(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非処理面側に薄膜層が形成されたウエハ状の被処理物を、筒状枠体及びベース板により上下から挟んで保持することにより、前記被処理物の処理面を内底面とした処理室を構成するエッチングポットを用い、その処理室内にエッチング液を供給して前記被処理物のエッチングを行うようにしたエッチング方法であって、
前記ベース板は前記被処理物の非処理面との間に気密空間が形成されるように構成されると共に、
前記被処理物をその非処理面を保護する保護膜を設けた状態でエッチングポットにセットし、
前記気密空間に高圧気体を供給して、前記被処理物が前記エッチング液から受ける圧力よりも一定圧力以上大きな圧力となるように該被処理物の非処理面を加圧しながら前記被処理物に薄肉部が形成されるまでエッチング処理を実行するとともに、
前記一定圧力以上大きな圧力は、前記薄肉部に亀裂が生じた場合に、前記保護膜が当該被処理物の非処理面に押付けられて、前記エッチング液の漏れが当該保護膜で封止される圧力であることを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】
前記高圧気体として窒素ガスを用いることを特徴とする請求項１記載のエッチング方法。
【請求項３】
前記保護膜は、前記被処理物の非処理面に対するレジスト膜の形成あるいは保護シートの貼付により設けられることを特徴とする請求項１又は２記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記気密空間に高圧気体を供給して、前記被処理物が前記エッチング液から受ける圧力よりも一定圧力以上大きな圧力となるようになされる該被処理物の非処理面への加圧は、
高圧気体供給源からの気体の圧力をオリフィスにより減圧する圧力室と、液体が貯留される槽と、基端側が前記圧力室の低圧側に接続され先端が前記槽内の液体中に開口する第１のバランス管とを備え、前記第１のバランス管の先端開口部の液体中の深さ位置によって前記気密空間に供給する気体の圧力を調整することによりなされることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項５】
非処理面に保護膜が設けられたウエハ状の被処理物の処理面に対し、エッチング液を用いたエッチング処理を行うエッチング装置であって、
前記被処理物を筒状枠体及びベース板により上下から挟んで保持することにより該被処理物の処理面を内底面とした処理室を構成すると共に、その保持状態で前記ベース板と被処理物の非処理面との間に気密空間が形成されるエッチングポットと、
高圧気体供給源と、
この高圧気体供給源からの気体の圧力を所定圧力に調整して前記気密空間に供給する圧力調整装置とを具備し、
前記圧力調整装置は、前記高圧気体供給源からの気体の圧力をオリフィスにより減圧する圧力室と、液体が貯留される槽と、基端側が前記圧力室の低圧側に接続され先端が前記槽内の液体中に開口する第１のバランス管とを備え、前記第１のバランス管の先端開口部の液体中の深さ位置によって前記気密空間に供給する気体の圧力を調整することを特徴とするエッチング装置。
【請求項６】
前記圧力調整装置には、基端側が前記圧力室の高圧側に接続され先端が前記槽内の液体中に開口する第２のバランス管が設けられていることを特徴とする請求項５記載のエッチング装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載のエッチング装置を用いて、非処理面側に薄膜層を有するウエハに対し、その処理面の所定領域を前記薄膜層を残すように局所的にエッチング処理して薄膜センサを製造するための方法であって、
前記ウエハの薄膜層上に保護膜を設ける工程と、
前記ウエハをエッチングポットに保持させ、処理室内にエッチング液を供給すると共に、気密空間内に所定圧力の高圧気体を供給しながら処理面のエッチング処理を行う工程と、
