(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを生成するプラズマ生成部と、このプラズマ生成部で生成されたプラズマからイオンビームを引き出すイオン引出し部と、このイオン引出し部から引き出されたイオンビームを質量分離する質量分離部と、この質量分離部を通過したイオンビームを加速するイオン加速部とを備える質量分離型イオン源において、
前記質量分離部が、
入射イオンビームに対して直角に磁界を与えて当該イオンビームを曲げる一組の上流側磁石と、
この上流側磁石の下流側に設けられていて、当該上流側磁石でイオンビームを曲げる方向に傾けて複数枚のフィルタ板を、互いに一定の間隔をあけて互いに平行に並べて配置して成るフィルタ部とを備えることを特徴とする質量分離型イオン源。
【請求項２】
前記質量分離部が、前記フィルタ部の下流側に配置されていて前記フィルタ部において前記上流側磁石からの漏れ磁界を打ち消す磁界を発生させる一組の下流側磁石を更に備えている請求項１記載の質量分離型イオン源。
【請求項３】
前記イオン引出し部に印加する引出し電圧を可変にしている請求項１または２記載の質量分離型イオン源。
【請求項４】
前記フィルタ部を構成する複数枚のフィルタ板の傾き角度を一括して調節可能にしている請求項１、２または３記載の質量分離型イオン源。
【請求項５】
前記上流側磁石が前記イオンビームに与える磁界の磁束密度を可変にしている請求項１、２、３または４記載の質量分離型イオン源。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば液晶ディスプレイ用基板等の大面積の基板に均一性良く不純物注入（イオンドーピング）を行うこと等に用いられるイオン源であって、質量分離部を備える質量分離型イオン源に関し、より具体的には、当該質量分離部の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
大面積のイオンビーム（これは面イオンビームとも呼ばれる）を引き出すことのできるイオン源であって、イオンビーム中への不要イオンの混入を防止するために、質量分離部を備える質量分離型イオン源が、例えば特開平７−３３５１６０号公報に開示されている。質量分離とは、イオンビーム中から必要なイオンだけを選り分けて（選択的に）導出することを言う。
【０００３】
上記公報に開示された質量分離型イオン源は、図５に示すように、プラズマ１６を生成するプラズマ生成部１０と、このプラズマ生成部１０で生成されたプラズマ１６からイオンビーム２６を引き出すイオン引出し部２０と、このイオン引出し部２０から引き出されたイオンビーム２６を質量分離する質量分離部３０と、この質量分離部３０を通過したイオンビーム２６を加速するイオン加速部５０とを備えている。
【０００４】
プラズマ生成部１０は、プラズマ生成容器１２内に導入されたガス１４を、直流放電、高周波放電、マイクロ波放電等によって放電分解してプラズマ１６を生成する。
【０００５】
イオン引出し部２０は、プラズマ１６から電界の作用でイオンビーム２６を引き出すものであり、この例ではプラズマ電極２２および引出し電極２４を有している。両電極間には、引出し電源６２から引出し電圧が印加される。
【０００６】
質量分離部３０は、この例ではフィルタ部３２と、その下流側に設けられたイオン抑制電極４６とを有している。
【０００７】
フィルタ部３２は、ウイーンフィルタまたはＥ×Ｂ型質量分離器とも呼ばれるものであり、図６に示すように、互いに直交する電界Ｅと磁界Ｂとの作用によってイオンビーム２６の質量分離を行うものである。即ちこのフィルタ部３２は、多数のビーム引出し孔４４の両側に、上記電界Ｅを形成する電極板３４、３６および上記磁界Ｂを形成する永久磁石４０をそれぞれ配置した構造をしている。両電極板３４、３６には、フィルタ電源６４、６５から上記電界Ｅを形成する電圧が印加される。３８は絶縁板、４２は非磁性の保持板である。
【０００８】
イオンビーム２６中の所望イオンは、ビーム引出し孔４４を直進してイオン抑制電極４６を通過して下流側へ射出される。イオンビーム２６中の不所望イオンは、ビーム引出し孔４４を通過中に曲げられ、ビーム引出し孔４４の壁面やイオン抑制電極４６に衝突する。このようにしてイオンビーム２６の質量分離が行われる。
【０００９】
