(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
その内部に作動液を貯留する中空構造の熱処理プレートと、前記熱処理プレートの内部に貯留される作動液を加熱することにより、作動液の蒸気が熱処理プレートの内部空間を移動し、熱処理プレートとの間で蒸発潜熱の授受を行うことにより、前記熱処理プレートを加熱する加熱機構とを備え、前記熱処理プレートにより基板を加熱する熱処理装置であって、
冷却流体の流路と、
前記流路に冷却水を供給する冷却水供給手段と、
前記流路に気体を供給する気体供給手段と、
から成る熱処理プレートの降温機構と、
前記冷却水供給手段と前記気体供給手段とを制御することにより、前記流路に冷却水を供給して前記基板保持部の温度を高速に降温させた後、前記流路に気体を供給して前記基板保持部の温度を低速で降温させる制御部と、
を備えたことを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板を熱処理プレートにより加熱して処理する熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
このような熱処理装置は、例えば半導体製造工程において、基板上に形成されたフォトレジスト膜の露光処理前の加熱処理（プリベーク処理）や露光後の加熱処理（ポストエクスポージャベーク処理）、あるいは、現像後の加熱処理（ポストベーク処理）等に用いられる。
【０００３】
このような熱処理装置は、加熱手段を備えた内蔵した熱処理プレートを処理室内に備え、この熱処理プレートの上面に基板を載置した状態で基板を加熱する構成となっている。また、例えば実開昭６３−１９３８３３号公報に記載されたように、熱処理プレートの上面より微小高さ突出する球体を配設し、熱処理プレート上に、いわゆるプロキシミティギャップと称される微小な間隔を保って基板を近接支持させた状態で、この基板を加熱するものもある。
【０００４】
ところで、近年においては、基板上に形成されるパターンの特性に応じて種々のフォトレジストが使用されており、これに対応して熱処理装置における基板の処理温度も異なっている。このため、熱処理装置における熱処理プレートの温度を任意の温度に調整しうる構成とすることが好ましい。
【０００５】
このとき、熱処理プレートの温度を直前の設定温度より高い温度に変更するためには、ヒータにより熱処理プレートを急速に加熱すればよい。しかしながら、熱処理プレートの温度を直前の設定温度より低い温度に変更するためには、熱処理プレートをその放熱によって冷却せざるを得ないことから、熱処理プレートの温度を直前の設定温度より低い温度に変更するには長い時間を要する。
【０００６】
このような理由から、従来の基板処理装置においては、基板の処理温度の種類毎に複数台の熱処理装置を設置し、基板をその処理温度と対応する熱処理装置により熱処理する構成をとっている。しかしながら、このような構成をとった場合においては、多数の熱処理装置を設置する必要が生じ、その専有面積と設備費用が増大するという問題が生ずる。
【０００７】
このような問題に対応するため、例えば特開平１１−２８３８９６号公報や特開２０００−３０６７９６号公報においては、従来の熱処理装置に熱処理プレートを冷却するための冷却機構を付設し、熱処理プレートの温度を直前の設定温度より低い温度に変更する際には、この冷却機構により熱処理プレートを急速に強制冷却することで、熱処理プレートの温度を直前の設定温度より低い温度に迅速に変更することができる熱処理装置が開示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来の熱処理装置において、冷却機構として、冷却流体の流路内に圧縮空気等の気体を流入させることにより冷却を行う空冷方式のものを採用した場合には、熱交換率が悪く、気体の流量を大きくした場合にも降温速度が非常に遅いという問題がある。
【０００９】
このため、圧縮空気にかえて水等の冷却水を使用し、この冷却水を冷却流体の流路内に流入させることにより冷却を行う水冷方式を採用することも考えられる。しかしながら、水冷方式を採用した場合、冷却流体の流路内に残存した冷却水が基板の加熱処理時にその沸点以上の温度まで昇温されて沸騰する。このため、熱処理プレートの温度が不均一になったり、熱処理プレートが振動したりすることにより、基板の処理結果に悪影響を及ぼす。また、冷却流体の流路を大気と遮断された密閉構造とした場合、冷却流体の流路内で冷却水が沸騰したときには、冷却流体の流路内の圧力が急上昇し、爆発等の危険が生ずる。
