(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の電気的特性をテスタで測定した結果の一つであるＦａｉｌＢｉｔＭａｐ上の不良の形状毎に不良モードを定義した第１のデータと、前記半導体素子の不良要因を特定できる複数の電気的特性試験毎の結果を定義した第２のデータとを、前記不良モードに前記不良要因を関連付けて保存し、不良解析を行う半導体素子のＦａｉｌＢｉｔＭａｐから前記不良要因を特定する半導体不良解析方法であって、
前記第１のデータを参照して、前記不良解析を行う半導体素子のＦａｉｌＢｉｔＭａｐから前記不良モードを判定し、
前記判定された不良モードの判定結果に基づいて、さらに前記不良要因の特定を行う半導体素子を指定し、前記不良モードに関連付けられた前記不良要因の特定を行うために必要な前記複数の電気的特性試験を前記不良要因の特定をさらに行うことを指定された半導体素子に行い、
前記第２のデータを参照して、前記指定された半導体素子に対する前記複数の電気的特性試験の結果から前記指定された半導体素子の前記不良要因を特定することを特徴とする半導体不良解析方法。
【請求項２】
端末装置と、
半導体素子の不良モードをＦａｉｌＢｉｔＭａｐ上の不良の形状ごとに定義した第１のデータを格納する第１の記憶装置を備え、
前記第１のデータを参照して、不良解析を行う半導体素子のＦａｉｌＢｉｔＭａｐから前記不良モードを判定する不良モード判定手段と、
前記半導体素子の不良要因を特定できる複数の電気的特性試験毎の結果を定義した第２のデータを、前記不良モードに前記不良要因を関連付けて格納する第２の記憶装置を備え、
前記不良モード判定手段によって判定された不良モードの判定結果に基づいて、さらに前記不良要因の特定を行う半導体素子を指定し、前記不良モードに関連付けられた前記不良要因の特定を行うために必要な前記複数の電気的特性試験を前記不良要因の特定をさらに行うことを指定された半導体素子に行い、前記第２のデータを参照して、前記指定された半導体素子に対する前記複数の電気的特性試験の結果から前記指定された半導体素子の前記不良要因を特定する不良要因特定手段とを具備することを特徴とする半導体不良解析装置。
【請求項３】
前記第２の記憶装置がさらに、
前記判定された不良モードに基づいて前記不良要因が発生した半導体製造工程の不良工程を特定できる複数の電気的特性試験結果を定義した第３のデータ、および前記不良要因、前記不良工程それぞれに関連する関連技術者を記述した第４のデータを前記不良モードに前記不良要因、前記不良工程および前記関連技術者を関連付けて格納し、
前記不良要因特定手段がさらに、
前記不良モード判定手段によって判定された不良モードに関連付けられた前記不良要因の特定を行うために必要な前記複数の電気的特性試験を前記指定された半導体素子に行い、前記第３のデータを参照して、前記指定された半導体素子に対する前記複数の電気的特性試験の結果から前記指定された半導体素子の前記不良工程を特定すると共に、
前記第４のデータを参照して、前記特定された不良要因および不良工程に関連する前記関連技術者を特定することを特徴とする請求項２に記載の半導体不良解析装置。
【請求項４】
前記不良要因特定手段は、
該不良要因特定手段全体を制御する制御部と、
実際に前記不良要因、前記不良工程および前記関連技術者の特定を行う特定部と、
前記特定部が前記不良要因、前記不良工程および前記関連技術者の特定を行う際に前記第２の記憶装置を参照する照合部と、
前記特定部が行った前記不良要因、前記不良工程および前記関連技術者の特定の結果を集計する集計部と、
前記特定部が行った特定結果と前記集計部が行った集計結果を格納する第３の記憶装置と、
前記特定部が行った特定結果と前記集計部が行った集計結果を前記第３の記憶装置に保存する保存部と
をさらに有することを特徴とする請求項３に記載の半導体不良解析装置。
【請求項５】
半導体素子の電気的特性をテスタで測定した結果の一つであるＦａｉｌＢｉｔＭａｐ上の不良の形状毎に不良モードを定義した第１のデータと、前記半導体素子の不良要因を特定できる複数の電気的特性試験毎の結果を定義した第２のデータとを、前記不良モードに前記不良要因を関連付けて保存するステップと、
前記第１のデータを参照して、前記不良モードの判定を行う半導体素子のＦａｉｌＢｉｔＭａｐから前記不良モードを判定するステップと、
