(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体の上に、軟磁性膜、Ｃｏ系磁性膜が順に形成されてなる磁気記録媒体において、
前記非磁性支持体と前記軟磁性膜との間に、前記軟磁性膜を（１００）面配向させる制御膜が形成され、
前記軟磁性膜と前記Ｃｏ系磁性膜との間に、Ｃｒ系非磁性膜を設けてなることを特徴とする面内磁気記録媒体。
【請求項２】
前記制御膜として、Ｃｒを主成分とする非磁性膜またはＮｉＡｌが形成されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記軟磁性膜の膜厚と飽和磁束密度の積を、前記Ｃｏ系磁性膜の膜厚と残留磁化密度の積の１０〜８０％とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、磁気ディスク装置に適用される磁気記録媒体に関し、特に、磁気記録媒体の膜構成に関する。
【０００２】
【従来技術】
情報処理技術の発達に伴い、コンピュータの外部記憶装置に用いられる磁気ディスク装置の大容量化が求められている。そのためには、記録媒体である磁気ディスクの高記録密度化が必要である。磁気ディスクの記録密度を向上させるための１つの特性として、高いＳ／Ｎが挙げられる。
【０００３】
面内磁気記録媒体においては、再生波形のパルス幅ｐｗ５０は、媒体の静磁気特性である保磁力Ｈｃ、残留磁化Ｍｒ、磁性膜の膜厚ｔとの間に以下のような関係があることが知られている。
【０００４】
ａ∝（ｔ×Ｍｒ／Ｈｃ）1/2 
Ｐｗ５０＝（２（ａ＋ｄ）2 ＋（ａ／２）2 ）1/2 
ここで、ｄは磁気スペーシングを表す。
【０００５】
基本的には、パルス幅が狭いほど、高記録密度媒体として適している。よって、高い記録密度を得るためには、上式における「ａ」は小さいほうが好ましい。ａを小さくするには、ｔＭｒはできるだけ小さく、保磁力Ｈｃはできるだけ大きいことが望ましい。
【０００６】
磁性層のｔＭｒを小さくすることは、媒体ノイズの低減にもつながるため、磁気記録媒体の高記録密度化の要求に伴い、媒体のｔＭｒは小さくなる一途をたどっている。
【０００７】
しかし、媒体のｔＭｒが小さくなるに伴い、磁化の熱揺らぎが起きやすくなり、記録された信号が時間とともに低下する現象が生じる。
【０００８】
熱揺らぎを避けるために、キーパー層と呼ばれる高透磁率を有する軟磁性膜が、非磁性層を介して磁性膜の上層または下層に形成された磁気記録媒体が米国特許第５０４１９２２号に開示されている。このキーパー層には、磁性膜５に記録されたビットパターンの鏡像が形成され、記録状態でビット境界の反磁界が低減し、磁化が安定する。そのため、熱揺らぎに対して耐性が高いという利点がある。
【０００９】
また、米国特許第５８３０５９０号および５８７０２６０号には、上述のキーパー層が設けられた磁気記録媒体から信号を読み出すための最適な磁気ヘッドが開示されており、磁気ヘッドでバイアス磁界を形成し、キーパー層を飽和させることにより信号を読み出す。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、磁性膜の上層にキーパー層を形成する構造においては、磁気ヘッドと磁性膜との間の距離が拡大するため、良好なＳ／Ｎは得られない。また、単純に、磁性膜の下層に軟磁性膜が形成される構造においては、磁性膜のＣ軸の面内配向性が劣化してしまい、記録再生時の分解能の低下、および媒体ノイズが増大する原因となる。
【００１１】
また、信号の読出に用いられる一般的なＭＲヘッドやＧＭＲヘッドにおいて、センス電流を流すことによって発生する磁界は極めて小さく、キーパー層を十分に飽和させることは不可能であり、信号の読出は困難である。
【００１２】
そこで、本発明の第１の目的は、高記録密度に適した磁気記録媒体を提供することである。
【００１３】
本発明の第２の目的は、Ｓ／Ｎの高い磁気記録媒体を提供することである。
【００１４】
本発明の第３の目的は、磁性膜の面内配向性が良好な磁気記録媒体を提供することである。
【００１５】
