(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）ポリ（アクリル酸／メチルアクリレート）から成るフォトレジストオーバーコーティング用樹脂、（ｉｉ）溶媒および（ｉｉｉ）塩基性化合物を含むことを特徴とするフォトレジストオーバーコーティング用組成物。
【請求項２】
前記オーバーコーティング用樹脂が、水溶性ポリマーであることを特徴とする請求項１記載のフォトレジストオーバーコーティング用組成物。
【請求項３】
前記塩基性化合物の共役酸（conjugate acid）が、13以下のpKaを有することを特徴とする請求項１記載のフォトレジストオーバーコーティング用組成物。
【請求項４】
前記塩基性化合物が、窒素含有化合物であることを特徴とする請求項１記載のフォトレジストオーバーコーティング用組成物。
【請求項５】
前記塩基性化合物が、アミン化合物、アミド化合物、ウレタン化合物ならびにこれらの誘導体および塩からなる群から選択された少なくとも１種であることを特徴とする請求項１記載のフォトレジストオーバーコーティング用組成物。
【請求項６】
前記アミン化合物が、下記化学式１に示される化合物であることを特徴とする請求項５記載のフォトレジストオーバーコーティング用組成物：
＜化学式１＞
【化１】
0003978571.tif 000003
前記式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立して、水素或いは直鎖又は側鎖のＣ1〜Ｃ20のアルキル基である。
【請求項７】
前記アルキル基が、非置換のＣ1〜Ｃ20アルキル、Ｃ1〜Ｃ20ヒドロキシアルキル、Ｃ1〜Ｃ20アルキルカルボン酸、Ｃ1〜Ｃ20アミノアルキル、Ｃ1〜Ｃ20アルキルケトンおよびＣ1〜Ｃ20アルキルエステルからなる群から選択されることを特徴とする請求項６記載のフォトレジストオーバーコーティング用組成物。
【請求項８】
前記アミン誘導体が、L-プロリン、テトラアルキルアンモニウム塩およびトリ(ヒドロキシアルキル)アンモニウム塩からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項５記載のフォトレジストオーバーコーティング用組成物。
【請求項９】
前記テトラアルキルアンモニウム塩が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドまたはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドペンタヒドレートであることを特徴とする請求項８記載のフォトレジストオーバーコーティング用組成物。
【請求項１０】
前記アミン誘導体が、トリエタノールアミンであることを特徴とする請求項８記載のフォトレジストオーバーコーティング用組成物。
【請求項１１】
前記塩基性化合物が、溶媒に対し0.001乃至0.1mol％の量比で用いられることを特徴とする請求項１記載のフォトレジストオーバーコーティング用組成物。
【請求項１２】
前記溶媒が、オーバーコーティング用樹脂に対し1000乃至7000重量％の量比で用いられることを特徴とする請求項１記載のフォトレジストオーバーコーティング用組成物。
【請求項１３】
（ａ）フォトレジスト組成物を被食刻層上部に塗布してフォトレジスト膜を形成する段階；
（ｂ）前記フォトレジスト膜上に、（ｉ）ポリ（アクリル酸／メチルアクリレート）から成るフォトレジストオーバーコーティング用樹脂、（ｉｉ）溶媒および（ｉｉｉ）塩基性化合物を含むフォトレジストオーバーコーティング用組成物を塗布してオーバーコーティング膜を形成する段階；
（ｃ）露光装備を利用して前記フォトレジスト膜と前記オーバーコーティング膜を露光する段階；及び
（ｄ）前記露光されたフォトレジスト膜を現像して、所望の超微細パターンを得る段階
を備えたことを特徴とするフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１４】
前記フォトレジスト組成物が、ポリ(ｔ-ブチルビシクロ[2，2，1]ヘプト-5-エン-2-カルボキシレート／2-ヒドロキシエチルビシクロ[2，2，1]ヘプト-5-エン-2-カルボキシレート／ビシクロ[2，2，1]ヘプト-5-エン-2-カルボン酸／マレイン酸無水物)から成る樹脂を含むことを特徴とする請求項１３記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１５】
