(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス放電レーザ用のロングパルスパワーシステムであって、
Ａ）高電圧パルス電力を提供するための高電圧パルス電源手段と、
Ｂ）前記高電圧パルス電源から電荷を受けるサステイナ容量を備えるサステイナコンデンサと、
Ｃ）一対の放電電極と、
Ｄ）前記サステイナコンデンサからの電荷を受け、前記電極に高電圧を印加して、電気的放電を生じさせるピークコンデンサと、
Ｅ）前記サステイナコンデンサと前記ピークコンデンサとの間に電気的に配置された可飽和インダクタと、を有し、
前記ピークコンデンサが前記サステイナコンデンサの半分より小さな容量値を有することを特徴とする、ガス放電レーザ用のロングパルスパワーシステム。
【請求項２】
前記高電圧電源が、
チャージコンデンサを充電するために、プラント交流パワーを直流パワーに変換するための高電圧パルス電源と、
ピーク電圧を有する電気的パルスを作り出すための磁気圧縮回路と、
前記磁気圧縮回路に前記チャージコンデンサを放電するためのソリッドステートスイッチと、
前記高電圧パルスを生成するために前記ピーク電圧を増幅するためのパルストランスと、
を有することを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ピークコンデンサが、前記サステイナコンデンサの１／３より小さい容量値を有することを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
供給コンデンサと、
供給可飽和インダクタと、を更に有し、
前記供給コンデンサが、前記供給可飽和インダクタを介して前記サステイナコンデンサに電流を急速に供給するように構成されたことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
ガス放電レーザシステムであって、
Ａ）一対の電極と、循環レーザガスとを包含するレーザチャンバと、
Ｂ）高電圧パルス電力を提供するための高電圧パルス電源手段と、
Ｃ）前記高電圧パルス電源から電荷を受けるサステイナ容量を備えるサステイナコンデンサと、
Ｄ）前記サステイナコンデンサからの電荷を受け、前記電極に高電圧を印加して、電気的放電を生じさせるピークコンデンサと、
Ｅ）前記サステイナコンデンサと前記ピークコンデンサとの間に電気的に配置されたサステイナ可飽和インダクタと、
を有し、
前記ピークコンデンサが、前記サステイナコンデンサの半分より小さな容量値を有することを特徴とする、ガス放電レーザシステム。
【請求項６】
前記高電圧電源が、
チャージコンデンサを充電するために、プラント交流パワーを直流パワーに変換するための高電圧パルス電源と、
ピーク電圧を有する電気的パルスを作り出すための磁気圧縮回路と、
前記磁気圧縮回路に前記チャージコンデンサを放電するためのソリッドステートスイッチと、
前記高電圧パルスを生成するために前記ピーク電圧を増幅するためのパルストランスと、
を有することを特徴とする、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記ピークコンデンサが、前記サステイナコンデンサの１／３より小さい容量値を有することを特徴とする、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
供給コンデンサと、
供給可飽和インダクタと、を更に有し、
前記供給コンデンサが、前記供給可飽和インダクタを介して前記サステイナコンデンサに電流を急速に供給するように構成されたことを特徴とする、請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
前記レーザガスが、アルゴン、フッ素及び希バッファガスを有することを特徴とする、請求項５に記載のシステム。
【請求項１０】
フッ化アルゴンエキシマレーザシステムであって、
Ａ）一対の電極と、アルゴン、フッ素、及び希バッファガスとを有する循環レーザガスとを包含するレーザチャンバと、
Ｂ）高電圧パルス電力を提供するための高電圧パルス電源手段と、
Ｃ）前記高電圧パルス電源から電荷を受けるサステイナ容量を備えるサステイナコンデンサと、
Ｄ）電荷を前記サステイナコンデンサから受け、前記電極に高電圧を印加して、電気的放電を生じさせるピークコンデンサと、
