(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケルオキサイドを主成分として含むシード層と、該シード層上に設けられたバナジウムを主成分として含む下地層と、該下地層上に設けられたコバルト−プラチナ−酸素合金を主成分として含む磁性層とを有することを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記磁性層は、前記コバルト−プラチナ−酸素合金を含む第１の磁性層と、該第１の磁性層上に形成された六方晶最密充填構造を有する非磁性中間層と、前記コバルト−プラチナ−酸素合金を含む第２の磁性層との積層体を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
非磁性中間層は、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、及びイットリウム、及びレニウムからなる群から選択される非磁性材料を主成分として含む請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記磁性層は、前記コバルト−プラチナ−酸素合金を含む第１の磁性層と、該第１の磁性層上に形成された面心立方構造を有する非磁性中間層と、前記コバルト−プラチナ−酸素合金を含む第２の磁性層との積層体を有することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記非磁性中間層は、銅、銀、金、ロジウム、及びイリジウムからなる群から選択される非磁性材料を主成分として含む請求項４に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハードディスク等に用いられる磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハードディスク（ＨＤＤ）は、高速・高密度記録・ランダムアクセス可能・ビットコストが安い等の特徴を持ち、コンピューターの外部記憶装置として、今後も、記録密度の向上が望まれている。
【０００３】
ＨＤＤに用いられる媒体には、これまでコバルトクロム（ＣｏＣｒ）系合金を主成分とする磁気記録層が主に用いられてきた。ＣｏＣｒ系では、Ｃｒ濃度を高め、ＣｒをＣｏＣｒ結晶の粒界に偏析させることで、磁気的にＣｏＣｒ磁性粒子を分離・孤立化し、高Ｈｃおよび低ノイズを達成していると考えられる。
【０００４】
近年、高密度化に伴って、媒体Ｓ／Ｎｍを向上させるため、磁性層の微粒子化を進める結果、熱ゆらぎによる記録信号の劣化が問題視され始めている。これは、磁性粒子の体積が小さくなると、磁化を反転させる活性化エネルギーが小さくなり、特に、大きな反磁界が作用するような状態すなわち磁化遷移領域にある磁性粒子の状態では、室温程度の熱エネルギーでも無視できなくなり、自然に、磁化が反転してしまうことがある。
【０００５】
このような問題に対処する方法の１つとして、ＣｏＣｒよりも磁気異方性が大きいコバルトプラチナ（ＣｏＰｔ）系合金を主成分とする磁性層の採用があげられる。ＣｏとＰｔは、固溶体を形成するため、このままでは記録媒体に適する微粒子化構造を形成することが難しいが、酸素（Ｏ）や窒素（Ｎ）偏析または非磁性物を利用して、結晶粒界を非磁性化し、記録媒体として適した構造にする方法および媒体が知られている。
【０００６】
このような磁性層を用いた媒体では、面内記録の特性を向上させる目的で、磁性層を形成する前に、下地層を設けることができる。
例えばＣｏＣｒ系磁性層を用いた媒体では、ＣｒやＣｒ合金層を下地層として用いることが知られている。
【０００７】
一方、ＣｏＰｔＯ系では、バナジウム（Ｖ）を下地層として用いることが知られている。Ｖ下地層を用いた場合、ＣｏＰｔＯ層では、極薄膜の特性が向上する。また、磁性層を積層構成にしたり、さらに中間に非磁性層を形成することで、磁気記録媒体として優れた特性が得られることも知られている。このような積層構造を有する磁性層として、例えば特開昭６２−２６６２１７（１９８７）にＣｏＣｒ合金／Ｃｏ合金構造媒体、特公平０２−２８１４１４（米国特許第５０５１２８８号、米国特許第５２２７２１２号）にＣｏ（Ｐｔ，Ｎｉ）／非磁性／Ｃｏ（Ｐｔ，Ｎｉ）多層媒体が開示されている。
【０００８】
