(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転する被処理基板の表面に処理液を供給して処理を施す工程と、
上記処理工程中において、回転する上記被処理基板の表面に上記処理液を供給することで、被処理基板の表面側が帯電され、残留電荷が蓄積されることを防止するために、この被処理基板の表面側に帯電される電荷の極性と同極性に帯電された除電用流体を、上記被処理基板の裏面側中心部に供給して、処理工程の際に被処理基板の表面側の帯電を抑制する工程と、を有し、
かつ、上記流体の帯電量を制御可能に形成してなることを特徴とする液処理方法。
【請求項２】
回転する被処理基板の表面に処理液を供給して処理を施す工程と、
上記被処理基板を回転してこの被処理基板に付着する処理液を除去する乾燥工程と、
上記処理工程及び乾燥工程中において、回転する上記被処理基板の表面に上記処理液を供給することで、被処理基板の表面側が帯電され、残留電荷が蓄積されることを防止するために、この被処理基板の表面側に帯電される電荷の極性と同極性に帯電された除電用流体を、上記被処理基板の裏面側中心部に供給して、処理工程の際に被処理基板の表面側の帯電を抑制する工程と、を有し、
かつ、上記流体の帯電量を制御可能に形成してなることを特徴とする液処理方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の液処理方法において、
上記除電用流体を純水にて形成し、この純水を被処理基板表面側の帯電極性と同極性の帯電材製の管状ノズル内を通過させ、その際の摩擦力によって帯電させると共に、純水の供給流量を制御することにより帯電量を制御可能にしたことを特徴とする液処理方法。
【請求項４】
請求項１又は２記載の液処理方法において、
上記除電用流体を不活性ガスにて形成し、この不活性ガスをイオン生成手段にてイオン化させると共に、不活性ガスの供給量及び又はイオン化量を調整することにより不活性ガスの帯電量を制御可能にしたことを特徴とする液処理方法。
【請求項５】
被処理基板を回転可能に保持する保持手段と、
上記保持手段を制御可能に回転する回転手段と、
上記保持手段にて保持された上記被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、
回転する上記被処理基板の表面に上記処理液を供給することで、被処理基板の表面側が帯電され、残留電荷が蓄積されることを防止するために、この被処理基板の表面側に帯電される電荷の極性と同極性に帯電された除電用流体を、被処理基板の裏面側中心部に供給すべく噴射口を上記保持手段における中心部の被処理基板保持面側に設けた除電用流体供給手段と、
上記除電用流体供給手段の帯電量を制御する帯電制御手段と、
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項６】
請求項５記載の液処理装置において、
上記除電用流体供給手段を、被処理基板の表面側の帯電極性と同極性の帯電材製の管状ノズルと、供給管を介して管状ノズルに接続される純水供給源とで構成し、
上記帯電制御手段を、上記供給管に介設される流量制御手段にて形成してなる、ことを特徴とする液処理装置。
【請求項７】
請求項５記載の液処理装置において、
上記除電用流体供給手段を、不活性ガス供給ノズルと、供給管を介して上記不活性ガス供給ノズルに接続される不活性ガス供給源と、上記供給管に介設され、被処理基板の表面側の帯電極性と同極性にイオン化する制御可能なイオン生成手段とで構成してなる、ことを特徴とする液処理装置。
【請求項８】
請求項５記載の液処理装置において、
上記除電用流体供給手段を、不活性ガス供給ノズルと、供給管を介して上記不活性ガス供給ノズルに接続される不活性ガス供給源と、上記供給管に介設され、被処理基板の表面側の帯電極性と同極性にイオン化するイオン生成手段とで構成し、
上記帯電制御手段を、上記供給管に介設される流量制御手段にて形成してなる、ことを特徴とする液処理装置。
【請求項９】
請求項５又は６記載の液処理装置において、
上記保持手段を、導電性を有する合成樹脂製材料にて形成してなる、ことを特徴とする液処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液処理方法及び液処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等の基板の表面に所定の処理例えば洗浄処理を施す液処理方法及び液処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等の半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウエハやＬＣＤ基板等（以下にウエハ等という）の表裏面、特に半導体デバイスが形成されるウエハ等の表面の清浄度を高く維持する必要があるため、種々の製造工程の前後でウエハ等の表面に例えば洗浄処理等が施されている。
【０００３】
ウエハ等の表面を洗浄処理する方法として、加圧された処理液例えば純水あるいは薬液を回転するウエハ等の表面に供給例えば噴射して洗浄を行う方法や純水等の液体の供給と共にブラシをウエハ等の表面に接触させて洗浄処理を行う方法があり、いずれにおいても液体を供給してウエハ等の表面を洗浄している。
【０００４】
ところで、上記のように、回転するウエハ等の表面に処理液を供給して表面の洗浄を行うと、図１０（ａ）に示すように、処理液供給手段例えば処理液供給ノズルＮから吐出された処理液例えば純水（ＤＩＷ）がウエハＷ等の表面に衝突▲１▼し、発散▲２▼する過程において、ウエハＷ等の表面に帯電現象が生じ、ウエハＷ等の表面側に残留電荷が蓄積される（図１０（ｂ）参照）。これは、洗浄中に発生する帯電は瞬間的な接合によるキャリアの拡散現象によるものである。したがって、伝導帯（コンダクションバンド）がフェルミレベル（Ｆｅｒｍｉ  ｌｅｖｅｌ）に近いエネルギ準位を持つウエハＷ面側がプラスに帯電することになるが（図１１（ａ）参照）、処理後の残留電荷を見ると、クーロン力によるキャリアの拡散に起因してマイナスの電荷となっている（図１１（ｂ）参照）。この帯電すなわち残留電荷によってウエハ等の表面に形成されたデバイスが破壊する虞があった。また、残留電荷によって洗浄効率の低下を招く虞もあった。
【０００５】
一般に、帯電（残留電荷）を除去する方法として、ウエハ等の表面にイオン化された気体を噴射して除電する方法やウエハ等の保持手段例えばスピンチャックを導電性材料にて形成すると共に、ウエハ等を接地する等の方法が考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記洗浄処理における帯電現象は、洗浄中の瞬間において起こる現象で帯電速度が急峻なため、上記従来の除電方法では時間的遅れが生じ、対処できないというのが現状である。
