(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に複数種の膜を重ねて形成するための成膜装置において、成膜用のプラズマＣＶＤ装置を収容する低速成膜室と、成膜用のプラズマＣＶＤ装置であって前記低速成膜室に収容されるプラズマＣＶＤ装置よりも成膜速度が高く、かつ、運転圧力の異なるプラズマＣＶＤ装置を収容する高速成膜室と、前記低速成膜室と高速成膜室との間に介在し、内部圧力が調節可能な圧力調節室とを備えるとともに、前記低速成膜室及び高速成膜室と前記圧力調節室との間にそれぞれ開閉手段が設けられ、前記基材が前記低速成膜室、高速成膜室のいずれか一方の成膜室から前記圧力調節室を経て他方の成膜室へ移動できるように構成され、一つの高速成膜室に対して複数の低速成膜室が接続され、かつ、各低速成膜室ごとに圧力調節室が設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
請求項１記載の成膜装置において、低速成膜室、高速成膜室、低速成膜室の順に各成膜室が並べられ、その順に前記基材が移動できるように構成されるとともに、前記高速成膜室と各低速成膜室との間にそれぞれ前記圧力調節室が介在していることを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
請求項２記載の成膜装置において、前記高速成膜室はｉ型半導体薄膜を形成するための成膜室であり、前記高速成膜室の上流側に配置される低速成膜室、下流側に配置される低速成膜室のいずれか一方は、ｐ型半導体薄膜を形成するための成膜室であり、他方はｎ型半導体薄膜を形成するための成膜室であることを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の成膜装置において、前記各圧力調節室と高速成膜室との間に当該各圧力調節室に共通して接続される準備室が設けられ、この準備室と前記各圧力調節室との間、及び、当該準備室と前記高速成膜室との間に、それぞれ開閉手段が設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
請求項４記載の成膜装置において、共通の準備室に複数の高速成膜室が接続されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
基材上に複数種の膜を重ねて形成するための成膜装置において、成膜用のプラズマＣＶＤ装置を収容する低速成膜室と、成膜用のプラズマＣＶＤ装置であって前記低速成膜室に収容されるプラズマＣＶＤ装置よりも成膜速度が高く、かつ、運転圧力の異なるプラズマＣＶＤ装置を収容する高速成膜室と、前記低速成膜室と高速成膜室との間に介在し、内部圧力が調節可能な圧力調節室とを備えるとともに、前記低速成膜室及び高速成膜室と前記圧力調節室との間にそれぞれ開閉手段が設けられ、前記基材が前記低速成膜室、高速成膜室のいずれか一方の成膜室から前記圧力調節室を経て他方の成膜室へ移動できるように構成され、低速成膜室、高速成膜室、低速成膜室の順に各成膜室が並べられ、その順に前記基材が移動できるように構成されるとともに、前記高速成膜室と各低速成膜室との間にそれぞれ前記圧力調節室が介在し、前記高速成膜室の上流側、下流側の双方に複数の低速成膜室が配置され、かつ、各低速成膜室ごとに圧力調節室が設けられるとともに、前記高速成膜室とその上流側の各圧力調節室との間にこれらの圧力調節室に共通して接続される上流側準備室が設けられ、前記高速成膜室とその下流側の各圧力調節室との間にこれらの圧力調節室に共通して接続される下流側準備室が設けられ、各準備室とこれに接続される各圧力調節室との間、及び、各準備室と前記高速成膜室との間に、それぞれ開閉手段が設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項７】
請求項６記載の成膜装置において、共通の準備室に複数の高速成膜室が接続されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項８】
請求項６または７記載の成膜装置において、前記高速成膜室はｉ型半導体薄膜を形成するための成膜室であり、前記高速成膜室の上流側に配置される低速成膜室、下流側に配置される低速成膜室のいずれか一方は、ｐ型半導体薄膜を形成するための成膜室であり、他方はｎ型半導体薄膜を形成するための成膜室であることを特徴とする成膜装置。
【請求項９】
請求項６記載の成膜装置において、前記高速成膜室内に、前記基材の成膜面に対向する円筒面を有してこの円筒面の中心軸回りに回転する回転電極を具備するプラズマＣＶＤ装置が収容されるとともに、当該回転電極の回転により前記成膜面上に形成される気流の上流側に位置する準備室の室内圧力Ｐ１と、前記気流の下流側に位置する準備室の室内圧力Ｐ２と、高速成膜室内の圧力Ｐとが、Ｐ１＞Ｐ＞Ｐ２となるように設定されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の成膜装置において、前記低速成膜室内には平行平板型電極をもつプラズマＣＶＤ装置が収容され、前記高速成膜室内には、前記基材の成膜面に対向する円筒面を有してこの円筒面の中心軸回りに回転する回転電極を具備するプラズマＣＶＤ装置が収容されていることを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマによる化学反応を利用して複数種の薄膜を基材上に積層状態で形成する成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、薄膜太陽電池として、アモルファスシリコンからなる半導体薄膜を形成したものが知られている。その一例を図８に示す。図において、ガラス基板等からなる基材１０１上に、例えばＳｎＯ２からなる透明電極１０２と、アモルファス半導体薄膜１０３と、Ａｇ等からなる金属電極１０４とが順に積層されている。
