(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材表面に、コート層を有するセラミックス電子部品焼成用セッターであって、
該コート層が、算術平均粗さ（Ｒａ）で、被焼成体の厚さに対し、１／２０〜１／６５の表面粗さを有するとともに、該コート層が中間層と表層とで構成され、該表層が溶射により形成されたＺｒＯ２質層であることを特徴とするセラミックス電子部品焼成用セッター。
【請求項２】
前記コート層が、算術平均粗さ（Ｒａ）で、５〜１５μｍの表面粗さを有する請求項１に記載のセラミックス電子部品焼成用セッター。
【請求項３】
前記中間層の表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で、前記コート層の表面粗さに対して、０．３〜２．４倍である請求項１又２に記載のセラミックス電子部品焼成用セッター。
【請求項４】
前記表層の平均厚さが、２０〜２００μｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載のセラミックス電子部品焼成用セッター。
【請求項５】
前記中間層の表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で、５〜２０μｍである請求項１〜４のいずれか１項に記載のセラミックス電子部品焼成用セッター。
【請求項６】
基材表面に、コート層を有するセラミックス電子部品焼成用セッターであって、
該コート層が、十点平均表面粗さ（Ｒｚ）で、被焼成体の厚さに対して１／３．５〜１／１１．０、かつ凸凹の平均間隔（Ｓｍ）で、被焼成体の長さに対して１／１．３〜１／１０．０の表面粗さを有するとともに、該コート層が中間層と表層とで構成され、該表層が溶射により形成されたＺｒＯ２質層であることを特徴とするセラミックス電子部品焼成用セッター。
【請求項７】
前記コート層が、十点平均表面粗さ（Ｒｚ）で、２７〜８６μｍ、かつ凸凹の平均間隔（Ｓｍ）で、６０〜４６１μｍの表面粗さを有する請求項６に記載のセラミックス電子部品焼成用セッター。
【請求項８】
前記中間層の表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で、前記コート層の表面粗さに対して、０．３〜２．４倍である請求項６又は７に記載のセラミックス電子部品焼成用セッター。
【請求項９】
前記表層の平均厚さが、２０〜２００μｍである請求項６〜８のいずれか１項に記載のセラミックス電子部品焼成用セッター。
【請求項１０】
前記中間層の表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で、５〜２０μｍである請求項６〜９のいずれか１項に記載のセラミックス電子部品焼成用セッター。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミックコンデンサー、圧電素子、フェライト等のセラミックス電子部品を焼成する際に使用するセッターに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
セラミックス電子部品焼成用セッターは、焼成によりセラミックス質の電子部品を作製する際に、被焼成体（焼成後に電子部品となるものである。以下、同様である。）を載置する部材であり、焼成工程の自動化が進んだ今日では、焼成後、当該セッターを傾斜して、焼成後のセラミック電子部品を所定の位置に収集することが行われている。
【０００３】
また、当該セッターにあっては、焼成の際に、その構成成分が被焼成体に作用して製品を劣化させないこと、更には、被焼成体中のバインダーが、当該セッターの載置面によりその揮発を抑制されることで、焼成ムラを生じさせないことが重要な特性として要求される。
【０００４】
従来、このような特性に着目したセッター等としては、基材表面に、溶射層を形成した治具（特公平４−２１３３０号公報）、更には、基材表面に、溶射層を有し、被焼成体を載置する面の表面粗さを、十点平均粗さで１５０〜１０００μｍとした電子部品焼成用治具（特開２００１−２００３７８公報）が開示されている。
