(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に光半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記基体上に光半導体素子載置部を囲繞するようにして取着され、側部に貫通孔および切欠部を有する鉄−ニッケル−コバルト合金もしくは鉄−ニッケル合金から成る枠体と、前記貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着され、光ファイバー部材が接合される固定部材と、前記切欠部に挿着され、セラミックス絶縁体に光半導体素子の各電極が接続される配線層が形成されているセラミック端子体と、前記枠体の上面に取着され、光半導体素子を気密に封止する蓋部材とから成る光半導体素子収納用パッケージであって、前記基体は６５乃至８０重量％の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と２０乃至３５重量％の銅とから成り、溶融させた前記銅に前記炭化珪素粉末を分散混入させたものであることを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光半導体素子を収容するための光半導体素子収納用パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、光半導体素子を収容するための光半導体素子収納用パッケージは、一般に鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料からなり、上面中央に光半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記光半導体素子載置部を囲繞するようにして基体上に銀ロウ等のロウ材を介して接合され、側部に貫通孔及び切欠部を有する鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成る枠体と、前記枠体の貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着され、内部に光信号が伝達される空間を有する鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属材料から成る筒状の固定部材と、前記筒状の固定部材に融点が２００〜４００℃の金−錫合金等の低融点ロウ材を介して取着された固定部材の内部を塞ぐ非晶質ガラス等から成る透光性部材と、前記枠体の切欠部に挿着され、酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックス絶縁体に光半導体素子の各電極がボンディングワイヤを介して電気的に接続される配線層を形成したセラミック端子体と、前記枠体の上面に取着され、光半導体素子を気密に封止する蓋部材とから構成されており、基体の光半導体素子載置部に光半導体素子を載置固定させるとともに該光半導体素子の各電極をボンディングワイヤを介してセラミック端子体の配線層に電気的に接続し、しかる後、前記枠体の上面に蓋部材を接合させ、基体と枠体と蓋部材とから成る容器内部に光半導体素子を気密に収容するとともに筒状固定部材に光ファイバー部材を、例えば、ＹＡＧ溶接等により取着することによって製品としての光半導体装置となる。
【０００３】
なお上述の光半導体素子収納用パッケージにおいては、内部に収容される光半導体素子が高周波領域で駆動し、外部ノイズの影響を受け易いものであるため基体及び枠体を金属材料で形成し、容器内部をシールドしておくことによって光半導体素子に外部ノイズが影響しないようにしている。また基体及び枠体はセラミック端子体や光半導体素子等の線熱膨張係数と合わすため一般に鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等が使用されている。
【０００４】
しかしながら、この従来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、光半導体素子が載置固定される基体の熱伝導率が２０Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、熱を効率良く伝達することができないことから光半導体素子が作動時に熱を発した際、その熱を基体を介して外部に十分放散させることができず、その結果、光半導体素子は該光半導体素子自身の発する熱で高温となり、熱破壊を起こしたり、特性に熱劣化を招来し、誤動作したりするという欠点を有していた。
【０００５】
そこで上記欠点を解消するために基体を熱伝導率が高く、かつ線熱膨張係数がセラミック端子体の線熱膨張係数に近似する銅−タングステン合金や銅−モリブデン合金で形成しておくことが考えられる。
【０００６】
かかる銅−タングステン合金や銅−モリブデン合金は一般にタングステン粉末やモリブデン粉末を焼成して焼結多孔体を得、次に前記焼結多孔体の空孔内に溶融させた銅を含浸させることによって製造されており、例えば、タングステンから成る焼結多孔体に銅を含浸させる場合は焼結多孔体が７５乃至９０重量％、銅が１０乃至２５重量％の範囲に、モリブデンから成る焼結多孔体に銅を含浸させる場合は焼結多孔体が８０乃至９０重量％、銅が１０乃至２０重量％の範囲となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来の光半導体素子収納用パッケージにおいては、基体がタングステン粉末やモリブデン粉末を焼成して焼結多孔体を得るとともに該焼結多孔体の空孔内に溶融させた銅を含浸させることによって形成されており熱伝導率が約１８０Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。
【０００８】
