(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電極間に、一般式（１）で表される、９−オキソ−９−ホスファフルオレン−２，７−ジイル骨格とアリーレン骨格を主鎖に含む重合体を含有し、膜厚が１ｎｍ〜１０μｍである層を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
0003913049.tif 000010
0003913049.tif 000011
〔式中、Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキロキシ基、シクロアルキロキシ基、アラルキロキシ基又はアリーロキシ基を示す。Ａｒはアリーレン基を示す。ｎは３〜３００００の整数を示す。〕
【請求項２】
一般式（１）で表される重合体を含む層が発光層であることを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
一般式（１）で表される重合体を含む層が一般式（１）で表される重合体と正孔輸送性材料とを含むことを特徴とする請求項１または２記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
一般式（１）で表される重合体を含む層が一般式（１）で表される重合体と電子輸送性材料とを含むことを特徴とする請求項１または２記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
一般式（１）で表される重合体を含む層が一般式（１）で表される重合体と発光材料とを含むことを特徴とする請求項１または２記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
一般式（１）で表される重合体を含む層が一般式（１）で表される重合体と発光材料と正孔輸送性材料および／または電子輸送性材料とを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して導電性高分子を含む層を設けたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
陰極と発光層との間に、該発光層に隣接して電子輸送層を設けたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
陽極と発光層との間に、該発光層に隣接して正孔輸送層を設けたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
陰極と発光層との間に、該発光層に隣接して電子輸送層を設け、陽極と発光層との間に、該発光層に隣接して正孔輸送層を設けたことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
一般式（１）で表される重合体を含む層が電子輸送層または正孔輸送層であり、該層に接して発光層を有することを特徴とする請求項１記載のエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする面状光源。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
【請求項１５】
請求項１〜１１のいずれかに記載のエレクトロルミネッセンス素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、９−オキソ−９−ホスファフルオレン−２，７−ジイル骨格とアリーレン骨格を主鎖に含む重合体を含有するエレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子ということがある。）に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高分子量の発光材料や電荷輸送材料は低分子系のそれとは異なり溶媒に可溶で塗布法により発光素子における発光層や電荷輸送層を形成できることから種々検討されている。発光材料や電荷輸送材料としてＥＬ素子に用いることのできる高分子材料としては、従来、ポリフェニレンビニレン誘導体やポリフルオレン誘導体、ポリフェニレン誘導体などが知られていた。一方、高分子材料である、９−オキソ−９−ホスファフルオレン−２，７−ジイル骨格とアリーレン骨格を主鎖に含む重合体は公知である〔日本化学会第７９春季年会（講演番号３Ｄ２０９、８２１ページ、２００１年）〕が、この重合体を用いたＥＬ素子は知られていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、９−オキソ−９−ホスファフルオレン−２，７−ジイル骨格とアリーレン骨格を主鎖に含む重合体を用いた新規なＥＬ素子を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、少なくとも一方が透明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電極間に、一般式（１）で表される、９−オキソ−９−ホスファフルオレン−２，７−ジイル骨格とアリーレン骨格を主鎖に含む重合体を含有し、膜厚が１ｎｍ〜１０μｍである層（以下、一般式（１）で表される重合体を含む層ということがある）を有するＥＬ素子、それを用いた面状光源、セグメント表示装置、もしくはドットマトリックス表示装置またはそれをバックライトとする液晶表示装置に関するものである。
0003913049.tif 000002
（１）
〔式中、Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキロキシ基、シクロアルキロキシ基、アラルキロキシ基又はアリーロキシ基を示す。Ａｒはアリーレン基を示す。ｎは３〜３００００の整数を示す。〕