【０００５】
これらの治具は、基材表面に形成された溶射層により、被焼成体との反応が防止されるものである。また、後者の治具は、所定の表面粗さを有する溶射層により、被焼成体との接触面積が小さくなっているため、被焼成体中のバインダーが、治具の存在により何ら抑制されずに揮発し、均一な焼成体が得られるものである。
【０００６】
しかし、これらの治具は、表面粗さが比較的粗いものにあっては、焼成後、当該セッターを傾斜等しても、被焼成体が、治具表面の凹部に引っ掛かって、そのままセッターに残存してしまうことがあった。このため、一度焼成された電子部品が、更に焼成工程に供されてしまう等、自動化にあたっての問題の一つとなっていた。特に、近年、セラミックコンデンサーにあっては、益々、微小化が進み、１．６ｍｍ×０．８ｍｍ、１．０ｍｍ×０．５ｍｍなどのものから０．６ｍｍ×０．３ｍｍのものへと主要サイズが移行してきており、従来の治具を用いてこのサイズのセラミックコンデンサーを焼成した場合には、高率で治具表面の凹部に引っ掛かってしまうのが現状であった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上述の問題に鑑みなされたものであり、焼成時に構成成分が被焼成体と反応することがなく、かつ被焼成体中のバインダーを、セッター載置面側からも容易に揮発して、均一な焼成体を得ることができ、更に自動化された焼成工程で、焼成後の製品を収集する際に、収集不良がないセラミックス電子部品焼成用セッターを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明によれば、基材表面に、コート層を有するセラミックス電子部品焼成用セッターであって、コート層が、算術平均粗さ（Ｒａ）で、被焼成体の厚さに対し、１／２０〜１／６５の表面粗さを有するとともに、コート層が中間層と表層とで構成され、表層が溶射により形成されたＺｒＯ２質層であることを特徴とするセラミックス電子部品焼成用セッターが提供される。
【０００９】
また、本発明によれば、基材表面に、コート層を有するセラミックス電子部品焼成用セッターであって、コート層が、十点平均表面粗さ（Ｒｚ）で、被焼成体の厚さに対して１／３．５〜１／１１．０、かつ凸凹の平均間隔（Ｓｍ）で、被焼成体の長さに対して１／１．３〜１／１０．０の表面粗さを有するとともに、コート層が中間層と表層とで構成され、表層が溶射により形成されたＺｒＯ２質層であることを特徴とするセラミックス電子部品焼成用セッターが提供される。
【００１０】
ここで、算術平均粗さ（Ｒａ）、及び十点平均表面粗さ（Ｒｚ）は、いずれもＪＩＳ規格Ｂ０６０１に準じて、評価長さ１２．５ｍｍ、カットオフ値２．５ｍｍとして測定した値をいい、凸凹の平均間隔（Ｓｍ）は、ＪＩＳ規格Ｂ０６０１に準じて、評価長さ４．０ｍｍ、基準長さ０．８ｍｍとして測定した値をいう。
【００１１】
本発明において、０．６ｍｍ（長さ）×０．３ｍｍ（厚さ）の被焼成体への対応を可能とするためには、前者のセラミックス電子部品焼成用セッターでは、当該コート層の表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で、５〜１５μｍであることが好ましく、後者のセラミックス電子部品焼成用セッターでは、当該コート層の表面粗さが、十点平均表面粗さ（Ｒｚ）で２７〜８６μｍ、かつ凸凹の平均間隔（Ｓｍ）で６０〜４６１μｍであることが好ましい。
【００１２】
本発明においては、このような表面粗さのコート層を、表層単独で形成してもよいが、中間層と表層とで構成し、実質的に、当該中間層の表面粗さにより、コート層の表面粗さを規定しているものが好ましい。この際、中間層の表面粗さは、コート層の表面粗さに対して、算術平均粗さ（Ｒａ）で、０．３〜２．４倍の範囲で制御されていることが好ましい。また、中間層の表面粗さは、算術平均粗さ（Ｒａ）で、５〜２０μｍであることが好ましく、特に、０．６ｍｍ（長さ）×０．３ｍｍ（厚さ）の被焼成体への対応を可能とするためには、算術平均粗さ（Ｒａ）で、５〜１５μｍとすることがより好ましい。
【００１３】
