(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）チャンバーにパージガスを通し、これによって貴ガスの実質的に全てを前記チャンバーからパージし、前記貴ガスと前記パージガスを含んだガス状流出物を生成させる工程；および
（ｂ）貴ガス流れと貴ガスを実質的に含まないフラクションを前記ガス状流出物から分離する工程；を含み、
前記チャンバーが炉の一部であり、工程（ａ）の前に、平面状セクションの対をヒートシールして、前記貴ガスを含有した雰囲気中に気密エンクロージャーを形成させることによって、前記チャンバー中に貴ガスを含有したディスプレイパネルをつくる、
チャンバーから貴ガスを回収する方法。
【請求項２】
前記貴ガスが、キセノン、ネオン、アルゴン、クリプトン、およびこれらの混合物からなる群から選ばれる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記パージガスが、水素、スチーム、アンモニア、二酸化炭素、一酸化炭素、酸素、エチレン、プロピレン、および４〜６個の炭素原子を有する炭化水素からなる群から選ばれる、請求項１記載の方法。
【請求項４】
膜分離、凝縮、吸着、吸収、結晶化、またはこれらの組合せによって工程（ｂ）を行う、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記貴ガスが、５０〜１００容量％のネオンと５０〜０容量％のキセノンを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
分離された貴ガス流れ、分離された貴ガス非含有フラクション、またはこれらの両方を前記チャンバーに再循環する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
平面状セクションの各対の一方または両方の膜が、その外縁に感熱接着剤のビーズを有し、１.５〜２絶対バールの圧力にて、互いに少なくとも３５０℃付近の温度で前記平面状セクションを加熱することによって、前記平面状セクションをシールする、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記パージガスが水素であり、パラジウムを含む膜を使用した膜分離によって、前記貴ガス流れを前記ガス状流出物から分離する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記膜分離の前に、一酸化炭素と二酸化炭素の一方または両方を前記ガス状流出物から取り除く、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
２００〜６００℃の温度、および３〜４０絶対バールの圧力にて前記膜分離を行う、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記ガス状流出物が酸素を含み、前記パラジウムにより前記酸素と水素との反応が起こって水蒸気が生成する、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
前記貴ガス流れを、シリカ、アルミナ、ゼオライトＡ、ゼオライトＸ、およびこれらの混合物から選ばれる乾燥剤を使用する温度スイング吸着プロセスにて処理することによって前記貴ガス流れから前記水蒸気を取り除くことをさらに含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記パージガスが酸素であり、前記膜分離において使用される膜がイオン伝導膜である、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記パージガスがスチームであり、前記貴ガス流れが凝縮によって前記ガス状流出物から分離される、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
前記貴ガス流れが、窒素、水蒸気、一酸化炭素、二酸化炭素、水素、酸素、炭化水素、およびこれらの２種以上の混合物からなる群から選ばれる不純物を含有し、前記不純物が、（ａ）水蒸気、一酸化炭素、二酸化炭素、２個以上の炭素原子を有する炭化水素、またはこれらの混合物を選択的に吸着する１種以上の吸着剤を使用しての、周囲温度〜１５０℃の範囲の温度における吸着；
（ｂ）水素、酸素、一酸化炭素、またはこれらの混合物を化学吸着する１種以上のゲッター物質を使用する化学吸着；
（ｃ）水素の水への接触酸化および／または一酸化炭素の二酸化炭素への接触酸化；
（ｄ）窒素、一酸化炭素、メタン、またはこれらの２種以上の混合物を選択的に吸着する１種以上の吸着剤を使用する低温吸着；
（ｅ）窒素、炭化水素、またはこれらの混合物を吸着する１種以上のゲッター物質を使用する化学吸着；および
（ｆ） （ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、および（ｅ）の２つ以上の組合せ；からなる群から選ばれる方法によって貴ガス流れから除去される、請求項１記載の方法。
【請求項１６】
前記貴ガス流れが、水蒸気、二酸化炭素、および２個以上の炭素原子を有する炭化水素、またはこれらの混合物からなる群から選ばれる不純物を含有し、シリカゲル、活性アルミナ、ゼオライト、活性炭、およびこれらの混合物からなる群から選ばれる吸着剤を使用して０〜２００℃の範囲の温度で行われる方法（ａ）によって、前記不純物が貴ガス流れから除去される、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
前記貴ガス流れが水素、酸素、またはこれらの両方を含有し、銅ゲッター、銅酸化物ゲッター、ニッケルゲッター、またはこれらの混合物を使用して２５〜２００℃の範囲の温度で行われる方法（ｂ）によって、これらが前記貴ガス流れから除去される、請求項１５記載の方法。
【請求項１８】
