(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（i）基板上にシリサイドを蒸着する段階と、
（ii）前記（i）段階で発生した残留ガスをＨ2Ｏガスを含んだ空気を使用してパージする段階とを含むことを特徴とする化学気相蒸着方法。
【請求項２】
前記（i）段階で前記シリサイドは、フッ化タングステン（ＷＦ6）およびジクロロシラン（ＤＣＳ）を反応ガスとして使用し蒸着されることを特徴とする請求項１に記載の化学気相蒸着方法。
【請求項３】
前記（i）段階で前記シリサイドは、１３．３〜１．０２×１０5Ｐａの圧力ならびに５００〜８００℃の温度で蒸着されることを特徴とする請求項１に記載の化学気相蒸着方法。
【請求項４】
前記（ii）段階で前記Ｈ2Ｏガスを含んだ空気は、酸素（Ｏ2）ガスと少なくとも一つの不活性ガスとをさらに含む混合ガスであることを特徴とする請求項１に記載の化学気相蒸着方法。
【請求項５】
前記少なくとも一つの不活性ガスは、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ2）またはヘリウム（Ｈｅ）のいずれかのガスであることを特徴とする請求項４に記載の化学気相蒸着方法。
【請求項６】
前記混合ガスは、前記酸素（Ｏ2）ガスおよび前記Ｈ2Ｏガスの分圧が各々１０％以上であることを特徴とする請求項４に記載の化学気相蒸着方法。
【請求項７】
前記（ii）段階後、酸素（Ｏ2）ガスと少なくとも一つの不活性ガスとを順次に注入し、前記残留ガスをパージする段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の化学気相蒸着方法。
【請求項８】
前記（ii）段階では、６．６５×１０4〜１．０２×１０5Ｐａの圧力状態からサイクルパージに進行することを特徴とする請求項１に記載の化学気相蒸着方法。
【請求項９】
（i）基板を化学気相蒸着装置のロードロックチャンバにローディングする段階と、
（ii）前記基板を工程処理チャンバに移送する段階と、
（iii）前記工程処理チャンバで前記基板上にシリサイドを蒸着する段階と、
（iv）前記基板を前記ロードロックチャンバに移送する段階と、
（v）前記ロードロックチャンバの内部へＨ2Ｏガスを含んだ空気を流入させ、前記（iii）段階で発生した残留ガスをパージする段階とを含むことを特徴とする化学気相蒸着方法。
【請求項１０】
前記（iii）段階は、フッ化タングステン（ＷＦ6）およびジクロロシラン（ＤＣＳ）から構成された反応ガスを前記工程処理チャンバの内部に流入させる手順を含むことを特徴とする請求項９に記載の化学気相蒸着方法。
【請求項１１】
前記（v）段階で前記Ｈ2Ｏガスを含んだ空気は、酸素（Ｏ2）ガスと少なくとも一つの不活性ガスとを含む混合ガスであることを特徴とする請求項９に記載の化学気相蒸着方法。
【請求項１２】
前記混合ガスは、前記酸素（Ｏ2）ガスおよび前記Ｈ2Ｏガスの分圧が各々１０％以上であることを特徴とする請求項１１に記載の化学気相蒸着方法。
【請求項１３】
前記（v）段階で前記残留ガスのパージは、６．６５×１０4〜１．０２×１０5Ｐａの圧力で進行されることを特徴とする請求項９に記載の化学気相蒸着方法。
【請求項１４】
前記（v）段階後、酸素（Ｏ2）ガスと少なくとも一つの不活性ガスとを順次に注入し、前記残留ガスをパージする段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の化学気相蒸着方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は化学気相蒸着方法に関するものであり、より詳細にはジクロロシラン（Ｄｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ：以下ジクロロシランを"ＤＣＳ"と言う）を使用してタングステンシリサイド（ＷＳｉX）を蒸着するための化学気相蒸着方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の高集積化、高性能化および低電圧化に従って、チップ上に形成されるパターンの大きさが小さくなるだけでなく、パターン間の間隔は段々狭くなっている。過去にはポリシリコンがゲート電極およびビットラインのような配線材料として大変有用な物質であったが、パターンが段々小さくなるに従って、ポリシリコンの比抵抗が大変大きく、ＲＣ時間遅延およびＩＲ電圧降下などが増加した。これによって、ポリシリコンと類似の特性を有し、ポリシリコンより数〜数十倍低い比抵抗を有するポリサイド（ｐｏｌｙｃｉｄｅ）、すなわちポリシリコンと高融点メタルシリサイド（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ  ｍｅｔａｌ  ｓｉｌｉｃｉｄｅ）の複合層が超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）のゲート電極やビットラインなどの配線電極として使用されている。
