(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する方法において、原料シリコンを収容するルツボの内径を、製造されるシリコン単結晶の目標直径に対して２〜２．５倍とし、結晶径方向における引上げ速度Ｖと結晶固液界面温度勾配Ｇｓの比Ｖ／Ｇｓの最小値が０．３ｍｍ2 ／Ｋ・ｍｉｎ以上となるようにして引上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン単結晶の製造方法において、窒素がドープされたシリコン単結晶を引上げることを特徴とする請求項１に記載されたシリコン単結晶の製造方法。
【請求項３】
チョクラルスキー法により窒素がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、原料シリコンを収容するルツボとして、製造されるシリコン単結晶の目標直径に対し２〜２．５倍の内径を有するルツボを用いて引上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項４】
前記シリコン単結晶の製造方法において、結晶直径に対するヒーターの内径を２．５〜３倍にすることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載したシリコン単結晶の製造方法。
【請求項５】
前記シリコン単結晶の製造方法において、結晶の回転数を５〜２５ｒｐｍとすることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載したシリコン単結晶の製造方法。
【請求項６】
前記シリコン単結晶の製造方法において、ルツボの回転数を０．１〜２０ｒｐｍとすることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載したシリコン単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はチョクラルスキー法（ＣＺ法）によるシリコン単結晶の製造方法に関する。
背景技術
半導体デバイス技術の発展に伴い、チョクラルスキー法を用いたＣＺシリコン単結晶に対する品質要求は多岐にわたっている。また、低コストに対する要求も厳しいものがある。様々な品質要求を実現するためのＣＺシリコン単結晶製造方法における制御因子として、不純物濃度、結晶育成中の熱履歴等がある。これらの中でも引上げ速度Ｖと結晶固液界面温度勾配Ｇｓの比Ｖ／Ｇｓというパラメータは、空孔と格子間シリコンの２種類の点欠陥を制御できるパラメータであって、グローンイン（Ｇｒｏｗｎ−ｉｎ）欠陥制御や酸素析出特性の制御因子として注目されている。
Ｖ／Ｇｓを用いた結晶品質の制御の代表的な例として、ＯＳＦ（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ−ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｔａｃｋｉｎｇ  Ｆａｕｌｔ）リングの制御がある。ＯＳＦリングは、Ｖ／Ｇｓがある値になった際に、引上げ結晶の径方向断面においてリング状に観察される結晶欠陥である。そこで、ＯＳＦリングの発生を抑制するためには、Ｖ／Ｇｓを結晶径方向全面に於いてある値より大きくすればよい。通常のＣＺ結晶引上げ方法においては、Ｖ／Ｇｓを大きくしてＯＳＦリングを回避するために、Ｇｓに対し引上げ速度を高速にして結晶を育成するようにしている。
しかし、ある引上げ速度を超えると結晶は変形を起こしてしまい、形状の整った結晶の育成は困難になる。このような結晶の変形を発生させることなく引上げることのできる最大引上げ速度Ｖｍａｘというのは、Ｇｓの含まれた関数で決定される。実際の操業においては、引上げ装置の炉内構造（ホットゾーン：ＨＺ）の温度分布によりＧｓが決まり、そのＧｓによって最大引上げ速度が決まるので、ここで決まった最大引上げ速度以下の引上げ速度で結晶の育成を行っている。
