(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力用チップおよび該電力用チップを制御するための集積回路チップと、
前記電力用チップを搭載するための第１フレーム部、前記集積回路チップを搭載するための第２フレーム部および前記第１または第２フレーム部に接続されるリード端子を有するリードフレーム部と、
前記リード端子を突出させて、前記電力用チップおよび前記集積回路チップを含む前記リードフレーム部を封止するモールド樹脂と、
を備え、
前記第１フレーム部は、前記リード端子とリード段差部を介して前記第２フレーム部と略平行に配置され、前記電力用チップが搭載された前記第１フレーム部の面と反対側の面が、前記集積回路チップが搭載された前記第２フレーム部の面と反対側の面よりも前記モールド樹脂の外面に接近し、
前記電力用チップが搭載された前記第１フレーム部の面の側の前記モールド樹脂の表面には、テーパを有する穴が形成されている、半導体装置。
【請求項２】
前記穴は前記モールド樹脂が充填される方向と交差する方向に沿って複数形成され、
前記モールド樹脂に形成された前記穴と前記穴との間に、前記第１フレーム部と前記第２フレーム部とを電気的に接続するワイヤが配設されている、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記穴は、前記電力用チップが搭載された前記第１フレーム部の面の側の前記モールド樹脂の表面にのみ形成されている、請求項１または２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関し、特に、モールド樹脂の充填性が改善され、かつ、モールド工程の削減が図られる半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置の一例として、たとえば、エアコン、洗濯機などのインバータ用のスイッチング素子として用いられる電力半導体装置について説明する。電力半導体装置では、大電流をスイッチングするための絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor 、以下「ＩＧＢＴ」と記す。）やフライホイールダイオード（Fly Wheel Diode 、以下「ＦＷＤ」と記す。）といったパワーチップと、そのパワーチップを制御するための低電圧集積回路（Low Voltage Integrated Circuit、以下「ＬＶＩＣ」と記す。）や高電圧集積回路（High Voltage Integrated Circuit 、以下「ＨＶＩＣ」と記す。）といった集積回路チップが搭載されている。
【０００３】
電力半導体装置は、これらパワーチップおよび集積回路チップを、リードフレーム上にダイボンドして、所定のワイヤボンドおよび樹脂モールド工程等を経ることによって形成される。そこで、このような電力半導体装置の従来の製造方法について図を用いて説明する。
【０００４】
図１２および図１３を参照して、リードフレーム１０２上にパワーチップ１０４および集積回路チップ１０６をそれぞれダイボンドにより搭載する。次に、ワイヤボンディングによってパワーチップ１０４とリードフレーム１０２内の所定の内部リードとをアルミニウム線１１０により電気的に接続する。同様に、集積回路チップ１０６と所定の内部リードとを金線１０８により電気的に接続する。なお、アルミニウム線１１０を適用するのは、パワーチップ１０４では大電流を扱うからである。
【０００５】
次に図１４および図１５を参照して、パワーチップ１０４および集積回路チップ１０６が搭載されたリードフレーム１０２の面の側を覆うように、１次モールド樹脂１１２を形成する。このとき、パワーチップ１０４および集積回路チップ１０６が搭載されている面と反対側のリードフレーム１０２の面は露出した状態にある。
【０００６】
次に図１６および図１７を参照して、リード端子のうち、不要なリード端子となるリード部分１０２ｈ（斜線部分）をカットして除去する。次に図１８および図１９を参照して、１次モールド樹脂１１２およびリードフレーム１０２を覆うように、さらに２次モールド樹脂１１４を形成する。また、このとき特にパワーチップ１０４で発生する熱を放出するためのヒートシンク１１６を配設する。
【０００７】
