(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号ラインが形成された実装基板上に高周波回路素子を固定し、その高周波回路素子と前記信号ラインとを電気的に接続する高周波回路素子の実装構造において、
前記実装基板の前記高周波回路素子の実装領域に前記信号ラインとは電気的に絶縁された状態で形成されその高周波回路素子と電気的に接続される接合用パターンと、
前記信号ラインと前記接合用パターンとの間を電気的に接続する接続手段と、  前記接続手段を接続する部分の位置を調整する部分に形成された接続位置設定用の目盛りパターンとを備えたを設けた構成としたことを特徴とする高周波回路素子の実装構造。
【請求項２】
信号ラインが形成された実装基板上に高周波回路素子を固定し、その高周波回路素子と前記信号ラインとを電気的に接続する高周波回路素子の実装構造において、
前記実装基板の前記高周波回路素子の実装領域に前記信号ラインとは電気的に絶縁された状態で形成されその高周波回路素子と電気的に接続される接合用パターンと、
前記信号ラインと前記接合用パターンとの間を電気的に接続する接続手段と、  前記接続手段を接続する部分に複数個のインピーダンス調整パターンを配置し前記接続手段を選択的に接続できるように構成したことを特徴とする高周波回路素子の実装構造。
【請求項３】
請求項２に記載の高周波回路素子の実装構造において、
前記複数個のインピーダンス調整パターンは、櫛歯状に配列されていることを特徴とする高周波回路素子の実装構造。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波回路素子の実装構造において、
前記接続手段は、前記信号ラインと前記接合用パターンとの間に接続される接続導体であることを特徴とする高周波回路素子の実装構造。
【請求項５】
信号ラインが形成された実装基板上に高周波回路素子を固定し、その高周波回路素子と前記信号ラインとを電気的に接続する高周波回路素子の実装構造において、
前記実装基板の前記高周波回路素子の実装領域に前記信号ラインとは電気的に絶縁された状態で形成されその高周波回路素子と電気的に接続される接合用パターンと、
前記実装基板の前記信号ラインと前記接合用パターンとの間の領域に金属粒子を導入して両者の間を電気的に接続するように形成した導電層領域からなる接続手段とを設けて構成したことを特徴とする高周波回路素子の実装構造。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の高周波回路素子の実装構造において、
前記接続手段は、前記信号ラインと高周波回路素子との間のインピーダンスを調整するように前記信号ラインおよび前記接合用パターンのそれぞれの間との少なくとも一方の接続位置を調整するように設けられていることを特徴とする高周波回路素子の実装構造。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の高周波回路素子の実装構造において、
前記実装基板は、導電性の金属からなることを特徴とする高周波回路素子の実装構造。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれかに記載の高周波回路素子の実装構造において、
前記実装基板は、セラミックからなることを特徴とする高周波回路素子の実装構造。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の高周波回路素子の実装構造において、
前記高周波回路素子は、前記実装基板との接合部分に金バンプが形成されていることを特徴とする高周波回路素子の実装構造。
【請求項１０】
請求項１ないし８のいずれかに記載の高周波回路素子の実装構造において、
前記高周波回路素子は、前記実装基板にはんだにより接合されていることを特徴とする高周波回路素子の実装構造。
【請求項１１】
請求項４に記載の高周波回路素子の実装構造において、
前記接続導体は、ワイヤ導体であることを特徴とする高周波回路素子の実装構造。
【請求項１２】
請求項４に記載の高周波回路素子の実装構造において、
前記接続導体は、リボン状導体であることを特徴とする高周波回路素子の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、実装基板上に形成された信号ラインと実装された高周波回路素子とを電気的に接続する部分における高周波回路素子の実装構造に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
