(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と、出力端子と、前記入力端子及び前記出力端子間に接続される直列腕ＳＡＷ共振器と、前記入力端子及び前記直列腕ＳＡＷ共振器とに接続される第１の並列腕ＳＡＷ共振器と、前記直列腕ＳＡＷ共振器及び前記出力端子とに接続される第２の並列腕ＳＡＷ共振器とを備えたフィルタ用２端子対回路と、前記第１及び第２の並列腕ＳＡＷ共振器と接続されインダクタンス成分及び抵抗成分を有する第１のボンディングワイヤと、前記第１の並列腕ＳＡＷ共振器及び第１のノードと接続されインダクタンス成分及び抵抗成分を有する第２のボンディングワイヤと、前記第２の並列腕ＳＡＷ共振器及び前記第１のノードと接続される第２のノードと接続されインダクタンス成分及び抵抗成分を有する第３のボンディングワイヤとを備えたインピーダンス用２端子対回路とを有することを特徴とする有極型弾性表面波フィルタ。
【請求項２】
前記インダクタンス成分が１ｎＨの場合、抵抗成分は０．２０〜１．２０Ωであることを特徴とする請求項１記載の有極型弾性表面波フィルタ。
【請求項３】
前記インダクタンス成分が０．５ｎＨの場合、抵抗成分は０．１０〜０．６０Ωであることを特徴とする請求項１記載の有極型弾性表面波フィルタ。」
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話等の小型移動体通信機器において、弾性表面波（ＳＡＷ）共振器を用いた梯子型構成の帯域通過形フィルタに関し、特に、減衰帯域で高減衰量を有し、且つ通過帯域で低挿入損を持つ有極型ＳＡＷフィルタに関する。
【０００２】
【従来技術】
近年、小型で、軽量な携帯電話などの移動体通信機器端末の開発が急速に進められてきている。これに伴い、用いられる部品の小型化、高性能化が行われている。これに対応してＳＡＷフィルタを用いたＲＦ（ラジオ周波数帯）部品が開発され、用いられている。特に、このＳＡＷフィルタはＲＦ部の小型化に大きく貢献するデバイスのため、活発に開発が行われ、一部実用化されている。
【０００３】
移動体通信機器端末の性能向上のため、通過帯域の更なる低挿入損失化及び減衰帯域の高減衰量化された高性能ＳＡＷフィルタが要望されている。
【０００４】
この高性能ＳＡＷフィルタは移動体通信機器端末における信号の分岐、生成の入力、出力部に用いられている。
【０００５】
この高性能ＳＡＷフィルタを構成する、従来の梯子型ＳＡＷフィルタは「ＳＡＷ共振器を用いた低損失帯域フィルタ：佐藤他４名  電子情報通信学会論文誌Ａ．ｖｏｌ．Ｊ７６−Ａ、Ｎｏ．２、ｐｐ２４５−２５２、１９９３」に示されている。
【０００６】
また、高性能フィルタとして有極用インダクタンスＬ（３３０）を付加した、図１２に示されている有極用フィルタが用いられている。
【０００７】
図１２は従来の３個の直列腕Ｓ１（３１０）、Ｓ２（３１１）、Ｓ３（３１２）および２個の並列腕Ｐ１（３２０）、Ｐ２（３２１）からなる梯子型ＳＡＷフィルタの２端子対回路１（３８０）に、直列に有極用インダクタンスＬ（３３０）を備えた２端子対回路２（３８１）を接続した回路構成図である。
【０００８】
図１２に示す有極型ＳＡＷフィルタは特開平１０−１６３８０８号公報に示す如く、通過帯域の高域側減衰帯域に、従来の梯子型ＳＡＷフィルタ特性に加えて、有極用インダクタンスＬ（３３０）により、減衰極を形成する。この減衰極により、通過帯域の高域側減衰特性において、一応高減衰特性が得られるようになっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
最近の移動体通信機器端末の性能向上のため、通過帯域において更なる低挿入損失化および通過帯域の低域減衰域において高減衰量化された高性能ＳＡＷフィルタが要望されている。この高性能化ＳＡＷフィルタは従来のボンディングワイヤーを用いて、検討されているがまだ満足する特性は得られていないのが現状である。
【００１０】
従来の、携帯電話等の移動体通信端末機器において、通信帯域の高域側減衰帯域において、一応高減衰特性を持つ、有極型ＳＡＷフィルタは上記図１２に示されている。
【００１１】
