(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の板部材に電子部品を搭載して電子部品付き板部材を形成する電子部品取付工程と、
第２の板部材に、切り欠きが設けられたプリプレグを取り付けてプリプレグ付き板部材を形成するプリプレグ取付工程と、
このプリプレグ取付工程で形成された上記プリプレグ付き板部材を、上記電子部品付き板部材に積層する積層工程と、
この積層工程で積層された上記電子部品付き板部材および上記プリプレグ付き板部材に対して加熱すると共に加圧する加熱加圧工程と
を具え、
上記積層工程で上記プリプレグ付き板部材に上記電子部品付き板部材が積層された場合、上記切り欠きに上記電子部品が収容されることにより、上記電子部品と上記プリプレグとが離間し、上記加熱加圧工程での加熱により、当該電子部品がプリプレグに覆われる
ことを特徴とする電子部品ユニット製造方法。
【請求項２】
上記電子部品は、１５０［μｍ］以下の厚みでなるベアチップである
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品ユニット製造方法。
【請求項３】
上記切り欠きは、当該切り欠きの重心と、上記電子部品の重心とが一致されている状態で、当該電子部品と当該プリプレグとが離間している
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品ユニット製造方法。
【請求項４】
上記電子部品ユニットは、電子部品の一部として積層される前に、導通試験が行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品ユニット製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子部品ユニット製造方法に関し、例えば回路基板間に介挿されている層間部内にベアチップが収納された半導体モジュールに適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、図８に示すように、半導体モジュール１は、ベアチップ２を実装した両面銅張配線板（以下、これをベアチップ実装配線板と呼ぶ）３と、ベアチップ実装配線板３と積層用配線板４との間に介挿された層間部５とによって構成される。
【０００３】
この層間部５においては、ベアチップ実装配線板３と積層用配線板４との間にベアチップ２を収納した状態で介挿したプリプレグ（図示せず）を加熱することにより、当該加熱されたことに伴ってプリプレグが熱硬化する際の拡散によってベアチップ２を覆うと共に、ベアチップ実装配線板３と積層用配線板４とを気密性を保って一体接続して形成される。
【０００４】
この場合、半導体モジュール１は、ベアチップ２の熱膨張係数よりもベアチップ実装配線板３及び積層用配線板４の熱膨張係数が大きいので、層間部５を形成する際の加熱によって全体として反りが生じるものの、層間部５内にベアチップ２が収納されていると共に、ベアチップ２の厚み６に比して層間部５の厚み７が大きく選定されていることにより、当該反り量を低減し得るようになされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、かかる構成の半導体モジュール１においては、反り量を低減するためにベアチップ２の厚み６に比して層間部５の厚み７が大きく選定されている分、全体として軽薄化するには未だ不十分であり、また単に層間部５の厚み７を薄くしたのでは、却って反り量を増大させてしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、従来に比して反り量を低減し、かつ軽薄化し得る電子部品ユニット製造方法を提案しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため本発明は、第１の板部材に電子部品を搭載して電子部品付き板部材を形成し、第２の板部材に、切り欠きが設けられたプリプレグを取り付けてプリプレグ付き板部材を形成し、このプリプレグ取付工程で形成されたプリプレグ付き板部材を、電子部品付き板部材に積層し、この積層工程で積層された電子部品付き板部材およびプリプレグ付き板部材に対して加熱すると共に加圧する。かかるプリプレグ付き板部材に電子部品付き板部材が積層された場合には、切り欠きに電子部品が収容されることにより、電子部品とプリプレグとが離間するようにし、加熱により当該電子部品がプリプレグに覆われるようにした。