その後、リードフレーム１０２のタイバー１０２ｇをカットして、２次モールド樹脂１１４より突出している各リード端子を曲げることにより、図２０（ａ）、（ｂ）および（ｃ）に示す電力半導体装置が完成する。同図に示されるように、２次モールド樹脂１１４の一方側には集積回路チップと接続されている集積回路チップ側リード端子１０２ｄが配設され、他方側にはパワーチップと接続されているパワーチップ側リード端子１０２ｂが配設されている。
【０００８】
また、各集積回路チップ側リード端子１０２ｄおよびパワーチップ側リード端子１０２ｂは、電力半導体装置がプリント基板などに装着された状態で、ヒートシンク１１６により熱が効率的に放熱されるように、ヒートシンク１１６が配設されている側と反対の側に曲げられている。従来の電力半導体装置は以上のように製造される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
近年、製造コストの削減の観点から、プロセスのスリム化が図られており、上記の電力半導体装置においても、１次および２次モールド樹脂による２回のモールド工程を１回のモールド工程で対応できるよう開発が進められている。
【００１０】
電力半導体装置では、特に、パワーチップ１０４にて発生する熱を効率的に放熱させるために、図１９に示すように、パワーチップ１０４が搭載されたリードフレーム１０２の面（以下単に「表面」と記す）とは反対側の面（以下単に「裏面」と記す）に位置するモールド樹脂の厚さを、ヒートシンク１１６とリードフレーム１０２との絶縁性が損なわれない程度に極力薄くする必要がある。
【００１１】
このため、１回のモールド工程では、リードフレーム１０２の表面と裏面とにモールド樹脂を良好に充填することが困難となり、特に、リードフレーム１０２の裏面側に充填されるモールド樹脂にボイドが発生することがあった。
【００１２】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、モールド工程の削減が図られ、かつ、モールド樹脂の充填性が高い半導体装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の１つの局面における半導体装置は、電力用チップおよびその電力用チップを制御するための集積回路チップと、リードフレーム部と、モールド樹脂とを備えている。リードフレーム部は、電力用チップを搭載するための第１フレーム部、集積回路チップを搭載するための第２フレーム部および第１または第２フレーム部に接続されるリード端子を有している。モールド樹脂は、リード端子を突出させて、電力用チップおよび集積回路チップを含むリードフレーム部を封止している。第１フレーム部は、リード端子とリード段差部を介して第２フレーム部と略平行に配置されている。電力用チップが搭載された第１フレーム部の面と反対側の面が、集積回路チップが搭載された第２フレーム部の面と反対側の面よりもモールド樹脂の外面に接近している。電力用チップが搭載された第１フレーム部の面の側のモールド樹脂の表面には、テーパを有する穴が形成されている。
【００１４】
この構成によれば、電力用チップが搭載された第１フレーム部の面（表面）と反対側の面（裏面）が、集積回路チップが搭載された第２フレーム部の面（表面）と反対側の面（裏面）よりもモールド樹脂の外面に接近していることによって、モールド樹脂を第１フレーム部のリード端子側から注入してリードフレーム部をモールド樹脂によって封止する際に、リード段差部に沿って、第１フレーム部の裏面側に積極的にモールド樹脂が流し込まれる。これにより、第１フレーム部の裏面側に比較的薄いモールド樹脂を、ボイドを発生させることなく高い充填性でもって形成することができる。しかも、第１フレーム部の裏面側に積極的にモールド樹脂が流し込まれるため、１回のモールド工程によりリードフレーム部を封止することができ、工程削減を図ることが可能となる。また、モールド樹脂の表面にテーパを有する穴が形成されていることで、モールド樹脂が収縮することに伴って生じる反りの応力を緩和することができ、特に放熱フィンをモールド樹脂に装着する際にモールド樹脂が割れるのを抑制することができる。
【００１５】
好ましくは、穴はモールド樹脂が充填される方向と交差する方向に沿って複数形成され、モールド樹脂に形成された穴と穴との間に、第１フレーム部と第２フレーム部とを電気的に接続するワイヤが配設されている。
【００１６】
この場合には、モールド樹脂を注入する際に、穴に対応した金型の部分（スリーブおよび可動ピン）と隣り合う穴に対応した金型の部分に位置するワイヤとにより、第１フレーム部のリード端子側から注入されるモールド樹脂のうち、第１フレーム部の表面側に注入されるモールド樹脂の流れが妨げられる。これにより、第１フレーム部の表面側へのモールド樹脂の注入が抑制されて、その分を第１フレーム部の裏面側へ注入することができる。その結果、第１フレーム部の裏面側へのモールド樹脂の充填性をより高めることができる。
