(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物と、下記一般式（３）で表わされる酸により分解し酸を生成し得る化合物と、光の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジスト珪素組成物。
【化１】
0004024898.tif 000060
（上記一般式（３）中、Ｒ11は、置換または非置換の脂肪族基、置換または非置換の芳香族基、シリル基およびポリシロキサン構造からなる群から選択され、Ｙ11は、ＣＯＯ，ＳＯ3，ＯＣＯＯ，ＯＣＨ2ＣＯＯまたはＯであり、Ｒ12は、置換または非置換の脂肪族基およびシリル基からなる群から選択され、ベータ炭素に水素が置換した基を表わす。ただし、Ｙ11がＯのとき、このＹ11が直接結合するＲ11の部分は脂肪族基ではない。）
【請求項２】
下記一般式（１）で表わされるハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物と、光の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジスト珪素組成物。
【化２】
0004024898.tif 000061
（上記一般式（１）中、Ｒ1は、下記一般式（４）で表わされる酸によって分解し酸を生成し得る基を表わし、ｍおよびｎは自然数である。）
【化３】
0004024898.tif 000062
（上記一般式（４）中、Ｒ21は、置換または非置換の二価の芳香族基、置換または非置換の二価の脂肪族基からなる群から選択され、Ｙ21は、ＣＯＯ，ＳＯ3 ，ＯＣＯＯ，ＯＣＨ2ＣＯＯまたはＯであり、Ｒ22は、置換または非置換の脂肪族基であって、ベータ炭素に水素が置換した基を表わす。ただし、Ｙ21がＯのとき、このＹ21が直接結合するＲ21の部分は脂肪族基ではない。）
【請求項３】
前記請求項１または２に記載の珪素組成物を含む膜を基板上に成膜する工程と、前記珪素組成物膜の所定の領域に光を照射して露光を施す工程と、前記露光後の珪素組成物膜の露光部を、アルカリ水溶液で溶解除去して現像する工程とを具備するパターン形成方法。
【請求項４】
基板上に炭素系化合物を含む膜を成膜する工程と、前記炭素系化合物膜上に前記請求項１または２に記載の珪素組成物を含む膜を成膜する工程と、前記珪素組成物膜の所定の領域に光を照射して露光を施す工程と、前記露光後の珪素組成物膜の露光部をアルカリ水溶液で溶解除去して現像し、パターン化された珪素組成物膜を形成する工程と、前記パターン化された珪素組成物膜をエッチングマスクとして、炭素系化合物膜にパターンを転写する工程とを具備するパターン形成方法。
【請求項５】
前記請求項１または２に記載の珪素組成物を含む膜を基板上に形成する工程と、前記珪素組成物膜の所定の領域に光を照射して露光を施す工程と、前記露光後の珪素組成物膜の露光部をアルカリ水溶液で溶解除去して現像し、パターン化された珪素組成物膜を形成する工程と、珪素組成物膜パターンを加熱処理して珪素酸化物膜パターンを得る工程と、得られた珪素酸化物膜パターンをエッチングマスクとして用いて、基板にパターンを転写する工程とを具備する電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、珪素系酸化物膜パターンを形成するための珪素組成物、これを用いたパターン形成方法、および電子部品の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ハイドロジェンシルセスキオキサンは加熱によりＳｉＯ2 となり、塗布膜で酸化膜が形成される珪素系樹脂であり、得られるＳｉＯ2 膜は、例えば、半導体装置における酸化膜や保護膜として使用される。場合によっては、配線上に形成された絶縁膜をパターニングしてコンタクトホールを形成することが求められ、例えば、有機レジストを用いて次のような工程でＳｉＯ2 膜のパターニングが行なわれる。すなわち、形成されたＳｉＯ2 膜上にレジストを塗布してレジスト膜を形成し、マスクを介してレジスト膜の所定の領域に光を照射して露光を施す。次いで、アルカリ水溶液でレジスト膜を現像することによりパターニングされたレジスト膜を得る。このレジストパターンをマスクとして用いてＳｉＯ2 膜をエッチングすることによって、パターン化されたＳｉＯ2 膜が得られる。このようにしてＳｉＯ2 膜をパターニングした後には、レジストパターンを剥離する工程が必要とされるので、レジストを用いてＳｉＯ2 膜パターンを形成する場合には工程の煩雑化が避けられない。
【０００３】
感光性の珪素組成物を用いれば、レジスト塗布の工程等が不要となるので、工程を短縮することができる。このような珪素組成物としては、ハイドロジェンシルセスキオキサンとペルオキシドに代表されるラジカル発生剤とを含む組成物がＵＳＰ６８８４１８号、特開平５−２０４１６１号公報に開示されている。この組成物を含む塗布膜の所定の領域に露光を施した後、有機溶剤で現像することによりネガ型パターンを形成することができる。しかしながら、近年環境問題から有機溶剤による現像は敬遠される傾向にあり、処理しやすいアルカリ水溶液による現像が求められている。
【０００４】
一方、半導体のメモリ容量が増大するに伴って半導体配線の微細化が進んでおり、より短波長なＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）露光用レジストが必要となっている。上述したようなＳｉＯ2 膜のパターニングに用いられるレジストに含有される有機ポリマは、一般に１９３ｎｍに大きなＵＶ吸収を有している。このため、レジスト膜の下層まで光を通すことが困難となり、微細なレジストパターンを高い解像度で形成することができず、結果として所望の寸法でパターニングされたＳｉＯ2 膜が得られない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように、パターン化されたＳｉＯ2 膜を得るに当たって、レジストを用いた場合には工程が煩雑となるのみならず、ＡｒＦエキシマレーザを用いても精度よく露光できないためにＳｉＯ2 膜を所望の寸法にパターニングすることが困難である。
【０００６】
また一方、感光性の珪素組成物を用いた場合には、現像には有機溶剤が用いられるので好ましくない。
【０００７】