【０００３】
タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などのような高融点メタルのシリサイドは、ＶＬＳＩの製造に使用される低抵抗配線物質として適当である。シリサイドは、高濃度でドーピングされたポリシリコンと結合して、ポリサイド構造のゲート電極を形成する。高融点メタルシリサイドを蒸着するための望ましい方法は、低圧化学気相蒸着（ｌｏｗ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＬＰＣＶＤ）方法である。特に、タングステンシリサイドは、ポリシリコンと結合して使用する場合、自己パッシベーション（ｓｅｌｆ−ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）、湿式化学剤（ｗｅｔ−ｃｈｅｍｉｃａｌ）に対する安定性（ｓｔａｂｉｌｉｔｙ）、表面粗さ（ｓｕｒｆａｃｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）、接着性（ａｄｈｅｎｓｉｏｎ）、酸化性（ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）および再現性（ｒｅｐｒｏｄｕｃｉｂｉｌｉｔｙ）などの特性が優れることで知られている。
【０００４】
タングステンシリサイド（ＷＳｉX）薄膜は、シラン（ＳｉＨ4）およびフッ化タングステン（ＷＦ6）を前兆（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）ガスとして使用し、半導体基板上に低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）方法により蒸着されてきた。しかしながら、この工程はいろいろな問題を有する。そのうちの一つは、タングステンシリサイドが段差形状部上で等角（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）に蒸着されないというものである。また他の問題点は、蒸着されたタングステンシリサイド薄膜内の残留フッ素含有量が高く、素子の性能に致命的な影響を及ぼすというものである。たとえば、半導体ウェーハがアニーリングの間に約８５０℃以上の温度雰囲気に露出されると、余剰のフッ素イオンが下部のポリシリコン層を通じて、下部シリコン酸化膜に移動する。このようなフッ素イオンの移動は、シリコン酸化膜の電気的特性に不利である影響を及ぼし、これによって、シリコン酸化膜を含む半導体素子の電気的特性は不利な状態に変わる。
【０００５】
米国特許公報第４，９５１，６０１号に開示されている多重チャンバ気相処理システムを使用すると、まず、タングステンシリサイドが塗布される基板をフッ素プラズマスクラップにより洗浄して、ポリシリコン層上の自然酸化膜を除去する。続いて、洗浄された基板を基板移送チャンバに移送する。移送チャンバは基板の再酸化を防止するために、室素やアルゴン雰囲気を有し、基板をＯ−リングシールを有するスリットバルブを通じてタングステン蒸着チャンバに移送するためのロボットを含む。このＣＶＤ工程は、ＳｉＨ4とＷＦ6によってタングステンシリサイドを蒸着する標準工程である。しかし、基板が大きくなり、素子の大きさが小さくなるのに伴って、上述した段差塗布性および残留フッ素問題のため、この蒸着工程を使用することは限界になっている。
【０００６】
これによって、ＳｉＨ4の代わりにジクロロシラン（ＤＣＳ；ＳｉＨ2Ｃｌ2）を使用してタングステンシリサイド膜を蒸着する改良された工程が提案された。ＤＣＳを使用して形成されたタングステンシリサイド膜は、ＳｉＨ4を使用して蒸着された膜より低いフッ素含有量ならびに優れた段差塗布性を有する。
【０００７】
