(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板及び対向基板に夫々設けられる上下導通端子の少なくとも一方に、前記上下導通端子同士を電気的に接続する球状の上下導通材が配置される凹凸を有する配置部が形成され、前記配置部は、前記上下導通材の径よりも狭幅の開口の凹部を有し、前記上下導通材は前記凹部上に前記凹部の縁辺部に接触するように配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記配置部は、前記上下導通材の径よりも０．５〜１μｍだけ狭幅の開口の凹部を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記上下導通端子の少なくとも一方は、導電性を有する１つの層によって構成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記上下導通端子の少なくとも一方は、導電性を有する最上層と１つ以上の下層との多層構造を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記１つ以上の下層は、少なくとも最上層が導電性を有する層によって構成されることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記導電性を有する最上層は、エッチングによって凹部が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記導電性を有する最上層は、パターニングによって凹部が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、貼り合わせた素子基板と対向基板との電気的な接続を導通材によって行う液晶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ライトバルブ等の液晶装置は、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。液晶ライトバルブでは、一方の基板に、例えば薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと称す）等の能動素子をマトリクス状に配置し、他方の基板に対向電極を配置して、両基板間に封止した液晶層の光学特性を画像信号に応じて変化させることで、画像表示を可能にする。
【０００３】
即ち、ＴＦＴ素子によってマトリクス状に配列された画素電極（ＩＴＯ）に画像信号を供給し、画素電極と対向電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。これにより、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
ＴＦＴを配置したＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。
【０００５】
パネル組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させる。シール部の一部には切り欠きが設けられており、この切り欠きを介して液晶を封入する。
【０００６】
ＴＦＴ基板のシール部の外側の領域には、パネル上の各種駆動回路と外部機器との間で、液晶パネルの駆動信号、タイミング信号及び画像信号等を送受するための実装端子が配列されている。駆動回路等の外部回路との接続にはＦＰＣ（フレキシブルプリント板）が採用される。実装端子とＦＰＣとは、ＦＰＣに形成されたＡＣＦ（Anisotoropic Conductive Film）（異方性導電膜）を用いて圧着する。
【０００７】
このように、ＴＦＴ基板と外部回路との電気的な接続はＦＰＣを介して行われる。一方、対向基板と外部回路との間の電気的な接続は、ＦＰＣ、ＴＦＴ基板上のパターン及び上下導通材を介して行われる。
【０００８】
図１１は外部回路と対向基板との電気的な接続を説明するための説明図である。
【０００９】
ＴＦＴ基板１０２の端部には、実装端子１０３が形成されている。ＦＰＣ１００は、図示しないベース材料上に複数の銅箔パターンが形成されて構成される。ＦＰＣ１００の先端には、圧着用のＡＣＦ１０１が形成されている。ＡＣＦ１０１によって、ＦＰＣ１００はＴＦＴ基板１０２の実装端子１０３に接続される。実装端子１０３はＴＦＴ基板１０２上の図示しない配線パターンを介して対向基板１０７の４隅に対応するＴＦＴ基板１０２の４隅に形成された下導通端子１０４に接続されている。
【００１０】
