(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）
【化１】
0003892932.tif 000013
（式中、Arは置換基を有していても良いフェニル基、置換基を有していても良いナフチル基であり；R1, R2は互いに独立して、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化置換低級アルキル基又はベンジルオキシ基であり；R3は、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化置換低級アルキル基又はベンジルオキシ基であるか；あるいはR2とR3が一緒になって炭化水素環を形成していても良く；炭化水素環には、置換基として、低級アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、ハロゲン化低級アルキル基、ベンジルオキシ基、ビニル基を有していても良い。）
で表される6-ビニル-2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ（1,1'- ビフェニレン-2,2'-ジイルオキシ）ホスフィン誘導体。
【請求項２】
請求項１記載のホスフィン誘導体に、遷移金属化合物を作用させることにより得られる遷移金属錯体。
【請求項３】
下記一般式（ＩＩ）
【化２】
0003892932.tif 000014
（式中、R1, R2, R3, Arは前記と同義であり；Ｍはロジウム、イリジウム、パラジウム又は白金であり；Ｗは１，５−シクロオクタジエン、ノルボナジエン、ハロゲン原子、ＣＯ、アセトキシ、アリル又はアセチルアセトナートであり；Ｙは水素原子、ハロゲン原子、ＣｌＯ4 、ＢＦ4 、ＰＦ6 、ＢＰｈ4 、ＳｎＣｌ2 、ＳｎＣｌ3 であり；ｐ及びｑは０〜２であり、ｐとｑは同時に０ではない。）
で表わされる請求項２記載の遷移金属錯体。
【請求項４】
下記一般式（ＩＩＩ）
【化３】
0003892932.tif 000015
（式中、R1, R2, R3, Arは、前記と同義であり；k は２〜１００の整数である。）
で示される6-ビニル-2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ（1,1'- ビフェニレン-2,2'-ジイルオキシ）ホスフィン誘導体の構造単位を有するオリゴマー或いはポリマー。
【請求項５】
下記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）
【化４】
0003892932.tif 000016
（式中、R1, R2, R3, Arは前記と同義であり； R4 は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシル基又はハロゲン原子であり；R6は水素原子、メチル基であり;kは２〜１００の整数であり； l及びm は０〜１０００の整数であり；ｌとｍは同時に０ではなく；（ｋ＋ｌ＋ｍ）＝１０〜１０００の範囲である。）
で示される化合物の構造単位を有するポリマー。
【請求項６】
請求項４又は５記載のポリマーに、遷移金属化合物を作用させることにより得られる遷移金属錯体。
【請求項７】
下記一般式（ＶＩ）
【化５】
0003892932.tif 000017
（式中、R1, R2, R3, Ar, Ｍ, Ｗ, Ｙ, p, q, k は前記と同義である。）
で示される化合物の構造単位を有する請求項６記載の遷移金属錯体。
【請求項８】
下記一般式（ＶＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）
【化６】
0003892932.tif 000018
（式中、R1, R2, R3, Arは前記と同義であり； R4 は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子であり；R6は水素原子、メチル基であり; Ｍ, Ｗ, Ｙ, p, qは前記と同義であり; k は２〜１００の整数であり； l及びm は０〜１０００の整数であり；ｌとｍは同時に０ではなく；（ｋ＋ｌ＋ｍ）＝１０〜１０００の範囲である。）
で示される化合物の構造単位を有する請求項６又は７記載の遷移金属錯体。
【請求項９】
下記一般式（Ｉ）
【化７】
0003892932.tif 000019
（式中、R1, R2, R3, Ar, は前記と同義である。）
で表わされる6-ビニル-2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ（1,1'- ビフェニレン-2,2'-ジイルオキシ）ホスフィン誘導体を、溶液重合若くは懸濁重合させることを特徴とする下記一般式（ＩＩＩ）
【化８】
0003892932.tif 000020
（式中、R1, R2, R3, Arは、前記と同義であり；k は２〜１００の整数である。）
で示される6-ビニル-2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ（1,1'- ビフェニレン-2,2'-ジイルオキシ）ホスフィン誘導体の構造単位を有するオリゴマーあるいはポリマーの製造方法。
【請求項１０】
下記一般式（Ｉ）
【化９】
0003892932.tif 000021
（式中、R1, R2, R3, Ar, は前記と同義である。）
で表わされる6-ビニル-2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ（1,1'- ビフェニレン-2,2'-ジイルオキシ）ホスフィン誘導体、スチレン誘導体、ジビニル誘導体とを、溶液重合若くは懸濁重合させることを特徴とする下記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）
【化１０】
0003892932.tif 000022
（式中、R1, R2, R3, Arは前記と同義であり； R4 は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子であり；R6は水素原子、メチル基であり; k は２〜１００の整数であり； l及びm は０〜１０００の整数であり；ｌとｍは同時に０ではなく；（ｋ＋ｌ＋ｍ）＝１０〜１０００の範囲である。）
で示される化合物の構造単位を有するポリマーの製造方法。
【請求項１１】
請求項６又は７記載の遷移金属錯体の存在下、下記一般式（Ａ）
【化１１】
0003892932.tif 000023
（式中、R5は炭素数１乃至８のアルキル基、置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル基、アセトキシ基などである。）
で表わされるオレフィン化合物を不斉ヒドロホルミル化させることを特徴とする下記一般式（Ｂ）
【化１２】
0003892932.tif 000024
