(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの側面において基準点から所定の距離にピットを配置することによって該半導体ウェハに関する識別情報を表すため、前記半導体ウェハについての処理の前、処理中および完了後に可読である前記ピットを、前記半導体ウェハ中に形成する方法であって、
前記半導体ウェハをカットする前のブールに前記ピットを形成するため、前記基準点の近くの前記ブールの側面に複数の直線状の溝からなるウェハ識別ノッチを形成し、前記形成した複数の直線状の溝以外の前記ブールの側面にら旋形に湾曲した複数の溝からなるブール・シーケンス・ノッチを形成し、
その後に前記ブールを半導体ウェハにスライスすることを含む前記方法。
【請求項２】
前記ピットをコーティングで被覆することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェハ上の情報符号化構造および半導体ウェハ上に情報を符号化する方法に関する。本発明はさらに、情報符号化構造を含む半導体ウェハに関する。本発明はさらに、半導体ウェハ上に情報を符号化し、この情報を読み取るシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置製造では一般に、複数の半導体ダイまたはチップがより大きな半導体ウェハ片からカットされる。また、一般に、複数のシリコン・ウェハは大きなシリコン・ブールからカットされる。
【０００３】
半導体ウェハの形成後、半導体ウェハの内部および表面に機能構造を形成するための処理が実施される。ウェハごとに異なる処理を実施することができる。さらに、１枚のウエハの異なる部分に異なる処理を実施することもできる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ウェハの処理履歴等の情報符号化構造を有する半導体ウェハを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、その中に複数のピットを含む半導体ウェハを提供する。ピットは情報提供パターンに配置され、ウェハ上の処理の前、処理中および完了後に可読である。
【０００６】
本発明はさらに、半導体ウェハ上に情報を符号化し、この情報を読み取るためのシステムを提供する。このシステムは、半導体ウェハ上で情報提供パターンに形成され、かつ、ウェハ上の処理の前、処理中および完了後に可読である複数のピットを含む。このシステムはさらに、ピットによって符号化された情報を読み取る手段を含む。
【０００７】
本発明はさらに、半導体ウェハ上に情報を符号化する方法を提供する。この方法は、情報をディジタル形式に変換する段階と、このディジタル形式の情報に対応する、ウェハ上の処理の前、処理中および完了後に可読であるピットを、前記半導体ウェハ中に形成する段階を含む。
【０００８】
当業者には、本発明の他の目的および利点が以下の詳細な説明から容易に明らかとなろう。この説明では、発明実施の最良の形態と考えられる形態を挙げて本発明の好ましい実施形態だけを示し説明した。本発明は、その他の形態および異なる実施形態が可能であり、そのいくつかの詳細は、本発明から逸脱することなくさまざまな明白な点の変更が可能であることが理解されよう。したがって、図面および説明は本質的に例示的なものであり、本発明を限定するものではない。
【０００９】
以上に述べた本発明の目的および利点は、添付図面とともに検討したときにより明確に理解される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
先に論じたように、より大きな半導体片から複数の半導体ウェハをカットすることができる。また、細長いシリコン・ブールから複数のシリコン・ウェハをカットすることができる。次いでシリコン・ウェハ上に処理が実施される。ウェハの処理を追跡することが望ましいことがある。
【００１１】
半導体ウェハを処理するとき、ウェハは一般に、複数の異なるウェハ上に異なる構造を形成する異なる方式に従って処理される。さらに、１枚のウエハの異なる部分に異なる構造を形成することもできる。さらに、ウエハの処理を通じてウェハに使用されている処理レシピを識別できることが望ましいこともある。
【００１２】
現在、半導体ウェハはバー・コードによって識別されている。一般にはレーザを利用して、半導体ウェハを識別するためのバー・コードを半導体ウェハ上に作成している。しかし、レーザで作成した（スクライビングした）バー・コードは一般に、処理段階後に読み取ることができない。かつては、レーザでスクライビングしたバー・コードのリーダビリティを向上させるため、スクライビング前に長方形を注入してコントラストを高めていた。次いで、注入した長方形上にバー・コードをスクライビングする。バー・コードが読めなくなったときには、バー・コードを読み取るための専用の読取装置が必要だった。これによって、ツール・リーダがバー・コードを読み取ることができる。
【００１３】
注入した領域にバー・コードを刻印する方法の代替として、バー・コードに対するウェハのコントラストを変化させる材料を、ウェハ中およびウェハ上に付着させた。しかしこのような付着フィルムはその後の処理中に腐食してしまう。
【００１４】
一般に、複数の製造ツールが、複数の製品設計および複数の技術変更（ＥＣ）レベルのウェハ・ロット、または特定の複数の製品バージョンのウェハ・ロットを処理する。輸送箱上のロット番号はウェハ・ロットの制御を可能にする。適当なウェハが適当な処理を受け取ることを保証するために、ウェハを追跡することがしばしば重要である。追跡は、前述のバー・コードを用いて実施することができる。しかし、先に述べたとおり、バー・コードは判読不能になる可能性がある。さらに、現在の半導体製造制御システムは、ウェハおよびロットを識別し適当なツール・レシピをダウンロードするデータ・システムを必要とする。１ロット中の異なるウェハは多くの場合に異なる処理を要求する。これも、ロットおよびウェハの識別に基づく。ウェハの経路指定および処理を正確に識別することが非常に重要である。半導体製造を成功させるためには、経路指定およびツール・レシピを正確に識別することが非常に重要である。
【００１５】
将来の処理の進歩には、３００ミリメートル、またはこれを超えるウェハ・ファブリケータが含まれる。このようなファブリケータがラインに組み込まれると、複数の部品番号がウェハ・ロット内に存在することが予想される。これは、制御要件をさらに複雑にする。この線に沿って、ウェハ追跡システムの重要性はさらに高まるであろう。
【００１６】
本発明は、以上およびその他の問題に対する解決策を提供する。この線に沿って、本発明が取り組もうとしている問題は全顧客注文の損失の問題を含む。本発明は、ウェハの識別を可能にする方式を提供する。ウェハを識別することによって、ウェハ上に形成されている構造を決定することができる。
【００１７】
本発明はさらに、製造中にウェハを識別し、ウェハ−ロット、ウェハ−処理ツール、および／またはウェハ−処理レシピなどの迅速なマッチングを可能にする高信頼の方法を提供する。本発明は、現在利用されているバー・コード・システムよりも信頼できる。
【００１８】
本発明はさらに、ウェハ−ロット、ウェハ−処理、および／またはウェハ−処理レシピなどの追跡を可能にし、製造中にウェハを制御する高信頼の方法を提供する。本発明はさらに、ある種の制御機能をローカル・レベルに移動させることによって、ツールおよびロジスティックス制御システムの経費を減らすことができる。その上、本発明はこれらの機能を、現在利用されているバー・コード・システムよりも高い信頼性で実施することができる。
【００１９】
