(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、
上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、
入射光の波長がλｎｍであって、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、
上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（２５・ｎ１）ｎｍ以上λ／（１１・ｎ１）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、上記第２シリコン酸化層の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍであり、上記第２シリコン窒化層の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍであることを特徴とする受光素子。
【請求項２】
光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、
上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、
入射光の波長がλｎｍであって、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、
上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（７・ｎ２）ｎｍ以上λ／（５・ｎ２）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、上記第２シリコン酸化層の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍであり、上記第２シリコン窒化層の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍであることを特徴とする受光素子。
【請求項３】
光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、
上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、
入射光の波長がλｎｍであって、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、
上記第２シリコン酸化層の厚みが１９λ／（９３・ｎ３）ｎｍ以上２λ／（７・ｎ３）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、上記第２シリコン窒化層の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍであることを特徴とする受光素子。
【請求項４】
光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、
上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、
入射光の波長がλｎｍであって、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であり、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であるとして、
上記第２シリコン窒化層の厚みが５λ／（２８・ｎ４）ｎｍ以上４λ／（１３・ｎ４）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、上記第２シリコン酸化層の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍであることを特徴とする受光素子。
【請求項５】
光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、
上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、
入射光の波長がλｎｍであって、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、
上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（２５・ｎ１）ｎｍ以上λ／（１１・ｎ１）ｎｍ以下であり、
上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（７・ｎ２）ｎｍ以上λ／（５・ｎ２）ｎｍ以下であり、
上記第２シリコン酸化層の厚みが１９λ／（９３・ｎ３）ｎｍ以上２λ／（７・ｎ３）ｎｍ以下であり、
上記第２シリコン窒化層の厚みが５λ／（２８・ｎ４）ｎｍ以上４λ／（１３・ｎ４）ｎｍ以下であることを特徴とする受光素子。
【請求項６】
光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、
上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、
入射光の波長がλｎｍであって、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、
上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、上記第２シリコン酸化層の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍであり、上記第２シリコン窒化層の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍであることを特徴とする受光素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１つに記載の受光素子を備えた光ピックアップ部。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、受光素子および光ピックアップ部に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、光ディスク装置が備える光ピックアップ部は、半導体レーザの出射光をレンズでディスク上に集光・照射し、このディスク上に書き込まれているデータ部で光強度が変調された反射光を、受光素子で受光している。この受光素子の出力信号から、信号処理回路によって、上記ディスク上に書き込まれたデータ信号が検出されると共に、フォーカス信号やサーボ信号が検出される。上記光ディスク装置は、上記フォーカス信号に基いて上記レンズの焦点を制御すると共に、上記サーボ信号に基いて上記ディスク上のレーザ光の集光位置を制御している。
【０００３】
図７は、上記光ディスク装置が備える従来の受光素子の断面図である。この受光素子は、半導体基板７００上に形成された第１Ｐ型拡散層７０１上に、Ｐ型半導体層７０２を形成し、このＰ型半導体層７０２の表面部分にＮ型拡散層７０３を形成して受光部を構成している。この受光素子の表面の光が入射する領域であって、上記受光部の上に、シリコン酸化層７０５とシリコン窒化層７０６からなる反射防止膜７０７を設けている。上記シリコン酸化層７０５の層厚とシリコン窒化層７０６の層厚は、所定の波長の入射光に対して、反射防止膜７０７の反射率が低くなるような層厚にしている。すなわち、シリコン酸化層７０５の屈折率が１．４７であり、シリコン窒化層７０６の屈折率が２．０７である場合、上記シリコン酸化層７０５の層厚を２３ｎｍにすると共に上記シリコン窒化層７０６の層厚を２５ｎｍにして、波長が４０５ｎｍの入射光に対して、反射防止膜７０７の反射率が５％になるようにしている。