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明のＥＬ素子に用いる重合体は、上記一般式（１）で示される、９−オキソ−９−ホスファフルオレン−２，７−ジイル骨格とアリーレン骨格を主鎖に含む重合体である。
【０００６】
一般式（１）中のＡｒは置換又は無置換のアリーレン基を示す。アリーレン基の炭素数としては、例えば６〜２０の範囲のものが挙げられ、具体例としては、無置換のアリーレン基としては、１，４−フェニレン基、１，４−ナフフタレン−ジイル基、２，６−ナフタレン−ジイル基、９，１０−アントラセン−ジイル基、１，４−アントラセン−ジイル基が例示される。置換基としては、前述の一般式（１）のＲで示したアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキロキシ基、シクロアルキロキシ基、アラルキロキシ基又はアリーロキシ基からＲとは独立に選択して使用でき、その具体例も後述したＲ基から選択できるものが挙げられる。Ａｒが置換アリーレン基としては、より具体的には、２−メチル−１，４−フェニレン基、２，５−ジメチル−１，４−フェニレン基、２，３−ジメチル−１，４−フェニレン基、２，３，４，５，６−テトラメチル−１，４−フェニレン基、２，５−ジメトキシ−１，４−フェニレン基、２，５，−ビス（１−メチルヘプチロキシ）−１，４−フェニレン基が例示される。
【０００７】
ここで、一般式（１）中のＲは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキロキシ基、シクロアルキロキシ基、アラルキロキシ基又はアリーロキシ基を示す。
【０００８】
一般式（１）中のＲがアルキル基の場合のアルキル基としては、例えば炭素数１〜２０、好ましくは１〜１５の直鎖状又は分岐状のアルキル基が挙げられ、その具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−又はｉｓｏ−プロピル基、ｎ−、ｉｓｏ−、ｓｅｃ−又はｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−、ｉｓｏ−、ｓｅｃ−、ｔｅｒｔ−又はｎｅｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、１−メチルヘプチル基、ｎ−ノニル基などが例示される。
【０００９】
一般式（１）中のＲがシクロアルキル基である場合のシクロアルキル基としては、例えば炭素数５〜１８、好ましくは５〜１０のシクロアルキル基が挙げられ、その具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基などが例示される。
一般式（１）中のＲがアラルキル基である場合のアラルキル基としては、例えば炭素数７〜１３、好ましくは７〜１１のアラルキル基が挙げられ、その具体例としては、ベンジル基、フェチル基、ナフチルメチル基などが例示される。
【００１０】
一般式（１）中のＲがアリール基である場合のアリール基としては、例えば炭素数６〜１８、好ましくは６〜１４のアリール基が挙げられ、その具体例としては、フェニル基、ナフチル基、それらの置換体であるトリル基、キシリル基が例示される。
【００１１】
一般式（１）中のＲがアルキロキシ基である場合のアルキロキシ基としては、例えば炭素数１〜２０，好ましくは１〜１５のアルキロキシ基が挙げられ、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−又はｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−、ｉｓｏ−、ｓｅｃ−又はｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−、ｉｓｏ−、ｓｅｃ−、ｔｅｒｔ−又はｎｅｏ−ペンチロキシ基、ｎ−ヘキシロキシ基、ｎ−ヘプチロキシ基、ｎ−オクチロキシ基、１−メチルヘプチロキシ基が例示される。
【００１２】
一般式（１）中のＲがシクロアルキロキシ基である場合のシクロアルキロキシ基としては、例えば炭素数５〜１８、好ましくは５〜１０のシクロアルキロキシ基が挙げられ、その具体例としては、シクロペンチロキシ基、シクロヘキシロキシ基、シクロオクチロキシ基、シクロドデシロキシ基などが例示される。
【００１３】
一般式（１）中のＲがアラルキロキシ基である場合のアラルキロキシ基としては、例えば炭素数７〜１３、好ましくは７〜１１のアラルキロキシ基が挙げられ、その具体例としては、ベンジロキシ基、フェネチロキシ基、ナフチルメトキシ基などが例示される。
【００１４】
一般式（１）中のＲがアリーロキシ基である場合のアリーロキシ基としては、例えば炭素数６〜１８、好ましくは６〜１４のアリーロキシ基が挙げられ、その具体例としては、フェノキシ基、１−，２−ナフチロキシ基、それらの置換体であるトリロキシ基、アニシロキシ基が例示される。
なお、本発明に使用される重合体は、一般式（１）中の繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。
【００１５】
一般式（１）の重合体の重合度（ｎ）は３〜３００００であり、好ましくは１０〜１００００である。また、一般式（１）の重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィにより測定した数平均分子量は、ポリスチレンを標準試料として、通常１０3〜１０8程度であり、好ましくは、１０3〜１０7であり、より好ましくは、２×１０3〜１０6である。
【００１６】
