(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表側及び裏側に電極が形成された半導体チップがベース部材の片側に配置されてなる半導体装置において、
上記ベース部材に立設された基台と、
上記基台の壁面に取り付けられた導電性のサブマウント部材と、
上記サブマウント部材の外面に近接又は接触し、上記基台及びサブマウント部材の方向に湾曲するアーム部を備えた電極端子とを有しており、
上記半導体チップが、上記アーム部の弾性力により、上記電極端子とサブマウント部材の外面との間に挟持されて、一方の電極が上記基台側に当接し、他方の電極が上記電極端子側に電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記半導体チップの少なくとも一方の電極側において、上記サブマウント部材，電極端子及び半導体チップのヤング率よりも小さなヤング率を有する層状部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
上記サブマウント部材の外面に、上記半導体チップが嵌合し得る所定幅の溝部が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
上記サブマウント部材の外面に、上記半導体チップが嵌合し得る凹部が設けられていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
表側及び裏側に電極が形成された半導体チップがベース部材の片側に配置されてなる半導体装置において、
上記ベース部材に立設された基台と、
上記基台の壁面に近接又は接触し、上記基台の方向に湾曲するアーム部を備えた電極端子とを有しており、
上記半導体チップが、上記アーム部の弾性力により、上記電極端子と基台の壁面との間に挟持されて、一方の電極が上記基台側に当接し、他方の電極が電極端子側に電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
上記半導体チップの少なくとも一方の電極側において、上記基台，電極端子及び半導体チップのヤング率よりも小さなヤング率を有する層状部が設けられていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
上記基台の壁面に、上記半導体チップが嵌合し得る所定幅の溝部が設けられていることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置。
【請求項８】
上記基台の壁面に、上記半導体チップが嵌合し得る凹部が設けられていることを特徴とする請求項５〜請求項７のいずれか一に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばレーザダイオード等の半導体チップを備えた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、表側及び裏側において電極が形成された半導体チップを備え、該半導体チップが一方の電極側で基台側に当接するとともに他方の電極側で電極端子側に接続する構造を備えた半導体装置は、一般に良く知られている。
図１０に、かかる従来の半導体レーザ装置の内部構造の一例を示す。また、図１１は、この従来例における半導体チップの取付構造を示す拡大図である。この半導体レーザ装置７０では、各部材を支持する円盤状のベース部材６３上に、ブロック状に形成された例えばＦｅ製の基台６２が設けられている。この基台６２の壁面６２ａには、レーザダイオードチップ６５（以下、ＬＤチップという）が、例えばＳｉからなる導電性のサブマウント部材６４を介して取り付けられ、その一方の電極６５Ａ側で、上記基台６２に接合されている。図１１から良く分かるように、上記基台６２，サブマウント部材６４及びＬＤチップ６５は、それらの上面が互いに面一になるように配置されている。この半導体レーザ装置７０においては、上記ＬＤチップ６５の上面が、レーザ光が出射するレーザ出射面をなす。
