(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１透明基板および第２透明基板からなる一対の透明基板間に電気光学物質を挟持した画像表示領域を有する電気光学装置の製造方法であって、
（ａ）前記第１透明基板における前記画像表示領域に光反射性を有する第１反射膜を形成するとともに、前記画像表示領域の外側に前記第１反射膜と同様な光反射性を有する第２反射膜を形成する工程と、
（ｂ）少なくとも前記第１反射膜の上層側に遮光膜を形成する工程と、
（ｃ）前記遮光膜の上層側に複数の配線を形成する工程と、を含み、
前記（ｂ）以降の各工程において、前記第２反射膜が設けられた面とは反対側の前記第１透明基板面から光を照射し、前記光が前記第２反射膜にて反射された反射光を検出する検出工程を、前記各工程に先立って行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
第１透明基板および第２透明基板からなる一対の透明基板間に電気光学物質を挟持した画像表示領域を有する電気光学装置の製造方法であって、
（ａ）前記第１透明基板における前記画像表示領域に光反射性を有する第１反射膜を形成するとともに、前記画像表示領域の外側に前記第１反射膜と同様な光反射性を有する第２反射膜を形成する工程と、
（ｂ）少なくとも前記第１反射膜の上層側に遮光膜を形成する工程と、
（ｃ）前記遮光膜の上層側にカラーフィルタを形成する工程と、
（ｄ）前記カラーフィルタの上層側にオーバーコート膜を形成する工程と、
（ｅ）前記オーバーコート膜の上層側に複数の配線を形成する工程と、
（ｆ）前記複数の配線の上層側に配向膜を形成する工程と、
（ｇ）前記配向膜にラビング処理を施す工程と、を含み、
前記（ｂ）以降の各工程において、前記第２反射膜が設けられた面とは反対側の前記第１透明基板面から光を照射し、前記光が前記第２反射膜にて反射された反射光を検出する検出工程を、前記各工程に先立って行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
第１透明基板および第２透明基板からなる一対の透明基板間に電気光学物質を挟持した画像表示領域を有する電気光学装置の製造方法であって、
（ａ）複数の前記第１基板が面付けされた状態の前記第１基板より大きな元基板である第１元基板において、それぞれの前記第１透明基板における前記画像表示領域に光反射性を有する第１反射膜を形成するとともに、前記画像表示領域の外側に前記第１反射膜と同様な光反射性を有する第２反射膜を形成する工程と、
（ｂ）少なくとも前記第１反射膜の上層側に遮光膜を形成する工程と、
（ｃ）前記遮光膜の上層側に複数の配線を形成する工程と、を含み、
前記（ｂ）以降の各工程において、前記第２反射膜が設けられた面とは反対側の前記第１元基板面から光を照射し、前記光が前記第２反射膜にて反射された反射光を検出する検出工程を、前記各工程に先立って行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
第１透明基板および第２透明基板からなる一対の透明基板間に電気光学物質を挟持した画像表示領域を有する電気光学装置の製造方法であって、
（ａ）複数の前記第１基板が面付けされた状態の前記第１基板より大きな元基板である第１元基板において、それぞれの前記第１透明基板における前記画像表示領域に光反射性を有する第１反射膜を形成するとともに、前記第１透明基板の外形状を規定する基板形成領域の外側および前記画像表示領域から前記基板形成領域に至る範囲内に前記第１反射膜と同様な光反射性を有する第２反射膜を形成する工程と、
（ｂ）少なくとも前記第１反射膜の上層側に遮光膜を形成する工程と、
（ｃ）前記遮光膜の上層側に複数の配線を形成する工程と、を含み、
前記（ｂ）以降の各工程において、前記第２反射膜が設けられた面とは反対側の前記第１元基板面から光を照射し、前記光が前記第２反射膜にて反射された反射光を検出する検出工程を、前記各工程に先立って行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
第１透明基板および第２透明基板からなる一対の透明基板間に電気光学物質を挟持した画像表示領域を有する電気光学装置の製造方法であって、
（ａ）複数の前記第１基板が面付けされた状態の前記第１基板より大きな元基板である第１元基板において、それぞれの前記第１透明基板における前記画像表示領域に光反射性を有する第１反射膜を形成するとともに、前記第１透明基板の外形状を規定する基板形成領域の外側に前記第１反射膜と同様な光反射性を有する第２反射膜を形成する工程と、
（ｂ）少なくとも前記第１反射膜の上層側に遮光膜を形成する工程と、
（ｃ）前記遮光膜の上層側に複数の配線を形成する工程と、
（ｄ）前記第１元基板に前記第２透明基板を貼り合わせる工程と、
（ｅ）前記第２透明基板が貼り合わされた前記第１元基板をスクライブする工程と、を含み、
前記（ｂ）以降の各工程において、前記第２反射膜が設けられた面とは反対側の前記第１元基板面から光を照射し、前記光が前記第２反射膜にて反射された反射光を検出する検出工程を、前記各工程に先立って行うことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記（ｂ）工程において、前記第１反射膜の上層側に形成される遮光膜は、マトリクス状に形成された領域を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射型、あるいは半透過・半反射型の電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器では、表示部として液晶装置などといった電気光学装置が広く用いられている。