しかしながら、将来のさらなる高密度化に対応するためには、高保磁力で、良好な耐熱ゆらぎ性を有し、かつより高い記録分解能を有することが要求されており、上述のような磁気記録媒体ではまだ不十分であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、高保磁力で、十分な耐熱ゆらぎ性を有し、記録分解能の高い磁気記録媒体を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ニッケルオキサイドを主成分として含むシード層と、該シード層上に設けられたバナジウムを主成分として含む下地層と、該下地層上に設けられたコバルト−プラチナ−酸素合金を主成分として含む磁性層とを有することを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の磁気記録媒体は、基本的には、少くともシード層、下地層、及び磁性層を順に形成した構造を有する。第１の発明にかかる磁気記録媒体においては、シード層はＴｉＣまたはＴｉＮから実質的になり、磁性層はコバルト合金を主成分として含む。
【００１３】
このような構成を有する磁気記録媒体では、シード層として設けられたＴｉＣまたはＴｉＮが、この上に形成される下地層の（１００）面が基板と平行になるように、この下地層を異方成長させる。これにより、下地層上に形成される磁性層の磁気異方性が効果的に面内配向される。特に、ＴｉＣまたはＴｉＮ膜をシード層として用いると、下地層が薄い状態でも良好な結晶性が得られ、下地層の結晶粒径を微細にし、かつその粒径を均一化させることができる。その結果、得られる磁性層の粒子をより微細化、均一化することができる。
【００１４】
このように第１の発明にかかる磁気記録媒体は、その磁性層が磁性粒子がより良好に微細化、均一化され、かつその磁気異方性が効果的に面内配向されているという利点を有するため、耐熱ゆらぎ性が非常に良好で、かつ十分な高保持力を有し、その記録分解能が十分に高い。
【００１５】
第１の発明によれば、Ｃｏ合金は、Ｐｔ及びＣｒのうち少くとも１つの材料を含むことが好ましい。
また、Ｃｏ合金は、ＰｔとＯを含むことがさらに好ましい。
【００１６】
ＣｏＰｔＯ系磁性層は、大きな結晶磁気異方性を持ち、高Ａｒ圧等の製膜方法により、酸素が偏析した非晶析粒界とＣｏＰｔ系磁性粒子からなる微粒子化構造とすることで、高保磁力が得られる。
【００１７】
さらに、下地層は、Ｖ、Ｖ合金、Ｃｒ、及びＣｒ合金のうちの１つを主成分として含むことが好ましく、特にＶあるいはＶ合金を用いることがより好ましい。下地Ｖ層は、ＣｏＰｔＯ層の初期成長層を改善、磁性粒子を微細化し、１０ｎｍ以下の極薄膜でも高保磁力が得られる作用をもつ。また、ＣｏＰｔＯ系磁性層全体の厚さを厚くせずに、その極薄膜を積層した構造を有する磁性層を用いると、さらに高Ｓ／Ｎｍとより高い記録分解能が得られる。
【００１８】
通常、記録分解能を向上させるためには、結晶磁気異方性のより大きな磁性層を用いて、高保磁力化する方法が考えられる。この方法は、熱ゆらぎに対しても有利と考えられるが、その一方では、磁性粒子を反転させるために強い磁界が必要となる。したがって、ヘッドによって書き込みを行なった場合、ヘッド磁界が十分でないと、パーシャルイレージャーを引き起こし、そのために、高記録密度の出力は大きくならず、ノイズの増大をも招いてしまう。しかしながら、ＴｉＣまたはＴｉＮから実質的になるシード層、Ｖ下地層、及びＣｏＰｔＯ系磁性層を用いた磁気記録媒体においては、磁気異方性を必要以上に大きくせずに、高保磁力化ができるため、パーシャルイレージャーを引き起こすことがなく、高記録密度の出力が十分に大きく、かつノイズも少ない。
【００１９】
また、第２の発明によれば、少くともシード層、下地層、及び磁性層を順に形成した構造を有し、シード層はニッケルオキサイド（ＮｉＯ）またはマグネシウムオキサイド（ＭｇＯ）から実質的になり、下地層はバナジウム（Ｖ）から実質的になり、磁性層はＣｏＰｔＯ合金を主成分として含む磁気記録媒体が提供される。
【００２０】
第２の発明に係る磁気記録媒体では、シード層として設けられたＮｉＯまたはＭｇＯが、この上に形成されるＶ下地層の（１００）面が基板と平行になるように、このＶ下地層を異方成長させる。これにより、Ｖ下地層上に形成される磁性層の磁気異方性が効果的に面内配向される。特に、Ｖは、その上に形成されるＣｏＰｔＯの初期成長層を改善、磁性粒子を微細化し、１０ｎｍ以下の極薄膜でも高保磁力が得られる作用をもつ。ＣｏＰｔＯ系磁性層は、大きな結晶磁気異方性を持ち、高Ａｒ圧等の製膜方法により、酸素が偏析した非晶析粒界とＣｏＰｔ系磁性粒子からなる微粒子化構造とすることで、高保磁力が得られる。また、ＣｏＰｔＯ系磁性層全体の厚さを厚くせずに、その極薄膜を積層した構造を有する磁性層を用いると、さらに高Ｓ／Ｎｍとより高い記録分解能が得られる。
【００２１】
このように第２の発明にかかる磁気記録媒体は、その磁性層が磁性粒子が微細化され、かつその磁気異方性が効果的に面内配向されているという利点を有するため、耐熱ゆらぎ性が良好で、かつ高保持力を有し、その記録分解能が高い。
【００２２】
さらに、第１及び第２の発明の応用として、磁性層を単層ではなく積層構造にすることができる。
例えば磁性層は、Ｃｏ合金を含む第１の磁性層と、第１の磁性層上に形成された六方晶最密充填（ＨＣＰ）構造を有する非磁性中間層と、Ｃｏ合金を含む第２の磁性層との積層構造にすることができる。通常、ＨＣＰ構造を用いると、垂直配向し易いが、本発明では、シード層を用いるために、面内配向をとり易くなる。