下導通端子１０４に対向する対向基板１０７の４隅には上導通端子１０５が形成されている。上導通端子１０５は対向基板１０７の図示しない共通電極に接続されている。これらの上下導通端子１０４，１０５相互間は上下導通材１０６によって電気的に接続されるようになっている。即ち、外部回路と対向基板１０７とは、ＦＰＣ１００、実装端子１０３、ＴＦＴ基板１０２上の配線パターン、下導通端子１０４、上下導通材１０６及び上導通端子１０５を介して接続される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上下導通材は、球状のガラスビーズ、樹脂ボール、あるいは円柱状のグラスファイバー等に、金属メッキを施して形成されている。例えば、接着剤に上下導通材を含有させ、対向基板１０７の４隅に上下導通材を含有させた接着剤を用いることによって、ＴＦＴ基板と対向基板相互間の導通を図っている。
【００１２】
即ち、導通端子部の４隅については、１カ所につき例えば３０個程度の上下導通材を含有させた接着剤を用い、アライメント時の振動によって、各上下導通材を上下の導通端子に接触させるようになっている。図１２は各上下導通材１０６が下導通端子１０４に接触している状態を示している。
【００１３】
しかしながら、ＴＦＴ基板と対向基板間の空隙（ギャップ）が２〜５μｍと極めて狭いため、それに適用できる材料は球状あるいは円柱状に限定され上下導通材と各上下の導通端子とは点接触することになり、接触抵抗値が大きくなりやすい。
【００１４】
上下導通材の材質を考慮すると、上下導通端子と上下導通材との接触抵抗の低抵抗化は困難である。そこで、配線抵抗を含めた上下導通抵抗を低減させるために、端子までの配線の低抵抗化が図られているが十分ではない。
【００１５】
このように、ＴＦＴ基板と対向基板との上下導通抵抗は高く、ばらつきも大きい。このため、液晶表示装置を構成した場合には、フリッカや表示むら等が発生し、表示品質及び歩留まりが低下するという問題点があった。
【００１６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、ＴＦＴ基板と対向基板との上下導通抵抗を低減することにより、フリッカや表示むら等の発生を防止、表示品質及び歩留まりを向上させることができる液晶装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る液晶装置は、素子基板及び対向基板に夫々設けられる上下導通端子の少なくとも一方に形成され、前記上下導通端子同士を電気的に接続する上下導通材が配置される凹凸を有する配置部を具備し、前記配置部は、前記上下導通材の径よりも狭幅の開口の凹部を有することを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、素子基板及び対向基板には上下導通端子が形成される。これらの上下導通端子の少なくとも一方には凹凸を有する配置部が形成される。配置部の凹凸に上下導通材が配置され、上下導通材によって上下導通端子同士が電気的に接続される。凹凸によって、上下導通材と上下導通端子との接触部分が大きくなり、接触抵抗が低減される。
【００１９】
前記配置部は、前記上下導通材の径よりも狭幅の開口の凹部を有することを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、凹部に上下導通材の一部が埋没し、少なくとも開口の縁辺において上下導通材と上下導通端子の少なくとも一方とが接触する。
【００２１】
前記配置部は、前記上下導通材の径よりも０．５〜１μｍだけ狭幅の開口の凹部を有することを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、凹部内に上下導通材の最大径部分が埋没する。これにより、凹部内の側壁に上下導通材の周が接触して、接触抵抗が低減される。
【００２３】
前記上下導通端子の少なくとも一方は、導電性を有する１つの層によって構成されることを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、導電性を有する１つの層に凹凸を有する配置部が形成される。
【００２５】
前記上下導通端子の少なくとも一方は、導電性を有する最上層と１つ以上の下層との多層構造を有することを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、導電性を有する最上層に凹凸を有する配置部が形成される。
【００２７】
前記１つ以上の下層は、少なくとも最上層が導電性を有する層によって構成されることを特徴とする。
【００２８】
このような構成によれば、上下導通材は、最上層だけでなく、下層のうちの最も上の層にも接触する。
【００２９】
前記導電性を有する最上層は、エッチングによって凹部が形成されていることを特徴とする。
【００３０】
このような構成によれば、最上層形成後に、凹部が形成される。
【００３１】
前記導電性を有する最上層は、パターニングによって凹部が形成されていることを特徴とする。
【００３２】
このような構成によれば、最上層の形成と同時に凹部が形成される。
