(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
３つのリード端子を持つ基板またはリードフレームのマウント部に搭載する半導体発光素子と、この半導体発光素子を前記基板またはリードフレームに導通させる導通回路と、前記基板またはリードフレームのマウント部を含めて前記半導体発光素子及び導通回路を封止する封止樹脂とを備えた半導体発光装置であって、前記マウント部にトランジスター素子を導通搭載するとともに、前記トランジスター素子の上面に前記半導体発光素子を導通搭載し、前記３つのリード端子のうち、第１の端子は前記トランジスター素子の下面に形成したコレクタ電極に導通され、第２の端子は前記トランジスター素子のベース電極に導通され、第３の端子は前記半導体発光素子のアノード電極に導通され、前記トランジスター素子により、前記半導体発光素子への通電をオン・オフすることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
３つのリード端子を持つ基板またはリードフレームのマウント部に搭載する半導体発光素子と、この半導体発光素子を前記基板またはリードフレームに導通させる導通回路と、前記基板またはリードフレームのマウント部を含めて前記半導体発光素子及び導通回路を封止する封止樹脂とを備えた半導体発光装置であって、前記マウント部にトランジスター素子を導通搭載するとともに、前記トランジスター素子の上面に前記半導体発光素子を導通搭載し、前記３つのリード端子のうち、第１の端子は前記トランジスター素子の下面に形成したコレクタ電極に導通され、第２の端子は前記トランジスター素子のベース電極に導通され、第３の端子は前記半導体発光素子のカソード電極に導通され、前記トランジスター素子により、前記半導体発光素子への通電をオン・オフすることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
前記トランジスター素子は、ｐｎｐ型トランジスター素子であり、このトランジスター素子のエミッタ電極と前記半導体発光素子のカソード電極とが、マイクロバンプを介して接合されていることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記トランジスター素子は、ｎｐｎ型トランジスター素子であり、このトランジスター素子のエミッタ電極と前記半導体発光素子のアノード電極とが、マイクロバンプを介して接合されていることを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子の結晶基板をｐ型結晶基板または絶縁性結晶基板とし、この結晶基板側を光取出し面としたことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、III−V族化合物半導体発光素子を備える半導体発光装置に係り、特に半導体発光素子の単体毎にこれを多機能化するための機能素子を備えた構成の半導体発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
III−V族化合物半導体発光素子には、大きく別けて３タイプの２つの主面を有する結晶基板が用いられている。タイプ１はｎ型結晶基板を用いるもの、タイプ２はｐ型結晶基板を用いるもの、タイプ３は絶縁性結晶基板を用いるものである。タイプ１の場合は、ｎ型結晶基板の第１主面側上にエピタキシャル成長法によりｎ型層を形成し、その上にエピタキシャル法または拡散法によりｐ型層を形成した後、第２主面の基板側にｎ電極と第１主面上のｐ型層の上にｐ電極を形成して半導体発光素子を得るというものである。また、タイプ２の場合は、ｐ型結晶基板の第１主面の上にエピタキシャル成長法によりｐ型層さらにその上にｎ型層を形成した後、第２主面の基板側にｐ電極と第１主面上のｎ型層の上にｎ電極を形成して半導体発光素子を得る。そして、これらの半導体発光素子は、チップ化された後に、結晶基板側を下にしてリードフレーム等のマウント部上にＡｇペーストを介して搭載固定され、一方の極のリードに接続される。また、他方の極のリードは第１主面側に形成された電極とＡｕワイヤによって接続される。この場合、光の取出しは第１主面側から行われる。
