(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠体の内部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、前記枠体は、前記半導体レーザ素子の搭載面と平行な外面と、
前記半導体レーザ素子の搭載面を連続して囲んで該搭載面よりも突出する凸部とを備え、
前記凸部の外側の平面形状は、円からその一部をなす２つの対向する弓形を削除してできる、対向する２つの円弧と対向する２つの弦とで囲まれてなる形状であり、
前記凸部の各円弧部分の中心が半導体レーザ素子の光学軸と一致し、前記各円弧部分の形状が対向する２つの弦の中心線に対して非対称に形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記枠体は、絶縁性樹脂から成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記枠体に、前記半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体が配置される反射体配置面を形成してなることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記枠体に、前記受光素子が配置される受光素子配置面を形成してなることを特徴とする請求項２または３に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記枠体は、外面を除く二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリードを備え、
前記リードのうちの一つが前記半導体レーザ素子の搭載部を備え、該搭載部の厚さが前記絶縁性枠体外部に位置するリードの厚さよりも厚いことを特徴とする請求項２〜４のうちいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
請求項２〜５のうちいずれか１つに記載の半導体レーザ装置を用いた光ピックアップであって、前記半導体レーザ素子の搭載面と平行な外面に接して筐体が配置されて構成されることを特徴とする光ピックアップ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に記録された情報を読み取る光ピックアップ装置等に用いることができる半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＤ−ＲＯＭやＭＤ（ミニディスク）などの光メモリ装置に使用され、光ディスクの信号を読み取る光ピックアップにおいては、一つのパッケージに半導体レーザ素子、信号検出用受光素子、ホログラム素子などを組み込んだ半導体レーザ装置が用いられる。そのような半導体レーザ装置では、半導体レーザ素子からの光線を出射し、光ディスクから反射されて戻ってきた光線をホログラム素子で回折して、半導体レーザ素子の光軸から離れた箇所に配置された信号検出用受光素子に導く、ホログラムレーザ方式と呼ばれるものである。
【０００３】
従来のホログラムレーザ方式の半導体レーザ装置としては、例えば特開平６−５９９０号公報に示されるようなものがある。その概略構造を図７に示す。なお、図７において、（ａ）は分解斜視図であり、（ｂ）は外観斜視図である。
【０００４】
この構成では、ステム２０１に、半導体レーザ素子（ＬＤ）２１０、信号検出用受光素子２１１を搭載し、キャップ２０２を被せてＬＤ２０１や信号検出用受光素子２１１等を覆い、さらにキャップ２０２の上にホログラム素子２０３を取り付けている。そして、内部素子（ＬＤ２０１、信号検出用受光素子２１１等）への電源供給や外部への信号の取り出しは、リード２０８により行う。また、図７のパッケージでは、円形から上下の円弧を切り欠いた形状をしてパッケージを薄型化している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来技術では、以下のような問題があった。
【０００６】
まず、図７の構造のパッケージでは、ステム２０１にリード２０８を貫通させる孔を設け、そこへリードを１本１本挿入して絶縁物２０９で封止するため、製造方法が複雑でコストが高くなる欠点があった。
【０００７】
また、各素子の搭載においても、図７に示すように、ＬＤ２１０と信号検出用受光素子２１１は９０度方向に配置しているため、ＬＤ２１０をステム２０１へ搭載するのに、受光素子２１１の搭載とは違いパッケージ全体を９０度傾けて搭載する必要があり、タクト面での問題があったり、装置が複雑になるという問題があった。
【０００８】
