(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック素体の外表面に外部電極が形成されたセラミック電子部品において、
前記セラミック素体は、ＢａＣＯ３が３５．０ｗｔ％〜３９．０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３が４．０ｗｔ％〜５．０ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３が０．５ｗｔ％〜１．５ｗｔ％、ＣａＣＯ３が０．５ｗｔ％〜１．１ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３が２．０ｗｔ％〜２．６ｗｔ％、残部がＳｉＯ２からなる磁器組成物と、Ｂ２Ｏ３が１７．０ｗｔ％〜２１．０ｗｔ％、Ｋ２Ｏが１．０ｗｔ％〜３．０ｗｔ％、残部がＳｉＯ２からなるホウケイ酸ガラスとの混合物で形成されると共に、前記ホウケイ酸ガラスの含有率が前記ホウケイ酸ガラスと前記磁器組成物との総量に対し６０ｗｔ％〜７２ｗｔ％とされ、
かつ、前記外部電極は、前記ホウケイ酸ガラスが導電性材料に対し３ｗｔ％〜５ｗｔ％含有されていることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項２】
前記ホウケイ酸ガラスに対し０．５０ｗｔ％〜３．００ｗｔ％含有した着色剤が、前記セラミック素体に添加されていることを特徴とする請求項１記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記着色剤はクロム酸化物であることを特徴とする請求項２記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記セラミック素体の表面所定箇所にマーキング形成部が設けられ、
前記ホウケイ酸ガラス及び前記磁器組成物を含有したマーキングペーストが、前記マーキング形成部に塗布されると共に、
前記マーキングペーストには、前記ホウケイ酸ガラスに対し１８ｗｔ％〜２６ｗｔ％の前記磁器組成物が含有されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
前記マーキングペーストには、銅、クロム、及びマンガンを含む複合化合物が含有されていることを特徴とする請求項４記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記セラミック素体には、所定パターンからなる内部電極が埋設されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
ＢａＣＯ３が３５．０ｗｔ％〜３９．０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３が４．０ｗｔ％〜５．０ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３が０．５ｗｔ％〜１．５ｗｔ％、ＣａＣＯ３が０．５ｗｔ％〜１．１ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３が２．０ｗｔ％〜２．６ｗｔ％、残部がＳｉＯ２からなる磁器組成物を作製し、さらにＢ２Ｏ３が１７．０ｗｔ％〜２１．０ｗｔ％、Ｋ２Ｏが１．０ｗｔ％〜３．０ｗｔ％、残部がＳｉＯ２からなるホウケイ酸ガラスを用意し、次いで前記ホウケイ酸ガラスの含有率が前記ホウケイ酸ガラスと前記磁器組成物との総量に対し６０ｗｔ％〜７２ｗｔ％となるように、前記ホウケイ酸ガラスと前記磁器組成物とを混合し、その後所定の焼成処理を施してセラミック素体を作製し、次いで導電性材料に対し前記ホウケイ酸ガラスを３ｗｔ％〜５ｗｔ％含有した導電性ペーストを前記セラミック素体の外表面に塗布・焼成して外部電極を形成することを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記ホウケイ酸ガラスに対し０．５０ｗｔ％〜３．００ｗｔ％含有した着色剤を前記セラミック素体に添加することを特徴とする請求項７記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記ホウケイ酸ガラスに対し前記磁器組成物を１８ｗｔ％〜２６％ｗｔ含有したマーキングペーストを、前記セラミック素体の表面所定箇所に塗布・焼成してマーキングすることを特徴とする請求項７又は請求項８記載のセラミック電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記ホウケイ酸ガラスと前記磁器組成物とを含有したセラミックシートを作製し、該セラミックシートの表面に所定の導体パターンを形成し、該導体パターンを形成した複数のセラミックシートを前記導体パターンが形成されていないセラミックシートに挟持して焼成し、セラミック素体を形成することを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかに記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はセラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法に関し、より詳しくはコイル用内部導体やコンデンサ用内部導体などの内部電極が埋設されたセラミック電子部品、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小形化に伴い、電子回路を構成する各電子部品を実装するためにセラミック基板が使用されているが、最近では、実装密度を高める観点から多層セラミック基板が広く使用されるようになってきている。
【０００３】
この種の多層セラミック基板は、通常、セラミックシートの表面に導体パターンをスクリーン印刷等で印刷した後、該導体パターンが形成された適数枚のセラミックシートを導体パターンの形成されていないセラミックシート（外装シート）で挟持、圧着し、この後、前記セラミックシートと導体パターンとを同時に焼成し、これにより導体パターン（内部電極）が埋設されたセラミック素体を製造し、該セラミック素体の外表面に外部電極を形成している。
【０００４】
そして、セラミック素体の作製に際しては焼成時に要するエネルギを極力抑制して所望の電気的特性を得るのが望ましく、そのためには焼成温度をできるだけ低くする必要がある。
【０００５】
