(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学デバイスを少なくとも一本の光ファイバと結合する光コネクタ・アダプタであって、
基板（１２）と、
２つのキャリア・ブラケット（２２）と、
基板キャリア（２８）とを有し、
前記基板は、導波管と、該基板の第一の主面上の第一の基準面（１６）と、該基板の一側面上の第二の主面上の第二の基準面（１８）とを有し、
前記導波管は、対向する端部（１４）を有し、
前記導波管の位置は、前記第二の基準面（１８）に対して位置決めされ、
前記キャリア・ブラケット（２２）の各々は、前記基板（１２）の対向する端部（１４）において前記第一の基準面（１６）に取り付けられ、
前記キャリア・ブラケット（２２）の各々は、前記基板（１２）の前記第一の基準面（１６）及び前記第二の基準面（１８）を、前記キャリア・ブラケット（２２）に対して揃えるために配置された基板アライメント・マーク（２４）を有し、
前記基板キャリア（２８）は、前記基板（１２）及び前記キャリア・ブラケット（２２）を受け入れ、
前記基板キャリア（２８）は、前記第二の基準面（１８）及び前記第一の基準面（１６）を前記基板キャリア（２８）及び前記キャリア・ブラケット（２２）に対して揃えるためのキャリア・アライメント基準マーク（３０）を有し、
前記基板キャリア（２８）は、少なくとも一本の光ファイバを光学デバイスに結合させるように構成される、ことを特徴とする光コネクタ・アダプタ。
【請求項２】
請求項１記載の光コネクタ・アダプタであって、
前記基板は、前記第一の基準面（１６）内に形成され、半導体マスキング技術によって規定された複数の精密溝（２０）を有する基板ホルダを有する、ことを特徴とする光コネクタ・アダプタ。
【請求項３】
請求項２記載の光コネクタ・アダプタであって、
前記複数の溝（２０）は、光ファイバを受け入れるように前記第一の基準面（１６）に形成されると共に、前記第二の基準面（１８）との間に所定距離の間隔が空けられ、
前記キャリア・アライメント基準マーク（２４）は、前記第一の基準面（１６）上の前記溝（２０）内に受け入れられた光ファイバを前記光デバイスに揃える、ことを特徴とする光コネクタ・アダプタ。
【請求項４】
請求項２又は３記載の光コネクタ・アダプタであって、
前記基板ホルダは、シリコン又はガラスから形成される、ことを特徴とする光コネクタ・アダプタ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項記載の光コネクタ・アダプタであって、
前記基板（１２）は、精密に鋳造された第一の基準面及び第二の基準面を有する鋳造基板を有し、
前記基板アライメント基準マーク（２４）は、前記第一の基準面（１６）及び前記第二の基準面（１８）と係合するアライメント・ピンを有する、ことを特徴とする光コネクタ・アダプタ。
【請求項６】
請求項５記載の光コネクタ・アダプタであって、
アライメント・ピンは、アライメント・ピン（３６）が前記第一の基準面と前記第二の基準面とが交わる部分又はその近傍において前記基板と接するように、各キャリア・ブラケット（２２）内にセットされる、ことを特徴とする光コネクタ・アダプタ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項記載の光コネクタ・アダプタであって、
前記第二の基準面（１８）は、前記第一の基準面（１６）と直交する、ことを特徴とする光コネクタ・アダプタ。
【請求項８】
光学デバイスを少なくとも一本の光ファイバと結合する方法であって、
基板（１２）を形成する工程と、
キャリア・ブラケット（２２）を位置決めする工程と、
前記キャリア・ブラケット（２２）を備えた前記基板（１２）を基板キャリア（２８）内に挿入する工程とを有し、
前記基板（１２）は、導波管と、該基板の第一の主面上の第一の基準面（１６）と、該基板の一側面上の第二の基準面（１８）とを有し、
前記導波管は、対向する端部（１４）を有し、
前記少なくとも１つの導波管の位置は、前記第二の基準面（１８）に対して位置決めされ、
前記位置決め工程においては、前記キャリア・ブラケット（２２）が前記基板（１２）の端部（１４）のいずれか一方において前記第一の基準面（１６）上に位置決めされると共に、前記キャリア・ブラケット（２２）上に配置された基板アライメント基準マーク（２４）を用いて前記基板（１２）の前記第一の基準面（１６）及び前記第二の基準面（１８）が前記キャリア・ブラケット（２２）に対して揃えられ、