例えばＯＳＦリングを発生させないようにするには、Ｖ／Ｇｓを結晶の径方向の全面で、ある値以上にする必要がある。通常、Ｇｓというのは結晶の径方向で周辺上がりの分布を持つのに対し、Ｖは径方向において一定であるので、結晶の中心よりも周辺の方がＶ／Ｇｓの値は小さくなる。しかし、変形しない最大引上げ速度というのはＧｓの最小値、即ち、結晶の中心のＧｓの値で決定される。そのため、Ｇｓの面内分布が大きい場合には、中心のＧｓで決まる最大引上げ速度では周辺のＶ／Ｇｓ値を十分に大きくできないため、周辺でＯＳＦリングの発生を抑制できない場合がある。
これを回避するには、まず、Ｇｓの面内分布を小さくする方法が考えられる。しかし、単に面内分布を小さくするだけでは結晶の中心のＧｓを含めたＧｓ値そのものが小さくなってしまうため最大引上げ速度が低くなり、結果としてＶ／Ｇｓの制御はできても、結晶育成コストが高くなるという問題があった。
別の方法としてＧｓに対する変形しない最大引上げ速度を増大させる方法が考えられる。これを達成するには、変形しない最大引上げ速度を決定するもう一つのパラメータである融液の界面直下の温度勾配Ｇｌを小さくすればよい。その具体的な方法としては、結晶育成中に融液に対して磁場を印加するＭＣＺ法（Ｍａｇｎｅｔｉｃ−ｆｉｅｌｄ−ａｐｐｌｉｅｄ  Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ  Ｍｅｔｈｏｄ）により実現させることができる。しかし、ＭＣＺ法の設備投資というのは高額であり、また維持費も高額で全て結晶のコストを増大させていた。
発明の開示
そこで本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、通常のＣＺ法において、簡単かつ安価で融液の温度勾配Ｇｌを小さくし、最大引上げ速度を大きくするとともに、面内にＯＳＦリングが発生することを確実に抑制することができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを主たる目的とする。
上記課題を解決するために、本発明に係るシリコン単結晶の製造方法は、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する方法において、原料シリコンを収容するルツボの内径を、製造されるシリコン単結晶の目標直径に対して２〜２．５倍とし、結晶径方向における引上げ速度Ｖと結晶固液界面温度勾配Ｇｓの比Ｖ／Ｇｓの最小値が０．３ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ以上となるようにして引上げることを特徴としている。
このように、原料シリコンを収容するルツボとして、製造されるシリコン単結晶の目標直径に対し２〜２．５倍の内径を有するルツボを用いることにより、Ｇｌを小さくすることができ、Ｇｓに対するシリコン単結晶の変形が起らない最大引上げ速度Ｖｍａｘを大きくすることができる。そして、引上げ結晶の径方向における面内のＶ／Ｇｓの最小値が０．３ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ以上となるようにして引上げれば、面内全体のＶ／Ｇｓが高いレベルになるのでＯＳＦリングの発生を確実に抑制することができ、高品質のシリコン単結晶を高い生産性で製造することができる。
この場合、シリコン単結晶の製造方法において、窒素がドープされたシリコン単結晶を引上げることができる。
このように、窒素がドープされたシリコン単結晶を引上げる場合に、Ｖ／Ｇｓを０．３ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ以上とすれば、この単結晶から作製されたシリコンウエーハを用いてエピタキシャルウエーハを作製した時に、例え窒素濃度が１×１０１４個／ｃｍ３以下の比較的低窒素濃度であっても、エピ層欠陥の低減とバルク中の高ＢＭＤ密度によるゲッタリング能力の向上という２つの効果を同時に達成することができる。
そして本発明に係る他のシリコン単結晶の製造方法は、チョクラルスキー法により窒素がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、原料シリコンを収容するルツボとして、製造されるシリコン単結晶の目標直径に対し２〜２．５倍の内径を有するルツボを用いて引上げることを特徴とするものである。