ミリ波に代表される高周波領域で用いられる素子である例えばＭＭＩＣ（Microwave/milliwave Monolithic IC ）チップを基板に接合する技術は、ミリ波デバイスの実装技術上においてきわめて重要なことである。従来、複数のミリ波ＭＭＩＣチップを基板に接合して相互間の電気的接続を図る代表的な技術として、Ａｕワイヤに代表されるワイヤボンディングによる方法あるいはリボン状導体などのリボンボンディングによる方法などの２つの方法のいずれかを用いて行なうことが提案されてきている。
【０００３】
このうち、例えば図１３に示すように、ＭＭＩＣチップ１と信号ライン２とをワイヤボンディングにより接続する場合、金属もしくはセラミック製の実装基板３に対するＭＭＩＣチップ１の接合の位置精度が問題となる。通常、ＭＭＩＣチップ１の基板３への接合は、Ａｕバンプ４もしくははんだなどを用いて行なうが、このとき接合時の位置ずれは避けられない。この位置ずれは、程度の差こそあれ必ず発生するものであり、ミリ波のような高周波領域では、わずかな位置ずれがインピーダンスのずれとして顕著に現れるため、接合構造における整合性の点で困難な面がある。
【０００４】
このような位置ずれを少なくするためには、ＭＭＩＣチップ１を実装基板３に接合する場合における位置決め精度を高めることがまず考えられるが、通常の装置を用いる場合の位置決め精度をさらに向上させるためには、コスト的に非常に高くついてしまうことから、実用上においては採用することが難しい点が多くなっているのが実情である。
【０００５】
そこで、このような不具合に対して、従来では、次のようなものが考えられている。例えば、特開平８‐３１６３６８号公報には、接合時のインピーダンス乱れを小さくするため、信号ラインとバンプを同じ高さにするよう工夫されている。この例では、さらに、高さだけでなく横方向の位置ずれを低減するためにバンプに切り欠きを設けている。しかしこの方法ではインピーダンスずれを低減できるほどの位置ずれの低減効果を期待できないため、ＭＭＩＣチップを基板に接合する際の横方向の位置ずれは解決することができない。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、ＭＭＩＣチップなどの高周波回路素子を実装する際に、接合の位置ずれが生ずる場合でも、その位置ずれに起因して発生したインピーダンスのずれを接続部分において低減することができるようにした高周波回路素子の実装構造を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明によれば、実装基板上に形成されている接合用パターンの部分に高周波回路素子を固定し、この接合用パターンと電気的に絶縁状態に形成されている信号ラインとの間を接続手段により目盛りパターンに基づいて調整しながら接続するので、例えば、高周波回路素子をフリップチップ接続などにより固定する際に、装置の組み付け精度などに起因して位置ずれを起こしその結果接合部分でインピーダンスずれが生じた場合において、高周波回路素子が接続された接合用パターン部分と信号ラインとの間に接続手段を接続するときに、そのインピーダンスずれを解消するように調整して接続することができ、インピーダンス整合を確保した接続構造を得ることができるようになる。
【０００８】
請求項２の発明によれば、接合用パターンおよび信号ラインパターンの少なくとも一方に、複数個のインピーダンス調整パターンを配置し前記接続手段を選択的に接続できるように構成しているので、あらかじめ高周波回路素子の固定の際の位置ずれに起因したインピーダンスのずれ量の程度に応じてそれを調整するインピーダンス調整パターンを設けておくことで、接続手段の接続時に適切なインピーダンス調整パターンを選択して接続することで簡単にインピーダンス調整を行なうことができるようになる。
【０００９】
請求項４の発明によれば、接続手段として、信号ラインと接合用パターンとの間に接続導体を接続する構成としているので、その接続の際に接続位置や形状あるいは長さ寸法などを調整することでインピーダンスの調整を行なうことができる。
【００１０】
請求項５の発明によれば、接続手段として、実装基板の信号ラインと接合用パターンとの間の領域に導電性の金属粒子を導入して形成する接続導電層を用いる構成としているので、その接続導電層のパターンの大きさや位置あるいは形成の際に導入する金属粒子の濃度などを調整することによりインピーダンスの調整を行なうことができる。
