(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の成分、
（ａ）水
（ｂ）少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物
（ｃ）少なくとも１つの塩基性化合物
（ｄ）乳酸、クエン酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸、プロピオン酸、バレリアン酸、イソバレリアン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、１,２,３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、サリチル酸、酒石酸、グルコン酸及びその混合物からなる群より選ばれる少なくとも１つの有機カルボン酸
を包含する、基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を除去するのに有効な洗浄組成物。
【請求項２】
ヒドロキシルアンモニウム化合物が、ヒドロキシルアンモニウム硫酸塩、ヒドロキシルアンモニウム硝酸塩、ヒドロキシルアンモニウムリン酸塩、ヒドロキシルアンモニウムクロライド、ヒドロキシルアンモニウムフルオライド、ヒドロキシルアンモニウムシュウ酸塩、ヒドロキシルアンモニウムクエン酸塩、及びその混合物からなる群より選ばれる請求項１に記載の組成物
【請求項３】
ヒドロキシルアンモニウム化合物が前記組成物の全重量に対して０.０１wt％〜３０wt％である請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記塩基性化合物がアミン及び４級アンモニウム水酸化物からなる群より選ばれる請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記塩基性化合物が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド及びその混合物からなる群より選ばれる４級アンモニウム水酸化物である請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記塩基性化合物が、前記組成物の全重量に対して０.０１wt％〜３wt％である請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記有機カルボン酸が、前記組成物の全重量に対して０.０１wt％〜１０wt％である請求１に記載の組成物。
【請求項８】
さらに多水酸基化合物を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記多水酸基化合物がエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール及びその混合物からなる群より選ばれる請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記組成物のｐＨが２〜６である請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記組成物のｐＨが３〜４.５である請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記組成物が、（ａ）水、（ｂ）０.２wt％〜２０wt％のヒドロキシルアンモニウム硫酸塩、（ｃ）０.０１wt％〜０.１wt％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、（ｄ）０.１wt％〜３wt％のクエン酸を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
次の成分、
（ａ）水
（ｂ）少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物
（ｃ）少なくとも１つの塩基性化合物
（ｄ）乳酸、クエン酸、蟻酸、シュウ酸、酢酸、プロピオン酸、バレリアン酸、イソバレリアン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、１,２,３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、サリチル酸、酒石酸、グルコン酸及びその混合物からなる群より選ばれる少なくとも１つの有機カルボン酸
を包含する洗浄組成物を基板に塗布する工程からなる、基板からプラズマエッチング残渣を洗浄する方法。
【請求項１４】
