(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高純度金にＣｏ，Ｚｎのうち少なくとも１種を０．１〜１．０重量％、Ｍｎを０．１〜１．０重量％及びＬａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｅｕ、のうち少なくとも１種を１〜１０００重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素子ボンディング用金合金線。
【請求項２】
高純度金にＣｏ，Ｚｎのうち少なくとも１種を０．１〜１．０重量％、Ｍｎを０．１〜１．０重量％及びＣａを１０〜１０００重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素子ボンディング用金合金線。
【請求項３】
高純度金にＣｏ，Ｚｎのうち少なくとも１種を０．１〜１．０重量％、Ｍｎを０．１〜１．０重量％、Ｃａ及びＬａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｂｅ，Ｅｕ、のうち少なくとも１種を各々５重量ppm 以上且つその合計で１０〜１０００重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素子ボンディング用金合金線。
【請求項４】
更にＺｒ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種を０．１〜１．０重量％含有させたことを特徴とする請求項１〜３記載の半導体素子ボンディング用金合金線。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子のボンディングワイヤおよびバンプ形成用として有用なボンディング用金合金線に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から半導体装置に用いられるＩＣチップ電極と外部リード線を接続する線としては、純度９９．９９重量％以上の高純度金に他の金属元素を微量含有させた金合金線が信頼性に優れているとして多用されている。
通常半導体装置は前記接続する方法として、金合金線を用いた超音波併用熱圧着ボンディング法が主として用いられ、その後樹脂封止して半導体装置とされている。
【０００３】
ここで超音波併用熱圧着ボンディング法により配線し、ループを形成した状態を図１に示す。１はＩＣチップ、２はＩＣチップ上のＡｌ電極、３は金合金線、４はリードフレーム、５はファースト側接合点、６はセカンド側接合点である。
最近半導体装置は動作電源や外部環境によって加熱され、高温に晒されて使用されることが多く、ボンディングワイヤには高温で長時間保持しても接合劣化が小さいことが求められている。この為、従来から高温に保持した後のプル強度劣化に有効であるとして所定の金合金組成が提案されている。例えば特開平１０−４１１５号公報にはワイヤボンディングした試料を２００℃で１００時間保持した後のプル強度に優れているとしてＣｏ，Ｇｅ等を含有した組成の金合金線が開示されている。また特開平２−２１５１４０号公報にはワイヤボンディングした試料を２５０℃で９００分保持した後のシェア強度に優れているとしてＭｎ等を含有した組成の金合金線が開示されている。
【０００４】
一方、前記高温に保持した後の接合性を向上するような金合金線にするために、金に合金元素を添加すると振動破断性能が低下してくるという問題が生じてくる。該振動破断性能は半導体装置の樹脂封止前の試料運搬時に振動による断線を防止出来る性能として金合金線に要求されるものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ここで従来から接合性の信頼性を向上させようとするとボール真球度、振動破断率、ＩＣチップの割れ性の何れかに問題が生じると共に、最近では高温で更に長時間の環境に保持した後の更なる接合性の信頼性の向上が求められている。前記した金合金線に於いても前述の要求に対して未だ不十分である。
【０００６】
本発明は上述したような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは高温で長時間の環境に保持した後の接合性（以下「高温接合性」という）の信頼性が向上すると共に、ボール真球度に優れ、振動破断率が小さく、ＩＣチップの割れが少ない金合金線を提供する事にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者等が鋭意研究を重ねた結果、所定量のＣｏ，Ｚｎ（以下「第１群元素」という）のうち少なくとも１種と所定量のＭｎと所定量のＬａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｅｕ（以下「第２群元素」という）を高純度金に含有させることにより、前述の目的を達成しうることを知見し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