【０００３】
このような電気光学装置のうち、例えば、能動素子としてＴＦＤ素子（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ／薄膜ダイオード素子）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置では、図１１に示すように、透明な素子基板２０にＴＦＤ素子（図示せず）や透明な画素電極６６が形成され、同じく透明な対向基板１０にはストライプ状の対向電極がデータ線５２として形成されている。ここで、対向基板１０と素子基板２０とは、環状に塗布されたシール材７によって貼り合わされ、かつ、シール材７によって区画された領域内に電気光学物質としての液晶６が注入、保持されている。また、対向基板１０と素子基板２０との間隔は、シール材６に配合されたギャップ材や、対向基板１０と素子基板２０の間に介在するギャップ材５によって規定されている。
【０００４】
このような液晶装置のうち、反射型の液晶装置１′では、対向基板１０にアルミニウムや銀合金などの反射膜１１が形成されている。この反射膜１１の上層側には、素子基板２０に形成されている画素電極６６の境界領域に対向する領域に、いわゆるブラックマトリクスと称せられる遮光膜１２が形成され、遮光膜１２で囲まれた領域内には、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂが形成されている。さらに、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの上層側には、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの保護、およびカラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂによって生じた凹凸を平坦化するためのオーバーコート膜１７が形成され、このオーバーコート膜１７の表面にデータ線５２が形成されている。
【０００５】
このように構成した液晶装置１′では、シール材７で囲まれた領域（液晶６が保持されている領域）のうち、それよりやや内側の領域が画像表示領域１５（アクティブ領域）とされている。このような画像表示領域１５は、対向基板１０に形成された見切り用の遮光膜１３、あるいは素子基板２０の側に配置された枠体３０の開口３１などによって規定されており、画像表示領域１５の外側の領域は、いわゆる額縁領域３２と称せられ、画像の表示には寄与しない。このため、反射膜１１は、画像表示領域１５に相当する領域内にのみ形成されている。
【０００６】
このような構成の液晶装置１′を製造するにあたっては、一般に、対向基板１０に形成すべき反射膜１１、遮光膜１２、１３、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂ、データ線５２、配向膜１８などの成膜は、図１２（Ａ）に示すように、液晶装置１′に搭載されるサイズよりも大きな元基板１００′に対して行われ、この元基板１００′から二点鎖線Ｌ１で囲む基板形成領域１０′を切り出して対向基板１０として用いる。また、図示を省略するが、素子基板２０も同様に、素子基板２０を多数枚取りできる元基板に対してＴＦＤ素子や画素電極６６を形成する。
【０００７】
そして、素子基板２０を形成するための元基板にギャップ材５を散布する一方、対向基板１０を形成するための元基板１００′に対して、図１２（Ａ）に一点鎖線Ｌ２で示す位置にシール材７を塗布し、このシール材７を挟むようにして２枚の元基板同士を貼り合せた状態で元基板を両側から押圧したままシール材７を硬化させて、空のパネル構造体を形成する。この状態において、パネル構造体では、基板の間隔が、シール材７に配合されたギャップ材、およびギャップ材５によって規定される。従って、パネル構造体を短冊状に切断してシール材７の途切れ部分を液晶注入口（図示せず）として露出させ、この液晶注入口から液晶６を注入した後、液晶注入口を封止し、しかる後にパネル構造体を所定サイズに切断すれば、液晶装置１′を製造できる。
【０００８】
ここで、元基板１００′に反射膜１１、遮光膜１２、１３、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂなどを順次形成していく際、反射膜１１については、図１２（Ａ）に斜線で付した領域（画像表示領域１５）にのみ形成するが、遮光膜１２やカラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂについては、シール材７で囲まれた領域のうち、画像表示領域１５の外側領域にも、遮光膜１２′やカラーフィルタ２′として形成しておけば、対向基板１０（元基板１００′）表面に形成した膜の厚さを画像表示領域１５内と略等しくできるので、ギャップ材５が有効に作用し、対向基板１０と素子基板２０との間隔を高い精度とすることができる。
【０００９】
また、基板形成領域１０′の内側のうち、画像表示領域１５の外側領域、さらには元基板１００′において基板形成領域１０′の外側領域にも、遮光膜１２′やカラーフィルタ２′を形成しておけば、シール材７の形成領域の外側でも対向基板１０（元基板１００′）表面に形成した膜の厚さを均等化できる。それ故、シール材７が硬化するまでの間、元基板同士を押圧する際、元基板に均等な力を加えることができるので、対向基板１０と素子基板２０との間隔を高い精度とすることができる。
【００１０】