本発明は、ウエハ処理後も肉眼で、または補助機構を使用して、または機械によって読み取ることができるシステムを提供することによって、現在利用されているウエハ処理システムの短所に対処する。本発明はさらに、一般的ないし標準的なバー・コードに比べて、使用可能なウェハ上の情報量を数桁増大させることができる方法を提供する。ウェハ識別データを提供する他に、本発明に基づく半導体ウェハ上に提供された情報を利用してツールをローカル制御することもできる。
【００２０】
本発明を利用して、さまざまな異なる目標を達成することができる。例えば、本発明は、ブール中のウェハ位置の決定と、ウェハ上に形成された構造を決定するためのウェハの識別とを可能にする。本発明はさらに、同じブールからカットした他のウェハに対する、ある１枚のウェハのブール中での相対位置の識別を可能にする。本発明はさらに、半導体ウェハおよび製造プロセスの追跡および経路指定を可能にする。半導体ウェハ上に符号化された情報のその他の使用を本発明に基づいて実行することもできる。
【００２１】
本発明は一般に、半導体ウェハ上に所望の情報を符号化する技法を提供する。本発明は、半導体ウェハ上に情報を符号化するための構造、ならびにこの構造を形成し、かつこの構造中に符号化された情報を検索する方法を提供する。この構造中には任意の情報を符号化することができる。
【００２２】
一般に、本発明に基づく半導体ウェハ上の情報符号化構造は、複数の情報符号化ピットを半導体ウェハ中に含む。このピットは、半導体ウェハの任意の部分に形成することができる。言い換えると、ピットは、半導体ウェハの上面、下面、および／または側面に形成することができる。ピットは情報提供パターンに配置され、ウェハ上での処理が完了した後に読み取ることができる。後述するように、本発明に基づく多くのパターンを利用することができる。
【００２３】
本発明に基づくピット情報提供パターンの配置は、バー・コード、ディジタル・パターン、英数字パターンおよび／またはその他の所望のパターンを含むことができる。ピットをディジタル・パターンに配置する場合、このパターンは、異なる２種類の長さを有するピットを含むことができる。これらのピットは、半導体ウェハの任意の面に配置することができる。この線に沿って、ピットを、半導体ウェハの表面、裏面および／またはエッジなどの側面に配置することができる。
【００２４】
本発明に基づくピットは１つまたは複数の方法で読み取ることができる。例えば、ピットを肉眼で読むことができる。読取装置によってピットを読むこともできる。この線に沿って、レーザ読取装置を利用して、本発明に基づいてピット中に符号化された情報を読み取ることができる。ピットを機械可読とすることができる。
【００２５】
本発明に基づくピットは、１つまたは複数の任意のさまざまな形状、サイズおよび相対配置に形成することができる。この線に沿って、それぞれのピットを同じ形状および／または深さに形成すること、あるいは異なる形状および／または深さに形成することができる。例えば、全てのピットを、概ね円形の形状を有するものにすることができる。全てのピットを、正方形、概ね正方形、長方形および／または他の任意の形状にすることもできる。形状が全て同じというわけではないピットを形成することもできる。
【００２６】
先に述べたとおり、円形、楕円形、長方形など、異なる２種類の形状を有するピット中に２進情報を符号化することができる。２進情報は、異なる２種類の形状を有するピットを用いて符号化することができる。全て同じ形状のピットを用いても２進情報を符号化することができる。この場合には、ピットの不在が２進情報の第２値を構成する。
【００２７】
ピットの形状が全て同じというわけではない場合、長さの異なる長方形である、全体形状が異なるなど、ピットは異なる幅および／または長さを有する。これらのピットは一般に、少なくとも２つの異なる幅、長さまたは形状を有する。全て同じ長さだが幅が異なる、または幅は同じだが長さが異なるといったケースもある。
【００２８】
先に述べたとおり、異なる実施形態のピットは異なる寸法を有することができる。一般に、ピットの幅はたかだか１ミリメートルである。ピットの寸法は、少なくとも部分的には、ピットが形成される場所に左右される。半導体ウェハのエッジに形成されるピットは、半導体ウェハの表面または裏面に形成されるピットよりもはるかに大きな寸法を有することができる。
【００２９】
同様に、ピットの深さがピットが形成される場所に左右されることがある。半導体ウェハのエッジに形成されるピットは、半導体ウェハの表面または裏面に形成されるピットよりも半導体ウェハ材料中にはるかに深く形成することができる。半導体ウェハの表面または裏面に形成されるピットは、半導体ウェハ材料中の少なくとも約２．５μｍの深さに形成することができる。
【００３０】
他の寸法と同様に、ピット間のスペーシングも実施形態によって変えることができる。一実施形態によれば、ピットは、互いから約２ミリメートル離される。これは一般に、半導体ウェハのエッジにピットを形成する場合である。半導体ウェハの表面または裏面に形成されるピットは、これよりもはるかに近づけて配置することができる。この線に沿って、これらのピットは、隣接するピットから約５μｍ〜約１０μｍ離して形成することができる。一実施形態によれば、同じ行の隣接するピット、または隣接する行のピットは互いから少なくとも約５μｍ離される。
【００３１】
ピットの側壁の輪郭も変化させることができる。本発明に基づくピットの側壁は一般に、その少なくとも一部がまっすぐで、かつピットが形成された半導体ウェハの上面、下面および／またはエッジに垂直である。
【００３２】
本発明に基づくピットのエッジ、すなわち、ピットの側壁が半導体ウェハの面と出合うところ、またはピットの底面がピットの側壁と出合うところを、鋭くとがらせるのではなしに、湾曲させることができる。したがって、ピットの側壁および／または底壁の少なくとも一部を湾曲させることができる。実際、本発明に基づくピットの底面および／または側壁全体を湾曲させることができる。さらに、少なくとも１つのピットを、半導体ウェハの上面または下面に垂直な線に対して傾けることができる。
【００３３】
本発明に基づくピットは一般にグループとして形成される。ピットをグループにすることによってピットの読取りを容易にすることができる。さらに、ピットをグループに形成して、読み手が肉眼で読める情報をピットが表すようにすることもできる。この線に沿って、ピットを英数字の形状を有するグループに形成することができる。このような一実施形態によれば、文字および／または数字を形成する一群のピットが約２ｍｍ×約５ｍｍの寸法を有する。このようなピットのグルーピングが、先に論じた機械可読部分を含むこともできる。
【００３４】
本発明に基づくピットのリーダビリティは、異なるいくつかの方法で提供することができる。この線に沿って、ピットに入射した光またはその他の放射は反射しないため、ピットを検出することができる。あるいは、ピットに入射した光またはその他の放射ピットを位相を変えて反射させることもできる。一実施形態によれば、ピット間のスペースに入射した光または放射が干渉縞を形成し、その結果、ピットが可読となる。
【００３５】
ピットとピットの少なくとも一部を取り囲む半導体ウェハの表面との間のコントラストによって、ピットを可読にすることもできる。ピットを形成する基板の領域を処理すると、このコントラストを与えることができる。この線に沿って、ピットを形成する領域にイオンを注入することによってコントラストを与えることができる。イオン注入は、ピットの深さがイオン注入の深さよりも深くなる深さに実施することができる。あるいは、単に十分な深さを有するピットがコントラストを与えるようにすることもできる。他の所望の方法に基づいてコントラストを与えることもできる。
【００３６】
