(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出する第１の工程と、
前記第１の工程により前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を排出する工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成する第２の工程と、
前記第１の工程により前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に前記洗浄物の表面温度と温度差のない有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換する第３の工程と、
前記第３の工程により前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤に置換され、更に不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する第４の工程とを有することを特徴とする洗浄物の乾燥方法。
【請求項２】
前記第１の工程による不活性ガスは、常温の窒素ガス（Ｎ２）であることを特徴とする請求項１に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項３】
前記第４の工程による不活性ガスは、加温された窒素ガス（Ｎ２）であることを特徴とする請求項１に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項４】
前記有機溶剤は、ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）であることを特徴とする請求項１に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項５】
薬液が供給されていない槽内に洗浄物を搬送手段により支持台上に搬送する工程と、
前記槽内に薬液を供給して前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッチング処理を行うエッチング処理工程と、
前記エッチング処理工程完了後に前記薬液を排出した後、純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供給して前記薬液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする工程と、
前記槽内の純水（ＤＩＷ）に前記洗浄物が浸漬された状態で前記槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出する工程と、
前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出される工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成する工程と、
前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に前記洗浄物の表面温度と温度差のない有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換する工程と、
前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤に置換され、更に不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する工程とを有することを特徴とする洗浄物の乾燥方法。
【請求項６】
前記薬液は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）であることを特徴とする請求項５に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項７】
前記純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする工程では、超音波振動を印加して洗浄可能であることを特徴とする請求項５に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項８】
前記エッチング処理工程では、前記洗浄物を一定時間若しくは予め設定した時間薬液中に浸漬することを特徴とする請求項５に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項９】
前記槽は、１槽で構成されてなることを特徴とする請求項５に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項１０】
純水と窒素ガスのそれぞれを給排水、給排気自在に構成した純水槽と、前記純水槽の上方から常温の有機溶剤ミストを発生して純水槽内に供給する有機溶剤ミスト発生手段とを備える洗浄物の乾燥装置であって、
前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出し、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を排出する工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に前記洗浄物の表面温度と温度差のない有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換すると共に不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化して乾燥する構成としたことを特徴とする洗浄物の乾燥装置。
【請求項１１】
前記有機溶剤ミスト発生手段は、高周波超音波を発生する装置であることを特徴とする請求項１０記載の洗浄物の乾燥装置。
【請求項１２】
前記有機溶剤ミスト発生手段は、スプレー式若しくは超音波シャワー式の装置であり、しかもミスト粒径が１００μｍ以下のミストを噴霧可能であることを特徴とする請求項１０記載の洗浄物の乾燥装置。
【請求項１３】
前記純水槽の上部を可変密閉できる構成としたことを特徴とする請求項１０に記載の洗浄物の乾燥装置。
【請求項１４】
洗浄物を支持可能な支持台を有し、該支持台上で前記洗浄物を支持して密閉空間内を形成して洗浄が可能な槽と、
前記槽内の支持台上に前記洗浄物を搬送して収容する搬送手段と、
前記槽内に薬液を供給し該薬液内に前記洗浄物を浸漬して洗浄を行い、該洗浄後は該薬液を排出し、更に前記洗浄物に吸着している前記薬液を純水（ＤＩＷ）に置換してすすぎ洗浄が可能な液供給排出手段と、
