(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリアミド酸Ａとポリアミド酸Ｂとからなるポリアミド酸組成物において、ポリアミド酸Ａの酸成分が、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、及び１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２，−ｃ］−フラン−１，３−ジオンから選ばれる１種以上の脂環式テトラカルボン酸二無水物、あるいは該脂環式テトラカルボン酸二無水物と芳香族テトラカルボン酸二無水物とからなり脂環式テトラカルボン酸二無水物が３０モル％以上であり、ポリアミド酸Ａのジアミン成分は、下記式(１)で示される少なくとも１種の芳香族ジアミンであり、ポリアミド酸Ｂの酸成分が、芳香族テトラカルボン酸二無水物、あるいは芳香族テトラカルボン酸二無水物と脂環式テトラカルボン酸二無水物からなり芳香族テトラカルボン酸二無水物を５０モル％以上含有し、ポリアミド酸Ｂのジアミン成分は、側鎖に液晶のプレチルト角を大きくできる基を有する下記式(２)で示されるジアミンの少なくとも１種、あるいは下記式（２）で示されるジアミンの少なくとも１種と下記式（１）で示されるジアミンの少なくとも１種とからなり、ポリアミド酸Ａに対するポリアミド酸Ｂの組成割合Ａ／Ｂは５０／５０〜９５／５（重量比）であるポリアミド酸組成物。
【化１】
0003978754.tif 000032
ここにＸはＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2、Ｃ（ＣＨ3）2であり、各Ｒは水素原子であり、ａ，ｂは１〜２である。
【化２】
0003978754.tif 000033
ここに、Ｒは水素原子または炭素数１〜１２のアルキル基であり、ＹはＣＨ2基であり、ｍは０であり、環Ａはシクロヘキサン環であり、ｌは０または１であり、Ｚは酸素原子またはＣＨ2基であり、ｎは１である。
【請求項２】
請求項１に記載の組成物から得られるポリイミド樹脂を含有する液晶表示素子用配向膜。
【請求項３】
請求項１に記載のポリアミド酸組成物を含有する液晶配向剤。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子材料分野、特に液晶配向膜用途として電気的特性、信頼性に優れたポリイミド配向膜、それを与えるポリアミド酸組成物、その配向膜を用いた液晶表示素子に関する。
【０００２】
【背景技術】
液晶表示素子は、現在ネマチック液晶を用いた表示素子が主流であり、９０゜ツイストしたマトリックスＴＮ素子、通常１８０゜以上ツイストしたＳＴＮ素子、薄膜トランジスターを使用したいわゆるＴＦＴ液晶素子、更に、昨今では、視角特性を改良した横電界型のＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）型液晶素子等と種々の方式による表示素子が実用化されている。液晶表示素子の進展は単にこれらの方式の進展のみならず液晶表示素子の特性向上に向けてその周辺材料での改良も活発に行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
液晶表示素子が各分野で使用されるにつれて、高性能な液晶表示素子を要求されるようになりつつある。これらの要求の中には、より優れた表示特性への要求、長期使用における信頼性への要求もその一つである。特に、ＴＦＴ液晶表示素子への要求においては、液晶表示素子の電気的性質、特に、電圧保持率、残留電荷に起因するものが重要な因子となる。電圧保持率が低いとフィールド期間中に液晶にかかる電圧が低下し、コントラストが低下する問題が発生する。従って、電圧保持率は大きい事が望ましく、電圧保持率は基本的には、１００％である事が理想である。
【０００４】
一方、残留電荷についても、残留電荷が大きい場合は、一度電界をＯＮにした後、ＯＦＦにした際、電荷が残ったままの状態になるが、この場合に、消去されるべき像が残像として残ってしまう。従って、残留電荷は限りなくゼロである事が望ましい。液晶表示素子において、この残像現象の問題はかなり重要な問題の１つである。
又、液晶表示素子を長期使用中に表示素子の電流値が増加する問題がある。電流値の増加により、液晶自身にかかる電圧が低下し、液晶分子の立ち上がり不十分で、コントラストが小さくなるか、場合によっては画像が表示されない場合さえ発生する。
【０００５】
更に、液晶表示素子の製造工程において、表示素子の特性が安定している事が、プロセスマージンとして重要な要素でもある。例えば、配向剤の塗布後における溶媒の乾燥条件、ポリアミド酸のイミド化処理条件（通常、加熱処理を行う事によりイミド化されている）、あるいは、液晶注入後のアニール処理条件等によって、液晶のプレチルト角が大きく変化するようでは、各工程におけるプロセス条件を厳密に管理しなければ安定したプレチルト角を有する素子が製造出来ない事になる。
ＴＦＴ素子用液晶配向膜としては、ＴＦＴ素子が出始めた当初は、液晶のプレチルトは０度近くである事が要求されたが、昨今では、ドメインの発生を抑制するために、液晶に、ある程度のプレチルトを持たせる（３ー１２度程度）事が要求されてきている。
【０００６】
本発明では、ＴＦＴ素子用配向膜として、ＴＦＴ素子に必要なプレチルト角を有し、プレチルトの製造プロセス依存性が小さく、又、液晶表示素子の残留電荷が小さく、且つ、電圧保持率の高い、更には、信頼性の高い液晶表示素子を得るための液晶配向膜を提供することを目的とするものである。
【０００７】
ＴＦＴ素子に適した残留電荷が小さく、且つ、電圧保持率の大きな素子を得る配向剤についての先行技術には、例えば、特開平０８ー１０６０９７号公報がある。該引例では、テトラカルボン酸に芳香族、脂肪族、あるいは、芳香族と脂肪族の両方を併せ持つ複合基を有するテトラカルボン酸二無水物を使用し、ジアミン成分にエーテル基を含むジアミン成分を主成分として用いており、それほどの効果は出ていない。又、プレチルト角は１．３ー３．６度であり比較的小さい。
【０００８】
又、特開平０７−１２０７６８号公報では、脂肪族系のテトラカルボン酸二無水物を必須成分とするポリアミド酸と芳香族系のテトラカルボン酸二無水物を必須成分とするポリアミド酸を含有する配向剤が開示されているが、該引例では、シロキサン系のジアミンが特に優れているとの記載があるが、本発明者等の実験では、残留電荷は比較的小さい値を示しているが、配向性に問題があった。また、ジアミン成分にチルト角を大きくする成分は記載されていない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上述した問題点を解決するための手段として、鋭意検討した結果、液晶表示素子に使用される液晶配向膜のポリマー成分として残留電荷が小さく、かつ電圧保持率が高いポリイミド樹脂を与えるポリアミド酸と、プレチルト角が大であるポリイミドを与えるポリアミド酸とからなるポリアミド酸組成物を加熱硬化して得られるポリイミド膜を用いることにより達成されることを見出し本発明に到達した。
【００１０】
即ち、本発明は下記の構成よりなる。
［１］  ポリアミド酸Ａとポリアミド酸Ｂとからなるポリアミド酸組成物において、ポリアミド酸Ａの酸成分が、脂環式テトラカルボン酸二無水物を必須成分とし、ポリアミド酸Ａのジアミン成分は、下記式(１)で示される少なくとも１種の芳香族ジアミンを主成分とするジアミンであり、ポリアミド酸Ｂの酸成分が、芳香族系テトラカルボン酸二無水物を５０モル％以上含有し、ポリアミド酸Ｂのジアミン成分（ただし、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン及び他のジアミンの混合物を除く）は、側鎖に液晶のプレチルト角を大きくできる基を有するジアミンとして下記式(２)及び式(３)で示されるジアミンの少なくとも１種を必須成分とし、ポリアミド酸Ａに対するポリアミド酸Ｂの組成割合Ａ／Ｂは５０／５０〜９５／５（重量比）であるポリアミド酸組成物。
【化７】
0003978754.tif 000002
ここにＸは脂肪族の２価の基であり、各Ｒは独立に水素原子またはＣＨ3であり、ａ，ｂは１〜２である。
【化８】
0003978754.tif 000003

ここに、Ｒは水素原子または炭素数１〜１２のアルキル基であり、ＹはＣＨ2基であり、ｍは０〜２の正数であり、環Ａはベンゼン環またはシクロヘキサン環であり、ｌは０または１であり、Ｚは酸素原子またはＣＨ2基であり、ｎは０または１であり、
【化９】
0003978754.tif 000004

ここにＸ1はＣＨ2または酸素原子であり、Ｒ1、Ｒ2は独立に水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基またはパーフルオロアルキル基であり、但し、Ｒ1、Ｒ2のうち少なくとも一方は炭素数３以上のアルキル基またはパーフルオロアルキル基であり、ｎ1は０または１である。
［２］  ポリアミド酸Ａの酸成分が、脂環式テトラカルボン酸二無水物と芳香族テトラカルボン酸二無水物からなる［１］項に記載のポリアミド酸組成物。
［３］  ポリアミド酸Ｂのジアミン成分が、側鎖に液晶のプレチルト角を大きくできる基を有する少なくとも１種のジアミンと式(１)で示されるジアミンからなる［１］項に記載のポリアミド酸組成物。
［４］  ポリアミド酸Ａの酸成分が、芳香族テトラカルボン酸二無水物及び脂環式テトラカルボン酸二無水物であり、ポリアミド酸Ｂのジアミン成分は、式(２)及び式(３)で示されるジアミンの少なくとも１種であるか、該ジアミンと式(１)で示されるジアミンからなるジアミンである［１］項に記載のポリアミド酸組成物。
［５］  ポリアミド酸Ａの酸成分が、芳香族テトラカルボン酸二無水物及び脂環式テトラカルボン酸二無水物からなり、前者／後者の割合が９０／１０〜１０／９０（モル比）であり、ポリアミド酸Ｂのジアミン成分は、式(２)及び式(３)で示されるジアミンの少なくとも１種であるか、該ジアミンと式(１)で示されるジアミンからなるジアミンである［１］項に記載のポリアミド酸組成物。