【００１７】
また好ましくは、穴は電力用チップが搭載された第１フレーム部の面の側のモールド樹脂にのみ形成されている。
【００１８】
モールド樹脂を注入する際に、モールド樹脂がリード段差部にあたることで、第１フレーム部には第１フレーム部の裏面から表面の方に向かう力が作用する。この力を受けて第１フレーム部は、金型の支持部材（ピン）に確実に接触して、第１フレーム部が支持されることになる。これにより、第１フレーム部を両側からピンで挟むことなく、モールド樹脂を第１フレーム部の表面側と裏面側とに充填することができるとともに、第１フレーム部の裏面側には金型のピンがないことで、この領域に流れ込むモールド樹脂の流動抵抗がより下がって、第１フレーム部の裏面側におけるモールド樹脂の充填性をさらに高めることができる。また、第１フレーム部を支持する金型のピンとしては、第１フレーム部の表面側のピンだけでよく、第１フレーム部の裏面側のピンを省くことができるため、金型の構造を簡略化することができるとともに、メンテナンス性を向上することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
実施の形態１
本発明の実施の形態１に係る電力半導体装置について説明する。まず、電力半導体装置の平面外観を図１に示し、その１つの断面を図２に示し、他の断面を図３に示す。また、モールド樹脂１２によって封止されているパワーチップ４および集積回路チップ６を含むリードフレーム２の側面構造を図４に示す。
【００２０】
電力半導体装置では、従来の技術の項において説明したように、大電流をスイッチングするためのＩＧＢＴやＦＷＤといったパワーチップと、そのパワーチップを制御するためのＬＶＩＣやＨＶＩＣといった集積回路チップが搭載されている。これらのパワーチップおよび集積回路チップはモールド樹脂によって封止されている。
【００２１】
図２〜図４に示すように、パワーチップ４はパワーチップ用リードフレーム２ａ上に搭載されている。一方、集積回路チップ６は集積回路チップ用リードフレーム２ｃ上に搭載されている。
【００２２】
パワーチップ側リード端子２ｂとパワーチップ４とはアルミニウム線１０のワイヤボンディングによって電気的に接続されている。一方、集積回路チップ側リード端子２ｄと集積回路チップ６とは金線８のワイヤボンディングによって電気的に接続されている。
【００２３】
また、パワーチップ４と所定の中継リードとをアルミニウム線１０のワイヤボンディングによって電気的に接続するとともに、その中継リードと集積回路チップ６とを金線８のワイヤボンディングによって電気的に接続することによって、パワーチップ４と集積回路チップ６とが電気的に接続されている。
【００２４】
本電力半導体装置のパワーチップ用リードフレーム２ａは、パワーチップ側リード端子２ｂとはリード段差部２ｅを介して集積回路チップ用リードフレーム２ｃと略平行に配置され、パワーチップ４が搭載されたパワーチップ用リードフレーム２ａの面（表面）と反対側の面（裏面）が、集積回路チップ６が搭載された集積回路チップ用リードフレーム２ｃの面（表面）と反対側の面（裏面）よりもモールド樹脂１２の外面に接近している。
【００２５】
このため、図３に示すように、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側のモールド樹脂１２の厚さが、集積回路チップ用リードフレーム２ｃの裏面側のモールド樹脂１２の厚さよりも薄くなっている。これにより、パワーチップ４で発生した熱はモールド樹脂１２の外方へ効率よく放出される。
【００２６】
上述した電力半導体装置では、後で説明するように、モールド工程においてパワーチップ側リード端子２ｂ側からモールド樹脂を注入する際に、リード段差部２ｅに沿って、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側に積極的にモールド樹脂が流し込まれる。
【００２７】
これによって、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側に比較的薄いモールド樹脂を、ボイドを発生させることなく高い充填性でもって形成することができる。しかも、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側に積極的にモールド樹脂が流し込まれるため、１回のモールド工程によって上述したモールド樹脂１２を形成でき、従来の製造工程と比較するとモールド工程を１工程分削減することができる。