また、各素子の導通のためののワイヤーボンドにおいても、図７に示すＬＤ２１０の電極２１２は、信号検出用受光素子２１１の電極２１３と９０度傾いた配置となるため、ＬＤ２１０とリード２０８をワイヤーボンドする場合は、パッケージ全体を９０度回転させてから実施する必要があり、ワイヤーボンドの作業性が悪く且つ信頼性面及びタクト面で問題があった。
【０００９】
このように、上記従来技術の構成の場合、ステムにリードを貫通させる孔を設け、そこへリードを１本１本挿入して絶縁物で封止するため、製造方法が複雑でコストが高くなるという問題があった。また、各素子のパッケージへの搭載及び導通を得るためのワイヤーボンドにおいて、パッケージ全体を９０度回転させてから実施する必要が生じるため、ワイヤボンドの作業性及び信頼性が悪く且つタクト面で問題があった。
【００１０】
さらに、これらの問題に伴い、上記従来技術の半導体レーザ装置を用いて光ピックアップを構成するのに、光軸調整等の位置調整が繁雑となっていた。
【００１１】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであって、生産性に優れ、光軸調整等の位置調整が容易な半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、枠体の内部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、前記枠体は、前記半導体レーザ素子の搭載面と平行な外面と、
前記半導体レーザ素子の搭載面を連続して囲んで該搭載面よりも突出する凸部とを備え、
前記凸部の外側の平面形状は、円からその一部をなす２つの対向する弓形を削除してできる、対向する２つの円弧と対向する２つの弦とで囲まれてなる形状であり、
前記凸部の各円弧部分の中心が半導体レーザ素子の光学軸と一致し、前記各円弧部分の形状が対向する２つの弦の中心線に対して非対称に形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置である。
【００１３】
本発明によれば、枠体の内部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、その絶縁性枠体の二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリードを備えて構成されるので、例えば樹脂材料を用いて成型して、容易にリードを備えた絶縁性枠体を構成できる。
【００１４】
本発明によれば、枠体の内部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、絶縁性枠体が半導体レーザ素子の搭載面と平行な外面を備えるので、その外面を基準面として、容易に光軸調整を行うことができる。また枠体は、前記半導体レーザ素子の搭載面を連続して囲んで該搭載面よりも突出する凸部を備え、この凸部の外側の平面形状が、円からその一部をなす２つの対向する弓形を削除してできる、対向した２つの円弧と対向した２つの弦とで囲まれてなる形状である。さらに各円弧部分の中心が半導体レーザ素子の光学軸と一致し、前記各円弧部分の形状が２つの弦の中心線に対して非対称に形成されている。これによって対称としているものより、材料費の削減が図れるだけでなく、本発明の半導体レーザ素子を備える光ピックアップの薄型化が図れる。
【００１５】
さらに、本発明は、前記枠体は、絶縁性樹脂から成ることを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、枠体が、絶縁性樹脂から成り、搭載面を連続して囲んで該搭載面よりも突出する凸部を備えるので、その凸部のリード配置面側よりも間隔の狭い部分にホログラム素子等の光学素子を配置でき、その光学素子の小型化が図れ、装置全体の小型化も図れる。
【００１９】
また、本発明は、前記枠体に、前記半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体が配置される反射体配置面を形成してなることを特徴とする。
【００２０】
本発明によれば、枠体に半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体が配置される反射体配置面を形成してなるので、半導体レーザ素子をその搭載面と平行方向に光が出射されるように配置しても、絶縁性枠体の反射体配置面に反射体を配置して、容易に光の出射方向を変更することができる。
【００２１】
また、本発明は、前記枠体に、前記受光素子が配置される受光素子配置面を形成してなることを特徴とする。
【００２２】