なお、このように中間層の表面粗さでコート層の表面粗さを制御するには、表層の平均厚さが、２０〜２００μｍであることが好ましい。
【００１４】
本発明によるセラミックス電子部品焼成用セッターは、上述の如く、コート層の表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で、被焼成体の厚さの１／２０〜１／６５であり、或いは、十点平均表面粗さ（Ｒｚ）で、被焼成体の厚さの１／３．５〜１／１１．０、かつ凸凹の平均間隔（Ｓｍ）で、被焼成体の長さの１／１．３〜１／１０．０であるため、焼成時に当該セッターの構成成分が被焼成体と反応することがないのは勿論、被焼成体中のバインダーが、被焼成体の載置面から容易に揮発され、均一な焼成体が得られるとともに、焼成後、当該セッターを傾斜等してセラミックス電子部品を収集する際に、総ての電子部品をセッター凹部に引っ掛けることなくスムーズに収集することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を具体的に説明する。
本発明のセラミックス電子部品焼成用セッター（以下、単に「セッター」と省略することがある。）は、基材表面に、コート層を有するものであり、このコート層が、特定範囲の表面粗さを有するとともに、コート層が中間層と表層とで構成され、表層が溶射により形成されたＺｒＯ２質層であるものである。以下、各構成要素毎に、具体的に説明する。
【００１６】
本発明における基材は、その材質について特に制限はなく、セッターとして通常適用されるセラミックスで構成させればよい。また、基材を作製する方法についても特に制限はなく、例えば、セラミックス化原料を、プレス等で成形後、焼成して作製することができる。
【００１７】
次に、本発明におけるコート層は、その表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で、被焼成体の厚さの１／２０〜１／６５、好ましくは被焼成体の厚さの１／２５〜１／６２である。
【００１８】
コート層の表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で、被焼成体の厚さの１／６５未満であると、被焼成体中のバインダーの揮発を抑制して、均一な焼成体が得られず、場合によっては、セッターの構成成分が被焼成体と反応してしまうこともある。一方、コート層の表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で、被焼成体の厚さの１／２０を超えると、焼成後の電子部品をセッターの傾斜等で収集する際に、載置面の凹部に、電子部品が引っ掛かり、そのまま残置されるものが多くなる。
【００１９】
具体的には、例えば、１．６ｍｍ（長さ）×０．８ｍｍ（厚さ）のサイズの電子部品を製造する場合には、コート層の表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で、１２〜４０μｍであることが好ましい。また、例えば、１．０ｍｍ（長さ）×０．５ｍｍ（厚さ）のサイズ等の如く、１．６ｍｍ（長さ）×０．８ｍｍ（厚さ）未満のサイズの電子部品を製造する場合には、コート層の表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で、５〜２０μｍであることが好ましい。特に、最近、主要サイズに移行しつつある０．６ｍｍ（長さ）×０．３ｍｍ（厚さ）のサイズのセラミックスコンデンサーを製造する場合にあっては、コート層の表面粗さが、算術平均粗さ（Ｒａ）で、５〜１５μｍであることが好ましい。因みに、従来のセッターでは、このサイズの電子部品には全く対応しておらず、焼成の自動化を妨げる要因となっていたことは既に述べたところである。
【００２０】
本発明におけるコート層は、その表面粗さが、十点平均表面粗さ（Ｒｚ）で、被焼成体の厚さの１／３．５〜１／１１．０、かつ凸凹の平均間隔（Ｓｍ）で、被焼成体の長さの１／１．３〜１／１０．０であることも好ましく、十点平均表面粗さ（Ｒｚ）で、被焼成体の厚さの１／４．０〜１／１０．０、かつ凸凹の平均間隔（Ｓｍ）で、被焼成体の長さの１／１．５〜１／８．５であることがより好ましい。