【０００４】
上記従来の受光素子は、使用用途に応じて、上記Ｐ型半導体層７０２の表面と上記反射防止膜７０７の表面に、保護用の透明樹脂をコーティングする場合がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の受光素子は、上記透明樹脂をコーティングした場合、この透明樹脂と上記反射防止膜７０７との入射光に対する反射率が、上記反射防止膜７０７のみの入射光に対する反射率よりも大きくなるという問題がある。具体的には、図７の受光素子に透明樹脂をコーティングすると、入射光に対する反射防止膜７０７の反射率が５％であったのが、入射光に対する上記透明樹脂と反射防止膜７０７との反射率が２２％になってしまって、入射光に対する反射率が１７％上昇してしまう。通常、この反射率の上昇をより小さくするため、樹脂表面に反射防止コーティングが行われているが、しかし、この場合も最低で１７％にまでしか反射率を低減できない。つまり、入射光に対する反射率が１３％以上必ず上昇してしまう。詳しく述べると、透明樹脂をコーティングした場合の反射率は、次式で表される。
１００−（１００−Ａ）×（１００−Ｂ）÷１００（％）
Ａ：樹脂表面の反射率（％）,  Ｂ：樹脂と反射防止膜界面の反射率（％）
したがって上式のように、樹脂表面の反射率と、樹脂と反射防止膜界面の反射率により、透明樹脂をコーティングした場合の反射率が決定される。ここで樹脂表面の反射率は、反射防止膜構造にかかわらず５％であり、樹脂表面に反射防止コーティングを行うことで最低で０％にまで低減できる。上記の反射率値１７％は、この場合のものである。したがって、最低でも反射率が１７％になってしまい、入射光に対する反射率が１３％以上必ず上昇してしまう。この程度に受光素子への入射光に対する反射率が異なると、同じ強さの光が入射した場合における受光素子からの信号出力の値が、上記透明樹脂をコーティングした場合としない場合とで異なる。したがって、上記透明樹脂をコーティングした場合としない場合とで、上記受光素子からの信号を処理する信号処理回路の構成を変える必要がある。つまり、同じ受光素子であっても、透明樹脂のコーティングの有無に応じて２つの信号処理回路を用意する必要があるので、この信号処理回路を設計する手間が増え、また、信号処理回路の製造コストが上昇するという問題がある。
【０００６】
また、上記受光素子は、入射光に対する反射率が、透明樹脂のコーティングの有無によって変化するので、製品を出荷する前に行う性能試験は、透明樹脂のコーティングをした後に行う必要があって、感度性能試験における手間とコストが増加するという問題がある。
【０００７】
なお、図７の受光素子において、シリコン酸化層７０５の厚みを４０ｎｍにすると共に上記シリコン窒化層７０６の厚みを３３ｎｍにすると、透明樹脂コーティングの有無による反射率の差を５％以内に抑えることができる。しかし、この場合の反射防止膜７０７の反射率は３０％以上になってしまうので、受光素子の感度が低下してしまう。感度が低い場合、十分なＳ／Ｎ比を取ることができず、信号読み取りエラーの原因となる。また回路内蔵受光素子においては、Ｓ／Ｎ比が小さくなるにしたがって動作速度が遅くなるという問題がある。以上の問題は、理論的に感度が低くなる短波長光を用いる場合に顕著になり、実際に回路内蔵受光素子を作成し、波長４００ｎｍの光を信号光として検討を行ったところ、反射率を１５％以下に抑える必要があることがわかった。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、透明樹脂をコーティングした場合と配置しない場合とで、入射光に対する反射率が殆ど変わらなくて、しかも、上記反射率が小さくできる受光素子を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の受光素子は、光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、
上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、
入射光の波長がλｎｍであって、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、
上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（２５・ｎ１）ｎｍ以上λ／（１１・ｎ１）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、上記第２シリコン酸化層の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍであり、上記第２シリコン窒化層の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍであることを特徴としている。
【００１０】
上記構成によれば、上記反射防止膜上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、この受光素子への入射光の反射率の差を容易に５％以下にできる。その結果、上記受光素子は、製品の性能試験において、上記樹脂を配置していない受光素子の反射率を測定することによって、樹脂を配置した受光素子の反射率も略正確に予測できるから、この性能試験の作業が簡略化できる。
【００１１】
本発明の受光素子は、光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、
上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、
入射光の波長がλｎｍであって、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、
上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（７・ｎ２）ｎｍ以上λ／（５・ｎ２）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、上記第２シリコン酸化層の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍであり、上記第２シリコン窒化層の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍであることを特徴としている。
【００１２】
上記構成によれば、上記反射防止膜上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、この受光素子への入射光の反射率の差を容易に５％以下にできる。その結果、上記受光素子は、製品の性能試験において、上記樹脂を配置していない受光素子の反射率を測定することによって、樹脂を配置した受光素子の反射率も略正確に予測できるから、この性能試験の作業が簡略化できる。
【００１３】
本発明の受光素子は、光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、
