(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリヤに保持された被加工物を押圧するための定盤を有し、前記被加工物の一部が、前記定盤からオーバーハングするように構成されている表面研磨装置において、
研磨終了直前の所定期間において、定盤の端部端面からなる特異点が被加工物に及ぼす圧力を、低減させるための圧力制御手段を有する
ことを特徴とする表面研磨装置。
【請求項２】
前記圧力制御手段は、前記特異点が被加工物から離れる方向に変位するように、定盤の端部を変形させることによって、圧力を低減させることを特徴とする請求項１に記載の表面研磨装置。
【請求項３】
前記圧力制御手段は、定盤の研磨面に対して反対側に位置する定盤の端部の面を、熱収縮させることによって、定盤の端部を変形させることを特徴とする請求項２に記載の表面研磨装置。
【請求項４】
前記圧力制御手段による圧力低減の開始前における所定期間において、前記特異点が被加工物に及ぼす圧力を、増加させるための第２の圧力制御手段をさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の表面研磨装置。
【請求項５】
キャリヤに保持された被加工物を押圧するための定盤を有し、前記被加工物の一部が、前記定盤からオーバーハングするように構成されている表面研磨装置において、
研磨途中の所定期間において、定盤の端部端面からなる特異点が被加工物に及ぼす圧力を、増加させるための圧力制御手段を有する
ことを特徴とする表面研磨装置。
【請求項６】
前記圧力制御手段は、前記特異点が被加工物に向かう方向に変位するように、定盤の端部を変形させることによって、圧力を増加させることを特徴とする請求項５に記載の表面研磨装置。
【請求項７】
前記圧力制御手段は、定盤の研磨面に対して反対側に位置する定盤の端部の面を、熱膨張させることによって、定盤の端部を変形させることを特徴とする請求項６に記載の表面研磨装置。
【請求項８】
キャリヤに保持された被加工物を定盤によって押圧する表面研磨方法において、
前記被加工物の一部は、前記定盤からオーバーハングするように構成されており、
研磨終了直前の所定期間において、定盤の端部端面からなる特異点が被加工物に及ぼす圧力を、低減させるための工程を有する
ことを特徴とする表面研磨方法。
【請求項９】
キャリヤに保持された被加工物を定盤によって押圧する表面研磨方法において、
前記被加工物の一部は、前記定盤からオーバーハングするように構成されており、
研磨途中の所定期間において、定盤の端部端面からなる特異点が被加工物に及ぼす圧力を、増加させるための工程を有する
ことを特徴とする表面研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面研磨装置および表面研磨方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、図１５に示されるように、半導体の単結晶シリコンウェーハの製造におけるラッピング工程においては、キャリヤに保持されたウェーハ（被加工物）１１０が、定盤１３０，１４０の間に挟まれ、遊離砥粒を含んだスラリによって、表面研磨される。
【０００３】
また、定盤１３０，１４０の表面には、メッシュが形成され、かつ、ウェーハ１１０の一部が、定盤１３０，１４０からオーバーハングするように構成されている。したがって、余分なスラリや古いスラリは、定盤１３０，１４０およびウェーハ１１０の回転に伴って、系外に排出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、定盤１３０，１４０がウェーハ１１０に及ぼす圧力Ｐは、定盤１３０，１４０の端部端面（特異点）Ｓにおいて最大となる。したがって、端部端面Ｓが及ぼす圧力によって、深いえぐれたような形状（オーバーハングマーク）が、ウェーハ１１０に形成される虞がある。
【０００５】
図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）は、研磨後のウェーハ１１０の形状を実測値に基づいて表した斜視図および平面図である。図に示されるように、ウェーハ１１０は、全体に凹凸形状となり、平面度（フラットネス）に問題を有する。
【０００６】
一方、ウェーハ１１０をオーバーハングさせるための構成を設けない場合、スラリの排出性能に問題を生じる。
