(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶体のインゴットの下部を支承する支持ローラと、
前記インゴットをその幾何学的な中心軸まわりに回転させる回転駆動機構と、
前記インゴットの一端面へＸ線を照射するＸ線発信器と、
前記インゴットの一端面が反射したＸ線を検出する反射Ｘ線受信器と、
前記インゴットを、前記一端面のＸ線照射位置を中心として、Ｘ線発信器からのＸ線の入射経路及び反射Ｘ線受信器へのＸ線の反射経路を含む平面内で旋回させる旋回駆動機構と、
前記回転駆動機構、Ｘ線発信器、反射Ｘ線受信器及び旋回駆動機構を駆動制御すると共に、インゴットの結晶方位軸の前記中心軸に対する傾斜角度を算出する制御部とを備える単結晶体インゴットの結晶方位軸測定装置であって、
前記制御部は、
インゴットの中心軸まわりの回転角度位置をインゴットのオリエントフラットが左側及び右側のうちの一方を向く第１の角度位置に設定し、旋回角度位置の原点位置からインゴットを旋回させ、反射Ｘ線量が最大となるまでの第１の旋回角度を測定した後、
インゴットの中心軸まわりの回転角度位置を前記第１の角度位置から１８０゜反転させてインゴットのオリエントフラットが左側及び右側のうちの他方を向く第２の角度位置に設定し、旋回角度の原点位置からインゴットを旋回させ、反射Ｘ線量が最大となるまでの第２の旋回角度を測定し、
前記第１及び第２の旋回角度から、前記中心軸と直交する第１の方向から見た結晶方位軸の中心軸に対する傾斜角度を算出し、
インゴットの中心軸まわりの回転角度位置を前記第１及び第２の角度位置に対して９０゜をなしインゴットのオリエントフラットが上側を向く第３の角度位置に設定し、旋回角度の原点位置からインゴットを旋回させ、反射Ｘ線量が最大となるまでの第３の旋回角度を測定し、
第１から第３の旋回角度に基づいて、前記第１の方向及び中心軸と直交する第２の方向から見た結晶方位軸の中心軸に対する傾斜角度を下記の式に基づいて算出することを特徴とする単結晶体インゴットの結晶方位軸測定装置。
【数１】
0003978284.tif 000009
【請求項２】
単結晶体のインゴットの下部を支持ローラで支承し、
その幾何学的な中心軸まわりの回転角度位置をオリエントフラットが左側及び右側のうちの一方を向く第１の角度位置に設定した前記インゴットの一端面にＸ線を照射し、この一端面のＸ線照射位置を中心としてＸ線の入射経路及び反射経路を含む平面内でインゴットを旋回させ、旋回角度位置の原点位置から反射Ｘ線量が最大となるまでの第１の旋回角度を測定した後、
前記インゴットの中心軸まわりの回転角度位置を前記第１の角度位置から１８０゜反転させてインゴットのオリエントフラットが左側及び右側のうちの他方を向く第２の角度位置に設定して一端面にＸ線を照射し、前記Ｘ線照射位置を中心として前記平面内でインゴットを旋回させ、旋回角度位置の原点位置から反射Ｘ線量が最大となるまでの第２の旋回角度を測定し、
前記インゴットの中心軸まわりの回転角度位置を前記第１及び第２の角度位置に対して９０゜をなしインゴットのオリエントフラットが上側を向く第３の角度位置に設定して一端面にＸ線を照射し、前記Ｘ線照射位置を中心として前記平面内でインゴットを旋回させ、旋回角度位置の原点位置から反射Ｘ線量が最大となるまでの第３の旋回角度を測定し、
第１から第３の旋回角度に基づいて、前記中心軸に対して直交する第１の方向と、この第１の方向及び前記中心軸と直交する第２の方向とから見た結晶方位軸の中心軸に対する傾斜角度を下記の式に基づいて算出することを特徴とする単結晶体インゴットの結晶方位軸測定方法。
【数２】
0003978284.tif 000010