【００１１】
請求項６の発明によれば、接続手段を、信号ラインと高周波回路素子との間のインピーダンスを調整するために、信号ラインと接合用パターンとの間の接続位置を調整するので、接続導体や接続導電層の接続位置をパラメータとしてインピーダンスの調整量をあらかじめ求めておくことで、特別な構造や部材などを用いることなく簡単且つ安価にインピーダンスの調整を行なうことができる。
【００１２】
請求項７の発明によれば、実装基板を導電性の金属で構成しているので、実装基板に電位をもたせたりあるいはグランド電位に設定するなどの電気的構成を採用することができ、回路構成上で所望の電位に設定することができる。また、請求項８の発明では、実装基板を絶縁性のセラミックから構成するので、プリント基板などとの間の絶縁を必要とする構成の場合に適している。
【００１３】
請求項９の発明によれば、高周波回路素子は、実装基板との接合部分に金バンプを形成しているので、実装基板への固定時に接合用パターンとの接続をフリップチップ接続で簡単に接続することができるようになる。
【００１４】
また、請求項１０の発明によれば、高周波回路素子を実装基板にはんだにより接合するので、リフロー処理などで簡単に固定することができると共に、リフロー処理時のセルフアライン効果を利用することで接続位置のずれを抑制することができ、接続手段によるインピーダンス調整の範囲を絞り込んだ状態としてインピーダンス調整の範囲を狭くすることでその範囲内での調整精度を高めることができるようになる。
【００１５】
請求項１１の発明によれば、接続導体としてワイヤ導体を用いるので、通常の半導体製造プロセスで用いるワイヤボンディング技術を利用することで簡単にインピーダンスの調整を行なうことができる。
【００１６】
請求項１２の発明によれば、接続導体としてリボン状導体を用いるので、リボン状導体の幅寸法を信号ラインや接合用パターンの幅寸法と近いものを採用してインピーダンスの調整範囲を絞り込むことができ、これによって接続位置の調整精度を高めることができるようになる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態について、図１ないし図４を参照しながら説明する。
図１において、実装基板１１としては、例えば金属製の基板を用いており、材質は例えばＫＯＶＡＬ（Ｆｅ５４％，Ｎｉ２９％，Ｃｏ１７％）あるいは銅タングステン合金（Ｃｕ９０％，Ｗ１０％）などである。実装基板１１の材質は、これに実装する高周波回路素子としてのＭＭＩＣ（Microwave/milliwave Monolithic IC ）チップ１２の材質を考慮したものである。すなわち、ＭＭＩＣチップ１２は、化合物半導体である例えばＧａＡｓ（ガリウム砒素）やＩｎＰ（インジウムリン）などの材料を用いており、実装基板１１はそのＭＭＩＣチップ１２の熱膨張係数と近いものを採用する関係から、上述のようなものが好適である。なお、熱膨張係数の値は、次のようになっている。
【００１９】
【表１】
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【００２０】
また、実装基板１１は、金属板に代えて必要に応じてセラミック基板を用いることができる。この場合、実装基板１１を金属板として用いる場合には、電位を所定電位に設定したりあるいはグランドレベルに設定するなどの目的で使用することができ、セラミック基板を用いる場合には、電位を設定しない構成で絶縁性を重視する回路などに使用することができる。
【００２１】
実装基板１１の表面には信号ライン１３が形成されると共に、ＭＭＩＣチップ１２の実装位置に対応してこの信号ライン１３とは電気的に分離した状態に接合用パターン１４が形成されている。この接合用パターン１４は、後述するインピーダンス調整作業を行なう必要がある信号ライン１３に対応した位置に形成されている。また、接合用パターン１４は、具体的には信号ライン１３とほぼ同じ幅寸法で形成されている。信号ライン１３が接合用パターン１４と対向する部分の実装基板１１表面には、インピーダンス調整用の目盛りパターン１５が付されている。
【００２２】
また、実装基板１１のＭＭＩＣチップ１２の接合領域部分に、各信号ライン１３ａ，各接合用パターン１４に接続用のＡｕバンプ１６が形成されている。このＡｕバンプ１６は、加熱圧着によりＭＭＩＣチップ１２のボンディングパッドの部分と電気的に接続され、且つＭＭＩＣチップ１２を実装基板１１と接合するものである。