（１）高純度金にＣｏ，Ｚｎのうち少なくとも１種を０．１〜１．０重量％、Ｍｎを０．１〜１．０重量％及びＬａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｅｕ、のうち少なくとも１種を１〜１０００重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素子ボンディング用金合金線。
【０００９】
（２）高純度金にＣｏ，Ｚｎのうち少なくとも１種を０．１〜１．０重量％、Ｍｎを０．１〜１．０重量％及びＣａを１０〜１０００重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素子ボンディング用金合金線。
（３）高純度金にＣｏ，Ｚｎのうち少なくとも１種を０．１〜１．０重量％、Ｍｎを０．１〜１．０重量％、Ｃａ及びＬａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｂｅ，Ｅｕ、のうち少なくとも１種を各々５重量ppm 以上且つその合計で１０〜１０００重量ppm 含有させたことを特徴とする半導体素子ボンディング用金合金線。
【００１０】
（４）更にＺｒ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種を０．１〜１．０重量％含有させたことを特徴とする上記（１）〜（３）記載の半導体素子ボンディング用金合金線。本発明の半導体素子ボンディング用金合金線は、ボール真球度、振動破断率、ＩＣチップ割れと共に、特に高温接合性に優れているので、ワイヤボンディング用のみならず、バンプ形成用に用いても優れており、本発明はバンプ形成用途を含むものである。
本発明の半導体素子ボンディング用金合金線は、ボール真球度、振動破断率、ＩＣチップ割れと共に、特に高温接合性に優れているので、ワイヤボンディング用のみならず、バンプ形成用に用いても優れており、本発明はバンプ形成用途を含むものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
（１）原料金
原料金としては少なくとも９９．９９重量％以上に精製した高純度金を用いることが好ましい。更に好ましくは９９．９９５重量％以上であり、最も好ましくは９９．９９９重量％以上である。この為合金中の不可避不純物は０．０１重量％未満が好ましい。更に好ましくは０．００５重量％未満であり、最も好ましくは０．００１重量％未満である。不可避不純物が少ない程有害元素を除去出来るため信頼性が向上して好ましい。
（２）〔Ｃｏ，Ｚｎ〕
ａ）前記高純度金に所定量のＭｎと所定量の第２群元素のうち少なくとも１種との共存において、所定量のＣｏ，Ｚｎのうち少なくとも１種を含有した組成とすることにより本発明の課題を達成することが出来る。
【００１２】
ｂ）前記共存組成において０．１〜１．０重量％のＭｎと１〜１０００重量ppm の第２群元素のうち少なくとも１種と共存したＣｏ，Ｚｎのうち少なくとも１種の含有量が０．１重量％以上になるとこれを含有しないものと対比して高温接合性が向上してくる。Ｃｏ，Ｚｎのうち少なくとも１種の含有量が１．０重量％を越えるとＩＣチップの割れが生じてくる。この為共存組成に於けるＣｏ，Ｚｎのうち少なくとも１種の含有量は０．１〜１．０重量％と定めた。
（３）Ｍｎ
ａ）高純度金に所定量の第１群元素のうち少なくとも１種と所定量の第２群元素のうち少なくとも１種との共存において、所定量のＭｎを含有した組成とすることにより前記課題を達成することが出来る。
【００１３】
ｂ）前記共存組成において０．１〜１．０重量％の第１群元素のうち少なくとも１種と１〜１０００重量ppm の第２群元素のうち少なくとも１種と共存したＭｎの含有量が０．１重量％以上になると、これを含有しないものと対比して高温接合性が向上してくる。Ｍｎの含有量が１．０重量％を越えるとＩＣチップの割れが生じてくる。この為共存組成に於けるＭｎの含有量は０．１〜１．０重量％と定めた。
（４）〔Ｌａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｅｕ〕
ａ）高純度金に所定量の第１群元素のうち少なくとも１種と所定量のＭｎとの共存において、所定量の第２群元素のうち少なくとも１種を含有した組成とすることにより前記課題を達成することが出来る。
【００１４】
