(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン基板上に形成した複数の微小パターンの薄膜を対向基板上に順々に接合して転写することにより微小構造体を製造する微小構造体の製造方法において、
前記対向基板は、前記複数の微小パターンの薄膜が転写される側に所定の面積の接触面を有する凸状のメサ台地部を形成するとともに、前記接触面と反対側の面に前記メサ台地部の前記接触面の面積と同一或いはそれ以下の面積の接触面を有する突出部を形成したものであり、
前記パターン基板上の前記複数の微小パターンの薄膜の前記対向基板への転写は、前記突出部を介して付与された荷重によって前記メサ台地部の前記接触面をそれぞれの薄膜に圧接することにより行うことを特徴とする微小構造体の製造方法。
【請求項２】
前記対向基板の形成は、前記メサ台地部と前記突出部を同一形状にすることを特徴とする請求項１記載の微小構造体の製造方法。
【請求項３】
前記対向基板の形成は、前記メサ台地部を有する主基板の平坦面側と、前記突出部を有する補助基板の平坦面側を貼着して行うことを特徴とする請求項１記載の微小構造体の製造方法。
【請求項４】
前記対向基板への荷重の付与は、前記突出部の前記接触面と荷重伝達手段の上ステージとを直接接触させ、前記突出部の周囲にワックスを配置させて行うことを特徴とする請求項２または３記載の微小構造体の製造方法。
【請求項５】
前記対向基板によるそれぞれの薄膜の圧接は、前記メサ台地部の前記接触面を円弧状に形成し、前記突出部の表面を平面に形成し、前記突出部の表面へ荷重を伝達することにより行うことを特徴とする請求項１記載の微小構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微小構造体の製造方法に関し、特に、微小ギア、微細光学部品等の微小部品、或いは前記微小部品を射出成形するための金型の原形などをパターン基板から対向基板へ薄膜パターンを転写することにより製造する微小構造体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
微小ギアや微細光学部品等の微小部品の製作方法の１つである積層造形方法は、コンピュータで設計された複雑な形状の３次元物体を短時間で形成可能な方法として、近年、急速に普及している。積層造形方法により作成された３次元物体は、種々の装置の部品のモデル（プロトタイプ）として、部品の動作や形状の良否を調べるために利用される。
【０００３】
積層造形方法として、従来より、特開平１０−３０５４８８号公報、特開平１１−２８７６８号公報、特開平１１−６１４３６号公報、特開平１１−１５１７５４号公報、１９９８年度精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集、Ｐ６５．１９９８等において提案されているものがある。いずれも、基板上に薄膜を形成した後、この薄膜を微小構造体の断面形状にパターニングし、得られた薄膜パターンを常温接合などの方法によりパターン基板から対向基板へ順次積層することにより３次元形状の微小構造体を作製するものである。
【０００４】
図１５、図１６、図１７、図１８、及び図１９は従来の微小構造体の製造方法の工程を示す。以下においては、（１）対向基板作製工程、（２）パターン基板作製工程、（３）積層工程の３つの工程に分けて説明する。
（１）対向基板作製工程
図１５は対向基板の作製工程を示す。
基板にはＳｉウェハ５０１を用いる。このＳｉウェハ５０１を酸化炉に入れ、Ｓｉウェハ５０１の両面に０．３μｍ厚の熱酸化膜５０２を形成する。ついで、図１５の（ａ），（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ（Photolithography）法により熱酸化膜５０２によるパターンを形成する。すなわち、Ｓｉウェハ５０１の表面にフォトレジスト５０３を塗布し、ついで露光、現像、及びエッチングを順次実行する。エッチングは、フォトレジスト５０３をマスクにして行われ、エッチング後にレジストを剥離することによりパターン形成が完成する。