上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、
入射光の波長がλｎｍであって、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、
上記第２シリコン酸化層の厚みが１９λ／（９３・ｎ３）ｎｍ以上２λ／（７・ｎ３）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、上記第２シリコン窒化層の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍであることを特徴としている。
【００１４】
上記構成によれば、上記反射防止膜上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、この受光素子への入射光の反射率の差を容易に５％以下にできる。その結果、上記受光素子は、製品の性能試験において、上記樹脂を配置していない受光素子の反射率を測定することによって、樹脂を配置した受光素子の反射率も略正確に予測できるから、この性能試験の作業が簡略化できる。
【００１５】
本発明の受光素子は、光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、
上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、
入射光の波長がλｎｍであって、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であり、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であるとして、
上記第２シリコン窒化層の厚みが５λ／（２８・ｎ４）ｎｍ以上４λ／（１３・ｎ４）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、上記第２シリコン酸化層の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍであることを特徴としている。
【００１６】
上記構成によれば、上記反射防止膜上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、この受光素子への入射光の反射率の差を容易に５％以下にできる。その結果、上記受光素子は、製品の性能試験において、上記樹脂を配置していない受光素子の反射率を測定することによって、樹脂を配置した受光素子の反射率も略正確に予測できるから、この性能試験の作業が簡略化できる。
【００１７】
本発明の受光素子は、光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、
上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、
入射光の波長がλｎｍであって、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、
上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（２５・ｎ１）ｎｍ以上λ／（１１・ｎ１）ｎｍ以下であり、
上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（７・ｎ２）ｎｍ以上λ／（５・ｎ２）ｎｍ以下であり、
上記第２シリコン酸化層の厚みが１９λ／（９３・ｎ３）ｎｍ以上２λ／（７・ｎ３）ｎｍ以下であり、
上記第２シリコン窒化層の厚みが５λ／（２８・ｎ４）ｎｍ以上４λ／（１３・ｎ４）ｎｍ以下であることを特徴としている。
【００１８】
上記構成によれば、上記反射防止膜上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、この受光素子への入射光の反射率の差を容易に５％以下にできる。その結果、上記受光素子は、製品の性能試験において、上記樹脂を配置していない受光素子の反射率を測定することによって、樹脂を配置した受光素子の反射率も略正確に予測できるから、この性能試験の作業が簡略化できる。
【００１９】
本発明の受光素子は、光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、
上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、
入射光の波長がλｎｍであって、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、
上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、上記第２シリコン酸化層の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍであり、上記第２シリコン窒化層の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍであることを特徴としている。
【００２０】
上記構成によれば、上記反射防止膜上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、この受光素子への入射光の反射率の差を確実に５％以下にできる。その結果、上記受光素子は、製品の性能試験において、上記樹脂を配置していない受光素子の反射率を測定することによって、樹脂を配置した受光素子の反射率も略正確に予測できるから、この性能試験の作業が簡略化できる。
【００２１】
本発明の光ピックアップ部は、上記受光素子を備える。
【００２２】
上記構成によれば、上記受光素子が備える反射防止膜上に、樹脂を配置する場合としない場合とに拘らず、同一の信号処理回路を用いて光ピックアップ部が構成できるので、この光ピックアップ部が安価にできる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の第１実施形態の受光素子を示す断面図である。本実施形態では、コンタクト工程以降で形成されるコンタクト、メタル配線、層間絶縁膜については説明を省略する。
【００２５】
この受光素子は、シリコン基板１００上に、順に、不純物濃度が１Ｅ１８ｃｍ−３程度で厚みが１μｍ程度のＰ型拡散層１０１と、不純物濃度が１Ｅ１３〜１Ｅ１６ｃｍ−３程度で厚みが１０〜２０μｍ程度のＰ型半導体層１０２とを備える。このＰ型半導体層１０２の表面部分に、表面近傍の不純物濃度が１Ｅ１７〜１Ｅ２０ｃｍ−３程度のＮ型拡散層１０３を形成して、受光部を構成している。このＮ型拡散層１０３を形成する不純物は、Ｖ価の元素であれば、ヒ素、リン、アンチモンなど、どの元素であってもよい。
【００２６】
上記Ｐ型半導体層１０２の図１における左右両側には、このＰ型半導体層１０２表面からＰ型拡散層１０１にコンタクトを取るためのＰ型拡散層１０４，１０４が形成されている。上記Ｐ型拡散層１０４を形成する不純物は、ＩＩＩ価の元素であれば、ボロン、インジウムなど、どの元素であってもよい。
【００２７】