［６］  脂環式テトラカルボン酸二無水物が、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ（２，２，２）−オクト（７）−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、３，３'−ビシクロヘキシル−１，１'，２，２'−テトラカルボン酸二無水物、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２，−ｃ］−フラン−１，３−ジオン、３，５，６−トリカルボキシノルボルナン−２−酢酸二無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、またはこれらのメチルもしくはエチル置換体であり、ポリアミド酸Ａまたはポリアミド酸Ｂの芳香族テトラカルボン酸二無水物が、ピロメリット酸二無水物、３,３',４,４'−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン酸二無水物（２,３,６,７−ナフタレン酸二無水物等）、３,３',４,４'−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、４,４'−ビス（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、４,４'−ビス（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、４,４'−ビス（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロパン二無水物、３,３',４,４'−パーフルオロピリデンジフタル酸二無水物、３,３',４,４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）フェニルスルフィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４,４'−ジフェニルエーテル二無水物、またはビス（トリフェニルフタル酸）−４,４'−ジフェニルメタン二無水物であり、ポリアミド酸Ａまたはポリアミド酸Ｂのジアミン成分は、前記式（１）においてＸがＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2またはＣ（ＣＨ3）2である［１］項に記載のポリアミド酸組成物。
［７］  脂環式テトラカルボン酸二無水物が、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物またはシクロヘキサンテトラカルボン酸であり、ポリアミド酸Ａまたはポリアミド酸Ｂの芳香族テトラカルボン酸二無水物が、ピロメリット酸二無水物、３,３',４,４'−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン酸二無水物（２,３,６,７−ナフタレン酸二無水物等）、３,３',４,４'−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３,３',４,４'−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、４,４'−ビス（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、４,４'−ビス（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、４,４'−ビス（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロパン二無水物、３,３',４,４'−パーフルオロピリデンジフタル酸二無水物、３,３',４,４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）フェニルスルフィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４,４'−ジフェニルエーテル二無水物、またはビス（トリフェニルフタル酸）−４,４'−ジフェニルメタン二無水物であり、ポリアミド酸Ａまたはポリアミド酸Ｂのジアミン成分は、前記式（１）においてＸがＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2またはＣ（ＣＨ3）2である［１］項に記載のポリアミド酸組成物。
［８］  ポリアミド酸Ａの酸成分が、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物を主成分とし、ポリアミド酸Ｂの酸成分が、ピロメリット酸二無水物を５０モル％以上含有するものであり、ポリアミド酸Ｂのジアミン成分は、式(２)及び式(３)で示されるジアミンの少なくとも１種であるか、該ジアミンと式(１)で示されるジアミンからなるジアミンである［１］、［６］または［７］項に記載のポリアミド酸組成物。
［９］  ポリアミド酸Ａの酸成分が、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物とピロメリット酸二無水物からなり、ポリアミド酸Ｂのジアミン成分は、式(２)及び式(３)で示されるジアミンの少なくとも１種であるか、該ジアミンと式(１)で示されるジアミンからなるジアミンである［１］、［６］または［７］項に記載のポリアミド酸組成物。
［１０］  ポリアミド酸Ａの酸成分が、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物とピロメリット酸二無水物からなり、ポリアミド酸Ｂの酸成分が、ピロメリット酸二無水物を５０モル％以上含有し、ポリアミド酸Ｂのジアミン成分は、式(２)で示されるジアミン及び式(３)で示されるジアミンの少なくとも１種であるか、該ジアミンと式(１)で示されるジアミンからなるジアミンである［１］、［６］または［７］項に記載のポリアミド酸組成物。
［１１］  ポリアミド酸Ａの酸成分が、ピロメリット酸二無水物とシクロブタンテトラカルボン酸二無水物からなり、その割合が９０／１０〜１０／９０（モル比）であり、ポリアミド酸Ｂの酸成分が、ピロメリット酸二無水物を５０モル％以上含有し、ポリアミド酸Ｂのジアミン成分は、式(２)で示されるジアミン及び式(３)で示されるジアミンの少なくとも１種であるか、該ジアミンと式(１)で示されるジアミンからなるジアミンである［１］、［６］または［７］項に記載のポリアミド酸組成物。
［１２］  ポリアミド酸Ａの酸成分が、ピロメリット酸二無水物とシクロブタンテトラカルボン酸二無水物からなり、その割合が９０／１０〜１０／９０（モル比）であり、ポリアミド酸Ａのジアミン成分は、前記式(１)においてＸがＣＨ2 若しくはＣＨ2ＣＨ2であり、各Ｒは全て水素原子であるジアミンであり、ポリアミド酸Ｂの酸成分が、ピロメリット酸二無水物を５０モル％以上含有し、ポリアミド酸Ｂのジアミン成分は、式(２)で示されるジアミン及び式(３)で示されるジアミンの少なくとも１種と式(１)で示されるジアミンである［１］、［６］または［７］項に記載のポリアミド酸組成物。
［１３］  ［１］〜［１２］項に記載の組成物から得られるポリイミド樹脂を含有する液晶表示素子用配向膜。
［１４］  ［１３］項に記載の液晶表示素子用配向膜を用いた液晶表示素子。
［１５］  液晶組成物が、下記化合物を主成分とした液晶組成物を用いた［１４］項に記載のＴＦＴ型液晶表示素子。
【化１０】
0003978754.tif 000005
【化１１】
0003978754.tif 000006
【化１２】
0003978754.tif 000007
ここにＲ1は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、この基中の相隣接しない任意のメチレン基は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、また、この基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されてもよく；Ｘ1はフッ素原子、塩素原子、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈ、−ＣＦＨ2、−ＯＣＦ2ＣＦ2Ｈまたは−ＯＣＦ2ＣＦＨＣＦ3を示し；Ｌ1およびＬ2は各々独立して水素原子またはフッ素原子を示し；Ｚ1およびＺ2は各々独立して１,２−エチレン、１,４−ブチレン、−ＣＯＯ−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合を示し；環Ｂはトランス−１,４−シクロヘキシレン、１,３−ジオキサン−２,５−ジイル、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１,４−フェニレンを示し；環Ｃはトランス−１,４−シクロヘキシレンまたは水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１,４−フェニレンを示す。
［１６］  ［１］項に記載のポリアミド酸組成物を含有する液晶配向剤。
【００１１】
【発明の実施の形態】
残留電荷が小さく、かつ電圧保持率が高いポリイミド樹脂を与えるポリアミド酸をポリアミド酸Ａとすると、ポリアミド酸Ａの酸成分は脂環式テトラカルボン酸二無水物を必須成分とする成分であり、好ましくは脂環式テトラカルボン酸二無水物と芳香族テトラカルボン酸二無水物からなる成分である。一方、ポリアミド酸Ａのジアミン成分は、式（１）で示される少なくとも１種の芳香族ジアミンを主体とする成分である。ただし、特にことわらない限り各成分は複数個を使用することができるものとする。以下同様。
【００１２】
一方、プレチルト角が大であるポリイミドを与えるポリアミド酸をポリアミド酸Ｂとすると、ポリアミド酸Ｂの酸成分としては、芳香族系テトラカルボン酸二無水物を主成分とし、ポリアミド酸Ａの芳香族テトラカルボン酸二無水物と同一であっても良く、ポリアミド酸Ｂのジアミン成分としては、側鎖に、液晶のプレチルト角を大きく出来る基を有する少なくとも１種のジアミン成分を必須成分とする成分であるか、もしくは、該ジアミン成分と（１）式で示すジアミン成分を含むジアミン成分である。
