(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路チップ用の電圧発生器であって、
集積回路チップに利用できる電圧を有する電源を有する集積回路チップと、
前記電源に電気的に接続された前記集積回路チップ上の、または前記集積回路チップに接触したインダクタであって、電流を流すインダクタと、
前記電源から前記インダクタを経て流れる電流を、所望の時間間隔で断続させて、前記電源の電圧より大きい電圧スパイクを発生させるように構成されたクロックと、
前記集積回路チップ上に設けられ、前記電圧スパイクを収集して蓄積するキャパシタと、
を備え、
前記キャパシタが、１対のスタックド・トランジスタからなり、及び、
前記１対のスタックド・トランジスタの間のノードにＮＦＥＴが接続され、該ＮＦＥＴはそのドレインもしくはソースが前記ノードに、ゲート及びゲートもしくはソースが前記電源に接続されており、これにより、前記ノードの電圧が、電源の電圧から前記ＮＦＥＴのしきい値を減じた電圧以上に維持される、電圧発生器。
【請求項２】
前記集積回路チップは、前記集積回路チップを集積回路チップ・パッケージへ接続するリードフレームを有し、前記インダクタは、前記リードフレームの一部よりなる、請求項１に記載の電圧発生器。
【請求項３】
前記集積回路チップ上に設けられ、電流が流れる前記インダクタに接続されたトランジスタをさらに備え、前記クロックは前記複数のトランジスタの１つに接続され、前記トランジスタを流れる電流を断続させる、請求項１又は２に記載の電圧発生器。
【請求項４】
前記集積回路チップ上に設けられ、前記インダクタと前記キャパシタとの間に、整流器をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電圧発生器。
【請求項５】
前記集積回路チップ上に設けられ、前記電流の断続によって発生された負の電圧スパイクをグランドにシャントするように構成されたダイオードをさらに備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電圧発生器。
【請求項６】
前記集積回路チップ上に設けられ、発生された前記高電圧を制限するように構成されたスタックド・ダイオード・クランプ回路をさらに備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電圧発生器。
【請求項７】
前記電圧スパイクは、前記集積回路チップに利用できる前記電源の電圧の２〜３倍の電圧を発生する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電圧発生器。
【請求項８】
前記集積回路チップは、電気ヒューズを有し、前記集積回路チップ上のヒューズは、前記電圧スパイクによって発生された前記高電圧によってプログラムされる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電圧発生器。
【請求項９】
前記集積回路チップは、バッテリを有し、前記集積回路チップ上のバッテリは、前記電圧スパイクによって発生された前記高電圧によって充電される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電圧発生器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電源から集積回路（ＩＣ）チップへ供給できる電圧よりも高い電圧を発生する方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、酸化物型の電気ヒューズまたはアンチヒューズが、半導体技術に導入されており、集積回路チップに普通に利用でき、集積回路チップによって用いられる電源電圧（Ｖext ）よりも高いプログラミング電圧を必要としている。アンチヒューズ・プログラミングは、製造テストにおいて典型的に行われ、１０秒以下の間、動作する高電圧発生器を必要とする。従来、大半のチップは、５Ｖ電源によって動作されており、このような電源の電圧は、現在、約３Ｖ領域、例えば３．３Ｖ、および２．７Ｖのような低い値に下がってきている。アンチヒューズをプログラムするのに必要な電圧は、約６〜１０Ｖである。これらの高い電圧は、例えば特殊なピン（一組の自身の問題を有している）によって、チップ外の電源から、またはチップ上の電源から電圧を発生することによって、供給する必要がある。チップ外から高電圧を供給できるが、特殊な静電デバイス（ＥＳＤ）保護回路を必要とする。この保護回路は、通常のＥＳＤデバイスによって普通にシャントされた電圧レベルを許容する。発振器および多段ポンプを用いて、チップ上で１０Ｖを発生できるが、このようなデバイスは、チップ上に比較的大きな領域を必要とする。
