(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光検出器アレイ用のコンタクト・フィンガ・アセンブリを形成する方法において、
複数の薄膜トランジスタと複数のフォトダイオードを含む光検出器アレイが配置される基板の上に、ソース及びドレイン電極材料層から成るコンタクト・パッド基層を形成し、
前記コンタクト・パッド基層の上にＳｉＯｘより成る薄膜トランジスタ不動態化誘電体層およびＳｉＮｘより成るダイオード不動態化誘電体層を堆積し、
前記薄膜トランジスタ不動態化誘電体層および前記ダイオード不動態化誘電体層を貫通する、傾斜した側壁を持つコンタクト・パッド・バイアを形成して、前記コンタクト・パッド基層の一部分を露出させ、
前記ダイオード不動態化誘電体層、前記バイアの前記傾斜した側壁および前記コンタクト・パッド基層の露出部分を覆うように共通電極材料層を堆積すること、を含むコンタクト・フィンガ・アセンブリ形成方法。
【請求項２】
基板上に配置され、複数の光検出素子を含む光検出器アレイを有し、前記複数の光検出素子の各々は、夫々薄膜トランジスタに接続されており、
前記複数の光検出素子と前記複数の薄膜トランジスタは、マトリクス構成に配置されており、
前記複数の光検出素子の各々は、ダイオード不動態化誘電体材料と導電性の共通電極材料とを含む複数の材料により形成されており、
前記複数の薄膜トランジスタの各々は、導電性のゲート電極材料、導電性のソース及びドレイン電極材料及び、薄膜トランジスタ不動態化誘電体材料とを含む複数の材料により形成されており、
前記光検出器アレイは更に、各々の前記光検出素子をそれぞれアドレスするように配置された複数の導電性のアドレス線を含み、
各々の前記アドレス線は、前記光検出器アレイの外部の構成要素に電気接続するために、前記光検出素子の前記マトリクス構成より外側に配置されたコンタクト・フィンガを含み、
各々の前記コンタクト・フィンガがコンタクト・パッドで終端し、
各々の前記コンタクト・パッドが前記光検出器アレイのコンポーネントの製造に使用される複数の材料を含み、
各々の前記コンタクト・パッドが上側の共通電極材料層および下側のソース及びドレイン電極材料層を含み、
各々の前記コンタクト・パッドは更に前記共通電極材料層と前記ソース及びドレイン電極材料層との間に配置された薄膜トランジスタ不動態化誘電体層および光検出素子不動態化誘電体層を含んでいること、を特徴とする放射撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に光電性の撮像装置（ｉｍａｇｅｒ）に関するものであり、更に詳しくはこのような撮像装置の光検出素子に対する電気接続のためのコンタクト・アセンブリに関するものである。
【０００２】
【発明の背景】
光電性素子すなわち光検出素子（それに入射する放射エネルギを電気信号に変換する素子）は、Ｘ線撮像装置およびファクシミリ装置のような用途に使用するために通常はアレイ（配列）を成すように形成される。フォトダイオードのような光検出素子は、このような素子の比較的大きな面積のアレイにおいて、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のような必要な制御またはスイッチング素子と共に形成される。
【０００３】
本発明を適用できる一般的な形式の光検出素子については、例えば、１９９３年８月３日発行の米国特許第５，２３３，１８１号に説明されている。
フォトダイオード・アレイ内のフォトダイオードは、各々のフォトダイオードに関連するＴＦＴのゲート電圧をスイッチングする走査線（行）によってアドレスされ、これによりフォトダイオードに収集された電荷が列のデータ線に転送され、次いで外部導体を介してデータ線に接続されている読出し回路に送られる。所定の電位の共通電極層が並列のフォトダイオードの全てをバイアスする。フォトダイオード・アレイは基板上に形成され、また走査線、データ線および共通電極は、該アレイの外縁からコンタクト・フィンガによってコンタクト・パッドに電気接続される。コンタクト・パッドはコンタクト・フィンガの端にある。外部コネクタ、典型的には導線をそなえた可撓性のコネクタが、フォトダイオードをアドレスするように接続するためにコンタクト・パッドの表面に接触するように押し付けられる。
【０００４】
撮像装置は、Ｘ線検出シンチレータの表面上に形成または結合することによって、Ｘ線の放射を検出するように作ることが出来る。環境保護のために、シンチレータはカバープレートと撮像装置との間にサンドイッチ形に挟まれ、カバープレートは、それと撮像装置との両方に接着するガスケットによって撮像装置に取り付けられている。