【００１３】
又、ポリアミド酸Ａに対するポリアミド酸Ｂの比率Ａ／Ｂは５０／５０−９５／５（重量比）である。ポリアミド酸Ｂ成分が５％未満では、液晶のプレチルト角が小さくなり過ぎて好ましくなく、５０％を超えると、プレチルト角は必ずしも大きくならず（図４参照）、電気的特性が低下する傾向が強くでるため、５０％以下で用いる事が好ましい。
【００１４】
ポリアミド酸Ａの優れた電気特性（残留電荷が小さく、電圧保持率の大きいこと）とは詳しくは、本発明の実施例に示す試験方法において、残留電荷が２００ｍＶ以下であり、電圧保持率が９７％以上、好ましくは、９８％以上有するポリイミドを与えるポリアミド酸を意味する。
又、ポリアミド酸Ｂのプレチルト角が大であるとは本発明の実施例に示す試験方法において３〜１５度であり、好ましくは３〜１２度、更に好ましくは３〜１０度である。また、側鎖を有するジアミン成分の側鎖の意味としては、ポリイミドあるいは、ポリアミド酸構造の主軸に対して、ラタラル   (lateral)方向に軸を有するジアミン成分を言い、例えば、主軸の連結基から側鎖を有する場合、あるいは、主軸の芳香族や脂環式の基からラタラルを有するジアミン等を意味する。
【００１５】
ポリアミド酸Ａのテトラカルボン酸二無水物として使用出来る脂環式テトラカルボン酸二無水物として具体的には、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ（２，２，２）−オクト（７）−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、３，３’−ビシクロヘキシル−１，１’，２，２’−テトラカルボン酸二無水物、２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフラル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、１，３，３ａ，４，５，９ｂ−ヘキサヒドロ−５−（テトラヒドロ−２，５−ジオキソ−３−フラニル）−ナフト［１，２，−ｃ］−フラン−１，３−ジオン、３，５，６−トリカルボキシノルボルナン−２−酢酸二無水物、２，３，４，５−テトラヒドロフランテトラカルボン酸二無水物、あるいはこれらにメチル、エチル基などの低級アルキルを一部置換した脂環族テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらの中でより好ましく用いられる脂環式テトラカルボン酸はシクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、シクロヘキサンテトラカルボン酸等である。
【００１６】
一方、ポリアミド酸Ａ及びポリアミド酸Ｂの芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物が好ましく用いられるが、ピロメリット酸二無水物以外でも、３,３′,４,４′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、３,３′,４,４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン酸二無水物（２,３,６,７−ナフタレン酸二無水物等）、３,３′,４,４′−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３,３′,４,４′−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、３,３′,４,４′−ジメチルジフェニルシランテトラカルボン酸二無水物、４,４′−ビス（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、４,４′−ビス（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルホン二無水物、４,４′−ビス（３,４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルプロパン二無水物、３,３′,４,４′−パーフルオロピリデンジフタル酸二無水物、３,３′,４,４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（フタル酸）フェニルスルフィンオキサイド二無水物、ｐ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ｍ−フェニレン−ビス（トリフェニルフタル酸）二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４,４′−ジフェニルエーテル二無水物、ビス（トリフェニルフタル酸）−４,４′−ジフェニルメタン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物を挙げることができる。これらの中では、酸素、硫黄等を含むものは電気特性を悪くする傾向があるので、あまり好ましくないが条件により使用することもできる場合がある。
【００１７】
ポリアミド酸Ａのテトラカルボン酸二無水物成分として、脂環式テトラカルボン酸二無水物単独よりも、芳香族テトラカルボン酸二無水物と併用した方が残留電荷が小さくなるという効果があり、残留電荷重視型の液晶素子においては、芳香族テトラカルボン酸二無水物との併用が、より好ましく用いられる。
【００１８】
一方、同様な事がポリアミド酸Ｂのテトラカルボン酸二無水物成分としても言えるが、ポリアミド酸Ｂにおいては、液晶の配向規制力を左右する成分となるため、電気特性よりも配向規制力に重きをおく事が重要である。その意味において、脂環式テトラカルボン酸二無水物では、配向規制力にやや難点がある事、又、低温焼成の場合（１８０℃以下の焼成温度）、液晶素子を加熱すると配向が崩れやすい等の配向安定性の面で難点がある。この点、芳香族系のテトラカルボン酸二無水物は、配向安定性に優れる。従って、脂環式を多用する事は注意が必要であるが、液晶の配向性に不利な状況にならない程度に脂環式を併用する事は何ら差し支えない。更に、電気的特性に関しては、脂環式テトラカルボン酸二無水物を併用した方がむしろ好ましい一面があるため、より電気的特性重視の場合は、配向性に問題がない程度に、脂環式を併用した方が好ましいとも言える。この場合でも芳香族系のテトラカルボン酸二無水物が酸成分中５０モル％以上含有する事が好ましい。ここで使用できる脂環式テトラカルボン酸二無水物としては前述した化合物を挙げることができる。
【００１９】
一方、ポリアミド酸Ａのジアミン成分としては、一般式（１）で示される芳香族ジアミンが用いられる。
この種のジアミン化合物は、液晶配向膜として使用された場合、液晶表示素子の電気特性に対して、他のジアミン成分、例えば、Ｘが酸素原子、ＣＯ、Ｃ（ＣＦ３）２、ＣＯＯ基を有するジアミン成分等よりも好ましい成分である。そのため本発明の主用途である配向膜のジアミン成分の主体となるものであり、特にポリアミド酸Ａ成分のジアミン成分の主成分として好ましく用いられるものである。
一般式（１）において、Ｘは、好ましくはＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2、Ｃ（ＣＨ3）2であり、より好ましくはＣＨ2、 ＣＨ2ＣＨ2であり、Ｒは、好ましくは水素原子である。
【００２０】
これらの化合物を具体的に例示すると、
Ｒが水素の場合、
４，４’ージアミノジフェニルメタン、４，４’ージアミノー１，２ージフェニルエタン、４，４’ージアミノー１，３ージフェニルプロパン、２，２ービス（４ーアミノフェニル）プロパンなどである。
Ｒがメチルの場合、
ビス（４ーアミノー３ーメチルフェニル）メタン、１，２ービスー（４ーアミノー３ーメチルフェニル）エタン、１，３ービス（４ーアミノー３ーメチルフェニル）プロパン、ビス（４ーアミノー２ーメチルフェニル）メタン、１，２ービスー（４ーアミノー２ーメチルフェニル）エタン、１，３ービス（４ーアミノー２ーメチルフェニル）プロパンなど、を挙げる事が出来る。
【００２１】
一方、ポリイミドＢのジアミン成分としては、液晶分子のプレチルト角を大きくする側鎖を有するジアミン化合物の少なくとも１種を必須成分とするが、（１）式に示すジアミン成分の少なくとも１種と併用した方が、電気特性は好ましい。ジアミン成分の側鎖に、液晶のプレチルト角を大きくする成分として具体的に例示すると、下記（２）式で示すジアミン成分を挙げる事が出来る。
【００２２】
これらの具体的化合物を例示すると、Ｚが酸素原子であり、ｌ、ｍが共に０であり、ｎが１である場合として以下の化合物を例示できる。
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕シクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４―メチルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−エチルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−４−アミノフェノキシ〕フェニル〕−４−ｎ−プロピルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎ−ブチルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎ−ペンチルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎ−オクチルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎ−ノニルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎ−デシルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎ−ウンデシルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎ−ドデシルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎ−トリデシルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎ−テトラデシルシクロヘキサン、