【００１０】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、基板の処理結果に悪影響を及ぼすことなく、熱処理プレートを設定温度まで迅速に降温させることができる熱処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、その内部に作動液を貯留する中空構造の熱処理プレートと、前記熱処理プレートの内部に貯留される作動液を加熱することにより、作動液の蒸気が熱処理プレートの内部空間を移動し、熱処理プレートとの間で蒸発潜熱の授受を行うことにより、前記熱処理プレートを加熱する加熱機構とを備え、前記熱処理プレートにより基板を加熱する熱処理装置であって、冷却流体の流路と、前記流路に冷却水を供給する冷却水供給手段と、前記流路に気体を供給する気体供給手段と、から成る熱処理プレートの降温機構と、前記冷却水供給手段と前記気体供給手段とを制御することにより、前記流路に冷却水を供給して前記基板保持部の温度を高速に降温させた後、前記流路に気体を供給して前記基板保持部の温度を低速で降温させる制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明の第１実施形態に係る熱処理装置の側面概要図であり、図２はその平面概要図である。
【００１３】
この熱処理装置は、ヒートパイプ構造を採用することにより、熱容量を小さくしつつ温度分布の面内均一性を高めたものであり、中空構造の熱処理プレート１１と、この熱処理プレート１１の温度を測定するための温度センサ１４とを備える。
【００１４】
この熱処理プレート１１は、その上方に基板Ｗを載置して熱処理するためのものであり、例えば、アルミニュウム等の伝熱性が良好な金属材料によって中空円筒状に形成されている。なお、図示を省略しているが、熱処理プレート１１の表面には、アルミナ、マテアタイト等の低伝熱部材から構成された３個の球体が配設されている。この球体の上端は、熱処理プレート１１の表面より微小量だけ突出する状態で配設されており、基板Ｗと熱処理プレート１１の表面との間にいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔を保った状態で、基板Ｗを熱処理プレート１１の球体上に載置、支持して、この基板Ｗを加熱するよう構成されている。
【００１５】
なお、基板Ｗを、熱処理プレート１１の表面と直接接触する状態で熱処理プレート１１上に載置してもよい。
【００１６】
熱処理プレート１１の内部空間は、ヒートパイプ構造のため減圧されており、その強度を補強するため複数本のリム１２が形成されている。そして、熱処理プレート１１の内部空間下方には、一対の作動液室１３が形成されている。この作動液室内１３には、水等の作動液１６が貯留されている。また、この作動液室１３内には、作動液１６を加熱するためのヒータ１７が配設されている。
【００１７】
この熱処理装置においては、ヒータ１７の駆動により作動液１６を加熱することにより、作動液１６の蒸気が熱処理プレート１１の内部空間を移動し、熱処理プレート１１との間で蒸発潜熱の授受を行うことにより、熱処理プレート１１を加熱する構成となっている。熱処理プレート１１との間で蒸発潜熱の授受を実行した作動液１６の蒸気は、再度、作動液１６となって、作動液室１３に回収される。
【００１８】
このような熱処理装置において、フォトレジストの種類等に対応して基板Ｗの熱処理温度を直前の設定温度より低い温度に変更するためには、熱処理プレート１１を急速に強制冷却する必要がある。このため、この熱処理装置においては、熱処理プレート１１の下面における一対の作動液室１３の中央部に、冷却プレート２１が配設されている。なお、冷却プレート２１の構成については、後程詳細に説明する。
【００１９】
次に、この発明に係る熱処理装置の主要な電気的構成について説明する。図３は、この発明の第１実施形態に係る熱処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【００２０】