前記（ｃ）段階のｉ）露光前及び露光後に、或いはii）露光前又は露光後に、ベーク工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項１３記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１６】
前記ベーク工程が、10〜200℃で行われることを特徴とする請求項１５記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１７】
前記光源が、ArF（193nm）、KrF（248nm）、F2（157nm）、EUV（13nm）、エレクトロンビーム、X線またはイオンビームであることを特徴とする請求項１３記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１８】
請求項１３記載の方法を用いることを特徴とする半導体素子を製造する方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なフォトレジストオーバーコーティング用組成物に関し、より詳しくは、フォトレジスト樹脂の光源に対する吸光度が比較的大きい場合にも、垂直のパターンを得ることができるフォトレジストオーバーコーティング用組成物に関する。
【０００２】
【従来技術】
248nm光源（KrF）を用いる半導体微細回路製造工程では、既に150nm L/Sの微細回路が形成されており、現在は150nm未満のパターンを形成するための努力が続けられている。すなわち、より微細な回路を形成するために、ArF（193nm）、F2（157nm）、EUV（Extremely Ultraviolet；13nm）などの短波長の光源を用いる微細回路製造工程に対する研究が進行中である。しかしながら、これら波長に対して透過度が良好なフォトレジスト樹脂の開発が容易でないという問題点がある。例えば、i-ライン（365nm）及びKrF（248nm）光源とともに用いるフォトレジスト樹脂は、芳香族化合物系樹脂であるが、これらは193nmに対する吸光度があまりに大きいので、使用できない。このような理由により、芳香族化合物を含まないアクリル系或いは脂環族化合物系樹脂を用いた193nm用フォトレジストが開発されている。しかし、これら樹脂も、193nmに対する吸光度が比較的大きいために、良好なパターンを形成することが困難である。
【０００３】
図１ａは、フォトレジスト(「PR」と略記)が光源に対する吸光度を殆ど有しない場合に得られる現像後のパターンの断面形状である。この場合には、フォトレジストの上部と下部に達する光の量が殆ど同じであるため、所望する垂直な(vertical)パターンを得ることができる。しかしながら、図１ｂに示す様に、フォトレジストの光源に対する吸光度が大きいと、フォトレジストの上部に達する光の量が下部に達する光の量よりも多くなる。従って、化学増幅型フォトレジストの場合には、上部で発生した酸の量が下部より多くなるので、現像後には、図１ｂに示す様に傾斜した形状のパターンが形成されてしまう。
【０００４】
従って、上記の様な問題点を克服するために、大部分の研究は、光源に対する吸光度が小さい樹脂を開発することに重点が置かれているが、特にF2（157nm）或いはEUV（13nm）光源を用いる場合には、このような樹脂の開発は限界に達している。
【０００５】
脂環族化合物系樹脂は、露光により発生する酸によってその化学的特性が変化しなければならないが、露光により発生した酸が、露光と露光後の熱処理(post exposure baking)との間に、外部環境（environment）からのアミン汚染（amine contamination）によって消滅することにより、所望の解像度が得られない（post exposure delay effect）か、或いはT-top(T-topping)が発生するなどのアミン汚染に非常に弱い問題点を有する。特に、外部環境のアミン濃度が30ppb以上である場合には、露光と熱処理との間に遅延がなくても、パターンが全く形成されない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の主な目的は、フォトレジスト樹脂の光源に対する吸光度が比較的に大きい場合においても、垂直なパターンを形成することができるフォトレジストパターン形成技術を提供することである。
【０００７】
【課題を達成するための手段】