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウエハの製造に使用するシリコンインゴット等の単結晶体のインゴットの結晶方位軸を測定する結晶方位軸測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
シリコンウエハは、図９に示すような円柱状のシリコン単結晶体のインゴット１を、内周刃スライシングマシンや、ワイヤーソーによって所定厚さに切断することにより製造される。
前記シリコン単結晶体のインゴット１は結晶方位軸Ｌ１を有するが、この結晶方位軸Ｌ１とインゴット１の幾何学的な中心軸Ｌ２とが正確に平行なインゴットを製造することは困難である。すなわち、通常、結晶方位軸Ｌ１は中心軸Ｌ２に対して傾斜角度αを有する。
【０００３】
インゴット１をシリコンウエハに切断する際には、幾何学的な中心軸Ｌ２ではなく、結晶方位軸Ｌ１に対して一定角度をなす面（例えば、図１１に示すように、結晶方位軸Ｌ１に対して垂直な面Ｓ）に沿って切断する必要がある。
従って、シリコンウエハを製造するためには、前記結晶方位軸Ｌ１の中心軸Ｌ２に対する傾斜角度αを測定する必要がある。具体的には、図１０（Ａ）に示す前記図９において矢印ａで示すＸ軸方向から見たときの結晶方位軸Ｌ１の中心軸Ｌ２に対する傾斜角度△Ｙと、図１０（Ｂ）に示す前記図９において矢印ｂで示すＹ軸方向から見たときの結晶方位軸Ｌ１の中心軸Ｌ２に対する傾斜角度△Ｘとを測定する必要がある。
【０００４】
図１１に示すように、単結晶体のインゴット１の端面１ａにＸ線発信器３からＸ線を照射したときに反射Ｘ線受信器４に入射する反射Ｘ線量は、一般に、Ｘ線の入射及び反射経路と結晶方位軸Ｌ１のなす角度βに依存し、シリコン単結晶体からなるインゴットの場合には、この角度βが５５．４１゜のときに、反射Ｘ線量が最大となることが知られている。従って、インゴット１を端面１ａのＸ線の照射位置Ｐを中心として水平面内で旋回させると、反射Ｘ線量が最大となったときに、インゴット１の結晶方位軸Ｌ１とＸ線の入射及び反射経路のなす角度βが５５．４１゜であると判断することができる。
【０００５】
従来、このような単結晶体インゴットの特性を利用した二種類の結晶方位軸測定方法が知られている。
これらの測定方法を実行するための結晶方位軸測定装置は、図１２（Ａ），（Ｂ）に概略的に示すように、Ｘ線発信器３、反射Ｘ線受信器４のほか、インゴット１を支持する支持ローラ５，５を備えると共に、インゴット１を矢印Ａ１，Ａ２で示すように中心軸Ｌ２まわりに回転させる回転駆動機構（図示せず）と、インゴット１を照射位置Ｐを中心として矢印Ｂ１，Ｂ２で示すように水平面内で旋回させる旋回駆動機構（図示せず）とを備えている。
【０００６】
第１の測定方法では、図１３に示すように、シリコンウエハ７をダミー材８の一端に取り付けてなるマスターワーク９を使用する。このマスターワーク９は、中心軸Ｌ２と結晶方位軸Ｌ１とが一致している。
まず、前記図１２（Ａ），（Ｂ）に示す結晶方位軸測定装置に装着したマスターワーク９を矢印Ｂ１，Ｂ２方向に旋回させ、反射Ｘ線受信器４に入射するＸ線量が最大となる位置を旋回角度位置の原点位置として記憶する。
【０００７】
次に、前記図１２（Ｂ）に示すように、結晶方位軸を測定する実際のインゴット１を、そのオリエントフラット（結晶方位軸の測定のためにインゴット１の周壁を中心軸Ｌ２方向に面取りして設けた基準面）１ｂが、Ｘ線が入射する端面１ａから見て右側に位置するように結晶方位軸測定装置に装着する。
【０００８】
続いて、インゴット１を矢印Ｂ１，Ｂ２方向に旋回させ、反射Ｘ線受光器４に入射するＸ線量が最大となる旋回角度位置を求める。この旋回角度位置と前記原点位置との角度差が、前記図１０（Ａ）に示すＸ軸方向（図９において矢印ａ方向）から見た結晶方位軸Ｌ１の中心軸Ｌ２に対する傾斜角度△Ｙである。
【０００９】