本発明はこれらの問題に鑑みて、Ｔg が高く耐熱性を有する微細なＳｉＯ2 パターンを、アルカリ現像によって精度よく形成可能であって、しかもｄｅｅｐＵＶ領域での透明性に優れた珪素組成物、およびこの組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【０００８】
また本発明は、得られたパターンを用いて精度よく微細加工を行なう電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物と、下記一般式（３）で表わされる酸により分解し酸を生成し得る化合物と、光の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジスト珪素組成物を提供する。
【化４】
0004024898.tif 000002
（上記一般式（３）中、Ｒ11は、置換または非置換の脂肪族基、置換または非置換の芳香族基、シリル基およびポリシロキサン構造からなる群から選択され、Ｙ11は、ＣＯＯ，ＳＯ3，ＯＣＯＯ，ＯＣＨ2ＣＯＯまたはＯであり、Ｒ12は、置換または非置換の脂肪族基およびシリル基からなる群から選択され、ベータ炭素に水素が置換した基を表わす。ただし、Ｙ11がＯのとき、このＹ11が直接結合するＲ11の部分は脂肪族基ではない。）
また本発明は、下記一般式（１）で表わされるハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物と、光の照射により酸を発生する化合物とを含有することを特徴とするポジ型レジスト珪素組成物を提供する。
【００１０】
【化２】
0004024898.tif 000003
【００１１】
（上記一般式（１）中、Ｒ1は、下記一般式（４）で表わされる酸によって分解し酸を生成し得る基を表わし、ｍおよびｎは自然数である。）
【化５】
0004024898.tif 000004
（上記一般式（４）中、Ｒ21は、置換または非置換の二価の芳香族基、置換または非置換の二価の脂肪族基からなる群から選択され、Ｙ21は、ＣＯＯ，ＳＯ3 ，ＯＣＯＯ，ＯＣＨ2ＣＯＯまたはＯであり、Ｒ22は、置換または非置換の脂肪族基であって、ベータ炭素に水素が置換した基を表わす。ただし、Ｙ21がＯのとき、このＹ21が直接結合するＲ21の部分は脂肪族基ではない。）
さらに本発明は、前述の珪素組成物を含む膜を基板上に成膜する工程と、前記珪素組成物膜の所定の領域に光を照射して露光を施す工程と、前記露光後の珪素組成物膜の露光部を、アルカリ水溶液で溶解除去して現像する工程とを具備するパターン形成方法を提供する。
【００１２】
またさらに本発明は、基板上に炭素系化合物を含む膜を成膜する工程と、前記炭素系化合物膜上に前述の珪素組成物を含む膜を成膜する工程と、前記珪素組成物膜の所定の領域に光を照射して露光を施す工程と、前記露光後の珪素組成物膜の露光部をアルカリ水溶液で溶解除去して現像し、パターン化された珪素組成物膜を形成する工程と、前記パターン化された珪素組成物膜をエッチングマスクとして、炭素系化合物膜にパターンを転写する工程とを具備するパターン形成方法を提供する。
【００１３】
また本発明は、前述の珪素組成物を含む膜を基板上に形成する工程と、前記珪素組成物膜の所定の領域に光を照射して露光を施す工程と、前記露光後の珪素組成物膜の露光部をアルカリ水溶液で溶解除去して現像し、パターン化された珪素組成物膜を形成する工程と、珪素組成物膜パターンを加熱処理して珪素酸化物膜パターンを得る工程と、得られた珪素酸化物膜パターンをエッチングマスクとして用いて、基板にパターンを転写する工程とを具備する電子部品の製造方法を提供する。
【００１４】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１５】
本発明の珪素組成物において、ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する化合物としては、下記一般式（２）で表わされる種々のヒドリドシラン樹脂が挙げられる。
【００１６】
【化３】
0004024898.tif 000005
【００１７】
上記一般式（２）中、Ｒ2 はメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などのアルキル基；トリフルオロプロピル基などのハロゲン置換アルキル基；エチルオキシエチル基などのエーテル基置換アルキル基；置換または非置換のフェニル基、ナフチル基およびアントラニル基からなる群から選択される。また、ｘ，ｙおよびｚは、ｘ＝０〜２，ｙ＝０〜２，ｚ＝１〜３であり、かつｘ＋ｙ＋ｚ＝３を満たす整数である。
【００１８】
さらにこれらの樹脂に膜特性、光反応性、アルカリ水溶液溶解性を改善するために、他のシロキサン樹脂成分を含んでいてもよい。なお、含まれ得るシロキサン樹脂成分としては、例えば、以下に示すようなものが挙げられる。
【００１９】
【化４】
0004024898.tif 000006
【００２０】
上述したようなハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する化合物は、例えば、ＵＳＰ３，６１４，２７２に記載されている手順にしたがって合成することができる。具体的には、まずベンゼンスルホン酸水和物を触媒としてトリクロロシランを加水分解して樹脂成分を得、これを水または硫酸水溶液で洗浄することによって得られる。一般的には、ＨＳｉＲ33（Ｒ3は加水分解基を表わす）で示されるシランを加水分解、縮合することにより得られる。これらが完全に加水分解されれば（ＨＳｉＯ3/2）nで表わされる樹脂となるが、縮合が不十分で部分的にＳｉ−Ｒ3基が残存していてもよい。
【００２１】
なお、上述した方法以外にも、ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する化合物は、ＵＳＰ５０５０１５９、ＵＳＰ４９９９３９７、またはＥＵＰ０４４３７６０に記載されている方法を用いて合成してもよい。
【００２２】
かかる珪素化合物の分子量は２００以上１００，０００以下であることが好ましく、２００以上１０，０００以下であることがより好ましい。分子量が２００未満では、形成された膜の耐久性が低下するおそれがあり、一方、１００，０００を越えると、アルカリ水溶液への溶解性が低下するおそれがある。
【００２３】
前述の珪素化合物の配合量は、組成物全体に対して１重量部以上９９重量部以下とすることが好ましい。１重量部未満では、珪素化合物を配合した効果を十分に得ることが困難となり、一方、９９重量部を越えると溶解性の選択比がとれないおそれがある。