【０００７】
この発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、液処理中に生じる被処理基板の帯電を抑制して、被処理基板に形成されるデバイスの保護を図ると共に、液処理効率の向上を図れるようにした液処理方法及び液処理装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の第１の液処理方法は、回転する被処理基板の表面に処理液を供給して処理を施す工程と、  上記処理工程中において、回転する上記被処理基板の表面に上記処理液を供給することで、被処理基板の表面側が帯電され、残留電荷が蓄積されることを防止するために、この被処理基板の表面側に帯電される電荷の極性と同極性に帯電された除電用流体を、上記被処理基板の裏面側中心部に供給して、処理工程の際に被処理基板の表面側の帯電を抑制する工程と、を有し、  かつ、上記流体の帯電量を制御可能に形成してなることを特徴とする（請求項１）。
【０００９】
また、この発明の第２の液処理方法は、回転する被処理基板の表面に処理液を供給して処理を施す工程と、  上記被処理基板を回転してこの被処理基板に付着する処理液を除去する乾燥工程と、  上記処理工程及び乾燥工程中において、回転する上記被処理基板の表面に上記処理液を供給することで、被処理基板の表面側が帯電され、残留電荷が蓄積されることを防止するために、この被処理基板の表面側に帯電される電荷の極性と同極性に帯電された除電用流体を、上記被処理基板の裏面側中心部に供給して、処理工程の際に被処理基板の表面側の帯電を抑制する工程と、を有し、  かつ、上記流体の帯電量を制御可能に形成してなることを特徴とする（請求項２）。
【００１０】
また、この発明の液処理方法において、上記流体を純水にて形成し、この純水を被処理基板表面側の帯電極性と同極性の帯電材製の管状ノズル内を通過させ、その際の摩擦力によって帯電させると共に、純水の供給流量を制御することにより帯電量を制御可能にするか（請求項３）、あるいは、上記流体を不活性ガスにて形成し、この不活性ガスをイオン生成手段にてイオン化させると共に、不活性ガスの供給量及び又はイオン化量を調整することにより不活性ガスの帯電量を制御可能に形成する方が好ましい（請求項４）。
【００１１】
この発明の液処理装置は、被処理基板を回転可能に保持する保持手段と、  上記保持手段を制御可能に回転する回転手段と、  上記保持手段にて保持された上記被処理基板の表面に処理液を供給する処理液供給手段と、  回転する上記被処理基板の表面に上記処理液を供給することで、被処理基板の表面側が帯電され、残留電荷が蓄積されることを防止するために、この被処理基板の表面側に帯電される電荷の極性と同極性に帯電された除電用流体を、被処理基板の裏面側中心部に供給すべく噴射口を上記保持手段における中心部の被処理基板保持面側に設けた除電用流体供給手段と、  上記除電用流体供給手段の帯電量を制御する帯電制御手段と、を具備することを特徴とする（請求項５）。
【００１２】
この発明の液処理装置において、上記除電流体供給手段及び帯電制御手段を、以下のように構成することができる。
【００１３】
例えば、▲１▼上記除電用流体供給手段を、被処理基板の表面側の帯電極性と同極性の帯電材製の管状ノズルと、供給管を介して管状ノズルに接続される純水供給源とで構成し、上記帯電制御手段を、上記供給管に介設される流量制御手段にて形成することができる（請求項６）。また、▲２▼上記除電用流体供給手段を、不活性ガス供給ノズルと、供給管を介して上記不活性ガス供給ノズルに接続される不活性ガス供給源と、上記供給管に介設され、被処理基板の表面側の帯電極性と同極性にイオン化する制御可能なイオン生成手段とで構成するか（請求項７）、あるいは、▲３▼上記除電用流体供給手段を、不活性ガス供給ノズルと、供給管を介して上記不活性ガス供給ノズルに接続される不活性ガス供給源と、上記供給管に介設され、被処理基板の表面側の帯電極性と同極性にイオン化するイオン生成手段とで構成し、上記帯電制御手段を、上記供給管に介設される流量制御手段にて形成してもよい（請求項８）。
【００１４】
また、除電用流体に純水を使用する場合は、上記保持手段を、導電性を有する合成樹脂製材料にて形成する方が好ましい（請求項９）。
【００１５】
請求項１，２，５記載の発明によれば、回転する被処理基板の表面に処理液を供給して処理を施す際に、回転する被処理基板の表面に処理液を供給することで、被処理基板の表面側が帯電され、残留電荷が蓄積されることを防止するために、この被処理基板の表面側に帯電される電荷の極性と同極性に帯電された除電用流体を、被処理基板の裏面側中心部に供給することにより、反発作用によって処理工程の際に被処理基板の表面側が帯電されるのを抑制することができる。したがって、液処理中に被処理基板に生じる帯電を抑制することができる。また、除電用流体の帯電量を制御可能に形成することにより、被処理基板の異なる帯電量に対応して除電することができると共に、処理中の界面電位を制御することができる。
【００１６】
また、請求項２記載の発明によれば、処理工程及び乾燥工程中において、回転する被処理基板の表面側に帯電された電荷の極性と同極性に帯電された除電流体を被処理基板の裏面側中心部に供給することにより、反発作用によって処理工程の際に被処理基板の表面側が帯電されるのを抑制することができる。したがって、液処理及び乾燥処理中に被処理基板に生じる帯電を抑制することができる。また、流体の帯電量を制御可能に形成することにより、被処理基板の材質、被処理基板の回転数、処理液の供給量等に応じて異なる帯電量に対応して除電することができると共に、処理中の界面電位を制御することができる。
【００１７】
請求項３，６記載の発明によれば、除電用流体を純水にて形成し、この純水を被処理基板表面側の帯電極性と同極性の帯電材製の管状ノズル内を通過させ、その際の摩擦力によって帯電させると共に、純水の供給流量を制御することにより帯電量を制御可能にするので、純水を用いて被処理基板の帯電を抑制することができると共に、被処理基板の洗浄を行うことができる。また、例えば洗浄処理において処理液に純水を使用する場合には、同一の純水供給源を利用することができるので、配管系統の簡略化及び装置の小型化が図れると共に、コストの低廉化が図れる。
【００１８】