【０００７】
なお、端面が上方に変位した形状を有するように定盤１３０を予め加工することで、良好な平面度を得ることも可能である。しかし、変位量は、数μｍ〜十数μｍのオーダであるため、加工が難しく、また、定盤自体も経時的に摩耗していくので、加工を繰り返す必要がある。したがって。実際の適用には問題を有している。
【０００８】
また、表面研磨終了後のウェーハは、表面研磨に基づく歪を取り除くために化学腐食処理が施される。この際、ウェーハの縁は、ダレて全体に緩い凸形状となる傾向を有する。しかし、化学反応であるため、この傾向を防ぐことは極めて難しい。
【０００９】
したがって、エッチング後に良好な平面度が確保できるように、表面研磨の段階で、端部を少し立ち上がるように凹形状に仕上げておくことが好ましい。しかし、従来の表面研磨技術では、凹形状を安定して提供することが困難であった。
【００１０】
本発明は、このような従来の問題を解決するために成されたものであり、被加工物の表面形状を制御することができる表面研磨装置および表面研磨方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は次のように構成される。
【００１２】
（１）  キャリヤに保持された被加工物を押圧するための定盤を有し、前記被加工物の一部が、前記定盤からオーバーハングするように構成されている表面研磨装置において、
研磨終了直前の所定期間において、定盤の端部端面からなる特異点が被加工物に及ぼす圧力を、低減させるための圧力制御手段を有する
ことを特徴とする表面研磨装置。
【００１３】
（２）  前記圧力制御手段は、前記特異点が被加工物から離れる方向に変位するように、定盤の端部を変形させることによって、圧力を低減させることを特徴とする前記（１）に記載の表面研磨装置。
【００１４】
（３）  前記圧力制御手段は、定盤の研磨面に対して反対側に位置する定盤の端部の面を、熱収縮させることによって、定盤の端部を変形させることを特徴とする前記（２）に記載の表面研磨装置。
【００１５】
（４）  前記圧力制御手段による圧力低減の開始前における所定期間において、前記特異点が被加工物に及ぼす圧力を、増加させるための第２の圧力制御手段をさらに有することを特徴とする前記（１）〜（３）のいずれか１項に記載の表面研磨装置。
【００１６】
（５）  キャリヤに保持された被加工物を押圧するための定盤を有し、前記被加工物の一部が、前記定盤からオーバーハングするように構成されている表面研磨装置において、
研磨途中の所定期間において、定盤の端部端面からなる特異点が被加工物に及ぼす圧力を、増加させるための圧力制御手段を有する
ことを特徴とする表面研磨装置。
【００１７】
（６）  前記圧力制御手段は、前記特異点が被加工物に向かう方向に変位するように、定盤の端部を変形させることによって、圧力を増加させることを特徴とする前記（５）に記載の表面研磨装置。
【００１８】
（７）  前記圧力制御手段は、定盤の研磨面に対して反対側に位置する定盤の端部の面を、熱膨張させることによって、定盤の端部を変形させることを特徴とする前記（６）に記載の表面研磨装置。
【００１９】
（８）  キャリヤに保持された被加工物を定盤によって押圧する表面研磨方法において、
前記被加工物の一部は、前記定盤からオーバーハングするように構成されており、
研磨終了直前の所定期間において、定盤の端部端面からなる特異点が被加工物に及ぼす圧力を、低減させるための工程を有する
ことを特徴とする表面研磨方法。
【００２０】
（９）  キャリヤに保持された被加工物を定盤によって押圧する表面研磨方法において、
前記被加工物の一部は、前記定盤からオーバーハングするように構成されており、
研磨途中の所定期間において、定盤の端部端面からなる特異点が被加工物に及ぼす圧力を、増加させるための工程を有する
ことを特徴とする表面研磨方法。
【００２１】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に係る実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００２２】
本発明の実施の形態１に係る表面研磨装置は、例えば、半導体の単結晶シリコンウェーハの製造におけるラッピング工程において使用されるラッピング装置である。
【００２３】