エッチング処理の終了後、ウエハから前記保護膜を除去する工程と、
ウエハを個々の薄膜センサチップに分割する工程とを含むことを特徴とする薄膜センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハ状の被処理物に対するエッチング処理を行うエッチング方法及びエッチング装置、並びに、そのエッチング装置を用いて薄膜センサを製造するための薄膜センサの製造方法に関する。
【０００２】
【発明が解決しようとする課題】
例えば半導体圧力センサ（あるいは半導体加速度センサ）等のセンサチップを製造するにあたっては、図３に示すように、例えばシリコンウエハ等の半導体ウエハ１に、数百〜数千のセンサチップ２を形成し、その後、各センサチップ２を切離すことが行われる。この場合、ウエハ１の片面側（非処理面側）には、蒸着等により薄膜層１ａが形成され、この薄膜層１ａに、各センサチップ２に対応した信号処理回路を構成する回路素子や電極等が形成され、これと共に、圧力センサの場合、薄膜層１ａがダイヤフラムとして機能するようになっている。
【０００３】
このとき、図４に示すように、圧力センサのセンサチップ２は、前記薄膜層１ａとは反対側の面（処理面）に、周囲部を除く部位に凹部２ａを形成することにより、薄膜層１ａがダイヤフラムとされるようになっている。前記凹部２ａを形成するためには、ウエハ１の処理面を、凹部２ａ形成部分を除いてマスク３により覆った上で、例えば水酸化カリウムなどのエッチング液に浸すエッチング処理（ウェットエッチング）がなされるようになっている。
【０００４】
図５及び図６は、いわゆるポット工法と称されるエッチング処理を行うための、従来のエッチング装置（エッチングポット）１１の構成を示している。図５に示すように、このエッチング装置１１は、ウエハ１の下面側（非処理面側）を受けるほぼ円板状のベース板１２、ウエハ１の上面（処理面）の外周縁部をシールするパッキン１３を有し外周部で前記ベース板１２とシリンダ１４により締結されるほぼ円筒状の筒状枠体１５、この筒状枠体１５の上面開口部に着脱自在に取付けられる蓋状をなすヘッド部１６を備えて構成されている。
【０００５】
これにて、ベース板１２上にウエハ１を載置し、更に筒状枠体１５を被せるように配置した上でシリンダ１４内を減圧することにより、ベース板１２と筒状枠体１５とが相互に吸引締結されてウエハ１を挟んだ状態に保持し、このとき、ウエハ１の上面を内底面とし筒状枠体１５の内周部を内壁とした処理室１７が形成されるようになっているのである。
【０００６】
そして、この処理室１７内にエッチング液Ｅが供給されることにより、ウエハ１の処理面がエッチング液Ｅに浸漬され、エッチングが行われるようになっている。尚、前記ヘッド部１６には、エッチング液供給口１６ａ、洗浄液供給口１６ｂ、排液口１６ｃが設けられると共に、エッチング液Ｅを撹拌する撹拌機１８、エッチング液Ｅを加熱するヒータ１９、電気化学ストップエッチング用の電極２０等も設けられるようになっている。
【０００７】
しかしながら、上記従来のものでは、もしウエハ１の薄膜層１ａの一部に欠陥が存在したような場合に、エッチングが進行して薄膜層１ａが露出すると、図６に示すように、エッチング液Ｅがその欠陥から漏れ出し、ウエハ１の非処理面側に浸入して非処理面がエッチング液Ｅにさらされてしまう不具合が生ずる。また、薄膜層１ａを有しないウエハ１をエッチングする場合でも、エッチングの進行により薄肉となった部分に亀裂が生じて、同様にエッチング液Ｅが漏れてしまう虞がある。
