(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記〔ａ〕項ないし〔ｄ〕項に記載のステップを順次実行することを特徴とする金属ベース配線板の製造方法
〔ａ〕ベース金属(1) の表裏両面に絶縁層(2,3) が形成され、少なくともその表面側に金属箔層(4) が形成された金属ベース配線板を用い、その表面側及び裏面側の絶縁層(2,3) の一部を除去してベース金属が露出したグランド部(5) 、ホール部(60,80) 及び端子形成部(800) を形成したのち、グランド部(5) においては表面側の金属箔層(4) とベース金属(1) を電気的に接続せしめ、また、ホール部(60,80) においてはホール部内に形成された導電材料によりビアホール(60,80) を形成せしめるステップと、表面側の導電材料メッキ及び金属箔層をエッチングして、ベース金属(1) につながるリード部(10a,10b) を含む所望の回路パターン(11)を形成すると共に、裏面側には、上記ビアホール(80)につながる端子(81)を形成するため、各ビアホール(80)の周囲のベース金属を裏面側から除去するステップ。
〔ｂ〕上記回路パターンのうち、貴金属メッキを施すべき箇所(5,7,8,9) を露出させ、リード部(10a,10b) 及び他の回路部分を被覆するよう上記回路パターンに耐メッキ性のマスキング(13a,13b,13c) を施すステップ。
〔ｃ〕ベース金属(1) から上記リード部(10a,10b) を通じて上記回路パターン(11)及び各端子(81)に給電を行い、電気メッキにより上記回路パターン上のメッキを施すべき箇所(5,7,8,9) 及び各端子(81)の表面に貴金属メッキ(5G,7G,8G,9G,81G) を施すステップ。
〔ｄ〕上記リード部及び他の回路部分を被覆した耐メッキ性のマスキング（13a,13b,13c ）を取り外すステップと、上記リード部（10a,10b ）を除去するステップ。
【請求項２】
下記〔ａ〕項ないし〔ｄ〕項に記載のステップを順次実行することを特徴とするボールグリッドアレイ用又はランドグリッドアレイ用の金属ベース配線板の製造方法。
〔ａ〕ベース金属(1) の表裏両面に絶縁層(2,3) が形成され、少なくともその表面側に金属箔層(4) が形成された金属ベース配線板を用い、その表面側及び裏面側の絶縁層(2,3) の一部を除去してベース金属が露出したグランド部(5) 、ホール部(60,80) 及び検出端子形成部(800) を形成したのち、グランド部(5) においては表面側の金属箔層(4) とベース金属(1) を電気的に接続せしめ、また、ホール部(60,80) においてはホール部内に形成された導電材料によりビアホール(60,80) を形成せしめるステップと、表面側の導電材料メッキ及び金属箔層をエッチングして、ワイヤボンディングパッド部(7) 、半田ボールパッド部(8) 、電源部(9) 、及びこれらを上記グランド部と電気的に接続するリード部(10a,10b) を含む所望の回路パターン(11)を形成すると共に、裏面側には、上記ビアホール(80)につながる検出端子(81)を形成するため、各ビアホール(80)の周囲のベース金属を裏面側から除去するステップ。
〔ｂ〕上記回路パターンのうち、貴金属メッキを施すべきワイヤボンディングパッド部(7) 、半田ボールパッド部(8) 、電源部(9) 及びグランド部(5) を露出させ、リード部(10a,10b) 及び他の回路部分を被覆するよう上記回路パターンに耐メッキ性のマスキング(13a,13b,13c) を施すステップ。
〔ｃ〕ベース金属(1) から上記リード部(10a,10b) を通じて上記回路パターン(11)及び各検出端子(81)に給電を行い、電気メッキにより上記ワイヤボンディングパッド部(7) 、半田ボールパッド部(8) 、電源部(9) 、グランド部(5) 及び各検出端子(81)の表面に貴金属メッキ(5G,7G,8G,9G,81G) を施すステップ。
〔ｄ〕上記リード部及び他の回路部分を被覆した耐メッキ性のマスキング（13a,13b,13c ）を取り外すステップと、上記リード部（10a,10b ）を除去するステップ。
【請求項３】
上記〔ａ〕ステップで用いる金属ベース配線板の表裏両面の絶縁層が、耐熱性の熱可塑性樹脂から成る請求項１又は２に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項４】
上記〔ｃ〕ステップにおいて、給電の８０％以上をベース金属からリード部(10a,10b) を通じて行う請求項１又は２に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項５】
上記〔ｃ〕ステップの電気メッキにおいて、貴金属メッキに先立ち、ニッケルメッキを施す請求項１又は２に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項６】
上記〔ｃ〕ステップの貴金属メッキにおける貴金属が、金、銀又はパラジウムである請求項１又は２に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項７】
上記〔ｄ〕ステップにおいてリード部を除去するため、前記他の回路部分にソルダーレジストを塗布したのちエッチングを行い、リード部をエッチングにより除去する場合において、上記〔ｂ〕ステップのリード部及び他の回路部分を被覆する耐メッキ性のマスキング操作における当該他の回路部分については、耐メッキ性のマスキングに代えて上記〔ｄ〕ステップのソルダーレジストの塗布作業を直ちに行い、耐メッキ性のマスキングは省略する請求項１又は２に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項８】
ボールグリッドアレイ用又はランドグリッドアレイ用基板の作製において、上記〔ｄ〕ステップを実行後、更に〔ｅ〕ステップとして、所要の金型曲げ絞り加工を行うステップを実行する請求項２に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項９】
ボールグリッドアレイ又はランドグリッドアレイ用基板の作製において、上記〔ｂ〕ステップを実行後に所要の金型曲げ絞り加工を行った後、上記〔ｃ〕、〔ｄ〕ステップを行うことを特徴とする請求項２に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項１０】
上記金型曲げ絞り加工を行う部分を電気貴金属メッキから保護するため、当該加工部分に伸び率が２０％以上の耐熱性樹脂層(2')を設ける請求項８又は９に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項１１】