【００２３】
なお、上記したＡｕバンプ１６を用いる代わりに、はんだを用いて同様にＭＭＩＣチップ１２を実装基板１１に接合するようにすることができる。この場合には、はんだをリフロー処理することにより溶かして接続する関係で、セルフアライン効果を期待することができ、位置ずれに起因したインピーダンスのずれ量を少なくすることができるという利点がある。
【００２４】
接合用パターン１４と信号ライン１３との間は、接続手段および接続導体としてのワイヤ導体１７によりボンディングされている。ワイヤ導体１７のボンディング位置は、ＭＭＩＣチップ１２の接合位置のずれ量により発生したインピーダンスのずれを調整するように目盛りパターン１５を指標として決められた位置に設定されている。これにより、ＭＭＩＣチップ１２と信号ライン１３との間のインピーダンスのずれを極力低減して整合性の高い実装を実現している。
【００２５】
次に、上記構成をなすための実装工程について図２ないし図４も参照して説明する。
実装基板１１は、図２にも示すように、搭載するＭＭＩＣチップ１２の接合に対応して信号ライン１３および接合用パターン１４が、導体薄膜をエッチングすることにより所定の形状に形成されている。信号ライン１３と接合用パターン１４との間には所定のギャップが設けられ、電気的に絶縁した状態に形成されている。この信号ライン１３と直交する方向にも信号ライン１３ａが形成されているが、これは、ＭＭＩＣチップ１２の幅寸法よりも広い幅寸法に形成されており、接合用パターン１４は設けられておらず、直接ＭＭＩＣチップ１２と電気的接続を図るようになっている。
【００２６】
信号ライン１３と接合用パターン１４とが対向している部分の信号ライン１３側には、実装基板１１の表面に調整用の目盛りパターン１５が所定位置に印刷されており、ワイヤ導体１７のボンディング位置を設定するための指標を示すように所定間隔で目盛り線が描かれている。
【００２７】
次に、図３に示すように、実装基板１１の信号ライン１３ａおよび接合用パターン１４のＭＭＩＣチップ１２を搭載する部分に対応してＡｕバンプ１６を設ける（図中では６個）。続いて、この実装基板１１に、ＭＭＩＣチップ１２をフリップチップ接続する。ＭＭＩＣチップ１２は、電極パッド部分がＡｕバンプ１６に対向するように位置決めされた状態で加熱圧着され、実装基板１１に接合されると共に、電気的に接続された状態となる（図４参照）。なお、はんだによる接合を行なう場合には、はんだ片を設けた上で、リフロー処理を行なうことで接合をする。
【００２８】
この後、信号ライン１３と接合用パターン１４との間をワイヤ導体１７により電気的に接続する。このとき、ワイヤ導体１７の接続位置は、次のようにして決められる。まず、ＭＭＩＣチップ１２を実装基板１１上に接合した状態でインピーダンスを測定し、信号ライン１３のインピーダンスに対して接合時の位置ずれに伴うインピーダンスのずれ量を求める。次に、そのインピーダンスのずれ量を解消するようにワイヤ導体１７の接続位置を決める。このとき、接続位置とインピーダンス調整量との関係はあらかじめ計算されているので、接続位置を調整用目盛りパターン１５の位置に対応させて設定する。
【００２９】
上述の場合において、信号ライン１３へのワイヤ導体１７の接続位置を、接合用パターン１４と離れる方の位置に設定すると、それによってその位置から信号ライン１３の先端部までの部分が余分な導体として付加されたことになり、これは電気的にはスタブとして機能することになる。したがって、そのスタブとしての効果を考慮にいれてインピーダンス調整に必要な接続位置をあらかじめ計算により求め、適切な位置に設定するのである。
【００３０】
上記構成によれば、信号ライン１３と電気的に絶縁した状態に接合用パターン１４を設けて、ＭＭＩＣチップ１２の接合後に信号ライン１３と接合用パターン１４とをワイヤ導体１７によりインピーダンス調整をした位置に接続する接続構造を採用したので、ＭＭＩＣチップ１２の接合の位置ずれに起因したインピーダンスのずれをより小さくして整合性の良好な接続構造を得ることができる。
【００３１】
また、上記構成においては、信号ライン１３の端部にワイヤ導体１７の接続位置を決める目安となる調整用目盛りパターン１５を印刷により設けたので、簡単且つ安価に成し得、しかも高精度のインピーダンス調整作業を簡単に行なうことができるようになる。
