(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の処理室内において基板を所定の搬送方向について前後に揺動させつつその表面に処理液を供給して基板の処理を行う基板処理装置において、
基板の揺動回数Ｘを設定する揺動回数設定手段と、
基板の揺動距離Ｌを設定する揺動距離設定手段と、
揺動時間Ｔを設定する揺動時間設定手段と、
設定された揺動回数Ｘ、揺動距離Ｌ、及び揺動時間Ｔから、揺動時における基板の搬送速度Ｖを、Ｖ＝Ｘ・Ｌ／Ｔとして演算する演算手段と、
演算された基板の搬送速度Ｖに基づいて基板を揺動させつつ搬送する基板搬送手段と、
揺動される基板に向けて処理液を供給する処理液供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、揺動距離設定手段は、揺動時の基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離を設定する反転間隔設定手段と、搬送される基板の搬送方向長さを設定する基板サイズ設定手段とを有し、揺動時の基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離をＳとし基板の搬送方向長さをＰとするとき、基板の揺動距離ＬをＬ＝Ｓ−Ｐに基づいて設定することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、更に処理室内における基板の揺動範囲の両端にそれぞれ配置され基板の到達を検出する２つのセンサと、各センサが基板の到達を検出したときに基板の搬送方向を反転させるよう基板搬送手段を制御する搬送制御手段とを備え、２つのセンサ間の距離が揺動時の基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離として反転間隔設定手段に設定されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記揺動回数設定手段は、予め設定された揺動回数が奇数の場合はその数値を揺動回数Ｘとして出力し、予め設定された揺動回数が偶数の場合はその数値に１を加算した数値を揺動回数Ｘとして出力することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
所定の処理室内において基板を所定の搬送方向について前後に揺動させつつその表面に処理液を供給して基板の処理を行う基板処理方法において、
基板の揺動回数Ｘ、基板の揺動距離Ｌ、及び揺動時間Ｔから、揺動時における基板の搬送速度Ｖを、Ｖ＝Ｘ・Ｌ／Ｔとして演算する工程と、
演算された基板の搬送速度Ｖに基づいて基板を揺動させつつ搬送するとともに、揺動される基板に向けて処理液を供給する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶用ガラス角型基板、フォトマスク用ガラス角型基板、カラーフィルタ用基板、プラズマディスプレイ用基板、半導体ウエハなどの各種基板に現像液、エッチング液、剥離液などの処理液を供給して基板の表面処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、液晶や半導体の製造工程においては、基板の表面に対してエッチング液、現像液、剥離液、洗浄液などの処理液を供給することにより基板のエッチング、現像、剥離、洗浄などの表面処理を行う基板処理装置が用いられている。
【０００３】
図７は従来のこのような基板処理装置の例を示す模式図である。図７に示す装置は、ガラス角型基板の表面にまず剥離液を供給して該基板の表面に形成されている薄膜を剥離し、その後に剥離液を純水にてリンスする剥離装置である。
【０００４】
