(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の一般式（１）
【化１】
0003914445.tif 000005
〔式中、Ｍ１およびＭ２は、Ｈ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｋからなる群から独立に選択される基であり、フェニル基上のＥ１及びＥ２は少なくとも一方はＳＭ３およびＳＭ４（Ｍ３およびＭ４は前記Ｍ１またはＭ２と同じ）であり、一方のみがＳＭ３又はＳＭ４の場合Ｅ１又はＥ２はＨである。〕で表されるトリ−またはテトラ−チオールまたはチオラート。
【請求項２】
ターフェニルと、（１）ＣｌＳＯ３Ｈとを反応させ４，４'−ターフェニルジスルホニルクロライドを合成し，（２）これにジメチルアミンを反応させ４，４'−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジメチルアミノスルホニル）−ターフェニルを合成し、（３）これにノルマルブチルリチウムを反応させ、更に単体の硫黄Ｓ８を反応させ４，４'−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジメチルアミノスルホニル）−３−メルカプトターフェニル又は４，４'−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジメチルアミノスルホニル）−３，３'−ジメルカプトターフェニルを合成し、次いで（４）これに水素化リチウムアンモニウムを反応させる（１）〜（４）の工程を含む請求項１に記載式（１）のターフェニルトリまたはテトラチオールまたはチオラートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なターフェニルトリ−またはテトラテトラチオールまたはチオラート、または前記チオールまたはチオラートの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
三以上のメルカプト基を有する化合物〔Ｒ−（ＳＨ）ａ、但し、Ｒはａ価の有機基であり、分岐基を有していてもよいアルキレン基、アリーレン基など〕類は、例えば、ポリイソシアナート類と反応させることにより高屈折率（ＮＤ２０℃≧１．６０）の樹脂を生成することが知られている（特開昭６０−１９９０１６号公報、特開昭６２−２６７３１６号公報）。これに関連する技術として、特開平８−２６９１６１号公報には、ジメルカプト化合物のビフェニル誘導体として、２，２’−ジメルカプトビフェニル、４，４’−ジメルカプトビフェニルが挙げられている。また、反応成分における、アリール基、ハロゲンなどは、屈折率の向上などに寄与することが記載されている。
【０００３】
チオール基を有する化合物類は、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄなどの貴金属、遷移金属などの金属表面および金属微粒子の表面にＳ原子の電子により、自己組織化で配位して該化合物の単分子膜が形成され、該単分子膜はチオール以外の基により、また、配位したチオール基以外のチオール基により、また、更に機能性を発揮する化合物を結合させることにより、該金属表面に種々の機能特性を発揮する膜が形成されることが知られている。例えば、自己組織化膜に構造特異的（抗原抗体反応のような特異的）に反応する部位を入れた化合物により形成し、Quartz-Crystal Microbalanceと組み合わせること（高周波の周波数の減少との相関）により、例えばＤＮＡを定量的に検出する方法に用いることも提案されている（Kenichi Niikura et al.Chem. Lett.1996,863-864）。
【０００４】
また、ＰＥＧの片末端（例えば、α−末端）に金属、金属酸化物或いは半導体超微粒子表面に担持しうる官能基（例えばメルカプト基、ポリアミン基）を導入し、他末端（ω−末端）に抗体、タンパク質、染料など機能性化合物等と反応しうる官能基を導入したＰＥＧ誘導体を合成し、金属、金属酸化物または半導体超微粒子に前記官能基を導入したＰＥＧ誘導体を担持させて、該超微粒子の分散安定性を改善すると共に、超微粒子表面から広がった（外側に伸びる）ＰＥＧ鎖の他末端に機能性化合物等への反応性を持つ官能基を有する（修飾する）新しい分散安定複合体とすることを提案している（第４８回（１９９９年）高分子討論会１０月６日〜８日、新潟大学五十嵐キャンバス「高分子学会予稿集」Vol.48,No.14,4113-4114,平成１１年９月２０日発行、参照）。