【０００３】
更に、タイプ３は、窒化ガリウム系化合物半導体に用いられており、一般的には絶縁性のサファイア基板が用いられている。このサファイアのような絶縁性の結晶基板を用いる場合では、結晶基板側から電極を出すことができないので、半導体層に設けるｐ，ｎの電極は結晶基板と対向する側の一面に形成されることになる。
【０００４】
たとえば、ＧａＮ系化合物半導体を利用した半導体発光素子は、絶縁性の基板としてサファイア基板を用いてその上面にｎ型層及びｐ型層を有機金属気相成長法によって積層形成し、ｐ型層の一部をエッチングしてｎ型層を露出させ、これらのｎ型層とｐ型層のそれぞれにｎ側電極及びｐ側電極を形成するというものがその基本的な構成である。そして、ｐ側電極を透明電極とした場合であれば、これらのｐ側及びｎ側の電極にそれぞれボンディングパッド部を形成して、リードフレームや基板にそれぞれワイヤボンディングされる。
【０００５】
一方、サファイア基板側から光を取り出すようにしたフリップチップ型の半導体発光素子の場合は、電極を形成した側をリードフレーム等の搭載面としてマウントされるいわゆるフェースダウン方式のものが既に提案されている。これは、ｎ側及びｐ側の電極のそれぞれに形成したマイクロバンプを介して、搭載面側のｐ側及びｎ側の電極に接合するようにしたものである。そして、半導体発光素子に通電されたときには、半導体積層膜中のたとえばＩｎＧａＮ活性層が発光層となり、この発光層からの光がサファイア基板及びｐ側電極の両方向へ向かう。この場合、ｐ側電極を光透過しない反射型の積層膜としておくことにより、サファイア基板の上面からの発光輝度を最大としてこの面を主光取出し面とすることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
窒化ガリウム系化合物半導体のＬＥＤ素子だけでなく、従来から一般に知られているＬＥＤ素子は、通電の期間では継続して一様に発光するだけで、その発光輝度も動作電圧によって或る範囲で変化するだけである。すなわち、通電及びその停止のみが制御される系では、ＬＥＤ素子は一定の時間的な間隔をおいて点滅動作したりすることはできない。このため、たとえばＬＥＤの点滅表示を繰り返すような大型パネルディスプレイ等の場合、ＬＥＤをオン・オフさせる外付けのドライバー回路が必要となり、回路が大幅に複雑になる。たとえば、室内用のパネルディスプレイの場合、外光の影響があまりないので、ＬＥＤの輝度はさほど必要ではないが、屋外用のパネルディスプレイの場合は、外光の影響のために高いＬＥＤの輝度が要求される。この場合、ＬＥＤの点滅の制御方式は、スタティック点灯方式を採っているので、ＬＥＤランプ毎にドライブ用のトランジスターが必要になる。
【０００７】
しかしながら、ＬＥＤ素子の数と同じトランジスターを別配置とするアセンブリとするのでは、一つのパネルディスプレイに対しての部品点数が少なくとも２倍となり、そのアセンブリに必要な時間も増えることになる。また、部品点数の増加は、各部材の故障頻度も上がる傾向となるだけでなく、回路系の保守点検にも大きな負担を伴うことになる。
【０００８】
このように、従来の半導体発光素子では、点滅動作等の機能を付加しようとする場合、半導体発光素子とは別体としてトランジスターを利用するのでは、部品点数の増加による障害が大きい。
【０００９】
