(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱支援型磁気記録のための薄型書込みヘッドであって、
基板と、
書込みギャップを画定するように間隔をあけられた第１及び第２の磁極片を含む前記基板上の磁気ヨークと、
前記第１の磁極片に隣接して、前記ギャップ内に配置される、絶縁材料の第１のスペーサ層と、
前記第２の磁極片に隣接して、前記ギャップ内に配置される、絶縁材料の第２のスペーサ層と、
前記書込みギャップ内の前記第１及び第２のスペーサ層の間であって、前記２つの磁極片の先端面と同一面に配置され、電流が印加されるとき、熱を生成する電気抵抗領域を有し、前記２つの磁極片の幅よりも小さい幅の導電材料のヒータと、
前記書込みギャップ内の前記第１及び第２のスペーサ層の間で前記ヒータに接続され、前記電気抵抗領域を加熱するための電流を供給する、第１及び第２の電気リードと、
前記ヨーク内に配置され、前記２つの磁極片を横断する磁界を生成するコイル層とを含むヘッド。
【請求項２】
前記基板がエア・ベアリング・スライダの後端面である、請求項１記載のヘッド。
【請求項３】
前記基板上に磁気抵抗読取り素子を含む、請求項１記載のヘッド。
【請求項４】
前記磁気抵抗読取り素子が前記基板と前記書込みヘッドの前記磁気ヨークとの間に配置され、前記基板と前記読取り素子との間に配置される第１のシールド層を含む、請求項３記載のヘッド。
【請求項５】
基板及び前記基板上の磁気記録層を含む回転式磁気記録ディスクと、ディスク対向面及び後端面を有し、前記ディスクに接近して維持されるスライダと、
前記スライダの前記後端面上に形成される熱支援型の磁気書込みヘッドとを含み、
前記書込みヘッドが、
書込みギャップを画定するように間隔をあけられた第１及び第２の磁極片を有する磁気ヨークと、
前記第１の磁極片に隣接して、前記ギャップ内に配置される、絶縁材料の第１のスペーサ層と、
前記第２の磁極片に隣接して、前記ギャップ内に配置される、絶縁材料の第２のスペーサ層と、
前記書込みギャップ内の前記第１及び第２のスペーサ層の間であって、前記２つの磁極片の先端面と同一面に配置され、電流が印加されるとき、前記ディスク上の前記磁気記録層を加熱する前記２つの磁極片の幅よりも小さい幅の導電材料のヒータと、
前記書込みギャップ内の前記第１及び第２のスペーサ層の間で前記ヒータに接続され、前記磁気記録層を加熱するための電流を供給する、第１及び第２の電気リードと、
前記ヨーク内に配置され、加熱された前記磁気記録層に対して、前記２つの磁極片を横断する磁界を生成するコイル層とを含む磁気記録式ディスク・ドライブ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はデジタル磁気記録に関し、特に、磁気記録層が高温の間にデータが書込まれる磁気記録式ディスク・ドライブに関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録式ディスク・ドライブは、小型薄膜誘導性書込みヘッドを用いてデジタル情報を記憶する。書込みヘッドはスライダの後ろ表面上にパターン化される。スライダはまた、スライダが回転ディスクの表面上の空気の薄い膜上に浮上することを可能にするエア・ベアリング面（ＡＢＳ）も有する。書込みヘッドは誘導性ヘッドであり、磁気ヨークの磁極間に配置される薄膜電気コイルを有する。書込み電流がコイルに印加されると、極先端がギャップを横断する局所化磁界を提供し、これがディスク上の記録層を、２つの異なる磁気状態（バイナリ・データ・ビット）の１つに磁化する。
【０００３】