イオン加速部５０は、質量分離部３０から導出されたイオンビーム２６を、高電界によって加速して射出する。イオン加速部５０は、この例では、下流側からの逆流電子抑制用の抑制電極５２と接地電極５４とを有している。上記プラズマ生成部１０、イオン引出し部２０および質量分離部３０と接地電極５４との間に、加速電源６６から高電圧の加速電圧が印加される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
上記質量分離型イオン源には、次のような課題がある。
【００１１】
▲１▼ホウ素やリン等のような絶縁物質を形成するイオンを含むイオンビーム２６を質量分離する際に、質量分離部３０のフィルタ部３２を構成する電極板３４、３６に不要イオンが衝突して両電極板３４、３６の表面に絶縁膜が形成され、そこに不要イオンが衝突することによって帯電（チャージアップ）するようになり、やがて、この帯電の影響で所望の上記電界Ｅを印加することができなくなって、所望の質量分離作用を成さなくなる。即ち、フィルタ部３２の寿命（使用可能時間）が短く、頻繁にメンテナンスを必要とする。
【００１２】
▲２▼質量分離部３０のフィルタ部３２は、電極板３４、３６および永久磁石４０等を多数必要とするので、構造が非常に複雑であり、上記絶縁膜除去等のメンテナンスが困難である。
【００１３】
▲３▼質量分離部３０のフィルタ部３２を構成する永久磁石４０は熱に弱いため、その保持板４２に冷却水を通して永久磁石４０を強制的に冷却する構造にする必要があるが、永久磁石４０およびその保持板４２が多数あるので、冷却構造にすることによってフィルタ部３２の構造が更に複雑かつ高価になる。
【００１４】
▲４▼質量分離部３０のフィルタ部３２は、各ビーム引出し孔４４の両側に永久磁石４０をそれぞれ配置する必要があり、この永久磁石４０およびその保持板４２等からの制約によってビーム引出し孔４４を密に配置することができず、フィルタ部３２の開口率が低い（例えば約１０〜２０％程度）。その結果、イオンビーム２６の引き出し効率およびイオンビーム２６全体の均一性が悪くなる。
【００１５】
そこでこの発明は、質量分離部の構造の簡素化、長寿命化および開口率向上を図った質量分離型イオン源を提供することを主たる目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
この発明の質量分離型イオン源は、質量分離部が、入射イオンビームに対して直角に磁界を与えて当該イオンビームを曲げる一組の上流側磁石と、この上流側磁石の下流側に設けられていて当該上流側磁石でイオンビームを曲げる方向に傾けて複数枚のフィルタ板を、互いに一定の間隔をあけて互いに平行に並べて配置して成るフィルタ部とを備えることを特徴としている。
【００１７】
プラズマ生成部中のプラズマからイオン引出し部によって引き出されたイオンビームは、上記質量分離部に入射する。
【００１８】
質量分離部に入射したイオンビームは、上流側磁石によって曲げられる。この際、イオンビーム中のイオンの質量によって偏向角が異なる。この上流側磁石で曲げられたイオンビームは、その下流側のフィルタ部に入射する。このフィルタ部では、上記フィルタ板の傾き角度と等しい偏向角を持つイオンのみが、即ち必要な質量のイオンのみが、ここを通過することができる。他のイオン種は、フィルタ板に衝突するので、ここを通過することはできない。このようにして、質量分離部によってイオンビームを質量分離して、必要なイオンだけを選り分けて導出することができる。
【００１９】
このようにして質量分離されたイオンビームは、その下流側にあるイオン加速部によって加速される。
【００２０】
上記質量分離部は、一組の上流側磁石と、上記フィルタ板を有するフィルタ部とを組み合わせたものであるので、多数の電極板および多数の磁石を組み合わせた従来のＥ×Ｂ型のフィルタ部を有する質量分離部に比べて、構造が簡単であり、従ってメンテナンスも容易である。
【００２１】
しかも、上記質量分離部は、質量分離用に電極板を用いていないので、従来のＥ×Ｂ型のフィルタ部のような電極板表面の絶縁化による機能低下の問題は起こらず、従って長寿命である。
【００２２】