前記判定された不良モードに関連付けられた前記不良要因の特定を行うために必要な前記複数の電気的特性試験を前記不良要因の特定をさらに行うことを指定された半導体素子に行い、前記第２のデータを参照して、前記指定された半導体素子に対する前記複数の電気的特性試験の結果から前記指定された半導体素子の前記不良要因を特定するステップとを具備することを特徴とする半導体不良解析プログラムを記録した記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程で用いられる半導体素子の不良解析技術に関し、特に、自動的に不良要因の特定を行う半導体不良解析方法および装置並びに半導体不良解析プログラムを記録した記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程において、不良解析に要する時間を短縮することは、試作回数を減らしてプロセス構築期間の短縮を図り、最終的にはプロセスラインの早期立ち上げを実現する上で非常に重要な事柄である。さらに、量産工場においては、突発的な歩留まり低下に対する早期回復や、新製品立ち上げ時の歩留まり向上に対して非常に有効である。
【０００３】
通常、半導体基板（以下、単にウェハと記す）上に形成されている所定の半導体素子またはＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ  半導体素子の特定部分を評価するために設けられた素子）を所定の測定条件で多量に測定したデータを採取し、これに基づいて種々の不良解析が行われる。かかる測定は、多数の半導体素子（またはＴＥＧ）が配置されたウェハをウェーハ状態のままで複数枚自動的に測定可能なオートプローバによって行われ、これらデータは各ウェハ上に配置された半導体素子の各ビットアドレスの良否（Ｆａｉｌ  Ｂｉｔ  Ｍａｐ  以下、ＦＢＭと記す）を示すデータとなり、通常、ＦＢＭデータと呼ばれている。具体的な測定項目としては、生産する半導体素子の種類やそのプロセス等の違いによって様々なものが考えられるが、例えば、実際の半導体素子に関しては、ＤＣテストとしてオープン／ショート、入出力端子リークなどがあり、ＡＣテストとしてＡＣ特性などがある。また、ＴＥＧに関しては、トランジスタ特性、コンタクト抵抗、配線のオープン／ショートなどがある。
【０００４】
上記のように得られたＦＢＭデータは、次に述べるような半導体不良解析装置により具体的に解析され、その解析結果に基づいて不良要因の特定が行われる。図１２は、従来の半導体不良解析装置の構成を示す図である。
【０００５】
図１２において、この不良解析装置は、不良モード判定システム１と、ＦＢＭデータを解析者端末７に表示したり、解析者端末７と不良モード判定システムとの入出力を管理するグラフィカルユーザインターフェース（ＧｒａｐｈｉｃａｌＵｓｅｒ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  以下、ＧＵＩと記す）３と、上記ＦＢＭデータを格納する記憶装置（以下、ＦＢＭデータと呼ぶ）５と、ディスプレイ装置やキーボードおよびマウス等からなる解析者端末７とから構成されている。
【０００６】
さらに、不良モード判定システム１は、予め定義された種々の不良モードを格納する記憶装置（以下、不良モード知識ベースと呼ぶ）１５と、不良モード判定結果データを格納する記憶装置（以下、不良モード判定結果と呼ぶ）２１を有すると共に、そのソフトウェア構成は、不良モード判定システム１全体を制御する不良モード判定システム制御部９と、実際に不良モードの判定を行う不良モード判定部１１と、不良モード判定部１１が不良モード判定を行う際に不良モード知識ベース１５を参照する不良モード知識ベース照合部１３と、不良モード判定部１１が行った不良モード判定の結果をチップ単位、ウェハ単位などで集計する不良モード集計部１７と、不良モード判定部１１が行った不良モード判定の結果と不良モード集計部１７が行った集計結果を不良モード判定結果２１に保存する不良モード判定結果保存部１９とから成っている。
【０００７】
ここで、不良モードとは、１ビットのみの不良である単ビット不良、線状に発生する不良であるライン不良（カラム不良、ロウ不良）、一定領域で発生する不良であるブロック不良などの不良の種類であり、不良の形状（パターン）ごとに分類されているものである。
