(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの絶縁層、および、当該絶縁層に接する少なくとも１つの配線パターンを備え、
前記配線パターンにおける、前記絶縁層と接する片面または両面には、当該配線パターン上において加熱下での酸素暴露によって酸化されて、当該酸素暴露によって露出表面が酸化された当該配線パターンの母材よりも高い抵抗率を有するに至った、金属酸化物からなり相互に離隔する複数のアンカー部、が設けられていることを特徴とする、配線基板。
【請求項２】
前記配線パターンからの前記アンカー部の高さは、０．０３〜０．１μｍである、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記アンカー部は、コバルト酸化物、クロム酸化物、ニッケル酸化物、および亜鉛酸化物からなる群より選択される材料を含んでなる、請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記アンカー部および前記配線パターンからなる配線部における、前記アンカー部が設けられている側の面と、前記絶縁層との間には、シランカップリング剤が介在している、請求項１から３のいずれか１つに記載の配線基板。
【請求項５】
少なくとも１つの絶縁層、および、当該絶縁層に接する少なくとも１つの配線パターンを備える配線基板を製造するための方法であって、
導体箔の片面または両面に対して触媒を付着させる工程と、
無電解めっき法により、前記導体箔上において前記触媒を核にして金属材料を堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を前記導体箔上に形成する工程と、
前記導体箔上における加熱下での酸素暴露によって前記アンカー部を酸化して前記導体箔の母材よりも高い抵抗率を有するに至らしめる工程と、
前記アンカー部が形成された前記導体箔を、当該アンカー部を介して絶縁層に張り合わせる工程と、
前記導体箔をパターニングすることによって配線パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項６】
複数の絶縁層と当該絶縁層の間の配線パターンとを含む多層構造を有する配線基板を製造するための方法であって、
絶縁基材の両面に配線パターンが形成されてなる積層板における当該配線パターンに対して触媒を付着させる工程と、
無電解めっき法により、前記配線パターン上において前記触媒を核にして金属材料を堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を前記配線パターン上に形成する工程と、
前記配線パターン上における加熱下での酸素暴露によって前記アンカー部を酸化して前記配線パターンの母材よりも高い抵抗率を有するに至らしめる工程と、
前記配線パターンが形成されている前記積層板と絶縁膜材とを交互に積層し、当該積層体を積層方向に一括して加圧することによって前記多層構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項７】
複数の絶縁層と当該絶縁層の間の配線パターンとを含む多層構造を有する配線基板を製造するための方法であって、
絶縁層の上に形成されている配線パターンに対して触媒を付着させる工程と、
無電解めっき法により、前記配線パターン上において前記触媒を核にして金属材料を堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を前記配線パターン上に形成する工程と、
前記配線パターン上における加熱下での酸素暴露によって前記アンカー部を酸化して前記配線パターンの母材よりも高い抵抗率を有するに至らしめる工程と、
前記配線パターンの上に更なる絶縁層を積層形成する工程と、を含むことを特徴とする、配線基板の製造方法。
【請求項８】
絶縁基材、および、当該絶縁基材の片面または両面に張り合わされている導体箔を備え、
前記導体箔の片面または両面には、当該導体箔上において加熱下での酸素暴露によって酸化されて、当該酸素暴露によって露出表面が酸化された当該導体箔の母材よりも高い抵抗率を有するに至った、金属酸化物からなり相互に離隔する複数のアンカー部、が設けられていることを特徴とする、導体張板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気・電子機器の回路系に使用される配線基板およびその製造方法、並びにこれらに用いられる導体張板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器に対する高性能化および小型化などの要求に伴い、電子機器に組み込まれる電子部品の高密度実装化が急速に進んでいる。そのような高密度実装化に対応すべく、電子部品を実装するための基板などについては、配線が多層化された多層配線構造が採用される場合がある。
【０００３】