（式中、R5は前記と同義である。）で表わされる光学活性α−メチルアルデヒド化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ホスフィン誘導体、それをポリマー形成モノマーの基として構造単位を有するポリマー、それらのロジウムのような遷移金属との遷移金属錯体にも関する。また、本発明は、不斉ヒドロホルミル化反応における有用な触媒として利用できるこれら遷移金属錯体の存在下にて光学活性体を得る方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、多くの遷移金属錯体が有機合成反応の触媒として使用されており、特に、貴金属錯体は安定で取り扱いが容易であるため、高価であるに関わらず広く利用されている。これらの貴金属錯体などの遷移金属錯体を触媒とする多くの合成の研究がなされており、これまでの手段では不可能とされていた不斉反応を含む有機合成反応を可能にした数多くの報告がなされている。
【０００３】
このような不斉触媒に用いられる光学活性な配位子には種々のタイプのものがあるが、遷移金属−ホスフィン錯体を用いる不斉ヒドロホルミル化反応に注目してみると、その中で最も優れた不斉認識を持つものの一つに2-ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフタレン-2'-イルオキシ（1,1'- ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ）ホスフィン（以下、単に「ＢＩＮＡＰＨＯＳ」という）配位子がある。そしてこのＢＩＮＡＰＨＯＳを配位子とするＲｈ錯体は不斉炭素−炭素結合生成反応であるオレフィンへのヒドロホルミル化反応を行っている報告例がある（特開平６−２６３，７７６号公報、特開平６−３１６，５６０号公報）。
【０００４】
しかしながら、高価な触媒は回収できないか、又は常に望ましくない損失を伴う複雑な分離法によってのみ回収することができる。さらに、これらの触媒は、回収された均一な触媒の再利用は不可能であるか及び／又は不経済である。このため、容易に分離及び再利用でき、繰り返しの使用で、その活性及び特に選択性が大きく保持される触媒が求められてきた。
【０００５】
合成キラル高分子は、ラセミ体の分離用媒体、不斉合成用試薬、触媒などへの応用が広く研究されており、これらキラル高分子のもつ種々の機能の中で不斉識別に関する研究は最近進展がめざましい分野である。特に立体選択的有機反応への応用では、高分子により構築される特異な反応場を用いる点で一般の均一系反応とは異なる方法となりうる。
【０００６】
高分子試薬または高分子触媒を有機合成に用いた場合、生成物の分離が容易になる、試薬あるいは触媒の再使用が可能となるといった点で工業化プロセスの改良できる利点がある。
【０００７】
例えば、光学活性なアミノ酸に4-ビニルベンゼンスルホニルクロリドを反応させ、キラルモノマーとした後、スチレンとジビニルベンゼンを用いて高分子化しキラルポリマーとし、
【０００８】
【化１３】
0003892932.tif 000002
【０００９】
この高分子配位子とジボランを反応し、高分子担持キラルオキサボロリジノンとし、これをルイス酸触媒として用いシクロペンタジエンとメタクロレインのディールス- アルダー反応を行っている報告例がある（S. Itsuno ら、Tetrahedron:Asymmetry 1995年、6 巻、2547頁）。
【００１０】
また、マンガン−サレン錯体を高分子化し、
【００１１】
【化１４】
0003892932.tif 000003
【００１２】
オレフィン類の不斉エポキシ化反応に用いた報告例がある（S. Sivaramら、Tetrahedron:Asymmetry 1995年、6 巻、2105頁）。
【００１３】
さらに、光学活性2-p-スチリル-4,5- ビス[ （ジベンゾホスホリル）メチル］1,3-ジオキソランとスチレンとから共重合しキラルポリマーとし、
【００１４】
【化１５】
0003892932.tif 000004
【００１５】
この高分子配位子に塩化白金を配位させ、塩化スズ存在下スチレンのヒドロホルミル化反応を行っている報告例がある（J. K. Stilleら、J. Org. Chem.,1986年、51巻、4189頁）。
【００１６】
しかし、いずれも、触媒活性が充分ではなかったり、モノマーを用いて反応したときよりも不斉収率が低くなったりして工業化するには至っていない。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、不斉合成反応の触媒として、触媒活性、不斉収率などの点で満足する結果を示す高分子担持配位子が望まれていた。本発明は、これらの要望を満足せしめることを課題とするものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
ビナフチル骨格の２' 位にジアリールホスフィノ基を有し、２位がホスファイト、６位がビニル基、ホスファイト部にビナフチル又はビフェニル骨格を持つモノマーを合成し、スチレン誘導体とジビニルベンゼン誘導体との共重合体とした。この高分子配位子は、不斉触媒反応に用いられる配位子として優れたものであることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【００１９】
すなわち、本発明は、下記一般式（Ｉ）
【００２０】
【化１６】
0003892932.tif 000005
【００２１】
（式中、Arは置換基を有していても良いフェニル基、置換基を有していても良いナフチル基であり；R1, R2は互いに独立して、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化置換低級アルキル基又はベンジルオキシ基であり；R3は、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化置換低級アルキル基又はベンジルオキシ基であるか；あるいはR2とR3が一緒になって炭化水素環を形成していても良く；炭化水素環には、置換基として、低級アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、ハロゲン化低級アルキル基、ベンジルオキシ基、ビニル基を有していても良い。）
で表される6-ビニル-2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ（1,1'- ビフェニレン-2,2'-ジイルオキシ）ホスフィン誘導体を提供することである。
【００２２】
また、下記一般式（ＩＩＩ）
【００２３】
【化１７】
0003892932.tif 000006
【００２４】
（式中、R1, R2, R3, Arは、前記と同義であり；k は２〜１００の整数である。）
で示される6-ビニル-2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ（1,1'- ビフェニレン-2,2'-ジイルオキシ）ホスフィン誘導体の構造単位を有するオリゴマー或いはポリマーを提供することである。
【００２５】
また、本発明は、一般式（Ｉ）の化合物並びに一般式（ＩＩＩ）のポリマーに、遷移金属化合物を作用させることにより得られる遷移金属錯体を提供することである。
【００２６】
さらに、本発明の別の目的は、当該遷移金属錯体の存在下、下記の一般式（Ａ）
【００２７】
【化１８】
0003892932.tif 000007
【００２８】
（式中、R5は炭素数１乃至８のアルキル基、置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル基、アセトキシ基などである。）