Ｅ）前記サステイナコンデンサと前記ピークコンデンサとの間に電気的に配置されたサステイナ可飽和インダクタと、
を有し、
前記ピークコンデンサが、前記サステイナコンデンサの半分より小さな容量値を有することを特徴とする、フッ化アルゴンエキシマレーザシステム。
【請求項１１】
前記高電圧電源が、
チャージコンデンサを充電するために、プラント交流パワーを直流パワーに変換するための高電圧パルス電源と、
ピーク電圧を有する電気的パルスを作り出すための磁気圧縮回路と、
前記磁気圧縮回路に前記チャージコンデンサを放電するためのソリッドステートスイッチと、
前記高電圧パルスを生成するために前記ピーク電圧を増幅するためのパルストランスと、
を有することを特徴とする、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ピークコンデンサが、前記サステイナコンデンサの１／３より小さい容量値を有することを特徴とする、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
供給コンデンサと、
供給可飽和インダクタと、を更に有し、
前記供給コンデンサが、前記供給可飽和インダクタを介して前記サステイナコンデンサに電流を急速に供給するように構成されたことを特徴とする、請求項１０に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、１９９９年３月１９日に出願されたシリアル番号第09/273,446号「Reliable Modular, Production Quality Narrow-Band High Rep Rate F2 Excimer Laser」の一部継続出願である。本発明は、ガス放電レーザ用のパルスパワーシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
パルスパワーシステム
パルスパワーエレクトリカルシステムは周知である。かかるシステムのひとつは、Birxに対して発行された米国特許第5,142,166号に記載されている。かかる特許には、電荷蓄積用コンデンサーバンクの放電の結果生じる電気パルスを短くし、増幅する磁気パルス圧縮回路が記載されている。かかる特許はまた、パルス電圧を増幅するための誘導トランスが開示されている。
【０００３】
別のパルスパワー回路が、Birx等に対して発行された米国特許第5,729,562号に開示されており、そこには、ガス放電レーザ用のパルスパワーシステムが記載されており、レーザ電極から反射された電気エネルギを回収するためのエネルギ回収回路が含まれている。
【０００４】
ガス放電リソグラフィレーザ
ガス放電レーザは周知であり、これらのレーザの多くは、レーザの電極にわたって短い高電圧電気パルスを与えるために上記２つの参照した特許に記載されたようなパルスパワーシステムを利用する。かかるガス放電レーザの一つは、米国特許第4,959,840号に記載されている。
【０００５】
米国特許第5,729,562号に記載されたようなパルスパワーシステムを利用する米国特許第4,959,840号に記載されたものと同様のレーザが、集積回路リソグラフィ用の光源として利用されている。現在、これらのレーザの殆どが、約０．１％フッ素、約１．０％クリプトン及び残りがネオンからなるレーザガスを利用するＫｒＦレーザとして作動するように構成されている。これらのレーザは、約２４８ｎｍの波長の光を作り出す。
【０００６】
レーザが、ＡｒＦガス放電レーザ又はＦ2ガス放電レーザとして作動するように構成されている場合には、それぞれ１９３ｎｍ及び約１５７ｎｍの波長のレーザビームを放出することができるが、このように２４８ｎｍよりも短い波長で作動するリソグラフィ光源に対するニーズが存在する。ＡｒＦレーザの場合では、ガス混合物は実質的には、アルゴン、フッ素及びネオンであり、Ｆ2レーザの場合では、ガス混合物は実質的には、Ｆ2及びヘリウム、又はＦ2及びネオンである。
【０００７】
光学系損傷
溶融シリカは、集積回路リソグラフィ装置で使用される主要な反射光学材料である。１９３ｎｍ及び１５７ｎｍの範囲における波長で、溶融シリカは高強度紫外線放射によって損傷する。損傷は、ダブルフォトン励起によって主に生じ、その結果、所定のパルスエネルギに関して、損傷の大きさはパルスの形状及び持続時間によって主として決定される。
【０００８】
モジュラパルスパワーシステム
