(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学効果を有する基板と、
該基板に形成された光導波路と、
該光導波路を伝搬する光と該基板に形成された電極部から生じた弾性表面波とを干渉させる干渉領域とをそなえ、
該電極部にて発生した弾性表面波を吸収するために該基板上における該光導波路の入出射端部位置近傍に設けられた一対の吸収部材の温度上昇に起因する温度分布により生じた、該干渉領域における複屈折率分布が一様となるように、該光導波路の太さ分布が、該光導波路の入出射端部近傍を細く、該光導波路の中心部に向かって太くなるように構成されたことを特徴とする、光フィルタ装置。
【請求項２】
電気光学効果を有する基板と、
該基板に形成された光導波路と、
該光導波路を伝搬する光と該基板に形成された電極部から生じた弾性表面波とを干渉させる干渉領域とをそなえ、
該光導波路の両側部に拡散領域を形成したことにより発生する応力分布により生じた、該干渉領域における複屈折率分布が一様となるように、該光導波路の太さ分布が、該光導波路の入出射端部近傍を細く、該光導波路の中心部に向かって太くなるように構成されたことを特徴とする、光フィルタ装置。
【請求項３】
電気光学効果を有する基板と、
該基板に形成された光導波路と、
該光導波路を伝搬する光と該基板に形成された電極部から生じた弾性表面波とを干渉させる干渉領域とをそなえ、
該光導波路の上部位置に薄膜を形成したことにより発生する応力分布により生じた、該干渉領域における複屈折率分布が一様となるように、該光導波路の太さ分布が、該光導波路の入出射端部近傍を太く、該光導波路の中心部に向かって細くなるように構成されたことを特徴とする、光フィルタ装置。
【請求項４】
電気光学効果を有する基板と、
該基板に形成された光導波路と、
該光導波路を伝搬する光と該基板に形成された電極部から生じた弾性表面波とを干渉させる干渉領域と、
該光導波路の上部位置に部分的に形成された薄膜とをそなえ、
該光導波路上部における該薄膜の部分的形成により生じた、該干渉領域における複屈折率分布が一様となるように、該光導波路の太さが、該薄膜が該光導波路上に形成されない位置に相当する該光導波路部分よりも、該薄膜が該光導波路上に形成された位置に相当する該光導波路部分が太くなるように構成されたことを特徴とする、光フィルタ装置。
【請求項５】
電気光学効果を有する基板と、
該基板に形成された光導波路と、
該光導波路を伝搬する光と該基板に形成された電極部から生じた弾性表面波とを干渉させる干渉領域とをそなえ、
該電極部にて発生した弾性表面波を吸収するために該基板上における該光導波路の入出射端部位置近傍に設けられた一対の吸収部材の温度上昇に起因する温度分布及び該光導波路の両側部に拡散領域を形成したことにより発生する応力分布により生じた、該干渉領域における複屈折率分布が一様となるように、該光導波路の太さ分布が、該光導波路の入出射端部近傍を細く、該光導波路の中心部に向かって太くなるように構成されたことを特徴とする、光フィルタ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
（目次）
発明の属する技術分野
従来の技術（図１５，図１７，図１８）
発明が解決しようとする課題（図１６〜図１８）
課題を解決するための手段
発明の実施の形態
・（ａ）第１実施形態の説明（図１〜図７）
・（ｂ）第２実施形態の説明
（ｂ１）第２実施形態の第１の態様の説明（図８〜図１１）
（ｂ２）第２実施形態の第２の態様の説明（図１２〜図１４）
発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば光通信システムの端局装置又は中継装置において、波長多重された信号光の分波を行なったり、信号光における雑音光成分を除去する際に用いて好適な、光フィルタ装置に関する。
【０００３】
【従来の技術】
一般的に、光通信システムの端局装置又は中継装置においては、波長多重された信号光の分波を行なったり、信号光における雑音光成分を除去する光フィルタ装置として、例えば図１５に示すような光フィルタ装置が用いられている。
ここで、図１５に示す光フィルタ装置１００は、基板１０１に光導波路１０２が形成されるとともに、光導波路１０２を含む基板面上の入射端部位置近傍にトランスデューサ１０３が形成されるものであって、トランスデューサ１０３にて弾性表面波を発生することにより、入射光のうちの所望の波長の光をモード変換して出射する音響光学チューナブル波長フィルタとして機能するようになっている。
【０００４】
また、光導波路１０２の両側部には拡散領域１０６が形成されるとともに、基板１０１上における光導波路１０２の入出射端部位置近傍であって、拡散領域１０６に最も近接する位置に一対の吸収部材１０７が設けられている。
ここで、基板１０１は、電気光学効果を有するものであり、例えば、結晶構造をＸ軸方向にカットしたニオブ酸リチウム（Ｘ−ｃｕｔ  ＬｉＮｂＯ3 ）により形成されている。
【０００５】
また、光導波路１０２は、基板１０１内にチタン（Ｔｉ）等の金属を拡散させることにより、その部分の屈折率が基板１０１の他の部分の屈折率よりも大きくなるように構成されている。
さらに、トランスデューサ１０３は、弾性表面波を発生しうる一対の櫛形電極１０４，１０５からなり、櫛形電極１０４は、複数の歯電極１０４ａ，複数の歯電極１０４ａに一体に接続され各歯電極１０４ａに電位を与える共通電極１０４ｂをそなえる一方、櫛形電極１０５は、複数の歯電極１０５ａ，複数の歯電極１０５ａに一体に接続され各歯電極１０５ａに電位を与える共通電極１０５ｂをそなえて構成されている。なお、このトランスデューサ１０３は、光導波路１０２上の入射端部側の吸収部材１０７の後段に、例えば金（Ａｕ）等の金属を蒸着することにより形成される。
【０００６】
ここで、光フィルタ装置１００にてモード変換される波長は、トランスデューサ１０３にて発生する弾性表面波の周期Λを設定することにより、任意に設定することができる。
なお、図１５において、１０８は高周波電圧信号発生器（ＲＦ電圧信号発生器）で、この高周波電圧信号発生器１０８は、トランスデューサ１０３にて弾性表面波を発生すべく、櫛形電極１０５の共通電極１０５ｂに高周波電圧信号（ＲＦパワー）を与えるものである。
【０００７】
また、拡散領域１０６は、例えばチタン（Ｔｉ）等の金属を高濃度拡散させてなるもので、その部分の屈折率が基板１０１の他の部分の屈折率よりも大きくなるように構成されている。