【０００３】
前記アモルファス半導体薄膜１０３としては、ｐ型アモルファスシリコン薄膜、ｉ型アモルファスシリコン（真性アモルファスシリコン）薄膜、及びｎ型アモルファスシリコン薄膜を積層した、いわゆるｐｉｎ型半導体薄膜が広く用いられている。そして、かかる薄膜を形成する手段として、プラズマＣＶＤ装置の利用が進められている。このプラズマＣＶＤ装置を利用した成膜装置の一例を図９に示す。
【０００４】
図示の装置は、一方向に延びる単一のチャンバを備え、このチャンバ内が長手方向について複数に区画されることにより、基板仕込み室２１、ｐ層成膜室２２、雰囲気置換室２３、ｉ層成膜室２４、雰囲気置換室２５、ｎ層成膜室２６、及び基板取出し室２７が順に形成されている。相互隣接する室同士の間には基板搬送通路が形成されるとともに、各室２１〜２７にその下流側通路を開閉するゲートバルブ２１４ａ，２１４ｂ，２１４ｃ，２１４ｄ，２１４ｅ，２１４ｆ，２１４ｇが設けられている。
【０００５】
各室２１〜２７にはそれぞれ排気口２１５ａ，２１５ｂ，２１５ｃ，２１５ｄ，２１５ｅ，２１５ｆ，２１５ｇが設けられ、これら排気口に接続される図略のポンプによって各室２１〜２７内に真空状態が形成されるようになっている。
【０００６】
ｐ層成膜室２２には、平板状の下側電極（サセプタ）２１０ａと上側電極（カソード）２１１ａとが平行状態で配置されており、同様にｉ層成膜室２４内には平板状の下側電極２１０ｂと上側電極２１１ｂとが、ｎ層成膜室２６内には平板状の下側電極２１０ｃと上側電極２１１ｃとが、それぞれ平行状態で配置されている。下側電極２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃはアースに接続される一方、上側電極２１１ａ，２１１ｂ，２１１ｃは各々インピーダンスマッチング装置２１２ａ，２１２ｂ，２１２ｃを介して高周波電源２１３ａ，２１３ｂ，２１３ｃに接続されている。
【０００７】
ｐ層成膜室２２には、ｐ層成膜用の反応ガス（ＳｉＨ４，Ｂ２Ｈ６，ＣＨ４等）を導入するためのガス導入配管２１６ａが接続され、同様に、ｉ層成膜室２４にはｉ層成膜用の反応ガス（ＳｉＨ４等）を導入するためのガス導入配管２１６ｂが、ｎ層成膜室２６内にはｎ層成膜用の反応ガス（ＳｉＨ４、ＰＨ３等）を導入するためのガス導入配管２１６ｃが、それぞれ接続されている。また、基板取り出し室２７には、同室内にＮ２等の不活性ガスを導入するためのガス導入配管２１６ｄが接続されている。
【０００８】
また、基板仕込み室２１内には基板加熱用のヒータ２８ａ，２８ｂが設けられ、各成膜室２２，２４，２６内にも下側電極加熱用のヒータ２８ｃ，２８ｄ，２８ｅがそれぞれ設けられている。
【０００９】
この装置での成膜要領は次のとおりである。各室２１〜２７内を排気して真空保持し、基材である基板２９をまず基板仕込み室２１に入れる。同室２１内で基板２９をヒータ２８ａ，２８ｂにより予備加熱した後、ゲートバルブ２１４ａを開いて基板２９をｐ層成膜室２２内に導入し、その下側電極２１１ａ上に載置するとともに、前記ゲートバルブ２１４ａを閉じてｐ層成膜室２２内を密閉する。
【００１０】
次に、同室２２内が所定圧力に達するまでガス導入配管２１６ａからｐ層成膜室２２内にｐ層成膜用の反応ガスを導入するとともに、上側電極２１１ａに高周波電圧を印加して上下電極２１０ａ，２１１ａ間にプラズマを発生させ、このプラズマにより前記反応ガスを分解して基板２９上にｐ層すなわちｐ型のアモルファス半導体膜を生成する。
【００１１】
ｐ層成膜後、ｐ層成膜室２２内を再び真空排気する。そして、ゲートバルブ２１４ｂを開いて基板２９を一旦雰囲気置換室２３内に入れ、前記ゲートバルブ２１４ｂを閉じた後にゲートバルブ２１４ｃを開いて前記基板２９をｉ層成膜室２４内に導入し、その下側電極２１１ｂ上に載置するとともに、前記ゲートバルブ２１４ｃを閉じてｉ層成膜室２４内を密閉する。以下、前記と同じ要領でｉ層成膜室２４内、ｎ層成膜室２６内でｉ型アモルファス半導体膜（ｉ層）、ｎ型アモルファス半導体膜（ｎ層）をこの順に積層形成する。
【００１２】
ｎ層成膜室２６内でｎ層を形成し、同室内を真空排気した後は、ゲートバルブ２１４ｆを開いて基板２９を基板取り出し室２７に搬入し、ゲートバルブ２１４ｆを閉じた後に同室２７内にガス導入配管２１６ｅから不活性ガスを導入する。このようにして同室２７内を大気圧まで高めた後、ゲートバルブ２１４ｇを開いて基板２９をチャンバ外へ取り出す。
【００１３】
従って、この装置では、基板２９をｐ層成膜室２２、ｉ層成膜室２４、ｎ層成膜室２６の順に搬送することにより、ｐｉｎ成膜を連続的に行うことができる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
太陽電池を構成する各層のうち、ｉ層はｐ層及びｎ層に比べて層厚が非常に大きいので、その成膜所要時間はｐ層やｎ層の成膜所要時間よりも数段長くなる。従って、各成膜室２２，２４，２６を均等に配置すると、ｉ層成膜室２４で成膜が停滞し、円滑で効率の高い連続成膜の実現の妨げとなる。
【００１５】
このため従来は、前記ｉ層成膜室２４における上下電極２１０ａ，２１１ａをｐ層成膜室２２及びｎ層成膜室２６における上下電極よりも大きくして同時に複数個の基板２９に対する成膜ができるようにしたり、ｉ層成膜室２４をｐ層成膜室２２及びｎ層成膜室２６よりも多く配置したりすることにより、各工程での成膜時間の均衡が図られているが、前記ｉ層の成膜所要時間は、ｐ層及びｎ層のそれに比べて著しく長いため、ｉ層成膜室２４を多少大型化したり個数を増やしたりするだけでは、各層の成膜時間を十分に均衡させることができない。しかも、ｉ層成膜室２４の大型化や増設は、成膜装置全体の占有面積増加や、搬送機構をはじめとする装置構造の複雑化につながり、結果として製品のコスト増大を招く不都合がある。
