(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面に薄膜の金属層を貼り合わせてなる絶縁層における一方の面の金属層の一部を残して、信号線となる複数の金属配線パターンをエッチングにより形成する工程と、
前記絶縁層における前記各信号線が形成された面に対して、片面に金属層を貼り合わせてなる絶縁層の絶縁面を積層する工程と、
前記各信号線をほぼ中央にして、一方の金属層から他方の金属層に達するように、それぞれ溝加工を施す工程と、
少なくとも前記溝加工を施した部分に対して金属メッキを実行することで、前記各信号線を取り囲んだ絶縁層の外側をシールド電極で覆った同軸線路構造をそれぞれ形成する工程と、
を実行することにより、隣り合う同軸線路が前記シールド電極の構成材による連結部を介して相互に接続された複数の同軸線路構造を有するプリント配線基板を製造する製造方法であって、
前記信号線の幅ｗが１００μｍ、前記信号線の厚さｔが３６μｍであり、前記信号線を取り囲んだ絶縁層の比誘電率εｒが３．８になされ、
延長方向に直交する断面の内側形状が矩形状に形成された前記シールド電極の左右シールド壁と前記信号線との距離ｇを１００±４０μｍの範囲内に、前記シールド電極の上下シールド壁と前記信号線との距離ｃを１００±４０μｍの範囲内にそれぞれ設定することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【請求項２】
両面に薄膜の金属層を貼り合わせてなる絶縁層における一方の面の金属層の一部を残して、信号線となる複数の金属配線パターンをエッチングにより形成する工程と、
前記絶縁層における前記各信号線が形成された面に対して、片面に金属層を貼り合わせてなる絶縁層の絶縁面を積層する工程と、
前記いずれか一方の絶縁層に貼り合わされた金属層に対して、コア基板を積層する工程と、
前記各信号線をほぼ中央にして、コア基板の積層側とは反対面から、前記コア基板を積層した金属層に達するように、それぞれ溝加工を施す工程と、
少なくとも前記溝加工を施した部分に対して金属メッキを実行することで、前記各信号線を取り囲んだ絶縁層の外側をシールド電極で覆った同軸線路構造をそれぞれ形成する工程と、
を実行することにより、隣り合う同軸線路が前記シールド電極の構成材および前記コア基板による連結部を介して相互に接続された複数の同軸線路構造を有するプリント配線基板を製造する製造方法であって、
前記信号線の幅ｗが１００μｍ、前記信号線の厚さｔが３６μｍであり、前記信号線を取り囲んだ絶縁層の比誘電率εｒが３．８になされ、
延長方向に直交する断面の内側形状が矩形状に形成された前記シールド電極の左右シールド壁と前記信号線との距離ｇを１００±４０μｍの範囲内に、前記シールド電極の上下シールド壁と前記信号線との距離ｃを１００±４０μｍの範囲内にそれぞれ設定することを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記各絶縁層に、エポキシ系樹脂、ＰＥＥＫ系樹脂、液晶ポリマー系樹脂、ポリイミド系樹脂、もしくはテフロン系樹脂のいずれかによるプリプレグを用いたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の同軸線路構造を有するプリント配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁層に貼り合わされる金属層が、銅箔である請求項１または請求項２に記載の同軸線路構造を有するプリント配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記溝加工がレーザービームの照射により実行される請求項１または請求項２に記載の同軸線路構造を有するプリント配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記溝加工を施した部分になされる金属メッキが、銅メッキである請求項１または請求項２に記載の同軸線路構造を有するプリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