【００２３】
六方晶最密充填構造を有する非磁性中間層の材料としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｙ、及びＲｅ等があげられる。特に、ＴｉあるいはＲｅは上層の積層欠陥を少なくし、異方性を大きくできるため好ましい。
【００２４】
あるいは、この磁性層を，Ｃｏ合金を含む第１の磁性層と、第１の磁性層上に形成された面心立方構造（ＦＣＣ）を有する非磁性中間層と、Ｃｏ合金を含む第２の磁性層との積層構造にすることができる。
【００２５】
面心立方構造を有する非磁性中間層の材料としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｈ、及びＩｒがあげられる。特に、Ｒｈ、Ｉｒは、上層の積層欠陥を少なくし、異方性を向上できるため好ましい。
【００２６】
上述の応用例のように、Ｖを主成分とする下地層の下に、ＴｉＮ，ＴｉＣ，ＮｉＯ，またはＭｇＯ等から実質的になるシード層を用いたＣｏＰｔＯ系積層媒体では、中間層としてＨＣＰ構造またはＦＣＣ構造の材料を用いることで、上層の結晶性が向上し、磁性粒子の磁気異方性の均一化が図れる結果、ノイズが低減し、耐熱ゆらぎ性もさらに向上する。
【００２７】
また、中間層として、ＦＣＣ構造の材料を用いた場合、中間層を挿む上下の磁性粒子で、異方性の方向が異なる方向に向く結果、より低ノイズ化が可能となる。
【００２８】
【実施例】
実施例１
２．５インチ径ＨＤＤ用ガラス基板上に、スパッタによってＴｉＮ膜を２０ｎｍ形成し、その上にＶ膜を４０ｎｍ形成した。
【００２９】
さらに、この上にＣｏ−２０ａｔ．％Ｐｔ−９ａｔ．％Ｃｒを組成とするターゲットを用いて、酸素を０．６％添加した圧力１５ＰａのＡｒ雰囲気中で、膜厚２０ｎｍのＣｏＰｔＣｒＯ膜を形成した。
【００３０】
さらに、この上に８ｎｍ厚の炭素（Ｃ）保護層を形成した。
最後に、この上に潤滑剤をディップコートして媒体とした。
得られた磁気記録媒体の断面構造を説明するためのモデル図を図１に示す。図示するように、この媒体は、基板１上に、シード層としてＴｉＮ膜２、下地層としてＶ膜３、磁性層としてＣｏＰｔＯ膜４、及びＣ保護層５が順に積層され、その上にディップコートされた潤滑剤層６が設けられた構成を有する。
【００３１】
比較例１として、ガラス基板上に直接Ｖ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｃ膜の順に形成し、ＴｉＮ膜を用いない媒体を作製した。
得られた各媒体について、磁化の強さ（Ｍ）と磁界（Ｈ）を測定し、その関係をグラフ（以下、ＭＨループという）として図２に示す。図中、直線１０１は、実施例１、破線１０２は、比較例１を示す。
【００３２】
図２に示すように、ＴｉＮを用いない比較媒体では、磁界が４．０ｋＯｅにおける＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．１２であったが、ＴｉＮを用いた媒体では、この比は、０．０５以下となった。
【００３３】
また、このとき＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．０５となる磁界（Ｈｓ）と保磁力（Ｈｃ）との比は、ＴｉＮを用いない比較例１では、０．５７であったが、ＴｉＮを用いた実施例１では、０．６７であった。これにより、実施例１の媒体は、ヘッド磁界で媒体磁化を飽和できる異方性の大きさが決まっている際に、媒体の保磁力をより大きくでき、この結果、出力が大きく、高分解能及び良好な耐熱ゆらぎ性をもつという利点を有していることが分かる。
【００３４】
また、このときの実施例１と比較例１の角型比Ｓ*は各々０．７８及び０．６８であった。
これらの媒体を、記録ヘッド（Ｂｓ＝１．６Ｔ，ギャップ長Ｇｗ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝２．５μｍ）を用いて記録し、再生はスピンバルブ素子を用いたＧＭＲヘッド（ギャップ長Ｇｒ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝１μｍ）によって再生した。ヘッド・媒体スペーシングは４０ｎｍとした。
【００３５】
その結果、ＴｉＮを用いない媒体の記録分解能は１３０ｋＦＣＩであったが、ＴｉＮ膜を用いた媒体の記録分解能は１４０ｋＦＣＩとなった。
実施例２
磁性層の組成のＣｒ量を１５ａｔ．％、１２ａｔ．％、６ａｔ．％、３ａｔ．％、及び０ａｔ．％と変化させる以外は、実施例１と同様にして、磁気異方性の異なる磁性層（それぞれＨｋ＝９ｋＯｅ，７．８ｋＯｅ，８．２ｋＯｅ，１０．５ｋＯｅ，１５ｋＯｅ）を作成し、サンプル２−１、サンプル２−２、サンプル２−３、サンプル２−４、サンプル２−５を得た。得られた各サンプルについて、実施例１と同様の実験を行なった。