従来技術のモジュラパルスパワーシステムの電気的な図を図１に示す。従来技術のシステムでは、パルスパワーシステムのコンポーネントは、電源モジュール、整流子モジュール、及び、レーザチャンバに取り付けられた圧縮ヘッドと呼ばれるユニットとして提供される。
【０００９】
高電圧電源モジュール
高電圧電源モジュール２０は、電源１０からの２０８ボルト３相プラントパワーを３００ボルト直流に変換するための３００ボルト整流器２２を有する。インバータ２４は、整流器２２の出力を、１００ｋＨｚ乃至２００ｋＨｚの範囲における高周波３００ボルトパルスに変換する。インバータ２４の周波数及びインバータ２４がオンになる周期は、システムの最終的な出力パルスエネルギのコース規制が提供されるように、高電圧電源制御ボード（図示せず）によって制御される。インバータ２４の出力は、セットアップトランス２６において約１２００ボルトまで上昇させられる。トランス２６の出力は、標準ブリッジ整流器回路３０及びフィルタコンデンサ３２を含む整流器２８によって１２００ボルト直流に変換される。回路３０からの直流電気エネルギは、インバータ２４の動作を制御する高電圧電源制御ボードの指示に従って、整流子モジュール４０における８．１μＦのＣ0チャージコンデンサ４２をチャージする。高電圧電源制御ボード内のセットポイントは、所望のレーザパルスエネルギ及びドーズエネルギ（即ち、パルスのバーストにおける総エネルギ）制御を提供するために、フィードバックシステムにおけるレーザシステム制御ボードによって設定される。
【００１０】
整流子４０及び圧縮ヘッド６０における電気回路は単に、電源モジュール２０によってチャージコンデンサ４２にストアされた電気エネルギを利用して、（例えば）２０００回／秒の割合で電気パルスを発生させ、パルス電圧を増幅し、各パルスの持続時間を圧縮するのに役立つ。この制御の例として、電源は、チャージサイクル中、固体スイッチ４６によって下流回路から絶縁されているチャージコンデンサ４２を、正確に７００ボルトにチャージするようにしむけられていてもよい。整流子４０及び圧縮ヘッド６０における電気回路は、スイッチ４６が閉止すると直ちに、非常に早くかつ自動的に、レーザシステムにおけるコンピュータプロセッサが決定した通り、必要とされている通りのエネルギとなるように、コンデンサ４２にストアされた電気エネルギを、次のレーザパルスを提供するのに必要な、電極８３及び８４にわたる正確な電気的放電パルスに変換することになる。
【００１１】
整流子モジュール
整流子モジュール４０は、Ｃ0チャージコンデンサ４２を有し、この実施形態では、８．１μＦの総容量を提供するために並列に接続されたコンデンサのバンクである。電圧ディバイダ４４は、フィードバック電圧を高電圧電源制御ボード２１に提供する。このフィードバック電圧は、制御ボード２１により、コンデンサ４２のチャージを（「制御電圧」と呼ばれる）電圧に制限するように使用される。この制限電圧から電気的パルスが形成され、これが整流子４０において圧縮及び増幅され、更に圧縮ヘッド６０において圧縮されると、ピークコンデンサ８２への、また電極８３及び８４にわたる、所望の放電電圧を作り出すことができる。
【００１２】
（１０００Ｈｚ乃至２０００Ｈｚのパルス周波数で１６，０００ボルト、約３ジュールの範囲で電気的パルスを提供するように設計された）この実施形態では、電源２０が、チャージコンデンサ４２を８００ボルトにチャージするために約１００ミリ秒要する。かくして、チャージキャパシタ４２は、整流子制御ボード４１からの信号により固体スイッチ４４が閉止されると、十分に充電され、所望の電圧で安定する。この固体スイッチ４４が、チャージコンデンサＣ0にストアされた３ジュールの電気的エネルギを電極８３及び８４にわたる１６，０００ボルトの放電に変換する、非常に早いステップを開始することになる。この実施形態では、固体スイッチ４６は、ＩＧＢＴスイッチであるけれども、ＳＣＲ，ＧＴＯ，ＭＣＴなどのような他のスイッチ技術も使用することができる。６００ｎＨのチャージインダクタ４８は、Ｃ0チャージコンデンサ４２を放電させるためにスイッチ４６が閉じている間、スイッチ４６を通過する電流を一時的に制限することができるように、固体スイッチ４６と直列に接続されている。
【００１３】
高電圧パルスパワー生成の第１段階は、パルス生成ステージである。パルスを生成するために、チャージコンデンサ４２の電荷は、ＩＧＢＴスイッチ４６を閉じることによって約５μｓ、Ｃ1８．５μＦコンデンサ５２にスイッチされる。
