(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を多段に収容する１つまたは複数のカセットを搬入出可能に所定位置に配置するカセットステーションから外部の露光装置までの間を往復するプロセスラインに沿って複数の基板を順次搬送して各基板に一連の処理を施す処理システムにおいて、
前記プロセスラインの一部をなし、基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送しながら搬送中の基板に所定の処理を施す第１の処理部と、
前記プロセスライン上で前記第１の処理部よりも下流側に設けられた第２の処理部と、
前記プロセスライン上で前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられ、前記第１の処理部から前記プロセスラインに沿って搬送されてきた基板を受け入れる第１の受け渡しユニットと、
前記第１の受け渡しユニットから水平方向に離間して前記プロセスライン上の下流側に配置され、前記第２の処理部に基板を送り出す第２の受け渡しユニットと、
前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直上に設けられた熱的処理部と、
前記基板を一時的に留め置いて保管するために前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直下に設けられた１つまたは複数のバッファユニットと、
前記第１および第２の受け渡しユニット、前記熱的処理部ならびに前記バッファユニットの間で基板を搬送する搬送手段と  を具備し、
前記バッファユニットを前記第１または第２の受け渡しユニットの介在により前記熱的処理部から空間的かつ熱的に隔離し、
各々の前記処理部が正常に動作しているときに前記搬送機構が最小限の移動範囲で前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを巡回できるように、前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを前記バッファユニットを含まないエリア内で多段に集約配置し、
前記第２の処理部または前記熱的処理部で障害が発生した際に、前記第１の処理部における処理は完遂させ、前記第１の処理部における処理の済んだ基板を前記バッファユニットに一時的に滞留させておく処理システム。
【請求項２】
前記熱的処理部が、前記第１の処理部における処理の済んだ基板を加熱処理するための加熱ユニットと、前記加熱処理の済んだ基板を冷却処理するための冷却ユニットとを有し、
前記第２の処理部において障害が発生した際には、前記加熱ユニットによる加熱処理の済んだ基板について前記冷却ユニットへの転送をキャンセルして前記バッファユニットへの転送が行われる請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
被処理基板を多段に収容する１つまたは複数のカセットを搬入出可能に所定位置に配置するカセットステーションから外部の露光装置までの間を往復するプロセスラインに沿って複数の基板を順次搬送して各基板に一連の処理を施す処理システムにおいて、
前記プロセスラインの一部をなし、基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送しながら搬送中の基板に所定の処理を施す第１の処理部と、
前記プロセスライン上で前記第１の処理部よりも下流側に設けられた第２の処理部と、
前記プロセスライン上で前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられ、前記第１の処理部から前記プロセスラインに沿って搬送されてきた基板を受け入れる第１の受け渡しユニットと、
前記第１の受け渡しユニットから水平方向に離間して前記プロセスライン上の下流側に配置され、前記第２の処理部に基板を送り出す第２の受け渡しユニットと、
前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直上に設けられた熱的処理部と、
前記基板を一時的に留め置いて保管するために前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直下に設けられた１つまたは複数のバッファユニットと、
前記第１および第２の受け渡しユニット、前記熱的処理部ならびに前記バッファユニットの間で基板を搬送する搬送手段と  を具備し、
前記バッファユニットを前記第１または第２の受け渡しユニットの介在により前記熱的処理部から空間的かつ熱的に隔離し、
各々の前記処理部が正常に動作しているときに前記搬送機構が最小限の移動範囲で前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを巡回できるように、前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを前記バッファユニットを含まないエリア内で多段に集約配置し、
前記基板の前記熱的処理部または前記第２の処理部への搬入が不可のときに、前記搬送手段が前記第１の受け渡しユニットで受け取った基板を前記バッファユニットの１つに格納する処理システム。
【請求項４】
前記熱的処理部が基板にそれぞれ熱的な処理を施す複数の熱的処理ユニットを有し、
搬入不可となった前記熱的処理部または前記第２の処理部で行われるべき処理の１つ前または複数前の工程の処理まで済ませてから前記基板を前記バッファユニットに格納する請求項３に記載の処理システム。
【請求項５】
前記搬送手段が、垂直方向に昇降可能な昇降搬送体と、前記昇降搬送体上で垂直軸の回りに旋回可能な旋回搬送体と、前記旋回搬送体上で前記基板を支持しながら水平面内で前後方向に伸縮可能な搬送アームとを含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項６】
各々の前記バッファユニットが前記基板を１枚ずつ収容可能な室を有する請求項１〜５のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項７】