この熱処理装置は、装置の制御に必要な動作プログラムが格納されたＲＯＭ４１と、制御時にデータ等が一時的にストアされるＲＡＭ４２と、論理演算を実行するＣＰＵ４３からなる制御部４０を備える。制御部４０は、インターフェース４４を介して、上述した温度センサ１４、開閉弁３３、開閉弁３４と接続されている。また、制御部４０は、上述したヒータ１７を駆動するためのヒータ駆動部４５と接続されている。
【００２１】
次に、上述した冷却プレート２１の構成について説明する。図４は、冷却プレート２１の平面図である。
【００２２】
この冷却プレート２１は、熱伝導率が高い二枚の金属板を張り合わせた構成を有し、その張り合わせ面には冷却流体の流路２４が形成されている。この冷却流体の流路２４の一端は流入口２２と接続されており、他端は流出口２３と接続されている。また、流入口２２から流出口２３に至る流路２４は、その流路長を長くするために蛇行状に形成されている。
【００２３】
図１に示すように、流入口２２に取り付けられた供給配管２５は、冷却水の供給部３２と、開閉弁３４を介して接続されている。また、この供給配管２５は、冷却用の気体である圧縮空気の供給部３１とも、開閉弁３３を介して接続されている。一方、流出口２３に取り付けられた排出配管２６は、大気開放されたドレイン３５と接続されている。
【００２４】
なお、冷却水としては、単なる水を使用してもよく、また、その他の冷却媒体を使用してもよい。
【００２５】
このように構成された冷却プレート２１においては、基板Ｗの熱処理温度を直前の設定温度より低い温度に変更する際には、冷却流体の流路２４中に冷却水の供給部３２から供給された冷却水を流通させることにより、熱処理プレート１１を高速に降温させる。熱処理プレート１１の降温に供された冷却水は、大気開放されたドレイン３５に排出される。
【００２６】
このとき、この降温動作後に冷却流体の流路２４に冷却水が残存していた場合には、冷却流体の流路２４内に残存した冷却水が後続する基板Ｗの加熱処理時にその沸点以上の温度まで昇温されて沸騰し、熱処理プレート１１の温度が不均一になったり、熱処理プレート１１が振動したりすることにより、基板Ｗの処理結果に悪影響を及ぼす。このため、この熱処理装置においては、冷却流体の流路２４に冷却水を供給して熱処理プレート１１の温度を高速に降温させた後、この流路２４に圧縮空気の供給部３１から供給された圧縮空気を供給する構成となっている。
【００２７】
次に、以上のような構成を有する熱処理装置において、基板Ｗの熱処理温度を直前の設定温度より低い新たな設定温度Ｘに変更する場合の熱処理プレート１１の降温動作について説明する。図５は、この発明の第１実施形態に係る熱処理プレート１１の降温動作を示すフローチャートである。
【００２８】
熱処理プレート１１が、あるロットの基板Ｗを熱処理するために設定された設定温度となっている場合に、引き続いて異なるロットの基板Ｗを熱処理するためにこの熱処理プレート１１の温度を設定温度Ｘに変更する場合においては、次のような制御動作により、冷却プレート２１を使用して熱処理プレート１１の温度を降温させる。
【００２９】
すなわち、先ず、制御部４０の制御で開閉弁３４を開放することにより、冷却水の供給部３２から冷却プレート２１における冷却流体の流路２４内に冷却水を供給する（ステップＳ１１）。これにより、熱処理プレート１１が冷却水の作用で急速冷却され、高速に降温される。
【００３０】
また、これと並行して、ヒータ駆動部４５によるヒータ１７の加熱制御動作を停止する（ステップＳ１２）。すなわち、制御部４０からヒータ駆動部４５に指令を出すことにより、ヒータ駆動部４５によるヒータ１７の一切の制御動作を停止させる。
【００３１】
そして、温度センサ１４による熱処理プレート１１の温度の検出値を制御部４０において監視し、熱処理プレート１１の温度が新たな設定温度ＸよりＹ１だけ高い温度となったか否かを判定する（ステップＳ１３）。
【００３２】
熱処理プレート１１の温度が新たな設定温度ＸよりＹ１だけ高い温度となれば、制御部４０の制御で開閉弁３４を閉止することにより、冷却水の供給を停止する（ステップＳ１４）。
【００３３】
また、これと並行して、制御部４０の制御で開閉弁３３を開放することにより、圧縮空気の供給部３１から冷却プレート２１における冷却流体の流路２４内に圧縮空気を供給する（ステップＳ１５）。これにより、冷却流体の流路２４から冷却水が排出されるとともに、圧縮空気の作用で処理プレート１１が低速で降温される。
