(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被試験体の試験環境の温度が目標値になるように温度制御を行いながら、自己発熱性を有する同一種類の被試験体を複数個反復して試験するための半導体試験装置であって、
監視カメラを介して前記試験環境における被試験体の動作状態を監視する動作状態検出手段と、
最初の試験サイクルにおいて、設定温度を目標値として温度制御を行いながら、前記監視された動作状態に応じて被試験体の試験を行ったときの、該被試験体の温度の前記設定温度に対する初期偏差値を求めて、該初期偏差値に応じて次式
補正値＝（設定値−初期偏差値）＊α
αは、被試験体の試験環境の特性に応じて定められる任意の係数
に基づいて前記設定温度を補正した補正値の時間軸データとして補正データを作成して保存する補正データ作成手段とを備え、
次回以降の試験サイクルごとに、前記補正データによって定まる温度を目標値として所定時間先行して前記試験環境の温度制御を行いながら、前記被試験体の試験を行うように構成されていることを特徴とする半導体試験装置。
【請求項２】
前記先行して温度制御を行う時間を、前記被試験体の試験環境の特性に応じて任意に定めることを特徴とする請求項１記載の半導体試験装置。
【請求項３】
前記補正データによって定まる温度を目標値とする温度制御と、前記設定値を目標値とする温度制御とを任意に切り替えて実行可能なように構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体試験装置。
【請求項４】
前記半導体試験装置が、ハンドリング手段を備えて、試験サイクルの開始時、前記被試験体を測定部に装着して試験を開始するとともに、試験サイクルの終了時、試験が終了した被試験体を前記測定部から除去する処理を、被試験体ごとに順次繰り返して行うこができるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体試験装置。
【請求項５】
被試験体の試験環境の温度が目標値になるように温度制御を行いながら、自己発熱性を有する同一種類の被試験体を複数個反復して試験するための半導体試験装置において、監視カメラを介して前記試験環境における被試験体の動作状態を監視し、最初の試験サイクルにおいて、設定温度を目標値として温度制御を行いながら、前記監視された動作状態に応じて被試験体の試験を行ったときの、該被試験体の温度の前記設定温度に対する初期偏差値を求めて、該初期偏差値に応じて次式
補正値＝（設定値−初期偏差値）＊α
αは、被試験体の試験環境の特性に応じて定められる任意の係数
に基づいて前記設定温度を補正した補正値の時間軸データとして補正データを作成して保存し、次回以降の試験サイクルごとに、前記補正データによって定まる温度を目標値として所定時間先行して前記試験環境の温度制御を行いながら、前記被試験体の試験を行うことを特徴とする半導体試験方法。
【請求項６】
ハンドリング手段を備えて、試験サイクルの開始時、前記被試験体を測定部に装着して試験を開始するとともに、試験サイクルの終了時、試験が終了した被試験体を前記測定部から除去する処理を、被試験体ごとに順次繰り返して行うことを特徴とする請求項５記載の半導体試験方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＩＣ（Integrated Circuit）等の半導体装置を恒温状態において試験するための、半導体試験装置及び半導体試験方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣ等の半導体装置の試験を行う際には、試験条件を一定にするために、内部が恒温状態に保たれた温度槽、又はステージ上が恒温状態に保たれた温度印加ステージを有する半導体試験装置を用いて、ＩＣ等の半導体装置の試験を行うことが必要である。
図６は、従来の半導体試験装置の構成を示したものであって、温度槽又は温度印加ステージ１と、測定部２と、温度センサ３と、温度検出器４と、温度制御器５と、ヒーター・クーラー６と、制御装置７とからなる概略構成を有することが示されている。
【０００３】
温度槽又は温度印加ステージ１は、温度制御を行われることによって、槽内又はステージ上を予め設定された温度に保つことができるように構成されている。測定部２は、その上に試験を行うべきＩＣ等の半導体装置（以下、被試験体と略す）（不図示）を装着することによって、所要の試験を行うことができるようになっている。温度センサ３は、例えば、被試験体を取り付けた製品の場合はそれが置かれた雰囲気の温度を測定し、あるいはＩＣ単体の場合は、それを搭載したステージの温度を測定する等の方法で、測定部２上に装着された被試験体の温度を測定することによって、被試験体の温度に対応して変化する信号を発生する。
