(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の対象領域を有する記憶媒体(106)であって、前記対象領域のそれぞれが記憶領域を有し、前記記憶領域のそれぞれが、該記憶領域に格納された情報を表すように複数の構造状態のうちの１つに構成された、記憶媒体と、
前記記憶媒体と電気通信するように構成された複数の電子ビームエミッタ(202,204)であって、前記記憶媒体が前記複数のエミッタに対して相対的に移動し、前記電子ビームエミッタのそれぞれが、前記記憶媒体の前記対象領域のうちの対応する１つに電子ビームを供給するように構成された、複数の電子ビームエミッタと、
前記電子ビームエミッタのうちの少なくとも１つが前記対象領域のうちの対応する１つに電子ビームを供給するように構成された、第１の電流源(102)と、
前記複数の電子ビームエミッタに近接して配置され、磁界の影響を低減し、前記電子ビームエミッタのうちの１つから放出された電子が意図する軌道から逸脱する傾向を低減するように構成された、シールド(108)と、
前記シールドの少なくとも一部に隣接して配置され、前記シールドとの間に交換結合を形成し、複数の磁区を示す前記シールドの傾向を前記交換結合によって低減するように構成された安定化層(110)と、
からなるメモリ装置(100)。
【請求項２】
前記シールドは、前記記憶媒体の前記電子ビームエミッタとは反対側の面に配置される、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項３】
前記シールドは、第１のシールド構成要素(902)と第２のシールド構成要素(904)とを含み、前記電子ビームエミッタおよび前記記憶媒体は、前記第１のシールド構成要素と前記第２のシールド構成要素との間に配置される、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項４】
前記シールドは、約１００(cgs)よりも大きい比透磁率の材料から形成される、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項５】
前記シールドは、約２００(cgs)よりも小さい比透磁率の材料から形成される、請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項６】
メモリ装置に対する磁界の影響を低減する方法であって、
記憶媒体(106)と、該記憶媒体と電気通信するように構成された複数の電子ビームエミッタ(202,204)とを有するメモリ装置(100)を設けるステップであって、前記記憶媒体が前記複数のエミッタに対して相対的に移動し、前記エミッタのそれぞれが、前記記憶媒体の対応する対象領域内に電子ビームを供給するように構成され、前記対象領域のそれぞれの中に記憶領域が形成され、該記憶領域が、該記憶領域に格納された情報を表すように複数の構造状態のうちの１つに構成されるものである、メモリ装置を設けるステップと、
前記複数のエミッタに近接してシールド(108)を配置し、前記エミッタから供給される電子を磁界からシールドすることにより、前記エミッタのうちの１つから放出された電子が意図する軌道から逸脱する傾向を低減するステップと、
複数の磁区を示す前記シールドの傾向を低減するステップと、
からなる方法。
【請求項７】
前記設けるステップは、前記シールドを前記記憶媒体に接着するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、概してデータ記憶装置に関し、より詳細には、アトミック・レゾリューション・ストレージ（ＡＲＳ）技術を採用するデータ記憶装置に起こりがちな潜在的な影響、例えば磁界などの影響を軽減するためのシステム及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
より大容量で、高速のメモリ装置への消費者の強い要望によって、アトミック・レゾリューション・ストレージ（ＡＲＳ）のようなメモリ記憶技術の開発が進められてきた。周知のように、ＡＲＳ技術を採用する記憶装置は、電解エミッタのような多数の電子エミッタを含み、記憶媒体の様々な記憶領域に対してデータの書き込みまたは読み出しに適応する。
【０００３】
