(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの処理において半導体ウェーハを支持するために使用する半導体ウエーハ処理用治具において、
半導体ウェーハを支持するための支持部材を備え、前記支持部材は切削形成された半導体ウェーハを載置するための切削支持部を有し、
前記切削支持部の表面層は平坦化されており、
前記切削支持部の表層面には凹部が散在しており、
前記凹部が、切削時のグラインダー等の進行方向に対し垂直面における断面のＳＥＭ観察において、中間がくびれたり先端が分岐することなく、下部から表層面方向にすり鉢状になだらかに広がるほぼＶ字状の形状からなり、
前記凹部は１μｍ乃至５０μｍの深さを有し、
前記凹部の深さＤと前記凹部の上面部から２Ｄ／３の深さ位置における幅Ｗとの比Ｗ／Ｄが０．２以上であり、
前記切削支持部の表層面には１００μｍの長さ範囲当たり１個乃至５０個の前記凹部が散在されている
ことを特徴とする半導体ウエーハ処理用治具。
【請求項２】
半導体ウェーハの処理において半導体ウェーハを支持するために使用する半導体ウエーハ処理用治具において、
半導体ウェーハを支持するための支持部材を備え、前記支持部材は切削形成された半導体ウェーハを載置するための切削支持部を有し、
前記切削支持部の表面層は平坦化されており、
前記切削支持部の表層面には凹部が散在しており、
前記凹部が、切削時のグラインダー等の進行方向に対し垂直面における断面のＳＥＭ観察において、中間がくびれたり先端が分岐することなく、下部から表層面方向にすり鉢状になだらかに広がるほぼＶ字状の形状からなるようにガスバーナで加熱処理されており、
前記凹部は１μｍ乃至５０μｍの深さを有し、
前記凹部の深さＤと前記凹部の上面部から２Ｄ／３の深さ位置における幅Ｗとの比Ｗ／Ｄが０．２以上であり、
前記切削支持部の表層面には１００μｍの長さ範囲当たり１個乃至５０個の前記凹部が散在されている
ことを特徴とする半導体ウエーハ処理用治具。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体ウエーハ処理用治具に係り、特に半導体ウエーハの処理において使用し、半導体製造処理工程における塵埃の発生を低減して半導体ウエーハの汚染を防止する半導体ウエーハ処理用治具に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程において、半導体ウエーハは、熱処理やＬＰＣＶＤ（減圧気相成長）処理等の各種の工程で処理されており、被処理ウエーハは、一般に、所定の支持部材に保持された状態で、各処理装置の反応管内で処理される。
【０００３】
例えば図１１は、縦型のＬＰＣＶＤの一般的な構成を概略的に示した断面説明図である。図１１において、石英ガラス製の反応管１０は、外側の反応外管１１と内側の反応管１２との二重構造となっており、ＳＵＳ（ステンレス）製のマニホールド１３に固定されている。マニホールド１３には、反応処理に必要なガスの導入管１４及び排出管１５が形成されている。反応管１０の外部には、ガス排気用の真空ポンプ１６と、反応管内部を加熱するための抵抗加熱ヒータ１７が配置されている。
【０００４】
半導体ウエーハ２３が載置されるウエーハ載置部２１には、一般に、ウエーハを載置するために支持部材３０が設けられており、この支持部材３０には石英ガラス製の長尺体に切削形成されたウエーハ載置用溝が設けられている。
【０００５】
これらのウエーハ載置用溝は、通常、グラインダー等により切削形成され、溝の表面層は切削により粗面化され粉塵等が付着されやすくなり、また、付着された粉塵等が加熱や振動等の何らかの外的要因により飛散され、ウエーハを汚染する。また、同時に、ウエーハ載置時にウエーハにより削られたりするようになるため塵埃等の飛散が増大し、ウエーハを著しく汚染することになる。
【０００６】
