(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被照射物を異なる複数箇所において、カセット本体に取り付けられた複数対の上面支持部材と下面支持部材とで上下両面から挟んで被照射物を支持するように成した放射ビーム装置の被照射物カセットにおいて、前記各支持部材の少なくとも１つに被照射物に接触するように温度センサを設けた放射ビーム装置の被照射物カセット。
【請求項２】
前記各支持部材の被照射物接触部が被照射物に点接触するように形成されている請求項１記載の荷電粒子ビーム装置の被照射物カセット。
【請求項３】
前記各支持部材の被照射物接触部が曲面状に形成されている請求項１記載の放射ビーム装置の被照射物カセット。
【請求項４】
被照射物を介して対向する上面支持部材と下面支持部材の被照射物接触部が被照射物の同一位置を上下から挟むように配置される請求項２若しくは３記載の放射ビーム装置の被照射物カセット。
【請求項５】
前記温度センサーの被照射物接触部は、前記曲面状部の頂部に配置されている請求項３記載の放射ビーム装置の被照射物カセット。
【請求項６】
下面支持部材はカセット本体に移動可能に取り付けられ、弾性体により被照射物表面に向けて押圧されている請求項１記載の放射ビーム装置の被照射物カセット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は、被照射物の温度を直接測定出来るように成した放射ビーム装置の被照射物カセットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１は電子ビーム描画装置の１概略例を示したものである。図中１は、電子銃２，集束レンズ（図示せず），ビーム断面成形手段（例えば、それぞれ正方形のスリットを有する上下２枚の成形スリット、該スリット間に配置された成形レンズ及び成形用偏向器から成り、上方成形スリットを通過したビームの下方スリット上ので位置を成形用偏向器でコントロールすることにより、任意の大きさの正方形状若しくは矩形状断面のビームを作成する手段）、位置決め用偏向器（図示せず）等を備えた電子光学系鏡筒、３はステージ４等が設けられた描画室である。尚、前記電子光学系鏡筒１や描画室３にはそれぞれ排気口（図示せず）を介して排気手段（図示せず）が繋がれている。
【０００３】
この様な装置において、描画室３の外部において、被描画材料を保持させたカセット５を、描画室３に設けられているゲート（図示せず）を介して搬送手段（図示せず）によりステージ４上にセットする。そして、制御装置（図示せず）からのパターンデータに基づいて、描画すべきパターンの形状及び大きさのデータに基づく成型用データをビーム断面成形手段の成型用偏向器に送り、パターン描画位置データを位置決め用偏向器（図示せず）に送ることにより、断面を成形した電子銃２からの電子ビームを被描画材料上の所定の位置にショットさせ、パターンを描くようにしている。
【０００４】
近年、この様な電子ビーム描画装置は、益々高密度化する半導体素子の製作になくてはならない存在となっている。又、一方では、この様な電子ビーム描画装置において、この様な半導体素子の高密度化に伴ってパターン描画精度の向上化が計られている。
【０００５】
さて、前記被描画材料は外部の温度変化により温度変化を起こし、該温度変化に基づく歪みを発生する。この様な歪みを発生すると、描画精度の低下が起きる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、例えば、カセット５の温度を、例えば、各領域描画毎に測定する事により、被描画材料の温度を類推し、温度と描画領域とを対応づけてデータ上で管理している。尚、測定した温度に基づいてカセット（即ち、被描画材料）の温度を所定の温度にコントロールしたり、被描画材料の歪み分だけ電子ビームのショット位置を補正したりすることも考えられるが、実際にはこの様なコントロールや補正を首尾良く行うことは難しい。
【０００７】
しかしながら、カセット５の温度を測定することにより、被描画材料の温度を類推しているので、実際の被描画材料の温度が得られないのが現状である。
【０００８】
尚、最近、被描画材料の１つであるウェハの中心部と端部の中間辺りの下面に温度センサーを当てウェハの温度を直接測るものが提案されているが、これでは、ウェハのパターン描画領域内に歪みが発生する恐れがあり、描画精度に影響を及ぼすことになる。
本発明は、この様な問題点を解決する為になされたもので、新規な放射ビーム装置の材料カセットを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に基づく放射ビーム装置の被照射物カセットは、被照射物を異なる複数箇所において、カセット本体に取り付けられた複数対の上面支持部材と下面支持部材とで上下両面から挟んで被照射物を支持するように成した放射ビーム装置の被照射物カセットにおいて、前記各支持部材の少なくとも１つに被照射物に接触するように温度センサを設けたことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の態様の形態を詳細に説明する。
【００１１】
図２は本発明の一例として示した被照射物カセットの概略図、図３は図２のＡ−Ａ′断面図である。
【００１２】
図中１１はカセット本体で、天井部分が吹き抜けの空間部１２を有している。該空間部１２は二階構造になっており、１階空間部１３と２階空間部１４とから成り、該２つの空間部の間は押上ホルダ支持板２０で仕切られている。
【００１３】
前記カセット本体１１の上面三箇所には、上面規制板１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃが取り付けられている。該各上面規制板の先端部下面は半球状に形成されている。
【００１４】
該各上面規制板の位置にそれぞれ対応する前記押上ホルダ支持板２０の位置に、押上ホルダー１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ（１６Ｃは図示されていない）が上下方向に滑動可能にはめ込まれている。