この発明は、電子情報通信システムの実装系で用いられる高密度プリント配線基板に関するものであり、信号線として同軸線路構造を備え、低クロストーク特性および高い雑音耐性を得ることができる同軸線路構造を有するプリント配線基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近来の電子情報通信システムにおいては、当該システムにおいて扱われる信号周波数がより高周波化されており、これに加えて高密度実装化が進展している。このような高周波化、並びに高密度実装化の進展に伴い、信号伝達線路間における信号クロストークおよび信号伝達線路から輻射されるノイズまたは外来ノイズの対策がきわめて重要な課題となっている。
【０００３】
そこで、前記した電子情報通信システムの実装系で用いられる高密度プリント配線基板においては、前記したノイズ対策として、信号線パターンに隣接させてダミーの配線パターンを施し、当該ダミーの配線パターンに対して電源ラインまたは接地ライン等の基準電位を印加する手段が提案されている。また、信号伝達線路間において発生するクロストークは、両者の線路間における静電容量に起因するものであるため、その対策として信号線間の間隔を広くする、または信号線の線幅を互いに狭くする等の対処も考えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記した電子情報通信システムの実装系で用いられる高密度プリント配線基板においては、信号線路構造として、一般的にストリップ線路またはマイクロストリップ線路が用いられている。このようなストリップ線路またはマイクロストリップ線路の配線構造においては、配線から発生する電磁界がグランド面に沿って横に広がっているために、配線間の信号クロストークおよび外来雑音の影響に対して、十分な遮断特性を備えることは本質的に困難であった。
【０００５】
この発明は、前記したような技術的な問題点に着目してなされたものであり、プリント配線基板内の配線構造として同軸線路構造を採用し、配線から生じる電磁界を同軸シールド構造の内部に閉じこめることにより、配線間の信号クロストークおよび外来雑音に対する耐性を飛躍的に向上させることができるプリント配線基板の製造方法を提供することを課題とするものである。
【０００６】
加えて、この発明においては、前記した構成のプリント配線基板を製造するにあたり、同軸線路上の特性インピーダンスを容易に調整する手法を提供するものであり、これにより、非常に高い信号周波数（例えば数百ＧＨｚ以上）まで安定した伝送特性を有するプリント配線基板の製造方法を提供することを課題とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明の製造方法によって得られる同軸線路構造を有するプリント配線基板は、信号線の周りを絶縁層で取り囲み、その外側をシールド電極で覆った同軸線路構造を有し、隣り合う同軸線路が前記シールド電極の構成材による連結部を介して相互に接続された構成とされる。
【０００８】
この場合、好ましい１つの実施の形態においては、各同軸線路を構成するシールド電極の各一面と、前記連結部とが平面状に形成され、当該平面状に形成された面にコア基板が積層された構成とされる。
【０００９】
前記した構成の同軸線路構造を有するプリント配線基板を製造する１つの好ましい方法においては、両面に薄膜の金属層を貼り合わせてなる絶縁層における一方の面の金属層の一部を残して、信号線となる複数の金属配線パターンをエッチングにより形成する工程と、前記絶縁層における前記各信号線が形成された面に対して、片面に金属層を貼り合わせてなる絶縁層の絶縁面を積層する工程と、前記各信号線をほぼ中央にして、一方の金属層から他方の金属層に達するように、それぞれ溝加工を施す工程と、少なくとも前記溝加工を施した部分に対して金属メッキを実行することで、前記各信号線を取り囲んだ絶縁層の外側をシールド電極で覆った同軸線路構造をそれぞれ形成する工程とを実行することにより、隣り合う同軸線路が前記シールド電極の構成材による連結部を介して相互に接続された複数の同軸線路構造を有するプリント配線基板を製造する製造方法であって、前記信号線の幅ｗが１００μｍ、前記信号線の厚さｔが３６μｍであり、前記信号線を取り囲んだ絶縁層の比誘電率εｒが３．８になされ、延長方向に直交する断面の内側形状が矩形状に形成された前記シールド電極の左右シールド壁と前記信号線との距離ｇを１００±４０μｍの範囲内に、前記シールド電極の上下シールド壁と前記信号線との距離ｃを１００±４０μｍの範囲内にそれぞれ設定する点に特徴を有する。
