(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
再結晶温度が常温域である錫，鉛及び錫−鉛合金よりなる群から選ばれた金属で構成された電気メッキ層を具備する銅箔地を二枚準備し、該二枚の銅箔地の電気メッキ層同士が当接するようにして、該二枚の銅箔地を重合した後、冷間圧延を施して、当接している電気メッキ層同士を溶融一体化することを特徴とするピンホールの少ない銅箔の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ピンホールの少ない銅箔の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、銅箔は、フレキシブルプリント配線基板，電池の電極，コンデンサの電極，電磁波シールド材等の各種電気部品又は電子部品として使用されている。このような用途に使用される銅箔は、言うまでもなく、ピンホールの少ない方が好ましい。例えば、コンデンサの電極として使用した場合、ピンホールが存在すると、それだけ電極の表面積が少なくなり、蓄電量が少なくなる。また、電磁波シールド材として使用した場合においても、ピンホールが存在すると、そのピンホールの箇所から電磁波が漏洩する恐れがある。従って、このような用途に用いられる銅箔は、ピンホールの少ない方が好ましいのである。
【０００３】
従来用いられている銅箔は、比較的厚さの厚い銅板に冷間圧延を施して製造しているのであるが、以下のような原因によって、ピンホールが発生しやすいということがあった。即ち、（ｉ）冷間圧延前の銅板の表面に付着している埃や塵等が、冷間圧延後銅箔の厚さ方向に貫通してピンホールが発生する。これは、銅箔の厚さと埃や塵等の大きさが同等になるからである。（ii）銅鋳塊製造時の鋳造の段階で混入する気泡、若しくは鋳造時の欠陥（空洞や微小割れ）が、冷間圧延後成長してピンホールが発生する。（iii）銅に不可避的に混入する不純物等が、冷間圧延後銅箔の厚さ方向に貫通してピンホールが発生する。これも、銅箔の厚さと不純物等の大きさが同等になるからである。
【０００４】
このようなピンホールの発生を防止するには、上記の（ｉ）〜（iii）の原因を排除すれば良いと考えられる。しかし、（ｉ）の原因を排除するには、冷間圧延現場から埃や塵等を取り除いて清浄にしなければならない。例えば、冷間圧延現場をクリーンルームにすることが考えられるが、設備設置の費用の多大であり、製造コストが大幅に向上し、実用的ではない。（ii）の原因の排除は、製造方法の改良に係っているが、未だ完全な鋳造方法は開発されていない。（iii）の原因を排除するには、不純物を銅中に固溶化させたり、又は不純物を微細化する方法が提案されているが、不可避的な不純物の混入であるため、完全に排除することは困難である。また、（ｉ）〜（iii）の原因の一つを排除しても、他の原因が存在すると、やはりピンホールは発生しやすくなり、（ｉ）〜（iii）の原因を一挙に排除する必要がある。しかし、一挙に排除する方法は  現在の技術では困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本件出願人は、上記（ｉ）〜（iii）の原因を排除するという方向ではなく、これらの原因を帯有させたままで、ピンホールの発生を防止すべく鋭意検討し、特許第２５５３８９８号に係る発明を完成した。即ち、この発明は、ピンホールが比較的多く存在する金属箔地を少なくとも二枚重合し、この重合箔地に圧延を施すことによって、重合界面に金属結晶を生成せしめて、一枚の金属箔とする方法である。この方法によると、各々の金属箔地には、比較的多くのピンホールが存在するが、その金属箔地を重合した場合、各々のピンホールが合致することは殆ど無く、したがって重合箔地から得られた一枚の金属箔には、殆どピンホールが発生しないというものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記特許第２５５３８９８号に係る発明を利用したものであり、金属箔地として、特定のものを採用することによって、重合箔地同士をより一体化しやすくしたものである。