本発明に用いる一般式（１）の重合体に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系の溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、テトラリン、ｎ−ブチルベンゼン等の芳香族化合物系溶媒などが例示される。重合体の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。
【００１７】
次に、本発明に用いる一般式（１）の重合体の製造方法について説明する。
一般式（１）の重合体は、例えば、
一般式（２）
0003913049.tif 000003
0003913049.tif 000004
（式中のＲは前記と同じ。また、Xはハロゲン原子を示す。）で表される２，７−ジハロー９−オキソー９−ホスファフルオレンに、一般式（３）
0003913049.tif 000005
（式中のＡｒは前記と同じ。）
で表されるアリーレンビスボロン酸を反応させて重縮合することにより製造することができる。
【００１８】
一般式（２）において、Ｘはハロゲン原子であり、具体的には、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。一般式（２）においてＲは既に述べた上記一般式（１）におけるＲと同じである。
また一般式（３）においてＡｒは上記一般式（１）におけるＡｒと同じである。
【００１９】
好ましく用いられるアリーレンビスボロン酸の具体例としては、１，２−フェニレンビスボロン酸、１，３−フェニレンビスボロン酸、１，４−フェニレンビスボロン酸、２−メチルー１，４−フェニレンビスボロン酸、２、５−ジメチルー１，４−フェニレンビスボロン酸、２、３−ジメチルー１，４−フェニレンビスボロン酸、１、４−ジメチル−２，３−フェニレンビスボロン酸、２,３,５,６−テトラメチル−１，４−フェニレンビスボロン酸、２、５−ジメトキシ−１，４−フェニレンビスボロン酸、２、５−ジヘキシロキシ−１，４−フェニレンビスボロン酸、２、５−ビス（１−メチルヘプチロキシ）−１，４−フェニレンビスボロン酸等が例示される。
【００２０】
アリーレンビスボロン酸は、前記一般式（２）の化合物１当量あたり０．５〜２当量、好ましくは０．７〜１．２当量の割合で用いられる。
【００２１】
上記重縮合反応は、パラジウム触媒の存在下で好ましい速度で進行する。パラジウム触媒としては、公知の種々のものを用いることができるが、好適なものはいわゆる低原子価の錯体であり、３級ホスフィンや３級ホスファイトを配位子とする２価の錯体が特にこのましい。また、反応系中で容易に低原子価に変換される適当な前駆体を用いることも好ましい態様である。
【００２２】
さらに、反応系中で、３級ホスフィンや３級ホスファイトを配位子として含まない錯体と３級ホスフィンやホスファイトを混合し、反応系中で３級ホスフィンまたはホスファイトを配位子とする低原子価錯体を形成させる方法も好ましい態様である。これらのいずれかの方法で有利な性能を発揮する配位子としては、種々の３級ホスフィンや３級ホスファイトが挙げられる。
【００２３】
上記重縮合反応に、好適に用いることができる配位子を例示すると、トリフェニルホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、フェニルジメチルホスフィン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリメチルホスファイト、トリフェニルホスファイトなどが挙げられる。これらを組み合わせて、若しくは、組み合わせることなく用いられる。３級ホスフィンや３級ホスファイトを配位子として含まない錯体としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、酢酸パラジム、ジクロロビスベンゾニトリル）パラジウム、ジクロロ（１，５−シクロオクタジエン）パジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＩ）ビスヘキサフルオロペンタンジオキナート、パラジウム（ＩＩ）シスペンタンジオナート、などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、好適に用いられるホスフィンまたはホスファイト錯体としては、ジメチル（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジメチルビス（ジフェニルメチルホスフィン）パラジウム、ジメチルビス（ジメチルフェニルホスフィン）パラジウム、ジメチルビス（トリエチルホスフィン）パラジウム、（エチレン）ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムなどが挙げられる。
【００２４】
パラジウム錯体は、前記一般式（２）の化合物１当量あたり０．００００１〜２０当量、好ましくは０．０００１〜２当量の割合で用いられる。
【００２５】
前記のパラジウム錯体によるカップリング反応では、塩基を用いることにより好ましい速度が達成される。塩基としては種々の無機又は有機塩基を用いることが出来、その具体例としては、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、酸化リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、水酸化バリウム、リン酸三リチウム、リン酸三ナトリウム、リン酸三カリウム、フッ化セシウム、炭酸セシウム、酸化アルミニウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ジイソプロピルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ−メチルピペリジン、２，２，６，６−テトラメチル−Ｎ一メチルシピペリジン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ナトリウムエトキシド、カリウムｔｅｒｔ一ブトキシドなどが例示される。使用する塩基は、前記一般式（２）の化合物１当量に対して通常１〜１００当量、好ましくは２〜２０当量の割合で用いられる。