【０００９】
従って本発明では、２つのプリント基板間にプリプレグを介して電子部品を実装する場合に比して、当該プリント基板の有機部材に相当する部分を省く分だけ反り量を低減しつつ軽薄化できる。また、プリプレグを切り欠いて積層するため、当該プリプレグを切り欠くことなく積層する場合に比して、積層する際の加圧量を低減しつつ軽薄化も可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下図面について、本発明の一実施の形態を詳述する。
【００１４】
図１〜図５において、本発明を適用した半導体モジュール５０（図５）の製造工程を段階的に示し、第１段階（図１（Ａ）上段）として、半導体モジュール製造装置（図示せず）は、有機部材１１と導電性銅箔板１２及び１３とでなるプリント基板１４のうち、当該導電性銅箔板１２に相当する銅箔板（以下、これをベアチップ実装用銅箔板と呼ぶ）２０（図１（Ａ）下段）を選定し、当該選定したベアチップ実装用銅箔板２０の一面２０Ａの所定位置にスタッドバンプ２１Ａ及び２１Ｂを形成する。
【００１５】
第２段階（図１（Ｂ））として、半導体モジュール製造装置は、ベアチップ実装用銅箔板２０の一面２０Ａの中心ＣＥを通る軸線（以下、これを基準中心線と呼ぶ）ＡＬに異方性導電膜２２の重心ＣＯＧを一致させた状態で、当該一面２０Ａに異方性導電膜２２を載置する。
【００１６】
第３段階（図１（Ｃ））として、半導体モジュール製造装置は、ベアチップ２３の重心ＣＯＧ１を基準中心線ＡＬに一致させた状態で矢印ａ方向からベアチップ２３を熱圧着することにより、スタッドバンプ２１Ａ、２１Ｂ及び異方性導電膜２２を介してベアチップ実装用銅箔板２０の一面２０Ａの中心にベアチップ２３を均等に接合（いわゆるフリップチップ実装）する。
【００１７】
この場合、半導体モジュール製造装置は、有機部材１１を有するプリント基板１４（図１（Ａ）上段）を用いることなく、当該有機部材１１よりも熱膨張係数が格段に小さい導電性銅箔板１２に相当するベアチップ実装用銅箔板２０を用いていることにより、加熱によるベアチップ実装用銅箔板２０自体の反りをほぼ回避し得るようになされている。
【００１８】
第４段階（図２（Ｄ））として、まず半導体モジュール製造装置は、ベアチップ実装用銅箔板２０と同形同厚でなる銅箔板（以下、これを積層用銅箔板と呼ぶ）２４を選定し、当該選定した積層用銅箔板２４の一面２４Ａの所定位置に三角錐状の導電ペースト２５Ａ及び２５Ｂを当該一面２４Ａに対してほぼ垂直に接続する。
【００１９】
次いで半導体モジュール製造装置は、積層用銅箔板２４の一面２４Ａ（すなわちベアチップ実装用銅箔板２０の一面２０Ａ）と同面積でなると共に、ベアチップ実装用銅箔板２０の一面からベアチップ２３の回路形成面に対向する対向面２３Ａ（図１（Ｃ））までの厚みｔｈとほぼ同厚ｔｈ１でなるガラスエポキシ材質のプリプレグ２６を選定する。
【００２０】
そして半導体モジュール製造装置は、プリプレグ２６の重心ＣＯＧ２を基準中心線ＡＬに一致させた状態で、当該プリプレグ２６を導電ペースト２５Ａ及び２５Ｂ上に載置する。
【００２１】
従って第５段階（図２（Ｅ））として、半導体モジュール製造装置は、矢印ａ方向からプリプレグ２６を加圧すると、プリプレグ２６の重心ＣＯＧ２が積層用銅箔板２４の一面２４Ａの中心ＣＥ１を通る軸線に一致されている状態で導電ペースト２５Ａ及び２５Ｂへプリプレグ２６を差し込み得るようになされている。
【００２２】
ここで、半導体モジュール製造装置は、積層用銅箔板２４の一面２４Ａから頂点ａｐ１及びａｐ２までの長さｄｉｓがプリプレグ２６の厚みｔｈ１よりも僅かに長い導電ペースト２５Ａ及び２５Ｂを選定し、その導電ペースト２５Ａ及び２５Ｂへプリプレグ２６を当該積層用銅箔板２４の一面２４Ａに当接するまで差し込むことにより、プリプレグ２６から突出した突出部２７Ａ及び２７Ｂを予め形成しておくようになされている。
【００２３】
これに加えて半導体モジュール製造装置は、上述の第４段階で導電ペースト２５Ａ及び２５Ｂ上にプリプレグ２６を載置する前に、プリプレグ２６の重心ＣＯＧ２を基準にして、ベアチップ２３（図１（Ｃ））の体積に応じて当該プリプレグ２６の一部を除去することにより、当該ベアチップ２３の体積よりも僅かに大きいベアチップ被覆空間ｖ１を予め形成した後に導電ペースト２５Ａ及び２５Ｂへプリプレグ２６を差し込むようになされている。
【００２４】