請求項４，７，８記載の発明によれば、除電用流体を不活性ガスにて形成し、この不活性ガスをイオン生成手段にてイオン化させると共に、不活性ガスの供給量及び又はイオン化量を調整することにより不活性ガスの帯電量を制御可能にするので、不活性ガスを用いて被処理基板の帯電を抑制することができると共に、パーティクル等が再付着するのを防止することができる。
【００１９】
請求項５記載の発明によれば、除電用流体供給手段の噴射口を、保持手段における中心部の被処理基板保持面側に設けることにより、帯電されやすい被処理基板の中心部の帯電を効率よく抑制することができる。
【００２０】
加えて、請求項９記載の発明によれば、除電用流体に純水を使用する場合において、保持手段を、導電性を有する合成樹脂製材料にて形成するので、被処理基板における保持手段によって保持される領域へ除電用流体で発生した電荷をリークさせることにより、除電用流体が当たらない部分においても極性の制御が可能となり、更に帯電の抑制の向上を図ることができる。また、保持手段の耐蝕性を持たせることができるので、保持手段ひいては装置の寿命の向上が図れる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では、この発明に係る液処理装置を半導体ウエハの搬入、洗浄、乾燥及び搬出を連続して行う洗浄処理システムに適用した場合について説明する。
【００２２】
上記洗浄処理システムは、図１ないし図３に示すように、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）に適宜洗浄処理を施す洗浄処理部１０と、洗浄処理部１０に対してウエハＷを搬入出する搬出入部２０とで主に構成されている。
【００２３】
上記搬出入部２０は、複数例えば２６枚のウエハＷを適宜間隔をおいて収容するキャリアＣを載置する載置台２１を有する搬入・搬出部２２と、キャリアＣと洗浄処理部１０との間でウエハＷの搬送を行うウエハ搬送機構２３と、このウエハ搬送機構２３のウエハ搬送路（図示せず）とを具備するインターフェース部２４とで構成されている。
【００２４】
この場合、搬入・搬出部２２に配設された載置台２１上には、例えば３個のキャリアＣを水平面のＹ方向に並べて所定位置に載置されている。また、搬入・搬出部２２とインターフェース部２４との仕切壁２５において、キャリアＣの載置場所に対応する位置には、窓部２６が形成されており、この窓部２６のインターフェース部２４側には、窓部２６をシャッタ等により開閉する窓部開閉機構２７が設けられている。
【００２５】
使用されるキャリアＣの構造は任意のもので差し支えなく、例えば、ウエハＷの搬入出口に搬入出口を開閉する蓋体Ｃａを設けたものを用いることができる。この場合、窓部開閉機構２７にキャリアＣの蓋体Ｃａを開閉する機能を持たせて、窓部２６にキャリアＣの搬入出側を向けてキャリアＣの蓋体Ｃａの開閉を行うことができる構造とする。このように窓部開閉機構２７によって、窓部２６とキャリアＣの蓋体Ｃａが開いた状態とすれば、インターフェース部２４に設けられたウエハ搬送機構２３がキャリアＣにアクセス可能となり、ウエハＷの搬送を行うことができるようになる。
【００２６】
なお、窓部２６には窓部２６を開閉するシャッタのみを配設し、キャリアＣの搬入出口に備えられた蓋体Ｃａは、載置台２１へ載置する際に、例えば、手動により操作して搬入出を開口する方法を用いてもよい。また、キャリアＣに蓋体Ｃａを設けない場合には、当然に蓋体の開閉機構を設ける必要はない。このように窓部２６の構造はキャリアＣの構造に対応させて適宜好適に設計することができる。
【００２７】
この場合、窓部開閉機構２７に、キャリアＣ内におけるウエハＷの収容状態、例えば、所定枚数のウエハＷが収容されているか否か、ウエハＷが前後（Ｘ方向）に飛び出して収容されていないかどうか、又は、ウエハＷが高さ方向（Ｚ方向）に斜めに収容されていないか等を検知するマッピングセンサ（図示せず）が設けられている。このマッピングセンサによりウエハＷの収容状態を検査した後に洗浄処理を開始することで、処理を確実に行うことが可能となる。
【００２８】
上記インターフェース部２４に配設されるウエハ搬送機構２３は、Ｙ方向に移動可能であり、載置台２１に載置された各キャリアＣにアクセス可能となっている。また、ウエハ搬送機構２３のウエハ保持アーム２３ａは、水平面のＸ方向に移動自在に構成されると共に、Ｘ−Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されており、窓部２６を通してキャリアＣとの間でウエハＷの受け渡しを行い、また、後述する洗浄処理部１０に配設されたウエハ受渡ユニット（ＴＲＳ）３０にアクセス可能に形成されている。
【００２９】
このように構成されるウエハ搬送機構２３は、搬入・搬出部２２側から洗浄処理部１０側へウエハＷを搬送したり、逆に、洗浄処理部１０側から搬入・搬出部２２側へウエハＷを搬送することができる。また、ウエハ搬送機構２３は、鉛直方向（Ｚ方向）に昇降自在であり、キャリアＣ内の任意の高さ位置においてウエハＷの受け渡しを行うことが可能となっている。
【００３０】
一方、上記洗浄処理部１０には、ウエハＷの表裏面を反転させるウエハ反転ユニット（ＲＶＳ）４０と、インターフェース部２４との間でウエハＷの受け渡しを行うためにウエハＷを一時的に載置するウエハ受渡ユニット３０と、洗浄処理後のウエハＷを乾燥等する加熱／冷却部（ＨＰ／ＣＯＬ）５０が設けられ、また、ウエハＷに洗浄を施す洗浄ユニット（ＳＣＲ）６０ａ〜６０ｄと、これらのウエハ反転ユニット４０、ウエハ受渡ユニット３０、洗浄ユニット６０ａ〜６０ｄ及び加熱／冷却部５０の全てにアクセス可能に配設され、これら各ユニット又は各部との間でウエハＷの受け渡しを行う搬送手段である主ウエハ搬送機構７０が配設されている。
【００３１】
この場合、上記ウエハ反転ユニット４０は、２段積み重ねられて配設されている。ウエハ反転ユニット４０は、図３に示すように、ウエハＷの表裏面を保持する一対の保持手段であるウエハ保持アーム４１と、これら両保持アーム４１を相対的に接離移動させる接離移動手段４２と、両保持アーム４１にて保持されるウエハＷを反転可能に回転するモータ４３とを具備している。
【００３２】
このウエハ反転ユニット４０の下方には、ウエハ受渡ユニット３０が２段積み重ねられて配設されている。また、洗浄ユニット６０ａ〜６０ｄも２段積み重ねられて配設されている。この場合、上段の洗浄ユニット６０ｃ，６０ｄは、ウエハＷの表面を洗浄する表面洗浄用に使用され、下段の洗浄ユニット６０ａ，６０ｂは、ウエハＷの裏面を洗浄する裏面洗浄用に使用されるようになっている。また、加熱／冷却部５０は、４段積み重ねられて配設されている。
【００３３】