【００２８】
また、集積回路チップ用リードフレーム２ｃの裏面側のモールド樹脂の厚さが、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側のモールド樹脂よりも厚いことによって、集積回路チップ６が電力半導体装置の外部からのノイズの影響を受けにくくなる。
【００２９】
さらに、電力半導体装置の放熱を効果的に行なうために、図２または図３に示されるパワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側のモールド樹脂１２に、たとえばアルミニウムなどからなる放熱フィン（図示せず）が設けられる。この場合には、その放熱フィンを介してノイズが電力半導体装置の集積回路チップ６に影響を及ぼすおそれがある。
【００３０】
そのような場合でも、集積回路チップ用リードフレーム２ｃの裏面側のモールド樹脂の厚さが十分に厚いことによって、集積回路チップ６がそのようなノイズの影響を受けることが抑制される。
【００３１】
また、パワーチップ用リードフレーム２ａの表面側のモールド樹脂の方が裏面側のモールド樹脂の厚さよりも厚いことによって、モールド樹脂を成型する際にパワーチップ用リードフレーム２ａの表面側におけるモールド樹脂が裏面側におけるモールド樹脂よりも収縮の程度が大きくなる。
【００３２】
その結果、図５に示すように、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面が接近しているモールド樹脂１２の外面が凸になるようにモールド樹脂１２が反ってしまう。
【００３３】
一方、モールド樹脂１２のこの外面のほぼ全面には、上述したように、放熱フィンが装着される。この放熱フィンにも、機械加工のばらつきに伴う反りがある。そして、モールド樹脂の反りの向きと反対側の向きに反っている放熱フィンがモールド樹脂１２の取付け穴１３に装着される場合には、パワーチップ用リードフレーム２ａの表面側におけるモールド樹脂１２に過度の応力が作用する結果、モールド樹脂１２にクラックが生じることがある。
【００３４】
このとき、図５に示すように、モールド樹脂１２の穴１１としてテーパ状の穴が形成されていることで、その応力が緩和されてモールド樹脂１２にクラックが生じるのを抑制することができる。なお、後述するように、この穴１１はモールド樹脂１２を成型する際に、リードフレームを固定するピンを覆うスリーブに対応する穴である。
【００３５】
次に、上述した電力半導体装置の製造方法について説明する。まず、たとえば図４に示されるように、パワーチップ用リードフレーム２ａ上にパワーチップ４をダイボンドにより搭載し、集積回路チップ用リードフレーム２ｃ上に集積回路チップ６をダイボンドにより搭載する。
【００３６】
次に、アルミニウム線１０のワイヤボンディングによって、パワーチップ４と所定の内部リードとを電気的に接続する。同様に、金線８のワイヤボンディングにより集積回路チップ６と所定の内部リードとを電気的に接続する。
【００３７】
このダイボンド工程では、パワーチップ用リードフレーム２ａは、リード段差部２ｅを介してパワーチップ側リード端子となるリードにつながれ、集積回路チップ用リードフレーム２ｃと略平行に配置されている。また、各パワーチップ用リードフレーム２ａと集積回路チップ用リードフレーム２ｃとはタイバー（図示せず）などによって繋がれている。
【００３８】
次に図６に示すように、金型となる上側キャビティ２１と下側キャビティ２２とでパワーチップ側リード端子２ｂとなるリードと、集積回路チップ側リード端子２ｄとなるリードを挟み込む。上側キャビティ２１のスリーブ２３に設けられた可動ピン２４と、下側キャビティ２２のスリーブ２５に設けられた可動ピン２６をそれぞれ可動させて、パワーチップ用リードフレーム２ａを挟み込んでこれを固定する。
【００３９】
パワーチップ側リード端子２ｂの側から樹脂注入ゲート（図示せず）により金型内にモールド樹脂を注入して、パワーチップ４および集積回路チップ６等を封止する。その後、可動ピン２４、２６を元の位置に戻す。このとき、モールド樹脂１２はまだ固まっていないので、各可動ピン２４、２６が各スリーブ２３、２５内に戻ると、可動ピン２４、２６が位置していた部分にはモールド樹脂が流れ込み、モールド樹脂１２には可動ピンの跡は残らない。
