロールであって、該押圧ロールに接触する除塵ローラを備えた構成とする（請求項４）。
この仮圧着ユニットは、熱板を備えたものとすることもでき、その熱板を使用した仮圧着ユニットの場合には、前記乾燥機ユニットの機能を併有するので該乾燥機ユニットを省略することも可能である。
なお、仮圧着ユニットが作動するタイミングは、薄膜層が一層形成される度、あるいは薄膜層が数層形成される度、さらには往復動するベース盤の往動時毎又は復動時毎など何れであってもよい。
【００１０】
さらに、上記絶縁層形成ユニット、電極層形成ユニットにより形成された絶縁層、電極層の仕上がり精度を検査するためにＣＣＤカメラユニットを設けるようにする。すなわち、上記支持壁に、さらに前記薄膜層の状態を検出するために撮像するＣＣＤカメラユニットを着脱可能に取り付ける（請求項５）。
このカメラユニットにより、形成された薄膜層の表面を適時に撮像し、それを画像処理することによって、インクジェットノズルの目詰まり等が原因となる絶縁層のピンホール、あるいは電極層の断線など不良状態の有無を検出する。
【００１１】
なお、上記セラミックスラリーは、ガラス複合系材料として硼珪酸ガラス形成物質に修飾物質（例えば、ＭｇＯ，ＣａＯ，Ａｌ2Ｏ３，Ｋ2Ｏ，ＺｎＯ等）を加えたガラス粉末と、アルミナ，ムライト，コージェライト，石英等のセラミックとの混合物を原料とするもの、結晶化ガラス系材料としてコージェライト系，αスポジュメン系等の結晶化するガラス粉末からなるものを使用する。
また、電極パターン用の導電ペーストには、例えば銅系の導体材料、あるいはタングステンＷ、モリブデンＭｏ、マンガンＭｎ等を使用し、バイヤ電極用の導電ペーストには、導体抵抗の小さな銀系の導体材料、例えば、銀、銀−パラジウム、銀−白金、銀−パラジウム−白金等を使用する。
なお、前記セラミックスラリー、導電ペーストの材料に、光照射によって乾燥が促進される光硬化材料を含有させることもよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１〜図３は装置全体の概要を示し、図において、機枠Ａは、横幅が約２ｍ程度の筐体基台部１の上面に、左右両側壁２ａ，２ｂ及び筐体背壁部３を一体的に組み立て、該背壁部３に堅牢な支持壁３ａを配設して構成され、前面には二分割又は三分割状とした透明なフード４を開閉可能に取り付ける。
また、機枠Ａは、図示のように筐体基台部１の前面一側など適所に表示部５及びコンソール部６を配設するとともに筐体基台部１及び筐体背壁部３内に制御ボックスや配線機器（図示省略）等を配置している。
【００１３】
上記機枠Ａは筐体基台部１の上面部に作業テーブル１０を設置する。
作業テーブル１０は、前記筐体基台部１の上面より若干小さな面積からなるテーブルであって、前後方向へ延びる左右のガイドレール１１上に短小距離を前後方向（Ｙ軸方向）へ可動状に載配され、サーボモータ又はステッピングモータからなる駆動源Ｍ１とそれにより回転する駆動軸（スクリュー軸）１２によってＹ軸方向へ往復移動する。
【００１４】
また、作業テーブル１０は、その上面に前後間隔をおいた二本のガイドレール１３を前記支持壁３ａと平行に敷設し、そのガイドレール１３上に可動台１４を該レールに沿って左右方向（Ｘ軸方向）へ往復動可能に載設する。
可動台１４は、サーボモータ又はステッピングモータからなる駆動源Ｍ２とそれにより回転する駆動軸（スクリュー軸）１５によってＸ軸方向へ往復移動するよう制御され、この可動台１４上には、エアーシリンダ１６を介してステンレス製のベース盤２０を配設する。
【００１５】
したがって、ベース盤２０は、上記駆動源Ｍ２及び駆動軸１５により前記支持壁３ａに沿って平行にＸ軸方向へ所定区間を往復動し、上記駆動源Ｍ１及び駆動軸１２によりＹ軸方向へ短小距離を往復動するとともに上記エアーシリンダ１６により上下動する。
上記ベース盤２０のＸ軸方向の往復動作は、作業テーブル１０の一端側ステージＳＴ1（図１の実線位置）と他端側ステージＳＴ2（図１の二点破線位置）の区間を往復動する。
そして、ベース盤２０の往復動作および上下動作は、前記図示しない制御ボックスの制御装置により制御され、該制御装置のデータを前記コンソール部６により調整可能である。
【００１６】
一方、上記筐体背壁部３の支持壁３ａには、上下に間隔をおいて配した二本の支持杆３１ａ，３１ａを組とする支持部材３１が配設されるとともに、各組の支持杆３１ａ，３１ａ間にナット孔３２が配設される。