【０００５】
コンタクト・パッドは、コンタクト・フィンガと異なり、電気的接触を行うために露出したパッド表面に必然的に導電材料を有している。この導電材料は通常、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のような共通電極材料または関連する透明な導電材料である。ＩＴＯはその下に位置する導電材料に接続され、該導電材料は次いで誘電体層中に形成されたバイア（ｖｉａ）を介してアレイに接続されている。バイアはＴＦＴ不動態化誘電体層中に形成され、該誘電体層は典型的にはプラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）法により堆積されたシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）である。撮像装置のコンタクト・フィンガ区域内では導電材料の露出を防止するのが望ましい。というのは、露出を防止しないと、コンタクト・フィンガ相互の間の過大な表面漏洩、腐食および撮像装置性能の劣化が生じる恐れがある。
【０００６】
前掲の米国特許第５，２３３，１８１号に記載されているような装置では、２層のダイオード不動態化誘電体が設けられており、その下側層は通常ＰＥＣＶＤによるシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）である。このような装置ではガスケットはＳｉＮｘよりもＳｉＯｘに対して良好に接着するので、ＳｉＮｘはコンタクト・フィンガおよびコンタクト・パッド区域から除かれる。コンタクト・フィンガ区域のＳｉＮｘを湿式エッチングによって除去する場合、特にＴＦＴ形成に使用されるソース及びドレイン金属またはゲート金属の縁部のような下側のアレイ構成要素の層によって形成された段部（ステップ）の上にＳｉＮｘが重なる区域で、ＳｉＮｘの過エッチングの際にその下のＳｉＯｘを侵食することにより、欠陥が生じることが判った。従って、コンタクト・フィンガ線の上に位置する誘電体層の不動態化によってコンタクト・フィンガ線の封止を改善することが望ましい。
【０００７】
更に、そのような装置内のコンタクト・パッド中のコンタクト・バイアは、普通の湿式エッチングによっても必ずしも所望の傾斜した（すなわち斜めの）輪郭または側壁を有しない。ＳｉＯｘのＰＥＣＶＤに使用される比較的低い温度（約２５０゜Ｃ）では、得られるコンタクト・バイアの輪郭は、ＨＦをベースとした溶液（典型的には、ＮＨ４Ｆで緩衝した１０％ＨＦの１０％溶液）で湿式エッチングした後、垂直な側壁輪郭を有することが多く、またオーバーハング輪郭を有することさえある。オーバーハングは湿式エッチング槽を使用する場合ばかりでなく、スピンおよびスプレイ器具を使用する場合にも生じる。このようなオーバーハングは、コンタクト・パッドの最上面から下側に位置する（光検出素子アレイへ接続される）金属までバイアの側壁に沿ってＩＴＯの電気的に連続な層を形成する困難さを増大させる。可撓性の外部コネクタがコンタクト・パッドの最上面に接触するだけであるので、バイアの側壁に沿ったＩＴＯの層が不連続であると、接続されない線が生じる。撮像装置は数千もの導電線を有することがあるので、ＩＴＯはバイアの側壁に沿って非常に信頼性のある接続部を作ることが不可欠である。バイアの底に接触するバイア・ボンディングのような方法は、数千ものボンドが必要なために実用的でない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従って、光検出素子の電気コンタクトを製造する改良方法を提供して、ダイオード不動態化層のエッチングが下側に位置する薄膜トランジスタ不動態化誘電体層に悪影響を及ぼさないようにすると共に、下側に位置する導体に対する共通電極コンタクトの歩留まりおよび信頼性を改善し、更にダイオード不動態化誘電体層として使用されるＳｉＮｘをアレイの周囲のコンタクト・フィンガ区域から除去して、アレイを封止するために使用されるガスケット材料の密着性を改善することが、望ましい。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、放射撮像装置は、マトリクス形式の画素構成に配置された光検出素子（例えば、フォトダイオード）を持つ光検出器アレイを有し、各々の光検出素子は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介してそれぞれの行および列のアドレス線に結合されている。各々のアドレス線は、能動アレイ領域（例えば、光検出素子のアレイ）から基板の縁部へ向かって延在するコンタクト・フィンガを有する。