図１は、ＤＣＳを使用してタングステンシリサイド膜を蒸着する従来の蒸着装置を示した模式図である。
図１を参照すれば、シリコンウェーハのような基板は化学気相蒸着（ＣＶＤ）装置のロードロックチャンバＡ５０またはロードロックチャンバＢ５２のカセットにローディングされる。ウェーハがロードロックチャンバＡ５０にローディングされたら、ロードロックチャンバＡ５０内の圧力を２００ｍｔｏｒｒ（２６．６Ｐａ）までポンピングさせて、ロードロックチャンバＡ５０の内部を真空状態に維持する。続いて、移送モジュール５４とロードロックチャンバＡ５０との間のスリットバルブ（図示せず）がオープン状態にされ、移送モジュール５４のロボット腕がロードロックチャンバＡ５０内のウェーハを工程処理チャンバＣ５６または工程処理チャンバＤ５８に移動させる。
【０００８】
工程処理チャンバＤ５８内にウェーハが入ったら、工程処理チャンバＤ５８内へ反応ガスを流しながらＤＣＳ蒸着工程を実施する。ＤＣＳ蒸着が完了したら、工程処理チャンバＤ５８内の圧力を２０ｍｔｏｒｒ（２．６６Ｐａ）までポンピングさせる。このようなポンピング段階が完了すると、移送モジュール５４と工程処理チャンバＤ５８間のスリットバルブ（図示せず）が開き、移送モジュール５４のロボット腕がウェーハを冷却ステージ６０に移動させる。冷却ステージ６０でウェーハを冷却させた後、移送モジュール５４とロードロックチャンバＢ５２間のスリットバルブを開け、ウェーハをロードロックチャンバＢ５２に移動させる。
【０００９】
上述した段階を経て全てのウェーハがロードロックチャンバＢ５２内のカセットに入ったら、ロードロックチャンバＢ５２内の圧力が７６０ｔｏｒｒ（１．０１×１０5Ｐａ）になるときまで、ロードロックチャンバＢ５２に連結されたベントラインを通じて室素（Ｎ2）またはアルゴン（Ａｒ）のようなベントガスを供給する。そうすると、ロードロックチャンバＢ５２がベンティングされて、ウェーハがＣＶＤ装置からアンローディングされる。
【００１０】
ここで、ＤＣＳ蒸着工程をするときに、工程処理チャンバ内に流入する反応ガスはＷＦ6とＳｉＨ2Ｃｌ2ガスであり、その反応式は次のとおりである。
ＷＦ6＋ＳｉＨ2Ｃｌ2＋Ｐ  →  ＷＳｉX＋反応副産物ガス
ここで、リン（Ｐ）はシリコンウェーハに含まれている状態であり、たとえばタングステンシリサイド膜下部のポリシリコン層内に含まれている。
【００１１】
ＤＣＳ蒸着工程が完了した後、ウェーハをロードロックチャンバでアンローディングさせると、ウェーハに嗅覚により感じることができるほどのヒューム（ｆｕｍｅ）が発生する。このようなヒュームはＤＣＳ蒸着工程の温度が６００℃以上であるときに多く発生し、下部ポリシリコン層内のリン（Ｐ）濃度が高いほど多く発生した。すなわち、ゲートポリシリコン層より高い濃度でリン（Ｐ）がドーピングされているビットラインポリシリコン層上でＤＣＳ蒸着工程を進行するときに、このようなヒュームの発生程度が大変酷かった。
【００１２】
このようなヒュームの正体は、前記式から分かるように、ＤＣＳ蒸着工程後、ウェーハの表面に吸着された反応副産物ガスによるもので、その構成成分はリン（Ｐ）系列および塩素（Ｃｌ）系列のガスと推定することができる。ヒュームの構成成分を分析するために、ホスフィン（ＰＨ3）測定設備で測定した結果、約５６ｐｐｂのリン（Ｐ）系列ガスが検出され、これによってヒュームを発生させる反応副産物ガスはリン（Ｐ）系列と判明した。リン（Ｐ）系列および塩素（Ｃｌ）系列のヒュームは、人体に有害であるために、安全問題を考慮するときに工程の実施が不可能である。ゆえに、ＤＣＳ蒸着工程の後に、ウェーハの表面に吸着している残留ガスを除去することが必須である。
したがって、従来の化学気相蒸着方法で問題になった有害ガスを実質的に除去することができる装置および方法が必要である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、シリサイドを蒸着した後に発生する残留ガスによるヒュームを除去することができる化学気相蒸着方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するための本発明の一手段によると、基板上にシリサイドを蒸着する段階と、気体状態のＨ2Ｏガスを含んだ空気を使用して、蒸着段階で発生した残留ガスをパージする段階とを含む化学気相蒸着方法を提供する。