支持部材３１は、その複数組（図では７組を例示）がＸ軸方向に沿って所定の間隔で配置され、それらの各支持杆３１ａを作業テーブル１０上へ向けて水平状に突出させ、この支持部材３１を利用して絶縁層形成ユニット、電極層形成ユニット、乾燥機ユニット、穿孔ユニット、仮圧着ユニット、カメラユニットの１ないし複数個をそれぞれ着脱可能に取り付ける。具体的には、絶縁層形成ユニット、電極層形成ユニット、乾燥機ユニットを必須として、その１ないし複数個を取り付け、穿孔ユニット、仮圧着ユニット、カメラユニットを必要に応じて選択的に取り付ける。
【００１７】
上記絶縁層形成ユニットには、セラミックスラリーを噴射するインクジェット方式のスラリー噴射ユニットＣを使用し、上記電極層形成ユニットには、導電ペーストを噴射するインクジェット方式のペースト噴射ユニットＥを用い、上記乾燥機ユニットには、光照射によってセラミックスラリーや導電ペーストをべとつかない程度の半硬化状態に乾燥させる光照射ユニットＬを使用する場合を例示する。
スラリー噴射ユニットＣは、微小間隔をおいて多数のインクジェットノズル４１を並設して構成され、その選択されたノズルからセラミックスラリーを噴射するものであり、ペースト噴射ユニットＥも同様に、微小間隔をおいて多数のインクジェットノズル４２を並設して構成され、その選択されたノズルからペーストを噴射するものである。
【００１８】
また、上記穿孔ユニットには、微小間隔をおいて多数のレーザーヘッドを並設して構成されるレーザーユニットＰを使用し、上記仮圧着ユニットには、上下動可能な押圧ロールで構成されるロール圧着ユニットＲを使用し、上記カメラユニットには、ＣＣＤカメラからなるＣＣＤカメラユニットＱを用いた場合を例示する。
レーザーユニットＰは、前記各レーザーユニットをレーザー発生器に接続して、選択されたレーザーユニットからレーザー光を照射して絶縁層を穿孔するものである。
ロール圧着ユニットＲは、図１８に基づいて後述するように、形成された絶縁層及び電極層からなる薄膜層の上面を適時に押圧して仮圧着するものである。
ＣＣＤカメラユニットＱは、前記薄膜層の表面画像を適時に撮像して画像処理装置へ送信するものである。
【００１９】
上記各ユニット、つまりスラリー噴射ユニットＣ、ペースト噴射ユニットＥ、光照射ユニットＬ、レーザーユニットＰ、ロール圧着ユニットＲ及びＣＣＤカメラユニットＱは、それぞれの上半部に形成した支持部材３１への取付部４５を同一構造にしている。
すなわち、各取付部４５は、前記支持部材３１の支持杆３１ａと略同等長さの矩形状であって、その長手方向に貫通する二本の取付孔４６，４６を上下間隔をおいて開孔するとともに、両取付孔の中間に軸孔４７を長手方向へ貫通させて開孔する。そして、上記取付孔４６内には、微細径のボールを内外に突出状かつ回転可能に収納せしめた筒形のリテーナー４８を装着している（図４参照）。
【００２０】
上記各ユニットＣ，Ｅ，Ｌ，Ｐ，Ｒ及びＱは、それらを使用するときには、それら各取付部４５のリテーナー４８内に前記支持部材３１の支持杆３１ａが摺設するようにして取付孔４６を貫通させ、その後に、軸孔４７に締付ボルト４９を差し込み先端を支持壁３ａのナット孔３２に螺着することにより、取付部４５を支持壁３ａに締付け固定して各ユニットを所定位置にセットする。
そして、上記締付ボルト４９を抜き取ることにより取付部４５を支持杆３１ａから抜き取ることができる。すなわち、各ユニットは着脱可能であり、また交換可能である。
【００２１】
次に、図５は上記支持部材３１の他の実施形態を示す。
図５において、各支持部材５１は、適宜厚さからなる矩形板の下端部両側にレール部５２を形成するとともに前面中央部にナット孔５３を設けたものである。
支持部材５１は、その複数個が上記筐体背壁部３の支持壁３ａにＸ軸方向に沿い所定の間隔で固定状に並設され、作業テーブル１０上へ向けて水平状に突出する。
一方、上記各ユニットＣ，Ｅ，Ｌ，Ｐ，Ｒ及びＱの各取付部５５は、前記支持部材５１のレール部５２に摺接して嵌め合う嵌合部５６が長手方向にわたり形成されているとともに、前端には前記支持部材５１の前面に当接する当て板５７を一体に立ち上げ、該当て板５７に締付ボルト５８を回動可能に取り付けたものである。
【００２２】
上記各ユニットＣ，Ｅ，Ｌ，Ｐ，Ｒ及びＱは、それぞれの取付部５５の嵌合部５６を支持部材５１のレール部５２に摺接して嵌め合い、当て板５７を支持部材５１の前面に押し当て締付ボルト５８をナット孔５３に螺着することにより、該取付部５５を介して支持壁３ａに固定して所定位置にセットする。