前記バッファユニット内に不活性ガスの雰囲気を形成するための手段を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項８】
前記プロセスラインに沿って前記第１の処理部と前記第１の基板受け渡し部と前記搬送手段と前記第２の基板受け渡し部と前記第２の処理部とを横一列に配置してなる請求項１〜７のいずれか一項に記載の処理システム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板に一連の処理を施す多数の処理部をプロセスフローの順に概ね水平方向に並べる処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣＤ基板の大型化に対応するために、搬送ローラ等の搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を水平に搬送しながら洗浄処理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し方式の洗浄処理部や現像処理部を装備し、そのような平流し方式の処理部に合せてシステム全体をプロセスフローの順に概ね水平方向のライン上にシリアルに並べるシステム構成またはレイアウトが注目されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようなシリアルライン型のシステムでは、故障その他の障害の発生により、あるいはメンテナンス上の必要性から１箇所で処理が停止し、または滞っても、プロセスフローの上流側に位置する全ての処理部が影響を受け、それぞれの処理を停止するかスローダウンせざるを得なくなる。
【０００４】
この場合、平流し方式の処理部においては、水平搬送路に沿って配置した各種のツールが傍らを通過する基板に一連の処理を一定のタイミングで順次施すことを正常動作とするため、下流側の処理部で処理工程が滞ったことの影響で該水平搬送路上の基板を滞留させたならば、処理内容ないし処理結果が設定通りにはいかなくなり、歩留まりが低下するという不都合がある。
【０００５】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、システム内の一部でプロセスフローが滞っても上流側の処理部あるいは被処理基板の受ける影響を最小限に食い止めるようにした処理システムを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の処理システムは、被処理基板を多段に収容する１つまたは複数のカセットを搬入出可能に所定位置に配置するカセットステーションから外部の露光装置までの間を往復するプロセスラインに沿って複数の基板を順次搬送して各基板に一連の処理を施す処理システムにおいて、前記プロセスラインの一部をなし、基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送しながら搬送中の基板に所定の処理を施す第１の処理部と、前記プロセスライン上で前記第１の処理部よりも下流側に設けられた第２の処理部と、前記プロセスライン上で前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられ、前記第１の処理部から前記プロセスラインに沿って搬送されてきた基板を受け入れる第１の受け渡しユニットと、前記第１の受け渡しユニットから水平方向に離間して前記プロセスライン上の下流側に配置され、前記第２の処理部に基板を送り出す第２の受け渡しユニットと、前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直上に設けられた熱的処理部と、前記基板を一時的に留め置いて保管するために前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直下に設けられた１つまたは複数のバッファユニットと、前記第１および第２の受け渡しユニット、前記熱的処理部ならびに前記バッファユニットの間で基板を搬送する搬送手段とを具備し、前記バッファユニットを前記第１または第２の受け渡しユニットの介在により前記熱的処理部から空間的かつ熱的に隔離し、各々の前記処理部が正常に動作しているときに前記搬送機構が最小限の移動範囲で前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを巡回できるように、前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを前記バッファユニットを含まないエリア内で多段に集約配置し、前記第２の処理部または前記熱的処理部で障害が発生した際に、前記第１の処理部における処理は完遂させ、前記第１の処理部における処理の済んだ基板を前記バッファユニットに一時的に滞留させておく構成とした。
本発明の好適な一態様によれば、前記熱的処理部が、前記第１の処理部における処理の済んだ基板を加熱処理するための加熱ユニットと、前記加熱処理の済んだ基板を冷却処理するための冷却ユニットとを有し、前記第２の処理部において障害が発生した際には、前記加熱ユニットによる加熱処理の済んだ基板について前記冷却ユニットへの転送をキャンセルして前記バッファユニットへの転送が行われる。
【０００７】
本発明の第２の処理システムは、被処理基板を多段に収容する１つまたは複数のカセットを搬入出可能に所定位置に配置するカセットステーションから外部の露光装置までの間を往復するプロセスラインに沿って複数の基板を順次搬送して各基板に一連の処理を施す処理システムにおいて、前記プロセスラインの一部をなし、基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送しながら搬送中の基板に所定の処理を施す第１の処理部と、前記プロセスライン上で前記第１の処理部よりも下流側に設けられた第２の処理部と、前記プロセスライン上で前記第１の処理部と前記第２の処理部との間に設けられ、前記第１の処理部から前記プロセスラインに沿って搬送されてきた基板を受け入れる第１の受け渡しユニットと、前記第１の受け渡しユニットから水平方向に離間して前記プロセスライン上の下流側に配置され、前記第２の処理部に基板を送り出す第２の受け渡しユニットと、