で表わされるオレフィン化合物を不斉ヒドロホルミル化させることを特徴とする下記一般式（Ｂ）
【００２９】
【化１９】
0003892932.tif 000008
【００３０】
（式中、R5は前記と同義である。）で表わされる光学活性α−メチルアルデヒド化合物の製造方法を提供することである。
【００３１】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の化合物（Ｉ）において、Arは置換基を有していても良いフェニル基、置換基を有していても良いナフチル基である。ここで置換基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基、フッ素、クロル、ブロムなどのハロゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、トリフルオロメチル、トリクロロメチルなどのハロゲン化低級アルキル基またはベンジルオキシ基を例示することができる。好ましい具体例としてのArは、フェニル、4-トリル、4-メトキシフェニル、3,5-キシリル、ナフチルなどが挙げられる。
【００３２】
R1, R2は水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基、フッ素、クロル、ブロムなどのハロゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、トリフルオロメチル、トリクロロメチルなどのハロゲン化低級アルキル基またはベンジルオキシ基を例示することができる。
【００３３】
R3はメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基、フッ素、クロル、ブロムなどのハロゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、トリフルオロメチル、トリクロロメチルなどのハロゲン化低級アルキル基またはベンジルオキシ基を例示することができる。
【００３４】
R2とR3とで一緒になって炭化水素環を形成する例としては、炭化水素環を形成し、置換基を有していても良いベンゼン環またはシクロヘキサン環が例示できる。ここで置換基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、イソブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基、フッ素、クロル、ブロムなどのハロゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコキシ基、トリフルオロメチル、トリクロロメチルなどのハロゲン化低級アルキル基、ベンジルオキシ基またはビニル基を例示することができる。
【００３５】
本発明の化合物（Ｉ）は、例えば、次の反応式によって示される方法により製造される。なお、この反応式は、（Ｉ）中、Arがフェニル、R1が水素原子、R2とR3とで炭化水素環を形成しベンゼン環のものを例に取り示す。
【００３６】
【化２０】
0003892932.tif 000009
【００３７】
光学活性なビナフトール(VII) を出発原料に、文献（M. Vondenhof and J. Mattay ,Tetrahedron Lett., 1990 年、31巻、 985-988頁、 L. Kurz, G. Lee, D. Morgans, Jr., M. J. Waldyke and T. Ward, Tetrahedron Lett., 1990 年、31巻、6321-6324 頁 )および文献（Y. Uozumi, A. Tanahashi, S.-Y. Lee, and T. Hayashi, J. Org. Chem., 1993 年、 58 巻、1945-1948 頁）に記載の方法で、ビナフトール(VII) を、無水トリフロロメタンスルホン酸（Ｔｆ2 Ｏ）、ピリジンを用い、塩化メチレン中で反応させて、2,2'- ビス（トリフロロメタンスルホニルオキシ）-1,1'-ビナフチル(VIII)に誘導した後、これに触媒量のＰｄ−ホスフィン錯体の存在下に、ジフェニルホスフィンオキシド（Ｐｈ2 ＰＨＯ）を反応せしめて 2'-ジフェニルホスフィニル- 2-トリフロロメタンスルホニルオキシ-1,1'-ビナフチル (IX) を合成することが出来る。水酸化リチウム（ＬｉＯＨ）で加水分解して 2'-ジフェニルホスフィニル- 2-ヒドロキシ-1,1'-ビナフチル(X) とし、ジオキサン中臭素化すると2'- ジフェニルホスフィニル- 2-ヒドロキシ- 6-ブロモ-1,1'-ビナフチル (XI) が得られる。トリクロロシラン（ＨＳｉＣｌ3 ）で還元して2'- ジフェニルホスフィノ- 2-ヒドロキシ- 6-ブロモ-1,1'-ビナフチル(XII) とした後、文献（Y. Miyaura, A. Suzuki, J. C. S. Chem. Commun., 1979 年、866 頁）記載の方法でPd触媒を用いて2-ビニル-5,5- ジメチル-1, 3-ジオキサ-2- ボリナンを反応させて 2'-ジフェニルホスフィノ- 2-ヒドロキシ- 6-ビニル-1,1'-ビナフチル(XIII)とする。
【００３８】
最後に、光学活性なビナフトール(VII) と三塩化リンを加熱する製法などにより得られた1,1'- ビナフタレン-2,2'-ジオキシクロロホスフィン(XIV) と上記で得た 2'-ジフェニルホスフィノ- 2-ヒドロキシ- 6-ビニル-1,1'-ビナフチル(XIII)とを反応することにより、目的物である2'- ジフェニルホスフィノ-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ（1,1'- ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ）ホスフィン (XV) が得られる。
【００３９】
上記方法は、 Ar がフェニル、R1水素原子、R2とR3とで炭化水素環を形成しベンゼン環のもの以外の（Ｉ）の化合物を得るためにも同様に利用できるものである。
【００４０】
このようにして得られる本発明の化合物（Ｉ）は、配位子として遷移金属と共に錯体を形成する。この錯体を形成する金属としては、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、コバルト、ニッケルなどが挙げられ、形成される錯体としては、例えば以下のものが挙げられる。なお、以下に示す遷移金属錯体の式中において、Ｌは本発明化合物（Ｉ）、ｃｏｄは1,5-シクロオクタジエンを、ｎｂｄはノルボナジエンを、Ｐｈはフェニルを、Ａｃはアセチルを、ＯＡｃはアセトキシを、ａｃａｃはアセチルアセトナートをそれぞれ示す。また、Ｌは本発明化合物（Ｉ）の典型例として、(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ［(S)- 1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ］ホスフィンを示す。
【００４１】
ロジウム錯体：
ロジウム錯体の形成のために錯体前駆体として用いられるロジウム化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
