(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層との間に所定の幅と所定の長さを有する量子井戸層を備え、上記量子井戸層が実質的に一定の厚さになるように形成されたレーザ発振活性層と、上記レーザ発振活性層との境界から出射端に向かって徐々に厚さが減少するように形成された導波路層とからなる導波路レンズ一体型の半導体レーザ装置の製造方法であって、
上記製造方法が、上記量子井戸層を成長させる部分を間に挟んで互いに対向する選択成長マスクを形成してＭＯＣＶＤ方法を用いて選択成長させることにより上記量子井戸層を形成する工程を含み、
該工程において、
上記各選択成長マスクを、上記レーザ発振活性層に対応して設けられた第１の部分と、上記導波路層側で上記第１の部分に連続しかつ上記第１の部分の幅より広い幅を有する第２の部分とによって、上記第２の部分が上記導波路レンズの端部から離れるように形成することにより、材料ガス濃度を上記レーザ発振活性層が形成される領域で均一になりかつ上記導波路層を形成する領域で上記レーザ発振活性層から出射端に向かって一定の割合で減少するように制御することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項２】
上記第１の部分の幅と上記第２の部分の幅を、上記レーザ発振活性層との境界から出射端に向かって徐々に減少する上記導波路層の厚さの減少率と成長圧力とに基づいて設定する請求項１記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項３】
上記半導体レーザ装置の製造方法において、上記第１の部分の間隔に比較して、上記第２の部分の間隔を狭くする請求項１又は２記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザ装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的に、半導体レーザダイオードと光ファイバとを結合させる場合、半導体レーザダイオードと光ファイバとの間にレンズが設けられる。最近では半導体レーザダイオードと導波路レンズとが一体で形成された導波路レンズ付の半導体レーザダイオードが作製され、小型で安価なモジュールとして使用されるようになってきている。
【０００３】
この導波路レンズは、活性層と連続しかつ活性層から離れるにしたがって障壁層と井戸層とが徐々に薄くなる量子井戸層からなり、例えば、図１４（ａ）に示す選択成長マスク５１を使用して活性層を成長させることにより、活性層と連続して形成される。すなわち、選択成長マスク５１は、活性層を成長形成するレーザ部では、比較的広い一定の幅になるように形成され、導波路レンズを形成するレンズ部では、徐々に幅が狭くなるように形成されている。以上のような形状に選択成長マスク５１を形成して、ＭＯＣＶＤ法を用いて上方から材料ガスを供給して障壁層と井戸層とを成長させると、図１４（ｃ）に示すように選択成長マスク５１の上ではエピタキシャル層が成長することがなく材料ガスが減少しないので材料ガスの濃度が高くなる。
【０００４】
その結果、レーザ部では、選択成長マスク５１の幅が広いので両側の材料ガスの高濃度領域が大きい分、レーザ部における材料ガスの濃度が高くなり、レンズ部では、レーザ部から離れるに従って、選択成長マスク５１上から流入する材料ガスの量が減少して材料ガス濃度が低くなる。これによって、図１４（ｂ）に示すように、材料ガス濃度に対応して、レーザ部には、ほぼ一定の膜厚でレーザ発振するためのレーザ発振活性層が形成され、レンズ部には、活性層から離れるに従って膜厚が小さくなる導波路層を備えた導波路レンズが形成される。
【０００５】
また、特開平６−１８１３６３号公報に開示された、図１５（ａ）に示す選択成長マスクを用いて活性層を形成しても導波路レンズを形成することができる。特開平６−１８１３６３号公報においては、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１上に、図１５（ａ）に示す選択成長マスク１１０を用いて、ｎ型ＡｌＧａＡｓ下クラッド層１０２、量子井戸活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＡｓ上クラッド層１０４、ｐＧａＡｓコンタクト層１０５を成長させた後、ｐ側電極１０７を形成している。