本発明の他の手段によると、基板を化学気相蒸着装置のロードロックチャンバにローディングした後、基板を工程処理チャンバに移送する。工程処理チャンバで前記基板上にシリサイドを蒸着した後に、基板をロードロックチャンバに移送する。ロードロックチャンバ内へＨ2Ｏガスを含んだ空気を流入させて、蒸着段階で発生した残留ガスをパージする。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の望ましい実施例をより詳細に説明する。
後述する詳細な説明は本発明を限定するためのものではなく、特定な細部事項を開示する実施例として、本発明の完全な理解のために呈示される説明である。しかしながら、下記で呈示される特定の細部事項に起因する異なる実施形態を実施することができることは、本発明が開示する長所を有する技術分野において通常の知識を有するものにとっては明白である。かつ、公知装置、公知方法および公知材料に関する叙述は、本発明の確実な説明のために省略する。
【００１７】
本発明の一実施例によるシリサイド蒸着方法は、シリコンウェーハのような基板上にシリサイドを蒸着する段階と、気体状態のＨ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気を使用して、蒸着段階で発生した残留ガスをパージし、残留ガスによるヒュームを除去する段階とを含む。
【００１８】
蒸着段階の望ましい一例としては、約０．１〜約７６０ｔｏｒｒ（約１３．３〜約１．０２×１０5Ｐａ）の圧力ならびに約５００〜約８００℃の温度で、フッ化タングステン（ＷＦ6）とジクロロシラン（ＤＣＳ）を反応ガスとして使用して、タングステンシリサイド（ＷＳｉX）を低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）方法により蒸着する。
【００１９】
パージ段階で、Ｈ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気は単独に使用することもでき、酸素（Ｏ2）ガスと少なくとも一つの不活性ガスとを混合して使用することもできる。不活性ガスは、基板上に塗布されたシリサイド膜やＨ2Ｏ（ｇ）やＯ2（ｇ）と反応することを防止する役割をし、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ2）またはヘリウム（Ｈｅ）ガスを使用する。Ｈ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気／酸素／不活性ガスの混合ガスにおいてＯ2（ｇ）およびＨ2Ｏ（ｇ）の分圧は各々１０％以上であることが望ましい。
【００２０】
さらに、ヒュームを除去するための前記パージ段階を実施するとき、微粒子（ｐａｒｔｉｃｌｅ）の発生を抑制するためにＨ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気、酸素（Ｏ2）ガスおよび不活性ガスを順次に注入することもできる。
一般的に、ＤＣＳ蒸着後にウェーハ表面に吸着されるリン（Ｐ）系列や塩素（Ｃｌ）系列の残留ガスがＨ2Ｏ（ｇ）およびＨ2Ｏ（ｇ）と混合された場合には、Ｏ2（ｇ）と容易に反応して安定な化合物を形成する。これによって、残留ガスはウェーハの表面から脱離する。従って、ＤＣＳ蒸着後にウェーハを大気中にそのまま放置すると、ヒュームの生成原因になる残留ガスが大気中のＨ2Ｏ（ｇ）およびＯ2（ｇ）と混合されてＯ2（ｇ）と反応しウェーハの表面から脱離するので、ヒュームが発生しない。しかし、リン（Ｐ）系列や塩素（Ｃｌ）系列のガスは人体に相当に有害であるので、ウェーハを大気中に放置すると、安全問題が発生する。
【００２１】
したがって、ＤＣＳ蒸着後、設備内で人為的にＨ2Ｏ（ｇ）およびＯ2（ｇ）と混合するために、Ｏ2（ｇ）を含んだ空気を注入すると、安全問題を発生させず、ウェーハ表面に吸着されたリン（Ｐ）系列や塩素（Ｃｌ）系列の残留ガスを除去することができる。この時、大気の流れと同一に５００〜７６０ｔｏｒｒ（６．６５×１０4〜１．０２×１０5Ｐａ）の圧力、望ましくは６００〜７６０ｔｏｒｒ（７．９８×１０4〜１．０２×１０5Ｐａ）の高い圧力でサイクルパージを実施すると、ヒュームの除去効果を最大化することができる。
【００２２】