【００２６】
上記重縮合反応は、種々の温度で実施できるが、通常−７０〜１８０℃、特に０〜１５０℃が好ましい。
【００２７】
上記重縮合反応においては、溶媒を用いることが好ましい。その具体例としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、トルエン、ベンゼン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、水などが例示される。重縮合の進行にとって用いる溶媒の量に制限はないが、前記一般式[2]の化合物１ｍｍｏｌに対して通常は０．１〜１００ｍＬ、好ましくは１〜２０ｍＬである。
【００２８】
生成物の単離及び精製は再沈澱等によって容易に行うことができる。
【００２９】
一般式（１）の重合体をＥＬ素子にして用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【００３０】
本発明のＥＬ素子は、少なくとも一方が透明または半透明である一対の陽極および陰極からなる電極間に、一般式（１）で表される、９−オキソ−９−ホスファフルオレン−２，７−ジイル骨格とアリーレン骨格を主鎖に含む重合体を含有し、膜厚が１ｎｍ〜１０μｍである層を有することを特徴とする。
0003913049.tif 000006
0003913049.tif 000007
〔式中、Ｒは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルキロキシ基、シクロアルキロキシ基、アラルキロキシ基又はアリーロキシ基を示す。Ａｒはアリーレン基を示す。ｎは３〜３００００の整数を示す。〕
【００３１】
一般式（１）で表される重合体を含有する層の膜厚は、１ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは３０ｎｍ〜０．５μｍが例示される。膜厚が薄すぎるとピンホールを生じやすくなる傾向があり、厚すぎると、素子の駆動電圧が高くなる傾向にある。
【００３２】
本発明の一つの態様は、一般式（１）で表される重合体を含有する層が発光層であるものである。
本発明の他の態様は、式（１）で表される重合体を含有する層が電子輸送層または正孔輸送層であるものである。
【００３３】
ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
【００３４】
一般式（１）で表される重合体を含有する層が発光層であるＥＬ素子としては、陽極および陰極からなる電極間に、該発光層を有する素子(例えば、下記ａ))のほかに、例えば、陽極と発光層との間に、該発光層に隣接して正孔輸送層を設けたＥＬ素子(例えば、下記ｂ）)；陰極と発光層との間に、該発光層に隣接して電子輸送層を設けたＥＬ素子(例えば、下記ｃ）)；陰極と発光層との間に、該発光層に隣接して電子輸送層を設け、陽極と発光層との間に、該発光層に隣接して正孔輸送層を設けたＥＬ素子(例えば、下記ｄ））；等が挙げられる。ここに正孔輸送層および／または電子輸送層は、２層以上であってもよ、一般式（１）で表される重合体を含んでいてもよい。また、一般式（１）で表される重合体を含有する発光層は２層以上であってもよい。また一般式（１）で表される重合体を含有する発光層以外に、一般式（１）で表される重合体を含有しない発光層を有していてもよい。
具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造を有し、発光層が、一般式（１）で表される重合体を含有する層であるものが例示される。
【００３５】
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【００３６】
一般式（１）で表される重合体を含有する層が電子輸送層または正孔輸送層であるＥＬ素子は、陽極と陰極との間に一般式（１）で表される重合体を含まない発光層を有する。
具体的には、上記のｂ）〜ｄ）の構造を有し、発光層が、一般式（１）で表される重合体を含まない発光層であり、正孔輸送層および／または電子輸送層が一般式（１）で表される重合体を含有する層であるものがあげられる。
電子輸送層は、陰極と発光層との間に設けられ、正孔輸送層は、陽極と発光層との間に設けられる。これらを一方、または両者とも有するＥＬ素子も含まれる。これらの中で、電子輸送層または正孔輸送層に接して発光層を有するものが好ましい。
【００３７】
本発明の一般式（１）で表される重合体を含有する層においては、前記一般式（１）で示される重合体の他に、正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光材料からなる１種以上を含んでいてもよい。
中でも、一般式（１）で表される重合体を含有する層が一般式（１）で表される重合体と正孔輸送性材料とを含むＥＬ素子は高効率化や低電圧化の観点から、一般式（１）で表される重合体を含有する層が一般式（１）で表される重合体と電子輸送性材料とを含むＥＬ素子は高効率化や低電圧化の観点から、一般式（１）で表される重合体を含有する層が一般式（１）で表される重合体と発光材料とを含むＥＬ素子は発光色の制御の観点から、一般式（１）で表される重合体を含有する層が一般式（１）で表される重合体と発光材料と正孔輸送性材料および／または電子輸送性材料とを含むＥＬ素子は発光色の制御、高効率化、低電圧化の観点から好ましい。
【００３８】
