(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に堆積した透明電極と、前記透明電極上に積層した電界発光（ＥＬ）層と、前記電界発光層上に積層した反射電極とを含むＥＬ素子の配列と、
前記ＥＬ素子の各々を被覆する角錐台形状又は円錐台形状の透明体と、
前記透明体の表面に堆積された反射膜とを含み、
前記ＥＬ素子を画像信号に応じて発光させることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
透明基板上に堆積した透明電極と、前記透明電極上に積層した電界発光（ＥＬ）層と、前記電界発光層上に積層した反射電極とを含むＥＬ素子の配列と、
前記ＥＬ素子の各々を被覆する透明体と、
前記透明体の表面に堆積された反射膜とを含み、
前記透明基板とＥＬ素子を画像信号に応じて発光させる表示装置であって、
前記透明体の一部の表面の曲率は正であり、前記透明基板と接触する部分の曲率は負であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
前記透明体による凹面鏡の焦平面を前記ＥＬ素子内部に位置させることを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記ＥＬ素子毎にそのＥＬ素子を発光させる駆動素子を更に含み、前記ＥＬ素子及び前記駆動素子とを前記透明体によって被覆することを特徴とする請求項１又は２記載の表示素子。
【請求項５】
前記透明体の間を埋める絶縁物質と、前記絶縁物質上に形成された配線とを更に備え、
前記配線を、前記ＥＬ素子の反射電極及び透明電極に接続することを特徴とする請求項１又は２記載の表示素子。
【請求項６】
前記透明体の間を埋める絶縁物質と、前記絶縁物質上に形成された配線とを更に備え、
前記配線を、前記駆動素子に接続することを特徴とする請求項４記載の表示素子。
【請求項７】
前記透明基板と前記透明電極との間に、シリカエアロゲル層を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項８】
前記透明基板と前記透明電極との間にハーフミラーを設け、前記ハーフミラーと前記反射電極との間の光路長を発光波長と等しくすることを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項９】
前記透明基板と前記透明電極との間にハーフミラーを設け、前記ハーフミラーと前記反射電極との間の光路長を発光波長の１／２の整数倍とすることを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項１０】
前記反射電極と前記ＥＬとの間に光吸収層を設け、
前記光吸収層の屈折率は、前記ＥＬ層の屈折率より低いことを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項１１】
前記ＥＬ層上に電子輸送層を設け、更に前記電子輸送層上に光吸収層を設けて前記反射電極に接触させ、
前記光吸収層の屈折率は、前記電子輸送層の屈折率より低いことを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項１２】
前記透明基板と前記透明電極との間に、エアーギャップを設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置に関し、特に、表示画素である電界発光（ＥＬ）素子から発光された光を高い効率で外部に取り出すことができる表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、同一の基板上に複数のＥＬ素子を２次元に配列した表示装置が知られている。この表示装置において、おのおののＥＬ素子から発光された全光量のうち外部に取り出すことができる光量の比率はそれほど大きくなかった。
【０００３】
このような従来のＥＬ素子の基本構造を図２５に概略断面図として示す。図２５において、ＥＬ素子６００は、透明基板５５０上に、透明電極５２０、電界発光（ＥＬ）層５１０及び反射電極５００をこの順に積層することによって形成されている。図２５に示すＥＬ素子において、ＥＬ層５１０から発した光は、透明基板５５０と透明電極５２０との境界Ｂ１、及び透明基板５５０と空気との境界Ｂ２で全反射する。ここで、たとえば、透明電極５２０の屈折率を１．８、透明基板５５０の屈折率を１．５とすると、境界Ｂ１における全反射のためにＥＬ素子６００内に閉じ込められる光量は、全発光光量の約５１％となる。一方、境界Ｂ２における全反射のためにＥＬ素子６００内に閉じ込められる光量は、全発光光量の約３２％である。従って、透明基板５５０から外部に取り出すことができる光量は、全発光光量の約１７％に過ぎなかった。
【０００４】
一方、上述した基本構造に、断面が台形状の透明体を付加して、光の取り出し効率を高めたＥＬ素子が、オプティクス・レターズ（Optics Letters），March 15（1997）pp.396-398に開示されている。図１６は、このＥＬ素子を示す概略断面図である。図１６において、図２５と同一の部材には同一の符号を付した。