ピットの形成後、ピットを含む半導体ウェハの面にコーティングを被せることができる。所望のコーティングを利用することができる。一実施形態によればこのコーティングがサファイアであり、他の実施形態によれば炭化ケイ素である。他の実施形態によれば、コーティング後に実施する処理段階に少なくとも部分的に応じて、二酸化シリコン／サファイア、ポリイミドおよびその他の材料を利用することができる、
【００３７】
グループとして配置して英数字を形成する他に、本発明に基づくピットを他のグルーピングで配置することもできる。この線に沿って、ピットを単純に少なくとも１本の行に配置することができる。ピットのグループを、半導体ウェハ上のその他のピット・グループに対してさまざまに配置することができる。
【００３８】
本発明に基づくピットはさらに、複数の情報符号化ピットへの位置参照を提供する少なくとも１つのピットを含むことができる。こうすることによって、半導体ウェハ上の任意の場所に少なくとも１つの情報符号化ピットを配置することができる。情報符号化ピットの位置を決定し正しく読み取るためには、参照ピットに対する情報符号化ピットの相対位置が分かっていることが重要である。参照ピットは、情報符号化ピットが位置する場所にかかわらず半導体ウェハの任意の面に配置することができる。例えば、参照ピットを半導体ウェハのエッジに配置し、情報符号化ピットを半導体ウェハの上面または下面に配置することができる。
【００３９】
本発明はさらに、半導体ウェハ上に情報を符号化する方法を提供する。この方法は、情報をディジタル形式に変換する段階、およびこのディジタル形式の情報に対応するピットを半導体ウェハ上に形成する段階を含む。ピットは前述のものとすることができる。この方法はさらに、先に説明した少なくとも１つの参照ピットを形成する段階を含むことができる。さらにこの方法は、周囲の半導体ウェハ部分に関して検出可能なコントラストを有するピットを提供する段階を含むことができる。一実施形態によれば、本発明に基づく情報符号化方法は、半導体材料ブールに湾曲した溝を形成する段階、このブールに少なくとも１本の直線状の溝を形成する段階、およびブールをウェハにスライスする段階を含むことができる。
【００４０】
以下に、本発明の特定の３つの実施形態を説明する。以下に説明する例は例示的なものであって、本発明を網羅するものではない。したがって、当業者は、本明細書に含まれる開示を知れば、それほどの実験を経ずとも、以下に説明する実施形態の代替実施形態ならびに完全に異なる実施形態を開発することができよう。
【００４１】
ピットは、半導体ウェハの処理中の複数の段階で半導体ウェハ中に形成することができるが、本発明の一実施形態によれば、半導体がウェハとして存在する前に半導体中にピットを形成する。この線に沿って、ウェハにスライスする前の半導体ブール中にピットを形成する。図１に、このような処理に基づいて形成されるウェハを示す。当然ながら、ピットをブールに形成するのではなしに、それぞれのウェハにピットを個々にカットすることもできる。
【００４２】
前述のとおり、図１は、ピットが半導体ウェハの側面に形成された本発明の一実施形態を表す。図１に示したピットは、個々のそれぞれのウェハ中にカットすることもできるが、一般には、ウェハにスライスする前のシリコン・ブールに形成される。この線に沿って、図４に、ピットがブールに形成された複数のノッチ（切欠き）からなる、シリコン・ブール１０を示す。
【００４３】
図４に示したブールは、異なる２種類のピットまたはノッチを含む。この線に沿って、ブール１０は、直線状のウェハ識別ノッチ１２および湾曲したブール・シーケンス・ノッチ１４を含む。
【００４４】
ウェハ識別ノッチは、ウェハを識別する標準識別データを提供することができる。この識別を、処理の制御に使用されるコンピュータ中の特定の処理情報、顧客情報またはその他の情報とマッチングさせることができる。ブール・シーケンス・ノッチは、ブール中でのウェハの位置、具体的にはブール中の他のウェハに対する相対位置の識別に役立つ。ウェハ識別ノッチは、ブール識別、製造コード、ドーピングおよび／または結晶方位などの情報に対して利用することができる。この情報にはさらに、未処理ウェハのタイプ（すなわちＳＯＩ）、目的のユーザ（完成ウェハのハイジャックを防ぐため。パッケージングが常に製造場所と同じ場所で実施されるとは限らない）、ダウン・ストリーム（すなわち銅）にとって重要な処理情報、後の処理入力を処理中に変更することができる重要な測定値などの、ウェハの親子関係情報を含めることができる。
【００４５】
ノッチ１２および１４は、所望の処理に基づいてブール中に形成することができる。この線に沿って、これらのノッチは、工具を用いてブールを物理的にカットすることによって機械加工することができる。あるいは、レーザを用いてカットすることもできる。その他の適当な処理を利用することもできる。
【００４６】
ウェハ識別ノッチ１２は単に、直線状のノッチをブールに沿ってまっすぐにカットすることによって形成することができる。一方、図４に示した実施形態のブール・シーケンス・ノッチは、ブールを回転させ、同時に、ブールの位置を切削工具に対して横方向に変化させることによって形成することができる。ブールおよび／または切削工具をこのように動かすと、ブール・シーケンス・ノッチが、ねじ山の機械加工のようにブールの円周に沿ったゆるやかなら旋形にカットされる。
【００４７】
ブールにノッチを形成した後、ブールを個々のウェハにスライスする。この線に沿って、図４に、ソー・カーフ１６および個々のウェハ・スライス１８を示す。スライス後にウェハを研磨することができる。
【００４８】
図４から明らかなように、１組のウェハ識別ノッチ１２の始まりは、ウェハ・シーケンス開始ノッチ１３として識別される。曲線状のブール・シーケンス・ノッチをブール上に形成した場合、ブールからスライスしたそれぞれのウェハで、ウェハ識別ノッチはブール・シーケンス・ノッチ１４からそれぞれ異なる距離のところにある。ウェハ識別ノッチの始まりを容易に識別するため、ウェハ・シーケンス開始ノッチの幅を他のウェハ識別ノッチの幅の２倍にすることができる。ウェハ識別ノッチ・セットのウェハ・シーケンス開始ノッチとは反対側のウェハ識別ノッチについても同じことが言える。
【００４９】
図１に、半導体ウェハの側面に形成されたノッチを含む半導体ウェハの一実施形態の一例を示す。図１に示した半導体ウェハのノッチは図４に示したとおりに形成したものである。したがってウェハ１は、ブール・シーケンス・ノッチ２およびウェハ識別ノッチ３を含む。ウェハ１は、４つのブール・シーケンス・ノッチを含むが、任意の数のブール・シーケンス・ノッチを含むことができる。この線に沿って、ウェハは、ブール・シーケンス・ノッチを最低１つ含む必要がある。前述のとおり、ウェハ識別ノッチはウェハ・シーケンス開始ノッチ４を含むことができる。やはり先に説明したとおり、ウェハ・シーケンス開始ノッチ４をブール・シーケンス・ノッチに最も近いノッチとすることができる。
【００５０】
図１に示した半導体ウェハの実施形態はさらに、この一連の識別ノッチのウェハ・シーケンス開始ノッチを含む側とは反対側の端に形成された読取り開始ノッチ５を含む。読取り開始ノッチおよびウェハ・シーケンス開始ノッチを使用して、このノッチ・シーケンスを読み、ノッチをノッチ中に符号化された情報に変換するノッチ・リーダを調整することができる。
【００５１】
ウェハ・シーケンス開始ノッチの場合と同様に、読取り開始ノッチの幅を識別ノッチの幅の２倍にすることができる。これは、識別ノッチの読取りを容易にするのに役立つ。しかしいくつかの実施形態では、読取り開始ノッチおよびウェハ・シーケンス開始ノッチが、識別ノッチの径と同じか、またはこれよりも小さい径を有する。単にこのウェハ・ノッチの違いを検出するだけで、識別ノッチ・シーケンスの開始位置を識別することができる。
【００５２】