【００１０】
また、前記した構成の同軸線路構造を有するプリント配線基板を製造する他の好ましい方法においては、両面に薄膜の金属層を貼り合わせてなる絶縁層における一方の面の金属層の一部を残して、信号線となる複数の金属配線パターンをエッチングにより形成する工程と、前記絶縁層における前記各信号線が形成された面に対して、片面に金属層を貼り合わせてなる絶縁層の絶縁面を積層する工程と、前記いずれか一方の絶縁層に貼り合わされた金属層に対して、コア基板を積層する工程と、前記各信号線をほぼ中央にして、コア基板の積層側とは反対面から、前記コア基板を積層した金属層に達するように、それぞれ溝加工を施す工程と、少なくとも前記溝加工を施した部分に対して金属メッキを実行することで、前記各信号線を取り囲んだ絶縁層の外側をシールド電極で覆った同軸線路構造をそれぞれ形成する工程とを実行することにより、隣り合う同軸線路が前記シールド電極の構成材および前記コア基板による連結部を介して相互に接続された複数の同軸線路構造を有するプリント配線基板を製造する製造方法であって、前記信号線の幅ｗが１００μｍ、前記信号線の厚さｔが３６μｍであり、前記信号線を取り囲んだ絶縁層の比誘電率εｒが３．８になされ、延長方向に直交する断面の内側形状が矩形状に形成された前記シールド電極の左右シールド壁と前記信号線との距離ｇを１００±４０μｍの範囲内に、前記シールド電極の上下シールド壁と前記信号線との距離ｃを１００±４０μｍの範囲内にそれぞれ設定する点に特徴を有する。
【００１１】
この場合、前記したいずれの製造方法を採用するにしても、前記各絶縁層に、エポキシ系樹脂、ＰＥＥＫ系樹脂、液晶ポリマー系樹脂、ポリイミド系樹脂、もしくはテフロン系樹脂のいずれかによるプリプレグを用いることが望ましい。また、前記絶縁層に貼り合わされる金属層としては、好ましくは、銅箔が用いられる。
【００１２】
そして、前記した溝加工を施す手段としてはレーザービームの照射による加工手段を好適に採用することができ、また、当該溝加工を施した部分になされる金属メッキとしては、銅メッキを好適に採用することができる。
【００１３】
さらに、この発明にかかる同軸線路構造を有するプリント配線基板の製造方法においては、前記信号線となる金属配線パターンの延長方向に直交する断面形状がほぼ矩形状になされ、断面矩形状における金属配線パターンの幅および厚さを相互に制御することにより、前記同軸線路の特性インピーダンスを定めるようになされる。
【００１４】
前記した製造方法を採用することにより得られるこの発明にかかるプリント配線基板によると、信号線の周囲が絶縁材料で取り囲まれ、さらに絶縁材料の周囲が金属箔によるシールド電極により包囲されて同軸線路構造になされる。そして、各同軸線路構造は、絶縁材料を構成するプリプレグに予め貼り合わされた金属箔による連結部を介して相互に並列状態に接続された構成とされる。この場合、必要に応じてさらにコア基板をホットプレス等の手段で積層することで、配線基板に対して強度を持たせることができる。
【００１５】
したがって、前記した構成による配線基板によると、配線基板上に形成される各信号線間のクロストークおよび外来雑音に対する耐性を飛躍的に向上させることができる。
【００１６】
そして、信号線となる金属配線パターンをほぼ中央に配して接合される第１と第２の絶縁層の素材として同一材料を利用することにより、信号線の周りを同一の絶縁材料で取り囲むことができる。したがって、線路の延長方向において、均一なインピーダンス特性を有する同軸線路構造を得ることができ、これにより、非常に高い周波数まで安定した伝送特性を有する配線基板を得ることが可能となる。
【００１７】