【０００５】
図１６において、ＥＬ素子６００は、ＥＬ層５１０が反射電極５００と透明電極５２０とでサンドイッチされたサンドイッチ構造から成る。このＥＬ素子６００は、断面が台形状の透明体５４０上に積層されており、透明体５４０は透明基板５５０上に形成されている。このようなＥＬ素子を２次元表示装置に応用する場合には、透明体５４０の形状は、たとえば、四角錐台に形成される。そして、透明体５４０の斜面には反射膜１３０が形成されている。
【０００６】
図１６に示す構成において、透明体５４０の屈折率を透明電極の屈折率より大きくすれば、境界１で全反射は起こらない。一方、透明基板５５０と空気の境界２で全反射が生じてもその全反射光Ｉ2は反射膜５３０で反射されて、透明基板５５０の外部すなわち空気側に取り出される。又、透明体５４０と透明基板５５０との境界３で全反射が生じても、その全反射光Ｉ3は反射膜５３０で反射されて、透明基板５５０の外部に取り出される。尤も、ＥＬ層５１０から発し、透明電極５２０を透過して直接に反射膜５３０に当たる光が空気側に出ていくことは当然である。このようにして、ＥＬ層５１０から発した光を、より効率的に外部に取り出すことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の技術において、透明体５４０の斜面上の反射膜５３０が金属から成る場合には、透明電極５２０や反射電極５００に接触しないように形成しなくてはならず、反射膜の形成は容易ではなかった。また、図１６では図示していないが、ＥＬ素子６００の寿命を延ばすためには、ＥＬ層５１０を含むサンドイッチ構造を、外気に触れることがないように保護膜で覆う必要があった。図１６のＥＬ素子では、このような保護膜を透明体５４０とは別個に作成しなくてはならず、製造工程が多くコストダウンの障害となっていた。
【０００８】
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、安価に製造することができ、且つ、ＥＬ層で発光した光を高い効率で外部に取り出すことのできる表示装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するための本発明は、透明基板上に堆積した透明電極と前記透明電極上に積層した電界発光（ＥＬ）層と、前記電界発光層上に積層した反射電極とを含むＥＬ素子の配列と、前記ＥＬ素子の各々を被覆する角錐台形状又は円錐台形状の透明体と、前記透明体の表面に堆積された反射膜とを含み、前記ＥＬ素子を画像信号に応じて発光させるようにしている。
【００１０】
本発明において、ＥＬ層を保護する透明体は、前記透明体の一部の表面の曲率は正であり、前記透明基板と接触する部分の曲率は負であってもよい。
【００１１】
又、透明体が球体の一部である場合には、前記透明体による凹面鏡の焦平面を前記ＥＬ素子内部に位置させてもよい。
【００１２】
又、前記ＥＬ素子毎にそのＥＬ素子を発光させる駆動素子を更に含み、前記ＥＬ素子及び前記駆動素子とを前記透明体によって被覆してもよい。
【００１３】
又、前記透明体の間を埋める絶縁物質と、前記絶縁物質上に形成された配線とを更に備え、前記配線を、前記ＥＬ素子の反射電極及び透明電極に接続してもよい。
【００１４】
又、前記透明体の間を埋める絶縁物質と、前記絶縁物質上に形成された配線とを更に備え、前記配線を、前記駆動素子に接続してもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００１６】
図１は本発明の第１実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光（ＥＬ）素子を示す概略断面図である。図１において、ＥＬ素子３００は、透明基板１５０上に、透明電極１２０、電界発光（ＥＬ）層１１０及び反射電極１００をこの順に積層することによって形成されている。更に、透明基板１５０上には、ＥＬ素子３００を被覆するように、断面が台形状の透明体１４０が形成されている。つまり、この透明体１４０によって、ＥＬ素子３００が外気から保護されている。また、透明体１４０の表面全体を被覆するように反射膜１３０が形成されている。
【００１７】
図１のＥＬ素子において、反射電極１００と透明電極１２０との間に電圧を印加するとＥＬ層１１０が発光する。ＥＬ層１１０から発した光は、透明電極１２０及び透明基板１５０を透過して外部に取り出される。
【００１８】
一方、ＥＬ層１１０から発した光の一部は、透明電極１２０と透明基板１５０との境界Ｂ１で全反射される。この全反射光は反射膜１３０で反射され、透明基板１５０を透過して空気中に取り出される。この全反射光は、反射膜１３０で反射された後、境界Ｂ１及びＢ２で屈折されるが、簡単のために、図１では直進するように描いている。
【００１９】
又、ＥＬ層１１０から発した光の他の一部は、境界Ｂ１で屈折され透明基板１５０と空気との境界Ｂ２で全反射される。しかし、この全反射光も反射膜１３０で反射され、透明基板１５０を透過して空気中に取り出される。このようにして、ＥＬ素子３００から発した光が効率良く外部に取り出される。