このことから、高域側減衰帯域に形成する減衰極が必要な場合は上記図１２の回路が用いられ、この図１２の有極用インダクタンスＬ（３３０）には従来のボンディングワイヤーが用いられていた。
【００１２】
この例では、従来のボンディングワイヤーをインダクタンスＬとして用いて、このＬ値により減衰極周波数を変化させ、特性を変えて一応高減衰化しているが、しかし満足する特性はまだ得られていない。
【００１３】
また、低域側減衰帯域に高減衰特性の要求が課せられ、減衰極を形成する必要がある場合も従来のボンディングワイヤーが用いられている。これに対応する有極型ＳＡＷフィルタとしては梯子型ＳＡＷフィルタの並列腕の従来のボンディングワイヤーを用いて、通過帯域の低域側減衰帯域の減衰極周波数を調整したフィルムが用いられていたがこの場合も要求される特性は満足されていなかった。
【００１４】
携帯電話等の移動体通信端末機器において、通過帯域の低域側減衰帯域および高域側減衰帯域において高減衰特性を持つ、有極型ＳＡＷフィルタが求められている。これに対応する有極型ＳＡＷフィルタとしては、従来のボンディングワイヤーをインダクタンスとして用いて、通過帯域の低域側減衰帯域において減衰極周波数を形成し、この減衰極周波数を変えて、フィルタの特性を高減衰量化した有極型ＳＡＷフィルタが用いられていたが要求される特性は満足されなかった。
【００１５】
本発明の目的は、上記問題点に鑑み、通過帯域の更なる低挿入損失化および通過帯域の低域減衰域において高減衰量化された高性能ＳＡＷフィルタを提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために下記の解決手段を採用する。
（１）有極型弾性表面波フィルタにおいて、入力端子と、出力端子と、前記入力端子及び前記出力端子間に接続される直列腕ＳＡＷ共振器と、前記入力端子及び前記直列腕ＳＡＷ共振器とに接続される第１の並列腕ＳＡＷ共振器と、前記直列腕ＳＡＷ共振器及び前記出力端子とに接続される第２の並列腕ＳＡＷ共振器とを備えたフィルタ用２端子対回路と、前記第１及び第２の並列腕ＳＡＷ共振器と接続されインダクタンス成分及び抵抗成分を有する第１のボンディングワイヤと、前記第１の並列腕ＳＡＷ共振器及び第１のノードと接続されインダクタンス成分及び抵抗成分を有する第２のボンディングワイヤと、前記第２の並列腕ＳＡＷ共振器及び前記第１のノードと接続される第２のノードと接続されインダクタンス成分及び抵抗成分を有する第３のボンディングワイヤとを備えたインピーダンス用２端子対回路とを有することを特徴とする。
（２）上記（１）記載の有極型弾性表面波フィルタにおいて、前記インダクタンス成分が１ｎＨの場合、抵抗成分は０．２０〜１．２０Ωであることを特徴とする。
（３）上記（１）記載の有極型弾性表面波フィルタにおいて、前記インダクタンス成分が０．５ｎＨの場合、抵抗成分は０．１０〜０．６０Ωであることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図に基づいて詳細に説明する。
【００１８】
（第１実施例）
図１は本発明の第１実施例の回路構成を示す図である。
【００１９】
第１実施例は、図１に点線で示すように、２段π形梯子型ＳＡＷフィルタからなるフィルタ用２端子対回路１（１８０）に、抵抗Ｒ11とインダクタンスＸ11の直列接続有極用インピーダンスＺ11（１４０）を用いた２端子対回路２（１８１）を直列に接続して構成する。
【００２０】
即ち、入力端ＩＮ（１０３）と出力端ＯＵＴ（１０４）との間に直列腕Ｓ１（１１０）を直列接続し、該直列腕Ｓ１（１１０）の両端にそれぞれ並列腕Ｐ１（１２０）、Ｐ２（１２１）を並列に接続して構成して２段π形梯子型ＳＡＷフィルタとする。
【００２１】
インピーダンス用２端子対回路２（１８１）は有極用インピーダンスＺ11（１４０）からなる。インピーダンスＺ11（１４０）はＲ11＋ｊＸ11で構成される。
【００２２】
インピーダンス用２端子対回路２（１８１）は低域側減衰帯域の極周波数を有極用インピーダンスＺ11の実数部Ｒ11と虚数部Ｘ11で変化可能に構成していることが本発明の特徴である。
【００２３】
図２は本発明の第１実施例を説明するための図１の集中定数等価回路を示す図である。
【００２４】
図３は本発明の第１実施例の特性と構成素子の関係を示す為の図２の二等分回路の集中定数等価回路を示す図である。