【００１６】
このような不都合は、太陽電池の製造に限らず、成膜所要時間の異なる複数種の膜を積層する場合に発生し得るものである。
【００１７】
かかる不都合を解消する手段として、例えば特開平９−１０４９８５号公報に示される装置を用いることが考えられる。この装置は、高速で回転するドラム状の回転電極を基板上に近接させ、これら基板と回転電極との間にプラズマを発生させた状態で、前記回転電極の回転により反応ガスをプラズマ発生領域に巻き込んで化学反応を起こさせるものであり、コンパクトな構造でありながら、大面積の領域に対して高速で連続成膜できる画期的な手段である。
【００１８】
しかし、この装置では、高速成膜が可能である反面、静止型の前記平行平板型電極に比べて膜厚の管理が難しく、特にｐ層やｎ層といった非常に薄い膜を高精度で形成することは難しい。また、回転電極を高速回転させるための駆動装置や、回転中の電極に高周波電圧を印加するための複雑な装置が必要であり、コストも非常に高くなる。
【００１９】
本発明は、このような事情に鑑み、成膜室の大型化や増設を伴うことなく、複数種の膜を円滑に効率よく、しかも高精度で積層形成することができる成膜装置を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、前記課題を解決すべく、鋭意研究を重ねた結果、成膜に時間を要する層（一般には厚さの大きい層）を形成するための成膜室には、高速成膜が可能なプラズマＣＶＤ装置（例えば前記特開平９−１０４９８５号公報に示される回転電極を用いた装置）を設ける一方、成膜にあまり時間を要しない層（一般には厚さの小さい層）を形成するための成膜室には、成膜速度が低くても安価で所望の膜厚精度が得られやすいプラズマＣＶＤ装置（例えば一般の平行平板型電極を用いた装置）を設けることに想到した。このような高速プラズマＣＶＤ装置と低速プラズマＣＶＤ装置の併用により、複数種の薄膜を低コストの構成で効率良く薄膜形成することが可能になる。
【００２１】
ただし、このように複数種のプラズマＣＶＤ装置を用いた場合、各プラズマＣＶＤ装置の運転圧力は互いに異なるので、各プラズマＣＶＤ装置を収納する成膜室内の圧力はそれぞれ適正に保持しながら、円滑に基材を各成膜室に順に搬入することが非常に重要となる。
【００２２】
本発明は、かかる背景下でなされたものであり、基材上に複数種の膜を重ねて形成するための成膜装置において、成膜用のプラズマＣＶＤ装置を収容する低速成膜室と、成膜用のプラズマＣＶＤ装置であって前記低速成膜室に収容されるプラズマＣＶＤ装置よりも成膜速度が高く、かつ、運転圧力の異なるプラズマＣＶＤ装置を収容する高速成膜室と、前記低速成膜室と高速成膜室との間に介在し、内部圧力が調節可能な圧力調節室とを備えるとともに、前記低速成膜室及び高速成膜室と前記圧力調節室との間にそれぞれ開閉手段が設けられ、前記基材が前記低速成膜室、高速成膜室のいずれか一方の成膜室から前記圧力調節室を経て他方の成膜室へ移動できるように構成され、一つの高速成膜室に対して複数の低速成膜室が接続され、かつ、各低速成膜室ごとに圧力調節室が設けられているものである（請求項１）。
【００２３】
この構成によれば、例えば次の要領で複数種の薄膜を積層形成することができる。
【００２４】
１）いずれかの成膜室（例えば低速成膜室）に基材を入れ、同成膜室を密閉してその成膜室内の圧力をこの成膜室に設けられているプラズマＣＶＤ装置の運転に見合った圧力に設定する。そして、当該プラズマＣＶＤ装置を用いて前記基材表面に第１の膜を形成する。
【００２５】
２）１）の成膜室につながる圧力調節室内の圧力を当該成膜室から基材を搬出するときの当該成膜室内圧力に略等しい圧力にしておき、この圧力調節室と前記成膜室との間の開閉手段を開いて前記第１の膜を形成した基材を圧力調節室内に一旦入れる。
【００２６】
３）前記開閉手段を閉じて圧力調節室内を密閉し、その圧力調節室内の圧力を同圧力調節室につながるもう一つの成膜室（例えば高速成膜室）に基材を搬入するときの当該成膜室内圧力に略等しい圧力に切換える。そして、この圧力調節室と前記もう一つの成膜室との間の開閉手段を開いて前記圧力調節室内から前記もう一つの成膜室内へ基材を移す。
【００２７】
４）３）の成膜室内を密閉し、同室内に設けられたプラズマＣＶＤ装置を用いて前記第１の膜の上に重ねて第２の膜を形成する。
【００２８】
このようにして、各成膜室での成膜を連続して円滑に行うことができる。そして、成膜にあまり時間を要しない膜（一般には厚さの小さい膜）の形成には前記低速成膜室を用い、成膜に時間を要する膜（一般には厚さの大きい膜）の形成は前記高速成膜室を用いることにより、各層をこれに見合った膜厚精度及び成膜速度で効率良く積層形成することができる。
【００２９】
さらに、本発明では、前記各成膜室のうち、一つの高速成膜室に対して複数の低速成膜室が接続され、かつ、各低速成膜室ごとに圧力調節室が設けられているので（請求項１）、各低速成膜室での成膜及びその後の圧力置換を同時並行し、もしくはサイクルタイムをずらして行いながら、その成膜後の基材を順次、共通の高速成膜室に送り込む（もしくは、高速成膜室で成膜した基材を各低速成膜室に分配する）ことにより、低速成膜の実質所要時間と高速成膜の所要時間とを均衡させて高速成膜室におけるプラズマＣＶＤ装置の高速成膜性能を十分に発揮させることができ、全体のサイクルタイムを大幅に短縮することができる。例えば、一つの高速成膜室に対してｎ個の低速成膜室及び圧力調節室を並列接続する場合、各低速成膜室での成膜タイミングをそのサイクルタイムの１／ｎ分だけずらすことによって、各低速成膜室での成膜を均等な時間ピッチで次々に行うことが可能になる。
【００３０】