そのためこの従来一般に製造されている銅−タングステン合金等を基体として用いた光半導体素子収納用パッケージは鉄−ニッケル−コバルト合金等を基体として用いた光半導体素子収納用パッケージよりも熱放散性に優れているものの近時の発光出力が高く作動時に従来に比し多量の熱を発する光半導体素子を収容した場合、光半導体素子が発する熱を基体を介して外部に完全に放出させることができなくなり、その結果、光半導体素子が該素子自身の発する熱によって高温となり、光半導体素子に熱破壊を招来させたり、特性にばらつきを生じ安定に作動させることができないという欠点を有していた。
【０００９】
本発明は上記知見に基づき案出されたもので、その目的は発光出力が高く作動時に多量の熱を発する光半導体素子を常に適温に保持し、光半導体素子を長期間にわたり安定に機能させることができる光半導体素子収納用パッケージを提案することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上面に光半導体素子が載置される載置部を有する基体と、前記基体上に光半導体素子載置部を囲繞するようにして取着され、側部に貫通孔および切欠部を有する鉄−ニッケル−コバルト合金もしくは鉄−ニッケル合金から成る枠体と、前記貫通孔もしくは貫通孔周辺の枠体に取着され、光ファイバー部材が接合される固定部材と、前記切欠部に挿着され、セラミックス絶縁体に光半導体素子の各電極が接続される配線層が形成されているセラミック端子体と、前記枠体の上面に取着され、光半導体素子を気密に封止する蓋部材とから成る光半導体素子収納用パッケージであって、前記基体は６５乃至８０重量％の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と２０乃至３５重量％の銅とから成り、溶融させた前記銅に前記炭化珪素粉末を分散混入させたものであることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の光半導体素子収納用パッケージによれば、基体を６５乃至８０重量％の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と２０乃至３５重量％の銅とで、溶融させた銅に炭化珪素粉末を分散混入させて形成し、熱伝導率を２７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いものとなしたことから、基体上に載置される光半導体素子が作動時に多量の熱を発したとしてもその熱は基体の光半導体素子載置部平面方向に素早く広がらせるとともに基体の厚さ方向を良好に伝搬させて外部に効率よく確実に放散させることができ、これによって光半導体素子は常に適温となり、光半導体素子を長期間にわたり安定かつ正常に作動させることが可能となる。
【００１２】
また本発明の光半導体素子収納用パッケージによれば、基体を６５乃至８０重量％の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と２０乃至３５重量％の銅とで、溶融させた銅に炭化珪素粉末を分散混入させて形成し、その線熱膨張係数を鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金から成る枠体あるいは酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミックス絶縁体から成るセラミック端子体の線熱膨張係数（６ｐｐｍ／℃乃至８ｐｐｍ／℃：室温〜８００℃）に近似するものとなしたことから、基体上に枠体やセラミック端子体を取着させる際や光半導体素子が作動した際等において基体と枠体やセラミック端子体に熱が作用したとしても基体と枠体やセラミック端子体との間には両者の線熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生することはなく、これによって光半導体素子を収容する空所の気密封止が常に完全となり、光半導体素子を安定かつ正常に作動させることが可能となる。また、６５乃至８０重量％の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と２０乃至３５重量％の銅とから成る基体は、炭化珪素粉末の表面に酸化物膜を被着させておくことにより、炭化珪素粉末と銅との密着強度が大きく向上して基体としての信頼性が大幅に向上する。また、基体は溶融させた銅に炭化珪素粉末を分散混入させて形成したものであることから、基体のヤング率が銅のヤング率に依存する１００ＧＰａ程度の軟質なものとなり、その結果、基体上に光半導体素子を載置させた後、基体と光半導体素子に熱が作用して両者間に熱応力が発生したとしても、その熱応力は基体を若干変形させることによって効率よく吸収され、光半導体素子が基体より剥離したり、光半導体素子に割れやクラックを発生したりすることがなく、光半導体素子を常に正常かつ安定に作動させることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明を添付図面に示す実施例に基づき詳細に説明する。
図１及び図２は本発明の光半導体素子収納用パッケージの一実施例を示し、図１において、１は基体、２は枠体、３は蓋部材である。この基体１と枠体２と蓋部材３とにより内部に光半導体素子４を気密に収容する容器５が構成される。
【００１４】
前記基体１はその上面に光半導体素子４が載置される載置部１ａを有しており、該載置部１ａには光半導体素子４が取着されている。
【００１５】
前記基体１は光半導体素子４を支持する支持部材として作用するとともに光半導体素子４が作動時に発する熱を良好に吸収し、かつ大気中に効率よく放散させて光半導体素子４を常に適温とする作用をなす。
【００１６】