本発明において解決すべき課題は、半導体発光素子を多機能化するための第２の素子を付帯して、簡単な回路構成により点滅等の動作が可能な半導体発光装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板またはリードフレームのマウント部に搭載する半導体発光素子と、この半導体発光素子を前記基板またはリードフレームに導通させる導通回路と、前記基板またはリードフレームのマウント部を含めて前記半導体発光素子及び導通回路を封止する封止樹脂とを備えた半導体発光装置であって、前記マウント部にトランジスター素子を導通搭載するとともに、前記トランジスター素子の上面に前記半導体発光素子を導通搭載し、前記トランジスター素子により、前記半導体発光素子への通電をオン・オフすることを特徴とする。
【００１１】
この構成では、半導体発光装置の単体自身に、トランジスターからなるドライバーを内蔵しているので、外部にドライバー用のトランジスターを設けることなく、発光装置の制御端子にＴＴＬレベルまたはＣＭＯＳレベルの矩形波を加えることにより、半導体発光素子の点滅動作が可能となる。また、トランジスター素子を機能素子に置き換え、発振回路とトランジスターのドライバーをも内蔵することにより、点滅動作が自身で可能な発光装置とすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
請求項１に記載の発明は、３つのリード端子を持つ基板またはリードフレームのマウント部に搭載する半導体発光素子と、この半導体発光素子を前記基板またはリードフレームに導通させる導通回路と、前記基板またはリードフレームのマウント部を含めて前記半導体発光素子及び導通回路を封止する封止樹脂とを備えた半導体発光装置であって、前記マウント部にトランジスター素子を導通搭載するとともに、前記トランジスター素子の上面に前記半導体発光素子を導通搭載し、前記３つのリード端子のうち、第１の端子は前記トランジスター素子の下面に形成したコレクタ電極に導通され、第２の端子は前記トランジスター素子のベース電極に導通され、第３の端子は前記半導体発光素子のアノード電極に導通され、前記トランジスター素子により、前記半導体発光素子への通電をオン・オフするものであり、半導体発光装置に内蔵されたトランジスターからなるドライバーに、外部から制御用矩形波を加えることにより、通電をオン・オフ操作して半導体発光素子を点滅動作させることができるという作用を有する。
また、請求項２に記載の発明は、３つのリード端子を持つ基板またはリードフレームのマウント部に搭載する半導体発光素子と、この半導体発光素子を前記基板またはリードフレームに導通させる導通回路と、前記基板またはリードフレームのマウント部を含めて前記半導体発光素子及び導通回路を封止する封止樹脂とを備えた半導体発光装置であって、前記マウント部にトランジスター素子を導通搭載するとともに、前記トランジスター素子の上面に前記半導体発光素子を導通搭載し、前記３つのリード端子のうち、第１の端子は前記トランジスター素子の下面に形成したコレクタ電極に導通され、第２の端子は前記トランジスター素子のベース電極に導通され、第３の端子は前記半導体発光素子のカソード電極に導通され、前記トランジスター素子により、前記半導体発光素子への通電をオン・オフするものであり、半導体発光装置に内蔵されたトランジスターからなるドライバーに、外部から制御用矩形波を加えることにより、通電をオン・オフ操作して半導体発光素子を点滅動作させることができるという作用を有する。
【００１３】