ディスク上の記録層として使用される磁性材料は、磁化されたデータ・ビットが正確に書込まれ、新たなデータ・ビットにより上書きされるまで、それらの磁化状態を保持するように、十分な保磁度を有するように選択される。データ・ビットは磁化状態の順序で書込まれて、バイナリ情報をドライブに記憶し、記録情報は、記録データ・ビットから生成される漂遊磁界を検出する読取りヘッドを用いてリードバックされる。磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッドには、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）（スピンバルブ型ＧＭＲヘッドなど）、及びごく最近説明された磁気トンネル接合（ＭＴＪ）効果にもとづくものがある。書込み及び読取りヘッドの両者はスライダのＡＢＳにより、ディスク表面に接近して保たれる。スライダのＡＢＳは、ディスクがスライダの下で回転するとき、スライダがディスク面上に"浮上"するように設計される。ディスク上のデータ密度を増加するために、記録ビット・サイズが縮小されると、従来の薄膜誘導性書込みヘッド及び書込みプロセスでは、幾つかの問題が発生する。
【０００４】
第１の問題は、"超常磁性"（superparamagnetic）効果に関連する。磁気ディスク・ドライブの面積データ密度（ディスクの単位表面積に記録可能なビット数）は、データ・ビットが小さすぎて、それらが単に磁化ビット内の熱運動により消磁され得るまでに至っている（いわゆる"超常磁性"効果）。この問題を回避するための従来のアプローチは、ディスク上の記録層内の磁性材料の磁気異方性及び保磁度を増加することにより、熱平衡を改善するものである。しかしながら、これは書込みヘッドが高保磁度媒体に書込めるように、ヘッドの書込み磁界を増すために、書込みヘッドが高い飽和モーメントを有する材料により作られることを要求する。既知の材料の特性にもとづけば、ヘッドの究極の書込み磁界は約３０％程度しか増加できないので、将来のデータ密度の増大を厳しく制限することになる。更に、高い面積密度において要求されるデータ転送率の増加は、書込みヘッドで使用される材料の磁気特性が最適化されることを要求し、これは使用に好適な材料が非常に高い飽和モーメントを有する材料に限られている場合、達成するのが非常に困難である。
【０００５】
第２の問題は、面積データ密度を増加させるための狭いトラック幅の必要性に関連する。トラック幅が狭くなると、書込みヘッドからのトラック・エッジ漂遊磁界またはフリンジ磁界により規定されるトラック幅の一部が、トラック幅の大きな部分を占めることになる。なぜなら、ヘッドとディスクとの間の間隔は、ヘッドとディスクの摩擦学（tribology）に関する技術的な課題のために、スケーリングできないからである。このことはデータ品質を低下させる。なぜなら、書込まれるトラック幅が、益々効率悪く書込まれるエッジ領域から構成されることになるからである。更に、十分な書込み磁界を提供しつつ、トラック幅を低減するためには、書込みヘッドの極先端の１つにおいて、磁極の高さがその幅よりも相当に大きくなる形状を有する必要がある。こうした高アスペクト比の極先端形状を有する書込みヘッドは、形成するのが困難である。
【０００６】
磁気媒体（すなわちディスク上の磁気記録層）の保磁度は、温度に依存することが知れているので、提案された１解決策として、"熱支援型"磁気記録（ＴＡＭＲ：thermally assisted magnetic recording）がある。この場合、媒体内の磁性材料が書込みの間に、そのキュリー温度近くまたはそれ以上に局所的に過熱される。そのために保磁度が書込みの発生にとっては十分に低く、また室温での記録ビットの熱平衡にとっては十分に高く維持される。ＴＡＭＲに対する幾つかのアプローチが提案されており、それらにはレーザ・ビームまたは紫外線ランプを使用して、局所過熱を行う方法などが含まれる（IBM Technical Disclosure Bulletin、Vol. 40、No. 10、October 1997、pp. 65-66、及びＩＢＭの米国特許第５５８３７２７号に記載）。これらのアプローチでは、過熱領域が一般にデータ・ビットよりも大きいため、データ・ビット寸法が依然、書込みヘッドのサイズにより決定される。従って、前述の第１の問題はこれらのＴＡＭＲアプローチにより解決されるが、第２の問題は解決されない。なぜなら、書込みヘッド形状及びフリンジ磁界が依然、達成され得るトラック幅の低減を制限するからである。
【０００７】