図７において、Ｗはガラス角型基板であり、この基板Ｗは、多数配列された搬送ローラ１の上に載置されて水平姿勢もしくは若干の傾斜姿勢に維持されつつ図の左方から右方へ搬送される。この剥離装置は、多数の搬送ローラ１によって搬送される基板Ｗに向けて剥離液を供給して該基板の表面に形成されている薄膜を剥離する剥離処理チャンバＣと、その後に配置されて基板Ｗに付着している剥離液を純水にてリンスするリンスチャンバＤと、そのさらに後に配置されて基板に付着したリンス液を取り除いて基板Ｗを乾燥させる乾燥チャンバ（不図示）とからなる。
【０００５】
剥離処理チャンバＣは剥離処理室２を有し、リンスチャンバＤはリンス処理室４を有するとともに、両処理室２、４は室構成体３によって区画されている。この室構成体３には、搬送ローラ１によって搬送される基板Ｗを通過させるための開口５が形成されている。そして、搬送方向について上流側の剥離処理室２には、搬送される基板Ｗの上面に向けて剥離液を吐出する剥離液供給ノズル１１が多数所定の間隔で基板搬送方向に配列されている。一方、下流側のリンス処理室４には、搬送される基板Ｗの上下両面に向けて純水を吐出する純水供給ノズル２４が多数所定の間隔で基板搬送方向に配列されている。ここで、剥離液供給ノズル１１及び純水供給ノズル２４とも１つのノズルは紙面に垂直な方向に延びており、搬送される基板Ｗの幅方向（搬送方向に垂直な方向）についても基板Ｗに液が均一に供給されるように構成されている。
【０００６】
剥離処理室２には基板Ｗに向けて剥離液供給ノズル１１から吐出された剥離液を回収するためのドレイン１５が設けられ、ドレイン１５によって回収された剥離液はタンク１８に貯溜される。タンク１８に貯溜された剥離液はポンプ１９によってタンク１８から送出され、開閉弁２２及びフィルタ２３を介して剥離液供給ノズル１１に供給されて再利用される。
【０００７】
リンス処理室４には基板Ｗに向けて純水供給ノズル２４から吐出された純水を回収するためのドレイン３４が設けられ、ドレイン３４によって回収された純水は廃棄される。したがって、純水供給ノズル２４には、純水タンク２９に貯溜された新鮮な純水が、ポンプ３０によって開閉弁３１及びフィルタ３２を介して供給される。
【０００８】
剥離処理室２の上流側（図の左方）端部近傍及び下流側（図の右方）端部近傍には、それぞれ搬送ローラ１によって搬送される基板Ｗの有無を検出するセンサ１６、１７が配置されている。センサ１６、１７の出力は制御装置２１に伝達されており、基板Ｗがセンサ１６、１７の位置まで搬送されると制御装置２１はそれを検知する。ここで、多数の搬送ローラ１は制御装置２１によってその動作が制御されるように構成されているが、特に剥離処理室２内の搬送ローラ１は他とは独立した可逆転モータにより駆動されており、センサ１６、１７の出力によって搬送ローラ１の回転方向を逆転させることにより剥離処理室２内のセンサ１６とセンサ１７との間で基板を往復運動させるように構成されている。剥離処理室２内において基板を往復運動させるのは、剥離処理には時間がかかるので、その時間だけ基板を所定方向に搬送し続けるとその所定方向における装置全長が極めて長大となってしまうからである。また基板に向けて剥離液供給ノズル１１から剥離液を吐出しつつ基板を往復運動させることにより、基板表面全体に渡って均一に剥離液を供給することができ均一な表面処理を行うこともできる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし図７図示のような構成では、ローラ１による基板Ｗの搬送速度は予め決定されているので、処理時間終了時には基板Ｗが所定の搬出位置（例えば基板Ｗの搬送方向先端がセンサ１７に検出される位置）に位置させられるとは限らない。したがって、処理時間終了後に処理済みの基板Ｗを所定の搬出位置まで搬送する時間が必要となり、処理済みの基板Ｗが次の工程に移動させられるまでに過大な時間がかかってしまい理想の処理プログラム通りの表面処理がなされなくなってしまうことがある。また、処理済みの基板Ｗの剥離処理室２からの搬出までに時間がかかるので、次の基板Ｗの剥離処理室２への投入が遅れてしまうため、装置の処理能力（所定時間当たりの基板処理枚数）が悪くなってしまうことがある。