前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で前記槽内の純水（ＤＩＷ）を前記液供給排出手段により低速で排出し、前記槽内の純水（ＤＩＷ）を排出する工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に前記洗浄物の表面温度と温度差のない有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換すると共に不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化して乾燥する構成としたことを特徴とする洗浄物の洗浄乾燥装置。
【請求項１５】
前記薬液による洗浄は、ＡＰＭ洗浄であり、該ＡＰＭは、ＮＨ4ＯＨ（アンモニア）／Ｈ2Ｏ2（過水）／Ｈ2Ｏ（純水）であることを特徴とする請求項１４記載の洗浄物の洗浄乾燥装置。
【請求項１６】
前記液供給排出手段には、複数のシャワーパイプを含むことを特徴とする請求項１４記載の洗浄物の洗浄乾燥装置。
【請求項１７】
前記槽には、洗浄のための高周波超音波を発生する装置が設けられていることを特徴とする請求項１４記載の洗浄物の洗浄乾燥装置。
【請求項１８】
洗浄物を支持可能な支持台を有し、該支持台上で前記洗浄物を支持して密閉空間内を形成して洗浄が可能な洗浄槽と、
前記洗浄槽内の支持台上に前記洗浄物を搬送して収容する搬送手段と、
前記洗浄槽内に薬液を供給し該薬液内に前記洗浄物を浸漬して洗浄可能とする第１の液供給排出手段と、
前記洗浄槽での洗浄が完了した前記洗浄物を前記搬送手段により搬送して前記洗浄物を支持可能な支持台上に支持して密閉空間内で前記洗浄物に吸着している薬液を純水（ＤＩＷ）に置換するすすぎ洗浄が可能なリンス槽と、
前記リンス槽に純水（ＤＩＷ）の供給、排出が可能な第２の液供給排出手段と、
前記リンス槽で純水（ＤＩＷ）に置換された前記洗浄物を前記搬送手段により支持台上に搬送収容して乾燥を行う純水槽と、
前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）に前記洗浄物が浸漬された状態で純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出し、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を排出する工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に前記洗浄物の表面温度と温度差のない有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換すると共に不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する構成としたことを特徴とする洗浄物の洗浄乾燥装置。
【請求項１９】
前記洗浄槽と前記リンス槽とは、別個独立した槽であることを特徴とする請求項１８記載の洗浄物の洗浄乾燥装置。
【請求項２０】
前記洗浄槽と前記リンス槽とは、１つの槽であることを特徴とする請求項１８記載の洗浄物の洗浄乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置並びに洗浄乾燥装置に関し、特に半導体ウエハやガラス基板等の基板の洗浄、すすぎ、及び乾燥に適した洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置並びに洗浄乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、微細化したウエハやガラス基板等（以下、基板とも称する。）の洗浄物の精密基板洗浄後の乾燥としては、トレンチに入り込んだ水分の除去が重要な要素であり、有機溶剤ベ一パー（蒸気）を用いた乾燥装置が使用されている。この有機溶剤ベ一パーを用いた乾燥装置としては、図１１に示す装置が知られている。
【０００３】
図１１に示すように、乾燥装置１０１は、上部が開口して断面略コ字状の箱状からなる乾燥槽１０２と、この乾燥槽１０２の底面１０２ａに装着された加熱装置（ヒータ）１０３と、乾燥槽１０２の上部に設けられた冷却コイル１０４と、冷却コイル１０４の下部に設けられた溶液溜まり部１０５と、乾燥槽１０２内に配置され洗浄物であるウエハ１０６を載置するウエハ載置台１０７と、ウエハ載置台１０７の下部に配された溶液受部１０８とからなる。
【０００４】
乾燥装置１０１は、乾燥槽１０２内に注入された有機溶剤１０９をヒータ１０３により沸点まで加熱上昇させて上層に有機溶剤ベーパーを生成し、そのベーパー中に水等で洗浄、すすぎが行われたウエハ１０６を乾燥槽１０２内に挿入配置する。
【０００５】
乾燥槽１０２内に挿入配置されたウエハ１０６は、ウエハ１０６の表面で有機溶剤の凝縮が起こり、ウエハ１０６の表面に付着していた水分はより蒸発しやすい有機溶剤で置換されて乾燥が進行する。
【０００６】
有機溶剤ベーパー中のウエハ１０６は、次第にベーパー温度（沸点）に達してミスト雰囲気外に取り出されることによって、付着された溶剤成分はその低い蒸発潜熱のため急速に蒸発して乾燥が終了する。
【０００７】
また、乾燥槽１０２の上部に配置されている冷却コイル１０４によって加熱されてベーパーとなった有機溶剤は、凝縮されて溶液溜まり部１０５に滴下して回収再利用が可能である。また、同様に、ウエハ１０６から滴下した水分を含む溶液も溶液受部１０８での回収が行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来の乾燥装置１０１は、有機溶剤をヒータ１０３により加熱するので火気に十分な注意が必要であり、また、加熱冷却を行うのでエネルギーの消費が大きい。また、ヒータ１０３によって加熱させてベーパー層を形成するまでの時間がかかり、蒸発による有機溶剤の消耗量が多く、また、洗浄物がミスト層に触れると、ベーパー（気相）の熱が洗浄物に奪われて急激な相変化（気体→液体）が起こりベーパー層が減少して洗浄物が大気に曝露され、汚染、乾燥不良等が起こりやすくなる。
【０００９】