光磁気（ＭＯ）またはＴＡＭＲシステムにおいて使用される読取り／書込みヘッドが、米国特許第５９８６９７８号で述べられており、そこでは磁極に隣接して、または書込みヘッドのギャップ内に、特殊な光チャネルが形成され、これがレーザ光を方向付けることにより、またはチャネルの熱を下げることにより、ＭＯまたは磁気媒体の書込みを熱的に支援する。ＴＡＭＲに無関係な旧式の技術についても、コピー機で使用されていることが知られており、そこでは膜をイメージにより磁化し、イメージが次に磁性インキを用いて紙に転写される。米国特許第４５２０４０９号で述べられるように、この技術では、リング型ヘッドが磁極間のギャップ内において抵抗ヒータを使用し、膜へのヒート・パルスを変調する一方、磁極片が一定のバイアス磁界を膜に印加する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従って、トラック幅が書込みヘッド極先端の形状により、または書込みヘッドからのフリンジ磁界により決定されるという制限を受けることなく、狭いトラック幅を達成することを考慮した、ＴＡＭＲシステムのための書込みヘッドが待望される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は熱支援型の磁気記録式ディスク・ドライブであり、薄膜誘導性書込みヘッドが、書込みヘッドの極先端の間の書込みギャップ内に配置される電気抵抗ヒータを含む。抵抗ヒータは、書込みヘッドの極先端の間に配置される第１及び第２のスペーサ層の間に挟まれる。ＣＰＰ（current-perpendicular-to-the plain）と呼ばれる１実施例では、スペーサ層が導電性であり、極先端が、電流を抵抗ヒータ材料の層に一般に垂直な方向に供給する電気リードとして機能する。ＣＩＰ（current-in-the plane）と呼ばれる第２の実施例では、スペーサ層が絶縁材料により形成され、電気リードがスペーサ層の間の膜の一部として形成され、抵抗ヒータのそれぞれの側に接触する。抵抗ヒータの幅は極先端の幅よりも小さい。従って、抵抗ヒータにより過熱されるディスク上の磁性層の領域だけが、書込みヘッドの極先端により書込まれるので、ディスク上のデータ・トラック幅が、書込みヘッドの極先端の形状によってではなく、抵抗ヒータの幅により規定される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１及び図２は、従来の併合型磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッド及び誘導性書込みヘッドの一部を示し、読取り素子ＭＲと、ヨークＹ及びコイルＣを含む誘導性書込みヘッドとを示す（コイルＣのセグメントが図２の断面図に示される）。併合型ヘッドはエア・ベアリング・スライダなどの、ヘッド・キャリアの後端部分に装着される。図１に示されるように、読取りヘッドは、第１及び第２のギャップ層Ｇ１及びＧ２の間に挟まれる磁気抵抗素子ＭＲを含み、ギャップ層は更に、第１及び第２のシールド層Ｓ１及びＳ２の間に挟まれる。併合型ヘッドでは、読取りヘッドの第２のシールド層Ｓ２が、書込みヘッドの底部の磁極片Ｐ１としても機能する（すなわちＰ１／Ｓ２）。図１に示されるように、書込みヘッドからの磁界が、２つの磁極Ｐ１及びＰ２の間の書込みギャップＷＧ内に生成され、書込みヘッドの極先端が、ディスクの真上のスライダのエア・ベアリング面（ＡＢＳ）から眺められる。図２はまた、保護オーバコート１２の下側に配置される磁気記録層１１を有し、ＡＢＳに対向するディスク１０の断面を示す。書込みヘッドにより生成される磁界は、データ・ビットを書込むために、磁性層１１の保磁度に打ち勝たねばならない。書込みヘッドの磁界限度は、磁極片を形成するために使用される材料の飽和モーメントにより決定される。書込まれるビットの幅は、書込みヘッドの極先端Ｐ２の物理的寸法（幅Ｗ及び高さｈ）と、書込みヘッドの極先端のエッジにおいて生成される漂遊フリンジ磁界の大きさ（図１に矢印で示される）とにより規定され、磁極間のギャップＷＧと、極先端の端部とディスク上の磁性層１１との間の間隔Ｓ（図２参照）とに依存する。
【００１１】
