(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光性を有する樹脂を塗布し、写真製版法によりパターン形成を行う工程を含む電子デバイスの製造方法において、
被塗布体上に上記感光性を有する樹脂を塗布する工程と、
所望するパターンに対応する遮光膜パターンが形成された第一のマスクを介して、上記被塗布体上の平坦部分に塗布された上記感光性を有する樹脂が感光するのに適正な露光エネルギー量で露光する第一の露光工程と、
上記所望するパターンを覆うような遮光膜パターンが形成された第二のマスクを介して、上記被塗布体上の異物付着部分に塗布された上記感光性を有する樹脂の膜厚と上記平坦部分に塗布された上記感光性を有する樹脂の膜厚の差分が感光するのに十分かつ適正な露光エネルギー量で露光する第二の露光工程を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
感光性を有する樹脂を塗布し、写真製版法によりパターン形成を行う工程を含む電子デバイスの製造方法において、
被塗布体上の異物付着部分に塗布された上記感光性を有する樹脂の膜厚と平坦部分に塗布された上記感光性を有する樹脂の膜厚の差を小さくするよう上記感光性を有する樹脂を厚く塗布する工程と、
所望するパターンに対応する遮光膜パターンが形成された第一のマスクを介して、上記被塗布体上の平坦部分に塗布された上記感光性を有する樹脂が感光するのに適正な露光エネルギー量で露光する第一の露光工程と、
上記所望するパターンを覆うような遮光膜パターンが形成された第二のマスクを介して、上記被塗布体上の異物付着部分に塗布された上記感光性を有する樹脂の膜厚と上記平坦部分に塗布された上記感光性を有する樹脂の膜厚の差分が感光するのに十分かつ適正な露光エネルギー量で露光する第二の露光工程を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
第一の露光と第二の露光は、連続して行われることを特徴とする請求項１または請求項２記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば液晶表示装置など写真製版法を用いたパターン形成工程を含む電子デバイスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜トランジスタを搭載した液晶表示装置等の電子デバイスにおいて、信頼性の高い電子デバイスを高歩留りで製造するためには、信頼性の高いパターンを形成することが必要である。
例えば、薄膜トランジスタを搭載した液晶表示素子の製造においては、導電性薄膜または誘電体薄膜等が形成されたガラス基板に、感光性を有するレジスト膜を均一に形成し、ステッパー露光装置を用いて、レジスト膜が形成されたガラス基板を順次露光処理し、マスクに形成されたパターンを感光性を有するレジスト膜に投影し転写する。さらにパターンが転写されたレジスト膜の現像、金属薄膜または誘電体薄膜等のエッチングおよびレジスト膜の剥離を行い、金属薄膜または誘電体薄膜等によるパターンを形成する。その後同様の工程を複数回繰り返すことにより、配線パターン、絶縁体パターン、半導体層パターン等を積層し、表示素子を形成する。以上のようなパターン形成方法は、特開平４−３０５６５１号公報中の従来技術にも示されている。
【０００３】
図９は従来の一般的な写真製版法を用いたパターンの形成工程を示す断面図である。図において、１は基板、２は基板１上に成膜された金属膜あるいは絶縁膜等の薄膜、４は感光性を有するレジスト膜、５はマスク、６はマスク５に形成された遮光膜パターン、７はレジストパターン、１４は配線パターンあるいは絶縁体パターン等の薄膜パターンである。