ここで、データ線５２などを形成する工程、ラビング工程、基板の貼り合せ工程、スクライブ工程などを行う際、元基板１００′やパネル構造体を各種装置に搬送して所定の位置にセットすることになるが、この際は、図１２（Ｂ）に示すように、元基板１００′の裏面１０１に対して光源４１０から光を照射し、その反射光を光検出器４２０で検出すれば、元基板１００′の有無や位置を検出することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、元基板１００′の表面において画像表示領域１５以外の領域に遮光膜１２′やカラーフィルタ２′が多々形成されていると、このような膜が形成されている領域では、元基板１００′の裏面に対して光を照射してもその反射光の強度が著しく低いため、このような領域を利用して、元基板１００′の有無や位置を検出することができないという問題点がある。特に遮光膜１２′が形成されている領域では、反射光の強度が１桁以上も低下するため、このような領域を利用した場合、元基板１００′の有無や位置を全く検出できなくないという問題点がある。
【００１２】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、カラー反射用の基板であってもその有無や位置を光学的に確実に検出することのできる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第１透明基板および第２透明基板からなる一対の透明基板間に電気光学物質を挟持した画像表示領域を有する電気光学装置の製造方法であって、（ａ）第１透明基板における画像表示領域に光反射性を有する第１反射膜を形成するとともに、画像表示領域の外側に第１反射膜と同様な光反射性を有する第２反射膜を形成する工程と、（ｂ）少なくとも第１反射膜の上層側に遮光膜を形成する工程と、（ｃ）遮光膜の上層側に複数の配線を形成する工程と、を含み、（ｂ）以降の各工程において、第２反射膜が設けられた面とは反対側の第１透明基板面から光を照射し、光が第２反射膜にて反射された反射光を検出する検出工程を、各工程に先立って行うことを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第１透明基板および第２透明基板からなる一対の透明基板間に電気光学物質を挟持した画像表示領域を有する電気光学装置の製造方法であって、（ａ）第１透明基板における画像表示領域に光反射性を有する第１反射膜を形成するとともに、画像表示領域の外側に第１反射膜と同様な光反射性を有する第２反射膜を形成する工程と、（ｂ）少なくとも第１反射膜の上層側に遮光膜を形成する工程と、（ｃ）遮光膜の上層側にカラーフィルタを形成する工程と、（ｄ）カラーフィルタの上層側にオーバーコート膜を形成する工程と、（ｅ）オーバーコート膜の上層側に複数の配線を形成する工程と、（ｆ）複数の配線の上層側に配向膜を形成する工程と、（ｇ）配向膜にラビング処理を施す工程と、を含み、（ｂ）以降の各工程において、第２反射膜が設けられた面とは反対側の第１透明基板面から光を照射し、光が第２反射膜にて反射された反射光を検出する検出工程を、各工程に先立って行うことを特徴とする。
【００１４】
この製造方法によれば、第２反射膜が設けられた面とは反対側の第１透明基板面から光を照射し、第２反射膜にて反射された反射光を検出する検出工程により、第１透明基板の有無や、位置を光学的に確実に検出することができる。
つまり、画像表示領域の外側に設けられた第２反射膜を位置合わせマークとして利用することができるため、（ｂ）以降の各工程において、第１透明基板の有無や、位置を光学的に確実に検出することができる。
特に、第２反射膜は、第１透明基板に最初の工程（ａ）で形成されるため、第２反射膜が設けられた面とは反対側の第１透明基板面から照射された光は、第１透明基板を介して第２反射膜により反射されるので十分高い強度の反射光を得ることができる。よって、反射光を確実に検出することが可能となり、第１透明基板の有無や、位置を光学的に確実に検出することができる。
また、第２反射膜は、（ａ）工程において画像表示領域に設けられる第１反射膜と同一の工程により形成されるため、専用の工程を必要とせずに、簡便に第２反射膜を形成することができる。
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第１透明基板および第２透明基板からなる一対の透明基板間に電気光学物質を挟持した画像表示領域を有する電気光学装置の製造方法であって、（ａ）複数の第１基板が面付けされた状態の第１基板より大きな元基板である第１元基板において、それぞれの第１透明基板における画像表示領域に光反射性を有する第１反射膜を形成するとともに、画像表示領域の外側に第１反射膜と同様な光反射性を有する第２反射膜を形成する工程と、（ｂ）少なくとも第１反射膜の上層側に遮光膜を形成する工程と、（ｃ）遮光膜の上層側に複数の配線を形成する工程と、を含み、（ｂ）以降の各工程において、第２反射膜が設けられた面とは反対側の第１元基板面から光を照射し、光が第２反射膜にて反射された反射光を検出する検出工程を、各工程に先立って行うことを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第１透明基板および第２透明基板からなる一対の透明基板間に電気光学物質を挟持した画像表示領域を有する電気光学装置の製造方法であって、（ａ）複数の第１基板が面付けされた状態の第１基板より大きな元基板である第１元基板において、それぞれの第１透明基板における画像表示領域に光反射性を有する第１反射膜を形成するとともに、第１透明基板の外形状を規定する基板形成領域の外側および画像表示領域から基板形成領域に至る範囲内に第１反射膜と同様な光反射性を有する第２反射膜を形成する工程と、（ｂ）