【００２３】
而して、図１には本発明の第１実施例であって、ステージＳＴ1とステージＳＴ2との区間の略中央部に光照射ユニットＬを配設し、その両側にそれぞれペースト噴射ユニットＥ及びスラリー噴射ユニットＣを配置し、ステージＳＴ1上方にＣＣＤカメラユニットＱを配置した構成を示す。
なお、図１に示す符号６０は、スラリー噴射ユニットＣへセラミックスラリーを供給するスラリー槽、同６１は、ペースト噴射ユニットＥへ導電ペーストを供給するペースト槽である。
【００２４】
この第１実施例はインダクタ用セラミック積層体を製造する場合であり、その作業工程を図６により説明する。
図６において、ベース盤２０は、ステージＳＴ1からステージＳＴ2へ移動するときが往動時であって、逆方向へ移動するときが復動時であり、光照射ユニットＬ、ペースト噴射ユニットＥ、スラリー噴射ユニットＣ及びＣＣＤカメラユニットＱは、それぞれの取付部４５を省略しており、また、それらの下端部を塗りつぶした各部材が作動状態又はベース盤２０の到達時に作動する状態を示す。
なお、この点は第２実施例以下においても同様である。
【００２５】
第１実施例にあっては次の作業工程が行われる。
（ａ）ベース盤２０の最初の往動時に、左側スラリー噴射ユニットＣ及び光照射ユニットＬが作動し、そのスラリー噴射ユニットＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤２０上に所定面積のベース絶縁層１００を形成する（図１２参照）。次いで光照射ユニットＬにより該絶縁層１００を乾燥してべとつかない程度の半硬化状態にする（図１７参照）。
（ｂ）上記ベース盤２０の復動時に、右側のスラリー噴射ユニットＣ、ペースト噴射ユニットＥ及び光照射ユニットＬが作動する。
そのスラリー噴射ユニットＣにより、前記ベース絶縁層１００上であって電極パターン部１０２ａを除く領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層１０１を形成し（図１３参照）、次いで、ベース盤２０がペースト噴射ユニットＥ下を通過することで該ユニットＥにより導電ペーストを噴射して前記電極パターン部１０２ａに電極層１０２を形成する（図１４参照）。
その後にベース盤２０が光照射ユニットＬを通過する際に、所定パターンに形成された前記スペーサ絶縁層１０１及び電極層１０２が乾燥される。
また、ベース盤２０がステージＳＴ1へ復帰したときに、上記カメラユニットＱが作動して形成された絶縁層１０１及び電極層１０２の表面を撮像する。
【００２６】
（ｃ）次に、ベース盤２０の再度の往動時に、左側のスラリー噴射ユニットＣ、ペースト噴射ユニットＥ及び光照射ユニットＬが作動する。
スラリー噴射ユニットＣにより、前記スペーサ絶縁層１０１及び電極層１０２上であってバイヤ電極部１０４ａを除く領域にセラミックスラリーを噴射して絶縁層１０３を形成し（図１５参照）、次いで、ベース盤２０がペースト噴射ユニットＥ下を通過することで該ユニットＥにより導電ペーストを噴射して前記バイヤ電極部１０４ａにバイヤ電極１０４を形成する（図１６参照）。
【００２７】
而して、前記工程（ａ）においてベース絶縁層１００の薄膜層が形成され、その上面に、ベース盤２０が一往復する工程（ｂ）（ｃ）においてバイヤ電極１０４を有する電極層１０２と絶縁層１０１，１０３とからなる薄膜層Ｓ1が形成される。
その後は、前記工程（ｂ）（ｃ）の繰り返しである工程（ｄ）（ｅ）…を連続して作業することにより多数の薄膜層を積層したインダクタ用セラミック積層体ＣＳ1が製造される。
なお、上記工程（ｂ）又は（ｄ）において撮像された表面画像は、画像処理装置（図示せず）へ送信され、絶縁層１０１，１０３のピンホールの有無や電極層１０２，１０４の断線の有無を検出するようにし、それが検出された場合には、工程動作を途中で停止させて製造中の薄膜層をベース盤２０上から排除するとともに、スラリー噴射ユニットＣ又はペースト噴射ユニットＥの点検を行って目詰まりしている不良なインクジェットノズルを交換する。
【００２８】
このセラミック積層体ＣＳ1は、前記薄膜層Ｓ1の厚さが略２０〜２００μｍであり、その積層枚数が十数枚程度であって、別の場所に移動されて圧着され、その後に焼成されてインダクタが得られる。