これらを防止するめたの種々の提案もなされている。例えば、特公昭６２−８９３３号公報では、結晶質石英焼結体からなる切削部分を再溶融して所定の厚さの石英ガラス層を形成して、表面を緻密且つ平滑化することが提案されている。また、特開平３−２０９７２２号公報においては、切削部分を有する石英ガラス部材全面をバーナーにより定期的に焼きなまして表面を滑らかにすることが提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記提案の石英ガラス製ウエーハ用治具において、前者の提案は、治具中心部が結晶質石英の焼結体からなるため、結晶形態がα相からβ相に変態する温度５７３℃を越える温度で使用すると、急激な体積変化が生じ、治具が破損するという問題点があり、また切削部分を所定の厚さに石英ガラス化するため、例えば上記ＬＰＣＶＤ処理後、フッ酸等を含む酸溶液による数回の洗浄により表面の石英ガラス層は除去され内部の結晶質石英焼結体が露出し、平滑面が実質上無くなる等の問題点がある。
【０００８】
また、後者の提案においては、洗浄工程においては十分に汚染防止できるものの、ＬＰＣＶＤ処理や熱処理等の各種の処理条件においては十分に塵埃の汚染を防止できない事も知見された。
【０００９】
さらに、所定被膜形成工程では、例えば上記のＬＰＣＶＤ装置のように、ウエーハ表面以外の半導体ウエーハ処理用治具の表面にも被膜が形成される。この半導体ウエーハ処理用治具等の部材上に形成された被膜は、被膜形成工程中はむしろ剥離されることなく付着状態にある方が好ましいが、本願の発明者らが検討した結果、理由は明らかではないが、上記従来技術の如き、実質上凹凸部の無い平滑処理された切削部分においては、形成被膜が剥離し易いことが知見された。
【００１０】
そこで本願発明の目的は、上記従来技術の有する問題を解消し、半導体を製造する際の各種処理工程で半導体ウエーハを載置するのに使用する半導体ウエーハ処理用治具であって、塵埃の汚染を十分に防止でき、長期間安定して使用可能な石英ガラス製の半導体ウエーハ処理用治具を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願発明の発明者らは、石英ガラス製支持部材のウエーハを載置するためのウエーハ載置用溝の切削表面状態と従来法で処理後の表面状態について、新たにより詳細にミクロ的観点から検討した。
【００１２】
この結果によれば、上記ウエーハ載置用溝の表面は、切削時に生じる微細なクラックを有し、上記従来法のように再溶融して微細なクラックの深さ以上の石英ガラス層を形成する場合は別として、通常の焼き鈍し処理では微細クラックの表層部は多少平滑化されるが、依然としてクラックが残存することが知見された。
【００１３】
また、これら残存する微細なクラック微間隙には、Ｓｉ微粒子等の反応生成物等浮遊する微粒子が取り込まれやすく、これら微粒子はフッ酸を含む酸溶液を用いて行うエッチング処理においても完全に洗浄除去することは工業的には難しく、洗浄後にも残留する可能性が高く、さらに、それら残留微粒子は、処理条件の変化や支持部材の搬出入やウエーハ載置時の振動や衝撃により、クラックの微間隙から飛散することも知見された。
【００１４】
また、フッ酸を含む酸溶液をち用いてのエッチング処理が頻繁に行われるうちに、微細クラックの最深部においてはフッ酸により浸食が起こり、塵埃の飛散汚染が増大することも知見された。
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明は、半導体ウェーハの処理において半導体ウェーハを支持するために使用する半導体ウエーハ処理用治具において、