一般式（１）で示される重合体と正孔輸送性材料と混合する場合には、全有機材料に対して、正孔輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。一般式（１）で示される重合体と電子輸送性材料を混合する場合には、全有機材料に対して電子輸送性材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。さらに、一般式（１）で示される重合体と発光材料を混合する場合には全有機材料に対して発光材料の混合割合は０．１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは１ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。一般式（１）で示される重合体と発光材料、正孔輸送性材料および／または電子輸送性材料を混合する場合には全有機材料に対して発光材料の混合割合は０．１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは１ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、正孔輸送性材料と電子輸送性材料はそれらの合計で１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％である。
【００３９】
混合する正孔輸送性材料、電子輸送性材料、発光材料は公知の低分子化合物や高分子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが好ましい。
具体的な正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光材料としては、以下のものが挙げられる。
【００４０】
高分子化合物の正孔輸送性材料、電子輸送性材料および発光材料としては、ＷＯ９９／１３６９２号公開明細書、ＷＯ９９／４８１６０公開明細書、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６公開明細書、ＷＯ０１／１９８３４公開明細書、ＷＯ００／５５９２７公開明細書、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１公開明細書、ＷＯ００／０６６６５公開明細書、ＷＯ９９／５４９４３公開明細書、ＷＯ９９／５４３８５公開明細書、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３公開明細書、ＷＯ９７／０５１８４公開明細書、ＷＯ００／３５９８７公開明細書、ＷＯ００／５３６５５公開明細書、ＷＯ０１／３４７２２公開明細書、ＷＯ９９／２４５２６公開明細書、ＷＯ００／２２０２７公開明細書、ＷＯ００／２２０２６公開明細書、ＷＯ９８／２７１３６公開明細書、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２公開明細書、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４公開明細書、ＷＯ９６／２９３５６公開明細書、ＷＯ９６／１０６１７公開明細書、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５公開明細書、特開２００１−１８１６１８号公報、特開２００１−１２３１５６号公報、特開２００１−３０４５号公報、特開２０００−３５１９６７号公報、特開２０００−３０３０６６号公報、特開２０００−２９９１８９号公報、特開２０００−２５２０６５号公報、特開２０００−１３６３７９号公報、特開２０００−１０４０５７号公報、特開２０００−８０１６７号公報、特開平１０−３２４８７０号公報、特開平１０−１１４８９１号公報、特開平９−１１１２３３号公報、特開平９−４５４７８号公報等に開示されているポリフルオレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体および共重合体、芳香族アミンおよびその誘導体の（共）重合体が例示される。
【００４１】
高分子化合物の正孔輸送性材料としては、上記に例示した文献に記載のものがより好適に用いられるが、それ以外の高分子化合物、例えば、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体なども利用可能である。
また、低分子化合物の正孔輸送性材料としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。
【００４２】
高分子化合物の電子輸送性材料としては、上記に例示した文献に記載のもの以外に、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体を使用してもよい。
また、低分子化合物の電子輸送性材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体等が例示される。
正孔輸送性材料や電子輸送性材料として、具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が好適に利用できる。
【００４３】
なお、これらの正孔輸送性材料や電子輸送性材料は、上記式（１）で示される重合体が含まれる層に混合する場合のほかに、該材料よりなる層を上記式（１）で示される重合体が含まれる層と積層して用いることができ、特に制限はないが、該重合体と同一の溶媒に溶解する材料は混合して用い、溶解しない材料は積層して用いることが一般的である。
【００４４】
低分子化合物の発光材料としては、例えば、ナフタレンもしくはその誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されている。
【００４５】
式（１）で表される重合体を含有する層の成膜の方法に制限はないが、溶液からの成膜による方法が例示される。また、発光材料、正孔輸送性材料または電子輸送性材料の一つ以上と式（１）で示される重合体とを混合する場合には、共通の溶媒に溶解させ、混合溶液から成膜する方法が例示される。