上記Ｐ型半導体層１０２上であって上記受光部上に、反射防止膜１０９を配置している。この反射防止膜１０９は、上記受光部に近い側から順に、第１シリコン酸化層１０５、第１シリコン窒化層１０６、第２シリコン酸化層１０７および第２シリコン窒化層１０８の４層で構成している。この反射防止膜１０９を構成する各層は、通常のシリコンプロセスによって形成されている。上記第１シリコン酸化層１０５の屈折率がｎ１、第１シリコン窒化層１０６の屈折率がｎ２、第２シリコン酸化層１０７の屈折率がｎ３、第２シリコン窒化層１０８の屈折率がｎ４であるとして、この受光素子への入射光の波長がλｎｍである場合、上記第１シリコン酸化層１０５の厚みをλ／（１７・ｎ１）ｎｍ、上記第１シリコン窒化層１０６の厚みをλ／（６・ｎ２）ｎｍ、上記第２シリコン酸化層１０７の厚みをλ／（４・ｎ３）ｎｍ、上記第２シリコン窒化層１０８の厚みをλ／（４・ｎ４）ｎｍにしている。具体的には、上記第１および第２シリコン酸化層１０５、１０７の屈折率が１．４７であり、上記第１および第２シリコン窒化層１０６、１０８の屈折率が２．０７であり、かつ、入射光の波長が４０５ｎｍである場合、上記第１シリコン酸化層１０５の厚みを１６ｎｍ、上記第１シリコン窒化層１０６の厚みを３３ｎｍ、上記第２シリコン酸化層１０７の厚みを６９ｎｍ、上記第２シリコン窒化層１０８の厚みを４９ｎｍにしている。
【００２８】
上記構成の受光素子について、上記反射防止膜１０９上に、透明樹脂をコーティングした場合としない場合とで、この受光素子に入射する光の反射率の変化を測定した。ここで、上記透明樹脂はエポキシ樹脂であり、屈折率は１．５５であり、上記反射防止膜１０９上に０．５ｍｍの厚みに形成した。また上記樹脂表面には樹脂表面の反射率が０％となるよう反射防止コーティングを行った。この受光素子に入射する光は、波長が４０５ｎｍの光である。
【００２９】
上記実験によれば、上記受光素子は、上記透明樹脂をコーティングした場合としない場合とのいずれも、上記入射光に対する反射率が３％以下に低減できることが確認できた。また、上記受光素子は、上記透明樹脂と上記反射防止膜１０９との上記入射光に対する反射率が、上記反射防止膜１０９のみの上記入射光に対する反射率よりも大きく、この反射率の差は３％以下であった。したがって、上記受光素子は、上記透明樹脂を配置した場合と配置しない場合とで、同一の強さの入射光に対する出力信号の値が略同一である。したがって、従来におけるように、透明樹脂を配置した場合と配置しない場合とで、受光素子の信号処理回路の構成を変える必要がない。その結果、上記受光素子は、透明樹脂のコーティングの有無に拘らず１つの信号処理回路を用意すればよいから、この受光素子の信号処理回路が安価に形成できる。また、上記受光素子は、透明樹脂をコーティングした場合の反射率としない場合の反射率との差が少ないので、受光素子の完成後の性能試験において、透明樹脂をコーティングしない受光素子の試験を実施すれば、上記透明樹脂をコーティングした受光素子の試験結果が略正確に予測できる。したがって、上記透明樹脂をコーティングする前に性能試験が行えるので、この性能試験の作業が簡略化できる。
【００３０】
上記実施形態において、受光素子の入射光は、４０５ｎｍ以外の他の波長であってもよく、入射光の波長λに基いて、第１シリコン酸化層１０５の厚みをλ／（１７・ｎ１）ｎｍ、上記第１シリコン窒化層１０６の厚みをλ／（６・ｎ２）ｎｍ、上記第２シリコン酸化層１０７の厚みをλ／（４・ｎ３）ｎｍ、上記第２シリコン窒化層１０８の厚みをλ／（４・ｎ４）ｎｍにして反射防止膜を構成すればよい。
【００３１】
上記実施形態において、上記反射防止膜１０９は、上記Ｐ型半導体層１０２表面の一部であって上記受光部１０３上に配置したが、上記Ｐ型半導体層１０２表面の全面に配置してもよい。
【００３２】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態の受光素子は、第１実施形態の受光素子と同様の構造を有するので、図１を用いて説明をする。本実施形態では、受光素子の反射防止膜１０９上に、透明樹脂をコーティングした場合と、透明樹脂をコーティングしない場合とについて、上記受光素子が備える反射防止膜１０９を構成する４つの層のうち、第１シリコン酸化層１０５の厚みを、０からλ／（５・ｎ１）ｎｍまでの間で変化させた。この第１シリコン酸化層１０５の厚みを変えた場合の上記反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率の変化、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率の変化を測定した。上記反射防止膜１０９を構成する第１シリコン酸化層１０５以外の層の厚みは、第１シリコン窒化層１０６がλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、第２シリコン酸化層１０７がλ／（４・ｎ３）ｎｍであり、第２シリコン窒化層１０８がλ／（４・ｎ４）ｎｍである。ここにおいて、λは入射光の波長であり、ｎ１は第１シリコン酸化層１０５の屈折率であり、ｎ２は第１シリコン窒化層１０６の屈折率であり、ｎ３は第２シリコン酸化層１０７の屈折率であり、ｎ４は第２シリコン窒化層１０８の屈折率である。また、上記透明樹脂は、エポキシ樹脂であり、屈折率は１．５５であり、上記反射防止膜１０９上に０．５ｍｍの厚みに形成した。また上記樹脂表面には樹脂表面の反射率が０％となるよう反射防止コーティングを行った。
【００３３】
図２は、上記第１シリコン酸化層１０５の厚みを変えた場合の上記反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率の測定結果を示す図である。図２において、横軸は第１シリコン酸化層１０５の厚みであり、縦軸は反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率である。図２から分かるように、本実施形態の受光素子は、上記第１シリコン酸化層１０５の厚みをλ／（２５・ｎ１）ｎｍ以上λ／（１１・ｎ１）ｎｍ以下にすることによって、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、入射光に対する反射率の差を５％以下にできることが分かる。特に、上記第１シリコン酸化層１０５の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍの場合に、透明樹脂をコーティングする場合としない場合との入射光に対する反射率の差を最も小さくできる。そして、上記第１シリコン酸化層１０５の厚みがλ／（２５・ｎ１）ｎｍ以上λ／（１１・ｎ１）ｎｍ以下の場合、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とのいずれにおいても、入射光に対する反射率が１５％以下にできることが分かる。
【００３４】
具体的には、入射光の波長が４０５ｎｍである場合、上記第１および第２シリコン酸化層の屈折率が１．４７であり、上記第１および第２シリコン窒化層の屈折率が２．０７であるとすると、上記第１シリコン窒化層１０６の厚みを３３ｎｍ、第２シリコン酸化層１０７の厚みを６９ｎｍ、第２シリコン窒化層１０８の厚みが４９ｎｍである場合、上記第１シリコン酸化層１０５の厚みを１１ｎｍ以上２５ｎｍ以下にすることによって、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、受光素子の入射光に対する反射率の差を５％以下にできる。
【００３５】