【００２０】
図１では１つのＥＬ素子のみを示したが、表示装置においては、このようなＥＬ素子が複数個、２次元配置されている。このようにＥＬ素子が２次元配置される場合には、透明体１４０は例えば四角錐台に形成される。
【００２１】
次に、上記のようなＥＬ素子の製造工程を図２を用いて説明する。図２は、透明基板上に複数のＥＬ素子が形成された表示装置の概略断面図である。
【００２２】
まず、図２（ａ）に示すように、ガラスやプラスチック等から成る透明基板１５０上に、ＩＴＯ等から成る透明電極１２０、有機又は無機材料から成るＥＬ層１１０、金属膜から成る反射電極１００をこの順に積層する。
【００２３】
次に、素子を形成する箇所を除いて前記電極及びＥＬ層をパターンエッチングによって除去し、図２（ｂ）に示すようなＥＬ素子３００の配列を形成する。そして、これらのＥＬ素子３００を覆うように酸化チタン等から成る透明層１４０ａを形成する。
【００２４】
続いて、透明層１４０ａをパターンエッチングによって部分的に除去し、図２（ｃ）に示すような斜面１４５を有する複数の透明体１４０を形成する。各透明体１４０は、それぞれＥＬ素子３００を被覆するように形成される。
【００２５】
そして、最後に、図２（ｄ）に示すように、金属膜又は誘電体膜から成る反射膜１３０を透明基板１５０の全面に堆積させる。以上のようにして、透明基板上に複数のＥＬ素子３００を配列した表示装置が製造される。
【００２６】
図３は本発明の第２実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光（ＥＬ）素子を示す概略断面図である。本実施形態は、透明体１４０の斜面にのみ反射膜１３０が形成され、透明体１４０の上面１４１には反射膜が形成されていない点でのみ第１実施形態と相違し、その他の構成は第１実施形態と同一である。このため、図３において図１と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００２７】
本実施形態においても、ＥＬ層１１０から発した光の一部は、透明電極１２０と透明基板１５０との境界Ｂ１で全反射される。この全反射光は反射膜１３０で反射され、透明基板１５０を透過して空気中に取り出される。この全反射光は、反射膜１３０で反射された後、境界Ｂ１及びＢ２で屈折されるが、簡単のために、図３では直進するように描いている。また、本実施形態においては、透明体１４０の上面１４１に反射膜が形成されていないので、第１実施形態に対して、発光に伴って発生した熱の放熱が促進される、という効果を有する。
【００２８】
上記第２実施形態の表示装置は、第１実施形態と同様に図２で説明した工程で作製された後、図２（ｄ）のように透明体１４０の表面全体に堆積された反射膜のうち、フォトエッチングで上面１４１上の反射膜を除去することによって得られる。
【００２９】
図４は本発明の第３実施形態の表示装置を示す図である。図４において、（ａ）は概略平面図を、（ｂ）は（ａ）に記載した線分ＸＸ'に沿った概略断面図をそれぞれ示す。図４において、図１〜図３と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３０】
本実施形態においては、各ＥＬ素子３００及びこれを駆動するＴＦＴ等の駆動素子４００がそれぞれ透明体１４０によって被覆されている。但し、簡単のために、ＥＬ素子３００及びＴＦＴ等の駆動素子４００との間の配線は図示していない。各透明体１４０は、それぞれ上面１４１を有する四角錐台の形状を有し、その断面は台形である。図４では図示していないが、これらの透明体１４０の表面は図１あるいは図３のような反射膜で被覆されている。
【００３１】
本実施形態においては、上記のように反射膜で被覆された複数の透明体１４０の隙間が絶縁体８００によって充填されている。そして、絶縁体８００上には、行方向配線９００及び列方向配線７００が形成されている。各ＥＬ素子３００に接続された駆動素子４００は、引き出し配線７０１を介して列方向配線７００に接続されている。引き出し配線７０１と列方向配線７００とは、絶縁体８００に形成されたスルーホール７０２を通して接続されている。また、同様に各ＥＬ素子３００に接続された駆動素子４００は、引き出し配線９０１を介して行方向配線９００に接続されている。このような構成によって、本実施形態の表示装置においては、ＥＬ素子３００を２次元表示画面の画素として発光させるものである。
【００３２】
なお、図４においては、ＥＬ素子３００を駆動素子４００を介して列方向配線７００及び行方向配線９００に接続したが、駆動素子４００を介さず直接これらの配線と接続するようにしても良い。又、これまでの説明においては、透明体を四角錐台として説明したが、透明体は円錐台であってもよい。更に、透明体は球体の一部を構成するように形成されても良い。
【００３３】