なお、洗浄処理部１０には、洗浄処理システム全体の動作・制御を行うための電装ユニット（ＥＢ）８０と機械制御ユニット（ＭＢ）９０が配設され、洗浄ユニット６０ａ〜６０ｄに供給する所定の洗浄液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット（ＣＴＢ）１００が配設されている。
【００３４】
更に、洗浄処理部１０の天井部には、ウエハＷを取り扱う各ユニット及び主ウエハ搬送機構７０に、清浄な空気をダウンフローするためのフィルター・ファンユニット（ＦＦＵ）２００が配設されている。
【００３５】
また、ウエハ受渡ユニット３０における主ウエハ搬送機構７０側の側面には、主ウエハ搬送機構７０の主ウエハ搬送アーム７１が挿入可能な、かつ、フィルター・ファンユニット２００からのダウンフローの一部を取り込むように第１の開口部３１が設けられている。また、洗浄処理部１０とインターフェース部２４とを区画する仕切壁７４において、ウエハ受渡ユニット３０とインターフェース部２４との境界にあたる部分には第２の開口部３２が形成されており、この第２の開口部３２を介してウエハ搬送機構２３とウエハ受渡ユニット３０との間でウエハの搬送が可能となっている。
【００３６】
また、ウエハ受渡ユニット３０の底面の適宜位置には、上方に向かって突出するピン３３が設けられており、例えば、ウエハＷを保持したウエハ搬送機構２３のウエハ保持アーム２３ａをピン３３により上方に移動した後に、下降することで、ウエハＷがウエハ保持アーム２３ａからピン３３上に載置されるようになっている。
【００３７】
上下２段に配設されたウエハ受渡ユニット３０は、目的に応じて任意に使い分けをして用いることが可能である。例えば、下段のウエハ受渡ユニット３０はインターフェース部２４から洗浄処理部１０へ搬送される洗浄処理が行われていない未処理のウエハＷのみが載置され、上段のウエハ受渡ユニット３０は洗浄処理部１０からインターフェース部２４は搬送する洗浄処理済みのウエハＷのみが載置されるように用いることができる。この場合には、未処理のウエハＷからピン３３に付着したパーティクル等が、洗浄処理後のウエハＷに付着することがなく、ウエハＷの汚染が低減され、ウエハＷが清浄に保たれるようになる。
【００３８】
また、全くランダムに洗浄処理の進行状況に合わせて、あるときには２段ともに洗浄処理部１０は搬送する未処理のウエハＷを載置し、また別のときには２段ともにインターフェース部２４へ搬送する洗浄処理済みのウエハＷを載置するように用いることもできる。このようにすることにより、スループットが向上すると共に、生産性の向上が図れる。
【００３９】
上記主ウエハ搬送機構７０は、Ｚ方向に延在し、垂直壁７６ａ，７６ｂ及びこれらの間の側面開口７６ｃを有する筒状支持体７６と、その内側に筒状支持体７６に沿ってＺ方向に昇降自在に設けられたウエハ搬送体７７とを具備している。この場合、筒状支持体７６は、旋回モータ７８ａの回転駆動力によって旋回可能となっており、それに伴ってウエハ搬送体７７も一体的に旋回されるように構成されている。
【００４０】
この場合、ウエハ搬送体７７は、搬送基台７７ａと、この搬送基台７７ａに沿って前後に移動可能な、かつ筒状支持体７６の側面開口部７６ｃを通過可能な３本の主ウエハ搬送アーム７１とを備えている。これら主ウエハ搬送アーム７１は、搬送基台７７ａ内に内蔵された図示しないモータ及びベルト機構によりそれぞれ独立して進退移動し得るように構成されている。ウエハ搬送体７７は、筒状支持体７６の下部に配設された昇降用モータ７８ｂの駆動軸に装着される駆動プーリ７７ｂと、筒状支持体７６の上部に配設される従動プーリ７７ｃに掛け渡される駆動ベルト７７ｄに連結されており、昇降用モータ７８ｂの回転駆動によって駆動ベルト７７ｄを駆動させることによってウエハ搬送体７７が昇降するように構成されている。
【００４１】
図３に示すように、主ウエハ搬送機構７０を挟んで、ウエハ反転ユニット４０／ウエハ受渡ユニット３０の反対側には、加熱／冷却部５０が設けられている。この加熱／冷却部５０には、強制冷却を行う冷却ユニット５２が１台配設され、この冷却ユニット５２の上に強制加熱／自然冷却を行う加熱ユニット５１が３台積み重ねられて配設されている。これら各ユニットの主ウエハ搬送機構７０側には、主ウエハ搬送アーム７１の挿入・退出が可能なように開閉窓部５３が形成されている。
【００４２】
上記冷却ユニット５２は、例えば、上面に近接してウエハＷを保持するための複数のピン５４が上方に向かって突出して設けられた載置テーブル５５に、下方から窒素ガス等の冷却ガスを噴射して載置テーブル５５を冷却することでウエハＷを均一に冷却することができるように構成されている。一方、加熱ユニット５１は、ヒータ５７を内蔵して所定温度に保持されたホットプレート５８の上面に近接ウエハＷを保持することで、ウエハＷを均一に加熱できるように構成されている。また、加熱／冷却部５０は、スクラブ洗浄後の表面又は裏面が完全に乾燥していない状態のウエハＷの乾燥処理に主に用いられる。
【００４３】
次に、この発明に係る液処理装置を構成する表面用洗浄ユニット６０ｃ，６０ｄ（以下に、符号６０で代表する）について、図４ないし図８を参照して説明する。
【００４４】
◎第一実施形態
上記洗浄ユニット６０は、主ウエハ搬送機構７０の主ウエハ搬送アーム７１が挿入・退出可能な開口窓６１ａを有する容器６１と、この容器６１にて形成される処理室６０３内に配設され、ウエハＷを水平状態に回転可能に保持する保持手段であるスピンチャック６２と、スピンチャック６２にて保持されたウエハＷの表面に向けて処理液例えば洗浄液としての純水を供給する洗浄液供給ノズル６３（処理液供給手段）と、スピンチャック６２の外方側を包囲する昇降可能なカップ６７とを具備している。
【００４５】
上記スピンチャック６２は、ウエハＷを水平状態に載置すると共に、保持機構６２ｃによってウエハＷを保持する載置台６２ａと、この載置台６２ａを支持する円筒状の支持軸６２ｂと、この支持軸６２ｂを回転させる回転手段であるモータ６２ｃとで主に構成されており、支持軸６２ｂの中空部内に後述する除電用流体供給手段６５の一部が貫通状態に組み込まれている。モータ６２ｃは、例えばサーボモータにて形成されており、後述する制御手段例えば中央演算処理装置６００（以下に、ＣＰＵ６００という）にてプログラミングされた信号によって回転数が制御されるように構成されている。
【００４６】
また、スピンチャック６２の少なくとも載置台６２ａは、導電性を有する合成樹脂製材料例えば炭素を配合したポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）製材料にて形成されている。このように、少なくとも載置台６２ａを炭素を配合したＰＥＥＫ製材料にて形成することにより、ウエハＷにおけるスピンチャック６２によって保持される領域へ除電用流体で発生した電荷をリークさせることにより、除電用流体が当たらない部分においても極性の制御が可能となり、更に帯電の抑制の向上を図ることができる。また、スピンチャック６２に耐蝕性を持たせることができる。
