(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機化合物からなる膜層を電極で挟んだ単位発光部を、誘電パシベーション層を切除した光導出部分である画素に対応させて基板上にライン状あるいは行列状に配列した発光装置であって、前記有機化合物からなる膜層下側に前記各単位発光部それぞれについて配設され、非線形素子と蓄積コンデンサを有し、当該単位発光部を選択的に駆動する駆動手段と、前記単位発光部の配列上側に固着されて配列全面を覆う導電性の封止体とを備え、該封止体と前記発光部の電極とが前記配列全面を覆う導電性接着剤により電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
非線形素子が、トランジスタ、ダイオード、ＭＩＭ素子から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
駆動手段が、誘電パシベーション層により発光部の一方の電極と絶縁されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
封止体の配線上必要のない部所が絶縁層で覆われていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
封止体が絶縁層で覆われており、該絶縁層上に配線パターンが形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機化合物による単位発光部を画素に対応させて基板上に配列した発光装置に関し、とりわけ、各単位発光部それぞれに能動的な駆動手段を備えるような発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子として、有機材料の電界発光現象を利用したものがあり、有機材料を少なくとも一方が透光性である一対の電極に挟み込んだ構成とし、一方の電極からは電子を、他方の電極からは正孔を注入させることにより有機材料中で再結合が起こり、その再結合によって励起された分子が再び基底状態に戻る際に、エネルギ差に等しいエネルギを持つ光子を放出する。
【０００３】
そうした有機材料による発光素子は、自己発光であることによる視認性のよさと、有機材料の選択により任意の発光色が容易に得られ、また低電圧駆動，高効率，高輝度が可能であるという特徴から、ディスプレイ等への応用が考えられている。
【０００４】
しかし、有機材料は、酸素や水分，湿気そして熱などに弱く耐久性面に問題があり、大気中で駆動すると劣化により輝度，発光効率が低下し、発光素子としての寿命が短いという欠点があった。このため、有機材料による素子構成部分を封止して外気から保護することが行われている。この封止には、例えば特開平５−１８２７５９号公報などに見られるように、非透水性ガラス基板を光硬化性樹脂で固着させる方法があり、あるいはシリコンオイル等で液体封止するという方法が採られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、有機材料による発光素子では、電界を印加して発光させた際に発熱があり、有機材料は上述したように熱にも弱いので放熱，冷却する必要があるものの、かかる従来の封止技術にあっては、外気から隔絶することはできても放熱，冷却するようにはなっていなく、耐久性を悪化させていた。
【０００６】
また、液体封止は、有機材料の劣化を防ぐ要求から中に封入する液体材料が制限されて材料の選択に幅がなく、製造に際して液体を扱う工程は繁雑で手間がかかるため生産コストが高くつき、大量生産には不向きであるという問題があった。
【０００７】
一方、導電性の基板は熱伝導性の高いものが多いので、これを、有機材料による素子構成部分に絶縁性接着剤により固着させて封止板とすれば放熱性を向上することができる。しかし、有機発光素子を画素に対応させて複数配列した発光装置では、駆動手段の構成にもよるが、例えば単純マトリックス回路などは、固着した導電性封止板の下側にある各有機発光素子の電極電位が駆動に伴って変動し、しかもその変動のタイミングも配列各所で大きく異なる。このため、介在させた絶縁性接着剤の膜層が薄いと、静電結合が強くなり電極電位の変動がノイズとして素子配列の全体を巡るようになり、甚だしい場合には発光を制御できなくなるおそれがあって、導電性封止板は充分な厚さの絶縁性接着剤を介して封止しなければならなく、それでは放熱効果を減殺するため問題の解決にはならない。
【０００８】