【０００５】
前記メルカプト基の、反応性、機能などがメルカプト化合物の重要性の一面を示している。メルカプト基の多様な機能性は、ポリメルカプト化合物の機能の多様性を高めることから更に重要である。
【０００６】
このような、末端メルカプト基、特に剛直で、かなりの長さを持つ導電性分子の末端、例えばビフェニルの４，４’−位にＳＨを結合した化合物、ポリチオフェンの末端にＳＨを導入した化合物類は、Ａｕなど貴金属表面で自己組織化により分子スケールのエレクトロニクス素子を形成させることができ、該自己組織化により分子スケールトランジスタを製造したことを、米ルーセントテクノロジー・ベル研究所のチームが報告している〔SCIENCE,VOL.294,9 NOVENBER 2001,1293-1294:NATURE,VOL.413,18 OCTOBER 2001,www.nature.com〕。
【０００７】
通常、微細な半導体材料などを組み込んだ回路は、回路図をシリコン基板に焼き付け、その図に従って回路を作製する写真製版を応用した技術が用いられていた。回路が微細になればなるほど回路を構成する線は微細になり、写真製版で用いられる焼き付け手段も、波長の短いものを使う必要があった。しかしながら、分子スケールトランジスタを作るには、もはや前記写真製版技術を用いることはできないとされている。従って、分子トランジスタ材料が有さなければならない特性として、金属に対して結合性を有し、更に、自己組織化によりエレクトロニクス特性を持て金属電極に配位する機能、が要求されることが推測される。
【０００８】
最近、末端にＳＨなどの電極に対して結合性を有する基を持ち、分子内に、電界効果半導体部、ドナー部、アクセプター部および絶縁部などを組み込んだ単一分子を用いて、それぞれの電極に前記末端基により結合させて分子エレクトロニクスデバイスとする技術が提案されている（米国特許第６，３３９，２２７ Ｂ１明細書（２００２年１月１５日特許）。
【０００９】
また、他にも、ＳＨ基は、例えば、３，３’，４，４’−テトラヒドロキシビフェニル、２，２'，４，４'−テトラヒドロキシビフェニルなどが４つの官能基が、ポリマーの生成、架橋、他の反応基（化合物であったり、表面に存在する基であったりする）との反応などに利用されるように、テトラメルカプトビフェニルの四つの官能基もそれぞれの基が様々な反応に関与でき、官能基の数の増加に伴い、該化合物の機能性が高められる。前記ＳＨ基の種々の潜在的な機能性を考えて、本発明者はビフェニルテトラチオールおよびビフェニル誘導体テトラチオール類を既に提案している（特願2001-117800、平成13年4月17日、特開２００２−３１６９７５号公報参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記ビフェニルテトラチオールおよびビフェニル誘導体テトラチオール類の機能の多様性を更に高める可能性を持つ新規なターフェニルトリ−またはテトラテトラチオールまたはチオラート化合物を提供することである。ターフェニルとすることにより、導電性分子が長くなる、置換基の導入個所が増すなど、分子設計上の多様性を高めることができる。これにより、多方面に応用が可能な機能性材料の開発が期待できる。導電性の鎖長の向上は、前記分子デバイスの豊富化をもたらし、前記分子スケールのデバイスの開発を考えると、金属電極間に本化合物類を配位結合により機能的に組込むことにより、新しい三端子素材としての機能性を有する材料の開発の可能性が期待される。該素子は、通信機器、電子機器への応用を可能とする。更には、ＳＨの化学的特性を利用した、ゴム化学、接着、塗料等への応用の可能性は高い。
【００１１】