【００３４】
そして、熱処理プレート１１の温度が新たな設定温度ＸよりＹ２だけ高い温度となれば、制御部４０の制御で開閉弁３３を閉止することにより、圧縮空気の供給を停止する（ステップＳ１７）。これにより、熱処理プレート１１は、その放熱のみにより冷却されることになる。
【００３５】
この状態で、一定のディレイ時間ｔの経過を待つ（ステップＳ１８）。
【００３６】
そして、ディレイ時間ｔが経過すれば、ヒータ駆動部４５によるヒータ１７の加熱制御動作を開始する（ステップＳ１９）。すなわち、制御部４０からヒータ駆動部４５に指令を出すことにより、ヒータ駆動部４５によるヒータ１７の制御動作を再開させる。
【００３７】
そして、熱処理プレート１１の温度が設定温度Ｘとなれば（ステップＳ２０）、降温処理動作を終了する。
【００３８】
なお、上述した一定のディレイ時間ｔを設けているのは、次のような理由による。即ち、このような熱処理装置においては、ＰＩＤ制御等を利用したヒータ駆動部４５を使用し、熱処理プレート１１の温度を経時的に測定することによりヒータ１７による加熱動作を制御することで、熱処理プレート１１の温度を設定温度に整定させている。そして、このときのＰＩＤ制御等に使用される各係数等の設定は、熱処理プレート１１が通常の状態で降温するという条件の下に設定されている。
【００３９】
しかしながら、この実施形態に係る熱処理装置のように、熱処理プレート１１を冷却水や圧縮空気により強制的に冷却した場合においては、ヒータ駆動部４５が強制冷却時の降温速度を考慮してヒータ１７の制御を実行するため、新たな設定温度Ｘに対してオーバシュートが発生するという問題が生ずる。
【００４０】
しかしながら、この実施形態においては上述した一定のディレイ時間ｔを設けており、このディレイ時間ｔの間は熱処理プレート１１は冷却水や圧縮空気により強制冷却されていないことから、熱処理プレート１１は通常の状態で降温する。このため、熱処理プレート１１の温度変動がオーバシュートを生ずることなく、速やかに設定温度Ｘに整定する。
【００４１】
なお、上述した冷却動作を停止する温度Ｙ２は、ａおよびｂを定数としたとき、式Ｙ２＝ａＸ＋ｂにより決定することが好ましい。これは、熱処理プレート１１を圧縮空気等の気体で降温させる場合には、設定温度Ｘが高いほど熱処理プレートの降温速度が速く、その速度は設定温度の一次式に比例することが実験的に認められているためである。
【００４２】
また、上述したディレイ時間ｔは、熱処理プレート１１の降温速度が、強制冷却の影響を受けた状態から通常の状態へ移行するために必要な時間に対応する時間である。このディレイ時間ｔは、熱処理プレート１１の熱容量等を考慮して実験的に求めることができる。
【００４３】
以上のような構成を有する熱処理装置においては、最初に冷却水を利用して熱処理プレート１１を冷却することから、熱処理プレート１１を高速に降温させることができる。しかる後、圧縮空気を利用して熱処理プレート１１を低速で降温させることから、熱処理プレート１１の降温動作時にオーバシュートを生ずることなく、速やかに設定温度に整定する。
【００４４】
このとき、先に冷却流体の流路２４内に供給されこの流路２４内に残存する冷却水は、後で冷却流体の流路２４内に供給される圧縮空気によりこの流路２４内から排出される。このため、冷却流体の流路２４内に残存した冷却水が基板Ｗの加熱処理時にその沸点以上の温度まで昇温されて沸騰するという現象の発生を有効に防止することができる。
【００４５】
なお、この実施形態に係る熱処理装置においては、冷却流体の流路２４は、大気開放されたドレイン３５と接続されている。このため、装置の誤動作等により冷却流体の流路２４内において冷却水が沸騰した場合においても、沸騰時の圧力を大気開放されたドレイン３５から排出させることができる。このため、冷却流体の流路２４内の圧力が急上昇して爆発等が生ずるという危険を未然に回避することが可能となる。
【００４６】
上述した第１実施形態に係る基板処理装置においては、冷却水を利用して熱処理プレート１１を高速に降温させた後、圧縮空気を利用して熱処理プレート１１を低速で降温させる構成を採用しているが、圧縮空気は冷却流体の流路２４内に残存した冷却水を排出する目的のみに使用してもよい。
【００４７】
図６は、このような第２実施形態に係る熱処理プレート１１の降温動作を示すフローチャートである。
