(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
大面積の配線基板に複数の半導体素子を電気的に接続して搭載し、半導体素子の搭載位置に合わせた開口部を有するマスクを、前記開口部の内側に半導体素子を位置させるようにして配線基板に重ね、封止材をスキージを往復させて前記開口部に刷り込むことにより、配線基板上に印刷封止し、その後ダイシングする工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記封止材が、少なくとも、エポキシ樹脂、硬化剤、板状無機充填剤を含有する無機充填剤を配合してなる液状エポキシ樹脂組成物であり、板状無機充填剤がスキージで擦られることにより扁平な板状無機充填剤の粒子が配線基板と平行な方向に部分的に配向するものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記板状無機充填剤が、ガラスフレークであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記スキージが、前記マスクとの接触面において複数の凹部を有することを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体素子等の電子部品の封止用材料としてエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が一般的に用いられている。更に、近年の軽薄短小化の流れの中で、液状の封止用樹脂組成物を用い、大面積を一括で封止し、その後ダイシングする工程が多く見られるようになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記工程においても、封止用樹脂組成物の硬化に伴う硬化収縮等に起因して電子部品を搭載した配線基板の反り等が発生し、これを低減或いは制御することが難しいという問題点が解消できていなかった。
【０００４】
本発明は、上記事由に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、電子部品を搭載した配線基板の反り等を軽減できる半導体装置の製造方法及びこの製造方法により製造した半導体装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１に係る半導体装置の製造方法にあっては、大面積の配線基板に複数の半導体素子を電気的に接続して搭載し、半導体素子の搭載位置に合わせた開口部を有するマスクを、前記開口部の内側に半導体素子を位置させるようにして配線基板に重ね、封止材をスキージを往復させて前記開口部に刷り込むことにより、配線基板上に印刷封止し、その後ダイシングする工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記封止材が、少なくとも、エポキシ樹脂、硬化剤、板状無機充填剤を含有する無機充填剤を配合してなる液状エポキシ樹脂組成物であり、板状無機充填剤がスキージで擦られることにより扁平な板状無機充填剤の粒子が配線基板と平行な方向に部分的に配向するものであることを特徴とするものである。
【０００６】
請求項２に係る半導体装置の製造方法にあっては、請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記板状無機充填剤が、ガラスフレークであることを特徴とするものである。
【０００７】
請求項３に係る半導体装置の製造方法にあっては、請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記スキージが、前記マスクとの接触面において複数の凹部を有することを特徴とするものである。
【０００８】
請求項４に係る半導体装置にあっては、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。なお、本発明の半導体装置の製造方法及び半導体装置は、下記の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。また、図１はスキージを用いて印刷封止する従来例を示すもので、（ａ）は印刷方法の概略を示す断面図、（ｂ）は印刷封止された半導体装置の概略を示す断面図である。図２は本発明の半導体装置の製造方法におけるスキージを用いて印刷封止する工程の概略を示す断面図である。図３は本発明の半導体装置の製造方法の評価において使用するマスク２ｂ、評価用素子３ｂ、評価用基板４ｂの配置の概略を示す上面図である。図４は本発明の半導体装置の製造方法の評価において印刷封止する工程の概略を示す断面図である。図５は本発明の半導体装置の製造方法の評価において使用したスキージ６の概略形状を示すもので、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図、（ｄ）はマスク２との接触面が平坦である通常のスキージ６ａにおける（ｃ）のＡの部分を拡大した図、（ｅ）はマスク２との接触面において複数の凹部を有するスキージ６ｂにおける（ｃ）のＡの部分を拡大した図である。図６は本発明の半導体装置の製造方法の評価においてディスペンス法で封止する工程の概略を示す断面図である。