動作中に、エミッタから対応する記憶領域に向けて電子ビーム流が抽出される。エミッタから記憶領域へのデータの書込みは、電子ビーム流の電力密度を一時的に増加させ、その記憶領域の表面の構造的な状態を変更することにより行なわれる。これに対して、記憶領域からのデータの読出しは、エミッタの電子ビームに対するその記憶領域の作用、あるいはその記憶領域への電子ビームの作用を観測することにより行なわれる。より具体的には、読出しは典型的には、電子ビーム、すなわちその記憶領域にデータを書き込むために用いられる電子ビームの電力密度より小さい電力密度を有する電子ビームを、その記憶媒体に加えたときの、二次電子および／または後方散乱電子を収集することにより行なわれる。
【０００４】
ＡＲＳ記憶媒体は、電子ビームにより構造状態を結晶からアモルファスへ変化させることができることを特徴とする材料から形成される。アモルファス状態は、結晶状態とは異なる二次電子放射係数（ＳＥＥＣ）および後方散乱電子係数（ＢＥＣ）を有するため、その時点での記憶領域の構造状態に依存して、異なる数の二次電子および後方散乱電子が、電子ビームに応答して各記憶領域から放出される。したがって、二次電子および後方散乱電子の数を計測することにより、記憶領域の構造状態、即ち、記憶領域に格納されたデータを判定することができる。
【０００５】
ＡＲＳ記憶装置が適切に機能するためには、特定のエミッタによって放出される電子ビームが、関連する記憶領域へ電子を供給するように方向付けられなければならない。エミッタから供給される電子ビーム中の電子は、外部で生じた磁界などにより軌道を変更される場合があり、このような磁界は、ＡＲＳ記憶装置が記憶媒体に対して読出しおよび／または書込みを行う能力に誤りを生じさせる可能性がある。例えば、磁界は、電子ビームの軌道に悪影響を及ぼす場合があり、電子ビームが関連する記憶領域へ適切に記録されないようにする場合がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
それゆえ、本発明の目的は、従来技術のこれらの短所および／または他の短所に対処する、改善された装置、システムおよび方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
簡単に述べると、本発明は、アトミック・レゾリューション・ストレージ（ＡＲＳ）技術に関連する。この観点からすると、本発明の実施形態は、ＡＲＳ技術を用いるメモリ装置を提供するものと解釈することもできる。メモリ装置の好ましい実施形態は、１つ以上の対象領域を定義する記憶媒体を含んでいる。この対象領域のそれぞれは、複数の構造状態のうちの１つに構成可能である記憶領域を含んでいる。典型的には、構造状態は、その記憶領域に格納された情報を表す。電子ビームエミッタは、その記憶媒体と電気的に通信し、記憶媒体およびエミッタは、互いに対して移動するように構成されている。そのように構成されるため、各エミッタは、その対象領域のそれぞれ１つに電子のビームを供給することができる。
【０００８】
またメモリ装置は、エミッタに近接して配置されたシールドも備える。シールドは、磁界の影響を低減し、エミッタの１つから放出される電子が意図した軌道から逸脱する傾向を低減するように構成される。
【０００９】
本発明のいくつかの実施形態は、メモリ装置に対する磁界の影響を低減するための方法を提供するものと解釈することもできる。好ましい方法は、メモリ装置を設けるステップと、エミッタの１つから放出される電子が意図した軌道から逸脱する傾向を低減するように、エミッタから供給される電子を磁界からシールドするステップとを含む。
【００１０】
本発明の他の特徴および利点は、添付の図面および以下に記載される詳細な説明を検討する際に、当業者には明らかになるであろう。これらの特徴および利点は、すべて付記した特許請求の範囲で規定される本発明の範囲に含まれることを意図している。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明は、添付の図面を参照すれば、さらに理解を深めることができる。図面内の構成要素は、必ずしも寸法通りに示されるわけではなく、本発明の原理を分かりやすく示すことに重点が置かれている。
【００１２】