本発明によれば、枠体に受光素子が配置される受光素子配置面を形成してなるので、受光素子の位置決めが容易となる。
【００２３】
また、本発明は、前記枠体は、外面を除く二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリードを備え、
前記リードのうちの一つが前記半導体レーザ素子の搭載部を備え、該搭載部の厚さが前記絶縁性枠体外部に位置するリードの厚さよりも厚いことを特徴とする。
【００２４】
本発明によれば、リードのうちの一つが半導体レーザ素子の搭載部を備え、その搭載部の厚さが枠体外部に位置するリードの厚さよりも厚いので、放熱特性を向上させることができる。
【００２５】
また、本発明は、上記半導体レーザ装置を用いた光ピックアップであって、前記半導体レーザ素子の搭載面と平行な外面に接して筐体が配置されて構成されることを特徴とする光ピックアップである。
【００２６】
本発明によれば、前記半導体レーザ素子の搭載面と平行な外面に接して筐体が配置されて構成されるので、その外面を基準面として、筐体の位置調整が容易となる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２８】
本発明の実施形態の半導体レーザ装置の概略構成を図１，２に示す。なお、図１において、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は斜視図、（ｄ）は素子を搭載していない状態の斜視図である。また、図２において、（ａ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ切断線での側面断面図、（ｂ）は図１（ａ）のＹ−Ｙ切断線での側面断面図である。
【００２９】
そして、図３に、本実施形態の半導体レーザ装置１００を用いた光ピックアップの概略構造を示す。なお、図３において、（ａ）は要部側面図、（ｂ）は要部斜視図である。
【００３０】
図１，２において、１は半導体レーザ素子（ＬＤ）、２は反射体（反射ミラー）、１０はリード（リードフレーム）、１１はリードフレームの一部を樹脂モールドして成形した絶縁性枠体、４はモニター用受光素子（モニター用ホトダイオード）、５は信号検出用受光素子（信号読み取り用ホトダイオード）、６は光学素子（ホログラム素子）である。なお、ホログラム素子６は、３ビーム発生用グレーティングパターン２０とビームスプリット用ホログラムパターン２１を備える。
【００３１】
図３において、１００は本実施形態の半導体レーザ装置、１０１はコリメートレンズ、１０２は反射鏡、１０３は集光レンズ、２１は光記録媒体（光ディスク）である。５０はコリメートレンズ１０１や反射鏡１０２等を取付けるための光ピックアップ装置用筐体、５１は半導体レーザ装置１００を取付けるための円形の抜き穴、５２は光学軸である。ここで、筐体５０の円形抜き穴５１の中心と光学軸５２とが精度良く一致するように、コリメートレンズ１０１及び反射鏡１０２は、筐体５０に対し配置されている。
【００３２】
これらの図に示されるように、絶縁性枠体６１の内部に半導体レーザ素子１と信号検出用受光素子５とが搭載され、絶縁性枠体６１の二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリード１０を備えて構成されている。そして、絶縁性枠体６１は、半導体レーザ素子１の搭載面を有するＬＤ搭載部３０と平行な外面６１を備えている。なお、ＬＤ搭載部３０の搭載面は、リードフレーム１０のアイランド部に形成されるものである。また、基準面となる外面６１は、半導体レーザ素子１の発光点とのＺ軸方向の距離が所定の距離となるように調整されている。
【００３３】
また、絶縁性枠体６１はＬＤ搭載面を連続して囲んでＬＤ搭載面よりも突出する凸部６０を備えており、凸部６０のリード配置面側よりも間隔が狭い側方部分上に光学素子６が配置されている。したがって、凸部６０は、閉じたような形状になっている。
【００３４】
さらに、凸部６０の外側の平面形状は、円からその一部をなす２つの対向する弓形を削除してできる、対向した２つの円弧と対向した２つの弦とで囲まれてなる形状であり、その形状の２つの円弧部分の側に、リード１０の配置面と外面６１が配置されている。また、ここで、凸部６０の２つの円弧部分よりも間隔の狭い凸部６０の２つの弦部分の上部に、ホログラム素子等の光学素子６を配置している。なお、凸部６０の円弧部分の中心は、半導体レーザ素子１の光学軸７０に一致するようにされている。また、図１（ａ）に示すように、凸部６０の円弧部分の形状は、Ｙ軸方向に対し非対象系であり、Ｙ軸中心線に対し絶縁性枠体１１端部までの距離が両側方で異なっている。
【００３５】