また、このように複数の低速成膜室が併設されている場合、いずれかの低速成膜室で故障の修理やメンテナンスの必要が発生しても、残りの低速成膜室を用いて成膜運転を続行できる利点もある。
【００３１】
本発明では、成膜室の個数を問わず、少なくとも一つの低速成膜室と少なくとも一つの高速成膜室を含む２以上の成膜室をもった装置に広く適用が可能である。例えば、低速成膜室、高速成膜室、低速成膜室の順に各成膜室が並べられ、その順に前記基材が移動できるように構成し、前記高速成膜室と各低速成膜室との間にそれぞれ前記圧力調節室を介在させるようにしてもよい（請求項２）。
【００３２】
この構成は、例えば太陽電池の製造を目的として基材上にｐ層、ｉ層、ｎ層の各半導体薄膜（例えばアモルファスシリコン、水素化アモルファスシリコンをはじめとするアモルファス材料成膜）を積層する場合に特に好適である。この場合には、前記高速成膜室をｉ型半導体薄膜を形成するための成膜室とし、前記高速成膜室の上流側に配置される低速成膜室、下流側に配置される低速成膜室のいずれか一方を、ｐ型半導体薄膜を形成するための成膜室とし、他方をｎ型半導体薄膜を形成するための成膜室とすればよい（請求項３）。
【００３３】
さらに、前記各圧力調節室と高速成膜室との間に当該各圧力調節室に共通して接続される準備室が設けられ、この準備室と前記各圧力調節室との間、及び、当該準備室と前記高速成膜室との間に、それぞれ開閉手段が設けられている構成とすれば（請求項４）、低速成膜室、高速成膜室のうちの上流側の成膜室で成膜した基材が余ってしまった場合でも、その余剰の基材を準備室に溜めて待機させておくことにより、円滑な成膜を続けることができる。
【００３４】
また、共通の準備室に複数の高速成膜室が接続されている構成としてもよい（請求項５）。
【００３５】
また本発明は、基材上に複数種の膜を重ねて形成するための成膜装置において、成膜用のプラズマＣＶＤ装置を収容する低速成膜室と、成膜用のプラズマＣＶＤ装置であって前記低速成膜室に収容されるプラズマＣＶＤ装置よりも成膜速度が高く、かつ、運転圧力の異なるプラズマＣＶＤ装置を収容する高速成膜室と、前記低速成膜室と高速成膜室との間に介在し、内部圧力が調節可能な圧力調節室とを備えるとともに、前記低速成膜室及び高速成膜室と前記圧力調節室との間にそれぞれ開閉手段が設けられ、前記基材が前記低速成膜室、高速成膜室のいずれか一方の成膜室から前記圧力調節室を経て他方の成膜室へ移動できるように構成され、低速成膜室、高速成膜室、低速成膜室の順に各成膜室が並べられ、その順に前記基材が移動できるように構成されるとともに、前記高速成膜室と各低速成膜室との間にそれぞれ前記圧力調節室が介在し、前記高速成膜室の上流側、下流側の双方に複数の低速成膜室が配置され、かつ、各低速成膜室ごとに圧力調節室が設けられるとともに、前記高速成膜室とその上流側の各圧力調節室との間にこれらの圧力調節室に共通して接続される上流側準備室が設けられ、前記高速成膜室とその下流側の各圧力調節室との間にこれらの圧力調節室に共通して接続される下流側準備室が設けられ、各準備室とこれに接続される各圧力調節室との間、及び、各準備室と前記高速成膜室との間に、それぞれ開閉手段が設けられているものである（請求項６）。
【００３６】
この装置においても、共通の準備室に複数の高速成膜室が接続されている構成としてもよい（請求項７）。また、この装置も、例えば太陽電池の製造を目的として基材上にｐ層、ｉ層、ｎ層の各半導体薄膜（例えばアモルファスシリコン、水素化アモルファスシリコンをはじめとするアモルファス材料成膜）を積層する場合に特に好適である。この場合も、前記高速成膜室をｉ型半導体薄膜を形成するための成膜室とし、前記高速成膜室の上流側に配置される低速成膜室、下流側に配置される低速成膜室のいずれか一方を、ｐ型半導体薄膜を形成するための成膜室とし、他方をｎ型半導体薄膜を形成するための成膜室とすればよい（請求項８）。
【００３７】
請求項６記載の装置では、前記高速成膜室内に、前記基材の成膜面に対向する円筒面を有してこの円筒面の中心軸回りに回転する回転電極を具備するプラズマＣＶＤ装置を収容する場合には、当該回転電極の回転により前記成膜面上に形成される気流の上流側に位置する準備室の室内圧力Ｐ１と、前記気流の下流側に位置する準備室の室内圧力Ｐ２と、高速成膜室内の圧力Ｐとが、Ｐ１＞Ｐ＞Ｐ２となるように設定することが、より好ましい（請求項９）。このような構成にすれば、前記圧力差により、回転電極の回転により成膜面上に形成される気流と同じ向きのガス流れが形成されるので、当該圧力差によって前記気流が乱されることがなく、より安定したプラズマＣＶＤによる薄膜形成が実現できる。
【００３８】
また、前記のように低速成膜室と高速成膜室とを併設する場合、各成膜室に収容されるプラズマＣＶＤ装置の種類によっては、その成膜速度に格段の差が生ずることになる。例えば、低速成膜室内に、従来の一般的な平行平板型電極をもつプラズマＣＶＤ装置を収容し、高速成膜室内に、前記基材の成膜面に対向する円筒面を有してこの円筒面の中心軸回りに回転する回転電極を具備するプラズマＣＶＤ装置を収容する構成では（請求項１０）、後者のプラズマＣＶＤ装置による成膜速度は前者のプラズマＣＶＤ装置による成膜速度の１０倍以上となる。このように、高速成膜室での成膜速度が非常に高い場合には、当該高速成膜室での成膜よりも却って低速成膜室における成膜や圧力調節室での圧力置換に時間がかかってしまい、高速成膜室におけるプラズマＣＶＤ装置の高速成膜性能を活かせなくなる場合が生じ得る。
【００３９】
【発明の実施の形態】
本発明の好ましい実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００４０】
図１に示す成膜装置は、アモルファスシリコン半導体を利用したｐｉｎ構造をもつ太陽電池を製造するためのものであり、基材である基材９上にｐ層、ｉ層、ｎ層を順に積層するように構成されたものである。