従って、第６段階（図２（Ｆ））として、半導体モジュール製造装置は、ベアチップ実装用銅箔板２０の一面２０Ａに積層用銅箔板２４の一面２４Ａを対向させると共に、ベアチップ２３の重心ＣＯＧ１とプリプレグ２６の重心ＣＯＧ２とを基準中心線ＡＬに一致させた状態で矢印ａ方向から積層用銅箔板２４を加圧すると、ベアチップ被覆空間ｖ１を介してベアチップ２３を互いに干渉させずに収納し得、これによりベアチップ２３とプリプレグ２６とを少ない加圧力で加圧し得ると共に、基準中心線ＡＬからプリプレグ２６の重心ＣＯＧ１をずらすことなく加圧し得るようになされている。
【００２５】
第７段階（図３（Ｇ））として、半導体モジュール製造装置は、重心ＣＯＧ１及びＣＯＧ２が互いにほぼ一致するまで加圧すると、ベアチップ実装用銅箔板２０の一面２０Ａの中心ＣＥと、積層用銅箔板２４の一面２４Ａの中心ＣＥ１と、ベアチップ２３の重心ＣＯＧ１及びプリプレグ２６の重心ＣＯＧ２とがそれぞれ基準中心線ＡＬに一致されている状態で、当該ベアチップ実装用銅箔板２０上にプリプレグ２６を介して積層用銅箔板２４を積層し得るようになされている。
【００２６】
このとき導電ペースト２５Ａ及び２５Ｂの突出部２７Ａ及び２７Ｂは、矢印ａ方向から押し潰され、その結果、ベアチップ実装用銅箔板２０と積層用銅箔板２４とを電気的に接続し得るようになされている。
【００２７】
この状態において、第８段階（図３（Ｈ））として、半導体モジュール製造装置は、熱硬化特性を有するプリプレグ２６を真空雰囲気中で所定温度に加熱すると、当該プリプレグ２６が熱硬化する際の拡散によって速やかに隙間ｃｉｒ（図３（Ｇ））へ拡散してベアチップ２３を覆うと共に、ベアチップ実装用銅箔板２０と積層用銅箔板２４とを気密性を保って一体接続して層間部３０となる。
【００２８】
このとき熱溶融性を有する導電ペースト２５Ａ及び２５Ｂは、加熱に伴って熱硬化特性を有するプリプレグ２６とは逆に溶融するが、当該プリプレグ２６の拡散によって導電ペースト２５Ａ及び２５Ｂの表面が圧迫されながら溶融することにより、結果的にほぼ円柱形状に整形される。
【００２９】
かかる層間部３０は、熱膨張係数の小さいベアチップ２３を覆っていることにより構造上の強度を増益し得るようになされていることに加え、当該層間部３０の重心ＣＯＧ２にベアチップ２３の重心ＣＯＧ１が一致された状態で被覆していることにより構造上の強度を均一に増益し得るようになされている。
【００３０】
そして半導体モジュール製造装置は、加熱後に常圧常温に戻して導電ペースト２５Ａ及び２５Ｂを硬化させることにより、電気的に接続されているベアチップ実装用銅箔板２０と積層用銅箔板２４とを機械的にも接続し得るようになされている。
【００３１】
このように半導体モジュール製造装置は、熱硬化性部材の熱硬化特性を利用してベアチップ実装用銅箔板２０と積層用銅箔板２４とを一体接続した層間部３０を形成する工程と同時平行してベアチップ実装用銅箔板２０と積層用銅箔板２４とを電気的及び機械的に接続し得るようになされている。
【００３２】
第９段階（図３（Ｉ））として、半導体モジュール製造装置は、ベアチップ実装用銅箔板２０の他面２０Ｂ及び積層用銅箔板２４の他面２４Ｂに対して、エッチングレジスト処理及び湿式エッチング処理を順次施して所定の配線３２Ａ及び３２Ｂを形成することにより、半導体モジュールの一部となる半導体ユニット４０を製造する。
【００３３】
この場合、半導体モジュール製造装置は、第８段階（図３（Ｈ））で形成した層間部３０を土台として配線３２Ａ及び３２Ｂを形成していることにより、極薄なベアチップ実装用銅箔板２０及び積層用銅箔板２４に対してエッチングレジスト処理又は湿式エッチング処理によって生じるベアチップ実装用銅箔板２０及び積層用銅箔板２４自体の反りをほぼ回避し得るようになされている。
【００３４】
ここで、半導体モジュール製造装置は、ベアチップ実装用銅箔板２０と積層用銅箔板２４とを電気的及び機械的に接続しているので、半導体ユニット４０に対して例えばバーイン試験等の導通検査を行って半導体ユニット４０の導通状態やベアチップ２３の動作状態を検査し得るようになされている。
【００３５】
そして半導体モジュール製造装置は、かかる動作検査の検査結果として良好であると判定された半導体ユニット４０のみを後工程で用いることにより、半導体モジュールの一部となる半導体ユニット４０単体の導通信頼性を予め確保し得るようになされている。
【００３６】