このように、窒素がドープされたシリコン単結晶を製造する場合にも、原料シリコンを収容するルツボとして、製造されるシリコン単結晶の目標直径に対し２〜２．５倍の内径を有するルツボを用いることにより、Ｇｌを小さくすることができ、Ｇｓに対するシリコン単結晶の変形が起らない最大引上げ速度Ｖｍａｘを大きくすることができ、効率よく結晶を製造することができる。
そしてこの場合、前記シリコン単結晶の製造方法において、結晶直径に対するヒーターの内径を２．５〜３倍にすることが望ましい。
このように、本発明において、ルツボの周囲に設置されるヒーターの内径は、結晶直径に対し２．５〜３倍であることが望ましい。なぜなら、結晶直径の３倍を超えるような余りにも大きいヒーター直径では、ルツボ内の融液の対流分布が大きく変化し、Ｇｓに対する引上げ速度がさほど速くならない場合があるからである。
またこの場合、シリコン単結晶の製造方法において、結晶の回転数を５〜２５ｒｐｍとすることが好ましい。
これは、２５ｒｐｍを超えるようなあまりにも速い結晶回転速度では、その影響により結晶が変形してしまうし、逆に結晶が５ｒｐｍ未満或いは全く回転していないと、結晶周囲の温度分布の均一性が低下するため、結晶は変形を起こし易くなるからである。
さらにこの場合、前記シリコン単結晶の製造方法において、ルツボの回転数を０．１〜２０ｒｐｍとすることが好ましい。
これは、ルツボが全く回転しないのでは、融液が撹拌されないので対流の様子が変化してしまう。また、ルツボの回転が２０ｒｐｍを超えるような速さになると、融液表面が振動し、結晶の変形や乱れを引き起こす場合があるからである。
さらに本発明によれば、前記製造方法により製造されたＯＳＦリングの発生が抑制された高品質シリコン単結晶が提供される。
以上詳細に説明したように、本発明によれば、引上げ単結晶が変形しない最大引上げ速度をより一層向上させることができ、ＯＳＦリングの発生を回避した高品質のシリコン単結晶をより低コストで育成することができる製造方法を提供することができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
本発明者らは、ＭＣＺ法のような高額の投資や維持費を必要としない通常のＣＺ法において、融液の温度勾配Ｇｌを小さくしてＧｓに対する最大引上げ速度を大きくする方法に関し鋭意調査を行った。融液の温度勾配を決定すると思われる要因は炉内の温度分布および融液の対流であると考えられる。そこで、これらに有効と思われるパラメータを様々に変化させて実験を行ったところ、結晶の直径とルツボの内径の比が、融液の温度勾配Ｇｌに大きな影響を与えていることを発見し、本発明に想到した。
一般に、チョクラルスキー法において、ルツボの内径は結晶の直径の３倍程度であるのが普通で、３倍則と呼ばれることもある。すなわち、直径８インチ（約２００ｍｍ）のウエーハ用の結晶を引上げる場合には、２２インチ（約５５０ｍｍ）または２４インチ（約６００ｍｍ）の石英ルツボが使用されるのが通常である。
図１は、内径ｃが２２インチの石英ルツボを用いて、直径ｄが約８インチの結晶を引上げた場合（磁場印加なし、ｃ／ｄ＝２．７５）と内径２４インチの石英ルツボを用いた場合（磁場印加あり、ｃ／ｄ＝３．０）において、総合伝熱解析ソフトＦＥＭＡＧ（Ｆ．Ｄｕｐｒｅｔ，Ｐ．Ｎｉｃｏｄｅｍｅ，Ｙ．Ｒｙｃｋｍａｎｓ，Ｐ．Ｗｏｕｔｅｒｓ，ａｎｄ  Ｍ．Ｊ．Ｃｒｏｃｈｅｔ，Ｉｎｔ．Ｊ．Ｈｅａｔ  Ｍａｓｓ  Ｔｒａｎｓｆｅｒ，３３，１８４９（１９９０））を用いてＧｓを算出し、実験的に結晶が変形しない最大引上げ速度Ｖｍａｘを求め、その関係をプロットした結果を示している。