少なくとも第１反射膜の上層側に遮光膜を形成する工程と、（ｃ）遮光膜の上層側に複数の配線を形成する工程と、を含み、（ｂ）以降の各工程において、第２反射膜が設けられた面とは反対側の第１元基板面から光を照射し、光が第２反射膜にて反射された反射光を検出する検出工程を、各工程に先立って行うことを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第１透明基板および第２透明基板からなる一対の透明基板間に電気光学物質を挟持した画像表示領域を有する電気光学装置の製造方法であって、（ａ）複数の第１基板が面付けされた状態の第１基板より大きな元基板である第１元基板において、それぞれの第１透明基板における画像表示領域に光反射性を有する第１反射膜を形成するとともに、第１透明基板の外形状を規定する基板形成領域の外側に第１反射膜と同様な光反射性を有する第２反射膜を形成する工程と、（ｂ）少なくとも第１反射膜の上層側に遮光膜を形成する工程と、（ｃ）遮光膜の上層側に複数の配線を形成する工程と、（ｄ）第１元基板に第２透明基板を貼り合わせる工程と、（ｅ）第２透明基板が貼り合わされた第１元基板をスクライブする工程と、を含み、（ｂ）以降の各工程において、第２反射膜が設けられた面とは反対側の第１元基板面から光を照射し、光が第２反射膜にて反射された反射光を検出する検出工程を、各工程に先立って行うことを特徴とする。
【００１６】
この製造方法によれば、第２反射膜が設けられた面とは反対側の第１元基板面から光を照射し、第２反射膜にて反射された反射光を検出する検出工程により、第１元基板面の有無や、位置を光学的に確実に検出することができる。
つまり、画像表示領域の外側に設けられた第２反射膜を位置合わせマークとして利用することができるため、（ｂ）以降の各工程において、第１元基板面の有無や、位置を光学的に確実に検出することができる。
特に、第２反射膜は、第１元基板面に最初の工程（ａ）で形成されるため、第２反射膜が設けられた面とは反対側の第１元基板面から照射された光は、第１元基板面を介して第２反射膜により反射されるので十分高い強度の反射光を得ることができる。よって、反射光を確実に検出することが可能となり、第１元基板面の有無や、位置を光学的に確実に検出することができる。
また、第２反射膜は、（ａ）工程において画像表示領域に設けられる第１反射膜と同一の工程により形成されるため、専用の工程を必要とせずに、簡便に第２反射膜を形成することができる。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、（ｂ）工程において、第１反射膜の上層側に形成される遮光膜は、マトリクス状に形成された領域を含むことが好ましい。
これによれば、マトリクス状に形成された遮光膜を有する電気光学装置に、本発明の製造方法を適用することができる。
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の第１元基板は、第１透明基板および第２透明基板からなる一対の透明基板間に電気光学物質を挟持した画像表示領域を有する電気光学装置の製造段階において、外形状を規定する基板形成領域に沿って電気光学装置を切り出す前の第１基板より大きな元基板である第１元基板であって、画像表示領域に設けられた光反射性を有する第１反射膜と、基板形成領域の外側に設けられた第１反射膜と同様な光反射性を有する第２反射膜と、を備えることを特徴とする。
また、第２反射膜は、画像表示領域から基板形成領域に至る範囲内にも設けられていることが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、第１元基板は、基板形成領域の外側に設けられた第１反射膜と同様な光反射性を有する第２反射膜を備えることから、第２反射膜が設けられた面とは反対側の第１透明基板面から光を照射し、第２反射膜にて反射された反射光を検出することにより、第１元基板の有無や、位置を光学的に確実に検出することができる。
つまり、第２反射膜を位置合わせマークとして利用することができるため、電気光学装置の製造工程において、第１元基板の有無や、位置を光学的に確実に検出することができる。
【００２０】
本発明が適用される電気光学装置は、例えば、液晶である。この場合、前記第１の透明基板またはその元基板に対してシール材を介して、単品サイズあるいは大型の第２の透明基板を貼り合せ、しかる後に当該基板間で前記シール材で区画された領域内に前記電気光学物質としての液晶を注入する。
【００２１】
本発明に係る方法で製造した電気光学装置は、例えば、携帯電話機、携帯型コンピュータ、ビデオカメラ等といった電子機器の表示部として用いられる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下に実施形態を説明するにあたっては、各種の電気光学装置のうち、能動素子としてＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を例に説明する。
【００２３】
（液晶装置の構成）
図１は、液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。図２および図３は、この液晶装置の画像表示領域に相当する部分の構造を示す分解斜視図、および断面図である。図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、液晶装置において液晶を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平面図、図４（Ａ）のIII−III′線断面図、各画素に形成されているＴＦＤ素子の斜視図である。