【０００８】
この不良解析装置を用いて実際に不良解析を行う場合には、図１３に示すように、予め、一連の半導体製造工程を経た複数のウェハを上述したような測定項目についてオートプローバによって自動測定し、ＦＢＭデータを取得しておく。また、その得られたデータに対して所定のデータ処理を施して保存しておく（ステップ１）。
【０００９】
上記ＦＢＭデータが整った後、かかるデータに基づいて上記不良解析装置によって具体的な不良モードの判定作業が行われる。解析者は図１２の解析者端末７から不良解析を行うウェハやチップを指定し、指定したウェハやチップのＦＢＭデータ表示を命令する。解析者端末７から前記命令を受けたＧＵＩ３はＦＢＭデータ５にアクセスして、指定されたウェハやチップのデータを読み出し、解析者端末７に表示する。解析者端末７に表示されたデータから解析者は指定したウェハ、チップの不良状況を把握する（ステップ２）。
【００１０】
次に、解析者は、上記ステップ２で解析者端末７に表示された各ウェハ、チップのＦＢＭデータに基づいて不良状況を把握した後、実際に、不良モードを判定すべきウェハ、チップを選択する。そして、再び解析者端末７によりそのウェハ、チップを指定し、指定したウェハ、チップの不良モード判定を命令する。解析者端末７から前記命令を受けたＧＵＩ３は、不良モード判定を行う不良モード判定システム１にアクセスする。具体的には、指定されたウェハ、チップに関する情報（ウェハNo.、チップの座標など）を不良モード判定システム制御部９に転送する。指定されたウェハ、チップに関する情報を受けた不良モード判定システム制御部９は、自らＦＢＭデータ５にアクセスし、その指定されたウェハ、チップのＦＢＭデータを読み出す。読み出されたＦＢＭデータを不良モード判定システム制御部９は不良モード判定部１１に転送する。そして、ＦＢＭデータを入力した不良モード判定部１１は不良モードの判定を行うが、その判定は不良モード知識ベース照合部１３により不良モード知識ベース１５を参照することにより行われる。不良モードの判定が終了すると、不良モード判定部１１はその判定結果を不良モード集計部１７に転送する。不良モード集計部１７は受け取った判定結果をウェハやチップ単位で不良モードの集計を行う。不良モード判定結果保存部１９は、不良モード判定部１１による不良モード判定結果と不良モード集計部１７による不良モード集計結果を不良モード判定結果２１として保存する（ステップ３）。
【００１１】
そして、不良モード判定システム制御部９は不良モード判定保存部１９より上記不良モード判定結果および不良モード集計結果をＧＵＩ３に受け渡す。ＧＵＩ３はそれらの結果を解析者端末７に表示する（ステップ４）。
【００１２】
このようにして、上記半導体不良解析装置は不良モードの判定を自動的に行うことができる。そして、その不良モードの判定結果はデバイス解析者に渡され、彼らによる不良要因特定作業の指針となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来の半導体不良解析装置によれば、解析者による不良要因特定作業の指針となる不良モードを自動的に判定することができた。ところが、不良要因を特定するためには、上記ＦＢＭデータの他にさらに詳細なデータが必要となる場合が多く、そのため、マニュアルプローバによる測定、ＳＥＭ等による物理解析などを行うことが必要となる。このような測定、物理解析は経験を積んだデバイス解析者が解析を行ったとしても非常に長時間かかってしまうものであり、従って、不良解析に要する時間の短縮化はまだ十分なものではなかった。
【００１４】
また、経験を積んだデバイス解析者の人数には限りがあり、さらに解析対象のウェハやその不良モード判定結果の受け渡し作業等も現実には不良解析時間の短縮化を阻む要因となっていた。
【００１５】