【０００５】
次に、図１５の（ｃ）に示すように、熱酸化膜５０２をマスクにして、Ｓｉウェハ５０１を所定の深さにエッチングする。エッチング後、図１５の（ｄ）に示すように、スパッタリング法によりＡｌ（アルミニウム）膜５０４を着膜する。この後、Ｓｉウェハ５０１をダイシングすれば、対向基板６０１の作製が完了する。対向基板６０１はメサ台地６０１ａとオーバーハング部６０１ｂを有して作製される。その理由は、ダイシングのときにオーバーハング部６０１ｂのエッジに生じるチッピングが、パターン基板との面接触の妨げにならないようにとの配慮によるものである。
【０００６】
（２）パターン基板作製工程
図１６はパターン基板の作製工程を示す。
まず、図１６の（ａ）に示すように、基板としてＳｉウェハ５０５を用いる。この表面に離型層としてのポリイミド５０６をスピンコート法により形成してパターン基板６０２を作製する。次に、その表面にＡｌ薄膜５０７をスパッタリング法により着膜する。ついで、図１６の（ｂ）に示すように、Ａｌ薄膜５０７の表面にフォトレジスト５０８を塗布し、フォトリソグラフィー法により薄膜パターン５０７をエッチングし、所望の微小構造体の複数の断面形状に対応した複数の薄膜パターン（ここでは、薄膜パターン５０７ａの一個のみを図示）を形成する。この後、フォトレジスト５０８を除去する。
【０００７】
（３）積層工程
図１７は積層工程の第１段階を示す。
図１７に示すように、まず、上記（１）の工程で作製した対向基板６０１と上記（２）の工程で作製したパターン基板６０２を準備する。ついで、真空槽６０５内に配置された上ステージ６０３に対向基板６０１を装着し、真空槽６０５内に配置された下ステージ６０４にパターン基板６０２（薄膜パターン５０７ａが形成さている）を装着する。各基板を装着した後、真空槽６０５内を排気し、真空槽６０５内を真空にする。次に、対向基板６０１の表面及びパターン基板６０２の表面をＦＡＢ（Fast Atom Beam）処理により清浄化する。このＦＡＢ処理は、例えば、Ａｒガスを１ｋＶ程度の電圧で加速し、Ａｒ原子ビーム６０６を対向基板６０１及びパターン基板６０２上の薄膜パターン５０７ａの表面に照射し、表面の酸化膜、不純物などを除去するために行われる。
【０００８】
図１８は積層工程の第２段階を示す。
まず、対向基板６０１とパターン基板６０２を接近するように上ステージ６０３と下ステージ６０４を相対接近させ、最終的に対向基板６０１の表面と薄膜パターン５０７ａの表面を接触させる。この接触状態のまま、ステージ間に、例えば５０ｋｇｆ／ｃｍ2 の荷重を付与して５分間押し付けたままにし、対向基板６０１と薄膜パターン５０７ａを接合する。
【０００９】
図１９は積層工程の第３段階を示す。
図１８の状態から、上ステージ６０３と下ステージ６０４を初期位置に戻すと、薄膜パターン５０７ａの下地に離型層としてポリイミド５０６が形成されているため、薄膜パターン５０７ａと対向基板６０１の接合力の方が薄膜パターン５０７ａとポリイミド５０６の密着力よりも大きいため、薄膜パターン５０７ａはパターン基板６０２上から対向基板６０１に転写される。
【００１０】
同様に、第２以降のＡｌ薄膜パターンについても、ＦＡＢ照射、接合、転写を順次行う。これにより、第１のＡｌ薄膜パターンの上に第２以降の薄膜が積層される。この場合、１回目のように対向基板６０１の表面にＦＡＢ照射を行うのではなく、第１のＡｌ薄膜パターンの表面にＦＡＢ照射が行われる。また、第１のＡｌ薄膜パターンと第２のＡｌ薄膜パターンの相対的な位置出しは、ステージ側又は基板側にｘ−ｙ平面内のアライメント機構を設けて行われる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の微小構造体の製造方法によると、以下に述べる問題がある。
