(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被成膜用の基材を載置したトレイと載置していないトレイとを一方向に搬送する搬送ユニットと、この搬送ユニットの上方位置に設けられ、搬送されてくるトレイにそれぞれ対向可能に配置された複数台の放電プラズマ発生ユニットと、これら搬送ユニット及び放電プラズマ発生ユニットを制御する制御手段とからなり、
前記制御手段は、前記複数の放電プラズマ発生ユニットのうちの任意の１つが前記基材の載置されたトレイと対向し、他の１つが前記基材の載置されていないトレイと対向しているとき、前記任意の１つの放電プラズマ発生ユニットに対しては基材への成膜処理を実行させ、前記他の１つの放電プラズマ発生ユニットに対しては当該他の１つの放電プラズマ発生ユニットの付着物のエッチングとトレイの付着物のエッチングとを前記成膜処理と同時併行して実行させることを特徴とする放電プラズマ処理装置。
【請求項２】
基材を載置したトレイと載置していないトレイとを一方向に搬送して複数台の放電プラズマ発生ユニットに順次対向させ、
前記複数の放電プラズマ発生ユニットのうちの任意の１つが前記基材の載置されたトレイと対向し、他の１つが前記基材の載置されていないトレイと対向しているとき、前記任意の１つの放電プラズマ発生ユニットにて基材への成膜処理を実行するとともに、前記他の１つの放電プラズマ発生ユニットにて当該他の１つの放電プラズマ発生ユニットの付着物のエッチング及びトレイの付着物のエッチングを前記成膜処理と同時併行して実行することを特徴とする放電プラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大気圧近傍の条件下で発生させた放電プラズマを利用して被成膜用基材に成膜を行う放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法に係り、より詳細には、成膜工程の間に間欠的にエッチング工程を設けることにより、トレー及び放電プラズマ発生ユニットのエッチング作業の効率化を図った放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、常圧プラズマを利用して基材に成膜を行う放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法が提供されている。
【０００３】
例えば、特開２００１−９３８７１号公報には、電磁波を用いて線状のプラズマを形成し、加工物表面を線状プラズマに水平に保ちつつ、加工物及びプラズマの相対位置を移動させて加工物の表面加工を行うプラズマ処理装置が提案されている。
【０００４】
このような常圧の放電プラズマ処理装置では、電極の周りに付着物（副生成物）が発生し、これがパーティクル発生源となるため、連続的に使用することができない状況にある。また、複数個のトレーを使って連続搬送を行う放電プラズマ処理装置では、トレーのエッチング処理を定期的に行う必要があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そのため、従来の放電プラズマ処理装置では、成膜処理を一旦中止し、定期的にメンテナンスを行うことで、付着物の除去を行っていた。また、低圧条件下でプラズマ処理を行う装置では、基材の搬入→成膜→基材の搬出→（電極エッチング）→基材の搬送、といったシーケンスが標準であり、電極エッチングは、基材１枚おきに、または複数枚おきに行っていた。
【０００６】
このように、従来の放電プラズマ処理装置では、トレーのエッチング処理や電極のエッチング処理を成膜工程とは切り離して別個に行っていたため、エッチング作業に時間を要し、また成膜の作業効率が低下するといった問題があった。
【０００７】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたもので、成膜工程の間に間欠的にエッチング工程を設けることにより、成膜工程及びエッチング工程の作業効率の向上を図った放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の放電プラズマ処理装置は、被成膜用の基材を載置する複数個のトレイを一方向に連続的に搬送する搬送ユニットと、この搬送ユニットの上方位置に設けられ、搬送されてくるトレイにそれぞれ対向して配置された複数台の放電プラズマ発生ユニットと、これら搬送ユニット及び放電プラズマ発生ユニットを制御する制御手段とからなり、前記制御手段は、前記基材を載置せずに一定間隔ごとに搬送されてくるトレイに対し、少なくとも１つの放電プラズマ発生ユニットにてエッチング処理を施すとともに、該放電プラズマ発生ユニット自体のエッチング処理も同時に行うことを特徴としている。