本発明のＴＡＭＲシステムでは、抵抗ヒータが、薄膜磁気記録式書込みヘッドの磁極のギャップ内に組み込まれる。ヒータとディスクとの近接度が、磁性層のそのキュリー温度近傍またはそれ以上への過熱を可能にする一方、磁性層が書込みヘッドからの磁界に露出される間に冷却すると、データ・ビットが記録される。ディスクがヘッドの下側で回転するとき、磁性層が冷却し、磁界の符号を保持する。このアプローチのための２つの可能な記録方式が存在する。すなわち、第１の方式では、ヒータが書込みプロセス全体を通じてオンになり、媒体がヒータから遠ざかるときの磁性層の冷却が、データ・ビットの位置を決定し、データ・ビットの極性が、冷却時の書込みヘッドの磁界により決定される。第２の方式では、データ・ビットのアイランドを記録するために、ヒータがオン／オフ制御され、磁気状態の極性が、書込みヘッドにより生成される磁界の極性により決定される。
【００１２】
書込みトラックのエッジは、抵抗ヒータ及び磁性層内での熱の拡散により決定されるので、トラック幅は抵抗ヒータの幅により決定される。従って、Ｐ２の幅Ｗがもはやトラック幅を制御しないので、高アスペクト比（ｈ／Ｗ）の極先端Ｐ２を形成する問題が、実質的に軽減される。また、書込みヘッドから要求される磁界は比較的小さいため（例えば５００Ｏｅ以下）、書込みヘッドのための磁性材料がもっぱら飽和モーメントにもとづくのではなく、データ転送率性能にもとづき選択可能になる。記録磁化の方向は、使用される磁性層のタイプ、及び書込み磁極ギャップ内の抵抗ヒータの位置に応じて、平面内にあるか（従来の水平記録）、それとも平面から外れる（垂直記録）。
【００１３】
図３及び図４を参照すると、水平記録用のＴＡＭＲヘッドの実施例が示される。抵抗ヒータ２０が書込み磁極Ｐ２、Ｐ１の中心に、対称的に間隔をあけて配置され、それにより磁極が磁性層内で、垂直成分の無い、またはほとんど有さない最大水平磁界を生成する。垂直記録では、ヒータが一方の磁極に接近するように非対称に配置され、かなりな大きさの垂直磁界及び水平磁界の両方が、磁性層内に存在する。そして、磁性層の垂直異方性が、垂直方向のデータの書込みを生じる。書込まれたデータは、ＭＲ読取りヘッドなどの、従来の読取りヘッド技術を用いてリードバックされる。
【００１４】
図３及び図４では、抵抗器または抵抗ヒータ２０がＣＩＰ（current-in-the-plane）形状により形成され、導電膜２３内に配置される抵抗ヒータ２０を流れる電流の方向が、矢印２２により示される。要求される磁界は大きくないので、書込み磁極Ｐ１、Ｐ２は、従来の記録の場合よりも遠ざけることができる。また、例えば８０／２０パーマロイ（ＮｉＦｅ）などの、様々な磁性材料が磁極の形成のために使用可能となる。トラック幅が主に抵抗ヒータ２０の幅（ＷR）により規定されるので、磁極Ｐ２、Ｐ１は抵抗ヒータ２０の幅ＷRよりも広い幅Ｗを有することができ、それにより、低い面積密度の書込みヘッド形成技術が使用可能になる。ＣＩＰ形状では、書込み磁極間の書込みギャップＷＧ材料が、２つのスペーサ膜Ｉ１及びＩ２と、それらの間に挟まれる抵抗ヒータ２０を含むパターン化された導電膜２３とから構成される。スペーサ膜は、ＣＩＰ形状では、電気的に絶縁性の良好な熱伝導材料から成る誘電膜であり、そうした材料には、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム、及びダイヤモンド状炭素膜などが含まれる。導電膜２３は、抵抗ヒータ２０が配置される中央領域を含む導体であり、良好な導電率及び熱伝導率を有する導体、例えばロジウムまたは金から成る。抵抗ヒータ２０は、導電膜２３の非中央領域（すなわち、ヒータ２０への電気リードとして作用するヒータ２０の両側の領域）よりも高い電気抵抗を有する材料から成る。ヒータ２０は低い熱伝導率の導電材料、例えばグラファイト状炭素膜、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、またはＮｉＣｒなどから成る。サーマル書込みヘッドの線解像度は、抵抗ヒータ２０と周囲の絶縁膜Ｉ１、Ｉ２との間の、温度降下の鋭さにより決定される。従って、Ｉ１及びＩ２の熱伝導率は、絶縁性を維持しつつ、できるだけ高いことが望まれる。