ここで、半導体モジュール製造装置は、かかる半導体ユニット４０におけるベアチップ２３の厚みを１５０μｍ以下に選定するようになされている。この理由としては、ベアチップ２３自体の一般的な機能を確保しつつ薄型化し得る最低の厚みが一般的には１５０μｍであり、薄型化傾向にあるベアチップに対する技術開発の今後の発展をも考慮して１５０μｍ以下とすることにより、半導体ユニット４０全体としての薄型化を極力実現し得るようになされている。
【００３７】
第１０段階（図４（Ｊ））として、まず、半導体モジュール製造装置は、積層用銅箔板２４の配線３２Ｂに、三角錐状の導電ペースト４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ及び４１Ｄを当該配線３２Ｂに対してほぼ垂直に接続する。
【００３８】
次いで、半導体モジュール製造装置は、積層用銅箔板２４の他面２４Ｂ（すなわちベアチップ実装用銅箔板２０の一面２０Ａ）と同様の面積でなるガラスエポキシ材質のプリプレグ４２の重心ＣＯＧ３を基準中心線ＡＬ上に一致させた状態で、当該プリプレグ４２を導電ペースト４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ及び４１Ｄ上に載置する。
【００３９】
第１１段階（図４（Ｋ））として、半導体モジュール製造装置は、矢印ａ方向からプリプレグ４２を加圧することにより、積層用銅箔板２４の他面２４Ｂ（すなわちベアチップ実装用銅箔板２０の一面２０Ａ）の中心に合わせてプリプレグ４２を導電ペースト４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ及び４１Ｄに差し込む。
【００４０】
ここで、半導体モジュール製造装置は、プリプレグ２６（図２（Ｅ））の厚みｔｈ１とほぼ同厚のプリプレグ４２を用いると共に、導電ペースト２５Ａ及び２５Ｂの長さｄｉｓ（図２（Ｅ））とほぼ同長の導電ペースト４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ及び４１Ｄを用いるようになされている。
【００４１】
従って半導体モジュール製造装置は、上述の第５段階（図２（Ｅ））と同様に、積層用銅箔板２４の他面２４Ｂにプリプレグ４２が当接するまで導電ペースト４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ及び４１Ｄに差し込むと、当該導電ペースト４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ及び４１Ｄの頂点付近がプリプレグ４２から突出される。
【００４２】
第１２段階（図４（Ｌ））として、半導体モジュール製造装置は、上述の第１段階（図１（Ａ））から第９段階（図３（Ｉ））までの工程と同様にして製造されると共に、動作検査の検査結果として良好であると判定された半導体ユニット４５を導電ペースト４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ及び４１Ｄ上に載置する。
【００４３】
次いで、半導体モジュール製造装置は、半導体ユニット４５におけるベアチップ４６の重心ＣＯＧ４を基準中心線ＡＬ上に一致させると共に、半導体ユニット４５の配線４７と導電ペースト４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ及び４１Ｄとを対応させた状態で、矢印ａ方向から当該半導体ユニット４５を加圧することにより、半導体ユニット４０と半導体ユニット４５とを電気的に接続する。
【００４４】
第１３段階（図５（Ｍ））として、半導体モジュール製造装置は、熱硬化特性を有するプリプレグ４２（図４（Ｌ））を真空雰囲気中の所定温度で加熱すると、当該プリプレグ４２が熱硬化する際の拡散によって速やかに半導体ユニット４０とプリプレグ４２との間、及び半導体ユニット４５とプリプレグ４２との間に拡散しながら半導体ユニット４０と半導体ユニット４５とを気密性を保って一体接続してユニット接合部４８となる。
【００４５】
このとき半導体モジュール製造装置は、上述の第８段階（図３（Ｈ））と同様に、導電ペースト４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ及び４１Ｄの形状をほぼ円柱形状に整形させながらユニット接合部４８を形成する。
【００４６】