本発明の第４の目的は、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドによる読み出しが可能な磁気記録媒体を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すため、本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体の上に、軟磁性膜、Ｃｏ系磁性膜が順に形成されてなる磁気記録媒体において、非磁性支持体と前記軟磁性膜との間に、軟磁性膜を（１００）面配向させる制御膜が形成される。この構造によると、キーパー層を設けたことによる熱揺らぎ耐性が高いという利点を生かしつつ、磁性膜のＣ軸の面内配向性が良好で保磁力が大きい磁気記録媒体が得られる。制御膜としては、Ｃｒを主成分とする材料またはＮｉＡｌに代表されるＢ２構造を持つ材料が選ばれる。
【００１７】
好ましくは、軟磁性膜のｔＢｓをＣｏＣｒ系磁性膜のｔＢｒの１０％〜８５％にする。これにより、Ｓ／Ｎが高められるとともに、一般的なＧＭＲヘッドやＭＲヘッドによる信号の読出が可能となる。
【００１８】
前記支持体と前記軟磁性膜との間に設けられるＣｒ系非磁性膜の厚さは、３ｎｍ以上であることが望ましい。これにより、面内配向性、保磁力は最適な値を示す。
【００１９】
前記軟磁性膜としては、ＦｅＡｌＳｉを主成分とする材料が好ましく、このとき、軟磁性膜の膜厚が０．５〜５．５ｎｍ、もしくは軟磁性膜の飽和密度Ｂｓとこの軟磁性膜の膜厚ｔの積が５〜６０Ｇ・μｍでるであることにより、高いＳ／Ｎが得られる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施の形態における磁気ディスクの断面図である。
【００２１】
磁気ディスク１０は、非磁性の支持体（基板）１の上に、Ｃｒ系第一下地膜２、軟磁性膜３、Ｃｒ系第二下地膜４、Ｃｏ系磁性膜５、およびＣ系保護膜６が順に積層されている。
【００２２】
以下に、磁気記録媒体１０を構成する各膜について説明する。
【００２３】
支持体（基板）１は非磁性体からなり、円盤状の形状を有する。支持体１を構成する材料としては、ＮｉＰメッキが施されたアルミニウム（アルミニウム合金を含む）ディスク、ガラス（強化ガラスも含む）ディスク、表面酸化膜を有するシリコンディスク、ＳｉＣディスク、カーボンディスク、プラスチックディスク、セラミックディスク等を包含する。なお、本発明の実施においては、ＮｉＰメッキが形成されたアルミニウムディスクを使用するのが特に有利であり、以下の説明においてもこれを中心にして説明することにする。
【００２４】
支持体１は、ＮｉＰメッキが円周方向に沿ってテクスチャー処理が施されるのが好ましい。これにより、磁性膜５の面内配向性を高めることができる。支持体１のサイズは、所望とする媒体の種類や適用先の磁気ディスク装置等に応じて決められ、一般的には、直径が１インチ〜３．５インチ、厚さは０．５ｍｍ〜１．０ｍｍである。
【００２５】
第一下地膜２は、クロムを主成分とする非磁性金属材料からなり、具体的な材料としては、クロムのみを主成分とする金属材料、或いは、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ等のクロム合金が挙げられる。なお、第一下地膜２として、Ｃｒ系非磁性膜の替わりに、米国特許第５，６９３，４２６号に開示されるようなＢ２構造を持つ材料を用いてもよい。この米国特許では、Ｂ２構造を持つ材料として、ＮｉＡｌ，ＡｌＣｏ，ＦｅＡｌ，ＦｅＴｉ，ＣｏＦｅ，ＣｏＨｆ，ＣｏＺｒ，ＮｉＴｉ，ＣｕＢｅ，ＣｕＺｎ，ＡｌＭｎ，ＡｌＲｅ，ＡｇＭｇ，Ａｌ2 ＦｅＭｎ2 等が挙げられており、第一下地膜２として採用できる。なお、本実施の形態では、第一下地膜２として、ＣｒＭｏを用いる。
【００２６】
第一下地膜２は、例えば、マグネトロンスパッタ法により成膜される。第一下地膜２は、２００°Ｃ程度の基板温度、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、１００〜５００ＶのＤＣバイアス電圧の条件下で成膜されるのが好ましい。マグネトロンスパッタ法に代わる他の成膜法として、例えば、蒸着法、イオンビームスパッタ法が挙げられる。第一下地膜２の膜厚は、媒体の高保磁力化、および磁性膜５の面内配向性を高めるために、３ｎｍ以上のに設定されるのが好ましい。