【００１５】
ＣＩＰ抵抗器２０は、従来の磁気抵抗読取りヘッドを形成するために使用されるプロセスと類似のプロセスにより形成される。図５を参照すると、最初に、抵抗ヒータ材料の完全な膜を、ヒータを書込み磁極Ｐ１から絶縁するＩ１層上に付着することにより、抵抗ヒータ２０が形成される。次に、従来の２重層フォトレジスト３０がヒータ材料２０上に付着され、パターン化されて、長くて狭いストライプを形成する。そして、このストライプの幅がヒータ・トラック幅を画定する。次に、ヒータ２０の両側の非中央領域の抵抗膜材料が、フォトレジスト３０をマスクとして使用することにより、減法除去される。この除去は従来のイオン・ミリングを用いて行われる。次に、導電リード材料２３がフォトレジスト３０上に付着される。これは導電膜２３がヒータ２０のエッジと重なり合い、ヒータを駆動する電流を供給することを可能にする。２重層フォトレジスト３０の除去の後、追加の２重層フォトレジスト・プロセスが行われ、好適には正方形形状のヒータ２０の正面及び背面領域を画定する。しかしながら、抵抗材料の側部の除去の後に、導電膜が再度付着され、トラック幅を画定するプロセスと異なり、正面及び背面領域のイオン・ミリングの後、絶縁膜が付着され、ヒータの入力及び出力リードを絶縁する。第２の２重層フォトレジストの除去の後、絶縁層Ｉ２がヒータ２０及び導電膜２３上に付着され、ヒータを書込みヘッドの磁極Ｐ２から絶縁する。図５はまた、従来の書込みヘッドに勝る本発明のＴＡＭＲ書込みヘッドの利点を示す。トラック幅画定プロセス（抵抗ヒータ２０の形成）は、低アスペクト比（例えば４：１以下）で行われるので、書込みトラック幅を従来の磁気記録の場合よりも広げることができる。すなわち、従来の磁気記録では、高い面積密度のために、１０：１以上のアスペクト比（図１におけるＰ２のｈ／Ｗ）を有する書込みヘッドが必要とされた。
【００１６】
ＣＩＰ  ＴＡＭＲ書込みヘッドの電気リード・レイアウトが、図６の平面図に示される。４つのリードが必要とされ、２つのリード４０、４２は、ヨークＹを通過する書込みコイルＣに接続され、２つのリード５０、５２は、導電膜２３内のＣＩＰ抵抗ヒータ２０に接続される。しかしながら、４つのリードの１つは、書込みコイルＣ及び抵抗ヒータ２０の両方に対して、共通グラウンドを使用することにより、除去され得る。
【００１７】
図７及び図８では、ＴＡＭＲ書込みヘッドの実施例が示され、抵抗ヒータ２０'への電流が、抵抗膜の面に垂直（ＣＰＰ）である。書込み磁極Ｐ２、Ｐ１が電流を抵抗ヒータ２０'に導通する。２つの磁性膜Ｐ２及びＰ１を電気リードとして使用するために、これらの磁性膜が図８に示されるように、書込みヘッドのヨークＹの後方で、薄い誘電膜６０により電気的に分離される。この分離は書込みヘッドの磁気効率を、問題にならない程度に低下させるだけである。なぜなら、後方ギャップ内のオーバラップ領域は、正面の極先端領域内のオーバラップ領域よりも、遙かに大きく形成され得るからである。後方ギャップにより生じるシャント・キャパシタンスは、ごく僅かである。ＣＰＰ形状では、書込み磁極Ｐ２及びＰ１の間の書込みギャップＷＧの材料は、スペーサ膜Ｌ１及びＬ２と、それらに挟まれたパターン化された抵抗膜２７とから成り、スペーサ膜は磁極Ｐ２及びＰ１からの電流の導電リードとして作用する。リード膜Ｌ１及びＬ２はロジウムまたは金から成る。ヒータ２０'を形成する膜は、ダイヤモンド状炭素膜や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの、非常に優れた絶縁体から成り、それによりＰ２からＰ１への電流が、抵抗膜２７の抵抗ヒータ２０'部分を通じて方向付けられる。抵抗ヒータ２０'は、ＣＩＰ抵抗器を形成するために使用されたプロセスと同様のプロセスにより形成される（図５参照）。ＣＰＰ形状では、リードＰ２、Ｐ１と抵抗ヒータ２０'との間の電気接続領域が、ＣＩＰ形状の場合よりも大きくなる。なぜなら、ＣＩＰ形状では、抵抗ヒータ２０がそのエッジにおいて、導電膜２３の非中央領域と接触されるからである（図３参照）。従って、接合の接触抵抗及び信頼性は、ＣＰＰ形状の方が優れている。ＣＰＰ実施例の別の利点は、優れた導電特性及び熱伝導特性の両方を有するリード材料が容易に入手可能であり、抵抗ヒータ２０'内において、良好な温度勾配が生成される。