本発明は、このような従来の問題点を解消すべくなされたものであり、所定の処理時間終了時には基板Ｗが所定の搬出位置に正確に位置させられ、したがって、処理済みの基板Ｗが次の工程に移動させられるまでに過大な時間がかかったり次の基板Ｗの剥離処理室２への投入が遅れてしまうことがなく、装置の処理能力（所定時間当たりの基板処理枚数）が悪化させられることもない基板処理装置及び基板処理方法を提供することをその目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決する為に、請求項１に係る発明は、所定の処理室内において基板を所定の搬送方向について前後に揺動させつつその表面に処理液を供給して基板の処理を行う基板処理装置において、基板の揺動回数Ｘを設定する揺動回数設定手段と、基板の揺動距離Ｌを設定する揺動距離設定手段と、揺動時間Ｔを設定する揺動時間設定手段と、設定された揺動回数Ｘ、揺動距離Ｌ、及び揺動時間Ｔから、揺動時における基板の搬送速度Ｖを、Ｖ＝Ｘ・Ｌ／Ｔとして演算する演算手段と、演算された基板の搬送速度Ｖに基づいて基板を揺動させつつ搬送する基板搬送手段と、揺動される基板に向けて処理液を供給する処理液供給手段とを備えたことを特徴とする。
【００１１】
また請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、揺動距離設定手段は、揺動時の基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離を設定する反転間隔設定手段と、搬送される基板の搬送方向長さを設定する基板サイズ設定手段とを有し、揺動時の基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離をＳとし基板の搬送方向長さをＰとするとき、基板の揺動距離Ｌを「Ｌ＝Ｓ−Ｐ」に基づいて設定することを特徴とする。
【００１２】
また請求項３に係る発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、更に処理室内における基板の揺動範囲の両端にそれぞれ配置され基板の到達を検出する２つのセンサと、各センサが基板の到達を検出したときに基板の搬送方向を反転させるよう基板搬送手段を制御する搬送制御手段とを備え、２つのセンサ間の距離が揺動時の基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離として反転間隔設定手段に設定されることを特徴とする。
【００１３】
更に、請求項４に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記揺動回数設定手段は、予め設定された揺動回数が奇数の場合はその数値を揺動回数Ｘとして出力し、予め設定された揺動回数が偶数の場合はその数値に１を加算した数値を揺動回数Ｘとして出力することを特徴とする。
【００１５】
また、請求項５に係る発明は、所定の処理室内において基板を所定の搬送方向について前後に揺動させつつその表面に処理液を供給して基板の処理を行う基板処理方法において、基板の揺動回数Ｘ、基板の揺動距離Ｌ、及び揺動時間Ｔから、揺動時における基板の搬送速度Ｖを、「Ｖ＝Ｘ・Ｌ／Ｔ」として演算する工程と、演算された基板の搬送速度Ｖに基づいて基板を揺動させつつ搬送するとともに、揺動される基板に向けて処理液を供給する工程とを備えたことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