【００２７】
軟磁性膜３は、高い透磁率を有し、磁性膜５に記録されたビットパターンの鏡像を形成し、ビット境界の反磁界を低減させて、磁化を熱的に安定させる機能を持つ。軟磁性膜３を構成する材料としては、ＦｅＡｌＳｉ、ＣｏＴａＺｒ等を含むものが挙げられる。
【００２８】
軟磁性膜３は、例えば、マグネトロンスパッタ法により成膜される。軟磁性膜３は、２００°Ｃ程度の基板温度、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、１００〜５００ＶのＤＣバイアス電圧の条件下で成膜されるのが好ましい。マグネトロンスパッタ法に代わる他の成膜法として、例えば、蒸着法、イオンビームスパッタ法が挙げられる。軟磁性膜３の膜厚は、媒体のＳ／Ｎを高めるために、０．５〜５．５ｎｍであるのが望ましい。あるいは、膜厚と飽和磁束密度の積が５〜６０Ｇ・μｍとなるのが望ましい。
【００２９】
第二下地膜４は、クロムを主成分とする非磁性金属材料からなり、具体的な材料として、クロムのみを主成分とする金属材料、或いは、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ等のクロム合金が挙げられる。なお、本発明の実施においては、第二下地膜４として、第一の下地膜２と同様に、ＣｒＭｏを用いるのが特に有利である。
【００３０】
第二下地膜４は、例えば、マグネトロンスパッタ法により成膜される。第二下地膜４は、２００°Ｃ程度の基板温度、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、１００〜５００ＶのＤＣバイアス電圧の条件下で成膜されるのが好ましい。マグネトロンスパッタ法に代わる他の成膜法として、例えば、蒸着法、イオンビームスパッタ法が挙げられる。第一下地膜２の膜厚は、磁性膜５の面内配向性を高めるために、１ｎｍ以上のに設定されるのが好ましい。
【００３１】
磁性膜５は、円周方向を磁化容易方向とし、かつＣｏを主成分として含有する任意の磁性金属材料（合金）から構成される。具体的には、例えば、ＣｏＮｉ系合金、ＣｏＣｒ系合金等で構成され、ＣｏＣｒ系合金で構成するのが特に好ましい。更に、磁性層５は、このような２成分系合金にその他の元素、例えばＰｔ、Ｔａ、Ｎｂ、などが追加された三元系合金、四元系合金あるいは五元系合金から形成されてもよく、むしろこのような多元合金から形成したほうが特性的に有利である。
【００３２】
上述の磁性層５は、例えば、上記した各膜の成膜と同様、マグネトロンスパッタ法によって成膜される。適当な成膜条件として、例えば、約１５０〜３００℃の成膜温度、約１〜１０（ｍＴｏｒｒ）のＡｒガス圧力、そして約８０〜４００ＶのＤＣ負バイアスを挙げることができる。また、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。磁性層５の膜厚は、１０〜２５ｎｍが好ましい。
【００３３】
保護膜４は、カーボン単体、またはカーボンを含む化合物からなり、例えば、ＷＣ、ＳｉＣ、Ｂ4 Ｃ、水素含有カーボンや、高い硬度を有する点で注目されているダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）が挙げられる。保護膜４は、マグネトロンスパッタ法等のスパッタ法により成膜されるのが好ましく、適当な成膜の条件としては、例えば、２０°Ｃ〜１００°Ｃの成膜温度、１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力が挙げられる。また、スパッタ法に代えて他の成膜法、例えば、蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。保護膜４の膜厚は、種々の要因に依存し、広い範囲内で決定されるが、好ましくは、５ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００３４】