図１および図２に示されるように、表面研磨装置は、スライス済みシリコンウェーハ（被加工物）１０を保持するキャリヤ２０と、キャリヤ２０およびウェーハ１０が挟まれる上下一対の定盤３０，４０と、定盤３０の端部端面（特異点）Ｓがウェーハ１０に及ぼす圧力を、低減させるための圧力制御手段５０と、遊離砥粒を含んだスラリを供給するためのスラリ供給手段（不図示）と、キャリヤ２０および定盤３０，４０を駆動して、ウェーハ１０を表面研磨するための駆動機構（不図示）とを有する。なお、ウェーハ１０の一部が、定盤３０，４０からオーバーハングするように構成されている。
【００２４】
圧力制御手段５０は、定盤３０の端部の上面の円周方向に沿って配置されるリング状槽５１と、氷水からなる冷水（冷媒）５２をリング状槽５１に供給するための冷媒供給手段（不図示）とを有する。
【００２５】
したがって、圧力制御手段５０は、冷水５２をリング状槽５１に供給し、定盤３０の端部の上面（研磨面に対して反対側に位置する面）を熱収縮させることによって、定盤３０の端部を変形させ、定盤３０の端部端面Ｓを上方（ウェーハ１０から離れる方向）に変位させることができる。
【００２６】
つまり、圧力制御手段５０は、定盤３０を能動的に変形させて、定盤３０とウェーハ１０との間の接触面圧分布を制御することで、定盤３０の端部端面Ｓがウェーハ１０に及ぼす圧力を、低減させることができる。したがって、研磨終了直前の所定期間において、圧力制御手段５０を稼動させることによって、定盤３０の端部端面Ｓが及ぼす圧力による深いえぐれたような形状（オーバーハングマーク）の形成を抑制し、ウェーハ１０の平面度（フラットネス）を向上させることができる。
【００２７】
なお、符号ＸおよびＤは、それぞれ、槽５１の円周方向の幅（定盤３０の冷却範囲）および定盤３０の端部端面Ｓの変位量を示している。
【００２８】
図３は、定盤３０の端部端面Ｓの変位量Ｄと冷却時間との関係を示しているグラフである。図３から理解されるように、変位量Ｄと冷却時間とは対応関係がある。
【００２９】
図４（Ａ）および（Ｂ）は、表面研磨終了後のウェーハ１０の形状を実測値に基づいて表した斜視図および平面図であり、表面研磨終了１分前から冷却した場合を示している。ウェーハ１０にはオーバーハングマークが僅かに残っているが、従来（図１４参照）に比べ、全体の平面度が向上している。
【００３０】
図５（Ａ）および（Ｂ）は、表面研磨終了２分前から冷却した場合を示している。オーバーハングマークが消失しており、図４（Ａ）および（Ｂ）に比べ、ウェーハ１０は、全体にさらに緩やかな形状を有している。
【００３１】
したがって、冷却時間を変更することによりウェーハ１０の形状を容易に制御することができる。なお、冷却時間が長すぎると目的部位以外の部分も変位し、また、冷却時間が短すぎるとオーバーハングマークを十分に除去できないことを考慮する必要がある。つまり、冷却時間は、表面研磨終了直前の３分間〜３０秒間が好ましい。
【００３２】
図６（Ａ）および（Ｂ）は、表面研磨終了後のウェーハ１０の形状を実測値に基づいて表した斜視図および平面図であり、定盤３０の冷却範囲Ｘが３０ｍｍである場合を示している。ウェーハ１０の形状は、概して凹形状であり、図５（Ａ）および（Ｂ）に示される冷却範囲Ｘが８０ｍｍである場合のウェーハ１０の形状（凸形状）と異なっている。したがって、冷却範囲Ｘを変更することによりウェーハ１０の形状を制御することができる。
【００３３】
以上のように、実施の形態１に係る表面研磨装置においては、被加工物や定盤の物性およびサイズ、研磨時間などの条件に応じて、例えば、冷却時間および／または冷却範囲を変更することにより、被加工物の表面形状を制御することができる。
【００３４】
したがって、例えば、オーバーハングマークを除去できるため、被加工物の平面度を向上させることが可能であり、所望の平面度を有する被加工物を得ることができる。
【００３５】
なお、定盤を熱収縮させるための冷媒は、冷水に限定されず、例えば、低温の気体を適用することも可能である。さらに、冷媒を使用しない冷却手段、例えば、ペルチェ素子を適用することも可能である。特に、水を使用しないことは、スラリへの水の混入の可能性が無くなる点で好ましい。
【００３６】
変位を生じさせる定盤は、どちらか一方あるいは両者でも可能である。また、定盤の端部の特異点を変位させるための冷却面は、端部の上面に限られず、上面および側面の組合せ、あるいは側面のみを、適用することもできる。