【００３３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の下導通端子及び上下導通材を示す説明図である。図２は液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図３はＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図であり、図４は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図である。また、図５は液晶装置を詳細に示す断面図である。図６はパネル組立工程を示すフローチャートである。
【００３４】
本実施の形態は素子基板と対向基板との電気的な接続に用いられる上及び下導通端子の少なくとも一方に凹凸によって構成された配置部を設けることにより、上下導通端子と上下導通材との点接触箇所を増加させて、上下導通抵抗を低減させることを可能にしたものである。
【００３５】
先ず、図２乃至図５を参照して、液晶パネルの構造について説明する。
【００３６】
液晶パネルは、図３及び図４に示すように、ＴＦＴ基板等の素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。素子基板１０上には画素を構成する画素電極等がマトリクス状に配置される。図２は画素を構成する素子基板１０上の素子の等価回路を示している。
【００３７】
図２に示すように、画素領域においては、複数本の走査線３ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線３ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線３ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００３８】
ＴＦＴ３０は走査線３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００３９】
図５は、一つの画素に着目した液晶パネルの模式的断面図である。
【００４０】
ガラスや石英等の素子基板１０には、ＬＤＤ構造をなすＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ、ドレイン領域１ｅが形成された半導体層に絶縁膜２を介してゲート電極をなす走査線３ａが設けられてなる。ＴＦＴ３０上には第１層間絶縁膜４を介してデータ線６ａが積層され、データ線６ａはコンタクトホール５を介してソース領域１ｄに電気的に接続される。データ線６ａ上には第２層間絶縁膜７を介して画素電極９ａが積層され、画素電極９ａはコンタクトホール８を介してドレイン領域１ｅに電気的に接続される。
【００４１】
走査線３ａ（ゲート電極）にＯＮ信号が供給されることで、チャネル領域１ａが導通状態となり、ソース領域１ｄとドレイン領域１ｅとが接続されて、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに与えられる。
【００４２】
また、半導体層にはドレイン領域１ｅから延びる蓄積容量電極１ｆが形成されている。蓄積容量電極１ｆは、誘電体膜である絶縁膜２を介して容量線３ｂが対向配置され、これにより蓄積容量７０を構成している。画素電極９ａ上にはポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜１６が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００４３】
一方、対向基板２０には、ＴＦＴアレイ基板のデータ線６ａ、走査線３ａ及びＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において第１遮光膜２３が設けられている。この第１遮光膜２３によって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ、ソース領域１ｄ及びドレイン領域１ｅに入射することが防止される。第１遮光膜２３上に、対向電極（共通電極）２１が基板２０全面に亘って形成されている。対向電極２１上にポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜２２が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００４４】
そして、素子基板１０と対向基板２０との間に液晶５０が封入されている。これにより、ＴＦＴ３０は所定のタイミングでデータ線６ａから供給される画像信号を画素電極９ａに書き込む。書き込まれた画素電極９ａと対向電極２１との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向状態が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００４５】