本発明は、短時間で洗浄物の乾燥を行うことが可能であり、しかも洗浄物の汚染のおそれがなく、エネルギー損失などのない洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置並びに洗浄乾燥装置の提供を目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明による洗浄物の乾燥方法は、純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出する第１の工程と、前記第１の工程により前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を排出する工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成する第２の工程と、前記第１の工程により前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に前記洗浄物の表面温度と温度差のない有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換する第３の工程と、前記第３の工程により前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤に置換され、更に不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する第４の工程とを有するものである。
【００１１】
また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前記第１の工程による不活性ガスは、常温の窒素ガス（Ｎ２）である。
【００１２】
また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前記第４の工程による不活性ガスは、加温された窒素ガス（Ｎ２）である。
【００１３】
また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前記有機溶剤は、ＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）である。
【００１５】
また、本発明による洗浄物の乾燥方法は、薬液が供給されていない槽内に洗浄物を搬送手段により支持台上に搬送する工程と、前記槽内に薬液を供給して前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッチング処理を行うエッチング処理工程と、前記エッチング処理工程完了後に前記薬液を排出した後、純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供給して前記薬液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする工程と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）に前記洗浄物が浸漬された状態で前記槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出する工程と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出される工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成する工程と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に前記洗浄物の表面温度と温度差のない有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換する工程と、前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）が前記有機溶剤に置換され、更に不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する工程とを有するものである。
【００１６】
また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前記薬液は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）である。
【００１７】
また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前記純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする工程では、超音波振動を印加して洗浄可能である。
【００１８】
また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前記エッチング処理工程では、前記洗浄物を一定時間若しくは予め設定した時間薬液中に浸漬するものである。
【００１９】
また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前記槽は、１槽で構成されてなるものである。
【００２１】
また、本発明による洗浄物の乾燥装置は、純水と窒素ガスのそれぞれを給排水、給排気自在に構成した純水槽と、前記純水槽の上方から常温の有機溶剤ミストを発生して純水槽内に供給する有機溶剤ミスト発生手段とを備える洗浄物の乾燥装置であって、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出し、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を排出する工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に前記洗浄物の表面温度と温度差のない有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換すると共に不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化して乾燥する構成としたものである。
【００２２】
また、本発明による洗浄物の乾燥装置の前記有機溶剤ミスト発生手段は、高周波超音波を発生する装置である。
【００２３】
また、本発明による洗浄物の乾燥装置の前記有機溶剤ミスト発生手段は、スプレー式若しくは超音波シャワー式の装置であり、しかもミスト粒径が１００μｍ以下のミストを噴霧可能である。
【００２４】
また、本発明による洗浄物の乾燥装置は、前記純水槽の上部を可変密閉できる構成としたものである。
【００２５】