即ち、光フィルタ装置１００においては、前述のごとく拡散領域１０６を光導波路１０２の両側部に形成することにより、光導波路１０２と拡散領域１０６との間の基板１０１の内部（符号Ａ参照）に弾性表面波を閉じ込めて基板１０１の外部に漏洩することを防ぐように構成されており、低消費電力化のための配慮が施されている。
【０００８】
さらに、吸収部材１０７は、トランスデューサ１０３にて発生した弾性表面波を吸収するものであり、例えばワックスやゴム等のような柔軟な素材により構成されている。
このような構成により、図１５に示す光フィルタ装置１００においては、光導波路１０２の入射側端部Ｓから信号光が入射されると、入射光は光導波路１０２中を伝播する。
【０００９】
このとき、トランスデューサ１０３にて発生した弾性表面波による音響光学効果の作用により、入射光のうち、所望の波長の光（即ち、弾性表面波の周期Λにより決定される波長の光）の偏波が９０°回転するため、その波長の光がモード変換されて光導波路１０２の出射側端部Ｔから出射される。
ここで、図１５に示す光フィルタ装置１００は、波長依存性が大きく（ニオブ酸リチウムの基板特性上、モード変換しうる波長に選択性が少なく）、実際には、弾性表面波の周期Λにより決定される波長の光（本来光フィルタ装置１００にてモード変換させたい波長の光）だけでなく、その波長帯に近接する波長帯の光も一部モード変換されて、これがサイドローブとして光導波路１０２の出射側端部Ｔから出射される。
【００１０】
例えば、弾性表面波の周期Λの設定により、モード変換させたい光波長を約１．５５μｍとした場合には、光フィルタ装置１００においては、１．５５μｍ帯の波長に近接する波長帯の光も一部モード変換されることになる。
このため、光フィルタ装置１００からは、例えば図１７や図１８において符号Ｑで示すように、１．５５μｍ帯の波長に近接する波長帯の光が、サイドローブとして出射されるのである。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の図１５に示す光フィルタ装置１００においては、吸収部材１０７が弾性表面波を吸収する際に発熱するため、基板１０１では吸収部材１０７が設けられた部分の温度が上昇して、基板１０１内部に温度分布が生じる。
また、この光フィルタ装置１００は、高濃度のチタンを拡散して拡散領域１０６が形成されているため、図１６に示すように基板１０１に応力がかかるような構成となっている（なお、図１６では、基板１０１にかかる圧縮応力を矢印Ｐで示している）。
【００１２】
この図１６に示すように、拡散領域１０６を形成することにより生じる応力は、基板１０１の中心部近傍に集中的にかかり、基板１０１の両端部近傍にはそれほどかからない。即ち、拡散領域１０６を形成することにより、基板１０１に応力分布が生じるのであり、基板１０１内部に応力分布が生じると、基板１０１に歪みが生じることになる。
【００１３】
ここで、基板１０１の温度が一律に上昇するときや基板１０１に均等に応力がかかるときには、基板１０１の複屈折率には分布は生じないため、その温度や応力での基板１０１の複屈折率を用いて光フィルタ装置１００にてモード変換される波長を設定すればよい。
ところが、基板１０１内部に温度分布や応力分布が生じると、基板１０１の複屈折率にも分布が生じるため、光フィルタ装置１００にてモード変換される波長の値が変動する。
【００１４】
そして、光フィルタ装置１００にてモード変換される波長の設定が変動すると、モード変換させたい光波長より短波長側又は長波長側のサイドローブの一部（図１７，図１８に示す例ではモード変換させたい光波長より短波長側のサイドローブの一部）が増大して、サイドローブとして出射される波長の光の出力レベルが大きくなる。
【００１５】
また、このように光フィルタ装置１００にてモード変換される波長の設定が変動すると、図１７及び図１８に示すように、モード変換させたい光波長（中心波長）が揺らぐ場合もある。
従って、このような光フィルタ装置１００を、波長多重（ＷＤＭ）伝送を行なう光通信システムにおいて用いた場合には、サイドローブの出力レベル増大に起因して、異なる波長の信号間で発生するクロストークを増大させ、波長多重通信における信号光の波長配置を著しく制限する要因となるという課題がある。
【００１６】
また、このような光フィルタ装置１００を、１波のみの信号光を伝送する光通信システムにおける波長透過フィルタとして用いた場合には、信号光における雑音光成分を精度良く除去することができないという課題もある。
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、光フィルタ装置内で生じた複屈折率分布を補償することにより、入射光のモード変換を行なう際に発生するサイドローブの増大や中心波長の揺らぎを防ぎ、ひいては入射光の分波精度又は雑音光成分除去精度を向上させて良好なフィルタ特性を得ることができるようにした、光フィルタ装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
このため、本発明の光フィルタ装置は、電気光学効果を有する基板と、前記基板に形成された光導波路と、前記光導波路を伝播する光と前記基板に形成された電極部から生じた弾性表面波とを干渉させる干渉領域とをそなえ、電極部にて発生した弾性表面波を吸収するために前記基板上における光導波路の入出射端部位置近傍に設けられた一対の吸収部材の温度上昇に起因する温度分布により生じた、前記干渉領域における複屈折率分布が一様となるように、前記光導波路の太さ分布が、光導波路の入出射端部近傍を細く、光導波路の中心部に向かって太くなるように構成されたことを特徴としている。
【００１８】
そして、本発明の光フィルタ装置は、光導波路の太さが、上記光の進行方向に対して分布をもつように構成されたことを特徴としている。
ここで、本発明の光フィルタ装置は、光フィルタ装置内における温度分布により生じた複屈折率分布を補償すべく、光導波路の太さを、上記光の進行方向に対して分布をもつように構成することができる。
【００２０】
また、本発明の光フィルタ装置は、光フィルタ装置内における応力分布により生じた複屈折率分布を補償すべく、光導波路の太さを、上記光の進行方向に対して分布をもつように構成することができる。
具体的には、光導波路の両側部に拡散領域を形成したことにより発生する応力分布により生じた、干渉領域における複屈折率分布が一様となるように、光導波路の太さ分布を、光導波路の入出射端部近傍を細く、光導波路の中心部に向かって太くなるように構成することができる。
【００２１】
また、光導波路の上部位置に薄膜を形成したことにより発生する応力分布により生じた、干渉領域における複屈折率分布が一様となるように、光導波路の太さ分布を、光導波路の入出射端部近傍を太く、光導波路の中心部に向かって細くなるように構成することができる。