【００３６】
ＭＨループの測定において、磁界が４．０ｋＯｅにおける＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．０５以下となる磁性層組成は、ＴｉＮ膜を用いない媒体では、Ｈｋが７．８ｋＯｅであるＣｒ量１５ａｔ．％のサンプル２−１だけであったが、ＴｉＮを用いた媒体では、Ｈｋが１０ｋＯｅ以下であるサンプル２−５で、サンプル２−１、サンプル２−２、サンプル２−３、サンプル２−４で、この結果が得られた。また、＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．０５となる磁界（Ｈｓ）と保磁力（Ｈｃ）との比は、ＴｉＮを用いない比較媒体では、すべて、０．６以下であったが、ＴｉＮを用いた媒体では、すべて０．６以上となった。
【００３７】
また、このときの各サンプルの角型比Ｓ* は各々０．７８、０．７６、０．７６、及び０．７８であった。
これらの媒体を、記録ヘッド（Ｂｓ＝１．６Ｔ，キャップ長Ｇｗ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝２．５μｍ）を用いて記録し、再生はスピンバルブ素子を用いたＧＭＲヘッド（ギャップ長Ｇｒ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝１μｍ）によって再生した。ヘッド・媒体スペーシングは４０ｎｍとした。
【００３８】
ＴｉＮを用いない媒体の高域出力（２００ｋＦＣＩ）と低域の出力（５ｋＦＣＩ）の比は、Ｈｋを増大させてもほとんど変化しなかったが、ＴｉＮを用いた媒体では、Ｈｋが１０ｋＯｅ以下であるサンプル２−１ないしサンプル２−４で、Ｈｋの増大とともに、出力比の増大が見られた。すなわち、ＭＨループにおいて、磁界が４．０ｋＯｅにおける＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．０５以下となる媒体では、比較媒体に比べて高域出力が増大した。ここで、４．０ｋＯｅの値は、ヘッドのＢｓ（１．６Ｔ）の０．２５倍に対応し、媒体に印加される磁界に対応している。
【００３９】
実施例３
２．５インチ径ＨＤＤ用Ｓｉ基板上に、スパッタによってＴｉＣ膜を２０ｎｍ形成し、その上にＶ膜を４０ｎｍ形成した。
【００４０】
さらに、この上にＣｏ−２０ａｔ．％Ｐｔ−９ａｔ．％Ｃｒを組成とするターゲットを用いて、酸素を０．６％添加した圧力１５ＰａのＡｒ雰囲気中で、膜厚２０ｎｍのＣｏＰｔＣｒＯ膜を形成した。
【００４１】
さらに、この上に８ｎｍ厚のＣ保護層を形成した。
最後に、この上に潤滑剤をディップコートして媒体とした。
比較として、ガラス基板上に直接Ｖ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｃ膜の順に形成したＴｉＣ膜を用いない比較例１と同様の媒体を作製した。
【００４２】
得られた各媒体について、ＭＨループを測定したところ、ＴｉＣを用いない比較例２では、磁界が４．０ｋＯｅにおける＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．１２であったが、ＴｉＣを用いた実施例３の媒体では、この比は、０．０５以下となった。
【００４３】
＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．０５となる磁界（Ｈｓ）と保磁力（Ｈｃ）との比は、ＴｉＣを用いない比較媒体では、０．５７であったが、ＴｉＣを用いた媒体では、０．６７であった。
【００４４】
また、このときのサンプル角型比Ｓ* は各々０．７７及び０．６８であった。
これらの媒体を、記録ヘッド（Ｂｓ＝１．６Ｔ，ギャップ長Ｇｗ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝２．５μｍ）を用いて記録し、再生はスピンバルブ素子を用いたＧＭＲヘッド（ギャップ長Ｇｒ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝１μｍ）によって再生した。ヘッド・媒体スペーシングは４０ｎｍとした。
【００４５】
その結果ＴｉＮを用いない比較例２にかかる媒体の記録分解能は１３０ｋＦＣＩであったが、ＴｉＣ膜を用いた実施例３にかかる媒体の記録分解能は１４０ｋＦＣＩが得られた。
【００４６】
実施例４
磁性層の組成のＣｒ量を１５ａｔ．％、１２ａｔ．％、６ａｔ．％、３ａｔ．％、及び０ａｔ．％と変化させる以外は、実施例３と同様にして、磁気異方性の異なる磁性層（それぞれＨｋ＝９ｋＯｅ，７．８ｋＯｅ，８．２ｋＯｅ，１０．５ｋＯｅ，１５ｋＯｅ）を作成し、サンプル４−１、サンプル４−２、サンプル４−３、サンプル４−４、サンプル４−５を得た。得られた各サンプルについて、実施例１と同様の実験を行なった。