また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置は、洗浄物を支持可能な支持台を有し、該支持台上で前記洗浄物を支持して密閉空間内を形成して洗浄が可能な槽と、前記槽内の支持台上に前記洗浄物を搬送して収容する搬送手段と、前記槽内に薬液を供給し該薬液内に前記洗浄物を浸漬して洗浄を行い、該洗浄後は該薬液を排出し、更に前記洗浄物に吸着している前記薬液を純水（ＤＩＷ）に置換してすすぎ洗浄が可能な液供給排出手段と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で前記槽内の純水（ＤＩＷ）を前記液供給排出手段により低速で排出し、前記槽内の純水（ＤＩＷ）を排出する工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前記槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に前記洗浄物の表面温度と温度差のない有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換すると共に不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化して乾燥する構成としたものである。
【００２６】
また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置は、前記薬液による洗浄は、ＡＰＭ洗浄であり、該ＡＰＭは、ＮＨ4ＯＨ（アンモニア）／Ｈ2Ｏ2（過水）／Ｈ2Ｏ（純水）である。
【００２７】
また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置の前記液供給排出手段には、複数のシャワーパイプを含むものである。
【００２８】
また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置の前記槽には、洗浄のための高周波超音波を発生する装置が設けられているものである。
【００２９】
また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置は、洗浄物を支持可能な支持台を有し、該支持台上で前記洗浄物を支持して密閉空間内を形成して洗浄が可能な洗浄槽と、前記洗浄槽内の支持台上に前記洗浄物を搬送して収容する搬送手段と、前記洗浄槽内に薬液を供給し該薬液内に前記洗浄物を浸漬して洗浄可能とする第１の液供給排出手段と、前記洗浄槽での洗浄が完了した前記洗浄物を前記搬送手段により搬送して前記洗浄物を支持可能な支持台上に支持して密閉空間内で前記洗浄物に吸着している薬液を純水（ＤＩＷ）に置換するすすぎ洗浄が可能なリンス槽と、前記リンス槽に純水（ＤＩＷ）の供給、排出が可能な第２の液供給排出手段と、前記リンス槽で純水（ＤＩＷ）に置換された前記洗浄物を前記搬送手段により支持台上に搬送収容して乾燥を行う純水槽と、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）に前記洗浄物が浸漬された状態で純水槽内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出し、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）を排出する工程中に不活性ガスを順次供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前記純水槽内の純水（ＤＩＷ）が排出された後に前記洗浄物の表面温度と温度差のない有機溶剤ミストを供給して前記洗浄物の表面上の純水（ＤＩＷ）を有機溶剤に置換すると共に不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する構成としたものである。
【００３０】
また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置の前記洗浄槽と前記リンス槽とは、別個独立した槽である。
【００３１】
また、本発明による洗浄物の洗浄乾燥装置の前記洗浄槽と前記リンス槽とは、１つの槽である。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明による洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置並びに洗浄乾燥装置の実施の形態について説明する。
【００３３】
図１は、本発明による実施の形態である乾燥装置の一部断面を含む図である。
【００３４】
図１に示すように、乾燥装置１０は、純水槽２０と有機溶剤ミスト発生槽３０とを有する。
【００３５】
有機溶剤ミスト発生槽３０は、内槽３１ａと外槽３１ｂの２重構造からなり、外槽３１ｂの槽底面には超音波振動子が接着された振動板３２が設けられ、内槽３１ａの槽底３１ａ１の厚さは超音波エネルギーを通過させるに適した厚さで構成されている。また、内槽３１ａと外槽３１ｂとの間には超音波エネルギーを伝播すると共に有機溶剤（ＩＰＡ：Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）保温用の循環保温水３３が供給可能な構成となっている。
【００３６】
内槽３１ａ内には、有機溶剤（ＩＰＡ）３４が注入されており、この有機溶剤３４は、図示せぬ加温手段により加温された循環保温水３３中に配置された配管３５内を通って循環保温されている。この循環保温水３３によって有機溶剤（ＩＰＡ）３４は保温されるが、有機溶剤ミストの温度は２０°Ｃ〜６０°Ｃ以下の温度で制御される。循環保温水３３による有機溶剤（ＩＰＡ）３４の保温は、超音波エネルギーによる有機溶剤ミストの発生を容易にするためである。
また、内槽３１ａ内の中央部には飛沫防止板３６が設けられ、中央やや下側には窒素ガス供給口３７が配設されている。また、内槽３１ａの上部は、密閉された閉塞空間となっており、連通路３８を介して純水槽２０の上部と連通し、連通路３８内には内槽３１ａから純水槽２０の方向のみ開となる弁３９が設けられている。
【００３７】
純水槽２０は、下部に三方弁（若しくは四方弁）からなる液供給排出弁２１（２１1，２１2，２１3）と純水を低速度で排出するための低速排水弁２２ａ、２２ｂが配設されている。液供給排出弁２１（２１1，２１2，２１3）及び低速排水弁２２ａ、２２ｂを液供給排出手段と称する。
【００３８】
純水槽２０内の液面が、低速排水弁２２ｂの配管の開口部位置より下がると、低速排水弁２２ｂからの排水は停止し、排水は低速排水弁２２ａのみからとなり、排水速度が遅くなる。なお、低速排水弁２２ａ、２２ｂ両方からの排水の場合、液面の下降速度は２〜４ｍｍ／ｓｅｃ前後で、低速排水弁２２ａのみによる排水の場合は１ｍｍ／ｓｅｃ前後である。また、液面が下がり、液面センサー２９が液面を検知すると、液供給排出弁２１（２１2，２１3）を開いて高速排水を行う構成となっている。
【００３９】
なお、液供給排出弁２１（２１1，２１2，２１3）の給液若しくは排出の速度制御は、弁の開閉をコンピュータなどからなる制御手段（図示せず）により制御する構成となっている。
【００４０】