前記塩基性化合物がアミン及び４級アンモニウム水酸化物からなる群より選ばれる請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記洗浄組成物がさらに多水酸基化合物を含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記洗浄組成物のｐＨが２〜６である請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
基板が金属基板である請求項１３に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロエレクトロニクスの製造に使用される新規な洗浄組成物、とりわけ、基板に蒸着している金属層や酸化物層のプラズマエッチング後に、ウエハー基板に形成されたプラズマエッチング残渣を除去するための非腐食性洗浄組成物に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】
集積回路の製造において、ポジのフォトレジストは、一連の写真平板とプラズマエッチング段階により、ウエハー基板上で焦点板のもとのマスクパターンを移すための、中間マスクとして使われている。集積回路の製造工程の最終段階の１つは、パターン化されたフォトレジストフィルムを基板から除去することである。一般に、この段階は、２つの方法のうちの１つで行われる。１つの方法は、フォトレジスト被覆された基板を、まず有機溶媒とアミンからなるフォトレジストのストリッパー溶液と接触させるウエットストリッピング段階を含む。しかしながら、ストリッパー溶液は、とりわけ、フォトレジストフィルムが製造中に紫外線照射やプラズマ処理にさらされた場合に、フォトレジストフィルムを完全に確実に除去することができない。いくつかのフォトレジストフィルムは、そのような処理により、かなり架橋され、ストリッパー溶液に溶解させることが困難になる。それに加え、こうした慣用的なウェットストリッピング法において使用される化学物質は、ハロゲン含有ガスを用いた金属あるいは酸化物層のプラズマエッチング中に形成された無機残渣物質を除去するのに、しばしば有効でない。
【０００３】
フォトレジストフィルムを除去する別の方法は、プラズマアッシングとして知られる工程において、基板表面からレジストフィルムを燃焼させるために、フォトレジストコートされたウエハーを酸素をベースとしたプラズマにさらすことが含まれる。プラズマアッシングは、真空チャンバー内で行われるため、空中の微粒子や金属の汚染の影響に受けにくくなることが期待されるため、集積回路の製造工程において、よく知られるようになった。しかしながら、プラズマアッシングも、上述したプラズマエッチングの副産物を除去するのに完全に有効ではない。その代わり、これらのプラズマエッチング副産物の除去は、その後、フォトレジストフィルムをある洗浄溶液にさらすことにより達成されなければならない。プラズマアッシングの後のプラズマエッチングにより残されたプラズマエッチング副産物を除去するためのいくつかの市販品が現在入手できる。例えば、ＥＫＣ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ.から入手できるＥＫＣ ２６５は、水、アルカノールアミン、カテコール及びヒドロキシルアミンからなるポストエッチング洗浄溶液である。このような組成物は、Ｌｅｅに対する米国特許第５,２７９,７７１号公報に開示されている。Ａｓｈｌａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌから入手可能なＡＣＴ ９３５は、もう１つのポストエッチング洗浄溶液であり、水、アルカノールアミン、及びヒドロキシルアミンよりなる。このような組成物は、Ｗａｒｄに対する米国特許第５,４１９,７７９号公報に開示されている。いずれの場合も、ヒドロキシルアミンが腐食防止剤として使用されている。Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ Ｇａｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌより入手可能なＥＬＭ Ｃ−３０は、水、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、フッ素化合物、有機カルボン酸塩及び糖アルコールからなり、ここで糖アルコールは腐食剤として作用する。このような組成物はＡｏｙａｍａらに対する米国特許第５,６３０,９０４号公報に開示されている。
【０００４】
これらの市販製品は、プラズマエッチング残渣を効果的に分解するが、基板上の金属や酸化物の蒸着パターンも攻撃してしまう。これは、ＥＫＣ ２６５とＡＣＴ ９３５のｐＨが１１以上であり、ＥＬＭ Ｃ−３０はフッ素化合物を含むからである。これらの製品で使用されている腐食防止剤は、銅、アルミニウム、アルミニウム合金（例えばＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ）等の金属層が特に腐食に敏感なため、腐食を防止するのに完全に有効ではない。さらに、適切な腐食防止剤の添加が、基板金属層の腐食を防止するのに不可欠ではある一方、いくつかの腐食防止剤は、プラズマエッチング残渣の除去を妨げる傾向、及び／又は、金属基板表面に蒸着した不溶性フィルムを形成する傾向がある。このため、腐食防止剤は注意深く選ばれなければならない。