なお前記基体１は表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と銅とから成り、溶融させた銅に平均粒径５μｍ程度の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末を分散混入させることによって、製作されている。
【００１７】
また前記基体１の上面外周部には該基体１の上面に設けた光半導体素子４が載置される載置部１ａを囲繞するようにして枠体２がロウ材等の接着剤を介して取着されており、該枠体２の内側に光半導体素子４を収容するための空所が形成されている。
【００１８】
前記枠体２は鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金で形成されており、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等のインゴット（塊）をプレス加工により枠状とすることによって形成され、基体１への取着は基体１上面と枠体２の下面とを銀ロウ材を介しロウ付けすることによって行われている。
【００１９】
前記枠体２はその側部に貫通孔２ａが設けてあり、該貫通孔２ａの内壁面には筒状の固定部材６が取着され、更に筒状の固定部材６の内側の一端には、例えば、透光性部材７が取着されている。
【００２０】
前記枠体２の側部に形成されている貫通孔２ａは固定部材６を枠体２に取着するための取着孔として作用し、枠体２の側部に従来周知のドリル孔あけ加工を施すことによって所定形状に形成される。
【００２１】
前記枠体２の貫通孔２ａに取着されている固定部材６は光ファイバー部材８を枠体２に固定する際の下地固定部材として作用するとともに光半導体素子４が励起した光を光ファイバー部材８に伝達させる作用をなし、その内側の一端には、例えば、透光性部材７が取着され、また外側の一端には光ファイバー部材８が取着される。
【００２２】
前記筒状の固定部材６は鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料からなり、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等のインゴット（塊）をプレス加工により筒状とすることによって形成されている。
【００２３】
更に前記固定部材６はその内側の一端に、例えば、透光性部材７が取着されており、該透光性部材７は固定部材６の内部空間を塞ぎ、基体１と枠体２と蓋部材３とからなる容器５の気密封止を保持させるとともに固定部材６の内部空間を伝達する光半導体素子４の励起した光をそのまま固定部材６に取着した光ファイバー部材８に伝達させる作用をなす。
【００２４】
前記透光性部材７は例えば、酸化珪素、酸化鉛を主成分とした鉛系及びホウ酸、ケイ砂を主成分としたホウケイ酸系の非晶質ガラスで形成されており、該非晶質ガラスは結晶軸が存在しないことから光半導体素子４の励起する光を透光性部材７を通過させて光ファイバー部材８に授受させる場合、光半導体素子４の励起した光は透光性部材７で複屈折を起こすことはなくそのまま光ファイバー部材８に授受されることとなり、その結果、光半導体素子４が励起した光の光ファイバー部材８への授受が高効率となって光信号の伝送効率を高いものとなすことができる。
【００２５】
なお、前記透光性部材７の固定部材６への取着は、例えば、透光性部材７の外周部に予め金属層を被着させておき、該金属層と固定部材６とを金−錫合金等のロウ材を介しロウ付けすることによって行われる。
【００２６】
更に前記枠体２はその側部に切欠部２ｂが形成されており、該切欠部２ｂにはセラミック端子体９が挿着されている。
【００２７】
前記セラミック端子体９はセラミックス絶縁体１０と複数個の配線層１１とから成り、配線層１１を枠体２に対し電気的絶縁をもって枠体２の内側から外側にかけて配設する作用をなし、セラミックス絶縁体１０の側面に予め金属層を被着させておくとともに該金属層を枠体２の切欠部２ｂ内壁面に銀ロウ等のロウ材を介し取着することによって枠体２の切欠部２ｂに挿着される。
【００２８】
前記セラミック端子体９のセラミックス絶縁体１０は酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等から成り、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤、溶剤を添加混合して泥漿状となすとともに該泥漿物を従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、次に前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、所定形状となすとともに必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しかる後、これを１６００℃の温度で焼成することによって製作される。
【００２９】
また前記セラミック端子体９には枠体２の内側から外側にかけて導出する複数個の配線層１１が埋設されており、該配線層１１の枠体２の内側に位置する領域には光半導体素子４の各電極がボンディングワイヤ１２を介して電気的に接続され、また枠体２の外側に位置する領域には外部電気回路と接続される外部リード端子１３が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されている。
【００３０】
前記配線層１１は光半導体素子４の各電極を外部電気回路に接続する際の導電路として作用し、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属粉末により形成されている。
【００３１】