【００２１】
コート層の表面粗さが、十点平均表面粗さ（Ｒｚ）で、被焼成体の厚さの１／１１．０未満であると、被焼成体とセッター間で、充分な空間が確保できないため、バインダーの揮発が抑制され、焼成ムラを生じ易くなる。一方、コート層の表面粗さが、十点平均表面粗さ（Ｒｚ）で、被焼成体の厚さの１／３．５を超えると、焼成後の電子部品をセッターの傾斜等で収集する際に、載置面の凹部に、電子部品が引っ掛かり、そのまま残置されるものが多くなる。
【００２２】
また、コート層の表面粗さが、凸凹の平均間隔（Ｓｍ）で、被焼成体の長さの１／１０．０未満、又は１／１．３超過であると、被焼成体とセッター間で、充分な空間が確保できないため、バインダーの揮発が抑制され、焼成ムラを生じ易くなる。
【００２３】
具体的には、例えば、最近、主要サイズに移行しつつある０．６ｍｍ（長さ）×０．３ｍｍ（厚さ）のサイズのセラミックスコンデンサーを製造する場合にあっては、コート層の表面粗さが、十点平均表面粗さ（Ｒｚ）で、２７〜８６μｍかつ凸凹の平均間隔（Ｓｍ）で、６０〜４６１μｍであることが好ましい。
【００２４】
次に、コート層は、基材の載置部分を被覆するものであればよいが、焼成時に炉内のガスと基材との反応が生じると、基材が変形する危険性があるので、その他の部分についてもコート層を形成しておくことが好ましい。
【００２５】
また、コート層としては、中間層と表層とからなるものが好ましい。
もっとも、コート層を中間層と表層とで構成する場合には、実質的に、中間層の表面粗さにより、コート層の表面粗さを規定しているものが好ましい。
このようなコート層では、コート層の表層が溶射により形成されたＺｒＯ２質層であることが重要であり、例えば、溶射として、上述した所望の表面粗さを得難いガスプラズマ溶射を用いることがより好ましい。
【００２６】
また、この場合には、中間層の表面粗さを、コート層の表面粗さに対して、算術平均粗さ（Ｒａ）で、０．３〜２．４倍とすることが好ましく、０．５〜２．０倍とすることがより好ましい。
【００２７】
中間層の表面粗さが、コート層の表面粗さに対して、この範囲の算術平均粗さ（Ｒａ）であると、表層の厚さが略均一となり、コート層の劣化が均一に発生するため、当該表層が剥離し難くなる。
【００２８】
具体的には、被焼成体のサイズ毎に、前述したコート層の表面粗さと略同一の表面粗さとすることが好ましく、例えば、０．６ｍｍ（長さ）×０．３ｍｍ（厚さ）より大きなサイズのセラミックスコンデンサーを製造する場合にあっては、中間層の表面粗さを、算術平均粗さ（Ｒａ）で、５〜２０μｍとすることが好ましい。また、０．６ｍｍ（長さ）×０．３ｍｍ（厚さ）のサイズのセラミックスコンデンサーを製造する場合にあっては、中間層の表面粗さを、算術平均粗さ（Ｒａ）で、５〜１５μｍとすることが好ましい。
【００２９】
また、コート層を中間層と表層とで構成する場合には、表層の平均厚さを、２０〜２００μｍとすることが好ましく、２０〜１００μｍとすることがより好ましい。表層の平均厚さが２０μｍ未満では、中間層の一部に表層が付着せずに、中間層が露出する場合があり、セッターの構成成分が被焼成体と反応し易くなる。一方、表層の平均厚さが２００μｍを超えると、中間層の表面粗さにより、コート層の表面粗さを制御することが困難になる。なお、中間層の厚さについては、特に制限はないが、７０〜３００μｍ程度で形成することが好ましい。
【００３１】
本発明においてコート層を中間層と表層とで構成する場合は、当該表層については、粗面化を伴わない溶射により形成することが、精度よく平均厚さ２０〜２００μｍの層を形成させるために、重要である。また、当該中間層については、例えば、スプレーコーティング、又は粗面化を伴う溶射により形成すればよい。
【００３３】