１,１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−ｎ−ペンタデシルシクロヘキサン等。
【００２３】
ｌ、ｍ、ｎが共に０である場合として以下の化合物を例示できる。
１，１ービス（４ーアミノフェニル）シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーメチルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーエチルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎープロピルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎーブチルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎーペンチルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎ−ヘキシルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎーヘプチルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎーオクチルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎ−ノニルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎ−デシルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎーウンデシルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎードデシルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎートリデシルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎ−テトラデシルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ーｎーペンタデシルシクロヘキサン等。
【００２４】
ｌが１であり、Ａがシクロヘキシル基であり、ｍ、ｎがともに０である場合として以下の化合物を例示できる。
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−シクロヘキシルシクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−メチル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−エチル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−プロピル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−ブチル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−ペンチル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−ヘキシル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−ヘプチル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−オクチル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−ノニル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−デシル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−ウンデシル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−ドデシル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−トリデシル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−テトラデシル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−アミノフェニル）−４−（４−ｎ−ペンタデシル−トランス−シクロヘキシル）シクロヘキサン等。
【００２５】
ｌが１であり、Ａがシクロヘキシル基であり、ｍが１であり、ＹがＣＨ２であり、ｎが１であり、Ｚが酸素原子である場合として以下の化合物を例示できる。
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−（シクロヘキシルメチル）シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−〔（４−メチルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−エチルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−プロピルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−ブチルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−ペンチルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−ヘキシルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−ヘプチルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−オクチルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン等。
【００２６】
ｌ、ｍ、が１であり、Ａがシクロヘキシル基であり、ＹがＣＨ２であり、ｎが０である場合として以下の化合物を例示できる。
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー（シクロヘキシルメチル）シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーメチルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーエチルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ープロピルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーブチルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーペンチルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーヘキシルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーヘプチルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーオクチルシクロヘキシル）メチル〕シクロヘキサン等。
【００２７】
ｌが１であり、Ａがフェニル基であり、ＹがＣＨ２であり、ｍが１であり、ｎが１であり、Ｚが酸素原子である場合として以下の化合物を例示できる。
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−（フェニルメチル）シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕−４−〔（４−メチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−エチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−プロピルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−ブチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−ペンチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−ヘキシルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−ヘプチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）−４−〔（４−オクチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン等。
【００２８】
ｌが１であり、Ａがフェニル基であり、ｍが１であり、ＹがＣＨ２であり、ｎが０である場合として以下の化合物を例示できる。