RhCl3, RhBr3, RhI3, [Rh(cod)Cl]2, [Rh(cod)Br]2, [Rh(cod)I]2, [Rh(nbd)Cl]2,[Rh(nbd)Br]2, [Rh(nbd)I]2, [Rh(cod)(OAc)]2,  [Rh(nbd)(OAc)]2, Rh(cod)(acac),Rh(nbd)(acac), Rh(CO)2(acac), [Rh(CO)2Cl]2, [Rh(CO)2Br]2, [Rh(CO)2I]2,[Rh(cod)2]BF4, [Rh(cod)2]ClO4, [Rh(cod)2]PF6, [Rh(cod)2]BPh4, [Rh(nbd)2]BF4,[Rh(nbd)2]ClO4, [Rh(nbd)2]PF6, [Rh(nbd)2]BPh4 
【００４２】
具体的にロジウム錯体を製造するには、文献(N. Sakai, S. Mano, K. Nozaki, H. Takaya, J Am. Chem. Soc., 1993年、115 巻、7033頁）に記載の方法に従って、例えば、ジカルボニルアセチルアセトナートロジウム（Rh(CO)2(acac) ）と本発明の（Ｉ）とを反応せしめれば良い。得られるロジウム錯体の具体例としては、例えば以下のものを挙げることができる。
【００４３】
Rh(acac)(L)
Rh(cod)Cl(L)
Rh(nbd)Cl(L)
Rh(cod)Br(L)
Rh(nbd)Br(L)
Rh(cod)(L)
Rh(nbd)(L)
Rh(OAc)(L)
RhH(CO)(L)
[Rh(cod)(L)]ClO4
[Rh(cod)(L)]BF4 
[Rh(cod)(L)]PF6 
[Rh(nbd)(L)]ClO4
[Rh(nbd)(L)]BF4 
[Rh(nbd)(L)]PF6 
【００４４】
パラジウム錯体：
パラジウム錯体の形成のために錯体前駆体として用いられるパラジウム化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
PdCl3, PdBr3, PdI3, [(π- allyl)PdCl]2, [(π- allyl)PdBr]2, [(π- allyl)PdI]2, [( π-mathallyl)PdCl]2, [( π-methallyl)PdBr]2, [( π-methallyl)PdI]2, PCl2(CH3CN)2, PdBr2(CH3CN)2, PdI2(CH3CN)2, PCl2(C6H5CN)2, PdBr2(C6H5CN)2, PdI2(C6H5CN)2, PdCl2(cod), PdBr2(cod), PdI2(cod), PdCl2(nbd), PdBr2(nbd), PdI2(nbd), Pd(OAc)2, Pd(acac)2
【００４５】
パラジウム錯体は、文献（Y. Uozumi and T. Hayashi, J. Am.Chem. Soc.,1991 年, 113 巻, 9887頁.)に記載の方法に従って、 Lとπ- アリールパラジウムクロリド（[(π-allyl)PdCl]2 ）を反応させることにより調製できる。パラジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００４６】
PdCl2(L)
( π-allyl)Pd(L)
[Pd(L)]ClO4 
[Pd(L)]PF6
[Pd(L)]BF4
【００４７】
白金錯体：
白金錯体の形成のために錯体前駆体として用いられる白金化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
PtCl3, PtBr3, PtI3, PtCl2(cod), PtBr2(cod), PtI2(cod), PtCl2(nbd), PtBr2(nbd), PtI2(nbd), Pt(acac)2 ,K2PtCl4, PtCl2(CH3CN)2, PtBr2(CH3CN)2, PtI2(CH3CN)2, PtCl2(PhCN)2, PtBr2(PhCN)2, PtI2(PhCN)2 
【００４８】
白金錯体は、文献(G. Consiglio, S. S. A. Nefkens, A. Borer, Organometallics, 1991年、10巻、2046頁）に記載の方法に従って、ジベンゾニトリルジクロル白金（PtCl2(PhCN)2）と(I) とをベンゼン中加熱撹拌することにより調製することができ、必要に応じてはルイス酸（SnCl2 など）を加えてもよい。白金錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００４９】
PtCl2(L)
PtCl2(SnCl2)(L)
PtCl(SnCl3)(L)
【００５０】
イリジウム錯体：
イリジウム錯体の形成のために錯体前駆体として用いられるイリジウム化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
IrCl3, IrBr3, IrI3, [Ir(cod)Cl]2, [Ir(cod)Br]2, [Ir(cod)I]2, [Ir(nbd)Cl]2, [Ir(nbd)Br]2,[Ir(nbd)I]2, [Ir(cod)(OAc)]2,  [Ir(nbd)(OAc)]2, Ir(cod)(acac), Ir(nbd)(acac), Ir(CO)2(acac), [Ir(CO)2Cl]2, [Ir(CO)2Br]2, [Ir(CO)2I]2, [Ir(cod)2]BF4, [Ir(cod)2]ClO4, [Ir(cod)2]PF6, [Ir(cod)2]BPh4, [Ir(nbd)2]BF4, [Ir(nbd)2]ClO4, [Ir(nbd)2]PF6, [Ir(nbd)2]BPh4, [Ir(cod)(CH3CN)2]BF4
【００５１】
イリジウム錯体は、文献（K. Mashima,T. Akutagawa, X. Zhang, T. TaketomiH.Kumobayashi, S. Akutagawa, J. Organomet. Chem., 1992年、428 巻、213 頁) に記載の方法に従って、 Lと［（１，５−シクロオクタジエン）（アセトニトリル）イリジウム］テトラフルオロホウ酸塩（[Ir(cod)(CH3CN)2]BF4）とを、テトラヒドロフラン中にて撹拌化することにより調製できる。イリジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００５２】
[Ir(cod)(L)]ClO4
[Ir(cod)(L)]PF6 
[Ir(cod)(L)]BF4 
[Ir(nbd)(L)]ClO4
[Ir(nbd)(L)]PF6 
[Ir(nbd)(L)]BF4 
Ir(cod)(L)Cl
Ir(nbd)(L)Cl
Ir(cod)(L)Br
Ir(nbd)(L)Br
Ir(cod)(L)
Ir(nbd)(L)
Ir(OAc)(L)
【００５３】
本発明は、さらに本発明の化合物（Ｉ）を重合し下記一般式（ＩＩＩ）
【００５４】
【化２１】
0003892932.tif 000010
【００５５】
（式中、R1, R2, R3, Arは、前記と同義であり；k は２〜１００の整数である。）
で示される6-ビニル-2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ（1,1'- ビフェニレン-2,2'-ジイルオキシ）ホスフィン誘導体の構造単位を有するオリゴマーあるいはポリマーよりなる。