上記金型曲げ絞り加工を行う部分に配線が形成されている場合において、当該配線を感光性ポリイミドから成るソルダーレジストで保護する請求項８又は９に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項１２】
上記〔ｅ〕ステップを実行後、１枚の金属ベース配線板から多数のボールグリッドアレイ用基板への打ち抜き加工を行う請求項８又は９に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項１３】
下記〔ｆ〕項ないし〔ｉ〕項に記載のステップを順次実行することを特徴とする金属ベース配線板の製造方法。
〔ｆ〕ベース金属(1) の表裏両面に絶縁層(2,3) が形成され、少なくともその表面側に金属箔層(4) が形成された金属ベース配線板を用い、その表面側の絶縁層の一部をホール状に除去してベース金属が露出したホール部(60,80) を形成したのち、表面側に導電材料によるメッキを施すことにより、ホール部(60,80) 内に形成されたメッキ層によるビアホール(60,80) を介して表面側の金属箔層(4) とベース金属(1) を電気的に接続せしめるステップと、表面側の導電材料メッキ及び金属箔層をエッチングして、上記ビアホール(60,80) につながる所望の回路パターン(11)を形成するステップ。
〔ｇ〕上記回路パターン(11)のうち、貴金属メッキを施すべき箇所(5,7,8,9) を露出させ、他の回路部分を被覆するよう上記回路パターンに耐メッキ性のマスキング(13a) を施すステップ。
〔ｈ〕ベース金属(1) から上記ビアホール(60,80) を通じて上記回路パターン(11)に給電を行い、電気メッキにより上記メッキを施すべき箇所(5,7,8,9) に貴金属メッキ(5G,7G,8G,9G) を施すステップ。
〔ｉ〕上記表面側の耐メッキ性のマスキング(13a) を取り外し、表面全体に耐エッチング用のマスキングを施すと共に、裏面側に、上記ビアホール（80) につながる端子(81)を形成するため、各ビアホール(80)の周囲のベース金属を裏面側からエッチングにより除去するステップ。
【請求項１４】
下記〔ｆ〕項ないし〔ｉ〕項に記載のステップを順次実行することを特徴とするボールグリッドアレイ用又はランドグリッドアレイ用の金属ベース配線板の製造方法。
〔ｆ〕ベース金属(1) の表裏両面に絶縁層(2,3) が形成され、少なくともその表面側に金属箔層(4) が形成された金属ベース配線板を用い、その表面側の絶縁層の一部を除去してベース金属が露出したホール部(60,80) を形成したのち、表面側に導電材料によるメッキを施すことにより、上記ホール部内に形成されたメッキ層によるビアホール(60,80) を介して表面側の金属箔層(4) とベース金属(1) を電気的に接続せしめるステップと、表面側の導電材料メッキ及び金属箔層をエッチングして、ワイヤボンディングパッド部(7) 、半田ボールパッド部(8) 、電源部(9) を含む所望の回路パターン(11)を形成するステップ。
〔ｇ〕上記回路パターンのうち、貴金属メッキを施すべきワイヤボンディングパッド部(7) 、半田ボールパッド部(8) 、電源部(9) 及びグランド部(5) を露出させ、他の回路部分を被覆するよう上記回路パターンに耐メッキ性のマスキング(13a) を施すステップ。
〔ｈ〕ベース金属(1) から上記ビアホール(60,80) を通じて上記回路パターン(11)に給電を行い、電気メッキにより上記ワイヤボンディングパッド部(7) 、半田ボールパッド部(8) 、電源部(9) 及びグランド部(5) に貴金属メッキ(5G,7G,8G,9G) を施すステップ。
〔ｉ〕上記表面側の耐メッキ性のマスキング(13a) を取り外し、表面全体に耐エッチング用のマスキングを施すと共に、裏面側に、上記ビアホール(80)につながる検出端子(81)を形成するため、各ビアホール(80)の周囲のベース金属を裏面側からエッチングにより除去するステップ。
【請求項１５】
上記〔ｆ〕ステップで用いる金属ベース配線板の表裏両面の絶縁層において、少なくともベース金属と絶縁層との界面が、耐熱性の熱可塑性樹脂から成る請求項１３又は１４に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項１６】
上記〔ｈ〕ステップにおいて、給電の８０％以上をベース金属からビアホール（60,80 ）を通じて行う請求項１３又は１４に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項１７】
上記〔ｈ〕ステップの電気メッキにおいて、貴金属メッキに先立ち、ニッケルメッキを施す請求項１３又は１４に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項１８】
上記〔ｈ〕ステップの貴金属メッキにおける貴金属が、金、銀又はパラジウムである請求項１３又は１４に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項１９】
ボールグリッドアレイ用又はランドグリッドアレイ用基板の作製において、上記〔ｉ〕ステップを実行後、更に〔ｊ〕ステップとして、表面側の耐エッチング用のマスキングを取り外し、ワイヤボンディングパッド部、半田ボールパッド部、電源部及びグランド部以外の回路部分にソルダーレジストを塗布したのち、所要の金型曲げ絞り加工を行う請求項１４に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項２０】
ボールグリッドアレイ又はランドグリッドアレイ用基板の作製において、上記〔ｇ〕ステップを実行後に所要の金型曲げ絞り加工を行った後、上記〔ｈ〕、〔ｉ〕ステップを行うことを特徴とする請求項１４に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項２１】
上記金型曲げ絞り加工を行う部分を電気貴金属メッキから保護するため、当該加工部分に伸び率が２０％以上の耐熱性樹脂層(2')を設ける請求項１９に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項２２】
上記金型曲げ絞り加工を行う部分に配線が形成されている場合において、当該配線を感光性ポリイミドから成るソルダーレジストで保護する請求項１９に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項２３】
上記〔ｉ〕ステップを実行後、更に、〔ｊ’〕ステップとして、表面側全体に耐メッキ性のマスキングを施すステップと、〔ｋ〕ステップとして、端子(81)とその周辺のベース金属が露出した部分に無電解のニッケルメッキを施すステップとを実行する請求項１３又は１４に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【請求項２４】