貴ガス流れと前記ゲッターが接触すると水蒸気が形成され、シリカ、アルミナ、ゼオライトＡ、ゼオライトＸ、およびこれらの混合物からなる群から選ばれる乾燥剤と前記貴ガス流れとを接触させることによって前記水蒸気が除去される、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記貴ガス流れが窒素、メタン、一酸化炭素、またはこれらの混合物を含有し、ゼオライト４Ａ、ゼオライト５Ａ、ゼオライトＸ、およびこれらの混合物からなる群から選ばれる吸着剤を使用して５０〜２００℃の範囲の温度で行われる方法（ｃ）によって、これらが前記貴ガス流れから除去される、請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
前記貴ガス流れが窒素、炭化水素、またはこれらの混合物を含有し、ジルコニウムベースの材料を使用して３５０〜７００℃の範囲の温度で行われる方法（ｄ）によって、これらが前記貴ガス流れから除去される、請求項１５記載の方法。
【請求項２１】
前記ジルコニウムベースの材料がジルコニウム合金である、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
前記ジルコニウムベース合金が、ジルコニウム−アルミニウム合金、ジルコニウム−バナジウム−鉄合金、またはこれらの混合物である、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
（ａ）プラズマディスプレイパネルのシール用手段；
（ｂ）透過ガスゾーンと不透過ガスゾーンを有するパラジウム膜のガス分離用セル；
（ｃ）貴ガスを前記プラズマディスプレイパネルシール用手段に導入するための貴ガス導管手段；
（ｄ）水素パージガスを前記プラズマディスプレイパネルシール用手段に導入するための水素導管手段；
（ｅ）前記プラズマディスプレイパネルシール用手段を前記パラジウム膜のガス分離用セルの入口端に連結している流出ガス導管手段；
（ｆ）前記パラジウム膜のガス分離用セルの透過ゾーンを前記プラズマディスプレイパネルシール用手段に連結している水素再循環ガス導管手段；
（ｇ）前記パラジウム膜のガス分離用セルの不透過ゾーンを前記プラズマディスプレイパネルシール用手段に連結している貴ガス再循環ガス導管手段；
（ｈ）前記プラズマディスプレイシール用手段を脱気するための脱気手段；
（ｉ）前記流出ガス導管手段中に配置されたガス圧縮用手段；および
（ｊ）前記ガス圧縮用手段と前記パラジウム膜のガス分離用手段との間にて前記流出ガス導管手段中に配置されたガス加熱用手段；
を含む、プラズマディスプレイパネル中の貴ガスをシールするための装置。
【請求項２４】
前記貴ガス再循環ガス導管手段中に配置された、窒素、二酸化炭素、酸素、水蒸気、および炭化水素のうちの１種以上を前記貴ガスから除去するための手段をさらに含む、請求項２３記載の装置。
【請求項２５】
前記ガス圧縮用手段と前記パラジウム膜のガス分離用手段との間にて前記流出ガス導管手段中に配置された、一酸化炭素と二酸化炭素の一方または両方を前記流出ガス導管手段を通るガスから除去するための手段をさらに含む、請求項２３記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス混合物からキセノン、ネオン、およびクリプトン等の貴ガスを回収することに関する。さらに詳細には、本発明は、プラズマディスプレイパネルをシールする炉からキセノンとネオンの混合物を回収することに関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
プラズマディスプレイパネルは、テレビやコンピュータモニター用のフラットスクリーンディスプレイの製造において使用されている。ヨーロッパ特許出願０６９８９０３号は、ネオン、アルゴン、キセノン、および／またはクリプトンで構成される希土類元素ガス混合物を含有したプラズマディスプレイパネルを開示している。プラズマディスプレイパネルは一般に、材料のフラットシートの対と適切なディスプレイ回路構成部分とを、取り囲まれたスペースがシート間に形成されるような仕方で結びつけることによって製造される。この取り囲まれたスペースに貴ガス（好ましくはキセノン、ネオン、またはこれらの混合物）を充填し、これら２枚のシート材料を一緒にシールしてディスプレイパネルを形成する。従来のパネル製造法は、シート材料のエッジエリアに接着剤バインダーを塗布し、バインダー含有シート材料の対を気密のシール用オーブン中に整列させ、オーブンを脱気し、不活性ガスまたは不活性ガス混合物をオーブン中に装入し、そして気密構造物中にて、シート材料の対を一緒にシールするに足る温度にまでオーブンを加熱するというものであり、これによってパネルが形成される。
【０００３】
このような方法でディスプレイパネルを製造すると、取り囲まれたパネル内のスペースは、シール用オーブン中の全容積のうちのわずかな容積を占めるだけであり、したがってパネルを充填するのに使用されるガスの量は、オーブン全容積の１０％未満となる。オーブン中におけるガスの残部容積はかなり多い。ディスプレイパネルの製造に使用される貴ガスは非常に高価なガスであるので、過剰な貴ガスのうちのできるだけ多くを、再循環使用のために回収するのが極めて望ましい。
【０００４】
実施可能な１つのガス回収法は、パネルをシールした後にガス炉を脱気するという方法である。この方法は、貴ガスを比較的純粋な形で回収できるという利点を有する。すなわち回収ガスは、貴ガスの他に、ヒートシールプロセス時に形成されるガスと、脱気操作時に炉または回収システム中にリークしてくる大気ガスだけを含有する。残念なことに、この方法は、プラズマディスプレイと共に使用される貴ガスの回収に対しては適切でない。なぜなら、シールされたディスプレイパネルが、原価効率の良いプロセスにする上で必要とされる高回収率を達成するのに必要な極めて低い圧力を受けたとしても、シールされたディスプレイパネルがシール用オーブン中で破損を起こすからである。
【０００５】