また、保護膜４の上に、必要に応じて潤滑膜が形成されてもよい。潤滑膜は、フロロカーボン樹脂系の材料からなり、膜厚０．５ｎｍ〜２ｎｍを有する。潤滑膜７は、上記材料を含有する溶液中に媒体１を浸すことにより、記媒体に潤滑剤の膜が形成される。膜厚は、溶液中の材料の濃度や媒体を溶液から引き上げる速さに依存する。
【００３５】
本実施の形態の磁気ディスクは、磁気ディスク装置の記憶媒体として用いられる。以下の、その磁気ディスク装置について説明する。
【００３６】
図２および図３は、磁気ディスクに対して記録再生を行なう磁気ヘッドを示し、図２は、磁気ヘッドの側断面図であり、図３は、図２の線分Ｂ−Ｂにそった断面図である。
【００３７】
図２および図３に示されるように、磁気ヘッドは、情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部１１、情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部１１を持つ。記録ヘッド部１１は、ＮｉＦｅ等からなる下部磁極（上部シールド層）１３と、一定間隔をもって下部磁極１３と対向したＮｉＦｅ等からなる上部磁極１４と、これらの磁極１３及び１４を励磁し、記録ギャップ部分にて、磁気記録媒体に情報の記録を行わせるコイル１５等から構成される。
【００３８】
再生ヘッド部１２は、好ましくはＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等でもって構成されるものである。再生ヘッド部１２の磁気抵抗効果素子部１２Ａ上には、磁気抵抗効果素子部１２Ａにセンス電流を供給するための一対の導体層１６が記録トラック幅に相応する間隔をもって設けられている。ここで、導体層１６の膜厚は、磁気抵抗効果素子部１２Ａの近傍部分１６Ａが薄く形成され、他の部分１６Ｂは厚く形成されている。磁気抵抗効果素子部１２Ａに流されるセンス電流は、一般的には、３〜１５ｍＡである。
【００３９】
図２及び図３の構成では、導体層１６の膜厚が、磁気抵抗効果素子部１２Ａの近傍部分１６Ａで薄くなっているため、下部磁極（上部シールド層）１３等の湾曲が小さくなっている。このため、磁気記録媒体に対向する記録ギャップの形状もあまり湾曲せず、情報の記録時における磁気ヘッドのトラック上の位置と読み出し時における磁気ヘッドのトラック上の位置に多少ずれがあっても、磁気ディスク装置は正確に情報を読み出すことができる。そのため、許容されるオフトラック量が小さいにもかかわらず読み出しの誤差が生じるという事態を避けることができる。
【００４０】
一方、導体層１６の膜厚が、磁気抵抗効果素子部１２Ａの近傍以外の部分１６Ｂでは厚く形成されているため、導体層１６の抵抗を全体として小さくすることもでき、その結果、磁気抵抗素子部１２Ａの抵抗変化を高感度で検出することが可能になり、Ｓ／Ｎ比が向上し、また、導体層１６での発熱も避けることができ、発熱に起因したノイズの発生も防げる。
【００４１】
上記したような磁気抵抗効果型の磁気ヘッドは、その多数個を薄膜技術を用いてセラミック製ヘッド基板上に形成した後、ヘッド基板をヘッド毎に切り出し、所定の形状に加工することによって製造することができる。
【００４２】
図４および図５は、磁気ディスク装置を示す図であり、図４は、カバーが取り外された状態における本発明の磁気ディスク装置の平面図であり、図５は、図４の線分Ａ−Ａに沿った断面図である。
【００４３】
これらの図において、磁気ディスク１０は、ベースプレート５１上に設けられたスピンドルモータ５２によって駆動される。本実施形態においては、磁気ディスクは３枚備えられている。
【００４４】
アクチュエータ５３は、ベースプレート５１上に回転可能に支持される。アクチュエータ５３の一端には、磁気ディスク１０の記録面と平行な方向に延びる複数のヘッドアーム５４が形成されている。ヘッドアームの一端には、スプリングアームが取り付けられる。スプリングアーム５５のフレクシャー部にスライダ４０が図示されない絶縁膜を介して取り付けられている。アクチュエータ５３の他端には、コイル５７が取り付けられている。
【００４５】
ベースプレート５１上には、永久磁石及びヨークによって構成された磁気回路５８が設けられ、磁気回路５８の磁気ギャップ内に、上記コイル５７が配置される。そして、磁気回路５８とコイル５７とによってヴォイスコイルモータ（ＶＣＭ）が構成される。また、ベースプレート５１の上部はカバー５９で覆われている。
