(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
密閉チャンバ内に収容された処理槽に基板を浸漬して基板に対して水洗処理を施す基板処理方法において、水を貯留した前記処理槽に基板を浸漬した状態で、前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給して前記密閉チャンバ内を有機溶媒で満たすとともに、水表面に有機溶媒の液層を形成し、前記密閉チャンバ内への有機溶媒の供給を停止し、有機溶媒の供給を停止した状態で、基板を前記処理槽内の水から引き上げて前記液層を通過させ、前記処理槽から有機溶媒で満たされた前記密閉チャンバ内に基板を引き上げた後、前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法において、基板を前記処理槽から引き上げた後、前記密閉チャンバ内を減圧することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
水を貯留する処理槽と、前記処理槽を収容する密閉チャンバと、前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給する有機溶媒供給手段と、前記処理槽から基板を引き上げるハンドリング手段と、前記処理槽に基板を浸漬した状態で、前記有機溶媒供給手段により前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給させて前記密閉チャンバ内を有機溶媒で満たすとともに、水表面に有機溶媒の液層を形成した後、前記密閉チャンバ内への有機溶媒の供給を停止し、有機溶媒の供給を停止した状態で、前記ハンドリング手段により基板を前記処理槽から引き上げさせて前記液層を通過させ、前記処理槽から有機溶媒で満たされた前記密閉チャンバ内に基板を引き上げた後、前記有機溶媒供給手段により前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給させる制御手段と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置において、前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに備え、前記制御手段は、基板を前記処理槽から引き上げた後、前記不活性ガス供給手段により前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置において、前記密閉チャンバ内を減圧する減圧手段をさらに備え、前記制御手段は、基板を前記処理槽から引き上げた後、前記減圧手段により前記密閉チャンバ内を減圧させることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板や液晶用ガラス基板等の基板に処理を施す方法及び同装置、特に、基板を処理槽内に浸漬して水洗処理を施すようにした基板処理方法及び同装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、半導体基板や液晶ガラス基板等の基板の製造において、基板を処理槽に貯留された薬液や純水（双方をまとめて「処理液」という）に浸漬し、処理槽内の処理液を順次異なる処理液と入れ替えることにより基板に薬液処理や水洗処理を施す方法や装置は一般に知られている。
【０００３】
この種の基板処理装置の一つとして、例えば、特開平７−１３０６９９号公報に記載された装置がある。この基板処理装置は、処理槽を密閉チャンバ内に納め、水洗処理が完了した後、基板を処理槽から引き上げながら、２-プロパノール（イソプロピルアルコール：「ＩＰＡ」という）蒸気をチャンバ内に吹き込むことによって基板に付着した水や処理残渣を除去するものである。この装置によれば、処理槽から基板が取り出される際に、ＩＰＡ蒸気が基板表面で凝縮し、この凝縮熱により基板表面に付着した水が蒸発するとともに、凝縮により基板表面に形成されたＩＰＡ膜により基板表面のぬれ性が高められて処理残渣が剥離、除去される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来の装置では、処理槽から基板を取り出しながら密閉チャンバ内にＩＰＡ蒸気を供給するようにしているため、基板表面の水や処理残渣を基板全面にわたって良好に取り除くことが困難である。