半導体ウェーハを支持するための支持部材を備え、前記支持部材は切削形成された半導体ウェーハを載置するための切削支持部を有し、前記切削支持部の表面層は平坦化されており、前記切削支持部の表層面には凹部が散在しており、前記凹部が、切削時のグラインダー等の進行方向に対し垂直面における断面のＳＥＭ観察において、中間がくびれたり先端が分岐することなく、下部から表層面方向にすり鉢状になだらかに広がるほぼＶ字状の形状からなり、前記凹部は１μｍ乃至５０μｍの深さを有し、前記凹部の深さＤと前記凹部の上面部から２Ｄ／３の深さ位置における幅Ｗとの比Ｗ／Ｄが０．２以上であり、前記切削支持部の表層面には１００μｍの長さ範囲当たり１個乃至５０個の前記凹部が散在されていることを特徴とする。
【００１６】
また、半導体ウェーハの処理において半導体ウェーハを支持するために使用する半導体ウエーハ処理用治具において、半導体ウェーハを支持するための支持部材を備え、前記支持部材は切削形成された半導体ウェーハを載置するための切削支持部を有し、前記切削支持部の表層面には凹部が散在しており、前記凹部が、切削時のグラインダー等の進行方向に対し垂直面における断面のＳＥＭ観察において、中間がくびれたり先端が分岐することなく、下部から表層面方向にすり鉢状になだらかに広がるほぼＶ字状の形状からなるようにガスバーナで加熱処理されており、前記凹部は１μｍ乃至５０μｍの深さを有し、前記凹部の深さＤと前記凹部の上面部から２Ｄ／３の深さ位置における幅Ｗとの比Ｗ／Ｄが０．２以上であり、前記切削支持部の表層面には１００μｍの長さ範囲当たり１個乃至５０個の前記凹部が散在されていることを特徴とする。
【００１７】
また、好適には、前記ガスバーナのガス射出先端部は直径略０．５ｍｍφを有する。また、前記支持部材は石英ガラス製である。
【００１８】
また、半導体ウェーハの処理において半導体ウェーハを支持するために使用する半導体ウエーハ処理用治具において、半導体ウェーハを支持するための支持部材を備え、前記支持部材は切削形成された半導体ウェーハを載置するための切削支持部を有し、前記切削支持部の表層面は開口縁が滑らかな曲面からなる凹部が散在されるようにガスバーナで加熱処理されており、前記ガスバーナのガス射出先端部は直径略０．５ｍｍφを有することを特徴とする。
また、半導体ウェーハを熱処理するための半導体ウェーハ処理装置において、半導体ウェーハを支持するために使用する半導体ウエーハ処理用治具を備え、前記半導体ウエーハ処理用治具は半導体ウェーハを支持するための支持部材を備え、前記支持部材は切削形成された半導体ウェーハを載置するための切削支持部を有し、前記切削支持部の表層面には凹部が散在しており、前記凹部が、切削時のグラインダー等の進行方向に対し垂直面における断面において、中間がくびれたり先端が分岐することなく、下部から表層面方向にすり鉢状になだらかに広がるほぼＶ字状の断面形状からなるようにガスバーナで加熱処理されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明は上記の様に構成され、半導体ウエーハを載置するため石英ガラス棒状体に切削形成される切削支持部の表層部が、ミクロ的には、切削時に生じた微細クラックの痕跡をなめらかな曲面で構成される凹部として有する。一方、内部に進行可能な鋭利な微細クラック、特にクラックの最深部において支持部材を構成する石英ガラス棒状体のより内部へクラックを連続的に進展させ得る様なクラックは実質的に存在しないようにしたため、被膜形成工程での部材状に形成される被膜が剥離されにくく、一方酸エッチング処理においては容易に剥離される様になり、微細クラック間隙に汚染源の微粒子が残留することも無い。このため、本発明の半導体ウエーハ処理用治具は、半導体製造工程の種々の装置におけるウエーハ支持部材として用いて、長期間の使用において塵埃の発生を著しく低減することができ、且つ、酸洗浄処理に用いるフッ酸等による浸食も少なく、載置する半導体ウエーハを汚染すること無く長期の使用が可能で耐久性に優れている。
【００２０】