さらに、前記した製造方法を採用した場合においては、信号線となる金属配線パターンは、プリプレグに予め貼り合わせる金属箔の厚さを適宜選定すると共に、後述するようにビアフィリング用金属メッキ工程におけるメッキ厚を制御することにより、同軸線路の特性インピーダンスを適性に定めることができる。同様に前記した製造方法を採用した場合においては、エッチングにより成形される線幅を適性に制御することにより、同じく同軸線路の特性インピーダンスを適性に定めることが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかる同軸線路構造を有するプリント配線基板の製造方法について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図１にはこの発明の実施例として、３本の同軸線路が並んだ状態の配線基板において、その前後の端部を破断した状態の斜視図が示されている。図１に示すように、信号線１の周囲が絶縁層２で取り囲まれており、その絶縁層２の外側をシールド電極３で覆うことで、それぞれ同軸線路４が形成されている。
【００１９】
そして、隣り合う各同軸線路４は、各同軸線路を構成するシールド電極３の各一面（図１においては同軸線路の各底面）が、シールド電極３の構成材による連結部５を介して相互に接続されて、平面状に形成されている。なお、図１には示されていないが、同軸線路４の各底面と前記連結部５とにより平面状に形成された下側面に、後述するようにコア基板を積層することにより、プリント配線基板の強度を増加させることもできる。
【００２０】
図２には、図１に示された１つの同軸線路４を、長手方向に直交する方向で切断した状態の断面図が示されている。ここで、ｗは信号線１の幅、ｔは信号線厚、ｇは信号線１とシールド電極３の横方向の間隔、ｂはシールド電極３の上下間隔、ｃは信号線１とシールド電極３の縦方向の間隔を示している。
【００２１】
ここで、Ｂ．Ｃ．Ｗadell 著の文献「Ｔransmission Ｌine Ｈandbook 」Ａrtech Ｈouse  Ｐublisher，1991年によると、図２に示す構成において、ｂ＝２ｃ＋ｔの場合としての、上下が対称の断面構造となる同軸線路の特性インピーダンスＺ0 は、次の数式で表される。なお、εr は、絶縁層２を構成する絶縁体の比誘電率である。
【００２２】
【数１】
0003969523.tif 000002
【００２３】
したがって、例えばεr ＝３．８の絶縁体を用いて、ｗ＝５５μｍ、ｔ＝３６μｍ、ｇ＝１００μｍ、ｂ＝２３６μｍとすれば、特性インピーダンスＺ0 は、４９．３Ωと計算することができる。
【００２４】
図３は、前記した構成の同軸線路構造を有するプリント配線基板を得る場合の製造方法を順に説明するプロセスフロー図である。なお、図２に示すように前記した寸法関係が、ｂ＝２ｃ＋ｔの場合は、同軸線路の上下が対称の断面構造となるが、次に述べる作製方法においては、同軸線路の上下は対称とならず、信号線が若干下方にずれた構造となる。そして、図３においては、絶縁層としてエポキシ系プリプレグを用い、コア基板を併用した場合について説明する。
【００２５】
最初に（ａ）として示すように、金属層としての銅箔１２，１３を両面に貼り合わせたエポキシ系銅貼り両面プリプレグ１１を用意する。そして、（ｂ）に示すように、このプリプレグ１１の下面に貼り合わせた銅箔１３の一部を残して、化学エッチングにより前記した同軸線路の信号線１となる銅配線パターン１３ａを形成する。そして、図３には示していないが、ドリルまたはレーザーにより、信号線１の引き出し部を構成するビアホールを、例えば同軸線路の端部となる部分に形成した後、その全面に銅メッキを実施する。なお、前記したエッチング工程は、プラズマエッチングを用いてもよい。
【００２６】
続いて、（ｃ）として示すように金属層としての銅箔１６を片面にのみ貼り合わせたエポキシ系銅貼り片面プリプレグ１５を用意して、プロセス（ｂ）でパターン形成されたプリプレグ１１の面に対して、プリプレグ１５の面をホットプレス加工により積層する。これにより、信号線として機能する銅配線パターン１３ａは、ストリップライン線路構造となる。
【００２７】