前記挿入工程においては、前記基板キャリア（２８）上に配置されたキャリア・アライメント基準マーク（３０）を用いて前記基板（１２）の前記第一の基準面（１６）及び前記第二の基準面（１８）が前記基板キャリア（２８）及び前記キャリア・ブラケット（２２）に対して揃えられ、
前記基板は、少なくとも一本の光ファイバを光学デバイスと結合させるように構成される、ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法であって、
前記基板形成工程において、前記基板は、前記第一の基準面（１６）内に埋め込まれ、精密半導体マスキングによって規定された導波管を備えた導波基板として形成される、ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の方法であって、
前記基板形成工程において、前記基板は、前記第一の基準面（１６）内に形成され、半導体マスキング技術によって規定された複数の精密溝（２０）を備えた基板ホルダとして形成される、ことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光コネクタ及びインターフェースの分野に係り、特に、単チャネル又は多チャネル導波装置をファイバへ接続する光コネクタ・アダプタに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光多チャネル導波装置、ＭＴＰコネクタ、などの装置との接続を含む光ファイバの精密な接続における主な障害の１つは、光導波管のその信号入力及び出力に対して厳密に配置しなければならないことである。これは、様々な光学部品が、単チャネル又は多チャネル光ファイバ導波管又は類似の光学部品と共に用いられ、リボン状にまとめられたファイバへ接続される際に特に重要である。
【０００３】
従来技術の中には、光ファイバ及び／又は光ファイバを揃えるための装置の中に光を積極的に通らせることによって、基板がファイバに揃えられた複数のチャネルを有するものもある。ファイバのアライメントが正確であることを確認するために接続された装置及び光ファイバの中を通過する光のパーセンテージを測定するのには通常電力計が用いられる。光ファイバとコネクタのアライメントが一旦正確であると判断されると、基板と光ファイバの上にエポキシが落とされ、光ファイバを接着し、セット・ポジションへ硬化させる。「アクティブ・アライメント」として知られるこの工程は、非常に労働集約的な工程であり、高度な技術が要求されると共に、高精度オプトメカニカル・アライメント・システムを用いなければならない。
【０００４】
これら欠点を克服するための従来技術の１つは、ＭＴＰ多ファイバ・コネクタを接続するのに用いられる精密パッシブ・アライメント技術及び同様に設計された光コネクタ・アプリケーションである。このＭＴＰコネクタ・アッセンブリは、精密な多ファイバ・アレイと、フェルールと、２つのガイド穴及びピンから成るパッシブ・アライメント・メカニズムと、を含む。このようなパッシブ・アライメントＭＴＰコネクタ・アッセンブリの一例は、その全体がここに引用文献として組み込まれる技術文献（非特許文献１）に開示されている。この技術を用いると、複数のファイバについて、２マイクロメートルのパッシブ・アライメント精度が得られる。ＭＴ（又はＭＴＰ）コネクタによって終端処理されたマルチモード１２ファイバ・リボンとアクティブな直径が１０マイクロメートルのレーザー（ＶＣＳＥＬ）・アレイを発する垂直な穴表面との間のパッシブなアライメントは、高いパーセンテージの結合効率を保持した。これにより、上述のような中間コネクタを用いたファイバ・リボンとファイバ・リボンの接続が可能となる。
【０００５】
【非特許文献１】
「ＭＴ  Ｍｕｌｔｉｆｉｂｅｒ  Ｃｏｎｎｅｃｔｏｒｓ  ａｎｄ  Ｎｅｗ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」、４４ｔｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ、１９９４
【発明が解決しようとする課題】