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、エッチングポットを用いてエッチングを行うものにあって、エッチングの進行に伴う薄肉部分の欠陥や亀裂に起因してエッチング液が非処理面側に漏れてしまうことを効果的に防止することができるエッチング方法及びエッチング装置並びに薄膜センサの製造方法を提供するにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のエッチング方法は、ベース板と被処理物の非処理面との間に気密空間が形成されるようにエッチングポットを構成すると共に、被処理物の非処理面を保護する保護膜を設けた状態でエッチングポットにセットし、気密空間に高圧気体を供給して、被処理物がエッチング液から受ける圧力よりも一定圧力以上大きな圧力となるように該被処理物の非処理面を加圧しながら前記被処理物に薄肉部が形成されるまでエッチング処理を実行するとともに、前記一定圧力以上大きな圧力は、前記薄肉部に亀裂が生じた場合に、前記保護膜が当該被処理物の非処理面に押付けられて、前記エッチング液の漏れが当該保護膜で封止される圧力であることを特徴とする（請求項１の発明）。
【００１０】
これによれば、被処理物の非処理面が保護膜により覆われると共に、下方から加圧された状態でエッチング処理が行われるので、エッチング処理中に、もし被処理物の薄膜層に欠陥があったり、被処理物の薄肉部に亀裂が生ずることがあっても、保護膜が所定圧力で被処理物の非処理面に押付けられることになり、エッチング液の漏れがその保護膜で止まって非処理面側に浸入することを防止することができる。
【００１１】
このとき、前記高圧気体として窒素ガスを採用すれば（請求項２の発明）、高圧気体が漏れるようなことがあってもエッチング液を汚染してしまうといったことを未然に防止することができる。また、前記保護膜を、被処理物の非処理面に対するレジスト膜の形成あるいは保護シートの貼付により設けることができ（請求項３の発明）、保護膜を簡易に設けることができ、その除去も容易となる。
【００１２】
前記気密空間に高圧気体を供給して、前記被処理物が前記エッチング液から受ける圧力よりも一定圧力以上大きな圧力となるようになされる該被処理物の非処理面への加圧は、高圧気体供給源からの気体の圧力をオリフィスにより減圧する圧力室と、液体が貯留される槽と、基端側が前記圧力室の低圧側に接続され先端が前記槽内の液体中に開口する第１のバランス管とを備え、前記第１のバランス管の先端開口部の液体中の深さ位置によって前記気密空間に供給する気体の圧力を調整することによりなされるようにしても良い（請求項４の発明）。
【００１３】
本発明のエッチング装置は、エッチングポットを、非処理面に保護膜が設けられたウエハ状の被処理物を保持した状態でベース板と被処理物の非処理面との間に気密空間が形成されるように構成すると共に、高圧気体供給源からの気体の圧力を圧力調整装置により所定圧力に調整してその気密空間に供給する構成とすると共に、前記圧力調整装置を、高圧気体供給源からの気体の圧力をオリフィスにより減圧する圧力室と、液体が貯留される槽と、基端側が圧力室の低圧側に接続され先端が槽内の液体中に開口する第１のバランス管とを設け、第１のバランス管の先端開口部の液体中の深さ位置によって気密空間に供給する気体の圧力を調整する構成としたものである（請求項５の発明）。これによれば、被処理物の非処理面を覆う保護膜を、所定圧力で被処理物の非処理面に押付けることができるので、エッチング処理中に、もし被処理物の薄膜層に欠陥があったり、被処理物の薄肉部に亀裂が生ずることがあっても、エッチング液の漏れがその保護膜で止まって非処理面側に浸入することを防止することができる。しかも、圧力室の低圧側が、第１のバランス管の先端開口部の液体中の深さ（先端開口部から液面までの高さ）に応じた圧力に調整されるので、簡単な構成で、気密空間に供給する高圧気体の圧力調整を高精度に行うことができる。
【００１４】