【０００３】
電気ヒューズをプログラムする電圧の発生に加えて、他の特定の応用は、チップ上で得られる電圧よりも高い電圧を必要とする。他の特定の応用としては、基準電圧を発生する、バッテリを充電する手段を与えるといった応用、および低電力を用いる高電圧を必要とするあらゆる応用が含まれる。通常のチップ電源から得られる電圧の２〜４倍である電圧を集積回路チップ上で発生できること、およびコンパクトなデバイスでそのようにできることは、有益であろう。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来技術の問題および欠点を考慮すると、本発明の目的は、チップ電源からチップ上で得られる電圧よりも高い電圧を、集積回路チップ上で発生する方法および装置を提供することにある。
【０００５】
本発明の他の目的は、集積回路チップ上で高電圧を発生する、比較的コンパクトな装置を提供することにある。
【０００６】
本発明のさらに他の目的は、アンチヒューズをプログラムするのに用いることのできる高電圧を、集積回路チップ上で発生する方法および装置を提供することにある。
【０００７】
本発明のさらに他の目的は、低電力を用いる高電圧応用に用いることのできる高電圧を、集積回路チップ上で発生する方法および装置を提供することにある。
【０００８】
本発明のさらに他の目的および利点は、部分的に自明であり、部分的に明細書から明らかであろう。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
当業者には明らかな上記および他の目的および利点は、本発明によって実現される。本発明は、第１の態様によれば、集積回路チップに利用できる電源から、集積回路チップ上で高電圧を発生する方法である。この方法は、集積回路チップに供給できる電圧を有する電源を、集積回路チップに設けるステップと、集積回路チップ上に、または集積回路チップに接触して、インダクタを設けるステップと、電源からインダクタを経て電流を流すステップと、インダクタを流れる電流を、所望の時間間隔で断続させて、電源の電圧より大きい電圧スパイクを発生させるステップとを含んでいる。
【００１０】
好適には、集積回路チップは、集積回路チップを集積回路チップ・パッケージへ接続するリードフレームを有し、インダクタは、リードフレームの一部よりなる。電流を、複数のトランジスタを経て流し、クロックを複数のトランジスタの１つに供給して、電流を断続させる。本発明の方法は、電圧スパイクを整流し、収集して、キャパシタに蓄積するステップをさらに含んでおり、キャパシタおよび整流器が、集積回路チップ上に設けられている。
【００１１】
正および負の電圧スパイクが、電流の断続によって発生され、本発明の方法は、集積回路チップ上のダイオードを用いて、負の電圧スパイクをグランドにシャントするステップをさらに含む。スタックド・ダイオード・クランプ回路を用いて、発生された高電圧を制限する。電圧スパイクは、集積回路チップに利用できる電源の電圧の約２または約３倍の電圧を発生することができる。集積回路チップは、電気ヒューズおよび／またはバッテリを有し、電圧スパイクによって発生された高電圧を用いて、集積回路チップ上の電気ヒューズをプログラムし、および／またはバッテリを充電するステップをさらに含む。
【００１２】
関連する態様では、本発明は、集積回路チップ用の電圧発生器に関する。この電圧発生器は、集積回路チップに利用できる電圧を有する電源を有する集積回路チップと、電源に電気的に接続された集積回路チップ上の、または集積回路チップに接触したインダクタであって、電流を流すインダクタと、電源からインダクタを経て流れる電流を、所望の時間間隔で断続させて、電源の電圧より大きい電圧スパイクを発生させるように構成されたクロックとを備える。
【００１３】