前記半導体発光装置は、３つのリード端子を持ち、第１の端子は前記トランジスター素子のコレクタ電極に導通され、第２の端子は前記トランジスター素子のベース電極に導通され、第３の端子は前記半導体発光素子のアノード電極またはカソード電極に導通されていることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置である。この構成では、トランジスター素子上に半導体発光素子であるＬＥＤ素子を搭載接続して回路構成する際、電源の高電圧側（＋Ｖｃｃ），低電圧側（−Ｖｃｃ）及び制御信号入力側の３つの端子が必要となり、外部からの制御用信号は、トランジスター素子のベース電極に導通する第２の端子に加えて、＋Ｖｃｃ側を半導体発光素子のアノード電極（ｐ電極）に導通する第３の端子に接続する場合は、−Ｖｃｃ側はトランジスター素子のコレクタ電極に導通する第１の端子に接続することにより、また、＋Ｖｃｃ側をトランジスター素子のコレクタ電極に導通する第１の端子に接続する場合は、−Ｖｃｃ側は半導体発光素子のカソード電極（ｎ電極）に導通する第３の端子に接続することにより、外部からの制御信号により、半導体発光素子の点滅動作を制御することができるという作用を有する。
【００１４】
請求項３の発明は、前記トランジスター素子は、ｐｎｐ型トランジスター素子であり、このトランジスター素子のエミッタ電極と前記半導体発光素子のカソード電極とが、マイクロバンプを介して接合されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体発光装置であり、ｐｎｐ型トランジスター素子を用いることにより、半導体発光素子のカソード電極（ｎ電極）とトランジスター素子のエミッタ電極がマイクロバンプ等を介して接続され、コレクタ電極が接地可能となり、このトランジスター素子をオンするためにベース電極に加えられるデジタル信号の制御用矩形波のハイレベルを低くすることができるという作用を有する。
【００１５】
請求項４の発明は、前記トランジスター素子は、ｎｐｎ型トランジスター素子であり、このトランジスター素子のエミッタ電極と前記半導体発光素子のアノード電極とが、マイクロバンプを介して接合されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体発光装置であり、ｎｐｎ型トランジスター素子を用いることにより、半導体発光素子のアノード電極（ｐ電極）とトランジスター素子のエミッタ電極がマイクロバンプ等を介して接続され、エミッタ電極とグランド（接地）との間に半導体発光素子が入り、半導体発光素子の電圧降下分だけこのトランジスター素子をオフするためにベース電極に加えられるデジタル信号の制御用矩形波のローレベルを高くすることができるという作用を有する。
【００１６】
また、請求項３及び４に記載の発明においては、トランジスター素子と半導体発光素子をマイクロバンプを介して接合することにより、ショート不良が防止でき歩留まりの良い組立てができるという作用も有する。
【００１７】
請求項５の発明は、前記半導体発光素子の結晶基板をｐ型結晶基板または絶縁性結晶基板とする場合、この結晶基板側を光取出し面とすることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体発光装置であり、ｐ型結晶基板または絶縁性結晶基板を用いたＬＥＤ素子の場合では、トランジスター素子上に半導体発光素子であるＬＥＤ素子を搭載接続して回路構成する際、基板側を光取出し面とするように搭載すれば、ｐｎｐ型トランジスター素子を用いた構成が可能となり、デジタル信号の制御用矩形波のハイレベルのしきい値を低くすることができるという作用を有する。
【００２０】
以下に、本発明の実施の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の一実施の形態による半導体発光装置であってＬＥＤランプの例を示す概略縦断面図である。
【００２１】
図において、窒化ガリウム系化合物半導体をサファイア基板１ａ上に積層した半導体発光素子１とその下側に配置した機能素子としてのサブマウント素子１１とがそれぞれリードフレーム２０のマウント部２０ａに搭載され、サブマウント素子１１とリードフレーム２０との間にボンディングしたワイヤ２１，２２を含めてエポキシ樹脂２３によって封止されている。
【００２２】