なお、図では作図上、薄膜層Ｓ1に少ない電極パターンを示しているが、実際上は積層体ＣＳ1からインダクタの多数取りが可能なように薄膜層Ｓ1に多数のパターンが形成されるものである。その点は第２実施例以下においても同様である。
【００２９】
図７は、本発明の第２実施例であって、コンデンサ用セラミック積層体を製造する場合を示し、ステージＳＴ1，ＳＴ2間の略中央部に光照射ユニットＬを配設し、そのステージＳＴ1側にスラリー噴射ユニットＣのみを配置し、他側にペースト噴射ユニットＥ及びスラリー噴射ユニットＣを配置し、ステージＳＴ1上方にカメラユニットＱを配置した構成である。
すなわち、コンデンサ用の場合には、前記バイヤ電極を必要としないので、片側のペースト噴射ユニットＥを省略したものである。
【００３０】
この第２実施例では次の作業工程が行われる。
（ａ）ベース盤２０の最初の往動時に、左側スラリー噴射ユニットＣ及び光照射ユニットＬが作動し、そのスラリー噴射ユニットＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤２０上に所定面積の絶縁層１２０を形成し、次いで光照射ユニットＬにより該絶縁層１２０を乾燥する。
（ｂ）上記ベース盤２０の復動時に、右側のスラリー噴射ユニットＣ、ペースト噴射ユニットＥ及び光照射ユニットＬが作動する。
そのスラリー噴射ユニットＣにより、前記絶縁層１２０上の所定領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層１２１を形成し、次いで、ベース盤２０がペースト噴射ユニットＥ下を通過することで該ユニットＥにより導電ペーストを噴射して前記スペーサ絶縁層１２１の塗布されない領域に電極層１２２を形成する。
【００３１】
その後にベース盤２０が光照射ユニットＬを通過する際に、所定パターンに形成された前記スペーサ絶縁層１２１及び電極層１２２が乾燥される。
また、ベース盤２０がステージＳＴ1へ復帰したときに、上記カメラユニットＱが作動して形成された絶縁層１２１及び電極層１２２の表面を撮像して、前述と同様に、インクジェットノズルの点検のための表面画像を画像処理装置へ送信する。
【００３２】
而して、ベース盤２０が一往復する工程（ａ）（ｂ）において電極層１２２と絶縁層１２１，１２３とからなる薄膜層Ｓ2が形成される。
その後は、前記工程（ａ）（ｂ）の繰り返しである工程（ｃ）（ｄ）…を連続して作業することにより多数の薄膜層を積層したコンデンサ用セラミック積層体ＣＳ2が製造される。
このセラミック積層体ＣＳ2は、前記薄膜層Ｓ2の厚さが従来の薄膜層より薄い略１〜２μｍであり、その積層枚数が数百枚程度であって、別の場所に移動されて圧着され、その後に焼成されてインダクタが得られる。なお、インダクタの場合には各個それぞれに外部電極が付設される。
【００３３】
図８は、本発明の第３実施例であって、インダクタ用セラミック積層体を製造する場合を示し、ステージＳＴ1，ＳＴ2間の略中央部とその左右両側に間隔をおいて光照射ユニットＬを配設し、その一側（ステージＳＴ1側）の光照射ユニットＬ，Ｌ間にスラリー噴射ユニットＣを配置するとともに、他側の光照射ユニットＬ，Ｌ間にペースト噴射ユニットＥを配置し、ステージＳＴ1上方にカメラユニットＱを配置した構成である。
【００３４】
この第３実施例では次の作業工程が行われる。
（ａ）ベース盤２０の最初の往動時に、スラリー噴射ユニットＣ、ペースト噴射ユニットＥ、中央及び右側光照射ユニットＬが作動する。
スラリー噴射ユニットＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤２０上に所定面積のベース絶縁層１３０を形成し、該ベース絶縁層１３０が中央の光照射ユニットＬ下を通過する際に乾燥され、次いでベース絶縁層１３０がペースト噴射ユニットＥ下を通過するときに、該ペースト噴射ユニットＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層１３２を形成する。
この電極層１３２は右側の光照射ユニットＬ下を通過する際に乾燥される。
（ｂ）上記ベース盤２０の復動時に、スラリー噴射ユニットＣ及び左側の光照射ユニットＬが作動する。
そのスラリー噴射ユニットＣにより、前記ベース絶縁層１３０上の電極層１３２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層１３１を形成し、該スペーサ絶縁層１３１は左側の光照射ユニットＬ下を通過する際に乾燥される。