図３及び図４に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜４２が設けられている。遮光膜４２は例えば遮光膜２３と同一又は異なる遮光性材料によって形成されている。
【００４６】
遮光膜４２の外側の領域に液晶を封入するシール部４１が、素子基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール部４１は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板１０と対向基板２０を相互に固着する。シール部４１は、素子基板１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、液晶５０を注入するための液晶注入口７８が形成される。液晶注入口７８より液晶が注入された後、液晶注入口７８を封止材７９で封止するようになっている。
【００４７】
シール部４１の４隅には導通部６５が形成されている。導通部６５は、後述するように、素子基板１０の４隅に形成された図示しない下導通端子と対向基板２０の４隅に形成された上導通端子との間に配置されて、両者を電気的に接続するようになっている。
【００４８】
素子基板１０のシール部４１の外側の領域には、データ線駆動回路６１及び実装端子６２が素子基板１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路６３が設けられている。素子基板１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路６３間を接続するための複数の配線６４が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１０と対向基板２０との間を電気的に導通させるための導通部６５が設けられている。
【００４９】
次に、図６を参照してパネル組立工程について説明する。素子基板１０（ＴＦＴ基板）と対向基板２０とは、別々に製造される。ステップＳ1 ，Ｓ6 で夫々用意されたＴＦＴ基板及び対向基板２０に対して、次のステップＳ2 ，Ｓ7 では、配向膜１６，２２となるポリイミド（ＰＩ）を塗布する。次に、ステップＳ3 ，Ｓ8 において、素子基板１０表面の配向膜１６及び対向基板２０表面の配向膜２２に対して、ラビング処理を施す。
【００５０】
次に、ステップＳ4 ，Ｓ9 において、洗浄工程を行う。この洗浄工程は、ラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。
【００５１】
洗浄工程が終了すると、ステップＳ5 において、シール部４１、及び導通部６５（図３参照）を形成する。本実施の形態においては、導通部６５は、例えば、接着剤に、球状のガラスビーズ、樹脂ボール、あるいは円柱状のグラスファイバー等に金属メッキを施して形成された上下導通材を含有させて構成されている。
【００５２】
シール部４１及び導通部６５は、ディスペンス塗布等によって形成する。このようなシール部４１及び導通部６５を形成した後、次に、ステップＳ10で、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、ステップＳ11でアライメントを施しながら圧着し、シール部４１及び導通部６５を硬化させる。最後に、ステップＳ12において、シール部４１の一部に設けた切り欠きから液晶を封入し、切り欠きを塞いで液晶を封止する。
【００５３】
図１（ａ）は下導通端子８１と上下導通材８２とを模式的に示している。図１（ｂ），（ｃ）は図１（ａ）中の開口部８３，９３と上下導通材８２とを上方から見て両者の関係を平面形状で示している。
【００５４】
下導通端子８１は図３の導通部６５に対応する位置の素子基板１０上に形成されている。下導通端子８１は配線パターン８４（図３では図示略）を介して実装端子６２（図３）に接続されている。上下導通材８２は導通部６５において接着剤に混入されている導電性の球である。上下導通材８２は、導通部６５内に例えば３０個程度含まれる。
【００５５】
本実施の形態においては、下導通端子８１には、配置部として、上下導通材８２の径よりも狭幅で所定の深さの開口部８３又は９３が複数形成されている。図１（ｂ）の例は、下導通端子８１に、一辺が上下導通材８２の径よりも狭幅の正方形状を有する開口部８３を形成した例を示している。また、図１（ｃ）の例は、下導通端子８１に、径が上下導通材８２の径よりも短い円形状を有する開口部９３を形成した例を示している。各開口部９３上に上下導通材８２が配置されるようになっている。
【００５６】
