(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、この基板側から第１の情報記憶層と第２の情報記憶層が順次成膜されてなり、前記基板側からの再生光の照射により前記第１の情報記憶層及び前記第２の情報記憶層に記録された情報が再生される多層光ディスクにおいて、
前記第１の情報記憶層及び前記第２の情報記憶層は、共に波長領域が６３０〜６９０ｎｍの第１の再生光及び波長領域が４５０〜６３０ｎｍの第２の再生光により再生可能とされ、
前記第２の情報記録層は、アルミニウム膜よりなり、
前記第１の情報記憶層は、Ｓｉの酸化物にＨを添加した材料（Ｓｉ−Ｏ−Ｈ）、Ｓｉの窒化物にＨを添加した材料（Ｓｉ−Ｎ−Ｈ）のいずれかであって、前記第１の再生光及び前記第２の再生光の波長領域における屈折率ｎ、消衰係数ｋが下記の条件を満たす材料により、膜厚を４０〜６０ｎｍとして形成され、
０≦ｋ≦０．２５
ｎ＝α−ｋ＋２．８（但し、αは定数であり、０．１５≦α≦０．４５である。）
前記第１の情報記憶層の前記第１の再生光の波長領域での消衰係数と前記第２の再生光の波長領域での消衰係数の差Δｋが０．３以下であることを特徴とする多層光ディスク。
【請求項２】
前記第１の情報記憶層と前記第２の情報記憶層の間にスペーサ層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の多層光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報を記憶するための情報記憶層を多層化して構成し、各情報記憶層からの情報を再生光の焦点位置を変えて再生することにより大容量の情報を取り扱い可能とした多層光ディスクに関するものであり、特に波長の異なる２種類の再生光に対する互換性を確保するための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、いわゆるマルチメディアの興隆に伴い、デジタル動画のような大容量の情報を蓄積し、必要に応じてランダムアクセスして再生する必要性が高まってきている。
【０００３】
例えば、コンパクトディスク等の光ディスクは、ランダムアクセス可能、大容量、リムーバブルという特徴を有する情報記憶媒体で、各方面で大量に使用されているが、前述の必要性から、ディスク片面でこれまで以上の多量の情報を取り扱い可能とすることが要求されている。
【０００４】
かかる状況から、光ディスクの容量を拡大するために、情報を蓄積する情報記憶層を厚み方向に多層積層した多層光ディスクが提案されている。この多層光ディスクは、情報記憶層を多層化することでディスク片面から読み出し得る情報を飛躍的に拡大し、ランダムアクセス性を失うことなく、再生光の焦点位置を各情報記憶層に応じて変えることで大容量の情報を取り扱い可能とするものである。
【０００５】
多層光ディスクに関して、これまで報告されたものとして、代表的なものに、
１．焦点位置を変えて多層ディスクを再生するという概念（米国特許第３９４６３６７号）
２．基板の片側に何層かに積層された情報記憶層を持つ多層光ディスクを用い、透過光または反射光で読み出す方法（米国特許第４２１９７０４号）
３．光学系内に収差補正機能を備えた多層光ディスクの再生システム（米国特許第５２０２８７５号）
等がある。
【０００６】
また、多層光ディスクのより具体的な構成としては、
１．再生専用２層光ディスク（ W.Imaio, H.J.Rosen, K.A.Rubin, T.S.Strand, and M.E.Best, Proc. SPIE vol.2338, Optical Data Storage, Dana Point,1994pp.254-259）
２．追記型２層光ディスク（ K.A.Rubin, H.J.Rosen, W.W.Tang, W.Imaio, and T.S.Strand,Proc. SPIE vol.2338, Optical Data Storage, Dana Point,1994pp.247-253）
等が挙げられる。
【０００７】
これらは、いずれも情報記憶層が多層化した構造であり、基板に近い方の記録層（第１の情報記憶層）の構成材料として、誘電体膜あるいは染料のように光透過率の高い半透明膜材料を使用し、第１の情報記憶層からの反射率Ｒ1と第２の情報記憶層からの最終反射率Ｔ12Ｒ2がほぼ等しくなるように膜設計を行っている。ここで、Ｒ1は第１の情報記憶層の反射率、Ｔ1は第１の情報記憶層の透過率、Ｒ2は第２の情報記憶層の反射率である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、多層光ディスクの再生特性は、主に再生光の入射側に形成される第１の情報記憶層における反射率、透過率により決定されるが、これらの特性は第１の情報記憶層に使用する半透明膜材料の分光特性（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）及びその膜厚に依存する。