【００４８】
熱処理プレート１１の温度を設定温度Ｘに変更する場合においては、先ず、制御部４０の制御で開閉弁３４を開放することにより、冷却水の供給部３２から冷却プレート２１における冷却流体の流路２４内に冷却水を供給する（ステップＳ２１）。これにより、熱処理プレート１１が冷却水の作用で急速冷却され、高速に降温される。
【００４９】
また、これと並行して、ヒータ駆動部４５によるヒータ１７の加熱制御動作を停止する（ステップＳ２２）。すなわち、制御部４０からヒータ駆動部４５に指令を出すことにより、ヒータ駆動部４５によるヒータ１７の一切の制御動作を停止させる。
【００５０】
そして、温度センサ１４による熱処理プレート１１の温度の検出値を制御部４０において監視し、熱処理プレート１１の温度が新たな設定温度ＸよりＹ１だけ高い温度となったか否かを判定する（ステップＳ２３）。
【００５１】
熱処理プレート１１の温度が新たな設定温度ＸよりＹ１だけ高い温度となれば、制御部４０の制御で開閉弁３４を閉止することにより、冷却水の供給を停止する（ステップＳ２４）。
【００５２】
また、これと並行して、制御部４０の制御で開閉弁３３を開放することにより、圧縮空気の供給部３１から冷却プレート２１における冷却流体の流路２４内に圧縮空気を供給する（ステップＳ２５）。この圧縮空気の供給は、冷却流体の流路２４内に残存する冷却水が排出された時点で停止される。
【００５３】
この状態で、一定のディレイ時間ｔの経過を待つ（ステップＳ２６）。
【００５４】
そして、ディレイ時間ｔが経過すれば、ヒータ駆動部４５によるヒータ１７の加熱制御動作を開始する（ステップＳ２７）。すなわち、制御部４０からヒータ駆動部４５に指令を出すことにより、ヒータ駆動部４５によるヒータ１７の制御動作を再開させる。
【００５５】
そして、熱処理プレート１１の温度が設定温度Ｘとなれば（ステップＳ２８）、降温処理動作を終了する。
【００５６】
このような実施形態を採用した場合においても、最初に冷却水を利用して熱処理プレート１１を冷却することから、熱処理プレート１１を高速に降温させることができる。また、冷却流体の流路２４内にに残存する冷却水を、冷却流体の流路２４内に供給される圧縮空気により排出することから、冷却流体の流路２４内に残存した冷却水が基板Ｗの加熱処理時にその沸点以上の温度まで昇温されて沸騰するという現象の発生を有効に防止することができる。
【００５７】
また、この第２実施形態においても、一定のディレイ時間ｔを設けており、このディレイ時間ｔの間は熱処理プレート１１が通常の状態で降温する構成としていることから、冷却水のみを使用して熱処理プレート１１の降温制御を実行した場合においても、熱処理プレート１１の温度変動がオーバシュートを生ずることなく、熱処理プレート１１を速やかに設定温度Ｘに整定させることが可能となる。
【００５８】
上述した第１、第２実施形態においては、冷却水の供給部３２と冷却プレート２１との間に開閉弁３４を設け、制御部４０の制御でこの開閉弁を開閉することにより、冷却プレート２１における冷却流体の流路２４に冷却水を供給するか否かを決定し、これにより熱処理プレート１１の降温動作を制御している。しかしながら、冷却プレート２１における冷却流体の流路２４に供給する冷却水の流量を調整することにより、熱処理プレート１１の降温動作を制御するようにしてもよい。
【００５９】
図７はこのような第３実施形態に係る熱処理装置の側面概要図であり、図８はその主要な電気的構成を示すブロック図である。なお、上述した第１、第２実施形態に係る熱処理装置と同一の部材については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００６０】
この実施形態においては、第１、第２実施形態に係る開閉弁３４にかえて、制御部４０の制御により冷却流体の流路２４に供給される冷却水の流量を連続的に調整可能な流量調整弁３６を採用している点を除き、上述した第１、第２実施形態と同様の構成を有する。
【００６１】
この実施形態に係る熱処理装置において熱処理プレート１１の降温制御を実行する際には、図５に示す第１実施形態のステップＳ１１〜ステップＳ１４および図６に示す第２実施形態のステップＳ２１〜ステップＳ２４において、次のような形態で冷却水が供給される。
【００６２】