即ち、本発明は、再結晶温度が常温域である錫，鉛及び錫−鉛合金よりなる群から選ばれた金属で構成された電気メッキ層を具備する銅箔地を二枚準備し、該二枚の銅箔地の電気メッキ層同士が当接するようにして、該二枚の銅箔地を重合した後、冷間圧延を施して、当接している電気メッキ層同士を溶融一体化することを特徴とするピンホールの少ない銅箔の製造方法に関するものである。
【０００７】
まず、本発明において準備する銅箔地は、その表面に電気メッキ層を具備するものである。電気メッキ層は、再結晶温度が常温域である金属で構成されている。このような金属としては、錫又は鉛又は錫−鉛合金が用いられる。この電気メッキ層は、このような金属で構成されているため、常温で放置しておいても結晶粒が成長するものである。
【０００８】
電気メッキ層を具備する銅箔地は、次のような製法によって得ることができる。即ち、銅箔地本体を陰極とし、陽極に再結晶温度が常温域である金属を採用すると共に、電解液としてこの金属が溶解している溶液を採用する。そして通電し、陰極（銅箔地本体）表面に、再結晶温度が常温域である金属を析出させて、銅箔地本体表面にこの金属を密着・被覆すれば良い。銅箔地本体の厚さは任意であって良く、例えば１０〜３０μｍ程度が好ましい。また、電気メッキ層の厚さも任意で良いが、一般的に０．５μｍ〜１０μｍ程度が好ましい。電気メッキ層の厚さが１０μｍを超えると、電気メッキ層と銅箔地本体との密着力が低下し、電気メッキ層が部分的に剥離する恐れがある。
【０００９】
電気メッキ層を具備する銅箔地を二枚準備した後、各銅箔地の電気メッキ層同士が当接するようにして、二枚の銅箔地を重合する。この際、重合面に、埃，塵，水分及び油等がなるべく挾着されないように、電気メッキ層表面を洗浄及び乾燥しておくのが好ましい。この重合銅箔地に、冷間圧延を施す。冷間圧延は、従来公知の方法で行えば良く、例えば汎用されている冷間圧延機に通すことによって行う。冷間圧延時の圧下荷重は、５〜４０トン／５００ｍｍ程度であるのが好ましい。このような圧下荷重は、重合箔地を一体化させる場合の圧延時における圧下荷重に比較して、低いものである。このような低圧下荷重で、重合銅箔地を一体化し得るのは、本発明においては、銅箔地表面に設けられた電気メッキ層が当接して、重合界面となっているためである。即ち、この電気メッキ層は、再結晶温度が常温域である金属で構成されているため、低圧下荷重で重合界面を形成している両電気メッキ層が溶融し、その後、常温で放置しておくことにより、溶融した重合界面で結晶粒が成長して、二枚の銅箔地が完全に一体化するからである。以上のようにして、ピンホールの少ない一枚の銅箔が得られるのである。
【００１０】
【発明の効果】
以上のようにして得られた銅箔は、ピンホールの比較的多い銅箔地を用いていながら、この銅箔地が二枚重合されたことによって、表裏面に貫通するピンホールは殆ど発生しない。従って、ピンホールの少ない一枚の銅箔が得られるという効果を奏する。
【００１１】
また、本発明に係る方法によって得られた銅箔は、電気メッキ層の溶融によって、二枚の銅箔地が強固に一体化したものであり、各銅箔地が剥離するということも少なく、通常の一枚の銅箔と同様に取り扱うことができる。
【００１２】
また、本発明に係る方法は、再結晶温度が常温域にある錫，鉛及び錫−鉛合金よりなる群から選ばれた金属で構成された電気メッキ層を具備する銅箔地を用いているから、低圧下荷重で冷間圧延しただけで、電気メッキ層が容易に溶融し、二枚の銅箔地が強固に接合一体化する。従って、本発明に係る方法は、比較的に簡易であり、合理的にピンホールの少ない銅箔を得られるという効果を奏する。