以上のように図１５（ａ）に示した選択成長マスク１１０を用いて活性層を成長させることにより、活性層の両端に、活性層から離れるに従って徐々に膜厚が減少する導波路レンズ１０８，１０９が形成される。尚、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の下面には、ｎ側電極１０６が形成されている。この特開平６−１８１３６３号公報では、活性層の両端に形成された導波路レンズ１０８，１０９により、レーザダイオードの端部に集中する光を緩和して該端部における温度上昇を防止して、レーザダイオードの破壊を防止している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、以上のように形成された導波路レンズの導波路層は、光の吸収が比較的大きいために、従来例の導波路レンズ一体型の半導体レーザダイオードでは閾値電流が増加するという問題点があった。
【０００７】
そこで、本発明は、従来例に比較して閾値電流を低くすることができる、導波路レンズが一体で形成された半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、従来の問題点を解決するために、導波路レンズ、特に比較的ロスの大きい導波路層部分を短くして、閾値電流を小さくしたものである。
【００１１】
さらに，本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層との間に所定の幅と所定の長さを有する量子井戸層を備え、上記量子井戸層が実質的に一定の厚さになるように形成されたレーザ発振活性層と、上記レーザ発振活性層との境界から出射端に向かって徐々に厚さが減少するように形成された導波路層とからなる導波路レンズ一体型の半導体レーザ装置の製造方法であって、
上記製造方法が、上記量子井戸層を成長させる部分を間に挟んで互いに対向する選択成長マスクを形成してＭＯＣＶＤ方法を用いて選択成長させることにより上記量子井戸層を形成する工程を含み、
該工程において、
上記各選択成長マスクを、上記レーザ発振活性層に対応して設けられた第１の部分と、上記導波路層側で上記第１の部分に連続しかつ上記第１の部分の幅より広い幅を有する第２の部分とによって、上記第２の部分が上記導波路レンズの端部から離れるように形成することにより、材料ガス濃度を上記レーザ発振活性層が形成される領域で均一になりかつ上記導波路層を形成する領域で上記レーザ発振活性層から出射端に向かって一定の割合で減少するように制御することを特徴とする。
この方法によれば、上記導波路層において、上記レーザ発振活性層の厚さの７０％以上の厚さを有する第１導波路層の長さを、上記レーザ発振活性層の厚さの７０％以下の厚さを有する第２導波路層の長さより短くすることができる。
【００１２】
また、上記半導体レーザ装置の製造方法において、上記第１の部分の幅と上記第２の部分の幅を、上記レーザ発振活性層との境界から出射端に向かって徐々に減少する上記導波路層の厚さの減少率と成長圧力とに基づいて設定することができる。
また、上記半導体レーザ装置の製造方法において、上記第１の部分の間隔に比較して、上記第２の部分の間隔を狭くすることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態について説明する。
本発明に係る実施の形態の半導体レーザダイオードは、レーザ発振部１５と導波路レンズ部１６とが一体で形成されてなる導波路レンズ一体型の半導体レーザダイオードであって以下の特徴を有する。
すなわち、本実施の形態の半導体レーザダイオードは、独特の選択成長マスクを用いて、レーザ発振部１５のレーザ発振活性層及び該活性層に連続して形成される導波路レンズ部１６の導波路層とを成長形成することにより、導波路レンズ部１６の長さを従来例に比較して全体として短くし、かつ導波路層において光の吸収損失の大きい比較的膜厚の厚い部分の長さを短くしたことを特徴とする。このように構成することにより、本実施の形態の半導体レーザダイオードは、導波路レンズ部１６における光の吸収損失を小さくできるので、従来例の導波路レンズ一体型の半導体レーザダイオードに比較して閾値電流を低くできる。
【００１４】