【００４７】
除電用流体供給手段６５は、回転するウエハＷの表面に洗浄液（純水）を噴射（供給）した際に生ずるウエハＷの表面側の帯電極性（マイナス電極）と同電極の負帯電材製例えば石英，アクリル樹脂製の管状ノズル６５ａと、純水供給管６５ｂを介して管状ノズル６５ａに接続される純水供給源６５ｃとで構成されており、純水供給管６５ｂに介設される帯電制御手段である流量制御手段例えばマスフローコントローラＭＦ1によって帯電量が制御可能になっている。なお、管状ノズル６５ａの先端部には、略逆円錐状のノズルヘッド６５ｄが設けられている。また、管状ノズル６５ａ内には、管状ノズル６５ａとの間に隙間をおいて純水の圧送用ガス例えば窒素ガス（Ｎ2ガス）の供給チューブ６６ａが貫挿されている。なお、管状ノズル６５ａの外周側には、帯電を安定させるためのシールド機能を具備する導電性を有する材料例えばアルミニウム製のシールド部材６５ｅが配設されている。この場合、支持軸６２ｂは接地されている。
【００４８】
また、純水供給管６５ｂには、マスフローコントローラＭＦ1と純水供給源６５ｃとの間に開閉弁Ｖ1が介設されている。一方、Ｎ2ガス供給管６６ｂには、マスフローコントローラＭＦ2と開閉弁Ｖ2が介設されている。
【００４９】
上記のように構成されるマスフローコントローラＭＦ1，ＭＦ2と開閉弁Ｖ1，Ｖ2は、ＣＰＵ６００に電気的に接続されており、ＣＰＵ６００からの信号によって流量制御（帯電制御）及び開閉制御されるように構成されている。
【００５０】
上記洗浄液供給ノズル６３は、図５（ｂ）に示すように、二流体式ノズルにて形成されている。すなわち、洗浄液供給ノズル６３は、下端に洗浄液としての純水を噴射する吐出口６３ａを有すると共に、側方に洗浄液供給管６３ｃの接続口６３ｂを有する中空状のノズルヘッド６３ｄと、このノズルヘッド６３ｄ内に隙間をおいて貫挿され、先端の吐出口６３Ａが吐出口６３ａの内方近接部位に位置するＮ2ガス供給ノズル６３ｅとの二重構造になっている。なお、洗浄液供給管６３ｃには、マスフローコントローラＭＦ3と開閉弁Ｖ3を介して純水供給源６５ｃが接続されている。また、Ｎ2ガス供給ノズル６３ｅは、Ｎ2ガス供給管６３ｆを介してＮ2ガス供給源６６ｃに接続されており、Ｎ2ガス供給管６６ｂには、マスフローコントローラＭＦ4と開閉弁Ｖ4が介設されている。
【００５１】
上記説明では、純水供給源６５ｃ及びＮ2ガス供給源６６ｃを、洗浄用及び除電用流体と同一にした場合について説明したが、別系統にしてもよい。
【００５２】
なお、上記説明では、洗浄液として純水を用いる場合について説明したが、純水に代えて薬液例えばアンモニア水／過酸化水素混合液（ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2／Ｈ2Ｏ）を使用することができる。
【００５３】
上記のように構成されるマスフローコントローラＭＦ3，ＭＦ4と開閉弁Ｖ3，Ｖ4は、ＣＰＵ６００に電気的に接続されており、ＣＰＵ６００からの信号によって流量制御及び開閉制御されるように構成されている。
【００５４】
上記のように構成される洗浄液供給ノズル６３は、図４に示すように、ガイド６０５に沿って駆動機構６０７によりＸ方向にスキャン可能であり、かつ、Ｚ方向に昇降可能であるノズル保持アーム６０８の先端に取り付けられている。また、洗浄液供給ノズル６３は、高さ・角度調節機構６１０により、Ｚ方向高さ及びリンス液の吐出角度を変えることが可能となっている。
【００５５】
なお、駆動機構６０７は、駆動機構配設室６０４内に配設され、ノズル保持アーム６０８は、壁部６１ｂに設けられた窓部６１ｃを介してその先端側が洗浄処理室６０３に位置するように設けられている。窓部６１ｃは、ノズル保持アーム６０８のＺ方向の昇降とＸ方向でのスキャンに支障がないようにＺ方向に所定幅を有し、Ｘ方向に沿設されている。このようにして、駆動機構６０７で発生するパーティクルが洗浄処理室６０３に飛散することが防止され、一方、カップ６７から洗浄液が駆動機構配設室６０４に飛散して駆動機構６０７に付着し、駆動機構６０７の駆動に支障をきたすのを防止する。
【００５６】
一方、載置台６２ａの外周側はカップ６７によって包囲されている。この場合、カップ６７は、昇降機構６７Ａにより昇降自在となっている。なお、図５において、カップ６７の下段位置と上段位置が示されており、ウエハＷの搬出入時には、カップ６７は下段位置に位置され、洗浄中は、上段位置に位置してウエハＷの外周から外部へ飛散する洗浄液をカップ６７の内周下方へ導くようになっている。なお、カップ６７には、上下２箇所に内方に向かって縮径するテーパ部６７ａが形成されており、このテーパ部６７ａによって洗浄液が外部へ飛散し難い構造となっている。また、カップ６７の内周側底部には、ドレン６７ｂが形成されており、カップ６７内の排気及び洗浄液の排出が行われるようになっている。
【００５７】
なお、カップ６７の外側近傍には、複数例えば２個のリンスノズル６０１，６０２が配設されており、これらリンスノズル６０１，６０２からウエハＷの表面の所定位置にリンス液が供給されるようになっている。
【００５８】
上記ＣＰＵ６００には、洗浄処理されるウエハＷの種類や、洗浄液の種類｛例えば純水か薬液か、また、どのような種類の薬液かなどの種類｝、また、洗浄液の噴射量（供給量）等に応じた除電用流体（純水）の供給量等のレシピが予め記憶されている。したがって、ＣＰＵ６００から上記記憶されたレシピに基づく信号を上記開閉弁Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，Ｖ4及びマスフローコントローラＭＦ1，ＭＦ2，ＭＦ3，ＭＦ4に送って除電用流体（純水）の帯電量が制御される。
【００５９】
上記のように構成される洗浄ユニット６０によれば、スピンチャック６２を回転させた状態で、洗浄液供給ノズル６３を待機位置からウエハＷの上方のＸ方向にスキャンさせて洗浄処理を行うことができる。この洗浄処理工程において、図１０及び図１１に示したように、洗浄液である純水がウエハＷの表面に噴射（供給）され、発散されることで、ウエハＷ表面側が帯電されウエハＷ表面側にマイナスの残留電荷が蓄積される。この現象を防止するために、洗浄処理工程中に、開閉弁Ｖ1，Ｖ2を開いて管状ノズル６５ａを介して純水をウエハＷの裏面中心部に供給すると、除電用の純水は負帯電材である管状ノズル６５ａとの摩擦接触によってマイナスに帯電されて、ウエハＷ裏面側に噴射（供給）される。これにより、ウエハＷはマイナスの電荷を帯びるので反発作用によってウエハＷの表面側がマイナスに帯電されるのを抑制することができる。この際、ＣＰＵ６００から予め記憶されたレシピに基づく信号を開閉弁Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，Ｖ4及びマスフローコントローラＭＦ1，ＭＦ2，ＭＦ3，ＭＦ4に伝達することにより除電用流体（純水）の帯電量が制御される。