図１に示したウェハなどの半導体ウェハはさらに、ウェハ・チャックに半導体ウェハを位置合せするためのノッチ６を含むことができる。このような基準位置ノッチは一般に、処理チャックへのウェハの標準位置決めを可能にするために半導体ウェハ上で利用される。このような基準位置ノッチは当業者にはよく知られている。したがって、これについてここでさらに詳細に論じることはしない。
【００５３】
図１に示した半導体ウェハ１の側面に形成された識別ノッチまたはピット３は、所望の幅および深さに形成することができる。図２に、１つのノッチ７の拡大図を示す。ノッチ７は、半導体ウェハの平面内の幅Ｗ、およびノッチまたはピット７が半導体ウェハのエッジから半導体ウェハの中心に向かって延びる深さＤを有する。
【００５４】
ノッチの幅は約０．１ｍｍ〜約１．５ｍｍ、深さは約０．２ｍｍ〜約１．０ｍｍとすることができる。一般に、図１に示した本発明の実施形態のノッチなどのノッチの幅は約１ｍｍ以下、深さは約１ｍｍ以下である。幅および深さはこれよりも小さくすることができ、場合によっては１ｍｍよりもかなり小さくすることができる。
【００５５】
ノッチの近傍での半導体ウェハの応力亀裂を防ぐため、ノッチの側面と底面が出合うコーナをとがらせるのではなく、図２に示すようにコーナを丸くすることができる。一般に、その半径はノッチの幅のおよそ１０％、またはエッジを丸めて破壊を低減させるのに十分な大きさとすることができる。
【００５６】
当然ながら、図２に示したノッチおよび先に記載した寸法は、本発明に基づく半導体ウェハのエッジに形成することができるノッチまたはピットの一実施形態を表すに過ぎない。他の形状および寸法も可能である。本明細書に含まれる開示を知れば、当業者は、このようなピットまたはノッチに対する代替形状、寸法およびその他のパラメータを決定することができよう。
【００５７】
情報は、図１に示したウェハなどのウェハ中に単に２進データとして符号化される。言い換えると、ノッチの存在を例えば値１とみなす。一方、ノッチの不在には値０を割り当てる。もちろん、ノッチの値およびノッチの不在を逆にすることもできる。ノッチの不在はノッチ位置間のスペースでもある。さらに、サイズの異なる２つのノッチが２進符号化システムの２つの値を表すとすることもできる。
【００５８】
図１に示したノッチのグループを利用して、半導体ウェハの識別情報を符号化することができる。この情報には、標準識別データを含めることができる。このようなデータの例は先に示した。
【００５９】
図３は、図１に示したウェハをカットしたのと同じブールからカットした半導体ウェハの一実施形態を表す。したがって図３に示したウェハ７は、ブール・シーケンス・ノッチ２、ウェハ・シーケンス開始ノッチ４、ウェハ識別ノッチ３、読取り開始ノッチ５および基準位置ノッチ６を含む。しかし、図３に示すとおり、ウェハ上の他のノッチに対するブール・シーケンス・ノッチの位置は移動している。これは、図４に示したブール・シーケンス・ノッチの形成に起因する。このブール・シーケンス・ノッチ位置の移動は、そのウェハをカットしたブール中の位置、ならびにブール中のその他のウェハに対する相対位置の識別を可能にする。
【００６０】
半導体ウェハ中にブール・シーケンス・ノッチを図４に示すようにカットすることによって、ブール中の多数のウェハの識別が可能になる。一例によれば、長さ１．５ｍのブール中の１０００枚のウェハを識別することができる。実際、ブールに沿って１枚移動するごとにノッチ・パターンを変えることができるので、ウェハの数は事実上無限である。この実施形態によれば、ウェハの幅は約２００ｍｍ、したがって円周は約６２８ｍｍである。４つのブール・シーケンス・ノッチを利用する場合、これらのそれぞれのブール・シーケンス・ノッチの幅は約１ｍｍであり、それぞれのノッチは約０．２５ｍｍ離される。この実施形態では、このブールの円周のうち６００ミリメートルがブール・シーケンス・ノッチに利用される。この技法の１つの利点は、ウェハの識別が２つの方法、すなわちノッチのパターンおよび指定された開始点からのノッチの角変位によって符号化されることである。
【００６１】
円周のうち４００ミリメートルをブール・シーケンス・ノッチに利用すると、ウェハ識別ノッチ用に約２２８ミリメートルが残る。３０個のノッチからなり、単一の数字として読み取られる１つの識別ノッチ・グループは、２億５千万個を超える異なる数字を与える。また、６個のノッチからなるグループをひとまとまりとして読み取られる１２０個の識別ノッチは、２０個の６４数字を与える。このような実施形態は、英数字に都合よく変換可能であり、予備のための組合せも確保できる。
【００６２】
もちろん、ブール・シーケンス・ノッチのスペーシング、ブール・シーケンス・ノッチの数、ウェハ識別ノッチのグルーピングおよび識別は変更することができる。当業者は、本明細書に含まれる開示を知れば、それほどの実験を経ずとも、ノッチ・サイズ、スペーシング、グルーピングおよびその他のパラメータの多数の組合せを決定することができよう。
【００６３】
図１および図３に示すように半導体ウェハ上に情報を符号化した後、情報を読み取ることができる。図１および図３に示したノッチなどのノッチを用いて、前述のとおり情報を２進法で符号化する。情報を読み取ると２つの値が生成される。
【００６４】
図５に、ノッチを読み取る際にリーダが拾い上げ、分析する信号表現の一実施形態を示す。図５に示した実施形態では、縦軸が電圧または電流を表し、横軸が時間を表す。他の実施形態によれば縦軸が別の変数を表し、ノッチを読み取る際に電圧、電流以外の変数が計測される。
【００６５】
図５で、ＣＬＫとして識別される一番上の信号線をリーダ電子回路内部のクロック信号とすることができる。タイミング精度の向上および後に論じるその他の目的のため、クロック信号は図６に示すようにより小さな複数のパルスからなる。このクロック信号を使用して、ノッチの読取りのタイミングを合わせることができる。
【００６６】
識別ノッチがリーダの下を通過すると、図５に示すＩＤノッチ信号が生成される。図１に示したウェハおよび図３に示したウェハはともに、図５に示したＩＤノッチ信号を生成する。図１および図３に示すとおり、ＩＤノッチ・シーケンスの先頭には幅が２倍の２つの読取り開始ノッチ５がある。次いで識別ノッチ３、ウェハ・シーケンス開始ノッチ４が続く。ウェハ・シーケンス開始ノッチ４を読み取った後、リーダはブール・シーケンス・ノッチを読む。
【００６７】
２倍幅のウェハ・シーケンス開始ノッチを読み取った後、リーダは、ＩＤノッチ信号のエッジを図５の一番上に示したクロック信号のクロック信号エッジに合わせるオフセットを導入することができる。読取り開始ノッチとシーケンス開始ノッチの間に含まれる情報を、クロック信号および生成された２進データ・ストリングと比較することができる。
【００６８】
ウェハ識別ノッチ３を復号化するのに利用したのと同じ段階を利用して、ブール・シーケンス・ノッチを復号化することができる。図１および図３に示したウェハに対応する、図５の最後に示した２本の線に示すように、図１に示したブール・シーケンス・ノッチは、図３に示したウェハ上のブール・シーケンス・ノッチに比べ、シーケンス開始ノッチ４にはるかに近い。この線に沿って、図１に示したウェハのブール・シーケンス・ノッチは、シーケンス開始パルスから７クロック・パルスのところにある。一方、図３に示したウェハのブール・シーケンス・ノッチは、シーケンス開始パルスから１７クロック・パルスのところにある。もちろん、ブール中の他の位置からウェハをカットすることができ、ブール・シーケンス・ノッチは、ウェハをカットしたブール中の位置に応じて開始パルスから任意のクロック・パルスのところに配置することができる。
【００６９】