例えば増幅器などの多チャネル導波装置とＭＴＰコネクタ化されたリボン・アダプタとを結合させることによって、導波管インターフェースが単チャネル又は多チャネル導波装置をファイバへ接続するパッシブ・アライメント光コネクタ・アダプタとして設けられると有益的である。これは、従来技術のような中間的工程が一切無くても起こり得るものであり、自動結合を可能にすると共に、フェルール、変調器、導波管、増幅器などの光学部品を含む多チャネル導波装置への直接接続を可能にする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、有利であると共に、シングルチャネル又はマルチチャネルの導波装置をファイバへ接続する光コネクタ・アダプタと、これを作る方法とを提供する。光信号を伝達すると共に、対向する端部、上部基準面、及び単一の側方基準面を有するコネクタ・アダプタが提供される。キャリア・ブラケットは、基板のいずれかの端部において上部基準面上に収容される。基板アライメント基準は、基板の上部基準面及び側方基準面をキャリア・ブラケットに対して揃える。基板キャリアは、基板及びキャリア・ブラケットを収容すると共に、基板の側方基準面及び上部基準面を導波装置をキャリア・ブラケットに接続するために基板キャリア及びキャリア・ブラケットに対して揃えるキャリアキャリア・アライメント基準を有する。
【０００７】
本発明の一態様において、基板は、上部基準面内に埋め込まれ、精密半導体マスキングによって定義される導波管を有する導波基板を有する。本発明の更に別の態様において、基板は、上部基準面上に堆積され、精密半導体マスキングによって定義されたシリカ導波管を有する半導体導波基板として形成される。基板は、上部基準面内に形成され、半導体マスキング技術によって定義された複数の精密溝を有する基板ホルダを有し得る。基板ホルダは、成形されたシリカ樹脂合成物又はセラミックなどのシリカ又はガラスから形成され得る。
【０００８】
本発明の更に別の態様において、上部基準面は、精密に磨かれた光学的に平坦な基準面であり、側方基準面は、リソグラフィーによって定義・形成された精密基準面である。側方基準面を形成するために、上部基準面を構成する研磨面の上に最初にマスクが適用されてもよい。アライメント・マーク又は基準が形成され、該ピースを作成する技術者は、該側方基準面を作成するために、該マーク又は基準に対してグラインド・オフ又はポリッシュ・バックを行い得る。したがって、それはリソグラフィックに定義される。すなわち、マスクを置き、面のどこが要求されているかを定義し、それをその要件へ形成する。
【０００９】
本発明の更に別の態様において、基板は、精密に鋳造された上部基準面及び側方基準面を有する鋳造された基板である。基板アライメント基準は、上部基準面及び側方基準面が係合するアライメント・ピンである。アライメント・ピンは、アライメント・ピンが上部基準面及び側方基準面に対して接するように配置されるように、各キャリア・ブラケット内にセットされる。更に、導波装置を該キャリア・ブラケットに揃えるためのアライメント・ピンを、該キャリア・ブラケット内に配置することも可能である。基板ホルダ内に含まれるあらゆる溝は、互いに略平行に形成され得ると共に、約９ミクロン未満の光芯を有するシングル・モード・ファイバ又はマルチモード・ファイバを収容する寸法とし得る。
【００１０】
導波装置を接続する光コネクタ・アダプタを作る一方法において、基板ホルダが形成される。基板ホルダは対向する端部を有する。上部基準面が形成される。上部基準面は、そこに光ファイバを収容する溝を有する。この溝は、側方基準面から所定の間隔離されて形成される。キャリア・ブラケットは、各端部において、上部基準面上に配置され、キャリア・ブラケットを基板ホルダの上部基準面及び側方基準面に対して揃え、キャリア・ブラケット上に配置されたアライメント基準を用いる。基板ホルダは、基板キャリア内へ挿入される。上部基準面及び単一の側方基準面は、導波装置と接続するために基板キャリアに対して揃えられる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の他の目的、特徴、及び利点は、添付図面を参照しながら以下の本発明の詳細な説明を読むことによって明らかとなる。
【００１２】
以下、本発明の好ましい実施形態を示す添付図面を参照して、本発明をより完全に説明する。しかし、本発明は、多くの異なる形で実現することが可能であり、ここに説明した実施形態に限定されると解釈されるべきではない。むしろ、本開示が十分且つ完全なものとなり、本発明の範囲が当業者に完全に伝達されるように、これら実施形態は提供される。全図を通じて、同じ符号は同じ要素を指す。
【００１３】
本発明は、有益的なことに、ＭＴマルチファイバ・コネクタやフェルールなどの２つの光ファイバ・コネクタのアライメントを可能にする従来装置を上回る向上である。一例は、２つのガイド穴とピンとから成るパッシブ・アライメント・メカニズムを用いて精密マルチファイバ・アレイを接続するＭＴコネクタである。
【００１４】