【００４７】
ＭＨループの測定において、磁界が４．０ｋＯｅにおける＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．０５以下となる磁性層組成は、ＴｉＣ膜を用いない媒体では、Ｈｋが７．８ｋＯｅであるＣｒ量１５ａｔ．％のサンプル４−１だけであったが、ＴｉＣを用いた媒体では、Ｈｋが１０ｋＯｅ以下であるサンプル４−１ないし４−４で、この結果が得られた。また、＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．０５となる磁界（Ｈｓ）と保磁力（Ｈｃ）との比は、ＴｉＣを用いない比較媒体では、すべて、０．６以下であったが、ＴｉＮを用いた媒体では、すべて０．６以上となった。
【００４８】
また、このときの各サンプルの角型比Ｓ* は各々０．７９、０．７６、０．７８、及び０．７６であった。
これらの媒体を、記録ヘッド（Ｂｓ＝１．６Ｔ，ギャップ長Ｇｗ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝２．５μｍ）を用いて記録し、再生はスピンバルブ素子を用いたＧＭＲヘッド（ギャップ長Ｇｒ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝１μｍ）によって再生した。ヘッド・媒体スペーシングは４０ｎｍとした。
【００４９】
ＴｉＣを用いない媒体の高域出力（２００ｋＦＣＩ）と低域の出力（５ｋＦＣＩ）の比は、Ｈｋを増大させてもほとんど変化しなかったが、ＴｉＮを用いた媒体では、Ｈｋが１０ｋＯｅ以下であるサンプル４−１ないしサンプル４−４で、Ｈｋの増大とともに、出力比の増大が見られた。すなわち、ＭＨループにおいて、磁界が４．０ｋＯｅにおける＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．０５以下となる媒体では、比較媒体に比べて高域出力が増大した。ここで、４．０ｋＯｅの値は、ヘッドのＢｓ（１．６Ｔ）の０．２５倍に対応し、媒体に印加される磁界に対応している。
【００５０】
実施例５
２．５インチ径ＨＤＤ用Ｓｉ基板上に、スパッタによってＴｉＮ膜を２０ｎｍ形成し、その上にＶ膜を４０ｎｍ形成した。
【００５１】
さらに、この上にＣｏ−２０ａｔ．％Ｐｔ−９ａｔ．％Ｃｒを組成とするターゲットを用いて、酸素を０．６％添加した全圧１５ＰａのＡｒ雰囲気中で、膜厚１０ｎｍのＣｏＰｔＣｒＯ膜、膜厚４ｎｍのＶ中間層、膜厚１０ｎｍのＣｏＰｔＣｒＯ膜の順に形成した。
【００５２】
さらに、この上に８ｎｍ厚のＣ保護膜を形成した。
最後に、この上に潤滑剤をディップコートして媒体とした。
得られた磁気記録媒体の断面構造を説明するためのモデル図を図３に示す。図示するように、この媒体は、基板１上に、ＴｉＮ膜２、Ｖ膜１３、磁性層としてＣｏＰｔＯ膜１４、Ｖ膜２３、ＣｏＰｔＯ膜２４、及びＣ保護層５が順に積層され、その上に潤滑剤層６がディップコートされた構成を有する。
【００５３】
比較例２として、ガラス基板上に直接Ｖ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｖ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｃ膜の順に形成したＴｉＮ膜を用いない媒体を作製した。
これらの媒体を、高Ｂｓ記録ヘッド（Ｂｒ＝１．６Ｔ，ギャップ長Ｇｗ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝２．５μｍ）によって記録し、スピンバルブ素子を用いたＧＭＲヘッド（ギャップ長Ｇｒ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝１μｍ）によって再生した。ヘッド・媒体スペーシングは４０ｎｍとした。
【００５４】
その結果、ＴｉＮを用いない媒体の記録分解能は１２０ｋＦＣＩであったが、ＴｉＮ膜を用いた媒体の記録分解能は１３０ｋＦＣＩであった。
実施例６
２．５インチ径ＨＤＤ用ガラス基板上に、スパッタによって、ＴｉＣ膜を５０ｎｍ形成し、その上にＶ膜を６０ｎｍ形成した。
【００５５】
さらに、この上にＣｏ−２０ａｔ．％Ｐｔ−９ａｔ．％Ｃｒを組成とするターゲットを用いて、酸素を０．６％添加した全圧１５ＰａのＡｒ雰囲気中で、膜厚１０ｎｍのＣｏＰｔＣｒＯ膜、膜厚２ｎｍのＴｉＣ層、膜厚２ｎｍのＶ中間層、膜厚１０ｎｍのＣｏＰｔＣｒＯ膜の順に形成した。
【００５６】
さらに、この上に８ｎｍ厚のＣ保護層を形成した。
最後に、この上に潤滑剤をディップコートして媒体とした。
得られた磁気記録媒体の断面構造を説明するためのモデル図を図４に示す。図示するように、この媒体は、基板１上に、ＴｉＣ膜７、Ｖ膜１３、磁性層としてＣｏＰｔＯ膜１４、ＴｉＣ膜１７、Ｖ膜２３、ＣｏＰｔＯ膜２４、及びＣ保護層５が順に積層され、その上に潤滑剤層６がディップコートされた構成を有する。