ここで、図面が参照することになるが、同じ符号は、いくつかの図面を通して対応する部品を示している。図１に示されるように、本発明のメモリ装置１００の好ましい実施形態は、電流源１０２を備える。電流源１０２は、記憶媒体１０６に対するデータの読出しおよび／または書込みを可能にするため、読出し／書込み構成要素１０４へ電流を供給する。また記憶装置１００には、様々な構成でシールド１０８を設けることが可能であり、これについては詳細を後述する。さらに、メモリ装置１００は、ＡＲＳ技術を用いてデータの記憶および取得を行う。
【００１３】
図２は、ＡＲＳ技術を用いるメモリ装置１００の好ましい実施形態を概略的に示している。図２には、記憶媒体１０６から読出しを行う典型的なエミッタ２０２および２０４、たとえば電界エミッタが示されている。詳細には、エミッタ２０２は記憶領域２０６から読出しを行っており、エミッタ２０４は記憶領域２０８から読出しを行っている。記憶領域２０６および２０８は、上記のように、異なる構造状態が与えられる。このように異なる構造が与えられた場合、供給源、たとえば電流源１０２から供給された電子がエミッタから放出されて各記憶領域内に入射すると、記憶領域のそれぞれに対して、異なる数の二次電子および／または後方散乱電子が検出される。二次電子および／または後方散乱電子の検出は、電子コレクタ、たとえばコレクタ２１０および２１２によって行うことができる。用語「読出し／書込み構成要素」は、本明細書において用いる場合、１つ以上のエミッタを指して用いる場合と、それに関連するコレクタも含めて指す場合とがある。さらに、用語「エミッタ」は、本明細書においては、電界エミッタ、バリスティックエミッタ、準バリスティックエミッタ、フラットエミッタ等のような任意のエミッタ構成を指して用いられる。
【００１４】
動作時に、電子コレクタによって収集された信号電流の大きさがモニタされる。判定された大きさに基づいて、記憶領域の構造状態、即ちその記憶領域に格納されたデータを識別することができる。典型的には、所与の記憶領域に格納されたデータは１ビットに対応する。ある記憶領域から収集される二次電子および／または後方散乱電子の数の差を、それとは異なる構造状態を有する記憶領域と比較した場合、材料の種類および／またはその材料に対して成された変更の種類に応じて、大きい場合も小さい場合もあることに留意されたい。
【００１５】
動作原理
以下の解析は、磁界への露出、たとえばＡＲＳ技術を用いるメモリ装置を磁界に露出することによって、予防措置を講じなければ、そのような装置に影響が及ぼす可能性があることを示すことを意図している。
【００１６】
問題のおおもとは、電子が記憶媒体内に移動する際に、磁界がメモリ装置のエミッタから放出される電子と相互作用する可能性があるということにある。相互作用は、ローレンツ力Ｆ＝ｑe（ｖ×Ｂ）に起因する。この力は常に、電子の移動方向に垂直に作用し、それゆえ、移動の方向のみを変化させ、たとえば、運動量のエネルギーおよび大きさは一定のままである。問題とされるＢの成分は、媒体（x,y成分）と同一面内にある成分のみである。以下では、Ｂy成分の解析が与えられるが、Ｂx成分の場合も同じである。計算のため、電子は３００ｅＶのエネルギーでエミッタを離れ、先端部と媒体との間隔は１μｍであるものと仮定する。一定の磁界、Ｂyの作用の解析は、電子が、以下の式によって与えられる半径Ｒ（図３）の円（螺旋）内を移動することを示す。
Ｒ＝ｐｃ／３×１０8Ｂy［ｍ］
ただし、ｐｃの単位はｅＶであり、Ｂの単位はＷｂ／ｍ2である。次に、幾何学的な解析により、以下の式が生成される。
ｓｉｎθ＝ｄ／Ｒ＝Δｘ／ｄ
これは、Ｂy成分に起因するオフセットを与える。
Δｘ＝ｄ２／Ｒ＝ｄ2３×１０8Ｂy／ｐｃ
その際、その媒体において公称値から４ｎｍ（公称スポットサイズの約１０％）だけ電子軌道を移動させることができる磁界は、以下の式によって与えられる。
Ｂy＝ｐｃΔｘ／３×１０8ｄ2＝３００（４×１０-9）／３×１０8（１×１０-6）2
＝４×１０-3Ｗｂ／ｍ2＝３，１６０［Ａ／ｍ］  （４０Ｏｅ）
【００１７】
この結果の大きさを与えるとき、実際の大きさの磁界（すなわち、一般に影響を及ぼす磁界）は、シールドを設けなければ、ＡＲＳ装置の性能に影響を及ぼすようになるものと考えられる。
【００１８】
典型的な実施例