かかる構成の圧力調整装置にあっては、更に、基端側が圧力室の高圧側に接続され先端が槽内の液体中に開口する第２のバランス管を設ける構成とすることができ（請求項６の発明）、これにより、高圧気体供給源から過大な衝撃圧力が作用した場合に、その圧力を第２のバランス管を通して逃がすことができ、気密空間にその過大な圧力が作用することを防止することができる。
【００１５】
そして、本発明の薄膜センサの製造方法は、非処理面側に薄膜層を有するウエハの薄膜層上に保護膜を設ける工程と、そのウエハを上記エッチング装置のエッチングポットに保持させ、処理室内にエッチング液を供給すると共に、気密空間内に所定圧力の高圧気体を供給して処理面の所定領域を薄膜層を残すように局所的にエッチング処理する工程と、エッチング処理の終了後ウエハから保護膜を除去する工程と、ウエハを個々の薄膜センサチップに分割する工程とを含むところに特徴を有する（請求項７の発明）。これによれば、もしウエハの薄膜層に欠陥があっても、エッチング液の漏れが保護膜で止まって非処理面側に浸入することを防止することができ、薄膜センサの製造を良好に行うことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例について、図１ないし図４を参照しながら説明する。この実施例においても、従来例で述べたような、薄膜センサとしての半導体圧力センサのセンサチップ２を製造する場合に本発明を適用したものである。従って、図３及び図４に示すように、被処理物たるウエハ１には、数百〜数千のセンサチップ２が形成され、その後、各センサチップ２が切離される（分割される）ようになっている。この場合、ウエハ１の非処理面側には、例えば蒸着等により薄膜層１ａが形成され、この薄膜層１ａに、各センサチップ２に対応した信号処理回路を構成する回路素子や電極等が形成され、これと共に、その薄膜層１ａがダイヤフラムとして機能するようになっている。
【００１７】
このとき、ウエハ１の薄膜層１ａとは反対側の面（処理面）に、周囲部を除く部位に凹部２ａが形成されることにより、薄膜層１ａをダイヤフラムとしたセンサチップ２が形成されるようになっている。前記凹部２ａを形成するためには、ウエハ１の処理面を、凹部２ａ形成部分を除いてマスク３により覆い、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）からなるエッチング液により、その処理面に対するエッチング処理が行われるようになっている。
【００１８】
そして、本実施例においては、図１及び図２に示すように、エッチング処理を行うにあたり、ウエハ１の非処理面（薄膜層１ａ）側には、保護膜２１が設けられるようになっている。この場合、この保護膜２１は、ウエハ１の非処理面全体に保護シートを貼付することにより設けられるようになっている。尚、ウエハ１の薄膜層１ａの表面にレジスト膜を形成することにより、保護膜２１を設けるようにしても良い。
【００１９】
図１は、本実施例に係るエッチング装置２２の構成を示している。このエッチング装置２２は、大きく分けて、エッチングポット２３と圧力調整装置２４とを備えて構成される。まず、そのうちエッチングポット２３の構成について述べる。このエッチングポット２３は、その底部を構成するベース板２５、周壁部を構成すると共に前記ベース板２５との間でウエハ１を上下から挟み付けて保持する筒状枠体２６、この筒状枠体２６の上面開口部に着脱可能に取付けられるヘッド部２７等から構成される。
【００２０】
前記ベース板２５は、全体として前記ウエハ１よりも十分大きな外径を有する比較的厚肉な円板状をなし、図２にも示すように、その上面の内周部には、前記ウエハ１の下面側外周部を受けるリング状の載置部２５ａが上方に凸となるように設けられている。また、ベース板２５の外周縁部には、上方に若干立上がる立上り壁部２５ｂが設けられており、その立上り壁部２５ｂと前記載置部２５ａとの間がリング状の嵌合凹部２５ｃとされている。さらに、前記立上り壁部２５ｂの上面には、ゴム製のシリンダ２８が配置されるようになっている。