上記〔ｋ〕ステップを実行後、更に、〔ｌ〕ステップとして、無電解のフラッシュ金メッキを施すステップを実行する請求項２３に記載の金属ベース配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属ベース配線板の製造方法に関し、特に、多面取り金属ベース配線板上に形成された配線の特定部分に電気メッキ法によりニッケル及び貴金属のメッキを施す方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
金属ベース配線板に貴金属メッキを施す方法として従来より一般的に次の（１）〜（４）の方法が知られている。
（１）リード線を必要とせず、無給電でメッキを行ういわゆる無電解メッキ法が知られている。この方法で銅配線の上に貴金属メッキを行う場合は、銅が貴金属内に拡散するのを防ぐためにニッケルメッキを行い、その上に貴金属メッキを行うのが一般的である。
この方法のメリットとしては、配線の表面での化学反応を利用するため、メッキ厚みの均一性が高いこと（従ってファインパターンに好適）、メッキリード線を必要としないこと（従って独立回路にも容易にメッキができる）が挙げられ、一部の半導体パッケージ関係で使用されている。
しかしながら、この方法のデメリットは、一般的にＮｉメッキは無電解Ｎｉ・Ｐ合金（Ｐ濃度は５〜１０％）となるため、Ｎｉが純金属でなくなることである。その結果、配線板特に半導体パッケージで近年使用が伸びているボールグリッドアレイ（以下ＢＧＡと略す）で使用される半田あるいは半田ボールを実装したとき、半田とＮｉ・Ｐ合金との接合強度が電気メッキに比べて平均的に弱く、接合強度（ボールのシェアー強度、引っ張り強度、衝撃強度など）のバラツキも大きくなる。そのため、接合信頼性に不安を残している。
また、表面の金の純度も電気メッキの場合に比べて相対的に低い。また、ワイヤーボンド前に加熱されると金の下地のニッケルが金表面に拡散してくるため、金の純度をさらに低下させる。その結果、金のワイヤーボンド性が電気メッキに比べて劣るのが実状である。
また、メッキすべき部分に微少な異物が存在すると、周辺のＮｉ，Ａｕメッキの厚みが薄くなったり、変色して商品価値が低下したり、使用できなくなる場合がある。
更にまた、コスト的にも、電気メッキの２倍以上のコストを必要とする。
したがって、ファインパターンとか独立回路などが必要な場合以外での無電解メッキの利用は少ないのが実状である。
【０００３】
（２）一般的に、配線の一部にニッケル及び貴金属を電気メッキする方法が利用されているが、その場合の給電方法の一つとして、メッキしない部分をソルダーレジスト（以下、「ＳＲ」と略す）等で保護した後、メッキする配線層に給電するためのリード配線を、配線層と同一面内で配線板の外側へ導き出すように設け、このリード配線から給電する方法が採られている。
この給電方法のメリットは、形成したＮｉ，Ａｕメッキの純度が高いので、半田ボールを実装したときのボール強度が安定して高く信頼性が高いことである。
他方、そのデメリットは、金属ベース配線板では配線板の外側からメッキリード線を取って電気メッキした場合、その後、配線板を一定サイズにカットする工程が必要になることである。絶縁層が５０μｍ以下の薄い場合は、カットした断面でメッキリード線とベース金属間のスペースが５０μｍ以下となる。一般的にはカットした金属のバリが多かれ少なかれ発生するので更にスペースが小さくなる。そのために、カットした時点でベース金属とメッキリード線がショートしたり、長期使用中や信頼性試験中に絶縁抵抗が減少するという問題点がある。
また、通常の配線の他に、メッキリード線が必要となるので、引き回し配線の密度が上がり、細かい配線の場合は実質上引けなくなる場合があるという問題点がある。
ファインパターンになる程、外部リード配線は細く抵抗が増大する。そのため、ニッケル電気メッキする箇所までの外部リード配線の長さに従って、電位が異なるようになり、ニッケル厚みのバラツキが生じる。特に生産上合理的な大サイズの配線基板においてその傾向が大きくなる。例えば、４００×５００ｍｍのサイズの場合、Ｎｉメッキを最低３μｍのルールでメッキすると、場所により３〜１５μｍのバラツキを生じるのが一般的である。このようにニッケル厚みのバラツキが大きいと、ニッケル厚みの大きい部分は配線が太る形になり、配線間のスペースが狭くなり、ショートする場合が発生するので好ましくない。その制約のため、一般にはスペースが５０μｍ以上の場合や、外部リード線の長さを短くできるＴＡＢのような小さい基板にしか使用できないのが実情である。
【０００４】
（３）配線の一部にニッケル及び貴金属を電気メッキする場合におけるもう一つの給電方法として、多面取り配線板の配線層を２層以上にして、各個別配線板面の近傍まで表面メッキリード線で給電し、各個別面配線板の中で貴金属電気メッキする配線層にビアホールを介して貴金属電気メッキする配線層の下の配線層から給電する方法と、配線層と同一面の外部リードから給電する方法を併用して、表面のメッキリードからだけでは困難な部分への貴金属電気メッキを可能にする方法が知られている。
この方法は基本的に外部メッキリードの給電方法が上記（３）の場合と同じであるので、メリット、デメリットも共通である。
【０００５】
（４）バスレス法として知られている方法があり、その場合、先ず、配線板用の絶縁体の上に無電解銅メッキ及び電気メッキにより銅の薄膜（通常５μｍ以下）を形成したり、絶縁体に銅箔を積層したのち銅箔を均一エッチングして薄く（通常５μｍ以下）したりすることにより、絶縁体上に銅の薄膜を形成する。その後、アディティブ法で銅を所定厚みにメッキし、さらに、その銅の上にＮｉメッキをかけ、更に金メッキを行う。その後、アディティブ法用のレジストを除去したのち、金メッキをレジストにして全体の銅を薄く除去することで、金メッキされた独立配線を形成する。
このバスレス法のメリットは、外部からのメッキリード線を設けるが必要がなく、そのため、外部の配線と独立した配線に貴金属メッキができることである。
他方、デメリットとして、絶縁体上に形成された銅の薄膜に電気抵抗があるため、ニッケルを電気メッキする際に、部分的に電位差を生じ、そのため、ニッケルメッキの厚さのバラツキが大きいという問題がある。一般的には３μｍ以上のメッキ厚みを目標とすると、３〜１２μｍ程度の厚みムラを生じる。