そこで、本発明はかかる従来の課題に鑑みてなされてものであって、有機材料等の素子構成の全体を外気から隔絶する封止が容易で確実であると共に、素子の発生熱を高効率に放熱することができ、発光出力を高安定に得られて長寿命化が図れる発光装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するために本発明の発光装置は、有機化合物からなる膜層を電極で挟んだ単位発光部を、誘電パシベーション層を切除した光導出部分である画素に対応させて基板上にライン状あるいは行列状に配列した発光装置であって、前記有機化合物からなる膜層下側に前記各単位発光部それぞれについて配設され、非線形素子と蓄積コンデンサを有し、当該単位発光部を選択的に駆動する駆動手段と、前記単位発光部の配列上側に固着されて配列全面を覆う導電性の封止体とを備え、該封止体と前記発光部の電極とが前記配列全面を覆う導電性接着剤により電気的に接続されている。
【００１０】
以上の構成により、基板上に配列される単位発光部それぞれに駆動手段が配設されるので、各単位発光部を個々独立に発光させることができる。この駆動手段は、各単位発光部をなす有機化合物の膜層下側に配設されるので、その膜層下側の各下部電極と接続し、そして導電性の封止体が単位発光部の配列上側に固着されて配列全面を覆うので、その固着に導電性接着剤を用いれば各単位発光部（有機化合物膜層）上側の上部電極は封止体に電気的に接続することになる。
【００１１】
つまり、封止体は各単位発光部の上部電極を一括にまとめる集合電極となり、封止体を電源に接続して単位発光部の配列全体に所定のバイアス電位を与える。この集合電極となる封止体は、熱伝導性の高いものとしたので、有機化合物の膜層全体を外気から隔絶できると共に、単位発光部の発生熱を高効率に放熱することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の発光装置の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
【００１３】
図１〜図３は、本発明の第１実施形態を示し、図１は本発明にかかる発光装置の構成を示す回路図、図２はその基板上の単位画素について各部配置を示す平面図、図３は図２のＡ−Ａ断面図である。
【００１４】
この発光装置は、有機化合物による発光素子４を画素に対応させて基板上に行列状に配列し、各発光素子４それぞれに能動的な駆動手段を備えた構成とされている。各発光素子４の駆動手段は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブ・マトリックス方式を採り、発光素子４を選択する論理機能のＴＦＴ１と、発光素子４へ励起電圧を印加する電力機能のＴＦＴ２と、励起電圧を維持するコンデンサ３とを備えて構成されている。そして、ＴＦＴ１，２は、いわゆるＦＥＴとなっている。
【００１５】
基板上には、画素に対応した発光素子４を選択するため、二本のバスラインが行列網目状に複数配設されており、一方の並びがＴＦＴ１のゲートと接続され（選択信号線Ｓ）、他方の並びがＴＦＴ１のソースと接続されている（データ信号線Ｄ）。そして、ＴＦＴ１のドレインには、ＴＦＴ２のゲートとコンデンサ３とが接続され、コンデンサ３の他端は接地されている。ＴＦＴ２は、ドレインが発光素子４の陽極と接続され、ソースが接地されている。当該発光素子４の陰極は、図示しない電源に接続されており、所定の負電圧にバイアスされる。また、基板上には、図２に示すように、接地用のバスライン（グランドラインＧ）が複数配設されている。
【００１６】
つまり、ＴＦＴ１は、行列網目状に組んだマトリックスに接続した論理トランジスタであり、ソースがデータ信号線Ｄに、ゲートが選択信号線Ｓに接続され、両信号線Ｄ，Ｓにおいて選択オンは、まず選択信号線Ｓを高電位状態（オンバイアス）にすると、高電位状態の選択信号線Ｓに接続した各論理ＴＦＴ１はゲートがバイアスされるが、このときデータ信号線Ｄにはデータ信号を印加するので、両信号線Ｄ，Ｓがオン信号状態にある交差ポイントの論理ＴＦＴ１が能動状態になり選択される。このため選択ポイント（該当画素）において、コンデンサ３にはその時点でのデータ信号線Ｄに現れているデータ信号に応じて電荷が蓄積し、これに対応して電力ＴＦＴ２はゲート電位が上昇するので能動状態となり、発光素子４がデータ信号に応じた輝度で発光する。
【００１７】
選択オフは、選択信号線Ｓを低電位状態にすることであり、低電位とした選択信号線Ｓに接続した各論理ＴＦＴ１はゲート電位が低下して逆バイアスが深まるので、選択ポイントでは論理ＴＦＴ１がオフ状態となり、コンデンサ３が選択オン時に蓄積した電荷を保持する。この保持，蓄積された電荷は、次の選択期間の直前に論理ＴＦＴ１を通じて放出され、リセットされる。