キセノンとネオンのコストは極めて高いので、プラズマディスプレイパネルのシール用炉から、ディスプレイパネルを損傷することなくこれらガスの過剰分の実質的に全てを回収する方法が絶えず求められている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の１つの広い実施態様によれば、閉じたチャンバーにて行われるプロセスにおいて貴ガス（好ましくは、キセノン、ネオン、アルゴン、クリプトン、およびこれらの混合物から選ばれる１つ）が使用される。チャンバーをパージガスでパージし、これにより貴ガスとパージガスとを含んだガス状流出物を生成させることによって、未使用の貴ガスを、再使用のためにチャンバーから回収する。パージガスは、水素、スチーム、アンモニア、二酸化炭素、一酸化炭素、酸素、および２〜６個の炭素原子を有する炭化水素から選ぶのが好ましい。好ましくは膜分離、凝縮、吸着、吸収、結晶化、またはこれらの組合せによって、流出物から貴ガス流れを分離する。本発明において述べられている貴ガスは、アークランプ、プラズマディスプレイパネル、およびネオンディスプレイサイン等を製造するのに使用することができる。
【０００７】
広い実施態様のある特定の応用においては、閉じたチャンバーは炉の一部であり、パージ工程の前に、平面状セクションの対を一緒にヒートシールして、約５０〜約１００容量％のネオンと約５０〜約０容量％のキセノンを含有した雰囲気中に気密エンクロージャーを形成させることにより、チャンバー中にて貴ガス含有ディスプレイパネルを製造する。これらのディスプレイパネルは、平面状セクションの一方または両方の外縁周りに感熱接着剤のビーズを施すことによって造るのが好ましく、約１.５〜約２絶対バールの圧力にて、互いに少なくとも約３５０℃付近の温度で前記平面状セクションを加熱することによって、前記平面状セクションをシールする。
【０００８】
本発明の好ましい実施態様においては、パージガスは水素であり、パラジウムを含んだ膜を使用する膜分離によって、ガス状流出物から貴ガス流れが分離される。本実施態様においては、実質的に純粋な水素を透過ガスとして、そして実質的に純粋な貴ガスを残留ガスとして生成するよう膜を作動させるのが好ましく、これらの一方または両方が、さらなる精製があろうとなかろうと閉じたチャンバーに再循環される。膜分離は、約２００〜約６００℃の温度および約３〜約４０絶対バールの圧力にて行われる。本実施態様の好ましい態様においては、ガス状流出物中に存在するいかなる炭素酸化物も、膜分離工程の前にガス状流出物から除去することができる。本実施態様においてはさらに、貴ガス流れが酸素を不純物として含有している場合、パラジウムにより酸素と水素との反応が起こって、膜の残留物側に水蒸気が生成する。貴ガス流れを、シリカゲル、活性アルミナ、ゼオライトＡ（たとえばゼオライト５Ａ）、ゼオライトＸ（たとえばゼオライト１３Ｘ）、およびこれらのいずれかの混合物から選ばれる乾燥剤を使用する温度スイング吸着プロセスにて処理することによって、水蒸気を貴ガス流れから除去するのが好ましい。
【０００９】
別の実施態様においては、パージガスは酸素であり、酸素-イオン伝導膜を使用する膜分離によってガス状流出物から貴ガスが分離される。
【００１０】
本発明の他の実施態様においては、パージガスはスチームであり、凝縮によって貴ガス流れがガス状流出物から分離される。
【００１１】
貴ガス流れは、水蒸気、一酸化炭素、二酸化炭素、水素、酸素、アルゴン、窒素、炭化水素、およびこれらの２種以上の混合物から選ばれる少量の不純物を含有することがある。このようなケースにおいては、パージガスを除去した後に、（ａ）  水蒸気、二酸化炭素、不飽和炭化水素（たとえば、アセチレンやエチレン）、３個以上の炭素原子を有する炭化水素、またはこれらの混合物を選択的に吸着する１種以上の吸着剤を使用しての、約周囲温度（下記にて定義）〜約１５０℃の範囲の温度における吸着；
（ｂ）  水素、酸素、一酸化炭素、またはこれらの混合物を化学吸着する１種以上のゲッター物質を使用する化学吸着；
（ｃ）  水素の水への接触酸化および／または一酸化炭素の二酸化炭素への接触酸化；
（ｄ）  窒素、一酸化炭素、メタン、エタン、またはこれらの２種以上の混合物を選択的に吸着する１種以上の吸着剤を使用する低温吸着；および
（ｅ）  窒素、炭化水素、またはこれらの混合物を吸着する１種以上のゲッター物質を使用する化学吸着；
のうちの１つ以上の方法によって貴ガス流れから不純物が除去される。
【００１２】
貴ガス流れが、水蒸気、二酸化炭素、および不飽和炭化水素もしくは３個以上の炭素原子を有する炭化水素、のうちの１種以上を不純物として含有している場合は、シリカゲル、活性アルミナ、ゼオライト、活性炭、およびこれらの混合物から選ばれる吸着剤を使用して、約０〜約１００℃の範囲の温度で行われる上記方法（ａ）によって、貴ガス流れから不純物を除去するのが好ましい。
【００１３】
貴ガス流れが、水素と酸素の一方または両方を不純物として含有している場合は、銅ゲッター、銅酸化物ゲッター、ニッケルゲッター、またはこれらの混合物を使用して、約２０〜約２００℃の範囲の温度で行われる上記方法（ｂ）によって、あるいは、必要に応じて過剰の酸素をガス混合物に加え、そして担持パラジウム触媒のような触媒との接触によりこれらの不純物を反応させることによって上記方法（ｃ）にしたがって、貴ガス流れから不純物を除去するのが好ましい。貴ガス流れがゲッターと接触すると水蒸気が形成される場合、シリカゲル、活性アルミナ、ゼオライトＡ、ゼオライトＸ、およびこれらの混合物から選ばれる乾燥剤と貴ガス流れとを接触させることによって、水蒸気を除去するのが好ましい。
【００１４】
貴ガス流れが、窒素、メタン、エタン、および一酸化炭素の１種以上を不純物として含有している場合は、ゼオライト４Ａ、ゼオライト５Ａ、ゼオライトＸ、ゼオライトＹ、モルデン沸石、シャプチロ沸石、およびこれらの混合物から選ばれる吸着剤を使用して、約−５０〜約−２００℃の範囲の温度で行われる上記方法（ｄ）によって、貴ガス流れから不純物を除去するのが好ましい。
【００１５】
他の実施態様においては、貴ガス流れが窒素、炭化水素、またはこれらの混合物を含有し、ジルコニウムベースの材料を使用して約３５０〜約７００℃の範囲の温度で行われる上記方法（ｅ）によって、貴ガス流れからこれらの不純物が除去される。ジルコニウムベースの材料はジルコニウム合金である。ジルコニウムベース合金は、ジルコニウム-アルミニウム合金、ジルコニウム-バナジウム-鉄合金、またはこれらの混合物である。この方法は、方法（ａ）、（ｂ）、および／または（ｃ）の完了後に、貴ガス流れが窒素と炭化水素だけを含有する時に好ましい。
【００１６】