本発明において、ほぼＶ字状の凹部とは、切削時のグラインダー等の進行方向に対し垂直面における断面のＳＥＭ観察において、中間がくびれたり、また、先端が分岐することなく、下部から表層面方向にすり鉢状になだらかに広がる形状であり、その深さ（Ｄ）が１〜５０μｍである窪みを言う。深さＤが、１μｍより小さいと平滑過ぎて、かえって被膜形成処理工程中等において部材に形成されるポリシリコン等の形成被膜が剥離して、載置された被処理ウエーハを汚染する恐れがある。また、５０μｍを超えて深い場合は、例えば、切削表層部の形成被膜の洗浄処理において、凹部の深部に形成された被膜等の除去が完全で無くなるためである。
【００２１】
また、本発明の切削支持部の表層部に存在する前記凹部の深さＤと前記凹部の上面部から２Ｄ／３の深さ位置における幅Ｗとの比Ｗ／Ｄが０．２以上の関係にあり、凹部の形状が鋭角でなく比較的大きく広がっている形状が好ましい。Ｗ／Ｄが０．２未満である場合は、酸洗浄において凹部が選択的にエッチングされる恐れがあり、酸洗浄が繰り返されることで切削支持部の表層部が著しく粗面化され、短時間でウエーハを汚染し使用不可能となる。なお、ここで幅Ｗを凹部の上面部から２Ｄ／３の深さ位置で定義したのは、凹部の開口縁近傍の浅い深さ位置の幅よりも深い位置における幅Ｗの大きさが本願発明ではより重要であるからである。
【００２２】
また、前記凹部は、切削支持部の表層部の１００μｍ当たり１〜５０個、好ましくは２〜３０個存在することがよい。凹部が１個未満では、形成される被膜が処理工程中に剥離されるおそれがあり、一方、５０個を超えると平坦な面が実質上無くなり、ウエーハとの接点が増加し、擦れによる塵埃源となるためである。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態例について図面を参照して詳細に説明する。
図２は、縦型のＬＰＣＶＤの一般的な構成を概略的に示した断面説明図である。図２において、石英ガラス製の反応管１０は、外側の反応外管１１と内側の反応管１２との二重構造となっており、ＳＵＳ（ステンレス）製のマニホールド１３に固定されている。マニホールド１３には、反応処理に必要なガスの導入管１４及び排出管１５が形成されている。反応管１０の外部には、ガス排気用の真空ポンプ１６と、反応管内部を加熱するための抵抗加熱ヒータ１７が配置されている。
【００２４】
マニホールド１３の下部開口面に対接するように配設されキャッピングフランジ１８上に、半導体ウエーハ処理用治具としての石英ガラス製のウエーハ支持装置２０が固定されている。半導体ウエーハ処理用治具としてのウエーハ支持装置２０は、石英ガラス製のウエーハ載置部２１及びウエーハ支持部２１が支持される保温筒２２からなり、保温筒２２がキャッピングフランジ１８上に固定され、反応管１２の内側に配置されている。
【００２５】
ウエーハ載置部２１内には半導体ウェーハを支持するための支持部材１が設けられており、支持部材１により複数枚の半導体ウエーハ２３が水平状態に載置される。また、キャッピングフランジ１８を貫通して保温筒２２に連結された回転軸を有する前記ウエーハ支持装置回転機構２４が、キャッピングフランジ１８の下方に配置されている。
【００２６】
図１に、図２に示すＬＰＣＶＤ装置におけるウエーハ載置部２１を示す。図１において、ウエーハ載置部２１は、複数の立設された棒状の石英ガラス製の支持部材１及びその上下端の端板２（上端部は図示せず）より構成されている。図１に示すように、石英ガラス製の長尺体の支持部材１には、ウエーハ載置用の切削支持部としてのウエーハ載置用溝１ａが切削形成されている。石英ガラス棒から形成された支持部材１には、長手方向に所定の間隔をおいて複数個のウエーハ載置用溝１ａが切削形成されており、ウエーハ載置用溝１ａは、例えば、ダイヤモンド砥石＃１７０のホイールを有する円盤グラインダー等で切削形成される。
【００２７】
支持部材１を構成する石英ガラス棒は、円形、楕円形、正方形や長方形の角形等のいずれの、断面形状のものでもよく、特に制限されるものでない。通常、円形または正方形の断面を有する棒状部材が用いられる。
