(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0003981844.tif 000019
（式中、Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、環Ａはフッ素置換されていてもよい１，４−フェニレン基を表し、ｍは２を表し、Ｒ’は水素原子を表す。）で表される化合物。
【請求項２】
一般式（Ｉ）において環Ａが２−フルオロ−１，４−フェニレン基を表す請求項１記載の化合物。
【請求項３】
請求項１又は２記載の化合物を含有し、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル又は４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサンを含有する液晶組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規液晶性化合物である、アルケニルトラン誘導体とそれを含有する液晶組成物及に関する。これらは電気光学的液晶表示用、特にネマチック液晶表示用材料として有用である。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、更に単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。
【０００３】
これらの表示方式や駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されている。中でも高速応答性はほとんどの場合に共通して非常に重要である。応答を高速化するために液晶材料に求められる物性は直接的には（ｉ）粘性を小さくするか、あるいは（ｉｉ）弾性定数を大きくすることである。しかしながら、弾性定数を大きくした場合には閾値電圧が上昇することが多い。従って、低電圧駆動が要求される場合には、弾性定数はあまり大きくせずにその粘性を小さくすることが必要である。
【０００４】
更に、液晶素子の応答を高速化するための手段としてはセル厚を薄くすることも非常に有効である。しかしながら、液晶素子においては干渉縞の発生による着色やむらを防止するために、セル厚（ｄ）と屈折率異方性（Δｎ）の積（Δｎ・ｄ）をある一定の値（0.5、1.0、1.6、2.2、通常前二者が用いられることが多い。）に設定する必要がある。従って、セル厚を薄くするためには屈折率異方性（Δｎ）の大きい液晶材料が必要である。
【０００５】
また、液晶材料にとって、広い温度範囲を示すことも非常に重要な特性である。ところが、一般に粘性が小さい化合物は液晶性が低いことが多いため、低粘性で且つ温度範囲の広い液晶組成物を得るためには、ネマチック相上限温度（ＴN-I）が高く且つその粘性が大きくない液晶化合物も必要である。
【０００６】
以上のことから、温度範囲が広く且つ高速応答が可能な液晶組成物を調製するためには、屈折率異方性（Δｎ）が大きく、ネマチック相上限温度（ＴN-I）が高く、且つその粘性があまり大きくない液晶化合物が必要であることがわかる。
【０００７】
現在、こうした条件を比較的よく満足させている液晶性化合物としては、例えば、一般式（ＩＩ）
【０００８】
【化２】
0003981844.tif 000002
【０００９】
（式中、Ｒa及びＲbは直鎖状アルキル基を表す。）で表されるシクロヘキシルトラン誘導体をあげることができる。しかしながら、これを用いても表示品質の向上に伴う液晶材料の特性向上の要求には応え難くなってきているのが実情であり、更に優れた特性を有する液晶化合物が望まれている。
【００１０】
液晶化合物において、その側鎖アルキル基に換えて、二重結合を導入したアルケニル基を用いることにより、上記の効果（粘性の低下、Δｎの増大、ＴN-Iの上昇）が得られる場合があることが知られている。しかしながら、トラン誘導体においてその側鎖にアルケニル基を導入することは決して容易ではなく、そのため具体的化合物はこれまで知られていない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、以上の目的に応じるため、Δｎが非常に大きく、ＴN-Iが高く、且つ粘性が３環式化合物としては小さい液晶性化合物である新規アルケニルトラン誘導体を提供し、更にこれを用いて低粘性で屈折率異方性（Δｎ）が大きく、更に液晶温度範囲が広い液晶組成物を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために、
１．一般式（Ｉ）
【００１３】
【化３】
0003981844.tif 000003
【００１４】
（式中、Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキル基を表し、環Ａはフッ素置換されていてもよい１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表し、ｍは２〜６の整数を表し、Ｒ’は水素原子あるいは炭素原子数１〜５のアルキル基を表す。また、Ｒ’がアルキル基である場合、二重結合はシス(Z)配置あるいはトランス(E)配置である。）で表される化合物。
２．一般式（Ｉ）においてｍ＝２であるところの上記１記載の化合物。
３．上記１又は２記載の化合物を含有する液晶組成物。
を前記解決手段とした。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一例について説明する。
上式一般式（Ｉ）において、Ｒは炭素原子数１〜１０のアルキル基を表すが、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基が好ましく、炭素原子数１〜５の直鎖アルキル基が特に好ましい。環Ａはフッ素置換されていてもよい１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を表すが、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基が好ましく、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又はトランス−１，４−シクロヘキシレン基が特に好ましい。ｍは２〜６の整数を表すが、２、４又は６の偶数が好ましく、特に２が最も好ましい。Ｒ’は水素原子又は炭素原子数１〜５のアルキル基を表すが、側鎖があまり長くなると粘性が上昇するので水素原子あるいはメチル基が好ましい。また、Ｒ’がアルキル基の場合、二重結合の立体配置はトランス(E)が好ましい。