【００３７】
さらに、定盤の端部を変形させるための手段は、熱収縮に基づくものに限定されず、例えば、応力を加えるあるいは圧電素子や電歪素子の伸縮を利用することも可能である。
【００３８】
次に、本発明の実施の形態２に係る表面研磨装置を説明する。
【００３９】
定盤３０は、初期状態においては平坦であるが（図７（Ａ）参照）、表面研磨の繰り返しによって、磨耗して変形する。実施の形態１に係る表面研磨装置の場合、定盤３０の端部端面Ｓは変位するため、磨耗は均一に引き起こされない（図７（Ｂ）参照）。したがって、経時的に、定盤３０の端部端面Ｓがウェーハ１に向かう方向に突出した形状となる（図７（Ｃ）参照）。
【００４０】
したがって、表面研磨の繰り返しに基づく定盤３０の端部端面の変形量が大きくなるに連れて、圧力制御手段による定盤３０の端部端面の変位効果が、弱まるつまり打ち消されることとなる。
【００４１】
図８（Ａ）および（Ｂ）は、経時変形した定盤３０を使用して表面研磨されたウェーハ１０の形状を、実測値に基づいて表した斜視図および平面図である。図に明確に示されるように、圧力制御手段によって定盤３０の端部端面を変位させているにも関わらず、オーバーハングマークを十分に除去できていない。したがって、定盤の定期的な修正が必要となる。
【００４２】
これを避けるために、本発明の実施の形態２に係る表面研磨装置においては、端部端面Ｓがウェーハ１０に向かう方向（研磨面側（図中下方））に変位するように、定盤３０の端部を変形させるための圧力制御手段５３が、設けられている（図９（Ｂ）参照）。
【００４３】
詳しくは、圧力制御手段５３は、定盤３０の端部の円周方向に沿って配置されるリング状槽５４と、温水（熱媒）５５をリング状槽５４に供給するための熱媒供給手段とを有する。圧力制御手段５３は、表面研磨開始（図９（Ａ）参照）から所定時間経過した表面研磨途中において、温水５５を供給することによって、定盤３０の端部の上面を加熱する。
【００４４】
その結果、定盤３０の端部の上面が熱膨張し、定盤３０が変形することで、端部端面Ｓが下方に変位する（図９（Ｂ）参照）。これにより、定盤３０の端部端面Ｓがウェーハ１０に及ぼす圧力が増加する。したがって、定盤３０の端部とウェーハ１０との接触面圧が高まり、この部分の摩耗が加速される。
【００４５】
なお、定盤４０の端部の摩耗も加速される。つまり、一方の定盤３０に適用するだけで、他方の定盤４０の形状変形も促すことができる。したがって、より効果的な形状制御が可能となる。
【００４６】
この状態が、例えば、約３分間継続された後、加熱が停止され、定盤３０の端部端面Ｓがウェーハ１０に及ぼす圧力が消失する。しかし、定盤３０の端部は磨耗により変形しているため、端部端面Ｓが上方に変位する（図９（Ｃ）参照）。
【００４７】
そして、表面研磨が、例えば、約２分間さらに継続される。したがって、実施の形態１と同様に、オーバーハングマークが除去することができ、ウェーハ１０の平面度を向上させることが可能である。
【００４８】
さらに、実施の形態２においては、表面研磨終了直前の所定期間において、定盤３０の端部の磨耗が抑制されるが、当該箇所は、圧力制御手段５３によって既に磨耗が引き起こされて変形している。したがって、表面研磨終了後においては、定盤３０は、磨耗が均一に引き起こされた面を有することになる。つまり、定盤３０とウェーハ１０との間の磨耗速度分布が制御されるため、表面研磨を繰り返した場合であっても、定盤の定期的な修正が不要となる。
【００４９】
図１０は、５０℃の温水を使用した場合における、定盤３０の端部端面の変位量と加熱時間との関係を示しているグラフである。図から理解されるように、冷却する場合と同様に、２０μｍ程度の変位が容易に得られる。
【００５０】
したがって、加熱時間を変更することにより定盤３０の形状を制御することができる。ただし、加熱時間が長すぎると目的部位以外の部分の摩耗が加速され、また、加熱時間が短すぎると磨耗が不十分なることを考慮する必要がある。つまり、加熱時間および／または加熱範囲は、ウェーハ１０や定盤の物性およびサイズ、加工時間などの条件に応じて、設定する必要がある。
【００５１】
以上のように、実施の形態２に係る表面研磨装置においては、被加工物や定盤の物性およびサイズ、研磨時間などの条件に応じて、例えば、加熱時間および／または加熱範囲を変更することにより、被加工物の表面形状を制御することができる。