ここで図４〜図６を参照して、本発明を実施することができるＡＲＳシステムの他の実施形態を詳細に説明する。これらの図面は、米国特許第５，５５７，５９６号に開示、説明されており、本明細書で参照することによりその全部を援用する。しかしながら、本明細書で例示され説明されるＡＲＳシステムは、本発明で用いられることになる唯一のＡＲＳシステムではないことに留意されたい。逆に、本発明は、記憶媒体に対してデータの書込みおよび／または読出しを行えるＡＲＳシステムであれば、様々な種類および構成のＡＲＳシステムを用いることができる。
【００１９】
図４は、ＡＲＳ記憶領域に対してデータの書込みおよび／または読出しを行う技術を概略的に示している。図４に示されるように、記憶媒体４００はダイオード構造に基づいており、そのダイオード構造として、ＰＮ接合、ショットキー障壁あるいは任意の他の種類の電子管を用いることができる。データの格納は、ダイオードの表面を局部的に変更することにより行なわれ、変更された領域によって生成される少数キャリアの収集効率が変更されない領域の収集効率とは異なるようにすることによりデータが格納される。少数キャリアの収集効率は、ダイオード接合４０２が外部回路４０４によってバイアスされて信号電流４０６が外部回路に流れるときに、ダイオード接合部４０２を通り抜ける瞬時的な電子によって生成される少数キャリアの割合として定義される。図４には、好ましい外部回路４０４を例示しているが、この回路は例示の目的でのみ設けられていることは理解されよう。
【００２０】
動作時に、エミッタ４０８および４１０は、ダイオード４００の表面上に狭い電子ビームを放射する。入射する電子は、ダイオードの表面付近に電子−ホール対を励起する。ダイオードは外部回路４０４によって逆方向にバイアスされているので、入射する電子によって生成される少数キャリアは、ダイオード接合部４０２に向けて移動する。接合部４０２に達した電子は、その後、接合部を通り抜ける。したがって、接合部に達する前に多数キャリアと再結合しない少数キャリアは、接合部を通り抜け、外部回路４０４に電流が生じる。
【００２１】
ダイオード４００への書込みは、ダイオードの物理的な特性を局部的に変更するのに十分な電力密度まで、電子ビームの電力密度を増加させることにより行なわれる。この変更は、同じ領域に低電力密度（読出し）の電子ビームが照射されるときに、接合部４０２を通り抜ける少数キャリアの数に影響を及ぼす。たとえば、書き込まれた領域４１２における再結合の割合は、書き込まれていない領域４１４に対して増加させることが可能であり、書き込まれた領域４１２において生成される少数キャリアが接合部４０２に到達して接合部を通り抜ける機会を得る前に、少数キャリアと再結合する可能性が高くなるように変更される。それゆえ、書き込まれていない領域４１４に読出し電子ビームが入射するときよりも、書き込まれた領域４１２に読出し電子ビームが入射するときの方が、外部回路４０４内を流れる電流は小さくなる。逆に、高い再結合の割合を有するダイオード構造で開始し、再結合の割合を局部的に減少させることによりデータを書き込むこともできる。このような実施形態では、少数キャリアに起因する電流の大きさは、記憶領域の状態に依存しており、電流は、格納されたビットを指示するための外部信号を出力し続ける。
【００２２】
図５および図６は、メモリ装置１００の一実施形態を示す。これについて説明すると、図５は、メモリ装置１００の側面断面図を示しており、複数の電界エミッタ５０２、複数の記憶領域５０６を含む記憶媒体５０４、および、記憶媒体を電解エミッタに対してあるいはその逆に走査する超小型可動子（マイクロムーバ）５０８が含まれている。好ましい実施形態では、各記憶領域５０６は、１ビットの情報を格納する役割を果たす。上記のように、電界エミッタは、電子ビームを用いて記憶領域に対してデータの読出しおよび／または書込みを行うための役割を果たす。したがって、本発明のために適した電界エミッタは、記憶媒体の所望のビット密度を達成するのに十分な狭さの電子ビームを生成し、かつ、記憶媒体に対して読出しおよび書込みを行うのに必要とされる電力密度のビーム電流を供給する電子ビームを生成する種類からなることが好ましい。しかしながら、上記のように、他の応用形態では、様々な他の種類のエミッタを用いることもできる。
【００２３】