即ち、温度センサ１４による熱処理プレート１１の温度の検出値と設定温度Ｘとの差ΔＴとし、ｅを定数としたとき、冷却流体の流路２４に供給される冷却水の流量Ｑが次の式を満足するように冷却水の流量が調整される。但し、熱処理プレート１１の温度の検出値と設定温度Ｘとの差ΔＴの値が大きく、流量Ｑの値が冷却流体の流路２４に供給可能な冷却水の最大流量を超えた場合には、最大流量で冷却水が供給される。
【００６３】
Ｑ＝ｅ・ΔＴ
【００６４】
このような構成を採用した場合においても、熱処理プレート１１の温度変動がオーバシュートを生ずることなく、熱処理プレート１１を速やかに設定温度Ｘに整定させることが可能となる。
【００６５】
なお、上述した実施形態においては、いずれも、ヒートパイプ構造を利用した熱処理プレート１１を使用し、ヒータ１７または冷却プレート２１と熱処理プレート１１との間で蒸発潜熱の授受を行うことにより熱処理プレート１１を加熱または冷却する構成を採用しているが、熱処理プレート１１を例えば面状のヒータで直接加熱し、または、熱処理プレート１１を冷却プレート２１で直接冷却する構成を採用してもよい。すなわち、本発明の加熱機構はヒートパイプ構造に限定されない。
【００６６】
なお、圧縮空気の供給部３１と冷却プレート２１との間、または圧縮空気の供給部３１に空気の冷却手段を設けてもよい。
【００６７】
また、冷却プレート２１に供給する圧縮空気は乾燥した空気である方がよい。
【００６８】
また、冷却流体として水を使用しているので化学薬品を使用するものに比べて調達コストが安価であるとともに、廃棄処理費用も安価で済む。
【００６９】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、冷却流体の流路内に冷却水を供給することから、熱処理プレートの降温制御時に、冷却水を利用して熱処理プレートを迅速に降温させることが可能となる。また、冷却流体の流路内に気体を供給することから、この流路内に冷却水が残存して沸騰することにより基板の処理結果に悪影響を及ぼすという現象の発生を防止することが可能となる。
【００７０】
さらに、請求項１の記載の発明によれば、前記流路に冷却水を供給して前記基板保持部の温度を高速に降温させた後、前記流路に気体を供給して前記基板保持部の温度を低速で降温させることから、熱処理プレートの降温動作時にオーバシュートを生ずることなく、熱処理プレートの温度を速やかに設定温度に整定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１実施形態に係る熱処理装置の側面概要図である。
【図２】  この発明の第１実施形態に係る熱処理装置の平面概要図である。
【図３】  この発明の第１実施形態に係る熱処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【図４】  冷却プレート２１の平面図である。
【図５】  この発明の第１実施形態に係る熱処理プレート１１の降温動作を示すフローチャートである。
【図６】  この発明の第２実施形態に係る熱処理プレート１１の降温動作を示すフローチャートである。
【図７】  この発明の第３実施形態に係る熱処理装置の側面概要図である。
【図８】  この発明の第３実施形態に係る熱処理装置の主要な電気的構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
１１      熱処理プレート
１３      作動液室
１４      温度センサ
１６      作動液
１７      ヒータ
２１      冷却プレート
２２      流入口
２３      流出口
２４      冷却流体の流路
３１      圧縮空気の供給部
３２      冷却水の供給部
３３      開閉弁
３４      開閉弁
３５      ドレイン
３６      流量調整弁
４０      制御部
４５      ヒータ駆動部
【図１】
0003973853.tif 000002
【図２】
0003973853.tif 000003
【図３】
0003973853.tif 000004
【図４】
0003973853.tif 000005
【図５】
0003973853.tif 000006
【図６】
0003973853.tif 000007
【図７】
0003973853.tif 000008
【図８】
0003973853.tif 000009