そして、以上のようにして積層されたプリプレグに貼り合わされた前記銅箔１６に対して、（ｄ）に示すようにエポキシ系コア基板１８をホットプレスにより積層する。続いて、（ｅ）に示すように信号線として機能する銅配線パターン１３ａをほぼ中央にして、コア基板１８の積層側とは反対面から、コア基板を１８積層した金属層１６に達するように、それぞれ溝加工を施し、縦溝２０を形成する。
【００２８】
この時の溝加工は、好ましくはレーザービームの照射により実行される。また図には示されていないが、この時、信号線１の引き出し部となるビアホールを、適宜ドリルまたはレーザービームにより形成する。そして、最終的にプロセス（ｅ）で加工した各縦溝２０および前記ビアホールを含めて全面に銅メッキを施すことにより、（ｆ）として示すように各縦溝２０の壁面に対しても、シールド電極２２が形成される。
【００２９】
斯くして、（ｆ）に示すように信号線１の周りを絶縁層２で取り囲み、その外側をシールド電極３（２２）で覆った同軸線路構造を備えたプリント配線基板を得ることができる。なお、この図３に示したプロセスフローにおいては、エポキシ系コア基板１８をホットプレスにより積層する工程が実施されるが、コア基板１８が不必要である場合には、当然ながら（ｄ）として示すプロセスは省略される。
【００３０】
前記した溝加工および加工された縦溝２０へのメッキ工程については、例えば特開平１０−６５３１３に開示されているが、この時に利用されるレーザーとしては、できるだけ波長の短いものが望ましく、例えばＣＯ2 レーザー、ＹＡＢレーザー、エキシマレーザーなどを好適に利用することができる。ただし、ＣＯ2 レーザーにおいては、加工時に発生する熱が問題となるため、冷却方法の改善、加工スピードの最適化などの対策が必要である。
【００３１】
また、ここで用いる絶縁層は、レーザー加工性に優れたものが望まれ、さらに、誘電体として低誘電率性と低誘電損失性も合わせて望まれる。前記した実施例のようにエポキシ系樹脂を用いることも好ましいが、これは、若干誘電損失が大きい。このために、誘電損失が低いものとする場合には、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）系樹脂、液晶ポリマー系樹脂、ポリイミド系樹脂、テフロン（登録商標）系樹脂などを選択するのが望ましい。
【００３２】
なお、図３に示したプロセスフローにおいては、信号線が若干下方にずれた構造になされるが、同軸線路の上下が対称の断面構造とする場合においては、互いに接合される各プリプレグ１１および１５の厚さを適宜調整すればよい。
【００３３】
次に図４には、より具体的な実施例として、極低温デバイスのテスト評価システムで用いることを目的として設計された同軸配線プリント基板の信号線パターンの一例を示している。ここでは、基板の上下端および左側端に沿って、例えば同軸ケーブルに接続されるビアホール３２が形成されており、基板の右側端の近傍における正方形の領域にＢＧＡソケットの電極端子３１（端子数４０）が設けられている。
【００３４】
そして、各ビアホール３２からＢＧＡソケットの各電極端子３１に対して、同軸線路４が配列されている。そして、この同軸線路４は曲げ部分でのインピーダンス変動を押さえるために、最大曲げ角度を４５度に抑えて、パターン設計されている。
【００３５】
図５には、図４に示した設計パターンに基づいて作製された同軸配線プリント基板に関して、同軸線路４上を含む各箇所の特性インピーダンスの分布を測定評価した結果が示されている。この測定は、ＴＤＲ（Ｔime Ｄomain Ｒeflectometry）法により、インピーダンス表示機能を有するＴＤＲデジタルサンプリングオシロスコープを用いて実施された。なお、図５における縦軸は特性インピーダンス（Ｃharacteristic impedance(Ω))を示しており、横軸は時間（Ｔime(ps))を示している。
【００３６】
図５の左からＳＭＡコネクター部分から同軸ケーブル部分に至る部分（Ｃoaxial cable）、同軸ケーブルとケーブルハンダ付け部分（Ｓoldered joint part）、基板内の同軸線路部分（Ｃoaxial wiring boad part)、開放端部分（Ｏpen)の順番に、それぞれのインピーダンスの分布を読み取ることができる。これによると信号線の平均インピーダンスは５０Ωである。