詳細に説明すると、本実施の形態の半導体レーザダイオードにおいて、レーザ発振部１５と導波路レンズ部１６はそれぞれ、ｐ型ＩｎＰ基板２１上に、図１及び図２に示す、ｐ型ＩｎＰクラッド層２２（厚さ１μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3）、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３、ｎ型ＩｎＰクラッド層２４（厚さ０．５μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3）、n型ＩｎＰ層２８、ｎ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２９及びｎ型電極（Ａｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ）３１が順次形成されて構成される。尚、本実施の形態においては、ｎ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２９上にはＳｉＯ2絶縁膜３０が形成され、ｎ型電極３１は該ＳｉＯ2絶縁膜に形成された開口部を介して、ｎ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２９と接触するように構成され、ｐ型ＩｎＰ基板２１の下面には、ｐ型電極３２（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）が形成されている。
【００１５】
また、実施の形態の半導体レーザダイオードでは、図１及び図３に示すように、ｐ型ＩｎＰ基板２１の上部、ｐ型ＩｎＰクラッド層２２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３及びｎ型ＩｎＰクラッド層２４において、共振方向に十分長い長さを有するメサ部が形成され、そのメサ部の両側には、ｐ型ＩｎＰ層２５、ｎ型ＩｎＰ電流阻止層２６、ｐ型ＩｎＰ層２７が形成される。また、本実施の形態において、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３は、図４に示すように、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層１３とＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層１４との間に、ＩｎＧａＡｓＰウエル層１１とＩｎＧａＡｓＰバリア層１２とが交互に積層された量子井戸層からなる。尚、導波路レンズ部１６において、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層１３、１４、ＩｎＧａＡｓＰウエル層１１及びＩｎＧａＡｓＰバリア層１２はそれぞれ、レーザ発振部１５との接続部から出射端に向かって膜厚が減少するように形成され、導波路レンズ部１６において、レーザ光が出射端で広がるようにレーザ光を伝送して出射端から出力する。これによって、出射された出射光の広がりを押さえることができる。実施の形態において、レーザ発振部１５の活性層の厚さは、例えば２００ｎｍに設定され、出射端における活性層の膜厚は、例えば５０ｎｍに設定される。本明細書において、導波路レンズ部１６の量子井戸層は、導波路層といい、レーザ発振部１５の量子井戸層は、レーザ発振活性層という。
【００１６】
次に、本実施の形態の半導体レーザダイオードの製造方法について説明する。本製造方法では、ｐ型ＩｎＰ基板２１の上面にＳｉＯ2絶縁膜を形成した後、図５に示す形状にパターンニングすることにより、選択成長マスク１を形成する。ここで、選択成長マスク１は、レーザ発振部１５に対応して設けられた第１の部分１ａと導波路レンズ部１６に対応して設けられた第２の部分１ｂとからなり、第２の部分１ｂの幅を第１の部分１ｂに比較して広くなるように形成する。このような形状の選択成長マスク１を用いて有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により以下の各層を成長させると、成長時に、レーザ発振部１６の各層を形成すべき領域２における材料ガスの濃度を均一にでき、かつ導波路レンズ１６の各層を形成すべき領域３において、領域２との境界４から領域３の出射端３ａに向かって一定の割合で材料ガスの濃度が減少するように分布させることができる。これによって、レーザ発振部１６の各層を形成すべき領域２において、成長させる各層を一定の膜厚に形成でき、かつ導波路レンズ１６の各層を形成すべき領域３において、成長させる各層を出射端３ａに向かって一定の割合で膜厚が減少するように形成することができる。
【００１７】