【００２４】
本発明において、酸により分解し酸を発生する化合物（以下、溶解抑止剤と称する）としては、例えば、下記一般式（３）で表わされる化合物が挙げられる。
【００２５】
【化５】
0004024898.tif 000007
【００２６】
上記一般式（３）中、Ｒ11は、置換または非置換の脂肪族基、置換または非置換の芳香族基、シリル基およびポリシロキサン構造からなる群から選択され、Ｙ11は、ＣＯＯ，ＳＯ3，ＯＣＯＯ，ＯＣＨ2ＣＯＯまたはＯであり、Ｒ12は、置換または非置換の脂肪族基およびシリル基からなる群から選択され、ベータ炭素に水素が置換した基を表わす。ただし、Ｙ11がＯのとき、このＹ11が直接結合するＲ11の部分は脂肪族基ではない。具体的にはＲ11としては、以下に示すような基が挙げられる。
【００２７】
【化３】
0004024898.tif 000008
【００２８】
【化７】
0004024898.tif 000009
【００２９】
【化８】
0004024898.tif 000010
【００３０】
また、Ｒ12としては、以下に示すような基が、酸の存在下で分解し分解後にアルカリ可溶性になるような基であることから好ましい。
【００３１】
【化４】
0004024898.tif 000011
【００３２】
なお、一般式（３）で表わされる化合物は、酸の存在により以下に示すような反応を生じる。
【００３３】
【化１０】
0004024898.tif 000012
【００３４】
この反応で生じたＲ11−Ｙ11Ｈがアルカリ可溶性を呈する。Ｒ11−Ｙ11Ｈで表わされる化合物としては、例えば、ポリビニルフェノール樹脂、フェノールノボラック樹脂、クレゾール樹脂、キシレゾール樹脂、フェノール、ナフトール、ヒドロキシアントラセン、ポリメタクリレート、ポリアクリレート、安息香酸、フェノールフタレイン、およびシラノール含有シロキサンなどが挙げられる。
【００３５】
本発明において使用し得る溶解抑止剤としては、例えば以下に示すような化合物が挙げられる。
【００３６】
【化１１】
0004024898.tif 000013
【００３７】
【化１２】
0004024898.tif 000014
【００３８】
【化５】
0004024898.tif 000015
【００３９】
【化６】
0004024898.tif 000016
【００４０】
溶解抑止剤の配合量は、シルセスキオキサン構造を有する珪素化合物に対して１重量部以上５０重量部以下、さらには、３重量部以上３０重量部以下とすることが好ましい。１重量部未満の場合には、未露光部の溶解度が増大するため解像性が低下する傾向があり、一方、５０重量部を超えるとレジスト残渣が生じ易くなり、また、塗膜性能や膜強度の低下が引き起こされる傾向になる。
【００４１】
なお本発明の組成物においては、上述したような酸により分解し酸を発生し得る化合物を溶解抑止剤として配合するのみならず、ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物のポリマー主鎖に溶解抑止作用を有する置換基を導入して用いてもよい。かかる珪素化合物としては、具体的には、下記一般式  （１）で表わされる化合物が挙げられる。
【００４２】
【化７】
0004024898.tif 000017
【００４３】
ここで、Ｒ1は酸の存在下に分解し、酸を発生し得る基（以下、溶解抑止基と称する）であり、ｍおよびｎは自然数である。なお溶解抑止基は、下記一般式（４）で表わされる。
【００４４】
【化１６】
0004024898.tif 000018
【００４５】
ここで、Ｒ21は、置換または非置換の二価の芳香族基、置換または非置換の二価の脂肪族基からなる群から選択され、Ｙ21は、ＣＯＯ，ＳＯ3 ，ＯＣＯＯ，ＯＣＨ2ＣＯＯまたはＯであり、Ｒ22は、置換または非置換の脂肪族基であって、ベータ炭素に水素が置換した基を表わす。具体的には、Ｒ21としては、結合手を有する以外は前述の溶解抑止剤におけるＲ11と同様の基が挙げられ、Ｒ22としては前述のＲ12と同様の基が挙げられる。ただし、Ｙ21がＯのとき、このＹ21が直接結合するＲ21の部分は脂肪族基ではない。
【００４６】
このような溶解抑止基においても、酸が存在すると前述の溶解抑止剤の場合と同様の反応が生じ、反応生成物である（−Ｒ21−Ｙ21Ｈ）の部分がアルカリ可溶性を呈する。
【００４７】
ここで、溶解抑止基が導入されたハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物の例を以下に示す。
【００４８】
【化８】
0004024898.tif 000019
【００４９】
式中、ｍ，ｎ，ｋは自然数である。
【００５０】
前述のハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物の場合と同様に、これらの樹脂に膜特性、光反応性、アルカリ水溶液溶解性を改善するために、他のシロキサン樹脂成分を含んでもよく、さらにまた、Ｓｉ−Ｈの水素原子が部分的にアルキル基や芳香族で置換されていてもよい。
【００５１】
前記一般式（１）で表わされるハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する化合物は、例えば、ＵＳＰ３６１５２７２に記載されている手順にしたがって合成することができる。具体的には、まずベンゼンスルホン酸水和物を触媒としてトリクロロシラン、アルキルトリクロロシランおよび芳香族置換トリクロロシランを加水分解して樹脂成分を得、これを、水または硫酸水溶液で洗浄することによって得られる。一般的には、ＨＳｉＲ33、Ｒ4ＳｉＲ33（Ｒ3は加水分解性基を表わし、Ｒ4は置換または非置換の脂肪族基あるいは芳香族基を表わす）で示されるシランを加水分解、縮合することにより得られる。これらが完全に加水分解されれば、（ＨＳｉＯ3/2）nで表わされる樹脂になり、縮合が不十分で部分的にＳｉ−Ｒ3が残存していてもよい。
【００５２】
なお、上述した方法以外にも、一般式（１）で表わされる繰り返し単位を有する化合物は、ＵＳＰ５０１０１５９、ＵＳＰ４９９９３９７、ＥＵＰ０４４３７６０に記載されている方法を用いて合成してもよい。さらにまた、得られた化合物の末端がＳｉＯＨであってもよい。
【００５３】