さらに、本発明の光フィルタ装置は、光導波路の上部位置に薄膜が部分的に形成され、光導波路上部における薄膜の部分的形成により生じた、干渉領域における複屈折率分布が一様となるように、光導波路の太さを、上記光の進行方向に対して分布をもつように構成することができる。
【００２２】
このとき、光導波路の太さ分布を、薄膜が光導波路上に形成されない位置に相当する光導波路部分よりも、薄膜が光導波路上に形成された位置に相当する光導波路部分が太くなるように構成することができる。
【００２３】
具体的には、電極部にて発生した弾性表面波を吸収するために基板上における光導波路の入出射端部位置近傍に設けられた一対の吸収部材の温度上昇に起因する温度分布及び光導波路の両側部に拡散領域を形成したことにより発生する応力分布により生じた、干渉領域における複屈折率分布が一様となるように、光導波路の太さ分布を、光導波路の入出射端部近傍を細く、光導波路の中心部に向かって太くなるように構成することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
（ａ）第１実施形態の説明
図１は本発明の第１実施形態にかかる光フィルタ装置の構成を示す模式図であり、この図１に示す光フィルタ装置１０は、基板１に光導波路２が形成されるとともに、光導波路２を含む基板面上の入射端部位置近傍にトランスデューサ３が形成されるものであって、トランスデューサ３にて弾性表面波を発生することにより、入射光のうちの所望の波長の光をモード変換して出射する音響光学チューナブル波長フィルタとして機能するようになっている。
【００２５】
また、光導波路２の両側部には拡散領域６が形成されるとともに、基板１上における光導波路２の入出射端部位置近傍には一対の吸収部材７が設けられている。
例えば、入射光としてＴＥモード又はＴＭモードの信号光が入射されると、この光フィルタ装置１０では、所望の波長の信号光のみをモード変換し、ＴＭモード又はＴＥモードの信号光として出射する一方、他の波長の信号光については、モード変換することなくそのまま出射するようになっている。
【００２６】
即ち、この図１に示す光フィルタ装置１０の後段に、特定偏光のみを透過しうる偏光子等をそなえることにより、光通信システムにおいて波長多重された信号光を分波する波長分波フィルタを構成したり、信号光における他波長成分として含まれる雑音光成分を除去する雑音除去フィルタを構成することができるようになっている。
【００２７】
ここで、基板１は、電気光学効果を有するものであり、例えば、結晶構造をＸ軸方向にカットしたニオブ酸リチウム（Ｘ−ｃｕｔ  ＬｉＮｂＯ3 ）により形成されている。
また、光導波路２は、基板１における結晶構造のＹ軸方向に平行に伝播するＹ伝播の光導波路であり、基板１の端部Ｓから入射された光がＹＺ平面上でＹ軸に平行となるように伝播して、端部Ｓの逆側端部Ｔから出射されるように、チタン（Ｔｉ）等の金属がパターニングされて拡散されるようになっている。
【００２８】
なお、この光導波路２として拡散される金属としては、光導波路２の部分の屈折率が基板１の部分の屈折率よりも大きくなるようなものが用いられる。
さらに、一対の電極部としてのトランスデューサ３は、光導波路２上の入射端部側の吸収部材７の後段に、例えばチタン（Ｔｉ）や金（Ａｕ）等の金属を蒸着又はパターニングすることにより形成されるものであり、弾性表面波を発生しうる一対の櫛形電極４，５をそなえて構成されている。
【００２９】
ここで、櫛形電極４は、複数の歯電極４ａ及び複数の歯電極４ａに一体に接続され各歯電極４ａに電位を与える共通電極４ｂをそなえる一方、櫛形電極５は、複数の歯電極５ａ及び複数の歯電極５ａに一体に接続され各歯電極５ａに電位を与える共通電極５ｂをそなえて構成されている。
また、共通電極４ｂに一体に接続される複数の歯電極４ａは、それぞれ等間隔に配設されるとともに、共通電極５ｂに一体に接続される複数の歯電極５ａについても、上述の歯電極４ａと等しい間隔で配設されている。
【００３０】
さらに、歯電極５ａは、櫛形電極４における隣接する歯電極４ａ内に挟まれるように配置されている。換言すれば、一対の櫛形電極４，５は、光導波路２上に互いに噛み合うように（歯電極４ａ，５ａが、光導波路２上に交互に且つ直交するように）配設されている。
なお、第１実施形態では、トランスデューサ３は、電極長（共通電極４ｂ，５ｂの長さ）が１００μｍ程度，歯電極４ａ，５ａの太さがそれぞれ５μｍ程度，隣接する歯電極４ａ，５ａの間隔が５μｍ程度，歯電極４ａ，５ａのそれぞれの配設間隔（電極周期）が２０μｍ程度となるように（即ち、５周期分の歯電極４ａ，５ａをそなえるように）形成されている。また、トランスデューサ３の開口長は１４０μｍ程度である。
【００３１】
また、図１において、８は高周波電圧信号発生器（ＲＦ電圧信号発生器）であり、櫛形電極４における共通電極４ｂは接地されるとともに、櫛形電極５における共通電極５ｂの中心部は高周波電圧信号発生器８に接続され、この高周波電圧信号発生器８から櫛形電極５に対して高周波電圧信号（ＲＦパワー）が与えられるようになっている。
【００３２】
従って、隣接する歯電極４ａ，５ａ間において電位差が生じるため、基板１におけるトランスデューサ３近傍には光導波路２と平行な方向に周期的な電界が印加される。これにより、基板１が電界の方向に周期的に伸縮するため、トランスデューサ３にて弾性表面波が発生するようになっているのである。
また、拡散領域６は、例えばチタン（Ｔｉ）等の金属を高濃度拡散させてなるもので、その部分の屈折率が基板１の他の部分の屈折率よりも大きくなるように構成されている。
【００３３】
即ち、光フィルタ装置１０においては、前述のごとく拡散領域６を光導波路２の両側部に形成することにより、光導波路２と拡散領域６との間の基板１の内部（符号Ｂ参照）に弾性表面波を閉じ込めて基板１の外部に漏洩することを防ぐように構成されており、低消費電力化のための配慮が施されている。
なお、第１実施形態では、拡散領域６は、光導波路２から１４０μｍ程度離隔した位置に形成し、拡散領域６の横方向の長さ（基板１における結晶構造のＹ軸方向の長さ）を３０ｍｍ程度とした。また、拡散処理は、基板１の表面に厚さ１５００Åのチタンを蒸着してパターニングし、１０５０℃の雰囲気中に３０時間おくことにより行なった。
【００３４】
さらに、吸収部材７は、トランスデューサ３にて発生した弾性表面波を吸収するものであり、例えば弾性体のような柔軟な素材（ワックス，ゴム，ポリマー及びレジスト等）により構成されている。