【００５２】
したがって、例えば、オーバーハングマークを除去できるため、被加工物の平面度を向上させることが可能であり、所望の平面度を有する被加工物を得ることができる。
【００５３】
なお、定盤を熱膨張させるための熱媒は、温水に限定されず、例えば、高温の気体を適用することも可能である。また、熱媒を使用しない加熱手段、例えば、固体ヒータを、適用することも可能である。特に、水を使用しないことは、スラリへの水の混入の可能性が無くなる点で好ましい。
【００５４】
また、定盤の端部を変形させるための手段は、熱膨張に基づくものに限定されず、例えば、応力を加えるあるいは圧電素子や電歪素子の伸縮を利用することも可能である。
【００５５】
変位を生じさせる定盤は、どちらか一方あるいは両者でも可能である。また、定盤を熱変形させるための加熱面は、端部の上面に限られず、上面および側面の組合せ、あるいは側面のみを、適用することもできる。
【００５６】
次に、本発明の実施の形態３に係る表面研磨装置を説明する。
【００５７】
実施の形態３は、照射光を利用する圧力制御手段５６を有する点で、実施の形態２と異なっている。
【００５８】
詳しくは、圧力制御手段５６は、図１１に示されるように、例えば、白熱灯からなる光照射手段５７と、光照射手段５７から照射される光を吸収して熱を発生するための光吸収面５８と、光照射手段５７から照射される光を反射する光反射面５９を有する。
【００５９】
光吸収面５８は、例えば、定盤３０の端部の円周方向に沿って形成された黒色塗膜からなる。光反射面５９は、例えば、鏡面仕上げが施された金属板からなり、光吸収面５８以外の部分を覆うように配置される。
【００６０】
したがって、光照射手段５７から照射される光は、光吸収面５８以外の部分においては反射されるため、圧力制御手段５６は、表面研磨の開始から所定時間経過した表面研磨途中において、光吸収面５８が配置される定盤３０の端部の上面のみを加熱することができる。その結果、定盤３０の端部の上面が熱膨張し、定盤３０が変形することで、端部端面Ｓが下方に変位する。
【００６１】
これにより、定盤３０の端部端面Ｓがウェーハ１０に及ぼす圧力が増加するため、定盤３０の端部とウェーハ１０との接触面圧が高まり、この部分の摩耗が加速される。つまり、実施の形態２と同様に、定盤３０とウェーハ１０との間の磨耗速度分布が制御されるため、表面研磨を繰り返した場合であっても、定盤の定期的な修正が不要となる。
【００６２】
また、実施の形態３においては、定盤を熱膨張させるために水を使用しないため、スラリへの水の混入の可能性が無くなる点で好ましい。
【００６３】
さらに、光吸収面にフィンを形成して表面積を増加させることは、照射光の吸収および放熱、つまり加熱および冷却が効率的となるため、好ましい。
【００６４】
なお、図１２は、光照射手段５７として白熱灯を使用した場合における、定盤３０の端部端面の変位量と加熱時間（照射時間）との関係を示しているグラフである。図から理解されるように、温水を使用する場合と同様に、２０μｍ程度の変位が容易に得られる。
【００６５】
次に、本発明の実施の形態４に係る表面研磨装置を説明する。
【００６６】
実施の形態４は、図１３に示されるように、定盤３０の端部上面および側面に形成される光吸収面５８Ａと、定盤３０の端部上面から垂直方向に延長する光反射面５９Ａとを有する点で、実施の形態３と異なっている。
【００６７】
したがって、光照射手段５７から照射される光は、光反射面５９Ａによって遮られて光吸収面５８Ａ以外の部分に到達しない。そのため、実施の形態３と同様に、圧力制御手段５６は、表面研磨の開始から所定時間経過した表面研磨途中において、光吸収面５８Ａが配置される定盤３０の端部の上面および側面のみを加熱することができる。
【００６８】
つまり、実施の形態３と同様に、定盤３０とウェーハ１０との間の磨耗速度分布が制御されるため、表面研磨を繰り返した場合であっても、定盤の定期的な修正が不要となる。
【００６９】
なお、図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）は、表面研磨終了後のウェーハ１０の形状を実測値に基づいて表した斜視図および平面図である。図に明確に示されるように、オーバーハングマークが残存しておらず、良好な平面度を有するウェーハ１０が得られた。