まず図９（ａ）に示すように、ＣＶＤ装置やスパッタ装置等を用いて、基板１上に金属膜あるいは絶縁膜等の薄膜２を成膜する。次に図９（ｂ）に示すように、回転塗布法等により、感光性を有するレジストの溶液を塗布し、感光性を有するレジスト膜４を形成する。次に図９（ｃ）に示すように、例えばステッパー露光装置等の露光装置を用い、所定の遮光膜パターン６が形成されたマスク５を介して、基板１上に形成されたレジスト膜４に露光処理を施す。このとき、基板１上に形成されたレジスト膜４が感光するのに適正な露光量になる時間だけ露光装置のシャッターを開いて露光処理を行い、マスク５上の遮光膜パターン６をレジスト膜４に転写する。次に図９（ｄ）に示すように、所定の現像液により現像処理を行い、レジストパターン７を形成する。次に図９（ｅ）に示すように、薄膜２のエッチング処理を行い、レジストパターン７に被覆されていない部分の薄膜２をエッチングする。次に図９（ｆ）に示すように、レジストパターン７の剥離処理を行う。このような工程により、配線パターンあるいは絶縁体パターン１４が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来の電子デバイスの製造における写真製版法を用いたパターンの形成方法は以上のように構成されており、感光性を有するレジストを塗布前の基板に異物が付着し、その異物が現像処理においてレジスト膜が除去される部分に付着していた場合、現像処理後に異物の周辺部にレジスト残さが生じ、その結果、レジスト残さの下層にある薄膜がエッチング処理時に除去されないため、薄膜が導電膜である場合には配線間の短絡等パターン欠陥を生じ、製品の歩留りを低下させる問題があった。
【０００５】
図１０は従来の異物によりパターン欠陥が生じるのを説明するための平面図、図１１は図１０のＤ−Ｄ線に沿った断面図である。図において、２はＡｌ等の金属膜、３は異物、４は露光処理により感光した部分が現像時に溶解するポジ型の感光性を有するレジスト膜、８は現像処理後に異物周辺部に残存したレジスト残さ、９はマスク５の開口部に対応し、現像処理によりレジスト膜４が除去される領域である。なお、図９と同一部分については同符号を付し説明を省略する。
金属膜２上に異物３が付着している基板１に、ポジ型の感光性を有するレジストの溶液を回転塗布法により塗布しレジスト膜４を形成した場合、図１０（ａ）および図１１（ａ）に示すように、付着している異物３の周辺部では、レジスト溶液の表面張力により、レジスト膜４の膜厚が周囲の平坦な部分より厚く形成される。次に異物３等の付着がなくレジスト膜４が均一に形成された正常な塗布部におけるレジスト膜４の膜厚分が感光するために適正な露光エネルギー量を、レジスト膜４に与える時間だけ露光装置のシャッターを開き、マスク５を介して露光処理を行い、マスク５上の遮光膜パターン６をレジスト膜４に転写する。このとき、基板１上の異物３が、現像処理においてレジスト膜４が除去される領域９に存在した場合、異物３周辺部のレジスト膜４が厚く形成された部分では、露光エネルギーが不足した状態となり、現像処理後には、図１０（ｂ）および図１１（ｂ）に示すように、異物３周辺部にほぼ円形のレジスト残さ８が生じる。レジスト残さ８の大きさは、異物３の大きさ、および露光、現像条件等により異なるが、レジスト残さ８の発生により、金属膜２のエッチング処理時に、レジスト残さ８の下層の金属膜２がエッチングされずに残り、配線パターン１４間の短絡を生じさせて、製品の歩留りを低下させる可能性が大である。
【０００６】
また、装置の可動部からの発塵を飛散させないようカバーで覆ったり、人体からの発塵を抑えるために肌等の露出部を極力なくしたり、基板を洗浄することにより、基板上への異物付着を防止する対策が施されているが、現状では、上記のような異物によるパターン欠陥は皆無になっていない。
【０００７】
この発明は、上記のような問題を解決するためになされたもので、写真製版工程において基板上に異物が付着した場合でも、パターン欠陥（配線間の短絡等）の発生を抑制できる電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係わる電子デバイスの製造方法は、感光性を有する樹脂を塗布し、写真製版法によりパターン形成を行う工程を含む電子デバイスの製造方法において、被塗布体上に感光性を有する樹脂を塗布する工程と、所望するパターンに対応する遮光膜パターンが形成された第一のマスクを介して被塗布体上の平坦部分に塗布された感光性を有する樹脂が感光するのに適正な露光エネルギー量で露光する第一の露光工程と、所望するパターンを覆うような遮光膜パターンが形成された第二のマスクを介して、被塗布体上の異物付着部分に塗布された感光性を有する樹脂の膜厚と平坦部分に塗布された感光性を有する樹脂の膜厚の差分が感光するのに十分かつ適正な露光エネルギー量で露光する第二の露光工程を含むものである。
【０００９】