好適には、集積回路チップは、集積回路チップを集積回路チップ・パッケージへ接続するリードフレームを有し、インダクタは、リードフレームの一部よりなる。電圧発生器は、集積回路チップ上に設けられ、電流が流れるインダクタに接続されたトランジスタをさらに備え、クロックは複数のトランジスタの１つに接続され、トランジスタを流れる電流を断続させる。電圧発生器は、集積回路チップ上に設けられ、電圧スパイクを収集して蓄積するように構成されたキャパシタおよび整流器をさらに備える。集積回路チップ上に設けられたダイオードを、電流の断続によって発生された負の電圧スパイクをグランドにシャントするように構成することができ、および集積回路チップ上に設けられたスタックド・ダイオード・クランプ回路を、発生された高電圧を制限するように構成することができる。電圧スパイクは、集積回路チップに利用できる電源の電圧の約２または約３倍の電圧を発生する。集積回路チップが、電気ヒューズおよび／またはバッテリを有する場合、集積回路チップ上のヒューズを、電圧スパイクによって発生された高電圧によってプログラムされるように構成することができ、および／または、バッテリは、電圧スパイクによって発生された高電圧によって充電されるように構成することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の好適な実施例の説明では、図１〜図３を参照する。本発明の特徴は、図において必ずしもスケール通りに示していない。
【００１５】
本発明は、チップ電源の電圧より数ボルト大きいピーク振幅を有する誘導電圧スパイクを、集積回路チップ上で発生する方法および装置である。この高電圧が発生すると、この高電圧は、アンチヒューズの酸化物に何回も供給できて、特定のヒューズ・エレメントをプログラムすることができ、あるいは通常のチップ電源の電圧の２〜４倍の電圧を必要とする他の応用に用いることができる。
【００１６】
本発明の好適な実施例は、クロック信号ＣＬＫを入力するための回路を用いる。クロック信号は、インダクタを流れる電流を変調して、以下の関係式に従って、インダクタに高電圧を誘起させる。
【００１７】
ＶL ＝−Ｌ（ｄｉ／ｄｔ）
ここに、ＶL は、インダクタに発生する電圧であり、Ｌは、インダクタのインダクタンスであり、ｉは電流、ｔは時間である。インダクタンスは、８〜１０ｎＨのＴＳＯＰ（ｔｈｉｎ  ｓｍａｌｌ  ｏｕｔｌｉｎｅ  ｐａｃｋａｇｅ）リードフレーム・インダクタで構成でき、あるいは“On-Chip Spiral Inductors…”1987 digest of Tech. Papers, Symposium on VLSI circuits, p.12-1に開示されている、チップ上に作製されたインダクタで構成できる。高電圧が内部ノードに誘起されると、整流されて、フィルタ・キャップのスタックに送られて、電気ヒューズ・エレメントをプログラムするのに用いられる。さらに、本発明の好適な実施例は、集積回路チップパッケージ上の既存のリードフレーム・インダクタを、コンポーネントの１つとして利用する。
【００１８】
図１に示されるように、集積回路チップ２０は、シリコン上に作製され、続いて、プラスチックまたはセラミックのパッケージ２２内に、パッケージングされる。集積回路チップは、通常、リードフレームまたはワイヤボンド２４と呼ばれる接続手段によって、パッケージ・ピン３２に接続される。典型的に、リードフレームは、高透磁率のニッケル−鉄構成、例えばＡｌｌｏｙ４２よりなる金属フレームであり、チップ上に載っている。リードフレームは、チップの上側周波数応答を制限する高レベルのインダクタンスを有するので、インダクタンスは確定的ではなく、したがって寄生的であるとみなされる。本発明によれば、このようなリードフレームのインダクタンスは、その誘導特性を利用することによって、リードフレームを有用に用いて、集積回路チップ上で直接に高電圧を発生させることができる。リードフレーム・インダクタの使用は、特に有益である。というのは、集積回路は、配線がアルミニウムで作られており、インダクタを作製する便宜な方法を通常有さず、および配線からグランド面への距離が非常に小さいからである。追加のチップ領域を用いることなしに、既存のリードフレームは、適切なインダクタンスを与えることができる。
【００１９】
本発明では、リードフレームの一部に電流を強制的に流して断続し、電流の変化ｄｉ／ｄｔを生じさせる。これにより、高電圧スパイクが、誘導的に発生される。この高電圧スパイクは、ＩＣコンポーネントを用いて、整流されろ波される。各スパイクは、約１ｎｓ続くだけであるので、数百（数千でなければ）のスパイクが、繰り返し発生されて整流され、キャパシタを充電する。このキャパシタは、高電圧を蓄積する。これらのコンポーネントおよび回路は、チップ２０上の比較的小さい領域内に設けられたオンチップ高電圧発生器２６に含ませることができる。
【００２０】