純水槽２０の内部には、液供給排出弁２１（２１1，２１2）から純水を供給し、純水槽２０内の純水が一定量に達すると、それ以上はオーバーフローする。したがって、純水槽２０内の上部には気相部２３が形成され、この気相部２３には窒素ガス供給口２４が設けられると共に、外気に連通する排気管２５が設けられている。この排気管２５内には、弁２６が配設されており、弁２６は純水槽２０から外気方向にのみ開となるように構成されている。また、純水槽２０の上部には、洗浄物の出し入れを行うための完全密閉型の開閉蓋２７が設けられ、これによって密閉空間を形成可能である。
【００４１】
また、純水槽２０の内部には、半導体ウエハやガラス基板等の基板からなる洗浄物５０を複数支持することが可能な支持台２８が備えられている。
【００４２】
支持台２８は、通常、半導体ウエハであれば、例えば、直径が８インチのウエハを１００枚載置可能である。
【００４３】
また、純水槽２０内の下部には、液面センサー２９が設けられており、液面センサー２９の位置は、低速排水弁２２ａから純水槽２０内部に延出開口する配管の開口部にほぼ一致すると共に、内部に挿入配置されたウエハ５０の下端部にもほぼ一致するか若しくは僅かに下側に配置されている。なお、もう一方の低速排水弁２２ｂから純水槽２０内部に延出開口する配管の開口部は低速排水弁２２ａの配管の開口部よりも１〜２ｍｍ高くなっている。
【００４４】
以上のような構成からなる本発明による実施の形態である洗浄物の乾燥装置を用いた乾燥方法について以下に説明する。
【００４５】
図１に示すように、乾燥装置１０を始動する前に乾燥のための準備を行う。すなわち、有機溶剤（ＩＰＡ）３４が有機溶剤ミスト発生槽３０の内槽３１ａ内に所定量投入され、外槽３１ｂの振動板３２の超音波振動子に５００ｋＨｚ以上の高周波による超音波を加えて振動させ、超音波キャビテーション現象により内槽３１ａ内に有機溶剤ミストの温度は２０°Ｃ〜６０°Ｃ以下の温度での有機溶剤ミストを発生させておく。
【００４６】
また、内槽３１ａと外槽３１ｂとの間には、循環保温水３３が循環するようにし、有機溶剤３４を底面から保温させると共に、配管３５内を循環させて均一な温度で保温する構成としている。すなわち、有機溶剤ミストの温度は２０°Ｃ〜６０°Ｃ以下の温度であるが、循環保温水３３は、例えば、２０°Ｃで一定の温度になるように設定される。循環保温水３３が２０°Ｃであっても超音波振動が印加されることによる温度の上昇があるため、有機溶剤ミストは、２０°Ｃよりも上昇する場合がある。
【００４７】
次に、純水槽２０の蓋２７を開けて洗浄若しくはすすぎ（リンス）が完了したウエハなどの洗浄物５０を図示せぬ搬送手段により支持台２８に収納して載置支持させる。
【００４８】
前述した準備が完了後、本発明による乾燥装置を用いて乾燥を行う。
【００４９】
本発明による乾燥装置を用いた乾燥方法は、図２に示すようなマランゴニ効果を用いた乾燥方法ではない点に特徴を有するものである。図２は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッチング処理後の裏面転写の状態を示す図である。
【００５０】
図１及び図２に示すように、純水槽２０内の純水（ＤＩＷ）を低速排出弁２２ａ、２２ｂからゆるやかに排水する。純水が排出されるにしたがって、純水槽２０内の内圧が下がる。そして、純水槽２０と有機溶剤ミスト発生槽３０との間を連通している連通路３８の弁３９を開いて、有機溶剤ミスト発生槽３０から純水槽２０内に濃度の高い有機溶剤ミストを導入する。なお、純水槽２０は、乾燥槽としての作用を果たすものである。弁３９の開閉は、自動若しくは手動の何れの構成であってもよい。
【００５１】
本発明による乾燥装置は、有機溶剤ミスト発生槽３０内で発生する有機溶剤ミストの温度は２０°Ｃ〜６０°Ｃ以下の温度で制御されるが、連通路３８の弁３９を開いて純水槽２０内に導入された有機溶剤ミストの温度は、窒素ガス供給口３７から供給されるキャリアガスとしての窒素ガス（Ｎ２）により有機溶剤ミスト発生槽３０内で常温になり、純水槽２０の槽内温度に順次供給される。
【００５２】
いうところの常温とは、洗浄物５０、この場合ウエハの表面温度と有機溶剤ミストの温度に温度差のない状態を意味する。
【００５３】
したがって、洗浄物５０の表面には、常温でかつ高濃度の有機溶剤ミストが供給され、しかも、常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）が供給されて純水が急速に有機溶剤（ＩＰＡ）３４に置換される。
【００５４】
しかして、本発明による乾燥装置によれば、純水槽２０内の気相、不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）、有機溶剤ミストのそれぞれの体積比により、純水槽２０の槽内は、最終的に槽内温度及びウエハ（洗浄物５０）の表面温度が不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）の温度に同化されて常温となる。
【００５５】
図１０は、有機溶剤ミスト発生槽３０内で生成される有機溶剤ミストがキャリアガスである窒素ガス（Ｎ２）により常温となる様子を示す装置及び該装置により測定された実験例を示す図である。
【００５６】
図１０は、有機溶剤ミスト発生槽３０内に、窒素ガス供給口３７から供給されるキャリアガスとしての窒素ガス（Ｎ２）が供給され、連通路３８の近傍に熱電対を介して温度計を取り付けた装置である。そして、この装置により、横軸に時間（秒）を示し、縦軸に温度（°Ｃ）を測定したものである。
【００５７】
窒素ガス（Ｎ２）は、約２２．５°Ｃの温度であり、図１０に示すように、０秒から６００秒（約１０分）を測定しても、約２２°Ｃ〜２３°Ｃの範囲で一定となっていることが分かる。この場合、有機溶剤ミストの発生量は、０．１７ｍｌ（ミリリットル）／ｓｅｃ（秒）に対して、窒素ガス（Ｎ２）の流量は、０．４２ｌ（リットル））／ｓｅｃ（秒）であることから、圧倒的に窒素ガス（Ｎ２）の流量が多く、有機溶剤ミスト発生槽３０内の槽内温度及びウエハの表面温度が同化されて常温となることが分かる。
【００５８】
有機溶剤ミストの侵入によって、洗浄物５０の表面上の水膜は、有機溶剤ミストが水膜に吸着することによって、水膜が有機溶剤に置換され下方に落下する。
【００５９】
しかし、図２に示すように、一方の面に酸化膜（ＳｉＯ２）が形成されている基板と、この基板と対向する面がベア（Ｓｉ）である基板を乾燥する場合、膜エッチング処理により生成されたパーティクルは、水面に大量に解離された状態となっているため、マランゴニ効果によるパーティクルの付着抑止効果がなく、ベア面にパーティクルが転写されて付着されることとなる。けだし、水面に大量に解離されたパーティクルをマランゴニ効果では除去しきれないからである。
【００６０】