本発明は、フォトレジスト膜上に塗布されるオーバーコーティング用組成物に塩基性化合物を導入し、この塩基性化合物によりフォトレジスト上部で発生した酸を中和させて、外部アミンによる汚染を防止することにより、垂直なパターン形成を可能とするオーバーコーティング用組成物、およびこれを使用するフォトレジストパターン形成方法を提供する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明は、フォトレジスト樹脂の光源に対する吸光度が比較的に大きい場合にも、垂直なパターンを形成できる方法を提供する。この垂直なパターン形成という効果を達成するために、本発明は、フォトレジスト組成物上にオーバーコーティングされる材料として、アミンなどの塩基性物質を導入したオーバーコーティング用組成物を提供する。
【０００９】
より具体的には、本発明のオーバーコーティング用組成物は（ｉ）フォトレジストオーバーコーティング用樹脂と（ii）溶媒と（iii）塩基又は弱塩基機能を有する物質を含む。
【００１０】
前記オーバーコーティング用樹脂は、水溶性ポリマーであることが好ましい。本発明で使用する水溶性ポリマーは、アクリル酸、アルキルアクリレートおよびこれらの混合物の中から選択される単量体を重合させることにより、得られる、この様な水溶性ポリマーとしては、アクリル酸とアルキルアクリレートとの共重合体がより好ましい。アクリル酸-アルキルアクリレート共重合体を構成すべきアルキルアクリレートは、Ｃ1−Ｃ6アルキルアクリレートが好ましく、メチルアクリレートがより好ましい。したがって、本発明のオーバーコーティング用樹脂としては、ポリ(アクリル酸／メチルアクリレート)を用いることが最も好ましい。
【００１１】
さらに、オーバーコーティング用樹脂を溶解させる溶媒は、水性溶媒であることが好ましく、さらに具体的には水を用いることがより好ましい。
【００１２】
さらに、前記塩基性化合物は、塩基性又は弱塩基性物質であり、環式（cyclic）又は非環式（acyclic）の窒素含有化合物などの水溶性化合物が好ましい。本発明で有効に用いることができる窒素含有化合物としては、アミノ酸のようなアミン化合物；アミド化合物；ウレアのようなウレタン化合物；これら化合物の誘導体および塩；ならびにこれらの２種以上の混合物を挙げることができる。
前記塩基性化合物の共役酸（conjugate acid）は、通常約13以下のpKa、好ましくは11以下のpKa、さらに好ましくは７以下のpKa値を有する。
下記化学式１は、本発明において使用する塩基性化合物の一例を示すものである。
＜化学式１＞
【００１３】
【化２】
0003978571.tif 000002
【００１４】
前記式で、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立して、水素或いは炭素数１乃至２０のアルキル基を示す。
【００１５】
化学式１中のアルキル基は、直鎖又は側鎖の脂肪族炭化水素基である。このようなアルキル基は、ハロゲン、アルケニル、アルキニル、アリール、ヒドロキシ、アミノ、チオ、アルコキシ、カルボキシ、オキソおよびシクロアルキルから選択される１または２以上の置換基を有していても良く、或いは置換されていなくても良い。さらに、アルキル基内部に酸素、硫黄、又は置換或いは非置換された窒素原子が挿入されることもある。より具体的には、アルキル基は、非置換のアルキル基ならびにヒドロキシ、アミン及びカルボニル（ケトン、カルボン酸及びエステル）基から選択される１または２以上の基により置換されたアルキル基を含む。アルキル基としては、非置換のＣ1−Ｃ20アルキル、Ｃ1−Ｃ20ヒドロキシアルキル、Ｃ1−Ｃ20アルキルカルボン酸、Ｃ1−Ｃ20アミノアルキル、Ｃ1−Ｃ20アルキルケトン、及びＣ1−Ｃ20アルキルエステルからなる群から選択されたものが好ましい。
【００１６】
アルキル基に関して、「ヒドロキシアルキル」とは、ヒドロキシ官能基により置換されたアルキル基を意味する。「アルキルカルボン酸」とは、カルボン酸官能基により置換されたアルキル基を意味する。「アルキルケトン」とは、式-Ra-C(=O)-Rb-で示される骨格であって、RaおよびRbは、上記で定義するアルキル基を意味し、より好ましくは非置換のアルキル基を意味する。「アルキルエステル」とは、エステル官能基により置換されたアルキル基を意味する。
【００１７】