半導体発光素子１は、絶縁性の透明なサファイア基板１ａの表面に、たとえばＧａＮバッファ層，ｎ型ＧａＮ層，ＩｎＧａＮ活性層，ｐ型ＡｌＧａＮ層及びｐ型ＧａＮ層を順に積層し、ＩｎＧａＮ活性層を発光層としたものである。そして、ｎ型ＧａＮ層の上面にｎ側電極２が、及びｐ型ＧａＮ層の上面にはｐ側電極３がそれぞれ蒸着法によって形成され、更にこれらのｎ側電極２及びｐ側電極３の上にはそれぞれマイクロバンプ４，５を形成している。
【００２３】
２つの主面を有するサブマウント素子１１は、図２にその概要を示すようにバイポーラのｐｎｐ型トランジスターからなり、半導体発光素子１の点滅動作のためのドライバーである。すなわち、サブマウント素子１１は、ｐ型のエミッタ１１ａ、ｎ型のベース１１ｂ及びｐ型のコレクタ１１ｃからなるｐｎｐ接合が形成され、第１の主面側すなわち図２において上面にはエミッタ１１ａに接続するエミッタ電極１２ａ、ベース１１ｂに接続するベース電極１２ｂ、及び図においてエミッタ１１ａの左端部からコレクタ１１ｃの左端部にかけて絶縁膜１２ｄとその上に電極パッド１２ｃが形成されている。また、第２の主面側すなわち図において下面には、コレクタ１１ｃに接続するコレクタ電極１１ｅを形成している。
【００２４】
また、マウント部２０ａを含むリードフレーム２０は、３つの独立したリード端子Ｌ−１，Ｌ−２，Ｌ−３をそれぞれ形成したものである。そして、サブマウント素子１１は、リード端子Ｌ−１の先端のマウント部２０ａの上にコレクタ電極１１ｅを下にして搭載され、Ａｇペーストを介して導通接続されている。発光素子１は、サブマウント素子１１上に電極を対向させて搭載され、そのｎ側電極２及びｐ側電極３をサブマウント素子１１のエミッタ電極１２ａ及び電極パッド１２ｃにマイクロバンプ４，５を介して導通接続されている。そして、ベース電極１２ｂとリード端子Ｌ−２とがＡｕワイヤ２１により、電極パッド１２ｃとリード端子Ｌ−３とがＡｕワイヤ２２により、それぞれ導通接続されている。これにより、サブマウント素子１１及び半導体発光素子１と３個のリード端子Ｌ−１，Ｌ−２，Ｌ−３を含むリードフレーム２０との間に導通回路が構成される。図３にこのようなアセンブリによって形成される回路（破線で囲んだ内部）を示す。
【００２５】
以上の構成において、半導体発光素子１にはサブマウント素子１１が導通接続されていて、このサブマウント素子１１に含まれたトランジスター素子を利用したドライバーによって半導体発光素子１は駆動される。具体的には、図３に示すようにリード端子Ｌ−１を接地し、リード端子Ｌ−３に外付け抵抗Ｒ（１００Ω）を直列につなぎ電源＋Ｖｃｃ（５Ｖ）に接続し、リード端子Ｌ−２にＴＴＬレベルまたはＣＭＯＳレベルの矩形波を加えることにより、矩形波のオン・オフに対応してトランジスターが電流をオン・オフして半導体発光素子１が点滅動作を行う。
【００２６】
このように、半導体発光素子１とともに複合素子を構成するサブマウント素子１１のトランジスターを利用したドライバー機能によって、半導体発光素子１のそれぞれに対して点滅動作を実行させることができる。このため、半導体発光素子１の１個１個についての独立した点滅動作の制御が可能となり、大型のパネルディスプレイへの有効な適用ができるようになる。そして、従来のようにトランジスターを半導体発光素子１と別体として配置構成していたのに比べると、複合素子化するだけのアセンブリによる製造が可能なので、部品点数が削減されるとともにその保守点検の負担も軽減される。
【００２７】
図４の（ａ）はｎ型結晶基板を用いた半導体発光素子１の場合のＬＥＤランプ構造であって、サブマウント素子１１としてｐｎｐ型トランジスターを用いたものである。
【００２８】
図において、リード端子Ｌ−１は、サブマウント素子１１のコレクタ電極１１ｅにＡｇペーストを介して導通接続され、リード端子Ｌ−２はベース電極１２ｂにＡｕワイヤ２１を介して導通接続され、リード端子Ｌ−３は半導体発光素子１のｐ側電極３にＡｕワイヤ２２を介して導通接続されている。そして、半導体発光素子１はｎ側電極２を下にしてサブマウント素子１１のエミッタ電極１２ａ上に搭載され、マイクロバンプ４を介して導通接続されている。これにより、図４の（ｂ）に示す回路が構成される。