特定の低電圧、例えば３〜４Ｖで設計されたトランジスタへの電圧酸化物ストレスを阻止するためには、スタッキング技術を用いて、電圧酸化物ストレスを低くする。電圧酸化物ストレスは、各トランジスタが、一定レベルより大きな電圧を許容できない特定のゲート酸化物厚さを有する故に、発生することが知られている。このことは、酸化物が耐えることのできない限界（メガボルト／センチメートル）によって、特定することができる。この限界は、大半の技術に対して、典型的に５ｍＶ／ｃｍである。本発明は、２個以上のこれらトランジスタを直列に用いて、１個のコンポーネントに電圧を負担させて１個のコンポーネントをオーバストレスにさらすよりはむしろ、電圧を２個のコンポーネントに分配するようにする。この方法を用いることによって、酸化物ストレスの問題は避けられ、他方では、低電力回路における高電圧基準のような応用に有用な高電圧を依然として発生し、あるいはアンチヒューズ・プログラミング用の高電圧を与える。アンチヒューズ・エレメント２８は、本発明によって発生された高電圧を用いて、プログラムできる。さらに、このような高電圧を用いて、チップ上に設けられた再充電可能バッテリ３０を充電することができる。
【００２１】
図２は、本発明のオンチップ電圧スパイク発生器の好適な実施例の回路図である。ＩＣパッケージ２２上のリードフレーム・インダクタ２４（図１）によって形成されるインダクタＬ1 に、電流が流される。図示の例では、Ｌ1 ＝１０ｎＨである。電流は、この例では２．７Ｖである外部電源Ｖext から、インダクタＬ1 に流される。電流は、垂直方向にスタックされたトランジスタＮＦＥＴ６，ＮＦＥＴ４，ＮＦＥＴ０を経て、下側インダクタＬ0 に流れ、そしてグランドに流れる。下側インダクタＬ0 は、また、リードフレーム２４によって形成され、基本的には寄生エレメントである。同様に、リードフレーム２４で形成されるインダクタＬ2 も、寄生エレメントである。図示の例では、Ｌ0 ＝Ｌ2 ＝４ｎＨである。クロック入力ＣＬＫは、ＮＦＥＴ０のゲートに接続されている。
【００２２】
オンチップ電圧スパイク発生器の動作は、クロック入力ＣＬＫをターンオンして、インダクタＬ1 、トランジスタＮＦＥＴ６，ＮＦＥＴ４，ＮＦＥＴ０、インダクタＬ0 に電流を流す。次に、クロック入力ＣＬＫを、急速に閉じる。これは、所望の期間間隔で繰り返され、ｄｉ／ｄｔを形成する。この変化電流に応じて、Ｖext より大きい電圧スパイクが、ノードＶc に発生する。すなわち、インダクタＬ1 に電磁界が無くなると、ノードＶc は、変化電流の結果、電圧スパイクをインダクタＬ1 に発生させる。したがって、ノードＶc は高電圧ノードである。
【００２３】
このインダクタは、電流の正変化または電流の負変化に応じて、正のスパイクまたは負のスパイクを発生する。ノードＶc に接続されたダイオードＮ４は、正の電圧スパイクを、収集キャパシタンスＣ1 およびＣ2 に送る。これらの収集キャパシタは、ソースとドレインを互いに接続したトランジスタとして示されており、トランジスタの間は電圧ノードＶd を構成している。ノードＶc に発生する正の電圧スパイクは、ダイオードＮ４を経て、ノードＶout へ送られると、電荷がキャパシタＣ1 およびＣ2 に蓄積される。ノードＶout に発生する電圧は、これらトランジスタのうちの１つを通るならば、酸化物ストレスの問題を生じさせるほどに高いが、分圧器を構成する１対のスタックド・トランジスタ（キャパシタ）エレメントが存在するので、ノードＶout の電圧は、半分に分けられ、酸化物ストレスは、許容限界以下に保持される。ダイオードＮＦＥＴ３は、一端が外部電源Ｖext に接続され、他端がキャパシタＣ1 とＣ2 との間に接続されて、パワーアップ電圧Ｖd は、Ｖext よりダイオード電圧降下分だけ低いものよりも低くはなく、すなわち（Ｖext −しきい値降下）よりも低くないようにする。これは、また、酸化物ストレスを阻止するのを助ける。
【００２４】
電流が断続されて、負のスパイクを発生すると、ノードＶc とインダクタＬ0 との間に設けられているダイオードＮ５が、回路をショートし、すなわち負のスパイクをグランドにシャントする。換言すれば、ノードＶc がグランド電位以下になると、ダイオードＮ５が導通し、ノードＶc を、グランド電位よりダイオード電圧だけ低い値にクランプする。
【００２５】