これまでも多数のチオール化合物がこのような目的で合成され、利用されてきたが、それらは主にチオール基を化合物の両端に有するもの、すなわち二個のチオール基有する化合物が中心で、本化合物における３〜４個のチオール基を配置した化合物は、前記本発明者の提案以外に見出せない。３〜４個のチオール基の導入は、隣接した位置に２個のチオール基を選択的に導入することであり、その製造技術の開発は容易ではない。芳香族のチオフェノールの合成は、芳香族スルホクロリドの還元が最も一般的であり、還元には、亜鉛末と硫酸の組み合わせ（０℃で行う）、スズと塩酸、リン、ヨウ化カリウム、リン酸の混合物、及び水素化アルミニウムリチュウムなどが用いられる。
【００１２】
前記チオール基を有する化合物の将来性を考えると、このような化合物を製造する技術の開発は重要である。本発明者は、これらのことを鑑み、鋭意検討し、ターフェニルの芳香環にチオール基を導入する手段として、（１）ターフェニルにＣｌＳＯ３Ｈを反応させ４，４"−ターフェニルジスルホニルクロライドを合成し，これに水素化リチウムアンモニウムを反応させる工程を含む方法によりチオ−ル基を導入し、ターフェニルまたはターフェニル誘導体ジチオールまたはチオラートの製造方法、および（１）ターフェニルにＣｌＳＯ３Ｈを反応させ４，４"−ターフェニルジスルホニルクロライドを合成し，（２）これにジメチルアミン（ＨＮＭｅ２）を反応させ４，４"−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジメチルアミノスルホニル）−ターフェニルを合成し、（３）これにノルマルブチルリチウム（ｎ-ＢｕＬｉ）を反応させ、更に単体の硫黄Ｓ８を反応させ４，４"−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジメチルアミノスルホニル）−３，３"−ジメルカプトターフェニルを合成し、最後に（４）これに水素化リチウムアンモニウムを反応させチオ−ル基をターフェニル芳香環の３，３"，４，または３，３"，４，４"に導入してターフェニルまたはターフェニル誘導体トリまたはテトラチオールまたはチオラートの製造方法を開発することにより可能となった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１発明は、次の一般式（１）
【００１４】
【化２】
0003914445.tif 000002
【００１５】
〔式（１）中、Ｍ１およびＭ２は、Ｈ、Ｎａ、Ｌｉ、Ｋからなる群から独立に選択される基であり、フェニル基上のＥ１及びＥ２は少なくとも一方はＳＭ３およびＳＭ４（Ｍ３およびＭ４は前記Ｍ１またはＭ２と同じ）であり、一方のみがＳＭ３又はＳＭ４の場合Ｅ１又はＥ２はＨである。〕で表されるトリ−またはテトラ−チオールまたはチオラートであり、具体的には以下の化合物（２）又は（３）である。
【００１６】
【化３】
0003914445.tif 000003
【００１７】
【化４】
0003914445.tif 000004
【００１８】
本発明の第２は、ターフェニルと、（１）ＣｌＳＯ３Ｈとを反応させ４，４'−ターフェニルジスルホニルクロライドを合成し，（２）これにジメチルアミンを反応させ４，４'−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジメチルアミノスルホニル）−ターフェニルを合成し、（３）これにノルマルブチルリチウムを反応させ、更に単体の硫黄Ｓ８を反応させ４，４'−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジメチルアミノスルホニル）−３−メルカプトターフェニル又は４，４'−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジメチルアミノスルホニル）−３，３'−ジメルカプトターフェニルを合成し、次いで（４）これに水素化リチウムアンモニウムを反応させる（１）〜（４）の工程を含む請求項１に記載式（１）のターフェニルトリまたはテトラチオールまたはチオラートの製造方法である。
【００１９】
【本発明の実施の態様】
本発明をより詳細に説明する。