ｂ）前記共存組成において０．１〜１．０重量％の第１群元素のうち少なくとも１種と０．１〜１．０重量％のＭｎと共存した第２群元素のうち少なくとも１種の含有量が１重量ppm 以上になると、これを含有しないものと対比して、振動破断率が向上してくる。第２群元素のうち少なくとも１種の含有量が１０００重量ppm を越えるとボール真球度が悪くなる。。この為共存組成に於ける第２群元素のうち少なくとも１種の含有量は１〜１０００重量ppm と定めた。
【００１５】
ｃ）更に前記共存組成において所定量の第２群元素のうち少なくとも１種が次の３種類の場合は、Ｃａを単独で１重量ppm 以上１０重量ppm 未満含有する場合と対比してボール真球度が一段と向上してくる。
この為、前記共存組成において所定量の第２群元素のうち少なくとも１種が次の３種類のうち何れか１つであることが好ましい。
【００１６】
ｉ）Ｌａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｂｅ，Ｅｕのうち少なくとも１種を１〜１０００重量ppm
ii）Ｃａを１０〜１０００重量ppm
iii)  Ｃａ及びＬａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｂｅ，Ｅｕのうち少なくとも１種を各々５重量ppm 以上且つその合計で１０〜１０００重量ppm
（５）〔Ｚｒ，Ｃｒ，Ｍｏ〕
金合金線に所定量の第１群元素と所定量のＭｎと所定量の第２群元素が高純度金に含有されている限り、本発明の効果は他の元素を含有させても基本的に維持される。一般的には他の元素の含有量が１．０重量ppm 以下であれば本発明による相乗効果が維持される。他の元素を含有させた例としてＺｒ，Ｃｒ，Ｍｏ（以下「第３群元素」という）のうち少なくとも１種が更に０．１〜１．０重量％含有された場合において、同様の効果が維持出来ることが例示出来る。
（６）金合金線の製造方法
本発明の金合金線の好ましい製造方法を説明する。
【００１７】
高純度金に所定量の各元素を添加し、真空溶解炉で溶解した後インゴットに鋳造する。インゴットに溝ロール、伸線機を用いた冷間加工と中間アニールを施し、最終冷間加工により直径１０〜１００μｍの細線とした後最終アニールを施す。
（７）用途
本発明になる半導体素子ボンディング用金合金線は、半導体装置の実装に際して、ＩＣチップ等の半導体素子をリードフレームに接続する際、超音波併用熱圧着ボンディング法を用いた配線材料として好ましく用いられる。また、半導体装置のＩＣチップ等の電極バンプ形成用としても有用である。半導体装置はその後樹脂封止をして仕上げられる。
【００１８】
【実施例】
表１〜４に示す実施例及び比較例について説明する。
（実施例１）
純度９９．９９９重量％の高純度金に所定量のＣｏ，Ｍｎ，Ｌａを添加し真空溶解炉で溶解した後、鋳造して表１に示す組成の金合金インゴットを得、これに溝ロール、伸線機を用いた冷間加工と中間アニールを施し、最終冷間加工により直径３０μｍとし、伸び率４％となるように最終アニールを行い更に表面処理剤を被覆して金合金線に仕上げた。
【００１９】
この金合金線を全自動ボンディングマシン（新川株式会社製ＵＴＣ−１００型）を用いてＩＣチップのＡｌ電極と銅合金リードフレームを超音波併用熱圧着ボンディング法でピン数９６個のボンディング試料（この樹脂封止前の試料を「ボンディング試料」という）を作成した。次いで該ボンディング試料をエポキシ樹脂で樹脂封止した半導体試料（この樹脂封止後の試料を「半導体試料」という）を作成した。これらの試料を用いて次の試験を行った。
〔高温接合性試験〕
前記半導体試料を用いて事前に端子間の電気抵抗を測定した。次いで高温槽を用いて２００℃で２，０００時間保持して高温加速試験を行った後、同一端子間の電気抵抗を測定し、電気抵抗の変化が１Ω以上となった場合不良箇所とした。試験は４個の半導体試料から任意に１００カ所選定して測定した。不良箇所の数を高温放置不良率として表１に示した。
〔ボール真球度〕
全自動ボンディングマシンにて大気中でボールを作成し、１０００倍の測定顕微鏡を用いてボールの縦、横長さを測定し、次式によってボール真球度を算出した。１０個のボールについて測定し、その平均値をボール真球度として表１に示した。
【００２０】
ボール真球度＝（短径）／（長径）
〔振動破断率〕
前記ボンディング試料を搬送用マガジンに挿入したものを振動試験機に固定し、試料を振動させた。振動は周波数１００Hz、変位量０．１mmとして繰り返し与えた。２００００回の振動を与えた後、実体顕微鏡にて破断したワイヤ本数を数えた。試験は４個のボンディング試料から任意に選定した１００本のワイヤ中のワイヤ破断数を振動破断率として表１に示した。
〔チップ割れ〕