【００２８】
次に、本実施形態例における切削支持部としてのウエーハ載置用溝１ａの表層面について、従来例と比較して以下に詳細に説明する。
【００２９】
ウエーハ載置部２１の支持部材１と同様に、複数の石英ガラス製円柱棒の周面にウエーハ載置用溝１ａと同様の切削溝を切削形成し、下記のように異なる３種類の処理をした切削溝の表層面を微視的に観察比較した。
【００３０】
即ち、１５ｍｍφ×５００ｍｍの石英ガラス円柱材を用い、ダイヤモンド砥石＃１７０のホイールを有する円盤グラインダーにより、図３に示すようにピッチｐ＝４．８ｍｍ、軸方向に垂直に溝幅ｄ＝約１ｍｍを有する切削溝１ｂを８０個形成した。
【００３１】
このようにして形成した切削溝１ｂを次のように３種類の処理を行った。
（１）  切削溝１ｂを形成したまま何等処理しない支持部材を構成した場合、（２）  形成した切削溝１ｂを従来法と同様に、先端径約２０ｍｍφの混合型酸水素バーナーで焼き鈍しして支持部材を構成した場合、
（３）  本実施形態例に対応する場合、
の３種類の支持部材を作成した。
【００３２】
本実施形態例に対応する（３）場合において、バーナーによる処理について詳細に説明する。
（３）場合において、切削溝１ｂを先端径が約０．５ｍｍφの混合型酸水素バーナーで、切削溝１ｂの底部及び上下面の全域を十分に、しかし溶融しない程度にガス焼成による加熱処理した。
このバーナーの処理における処理条件を以下に説明する。
１）時間：一つの切削溝１ｂ当たり４．５秒乃至５．５秒の時間加熱した。４．５秒より短い場合には処理不十分であり、５．５秒より長い場合には切削溝１ｂの端部がだれ始め仕上がり精度が劣化する。
【００３３】
２）ガス流量：水素ガスは２．５リットル／分乃至４．０リットル／分（最適値は３．３リットル／分）であり、酸素ガスは１．３リットル／分乃至２．０リットル／分（最適値は１．７リットル／分）であった。ガス流量が大きすぎると炎先端が大きくなりすぎて、切削溝１ｂの端部がだれ始め、ガス流量が小さすぎると処理不十分となる。
【００３４】
３）加工温度：ガス流量に依存するが、大まか１８００℃乃至２０００℃以上であると切削溝１ｂの端部がだれ始め仕上がり精度が劣化する。
【００３５】
なお、本実施形態例の加熱処理に用いられるバーナーは、切削溝１ｂの溝幅ｄの約１／２〜２倍であるような先端径のものが好適に用いられる。また、酸水素バーナーは、混合型バーナー、拡散型バーナーのいずれの形式のものでもよいが、混合型の方が先端径の制御し易さの面で好ましい。
【００３６】
次に、上述の（１）、（２）及び（３）の場合について、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭと略す）による外観観察した比較結果を、図５乃至図１０に示すＳＥＭ写真及び表１に示す。
【００３７】
ＳＥＭによる外観観察は、（ａ）表面部の観察と（ｂ）断面部の観察とで行われた。ＳＥＭによる外観観察のための試料は次のようにして作成された。
【００３８】
図４（ａ）において、切削溝１ｂの底部に対向する側から矢印Ａの方向に切削溝１ｂの底部近傍の点Ｐ１まで、ダイヤモンド砥石のホイールを有する円盤グラインダーを用いて切り込みを入れる。切断による粉末が近辺に付着することを回避するために、残り部分を円盤グラインダーを用いずに折り取って切断する。次に、図４（ｂ）において、凸部１ｃを矢印Ｂの方向へ点Ｐ２で示す位置まで進めて切り込み、同様に残り部分を折り取って切断する。図４（ｃ）は、表面部１ｄ、断面部１ｅを観察するための作成された支持部材１の試験片を示す。表面部１ｄ、断面部１ｅの観察は、図４（ｃ）における矢印Ｃ方向から行われる。
【００３９】