また、上記基台６２に取り付けられたＬＤチップ６５に隣接して、平板状の電極端子６７が設けられている。この電極端子６７は、上記ＬＤチップ６５の外側の電極６５Ｂに対しワイヤ６９を用いて電気的に接続されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、かかる半導体レーザ装置７０では、上記基台６２，サブマウント部材６４及びＬＤチップ６５を互いに接合するに際し、上記ＬＤチップ６５とサブマウント部材６４とが、また、上記サブマウント部材６４と基台６２とが、ＡｕＳｉ，ＡｕＳｎ，ＰｂＳｎ若しくはＩｎ（インジウム）等の半田材（不図示）を介してボンディングされるが、このボンディング工程では、使用する半田材の種類によって異なるものの、一般的には１２０〜３５０℃への昇温を伴うことが知られている。
このボンディング工程における熱履歴により、上記ＬＤチップ６５とサブマウント部材６４との間に、若しくは、上記ＬＤチップ６５と基台６２との間に、線熱膨張係数の違いに起因する応力（いわゆる熱応力）が生じる。上記ＬＤチップ６５に対して一定以上の熱応力が加わった場合に、ＬＤチップ６５に通電すると、通電中に結晶欠陥が増殖して、装置の信頼性が十分に確保し得なくなる。このため、熱応力を緩和する、あるいはなくすることは、従来から望まれているところであった。
また、上記半導体レーザ装置７０の組み立てる場合には、上記基台６２，サブマウント部材６４及びＬＤチップ６５、並びに、電極端子６７は、それらを互いに電気接続させるために、順次、別々の工程において半田材又はワイヤ６９を用いてボンディングされる必要があり、その組立工数が煩雑になり、製造コスト面において不利であった。
【０００４】
本発明は、上記技術的課題に鑑みてなされたもので、半導体チップに対して熱応力をもたらす昇温を伴わずに半導体チップを容易かつ迅速に取り付け得る構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
このため、本願の第１の発明は、表側及び裏側に電極が形成された半導体チップがベース部材の片側に配置されてなる半導体装置において、上記ベース部材に立設された基台と、該基台の壁面に取り付けられた導電性のサブマウント部材と、上記サブマウント部材の外面に近接又は接触し、上記基台及びサブマウント部材の方向に湾曲するアーム部を備えた電極端子とを有しており、上記半導体チップが、上記アーム部の弾性力により、上記電極端子とサブマウント部材の外面との間に挟持されて、一方の電極が上記基台側に当接し、他方の電極が電極端子側に電気的に接続することを特徴としたものである。
【０００６】
また、本願の第２の発明は、上記半導体チップの少なくとも一方の電極側において、上記サブマウント部材，電極端子及び半導体チップのヤング率よりも小さなヤング率を有する層状部が設けられていることを特徴としたものである。
【０００７】
更に、本願の第３の発明は、上記サブマウント部材の外面に、上記半導体チップが嵌合し得る所定幅の溝部が設けられていることを特徴としたものである。
【０００８】
また更に、本願の第４の発明は、上記サブマウント部材の外面に、上記半導体チップが嵌合し得る凹部が設けられていることを特徴としたものである。
【０００９】
本願の第５の発明は、表側及び裏側に電極が形成された半導体チップがベース部材の片側に配置されてなる半導体装置において、上記ベース部材に立設された基台と、該基台の壁面に近接又は当接し、上記基台の方向に湾曲するアーム部を備えた電極端子とを有しており、上記半導体チップが、上記アーム部の弾性力により、上記電極端子と基台の壁面との間に挟持されて、一方の電極が上記基台側に当接し、他方の電極が電極端子側に電気的に接続することを特徴としたものである。
【００１０】
また、本願の第６の発明は、上記半導体チップの少なくとも一方の電極側において、上記基台，電極端子及び半導体チップのヤング率よりも小さなヤング率を有する層状部が設けられていることを特徴としたものである。
【００１１】