そこで、本発明による乾燥装置を用いた乾燥方法は、マランゴニ効果を用いることなく、図２に示すような酸化膜（ＳｉＯ２）が形成されている基板と、この基板と対向する面がベア（Ｓｉ）である基板を乾燥するような場合であってもＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッチング処理後のパーティクルが転写することのない乾燥方法についてのものである。
【００６１】
図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、本発明による乾燥方法の乾燥工程を説明する図である。
【００６２】
図１に示すように、純水槽２０内の純水（ＤＩＷ）にウエハなどの洗浄物５０が浸漬された状態から、以下のような乾燥が行われる。
【００６３】
まず、図３（ａ）に示すように、液供給排出手段としての低速排出弁２２ａ、２２ｂを開けて純水槽２０内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出し、更に、液供給排出手段としての液供給排出弁２１（２１2，２１3）から高速排水を行う。純水槽２０内の純水（ＤＩＷ）の排出工程では、有機溶剤（ＩＰＡ）３４を供給しない。
【００６４】
しかしながら、窒素ガス供給口２４から常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）を供給して純水槽２０内を不活性ガス雰囲気に保ち、ウエハ、例えばシリコン（Ｓｉ）表面の再酸化の防止を図る。
【００６５】
次に、図３（ｂ）に示すように、純水槽２０内の純水（ＤＩＷ）の排水が終了すると、液供給排出手段としての低速排出弁２２ａ、２２ｂ、液供給排出弁２１（２１2，２１3）を閉めてから弁３９を開けて、有機溶剤ミスト発生槽３０で生成される有機溶剤（ＩＰＡ）３４の有機溶剤ミストを供給する。この有機溶剤ミストは、常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）、すなわち、キャリアガスにより純水槽２０内に移送されて洗浄物５０であるウエハの表面上に吸着反応により付着している純水（ＤＩＷ）を急速に有機溶剤（ＩＰＡ）３４に置換する。
【００６６】
次に、図３（ｃ）に示すように、洗浄物５０であるウエハの表面上の有機溶剤（ＩＰＡ）３４の置換が完了した場合には、弁３９を閉めて有機溶剤（ＩＰＡ）３４の供給を停止する。そして、窒素ガス供給口２４を開けて加温した不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）を純水槽２０内に供給してウエハの表面上の有機溶剤（ＩＰＡ）３４を気化させて乾燥する。
【００６７】
本発明による乾燥方法では、有機溶剤ミストのキャリアガスとしての作用をなす不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）は、常温のガスを使用する。常温の雰囲気を維持するためである。しかして、有機溶剤（ＩＰＡ）３４を気化させて乾燥する不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）は、加温したものを使用する。急速な乾燥を行うことができるからである。この加温する温度は、実験例によれば２０℃〜１００℃の範囲がよい。しかし、加温せずに常温のものも洗浄物によって使用することができる。
【００６８】
図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示すように、本発明の実施の形態による乾燥方法は、純水（ＤＩＷ）の排出時には、有機溶剤（ＩＰＡ）３４の有機溶剤ミストを供給せずに、常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）のみを供給することによって、酸化膜及びパターン付きウエハからのパーティクルの付着を抑制し、かつシリコン（Ｓｉ）表面の再酸化を防止することが可能である。
【００６９】
図４は、本発明による乾燥方法で処理する前後におけるパーティクル数の変化を示すグラフである。
【００７０】
図４に示すように、横軸に示すＳ１は、ウエハ２５枚を乾燥する場合の１枚目を示しており、Ｓ２５は、２５枚目を示している。縦軸は、パーティクル数である。Ｓ１、Ｓ２５におけるパーティクル数の変化をみても分かるように、乾燥処理の前後によるパーティクル数の変化が少ないことが理解できる。
【００７１】
図５は、温度とミスト粒径の関係を示すグラフである。
【００７２】
図５に示すように、横軸に有機溶剤（ＩＰＡ）の温度変化を表しており、縦軸に有機溶剤（ＩＰＡ）のミスト粒径の変化を示している。
【００７３】
図５から分かるように、有機溶剤（ＩＰＡ）の温度が変化しても有機溶剤（ＩＰＡ）のミスト粒径がほぼ一定であることが分かる。したがって、図５からは、粒径は８μｍで一定であることが分かる。
【００７４】
図６は、ＭＳ出力と有機溶剤（ＩＰＡ）のミスト粒径の関係を示すグラフであり、横軸にＭＳ出力（Ｗ／ｃｍ2）、縦軸に有機溶剤（ＩＰＡ）のミスト粒径（μｍ）が示されている。したがって、図６から粒径は８μｍで一定であることが分かる。
【００７５】
なお、本発明による実施の形態によれば、有機溶剤（ＩＰＡ）のミストの発生は、有機溶剤ミスト発生槽３０の超音波振動子が接着された振動板３２による超音波を発生して生成されるものであるが、スプレー式の装置などを用いて噴霧して生成するものであってもよい。このスプレー式の装置の噴霧可能なミスト粒径は、１００μｍ以下のものがよい。
【００７６】
また、不活性ガスとして窒素ガス（Ｎ２）を用いているが、その他のガスとしては、アルゴンガスを用いてもよい。
【００７７】
次に、図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示す本発明による装置による乾燥方法に洗浄機能が付加された洗浄乾燥装置の実施の形態について、以下図面を参照して説明する。図７（ａ）乃至（ｄ）は、ＤＨＦ洗浄の工程を示す図であり、図７（ｅ）乃至（ｇ）は、図３（ａ）乃至図３（ｃ）と同一の乾燥方法を示す図である。
【００７８】
まず、図７（ａ）に示すように、純水槽２０内に薬液が供給されていない槽内にウエハなどの洗浄物５０を図示せぬ搬送手段により搬送して支持台２８（図１に図示）上に収納載置する。
【００７９】
しかしながら、本発明による洗浄乾燥装置で洗浄されるウエハなどの洗浄物５０は、搬送手段により搬送される前に、既に、前段階で洗浄機能を有する処理工程により清浄な状態となっているので、本発明による実施の形態である洗浄乾燥装置は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）洗浄によるエッチング処理工程で発生する微量なエッチング残査（図２参照）を図７（ｄ）に示すように、純水（ＤＩＷ）による置換及びリンス工程で除去するものである。この時、図１、図７に示すように、振動板４５から発生する超音波振動を印加することによって洗浄効果を更に向上させるようにしてもよい。