その後、インゴット１を図１２（Ｂ）に示す位置から中心軸Ｌ２まわりに反時計方向に９０゜回転させて、オリエントフラット１ｂを端面１ａから見て上側に位置させて同様の操作を行い、図１０（Ｂ）に示すＹ軸方向（図９において矢印ｂ方向）から見た結晶方位軸Ｌ１の中心軸Ｌ２に対する傾斜角度△Ｘを測定する。
【００１０】
一方、第２の測定方法では、図１４に示す結晶方位軸測定装置の機械的な初期位置を旋回角度位置の原点位置とする。この原点位置では、Ｘ線発生器３からインゴット１の端面１ａに入射するＸ線の経路と端面１ａから反射Ｘ線受信器４へ向けて反射されるＸ線の経路のなす角度の二等分線である基準線Ｌ３に対して、インゴット１の中心軸Ｌ２が所定の角度θをなしている。
【００１１】
まず、図１５（Ａ）に示すように、端面１ａから見て右側にオリエントフラット１ｂが位置するように、インゴット１を矢印Ａ１，Ａ２方向に回転させる。次に、反射Ｘ線量が最大となるまでインゴット１を矢印Ｂ１，Ｂ２方向に旋回させる。前記原点位置から反射Ｘ線量が最大となるまでのインゴット１の旋回角度Ｙは、図１６及び図１７に示すように、原点位置においてオリエントフラット１ｂを端面１ａから見て右側に位置させたインゴット１の結晶方位軸Ｌ１'が基準線Ｌ３に対してなす角度である。
【００１２】
次に、図１５（Ｂ）に示すように、端面１ａから見て左側にオリエントフラット１ｂを位置するようにインゴット１を、矢印Ａ１，Ａ２方向に旋回させ、反射Ｘ線量が最大となるまでインゴット１を旋回させる。このときに前記原点位置から反射Ｘ線量が最大となるまでのインゴット１の旋回角度Ｙ'は、図１６及び図１７に示すように、原点位置においてオリエントフラット１ｂを端面１ａから見て左側に位置させたインゴット１の結晶方位軸Ｌ１''が基準線Ｌ３に対してなす角度である。
【００１３】
図９において矢印ａ方向から見た結晶方位軸Ｌ１の中心軸Ｌ２に対する傾斜角度△Ｙは、前記旋回角度Ｙ及び旋回角度Ｙ'から下記の式（１）に基づいて算出される。
【００１４】
【数３】
0003978284.tif 000002
【００１５】
同様に、図１５（Ｃ）に示すように、オリエントフラット１ｂが端面１ａから見て上側に位置するときの反射Ｘ線量が最大となる旋回角度Ｘと、図１５（Ｄ）に示すように、オリエントフラット１ｂが端面１ａから見て下側に位置するときの反射Ｘ線量が最大となる旋回角度Ｘ'を測定し、図９において矢印ｂ方向から見た結晶方位軸Ｌ１の中心軸Ｌ２に対する傾斜角度△Ｘを、下記の式（２）に基づいて算出する。
【００１６】
【数４】
0003978284.tif 000003
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記従来の結晶方位軸の測定方法には、以下のような問題がある。まず、前記第１の測定方法では、マスターワーク９を使用して旋回角度の原点位置を設定する必要がある点で測定作業が煩雑である。また、結晶方位軸と中心軸が厳密に一致したマスターワークを製造する必要があるため、製造コストが増大する。さらに、マスターワークを保管するための管理コストも必要である。
【００１８】
一方、前記第２の測定方法では、第１の測定方法のようなマスターワークを使用した原点位置の設定は不要であるものの、前記図１５（Ａ）〜（Ｄ）に示す４位置で反射Ｘ線量の最大値を測定する必要があるため、測定に長時間を要する。
また、４位置を割り出すには、オリエントフラット１ｂが支持ローラ５，５を通過する必要があるが、この際にインゴット１を円滑に回転させるのは困難であり、インゴット１の位置がずれるおそれがある。このインゴット１の位置ずれは、測定誤差を生じる原因となる。
【００１９】