【００１６】
一般式（Ｉ）の化合物は、例えば以下のようにして製造することができる。
即ち、一般式（ＩＩＩａ）
【００１７】
【化４】
0003981844.tif 000004
【００１８】
で表されるアルケニルベンゼン誘導体と一般式（ＩＶｂ）
【００１９】
【化５】
0003981844.tif 000005
【００２０】
で表されるフェニルアセチレン誘導体とを触媒存在下に反応させることにより容易に製造することができる。
上式において、Ｘは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子、ｐ−トルエンスルホニル基、メタンスルホニル基あるいはトリフルオロメタンスルホニル基等の脱離基を表すが、一般式（ＩＩＩａ）の化合物の製造の容易さ及び反応性から、臭素原子あるいはヨウ素原子が好ましい。また、Ｒ、環Ａ、ｍ及びＲ’は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。
【００２１】
触媒としてはパラジウム系触媒と銅(I)系化合物、特にヨウ化銅(I)を併用することが効果的であり好ましい。反応は溶媒中で行われ、溶媒としてジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等のいわゆる非プロトン性極性溶媒が好ましく、通常トリエチルアミン等のアミン系溶媒を併用する。
【００２２】
あるいは、一般式（Ｉ）の化合物は、一般式（ＩＩＩｂ）
【００２３】
【化６】
0003981844.tif 000006
【００２４】
で表されるフェニルアセチレン誘導体と一般式（Ｉｖａ）
【００２５】
【化７】
0003981844.tif 000007
【００２６】
で表されるアルケニルベンゼン誘導体とを同様に反応させることによっても容易に製造することができる。
上式において、Ｙは臭素原子、ヨウ素原子、塩素原子、ｐ−トルエンスルホニル基、メタンスルホニル基あるいはトリフルオロメタンスルホニル基等の脱離基を表すが、一般式（ＩＩＩｂ）の化合物の製造の容易さ及び反応性から、臭素原子あるいはヨウ素原子が好ましい。また、Ｒ、環Ａ、ｍ及びＲ’は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。
【００２７】
斯くして製造された本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物の代表的なものの相転移温度を第１表に掲げる。
【００２８】
【表１】
0003981844.tif 000008
【００２９】
（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチック相を、Ｉは等方性液体相をそれぞれ表し、相転移温度は『℃』である。）
本発明の化合物を液晶組成物中に添加することにより得られる優れた効果は以下の通りである。
【００３０】
本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物において、環Ａがトランス−１，４−シクロヘキシレン基、ｍ＝２、Ｒ＝Ｈを表す代表的な化合物である第１表中のＮｏ．（Ｉ−１）
【００３１】
【化８】
0003981844.tif 000009
【００３２】
の化合物２０重量％及びホスト液晶組成物（Ｈ）
【００３３】
【化９】
0003981844.tif 000010
【００３４】
８０重量％からなる液晶組成物（Ｍ−１）を調製した。
ここでホスト液晶組成物（Ｈ）の物性値は以下の通りである。
ＴN-I：                  ５４．５℃
粘度（２０℃）：          ２１．０ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  ３９．２ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）：      ０．０９２
ここで、粘度は２０℃における測定値、応答時間は立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の測定値である。
【００３５】
これに対して、（Ｍ−１）の物性値は以下のようであった。
ＴN-I：                  ８５．４℃
粘度（２０℃）：          ２２．１ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  ４１．１ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）：      ０．１３２
このように本発明の一般式（Ｉ）で表される液晶化合物により、ＴN-Iは約３１°も上昇し、屈折率異方性（Δｎ）は４０％以上も増大していることがわかる。それにもかかわらず、粘度はわずか５％しか上昇しておらず、応答時間も約５％増加したにすぎない。
【００３６】
これに対して、一般式（Ｉ）と類似構造（同様にトラン構造を有するが、両側鎖がともに直鎖状アルキル基）を有する一般式（ＩＩ）表される式（ＩＩ−１）
【００３７】
【化１０】
0003981844.tif 000011
【００３８】
の化合物２０重量％及びホスト液晶（Ｈ）８０重量％からなる組成物（ＭＲ−１）を調製した。（ＭＲ−１）の物性値は以下のようであった。
ＴN-I：                  ８３．０℃