【０００９】
しかしながら、一般に屈折率ｎや消衰係数ｋ等の光学定数には波長依存性があるために、最適な再生条件を与える半透明膜の材料の選定、あるいは膜厚等のディスク構造は、使用する再生光、例えば半導体レーザの波長によって異なってしまう。したがって、例えば再生光波長６３５ｎｍ用に調整された多層光ディスクは、他の再生光波長、例えば４８０ｎｍにおいては必ずしも適切な条件での再生が行われず、別途調整したディスクを用意する必要がある等、いわゆるコンパチビリティ等の点で不具合が生ずる。
【００１０】
特に、再生光の短波長化は光ディスクを大容量化する上で必須の技術課題であるために、前記コンパチビリティに対する対応は非常に重要である。
【００１１】
そこで本発明は、再生時の再生光波長が変わっても第１の情報記憶層、第２の情報記憶層からの再生信号が共に十分なレベルとなる多層光ディスクを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上述の目的を達成するために長期に亘り鋭意検討を重ねてきた。その結果、第１の情報記憶層の分光特性（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）を第１の再生光波長において適正な範囲に設定することで、第２の再生光波長においても各層からの反射率をほぼ等しくすることができ、しかも実用的な反射率を有する多層光ディスクを実現できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、基板上に、この基板側から第１の情報記憶層と第２の情報記憶層が順次成膜されてなり、前記基板側からの再生光の照射により前記第１の情報記憶層及び前記第２の情報記憶層に記録された情報が再生される多層光ディスクにおいて、前記第１の情報記憶層及び前記第２の情報記憶層は、共に波長領域が６３０〜６９０ｎｍの第１の再生光及び波長領域が４５０〜６３０ｎｍの第２の再生光により再生可能とされ、前記第２の情報記録層は、アルミニウム膜よりなり、前記第１の情報記憶層は、Ｓｉの酸化物にＨを添加した材料（Ｓｉ−Ｏ−Ｈ）、Ｓｉの窒化物にＨを添加した材料（Ｓｉ−Ｎ−Ｈ）のいずれかであって、前記第１の再生光及び前記第２の再生光の波長領域における屈折率ｎ、消衰係数ｋが下記の条件を満たす材料により、膜厚を４０〜６０ｎｍとして形成されている。
【００１４】
＜条件＞
０≦ｋ≦０．２５
ｎ＝α−ｋ＋２．８（但し、αは定数であり、０．１５≦α≦０．４５である。）
上記条件は、横軸に屈折率ｎ、縦軸に消衰係数ｋをとったときに、図１の斜線領域で表される。
【００１５】
このような条件を満足するように、第１の情報記憶層を、Ｓｉの酸化物にＨを添加した材料（Ｓｉ−Ｏ−Ｈ）、Ｓｉの窒化物にＨを添加した材料（Ｓｉ−Ｎ−Ｈ）のいずれかの半透明膜材料を選定することで、例えば６３５ｎｍ及び４８０ｎｍのいずれの再生光波長においても、第１の情報記憶層及び第２の情報記憶層からの反射率が共に実用的に十分大きい膜構成とすることができ、焦点位置を変えて再生することにより、第１の情報記憶層からの情報と第２の情報記憶層からの情報を任意に切り替えて再生することができる。すなわち、２波長コンパチビリティを有する大容量多層光ディスクとなる。
【００１６】
ただし、前記第１の情報記憶層の分光特性が第２の再生光波長であまり大きく変わると、前記コンパチビリティを実現し得る領域が狭くなり、遂には係る領域が無くなってしまうので、第１の情報記憶層の第１の再生光の波長領域での消衰係数と第２の再生光の波長領域での消衰係数の差Δｋが０．３以下であることが好ましい。
【００１８】
本発明の多層光ディスクは、基板上に上記条件を満たす第１の情報記憶層、第２の情報記憶層を順次成膜することで構成される。ここで各情報記憶層の膜厚は任意であるが、２波長コンパチビリティを確保するためには、第１の情報記憶層の膜厚は４０〜６０ｎｍとすることが好ましい。
【００１９】
また、前記構成の多層光ディスクにおいて、各情報記憶層における焦点位置を確実に分離するためには、第１の情報記憶層と第２の情報記憶層の間にスペーサ層を設けることが好ましい。このスペーサ層は、光学的に透明な材料により構成し、その厚さは３０μｍ以上とすることが好ましい。
【００２０】
本発明において、第１の再生光の波長や第２の再生光の波長は任意に設定することができるが、実用的には第１の再生光の波長領域は６３０〜６９０ｎｍに選ばれ、例えば６３５ｎｍとされる。一方、第の再生光の波長領域は、前記第１の再生光の再生光の波長領域よりも短い波長とされ、４５０〜６３０ｎｍ、例えば４８０ｎｍとされる。
【００２１】