図２０は薄膜パターンの転写時の対向基板側の荷重分布を示す。図２０の（ａ）は接合時に荷重が加えられているときの対向基板６０１及び上ステージ６０３の変形状態を示し、図２０の（ｂ）は対向基板６０１の薄膜パターン５０７ａの接触面における圧力分布を示し、図２０の（ｃ）は対向基板６０１のメサ台地への薄膜パターン５０７ａの転写結果を示す。
【００１２】
圧接時（転写時）には、上ステージ６０３側から対向基板６０１には均一な荷重が印加される。しかし、パターン基板６０２と接触しているのは対向基板６０１のメサ台地６０１ａの部分だけなので、図２０の（ａ）に示すように、オーバーハング部６０１ｂに加わる荷重によって対向基板６０１には反りが生じる。この反りにより、メサ台地６０１ａの周辺に加わる圧力Ｐ1 が中央に加わる圧力Ｐ2 に比べて大きくなり、図２０の（ｂ）に示すように、メサ台地６０１ａ内に不均一な圧力分布が生じる。このため、図２０の（ｃ）に示すように、薄膜パターン５０７ａは対向基板６０１のメサ台地６０１ａの周囲にのみ転写（図中の薄膜パターン転写部５０７ａ）され、中央部には転写されない（図中の薄膜パターン末転写部５０７ｂ）。この様に、薄膜パターン５０７ａをメサ台地６０１ａの全面に転写できないということは、微小構造体の欠落や歩留まりの低下につながる。
【００１３】
一方、対向基板６０１にオーバーハング部６０１ｂが設けられていないとすれば、対向基板６０１に反りは生じない。しかし、対向基板６０１のダイシング時に生じるチッピングがパターン基板６０２との接触を妨げるため、薄膜パターン５０７ａを対向基板６０１に転写できなくなる。また、対向基板６０１をハンドリングするには、オーバーハング部６０１ｂを把持するのが有利であり、これにより接合面であるメサ台地６０１ａの表面に搬送機構が接触するのを防止でき、表面に傷がつくことはない。したがって、オーバーハング部６０１ｂの存在は対向基板６０１にとって必須であり、無くすことはできない。
【００１４】
したがって、本発明の目的は、パターン基板側と対向基板との接触面の加圧力分布を均一にし、微小構造体の製造歩留まりを高めることが可能な微小構造体の製造方法を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するため、パターン基板上に形成した複数の微小パターンの薄膜を対向基板上に順々に接合して転写することにより微小構造体を製造する微小構造体の製造方法において、前記対向基板は、前記複数の微小パターンの薄膜が転写される側に所定の面積の接触面を有する凸状のメサ台地部を形成するとともに、前記接触面と反対側の面に前記メサ台地部の前記接触面の面積と同一或いはそれ以下の面積の接触面を有する突出部を形成したものであり、前記パターン基板上の前記複数の微小パターンの薄膜の前記対向基板への転写は、前記突出部を介して付与された荷重によって前記メサ台地部の前記接触面をそれぞれの薄膜に圧接することにより行うことを特徴とする微小構造体の製造方法を提供する。
【００１６】
この方法によれば、対向基板とパターン基板が圧接した際、その接触面（転写面）に印加された荷重は、接触面の全面に均等に伝達される。この結果、パターン基板上の薄膜は対向基板の接触面の全面に転写され、微小構造体の製造歩留まりを高めることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は本発明方法を実現する微小構造体の製造装置を示す。