粘度（２０℃）：          ２２．３ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  ４５．８ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）：      ０．１３１
（ＭＲ−１）の物性値は、本発明の（Ｍ−１）と比較するとその粘性と屈折率異方性（Δｎ）においてはほとんど変化がないが、応答時間及びネマチック相上限温度（ＴN-I）において（Ｍ−１）にはおよばないことがわかる。
【００３９】
従って、本発明の一般式（Ｉ）で表されるＮｏ．（Ｉ−１）の化合物は、低粘性で応答性に優れ屈折率異方性が大きく且つネマチック相温度範囲の広い液晶組成物を得る上において、従来用いられている式（ＩＩ−１）の化合物より優れた効果を示すことが明らかである。
【００４０】
同様に、本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物において、環Ａが２−フルオロ−１，４−フェニレン基、ｍ＝２、Ｒ＝Ｈを表す代表的な化合物である第１表中のＮｏ．（Ｉ−２）
【００４１】
【化１１】
0003981844.tif 000012
【００４２】
の化合物２０重量％及びホスト液晶（Ｈ）８０重量％からなる液晶組成物（Ｍ−２）を調製した。この（Ｍ−２）の物性値は以下のようであった。
ＴN-I：                  ７７．５℃
粘度（２０℃）：          ２４．１ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  ５３．６ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）：      ０．１４７
このように（Ｍ−１）と比較するとそのＴN-Iはやや低く、粘性や応答時間でもやや劣ってはいるが、屈折率異方性（Δｎ）は更に大きくなり、ホスト液晶（Ｈ）と比較すると約６０％も増大していることがわかる。
【００４３】
従って、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、ＴＮ型あるいはＳＴＮ型等の電界効果型表示セル用として、特に低粘性高速応答性の材料として好適に使用することができる。また、一般式（Ｉ）の化合物は分子内に強い極性基を持たないので、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分として使用することも可能である。
【００４４】
本発明はこのように一般式（Ｉ）で表される化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する液晶組成物をも提供するものである。
この組成物中において、本発明の一般式（Ｉ）の化合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息香酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４’−置換ビフェニリル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロヘキシル、４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有する化合物等を挙げることができる。
【００４５】
このうちアクティブマトリックス駆動用としては４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換ターフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン及び上記においてベンゼン環がフッ素置換されている化合物が適している。
【００４６】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４７】
化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認した。また、組成物の「％」は『重量％』を表す。
（参考例１）  ４−ヨード−１−（３−ブテニル）ベンゼンの合成
マグネシウム１６．４ｇを乾燥したＴＨＦ２０ｍＬ中に懸濁させた。これに４−ブロモ−１−（３−ブテニル）ベンゼン１５０ｇのＴＨＦ６００ｍＬ溶液を溶媒が穏やかに還流を続ける速度で滴下した。滴下終了後、２時間攪拌し、室温まで放冷した。ヨウ素１６２ｇをＴＨＦ４８０ｍＬに溶解し、１０℃で１時間で滴下した。滴下終了後、１時間攪拌した後、水、次いで亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加え、トルエンで抽出した。有機層を水、次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して、４−ヨード−１−（３−ブテニル）ベンゼン１７１ｇを得た。
（参考例２）  １−（３−ブテニル）−４−エチニルベンゼンの合成
参考例１で得た４−ヨード−１−（３−ブテニル）ベンゼン８６．４ｇ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(II)２．３５ｇ及びヨウ化銅(I)６３７ｍｇを、ＤＭＦ１２０ｍＬ及びトリエチルアミン９０ｍＬに溶解した。これに３０℃以下で２−メチル−３−ブチン−２−オール４２．２ｇのＤＭＦ６０ｍＬ溶液を滴下し、更に室温で２時間攪拌した。
【００４８】
稀塩酸及びトルエンを加え、水層はトルエンで抽出して有機層をあわせ、水、次いで飽和食塩水で洗滌した。無水硫酸水素ナトリウムで脱水乾燥後、減圧下に溶媒を溜去して４−［４−（３−ブテニル）フェニル］−２−メチル−３−ブチン−２−オールの粗生成物７３．７ｇを得た。
【００４９】
この全量に水酸化ナトリウム６７０ｍｇを加え、生成するアセトンを溜去しながら、８０℃で２時間攪拌した。減圧下に蒸留（１６５℃／１５mmHg）して１−（３−ブテニル）−４−エチニルベンゼン３９．３ｇを得た。
（参考例３） １−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチン（Ｉ−１）の合成
【００５０】