【００６０】
次に、上記洗浄処理システムにおけるウエハＷの洗浄処理工程について説明する。まず、所定枚数のウエハＷが収容されたキャリアＣを、ウエハＷの搬入出口からインターフェース部２４側となるようにして、載置台２１上の所定位置に載置する。窓部開閉機構２７により、窓部２６を開口すると共に搬入出口に蓋体が取り付けられている場合には、蓋体Ｃａを開蓋させてキャリアＣの内部とインターフェース部２４とを連通させ、更にマッピングセンサを用いてキャリアＣ内のウエハＷの収容状態を確認する。ウエハＷの収容状態に異常があった場合には処理を中断し、例えば、別のキャリアＣの処理作業に移行する。
【００６１】
ウエハＷの収容状態に異常がない場合には、キャリアＣ内の所定高さ位置にウエハ搬送機構２３のウエハ保持アーム２３ａを挿入して、１枚のウエハＷを取り出す。このようにしてウエハ保持アーム２３ａに保持されたウエハＷは下段のウエハ受渡ユニット３０に搬送され、ウエハ受渡ユニット３０内の所定位置に載置される。このとき、ウエハＷは表面が上面となった状態にある。その後、ウエハ搬送機構２３は別のウエハＷの取り出し等の作業を引き続き行う。
【００６２】
一方、主ウエハ搬送機構７０の主ウエハ搬送アーム７１のうちの１つ、例えば最上段の主ウエハ搬送アーム７１をウエハＷが載置された下段のウエハ受渡ユニット３０に挿入してウエハＷを取り出す。ウエハＷは表面が上面となっている状態で主ウエハ搬送アーム７１に保持されているので、処理レシピに従ってウエハＷを上段の洗浄ユニット６０ｃ，６０ｄのいずれか一方に搬送する。
【００６３】
例えば、洗浄ユニット６０ｃを用いるとすると、カップ６７が下段位置に位置された状態で開閉窓６５を開け、主ウエハ搬送アーム７１をスピンチャック６２の位置まで挿入してスピンチャック上にウエハＷを載置して保持する。その後、主ウエハ搬送アーム７１を洗浄ユニット６０ｃ内から退出させて開閉窓６５を閉じる。
【００６４】
洗浄ユニット６０ｃにおいて、ノズル保持アーム６０８をカップ６７内に移動させて、回転するウエハＷの上面に向かって洗浄液供給ノズル６３から加圧された洗浄水を吐出させながら、ノズル保持アーム６０８をＸ方向にスキャンする洗浄処理を行う。この洗浄処理工程において、上述したように、洗浄液である純水がウエハＷの表面に噴射（供給）され、発散されることで、ウエハＷ表面側が帯電されウエハＷ表面側にマイナスの残留電荷が蓄積される。そこで、この現象を防止するために、洗浄処理工程中に、開閉弁Ｖ1，Ｖ2を開いて管状ノズル６５ａを介して純水をウエハＷの裏面中心部に供給すると、除電用の純水は負帯電材である管状ノズル６５ａとの摩擦接触によってマイナスに帯電されて、ウエハＷ裏面側に噴射（供給）される。少なくとも洗浄処理工程中においては、ウエハＷ裏面に除電用の純水は供給し続けられていればよいが、ウエハＷ表面に洗浄用の純水が噴射（供給）される前に、除電用の純水をウエハＷ裏面に供給してもよい。
【００６５】
上記のように除電用の純水をウエハＷ裏面に供給することにより、ウエハＷはマイナスの電荷を帯びるので反発作用によってウエハＷの表面側がマイナスに帯電されるのを抑制することができる。この際、ＣＰＵ６００から予め記憶されたレシピに基づく信号を開閉弁Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，Ｖ4及びマスフローコントローラＭＦ1，ＭＦ2，ＭＦ3，ＭＦ4に伝達することにより除電用流体（純水）の帯電量が制御される。したがって、ウエハＷ表面に形成されたデバイスが破壊されるのを防止することができると共に、パーティクル等が再付着するのを防止することができる。
【００６６】
このようにして、洗浄処理が終了した後には、ノズル保持アーム６０８をカップ６７外に待機させ、ウエハＷを所定の回転数で回転させることにより、ウエハＷに付着した洗浄液を振り切るスピン乾燥を行う。この乾燥処理工程中においても、洗浄処理工程と同様に、管状ノズル６５ａを介して純水をウエハＷの裏面中心部に供給すると、除電用の純水は負帯電材である管状ノズル６５ａとの摩擦接触によってマイナスに帯電されて、ウエハＷ裏面側に噴射（供給）される。これにより、ウエハＷの表面側がマイナスに帯電されるのを更に抑制することができる。したがって、乾燥処理中においても、ウエハＷ表面に形成されたデバイスが破壊されるのを防止することができると共に、パーティクル等が再付着するのを防止することができる。
【００６７】
なお、乾燥の前に、リンスノズル６０１，６０２から所定のリンス液を回転するウエハＷの表面に供給して、ウエハＷのリンス処理を行う方が望ましい。
【００６８】
スピン乾燥後にはカップ６７を下降させ、また、スピンチャック６２の保持機構６２ｃを解除する。そして、開閉窓６５を開いて、例えば、主ウエハ搬送アーム７１を挿入し、ウエハＷを主ウエハ搬送アーム７１に受け渡す。このようにして表面洗浄用の洗浄ユニット６０ｃから搬出されたウエハＷは、必要に応じて例えば、３台のうちのいずれかのホットプレートユニット５２内に搬送されて乾燥され、必要に応じて主ウエハ搬送アーム７１により冷却ユニット５２に搬送されて冷却され、再び主ウエハ搬送アーム７１に戻される。
【００６９】
表面が洗浄されたウエハＷは、ウエハ反転ユニット４０に搬送されて、ウエハ反転ユニット４０に配設された反転機構によって反転される。その後、ウエハＷは、裏面洗浄用の洗浄ユニット６０ａ，６０ｂに搬送されて裏面洗浄が行われる。
【００７０】
このようにして表裏面の洗浄処理が終了し、乾燥処理されたウエハＷは裏面が上面となっている状態にあるため、キャリアＣへ戻すためにウエハＷの表面が上面となるように反転処理を行う必要がある。そこで、次に、ウエハＷは、例えば、主ウエハ搬送アーム７１を用いて上段のウエハ反転ユニット４０に搬送される。上段のウエハ反転ユニットにおいては、上述した下段のウエハ反転ユニット４０における反転動作と同様の動作によってウエハＷの上下を反転させる。このようにして、ウエハＷは、その表面が上面となった状態で、例えば、主ウエハ搬送アーム７１に戻される。
【００７１】