ただし、上記一般式（１）で表わされるハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物において、溶解抑止基Ｒ1 が導入された単位は、化合物中１以上５０以下程度であることが好ましく、一方のＲ1 が導入されていないアルカリ可溶性を呈する構造単位は、少なくとも１以上であることが好ましい。アルカリ可溶性を有する構造単位が１未満の場合には、アルカリ水溶液への溶解が困難となる。また、溶解抑止基の割合が１未満では、十分な溶解抑止効果を得られないおそれがある。
【００５４】
なお本発明においては、上述したような溶解抑止基が導入されたハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物を用いる場合にも、前述の溶解抑止剤をさらに配合してもよい。
【００５５】
この場合、組成物中における溶解抑止基の総量が、シルセスキオキサンに対して、１以上５０以下程度となるように、溶解抑止剤の配合量を選択することが好ましい。
【００５６】
以上、本発明の組成物に配合され得る２種類の珪素化合物について説明したが、いずれもハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有するものであるので、他の珪素化合物を配合した組成物の問題点を全て解決し、優れた特性を有する珪素組成物を得ることができた。
【００５７】
本発明者らは、ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物と、酸により分解し酸を発生する化合物との混合物について、次のような現象を見出だした。すなわち、かかる混合物を含む膜は、本来アルカリ水溶液に不溶であるが、ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物と酸とを含む有機物は、アルカリ可溶性である。したがって、光の照射により酸を発生する化合物をさらに配合することによって、露光部が選択的にアルカリ可溶性を呈してポジ型のパターンを形成可能な珪素組成物を得ることができた。
【００５８】
なお一般に、シロキサン結合を有するシリコーン樹脂は、アルキル置換基が導入されるとＴｇが低下するのでパターンの保持ができなくなる。Ｔｇを高くする目的でベンゼン環等の芳香族置換基を導入することが試みられているが、芳香族置換基はｄｅｅｐＵＶ領域での透明性に乏しく、高いＴｇとｄｅｅｐＵＶ領域での透明性とを満足させることができなかった。
【００５９】
ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物は、上述したような特性に加えてＴｇが高く、ｄｅｅｐＵＶ領域での透明性も良好であるという最適な特性を有している。このため、この珪素化合物を配合した組成物を用いることにより耐熱性に優れ、良好な形状のパターン形成することができる。なお、ｄｅｅｐＵＶ領域に対する透明性を考慮すれば、芳香族置換基を導入するよりも脂肪族カルボン酸誘導体を導入する方が好ましい。さらに脂肪族カルボン酸誘導体が導入されたハイドロジェンシルセスキオキサン構造は、焼成してＳｉＯ2 膜とする際にも、より低温で有機成分が飛散するので都合がよい。
【００６０】
本発明において、化学放射線の照射により酸を発生する化合物（以下、酸発生剤と称する）としては、例えばオニウム塩、ハロゲン含有化合物、キノンジアジド、スルホン化合物、スルホン酸化合物およびニトリベンジル化合物等が挙げられる。オニウム塩としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、およびジアゾニウム塩を挙げることができる。スルホニウム塩は一般式（ＡＧ）で表わされる化合物である。
【００６１】
【化１８】
0004024898.tif 000020
【００６２】
（ここで、Ｒ21，Ｒ22およびＲ23は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ芳香族基または脂肪族基である。これら芳香族基または脂肪族基は、ハロゲン原子、エーテル結合、チオエーテル結合、シアノ基、アミノ基、エステル結合、メトキシ基、ケト基、または水酸基を有していてもよい。Ｘは、ＢＦ4，ＡｓＦ6，ＰＦ6，ＳｂＦ6，ＣＦ3ＳＯ3，置換または非置換芳香族が置換したＳＯ3などを表わす。）
より具体的には、以下に示すような化合物が挙げられる。
【００６３】
【化１９】
0004024898.tif 000021
【００６４】
【化２０】
0004024898.tif 000022
【００６５】
【化２１】
0004024898.tif 000023
【００６６】
【化２２】
0004024898.tif 000024
【００６７】
【化２３】
0004024898.tif 000025
【００６８】
【化２４】
0004024898.tif 000026
【００６９】
ヨードニウム塩は、一般式（ＤＧ）で表わされる。
【００７０】
【化２５】
0004024898.tif 000027
【００７１】
（ここで、Ｒ24およびＲ25は、互いに同一でも異なっていてもよく、それぞれ芳香族基または脂肪族基である。これら芳香族基または脂肪族基は、ハロゲン原子、エーテル結合、チオエーテル結合、シアノ基、アミノ基、エステル結合、またはメトキシ基を有していてもよい。Ｘは、ＢＦ4，ＡｓＦ6，ＰＦ6，ＳｂＦ6，ＣＦ3ＳＯ3，置換または非置換芳香族が置換したＳＯ3などを表わす。）
具体的には、以下に示すような化合物が挙げられる。
【００７２】
【化２６】
0004024898.tif 000028
【００７３】
【化２７】
0004024898.tif 000029
【００７４】
ジアゾニウム塩は一般式（ＥＧ）で表わされる。
【００７５】
【化２８】
0004024898.tif 000030
【００７６】
（ここで、Ｒ26は、芳香族基または脂肪族基である。これら芳香族基または脂肪族基は、ハロゲン原子、エーテル結合、チオエーテル結合、シアノ基、アミノ基、エステル結合、またはメトキシ基を有していてもよい。Ｘは、ＢＦ4，ＡｓＦ6，ＰＦ6，ＳｂＦ6，ＣＦ3ＳＯ3，置換または非置換芳香族が置換したＳＯ3などを表わす。）
具体的には、以下に示すような化合物が挙げられる。
【００７７】
【化９】
0004024898.tif 000031
【００７８】
ハロゲン含有化合物としては、ハロアルキル基含有炭化水素系化合物、およびハロアルキル基含有ヘテロ環状化合物を挙げることができる。具体例を以下に示す。