【００７０】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の範囲内で種々改変することができる。
【００７１】
例えば、実施の形態１に、実施の形態２あるいは実施の形態３に係る圧力制御手段（第２の圧力制御手段）を組み込むことも可能である。この場合、定盤３０とウェーハ１０との間の接触面圧分布および磨耗速度分布を制御できるため、被加工物の平面度をさらに向上させることが可能となる。
【００７２】
【発明の効果】
以上説明した本発明によれば、被加工物の表面形状を制御することが可能である。したがって、例えば、オーバーハングマークを除去することで、被加工物の平面度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態に係る表面研磨装置を説明するための平面図である。
【図２】  本発明の実施の形態に係る表面研磨装置を説明するための要部断面図である。
【図３】  定盤の端部端面の変位量と冷却時間との関係を示しているグラフである。
【図４】  （Ａ）および（Ｂ）は、表面研磨終了後のウェーハの形状を実測値に基づいて表した斜視図および平面図であり、表面研磨終了１分前から冷却した場合を示している。
【図５】  （Ａ）および（Ｂ）は、表面研磨終了後のウェーハの形状を実測値に基づいて表した斜視図および平面図であり、表面研磨終了２分前から冷却した場合を示している。
【図６】  （Ａ）および（Ｂ）は、表面研磨終了後のウェーハの形状を実測値に基づいて表した斜視図および平面図であり、定盤の冷却範囲が３０ｍｍである場合を示している。
【図７】  （Ａ）〜（Ｃ）は、表面研磨の繰り返しに基づく定盤形状の経時変形を説明するための断面図であり、それぞれ、初期状態、表面研磨途中、表面研磨終了後の形状を示している。
【図８】  （Ａ）および（Ｂ）は、経時変形した定盤を使用して表面研磨されたウェーハの形状を実測値に基づいて表した斜視図および平面図である。
【図９】  （Ａ）〜（Ｃ）は、本発明の実施の形態２に係る表面研磨装置を説明するための要部断面図であり、表面研磨開始時、表面研磨途中、表面研磨終了直前の形状を示している。
【図１０】  本発明の実施の形態２に係る定盤の端部端面の変位量と加熱時間との関係を示しているグラフである。
【図１１】  本発明の実施の形態３に係る表面研磨装置を説明するための要部断面図である。
【図１２】  本発明の実施の形態３に係る定盤の端部端面の変位量と加熱時間との関係を示しているグラフである。
【図１３】  本発明の実施の形態４に係る表面研磨装置を説明するための要部断面図である。
【図１４】  （Ａ）および（Ｂ）は、表面研磨終了後のウェーハの形状を実測値に基づいて表した斜視図および平面図である。
【図１５】  従来の表面研磨装置を説明するための断面図である。
【図１６】  （Ａ）および（Ｂ）は、表面研磨終了後のウェーハの形状を実測値に基づいて表した斜視図および平面図である。
【符号の説明】
１０…シリコンウェーハ（被加工物）、
２０…キャリヤ、
３０，４０…定盤、
５０…圧力制御手段、
５１…リング状槽、
５２…冷水、
５３…圧力制御手段、
５４…リング状槽、
５５…温水、
５６…圧力制御手段、
５７…光照射手段、
５８，５８Ａ…光吸収面、
５９，５９Ａ…光反射面、
Ｄ…変位量、
Ｓ…端部端面（特異点）
Ｘ…冷却範囲。
【図１】
0003973962.tif 000002
【図２】
0003973962.tif 000003
【図３】
0003973962.tif 000004
【図４】
0003973962.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003973962.tif 000008
【図８】
0003973962.tif 000009
【図９】
0003973962.tif 000010
【図１０】
0003973962.tif 000011
【図１１】
0003973962.tif 000012
【図１２】
0003973962.tif 000013
【図１３】
0003973962.tif 000014
【図１４】
0003973962.tif 000015
【図１５】
0003973962.tif 000016
【図１６】
0003973962.tif 000017