【００１８】
ＣＰＰ形状を使用するＴＡＭＲ書込みヘッドの電気リード・レイアウトが、図９に示される。リード５０'は極先端Ｐ２に接続し、リード５２'は極先端Ｐ１に接続される。
【００１９】
ＣＩＰ及びＣＰＰ  ＴＡＭＲ書込みヘッドの構造の典型的な寸法、抵抗、及び予測される面積データ密度を、表１に示す。
【表１】
0003996743.tif 000002
【００２０】
ＣＩＰ及びＣＰＰ抵抗ヒータの両方は、既存の記録ヘッド・プロセス技術と類似で互換性のある、薄膜ウエハ・プロセスを用いて形成されるので、非常に安価に実現できる。モデル化によれば、ディスク上の磁性層の適切な熱工学技術により、及びディスクからヘッドまでの距離が僅かに５ｎｍ乃至１０ｎｍにより、良好な熱パワー伝達効率が期待できる。ディスク面の１０ｎｍ×１０ｎｍの領域を２００℃まで過熱するのに必要な３０マイクロワットの電力が、５００℃乃至６００℃に過熱された抵抗ヒータからの、近距離場熱結合により達成される。ＣＩＰ及びＣＰＰ  ＴＡＭＲ書込みヘッドの両者の熱応答時間は、１００ピコ秒（ｐｓ）以下である。
【００２１】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００２２】
（１）薄膜誘導コイルと、書込みギャップにより分離された１対の書込み磁極とを有する熱支援型の磁気記録式薄膜誘導性書込みヘッドであって、前記ギャップ内に電気抵抗ヒータを含むヘッド。
（２）前記ギャップ内に、前記ヒータに接続される第１及び第２の電気リードを含む、前記（１）記載のヘッド。
（３）前記ギャップ内にあって、前記磁極の１つを前記ヒータから分離する第１の絶縁スペーサと、
前記ギャップ内にあって、別の前記磁極を前記ヒータから分離する第２の絶縁スペーサと
を含む、前記（２）記載のヘッド。
（４）熱支援型磁気記録のための薄型書込みヘッドであって、
基板と、
ギャップを画定するように間隔をあけられた極先端を各々が有する、第１及び第２の磁極片を含む前記基板上の磁気ヨークと、
前記第１の極先端に隣接して、前記ギャップ内に配置される第１のスペーサ層と、
前記第２の極先端に隣接して、前記ギャップ内に配置される第２のスペーサ層と、
前記ギャップ内の前記第１及び第２のスペーサ層の間に配置され、電流が印加されるとき熱を生成する高い電気抵抗領域を有する導電材料層と、
前記ヨーク内に配置され、前記極先端を横断する磁界を生成するコイル層と
を含むヘッド。
（５）前記基板がエア・ベアリング・スライダの後端面である、前記（４）記載のヘッド。
（６）前記基板上に磁気抵抗読取り素子を含む、前記（４）記載のヘッド。
（７）前記磁気抵抗読取り素子が前記基板と前記書込みヘッドの前記磁気ヨークとの間に配置され、前記基板と前記読取り素子との間に配置される第１のシールド層を含む、前記（６）記載のヘッド。
（８）前記極先端面及び前記基板面の両方に平行な直線に沿って測定したとき、前記電気抵抗領域の幅が前記第２の極先端の幅よりも小さい、前記（４）記載のヘッド。
（９）前記ギャップ内の前記第１及び第２のスペーサ層の間に配置される前記導電材料層に接続され、前記高電気抵抗領域を過熱するための電流を供給する、第１及び第２の電気リードを含む、前記（４）記載のヘッド。
（１０）前記第１及び第２のスペーサ層が導電材料から成り、前記第１及び第２の磁極片が前記第１及び第２のリードを含み、それにより前記磁極片の１つを流れる電流が、前記第１及び第２のスペーサ層の間に配置される前記導電材料層の平面に垂直に、前記スペーサ層の１つを通じて導通される、前記（９）記載のヘッド。
（１１）前記第１及び第２のスペーサ層が絶縁材料層から成る、前記（９）記載のヘッド。
（１２）基板及び前記基板上の磁気記録層を含む回転式磁気記録ディスクと、
ディスク対向面及び後端面を有し、前記ディスクに接近して維持されるスライダと、
前記スライダの前記後端面上に形成される熱支援型の磁気書込みヘッドとを含み、前記書込みヘッドが、