本発明において、光コネクタ・アダプタは、単チャネル又は多チャネルの導波装置を、単チャネル又は多チャネル・パッシブ・アライメントを可能にすることによって、ファイバへ接続する。これら導波装置は、例えば、変調器、増幅器、ＭＴＰコネクタ、などの光学部品である。したがって、労働集約的なアクティブ・アライメント及び多軸装置を用いたアクティブ・アライメント技術及びエポキシ結合を用いて光ファイバを個々に下げる従来技術はもはや必要ではない。
【００１５】
図１は、ＭＴＰコネクタとして図２に示された導波装置などの単チャネル又は多チャネル導波装置をファイバへ接続する本発明に係る光コネクタ・アダプタを示す。本発明に係る光コネクタ・アダプタの基本的要素は、互いに同様に形成された対向する端１４を有する基板１２と、上部基準面１６と、図示するようにこの上部基準面に直交する単一の側方基準面１８と、である。本発明の好ましい態様において、側方基準面１８は１つしか形成されず、製造コストが節約される。なぜなら、精密な基準面が２つしか形成されないからである。他の面、すなわち、他方の側面と底面と端面は、より小さい誤差の面として形成することができる。両基準面は、用いられる基板のタイプに応じて異なる技術によって、精密な基準面として形成される。
【００１６】
基板は、光信号を運ぶように形成される。上部基準面内に埋め込まれ、精密な半導体マスキングによって定義された導波管を有する導波基板として形成されてもよい。この基板は、上部基準面上に堆積させられ、精密な半導体マスキングによって定義されたシリカ導波管を有する半導体導波基板として形成されてもよい。この基板は、更に、上部基準面内に形成され、半導体マスキング技術によって定義された複数の精密な溝を有する基板ホルダとして形成されてもよい。この基板ホルダは、シリコン又はガラスから形成されてもよい。この基板ホルダは、更に、鋳造されたシリカ樹脂合成物又はセラミックから形成されてもよい。
【００１７】
本発明の一態様において、上部基準面は、精密に磨かれ、光学的に平坦な基準面として形成されてもよく、側方基準面は、リソグラフィッカリィに定義・形成された精密な基準面として形成されてもよい。基板は、精密に鋳造された上部基準面及び側方基準面を有する鋳造基板でもよい。例えば、形成において、上部基準面は、ナノメートルレベルの平坦さに収まる光学的に平坦となるように磨かれてもよい。側方基準面は、その際、リソグラフィカリィに定義される。例えば、この磨かれた基板の上面上にマスクを置くこともでき、このマスクによっていくつかの種類のアライメント・マーク若しくは基準（ｆｉｄｕｃｉａｒｉｅｓ）が形成される。この基板を作成するあらゆる技術者は、精密な側方基準面を作成するためのこのマーク若しくは基準を磨き落とす又はポリッシュ・バックする。したがって、それは、上部及びグラウンド上にリソグラフィカリィに定義されるか、又はフィデュシアリーズへの側面においてポリッシュ・バックされる。以下に説明するに、用いられるあらゆるアライメント・ピンは、基板が熱硬化プラスティック、シリカ樹脂、又はセラミックであろうとなかろうと鋳造ピースであるとき、用いられ得る。
【００１８】
図示された一実施形態において、基板は、上部基準面上の溝として形成された複数のファイバ・チャネル２０を有する基板ホルダとして形成される。ここで、光ファイバは該溝に収められると共に、該溝は、側方基準面１８から所定の距離離れている。
【００１９】
図示するように、キャリア・ブラケット２２は、一方の端１４において、上部基準面１６上にのせられ、導波基板１２の上部及び側方基準面１６、１８をキャリア・ブラケット２２に対して揃える基板アライメント基準２４を含む。導波基板１２及び取り付けられたキャリア・ブラケット２２は、基板キャリア２８内に収められ、側方基準面１８及び上部基準面１６を基板キャリアに対して揃え、後述するように上部基準面上のチャネル内に収められたあらゆる光ファイバをそこに接続された導波装置を用いて揃えて接続することを可能にするキャリア・サブアッセンブリ２６を構成する。
【００２０】
次に、本発明に係る基板１２をより詳細に示した図６〜９を参照する。
【００２１】
基板１２は、ほぼ長方形に構成され、対向する端１４を有する。好ましい鋳造や、当業者には知られた半導体マスキングやフォトリソグラフイ技術などを用いて、上部基準面１６及び単一の側方基準面１８が互いにほぼ直交するように形成される。これら基準面は、本発明に２つだけ必要な厳格な基準面である。対照的に、多くの従来の高精度コネクタ及びアッセンブリ技術は、互いに非常に高い面精度をそれぞれが有する多くの基準面を必要とする。
【００２２】