【００１０】
コンタクト・フィンガは、基板上に配置されるゲート金属基層を堆積し、ゲートおよびその周囲のゲート誘電体層の上にソース及びドレイン（Ｓ−Ｄ）電極材料のプラットフォームを堆積し、Ｓ−Ｄ電極材料のプラットフォームの上にＴＦＴ不動態化層を堆積し、ＴＦＴ不動態化層の上にダイオード不動態化層を堆積し、Ｓ−Ｄ電極材料のプラットフォームの一部分を露出させるようにＴＦＴ不動態化層およびダイオード不動態化層の中に（傾斜した側壁を持つ）バイアを形成し、Ｓ−Ｄ電極材料のプラットフォームに電気接続されたコンタクト・パッドを形成するためにバイアの上に共通電極材料層を堆積することにより形成される。
【００１１】
本発明の一態様によれば、光検出器アレイ用のコンタクト・フィンガ・アセンブリを形成する方法が提供され、該方法は、光検出器アレイが配置される基板の上に、導電材料から成るコンタクト・パッド基層を形成し、コンタクト・パッド基層の上に薄膜トランジスタ不動態化誘電体層およびダイオード不動態化誘電体層を堆積し、これらの薄膜トランジスタ不動態化誘電体層およびダイオード不動態化誘電体層を貫通して、傾斜した側壁を持つコンタクト・パッド・バイアを形成することにより、前記コンタクト・パッド基層の一部分を露出させ、前記ダイオード不動態化誘電体層、前記バイアの前記傾斜した側壁および前記コンタクト・パッド基層の露出部分を覆うように導電材料を堆積することを含む。薄膜トランジスタ不動態化誘電体層はＳｉＯｘで構成され、またダイオード不動態化誘電体層はＳｉＮｘで構成される。
【００１２】
本発明の別の態様によれば、放射撮像装置が提供され、該撮像装置は、基板上に配置され、マトリクス構成に配置された複数の光検出素子を含む光検出器アレイを有する。光検出器アレイは更に、各々の光検出素子をそれぞれアドレスするように配置された複数の導電性のアドレス線を含み、各々のアドレス線は、光検出器アレイの外部の構成要素に電気接続するために、光検出素子のマトリクス構成より外側に配置されたコンタクト・フィンガを含む。各々のコンタクト・フィンガはコンタクト・パッドで終端し、各々のコンタクト・パッドが上側の共通電極材料層および下側のソース及びドレイン電極材料層を含む。各々のコンタクト・パッドは更に共通電極材料層とソース及びドレイン電極材料層との間に配置された薄膜トランジスタ不動態化誘電体層および光検出素子不動態化誘電体層を含む。
【００１３】
本発明の新規と考えられる特徴は特許請求の範囲に具体的に記載してあるが、本発明自体の構成、作用並びにその他の目的および利点は、添付の図面を参照した以下の説明から最も良く理解されよう。
【００１４】
【発明の実施の形態】
先ず図１を参照すると、光検出器アレイ１が絶縁性の基板１０上の能動撮像アレイ２を含み、能動撮像アレイ２は水平の走査線１１および直交する垂直なデータ線９の交点相互の間に画素４のような多数の画素を含む。
各々の画素４は、典型的には非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）のような半導体材料で形成された、フォトダイオードのような光検出素子（図示していない）を有する。フォトダイオードは、薄膜電界効果トランジスタ（ＴＦＴ）のようなスイッチング素子（図示していない）を介して走査線１１によってそれぞれアドレスされる。ＴＦＴのゲートが走査線上の信号によってバイアスされてＴＦＴが導通したとき、フォトダイオードに蓄積された電荷が、それぞれの画素のＴＦＴを介して、該ＴＦＴに結合されたそれぞれのデータ線に導かれる。データ線９および走査線１１は共に能動撮像アレイ２の領域の外側へコンタクト・フィンガ７まで延在し、これにより能動撮像アレイ２に対して外部の回路（図示していない）を結合して、走査線にバイアス電圧を供給し、データ線からダイオード電荷を読み出すことができる。アドレス線（すなわち、走査線９およびデータ線１１）の各々の端部にはコンタクト・パッド６が配置されていて、コンタクト・パッド６は上記のような外部との電気接続を行う場所を提供し、この接続のために例えば金属パッドまたは線を持つプラスチックの可撓性材料（図示していない）がコンタクト・パッド６に接触するように押し付けられる。
【００１５】