そして、光フィルタ装置１０においては、これらの吸収部材７を、基板１上における光導波路２の入出射端部位置近傍であって、拡散領域６に最も近接する位置に設けることにより、光導波路２中を伝搬する入射光を弾性表面波と干渉させる領域（干渉領域；図１の符号Ｋ1 −Ｋ2 間の領域）が形成されている。
【００３５】
ここで、光フィルタ装置１０にてモード変換される波長は、トランスデューサ３にて発生する弾性表面波の周期Λを設定することにより、任意に設定することができる。
即ち、ＴＥモード，ＴＭモードの光に対する基板１の実効屈折率を、それぞれＮTE，ＮTMとすると、位相整合条件より、モード変換される光の波長λと、弾性表面波の周期Λとの間には次式▲１▼に示すような関係が成立する。
【００３６】
λ＝Λ｜ＮTE−ＮTM｜                    ・・・▲１▼
このとき、基板１を形成するニオブ酸リチウムの複屈折率（即ち｜ＮTE−ＮTM｜）は０．０７２程度であるため、例えば波長１．５５μｍ帯の光をモード変換するためには、弾性表面波の周期Λを２１．５μｍ程度に設定すればよい。そして、弾性表面波の周期Λを２１．５μｍ程度に設定するためには、弾性表面波の速度（音速）が約３７００ｍ／ｓであることから、櫛形電極５に対して周波数が１７２ＭＨｚ程度の高周波電圧信号を与える必要がある。このとき要求されるＲＦパワーは、干渉領域の長さ（干渉長；図１の符号Ｋ1 −Ｋ2 間の長さ）に依存する。例えば干渉長が３０ｍｍ程度であるときには、要求されるＲＦパワーは１０ｍＷ程度である。
【００３７】
ここで、光導波路２の太さ（光導波路２のパターン幅）は、例えば７μｍ程度であるが、第１実施形態にかかる光フィルタ装置１０においては、光導波路２の太さが、光の進行方向に対して一様ではなく分布をもつように構成されている。即ち、この光フィルタ装置１０においては、光導波路２の太さ分布が、図１に示すように、光導波路２の入出射端部近傍を細く、光導波路２の中心部に向かって太くなるように構成されている。
【００３８】
ここで、第１実施形態にかかる光フィルタ装置１０においても、前述した光フィルタ装置１００（図１５参照）と同様に、吸収部材７が弾性表面波を吸収する際に発熱するため、基板１内部に温度分布が生じる。
また、この光フィルタ装置１０においても、高濃度のチタンを拡散して拡散領域６を形成しているため、基板１内部に応力分布が生じる。そして、基板１内部に応力分布が生じると、基板１に歪みが生じることになる。
【００３９】
このように、基板１内部に温度分布や応力分布が生じると、基板１の複屈折率にも分布が生じる。
そこで、第１実施形態にかかる光フィルタ装置１０においては、基板１内部における温度分布や応力分布により生じた複屈折率分布を補償すべく、図１に示すように太さ分布をもたせて光導波路２を構成して、光導波路２の実効屈折率を変化させているのである。
【００４０】
ここで、基板１の複屈折率，温度及び光導波路２の太さの関係について説明すると、基板１の複屈折率は、図３に示すように温度が上昇するに伴って小さくなり（勾配；約−３．４×１０-5／℃）、図４に示すように光導波路２の幅が太くなるに伴って小さくなる（勾配；約−３．０×１０-4／μｍ）。
これにより、例えば１℃の温度変化により生じた複屈折率変化は、光導波路２の太さを０．１μｍ程度変化させることにより補償できることがわかる。
【００４１】
さらに、図１に示す光フィルタ装置１０の基板１内部における温度分布を予め測定した結果を、図２（ａ）に示す。なお、図２（ａ）において、符号Ｃは光導波路２の中心部位置を示し、符号Ｋ1 及びＫ2 はそれぞれ拡散領域６の両端部位置を示す（図１参照）。
この図２（ａ）に示すように、基板１内部では、吸収部材７による弾性表面波の吸収に伴って、拡散領域６の両端部位置近傍（即ち、吸収部材７の配設位置近傍）の方が、光導波路２の中心部位置近傍よりも温度が高くなっており、基板１内部に温度分布が生じていることがわかる。なお、吸収部材７自身が弾性表面波を吸収する際の温度上昇は、１〜数℃程度である。
【００４２】
従って、第１実施形態においては、詳細には図２（ｂ）に示すように、光導波路２の幅を基板１内部の温度分布に応じて変化させることにより〔換言すれば、温度分布に応じた太さ分布をもたせて光導波路２を構成することにより〕、温度分布により生じた基板１の複屈折率分布を補償するように構成しているのである。なお、図２（ｂ）は、光導波路２の太さ分布を示すものであり、この図２（ｂ）においても、符号Ｃは光導波路２の中心部位置を示し、符号Ｋ1 及びＫ2 はそれぞれ拡散領域６の両端部位置を示す。
【００４３】
さらに、基板１の複屈折率，応力及び光導波路２の太さの関係について説明する。
ここで、図６は、基板１の複屈折率と基板１における結晶構造のＺ軸方向の歪みとの関係を示す図であり、基板１の複屈折率は、この図６に示すように圧縮応力が大きくなるに伴って大きくなる（勾配；約−４．０×１０-3／％）。
【００４４】
また、基板１の複屈折率は、前述したように光導波路２の幅が太くなるに伴って小さくなる（図４参照）。
これにより、例えば０．０１％の歪み変化により生じた複屈折率変化は、光導波路２の太さを０．１μｍ程度変化させることにより補償できることがわかる。
また、図１に示す光フィルタ装置１０の基板１内部における応力分布に起因する歪みについて、予め測定した結果を図５（ａ）に示す。なお、図５（ａ）において、符号Ｃは光導波路２の中心部位置を示し、符号Ｋ1 及びＫ2 はそれぞれ拡散領域６の両端部位置を示す（図１参照）。
【００４５】
この図５（ａ）及び前述した図１６から、基板１内部では、光導波路２の中心部位置近傍において歪みが生じていることがわかる。
従って、第１実施形態においては、詳細には図５（ｂ）に示すように、光導波路２の幅を基板１内部の応力分布（即ち歪み分布）に応じて変化させることにより〔換言すれば、応力分布に応じた太さ分布をもたせて光導波路２を構成することにより〕、応力分布により生じた基板１の複屈折率分布を補償するように構成しているのである。なお、図５（ｂ）は、光導波路２の太さ分布を示すものであり、この図５（ｂ）においても、符号Ｃは光導波路２の中心部位置を示し、符号Ｋ1 及びＫ2 はそれぞれ拡散領域６の両端部位置を示す。
【００４６】
なお、第１実施形態にかかる光フィルタ装置１０においては、温度分布や応力分布が複合的な要因となって基板１に複屈折率分布が生じている。これらの各要因を考慮した光導波路２の幅の設定は、図２（ｂ）又は図５（ｂ）に示すように、光導波路２の入出射端部近傍を細く光導波路２の中心部に向かって太くしている点で共通しており、これらの図２（ｂ）又は図５（ｂ）に示すような太さ分布をもたせて光導波路２を構成すれば、少なくとも基板１内部における温度分布や応力分布により複合的に生じた複屈折率分布を改善することができるのである。