本実施形態の受光素子によれば、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、入射光に対する反射率の差を５％以下にできる。これによって、従来におけるように、上記透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、上記受光素子からの信号を処理するための信号処理回路の回路構成を変える必要が無くなる。したがって、上記受光素子は、信号処理回路の製造コストが削減できる。また、上記受光素子は、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、同一のパワーの入射光に対応する信号出力値が略同じになるので、製品の性能試験において、透明樹脂をコーティングしていない状態で反射防止膜１０９の反射率を測定することによって、透明樹脂をコーティングした後の反射防止膜１０９と透明樹脂との反射率を略正確に予測できる。したがって、性能試験の作業を簡易にできる。
【００３６】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態の受光素子もまた、第１実施形態の受光素子と同様の構造を有するので、図１を用いて説明をする。本実施形態では、受光素子の反射防止膜１０９上に、透明樹脂をコーティングした場合と、透明樹脂をコーティングしない場合とについて、上記受光素子が備える反射防止膜１０９を構成する４つの層のうち、第１シリコン窒化層１０６の厚みを、λ／（１０・ｎ２）ｎｍからλ／（４・ｎ２）ｎｍまでの間で変化させた。この第１シリコン窒化層１０６の厚みを変えた場合の上記反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率の変化、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率の変化を測定した。上記反射防止膜１０９を構成する第１シリコン窒化層１０６以外の層の厚みは、第１シリコン酸化層１０５がλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、第２シリコン酸化層１０７がλ／（４・ｎ３）ｎｍであり、第２シリコン窒化層１０８がλ／（４・ｎ４）ｎｍである。ここにおいて、λは入射光の波長であり、ｎ１は第１シリコン酸化層１０５の屈折率であり、ｎ２は第１シリコン窒化層１０６の屈折率であり、ｎ３は第２シリコン酸化層１０７の屈折率であり、ｎ４は第２シリコン窒化層１０８の屈折率である。また、上記透明樹脂は、エポキシ樹脂であり、屈折率は１．５５であり、上記反射防止膜１０９上に０．５ｍｍの厚みに形成した。また上記樹脂表面には樹脂表面の反射率が０％となるよう反射防止コーティングを行った。
【００３７】
図３は、上記第１シリコン窒化層１０６の厚みを変えた場合の上記反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率の測定結果を示す図である。図３において、横軸は第１シリコン窒化層１０６の厚みであり、縦軸は反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率である。図３から分かるように、本実施形態の受光素子は、上記第１シリコン窒化層１０６の厚みをλ／（７・ｎ２）ｎｍ以上λ／（５・ｎ２）ｎｍ以下にすることによって、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、入射光に対する反射率の差を５％以下にできることが分かる。特に、本実施形態の受光素子は、上記第１シリコン窒化層１０６の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍの場合に、透明樹脂をコーティングする場合としない場合との入射光に対する反射率の差を最も小さくできる。そして、上記第１シリコン窒化層１０６の厚みがλ／（７・ｎ２）ｎｍ以上λ／（５・ｎ２）ｎｍ以下の場合、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とのいずれにおいても、入射光に対する反射率が１５％以下にできることが分かる。
【００３８】
具体的には、入射光の波長が４０５ｎｍである場合、上記第１および第２シリコン酸化層の屈折率が１．４７であり、上記第１および第２シリコン窒化層の屈折率が２．０７であるとすると、上記第１シリコン酸化層１０５の厚みを１６ｎｍ、第２シリコン酸化層１０７の厚みを６９ｎｍ、第２シリコン窒化層１０８の厚みが４９ｎｍである場合、上記第１シリコン窒化層１０６の厚みを２８ｎｍ以上３９ｎｍ以下にすることによって、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、受光素子の入射光に対する反射率の差を５％以下にできる。
【００３９】
本実施形態の受光素子によれば、従来におけるように、上記透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、上記受光素子からの信号を処理するための信号処理回路の回路構成を変える必要が無くなるので、信号処理回路の製造コストが削減できる。また、上記受光素子は、製品の性能試験において、透明樹脂をコーティングしていない状態で反射防止膜１０９の反射率を測定することによって、透明樹脂をコーティングした後の反射防止膜１０９と透明樹脂との反射率を略正確に予測できる。したがって、性能試験の作業を簡易にできる。
【００４０】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態の受光素子もまた、第１実施形態の受光素子と同様の構造を有するので、図１を用いて説明をする。本実施形態では、受光素子の反射防止膜１０９上に、透明樹脂をコーティングした場合と、透明樹脂をコーティングしない場合とについて、上記受光素子が備える反射防止膜１０９を構成する４つの層のうち、第２シリコン酸化層１０７の厚みを、５・λ／（２８・ｎ３）ｎｍから９・λ／（２８・ｎ３）ｎｍまでの間で変化させた。この第２シリコン酸化層１０７の厚みを変えた場合の上記反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率の変化、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率の変化を測定した。上記反射防止膜１０９を構成する第２シリコン酸化層１０７以外の層の厚みは、第１シリコン酸化層１０５がλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、第１シリコン窒化層１０６がλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、第２シリコン窒化層１０８がλ／（４・ｎ４）ｎｍである。ここにおいて、λは入射光の波長であり、ｎ１は第１シリコン酸化層１０５の屈折率であり、ｎ２は第１シリコン窒化層１０６の屈折率であり、ｎ３は第２シリコン酸化層１０７の屈折率であり、ｎ４は第２シリコン窒化層１０８の屈折率である。また、上記透明樹脂は、エポキシ樹脂であり、屈折率は１．５５であり、上記反射防止膜１０９上に０．５ｍｍの厚みに形成した。また上記樹脂表面には樹脂表面の反射率が０％となるよう反射防止コーティングを行った。
【００４１】