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー（フェニルメチル）シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーメチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーエチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ープロピルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーブチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーペンチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーヘキシルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーヘプチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ーアミノフェニル）ー４ー〔（４ーオクチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン等。
【００２９】
ｌが１であり、Ａがフェニル基であり、ＹがＣＨ２であり、ｍが１であり、ｎが１であり、ＺがＣＨ２である場合として以下の化合物を例示できる。
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ー（フェニルメチル）シクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ー〔（４ーメチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ー〔（４ーエチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ー〔（４ープロピルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ー〔（４ーブチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ー〔（４ーペンチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ー〔（４ーヘキシルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ー〔（４ーヘプチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ー〔（４ーオクチルフェニル）メチル〕シクロヘキサン等。
【００３０】
ｌ、ｍが０であり、ｎが１であり、ＺがＣＨ２である場合として以下の化合物を例示できる。
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）シクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ーメチルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ーエチルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ープロピルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ーブチルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ーペンチルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ーヘキシルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ーヘプチルシクロヘキサン、
１，１ービス（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ー４ーオクチルクロヘキサン、
【００３１】
尚、ここに例示したもの以外でも式(２)に該当する化合物は全て本発明に含まれるものである。
これらの化合物の中では、例えば、ｍ、ｌが０である場合、Ｒが水素原子であるか、あるいはアルキル基の長さが短い場合は、ポリアミド酸Ｂの配合量とプレチルト角との関係において、ポリアミド酸Ｂの配合量に対するプレチルト角の立ち上がりの傾斜が緩く、平衡に達するまで比較的多くのポリアミド酸Ｂを要するので、アルキル基はあまり短くない方が好ましい。又、側鎖に環構造が２環以上の場合は、Ｒは水素原子でも良好な結果が得られる。 本発明のポリアミド酸Ｂは、ポリアミド酸Ａに比して電気特性が低下する場合は、ポリアミド酸Ｂを多用する事は好ましくない。
【００３２】
又、プレチルト角を大きく出来るジアミン化合物として、式（３）で示される化合物や芳香族系ジアミンの水素にアルキル基やメソゲン基（液晶基）が置換された化介物や、その他液晶のプレチルト角を大きくするジアミン成分を用いる事が出来る。これらの成分については、既に多くのジアミン成分が特許公報等で開示されている。
本発明で使用出来るプレチルト角を大きく出来る側鎖を有するジアミン成分について、具体例を挙げると、下記のようなジアミン化合物が使用できるが、必ずしも、ここに例示したものに限定するものではなく、本発明の効果を損なわない限り、チルト角を大きくする他のジアミン化合物を使用する事が出来る。
ここにおいても、Ｒ１、Ｒ２の炭素数が短いとポリアミド酸Ｂの配合量とプレチルト角の関係において、プレチルト角の立ち上がり方が緩やかになるため、少なくともＲ１、Ｒ２の一方は炭素数３以上である事が好ましい。
【００３３】
これらの具体例を示すと下記の化合物等を挙げる事が出来るが、ここに例示したもの以外でも式（３）の範疇に含まれるものは全て包含されるのは言うまでもない。
Ｘ１が酸素原子であり、ｎｌが１の場合として以下の化合物を例示できる。
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ブタン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ペンタン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘプタン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕オクタン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ノナン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕デカン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ウンデカン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ドデカン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕トリデカン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕テトラデカン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ペンタデカン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘキサデカン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ヘプタデカン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕オクタデカン、
２，２−ビス〔４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕ノナデカン等。
【００３４】
Ｘ1がＣＨ２であり、ｎ1が１の場合の化合物としてとして以下の化合物を例示できる。
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）プロパン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ブタン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ペンタン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ヘキサン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ヘプタン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）オクタン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ノナン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）デカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ウンデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ドデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）トリデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）テトラデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ペンタデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ヘキサデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ヘプタデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）オクタデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）ノナデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロプロパン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロブタン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロペンタン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロヘキサン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロヘプタン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロオクタン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロノナン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロウンデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロドデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミジフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロトリデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロテトラデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロペンタデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロヘキサデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロヘプタデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロオクタデカン、
２，２ービスー（４ー（（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル）パーフルオロノナデカン、
【００３５】
これら以外にも例えば、フェニレンジアミンに側鎖を付与した形の下記ジアミノ化合物等も例示される。
１，４−ジアミノ−３−（（４−アルキルシクロヘキシル）シクロヘキシルオキシ）ベンゼン、
１，４−ジアミノ−３−（（４−アルキルフェニル）シクロヘキシルオキシ）ベンゼン、
１，４−ジアミノ−３−（（４−アルキルターフェニル）オキシ）ベンゼン、
１，３−ジアミノ−５−パーフルオロアルキルベンゼン、
１，３−ジアミノ−５−（２−フルオロメチル−３，３，３−トリフルオロプロピルベンゼン、
４−（４−トリフルオロメチルフェノキシ）２，３−ジアミノベンゼン、
４−（４−フルオロフェノキシ）１，３−ジアミノベンゼン、
１，３−ジアミノ−４−（４−アルコキシビフェニルオキシ）ベンゼン、
１，３−ジアミノ−４−（４−トリフルオロメトキシビフェニルオキシ〕ベンゼン、
１，４−ジアミノ−（２−アルキル）ベンゼン、
１，４−ジアミノ−（２，５−ジアルキル）ベンゼン、
２−アルキルオキシ−１，４−ジアミノベンゼン、
あるいは、フェニレンジアミンにステロイド系の側鎖を有するジアミン化合物等も挙げる事が出来る。
【００３６】
このようなフェニレンジアミン系の場合でも、側鎖を形成する基は炭素数１〜２よりも、３以上の方がプレチルトが大きくなりやすいので好ましい。又、これらの置換基は酸素、硫黄基を含むものは、電気特性に好ましくないので、このような基を含まない基を有する置換基が好ましい事は、式（２）、式（３）においても同様であるが、本発明のポリアミド酸Ｂの場合は、含有量が比較的少量であるため、それほど、大きな影響は受けにくい。
【００３７】
更に、これらのテトラカルボン酸無水物及びジアミン以外にポリアミド酸の反応末端を形成する、モノアミノ化合物、または、モノカルボン酸無水物化合物を併用する事も可能である。基板への密着性を良くするために、アミノシリコン化合物またはジアミノシリコン化合物を導入することも出来る。
これらのジアミノ化合物は多量に用いると配向性が悪くなる欠点が出てくるため、実用的な接着性が得られる範囲に抑えるべきである。
アミノシリコン化合物としては、パラアミノフェニルトリメトキシシラン、パラアミノフェニルトリエトキシシラン、メタアミノフェニルトリメトキシシラン、メタアミノフェニルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。
【００３８】
ジアミノシリコン化合物としては、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラフェニルシロキサン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（４−アミノブチル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等が挙げられる。
【００３９】
ポリアミド酸Ｂに用いられるジアミンにおいて、式（１）で示されるジアミンと液晶にプレチルト角を大にするジアミンとの割合は、プレチルト角を大にするジアミンの種類（一般に、側鎖の長いジアミノ化合物が大きなプレチルトを有する。）と要求されるプレチルト角によって決定されるが、通常モル比で０/１００ー９７/３、好ましくは０／１００−９２／８である。プレチルト角を誘起するジアミン成分は、前述したように、酸素、硫黄を有すると、液晶素子の電気特性に好ましくないため、特に電気特性の重視の場合は、必要なチルトが得られる最小限の使用が好ましい。又、プレチルト角を大きく出来るジアミンを用いると、該成分の使用量を少なくする事が出来る。
【００４０】
一方、ポリアミド酸Ａに対するポリアミド酸Ｂの組成割合Ａ/Ｂは５０／５０ー９５／５（重量比）の範囲で使用し得るがポリアミド酸Ｂの成分が少ないと、プレチルトのプロセス依存性が大きくなりやすくなる。従って、プレチルトのプロセス依存性を考慮するとポリアミド酸Ｂ成分の５重量％以上が好ましい。プレチルト角のプロセス依存性と電気特性のバランスを考慮すると、ポリアミド酸Ｂの割合は、６ー３０重量％程度の範囲がより好ましい。
【００４１】
ポリアミド酸は通常溶媒中に溶解させ、塗布液として用いる。塗布液中のポリアミド酸Ａとポリアミド酸Ｂを合わせたポリマー濃度は０．１ー４０重量％であるが、ポリマー成分の最適濃度は、基板上に配向剤ワニスを塗布する方法によっても異なるので一概に範囲を決められない。通常行われているスピンナー法や印刷法等では、０．５ー１０％程度が好ましく用いられる。ポリマー濃度が、０．５％未満では、配向膜としての膜厚が薄くなりすぎ、又、１０％を超えると、膜厚が厚くなりすぎるきらいがある。更に、４０％以上では、膜厚調整でポリマーを希釈する場合に粘度が高すぎて、溶媒がうまく混合出来ない等の弊害が出てきて好ましくない場合が多い。
【００４２】
尚、本発明の効果を損なわない限り、他のポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、可溶性ポリイミド、ポリアミドイミド等のポリマーを併用する事も出来る。更に、本発明では、複数種のポリアミド酸を含有する液晶配向剤を用いているが、この配向剤は基板への塗布後は、加熱処理により、イミド化される（必ずしも１００％イミド化されなければならないものではないが、加熱後のイミド化率は４０％以上である事が好ましい）。従って、本発明のポリアミド酸の代わりに可溶性ポリイミドＡ及びＢを用いても、同様の効果が期待される事は言うまでもない。即ち、双方がポリアミド酸であるか、一方が可溶性ポリイミドで他方がポリアミド酸であり、あるいは、双方が、可溶性ポリイミドであっても良い。
【００４３】
本ワニスに使用される溶媒は通常、ポリアミド酸あるいは可溶性ポリイミドで使用されている溶媒を使用する事が出来る。即ち、ポリアミド酸に対して、親溶媒である非プロトン性極性有機溶媒（Ｎーメチルー２ーピロリドン、ジメチルイミドゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタム、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキシド、Ｎ，Ｎジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、ジエチルアセトアミド、及びγ−ブチロラクトン等）と共に、更に、塗布性改善などの目的で表面張力の低い他の溶媒系（乳酸アルキル、３−メチル，３−メトキシブタノール、テトラリン、イソホロン、エチレングリコールモノアルキルエーテル（エチレングリコールモノブチルエーテル等）、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル（ジエチレングリコールモノエチルエーテル等）、エチレングリコールモノアルキルまたはフェニルアセテート、トリエチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル（プロピレングリコールモノブチルエーテル等）、マロン酸ジアルキル（マロン酸ジエチル等）、エチレングリコールモノアルキルアセテート類、ジエチレングリコールモノアルキルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルアセテート類、ジプロピレングリコールモノアルキルアセテート類等）を併用する事が出来る。これらの溶媒は、先の良溶媒に対して、貧溶媒であることが多い。塗布性改善のためには、これらの溶剤を併用することが好ましい。
【００４４】
これらの溶媒で溶解されたワニスを液晶配向素子を形成する基板へ塗布する方法として、通常使用されている方法が使用可能である。例えば、スピンナー法、印刷法、ディッピング法、滴下法等によって塗布する事が可能である。
又、これらのワニスを塗布した後の溶媒の乾燥や脱水・閉環反応に要する加熱処理等においても、通常ポリアミド酸を使用している手法と同様な方法で実施する事が可能である。例えば、オーブン、ホットプレート、赤外炉中等で加熱処理する事が可能である。ワニスを塗布した後は、比較的低温で溶媒を蒸発させた後、１５０ー３００゜Ｃ程度の温度で加熱処理する事が好ましい。本発明のワニスには、イミド化を促進する等の目的で触媒を添加する事も可能であり、更に、塗布性を改良する等の目的で配合される界面活性剤や帯電防止の目的等で配合される帯電防止剤を配合する事も妨げるものではない。あるいは、更に、基板との密着性を向上させる為にシランカップリング剤、チタン系のカップリング剤を配合する事も出来るものである。