【０００４】
温度検出器４は、温度センサ３からの信号によって、被試験体の温度を検出した信号を発生する。温度制御器５は、温度検出器４からの検出温度が、予め設定されている目標温度に追従するように制御信号を発生する。ヒーター・クーラー６は、温度制御器６からの制御信号に応じて、ヒーターによって熱を発生し、又はクーラーによって熱を吸収することによって、温度槽又は温度印加ステージ１の温度を変化させる。制御装置７は、半導体試験装置の全体の制御を行う。
【０００５】
このように、従来の半導体試験措置においては、温度センサ３，温度検出器４によって被試験体の温度を検出し、被試験体の温度が変化して検出温度と目標温度との間に温度差が生じたとき、この温度差が０に近づくように、温度制御器５からの制御信号に応じてヒーター・クーラー６を制御して被試験体の雰囲気の温度が予め設定された目標値になるようにすることによって、被試験体の温度を一定に保つようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、半導体試験装置に対する従来の温度制御方法は、目標温度に対して被試験体の温度の変化が発生してから温度制御を開始する、フィードバック制御によって行われていた。
そのため、従来の半導体試験装置では、被試験体の温度を安定させるためには、被試験体が収容されている温度槽又は温度印加ステージの温度を制御する、フィードバック制御の精度と速度とを向上させることが必要であるが、温度槽又は温度印加ステージは通常、大きな熱慣性を有しているため、このような性能向上には限界があって、温度槽又は温度印加ステージの温度を迅速にかつ充分に安定させることが困難であるとともに、特に、被試験体や半導体試験装置自体の自己発熱による温度変化がある場合には、温度制御の精度と速度を向上させることが一層困難になるという問題があった。
【０００７】
この発明は上述の事情に鑑みてなされたものであって、半導体試験装置において、被試験体や半導体試験装置自体の自己発熱による温度変化がある場合でも、被試験体の温度を迅速にかつ充分に安定に、設定された目標温度に追従させることが可能な、半導体試験装置及び半導体試験方法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明は半導体試験装置に係り、被試験体の試験環境の温度が目標値になるように温度制御を行いながら、自己発熱性を有する同一種類の被試験体を複数個反復して試験するための半導体試験装置であって、監視カメラを介して前記試験環境における被試験体の動作状態を監視する動作状態検出手段と、最初の試験サイクルにおいて、設定温度を目標値として温度制御を行いながら、前記監視された動作状態に応じて被試験体の試験を行ったときの、該被試験体の温度の前記設定温度に対する初期偏差値を求めて、該初期偏差値に応じて次式
補正値＝（設定値−初期偏差値）＊α
αは、被試験体の試験環境の特性に応じて定められる任意の係数
に基づいて前記設定温度を補正した補正値の時間軸データとして補正データを作成して保存する補正データ作成手段とを備え、次回以降の試験サイクルごとに、前記補正データによって定まる温度を目標値として所定時間先行して前記試験環境の温度制御を行いながら、前記被試験体の試験を行うように構成されていることを特徴としている。
【００１０】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体試験装置に係り、前記先行して温度制御を行う時間を、前記被試験体の試験環境の特性に応じて任意に定めることを特徴としている。
【００１１】
また、請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の半導体試験装置に係り、前記補正データによって定まる温度を目標値とする温度制御と、前記設定値を目標値とする温度制御とを任意に切り替えて実行可能なように構成されていることを特徴としている。
【００１２】
また、請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体試験装置に係り、前記半導体試験装置が、ハンドリング手段を備えて、試験サイクルの開始時、前記被試験体を測定部に装着して試験を開始するとともに、試験サイクルの終了時、試験が終了した被試験体を前記測定部から除去する処理を、被試験体ごとに順次繰り返して行うこができるように構成されていることを特徴としている。