ブールからウェハが脱落している可能性があり、ブール・シーケンス・ノッチが、シーケンス開始ノッチから正確にノッチ幅／スペーシングの整数倍の間隔を置いて配置されていない可能性があるため、ブール・シーケンス・ノッチのエッジを一般に、クロック信号中のより小さいパルスに一致させ、最も近い完全な整数パルスまで分、タイミングをずらす必要がある。ノッチをファブリケータに導入したときにこの操作を一度、実行し、これから得られた分数オフセットをＩＤノッチ信号と組み合わせてウェハのフィンガプリントとして保管しておくと役立つことがある。
【００７０】
多くの適当な技法に基づいて図１および図３に示したウェハなどのウェハを読み取ることができる。図７および図８に、本発明に基づく半導体ウェハ中の情報符号化ピットを読み取るのに利用することができる２つの異なるシステムを示す。この線に沿って、図７に、２つのレーザ干渉計を含むウェハ・ノッチ読取りリーダの一実施形態を示す。一方、図８に示した実施形態は、レーザまたはその他の放射源および線形ダイオード・アレイを含む。
【００７１】
図７に示したノッチ・リーダの実施形態は、ウェハ・チャック３３によって支持されたウェハ３２の側面に向けられたレーザ干渉計３０を含む。この干渉計は、ウェハに向かって導かれるレーザ光線を生成する。レーザ光線は回転するウェハ３２からはね返る。ウェハのエッジからノッチの底面までの時間遅れが測定され、パルス信号に変換される。信号アベレージングを利用して、ウェハ回転のオフセットおよびエッジに沿った反射率の差を求める。
【００７２】
半導体ウェハの上面に向けられた干渉計３４を配置することによって、潜在的な多くの信号変動を回避することができる。これは、ノッチが存在するときには帰還信号が生じないことに起因する。本発明に基づくリーダに干渉計３０が含まれるか、または干渉計３４が含まれるかに関わらず、復号化回路に対してクリーンで間隔が均一なパルス信号を生成するため信号調整が一般に必要である。
【００７３】
図８に、図１および図３に示したウェハなどの半導体ウェハの実施形態を読み取る、本発明に基づくリーダの他の実施形態を示す。図８に示した実施形態のリーダは、検出器として線形ダイオード・アレイ３６を含む。図８に示した実施形態は、干渉計を利用する実施形態よりもかなり安上がりになる。ウェハに向かって光を導くレーザ／光源３８がウェハの上方に配置される。
【００７４】
図９に、どのように光／レーザが「オン」ダイオードとして指示したいくつかのダイオードに電流を生じさせ、「オフ」ダイオードとして指示した他のダイオードには電流を生じさせないかを示す。この方法は、上限／下限値を設定できるので、偏心した回転および損傷したエッジに対しては非常に鈍感である。この実施形態では、位置合せノッチを区別するため、例えば少なくとも１４個以上、ただし２６個以下のダイオードが一般に照明される。
【００７５】
図９に示した線形ダイオード・アレイ３６の実施形態は４０個のダイオード３８を含む。図９では、「オン」ダイオードが４０と指示され、「オフ」ダイオードが４２と指示されている。図９に示したダイオード・アレイは、ウェハのエッジおよびノッチがダイオードに対して位置することができる位置の外側限界および内側限界を含む。図９には公称ウェハ・エッジも指示されている。
【００７６】
本発明の他の実施形態によれば、ピットが、半導体ウェハのエッジではなくウェハの上面および／または下面に形成される。図１および図３に示した実施形態と同様に、半導体ウェハの上面または下面に形成されたこの実施形態に基づくピットも、ピットの存在または不在、あるいは異なる形態のピットの存在を検出することによって読み取ることができる。半導体ウェハの上面および下面に生成されるピットは、機械だけでなく肉眼でも読むことができるパターンに形成することができる。
【００７７】
図１０に示すように、ピットを、半導体ウェハの予め定義したある領域に形成することができる。ウェハの表面には一般にアクティブ装置が形成されるため、この実施形態に基づくピットは一般に、ウェハの裏面に形成される。図１０に示した実施形態では、長さ約８０ｍｍ、高さ約５ｍｍの領域にピットが形成されている。ピットはもちろん、ウェハの表または裏面の任意のサイズの任意の領域に形成することができる。例えば、ウェハの表側の周縁部などの領域にピットを形成することができる。あるいは、半導体ウェハの表面の通常ならアクティブ装置に利用される部分を犠牲にして、ピットのための空間を作ることができる。図１０に示した実施形態のようにピットを特定の１つの領域に形成する必要はない。ピットは、他の複数の位置に形成することができる。
【００７８】
図１０に示した実施形態によれば、ピットを英数字の形状に形成する。しかし、ピットを英数字を表すグループとして形成する必要は必ずしもない。他の形状を形成するグループに形成することもできる。
【００７９】
文字は、任意のサイズに形成することができる。図１０に示した実施形態によれば、文字はピットから形成され、それぞれの文字は約２ｍｍ×約５ｍｍの寸法を有する。文字の寸法は一般に約０．２ｍｍ×約１．５ｍｍである。
【００８０】
文字はさらに、望ましい任意の距離を置いて配置することができる。文字は一般に、肉眼で容易に読み取ることができるだけの距離をあけて配置される。図１０に示した実施形態によれば、文字は約２ミリメートル離して配置されている。一般に文字は、０．３ｍｍ〜約０．６ｍｍ離して配置される。
【００８１】
文字および文字間のスペーシングと同様に、文字を構成するピットを、異なるサイズ、形状、深さ、ならびにその他のパラメータに形成することができる。一般に、ピットは丸く、約０．６μｍ〜約１．０μｍの直径および約２５μｍ〜約１００μｍの深さを有し、隣接したピットから約０．３μｍ〜約０．６μｍ離して配置される。
【００８２】
ピットの検出を容易にするため、ピットは、周囲の半導体ウェハの表面の領域に対するコントラストによって検出可能となっている。このコントラストは、半導体ウェハ上に処理を実施することによって生み出すことができる。あるいは、半導体ウェハの追加の処理が不要である。例えば、一実施形態によれば、単に十分な深さのピットを形成し、周囲の半導体ウェハの領域と比較したときにコントラストが現れるようにすることによって、周囲の半導体ウェハとの間にコントラストが与えられる。
【００８３】
他の例によれば、ピットの検出を容易にするため、ピットを形成する領域に最初に注入を実施する。注入を実施して、ピットを形成する半導体ウェハの領域にさまざまな変化を生じさせることができる。イオン注入によって、半導体ウェハのこの領域の屈折率を変化させることができる。この注入によって、ピットの周囲の半導体ウェハ面にピットに対するコントラストを与えることができる。ピットを形成する領域にイオン注入を実施することによってコントラストを与えることができる。ピットを形成する半導体ウェハの領域への注入は、半導体ウェハ中のピットを形成する場所および形成する方法に無関係に実施することができる。
【００８４】
ピットを形成する領域に最初に注入を実施する実施形態によれば、適当な処理パラメータに基づいて注入が実施される。一実施形態によれば、注入が、５００Ｋｅｖ、ドーズ量約１０13〜約１０14イオン／ｃｍ2で実施される。このような注入は、リン・イオンを用いて実施することができる。もちろん、任意のイオンおよび任意の処理パラメータを利用することができ、当業者であれば、それほどの実験を経ずとも注入化学種および注入パラメータを決定することができよう。
【００８５】
図１１に、図１０に示したウェハなどの半導体ウェハの実施形態を製造する方法の一実施形態の流れ図を示す。図１１に示すとおりイオン注入後にピットを形成する。ピットは、パルス・レーザによる書込みによって形成することができる。他の適当な処理を利用してピットを形成することもできる。例えば、化学エッチングを利用することができる。マスキング・レベルを構築するのに追加の処理段階が必要となるため、このようなエッチングが特に望ましいというわけではない。
【００８６】