更に、上記質量分離部のフィルタ部において開口率を低下させる要因となるのはフィルタ板の板厚部分のみであるので、従来のＥ×Ｂ型のフィルタ部に比べて、開口率を大幅に向上させることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明に係る質量分離型イオン源の一例を示す断面図である。図２は、図１の線Ａ−Ａに沿う断面図である。図３は、図１のＣ−Ｃ方向に見た平面図である。図５の従来例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例との相違点を主に説明する。
【００２４】
この質量分離型イオン源は、プラズマ１６を生成する前述したようなプラズマ生成部１０と、このプラズマ生成部１０の開口部１８付近に設けられていて当該プラズマ生成部１０で生成されたプラズマ１６からイオンビーム２６を引き出すイオン引出し部２０と、このイオン引出し部２０の下流側に設けられていて当該イオン引出し部２０から引き出されたイオンビーム２６を質量分離する質量分離部７０と、この質量分離部７０の下流側に設けられていて当該質量分離部７０を通過したイオンビーム２６を加速する前述したようなイオン加速部５０とを備えている。
【００２５】
イオン引出し部２０は、この例では、プラズマ生成部１０に最も近いプラズマ電極２２と、その下流側に配置された第１引出し電極２３と、その下流側に配置された第２引出し電極２５とを有している。
【００２６】
各電極２２、２３、２５は、この例では、直径１ｍｍ程度のタングステン線を一定間隔（例えば３ｍｍ程度）ですだれ状に並べた構造をしている。これによって、高い開口率（例えば７０％前後）を得ることができる。但し、電極２２、２３、２５を他の構造、例えば細線を格子状に並べた構造、板に多数の小孔またはスリットを設けた構造等でも良い。この例では、イオン引出し部２０から、断面長方形の面状のイオンビーム２６が引き出される。
【００２７】
プラズマ電極２２は、この例ではプラズマ生成容器１２と同電位にされている。このプラズマ電極２２と第１引出し電極２３との間に、第１引出し電源６１から、第１引出し電極２３側を負極にして、直流の第１引出し電圧ＶE1が印加される。この第１引出し電圧ＶE1によって、プラズマ電極２２を出たイオン（イオンビーム２６）は第１引出し電極２３に向かって引き出される。また、この第１引出し電圧ＶE1によって、イオンビーム２６の発散角が決められる。従って、質量分離部７０において高い質量分解能を得るためには、この発散角を最小にするのが好ましい。
【００２８】
プラズマ電極２２と第２引出し電極２５との間に、第２引出し電源６３から、第２引出し電極２５側を負極にして、直流の第２引出し電圧ＶE2が印加される。この第２引出し電圧ＶE2によって、イオン引出し部２０を通過したときのイオンビーム２６の運動エネルギーが決まる。この運動エネルギーは、あまり大きくしない方が、質量分離部７０でのイオンビーム２６の偏向が容易になるので好ましい。例えば、この運動エネルギーは、０．１ｋｅＶ〜数ｋｅＶ程度にするのが好ましい。
【００２９】
質量分離部７０は、この例では、その入口部付近に設けられた一組（一対）の上流側磁石７６、７７と、その下流側（中間部）に設けられたフィルタ部８６と、その下流側（出口部付近）に設けられた一組（一対）の下流側磁石８０、８１とを備えている。この上流側磁石７６、７７および下流側磁石８０、８１は、この例では永久磁石から成る。
【００３０】
詳述すると、質量分離部７０は、この例では、非磁性金属から成り中央部に、イオンビーム２６を通過させる断面長方形の開口部７４を有する箱状の支持体７２を備えている。この支持体７２の入口部付近に、開口部７４を挟んで異極を相対向させて、一組の上流側磁石７６、７７を配置している。この上流側磁石７６、７７は、入射イオンビーム２６に対して直角に磁界７８を与えて、イオンビーム２６を曲げる（偏向させる）。
【００３１】
このときのイオンビーム２６の偏向角αは、イオンの質量によって異なり、公知の次式で表される。ここで、Ｌは磁界７８印加領域の幅（これは上流側磁石７６、７７の厚さにほぼ等しい）、ｍはイオンの質量、ｅはイオンの電荷、Ｂは磁界７８印加領域での磁束密度、ＶE2は上記第２引出し電圧である。
【００３２】
【数１】
α＝ｓｉｎ-1｛Ｌ／Ｂ√（２・ｍ・ＶE2／ｅ）｝
【００３３】