そこで、従来より、低温焼成可能なセラミック組成物として、ＳｉＯ２：６２ｗｔ％〜７５ｗｔ％、ＢａＣＯ３：４ｗｔ％〜２２ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３：０．５ｗｔ％〜２．５ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３：０ｗｔ％〜０．８ｗｔ％、ＣａＣＯ３：０．２ｗｔ％〜０．８ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３：８ｗｔ％〜１８ｗｔ％、Ｋ２Ｏ：０ｗｔ％〜２．５ｗｔ％を含有した組成物が提案されている（特許第３１６１３５５号公報；以下、「従来技術」という）。
【０００６】
該従来技術では、９００℃以下の低温で焼成処理を行うことができ、しかも、内部導体として低融点のＡｇを使用することができるため高温大気中でも酸化され難く、Ｃｕを内部導体として使用する場合のように焼成雰囲気を還元性雰囲気とする必要もなく所望の焼成処理を行うことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術は、前記セラミック素体を低温焼結して得ているものの、外部電極に関しては、セラミック素体の外表面に通常のＡｇペーストを印刷・焼成して形成しているため、外部電極のセラミック素体への固着力を十分に得ることができないという問題点があった。
【０００８】
また、前記セラミック素体は、上述したようにセラミックシートを積層・圧着し、その後焼成処理を行っているため、一連の製造工程中でセラミックシートが破損したりワレやクラックの発生する虞があり、このため製品検査において光学顕微鏡等で透視検査を行い、内部電極がセラミック素体の表面に露出しているか否かを判別している。
【０００９】
しかしながら、上記従来技術では、セラミックシートが透けて視えるため、前記透視検査を行なった場合、セラミックシートに破損等が生じて内部電極が表面露出しているのか、或いは外装を構成するセラミックシートが透けているため、内部電極が表面露出しているように視えるのかを判別するのが困難な場合があり、したがって製品の良否判断を迅速且つ正確に行うことができないという問題点があった。
【００１０】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、低温焼結性や電気的特性、更には機械的強度等を損ねることなく、外部電極のセラミック素体への固着力を向上させることができ、しかも製品の良否を迅速且つ正確に判別することのできるセラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
本発明者らは上記目的を達成すべく、所定の成分組成を有するホウケイ酸ガラスと所定の成分組成を有する磁器組成物を混合してセラミック素体を作製し、該セラミック素体に外部電極を形成して鋭意研究を行ったところ、セラミック素体中のホウケイ酸ガラスの含有率をホウケイ酸ガラスと磁器組成物の総量に対し６０ｗｔ％〜７２ｗｔ％とすることにより、低温焼結性を損なうことなく所望の電気的特性や機械的強度を確保することができ、さらに導電性材料に対し３ｗｔ％〜５ｗｔ％のホウケイ酸ガラスを外部電極中に含有させることにより、はんだ付け性を損なうことなく前記固着力を向上させることができるという知見を得た。
【００１２】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック素体の外表面に外部電極が形成されたセラミック電子部品において、前記セラミック素体は、ＢａＣＯ３が３５．０ｗｔ％〜３９．０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３が４．０ｗｔ％〜５．０ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３が０．５ｗｔ％〜１．５ｗｔ％、ＣａＣＯ３が０．５ｗｔ％〜１．１ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３が２．０ｗｔ％〜２．６ｗｔ％、残部がＳｉＯ２からなる磁器組成物と、Ｂ２Ｏ３が１７．０ｗｔ％〜２１．０ｗｔ％、Ｋ２Ｏが１．０ｗｔ％〜３．０ｗｔ％、残部がＳｉＯ２からなるホウケイ酸ガラスとの混合物で形成されると共に、前記ホウケイ酸ガラスの含有率が前記ホウケイ酸ガラスと前記磁器組成物との総量に対し６０ｗｔ％〜７２ｗｔ％とされ、かつ、前記外部電極は、前記ホウケイ酸ガラスが導電性材料に対し３ｗｔ％〜５ｗｔ％含有されていることを特徴としている。
【００１３】
上記構成によれば、セラミック素体に含有されているホウケイ酸ガラスが外部電極中にも含有されており、これによりセラミック素体及び外部電極間の固着力向上を図ることができる。
【００１５】
また、本発明者らは、製品検査段階で製品の良否を迅速且つ正確に判別可能とすべく、鋭意研究を進めたところ、ホウケイ酸ガラスに対し０．５０ｗｔ％〜３．００ｗｔ％含有した着色剤をセラミック素体中に添加することにより、セラミックシートの透明度が低下し、これにより製品良否の認識率を向上させることができるということが判明した。
【００１６】
すなわち、本発明は、前記ホウケイ酸ガラスに対し０．５０ｗｔ％〜３．００ｗｔ％含有した着色剤が、前記セラミック素体に添加されていることを特徴としている。
【００１７】
上記構成によれば、前記ホウケイ酸ガラスに対し０．５０ｗｔ％〜３．００ｗｔ％含有した着色剤（例えば、クロム酸化物）がセラミック素体に含有されているので、セラミック素体の外表面が着色されて透明度が低下し、これにより製品を外部から観察した場合に内部電極の表面露出の有無を容易に判別することができる。
【００１８】
また、本発明は、前記セラミック素体の表面所定箇所にマーキング形成部が設けられ、前記ホウケイ酸ガラス及び前記磁器組成物を含有したマーキングペーストが前記マーキング形成部に塗布されると共に、前記マーキングペーストは、前記ホウケイ酸ガラスに対し１８ｗｔ％〜２６ｗｔ％の前記磁器組成物が含有されていることを特徴とし、また前記マーキングペーストには、銅、クロム、及びマンガンを含む複合化合物が含有されていることを特徴としている。
【００１９】
上記構成によれば、マーキングペーストが塗布・焼成されたマーキング形成部が、セラミック素体の表面所定箇所に形成されているので、プリント基板等の配線基板に対し所望方向に取り付けて実装することができ、またコイル回路が内部に埋設されている場合に直流電流を流しても発生する磁力線の方向を容易に認識することができる。
【００２０】