【００８０】
図７（ａ）に示すように、純水槽２０内に薬液が供給されていない槽内にウエハなどの洗浄物５０が図示せぬ搬送手段により搬送されて支持台２８（図１に図示）上に収納載置される。
【００８１】
次に、図７（ｂ）に示すように、液供給排出手段としての液供給排出弁２１（２１1，２１2，２１3）から予め調合されたＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）を純水槽２０内に十分な量を供給する。この場合の純水槽２０は、薬液槽としての作用をなす槽となっているが、純水槽としての呼称を使用している。したがって、単に槽とも称する。
【００８２】
槽としての純水槽２０内へのＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）の供給が完了すると、図７（ｃ）に示すように、ウエハなどの洗浄物５０をＤＨＦに浸漬してエッチング処理を行う。この浸漬処理は、例えば一定時間行われるが、時間を予め設定して、例えば１５０秒浸漬するなどのようにしてもよい。
【００８３】
図７（ｃ）のエッチングが完了すると、図７（ｄ）に示すように、液供給排出手段としての液供給排出弁２１（２１1，２１2）から純水（ＤＩＷ）を供給して純水槽２０内の純水が一定量以上の量まで供給してオーバーフローさせ、純水槽２０内のＤＨＦを徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする。
次に、図７（ｅ）乃至図７（ｇ）の工程を行うが、図３（ａ）乃至図３（ｃ）に示す工程と同一であるので、詳細な説明は省略し、簡略な説明に止める。
【００８４】
まず、図７（ｅ）に示すように、液供給排出手段としての低速排出弁２２ａ、２２ｂを開けて純水槽２０内の純水（ＤＩＷ）を低速で排出する。純水槽２０内の純水（ＤＩＷ）の排出工程では、有機溶剤（ＩＰＡ）３４を供給しない。また、液面が下がり、液面センサー２９が液面を検知すると、液供給排出弁２１（２１2，２１3）を開いて高速排水を行う。
【００８５】
次に、図７（ｆ）に示すように、純水槽２０内の純水（ＤＩＷ）の排水が終了すると、液供給排出手段としての低速排出弁２２ａ、２２ｂ、液供給排出弁２１（２１2，２１3）を閉めて弁３９を開けて有機溶剤ミスト発生槽３０で生成される有機溶剤（ＩＰＡ）３４の有機溶剤ミストを供給する。この有機溶剤ミストは、常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）、すなわち、キャリアガスにより純水槽２０内に移送されて洗浄物５０であるウエハの表面上に吸着反応により付着している純水（ＤＩＷ）を急速に有機溶剤（ＩＰＡ）３４に置換する。
【００８６】
図７（ｇ）に示すように、洗浄物５０であるウエハの表面上の有機溶剤（ＩＰＡ）３４の置換が完了した場合には、弁３９を閉めて有機溶剤（ＩＰＡ）３４の供給を停止する。そして、窒素ガス供給口２４を開けて加温された不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）を純水槽２０内に供給してウエハの表面上の有機溶剤（ＩＰＡ）３４を急速に気化させて乾燥する。
【００８７】
以上のように、本発明による乾燥装置を備えた洗浄乾燥装置の実施の形態によれば、有機溶剤ミスト発生槽３０を含む純水槽２０で構成された１槽式の洗浄乾燥装置である。このような構成からなる１槽式の洗浄乾燥装置は、省スペース化を図ることができる。
【００８８】
しかしながら、本発明による乾燥装置を備えた洗浄乾燥装置は、１槽式に限らず、２槽式、３槽式の洗浄乾燥装置としても構成することが可能である。以下に、それらの実施の形態について説明する。なお、図７に示す装置と基本的な構成及び機能は実質的に同一であるので、相違する点について説明することとする。
【００８９】
図８（ａ）乃至（ｃ）は、３槽式の洗浄乾燥装置による処理工程を示す図である。なお、図８（ｃ）は、図７（ａ）乃至（ｇ）に示す１槽式の洗浄乾燥装置と同一の構成及び機能を有するので、詳細な説明を省略する。
【００９０】
図８（ａ）は、ＳＣ−１(Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ  １)（ＡＰＭ）洗浄液による洗浄工程を示す図である。
【００９１】
ＳＣ−１(Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ  １，ＡＰＭ)洗浄液による洗浄は、有機物とパーティクルの除去を行う工程である。洗浄物であるウエハ表面に有機物が付着していると、洗浄剤とウエハとの濡れ性が悪くなり、十分な洗浄効果が得られなくなる。また、前工程から持ち込まれてくるパーティクルの除去を行う必要がある。ＡＰＭは、ＮＨ4ＯＨ（アンモニア）／Ｈ2Ｏ2（過水）／Ｈ2Ｏ（純水）からなり、この洗浄液は、強い酸化性があるのでウエハ表面の有機物を除去することが可能である。
【００９２】
図８（ａ）に示すように、洗浄槽６１内には、ウエハなどの洗浄物５０が図示せぬ搬送手段により搬送されて支持台上に載置された状態で、液供給排出手段（図示せず）から給液されたＡＰＭ洗浄液が洗浄槽６１内に十分給液され加温される。そして、洗浄槽６１内のＡＰＭ洗浄液は、約６０°Ｃ〜８０°Ｃ前後の温度で加温されており、洗浄槽６１の上部には、ＡＰＭ洗浄液の雰囲気を外部に出さないように完全密閉を形成することが可能な蓋６２が設けられている。蓋６２は、洗浄物５０が洗浄槽６１内にロード若しくはアンロードされるときには、自動若しくは手動により開閉可能な構成である。図８（ａ）に示す処理工程では、有機物とパーティクルの除去を行う。
【００９３】
図８（ｂ）は、ＡＰＭ洗浄が行われると、蓋６２を開けて洗浄槽６１内に収納されている洗浄物５０を搬送手段により搬送して２槽目の洗浄槽６５に搬送して支持台上に受け渡す。洗浄槽６５内に収納されている洗浄物５０は、洗浄槽６５内に給液された純水（ＤＩＷ）によりＡＰＭ洗浄液を洗浄して純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする。洗浄槽６５内の純水（ＤＩＷ）は、オーバーフローすることによって洗浄物５０の表面からパーティクルを除去する。また、洗浄槽６５内に収容載置された洗浄物５０を外方から効果的にリンスすることができるように複数のシャワーパイプ６６が配設されており、このシャワーパイプ６６からのシャワーも併用されてリンスされる。
【００９４】