前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直上に設けられた熱的処理部と、前記基板を一時的に留め置いて保管するために前記第１および第２の受け渡しユニットのうちの少なくとも一方の直下に設けられた１つまたは複数のバッファユニットと、前記第１および第２の受け渡しユニット、前記熱的処理部ならびに前記バッファユニットの間で基板を搬送する搬送手段とを具備し、前記バッファユニットを前記第１または第２の受け渡しユニットの介在により前記熱的処理部から空間的かつ熱的に隔離し、各々の前記処理部が正常に動作しているときに前記搬送機構が最小限の移動範囲で前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを巡回できるように、前記熱的処理部と前記第１または第２の受け渡しユニットとを前記バッファユニットを含まないエリア内で多段に集約配置し、前記基板の前記熱的処理部または前記第２の処理部への搬入が不可のときに、前記搬送手段が前記第１の受け渡しユニットで受け取った基板を前記バッファユニットの１つに格納する構成とした。
本発明の好適な一態様によれば、熱的処理部が基板にそれぞれ熱的な処理を施す複数の熱的処理ユニットを有し、搬入不可となった前記熱的処理部または前記第２の処理部で行われるべき処理の１つ前または複数前の工程の処理まで済ませてから前記基板を前記バッファユニットに格納する。
【０００８】
本発明の処理システムにおいては、第１または第２の受け渡しユニットの直上に熱的処理部の全部が配置されるとともに、第１または第２の受け渡しユニットの直下にバッファユニットの全部が配置され、バッファユニットは熱的処理部から空間的にも熱的にもほぼ完全に隔離される。これにより、温度調整機能を装備していないバッファユニットに基板を保管しても、基板が熱的処理部から熱的な影響を受けるのを確実に回避できる。また、正常時つまりバッファユニットを利用しない間は、搬送機構が熱的処理部および第１または第２の受け渡しユニットへのアクセスのためにバッファユニットの傍らを通る必要がなく、最小限の移動範囲で巡回移動を行うので、所要の搬送スケジュールを効率よくこなすことができる。また、カセットステーションから外部の露光装置までの間を往復するプロセスラインの途中に設けられる第２の処理部または熱的処理部で障害が発生しても、あるいは前記基板の前記熱的処理部または前記第２の処理部への搬入が不可になっても、バッファユニットを機能させ、上流側に配置されている第１の処理部では実行中の処理を中断することなく完遂させる。このように、下流側の障害の影響をバッファユニットで遮断し、上流側の処理における歩留まりの低下を防ぐことができる。
【０００９】
搬送手段の好ましい一形態は、垂直方向に昇降可能な昇降搬送体と、この昇降搬送体上で垂直軸の回りに旋回可能な旋回搬送体と、この旋回搬送体上で基板を支持しながら水平面内で前後方向に伸縮可能な搬送アームとを含む構成である。かかる構成において、搬送手段は、昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部の中の任意のユニットにアクセスして基板の搬入出を行うことができる。
【００１０】
本発明の処理システムにおいて、バッファユニットは、好ましくは、基板を１枚ずつ収容可能な室を有する構成であってよく、バッファユニット内に不活性ガスの雰囲気を形成するための手段を有してもよい。本発明の処理システムでは、第１の処理部が基板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送するための搬送路と、搬送路上を搬送される基板に一連の処理を施す処理手段とを含む構成において、バッファユニットの有益性が特に高く、第１の処理部における平流し処理の不所望な中断を回避することができる。
【００１２】
【発明の詳細な説明】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１３】
図１に、本発明の適用可能な塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、システムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１４】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００１５】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００１６】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部（往路）のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部（復路）のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側（往路）のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側（復路）のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００１７】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００１８】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇにブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００１９】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。
【００２０】
具体的には、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４では、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０の上に、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が多段に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２から洗浄処理の済んだ基板Ｇを受け取るためのスペースを提供する。