尚、図５の選択成長マスク１を用いてＭＯＣＶＤ法により上述の各半導体層を形成する場合、境界４から出射端３ａに向かって膜厚が減少する減少率は、成長圧力Ｐｇと密接な関係がある。すなわち、ある特定の減少率に設定しようとする場合、成長圧力Ｐｇが低いほど選択成長マスク１の第２の部分１ｂの面積を大きくする必要があり、図中ａ，ｂで示す寸法を大きくする必要がある。また、成長圧力Ｐｇを高く設定する場合には、第２の部分１ｂの面積を小さくする必要があり、図中ａ，ｂで示す寸法を小さくする必要がある。言い換えれば、本実施の形態では、選択成長マスク１のａ，ｂの寸法を種々組み合わせることにより、一定の割合で膜厚を減少させることができるだけではなく、その減少率を任意に設定できる。
【００１８】
次に、材料ガスとしてＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＴＥＧ（トリエチルガリウム）、ＤＥＺｎ（ジエチル亜鉛）、ＰＨ3（フォスフィン）、ＡｓＨ3（アルシン）及びＨ2Ｓを用いて、有機金属気相成長法により、p型ＩｎＰクラッド層２２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２３及びｎ型ＩｎＰクラッド層２４を成長させる。
そして、図６に示すように選択成長マスクを除去した後、ｎ型ＩｎＰクラッド層２４の上にＳｉＯ２絶縁膜３３を形成する。、
次に、ＳｉＯ2絶縁膜３３をマスクとしてエッチングすることにより図７に示すメサ構造を形成する。尚、このメサ幅は、１μｍ程度に設定する。
【００１９】
次に、図８に示すように、ＳｉＯ2絶縁膜３３を選択成長マスクとして、材料ガスとしてＴＭＩ、ＴＥＧ等を用いて、有機金属気相成長法によりＰ型ＩｎＰ層２５、ｎ型ＩｎＰ電流阻止層２６、ｐ型ＩｎＰ層２７を成長させて形成する。
次に、ＳｉＯ2絶縁膜３３を除去した後、図９に示すように、ｎ型ＩｎＰクラッド層２４及びｐ型ＩｎＰ層２７上にｎ型ＩｎＰ層２８及びｎ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２９を成長させて形成する。最後に、ＳｉＯ2絶縁膜３０、ｎ型電極３１及びｐ型電極３２を形成する。以上のようにして、図１に示す実施の形態の導波路レンズ付の半導体レーザダイオードが作製される。
【００２０】
以上のように作製された実施の形態の半導体レーザダイオードは、上述の選択成長マスク１を用いて活性層等を成長させているので、従来例に比較して、レーザ発振部１５に対する導波路レンズ部１６の長さを短くすることができる。これによって、導波路レンズ部１６における光の吸収による損失を小さくできるので、レーザ発振の閾値電流を低くすることができる。
特に本発明では、以下の実施例において詳細に説明するように、導波路レンズ部１６中の導波路層において相対的に光の吸収が大きい比較的膜厚が大きい部分（レーザ発振活性層の膜厚の７０％以上の膜厚を有する部分（以下第１導波路層という。））の長さを短くできたことが、導波路レンズ部１６における光の吸収の低減に大きく貢献している。本明細書において、第１導波路層に対応した導波路レンズ部を第１レンズ部といい、第１導波路層を除く導波路層に対応した導波路レンズ部を第２レンズ部という。
尚、われわれの検討によると、導波路レンズ部１６における第１導波路層は、レーザ発振光の波長より３ｎｍ〜５０ｎｍ小さい波長に対応したバンドキャップを有する。
【００２１】
【実施例】
以下、本発明に係る実施例について説明する。
実施例１．
実施例１は、図１０（ｂ）に示す選択成長マスクを使用して上述の実施の形態で説明した製造方法に従って作製した半導体レーザダイオードの例である。
この選択成長マスクを用いて、成長させた活性層（量子井戸層）の長手方向（共振方向）に平行な縦断面における膜厚分布を図１０（ａ）に示す。図１０（ａ）において、縦軸は５０ｎｍを１としたときの相対膜厚で示している。
図１０（ａ）に示すように、実施例１ではレーザ発振部１６のレーザ発振活性層の長さを２２０μｍ、導波路レンズ部１６の導波路層の長さを２３０μｍにすることができ、しかも導波路層において比較的吸収ロスの大きい第１導波路層の長さを１００μｍにできた。ここで、レーザ発振活性層は、実質的にレーザ発振に寄与する部分であって、平坦領域に対して９５％以上の膜厚を有する部分とした（実施例２及び比較例において同じ）。尚、図１０（ａ）においては、量子井戸層の膜厚設定目標値は、点線で示している。
【００２２】
これに対して、図１１（ｂ）の従来例の選択成長マスクを使用した比較例では、図１１（ａ）に示すように、レーザ発振活性層の長さは、１６０μｍ、導波路層の長さは２９０μｍであり、しかも比較的吸収ロスの大きい第１導波路層の長さは１８５μｍであった。