本発明は、前記従来の単結晶体インゴットの結晶方位測定における問題を解決するためになされたものであり、簡易な測定操作で正確に結晶方位を測定することができる単結晶体インゴットの結晶方位軸測定装置及び結晶方位軸測定方法を提供することを課題としている。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、第１の発明は、単結晶体のインゴットの下部を支承する支持ローラと、前記インゴットをその幾何学的な中心軸まわりに回転させる回転駆動機構と、前記インゴットの一端面へＸ線を照射するＸ線発信器と、前記インゴットの一端面が反射したＸ線を検出する反射Ｘ線受信器と、前記インゴットを、前記一端面のＸ線照射位置を中心として、Ｘ線発信器からのＸ線の入射経路及び反射Ｘ線受信器へのＸ線の反射経路を含む平面内で旋回させる旋回駆動機構と、前記回転駆動機構、Ｘ線発信器、反射Ｘ線受信器及び旋回駆動機構を駆動制御すると共に、インゴットの結晶方位軸の前記中心軸に対する傾斜角度を算出する制御部とを備える単結晶体インゴットの結晶方位軸測定装置であって、前記制御部は、インゴットの中心軸まわりの回転角度位置をインゴットのオリエントフラットが左側及び右側のうちの一方を向く第１の角度位置に設定し、旋回角度位置の原点位置からインゴットを旋回させ、反射Ｘ線量が最大となるまでの第１の旋回角度を測定した後、インゴットの中心軸まわりの回転角度位置を前記第１の角度位置から１８０゜反転させてインゴットのオリエントフラットが左側及び右側のうちの他方を向く第２の角度位置に設定し、旋回角度の原点位置からインゴットを旋回させ、反射Ｘ線量が最大となるまでの第２の旋回角度を測定し、前記第１及び第２の旋回角度から、前記中心軸と直交する第１の方向から見た結晶方位軸の中心軸に対する傾斜角度を算出し、インゴットの中心軸まわりの回転角度位置を前記第１及び第２の角度位置に対して９０゜をなしインゴットのオリエントフラットが上側を向く第３の角度位置に設定し、旋回角度の原点位置からインゴットを旋回させ、反射Ｘ線量が最大となるまでの第３の旋回角度を測定し、第１から第３の旋回角度に基づいて、前記第１の方向及び中心軸と直交する第２の方向から見た結晶方位軸の中心軸に対する傾斜角度を下記の式に基づいて算出することを特徴とする単結晶体インゴットの結晶方位軸測定装置を提供するものである。
【００２１】
【数５】
0003978284.tif 000004
【００２２】
本発明では、マスターワークを使用することなく、かつ、３個の旋回角度のみから結晶方位軸のインゴットの幾何学的な中心軸に対する傾斜角度を測定できるため、簡易かつ迅速に結晶方位軸を測定することができる。
【００２３】
また、３個の旋回角度のみから結晶方位軸のインゴットの幾何学的な中心軸に対する傾斜角度を測定できるため、インゴットのオリエントフラットは支持ローラを通過しない。よって、インゴットの位置ずれを防止することができ、正確かつ確実に結晶方位軸を測定することができる。
【００２４】
第２の発明は、単結晶体のインゴットの下部を支持ローラで支承し、その幾何学的な中心軸まわりの回転角度位置をオリエントフラットが左側及び右側のうちの一方を向く第１の角度位置に設定した前記インゴットの一端面にＸ線を照射し、この一端面のＸ線照射位置を中心としてＸ線の入射経路及び反射経路を含む平面内でインゴットを旋回させ、旋回角度位置の原点位置から反射Ｘ線量が最大となるまでの第１の旋回角度を測定した後、前記インゴットの中心軸まわりの回転角度位置を前記第１の角度位置から１８０゜反転させてインゴットのオリエントフラットが左側及び右側のうちの他方を向く第２の角度位置に設定して一端面にＸ線を照射し、前記Ｘ線照射位置を中心として前記平面内でインゴットを旋回させ、旋回角度位置の原点位置から反射Ｘ線量が最大となるまでの第２の旋回角度を測定し、前記インゴットの中心軸まわりの回転角度位置を前記第１及び第２の角度位置に対して９０゜をなしインゴットのオリエントフラットが上側を向く第３の角度位置に設定して一端面にＸ線を照射し、前記Ｘ線照射位置を中心として前記平面内でインゴットを旋回させ、旋回角度位置の原点位置から反射Ｘ線量が最大となるまでの第３の旋回角度を測定し、第１から第３の旋回角度に基づいて、前記中心軸に対して直交する第１の方向と、この第１の方向及び前記中心軸と直交する第２の方向とから見た結晶方位軸の中心軸に対する傾斜角度を下記の式に基づいて算出することを特徴とする単結晶体インゴットの結晶方位軸測定方法を提供するものである。