【０００５】
すなわち、基板表面に付着した水や処理残渣を除去するには、基板の表面全体にできるだけムラなくＩＰＡ蒸気を凝縮させることが重要であるが、上記従来の装置のように基板を取り出しながらＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ内に吹き込むと、密閉チャンバ内にＩＰＡ蒸気による気流が発生し、この気流の影響でＩＰＡ蒸気の凝縮箇所が基板表面で偏ったり、あるいは凝縮する量が不均一になったりする場合がある。そして、例えば、ＩＰＡ蒸気が部分的に凝縮しなかったり、あるいは凝縮するＩＰＡ蒸気の量が少ないと、基板表面に水や処理残渣が部分的に残り、これがそのまま乾燥して基板の品質を低下させたり、あるいは次工程でパーティクルを発生させる原因となる場合がある。
【０００６】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、水洗処理後の水や処理残渣を基板表面全体にわたって良好に除去できる基板処理方法及び同装置を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の基板処理方法は、密閉チャンバ内に収容された処理槽に基板を浸漬して基板に対して水洗処理を施す基板処理方法において、水を貯留した前記処理槽に基板を浸漬した状態で、前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給して前記密閉チャンバ内を有機溶媒で満たすとともに、水表面に有機溶媒の液層を形成し、前記密閉チャンバ内への有機溶媒の供給を停止し、有機溶媒の供給を停止した状態で、基板を前記処理槽内の水から引き上げて前記液層を通過させ、前記処理槽から有機溶媒で満たされた前記密閉チャンバ内に基板を引き上げた後、前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給するようにしたものである。
【０００８】
この方法によれば、密閉チャンバ内に有機溶媒を供給した後に、密閉チャンバ内への有機溶媒の供給を停止して基板を処理層から引き上げているので、密閉チャンバ内が低濃度の有機溶媒雰囲気の状態とされて、気液界面通過時に基板が乾燥されずに引き上げられる。その結果、基板表面全体にわたって有機溶媒の液膜が形成され、これにより基板のぬれ性が高められる。そのため、基板の表面に付着した水や処理残渣、特に、水洗処理で除去され難い疎水性の処理残渣等が効果的に除去される。
【０００９】
また、基板を前記処理槽から引き上げた後、密閉チャンバ内に有機溶媒が供給されるので、ウォーターマークが低減する。
【００１０】
また、請求項２に記載の基板処理方法は、基板を前記処理槽から引き上げた後、前記密閉チャンバ内を減圧するようにしたものである。
【００１１】
この方法によれば、基板を前記処理槽から引き上げた後、基板が減圧状態にさらされるので、基板の乾燥効率が向上する。
【００１２】
また、請求項３に記載の基板処理装置は、水を貯留する処理槽と、前記処理槽を収容する密閉チャンバと、前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給する有機溶媒供給手段と、前記処理槽から基板を引き上げるハンドリング手段と、前記処理槽に基板を浸漬した状態で、前記有機溶媒供給手段により前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給させて前記密閉チャンバ内を有機溶媒で満たすとともに、水表面に有機溶媒の液層を形成した後、前記密閉チャンバ内への有機溶媒の供給を停止し、有機溶媒の供給を停止した状態で、前記ハンドリング手段により基板を前記処理槽から引き上げさせて前記液層を通過させ、前記処理槽から有機溶媒で満たされた前記密閉チャンバ内に基板を引き上げた後、前記有機溶媒供給手段により前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給させる制御手段と、を備えたものである。