【００３２】
なお、上記実施形態においては、信号ライン１３側で接続位置を調整する構成としたが、これに代えて、接合用パターン１４との接続位置を調整してインピーダンス調整をする構成とすることもできる。この場合には、接合用パターン１４の長さを調整に必要な分を確保すべく長く設定して形成し、その部分に調整用の目盛りパターン１５を形成することで上述同様の作用効果を得ることができるようになる。また、信号ライン１３および接合用パターン１４の双方の接続位置を調整することによりインピーダンス調整を行なう構成とすることもできる。
【００３３】
（第２の実施形態）
図５および図６は、本発明の第２の実施形態を示すもので、第１の実施形態と異なるところは、実装基板１１に、インピーダンス調整のための複数個のインピーダンス調整用パターン１８ａ〜１８ｃを設けたところである。
すなわち、図５に示すように、実装基板１１の信号ライン１３の先端部の接合用パターン１４と対向している部分に、複数個例えば３個のインピーダンス調整用パターン１８ａ，１８ｂ，１８ｃを櫛歯状に配列して形成している。ワイヤ導体１７は、一方が接合用パターン１４の端部に接続され、他方がインピーダンス調整用パターン１８ａ〜１８ｃのいずれかに接続され、その調整用パターン１８ａ〜１８ｃを介して信号ライン１３と接続される。
【００３４】
インピーダンス調整用パターン１８ａ〜１８ｃは、接合用パターン１４に対して櫛歯状に並べた状態に配置され、反対側は信号ライン１３に電気的に接続されている。各インピーダンス調整用パターン１８ａ〜１８ｃは、ＭＭＩＣチップ１２を接合したときにその位置ずれに起因して発生するインピーダンスのずれ量を解消するように、それぞれが幅寸法および長さ寸法が異なるように設定されており、ワイヤ導体１７を接続する際に適切なものを選択して図示のように接続されるようになっている。
【００３５】
この場合、インピーダンス調整用パターン１８ｂがインピーダンスのずれが発生していない基準となるパターンとして設けられているのに対して、インピーダンス調整用パターン１８ａは幅寸法を広くすると共に長さ寸法を短く設定しており、インピーダンス調整用パターン１８ｃは幅寸法のみを広く設定したものとして形成されている。
【００３６】
図６はＭＭＩＣチップ１２を接合する間の状態の実装基板１１を示しており、信号ライン１３の先端部にはインピーダンス調整用パターン１８ａ〜１８ｃが櫛歯状に配置形成されている。図中左右に位置するインピーダンス調整用パターン１８ａ〜１８ｃの間では、互いに配列順序が逆となるように形成されており、インピーダンス調整用パターン１８ａと１８ｃ、１８ｂと１８ｂ、１８ｃと１８ａとが高周波回路素子１２の実装領域を介して対向している。
【００３７】
これは、インピーダンス調整を行なう場合に、高周波回路素子１２の搭載位置が信号ライン１３の信号伝搬方向に位置ずれを起こしたときに一方のインピーダンスが増加すると他方のインピーダンスが減少することを想定しているものである。いずれの方向にずれる場合においても、左右２本のワイヤ導体１７をボンディングする場合に両者共に上側に位置するインピーダンス調整用パターン１８ａ，１８ｃを選択するか、あるいは中間位置のインピーダンス調整用パターン１８ｂ，１８ｂを選択するか、もしくは下側に位置するインピーダンス調整用パターン１８ｃ，１８ａを選択するかにより調整することができるようにしているのである。
【００３８】
なお、上述のように３つのインピーダンス調整パターン１８ａ〜１８ｃのうちのいずれか一つを選択してワイヤ導体１７を接続する場合に、選択されない残りの２つは、その部分のインピーダンスに影響を与える。そして、実際には接続されない場合にそのインピーダンス調整パターン１８ａ〜１８ｃが接続部分に与えるインピーダンスを考慮して各パターン形状や寸法が設定されている。
【００３９】
このような第２の実施形態によれば、信号ライン１３の先端部にあらかじめ３つのインピーダンス調整パターン１８ａ〜１８ｃを設け、ワイヤ導体１７を接続する際に、そのいずれかを選択して接続することによりインピーダンスのずれを調整することができるので、簡単な構成で特殊な技術や装置を用いることなく、高周波回路素子の位置ずれに対応してインピーダンス調整を行なうことができるようになる。
【００４０】
上記実施形態においては、３つのインピーダンス調整パターン１８ａ〜１８ｃを設ける構成とした場合について説明したが、４つ以上のインピーダンス調整パターンを設ける構成とすることは勿論可能である。