【００２５】
【数６】
0003978284.tif 000005
【００２６】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態を添付図面に従って説明する。
図１から図４に示す本発明の実施形態に係る結晶方位軸測定装置１０は、基台１１上に、旋回テーブル１２、Ｘ線発信器３、反射Ｘ線受信器４を備えている。旋回テーブル１２上には、インゴット１を支持する一対の支持ローラ５，５が設けられている。また、旋回テーブル１２は、基台１１に設けられた旋回駆動機構１５により駆動され、インゴット１の図１において右側の端面１ａのＸ線発信器３から照射されるＸ線の照射位置Ｐを中心として、矢印Ｂ１，Ｂ２で示すように水平方向に旋回する。また、旋回テーブル１２上には、インゴット１をその幾何学的な中心軸Ｌ２まわりに回転させるための回転駆動機構１６が設けられている。
【００２７】
前記Ｘ線発信器３及び反射Ｘ線受信器４は、旋回テーブル１２ではなく、基台１１に対して固定されている。
なお、図５に示すように、Ｘ線発信器３からインゴット１の端面へのＸ線の入射経路と、反射Ｘ線受信器４へのＸ線の反射経路との二等分線である基準線Ｌ３が、Ｘ線の入射及び反射経路に対してなす角度βは５５．４１゜である。
【００２８】
結晶方位軸測定装置１０は、さらに、図１から図４に概略的に示す制御部１７、回転角度検出器１８及び図４のみに示す旋回角度検出器１９を備えている。
【００２９】
制御部１７は、図４に示すように、演算処理部１７ａと記憶部１７ｂとを備え、反射Ｘ線受信器４、回転角度検出器１８及び旋回角度検出器１９からインゴット１の中心軸Ｌ２まわりの回転角度位置及びインゴット１の旋回角度位置を示す信号が入力され、これらの信号に基づいて前記Ｘ線発生器３、旋回駆動機構１５及び回転駆動機構１６を制御する。また、制御部１７は、前記入力信号に基づいて、前記図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示すインゴット１の結晶方位軸Ｌ１の幾何学的な中心軸Ｌ２に対する傾斜角度△Ｘ，△Ｙを算出する。
【００３０】
次に、前記構成の結晶方位軸測定装置１０による結晶方位軸Ｌ１の中心軸Ｌ２に対する傾斜角度の測定について説明する。
まず、図１から図３に示すように、測定を行うインゴット１を支持ローラ５，５上にセットする。
次に、旋回駆動機構１５により旋回テーブル１２を前記照射位置Ｐを中心として旋回させ、旋回テーブル１２を図５に示す結晶方位軸測定装置１０の機械的な原点位置に設定する。この原点位置では、インゴット１の中心軸Ｌ２と基準線Ｌ３とは一致しておらず、所定の角度θを有する。また、回転駆動機構１６によりインゴット１を中心軸Ｌ２まわりに回転させ、図６（Ａ）に示すように、オリエントフラット１ｂをＸ線入射側の端面１ａから見て右側に位置させる。
【００３１】
次に、Ｘ線発生器３によりインゴット１の端面１ａにＸ線を照射し、反射Ｘ線受信器４により反射Ｘ線量を測定しつつ、旋回テーブル１２を矢印Ｂ１，Ｂ２方向に旋回させる。そして、反射Ｘ線量が最大となるインゴット１の旋回角度Ｙ（第１の旋回角度）を制御部１７の記憶部１７ｂに記憶する。