また、感光性を有する樹脂を塗布し、写真製版法によりパターン形成を行う工程を含む電子デバイスの製造方法において、被塗布体上の異物付着部分に塗布された感光性を有する樹脂の膜厚と平坦部分に塗布された感光性を有する樹脂の膜厚の差を小さくするよう感光性を有する樹脂を厚く塗布する工程と、所望するパターンに対応する遮光膜パターンが形成された第一のマスクを介して被塗布体上の平坦部分に塗布された感光性を有する樹脂が感光するのに適正な露光エネルギー量で露光する第一の露光工程と、所望するパターンを覆うような遮光膜パターンが形成された第二のマスクを介して、被塗布体上の異物付着部分に塗布された感光性を有する樹脂の膜厚と平坦部分に塗布された感光性を有する樹脂の膜厚の差分が感光するのに十分かつ適正な露光エネルギー量で露光する第二の露光工程を含むものである。
また、第一の露光と第二の露光は連続して行われるものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、この発明の一実施の形態である電子デバイスの製造方法を図について説明する。図１は本発明の実施の形態１による電子デバイス製造時の写真製版工程を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
図において、１は基板、２はスパッタ法等により基板１上に形成された金属膜、３は異物、４は金属膜２が成膜された基板１上に形成された感光性を有するレジスト膜、５はマスク、６はマスク５に形成された遮光膜パターン、７はレジスト膜４を現像処理することにより形成されたレジストパターン、８は現像処理後に異物３周辺部に残ったレジスト残さ、９はマスク５の開口部に対応し、現像処理によりレジスト膜４が除去される領域である。
【００１１】
次に、本実施の形態による写真製版工程について説明する。
まず基板１上に、スパッタ装置等を用いて金属膜２を成膜する。次に何らかの原因により金属膜２上に異物３が付着した基板１に、ポジ型の感光性を有するレジストの溶液を回転塗布法により塗布し、レジスト膜４を形成する。ここで、レジスト膜４の膜厚は、レジストを回転塗布するときの基板１の回転数を調整して、１. ８μｍ〜５. ０μｍ程度に通常より厚く形成する。次に異物３等の付着がなくレジスト膜４が均一に形成された正常な塗布部におけるレジスト膜４の膜厚分が、感光するために、適正な露光エネルギー量をレジスト膜４に与える時間だけ露光装置のシャッターを開き、遮光膜パターン６を有するマスク５を介して露光処理を行い、マスク５上の遮光膜パターン６をレジスト膜４に転写する。このとき、図１（ａ）および図２（ａ）に示すように、金属膜２上に付着している異物３の周辺部では、レジスト溶液の表面張力により、レジスト膜４が均一に形成された正常な塗布部より厚く形成されているが、正常な塗布部におけるレジスト膜４の膜厚を、１. ８μｍ〜５. ０μｍ程度に通常より厚く形成したため、正常な塗布部のレジスト膜４と、異物３周辺部のレジスト膜４の膜厚の差は小さい。そのため、異物３が現像処理においてレジスト膜４が除去される領域９に存在した場合でも、図１（ｂ）および図２（ｂ）に示すように、現像処理後に、露光不足により異物３周辺部に残るレジスト残さ８の面積は小さくなる。
【００１２】
また、図３は、回転塗布により形成されるレジスト膜の膜厚が４ａ、４ｂ、４ｃおよび４ｄのときの、露光エネルギー量と現像処理後に残るレジスト残膜厚の関係を示す図である。レジスト膜の膜厚は４ａが一番厚く、４ｂ、４ｃ、４ｄの順に薄くなる。なお、４ａの膜厚は、レジスト溶液の表面張力により形成できる最大膜厚である。また、４ｅはレジスト膜の膜厚が４ｄのときの適正露光エネルギー量、４ｆはレジスト膜の膜厚が４ｂのときの適正露光エネルギー量である。例えば、正常な塗布部のレジスト膜の膜厚が４ｄのとき、その膜厚に対して適正な露光エネルギー量４ｅにより露光を行った場合、異物の周辺部等でレジスト膜厚が４ａあるいは４ｂと厚く形成された部分は、露光エネルギー量が４ｅでは露光不足となり、現像処理後にレジスト残さが生じるが、レジスト膜厚が４ｃの部分ではレジスト残さは生じない。さらに、レジスト膜の膜厚を４ｂ程度まで厚く形成し、その膜厚に対して適正な露光エネルギー量４ｆで露光を行った場合、レジスト膜厚が４ａの部分では、露光不足により現像処理後にレジスト残さが生じるが、レジスト溶液の表面張力により形成できる最大膜厚４ａを有するレジスト膜が形成される面積範囲は、異物の極近傍だけであり、現像処理後に異物の周辺部に生じるレジスト残さの面積は低減される。当然のことながら、正常な塗布部のレジスト膜の膜厚が４ａとなる条件で塗布された場合には、レジスト残さの発生を防止できる。