図２は、能動撮像アレイ２のＴＦＴの形成後の製造プロセスの一時点におけるコンタクト・パッド６の状態を示す。基板１０上に配置されたゲート層１２がコンタクト・パッド６に対する基層を構成し、これは典型的には能動撮像アレイ２内のＴＦＴのゲート電極の形成に使用される導電材料で構成される。ゲート誘電体層１４がアレイの上に配置されて、コンタクト・パッド６内のゲート層１２の中央区域の上面１５を露出するようにパターン形成される。導電性のソース及びドレイン（Ｓ−Ｄ）電極材料がアレイの上に堆積されて、各々のＴＦＴのソース及びドレイン電極を形成すると共に、コンタクト・パッド６内にソース及びドレイン電極材料のプラットフォーム１６を形成するようにパターン形成される。ソース及びドレイン電極材料のプラットフォーム１６は典型的には、ゲート誘電体層１４の隣接端部の上に配置されると共に、それらの間の中央領域１５内のゲート層１２の上に配置される。
【００１６】
次いで図３に示されるように、薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８がソース及びドレイン電極材料のプラットフォーム１６の上に堆積されると共に、該プラットフォームより外側にあるゲート誘電体層１４の区域１７の上に堆積される。薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８は典型的には厚さがほぼ０．５ミクロンであるが、この厚さは約０．２ミクロン乃至約１．０ミクロンの範囲内であってよい。また薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８は典型的には、ＰＥＣＶＤにより通常堆積されるＳｉＯｘのような無機誘電体材料で構成される。この代わりに、薄膜トランジスタ不動態化誘電体層はＳｉＮｘで構成してもよい。しかし、ＳｉＯｘの方が、製造プロセスの後の段階での（例えば、フォトダイオードのエッチングの際の）選択的なエッチングに関して有利であり、また隣接する多数の光検出素子のアレイを封止する際に利用される封止ガスケットとの結合に有利である。薄膜トランジスタ不動態化誘電体層はまた、ＳｉＮｘとＳｉＯｘとの組合せで構成してもよい。例えば、ＳｉＮｘの上にＳｉＯｘの層を設け、ＳｉＯｘの厚さを、その後のバリア誘電体層のエッチング（後述する）を停止させるのに充分な厚さ（例えば、２００ナノメータ以上）にする。
【００１７】
次いで、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）のような半導体材料が堆積されて、能動撮像アレイ２の各々の画素４内にフォトダイオード本体を形成するように（例えば、反応性イオン・エッチング・プロセスで）パターン形成される。ａ−Ｓｉ材料は、薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８に選択性を有する（例えば、薄膜トランジスタ不動態化誘電体層のＳｉＯｘ部分によって停止される）エッチング剤により、コンタクト・パッド６の区域から除去される。
【００１８】
次に、ダイオード不動態化誘電体層２２がアレイの上に堆積される。ダイオード不動態化誘電体層２２は典型的にはＳｉＮｘで構成され、約０．０５ミクロンと０．５ミクロンとの間の範囲内の厚さを有するようにＰＥＣＶＤ法で堆積される。典型的には、ダイオード不動態化誘電体層の厚さは約０．２ミクロンいかであり、通常は約０．１ミクロンである。ダイオード不動態化誘電体層２２は、フォトダイオード（図示していない）へのコンタクトの部位を形成するように、フォトダイオードの上でパターン形成される。
【００１９】
次いで、図４に示されるように、各々のコンタクト・パッド６においてダイオード不動態化誘電体層２２および薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８を貫通するバイア１３が形成されて、バイア１３のそこでソース及びドレイン電極材料のプラットフォーム１６が露出される。バイア１３は典型的には、緩衝ＨＦ酸の希釈溶液により湿式エッチング・プロセスで形成される。ＳｉＮｘの組成は、例えば、ＳｉＮｘのエッチング速度がＳｉＯｘのエッチング速度より速くなるようにダイオード不動態化誘電体層２２のＳｉＮｘ中のＳｉとＮとの比を変えることによって、調節される。湿式エッチング・プロセスにより、バイア１３の中に垂直ではなく傾斜した側壁２５が形成される。本明細書において使用する「傾斜した側壁」および同様な用語は、垂直でない側壁を表し、典型的には、垂直から約１０゜乃至４５゜の範囲内の角度ずれた面（すなわち、垂直よりも約１０゜乃至４５゜小さい角度を持つ面）を構成する。
【００２０】
薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８は、ソース及びドレイン電極材料のプラットフォーム１６の縁部の段部７０（図４）で最もストレスを受ける。薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８の内のこれらのストレスの大きい領域は、そのオーバーエッチングの際に、特に湿式エッチング剤によるエッチング工程の際に、最も速くエッチングされる。結果として、ダイオード不動態化誘電体層２２にバイアを形成する際（例えば、能動撮像アレイ２内のフォトダイオードに対するコンタクトを形成する際）にダイオード不動態化誘電体層２２が（従来のように）段部７０の上に位置する区域から湿式エッチングにより除去された場合、ソース及びドレイン電極材料のプラットフォーム１６は露出されることが起こり得る。従って、コンタクト・パッドのバイア１３が、バイア１３の区域より外側のダイオード不動態化誘電体層を除去しないようにパターン形成工程において不動態化誘電体層１８および２２を貫通して形成されることが重要である。そのため、ダイオード不動態化誘電体層２２のＳｉＮｘが光検出器アレイの能動領域の外側の区域に保護のために留まり、該外側のＳｉＮｘは更にその後にアレイに他の構成要素を設けて結合するための適切な面を提供する。
【００２１】
光検出器アレイの製造中に、アレイ内の他の構成要素を保護するためにポリイミドのような付加的な誘電体バリア材料（図示していない）が堆積されて、コンタクト・パッド６の周りの領域からエッチングにより除去される。
次いで、図５に示されるように、共通電極材料層が堆積されパターン形成されて、共通電極材料コンタクト・パッド・アイランド２４を形成する。共通電極材料層は典型的には酸化インジウム錫（ＩＴＯ）のような光透過性の導電材料で構成される。共通電極材料層の厚さは典型的にはほぼ０．１ミクロンであるが、約０．０５ミクロンと約０．２ミクロンとの間の範囲内の厚さにすることが出来る。ＩＴＯ材料は図５に示す共通電極材料コンタクト・パッド・アイランド２４を形成するようにパターン形成され、また更にアレイ内のフォトダイオード（図示していない）を覆うようにパターン形成される。共通電極材料コンタクト・パッド・アイランド２４はコンタクト・パッド６の導電面を提供する。また共通電極材料コンタクト・パッド・アイランド２４はダイオード不動態化誘電体層２２および薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８の側壁２５を覆い、更にソース及びドレイン電極材料のプラットフォーム１６に接触する。
【００２２】
次に、図６に示されるように、バリア層２６が、光検出器アレイを湿気から保護するため、およびその後に能動撮像アレイ２上にシンチレータ材料を堆積するための接着層を提供するために、撮像装置の上に堆積される。バリア層２６は典型的にはＳｉＮｘより成り、厚さは約０．５ミクロンと約１．５ミクロンとの間の範囲内の厚さである。コンタクト・パッド６の区域では、バリア層２６はエッチング、好ましくは反応性イオン・エッチングにより除去され（共通電極材料コンタクト・パッド・アイランド２４およびバイア１３を露出させ）、またこの同じエッチング工程の間に、共通電極材料コンタクト・パッド・アイランド２４より外側のダイオード不動態化誘電体層２２が除去されて、図７に示されるコンタクト・パッド６の構造が完成される。反応性イオン・エッチングは典型的にはプラズマ中の窒素の紫外線放出量をスペクトル計で監視することによって制御して、下に位置する薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８のＳｉＯｘでエッチングを停止させる（ＣＦ4 とＯ2 とを組み合わせるエッチング剤の化学により適切な選択性が得られる）。ダイオード不動態化誘電体層２２のＳｉＮｘと薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８のＳｉＯｘとの比はこの化学では約２対１である。反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）は、下側に位置する薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８のＳｉＯｘの侵食を、特にゲート層１２およびソース及びドレイン電極材料のプラットフォーム１６の縁部において並びにコンタクト・フィンガ７に沿って、湿式エッチング・プロセスと比べて大幅に低減する。バリア層２６のエッチングは薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８で停止され、この層を損傷無く保持し、特にその下に位置するソース及びドレイン電極材料のプラットフォーム１６の段部７０にまたがるところで損傷させることなく保持する。