前記塩基性化合物は、アミノ酸、テトラアルキルアンモニウム塩、トリ(ヒドロキシアルキル)アンモニウム塩およびこれらの混合物の中から選択される。好ましいアミノ酸は、L-プロリン（L-proline）である。好ましいテトラアルキルアンモニウム塩は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（TMAH）およびテトラメチルアンモニウムヒドロキシドペンタヒドレートを含む。トリ(ヒドロキシアルキル)アンモニウム塩は、トリエタノールアミンを含む。
【００１８】
前記オーバーコーティング用組成物において、塩基性化合物の使用量は、溶媒に対し、通常0.001〜0.1mol％程度であり、特に好ましくは0.01mol％程度である。溶媒の使用量は、オーバーコーティング用樹脂に対し、通常1000〜7000重量％程度であり、特に好ましくは4000重量％程度である。
【００１９】
本発明のオーバーコーティング用組成物を用いることにより、垂直なパターンが得られる原理は、下記の通りであろうと推測される。
【００２０】
一般に、フォトレジスト自体の透過度が低い場合には、フォトレジスト層の上部では下部よりも多くの酸が発生する(図１ｂ参照)。これに対し、本発明では、オーバーコーティング用組成物に含まれるアミンのような塩基性化合物がフォトレジスト層中に浸透して、フォトレジスト層の下部よりも相対的に酸の量が多い上部を中和させることができる。即ち、アミンなどの塩基性化合物の浸透量は、フォトレジスト層の上部でより多くなり、下部ではより少なくなって、フォトレジスト層内に適切なアミン濃度勾配（amine gradient）が形成されるので、フォトレジストの光源に対する吸光度が大きいために発生する“傾斜したパターンを形成する傾向”という従来技術の問題点を克服できる。
【００２１】
なお、本明細書において、フォトレジスト樹脂に関して、「透過度が低い」とは、露光に使用する光の吸光度が高いために、光の大部分がフォトレジストフィルムの上部で吸収されて、フォトレジストフィルムの下部には、一部の光しか到達しない状態をいう。
【００２２】
さらに、本発明のオーバーコーティング用組成物は、適切な水準の塩基性を示すため、露光部で発生した酸が環境大気のアミン（environmental amine）により汚染されることを防止する緩衝材（buffer）として作用し、大気中のアミンによるフォトレジストの汚染を効果的に遮断することができる。さらに、オーバーコーティング用組成物に含まれる塩基性化合物が、フォトレジスト表面での酸の拡散を適切に抑制することにより、垂直なプロファイルのパターンを得ることができる。
【００２３】
本発明ではさらに、前述のオーバーコーティング用組成物を利用してフォトレジストパターンを形成する方法を提供する。この方法は、下記の段階を含む：
（ａ）フォトレジスト組成物を被食刻層上部に塗布してフォトレジスト膜を形成する段階；
（ｂ）前記フォトレジスト膜上に、（ｉ）フォトレジストオーバーコーティング用樹脂、（ii）溶媒および（iii）塩基性化合物を含むフォトレジストオーバーコーティング用組成物を塗布してオーバーコーティング膜を形成する段階；
（ｃ）露光装備を利用して前記オーバーコーティング膜を露光する段階；及び
（ｄ）前記露光されたオーバーコーティング膜を現像して、所望の超微細パターンを得る段階。
【００２４】
前記段階(a)で使用するフォトレジスト組成物としては、通常の化学増幅型フォトレジスト樹脂を含むフォトレジスト組成物を用いることができる。この様なフォトレジスト組成物としては、本発明の実施例で使用するポリ(ｔ-ブチルビシクロ[2,2,1]ヘプト-5-エン-2-カルボキシレート／2-ヒドロキシエチルビシクロ[2,2,1]ヘプト-5-エン-2-カルボキシレート／ビシクロ[2,2,1]ヘプト-5-エン-2-カルボン酸／マレイン酸無水物)を含むフォトレジスト組成物を例示することができる。
【００２５】
さらに、本発明方法は、前記(c)段階の露光前および／または露光後にそれぞれベーク工程を行う段階をさらに含むことができる。このようなベーク工程は、通常10〜200℃程度で行われる。
【００２６】
前記露光工程で用いられる光源としては、特に制限されないが、ArF(193nm)、KrF(248nm)、F2（157nm）、EUV（13nm）、エレクトロンビーム、X線、イオンビームなどがある。
【００２７】
本発明は、さらに、前述の本発明のオーバーコーティング用組成物を利用して製造された半導体素子を提供する。
【００２８】
【実施例】