そして、ベース盤２０がステージＳＴ1へ復帰したときに、上記カメラユニットＱが作動して形成された絶縁層１３１及び電極層１３２の表面を撮像して、前述と同様に、インクジェットノズルの点検のための表面画像を画像処理装置へ送信する。
【００３５】
（ｃ）次に、ベース盤２０の再度の往動時に、スラリー噴射ユニットＣ、ペースト噴射ユニットＥ、中央及び右側の光照射ユニットＬが作動する。
スラリー噴射ユニットＣにより、前記スペーサ絶縁層１３１及び電極層１３２上の所定領域にセラミックスラリーを噴射して絶縁層１３３を形成し、光照射ユニットＬにより該絶縁層１３３を乾燥した後、ベース盤２０がペースト噴射ユニットＥ下を通過することで該ユニットＥにより前記絶縁層１３３が塗布されない領域に導電ペーストを噴射してバイヤ電極１３４を形成する。そのバイヤ電極１３４は右側の光照射ユニットＬにより乾燥される。
（ｄ）次いで、ベース盤２０の再度の復動時に、ペースト噴射ユニットＥ、スラリー噴射ユニットＣ、中央及び左側の光照射ユニットＬが作動する。
そのペースト噴射ユニットＥにより、絶縁層１３３及びバイヤ電極１３４上に導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層１３２を形成し、光照射ユニットＬにより該電極層１３２を乾燥した後、ベース盤２０がスラリー噴射ユニットＣ下を通過することで該ユニットＣにより前記電極層１３２が塗布されない領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層１３１を形成する。そのスペーサ絶縁層１３１は左側の光照射ユニットＬにより乾燥される。
そして、ベース盤２０がステージＳＴ1へ復帰したときに、上記カメラユニットＱが作動して形成された絶縁層１３１及び電極層１３２の表面を撮像する。
【００３６】
上記工程（ａ）〜（ｄ）以後は、ベース盤２０が一往復する工程（ｃ）（ｄ）を繰り返すことにより、バイヤ電極１３４を有する電極層１３２と絶縁層１３１，１３３とからなる薄膜層Ｓ3を積層したインダクタ用セラミック積層体ＣＳ3が得られる。
この第３実施例によれば、絶縁層又は電極層を形成する度に光照射ユニットＬにより各層面を乾燥させるので、スペーサ絶縁層１３１、電極層１３２、絶縁層１３３及びバイヤ電極１３４の塗布又は印刷精度が向上する。
【００３７】
図９は、本発明の第４実施例であって、コンデンサ用セラミック積層体を製造する場合を示し、ステージＳＴ1，ＳＴ2間の略中央部に光照射ユニットＬを配設し、その左側にスラリー噴射ユニットＣを、右側にペースト噴射ユニットＥを配置し、ステージＳＴ1上方にカメラユニットＱを配置した構成である。
【００３８】
この第４実施例では次の作業工程が行われる。
（ａ）ベース盤２０の最初の往動時に、スラリー噴射ユニットＣ、光照射ユニットＬ及びペースト噴射ユニットＥの全てが作動し、先ず、スラリー噴射ユニットＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤２０上に所定面積の絶縁層１４０を形成し、該絶縁層１４０が光照射ユニットＬ下を通過する際に乾燥される。
次いで絶縁層１４０がペースト噴射ユニットＥ下を通過するときに、該ペースト噴射ユニットＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層１４２を形成する。
（ｂ）上記ベース盤２０の復動時に、光照射ユニットＬとスラリー噴射ユニットＣが作動する。
工程（ａ）により形成された前記電極層１４２が光照射ユニットＬ下を通過する際に乾燥された後に、スラリー噴射ユニットＣにより、前記絶縁層１４０上の電極層１４２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層１４１が形成される。
そして、ベース盤２０がステージＳＴ1へ復帰したときに、上記カメラユニットＱが作動して形成された絶縁層１４１及び電極層１４２の表面を撮像する。
【００３９】
（ｃ）次に、ベース盤２０はステージＳＴ2まで到達しない途中位置までの短区間、詳しくはベース盤２０がステージＳＴ1から光照射ユニットＬを通過した位置までの区間を往復動し、その間に光照射ユニットＬとスラリー噴射ユニットＣが作動する。
そして、その短区間の往動時に、工程（ｂ）により形成された前記スペーサ絶縁層１４１が光照射ユニットＬ下を通過して乾燥され、復動時にベース盤２０がスラリー噴射ユニットＣ下を通過する際に、該ユニットＣによりセラミックスラリーを噴射して前記電極層１４２上に絶縁層１４０が形成される。