また、前記セラミック素体は、所定パターンからなる内部電極が埋設されていることを特徴としており、これによりセラミック素体内部にコンデンサ回路やコイル回路を内蔵した多層セラミック基板を容易に得ることが可能となり、したがって低温焼結性や種々の電気的特性を損なうことなく、外部電極のセラミック素体への固着力が良好で且つ製品検査を高精度で行うことができ、しかも実装性に優れた多層セラミック基板等の電子部品を容易に得ることができる。
【００２１】
また、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、ＢａＣＯ３が３５．０ｗｔ％〜３９．０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３が４．０ｗｔ％〜５．０ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３が０．５ｗｔ％〜１．５ｗｔ％、ＣａＣＯ３が０．５ｗｔ％〜１．１ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３が２．０ｗｔ％〜２．６ｗｔ％、残部がＳｉＯ２からなる磁器組成物を作製し、さらにＢ２Ｏ３が１７．０ｗｔ％〜２１．０ｗｔ％、Ｋ２Ｏが１．０ｗｔ％〜３．０ｗｔ％、残部がＳｉＯ２からなるホウケイ酸ガラスを用意し、次いで前記ホウケイ酸ガラスの含有率が前記ホウケイ酸ガラスと前記磁器組成物との総量に対し６０ｗｔ％〜７２ｗｔ％となるように、前記ホウケイ酸ガラスと前記磁器組成物とを混合し、その後所定の焼成処理を施してセラミック素体を作製し、次いで導電性材料に対し前記ホウケイ酸ガラスを３ｗｔ％〜５ｗｔ％含有した導電性ペーストを前記セラミック素体の外表面に塗布・焼成して外部電極を形成することを特徴としている。
【００２２】
上記製造方法によれば、セラミック素体に含有されるホウケイ酸ガラスを所要量だけ外部電極中にも含ませることができ、これによりセラミック素体と外部電極との固着力が向上したセラミック電子部品を容易に得ることができる。
【００２３】
また、本発明の製造方法は、前記ホウケイ酸ガラスに対し０．５０ｗｔ％〜３．００ｗｔ％含有した着色剤を前記セラミック素体に添加することを特徴としている。
【００２４】
上記製造方法によれば、外観が着色されたセラミック素体を容易に得ることができ、内部電極が表面露出しているか否かを容易に判別することができる。
【００２５】
また、本発明の製造方法は、前記ホウケイ酸ガラスに対し前記磁器組成物を１８ｗｔ％〜２６ｗｔ％含有したマーキングペーストを、前記セラミック素体の表面所定箇所に塗布・焼成してマーキングすることを特徴としている。
【００２６】
上記製造方法によれば、製造された電子部品の実装すべき方向を容易に認識することができる。
【００２７】
さらに、本発明の製造方法は、前記ホウケイ酸ガラスと前記磁器組成物とを含有したセラミックシートを作製し、該セラミックシートの表面に所定の導体パターンを形成し、該導体パターンを形成した複数のセラミックシートを前記導体パターンが形成されていないセラミックシートに挟持して焼成し、セラミック素体を形成することを特徴としており、これにより外部電極のセラミック素体への固着力に優れ、しかも製品検査も容易で実装性に優れたセラミック電子部品を低温での焼成でもって容易に製造することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳説する。
【００２９】
図１は本発明に係るセラミック電子部品の一実施の形態としての積層インダクタンス素子の断面図であって、該積層インダクタンス素子は、多数のセラミックシート１ａ〜１ｌが積層されてセラミック素体１を形成している。そして、該セラミック素体１の両端部には外部電極２ａ、２ｂが形成され、さらに該外部電極２ａ、２ｂの表面には第１のめっき皮膜３ａ、３ｂが形成され、該第１のめっき皮膜３ａ、３ｂの表面には第２のめっき皮膜４ａ、４ｂが形成されている。
【００３０】
セラミック素体１は、具体的には、所定導体パターンの内部電極５ａ〜５ｇが表面に形成された内部セラミックシート１ｄ〜１ｉと、該内部セラミックシート１ｄ〜１ｉを挟持する前記内部電極の形成されていない外装シート１ａ〜１ｃ、１ｋ、１ｌとを備え、内部電極５ａは外部電極２ａと電気的に接続され、内部電極５ｇは外部電極２ｂと電気的に接続されている。そして、各内部電極５ａ〜５ｇはビアホール（図１では不図示）を介して互いに電気的に直列接続され、コイルを形成している。
【００３１】
また、セラミック素体１の上面所定箇所にはマーキング形成部６が設けられている。マーキング形成部６は、後述するマーキングペーストが塗布、焼成されてなり、内部電極５ａ〜５ｇに直流電流を流した際、発生する磁力線の方向が認識可能とされ、例えば、素子を直列に接続し、それぞれのコイルが発生する磁力線の相対方向により、カップリングやデカップリング等の相互作用が発生した場合の合成インダクタンスの評価及び制御が可能となるように構成されている。
【００３２】
そして、本実施の形態では各セラミックシート１ａ〜１ｌは、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３とを主成分としたホウケイ酸ガラスと、ＳｉＯ２、ＢａＯ及びＡｌ２Ｏ３とを主成分としたＢａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ系磁器組成物（以下、単に「磁器組成物」という）とが含有されている。
【００３３】
具体的には、ホウケイ酸ガラスは、Ｂ２Ｏ３：１７．０ｗｔ％〜２１．０ｗｔ％、Ｋ２Ｏ：１．０ｗｔ％〜３．０ｗｔ％、残部：ＳｉＯ２からなり、磁器組成物はＢａＣＯ３：３５．０ｗｔ％〜３９．０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３：４．０ｗｔ％〜５．０ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３：０．５ｗｔ％〜１．５ｗｔ％、ＣａＣＯ３：０．５ｗｔ％〜１．１ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３：２．０ｗｔ％〜２．６ｗｔ％、残部：ＳｉＯ２からなり、ホウケイ酸ガラスの含有率がホウケイ酸ガラスと磁器組成物との総量に対し６０ｗｔ％〜７２ｗｔ％となるように調製されている。
【００３４】
また、上記外部電極２ａ、２ｂは、３０ｗｔ％の有機ビヒクルを含有したＡｇ粉末を主成分とする導電性ペーストを塗布・焼成して形成されている。
【００３５】
そして、本実施の形態では、前記導電性ペーストにはＡｇ粉末に対して３ｗｔ％〜５ｗｔ％のホウケイ酸ガラスが添加されており、したがって、外部電極２ａ、２ｂには斯かる所定量のホウケイ酸ガラスが含有され、これにより外部電極２ａ、２ｂのセラミック素体１への固着力向上を図っている。