本明細書で使用している“周囲温度”とは、約−３０〜約５０℃の範囲の温度を意味する。
【００１７】
本発明の方法によって製造されるプラズマディスプレイパネルは、シート材料の２つの平面状セクションを、取り囲まれたエンベロープがセクション間につくりだされるような仕方で結合することによって造られる。これらのセクションはガラス、プラスチック、または他の適切な材料で造ることができ、透明、半透明、あるいは不透明のいずれであってもよい。これらのセクションはさらに、適切なコーティングと画像を表示するための回路構成物を含む。これらのセクションは、セクションのエッジ周りに連続的シールを形成するような接着剤によって一緒に結合される。平面状セクションはフラットであってもよいし、あるいはセクションの一方または両方が曲線状であってもよい。
【００１８】
本発明の方法による貴ガス充填パネルを製造する際には、パネルセクションの対を炉中に配置し、接着剤ビーズが合わせセクション（mating section）間に存在する状態にて、そして両方のセクションが接着剤と接触する状態にて、合わせセクションが互いに対向するように配置する。次いで炉を脱気して（好ましくは０.０００１〜０.００００１絶対バールの圧力まで）微量のガス不純物を全て除去し、炉を約４００℃の温度に加熱する。炉の内部が４００℃に達したら、貴ガス（一般には、キセノンまたはキセノンとネオンの混合物）を約１.５〜約３.０絶対バールの圧力になるまで装入する。接着剤が軟化し、パネルの各セクションに接着する。次いで炉を自然冷却する。炉中の温度が約３５０℃に低下したら、さらなる貴ガスを炉中に装入して、炉中の圧力を約１.５〜約３.０絶対バールに保持する。炉の温度が降下するにつれて接着剤が硬化し、パネルセクション間に気密シールを形成し、これによってパネル内の貴ガスがシールされる。炉中の温度が約３５０℃未満に低下したら、炉にパージガスを通すことによって炉から過剰の貴ガスを除去する。実質的に全ての貴ガスが炉からパージされるまで、パージを続ける。
【００１９】
引き続いて行われるパネル製造操作において、貴ガスとパージガスの両方を炉に再循環するのが望ましい。したがって、実質的に純粋な貴ガスと実質的に純粋なパージガスが回収されるような仕方で、これらのガスを分離する必要がある。ガス分離の方法は、プロセスで使用するために選択されるパージガスの種類によって異なる。
【００２０】
本発明の方法において有用なパージガスとしては、水素、スチーム、アンモニア、二酸化炭素、一酸化炭素、低級炭化水素、および酸素などがある。本明細書で使用している“低級炭化水素”とは、エチレン、プロピレン、および４〜６個の炭化水素を有する飽和もしくはエチレン性不飽和炭化水素（すなわち、アルカンまたはアルケン）を意味している。このグループに含まれるものとしては、エチレン、プロピレン、ブタン類、ブテン類、ペンタン類、ペンテン類、ヘキサン類、ヘキセン類、およびこれらの２種以上の混合物などがある。パージガスは実質的に純粋であるのが望ましい。なぜなら、ある与えられた貴ガス-パージガス分離法は、一般には選定されたパージガスに対してのみ極めて有効だからである。したがって、たとえば、パージガスが酸素であって、貴ガス-パージガス分離法がイオン性膜を使用する膜分離である場合、この酸素は、窒素やアルゴン等の不純物を含有してはならない。なぜなら、これらのガスは、酸素と共に貴ガスから除去されないからである。
【００２１】
本発明の実施に際して使用される貴ガス-パージガス分離法は、プロセスにおいて使用されるパージガスの種類によって異なる。パージガスを再循環するのが望ましい場合は、実質的に純粋なパージガスの分離を可能にするような分離法が使用される。たとえば、パージガスが水素であって、パージガス−貴ガス分離法が膜分離である場合、実質的に貴ガスを含有しない水素と実質的に水素を含有しない貴ガスを得ることができる。酸素をパージガスとして使用すると、膜分離により実質的にクリーンな分離が可能となる。一方、パージガスが比較的安価であって簡単に廃棄できる場合、あるいはパージガスを実質的に純粋な形で貴ガスから分離できない場合、凝縮のような方法を適切に使用することができる。こうしたことはスチームの場合にも言える。
【００２２】
パージガスが水素のときは、パラジウム膜を使用する膜分離法をガス回収法として使用するのが好ましい。パージガスが酸素のときは、酸素-イオン伝導膜を使用する膜分離法が有用である。パージガスがスチームのときは凝縮法を使用するのが好ましく、このガス回収法はさらに、パージガスが比較的高い沸点を有する場合にも使用することができる。パージガスが一酸化炭素であるときは、塩化銅アルミニウム（ＣuＡlＣl4）を吸収剤とする吸収法を使用するのが好ましく；パージガスが二酸化炭素であるときは、アミンを吸収剤とする吸収法を使用するのが好ましく；パージガスが低級炭化水素であるときは、高級炭化水素（７個以上の炭化水素を有するアルカンおよび／またはアルケン）を吸収剤とする吸収法を使用するのが好ましく；パージガスがアンモニアであるときは、水を吸収剤とする吸収法を使用するのが好ましい。
【００２３】
分離した貴ガス中に残存している不純物は、種々の方法のうちの１つ以上によって除去することができる。約２５〜約２００℃の範囲の温度にて、ガスを銅ゲッターまたはニッケルゲッターの床に通すことによって、貴ガスから微量の水素および／または酸素を除去することができる。
【００２４】
キャリヤー支持体上に３０重量％の銅を含んだ酸素除去用の触媒は、ＢＡＳＦ社からＣatalyst Ｒ３-１１の商品名で市販されている。この触媒は、最高２５０℃までの温度でゲットすることによって不活性ガスから酸素を除去するのに使用することができ、また水素による還元によって再生させることができる。
【００２５】
不活性ガス中１０００ｐｐｍｖ未満にて存在する、酸素、一酸化炭素、二酸化炭素、水素、水、またはこれらの混合物から選ばれる不純物を除去するための一工程プロセスが、米国特許第４,７１３,２２４号に開示されている（該特許の開示内容を参照のこと）。０〜５０℃の温度にて、少なくとも５重量％のニッケルを含んだゲッター上にガスを通し、数ｐｐｍｖ未満の不純物を含有した生成物を得る。１８０〜２００℃にて窒素と水素でパージすることによって触媒を再生する。該発明では、ゲッターは、酸素と水素の除去のためだけに使用される。