【００５７】
比較として、ガラス基板上に直接Ｖ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｖ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｃ膜の順に形成したＴｉＣ膜を用いない比較例２と同様の媒体を作製した。
【００５８】
これらの媒体を、高Ｂｓ記録ヘッド（Ｂｓ＝１．６Ｔ，ギャップ長＝０．２μｍ，トラック幅Ｔｗ＝２．５μｍ）によって記録し、スピンバルブ素子を用いたＧＭＲヘッド（ギャップ長＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝１μｍ）によって再生した。ヘッド・媒体スペーシングは４０ｎｍとした。
【００５９】
その結果、ＴｉＣを用いない比較媒体の記録分解能は１２０ｋＦＣＩであったが、ＴｉＣ膜を用いた媒体の記録分解能は１３０ｋＦＣＩであった。
実施例７
２．５インチ径ＨＤＤ用Ｓｉ基板上に、スパッタによってＮｉＯ膜を４０ｎｍ形成し、その上にＶ膜を６０ｎｍ形成した。
【００６０】
さらに、この上にＣｏ−２０ａｔ．％Ｐｔ−９ａｔ．％Ｃｒを組成とするターゲットを用いて、酸素を０．６％添加した圧力１５ＰａのＡｒ雰囲気中で、膜厚２０ｎｍのＣｏＰｔＣｒＯ膜を形成した。
【００６１】
さらに、この上に８ｎｍ厚のＣ保護層を形成した。
最後に、この上に潤滑剤をディップコートして媒体とした。
比較として、ガラス基板上に直接Ｖ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｃ膜の順に形成したＮｉＯ膜を用いない比較例１と同様の媒体を作製した。
【００６２】
得られた各媒体について、ＭＨループを測定したところ、ＮｉＯを用いない比較媒体では、磁界が４．０ｋＯｅにおける＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．１２であったが、ＴｉＮを用いた媒体では、この比は、０．０５以下となった。
【００６３】
＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．０５となる磁界（Ｈｓ）と保磁力（Ｈｃ）との比は、ＮｉＯを用いない比較媒体では、０．５７であったが、ＮｉＯを用いた媒体では、０．６７であった。
【００６４】
また、このときの各サンプルの角型比Ｓ* は０．７６及び０．６８であった。
これらの媒体を、記録ヘッド（Ｂｓ＝１．６Ｔ，ギャップ長Ｇｗ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝２．５μｍ）を用いて記録し、再生はスピンバルブ素子を用いたＧＭＲヘッド（ギャップ長Ｇｒ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝１μｍ）によって再生した。ヘッド・媒体スペーシングは４０ｎｍとした。
【００６５】
その結果、ＮｉＯを用いない比較媒体の記録分解能は１３０ｋＦＣＩであったが、ＮｉＯ膜を用いた媒体の記録分解能は１４０ｋＦＣＩが得られた。
実施例８
２．５インチ径ＨＤＤ用ガラス基板上に、スパッタによって、ＴｉＮ膜を２０ｎｍ形成し、その上にＶ膜を４０ｎｍ形成した。
【００６６】
さらに、この上にＣｏ−２０ａｔ．％Ｐｔ−９ａｔ．％Ｃｒを組成とするターゲットを用いて、酸素を０．６％添加した全圧１５ＰａのＡｒ雰囲気中で、膜厚７ｎｍのＣｏＰｔＯ膜、膜厚２ｎｍのＴｉ中間層（ＨＣＰ構造）、膜厚７ｎｍのＣｏＰｔＯ膜、膜厚２ｎｍのＴｉ中間層（ＨＣＰ構造）、膜厚７ｎｍのＣｏＰｔＯ膜の順に形成した。
【００６７】
さらに、この上に８ｎｍ厚のＣ保護層を形成した。
最後に、この上に潤滑剤をコートして媒体とした。
得られた磁気記録媒体の断面構造を説明するためのモデル図を図５に示す。図示するように、この媒体は、基板１上に、ＴｉＮ膜２、Ｖ膜１３、磁性層としてＣｏＰｔＯ膜１４、Ｔｉ膜８、ＣｏＰｔＯ膜２４、Ｔｉ膜１８、ＣｏＰｔＯ膜３４、及びＣ保護層５が順に積層され、その上に潤滑剤層６がディップコートされた構成を有する。
【００６８】
比較例３として、ガラス基板上に直接Ｖ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｔｉ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｔｉ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｃ膜の順に形成したＴｉＣ膜を用いない媒体を作製した。
【００６９】