溶射としては、例えば、加熱の方法により燃焼炎を用いるガス溶射、アークを用いるアーク溶射、プラズマジェットを用いるプラズマ溶射等を挙げることができるが、精度よく平均厚さ２０〜２５０μｍの層が形成できる点で、プラズマ溶射により表層を形成することが好ましい。また、プラズマ溶射としては、水安定化プラズマ溶射、ガスプラズマ溶射等を挙げることができ、水安定化プラズマ溶射は、中間層に対して密着性の高い表層を形成することができる点で好ましく、ガスプラズマ溶射は、平均厚さ２０〜５０μｍ程度まで、表層を薄層化でき、中間層の表面粗さを、載置面の表面粗さに、より直接的に反映できる点で好ましい。
【００３４】
なお、本発明において、中間層及び表層の材質については特に制限はなく、セッターに通常コートされるもので構成させればよい。
【００３５】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて、より具体的に説明する。但し、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００３６】
（評価方法）
▲１▼  表面粗さ
算術平均粗さ（Ｒａ）、十点平均表面粗さ（Ｒｚ）、凸凹の平均間隔（Ｓｍ）について評価した。評価は、ＪＩＳ規格Ｂ０６０１に準じて行い、算術平均粗さ（Ｒａ）、及び十点平均表面粗さ（Ｒｚ）は、いずれも、評価長さ１２．５ｍｍ、カットオフ値２．５ｍｍとして測定し、凸凹の平均間隔（Ｓｍ）は、評価長さ４．０ｍｍ、基準長さ０．８ｍｍとして測定した。
【００３７】
▲２▼  厚み比率（１）
寸法が０．６ｍｍ（長さ）×０．３ｍｍ（厚さ）のものを被焼成体とした際の、被焼成体の厚さに対する各実施例及び各比較例におけるセッターの算術平均粗さ（Ｒａ）の比を示した。
【００３８】
▲３▼  厚み比率（２）
寸法が０．６ｍｍ（長さ）×０．３ｍｍ（厚さ）のものを被焼成体とした際の、被焼成体の厚さに対する各実施例及び各比較例におけるセッターの十点平均表面粗さ（Ｒｚ）の比を示した。
【００３９】
▲４▼  長さ比率
寸法が０．６ｍｍ（長さ）×０．３ｍｍ（厚さ）のものを被焼成体とした際の、被焼成体の長さに対する各実施例及び比較例におけるセッターの凸凹の平均間隔（Ｓｍ）の比を示した。
【００４０】
▲５▼  引っ掛かり頻度
チタン酸バリウムを原料として、寸法が０．６ｍｍ（長さ）×０．３ｍｍ（厚さ）で、市販のセラミックスコンデンサーと同形状の試料を作製した。そして、この試料を、５０００個、各実施例及び各比較例で得られたセッターに載置した後、当該セッターを３０°傾斜させた状態で振動を加え、試料の移動、収集状態を観察して評価した。
評価は、総ての試料が、コート層の凹部に引っ掛かることなく、すべて収集された場合を○、一部の試料で、引っ掛かりながらもすべて収集された場合を△、引っ掛かりがありすべての試料が収集できなかった場合を×として評価した。
【００４１】
▲６▼  バインダー揮発性
チタン酸バリウムを主原料とし、バインダーとしてアクリル系バインダー３０％を含有する原料を用い、ドクターブレード法にてシートを作製し、次いで、圧着、切断して、０．６ｍｍ（長さ）×０．３ｍｍ（厚さ）のサイズで、市販のセラミックスコンデンサーと同形状としたものを試料として作製した。そして、この試料を、各実施例及び比較例で得られたセッターに載置し、Ｎ2雰囲気下で、３００℃で２時間加熱し、加熱前後で減量した重量にて、揮発したバインダー量を評価した。
評価は、理論上の重量減量を１００％として、１００〜８０％を○、８０〜５０％を△、５０％以下を×として評価した。
【００４２】
▲７▼  剥離性
各実施例及び各比較例で得られたセッターに誘電体であるチタン酸バリウム溶液を塗布した後、１３５０℃、２時間の焼成を５回繰り返し、基材からコート層が剥離しているかを確認した。
評価は、まったくコート層の剥離が認められないものを○、コート層の２０％以下の部分に剥離が認められるのものを△、コート層の２０％以上の部分で剥離が認められるのものを×として評価した。
【００４３】
▲８▼  表層付着性
中間層及び表層を形成した各実施例及び各比較例のセッターを切断して、切断面を顕微鏡で観察し、未着部分の無い場合を○、未着部分の有る場合を×として評価した。
【００４４】
▲９▼  中間層によるコート層の表面粗さに対する制御性