図５及び図６は、上述の（１）の場合、すなわち本実施形態例の場合のＳＥＭ写真であり、図５（ａ）は図４（ｃ）の矢印Ｃ方向から見た表面部１ｄを示し、図５（ｂ）は表面部１ｄを拡大して撮影した写真である。図６（ａ）は、断面部１ｅを見た写真であり、図６（ｂ）は断面図１ｅを拡大して撮影した写真である。
【００４０】
同様に、図７及び図８は上述の（２）の場合、図９及び図１０は上述の（１）の場合のＳＥＭ写真である。
【００４１】
【表１】
0003871369.tif 000002
図５乃至図１０の写真及び表１の結果より次のことが認められる。
（１）の場合において、切削したままの支持部材１の切削表層部には、微細なクラックが無数に存在し、垂直方向に約５０μｍを超えるクラックが無数存在することが認められる。
【００４２】
また、（２）の場合において、従来の焼き鈍し処理した支持部材１の切削表層部においては、（１）の場合の未処理のものに比べて、数ミクロンの微細クラックの表面先端が丸くなっているが、垂直方向のクラックは、同様に表面部分は丸みを帯びているものの、内部には、鋭利な先端部や最深部で分岐部を有して５０μｍ以上のものも存在することが認められる。
【００４３】
本実施形態例の（３）の場合において、支持部材１の切削表層部においては微細なクラックが消失し表面は極めて平坦化され、同時に垂直方向に５０μｍを超えるクラックも無くなり、全体が丸く曲面形状となっており、また、深部方向にも鋭利な先端部は無く、ほぼＶ字状に窪んだ凹部となっていることが認められる。
【００４４】
表１において、（１）の場合には砥石跡が残り白っぽい外観を呈していた。ここで、白っぽいという外観は、塵等を放出しやすい傾向を反映する。（２）の場合には、（１）に比べて透明性が認められるが、周面に比べて白っぽい外観が認められた。本実施態様例に相当する（３）の場合には、周面とほぼ同様に透明性が認められた。
【００４５】
次に、ＬＰＣＶＤ装置を用いて本実施形態例と比較例とを比較した結果について説明する。
【００４６】
図２あるいは図１０に示すＬＰＣＶＤ装置を用いて、ウエーハ支持装置２０には、前述のように、支持部材１及び上下端板により構成されるウエーハ装置部２１に配設した。
【００４７】
また、支持部材１としては、石英ガラス円柱体に切削支持部１ａを上述の各場合（１）、（２）、（３）に切削形成した支持部材１をそれぞれ用いた。このような支持部材１を用いて構成されたＬＰＣＶＤ装置を使用して、成膜温度６５０℃、成膜圧力０．２Ｔｏｒｒ（＝２６．７Ｐａ）の条件下でモノシランガスを熱分解させ、形成されるポリシリコン膜を支持部材１の切削支持部１ａに載置した１５０ｍｍφの半導体ウエーハ２３上に５μｍ堆積させた。
【００４８】
各支持部材を用いて処理した後、それぞれのウエーハ載置部２１を取り出し、半導体ウエーハ上のパーテイクル量をレーザー散乱法によるパーテイクルカウンターにて測定し、汚染量をその数で評価した。
【００４９】
また、各支持部材１の切削支持部１ａ上に形成されたポリシリコン膜の耐剥離性を評価した。耐剥離性評価は、室温で３０分保持後６００℃まで昇温し再び室温まで冷却する事で１サイクルとする熱サイクル試験を反復繰り返して行うことにより実施した。この熱サイクルを５サイクル繰り返す毎に光学顕微鏡にて各切削支持部１ａ表面を確認しながら行い、被膜の剥離の発生が確認された熱サイクル回数で耐剥離性を示した。
【００５０】
また、各ウエーハ支持部２１を構成する他の各支持部材を用い、フッ酸と硝酸の混合溶液を用いて、ポリシリコン膜を洗浄除去して洗浄性及び耐浸食性を評価した。洗浄性及び耐浸食性の評価はＳＥＭにより測定した。これら結果を表２に示す。
【００５１】
【表２】
0003871369.tif 000003