【００２４】
図１に示すように、液晶装置１の画像表示領域１５では、複数の配線としての走査線５１が行方向（Ｘ方向）に形成され、複数のデータ線５２が列方向（Ｙ方向）に形成されている。走査線５１とデータ線５２との各交差点に対応する位置には画素５３が形成され、この画素５３では、液晶層５４と、画素スイッチング用のＴＦＤ素子５６とが直列に接続されている。各走査線５１は走査線駆動回路５７によって駆動され、各データ線５２はデータ線駆動回路５８によって駆動される。
【００２５】
このような構成のアクティブマトリクス方式の液晶装置１は、図２および図３に示すように、電気光学物質としての液晶６を保持する対向基板１０（第１の透明基板）および素子基板２０（第２の透明基板）のうち、素子基板２０の方では、複数本の走査線５１が延びており、各走査線５１には、後述するＴＦＤ素子を介して、画素電極６６が電気的に接続している。また、画素電極６６の上層側には配向膜２８が形成されている。
【００２６】
これに対して、対向基板１０では、図３に示すように、透明基板１００の表面のうち、画像表示領域１５に相当する領域に、アルミニウムや銀などの金属膜からなる第１の反射膜１１が形成され、この第１の反射膜１１の表面には、素子基板２０に形成されている画素電極６６同士の境界領域（画素領域の境界領域）に対向する領域に遮光膜１２がマトリクス状に形成されている。そして、カラー表示用の液晶装置１では、遮光膜１２で囲まれた領域（画素領域）内にカラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂが形成されている。また、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの表面側にはオーバーコート膜１７が形成されている。このオーバーコート膜１７の表面には、素子基板２０の走査線５１と交差する方向に延びた複数列の帯状のデータ線５２が形成され(図２を参照)、これらのデータ線５２の上層に配向膜１８が形成されている。ここで、対向基板１０に用いたガラス基板１００の表面のうち、画像表示領域１５に相当する領域には微細な凹凸（図示せず）が形成され、この凹凸によって第１の反射膜１１の表面には、光散乱用の凹凸が形成されている。
【００２７】
本形態の液晶装置１では、シール材７で囲まれた領域（液晶６が保持されている領域）のうち、それよりやや内側の領域が画像表示領域１５（アクティブ領域）とされている。このような画像表示領域１５は、対向基板１０に形成された見切り用の遮光膜１３、あるいは素子基板２０の側に配置された枠体３０の開口３１によって規定されており、画像表示領域１５の外側の領域は、いわゆる額縁領域３２と称せられ、画像の表示には寄与しない。
【００２８】
対向基板１０と素子基板２０とは、環状に塗布されたシール材７によって貼り合わされ、かつ、シール材７によって区画された領域内に電気光学物質としての液晶６が注入、保持されている。また、対向基板１０と素子基板２０との間隔は、シール材７に配合されたギャップ材や、対向基板１０と素子基板２０の間に介在するギャップ材５によって高い精度に設定されている。
【００２９】
本形態の液晶装置１では、シール材７で囲まれた領域（液晶６が保持されている領域）のうち、それよりやや内側の領域が画像表示領域１５（アクティブ領域）とされている。このような画像表示領域１５は、対向基板１０に形成された見切り用の遮光膜１３、あるいは素子基板２０の側に配置された枠体３０の開口３１によって規定されており、画像表示領域１５の外側の領域は、いわゆる額縁領域３２と称せられ、画像の表示には寄与しない。
【００３０】
このように構成した液晶装置１において、素子基板２０に形成されている走査線５１の各々に走査信号を供給する一方、対向基板１０に形成されているデータ線５２にデータ信号を供給すると、画素電極６６とデータ線５２とが対向する部分において、そこに保持されている液晶６を画素５３毎に駆動することができる。従って、点灯状態にある画素５３では、素子基板２０の側から入射した光は、矢印ＬＡで示すように、画素電極６６、液晶６、データ線５２、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂを透過して第１の反射膜１１に到達し、第１の反射膜１１で反射した光は、矢印ＬＢで示すように、再び、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂ、データ線５２、液晶６、画素電極６６を透過して出射され、画像を表示する。この際、第１の反射膜１１で反射する光には、凹凸によって散乱性が付与されるので、品位の高い表示を行うことができる。
【００３１】
ここで、第１の反射膜１１を薄く形成し、あるいは第１の反射膜１１に開口を形成しておけば、対向基板１０の裏面側から入射した光を利用しても画像を表示できるので、液晶装置１′を半透過・半反射型に構成することができる。
【００３２】
なお、液晶６として通常のＴＮモードの液晶を用いた場合、この種の液晶６は、光の偏光方向を変えることにより光変調を行うので、素子基板２０の外側表面には偏光板（図示せず）が重ねて配置される。
【００３３】
また、本形態の対向基板１０では、画像表示領域１５の外側領域は、画像に表示に直接、関与しないが、画像表示領域１５を規定する遮光膜１３とシール材７との間に第１の反射膜１１と同層に第２の反射膜１１′が形成されている。また、第１の反射膜１１の上層側には、遮光膜１２、１３と同層の遮光膜１２′が形成され、さらに遮光膜１２′の上層側には、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂと同層のカラーフィルタ２′が形成されている。ここで、カラーフィルタ２′は、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂのいずれか同時形成されたものである。