【０００９】
また、本発明の放電プラズマ処理方法は、複数枚の基材を載置した複数個のトレイを一方向に連続的に搬送しながら、複数台の放電プラズマ発生ユニットによってそれぞれの基材に成膜を行う放電プラズマ処理方法において、一定間隔ごとに基材を載置せずにトレイを搬送し、基材を載置していないトレイに対し、任意の１つの放電プラズマ発生ユニットにてエッチング処理を施すとともに、該放電プラズマ発生ユニット自体のエッチング処理も同時に行うことを特徴としている。
【００１０】
このような特徴を有する本発明によれば、連続的に搬送される複数個のトレイに、基材を載置しないトレイを間欠的に設ける。そして、基材を載置したトレイは、１つの放電プラズマ発生ユニットによって成膜を行い、基材を載置していないトレイは、他の１つの放電プラズマ発生ユニットによってエッチング処理を実施する。すなわち、成膜工程とエッチング工程とを同時に行う。このとき、エッチング工程では、トレイにエッチング処理を施すと同時に、その放電プラズマ発生ユニット自体のエッチング処理も行う。これにより、成膜工程とは区別してエッチング工程のみを実施する必要がなく成膜工程とエッチング工程とを同時並行的に行うことができるので、放電プラズマ発生ユニット及びトレイのメンテナンス作業を低減もしくは廃止することが可能となる。
【００１１】
本発明によれば、放電プラズマ発生ユニットは、リモート型の電極構造を有している。すなわち、所定の間隔をあけて互いに対向する一対の電極を有し、その一対の電極の少なくとも一方の電極対向面に固有誘電体が設けられてなる対向電極間に、大気圧近傍の圧力下で電界を印加することによりグロー放電プラズマを発生する構造となっている。
【００１２】
上記大気圧近傍の圧力下とは、１．３３３×１０4 〜１０．６６４×１０4 Ｐａの圧力下を指す。中でも、圧力調整が容易で、装置構成が簡便になる９．３３１×１０4 〜１０．３９７×１０4 Ｐａの範囲が好ましい。
【００１３】
ここで、対向電極の材質としては、例えば、鉄、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等などが挙げられる。対向電極を構成する一対の電極の形状は、特に限定されないが、電界集中によるアーク放電の発生を避けるために、対向電極間の距離が一定となる構造であることが好ましい。この条件を満たす電極構造としては、例えば平行平板型、円筒型構造が挙げられるが、３枚以上の電極を用いる場合には、平行平板型が好ましい。
【００１４】
さらに、プラズマを発生させる電極は、一対のうち少なくとも一方の対向面に固体誘電体が配置されている必要がある。この際、固定誘電体ト設置される側の電極が密着し、かつ、接する電極の対向面を完全に覆うようにすることが好ましい。固体誘電体によって覆われずに電極同士が直接対向する部位があると、そこからそこからアーク放電が生じやすいためである。
【００１５】
上記固体誘電体の形状は、シート状でもフィルム状でもよく、厚みが０．０１〜４ｍｍであることが好ましい。厚すぎると放電プラズマを発生するのに高電圧を要することがあり、薄すぎると電圧印加時に絶縁破壊が起こり、アーク放電が発生することがある。
【００１６】
上記個体誘電体の材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物、及びこれらの複層化したもの等が挙げられる。
【００１７】
また、上記固体誘電体は、比誘電率が２以上（２５℃環境下、以下同じ）であることが好ましい。比誘電率が２以上の誘電体の具体例としては、ポリテトラフルオロエチレン、ガラス、金属酸化膜等を挙げることができる。さらに高密度の放電プラズマを安定して発生させるためには、比誘電率が１０以上の固体誘電体を用いることが好ましい。比誘電率の上限は特に限定されるものではないが、現実の材料では１８，５００程度のものが知られている。比誘電率が１０以上である個体誘電体としては、例えば、二酸化チタン５〜５０重量％、酸化アルミニウム５０〜９５重量％で混合された金属酸化物皮膜、または、酸化ジルコニウムを含有する金属酸化皮膜からなるものが好ましい。