次いで、半導体モジュール製造装置は、加熱後に常圧常温に戻して導電ペースト４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ及び４１Ｄを硬化させることにより、電気的に接続されている半導体ユニット４０と半導体ユニット４５とを機械的にも接続する。
【００４７】
かくして、半導体モジュール製造装置は、半導体ユニット４０と半導体ユニット４５とを導電ペースト４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄ及びユニット接合部４８を介して全体として電気的及び機械的に接続することにより、半導体モジュール５０を製造し得るようになされている。
【００４８】
以上の半導体モジュール製造方法において、まず、半導体モジュール製造装置は、本来プリント基板１４として有機部材１１に設けらるべき導電性銅箔板１２（１３）に相当するベアチップ実装用銅箔板２０及び積層用銅箔板２４を選定する（第１段階（図１（Ａ））・第４段階（図２（Ｄ）））。
【００４９】
次いで半導体モジュール製造装置は、ベアチップ実装用銅箔板２０と積層用銅箔板２４との間における接続を仲介するためのプリプレグ２６を選定する（第５段階（図２（Ｅ）））。
【００５０】
そして半導体モジュール製造装置は、ベアチップ実装用銅箔板２０と積層用銅箔板２４との間に介挿したプリプレグ２６の熱硬化特性を利用して当該プリプレグ２６の熱硬化によってベアチップ実装用銅箔板２０に実装されたベアチップ２３を覆うと共に、当該ベアチップ実装用銅箔板２０と積層用銅箔板２４とを一体接続して（層間部３０が形成される）半導体ユニット４０を製造した（第６段階（図２（Ｆ）〜第８段階（図３（Ｈ））。
【００５１】
従って半導体モジュール製造装置は、従来の半導体モジュール１（図８）におけるベアチップ実装用配線板３のうち有機部材１１（図１（Ａ））に相当する厚み分が回避されている分、半導体モジュール１よりも軽薄化すると共に、ベアチップ２３の材質と近いベアチップ実装用銅箔板２０及び積層用銅箔板２４を用いているので熱膨張係数の差分も殆どなく、従って半導体モジュール１におけるベアチップ実装用配線板３及び積層用配線板４とベアチップ２との熱膨張係数の差分よりも格段に小さいことにより、従来のように層間部３０の厚みに依存することなく全体として反り量を低減した半導体ユニット４０を製造することができる。
【００５２】
これに加えて半導体モジュール製造装置は、半導体ユニット４０のうち層間部３０（プリプレグ２６）の厚みｔｈ１（図２（Ｄ））をベアチップ実装用銅箔板２０（図１（Ｃ））の一面からベアチップ２３の回路形成面に対向する対向面２３Ａまでの厚みｔｈ（図２（Ｃ））とほぼ同厚ｔｈ１でなるプリプレグ２６を選定した。
【００５３】
従って半導体モジュール製造装置は、ベアチップ実装用銅箔板２０と積層用銅箔板２４との間の厚みを最低限確保しなければならない分の厚みｔｈ１としているので、半導体モジュール１における層間部５の厚みよりも低減していることにより、半導体モジュール１よりも一段と軽薄化した半導体ユニット４０を製造することができる。
【００５４】
また半導体モジュール製造装置は、半導体ユニット４０上に導電性部材４１Ａ〜４１Ｄ及びプリプレグ４２を介して半導体ユニット４５を積層した後、当該プリプレグ４２を加熱することにより、当該プリプレグ４２の熱硬化によって半導体ユニット４０と半導体ユニット４５とを一体接続して（ユニット接合部４８が形成される）半導体モジュール５０を製造した。
【００５５】
従って半導体モジュール製造装置は、半導体ユニット４０に半導体ユニット４５を積層した際に、当該個々の半導体ユニット４０及び４５における反りによって生じる余分な厚みを回避することができることに加え、半導体ユニット４０及び４５自体を軽薄化していることにより、従来の半導体モジュール１に当該半導体モジュール１と同じ半導体モジュール１を積層した場合に比して、半導体モジュール５０全体としても軽薄化すると共に、反り量をも低減することができる。
【００５６】
さらに、半導体モジュール製造装置は、半導体ユニット４０及び４５を作製した後に所定の導通検査を行って導通状態が良好な検査結果が得られた当該半導体ユニット４０及び４５のみを用いて半導体モジュール５０を製造するようにした。
【００５７】
従って半導体モジュール製造装置は、半導体ユニット４０に半導体ユニット４５を積層する前に、半導体ユニット４０及び４５単体の導通信頼性を予め確保し得るので、導通状態の良好な半導体モジュール５０のみを製造することができ、かくして、歩留りを向上することができる。
【００５８】