【００３６】
また、マーキング形成部６に塗布されるマーキングペーストには、セラミックシート１ａ〜１ｌに含有される組成成分材料（ホウケイ酸ガラス及び磁器組成物）及び有機ビヒクルにＣｕ、Ｃｒ、Ｍｎを含む複合化合物が添加されている。
【００３７】
具体的には、前記マーキングペーストは、ホウケイ酸ガラスに対し１８ｗｔ％〜２６ｗｔ％の磁器組成物が添加され、斯かる磁器組成物、ホウケイ酸ガラス、顔料、及び有機ビヒクルを夫々所定量含有したペースト状のマーキングペーストがマーキング形成部６に塗布、焼成されている。
【００３８】
尚、導電性ペースト及び着色剤に含有される有機質ビヒクルは、特に限定されるものではなく、エチルセルロースをα―テルピネオールに溶解したものや、ブチラール樹脂、アクリル樹脂などを所定の有機溶剤に溶解したものを使用することができる。
【００３９】
次に、（１）セラミックシートの成分組成、（２）外部電極２ａ、２ｂ中のホウケイ酸ガラスの含有量、及び（３）マーキングペースト中の磁器組成物の含有量を上述の如く限定した理由について述べる。
【００４０】
（１）セラミックシートの成分組成
本実施の形態では、低温焼結を可能にするためにセラミック素体１中にホウケイ酸ガラスを含有させているが、ホウケイ酸ガラスの含有量が６０ｗｔ％未満の場合は所望の低温焼結作用を発揮することができず、焼成温度が９００℃を超える。一方、ホウケイ酸ガラスの含有量が７２ｗｔ％を超えた場合は、抗折強度が７．８４×１０７Ｐａ（≒８００ｋｇ／ｃｍ２）以下となって機械的強度が低下する。
【００４１】
そこで、本実施の形態では、セラミック素体１中のホウケイ酸ガラスの含有量を６０ｗｔ％〜７２ｗｔ％、好ましくは６４ｗｔ％〜７０ｗｔ％となるように原料調整した。
【００４２】
（２）外部電極２ａ、２ｂ中のホウケイ酸ガラスの含有量
セラミック素体１を形成するホウケイ酸ガラスを外部電極２ａ、２ｂ中にも含有させると、セラミック素体１と外部電極２ａ、２ｂとの界面にはホウケイ酸ガラスが混在し、その結果外部電極２ａ、２ｂのセラミック素体１への固着力が向上する。しかし、外部電極２ａ、２ｂの主成分であるＡｇに対しホウケイ酸ガラスの含有量が３ｗｔ％未満の場合は固着力が２０Ｎ（ニュートン）（約２ｋｇｆ）以下となって所望の固着力を得ることができない。一方、Ａｇに対するホウケイ酸ガラスの含有量が５ｗｔ％を超えた場合は、外部電極２ａ、２ｂの表面にガラス成分が浮き出し、このため第１のめっき皮膜３ａ、３ｂが均一に形成されず、その結果はんだ付け性が低下する。
【００４３】
そこで、本実施の形態では、外部電極２ａ、２ｂ中のホウケイ酸ガラスの含有量をＡｇに対し３ｗｔ％〜５ｗｔ％、好ましくは３．５ｗｔ％〜４．５ｗｔ％となるようにした。
【００４４】
（３）マーキングペースト中の磁器組成物の含有量
マーキングペーストには、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｎを含む複合酸化物、磁器組成物、ホウケイ酸ガラスが含有されているが、ホウケイ酸ガラスに対する磁器組成物の含有量が２６ｗｔ％を超えるとホウケイ酸ガラスの含有量が少なくなって低温での焼結が困難となり、焼成温度が９００℃を超える。一方、ホウケイ酸ガラスに対する磁器組成物の含有量が１８ｗｔ％未満の場合はホウケイ酸ガラスの含有量が過剰となり、製造された部品（積層インダクタンス素子）同士が密着してしまう。
【００４５】
そこで、本実施の形態では、マーキングペースト中の磁器組成物の含有量を、ホウケイ酸ガラスに対し、１８ｗｔ％〜２６ｗｔ％、好ましくは２１ｗｔ％〜２５ｗｔ％に設定した。
【００４６】
次に、上記積層インダクタンス素子の製造方法を図２を参照しながら説明する。
【００４７】
まず、成分組成がＢａＣＯ３：３５．０ｗｔ％〜３９．０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３：４．０ｗｔ％〜５．０ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３：０．５ｗｔ％〜１．５ｗｔ％、ＣａＣＯ３：０．５ｗｔ％〜１．１ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３：２．０ｗｔ％〜２．６ｗｔ％、残部：ＳｉＯ２となるように、組成物原料を混合して湿式粉砕した後、乾燥・仮焼を行い、平均粒径が０．５μｍ〜３．５μｍの仮焼粉末を作製する。次いで、該仮焼粉末とＢ２Ｏ３：１７．０ｗｔ％〜２１．０ｗｔ％、Ｋ２Ｏ：１．０ｗｔ％〜３．０ｗｔ％、残部：ＳｉＯ２に調製された平均粒径が０．５μｍ〜３．５μｍのホウケイ酸ガラスを用意する。そして、ホウケイ酸ガラスの含有率がホウケイ酸ガラスと磁器組成物の総量に対し６０〜７２ｗｔ％となるように両者を混合し、水や有機溶剤、及び所定のバインダと混錬してスラリーを作製し、ドクターブレード法でキャリアフィルム上に転写し、薄膜状のセラミックスシート１ａ〜１ｌを作製する。
【００４８】
尚、ホウケイ酸ガラス及び前記仮焼粉末の粒径を上述のように平均粒径０．５μｍ〜３．５μｍの範囲としたのは、斯かる範囲とすることにより、焼成された各セラミックシートにおけるピンホールが減少し、セラミック素体１での内部電極５ａ〜５ｇの短絡等が生じなくなり、また、焼結密度が向上して焼成後の抗折強度が上昇するからである。
【００４９】
そして、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ等のＡｇ合金に有機ビヒクルを混合させた所定粘度の導電性ペーストを作製し、図２に示すように、鉤状或いはコ字状の内部電極５ａ〜５ｇを内部セラミックシート１ｄ〜１ｊの表面にスクリーン印刷し、さらに内部電極５ａ〜５ｆの所定箇所にビアホール７を形成する。
【００５０】
次いで、ホウケイ酸ガラスと、該ホウケイ酸ガラスに対し１８ｗｔ％〜２６ｗｔ％含有した磁器組成物、及び所定量の銅、クロム、マンガンの複合化合物、有機ビヒクルを混合させ、三本ロールミルを使用して粉砕・分散させ、マーキングペーストを作製する。
【００５１】
そして、セラミックシート１ａの表面所定箇所にマーキング形成部６を設け、マーキングペーストをマーキング形成部６にスクリーン印刷する。
【００５２】
尚、内部電極５ａ〜５ｆの形成方法及びマーキング方法としては、スクリーン印刷以外にも塗布法、蒸着法、スパッタリング法等、任意の方法を使用することができる。
【００５３】