なお、開口部８３，９３は、下導通端子８１に対するエッチング工程によって、容易に形成可能である。即ち、素子基板１０上に下導通端子８１のパターンを形成し、エッチングによって開口部８３，９３を形成するのである。また、開口部８３，９３は下導通端子８１のパターン形成時に同時に形成してもよい。即ち、開口部８３，９３の形状に応じたマスクパターンを用意し、下導通端子８１を溝状或いはメッシュ状又は円形状にパターン形成することで、開口部８３，９３を下導通端子８１形成時に同時に形成するのである。なお、一導通部６５において素子基板１０上に形成する開口部８３又は９３の数は、一導通部６５に含まれる上下導通材８２の数よりも多く設定する。
【００５７】
上下導通材８２は、図６のステップＳ5 のシール・上下導通材形成工程において、下導通端子８１上に配置される。接着剤に混入した上下導通材８２は、シール・上下導通材形成工程のみでは、開口部８３，９３上に位置するとは限らない。しかし、ステップＳ11のアライメント工程における振動によって、上下導通材８２は上下導通端子８１の平面部を移動して、開口部８３，９３上に配置される。
【００５８】
図１（ｂ）のような構成によれば、開口部８３の開口形状が正方形であるので、開口部８３上に配置された各上下導通材８２は、開口部８３の４つの縁辺部において接触する。即ち、各上下導通材８２は開口部８３の４カ所で接触することになり、従来に比して接触点数が増加し、下導通端子８１と上下導通部材８２との間の接触抵抗が小さくなる。
【００５９】
また、図１（ｃ）のような構成によれば、開口部９３の開口形状が円形であるので、開口部９３上に配置された各上下導通材８２は、開口部９３の縁辺において接触する。即ち、各上下導通材８２は開口部９３の円形縁辺で線接触することになり、従来に比して接触面積が増加し、下導通端子８１と上下導通部材８２との間の接触抵抗を小さくすることができる。
【００６０】
このように、本実施の形態においては、下導通端子８１に開口部８３又は９３を形成し、球状の上下導通材８２を開口部８３，９３上に配置して４カ所で点接触又は線接触させていることから、下導通端子８１と上下導通材８２との接触抵抗を低減することができる。これにより、素子基板１０と対向基板２０との間の上下導通抵抗を低減することができるので、表示装置を構成した場合に、フリッカや表示むら等の発生を防止、表示品質及び歩留まりを向上させることができる。
【００６１】
図７は本発明の第２の実施の形態を示す説明図である。図７は上下導通材１２１及び下導通端子９５のみを示している。
【００６２】
下導通端子９５は、図１の下導通端子８１と同様に、図３の導通部６５に対応する位置の素子基板１０上に形成されている。下導通端子９５は配線パターン（図示略）を介して実装端子６２に接続されている。また、上下導通材１２１は、図１の上下導通材８２よりも径が大きい点のみが上下導通材８２と異なる。
【００６３】
本実施の形態においては、下導通端子９５は、上下導通材８２の径よりも狭幅で、図１の下導通端子８１よりも広幅の開口部１２３が複数形成されている。開口部１２３の開口部の平面形状は、図１（ｂ）の開口部８３と同様の正方形状であってもよく、また、図１（ｃ）の開口部９３と同様の円形状であってもよい。
【００６４】
例えば、上下導通材１２１の径と開口部１２３の径及び深さとを適宜設定することにより、上下導通材１２１は、開口部１２３の開口部縁辺に接すると共に、開口部１２３の底面にも接する。
【００６５】
更に、開口部１２３の径を上下導通材１２１の径よりも０．５〜１μｍ程度大きくすることによって、上下導通材１２１を開口部１２３内に半分以上埋没させることが可能になる。即ち、この場合には、上下導通材１２１の最大の径部分を開口部１２３の側面に接触させることが可能となる。即ち、この場合には、開口部１２３が円形状である場合には、最も大きい面積での線接触が可能である。
【００６６】
開口部１２３の平面形状が正方形である場合には、上下導通材１２１は下導通端子９５と５点で接触することになり、接触抵抗が低減される。また、開口部１２３の平面形状が円形である場合には、上下導通材１２１は下導通端子と開口部１２３の縁辺に線接触し、底面に点接触することになり、接触抵抗が低減される。
【００６７】
このように本実施の形態においても、下導通端子９５と上下導通材１２１との接触抵抗を低減することができる。これにより、素子基板１０と対向基板２０との間の上下導通抵抗を低減することができるので、表示装置を構成した場合に、フリッカや表示むら等の発生を防止、表示品質及び歩留まりを向上させることができる。
【００６８】
図８は本発明の第３の実施の形態を示す説明図である。
【００６９】
本実施の形態は下導通端子が２層で構成された場合の例である。即ち、下導通端子は下層９７とアルミニウム等で構成された表面層９６によって構成されている。本実施の形態は、表面層９６にエッチング又はパターニングによって開口部１２３を形成したものである。
【００７０】
他の作用及び効果は第２の実施の形態と同様である。