【００１０】
一般に、半導体素子を配線基板に実装してなる半導体装置は、配線基板に半導体素子を搭載し、ボンディングワイヤーで半導体素子を配線基板に電気的に接続したり、半導体素子に設けたバンプで半導体素子を配線基板に電気的に接続したりした後、封止材で半導体素子を封止することによって、製造されるが、この封止に際しては、コストアップ要因となる高チクソトロピー性を有する封止材が必要となるディスペンサーを用いた塗布封止方法に代わって、厚み制御の精度が高く、通常の封止材を使用できるスキージを用いて印刷封止する方法が採用されている。
【００１１】
図１（ａ）は、その一例を示すものであり、開口部１を設けてマスク２を形成し、開口部１で半導体素子３を囲むように配線基板４の上にマスク２を重ね、マスク２の上に供給された液状の封止材５をスキージ６ｃで擦ることによってマスク２の開口部１を通して封止材５を印刷したのち、マスク２を外して封止材５を硬化させることによって、図１（ｂ）のように封止材５で半導体素子３を封止することができるものである。
【００１２】
一方、上述の大面積を一括で封止し、その後ダイシングする工程を含む製造方法においては、かかる印刷封止による方法による場合においても、上記の電子部品を搭載し、かつその後封止樹脂を塗布し、硬化させた後の基板、電子部品、封止材全体の反りの問題は、深刻であり、有効な解決方法が、待望されていた。
【００１３】
本発明は、かかる観点よりなされたものであって、鋭意、検討の結果、本発明を完成するに至ったものである。即ち、本発明の半導体装置の製造方法は、図２に示すように、配線基板４ａに半導体素子３ａを電気的に接続（図示せず）して搭載し、半導体素子３ａの搭載位置に合わせた開口部１ａを有するマスク２ａを、前記開口部１ａの内側に半導体素子３ａを位置させるようにして配線基板４ａに重ね、封止材５ａをスキージ６を往復させて前記開口部１ａに刷り込むことにより、配線基板４ａ上に印刷封止する工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記封止材５ａが、少なくとも、エポキシ樹脂、硬化剤、板状無機充填剤を含有する無機充填剤を配合してなる液状エポキシ樹脂組成物であり、板状無機充填剤がスキージで擦られることにより扁平な板状無機充填剤の粒子が配線基板と平行な方向に部分的に配向するものであるという特徴を有するものである。
【００１４】
ここで使用可能な板状無機充填剤としては、アルミナ、水酸化アルミニウム、カオリンクレー、酸化鉄、セリサイト、二硫化モリブデン、硫酸バリウム、バーミキュライト（蛭石）、タルク、マイカ（雲母）、鱗片状シリカ、ガラスフレーク等が例示できるが、特に、電子部品用途としては、品質、成分の安定した合成品であるガラスフレーク等が好ましい。なお、ここでいうフレークとは、鱗片状形状を有するものをいう。
【００１５】
さらに、本発明に係る半導体装置の製造方法に使用可能なガラスフレークとしては、例えば、ガラスフレークＲＥＦ-０１５（日本板硝子社（株）製）等の市販品が例示可能である。また、上記ガラスフレーク等の板状無機充填剤の他に、併用可能な無機充填剤としては、溶融シリカ、結晶シリカ、微粉シリカ、窒化珪素、マグネシア等、半導体封止用に使用される任意のものを例示することができる。更に、当然ながら、前述のガラスフレークについても、上記市販品のみに限定されるものではなく、上記課題解決に寄与し得る限りにおいて、何ら制限がないことはいうまでもない。
【００１６】
一方、これと併用されるエポキシ樹脂は、通常、半導体封止材において使用可能なエポキシ樹脂であれば、特に限定はないが、具体的には、例えば、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ブロム含有エポキシ樹脂、ナフタレン骨格を持ったエポキシ樹脂等を挙げることができる。
【００１７】
また硬化剤としては、エポキシ樹脂硬化用のものであれば特に制限されないが、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、テルペン型フェノール樹脂等各種の多価フェノール樹脂、酸無水物を挙げることができる。ここで、エポキシ樹脂に対する硬化剤の当量比は、０．５〜１．５になるように設定するのが好ましく、０．７〜１．３になるようにするのがより好ましい。
【００１８】
硬化促進剤としては、エポキシ樹脂と硬化剤の反応を促進させる作用があるものであれば特に制限はない。例えば、トリフェニルフォスフィン、ジフェニルフォスフィン等の有機フォスフィン系硬化促進剤、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７〔１，８−Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ［５．４．０］ｕｎｄｅｃ−７−ｅｎｅ〕（ＤＢＵ）、トリエタノールアミン、ベンジルジメチルアミン等の３級アミン系硬化促進剤、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・ブロマイド等の有機塩類、１−ベンジル，２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール類等が挙げられる。