【００２１】
また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０の上に、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が多段に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側へレジスト塗布処理を受けるべき基板Ｇを渡すためのスペースを提供する。
【００２２】
上流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０の室内には、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の水平搬送路（図示せず）が引き込まれている。さらに、搬送路上の基板を水平姿勢で持ち上げるための昇降可能なリフトピン（図示せず）が設けられることもある。各熱処理系のユニット（ＤＨＰ）５２，５４、（ＡＤ）５６，６６、（ＣＬ）６２，６４の室内には、基板Ｇを水平に載置して加熱する熱板（図示せず）や該熱板上で基板Ｇの受け渡しを行うための昇降可能なリフトピン（図示せず）等が設けられている。下流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０の室内には、隣の塗布プロセス部２８側からアクセス可能つまり基板搬出可能に構成された基板支持部たとえば複数個の支持ピン（図示せず）が設けられている。
【００２３】
この実施形態では、上流側および下流側の両多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８にそれぞれ１個または複数個のバッファ室（ＢＵＦ）が設けられている。より詳細には、図２に示すように、上流側パスユニット（ＰＡＳＳ）５０の下に複数個たとえば３個のバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1),６７(2),６７(3)が多段に積み重ねられるとともに、下流側パスユニット（ＰＡＳＳ）６０の下にも複数個たとえば３個のバッファユニット（ＢＵＦ）６７(4),６７(5),６７(6)が多段に積み重ねられている。各バッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)の室内には搬送機構４６から基板Ｇを搬入／搬出可能に構成された基板支持部たとえば複数個の支持ピン（図示せず）が設けられている。
【００２４】
図２において、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２５】
かかる構成の搬送機構４６は、図示しないコントローラの制御の下で、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセスして基板Ｇの搬入出を行うことが可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２６】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置（図示せず）が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。なお、該搬送装置は、第１の熱的処理部２６の下流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０にもアクセス可能になっている。
【００２７】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。
【００２８】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、塗布プロセス部２８から基板Ｇを受け取るためのパスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられるとともに、このパスユニット（ＰＡＳＳ）の上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、現像プロセス部３２へ基板Ｇを渡すためのパスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられるとともに、このパスユニット（ＰＡＳＳ）の上の冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。
【００２９】
この第２の熱的処理部３０においても、両側または片側のパスユニット（ＰＡＳＳ）の下に非常時に基板Ｇを留め置いて保管するためのバッファユニット（ＢＵＦ）が１個または複数個多段に積層配置されてよい。
【００３０】
搬送機構９０は、図示しないコントローラの制御の下で、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２の中の任意のユニットにアクセスして基板Ｇの搬入出を行うことが可能であり、両側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３１】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
【００３２】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００３３】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００３４】
図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、脱色プロセス部３４から基板Ｇを受け取るためのパスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられるとともに、このパスユニット（ＰＡＳＳ）の上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４へ基板Ｇを渡すためのパスユニット（ＰＡＳＳ）が設けられるとともに、このパスユニット（ＰＡＳＳ）の上に冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。