また、ベース盤２０がステージＳＴ1へ復帰したときに、前述と同様に、上記カメラユニットＱが作動して形成された絶縁層１４０の表面を撮像する。
（ｄ）その後、ベース盤２０が往動し、その往動時に光照射ユニットＬおよびペースト噴射ユニットＥが作動する。
工程（ｃ）により形成された絶縁層１４０が光照射ユニットＬにより乾燥された後に、ペースト噴射ユニットＥにより導電ペーストを前記絶縁層１４０上面に噴射して所定の電極パターンからなる電極層１４２を形成する
【００４０】
上記工程（ａ）〜（ｄ）以後は、前記工程（ｂ）〜（ｄ）を繰り返すことにより、電極層１４２と絶縁層１４０，１４１とからなる薄膜層Ｓ4を積層したコンデンサ用セラミック積層体ＣＳ4が得られる。
この第４実施例においても、スラリー噴射ユニットＣ、ペースト噴射ユニットＥ、光照射ユニットＬを最少個数になし得てベース盤２０の移動距離を短縮することができる。
【００４１】
図１０は、本発明の第５実施例であって、インダクタ用セラミック積層体を製造する場合を示し、詳しくはバイヤ電極を形成するためのバイヤホールを作製するためにレーザーユニットＰを使用するものである。
すなわち、前述した第２実施例に相当するスラリー噴射ユニットＣ、光照射ユニットＬ、ペースト噴射ユニットＥ及びカメラユニットＱを配置することに加えて、レーザーユニットＰを配設した構成である。
【００４２】
この第５実施例では次の作業工程が行われる。
（ａ）ベース盤２０の最初の往動時に、スラリー噴射ユニットＣ、光照射ユニットＬ及びペースト噴射ユニットＥが作動し、スラリー噴射ユニットＣによりセラミックスラリーを噴射してベース盤２０上に所定面積のベース絶縁層１５０を形成し、該ベース絶縁層１５０が光照射ユニットＬ下を通過する際に乾燥される。
次いでベース絶縁層１５０がペースト噴射ユニットＥ下を通過するときに、該ペースト噴射ユニットＥにより導電ペーストを噴射して所定の電極パターンからなる電極層１５２を形成する。
（ｂ）上記ベース盤２０の復動時に、光照射ユニットＬとスラリー噴射ユニットＣが作動する。
工程（ａ）により形成された前記電極層１５２が光照射ユニットＬ下を通過する際に乾燥された後に、スラリー噴射ユニットＣにより、前記ベース絶縁層１５０上の電極層１５２間を埋めるようにセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層１５１が形成される。
そして、ベース盤２０がステージＳＴ1へ復帰したときに、上記カメラユニットＱが作動して形成された絶縁層１５１及び電極層１５２の表面を撮像する。
【００４３】
（ｃ）次に、ベース盤２０の再度の往動時に、スラリー噴射ユニットＣ、光照射ユニットＬ及び前記レーザーユニットＰが作動する。
ベース盤２０がスラリー噴射ユニットＣ下を通過する際に、セラミックスラリーを噴射して前記スペーサ絶縁層１５１及び電極層１５２の上面全面を覆う絶縁層１５３を形成し、それが光照射ユニットＬ下を通過する際に乾燥される。
次いで、ベース盤２０がレーザーユニットＰ下を通過するときに、該ユニットＰにより前記絶縁層１５３の所定位置に前記電極層１５２へ通じるバイヤホール１５５を開孔する。
【００４４】
（ｄ）次に、ベース盤２０がステージＳＴ2から復動を開始するが、ベース盤２０はステージＳＴ1まで復帰しない途中位置までの短区間、詳しくはベース盤２０がステージＳＴ2から光照射ユニットＬを通過した位置までの区間を復動動作と往動動作をし、その間に光照射ユニットＬとペースト噴射ユニットＥが作動する。
そして、その短区間の復動動作において、ペースト噴射ユニットＥ下を通過する際に、該ユニットＥにより導電ペーストを噴射し前記バイヤホール１５５内に充填してバイヤ電極１５４が形成され、このバイヤ電極１５４は、それが光照射ユニットＬを通過する際に乾燥される。一方、短区間の往動動作においては、ペースト噴射ユニットＥにより絶縁層１５３とバイヤ電極１５４の上面に所定のパターンの電極層１５２が形成される。
【００４５】
（ｅ）その後のベース盤２０の復動時に、スラリー噴射ユニットＣ、光照射ユニットＬが作動する。
工程（ｄ）により形成された前記電極層１５２が光照射ユニットＬ下を通過する際に乾燥された後、スラリー噴射ユニットＣにより前記電極層１５２が塗布されない領域にセラミックスラリーを噴射してスペーサ絶縁層１５１を形成する。