【００２９】
この例においても、半導体発光素子１はサブマウント素子１１に含まれたｐｎｐ型トランジスター素子を利用したドライバーによって駆動され、リード端子Ｌ−２にＴＴＬレベルまたはＣＭＯＳレベルの矩形波を加えることにより、矩形波のオン・オフに対応してｐｎｐ型トランジスターが電流をオン・オフして半導体発光素子１を点滅動作させることができる。
【００３０】
図５の（ａ）はｐ型結晶基板を用いた半導体発光素子１の場合のＬＥＤランプ構造であって、サブマウント素子１１としてｎｐｎ型トランジスターを用いたものである。
【００３１】
図において、リード端子Ｌ−１は、サブマウント素子１１のコレクタ電極１１ｅにＡｇペーストを介して導通接続され、リード端子Ｌ−２はベース電極１２ｂにＡｕワイヤ２１を介して導通接続され、リード端子Ｌ−３は半導体発光素子１のｎ側電極２にＡｕワイヤ２２を介して導通接続されている。そして、半導体発光素子１はｐ側電極３を下にしてサブマウント素子１１のエミッタ電極１２ａ上に搭載され、マイクロバンプ４を介して導通接続されている。これにより、図５の（ｂ）に示す回路が構成される。
【００３２】
この例において、具体的には、図５の（ｂ）に示すようにリード端子Ｌ−１に外付け抵抗Ｒを直列接続して電源＋Ｖｃｃ（５Ｖ）に接続し、リード端子Ｌ−３を接地し、リード端子Ｌ−２にＴＴＬレベルまたはＣＭＯＳレベルの矩形波を加えることにより、矩形波のオン・オフに対応してｎｐｎ型トランジスターが電流をオン・オフして半導体発光素子１が点滅動作を行う。この場合、半導体発光素子１はｎｐｎ型トランジスターのエミッタ電極１２ａと接地との間に入っているので、リード端子Ｌ−２に加えられる矩形波のハイレベルは、半導体発光素子１の順方向電圧分だけ高くなるが、ｐ型基板のＬＥＤであるＧａＡｌＡｓ半導体発光素子の場合は、順方向電圧が低い（Ｖｆ＝１．７Ｖ）ので、図５の（ｂ）のような回路構成でも支障はない。
【００３３】
更に、図６の（ａ）はｐ型結晶基板を用いた半導体発光素子１とｐｎｐ型トランジスターのサブマウント素子１１との組み合わせとした例である。この場合、半導体発光素子１は、ｐ型結晶基板側を光取出し面とした構成であり、この構成にすれば、図６の（ｂ）に示すように、図４と同様な回路構成となるので、リード端子Ｌ−２に加えられる矩形波のハイレベルは低くできる。
【００３４】
この例においても、図４で示したものと同様に、半導体発光素子１はサブマウント素子１１に含まれたｐｎｐ型トランジスター素子を利用したドライバーによって駆動され、リード端子Ｌ−２にＴＴＬレベルまたはＣＭＯＳレベルの矩形波を加えることにより、矩形波のオン・オフに対応してｐｎｐ型トランジスターが電流をオン・オフして半導体発光素子１を点滅動作させることができる。
【００３５】
図７および図８はサブマウント素子に図２で示したものと同様のトランジスターを利用したドライバーに加えて発振回路を付加した構成を示すものである。
【００３６】
図７は、ＬＥＤランプの例を示す概略縦断面図である。
図７において、リードフレーム３１のマウント部３１ａにサブマウント素子１３を搭載してその底面の電極１３ａがＡｇペーストを介してリード端子Ｌ−１先端のマウント部３１ａに導通接続される構成は先の例と同様である。サブマウント素子１３の上面には、半導体発光素子１のｎ側及びｐ側のマイクロバンプ４，５を接合するドライバーであるｐｎｐ型トランジスターのエミッタ電極１３ｃ及び電極パッド１３ｂをそれぞれ形成し、電極パッド１３ｂはＡｕワイヤ１４によりリード端子Ｌ−３に接続される。リードフレーム３１の先端部分はエポキシ樹脂２３で封止されている。
【００３７】