表面が上面となって主ウエハ搬送アーム７１に保持されたウエハＷは、上段のウエハ受渡ユニット３０ａへ搬送され、更にこのウエハ受渡ユニット３０ａ内からウエハ保持アーム２３ａによってインターフェース部２４内へ搬送された後、キャリアＣ内に収容された全てのウエハＷに付いて終了した後は、ウエハＷ収容されたキャリアＣは次の工程へと送られる。
【００７２】
◎第二実施形態
図７は、この発明に係る液処理装置の第二実施形態を示す概略断面図である。
【００７３】
第二実施形態は、上記除電用流体供給手段６５における除電用流体である純水の帯電を更に容易に行えるようにした場合である。すなわち、管状ノズル６５ａを複数例えば４本の管状ノズルチューブ６５ｄにて形成して、管状ノズル６５ａ（具体的には、管状ノズルチューブ６５ｄ）と除電用流体である純水との摩擦抵抗を大きくして、帯電量の増大を図れるようにした場合である。この場合、複数の管状ノズルチューブ６５ｄは、シールド部材６５ｅ内に同心円状に配設され、これら管状ノズルチューブ６５ｄの中心部にＮ2ガス供給チューブ６６ａが配設されている。
【００７４】
なお、第二実施形態において、その他の部分は、第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００７５】
◎第三実施形態
図８は、この発明に係る液処理装置の第三実施形態を示す概略断面図である。
【００７６】
上記第一、第二実施形態では、スピンチャック６２がメカニカル式である場合について説明したが、第三実施形態では、真空吸着式のスピンチャック６２Ａを用いている。
【００７７】
第三実施形態において、スピンチャック６２Ａは、ウエハＷを水平状態に載置すると共に、図示しない真空装置からの吸引によってウエハＷを吸着する載置台６２ｄと、この載置台６２ｄを支持する支持軸６２ｅと、この支持軸６２ｅを回転させる回転手段であるモータ６２ｆとで主に構成されている。この場合、モータ６２ｆは、例えばサーボモータにて形成されており、制御手段であるＣＰＵ６００にてプログラミングされた信号によって回転数が制御されるように構成されている。
【００７８】
また、スピンチャック６２Ａの少なくとも載置台６２は、導電性を有する合成樹脂製材料例えば炭素を配合したポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）製材料にて形成されている。このように、少なくとも載置台６２ｄを炭素を配合したＰＥＥＫ製材料にて形成することにより、除電用流体で発生した電荷をリークさせることができる。これにより、除電用流体が当たらないウエハＷ中心部の裏面も帯電を得られ、非処理面側の中心部においても極性の制御が可能となる。また、スピンチャック６２Ａに耐蝕性をもたせることができる。なお、導電性の抵抗率としては、例えば１０5〜１０9 Ω・ｃｍの間で選択するのが好ましい。
【００７９】
除電用流体供給手段６５Ｂは、スピンチャック６２Ａの載置台６２ｄの下方側に配設される管状ノズル６５ｅと、純水供給管６５ｂを介して管状ノズル６５ｅに接続される純水供給源６５ｃとで構成されており、純水供給管６５ｂに介設される帯電制御手段である流量制御手段例えばマスフローコントローラＭＦ1によって帯電量が制御可能になっている。なお、管状ノズル６５ｅは、回転するウエハＷの表面に洗浄液（純水）を噴射（供給）した際に生ずるウエハＷの表面側の帯電極性（マイナス極性）と同極性の負帯電材例えば石英、アクリル樹脂等で製作するとなお効果が高い。
【００８０】
なお、第三実施形態において、その他の部分は第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００８１】
◎第四実施形態
図９は、この発明に係る液処理装置の第四実施形態を示す概略断面図である。
【００８２】
第四実施形態は、除電用流体としてイオン化した不活性ガス例えば窒素ガス（Ｎ2ガス）を用いた場合である。
【００８３】
第四実施形態では、除電用流体供給手段６５Ａは、スピンチャック６２内に貫挿される絶縁材製の管状のＮ2ガス供給ノズル６８ａ（不活性ガス供給ノズル）と、供給管６８ｂを介してＮ2ガス供給ノズル６８ａに接続されるＮ2ガス供給源６８ｃ（不活性ガス供給源）と、供給管６８ｂに介設され、ウエハＷの表面側の帯電極性（マイナス）と同電極にイオン化する制御可能なイオン生成手段６９とで構成されている。また、供給管６８ｂには、マスフローコントローラＭＦ5及び開閉弁Ｖ5が介設されている。また、Ｎ2ガス供給源６８ｃに、上記洗浄液供給ノズル６３のＮ2ガス供給管６３ｆが接続されている。なお、第四実施形態においては、スピンチャック６２の載置台６２ａは必ずしも導電性である必要はなく、絶縁性の合成樹脂製部材であってもよい。
【００８４】
上記イオン生成手段６９は、例えばエミッターバー（図示せず）と、このエミッターバーの下面にエミッターバーの長さ方向にそって適宜間隔をおいて突出する複数の電極（図示せず）とで構成され、直流電源を具備するコントローラ６９ａによって所定の電極（マイナス）及び量のイオンが生成されるようになっている。コントローラ６９ａは上記ＣＰＵ６００に電気的に接続されて、ＣＰＵ６００からの制御信号によって所定量のＮ2ガスをイオン化するように構成されている。
【００８５】
なお、上記説明では、イオン生成手段６９のコントローラ６９ａを制御することによって除電用流体であるＮ2ガスのイオン化量を制御する場合について説明したが、図９に二点鎖線で示すように、マスフローコントローラＭＦ5及び開閉弁Ｖ5とＣＰＵ６００とを電気的に接続して、マスフローコントローラＭＦ5及び開閉弁Ｖ5を制御することで、Ｎ2ガスのイオン化量を制御するようにしてもよい。勿論、コントローラ６９ａとマスフローコントローラＭＦ5及び開閉弁Ｖ5を制御して、除電用流体であるＮ2ガスのイオン化量を制御するようにしてもよい。
【００８６】
上記のように構成される第四実施形態の除電用流体供給手段６５Ａによれば、洗浄処理工程において、上述したように、洗浄液である純水がウエハＷの表面に噴射（供給）され、発散されることで、ウエハＷ表面側が帯電されウエハＷ表面側にマイナスの残留電荷が蓄積される。この現象を防止するために、洗浄処理工程中に、開閉弁Ｖ5を開くと共にイオン生成手段６９を作動させると、Ｎ2ガス供給源６８ｃから供給されるＮ2ガスは、イオン生成手段６９によってマイナスイオン化されて、Ｎ2ガス供給ノズル６８ａからウエハＷの裏面中心部に噴射（供給）される。これにより、ウエハＷはマイナスの電荷を帯びるので反発作用によってウエハＷの表面側がマイナスに帯電されるのを抑制することができる。この際、ＣＰＵ６００から予め記憶されたレシピに基づく信号をコントローラ６９ａ及び開閉弁Ｖ5又はマスフローコントローラＭＦ5に伝達することにより除電用流体であるＮ2ガスの帯電量が制御される。したがって、ウエハＷ表面に形成されたデバイスが破壊されるのを防止することができると共に、パーティクル等の異物が付着するのを防止することができる。