尚、本発明では、ＴＦＴ用に好ましく用いられる配向膜として発明されたものではあるが、使用するポリアミド酸Ｂのプレチルト角を大きくする側鎖を有するジアミン成分の種類や量によってプリチルト角は任意に設定可能である。従って、比較的高いプレチルト角を必要とするＳＴＮや強誘電性あるいは、反強誘電性液晶表示素子用としても使用できる。また、本発明のプレチルト角の小さい領域においてはＩＰＳ型液晶表示素子用としても使用可能である。
【００４５】
本発明の配向膜と好ましく用いられるＴＦＴ用液晶組成物は下記一般式（４）、（５）、（６）で示されるフッソを有する液晶化合物を含有する液晶組成物であり、好ましくは、これらの成分を主体として構成される事が好ましい。   これらは、各一般式の単独の組成物でもよく又、（４）、（５）、（６）の一般式全ての中から少なくとも１種以上を含むものでも良い。しかし、これらの中では、エーテル基、エステル基を含む化合物を主成分とする事は、電気的特性上からはあまり好ましくない。
これらの化合物について、以下に具体的な化合物を挙げるが、これらは、式（４）、（５）、（６）に該当するもの全てを挙げる事は出来ないので、例として挙げるものである。従って、ここに列挙していない化合物でも式（４）、（５）、（６）に該当するものは全て本発明含まれるものである。
【００４６】
【化１３】
0003978754.tif 000008
【００４７】
【化１４】
0003978754.tif 000009
【００４８】
【化１５】
0003978754.tif 000010
【００４９】
【化１６】
0003978754.tif 000011
【００５０】
【化１７】
0003978754.tif 000012
【００５１】
【化１８】
0003978754.tif 000013
【００５２】
【化１９】
0003978754.tif 000014
【００５３】
【化２０】
0003978754.tif 000015
【００５４】
【化２１】
0003978754.tif 000016
【００５５】
又、前記液晶化合物（一部液晶性を示さないものもあるが、液晶性化合物と併用して、粘度を下げる効果がある）に下記誘電率異方性の小さい化合物を併用する事も出来る。化２２において、Ｒ2、Ｒ3は炭素数１ー８のアルキル基であり、Ｒ4は炭素数１〜８のアルキル基、フッ素原子、塩素原子。ａ、ｂは共に、０もしくは１である。
【００５６】
【化２２】
0003978754.tif 000017
【００５７】
【実施例】
（ポリアミド酸Ａ、Ｂ、及びＣの合成例）
ポリアミド酸Ａ、Ｂ及びＣに該当する各種ポリアミド酸の合成例を示す前に本発明で使用したテトラカルボン酸二無水物、ジアミン及び溶媒の名称及び略号を示す。以降は本略号で記載する事にする。
（テトラカルボン酸二無水物）
ピロメリット酸二無水物                              ：PMDA
シクロブタンテトラカルボン酸二無水物                ：CBDA
以  上
【００５８】
（ジアミノ化合物）
４，４’−ジアミノジフェニルメタン                        ：DPM
４，４’−ジアミノジフェニルエタン                        ：DPEt
４，４’−ジアミノジフェニルプロパン                      ：DPP
４，４’ージアミノジフェニルエーテル                      ：DPEr
ビス［（４，４’−ジアミノフェノキシ）フェニル）］プロパン：DPPP
１，１ービス［４ー（４ーアミノフェニル）メチル）フェニル］ー４ーｎ−ブチルシクロヘキサン                                          ：PMBCh
１，１ービス（４ーアミノフェノキシ）フェニルー４ー（４ーペンチルシクロヘキシル）シクロヘキサン                                ：PPPCC
【００５９】
0003978754.tif 000018
【００６０】
（ポリアミド酸Ａ1の合成例）
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口及び窒素ガス導入口を備えた２００ｍｌ四つ口フラスコにＤＰＭを2.5136ｇ、脱水ＮＭＰを43.69ｇを入れ、乾燥窒素気流下攪拌溶解した。反応系の温度を５ー７０℃に保ちながらＣＢＤＡを2.4864ｇを添加し、５ー３０時間反応させた後、ＢＣ55.49ｇを加えてポリマー濃度が５％のポリアミド酸Ａ１を合成した。原料の反応中に反応温度により温度が上昇する場合は、反応温度を、７０℃以下に抑えて反応させた。尚、本発明の実施例では、ポリアミド酸の粘度は、反応中の粘度をチェックしながら反応を行い、ＢＣを添加後の粘度が３５ー４０ｍＰａ・ｓ（Ｅ型粘度計を使用。２５℃）になった時点で反応を終了とし、ポリアミド酸Ａ1を低温にて保存した。
【００６１】
（ポリアミド酸Ａ2ーＡ9及びポリアミド酸Ｂ1ーＢ4の合成例）
ポリアミド酸Ａ2−9及びポリアミド酸Ｂ1ー4の合成については、合成例Ａ1と同様の方法で合成した。その際の各原料の秤量ｇ数を表１、３に示す。使用した溶媒とその量については、ポリアミド酸Ａ１の合成時と同じ溶媒を同量用いた。即ち、当初のポリアミド酸をＮＭＰのみで合成し、次いでＢＣを加えて最終的にポリアミド酸濃度を５重量％として調整した。又、表２、４には、各原料についてのモル濃度を示した。
【００６２】
【表１】
0003978754.tif 000019
【００６３】
【表２】
0003978754.tif 000020
【００６４】
【表３】
0003978754.tif 000021
【００６５】
【表４】
0003978754.tif 000022
【００６６】
（共重合系ポリアミド酸Ｃの合成例）
以下にポリアミド酸Ｃ１−４の共重合系の合成例を示す。
（ポリアミド酸Ｃ１の合成例）
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口及び窒素ガス導入口を備えた２００ｍｌ四つ口フラスコにジアミン成分（ＤＰＭを２．２３９１ｇ、及びＰＭＢＣｈを０．２９８８ｇ）を入れ次いで、脱水ＮＭＰを４３．６９ｇを入れ、乾燥窒素気流下攪拌溶解した。反応系の温度を５−７０℃に保ちながらテトラカルボン酸成分（ＰＭＤＡを１．２９６４ｇ及びＣＢＤＡを１．１６５７ｇ）を添加し、５−３０時間反応させた後、ＢＣ５５．４９ｇを加えてポリマー濃度が５％の共重合系ポリアミド酸Ｃ１を合成した。原料の反応中に反応温度により温度が上昇する場合は、反応温度を、約７０゜Ｃ以下に抑えて反応させた。
尚、本発明の実施例では、ポリアミド酸の粘度は、反応中の粘度をチェックしながら反応を行い、ＢＣを添加後の粘度が３５−４０ｍＰａ・ｓ（Ｅ型粘度計を使用。２５℃）になった時点で反応を終了とし、ポリアミド酸Ｃ１を低温にて保存した点について合成例Ａ１の場合と同じである。
【００６７】
（ポリアミド酸Ｃ2ー4の合成例）
ポリアミド酸Ｃ2−4の合成については、合成例Ｃ1と同様の方法で合成した。その際の各原料の秤量ｇ数については、表５に示す。又、表６には、各原料のモル濃度を示した。使用した溶媒とその量については、ポリアミド酸Ｃ1の合成時と同じ量を用いた。即ち、当初のポリアミド酸をＮＭＰのみで合成し、次いでＢＣを加えて最終的にポリアミド酸濃度を５％として調整した。
【００６８】
【表５】
0003978754.tif 000023
【００６９】
【表６】
0003978754.tif 000024
【００７０】
（実施例１ー６及び比較例１ー５）
本実施例では、ポリアミド酸Ｂの種類をＢ1と各種ポリアミド酸Ａを配合した場合の電気特性、及びプレチルト角について検討した結果を示す。
１）混合系ワニスの調整
合成例Ａ1ーＡ6にて合成した母液Ａ1ーＡ6及び合成例Ｂ1で合成した母液Ｂ1（Ａ，Ｂとも各ポリマー濃度５％）を用い、各々ポリアミド酸Ａが９１重量％、Ｂ1のポリマーが９重量％となるように配合し、更に、該混合系にＮＭＰとＢＣの１対１の混合溶媒で希釈して全ポリマー濃度が３％となるように調整し塗布用ワニスとした。
【００７１】
２）電気特性評価用セルの作成
透明電極ＩＴＯ付きガラス基板上に塗布用ワニスをそれぞれスピンナーにて塗布し、８０℃にて約５分間予備焼成し、次いで、２００℃にて３０分間加熱処理を行い、ポリアミド酸をポリイミドに転換した。
次いで、配向膜を形成した前記の基板の表面をラビング装置にてラビングして配向処理を行い、更に、エタノール中で５分間超音波洗浄後、フロン流水にて表面を洗浄してからオーブン中で１２０℃ 、３０分間乾燥した。
前記基板に７μ用のギャップ材を散布し、配向膜を形成した面を内側にして、周辺を液晶注入孔を残して、エポキシ硬化剤でシールし、ギャップ７μのアンチパラレルセルを作成した。
前記セルに液晶材料として、下記液晶組成物を注入し、注入口を光硬化剤で封止し、ＵＶ照射して液晶注入孔を硬化して液晶を封止した。
次いで、１１０゜Ｃにて３０分間加熱処理を行い、電気特性評価用セルとした。使用した液晶組成物の組成を下記化２３、化２４に示す。この組成物のＮＩ点は８１.３℃であり、又、複屈折は０.０９２であった。
【００７２】
【化２３】
0003978754.tif 000025
【００７３】
【化２４】
0003978754.tif 000026
【００７４】
３）残留電荷の測定
残留電荷の測定方法としては、図１に示したＣーＶ特性を測定する事により求めた。
即ち、液晶セルに５０ｍＶ、１ｋＨＺの交流を印加し、更に、周波数０.００３６ＨＺの直流の三角波を重畳させ、ＤＣ電圧を０Ｖ→+１０Ｖ→０Ｖ→-１０Ｖ→０Ｖと掃引し、図１に示すヒステリシスの幅を次式により残留電荷として測定した。
残留電荷（Ｖ）＝（｜α1ーα2｜＋｜α4ーα3｜）／２
【００７５】
４）保持率の測定