中間層と、コート層（表層）とについて、算術平均算術平均粗さ（Ｒａ）を測定し、中間層の算術平均算術平均粗さ（Ｒａ）が、コート層（表層）の算術平均算術平均粗さ（Ｒａ）に対して、０．３〜２．４倍である場合を○、それ以外の場合を×として評価した。
【００４５】
（実施例１）
基材としては、Ａｌ2Ｏ3含有量が８０質量％、ＳｉＯ2が１９質量％、その他の材料が１質量％からなる材料をプレス成形した後、焼成して、Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2質で、サイズが縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×厚さ５ｍｍの板状体のものを作製した。
【００４６】
次いで、平均粒径２μｍのＡｌ2Ｏ3６０質量％と、平均粒径２０μｍのＡｌ2Ｏ3４０質量％とを混合して固形成分を調製した後、水３０質量部に対して、この固形成分６７質量部と、バインダー３質量部とを含有させてスラリーを調製した。そして、このスラリーを、基材の表面に、スプレーガンを用いて、空気圧５ｋｇ／ｃｍ2でスプレーコーティングした後、１４５０℃で２時間焼付け処理を行い、Ａｌ2Ｏ3質で、厚さ１００μｍ、算術平均算術平均粗さ（Ｒａ）５μｍの中間層を形成した。
【００４７】
次いで、この基材の表面に、平均粒径８０μｍのジルコニア粒子を用いてプラズマ溶射し、ＺｒＯ2質で、厚さ１００μｍ、算術平均算術平均粗さ（Ｒａ）１５μｍの表層を形成して、セラミックス電子部品用セッターを製造した。特性及び評価については、表１にまとめて示す。
【００４８】
（実施例２〜４及び比較例１〜３）
それぞれ、平均粒径６０μｍ、５０μｍ、４０μｍ、１１０μｍ、８０μｍ、又は３０μｍのジルコニア粒子を用いてプラズマ溶射を行い、それぞれ、算術平均算術平均粗さ（Ｒａ）１２μｍ、８μｍ、５μｍ、２０μｍ、１６μｍ、又は４μｍの表層を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、セッターを製造した。特性及び評価については、表１にまとめて示す。
【００４９】
（評価）
表１に示すように、算術平均粗さ（Ｒａ）が、５〜１５μｍの範囲で、厚み比率（１）が、１／２０．０〜１／６０．０の実施例１〜４のセラミックス電子部品用セッターでは、当該セッターを３０°傾斜させると、載置した試料が総てスムーズに収集され、バインダーの揮発性も良好であった。
【００５０】
これに対して、算術平均粗さ（Ｒａ）が、それぞれ２０μｍ、１６μｍで、厚み比率（１）が、それぞれ１／１５．０、１／１８．８と大きな比較例１、２のセラミックス電子部品用セッターでは、バインダーの揮発性がいずれも良好であったものの、当該セッターを３０°傾斜させると、載置した試料が高率で引っ掛かった。また、算術平均粗さ（Ｒａ）が４μｍで、厚み比率（１）が１／７５．０と小さな比較例３のセラミックス電子部品用セッターでは、当該セッターを３０°傾斜させると、載置した試料が総てスムーズに収集されるものの、バインダーの揮発性については、重量減量が８０％未満のものが認められた。
【００５１】
【表１】
0004024544.tif 000002
【００５２】
（実施例５〜１０及び比較例４〜７）
それぞれ、平均粒径５０μｍのジルコニア粒子を用いて、溶射ガンと基材との距離を調整してプラズマ溶射を行うことにより、それぞれ所定の表面粗さの表層としたこと以外は、実施例１と同様にして、セッターを製造した。
【００５３】
（評価）
表２に示すように、厚み比率（２）が、１／４．０〜１／１０．０であり、長さ比率が、１／１．５〜１／８．０である実施例５〜１０のセラミックス電子部品用セッターでは、当該セッターを３０°傾斜させると、載置した試料が総てスムーズに収集され、バインダーの揮発性も良好であった。
【００５４】
これに対して、厚み比率（２）が、１／７．０であるものの、長さ比率が、１／１．２と大きな比較例４、及び長さ比率が、１／１２．０と小さな比較例５のセラミックス電子部品用セッターでは、いずれも、当該セッターを３０°傾斜させると、載置した試料が総てスムーズに収集されたものの、バインダーの揮発性については、殆どの試料で重量減量が５０％以下であった。
【００５５】