【００１８】
上記電極間の距離は、個体誘電体の厚さ、印加電圧の大きさ、プラズマを利用する目的等を考慮して適宜決定されるが、０．１〜５０ｍｍであることが好ましく、より好ましくは５ｍｍ以下である。５０ｍｍを超えると、均一な放電プラズマを発生させにくい。さらに好ましくは、放電が安定しやすい０．５〜３ｍｍの間隔である。
【００１９】
上記電極間には、電界が印加され、プラズマを発生させるが、パルス電界を印加することが好ましく、特に、電界の立ち上がり及び／または立ち下がり時間が、１０μｓ以下である電界が好ましい。１０μｓを超えると放電状態がアークに移行しやすく不安定なものとなり、パルス電界による高密度プラズマ状態を保持しにくくなる。また、立ち上がり時間及び立ち下がり時間が短いほどプラズマ発生の際のガスの電離が効率よく行われるが、４０ｎｓ未満の立ち上がり時間のパルス電界を実現することは、実際には困難である。より好ましくは５０ｎｓ〜５μｓである。なお、ここでいう立ち上がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して増加する時間、立ち下がり時間とは、電圧（絶対値）が連続して減少する時間を指すものとする。
【００２０】
上記パルス電界の電界強度は、１０〜１０００ｋＶ／ｃｍであり、好ましくは２０〜３００ｋＶ／ｃｍである。電界強度が１０ｋＶ／ｃｍ未満であると処理に時間がかかりすぎ、１０００ｋＶ／ｃｍを超えるとアーク放電が発生しやすくなる。
【００２１】
上記パルス電界の周波数は、０．５ｋＨｚ以上であることが好ましい。０．５ｋＨｚ未満であるとプラズマ密度が低いため処理に時間がかかりすぎる。上限は特に限定されないが、常用されている１３．５６ＭＨｚ、試験的に使用されている５００ＭＨｚといった高周波帯でも構わない。負荷との整合のとり易さや取り扱い性を考慮すると、５００ｋＨｚ以下が好ましい。このようなパルス電界を印加することにより、処理速度を大きく向上させることができる。
【００２２】
また、上記パルス電界におけるひとつのパルス継続時間は、２００μｓ以下であることが好ましく、より好ましくは３〜２００μｓである。２００μｓを超えるとアーク放電に移行しやすくなる。ここで、ひとつのパルス継続時間とは、ＯＮ、ＯＦＦの繰り返しからなるパルス電界における、ひとつのパルスの連続するＯＮ時間を言う。
【００２３】
薄膜を形成するために導入するガスとしては、金属酸化膜または金属窒化膜を形成するガスの組み合わせであって、▲１▼薄膜中に含まれる金属元素を含有する原料ガスである金属元素含有ガスと、▲２▼この金属元素を含有する原料ガスと反応して薄膜形成を促進する酸素含有ガスまたは窒素含有ガスの反応ガスと、▲３▼ほとんど反応させずに希釈するのみかもしくは前記ガスの励起を促進するかあるいは励起種を安定させるための希釈ガスとの組み合わせよりなる。具体的には、次のような例が挙げられ、それぞれを適宜組み合わせて用いることができる。
（１）酸化膜
酸化膜の種類としては、絶縁膜、Ｈｉｇｈ−ｋ膜、透明導電膜が挙げられる。
▲１▼原料用ガス
（ｉ）絶縁膜（ＳｉＯ2 ）用原料ガス
ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 等のシラン系ガス、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 等のアルキルシラン系ガス、Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 、Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）4 等のアルコキシシラン系ガス、Ｓｉ（ＯＣＯＣＨ3 ）4 等のアセトキシシラン系ガス、Ｓｉ（ＮＣＯ）4 ガスが挙げられる。また、これらのガスには、Ｐ（ＣＨ3 ）3 、Ｂ（ＣＨ3 ）3 、ＰＨ3 、Ｂ2 Ｈ6 等を添加して複合酸化物としてもよい。
（ｉｉ）Ｈｉｇｈ−ｋ膜用原料ガス
Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 からのＴａ2 Ｏ5 膜、Ｙ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）3 からのＹ2 Ｏ5 膜、Ｈｆ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）からのＨｆＯ2 膜、Ｚｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、Ｚｎ（ＯＣ2 Ｈ5 ）2 からＺｎＯ2 膜が挙げられる。
（ｉｉｉ）透明導電膜用原料ガス
Ｉｎ（Ｏｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）3 、Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 、Ｚｎ（Ｃ2 Ｈ5 ）2 、Ｚｎ（ＯＣ2 Ｈ6 ）2 等が挙げられる。さらにドーピング用として、ＳｎＣｌ2 、Ａｌ（ＣＨ3 ）3 、Ａｌ（ＯｉＣ3 Ｈ7 ）3 、Ｓｂ（ＯＣ2 Ｈ5 ）3 等が挙げられる。
▲２▼反応ガス
酸素元素含有ガスとしては、Ｏ2 、Ｏ3 、Ｎ2 Ｏ、乾燥空気等の酸素含有ガスが挙げられる。
▲３▼希釈ガス
ネオン、アルゴン、キセノン、Ｎ2 、ヘリウム等が挙げられる。
（２）窒化膜
▲１▼原料ガス
ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 等のシラン系ガス、Ｓｉ（ＣＨ3 ）4 等のアルキルシラン系ガス、ＴｉＣｌ2 、Ａｌ（ＣＨ3 ）3 等が挙げられる。
▲２▼反応ガス
無水アンモニア、Ｎ2 等の窒素含有ガスが挙げられる。
▲３▼希釈ガス
ネオン、アルゴン、キセノン、Ｎ2 、ヘリウム等が挙げられる。
【００２４】
本発明では、経済性及び安全性等の観点から、原料ガスを希釈ガスによって希釈し、これを処理ガスとして用いる方法が特に好ましい。希釈ガスは、単独でも２種以上を混合して用いてもよい。
【００２５】
原料ガスの不活性ガスとの混合比は、使用する不活性ガスの種類により適宜決定される。パルス電界を印加する場合は、任意の混合比の雰囲気下で処理が可能であるが、原料ガスの濃度が高すぎると放電プラズマが発生し難くなるため、原料ガスの濃度が、原料ガスと不活性ガスとの混合ガス中の０．００１〜１０体積％であることが好ましく、より好ましくは０．００１〜０．５体積％である。
【００２６】
酸化金属薄膜または窒化金属薄膜を形成する被処理基材としては、プラズマ放電手段がリモート型であるので、特に限定されないが、例えば、シリコンウェハ、石英ガラス、プラスチックフィルム等が挙げられる。
【００２７】
パルス電界を用いた大気圧放電では、全くガス種に依存せず、電極間において直接大気圧に放電を生ぜしめることが可能であり、より単純化された電極構造、放電手順による大気圧プラズマ装置、及び処理手法でかつ高速処理を実現することができる。また、印加電界の周波数、電圧、電極間隔等のパラメータにより処理に関するパラメータも調整できる。
【００２８】
さらに、印加パルス電界の形状及び変調を含む周波数制御により選択励起が可能であり、特定化合物の成膜速度を選択的に向上させたり不純物等の純度制御が可能である。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００３０】
図１は、本発明の放電プラズマ処理装置の要部の概略構成を示している。
【００３１】
この放電プラズマ処理装置は、被成膜用の基材５を載置する複数個のトレイ１１を一方向Ｘに連続的に搬送する搬送ユニット１を備えている。この搬送ユニット１は、例えばベルトコンベア１２によって構成されており、このベルトコンベア１２上に、一定の間隔を存して複数個のトレイ１１が設けられている。図１では、４個のトレイ１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄが隙間無く接した状態で設けられているが、実際には、さらに連続してトレイが設けられている。
【００３２】
そして、この搬送ユニット１の上方位置に、搬送されてくるトレイ１１に対向して複数台の放電プラズマ発生ユニット２が配置されている。本実施の形態では、３台の放電プラズマ発生ユニット２ａ，２ｂ，２ｃが、隣接するトレイ１１，１１，１１にそれぞれ対向して配置されており、図１では、トレイ１１ａの位置に放電プラズマ発生ユニット２ａが、トレイ１１ｂの位置に放電プラズマ発生ユニット２ｂが、トレイ１１ｃの位置に放電プラズマ発生ユニット２ｃがそれぞれ対向して配置されている。
【００３３】