【００２１】
前記筒状枠体２６は、全体として前記ウエハ１よりやや大きな径のほぼ円筒状をなすと共に、その下端部側に前記ベース板２５と同等の外径となるように外周に延びる鍔状部２６ａを有すると共に、その下面に前記嵌合凹部２５ｃに嵌り込む嵌合凸部２６ｂを有している。また、図２にも示すように、この筒状枠体２６の下部内周部には、パッキン支持部２６ｃが設けられ、このパッキン支持部２６ｃに、前記ウエハ１の上面外周縁部をシールするためのパッキン２９が保持されている。
【００２２】
この筒状枠体２６は、前記ベース板２５の載置部２５ａ上にウエハ１がその処理面を上面として載置された状態で、前記嵌合凸部２６ｂが嵌合凹部２５ｃに嵌り込むようにして被せられ、このとき、前記シリンダ２８が、前記立上り壁部２５ｂと前記鍔状部２６ａとの間に配置される。詳しい説明は省略するが、このシリンダ２８は、立上り壁部２５ｂの上面の外周側及び内周側、鍔状部２６ａの下面の外周側及び内周側に夫々密着するシールリップを有し、図示しない真空ポンプにより内部が減圧されることによって、弾性的に変形しながら、ベース板２５と筒状枠体２６とを相互に吸引して締結するようになるのである。
【００２３】
これにより、ウエハ１は、その処理面の外周縁部がパッキン２９により液密にシールされた状態で、筒状枠体２６とベース板２５とにより上下から挟み付けられるように保持され、もって、エッチングポット２３内には、前記ウエハ１の処理面を内底面とし、筒状枠体２６の内周面を内壁とした処理室３０が構成されるのである。
【００２４】
また、前記ヘッド部２７は、筒状枠体２６の上面開口部を塞ぐ蓋状をなし、前記処理室３０内にエッチング液Ｅ（この場合ＫＯＨ）を供給するためのエッチング液供給口２７ａ、洗浄液（この場合純水）Ｗを供給するための洗浄液供給口２７ｂ、処理室３０内の液を排出するための排液口２７ｃが設けられている。前記エッチング液供給口２７ａは外部のエッチング液供給源３１に接続され、洗浄液供給口２７ｂは外部の純水供給源３２に接続されるようになっている。前記排液口２７ｃは、図示しないエゼクタ等の排液装置に接続されている。
【００２５】
さらに、このヘッド部２７には、処理室３０内のエッチング液Ｅを撹拌する撹拌機３３、エッチング液Ｅを加熱するヒータ３４、電気化学ストップエッチング用の電極３５等も設けられるようになっている。これにて、前記処理室３０内には、後述するようなエッチング処理時にエッチング液Ｅが供給され、その後の洗浄時には純水Ｗが供給されるようになっている。尚、エッチング処理時のエッチング液Ｅの液面の高さ寸法はＨＥとされ、洗浄時の純水Ｗの最高深さ寸法はＨＷとされる。
【００２６】
さて、本実施例では、図２にも示すように、前記エッチングポット２３には、前記ウエハ１の保持状態で、ベース板２５の載置部２５ａの内周側部分とウエハ１の下面（非処理面）との間に気密空間Ｓが形成されるようになっている。また、ベース板２５には、その気密空間Ｓに高圧気体（この場合窒素ガス）を供給するための供給路２５ｄが形成されており、ベース板２５の外周面部には、その供給路２５ｄに連続する接続口部３６が設けられている。そして、この接続口部３６（気密空間Ｓ）には、高圧気体供給源たる窒素ガス供給源３７からの窒素ガスが、前記圧力調整装置２４により所定圧力に調整されて供給されるようになっている。
【００２７】
ここで、前記圧力調整装置２４について述べる。図１に示すように、この圧力調整装置２４は、液体この場合純水Ｗが貯留される槽３８の上部に、圧力室３９を配して構成されている。前記槽３８は、内部に前記純水供給源３２から純水Ｗが供給されるようになっていると共に、内部に設けられた仕切壁３８ａによりその水位が一定に保たれるようになっている。仕切壁３８ａを乗越えた純水Ｗは排水路３８ｂから排出されるようになっている。
【００２８】