【００３５】
この第３の熱的処理部３６においても、両側または片側のパスユニット（ＰＡＳＳ）の下に非常時に基板Ｇを留め置いて保管するためのバッファユニット（ＢＵＦ）が１個または複数個多段に積層配置されてよい。
【００３６】
搬送機構１００は、図示しないコントローラの制御の下で、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２の中の任意のユニットにアクセス可能であり、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３７】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦＳ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦＳ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦＳ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３８】
図３に、この塗布現像処理システムにおける正常時の処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
【００３９】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００４０】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの表面にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００４１】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００４２】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで熱処理系のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６，６６の１つに移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。
【００４３】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
【００４４】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００４５】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。
【００４６】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４７】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで熱処理ユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
【００４８】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【００４９】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００５０】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００５１】
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
【００５２】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００５３】
第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００５４】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００５５】
上記のように、この塗布現像処理システムでは、各部（特に処理系の各部）が正常に動作している限りは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４からプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１８側に渡された基板Ｇが、プロセスラインＡ，Ｂに沿ってシステム内の各部を移送または転送されながら所要の各処理（ステップＳ2〜Ｓ16）を順次受けて、一定時間内にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４へ回送されるようになっている。
【００５６】
しかしながら、システム内の何処かで、特に処理部で故障その他の障害が発生したときは、プロセスフローの上流側からその障害の発生した処理部へ基板Ｇを転送または搬入できなくなる。もっとも、下流側ではライン上の基板Ｇに対して残りの全処理を完遂することができる。
【００５７】
そのようにシステム内の何処かでプロセスフローが停止し、または滞った場合、この実施形態では障害発生箇所よりも上流側に配備されているバッファ室（ＢＵＦ）が基板Ｇの一時的な留め置きないし保管に利用される。
【００５８】
たとえば、塗布プロセス部２８内で障害が発生して該プロセス部２８への基板搬入ができなくなった場合を例にとる。この場合、第１の熱的処理部２６に配備されているバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)が基板Ｇの留め置きに用いられる。
【００５９】
より詳細には、塗布プロセス部２８内で障害が発生すると、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４から洗浄プロセス部２４に対して、特にスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２に対して基板Ｇの新規搬入が止められる。この時、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、水平搬送路上で複数枚たとえば５枚の基板Ｇを所定間隔で一列に搬送しながら平流し方式の基板洗浄処理を行っており、平流し搬送を止めたならばそれらの基板Ｇを洗浄不良品にしてしまう。