図１２に、半導体ウェハの表面に形成された３つのピットの拡大部分断面図を示す。半導体ウェハ５０中に形成されたそれぞれのピット５２の幅は約５０μｍである。
【００８７】
図１２に示したピットは、深さ約５μｍのまっすぐな側壁部分を有するように形成されている。それぞれのピットはさらに、丸くなった底部６８を含む。ピットを深さ約５μｍに形成すれば、以降の処理によってピットが不明瞭になるのを防ぐのには十分である。もちろん、任意の深さおよび直径を有するピット、ならびに任意の形状の側壁および底面を有するピットを形成することができる。
【００８８】
半導体ウェハ５０の最上部の約０．５μｍの部分５４は、イオン注入が実施された領域を表す。この実施形態によれば、イオン注入によって、この表面の約０．５μｍの部分の屈折率が変化する。屈折率の変化が、入射放射ビーム５６およびビーム５８によって示された屈折によって示されている。放射は次いで、半導体ウェハの非注入部分によってビーム６０が示すように反射される。図４にはさらに、この放射の波形表現６２が示されている。
【００８９】
一方、ピット５２の中へ入る放射ビーム６４によって指示されているように、このような放射は、半導体ウェハのイオン注入領域の影響を受けず、干渉縞を伴って戻される。波形６２に示すように、ピットに入射した光はある吸光を受け、最小限の干渉縞を伴って戻される。
【００９０】
図１２にはさらに、ピットを形成することが可能な空きスペース６６が示されている。この理由については後にさらに詳細に論じる。
【００９１】
図１４に示すように、半導体ウェハ中にピットを、英数字を形成するグループに形成することができる。図１４に２つの文字を示す。それぞれの文字の長さは約５ｍｍ、幅は約２ｍｍである。このような文字は約５０ドット×約２０ドットであり、それぞれのドットの長さは約５０μｍである。このような文字は、２５００ドット／インチ（ＤＰＩ）の解像度を与える。このような文字の大きさは、肉眼で十分に読める大きさである。
【００９２】
図１４に示した文字などの文字は、機械可読部分を含むことができる。この線に沿って、図１４に示したそれぞれの文字は、中央セクション７４および７６に機械可読ドット・セットを含む。それぞれの機械可読ドット・セットは、それぞれ３２ドットからなる２本の列である。
【００９３】
このような機械可読領域中のピットは２進システムの１を表し、ピットの不在は０を表す。このような場合、冗長化のためにそれぞれの文字に同じシーケンスを組み込んだ場合でも、それぞれ３２ピットからなるこの２本の列によって４０億個を超える一意の通し番号が可能になる。あるいは、２６個または６４個の一意文字を表すことができる６ピット位置を含めることができるので、それぞれの文字が、人間が読めるまたは機械可読の形態の同じ英数字を含む。このような実施形態によれば、いくつかの文字をチェック・サム用に振り向けることができる。さらに、この６ドット位置を数回繰り返して冗長度を追加することもできる。
【００９４】
図１３は、文字の機械可読部分を機械で読み取る処理の流れ図を表す。このような実施形態によれば、内側の機械可読ドット・セットからの信号を拾うまで文字を走査する。この信号を切り取り、クロック・パルスと比較し、ディジタル出力に変換することができる。このディジタル出力をアナログ英数字出力に変換する。次いで、機械符号化列を繰返しピッチでセットする。人間可読文字のスペーシングはレーザ・リーダの位置合せの使用のために変更することができる。
【００９５】
本発明の他の実施形態によれば、英数字を形成するピット・グループを形成せずに、ピットを、半導体ウェハの表面および／または裏面の領域に形成する。このピット・グループは、特に図１０に示した実施形態に比べて相対的に小さくすることができる。この実施形態によれば、ピット・グループは一般にウェハの裏面に形成される。一般に、図１０に示した実施形態のピットと同様、小さなピット・グループが、以降の処理中に可視性が十分に保たれる直径および／または深さに形成される。この実施形態によればさらに、一般にピットが情報をディジタル式に符号化し、ピットを低コストで実装することができ、標準コンパクト・ディスク・センサおよび電子回路によって半導体ウェハを回転させる必要もなしにピットを読み取ることができる。
【００９６】
このような実施形態の一例を図１５に示す。この線に沿って、図１５には、ウェハのエッジに形成された位置ノッチ８２を有する半導体ウェハ８０が示されている。半導体ウェハの中央の領域８４に一群のピットが形成されている。図１５に示したウェハ８０のピット・グループ８４は半導体ウェハの裏面の中央に示されているが、ピット・グループは、ウェハの表面または裏面の任意の位置に形成することができる。この線に沿って、この実施形態またはその他の実施形態によれば、２つ以上のピット・グループを半導体ウェハ上に形成することができる。さらに、１枚の半導体ウェハが、本明細書に記載したものなどの２種類以上のピット実施形態を含むことができる。
【００９７】
図１５に示したピットなどの一群の識別ピットを、ウェハの表のアクティブ装置を妨げることなく半導体ウェハの上面の周縁部に形成することができる。しかし、これらのピットは一般にウェハの裏面に形成される。ピット群を形成する場所は必ずしも重要ではないが、ウェハのエッジまたは位置ノッチ８２に対する位置など、ウェハ上の位置が分かっていることが重要である。
【００９８】
図１５に示した実施形態に基づくピットは、所望の配置に形成することができる。しかし、レーザ・リーダの設計を単純化するためピットは一般に、湾曲したトラックではなく線状に配置される。
【００９９】
図１６に、ピットを含む領域８４の拡大図を示す。図１６に示したピットは、さまざまな長さのピットを含む。この線に沿って、図１６に示したピットは異なる２つの長さを有する。さらに、図１６に示した実施形態ではピットが線状に形成されている。
【０１００】
図１７は、図１６に示したピット群の一領域の拡大図を表す。この線に沿って、図１７には長いピット８６および短いピット８８が示されている。
【０１０１】
図１８は、図１７に示したピット群の図１７の線１６に沿った拡大断面図を表す。図１８に示したピットは、幅（Ｗ）が約０．４μｍ、深さ（Ｄ）が約２μｍであり、約０．７５μｍの距離（Ｓ）を隔てて配置されている。
【０１０２】
図１５〜図１８に示した実施形態に基づくピットは、任意の深さに形成することができるが、一般には、以降の処理中にピットを読める状態に保ち、ウェハの裏面に実施された処理とのコントラストを保証するのに役立つ十分な深さとする。ピットは一般に、半導体ウェハの表面から少なくとも２．５μｍの深さに形成される。一般に、ピットは深さ約１．５μｍ〜約３μｍとすることができる。
【０１０３】
隣接するピット間および隣接するピット行間のスペーシングもさまざまに変化させることができる。この線に沿って、隣接するピットは一般に約０．５μｍ〜約１μｍ離して配置される。一方、隣接するピット行は一般に約０．５μｍ〜約２．０μｍ離して配置される。
【０１０４】
このような実施形態によれば、図１０、図１２および図１４に示した実施形態と同様に、コントラストを高めるために半導体ウェハにイオンを注入すること、またはその他の処理を実施することができる。したがって、注入およびその他の処理の先の議論が適用可能であり、ここで言及しておく。ピットはさらに、コントラストを与えるのに十分な深さに形成することができる。
【０１０５】
図１５〜図１８に示した実施形態では、１つの英数字を符号化するのに５０μｍ必要な場合、約２．５ミリメートルの行に５０個の文字を符号化することができる。したがって、図１５〜図１８に示した実施形態は、ウェハの製造番号、基板の種類、ドーピング濃度、製造などの情報の符号化を容易にする。このようなデータは、レーザ、イオン・ミリングまたはマスク／エッチング手順を利用してピット中に符号化することができる。