真空ポンプ等を含む不図示の真空装置を備えた真空槽１０１内の下部には、ｚ方向への移動及びθ方向の回転がシャフト１０２ａによって可能な下ステージ１０２が配置されている。また、真空槽１０１内の上部には、ｘ方向及びｙ方向へ移動可能な上ステージ１０３がシャフト１０４に支持された状態で配置されている。下ステージ１０２は上部に静電チャック１１３を備えており、この静電チャック１１３の電極間に所定の電圧を印加することにより、パターン基板１０５は静電気により保持および固定される。また、上ステージ１０３の下面には、対向基板１０６が装着される。そして、上ステージ１０３の両サイドの下端部には、顕微鏡１１４ａ，１１４ｂ（或いは、位置合わせ用の検出部）が設けられている。この顕微鏡１１４ａ，１１４ｂを用いることにより、薄膜パターン形成時に基板上に形成されたアライメントマーク（図示せず）を認識でき、その認識結果によりアライメントが行われる。
【００１８】
さらに、真空槽１０１内には、パターン基板１０５と薄膜パターンの表面、及び対向基板１０６の表面を清浄にするためのＦＡＢ装置１０７ａ，１０７ｂが設置されている。パターン基板１０５は、後述するように、表面にポリイミド層３０２が形成されており、このポリイミド層３０２上に薄膜パターンとしてのＡｌ薄膜３０３ａが設けられている。対向基板１０６の転写面には平坦な形状のメサ台地１０６ａが設けられ、上ステージ１０３側の面には凸部１０６ｂが設けられている。これらの周辺部分がオーバーハング部１０６ｃを形成している。メサ台地１０６ａと凸部１０６ｂは、対向基板１０６の表面と裏面の同一位置に設けられている。
【００１９】
図２はパターン基板１０５側から対向基板１０６に荷重を加えたときの圧力分布を示す。図２の（ａ）に示すように、パターン基板１０５側から対向基板１０６に圧力が加えられた場合、図２の（ｂ）に示すように、メサ台地１０６ａに加えられた荷重がすべて凸部１０６ｂに伝えられ、対向基板１０６に付与される。したがって、接触面には荷重が均一に加わり、オーバーハング部１０６ｃを通して対向基板１０６に伝わる荷重は生じないので、対向基板１０６に反りは生じない。この結果、微小構造体の製造歩留まりを高めることが可能になる。
【００２０】
図３の（ａ）〜（ｃ）は、対向基板の他の構成例、および対向基板と上ステージの組み合わせの他の構成例を示す。
図３の（ａ）の対向基板１１０は、同一形状の主基板１０８と補助基板１０９からなり、主基板１０８は片面にメサ台地１０６ａが設けられ、補助基板１０９は凸部１０６ｂが設けられている。主基板１０８の平坦面に補助基板１０９の平坦面を貼着することにより、図１に示した対向基板１０６と同一外形の対向基板１１０が得られる。なお、主基板１０８と補助基板１０９による全体の厚みは、対向基板１０６の厚みと同程度にする。
【００２１】
図３の（ｂ）は、対向基板と上ステージの組み合わせの第１例を示す。本例は、片面にメサ台地１０６ａのみが設けられた対向基板１１１（従来と同一形状）を用い、凸部１０６ｂに相当する凸部１０３ａを上ステージ１０３に設けたところに特徴がある。つまり、上ステージ１０３における対向基板１１１への荷重は凸部１０３ａのみに加わり、オーバーハング部１０１ａには加わらないので、対向基板１１１に反りを生じさせることがない。
【００２２】
図３の（ｃ）は、対向基板と上ステージの組み合わせの第２例を示す。ここでは、図１に示した対向基板１０６を用い、この対向基板１０６を接着材等を用いて固定するのではなく、凸部１０３ａの周囲をワックス１１２で固定し、対向基板１０６の接触面が直に上ステージ１０３に接触するようにしている。上ステージとオーバーハング部１０６ｃの隙間にワックスが入っても、そのヤング率は小さいので実質的に支障がないためである。なお、ワックス１１２は、或る程度の粘性を備えていることが望ましい。
【００２３】
上記した対向基板、ならびに対向基板と上ステージの組み合わせのそれぞれにおいては、パターン基板と対向基板に位置ずれが生じるほど、パターン基板と対向基板の接触面の圧力分布が不均一になる。しかし、対向基板の両面に凸部を設けたメサ形状の構成にし、或いは上ステージに凸部を設けた構成にしたことにより、両面アライナーを用いることによって両面を高精度に同一形状にすることができる。