【００２６】
分離した貴ガスを乾燥剤（たとえば、シリカゲルや活性アルミナ）に通すことにより、温度スイング吸着（ＴＳＡ）を使用して水蒸気を除去することができる。二酸化炭素は、吸着剤〔たとえば、ゼオライト、モレキュラーシーブ、または活性アルミナ（変性アルミナを含む）〕を使用して、ＴＳＡによって除去することができる。窒素、メタン、エタン、および一酸化炭素は、約−５０〜約−２００℃の範囲の温度にて吸着剤（たとえば、ＣaＸゼオライト、ＮaＸゼオライト、ゼオライトＡ、ゼオライトＹ、モルデン沸石、またはシャプチロ沸石）を使用する低温吸着によって、分離した貴ガスから除去することができる。窒素と炭化水素は、ジルコニウム合金（たとえば、ジルコニウム−バナジウム合金）を使用して貴ガスから分離することができる。
【００２７】
上記の分離法はいずれも従来技術の一部であり、種々の分離についての詳細は本発明の一部を形成しない。
【００２８】
本発明を実施する最も好ましい方法は、水素をパージガスとして使用し、パラジウム膜を利用した膜分離を主要な貴ガス回収法として使用する、という方法である。この方法が最も好ましいのは、この方法によって、実質的に貴ガスを含まない水素と実質的に水素を含まない貴ガスが得られるからである。この方法のさらなる利点は、パージされたガス流れ中に酸素が存在する場合、酸素がパラジウム膜と接触すると、酸素が水素と反応して水を形成する、という点である。分離した貴ガスを前述の乾燥剤に通すことによって、第２の貴ガス精製工程において水蒸気を簡単に除去することができる。水素がパージガスとして使用され、貴ガスから水素を分離するのにパラジウム膜が使用される場合、一般には、パラジウム膜と接触したときの炭素酸化物と水素との反応によってメタンが形成されるのを防止するために、パラジウム膜ユニットにガス混合物を導入する前に、水素−貴ガス混合物から炭素酸化物を除去するのが好ましい。
【００２９】
他の好ましい実施態様においては、パージガスとしてスチームを使用し、分離法として凝縮を使用する。精製した貴ガス流れ中の残留水分は、水蒸気に対して強い親和性を有する（貴ガスに対しては親和性をもたない）乾燥剤を使用して貴ガスを乾燥することによって除去することができる。凝縮した水分は廃棄することができる。
【００３０】
本発明は、処理チャンバーから貴ガスをパージし、そしてパージガスから貴ガスを分離するためのシステムの３種の実施態様を示している添付図面を参照すればより明確に理解することができる。図示の貴ガス−パージガス分離法は、本発明を実施する際に使用することができる方法の代表的なものにすぎない。図１と３に示されている方法は貴ガスとパージガスの回収と再循環が可能であり、図２に示されている方法は貴ガスのみの回収が可能である。
【００３１】
図１のシステムは、分離される水素−貴ガス混合物が炭素酸化物を殆どもしくは全く含まないときの好ましいシステムである。図１を参照すると、本システムは、ガス処理チャンバーＡ、膜分離ユニットＢ、パージガス貯蔵容器Ｃ、任意の触媒ゲッター精製器Ｄ、周囲温度吸着システムＥ、任意の低温吸着システムＦ、および貴ガス貯蔵容器Ｇを主要な装置ユニットとして含む。個々の装置ユニットはいずれもよく知られているものであり、これらの設計と操作は本発明の一部を形成しない。
【００３２】
ガス処理チャンバーＡは、実質的に純粋なキセノン、ネオン、クリプトン、またはこれらの混合物の使用を含む処理操作が行われるいかなる容器であってもよい。図面においては、チャンバーＡは、プラズマディスプレイパネルが製造される気密炉の一部として示されている。したがって、チャンバーＡには、ディスプレイパネルセクションをユニット中に装入するためのドア、およびチャンバー内容物を所望の温度に加熱するための加熱手段が装備されている。チャンバーＡには、貴ガス供給ライン２（チャンバーＡと貴ガス貯蔵容器Ｇとの間に流体連通をもたらす）およびパージガス供給ライン４（パージガス貯蔵容器ＣをチャンバーＡに連結する）が設けられている。チャンバーＡにはさらに、脱気ライン６とパージガスライン１４が設けられている。
【００３３】
ライン６には、弁８と真空ポンプ１０が組み込まれている。真空ポンプ１０は、チャンバーＡを０.００００１絶対バールの圧力にまで脱気することができる。真空ポンプ１０の排出端はライン１２に連結されており、このライン１２は、大気へのガス抜き口またはガス回収手段（図示せず）に連結することができる。ライン１４には弁１６が組み込まれており、ライン１４により、チャンバーＡのパージガス出口が圧縮機１８の入口端に連結されている。圧縮機１８は、ライン１４中のガス混合物の圧力を、膜分離ユニットＢの効果的な性能を得るのに必要な圧力にまで増大させることができる。この圧力は、一般には約４〜約４０絶対バールの範囲である。圧縮機１８の排出端はライン２０に連結されており、ライン２０はさらに、ガスヒーター２２の入口端に連結されている。
【００３４】
ヒーター２２の出口端は、ライン２４を介して膜分離ユニットＢの入口端に連結されている。膜分離ユニットＢには、金属膜２６が組み込まれている。精製パージガスライン２８により、膜２６の透過ガス側がパージガス貯蔵容器Ｃに繋がっている。
【００３５】
回収貴ガスライン３０により、膜２６の残量ガス側が触媒ゲッター精製器Ｄ（これは任意使用のユニットである）に連結されている。精製器Ｄには、貴ガスから微量の水素および／または酸素を除去するゲッター物質が充填されている。適切なゲッターとしては、ニッケル含有物質や銅含有物質などがある。これらの物質については前述してある。これらのゲッター物質は、窒素／水素混合物または窒素／酸素混合物で再生することができ、最終的には窒素でパージすることができる（窒素は、下流の低温吸着ユニットにおいて除去される）。
【００３６】