【００１４】
また、請求項５記載の発明は半導体試験方法に係り、被試験体の試験環境の温度が目標値になるように温度制御を行いながら、自己発熱性を有する同一種類の被試験体を複数個反復して試験するための半導体試験装置において、監視カメラを介して前記試験環境における被試験体の動作状態を監視し、最初の試験サイクルにおいて、設定温度を目標値として温度制御を行いながら、前記監視された動作状態に応じて被試験体の試験を行ったときの、該被試験体の温度の前記設定温度に対する初期偏差値を求めて、該初期偏差値に応じて次式
補正値＝（設定値−初期偏差値）＊α
αは、被試験体の試験環境の特性に応じて定められる任意の係数
に基づいて前記設定温度を補正した補正値の時間軸データとして補正データを作成して保存し、次回以降の試験サイクルごとに、前記補正データによって定まる温度を目標値として所定時間先行して前記試験環境の温度制御を行いながら、前記被試験体の試験を行うことを特徴としている。
【００１５】
また、請求項６記載の発明は、請求項５記載の半導体試験方法に係り、ハンドリング手段を備えて、試験サイクルの開始時、前記被試験体を測定部に装着して試験を開始するとともに、試験サイクルの終了時、試験が終了した被試験体を前記測定部から除去する処理を、被試験体ごとに順次繰り返して行うことを特徴としている。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態について説明する。説明は、実施例を用いて具体的に行う。
◇第１実施例
図１は、この発明の第１実施例である半導体試験装置の構成を示すブロック図、図２は、本実施例の半導体試験装置の動作を示すフローチャート、図３は、本実施例の半導体試験装置における補正データ作成の手順を説明する図である。
【００１８】
この例の半導体試験装置は、図１に示すように、温度槽又は温度印加ステージ１と、測定部２と、温度センサ３と、温度検出器４と、温度制御器５Ａと、ヒーター・クーラー６と、制御装置７Ａと、デバイス測定状況センサ８と、補正データ作成回路９と、データ保存部１０と、データ使用切り替え器１１とから概略構成されている。
これらのうち、温度槽又は温度印加ステージ１，測定部２，温度センサ３，温度検出器４，ヒーター・クーラー６は、図６に示された従来例の場合と同様なので、以下においては、これらについての詳細な説明を省略する。
【００１９】
温度制御器５Ａは、データ使用切り替え器１１からの温度制御信号に基づいてヒーター・クーラー６の動作を制御することによって、温度槽又は温度印加ステージ１の温度制御を行う。制御装置７Ａは、半導体試験装置の全体の動作を制御する以外に、デバイス測定状況センサ８に対して、温度槽又は温度印加ステージ１に対する動作指令の発生状況を通知する。デバイス測定状況センサ８は、制御装置７Ａからの通知に基づいて、測定部２の被試験体において、温度変化を生じる可能性のある動作状態の変化（例えば試験の開始と終了）の発生を示す測定状況信号を発生する。
【００２０】
補正データ作成回路９は、デバイス測定状況センサ８からの測定状況信号に応じて、被試験体の温度が目標温度に正しく追従するように、温度槽又は温度印加ステージ１における温度制御の目標温度を補正するためのデータを作成する。データ保存部１０は、補正データ作成回路９において作成された補正用データを保存する。データ使用切り替え器１１は、温度制御器５Ａにおいて、温度制御の目標温度として、設定値を使用するか、又はデータ保存部１０に保存されている補正データを使用するか否かを切り替える。
【００２１】
図２は、この例の半導体試験装置における、温度槽又は温度印加ステージ１における、温度補正データの取得と、補正データ取得後の温度制御とを説明するものである。
半導体試験装置において、複数の同種の被試験体に対する第１回目の試験を行うとき（図２ステップＳ１）は、従来の温度制御方法によって、温度槽又は温度印加ステージ１の温度を設定値に保った状態で、被試験体に対する補正データ取得の処理を開始する（図２ステップＳ２）。
【００２２】
被試験体の試験が終了したとき、得られた補正データをデータ保存部１０に保存した（図２ステップＳ３）のち、被試験体の残りの有無を検出して（図２ステップＳ４）、残りがあったときは、以後の試験に補正データを使用するか否かに応じて（図２ステップＳ５）、補正データを使用するときは、第１回目の試験で得られた補正データを使用して温度槽又は温度印加ステージ１の温度制御を行った状態で、被試験体に対する試験を行う。また、補正データを使用しないときは、従来と同様の温度制御を行う。