Ａ．本発明の一般式（１）の化合物においてＥ１及びＥ２は少なくとも一方はＳＭ３およびＳＭ４（Ｍ３およびＭ４は前記Ｍ１またはＭ２と同じ）であり、一方のみがＳＭ３又はＳＭ４の場合Ｅ１又はＥ２はＨである。特にＥ１およびＥ２は本発明のトリ−、及びテトラ−チオールまたはチオラート化合物の使用目的との関連で、種々の誘導体とすることができる。その誘導体としては、前記チオール化合物のように、金属との接着性の向上、他の機能性化合物の導入など、種々の機能を付与させることができる。例えば、本化合物を金や銅などの導伝性の金属間に配置した場合、それ自体で、導伝性材料となりうるものであり、有機半導体やデバイス、さらにはトランジスターなど様々な電子機器の電気的結合に応用可能となる。ターフェニルに配置したチオール基の機能は、前記の金属と化学的に結合し金属間の接合において重要な役割を果たす。その際ターフェニルの末端に配置したチオールの数、すなわちテトラ及びトリチオールによって導伝性を制御できると予想される。
【００２０】
Ｂ．本発明の一般式（１）の化合物において、更に、ターフェニルのチオール基が配置した箇所以外の位置に様々の置換基を導入することにより、電子機器へ応用する場合において、ファデルワールス力など近接力などの制御により、金属間への分子の配列を精密に制御することにより、有機分子デバイスやトランジ スターへの応用が可能となる。まだ、導伝性以外の使用目的との関連でも、種々の誘導体とすることができる。例えば、ハロゲン基は、ポリカーボネートを製造する場合には、屈折率の向上、難燃化などの向上をさせることができる。
【００２１】
Ｃ．反応工程を図１に例示する。
工程１は、ターフェニルの４，４"−ジスルホクロリドの合成（１−ａ）と該ジスルホクロリドをＬｉＡｌＨ４により還元して（１−ｂ）ターフェニルまたはターフェニル誘導体のジチオールを製造する工程である。
工程２では、４，４"−ジスルホクロリドにジメチルアミンを反応させ４，４'−ビス（Ｎ，Ｎ'−ジメチルアミノスルホニル）−ターフェニルを合成する工程し、前記ジメチルアミノスルホニルに、ｎ−ＢｕＬｉの一当量、単体の硫黄Ｓ８および水素化リチウムアンモニウムを反応させ、３位または３"位にチオールを導入し（２−ａ）、更に水素化リチウムアンモニウムでジスルホクロリドを還元（２−ｂ）してターフェニルトリチオールまたはチオラートを製造する。工程３では、ｎ−ＢｕＬｉを二当量反応させ、前記チオールの導入を３位および３"位に行い（３−ａ）、更に水素化リチウムアンモニウムでジスルホクロリドを還元（３−ｂ）してターフェニルテトラチオールまたはチオラートを製造する。
また、前記ターフェニルトリチオールまたはターフェニルテトラチオール種々の用途と関連して誘導体とすることも考えられる。
【００２２】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、この例示により本発明が限定的に解釈されるものではない。
実施例１
４，４”−ジクロロスルホニル１，１'：４'，１”−ターフェニルの合成〔工程１（１−ａ）：クロロスルホニル化〕窒素雰囲気下、塩化メチレン（１０ｍｌ）にクロロ硫酸（０．５３ｍｌ，８ｅｑ．）を加えることによりクロロ硫酸を希釈し、その容器内に０℃で、１，１'：４'，１”−ターフェニル（０．２３０ｇ，１．０ｍｍｏｌ）を数回に分けて徐々に加え、その後、室温で６時間攪拌した。得られた反応混合物を食塩水に注ぎ、析出する白色の沈澱物を吸引ろ過により除去し、濾液を塩化メチレンを用いて抽出した。この際、生成物が濾物に含まれる可能性があるのでその濾物を塩化メチレンで十分に洗った。その後、この溶液と抽出した溶液を混合し、硫酸マグネシウムを用いて乾繰した。溶媒を減圧下で留去し、得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフイ一（φ＝３０ｍｍ，ｈ＝１００ｍｍ，ＣＨＣｌ３）により不純物を除去することで、４，４"−ジクロロスルホニル１，１'：４'，１"−ターフェニル（０．２８８ｇ，０．６７ｍｍｏｌ、６７％）を無色の結晶として得た。融点３００℃以上。１Ｎ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７．７６（ｓ，４Ｈ，ＡｒＨ），７．８４−７．８６（ｍ，４Ｈ，ＡｒＨ），８．１２−８．１４（ｍ，４Ｈ，ＡｒＨ）；１３Ｃ ＮＭＲ（１０１ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ７６．７，７７．０，１２７．８，１２８．２，１２８．３；ＩＲ（ＫＢｒ）１３６７，１１７０（ＳＯ２）ｃｍ−１
【００２３】