得られた各媒体について、ＭＨループを測定したところ、＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．０５となる磁界（Ｈｓ）と保磁力（Ｈｃ）との比は、ＴｉＣを用いない比較媒体では、０．５以下であったが、ＴｉＮを用いた媒体では、０．６以上となった。
【００７０】
＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．０５となる磁界（Ｈｓ）と保磁力（Ｈｃ）との比は、ＴｉＣを用いない比較媒体では、０．５４であったが、ＴｉＣを用いた媒体では、０．６５であった。
【００７１】
また、このときのサンプルの角型比Ｓ* は０．７７及び０．６８であった。
これらの媒体を、高記録ヘッド（Ｂｓ＝１．６Ｔ，ギャップ長＝０．２μｍ，トラック幅Ｔｗ＝２．５μｍ）によって記録し、スピンバルブ素子を用いたＧＭＲヘッド（ギャップ長Ｇｒ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝１μｍ）によって再生した。ヘッド・媒体スペーシングは４０ｎｍとした。
【００７２】
その結果、ＴｉＣを用いない比較媒体の記録分解能は１２０ｋＦＣＩであったが、ＴｉＣ膜を用いた媒体の記録分解能は１３０ｋＦＣＩであった。
実施例９
２．５インチ径ＨＤＤ用ガラス基板上に、スパッタによって、ＴｉＮ膜を５０ｎｍ形成し、その上にＶ膜を６０ｎｍ形成した。
【００７３】
さらに、この上にＣｏ−２０ａｔ．％Ｐｔ−９ａｔ．％Ｃｒを組成とするターゲットを用いて、酸素を０．６％添加した全圧１５ＰａのＡｒ雰囲気中で膜厚７ｎｍのＣｏＰｔＯ膜、膜厚２ｎｍのＲｈ中間層（ＦＣＣ構造）、膜厚７ｎｍのＣｏＰｔＯ膜、膜厚２ｎｍのＲｈ中間層（ＦＣＣ構造）、膜厚７ｎｍのＣｏＰｔＯ膜、の順に形成した。
【００７４】
さらに、この上に８ｎｍ厚のＣ保護層を形成した。
最後に、この上に潤滑剤をコートして媒体とした。
比較例４として、ガラス基板上に直接Ｖ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｒｈ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｒｈ膜、ＣｏＰｔＣｒＯ膜、Ｃ膜の順に形成したＴｉＮ膜を用いない媒体を作製した。
【００７５】
得られた各媒体について、ＭＨループを測定したところ、＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．０５となる磁界（Ｈｓ）と保磁力（Ｈｃ）との比は、ＴｉＣを用いない比較媒体では、０．５以下であったが、ＴｉＮを用いた媒体では、０．６以上となった。
【００７６】
これらの媒体を、高Ｂｓヘッド（Ｂｓ＝１．６Ｔ，ギャップ長＝０．２μｍ，トラック幅Ｔｗ＝２．５μｍ）によって記録し、スピンバルブ素子を用いたＧＭＲヘッド（ギャップ長＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝１μｍ）によって再生した。ヘッド・媒体スペーシングは４０ｎｍとした。
【００７７】
その結果、ＴｉＮを用いない比較媒体の記録分解能は１２０ｋＦＣＩであったが、ＴｉＮ膜を用いた媒体の記録分解能は１３５ｋＦＣＩであった。
実施例１０
２．５インチ径ＨＤＤ用ガラス基板上に、スパッタによってＴｉＮ膜を２０ｎｍ形成し、その上にＣｒ−５ａｔ．％Ｗ膜を２０ｎｍ形成した。
【００７８】
さらに、この上にＣｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−１０ａｔ．％Ｐｔを組成とするターゲットを用いて、Ａｒ圧０．６Ｐａ、基板温度２００℃で膜厚２．５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ膜を形成した。
【００７９】
さらに、この上に、８ｎｍ厚のＣ保護膜を形成した。
最後に、この上に潤滑剤をディップコートして媒体とした。
比較例５としてガラス基板上に直接ＣｒＷ膜、ＣｏＣｒＰｔ膜、Ｃ膜を順に形成し、ＴｉＮ膜を用いない媒体を作成した。
【００８０】
得られた各媒体について、ＭＨループを測定したところ、ＴｉＮを用いない比較媒体では磁界が３．５ｋＯｅにおける＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．１２であったが、ＴｉＮを用いた媒体では、この比は、０．０５以下となった。
【００８１】
＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒとの比が０．０５となる磁界（Ｈｓ）と保磁力（Ｈｃ）との比は、ＴｉＮを用いない比較媒体では、０．５５であったが、ＴｉＮを用いた媒体では、０．６５となった。
【００８２】
これらの媒体を、高Ｂｓヘッド（Ｂｓ＝１．６Ｔ，ギャップ長＝０．２μｍ，トラック幅Ｔｗ＝２．５μｍ）によって記録し、スピンバルブ素子を用いたＧＭＲヘッド（ギャップ長Ｇｒ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝１μｍ）によって再生した。ヘッド・媒体スペーシングは４０ｎｍとした。