さらに、インピーダンス調整パターン１８ａ〜１８ｃは、信号ライン１３側に設ける場合に限らず、接合用パターン１４側に設けても良いし、あるいは必要に応じて双方に設ける構成とすることもできる。
【００４１】
また、インピーダンス調整パターン１８ａ〜１８ｃのいずれかを選択して接続する場合に、信号伝搬方向に対する位置についても必要に応じて調整することによりさらに細かいインピーダンス調整を行なうようにすることもできる。この場合には、インピーダンス調整パターン１８ａ〜１８ｃのそれぞれに調整用の目盛りパターン１５を印刷して設けるようにすることもできる。
【００４２】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態を示すもので、第１の実施形態と異なるところは、ワイヤ導体１７に代えて接続導体としてリボン状導体１９を用いたところである。すなわち、同図に示しているように、偏平なリボン状の導体を接続導体として用いる構成としたもので、そのリボン状導体１９は、幅寸法が信号ライン１３の幅寸法に対応させた寸法のもので、これを前述同様にして目盛りパターン１５により決められた位置に接続するようにした構成である。
【００４３】
そして、このような構成によっても前述同様の作用効果を得ることができ、さらに、リボン状導体１９を接続する際に、インピーダンス調整の程度に応じて例えばリボン状導体１９の幅寸法や厚さ寸法などを適宜のものを選択して接続することにより、インピーダンス調整の範囲を絞り込んでその調整範囲内において、位置決めによる調整作業をより精度の高いものとすることができる。
【００４４】
（第４の実施形態）
図８は、本発明の第４の実施形態を示すもので、第２の実施形態と異なるところは、ワイヤ導体１７に代えて接続導体としてリボン状導体１９を用いたところである。すなわち、同図に示しているように、偏平なリボン状の導体を接続導体として用いることにより構成したもので、そのリボン状導体１９は、幅寸法が信号ライン１３の幅寸法に対応させた寸法のもので、これを前述同様にして接合用パターン１４と選択されたインピーダンス調整パターン１８ａ〜１８ｃのいずれかとの間に接続することによりインピーダンス整合を図るものである。
【００４５】
そして、このような構成によっても前述同様の作用効果を得ることができ、さらに、第３の実施形態と同様に、接続導体としてのリボン状導体１９の幅寸法を選ぶことによりインピーダンスの調整範囲を絞り込んでその調整範囲内において精度の高い調整をすることができるようになる。
【００４６】
（第５の実施形態）
図９および図１０は、本発明の第５の実施形態を示すもので、第１の実施形態と異なるところは、接続手段として導体ではなく導電層２０を形成するようにしたところである。すなわち、信号ライン１３と接合用パターン１４との間を電気的に接続する接続手段として、それらの間の領域に導電金属を打ち込んで導電層２０を形成し、これによって接続するものである。
【００４７】
高周波回路素子１２を実装基板１１に接着固定した後に、そのときの位置ずれの程度によって発生するインピーダンスをずれ量を求め、そのインピーダンスずれ量を解消するように導電層２０を形成する。インピーダンス調整用の目盛りパターン１５は、その導電層２０を形成するための導電金属の打ち込み領域を設定する指標となるものである。
【００４８】
図１０は高周波回路素子１２を接合する前の状態で示す実装基板１１の平面図で、第１の実施形態と同様に信号ライン１３および接合用パターン１４が形成されており、それらの間の間隔寸法ｇは所定の寸法に設定されている。これに対して、高周波回路素子１２を実装基板１１上に接合した場合に、その位置ずれに起因してインピーダンスのずれが発生する。
【００４９】
このインピーダンスのずれを解消するように導電金属の打ち込み領域を設定し、例えば信号伝搬方向でｄだけの距離の範囲に設定して導電層２０を形成する。この場合、導電金属の打ち込み工程では、例えば、目的とする導電金属のイオン（例えばＡｓイオンなど）を収束イオンビーム装置を用いて所望領域に打ち込むことで導電層２０を形成する。
【００５０】
このような第５の実施形態によっても、前述の実施形態と同様の作用効果が得られると共に、接続手段を導電層２０を形成することで接続するので、接続不良を発生するなどの不具合が減り、信頼性の高い接続構造を得ることができるようになる。
【００５１】
（第６の実施形態）