図８の（ａ）に示すように、サブマウント素子１３は、トランジスターを利用したドライバー１３ｄと発振回路１３ｅとを含むもので、これらを含む回路の詳細は図８の（ｂ）に示すとおりである。
【００３８】
リード端子Ｌ−３に直列に外付け抵抗Ｒをつなぎ、電源＋Ｖｃｃ（５Ｖ）に接続し、リード端子Ｌ−１を接地することにより、発振回路１３ｅで制御用の矩形波が作られ、この信号がトランジスターのベース電極に伝えられ、この信号によりドライバー１３ｄが半導体発光素子１に流れる電流をオン・オフ制御するので、通電開始と同時に半導体発光素子１が点滅モードに維持される。そして、先の例と同様に半導体発光素子１とサブマウント素子１３とにより複合素子化するだけのアセンブリでの製造が可能となり、部品点数を低減することができる。
【００３９】
以上のように、サブマウント素子に点滅操作用のトランジスターを利用したドライバーを備えることによって、このサブマウント素子とともに半導体発光素子を複合素子化するだけのアセンブリで、点滅表示機能を持たせることができる。
【００４０】
【発明の効果】
本発明では、半導体発光素子とトランジスター素子または機能素子とを複合化素子として備えるアセンブリとするだけで、ＬＥＤランプ型の半導体発光装置の単体のそれぞれをオン・オフ操作により点滅動作させることができ、トランジスター等を発光装置と別体として備える従来構成に比べると部品点数の削減が可能となり、アセンブリ及び保守点検の簡略化が図られる。
【００４１】
また、発振回路及びドライバーを備えるものでは、導通操作をするだけで発振回路による半導体発光素子を点滅動作させることができるので、外部に点滅用の制御信号を作る回路が不要になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態によるフリップチップ型の半導体発光素子及びサブマウント素子を備えたＬＥＤランプの概略縦断面図
【図２】図１に示したＬＥＤランプの半導体発光素子及びサブマウント素子の詳細を示す図
【図３】図２の例における半導体発光素子とサブマウント素子による回路構成図
【図４】ｐｎｐ型トランジスタのサブマウント素子にｎ型基板の半導体発光素子を搭載する例であって、
（ａ）はアセンブリの要部を示す図
（ｂ）は回路構成図
【図５】ｎｐｎ型トランジスターのサブマウント素子にｐ型基板の半導体発光素子を搭載する例であって、
（ａ）はアセンブリの要部を示す図
（ｂ）は回路構成図
【図６】ｐｎｐ型トランジスターのサブマウント素子にｐ型基板の半導体発光素子を搭載する例であって、
（ａ）はアセンブリの要部を示す図
（ｂ）は回路構成図
【図７】サブマウント素子に発振回路及びドライバーを備えるＬＥＤランプの概略縦断面図
【図８】（ａ）はサブマウント素子に発振回路及びドライバーを備えるＬＥＤランプのブロック図
（ｂ）は回路構成図
【符号の説明】
１  半導体発光素子
１ａ  サファイア基板
２  ｎ側電極
３  ｐ側電極
４，５  マイクロバンプ
１１  サブマウント素子
１１ａ  エミッタ
１１ｂ  ベース
１１ｃ  コレクタ
１１ｅ  コレクタ電極
１２ａ  エミッタ電極
１２ｂ  ベース電極
１２ｃ  電極パッド
１２ｄ  絶縁膜
１３  サブマウント素子
１３ａ  電極
１３ｂ  電極パッド
１３ｃ  エミッタ電極
１３ｄ  ドライバー
１３ｅ  発振回路
１４  ワイヤ
２０  リードフレーム
２０ａ  マウント部
２１，２２  ワイヤ
２３  エポキシ樹脂
３１  リードフレーム
３１ａ  マウント部
【図１】
0003985327.tif 000002
【図２】
0003985327.tif 000003
【図３】
0003985327.tif 000004
【図４】
0003985327.tif 000005
【図５】
0003985327.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
0003985327.tif 000009