以上の構成の本発明によれば、例えば６３５ｎｍ及び４８０ｎｍのいずれの波長においても、第１の情報記憶層、第２の情報記憶層からの反射率をほぼ等しく、しかも実用的な反射率とすることができ、２波長の再生光に対して互換性を有する多層光ディスクを実現することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した多層光ディスクの具体的な構成例について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
本例の多層光ディスクは、図２に示すように、基板１上に再生専用の第１の情報記憶層２、スペーサ層３、再生専用の第２の情報記憶層４を順次成膜し、さらにこれを覆って紫外線硬化樹脂等からなる保護層５を形成してなるものである。
基板１は、ガラスあるいはポリカーボネート等の高分子プラスチックのいずれからなってもよく、ガラス基板の場合には、２Ｐ（Photo Polymerization）法等により、またポリカーボネート等の高分子プラスチックの場合には、射出成形法等により第１の情報を凹凸ピットとして記録する。
【００２４】
この基板１の凹凸ピット上に、第１の情報記憶層２を所定の膜厚だけ真空蒸着法あるいはスパッタリング法等により成膜し、再生専用層とする。
【００２５】
さらにその上にスペーサ層３を形成する。スペーサ層３は、３０μｍ以上の厚さが好ましいので、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法により塗布することにより形成される。
【００２６】
そして、このスペーサ層３の表面に、例えば２Ｐ法等を利用して第２の情報を凹凸ピットとして記録し、さらに第２の情報記憶層４を成膜する。本例では、第２の情報記憶層４も再生専用層としたため、厚さ１００ｎｍのアルミニウム膜を成膜した。なお、この第２の情報記憶層４の構成材料としては、使用される波長領域において十分な反射率を有する材料であれば、他の材料を使用することも可能である。また、その膜厚も１００ｎｍに限られるものではない。さらに、第２の情報記憶層４として、光磁気材料や相変化材料等に代表される書き換え可能材料、あるいは追記型材料を用いることにより、記録機能を持たせることも可能である。
【００２７】
また、本例では、積層技術により各情報記憶層を形成したが、例えば各情報記憶層を成膜した２枚の基板を貼り合わせ、多層光ディスクとすることも可能である。
【００２８】
図３に２枚の基板を貼り合わせた多層光ディスクを示す。ガラスあるいはポリカーボネイト等の高分子プラスチックの第１の基板１１、第２の基板１３には、夫々射出成形等により第１の情報、第２の情報が凹凸ピットとして記録されている。
【００２９】
第１の基板１１の凹凸ピット上には、ＳｉＮ、ＳｉＯ2等の半透明膜が蒸着、スパッタリング等によって設けられ、第１の情報記憶層が形成されている。
【００３０】
また、第２の基板１３の凹凸ピット上には、Ａｌ蒸着膜が設けられ、第２の情報記憶層１４が形成されている。
【００３１】
上記第１の情報記憶層１２が形成されている第１の基板１１と、第２の情報記憶層１４が形成されている第２の基板１３とが透明層１５を介して接合される。透明層１５は、例えば光硬化型透明樹脂である紫外線硬化型透明樹脂を、両基板間に圧着し、第１の基板１１側から紫外線を照射して硬化させたものである。
【００３２】
上述の構成の多層光ディスクにおいて、２つの情報記憶層の情報を一方の面から読み出し可能とするためには、一方の面から再生光を照射したときに、第１の情報記憶層２及び第２の情報記憶層４からの信号が十分に大きいことが必要である。これは、言い換えれば、図４に示す第１の情報記憶層２の反射率Ｒ1、及び第２の情 報記憶層４の反射率Ｒ2が共に十分に大きいことを示すものであり、適正な再生信号を得るには２０ ％以上、４０％以下が望ましい。
【００３３】
また、第１の情報記憶層２からの信号量と第２の情報記憶層４からの信号量が大きく異なることは、信号再生時に信号量を調整し揃える必要が生じ、回路構成的に複雑になることから好ましくない。
【００３４】
したがって、上記第１の情報記憶層２の反射率Ｒ1と第２の情報記憶層４の反 射率Ｒ2の差が小さいことが必要となる。例えば、下記の式により表されるＲUを設定した場合、適正な再生信号を得るにはＲｕの値が０．２以下となることが望ましい。
【００３５】
【数１】
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【００３６】
本発明者等は、６３５ｎｍ及び４８０ｎｍのいずれの波長でも上述の条件を満たす多層光ディスクを開発すべく、特に上記条件への影響が大きいと考えられる第１の情報記憶層２に用いられる材料に着目し、種々の屈折率ｎ、消衰係数ｋを持つ材料について検討した結果、以下のような結論を得るに至った。
【００３７】