【００８７】
なお、第四実施形態において、その他の部分は、第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００８８】
◎その他の実施形態
（１）上記実施形態では、洗浄液供給ノズル６３から洗浄液例えば純水を噴射させて洗浄処理を行う場合について説明したが、リンス液（純水）の供給と共にブラシをウエハＷに接触させて洗浄処理を行うスクラバ洗浄においても、同様に適用することができる。
【００８９】
（２）上記実施形態では、この発明に係る液処理装置をウエハの洗浄処理システムに適用する場合について説明したが、この発明に係る液処理装置は必ずしも半導体ウエハの洗浄処理のみに適用されるものではなく、例えば、ＬＣＤ基板やＣＤ基板の洗浄処理に適用できるものである。
【００９０】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような優れた効果が得られる。
【００９１】
（１）請求項１，２，５記載の発明によれば、回転する被処理基板の表面に処理液を供給して処理を施す際に、回転する被処理基板の表面に処理液を供給することで、被処理基板の表面側が帯電され、残留電荷が蓄積されることを防止するために、この被処理基板の表面側に帯電される電荷の極性と同極性に帯電された除電用流体を、被処理基板の裏面側中心部に供給することにより、反発作用によって処理工程の際に被処理基板の表面側が帯電されるのを抑制することができる。したがって、被処理基板に形成されたデバイスの破壊を防止することができると共に、異物の付着を除去することができる。また、除電用流体の帯電量を制御可能に形成することにより、被処理基板の異なる帯電量に対応して除電することができると共に、処理中の界面電位を制御することができる。
【００９２】
（２）請求項２記載の発明によれば、処理工程及び乾燥工程中において、回転する被処理基板の表面側に帯電された電荷の極性と同極性に帯電された除電流体を被処理基板の裏面側中心部に供給するので、上記（１）に加えて液処理及び乾燥処理中に、被処理基板に生じる帯電を抑制することができると共に、処理中の界面電位を制御することができる。
【００９３】
（３）請求項３，６記載の発明によれば、除電用流体を純水にて形成し、この純水を被処理基板表面側の帯電極性と同極性の帯電材製の管状ノズル内を通過させ、その際の摩擦力によって帯電させると共に、純水の供給流量を制御することにより帯電量を制御可能にするので、純水を用いて被処理基板の帯電を抑制することができると共に、被処理基板の洗浄を可能にすることができる。また、例えば洗浄処理において処理液に純水を使用する場合には、同一の純水供給源を利用することができるので、配管系統の簡略化及び装置の小型化が図れると共に、コストの低廉化が図れる。
【００９４】
（４）請求項４，７，８記載の発明によれば、除電用流体を不活性ガスにて形成し、この不活性ガスをイオン生成手段にてイオン化させると共に、不活性ガスの供給量及び又はイオン化量を調整することにより不活性ガスの帯電量を制御可能にするので、不活性ガスを用いて被処理基板の帯電を抑制することができると共に、パーティクル等が再付着するのを防止することができる。
【００９５】
（５）請求項５記載の発明によれば、除電用流体供給手段の噴射口を、保持手段における中心部の被処理基板保持面側に設けることにより、帯電されやすい被処理基板の中心部の帯電を効率よく抑制することができる。
【００９６】
（６）請求項９記載の発明によれば、除電用流体に純水を使用する場合において、保持手段を、導電性を有する合成樹脂製材料にて形成するので、被処理基板における保持手段によって保持される領域へ除電用流体で発生した電荷をリークさせることにより、除電用流体が当たらない部分においても極性の制御が可能となり、更に帯電の抑制の向上を図ることができる。また、保持手段の耐蝕性を持たせることができるので、保持手段ひいては装置の寿命の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明に係る液処理装置を適用する半導体ウエハ洗浄処理システムを示す概略平面図である。
【図２】  図１の側面図である。
【図３】  上記半導体ウエハ洗浄処理システムにおける反転部、基板搬送手段及び処理部を示す概略断面図である。
【図４】  この発明に係る液処理装置を示す概略平面図である。
【図５】  この発明に係る液処理装置を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のＩ部拡大断面図（ｂ）である。
【図６】  この発明に係る液処理装置の第一実施形態を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のII−II線に沿う断面図（ｂ）である。
【図７】  この発明に係る液処理装置の第二実施形態を示す概略断面図（ａ）及び（ａ）のIII−III線に沿う断面図（ｂ）である。
【図８】  この発明に係る液処理装置の第三実施形態を示す概略断面図である。
【図９】  この発明に係る液処理装置の第四実施形態を示す概略断面図である。
【図１０】  純水の流れと残留電荷の関係を示す説明図（ａ）及びグラフ（ｂ）である。
【図１１】  クーロン力によるキャリアの拡散及び帯電状態を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
６０  洗浄ユニット（液処理装置）
６２  スピンチャック（保持手段）
６２ａ，６２ｄ  載置台
６２ｃ，６２ｆ  モータ（回転手段）
６３  洗浄液供給ノズル（洗浄液供給手段）
６５，６５Ａ，６５Ｂ  除電用流体供給手段
６５ａ，６５ｅ  管状ノズル
６５ｂ  供給管
６５ｃ  純水供給源
６５ｄ  管状ノズルチューブ
６８ａ  Ｎ2ガス供給ノズル（不活性ガス供給ノズル）
６８ｂ  供給管
６８ｃ  Ｎ2ガス供給源（不活性ガス供給源）
６９  イオン生成手段
６９ａ  コントローラ
６００  ＣＰＵ（制御手段）
ＭＦ1〜ＭＦ5  マスフローコントローラ（帯電制御手段）
Ｖ1〜Ｖ5  開閉弁
Ｗ  半導体ウエハ（被処理基板）
【図１】
0003973196.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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