【００２５】
図２の集中定数等価回路は、インピーダンス２ＺＳ11の直列腕Ｓ１（４１０）、それぞれインピーダンスＺＦ1の並列腕Ｐ１（４２０）およびＰ２（４２１）からなるπ型フィルタの２端子対回路に、直列に、２Ｒ11＋ｊ２Ｘ11のインピーダンスＺ11（４４０）からなる２端子対回路を接続して構成する。
【００２６】
図３の二等分等価回路は、入力端ＩＮ（５６０）と先端Ｍ２（５７０）の間に直列腕ＺＳ11（５１０）を接続し、入力端ＩＮ（５６０）と入力端Ｅ１（５６１）との間にインピーダンスＺＦ1の並列腕（５２０）とＲ11＋ｊＸ11のインピーダンス５４０）とを直列に接続し、前記並列腕ＺＦ1（５２０）とインピーダンスＺ11（５４０）との接続点を先端Ｍ３（５７２）に接続している。
【００２７】
図３において、先端Ｍ２（５７０）、先端Ｍ３（５７２）および先端Ｅ２（５７１）を開放した場合の入力インピーダンスをＺ1、先端Ｍ２（５７０）、先端Ｍ３（５７２）および先端Ｅ２（５７１）を短絡した場合の入力インピーダンスをＺ2とするとＺ1、Ｚ2はそれぞれ式（１）、式（２）で与えられる。
【００２８】
【式１】
0003913558.tif 000002
【００２９】
図４は、本発明の第１実施例の格子型等価回路である。
【００３０】
第１実施例の特性はＺ1、Ｚ2を用いて、図１の回路を図４の格子型回路へ等価回路変換することにより評価できる。この場合のＦマトリクス（４端子行列〔Ｆ〕）は式（３）で与えられる。
【００３１】
【式２】
0003913558.tif 000003
【００３２】
従って、動作伝送係数Ｓは式（３）からＳ＝（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）／２であるから、式（４）を用いて評価される。
【００３３】
【式３】
0003913558.tif 000004
【００３４】
減衰特性α（ω）は式（５）で与えられる。
【００３５】
【式４】
0003913558.tif 000005
【００３６】
式（４）、式（５）から、減衰特性α（ω）の減衰極周波数は次の場合となる。
【００３７】
従来の梯子型ＳＡＷフィルタの場合、インピーダンス（Ｚ2）および（Ｚ1）が無限大およびゼロの条件で、減衰極が形成されることが知られている。
【００３８】
本発明は上記の条件に加えて、Ｚ2＝Ｚ1の場合も減衰極周波数が形成されることが特徴であり、しかも有極用インピーダンスＺ11（１４０）が実数部と虚数部を持っていることである。
【００３９】
これに対し、従来のボンディングワイヤーはインダクタンスのみで虚数部のみの場合となる。即ち、本発明は実数部でも減衰特性を変えることが可能となることである。
【００４０】
以下、Ｃｄｍａ−ＯＮＥ用ＳＡＷフィルタを例にとり、本発明の有用性を説明する。
【００４１】
表１には図１を構成する各直列腕、並列腕の共振器の構成を示す。
【００４２】
【表１】
0003913558.tif 000006
【００４３】
表２に本発明の有用性を示す。
【００４４】
【表２】
0003913558.tif 000007
【００４５】
従来、高減衰量特性を得る手法として、上記公知文献に示した如く有極用インダクタンスＬとしてボンディングワイヤーを用いて、減衰帯域に減衰極を形成して対応していた。
【００４６】
即ち、抵抗値が無視できてインダクタンスのみがインピーダンスとして作用する従来のボンディングワイヤーを用いて減衰帯域に減衰極を形成していた。
【００４７】
これに対し、本発明は、表２に示す如く、前記従来のボンディングワイヤーのインピーダンスに加え、少なくとも抵抗成分を増加増加することにより、通過帯域の特性は不変で、減衰極周波数および減衰特性を変えることを可能として、高減衰特性を得るようにしたものである。
【００４８】
本発明のボンディングワイヤーは、前記従来のボンディングワイヤーのインピーダンスに加え、少なくとも抵抗成分を増加した線としたものである。これらインピーダンスの設定は下記で説明する関係に設定する。
【００４９】
まず、本発明のボンディングワイヤーを以下図６〜図９に基づいて説明する。
【００５０】
図６は本発明の有極用インピーダンス例１の構成図である。
【００５１】