【００８３】
その結果、ＴｉＮを用いない比較媒体の記録分解能は１１５ｋＦＣＩであったが、ＴｉＮ膜を用いた媒体の記録分解能は１２０ｋＦＣＩであった。
実施例１１
２．５インチ径ＨＤＤ用ガラス基板上に、スパッタによってＴｉＣ膜を２２ｎｍ形成し、その上にＣｒ−５ａｔ．％Ｗ膜を３０ｎｍ形成した。
【００８４】
さらに、この上にＣｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−１０ａｔ．％Ｐｔを組成とするターゲットを用いて、Ａｒ圧０．６Ｐａ、基板温度２００℃で膜厚２．５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ膜を形成した。
【００８５】
さらに、この上に、８ｎｍ厚のＣ保護膜を形成した。
最後に、この上に潤滑剤をディップコートして媒体とした。
比較としてガラス基板上に直接ＣｒＷ膜、ＣｏＣｒＰｔ膜、Ｃ膜を順に形成し、ＴｉＣ膜を用いない比較例５と同様の媒体を作成した。
【００８６】
得られた各媒体について、ＭＨループを測定したところ、ＴｉＣを用いない比較媒体では磁界が３．５ｋＯｅにおける＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒの比が０．１２であったが、ＴｉＣを用いた媒体では、この比は、０．０５以下となった。
【００８７】
＋曲線と−曲線の磁化量の差と残留磁化量Ｍｒとの比が０．０５となる磁界（Ｈｓ）と保磁力（Ｈｃ）との比は、ＴｉＣを用いない比較媒体では、０．５５であったが、ＴｉＣを用いた媒体では、０．６５となった。
【００８８】
これらの媒体を、高Ｂｓヘッド（Ｂｓ＝１．６Ｔ，ギャップ長＝０．２μｍ，トラック幅Ｔｗ＝２．５μｍ）によって記録し、スピンバルブ素子を用いたＧＭＲヘッド（ギャップ長Ｇｒ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝１μｍ）によって再生した。ヘッド・媒体スペーシングは４０ｎｍとした。
【００８９】
その結果、ＴｉＣを用いない比較媒体の記録分解能は１１５ｋＦＣＩであったが、ＴｉＣ膜を用いた媒体の記録分解能は１２０ｋＦＣＩであった。
実施例１２
２．５インチ径ＨＤＤ用ガラス基板上に、スパッタによってＴｉＮ膜を２０ｎｍ形成し、その上にＣｒ−５ａｔ．％Ｗ膜を４０ｎｍ形成した。
【００９０】
さらに、この上にＣｏ−２０ａｔ．％Ｃｒ−１０ａｔ．％Ｐｔを組成とするターゲットを用いて、Ａｒ圧０．６Ｐａ、基板温度２００℃で膜厚１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ膜、膜厚４ｎｍのＶ中間層、膜厚１０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ膜を順に形成した。
【００９１】
さらに、この上に、８ｎｍ厚のＣ保護膜を形成した。
最後に、この上に潤滑剤をディップコートして媒体とした。
比較例６として、ガラス基板上に直接ＣｒＷ膜、ＣｏＣｒＰｔ膜、ＣｒＷ膜、ＣｏＣｒＰｔ膜、Ｃ膜を順に形成し、ＴｉＮ膜を用いない媒体を作成した。
【００９２】
これらの媒体を、高Ｂｓヘッド（Ｂｓ＝１．６Ｔ，ギャップ長＝０．２μｍ，トラック幅Ｔｗ＝２．５μｍ）によって記録し、スピンバルブ素子を用いたＧＭＲヘッド（ギャップ長Ｇｒ＝０．２μｍ、トラック幅Ｔｗ＝１μｍ）によって再生した。ヘッド・媒体スペーシングは４０ｎｍとした。
その結果、ＴｉＮを用いない比較媒体の記録分解能は１１０ｋＦＣＩであったが、ＴｉＮ膜を用いた媒体の記録分解能は１１８ｋＦＣＩであった。
【００９３】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体は、高保磁力、十分な耐熱ゆらぎ性、高記録分解能を有するため、低ノイズで記録信号の良好な高密度な記録が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の磁気記録媒体の一例の断面構造を説明するためのモデル図
【図２】  本発明の磁気記録媒体の磁化の強さと磁界との関係を表わすグラフ図
【図３】  本発明の磁気記録媒体の他の一例の断面構造を説明するためのモデル図
【図４】  本発明の磁気記録媒体のさらに他の一例の断面構造を説明するためのモデル図
【図５】  本発明の磁気記録媒体のさらにまた他の一例の断面構造を説明するためのモデル図
【図１】
0003892581.tif 000002
【図２】
0003892581.tif 000003
【図３】
0003892581.tif 000004
【図４】
0003892581.tif 000005
【図５】
0003892581.tif 000006