また、配線の側面の一部に銅がむき出しになる（そのために銅薄膜は５μｍ以下にされている）ので、配線の保護のため、金メッキの上からＳＲを形成する必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記問題点を解決するためなされたものであり、その課題とするところは、金属ベース配線板の表面配線層のワイヤーボンドパッド部やボールパッド部などの特定箇所に、外部リード線を使用することなく、電気メッキにより均一な厚みのニッケル及び貴金属メッキを施すことのできる方法を提供することにある。特に、サイズの大きな多面取り金属ベース配線板の表面配線層の特定部分に、均一な厚みのニッケル及び貴金属電気メッキ層を形成し、そのメッキ厚みの最大、最小の差が５μｍ以下、好ましくは４μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以下であるような良好なメッキ層を形成し得る金属ベース配線板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、
下記〔ａ〕項ないし〔ｄ〕項に記載のステップ、即ち、
〔ａ〕ベース金属の表裏両面に絶縁層が形成され、少なくともその表面側に金属箔層が形成された金属ベース配線板を用い、その表面側及び裏面側の絶縁層の一部を除去してベース金属が露出したグランド部、ホール部及び端子形成部を形成したのち、グランド部においては表面側の金属箔層とベース金属を電気的に接続せしめ、また、ホール部においてはホール部内に形成された導電材料によりビアホールを形成せしめるステップと、表面側の導電材料メッキ及び金属箔層をエッチングして、ベース金属につながるリード部を含む所望の回路パターンを形成すると共に、裏面側には、上記ビアホールにつながる端子を形成するため、各ビアホールの周囲のベース金属を裏面側から除去するステップと、
〔ｂ〕上記回路パターンのうち、貴金属メッキを施すべき箇所を露出させ、リード部及び他の回路部分を被覆するよう上記回路パターンに耐メッキ性のマスキングを施すステップと、
〔ｃ〕ベース金属から上記リード部を通じて上記回路パターン及び各端子に給電を行い、電気メッキにより上記回路パターン上のメッキを施すべき箇所及び各端子の表面に貴金属メッキを施すステップと、
〔ｄ〕上記リード部及び他の回路部分を被覆した耐メッキ性のマスキングを取り外すステップと、上記リード部を除去するステップと、
を順次実行することを特徴とする金属ベース配線板に貴金属メッキを施す方法によって達成できる。
【０００８】
また、上記方法を適用して、ボールグリッドアレイ用又はランドグリッドアレイ用の金属ベース配線板を製造する場合は、下記〔ａ〕項ないし〔ｄ〕項に記載のステップ、即ち、
〔ａ〕ベース金属の表裏両面に絶縁層が形成され、少なくともその表面側に金属箔層が形成された金属ベース配線板を用い、その表面側及び裏面側の絶縁層の一部を除去してベース金属が露出したグランド部、ホール部及び検出端子形成部を形成した後、グランド部においては表面側の金属箔層とベース金属を電気的に接続せしめ、また、ホール部においてはホール部内に形成された導電材料によりビアホールを形成せしめるステップと、表面側の導電材料メッキ及び金属箔層をエッチングして、ワイヤボンディングパッド部、半田ボールパッド部、電源部、及びこれらを上記グランド部と電気的に接続するリード部を含む所望の回路パターンを形成すると共に、裏面側には、上記ビアホールにつながる検出端子を形成するため、各ビアホールの周囲のベース金属を裏面側から除去するステップと、
〔ｂ〕上記回路パターンのうち、貴金属メッキを施すべきワイヤボンディングパッド部、半田ボールパッド部、電源部及びグランド部を露出させ、リード部及び他の回路部分を被覆するよう上記回路パターンに耐メッキ性のマスキングを施すステップと、
〔ｃ〕ベース金属から上記リード部を通じて上記回路パターン及び各検出端子に給電を行い、電気メッキにより上記ワイヤボンディングパッド部、半田ボールパッド部、電源部、グランド部及び各検出端子の表面に貴金属メッキを施すステップと、
〔ｄ〕上記リード部及び他の回路部分を被覆した耐メッキ性のマスキングを取り外すステップと、上記リード部を除去するステップと、
を順次実行することにより、本発明の前記目的を達成できる。
【０００９】
更にまた、本発明の前記目的は、
下記〔ｆ〕項ないし〔ｉ〕項に記載のステップ、即ち、
〔ｆ〕ベース金属の表裏両面に絶縁層が形成され、少なくともその表面側に金属箔層が形成された金属ベース配線板を用い、その表面側の絶縁層の一部をホール状に除去してベース金属が露出したホール部を形成したのち、表面側に導電材料によるメッキを施すことにより、ホール部内に形成されたメッキ層によるビアホールを介して表面側の金属箔層とベース金属を電気的に接続せしめるステップと、表面側の導電材料メッキ及び金属箔層をエッチングして、上記ビアホールにつながる所望の回路パターンを形成するステップと、
〔ｇ〕上記回路パターンのうち、貴金属メッキを施すべき箇所を露出させ、他の回路部分を被覆するよう上記回路パターンに耐メッキ性のマスキングを施すステップと、
〔ｈ〕ベース金属から上記ビアホールを通じて上記回路パターンに給電を行い、電気メッキにより上記メッキを施すべき箇所に貴金属メッキを施すステップと、
〔ｉ〕上記表面側の耐メッキ性のマスキングを取り外し、表面全体に耐エッチング用のマスキングを施すと共に、裏面側に、上記ビアホールにつながる端子を形成するため、各ビアホールの周囲のベース金属を裏面側からエッチングにより除去するステップと、
を順次実行することを特徴とする金属ベース配線板の製造方法によって達成できる。
【００１０】
また、上記方法を適用して、ボールグリッドアレイ用又はランドグリッドアレイ用の金属ベース配線板を製造する場合は、下記〔ｆ〕項ないし〔ｉ〕項に記載のステップ、即ち、
〔ｆ〕ベース金属の表裏両面に絶縁層が形成され、少なくともその表面側に金属箔層が形成された金属ベース配線板を用い、その表面側の絶縁層の一部を除去してベース金属が露出したホール部を形成したのち、表面側に導電材料によるメッキを施すことにより、上記ホール部内に形成されたメッキ層によるビアホールを介して表面側の金属箔層とベース金属を電気的に接続せしめるステップと、表面側の導電材料メッキ及び金属箔層をエッチングして、ワイヤボンディングパッド部、半田ボールパッド部、電源部を含む所望の回路パターンを形成するステップと、
〔ｇ〕上記回路パターンのうち、貴金属メッキを施すべきワイヤボンディングパッド部、半田ボールパッド部、電源部およびグランド部を露出させ、他の回路部分を被覆するよう上記回路パターンに耐メッキ性のマスキングを施すステップと、
〔ｈ〕ベース金属から上記ビアホールを通じて上記回路パターンに給電を行い、電気メッキにより上記ワイヤボンディングパッド部、半田ボールパッド部、電源部及びグランド部に貴金属メッキを施すステップと、
〔ｉ〕上記表面側の耐メッキ性のマスキングを取り外し、表面全体に耐エッチング用のマスキングを施すと共に、裏面側に、上記ビアホールにつながる検出端子を形成するため、各ビアホールの周囲のベース金属を裏面側からエッチングにより除去するステップと、