【００５６】
特に好適なポリマーは、下記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）
【００５７】
【化２２】
0003892932.tif 000011
【００５８】
（式中、R1, R2, R3, Arは前記と同義であり； R4 は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲン原子であり；R6は水素原子、メチル基であり;kは２〜１００の整数であり； l及びm は０〜１０００の整数であり；（ｋ＋ｌ＋ｍ）＝１０〜１０００の範囲である。）
で示される化合物の構造単位を有するポリマーよりなる。
【００５９】
ポリマーを形成するモノマーは、化合物（ＩＩＩ）と好適にはスチレン誘導体（ＩＶ）、ジビニルベンゼン誘導体（Ｖ）よりなる群から選ばれる。
本発明のスチレン誘導体モノマー（ＩＶ）において、 R4 は水素原子、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチルなどの炭素数１乃至４の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数１乃至４の低級アルコキシル基、クロル、ブロムなどのハロゲン原子が挙げられる。
【００６０】
本発明のポリマー（ＩＩＩ）は、公知の重合法を用い製造することができる。重合反応は、溶液重合、懸濁重合等を用いることができる。
この重合反応は、ホスフィン誘導体（Ｉ）とスチレン誘導体及び／又はジビニルベンゼン誘導体とを、ポリビニルアルコール水溶液、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素、トルエンなどのハイドロカボーンに、懸濁又は溶解し、窒素又はアルゴンなどの不活性気体下で反応容器に仕込み、これにラジカル開始剤としとしては2,2'- アゾビス(2,4- ジメチルバレロニトリル）、アゾビスイソブチロニトリルなどのアゾ化合物もしくは過酸化物を加え、常圧で60〜100 ℃の温度で１時間〜２日間反応させることにより行われる。
【００６１】
本発明のポリマーでの、化合物（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）の混合割合はｋ, ｌ, ｍのモル比で表わされ、ｋ：ｌ：ｍ＝２〜１００：０〜１０００：０〜１０００である。好ましい混合割合としては、ｋ：ｌ：ｍ＝１〜１００：１００〜：０〜１０００まで用いることができる。
【００６２】
本発明のポリマーでの、化合物（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）の重合度はｋ, ｌ, ｍで表わされ、（ｋ＋ｌ＋ｍ）＝１０〜１０００の範囲である。
このようにして得られる本発明のポリマー（ＩＩＩ）は、配位子として遷移金属と共に錯体を形成する。この錯体を形成する金属としては、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、コバルト、ニッケルなどが挙げられ、形成される錯体としては、例えば以下のものが挙げられる。なお、以下に示す、遷移金属錯体の式中において、Ｌは本発明化合物（ＩＩＩ）のモノマー、ｃｏｄは1,5-シクロオクタジエンを、ｎｂｄはノルボナジエンを、Ｐｈはフェニルを、Ａｃはアセチルを、ＯＡｃはアセトキシを、ａｃａｃはアセチルアセトナートをそれぞれ示す。また、Ｌは本発明化合物（ＩＩＩ）の典型例として、(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ［(S)- 1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ］ホスフィン  モノマーを示す。更に、ｋは２〜１００の整数である。
【００６３】
ロジウム錯体：
ロジウム錯体の形成のために錯体前駆体として用いられるロジウム化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
RhCl3, RhBr3, RhI3, [Rh(cod)Cl]2, [Rh(cod)Br]2, [Rh(cod)I]2, [Rh(nbd)Cl]2,[Rh(nbd)Br]2, [Rh(nbd)I]2, [Rh(cod)(OAc)]2,  [Rh(nbd)(OAc)]2, Rh(cod)(acac),Rh(nbd)(acac), Rh(CO)2(acac), [Rh(CO)2Cl]2, [Rh(CO)2Br]2, [Rh(CO)2I]2,[Rh(cod)2]BF4, [Rh(cod)4]ClO4, [Rh(cod)4]PF6, [Rh(cod)2]BPh4, [Rh(nbd)2]BF4,[Rh(nbd)2]ClO4, [Rh(nbd)2]PF6, [Rh(nbd)2]BPh4 
【００６４】
具体的にロジウム錯体を製造するには、文献(N.Sakai, S. Mano, K. Nozaki, H. Takaya, J Am. Chem. Soc., 1993 年、115 巻、7033頁）に記載の方法に従って、例えばジカルボニルアセチルアセトナートロジウム（Rh(CO)2(acac) ）と本発明の（ＩＩＩ）とを反応せしめれば良い。得られるロジウム錯体の具体例としては、例えば以下のものを挙げることができる。
【００６５】
[Rh(acac)]k (L)
[Rh(cod)Cl] k (L)
[Rh(nbd)Cl] k (L)
[Rh(cod)Br] k (L)
[Rh(nbd)Br] k (L)
[Rh(cod)] k (L)
[Rh(nbd)] k (L)
[Rh(OAc)] k (L)
[RhH(CO)2]k (L)
[Rh k (cod) k (L)](ClO4)k 
[Rh k ( cod)k (L)](BF4) k 
[Rh k (cod) k (L)](PF6) k 
[Rh k (nbd) k (L)](ClO4)k 
[Rh k (nbd) k (L)](BF4) k 
[Rh k (nbd) k (L)](PF6) k 
【００６６】
パラジウム錯体：
パラジウム錯体の形成のために錯体前駆体として用いられるパラジウム化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
PdCl3, PdBr3, PdI3, [(π-allyl)PdCl]3, [( π-allyl)PdBr]2, [( π-allyl)PdI]2, [(π- mathallyl)PdCl]2, [(π-methallyl)PdBr]2, [( π-methallyl)PdI]2, PCl2(CH3CN)2, PdBr2(CH3CN)2, PdI2(CH3CN)2, PCl2(C6H5CN)2, PdBr2(C6H5CN)2, PdI2(C6H5CN)2, PdCl2(cod), PdBr2(cod), PdI2(cod), PdCl2(nbd), PdBr2(nbd), PdI2(nbd), Pd(OAc)2, Pd(acac)2
【００６７】
パラジウム錯体は、文献（Y. Uozumi and T. Hayashi, J. Am.Chem. Soc.,1991 年, 113 巻, 9887頁.)に記載の方法に従って、 Lとπ- アリールパラジウムクロリド（[(π-allyl)PdCl]2 ）を反応させることにより調製できる。パラジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００６８】