以上のような半導体モジュール製造方法によって製造された半導体ユニット４０は、本来プリント基板１４として有機部材１１に設けらるべきベアチップ実装用銅箔板２０及び積層用銅箔板２４と、ベアチップ実装用銅箔板２０の一面２０Ａと積層用銅箔板２４の一面２４Ａとの間にベアチップ２３とほぼ同厚に選定されて介挿され、加熱に伴ってベアチップ実装用銅箔板２０の一面２０Ａに実装されたベアチップ２３を覆うと共に、ベアチップ実装用銅箔板２０と積層用銅箔板２４とを一体接続して形成された層間部３０とによって構成するようにした。
【００５９】
従って半導体ユニット４０は、プリント基板１４を用いて半導体ユニットを構成する場合に比して当該有機部材１１に相当する分の厚みを軽薄化できると共に、ベアチップ実装用銅箔板２０及び積層用銅箔板２４がベアチップ２３の熱膨張係数に近いので加熱によって生じるベアチップ実装用銅箔板２０、層間部３０及び積層用銅箔板２４全体としての反り量を従来のように層間部５（図８）の厚みに依存することなく低減することができる。
【００６０】
なお上述の実施の形態においては、第１の金属板及び第２の金属板としてのベアチップ実装用銅箔板２０及び積層用銅箔板２４を選定する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、プリント基板１４の厚みよりも薄厚であると共に、ベアチップ２３の熱膨張係数に近いものであれば、この他種々の第１の金属板及び第２の金属板を選定するようにしても良い。
【００６１】
また上述の実施の形態においては、表面実装部品としてのベアチップ２３をベアチップ実装用銅箔板２０に実装する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばトランジスタやダイオード等、この他の種々の表面実装部品を幅広く用いることができる。
【００６２】
また上述の実施の形態においては、表面実装部品としてのベアチップ２３をベアチップ実装用銅箔板２０の一面２０Ａにフリップチップ実装する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばワイヤボンディング実装等、この他種々の実装手段によってベアチップ２３をベアチップ実装用銅箔板２０の一面２０Ａに実装するようにしても良い。
【００６３】
さらに上述の実施の形態においては、熱硬化性部材としてのガラスエポキシ材質でなるプリプレグ２６及び４２の熱硬化特性を利用して層間部３０及び４６を形成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ポリフェニレンエーテル又はビスマレイミドトリアジン材質でなるプリプレグの熱硬化特性を利用して層間部を形成するようにしても良く、この他種々の材質でなる熱硬化性部材の熱硬化特性を利用して層間部を形成するようにしても良い。
【００６４】
この場合、特に、ポリフェニレンエーテル又はビスマレイミドトリアジン材質でなるプリプレグは、ガラスエポキシ材質でなるプリプレグ２６又は４２に比して熱膨張係数が低いので、半導体ユニット４０、４５又は半導体モジュール５０全体としての反り量を一段と低減できる。
【００６５】
さらに上述の実施の形態においては、ベアチップ２３が実装されたベアチップ実装用銅箔板２０と積層用銅箔板２４とを一体形成させた後に、層間部３０を土台として配線３２Ａを形成する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、ベアチップ２３を実装する前に、例えば図２（Ｃ）との対応部分に同一符号を付して示す図６のように、土台部材５５をベアチップ実装用銅箔板２０の他面２０Ｂに接着した後、当該土台部材５５を土台として配線３２Ａを形成してからベアチップ２３実装し、続いて上述の第６段階（図２（Ｆ））で積層用基板２４を積層するときに当該土台部材５５をベアチップ実装用銅箔板２０の他面２０Ｂから剥がすようにしても良い。
【００６６】
この場合、半導体モジュール製造装置は、極薄なベアチップ実装用銅箔板２０に対してエッチングレジスト処理又は湿式エッチング処理を施す際に生じるベアチップ実装用銅箔板２０自体に生じる反りを回避できるのみならず、当該ベアチップ２３を実装する際の加圧によってベアチップ実装用銅箔板２０自体に生じる反りをも効果的に回避することができる。
【００６７】