【００６０】
この実施形態では、そのような洗浄不良品を出さぬように、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２においては平流し搬送中の基板Ｇに対する洗浄処理を完遂させる。したがって、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２から第１の熱的処理部２６に対しては、正常時と同じサイクルないしタイミングで洗浄済みの基板Ｇが次々と搬入される。
【００６１】
第１の熱的処理部２６において、各基板Ｇは、可能な限り通常と同じシーケンスで熱的処理を受けてからバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)のいずれかに格納される。
【００６２】
より詳細には、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２より上流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入された各基板Ｇは、加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つで脱水処理を受けてから（ステップＳ4）、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却され（ステップＳ5）、しかる後にアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６，６６の１つで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。ここまでの一連の熱的処理（ステップＳ4→Ｓ5→Ｓ6）は通常と変わらない。
【００６３】
しかし、疎水化処理の後、基板Ｇは、通常であれば冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで基板温度一定化の熱処理（ステップＳ7）を受けて、次に下流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０へ送られるべきところ、この非常事態の場面では冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４やパスユニット（ＰＡＳＳ）６０への転送をキャンセルしてバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)のいずれか１つに転送される。
【００６４】
ここで、基板温度一定化の熱処理（ステップＳ7）を敢えて省くのは、この熱処理がその直後に塗布プロセス部２８においてレジスト塗布処理が実行されることを前提とした前処理であることと、搬送機構４６のスループットないし各部間のタクト調整上の理由からである。
【００６５】
この種の塗布現像処理システムでは、一般に、同一機能の熱処理ユニットを複数（Ｎ個）設けて、それらＮ個の熱処理ユニットで同一サイクルタイムの熱処理を一定の時間ずらして並行して行わせることにより、熱処理部全体のタクトを１／Ｎに短縮して、前工程および後工程の処理タクトに合せるようにしている。たとえば、この実施形態において、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２における洗浄処理タクトが６０秒であるところ、第１の熱的処理部２６における各熱処理ユニット（ＡＤ），（ＤＨＰ），（ＣＯＬ）のサイクルタイムが１００秒前後である場合は、図２のように各熱処理ユニット（ＡＤ），（ＤＨＰ），（ＣＯＬ）をそれぞれ２台設けて５０秒前後の時間差で並列稼動させることにより、熱処理全体ないし各部のタクトを洗浄処理タクトに合せることができる。
【００６６】
このようなマルチユニット方式の熱的処理部２６において、搬送機構４６は殆ど間断なく各熱処理ユニットを一定のサイクルで巡回するように目一杯のスケジュールで忙しく動作しており、非常事態であるからといって通常の巡回動作の中に基板Ｇをバッファユニット（ＢＵＦ）へ転送する動作を割り込ませられるほどの余裕はないのが普通である。この実施形態では、上記のように最終段の熱処理工程である基板温度一定化の熱処理（ステップＳ7）をキャンセルすることで、搬送スループット上またはタクト上の支障を来すことなくバッファユニット（ＢＵＦ）への基板格納動作を実現している。
【００６７】
上記のようにして、障害発生時にスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理を受けていた最中の基板Ｇの全部（たとえば５枚）が何ら滞ることなく正常に平流しの洗浄処理を施され、かつ次段の第１の熱的処理部２６においても実質的に通常と変わらない一連の熱処理を受けてからバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)に１枚単位で格納される。
【００６８】
この実施形態では、バッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)がパスユニット（ＰＡＳＳ）５０，６０の下に多段配置され、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０，６０の上に多段配置される熱処理系ユニット（ＡＤ）５６，６６、（ＤＨＰ）５２，５４、（ＣＯＬ）６２，６４からほぼ完全に隔離されている。このため、温度調整機能をもたないバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)に基板Ｇを保管しても、それらの基板Ｇが熱処理系ユニット側から熱的な影響を受けるおそれはない。
【００６９】