以下に本発明を実施例に基づき詳しく説明する。以下の実施例は、発明を具体的に説明するためにのみ示すものであり、本発明は、下記実施例により限定されるものではない。
実施例１
吸光度測定
石英で作られたウェーハ上に、フォトレジスト樹脂として、ポリ(t-ブチルビシクロ[2,2,1]ヘプト-5-エン-2-カルボキシレート／2-ヒドロキシエチルビシクロ[2,2,1]ヘプト-5-エン-2-カルボキシレート／ビシクロ[2,2,1]ヘプト-5-エン-2-カルボン酸／マレイン酸無水物)を含むフォトレジスト（“DHA1001”、東進セミケム（株）製）をコーティングし、150℃で90秒間焼成した後、23℃に冷却した（フォトレジスト層の厚さ：1μm）。JASCO VUV 200スペクトロメーター（spectrometer）を用いて、このフォトレジスト層の透過度を測定したところ、45％の透過度を示した。
比較例１
アミン１ppbにより汚染された環境中において実施例１で使用したと同種のフォトレジストを石英ウェーハ上に0.4μmの厚さに塗布し、150℃で90秒間焼成した後、23℃に冷却した。これをArF露光装置で露光し、140℃で90秒間再び焼成した後、2.38wt％ TMAH溶液を用いて現像したところ、図２に示す様な140nmL/Sパターンを形成することができた。しかしながら、透過度が低い実施例１のフォトレジストを用いたため、全体的に傾斜が急なパターンが形成された。
比較例２
環境中の汚染アミン濃度が５ppbであること以外は前記比較例１と同じ方法でパターンを形成した結果、図３のように垂直なパターンを得ることができた。
比較例３
環境中のアミン汚染濃度が40ppbであること以外は前記比較例１と同じ方法でパターンを形成した結果、図４のように感光剤の上部が円形でかつ不揃いなパターンが形成された。
【００２９】
【比較例１〜３についての評価】
前記比較例１〜比較例３に示す結果から明らかなように、アミン濃度が低い条件では、感光剤の透過度が不良であるため、傾斜が急なパターンが形成された（図２参照）。これは、前記図１ｂに関連して説明した様に、フォトレジスト層の上部に達した光の量が多く、したがって、フォトレジスト層の上部で発生した酸の量も多いためである。
【００３０】
しかしながら、外部環境のアミン濃度が１ppbから５ppbに増加したときには、垂直なパターンを得ることができた（図３参照）。これは外部大気中のアミンがフォトレジストに浸透することにより、相対的に感光剤の上部に多かった酸を中和させるためである。もちろん、フォトレジスト層の下部にも、やはりアミンは浸透するが、上部に比べて浸透量は少ない。換言すれば、フォトレジストの吸光度が大きいことにより、発生した酸の濃度勾配（酸の量は、感光剤上部が下部よりも大きい）が外部環境から浸透したアミンの濃度勾配（塩基の量は、感光剤の上部が下部よりも大きい）により補正されるため、図３の様に垂直なパターンを得ることができるのである。
【００３１】
一方、外部大気のアミンの濃度が40ppbである場合には、浸透したアミン量が発生した酸量に比べて、あまりにも多いため、図４に示す様に、上部が凸状のパターンが形成される。
【００３２】
フォトレジスト樹脂の光源に対する透過度が不良な場合には、アミン濃度が5ppbであるときに最も良好なパターンが得られたが、実際の半導体製造工程で工場内のアミン濃度は常に変化するので、5ppbという一定値を維持しつつ、良好なパターンを得ることは不可能である。
製造例
オーバーコーティング用組成物用樹脂の合成
冷却装置が設けられた500mlの３球円形フラスコに9gのアクリル酸と1gのメチルアクリレート、50gのイソブチルメチルケトン、50gのプロピレングリコールメチルエーテルアセテートおよびAIBN0.3gを投入した後、窒素ガスを流通させながら、67℃で3時間反応させた。反応中に沈殿した高分子をエチルエーテルで洗浄した後、真空乾燥して、ポリ(アクリル酸／メチルアクリレート)樹脂を得た（重量平均分子量7200、収率54％）。
比較例４
オーバーコーティング用組成物の製造
前記製造例で製造されたポリ(アクリル酸／メチルアクリレート)樹脂5gを200gの蒸留水に溶解した後、0.20μmフィルターにより濾過して、オーバーコーティング用組成物を製造した。
実施例２
塩基が導入された本発明のオーバーコーティング用組成物の製造
L-プロリン 0.16gと前記製造例で製造されたポリ(アクリル酸／メチルアクリレート)樹脂5gとを200gの蒸留水に溶解した後、0.20μmフィルターにより濾過して、本発明のフォトレジストオーバーコーティング用組成物を製造した。