図７は本発明の有極用インピーダンス例１の等価回路を示す図である。
【００５２】
図８は本発明の有極用インピーダンス例２の構成図である。
【００５３】
図９は本発明の有極用インピーダンス例２の等価回路を示す図である。
【００５４】
図６は本発明のボンディングワイヤーを用いた線有極用インピーダンスの実施例である。本発明のボンディングワイヤーを接続線１０２として、圧電基板１００側電極１とパッケージ１０１側電極２を接続する。
【００５５】
図７は、図６の等価回路を表し、圧電基板１００側電極１と接続する電極１１２（１１０）と、パッケージ１０１側電極２と接続する電極１１３（１１１）とを、抵抗Ｒ11とインダクタンスＬ11との直列回路で接続する等価回路となる。即ち、本発明のボンディングワイヤーからなる接続線１０２のインピーダンスがＲ11＋ｊωＬ11となることを表している。
【００５６】
また、インピーダンスの無効成分を調節できるようにした実施例を図８に示す。
本発明のボンディングワイヤーを接続線（１）１２６および接続線（２）１２７として、圧電基板１２０側電極（１）とパッケージ１２１側電極（２）とパッケージ１２２側電極（３）を接続する。さらに、無効成分調整用に、パッケージ１２１側電極（２）とパッケージ１２２側電極（３）の間に、本発明のボンディングワイヤーと関係ない通常の抵抗値が無視できる接続線（Ｃ１）１２４および接続線（Ｃ２）１２５を介して、キャパシタンス用基板１２３を接続する。
【００５７】
図９は、図８の等価回路を表し、
圧電基板１２０側電極１と接続する電極１３３（１３０）と、パッケージ１２１側電極２と接続する電極１３４（１３１）とを、抵抗Ｒ11とインダクタンスＬ11との直列回路で接続する等価回路とし、
パッケージ１２１側電極２と接続する電極１３４（１３１）と、パッケージ１２２側電極３と接続する電極１３５（１３２）とを、抵抗Ｒ12とインダクタンスＬ12との直列回路で接続する等価回路とし、
同じく、パッケージ１２１側電極２と接続する電極１３４（１３１）と、パッケージ１２２側電極３と接続する電極１３５（１３２）とを、通常の抵抗値が無視できる接続線を介してキャパシタンスＣ12を接続する等価回路となる。即ち、電極１３３（１３０）と電極１３４（１３１）の間をＲ11＋ｊωＬ11の回路で接続し、電極１３４（１３１）と電極１３５（１３２）の間を、Ｒ12＋ｊωＬ12の回路と１／ｊωＣ12の回路とでそれぞれ接続する等価回路となる。
【００５８】
以上図６〜図９を用いて説明したようにして本発明の有極用インピーダンスが構成される。
【００５９】
表２の１−１は、有極インピーダンスＺ11が、インダクタンスＬ≒１（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒをパラメータとしたときの通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が１９．０（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ特性値を表す。
【００６０】
表２の１−２は、有極インピーダンスＺ11が、インダクタンスＬ≒０．５（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒをパラメータとしたときの通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が２４．０（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ特性値を表す。
【００６１】
図１１は本発明のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈを説明する図である。
【００６２】
なお、上記「Ａｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈ」は、図１１に示すように、通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が所定値以下で連続する間隔をいう。「所定値」は通過帯域の減衰値に対し低域側減衰帯域の減衰値が実行上十分に減衰する値をいう。現状、傾向としては狭い範囲で大きく減衰する特性ではなく前記Ａｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈが十分に採れる特性になる。