（１）６３５ｎｍと４８０ｎｍの両波長において多層光ディスクとして機能するための条件を満たす屈折率ｎ、消衰係数ｋは限定されており、それは６３５ｎｍの波長においてｎ＝α−ｋ＋２．８（αは定数）である。ただし、０．１５≦α≦０．４５、かつ０≦ｋ≦０．２５で示される領域に限定される（図１参照）。
【００３８】
ただし、許容される膜厚範囲を考えるならば、０．２５≦α≦０．３５である領域がより望ましい。
【００３９】
（２）両波長における屈折率ｎ、消衰係数ｋの変化は少ない方が好ましく、特に消衰係数ｋの変化量Δｋは０．３以下とすることが好ましい。
【００４０】
なお、材料が有する屈折率ｎ、消衰係数ｋの値は、作成条件（スパッタ時ガス圧、スパッタ速度等の成膜条件）に依存し、また他の元素の添加等によっても調整可能である。
【００４１】
６３５ｎｍの波長において、先の条件を満たす材料として幾つか挙げることができる。表１には、再生光波長６３５ｎｍ用の多層光ディスクの第１の情報記憶層として調整されたＣｕの酸化物、Ｓｉ、Ｓｉの窒化物、及びＳｉの窒化物あるいは酸化物に水素（Ｈ）を添加した材料の、波長６３５ｎｍ及び４８０ｎｍにおける屈折率ｎ、消衰係数ｋ、及び前述の構造の多層光ディスクを構成した際の反射率Ｒ1、Ｒ2、ＲUの値を表記した。
【００４２】
【表１】
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【００４３】
表１に記載された材料は、いずれも波長６３５ｎｍにおいては第１の情報記憶層２及び第２の情報記憶層４の反射率が十分に得られており、かつ第１の情報記憶層２の反射率と第２の情報記憶層４の反射率の差も十分に小さい。すなわち、表１に記載された材料を用いれば、再生光波長６３５ｎｍにおいて多層光ディスクを構成することが可能であることがわかる。
【００４４】
しかしながら、同材料を同じ膜厚構成としたときに、再生光波長４８０ｎｍ用として用いた場合には、必ずしも適切な信号特性が得られるとは限らず、先の条件のうち幾つかを満たしていない。
【００４５】
例えば、Ｃｕの酸化物を用いた場合には、波長６３５ｎｍ使用時にはＲ1＝３ ０％、Ｒ2＝３２％、且つＲU＝０．０６と十分に小さく、多層光ディスクを構成することが可能であるが、波長４８０ｎｍの領域においては、両情報記憶層の反射率は揃っているものの、いずれも１６％と低くなってしまい、多層光ディスクには適していない。
【００４６】
また、Ｓｉを用いた場合には、６３５ｎｍの波長領域において多層光ディスクを構成することが可能であるが、同構成のものを波長４８０ｎｍで使用した場合には、両情報記憶層の反射率差が大きくなってしまい、多層光ディスクとしてはやはり適さないことがわかる。
【００４７】
これに対して、Ｓｉの酸化物にＨを添加したもの（Ｓｉ−Ｏ−Ｈ）及びＳｉの窒化物にＨを添加したもの［Ｓｉ−Ｎ−Ｈ：表中（１）と（２）は添加したＨの量が異なる２種類の材料を示す。］は、いずれも６３５ｎｍ、４８０ｎｍのどちらの波長においても多層光ディスクとしての特性を満たしており、第１の情報記憶層２あるいは第２の情報記憶層４の双方の情報を取り扱うことができる大容量光ディスクが完成されており、しかも２種類の波長でコンパチビリティを確保できることがわかる。
【００４８】
そこで次に、Ｓｉの窒化物にＨを添加したものにおいて、Ｈの添加量や成膜条件等を変えて種々の屈折率ｎ、消衰係数ｋを有する第１の情報記憶層２を成膜し、波長６３５ｎｍにおけるＲ1、Ｒ2、ＲU、及び波長４８０ｎｍにおけるＲ1、Ｒ2、ＲUの膜厚依存性を測定した。
【００４９】
結果を図５〜図２５に示す。なお、各図面において、（Ａ）は波長６３５ｎｍにおける測定結果を、（Ｂ）は波長４８０ｎｍにおける測定結果を示す。また、Ｒuは実線で、Ｒ1は太い点線で、Ｒ2は細い点線で示される。夫々、グラフの横軸は層の膜厚（ｎｍ）であり、縦軸は率、すなわちＲ1，Ｒ2に関しては反射率、Ｒuに関しては先に示したＲ1とＲ2とに基づく比率である。なお、波長６３５ｎｍでＲuが０．２以下を満たす膜厚領域がないものについては、（Ｂ）が省略されている。
【００５０】
上記測定結果は、図１にプロットした点に対応している。すなわち、第１の情報記憶層２の反射率Ｒ1が２０％以上、第２の情報記憶層４の反射率Ｒ2が２０％以上、かつＲuが０．２以下となる膜厚範囲が、波長６３５ｎｍと波長４８０ｎｍとで互いに重なる領域がある材料の屈折率ｎ及び消衰係数ｋによりプロットした点の存在する範囲が、図１に示される斜線領域である。
【００５１】
したがって、６３５ｎｍ及び４８０ｎｍの２波長のコンパチビリティを有する多層光ディスクを構成することが可能である。
【００５２】
一方、図１の斜線領域を外れるサンプルでは、前記膜厚範囲が波長６３５ｎｍと波長４８０ｎｍで重ならず、２波長コンパチビリティを有する多層光ディスクを実現することはできない。
【００５３】
また、いずれのサンプルにおいても、２波長においてコンパチビリティを確保できるのは、第１の情報記憶層２の膜厚が５０ｎｍ付近の場合に限られており、このことから、第１の情報記憶層２の厚さは４０〜６０ｎｍの範囲が好ましいことがわかる。