【００４１】
この装置は、前記基材９の搬送方向上流側から順に、２つのｐ層成膜室（低速成膜室）１ａ，１ｂと、２つの圧力調節室２ａ，２ｂと、単一の上流側準備室３と、単一のｉ層成膜室（高速成膜室）４と、単一の下流側準備室５と、２つの圧力調節室６ａ，６ｂと、２つのｎ層成膜室７ａ，７ｂとを備えている。
【００４２】
各圧力調節室２ａ，２ｂは、各ｐ層成膜室１ａ，１ｂと上流側準備室３との間にそれぞれ介在し、圧力調節室６ａ，６ｂは、下流側準備室５と各ｎ層成膜室７ａ，７ｂとの間に介在する。上流側準備室３はｉ層成膜室４の上流側に接続され、下流側準備室５はｉ層成膜室４の下流側に接続されている。
【００４３】
相互隣接する室同士の間には基板搬送通路が形成されている。前記ｐ層成膜室１ａと圧力調節室２ａとをつなぐ基板搬送通路にはゲートバルブ１４ａが設けられ、同様に、前記ｐ層成膜室１ｂと圧力調節室２ｂとをつなぐ基板搬送通路にはゲートバルブ１４ｂが、各圧力調節室２ａ，２ｂと上流側準備室３とをつなぐ基板搬送通路にはそれぞれゲートバルブ１４ｃ，１４ｄが、上流側準備室３とｉ層成膜室４とをつなぐ基板搬送通路にはゲートバルブ１４ｅが、ｉ層成膜室４と下流側準備室５とをつなぐ基板搬送通路にはゲートバルブ１４ｆが、下流側準備室５と各圧力調節室６ａ，６ｂとをつなぐ基板搬送通路にはゲートバルブ１４ｇ，１４ｈが、前記圧力調節室６ａとｎ層成膜室７ａとをつなぐ基板搬送通路にはゲートバルブ１４ｉが、前記圧力調節室６ｂとｎ層成膜室７ｂとをつなぐ基板搬送通路にはゲートバルブ１４ｊが、それぞれ設けられている。前記各ゲートバルブ１４ａ〜１４ｊは、当該ゲートバルブが設けられた通路を開閉する開閉手段を構成している。
【００４４】
ｐ層成膜室１ａには、その左右方向（図１では上下方向）の内側に２枚の平板電極（サセプタ）１０ａ，１０ｂが垂直状態で配置され、両平板電極１０ａ，１０ｂの両外側に各平板電極１０ａ，１０ｂと平行な平板電極（カソード）１１ａ，１１ｂが対向配置されている。同様に、ｐ層成膜室１ｂ内には垂直状態で平板電極（サセプタ）１０ｃ，１０ｄと上側電極（カソード）１１ｃ，１１ｄとが配置され、ｎ層成膜室７ａ内には平板電極（サセプタ）１０ｆ，１０ｇと平板電極（カソード）１１ｇ，１１ｈとが、ｎ層成膜室７ｂ内には平板電極（サセプタ）１０ｈ，１０ｉと平板電極（カソード）１１ｉ，１１ｊとが、それぞれ垂直状態で配置されている。
【００４５】
これに対し、ｉ層成膜室４においては、その中央に共通グランド１０ｅが垂直状態で配置され、その表裏両面と対向するように左右一対の回転電極１１ｅ，１１ｆが配設されている。各回転電極１１ｅ，１１ｆは、円筒状の外周面を有し、その円筒面が前記共通グランド１０ｅの表裏面上に配設された基板９の表面と近接するように配置され、かつ、その円筒面の中心軸回りに高速回転駆動されるようになっている。
【００４６】
以上示した電極のうち、前記各平板電極１０ａ〜１０ｄ、共通グランド１０ｅ、及び各平板電極１０ｆ〜１０ｉはアースに接続されている。一方、平板電極１１ａ，１１ｂはそれぞれインピーダンスマッチング装置１２ａ，１２ｂを介して高周波電源１３ａに接続され、同様に、平板電極１１ｃ，１１ｄはそれぞれインピーダンスマッチング装置１２ｃ，１２ｄを介して高周波電源１３ｂに接続され、回転電極１１ｅ，１１ｆはそれぞれインピーダンスマッチング装置１２ｅ，１２ｆを介して高周波電源１３ｃに接続され、平板電極１１ｇ，１１ｈはそれぞれインピーダンスマッチング装置１２ｇ，１２ｈを介して高周波電源１３ｄに接続され、平板電極１１ｉ，１１ｊはそれぞれインピーダンスマッチング装置１２ｉ，１２ｊを介して高周波電源１３ｅに接続されている。
【００４７】
すなわち、ｐ層成膜室１ａ，１ｂ及びｎ層成膜室７ａ，７ｂ内には、互いに平行な状態で対向配置された平板電極同士の間に成膜用のプラズマを発生させる平行平板型プラズマＣＶＤ装置が収容される一方、ｉ層成膜室４内には、共通グランド１０ｅと円筒状外周面をもつ回転電極１１ｅ，１１ｆとの間に成膜用のプラズマを発生させる回転電極型プラズマＣＶＤ装置が収容されている。
【００４８】
なお、前記高周波電源は直流電源であってもよい。
【００４９】
ｐ層成膜室１ａ，１ｂには、ｐ層成膜用の反応ガスを導入するためのガス導入配管１６ａ，１６ｂがそれぞれ接続され、同様に、ｉ層成膜室２４にはｉ層成膜用の反応ガスを導入するためのガス導入配管１６ｆが、ｎ層成膜室２６内にはｎ層成膜用の反応ガスを導入するためのガス導入配管１６ｊ，１６ｋが、それぞれ接続されている。また、圧力調節室２ａ，２ｂ、準備室３，５、圧力調節室６ａ，６ｂには、それぞれ、Ｈｅ等の不活性ガスを導入するためのガス導入配管１６ｃ，１６ｄ，１６ｈ，１６ｉが接続されている。
【００５０】
前記各成膜室内には、サセプタ加熱用のヒータ８が設けられ、また、各圧力調節室及び準備室内にも基板加熱用のヒータ８が設けられている。
【００５１】
次に、この装置による成膜手順を説明する。
【００５２】
１）ｐ層成膜
ｐ層成膜室１ａ内の各平板電極１０ａ，１０ｂ上に基材（例えばガラス基板）９をセットする。同室１ａ内を密閉し、所定の圧力（例えば０．００３Ｔｏｒｒ）まで真空排気した状態からその圧力が０．３Ｔｏｒｒに達するまでガス導入配管１６ａから原料ガス（例えばＳｉＨ４とＨ２との混合ガス）及びｐ型ドーパントガス（例えばＢ２Ｈ６）を導入するとともに、平板電極１１ａ，１１ｂに高周波電源１３ａを印加して基材９との間にプラズマを発生させる。このプラズマで前記ガスは化学反応を起こし、その結果、基材９上にｐ型アモルファスシリコン薄膜（ｐ層）が形成される。
【００５３】
このｐ層は、約５〜２０ｎｍと非常に薄いものであるが、図示の平行平板型電極を用いれば高精度の膜厚管理が可能である。
【００５４】