図４は、上記第２シリコン酸化層１０７の厚みを変えた場合の上記反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率の測定結果を示す図である。図４において、横軸は第２シリコン酸化層１０７の厚みであり、縦軸は反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率である。図４から分かるように、本実施形態の受光素子は、上記第２シリコン酸化層１０７の厚みを１９・λ／（９３・ｎ３）ｎｍ以上２・λ／（７・ｎ３）ｎｍ以下にすることによって、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、入射光に対する反射率の差を５％以下にできることが分かる。特に、本実施形態の受光素子は、上記第１シリコン窒化層１０６の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍの場合に、透明樹脂をコーティングする場合としない場合との入射光に対する反射率の差を最も小さくできる。そして、上記第２シリコン酸化層１０７の厚みが１９・λ／（９３・ｎ３）ｎｍ以上２・λ／（７・ｎ３）ｎｍ以下の場合、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とのいずれにおいても、入射光に対する反射率が１５％以下にできることが分かる。
【００４２】
具体的には、入射光の波長が４０５ｎｍである場合、上記第１および第２シリコン酸化層の屈折率が１．４７であり、上記第１および第２シリコン窒化層の屈折率が２．０７であるとすると、上記第１シリコン酸化層１０５の厚みを１６ｎｍ、第１シリコン窒化層１０６の厚みを３３ｎｍ、第２シリコン窒化層１０８の厚みが４９ｎｍである場合、上記第２シリコン酸化層１０７の厚みを５６ｎｍ以上７９ｎｍ以下にすることによって、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、受光素子の入射光に対する反射率の差を５％以下にできる。
【００４３】
本実施形態の受光素子によれば、従来におけるように、上記透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、上記受光素子からの信号を処理するための信号処理回路の回路構成を変える必要が無くなるので、信号処理回路の製造コストが削減できる。また、上記受光素子は、製品の性能試験において、透明樹脂をコーティングしていない状態で反射防止膜１０９の反射率を測定することによって、透明樹脂をコーティングした後の反射防止膜１０９と透明樹脂との反射率を略正確に予測できる。したがって、性能試験の作業を簡易にできる。
【００４４】
また、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、受光素子の入射光に対する反射率の差を５％以下にできる第２シリコン酸化層１０７の厚みは、５６ｎｍ以上７９ｎｍ以下であって、第３実施形態における第１シリコン酸化層１０５および第３実施形態における第１シリコン窒化層１０６よりも、厚みの値の範囲が大きい。したがって、本実施形態の受光素子は、第２実施形態または第３実施形態よりも容易な層厚制御によって、反射率が透明樹脂の有無に依らずに低くできる受光素子が得られる。
【００４５】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態の受光素子もまた、第１実施形態の受光素子と同様の構造を有するので、図１を用いて説明をする。本実施形態では、受光素子の反射防止膜１０９上に、透明樹脂をコーティングした場合と、透明樹脂をコーティングしない場合とについて、上記受光素子が備える反射防止膜１０９を構成する４つの層のうち、第２シリコン窒化層１０８の厚みを、３・λ／（２０・ｎ４）ｎｍから７・λ／（２０・ｎ４）ｎｍまでの間で変化させた。この第２シリコン窒化層１０８の厚みを変えた場合の上記反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率の変化、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率の変化を測定した。上記反射防止膜１０９を構成する第２シリコン窒化層１０８以外の層の厚みは、第１シリコン酸化層１０５がλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、第１シリコン窒化層１０６がλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、第２シリコン酸化層１０７がλ／（４・ｎ３）ｎｍである。ここにおいて、λは入射光の波長であり、ｎ１は第１シリコン酸化層１０５の屈折率であり、ｎ２は第１シリコン窒化層１０６の屈折率であり、ｎ３は第２シリコン酸化層１０７の屈折率であり、ｎ４は第２シリコン窒化層１０８の屈折率である。また、上記透明樹脂は、エポキシ樹脂であり、屈折率は１．５５であり、上記反射防止膜１０９上に０．５ｍｍの厚みに形成した。また上記樹脂表面には樹脂表面の反射率が０％となるよう反射防止コーティングを行った。
【００４６】
図５は、上記第２シリコン窒化層１０８の厚みを変えた場合の上記反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率の測定結果を示す図である。図５において、横軸は第２シリコン窒化層１０８の厚みであり、縦軸は反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率である。図５から分かるように、本実施形態の受光素子は、上記第２シリコン窒化層１０８の厚みを５・λ／（２８・ｎ４）ｎｍ以上４・λ／（１３・ｎ４）ｎｍ以下にすることによって、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、入射光に対する反射率の差を５％以下にできることが分かる。特に、本実施形態の受光素子は、上記第１シリコン窒化層１０６の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍの場合に、透明樹脂をコーティングする場合としない場合との入射光に対する反射率の差を最も小さくできる。そして、上記第２シリコン窒化層１０８の厚みが５・λ／（２８・ｎ４）ｎｍ以上４・λ／（１３・ｎ４）ｎｍ以下の場合、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とのいずれにおいても、入射光に対する反射率が１５％以下にできることが分かる。
【００４７】
具体的には、入射光の波長が４０５ｎｍである場合、上記第１および第２シリコン酸化層の屈折率が１．４７であり、上記第１および第２シリコン窒化層の屈折率が２．０７であるとすると、上記第１シリコン酸化層１０５の厚みを１６ｎｍ、第１シリコン窒化層１０６の厚みを３３ｎｍ、第２シリコン酸化層１０７の厚みが６９ｎｍである場合、上記第２シリコン窒化層１０８の厚みを３５ｎｍ以上６０ｎｍ以下にすることによって、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、受光素子の入射光に対する反射率の差を５％以下にできる。
【００４８】
本実施形態の受光素子によれば、従来におけるように、上記透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、上記受光素子からの信号を処理するための信号処理回路の回路構成を変える必要が無くなるので、信号処理回路の製造コストが削減できる。また、上記受光素子は、製品の性能試験において、透明樹脂をコーティングしていない状態で反射防止膜１０９の反射率を測定することによって、透明樹脂をコーティングした後の反射防止膜１０９と透明樹脂との反射率を略正確に予測できる。したがって、性能試験の作業を簡易にできる。