次いで、内部セラミックシート１ｄ〜１ｊを外装シート１ａ〜１ｃ、１ｋ、１ｌで挟持し、圧着して積層体を作製する。尚、該積層体はビアホール７を介して内部電極５ａ〜５ｇが電気的に直列接続され、コイルを形成する。
【００５４】
そして、積層体を所定寸法に切断し、空気とＮ２との混合ガス雰囲気で５００℃で脱バインダ処理を行い、次いで、大気中、８５０℃〜９００℃で所定時間焼成処理を施し、バレル研磨してバリ取りを行い、セラミック素体１を作製する。
【００５５】
次に、平均粒径が０．３μｍ〜３μｍの球状Ａｇ粉末又は平均粒径が１μｍ〜９μｍの偏平Ａｇ粉末と、平均粒径が０．５μｍ〜３．５μｍのホウケイ酸ガラス粉末と、有機ビヒクルとを所定量ずつ混合させ、三本ロールミルで粉砕・分散させ、所定粘度の外部電極用導電性ペースト（以下、「外部電極用ペースト」という）を作製する。
【００５６】
そして、斯かる外部電極用ペーストをセラミック素体１の両端部に塗布し、温度８２０℃〜８９０℃で２０分〜１００分間、焼付処理を施し、この後、バレル研磨を施して表面を平滑化し外部電極２ａ、２ｂを形成する。
【００５７】
その後、外部電極２ａ、２ｂの形成されたセラミック素体１をニッケルめっき液等の第１の所定めっき液に浸漬し、セラミック素体１をカソードとし、Ｐｔでコーティングされたチタン板等の不溶性金属をアノードとして電解めっき処理を施し、第１のめっき皮膜３ａ、３ｂを形成し、次いでスズめっき液やはんだめっき液等の第２の所定めっき液に浸漬し、上述と同様の電解めっき処理を施し、第２のめっき皮膜４ａ、４ｂを形成し、これにより積層インダクタンス素子が製造される。
【００５８】
このように本実施の形態では、セラミック素体１に含有されているホウケイ酸ガラスが外部電極２ａ、２ｂ中にも導電性材料に対し３ｗｔ％〜５ｗｔ％含有されており、したがってセラミック素体１と外部電極２ａ、２ｂとの界面にもホウケイ酸ガラスが混在しており、これにより外部電極２ａ、２ｂのセラミック素体１への固着力の向上を図ることができる。
【００５９】
また、ホウケイ酸ガラスに対し１８ｗｔ％〜２６ｗｔ％の磁器組成物を含有したマーキングペーストを使用することにより、部品間同士が密着することもなく低温での焼成処理でマーキングすることができ、これにより、内部電極５ａ〜５ｇに直流電流を流した際、発生する磁力線の方向を容易に認識することができる。
【００６０】
さらに、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、セラミック素体１中に所定量の着色剤を含有させるのも好ましい。
【００６１】
すなわち、積層インダクタンス素子が作製された後は、図１の矢印Ａ方向から光学顕微鏡等で観察し、セラミック素体１の破損等により内部電極５ａ〜５ｇがセラミック素体１の表面露出していない否かを検査し、表面露出した製品を外観不良と判断して不良品とする必要がある。
【００６２】
しかしながら、セラミック素体１がホウケイ酸ガラスと磁器組成物との混合物のみで形成され、しかも外装シートの積層枚数が少なく薄い場合は、外観検査してもセラミック素体１が破損等して内部電極が表面露出しているのか、セラミックシートが透けているために内部電極が表面露出しているように視えるのかを判別するのが困難な場合がある。
【００６３】
そこで、セラミック素体１に着色剤を含有させ、製品良否の判別を容易にするのが好ましい。
【００６４】
具体的には、セラミックシート１ａ〜１ｌに、ホウケイ酸ガラスに対し０．５０ｗｔ％〜３ｗｔ％のＣｒ２Ｏ３を含有することにより、内部電極５ａ〜５ｇのセラミック素体１への表面露出の有無を容易に判別可能としている。
【００６５】
ここで、Ｃｒ２Ｏ３を上記範囲に限定したのは、Ｃｒ２Ｏ３が０．５０ｗｔ％未満とした場合はセラミック素体１への着色が不十分なため、内部電極５ａ〜５ｇが透けて視え、所望の作用効果を発揮することができない。一方Ｃｒ２Ｏ３が３．００ｗｔ％を超えた場合はセラミック素体中のホウケイ酸ガラスが上記実施の形態の範囲内（６０ｗｔ％〜７２ｗｔ％）であっても前記ホウケイ酸ガラスの含有量を下方側にすると誘電率εが４．７０を超え、電気的特性の低下を招来し、一方、前記ホウケイ酸ガラスの含有量を上方側にすると抗折強度が７．８４×１０７Ｐａ以下となって機械的強度の低下を招来する。
【００６６】
そこで、ホウケイ酸ガラスに対するＣｒ２Ｏ３の添加範囲を０．５０ｗｔ％〜３ｗｔ％、好ましくは２．００ｗｔ％〜３．００ｗｔ％に設定するのが望ましい。
【００６７】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、図３に示すようにコイル巻軸が外部電極９ａ、９ｂと垂直となるように構成された積層インダクタンス素子に適用することのできることはいうまでもない。
【００６８】
すなわち、図３の積層インダクタンス素子では、セラミック素体８は、所定導電パターンの内部電極１２ａ〜１２ｇが表面に形成された内部セラミックシート８ｄ〜８ｊと、前記内部電極が形成されることなく前記内部セラミックシート８ｄ〜８ｊの両側面に配された外装シート８ａ〜８ｃ、８ｋ、８ｌとを備え、内部電極１２ａは外部電極９ａと電気的に接続され、内部電極１２ｇは外部電極９ｂと電気的に接続されている。そして、各内部電極１２ａ〜１２ｇはビアホールを介して互いに電気的に直列接続され、コイルを形成している。１０ａ、１０ｂは第１のめっき皮膜であり、１１ａ、１１ｂは第２のめっき皮膜であり、また、セラミック素体１の上面適所にはマーキング形成部１３が設けられている。
【００６９】
本実施の形態でも製品検査を迅速且つ円滑に行なうためには、ホウケイ酸ガラスに対し０．５０ｗｔ％〜３ｗｔ％、好ましくは２．００ｗｔ％〜３．００ｗｔ％のＣｒ２Ｏ３を添加するのが望ましい。すなわち、本実施の形態では矢印Ｂ方向から光学顕微鏡で透視検査を行なうことになるが、セラミック素体８と内部電極１２ａ〜１２ｇとの間の距離（サイドギャップ）δが小さい場合は内部電極１２ａ〜１２ｇが表面露出しているか否かを判断するのが困難な場合があり、したがって上述の範囲でＣｒ２Ｏ３を添加し、セラミック素体８を着色することにより内部電極の表面露出の有無判断を容易に行なえるようにするのが望ましい。
【００７０】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００７１】
〔第１の実施例〕
本発明者らは、ホウケイ酸ガラスと磁器組成物との混合割合が異なるセラミック素体（試験片）を作製し、誘電率ε、絶縁抵抗（抵抗率）ＩＲ、及び抗折強度を測定した。
【００７２】