また、ｐ層形成後は、ｐ層成膜室１ａ内を再び真空排気して元の真空度（例えば０．００３Ｔｏｒｒ）に戻す。
【００５５】
このｐ層の形成及び真空排気は、もう一つのｐ層成膜室１ｂ内においても同時並行で（もしくはサイクルタイムをずらして）行われる。
【００５６】
２）圧力置換
予め圧力調節室２ａ内を真空排気してその圧力をｐ層形成後のｐ層成膜室内圧力（前記例では０．００３Ｔｏｒｒ）に調節しておく。この状態でゲートバルブ１４ａを開いてｐ層形成後の基材９をｐ層成膜室１ａから圧力調節室２ａ内に移し、再びゲートバルブ１４ａを閉じて圧力調節室２ａ内を密閉する。
【００５７】
次に、ガス導入配管１６ｃから圧力調節室２ａ内に不活性ガスを導入し、圧力調節室２ａ内の圧力を上流側準備室３内の圧力と略等しい圧力（例えば２００Ｔｏｒｒ）まで昇圧する。
【００５８】
この圧力置換は、もう一つの圧力調節室２ｂにおいても同時並行で（もしくはサイクルタイムをずらして）行われる。
【００５９】
３）上流側準備室搬入
圧力調節室２ａ（２ｂ）内の昇圧後、ゲートバルブ１４ｃ（１４ｄ）を開いて基材９を上流側準備室３内に移し、その後にゲートバルブ１４ｃを閉じる。この時点で、ｉ層成膜室４内が空いている場合（すなわちｉ層の成膜が行われていない場合）には、ゲートバルブ１４ｅを開いて前記基材９を直ちにｉ層成膜室４内に搬入するが、ｉ層成膜室４内が詰まっている場合（すなわちｉ層の成膜が行われている場合）には、その成膜終了及び基材搬出を待ってｉ層成膜室４内への基材９の搬入を行う。
【００６０】
４）ｉ層成膜
ｉ層成膜室４内では、その共通グランド１０ｅの両面に基材９をセットし、同成膜室４内に原料ガス（例えばＳｉＨ４とＨ２との混合ガス）及び希釈ガス（例えばＨｅ）を導入する。そして、各基材９と対向する回転電極１１ｅ，１１ｆを高速回転駆動してこれに高周波電力または直流電力を印加しながら、共通グランド１０ｅ及び両基材９を回転電極回転軸と直交する方向（図１では左から右）に所定速度で送ると、各回転電極１１ｅ，１１ｆと基材９との間に発生したプラズマに前記原料ガスが回転電極１１ｅ，１１ｆの回転によって巻き込まれ、このプラズマ生成領域で原料ガスが化学反応を起こす。その結果、既に基材９上に形成されているｐ層の上に重ねて真性アモルファスシリコン薄膜（ｉ層）が積層される。
【００６１】
このｉ層は、前記ｐ層と比べると膜厚がかなり大きいが（約４００〜６００ｎｍ）、回転電極型プラズマＣＶＤ装置では前記平行平板型プラズマＣＶＤ装置よりも数段速く成膜できるため、ｐ層成膜時間とほとんど変わらない短い時間でｉ層成膜が可能である。この回転電極型装置では前記平行平板型装置よりも膜厚管理は難しいが、上述のようにｉ層はｐ層に比べ十分厚く、さほど高い膜厚精度は要求されないので、何ら不都合は生じない。
【００６２】
成膜終了後、プラズマ放電は停止するが、反応ガスの導入は続け、所定の運転圧力（前記例では２００Ｔｏｒｒ）を保ちながら次の基材搬入を待つ。
【００６３】
５）下流側準備室搬入
下流側準備室５内の圧力は、前記ｉ層成膜室４内の圧力とほぼ等しい圧力（前記例では２００Ｔｏｒｒ）に設定しておく。そして、ゲートバルブ１４ｆを開き、ｉ層成膜が終了した基材９を下流側準備室５内に搬入してからゲートバルブ１４ｆを閉じる。この時点で、圧力調節室６ａ，６ｂのいずれかが空いている場合（すなわち基材９がない場合）、例えば圧力調節室６ａが空いている場合には、ゲートバルブ１４ｇを開いて前記基材９を直ちに圧力調節室６ａ内に搬入する。これに対し、圧力調節室６ａ，６ｂがともに詰まっている場合（すなわちｎ層の成膜が行われている場合）には、いずれかの圧力調節室での基材搬出を待ち、その基材搬出が行われた側の圧力調節室へ基材９を搬入する。以下の説明は、先に圧力調節室６ａから基材９が搬出された場合を説明する。
【００６４】
６）圧力置換
圧力調節室６ａにおいては、この圧力調節室６ａから基材９が搬出された後にガス導入配管１６ｈから不活性ガスを導入して室内圧力を下流側準備室５内の圧力（前記例では２００Ｔｏｒｒ）まで高めておく。この状態でゲートバルブ１４ｇを開いて下流側準備室５内の基材９を圧力調節室６ａ内に移し、再びゲートバルブ１４ｇを閉じて圧力調節室２ａ内を密閉する。
【００６５】
次に、圧力調節室６ａ内を真空排気し、その圧力をｎ層成膜室７ａ内の真空圧力（例えば０．００３Ｔｏｒｒ）まで下げる。
【００６６】
この圧力置換は、もう一つの圧力調節室６ｂにおいても同様である。
【００６７】
７）ｎ層成膜
ゲートバルブ１４ｉを開いてｎ層成膜室７ａ内の各平板電極１０ａ，１０ｂ上に基材（例えばガラス基板）９をセットし、再びゲートバルブ１４ｉを閉じて同室７ａ内を密閉する。このときのｎ層成膜室７内の圧力は所定の真空圧力（例えば０．００３Ｔｏｒｒ）まで下がっているが、基材９のセット後にその圧力が０．３Ｔｏｒｒになるまでガス導入配管１６ａから原料ガス（例えばＳｉＨ４とＨ２との混合ガス）及びｎ型ドーパントガス（例えばＰＨ３）を導入し、かつ、平板電極１１ｇ，１１ｈに高周波電源１３ｄを印加して基材９との間にプラズマを発生させる。このプラズマで前記ガスは化学反応を起こし、その結果、基材９のｐ層及びｉ層に重ねてｎ型アモルファスシリコン薄膜（ｎ層）が形成される。
【００６８】
また、ｎ層形成後は、ｎ層成膜室７ａ内を再び真空排気して元の真空度（例えば０．００３Ｔｏｒｒ）に戻す。
【００６９】
以上のｎ層成膜工程は、ｎ層成膜室７ｂ内においても同様に行われる。
【００７０】
このｎ層も、前記ｐ層と同様に非常に薄いものであるが（約１０〜３０ｎｍ）、上述のように平行平板型電極の適用によって高精度の膜厚管理が可能である。また、ｐ層と同様にｎ層は薄いため、所要成膜時間は長くならない。
【００７１】