更に、本願の第７の発明は、上記基台の壁面に、上記半導体チップが嵌合し得る所定幅の溝部が設けられていることを特徴としたものである。
【００１２】
また更に、本願の第８の発明は、上記基台の壁面に、上記半導体チップが嵌合し得る凹部が設けられていることを特徴としたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
実施の形態１．
図１に、本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置１０の内部構造を示す。この半導体レーザ装置１０では、表側及び裏側に電極が形成されたｐｎ接合のレーザダイオードチップ（以下、ＬＤチップという）５が用いられる。このＬＤチップ５に順方向電流を流してレーザ発振を起こさせるには、各電極について外部電極を取り付ける必要があるが、この半導体レーザ装置１０では、一方の外部電極として、円盤状のベース部材３上の所定位置に、Ｆｅ製の基台２が一体成形されている。この基台２は、ブロック状に形成されており、上記ＬＤチップ５用の放熱体としても利用されるものである。そして、この基台２の壁面２ａには、導電性のサブマウント部材４が接合されている。また、他方の外部電極として、上記基台２及びサブマウント部材４に隣接して、平板状の金属製の電極端子７が設けられている。かかる構成において、上記ＬＤチップ５は、上記電極端子７とサブマウント部材４との間に配置される。上記基台２及び電極端子７は、更に、上記ベース部材３から下方に延びる外部端子１１に接続され、ＬＤチップ５に通電する場合には、これらの外部端子１１間に電圧が印加される。
また、この半導体レーザ装置１０では、上記ベース部材３上に設けられた各部材を外部環境から保護する手段として、ベース部材３の周縁部において溶着され各部材を取り囲むキャップ１２が取り付けられている。このキャップ１２は、上面側で開口するレーザ光透過用の窓１２ａを備えており、この窓１２ａには光学ガラス１３が取り付けられている。
【００１４】
図２及び図３は、それぞれ、上記ＬＤチップ５の取付構造を示す拡大斜視図、拡大平面図である。図２から良く分かるように、上記サブマウント部材４及びＬＤチップ５は、上記基台２の壁面２ａに対し、それらが上面側で面一になるように取り付けられている。そして、この状態では、上記ＬＤチップ５の一方の電極（ｎ側電極）５Ａが、上記サブマウント部材４を介して基台２側に当接させられ、他方の電極（ｐ側電極）５Ｂが、上記電極端子７に直接に接触して電気接続されている。なお、この半導体レーザ装置１０においては、上記ＬＤチップ５の上面が、レーザ光が出射するレーザ出射面をなす。
【００１５】
この実施の形態では、上記電極端子７が、一端側で上記サブマウント部材４の外面近傍において延在する所定長さのアーム部７ａを備える一方、他端側で上記ベース部材３に固定されて、いわゆる片持ち梁式に設けられている。図３から良く分かるように、上記アーム部７ａは、基台２及びサブマウント部材４の方向に湾曲するように形成されている。この形状により、アーム部７ａは、その外側面で上記ＬＤチップ５に当接し、ＬＤチップ５をサブマウント部材４に対して付勢させることができる。
尚、このアーム部７ａの形状は、上記ＬＤチップ５を取り付けた場合に、上記アーム部７ａとサブマウント部材４との間にＬＤチップ５を挟持し得るに十分な弾性力をもたらすものであれば、いかなる形状であっても良い。
【００１６】
かかる構成を備えた半導体レーザ装置１０の組立工程において、上記サブマウント部材４は、上記基台２の壁面２ａにＡｕＳｎの半田材を用いて約３５０℃の温度でボンディングされる。上記ＬＤチップ５を取り付けるには、これを室温まで冷却した後、ＬＤチップ５をアーム部７ａの先端側（図３の仮想線）からアーム部７ａとサブマウント部材４との間に摺動させて、所定の位置（図３の実線）まで移動させる。上記アーム部７ａはサブマウント部材４の方向に湾曲しているため、移動が完了した状態では、上記ＬＤチップ５がサブマウント部材４の外面４ａに対して押圧されて、上記サブマウント部材４とアーム部７ａとの間に挟持されることとなる。かかる状態で、ＬＤチップ５は、ｎ側電極５Ａで、上記サブマウント部材４を介して上記基台２側に当接し、ｐ側電極５Ｂで、上記アーム部７ａに押圧されることにより上記電極端子７に電気的に接続する。