【００４６】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、本発明で示される重合体と混合する材料とを溶解させるものであれば特に制限はない。具体的には、前述の重合体の良溶媒が例示される。クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒やトルエン、キシレン、メシチレン、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン等の芳香族化合物系溶媒などがより好適に使用される。
【００４７】
本発明のＥＬ素子が正孔輸送層を有する場合、該正孔輸送層の材料として、一般式（１）の重合体以外に、前述の正孔輸送性材料が使用できる。
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送性材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送性材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【００４８】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００４９】
本発明のＥＬ素子が電子輸送層を有する場合、該電子輸送層の材料として、一般式（１）の重合体以外に、前述の電子輸送性材料が使用できる。
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送性材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液、もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送性材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。
【００５０】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００５１】
正孔輸送性層や電子輸送性層を溶液から成膜する場合に用いる溶媒としては、正孔輸送性材料や電子輸送性材料、また、必要により使用される高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【００５２】
正孔輸送性材料や電子輸送性材料に必要に応じ混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキサンなどが例示される。
【００５３】
本発明のＥＬ素子は、陽極、陰極、発光層、正孔輸送層及び電子輸送層以外の層を有していてもよい。
このような層としては、例えば、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して設ける電荷注入層又は膜厚１０ｎｍ以下の絶縁層、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に設ける薄いバッファー層があげられる。
ここに、電極に隣接して設けた層であって、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものを電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）という。積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
【００５４】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けたＥＬ素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を設けたＥＬ素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けたＥＬ素子が挙げられる。  具体的には、以下のe)〜p）の構造が例示される。
e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
k）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【００５５】
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送性材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送性材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。
【００５６】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該層は少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して設けられる。
該導電性高分子の電気伝導度は、１０-7Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１５０ｎｍであり、２ｎｍ〜１００ｎｍが好ましい。
【００５７】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
【００５８】
電荷注入を容易にする目的で、陰極および／または陽極に接して設ける１０ｎｍ以下の絶縁層の材料としては、金属フッ化物や金属酸化物、または有機絶縁材料等が挙げられ、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属等の金属フッ化物や金属酸化物が好ましい。
【００５９】