【００２４】
次に、本発明の微小構造体の製造方法について説明する。以下においては、(i) 対向基板作製工程、(ii)パターン基板作製工程、および(iii) 積層工程に分けて説明する。
(i) 対向基板作製工程
図４、図５および図６は対向基板の一連の作製工程を示す。図４は対向基板の作製工程の第１段階、図５は対向基板の作製工程の第２段階、図６は対向基板の作製工程の第３段階である。まず、両面研磨したＳｉウェハ２０１を基板として準備し、これを酸化炉（図示せず）に入れ、図４の（ａ）に示すように、Ｓｉウェハ２０１の両面に熱酸化膜２０２を０．３μｍの厚みに形成した。以下においては、図４の（ａ）の上側の面をＡ面といい、下側の面をＢ面という。
【００２５】
ついで、図４の（ｂ）に示すように、Ｓｉウェハ２０１のＡ面にレジスト２０３を塗布した後、１３０℃でベーキングし、レジスト２０３を完全に硬化させた。このレジスト２０３は、Ｂ面の熱酸化膜２０２をエッチングする際の保護膜になる。次に、図４の（ｃ）に示すように、Ｓｉウェハ２０１を裏返しにし、フォトリソグラフィ法によりＢ面にフォトレジストを塗布し、露光、および現像を行った。ついで、図４の（ｄ）に示すように、レジスト２０３をマスクにして、Ｂ面の熱酸化膜２０２をフッ酸緩衝液でエッチングし、その後、両面のレジスト２０３を剥離した。
【００２６】
さらに、図５の（ａ）に示すように、Ｂ面にレジスト２０４を塗布して１３０℃でベーキングし、レジスト２０４を完全に硬化させた。このレジスト２０４はＡ面の熱酸化膜２０２をエッチングするときの保護膜になる。次に、図５の（ｂ）に示すように、Ｓｉウェハ２０１を裏返しにし、Ａ面にフォトレジスト２０５を塗布した後、両面アライナーを用いてＢ面にパターニングされた熱酸化膜２０２の位置（図中の点線位置）に対応するようにレジスト２０５を露光し、ついで現像を行った。さらに、図５の（ｃ）に示すように、レジスト２０５をマスクにしてＡ面の熱酸化膜２０２をフッ酸緩衝液でエッチングし、この後、両面のレジスト２０４，２０５を剥離した。
【００２７】
次に、図６の（ａ）に示すように、熱酸化膜２０２をマスクにしてＳｉウェハ２０１の両面をＫＯＨにより３０μｍエッチングした。ついで、図６の（ｂ）に示すように、両面の熱酸化膜２０２をフッ酸緩衝液でエッチングした後、Ａ面にＡｌ薄膜２０６をスパッタリング法により０．２μｍ着膜した。さらに、図６の（ｃ）に示すように、Ｓｉウェハ２０１をダイシングして対向基板１０６を得た。なお、メサ台地の側面は、着膜されたＡｌ膜２０６の厚み分だけＡ面の面積がＢ面よりも広くなるが、数ｍｍ角の寸法のメサ台地１０６ａに対してＡｌ薄膜２０６の膜厚は０．２μｍであり、問題は生じない。
【００２８】
(ii)パターン基板作製工程
図７はパターン基板の作製工程を示す。図７の（ａ）に示すように、基板としてＳｉウェハ３０１を準備し、その表面にポリイミドをスピンコート法により塗布し、最高温度３５０℃でベーキングし、離型層３０２を形成した。次に、図７の（ｂ）に示すように、離型層３０２の表面にスパッタリング法によりＡｌ薄膜３０３を０．５μｍに着膜した。ターゲットには高純度Ａｌを使用し、スパッタ圧力０．５Ｐａ、Ｓｉウェハ３０１の温度は室温とした。着膜中は水晶振動子式膜厚計で常時膜厚をモニタし、０．５μｍに達したところで着膜を終了した。この結果、Ｓｉウェハ３０１内の膜厚分布が、０．５±０．０２μｍ以下という値が得られた。次に、Ｓｉウェハ３０１の表面にフォトレジスト（図示せず）を塗布し、図７の（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法によりＡｌ薄膜３０３を所望の形状のパターンにエッチングした。このとき、微小構造体のパターニングと同時にアライメントマーク（図示せず）をＳｉウェハ３０１上に同時に形成した。また、フォトレジストにはポジ型を用い、フォトレジストの露光はフォトマスクを用いて行った。Ａｌ薄膜３０３ａ，３０３ｂをエッチングを形成した後、剥離液を用いてフォトレジストを除去した。以上によりパターン基板１０５が完成する。