【００１７】
以上のように、この半導体レーザ装置１０では、上記電極端子７が、所定の弾性力を備えたアーム部７ａにより、ＬＤチップ５を直接に保持することができ、これによって、ＬＤチップ５の表側及び裏側に形成された電極５Ａ，５Ｂを、上記基台２及び電極端子７に対して、それぞれ電気的に接続させることができる。かかるＬＤチップ５の取付構造によれば、ＬＤチップ５に対して半田付け等の昇温を伴う処理を施す必要がないので、ＬＤチップ５に熱応力が加わることはなく、半導体レーザ装置１０の組立に際して、半導体レーザ装置１０の信頼性を十分に確保することができる。
また、上記ＬＤチップ５の取付構造を用いることにより、上記サブマウント部材４とＬＤチップ５との間、及び、ＬＤチップ５と電極端子７との間で、半田付け若しくはワイヤボンディングを行う必要をなくすることができ、半導体レーザ装置１０の組立工数は少なくなる。更に、それに伴い、半田材及びワイヤが必要でなくなるため、コストを削減することができる。
【００１８】
上記実施の形態では、特に図示しないが、ＬＤチップ５として、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕのｎ側電極５ＡとＴｉ／Ｐｔ／Ａｕのｐ側電極５Ｂとからなる基本構造に加え、そのｐ側電極５Ｂ上に、上記サブマウント部材４，アーム部７ａ及びＬＤチップ５を構成する材料と比較してヤング率の小さな金属であるＩｎ（インジウム）が数μ若しくは数十μｍの厚さで塗布されて層状に形成されたものを用いるようにした。これにより、上記アーム部７ａとサブマウント部材４との間にＬＤチップ５を摺動させて移動させる場合に、上記アーム部７ａとＬＤチップ５との間に作用する摩擦力を吸収し、上記ＬＤチップ５が受けるダメージを抑制するようにしている。
なお、この実施の形態では、ｐ側電極５Ｂ上のみに金属Ｉｎの層状部が設けられているが、かかる層状部をｐ側及びｎ側の両電極５Ａ，５Ｂ上に設けてもよい。この場合には、上記サブマウント部材４とＬＤチップ５との間に作用する摩擦力をも吸収し得るので、より確実にＬＤチップ５を保護することができる。また、ＬＤチップ５の電極５Ａ，５Ｂ上に形成される層に用いる導電性の材料は、金属Ｉｎに限らず、ＬＤチップ５に対する摩擦力の影響を緩和し得るものであれば、いかなる材料であってもよい。
【００１９】
更に、図４ａに示すように、上記基台２に取り付けられる導電性のサブマウント部材１４の側面１４ａには、上記ＬＤチップ５が嵌合し得る溝部１６を設けてもよい。図４ｂに、この溝部１６に対してＬＤチップ５が嵌合した状態を示す。この状態では、ＬＤチップ５が、上記電極端子７のアーム部７ａ（図４ｂでは不図示）によりサブマウント部材１４側に押圧されて、アーム部７ａとサブマウント部材１４との間に挟持される。かかる溝部１６を設けることにより、上記ＬＤチップ５を取り付ける場合にＬＤチップ５の位置決めが容易になるとともに、アプリケーション機器使用時の微細振動によってＬＤチップ５が横方向に変位することを防止することができる。
【００２０】
本実施の形態で用いられるｐｎ接合の半導体チップ構造においては、一般的に、ｐ形半導体層がｎ形半導体層に比べて薄く、レーザ光が出射する両層の接合部が、ＬＤチップ５の厚さ方向において、ｐ側電極５Ｂ寄りに位置する。このため、ｐ側電極５Ｂが上記サブマウント部材１４に対向するように（すなわちジャンクションダウン式に）ＬＤチップ５を取り付けた場合には（図４ｂ参照）、ＬＤチップ５の上面において、レーザ光（仮想線で示す）の出射点６は上記サブマウント部材１４寄りに位置することになる。このとき、ｐ側電極５Ｂは上記基台２側に当接し、ｎ側電極５Ａを上記電極端子７側に接続する。なお、ここでは、上記溝部１６に、上記ｐ側電極５Ｂが外側にあらわれるように（すなわちジャンクションアップ式に）ＬＤチップ５を取り付けても支障はない。
【００２１】