一方、前記圧力室３９は、高圧室３９ａと低圧室３９ｂとがオリフィス４０を介して連通される構成とされている。前記高圧室３９ａには、窒素ガス供給源３７が接続され、低圧室３９ｂに、前記接続口部３６ひいては気密空間Ｓが接続されるようになっている。これにより、窒素ガス供給源３７から高圧室３９ａに供給された十分高圧の窒素ガスが、オリフィス４０により絞られ減圧された状態で低圧室３９ｂに導入され、気密空間Ｓに供給されるようになっている。
【００２９】
そして、前記低圧室３９ｂには、第１のバランス管４１の基端側（上端）が接続され、その第１のバランス管４１の先端（下端）が前記槽３８内の純水中に開口するようになっている。これにて、低圧室３９ｂ内の圧力が所定圧力を越えるとその分の窒素ガスが第１のバランス管４１から槽３８内に排出され、低圧室３９ｂが第１のバランス管４１の先端開口部の純水中の深さ位置に応じた圧力に調整される。具体的には、第１のバランス管４１の先端開口部の液面からの深さ位置が、ＨＷ＋１０mmに設定され、前記気密空間Ｓに供給される窒素ガスの圧力が（ＨＷ＋１０mm）Aqとされるようになっている。
【００３０】
さらに、本実施例では、前記高圧室３９ａには、第２のバランス管４２の基端側（上端）が接続され、その第２のバランス管４２の先端（下端）が前記槽３８内の底部の純水中に開口するようになっている。これにて、窒素ガス供給源３７から過大な衝撃圧力が瞬間的に高圧室３９ａに作用した場合に、その圧力を第２のバランス管４１を通して逃がすことができ、低圧室３９ｂ側ひいては気密空間Ｓにその過大な圧力が作用することが防止されるようになっている。これにより、気密空間Ｓには、圧力調整装置２４によって常に一定の圧力の窒素ガスが安定して供給されるのである。
【００３１】
次に、上記したエッチング装置２２を用いて、エッチング処理を行う（半導体圧力センサのセンサチップ２を製造する）手順について述べる。まず、準備段階として、エッチング処理を行うべきウエハ１に対して、その非処理面（薄膜層１ａ）側に、例えば保護シートを貼付することにより保護膜２１を設ける工程が実行される。
【００３２】
エッチング処理を行うにあたっては、保護膜２１が設けられたウエハ１を、処理面が上面となるようにベース板２５の載置部２５ａ上に載置し、ベース板２５上に筒状枠体２６を載置し、シリンダ２８内を減圧して締結し、さらにヘッド部２７をセットすることにより、ウエハ１を保持したエッチングポット２３を構成する。引続き、処理室３０内にエッチング液Ｅを所定液位ＨＥまで供給すると共に、窒素ガス供給源３７から圧力調整装置２４を介して気密空間Ｓ内に所定圧力（ＨＷ＋１０mm）Aqの窒素ガスを供給することにより、エッチング処理の工程を実行する。
【００３３】
これにて、ウエハ１の処理面がエッチング液Ｅにさらされ、マスク３により覆われていない部分のエッチングが進行する。このとき、ウエハ１の上面側はエッチング液Ｅの重量による圧力を受けることになるが、下面側の気密空間Ｓ内に高圧の窒素ガスが供給されることにより、ウエハ１の上面側がエッチング液Ｅから受ける圧力よりも大きな力で、ウエハ１の下面側が加圧されることになる。このエッチングは、図３に示すように、各センサチップ２に対応した凹部２ａが形成されるまで、つまりウエハ１の薄膜層１ａが露出するまで実行される。
【００３４】
しかして、もし、ウエハ１の薄膜層１ａの一部に欠陥があったような場合には、エッチングの進行に伴い、その部分が破損状態となってエッチング液Ｅがウエハ１の下面側（非処理面側）に漏れることが懸念される。ところが、本実施例では、図２に示すように、ウエハ１の非処理面には保護膜２１が設けられていると共に、加圧によりその保護膜２１がウエハ１の非処理面に押付けられることになり、エッチング液Ｅの漏れがその保護膜２１で止まって非処理面側に浸入することが防止されるのである。
【００３５】