を順次実行することにより、本発明の前記目的を達成できる。
ここで〔ａ〕項及び〔ｆ〕項のそれぞれに記載された２つのステップの順番は記載のとおりでもよいし、その逆でもよい。
【００１１】
なお、ベース金属としては、その機械的強度、重量などから、銅板の場合、その厚さが０．１ｍｍ以上、２ｍｍ以下のものを用いることが推奨される。
【００１２】
なお、上記〔ａ〕又は〔ｆ〕ステップで用いる金属ベース配線板の表裏両面の絶縁層は、少なくとも絶縁層とベース金属との界面が耐熱性の熱可塑性樹脂から成るものが好適に利用できる。
また、〔ａ〕ステップにおいて、表面側の金属箔層とベース金属を導電材料により接続する手段としては、例えば、表面側に導電材料によるメッキを施したり、導電性のペーストを塗布したりする方法が挙げられる。
【００１３】
上記〔ｃ〕ステップにおいては、給電の８０％以上をベース金属からリード部を通じて行い、また、上記〔ｈ〕ステップにおいては、給電の８０％以上をベース金属からビアホールを通じて行うようにすることが推奨される。
【００１４】
上記〔ｃ〕ステップ又は〔ｈ〕ステップの電気メッキにおいて、貴金属メッキに先立ち、ニッケルメッキを施すのが一般的である。
また、ニッケル以外でも金メッキへの銅のマイグレーションが防げる金属であれば種類にこだわらず使用できる。
【００１５】
上記〔ｃ〕ステップ又は〔ｈ〕ステップの貴金属メッキにおける貴金属としては、金、銀又はパラジウムが好適に利用される。
【００１６】
上記〔ｄ〕ステップにおいて、リード部を除去する手段としては、例えば、前記他の回路部分にソルダーレジストを塗布したのちエッチングを行って、リード部をエッチングにより除去する方法が挙げられる。その場合、上記〔ｂ〕ステップのリード部及び他の回路部分を被覆する耐メッキ性のマスキングにおいて、当該他の回路部分については、耐メッキ性のマスキングに代えて上記〔ｄ〕ステップのソルダーレジストの塗布作業を直ちに行い、耐メッキ性のマスキングは省略することも可能である。
また、電源部、グランド部は当該他の回路部分と同様にソルダーレジストの塗布作業を直ちに行い、貴金属メッキを行わない場合もある。
また、〔ｄ〕ステップにおけるリード部を除去する手段としては、上記の如きエッチングのほか、レーザー加工等による物理的な除去も可能である。
【００１７】
ボールグリッドアレイ用又はランドグリッドアレイ用基板の作製においては、上記〔ｄ〕ステップを実行後、更に〔ｅ〕ステップとして、所要の金型曲げ絞り加工を行い、半導体チップを搭載する場所を設けるステップを行うか、或いは、上記〔ｂ〕ステップ実行後に所要の金型曲げ絞り加工を行い、半導体チップを搭載する場所を設け、その後ステップ〔ｃ〕、〔ｄ〕を行うことが実用的である。
【００１８】
また、ボールグリッドアレイ用又はランドグリッドアレイ用基板の作製においては、上記〔ｉ〕ステップを実行後、更に〔ｊ〕ステップとして、表面側の耐エッチング用のマスキングを取り外し、ワイヤボンディングパッド部、半田ボールパッド部、電源部及びグランド部以外の回路部分にソルダーレジストを塗布したのち、所要の金型曲げ絞り加工を行い、更に、上記半田ボールパッド部に半田ボール付けを行うと共に、上記ソルダーレジストの表面の所要箇所にダム付けを行うステップを実行するのが一般的である。
また、ボールグリッドアレイ又はランドグリッドアレイ用基板の作製において、上記〔ｇ〕ステップを実行後に所要の金型曲げ絞り加工を行った後、上記〔ｈ〕、〔ｉ〕ステップを行うことも実用的である。
【００１９】
上記金型曲げ絞り加工を行う部分を電気貴金属メッキから保護するため、当該加工部分に伸び率が２０％以上の耐熱性樹脂絶縁層、好ましくはポリイミド絶縁層を設けることが推奨される。このような耐熱性絶縁層を絞り加工部に施すことによって絶縁層の破壊が防止できる。伸び率が２０％以上である耐熱性樹脂としては、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ＰＥＳ、液晶ポリマー、感光性ポリイミド等が例示できる。
【００２０】
上記金型曲げ絞り加工を行う部分に配線が形成されている場合においては、当該配線を特開平１１−５２５７０に示されるような感光性ポリイミドから成るソルダーレジストで保護することが推奨される。
【００２１】
１枚の金属ベース配線板から多数のボールグリッドアレイ用又はランドグリッドアレイ用基板を多面取りする場合には、上記〔ｅ〕ステップ又は〔ｊ〕ステップを実行後、個々のボールグリッドアレイ用又はランドグリッドアレイ用基板への打ち抜き加工を行うようにする。
【００２２】
なお、上記〔ｉ〕ステップを実行すると、裏面側の端子とその周辺領域ではベース金属としての銅等が露出していることになり、加工品が置かれている環境によってはこれらの表面が腐食する場合があるため、その露出部分を保護する目的でニッケルメッキを施すことが望ましい。従って、上記〔ｉ〕ステップを実行後、更に、〔ｊ’〕ステップとして、表面側全体に耐メッキ性のマスキングを施すステップと、〔ｋ〕ステップとして、端子(81)とその周辺のベース金属が露出した部分に無電解のニッケルメッキを施すステップとを実行することが推奨される。この場合のニッケル厚みは、０．５〜５μｍ程度が好ましい。
更に環境安定性を向上させる必要がある場合には、上記〔ｋ〕ステップを実行後、更に、〔ｌ〕ステップとして、無電解のフラッシュ金メッキを施すステップを実行することも推奨される。その場合の金メッキの厚みは、０．０１〜０．５μｍ程度が好ましい。
なお、耐メッキ性のマスキング材としては塩ビゾルが好適に用いられる。
【００２３】
本発明は、上記の如く、無電解メッキではなく電気メッキにより貴金属メッキを施し、その場合、外部からのリード線を用いることなく、ベース金属を利用して給電を行うように構成したので、得られるニッケル及び貴金属メッキ厚みの均一性が高くなる。
またそのようにニッケル厚みのバラツキが少ないので、ニッケルメッキによる銅パターンの太り方のバラツキが少ない。それにより、パターン間のスペース設計が容易になり、ファインパターンで最小スペースが２０μｍのような配線パターンが可能になる。
また、ボールグリッドアレイ用基板（ＢＧＡ）のように半田ボールを金等の貴金属メッキの上に形成する場合、溶融半田はメッキされた金等の貴金属を総て吸収するが、金等の貴金属メッキの厚みのバラツキも少ないために、貴金属が多量に半田の中に吸収されて半田の強度を低下させることが少ない。溶融半田は金メッキを総て吸収するため、金メッキの厚さのみに比例して半田ボール内の金濃度が高くなる。金濃度が高くなると半田ボールの強度が低下することが知られている。
【００２４】