図２は本発明の一実施例による化学気相蒸着（ＣＶＤ）装置の模式図である。図２を参照すれば、本発明の一実施例による化学気相蒸着装置は、第１および第２ロードロックチャンバ１００、１０２と、第１および第２ロードロックチャンバ１００、１０２上に実装された第１および第２工程処理チャンバ１０６、１０８と、第１および第２工程処理チャンバ１０６、１０８に連結され、第１および第２工程処理チャンバ１０６、１０８に反応ガスを供給するためのソースライン（図示せず）と、前記第１および第２ロードロックチャンバ１００、１０２に連結され、第１および第２ロードロックチャンバ１００、１０２内に室素（Ｎ2）やアルゴン（Ａｒ）ガスのような不活性ガスを供給するベントライン１６と、第１および第２ロードロックチャンバ１００、１０２に連結され、第１および第２ロードロックチャンバ１００、１０２内にＨ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気を供給して第１および第２ロードロックチャンバ１００、１０２内の残留ガスをパージするための空気パージライン１０とを備える。
【００２３】
本発明の一実施例によると、酸素（Ｏ2）ガスライン１２は空気パージライン１０と連結され、空気パージライン１０、酸素（Ｏ2）ガスライン１２およびベントライン１６は互いに連結されている。したがって、ベントライン１６を通じて供給される不活性ガスとＨ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気および酸素（Ｏ2）ガスをパージガスとして利用することができる。
【００２４】
また、Ｈ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気のみをパージガスとして使用することもでき、Ｈ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気、酸素（Ｏ2）ガスおよび不活性ガスを順次に供給してパージ工程を実施することもできる。
空気パージライン１０、酸素（Ｏ2）ガスライン１２およびベントライン１６はコントローラ（図示せず）によって作動され、ガスの流れと量を調節するための第１、第２および第３バルブ１８、２２、２６ならびにガス流量制御部（ｍａｓｓ  ｆｌｏｗ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ；ＭＦＣ）２０が各々設置されている。かつ、ラインを通じて供給される空気およびガスをフィルタリングして微粒子（ｐａｒｔｉｃｌｅ）を除去するためのフィルタ２４がラインに各々設置されているる。
【００２５】
本発明の一実施例によると、空気パージライン１０によって、第１および第２ロードロックチャンバ１００、１０２へ空気を供給して第１および第２ロードロックチャンバ１００、１０２内の残留ガスをパージするとき、パージされた残留ガスをベントライン１６に連結された真空ポンプ３０に排出する。かつ、パージされた残留ガスを早く排出するために、空気パージライン１０および酸素（Ｏ2）ガスライン１２は各々真空ポンプ３０に連結することができる。
【００２６】
通常、真空が維持される第１および第２工程処理チャンバ１０６、１０８にＨ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気や酸素（Ｏ2）が入らないようにするために、空気パージライン１０および酸素（Ｏ2）ガスライン１２を第１および第２ロードロックチャンバ１００、１０２に連結させて、第１および第２ロードロックチャンバ１００、１０２でパージ工程を実施することが望ましい。したがって、第１および第２工程処理チャンバ１０６、１０８に連結されたソースガスラインと空気パージライン１０は、本実施例では互いに分離されている。
【００２７】
図３は、本発明の実施例によるシリサイド蒸着でのパージ方法を説明するためのフローシートである。
図３を参照すれば、本実施例によるパージ方法はまず、シリコンウェーハのような基板を化学気相蒸着（ＣＶＤ）装置のロードロックチャンバにローディングする（段階Ｓ１０）。次に、基板をＣＶＤ装置の工程処理チャンバ（すなわち、反応チャンバ）へ移送した（段階Ｓ１２）後、フッ化タングステン（ＷＦ6）とジクロロシラン（ＤＣＳ；ＳｉＨ2Ｃｌ2）を反応チャンバに供給する（段階Ｓ１４）。フッ化タングステン（ＷＦ6）とジクロロシラン（ＤＣＳ）を反応ガスとして利用し、基板上にタングステンシリサイド（ＷＳｉX）を蒸着した（段階Ｓ１６）後、基板をロードロックチャンバへ移送する（段階Ｓ１８）。次に、Ｈ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気、酸素（Ｏ2）および不活性ガスの混合ガスをロードロックチャンバに流入させて、基板の表面に吸着している残留ガスをパージした（段階Ｓ２０）後、基板をＣＶＤ装置からアンローディングする。