ライン３０にはさらに、好ましくは触媒ゲッター精製器Ｄの下流に、精製器Ｅ（これもシステムにおいては任意使用）が配置されている。図１に示されている本発明の実施態様においては、精製器Ｅは、貴ガス流れから水蒸気、二酸化炭素、および重質炭化水素（オイル）などを効率的に除去する１種以上の吸着剤を充填した周囲温度吸着ユニットである。ネオン、アルゴン、キセノン、またはクリプトンをほとんど吸着しないような吸着剤が好ましい。精製器Ｅには通常、二酸化炭素を除去するための活性アルミナ、シリカゲル、ゼオライト１３Ｘ、および／またはゼオライト５Ａ、および／または重質炭化水素を除去するための活性炭等の乾燥剤が充填されている。これらの吸着剤は、たとえば乾燥窒素で再生させることができ、貴ガス精製時にいかなる問題も引き起こさない。なぜなら前記したように、下流の低温吸着ユニットにより、精製した貴ガス流れから窒素が効率的に除去されるからである。
【００３７】
ライン３０における精製器Ｅの下流には、任意の低温吸着精製器Ｇが配置されている。この吸着ユニットには、貴ガスから微量の窒素、一酸化炭素、メタン、および／またはエタンを除去する吸着剤が充填されている。この精製器に対する適切な吸着剤は、カルシウム交換されたゼオライトＡである。ゼオライトＸ、ゼオライトＹ、およびモルデン沸石等の他の吸着剤も、精製器Ｇにおいて使用することができる。このユニット中の吸着剤は、減圧し、加熱し、あるいはこの両方を施し、最後に貴ガスでパージすることによって再生させることができる。
【００３８】
図１のシステムにおける本発明の実施状況は以下のとおりである。結合させようとするプラズマディスプレイパネルセクションの各対の一方または両方の部材の外縁周りに、感圧接着剤のビーズを配置する。これらのセクションをチャンバーＡ中に、合わせ対（mating pair）のセクションが互いにすぐ近くになるように配置する。チャンバーを閉じ、弁８を大気に対して開いて真空ポンプ１０を始動し、チャンバーＡを約０.０００１〜約０.００００１トルの範囲の絶対圧力まで脱気する。この工程中、弁１６は、システムの下流部分を脱気する必要があるかどうかに応じて開いたり閉じたりする。弁８を閉じ、チャンバーＡ中の温度を約４００℃に上昇させ、そして貴ガス〔キセノン、ネオン、アルゴン、クリプトン、またこれらの混合物（たとえば、キセノンとネオンの混合物）〕をチャンバー中に装入する。好ましい貴ガス混合物は、９５％ネオンと５％キセノン（モル％）である。貴ガスは、温度が４００℃に達したときにチャンバーＡ中に導入するのが好ましいが、チャンバーの加熱前または加熱中に装入してもよい。チャンバーＡ中に、その中の圧力が約１.６〜約１.７絶対バールにまで上昇するに足る量の貴ガスを導入する。チャンバーＡ中の温度が４００℃に近づくにつれて、接着剤のビーズが軟化し、粘着性を帯びるようになる。チャンバーＡ内の温度が４００℃に達したら、加熱手段の作動を停止し、チャンバーを自然冷却する。チャンバーが冷えるにつれて、チャンバー内の圧力が低下する。温度が３５０℃に達したら、充分な量の追加の貴ガスをチャンバーＡに装入して、チャンバー内の圧力を再び約１.６〜１.７絶対バールに上昇させる。チャンバーＡ内の温度が低下し続けるにつれて、接着剤が硬化して合わせパネルセクションの各対の２つのセクションをシールする。このとき、閉じたパネル中に所望量の貴ガスがシールされる。チャンバーＡ中の温度が約３５０℃未満に低下したときに弁１６が開き（閉じていた場合）、貯蔵容器Ｃからのパージガスが容器Ａ中に導入される。圧縮機１８を始動させ、チャンバーからパージガスを抜き取るようセットする。
【００３９】
膜２６は、貴ガスが通過できなくて、パージガスが開口を通して通過できるようないかなる金属膜または他の膜であってもよい。パージガスとして使用されるガスの種類に応じて、ヒーター２２を作動させたりさせなかったりする。パージガスが水素のとき、膜はパラジウムであるのが好ましく、パージされたガス流れを約４００℃に加熱するようヒーター２２をセットし、パージされたガスの圧力を約２０絶対バールに上昇させるよう圧縮機１８をセットする。
【００４０】
パージされたガスが分離器Ｂに入ると、パージされたガスが膜２６を通過し、ライン２８を介して分離器Ｂを出る。このとき同時に、貴ガスがライン３０を介して分離器Ｂを通過する。パージガスが水素であって膜がパラジウムのとき、極めて高純度の（たとえば９９.９９９％以上の）水素が得られ、高純度の水素がライン２８を通ってパージガス貯蔵容器に進む。漏れ等によってシステム中に入り込んでくる酸素が、高温のパラジウム膜と接触すると、水素と反応して水蒸気を形成し、この水蒸気は、分離された貴ガスと共にライン３０を介して分離器Ｂを出る。
【００４１】
次いで、ある程度精製された貴ガスが精製器Ｄを通る（このユニットがシステム中に含まれている場合）。前述したように、精製器Ｄは触媒ゲッター精製器であり、貴ガス中の水素不純物や酸素不純物を除去するよう設計されている。精製器Ｄは、水素を除去するためのニッケル、酸化ニッケル、またはより好ましくは酸化銅、あるいは酸素を除去するための、ニッケル金属またはより好ましくは銅金属を収容するのが好ましい。精製器Ｄはさらに、水素、酸素、またはこれらの両方を除去するために、ニッケル／酸化ニッケル混合物、銅／酸化銅混合物、またはこれらの混合物を収容してもよい。
【００４２】
次いで貴ガスは精製器Ｅを通る（このユニットがシステム中に含まれている場合）。貴ガスが精製器Ｅを通るときに、水蒸気、二酸化炭素、および高級炭化水素（これらが存在する場合）が貴ガスから除去される。前述したように、精製器Ｅは、一連の異なった吸着剤層を含んでもよく、ＴＳＡサイクルで運転するのが好ましい。
【００４３】
精製器Ｅを出た精製貴ガスが次いで精製器Ｆに入る（システム中にこのユニットが含まれている場合）。精製器Ｆは、貴ガスから窒素、一酸化炭素、メタン、およびエタンを除去する吸着剤を収容している。これらのガスは、システムの種々の部分にて、たとえば真空ポンプにおける漏れによって、あるいは接着剤ビーズのキュアー中において、パージガス中に導入されることがある。精製器Ｆは、ＴＳＡサイクルと選定された吸着剤を使用して極低温にて運転される。
【００４４】
精製器Ｆを出た精製ガスは次いで、再使用のための貴ガス貯蔵容器Ｇに進む。
【００４５】
図２を参照すると、本システムは、再循環されないパージガス（たとえばスチーム）を使用して操作されるよう設計されている。図２のシステムは、図１のシステムを構成しているユニットのうちの幾つかを含んでいる。しかしながら、図２のシステムは、膜分離器Ｂの代わりに相分離器Ｈを、またヒーター２２の代わりに冷却器３２を含むという点において図１のシステムとは異なる。相分離器Ｈには、凝縮液除去ライン３４と分離された貴ガスの排出ライン３０が設けられている。