本実施形態例の（３）の場合では、半導体ウエーハを各支持部材１に載置してポリシリコン膜を被覆形成するに際し、支持部材１の表面は微細クラックが残存せず滑らかで、ＳＥＭ観察断面では実質的に内部進行性のクラックが残存することなく、底部から鋭角でなく緩やかな曲面で上方に広がる浅いＶ字状凹部を有するように先端径が細いバーナーを用い、切削支持部の表層面の全域がまんべんなく加熱処理されている。この（３）の場合には、切削支持部を何ら処理しない未処理の支持部材を用いた（１）の場合や、従来のガス焼成の焼き鈍し処理した支持部材を用いた（２）の場合に比べて、半導体ウエーハを汚染するパーテイクルの発生が激減することが認められ、また、耐剥離性が大幅に向上することが認められる。また、（３）の場合には、酸洗浄により被膜の除去性が高く切削支持部に後々に飛散するおそれのある被膜片が残留することがなく、さらに、フッ酸等の強酸による浸食の程度も顕著に低下することが認められる。
【００５２】
以上、説明したように、本実施形態例の構成によれば、半導体ウェーハ２３を載置支持するために石英ガラス棒を切削したウエーハ載置用溝１ａの表層面を所定に加熱処理したので、表層面には開口縁が滑らかな曲面からなる凹部が散在され、被膜の付着力を向上させると同時に酸洗浄の際には被膜片が残留することなく容易に除去されるようにすることができる。この結果、半導体ウエーハ処理工程では半導体ウエーハを汚染するパーテイクルの発生を著しく抑制することができ、また酸洗浄において浸食の程度を著しく低下させ、部材上に形成された被膜の除去を容易化することができる。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の構成によれば、切削支持部の表層面には開口縁が滑らかな曲面からなる凹部が散在されているので、塵埃の汚染を十分に防止でき、長期間安定して使用可能な半導体ウエーハ処理用治具を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体ウエーハ処理用治具を示す正面説明図。
【図２】本発明の実施例で用いた縦型ＬＰＣＶＤ装置の構成を概略的に示す説明図。
【図３】支持部材の切削支持部の概略構成を示す断面図。
【図４】支持部材の切削支持部（ウエーハ載置用溝）の表層部の観察するための試料の作成手順を示す断面図（ａ），（ｂ）と、観察試料を示す斜視図（ｃ）。
【図５】本発明の実施形態例の石英ガラス製支持部材の切削支持部の図４（ｃ）における表面部１ｄの微細組織の倍率２５０倍（ａ）、及び３０００倍（ｂ）の走査型電子顕微鏡写真。
【図６】本発明の実施形態例の石英ガラス製支持部材の切削支持部の図４（ｃ）における断面図１ｅの微細組織の倍率２５０倍（ａ）及び３０００倍（ｂ）の走査型電子顕微鏡写真。
【図７】従来の石英ガラス製支持部材の切削支持部の表面部の微細組織の倍率２５０倍（ａ）及び３０００倍（ｂ）の走査型電子顕微鏡写真。
【図８】従来の石英ガラス製支持部材の切削支持部の断面部の微細組織の倍率２５０倍（ａ）及び３０００倍（ｂ）の走査型電子顕微鏡写真。
【図９】石英ガラス製支持部の切削支持部の未処理表面部の微細組織の倍率２５０倍（ａ）及び３０００倍（ｂ）の走査型電子顕微鏡写真。
【図１０】石英ガラス製支持部材の切削支持部の未処理表面の断面部の微細組織の倍率２５０倍（ａ）及び３０００倍（ｂ）の走査型電子顕微鏡写真。
【図１１】一般の縦型ＬＰＣＶＤ装置の構成を概略的に示す説明図。
【符号の説明】
１  ウエーハ支持部
１ａ  切削支持部（ウエーハ載置用溝）
１ｃ  凸部
１ｂ  切削溝
１ｄ  表面部
１ｅ  断面部
２  連結部材
１０  反応管
１１  反応外管
１２  反応内管
１３  マニホールド
１４  ガスの導入管
１５  ガスの排出管
１６  真空ポンプ
１７  抵抗加熱ヒータ
１８  キャッピングラフンジ
２０  ウエーハ支持装置
２１  ウエーハ載置部
２２  保温筒
２３  半導体ウエーハ
２４  ウエーハ支持装置回転機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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