また、この実施形態では、非常時、特に本例のようにプロセスフローの下流側への基板転送を止めるときは、上記のように最終段の熱処理工程である基板温度一定化の熱処理（ステップＳ7）とパスユニット（ＰＡＳＳ）６０への転送とをキャンセルするので、バッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)に基板Ｇを格納する搬送工程を増やしても、搬送機構４６の負担は重くはならない。むしろ搬送機構４６は、上記のように正常時の方が、目一杯のスケジュールで各熱処理ユニットを忙しく巡回して動作する。
【００７０】
この点、この実施形態では、全てのバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)がパスユニット（ＰＡＳＳ）５０，６０の下に多段重ねで配置され、全ての熱処理系ユニット（ＡＤ）５６，６６、（ＤＨＰ）５２，５４、（ＣＯＬ）６２，６４がパスユニット（ＰＡＳＳ）５０，６０の上に多段重ねで配置されている。このため、バッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)にアクセスする必要のない正常時において、搬送機構４６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０，６０の上に集約配置された熱処理系ユニット（ＡＤ）５６，６６、（ＤＨＰ）５２，５４、（ＣＯＬ）６２，６４を最小限の移動範囲で巡回して所要の搬送スケジュールを効率良くこなすことができる。
【００７１】
また、この実施形態では、上流側に接続するパスユニット（ＰＡＳＳ）５０と下流側に接続するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０とが搬送機構４６を挟んで互いに独立しており、上流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０ないし搬送路と下流側のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０ないし搬送路とを同じ高さに設定することも異なる高さに設定することも自由である。
【００７２】
ところで、第１の熱的処理部２６内でも何処かで故障その他の障害が発生する場合がある。たとえば、アドヒージョンユニット（ＡＤ）５６で熱板が故障して使用不可になった場合を例にとる。
【００７３】
この場合、他方のアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６の単独または片肺運転に切り換えることで、タクトが長く（遅く）なるもののシステムの継続運転は可能である。しかし、第１の熱的処理部２６においてタクトを切り換えた直後も、上流側のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２からは障害発生時に平流し搬送中の基板Ｇの全部を一掃するまで通常タクトで洗浄済みの基板Ｇが搬入されてくる。この場面でも、第１の熱的処理部２６では、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２から受け取った基板Ｇを熱処理の前または合間にバッファユニット（ＢＵＦ）６７(1)〜６７(6)に一時的に留め置くことで、タクトの補償または調整を行うことができる。
【００７４】
第２および第３の熱的処理部３０，３６でも、第１の熱的処理部２６と同様な機能および作用が得られる。これらの熱的処理部２６，３０，３６間で上記のような基板の留め置きを連携させることも独立させることも可能である。バッファユニット（ＢＵＦ）は上記のようなシステム障害が発生した場合に限らず、必要に応じて種々の場面で活用されてよい。
【００７５】
この実施形態において、バッファユニット（ＢＵＦ）は正面の開口した筐体で構成できるが、開閉扉またはシャッタを設けることも可能である。また、室内に不活性ガスたとえば窒素ガスの雰囲気を形成することも可能である。その場合、たとえばユニット筐体の後背部から窒素ガスを導入し、多孔板を介して窒素ガスの均一な流れと雰囲気を形成してよい。また、上記した実施形態では、１つのバッファユニット（ＢＵＦ）に基板Ｇを１枚格納したが、複数枚格納可能なユニット構成とすることも可能である。
【００７６】
本発明の処理システムは上記したような塗布現像処理システムに適用して好適であるが、システム構成やシステム要素において種々の変形が可能であり、たとえば成膜装置やエッチング装置等を含むインライン型システムにも適用可能である。本発明における被処理基板は、被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、カラーフィルタや半導体ウエハ等の各種の被処理基板が含まれる。
【００７７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の処理システムによれば、システム内の一部でプロセスフローが滞っても上流側の処理部あるいは被処理基板の受ける影響を最小限に食い止めることが可能であり、処理効率および品質の向上をはかれる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態による塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】上記塗布現像処理システムにおける正常時の処理の手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１０    塗布現像処理システム
１４（Ｃ／Ｓ）    カセットステーション
１６（Ｐ／Ｓ）  プロセスステーション
１８（Ｉ／Ｆ）  インタフェースステーション
２４    洗浄プロセス部
２６    第１の熱的処理部
２８    塗布プロセス部
３０    第２の熱的処理部
３２    現像プロセス部
３６    第３の熱的処理部
４２（ＳＣＲ）    スクラバ洗浄ユニット
４４，４８（ＴＢ）  多段ユニット部
４６    搬送機構
５２，５４（ＤＨＰ）  加熱ユニット
５６，６６（ＡＤ）  アドヒージョンユニット
６２，６４    冷却ユニット
６７(1)〜６７(6)    バッファユニット
【図１】
0003911624.tif 000002
【図２】
0003911624.tif 000003
【図３】
0003911624.tif 000004