【００２８】
以下、図２および図３を参照して本発明の一実施例によるシリサイド蒸着方法をより詳細に説明する。
図２および図３を参照すれば、シリコンウェーハのような基板を化学気相蒸着（ＣＶＤ）装置の第１ロードロックチャンバＡ１００または第２ロードロックチャンバＢ１０２のカセットにローディングする（段階Ｓ１０）。ウェーハが第１ロードロックチャンバＡ１００にローディングされたら、第１ロードロックチャンバＡ１００内の圧力を２００ｍｔｏｒｒ（２６．６Ｐａ）までポンピングして、第１ロードロックチャンバＡ１００の内部を実質的な真空状態に維持する。
【００２９】
続いて、移送モジュール１０４と第１ロードロックチャンバＡ１００との間のスリットバルブ（図示せず）がオープン状態にされ、移送モジュール１０４のロボット腕が第１ロードロックチャンバＡ１００内のウェーハを第１工程処理チャンバ１０６または第２工程処理チャンバ１０８へ移動させる（段階Ｓ１２）。
【００３０】
第２工程処理チャンバ１０８内にウェーハが入ったら、第２工程処理チャンバ１０８内へ反応ガス、たとえばフッ化タングステン（ＷＦ6）とジクロロシラン（ＤＣＳ）を第２工程処理チャンバ１０８に供給して（段階Ｓ１４）、フッ化タングステン（ＷＦ6）とジクロロシラン（ＤＣＳ）の反応によって、ウェーハ上にタングステンシリサイド（ＷＳｉX）を蒸着させる（段階Ｓ１６）。一例として、約０．１〜７６０ｔｏｒｒ（約１３．３〜１．０２×１０5Ｐａ）の圧力ならびに約５００〜８００℃の温度で低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）工程を実施する。
【００３１】
蒸着が完了したら、第２工程処理チャンバ１０８内の圧力を約２０ｍｔｏｒｒ（約２．６６Ｐａ）までポンピングして、第２工程処理チャンバ１０８の内部を高真空状態に形成する。このようなポンピング段階が完了すると、移送モジュール１０４と第２工程処理チャンバ１０８間のスリットバルブ（図示せず）が開き、移送モジュール１０４のロボット腕がウェーハを冷却ステージ１１０へ移動させる。冷却ステージ１１０でウェーハを一例として約６０〜３００秒間冷却させた後、移送モジュール１０４と第２ロードロックチャンバＢ１０２間のスリットバルブを開けて、ウェーハを第２ロードロックチャンバＢ１０２へ移動させる（Ｓ１８）。
【００３２】
上述した段階を経て全てのウェーハが第２ロードロックチャンバＢ１０２内のカセットに移送されると、Ｈ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気のみをパージガスへ供給したり、またはＨ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気／酸素（Ｏ2）／不活性ガスの混合ガスをパージガスへ供給して、ＤＣＳ蒸着後、ウェーハの表面に吸着した残留ガスを実質的に除去する（段階Ｓ２０）。続いて、パージされた残留ガスを真空ポンプ３０へ排出する（段階Ｓ２２）。これを具体的に説明すると、次のとおりである。
【００３３】
まず、空気パージライン１０、酸素（Ｏ2）ガスライン１２およびベントライン１６に連結された第１、第２および第３バルブ１８、２２、２６を順次に開けて、Ｈ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気、酸素（Ｏ2）ガスおよび不活性ガスの混合ガスを第２ロードロックチャンバＢ１０２に供給する。続いて、空気パージライン１０および酸素（Ｏ2）ガスライン１２のバルブを全て閉じた状態で、ベントライン１６のバルブ１８と真空ポンプ３０に設置されたバルブ２８とを開ける。そのようにすると、第２ロードロックチャンバＢ１０２からパージされた残留ガスがベントライン１６を通じて真空ポンプ３０に排出される。この時、真空ポンプ３０が空気パージライン１０および酸素（Ｏ2）ガスライン１２にも連結されていると、第２ロードロックチャンバＢ１０２からパージされた残留ガスをより早く排出させることができる。
【００３４】