【００６３】
（第１実施例の抵抗の範囲）
通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値およびＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値は、実行レベルでの十分な値を設定する。そのとき条件を確実にクリアする好ましい抵抗値範囲は以下のようになる。
【００６４】
・Ｌ≒１（ｎＨ）の場合の抵抗の範囲は０．２０（Ω）〜１．２０（Ω）。
【００６５】
・Ｌ≒０．５（ｎＨ）の場合の抵抗の範囲は０．１０（Ω）〜０．６０（Ω）。
【００６６】
（第１実施例の効果）
以上説明したように、第１実施例は、通過帯域の低域側減衰帯域において、高減衰量特性を有する。
【００６７】
通過帯域の低域側減衰帯域において、減衰帯域内に減衰極を設けて、高減衰特性を実現するために従来から有極用インダクタンスＬとしてボンディングワイヤーを用いて対応していたが、満足する特性は得られなかった。
【００６８】
これに対して、本発明の第１実施例は、上記従来の梯子型ＳＡＷフィルタの特性に比較して、極周波数を形成する２端子対回路に実数部を有するインピーダンスを用いて、ボンディングワイヤー等のインピーダンスと共に抵抗成分の実数部により、高減衰特性を得ることにより、必要な特性を得ることができる。
【００６９】
（第２実施例）
図５は本発明の第２実施例の構成図である。
【００７０】
この第２実施例においては、フィルタ用２端子対回路１（１８０）は前記第１実施例と同じ回路構成の２段π形梯子型ＳＡＷフィルタで構成し、インピーダンス用２端子対回路２（１８１）は３個のインピーダンスを用いたπ形回路で構成する。この３個の各インピーダンスＺ21（２４１）、Ｚ22（２４２）、Ｚ23（２４３）はそれぞれ抵抗ＲとインダクタンスＸで構成されている。
【００７１】
即ち、フィルタ用２端子対回路１（１８０）は、１個の直列腕Ｓ１（２１０）、２個の並列腕Ｐ１（２２０）、Ｐ２（２２１）でπ型回路を構成している。
【００７２】
インピーダンス用２端子対回路２（１８１）は、Ｒ1＋ｊＸ1の有極用インピーダンスＺ21（２４１）、Ｒ2＋ｊＸ2の有極用インピーダンスＺ22（２４２）、およびＲ3＋ｊＸ3の有極用インピーダンスＺ23（２４３）で、π型回路を構成している。
【００７３】
低域側減衰帯域の極周波数が有極用インピーダンスＺ21、Ｚ22およびＺ23の実数部Ｒと虚数部Ｘにより、高減衰特性を得ることが本発明の特徴である。
【００７４】
図５の第２実施例の各共振器の構成は第１実施例と同じ構成となる。表３に示す。
【００７５】
【表３】
0003913558.tif 000008
【００７６】
下記式（８）のＺ1、Ｚ2は下記式（６）、式（７）で与えられる。
【００７７】
【式５】
0003913558.tif 000009
【００７８】
従って、動作伝送係数Ｓは式（６）から式（７）を用いて評価される。
【００７９】
【式６】
0003913558.tif 000010
【００８０】
第２実施例の減衰特性は式（６）、式（７）を式（８）に入れて求められる。即ち、第１実施例との相違点は、２端子対回路２にπ型回路構成を用いたことにより、式（６）、式（７）から、式（８）に入れて求められる。これにより極周波数は式（８）の分母がゼロになる周波数となり、従来のものと異なり、減衰特性が高減衰特性になる。
【００８１】
以下、Ｃｄｍａ−ＯＮＥ用フィルタの周波数帯域を例にとり、表４を参照して本発明の有用性を説明する。表４には図５を構成する各直列腕、並列腕の共振器を示す。
【００８２】
表４の２−１の上段は、有極インピーダンスＺ21、Ｚ22およびＺ23が、インダクタンスＬ１〜Ｌ３≒０．５（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒをパラメータとしたときの通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が１５．５（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ特性値を表す。