また更に、図５ａに示すように、上記基台２に取り付けるサブマウント部材２４の側面２４ａには、上記半導体チップ５が嵌合し得る凹部２６を設けてもよい。図５ｂに、この凹部２６に対してＬＤチップ５が嵌合した状態を示す。この状態で、ＬＤチップ５は、上記電極端子７のアーム部７ａ（図５ｂでは不図示）によりサブマウント部材２４側に押圧されて、アーム部７ａとサブマウント部材２４との間に挟持される。かかる凹部２６を設けることにより、上記ＬＤチップ５を取り付ける場合にＬＤチップ５の位置決めが容易になるとともに、アプリケーション機器使用時の微細振動によりＬＤチップ５が変位することを防止することができる。
なお、この場合には、上記凹部２６の上壁部によりレーザ光が妨害されることを回避するために、ｐ側電極５Ｂが外側にあらわれるように（ジャンクションアップ式に）ＬＤチップ５を取り付けて、ＬＤチップ５の上面におけるレーザ光の出射点６を確保するようにした。
【００２２】
実施の形態２．
次に、本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ装置について説明する。
図６及び図７は、それぞれ、上記実施の形態２に係る半導体レーザ装置におけるＬＤチップ３５の取付構造を示す拡大斜視図及び拡大平面図である。この実施の形態では、表側及び裏側に電極３５Ａ，３５Ｂが形成されたＬＤチップ３５が、半導体レーザ装置のベース部材（不図示）上に設けられた電極端子３７と基台３２との間に挟持されて、その一方の電極（ｎ側電極）３５Ａが上記基台３２に当接し、他方の電極（ｐ側電極）３５Ｂが上記電極端子３７に接続する。
【００２３】
上記電極端子３７は、一端側で上記基台３２の壁面３２ａ近傍に延在する所定長さのアーム部３７ａを備える一方、他端側で上記ベース部材に固定されて、いわゆる片持ち梁式に設けられており、図７から良く分かるように、上記アーム部３７ａは、基台３２の方向に湾曲するように形成されている。かかる形状を備えたアーム部３７ａは、その外側面で上記ＬＤチップ３５に当接し、ＬＤチップ３５を上記基台３２に対して付勢させることができる。
【００２４】
この半導体レーザ装置の組立工程において、上記ＬＤチップ３５を取り付けるには、ＬＤチップ３５をアーム部３７ａの先端側（図７の仮想線の位置）からアーム部３７ａと基台３２との間に摺動させて、所定の位置（図７の実線の位置）まで移動させる。上記アーム部３７ａは基台３２の方向に湾曲しているため、移動が完了した状態では、上記ＬＤチップ５が基台３２の壁面３２ａに押圧されて、上記基台３２とアーム部３７ａとの間に挟持されることとなる。かかる状態で、ＬＤチップ３５は、一方の電極（ｎ側電極）３５Ａ側で上記基台３２に当接するとともに、他方の電極（ｐ側電極）３５Ｂ側で、上記アーム部３７ａに押圧されることにより上記電極端子３７に電気的に接続する。
【００２５】
以上のように、この半導体レーザ装置では、上記電極端子３７が、所定の弾性力を備えたアーム部３７ａにより、ＬＤチップ３５を直接に保持することができ、これによって、ＬＤチップ５の各電極５Ａ，５Ｂを、上記基台３２及び電極端子３７に対して、それぞれ電気的に接続させることができる。かかるＬＤチップ３５の取付構造によれば、ＬＤチップ３５に対して半田付け等の昇温を伴う処理を施す必要がないので、ＬＤチップ３５に熱応力が加わることはなく、半導体レーザ装置の組立に際して、半導体レーザ装置の信頼性を十分に確保することができる。
また、かかる取付構造を用いることにより、上記基台３２とＬＤチップ３５との間、及び、ＬＤチップ３５と電極端子３７との間で、半田付け若しくはワイヤボンディングを行う必要をなくすることができ、半導体レーザ装置の組立工数は少なくなる。特に、この実施の形態では、一般的には熱応力を緩和するために必要とされるサブマウント部材を用いないため、半導体レーザ装置の組立工程はより簡略化されたものとなる。そして、半田材，ワイヤ若しくはサブマウント部材が必要でなくなるため、製造コストを削減することができる。
【００２６】