動作中に、電界エミッタ５０２と、そのエミッタを取り囲む円形ゲート５１０のような対応するゲートとの間に所定の電位差が与えられる。電位差が与えられると、電子ビーム流がエミッタ５０２から抽出され、記憶領域５０６に入る。エミッタ５０２と記憶媒体５０４との距離、エミッタの種類、および必要とされるスポットサイズ（たとえばビットサイズ）に応じて、電子ビームを集束させるのに電子光学系が有用な場合がある。放出される電子を加速または減速するために、あるいは放出される電子を集束しやすくするために、記憶媒体５０４にも電圧が印加される場合がある。記憶媒体５０４を部分的真空状態に維持する筐体５１２が設けられる場合もある。
【００２４】
図６は、図５の断面Ａ−Ａの平面図であり、２組の薄壁状に微細加工された梁６１４および６１６と、６１８および６２０とによって保持されている記憶媒体５０４を示している。この図では、梁状の超小型可動子が例示および記載されているが、様々な他の種類および構成の超小型可動子を、本発明に用いることができる。第１の薄壁形梁の組の面、すなわち６１４および６１６の面は、Ｙ−Ｚ平面内にある。この梁の組は、Ｘ方向に曲げることが可能であり、記憶媒体５０４が筐体５１２に対してＸ方向に移動できるようにしている。第２の薄壁状梁の組、すなわち６１８および６２０の面は、Ｘ−Ｚ平面内にある。この梁の組によって、記憶媒体５０４が筐体５１２に対してＹ方向に移動できるようにしている。記憶媒体は、フレーム６２２に対して第１の梁の組によって保持される。フレームは、筐体５１２に対して第２の梁の組によって保持される。したがって、静電的、電磁的、圧電的または任意の他の適当な方法および／または機構によって、電界エミッタは記憶媒体５０４上を、あるいは、記憶媒体５０４は電界エミッタ上を、Ｘ−Ｙ方向に走査することが可能である。
【００２５】
図７に示すように、メモリ装置１００は、エミッタ２０２および／または２０４などのエミッタから供給される電子の射出先に誤りを増加させる磁界の影響を減少させるように構成されたシールド１０８を含むことができる。より具体的には、シールド１０８は、１つ以上のエミッタから供給される電子の経路が磁界により変更されることを防止し、ビームからの電子が、記憶媒体１０６の適切な部分へ供給されるようにすることを目的としている。図７に示されるシールドの実施形態では、シールドは、エミッタの反対側にある記憶媒体の側に配置されているが、種々の他の構成のシールドを用いることもできる。
【００２６】
図７では、シールド１０８は、メモリ装置の構成要素に取り付けられた材料の平坦なシートとして、例えば接着により、構成することが可能である。たとえば、シールド１０８は、記憶媒体１０６に直接取り付けることが可能であり、あるいは、他の実施形態としては、記憶媒体とシールドとの間に配置される構成要素に取り付けることも可能である。
【００２７】
シールド１０８は、有効範囲、すなわちその距離を超えるとシールドが所望の効果を与えなくなる距離によって特徴付けられるため、多くの場合、シールドされる電子ビームに近接してシールドを配置することが望ましい。電子ビームに近接してシールドを配置することにより、他の利点も得られる場合がある。たとえば、シールドと電子ビームとの間隔を短くすることにより、より小さなサイズのシールドを用いることが可能になる。またサイズを縮小することにより、シールドを形成するための材料も削減することができ、さらに重量も軽減することができるため、より小型の、低コストのおよび／またはより軽量のメモリ装置を形成することが可能になる。
【００２８】
種々の材料がシールドとして用いるのに適している。例として、実施形態によっては、約１００〜２００（ｃｇｓ）よりも大きい比透磁率を有する材料を用いることが望ましい場合がある。記憶媒体に対するエミッタの予想される構成により、比透磁率が小さいとシールドが弱くなる場合があり、比透磁率が極めて大きくてもシールド能力の大幅な相対的改善がなされない場合がある。シールドを形成するのに適した材料の代表的な例としては、ミューメタル、ニッケル鉄およびＣＺＴ（テルル化カドミウム亜鉛）等が含まれるが、これらに限定されるわけではない。
【００２９】
先に簡単に説明したように、１つ以上のシールドを様々な構成で設けることが可能であり、その構成には、図７、図８および図９のようにメモリ装置の１つ以上の構成要素に薄い材料のシートを取り付けること、図１０のようにシールド材料から形成された囲いを電子ビームを取り囲むように設けることなどが含まれる。