図５は本発明の第４実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光（ＥＬ）素子を示す概略断面図である。図５において図１と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３４】
本実施形態は、透明体３４０が球体の一部を構成するように形成された例を示すものである。具体的には、透明体３４０の頂上部は正曲率の球体の一部であり、透明基板１５０と接する裾の部分は負曲率の斜面となっている。つまり、透明体３４０は頂上部で凸曲面、裾部で凹曲面を有している。この透明体３４０の表面は反射膜３３０で被覆されている。この反射膜３３０は、ＥＬ素子３００に対して凹面鏡として機能するものである。
【００３５】
本実施形態のような透明体３４０は、たとえば高温で溶融したプラスチックの液滴をＥＬ素子３００上に滴下し、固化することによって形成される。このとき、裾部の傾斜は、透明基板１５０と液滴である透明体３４０の接触角によって定まる。また、裾部の傾斜は、固化する前に球体の頂上を押圧して制御することもできる。
【００３６】
図５のＥＬ素子において、反射電極１００と透明電極１２０との間に電圧を印加するとＥＬ層１１０が発光する。ＥＬ層１１０から発した光は、透明電極１２０及び透明基板１５０を透過して外部に取り出される。
【００３７】
一方、ＥＬ層１１０から発した光の一部は、透明電極１２０と透明基板１５０との境界Ｂ１で全反射される。この全反射光は反射膜３３０で反射され、透明基板１５０を透過して空気中に取り出される。この全反射光は、反射膜３３０で反射された後、境界Ｂ１及びＢ２で屈折されるが、簡単のために、図５では直進するように描いている。
【００３８】
又、ＥＬ層１１０から発した光の他の一部は、境界Ｂ１で屈折され透明基板１５０と空気との境界Ｂ２で全反射される。しかし、この全反射光も反射膜３３０で反射され、透明基板１５０を透過して空気中に取り出される。
【００３９】
ここで、透明体３４０の頂上部Ｓには光は殆ど到達しない。ＥＬ素子３００の端面にほぼ垂直に進行する光は境界Ｂ１で全反射されずに透明基板１５０を透過し、空気側に取り出されている。従って、頂上部Ｓが歪んでいて球面からずれていても構わない。このようにして、ＥＬ素子３００から発した光が効率良く外部に取り出される。
【００４０】
図６は本発明の第５実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光（ＥＬ）素子を示す概略断面図である。本実施形態は、反射膜３３０が構成する凹面鏡の焦平面をＥＬ素子３００の内部に位置させた点でのみ第４実施形態と相違し、その他の構成は第４実施形態と同一である。このため、図６において図５と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４１】
本実施形態において、ＥＬ層１１０の端面から出射した光は、透明体３４０の凹面鏡部分で反射されれば、ほぼ平行光束となって透明基板１５０から外部に取り出される。又、透明体３４０の裾部では境界Ｂ１、Ｂ２からの全反射光が反射されて外部の空気層に取り出されるため、外部に取り出される光量は更に増加する。
【００４２】
本実施形態においても、透明体３４０の頂上部Ｓには光は殆ど到達しない。ＥＬ素子３００の端面にほぼ垂直に進行する光は境界Ｂ１で全反射されずに透明基板１５０を透過し、空気側に取り出されている。従って、頂上部Ｓが歪んでいて球面からずれていても構わない。
【００４３】
上記図５及び図６に示す実施形態においては、透明体３４０の裾部が負の曲率を有する曲面（凹曲面）で構成されているが、このような凹曲面を持たない正の曲率を有する曲面のみで形成された、つまり半球状等、球の一部を構成する形状だけで透明体が形成した場合も、上記図５及び図６に近い作用は得られる。
【００４４】
図７は本発明の第６実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光（ＥＬ）素子を示す概略断面図である。図７において図５と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４５】
本実施形態は、透明基板１５０に溝１５２を設けたものである。溝１５２はＥＬ素子３００を充分カバーする大きさに形成される。この溝１５２上には、二酸化チタン（ＴｉＯ2）等から成る薄い透明板１５１が形成されている。そして、この透明板１５１の上にＥＬ素子３００が形成される。従って、溝１５２は空隙となっている。
【００４６】
本実施形態において、ＥＬ素子３００より透明板１５１及び空隙（エアーギャップ）を構成する溝１５２を透過して基板１５０に入射する光は基板１５０で全反射されることはない。このため、透明基板１５０内の全反射光が他の画素へ伝播することはないし、基板１５０内に光が閉じ込められることもないので、ＥＬ素子３００からの光は透明体３４０及び反射膜３３０から成る反射球体によって有効に空気側に取り出される。
【００４７】
図７においては、球体の一部を構成する透明体３４０を備えた例を示したが、これに代えて、図１に示したような四角錐台の透明体１４０を用いても良いし、円錐台状の透明体を用いることもできる。