一方、直径約８インチ結晶の育成において通常用いられる２２インチや２４インチのルツボに代えて、１８インチ（約４５０ｍｍ）のルツボを使用して結晶の育成（磁場印加なし、ｃ／ｄ＝２．２５）を行ってみた。すると、ＦＥＭＡＧの解析結果ではこのＨＺにおける結晶中心のＧｓは２．３５Ｋ／ｍｍしかなかったので、図１における磁場印加なしの図から見積もると、Ｇｓ＝２．３５Ｋ／ｍｍに対する変形しない最大引上げ速度Ｖｍａｘは０．７ｍｍ／ｍｉｎ程度であるはずであった。ところが、実験的に得られた最大引上げ速度は約１．１ｍｍ／ｍｉｎ（黒三角）であった。すなわち、磁場印加なしにもかかわらず、３倍則に従った通常内径のルツボを用いて磁場を印加して引上げた際の最大引上げ速度に匹敵するレベルまで、Ｇｓに対するＶｍａｘが増大していることが確認できた。
この方法によれば、中心位置でＶｍａｘ／Ｇｓ＝０．４７ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎと高い値になっており、結晶の周辺に於いてもＶｍａｘ／Ｇｓ＝０．３２ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎで、ＯＳＦリングの発生を確実に抑制できることが分かった。
従来の大きなルツボを使用した方法（磁場印加なし）では中心でＶｍａｘ／Ｇｓ＝０．３５ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ、周辺で０．２ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ程度であったが、本発明によりＭＣＺ法に比較して開発・操業コストの安い通常のＣＺ法であっても、中心でＶｍａｘ／Ｇｓ＝０．４７ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ、周辺で０．３２ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ程度で育成することが可能になった。これにより、磁場を印加するのに必要な高価な設備を設置することなく、安いコストで結晶径方向全面で高Ｖ／Ｇｓを達成することが可能となることがわかった。
ルツボの内径を通常よりも小さいものを用いることにより、変形しない最大引上げ速度が向上した理由については明確ではないが、本来、変形しない最大引上げ速度Ｖｍａｘは、結晶の温度勾配Ｇｓと融液の温度勾配Ｇｌとの差に比例することが知られている（Ｆ．Ｓｈｉｍｕｒａ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  ｐ．１３８，Ａｃａｄｅｍｉｃ  Ｐｒｅｓｓ）。
従って、融液の温度勾配Ｇｌが小さくなれば結晶の温度勾配Ｇｓに対する最大引上げ速度は大きくなるので、ルツボの内径を通常よりも小さいものを用いることにより、融液の温度勾配が小さくなったと推論される。
そしてこの場合、結晶直径に対するヒーターの内径を２．５〜３倍にすることが望ましい。これは、結晶直径の３倍を超えるような余りにも大きいヒーター直径では、ルツボ径を小さくしても、ルツボ内の融液の対流分布が大きく変化し、Ｇｓに対する引上げ速度がさほど速くならない場合があるからである。
またこの場合、結晶の回転数を５〜２５ｒｐｍとすることが好ましい。
これは、２５ｒｐｍを超えるような速い結晶回転速度では、その影響により融液面を泡立たせ、結晶が変形したり乱れてしまうし、逆に結晶が５ｒｐｍ未満或いは全く回転していないと、結晶周囲の温度分布の均一性が低下するため、結晶は変形を起こし易くなるからである。
さらにこの場合、ルツボの回転数を０．１〜２０ｒｐｍとすることが好ましい。ルツボが全く回転しないのでは、融液が撹拌されないので対流の様子が変化してしまう。また、ルツボの回転が２０ｒｐｍを超えるような速さになると、融液面の振動が発生し、結晶の変形や乱れを引き起こす場合があるからである。
以下、本発明を、図面を参照しながらさらに説明する。
まず、本発明において使用するＣＺ法単結晶引上げ装置の構成例を図５を用いて説明する。図５に示すように、この単結晶引上げ装置３０は、引上げ室３１と、引上げ室３１中に設けられたルツボ３２と、ルツボ３２の周囲に配置されたヒータ３４と、ルツボ３２を回転させるルツボ保持軸３３およびその回転機構（図示せず）と、シリコンの種結晶５を保持するシードチャック６と、シードチャック６を引上げるワイヤ７と、ワイヤ７を回転又は巻き取る巻取機構（図示せず）を備えて構成されている。ルツボ３２は、その内側のシリコン融液２を収容する側には石英ルツボが設けられ、その外側には黒鉛ルツボが設けられている。また、ヒータ３４の外側周囲には断熱材３５が配置されている。