また、長さ比率が、１／３．０であるものの、厚み比率（２）が、１／３．０と大きな比較例６のセラミックス電子部品用セッターでは、バインダーの揮発性が良好であったものの、当該セッターを３０°傾斜させると、載置した試料が高率で引っ掛かった。また、長さ比率が、１／３．０であるものの、厚み比率が、１／１２．０と小さな比較例７のセラミックス電子部品用セッターでは、当該セッターを３０°傾斜させると、載置した試料が総てスムーズに収集されたものの、バインダーの揮発性については、殆どの試料で重量減量が５０％以下であった。
【００５６】
【表２】
0004024544.tif 000003
【００５７】
（実施例１１〜１４及び比較例８〜１０）
中間層を形成した基材に、それぞれ、平均粒径３０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、９０μｍ、２５μｍ、１２０μｍ、又は１５０μｍのジルコニア粒子を用いて、プラズマ溶射し、それぞれ、算術平均粗さ（Ｒａ）２．５μｍ、８．０μｍ、１０．０μｍ、１６μｍ、１．５μｍ、１７．０μｍ、又は２０．０μｍの表層を形成して、セラミックス電子部品用セッターを製造したこと以外は、実施例１と同様にして、セッターを製造した。
【００５８】
（評価）
表３に示すように、表面粗さ比が、０．３１３〜２．３８１である実施例１１〜１４のセラミックス電子部品用セッターでは、コート層の剥離がまったく認められなかった。
【００５９】
これに対して、表面粗さ比が、３．３３３と大きな比較例８及び表面粗さ比が、０．２９４と比較的小さな比較例９のセラミックス電子部品用セッターでは、コート層の一部に剥離が認められた。また、表面粗さ比が、０．２５０と更に小さな比較例１０のセラミックス電子部品用セッターでは、コート層の殆どの部分で剥離が認められた。
【００６０】
【表３】
0004024544.tif 000004
【００６１】
（実施例１５〜１８及び比較例１１、１２）
まず、平均粒径２μｍのＡｌ2Ｏ3６０質量％と、平均粒径２０μｍのＡｌ2Ｏ3４０質量％とを混合して固形成分を調製した後、水２５質量部に対して、この固形成分７２質量部と、バインダー３質量部とを含有させてスラリーを調製した。次いで、実施例１と同様にして作製した基材表面に、このスラリーを、実施例１と同様にして、スプレーコーティング、更には焼付け処理を行い、算術平均算術平均粗さ（Ｒａ）２０．０μｍの中間層を形成した。
次いで、この基材の表面に、平均粒径１１０μｍのジルコニア粒子を用いて、プラズマ溶射し、ＺｒＯ2質の表層を、それぞれ厚さ２０．０μｍ、５０．０μｍ、１００．０μｍ、２００．０μｍ、１５．０μｍ、又は２５０．０μｍで形成して、セラミックス電子部品用セッターを製造した。
【００６２】
（評価）
表４に示すように、表層厚さが、２０．０〜２００．０μｍである実施例１５〜１８のセラミックス電子部品用セッターでは、中間層と表層との間に、未着部分はまったく認められず、中間層の算術平均算術平均粗さ（Ｒａ）が、コート層（表層）の算術平均算術平均粗さ（Ｒａ）に対して、０．３〜２．４倍の範囲内にあった。
【００６３】
これに対して、表層厚さが、１５．０μｍである比較例１１のセラミックス電子部品用セッターでは、中間層と表層との間に、一部で未着部分が認められた。また、表層厚さが、２５０．０μｍである比較例１２のセラミックス電子部品用セッターでは、コート層（表層）と中間層との算術平均算術平均粗さ（Ｒａ）の較差が大きく、中間層によるコート層の表面粗さの制御が不充分であった。
【００６４】
【表４】
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【００６５】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明のセラミックス電子部品焼成用セッターによれば、焼成時に構成成分が被焼成体と反応することがないばかりか、被焼成体中のバインダーの揮発を抑制することがなく、均一な焼成体を得ることができる。加えて、自動化された焼成工程で、焼成後の製品を収集する際に、何ら収集不良がなく、焼成自動化への対応が可能となる。