【００４８】
ところで、本発明のような表示装置において、透明基板からの光の取り出し効率を向上させるため、透明基板上に屈折率の低いシリカエアロゲル等の膜を形成することも考えられる。このような例を以下に説明する。
【００４９】
図８は、透明基板２１１上にシリカエアロゲル膜２１０を形成した例を示す概略断面図である。シリカエアロゲル膜２１０は例えば１．０３の屈折率を有する。シリカエアロゲル膜２１０に空中から入射する光２１２はシリカエアロゲル膜２１０と透明基板２１１との境界２３３でスネルの屈折の法則に従って屈折して光２１４となる。この光２１４は、更に透明基板２１１の下面２３４から空中へ光２１５となって射出する。透明基板２１１は自身より低い屈折率の物質で挟まれている為、透明基板２１１内で全反射は生じない。しかし、この場合でも、光２１３が境界２３３においてフレネル反射により正反射方向に反射され、光２１６が生じる。光２１６の強さは、光２１３の入射角度が透明基板２１１に平行に近くなるに従い増加する。
【００５０】
図９は、上記のようにシリカエアロゲル膜２１０が形成された透明基板２１１上に電界発光（ＥＬ）素子２３５を形成した例を示す概略断面図である。図９において、図８と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５１】
図９において、シリカエアロゲル膜２１０上に、ＩＴＯ等から成る透明電極２１７、有機又は無機材料から成るＥＬ層２１８、金属膜から成る反射電極２１９がこの順に積層されＥＬ素子２３５が形成されている。ここで、ＥＬ層２１８の一点２２０から出た光２２１は、透明電極２１７、シリカエアロゲル膜２１０を透過し、シリカエアロゲル膜２１０と透明基板２１１との境界２３３に達する。境界２３３でフレネル反射を受けた光２２５は正反射方向にシリカエアロゲル膜２１０内を伝播してゆく。この伝播光は図示されてないが隣接するＥＬ素子群に入り込んで、そこで乱反射を受けて観測方向へ射出される。即ち、入り込まれたＥＬ素子群にとっては不要なノイズ光が発生する原因となる。また、その光の発光元のＥＬ素子にとっては、この光２２５は光ロスとなるので、光利用率が実質的には低下したことになる。
【００５２】
図１０は、上記のようなシリカエアロゲル膜を有する表示装置に本発明を適用した第７実施形態において、１画素を構成する電界発光（ＥＬ）素子を示す概略断面図である。図１０において図５及び図９と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５３】
本実施形態においては、シリカエアロゲル膜２１０はＥＬ素子２３５とほぼ同じ位の大きさに形成されている。ＥＬ層２１８の一点２２６から射出した光２２７は、シリカエアロゲル膜２１０と透明基板２１１との境界２３４でフレネル反射を受け、光２２９となる。この光２２９は、透明体３４０の表面に形成された反射膜３３０で反射され、光２３０となって空中へ射出する。即ち、フレネル反射を受けた光は不図示の隣接するＥＬ素子群に入り込むことがなくなる。また透明基板２１１内での全反射光も生じなくなる。このため、本実施形態においては、光利用率を高めることができる。
【００５４】
図１１は、シリカエアロゲル等から成る低屈折率光透過膜を有する表示装置に本発明を適用した第８実施形態において、１画素を構成する電界発光（ＥＬ）素子を示す概略断面図である。
【００５５】
図１１の実施形態は、隣接する電界発光（ＥＬ）素子間を絶縁体で埋め込んだものである。図１１において符号２４１はＥＬ層、符号２４２はＩＴＯ等から成る透明電極、符号２４３は金属膜等から成る反射電極、符号２４４はシリカエアロゲル等から成る低屈折率光透過膜、符号２４５は反射膜、符号２５０及び２４７は金属導電体、符号２４６は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、符号２４９はガラス等から成る透明基板、符号２４８は隣接するＥＬ素子間を埋めたポリイミドやプラスチック等から成る絶縁体をそれぞれ示す。
【００５６】
図１２は、図１１の実施形態の表示装置における光の振る舞いを示す概略断面図である。図１２において、図１１と同一の部材には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００５７】
図１２において、ＥＬ層２４１の１点２６１から発した光のうち、光２５１は透明基板２４９の上面２７０に直接当たり、屈折して光２５２となって空中へ抜ける。一方、点２６１から発した光２５６は、透明電極２４２と低屈折率光透過膜２４４との境界で全反射され、光２５７となる。この光２５７は、斜面に形成された金属導電体２５０で反射して光２５８となって空中へ抜ける。また、点２６１から発したＥＬ層２４１の内部を走った光２５９は、斜面に形成された金属導電体２５０で反射して光２６０となって空中へ抜ける。なお、隣接するＥＬ素子の反射膜２４５と金属導電体２５０との間には、これらのつくる三角形の頂点で両者が接しないように、図示しない若干の間隙を設ける。