【００７９】
【化３０】
0004024898.tif 000032
【００８０】
【化３１】
0004024898.tif 000033
【００８１】
【化３２】
0004024898.tif 000034
【００８２】
キノンジアジド化合物としては、具体的には、ジアゾナフトキノン、ジアゾベンゾキノンおよびケトンタイプが挙げられる。以下に具体例を示す。
【００８３】
【化３３】
0004024898.tif 000035
【００８４】
式中、ＮＡは、ナフトキノンジアジドを表わす。
【００８５】
スルホン化合物としては、ベータケトスルホン、ベータスルホニルスルホンなどが挙げられ、以下に具体例を示す。
【００８６】
【化３４】
0004024898.tif 000036
【００８７】
【化３５】
0004024898.tif 000037
【００８８】
ニトロベンジル化合物、スルホン酸化合物としては、オルソニトロベンジルスルホン酸、アルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、およびイミノスルホネートなどを挙げることができる。具体例を以下に示す。
【００８９】
【化３６】
0004024898.tif 000038
【００９０】
【化３７】
0004024898.tif 000039
【００９１】
【化３８】
0004024898.tif 000040
【００９２】
【化３９】
0004024898.tif 000041
【００９３】
【化４０】
0004024898.tif 000042
【００９４】
【化４１】
0004024898.tif 000043
【００９５】
このような酸発生剤の配合量は、ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物に対し０．１〜３０重量部、さらには１〜１０重量部とすることが好ましい。前記酸発生剤が０．１重量部未満であると、露光時に発生する酸の量が少なく、反応が十分に起こらないおそれがある。一方、酸発生剤が３０重量部を越えると強度、平坦性などの膜特性が劣化する。
【００９６】
上述した成分に加えて、本発明の珪素組成物には、他の珪素化合物が配合されていてもよく、具体的には以下に示すような化合物が挙げられる。
【００９７】
【化４２】
0004024898.tif 000044
【００９８】
なお、このような珪素化合物を配合する場合には、その配合量は、基本の珪素化合物１００重量部に対して１００重量部以下程度とすることが好ましい。１００重量部を越えると、アルカリ水溶液への溶解性が低下するおそれがある。
【００９９】
またさらに、一般の化学増幅型レジストに使用されるように環境安定性を高めるために塩基や弱塩基を添加してもよい。塩基性化合物の具体例としては、例えば、ピリジン誘導体である、ｔ−ブチルピリジン、ベンジルピリジン、ピリジニウム塩など、また、芳香族系アミンであるアニリン誘導体、例えば、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ’，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、Ｎ−メチルジフェニルアミン、インデンなどを酸発生剤の０．１〜５０ｍｏｌ％、さらには１〜１５ｍｏｌ％添加するのが好ましい。０．１ｍｏｌ％未満では塩基性物質を添加した効果を十分に得られず、一方５０ｍｏｌ％を超えるとレジスト本来の感度低下が著しいためである。
【０１００】
本発明の珪素組成物は、上述したようなハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物、酸発生剤、および必要に応じて溶解抑止剤を有機溶剤に溶解することによって調製することができる。ここで用い得る有機溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、メチルセロソルブ、メチルイソブチルケトン、乳酸エチル、ジメチルシロキサンなどの芳香族炭化水素類、アルカン類、シロキサン類、エーテル、ケトン、エステル系溶剤などが挙げられる。これらは単独でまたは混合物の形で用いることができる。
【０１０１】
次に、本発明の珪素組成物を用いたパターン形成方法について説明する。
【０１０２】
まず、上述したように調製された珪素組成物を所定の基板上に塗布し、ホットプレートによる加熱などを施して５０〜１５０℃、好ましくは５０〜１００℃程度の温度で乾燥して有機溶媒をある程度蒸発させて珪素組成物膜を形成する。珪素組成物を含む溶液の塗布方法としては、スピンコート、ディップコート、スプレーコートまたはフローコート法等を採用することができる。なおここで得られる珪素組成物膜の膜厚は、溶液濃度やコート条件等によって適宜決定することができるが、例えば５％溶液をスピンコートで２０００ｒｐｍ回転で塗布した場合には、０．１〜０．２μｍ程度とすることができる。また、基板としては、例えばシリコンウェハ；表面に各種の絶縁膜や電極、配線などが形成されたシリコンウェハ；ブランクマスク；ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓなどの III−Ｖ族化合物半導体ウェハ；クロムまたは酸化クロム蒸着マスク；アルミ蒸着基板；ＩＢＰＳＧコート基板；ＰＳＧコート基板；ＳＯＧコート基板；カーボン膜スパッタ基板などを使用することができる。
【０１０３】
次いで、所定のパターンを有するフォトマスクを介して化学放射線を照射するか、または珪素組成物膜表面に化学放射線を直接走査させて、珪素組成物膜にパターン露光を施す。ここでの化学放射線としては、可視光、紫外線、Ｘ線、電子ビーム、およびイオンビームなどを使用することができるが、本発明の組成物は、特に紫外線に対して有効であり、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、キセノンランプ、ＡｒＦ、ＫｒＦ、Ｘｅ、Ｋｒなどのエキシマレーザ光を露光源として使用することができる。
【０１０４】
露光後、場合によっては５０℃以上１５０℃以下の温度で１０秒以上１０分以内の露光後ベークを行なって、酸による触媒反応を促進させてもよい。
【０１０５】