図１１および図１２は、本発明の第６の実施形態を示すもので、第２の実施形態と異なるところは、接続手段として導体ではなく導電層２０を形成するようにしたところである。すなわち、信号ライン１３の先端部に設けたインピーダンス調整用パターン１８ａ〜１８ｃのいずれかと接合用パターン１４との間を電気的に接続する接続手段として、第５の実施形態と同様に、それらの間の領域に導電金属を打ち込んで導電層２０を形成し、これによって接続するものである。
【００５２】
高周波回路素子１２を実装基板１１に接着固定した後に、そのときの位置ずれの程度によって発生するインピーダンスをずれ量を求め、そのインピーダンスずれ量を解消するように導電層２０を形成する。導電層２０の形成領域は、選択されたインピーダンス調整用パターン１８ａ〜１８ｃのいずれかと接合用パターン１４との間に設定され、導電金属の打ち込み処理が行なわれる。
【００５３】
図１２は高周波回路素子１２を固定する前の状態で示す実装基板１１の平面図で、第２の実施形態と同様に信号ライン１３の先端部にインピーダンス調整用パターン１８ａ〜１８ｃが形成されると共に、接合用パターン１４が形成されている。図示のように、例えばインピーダンス調整様パターン１８ｂが選択された場合には、接合用パターン１４との間を直線的に接続するように導電層２０が形成される。
【００５４】
このような第６の実施形態によっても、前述の実施形態と同様の作用効果が得られると共に、接続手段を導電層２０を形成することで接続するので、接続不良を発生するなどの不具合が減り、信頼性の高い接続構造を得ることができるようになる。
【００５５】
なお、上記実施形態においても、選択されたインピーダンス調整用パターン１８ａ〜１８ｃとの間の長さについても調整を行なってインピーダンス調整を行なうようにすることができ、これによってさらに高精度な調整作業を行なうことができるようになる。
【００５６】
本発明は上記実施形態にのみ限定されるものではなく、以下のように変形して実施することができる。
すなわち、上記各実施形態においては、高周波回路素子としてのＭＭＩＣチップ１２をフリップチップ接続する場合について説明したが、接合方法についてはこれに限らず、ワイヤボンディングなどの方法でＭＭＩＣチップ１２のボンディングパッドとの電気的接続を形成し、この後、チップとのワイヤボンディングにより生じたインピーダンスのずれを解消するように信号ライン１３と接合用パターン１４との間を接続手段により接続することでインピーダンス調整を図るようにしても良い。
【００５７】
また、第１の実施形態においては、目盛りパターン１５を設けてワイヤ導体１７をボンディングする位置を設定する目安としているが、この目盛りパターン１５は必要に応じて設ければ良く、目盛りパターン１５をなくした場合でも十分に実施することができる。さらには、目盛りパターン１５に相当する形状に信号ライン１３を目盛り付きのパターンにしたり、あるいは、パターンの幅寸法や形成方向などに違いをもたせて位置決めをする目安となるように形成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態を示すＭＭＩＣチップの実装状態における平面図および断面図
【図２】実装基板に信号ラインおよび接合用パターンを設けた状態で示す平面図および断面図
【図３】実装基板にＡｕバンプを設けた状態で示す平面図および断面図
【図４】実装基板にＭＭＩＣチップを固定した状態で示す平面図および断面図
【図５】本発明の第２の実施形態を示す図１相当図
【図６】図３相当図
【図７】本発明の第３の実施形態を示す図１相当図
【図８】本発明の第４の実施形態を示す図１相当図
【図９】本発明の第５の実施形態を示す図１相当図
【図１０】図３相当図
【図１１】本発明の第６の実施形態を示す図１相当図
【図１２】図３相当図
【図１３】従来例を示す図１相当図
【符号の説明】
１１は実装基板、１２はＭＭＩＣチップ（高周波回路素子）、１３，１３ａは信号ライン、１４は接合用パターン、１５は目盛りパターン、１６はＡｕバンプ、１７はワイヤ導体（接続手段、接続導体）、１８ａ〜１８ｃはインピーダンス調整用パターン、１９はリボン状導体（接続手段、接続導体）、２０は導電層（接続手段）である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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