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、その目的は、不良要因、さらには不良工程、関連技術者を不良モードに予め関連付けしておくことにより、経験の積んだデバイス解析者が持っているような専門知識を必要とすることなく、迅速に不良要因等の特定を行うことを可能とする半導体不良解析方法および装置並びに半導体不良解析プログラムを記録した記録媒体を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、第１の発明は、半導体素子の不良モードを半導体基板上の形状ごとに分類した第１のデータと、半導体素子の不良要因を所定の試験の結果を基にして分類した第２のデータと、半導体素子の不良工程を所定の試験の結果を基にして分類した第３のデータと、上記不良要因、上記不良工程それぞれに関連する関連技術者を記述した第４のデータとを、上記不良モードに上記不良要因、上記不良工程および上記関連技術者を関連付けて保存し、与えられた半導体素子の不良から上記不良要因、不良工程、関連技術者を特定する半導体不良解析方法であって、上記第１のデータを参照して、与えられた半導体素子の不良から上記不良モードを判定し、上記判定された不良モードに基づいて前記所定の試験を行い、その結果から上記第２のデータおよび上記第３のデータを参照して上記不良要因、上記不良工程を特定し、上記第４のデータを参照して、上記特定された不良要因および不良工程から上記関連技術者を特定することを特徴とする。
【００１７】
第２の発明は、端末装置と、半導体素子の不良モードを半導体基板上の形状ごとに分類した第１のデータを格納する第１の記憶装置を備え、上記第１のデータを参照して、与えられた半導体素子の不良から上記不良モードを判定する不良モード判定手段と、半導体素子の不良要因を所定の試験の結果を基にして分類した第２のデータ、半導体素子の不良工程を所定の試験の結果を基にして分類した第３のデータ、および上記不良要因、上記不良工程それぞれに関連する関連技術者を記述した第４のデータを上記不良モードに上記不良要因、上記不良工程および上記関連技術者を関連付けて格納する第２の記憶装置を備え、上記不良モード判定手段によって判定された不良モードに基づいて前記所定の試験を行い、その結果から上記第２のデータおよび上記第３のデータを参照して上記不良要因、上記不良工程を特定すると共に、上記第４のデータを参照して、上記特定された不良要因および不良工程から上記関連技術者を特定する不良要因特定手段とを具備することを特徴とする。
【００１８】
上記構成によれば、半導体素子の不良モードに、半導体素子の不良要因、不良工程、さらに不良要因、不良工程に関連する関連技術者を経験の積んだデバイス解析者の知識に基づいて予め関連付けておくことにより、必要な所定の試験（電気的特性試験）を行うだけで不良モードから不良要因、不良工程、関連技術者が自動的に特定することが可能となる。従って、従来不良要因等の特定は、自動的に判定された不良モードに基づいてデバイス解析者が自ら行っていたが、かかるデバイス解析者は不要となり、さらに高速に特定することができるようになる。それにより、半導体製造工程へのフィードバックの迅速化が図られ、半導体製造工程の生産性が向上することになる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る半導体不良解析装置の構成を示す図である。なお、図１２に示した従来の半導体不良解析装置と同一部分には同一符号が付してある。
【００２０】
図１において、この半導体不良解析装置は、従来同様、不良モード判定システム１と、ＦＢＭデータを解析者端末７に表示したり、解析者端末７と不良モード判定システムとの入出力を管理するＧＵＩ３と、上記ＦＢＭデータを格納する記憶装置（ＦＢＭデータ）５と、ディスプレイ装置やキーボードおよびマウス等からなる解析者端末７とから構成されている。そして、さらに、本発明の特徴部分である不良要因特定システム２３並びに工程ごとの欠陥データを格納する記憶装置（以下、欠陥データと呼ぶ）２５を構成要素としている。
【００２１】
また、不良モード判定システム１は、従来同様、予め定義された種々の不良モードを格納する記憶装置（不良モード知識ベース）１５と、不良モード判定結果データを格納する記憶装置（不良モード判定結果）２１を有すると共に、そのソフトウェア構成は、不良モード判定システム１全体を制御する不良モード判定システム制御部９と、実際に不良モードの判定を行う不良モード判定部１１と、不良モード判定部１１が不良モード判定を行う際に不良モード知識ベース１５を参照する不良モード知識ベース照合部１３と、不良モード判定部１１が行った不良モード判定の結果をチップ単位、ウェハ単位などで集計する不良モード集計部１７と、不良モード判定部１１が行った不良モード判定の結果と不良モード集計部１７が行った集計結果を不良モード判定結果２１に保存する不良モード判定結果保存部１９とから成っている。