【００３０】
フィルムの形態で設けられる材料の使用について説明すると、これらの材料は、磁区を形成する傾向を有する場合がある。特に問題となるのは、磁区が異なる磁気特性を有し、それにより磁界を自己生成する可能性である。これらの自己生成される磁界は、メモリ装置の電子ビームに対して射出先の誤りを引き起こす傾向があるため、安定化層１１０（図７）が設けられる場合がある。安定化層が用いられる場合、安定化層はシールドの材料と交換結合を形成し、特定の磁気構成をシールド内に閉じ込めるように構成される。実施形態によっては、シールドの材料が外部磁界に反応できるように、弱い交換結合が好ましい場合がある。安定化層を形成するために種々の材料を用いることができるが、非強磁性材料およびコバルトニッケルが、用いることのできる材料の代表的な例であると考えられる。
【００３１】
次に図９に示される実施形態を参照すると、多数のシールド構成要素、たとえばシールド構成要素９０２および９０４が設けられる場合がある。より具体的には、図９に示される実施形態では、シールド構成要素９０２はエミッタ２０２および２０４と反対側にある記憶媒体１０６の側に配置され、シールド構成要素９０４は、エミッタが記憶媒体とシールド構成要素９０４との間に配置されるように配置される。いくつかの実施形態では、シールド構成要素９０２および９０４は、概ね平坦な構造体として設けられる場合がある。理論的には、当業者であれば容易にわかるように、シールド構成要素が適切な大きさに形成される場合には、記憶媒体の周辺に近接して配置されない電子ビームに対しても、相対的に高い度合いのシールド効果がそのような電子ビームに与えられる場合がある。
【００３２】
図１０の典型的な実施形態に示されるように、より高い度合いのシールド効果を必要とする可能性のあるこれらの実施形態の場合、シールド１００２は、メモリ装置１００の電子ビームを完全に包み込むように設けられる場合がある。そのようなシールドは、メモリ装置の電子ビームに関して１つ以上の様々な場所に設けられる場合がある。たとえば、シールドは、エミッタおよび記憶媒体の周囲にのみ配置される場合があり、また、別の実施形態では、シールドは、メモリ装置のさらに多くの構成要素を包み込む場合がある。
【００３３】
上記の記載は、例示および説明のために提供されてきた。それは、本発明を網羅することや、本発明を開示されるものと全く同じ形態に限定することは、意図していない。上記の教示に鑑みて、多くの変更形態および変形形態が実現可能である。しかしながら、説明された実施形態は、本発明の原理およびその実用的な応用形態の最良の例示を提供し、それにより当業者が、考慮される特定の利用形態に相応しいように、種々の実施形態および種々の変更形態で本発明を利用できるように選択され、記載された。全てのそのような変更形態および変形形態は、それらが公平に、かつ合法的に権利を与えられる広さにしたがって解釈される場合には、添付の特許請求の範囲によって判定されるような本発明の範囲内に入る。
【００３４】
以下においては、本発明の種々の構成要件の組み合わせからなる例示的な実施態様を示す。
１．複数の対象領域を有する記憶媒体(106)であって、前記対象領域のそれぞれが記憶領域を有し、前記記憶領域のそれぞれが前記記憶領域に格納された情報を表すための複数の構造状態のうちの１つに構成可能である、記憶媒体と、
前記記憶媒体と電気的に通信するように構成された複数の電子ビームエミッタ(202,204)であって、前記記憶媒体と前記複数のエミッタとが互いに対して移動して、前記電子ビームエミッタのそれぞれが前記記憶媒体の前記対象領域のうちのそれぞれ１つに電子ビームを供給することができるように構成される、複数の電子ビームエミッタと、
前記電子ビームエミッタのうちの少なくとも１つが、前記対象領域のそれぞれ１つに電子のビームを供給できるように構成される、第１の電流源(102)と、
前記複数の電子ビームエミッタに近接して配置され、前記電子ビームエミッタのうちの１つから放出される電子が意図した軌道から逸脱する傾向を低減し、磁界の影響を低減するように構成されるシールド(108)と、
からなるメモリ装置(100)。