【００４０】
次に、図７に示すように、モールド樹脂１２が固まった段階で上側キャビティ２１と下側キャビティ２２とを取外す。このときには、モールド樹脂が固まっているため、モールド樹脂１２の表面にはスリーブ２３に対応する穴１１とスリーブ２５に対応する穴１２が残る。
【００４１】
その後、タイバーなどをカットし、パワーチップ側リード端子および集積回路チップ側リード端子となるリード端子を曲げることによって、図１に示す電力半導体装置が完成する。
【００４２】
上述した製造方法では、図６に示すように、樹脂注入ゲートから注入されるモールド樹脂がリード段差部２ｅによって、矢印３０に示すように、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側のモールド樹脂の厚さが比較的薄く形成されるべき部分へ積極的に流し込まれる。これにより、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側のモールド樹脂の充填性が向上し、モールド樹脂１２内にボイドが発生するのを抑制することができる。
【００４３】
このようにして、１回のモールド工程により所定のモールド樹脂１２を形成することができて、従来の製造工程と比較するとモールド工程を１工程分削減でき、生産コストの低減を図ることが可能となる。
【００４４】
また、特にスリーブ２３の形状に対応する穴１１として、テーパ状の穴１１がモールド樹脂１２の表面に残ることになる。これにより、上述したように、放熱フィンがモールド樹脂１２に装着される場合に、パワーチップ用リードフレーム２ａの表面側におけるモールド樹脂１２に作用する応力が緩和されて、モールド樹脂１２にクラックが生じるのを抑制することができる。
【００４５】
実施の形態２
本発明の実施の形態２に係る電力半導体装置について説明する。本電力半導体装置では、図８および図９に示すように、モールド樹脂１２の表面にはモールド樹脂が充填される方向と略直交する方向に沿って複数の穴１１が形成されている。パワーチップ用リードフレーム２ａと集積回路チップ用フレーム２ｃとを電気的に接続するアルミニウム線１０がその穴１１と穴１１との間に配設されている。
【００４６】
これ以外の構成については実施の形態１において説明した電力半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。この電力半導体装置も、実施の形態１において説明した方法と同様の方法により形成される。
【００４７】
この電力半導体装置では、実施の形態１において説明した電力半導体装置によって得られる効果に加えて、次のような効果を得ることができる。特に、図６に示されるモールド樹脂を充填する工程では、アルミニウム線１０が隣接するスリーブ２３の間に位置していることで、樹脂注入ゲート（図示せず）からモールド樹脂が注入される際に、アルミニウム線１０が抵抗となって、パワーチップ用リードフレーム２ａの表面側へモールド樹脂が流れ込むのを抑制することができる。
【００４８】
これにより、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側へ積極的にモールド樹脂を流し込むことができて、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側のモールド樹脂の充填性をさらに高めることができる。
【００４９】
また、アルミニウム配線１０をスリーブと取付け穴１３との間に位置させることでも、同様の効果を得ることができる。
【００５０】
実施の形態３
本発明の実施の形態３に係る電力半導体装置について説明する。本電力半導体装置は、図１０に示すように、パワーチップ用リードフレーム２ａの表面側のモールド樹脂１２の表面に穴１１が形成され、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側のモールド樹脂１２の表面には穴は形成されていない。これ以外の構成について、実施の形態１において説明した電力半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付しその説明を省略する。
【００５１】
次に上述した電力半導体装置の製造方法について説明する。まず、実施の形態１において説明したように、ダイボンド工程において、パワーチップ用リードフレーム２ａ上にパワーチップ４を、集積回路チップ用リードフレーム２ｃ上に集積回路チップ６をそれぞれ搭載する。そして、アルミニウム線１０のワイヤボンディングによって、パワーチップ４と所定の内部リードとを電気的に接続する。同様に、金線８のワイヤボンディングにより集積回路チップ６と所定の内部リードとを電気的に接続する。