従って、この成膜装置によれば、各成膜室での要求膜厚（成膜所要時間）に応じて平行平板型電極をもつプラズマＣＶＤ装置と回転電極を用いるプラズマＣＶＤ装置とを使い分けることにより、各成膜室での所要成膜時間を均等化して円滑で効率のよい流れ作業を可能としながら、各成膜室で要求される膜厚精度を満足させることができる。
【００７２】
さらに、この実施の形態では、前記膜厚差を考慮しても回転電極を用いるプラズマＣＶＤ装置の成膜速度が平行平板型電極を用いるプラズマＣＶＤ装置の成膜速度よりも数段高いことに鑑み、前記回転電極を用いる一つのｉ層成膜室４に対して平行平板型電極を用いるｐ層成膜室やｎ層成膜室を複数接続し、かつ、各ｐ層成膜室及びｎ層成膜室ごとに圧力調節室を設けるようにしているので、ｐ層成膜やｎ層成膜に要する時間あるいは圧力置換に要する時間が長いためにｉ層成膜室４を休止させなければならない時間を大幅に削減でき、このｉ層成膜室４における回転電極型プラズマＣＶＤ装置の高速成膜性能を十分に活かしてより一層のサイクルタイムの軽減ができる利点が得られる。
【００７３】
例えば、前記各ｐ層成膜室１ａ，１ｂでの成膜タイミングを当該ｐ層成膜のサイクルタイムの１／２だけずらすようにすれば、実質上、圧力置換も含めたｐ層成膜のサイクルタイムを１／２に縮めることが可能になる。一般に、一つの高速成膜室（この実施の形態ではｉ層成膜室）の上流側にｎ個の低速成膜室（この実施の形態では背ｐ層成膜室）を接続する場合、その低速成膜のサイクルタイムの１／ｎだけずらして各低速成膜を実行するようにすれば、最も効率のよい成膜ができることになる。
【００７４】
このように、一つの高速成膜室に接続する低速成膜室の個数は適宜設定可能であるが、例えば図２に示すように、共通の準備室３，５に複数の高速成膜室（ｉ層成膜室４ａ，４ｂ）を接続することも可能である。図の場合には、２つのｉ層成膜室４ａ，４ｂに対して、３つのｐ層成膜室１ａ，１ｂ，１ｃ及び圧力調節室２ａ，２ｂ，２ｃと、３つのｎ層成膜室７ａ，７ｂ，７ｃ及び圧力調節室６ａ，６ｂ，６ｃとが接続されているので、各ｐ層成膜室及びｎ層成膜室での成膜サイクルタイムがｉ層成膜室での成膜サイクルタイムの１．５倍であれば、各層の成膜がほぼ均衡して円滑に行われることになる。
【００７５】
ただし、本発明では、必ずしも一つの高速成膜室に複数の低速成膜室が接続されるものに限られない。
【００７６】
また、高速成膜室に前記のような回転電極１１ｅ，１１ｆを用いるプラズマＣＶＤ装置を用いる場合において、その成膜室内での基材９の具体的な搬送形態は問わない。例えば、図３に示すように前記共通グランド１０ｅの上下両端を送り装置１４に連結すれば、共通グランド１０ｅを基材搬送手段として兼用することが可能であり、さに、図４に示すように基材９ａ，９ｂを導電性材料からなるクランプ１９を介して送り装置１４側に把持し、これらクランプ１９を通じて基材９ａ，９ｂのアース接続を行うようにしてもよい。
【００７７】
また、図５に示すように共通グランド１０ｅの上下端近傍に固定接地板１７を対向配置してキャパシタンスを形成し、このキャパシタンスの静電容量が回転電極−基材間に形成される静電容量よりも十分大きくなるようにすれば、そのシールド作用によってプラズマ生成をより安定化させることができる。
【００７８】
あるいは、前記共通グランド１０ｅを省略して基材９を直接アースに接続するようにしてもよい。図６（ａ）に示すように２枚の基材９ａ，９ｂを背中合わせにしてプラズマ領域に通すようにすれば、２枚の基材９ａ，９ｂに対して同時に成膜を行うことが可能であるし、同図（ｂ）のように基材９単体をプラズマ領域に通して基材両面に薄膜を形成することも可能である。
【００７９】
その他、本発明は例えば次のような実施の形態を採ることも可能である。
【００８０】
（１）各成膜室で成膜する半導体薄膜としては、前記アモルファスシリコン薄膜に限らず、例えば水素化アモルファスシリコン薄膜、ＳｉＣ薄膜（ｐ層用）、ＳｉＧｅ薄膜（ｉ層用）などの他の半導体薄膜であってもよい。
【００８１】
（２）前記実施形態では、ｐ層→ｉ層→ｎ層の順に成膜を行うものを示したが、要求される膜構造によっては、ｎ層→ｉ層→ｐ層の順に成膜を行うようにしてもよい。また、ｐｉｎ成膜を複数層重ねたタンデム型の膜形成にも応用することができる。
【００８２】
（３）本発明にかかる装置は、ｐｉｎ構造をもつ太陽電池の製造に限らず、基材上に複数種の薄膜を積層形成する場合に広く適用が可能である。原則としては、厚さの大きい膜の形成に高速成膜室を、最も厚さの小さい膜の形成に低速成膜室を用いるようにすればよく、それ以外の中間厚さ膜が存在する場合には当該膜の具体的な厚さ寸法に応じて各種プラズマＣＶＤ装置を適宜使い分けるようにすればよい。
【００８３】
（４）前記実施形態では、高速成膜室の上流側、下流側の双方に低速成膜室を配置したものを示したが、高速成膜室の片側にのみ低速成膜室を配置したものでもよい。この場合、いずれの成膜室から先に成膜を行うかについても、形成すべき膜層の種類に応じて適宜設定すればよい。
【００８４】
（５）図１において、ｉ層成膜室４内の圧力Ｐと、上流側準備室３の圧力Ｐ１及び下流側準備室５の圧力Ｐ２とは厳密に同等でなくてもよく、僅かに圧力差があってもよい。この場合、Ｐ１＜Ｐ＜Ｐ２となるように各圧力を設定すれば（例えばＰ１＝１８０Ｔｏｒｒ、Ｐ２＝２００Ｔｏｒｒ、Ｐ３＝２２０Ｔｏｒｒ）、その圧力差によって、ゲートバルブ１４ｅやゲートバルブ１４ｆを開いたときにｉ層成膜室４内での回転電極１１ｅ，１１ｆの回転により基材成膜面上に形成される気流と同じ向きのガス流れ（図１では左から右に向かうガス流れ）が形成されるため、その圧力差によって前記気流が乱されるのを防ぐことができ、より安定したプラズマＣＶＤによる成膜を実現することが可能になる。
【００８５】
（６）前記上流側準備室３や下流側準備室５は適宜省略が可能である。ただし、これらの準備室を具備すれば、次の工程に進めない余剰の基材を一時的にストックしておくことができるため、より円滑な成膜の進行を実現できる利点が得られる。