なお、上述したパージ段階で、一例として約５００〜７６０ｔｏｒｒ（約６．６５×１０4〜１．０２×１０5Ｐａ）の圧力、望ましくは約６００〜７６０ｔｏｒｒ（約７．９８×１０4〜１．０２×１０5Ｐａ）の高い圧力でサイクルパージを例えば１０回以上実施すると、ウェーハ表面に吸着した残留ガスをより効果的に除去することができる。
【００３５】
続いて、上述したパージ段階が完了したら、第２ロードロックチャンバＢ１０２内の圧力が約７６０ｔｏｒｒ（１．０１×１０5Ｐａ）になる時まで、第２ロードロックチャンバＢ１０２に連結されたベントライン１６を通じて室素（Ｎ2）またはアルゴン（Ａｒ）のようなベントガスを供給する。そうすると、第２ロードロックチャンバＢ１０２がハンチィングされてウェーハがＣＶＤ装置からアンローディングされる。
【００３６】
本発明者はシリサイドの蒸着条件とパージ条件を変更しながらシリサイド層を蒸着した。
次の表１はヒュームの発生を除去するためのいろいろな方法を実験した結果を示す。
【００３７】
【表１】
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【００３８】
ここで、ヒューム発生量はロードロックチャンバからカセットをアンローディングした後、マスクを着用した状態でウェーハに５〜１５ｃｍの距離に接近して嗅覚で確認した結果であって、Ａは実質的なヒュームが発生した場合を示し、Ｂはヒューム確認が可能な場合を示す。Ｃは微弱にヒューム確認が可能である場合を示し、Ｄはヒューム確認が不可能である場合を示す。
【００３９】
表１から分かるように、シリサイド蒸着温度を低くする方法（条件１、２）やウェーハ冷却時間を増加させる方法（条件３、４）、または室素（Ｎ2）ガスによりロードロックサイクルをパージする方法（条件５）ではヒュームを完全に除去しなかった。かつ、パージガスとして乾式空気（ｄｒｙ  ａｉｒ）を使用する場合（条件６）もヒュームを完全に除去しなかった。
【００４０】
前記のように、Ｈ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気を使用する場合（条件７、８）は残りの方法に比べてヒュームの除去がより効果的であるが、サイクルパージの圧力が５００ｔｏｒｒ（６．６５×１０4Ｐａ）以下に低くなると（条件７）その効果が低くなる。
したがって、本実施例のように、Ｈ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気を使用して大気の流れと同一に約６００〜７６０ｔｏｒｒ（約７．９８×１０4〜１．０２×１０5Ｐａ）の高い圧力範囲でサイクルパージを実施する場合（条件８）がヒュームの発生を除去することに一番効果的であった。
以上、本発明の実施例を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できるであろう。
【００４１】
【発明の効果】
上述したような本発明によると、シリサイド蒸着後に発生する残留ガスをＨ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気を利用してパージすることで、残留ガスによるヒュームを除去する。Ｈ2Ｏ（ｇ）を含んだ空気は酸素（Ｏ2）および不活性ガスと混合して使用することができる。パージ工程のときに大気の流れと同一に約６００〜７６０ｔｏｒｒ（約７．９８×１０4〜１．０２×１０5Ｐａ）の高い圧力範囲でサイクルパージを実施すると、ヒュームの除去効果を最大化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ジクロロシラン（ＤＣＳ）を使用してタングステンシリサイド膜を蒸着する従来の蒸着装置を示す模式図である。
【図２】本発明の実施例による化学気相蒸着装置の模式図である。
【図３】本発明の実施例によるシリサイド蒸着でのパージ方法を説明するためのフローシートである。
【符号の説明】
１０  空気パージライン
１６  ベントライン
１００  第１ロードロックチャンバ
１０２  第２ロードロックチャンバ
１０６  第１工程処理チャンバ
１０８  第２工程処理チャンバ
Ｓ１６  基板上にタングステンシリサイドを蒸着する段階
Ｓ２０  基板の表面に吸着している残留ガスをパージする段階
【図１】
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【図２】
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【図３】
0003957995.tif 000005