【００１３】
この装置によれば、処理槽に基板を浸漬した状態で、前記有機溶媒供給手段が前記密閉チャンバ内に有機溶媒を供給した後、有機溶媒の供給を停止し、有機溶媒の供給を停止した状態で、前記ハンドリング手段が基板を処理槽から引き上げているので、密閉チャンバ内が低能度の有機溶媒雰囲気の状態となって、気液界面通過時に基板が乾燥されずに引き上げられる。その結果、基板表面全体にわたって有機溶媒の液膜が形成され、これにより基板のぬれ性が高められる。そのため、基板の表面に付着した水や処理残渣、特に、水洗処理で除去され難い疎水性の処理残渣等が効果的に除去される。
【００１４】
また、この装置によれば、基板を処理槽から引き上げた後、有機溶媒供給手段により有機溶媒が基板に供給されるので、ウォーターマークが低減し、基板の乾燥効率が向上する。
【００１５】
請求項４に記載の基板処理装置は、前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段をさらに備え、前記制御手段が、基板を前記処理槽から引き上げた後、前記不活性ガス供給手段により前記密閉チャンバ内に不活性ガスを供給させるものである。
【００１６】
この装置によれば、基板を処理槽から引き上げた後、不活性ガス供給手段により不活性ガスが基板に供給されるので、ウォーターマークが低減し、基板の乾燥効率が向上する。
【００１７】
請求項５に記載の基板処理装置は、前記密閉チャンバ内を減圧する減圧手段をさらに備え、前記制御手段が、基板を前記処理槽から引き上げた後、前記減圧手段により前記密閉チャンバ内を減圧させるものである。
【００１８】
この装置によれば、基板を処理槽から引き上げた後、減圧手段により密閉チャンバ内が減圧されて基板が減圧状態にさらされるので、基板の乾燥効率がさらに向上する。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００２０】
図１は、本発明に係る基板処理装置の一例を概略的に示している。この図に示す基板処理装置１０は、単一の処理槽に各種薬液や純水を順次貯留しながら、半導体ウエハ等の基板をこの処理液に浸漬して表面処理を行う、いわゆるワンバス方式の基板処理装置である。
【００２１】
同図に示すように、基板処理装置１０は、密閉チャンバ１２を有し、この密閉チャンバ１２内に処理液を貯留するための処理槽１４を備えるとともに、有機溶媒蒸気の供給系、チャンバ内を真空にするための減圧系及び処理液の給排系を備えた構成となっている。
【００２２】
密閉チャンバ１２には、その上部に、開口部１６が形成されるとともに、この開口部１６を開閉する扉１８がスライド自在に設けられており、基板Ｗがこの開口部１６を介して密閉チャンバ１２に出し入れされるようになっている。
【００２３】
処理槽１４は、上部開口を有するとともに、その周囲に液受け部１４ａを備えた断面矩形の箱型に形成されており、その全体は例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）、ＰＶＤＦ（フッ化ビニリデン）等の耐侵食性に優れた樹脂材料から構成されている。
【００２４】
処理槽１４には、処理液の給排系を構成する給水管２０及び排水管２１がそれぞれ接続されている。給水管２０は、その上流端側が図外の純水供給源に接続される一方、下流端側が処理槽１４の底部に接続されて処理槽１４内に連通しており、その途中には、開閉バルブ２２、ミキシングバルブ２４及び三方弁２６がその上流側から順に介設されている。
【００２５】
ミキシングバルブ２４には、薬液供給管２８ａ〜２８ｄが接続されており、これら薬液供給管２８ａ〜２８ｄの上流端側がそれぞれ異なる種類の薬液の供給源（図示せず）に接続されるとともに、その途中に、それぞれ開閉バルブ３０ａ〜３０ｄが介設されている。すなわち、給水管２０の開閉弁２２が開かれた状態で開閉バルブ３０ａ〜３０ｄのうちのいずれかの開閉バルブが開かれることにより、給水管２０を通じて供給される純水に一種類の薬液が混合されて処理槽１４に供給される一方、全ての開閉バルブ３０ａ〜３０ｄが閉じられることにより、純水のみが処理槽１４に供給されるようになっている。これにより給水管２０が純水及び各薬液の供給通路として共通化されている。