【００１８】
このように、発光素子４はその陽極側から駆動制御されるので、その陰極は選択，駆動の期間を通じて常に所定の電位に保たれる。後述するように、各発光素子４の陰極は一つの導電性の膜層からなり一括にまとめられる構成となっていて、そのような構成を採れるのは発光素子４の駆動手段が、その陽極側から駆動制御を行うことによる。
【００１９】
発光装置の構成各部は、図３に示すように、透光性の絶縁基板１０上に多段階プロセスにより形成されている。これにはまず、絶縁基板１０の上に、ＴＦＴ１，２が積層により形成されるが、それらＴＦＴ１，２は、ＭＯＳＦＥＴに構成されている。そして、図２に示すように、ＴＦＴ１，２の近辺に、コンデンサ３が形成されると共に、これらを接続するバスライン等の配線パターンが形成され、上述した駆動手段に構成されている。さらに、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料を積層させて陽極層４０としており、これはＴＦＴ２のドレインに接触するパターンに形成されている。
【００２０】
この駆動手段をなす膜層の上には、誘電体絶縁材料が全体的に積層され、光導出部分の陽極層４０とショートすることなく、任意の配線パターンをとることができる。そして、発光素子をなす部分つまり画素に対応する光導出部分は、エッチングにより除かれて誘電パシベーション層１１に形成されている。さらに、有機材料を全体的に積層させて、光導出部分の陽極層４０上に接触した部分を有機発光層４１としており、この有機材料の膜層の上にはＡｌ等の導電性材料がやはり全体的に積層されて陰極層４２に形成されている。即ち、誘電パシベーション層１１を切除した光導出部分には、陽極層４０，有機発光層４１，陰極層４２が順に積層され、当該部分が画素に対応した単位発光部（発光素子４）となっている。
【００２１】
陰極層４２の上には、接着剤１２を介して封止基板１３が固着されており、封止基板１３は、絶縁基板１０と同一サイズとされていて、陰極層４２を全体的に覆うようになっている。接着剤１２及び封止基板１３は、共に熱伝導性が高く導電性を有する部材からなり、陰極層４２と電気的に接続されるようになっている。
【００２２】
接着剤１２には、Ａｇペーストなど導電性のものが好ましく、更に熱伝導性が高い材料にすることにより単位発光部から封止基板１３への熱伝導を良好に行え、好ましい。尚、導電性を要しない部分については耐湿性の接着剤を用いても良い
有機材料の膜層（４１）としては、陽極層４０側から見て、正孔輸送層，発光層の２層構成、正孔注入層，正孔輸送層，発光層の３層構成、正孔輸送層，発光層，電子注入層の３層構成、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子注入層の４層構成を採ることができる。
【００２３】
正孔輸送層としては、正孔の注入性と電子の障壁性の何れかを有しているものであればよい。例えば、トリアゾール誘電体，オキサジアゾール誘電体，イミダゾール誘電体，ポリアリールアルカン誘電体，ピラゾリン誘電体，ピラゾロン誘電体，フェニレンジアミン誘電体，アリールアミン誘電体，アミノ置換カルコン誘電体，オキサゾール誘電体，スチリルアントラセン誘電体，フルオレノン誘電体，ヒドラゾン誘電体，スチルベン誘電体，シラザン誘電体，ポリシラン系化合物，アニリン系共重合体，チオフェンオリゴマー等の導電性高分子オリゴマー，ポルフィリン化合物，芳香族ジメチリディン系化合物等が挙げられる。
【００２４】
発光層としては、電界印加時に陽極層４０または正孔注入層から正孔を注入できると共に、陰極層４２または電子注入層から電子を注入できる注入機能や、注入された正孔あるいは電子を電界の力で移動させる輸送機能、及び正孔と電子の再結合の場を提供して光放出を行わせる発光機能等を有する層を形成することができるものであればよい。例えば、ベンチアゾール系やベンゾイミダゾール系あるいはベンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤，金属キレート化オキシノイド化合物，スチリルベンゼン系化合物，ジスチリルピラジン誘電体，ポリフェニル系化合物，１２−フタロペリノン，１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン，１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン，ナフタルイミド誘電体，ペリレン誘電体，オキサジアゾール誘電体，アルダジン誘電体，ピラジリン誘電体，シクロペンタジエン誘電体，ピロロピロール誘電体，スチリルアミン誘電体，クマリン系化合物，芳香族ジメチリディン化合物，８−キノリノール誘電体の金属錯体等が挙げられる。