【００４７】
上述の構成により、本発明の第１実施形態にかかる光フィルタ装置１０においては、光導波路２の入射側端部Ｓから信号光が入射されると、入射光は光導波路２中を伝播する。
このとき、トランスデューサ３にて発生した弾性表面波による音響光学効果の作用により、入射光のうち、所望の波長の光（即ち、弾性表面波の周期Λにより決定される波長の光）の偏波が９０°回転するため、その波長の光がモード変換されて光導波路２の出射側端部Ｔから出射される。
【００４８】
このとき、光フィルタ装置１０においては、弾性表面波の周期Λにより決定される波長の光（本来光フィルタ装置１０にてモード変換させたい波長の光）だけでなく、その波長帯に近接する波長帯の光も一部モード変換されて、これがサイドローブとして光導波路２の出射側端部Ｔから出射される。
ここで、第１実施形態にかかる光フィルタ装置１０においては、前述のごとく光導波路２の太さが光の進行方向に対して分布をもつように構成されているので、基板１内部における温度分布や応力分布により生じた基板１の複屈折率分布を改善することができ、図７に示すように、光フィルタ装置１０から出射されるサイドローブを、モード変換させたい光波長（中心波長；１．５５μｍ）の短波長側及び長波長側とで対称にすることができる。なお、図７においてもサイドローブを符号Ｑで示す。
【００４９】
即ち、従来よりの光フィルタ装置１００（図１５参照）においては、例えば図１７に示すように、中心波長よりも短波長側のサイドローブのうちで中心波長に最も近接するものの強度（中心波長帯よりも短波長側で隣接するサイドローブのピーク点）は約−６．７ｄＢとなる。
これに対して、光フィルタ装置１０においては、図７に示すように、中心波長よりも短波長側のサイドローブのうちで中心波長に最も近接するものの強度を、長波長側のサイドローブのうちで中心波長に最も近接するものの強度（中心波長帯よりも長波長側で隣接するサイドローブのピーク点）と同様に、約−９．３ｄＢとすることができる。従って、光フィルタ装置１０においては、従来よりの光フィルタ装置１００におけるようなサイドローブの増大を防ぐことができ、サイドローブを温度分布及び応力分布が生じない場合の状態となるように改善している。
【００５０】
また、第１実施形態にかかる光フィルタ装置１０においては、上述のごとく基板１の複屈折率分布を改善することができるので、図７に示すように中心波長の揺らぎについても改善している。
このように、本発明の第１実施形態にかかる光フィルタ装置１０によれば、光導波路２の実効屈折率を変化させるように光導波路が構成されている（即ち、光導波路２の太さが、光の進行方向に対して分布をもつように構成されている）ので、基板１内部における温度分布や応力分布により生じた複屈折率分布を改善することができる。これにより、入射光のモード変換を行なう際に発生するサイドローブの増大を防ぐことができ、良好なフィルタ特性を得ることができる。
【００５１】
また、このように基板１内部における温度分布や応力分布により生じた複屈折率分布を改善することができるので、出力される信号光の波長を中心波長帯に安定化させ、中心波長の揺らぎを防ぐこともできる。
従って、このような光フィルタ装置１０を光通信システムに適用すれば、波長多重された信号光を精度よく分波したり、信号光における他波長成分として含まれる雑音光成分を精度よく除去することができる。
【００５２】
また、予め基板１内に生じる温度分布や応力分布を測定しておき、その分布に応じて光導波路２の太さ分布を設計することにより、光導波路２の太さ分布をなめらかなものとすることができ、これにより、光導波路２の太さを段階的に変化させたときに発生するような入射光の損失を防ぐことができる。
なお、基板１内に生じる温度分布及び応力分布を考慮して光導波路２の太さ分布を設計すれば、温度分布及び応力分布により複合的に生じた基板１の複屈折率分布を完全に補償することが可能となる。
【００５３】
また、第１実施形態においては、光導波路２の太さ分布を、基板１内部の温度分布や応力分布に応じて設計した場合について説明したが、光導波路２の太さ分布は、少なくとも全体として複屈折率分布を補償することができるのであれば、温度分布や応力分布に厳密に対応させる必要はない。即ち、光導波路２の太さ分布は、全体として複屈折率分布を補償することができるのであれば、例えば山型（三角形）のような分布であってもよい。
【００５４】
（ｂ）第２実施形態の説明
（ｂ１）第２実施形態の第１の態様の説明
図８は本発明の第２実施形態の第１の態様にかかる光フィルタ装置の構成を示す模式図であり、この図８に示す光フィルタ装置２０は、基板１１に光導波路１２が形成されるとともに、光導波路１２を含む基板面上の入射端部位置近傍にトランスデューサ１３が形成されるものであって、トランスデューサ１３にて弾性表面波を発生することにより、入射光のうちの所望の波長の光をモード変換して出射する音響光学チューナブル波長フィルタとして機能するものである。
【００５５】
また、この光フィルタ装置２０においては、前述した第１実施形態における光フィルタ装置１０とは異なり、光導波路１２の上部位置には薄膜１６が形成されるとともに、基板１１上における光導波路１２の入出射端部位置近傍であって、薄膜１６に近接する位置に一対の吸収部材１７が設けられている。
即ち、この図８に示す光フィルタ装置２０も、前述の第１実施形態におけるものと同様に、後段に特定偏光のみを透過しうる偏光子等をそなえることにより、光通信システムにおいて波長多重された信号光を分波する波長分波フィルタを構成したり、信号光における他波長成分として含まれる雑音光成分を除去する雑音除去フィルタを構成することができるようになっている。
【００５６】
ここで、基板１１，光導波路１２，トランスデューサ１３及び吸収部材１７は、それぞれ前述の第１実施形態における基板１，光導波路２，トランスデューサ３及び吸収部材７と同様の構成及び機能を有するものである。
なお、一対の電極部としてのトランスデューサ１３は、一対の櫛形電極１４，１５をそなえて構成されており、櫛形電極１４は、複数の歯電極１４ａ及び複数の歯電極１４ａに一体に接続され各歯電極１４ａに電位を与える共通電極１４ｂをそなえる一方、櫛形電極１５は、複数の歯電極１５ａ及び複数の歯電極１５ａに一体に接続され各歯電極１５ａに電位を与える共通電極１５ｂをそなえて構成されている。
【００５７】