また、結晶中の温度勾配Ｇｓをできるだけフラットにするために、結晶の固液界面の外周に環状の固液界面断熱材８を設け、その上に上部囲繞断熱材９が配置されている。この固液界面断熱材８は、その下端とシリコン融液２の湯面との間に３〜５ｃｍの隙間１０を設けて設置されている。上部囲繞断熱材９は条件によっては使用しないこともある。さらに、冷却ガスを吹き付けたり、輻射熱を遮って単結晶を冷却する筒状の冷却装置３６を設けてもよい。
次に、上記図５の単結晶引上げ装置３０による単結晶育成方法について説明する。まず、ルツボ３２内でシリコンの高純度多結晶原料を融点（約１４２０℃）以上に加熱して融解する。次に、ワイヤ７を巻き出すことにより融液２の表面略中心部に種結晶５の先端を接触又は浸漬させる。その後、ルツボ保持軸３３を適宜の方向に回転させるとともに、ワイヤ７を回転させながら巻き取り種結晶５を引上げることにより、単結晶育成が開始される。以後、引上げ速度と温度を適切に調節することにより略円柱形状の単結晶棒１を得ることができる。
そして本発明では、原料が収容されるルツボの内径ｃと引上げ結晶の直径ｄとの比ｃ／ｄが２．０〜２．５となるように設定する必要がある。
さらにこのｃ／ｄ比の設定に伴い、結晶直径ｄに対するヒーターの内径ｅを２．５〜３倍にすることが好ましい。
図４はｃ／ｄとＶｍａｘ／Ｇｓとの関係を定性的に示したものである。ｃ／ｄが１以下の場合は物理的に結晶引上げが不可能であり、１〜１．６の範囲では、ルツボの内壁からも結晶成長が発生してしまい、それが遊離して引上げ結晶の有転位化を引き起こす等の問題が発生し、引上げが極めて困難になるため適当ではない。また１．６〜２．０の範囲においては、単結晶成長が不可能ではないが連続操業の安定性に欠けるため、低コストが要求される現実の量産体制には向かない。一方ｃ／ｄが２．５を超える場合はＶｍａｘ／Ｇｓの低下による結晶周辺部でのＯＳＦリングの発生が懸念されるばかりでなく、エピタキシャルウエーハ用の窒素ドープシリコンウエーハに要求されるＶ／Ｇｓ≧０．３ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎをウエーハ全面で満たすことが困難になる。
引上げ結晶の直径が６、８、１２インチ（１５０、２００、３００ｍｍ）の場合の具体的なルツボの内径としては、それぞれ１２〜１５インチ（３００〜３７５ｍｍ）、１６〜２０インチ（４００〜５００ｍｍ）、２４〜３０インチ（６００〜７５０ｍｍ）の範囲のものを用いればよい。これにより、引上げ結晶の直径の２．５倍を超える内径を有するルツボを用いて磁場印加せずに引上げる従来の引上げ方法では満たすことが難しかったウエーハ全面でＶ／Ｇｓが０．３ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ以上となる引上げ条件を極めて容易に達成することができる。
また、単に引上げ結晶の直径の２．５倍以下の内径を有するルツボを用いるだけでは結晶の周辺部においてＶ／Ｇｓが不十分となる場合には、ＨＺを構成する断熱材を取り外す等の簡単な改良により、さらにＶｍａｘを大きくすることができ、結果としてＶ／Ｇｓを向上させることができることがＦＥＭＡＧ（前出）を用いた熱解析シミュレーションにより確認できた。
なお、上記のようにＶ／Ｇｓ値は、０．３ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎより大きいほどよいが、あまり大きくすると結晶が変形するので、通常は０．５５ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎ程度が限界である。
以下、本発明の実施例と比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。
（実施例１、比較例１）