書込みギャップを画定するように間隔をあけられ、前記ディスクに対向する極先端を各々が有する、第１及び第２の磁極片を有する磁気ヨークと、
前記第１の極先端に隣接して、前記ギャップ内に配置される第１のスペーサ層と、
前記第２の極先端に隣接して、前記ギャップ内に配置される第２のスペーサ層と、
前記書込みギャップ内の前記第１及び第２のスペーサ層の間に配置され、電流が印加されるとき、前記ディスク上の前記磁気記録層を過熱する導電材料の抵抗ヒータ層と、
前記ヨーク内に配置され、電流が印加されるとき、前記ディスク上の過熱された前記磁気記録層に対して、前記極先端を横断する磁界を生成するコイル層と
を含む磁気記録式ディスク・ドライブ。
（１３）電流を前記抵抗ヒータ層に供給する電気リードを含む、前記（１２）記載のディスク・ドライブ。
（１４）前記電気リードが前記第１及び第２のスペーサ層の間の前記書込みギャップ内に配置され、それにより電流が前記抵抗ヒータ層の平面内を流れる、前記（１３）記載のディスク・ドライブ。
（１５）前記スペーサ層が導電性であり、前記磁極片が電流を前記スペーサ層を通じて、前記抵抗ヒータ層に垂直に供給する前記電気リードを含む、前記（１２）記載のディスク・ドライブ。
（１６）前記極先端面及び前記スライダの前記後端面の両方に平行な直線に沿って測定したとき、前記抵抗ヒータ層の幅が前記第２の極先端の幅よりも小さい、前記（１２）記載のディスク・ドライブ。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の併合型磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッド及び誘導性書込みヘッドの一部の断面図である。
【図２】回転磁気記録ディスクの一部に近接して示される、従来の併合型磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッド及び誘導性書込みヘッドの一部の断面図である。
【図３】書込みギャップ内の抵抗ヒータを通じる電流が平面内（ＣＩＰ）を流れる、本発明のＴＡＭＲ書込みヘッドの断面図である。
【図４】書込みギャップ内の抵抗ヒータを通じる電流が平面内（ＣＩＰ）を流れる、本発明のＴＡＭＲ書込みヘッドの断面図である。
【図５】書込みギャップ内に抵抗ヒータを形成するリソグラフィ・プロセスを示す断面図である。
【図６】電気リード対書込みコイル及びＣＩＰ抵抗ヒータのレイアウトを示す、図３及び図４に示されるＴＡＭＲヘッドの平面図である。
【図７】書込みギャップ内の抵抗ヒータを通じる電流が平面に垂直（ＣＰＰ）に流れる、本発明のＴＡＭＲ書込みヘッドの断面図である。
【図８】書込みギャップ内の抵抗ヒータを通じる電流が平面に垂直（ＣＰＰ）に流れる、本発明のＴＡＭＲ書込みヘッドの断面図である。
【図９】電気リード対書込みコイル及びＣＰＰ抵抗ヒータのレイアウトを示す、図７及び図８に示されるＴＡＭＲヘッドの平面図である。
【符号の説明】
１０  ディスク
１１  磁気記録層（または磁性層）
１２  保護オーバコート
２０  抵抗ヒータ
２３  導電膜
４０、４０’、４２、４２’、５０、５０’、５２、５２’  電気リード
Ｓ１、Ｓ２  シールド層
Ｐ１、Ｐ２  磁極片
Ｇ１、Ｇ２  ギャップ層
ＭＲ  磁気抵抗素子
ＷＧ  書込みギャップ
ＡＢＳ  エア・ベアリング面
Ｃ  コイル
Ｙ  ヨーク
【図１】
0003996743.tif 000003
【図２】
0003996743.tif 000004
【図３】
0003996743.tif 000005
【図４】
0003996743.tif 000006
【図５】
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【図６】
0003996743.tif 000008
【図７】
0003996743.tif 000009
【図８】
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【図９】
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