この第１の旋回角度Ｙは、図５及び図８に示すように、オリエントフラット１ｂを端面１ａから見て右側に配置し、かつ、旋回角度位置を原点位置とした場合の図６（Ａ）の矢印ａ方向（Ｘ軸方向）から見た結晶方位軸Ｌ１'が基準線Ｌ３に対してなす角度である。
【００３２】
次に、回転駆動機構１６を駆動し、図６（Ｂ）に示すように、インゴット１を中心軸Ｌ２まわりに１８０゜反転し、オリエントフラット１ｂを端面１ａから見て左側に位置させた後、インゴット１を照射位置Ｐを中心として矢印Ｂ１，Ｂ２方向に旋回させる。そして、反射Ｘ線量が最大となるインゴット１の旋回角度Ｙ'（第２の旋回角度）を制御部１７の記憶部１７ｂに記憶する。
この第２の旋回角度Ｙ'は、図５及び図８に示すように、オリエントフラット１ｂを端面１ａから見て左側に配置し、かつ、旋回角度位置を原点位置とした場合の図６（Ｂ）の矢印ａ'方向から見た結晶方位軸Ｌ１''が基準線Ｌ３に対してなす角度である。
【００３３】
制御部７の演算処理部７ａは、前記図６（Ａ）の矢印ａ方向から見た結晶方位軸Ｌ１の中心軸Ｌ２に対する傾斜角度△Ｙを、第１及び第２の旋回角度Ｙ，Ｙ'から下記の式（３）に基づいて算出する。なお、ここまでの測定手順は、前記図１４から図１７を参照して説明した従来の第２の測定方法と同様である。
【００３４】
【数７】
0003978284.tif 000006
【００３５】
次に、回転駆動機構１６を作動させ、インゴット１を中心軸Ｌ２まわりに９０゜回転させ、インゴット１の回転角度位置を図６（Ｃ）に示すようにオリエントフラット１ｂが上側を向く位置に設定する。この状態で、旋回テーブル１２を矢印Ｂ１，Ｂ２方向に旋回させ、反射Ｘ線量が最大となるインゴット１の旋回角度Ｘ（第３の旋回角度）を制御部１７の記憶部１７ｂに記憶する。
この第３の旋回角度Ｘは、図７及び図８に示すように、オリエントフラット１ｂを端面１ａから見て上側に配置し、かつ、旋回角度位置を原点位置とした場合の、図６（Ｃ）の矢印ｂ方向から見た結晶方位軸Ｌ１'''が基準線Ｌ３に対してなす角度である。
【００３６】
第１から第３の旋回角度Ｙ，Ｙ'及びＸには、図８に示すような関係があり、制御部１７の演算処理部１７ａは、前記原点位置でインゴット１の中心軸Ｌ２と基準線Ｌ３とがなす角度θを下記の式（４）により算出する。
【００３７】
【数８】
0003978284.tif 000007
【００３８】
また、制御部１７の演算処理部１７ａは、前記図６（Ｃ）の矢印ｂ方向から見た結晶方位軸Ｌ１の中心軸Ｌ２に対する傾斜角度△Ｘを、旋回角度Ｘと角度θから下記の式（５）により算出する。この傾斜角度△Ｘと、旋回角度Ｘ及び角度θとの関係を図７に示す。
【００３９】
【数９】
0003978284.tif 000008
【００４０】
本実施形態では、Ｘ線発信器３及び反射Ｘ線受信器４を固定とし、インゴット１を回転及び旋回させるようにしたが、これに限らず、インゴット１を固定とし、Ｘ線発信器３及び反射Ｘ線受信器４を回転及び旋回させるようにしてもよい。また、インゴット１又はＸ線発信器３及びＸ線受信器４のいずれか一方を回転させ、他方を旋回させるようにしてもよい。
【００４１】
前記従来の第２の測定方法では、インゴット１をさらに回転させて、オリエントフラット１ｂが下側を向いた状態（図１５（Ｄ）参照）で反射Ｘ線量が最大となる旋回角度を測定し、合計４個の旋回角度から傾斜角度△Ｘ，△Ｙを算出するのに対して、本実施形態では、マスターワークを使用することなく、かつ、３個の旋回角度Ｙ，Ｙ'，Ｘのみから結晶方位軸Ｌ１の中心軸Ｌ２に対する傾斜角度△Ｘ，△Ｙを算出することができるため、簡易かつ迅速に結晶方位軸Ｌ１を測定することができる。
【００４２】