【００２６】
排水管２１は、上流端側が上記処理槽１４の液受け部１４ａに接続される一方、下流端側が図外の廃液タンクに接続されている。また、排水管２１には、その途中に分岐管２１ａが設けられ、この分岐管２１ａが給水管２０の三方弁２６に接続されている。すなわち、処理槽１４から液受け部１４ａにオーバーフローした液を排水管２１を介して廃液タンクに導入しつつ、例えば、処理槽１４内の処理液を全て排出する必要がある場合には、三方弁２６を切替えることにより、給水管２０、三方弁２６、分岐管２１ａ及び排水管２１を介して処理槽１４内の処理液を廃液タンクに導入するようになっている。
【００２７】
有機溶媒蒸気の供給系としては蒸気供給管３２が設けられている。この蒸気供給管３２は、上流端側が窒素ガスの供給源に接続される一方、下流端側が密閉チャンバ１２に接続されてその内部に連通しており、その間には、一対の三方弁３４ａ，３４ｂを介してバイパス通路３６が設けられ、このバイパス通路３６に有機溶媒の蒸気発生器３８が介設されている。そして、各三方弁３４ａ，３４ｂの切替えに応じて、窒素ガスをバイパス通路３６を介して密閉チャンバ１２内に導入する状態と、これを遮断する状態とに切替えられるように有機溶媒蒸気の供給系が構成されている。
【００２８】
蒸気発生器３８は、アルコール系有機溶媒の蒸気、本実施形態においてはＩＰＡ蒸気を生成するように構成されており、上述のように窒素ガスがバイパス通路３６を介して密閉チャンバ１２に導入されることにより、この窒素ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気が密閉チャンバ１２内に導入されるようになっている。
【００２９】
密閉チャンバ１２内を真空するための減圧系としては減圧管４０が設けられている。この減圧管４０は、上流端側が密閉チャンバ１２に接続されてその内部に連通している一方、下流端側が例えば水封式の真空ポンプ４４に接続されており、その途中には、三方弁４６が介設されてこの三方弁４６に図外のフィルターを備えた排気管４７が接続されている。そして、上記三方弁４６の切替えに応じて、密閉チャンバ１２を真空ポンプ４４に接続してその内部を減圧する状態と、排気管４７を介して密閉チャンバ１２内を大気に開放する状態とに切替えられるようになっている。
【００３０】
なお、密閉チャンバ１２内には、複数枚の基板Ｗを保持するハンドリング手段４８（図２に示す）が上下動可能に設けられており、このハンドリング手段４８が下降端位置に移動させられることにより同図中実線で示すように基板Ｗが処理槽１４内の処理液に浸漬させられる一方、ハンドリング手段４８がこの位置から上昇させられることにより基板Ｗが処理液から取り出されるようになっている。
【００３１】
また、密閉チャンバ１２の上部外側には、ハンドリング手段４８との間で基板Ｗを授受する移載機構が移動可能に設けられており、開口部１６を介してこの移載機構とハンドリング手段４８との間で基板Ｗが授け受されることにより、基板Ｗが基板処理装置１０に対して出し入れされるようになっている。
【００３２】
ところで、基板処理装置１０には、図２に示すようなコントローラ５０が設けられており、有機溶媒蒸気の供給系、減圧系及び処理液の給排系の各バルブ、ハンドリング手段４８及び上記移載機構等がこのコントローラ５０に電気的に接続されている。コントローラ５０には、主制御手段５２が設けられるとともに、駆動制御手段５４及びバルブ制御手段５６が設けられ、駆動制御手段５４に対してハンドリング手段４８が、バルブ制御手段５６に対して有機溶媒蒸気の供給系等の各バルブがそれぞれ接続されている。
【００３３】
そして、基板処理装置１０の作動時には、駆動制御手段５４を介してハンドリング手段４８が、また、バルブ制御手段５６を介して有機溶媒蒸気の供給系等の各バルブがそれぞれ主制御手段５２によって統括的に制御されることにより、以下のような基板Ｗの処理動作が行われるようになっている。
【００３４】
次に、基板処理装置１０による基板Ｗの処理動作について作用と共に図３のフローチャートを用いて説明する。