【００４６】
以下に、上記磁気ディスク装置の動作を説明する。磁気ディスク１０が停止しているときは、スライダ４０は磁気ディスク１０の退避ゾーンに接触して停止している。次に、磁気ディスク１０がスピンドルモータ５２によって回転されると、磁気ディスク１０の回転に伴って発生する空気流によって、スライダ４０はディスク面から僅かな隙間をもって浮上する。スライダが浮上している状態でコイル５７に電流が流れると、コイル５７に推力が発生し、アクチュエータ５３が回転する。そして、スライダ４０が磁気ディスク１０の所定のトラック上に移動し、データの読み出しや書き込みを行う。
【００４７】
【実施例】
本実施例では、断面が図１に示される磁気ディスクを以下に説明する条件に基づいて作製した。
実施例１
１．磁気ディスクの作製
無電解メッキＮｉＰ膜でコートされたアルミディスク１の表面に、テクスチャ処理を施した後、図１に示されるように、ＣｒＭｏ第一下地膜２、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３、ＣｒＭｏ第二下地膜４、ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜５、Ｃ保護膜６を順次成膜し、磁気ディスクＡを作製した。
【００４８】
また、比較対象として、図６に示されるような、ＮｉＰメッキが形成されたアルミディスク１上に、ＣｒＭｏ下地膜を介さずに、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３、ＣｒＭｏ第二下地膜４、ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜５、Ｃ保護膜６が順次成膜された磁気ディスクＢも作製した。
【００４９】
磁気ディスクＡおよび磁気ディスクＢの成膜にあたっては、マグネトロンスパッタ法が用いられ、成膜前にスパッタ室内を３×１０-7Ｔｏｒｒ以下に排気した後、アルゴンガスを導入してスパッタ室内を５×１０-6Ｔｏｒｒに保持し、基板温度２００°Ｃの状態で成膜した。なお、磁気ディスＡについては、ＣｒＭｏ第一下地膜２、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３、およびＣｒＭｏ第二下地膜３の膜厚を変えた複数のサンプルが作製された。
２．磁気ディスクの評価
まず、磁気ディスクＡにおける面内保磁力（Ｈｃ）のＣｒＭｏ第一下地膜２の膜厚依存性を測定した。また、ＣｒＭｏ第一下地膜２の膜厚が０におけるＨｃを検証すべく、磁気ディスクＢのＨｃも測定した。Ｈｃの測定にあたっては、日立電子株式会社製の面内Ｋｅｒｒ効果測定装置（Ｒ０１７００）が用いられた。結果は図７に示される。
【００５０】
図７に示されるように、ＣｒＭｏ第一下地膜２を介してＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３を形成することにより、面内配向性が良くなり、大きなＨｃが得られることが分かる。また、特に、ＣｒＭｏ第一下地膜２の膜厚は、３ｎｍ以上に設定することにより、より良好な特性が得られることも分かる。
【００５１】
図８（ａ）は、磁気ディスクＡ（ＣｒＭｏ第一下地膜２の膜厚２０ｎｍ、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３の膜厚５ｎｍ、ＣｒＭｏ第二下地膜４の膜厚３０ｎｍ、ＣｏＣｒＰｔＴａＰｔ磁性膜の膜厚２２ｎｍ）におけるＸ線解析プロファイルを示し、図８（ｂ）は、磁気ディスクＢ（ＣｒＭｏ第一下地膜２が無いことを除き、各膜の膜厚は磁気ディスクＡと同一）におけるＸ線解析プロファイルを示す。Ｘ線解析の測定には、理学株式会社製のＸＲＤ装置が用いられた。
【００５２】
図８（ａ）に示されるように、磁気ディスクＡにおいては、Ｃｏ（１１０）面が観測され、面内配向性が良好であることが分かる。また、ＦｅＡｌＳｉ（１００）と平行であるＦｅＡｌＳｉ（２００）が観測されている。一方、図８（ｂ）に示されるように、磁気ディスクＢにおいては、Ｃｏ（００２）面が観測され、面内配向性が劣化していることが分かる。