【００２５】
電子注入層としては、陰極層４２から注入された電子を発光層に伝達する機能を有しているものであればよい。例えば、ニトロ置換フルオレノン誘電体，アントラキノジメタン誘電体，ジフェニルキノン誘電体，チオピランジオキシド誘電体，ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物，カルボジイミド，フレオレニリデンメタン誘電体，アントラキノジメタン誘電体，アントロン誘電体，オキサジアゾール誘電体，８−キノリノール誘電体の金属錯体，メタルフリーフタロシアニンやメタルフタロシアニンあるいはこれらの末端がアルキル基やスルホン基等で置換されているもの，ジスチリルピラジン誘電体などが挙げられる。
【００２６】
なお、正孔注入層，発光層，電子注入層など各層の厚さは特に限定されるものではない。
【００２７】
以上の構成により本実施形態の発光装置は、絶縁基板１０上に配列される単位発光部（発光素子４）それぞれに駆動手段が配設されるので、各単位発光部を個々独立に発光させることができる。この駆動手段は、各単位発光部をなす有機発光層４１の下側に配設されるので、その下側の各陽極層４０と接続し、そして導電性の封止基板１３が単位発光部の配列上側に固着されて配列全面を覆い、その固着には導電性の接着剤１２が用いられるので、各単位発光部（有機発光層４１）上側の陰極層４２は封止基板１３に電気的に接続することになる。
【００２８】
つまり、発光素子４の駆動手段が、その陽極側から駆動制御を行うので、その陰極は選択，駆動の期間を通じて常に所定の電位に保たれ、このため単純マトリックス回路のように発光素子４の陰極が独立である必要がなく、封止基板１３は各単位発光部の上部電極を一括にまとめる集合電極となる。ここでは各単位発光部の上部電極は一つの導電性の膜層（陰極層４２）からなる構成となっていて、封止基板１３を電源に接続して単位発光部の配列全体に所定のバイアス電位を与えている。この集合電極となる封止基板１３は、熱伝導性の高いものとしたので、有機材料の膜層全体を外気から隔絶できると共に、単位発光部の発生熱を高効率に放熱することができる。その結果、発光出力を高安定に得られて長寿命化が図れる。
【００２９】
この封止には、封止基板１３を固着させればよいので作業が容易であり、単純な封止なので確実性が高く、このため低コストな大量生産化が図れる。
【００３０】
また、陰極層４２は集合電極でパターニングする必要がなく、陽極層４０のパターニングのみで高精細化が図れる。
【００３１】
なお、封止基板１３の配線上必要のない部所は、絶縁膜層で覆うことが好ましい。絶縁膜層で覆うことにより、これを適用した画像表示装置等において、配設部所の近辺各部と絶縁を保つことができ、リーク故障の防止を図れる。
【００３２】
また、封止基板１３の全面を絶縁膜層で覆って、その絶縁膜層の上に配線パターンを所定にパターニングし、そこへ素子構成をなす膜層を順次に形成するようにして多層化してもよい。その場合、一枚の封止基板１３上に他の関連回路をも集積させることができ、高集積化が図れる。
【００３３】
図４は、本発明の第２実施形態を示し、同図は発光装置の構成を示す回路図である。
【００３４】
この第２実施形態の発光装置は、第１実施形態の論理ＴＦＴ１を２つのダイオード１０１，１０２に置き換えた構成となっている。つまり、各発光素子４の駆動手段は、発光素子４に対する発光データを取り込むためのデータダイオード１０１と、当該画素のリセットを行うためのリセットダイオード１０２と、発光素子４へ励起電圧を印加する電力機能のＴＦＴ２と、励起電圧を維持するコンデンサ３とを備えて構成されている。
【００３５】
データ信号線Ｄには、データダイオード１０１の陽極が接続されており、そのデータ信号線と交差する選択信号線Ｓには、電力ＴＦＴ２のソースとコンデンサ３の接地側とが接続され、コンデンサ３の他端は電力ＴＦＴ２のゲートに接続されている。そして、電力ＴＦＴ２のゲートには、データダイオード１０１の陰極とリセットダイオード１０２の陽極とが接続され、リセットダイオード１０２の陰極は一本隣りの選択信号線Ｓと接続され、電力ＴＦＴ２のドレインが発光素子４の陽極に接続されている。また、当該発光素子４の陰極は、図示しない電源に接続されており、所定の負電圧にバイアスされる。
【００３６】