当業者には既知の技術を用いて、複数の光ファイバ収容チャネル２０又は溝が上部基準面１６上に形成され、約９ミクロン未満の光コアを有するシングルモード・ファイバ又はマルチモード・ファイバなどの光ファイバがそこに収容される。当然、マルチモード・ファイバは、より大きく（例えば、１２５ミクロン）、いくつかのシングルモード・ファイバを有する。マルチモード・ファイバは、直径約５０又は６２．５ミクロンのコアを有することが可能である。したがって、チャネル又は溝が側方基準面から精密な距離に形成されるため、週用されたあらゆる光ファイバは側方基準面１８から所定の距離だけ離れる。
【００２３】
図９に示すように、基板１２の端１４は、当業者には既知のように、シングルモード・ファイバを接続するための斜めの面、又はマルチモード・ファイバを接続するための平らな面（図示せず）を含むことができる。上部基準面１６上に形成し得る光ファイバ収容チャネル又は溝２０の数は任意でよいが、通常、業界では一般的な１２又は２４個のチャネル装置へ接続するために１２又は２４本のチャネルが形成される。通常、シングルモード・ファイバを用いる場合、導波光コアは約９ミクロンであり、中心間距離を約２５０ミクロン離すことができる。本発明の一態様において、導波基板１２は、射出成形されてもよく、当業者には既知の他の製造技術によって形成されてもよい。
【００２４】
図２〜４により明確に示したように、キャリア・ブラケット２２は、一方の端において、上部基準面１６上に載せられる。このキャリア・ブラケットは、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの当業者によって提案され得る熱硬化性樹脂から形成することができる。このキャリア・ブラケット２２は、当業者には既知の成形技術を用いて、精密成形部分として形成される。キャリア・ブラケットを成形するのに要求される精度公差は高いが、これら公差は半導体マスキング及びフォトリソグラフィ技術を用いて基板１２上に上部基準面及び側方基準面を形成する時に要求される公差ほどではない。
【００２５】
本発明の一態様において、キャリア・ブラケット２２は、図５に示すように、水平方向に延びる上部横方向支持部３２と、その各端に依存している２つの短い「切り株」脚３４と、を有する、切断された逆「Ｕ字」として形成される。基板アライメント基準２４は、上部基準面１６及び側方基準面１８を並べる基準データを構成する。本発明の好ましい態様において、基準２４は、例えば鋳造や穴あけなどによって横方向支持部３２と一方の脚３４との内角に形成された、精密に並べられた内部案内穴３８内に収容されるアライメント・ピン３６を有する。明確化のために言えば、様々な図面：図１、２、３、及び４の後部における案内穴３８は、収容されたアライメント・ピン無しに図示されている。アライメント・ピン３６は、キャリア・ブラケットが上部基準面上に載せられている時、上部基準面及び側方基準面に対して接するように（図８）配置される。これは、図６〜９に明確に示されているように、アライメント・ピン３６が上部基準面１６及び側方基準面１８と係合し、側方基準面及び上部基準面を正確に並べ、よって、ファイバ・チャネルを案内穴３８及びアライメント・ピン３６の既知の鋳造された又は穴が開けられた場所に対して正確に並べるように図示されている。
【００２６】
図５は、形成された角において、基準面１６、１８が接するようにアライメント・ピン３６を受け入れるように配置された案内穴３８の位置を詳細に示す。別の内部案内穴４０は、最初の案内穴から精密に所定の間隔が空けられ、他方の「切り株」脚におけるアライメント・ピンを含む。この案内穴４０は、上部基準面及び側方基準面に接するようにセットされてもよいが、これは必須ではない。なぜなら、前述のように、一方の側だけが精密基準面に指定されているからである。アライメント・ピン４１は、図示されるように、案内穴４０に収容される。これら２つの内部案内穴３８、４０は、図３に示すように、後に多チャネル導波装置内への相互接続に用いられるアライメント・ピンを収容する。
【００２７】
図１及び２は、基板１２及びキャリア・ブラケット２２から構成されるキャリア・サブアッセンブリ２６が基板キャリア２８内にどのように収容されるかを示す。基板キャリア２８は、導波基板１２の側方基準面を所定の位置へ並べ、よって上部基準面１６上のチャネル２０内に収容されるあらゆる光ファイバのそれに接続される多チャネル導波装置との接続点を並べるのに役立つキャリア・アライメント基準３０も有する。基板キャリアは、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性プラスティック材から作ることも可能である。基板キャリアも精密成形部分であり、図８に概略的に示すように、キャリア・アライメント基準３０として導波基板１２の側方基準面１８が係合するアライメント・ピン４８を含む２つの案内穴４６を有する底面４４を有する。