【００７１】
図９は本発明の第４の実施の形態を示す説明図である。
【００７２】
本実施の形態も下導通端子が２層で構成された場合の例である。即ち、下導通端子はアルミニウム等で構成された下層９７と表面層９８とによって構成されている。本実施の形態は、表面層９８にエッチングによって下層９７まで達する開孔部１２４を形成したものである。この場合にも、上下導通材１２１の径と開孔部１２４の径及び層の厚さとを適宜設定することにより、上下導通材１２１は、開孔部１２４の開口部縁辺に接すると共に、開孔部１２４の底面、即ち、下層９７の表面にも接する。
【００７３】
他の作用及び効果は第２の実施の形態と同様である。
【００７４】
図１０は本発明の第５の実施の形態を示す説明図である。
【００７５】
本実施の形態も下導通端子が２層で構成された場合の例である。即ち、下導通端子はアルミニウム等で構成された下層９７と表面層９９とによって構成されている。本実施の形態は、表面層９９の形成時に、パターニングによって下層９７まで達する開孔部１２５を形成したものである。メッシュ状又は円形状等のパターニングによって、開孔部１２５を形成することができる。この場合にも、上下導通材１２１の径と開孔部１２５の径及び層の厚さとを適宜設定することにより、上下導通材１２１は、開孔部１２５の開口部縁辺に接すると共に、開孔部１２５の底面、即ち、下層９７の表面にも接する。
【００７６】
他の作用及び効果は第２の実施の形態と同様である。
【００７７】
なお、上記各実施の形態においては、下導通端子にのみ開口部を形成する例について説明したが、上導通端子にも下導通端子と対応する位置に配置部となる同様の開口部を設け、上導通端子と上下導通材との間の接触抵抗を小さくするようにしてもよいことは明らかである。上下導通端子のうちの少なくとも一方の導通端子に開口部を設けることで、素子基板と対向基板との間の接触抵抗を低減することができる。
【００７８】
また、上下導通材は開口部内に埋没することになるので、上下導通材はギャップ長と埋没する部分の長さを考慮した径にする必要があることは明らかである。
【００７９】
また、図８乃至図１０では上下の導通端子が２層の場合について説明したが、多層に場合にも適用可能であることも明らかである。
【００８０】
また、上記各実施の形態においては、開口形状が正方形状又は円形状である例について説明したが、長方形状又は多角形状等のどのような形状であってもよい。
【００８１】
更に、上記各実施の形態においては、開口部を形成することで、上下導通材と上下導通端子との接触部分を大きくしたが、上下導通端子の少なくとも一方に、上下導通材の一部を覆って固定する凸部を形成することによっても同様の効果が得られることは明らかである。
【００８２】
また、上記各実施の形態においては、上下導通材が球状であるものとして説明したが、円柱形状であっても同様に構成することができる。即ち、この場合には、上及び下導通端子の少なくとも一方に、円柱形状の上下導通材の一部を埋没させる溝を形成すればよい。この場合には、上下導通端子と上下導通材とは溝開口の縁辺部において線接触することになり、接触抵抗を低減することができる。
【００８３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、ＴＦＴ基板と対向基板との上下導通抵抗を低減することにより、フリッカや表示むら等の発生を防止、表示品質及び歩留まりを向上させることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の下導通端子及び上下導通材を示す説明図。
【図２】  液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図３】  ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図４】  素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図５】  液晶装置を詳細に示す断面図。
【図６】  パネル組立工程を示すフローチャート。
【図７】  本発明の第２の実施の形態を示す説明図。
【図８】  本発明の第３の実施の形態を示す説明図。
【図９】  本発明の第４の実施の形態を示す説明図。
【図１０】  本発明の第５の実施の形態を示す説明図。
【図１１】  外部回路と対向基板との電気的な接続を説明するための説明図。
【図１２】  各上下導通材１０６が下導通端子１０４に接触している状態を示す説明図。
【符号の説明】
１０…組織場
８１…下導通端子
８２…上下導通材
８３，９３…開口部
８４…配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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