両信号線Ｄ，Ｓにおいて選択オンは、該当選択信号線Ｓを低電位状態にすることであり、低電位状態の選択信号線Ｓに接続した各リセットダイオード１０２は順バイアスになるが、このときデータ信号線Ｄにはデータ信号を印加するので、両信号線Ｄ，Ｓがオン信号状態にある交差ポイントでデータダイオード１０１とリセットダイオード１０２とが直列状態に導通して選択される。このため選択ポイント（該当画素）において、コンデンサ３にはその時点でのデータ信号線Ｄに現れているデータ信号に応じて電荷が蓄積し、これに対応して電力ＴＦＴ２はゲート電位が上昇するので能動状態となり、発光素子４がデータ信号に応じた輝度で発光する。
【００３７】
選択オフは、選択信号線Ｓを高電位状態にすることであり、高電位状態の選択信号線Ｓに接続した各リセットダイオード１０２は逆バイアスとなるので、選択ポイントではデータダイオード１０１がオフ状態となり、コンデンサ３が選択オン時に蓄積した電荷を保持する。この保存，蓄積された電荷は、次の選択期間の直前にリセットダイオード１０２を通じて放出され、リセットされる。
【００３８】
この場合も、発光素子４はその陽極側から駆動制御されるので、その陰極は選択，駆動の期間を通じて常に所定の電位に保たれる。そして、絶縁基板１０上の積層構成も第１実施形態と同様となり、共に導電性で高熱伝導性の接着剤１２及び封止基板１３が陰極層４２の上に積層される。従って、封止が容易で確実であり有機材料の膜層全体を外気から隔絶できると共に、単位発光部の発生熱を高効率に放熱することができる。その結果、発光出力を高安定に得られて長寿命化が図れる。
【００３９】
図５は、本発明の第３実施形態を示し、同図は発光装置の構成を示す回路図である。
【００４０】
この第３実施形態の発光装置は、第２実施形態の２つのダイオード１０１，１０２を１つのＭＩＭ素子１０３に置き換えた構成となっている。
【００４１】
ＭＩＭ素子１０３は、二層の金属または透明導電層の間に薄い絶縁層を挟んだ構成の二端子素子であって、電圧・電流特性が図６に示すようにいわゆる双方向ダイオード特性となっている。つまり、ＭＩＭ素子１０３は、印加電圧が順方向，逆方向共に低値な特定範囲では電流が流れなく高抵抗を示し、その範囲を越えると急激に電流が流れて抵抗が低下する特性を持つ。
【００４２】
各発光素子４の駆動手段は、発光素子４に対する発光データを取り込み、かつ当該画素のリセットを行うためのＭＩＭ素子１０３と、発光素子４へ励起電圧を印加する電力機能のＴＦＴ２と、励起電圧を維持するコンデンサ３とを備えて構成されている。
【００４３】
選択信号線Ｓには、ＭＩＭ素子１０３の一方端が接続されており、その選択信号線Ｓと交差するデータ信号線Ｄには、電力ＴＦＴ２のソースとコンデンサ３の接地側とが接続され、コンデンサ３の他端は電力ＴＦＴ２のゲートに接続されている。そして、ＭＩＭ素子１０３の他方端が電力ＴＦＴ２のゲートに接続され、電力ＴＦＴ２のドレインが発光素子４の陽極に接続されている。また、当該発光素子４の陰極は、図示しない電源に接続されており、所定の負電圧にバイアスされる。
【００４４】
両信号線Ｄ，Ｓにおいて選択オンは、該当選択信号線Ｓを高電位状態にすることであり、高電位状態の選択信号線Ｓに接続した各ＭＩＭ素子１０３は順バイアスになるが、このときデータ信号線Ｄにはデータ信号を印加するので、両信号線Ｄ，Ｓがオン信号状態にある交差ポイントでＭＩＭ素子１０３が導通して選択される。このため選択ポイント（該当画素）において、コンデンサ３にはその時点でのデータ信号線Ｄに現れているデータ信号に応じて電荷が蓄積し、これに対応して電力ＴＦＴ２はゲート電位が上昇するので能動状態となり、発光素子４がデータ信号に応じた輝度で発光する。
【００４５】
選択オフは、選択信号線Ｓを中電位状態にすることであり、中電位状態の選択信号線Ｓに接続した各ＭＩＭ素子１０３は高抵抗範囲となるので、選択ポイントではＭＩＭ素子１０３がオフ状態となり、コンデンサ３が選択オン時に蓄積した電荷を保存する。この保持，蓄積された電荷は、当該選択信号線Ｓを低電位状態にすることでリセットされる。つまり、低電位状態の選択信号線Ｓに接続した各ＭＩＭ素子１０３は逆方向の順バイアスになり、コンデンサ３に保存，蓄積された電荷は、ＭＩＭ素子１０３を通じて選択信号線Ｓ側へ放出され、リセットされる。
【００４６】
この場合も、発光素子４はその陽極側から駆動制御されるので、その陰極は選択，駆動の期間を通じて常に所定の電位に保たれる。そして、絶縁基板１０上の積層構成も第１実施形態と同様となり、共に導電性で高熱伝導性の接着剤１２及び封止基板１３が陰極層４２の上に積層される。従って、封止が容易で確実であり有機材料の膜層全体を外気から隔絶できると共に、単位発光部の発生熱を高効率に放熱することができる。その結果、発光出力を高安定に得られて長寿命化が図れる。
【００４７】