【００２９】
(iii) 積層工程
図８、図９、図１０、図１１、および図１２は積層工程を示す。図８は積層工程の第１段階、図９は積層工程の第２段階、図１０は積層工程の第３段階、図１１は積層工程の第４段階、図１２は積層工程の第５段階を示している。また、以下においては、具体的な数値を示して説明する。
【００３０】
図８に示すように、図４〜図６に示した工程により作製した対向基板１０６を真空層１０１内の上ステージ１０３に接着等の手段により固定し、また、パターン基板１０５を静電チャック１１３を用いて下ステージ１０２に固定する。両基板の装着後、真空槽１０１内を、例えば、１０Ｅ−６Ｐａ台まで排気して真空にする。ついで、ＦＡＢ装置１０７ａ，１０７ｂを動作させ、対向基板１０６の表面及びパターン基板１０５のＡｌ薄膜３０３ａの表面にＡｒガスを源とするＦＡＢ処理を施す。具体的には、１５００Ｖの加速電圧で４５度の角度からＡｒ原子ビーム１１５を１分間照射し、表面約１０ｎｍの汚染層を除去するＦＡＢ処理を実施した。
【００３１】
次に、図９に示すように、下ステージ１０２をＺ方向に操作して、対向基板１０６とパターン基板１０５を接近させ、対向基板１０６の表面とパターン基板１０５上のＡｌ薄膜３０３ａ（第１の薄膜パターン）の表面を接触させ、この状態のまま接触面に５０ｋｇｆ／ｃｍ2 の荷重を付与して５分間押し付け、対向基板１０６とＡｌ薄膜３０３ａを接合させた。この接合強度を引っ張り試験により評価したところ、５０〜１００Ｐａであった。
【００３２】
次に、図１０に示すように、下ステージ１０２を初期位置へ戻すと、Ａｌ薄膜３０３ａがパターン基板１０５上から対向基板１０６へ転写される。これは、Ａｌ薄膜３０３ａと対向基板１０６の接合力の方が、Ａｌ薄膜３０３ａとパターン基板１０５の密着力よりも大きいためである。このとき、対向基板１０６の両面が同一形状であるため、対向基板１０６のメサ台地１０６ａの接触面における圧力分布が均一になり、Ａｌ薄膜３０３ａは対向基板１０６のメサ台地１０６ａの全面に転写される。
【００３３】
次に、図１１に示すように、上ステージ１０３をＡｌ薄膜３０３ｂ（第２の薄膜パターン）の真上に移動させる。そして、ＦＡＢ装置１１７ａ，１１７ｂを動作させ、対向基板１０６上のＡｌ薄膜３０３ａおよびパターン基板１０５上のＡｌ薄膜３０３ｂに対してＦＡＢ照射を行った。そして、下ステージ１０２と対向基板１０６の相対位置関係を測定し、Ａｌ薄膜３０３ａとＡｌ薄膜３０３ｂのアライメントを行った。
【００３４】
次に、図１２に示すように、下ステージ１０２を上昇させて対向基板１０６に接近させ、Ａｌ薄膜３０３ｂをＡｌ薄膜３０３ａに接合・転写し、２層に積層した薄膜パターンを作製した。以上は２層の転写の場合であるが、３層以上であっても、上記した手順を繰り返すことにより、薄膜パターンを多層化することができる。
【００３５】
図１３は、図１２の工程を繰り返し、薄膜パターンを６層に積層して得られた多層構造の微小構造体３０４の構成を示す。
【００３６】
図１４は本発明における対向基板の他の例を示す。図１４の（ａ）は、図１７〜図２０に示した従来の対向基板６０１を基本形としている。本例は、メサ台地６０１ａが平坦面なために不均一な荷重分布を示したことに着目し、印加荷重の分布に応じた凸面のメサ台地４０２ａを形成し、メサ台地４０２ａに均一な荷重が加わるようにした構成の対向基板４０１にしている。また、図１４の（ｂ）は、図３の（ａ），（ｃ）に示した対向基板１１０，１１１の変形例を示し、対向基板１１０，１１１がメサ台地１０６ａと凸部１０６ｂが同一の形状および大きさであったのに対し、凸部１０６ｂよりやや大きいサイズのメサ台地４０３ａを有する対向基板４０３としている。このように、メサ台地１０６ａと凸部１０６ｂが不同一であっても上ステージ側の接触面が最適であれば、荷重分布が不均一になることはない。