フィルタ部８６は、上流側磁石７６、７７でイオンビーム２６を曲げる方向に沿って傾けて、複数枚のフィルタ板８８をルーバー状に（即ちフィルタ板８８を互いに一定の間隔ａをあけて互いに平行に並べて）配置して成る。即ち、質量分離部７０に入射する時のイオンビーム２６の直進方向に対する各フィルタ板８８の傾き角度をθとしている。このフィルタ板８８を並べる間隔ａと、フィルタ部８６の（より具体的には各フィルタ板８８の入射イオンビームの直進方向側の）長さｈとで、質量分解能が決まる。
【００３４】
このフィルタ部８６では、ルーバー状のフィルタ板８８の傾き角度θと等しい偏向角αを持つイオンのみが、即ち所望の質量のイオンのみが、ここを通過することができる。他のイオン種は、偏向角αが上記傾き角度θよりも小さ過ぎたり（例えば質量が大き過ぎる場合）、大き過ぎたりして（例えば質量が小さ過ぎる場合）、フィルタ板８８に衝突するので、このフィルタ部８６を通過することはできない。このようにして、基本的には上流側磁石７６、７７とフィルタ部８６との協働によって、必要なイオンだけを選り分けて導出することができる。
【００３５】
上記各フィルタ板８８は、その板厚を薄くする方が、入射イオンビームを遮る総面積が小さくなるので、フィルタ部８６の開口率がより向上する。各フィルタ板８８の板厚は、例えば０．２ｍｍ〜０．３ｍｍ程度である。
【００３６】
上記各フィルタ板８８の好ましい材質は、次のとおりである。
【００３７】
▲１▼各フィルタ板８８は、上述したように不要イオンが衝突して温度上昇するので、耐熱性の高い金属、より具体的にはＷ、Ｍｏ等の高融点金属で構成するのが好ましい。そのようにすれば、各フィルタ板８８の温度上昇による変形、損傷等を防止して長寿命化を図ることができる。
【００３８】
▲２▼各フィルタ板８８は、上述したように不要イオンが衝突してスパッタされるので、スパッタ率の小さい金属、より具体的には高融点金属のような重い金属で構成するのが好ましい。そのようにすれば、各フィルタ板８８のスパッタによる損耗を減少させて長寿命化を図ることができる。
【００３９】
▲３▼各フィルタ板８８からのスパッタ粒子が下流側に飛び出して、イオンビーム２６を照射しよとうする基板（図示省略）に入射して、コンタミネーション（不純物混入）が生じるのを防止するためには、各フィルタ板８８を当該基板と同じ材質で形成しても良いし、基板と同じ材質の膜を各フィルタ板８８の表面にコーティングしても良い。例えば、基板がＳｉ基板の場合は、各フィルタ板８８をＳｉで形成するかまたはＳｉ膜でコーティングすれば良い。同様に基板がＧａＡｓ基板の場合は、各フィルタ板８８をＧａＡｓで形成するかまたはＧａＡｓ膜でコーティングすれば良い。そのようにすれば、各フィルタ板８８からのスパッタ粒子が基板に入射しても、基板と同じ物質が入射するので、コンタミネーションの問題は起こらない。基板がＳｉ基板の場合は、各フィルタ板８８をカーボン（Ｃ）で形成するかまたはカーボン膜をコーティングしても良い。炭素がＳｉ基板に混入しても、コンタミネーションの問題は少ないからである。
【００４０】
上記質量分離部７０の出口部付近に、この例のように、フィルタ部８６において上流側磁石７６、７７からの漏れ磁界を打ち消す磁界を発生させる一組の下流側磁石８０、８１を設けておくのが好ましい。この下流側磁石８０、８１は、上流側磁石７６、７７と光学対称に設けている。即ち、フィルタ部８６に対して上流側磁石７６、７７側と同じ位置関係で、開口部７４を挟んで異極を相対向させて、一組の下流側磁石８０、８１を配置している。この下流側磁石８０、８１は、上流側磁石７６、７７と逆極性の関係にあり、上流側磁石７６、７７が発生する磁界７８と同じ強さで逆向きの磁界８２を発生させる。そして、一方の上流側磁石７６とその下流側にある一方の下流側磁石８０とをヨーク８４で接続し、他方の上流側磁石７７とその下流側にある他方の下流側磁石８１とをヨーク８５で接続している。
【００４１】
このように構成すれば、上流側磁石７６→上流側磁石７７→ヨーク８５→下流側磁石８１→下流側磁石８０→ヨーク８４→上流側磁石７６の経路で磁気回路が形成されるので、フィルタ部８６への漏れ磁界は殆どなくなる。また仮に漏れ磁界が生じようとしても、上流側磁石７６、７７からの漏れ磁界と下流側磁石８０、８１からの漏れ磁界とがフィルタ部８６で打ち消し合うので、フィルタ部８６には漏れ磁界はなくなる。その結果、所望イオンが、フィルタ部８６のフィルタ板８８間を漏れ磁界の影響を受けずに直進して通り抜けることができるので、フィルタ部８６から所望イオンを取り出す効率が向上する。