４，４”−ジメルカプト−１，１'：４'，１”−ターフェニルの合成（工程１−ｂ）テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶媒（３００ｍｌ）に工程１−ａで合成した４，４”−ジクロロスルホニル１，１'：４'，１”−ターフェニル（８．５８６ｇ，２０ｍｍｏｌ）を溶解させ、水酸化リチウムアルミニウム（７．５９０ｇ，２００ｍｍｏｌ，１０ｅｑ．）を加え、３時間還流した。この反応溶液を氷水に注ぎ、ｐＨ<１になるまで濃塩酸で酸性化した。その時析出してくる不純物を、吸引ろ過で除去し、塩化メチレンで十分に洗った。その後、ろ液を酸塩基抽出（ＣＨ２Ｃｌ２，ＮａＯＨ，ＨＣｌ）し、有機相を硫酸マグネシゥムを用いて乾燥させ、再結晶することで、４，４”−ジメルカプト−１，１'：４'，１”−ターフェニル（３．００３ｇ，１０．２ｍｍｏｌ，５１％）の淡黄色結晶を得た。融点３００℃以上。 １Ｎ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ３．４７（ｓ，２Ｈ，ＳＨ），７．３４−７．３６（ｍ，４Ｈ，ＡｒＨ），７．４８−７．５１（ｍ，４Ｈ，ＡｒＨ），７．６０−７．６１（ｍ，４Ｈ，ＡｒＨ）；１３Ｃ ＮＭＲ（１０１ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ１２７．３，１２７．６，１３０．０，１３８．３，１３９．５；ＩＲ（ＫＢｒ）２５５３（ＳＨ）ｃｍ−１
【００２４】
４，４”−ビス（Ｎ，Ｎ−ジメルアミノスルホニル）−１，１'：４'，１”−ターフェニルの合成（工程２）テトラヒドロフラン溶媒３００ｍｌに、工程１で合成した４，４"−ジクロロスルホニル１，１'：４'，１”−ターフェニル（６．５６８ｇ，１４．７ｍｍｏｌ）を溶解し、ジメチルアミン水溶液（９．３４８ｍｌ，１０．０７Ｍ，４．８ｅｑ．）を加えて室温で２時間攪拌した。その後この反応溶液に水を加え、３０分攪拌した。析出した白色沈澱物を吸引ろ過により取り出し、これを減圧乾燥し、クロロホルムで再結晶することにより４，４”−ビス（Ｎ，Ｎ−ジメルアミノスルホニル）−１，１'：４'，１”−ターフェニル（５．２９７ｇ，１１．９ｍｍｏｌ，９０％）を無色の結晶として得た。融点２９３−２９４℃；１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ２．２７（ｓ，１２Ｈ，ＮＭｅ２），７．７３（ｓ，４Ｈ，ＡｒＨ），７．７７−７．７９（ｍ，４Ｈ，ＡｒＨ）；７．８６−７．８８（ｍ，４Ｈ，ＡｒＨ）；１３ＣＮＭＲ（１０１ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ３７．９，１２７．５，１２８．０，１２８．４，１３５．２，１３９．５，１４４．６；ＩＲ（ＫＢｒ）１３３７，１１６３（ＳＯ２）ｃｍ−１
【００２５】
３，３”−ジメルカプト−４，４”−ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニル）−１，１'：４'，１”−ターフェニルの合成（工程３）窒素雰囲気下、無水ＴＨＦ溶媒（１００ｍｌ）に工程２で合成した４，４'−ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニル）−１，１'，４'，１"−ターフェニル（１０．７８７ｇ，２４．２ｍｍｏｌ）溶解し、ｎ−ブチルリチウム（５８．０８ｍｍｏｌ，２．４ｅｑ．）を加え、室温で３時間撹拌した。次にその反応溶液に水素化リチウムアルミニウム（４．５９２ｇ，１２１ｍｍｏｌ．５０ｅｑ．）を加え、２時間室温で攪拌した。得られた反応混合物を氷水に注ぎ、濃塩酸を加えｐＨ＜１になるまで酸性化した。析出してくる黄色沈殿物を吸引ろ過により取り除き、濾物を塩化メチレンで十分に洗浄した。その後、酸塩基抽出（ＣＨ２Ｃｌ２，ＮａＯＨ，ＨＣｌ）を２回行い、分離した有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。溶媒を減圧下で留去し、得られた粗生成物を、カラムクロマトグラフィー（φ＝５０ｍｍ，ｈ＝１００ｍｍ×２；ＣＨＣｌ３：ＡｃＯＥｔ＝５：１）で分離し、さらに再結晶（ＣＨＣｌ３）で精製することによって、３，３”−ジメルカプト−４，４”−ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニル）−１，１'：４'，１”−ターフェニル（２．