前記配線層１１はタングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀等の金属粉末に適当な有機バインダー、溶剤等を添加混合して得られた金属ペーストをセラミックス絶縁体１０となるセラミックグリーンシートに予め従来周知のスクリーン印刷法等の印刷法を用いることにより所定パターンに印刷塗布しておくことによってセラミックス絶縁体１０に形成される。
【００３２】
なお前記配線層１１はその露出する表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属を１μｍ〜２０μｍの厚みにメッキ法により被着させておくと、配線層１１の酸化腐蝕を有効に防止することができるとともに配線層１１への外部リード端子１３のロウ付けを強固となすことができる。従って、前記配線層１１はその露出する表面にニッケル、金等の耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属を１μｍ〜２０μｍの厚みに被着させておくことが好ましい。
【００３３】
また前記配線層１１には外部リード端子１３が銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け取着されており、該外部リード端子１３は容器５内部に収容する光半導体素子４の各電極を外部電気回路に電気的に接続する作用をなし、外部リード端子１３を外部電気回路に接続することによって容器５内部に収容される光半導体素子４は配線層１１および外部リード端子１３を介して外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００３４】
前記外部リード端子１３は鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成り、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金等の金属から成るインゴット（塊）に圧延加工法や打ち抜き加工法等、従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に形成される。
【００３５】
更に前記枠体２はその上面に、例えば、鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等の金属材料から成る蓋部材３が接合され、これによって基体１と枠体２と蓋部材３とからなる容器５の内部に光半導体素子４が気密に封止されることとなる。
【００３６】
前記蓋部材３の枠体２上面への接合は、例えば、シームウェルド法等の溶接によって行われる。
【００３７】
本発明の光半導体素子収納用パッケージにおいては、前記基体１を６５乃至８０重量％の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と２０乃至３５重量％の銅とで、溶融させた銅に炭化珪素粉末を分散混入させて形成しておくことが重要である。
【００３８】
前記基体１を６５乃至８０重量％の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と２０乃至３５重量％の銅とで、溶融させた銅に炭化珪素粉末を分散混入させて形成したことから、基体１の熱伝導率が２７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いものとなり、その結果、基体１上に載置される半導体素子４が作動時に多量の熱を発したとしてもその熱は基体１の載置部１ａの平面方向に素早く広がらせるとともに基体１の厚さ方向を良好に伝搬させて外部に効率よく確実に放散させることができ、これによって光半導体素子４は常に適温となり、光半導体素子４を長期間にわたり安定かつ正常に作動させることが可能となる。
【００３９】
また上述の６５乃至８０重量％の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と２０乃至３５重量％の銅とから成り、溶融させた銅に炭化珪素粉末を分散混入させたものである基体１は、その線熱膨張係数が鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金から成る枠体２あるいは酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミックス絶縁体１０から成るセラミック端子体９の線熱膨張係数（６ｐｐｍ／℃乃至８ｐｐｍ／℃：室温〜８００℃）に近似するものとなり、その結果、基体１上に枠体２やセラミック端子体９等を取着させる際や光半導体素子４が作動した際等において基体１と枠体２とセラミック端子体９に熱が作用したとしても基体１と枠体２とセラミック端子体９との間には両者の線熱膨張係数の差に起因する大きな熱応力が発生することはなく、これによって光半導体素子４を収容する容器５の気密封止が常に完全となり、光半導体素子４を安定かつ正常に作動させることが可能となる。
【００４０】
なお前記基体１は表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末の量が６５重量％未満となると、言い換えれば銅の量が３５重量％を超えると、基体１の線熱膨張係数が枠体２の線熱膨張係数に対して大きく相違することとなり、その結果、基体１に枠体２を強固に取着させておくことができなくなってしまい、また表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末の量が８０重量％を超えると、言い換えれば銅の量が２０重量％未満となると基体１の熱伝導率が大きく劣化し、光半導体素子４が作動時に多量の熱を発した場合、その熱を基体１を介して外部に完全に放散させることができなくなり、その結果、光半導体素子４を高温として光半導体素子４に熱破壊を招来させたり、特性にばらつきが生じ安定に作動させることができなくなってしまう。従って、前記基体１は表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末の量が６５乃至８０重量％の範囲に、銅の量が２０乃至３５重量％の範囲に特定される。