【００４２】
また、下流側磁石８０、８１によってイオンビーム２６を上流側と同じ偏向角αだけ曲げ戻すことができるので、質量分離部７０に入射する時のイオンビーム２６と平行にイオンビーム２６を質量分離部から射出することができる。その結果、基板等の被照射物に照射するイオンビーム２６の入射角を決めやすくなる等の利点がある。
【００４３】
なお、上記下流側磁石８０、８１が無くても、質量分離部７０を出たイオンビーム２６は、イオン加速部５０の電界によって当該電界に直交する方向に（即ち接地電極５４に直交する方向に）曲げ戻される作用を受けるけれども、その曲げ戻しの程度はイオン加速部５０の電界の強さ（即ち後述する加速電圧ＶA の大きさ）によって変化するので、確実にイオンビーム２６を曲げ戻すためには、上記のような下流側磁石８０、８１を設けておく方が好ましい。
【００４４】
上記質量分離部７０の支持体７２および上記第２引出し電極２５には、加速電源６６から、直流の正極性の加速電圧ＶA が印加される。従ってイオン加速部５０では、支持体７２と前述した接地電極５４との間に与えられる加速電圧ＶA によって、質量分離部７０から射出されたイオンビーム２６が加速される。このイオン加速部５０での加速エネルギーは、例えば、数十ｋｅＶ〜１００ｋｅＶ程度である。この例のように、イオン加速部５０でイオンビーム２６に大きな加速エネルギーを与える前に、質量分離部７０で質量分離する方が、イオンビーム２６の偏向が容易になるので好ましい。なお、上記抑制電極５２および接地電極５４は、この例ではイオンビーム２６の断面形状に対応した断面長方形の開口部を有している。
【００４５】
上記上流側磁石７６、７７および下流側磁石８０、８１をこの例のように永久磁石とする場合は、温度上昇による減磁防止のために、それらを強制的に冷却する構造にするのが好ましい。そのためにこの例では、上記支持体７２に冷媒通路９０を設けて、そこに冷却水等の冷媒９２を流すようにしている。
【００４６】
上記質量分離部７０は、基本的には一組の上流側磁石７６、７７と、ルーバー状のフィルタ板８８を有するフィルタ部８６とを組み合わせたものであるので、多数の電極板および多数の永久磁石を組み合わせた従来のＥ×Ｂ型のフィルタ部３２を有する質量分離部３０に比べて、構造が簡単であり、従ってメンテナンスも容易である。またコスト的にも安くできる。下流側磁石８０、８１を設ける場合や、各磁石を永久磁石にしてそれらを強制冷却する構造にする場合でも、多数の永久磁石を組み合わせ、かつそれらを強制冷却する従来の質量分離部３０に比べれば、やはり構造が簡単であり、メンテナンスも容易であり、コスト的にも安くできる。
【００４７】
しかも、上記質量分離部７０は、質量分離用に電極板を用いていないので、従来のＥ×Ｂ型のフィルタ部３２のような電極板表面の絶縁化による機能低下の問題は起こらず、従って長寿命である。即ち長期間メンテナンスせずに動作させることができる。
【００４８】
更に、上記質量分離部７０のフィルタ部８６において開口率を低下させる要因となるのはフィルタ板８８の板厚部分のみであるので、しかも当該板厚は前述したように非常に薄くしても良いので、従来のＥ×Ｂ型のフィルタ部３２に比べて、開口率を大幅に向上させることができる。例えば、８０〜９０％程度の開口率を得ることも容易である。その結果、イオンビーム２６の引き出し効率およびイオンビーム２６全体の均一性を向上させることができる。
【００４９】
なお、この例では、イオン引出し部２０（より具体的にはその第２引出し電極２５）に第２引出し電源６３から印加する第２引出し電圧ＶE2を可変にしている。そのようにすれば、上記数１からも分かるように、必要とするイオン種（より具体的には質量ｍや電荷ｅ。以下同じ）を変えてもその偏向角αを一定に（即ちフィルタ板８８の傾き角度θと同じに）することができるので、質量分離部７０で質量分離する（即ち質量分離部７０を通過させる）イオン種を種々に変える（制御する）ことができる。従って、このイオン源から引き出すイオンビーム２６を構成するイオン種を種々に、しかも簡単に変えることができる。
【００５０】
上記上流側磁石７６、７７を（下流側磁石８０、８１を設ける場合はそれも）例えば電磁石にする等して、それがイオンビーム２６に与える磁界の磁束密度Ｂを可変にしても良く、そのようにすれば、上記数１からも分かるように、必要とするイオン種を変えてもその偏向角αを一定にすることができるので、質量分離部７０で質量分離するイオン種を種々に変えることができる。