また、薄膜１６は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）等のような屈折率が大きい素材にて構成され、薄膜１６が形成された部分の基板１１の内部に弾性表面波を閉じ込めて基板１１の外部に漏洩することを防ぐためのものであり、第１実施形態における拡散領域６と同様の機能を有するものである。そして、薄膜１６が形成された部分の基板１１の内部が、光導波路１２中を伝搬する入射光を弾性表面波と干渉させる領域（干渉領域；図８の符号Ｌ1 −Ｌ2 間の領域）ということになる。なお、薄膜１６の横方向の長さ（基板１１における結晶構造のＹ軸方向の長さ）は３０ｍｍ程度である。
【００５８】
さらに、図８において、１８は高周波電圧信号発生器（ＲＦ電圧信号発生器）であり、第１実施形態におけるものと同様のものである。
また、光導波路１２の太さ（光導波路１２のパターン幅）は、例えば７μｍ程度であるが、この光フィルタ装置２０においても、第１実施形態にかかる光フィルタ装置１０と同様に、光導波路１２の太さが、光の進行方向に対して一様ではなく分布をもつように構成されている。
【００５９】
ここで、この光フィルタ装置２０においては、薄膜１６を光導波路１２の上部位置に形成しているため、基板１１内部に応力分布が生じ、基板１１に歪みが生じることになる。この場合も、基板１１内部に応力分布が生じると、基板１１の複屈折率にも分布が生じる。なお、図８では、基板１１にかかる引っ張り応力を矢印Ｒで示している。
【００６０】
そして、この場合の基板１１の複屈折率と応力との関係は、図１０に示すようになる。
ここで、図１０は、基板１１の複屈折率と基板１１における結晶構造のＹ軸方向の歪みとの関係を示す図であり、基板１１の複屈折率は、この図１０に示すように引っ張り応力が大きくなるに伴って大きくなる（勾配；約４．３×１０-3／％）。
【００６１】
また、基板１の複屈折率は、前述したように光導波路２の幅が太くなるに伴って小さくなる（図４参照）。
これにより、例えば０．０１％の歪み変化により生じた複屈折率変化は、光導波路２の太さを０．０５μｍ程度変化させることにより補償できることがわかる。
【００６２】
また、図８に示す光フィルタ装置２０の基板１１内部における応力分布に起因する歪みについて、予め測定した結果を図９（ａ）に示す。なお、図９（ａ）において、符号Ｄは光導波路２の中心部位置を示し、符号Ｌ1 及びＬ2 はそれぞれ及び薄膜１６の両端部位置を示す（図８参照）。
この図９（ａ）から、基板１１内部では、光導波路１２の両端部位置近傍において歪みが生じていることがわかる。
【００６３】
そこで、第２実施形態の第１の態様にかかる光フィルタ装置２０においては、このような応力分布により生じた複屈折率分布を補償すべく、前述のごとく太さ分布をもたせて光導波路１２を構成して、光導波路１２の実効屈折率を変化させているのである。
具体的には、この光フィルタ装置２０においては、光導波路１２の太さ分布を、図９（ｂ）に示すように、光導波路１２の入出射端部近傍を太く、光導波路１２の中心部に向かって細くなるように構成している。
【００６４】
即ち、第２実施形態の第１の態様においては、図９（ｂ）に示すように、光導波路１２の幅を基板１１内部の応力分布（即ち歪み分布）に応じて変化させることにより〔換言すれば、応力分布に応じた太さ分布をもたせて光導波路１２を構成することにより〕、応力分布により生じた基板１１の複屈折率分布を補償するように構成しているのである。なお、図９（ｂ）は、光導波路１２の太さ分布を示すものであり、この図９（ｂ）においても、符号Ｄは光導波路１２の中心部位置を示し、符号Ｌ1 及びＬ2 は、それぞれ及び薄膜１６の両端部位置を示す。
【００６５】
なお、この光フィルタ装置２０においても、前述の第１実施形態の場合と同様に吸収部材１７の発熱による温度分布の発生を考慮する必要があるが、この光フィルタ装置２０においては、他の方法（例えば基板１１の裏面であって吸収部材１７が設けられた箇所に相当する部分を冷却すること等）により、温度分布の発生を抑制すればよい。
【００６６】
上述の構成により、本発明の第２実施形態の第１の態様にかかる光フィルタ装置２０においては、光導波路１２の入射側端部Ｓから信号光が入射されると、入射光は光導波路１２中を伝播する。
このとき、トランスデューサ１３にて発生した弾性表面波による音響光学効果の作用により、入射光のうち、所望の波長の光（即ち、弾性表面波の周期Λにより決定される波長の光）の偏波が９０°回転するため、その波長の光がモード変換されて光導波路１２の出射側端部Ｔから出射される。
【００６７】
この場合も、光導波路１２の出射側端部Ｔからは、弾性表面波の周期Λにより決定される波長帯に近接する波長帯の光も一部モード変換されて、サイドローブとして出射される。
ここで、この光フィルタ装置２０において、従来よりの光フィルタ装置と同様に、光導波路１２の太さを一定とした場合には、基板１１の複屈折率分布を補償できないので、モード変換させたい光波長より短波長側又は長波長側のサイドローブの一部（図１１に示す例ではモード変換させたい光波長より長波長側のサイドローブの一部）が増大するとともに、モード変換させたい光波長（中心波長）が揺らぐ場合もある。なお、図１１においてもサイドローブを符号Ｑで示す。
【００６８】
ところが、この光フィルタ装置２０は、前述のごとく光導波路１２の太さが光の進行方向に対して分布をもつように構成しているので、基板１１内部における応力分布により生じた基板１１の複屈折率分布を補償することができ、光フィルタ装置２０から出射されるサイドローブを、モード変換させたい光波長（中心波長）の短波長側及び長波長側とで対称にすることができる。
【００６９】
そして、この光フィルタ装置２０は、上述のごとく基板１１の複屈折率分布を補償することができるので、中心波長の揺らぎを改善することもできる。
このように、本発明の第２実施形態の第１の態様にかかる光フィルタ装置２０によれば、光導波路１２の実効屈折率を変化させるように光導波路が構成されている（即ち、光導波路１２の太さが、光の進行方向に対して分布をもつように構成されている）ので、基板１１内部における応力分布により生じた複屈折率分布を補償することができ、第１実施形態にかかる光フィルタ装置１０と同様の利点を得ることができる。
【００７０】
また、予め基板１１内に生じる応力分布を測定しておき、この分布に応じて光導波路１２の太さ分布を設計することにより、基板１１の複屈折率分布を完全に補償することが可能となるとともに、このときも光導波路１２の太さ分布をなめらかなものとすることができるため、光導波路１２の太さを段階的に変化させたときに発生するような入射光の損失を防ぐことができる。