(PdCl2) k (L)
[(π-allyl)Pd]k (L)
[Pd k (L)](ClO4) k
[Pd k (L)](PF6) k 
[Pd k (L)](BF4) k 
【００６９】
白金錯体：
白金錯体の形成のために錯体前駆体として用いられる白金化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
PtCl3, PtBr3, PtI3, PtCl2(cod), PtBr2(cod), PtI2(cod), PtCl2(nbd), PtBr2(nbd), PtI2(nbd), Pt(acac)2 ,K2PtCl4, PtCl2(CH3CN)2, PtBr2(CH3CN)2, PtI2(CH3CN)2, PtCl2(PhCN)2, PtBr2(PhCN)2, PtI2(PhCN)2 
【００７０】
白金錯体は、文献(G. Consiglio, S. S. A. Nefkens, A. Borer, Organometallics, 1991年、10巻、2046頁）に記載の方法に従って、ジベンゾニトリルジクロル白金（PtCl2(PhCN)2）と（ＩＩＩ）とをベンゼン中加熱撹拌することにより調製することができ、必要に応じてはルイス酸（SnCl2 など）を加えてもよい。白金錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００７１】
[PtCl2] k (L)
[PtCl2(SnCl2)]k (L)
[PtCl(SnCl3)] k (L)
【００７２】
イリジウム錯体：
イリジウム錯体の形成のために錯体前駆体として用いられるイリジウム化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
IrCl3, IrBr3, IrI3, [Ir(cod)Cl]2, [Ir(cod)Br]2, [Ir(cod)I]2, [Ir(nbd)Cl]2, [Ir(nbd)Br]2,[Ir(nbd)I]2, [Ir(cod)(OAc)]2,  [Ir(nbd)(OAc)]2, Ir(cod)(acac), Ir(nbd)(acac), Ir(CO)2(acac), [Ir(CO)2Cl]2, [Ir(CO)2Br]2, [Ir(CO)2I]2, [Ir(cod)2]BF4, [Ir(cod)2]ClO4, [Ir(cod)2]PF6, [Ir(cod)2]BPh4, [Ir(nbd)2]BF4, [Ir(nbd)2]ClO4, [Ir(nbd)2]PF6, [Ir(nbd)2]BPh4, [Ir(cod)(CH3CN)2]BF4
【００７３】
イリジウム錯体は、文献（K. Mashima,T. Akutagawa, X. Zhang, T. Taketomi, H.Kumobayashi, S. Akutagawa, J. Organomet. Chem., 1992年、428 巻、213 頁) に記載の方法に従って、 Lと［（１，５−オクタジエン）（アセトニトリル）イリジウム］テトラフルオロホウ酸塩（[Ir(cod)(CH3CN)2]BF4）とを、テトラヒドロフラン中にて撹拌化することにより調製できる。イリジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【００７４】
[Ir k (cod) k (L)](ClO4)k 
[Ir k (cod) k (L)](PF6) k 
[Ir k (cod) k (L)](BF4) k 
[Ir k (nbd) k (L)](ClO4)k 
[Ir k (nbd) k (L)](PF6) k 
[Ir k (nbd) k (L)](BF4) k 
[Ir(cod)] k (L)Cl k 
[Ir(nbd)] k (L)Cl k 
[Ir(cod)] k (L)Br k 
[Ir(nbd)] k (L)Br k 
[Ir(cod)] k (L)
[Ir(nbd)] k (L)
[Ir(OAc)] k (L)
【００７５】
上記のようにして、本発明の（Ｉ）あるいは（ＩＩＩ）の構造単位からなるポリマー、または（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、 (Ｖ) の構造単位からなるポリマーと遷移金属化合物から得られた遷移金属錯体は、不斉合成用触媒として利用することができ、例えば、下に示すオレフィン化合物（Ａ）を一酸化炭素、水素圧力下に反応させて、光学活性α- メチルアルデヒド化合物（Ｂ）を製造する方法（ヒドロホルミル化反応）の触媒として用いることができる。
【００７６】
【化２３】
0003892932.tif 000012
【００７７】
（式中、R5は炭素数１乃至８のアルキル基、置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル基、アセトキシ基などを示す。）
【００７８】
即ち、上記反応においては、ホスフィン誘導体（Ｉ）及びオリゴマー或いはポリマー（ＩＩＩ）の（Ｒ），（Ｓ）−体（Ｓ），（Ｒ）−体のもののいずれか一方を選択し、これを配位子とした遷移金属錯体を触媒として用いることにより、光学活性体を合成することができ、所望する絶対配置の目的物を得ることができる。  上記反応の出発原料であるオレフィン化合物（Ａ）の基R5の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチルなどのアルキル基、フェニル、２−，３−もしくは４−メトキシフェニル、２−，３−もしくは４−クロロフェニル、２−，３−もしくは４−フルオロフェニル、２−，３−もしくは４−トリフルオロメチルフェニル、２−，３−もしくは４−トリルなどの置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル基、アセトキシ基、フタロイル基などが挙げられる。
【００７９】
一方、反応に使用される溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、アセトンなどを用いることができる。
【００８０】
上記反応において、用いられる触媒の量は、（ＩＩ）、（ＶＩ）、あるいは（ＶＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）の構造単位からなる遷移金属化合物において、０．０１乃至１０ｍｏｌ％程度であり、好ましくは０．０５乃至５ｍｏｌ％程度である。
【００８１】
更に反応は、通常、１０〜１００℃程度の温度、好ましくは、２０〜５０℃程度の温度で、１０分から３０時間程度で、２〜１２０気圧程度の一酸化炭素、水素圧で反応させることにより、終了するが、これらの条件は使用される反応物質などの量により適宜変更しうる。
【００８２】
反応後、本発明の（ＶＩ）、あるいは（ＶＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）の構造単位からなるポリマーの遷移金属化合物は、簡単な方法、例えば遠心分離、濾過によって、反応物から、実際上完全に分離することができ、この際回収した触媒は、再利用することができる。
【００８３】
【実施例】