【００１９】
また、これらの硬化促進剤の一種類を単独で使用しても、二種類以上を併用して用いても差し支えない。更に、上記以外にも、イミダゾール系マイクロカプセル型潜在性触媒等も、硬化促進剤として用いることが出来る。その中でも特に有機フォスフィン系、有機塩類、イミダゾール類が好ましい。
【００２０】
また、上記硬化促進剤の含有率は０．０５〜２．０質量％であるのが好ましい。添加量が０．０５質量％以下の場合には、エポキシ樹脂と硬化剤の反応の十分な促進効果が得られず、硬化時間の短縮を図る事が困難となる。また、上記硬化促進剤の含有率が、２質量％以上の場合には、安定したポットライフの確保が困難となる。
【００２１】
本発明に係る半導体装置の製造方法に使用可能な液状エポキシ樹脂組成物は、上記のエポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、無機充填剤等を主成分とし、さらに必要に応じてシリコーン成分、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランやγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、難燃剤、界面活性剤、着色剤、反応性希釈剤、溶剤等を配合し、これをミキサーやブレンダー等で均一に混合した後に、ニーダーやロールで加熱混練することによって調製することができるものである。
【００２２】
そして上記のようにして調製した液状エポキシ樹脂組成物を用いて封止成形して、本発明に係る半導体装置を作製することができ、例えば、典型的には、基板等の上にＩＣ等の半導体素子を実装し、これを、スキージを使用した印刷法により封止成形することによって、半導体素子を液状エポキシ樹脂組成物による封止樹脂で封止した半導体装置を作製することができるというものである。
【００２３】
【実施例】
以下、本発明に係る半導体装置の製造方法において、少なくとも、エポキシ樹脂、硬化剤、板状無機充填剤を含有する無機充填剤を配合してなる液状エポキシ樹脂組成物を封止材として用いた場合の反りの低減効果を確認するために評価用素子を用いた評価を行なった。これを以下の実施例によって具体的に説明する。
【００２４】
（樹脂組成物の調製）
エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂であるジャパンエポキシレジン（株）製「エピコート８２８」（エポキシ当量１８９）を用いた。硬化剤としては、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸系硬化剤であるジャパンエポキシレジン（株）製「エピキュアＹＨ−３０７」を用いた。更に、硬化促進剤として、イミダゾール系マイクロカプセル型潜在性触媒である旭化成エポキシ（株）製「ノバキュアＨＸ−３６１３」を用いた。また、カップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランである信越化学（株）製「ＫＢＭ−４０３」を用い、無機充填剤としては、ガラスフレークであるＲＥＦ-０１５[粒度分布：４５ｍμ以下（８８％以上）、４５ｍμ〜１７００ｍμ（２２％以下）]（日本板硝子社（株）製）の他に、天然シリカ（破砕状シリカ）である（株）龍森製「ＲＤ−８」を用いた。
【００２５】
そして、上記のエポキシ樹脂を１０質量％、硬化剤を９質量％、硬化促進剤を０.５質量％、カップリング剤を０.５質量％、無機充填剤を８０質量％の配合量で配合し、プラネタリーミキサー等により、攪拌、混合、分散を行うことによって、実施例１〜２及び比較例１〜２に使用する液状エポキシ樹脂組成物を得た。なお、液状エポキシ樹脂組成物における無機充填剤の質量比（配合比）は、表１に示す通りである。
【００２６】
（評価用半導体装置の作成）次に、上記のようにして得た実施例１〜２及び比較例１〜２に使用する液状エポキシ樹脂組成物を用いて、スキージを用いた印刷法、或いは、ディスペンス法により、ビスマレイミドトリアジン樹脂よりなる基板上にフリップチップ実装により搭載した評価用素子の封止を行ない、反りの低減効果を確認した。
【００２７】
即ち、印刷法においては、図３に示したように、ビスマレイミドトリアジン樹脂よりなる評価用基板４ｂ（２００ｍｍ[Ｘ方向]×１２０ｍｍ[Ｙ方向]）に評価用素子３ｂ（１０ｍｍ[Ｘ方向]×１０ｍｍ[Ｙ方向] ×０.３ｍｍ[Ｚ方向〔紙面に垂直方向：図示せず〕]）を１０４個（１３個[Ｘ方向]×８個[Ｙ方向]）搭載し、開口部１ｂ（１９０ｍｍ×１１０ｍｍ）を設けて形成したステンレス製のマスク２ｂ（マスク厚み：０.７ｍｍ[Ｚ方向]）を開口部１ｂの内側に評価用素子３ｂを位置させて評価用基板４ｂに重ね、図４に示したように、マスク２ｂの上に封止材として供給された上記液状エポキシ樹脂組成物５ａをポリアミド樹脂製のスキージ６でＸ方向に擦ってマスク２ｂの開口部１ｂを通して印刷した後、１００℃で１時間、更に１５０℃で３時間の条件で液状エポキシ樹脂組成物を硬化させて封止厚みが０.６ｍｍ[Ｚ方向]の評価用半導体装置７ａ（実施例１、２及び比較例１）を得た。