【００５３】
図８（ａ）に示される結果は、ＮｉＰメッキが施されたアルミディスク１上で（１００）配向しやすいＣｒＭｏ第一下地膜２の形成により、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３の配向面も（１００）に制御され、更に、その上層のＣｒＭｏ第二下地膜４も（１００）面配向し、その結果、ＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜５のＣ軸の面内配向性が改善されたことに起因する。このとき、結晶構造的には、第二下地膜４の（１１０）面間隔とＣｏ系磁性膜５の（００２）面の間隔はほぼ等しく、第一下地膜２、軟磁性膜３および第二下地膜４の格子定数もほぼ等しい。
【００５４】
ＣｒＭｏ第一下地膜の膜厚は、３ｎｍ以上であることにより、Ｓ／Ｎの面でも最適な特性が得られる。第一下地膜の材料としては、Ｃｒ系合金の替わりに、結晶学的にＣｒに近い構造のＮｉＡｌが用いられても同様の効果が得られる。また、軟磁性膜の材料として、ＦｅＡｌＳｉの替わりに、ＦｅＮｉ軟磁性膜が用いられても同様の効果があると考えられる。
【００５５】
図９は、磁気ディスクＡにおけるＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜の膜厚に対するＰｗ５０の関係を示すグラフである。同図より、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３の膜厚が厚いほど、Ｐｗ５０が低減されることが分かる。パルス幅が狭いほど、高密度記録に適する。Ｐｗ５０が低減する原因は、前述のように、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜により、ビット境界での反磁界が低減されたためと考えられる。
【００５６】
図１０は、磁気ディスクＡにおけるＳ／ＮのＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜依存性を示すグラフである。図１０より、ＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３の膜厚ｔが０．５〜５．５ｎｍ、もしくは、ｔとＡｌＳｉ軟磁性膜３の飽和磁束密度Ｂｓの積が５〜６０Ｇ・μｍであるときに、所望のＳ／Ｎ（１５ｄＢ）以上が得られることが分かる。この値は、上層に形成されるＣｏＣｒＰｔＴａＰｔ磁性膜５の膜厚ｔと飽和磁化密度Ｂｒの積ｔＢｒの１０％〜８５％に相当する。
【００５７】
図１１は、磁気ディスクＡにおけるＨｃのＣｒＭｏ第二下地膜厚依存性を示すグラフである。図１１より、ＣｒＭｏ第二下地膜の膜厚が大きくなるにつれて、Ｈｃも大きくなり、約１ｎｍ以上の範囲において、Ｈｃの増加が緩やかになるのが分かる。この結果より、ＣｒＭｏ第二下地膜の膜厚は１ｎｍ以上が好ましいといえる。
【００５８】
図１２は、磁気ディスクＡにおけるＳ／ＮｍのＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜５のｔＢｒ依存特性を示すグラフである。磁気ヘッドとしてＭＲヘッドやＧＭＲヘッドの使用を前提とすると、１５ｄＢ以上のＳ／Ｎｍが要求される。この要求を満たすには、ｔＢｒは、３０〜９０Ｇ・μｍの範囲内にあることが望ましい。なお。スパッタ法を用いたＣｏＣｒＰｔＴａ磁性膜の成膜においては、基板温度を１６０〜３００°Ｃにすることにより、高いＳ／Ｎｍが得られる。
【００５９】
実施例２
１．磁気ディスクの作製
磁気ディスクＡにおけるＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜をＣｏＴａＺｒ軟磁性膜に置き換えた磁気ディスクＣを作製した。
【００６０】
また、比較対照として、磁気ディスクＢにおけるＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜をＣｏＴａＺｒ軟磁性膜に置き換えた磁気ディスクＤを作製した。
【００６１】