多層配線構造を形成するための工法としては、一括積層法およびビルドアップ法が知られている。一括積層法においては、複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パターンとからなる積層構造は、一括的に一体化される。具体的には、まず、所定数の銅張積層板について、銅箔をエッチングすることにより所望の銅配線パターンが形成される。銅張積層板は、例えば、プリプレグの両面に電解銅箔が貼着されたものを用いる。次に、銅配線パターンが形成されている所定数の銅張積層板をプリプレグを介して重ね合わせ、加熱下においてこれらを厚み方向にプレスする。このとき、配線パターン間においてそれまで半硬化状態にあったプリプレグが硬化し、これによって、複数の絶縁層と当該絶縁層間の配線パターンとからなる積層構造が一括的に一体化されることとなる。次に、当該積層構造体を貫通するスルーホールが形成され、続いて、スルーホール表面にめっきが施される。各配線パターンは、当該スルーホールめっきを介して適宜導通される。
【０００４】
一方、ビルドアップ法においては、絶縁層の形成と当該絶縁層上での配線パターンの形成とが順次繰り返されて、配線が多層化される。具体的には、まず、既に配線がパターン形成されているコア基板やビルドアップ絶縁層に対して、その配線パターンの上方からビルドアップ絶縁層を積層形成する。次いで、当該絶縁層に対してビアホールを形成する。ビアホールの形成手法としては、絶縁層材料として感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィ技術により絶縁層に穴を形成する方法や、レーザを照射することによって絶縁層に穴を形成する方法などが採用される。絶縁層にビアホールを形成した後、無電解めっきや電気めっきによって、絶縁層上に導体材料を成膜する。このとき、導体材料によりビアホールにはビアが形成される。次に、絶縁層上に成膜された導体材料をエッチングすることによって配線パターンを形成する。このようにして絶縁層上において配線パターンを形成した後、絶縁層の積層形成から配線パターン形成までの一連の工程を所定回数繰り返すことによって、配線の多層化を図ることができ、その結果、回路の集積度を高めることができる。
【０００５】
このような一括積層法やビルドアップ法による多層配線基板の製造においては、従来より、絶縁層表面や配線パターン表面に対して粗化処理を施すことなどによって、絶縁層と配線パターンとの密着性が確保されている。多層配線基板において、絶縁層に対する配線パターンの密着性が充分でないと、微細配線構造を適切に形成できないなどの不具合を生じ易いためである。配線基板における絶縁層と配線パターンとの密着性を向上させるための技術は、例えば、特開昭５２−７９２７３号公報、特開平３−１０８７９５号公報、特開平３−１６５５９６号公報、特開平４−２６１０９５号公報、特開平５−２３５５４８号公報、特開平６−２８３８６０号公報、特開平１１−２２０２５５号公報などに開示されている。
【０００６】
例えば、一括積層法においては、銅張積層板として、表面に粗化エッチングを施した銅箔を当該粗化面を介してプリプレグに貼着したものが使用される。粗化処理によって、銅箔におけるプリプレグとの貼着面には、例えばＲｚ１．５μｍ程度の凹凸が形成されている。また、銅張積層板においてパターン形成された後の配線パターンの露出面も、黒化処理等により粗化される。この粗化面は、上述のプレス加工の際に、積層板間に介挿されるプリプレグに対して面接触する。
【０００７】
また、ビルドアップ法においては、絶縁層の表面に粗化エッチングを施したうえで、当該絶縁層上に配線パターンが積層形成されている。より具体的には、膨潤液、粗化液、中和液に順次浸漬することによって、露出する絶縁層表面にＲｚ１．５μｍ程度の凹凸を形成し、この上に、サブトラクティブ法やアディティブ法によって銅配線パターンが形成される。このとき、配線パターンにおいて絶縁層と接する側の面は、絶縁層表面の凹凸に対応するＲｚ１．５μｍ程度の凹凸が転写されることによって、粗化されることとなる。この後、配線パターンの露出面は、黒化処理等により粗化される。この粗化面は、更に積層形成される絶縁層に対して面接触する。
【０００８】
このように、従来より、絶縁層表面や銅配線パターン表面を粗化することによって、絶縁層と銅配線パターンとの密着性が確保されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、配線表面に対する上述の粗化技術は、信号の伝送損失抑制の観点から好ましくない。特に高周波領域用途のプリント配線基板では伝送損失の小さいことが強く望まれており、配線の表面粗さが上述のように大きいと、高周波の信号の伝送損失が不当に増大してしまう傾向にあるからである。伝送損失の一要因であるいわゆる導体損は、配線形状の影響を受けることが知られている。また、より高周波の信号は配線においてより表面を流れることも知られており、表面粗さの大きな配線では、高周波信号は配線の凹凸表面付近を流れることとなる。その結果、信号の伝送距離が長くなり、導体損ひいては伝送損失が大きくなってしまうのである。冗長な伝送距離は、信号遅延も招来してしまう。