【００５８】
ところで、本発明のような表示装置において、ホール/電子輸送層を含むＥＬ層と透明電極（陽極）とを一対のミラーで挟み、これらのミラーの間の光路長をＥＬ素子の発光波長と同じにする、つまりＥＬ素子に共振器構造を導入すると、光が増幅される。このため、透明基板と透明電極との間にハーフミラーを形成すると、増幅された光を取り出すことができる。このような構成を以下に説明する。
【００５９】
上記のような構成において、透明基板に垂直な方向へ射出する光強度の増大の大きさＧは各ミラーの反射率、すなわち反射電極（陰極）反射率Ｒｃ及びハーフミラー反射率Ｒｈに依存し、例えば、月刊ディスプレー、1998年、10月号、p.107に示されているように、以下の式で示される。
【００６０】
Ｇ =（１+（Ｒｃ）1/2）2・（1-Ｒｈ）/（1-（Ｒｃ・Ｒｈ）1/2）2
ここで、Ｒｃを９０％、Ｒｈを０％とすると、共振器構造を取らない通常の素子に比べてＧは３．８倍となる。さらに、たとえば、Ｒｃを９０％、Ｒｈを８５％とすると、ＧはＲｃを９０％、Ｒｈを０％としたときの９．５倍となる。
【００６１】
尤も、Ｇは、Ｒｃ、Ｒｈに応じて高くすることも低くもすることもできる。従って、このような構成を持ったものを表示装置に使用すれば、非常に明るい画面が得られる。このような表示装置を明るい場所で見る場合、Ｒｈを高くすると、背景光、室内光も反射されてディスプレーが見にくくなる。しかし、プロジェクターのように暗い場所で使用する場合には、ハーフミラーによる背景光、室内光の反射はあまり問題とはならない。そこで、ＥＬ素子とハーフミラーとを組み合わせ、透明基板に垂直な方向に射出する光を増大させ、本発明のような透明体と反射膜による光量増加分と併せて、プロジェクターによる投影画面上での照度を増大させることができる。
【００６２】
図１３は、上記のようなハーフミラーを設けた本発明の第９実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光（ＥＬ）素子を示す概略断面図である。本実施形態は、ＥＬ素子３００の透明電極１２０と透明基板１５０との間にハーフミラー１６０を設けた点でのみ先に説明した第１実施形態と相違し、その他の構成は第１実施形態と全く同一である。そのため、図１３において、図１と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６３】
本実施形態において、反射電極１００とハーフミラー１６０との間の光路長を、ＥＬ素子３００の発光波長の１／２と等しくなるように構成している。したがって、これらが共振器を構成し、より強度の強い光を取り出すことができる。なお、本実施形態においても、境界Ｂ１及びＢ２で全反射された光が反射膜１３０で透明基板１５０を通して射出され、光の利用効率を向上させる効果を有する点は第１実施形態と同様である。
【００６４】
図１４は、ハーフミラーを設けた本発明の第１０実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光（ＥＬ）素子を示す概略断面図である。本実施形態は、ＥＬ素子３００の透明電極１２０と透明基板１５０との間にハーフミラー１６０を設けた点でのみ先に説明した第４実施形態と相違し、その他の構成は第４実施形態と全く同一である。そのため、図１４において、図５と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６５】
本実施形態において、反射電極１００とハーフミラー１６０との間の光路長を、ＥＬ素子３００の発光波長の１／２と等しくなるように構成している。したがって、これらが共振器を構成し、より強度の強い光を取り出すことができる。なお、本実施形態においても、境界Ｂ１及びＢ２で全反射された光が反射膜３３０で透明基板１５０を通して射出され、光の利用効率を向上させる効果を有する点は第４実施形態と同様である。
【００６６】
上記のような第９及び第１０実施形態は、先に述べたような理由により、特にプロジェクターに応用するのに適している。このようなプロジェクターは、例えば図１５のように構成される。図１５において、符号４００は、図１３あるいは図１４に示したようなＥＬ素子から成る表示装置を示す。この表示装置４００の画面は、投影レンズ４０１によって、投影像面４０２に投影される。これによって、従来に比べて各段に明るい投影像が得られる。
【００６７】
図１３及び図１４において、ハーフミラー１６０は、たとえば、ＴｉＯ2層／ＳｉＯ2層／ＴｉＯ2層／ＳｉＯ2層の４層から構成される。ここで、各層の光路長はＥＬ素子から発する光の中心波長をλとしたとき、それぞれλ／４である。上記の構成においては、ＳｉＯ2層側を透明基板１５０上に堆積させるようにすればよい。
【００６８】
又、上記のハーフミラー１６０として、一般的に知られたＴｉＯ2層／ＳｉＯ2層のペアが複数組繰り返し積層された構造のものを用いても良い。この場合、ＳｉＯ2層が透明基板１５０側にくるように堆積される。
【００６９】