【化１２】
0003981844.tif 000013
【００５１】
１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−ヨードベンゼン１９．１ｇをＤＭＦ１２０ｍｌ及びトリエチルアミン２０ｍｌに溶解し、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム(II)４００ｍｇ及びヨウ化銅(I)１００ｍｇを加え攪拌した。これに参考例２で得た１−（３−ブテニル）−４−エチニルベンゼン１０ｇを３０℃以下で２時間で滴下し、更に室温で２時間撹拌した。水及び１０％塩酸を加え、水層を分離後、トルエンで抽出し、有機層をあわせ、１０％塩酸、水次いで飽和食塩水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた後、溶媒を溜去して１−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチンの粗結晶２１．３ｇを得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製し、更にエタノールから再結晶させて精製物１５．８ｇを得た。この化合物は室温では結晶でその融点は９１℃であり、２１４℃までネマチック相を示した。
【００５２】
同様にして以下の化合物を得た。
１−［４−（トランス−４−メチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−メチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−メチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−メチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチン
１−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチン
（参考例４） ２−フルオロ−４−プロピル−４’−エチニルビフェニルの合成
無水塩化アルミニウム２３．７ｇをジクロロメタン７０ｍＬに溶解し、塩化アセチル１５．１ｇを室温で滴下し、更に１時間攪拌した後、氷冷して内温を５℃以下とした。これに２−フルオロ−４−プロピルビフェニル３１．７ｇのジクロロメタン１００ｍＬ溶液を内温が１０℃を超えない速度で滴下し、更に２時間攪拌した。反応溶液を激しく攪拌した氷水中に注ぎ、有機層を分離後、水及び飽和食塩水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥後、溶媒を溜去して、２−フルオロ−４−プロピル−４’−アセチルビフェニル３８ｇを得た。
【００５３】
この全量をジクロロメタン１００ｍＬに溶解し、これをジクロロメタン５０ｍＬ中に懸濁させた五塩化リン４０．２ｇ中に室温で滴下し、更に８時間攪拌した。反応液を室温で１０％水酸化ナトリウム水溶液５００ｍＬ中に滴下し、１時間攪拌後、有機層を分離し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。溶媒を溜去後、ＴＨＦ１５０ｍＬに溶解し、これにｔ−ブトキシカリウム３３．３ｇのＴＨＦ１００ｍＬ溶液を室温で滴下した。１時間加熱還流下に攪拌した後、室温まで放冷し、１０％塩酸２００ｍＬに注いだ。有機層を分離して溶媒を溜去し、水層は酢酸エチル２００ｍＬで抽出して有機層の濃縮液とあわせた。水、飽和食塩水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。溶媒を溜去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して２−フルオロ−４−プロピル−４’−エチニルビフェニル２２ｇを得た。
（実施例１） ２−フルオロ−４−プロピル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル（Ｉ−２）の合成
【００５４】
【化１３】
0003981844.tif 000014
【００５５】
参考例４で得た２−フルオロ−４−プロピル−４’−エチニルビフェニル及び参考例１で得た４−ヨード−１−（３−ブテニル）ベンゼンから参考例３と同様にして２−フルオロ−４−プロピル−４−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニルを得た。この化合物は室温では結晶で、その融点は８２．５℃であり、１８４℃までネマチック相を示した。
【００５６】
同様にして以下の化合物を得た。
２−フルオロ−４−メチル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−エチル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−ブチル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−ペンチル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−メチル−４’−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−エチル−４’−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−プロピル−４’−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−ブチル−４’−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−ペンチル−４’−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−メチル−４’−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−エチル−４’−