【００４９】
また、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、受光素子の入射光に対する反射率の差を５％以下にできる第２シリコン窒化層１０８の厚みは、３５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であって、第２実施形態における第１シリコン酸化層１０５および第３実施形態における第１シリコン窒化層１０６よりも、厚みの値の範囲が大きい。したがって、本実施形態の受光素子は、第２実施形態または第３実施形態よりも容易な層厚制御によって、反射率が透明樹脂の有無に依らずに低くできる受光素子が得られる。
【００５０】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態の受光素子もまた、第１実施形態の受光素子と同様の構造を有するので、図１を用いて説明をする。本実施形態の受光素子は、上記受光素子が備える反射防止膜１０９を構成する４つの層を、各々所定の範囲の大きさに変化させた。ここで、上記反射防止膜１０９上に、透明樹脂をコーティングする場合とコーティングしない場合とについて、上記反射防止膜１０９および透明樹脂の反射率の変化、ならびに上記反射防止膜１０９の反射率の変化を測定した。すなわち、上記反射防止膜１０９を構成する各層について、第１シリコン酸化層１０５の厚みをλ／（２５・ｎ１）ｎｍ以上λ／（１１・ｎ１）ｎｍ以下の間で変化させ、第１シリコン窒化層１０６の厚みをλ／（７・ｎ２）ｎｍ以上λ／（５・ｎ２）ｎｍ以下の間で変化させ、第２シリコン酸化層１０７の厚みを１９・λ／（９３・ｎ３）ｎｍ以上２・λ／（７・ｎ３）ｎｍ以下の間で変化させ、第２シリコン窒化層１０８の厚みを５・λ／（２８・ｎ４）ｎｍ以上４・λ／（１３・ｎ４）ｎｍ以下の間で変化させた。
【００５１】
具体的には、波長が４０５ｎｍの入射光について、上記第１および第２シリコン酸化層の屈折率が１．４７であり、上記第１および第２シリコン窒化層の屈折率が２．０７である場合、上記第１シリコン酸化層１０５の厚みを１１ｎｍ以上２５ｎｍ以下、第１シリコン窒化層１０６の厚みを２８ｎｍ以上３９ｎｍ以下、第２シリコン酸化層１０７の厚みを５６ｎｍ以上７９ｎｍ以下、第２シリコン窒化層１０８の厚みを３５ｎｍ以上６０ｎｍ以下にした。また、上記透明樹脂は、エポキシ樹脂であり、屈折率は１．５５であり、上記反射防止膜１０９上に０．５ｍｍの厚みに形成した。また上記樹脂表面には樹脂表面の反射率が０％となるよう反射防止コーティングを行った。
【００５２】
本実施形態の受光素子は、上記反射防止膜１０９を構成する４層の厚みを各々変化させた場合、透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、入射光に対する反射率の差が５％以下にするためには少なくとも上記の範囲に膜厚を設定する必要があることがわかった。また、上記反射防止膜１０９および透明樹脂、ならびに反射防止膜１０９の反射率を１５％以下にするためには少なくとも上記の範囲に膜厚を設定する必要があることが分かった。したがって、本実施形態の受光素子によれば、従来におけるように、上記透明樹脂をコーティングする場合としない場合とで、上記受光素子からの信号を処理するための信号処理回路の回路構成を変える必要が無くなるので、信号処理回路の製造コストが削減できる。また、上記受光素子は、製品の性能試験において、透明樹脂をコーティングしていない状態で反射防止膜１０９の反射率を測定することによって、透明樹脂をコーティングした後の反射防止膜１０９と透明樹脂との反射率を略正確に予測できる。したがって、性能試験の作業を簡易にできる。
【００５３】
上記実施形態において、受光素子の入射光は他の波長を有してもよい。また、上記第１および第２シリコン酸化層、ならびに第１および第２シリコン窒化層は、他の屈折率を有してもよい。
【００５４】
また、上記透明樹脂は、他の屈折率および厚みを有してもよい。
【００５５】
（第７実施形態）
図６は、本発明の第７実施形態の光ディスク装置が備える光ピックアップ部を示す図であり、この光ピックアップ部は、本発明による受光素子を備える。この光ピックアップ部は、半導体レーザ６００から出射した光を、トラッキングビーム生成用の回折格子６０１によって、２つのトラッキング用副ビームと１つの信号読み出し用主ビームとの３つのビームに分けるようになっている。これらの光を、ホログラム素子６０２に０次光として透過させて、コリメートレンズ６０３で平行光に変換した後、対物レンズ６０４によってディスク６０５上に集光する。このディスク６０５上に集光された光は、ディスク６０５に形成されたピットによって光強度が変調されて反射する。この反射光を、対物レンズおよびコリメートレンズに透過させて、ホログラム素子６０２によって回折し、このホログラム素子６０２からの１次光を、分割型受光素子６０６に形成されたＤ１からＤ５までの５つの受光面で受光する。この５つの受光面に対応する出力を、図示しない信号処理回路で加減算して、上記ディスク６０５に記録されたデータの信号と、この光ピックアップ部のトラッキング用の信号とを得ている。
【００５６】
上記分割型受光素子６０６は、上記Ｄ１からＤ５までの受光面上に、第１実施形態の受光素子と同様の反射防止膜が設けられている。したがって、上記分割型受光素子６０６は、上記反射防止膜上に透明樹脂をコーティングした場合としない場合とで、入射光に対する反射率が殆ど変わらない。その結果、この光ピックアップ部は、上記受光素子６０６の透明樹脂のコーティングの有無に応じて信号処理回路の構成を変える必要が無いから、製造コストが削減できる。
【００５７】
上記実施形態において、光ピックアップ部の光学系は、他の構成を有してもよい。
【００５８】
【発明の効果】
以上より明らかなように、本発明の受光素子によれば、光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、入射光の波長がλｎｍであって、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（２５・ｎ１）ｎｍ以上λ／（１１・ｎ１）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、上記第２シリコン酸化層の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍであり、上記第２シリコン窒化層の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍであるので、上記反射防止膜上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、この受光素子への入射光の反射率の差を容易に５％以下にできる。また、上記反射防止膜の反射率を１５％以下にすることができる。
【００５９】