第一の実施の形態はガラス角型基板用剥離装置である。
【００１７】
図1は、本発明実施例に係るガラス角型基板用剥離装置の構成を示す概略図であり、図４の従来例と同様に作用する部材については同符号を付しそれらについての説明は省略する。なお、図1には図4図示のリンス処理室４を有するリンスチャンバＤが示されていないが、本実施例においても図４と同様のリンスチャンバＤは存在している。
【００１８】
図１において、Ｒは剥離処理室２内に配置された多数の搬送ローラであり、これら搬送ローラＲは、制御回路ＭＣによって制御されるモータにより駆動される。モータＭは、基板Ｗを搬送方向（矢印Ａ方向）及びその逆方向に往復運動（これを「揺動」という）させるために正逆回転可能である。そして、このモータＭの回転・停止の動作、回転方向及び回転速度は制御回路ＭＣにより制御される。したがって、剥離処理室２内の搬送ローラＲの動作、すなわち基板Ｗの搬送動作もすべて制御回路ＭＣによって制御される。なお、制御回路ＭＣは、図4図示の制御装置２１と同様に、剥離室２内において基板Ｗに向けて剥離液を吐出する剥離液供給ノズル１１に剥離液を供給するポンプ１９の動作も制御する。
【００１９】
制御回路ＭＣには、揺動回数設定回路５０、揺動時間設定回路６０、及び揺動距離設定回路７０の出力がそれぞれ入力される。ここで、「揺動回数」「揺動距離」について図２の模式図を参照して説明する。図2の（ａ）は基板Ｗが剥離処理室２の入口５から搬入された状態を示し、この状態から基板Ｗは搬送方向（Ａ方向）に搬送される。そして、図２の（ｂ）の状態に達したとき、基板Ｗの搬送方向先端はセンサ１７によって検出される。このまま基板Ｗが搬送方向（Ａ方向）に搬送されて搬送チャンバＣの下流側に配置されたリンスチャンバＤ（図１では不図示）に搬入されれば、「揺動」という動作は行なわれないが便宜上これを「揺動回数１回」とする。基板Ｗが図２（ｂ）の状態に到達してその搬送方向先端がセンサ１７によって検出されたときに、モータＭの回転方向を逆転させて基板Ｗを搬送方向（Ａ方向）とは反対の方向に移動させることによって「揺動」を行うことができる。
【００２０】
そして、図２（ｃ）のように基板Ｗの搬送方向後端がセンサ１６によって検出されることにより、２回目の揺動動作が終了する。ここで、基板Ｗの搬送方向長さをＰとし、センサ１６とセンサ１７との距離（すなわち揺動時に基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離）をＳとすると、図２（ｂ）の状態から図２（ｃ）の状態までの基板Ｗの移動距離（これを揺動距離という）Ｌは、Ｌ＝Ｓ−Ｐとなる。
【００２１】
揺動距離設定回路７０はこの揺動距離Ｌを出力するものである。なお、この揺動距離Ｌは上記計算を操作者自体が行って揺動距離設定回路７０に設定することも可能であるが、本実施例において、揺動距離設定回路７０は、基板Ｗの搬送方向長さＰを出力する基板サイズ設定回路８０の出力信号と、センサ１６とセンサ１７との距離（すなわち揺動時に基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離）Ｓを出力する揺動距離設定回路９０の出力信号とを受けて、Ｌ＝Ｓ−Ｐの演算を行い、揺動距離Ｌを出力するように構成されている。このように構成することにより、基板サイズ変更時にも操作者の計算を必要とせず、基板サイズ設定回路８０に設定される基板Ｗの搬送方向長さＰを変更するだけで良い。
【００２２】