そして、ベース盤２０がステージＳＴ1へ復帰したときに、上記カメラユニットＱが作動して形成された絶縁層１５１及び電極層１５２の表面を撮像する。
上記工程（ａ）〜（ｅ）以後は、前記工程（ｃ）〜（ｅ）を繰り返すことにより、前述した第２実施例と同等のインダクタ用セラミック積層体が得られる。
【００４６】
図１１は、本発明の第６実施例であって、インダクタ用セラミック積層体を製造刷る場合、詳しくは仮圧着ユニットとしてのロール圧着ユニットＲを付設した場合を示す。具体的には、第１実施例の配置構成にロール圧着ユニットＲを追加した場合を例示する。
【００４７】
第１実施例の作業工程は図６に基づいて既述したとおりであるので、説明の便宜上、図中に同一符号を付して説明を省略するが、中央の光照射ユニットＬと右側のペースト噴射ユニットＥとの間にロール圧着ユニットＲを上下動可能に配設し、該ロール圧着ユニットＲが前記工程（ｃ）において作動（下動）するようにしている。
すなわち、前記工程（ｃ）の各動作時において、バイヤ電極１０４が形成された絶縁層１０３が光照射ユニットＬ下を通過して乾燥された後に、往動するベース盤２０上にロール圧着ユニットＲが下動してバイヤ電極１０４及び絶縁層１０３の上面を押圧して薄膜層を仮圧着するものである。
この仮圧着により、薄膜層の上面に生じる微細な凹凸を均して均質化するとともに下層の薄膜層との密着性を高めるものである。
【００４８】
上記ロール圧着ユニットＲの具体的構造を図１８により例示する。
図１８において、ロール圧着ユニットＲは、支持部材７１に回転自在に配置した押圧ロール７２の表面に粘着性が極微な表面処理を施したもので、その表面に粘着性を有する除塵ローラ７３を回転自在に接触させて両者を接触状のまま支持部材７１を上下動可能に設置する。
上記ロール圧着ユニットＲは、その作動時に前述のとおりバイヤ電極１０４、絶縁層１０３の上面を押圧して薄膜層を仮圧着するとともに、バイヤ電極１０４及び絶縁層１０３から微粒片が剥離しているときには該微粒片を表面に付着させて薄膜層から取り除き、その押圧ロール７２に付着した微粒片は、該ロール７２より高い粘着性を有する除塵ローラ７３の表面に転着する。
そして、除塵ローラ７３へ転着した微粒片は、該除塵ローラ７３を適時に取り外して清掃し、あるいは除塵ローラ７３に剥離部材（図示せず）を当接させることによって除去するものである。
【００４９】
なお、上述した各実施例において、ベース盤２０は、その往動動作ごと又は復動動作ごとに可動台１４の下動動作に伴い下動するようにしており、その下動距離は、往動時又は復動時に形成される絶縁層、電極層の厚さ分であり、各ユニットと形成層の上面とを常に一定に保持させるためである。
また、上記ベース盤２０は、可動台１４のＹ軸方向の移動により短小距離を移動可能であるが、各ユニットを支持部材にセットした後に、その各ユニットの奥行き長さ（Ｙ軸方向の長さ）に対応じてその下方にベース盤を位置させるための調整用である。
【００５０】
そして、上述した実施例においては、絶縁層形成ユニット、電極層形成ユニットなど各ユニットについて具体的構造、配列、作業工程を説明したが、本発明はその趣旨に沿う限り、それらの配列、個数、作業工程などは適宜に変更可能であり実施例記載に限定されるものではない。
例えば、絶縁層形成ユニットとしてドクターブレード方式としてもよく、各ユニットを取り付ける支持部材は図３又は図５の構造に限られず、あるいはＣＣＤカメラユニットをステージＳＴ2上方にも配置してベース盤２０が往動又は復動する度に表面画像を撮像する等である。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば、ベース盤の往動時及び復動時の各工程において所定の作業を有効に行わせると共に、乾燥機ユニットの少なくとも１つがベース盤の往復動の区間の略中央部に配置され、その両側に絶縁層形成ユニット、電極層形成ユニットの少なくとも１つが配置されているので、セラミック積層体の薄膜各層を効率的に作製することができるとともにそれらの積層体の製造時間を短縮し生産性を高めることができる。
そして、上記絶縁層形ユニット、電極層形成ユニット及び乾燥機ユニットをそれぞれユニット化して機枠に着脱可能としたので、それら各ユニットのセッティングが容易であり、しかも各ユニットの配置を変更することによりセラミックコンデンサやインダクタなど異なる積層体の製造装置に設定することができ、汎用性のある小型装置を安価に提供することができる。