【００１３】
この発明によれば、電子デバイス製造の写真製版工程において、基板１上に形成されるレジスト膜４の膜厚を１. ８μｍ〜５. ０μｍ程度に通常より厚く形成し、レジスト膜４が均一に形成された正常な塗布部と、異物３周辺部等のレジスト溶液の表面張力によりレジスト膜４が厚く形成された部分とのレジスト膜厚の差を小さくすることにより、正常な塗布部のレジスト膜厚に対して適正な露光量で露光処理を行った場合でも、異物３周辺部等の正常な塗布部よりレジスト膜厚の厚い部分に、露光不足によるレジスト残さ８が生じる面積を低減、またはレジスト残さ８が生じるのを防止できる。その結果、異物３が現像処理においてレジスト膜４が除去される領域９に存在した場合でも、金属膜２のエッチング処理時に、レジスト残さ８の下層にあり、エッチングされずに残る金属膜２の面積は小さくなり、残存した金属膜２による配線間の短絡を防止できる。
【００１４】
実施の形態２．
図４はこの発明の実施の形態２による電子デバイス製造時の写真製版工程を示す平面図、図５は図４のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。また、図６は第一の露光と第二の露光に用いられるマスクに形成された遮光膜パターンの形状の違いを説明するためのマスクの平面図である。図において、５は第一の露光に用いられるマスクで、所望のパターンを形成するための遮光膜パターン６を有している。１０は第二の露光に用いられるマスクで、マスク５に形成された遮光膜パターン６に対応する位置に、遮光膜パターン６より幅の大きい遮光膜パターン１１を有している。１２ａおよび１２ｂは遮光膜パターン６と遮光膜パターン１１のパターンの幅における両側での寸法差である。１３は正常な塗布部よりレジスト膜４が厚く形成された部分の内、二回の露光処理により感光し、現像処理時にレジスト膜４が除去される部分である。なお、図１および図２と同一部分については同符号を付し説明を省略する。
【００１５】
次に、本実施の形態による写真製版工程について説明する。
まず基板１上に、スパッタ装置等を用いて金属膜２を成膜する。次に何らかの原因により金属膜２上に異物３が付着した基板１に、ポジ型の感光性を有するレジストの溶液を回転塗布法により塗布し、レジスト膜４を形成する。次に図４（ａ）および図５（ａ）に示すように、異物３等の付着がなくレジスト膜４が均一に形成された正常な塗布部におけるレジスト膜４の膜厚分が感光するために、適正な露光エネルギー量をレジスト膜４に与える時間だけ露光装置のシャッターを開き、遮光膜パターン６を有するマスク５を介して第一の露光を行い、マスク５上の遮光膜パターン６をレジスト膜４に転写する。
次に図６に示すように、遮光膜パターンの形状が、第一の露光に用いられたマスク５に形成された遮光膜パターン６より、遮光膜パターンの両端において１２ａおよび１２ｂだけ（例えば１２ａ＝１２ｂ＝２μｍ）それぞれ大きく形成された遮光膜パターン１１を有するマスク１０を用いて第二の露光を行う（図４（ｂ）および図５（ｂ））。また、露光量は、異物３の周辺部で、レジスト溶液の表面張力により、レジスト膜４の膜厚が正常な塗布部のレジスト膜厚より厚く形成されている分のレジスト膜４が感光するために適正な露光エネルギー量とする。
【００１６】
次に第一の露光および第二の露光処理が施されたレジスト膜４の現像処理を行う。図４（ｃ）および図５（ｃ）は現像処理後の状態を示している。異物３等の付着がなくレジスト膜４が均一に形成された正常な塗布部におけるレジスト膜４は、第一の露光処理で感光し、現像処理で溶解して、所望のレジストパターン７を形成する。また、現像後に形成されるレジストパターン７を覆う形状の遮光膜パターン１１を有するマスク１０を介して第二の露光を行うことにより、第一の露光では露光不足となっていた異物３周辺部等、正常な塗布部よりレジスト膜厚が厚い部分は、第二の露光処理で感光し、現像処理で溶解して除去部分１３が形成される。すなわち、正常な塗布部よりレジスト膜４が厚く形成された異物３周辺部に対しても、二回の露光により十分な露光エネルギーが与えられるため、異物３周辺部に残るレジスト残さ８の面積は除去部分１３の面積分小さくなる。
【００１７】
