(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を反応ガスを用いて熱処理すると熱処理炉と、前記熱処理炉を密閉するための蓋体と、前記被処理基板を支持する基板支持部材と、前記蓋体を貫通して設けられ前記基板支持部材を回転させる回転軸と、前記回転軸に取り付けられ、ハウジングに装填された磁気シール部とを備える基板処理装置であって、
前記磁気シール部のハウジングの外側に冷却媒体を流す流路を設け、前記蓋体の温度を前記反応ガスによる副生成物が生成しない温度以上にし、かつ、前記磁気シール部を前記磁気シール部の耐熱温度以下になるように温度制御することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、磁気シールを用いたボート回転機構を備える縦型熱処理装置等の半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図２に示す従来の縦型熱処理装置２００では、磁気シール部３を用いたボート回転機構部２０の冷却は、シールキャップ１の下に設けられたフランジ２に流路３２を設け、冷却水を流してその流量を調節することによって行われている。このように、シールキャップの下に設けられたフランジ２に冷却水を流してそれらの流量を調節することによって、炉口部底面となるシールキャップ１の温度制御と磁気シール部３の過温度対策とが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
例えばＮＨ３とＳｉＣｌ４を流し窒化膜をボート１２に載置された基板（図示せず）上に成膜する場合には、回転機構部２０や炉口部底面となるシールキャップ１が１２０℃以下になると副生成物であるＮＨ４Ｃｌが発生し、パーティクル増大および磁気シール部３とシャフト４との界面へのパーティクル混入による真空リークの発生といった問題を起こす。
【０００４】
また、磁気シール部３の耐熱温度（磁性流体が真空状態を作り得る限界温度）は、例えば１５０℃である。
【０００５】
従って、磁気シール部３近辺を副生成物が生成しない温度以上でかつ耐熱温度以下の１２０〜１５０℃に制御しつつ、炉口部底面となるシールキャップ１を副生成物が生成しない温度以上である１２０℃以上の状態に保つよう、シールキャップ１の下に設けられたフランジ２に流す冷却水等の冷却媒体によって制御する必要がある。
【０００６】
シールキャップ１と磁気シール部３を１２０℃以上にしようとした場合、シールキャップ１と磁気シール部３との間に設けられたフランジ２に流す冷却媒体の温度が１００℃以上になるので、冷却媒体として水を使用することはできず、また、沸騰すると、冷却媒体を流す経路から不純物が析出し、経路が詰まるという問題も生じる。
【０００７】
一方、フッ素系媒体、シリコン系媒体等の水以外の媒体を使うと、チラー等の循環器が必要となり、コストアップを招き、かつ循環器の設置に伴うフットプリントの増加を招くという問題がある。
【０００８】
従って、本発明の主な目的は、水を使用すると磁気シール部近辺の温度制御ができず、また、フッ素系媒体、シリコン系媒体等の水以外の媒体を使うとコストアップやフットプリントの増加を招くという問題点を解決し、水を使用しても温度制御が可能であり、ＮＨ４Ｃｌ等の副生成物の発生を防止でき、かつ磁気シール部の性能を維持できる構造のボート等の基板支持部材回転機構を備えた基板処理装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、
被処理基板を反応ガスを用いて熱処理すると熱処理炉と、前記熱処理炉を密閉するための蓋体と、前記被処理基板を支持する基板支持部材と、前記蓋体を貫通して設けられ前記基板支持部材を回転させる回転軸と、前記回転軸に取り付けられ、ハウジングに装填された磁気シール部とを備える基板処理装置であって、
前記磁気シール部のハウジングの外側に冷却媒体を流す流路を設け、前記蓋体の温度を前記反応ガスによる副生成物が生成しない温度以上にし、かつ、前記磁気シール部を前記磁気シール部の耐熱温度以下になるように温度制御することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の一実施の形態の縦型熱処理装置の部分縦断面図である。
【００１１】