この実施の形態２では、特に図示しないが、ＬＤチップ３５として、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕのｎ側電極３５ＡとＴｉ／Ｐｔ／Ａｕのｐ側電極３５Ｂとからなる基本構造に加え、そのｐ側電極３５Ｂ上に、上記基台３２，アーム部３７ａ及びＬＤチップ３５を構成する材料と比較してヤング率の小さな金属Ｉｎが数μ若しくは数十μｍの厚さで塗布されて層状に形成されたものを用いるようにした。これにより、上記アーム部３７ａと基台３２との間にＬＤチップ３５を摺動させて移動させる場合に、上記アーム部３７ａとＬＤチップ３５との間に作用する摩擦力を吸収し、上記ＬＤチップ３５が受けるダメージを抑制するようにしている。
【００２７】
図８ａに示すように、上記ＬＤチップ３５が押圧される基台４２の壁面４２ａには、ＬＤチップ３５が嵌合し得る溝部４６を設けてもよい。図８ｂに、この溝部４６に対してＬＤチップ３５が嵌合した状態を示す。この状態で、ＬＤチップ３５が、上記電極端子３７のアーム部３７ａ（図８ｂでは不図示）により基台４２側に押圧されて、アーム部３７ａと基台４２との間に挟持される。かかる溝部４６を設けることにより、上記ＬＤチップ３５を取り付ける場合にＬＤチップ３５の位置決めが容易になるとともに、アプリケーション機器使用時の微細振動によってＬＤチップ３５が横方向に変位することを防止することができる。ここでは、上記ＬＤチップ３５が、そのｐ側電極３５Ｂが上記基台４２に対向するように（すなわちジャンクションダウン式に）取り付けられており、この場合には、ＬＤチップ３５の上面において、レーザ光（仮想線で示す）の出射点３６は上記基台４２寄りに位置することになる。
【００２８】
また、図９ａに示すように、上記ＬＤチップ３５が押圧される基台５２の壁面５２ａには、ＬＤチップ３５が嵌合し得る凹部５６を設けてもよい。図９ｂに、この凹部３６に対してＬＤチップ３５が嵌合した状態を示す。この状態で、ＬＤチップ３５が、上記電極端子３７のアーム部３７ａ（図９ｂでは不図示）により基台５２側に押圧されて、アーム部３７ａと基台５２との間に挟持される。かかる凹部５６を設けることにより、上記ＬＤチップ３５を取り付ける場合にＬＤチップ３５の位置決めが容易になるとともに、アプリケーション機器使用時の微細振動により半導体チップが変位することを防止することができる。ここでは、上記凹部５６の上壁部によりレーザ光が妨害されることを回避するために、ｐ側電極３５Ｂが外側にあらわれるように（ジャンクションアップ式に）ＬＤチップ３５を取り付けて、ＬＤチップ３５の上面におけるレーザ光の出射点３６を確保している。
【００２９】
尚、本発明は、以上の例示された実施態様に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々の改良あるいは設計上の変更が可能であることは言うまでもない。
【００３０】
【発明の効果】
本願の請求項１の発明によれば、半導体チップに対して半田付け等の昇温を伴う処理が必要なく、半導体チップに熱応力が加わることがないため、半導体装置の組立に際して、半導体装置の信頼性を十分に確保することができる。また、この発明によれば、サブマウント部材と半導体チップとの間、及び、半導体チップと電極端子との間で、半田付け若しくはワイヤボンディングを行う必要をなくすることができ、半導体装置の組立工数は少なくなる。それに伴い、半田材及びワイヤが必要でなくなるため、製造コストを削減することができる。
【００３１】
また、本願の請求項２の発明によれば、半導体チップを取り付ける場合にその位置決めが容易になるとともに、アプリケーション機器使用時の微細振動により半導体チップが横方向に変位することを防止することができる。
【００３２】
更に、本願の請求項３の発明によれば、半導体チップを取り付ける場合にその位置決めが容易になるとともに、アプリケーション機器使用時の微細振動により半導体チップが変位することを防止することができる。
【００３３】