【００８６】
（７）前記実施形態では、さらなるサイクルタイムの短縮を図るべく、各成膜室に２対の成膜用電極を収容したものを示したが、本発明では各成膜室における電極対の数は問わず、例えば単一対の電極を収容するようにしてもよい。
【００８７】
（８）高速成膜室に収容されるプラズマＣＶＤ装置としては、前記のような回転電極を用いた装置の他、例えば特開平６−２１４９号公報に示されるように、平行平板型電極の一方を多孔質体で構成して当該多孔室体から反応ガスを基材側に噴出させるようにしたものでも、ある程度の高速成膜を実現することができる。この場合も、その運転圧力は一般的な平行平板型プラズマＣＶＤ装置の運転圧力よりも高くなるので、本発明にかかる圧力調節室はその効果を発揮する。
【００８８】
一方、低速成膜室に収容されるプラズマＣＶＤ装置も、図例の平行平板型プラズマＣＶＤ装置に限らず、その他、磁場中でサイクロトロン運動している電子にその運動周期に共鳴する変動電場（電磁波）を印加することでプラズマの発生、維持を行うＥＣＲ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｃｙｃｒｏｔｒｏｎ  ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマＣＶＤ装置や、アルゴンガスを高周波誘導コイルによってプラズマ化するＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）ＣＶＤ装置などの適用が可能である。また、プラズマＣＶＤ装置を具備した成膜室に加え、他の手法による成膜（例えばスパッタリングやクリーニング）を行う成膜室を適宜付加することも自由である。
【００８９】
【実施例】
前記図１に示した成膜装置において、高速成膜室であるｉ層成膜室内にサイクルタイムが２．５ｍｉｎ（成膜速度２５Å／ｓｅｃで膜厚３５００Åのｉ型アモルファスシリコン膜を形成）の回転電極型プラズマＣＶＤ装置を収容し、低速成膜室であるｐ層成膜室及びｎ層成膜室にサイクルタイムが６．６ｍｉｎ（成膜速度１Å／ｓｅｃで膜厚３００Åのｐ型及びｎ型アモルファスシリコン膜を形成）の平行平板型電極を用いたプラズマＣＶＤ装置を収容するとともに、ｐ層成膜室１ａでの成膜タイミングとｐ層成膜室１ｂでの成膜タイミングとを６．６／２＝３．３ｍｉｎだけずらして各層の成膜を行った。なお、ｐ層成膜室へのガス及びその導入流量はＳｉＨ４：２００ｃｃ／ｍｉｎ、Ｂ２Ｈ６：１０ｃｃ／ｍｉｎ、Ｈ２：１０００ｃｃ／ｍｉｎであり、ｉ層成膜室へのガス及びその導入流量はＳｉＨ４：１０００ｃｃ／ｍｉｎ、Ｈ２：１００００ｃｃ／ｍｉｎ、Ｈｅ：５０００ｃｃ／ｍｉｎであり、ｎ層成膜室へのガス及びその導入流量はＳｉＨ４：２００ｃｃ／ｍｉｎ、ＰＨ３：１０ｃｃ／ｍｉｎ、Ｈ２：１０００ｃｃ／ｍｉｎである。
【００９０】
この実施例のタイムチャートを図７に示す。同図（ａ）はｐ層成膜室１ａの成膜サイクル、同図（ｂ）はｐ層成膜室１ｂの成膜サイクルを示す。
【００９１】
このような成膜を実行することにより、ｐ層成膜の実質的なサイクルタイムを３．３ｍｉｎに短縮してｉ層成膜のサイクルタイム２．５ｍｉｎに大幅に近づけることが可能となった。
【００９２】
さらに、図１に示すように各成膜室内に２対の成膜用電極を配置することにより、実質上のサイクルタイムはさらに半減されることになる。
【００９３】
【発明の効果】
以上のように本発明は、複数種の膜をプラズマＣＶＤにより積層するにあたり、低速成膜室と高速成膜室とを併用し、これら低速成膜室と高速成膜室との間に圧力調節室を介在させて、基材が前記低速成膜室、高速成膜室のいずれか一方の成膜室から前記圧力調節室を経て他方の成膜室へ移動できるようにしたものであるので、成膜室の大型化や増設を伴うことなく、複数種の膜を円滑に効率よく、しかも高精度で積層形成することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態にかかる成膜装置の断面平面図である。
【図２】  前記成膜装置の各室レイアウトの変形例を示す平面図である。
【図３】  前記成膜装置におけるｉ層成膜室内での基材搬送構造の例を示す断面正面図である。
【図４】  前記成膜装置におけるｉ層成膜室内での基材搬送構造の例を示す断面正面図である。
【図５】  前記成膜装置におけるｉ層成膜室内での基材搬送構造の例を示す断面正面図である。
【図６】  前記成膜装置におけるｉ層成膜室内での基材搬送構造の例を示す断面正面図である。
【図７】  前記成膜室における各ｐ層成膜室での成膜サイクルの一例を示すタイムチャートである。
【図８】  薄膜太陽電池の構造例を示す構成図である。
【図９】  従来の成膜装置の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ  ｐ層成膜室（低速成膜室）
２ａ，２ｂ  圧力調節室
３  上流側準備室
４  ｉ層成膜室（高速成膜室）
５  下流側準備室
６ａ，６ｂ  圧力調節室
７ａ，７ｂ  ｎ層成膜室（低速成膜室）
９  基材
１０ａ〜１０ｄ，１０ｆ〜１０ｉ  平板電極
１１ａ〜１１ｄ，１１ｇ〜１１ｊ  平板電極
１１ｅ，１１ｆ  回転電極
【図１】
0003957126.tif 000002
【図２】
0003957126.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
0003957126.tif 000007
【図７】
0003957126.tif 000008
【図８】
0003957126.tif 000009
【図９】
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