【００５４】
【発明の効果】
以上の説明からも明らかなように、本発明においては、再生光照射側に配される第１の情報記憶層の分光特性を適正な範囲に設定しているので、２種類の波長領域において第１の情報記憶層、第２の情報記憶層からの反射率がほぼ等しく、しかも実用的な反射率を有する多層光ディスクを実現することができる。
【００５５】
したがって、特にデジタル動画やマルチメディア用メモリ等の用途においては、一度に大量の情報を取り扱うことができ、その効果は大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の情報記憶層における屈折率ｎと消衰係数ｋの適正範囲を示す特性図である。
【図２】本発明を適用した多層光ディスクの一構成例を示す要部概略断面図である。
【図３】本発明を適用した多層光ディスクの他の構成例を示す要部概略断面図である。
【図４】各情報記憶層からの反射光を示す模式図である。
【図５】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝３．１８、ｋ＝０．０４）
【図６】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝２．９５、ｋ＝０．２２）
【図７】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝２．９１、ｋ＝０．０６）
【図８】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝３．１８、ｋ＝０．１７）
【図９】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝２．８１、ｋ＝０．２４）
【図１０】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝２．９６、ｋ＝０．０２）
【図１１】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝２．９８、ｋ＝０．２４）
【図１２】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝２．９０、ｋ＝０．１２）
【図１３】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝２．８２、ｋ＝０．１４）
【図１４】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝３．０５、ｋ＝０．０２）
【図１５】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝２．９０、ｋ＝０．０５）
【図１６】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝３．０１、ｋ＝０．０４）
【図１７】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝３．２４、ｋ＝０．０５）
【図１８】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝３．０８、ｋ＝０．１５）
【図１９】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝３．２１、ｋ＝０．１１）
【図２０】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝３．０８、ｋ＝０．１８）
【図２１】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝３．０５、ｋ＝０．１２）
【図２２】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝２．９０、ｋ＝０．１６）
【図２３】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝３．１０、ｋ＝０．１４）
【図２４】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝２．８５、ｋ＝０．２２）
【図２５】Ｒ1、Ｒ2、ＲUを示す特性図であり、（Ａ）は波長６３５ｎｍの場合を示し、（Ｂ）は波長４８０ｎｍの場合を示す。（ただし、６３５ｎｍにおけるｎ＝３．１７、ｋ＝０．１４５）
【符号の説明】
１  基板、２  第１の情報記憶層、３  スペーサ層、４  第２の情報記憶層、５保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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