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−プロピル−４’−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−ブチル−４’−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−ペンチル−４’−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−メチル−４’−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−エチル−４’−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−プロピル−４’−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−ブチル−４’−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
２−フルオロ−４−ペンチル−４’−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−メチル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−エチル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−ブチル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−ペンチル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−メチル−４’−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−エチル−４’−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−プロピル−４’−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−ブチル−４’−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−ペンチル−４’−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−メチル−４’−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−エチル−４’−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−プロピル−４’−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−ブチル−４’−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−ペンチル−４’−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−メチル−４’−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−エチル−４’−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−プロピル−４’−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−ブチル−４’−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
３−フルオロ−４−ペンチル−４’−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニルビフェニル
２，３−ジフルオロ−４−メチル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２，３−ジフルオロ−４−エチル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２，３−ジフルオロ−４−ブチル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２，３−ジフルオロ−４−ペンチル−４’−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニルビフェニル
４−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル−４’−メチルビフェニル
４−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル−４’−エチルビフェニル
４−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル−４’−プロピルビフェニル
４−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル−４’−ブチルビフェニル
４−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル−４’−ペンチルビフェニル
４−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル−４’−メチルビフェニル
４−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル−４’−エチルビフェニル
４−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル−４’−プロピルビフェニル
４−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル−４’−ブチルビフェニル
４−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル−４’−ペンチルビフェニル