また更に、本願の請求項４の発明によれば、半導体チップを取り付けるに際して、電極端子のアーム部とサブマウント部材との間に半導体チップを摺動させて移動させる場合に、上記アーム部と半導体チップとの間に、若しくは半導体チップとサブマウント部材との間に作用する摩擦力を層状部が吸収するため、上記半導体チップが受けるダメージを抑制することができる。
【００３４】
本願の請求項５の発明によれば、半導体チップに対して半田付け等の昇温を伴う処理が必要なく、半導体チップに熱応力が加わることがないため、半導体装置の組立に際して、半導体装置の信頼性を十分に確保することができる。また、この発明によれば、基台と半導体チップとの間、及び、半導体チップと電極端子との間で、半田付け若しくはワイヤボンディングを行う必要をなくすることができ、半導体装置の組立工数は少なくなる。特に、半導体チップを取り付ける上で昇温を伴う処理を用いず、サブマウント部材が不要であるため、その組立工程はより簡略化されたものとなる。この場合には、半田材，ワイヤ及びサブマウント部材が必要でなくなるため、製造コストを削減することができる。
【００３５】
また、本願の請求項６の発明によれば、半導体チップを取り付けるに際して、電極端子のアーム部と基台との間に半導体チップを摺動させて移動させる場合に、上記アーム部と半導体チップとの間に、若しくは半導体チップと基台との間に作用する摩擦力を層状部が吸収するため、上記半導体チップが受けるダメージを抑制することができる。
【００３６】
更に、本願の請求項７の発明によれば、半導体チップを取り付ける場合にその位置決めが容易になるとともに、アプリケーション機器使用時の微細振動により半導体チップが横方向に変位することを防止することができる。
【００３７】
また更に、本願の請求項８の発明によれば、半導体チップを取り付ける場合にその位置決めが容易になるとともに、アプリケーション機器使用時の微細振動により半導体チップが変位することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置の内部構造を示す切欠き斜視図である。
【図２】  上記半導体レーザ装置における半導体チップの取付構造を示す拡大斜視図である。
【図３】  上記半導体チップの取付構造を示す拡大平面図である。
【図４】  （ａ）  上記半導体レーザ装置におけるサブマウント部材の変形例の斜視図である。
（ｂ）  上記サブマウント部材の変形例に対する半導体チップの取付構造を示す斜視図である。
【図５】  （ａ）  上記半導体レーザ装置におけるサブマウント部材の他の変形例の斜視図である。
（ｂ）  上記サブマウント部材の他の変形例に対する半導体チップの取付構造を示す斜視図である。
【図６】  本発明の実施の形態２に係る半導体レーザ装置における半導体チップの取付構造を示す拡大斜視図である。
【図７】  上記実施の形態２に係る半導体レーザ装置における半導体チップの取付構造を示す拡大平面図である。
【図８】  （ａ）  上記実施の形態２に係る半導体レーザ装置における基台の変形例の斜視図である。
（ｂ）  上記基台の変形例に対する半導体チップの取付構造を示す斜視図である。
【図９】  （ａ）  上記実施の形態２に係る半導体レーザ装置における基台の他の変形例の斜視図である。
（ｂ）  上記基台の他の変形例に対する半導体チップの取付構造を示す斜視図である。
【図１０】  従来の半導体レーザ装置の内部構造を示す図である。
【図１１】  従来の半導体レーザ装置における半導体チップの取付構造を示す拡大図である。
【符号の説明】
２，３２，４２，５２  基台、４，１４，２４  サブマウント部材、５，３５  半導体チップ、５Ａ，５Ｂ，３５Ａ，３５Ｂ  電極、７  電極端子、１０  半導体装置、１６  サブマウント部材の溝部、２６  サブマウント部材の凹部、４６  基台の溝部、５６  基台の凹部
【図１】
0003880719.tif 000002
【図２】
0003880719.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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