【００５２】
次に図１１に示すように、金型となる上側キャビティ２１と下側キャビティ２２とでパワーチップ側リード端子２ｂとなるリードと、集積回路チップ側リード端子２ｄとなるリードを挟み込む。可動ピン２４およびスリーブ２３は上側キャビティ２１にのみ設けら、下側キャビティ２２には設けられていない。そのスリーブ２３に設けられた可動ピン２４を可動させて、パワーチップ用リードフレーム２ａの表面に接触させる。
【００５３】
パワーチップ側リード端子２ｂの側から樹脂注入ゲート２７により金型内にモールド樹脂を注入して、パワーチップ４および集積回路チップ６等を封止する。その後、可動ピン２４を元の位置に戻す。
【００５４】
次に、モールド樹脂１２が固まった段階で上側キャビティ２１と下側キャビティ２２とを取外す。このときにはモールド樹脂が固まっているため、モールド樹脂１２の表面にはスリーブ２３に対応する穴１１のみが残る。
【００５５】
その後、パワーチップ側リード端子および集積回路チップ側リード端子となるリード端子を曲げることによって、図１０に示す電力半導体装置が完成する。
【００５６】
この電力半導体装置では、実施の形態１において説明した電力半導体装置によって得られる効果に加えて、次のような効果を得ることができる。特に、図１１に示されるモールド樹脂を充填する工程では、樹脂注入ゲート２７から注入されるモールド樹脂がリード段差部２ｅにあたることで、パワーチップ用リードフレーム２ａには、矢印３１の向きの力が作用する。これにより、パワーチップ用リードフレーム２ａが可動ピン２４に押付けられることになる。
【００５７】
このため、パワーチップ用リードフレーム２ａを両側から可動ピンで挟むことなく、モールド樹脂をパワーチップ用リードフレーム２ａの表面側と裏面側とに充填することができる。
【００５８】
そして、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側には可動ピンとスリーブがないことで、この領域に流れ込むモールド樹脂の流動抵抗が、実施の形態１の電力半導体装置の場合よりも下がって、パワーチップ用リードフレーム２ａの裏面側におけるモールド樹脂の充填性をさらに高めることができる。
【００５９】
また、モールド工程において使用する１対のキャビティ（金型）のうち、一方のキャビティにのみ可動ピンを設け、他方のキャビティには可動ピンを設ける必要がないため、金型の構造を簡略にすることができて、メンテナンスをより容易に行うことができる。
【００６０】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００６１】
【発明の効果】
本発明の１つの局面における半導体装置によれば、電力用チップが搭載された第１フレーム部の面（表面）と反対側の面（裏面）が、集積回路チップが搭載された第２フレーム部の面（表面）と反対側の面（裏面）よりもモールド樹脂の外面に接近していることによって、モールド樹脂を第１フレーム部のリード端子側から注入してリードフレーム部をモールド樹脂によって封止する際に、リード段差部に沿って、第１フレーム部の裏面側に積極的にモールド樹脂が流し込まれる。これにより、第１フレーム部の裏面側に比較的薄いモールド樹脂を、ボイドを発生させることなく高い充填性でもって形成することができる。しかも、第１フレーム部の裏面側に積極的にモールド樹脂が流し込まれるため、１回のモールド工程によりリードフレーム部を封止することができ、工程削減を図ることが可能となる。また、モールド樹脂の表面にテーパを有する穴が形成されていることで、モールド樹脂が収縮することに伴って生じる反りの応力を緩和することができ、特に放熱フィンをモールド樹脂に装着する際にモールド樹脂が割れるのを抑制することができる。
【００６２】
好ましくは、穴はモールド樹脂が充填される方向と交差する方向に沿って複数形成され、モールド樹脂に形成された穴と穴との間に、第１フレーム部と第２フレーム部とを電気的に接続するワイヤが配設されていることで、モールド樹脂を注入する際に、ワイヤによって第１フレーム部の表面側に注入されるモールド樹脂の流れが妨げられ、第１フレーム部の表面側へのモールド樹脂の注入が抑制されて、その分を第１フレーム部の裏面側へ注入することができる。その結果、第１フレーム部の裏面側へのモールド樹脂の充填性をより高めることができる。