【００２８】
装置開口部４２は、長方形に構成され、基板キャリアの底面４４に配置された案内穴４６及びアライメント・ピン４８と一直線に並ぶように構成された案内穴５２を有する取付タブ５０を有する。取付タブ５０上に形成されたこれら案内穴５２は、キャリア・ブラケットが基板キャリアに対して揃うようにキャリア・ブラケット２２上に形成された外部案内穴５４内にアライメント・ピン５４を収容する。
【００２９】
よって、導波装置が、上部基準面及び側方基準面を揃えるのに用いられる内部案内ピンとコーナー・ブラケット基板キャリアとを通じて、本発明のコネクタ上へ折ることができる。このユニークな光コネクタ・アダプタは、パッシブ・アライメントを容易にし、大掛かりな心合わせ工程無しに導波装置を接続する。
【００３０】
図２及び３に示すように、基板１２及びキャリア・ブラケット２２は、ほぼ同一平面上の前面端を有する。上記様々なピンの配列は、最も重要な上部基準面及び側方基準面のそれぞれに対する構成要素のセルフ・センタリングを可能にする。光コネクタ・アダプタをあらゆる多チャネル導波装置へ保持するのに、ばねクリップや当業者には既知の他の保持クリップを用いることができる。２つの面１６、１８に対して定義された精度公差は、ファイバ・チャネルに関連する公差と同様に、当業者によって選択された半導体マスキング及びフォトリソグラフィによってセットされる。これにより、サブミクロン・レベルの構成要素を上部基準面及び側方基準面と一緒に揃えることができる。多くの通信用途において重要なレーザー・ダイオード列を有する導波装置を接続することも可能である。ジオメトリック・リファレンシング及びあらゆる鋳造又は半導体マスキング及びフォトリソグラフィは、様々なアライメント・ピンと共に精密なアライメントを可能にすると共に、キャリア・ブラケットが基板キャリア内のサブアッセンブリとして高精度に収容されることを可能にする。
【００３１】
以上の説明及び関連図面に提示された教えの利益を得た当業者には、本発明の多くの変形例及び他の実施形態が思い付くであろう。よって、本発明は、開示された特定の実施形態に限定されないこと、及び変形例及び実施形態は付属の請求項の範囲内に含まれることが意図されていること、は明らかである。
【００３２】
【発明の効果】
本発明によれば、パッシブ・アライメントを用いて導波装置を接続する光コネクタ・アダプタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ファイバを単チャネル又は多チャネル導波管装置へ接続する本発明に係る光コネクタの斜視図である。
【図２】図１に示す光コネクタ・アダプタの分解等角図であって、基板と、その上に載せられ、キャリアから取り除かれたキャリア・ブラケットと、そこに接続される多チャネル導波管装置と、を示す。
【図３】基板及び取り付けられたキャリア・ブラケットと多チャネル導波管装置との等角図である。
【図４】基板と基板の一方の端において上部基準面上に載せられたキャリア・ブラケットとの別の等角図である。
【図５】本発明に係るキャリア・ブラケットの拡大等角図である。
【図６】前図に示した基板の平面図である。
【図７】図６に示す基板の立体端面図である。
【図８】図６に示す基板の斜視図である。
【図９】図６に示す基板の立体側面図である。
【符号の説明】
１２  基板
１４  端
１６  上部基準面
１８  側方基準面
２０  ファイバ・チャネル
２２  キャリア・ブラケット
２４  基板アライメント基準
２６  キャリア・サブアッセンブリ
２８  基板キャリア
３０  キャリア・アライメント基準
３２  横方向支持部
３４  脚
３６、４８、５４  アライメント・ピン
３８、４０、４６、５２、５６  案内穴
４１  アライメント・ピン
４２  装置開口部
４４  底面
５０  取付タブ
【図１】
0003866186.tif 000002
【図２】
0003866186.tif 000003
【図３】
0003866186.tif 000004
【図４】
0003866186.tif 000005
【図５】
0003866186.tif 000006
【図６】
0003866186.tif 000007
【図７】
0003866186.tif 000008
【図８】
0003866186.tif 000009
【図９】
0003866186.tif 000010