【０１０６】
このように多くのデータを符号化することができるため、それぞれのツールが読み取り、表示することができるファブリケータ中のロット番号、部品番号、経路指定情報およびその他の情報を符号化することができる。情報の読取りを助けるため、先に述べたように、ウェハのエッジまたはノッチに対するピットが形成された位置の相対位置を知っていることが一般に重要である。先に論じた情報の符号化に加えて、ツール・レシピ・データをピット中に符号化することもできる。それぞれのツールは、それに割り当てられた特定の行または行群を有することができる。これによって、レシピをダウンロードする必要を排除することができる。ツール・レシピ・データの符号化はさらに、全てのウェハが正しい処理を受け取ることを保証するのを助けることができる。実時間、温度、圧力、度量衡データなど、処理中に実際に起こったことを記述するデータを、ウェハに書き込むことができる。書き込まれたデータを使用して、以降の処理段階のパラメータを調整することができる。例えば、ウェハのピット・パターン中に記録された膜厚の測定値をその後の段階で読み取って、その特定のウェハのエッチング時間を制御する。
【０１０７】
半導体ウェハのピット中に情報を符号化した後、このマークを保護するため、ピットが形成されたウェハの表面をコーティング９０でコーティングする。このような実施形態に基づいて利用することができるコーティングには、サファイアおよび／または炭化ケイ素が含まれる。ピットが形成されたウェハの部分だけを実際にコーティングすればよい。しかし、ピットを形成した側のウェハの面全体をコーティングすることもできる。コーティングすると、これらのマークは読取り専用となる。
【０１０８】
先に言及したように、図１５〜図１８に示したピットなどのピット群の読取りに標準ＣＤリーダの利用を含めることができる。図２０に、図１５〜図１９に示したピットなどの情報符号化ピットの実施形態を読み取る装置の一実施形態を示す。図２０に示した装置は、ピットがその上に予め形成されたウェハ１０２を支持するウェハ・ホルダ１００を含む。図２０に示すようにウェハ・ホルダは、ウェハの下側の部分があいている。
【０１０９】
半導体ウェハ１０２のピットが形成された面に隣接して少なくとも１つのセンサを配置することができる。一般に、１つのセンサが移動可能に取り付けられる。センサを移動可能に取り付けることによって、ピットに対するセンサの相対位置を変更して、全てのピットを読み取ることができる。
【０１１０】
図２０に示した実施形態は、半導体ウェハの面に平行なｘおよびｙ方向に移動可能なステージ１０４を含む。センサは、リーダ１０３の中に含まれる。図２０に示したリーダはさらに、入射光ビームを半導体ウェハの裏面に集束させるレンズ１０６を含む。このレンズは、焦点距離を変化させることによって、リーダをウェハから一定の距離に保つことを可能にする。リーダ１０３はレーザ光線を生成し、このレーザ光線は半導体ウェハに向かって導かれ、センサは、半導体ウェハによって反射されたレーザ光線を受け取る。
【０１１１】
ウェハ、ホルダおよびリーダの空間関係が既知の場合には、リーダ機構を単純にすることができる。図１５に示したウェハのノッチ８２などの基準位置ノッチに基づいてウェハが配置される場合には、シータ・ステージ・モーションが必要ない可能性がある。図２０に示したレーザ・リーダなどのリーダは、後続のデータを標識する符号を探して、マークの位置を単に走査すればよい。このシステムは、読み取ったデータを信頼性の高いものにするアロー訂正およびチェック・サム訂正を使用することができる。ｘおよび傾斜移動ステージなどのその他の機構を利用することもできる。
【０１１２】
以上の発明の説明は、本発明を例示し説明するものである。さらに、この開示は、本発明の好ましい実施形態のみを示し説明したものであるが、前述のとおり、本発明は、その他のさまざまな組合せ、変更および環境で使用することができ、上記の教示および／あるいは関連技術の技能または知識と釣り合う本明細書に表示した本発明の概念の範囲内の変更または修正が可能であることを理解されたい。以上に説明した実施形態は、現時点で分かっている発明実施の最良の形態を説明すること、ならびに当業者が本発明を、このような実施形態またはその他の実施形態で、および本発明の特定の応用または使用に必要なさまざまな変更を加えて利用することができるようにすることを意図したものである。したがってこの記述は、本発明を本明細書に開示した形態に限定しようとするものではない。さらに、添付の請求項は代替実施形態を含むものと解釈すべきである。
【０１１３】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【０１１４】
（１）情報提供パターンに配置され、かつウェハ上の処理の前、処理中および完了後に可読である複数のピットをその中に含む半導体ウェハ。
（２）前記ピットのリーダビリティが、周囲の前記ウェハの部分と十分なコントラストを有するピットによって提供される、上記（１）に記載のウェハ。
（３）前記ピットが、イオン注入によって前記コントラストが与えられた前記ウェハの領域に配置された、上記（２）に記載のウェハ。
（４）前記イオン注入がある深さまで実施され、前記ピットが前記イオン注入の深さよりも深い、上記（３）に記載のウェハ。
（５）前記ピットが、十分な深さを有するピットによって前記コントラストが提供された前記ウェハの領域に配置された、上記（２）に記載のウェハ。
（６）前記パターンが、バー・コード、ディジタル・パターン、２進パターン、英数字パターンのうちの少なくとも１つを含む、上記（１）に記載のウェハ。
（７）前記ディジタル・パターンが長短のピットを含む、上記（６）に記載のウェハ。
（８）前記複数のピットが、第１の形状のピットおよび第２の形状のピットを含む、上記（１）に記載のウェハ。
（９）前記ピットが、表面、裏面および側面からなるグループから選択された少なくとも１つのウェハの面にある、上記（１）に記載のウェハ。
（１０）前記ピットの深さが少なくとも２．５μｍである、上記（１）に記載のウェハ。
（１１）前記ピットが、前記ウェハの表面から前記ウェハの裏面に延びる前記ウェハの側面にある、上記（１）に記載のウェハ。
（１２）前記ウェハの前記側面の前記ピットが、ブールから前記ウェハをスライスする前に前記ブールに対角線を形成することによって形成され、これによって前記ブールからスライスされたそれぞれのウェハに固有のパターンが与えられる、上記（１１）に記載のウェハ。
（１３）読み手の目によって前記ピットを読むことができる、上記（１）に記載のウェハ。
（１４）レーザ読取り装置を用いて前記ピットを読むことができる、上記（１）に記載のウェハ。
（１５）前記ピットの表面のコーティングをさらに含む、上記（１）に記載のウェハ。
（１６）前記ピットの幅がたかだか約１ｍｍ、深さがたかだか約１ｍｍである、上記（１）に記載のウェハ。
（１７）前記ピットの底面が湾曲している、上記（１）に記載のウェハ。
（１８）少なくとも１つの前記ピットが、前記ウェハの上面および下面に対して垂直である、上記（１）に記載のウェハ。
（１９）少なくとも１つの前記ピットが、前記ウェハの上面および下面に垂直な線に対して傾いている、上記（１）に記載のウェハ。
（２０）少なくとも１つの前記ピットが湾曲した側壁を有する、上記（１）に記載のウェハ。
（２１）前記ピットが少なくとも２つの異なる幅を有する、上記（１）に記載のウェハ。
（２２）前記ピットが機械可読である、上記（１）に記載のウェハ。
（２３）前記ピットが前記ウェハの裏面に配置された、上記（８）に記載のウェハ。
（２４）前記ピットのグループが、少なくとも１つの文字または数字の形状を有する、上記（２３）に記載のウェハ。