本実施の形態によれば、電子デバイス製造の写真製版工程において、第一の露光は、所望のパターンを形成するための遮光膜パターン６を有するマスク５を介して、レジスト膜４が均一に形成された正常な塗布部におけるレジスト膜厚分が感光するのに適正な量の露光エネルギーを与え、第二の露光は、第一の露光で形成される所望のレジストパターン７部分には過剰露光による悪影響を及ぼさないよう、所望のレジストパターン７を覆うような形状の遮光膜パターン１１を有するマスク１０を介して行われ、異物３周辺部等の正常な塗布部よりレジスト膜４が厚く形成された部分では、二回の露光により十分な露光エネルギーが与えられるため、異物３周辺部に残るレジスト残さ８の面積は小さくなり、金属膜２のエッチング処理時に、レジスト残さ８の下層にあり、エッチングされずに残る金属膜２の面積は小さくなり、残存した金属膜２による配線間の短絡を防止できる。
【００１８】
実施の形態３．
図７はこの発明の実施の形態３による電子デバイス製造時の写真製版工程を示す平面図、図８は図７のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。なお、図中の符号は図４および図５と同様であるので説明を省略する。
次に、本実施の形態による写真製版工程について説明する。
まず基板１上に、スパッタ装置等を用いて金属膜２を成膜する。次に何らかの原因により金属膜２上に異物３が付着した基板１に、ポジ型の感光性を有するレジストの溶液を回転塗布法により塗布し、レジスト膜４を形成する。ここで、レジスト膜４の膜厚は、レジストを回転塗布するときの基板１の回転数を調整して、１. ８μｍ〜５. ０μｍ程度に通常より厚く形成する。そのため、図７（ａ）および図８（ａ）に示すように、正常な塗布部のレジスト膜４の膜厚と、異物３周辺部でレジスト膜４が厚く形成された部分のレジスト膜４の膜厚との差は小さくなっている。
【００１９】
次に異物３等がなくレジスト膜４が均一に形成された正常な塗布部におけるレジスト膜４の膜厚分が感光するために、適正な露光エネルギー量をレジスト膜４に与える時間だけ露光装置のシャッターを開き、遮光膜パターン６を有するマスク５を介して第一の露光を行い、マスク５上の遮光膜パターン６をレジスト膜４に転写する（図７（ａ）および図８（ａ））。
次に実施の形態２で図６に示したように、遮光膜パターンの形状が、第一の露光に用いられたマスク５に形成された遮光膜パターン６より、遮光膜パターンの両端において１２ａおよび１２ｂだけ（例えば１２ａ＝１２ｂ＝２μｍ）それぞれ大きく形成された遮光膜パターン１１を有するマスク１０を用いて第二の露光を行う（図７（ｂ）および図８（ｂ））。また、露光量は、異物３の周辺部で、レジスト溶液の表面張力により、レジスト膜４の膜厚が正常な塗布部のレジスト膜厚より厚く形成されている分のレジスト膜４が感光するために適正な露光エネルギー量とする。
【００２０】
次に第一の露光および第二の露光処理が施されたレジスト膜４の現像処理を行う。図７（ｃ）および図８（ｃ）は現像処理後の状態を示している。
異物３等の付着がなくレジスト膜４が均一に形成された正常な塗布部のレジスト膜４は、第一の露光処理で感光し、現像処理で溶解して、所望のレジストパターン７を形成する。また、現像後に形成されるレジストパターン７を覆う形状の遮光膜パターン１１を有するマスクを介して第二の露光を行うことにより、第一の露光では露光不足となっていた異物３周辺部等、正常な塗布部よりレジスト膜４が厚い部分も、第二の露光処理で感光し、現像処理で溶解する。
【００２１】
本実施の形態によれば、電子デバイス製造の写真製版工程において、基板１上に形成されるレジスト膜４の膜厚を１. ８μｍ〜５. ０μｍ程度に通常より厚く形成することにより、レジスト膜４が均一に形成された正常な塗布部と、異物３周辺部等レジスト溶液の表面張力によりレジスト膜４が厚く形成された部分とのレジスト膜厚の差を小さくでき、さらに第一の露光は、所望のパターンを形成するための遮光膜パターン６を有するマスク５を介して、正常な塗布部のレジスト膜４の膜厚分が感光するのに適正な量の露光エネルギーを与え、第二の露光は、第一の露光で形成される所望のレジストパターン７部分には過剰露光による悪影響を及ぼさないよう、所望のレジストパターン７を覆うような形状の遮光膜パターン１１を有するマスク１０を介して行われ、異物３周辺部等の正常な塗布部よりレジスト膜４が厚く形成された部分では、二回の露光により十分な露光エネルギーが与えられるため、異物３周辺部に残るレジスト残さ８の面積はさらに小さくなり、金属膜２のエッチング処理時に、レジスト残さ８の下層にあり、エッチングされずに残る金属膜２の面積も小さくなり、残存した金属膜２による配線間の短絡を防止できる。