４−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニル−４’−メチルビフェニル
４−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニル−４’−エチルビフェニル
４−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニル−４’−プロピルビフェニル
４−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニル−４’−ブチルビフェニル
４−［４−（トランス−３−ヘキセニル）フェニル］エチニル−４’−ペンチルビフェニル
４−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル−４’−メチルビフェニル
４−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル−４’−エチルビフェニル
４−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル−４’−プロピルビフェニル
４−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル−４’−ブチルビフェニル
４−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル−４’−ペンチルビフェニル
（比較例１）液晶組成物の調製（１）
汎用のホスト液晶（Ｈ）
【００５７】
【化１４】
0003981844.tif 000015
【００５８】
を調製した。このホスト液晶（Ｈ）は５４．５℃以下でネマチック相を示し、粘度、そのときの応答時間及び屈折率異方性（Δｎ）は以下の通りであった。
粘度（２０℃）：          ２１．０ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  ３９．２ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）：      ０．０９２
ここで、粘度は２０℃における測定値、応答時間は２０℃における立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）が等しくなる電圧印加時の測定値である。
【００５９】
このホスト液晶（Ｈ）８０％及び参考例３で得た第１表中（Ｉ−１）
【００６０】
【化１５】
0003981844.tif 000016
【００６１】
の化合物２０％からなるネマチック液晶組成物（Ｍ−１）を調製した。この（Ｍ−１）の特性値は以下のようであった。
ＴN-I ： ８５．４℃
粘度（２０℃）： ２２．１ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： ４１．１ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１３２
このように、本発明の（Ｍ−１）のＴN-I は約３１°も上昇し、屈折率異方性（Δｎ）は４０％以上も増大している。それにもかかわらず、粘度はわずか５％しか上昇しておらず、応答時間も約５％増加したにすぎない。従って、本発明のＮｏ．（Ｉ−１）の化合物は、温度範囲が高温域まで広く、屈折率異方性が大きく、且つ粘性の小さいネマチック液晶組成物を得るために極めて有効であることがわかる。
（比較例２）これに対して、一般式（Ｉ）と類似構造（同様にトラン骨格を有するが、両側鎖がともに直鎖状アルキル基）を有する一般式（ＩＩ）で表される式（ＩＩ−１）
【００６２】
【化１６】
0003981844.tif 000017
【００６３】
の化合物２０％及びホスト液晶（Ｈ）８０％からなる組成物（ＭＲ−１）の特性値は以下のようであった。
ＴN-I ： ８３．０℃
粘度（２０℃）： ２２．３ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）： ４５．８ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）： ０．１３１
これを（Ｍ−１）の物性値と比較すると、その粘性と屈折率異方性（Δｎ）においてはほとんど変化がないが、応答時間は（Ｍ−１）と比較して約１０％遅く、ネマチック相上限温度（ＴN-I ）においても（Ｍ−１）より低いことがわかる。 従って、本発明のＮｏ．（Ｉ−１）の化合物は、低粘性で応答性に優れ屈折率異方性が大きく且つネマチック相温度範囲の広い液晶組成物を得る上において、式（ＩＩ−１）の化合物より優れた効果を示
すことが明らかである。
（実施例２）液晶組成物の調製（２）
ホスト液晶（Ｈ）８０％及び実施例２で得た第１表中のＮｏ．（Ｉ−２）
【００６４】
【化１７】
0003981844.tif 000018
【００６５】
の化合物２０％からなるネマチック液晶組成物（Ｍ−２）を調製した。この（Ｍ−２）の特性値は以下のようであった。
ＴN-I：                  ７７．５℃
粘度（２０℃）：          ２４．１ｃｐ
応答時間（τｒ＝τｄ）：  ５３．６ｍ秒
屈折率異方性（Δｎ）：      ０．１４７
このように（Ｍ−１）と比較すると、そのＴN-Iはやや低く、粘性や応答時間でもやや劣ってはいる。しかしながら、屈折率異方性（Δｎ）は更に大きくなり、ホスト液晶（Ｈ）と比較すると約６０％も増大していることがわかる。
【００６６】
【発明の効果】
本発明により提供される、アルケニルトラン誘導体は、実施例にも示したように工業的にも容易に製造することができる。得られたアルケニルトラン誘導体は、従来用いれている同様あるいは類似骨格を有する３環性のトラン誘導体化合物と比較すると、ネマチック相上限温度が高く、その応答性の改善効果に優れるため、それ含有する液晶組成物は実用的液晶として、特に温度範囲が広く高速応答を必要とする液晶表示用として極めて有用である。