２．前記シールドは、前記電子ビームエミッタと反対側にある前記記憶媒体の側に配置される項番１のメモリ装置。
３．前記シールドは、第１のシールド構成要素(902)と第２のシールド構成要素(904)とを含み、前記電子ビームエミッタおよび前記記憶媒体は、前記第１のシールド構成要素と前記第２のシールド構成要素との間に配置される項番１のメモリ装置。
４．前記シールドは、約１００(cgs)より大きい比透磁率を有する材料から形成される、項番１のメモリ装置。
５．前記シールドは、約２００(cgs)より小さい比透磁率を有する材料から形成される項番１のメモリ装置。
６．前記シールドの少なくとも一部に隣接して配置される安定化層(110)をさらに含み、前記安定化層が前記シールドとの交換結合を形成し、前記交換結合により前記シールドの多数の磁区を示す傾向を低減させる、項番１のメモリ装置。
７．前記シールドの多数の磁区を示す傾向を低減するための手段をさらに含む、項番１のメモリ装置。
８．メモリ装置に対する磁界の影響を低減するための方法であって、
記憶媒体(106)と、該記憶媒体と電気的に通信するように構成される複数の電子ビームエミッタ(202,204)とを有するメモリ装置(100)を設けるステップであって、前記記憶媒体と前記複数のエミッタは、前記エミッタのそれぞれが前記記憶媒体の各対象領域内に電子ビームを供給するように互いに対して移動するように構成され、前記対象領域のそれぞれは該対象領域の中に形成された記憶領域を有し、前記記憶領域は該記憶領域に格納された情報を表すために複数の構造状態のうちの１つに構成可能であるようにメモリ装置を設けるステップと、
前記エミッタのうちの１つから放出される電子が意図する軌道から逸脱する傾向を低減させるように、前記エミッタから供給される電子を磁界からシールドするステップと、
からなる方法。
９．前記シールドするステップは、前記磁界の影響を低減するように構成されるシールド(108)を前記複数のエミッタに近接して配置するステップを含む、項番８の方法。
１０．前記配置するステップは、前記シールドを前記記憶媒体に接着するステップを含む、項番９の方法。
【００３５】
【発明の効果】
上記のように、本発明によれば、従来技術の短所を改善し、磁界、たとえば外部で発生した磁界によって、アトミック・レゾリューション・ストレージ（ＡＲＳ）技術を用いるデータ記憶装置に生じる危険性がある潜在的な作用を低減するためのシステムおよび方法を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のメモリ装置の好ましい実施形態の略図である。
【図２】図１のメモリ装置の一実施形態を示す略図であり、エミッタが記憶媒体から読出しを行うところを示している。
【図３】磁界によって影響を受ける代表的な電子の軌道を示す略図である。
【図４】図１のメモリ装置の一実施形態を示す略図であり、エミッタが記憶装置から読出しを行うところを示している。
【図５】図１のメモリ装置の好ましい実施形態を示す略図である。
【図６】図５のメモリ装置を線Ａ−Ａに沿って切った略図である。
【図７】図１の記憶装置の一実施形態を示す略図である。
【図８】図１の記憶装置の一実施形態を示す略図である。
【図９】図１の記憶装置の一実施形態を示す略図である。
【図１０】図１の記憶装置の一実施形態を示す略図である。
【符号の説明】
１００  メモリ装置
１０２  電流源
１０６  記憶媒体
１０８  シールド
１１０  安定化層
２０２、２０４  電子ビームエミッタ
９０２  第１のシールド構成要素
９０４  第２のシールド構成要素
【図１】
0003866124.tif 000002
【図２】
0003866124.tif 000003
【図３】
0003866124.tif 000004
【図４】
0003866124.tif 000005
【図５】
0003866124.tif 000006
【図６】
0003866124.tif 000007
【図７】
0003866124.tif 000008
【図８】
0003866124.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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