【００１４】
可飽和インダクタ５４は、コンデンサ５２にストアされた電圧を最初は保持しておき、その後飽和した時点で、圧縮の第１段階として、約５５０ｎｓの伝達時間をもって、１：２３のセットアップパルストランス５６を介してコンデンサ５２からＣp-1コンデンサ６２まで電荷を伝達させる。
【００１５】
パルストランス５６は、米国特許第5,448,580号及び第5,313,481号に記載されたパルストランスと同様であるが、この従来技術の実施形態は、２３個の別々の１次コイルと１回巻きの２次コイルのみにより１：２３の増幅を提供するものである。パルストランス５６は、７００ボルト、１７，５００アンペア、５５０ｎｓのパルス周波数を、１６，１００ボルト、７６０アンペア、５５０ｎｓのパルスに非常に有効に変換し、このパルスは圧縮ヘッドモジュール６０におけるＣp-1コンデンサバンク６２に極めて短期間ストアされる。
【００１６】
圧縮ヘッドモジュール
圧縮ヘッドモジュール６０は、パルスを更に圧縮する。
（約１２５ｎＨの飽和インダクタンスを備える）Ｌp-1可飽和インダクタ６４は、おおよそ５５０ｎｓの間１６．５ｎＦＣp-1コンデンサバンク６２の電圧を保持しておき、その後Ｃp-1の電荷をレーザチャンバ８０の頂部に配置された１６．５ｎＦＣpピークコンデンサ８２に（約１００ｎｓ）流す。Ｃpピークコンデンサ８２は、電極８３及び８４と、プレイオン化装置５６Ａとに電気的に並列に接続されている。圧縮の最終段階でもある第２段階は、５５０ｎｓのロングパルスを１００ｎｓのロングパルスに変換し、Ｃpピークコンデンサ８２をチャージするこの工程からなる。
【００１７】
レーザチャンバ
レーザチャンバモジュール８０の一部としてレーザチャンバモジュール８０の頂部に取り付けられたピークコンデンサ８２に電荷が流れ始めてから約１００ｎｓ後には、ピークコンデンサ８２の電圧は約１４，０００ボルトに達し、電極間の放電が始まる。放電は約５０ｎｓ続き、この間、エキシマレーザの光学的共鳴チャンバ内でレーザ発振が起きる。本明細書に記載されている光学的共鳴チャンバは、この例では３つのプリズムビームエキスパンダと、調整ミラーと、エシェルグレーティングと、出力カプラとを有する線狭帯域化パッケージによって構成されている。
【００１８】
従来技術パルス形状及びＴis
図１に示したパルスパワーシステムを備える従来技術のＡｒＦレーザの典型的なパルス形状（パワー対時間）を図２に示す。この例では、パワーは、約５ｎｓで急速にゼロから第１のピークまで上昇し、約２０ｎｓの間変動し、次いで、約１０ｎｓで殆どゼロまで減少する。パルスの総エネルギは約１０ｍJである。パルスエネルギを減少させることなく、２つのフォトン反応を最小にするために、ピークは減少すべきであり、パルスの持続時間は長くなるべきである。光学的損傷を生じさせるこれらのパルスのポテンシャルを評価するためにリソグラフィ産業において用いられているパラメータは、「積分平方パルス持続時間（integral square pulse duration）」と呼ばれ、そのシンボルはＴisである。Ｔisは、以下のように定義され；
0003880285.tif 000002
ここで、Ｐ＝パワーである。
図２に示したパルスに関するＴisは約３５ｎｓである。
【００１９】
レーザの光学的パルス持続時間は、放電電流持続時間、及びフッ素濃度の関数である放電安定時間によって決定する。標準的なレーザの電流持続時間は、以下の式で与えられる；
τ＝π・（ＬＣ）1/2
ここで、Ｌはレーザヘッドインダクタンスであり、Ｃはピーク容量である。
【００２０】
パルス持続時間が平方根で増加するに過ぎないので、Ｌ又はＣのいかなる変更も、非常に効率的とは言えない。レーザ効率の観点から、レーザヘッドインダクタンスＬを増加させることはできない。容量Ｃを増加させると、電圧の立ち上がり時間を遅くすることになり、放電に供されるエネルギの量を著しく増加させることになる。いずれの方法も放電品質及び効率を低下させる。それゆえ、パルス持続時間の倍増は、簡単なＬＣ回路では可能ではない。
【００２１】