【００２２】
一方、本発明の特徴部分である不良要因特定システム２３は、不良要因等を格納する記憶装置（以下、不良要因知識ベースと呼ぶ）３５と、不良要因特定結果データを格納する記憶装置（以下、不良要因特定結果と呼ぶ）４３を有すると共に、そのソフトウェア構成は、不良要因特定システム２３全体を制御する不良要因特定システム制御部２９と、実際に不良要因等の特定を行う不良要因特定部３１と、不良要因特定部３１が不良要因等の特定を行う際に不良要因知識ベース３５を参照する不良要因知識ベース照合部３３と、不良要因特定部３１が行った不良要因特定の結果をチップ単位、ウェハ単位などで集計する不良要因集計部３９と、不良要因特定部３１が行った不良要因特定の結果と不良要因集計部３９が行った集計結果を不良要因特定結果４３に保存する不良要因特定結果保存部４１とから成っている。なお、不良要因知識ベース３５については後で詳しく説明する。
【００２３】
次に、この半導体不良解析装置を用いて実際に不良解析を行う場合について説明する。図２は、この半導体不良解析装置を用いて不良解析を行う場合の処理手順を示すフローチャートである。
【００２４】
図２に示すように、まず最初に、従来と同様に、不良モードの判定がステップ１１からステップ１４において行われる。
【００２５】
すなわち、まず、一連の半導体製造工程を経た複数のウェハを上述したような測定項目についてオートプローバによって自動測定し、ＦＢＭデータを取得しておく。また、その得られたデータに対して所定のデータ処理を施して保存しておく（ステップ１１）。
【００２６】
次に、解析者は図１の解析者端末７から不良解析を行うウェハやチップを指定し、指定したウェハやチップのＦＢＭデータ表示を命令する。解析者端末７から前記命令を受けたＧＵＩ３はＦＢＭデータ５にアクセスして、指定されたウェハやチップのデータを読み出し、解析者端末７に表示する。解析者端末７に表示されたデータから解析者は指定したウェハ、チップの不良状況を把握する（ステップ１２）。
【００２７】
次に、解析者は、上記ステップ２で解析者端末７に表示された各ウェハ、チップのＦＢＭデータに基づいて不良状況を把握した後、実際に、不良モードを判定すべきウェハ、チップを選択する。そして、再び解析者端末７によりそのウェハ、チップを指定し、指定したウェハ、チップの不良モード判定を命令する。解析者端末７から前記命令を受けたＧＵＩ３は、不良モード判定を行う不良モード判定システム１にアクセスする。具体的には、指定されたウェハ、チップに関する情報（ウェハNo.、チップの座標など）を不良モード判定システム制御部９に転送する。指定されたウェハ、チップに関する情報を受けた不良モード判定システム制御部９は、自らＦＢＭデータ５にアクセスし、その指定されたウェハ、チップのＦＢＭデータを読み出す。読み出されたＦＢＭデータを不良モード判定システム制御部９は不良モード判定部１１に転送する。そして、ＦＢＭデータを入力した不良モード判定部１１は不良モードの判定を行うが、その判定は不良モード知識ベース照合部１３により不良モード知識ベース１５を参照することにより行われる。不良モードの判定が終了すると、不良モード判定部１１はその判定結果を不良モード集計部１７に転送する。不良モード集計部１７は受け取った判定結果をウェハやチップ単位で不良モードの集計を行う。不良モード判定結果保存部１９は、不良モード判定部１１による不良モード判定結果と不良モード集計部１７による不良モード集計結果を不良モード判定結果２１として保存する（ステップ１３）。
【００２８】
そして、不良モード判定システム制御部９は不良モード判定保存部１９より上記不良モード判定結果および不良モード集計結果をＧＵＩ３に受け渡す。ＧＵＩ３はそれらの結果を解析者端末７に表示する（ステップ１４）。
【００２９】
ここまでは、従来と同様であり、本発明の特徴は次に述べる不良要因特定システム２３による処理にある。以下、続けて説明する。
【００３０】