このように、実施例１では、導波路層の長さを比較例より短くでき、しかも第１導波路層の長さを短くできるので、比較例では２３ｍＡであった８５℃における閾値電流が、１９ｍＡに低減できた。
【００２３】
実施例２
実施例２は、図１２（ｂ）に示す選択成長マスクを使用して上述の実施の形態で説明した製造方法に従って作製した半導体レーザダイオードの例である。
すなわち、実施例２では、選択成長マスクの第２の部分に挟まれた領域３の幅が領域２の幅より狭くなるように、選択成長マスクを形成している。
この選択成長マスクを用いて、成長させた活性層の長手方向（共振方向）に平行な縦断面における膜厚分布を図１２（ａ）に示す。図１２（ａ）において、図１０（ａ）と同様、縦軸は５０ｎｍを１としたときの相対膜厚で示した。
図１２（ａ）に示すように、実施例２ではレーザ発振部の活性層の長さを２６０μｍ、導波路層の長さを１９０μｍにすることができ、しかもレンズ部において比較的吸収ロスの大きい第１導波路層の長さを６０μｍにできた。また、図１２（ａ）から明らかなように実施例２において、量子井戸層の膜厚は、目標値に極めて近い値にすることができる。
【００２４】
このように、実施例２では、選択成長マスクの第２の部分に挟まれた領域３の幅が領域２の幅より狭くなるように、選択成長マスクを形成したことにより、導波路層の長さ及び第１導波路層の長さを実施例１よりさらに短くできる。これによって、実施例２の半導体レーザダイオードでは、８５℃における閾値電流を実施例１よりさらに低い１８ｍＡにできた。
尚、実施例２では、図１２（ｂ）において５の符号を付して示すように、領域２と領域３との境界付近において、第２の部分の幅を一定の角度をもって内側に増加させている。これによって、実施例２では、領域２と領域３との境界付近において材料ガス濃度の乱れを防止し、該境界付近において膜厚が不均一の部分ができることを防止している。
【００２５】
以上の実施例１，２及び比較例の半導体レーザダイオードにおける量子井戸層の位置に対するフォトルミネッセンス波長を図１３のグラフに示す。
図１３のグラフから明らかなように、フォトルミネッセンス波長の分布は、上述の膜厚分布にほぼ一義的に対応していることがわかる。
この図３のグラフからも、実施例１，２は、導波路層の長さを比較例より短くでき、しかも第１導波路層の長さを短くできることがわかる。
【００２６】
以上説明した実施の形態及び実施例における導波路レンズは、光ファイバに接続するときのレンズに限定されないことは言うまでもない。従来例で説明した端面の破壊を防止するためのレンズや、光集積回路等において、半導体レーザダイオードと他の導波路との間に形成される導波路レンズにも適用することができる。
【００２７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る半導体レーザ装置は、ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層との間に、上記レーザ発振活性層と上記導波路層とからなる量子井戸層を備え、上記導波路層において、上記レーザ発振活性層の厚さの７０％以上の厚さを有する第１導波路層の長さを、上記レーザ発振活性層の厚さの７０％以下の厚さを有する第２導波路層の長さより短くしている。
これによって、本発明に係る半導体レーザ装置は、導波路レンズ部の比較的吸収損失の大きい第１導波路層における光の吸収損失を小さくできるので、従来例の導波路レンズ一体型の半導体レーザ装置に比較して、閾値電流を低くできる。
【００２８】
また、本発明に係る半導体レーザ装置は、上記導波路層の長さを、１００μｍ以上２５０μｍ以下に設定することにより、より閾値電流を低くできる。
【００２９】
また、本発明の半導体レーザ装置は、上記導波路層の長さを、１６０μｍ以上２２０μｍ以下に設定することにより、さらに閾値電流を低くできる。
【００３０】