【００２３】
アレイの外側からの電気接触は、可撓性のコンタクト取付け体４５（図７）により行われる。コンタクト取付け体４５は、典型的には、コンタクト・パッド６に接触するための金属パッドまたは導体をそなえた可撓性のプラスチック材料で構成される。可撓性のコンタクト取付け体４５はコンタクト・パッド６と電気接触状態に配置される（図７の矢印３５は、コンタクト取付け体４５をコンタクト・パッド６の導電構造と電気接触状態に配置する製造工程を示す）。
【００２４】
光電性撮像装置の製造では、典型的には更に、撮像アレイの上にＣｓＩのようなシンチレータ材料が堆積される。周囲の環境条件から保護するために、エポキシのガスケット（図示していない）がアレイの周縁部に沿って設けられ、そして保護カバーがそれと基板との間にアレイをサンドイッチ形に挟むように設けられる。ダイオード不動態化誘電体層が典型的には上述のように処理した後では共通電極材料層と同じ広がり有する（すなわち、共通電極材料層の下に位置していて、共通電極材料層を越えて延在していない）とき、コンタクト・パッドの領域の外側の区域のダイオード不動態化誘電体層が除去されているので、ガスケットは典型的には薄膜トランジスタ不動態化誘電体層のＳｉＯｘと接触状態にある。薄膜トランジスタ不動態化誘電体層は、カバーを所定位置に接着するために使用される接着剤に対する良好な面を提供する。
【００２５】
バイア１３の傾斜した側壁２５は、ＩＴＯ材料層（２４）がソース及びドレイン電極材料のプラットフォーム１６と結着性の高い電気接触部を形成することができるように、実質的に滑らかで平らな面（すなわち、薄膜トランジスタ不動態化誘電体層１８とダイオード不動態化誘電体層２２との間に実質的に凹凸のない面）を提供する。従って、滑らかで平らな側壁２５は共通電極コンタクト（２４）の信頼性および歩留まりを改善する。共通電極コンタクト（２４）はコンタクト・パッド６の一部を形成し、外部の電気コンタクト・パッドすなわちコンタクト取付け体４５がコンタクト・パッド６に結合されて、アレイの構成要素に対する電気接続を行う。
【００２６】
本発明を特定の実施態様について詳述したが、当業者には種々の変更および変形をなし得よう。従って、特許請求の範囲が本発明の真の精神および趣旨の範囲内にあるこの様な全ての変更および変形を包含するものとして記載してあることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を採用する撮像装置の簡略平面図である。
【図２】本発明に従って撮像装置のコンタクト・アセンブリを製造する一工程を示す断面図である。
【図３】本発明に従って撮像装置のコンタクト・アセンブリを製造する一工程を示す断面図である。
【図４】本発明に従って撮像装置のコンタクト・アセンブリを製造する一工程を示す断面図である。
【図５】本発明に従って撮像装置のコンタクト・アセンブリを製造する一工程を示す断面図である。
【図６】本発明に従って撮像装置のコンタクト・アセンブリを製造する一工程を示す断面図である。
【図７】本発明に従って撮像装置のコンタクト・アセンブリを製造する一工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１    光検出器アレイ
２    能動撮像アレイ
４    画素
６    コンタクト・パッド
７    コンタクト・フィンガ
９    データ線
１０    基板
１１    走査線
１２    ゲート層
１３    バイア
１４    ゲート誘電体層
１６    ソース及びドレイン電極材料のプラットフォーム
１８    薄膜トランジスタ不動態化誘電体層
２２    ダイオード不動態化誘電体層
２４    共通電極材料コンタクト・パッド・アイランド
２５    傾斜した側壁
２６    バリア層
７０    段部
【図１】
0003914621.tif 000002
【図２】
0003914621.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003914621.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003914621.tif 000008