また、絶縁性枠体６１には、半導体レーザ素子１からの光の方向を変更する反射体２が配置される反射体配置面を有する反射体搭載部３１と、信号検出用受光素子５が配置される受光素子配置面を有する受光素子搭載部３２とが、樹脂モールドにより絶縁性枠体６１と一体的に形成されている。なお、反射体搭載部３１の反射体搭載面はＬＤ搭載部３０のＬＤ搭載面に対して４５度の角度を有しており、この反射体搭載部３１と受光素子搭載部３２とが、樹脂材料を用いて、絶縁性枠体に一体成形されている。また、本実施形態では、反射体搭載部３１に平板状の反射ミラー２を搭載しているが、これに代えて、蒸着等により反射体搭載面３１に直接反射膜を形成しても良い。
【００３６】
次に、図１，２を用いて、本実施形態の半導体レーザ装置について、より詳細に説明する。
【００３７】
半導体レーザ素子１は、モニター用ホトダイオード４の上部にボンド材を用いて固定されている。モニター用ホトダイオード４は、リードフレーム材１０のアイランド部のＬＤ搭載部３０のＬＤ搭載面にボンド材を用いて固定されている。反射ミラー２は、樹脂製の絶縁性枠体１１と一体に成形され、リードフレーム１０のアイランド部のＬＤ搭載面に対して４５度の傾斜をもった反射体搭載面を有する反射体搭載部３１上に、ボンド材にて接着されている。信号検出用受光素子５は、枠体１１と一体に成形された受光素子搭載部３２の上にボンド材により接着されている。ホログラム素子２１は、枠体１１の上部に接着剤にて接着されている。
【００３８】
次に、本実施形態の光ピックアップの動作について説明する。
【００３９】
半導体レーザ素子１から出射されたレーザ光７０は、反射ミラー２により９０度方向を変え枠体１１のＺ軸方向に出射される。このようにして半導体レーザ装置１００から出射されたレーザ光は、図３に示すように、コリメートレンズ１０１により平行光とされ、反射鏡１０２により９０度曲げられ、集光レンズ１０３にて光ディスク２１上に集光される。その後、光ディスクからの反射光が同一経路を逆の順番で通り、即ち集光レンズ１０３、反射鏡１０２、コリメートレンズの順番を経て、半導体レーザ装置１００に戻ってくる。戻ってきた光は、図２のホログラム素子６のホログラムパターン２１により回折され、その回折光の光軸７１が信号検出用受光素子５に集光される。受光素子５での受光信号により、光ディスクの情報を読み出し可能となる。
【００４０】
なお、半導体レーザ素子１から光ディスク方向の光と逆方向に出射する光は、半導体レーザ素子１の下部に設けたモニター用ホトダイオード４により受光され、その受光量が一定になるように半導体レーザ素子１の出力を制御することにより、光ディスクで一定の光量を得ることができるようになっている。
【００４１】
ここで、図３に示すように半導体レーザ装置１００は、光ピックアップに対して、筐体５０の円形抜き穴部５１に挿入し、半導体レーザ装置１００全体を光ディスク上でのホログラム素子６のグレーティングパターン２０で発生した３ビームが任意の位置関係になるように回転調整を実施し、筐体５０に接着することにより光ピックアップが完成する。
【００４２】
この際、絶縁性枠体１１の凸部６０の円弧部分の中心が半導体レーザ素子１の光学軸７０に一致するようになされおり、絶縁性枠体１１の外面６１が基準面として半導体レーザ素子１の発光点とのＺ軸方向の距離を所定の距離となるように調整されている構成である。したがって、半導体レーザ装置１００全体を光ピックアップの筐体５０の円形抜き穴部５１内に挿入し、基準面である外面６１に筐体を接触させて配置すれば、回転調整するのみで、光ディスク２１上での３ビームが任意の位置関係となる調整が可能となり、調整時間の短縮及び歩留向上が図れる。
【００４３】
また、絶縁性枠体１１の凸部６０の円弧部分の形状をＹ軸方向に対し非対称（円弧形状の中心と枠体１１の外形中心がずれている）とすることにより、対称としたものより材料費の削減が図れるだけでなく、図３の光学軸５２より下方向への出っ張り量６２が対称としたものより少なくでき、光ピックアップの薄型化が図れる。
【００４４】
次に、本実施形態における半導体レーザ装置１００の製造方法について、図４から図６を用いて説明する。
【００４５】
図４は樹脂製絶縁性枠体とリードフレーム部とから構成されるパッケージの製造方法を説明するための工程図であり、図４において、（ａ）から（ｄ）は平面図、（ｅ）の左側は平面図、（ｅ）の右側は斜視図である。図５は、パッケージへの素子搭載等を説明するための工程図を示す斜視図である。図６は、パッケージの製造方法説明するための工程図であり、図６において、（ａ）から（ｄ）の左側は側面図、（ａ）から（ｄ）の右側は平面図、（ｅ）の左側は平面図、（ｅ）の右側は斜視図である。