図２（ｃ）図示の状態に到達して基板Ｗの搬送方向後端がセンサ１６によって検出されたときに、モータＭの回転方向を再び逆転させて基板Ｗを搬送方向（Ａ方向）に移動させ図２（ｂ）図示の状態に再び至らせることによって、３回目の揺動動作を完了することができる。この揺動動作を複数回繰り返しつつ剥離液供給ノズル１１から基板Ｗに向けて剥離液を供給することにより、基板Ｗの表面全体に形成されていた薄膜を均一に剥離することができるのである。なお、ここで、揺動回数が偶数の場合は、図２（ｃ）図示のように剥離処理室２内の最も上流側の位置に基板Ｗが配置された状態で揺動動作が終了してしまう。そこで、上述のような揺動回数を設定しそれに応じた信号を出力する揺動回数設定回路５０は、揺動回数として偶数回が設定された場合には自動的にそれに１を加えて奇数とし、奇数回が設定された場合にはそのままとして、これを揺動回数Ｘとして出力する。したがって、揺動回数Ｘは常に奇数である。
【００２３】
揺動時間設定回路６０は、基板Ｗが剥離処理室２に搬入されて図２（ａ）図示の搬入状態に達してから揺動動作が所定回数行なわれた後で図２（ｂ）図示の搬出可能状態に達するまでの時間を設定し、これを揺動時間Ｔとして出力するものである。
【００２４】
最適搬送速度演算回路ＣＬは、揺動回数設定回路５０から出力される揺動回数Ｘ、揺動時間設定回路６０から出力される揺動時間Ｔ、及び揺動距離設定回路７０から出力される揺動距離Ｌをそれぞれ受け取って、最適な基板搬送速度Ｖを演算する。すなわち、最適搬送速度演算回路ＣＬは「Ｖ＝Ｘ・Ｌ／Ｔ」なる演算を行って最適な基板搬送速度Ｖを求め、これを出力する。この最適な基板搬送速度Ｖとは、揺動距離Ｌを揺動回数Ｘにわたって揺動時間Ｔだけ基板Ｗを揺動させたときの揺動終了時に、基板Ｗがちょうど図２（ｂ）図示の状態となるための搬送速度である。
【００２５】
最適搬送速度演算回路ＣＬの出力信号Ｖは制御回路ＭＣに入力される。制御回路ＭＣにはセンサ１６及び１７の検出信号もそれぞれ入力されており、制御回路ＭＣはこれらの入力信号に基づいて剥離処理室２内の搬送ローラＲを駆動させるモータＭの回転速度及び回転方向を制御するとともに、剥離処理室２内に配置された多数の剥離液供給ノズル１１への剥離液の供給を行うポンプ１９をも制御する。
【００２６】
図３は、制御回路ＭＣの動作を説明するためのフローチャートである。図３において、まずステップＳ１で、制御回路ＭＣは最適搬送速度演算回路ＣＬの出力信号（すなわち最適搬送速度）Ｖを読取る。次に、ステップＳ２において、制御回路ＭＣはその内部に設定された揺動回数カウンタのカウントＮをゼロにリセットする。ここで、揺動回数カウンタは、実際に基板Ｗが揺動された回数をカウントするためのものである。ステップＳ３において、制御回路ＭＣはモータＭを最適搬送速度Ｖに応じた回転数で正方向に回転させる。これにより、基板Ｗを最適搬送速度Ｖで搬送方向（矢印Ａ方向）に搬送するよう多数の搬送ローラＲは回転させられ、基板Ｗは最適搬送速度Ｖで搬送方向（矢印Ａ方向）に搬送される。
【００２７】
そして、ステップＳ４でセンサ１７（下流側センサ）が基板Ｗの搬送方向先端を検出するまで、基板Ｗは最適搬送速度Ｖで搬送方向（矢印Ａ方向）に搬送され続ける。なお、このとき、搬送される基板Ｗの表面には剥離液供給ノズル１１から剥離液が供給され続けるように制御回路ＭＣはポンプ１９を駆動する。ここで、ステップＳ４でセンサ１７（下流側センサ）が基板Ｗの搬送方向先端を検出する状態が図２（ｂ）図示の状態である。
【００２８】
ステップＳ４でセンサ１７（下流側センサ）が基板Ｗの搬送方向先端を検出すると、ステップＳ５に進んで、揺動回数カウンタのカウントＮを１だけインクリメントする。すなわち、１回の揺動動作が完了したことをカウントするのである。そして、ステップＳ６に進んで、揺動回数カウンタのカウントＮが設定された揺動回数Ｘに達しているか否かを判断する。ステップＳ６において、揺動回数カウンタのカウントＮが設定された揺動回数Ｘに達していれば、すなわち、設定された揺動回数だけ揺動動作が行なわれたのであるから、次工程への搬出動作に移り、剥離処理室２内の搬送ローラＲを駆動する制御回路ＭＣの動作は終了する。
【００２９】