２種類の単結晶引上げ装置を用いて、それぞれ表１の条件により、直径８インチ（２００ｍｍ）、ｐ型、結晶方位＜１００＞である窒素がドープされたシリコン単結晶を引上げた。窒素のドープは、原料中に窒化膜付きシリコンウエーハを所定量投入することにより行い、引上げ結晶の肩の部分の窒素濃度が計算上、２×１０１３／ｃｍ３となるように設定した。
引上げ中の結晶径方向のＧｓの面内分布をＦＥＭＡＧにより算出し図２に示した。また、Ｖｍａｘ／Ｇｓの面内分布を図３に示した。Ｖｍａｘは実施例１が約１．０５ｍｍ／ｍｉｎ、比較例１が約１．１ｍｍ／ｍｉｎであり、Ｖｍａｘ自体は実施例１の方が若干小さかったが、図３および表１から明らかなようにＧｓに対するＶｍａｘ、すなわち、Ｖｍａｘ／Ｇｓは実施例１の方が圧倒的に大きく、実施例１の場合のみ径方向全体にわたり、Ｖｍａｘ／Ｇｓ≧０．３ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎを満たしていることがわかった。
また、実施例１及び比較例１でそれぞれ成長した結晶から結晶軸方向に垂直に厚さ２ｍｍ程度のスラブを切り出し、フッ硝酸系の混酸で表面の歪みを除去した。次いで、１１５０℃で１００分間ウエット酸素雰囲気で酸化熱処理を行って選択エッチングした試料でＯＳＦリングの発生の有無を確認した。その結果、実施例１の結晶ではＯＳＦリングの発生は無かったが、比較例１の結晶の周辺部ではＯＳＦリングの発生が認められた。
（実施例２）
実施例１と同一の引上装置を用い、ＨＺの一部の断熱材を除去した構造で実施例１と同一の引上げ条件で８インチの窒素ドープ単結晶を引上げた。
その結果、Ｖｍａｘは１．３３ｍｍ／ｍｉｎが得られ、周辺１０ｍｍ付近のＶｍａｘ／Ｇｓは０．３５０ｍｍ２／Ｋ・ｍｉｎであり、さらなるＶｍａｘ／Ｇｓの向上が確認できた。引上げ条件と結果を表１に併記した。
また、実施例２の結晶についても、実施例１と同様にＯＳＦリングの発生の有無を確認したところ、ＯＳＦリングの発生は認められなかった。
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（実施例３、比較例２）
２種類の単結晶引上げ装置を用いて、それぞれ表２の条件により、直径６インチ（１５０ｍｍ）、ｐ型、結晶方位＜１００＞であるシリコン単結晶（窒素ドープなし）を引上げた。得られたＶｍａｘ、結晶中心部および周辺１０ｍｍ付近のＧｓ、Ｖｍａｘ／Ｇｓを表２に併記した。
また、実施例３及び比較例２の結晶についても、実施例１と同様にＯＳＦリングの発生の有無を確認した。その結果、実施例３の結晶ではＯＳＦリングの発生は無かったが、比較例２の結晶の周辺部ではＯＳＦリングの発生が認められた。
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なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
本発明は磁場を印加した引上げ法に適用することを禁じる趣旨ではなく、いわゆるＭＣＺ法に適用してもよい。本発明を磁場を印加して結晶を引上げるＭＣＺ法に適用した場合、上記のような磁場を印加しない通常のＣＺ法引上げ法に適用した場合に比べればＧｓに対するＶｍａｘの向上効果は少ないが、ある程度の改善効果は期待できる。
【図面の簡単な説明】
図１は、石英ルツボの内径ｃと引上げ単結晶の直径ｄとの比ｃ／ｄ別にみた、結晶固液界面温度勾配Ｇｓと結晶が変形しない最大引上げ速度Ｖｍａｘとの関係を示した図である。
図２は、実施例１、比較例１における引上げ中の結晶径方向の固液界面温度勾配Ｇｓの面内分布を示した結果図である。
図３は、実施例１、比較例１における結晶径方向の最大引上げ速度Ｖｍａｘと結晶固液界面温度勾配Ｇｓの比Ｖｍａｘ／Ｇｓの面内分布を示した結果図である。
図４は、ｃ／ｄとＶｍａｘ／Ｇｓとの関係を定性的に示した摸式図である。
図５は、本発明で使用したＣＺ法による単結晶引上げ装置の概略説明図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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