【００４６】
リードフレーム部は、図４（ａ）に示す帯状の金属板材料（フープ材１５０）を、図４（ｂ）のようにプレス打ち抜きやエッチングにより、金属板材料（フープ材）からアイランドプレート（ＬＤ搭載部）３０とリードピン１０を加工し、リードフレーム１５１を作る。このとき、アイランドプレート３０とリードピン１０は、桟（フレーム）１５２によって前後のアイランドプレート３０とリードピン１０の組とフープ状態で繋がっている。
【００４７】
次に、図４（ｃ）のように、リードフレーム１５１に樹脂を成形し、リードピン１０とアイランドプレート３０を保持する絶縁性枠体１１を作る。成形後、図４（ｄ）のように、リードピン１０と桟１５２の間で切断することにより図４（ｅ）の個別パッケージをが完成する。
【００４８】
上記樹脂成形は、射出成形用の金型を用いて実施するが、射出成形用金型に枠体１１の基準面（外面）６１、凸部６０、反射体搭載部３１及び信号検出用受光素子搭載部３２を一体で設けることにより、常に基準面６１に対し凸部６０及びリード１０、アイランドプレート（ＬＤ搭載部）３０、反射体搭載部３１及び受光素子搭載部３２が同一の寸法関係（位置関係）となるパッケージを量産可能とすることができる。これにより、反射体２の搭載時には、反射体搭載用４５度傾斜部（搭載部）３１に面接着するのみで位置が決定され、調整が不要となる。
【００４９】
次に、このパッケージへの素子搭載について、図５を用いて説明する。
【００５０】
図５（ａ）に示すように、桟（フレーム）１５２に繋がった状態のパッケージ４０に、それぞれ反射ミラー２を４５度傾斜部３１に面接着する。なお、ここで、反射ミラー２を搭載するのに、コレットを用いる場合などで凸部６０が妨げになる場合には、凸部６０の一部を切り欠くようにしても良い。
【００５１】
そして、図５（ｂ）に示すように、モニター用ホトダイオード４の上部に半導体レーザ素子１を搭載したユニットを、リードフレームアイランド３０に導電性接着剤を介して搭載する。
【００５２】
その次に、図５（ｃ）に示すように、信号検出用ホトダイオード５を枠体１１と一体で成形された受光素子搭載部３２上に接着剤にて接着する。
【００５３】
それから、図５（ｄ）に示すように、各素子とリード１０をワイヤーボンドした後、枠体１１の上部にホログラム素子６を搭載し、接着する。
【００５４】
次に、図５（ｅ）に示すように、桟（フレーム）１５２とリード１０を切断して、半導体レーザ装置１００が完成する。
【００５５】
次に、ＬＤ搭載部の厚さを厚くして放熱性を高めた高放熱半導体レーザ装置に好適なパッケージについて、図６を用いて説明する。
【００５６】
半導体レーザ用パッケージとしては、半導体レーザ素子の発光により発生する熱を効率良く伝導する必要がある。その方法としては、リードフレーム材料を熱伝導率の高い銅系材料を使用し、半導体レーザ素子近傍のリードフレーム板厚のみを厚くする方法が良い。
【００５７】
ここで、リードフレーム全体の板厚を厚くすることが考えられるが、リードピッチ（リードと次のリードとの距離）は、板厚に依存するため、パッケージが大きくなってしまう。そこで、図６に示すように、リード部は薄く、最も重要な半導体レーザ素子搭載部周辺のみ板厚を厚くすることが、パッケージの小型化及び薄型化には効率的である。
【００５８】
先ず、図６（ａ）に示すようにパッケージ完成時のリード板厚の１．５倍程度の板厚の金属板材料のリードフレーム材料１６０を用意し、図６（ｂ）のようにリードフレームの半導体レーザ素子搭載箇所（アイランドプレート部３０）以外の部分を任意の板厚になるようにプレスする。プレスすることより、半導体レーザ素子搭載箇所の板厚が増加し、異形フープ材１６１が完成する。
【００５９】
次に、図６（ｃ）のように、このフレーム１６１をプレス打ち抜きやエッチングをして、異形フープ材１６１からアイランドプレート３０とリードピン１０を加工し、リードフレーム１６２を作成する。
【００６０】
次に、図６（ｄ）のように、樹脂モールドし、浅（フレーム）１５２とリード１０を切断することにより、ＬＤ搭載部付近の板厚のみ厚い図６（ｅ）のパッケージが完成する。
【００６１】
なお、高放熱半導体装置（図４）と通常半導体装置（図６）は、リードフレーム材料をプレスする工程が追加になるだけで、樹脂モールド以降の工程を共通化可能であるため、装置の共有化が可能となり、製造コストの削減が図れる。
【００６２】
以上のように、本実施形態は、リードフレームタイプの半導体レーザ装置とするものである。そして、フレーム材料を打抜きやプレス等により、リード部とアイランドプレート部を作り、その一部を樹脂にてモールドすることにより、絶縁性枠体を構成する。