比較例５
アミン濃度が20ppbである汚染した環境において、実施例１と同種のフォトレジスト(DHA1001)を石英ウェーハ上に塗布し、110℃で90秒間焼成した後、23℃に冷却した。次いで、L-プロリンが添加されていない比較例４のオーバーコーティング用組成物を塗布し、60℃で60秒間焼成した後、冷却した。この様にしてフォトレジスト上にオーバーコーティングしたウェーハをArF露光装置により露光し、110℃で90秒間再び焼成した後、2.38wt％ TMAH溶液を用いて現像した結果、図５に示す様に、140nmL/Sパターンを形成することができた。図５から明らかな様に、生成したパターンは、図１ｂ或いは図２に示したものと同様に、傾斜した形状のパターンであった。比較例２のようにオーバーコーティング用組成物を用いなかった場合においても、アミン濃度5ppbで垂直なパターンが形成されたのに対し、本比較例では、オーバーコーティング用組成物を用いたにもかかわらず、傾斜したパターンが形成されている。これは、外部アミンの濃度が高いためでもあり、用いられたオーバーコーティング用組成物が塩基性化合物を含まないだけでなく、外部アミンがフォトレジストに浸透することを遮断することにより、フォトレジスト上部により多く発生した酸を中和させること自体を妨げるからである。
実施例３
アミン濃度が20ppbである汚染した環境において、実施例１と同種のフォトレジスト(DHA1001)をウェーハ上に塗布し、110℃で90秒間焼成した後、23℃に冷却した。次いで、L-プロリンが添加された実施例２のオーバーコーティング用組成物を塗布し、60℃の60秒間焼成した後、冷却した。このようにしてフォトレジスト層上にオーバーコーティングしたウェーハをArF露光装置を用いて露光し、110℃で90秒間再び焼成した後、2.38wt％ TMAH溶液を用いて現像した結果、図６に示す様に、140nmL/Sパターンを形成することができた。
【００３３】
図６から明らかな様に、本発明のオーバーコーティング用組成物を用いることにより、図１ａおよび図３に示すものと同様に、垂直なパターンが得られた。これは、フォトレジスト自体の透過度が低いフォトレジスト層上部において下部よりも多量の酸が発生するが（図１ｂ）、オーバーコーティング用組成物内に存在するアミンとしてのL-プロリンがフォトレジスト層中に浸透することにより、相対的に感光剤の下部よりも酸の量が多い上部を中和させるためであると推測される。換言すれば、比較例２の場合と同様に、L-プロリンの浸透によりフォトレジスト層内に適切なアミンの濃度勾配が形成され、感光剤の光源に対する吸光度が大きいため発生する“傾斜したパターンを得ることになる傾向”を克服できるのである。
【００３４】
【発明の効果】
本発明のオーバーコーティング用組成物を用いる場合には、オーバーコーティング用組成物内に含まれるアミンの様な塩基性化合物がフォトレジスト膜内に浸透して、適切なアミン濃度勾配を形成することにより、フォトレジスト層上部に多量に生成する酸を中和させることができる。従って、フォトレジスト樹脂の光源に対する吸光度が大きい場合にも、垂直のパターンを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１ａ】光源に対する吸光度が殆どないフォトレジスト樹脂を使用する場合に得られるパターンの断面形状を示す概念図である。
【図１ｂ】光源に対する吸光度が大きいフォトレジスト樹脂を使用する場合に得られるパターンの断面形状を示す概念図である。
【図２】比較例１で得られたパターンの電子顕微鏡による観察結果を示す電子化イメージ図である。
【図３】比較例２で得られたパターンの電子顕微鏡による観察結果を示す電子処理イメージ図である。
【図４】比較例３で得られたパターンの電子顕微鏡による観察結果を示す電子処理イメージ図である。
【図５】比較例５で得られたパターンの電子顕微鏡による観察結果を示す電子処理イメージ図である。
【図６】実施例３で得られたパターンの電子顕微鏡による観察結果を示す電子処理イメージ図である。
【図１ａ】
0003978571.tif 000004
【図１ｂ】
0003978571.tif 000005
【図２】
0003978571.tif 000006
【図３】
0003978571.tif 000007
【図４】
0003978571.tif 000008
【図５】
0003978571.tif 000009
【図６】
0003978571.tif 000010