ロングパルス持続時間エキシマレーザは、いわゆるスパイカー−サステイナ（spiker-sustainer）励起を使用して構築されてきた。このスキームでは、ガスブレークダウンに達するタスク、及び、安定放電を支えるタスクは、２つの別々のシステムに分割されていた。ガスブレークダウンは、高電圧を要するが、低エネルギであり、それはスパイク回路によって取り扱われる。サステイナ回路は、より低い定常状態放電電圧に適合され、レーザのポンピングを提供する。サステイナの電圧がより低いので、より大きな容量を使用することができ、より長いパルス持続時間を達成することができる。XeClレーザでは、スパイカー−サステイナ励起を使用して１．５μｓまでのパルス持続時間を実現した。
【００２２】
あいにく、スパイカー−サステイナ回路はリソグラフィレーザに適用することができない。ＫｒＦ及びＡｒＦ放電は、ハロゲンドナーとしてＦ2を使用するものであるため、本質的に放電がより不安定であり、塩素ベースのレーザに比べてパルス持続時間が制限される。さらに重要なことは、スパイカー−サステイナ励起の場合、パワーデポジションが引き伸ばされることから、利得が低下する、という点にある。リソグラフィレーザは、通常高キャビティ損失を招く線狭帯域化装置を必要とする。このような構成の場合、低利得によって、損失及び低下したレーザ性能を克服することは、ほとんど不可能である。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】
Ｔisを約３０乃至３５ｎｓから約５０乃至６０ｎｓまで実質的に増加させるリソグラフィレーザ用のパルスパワーシステムが必要である。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ガス放電レーザ用のロングパルスパルスパワーシステムを提供する。本システムは、高電圧パルス電源から電荷を受けるサステイナコンデンサを包含する。サステイナコンデンサの半分以下の容量値を備えるピークコンデンサが、レーザ放電のための高電圧を提供する。
【００２５】
【発明の実施の形態】
第１の好ましい実施形態
本発明の第１の好ましい実施形態を、図３を参照することによって記述する。この実施形態は、パルストランス５６を介して図１に記載したシステムと全く同じである。本発明による改良点は、図３を、図１の従来技術のパルスパワーシステムにおいてパルストランスの下流にあるメインコンポーネントを示す図２と比較することによって、説明することができる。
【００２６】
この実施形態では、ロングパルスは、ダブルパルス励起回路の手段によって生成される。個々のパルスは、線狭帯域化することができるような高利得を有し、単一のパルスとして働くように緊密に連続してタイミングがとられる。ベーシック回路は、スパイカー−サステイナ回路の変形である。しなしながら、スパイカー回路にストアされたエネルギは、スパイカーレーザ発振パルスを生成するのに十分な大きさに増大されている。第２のパルスは、古典的なサステイナ回路に比べてより大きな利得を提供するように低減された時定数を有するサステイナ回路によって、生成される。これらの回路は、おおよそ等しいエネルギを両パルスに提供するようにバランスが図られ、これによりパルスについての積分２乗値Ｔisもまた最大となる。本発明の実施形態では、スパイカー回路及びサステイナ回路は２つの独立のシステムではなく、相互に密接に関連している。このことは、システムの複雑さを著しく減少させ、２つのシステムを同期させる必要性を排除する。
【００２７】
２７ｎＦの容量を備えるサステイナコンデンサＣp-1は、２４ｎＦの供給コンデンサＣp-2から約１２０ｎｓでパルスチャージされる。この時間の間、スパイカー又はピークコンデンサＣpは、可飽和インダクタＬp-1によって絶縁される。Ｃp-1充電の終わりに、インダクタＬp-1は低インダクタンス状態に変化し、８ｎＦのコンデンサＣpが共鳴充電される。ＣpはＣp-1よりもはるかに小さいので、Ｃpの電圧は、より高い値まで上昇する。最大電圧利得は、２倍にまで達することができ、以下の式で表すことができるが；
0003880285.tif 000003
この実施形態では、ＶCp＝1.5ＶCp-1である。
【００２８】
この方法によれば、高電圧システムと中電圧システムとをそれぞれ必要とすることなく、高いスパイカー電圧を生成することが可能となる。更に、Ｃpの値が小さいことから、電圧の立ち上がり時間が迅速になり、安定な放電が開始するための助けになる。
【００２９】
Ｃpの高電圧は、レーザガスを破壊し、第１のレーザパルスを生成する。いったんＣpが枯渇したならば、放電電流はＣp-1によって支援され、第２のレーザパルスが生成する。適切に調節されたシステムでは、ガス破壊の直後にＣp及びＣp-1のエネルギがおおよそ等しくなり、等しいサイズのレーザパルスが保証される。