さらに，本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層との間にレーザ発振活性層と導波路層とからなる量子井戸層を、選択成長マスクを用いてＭＯＣＶＤ方法で成長させて形成する工程を含み、上記各選択成長マスクを、上記レーザ発振活性層に対応して設けられた第１の部分と、上記導波路層に対応して設けられかつ上記第１の部分の幅より広い幅を有する第２の部分とによって形成することにより、上記導波路層が、上記レーザ発振活性層との境界から出射端に向かって徐々に厚さが減少するように形成されるようにしている。これによって、上記導波路層において、上記レーザ発振活性層の厚さの７０％以上の厚さを有する第１導波路層の長さを、上記レーザ発振活性層の厚さの７０％以下の厚さを有する第２導波路層の長さより短く形成することができるので、従来例に比較して閾値電流を低くすることができる、導波路レンズが一体で形成された半導体レーザ装置を製造することができる。
【００３１】
また、上記半導体レーザ装置の製造方法では、上記選択成長マスクにおいて上記第１の部分の間隔に比較して、上記第２の部分の間隔を狭くすることにより、さらに閾値電流の低い半導体レーザ装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る一実施の形態の半導体レーザダイオードの構成を示す一部破断斜視図である。
【図２】  実施の形態の半導体レーザダイオードの構成を示す、光の導波方向に平行な断面における断面図である。
【図３】  実施の形態の半導体レーザダイオードの構成を示す、光の導波方向に垂直な断面における断面図である。
【図４】  実施の形態の半導体レーザダイオードにおける量子井戸層の構成を示す模式的な断面図である。
【図５】  実施の形態の半導体レーザダイオードの製造に用いる選択成長マスクを示す平面図である。
【図６】  実施の形態の半導体レーザダイオードの製造方法における選択成長後の断面図である。
【図７】  実施の形態の半導体レーザダイオードの製造方法におけるメサエッチング後の断面図である。
【図８】  実施の形態の半導体レーザダイオードの製造方法における埋め込み成長後の断面図である。
【図９】  実施の形態の半導体レーザダイオードの製造方法におけるコンタクト層形成後の断面図である。
【図１０】  （ａ）は、本発明に係る実施例１の半導体レーザダイオードの膜厚分布を示すグラフであり、（ｂ）は、実施例１の半導体レーザダイオードの製造に用いた選択成長マスクを示す平面図である。
【図１１】  比較例の半導体レーザダイオードの膜厚分布を示すグラフであり、（ｂ）は、比較例の半導体レーザダイオードの製造に用いた選択成長マスクを示す平面図である。
【図１２】  （ａ）は、本発明に係る実施例２の半導体レーザダイオードの膜厚分布を示すグラフであり、（ｂ）は、実施例２の半導体レーザダイオードの製造に用いた選択成長マスクを示す平面図である。
【図１３】  実施例１，２及び比較例の各量子井戸層における位置に対するＰＬ波長分布を示すグラフである。
【図１４】  （ａ）は、従来例の半導体レーザダイオードの製造に用いる選択成長マスクを示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）の選択成長マスクを用いて形成された層のＡ−Ａ’の断面図における膜厚分布を示すグラフであり、（ｃ）は、膜形成時（成長時）の成長種（材料ガス）の流れを模式式的に示す図である。
【図１５】  （ａ）は、他の従来例の半導体レーザダイオードの製造に用いる選択成長マスクを示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）の選択成長マスクを用いて形成された半導体レーザダイオードの断面図である。
【符号の説明】
１  選択成長マスク、１ｂ  第１の部分、１ｂ  第２の部分、１１  ＩｎＧａＡｓＰウエル層、１２  ＩｎＧａＡｓＰバリア層、１３  ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層、１４  ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層、１５  レーザ発振部、１６  導波路レンズ部、２１  ｐ型ＩｎＰ基板２１、２２  ｐ型ＩｎＰクラッド層、２３  ＩｎＧａＡｓＰ活性層、２４  ｎ型ＩｎＰクラッド層、２５  ｐ型ＩｎＰ層、２６ｎ型ＩｎＰ電流阻止層、２７  ｐ型ＩｎＰ層、２８  ｎ型ＩｎＰ層、２９  ｎ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層、３０  ＳｉＯ2絶縁膜、３１  ｎ型電極、３２  ｐ型電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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