【００５１】
また、例えば図４に示す例のように、上記フィルタ部８６を構成する複数枚のフィルタ板８８の傾き角度θを一括して調節可能（可変）にしても良い。この図４の例では、各フィルタ板８８の上流側端を、位置の固定された軸受９４でそれぞれ支持し、各フィルタ板８８の下流側端を、軸９６に取り付けられた軸受９５でそれぞれ支持し、この軸９６を駆動部９８で、矢印Ｄに示すように前後動させる構成をしており、これによって複数枚のフィルタ板８８の傾き角度θを一括して変えることができる。上記数１からも分かるように、上流側磁石７６、７７で曲げられるイオンの偏向角αは、イオン種によって変わる。従って上記のようにフィルタ板８８の傾き角度θを調節可能にしておくことにより、上流側磁石７６、７７で曲げられる所望イオンの偏向角αにフィルタ板８８の傾き角度θを合わせて当該イオンを通過させることができるので、質量分離部７０で質量分離するイオン種を種々に変えることができる。
【００５２】
上記第２引出し電圧ＶE2を可変にすること、上記磁束密度Ｂを可変にすること、および上記傾き角度θを調節可能にすることは、互いに任意に組み合わせて採用しても良い。
【００５３】
【発明の効果】
この発明は、上記のとおり構成されているので、次のような効果を奏する。
【００５４】
請求項１記載の発明によれば、質量分離部は、一組の上流側磁石と、上記フィルタ板を有するフィルタ部とを組み合わせたものであるので、多数の電極板および多数の磁石を組み合わせた従来のＥ×Ｂ型のフィルタ部を有する質量分離部に比べて、構造が簡単であり、従ってメンテナンスも容易である。またコスト的にも安くできる。
【００５５】
しかも、上記質量分離部は、質量分離用に電極板を用いていないので、従来のＥ×Ｂ型のフィルタ部のような電極板表面の絶縁化による機能低下の問題は起こらず、従って長寿命である。即ち、長期間メンテナンスせずに動作させることができる。
【００５６】
更に、上記質量分離部のフィルタ部において開口率を低下させる要因となるのはフィルタ板の板厚部分のみであるので、従来のＥ×Ｂ型のフィルタ部に比べて、開口率を大幅に向上させることができる。その結果、イオンビームの引き出し効率およびイオンビーム全体の均一性を向上させることができる。
【００５７】
請求項２記載の発明によれば、下流側磁石によって、フィルタ部において上流側磁石からの漏れ磁界を打ち消すことができるので、所望イオンが、フィルタ部のフィルタ板間を漏れ磁界の影響を受けずに直進して通り抜けることができ、フィルタ部から所望イオンを取り出す効率が向上する。また、下流側磁石によってイオンビームを上流側と同じ偏向角だけ曲げ戻して、質量分離部に入射する時のイオンビームと平行にイオンビームを質量分離部から射出することも可能になる。
【００５８】
請求項３、４または５記載の発明によれば、質量分離部で質量分離するイオン種を種々に変えることができるので、この発明のイオン源から引き出すイオンビームを構成するイオン種を種々に変えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る質量分離型イオン源の一例を示す断面図である。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿う断面図である。
【図３】図１のＣ−Ｃ方向に見た平面図である。
【図４】フィルタ部の他の例を示す概略図である。
【図５】従来の質量分離型イオン源の一例を示す概略図である。
【図６】図５中のフィルタ部の詳細を部分的に示す図であり、図５の線Ｆ−Ｆに沿う断面図に相当する。
【符号の説明】
１０  プラズマ生成部
１６  プラズマ
２０  イオン引出し部
２６  イオンビーム
５０  イオン加速部
７０  質量分離部
７６、７７  上流側磁石
８０、８１  下流側磁石
８６  フィルタ部
８８  フィルタ板
【図１】
0004013377.tif 000002
【図２】
0004013377.tif 000003
【図３】
0004013377.tif 000004
【図４】
0004013377.tif 000005
【図５】
0004013377.tif 000006
【図６】
0004013377.tif 000007