ステップＳ６において、揺動回数カウンタのカウントＮが設定された揺動回数Ｘに達していなければ、設定された揺動回数だけ揺動動作が完了していないのである。そこで、ステップＳ７に進んで、制御回路ＭＣはモータＭを最適搬送速度Ｖに応じた回転数で逆方向に回転させる。これにより、基板Ｗを最適搬送速度Ｖで搬送方向（矢印Ａ方向）と反対方向に搬送するよう多数の搬送ローラＲは回転させられ、基板Ｗは最適搬送速度Ｖで搬送方向（矢印Ａ方向）とは反対方向に搬送される。そして、ステップＳ８でセンサ１６（上流側センサ）が基板Ｗの搬送方向後端を検出するまで、基板Ｗは最適搬送速度Ｖで搬送方向（矢印Ａ方向）とは反対方向に搬送され続ける。なお、このとき、搬送される基板Ｗの表面には剥離液供給ノズル１１から剥離液が供給され続けるように制御回路ＭＣはポンプ１９を駆動し続ける。
【００３０】
ステップＳ８でセンサ１６（上流側センサ）が基板Ｗの搬送方向後端を検出すると、ステップＳ９に進んで制御回路ＭＣは揺動回数カウンタのカウントＮを１だけインクリメントする。ここで、ステップＳ９の状態では、図２（ｃ）図示のように基板Ｗは剥離処理室２内の最も上流側に位置していることになる。そこで、この基板Ｗを排出位置（図２（ｂ）図示の位置）に搬送するため、ステップＳ３に戻って、制御回路ＭＣはモータＭを最適搬送速度Ｖに応じた回転数で正方向に回転させる。これにより、基板Ｗを最適搬送速度Ｖで搬送方向（矢印Ａ方向）に搬送するよう多数の搬送ローラＲは回転させられ、基板Ｗは最適搬送速度Ｖで搬送方向（矢印Ａ方向）に再び搬送される。
【００３１】
そして、ステップＳ４においてセンサ１７（下流側センサ）が基板Ｗの搬送方向先端を検出するまで、基板Ｗは最適搬送速度Ｖで搬送方向（矢印Ａ方向）に再び搬送され続ける。ステップＳ４でセンサ１７（下流側センサ）が基板Ｗの搬送方向先端を検出すると、ステップＳ５に進んで、揺動回数カウンタのカウントＮを１だけインクリメントし、ステップＳ６においてこのインクリメントされたカウントＮが設定された揺動回数Ｘに達しているか否かを再び判断する。ステップＳ６において、揺動回数カウンタのカウントＮが設定された揺動回数Ｘに達していれば、すなわち、設定された揺動回数だけ揺動動作が行なわれたのであるから、次工程への搬出動作に移り、剥離処理室２内の搬送ローラＲを駆動する制御回路ＭＣの動作は終了する。
【００３２】
制御回路ＭＣは、その内部の揺動回数カウンタのカウントＮが設定された揺動回数Ｘに達するまでこのような動作を繰り返す。ここで、前述のように、揺動回数Ｘは奇数に設定されているが、ステップＳ５においてこの揺動回数Ｘと比較されるべき揺動回数カウンタのカウントＮも常に奇数となる。さらに、揺動回数のカウントについて、上記実施例では基板Ｗが一旦下流側の排出位置（図２（ｂ）図示の位置）に達したときに１としてそれからその搬送方向を反転させるたびにカウントアップするように数え、かつ揺動回数Ｘは常に奇数に設定されている。したがって、Ｎ＝Ｘとなるときには、必ず基板Ｗが下流側の排出位置（図２（ｂ）図示の位置）に位置している。
【００３３】
次に、本発明の変形例を図４〜６に示す。図４〜６は、図１図示の揺動回数設定回路５０、揺動時間設定回路６０、揺動距離設定回路７０、基板サイズ設定回路８０、反転間隔設定回路９０及び最適搬送速度演算回路CLの変形例を示している。
【００３４】
図１図示の実施例においては、基板サイズ設定回路８０の出力信号が示す基板サイズＰ及び反転間隔設定回路９０の出力信号が示す反転間隔Ｓに基づいて揺動距離設定回路７０が揺動距離Ｌ（＝Ｓ−Ｐ）を演算し、最適搬送速度演算回路CLがこの揺動距離Ｌを用いて最適搬送速度Ｖ（＝Ｘ・Ｌ／Ｔ）を演算するように構成されている。しかしながら、図４図示のようにこの揺動距離設定回路７０を省略し、揺動回数設定回路５０、揺動時間設定回路６０、基板サイズ設定回路８０、反転間隔設定回路９０の４出力を最適搬送速度演算回路CL１に入力して、最適搬送速度Ｖを「Ｖ＝Ｘ・（Ｓ−Ｐ）／Ｔ」に基づいて演算するように構成しても良い。ここで、揺動距離Ｌは「Ｓ−Ｐ」であるから、図４の最適搬送速度演算回路CL１の演算「Ｖ＝Ｘ・（Ｓ−Ｐ）／Ｔ」も図1の最適搬送速度演算回路CLの演算「Ｖ＝Ｘ・Ｌ／Ｔ」を実行していることに他ならない。