ノードＶc に発生する電圧が、変化し、不確定なインダクタンスに比例する。さらに、インダクタでのｄｉ／ｄｔ、ノードＶc およびＶout での対応ノード電圧を予測することは困難である。このことは、酸化物ストレスおよび過電圧を発生するほどにノードＶout が高くなる状況を生じるかもしれない。この潜在的な問題を処理するために、本発明は、ノードＶout を外部電源Ｖext に接続するダイオードのスタックを与える。その結果、ノードＶout は、外部電源の電圧よりもＮ個のダイオードの電圧降下分だけ高い値より大きく上昇できない。ダイオードＮ１，Ｎ２，Ｎ３は、外部電源Ｖext に接続されたインダクタＬ2 とノードＶout との間に直列に配列されて示されている。○印は、追加のダイオードの可能性を示している。所望の最大電圧に応じて、任意の数のダイオードを用いることができる。これらのスタックされたダイオードは、過電圧を阻止するためのクランプ機構を与える。ダイオード電圧降下が０．６５Ｖであり、１０個のダイオードが直列に用いられるならば、ノードＶout の最大電圧は、外部電源Ｖext より６．５Ｖ大きな値になる。他のダイオードを、他の最大電圧のために用いることができる。例えば、アンチヒューズが、８Ｖまたは９Ｖでとばされるならば、１０Ｖまたは１１Ｖより大きい電圧をノードＶout に発生させる必要はない。コンポーネントは、何Ｖに耐え得るかを、技術仕様書から計算することができ、したがってスタックド・ダイオード・クランプ回路は、電圧を応用使用に十分なほど高い電圧にするが、信頼性の問題を生じるほどに高くはない。
【００２６】
さらに、任意のキャパシタＣＡＰを設けて、外部電源とグランドとの間の典型的なオンチップ・キャパシタンスをシミュレートする。ＣＡＰは、オペラビリティ（ｏｐｅｒａｂｉｌｉｔｙ）を証明するためのシミュレーションにおいて有用であるが、本発明の本質的な部分ではない。
【００２７】
図３は、本発明の高電圧発生器の電圧出力Ｖout を、クロックパルスの数の関数として示すグラフである。電圧出力Ｖout は、２．７Ｖの外部電源電圧Ｖext から作られる。水平軸は、時間（ナノ秒）を示し、クロックＣＬＫパルスは、グラフの下部に示されている。また、垂直軸は、ボルトを示している。クロックパルス速度は、約５ｎｓオンおよび約５ｎｓオフであり、これは電流変化ｄｉ／ｄｔとインダクタでの電圧スパイクとを発生する。得られる出力電圧Ｖout は、基本的に２つの周波数で振動している。低周波は、約７Ｖ〜約９Ｖの電圧範囲を有している。この低周波は、オンチップ・キャパシタンスとインダクタンスとの間で発生する共振に基づいている。さらに、図２の電圧Ｖout は、単一の外部グランドを基準にすることに注意すべきである。実際のオンチップ電圧は、平滑である。というのは、使用に際して、オンチップ・グランドＶb （図２）を基準にするからである。
【００２８】
このように、本発明の好適な回路は、ＰＮダイオードによる電圧制限を用いて、大きな負のスパイクが、順方向バイアスされた接合を生じさせることを防止する。最大電圧の制限は、また、ダイオード・スタック・クランプ機構によって調整することができる。本発明を用いて、米国特許第５，０７０，３８４号公報に開示されているようなアンチヒューズをプログラムすることができる。なお、この米国特許の内容は、本願明細書の内容に含まれるものとする。現在の技術でアンチヒューズをプログラミングするＬab測定値は、６μＡといった小さな電流での適正なプログラミングを示しており、したがって高電流容量は、必要とされない。
【００２９】
本発明を、特定の好適な実施例で説明したが、前述した説明から、多くの変形，変更が当業者には明らかであろう。特許請求の範囲は、本発明の範囲および趣旨の範囲内にあるこのような変形，変更を含むことを意図している。
【００３０】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
（１）集積回路チップに利用できる電源から、前記集積回路チップ上で高電圧を発生する方法であって、
前記集積回路チップに供給できる電圧を有する電源を、前記集積回路チップに設けるステップと、
前記集積回路チップ上に、または前記集積回路チップに接触して、インダクタを設けるステップと、
前記電源から前記インダクタを経て電流を流すステップと、
前記インダクタを流れる電流を、所望の時間間隔で断続させて、前記電源の電圧より大きい電圧スパイクを発生させるステップと、
を含む方法。
（２）前記集積回路チップは、前記集積回路チップを集積回路チップ・パッケージへ接続するリードフレームを有し、前記インダクタは、前記リードフレームの一部よりなる、上記（１）に記載の方法。
（３）前記電流を、複数のトランジスタを経て流し、クロックを前記複数のトランジスタの１つに供給して、前記電流を断続させる、上記（１）に記載の方法。