【０００５】
プラズマエッチング残渣の化学組成が、基板上の金属層や酸化物層の化学組成と一般には類似するので、腐食防止とプラズマエッチング残渣の効果的除去とのバランスをとるのが難しい。先行技術の洗浄組成物で使用されているアルカノールアミンは、水の存在下で、プラズマエッチング残渣と基板金属層を攻撃することがしばしば見出される。従って、金属層の損失を引き起こす金属あるいは酸化物層に対する好ましくない攻撃がないようなプラズマエッチング残渣を選択的かつ効果的に除去できる組成物に対する要求は依然としてある。
【０００６】
フォトレジストストリッパー／クリーナー応用分野において、いくつかの他の特許は以下の通りであるが、いずれも本発明の組成物の使用は開示されていない。
【０００７】
Ｋａｎｔｏ Ｋａｇａｋｕに対して与えられた、日本特許特願平７−０２８２５４においては、糖アルコール、アルコールアミン、水及び４級アンモニウム水酸化物を含む非腐食性レジスト除去液体が開示されている。
【０００８】
出願番号ＷＯ８８−０５８１１３のＰＣＴ特許では、ブチロラクトンまたはカプロラクトン、４級アンモニウム水酸化物化合物、場合によっては非イオン性界面活性剤を含むポジ及びネガのフォトレジストストリッパーを知ることができる。
【０００９】
Ｍｕｒａｏｋａらに対する米国特許第４,２３９,６６１号公報では、０.０１％から２０％のトリアルキル（ヒドロキシアルキル）アンモニウム水酸化物の水溶液を含む表面処理剤が開示されている。この薬剤は中間の半導体製品の表面に蒸着した有機及び無機汚染物質の除去に役に立つ。
【００１０】
Ｍｉｙａｓｈｉｔａらに対する米国特許第４,９０４,５７１号公報では、溶媒（例えば水、アルコール、エーテル、ケトンなど）、溶媒に溶解したアルカリ化合物、溶媒に溶解した４級アンモニウム水酸化物、及びホウ化水素化合物を含むプリント回路基板フォトレジストストリッパー溶液組成物が教示されている。
【００１１】
Ｄｅａｎらに対する米国特許第５,０９１,１０３号公報では、（Ａ）Ｎ−アルキル−２−ピロリドン、（Ｂ）１,２−プロパンジオール、（Ｃ）テトラアルキルアンモニウム水酸化物を含むポジのフォトレジストストリッピング組成物が教示されている。
【００１２】
Ｗａｒｄらに対する米国特許第５,１３９,６０７号公報では、（Ａ）テトラヒドロフルフリルアルコール、（Ｂ）多価アルコール（例えばエチレングリコールやプロピレングリコール）、（Ｃ）フルフリルアルコールとアルキレンオキサイドとの反応物、（Ｄ）水に溶けるブレンステッド塩基型水酸化物化合物（例えばアルカリ金属水酸化物、アンモニウム水酸化物、そしてテトラメチルアンモニウム水酸化物）、（Ｅ）水を含むポジとネガのフォトレジストストリッピング組成物を知ることができる。場合によっては、組成物は１％までの非イオン性界面活性剤を含むこともある。
【００１３】
Ａｏｙａｍａらに対する米国特許第５,１７４,８１６号公報では、ドライエッチングした後のアルミニウムラインパターン基板の表面上に残った塩素を除去するための組成物が開示されており、この組成物はトリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物のような４級アンモニウム水酸化物を重量で０.０１から１５％、キシリトール、マンノース、グルコースなどの糖または糖アルコールを重量で０.１から２０％含む。
【００１４】
フォトレジストを引き剥がすために使われる他の組成物は、硫酸と有機フォトレジストを酸化しそれにより分解する過酸化水素のような酸化剤の溶液を含む。しかしながら、強酸及び酸化剤を含む溶液は、扱いが危険であり、高温で用いなければならず、ストリッピングが行われた後、ホット脱イオン（ＤＩ）水が充分な量必要である。また、酸化剤は容易に分解するので、こうした溶液は短い活性寿命を有する。このため、頻繁に溶液を補充する必要がある。溶液の補充の必要性により、処理は危険かつ経済的に非効率的なものとなる。それに加え、こうしたタイプの慣用的な酸をベースとした化学物質は、金属基板に対してあまりにも攻撃的である。
【００１５】
それ故、基板からプラズマエッチング残渣を除くための新しいタイプの洗浄組成物に対する要求が残されている。それに加え、基板に有害な影響を与えないような洗浄組成物に対する要求が残されている。さらに、水溶性ベースであり、危険でなく、環境に害を与えないような洗浄組成物に対する要求が残されている。
【００１６】
【発明の要約】