以下に実施例を挙げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。
なお、各実施例における物性の測定に用いた装置は次の通りである。
1H  NMR    JEOL  JMN-EX-270  (270  MHz)
31P  NMR    JEOL  JMN-EX-270  (109  MHz)
旋光度    日本分光  DIP-360
GLC       島津製作所  GC-15A
MASS      島津製作所  QP-1000
【００８４】
【実施例１】
(R)-2'- ジフェニルホスフィニル-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン- 2-イルオキシ［(S)-1,1'- ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシホスフィンの合成
【００８５】
（１） (R)-2,2'-ビス[ トリフルオロメタンスルホニルオキシ]-1,1'- ビナフチルの合成
(R)-ビナフトール 36.2 g （127 mmol）、ピリジン 25.2 g (319 mmol)を塩化メチレン 181 ml に溶かし、0 ℃に冷却する。そこへ、無水トリフラート 76.5 ml(271 mmol)を滴下し、その後室温で18時間撹拌する。反応混合物に2N塩酸200ml を加えて洗浄する。有機層を水、食塩水で洗った後、溶媒を留去すると69.3 gの粗生成物が得られた。ヘキサン 280 ml から再結晶すると 64.1 g ( 収率92 %) で得られた。
1H NMR (CDCl3)  δ 7.25 - 8.15 (m, aromatic)
【００８６】
（２）(R)-2'- ジフェニルホスフィニル-2-[トリフルオロメタンスルホニルオキシ]-1,1'- ビナフチルの合成
(R)-2,2'- ビス[ トリフルオロメタンスルホニルオキシ]-1,1'- ビナフチル11 g (20mmol) 、酢酸パラジウム 0.225 g (50 mol%)、1,4-ビス（ジフェニルホスフィノ) プロパン 0.43 g(50 mol%)をジメチルスルホキシド 100 ml に溶かし室温で1.5 時間撹拌する。そこへジフェニルホスフィンオキシド 8.08 g (40 mmol) 、ジイソプロピルエチルアミン 20 mlをジメチルスルホキシド 100 ml に溶かした溶液を加え、100 ℃で12時間撹拌した。反応混合物を室温まで冷却し、塩化メチレン 75 mlを加えた。この溶液を氷浴中で冷却し、2N塩酸 100 ml をゆっくり滴下し、室温で 30 分撹拌した。分液後、水層を塩化メチレンで抽出した。有機層を集め水洗したあと、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー( ヘキサン- 酢酸エチル、4 : 1 〜 1 : 4) で精製したところ、表題化合物が11.5 g( 収率 96 %)黄白色の結晶として得られた。
[ α] D 24  44.45 ゜ (c 0.50, CHCl3)
1H NMR (CDCl3)  δ  7.0-8.01(m, aromatic)
31P NMR (CDCl3)   δ  28.73 (s)
【００８７】
（３）  (R)-2'- ジフェニルホスフィニル- 2-ヒドロキシ-1,1'-ビナフチルの合成
(R)-2'-ジフェニルホスフィニル-2-[トリフルオロメタンスルホニルオキシ]-1,1'- ビナフチル 11.5 g (19.2 mmol) 、水酸化リチウム・一水和物2.42 g (57.6 mmol)、テトラヒドロフラン (75 ml)  精製水 (25 ml)を加えて一晩かき混ぜた。減圧下にてTHF を留去し、トルエン(30 ml) 、2N塩酸(50 ml) を加えかき混ぜた。分液後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。表題化合物が9.03 g（収率100%）得られた。
【００８８】
（４）(R)-6-ブロモ-2'-ジフェニルホスフィニル-2- ヒドロキシ-1,1'-ビナフチルの合成
(R)-2'- ジフェニルホスフィニル- 2-ヒドロキシ-1,1'-ビナフチル4 g (8.49 mmol) をジオキサン150 ml中に溶かし、臭素1.75 ml (34 mmol) 、ジオキサン20 ml の溶液を5 ℃で滴下した。室温で2 時間撹拌後チオ硫酸ナトリウム水溶液で中和した後、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下にて溶媒を留去したところ黄色の固体が得られた。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（塩化メチレン/ 酢酸エチル = 1 / 1）で精製すると表題化合物が4.06 g（収率87% ）で得られた。
1H NMR (CDCl3)  δ   9.05 (bs, 1H), 7.95-7.17(m, 2H),7.65-7.53(m, 7H),7.42-7.32(m, 2H), 7.26-7.17(m, 2H), 7.06-6.88(m, 3H), 6.81-6.72(m, 2H),6.27(d, J = 8.91, 1H)
31P NMR (CDCl3) δ  31.26(s)
【００８９】
（５）(R)-6-ブロモ-2'-ジフェニルホスフィノ-2- ヒドロキシ-1,1'-ビナフチルの合成
(R)-6-ブロモ-2'-ジフェニルホスフィニル-2- ヒドロキシ-1,1'-ビナフチル3.09 g、(5.63 mmol) をキシレン40 ml に溶かし、トリエチルアミン15.7 ml (112 mmol)加えた。トリクロロシラン5.7 ml (56.4 mmol)を加えた後、110 ℃で22時間撹拌した。飽和重曹水を加えて反応を停止した後、塩をろ別しトルエンで洗浄した。有機層を分液後無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製すると表題化合物が1.94 g、（65% 収率）で得られた。
1H NMR (CDCl3)  δ 7.96-7.80(m, 4H),7.52-7.43(m,2H), 7.33-6.98(m, 14H),6.55(d, J = 8.91, 1H), 4.62(s, 1H)
31P NMR (CDCl3)   δ  -12.82(s)
【００９０】
（６）(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-2- ヒドロキシ-6- ビニル-1,1'-ビナフチルの合成
(R)-6-ブロモ-2'-ジフェニルホスフィノ-2- ヒドロキシ-1,1'-ビナフチル1.0 g 、(1.88 mmol) 、Pd(PPh3)4 210 mg（0.182 mmol）、2-ビニル-5,5- ジメチル-1, 3-ジオキサ-2- ボリナン 0.4 ml （2.87 mmol)、リン酸三カリウム一水和物0.965 g （4.54 mmol)をジメチルホルムアミド12 ml に溶かし80℃で16時間撹拌した。反応混合物を水で希釈し、ジエチルエーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製すると表題化合物が618 mg（68% 収率）で得られた。