（４）前記複数のトランジスタは、前記集積回路チップ上に設けられている、上記（３）に記載の方法。
（５）前記電圧スパイクを整流し、収集して、キャパシタに蓄積するステップをさらに含む、上記（１）に記載の方法。
（６）前記キャパシタおよび整流器が、前記集積回路チップ上に設けられている、上記（５）に記載の方法。
（７）正および負の電圧スパイクが、前記電流の断続によって発生され、ダイオードを用いて、前記負の電圧スパイクをグランドにシャントするステップをさらに含む、上記（１）に記載の方法。
（８）前記ダイオードは、前記集積回路チップ上に設けられている、上記（７）に記載の方法。
（９）発生された前記高電圧を制限するためのスタックド・ダイオード・クランプ回路をさらに含む、上記（１）に記載の方法。
（１０）前記スタックド・ダイオード・クランプ回路は、前記集積回路チップ上に設けられている、上記（９）に記載の方法。
（１１）前記電圧スパイクは、前記集積回路チップに利用できる前記電源の電圧の約２または約３倍の電圧を発生する、上記（１）に記載の方法。
（１２）前記集積回路チップは、電気ヒューズを有し、前記電圧スパイクによって発生された前記高電圧を用いて、前記集積回路チップ上の前記電気ヒューズをプログラムするステップをさらに含む、上記（１）に記載の方法。
（１３）前記集積回路チップは、バッテリを有し、前記電圧スパイクによって発生された前記高電圧を用いて、前記集積回路チップ上の前記バッテリを充電するステップをさらに含む、上記（１）に記載の方法。
（１４）集積回路チップ用の電圧発生器であって、
集積回路チップに利用できる電圧を有する電源を有する集積回路チップと、
前記電源に電気的に接続された前記集積回路チップ上の、または前記集積回路チップに接触したインダクタであって、電流を流すインダクタと、
前記電源から前記インダクタを経て流れる電流を、所望の時間間隔で断続させて、前記電源の電圧より大きい電圧スパイクを発生させるように構成されたクロックと、
を備える電圧発生器。
（１５）前記集積回路チップは、前記集積回路チップを集積回路チップ・パッケージへ接続するリードフレームを有し、前記インダクタは、前記リードフレームの一部よりなる、上記（１４）に記載の電圧発生器。
（１６）前記集積回路チップ上に設けられ、電流が流れる前記インダクタに接続されたトランジスタをさらに備え、前記クロックは前記複数のトランジスタの１つに接続され、前記トランジスタを流れる電流を断続させる、上記（１４）に記載の電圧発生器。
（１７）前記集積回路チップ上に設けられ、前記電圧スパイクを収集して蓄積するように構成されたキャパシタおよび整流器をさらに備える、上記（１４）に記載の電圧発生器。
（１８）前記集積回路チップ上に設けられ、前記電流の断続によって発生された前記負の電圧スパイクをグランドにシャントするように構成されたダイオードをさらに備える、上記（１４）に記載の電圧発生器。
（１９）前記集積回路チップ上に設けられ、発生された前記高電圧を制限するように構成されたスタックド・ダイオード・クランプ回路をさらに備える、上記（１４）に記載の電圧発生器。
（２０）前記電圧スパイクは、前記集積回路チップに利用できる前記電源の電圧の約２または約３倍の電圧を発生する、上記（１４）に記載の電圧発生器。
（２１）前記集積回路チップは、電気ヒューズを有し、前記集積回路チップ上のヒューズは、前記電圧スパイクによって発生された前記高電圧によってプログラムされるように構成されている、上記（１４）に記載の電圧発生器。
（２２）前記集積回路チップは、バッテリを有し、前記集積回路チップ上のバッテリは、前記電圧スパイクによって発生された前記高電圧によって充電されるように構成されている、上記（１４）に記載の電圧発生器。
【図面の簡単な説明】
【図１】リードフレームと本発明の誘導電圧スパイク発生器とを示す集積回路チップの平面図である。
【図２】本発明の誘導電圧発生器の回路図である。
【図３】本発明の誘導電圧発生器によって発生された高電圧Ｖout のグラフ表示である。
【符号の説明】
２０  集積回路チップ
２２  パッケージ
２４  リードフレームまたはワイヤボンド
２６  オンチップ高電圧発生器
２８  アンチヒューズ・エレメント
３０  再充電可能バッテリ
３２  パッケージ・ピン
【図１】
0003880433.tif 000002
【図２】
0003880433.tif 000003
【図３】
0003880433.tif 000004