なお、純水（ＤＩＷ）でリンスする洗浄槽６５は、リンス槽とも称し、また、シャワーパイプ６６は、液供給排出手段に含まれるものである。
【００９５】
また、純水（ＤＩＷ）は、常温のものを使用することができるが、加温して使用することもできる。加温する場合は、常温〜８０°Ｃ程度の温度のものを使用することができる。
【００９６】
次に、図８（ｃ）は、図７（ａ）乃至図７（ｇ）に示すＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）洗浄によるエッチング処理工程と同じであるので、説明を省略する。
【００９７】
図９（ａ）は、図８（ａ）に示すＳＣ−１(Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ  １)（ＡＰＭ）洗浄液による工程と、図８（ｂ）に示す純水（ＤＩＷ）によるリンス工程とを１槽の洗浄槽で行い、図９（ｂ）は、図７（ａ）乃至図７（ｇ）に示すＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）洗浄によるエッチング処理工程を１槽で行う２槽式の構成を有する洗浄乾燥装置である。
【００９８】
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す洗浄乾燥装置は、図８（ａ）乃至（ｃ）に示す装置よりも省スペース化を図ることが可能である。
【００９９】
本発明による乾燥方法によれば、洗浄物５０の乾燥を有機溶剤による常温乾燥で行うため、加熱冷却が必要でなく、有機溶剤の消費も少ないので、省エネルギー化が図られ、火気への注意の必要がないので作業が容易である。また、常温処理のため、洗浄物がミスト層に触れた場合でも、ミストの熱が洗浄物に奪われるということがなく、また、洗浄物が大気に暴露されるおそれがない。また、高濃度かつ微細な粒径を有する有機溶剤ミストの吸着反応によりウエハ表面の水分を一気に置換するため、優れた乾燥性を発揮することができ、さらに、有機溶剤ミスト雰囲気を窒素による不活性ガス雰囲気にするので、酸素が排除され、ウォーターマークの防止が行えるとともに、ヒータで加熱しないので短時間での処理が可能であり、生産性の向上が図れる。また、密閉構造で処理するので、洗浄物への汚染がない。
【０１００】
なお、洗浄物５０として、ウエハを用いているが、液晶ガラスなどの平板形状物やハードデイスク基板、レンズ等の小型形状物の乾燥も可能である。また、また、液供給排出弁２１を三方弁（若しくは四方弁）としたのは、四方弁を用いて、純水以外に薬剤を供給して薬剤処理を行う場合も考慮したものである。
【０１０１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、洗浄物の乾燥を有機溶剤による常温乾燥で行うため、加熱冷却が必要でなく、有機溶剤の消費も少ないので、省エネルギー化が図られ、火気への注意の必要がないので作業が容易である。また、常温処理のため、洗浄物がミスト層に触れた場合でも、ミストの熱が洗浄物に奪われるということがなく、また、洗浄物が大気に暴露されるおそれがない。また、高濃度かつ微細な粒径を有する有機溶剤ミストの吸着反応によりウエハ表面の水分を一気に置換するため、優れた乾燥性を発揮することができ、さらに、有機溶剤ミスト雰囲気を窒素による不活性ガス雰囲気にするので、酸素が排除され、ウォーターマークの防止が行えるとともに、ヒータで加熱しないので短時間での処理が可能であり、生産性の向上が図れ、また、密閉構造で処理するので、洗浄物への汚染がないという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施の形態である乾燥装置の一部断面を含む図である。
【図２】ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッチング処理後の裏面転写の状態を示す図である。
【図３】（ａ）乃至（ｃ）は、本発明による乾燥方法の乾燥工程を説明する図である。
【図４】本発明による乾燥方法で処理する前後におけるパーティクル数の変化を示すグラフである。
【図５】温度とミスト粒径の関係を示すグラフである。
【図６】ＭＳ出力と有機溶剤（ＩＰＡ）のミスト粒径の関係を示すグラフである。
【図７】（ａ）乃至（ｄ）は、ＤＨＦ洗浄の工程を示す図であり、（ｅ）乃至（ｇ）は、図３（ａ）乃至図３（ｃ）と同一の乾燥方法を示す図である。
【図８】（ａ）乃至（ｃ）は、３槽式の洗浄乾燥装置による処理工程を示す図である。
【図９】（ａ）は、図８（ａ）に示すＳＣ−１(Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ１)（ＡＰＭ）洗浄液による工程と、図８（ｂ）に示す純水（ＤＩＷ）によるリンス工程とを１槽の洗浄槽で行い、（ｂ）は、図７（ａ）乃至図７（ｇ）に示すＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）洗浄によるエッチング処理工程を１槽で行う２槽式の処理工程を示す図である。
【図１０】図１０は、有機溶剤ミスト発生槽内に、窒素ガス供給口から供給されるキャリアガスとしての窒素ガス（Ｎ２）が供給され、連通路の近傍に熱電対を介して温度計を取り付けた装置及び該装置により測定したデータを示す図である。
【図１１】従来の乾燥装置を示す図である。
【符号の説明】
１０    乾燥装置
２０    純水槽
２１    液供給排出弁
２２    低速排水弁
２３    気相部
２４    窒素ガス供給口
２５    排気管
２６    弁
２７    開閉蓋
２８    支持台
２９    液面センサ
３０    有機溶剤ミスト発生槽
３２    振動板
３３    循環保温水
３４    有機溶剤
３７    窒素ガス供給口
３８    連通路
３９    弁
４５    振動板
５０    洗浄物
６１    洗浄槽
６５    洗浄槽
６７    洗浄槽
【図１】
0003996345.tif 000002
【図２】
0003996345.tif 000003
【図３】
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【図４】
0003996345.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003996345.tif 000007
【図７】
0003996345.tif 000008
【図８】
0003996345.tif 000009
【図９】
0003996345.tif 000010
【図１０】
0003996345.tif 000011
【図１１】
0003996345.tif 000012