本実施の形態の縦型熱処理装置１００は、熱処理炉５０と、熱処理炉５０を密閉するための蓋体としてのシールキャップ１と、シールキャップ１の下に取り付けられたフランジ２と、被処理基板（図示せず）を支持する基板支持部材としてのボート１２と、シールキャップ１を貫通して設けられボート１２を回転させる回転軸としてのシャフト４と、シャフト４に取り付けられた磁気シール部３とを備えている。なお、ボート１２は、ボート載置プレート１１上に載置され、シャフト４はボート載置プレート１１に取り付けられている。また、磁気シール部３はフランジ２の下に取り付けられている。
【００１２】
熱処理炉５０は、フランジ２１と、フランジ２１に同心円状に取り付けられた内側反応管２２および外側反応管２３と、外側反応管２３の外側に設けられたヒータ２５およびその外側に設けられた断熱材（図示せず）とを備えている。シールキャップ１はフランジ２１の下側を密閉する。基板を処理する際には、ヒータ２５により熱処理炉５０内を加熱しながら、反応ガスを内側反応管２２の下側から導入する。導入された反応ガス（基板に窒化膜を設ける場合には、例えば、ＮＨ３とＳｉＣｌ４）は、内側反応管２２内を上昇し、その後、内側反応管２２と外側反応管２３との間の空間２４を通って排出される。
【００１３】
本実施の形態では、フランジ２への冷却水の供給を削除して、それに代えて、磁気シール部３を装填したハウジング５に水冷ジャケット７を巻き、水冷ジャケット７に水を流して間接的に磁気シール部３を冷却するような構造をとった。
【００１４】
そして、ハウジング５に熱電対（ＴＣ）８とサーモスイッチ（サーモＳＷ）９を取り付け、冷却媒体としての冷却水の供給をＯＮ−ＯＦＦ制御することで磁気シール部３およびシールキャップ１の温度制御を所定の温度範囲で行えるようにした。なお、ここで所定の温度範囲とは、シールキャップ１の温度が反応ガスによる副生成物が生成しない温度以上（例えば、反応ガスとして、ＮＨ３とＳｉＣｌ４を使用する場合には、１２０℃以上）であり、磁気シール部３については、反応ガスによる副生成物が生成しない温度以上（例えば、反応ガスとして、ＮＨ３とＳｉＣｌ４を使用する場合には、１２０℃以上）であり、その耐熱温度以下（例えば１５０℃以下）である。従って、例えば、反応ガスとして、ＮＨ３とＳｉＣｌ４を使用する場合には、磁気シール部３は１２０℃〜１５０℃の温度範囲に保たれる。
【００１５】
このように、構造上熱源からより離れた場所、すなわち、より低温になる箇所である磁気シール部３のハウジング５の外側に水冷ジャケット７を設けたことで、冷却媒体としての水が沸騰することなく磁気シール部３を耐熱温度以下に制御でき、しかも、炉口部底面となるシールキャップ１の温度を、ＮＨ４Ｃｌ等の副生成分が発生しない温度以上に設定することが可能となった。
【００１６】
また、熱電対８、サーモスイッチ９を増設することで、温度状態を管理して磁気シール部３を含む周辺の温度状態を制御することが可能となった。
【００１７】
その結果、磁気シール部３が、熱や副生成物の混入といった要因で破壊する事象が減ることで、メンテナンス頻度、部品交換頻度が減ることになった。
【００１８】
また、このように水を使用することが可能となったので、フッ素系媒体、シリコン系媒体等の水以外の媒体を使う場合のように、チラー等の循環器を使う必要がなくなり、その結果、かつ循環器の設置に伴うフットプリントの増加を招くこともなくなった。
【００１９】
なお、ハウジング５の外側の水冷ジャケット７に流すのは、水に限られず、フッ素系流体等の媒体を使用することもでき、また、場合によっては、空気、Ｎ２等の気体も使用できる場合もある。
【００２０】
また、ハウジング５の外側の水冷ジャケット７に代えて、ハウジング５の外側にパイプを設けてもよく、また、ハウジング５の内側に水冷ジャケット７やパイプを設けてもよい。
【００２１】
【発明の効果】
本発明によれば、水を使用しても温度制御が可能であり、ＮＨ４Ｃｌ等の副生成物の発生を防止でき、かつ磁気シール部の性能を維持できる構造のボート等の基板支持部材回転機構を備えた基板処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の縦型熱処理装置の部分縦断面図である。
【図２】従来の縦型熱処理装置の部分縦断面図である。
【符号の説明】
１…シールキャップ
２…フランジ
３…磁気シール部
４…シャフト
５…ハウジング
７…水冷ジャケット
８…熱電対
９…サーモスイッチ
１１…ボート載置プレート
１２…ボート
２０…ボート回転機構部
２１…フランジ
２２…内側反応管
２３…外側反応管
２４…空間
２５…ヒータ
３１、３２…流路
５０…熱処理炉
１００、２００…縦型熱処理装置
【図１】
0003981282.tif 000002
【図２】
0003981282.tif 000003