５８ｇ，５．１ｍｍｏｌ，２１％）を淡黄色の結晶として得た。融点、１９４℃；１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）δ２．８８（ｓ，１２Ｈ，ＮＭｅ２），４．８５（ｓ，２Ｈ，ＳＨ），７．４８（ｄｄ，ｊ＝１．７，８．３Ｈｚ，２Ｈ，ＡｒＨ），７．６３（ｄ，ｊ＝１．７Ｈｚ，２Ｈ，ＡｒＨ），７．６９（ｓ，４Ｈ，ＡｒＨ），７．９８（ｄ，ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ，ＡｒＨ）；１３ＣＮＭＲ（１０１ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ３７．６，１２３．８，１２７．８，１３０．２，１３１．９，１３２．５，１３４．７，１３８．８，１４４．５；ＩＲ（ＫＢｒ）１３３３，１１４７（ＳＯ２），２５５５（ＳＨ）ｃｍ−１；ＭＳ（７０ｅＶ）ｍ／ｚ５０８（Ｍ＋）；Ａｎａｌ．計算値、Ｃ２２Ｈ２４Ｎ２Ｏ４Ｓ４：Ｃ，５１．９４；Ｈ，４．７６；Ｎ，５．５１％。実測値：Ｃ，５１．９７；Ｈ，４．７７；Ｎ，５．６２％。
【００２６】
３，３”，４，４”−テトラメルカプト−１，１'：４'，１”−ターフェニルの合成（３−ａ、３−ｂ）無水ＴＨＦ３０ｍｌに、工程３−ａで合成した３，３”−ジメチルカプト−４，４”−ビス（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニル）−１，１'：４'，１”−ターフェニル（５０８ｍｇ，１ｍｍｏｌ）を溶解し、０℃で水素化リチウムアルミニウム（４４５ｍｇ，１２ｍｍｏｌ，１２ｅｑ．）を加え、その反応溶液を２４時間還流した。得られた反応混合物を氷水に注ぎ、濃塩酸を加えてｐＨ＜1になるまで酸性化した。析出してくる緑色沈殿物を吸引ろ過により取り除き、濾物を塩化メチレンで十分に洗浄した。その後、酸塩基抽出（ＣＨ2Ｃｌ2）を行い、分離した有機相を硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。溶媒を減圧下で留去し、得られた粗生成物をカラムクロマトグラフイー（φ＝２０ｍｍ，ｈ＝１０ｍｍ；ＡｃＯＥｔ）で分離し、さらに再結晶（ＣＨ２Ｃｌ２）で精製することによって、３，３”，４，４”−テトラメルカプト−１，１'：４'，１”−ターフェニル（７８ｍｇ，２２％）を淡黄色の結晶として得た。融点、１７１−１７２℃；１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）δ３．７８（ｓ，２Ｈ，ＳＨ），３．８２（ｓ，２Ｈ，ＳＨ），７．３４（ｄｄ，ｊ＝１．９，８．１Ｈｚ，２Ｈ，ＡｒＨ，），７．４５（ｄ，ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ，ＡｒＨ），７．６０（ｓ，ＳＨ，ＡｒＨ），７．６４（ｄ，ｊ＝１．９Ｈｚ，２Ｈ，ＡｒＨ），；ＩＲ（ＫＢｒ）２５３４（ＳＨ）ｃｍ−１．
【００２７】
本発明の化合物の利用例本化合物は金粒子及び金イオンまたは銅粒子または銅イオン回収材として利用できる。これは、前記した硫黄含有基の反応性の利用に基づく。利用例金の水溶液（５ｐｐｍ）を３０−５０℃加温し、この溶液に前記実施例において合成した本化合物をＴＨＦに溶解した溶液を加える。しばらくかき混ぜて、析出した沈殿物をロ別した。ロ別後の溶液中の金の濃度を原子吸光高度計によって測定したところ金は測定されなかった。すなわち、金は、本発明の化合物と反応し、沈殿物として完全に除去されたことを示す。
【００２８】
【発明の効果】
ベンゼン環が三つ直接結合したビフェニルは剛直な構造体を形成しており堅牢な材料への応用が期待されるが、芳香環に反応性のあるチオール基を導入することにより官能性をさらに高め、前記利用例のほか、界面の機能性の発現、たとえば接着分野や電子材料分野への新たな機能性が期待される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 化合物の合成プロセス
【図１】
0003914445.tif 000006