【００３４】
さらに、本形態の対向基板１０では、シール材７が形成されている領域の外側領域にも、第２の反射膜１１′が形成されている。また、第２の反射膜１１′のその上層側には、遮光膜１２、１３と同層の遮光膜１２′が形成され、さらに遮光膜１２′の上層側にはカラーフィルタ２′が形成されている。
【００３５】
なお、ここに示す例では、素子基板２０に走査線５１を形成し、対向基板１０にデータ線５２を形成したが、素子基板２０にデータ線を形成し、対向基板１０に走査線を形成してもよい。
【００３６】
（非線形素子の構成）
このように構成した液晶装置１において、ＴＦＤ素子５６は、例えば、図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、素子基板２０の表面に成膜された下地層６１の上に形成された第１のＴＦＤ素子５６ａ、および第２のＴＦＤ素子５６ｂからなる２つのＴＦＤ素子要素によって、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造として構成されている。このため、ＴＦＤ素子５６は、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されている。下地層６１は、例えば、厚さが５０〜２００ｎｍ程度の酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）によって構成されている。
【００３７】
第１のＴＦＤ素子５６ａ、および第２のＴＦＤ素子５６ｂは、第１の金属層６２と、この第１の金属層６２の表面に形成された絶縁膜６３と、絶縁膜６３の表面に互いに離間して形成された第２の金属層６４ａ、６４ｂとによって構成されている。第１の金属層６２は、例えば、厚さが１００〜５００ｎｍ程度のＴａ単体膜、Ｔａ合金膜等によって形成され、絶縁膜６３は、例えば、陽極酸化法によって第１の金属層６２の表面を酸化することによって形成された厚さが１０〜３５ｎｍの酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）である。
【００３８】
第２の金属層６４ａ、６４ｂは、例えばクロム（Ｃｒ）等といった金属膜によって５０〜３００ｎｍ程度の厚さに形成されている。第２の金属層６４ａは、そのまま走査線５１となり、他方の第２の金属層６４ｂは、ＩＴＯ等といった透明導電材からなる画素電極６６に接続され、画素電極６６の表面側には配向膜２８が形成されている。
【００３９】
（液晶装置の製造方法）
このような液晶装置１の製造工程のうち、対向基板１０を製造する対向基板形成工程を、図５、図６および図７を参照して説明する。なお、対向基板１０は、一般的には、液晶装置１のサイズに対応する単品の対向基板１０が複数、切り出される大型の元基板に対して各工程を行った後、元基板を単品の対向基板１０に分割する方法が採用されているので、この方法において本発明を適用した場合を説明する。
【００４０】
図５（Ａ）、（Ｂ）は、本形態の液晶装置１に用いた対向基板１０を製造するのに用いた元基板の構成を示す平面図、およびこの元基板のＡ−Ａ′断面図である。なお、図５（Ａ）では、元基板に反射膜を形成した状態を示し、図５（Ｂ）には、反射膜、遮光膜、カラーフィルタを形成した状態を示してある。図６および図７はそれぞれ、液晶装置１に用いる対向基板１０の製造方法を示す工程断面図である。
【００４１】
本形態の液晶装置１に用いた対向基板１０の形成工程（対向基板形成工程）では、まず、図５（Ａ）、（Ｂ）および図６（Ａ）に示すように、単品の対向基板１０を複数、切り出すことのできる大型のガラス基板からなる元基板１００′を準備する。ここで、元基板１００′から９枚の対向基板１０を切り出すことができ、かつ、この対向基板１０として切り出す基板形成領域１０′（図５に一点鎖線Ｌ１で囲んだ領域）の内側には、一点鎖線Ｌ２で示すシール材７の形成領域が位置し、さらにその内側には、実線Ｌ３で示す画像表示領域１５が位置する。
【００４２】
次に、図６（Ｂ）に示すように、元基板１００′の表面に、アルミニウムや銀などといった金属膜からなる反射膜１１０を形成する。次に、図６（Ｃ）に示すように、反射膜１１０の表面に形成したレジストマスク１１２を用いて反射膜１１０をパターニングし、図６（Ｄ）に示すように、ガラス基板１００表面の画像表示領域１５に第１の反射膜１１を残す。また、画像表示領域１５の外側領域は、画像に表示に直接、関与しないが、画像表示領域１５を規定する遮光膜１３の形成予定位置とシール材７の形成予定位置との間にも、反射膜１１０を第２の反射膜１１′として残す。さらに、基板形成領域１０′の内側のうち、シール材７が形成されている領域の外側領域にも第２の反射膜１１′を残す。さらにまた、元基板１００′の表面のうち、基板形成領域１０′の外側領域にも第２の反射膜１１′を残す。以上が反射膜形成工程である。
【００４３】
次に、図７（Ａ）に示すように、元基板１００′の全面にスピンコート法により感光性の樹脂１２０を塗布した後、この樹脂１２０に対して露光、現像を行い、図７（Ｂ）に示すように、樹脂１２０を所定領域にマトリクス状に残して各画素の光透過領域を規定する遮光膜１２、および画像表示領域１５を規定する見切り用の遮光膜１３を形成する。また、画像表示領域１５の外側領域において、遮光膜１３とシール材７の形成予定位置との間に残した第２の反射膜１１′、基板形成領域１０′の内側のうち、シール材７の形成予定位置の外側領域に残した第２の反射膜１１′、および基板形成領域１０′の外側領域に残した第２の反射膜１１′の上層側にも樹脂１２０を遮光膜１２′として残す。以上が遮光膜形成工程である。