1H NMR (CDCl3)  δ 7.95-7.86(m, 3H),7.72(bs, 1H), 7.54-7.01(m, 16H),6.79(dd, J = 17.15, 10.55, 1H), 6.69(d, J = 8.91Hz, 1H),5.70(d, J = 17.15,1H), 5.22(d, J = 10.55, 1H), 4.53(s,1H)
31P NMR (CDCl3)  d  -13.01(s)
【００９１】
（７）(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ［(S)- 1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ］ホスフィンの合成
(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-2- ヒドロキシ-6- ビニル-1,1'-ビナフチル1.55 g(3.23 mmol) と(S)-1,1'- ビナフタレン-2,2'-ジオキシクロロホスフィン1.55 g（3.23mmol) をエーテル25 ml に溶かし、トリエチルアミン0.92 ml (6.6 mmol)を0 ℃で加え、室温で24時間かき混ぜた。氷水を加え分液後、エーテルで抽出し有機層を集めて無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン/ 塩化メチレン = 1 / 1）で精製すると表題化合物が1.78 g（69% 収率）で得られた。
1H NMR (CDCl3)  δ 8.06-7.87(m, 5H),7.74-7.71 (m, 2H), 7.57-7.91(m, 24H), 6.78(dd, J = 17.48, 10.89Hz, 1H), 6.62(d, J = 8.90Hz, 1H), 5.99(d, J = 8.90, 1H), 5.99(d, J = 8.90Hz, 1H), 5.69 (d, J = 17.48, 1H), 5.25 (d, J = 10.89Hz)
31P NMR (CDCl3) δ  146.04 (d, J = 30.5), -13.21 (d, J = 30.5)
【００９２】
【実施例２】
（１）懸濁共重合
0.4%ポリビニルアルコール水溶液を良く撹拌し、そこへ(R) -2'-ジフェニルホスフィニル-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ［(S)- 1,1'-ビナフタレン- 2,2'- ジイルオキシ］ホスフィン100 mg (0.126 mmol) 、スチレン0.45 ml (3.93 mmol) 、ジビニルベンゼン0.035 ml (0.135 mmol) 、2,2'- アゾビス(2,4- ジメチルバレロニトリル( 以下、V-65と略す)20.2 mg (0.0813 mmol)とをトルエン0.75mlに溶かしたものを80℃で加えた。反応混合物を400 回転/ 分の回転速度で24時間撹拌した。得られたポリマーを瀘別し、水、メタノールで洗浄後減圧下にて乾燥し、淡黄色の固体物質として得た。
【００９３】
（２）クロロホルム中での溶液共重合
(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ［(S)-1,1'- ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ］ホスフィン100 mg (0.126 mmol) 、スチレン0.42 ml (3.66 mmol) 、ジビニルベンゼン0.11 ml (0.424 mmol)、V-65 20.1 mg(0.081 mmol)とクロロホルム1. 5 ml を20 ml のシュレンク管に入れ、70℃で5 時間加熱した。固化した反応混合物にメタノールを加えると白色沈殿が生成し、これをろ別後メタノール、トルエンで洗浄後減圧下にて乾燥をし、淡黄色の固体物質として得た。
【００９４】
（３）トルエン中での溶液共重合
(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ［(S)-  1,1'- ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ］ホスフィン100 mg (0.126 mmol) 、スチレン0.42 ml (3.66 mmol) 、ジビニルベンゼン0.11 ml (0.424 mmol)、V-65 20.1 mg(0.081 mmol)とトルエン1. 5 ml を20 ml のシュレンク管に入れ、70℃で5 時間加熱した。固化した反応混合物にメタノールを加えると白色沈殿が生成し、これをろ別後メタノール、トルエンで洗浄後減圧下にて乾燥し、淡黄色の固体物質として得た。
【００９５】
【実施例３】
ポリマーとロジウムジカルボニルアセチルアセトナートとの反応
20mlのシュレンク管にロジウムジカルボニルアセチルアセトナート（Rh(acac)(CO)2 ）6.6 mg (0.0226 mmol)と実施例２で得られたポリマー 476 mg （モノマー換算で0.103 mmol含有）、ベンゼン3.5ml を加え、60℃で１日加熱撹拌した。反応混合物を凍結乾燥した後、MeOHで洗浄後減圧下にて乾燥し、黄燈色の固体物質として得た。
【００９６】
【実施例４】
スチレンの不斉ヒドロホルミル化反応
50 ml のステンレスオートクレーブに実施例３で合成したRh錯体 15 mg（Rh 0.0031 mmol含有）, スチレン0.71 ml (6.20 mmol) 、ベンゼン0.35ml加え、一酸化炭素50 atm、水素50 atm圧力下、60℃で40時間撹拌した。反応混合物を少量抜き取り濾過することによって触媒を除去し、1H NMR分析で変換率を求めたたところ97% であった。α- メチルフェニルアセトアルデヒドとジヒドロ桂皮アルデヒドの生成比（位置選択性）は 94 : 6 であった。Jones 酸化によってカルボン酸とした後、キラルなカラム（Chrompack Cp-Cyclodex β-236M)を用いたＧＣ分析によって不斉収率を測定したところ82% eeであった。
【００９７】
【実施例５】
触媒の再使用
50 ml のガラス製プレッシャーボトルに実施例３で合成したRh錯体63mg(Rh 0.0031 mmol 含有）, スチレン0.71 ml (6.20 mmol) 、ベンゼン0.35 ml 加え、一酸化炭素2.5 atm 、水素2.5 atm 圧力下、60℃で3 時間撹拌した。変換率は41% 、位置選択性は 88 : 12、不斉収率は86% eeであった。
反応終了後、生成物と基質を含むベンゼン溶液の上澄みをアルゴン下、シリンジで抜き取った。ベンゼンで洗浄した後、スチレン0.71 ml (6.20 mmol) 、ベンゼン0.35 ml 加え同様に触媒反応を行った。変換率は48% 、位置選択性は 90 : 10、不斉収率は86% eeであった。
【００９８】
【発明の効果】
本発明のポリマーは、不斉合成用配位子として優れたもので、ロジウム、イリジウムなどの遷移金属錯体と同時に用いると、不斉ヒドロホルミル化反応の触媒として、優れた性能を示すばかりか、ほとんどの溶媒に不溶であるため、濾過することによって容易に生成物と触媒の分離が可能となり、工業化触媒として優れたものである。