【００４６】
図２のシステムにおける本発明の実施は、凝縮可能なガス（たとえば、スチームまたは周囲条件において通常は液体の揮発性炭化水素）をパージガスとして使用すること以外は、図１のシステムでの実施の場合と類似している。これらのパージガスは、ガス状態に転化された後に再使用できる程度までは再循環可能である。図２のシステムにおいては、パージされたガスが冷却器３２を通り、そこでその凝縮温度未満に冷却され、次いで相分離器Ｈに導入される。分離器Ｈにおいては、凝縮した液体がライン３４を介してシステムから除去され、実質的にパージガスを含まない貴ガスがライン３０を介してユニットＨから出て、図１のシステムに関して説明したのと同じ系列のユニットを通る。ガスがゲッター精製器Ｄを通る（このユニットがシステム中に含まれている場合）。精製器Ｄを出た貴ガスはパージガスで飽和されているようである。これは精製器Ｅにおいて除去するのが望ましい。前記したように、精製器Ｅは、水蒸気を除去するための乾燥剤および／または凝縮した炭化水素を除去するための吸着剤を収容している。図１のシステムについて上記したように、精製器Ｅを出たある程度精製された貴ガスが精製器Ｆを通り、精製器Ｆを出た精製貴ガスが、再使用のための貴ガス貯蔵容器Ｇに戻される。ライン３４を介して分離器Ｈから回収された凝縮液は、加熱してガス状態に戻し、必要に応じて再使用することができ、あるいは廃棄することもできる。
【００４７】
図３のシステムは、任意の炭素酸化物除去システムＪを含むこと、およびユニットＦが、このユニットに入ってくる貴ガス流れから窒素と炭化水素を除去する高温のジルコニウムベース精製器であるユニットＩに置き換わっていること以外は、図１のシステムに類似している。
【００４８】
炭素酸化物除去システムＪは、チャンバーを出たガス流れが一酸化炭素および／または二酸化炭素を含有する場合に、システム中に組み込むことができる。炭素酸化物と水素との反応が起きてメタンが形成されるのを防止するために、分離器Ｂ中の膜がパラジウム膜であるときは、分離器Ｂへの供給物からこれらのガスを除去するのが望ましい。これらのガスの除去は、たとえば、一酸化炭素を除去するためのゲッター、触媒反応器、または吸着剤を使用して、そして二酸化炭素を除去するための吸着ユニットを使用して、約周囲温度〜約１５０℃の範囲の温度で行うことができる。これらのシステムについてはいずれもよく知られており、種々のユニットの特定の詳細は本発明の一部を形成しない。一酸化炭素を除去するための適切なユニットの例としては、酸化銅／二酸化マンガン混合物ゲッター剤を含んだユニット、貴金属触媒を含んだユニット（たとえば、一酸化炭素の二酸化炭素への接触酸化のための担持パラジウム収容ユニット）、および銅を含んだ吸着剤収容ユニットなどがある。典型的な二酸化炭素除去用の吸着ユニットは、変性アルミナおよび／またはゼオライト（たとえばゼオライト１３Ｘ、ゼオライト５Ａ、またはこれらの混合物）を充填した吸着器を含む。二酸化炭素除去用ユニットは、特に一酸化炭素除去用ユニットが一酸化炭素を二酸化炭素に転化させる触媒ユニットであるときは、一酸化炭素除去用ユニットの下流に配置するのが好ましい。
【００４９】
ユニットＩは、ジルコニウムベースの材料（たとえば、ジルコニウム-アルミニウム合金やジルコニウム-バナジウム-鉄合金）を、分離器Ｂを出た貴ガス流れから窒素および／または炭化水素を除去するためのゲッター剤として収容する。これらの材料はよく知られており、製造と組成についての詳細は本発明の一部を形成しない。Ｒosai とＢorghi（“希ガスの精製と低不純物レベルの測定”，Ｊ.Ｖacuum Ｓci.Ｔechnol，Ｖol.１１，Ｎo.１，pp３４７−３５０，１９７３）は、ある一定のガス（fixed gases）を“検出不能な”レベルにまで除去するために８４％Ｚr−１６％Ａl のゲッターを使用することを報告している。７０％Ｚr−２５％Ｖ−５％Ｆe のゲッターを使用して希ガスから簡単な炭化水素を除去することが、Ｇeorge らによる「“ガスの分離と精製”，Ｖol.３，Ｎo.２，pp５０−５５，１９８９」によって報告されている。炭化水素除去のメカニズムは、表面分解とそれに次いで起こる合金中への水素と炭素の拡散を含む、と考えられる。ジルコニウムベースのゲッターに対する操作温度は、一般には約３５０〜約７００℃の範囲である。
【００５０】
ユニットＪは、図１のシステム中に、すなわち必要に応じて低温吸着システムＦと組み合わせて使用することができる。同様に、ユニットＪを含まないシステム（たとえば図１のシステム）において、低温吸着システムＦの代わりにユニットＩを使用することができる。
【００５１】
図３のシステムの操作は、図１のシステムの操作と類似している。ライン１４を介してチャンバーＡを出たガス流れが所望の圧力に圧縮され、システムＪに導入される。システムＪは、使用される炭素酸化物除去ユニットの種類に応じて種々の温度で操作することができる。システムＪは、チャンバーＡからの流出物中に含まれる一酸化炭素と二酸化炭素の実質的に全てを除去する。次いでこの炭素酸化物非含有ガスがユニットＢ、ユニットＤ、およびユニットＥを通る（これらのユニットがシステム中に含まれている場合）。次いで、ユニットＥ（存在する場合）を出たガス流れがユニットＩに入り、上記のように、約３５０〜約７００℃の範囲の温度で操作される。ユニットＩを出たガスは、窒素と炭化水素を実質的に含まない。次いでこのガスが、容器Ａでの再使用に必要となるまで、貯蔵容器Ｇに送られる。
【００５２】
完全自動化して効率的な態様で連続的に作動できるよう、システム内のガスの流れをモニターして自動的に調節するための従来装置を使用することは本発明の範囲内であることは言うまでもない。
【００５３】
以下に仮定的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。特に明記しない限り、部、パーセント、および比は容量基準である。
【００５４】
実施例１