【００４１】
また前記６５乃至８０重量％の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と、２０乃至３５重量％の銅とから成る基体１は炭化珪素粉末の表面に酸化物膜、例えばＳｉＯ2等の膜を０．０５μｍ乃至１μｍ程度の厚みに被着させておくことにより、炭化珪素粉末と銅との密着強度が大きく向上して基体１としての信頼性が大幅に向上する。従って前記基体１は表面に酸化物膜を０．０５μｍ乃至１μｍの厚みに被着させた炭化珪素粉末と銅とで形成しておくことが必要である。
【００４２】
前記炭化珪素粉末の表面に酸化物膜を被着させる方法としては、例えば、炭化珪素粉末を大気中で約１２００℃の温度で加熱することによって行われる。
【００４３】
更に、前記基体１は溶融させた銅に炭化珪素粉末を分散混入させて形成したことから、基体１のヤング率が銅のヤング率に依存する１００ＧＰａ程度の軟質なものとなり、その結果、基体１上に光半導体素子４を載置させた後、基体１と光半導体素子４に熱が作用して両者間に熱応力が発生したとしても、その熱応力は基体１を若干変形させることによって効率よく吸収され、光半導体素子４が基体１より剥離したり、光半導体素子４に割れやクラックを発生したりすることがなく、光半導体素子４を常に正常かつ安定に作動させることができる。
【００４４】
かくして上述の光半導体素子収納用パッケージによれば、基体１の光半導体素子載置部１ａ上に光半導体素子４を固定するとともに該光半導体素子４の各電極をボンディングワイヤ１２を介して所定の配線層１１に接続させ、次に枠体２の上面に蓋部材３を接合させ、基体１と枠体２と蓋部材３とから成る容器５内部に光半導体素子４を収容し、最後に枠体２に取着させた筒状の固定部材６に光ファイバー部材８を取着させることによって最終製品としての光半導体装置となる。
【００４５】
なお、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００４６】
【発明の効果】
本発明の光半導体素子収納用パッケージによれば、基体を６５乃至８０重量％の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と２０乃至３５重量％の銅とで、溶融させた銅に炭化珪素粉末を分散混入させて形成し、熱伝導率を２７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高いものとなしたことから、基体上に載置される光半導体素子が作動時に多量の熱を発したとしてもその熱は基体の光半導体素子載置部平面方向に素早く広がらせるとともに基体の厚さ方向を良好に伝搬させて外部に効率よく確実に放散させることができ、これによって光半導体素子は常に適温となり、光半導体素子を長期間にわたり安定かつ正常に作動させることが可能となる。
【００４７】
また本発明の光半導体素子収納用パッケージによれば、基体を６５乃至８０重量％の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と２０乃至３５重量％の銅とで、溶融させた銅に炭化珪素粉末を分散混入させて形成し、その線熱膨張係数を鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金から成る枠体あるいは酸化アルミニウム質焼結体やガラスセラミック焼結体等のセラミックス絶縁体から成るセラミック端子体の線熱膨張係数（６ｐｐｍ／℃乃至８ｐｐｍ／℃：室温〜８００℃）に近似するものとなしたことから、基体上に枠体やセラミック端子体を取着させる際や光半導体素子が作動した際等において基体と枠体やセラミック端子体に熱が作用したとしても基体と枠体やセラミック端子体との間には両者の線熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が発生することはなく、これによって光半導体素子を収容する空所の気密封止が常に完全となり、光半導体素子を安定かつ正常に作動させることが可能となる。また、６５乃至８０重量％の表面に酸化物膜を被着した炭化珪素粉末と２０乃至３５重量％の銅とから成る基体は、炭化珪素粉末の表面に酸化物膜を被着させておくことにより、炭化珪素粉末と銅との密着強度が大きく向上して基体としての信頼性が大幅に向上する。また、基体は溶融させた銅に炭化珪素粉末を分散混入させて形成したものであることから、基体のヤング率が銅のヤング率に依存する１００ＧＰａ程度の軟質なものとなり、その結果、基体上に光半導体素子を載置させた後、基体と光半導体素子に熱が作用して両者間に熱応力が発生したとしても、その熱応力は基体を若干変形させることによって効率よく吸収され、光半導体素子が基体より剥離したり、光半導体素子に割れやクラックを発生したりすることがなく、光半導体素子を常に正常かつ安定に作動させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージの一実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示す光半導体素子収納用パッケージの平面図である。
【符号の説明】
１・・・・・基体
１ａ・・・・載置部
２・・・・・枠体
２ａ・・・・貫通孔
２ｂ・・・・切欠部
３・・・・・蓋部材
４・・・・・光半導体素子
５・・・・・容器
６・・・・・固定部材
７・・・・・透光性部材
８・・・・・光ファイバー部材
９・・・・・セラミック端子体
１０・・・・セラミックス絶縁体
【図１】
0003981256.tif 000002
【図２】
0003981256.tif 000003