【００２８】
このときのスキージ移動速度は、１０ｍｍ/ｓであった。なお、スキージ６としては、マスクとの接触面が平坦である通常のスキージ６ａ（図５（ｄ）：ｄ1＝１.０ｍｍ）とマスクとの接触面において複数の凹部を有するスキージ６ｂ（図５（ｅ）：ｄ1＝１.０ｍｍ、ｄ2＝０.１ｍｍ、ｄ3＝０.１ｍｍ、ｄ4＝０.３ｍｍ）を用いた。
【００２９】
一方、ディスペンス法においては、図６に示すように、上記印刷法と同等の封止エリアとなるよう、塗布エリアを制御するため、評価用素子３ｂを搭載した評価用基板４ｂに印刷法において使用したマスク２ｂを、上記印刷法と同様に、開口部１ｂの内側に評価用素子３ｂが位置するように評価用基板４ｂに重ね、上記液状エポキシ樹脂組成物５ａを開口部１ｂの上にシリンジ８で滴下法により供給し、開口部１ｂ内部に充填した。これを、上記印刷法と同様に、１００℃で１時間、更に１５０℃で３時間の条件で液状エポキシ樹脂組成物を硬化させて封止厚みが０.６ｍｍ[Ｚ方向]の評価用半導体装置７ｂ（比較例２）を得た。
【００３０】
（評価用半導体装置における反りの評価）
このようにして得た上記液状エポキシ樹脂組成物５ａを封止材として用いた評価用半導体装置７ａ及び７ｂの反りを表面粗さ計を使用して測定した。評価用半導体装置７ａ及び７ｂを評価用基板４ｂの評価用素子３ｂを搭載した面を上面になるように平面上に置いた場合に、反りによって、評価用基板４ｂの端部が上記平面から弓状に浮く場合を正の値で、その反対に評価用基板４ｂの中央部が上記平面から弓状に浮く場合を負の値で表した。この場合、その絶対値（単位：ｍｍ）は、表面粗さ計によって得られた上記平面からの距離の最大値と、最大値との差とした。かかる表面粗さ計による測定は、各辺を測定し、Ｘ方向、Ｙ方向について、それぞれの平均値を測定値とした。
【００３１】
【表１】
0003973448.tif 000002
表１の反り変位量の測定結果より以下の事実が明らかとなった。
(1)無機充填剤としてガラスフレークを使用した場合、スキージを用いた印刷法に依った実施例１、実施例２がディスペンス法によった比較例２よりも、その反り変位量が小さい。
(2) マスクとの接触面において複数の凹部を有するスキージを用いて印刷法により封止した実施例１と比較例１の比較から無機充填剤としてガラスフレークを使用した実施例１に反り変位量が認められないのに対し、無機充填剤として天然シリカのみを使用した比較例１には、反りが認められた。
(3)マスクとの接触面において複数の凹部を有するスキージを用いて印刷法により封止した実施例１とマスクとの接触面が平坦であるスキージを用いた実施例２との比較から実施例１に反り変位量が認められないのに対し、実施例２には反りが認められた。
【００３２】
これらの事実から、無機充填剤として扁平な鱗片状形状を有する板状無機充填剤であるガラスフレークを用いた効果として反りの低減が達成されたものと考えることができる。即ち、ガラスフレークに代表される板状無機充填剤が、スキージを用いた印刷法において、スキージで擦られることにより扁平な板状無機充填剤の粒子が基板と平行な方向に部分的に配向し、エポキシ樹脂の硬化に伴う内部応力に抵抗したことによるものと考えれば、上記の結果は、合理的な解釈が可能となると考えられる。即ち、スキージを用いた印刷法による実施例１、実施例２がディスペンス法による比較例２よりも、その反り変位量が小さいことは、印刷法による場合は、スキージを用いて封止材である液状エポキシ樹脂組成物を擦ることにより、ガラスフレークが液状エポキシ樹脂組成物中で配向するため、このような配向が、期待できないディスペンス法による比較例２の場合よりも反り変位量が小さくなったためと考えられる。
【００３３】
また、スキージを用いて印刷法により封止した実施例１と比較例１の比較において、無機充填剤としてガラスフレークを使用した実施例１に反り変位量が認められないのに対し、無機充填剤として天然シリカのみを使用した比較例１には、反りが認められたことは、扁平な鱗片状形状を有する板状無機充填剤であるガラスフレークには、上記のようなスキージを用いた印刷法における粒子の配向が想定できるのに対し、天然シリカのみを使用した場合は、スキージを用いた印刷法によっても、無機充填剤の配向が期待できないことと符合している。
【００３４】
一方、マスクとの接触面において複数の凹部を有するスキージを用いて印刷法により封止した実施例１とマスクとの接触面が平坦であるスキージを用いた実施例２との比較から実施例１に反り変位量が認められないのに対し、実施例２には反りが認められたことから、実施例１において、マスクとの接触面において複数の凹部を有するスキージで液状エポキシ樹脂組成物を擦ることにより、ガラスフレークの配向の程度が、マスクとの接触面が平坦であるスキージを用いた実施例２の場合よりも高くなり、反りの低減効果が、更に、顕著になったものと推認できる。
【００３５】