【００３５】
先ず、ハンドリング手段４８が上昇端位置にセットされた状態で密閉チャンバ１２の開口部１６が開放され、密閉チャンバ１２の上方に搬送されてきた複数枚の基板Ｗが移載機構により一括してハンドリング手段４８に引き渡されて開口部１６が閉じられる。このとき、密閉チャンバ１２内は大気圧とされ、ＩＰＡ蒸気の供給は行われていない。また、処理槽１４には純水が供給されつつ液受け部１４ａにオーバーフローさせられており、これによって処理槽１４内に純水の上昇流が形成されている。
【００３６】
密閉チャンバ１２の開口部１６が閉じられると、ハンドリング手段４８が下降端位置まで移動させられ、基板Ｗが一括して処理槽１４内の純水に浸漬させられる。そして、基板Ｗがこのような純水による上昇流のなかに配置されることにより、基板Ｗに対して水洗処理が施される（ステップＳ１，２）。
【００３７】
基板Ｗに対して一定時間水洗処理が施されると、次に、薬液供給管２８ａ〜２８ｄのいずれかの開閉バルブ３０ａ〜３０ｄａが開かれることにより薬液が処理槽１４に供給されて基板Ｗに対して薬液処理が施される。このときも、薬液が処理槽１４に連続的に供給されて液受け部１４ａにオーバーフローさせられており、これにより処理残渣が処理槽１４外へと導出される。そして、以後、開閉バルブ３０ａ〜３０ｄが順次択一的に開かれることにより、異なる薬液が処理槽１４内に供給され、これによって基板Ｗに対して複数種類の薬液処理が順次施される（ステップＳ３，４）。
【００３８】
すべての薬液処理が終了すると、再び純水が処理槽１４に供給されて基板Ｗに対して水洗処理が施され、一定時間、水洗処理が行われると、処理槽１４への純水の供給が停止される（ステップＳ５，６）。
【００３９】
そして、有機溶媒蒸気の供給系において三方弁３４ａ，３４ｂが切替えられることにより密閉チャンバ１２内にＩＰＡ蒸気が一定時間導入される（ステップＳ７，８）。このようにＩＰＡ蒸気が導入されることにより、密閉チャンバ１２内空間がＩＰＡ蒸気で満たされるとともに、ＩＰＡ蒸気が処理槽１４内の純水に溶け込み、純水表面にほぼ均一なＩＰＡの液層が形成される。なお、ＩＰＡ蒸気の導入時間は、基板Ｗの数等によっても異なるが、本実施形態においては、１０分程度行うようにしている。
【００４０】
ＩＰＡ蒸気の導入が停止させられると、次いで、ハンドリング手段４８が上昇端位置に移動させられることにより基板Ｗが処理槽１４から取り出される（ステップＳ９）。この際、処理槽１４内の純水の表面には上述のようにＩＰＡの液層が形成されているため、このようなＩＰＡの液層を介して基板Ｗが取り出されることにより、水洗処理で除去されなかった例えば疎水性の処理残渣等が効果的に除去される。また、基板Ｗの取り出しに伴い基板Ｗの表面全体にわたって均一なＩＰＡの液膜が形成され、これにより基板表面のぬれ性が高められる結果、基板表面に強固に付着した処理残渣や水がＩＰＡと共に処理槽１４内に流下する。そのため、処理槽１４から取り出される基板Ｗにおいては、これらの作用により、その表面全体にわたって水洗処理後の水や処理残渣が良好に除去されることとなる。
【００４１】
処理槽１４から基板Ｗが取り出されると、処理液の給排系において三方弁２６が切替えられて処理槽１４内の純水が急速排水されるとともに、再度、上記三方弁３４ａ，３４ｂが切替えられて密閉チャンバ１２内に一定時間だけＩＰＡ蒸気が導入される（ステップＳ１０，１１）。このようにＩＰＡ蒸気が密閉チャンバ１２内に導入されることにより、ＩＰＡ蒸気が基板表面で凝縮して、その凝縮熱により基板表面のＩＰＡ液膜内に含まれる純水が蒸発させられる。そして、ウォーターマークが低減し、基板の乾燥効率が向上する。なお、このときのＩＰＡ蒸気の導入は、本実施形態においては５分程度行うようにしている。
【００４２】
次いで、減圧系の三方弁４６が切替えられて密閉チャンバ１２が真空ポンプ４４に接続されて密閉チャンバ１２内が減圧される（ステップＳ１２）。これにより基板表面のＩＰＡが蒸発させられて基板Ｗが乾燥させられる。
【００４３】