【００１５】
該各押上ホルダーは、その上方先端部は半球状の有底筒体を成しており、各半球状部の頂点と前記各上面規制板の半球状部の頂点とが光軸Ｏに平行な同一軸Ｑａ，Ｑｂ，Ｑｃ（Ｑｃは図示せず）上に位置するように、各押上ホルダーは支持板２０に取り付けられている。
【００１６】
一方、前記支持板２０の下面の各押上ホルダー１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃに対向する箇所に、押上ばね支持体１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ（１７Ｃは図示されていない）が取り付けられている。該各押上ばね支持体の内部の凸部１８Ａ，１８Ｂ，１８Ｃ（１８Ｂ，１８Ｃは図示されていない）には、その先端部が対向する前記押上ホルダーの内部の底面を上方へ押圧する様に、押上ばね１９，１９Ｂ，１９Ｃ（１９Ｂ，１９Ｃは図示されていない）が取り付けられている。
【００１７】
前記押上ホルダー１６Ａの半球状底部の中心には孔が開けられており、ここに、該半球状底部の曲率半径と同一曲率半径の曲面を有する温度センサー２１が取り付けられている。２２は該センサーからの温度信号を電気的に取り出すためのリード線で、その一方の端部は、カセット本体１１の側壁２３に絶縁スペーサ２４Ａ，２４Ｂを介して嵌挿されている外部端子２５に繋がれている。尚、前記押上ばね支持体１７Ａの凸部１８Ａの中心には温度センサー２１の一部を通すための孔２６が開けられている。
【００１８】
この様な構成の材料カセットに被描画材料をセットする場合、図示しない押上ホルダー下降手段により、各押上ばね１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃに抗して押上ホルダー１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃを適宜、軸Ｑａ，ＱＢ，Ｑｃに沿って下降させておき、その状態で被描画材料２７を空間部１４に入れる。この際、被描画材料２７のエッジ部にある非描画領域の所定の三箇所が、各上面規制板１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃの半球状面中心点と、各押上ホルダー１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃの半球状面中心点に挟まれる位置に来る様に、被描画材料２７を空間部１４に入れる。そして、ホルダー下降手段による下降状態を解除することにより、各押上ばね１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃの押圧によって、被描画材料２７を前記三点において、上面規制板と押上ホルダーにて支持させる。
【００１９】
この様にして被描画材料２７を支持させたカセットを図１に示す如き描画室３内のステージ４上にセットする。尚、カセットをステージ４上にセットした時に、外部端子２５の一方の先端が、描画室３の側壁をＯリングなどを介して貫通させて設けられている端子体（図示せず）の端部に接触するように構成されている。
【００２０】
そして、電子ビームによる被描画材料上への描画が開始される。該描画において、時々刻々と温度センサー２１が測定した被描画材料２７の温度信号がリード線２２，外部端子２５及び端子体（図示せず）を通じて外部に取り出され、例えば、被描画材料上の各フィールド描画と対応づけられて、被描画材料直接の温度が得られる。この様な装置においては、被描画材料の三点の支持部は被描画材料の非描画領域にあり、温度センサー２１は、被描画材料の支持を担っている押上ホルダーの半球状面部の中心部を成すように押上ホルダーに取り付けられているので、被描画材料が歪む心配がない。
尚、前記例では上面規制板及び押上ホルダーの先端部の被描画材料に対向する部分を半球状状に形成したが、被描画材料に点接触出来するならば、他の曲状面に形成してても良い。
【００２１】
又、前記例では３点にて被描画材料を支持するように成したが、３点に限定されず、例えば、４点でも良い。
【００２２】
又、前記例ではガラスの様なマスク材を被照射物として説明したが、この様なマスク材に限定されず、例えば、ウェハの如き半導体材料等の被照射物を支持するカセットについても本発明は応用可能である。
【００２３】
又、前記例では、電子ビーム描画装置で使用される被照射物カセットについて説明したが、イオンビーム描画装置若しくはレーザー描画装置等で使用される被照射物カセット、或いは、大型試料を観察若しくは検査するような走査型電子顕微鏡等に使用される試料カセット等についても本発明は応用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  荷電粒子ビーム装置の一例として、電子ビーム描画の１概略例を示したものである。
【図２】  本発明の一例として示した被照射物カセットの概略図である。
【図３】  図２のＡ−Ａ′断面図である。
【番号の説明】
１…電子光学系鏡筒
２…電子銃
３…描画室
４…ステージ
５…カセット
１１…カセット本体
１２，１３，１４…空間部
１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ…上面規制板
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ…押上ホルダー
１７Ａ，１７Ｂ，１７Ｃ…押上ばね支持体
１８Ａ，Ｂ，１８Ｃ…凸部
１９Ａ，１９Ｂ，１９Ｃ…押上ばね
２０…押上ホルダ支持板
２１…温度センサー
２２…リード線
２３…側壁
２４Ａ，２４Ｂ…絶縁スペーサー
２５…外部端子
２６…孔
２７…被描画材料
【図１】
0003967534.tif 000002
【図２】
0003967534.tif 000003
【図３】
0003967534.tif 000004