【００７１】
なお、第２実施形態の第１の態様においても、光導波路１２の太さ分布を、基板１１内部の応力分布に応じて設計した場合について説明したが、光導波路１２の太さ分布は、少なくとも全体として複屈折率分布を補償することができるのであれば、応力分布に厳密に対応させる必要はない。即ち、光導波路１２の太さ分布は、全体として複屈折率分布を補償することができるのであれば、例えば谷型のような分布であってもよい。
【００７２】
また、第１の態様においては、吸収部材１７の発熱による温度分布の発生を、例えば冷却等のような他の方法にて抑制した場合について説明したが、温度分布も考慮した上で光導波路１２の太さ分布を設計してもよい。
（ｂ２）第２実施形態の第２の態様の説明
図１２は本発明の第２実施形態の第２の態様にかかる光フィルタ装置の構成を示す模式図であり、この図１２に示す光フィルタ装置３０は、基板２１に光導波路２２が形成されるとともに、光導波路２２を含む基板面上の入射端部位置近傍にトランスデューサ２３が形成されるものであって、トランスデューサ２３にて弾性表面波を発生することにより、入射光のうちの所望の波長の光をモード変換して出射する音響光学チューナブル波長フィルタとして機能するものである。
【００７３】
また、この光フィルタ装置３０においては、前述した第２実施形態の第１の態様における光フィルタ装置２０とは異なり、光導波路２２の上部位置には薄膜２６が部分的に形成されるとともに、基板２１上における光導波路２２の入出射端部位置近傍であって、薄膜２６からやや離隔した位置に一対の吸収部材２７が設けられている。
【００７４】
即ち、この光フィルタ装置３０の基板２１上には、図１２に示すように、符号Ｍ2 −Ｍ3 間の領域には薄膜２６が形成されているが、符号Ｍ1 −Ｍ2 間の領域及び符号Ｍ3 −Ｍ4 間の領域には薄膜１６が形成されていないのである。なお、図１２において、符号Ｍ2 及びＭ3 はそれぞれ薄膜２６の両端部位置を示し、符号Ｍ1 ，Ｍ4 はそれぞれトランスデューサ２３の前段側の最近接部位置及び出射側の吸収部材２７の前段側の最近接部位置を示す。
【００７５】
そして、この図１２に示す光フィルタ装置３０も、前述の第１実施形態や第２実施形態の第１の態様におけるものと同様に、後段に特定偏光のみを透過しうる偏光子等をそなえることにより、光通信システムにおいて波長多重された信号光を分波する波長分波フィルタを構成したり、信号光における他波長成分として含まれる雑音光成分を除去する雑音除去フィルタを構成することができるようになっている。
【００７６】
ここで、基板２１，光導波路２２，トランスデューサ２３及び吸収部材２７は、それぞれ前述の第１実施形態における基板１，光導波路２，トランスデューサ３及び吸収部材７と同様の構成及び機能を有するものである。
なお、一対の電極部としてのトランスデューサ２３は、一対の櫛形電極２４，２５をそなえて構成されており、櫛形電極２４は、複数の歯電極２４ａ及び複数の歯電極２４ａに一体に接続され各歯電極２４ａに電位を与える共通電極２４ｂをそなえる一方、櫛形電極２５は、複数の歯電極２５ａ及び複数の歯電極２５ａに一体に接続され各歯電極２５ａに電位を与える共通電極２５ｂをそなえて構成されている。
【００７７】
また、薄膜２６は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）等のような屈折率が大きい素材にて構成され、薄膜２６が形成された部分の基板２１の内部に弾性表面波を閉じ込めて基板２１の外部に漏洩することを防ぐためのものであり、第１実施形態における拡散領域６と同様の機能を有するものである。そして、薄膜２６が部分的に形成された部分の基板２１の内部が、光導波路２２中を伝搬する入射光を弾性表面波と干渉させる領域（干渉領域；図１２の符号Ｍ2 −Ｍ3 間の領域）ということになる。
【００７８】
さらに、図１２において、２８は高周波電圧信号発生器（ＲＦ電圧信号発生器）であり、第１実施形態におけるものと同様のものである。
また、光導波路２２の太さ（光導波路２２のパターン幅）は、例えば７μｍ程度であるが、この光フィルタ装置２０においても、第１実施形態にかかる光フィルタ装置１０と同様に、光導波路２２の太さが、光の進行方向に対して一様ではなく分布をもつように構成されている。
【００７９】
ここで、この光フィルタ装置３０においては、前述のごとく薄膜２６を光導波路２２の上部位置に部分的に形成しているため、二酸化ケイ素の薄膜特性上、図１３（ａ）に示すように、薄膜２６が形成された部分（図１２の符号Ｍ2 −Ｍ3 間の領域）と薄膜２６が形成されない部分（図１２の符号Ｍ1 −Ｍ2 間の領域及び符号Ｍ3 −Ｍ4 間の領域）とで基板２１の複屈折率に分布が生じる。なお、図１３（ａ）において、符号Ｅは光導波路２２の中心部位置を示し、符号Ｍ1 〜Ｍ4 はそれぞれトランスデューサ２３の前段側の最近接部位置，薄膜２６の両端部位置及び出射側の吸収部材２７の前段側の最近接部位置を示す。また、符号Ｍ1 −Ｍ4 間の長さは３０ｍｍ程度である。
【００８０】
そして、第２実施形態の第２の態様にかかる光フィルタ装置３０においては、このような光導波路２２の上部における薄膜２６の部分的形成により生じた基板２１の複屈折率分布を補償すべく、前述のごとく太さ分布をもたせて光導波路２２を構成して、光導波路２２の実効屈折率を変化させているのである。
具体的には、この光フィルタ装置３０においては、光導波路２２の太さ分布を、図１３（ｂ）に示すように、薄膜２６が光導波路２２上に形成されない位置に相当する光導波路部分よりも、薄膜２６が光導波路２２上に形成された位置に相当する光導波路部分が太くなるように構成している。
【００８１】
なお、この光フィルタ装置３０においても、前述の第１実施形態の場合と同様に吸収部材２７の発熱による温度分布の発生を考慮する必要があるが、この光フィルタ装置３０においても、他の方法（例えば基板２１の裏面であって吸収部材２７が設けられた箇所に相当する部分を冷却すること等）により、温度分布の発生を抑制すればよい。
【００８２】
上述の構成により、本発明の第２実施形態の第２の態様にかかる光フィルタ装置３０においては、光導波路２２の入射側端部Ｓから信号光が入射されると、入射光は光導波路２２中を伝播する。
このとき、トランスデューサ２３にて発生した弾性表面波による音響光学効果の作用により、入射光のうち、所望の波長の光（即ち、弾性表面波の周期Λにより決定される波長の光）の偏波が９０°回転するため、その波長の光がモード変換されて光導波路２２の出射側端部Ｔから出射される。
【００８３】