こうして一定時間密閉チャンバ１２内が減圧されると、開閉バルブ４６が切替えられて密閉チャンバ１２内が大気に開放されるとともに（ステップＳ１３）、開口部１６が開放されて、基板Ｗが一括して移載装置により密閉チャンバ１２外へと搬出される。こうして基板処理装置１０による基板Ｗの処理動作が終了する。
【００４４】
以上説明した基板処理装置１０によれば、純水による最終的な水洗処理が終了した後、処理槽１４内にＩＰＡ蒸気を供給して純水の表面にＩＰＡの液層を形成し、この液層を介して基板Ｗを取り出すことによって、上述のように基板表面の水や処理残渣を除去するようにしているので、基板を純水から取り出しながらＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ内に吹き込み、これによって基板表面にＩＰＡ蒸気を凝縮させて水や処理残渣を除去する従来のこの種の装置と比較すると、基板に付着した水や処理残渣を基板表面全体にわたって良好に除去することができる。
【００４５】
すなわち、従来の装置では、密閉チャンバ１２へのＩＰＡ蒸気の導入により、密閉チャンバ内にＩＰＡ蒸気の気流が生じている。そのため、この気流の影響で基板表面でのＩＰＡの凝縮位置が偏る等して、ＩＰＡによる処理残渣等の除去効果が基板全体で均一に発揮されない虞れがある。これに対し、この基板処理装置１０によれば、純水表面に形成されたＩＰＡの液層を介して基板Ｗを処理槽１４から取り出すことで基板Ｗの表面全体にわたってＩＰＡの液膜を均一に形成するため、ＩＰＡによる処理残渣の除去効果が基板全体でほぼ均一に発揮される。そのため、基板Ｗに付着した水や処理残渣がより確実に除去されることとなり、水洗処理の水や処理残渣を基板表面全体にわたって良好に除去することができる。
【００４６】
なお、当実施形態の基板処理装置１０と従来装置とは、ＩＰＡ蒸気を密閉チャンバ内に供給する点で構成が共通しているが、基板表面に付着している処理残渣を一定レベルまで除去するのに要する時間、具体的には、基板表面に付着している処理残渣を３０個以下にまでするのに要する時間が、従来装置では１５分かかるところを、当実施形態の装置では５分で行うことができ、大幅に処理残渣の除去効果を高め得ることが実験的に確認できた。そして、このように効率良く処理残渣を除去できるようになった結果、ＩＰＡの消費量も従来装置に比べると半分以下に低減することができた。
【００４７】
また、複数の基板Ｗを一括して処理する基板処理装置１０においては、次のような特徴もある。すなわち、複数枚の基板を一括に処理する場合、従来の装置では、基板の位置によっては気流の影響を受けることにより、ＩＰＡによる処理残渣等の除去効果が基板同士の間で均一に発揮されない虞れがあるが、基板処理装置１０によれば、全ての基板Ｗについてその表面全体にＩＰＡの液膜を均一に形成することが可能であるため、ＩＰＡによる処理残渣等の除去効果が基板間でほぼ均一に発揮される。そのため、基板Ｗの品質を均一にすることができるという利点がある。
【００４８】
なお、上記実施形態の基板処理装置１０は、本発明に係る基板処理装置の一例であって、その具体的な構成や制御（動作）は本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００４９】
例えば、基板処理装置１０では、最終的な純水による水洗処理後、密閉チャンバ１２内にＩＰＡ蒸気を導入し、この蒸気を純水に溶け込ませることによってＩＰＡの液層を形成するようにしているが、上記処理液の給排系を利用したり、あるいは別途、専用の供給系を設けて処理槽１４内に直接ＩＰＡを流し込むようにしてもよい。但し、上記実施形態のようにすれば、純水表面に均一なＩＰＡの液層を形成し易いという利点がある。また、密閉チャンバ１２内がＩＰＡ蒸気により満たされるため、基板Ｗの取り出し時には、これに伴いＩＰＡ蒸気が基板表面で凝縮して基板表面のＩＰＡ液膜に含まれる純水が蒸発するため、基板表面の水を効果的に除去することができるという利点がある。
【００５０】