【００３７】
上記実施の形態においては、微小構造体がＡｌであるとしたが、他の材料、例えば、銅、インジウムなどの金属、セラミックスなどの絶縁体（アルミナ、炭化けい素）を用いることもできる。これらの微小部品は、それ自身が部品として機能するばかりでなく、射出成形用の型として使用することもできる。
【００３８】
また、図１および図３の（ａ）に示した対向基板１０６，１１０と、図３の（ｂ）に示した凸部１０３ａを有する上ステージとの組み合わせも可能である。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明の微小構造体の製造方法によれば、パターン基板上の薄膜を対向基板の接触面に圧接する際、対向基板の接触面の荷重分布を均一にしたので、パターン基板上の薄膜が良好に対向基板に転写されるようになり、微小構造体の製造歩留まりを高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法を実現する微小構造体の製造装置の構成図である。
【図２】本発明においてパターン基板側から対向基板に荷重を加えたときの圧力分布図である。
【図３】本発明にかかる対向基板の他の構成例、および対向基板と上ステージの組み合わせの他の構成例を示す正面図である。
【図４】本発明における対向基板の作製工程の第１段階を示す説明図である。
【図５】本発明における対向基板の作製工程の第２段階を示す説明図である。
【図６】本発明における対向基板の作製工程の第３段階を示す説明図である。
【図７】本発明におけるパターン基板の作製工程を示す説明図である。
【図８】本発明の積層工程の第１段階における製造装置の動作を示す正面図である。
【図９】本発明の積層工程の第２段階における製造装置の動作を示す正面図である。
【図１０】本発明の積層工程の第３段階における製造装置の動作を示す正面図である。
【図１１】本発明の積層工程の第４段階における製造装置の動作を示す正面図である。
【図１２】本発明の積層工程の第５段階における製造装置の動作を示す正面図である。
【図１３】図１２の工程を繰り返し、薄膜パターンを６層に積層して得られた微小構造体構成を示す断面図である。
【図１４】本発明における対向基板の他の例を示す断面図である。
【図１５】従来のの微小構造体の製造方法における対向基板の作製工程を示す説明図である。
【図１６】従来の微小構造体の製造方法におけるパターン基板の作製工程を示す説明図である。
【図１７】従来の微小構造体の製造方法の積層工程の第１段階を示す説明図である。
【図１８】従来の微小構造体の製造方法の積層工程の第２段階を示す説明図である。
【図１９】従来の微小構造体の製造方法の積層工程の第３段階を示す説明図である。
【図２０】従来の微小構造体の製造方法における薄膜パターンの転写時の対向基板の反りの発生を示す説明図である。
【符号の説明】
１０１  真空槽
１０１ａ，１０６ｃ  オーバーハング部
１０２  下ステージ
１０２ａ，１０４  シャフト
１０３  上ステージ
１０３ａ，１０６ｂ  凸部
１０５  パターン基板
１０６，１１０，１１１，４０３  対向基板
１０６ａ，４０２ａ  メサ台地
１０７ａ，１０７ｂ  ＦＡＢ装置
１０８  主基板
１０９  補助基板
１１２  ワックス
１１３  静電チャック
１１４ａ，１１４ｂ  顕微鏡
２０１，３０１  Ｓｉウェハ
２０６，３０３ａ，３０３ｂ  Ａｌ薄膜
３０２  ポリイミド層
３０４  微小構造体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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