この場合も、光導波路２２の出射側端部Ｔからは、弾性表面波の周期Λにより決定される波長帯に近接する波長帯の光も一部モード変換されて、サイドローブとして出射される。
ここで、この光フィルタ装置３０において、従来よりの光フィルタ装置と同様に、光導波路２２の太さを一定とした場合には、基板２１の複屈折率分布を補償できないので、モード変換させたい光波長より短波長側又は長波長側のサイドローブの一部（図１４に示す例ではモード変換させたい光波長より短波長側のサイドローブの一部）が増大するとともに、モード変換させたい光波長（中心波長）が揺らぐ場合もある。なお、図１４においてもサイドローブを符号Ｑで示す。
【００８４】
ところが、この光フィルタ装置３０は、前述のごとく光導波路２２の太さが光の進行方向に対して分布をもつように構成しているので、光導波路２２の上部における薄膜２６の部分的形成により生じた基板２１の複屈折率分布を補償することができ、光フィルタ装置３０から出射されるサイドローブを、モード変換させたい光波長（中心波長）の短波長側及び長波長側とで対称にすることができる。
【００８５】
そして、この光フィルタ装置３０は、上述のごとく基板２１の複屈折率分布を補償することができるので、中心波長の揺らぎを改善することもできる。
このように、本発明の第２実施形態の第２の態様にかかる光フィルタ装置３０によれば、光導波路２２の実効屈折率を変化させるように光導波路が構成されている（即ち、光導波路２２の太さが、光の進行方向に対して分布をもつように構成されている）ので、光導波路２２の上部における薄膜２６の部分的形成により生じた基板２１の複屈折率分布を補償することができ、第１実施形態にかかる光フィルタ装置１０と同様の利点を得ることができる。
【００８６】
なお、第２の態様においては、吸収部材２７の発熱による温度分布の発生を、例えば冷却等のような他の方法にて抑制した場合について説明したが、温度分布も考慮した上で光導波路２２の太さ分布を設計してもよい。
また、前述の第２実施形態の第１の態様の場合と同様に、薄膜２６を形成したことによる応力分布を考慮して、光導波路２２の太さ分布を設計してもよい。
【００８７】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の光フィルタ装置によれば、光フィルタ装置内で生じた複屈折率分布を補償すべく、光導波路の実効屈折率を変化させるように光導波路が構成されることにより、入射光のモード変換を行なう際に発生するサイドローブの増大を防ぐことができるとともにモード変換させたい光波長（中心波長）の揺らぎを防ぐこともでき、良好なフィルタ特性を得ることができる。従って、このような光フィルタ装置を光通信システムに適用すれば、波長多重された信号光を精度よく分波したり、信号光における他波長成分として含まれる雑音光成分を精度よく除去することができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる光フィルタ装置の構成を示す模式図である。
【図２】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第１実施形態にかかる光フィルタ装置の光導波路の構成について説明するための図である。
【図３】基板の複屈折率と温度との関係を示す図である。
【図４】基板の複屈折率と光導波路の太さとの関係を示す図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第１実施形態にかかる光フィルタ装置の光導波路の構成について説明するための図である。
【図６】基板の複屈折率と応力との関係を示す図である。
【図７】本発明の第１実施形態にかかる光フィルタ装置から出射される光の強度分布を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態の第１の態様にかかる光フィルタ装置の構成を示す模式図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第２実施形態の第１の態様にかかる光フィルタ装置の光導波路の構成について説明するための図である。
【図１０】基板の複屈折率と応力との関係を示す図である。
【図１１】光導波路の太さを一定とした光フィルタ装置から出射される光の強度分布の一例を示す図である。
【図１２】本発明の第２実施形態の第２の態様にかかる光フィルタ装置の構成を示す模式図である。
【図１３】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の第２実施形態の第２の態様にかかる光フィルタ装置の光導波路の構成について説明するための図である。
【図１４】光導波路の太さを一定とした光フィルタ装置から出射される光の強度分布の他の例を示す図である。
【図１５】従来よりの光フィルタ装置の構成を示す模式図である。
【図１６】拡散領域により基板に応力がかかる様子を模式的に示す図である。
【図１７】従来よりの光フィルタ装置から出射される光の強度分布の一例を示す図である。
【図１８】従来よりの光フィルタ装置から出射される光の強度分布の他の例を示す図である。
【符号の説明】
１  基板
２  光導波路
３  トランスデューサ（一対の電極部）
４，５  櫛形電極
４ａ，５ａ  歯電極
４ｂ，５ｂ  共通電極
６  拡散領域
７  吸収部材
８  高周波電圧信号発生器（ＲＦ電圧信号発生器）
１０  光フィルタ装置
１１  基板
１２  光導波路
１３  トランスデューサ（一対の電極部）
１４，１５  櫛形電極
１４ａ，１５ａ  歯電極
１４ｂ，１５ｂ  共通電極
１６  薄膜
１７  吸収部材
１８  高周波電圧信号発生器（ＲＦ電圧信号発生器）
２０  光フィルタ装置
２１  基板
２２  光導波路
２３  トランスデューサ（一対の電極部）
２４，２５  櫛形電極
２４ａ，２５ａ  歯電極
２４ｂ，２５ｂ  共通電極
２６  薄膜
２７  吸収部材
２８  高周波電圧信号発生器（ＲＦ電圧信号発生器）
３０  光フィルタ装置
１００  光フィルタ装置
１０１  基板
１０２  光導波路
１０３  トランスデューサ
１０４，１０５  櫛形電極
１０４ａ，１０５ａ  歯電極
１０４ｂ，１０５ｂ  共通電極
１０６  拡散領域
１０７  吸収部材
１０８  高周波電圧信号発生器（ＲＦ電圧信号発生器）
【図１】
0003978263.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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