【００２２】
実施の形態４．
実施の形態１、２および３では、異物３が金属膜２上に付着した場合について説明したが、金属膜２の中、もしくは金属膜２の下に異物３が存在している場合でも同様の効果を得ることができる。また、金属膜２はＳｉＮ、ａ−Ｓｉ等の誘電体膜でもよい。また、電子デバイスとしては、ＴＦＴ液晶表示装置の他、Ｐｏｌｙ- ＳｉＴＦＴ、パッシブマトリクス液晶表示装置、強誘電性液晶表示装置、カラーフィルタ、プラズマアドレッシングディスプレイ、イメージセンサ、ＬＳＩ、ＩＣ等様々な電子デバイスに適用できる。さらに、レジストとしてポジ型レジストを用いたが、感光性を有する樹脂を塗布して写真製版法によりパターン形成の工程を有するもの全般に適用できる。また、レジスト溶液の塗布方法としては、回転塗布の他、ロールコート法や噴霧塗布法でもよい。
また、実施の形態２および３では、第一の露光に所望のパターンを形成するためのマスク５を用い、第二の露光にマスク１０を用いて行ったが、第一の露光にマスク１０を用い、第二の露光にマスク５を用いてもよい。また、マクス１０に形成された遮光膜パターン１１は、マスク５に形成された遮光膜パターン６の幅に対して、片側２μｍずつ大きくしたが、片側０. ５μｍ〜１０μｍずつ大きくしてもよい。
【００２３】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、電子デバイス製造の写真製版工程において、第一の露光は、所望のパターンを形成するための遮光膜パターンを有するマスクを介して、レジスト膜が均一に形成された正常な塗布部におけるレジスト膜厚分が感光するのに適正な量の露光エネルギーを与え、第二の露光は、第一の露光で形成される所望のレジストパターン部分には過剰露光による悪影響を及ぼさないよう、所望のレジストパターンを覆うような形状の遮光膜パターンを有するマスクを介して行われ、異物周辺部等の正常な塗布部よりレジスト膜が厚く形成された部分には、二回の露光により十分な露光エネルギーが与えられるため、異物の周辺部等のレジスト膜厚が厚い部分において、露光不足によるレジスト残さが生じる面積を低減でき、レジスト残さの下にある膜がエッチングされずに残ることによる、パターン欠陥の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の実施の形態１による電子デバイス製造時の写真製版工程を示す平面図である。
【図２】  この発明の実施の形態１による電子デバイス製造時の写真製版工程を示す断面図である。
【図３】  この発明の実施の形態１による露光エネルギー量とレジスト残膜厚の関係を示す図である。
【図４】  この発明の実施の形態２による電子デバイス製造時の写真製版工程を示す平面図である。
【図５】  この発明の実施の形態２による電子デバイス製造時の写真製版工程を示す断面図である。
【図６】  この発明の実施の形態２による写真製版工程に用いるマスクを示す平面図である。
【図７】  この発明の実施の形態３による電子デバイス製造時の写真製版工程を示す平面図である。
【図８】  この発明の実施の形態３による電子デバイス製造時の写真製版工程を示す断面図である。
【図９】  従来のこの種電子デバイス製造時の写真製版工程を示す断面図である。
【図１０】  従来の電子デバイス製造時の写真製版工程を示す平面図である。
【図１１】  従来の電子デバイス製造時の写真製版工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１  基板、２  金属膜（薄膜）、３  異物、４  レジスト膜、５  マスク、
６  遮光膜パターン、７  レジストパターン、８  レジスト残さ、
９  レジスト膜の除去領域、１０  マスク、１１  遮光膜パターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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