不良モードの判定結果を得た解析者は、その結果に基づいてさらに不良要因の特定を行うウェハ、チップを解析者端末７により指定し、指定したウェハ、チップの不良要因特定を命令する。解析者端末７から前記命令を受けたＧＵＩ３は、不良要因特定を行う不良要因特定システム２３にアクセスする。具体的には、指定されたウェハ、チップに関する情報（ウェハNo.、チップの座標、製品名、工程、テスト名、テスト条件など）を不良要因特定システム制御部２９に転送する。指定されたウェハ、チップに関する情報を受けた不良要因特定システム制御部２９は、後記図４に示すような不良要因定義を基にして、不良要因候補を絞り込む際に必要なテストを選び出し、テスタ指令部５５に伝える。テスタ司令部５５は指定されたウェハやチップに関する情報とテストに関する情報を不良要因特定システム制御部２９を通じてテスタ５７に渡す。そして、テスタ５７はテストを行う。このテスト結果はＦＢＭデータ５として新たに追加される。追加されたＦＢＭデータに対しても上記と同様に、不良モード判定システム１によって不良モードが判定され、不良モード判定結果２１に格納される（ステップ１５）。なお、上記ステップ１１にて後記図４に記述された全てのテストを行い、ＦＢＭデータを予め取得しておく方法もある。この方法によるとステップ１５で改めて
テストを行う必要はなくなる。あらかじめ解析に必要な全てのテストを行うためその後はテスタに指令してテストを行う必要は無く、大量データの傾向分析に適している。
【００３１】
次に、上記不良要因特定テストが終了すると、不良要因特定システム制御部２９はＦＢＭデータ５にアクセスし、その指定されたウェハ、チップのＦＢＭデータを読み出し、さらに、不良モード判定結果２１にアクセスし、その指定されたウェハ、チップの不良モード判定結果を読み出す。読み出されたＦＢＭデータおよび不良モード判定結果を不良要因特定システム制御部２９は不良要因特定部３１に転送する。ＦＢＭデータおよび不良モード判定結果を入力した不良要因特定部３１は、指定されたウェハ、チップについての複数の不良モード判定結果を重ねあわせて、実際に不良要因を特定する不良を抽出する。そして、抽出した不良に対して不良要因の特定を行うが、その特定は不良要因知識ベース照合部３３により不良要因知識ベース３５を参照することにより行われる。また、さらに、必要に応じて、不良要因特定システム制御部２９を介して工程ごとの欠陥データ２５にアクセスし、欠陥データを読み出す。不良要因の特定が終了すると、不良要因特定部３１はその特定結果を不良要因集計部３９に転送する。不良要因集計部３９は受け取った特定結果をウェハやチップ単位で不良要因の集計を行う。不良要因特定結果保存部４１は、不良要因特定部３１による不良要因特定結果と不良要因集計部３９による不良要因集計結果を不良要因特定結果４３として保存する（ステップ１６）。
【００３２】
そして、不良要因特定システム制御部２９は不良要因特定保存部４１より上記不良要因特定結果および不良要因集計結果をＧＵＩ３に受け渡す。ＧＵＩ３はそれらの結果を解析者端末７に表示する。（ステップ１７）。なお、表示の方法については後でさらに説明する。
【００３３】
次に、不良要因知識ベース３５については詳しく説明する。図３に示すように、不良要因知識ベース３５には、不良要因定義４７、不良工程知識４９、要因・工程の関連技術者一覧表５１、および知識対応表５３が格納されている。不良要因定義４７は、不良の要因と上述した電気的測定結果とを対応づけしたものである。かかる対応付けの際には、経験の積んだデバイス解析者の知識に基づいて、起こり得る不良要因を可能な限り抽出し、それを特定できる電気的測定を決定する。そして、図４に示すように、すべての不良要因に対する各電気的測定の結果を、合格、不良等に分けて表にする。また、新しい不良要因やそれを特定する電気的測定は後でいつでも追加することが可能である。また、不良工程知識４９は、上記不良要因定義４７と同様に、図５に示すように、不良の工程と上述した電気的測定結果とを対応づけしたものである。要因・工程の関連技術者一覧表５１は、各不良要因、不良工程に対して関連する技術者、すなわち特定された不良要因、不良工程に対処する技術者を示したものである。これら不良要因定義４７、不良工程知識４９、要因・工程の関連技術者一覧表５１それぞれは、デバイス解析者の知識に基づいて、不良モード判定システム１により求められる種々の不良モードの定義４５と関連付けられており、本装置は、予め作成されたこの関連付けにより不良要因の特定、さらには不良工程、関連技術者を特定するものである。知識対応表５３は、不良要因定義４７、不良工程知識４９および要因・工程の関連技術者一覧表５１と不良モード定義４５とが関連付けされた結果である。