【００３０】
１０ｍＪの線狭帯域化ＡｒＦレーザパルスの経時的な形状を図５に示す。このパルスの積分２乗持続時間をも併せて示す。これらの曲線は、図２に示した対応する従来技術の曲線と比較することができる。リソグラフィレーザチャンバの寿命の間、レーザはチャージ電圧の大きなレンジで作動する。最小パルス持続時間が全体の作動レンジにわたって維持されることが重要である。チャージ電圧が８５０Ｖ乃至１１００Ｖの範囲である場合について、パルス形状、及び対応する積分２乗持続時間を、それぞれ図６及び７に示す。パルス形状はチャージ電圧の関数であるが、積分２乗持続時間は、大きく影響を受けず、５０ｎｓよりも大きな値を維持する。
【００３１】
チャージ電圧の関数としてパルスエネルギを図８に示す。パルスエネルギと電圧との間に最小のロールオフを備えた直接的な関係がある。このことは、エネルギアルゴリズムが的確に動作し、ウェハ露光のための安定したエネルギ照射を維持するのに重要な事項である。最大エネルギは、１４ｍＪであり、公称５ｍＪレーザに関する十分な寿命オーバーヘッドを提供する。
【００３２】
図１１は、パルスパワーのトレース、並びにＣp-2，Ｃp-1及びＣpの電荷の電圧トレースを示す。レーザパワーのトレースに示すように、パルスの２つのピークは殆ど等しい。
【００３３】
従来技術のパルスパワーシステムにおけるパルストランス５６の下流に対する物理的な修正を、図９Ａ及び９Ｂと図１０Ａ及び１０Ｂとを比較することによって示す。
図９Ａ及び９Ｂは、従来技術の構成を示す。これらの図面は、Ｃp-1１６ｎＦコンデンサバンクと、この実施形態では１５０ｎＨの飽和インダクタンスを有するＬp-1可飽和インダクタと、Ｃp１６ｎＦコンデンサバンクとを示す。図９Ｂはまた、カソード６Ａと、接地されたアノード６Ｂとを示す。接地構造及び高電圧ＨＶバスをまた示す。
【００３４】
図１０Ａ及び１０Ｂは、本発明の第１の実施形態を提供するための修正を示す。この実施形態では、Ｌp-2は、図９Ａ及び９ＢシステムのＬp-1と等しく、Ｃp-2は図９Ａ及び９ＢシステムにおけるＣp-1の仕方と同様に配置される。更なるコンデンサバンクＣp-1及び更なる可飽和インダクタＬp-1は、図に示されたように間に挟まれる。高電圧バス及び接地構造並びに電極６Ａ及び６Ｂも示す。
【００３５】
本発明を特定の実施形態の内容で記載したけれども、レーザ技術の当業者は多くの変更が可能であると認識するであろう。例えば、図３に示したコンデンサＣp-2及びインダクタＬp-2を削除すると、システムをより安価にすることができるが、より大きな漏れ電流が生じ、設計された回路は、得られる波形について制御することが困難になる。出願人はこの回路を廉価版のスパイカー−サステイナ（Poor Man's Spiker Sustainer）回路と呼ぶ。該回路、及び波形の例を図１２Ａ及び１２Ｂに示す。それ故、読者は、本発明の範囲は特許請求の範囲及びその法律的均等の範囲によって決定されるべきであることを理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来技術のパルスパワーシステムの電気的コンポーネントを示す図である。
【図２】  従来技術の波形を示すチャートである。
【図３】  本発明の好ましい実施形態を示す図である。
【図４】  図３のコンポーネントによって置換された従来技術のシステムのコンポーネントを示す図である。
【図５】  本発明の波形を示す。
【図６】  様々な充電電圧での波形のファミリーを示す。
【図７】  充電電圧に対するＴisの変化を示す。
【図８】  充電電圧に対するパルスエネルギの変化を示す。
【図９Ａ】  従来技術の構成である。
【図９Ｂ】  従来技術の構成である。
【図１０Ａ】  本発明のコンポーネントを示す。
【図１０Ｂ】  本発明のコンポーネントを示す。
【図１１】  図１０Ａ及び１０Ｂの実施形態の３つのコンデンサの電圧の波形と、レーザパワー波形とを示す。
【図１２Ａ】  「廉価版の」スパイカー−サステイナ回路を示す。
【図１２Ｂ】  「廉価版の」スパイカー−サステイナ回路を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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