【００３７】
図６では、図４に示した基板に配列された４０本すべての信号線について、同様に特性インピーダンスを測定評価した結果が示されている。ここでは、実線が同軸線路４における特性インピーダンス（Ｃharacteristic impedance(Ω))、破線が同軸ケーブルと同軸配線基板のハンダ付け部分のインピーダンス変動最大値（Ｍaximum impedance value of connected part）を示している。そして、図６における横軸は、４０本の信号線に対して便宜的にそれぞれ付されたライン番号（Ｌine Ｎo.）を示している。これによると、実線で結んだ特性インピーダンスは、５０Ω±１０％の範囲に制御されていることが判る。なお、３５番の信号線は、入力端子で短絡状態であった。
【００３８】
次に同軸配線構造に関して、その電気特性を求めるために、図７に示すように長さｌ＝１０００μｍの評価用３次元対称同軸線路モデルにより、ＴＭＬ（Ｔransmission Ｌine Ｍatrix ）法により電磁界解析を行った。用いた基本パラメータの数値は、εr ＝３．８、信号線幅ｗ＝１００μｍ、信号線厚ｔ＝３６μｍ、信号線と左右シールド壁の距離ｇ＝１００μｍ、信号線と上下シールド壁の距離ｃ＝１００μｍである。
【００３９】
図８は、信号線１の相対的位置を図７に比べて左右ｘ方向に10μｍづつ変位させた時の特性インピーダンスの値を求めた結果である。また、図９は、信号線の相対的位置を図７に比べて上下ｙ方向に10μｍづつ変位させた時の特性インピーダンスの値を求めた結果である。なお、図８および図９において、縦軸は共に特性インピーダンス（Ｃharacteristic impedance(Ω))を示しており、また横軸は共に図７に示すモデルに比較した信号線１の変位量（Ｓhift of signal conductor（μｍ))を示している。
【００４０】
図８および図９に示す特性から理解できるように、対称同軸線路に対して信号線１が４０μｍ変位しても、特性インピーダンスの変化は、５％の範囲内である。したがって、信号線１の位置のズレは、特性インピーダンスへの影響が小さいことが判る。
【００４１】
次に図１０は、信号線幅ｗを１００μｍから１０μｍづつ狭めた時の特性インピーダンスの値を求めた結果である。ここで図１０の縦軸は、同様に特性インピーダンス（Ｃharacteristic impedance(Ω))を示しており、また横軸は信号線幅（Ｗidth  Ｗ（μｍ））を示している。これによると信号線幅ｗの変動は、特性インピーダンスへの影響が大きい。また、図７に示したモデルにおいて、ｗ＝５５μｍにすれば特性インピーダンスが５０Ωとなることが判る。
【００４２】
したがって、特性インピーダンスの設計値を再現性よく実現するためには、信号線幅を一定に制御して、製造する必要がある。そのためには、図３（ｂ）のエッチング工程において、エッチング用レジストパターン形成精度、エッチング時の加工精度などを向上させる必要がある。換言すれば、この発明にかかる製造方法を採用した場合においては、エッチングにより成形される配線パターン１３ａの線幅を適性に制御することにより、同軸線路の特性インピーダンスを適性に定めることが可能となる。
【００４３】
図１１は、信号線厚ｔを３６μｍを中心にして変化させて時の特性インピーダンスの値を求めた結果である。ここで、図１１の縦軸は同様に特性インピーダンス（Ｃharacteristic impedance(Ω))を示しており、また横軸は信号線厚（Ｔhickness  ｔ（μｍ））を示している。これによると、信号線厚ｔの変動は、特性インピーダンスへの影響が大きい。
【００４４】
したがって、特性インピーダンスの設計値を再現性よく実現するためには、信号線厚ｔを一定に制御して、製造する必要がある。そのためには図３（ｂ）に示すプロセスで実行されるビアフィリング用銅メッキ工程において、銅メッキ厚の制御を向上させる必要がある。換言すれば、この発明にかかる製造方法を採用した場合においては、信号線となる金属配線パターンは、プリプレグに予め貼り合わせる金属箔の厚さを適宜選定すると共に、ビアフィリング用金属メッキのメッキ厚を適性に制御することにより、同様に同軸線路の特性インピーダンスを適性に定めることが可能となる。