【００３５】
更に、図１において明らかなように、反転間隔Ｓはセンサ１６とセンサ１７との間の距離であり、装置完成時には既知であるとともに変更されることは極めて少ない。このような場合は、図５図示のように反転間隔Ｓを固定値ＳＦとして最適搬送速度演算回路CL２内に予め記憶させておけば、反転間隔設定回路９０を省略することができる。ここで、最適搬送速度演算回路CL２はＶ＝Ｘ・（ＳＦ−Ｐ）／Ｔの演算を行うことになるが、揺動距離Ｌは「ＳＦ−Ｐ」であるから、やはり図1の最適搬送速度演算回路CLの演算「Ｖ＝Ｘ・Ｌ／Ｔ」を実行していることに他ならない。
【００３６】
更に、基板サイズＰの変更も少ない場合は、図６図示のように基板サイズＰを固定値ＰＦとして最適搬送速度演算回路CL３内に予め記憶させておけば、基板サイズ設定回路８０を省略することができる。ここで、最適搬送速度演算回路CL３はＶ＝Ｘ・（ＳＦ−ＰＦ）／Ｔの演算を行うことになるが、揺動距離Ｌは「ＳＦ−ＰＦ」であるから、やはり図1の最適搬送速度演算回路CLの演算「Ｖ＝Ｘ・Ｌ／Ｔ」を実行していることに他ならない。
【００３７】
なお、上記実施例では「揺動時間Ｔ」を設定するように構成されているが、本発明はこれに限らず、例えば剥離処理室２における処理時間を設定するように構成して、この処理時間から基板Ｗを最初に図２（ａ）図示の状態に位置させるまでの時間などの余分な時間を差し引いて、基板Ｗの揺動だけに要する揺動時間を求めるように構成することも可能である。
【００３８】
本発明は、上記実施例のごとき剥離装置のみならず、洗浄装置、エッチング装置及び現像装置などにも適用可能であり、またガラス角型基板用の処理装置のみならず、半導体ウエハ用処理装置、カラーフィルタ用処理装置、フォトマスク用処理装置などにも適用可能である。
【００３９】
【発明の効果】
以上詳細に説明した如く、請求項１に係る発明は、所定の処理室内において基板を所定の搬送方向について前後に揺動させつつその表面に処理液を供給して基板の処理を行う基板処理装置において、基板の揺動回数Ｘを設定する揺動回数設定手段と、基板の揺動距離Ｌを設定する揺動距離設定手段と、揺動時間Ｔを設定する揺動時間設定手段と、設定された揺動回数Ｘ、揺動距離Ｌ、及び揺動時間Ｔから、揺動時における基板の搬送速度Ｖを、Ｖ＝Ｘ・Ｌ／Ｔとして演算する演算手段と、演算された基板の搬送速度Ｖに基づいて基板を揺動させつつ搬送する基板搬送手段と、揺動される基板に向けて処理液を供給する処理液供給手段とを備えたことを特徴とするものであり、このように構成することによって、所定の処理時間終了時には基板が所定の搬出位置に正確に位置させられ、したがって、処理済みの基板が次の工程に移動させられるまでに過大な時間がかかったり次の基板の処理室への投入が遅れてしまうことがなく、装置の処理能力（所定時間当たりの基板処理枚数）が悪化させられることもない基板処理装置を提供することができるとともに、簡単な演算によって最適な搬送速度を求めることができる。
【００４０】
また請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、揺動距離設定手段は、揺動時の基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離を設定する反転間隔設定手段と、搬送される基板の搬送方向長さを設定する基板サイズ設定手段とを有し、揺動時の基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離をＳとし基板の搬送方向長さをＰとするとき、基板の揺動距離Ｌを「Ｌ＝Ｓ−Ｐ」に基づいて設定することを特徴とするものであり、このように構成することによって、揺動時の基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離や搬送される基板の搬送方向長さが変更されても簡単にそれに対応することができる。