前記ボンディング試料をＫＯＨ  １wt％水溶液中に約３０分浸漬し、ＩＣチップ上のＡｌ電極膜を除去した後、ＩＣチップ表面を金属顕微鏡で観察し、チップ割れの有無を観察した。試験は４個のボンディング試料から任意に選定した電極試料数１００個中のチップ割れ数をチップ割れ不良率として表１に示した。
（実施例２〜５３）（比較例１〜１７）
金合金線の組成を表１〜４に示すようにしたこと以外は実施例１と同様にして金合金線に仕上げ、同様の試験を行ってその結果を表１〜４に示した。
【００２１】
【表１】
0003916320.tif 000002
【００２２】
【表２】
0003916320.tif 000003
【００２３】
【表３】
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【００２４】
【表４】
0003916320.tif 000005
【００２５】
（試験結果）
（１）高純度金にＣｏ，Ｚｎ（第１群元素）のうち少なくとも１種を０．１〜１．０重量％、Ｍｎを０．１〜１．０重量％、Ｌａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｅｕ（第２群元素）のうち少なくとも１種を１〜１０００重量ppm 共存して含有した組成である実施例１〜３９は高温放置不良率が０％、ボール真球度が０．９５〜０．９９、振動破断率が０〜５％、チップ割れ不良率が０％と優れた効果を示した。
（２）この中でも第２群元素のうち少なくとも１種が次の３種類のうち何れか１つである場合は、Ｃａのみを１〜１０重量ppm 未満含有する実施例２３と対比して振動破断率が５％に対して０％と更に優れた効果を示す様になる。この為共存元素としての第２群元素のうち少なくとも１種は次の３種類のうち何れか１つであることが好ましい。
【００２６】
ｉ）Ｌａ，Ｅｕ，Ｙ，Ｂｅのうち少なくとも１種を１〜１００重量ppm
ii）Ｃａを１０〜１００重量ppm
iii)  ＣａとＬａ，Ｅｕ，Ｙ，Ｂｅのうち少なくとも１種とを合計１〜１００重量ppm
（３）更にＺｒ，Ｃｒ，Ｍｏ（第３群元素）のうち少なくとも１種を０．１〜１．０重量％含有させた実施例４０〜５３は高温放置不良率が０％、ボール真球度が０．９５〜０．９９、振動破断率が０％、チップ割れ不良率が０％と同様に優れた効果を示した。
（４）高純度金に第１群元素のうち少なくとも１種又はＭｎのみを含有する比較例１〜３は高温放置不良率が６８〜７７％、振動破断率が２２〜３５％であり本願の構成である実施例１〜５３の方が優れていることがわかる。
（５）高純度金に第２群元素のうち少なくとも１種を含有しない比較例４は振動破断率が３３％であり本願の構成である実施例１〜５３の方が優れていることがわかる。
（６）高純度金に第１群元素のうち少なくとも１種を含有しない比較例５〜７は高温放置不良率が５８〜７２％であり本願の構成である実施例１〜５３の方が優れていることがわかる。
（７）高純度金にＭｎを含有しない比較例８，９は高温放置不良率が６１〜６４％であり本願の構成である実施例１〜５３の方が優れていることがわかる。
（８）高純度金に第２群元素のうち少なくとも１種のみを含有する比較例１０〜１１は高温放置不良率が１００％であり本願の構成である実施例１〜５３の方が優れていることがわかる。
（９）高純度金に含有する第１群元素のうち少なくとも１種又はＭｎの含有量が１重量％を越える比較例１２〜１５はチップ割れ不良率が５１〜６８％であり本願の構成である実施例１〜５３の方が優れていることがわかる。
（１０）高純度金に含有する第２群元素のうち少なくとも１種の含有量が１０００重量％を越える比較例１６〜１７はボール真球度が０．６０〜０．６５であり本願の構成である実施例１〜５３の方が優れていることがわかる。
【００２７】
【発明の効果】
本発明により高純度金にＣｏ，Ｚｎのうち少なくとも１種を０．１〜１．０重量％、Ｍｎを０．１〜１．０重量％、Ｌａ，Ｙ，Ｇｄ，Ｂｅ，Ｃａ，Ｅｕのうち少なくとも１種を１〜１０００重量ppm 含有させた組成を有する半導体素子ボンディング用金合金線によれば、高温で長時間の環境に保持した後の接合性の信頼性が向上すると共に、ボール真球度に優れ、振動破断率が小さく、ＩＣチップの割れが少ない金合金線とすることが出来る。
【００２８】
前記含有成分に加えて０．１〜１．０重量％のＺｒ，Ｃｒ，Ｍｏのうち少なくとも１種を含有した場合においても同様の効果を示す。
【図面の簡単な説明】
【図１】ワイヤボンディング法により金合金線を用いてＩＣチップとリードフレームの間を接続した様子を示す。
【符号の説明】
１…ＩＣチップ
２…Ａｌ電極
３…金合金線
４…リードフレーム
５，６…接合点
【図１】
0003916320.tif 000006