これら搬送ユニット１及び放電プラズマ発生ユニット２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ等を主体とする制御ユニット３によって制御されている。
【００３４】
このような構成の放電プラズマ処理装置では、連続的に搬送される複数個のトレイ１１に、基材５を載置していないトレイ１１を間欠的に設けている。そして、制御ユニット３は、基材５を載置して搬送されてくるトレイ１１に対しては、成膜工程において成膜を行い、基材５を載置していないトレイ１１に対しては、少なくとも１つの放電プラズマ発生ユニット２にてエッチング処理を施すとともに、該放電プラズマ発生ユニット２自体のエッチング処理も同時に行うように制御する。すなわち、成膜工程とエッチング工程とを同一ライン上で同時に行うようにしている。
【００３５】
これにより、成膜工程と区別して個別にエッチング工程のみを実施する必要がなく、成膜工程とエッチング工程とを同時並行的に行うことができるので、放電プラズマ発生ユニット２及びトレイ１１のメンテナンス作業を低減もしくは廃止することが可能となる。
【００３６】
［実施例］
本実施例では、図１に示すように、放電プラズマ発生ユニット２を３台設置し、基材５である半導体ウェハの成膜を３工程に分けて行う構成としている。すなわち、所望の膜厚の３分の１ずつを３台の放電プラズマ発生ユニット２で行う放電プラズマ処理装置に適用した例を示している。ただし、ガス種を変えて３段階で成膜を行う放電プラズマ処理装置に適用することも可能である。
【００３７】
また、基材５は８インチの半導体ウェハとし、トレイ１１はセラミック製のトレイを使用した。トレイ１１及び基材５は３５０℃に保持し、搬送速度は２００ｍｍ／ｍｉｎとした。また、トレイ１１は、１個置きに基材５を載せて搬送させた。すなわち、基材５を載置したトレイ１１と基材５を載置しないトレイ１１とを交互に配置した。
【００３８】
また、放電プラズマ発生ユニット２はリモート型の電極構造とした。図２に電極部の断面構造を模式的に示している。すなわち、所定の間隔をあけて互いに対向する一対の電極２１，２１を有し、その一対の電極２１，２１の少なくとも一方の電極対向面に固有誘電体（図示省略）が設けられている。この対向電極間に、上方より処理ガスを導入し、大気圧近傍の圧力下で電界を印加することによりグロー放電プラズマを発生する構造となっている。ここで、電極サイズを５ｃｍ×２５ｃｍ、電極間隔（対向電極間）を２ｍｍ、基材・電極間距離を３ｍｍ、プラズマ吹き出し口を２ｍｍ×２５ｃｍの長方形とした。
【００３９】
＜成膜条件＞
Ｎ2 ＝１ＳＬＭ、Ｏ2 ＝９ＳＬＭ
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）＝０．４ｍｇ／ｍｉｎ
印加電圧：５ＫＨｚ、２０ＫＶのパルス電界
上記成膜条件により、約５００Å（オングストローム）のＳｉＯ2 成膜が可能である。
【００４０】
＜エッチング条件＞
ＣＦ4 ＝０．１ＳＬＭ、Ｏ2 ＝１ＳＬＭ
印加電圧：５ＫＨｚ、２０ＫＶのパルス電界
以上の条件に従い、それぞれの放電プラズマ発生ユニット２ａ，２ｂ，２ｃで、成膜とエッチングとを交互に行う。成膜工程では載置された基材５に上記成膜条件で成膜を行い、エッチング工程では基材５が載置されていないトレイ１１に対し上記エッチング条件でエッチングを行う。
【００４１】
以下、図３に示す処理工程図を参照して具体的に説明する。
【００４２】
まず、図３（ａ）に示すように、基材５を載置したトレイ１１ａが、Ａ位置まで搬送されると、放電プラズマ発生ユニット２ｃによってトレイ１１ａの基材５に第１の成膜を行う。
【００４３】
次に、図３（ｂ）に示すように、トレイ１１ａがＢ位置まで搬送され、基材５が載置されていない次のトレイ１１ｂがＡ位置まで搬送されると、放電プラズマ発生ユニット２ｂによってトレイ１１ａの基材５に第２の成膜を行い、放電プラズマ発生ユニット２ｃによって自身のエッチングと同時にトレイ１１ｂのエッチングを行う。
【００４４】
次に、図３（ｃ）に示すように、トレイ１１ａがＣ位置まで搬送され、トレイ１１ｂがＢ位置まで搬送され、基材５を載置した次のトレイ１１ｃがＡ位置まで搬送されると、放電プラズマ発生ユニット２ａによってトレイ１１ａの基材５に第３の成膜を行い、放電プラズマ発生ユニット２ｂによって自身のエッチングと同時にトレイ１１ｂのエッチングを行い、放電プラズマ発生ユニット２ｃによってトレイ１１ｃの基材５に第１の成膜を行う。