なお、上記の如く、メッキ厚みのバラツキが少ない理由は、ベース金属の電気抵抗が非常に低いため、給電に際して、ベース金属板の中の電位差が非常に低く、そのため、ベース金属に接続するリード部やビアホールを適切に配置することにより、ニッケル及び貴金属メッキする多くの配線の電位差を小さくできるからである。
従って、例えば、メッキをする配線基板のワークボードサイズが□５００ｍｍのように大きくてもニッケル厚みのバラツキを小さくすることが可能である。
また、この金属ベース配線板を最終的に細断して得られるパッケージ（以下、「ＰＫＧ」と略す）の外周部に電源部を設けることが出来る。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつゝ本発明を具体的に説明する。
図１〜図５は、本発明に係るメッキ方法によりボールグリッドアレイ用基板（ＢＧＡ）を作製する第１の実施例において、前記〔ａ〕〜〔ｅ〕ステップを順次実行したときの各段階における金属ベース配線板の状態を示す拡大説明図、図６〜図１０は、本発明に係るメッキ方法によりＢＧＡを作製する第２の実施例において、前記〔ｆ〕〜〔ｊ〕ステップを順次実行したときの各段階における金属ベース配線板の状態を示す拡大説明図である。
なお、各図の上側には加工処理すべき金属ベース配線板の上面図が示され、下側にはその断面図が示されている。また、各断面図のハッチングは説明を判りやすくするため、適宜省略してあり、上面図にも必要に応じて断面図と対応する部分にハッチングを施してある。
また、図示した部分は、１枚の金属ベース配線板から多数取りされるＢＧＡの更にその一部分のみを拡大して示したものである。
【００２６】
図中、１はベース金属、２，３は絶縁層、４は回路パターンを形成する銅箔層、５はグランドリング部、６はグランドビア、６０はそのビアホール、７はワイヤボンディングパッド部、８は半田ボールパッド部、８０はビアホール、８１は検出端子、９は電源リング部、１０ａ及び１０ｂはリード部、１１は回路パターン、１２はダイパッド部、１３ａ〜１３ｄは耐金メッキドライフィルム、１４はソルダーレジスト、１５は半田ボール、１６はダムである。
【００２７】
〔実施例１〕
先ず、図１〜図５に示す実施例について説明する。
本発明で用いる金属ベース配線板のベース金属１としては、銅板など電気伝導性、熱伝導性が良い物が使われるが、必ずしも銅板には限定されず、例えば、銅合金、鉄、ニッケル、モリブデンや、それらの合金を用いることも可能である。
この場合、板厚が０．１〜５ｍｍのものが望ましい。
また、絶縁層２，３は、電気絶縁性、耐熱性に優れていれば材料の種類は特には限定しない。ポリイミド（以下「ＰＩ」と略す）は電気絶縁性、耐熱性で特に優れているため、絶縁層２，３の素材として好適に利用し得る。
熱可塑性ポリイミドを介して銅板と銅箔を積層した金属ベース基板が特に優れている。
【００２８】
なお、本発明の好適な用途は、半導体パッケージであるＢＧＡ用基板のようなファインパターンを要求する分野であるので、以下の説明ではＢＧＡ用基板への貴金属メッキを例にとって説明する。
【００２９】
〔ａ〕図１〜図５に示す本発明の第１の実施例において、金属ベース基板として、三井化学（株）製のクールベース（銅箔１８μｍ／ポリイミド１２μｍ／銅板０．３５ｍｍ／ポリイミド３０μｍ／銅箔１８μｍ）を用いた。クールベース基板のサイズは４００ｍｍ×５００ｍｍであり、ＢＧＡ基板サイズは□３５ｍｍである（９９個のＢＧＡが取れる）。
上記金属ベース配線板の表面側には、図１に示すような回路パターン１１を形成し、裏面側には検出端子８１を形成するまでの処理について説明する。
（イ）金属ベース基板の表面側の絶縁層２及び裏面側の絶縁層３の所定箇所をレーザーエッチングで除去するために、先ず、表面側にはビアホール形成用の穴明き銅マスク（銅マスクの孔径は０．１５ｍｍ）、グランドリング用の銅マスク（幅は０．３ｍｍ）及びダイパッド部用銅マスク（□１５ｍｍ）を通常の方法で形成した。裏面側には、検出端子形成部８００のための銅マスクを利用してエッチング法で形成した。銅マスクの穴径は０．９ｍｍであった。
（ロ）次いで、ポリイミド（ＰＩ）から成る表面側の絶縁層２をレーザーでエッチングし、グランドビアホール６，ビアホール８０を形成すべき部分並びにグランドリング部５及びダイパッド部１２を形成すべき部分のベース銅１を露出させた。また、裏面側の絶縁層３をレーザーでエッチングし、検出端子８１を形成すべき部分８００のベース銅１を露出させた。
なお、（イ）、（ロ）においてダイパッド部１２の絶縁が必要な場合は、その部分の絶縁層を除去しない。それにはダイパッド部の銅マスクを除去しなければよい。
（ハ）次いで、銅のエッチング液で銅箔層４の全面をエッチングして、銅箔層４の厚みを約１／２に薄くした。
（ニ）然るのち、先ず無電解銅メッキを０．１μｍの厚さで、絶縁部も含めて金属ベース基板の面全体に行い、次に電気メッキで銅メッキ層を面全体に形成した。これによって、上記グランドビアホール６，ビアホール８０を形成すべき部分及びグランドリング５の形成部分において露出したベース銅１と銅箔層４とを当該銅メッキ層により電気的に接続した。
（ホ）次いで、定法に則り銅箔層４の表面にパターンフィルムを貼り、回路パターン１１を形成した。
また、裏面側には、上記ビアホール８０につながる端子８１を形成するため、各ビアホール８０の周囲のベース金属を裏面側から厚銅エッチングにより除去した。
以上の加工処理によって、図１に示すように、金属ベース配線板上の部分的に貴金属メッキを施す必要のある箇所を有する全ての回路が、グランドリング部５からメッキリード部１０ａ及び１０ｂを経由して、あるいはまた、グランドビアホール６を介して、ベース銅１と電気的に接続されていることになる。検出端子８１は、グランドリング部５からメッキリード部１０ａ及び１０ｂを経由し、さらに回路パターン１１からビアホール８０を通じてベース銅１に接続されていることになる。
従って、本発明では、各ＢＧＡ基板の外側からの電解メッキ用のリード線はまったく設けていない。また、配線ルールは、ボールパッド間でＬ／Ｓ＝４０／４０μｍ、ワイヤーボンドパッド部（以下、「ＷＢ部」と略す。）のスペースはmin.２５μｍであった。
【００３０】
〔ｂ〕次いで、図２に示すように、上記回路パターンのうち、貴金属メッキを施すべきワイヤボンディングパッド部７、半田ボールパッド部８、電源リング部９及びグランドリング部５及びダイパッド部１２を除く領域、即ち、メッキリード部１０ａ及び１０ｂ（図１参照）と、他の回路部分を被覆するように耐メッキ性のマスキング（耐金メッキドライフィルム）１３ａ，１３ｂ，１３ｃを施した。裏面側については、貴金属メッキすべき部分は検出端子８１の表面であり、他の部分は絶縁層３で被覆されているので、図示した実施例の場合、特にマスキングを施す必要はない。