また、本実施形態では、図６（Ａ）〜（Ｃ）に示す３つの回転角度位置で、反射Ｘ線量が最大となる旋回角度を測定すればよく、オリエントフラット１ｂを支持ローラ５，５間に配置させる必要がないため、オリエントフラット１ｂは支持ローラ５を通過しない。よって、オリエントフラット１ｂが支持ローラ５を通過する際に生じるインゴット１の位置ずれを防止することができ、正確かつ確実に結晶方位軸Ｌ１の中心軸Ｌ２に対する傾斜角度△Ｘ，△Ｙを測定することができる。
【００４３】
【発明の効果】
このように本発明では、マスターワークを使用することなく、かつ、３個の旋回角度のみから結晶方位軸のインゴットの幾何学的な中心軸に対する傾斜角度を測定できるため、簡易かつ迅速に結晶方位軸を測定することができる。
また、本発明では、オリエントフラットが支持ローラを通過しないため、インゴットの位置ずれを防止することができ、正確かつ確実に結晶方位軸を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態に係る結晶方位軸測定装置を示す平面図である。
【図２】  本発明の実施形態に係る結晶方位軸測定装置を示す正面図である。
【図３】  本発明の実施形態に係る結晶方位軸測定装置を示す側面図である。
【図４】  制御部を示す概略図である。
【図５】  本発明の実施形態に係る結晶方位軸測定方法を説明するための概略図である。
【図６】  （Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る結晶方位軸測定方法におけるインゴットの回転角度位置の変化を示す概略側面図である。
【図７】  本発明の実施形態に係る結晶方位軸測定方法を説明するための概略図である。
【図８】  旋回角度と反射Ｘ線量の関係を示すグラフである。
【図９】  単結晶体のインゴットを示す斜視図である。
【図１０】  （Ａ）及び（Ｂ）は結晶方位軸の中心軸に対する傾斜角度を示す概略図である。
【図１１】  結晶方位軸とＸ線の入射及び反射経路の関係を説明するための概略図である。
【図１２】  （Ａ）は結晶方位軸測定装置を示す概略平面図、（Ｂ）は結晶方位軸測定装置を示す側面図である。
【図１３】  マスターワークを示す斜視図である。
【図１４】  従来の第２の結晶方位軸の測定方法を説明するための概略図である。
【図１５】  （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）は、従来の第２の結晶方位軸の測定方法におけるインゴットの回転角度位置の変化を説明するため概略側面図である。
【図１６】  従来の第２の結晶方位軸の測定方法を説明するための概略図である。
【図１７】  旋回角度と反射Ｘ線量の関係を示すグラフである。
【符号の説明】
１  インゴット
１ａ  端面
１ｂ  オリエントフラット
１０  結晶方位軸測定装置
３  Ｘ線発信器
４  反射Ｘ線受信器
５  支持ローラ
１５  旋回駆動機構
１６  回転駆動機構
１７  制御部
Ｌ１  結晶方位軸
Ｌ２  中心軸
Ｌ３  基準線
【図１】
0003978284.tif 000011
【図２】
0003978284.tif 000012
【図３】
0003978284.tif 000013
【図４】
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【図５】
0003978284.tif 000015
【図６】
0003978284.tif 000016
【図７】
0003978284.tif 000017
【図８】
0003978284.tif 000018
【図９】
0003978284.tif 000019
【図１０】
0003978284.tif 000020
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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