さらに上述の実施の形態においては、半導体ユニット４０上にプリプレグ４２を介して半導体ユニット４５を積層することによって半導体装置としての半導体モジュール５０を製造する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、図５との対応部分に同一符号を付して示す図７のように、金属箔６３との間に、導電ペースト６１Ａ〜６１Ｄにプリプレグ６４が差し込まれた金属箔６２と、導電ペースト６１Ｅ〜６１Ｈにプリプレグ６５が差し込まれた金属箔６３との間に２つの半導体モジュール５０を互いに隣接した状態で介挿した半導体装置７０（図７（Ａ））や、金属箔７２上に２つの半導体装置７０及び金属箔７３を順次積層した半導体装置８０（図７（Ｂ））等、半導体ユニットの種々の組み合わせによって種々の半導体装置を幅広く製造することができる。
【００６８】
この場合、半導体モジュール製造装置は、上述の第１段階（図１（Ａ））から第９段階（図３（Ｉ））までの工程を順次繰り返すことにより、当該軽薄化されていると共に反りが低減された複数の半導体ユニットを製造しておき、それら半導体ユニットそれぞれに対して予め導通検査を行い、当該検査結果として導通状態が良好な半導体ユニットのみを用いて任意に組み合わせることにより、全体として軽薄化すると共に、反り量も低減した種々の半導体装置を製造することができることに加え、歩留りをも向上することができる。
【００６９】
さらにこの場合、半導体モジュール製造装置は、半導体ユニットを最小単位とし、その半導体ユニットの任意の組み合わせによって半導体装置を製造しているので、半導体装置内の一部のベアチップの変更があった場合においても、半導体装置全体の配線を変更せずに、当該ベアチップの変更があった半導体ユニットのみの配線を変更するだけで良く、従って、ベアチップ変更による配線変更を必要最小限で柔軟に対応することができる。
【００７０】
【発明の効果】
上述のように本発明は、第１の板部材に電子部品を搭載して電子部品付き板部材を形成し、第２の板部材に、切り欠きが設けられたプリプレグを取り付けてプリプレグ付き板部材を形成し、このプリプレグ取付工程で形成されたプリプレグ付き板部材を、電子部品付き板部材に積層し、この積層工程で積層された電子部品付き板部材およびプリプレグ付き板部材に対して加熱すると共に加圧する。かかるプリプレグ付き板部材に電子部品付き板部材が積層された場合には、切り欠きに電子部品が収容されることにより、電子部品とプリプレグとが離間するようにし、加熱により当該電子部品がプリプレグに覆われるようにした。
【００７１】
本発明によれば、２つのプリント基板間にプリプレグを介して電子部品を実装する場合に比して、当該プリント基板の有機部材に相当する部分を省く分だけ反り量を低減しつつ軽薄化できる。また、プリプレグを切り欠いて積層するため、当該プリプレグを切り欠くことなく積層する場合に比して、積層する際の加圧量を低減しつつ軽薄化も可能となる。
【００７２】
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体モジュールの製造工程（１）を示す略線的断面図である。
【図２】半導体モジュールの製造工程（２）を示す略線的断面図である。
【図３】半導体モジュールの製造工程（３）を示す略線的断面図である。
【図４】半導体モジュールの製造工程（４）を示す略線的断面図である。
【図５】半導体モジュールの製造工程（５）を示す略線的断面図である。
【図６】配線を形成する際の説明に供する略線的断面図である。
【図７】他の実施の形態による半導体装置を示す略線的断面図である。
【図８】従来の半導体モジュールを示す略線的断面図である。
【符号の説明】
２０……ベアチップ実装用銅箔板、２３、４６……ベアチップ、２４……積層用銅箔板、２５Ａ、２５Ｂ、４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄ、６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｃ、６１Ｄ、６１Ｅ、６１Ｆ、６１Ｇ、６１Ｈ……導電ペースト、２６、４２６４、６５……プリプレグ、３０……層間部、４０、４５……半導体ユニット、４８……ユニット接合部、５０……半導体モジュール、６２、６３、７２、７３……金属箔、７０、８０……半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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