図１７（ａ）は、上記のようにＴｉＯ2層／ＳｉＯ2層のペアが４組構造された８層構造のハーフミラー膜構成の一例を示す概略断面図である。図１７（ａ）において、ＩＴＯと記載した層は、図１３あるいは図１４における透明電極１２０に対応する。また、同じくＧと記載したガラス基板は、図１３あるいは図１４における透明基板１５０に対応する。
【００７０】
図１７（ｂ）は、上述した８層構造のハーフミラーの垂直入射に対する反射率のグラフである。
【００７１】
更に、図１８〜図２２に上述した８層構造のハーフミラーのさまざまな反射特性を示す。図１８において、（ａ）は、波長４００ｎｍから７００ｎｍの範囲で、入射角３０度の範囲における、上述した８層構造のハーフミラーのＳ偏光の反射率のグラフである。また、（ｂ）は、波長４００ｎｍから７００ｎｍの範囲で、入射角３０度の範囲における、上述した８層構造のハーフミラーのＰ偏光の反射率のグラフである。更に（ｃ）は、波長４００ｎｍから７００ｎｍの範囲で、入射角３０度の範囲における、上述した８層構造のハーフミラーの平均反射率、すなわち（Ｓ偏光反射率＋Ｐ偏光反射率）／２の値を示すグラフである。
【００７２】
図１９は、入射角０°における、上述した８層構造のハーフミラーの反射率、透過率、及び反射波・透過波の位相を示す表である。また、図２０は、波長４００ｎｍから７００ｎｍの範囲で、入射角３０度の範囲における、上述した８層構造のハーフミラーのＳ偏光の反射率の表である。一方、図２１は、波長４００ｎｍから７００ｎｍの範囲で、入射角３０度の範囲における、上述した８層構造のハーフミラーのＰ偏光の反射率の表である。更に、図２２は、波長４００ｎｍから７００ｎｍの範囲で、入射角３０度の範囲における、上述した８層構造のハーフミラーの平均反射率、すなわち（Ｓ偏光反射率＋Ｐ偏光反射率）／２の値を示す表である。
【００７３】
このように、上述した８層構造のハーフミラーの反射率は、入射角３０度の範囲内においては、可視光の範囲ではほぼ一定で５０％となっている。Ｒｃが９０％、Ｒｈが５０％であるときは、光の強度的増大Ｇは上述したＧを求める式によれば共振機構造を取らない通常の素子に比べてＧが１７倍となる。従って、このハーフミラーを備えた表示装置をプロジェクターに用いると、ＮＡ＝ｓｉｎ３０°、すなわちＦナンバ１までのレンズの開口いっぱいまで使ったとすると、像面における光量は１７倍増大する。
【００７４】
なお、図１３及び図１４の実施形態においては、先に説明した４層又は８層構成から成るハーフミラー１６０と反射電極１００との間の光路長をＥＬ素子の発光波長の１／２に等しくしたが、発光波長の１／２の整数倍であってもよい。
【００７５】
又、陰極すなわち反射電極１００はアルミニウム（Ａｌ）等の金属物質であるため、ＥＬ層１１０からの光はもとより、観測方向からの外部光も反射する。しかし、外部光が反射されると表示装置のコントラストが低下する。従って、外部光の反射を無くすか低減しなければならない。外部光の反射を低減するために、陰極を２層構造とし、ＥＬ発光層１１０側を光吸収層とし、もう１層をＡｌ等の電極層とすることが特開平８−８０６５号公報に開示されている。
【００７６】
図２３は、上記のような光吸収層を設けた本発明の第１１実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光（ＥＬ）素子を示す概略断面図である。本実施形態は、ＥＬ素子３００のＥＬ層１１０と反射電極１００との間に光吸収層１００ａを設けた点でのみ先に説明した第９実施形態と相違し、その他の構成は第９実施形態と全く同一である。そのため、図２３において、図１３と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００７７】
本実施形態においては、ＥＬ層側の光吸収層１００ａの屈折率をＥＬ層１１０の屈折率より低くすることにより、光吸収層１００ａとＥＬ層１１０との界面で全反射を生じさせる。このようにすれば、全反射によって再びＥＬ層内に戻って、反射膜１３０で反射されるので、表示装置からの光量が増加する。
【００７８】
本実施形態において、ＥＬ層１１０が例えばアルミ・キノリノール（ａｌｑ）から形成された場合、その屈折率は１．７３程度である。このため、光吸収層１００ａはたとえば屈折率１．７０のＭｇＯから形成されるのが好ましい。ＥＬ層１１０に電子輸送層が設けられている場合には、光吸収層１００ａの屈折率をその電子輸送層の屈折率より低くすれば良い。
【００７９】
図２３において、ＥＬ層１１０から発した光１００３は光吸収層１００ａとＥＬ層１１０の界面で全反射されて光１００４となり、更に、反射膜１３０で反射されて光１００５となり、表示装置の外部に出射する。
【００８０】
図２４は、光吸収層を設けた本発明の第１２実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光（ＥＬ）素子を示す概略断面図である。本実施形態は、ＥＬ素子３００のＥＬ層１１０と反射電極１００との間に光吸収層１００ａを設けた点でのみ先に説明した第１０実施形態と相違し、その他の構成は第１０実施形態と全く同一である。そのため、図２４において、図１４と同一の部材には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００８１】