ここで、珪素組成物膜の露光部においては、酸発生剤から発生した酸の作用により溶解抑止基が分解してアルカリ水溶液に対し可溶化しているので、続いてアルカリ現像を行なうことで珪素組成物膜の露光部が選択的に溶解除去され、ポジ型パターンが形成される。このとき、アルカリ水溶液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の有機アルカリ水溶液や水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等の無機水溶液を用いればよく、浸漬法、スプレー法等の方式を採用することができる。
【０１０６】
得られたパターンは、水洗することにより現像液成分を十分に取り除くことが望まれる。最後にパターンを徐々に昇温し、２００℃から１０００℃で加熱することによりパターン化されたＳｉＯ2 膜が得られる。
【０１０７】
こうして得られたパターン化されたＳｉＯ2 膜は、耐熱性、絶縁性等に優れており、半導体装置の絶縁膜や保護膜等として、さらには基板をエッチングする際のエッチングマスクとして好適に利用することができる。また、加熱前の珪素組成物膜パターンは、酸素を用いたリアクティブイオンエッチングにより炭素膜にパターンを転写するためのエッチングマスクとして使用することも可能である。
【０１０８】
しかも本発明の珪素組成物は、ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物を主成分として、この化合物に溶解抑止作用を有する基を導入したり、あるいは溶解抑止剤を配合するとともに、光酸発生剤が含有されているので、アルカリ水溶液で現像し、超微細なパターンを極めて高い解像度で形成することが可能である。
【０１０９】
ここで、図面を参照して本発明の電子部品の製造方法を説明する。
【０１１０】
図１は、本発明の電子部品の製造工程の一例を示す断面図である。まず、図１（ａ）に示すように、シリコン基板１１上に本発明の珪素組成物を含む膜１２を形成し、所定のパターンを有するマスク１３を介して露光光１４を照射する。
【０１１１】
次いで、必要に応じて熱処理した後、アルカリ水溶液で現像することにより珪素組成物膜の露光部が選択的に溶解除去されて図１（ｂ）に示すようなパターニングされた珪素組成物膜１５が得られる。現像後には１００〜５００℃程度で１〜１０分程度の加熱して熱処理を施して、珪素酸化物膜パターンを形成する。
【０１１２】
このようにして得られた珪素酸化物膜パターンをエッチングマスクとして用いて、基板をエッチングすることにより図１（ｃ）に示すようにパターンを忠実に転写することができる。このときのエッチング方法としては、例えばウェットエッチング法やドライエッチング法が採用されるが、３μｍ以下の微細なパターンを形成する場合にはドライエッチング法が好ましい。ウェットエッチング剤としては、シリコン酸化膜をエッチング対象とする場合にはフッ酸水溶液、フッ化アンモニウム水溶液等が、アルミニウムをエッチング対象とする場合には、リン酸水溶液、酢酸水溶液、硝酸水溶液等が、クロム系膜をエッチング対象とする場合には硝酸セリウムアンモニウム水溶液等が夫々用いられる。ドライエッチング用ガスとしては、ＣＦ4 ，Ｃ2 Ｆ6 ，ＣＣｌ4 ，ＢＣｌ3 ，Ｃｌ2 ，ＨＣｌおよびＨ2 等を挙げることができる。必要に応じてこれらのガスは組み合わせて使用される。エッチングの条件としては、膜厚、膜組成等に基づいて反応槽内のウェットエッチング剤の濃度、ドライエッチング用ガスの濃度、反応温度、反応時間等を決定するが、特にその方法等に制限されない。
【０１１３】
上述したようなエッチング後には、エッチングマスクとして用いた珪素酸化物膜パターンは、強度、耐熱性等に優れているので、そのまま絶縁膜等として使用することができる。
【０１１４】
本発明の珪素組成物は、二層レジストシステムに適用して電子部品を製造することも可能である。図２に、この場合の電子部品の製造工程の一例を表わす断面図を示す。
【０１１５】
まず、図２（ａ）に示すように、微細加工する目的の基板２１の上に炭素膜２２および本発明の珪素組成物を含む膜２３を順次形成する。炭素膜は、無機炭素、有機化合物および有機ポリマのいずれでもよく、具体的には、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドとを含有するレジスト膜をベークしたポリマ層、ポリイミド層、および無機炭素層などが挙げられる。これらの炭素膜は、スピンコート法、ＣＶＤ法、およびスパッタ法などの任意の成膜技術で容易に形成することができる。また炭素膜の膜厚は、通常、０．１μｍから２μｍの範囲で形成される。
【０１１６】
炭素膜２２の上に形成される本発明の珪素組成物を含む膜の膜厚は、通常０．０５μｍから１μｍの範囲内である。この珪素組成物膜２３に対して、所定のパターンを有するマスク２４を介して露光光２５を照射した後、必要に応じて熱処理し、アルカリ水溶液で現像することにより珪素組成物膜の露光部が選択的に溶解除去されて図２（ｂ）に示すようなパターニングされた珪素組成物膜２６が得られる。なお、上述したように現像後には必要に応じて１００〜５００℃程度で加熱して熱処理を施してもよい。
【０１１７】
上述した露光、現像、および熱処理の工程は、酸素が存在する大気中あるいは窒素、アルゴンなどの不活性ガス中のいずれの雰囲気で行なってもよい。
【０１１８】
次に、形成された珪素組成物膜パターン２６をエッチングマスクとして、露出する炭素膜を酸素ガスプラズマまたは適当な溶媒を用いてエッチングする。このとき、より好ましいのは酸素ガスプラズマを用いた酸素リアクティブイオンエッチング法（酸素ＲＩＥ）であり、通常、１０〜１００Ｔｏｒｒ，５０〜４００ｗ／ｃｍ2 で１〜１０分間処理する。ここで、本発明の珪素組成物を用いて形成されたパターンは、酸素を含んだ異方性反応イオンエッチングされることによって、表面に二酸化珪素（ＳｉＯ2 ）またはそれに類似した膜が形成され、露出した炭素層の２〜５０倍の耐酸素ＲＩＥ性を有するようになる。このため、パターンから露出した炭素層部分が酸素ＲＩＥにより選択的に除去され、図２（ｃ）に示すようにパターン化された炭素膜２７が得られる。
【０１１９】
こうして得られた珪素酸化物膜パターン２６および炭素膜パターン２７をエッチングマスクとして用いて、上述したような方法で基板２１をエッチングすることによりパターンが忠実に転写されて、図２（ｄ）に示すような微細加工された基板２８が得られる。
【０１２０】
エッチング後には、基板の上に残存する炭素膜２２および珪素酸化物膜パターン２６を、例えば、フッ酸、有機溶剤等の剥離剤、酸素ガスプラズマ等によって除去することにより図２（ｅ）に示す微細加工された基板が得られる。