本発明の受光素子によれば、光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、入射光の波長がλｎｍであって、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（７・ｎ２）ｎｍ以上λ／（５・ｎ２）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、上記第２シリコン酸化層の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍであり、上記第２シリコン窒化層の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍであるので、上記反射防止膜上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、この受光素子への入射光の反射率の差を容易に５％以下にできる。また、上記反射防止膜の反射率を１５％以下にすることができる。
【００６０】
本発明の受光素子によれば、光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、入射光の波長がλｎｍであって、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、上記第２シリコン酸化層の厚みが１９λ／（９３・ｎ３）ｎｍ以上２λ／（７・ｎ３）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、上記第２シリコン窒化層の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍであるので、上記反射防止膜上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、この受光素子への入射光の反射率の差を容易に５％以下にできる。また、上記反射防止膜の反射率を１５％以下にすることができる。
【００６１】
本発明の受光素子によれば、光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、入射光の波長がλｎｍであって、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であり、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であるとして、上記第２シリコン窒化層の厚みが５λ／（２８・ｎ４）ｎｍ以上４λ／（１３・ｎ４）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、上記第２シリコン酸化層の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍであるので、上記反射防止膜上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、この受光素子への入射光の反射率の差を容易に５％以下にできる。また、上記反射防止膜の反射率を１５％以下にすることができる。
【００６２】
本発明の受光素子によれば、光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、入射光の波長がλｎｍであって、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（２５・ｎ１）ｎｍ以上λ／（１１・ｎ１）ｎｍ以下であり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（７・ｎ２）ｎｍ以上λ／（５・ｎ２）ｎｍ以下であり、上記第２シリコン酸化層の厚みが１９λ／（９３・ｎ３）ｎｍ以上２λ／（７・ｎ３）ｎｍ以下であり、上記第２シリコン窒化層の厚みが５λ／（２８・ｎ４）ｎｍ以上４λ／（１３・ｎ４）ｎｍ以下であるので、少なくとも上記反射防止膜上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、この受光素子への入射光の反射率の差を５％以下にできる膜厚の組み合わせを含んでいる。また反射率を１５％以下にすることができる膜厚の組み合わせを含んでいる。
【００６３】
本発明の受光素子によれば、光が入射する領域に、反射防止膜を有する受光素子において、上記反射防止膜は、半導体層上に順次積層された第１シリコン酸化層、第１シリコン窒化層、第２シリコン酸化層および第２シリコン窒化層からなり、入射光の波長がλｎｍであって、上記第１シリコン酸化層の屈折率がｎ１であり、上記第１シリコン窒化層の屈折率がｎ２であり、上記第２シリコン酸化層の屈折率がｎ３であり、上記第２シリコン窒化層の屈折率がｎ４であるとして、上記第１シリコン酸化層の厚みがλ／（１７・ｎ１）ｎｍであり、上記第１シリコン窒化層の厚みがλ／（６・ｎ２）ｎｍであり、上記第２シリコン酸化層の厚みがλ／（４・ｎ３）ｎｍであり、上記第２シリコン窒化層の厚みがλ／（４・ｎ４）ｎｍであるので、上記反射防止膜上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、この受光素子への入射光の反射率の差を確実に５％以下にできる。また反射率を１５％以下にすることができる。
【００６４】
本発明の光ピックアップ部によれば、上記受光素子を備えるので、上記受光素子が備える反射防止膜上に、樹脂を配置する場合としない場合とに拘らず、同一の信号処理回路を用いて光ピックアップ部が構成できるから、安価に光ピックアップ部が形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施形態の受光素子を示す断面図である。
【図２】  第２実施形態の受光素子について、反射防止膜１０９上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、反射防止膜１０９の第１シリコン酸化層１０５の厚みを変えた場合の入射光に対する反射率の変化を示した図である。
【図３】  第３実施形態の受光素子について、反射防止膜１０９上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、反射防止膜１０９の第１シリコン窒化層１０６の厚みを変えた場合の入射光に対する反射率の変化を示した図である。
【図４】  第４実施形態の受光素子について、反射防止膜１０９上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、反射防止膜１０９の第２シリコン酸化層１０７の厚みを変えた場合の入射光に対する反射率の変化を示した図である。
【図５】  第５実施形態の受光素子について、反射防止膜１０９上に樹脂を配置した場合と樹脂を配置しない場合とで、反射防止膜１０９の第２シリコン窒化層１０８の厚みを変えた場合の入射光に対する反射率の変化を示した図である。
【図６】  第７実施形態の光ディスク装置が備える光ピックアップ部を示す図である。
【図７】  従来の受光素子を示す断面図である。
【符号の説明】
１００  シリコン基板
１０１  Ｐ型拡散層
１０２  Ｐ型半導体層
１０３  Ｎ型拡散層
１０４  Ｐ型拡散層
１０５  第１シリコン酸化層
１０６  第１シリコン窒化層
１０７  第２シリコン酸化層
１０８  第２シリコン窒化層
１０９  反射防止膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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