（２５）それぞれのピット・グループの幅が約２ｍｍ、高さが約５ｍｍである、上記（２４）に記載のウェハ。
（２６）隣接するピット・グループが互いから約２ｍｍ離れている、上記（２４）に記載のウェハ。
（２７）それぞれのピット・グループが一組の機械可読ピット・スペースを含み、それぞれの前記スペースが３２個のピットをそれぞれ含む２本の列を含む、上記（２４）に記載のウェハ。
（２８）前記ピット間のスペースに入射する光が干渉縞を形成する、上記（１）に記載のウェハ。
（２９）前記ピットに入射した光が反射されない、上記（１）に記載のウェハ。
（３０）前記ピットに入射した光が、位相変化を伴って反射される、上記（１）に記載のウェハ。
（３１）前記ピットが、複数の情報ピットに位置基準を提供する少なくとも１つの位置ピットを含む、上記（１）に記載のウェハ。
（３２）前記位置ピットが前記ウェハの側縁に配置され、前記情報ピットが前記ウェハの上面または下面に配置された、上記（３１）に記載のウェハ。
（３３）前記ピットが、同じ幅および少なくとも２つの異なる長さを有する、上記（１）に記載のウェハ。
（３４）前記ピットが、少なくとも１本の行の形態に配置された、上記（３３）に記載のウェハ。
（３５）１本の行または隣接する行の隣接するピットが少なくとも５μｍ離れている、上記（３３）に記載のウェハ。
（３６）前記コーティングがサファイアまたは炭化ケイ素である、上記（１５）に記載のウェハ。
（３７）半導体ウェハ上に情報を符号化する方法であって、
情報をディジタル形式に変換する段階と、
前記ディジタル形式の情報に対応する、前記ウェハ上の処理の前、処理中および完了後に可読であるピットを、前記半導体ウェハ中に形成する段階
を含む方法。
（３８）前記ピットを形成する段階が、２つの異なる長さを有するピットからなる行を形成する段階を含み、前記ピット行が、前記ディジタル形式の情報に対応する、上記（３７）に記載の方法。
（３９）基準点を形成する段階をさらに含み、前記ピットが前記基準点から所定の距離に配置された、上記（３７）に記載の方法。
（４０）周囲の前記ウェハの部分に対して検出可能なコントラストを有するピットを提供する段階をさらに含む、上記（３７）に記載の方法。
（４１）前記ピットが、ブールから前記ウェハをカットする前に形成され、前記ピットを形成する段階が、
前記ブールに湾曲した第１の溝を形成する段階と、
前記ブールに少なくとも１本の直線状の溝を形成する段階と、
前記ブールをウェハにスライスする段階
を含む、上記（３７）に記載の方法。
（４２）前記ピットをコーティングで被覆する段階をさらに含む、上記（３７）に記載の方法。
（４３）前記ピットによって表現された情報を読み取る段階をさらに含む、上記（３７）に記載の方法。
（４４）前記情報が機械で読み取られる、上記（４３）に記載の方法。
（４５）人間の目によって前記情報を補助なしに読むことができる、上記（４３）に記載の方法。
（４６）前記ピットが、前記ウェハの処理が始まる前、ウエハ処理中、またはウエハ処理の完了後に形成される、上記（３７）に記載の方法。
（４７）処理についての情報を記録するために、前記ピットがウエハの処理中に形成される、上記（４６）に記載の方法。
（４８）以前に形成されたピットが更新される、上記（４６）に記載の方法。
（４９）処理中に形成されたピットを読み取り、読み取った情報を使用して以降の処理パラメータを決定する段階をさらに含む、上記（４６）に記載の方法。
（５０）以前に形成されたピットが無効にされる、上記（３７）に記載の方法。
（５１）半導体ウェハ上に情報を符号化し、この情報を読み取るためのシステムであって、
前記半導体ウェハ上で情報提供パターンに形成され、かつウェハ上の処理の前、処理中および完了後に可読である複数のピットと、
前記ピットによって符号化された情報を読み取る手段
を含むシステム。
（５２）前記情報読取り手段が少なくとも１つのレーザを含む、上記（５１）に記載のシステム。
（５３）前記情報読取り手段が少なくとも１つの干渉計を含む、上記（５１）に記載のシステム。
（５４）前記情報読取り手段が少なくとも１つの線形ダイオード・アレイを含む、上記（５１）に記載のシステム。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に基づく半導体ウェハの一実施形態の上面図である。
【図２】本発明に基づく半導体ウェハ中に形成することができるピットの一実施形態の断面図である。
【図３】本発明に基づく半導体ウェハの他の実施形態の上面図である。
【図４】本発明に基づくピットの一実施形態を含むシリコン・ブールの透視図である。
【図５】本発明に基づく半導体ウェハ中に形成することができる情報符号化ピット・パターンの読取り中に生成される可能性がある電子信号を表す図である。
【図６】本発明に基づく半導体ウェハ中に形成することができる情報符号化ピット・パターンの読取り中に生成される可能性がある電子信号の他の実施形態の拡大断面図である。
【図７】本発明に基づく半導体ウェハのピット中に符号化された情報を読み取るシステムの一実施形態の側面図である。
【図８】本発明に基づく半導体ウェハのピット中に符号化された情報を読み取るシステムの他の実施形態の側面図である。
【図９】本発明に基づく半導体ウェハのピット中に符号化された情報を読み取るシステムに基づくダイオード中の電流を表す図である。
【図１０】本発明に基づく半導体ウェハ中に情報を符号化するピットの他の実施形態の上面図である。
【図１１】本発明に基づく半導体ウェハ中に情報を符号化する方法の諸段階を示す流れ図である。
【図１２】本発明に基づく半導体ウェハの一実施形態の拡大断面図である。
【図１３】本発明に基づく半導体ウェハのピット中に符号化された情報を読み取る実施形態の諸段階を示す流れ図である。
【図１４】本発明に基づく半導体ウェハ中の情報符号化ピットの他の実施形態の拡大図である。
【図１５】本発明に基づく半導体ウェハの他の実施形態の上面図である。
【図１６】本発明に基づく半導体ウェハ中のピットの拡大図である。
【図１７】図１６に示したピットの一部分の拡大図である。
【図１８】図１７に示したピットの実施形態の断面図である。
【図１９】ピット上およびピットに隣接したスペース上にコーティングを含む図１８に示したピットの断面図である。
【図２０】本発明に基づく半導体ウェハのピット中に符号化された情報を読み取るシステムの一実施形態の断面図である。
【符号の説明】
１  ウェハ
２  ブール・シーケンス・ノッチ
３  ウェハ識別ノッチ
４  ウェハ・シーケンス開始ノッチ
５  読取り開始ノッチ
６  基準位置ノッチ
７  ノッチ
７  ウェハ
１０  ブール
１２  ウェハ識別ノッチ
１３  ウェハ・シーケンス開始ノッチ
１４  ブール・シーケンス・ノッチ
１６  ソー・カーフ１８  ウェハ・スライス
３０  レーザ干渉計
３２  ウェハ
３３  ウェハ・チャック
３４  干渉計
３６  線形ダイオード・アレイ
３８  レーザ／光源
３８  ダイオード
４０  「オン」ダイオード
４２  「オフ」ダイオード
５０  半導体ウェハ
５２  ピット
５４  イオン注入部分
５６  入射放射ビーム
５８  入射放射ビーム
６０  反射ビーム
６２  波形
６４  入射放射ビーム
６６  空きスペース
６８  ピットの底部
７４  中央セクション
７６  中央セクション
８０  半導体ウェハ
８２  位置ノッチ
８４  中央領域
８４  ピット群
８６  長いピット
８８  短いピット
９０  コーティング
１００  ウェハ・ホルダ
１０２  ウェハ
１０３  リーダ
１０４  移動可能ステージ
１０６  レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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