本発明は、まず第一に基板からプラズマエッチング残渣を除くために有用な非腐食性洗浄組成物に対して向けられたものである。組成物は（ａ）水、（ｂ）少なくとも１つのヒドロキシアンモニウム化合物、（ｃ）好ましくはアミンと４級アンモニウム水酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１つの塩基性化合物、（ｄ）少なくとも１つの有機カルボン酸を含む。場合によっては、多水酸基化合物も含まれる。組成物のｐＨは約２から約６の間である。
【００１７】
【発明の詳述】
金属基板は一般的には腐食に敏感である。例えば、アルミニウム、銅、アルミニウム−銅合金、タングステン窒化物、その他の金属、金属窒化物は、慣用的な洗浄化学物質により容易に腐食される。これは慣用的な洗浄溶液の高いアルカリ性のためである。この問題は、本発明の洗浄組成物を用いることにより解決され、かかる組成物は弱酸性組成であるため、金属の腐食を促進せずに金属基板が効果的に洗浄される。
【００１８】
本発明の組成物においては、少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物が重要な成分として含まれなければならない。ヒドロキシルアンモニウム化合物は、例えば式（Ｉ）で示されるヒドロキシアンモニウム塩である。
ｎ(ＮＲ1Ｒ2Ｒ3ＯＨ)+(Ｘ-n)                   （Ｉ）
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ水素、炭素数が１から４の低級アルキル基、炭素原子数が１から４のアルコキシ基、水酸基、炭素数１から４の水酸基置換低級アルキル基から選ばれる。ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3のうちの少なくとも２つは、水素、低級アルキル基、低級アルコキシ基のいずれかである。式中、Ｘはヒドロキシルアンモニウムカチオンか４級アンモニウムカチオンと水溶性塩を形成するアニオン部分であり、ｎはＸの原子価であり、１から３の間である。本発明の洗浄方法の利用に好適な洗浄組成物を形成するのに使われるヒドロキシルアンモニウム化合物としては、ヒドロキシルアンモニウム硝酸塩（ＨＡＮとも称される）、ヒドロキシルアンモニウム硫酸塩（ＨＡＳとも称される）、ヒドロキシルアンモニウムリン酸塩、ヒドロキシルアンモニウム塩酸塩、ヒドロキシルアンモニウムシュウ酸塩、ヒドロキシルアンモニウムクエン酸塩、ヒドロキシルアンモニウムフルオライド、Ｎ,Ｎ−ジエチルヒドロキシルアンモニウム硫酸塩、Ｎ,Ｎ−ジエチルヒドロキシルアンモニウム硝酸塩などのヒドロキシルアンモニウム塩を含む。
【００１９】
ヒドロキシルアンモニウム化合物は、本発明の組成物において、約０.０１ｗｔ％から３０ｗｔ％の範囲内で存在する。好ましくは、組成物のヒドロキシルアンモニウム化合物は、０.１ｗｔ％から２０ｗｔ％である。塩基性アミン及び／又は４級アンモニウム水酸化物に対比した、ヒドロキシルアンモニウム化合物の量は、組成物全体のｐＨが約２から約６の範囲内、好ましくは約３.０から約４.５の範囲内になるように調整される。ヒドロキシルアンモニウム化合物は、プラズマエッチング残渣の除去を容易にし、金属基板の腐食を防止する。
【００２０】
本発明は少なくとも１つの塩基性化合物を含む。塩基性化合物は、例えば、アミンや４級アンモニウム水酸化物である。本発明の洗浄組成物の塩基性成分として使用されるアミンは、ヒドロキシルアミンとモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチレン−グリコールアミン、Ｎ−ヒドロキシルエチルピペラジンなど他のアルカノールアミンを含む。本発明の洗浄組成物の塩基性成分として使われる４級アンモニウム水酸化物は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヒドロキシエチルを有するテトラアルキルアンモニウム水酸化物及びその組み合せ、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（以下ＴＭＡＨと称する）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリ（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、テトラ（ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなど）を含む。それに加え、アンモニウム水酸化物と１つあるいはそれ以上の４級アンモニウム水酸化物の組み合せも使用されるだろう。
【００２１】
本発明の洗浄組成物において、塩基性化合物は重量で約０.０１％から約３％の範囲内で存在する。好ましくは、組成物の塩基性化合物は、重量で約０.０５％から約２％である。