【００４４】
次に、図７（Ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術、フレキソ印刷法、あるいはインクジェット法により、遮光膜１２の間にカラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂを形成する。この際、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂのうちのいずれかを、遮光膜１３とシール材７の形成予定位置との間に残した遮光膜１２′、基板形成領域１０′の内側のうち、シール材７の形成予定位置の外側領域に残した遮光膜１２′、および基板形成領域１０′の外側領域に残した遮光膜１２′の上層側にカラーフィルタ２′として形成する。以上がカラーフィルタ形成工程である。
【００４５】
しかる後に、図３に示すように、カラーフィルタ２Ｒ、２Ｇ、２Ｂの表面にオーバーコート膜１７、帯状のデータ線５２、および配向膜１８をこの順に形成し、配向膜１８２にラビング処理を行う（オーバーコート膜形成工程、データ線形成工程、配向膜形成工程）。
【００４６】
これに対して、素子基板２０についても同様に、素子基板２０を多数枚取りできる元基板に対してＴＦＤ素子、画素電極６６および配向膜２８を形成する（素子基板形成工程）。
【００４７】
そして、素子基板２０を形成するための元基板にギャップ材５を散布する一方（ギャップ材散布工程）、対向基板１０を形成するための元基板１００′に対しては、図５（Ａ）に一点鎖線Ｌ２で示す位置にシール材７を塗布し（シール材塗布工程）、このシール材７を挟むようにして２枚の元基板同士を貼り合せた状態で元基板を両側から押圧したままシール材７を硬化させて、空のパネル構造体を形成する（基板貼り合せ工程）。このパネル構造体において基板の間隔は、シール材７に配合されたギャップ材、およびギャップ材５によって規定される。次に、パネル構造体を短冊状に切断してシール材７の途切れ部分を液晶注入口（図示せず）として露出させ（第１のスクライブ工程）、この液晶注入口から液晶６を注入した後、液晶注入口を封止し（注入・封止工程）、しかる後にパネル構造体を所定サイズに切断すれば、液晶装置１′を製造できる（第２のスクライブ工程）。
【００４８】
（対向基板および元基板の取り扱い方法）
このような製造方法において、元基板１００′（対向基板１０）表面に、データ線５２などを形成する工程、ラビング工程、基板の貼り合せ工程、スクライブ工程などを行う際、元基板１００′やパネル構造体を各種装置に搬送し、所定の位置にセットすることになるが、この際は、図５（Ｂ）に示すように、元基板１００′の裏面１０１に対してＬＥＤなどを用いた光源４１０から光を照射し、その反射光をフォトダイオードなどを用いた光検出器４２０で検出することにより、元基板１００′の有無や位置を検出する。
【００４９】
（本形態の効果）
ここで、元基板１００′の表面において画像表示領域１５以外の領域に遮光膜１２′やカラーフィルタ２′が多々形成されていると、このような膜が形成されている領域では、元基板１００′の裏面１０１に対して光を照射してもその反射光の強度が著しく低いため、このような領域を利用して、元基板１００′の有無や位置を検出することができないが、本形態では、画像表示領域１５以外の領域に形成されている遮光膜１２′やカラーフィルタ２′の下層側には、第１の反射膜１１と同層の第２の反射膜１１′が形成されている。このため、画像表示領域１５以外でも、第２の反射膜１１′が形成されている領域において元基板１００′の裏面から光を照射すると、この光は第２の反射膜１１′で反射するので、反射光の強度が高い。従って、元基板１００′の裏面側での反射光に基づいて、元基板１００′（第１の透明基板１０）の有無や位置を検出できる。
【００５０】
また、本形態では、画像表示領域１５の外側領域のうち、遮光膜１３とシール材７との間には、遮光膜１２′、およびカラーフィルタ２′が形成され、かつ、その下層側に第２の反射膜１１′が形成されているため、画像表示領域１５と略同様な膜構成になっている。このため、対向基板１０（元基板１００′）表面に形成した膜の厚さを画像表示領域１５の内外で均等化できるので、ギャップ材５が有効に作用し、対向基板１０と素子基板２０との間隔を高い精度とすることができる。
【００５１】
また、遮光膜１３とシール材７との間、基板形成領域１０′の内側のうち、シール材７が形成される領域の外側領域、および基板形成領域１０′の外側領域には、遮光膜１２′、およびカラーフィルタ２′が形成され、かつ、その下層側に第２の反射膜１１′が形成されているため、これらの領域でも、画像表示領域１５と同様な膜構成になっている。それ故、元基板同士をシール材７で貼り合す基板貼り合せ工程において、シール材７が硬化するまでの間、元基板同士を押圧する際に、元基板全体に均等な力を加えることができるので、対向基板１０と素子基板２０との間隔を高い精度とすることができる。
【００５２】
［その他の実施の形態］
上記形態では、遮光膜１３とシール材７との間、基板形成領域１０′の内側のうち、シール材７が形成されている領域の外側領域、および基板形成領域１０′の外側領域のいずれにおいても、第２の反射膜、遮光膜１２′、およびカラーフィルタ２′の３層構造としたが、これらの領域のいずれにおいても第２の反射膜１１′のみを形成した構成であってもよい。
【００５３】