すなわち、まず、磁器組成物の成分組成がＢａＣＯ３：３５．０ｗｔ％〜３９．０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３：４．０ｗｔ％〜５．０ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３：０．５ｗｔ％〜１．５ｗｔ％、ＣａＣＯ３：０．５ｗｔ％〜１．１ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３：２．０ｗｔ％〜２．６ｗｔ％、残部：ＳｉＯ２となるようにこれら各構成物質を秤量、混合し、湿式粉砕してスラリー状とした後、８５０℃〜９５０℃で仮焼し、平均粒径が０．５μm〜３．５μｍの仮焼粉末（磁器組成物粉末）を作製した。
【００７３】
また、ホウケイ酸ガラスについても同様、成分組成がＢ２Ｏ３：１７．０ｗｔ％〜２１．０ｗｔ％、Ｋ２Ｏ：１．０ｗｔ％〜３．０ｗｔ％、残部：ＳｉＯ２となるようにこれら各構成物質を秤量、混合し、湿式粉砕してスラリー状とした後、８５０℃〜９００℃で仮焼し、平均粒径が０．５μm〜３．５μｍの仮焼粉末（ホウケイ酸ガラス粉末）を作製した。
【００７４】
次いで、ホウケイ酸ガラスの含有量が７２ｗｔ％〜６０ｗｔ％（磁器組成物の含有量が２８ｗｔ％〜４０ｗｔ％）となるように、これら仮焼された磁器組成物粉末とホウケイ酸ガラス粉末とを秤量し、斯かる秤量物を水、トルエンやエチルアルコール等の有機溶剤、及びバインダとしてのポリビニルアルコールと混練し、スラリーを作製し、次いで、斯かるスラリーをドクターブレード法でキャリアフィルム上に転写し、厚さ６５μｍのセラミックシートを得た。
【００７５】
次いで、これらセラミックシートを積層・圧着し、これにより厚さ１．５ｍｍの積層体を作製し、該積層体を縦３０ｍｍ、横３０ｍｍの板状に切断した後、空気とＮ2の混合ガス雰囲気下、温度５００℃で脱バインダ処理を行い、続いて、大気中で８５０〜９００℃で９０分間焼成し、実施例１〜実施例７の試験片（セラミック素体）を作製した。
【００７６】
また、本発明者らは、比較例としてホウケイ酸ガラスの含有量が７６ｗｔ％〜７４ｗｔ％（磁器組成物の含有量が２４ｗｔ％〜２６ｗｔ％）、及び５８ｗｔ％〜５６ｗｔ％（磁器組成物の含有量が４２ｗｔ％〜４４ｗｔ％）となるように、これら仮焼された磁器組成物粉末とホウケイ酸ガラス粉末とを秤量し、上述と同様にして積層体を作製し、脱バインダ処理及び焼成処理を施し、比較例１〜４の試験片（セラミック素体）を作製した。
【００７７】
次いで、本発明者らは、誘電率ε、絶縁抵抗ＩＲ、及び抗折強度を測定した。
【００７８】
誘電率εは、ＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザ（ヒューレット・パッカード社製「ＨＰ４２９１Ａ」）を使用し、周波数１００ＭＨｚ、温度２５℃で測定した。また、絶縁抵抗ＩＲは、超高抵抗／微小電流計（アドバンテスト社製「Ｒ８３４０Ａ」）を使用し、温度２５℃で５０Ｖの直流電圧を２分間印加し、測定した。抗折強度は、３点曲げ式抗折強度測定機（オリエンテック社製ＲＴＣ１２２５Ａを使用して試験を行い、ＪＩＳ  Ｒ  １６０１に準拠して算出した。
【００７９】
表１は各試験片の成分組成とその測定結果を示している。
【００８０】
【表１】
0003888446.tif 000002
尚、表１中、焼成温度は、焼成前の試験片が温度上昇するに伴い、バインダ等の蒸発や焼結に伴って各試験片が収縮する際の最大収縮率となる温度を示している。
【００８１】
この表１から明らかなように比較例１、２はホウケイ酸ガラスの含有量が多すぎるため抗折強度が７．８４×１０７Ｐａ以下となって機械的強度が低下し、また絶縁抵抗ＩＲも低下する傾向にある。
【００８２】
また、比較例３、４はホウケイ酸ガラスの含有量が少ないため、焼成温度が９００℃を超え、低温焼結性に欠け、また誘電率εも４．７０を超え、したがって使用周波数が高い場合に電子回路の特性が低下することが確認された。
【００８３】
これに対して実施例１〜７は、ホウケイ酸ガラスの含有量が７２ｗｔ％〜６０ｗｔ％と本発明範囲内にあり、誘電率εが４．７０未満、絶縁抵抗ＩＲが６．３×１０７Ω・ｍ以上であり、抗折強度も７．８４×１０７Ｐａ以上となって良好な電気的特性及び機械的強度を得ることができ、しかも９００℃以下の低温での焼結が可能なことが確認された。
【００８４】
〔第２の実施例〕
本発明者らは、上記実施例５の成分組成となるように第１の実施例と同様にしてセラミックシートを作製し、次いで内部電極を印刷し、次いでセラミックシートを積層・圧着した後、切断・焼成し、縦１ｍｍ、横０．５mm、厚み０．５mmのセラミック素体を作製した。
【００８５】
そして、該セラミック素体の両端部にガラス成分を含有した外部電極及びめっき皮膜を形成し、セラミック素体との固着力やはんだ付け性を確認した。
【００８６】
すなわち、まず、エチルセルロース１０重量％をジエチレングリコールモノブチルエーテルに溶解し、有機ビヒクルを作製した。
【００８７】
そして、導電性材料として平均粒径が１．０μmの球状Ａｇ粉末を使用し、Ａｇ粉末に対するホウケイ酸ガラスの含有量が３ｗｔ％〜５ｗｔ％となるようにＡｇ粉末及びホウケイ酸ガラスを秤量して混合し、さらに有機ビヒクルの含有量が３０ｗｔ％となるように配合し、三本ロールミルを使用して粉砕・分散させ、次いでジエチレングリコールモノブチルエーテルで粘度が１８Ｐａ・ｓとなるまで希釈し、導電性ペーストを調製した。
【００８８】
次いで、前記セラミック素体の両端部に導電性ペーストを塗布し、大気中、８７０℃で４０分間焼付け処理を施し、バレル研磨を行って外部電極を形成した。
【００８９】
そして、この後、外部電極を形成したセラミック素体をニッケルめっき液に浸漬して電解めっきを行い、ニッケル皮膜（第１のめっき皮膜）を形成した。
【００９０】
次いで、該ニッケル皮膜の形成されたセラミック素体をスズめっき液に浸漬して電解めっきを行い、スズ皮膜（第２のめっき皮膜）を形成し、実施例１１〜１３の試験片を３０個作製した。
【００９１】
また、本発明者らは、Ａｇ粉末に対するホウケイ酸ガラスの含有量が２ｗｔ％以下、又は６ｗｔ％以上となるようにＡｇ粉末及びホウケイ酸ガラスを秤量した導電性ペーストを調製し、上述と同様にして外部電極、ニッケル皮膜及びスズ皮膜を順次形成し、比較例１１〜１４の試験片を３０個作製した。
【００９２】
次に、各試験片を縦１２ｍｍ、横１２ｍｍ、厚さ１．６ｍｍのガラスエポキシ基板に実装して側面に応力を加え、そのときの破壊強度を強度試験機（アイコーエンジニアリング社製ＭＯＤＥＬ−１３２３Ｎ）で測定し、固着力を測定した。
【００９３】
さらに、２３０℃に加熱したはんだ液（Ｓｎ：Ｐｂ＝６：４）に試験片を２秒間浸漬し、電極へのはんだ付着面積を測定し、はんだ付け性を評価した。