【００２２】
本発明においては、少なくとも１つの有機カルボン酸が含まれなければならない。カルボン酸は腐食防止剤として役立つ。カルボン酸、とりわけヒドロキシル基を有するカルボン酸は、アルミニウム、銅及びそれらの合金の金属腐食を有効に防止する。カルボン酸はこれらの金属に対してキレート効果を有する。好ましいカルボン酸には、モノカルボン酸及びポリカルボン酸が含まれる。例えば、カルボン酸としては、これらに限定されないが、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、バレリア酸、イソバレリア酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、１,２,３−ベンゼントリカルボン酸、グリコール酸、乳酸、クエン酸、サリチル酸、酒石酸、グルコン酸及びそれらの混合物などがある。
【００２３】
有機カルボン酸は、都合よくは、約０.０１ｗｔ％から約１０.０ｗｔ％の間で加えられる。好ましくは約０.０５ｗｔ％から約３.０ｗｔ％、最も好ましくは、０.１ｗｔ％から１.０ｗｔ％の有機カルボン酸が組成物に含まれる。
【００２４】
本発明の洗浄組成物は、場合によっては多価水酸基化合物を含むこともある。多価水酸基化合物としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセロール及びその混合物などである。
【００２５】
本発明は添加物を含むこともあろう。キレート化合物や界面活性剤のような添加物は、ウエハー表面から微粒子及び／又は金属汚染物質を除去において、本発明の組成物の効果を増強する。好ましい添加物は、例えば、非イオン性界面活性剤、とりわけ、ＣＳ−１として知られるキレート基の付加したポリオキシエチレン型の表面活性剤であり、これはＢＡＳＦから市販品が入手可能である。
【００２６】
本発明の好ましい実施の形態において、基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を除去するための組成物は、水、約０.２ｗｔ％から約２０ｗｔ％のヒドロキシルアンモニウム硫酸塩、約０.０１ｗｔ％から約０.１ｗｔ％のテトラメチルアンモニウム水酸化物、約０.１ｗｔ％から３ｗｔ％のクエン酸を含む。本実施の形態における組成物のｐＨは、約２から約６、好ましくは約３から約４である。
【００２７】
基板は、例えば洗浄組成物をタンクに入れ、基板を洗浄組成物の中に沈めるなどの任意の方法により、洗浄組成物と接触させられる。好ましくは、基板は洗浄組成物でスプレイリンスされる。
【００２８】
本発明は以下のフォトレジストストリッピング工程と組み合せて使用される洗浄方法を含み、その工程は典型的には本発明の洗浄方法の前に行われる。Ｏ2プラズマアッシング、オゾンガスフェーズ処理、フッ素プラズマ処理、ホットＨ2ガス処理（米国特許第５,６９１,１１７号公報に記載）等を含めた任意のドライストリッピング工程が使用できる。好ましいストリッピング工程は、Ｏ2プラズマアッシングである。
【００２９】
それに加え、洗浄方法は有機ウェットストリッピング方法と組み合せて使用できる。有機ウエットストリップは、本発明の洗浄方法の前に行われるか、後に行われるか、あるいは前後ともに行われる。任意の慣用的有機ウェットストリッピング溶液が使用され、当業者は、適切な有機ウェットストリッパーを選択することができる。好ましいウェットストリッピング工程は、本発明の洗浄組成物と組み合せたオゾン化水による処理である。従って、本発明の洗浄方法は、有機溶媒をベースとしたポストストリップリンスの代替として使用される。これは、好ましい洗浄組成物が非腐食性であり、また環境に害を及ぼさない弱酸性水溶液に対して中性であるためである。さらに本発明で使用される洗浄組成物は、水性化学廃棄物に対する通常の排水システムで廃棄される。
【００３０】
銅やアルミニウムのような基板から残渣を除去する方法は、（ａ）水、（ｂ）少なくとも１つのヒドロキシルアンモニウム化合物、（ｃ）少なくとも１つの塩基性化合物、（ｄ）少なくとも１つの有機カルボン酸を含む洗浄組成物を基板に適用する工程を含む。塩基性化合物は好ましくはアミン及び４級アンモニウム水酸化物からなる群より選ばれる。これに加え、洗浄組成物は多水酸基化合物を含む。また、洗浄組成物のｐＨは約２から約６であることが好ましい。さらに好ましくは、ｐＨは約３.０から約４.５である。
【００３１】
本発明を例証するために、以下に実施例を与えた。本発明は記載された実施例に限定されるものではないことは理解されるべきである。
【００３２】
実施例１