【００８３】
表４の２−１の下段は、有極インピーダンスＺ21、Ｚ22およびＺ23が、インダクタンスＬ１およびＬ３≒０．５（ｎＨ）に略一定、インダクタンスＬ２≒０．２（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒをパラメータとしたときの通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が２２．０（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ特性値を表す。
【００８４】
表４の２−２の上段は、有極インピーダンスＺ21、Ｚ22およびＺ23が、インダクタンスＬ１〜Ｌ３≒１．０（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒをパラメータとしたときの通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が１５．５（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ特性値を表す。
【００８５】
表４の２−２の中段は、有極インピーダンスＺ21、Ｚ22およびＺ23が、インダクタンスＬ１およびＬ３≒１．０（ｎＨ）に略一定、インダクタンスＬ２≒０．２（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒをパラメータとしたときの通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が２４．１（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ特性値を表す。
【００８６】
表４の２−２の下段は、有極インピーダンスＺ２１、Ｚ２２およびＺ２３が、インダクタンスＬ１およびＬ３≒１．０（ｎＨ）に略一定、インダクタンスＬ２≒０．５（ｎＨ）に略一定で、抵抗Ｒをパラメータとしたときの通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が１７．２（ｄＢ）のＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値、該有極ＳＡＷフィルタのＱ特性値を表す。
【表４】
0003913558.tif 000011
【００８７】
（第２実施例の抵抗の範囲）
通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値およびＡｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈ（ＭＨｚ）の値は、実行レベルでの十分な値を設定する。そのとき条件を確実にクリアする好ましい抵抗値範囲は以下のようになる。
【００８８】
・Ｌ≒１（ｎＨ）の場合の抵抗の範囲は０．２０（Ω）〜１．２０（Ω）。
【００８９】
・Ｌ≒０．５（ｎＨ）の場合の抵抗の範囲は０．１０（Ω）〜０．６０（Ω）。
【００９０】
従来、高減衰量特性を得る手法として、上記先行文献に示されるように有極用インダクタンスＬとしてボンディングワイヤーを用いて、減衰帯域に減衰極を形成して対応していた。
【００９１】
本発明の第２実施例は、ボンディングワイヤーに加えて、抵抗成分を用いることにより、通過帯域の特性は不変で、減衰極周波数および減衰特性を変えることが可能になり、高減衰特性が得られる。特に、減衰特性の改善は著しく、２０（ｄＢ）帯域幅を広帯域化することができる。
【００９２】
（有機型ＳＡＷフィルタの減衰量幅と抵抗の関係）
図１０は、本発明の表２および表４の特性をまとめたグラフである。
【００９３】
特性曲線▲１▼は、前記表２の１−１を表す。
【００９４】
特性曲線▲２▼は、前記表２の１−２を表す。
【００９５】
特性曲線▲３▼は、前記表４の２−１・上段を表す。
【００９６】
特性曲線▲４▼は、前記表４の２−２・下段を表す。
【００９７】
特性曲線▲５▼は、前記表４の２−２・上段を表す。
【００９８】
特性曲線▲６▼は、前記表４の２−２・中段を表す。
【００９９】