【００９４】
表２は各試験片における導電性ペースト（外部電極）の成分組成と、固着力及びはんだ付け性を示している。
【００９５】
【表２】
0003888446.tif 000003
尚、表２中、はんだ付け性は各試験片３０個の平均値を示し、９５％となったものを良品とした。
【００９６】
この表２から明らかなように比較例１１、１２は、Ａｇに対するホウケイ酸ガラスの含有量が３ｗｔ％未満と少なく、固着力が２０Ｎ（ニュートン）未満となって固着力に劣ることが分かった。
【００９７】
また、比較例１３、１４は、Ａｇに対するホウケイ酸ガラスの含有量が５ｗｔ％を超え、したがってホウケイ酸ガラスの含有量が多すぎるため、外部電極の表面にガラス成分が浮き出し、その結果メッキ付き性が悪くなり、このためはんだ付け性が９５％未満に低下することが分かった。
【００９８】
これに対して実施例１１〜１３はＡｇに対するホウケイ酸ガラスの含有量が３ｗｔ％〜５ｗｔ％であり、外部電極がセラミック素体と同一成分のガラス成分を適度に含有しているため、はんだ付け性を損なうことなく固着力を向上させることのできることが確認された。
【００９９】
〔第３の実施例〕
本発明者らは、上記実施例５の組成を有するセラミックシートを使用してマーキング形成部にマーキングしたセラミック素体を作製し、該セラミック素体の両端部に外部電極及びめっき皮膜を形成し、焼成温度及び試験片同士の密着率（部品間密着率）を確認した。
【０１００】
すなわち、まず、第１の実施例の実施例５と同様の組成を有するホウケイ酸ガラス及び磁器組成物を使用し、ホウケイ酸ガラスに対する磁器組成物の含有量が１８ｗｔ％〜２６ｗｔ％となるように前記ホウケイ酸ガラス及び磁器組成物を秤量して混合し、さらにマーキング顔料としてＣｕ、Ｃｒ、及びＭｎを含有した複合化合物を１２ｗｔ％を添加し、さらに、第２の実施例と同様の有機ビヒクルを使用し、該有機ビヒクルの含有量が４５ｗｔ％となるように配合し、三本ロールミルを使用して粉砕・分散させ、次いでジエチレングリコールモノブチルエーテルで粘度が３０Ｐａ・ｓとなるまで希釈し、マーキングペーストを調製した。
【０１０１】
次に、セラミック素体の最上層を形成するセラミックシートの表面所定箇所にマーキングペーストをスクリーン印刷し、第２の実施例と同様にして内部電極が形成された内部セラミックシートを外装シートで挟持して圧着し、焼成処理を施し、マーキング部が黒色を呈するセラミック素体を作製した。
【０１０２】
次いで、第２の実施例と同様、セラミック素体の両端部に導電性ペーストを塗布し、大気中、８７０℃で４０分間焼付け処理を施し、次いでバレル研磨を行って外部電極を形成し、さらに電解めっきを施してニッケル皮膜及びスズ皮膜を形成し、実施例２１〜２５の試験片を３０個作製した。
【０１０３】
また、本発明者らは、ホウケイ酸ガラスに対する磁器組成物の含有量が１６ｗｔ％以下、又は２８ｗｔ％以上となるようにホウケイ酸ガラス及び磁器組成物を秤量したマーキングペーストを調製し、上述と同様にしてマーキング形成部を有するセラミック素体を作製した後、外部電極、ニッケル皮膜及びスズ皮膜を順次形成し、比較例２１〜２５の試験片を３０個作製した。
【０１０４】
次に、本発明者らは、各試験片について焼成温度と部品間密着率を確認した。
【０１０５】
表３はマーキングペーストの成分組成と焼成温度及び部品間密着率とを示している。
【０１０６】
【表３】
0003888446.tif 000004
この表３から明らかなように比較例２１〜２３はホウケイ酸ガラスに対する磁器組成物の含有量が１８ｗｔ％未満であるため、部品間密着率が１．００％を超えることが分かった。
【０１０７】
また、比較例２４、２５は、ホウケイ酸ガラスに対する磁器組成物の含有量が２８ｗｔ％を超えており、ホウケイ酸ガラスの含有量が相対的に少ないため、マーキング形成部を低温で焼結するのが困難であり、焼成温度が９００℃を超えることが分かった。
【０１０８】
これに対して実施例２１〜２５はホウケイ酸ガラスに対する磁器組成物の含有量は１８ｗｔ％〜２６ｗｔ％の範囲内にあり、部品密着率が１．００％未満であり、９００℃以下の低温で焼結が可能であることが確認された。
【０１０９】
〔第４の実施例〕
本発明者らは、第１の実施例と同様、磁器組成物粉末及びホウケイ酸ガラス粉末を作製した。
【０１１０】
次いで、平均粒径が０．２μｍ〜１．０μｍのＣｒ２Ｏ３をホウケイ酸ガラスに対して０．５０ｗｔ％〜３．００ｗｔ％となるように前記磁器組成物粉末及びホウケイ酸ガラス粉末に添加し、外装シートを１枚として上記第２の実施例と同様、実施例３１〜実施例３８の試験片を作製した。
【０１１１】
また、本発明者らは、比較例として上記Ｃｒ２Ｏ３を含有していない試験片（比較例３１、３２）、及びホウケイ酸ガラスに対して４．００ｗｔ％以上のＣｒ２Ｏ３を添加した試験片（比較例３１〜比較例３８）を作製した。
【０１１２】
そして、本発明者らは、第１の実施例と同様、誘電率ε、絶縁抵抗ＩＲ、抗折強度を測定し、さらに内部電極である導体パターンの不透明度を光学顕微鏡（ニコン社製ＳＭＺ−２Ｂ）で観察した。
【０１１３】
表４は各試験片のセラミック素体の組成と測定結果を示している。
【０１１４】
【表４】
0003888446.tif 000005
この表４から明らかなように比較例３１及び比較例３２はＣｒ２Ｏ３がホウケイ酸ガラスに対して別途添加されていないため、セラミックシートを透過して内部電極が透けて視え、このためセラミックシートの破損等により内部電極が表面露出しているのか、内部電極がセラミックシートを介して透けて視えるのかを判別し難くかった。
【０１１５】
また、実施例３３〜３８はＣｒ２Ｏ３がホウケイ酸ガラスに対して別途添加されているためセラミックシートが黒色を呈し、したがって内部電極の表面露出の有無については容易に判別することができるが、ホウケイ酸ガラスの磁器組成物に対する含有量を６０ｗｔ〜７０ｗｔ％と上記第１の実施例の範囲内（本発明範囲内）に配合した場合であっても、ホウケイ酸ガラスの含有量を６０ｗｔ％と下方側に調製した場合は誘電率εが４．７０を超えて電気的特性が悪化し、一方、ホウケイ酸ガラスの含有量を７０ｗｔ％と上方側に調製した場合は抗折強度が７．８４×１０６Ｐａ以下となって機械的強度の低下を招来する。
【０１１６】
これに対して実施例３１〜３４はＣｒ２Ｏ３がホウケイ酸ガラスに対して０．５０ｗｔ％〜１．００ｗｔ％含有されているため、内部電極が若干透けて視えるものの、内部電極の表面露出の有無を容易に判別することができる。
【０１１７】