これまで述べてきた一般式(１)の重合体を有する層(発光層や電荷輸送層)、該重合体を含まない発光層や電荷輸送層および電荷注入層の成膜方法としては、溶液から成膜することが例示され、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。また電荷注入材料は、エマルジョン状で水やアルコールに分散させたものも溶液と同様な方法で、成膜することができる。また、絶縁層に用いる無機化合物の成膜方法には真空蒸着法が例示される。
【００６０】
本発明のＥＬ素子を形成する基板は、電極や該素子の各層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。
【００６１】
本発明において、陽極側が透明または半透明であることが好ましいが、該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物、半透明の金属等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラス（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
【００６２】
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００６３】
陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。
【００６４】
本発明のＥＬ素子で用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
【００６５】
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００６６】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。
【００６７】
陰極作製後、該ＥＬ素子を保護する保護層を装着していてもよい。該ＥＬ素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。
【００６８】
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属窒化物、金属窒酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子が破損するのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム、酸化カルシウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子の性能を低下させるのを制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【００６９】
本発明のＥＬ素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる重合体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動でも、アモルファスシリコンや低温ポリシリコンを用いた薄膜トランジスタなどと組み合わせたアクティブ駆動でもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【００７０】
【実施例】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ここで、重量平均分子量、数平均分子量については、クロロホルムを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の平均分子量を求めた。
【００７１】
参考例１
＜重合体1の合成＞
窒素雰囲気下で、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．０１２ｇと２、７−ジブロモ−９−オキソ−９−ノニル−９−ホスファフルオレン０．４８４ｇと２，５−ジヘキシルオキシフェニレンジボロン酸０．３６７ｇ、リン酸カリウム２．０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１０ｍｌの混合物を１２５℃で加熱し、この温度で４８時間攪拌した。反応混合物を水１００ｍｌ中に注ぎ、得られた粉末を濾過した。この粉末を水５０ｍｌで洗浄した後に、クロロホルム５ｍｌに溶解してメタノール１００ｍｌで再沈殿することのより、1Ｈ−ＮＭＲスペクトルや元素分析値から下記の構造を持つと考えられる重合体１を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により求めた数平均分子量１．０１ｘ１０4、重量平均分子量２．２ｘ１０4であった。
【００７２】
そのＮＭＲスペクトルデータ及び元素分析の結果について以下の通りである。
【００７３】
1Ｈ−ＮＮＲ（ＣＤＣｌ3）：δ０．８６（６Ｈ，ｂｒｓ），１．３１（１６Ｈ，ｂｒｓ）、１．６４（１２Ｈ、ｂｒｓ）、１．７７（２Ｈ，ｂｒｓ），４．０２（４Ｈ，ｂｒｓ）、７．１０（２Ｈ，ｍ），７．８４−７．８７（２Ｈ，ｍ），７．８３一７．９３（２Ｈ，ｍ），８．０９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．３Ｈｚ）。
31Ｐ−ＮＭＲ（ＣＤＣ１3）：δ４３．９。
元素分析,ｎ＝１３（Ｃ526Ｈ714Ｏ40Ｐ14Ｂｒ2）としての計算値：Ｃ、７６．４５；Ｈ，８．６８；Ｂｒ，１．９３。実測値：Ｃ，７６．６１；Ｈ，８．８３；Ｂｒ，２．２０
0003913049.tif 000008
【００７４】
＜重合体２の合成＞
２、７−ジブロモ−９−オキソ−９−ノニル−９−ホスファフルオレンの代わりに２、７−ジブロモ−９−オキソ−９−（１−メチルヘプチル）−９−ホスファフルオレンを用いた以外は上記重合体１の合成と同様の方法で下記の重合体２を合成した。