保持率の測定方法については、図２及び図３に示したように、ゲート幅６９μs 、周波数６０Ｈz、波高±４.５Ｖの矩形波（Ｖｓ）をソースに印加し、変化するドレイン（Ｖｐ）をオシロスコープより読みとる事により行った。もし、電圧保持率が１００％の場合は、図３に示すＶｐは、点線で示す長方形の形になるが、通常は徐々に０に近づく実線となる。保持率の算出方法としては、斜線の面積と破線の面積とより、斜線部の面積の百分率をもって表した。従って、電圧保持率としては、１００％が最大値となる。
以降における残留電荷及び電圧保持率の測定方法は全て、本法で行ったので、以降の実施例、比較例においては、残留電荷及び電圧保持率の測定方法は省略する。尚、プレチルト角の測定は後述する方法で行なった。
こうして得られた残留電荷、電圧保持率及びプレチルト角の結果を表７に示す。
【００７６】
【表７】
0003978754.tif 000027
【００７７】
B1のポリマー組成：PMDA/DPEt/PMBCh=50/25/25
以上の結果から、ポリアミド酸Ａにおいて、テトラカルボン酸二無水物成分としては、ＰＭＤＡよりもＣＢＤＡの方が好ましく、又、ＣＢＤＡ単独よりも、ＣＢＤＡとＰＭＤＡを併用した方が残留電荷においては、より一層小さくなり極小値をとる事が判る。比較例４、５と実施例４と比較する事により、混合系の方が残留電荷がかなり小さくなる事が判る。又、ポリアミド酸Ａのポリマー組成においてジアミン成分にエーテル基を有するジアミンを用いた場合は残留電荷が大きくなる事が判る。
【００７８】
（実施例７ー１０及び比較例６）
本実施例及び比較例では、ポリアミド酸Ａ4と各種ポリアミド酸Ｂを混合した場合の残留電荷の結果について示す。
１）ワニスの調整
合成例Ａ4にて合成した母液Ａ4及び合成例Ｂ1ーＢ5で合成した母液Ｂ1ーＢ5（Ａ，Ｂとも各ポリマー濃度５％）を用い、各々Ａ4が８０重量％、Ｂが２０重量％になるように配合し、更に、該混合系にＮＭＰとＢＣの１対１の混合溶媒で希釈して全ポリマー濃度として３％となるように塗布用ワニスを調整した。
２）電気特性評価用セルの作成
実施例１と同様にして前記塗布用ワニスを用いて、それぞれ電気特性用セルを作成した。
表８に実施例７ー１０及び比較例６の結果を示す。
【００７９】
【表８】
0003978754.tif 000028
【００８０】
ポリアミド酸Ａ4の組成：PMDA/CBDA/DPM=25/25/50
* :この場合のジアミン成分はPPPCCを使用。
*1:本混合系では、液晶分子の配向が見られなかった。
上記の結果から、ポリアミド酸Ｂに本発明のDPEtもしくはDPMを併用すると残留電荷が小さくなる事が判る。比較例６は、ジアミン成分によっては、液晶分子の配向性が悪く液晶表示素子用配向膜としては、不向きである場合もある事を示す比較例となった。
【００８１】
（実施例１１ー１５及び比較例７）
本実験では、ポリアミド酸Ａ4とポリアミド酸Ｂ3を混合した場合の残留電荷、電圧保持率、プレチルト角及び電流値の経時変化についての結果を示す。
１）ワニスの調整
合成例Ａ4にて合成した母液Ａ4及び合成例Ｂ3合成した母液Ｂ3（Ａ，Ｂとも各ポリマー濃度５％）を表９の組成で混合し、更に、該混合系にＮＭＰとＢＣの１対１の混合溶媒で希釈して全ポリマー濃度として３％となるように塗布用ワニスを調整した。
【００８２】
２）電気特性評価用セルの作成
実施例１と同様にして前記の塗布用ワニスを用いて、それぞれ残留電荷及び電圧保持率測定用セルを作成した。
３）プレチルト角測定用セルの作成
電気特性測定用セルの作成において、ギャップ材を２０μ用のギャップ材を用いて、２０μのセル厚を有するアンチパラレルセルを作成した以外は、同様の方法によってプレチルト測定用セルを作成した。尚、プレチルト測定における液晶材料も電気特性測定時の液晶材料と同じものを用いた。
【００８３】
４）プレチルト角の測定
液晶のプレチルト角の測定は、通常行われているクリスタルローテーション法にて測定した。
表９にこれらの電気特性とプレチルト角の結果を示す。
尚、プレチルト角においては、表８に示した比較例６の試料についても同様に評価した。
５）電流値の評価
残留電荷及び電圧保持率を測定したセルを用いて、初期のセルでの電流値を測定後、１１０℃にて７２時間放置後、室温になるまで放置して再度、電流値を求め、７２時間後のデータを初期値で除した値を電流値の経時変化比として求めた。
【００８４】
電流値の測定条件
印加電圧：１０Ｖ（３２ＨＺ）
尚、本セルの電極面積は１ｃｍ2である。
【００８５】
【表９】
0003978754.tif 000029
【００８６】
上記の結果から、残留電荷においては、ポリアミド酸Ｂ3が約１０％近傍に極小値がある事が判る。一方、電圧保持率は、ポリアミド酸Ｂ3が１０％付近にわずかながら、極大点が見られ、約３０％までは、殆どポリアミド酸Ａ4と変わらない事が判る。又、プレチルト角においては、ポリアミド酸Ｂ3が１０％近傍で既に、ポリアミド酸１００％でのプレチルト角に近い値が得られている。即ち、ポリアミド酸Ｂ3の濃度が１０％近傍あるいは、１０ー２０％近傍において、残留電荷が小さく、電圧保持率が大きく、且つ、プレチルト角が、ポリアミド酸Ｂ3のプレチルト角に匹敵する値を示している事が判る。これらの結果をまとめて図４に示すが、本図よりプレチルト角、残留電荷、電圧保持率のバランスの良い領域が理解出来る。即ち、本組成系においては、電気特性及びプレチルト角を考慮するとポリアミド酸Ｂ、約１０％近傍に最適組成がある事が判る。
又、信頼性の目安となる電流値の経時変化においても、本発明の組成物を用いた液晶セルにおいて、その経時変化が小さい事が判る。
比較例６においては、残留電荷が小さいが、配向性が悪く、又、プレチルト角が小さい事が判る。
【００８７】
（比較例５、８ー１２）
本実験では、表１０の原料組成で共重合した場合の残留電荷及びプレチルト角について混合系の場合と比較した結果を示す。
１）ワニスの調整
母液Ｃ1ーＣ4（各ポリマー濃度５％）を、ＮＭＰとＢＣの１対１の混合溶媒で希釈して全ポリマー濃度として３％となるように塗布用ワニスを調整した。
２）電気特性評価用セル及びプレチルト測定用セルの作成
実施例１と同様にして前記の塗布用ワニスを用いて、それぞれ実施例１と同様にして電気特性用セル及び実施例１１ー１５の項で示したプレチルト測定用セルを作成した。
３）残留電荷及びプレチルト角の測定
残留電荷及びプレチルト角の測定は前出の方法で測定した。
表１０にこれらの電気特性とプレチルト角の結果を示す。
【００８８】
【表１０】
0003978754.tif 000030
【００８９】
*：共重合系のテトラカルボン酸二無水物とジアミン成分の組成比率はＢ3とＡ4のポリアミド酸を表中の組成で混合した場合の割合に相当する比率で共重合した。
本比較例は、実施例１１ー１５の混合系に代えて、同一原料割合で共重合系ポリアミド酸について混合系と比較したものである。前項で言及したように、混合系では、ポリアミド酸Ｂ3が１０％でほぼ、ポリアミド酸Ａ4のプレチルトを示しているが、共重合系では、加成平均的なプレチルト角になっている。一方、残留電荷においては、混合系の場合は前記したようにポリアミド酸Ｂ3が約１０％近傍で極小値を示しているが、共重合系の場合は、プレチルト角と同様にほぼ加成平均的な値を示しており極小値をとる傾向はみられない。従って、共重合系では、残留電荷、電圧保持率、プレチルト角を同時に満足する特性は得られない。
【００９０】
（実施例１６ー１９及び比較例１３ー１４）
本実験では、ポリアミド酸Ａ4とＢ4の配合量を変えた場合の配向膜製造プロセス依存性（予備焼成温度依存性）とプレチルト角について検討した結果を示す。
１）ワニスの調整
母液Ａ4,母液Ｂ4（ポリアミド酸濃度各５％）を用いて、ポリアミド酸Ａ4に対するポリアミド酸Ｂ4の濃度を表１１の割合になるように調合し、ＮＭＰとＢＣの１対１の混合溶媒で希釈して全ポリマー濃度として３％となるように塗布用ワニスを調整した。
２）プレチルト測定用セルの作成
実施例１と同様にして前項で調整したワニスを用いて、実施例８の項で示したプレチルト測定用セルを作成した。
３）プレチルト角の測定
プレチルト角の測定は前出の方法で測定した。
表１１にこれらのプレチルト角の結果を示す。
【００９１】
【表１１】
0003978754.tif 000031
【００９２】
上記の結果からポリアミド酸中のポリアミド酸Ｂ4の割合が少ないと、予備焼成温度依存性が大きい事が判る。ポリアミド酸Ｂ4の濃度は多い方が予備焼成依存性は小さくなるが、あまり多くなると前述の通り電気特性が悪くなるので多くとも５０重量％程度が好ましい。又、下限においては、用いられるポリアミド酸Ａとポリアミド酸Ｂの組み合わせによって幾分相違が見られるが、ポリアミド酸Ｂが４重量％以下では、上記の予備焼成依存性が大きくなり、また、プレチルト角のばらつきも大きくなりやすいので、好ましくない。
【００９３】
【発明の効果】
液晶表示素子において、本発明のポリアミド酸Ａとポリアミド酸Ｂを混合した液晶配向膜を用いる事により、プレチルト角が大きく、残留電荷が小さく、且つ、電圧保持率に優れ、又、プロセス依存性の少ない安定したプレチルト角をも得る事が出来る優れた液晶表示素子を作成する事が出来る。又、本発明の配向膜を用いた液晶表示素子の電流値が小さく、高温保持後の電流値の変化の小さい信頼性に優れた表示素子を得る事も出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣーＶヒステリシス曲線を示す図である。
【図２】電圧保持率の測定に用いられる回路図である。
【図３】矩形波である。
【図４】本発明の組成物（斜線範囲）におけるポリアミド酸混合割合とプレチルト角、電圧保持率、残留電荷の関係を示す図である（表９を図示したもの）。
【符号の説明】
Ｖs  ゲートパルス幅69μs、周波数60HZ、波高±４.５Ｖの矩形波である。
Ｖd  図２に示す回路のソースにＶsを印加し、オシロスコープより読みとった波形である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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