図７は、本発明の第４実施形態を示し、同図は発光装置の構成を示す回路図である。
【００４８】
この第４実施形態の発光装置は、第１実施形態の論理ＴＦＴ１を１つのダイオードに置き換えるが、電力ＴＦＴ２は設けない構成となっている。つまり、各発光素子４の駆動手段は、発光素子４に対する発光データを取り込むためのデータダイオード１０１と、励起電圧を維持するコンデンサ３とを備えて構成されている。
【００４９】
データ信号線Ｄには、データダイオード１０１の陽極が接続されており、そのデータ信号線Ｄと交差する選択信号線Ｓには、コンデンサ３の接地側が接続され、コンデンサ３の他端はデータダイオード１０１の陰極と発光素子４の陽極とに接続されている。そして、当該発光素子４の陰極は、図示しない電源に接続されており、所定の負電圧にバイアスされる。
【００５０】
両信号線Ｄ，Ｓにおいて選択オンは、該当選択信号線Ｓを低電位状態にすることであり、この電位変動は選択信号線Ｓに接続した各コンデンサ３の他端に出現し、このときデータ信号線Ｄにはデータ信号を印加するので、両信号線Ｄ，Ｓがオン信号状態にある交差ポイントでデータダイオード１０１が導通して選択される。このため選択ポイント（該当画素）において、コンデンサ３にはその時点でのデータ信号線Ｄに現れているデータ信号に応じて電荷が蓄積し、これに対応して発光素子４が順バイアスされてデータ信号に応じた輝度で発光する。
【００５１】
選択オフは、選択信号線Ｓを高電位状態にすることであり、高電位状態の選択信号線Ｓに接続した各コンデンサ３は電位が逆転するので、選択ポイントではデータダイオード１０１がオフ状態となり、コンデンサ３が選択オン時に蓄積した電荷は発光素子４を通じて放出され、リセットされる。
【００５２】
この場合も、発光素子４はその陽極側から駆動制御されるので、その陰極は選択，駆動の期間を通じて常に所定の電位に保たれる。そして、絶縁基板１０上の積層構成も第１実施形態と同様となり、共に導電性で高熱伝導性の接着剤１２及び封止基板１３が陰極層４２の上に積層される。従って、封止が容易で確実であり有機材料の膜層全体を外気から隔絶できると共に、単位発光部の発生熱を高効率に放熱することができる。その結果、発光出力を高安定に得られて長寿命化が図れる。
【００５３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の発光装置は、基板上に配列される単位発光部それぞれに駆動手段が配設されるので、各単位発光部を個々独立に発光させることができ、その駆動手段は、各単位発光部をなす有機化合物の膜層下側に配設されて下部電極側から駆動を行う。そして、導電性の封止体が単位発光部の配列上側に固着されて配列全面を覆い、その固着に導電接着剤を用いることにより封止体は各単位発光部の上部電極を一括にまとめる集合電極となる。この集合電極となる封止体は、熱伝導性の高いものとしたので、有機化合物の膜層全体を外気から隔絶できると共に、単位発光部の発生熱を高効率に放熱することができる。その結果、発光出力を高安定に得られて長寿命化が図れる。
【００５４】
この封止には、封止体を固着させればよいので作業が容易であり、単純な封止なので確実性が高く、このため低コストな大量生産化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態を示す発光装置の回路図である。
【図２】図１の構成各部の配置を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態を示す発光装置の断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態を示す発光装置の断面図である。
【図６】図５のＭＩＭ素子の電圧・電流特性を示すグラフ図である。
【図７】本発明の第４実施形態を示す発光装置の断面図である。
【符号の説明】
１，２  ＴＦＴ
３  コンデンサ
４  発光素子（単位発光部）
１０  絶縁基板（基板）
１１  誘電パシベーション層
１２  接着剤
１３  封止基板（封止体）
４０  陽極層
４１  有機発光層
４２  陰極層
１０１  データダイオード
１０２  リセットダイオード
１０３  ＭＩＭ素子
Ｄ  データ信号線
Ｇ  グランドライン
Ｓ  選択信号線
【図１】
0003880244.tif 000002
【図２】
0003880244.tif 000003
【図３】
0003880244.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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