２１グラムのヒドロキシルアンモニウム硫酸塩（ＨＡＳ）、１グラムのクエン酸（ＣＡ）を９９６８グラムのＤＩ水に溶解し、１グラムの２５ｗｔ％のテトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）を添加して、得られた溶液のｐＨが３.３から３.４の範囲内に入るように調整した。得られた溶液の各成分の濃度は次の通りであった。ＨＡＳ ０.２１ｗｔ％、ＣＡ ０.１ｗｔ％、ＴＭＡＨ ０.０１ｗｔ％、残りは水。
【００３３】
テストウエハーは、多層をシリコン基板上に蒸着させ、続いて、フォトレジストフィルムをリトグラフ的にマイクロパターン化した後で、最上３層をプラズマエッチングすることにより製造された。
【００３４】
（１）  ＳｉＯ2（最下層）、Ｃｕ、Ｓｉ3Ｎ4、低ｋ誘電層（Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌにより供給されるＳｉＬＫ(R)）、ＳｉＯ2及びフォトレジスト（最上層）の蒸着。ここでＳｉＬＫ及びスピンコートされたフォトレジスト層を除く全ての層は、ＣＶＤ（化学蒸気蒸着）により蒸着された。
（２）  上のＳｉＯ2層のプラズマエッチングは、パターン化されたフォトレジストフィルムをマスクとして用い、フッ素含有ガスにより行われ、続いて、酸素含有ガスを用いて、フォトレジストマスクのアッシングばかりでなく、ＳｉＬＫ層の第２プラズマエッチングが行われた。
【００３５】
得られたウエハーは、バイアホール内に分散したかなりの量のエッチング後の残渣を有していた。ウエハーはそれから上述した洗浄組成物５５℃で１５分間処理され、室温で５分間水洗され、そして窒素ガスのジェットストリームをウエハー表面に吹きつけて乾燥された。
【００３６】
洗浄されたウエハーは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、バイアホールの断面を見るために切断された。ＳＥＭの検査でその他の層、つまりＳｉＬＫ、Ｃｕ、Ｓｉ3Ｎ4、そして最上のＳｉＯ2層に損傷を与えずに、バイアホールからエッチング後の残渣が完全に除去されていることが判った。
【００３７】
実施例２
洗浄溶液は、２０.５グラムの固体ＨＡＳ、３.４１グラムの８８ｗｔ％乳酸（ＬＡ）水溶液、０.９１グラムの２５ｗｔ％ＴＭＡＨ水溶液をＤＩ水（７５.１８グラム）に添加して調合された。得られた溶液の各成分の濃度は次の通りであった。ＨＡＳ ２０.５ｗｔ％、ＬＡ ３.０ｗｔ％、ＴＭＡＨ ０.２３ｗｔ％、残りは水。
【００３８】
テストウエハーは多層をシリコン基板に蒸着させ、続いてリトグラフ的にフォトレジストをマイクロパターン化した後、最上３層をプラズマエッチングすることにより製造された。
【００３９】
（１）  ＳｉＯ2（最下層）、ＴｉＮ、Ａｌ−Ｃｕ合金（Ｃｕ１％）、ＴｉＮ及びフォトレジスト（最上層）の蒸着。ここで、スピンコートされたフォトレジスト層を除いて、他の全ての層はＣＶＤにより蒸着された。
（２）  上下の窒化物層ばかりでなく、Ａｌ−Ｃｕ層のプラズマエッチングが、塩素含有ガスにより、パターン化されたフォトレジストマスクを用いてなされ、続いて酸素含有ガスを用いてフォトレジストマスクがアッシングされた。
【００４０】
得られたウエハーは寸法０.６ミクロンの線幅のＡｌ−Ｃｕ金属線を有しており、金属線の側部及び上部にはエッチング後の残渣が付着していた。ウエハーは上述した洗浄組成物により６０℃で３０分間処理され、続いて室温で５分間水洗され、それから窒素ガスのジェットストリームをウエハー表面に吹きつけて乾燥させた。処理により生じたＡｌ−Ｃｕ金属の線の損失を決定するため、ＳＥＭでＡｌ−Ｃｕ線の断面が見えるように、洗浄されたウエハーは切断された。ＳＥＭの検査によりエッチング後の残渣が完全に除去され、線の損失は全線幅の５％であり、このことは許容レベルであると考えられる。
【００４１】
実施例３（比較）
クエン酸を洗浄溶液に加えなかったことを除いては、実施例１に記載したのと同様の方法で洗浄溶液を調合した。このテストでは、実施例１と同様のテストウエハーが使用された。ＳＥＭ検査により、実施例１と同様、エッチング後の残渣がバイアホールから完全に除去されていたが、実施例１と同様の試験条件下で、実施例１に比較して銅層がかなり腐食していることが判った。
【００４２】
実施例４（比較）
乳酸を洗浄液に加えなかったことを除いては、実施例２で記載したのと同様の方法で洗浄溶液を調合した。ＳＥＭ検査により、実施例２と同様、エッチング後の残渣は完全に除去されていたが、実施例２で適用したのと同様の試験条件下で、線の損失は全アルミニウム線幅に対して５％以上であった。
【００４３】
特定の実施の形態について、本発明の記述が上でなされたが、ここに開示された本発明の概念から外れることなく、多くの変更、修正、変形がなさうるのは明白である。従って、クレームの精神及び広い範囲に入る全ての変更、修正、変形を包含することが意図される。ここで引用した全ての特許出願、特許、他の出版物は全て参考文献に組み込まれる。