また、遮光膜１３とシール材７との間、基板形成領域１０′の内側のうち、シール材７が形成されている領域の外側領域、および基板形成領域１０′の外側領域において、遮光膜１２′およびカラーフィルタ２′のいずれか一方のみを形成してもよく、いずれの場合でも、その下層側に第２の反射膜１１′を形成すればよい。
【００５４】
さらに、上記形態では、対向基板１０および素子基板２０のいずれをも、元基板に対して複数枚、作り込んだ構成であったが、元基板に対して対向基板１０および素子基板２０を１枚分だけ作り込む場合、あるいは単品サイズの対向基板１０および素子基板２０に対して各要素を形成した後、これらの基板を貼り合わせる場合に本発明を適用してもよい。
【００５５】
さらにまた、上記形態では、能動素子としてＴＦＤ素子５６を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置１に対して本発明を適用した例を説明したが、これに限らず、能動素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置、あるいはその他の電気光学装置を製造するのに本発明を適用してもよいなど、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【００５６】
［電子機器の実施形態］
図８は、本発明に係る液晶装置を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液晶装置７４および液晶装置７５としては、前述した液晶装置１を用いることができる。
【００５７】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００５８】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。駆動回路７６は、図１における走査線駆動回路５７やデータ線駆動回路５８、検査回路等を総称したものである。また、電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００５９】
図９は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した液晶装置１を含んで構成される。
【００６０】
図１０は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と液晶装置１を有している。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明では、表示に関与しない領域（画像表示領域の外側領域）に第２の反射膜が形成されているため、画像表示領域以外でもこのような領域に第１の透明基板の裏面から光を照射すると、反射光の強度が高い。従って、第１の透明基板の裏面側での反射光に基づいて、第１の透明基板の有無や位置を検出できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶装置の電気的構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】図１に示す液晶装置の構造を示す分解斜視図である。
【図３】図１に示す液晶装置の構造を示す断面図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）はそれぞれ、液晶装置において液晶を挟持する１対の基板のうち、素子基板における１画素分の平面図、図４（Ａ）のIII−III′線断面図、各画素に形成されているＴＦＤ素子の斜視図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、本形態の液晶装置に用いた対向基板を製造するのに用いた元基板の構成を示す平面図、およびこの元基板のＡ−Ａ′断面図である。
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明を適用した液晶装置の対向基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、本発明を適用した液晶装置の対向基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】本発明に係る液晶装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図９】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図１０】本発明に係る液晶装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【図１１】従来の液晶装置の構造を示す断面図である。
【図１２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、従来の液晶装置に用いた対向基板を製造するのに用いた元基板の構成を示す平面図、およびこの元基板のＡ１−Ａ１′断面図である。
【符号の説明】
１  液晶装置（電気光学装置）
２Ｒ、２Ｇ、２Ｂ、２′  カラーフィルタ
６  液晶（電気光学物質）
７  シール材
１０  対向基板（第１の透明基板）
１０′  基板形成領域
１１  第１の反射膜
１１′  第２の反射膜
１２、１２′、１３  遮光膜
１５  画像表示領域
２０  素子基板(第２の透明基板)
５１  走査線
５２  データ線
５３  画素
６６  画素電極
１００′  元基板
４１０  光源
４２０  光検出器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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