１０ｍ3の低純度ネオンを含んだ容器に、大気圧で３時間にわたって１００ｍ3の水素をパージする。炉中の不純物は、１００ｐｐｍの酸素、４００ｐｐｍの窒素、１００ｐｐｍの水、２００ｐｐｍのメタン、５ｐｐｍのアルゴン、および５０ｐｐｍのＣＯ2を含む。炉を出たガスを２０絶対バールの圧力に圧縮し、４００℃の温度に加熱し、そしてパラジウム膜を含んだ水素膜セル（hydrogen membrane cell）に通す。この水素膜セルは、ペンシルバニア州ウェインのＪohnson Ｍattheyから入手することができる。約９９.９９９９％の純度の水素が膜の透過物側に生成され、これはパージガス貯蔵ユニットに送ることができる。膜の残留物側は、膜ユニット中で水に転化される酸素以外の、供給物中の全ての不純物を含有する。残留物側はさらに、最大約１％の水素（パラジウム膜ユニットにおいて除去されない）を含有することがある。
【００５５】
パラジウム膜を出たガス混合物を１００℃の温度に加熱し、シリカ担持ＣuＯを含んだ床に送る。この目的に対しては、ニュージャージー州エジソンのエンゲルハルト社から市販のＣuＯ物質を使用することができる。水素を除去する前に、１％のＯ2を含んだ窒素流れを使用して、１００℃にてこのＣuＯ物質をＣuＯに酸化する。この床を通過中に、ガス流れ中の水素濃度が０.１ｐｐｍ未満に減少する。
【００５６】
ＣuＯを含んだ容器からの残留物を４０℃の温度に冷却し、活性アルミナ吸着剤（アルコアＦ-２００，３ｍｍサイズ）と１３Ｘゼオライト吸着剤（ＵＯＰ１３ＸＡＰＧ，６×８メッシュ）を収容した吸着容器に送る。ガスを精製する前に、本容器を窒素で熱的に再生させることができる。本容器中で、ＣＯ2とＨ2Ｏは０.１ｐｐｍ未満に減少する。
【００５７】
ＣuＯ床を出たガス混合物を−１５０℃の温度に冷却し、ＣaＡゼオライトまたはＣaＸゼオライト（ＵＯＰ社から市販）を含んだ床上に通す。窒素不純物およびメタン不純物は、この床においてそれぞれ０.５ｐｐｍ未満に減少する。
【００５８】
このプロセスにおいてトータル２ｐｐｍ未満の不純物を含有するネオン流れを回収し、貴ガス貯蔵ユニットに送る。ネオンの回収率は、炉中に含まれていたネオンの９０％以上である。
【００５９】
実施例２
１０ｍ3の低純度ネオンを含んだ実施例１で使用されている容器を、大気圧にて３時間にわたって１００ｍ3の３５０℃スチームでパージする。この場合も、炉中の不純物は、１００ｐｐｍの酸素、４００ｐｐｍの窒素、１００ｐｐｍの水、２００ｐｐｍのメタン、５ｐｐｍのアルゴン、および５０ｐｐｍのＣＯ2を含むものとする。炉を出たガスを４０℃の温度に冷却し、水分離器において液状水を除去する。ガスを５絶対バールの圧力に圧縮し、２５℃の温度に冷却し、そして水分離器において再び液状水を除去する。
【００６０】
第２の水分離器からのガス混合物を、活性アルミナ吸着剤（アルコアＦ-２００，３ｍｍサイズ）と１３Ｘゼオライト吸着剤（ＵＯＰ１３ＸＡＰＧ，６×８メッシュ）を収容した吸着容器に送る。ガスを精製する前に、本容器を窒素で熱的に再生させる。本容器中で、ＣＯ2とＨ2Ｏは０.１ｐｐｍ未満に減少する。
【００６１】
活性アルミナと１３Ｘゼオライトを収容する容器を出たガス混合物を１００℃の温度に加熱し、シリカ担持Ｃu を含んだ床に送る。この目的に対しては、エンゲルハルト社から市販のＣu-ゲッターを使用することができる。使用する前に、１％のＨ2窒素流れを使用して１５０℃にてこの銅物質を金属銅に還元する。この床を通過中、ガス流れ中の酸素濃度は０.１ｐｐｍ以下に減少する。
【００６２】
Ｃu-ゲッター床を出たガス混合物を−１５０℃の温度に冷却し、ＵＯＰから市販の５Ａゼオライトを含んだ床上に通す。窒素不純物、メタン不純物、およびアルゴン不純物は、この床においてそれぞれ０.５ｐｐｍ未満に減少する。
【００６３】
このプロセスにおいてトータル２ｐｐｍ未満の不純物を含んだネオン流れを回収し、貴ガス貯蔵ユニットに送る。ネオンの回収率は、炉中に含まれていたネオンの９０％以上である。
【００６４】
実施例３
炉流出ガスを水素膜セルに通す前に、炉流出ガスを約５０℃の温度にてホプカライト（hopcalite）触媒もしくはカルライト（carulite）触媒と、そして周囲温度にてゼオライト１３Ｘの床と接触させることによって（それぞれ水素膜セルの上流に配置）炉流出ガスから一酸化炭素と二酸化炭素を除去できること、そしてＣaＸゼオライトをジルコニウム金属合金（たとえば、約５００℃の温度で操作されるジルコニウム-アルミニウム合金）の床で置き換えることによってガス流れから窒素とメタンを除去できること以外は、実施例１に記載の手順を繰り返して、実施例１で使用されている工程によって、１００ｐｐｍの酸素、１００ｐｐｍの窒素、１００ｐｐｍの水、２００ｐｐｍのメタン、５０ｐｐｍの一酸化炭素、および５０ｐｐｍの二酸化炭素を含んだ低純度ネオンガス流れを精製することができる。本実施例のシステムを使用することの利点は、水素膜セルにおいてさらなるメタンが生成されないということである。
【００６５】
特定の装置集成体および特定のガス分離に関して本発明を説明してきたが、これらの特徴は単に本発明の代表的なものにすぎず、この他にも種々の特徴が考えられる。たとえば、本明細書に記載されているもの以外の不純物は、本明細書に記載のガス分離法または他のガス分離法によって貴ガス流れから除去することができ、またガス状不純物以外の不純物を貴ガス流れから除去することができる。さらに、回収しようとする貴ガスの供給源を、プラズマディスプレイパネル製造法以外の方法で処理することもできる。本発明の範囲は、特許請求の範囲によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】貴ガスをパージガスから分離するための透過性膜を使用して、処理容器から貴ガスを回収するための第１のシステムの概略図である。
【図２】処理容器から貴ガスを回収するための別のシステムの概略図であり、この場合は、凝縮を使用して貴ガスをパージガスから分離する。
【図３】図１のシステムに類似したシステムの概略図であるが、炭素酸化物ガスの除去ユニットを含んでいる。
【図１】
0003913327.tif 000002
【図２】
0003913327.tif 000003
【図３】
0003913327.tif 000004