この結果、配線基板に半導体素子を電気的に接続して搭載し、半導体素子の搭載位置に合わせた開口部を有するマスクを、前記開口部の内側に半導体素子を位置させるようにして配線基板に重ね、封止材をスキージを往復させて前記開口部に刷り込むことにより、配線基板上に印刷封止する工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記封止材が、少なくとも、エポキシ樹脂、硬化剤、板状無機充填剤を含有する無機充填剤を配合してなる液状エポキシ樹脂組成物である場合には、かかる液状エポキシ樹脂組成物の硬化後において、印刷封止に係る配線基板の反りを低減できることとなる。
【００３６】
さらに、当該スキージが、マスクとの接触面において、板状無機充填剤の粒子の粒度分布範囲内の寸法の複数の凹部を有する場合には、上記した印刷封止に係る配線基板の反りの低減効果が一層顕著なものとなる。
【００３７】
この結果、かかる半導体装置の製造方法により製造された半導体装置では、印刷封止に係る配線基板の反りの低減が達成されたものとなる。
【００３８】
【発明の効果】
以上のように、本発明の請求項１〜請求項２に係る半導体装置の製造方法にあっては、大面積の配線基板に複数の半導体素子を電気的に接続して搭載し、半導体素子の搭載位置に合わせた開口部を有するマスクを、前記開口部の内側に半導体素子を位置させるようにして配線基板に重ね、封止材をスキージを往復させて前記開口部に刷り込むことにより、配線基板上に印刷封止し、その後ダイシングする工程を備えた半導体装置の製造方法において、前記封止材が、少なくとも、エポキシ樹脂、硬化剤、板状無機充填剤を含有する無機充填剤を配合してなる液状エポキシ樹脂組成物であり、板状無機充填剤がスキージで擦られることにより扁平な板状無機充填剤の粒子が配線基板と平行な方向に部分的に配向するものであることを特徴とするので、かかる液状エポキシ樹脂組成物の硬化後において、印刷封止に係る配線基板の反りを低減できるという優れた効果を奏する。
【００３９】
請求項３に係る半導体装置の製造方法にあっては、請求項１または請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記スキージが、前記マスクとの接触面において複数の凹部を有することを特徴とするので、印刷封止に係る配線基板の反りの低減効果が一層顕著になるという優れた効果を奏する。
【００４０】
請求項４に係る半導体装置にあっては、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とするので、印刷封止に係る配線基板の反りの低減が達成された半導体装置となるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】スキージを用いて印刷封止する従来例を示すもので、（ａ）は印刷方法の概略を示す断面図、（ｂ）は印刷封止された半導体装置の概略を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法におけるスキージを用いて印刷封止する工程の概略を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の評価において使用するマスク２ｂ、評価用素子３ｂ、評価用基板４ｂの配置の概略を示す上面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法の評価において印刷封止する工程の概略を示す断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法の評価において使用したスキージ６の概略形状を示すもので、（ａ）は斜視図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図、（ｄ）はマスク２との接触面が平坦である通常のスキージ６ａにおける（ｃ）のＡの部分を拡大した図、（ｅ）はマスク２との接触面において複数の凹部を有するスキージ６ｂにおける（ｃ）のＡの部分を拡大した図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法の評価においてディスペンス法で封止する工程の概略を示す断面図である。
【符号の説明】
１      開口部
１ａ    開口部
１ｂ    開口部
２      マスク
２ａ    マスク
２ｂ    マスク
３      半導体素子
３ａ    半導体素子
３ｂ    評価用素子
４      配線基板
４ａ    配線基板
４ｂ    評価用基板
５      封止材
５ａ    液状エポキシ樹脂組成物（封止材）
６      スキージ
６ａ    スキージ
６ｂ    スキージ
６ｃ    スキージ
７      半導体装置
７ａ    評価用半導体装置
７ｂ    評価用半導体装置
８      シリンジ
９      作業台
【図１】
0003973448.tif 000003
【図２】
0003973448.tif 000004
【図３】
0003973448.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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