【００４５】
最後に図１２は、絶縁材料の比誘電率εr を３．８から減少させた時の特性インピーダンスの値を求めた結果である。ここで、図１２の縦軸は同様に特性インピーダンス（Ｃharacteristic impedance(Ω))を示しており、また横軸は比誘電率（Ｒelative dielectric constant)を示している。
【００４６】
図１２から理解できるように比誘電率εr が小さくなると、特性インピーダンスが増大することが判る。したがって、比誘電率の小さい絶縁材料を採用した場合には、信号線幅ｗおよびまたは信号線厚ｔの値をより大きく設定することで、所望の特性インピーダンスを得ることができる。
【００４７】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、この発明にかかる製造方法によって得られるプリント配線基板によれば、プリント配線基板内の配線構造として同軸線路が形成され、信号線から生じる電磁界が同軸シールド構造の内部に閉じこめられるため、信号線間のクロストークおよび外来雑音に対する耐性を飛躍的に高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】３本の同軸線路が並んだ状態のこの発明にかかる配線基板において、その前後の端部を破断した状態の斜視図である。
【図２】図１に示された配線基板における１つの同軸線路を、長手方向に直交する方向で切断した状態の断面図である。
【図３】同軸線路構造を有するプリント配線基板の製造方法を説明するプロセスフロー図である。
【図４】極低温デバイステスト評価システムに用いる同軸配線プリント基板の信号線パターン例を示す平面図である。
【図５】図４に示す同軸配線プリント基板に関して、ＴＤＲ法により測定された信号線路上における特性インピーダンスを示す特性図である。
【図６】図４に示す同軸配線プリント基板における各信号線に関して測定された特性インピーダンスを示す特性図である。
【図７】ＴＬＭ法による電磁界解析を行うための評価用３次元同軸線路モデルを示す斜視図である。
【図８】図７に示すモデルに対して信号線の相対的位置を左右に変位させた時のインピーダンス値の変化状態を示す特性図である。
【図９】図７に示すモデルに対して信号線の相対的位置を上下に変位させた時のインピーダンス値の変化状態を示す特性図である。
【図１０】図７に示すモデルに対して信号線幅を変化させた時のインピーダンス値の変化状態を示す特性図である。
【図１１】図７に示すモデルに対して信号線厚を変化させた時のインピーダンス値の変化状態を示す特性図である。
【図１２】図７に示すモデルにおいて、これに利用される絶縁材料の比誘電率を変更した時のインピーダンス値の変化状態を示す特性図である。
【符号の説明】
１      信号線
２      絶縁層
３      シールド電極
４      同軸線路
５      連結部
１１    プリプレグ
１２    銅箔（金属層）
１３    銅箔（金属層）
１３ａ  配線パターン（信号線）
１５    プリプレグ
１６    銅箔（金属層）
１８    コア基板
２０    縦溝
２２    シールド電極
３１    電極端子
３２    ビアホール
【図１】
0003969523.tif 000003
【図２】
0003969523.tif 000004
【図３】
0003969523.tif 000005
【図４】
0003969523.tif 000006
【図５】
0003969523.tif 000007
【図６】
0003969523.tif 000008
【図７】
0003969523.tif 000009
【図８】
0003969523.tif 000010
【図９】
0003969523.tif 000011
【図１０】
0003969523.tif 000012
【図１１】
0003969523.tif 000013
【図１２】
0003969523.tif 000014