【００６３】
また好ましくは、穴は電力用チップが搭載された第１フレーム部の面の側のモールド樹脂にのみ形成されていることで、モールド樹脂を注入する際に、第１フレーム部には第１フレーム部の裏面から表面の方に向かう力が作用する。この力を受けて第１フレーム部は、金型の支持部材（ピン）に確実に接触して、第１フレーム部が支持されることになる。これにより、第１フレーム部を両側からピンで挟むことなく、モールド樹脂を第１フレーム部の表面側と裏面側とに充填することができるとともに、第１フレーム部の裏面側には金型のピンがないことで、この領域に流れ込むモールド樹脂の流動抵抗がより下がって、第１フレーム部の裏面側におけるモールド樹脂の充填性をさらに高めることができる。また、第１フレーム部を支持する金型のピンとしては、第１フレーム部の表面側のピンだけでよく、第１フレーム部の裏面側のピンを省くことができるため、金型の構造を簡略化することができるとともに、メンテナンス性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１に係る電力半導体装置の平面外観図である。
【図２】  図１に示す電力半導体装置の断面線ＩＩ−ＩＩにおける断面図である。
【図３】  図１に示す電力半導体装置の断面線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図である。
【図４】  図１に示す電力半導体装置の構造の側面透視図である。
【図５】  図１に示す電力半導体装置の反りを示す側面図である。
【図６】  同実施の形態において、電力半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図７】  同実施の形態において、図６に示す工程の後に行われる工程を示す断面図である。
【図８】  本発明の実施の形態２に係る電力半導体装置の断面図である。
【図９】  図８に示す電力半導体装置の内部構造を示す平面透視図である。
【図１０】  本発明の実施の形態３に係る電力半導体装置の断面図である。
【図１１】  同実施の形態において、電力半導体装置の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図１２】  従来の電力半導体装置の製造工程の一工程を示す平面図である。
【図１３】  図１２に示す工程の側面図である。
【図１４】  図１２に示す工程の後に行なわれる工程を示す平面図である。
【図１５】  図１４に示す工程における側面図である。
【図１６】  図１４に示す工程の後に行なわれる工程を示す平面図である。
【図１７】  図１６に示す工程における側面図である。
【図１８】  図１６に示す工程の後に行なわれる工程を示す平面図である。
【図１９】  図１８に示す工程における断面図である。
【図２０】  従来の電力半導体装置の外観を示す図であり、（ａ）は平面外観図を示し、（ｂ）は１つの側面外観図であり、（ｃ）は他の側面外観図である。
【符号の説明】
１  モールド樹脂、２ａ  パワーチップ用リードフレーム、２ｂ  パワーチップ側リード端子、２ｃ  集積回路チップ用リードフレーム、２ｄ  集積回路チップ側リード端子、２ｅ  リード段差部、４  パワーチップ、６  集積回路チップ、８  金線、１０  アルミニウム線、１１、１２  穴、１３  取付け穴、２１  上側キャビティ、２２  下側キャビティ、２３、２５  スリーブ、２４、２６  可動ピン、２７  樹脂ゲート。
【図１】
0004007741.tif 000002
【図２】
0004007741.tif 000003
【図３】
0004007741.tif 000004
【図４】
0004007741.tif 000005
【図５】
0004007741.tif 000006
【図６】
0004007741.tif 000007
【図７】
0004007741.tif 000008
【図８】
0004007741.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0004007741.tif 000011
【図１１】
0004007741.tif 000012
【図１２】
0004007741.tif 000013
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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