【０１２１】
なお以上の工程以外に、その目的に応じてさらに工程を付加することも何等差支えない。例えば、本発明の珪素組成物を含む膜と炭素膜または炭素膜と基板との密着性を向上させる目的から、各液の塗布前に行なう前処理工程等を挙げることができる。
【０１２２】
【発明の実施の形態】
以下、実施例および比較例を示して、本発明をさらに詳細に説明する。
【０１２３】
（実施例Ｉ）
ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物に対し、酸発生剤および溶解抑止剤を配合して本発明の珪素組成物を調製した。
【０１２４】
珪素化合物としては、下記化学式（Ｓｉ１１）で表わされる繰り返し単位を有するポリハイドロジェンシルセスキオキサンを用いた。なお、この化合物は、以下のようにして合成したものである。
【０１２５】
【化１０】
0004024898.tif 000045
【０１２６】
まず、特公昭４７−３１８３８号公報に記載された方法により、水素シルセスキオキサン樹脂を調製した。３．７５モルの硫酸と２．２５モルの発煙硫酸との混合物に、混合物の液温４５〜６０℃で６モルのトルエンを１時間かけて滴下し、さらに３０分間４５℃で加熱してトルエンスルホン酸１水和物を得た。そこへ、３０℃で１モルのトリクロロシランと６．６モルのトルエンとの混合物を５時間かけて滴下し、さらに３０分間４５℃で加熱した。放冷、分液後、下層のトルエンスルホン酸層を除去した後、上層中に含まれる酸を除くために、適量の硫酸／水（５０／５０重量比）で洗浄し、次いで適量の硫酸／水（２５／７５重量比）、さらに純水で洗浄した。次に、水を除去するために、共沸脱水を１時間行なった。このようにして得られたトルエン溶液を６０℃で真空ポンプで減圧してトルエンを除去し、水素シルセスキオキサン樹脂Ａを調製した。この水素シルセスキオキサン樹脂Ａは、数平均分子量（以下、Ｍｎと略記する）が１６５０であり、重量平均分子量／数平均分子量（以下、Ｍｗ／Ｍｎと略記する）が１９．４であった。
【０１２７】
続いて、十分乾燥させた高品位ガラス製１リットルフラスコ中に２０ｇの水素シルセスキオキサン樹脂Ａを収容し、十分に脱水したトルエン８０ｇを加えて十分に溶解させた。系全体を２５℃に保ち、系内は溶剤が系外に飛散しない程度に窒素でパージし、分別終了までパージを続けた。溶液を激しく攪拌した状態で５０ｇの十分に脱水したアセトニトリルを１時間かけて滴下した。１２時間ほど静置した後、沈降物を除去した。次いで、沈降物を除いた溶液に、新たに２００ｇの十分に脱水したアセトニトリルを４時間かけて滴下した。生成した沈降物を採取し、残存する溶剤を常温で真空乾燥により除去して、水素シルセスキオキサン樹脂Ｂを調製した。この水素シルセスキオキサン樹脂ＢのＭｎは１１４００、Ｍｗ／Ｍｎは２．８８であり、イオン性不純物および金属不純物は各々１ｐｐｍ以下であった。
【０１２８】
ここで用いた酸発生剤および溶解抑止剤を、略号とともに以下に示す。
【０１２９】
【化４４】
0004024898.tif 000046
【０１３０】
【化１１】
0004024898.tif 000047
【０１３１】
上述の各成分を下記表１に示す処方で配合して、溶媒としてのメチルイソブチルケトンに溶解し、実施例（Ｉ−１）〜（Ｉ−５）および比較例（Ｉ−１）の組成物を調製した。
【０１３２】
【表１】
0004024898.tif 000048
【０１３３】
なお、表１中、括弧内の数値は配合量（重量部）を示す。
【０１３４】
各組成物をスピンコートにより基板上に塗布し、露光・現像処理を施してパターンを形成し、得られたパターンの解像度を調べた。その結果を、パターン形成の諸条件とともに下記表２にまとめる。
【０１３５】
【表２】
0004024898.tif 000049
【０１３６】
表２中、ＴＭＡＨは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を表わす。
【０１３７】
上述の表２に示されるように、ハイドロジェンシルセスキオキサンのみ（比較例Ｉ−１）ではパターンを形成することができないのに対し、酸発生剤と溶解抑止剤とを配合した本発明の組成物（実施例Ｉ−１〜Ｉ−５）は、いずれも線幅０．３５μｍ以下の微細パターンを形成することができた。特に、酸発生剤として化合物（Ｓ２）、溶解抑止剤として化合物（Ｙ２）を配合した実施例（Ｉ−２）の組成物の場合には、５０ｍＪの露光量でＡｒＦエキシマレーザ光を照射することにより線幅０．２μｍのパターンが形成されており、極めて高い解像度でパターンを形成可能であることがわかる。
【０１３８】
次に、上述の実施例（Ｉ−１）〜（Ｉ−５）の組成物を二層レジストに適用して、下層にパターンを転写した。具体的には、まず、基板上にポリイミドを塗布し、２００℃で３０分間加熱することにより膜厚１．０μｍの炭素系膜を形成した。さらに、上述と同様にして本発明の珪素組成物を含む膜を形成した後、同様の条件でパターニングして珪素膜パターンを形成した。
【０１３９】
得られた珪素膜パターンをエッチングマスクとして用いて、１０００ＷＲＦ  plasuma discharge を２．２Ｔｏｒｒの酸素下で炭素系膜のエッチングを行なった。炭素系膜に転写されたパターンのサイズを、珪素膜パターンのサイズとともに下記表３にまとめる。
【０１４０】
【表３】
0004024898.tif 000050
【０１４１】
表３に示すように、本発明の組成物を用いると、珪素層のパターンを再現性よく炭素膜に転写することができた。
【０１４２】
さらに、上述の実施例（Ｉ−１）〜（Ｉ−５）の組成物をそれぞれスピンコート法を用いて基板に塗布し、膜厚２μｍの珪素組成物膜を形成した。これを１００℃で１０分、２００℃で３０分、３００℃で３０分、５００℃で３時間加熱硬化し、得られた膜の絶縁抵抗値を測定した。その結果、いずれの膜も絶縁抵抗値は１０15Ω・ｃｍであり、優れた絶縁性を有していることが確認された。
【０１４３】
（実施例II）
まず、以下のようにして、酸で分解し酸を発生し得る基が導入され、ハイドロジェンシルセスキオキサン構造を有する珪素化合物を合成した。
【０１４４】
ハイドロジェンジルセスキオキサン１０ｇを、１００ｍｌのジブチルエーテルに溶解し、これに下記化学式で表わされる化合物４ｇと白金触媒０．１ｇとを加えた。
【０１４５】
【化４６】