また、実施例３５〜３８はＣｒ２Ｏ３がホウケイ酸ガラスに対して２．００ｗｔ％〜３．００ｗｔ％含有されているため、内部電極はセラミックシートを介して透けて視えることはなく、内部電極の表面露出の有無を正確且つ確実に判別することのできることが確認された。
【０１１８】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック素体の外表面に外部電極が形成されたセラミック電子部品において、前記セラミック素体は、ＢａＣＯ３が３５．０ｗｔ％〜３９．０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３が４．０ｗｔ％〜５．０ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３が０．５ｗｔ％〜１．５ｗｔ％、ＣａＣＯ３が０．５ｗｔ％〜１．１ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３が２．０ｗｔ％〜２．６ｗｔ％、残部がＳｉＯ２からなる磁器組成物と、Ｂ２Ｏ３が１７．０ｗｔ％〜２１．０ｗｔ％、Ｋ２Ｏが１．０ｗｔ％〜３．０ｗｔ％、残部がＳｉＯ２からなるホウケイ酸ガラスとの混合物で形成されると共に、前記ホウケイ酸ガラスの含有率が前記ホウケイ酸ガラスと前記磁器組成物との総量に対し６０ｗｔ％〜７２ｗｔ％とされ、かつ、前記外部電極は、前記ホウケイ酸ガラスが導電性材料に対し３ｗｔ％〜５ｗｔ％含有されているので、低温焼結性を損なうことなく所望の電気的特性や機械的強度を確保することができ、かつ、はんだ付け性を損なうことなく外部電極のセラミック素体への固着力を向上させることができる。
【０１１９】
また、本発明は、前記ホウケイ酸ガラスに対し０．５０ｗｔ％〜３．００ｗｔ％含有した着色剤（例えば、クロム酸化物）が、前記セラミック素体に添加されているので、電気的特性や機械的強度を損なうことなくセラミック素体の外表面が着色され、したがって製品を外部から観察した場合に内部電極の表面露出の有無を容易に判別することができる。
【０１２０】
さらに、本発明は、前記セラミック素体の表面所定箇所にマーキング形成部が設けられ、前記ホウケイ酸ガラス、前記磁器組成物、及び銅、クロム、及びマグネシウムを含む複合化合物を含有したマーキングペーストが前記マーキング形成部に塗布されると共に、前記マーキングペーストは、前記ホウケイ酸ガラスに対し１８ｗｔ％〜２６ｗｔ％の前記磁器組成物が含有されているので、低温焼結性を確保することができると共に製造過程で部品間同士が密着するのを極力回避することができ、これによりプリント基板等の配線基板に対し容易に所望方向に取り付けて実装することができ、また、コイル回路が内部に埋設されている場合に直流電流を流しても発生する磁力線の方向を容易に認識することができ、カップリングやデカップリング等の相互作用が発生しても合成インダクタンスの評価や制御が可能となる。
【０１２１】
また、本発明は、前記セラミック素体は、所定パターンからなる内部電極が埋設されているので、低温焼結性や種々の電気的特性や機械的強度を損なうことなく、外部導体のセラミック素体への固着力が良好で且つ製品検査を高精度で行うことができ、しかも実装性に優れた多層セラミック基板等の電子部品を容易に得ることができる。
【０１２２】
また、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、ＢａＣＯ３が３５．０ｗｔ％〜３９．０ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３が４．０ｗｔ％〜５．０ｗｔ％、Ｃｒ２Ｏ３が０．５ｗｔ％〜１．５ｗｔ％、ＣａＣＯ３が０．５ｗｔ％〜１．１ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３が２．０ｗｔ％〜２．６ｗｔ％、残部がＳｉＯ２からなる磁器組成物を作製し、さらにＢ２Ｏ３が１７．０ｗｔ％〜２１．０ｗｔ％、Ｋ２Ｏが１．０ｗｔ％〜３．０ｗｔ％、残部がＳｉＯ２からなるホウケイ酸ガラスを用意し、次いで前記ホウケイ酸ガラスの含有率が前記ホウケイ酸ガラスと前記磁器組成物との総量に対し６０ｗｔ％〜７２ｗｔ％となるように、前記ホウケイ酸ガラスと前記磁器組成物とを混合し、その後所定の焼成処理を施してセラミック素体を作製し、次いで導電性材料に対し前記ホウケイ酸ガラスを３ｗｔ％〜５ｗｔ％含有した導電性ペーストを前記セラミック素体の外表面に塗布・焼成して外部電極を形成するので、低温焼結性を損なうことなく所望の電気的特性や機械的強度を有し、かつセラミック素体への固着力に優れた外部電極を有するセラミック電子部品を容易に製造することができる。
【０１２３】
また、本発明の製造方法は、前記ホウケイ酸ガラスに対し０．５０ｗｔ％〜３．００ｗｔ％の着色剤を前記ホウケイ酸ガラス及び前記磁器組成物に添加した後、前記所定の焼成処理を施して前記セラミック素体を作製するので、電気的特性や機械的強度を損なうことなく外観が着色されたセラミック電子部品を容易に得ることができる。
【０１２４】
また、本発明の製造方法は、前記ホウケイ酸ガラスに対し前記磁器組成物を１８ｗｔ％〜２６ｗｔ％含有したマーキングペーストを、前記セラミック素体の表面所定箇所に塗布・焼成してマーキングするので、９００℃以下の低温での焼成処理が可能でしかも部品間同士が密着するのを極力回避するセラミック電子部品を製造することができる。
【０１２５】
前記ホウケイ酸ガラスと前記磁器組成物とを含有したセラミックシートを作製し、該セラミックシートの表面に所定の導体パターンを形成し、該導体パターンを形成した複数のセラミックシートを前記導体パターンが形成されていないセラミックシートに挟持して焼成し、セラミック素体を形成するので、セラミック素体内部にコンデンサ回路やコイル回路を内蔵した高品質で信頼性に優れたセラミック電子部品を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子部品としての積層インダクタンス素子の一実施の形態を示す断面図である。
【図２】前記積層インダクタンス素子の製造方法を説明するための図である。
【図３】積層インダクタンス素子の他の実施の形態を示す断面図である。
【符号の説明】
１  セラミック素体
２ａ、２ｂ  外部電極（電極）
５  内部電極
６  マーキング形成部
【図１】
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【図２】
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【図３】
0003888446.tif 000008