エッチング処理の工程が終了すると、処理室３０からエッチング液Ｅが排出され、処理室３０内に洗浄液（純水Ｗ）が供給される洗浄の工程が実行される。この洗浄の工程においても、継続して気密空間Ｓ内に高圧の窒素ガスが供給されることにより、ウエハ１の上面側が純水Ｗから受ける圧力よりも大きな力で、ウエハ１の下面側（保護膜２１）が加圧されることになり、薄膜層１ａの欠陥に起因して純水Ｗが漏れるといったことが防止されるようになる。
【００３６】
洗浄が終了すると、処理室１０内の洗浄液が排出されると共に気密空間Ｓ内への高圧の窒素ガスの供給が停止され、引続きウエハ１の乾燥の工程が実行される。その乾燥の工程後、エッチングにより凹部２ａが形成されたウエハ１がエッチングポット２３から取外される。そして、ウエハ１から保護膜２１を除去する工程が実行され、さらに、ウエハ１を、図４に示すような個々のセンサチップ２に分割する工程が実行される。
【００３７】
このように本実施例によれば、エッチングポット２３を用いてウエハ１の処理面に対するエッチングを行うものにあって、ベース板２５とウエハ１の非処理面との間に気密空間Ｓが形成されるように構成すると共に、ウエハ１の非処理面を保護する保護膜２１を設け、気密空間Ｓに高圧の窒素ガスを供給しながらエッチング処理を実行するようにしたので、薄膜層１ａの欠陥に起因してエッチング液Ｅが非処理面側に漏れてしまうことを効果的に防止することができるという優れた効果を得ることができる。
【００３８】
そして、特に本実施例では、圧力調整装置２４を、槽３８、オリフィス４０を有する圧力室３９、第１のバランス管４１、第２のバランス管４２等から構成したので、簡単な構成で、気密空間Ｓに供給する窒素ガスの圧力調整を高精度且つ安定して行うことができる。また、本実施例では、高圧気体として窒素ガスを採用したので、高圧気体が漏れるようなことがあってもエッチング液Ｅを汚染してしまうといったことを未然に防止することができ、更には、保護膜２１を、保護シートの貼付により設けるようにしたので、保護膜２１を簡易に設けることができ、その除去も容易となるといった利点も得ることができる。
【００３９】
尚、上記実施例では、圧力調整装置２４をオリフィス４０や第１のバランス管４１を有した簡単な構造のものとしたが、一定の圧力の高圧気体を供給することができるものであれば、機械的な装置でも良いなど各種構造のものを採用することができる。また、上記圧力調整装置２４においても、第２のバランス管４２は必要に応じて設ければ良い。上記実施例では、気密空間Ｓに供給する高圧ガスとして窒素ガスを採用したが、高圧エアー等を供給する構成としても良い。
【００４０】
その他、半導体圧力センサのセンサチップの製造以外にも、広範囲に本発明を適用することができるなど、本発明は要旨を逸脱しない範囲内で、適宜変更して実施し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示すもので、エッチング装置の構成を示す縦断面図
【図２】薄膜層に欠陥があった様子を示す要部の拡大縦断面図
【図３】ウエハの概略的な平面図（ａ）及び断面図（ｂ）
【図４】圧力センサチップの平面図（ａ）及び縦断面図（ｂ）
【図５】従来例を示すエッチング装置の縦断面図
【図６】図２相当図
【符号の説明】
図面中、１は半導体ウエハ（被処理物）、１ａは薄膜層、２は圧力センサチップ（薄膜センサチップ）、２１は保護膜、２２はエッチング装置、２３はエッチングポット、２４は圧力調整装置、２５はベース板、２６は筒状枠体、３０は処理室、３７は窒素ガス供給源（高圧気体供給源）、３８は槽、３９は圧力室、４０はオリフィス、４１は第１のバランス管、４２は第２のバランス管、Ｅはエッチング液、Ｓは気密空間、Ｗは純水（液体）を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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