【００６３】
このように、樹脂にて絶縁性枠体を構成することにより、リード間の絶縁が図れ、図５のような従来技術のパッケージのようにリードをステムに１本づつ絶縁体にてモールドする必要が無くなり、製造コストの削減が図れる。且つリードフレームであるので、複数が連結された状態でフープでの樹脂モールドが可能となり、生産性の向上が図れる。また、各部品の実装時（素子搭載時）も複数連結されたフープとする事により、パッケージの位置決めやハンドリングが容易となり、半導体レーザ装置の製造コストの削減が図れる。
【００６４】
また、半導体レーザ素子の電極と信号検出用受光素子の電極とが９０度傾いた配置であるので、必要な素子の搭載及びワイヤーボンディング時のパッケージの９０度回転については、ＬＤの発光に対し４５度傾けた反射ミラーを光学軸内に設けることにより、上記従来技術の課題を解消できる。
【００６５】
また、反射ミラーの実装（搭載）には高い精度が要求される。従来、プリズムにて対応する場合が多いが、プリズムを実装する場合、調整軸がＸ、θと２軸分必要となり、生産性及び歩留面で問題が発生する。
【００６６】
そこで、本実施形態では、これを解消するのに、絶縁性枠体の内部に立ち上げミラー搭載用の４５度傾斜面（反射体搭載面）を備えた搭載部分（反射体搭載部）を樹脂枠体と一体で成形し、その箇所に平板状の反射ミラーを実装（搭載）している。この立ち上げミラー搭載用４５度傾斜部分は、枠体用樹脂モールド金型で一体成形できるので、モールド金型を精度良く作製することにより、常に同一寸法精度で立ち上げミラー搭載用４５度傾斜部分が製造可能となる。平板状反射ミラーは、本部分に調整無で面接着するのみで精度が保たれるので、実装時（搭載時）の調整が容易となり、歩留向上が図れる。
【００６７】
また、信号検出用受光素子搭載部も枠体と同一成形を実施することにより、信号検出用受光素子実装時（搭載時）の調整も容易となる。
【００６８】
このように、本実施形態により、従来技術で問題となっていたパッケージ製造方法の複雑さを解消でき且つ低コストでの製造が可能となる。又各素子の実装（搭載）においてもパッケージを９０度傾けること無く実装（搭載）でき、且つワイヤーボンドにおいてもパッケージを傾けることが無くなるので、生産性の向上と製造コストの削減が図れる。
【００６９】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、光軸調整等の位置調整が容易となり、製造工程の調整時間の短縮と歩留向上が図れ、生産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の半導体レーザ装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は斜視図、（ｄ）は素子を搭載していない状態の斜視図である。
【図２】（ａ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ切断線での側面断面図、（ｂ）は図１（ａ）のＹ−Ｙ切断線での側面断面図である。
【図３】本実施形態の光ピックアップの概略構造を示す図であり、（ａ）は要部側面図、（ｂ）は要部斜視図である。
【図４】実施形態のパッケージの製造方法を説明するための工程図であり、（ａ）から（ｄ）は平面図、（ｅ）の左側は平面図、（ｅ）の右側は斜視図である。
【図５】パッケージへの素子搭載等を説明するための工程図を示す斜視図である。
【図６】実施形態のパッケージの製造方法説明するための工程図であり、（ａ）から（ｄ）の左側は側面図、（ａ）から（ｄ）の右側は平面図、（ｅ）の左側は平面図、（ｅ）の右側は斜視図である。
【図７】従来の半導体レーザ装置の概略構造を示す図であり、（ａ）は分解斜視図、（ｂ）は要部斜視図（完成品）である。
【符号の説明】
１  半導体レーザ素子（ＬＤ）
２  反射体（反射ミラー）
５  信号検出用受光素子
６  光学素子（ホログラム素子）
１０  リード
１１  絶縁性枠体
３０  半導体レーザ素子搭載部（アイランド部）
３１  反射体搭載部
３２  信号検出用受光素子搭載部）
６０  凸部
６１  外面（基準面）
５０  筐体
１００  半導体レーザ装置
【図１】
0003866993.tif 000002
【図２】
0003866993.tif 000003
【図３】
0003866993.tif 000004
【図４】
0003866993.tif 000005
【図５】
0003866993.tif 000006
【図６】
0003866993.tif 000007
【図７】
0003866993.tif 000008