磁気ディスクＣおよび磁気ディスクＤの成膜にあたっては、マグネトロンスパッタ法が用いられ、成膜前にスパッタ室内を３×１０-7Ｔｏｒｒ以下に排気した後、アルゴンガスを導入してスパッタ室内を５×１０-6Ｔｏｒｒに保持し、基板温度２００°Ｃの状態で成膜した。なお、磁気ディスＣについては、ＣｒＭｏ第一下地膜２の膜厚を変えた複数のサンプルが作製された。
２．磁気ディスクの評価
磁気ディスクＣにおける面内保磁力（Ｈｃ）のＣｒＭｏ第一下地膜２の膜厚依存性を測定した。また、ＣｒＭｏ第一下地膜２の膜厚が０におけるＨｃを検証すべく、磁気ディスクＤのＨｃも測定した。Ｈｃの測定にあたっては、日立電子株式会社製の面内Ｋｅｒｒ効果測定装置（Ｒ０１７００）が用いられた。結果は図１３に示される。
【００６２】
図１３に示されるように、ＣｒＭｏ第一下地膜２を介してＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜３を形成することにより、面内配向性が良くなり、大きなＨｃが得られることが分かる。また、特に、ＣｒＭｏ第一下地膜２の膜厚は、１ｎｍ以上に設定することにより、より良好な特性が得られることも分かる。
【００６３】
【発明の効果】
以上のように、本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体の上に、軟磁性膜、Ｃｒ系下地膜、Ｃｏ系磁性膜が順に形成されており、このうち、軟磁性膜をＣｒ系非磁性膜或いはＮｉＡｌを介して支持体上に形成される。これにより、磁性膜の良好な面内配向性、および高い保磁力が得られる。更に、高いＳ／Ｎも得られ、磁気記録媒体の高記録密度化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気ディスクの断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における磁気ヘッドの側断面図である。
【図３】図２に示される磁気ヘッドの線分Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図４】本発明の実施の形態における磁気ディスク装置の平面図である。
【図５】図３に示される磁気ディスク装置の線分Ａ−Ａにそった断面図である。
【図６】比較対象の磁気ディスクの断面図である。
【図７】軟磁性膜としてＦｅＡｌＳｉが用いられる磁気ディスクにおける面内保磁力のＣｒＭｏ第一下地膜厚依存性を示すグラフである。
【図８】磁気ディスクのＸ線解析プロファイルを示すグラフである。
【図９】Ｐｗ５０のＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜厚依存特性を示すグラフである。
【図１０】磁気ディスクにおけるＳ／ＮのＦｅＡｌＳｉ軟磁性膜厚依存性を示すグラフである。
【図１１】面内保磁力のＣｒＭｏ第二下地膜厚依存性を示すグラフである。
【図１２】磁気ディスクにおけるＳ／ＮｍのｔＢｒ依存性を示すグラフである。
【図１３】軟磁性膜としてＣｏＴａＺｒが用いられる面内保磁力のＣｒＭｏ第一下地膜厚依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
１・・・非磁性支持体
２・・・Ｃｒ系第一下地膜
３・・・軟磁性膜
４・・・Ｃｒ系第二下地膜
５・・・磁性膜
６・・・保護膜
１０…磁気ディスク
【図１】
0003864637.tif 000002
【図２】
0003864637.tif 000003
【図３】
0003864637.tif 000004
【図４】
0003864637.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003864637.tif 000007
【図７】
0003864637.tif 000008
【図８】
0003864637.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0003864637.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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