【００３１】
〔ｃ〕露出回路、即ち、表面側のワイヤボンディングパッド部７、半田ボールパッド部８、電源リング部９、グランドリング部５、ダイパッド部１２及び裏面側の検出端子８１の表面を洗浄し、銅厚みが約３μｍ薄くなるようにソフトエッチングした後、ベース銅１からメッキリード部１０ａ，１０ｂ及びグランドビアホール６，ビアホール８０を通じて上記回路パターン及び検出端子に給電することにより、上記露出回路に電気Ｎｉメッキを３μｍ形成し、その上に金メッキを０．５μｍ形成した。図３中、５Ｇ，７Ｇ，８Ｇ，９Ｇ，１２Ｇ及び８１Ｇで示す部分が、上記の如くして形成されたメッキ層である。
その時のＮｉメッキ厚みは各ＢＧＡ用基板全体で３．０〜６．０μｍであり、厚みの均一性は非常に良好であった。また、金メッキ厚みは各ＢＧＡ用基板全体で０．５〜０．７μｍであり良好であった。
この結果、金メッキ後のＷＢ部のスペース２０μｍ以上が確保されていた。
【００３２】
〔ｄ〕前記耐金メッキドライフィルム１３ａ，１３ｂ，１３ｃを剥離した後、メッキリード部１０ａ，１０ｂ以外の回路パターン部分にソルダーレジスト（ＳＲ）１４を塗布する。これにより、メッキリード部１０ａ，１０ｂのみ銅配線が露出することとなり、他の露出部分には金メッキ５Ｇ，７Ｇ，８Ｇ，９Ｇ，１２Ｇ，８１Ｇが施されていることになる。
この状態で銅のエッチング処理を行うことにより、ソルダーレジスト塗布部や金メッキ部分はエッチングされず、銅のメッキリード部１０ａ，１０ｂのみがエッチングにより除去される（図４参照）。
以上で、本発明による金属ベース配線板への貴金属メッキ処理は完了する。
【００３３】
〔ｅ〕最後に、金型加工により、図５に示す如く、半導体チップを取り付けるためのダイパッド部１２に段差を形成し、更に、半田ボールパッド部８に半田ボール１５付けを行うと共に、上記ソルダーレジスト１４の表面の所要箇所にダム１６付けを行い、金型加工で３５ｍｍ角に打ち抜き加工することで多数のＢＧＡ用基板が完成する。
【００３４】
〔比較例１〕
（ａ）実施例１の場合と同一の金属ベース配線板に対し実施例１の（イ）〜（ハ）と同一の加工処理を行った。
次いで、各ＢＧＡ基板（□３５ｍｍ）の外部リード線を含めて回路加工を定法に則り行った。配線ルールはボールパッド間でＬ／Ｓ＝３２／３２μｍとなり回路形成がより難しい方向になった。また、線幅が狭い場合は配線の電気抵抗が大きくなり、信号線内での電圧降下が増えて好ましくないという問題点も発生する。ＷＢ部は実施例と同じでスペースは最小２５μｍであった。
（ｂ）所定の方法でＳＲを形成したのち、外部メッキリード線を利用してＳＢ部、ＷＢ部、必要に応じて電源リング部に、また、ベース銅板を使用してグランドリング部に給電してＮｉメッキ及び金メッキを行った。
Ｎｉメッキ厚みは４００×５００ｍｍサイズの基板の中では３〜１１μｍとバラツキが大きかった。金メッキ厚みは０．５〜１．０μｍと大きかった。
この結果、ＷＢ部のスペースはＮｉメッキ厚みが約１０μｍ以上のように厚い部分では１０μｍ程度が多く絶縁信頼性上好ましくない状態であった。さらに、ＷＢ部でショートして使用できない基板の確率が増加した。
その後の加工は実施例１と同じに行った。
【００３５】
ＳＲでカバーされた外部からのメッキリード線が金型加工で打ち抜き切断されるが、その際にメッキリード線の端部がバリとなってベース銅に数μｍに接近したり、さらにはショートするケースが発生した。このような事は半導体ＰＫＧの信頼性として好ましくないものであった。
また、外部リード線はＢＧＡ配線に載る信号が５００ＭＨｚ以上の高周波になるとアンテナ作用で信号に乱れを生じさせるなどの悪影響を生じる場合がある。
【００３６】
〔比較例２〕
（ａ）比較例１の（ａ）と同様の加工処理を行った。
（ｂ）外部メッキリード部とＳＲ形成予定部に耐金メッキドライフィルムでカバーした。
外部メッキリード線を利用してＳＢ部（半田ボールパッド部）、ＷＢ部、必要に応じて電源リング部に、また、ベース銅板を使用してグランドリング部に給電してＮｉメッキ及び金メッキを行った。
Ｎｉメッキ厚みは４００×５００ｍｍサイズの基板の中では３〜１１μｍとバラツキが大きかった。金メッキ厚みは０．５〜１．０μｍと大きかった。
耐金メッキドライフィルムを剥離した後、外部メッキリード部の内、金型加工で切断する最外側のリード部以外の所定部分にＳＲをカバーした。
その後の加工は実施例１と同じに行った。
【００３７】
この方法は比較例１で発生した金型加工で外部メッキリード線が打ち抜き切断された際のベース金属との接近、ショートの問題は回避できるが、ＷＢ部のスペースが狭小すぎたり、ショートする問題点は回避されなかった。
【００３８】
〔実施例２〕
次に、図６〜図１０に示す本発明の第２の実施例について説明する。
この実施例においては、メッキ部分への給電を、ベース金属からビアホールを通じて行うように構成してある。
【００３９】
〔ｆ〕図６〜図１０に示す実施例において、金属ベース基板として、三井化学（株）製のクールベース（銅箔１８μｍ／ポリイミド１２μｍ／銅板０．３５ｍｍ／ポリイミド３０μｍ／銅箔１８μｍ）を用いた。クールベース基板のサイズは４００ｍｍ×５００ｍｍであり、ＢＧＡ基板サイズは□３５ｍｍである（９９個のＢＧＡが取れる）。
（イ）上記金属ベース配線板の表面側の絶縁層２及び裏面側の絶縁層３の所定箇所をレーザーエッチングで除去するために、先ず、表面側にビアホール形成用の銅マスクを銅箔を利用して、通常のエッチング法で形成した。銅マスクの穴径は０．１５ｍｍであった。また、グランドリング用に幅０．２ｍｍの帯状の銅マスクを形成した。また、裏面側には、メッキ処理後に検出端子を形成するためにビアホール周囲のベース銅１を厚銅エッチングにより除去できるよう、当該部分８００の銅マスクを銅箔を利用してエッチング法で形成した。銅マスクの径は０．９ｍｍであった。
（ロ）次いで、ポリイミド（ＰＩ）から成る表面側の絶縁層２をレーザーでエッチングし、グランドビアホール６，ビアホール８０を形成すべき部分及びグランドリング部５を形成すべき部分のベース銅１を露出させた。また、裏面側の絶縁層３の検出端子形成部８００をレーザーでエッチングし、あとの厚銅エッチングのためにベース銅１を露出させた。
（ハ）次いで、銅のエッチング液で銅箔層の全面をエッチングし、銅箔層４の厚みを約１／２に薄くした。
（ニ）然るのち、銅メッキを行い、上記グランドビアホール６形成部分，ビアホール８０及びグランドリング部５において露出したベース銅１と銅箔層４とを当該銅メッキ層により電気的に接続した。
（ホ）次いで、定法に則り銅箔層４の表面にパターンフィルムを貼り、回路パターン１１を形成した。