0004024898.tif 000051
【０１４６】
この混合溶液を５０℃で３時間反応させることにより、下記化学式（Ｓｉ１）で表わされる珪素化合物を得た。得られた化合物の重量平均分子量は１０００であった。
【０１４７】
【化１２】
0004024898.tif 000052
【０１４８】
また、トリエトキシシランと下記化学式で表わされる化合物とをアルカリ触媒によって加水分解させることにより、下記化学式（Ｓｉ２）で表わされる珪素化合物を得た。得られた化合物の重量平均分子量は１５００であった。
【０１４９】
【化４８】
0004024898.tif 000053
【０１５０】
【化６】
0004024898.tif 000054
【０１５１】
このようにして得られた珪素化合物（Ｓｉ１，Ｓｉ２）に対し、酸発生剤および溶解抑止剤を下記表４に示す処方で配合して溶媒としてのメチルイソブチルケトンに溶解し、実施例（II−１）〜（II−５）および比較例（II−１）の組成物を調製した。なお、ここで用いた酸発生剤（Ｓ１〜Ｓ５）および溶解抑止剤（Ｙ５）は、前述の（実施例Ｉ）で用いたものと同様の化合物である。
【０１５２】
【表４】
0004024898.tif 000055
【０１５３】
なお、表４中、括弧内の数値は配合量（重量部）を示す。
【０１５４】
各組成物をスピンコートにより基板上に塗布し、露光・現像処理を施してパターンを形成し、得られたパターンの解像度を調べた。その結果を、パターン形成の諸条件とともに下記表５にまとめる。
【０１５５】
【表５】
0004024898.tif 000056
【０１５６】
表５中、ＴＭＡＨは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を表わす。
【０１５７】
上述の表５に示されるように、ハイドロジェンシルセスキオキサンのみ（比較例II−１）ではパターンを形成することができないのに対し、酸発生剤と必要に応じて溶解抑止剤とを配合した本発明の組成物（実施例II−１〜II−５）は、いずれも線幅０．３５μｍ以下の微細パターンを形成することができた。特に、酸発生剤として化合物（Ｓ２）を配合した実施例（II−２）の組成物の場合には、５０ｍＪの露光量でＡｒＦエキシマレーザ光を照射することにより線幅０．２μｍのパターンが形成されており、高い解像度でパターンを形成可能であることがわかる。
【０１５８】
次に、上述の実施例（II−１）〜（II−５）の組成物を二層レジストに適用して、下層にパターンを転写した。具体的には、まず、基板上に東京応化製ＯＦＢＲ８００を塗布し、２５０℃で１０分間ベークすることによって、膜厚１．０μｍの炭素系膜を形成した。さらに、上述と同様にして本発明の珪素組成物を含む膜を形成した後、同様の条件でパターニングして珪素膜パターンを形成した。
【０１５９】
得られた珪素膜パターンをエッチングマスクとして用いて、１０００ＷＲＦ  plasuma discharge を２．２Ｔｏｒｒの酸素下で炭素系膜のエッチングを行なった。炭素系膜に転写されたパターンのサイズを、珪素膜パターンのサイズとともに下記表６にまとめる。
【０１６０】
【表６】
0004024898.tif 000057
【０１６１】
表６に示すように、本発明の組成物を用いると、珪素層のパターンを再現性よく炭素層に転写することができた。
【０１６２】
さらに、上述の実施例（II−１）〜（II−５）の組成物をそれぞれスピンコート法を用いて基板に塗布し、膜厚２μｍの珪素組成物膜を形成した。これを１００℃で１０分、２００℃で３０分、３００℃で３０分、５００℃で３時間加熱硬化し、得られた膜の絶縁抵抗値を測定した。その結果、いずれの膜も絶縁抵抗値は１０15Ω・ｃｍであり、優れた絶縁性を有していることが確認された。
【０１６３】
（実施例 III）
まず、前述の化合物（Ｓｉ１）の場合と同様にして、下記化学式で表わされる珪素化合物を合成した。得られた化合物の重量平均分子量は１５００であった。
【０１６４】
【化１４】
0004024898.tif 000058
【０１６５】
この珪素化合物９９重量部と、酸発生剤としての下記化学式で表わされる化合物１重量部とを、ブチルエチルケトン９００重量部に溶解して本発明の珪素組成物を含む溶液を得た。
【０１６６】
【化５１】
0004024898.tif 000059
【０１６７】
この溶液をシリコンウエハ上にスピンコートにより塗布し、１００℃で１分間ベークして膜厚０．１μｍの珪素組成物膜を形成した。次に、所定のパターンを有するマスクを介して、１０ｍＪ／ｃｍ2 の露光量でＡｒＦエキシマレーザー光を珪素組成物膜に照射して露光を施した後、１００℃で２分間ベークした。その後、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で、室温、１分間現像することにより、線幅０．１５μｍの珪素酸化膜パターンを得ることができた。
【０１６８】
得られた珪素酸化物膜パターンを２５０℃で５分間ベークした後、３５ＳＣＣＭ、２５ｍＴｏｒｒ、２０Ｖのバイアスを印加してシリコンウエハをエッチングしたところ、０．１５μｍのパターンがシリコンウエハに転写された。
【０１６９】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、Ｔg が高く耐熱性を有する微細なＳｉＯ2 膜パターンを、アルカリ現像によって精度よく形成可能であって、しかもｄｅｅｐＵＶ領域での透明性に優れた珪素組成物が提供される。かかる珪素組成物を用いて形成されたパターンは、基板等の下地層に微細加工を施す際のエッチングマスクとしてのみならず、絶縁膜や保護膜等としても応用することができ、その工業的価値は大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子部品の製造工程の一例を示す断面図。
【図２】本発明に係る電子部品の製造工程の他の例を示す断面図。
【符号の説明】
１１，２１…シリコン基板
１２，２３…珪素組成物膜
１３，２４…マスク
１４，２５…露光光
１５，２６…パターニングされた珪素組成物膜
１６，２８…微細加工された基板
２２…炭素膜
２７…パターニングされた炭素膜
【図１】
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【図２】
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