【００２３】
以下、図１，図２を参照して、この例の半導体試験装置の動作を説明する。
図１に示された半導体試験装置によって、ＩＣ等の半導体装置の試験を行う際は、被試験体である半導体装置を、温度槽又は温度印加ステージ１内の測定部２に装着する。そして、温度センサ３と温度検出器４によって、測定部２における被試験体の温度を測定する。この場合の被試験体の温度は、例えば被試験体を搭載するステージの温度によって検出するか、あるいはなんらかの方法によって、被試験体自体の温度を検出してもよい。
【００２４】
最初、データ使用切り替え器１１によって目標温度として設定値を選択し、温度検出器４からの検出温度値が設定値に追従するように、温度制御器５を介してヒーター・クーラー６を動作させる温度制御を行うことによって、温度槽内又は温度印加ステージ１上を設定温度に保つようにする。
この状態で、第１回目の試験を行う。このとき、補正データ作成回路９は、デバイス測定状況センサ８からの被試験体の試験の開始と終了を示す信号に応じて、１サイクルの試験シーケンスに対応する、被試験体の測定温度の初期値を時間軸データとして求める。
【００２５】
この初期値の時間軸データは、試験時における被試験体の自己発熱又は半導体試験装置自体の動作に伴う発熱等によって、設定値に基づく温度制御下における１サイクルの試験シーケンス中に生じた、被試験体の温度の設定値からの変化（初期偏差値）を含んでいる。
初期値＝設定値＋初期偏差値                                  …（１）
【００２６】
補正データ作成回路９は、初期値のデータから（１）式の関係によって初期偏差値のデータを分離し、初期偏差値のデータから、例えば、次式の関係によって、新たな目標値とするための補正値を、試験開始から所定時間（ｔ１）ごとに連続して算出し、この補正値の時間軸データとして補正データを求めて、データ保存部１０に保存する。
なお、この際の時間ｔ１は、半導体試験装置の温度検出能力及び制御性能等を考慮して、任意に設定される。
補正値＝（設定値−初期偏差値）＊α                        …（２）
ここでαは、温度槽又は温度印加ステージ１の熱効率等の特性を考慮して、任意に定められる係数である。
【００２７】
次に、第２回目の試験を行う。このときは、データ使用切り替え器１１によって、補正データ作成回路９がデータ保存部１０から読み出した補正データを選択し、温度制御器５Ａは、時間軸に従って補正データによって定まる補正値を目標値として温度制御を行う。
この場合の温度制御は、試験サイクルの開始時から所定時間（ｔ）だけ先行して行われる。なお、この際における先行する時間ｔは、温度槽又は温度印加ステージ１の熱慣性等の特性を考慮して、任意に設定される。
【００２８】
以降、第２回目と同じ手順によって温度制御を繰り返し行うことによって、残りのすべての被試験体に対する試験を実行する。
【００２９】
図３は、本実施例の半導体試験装置における、補正データの作成と、補正データによる被試験体の試験結果を説明するものであって、（Ａ）は初期値のデータ、（Ｂ）は補正値のデータ、（Ｃ）は補正データを用いて温度制御を行ったときの被試験体の温度（補正後値）のデータをそれぞれ示している。
【００３０】
図３に示すように、第１回目の試験時、設定値を目標温度として温度制御を行った状態で、被試験体が温度槽又は温度印加ステージ１に挿入されて試験が開始されたときから、試験が終了して被試験体が取り出されるときまで、ｔ１時間間隔で、被試験体の温度を連続的に検出することによって、（Ａ）に示す初期値のデータが得られる。
次に、初期値から（１）式の演算によって初期偏差値を求め、この初期偏差値と設定値とから（２）式の演算で補正値を求めることによって、（Ｂ）に示す補正値の時間軸データが得られる。
さらに、第２回目以降、（Ｂ）に示す補正値のデータを目標値として、ｔ時間先行して温度槽又は温度印加ステージ１の温度制御を行って、被試験体の試験を行うことによって、（Ｃ）に示すような補正後値のデータが得られる。
【００３１】