0003913049.tif 000009
【００７５】
＜高分子蛍光体１の合成＞
１，４−ジブロモー２，５−ジ（３，７−ジメチルオクチルオキシ）ベンゼン０．４１ｇ（０．７５ｍｍｏｌ）と４，４’−ジブロモー２，５−ジ（３，７−ジメチルオクチルオキシ）スチルベン０．４８８ｇ（０．７５ｍｍｏｌ）と２，２’−ビピリジル０．５５ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内をアルゴンガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）４０ｍｌを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を０．９６ｇ加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で７時間反応した。なお、反応は、アルゴンガス雰囲気雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１５０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、この混合溶液を静置したところ、二層に分離した。上層を回収し、この溶液をメタノール中にそそぎ込み、再沈して、生成した沈殿を回収した。この沈殿を乾燥した後、クロロホルムに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、この溶液をメタノール中にそそぎ込み、再沈して、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥して、重合体０．２４ｇを得た。該重合体を高分子蛍光体１と呼ぶ。
高分子蛍光体１の数平均分子量は、７．３ｘ１０4であり、重量平均分子量は２．１ｘ１０5であった。
【００７６】
＜正孔輸送性高分子１の合成＞
１，４−ジブロモ−２，５−ジ（３，７−ジメチルオクチルオキシ）ベンゼンとＮ，Ｎ’―ジフェニル−Ｎ，Ｎ’―ジ（３−メチルー４−ブロムフェニル）ベンジジンの仕込み比を１：１にした以外は、高分子蛍光体１の合成と同様にして、重合体を得た。該重合体を正孔輸送性高分子１と呼ぶ。
正孔輸送性高分子１の数平均分子量は、１．６ｘ１０4であり、重量平均分子量は４．２ｘ１０4であった。
【００７７】
実施例１
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で１２０℃で１０分間乾燥した。次に、上記で得た重合体１を１．０ｗｔ％となるように調製したクロロホルム溶液を用いてスピンコートにより１５００ｒｐｍの回転速度で成膜した。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極バッファー層として、陰極として、カルシウムを約２０ｎｍ、次いでアルミニウムを約５０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお真空度が、１×１０-4Ｐａ以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を引加することにより、重合体１からの４８０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。該素子は、約１２．５Ｖで輝度が１ｃｄ／ｍ2を越え、最高０．１８ｃｄ／Ａの効率を示した。
【００７８】
実施例２
実施例１の重合体１の代わりに重合体１と正孔輸送性高分子１を混合したものを用いた以外は同様に、重合体１と正孔輸送性高分子１を用いた素子を得た。この時の正孔輸送性高分子１の混合量は２７ｗｔ％であった。
この素子からは４７２ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。該素子は、約１３．５Ｖで輝度が１ｃｄ／ｍ2を越え、最高０．３７ｃｄ／Ａの効率を示した。
【００７９】
実施例３
実施例１の重合体１の代わりに重合体２を用いた以外は実施例１と同様に、重合体２を用いた素子を得た。この素子からは４９６ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。
該素子は、約１４．３Ｖで輝度が１ｃｄ／ｍ2を越え、最高０．０１７ｃｄ／Ａの効率を示した。
【００８０】
実施例４
実施例２の重合体１の代わりに重合体２を用いた以外は、実施例２と同様に素子を作成し、重合体２と正孔輸送性高分子１の混合した膜を用いたＥＬ素子を得た。この時の正孔輸送性高分子の混合割合は、約１８重量％であった。
この素子からは４７６ｎｍのピークを有するＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。該素子は、約１１．４Ｖで輝度が１ｃｄ／ｍ2を越え、最高０．１６ｃｄ／Ａの効率を示した。
【００８１】
実施例５
実施例４の重合体２と正孔輸送性高分子１に加えて、高分子発光体１を混合した以外は実施例４と同様にＥＬ素子を作成した。この場合の、正孔輸送性高分子１と高分子発光体１の混合割合はそれぞれ、１３ｗｔ％と１９ｗｔ％であった。この素子からは４７２ｎｍのピークを有するＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。該素子は、約８．８Ｖで輝度が１ｃｄ／ｍ2を越え、最高０．７２ｃｄ／Ａの効率を示した。
【００８２】
【発明の効果】
本発明により、９−オキソ−９−ホスファフルオレン−２，７−ジイル骨格とアリーレン骨格を主鎖に含む重合体を用いた新規なＥＬ素子を提供することができた。該ＥＬ素子は、液晶ディスプレイのバックライトまたは照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。