本実施形態において、光吸収層１００ａを形成するのに好ましい材料は第１１実施形態と同様である。図２４において、ＥＬ層１１０から発した光１００３は光吸収層１００ａとＥＬ層１１０の界面で全反射されて光１００４となり、更に、反射膜３３０で反射されて光１００５となり、表示装置の外部に出射する。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明した本発明によれば、透明体を形成したあとで、ＥＬ素子を外気から遮断する保護膜を形成する必要がない。又、透明体上に反射膜を形成する際、反射膜がＥＬ層をサンドイッチする透明電極や反射電極と接触しないように製造工程を工夫する必要もない。そのため、工程が簡単で安価に製造することができる。また、本発明においては、透明体がＥＬ素子を外気から保護するとともに、透明体表面の反射膜によってＥＬ層において発光した光を効率良く外部に取り出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光素子を示す概略断面図である。
【図２】図１に示す表示装置の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光素子を示す概略断面図である。
【図４】図４は本発明の第３実施形態の表示装置を示す図である。
【図５】本発明の第４実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光素子を示す概略断面図である。
【図６】本発明の第５実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光素子を示す概略断面図である。
【図７】本発明の第６実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光素子を示す概略断面図である。
【図８】透明基板上にシリカエアロゲル膜を形成した例を示す概略断面図である。
【図９】シリカエアロゲル膜が形成された透明基板上に電界発光素子を形成した例を示す概略断面図である。
【図１０】シリカエアロゲル膜を有する表示装置に本発明を適用した第７実施形態において、１画素を構成する電界発光素子を示す概略断面図である。
【図１１】低屈折率光透過膜を有する表示装置に本発明を適用した第８実施形態において、１画素を構成する電界発光素子を示す概略断面図である。
【図１２】図１１に示した表示装置における光の振る舞いを説明するための概略断面図である。
【図１３】ハーフミラーを設けた本発明の第９実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光素子を示す概略断面図である。
【図１４】ハーフミラーを設けた本発明の第１０実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光素子を示す概略断面図である。
【図１５】図１３あるいは図１４に示した表示装置を用いたプロジェクターの概念図である。
【図１６】従来のＥＬ素子の一例を示す概略断面図である。
【図１７】８層構造のハーフミラー膜構成の一例を示す概略断面図及び反射率のグラフである。
【図１８】８層構造のハーフミラーの反射率のグラフである。
【図１９】８層構造のハーフミラーの反射率、透過率、及び反射波・透過波の位相を示す表である。
【図２０】８層構造のハーフミラーのＳ偏光の反射率の表である。
【図２１】８層構造のハーフミラーのＰ偏光の反射率の表である。
【図２２】８層構造のハーフミラーの平均反射率を示す表である。
【図２３】光吸収層を設けた本発明の第１１実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光素子を示す概略断面図である。
【図２４】光吸収層を設けた本発明の第１２実施形態の表示装置において、１画素を構成する電界発光素子を示す概略断面図である。
【図２５】従来のＥＬ素子の他の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１００  反射電極
１００a   光吸収層
１１０  ＥＬ層
１２０  透明電極
１３０、３３０  反射膜
１４０、３４０  透明体
１５０  透明基板
１６０  ハーフミラー
４００  駆動素子
７００  列方向配線
８００  絶縁体
９００  行方向配線
Ｂ１  透明電極と透明基板との境界
Ｂ２  透明基板と空気との境界
Ｓ  透明体の頂上部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0003880356.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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