このように、この例の半導体試験装置によれば、被試験体の試験時、被試験体の温度変化を示す初期偏差値に従って設定値を補正して得た補正データに応じて目標温度を時間の経過とともに変更しながら、被試験体を収容する温度槽又は温度印加ステージの温度制御を行うので、被試験体や半導体試験装置自体の自己発熱による被試験体の温度変化がある場合でも、被試験体の温度制御の精度と速度とを向上させることができるとともに、被試験体の温度変化を抑制することができるので、被試験体であるＩＣ等の半導体装置の試験精度を向上させることができるようになる。
【００３２】
◇第２実施例
図４は、この発明の第２実施例である半導体試験装置の構成を示すブロック図である。
この例の半導体試験装置は、図４に示すように、温度槽又は温度印加ステージ１と、測定部２と、温度センサ３と、温度検出器４と、温度制御器５Ａと、ヒーター・クーラー６と、制御装置７Ａと、デバイス測定状況センサ８Ａと、補正出データ作成回路９と、データ保存部１０と、データ使用切り替え器１１と、ハンドリング装置１２とから概略構成されている。
これらのうち、デバイス測定状況センサ８Ａとハンドリング装置１２とを除く各部は、図１に示された第１実施例の場合と同様なので、以下においては、これらについての詳細な説明を省略する。
【００３３】
デバイス測定状況センサ８Ａは、制御装置７Ａとの間で通信を行って、制御装置７Ａからの通知に基づいて、測定部２におけるにおいて、温度変化を生じる可能性のある動作状態の変化の発生を示す測定状況信号を発生して、補正データ作成回路９とハンドリング装置１２に通知するとともに、ハンドリング装置１２における被試験体の装着と除去等の状態の変化を示す信号を受け取る。ハンドリング装置１２は、制御装置７Ａからの動作指示に基づいて、測定部２に対する被試験体の装着と除去の操作を行う。
【００３４】
以下、図４を参照して、この例の半導体試験装置の動作を説明する。
この例の半導体試験装置においては、ハンドリング装置１２を備えているので、温度槽又は温度印加ステージ１の内部に予め用意されている複数の被試験体を、試験サイクルの開始ごとに１個ずつ測定部２に装着して、予め定められた試験サイクルに基づいて試験を行うとともに、試験サイクルの終了時、測定部２から試験ずみの被試験体を除去して別の場所に収納する処理を自動的に連続して行うことができる。
【００３５】
このように、この例の半導体試験装置によれば、ハンドリング装置を備えた半導体試験装置の場合でも、ハンドリング装置によって、被試験体の装着と除去の処理を繰り返して行いながら、第１実施例の場合と同様の処理を行うことができるので、半導体装置の試験効率を向上させることができるようになる。
【００３６】
◇第３実施例
図５は、この発明の第３実施例である半導体試験装置の構成を示すブロック図である。
この例の半導体試験装置は、図５に示すように、温度槽又は温度印加ステージ１と、測定部２と、温度センサ３と、温度検出器４と、温度制御器５Ａと、ヒーター・クーラー６と、制御装置７と、補正データ作成回路９Ａと、データ保存部１０と、データ使用切り替え器１１と、監視カメラ１３と、装置動作状態センサ１４とから概略構成されている。
これらのうち、補正データ作成回路９Ａと、監視カメラ１３と、装置動作状態センサ１４とを除く各部は、図６に示された従来例又は図１に示された第１実施例の場合と同様なので、以下においては、これらについての詳細な説明を省略する。
【００３７】
補正データ作成回路９Ａは、装置動作状態センサ１４からの測定部２における動作状態を示す信号に応じて、被試験体の温度が目標温度に正しく追従するように、温度槽又は温度印加ステージ１における温度を補正するためのデータを作成する。監視カメラ１３は、温度槽又は温度印加ステージ１における、被試験体を含む測定部２の状況を撮影する。装置動作状態センサ１４は、監視カメラ１３からの映像に基づいて、被試験体を含む測定部２における動作状態を示す信号を発生する。
【００３８】
以下、図５を参照して、この例の半導体試験装置の動作を説明する。
この例の半導体試験装置においては、監視カメラ１３と装置動作状態センサ１４とによって、温度槽又は温度印加ステージ１の測定部２における、被試験体の状態を検出した信号を発生する。
【００３９】
そして、第１回目の試験時、補正データ作成回路９Ａにおいて、設定値を目標温度として温度制御を行ったときの温度検出器４からの温度データと、装置動作状態センサ１４からの被試験体の状態を検出したデータとに応じて、被試験体の温度が目標温度に正しく追従するように、温度槽又は温度印加ステージ１における温度を被写体の状態に対応して補正するための補正値のデータを作成して、データ保存部１０に保存する。この場合の補正値の算出方法は、第１実施例の場合と同様である。
【００４０】