【００４１】
更に請求項３に係る発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、更に処理室内における基板の揺動範囲の両端にそれぞれ配置され基板の到達を検出する２つのセンサと、各センサが基板の到達を検出したときに基板の搬送方向を反転させるよう基板搬送手段を制御する搬送制御手段とを備え、２つのセンサ間の距離が揺動時の基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離として反転間隔設定手段に設定されることを特徴とするものであり、このように構成することによって、揺動時の基板の搬送方向を反転させる位置の間の距離を簡単に定めることができる。
【００４２】
また請求項４に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、揺動回数設定手段は、予め設定された揺動回数が奇数の場合はその数値を揺動回数Ｘとして出力し、予め設定された揺動回数が偶数の場合はその数値に１を加算した数値を揺動回数Ｘとして出力することを特徴とするものであり、このように構成することによって、簡単な演算によって最適な搬送速度を求めることができる。
【００４４】
加えて請求項５に係る発明では、所定の処理室内において基板を所定の搬送方向について前後に揺動させつつその表面に処理液を供給して基板の処理を行う基板処理方法において、基板の揺動回数Ｘ、基板の揺動距離Ｌ、及び揺動時間Ｔから、揺動時における基板の搬送速度Ｖを、「Ｖ＝Ｘ・Ｌ／Ｔ」として演算する工程と、演算された基板の搬送速度Ｖに基づいて基板を揺動させつつ搬送するとともに、揺動される基板に向けて処理液を供給する工程とを備えたことを特徴とするものであり、このように構成することによって、所定の処理時間終了時には基板が所定の搬出位置に正確に位置させられ、したがって、処理済みの基板が次の工程に移動させられるまでに過大な時間がかかったり次の基板の処理室への投入が遅れてしまうことがなく、装置の処理能力（所定時間当たりの基板処理枚数）が悪化させられることもない基板処理方法を提供することができるとともに、簡単な演算によって最適な搬送速度を求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態である剥離装置の実施例１の構成を示す図である。
【図２】実施の形態における剥離装置の動作を説明するための模式図である。
【図３】実施の形態である剥離装置の要部の動作を示すフローチャートである。
【図４】実施例１の変形例をを示す図である。
【図５】実施例１の別の変形例をを示す図である。
【図６】実施例１の更に別の変形例をを示す図である。
【図７】従来の剥離装置を説明した図である。
【符号の説明】
２  剥離処理室（処理室）
Ａ  搬送方向
Ｗ  基板
Ｐ  基板の搬送方向長さ
Ｓ  揺動距離
Ｒ  搬送ローラ
Ｍ  モータ
１１  剥離液供給ノズル（処理液供給手段）
１６  センサ
１７  センサ
５０  揺動回数設定回路（揺動回数設定手段）
６０  揺動時間設定回路（揺動時間設定手段）
７０  揺動距離設定回路（揺動距離設定手段）
ＣＬ  最適搬送速度演算回路（演算手段）
ＭＣ  制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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