【００３４】
次に、上記ステップ１７の表示方法について説明する。解析者端末７から集計の仕方やグラフの種類などをＧＵＩ３に入力すると、ＧＵＩ３は集計の仕方やグラフの種類などの情報を不良要因特定システム制御部２９に出力する。不良要因特定システム制御部２９は、不良要因知識ベース照合部３３により不良要因知識ベース３５内の知識対応表５３を参照して、不良要因別、不良工程別、関連技術者別にその不良数を表示する（図８、図９、図１０参照）。また、不良要因特定システム制御部２９は、解析者結果通知部３７に不良要因特定結果を渡し、関連技術者端末２７に通常の電子メール等で通知することもできる。さらに、所定の不良要因による不良が一定値を超えた場合などあらかじめ定められた条件が満たされた場合にのみ、通知するようにしてもよい。
【００３５】
なお、本発明は、図１１に示すような半導体不良解析装置によっても実現可能である。この装置では、自動判定処理デーモン６１を用いて大量データを判定し、判定結果をデータベース５９に保存し、集計表示アプリケーション６３を用いてデータベース５９に保存されている判定結果をグラフ化して表示を行う。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、経験の積んだデバイス解析者による不良解析を不要とし、不良要因の特定等を自動的に行うことが可能となる。
【００３７】
また従来ではデバイス解析者によっても、不良要因の特定は非常に長い時間を要していたが、本発明によれば非常に高速に行うことができる。
【００３８】
従って、試作工場においては試作の回数を減らし、プロセスの早期立ち上げが可能となる一方、量産工場においては突発的な歩留まり低下に対する早期回復、新製品の立ち上げの歩留まり向上に非常に役立つものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体不良解析装置の構成を示す図である。
【図２】図１の半導体不良解析装置を用いて不良解析を行う場合の処理手順を示すフローチャートである。
【図３】図１の不良モード知識ベース１５と不良要因知識ベース３５との関係を示す図である。
【図４】図３の不良要因定義４７を説明するための図である。
【図５】図３の不良工程知識４９を説明するための図である。
【図６】図３の要因・工程の関連技術者一覧表５１を説明するための図である。
【図７】図３の知識対応表５３を説明するための図である。
【図８】図１の解析者端末７に表示される解析結果の一例を示す図である。
【図９】図１の解析者端末７に表示される解析結果の一例を示す図である。
【図１０】図１の解析者端末７に表示される解析結果の一例を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態に係る他の半導体不良解析装置の構成を示す図である。
【図１２】従来の半導体不良解析装置の構成を示す図である。
【図１３】図１２の半導体不良解析装置を用いて不良解析を行う場合の処理手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１  不良モード判定システム
３  ＧＵＩ
５  ＦＭＢデータ
７  解析者端末
９  不良モード判定システム制御部
１１  不良モード判定部
１３  不良モード知識ベース照合部
１５  不良モード知識ベース
１７  不良モード集計部
１９  不良モード判定結果保存部
２１  不良モード判定結果
２３  不良要因特定システム
２５  欠陥データ
２７  関連技術者端末
２９  不良要因特定システム制御部
３１  不良要因特定部
３３  不良要因知識ベース照合部
３５  不良要因知識ベース
３７  解析結果通知部
３９  不良要因集計部
４１  不良要因特定結果保存部
４３  不良要因特定結果
４５  不良モード定義
４７  不良要因定義
４９  不良工程
５１  要因・工程の関連技術者一覧表
５３  知識対応表
５５  テスタ指令部
５７  テスタ
５９  データベース
６１  自動判定処理デーモン
６３  集計表示アプリケーション
【図１】
0003973753.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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