次に、第２回目以降の試験時、データ使用切り替え器１１によって、補正データ作成回路９Ａがデータ保存部１０から読み出した補正データを選択し、温度制御器５Ａがこの補正データを目標値として、所定時間ｔだけ先行して温度制御を行う処理を、被試験体ごとに繰り返して行う。
【００４１】
このように、この例の半導体試験装置によれば、監視カメラ１３と装置動作状態センサ１４とによって、温度槽又は温度印加ステージ１の測定部２における被試験体の状態を検出しながら試験サイクルを実行して補正データを作成するので、半導体試験装置の構成，動作と無関係に、被試験体に対する測定状態に応じて温度槽又は温度印加ステージ１の温度を補正しながら試験を行うので、被試験体の温度制御の精度と速度とを向上させることができるとともに、被試験体の温度変化を抑制することができるので、被試験体であるＩＣ等の半導体装置の試験精度を向上させることができる。
【００４２】
以上、この発明の実施例を図面により詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られたものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。例えば、上述の各実施例において補正データを目標値として使用して温度制御を実行する代わりに、データ使用切り替え器１１によって目標温度として設定値を選択することによって、従来と同様の温度制御を行うことも可能である。また、このような従来方法の温度制御と、各実施例に示された補正データを使用した温度制御とを併用することも可能であって、この場合は、例えば試験休止期間には従来方法による温度制御を行い、試験中は本発明の温度制御を行うように、時間的に切り替えて実行すればよい。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体試験装置及び半導体試験方法によれば、被試験体の試験時、被試験体や半導体試験装置自体の自己発熱による温度変化がある場合でも、時間軸化した温度補正データを用いて被試験体を収容する温度槽又は温度印加ステージの温度制御を行うので、被試験体の温度を迅速にかつ充分に設定値に追従させることができるので、半導体試験装置の温度制御の精度と速度とを向上させることができる。
また、この際、被試験体の温度変化を抑制することができるので、被試験体であるＩＣ等の半導体装置の試験精度を向上させることができる。
【００４４】
さらにこの例の半導体試験装置によれば、ハンドリング装置を備えた半導体試験装置の場合でも、同様の効果を得られるので、半導体装置の試験効率を向上させることができる。
また、この例の半導体試験装置によれば、監視カメラを介して被試験体の動作状態を検出することによって、半導体試験装置の構成，動作に無関係に、被試験体の動作状態を把握しながら試験を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例である半導体試験装置の構成を示すブロック図である。
【図２】同実施例の半導体試験装置の動作を示すフローチャートである。
【図３】同実施例の半導体試験装置における補正データ作成の手順を説明する図である。
【図４】本発明の第２実施例である半導体試験装置の構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の第３実施例である半導体試験装置の構成を示すブロック図である。
【図６】従来の半導体試験装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
１      温度槽又は温度印加ステージ（試験環境）
２      測定部
３      温度センサ
４      温度検出器
５Ａ      温度制御器
６      ヒーター・クーラー
７，７Ａ      制御装置
８      デバイス測定状況センサ
９，９Ａ      補正データ作成回路（補正データ作成手段）
１０      データ保存部
１１      データ使用切り替え器
１２      ハンドリング装置（ハンドリング手段）
１３      監視カメラ
１４      装置動作状態センサ（動作状態検出手段）
【図１】
0003880448.tif 000002
【図２】
0003880448.tif 000003
【図３】
0003880448.tif 000004
【図４】
0003880448.tif 000005
【図５】
0003880448.tif 000006
【図６】
0003880448.tif 000007