図６における回路パターン１１が、図１のそれと異なる点は、図１のメッキリード部１０ａ及び１０ｂが設けられてられておらず、回路パターン１１がグランドビアホール６及びビアホール８０のみを介してベース銅１と電気的に接続されていることである。従って、この実施例においても、各ＢＧＡ基板の外側からの電解リード線はまったく設けていない。また、配線ルールは、ボールパッド間でＬ／Ｓ＝４０／４０μｍ、ワイヤーボンドパッド部（以下、「ＷＢ部」と略す。）のスペースはmin.２５μｍであった。
【００４０】
〔ｇ〕次いで、図７に示すように、上記回路パターン１１のうち、貴金属メッキを施すべきワイヤボンディングパッド部７、半田ボールパッド部８、電源リング部９及びグランドリング部５を除く領域を被覆するように耐メッキ性のマスキング（耐金メッキドライフィルム）１３ａを施した。また、裏面側の検出端子形成部８００も耐金メッキドライフィルム１３ｄでマスキングした。
【００４１】
〔ｈ〕露出回路、即ち、ワイヤボンディングパッド部７、半田ボールパッド部８、電源リング部９及びグランドリング部５を洗浄し、ソフトエッチングした後、ベース銅１から上記グランドビアホール６及びビアホール８０を通じて上記回路パターンに給電することにより、上記露出回路に電気Ｎｉメッキを３μｍ形成し、その上に金メッキを０．５μｍ形成した。図８中、５Ｇ，７Ｇ，８Ｇ，９Ｇ，１２Ｇで示す部分が、上記の如くして形成されたメッキ層である。
その時のＮｉメッキ厚みは各ＢＧＡ用基板全体で３．０〜６．０μｍであり、厚みの均一性は非常に良好であった。また、金メッキ厚みは各ＢＧＡ用基板全体で０．５〜０．７μｍであり良好であった。
この結果、金メッキ後のＷＢ部のスペース２０μｍ以上が確保されていた。
【００４２】
〔ｉ〕表面側の耐金メッキドライフィルム１３ａと裏面側の耐金メッキドライフィルム１３ｄを取り外し、表面全体に耐エッチング用のマスキング１３ｅを施し、図９に示す如く、各ビアホール８０の周囲のベース銅１を裏面側から厚銅エッチングにより除去して、それぞれがビアホール８０につながる検出端子８１を形成した。また、これにより、各グランドビアホール６とビアホール８０は互いに電気的に遮断されたことになる。
なお、検出端子８１の表面及びその周辺領域は貴金属メッキが施されていないが、環境安定性を向上させるためメッキを施す必要がある場合は、表面側全体に耐メッキ性のマスキングを施した上で、端子８１とその周辺のベース銅が露出した部分に無電解のニッケルメッキを施すことが推奨される。この場合のニッケル厚みは、０．５〜５μｍ程度が好ましい。更に環境安定性を向上させる必要がある場合には、上記無電解ニッケルメッキの後、更に、無電解のフラッシュ金メッキを施すことも推奨される。その場合の金メッキの厚みは、０．０１〜０．５μｍ程度が好ましい。
なお、ベース金属１が耐錆性のものの場合には、特に貴金属メッキを施す必要はない。
以上で、本発明による金属ベース配線板への貴金属メッキ処理は完了する。
【００４３】
〔ｊ〕最後に、表面側の上記マスキング１３ｅを剥離し、回路パターン部にソルダーレジスト１４を塗布したのち、金型加工により、図１０に示す如く、半導体チップを取り付けるためのダイパッド部１２に段差を形成し、更に、半田ボールパッド部８に半田ボール１５付けを行うと共に、上記ソルダーレジスト１４の表面の所要箇所にダム１６付けを行い、金型加工で３５ｍｍ角に打ち抜き加工することで多数のＢＧＡ用基板が完成する。
【００４４】
【発明の効果】
本発明は、上記の如く構成されるから、本発明によるときは、金属ベース配線板の表面配線層のワイヤーボンドパッド部やボールパッド部などの特定箇所に、外部リード線を使用することなく、電気メッキにより均一な厚みのニッケル及び貴金属メッキを施すことのできる金属ベース配線板の製造方法を提供し得るものである。
また、ボールパッド部から外部に出ている外部リード線が無いことにより、高周波信号のアンテナ作用を防止できる。
また、外部リード線を用いない場合の貴金属メッキは、従来無電解貴金属メッキで行われているが、ワイヤーボンドやハンダボール接合強度の信頼性が不十分な場合が多い。本発明では従来から実績のある貴金属電気メッキにより厚みバラツキ少なくワイヤーボンド部及びボールパッド部を形成できるのでワイヤーボンドやハンダボールの接合強度の信頼性を向上させることができる。
【００４５】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、その目的の範囲内において上記の説明から当業者が容易に想到し得るすべての変更実施例を包摂するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るメッキ方法によりボールグリッドアレイ用基板を作製する第１の実施例において、その〔ａ〕ステップを実行後の金属ベース配線板の状態を示す拡大説明図である。
【図２】その〔ｂ〕ステップを実行後の金属ベース配線板の状態を示す拡大説明図である。
【図３】その〔ｃ〕ステップを実行後の金属ベース配線板の状態を示す拡大説明図である。
【図４】その〔ｄ〕ステップを実行後の金属ベース配線板の状態を示す拡大説明図である。
【図５】その〔ｅ〕ステップを実行後の金属ベース配線板の状態を示す拡大説明図である。
【図６】本発明に係るメッキ方法によりボールグリッドアレイ用基板を作製する第２の実施例において、その〔ｆ〕ステップを実行後の金属ベース配線板の状態を示す拡大説明図である。
【図７】その〔ｇ〕ステップを実行後の金属ベース配線板の状態を示す拡大説明図である。
【図８】その〔ｈ〕ステップを実行後の金属ベース配線板の状態を示す拡大説明図である。
【図９】その〔ｉ〕ステップを実行後の金属ベース配線板の状態を示す拡大説明図である。
【図１０】その〔ｊ〕ステップを実行後の金属ベース配線板の状態を示す拡大説明図である。
【符号の説明】
１      ベース銅
２，３  絶縁層
４      銅箔層
５      グランドリング部
６      グランドビアホール
７      ワイヤボンディングパッド部
８      半田ボールパッド部
８０    ビアホール
８１    検出端子
９      電源リング部
１０ａ，１０ｂ  リード部
１１    回路パターン
１２    ダイパッド部
１３ａ〜１３ｄ  耐金メッキドライフィルム
１４    ソルダーレジスト
１５    半田ボール
１６    ダム
【図１】
0003916364.tif 000002
【図２】
0003916364.tif 000003
【図３】
0003916364.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003916364.tif 000008
【図８】
0003916364.tif 000009
【図９】
0003916364.tif 000010
【図１０】
0003916364.tif 000011