【００５２】
また、請求項２によれば、絶縁層形成ユニット、電極層形成ユニットにインクジェット方式を採用するので、微細緻密な層形成が可能であるとともに電極層間の凹嵌部にセラミックスラリーを充填するなど絶縁層を高精度に形成することができ、請求項３によれば、レーザー穿孔方式でバイヤホールを開孔した場合でも、電極層形成ユニットにより導電ペーストを充填してバイヤ電極を精度よく確実に形成することができる。
さらに、請求項４によれば、形成された薄膜層の上面を押圧ロールで仮圧着するので、絶縁層形成ユニット、電極層形成ユニットにより形成されたセラミック絶縁層及び電極パターン上面の凹凸状を均して面一化し、次の薄膜層の積層精度を高めるとともに下層の薄膜層との密着性を高めて各層を均質一体化させ、且つ除塵ローラの併用により高品質なセラミック積層体を提供することができる。
【００５３】
そして、請求項５によれば、ＣＣＤカメラユニットにより形成した薄膜層の表面状態を検出して、絶縁層のピンホールや電極層の断線等を発見できるので、積層体製造の歩留まりを高めて生産性を向上させることができるとともに、インクジェットノズルなどの目詰まりを発見でき保守点検が容易である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明セラミック積層体の製造装置を示す正面図である。
【図２】  図１の一部切欠せる側面図である。
【図３】  各ユニットの取付構造を説明する斜視図である。
【図４】  各ユニットの取付構造を示す部分断面拡大図である。
【図５】  各ユニットの取付構造の他の形態を説明する斜視図である。
【図６】  本発明第１実施例の作業工程を説明する正面図である。
【図７】  同第２実施例の作業工程を説明する正面図である。
【図８】  同第３実施例の作業工程を説明する正面図である。
【図９】  同第４実施例の作業工程を説明する正面図である。
【図１０】  同第５実施例の作業工程を説明する正面図である。
【図１１】  同第６実施例の作業工程を説明する正面図である。
【図１２】  スラリー噴射ユニット（絶縁層形成ユニット）による絶縁層の形成工程を示す拡大図である。
【図１３】  スラリー噴射ユニットによるスペーサ絶縁層の形成工程を示す拡大図である。
【図１４】  ペースト噴射ユニット（電極層形成ユニット）による電極層の形成工程を示す拡大図である。
【図１５】  スラリー噴射ユニットによる絶縁層の形成工程を示す拡大図である。
【図１６】  ペースト噴射ユニットによるバイヤ電極の形成工程を示す拡大図である。
【図１７】  光照射ユニット（乾燥機ユニット）による乾燥工程を示す拡大図である。
【図１８】  ロール圧着ユニット（仮圧着ユニット）の具体例を示す拡大図である。
【符号の説明】
Ａ：機枠                    ３：筐体背壁部            ３ａ：支持壁
１０：作業テーブル          １４：可動台                ２０：ベース盤
Ｃ：スラリー噴射ユニット                Ｅ：ペースト噴射ユニット
Ｌ：光照射ユニット                      Ｒ：ロール圧着ユニット
Ｐ：レーザーユニット                    Ｑ：ＣＣＤカメラユニット
【図１】
0003881841.tif 000002
【図２】
0003881841.tif 000003
【図３】
0003881841.tif 000004
【図４】
0003881841.tif 000005
【図５】
0003881841.tif 000006
【図６】
0003881841.tif 000007
【図７】
0003881841.tif 000008
【図８】
0003881841.tif 000009
【図９】
0003881841.tif 000010
【図１０】
0003881841.tif 000011
【図１１】
0003881841.tif 000012
【図１２】
0003881841.tif 000013
【図１３】
0003881841.tif 000014
【図１４】
0003881841.tif 000015
【図１５】
0003881841.tif 000016
【図１６】
0003881841.tif 000017
【図１７】
0003881841.tif 000018
【図１８】
0003881841.tif 000019