特性曲線▲７▼は、前記表４の２−２・下段を表す。
【０１００】
上記それぞれの特性曲線の点ａ、ａ’、ｂ、ｂ’、ｃ、ｃ’、ｄ、ｄ’、ｅ、ｅ’、ｆ、ｆ’、ｇ、ｇ’は、前記通過帯域の低域側減衰帯域の減衰値が所定値以下で連続する間隔をいうときの「所定値」を意味し、上記好ましい範囲を含む有効範囲を意味する。
【０１０１】
有極インダクタンスＬ≒０．５（ｎＨ）の場合、抵抗範囲は０．１（Ω）〜０．６（Ω）が良品の条件となる。
【０１０２】
有極インダクタンスＬ≒１．０（ｎＨ）の場合、抵抗範囲は０．１（Ω）〜１．２（Ω）が良品の条件となる。
【０１０３】
有極インピーダンスは、インダクタンスＬの値が増加するに応じて、抵抗範囲が広くなる傾向を有する。
【０１０４】
これらの特性曲線に基づいてインダクタンスと抵抗の関係を選択することができる。
【０１０５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、通過帯域の低域側減衰帯域において、高減衰量特性を有する。
【０１０６】
本発明は、従来の梯子型ＳＡＷフィルタの特性に比較して、極周波数を形成する２端子対用回路に実数部を有するインピーダンスを用いて、ボンディングワイヤー等のインピーダンスと共に抵抗成分の実数部により、高減衰特性を得ることにより、必要な特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例の回路構成を示す図である。
【図２】本発明の第１実施例を説明するための図１の集中定数等価回路を示す図である。
【図３】本発明の第１実施例の特性と構成素子の関係を示す為の図２の二等分回路の集中定数等価回路を示す図である。
【図４】本発明の第１実施例の格子型等価回路である。
【図５】本発明の第２実施例の構成図である。
【図６】本発明の有極用インピーダンス例１の構成図である。
【図７】本発明の有極用インピーダンス例１の等価回路を示す図である。
【図８】本発明の有極用インピーダンス例２の構成図である。
【図９】本発明の有極用インピーダンス例２の等価回路を示す図路である。
【図１０】本発明の表２および表４の特性をまとめたグラフである。
【図１１】本発明の「Ａｔｔｅｎｎａｔｉｏｎ  ｗｉｄｔｈ」を説明する図である。
【図１２】従来の３個の直列腕Ｓ１（３１０）、Ｓ２（３１１）、Ｓ３（３１２）および２個の並列腕Ｐ１（３２０）、Ｐ２（３２１）からなる梯子型ＳＡＷフィルタの２端子対回路１（３８０）に、直列に有極用インダクタンスＬ（３３０）を備えた２端子対回路２（３８１）を接続した回路構成図である。
【符号の説明】
Ｓ１（１１０）、Ｓ１（２１０）、Ｓ１（４１０）、Ｓ１（５１０）    直列腕Ｐ１（１２０）、Ｐ２（１２１）、Ｐ１（４２０）、Ｐ２（４２１）、Ｐ１（５２０）、Ｐ１（２２０）、Ｐ２（２２１）    並列腕
Ｚ11（１４０）、Ｚ21（２４１）、Ｚ22（２４２）、Ｚ23（２４３）、Ｚ11（４４０）、Ｚ11（５４０）      有極用インピーダンス
ＺＳ11（５１０）、ＺＦ1（５２０）、ＺＦ1（４２０）、ＺＦ1（４２１）、ＺIN（５００）、Ｚ1（６１０）、Ｚ2（６２０）  インピーダンス
Ｃ12    キャパシタンス
Ｌ11、Ｌ12、Ｘ11、Ｘ1、Ｘ2、Ｘ3    インダクタンス
Ｒ11、Ｒ12、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3    抵抗
１１２、１１３、１３３、１３４、１３５    電極
１    圧電基板側電極
２、３    パッケージ側電極
１００、１２０    圧電基板
１０１、１２１、１２２    パッケージ
１０２、１２４、１２５、１２６、１２７    接続線
１０３、５６０    入力端ＩＮ
１０４    出力端ＯＵＴ
１２３    キャパシタンス用基板
１８０    フィルタ用２端子対回路１
１８１    インピーダンス用２端子対回路２
５６１    入力端Ｅ１
５７０    先端Ｍ２
５７１    先端Ｅ２
５７２    先端Ｍ３
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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