【００４５】
次に、図３（ｄ）に示すように、トレイ１１ａがＤ位置まで搬送され、トレイ１１ｂがＣ位置まで搬送され、基材５を載置したトレイ１１ｃがＢ位置まで搬送され、基材５が載置されていない次のトレイ１１ｄがＡ位置まで搬送されると、トレイ１１ａに載置されていた基材５は成膜処理が終了しているので回収され、成膜済みのトレイ１１ａは、次のサイクルではエッチング対象トレイ（すなわち、基材５を載置しないトレイ）として、再び搬送ユニット１に投入される。また、放電プラズマ発生ユニット２ａによって自身のエッチングと同時にトレイ１１ｂのエッチングを行い、放電プラズマ発生ユニット２ｂによってトレイ１１ｃの基材５に第２の成膜を行い、放電プラズマ発生ユニット２ｃによって自身のエッチングと同時にトレイ１１ｄのエッチングを行う。
【００４６】
次に、図３（ｅ）に示すように、トレイ１１ｂがＤ位置まで搬送され、トレイ１１ｃがＣ位置まで搬送され、トレイ１１ｄがＢ位置まで搬送され、基材５が載置された次のトレイ１１ｅがＡ位置まで搬送されると、トレイ１１ｂはエッチング処理が終了しているので回収され、次のサイクルでは成膜対象トレイ（すなわち、基材５を載置するトレイ）として、再び搬送ユニット１に投入される。また、放電プラズマ発生ユニット２ａによってトレイ１１ｃの基材５に第３の成膜を行い、放電プラズマ発生ユニット２ｂによって自身のエッチングと同時にトレイ１１ｄのエッチングを行い、放電プラズマ発生ユニット２ｃによってトレイ１１ｅの基材５に成膜を行う。
【００４７】
次に、図３（ｆ）に示すように、トレイ１１ｃがＤ位置まで搬送され、トレイ１１ｄがＣ位置まで搬送され、基材５を載置したトレイ１１ｅがＢ位置まで搬送され、基材５が載置されていない次のトレイ１１ｆがＡ位置まで搬送されると、トレイ１１ｃに載置されていた基材５は成膜処理が終了しているので回収され、成膜済みのトレイ１１ｃは、次のサイクルではエッチング対象トレイ（すなわち、基材５を載置しないトレイ）として、再び搬送ユニット１に投入される。また、放電プラズマ発生ユニット２ａによって自身のエッチングと同時にトレイ１１ｄのエッチングを行い、放電プラズマ発生ユニット２ｂによってトレイ１１ｅの基材５に第２の成膜を行い、放電プラズマ発生ユニット２ｃによって自身のエッチングと同時にトレイ１１ｆのエッチングを行う。
【００４８】
下記の表１は、上記の処理工程を一覧表にまとめて示したものである。
【００４９】
【表１】
0003914093.tif 000002
【００５０】
なお、上記実施例では、基材５を載置するトレイ１１と基材５を載置しないトレイ１１とを交互に設けた場合（すなわち、基材５を載置しないトレイ１１を１個おきに設けた場合）の処理工程について説明しているが、例えば基材５を載置するトレイ１１を２個連続で搬送し、その後に基材５を載置しないトレイ１１を１個搬送するように、２個置きに基材５を載置しないトレイ１１を搬送するようにしてもよい。
【００５１】
【発明の効果】
本発明の放電プラズマ処理装置及び放電プラズマ処理方法によれば、連続的に搬送される複数個のトレイに、基材を載置しないトレイを間欠的に設けている。そして、基材を載置したトレイは、１つの放電プラズマ発生ユニットによって成膜を行い、基材を載置していないトレイは、他の１つの放電プラズマ発生ユニットによってエッチング処理を実施している。すなわち、成膜工程とエッチング工程とを同時並行的に行うことにより、成膜工程とエッチング工程とを区別して個別に実施する必要がなく、放電プラズマ発生ユニット及びトレイのメンテナンス作業を低減もしくは廃止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の放電プラズマ処理装置の要部の概略構成を示す説明図である。
【図２】放電プラズマ発生ユニットの電極部の断面構造を模式的に示した説明図である。
【図３】本発明の放電プラズマ処理装置における成膜処理とエッチング処理の処理工程図を示す説明図である。
【符号の説明】
１  搬送ユニット
２、２ａ、２ｂ、２ｃ  放電プラズマ発生ユニット
３  制御ユニット
５  基材
１１、１１ａ〜１１ｆ  トレイ
【図１】
0003914093.tif 000003
【図２】
0003914093.tif 000004
【図３】
0003914093.tif 000005