また、当実施形態では、基板Ｗを処理槽１４から取り出した後、処理槽１４内の純水を急速排水するようにしているが、排水タイミングは、必ずしも基板Ｗを処理槽１４から取り出した直後である必要はなく、基板Ｗを引き上げた後の適当なタイミングで排水するようにすればよい。この際、必ずしも純水を急速で排水する必要はないが、急速で排水するようにすれば液中に浮遊する処理残渣が処理槽１４の壁面に付着し難くなり、処理残渣の処理槽１４内への残留を軽減することができるという利点がある。なお、このように純水を排出する代わりに、処理槽１４に純水を連続的に供給して液受け部１４ａにオーバーフローさせ、これにより液中の処理残渣を排出するようにしてもよい。
【００５１】
また、上記実施形態では、有機溶媒としてＩＰＡを用いているが、使用する有機溶媒の種類は、勿論生産する基板の種類等に応じて適宜選定するようにすればよく、処理槽１４に向けて供給することで、処理槽１４の水面に液層を形成するとともに、基板Ｗを処理槽１４から取り出した際に、基板表面に液膜を形成して基板表面の水や処理残渣の除去に寄与する機能を有する限り任意の有機溶媒を用いてもよい。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に記載の処理方法によれば、密閉チャンバ内に有機溶媒を供給した後に、密閉チャンバ内への有機溶媒の供給を停止して基板を処理層から引き上げているので、気液界面通過時に基板が乾燥されずに引き上げられて基板表面全体にわたって有機溶媒の液膜が形成され、これにより基板のぬれ性が高められる。その結果、基板の表面に付着した水や処理残渣、特に、水洗処理で除去され難い疎水性の処理残渣等を効果的に除去することができる。
【００５３】
また、この基板処理方法によれば、基板を前記処理槽から引き上げた後、基板に有機溶媒を供給するので、ウォーターマークを低減できる。
【００５４】
また、請求項２に記載の基板処理方法によれば、基板を前記処理槽から引き上げた後、基板が減圧状態にさらされるので、基板の乾燥効率をさらに向上させることができる。
【００５５】
請求項３記載の基板処理装置によれば、処理槽に基板を浸漬した状態で、有機溶媒供給手段が密閉チャンバ内に有機溶媒を供給した後、有機溶媒の供給を停止し、有機溶媒の供給を停止した状態で、ハンドリング手段が基板を処理槽から引き上げているので、気液界面通過時に基板が乾燥されずに引き上げられて、基板表面全体にわたって有機溶媒の液膜が形成され、これにより基板のぬれ性が高められる。その結果、基板の表面に付着した水や処理残渣、特に、水洗処理で除去され難い疎水性の処理残渣等を効果的に除去することができる。
【００５６】
また、この基板処理装置は、基板を前記処理槽から引き上げた後、有機溶媒供給手段により有機溶媒が基板に供給されるので、ウォーターマークを低減でき、基板の乾燥効率を向上させることができる。
【００５７】
請求項４に記載の基板処理装置は、基板を処理槽から引き上げた後、不活性ガス供給手段により基板に不活性ガスが供給されるので、ウォーターマークを低減でき、基板の乾燥効率を向上させることができる。
【００５８】
請求項５記載の基板処理装置は、基板を処理槽から引き上げた後、減圧手段により密閉チャンバ内を減圧し、基板を減圧状態にさらしているので、基板の乾燥効率をさらに向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る基板処理装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】  上記基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図３】  上記基板処理装置における基板処理動作の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０  基板処理装置
１２  密閉チャンバ
１４  処理槽
２０  給水管
２１  排水管
２１ａ  分岐管
２８ａ〜２８ｄ  薬液供給管
３０ａ〜３０ｄ  開閉バルブ
３２  蒸気供給管
４０  減圧管
４４  真空ポンプ
４７  排気管
４８  ハンドリング手段
５０  コントローラ
５２  主制御手段
５４  駆動制御手段
５６  バルブ制御手段
Ｗ  基板
【図１】
0003892102.tif 000002
【図２】
0003892102.tif 000003
【図３】
0003892102.tif 000004