【００１０】
また、絶縁層に対して粗化エッチングを行うと、絶縁層表面を構成する樹脂材料が劣化してしまう。具体的には、絶縁層表面における樹脂材料の高分子立体構造の一部が、エッチング液の侵食作用により破壊されて低分子化するのである。この結果、樹脂材料が担うべき絶縁性が低下してしまう場合がある。
【００１１】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、絶縁層と配線パターンとの間における密着性が高く、且つ、表皮効果に基づく伝送損失の少ない配線基板およびその製造方法、ならびに、これらに用いられる導体張板を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面によると配線基板が提供される。この配線基板は、少なくとも１つの絶縁層、および、当該絶縁層に接する少なくとも１つの配線パターンを備え、配線パターンにおける、絶縁層と接する片面または両面には、配線パターンとは異なる金属系材料からなり相互に離隔する複数のアンカー部が設けられていることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る配線基板では、配線パターンにおける絶縁層と接する面には複数のアンカー部が設けられている。そのため、アンカー部を介して接する配線パターンと絶縁層との密着性については、絶縁層に対するアンカー部のアンカー効果に基づいて良好なものとすることができる。また、本発明におけるアンカー部は、配線パターンとは異なる材料により構成されている。例えば、銅配線パターンに対しては、アンカー部は、銅とは異なる金属系材料、従って銅よりも高い抵抗率を有する材料により構成することができる。アンカー部が配線パターンよりも高い抵抗率を有する場合には、配線パターンを流れる電流ないし電気信号は、低抵抗率の配線パターンから、当該配線パターンとは異なる材料より構成されて且つ高抵抗率のアンカー部へは、通過経路ないし進路を取りにくい。したがって、高周波信号の表皮効果、即ち、より高周波の信号は配線部においてより表面を流れるという現象は、抑制される。更には、本発明における複数のアンカー部は、配線パターン上において相互に離隔して設けられている。そのため、伝送信号が極めて高周波で、その配線部内の伝送経路にアンカー部が含まれてしまう場合であっても、アンカー部が配線パターンよりも高い抵抗率を有する場合には、当該電気信号は、配線部において高抵抗率のアンカー部のみを伝わることはなく、アンカー部間の低抵抗率の配線パターン部をも必ず通過する。その結果、伝送損失が過大となるのが抑制される。このように、本発明に係る配線基板においては、絶縁層と配線パターンとの間における密着性が高く、且つ、表皮効果に基づく伝送損失を低減することが可能なのである。
【００１４】
絶縁層と配線パターンとの密着性を向上させるための粗化技術としては、従来、エッチング処理、黒化処理、または粗化めっき等が知られている。エッチング処理によると、銅配線自体が粗化されるので、配線の表面凹凸も低抵抗率の銅により構成される。そのため、電流は当該凹凸部を流れ易く、高周波信号伝送時における表皮効果は抑制されない。黒化処理によると、銅配線自体が表面酸化されるので、銅配線パターンの表面の全体が、凹凸に富んだ酸化銅膜で覆われてしまう。そのため、伝送信号が高周波である場合には、当該電気信号は、配線部において高抵抗率の酸化銅膜を伝わり、伝送損失が過大となる。酸化銅膜は、それ自体は絶縁層との密着性は比較的高いものの、銅金属組織からは剥がれ易いという不具合も有する。また、従来の粗化めっきによると、銅配線パターンの表面の全体が、凹凸に富んだめっき膜で覆われてしまう。このめっき膜は、銅よりも高い抵抗率を有する。そのため、伝送信号が高周波である場合には、当該電気信号は、配線部において高抵抗率のめっき膜を伝わり、伝送損失が過大となる。これに対し本発明によると、アンカー部のアンカー効果に基づいて絶縁層と配線パターンとの密着性を向上しつつ高周波信号の表皮効果を抑制し、更には、伝送信号が極めて高周波であっても、伝送損失が過大となるのを抑制することができるのである。
【００１５】
本発明の第２の側面によると配線基板の製造方法が提供される。この方法は、少なくとも１つの絶縁層、および、当該絶縁層に接する少なくとも１つの配線パターンを備える配線基板を製造するための方法であって、導体箔の片面または両面に対して触媒を付着させる工程と、無電解めっき法により、導体箔よりも高い抵抗率を有する金属材料を、導体箔上において触媒を核にして堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を導体箔上に形成する工程と、アンカー部が形成された導体箔を、当該アンカー部を介して絶縁層に貼り合わせる工程と、導体箔をパターニングすることによって配線パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明の第３の側面によると配線基板の製造方法が提供される。この方法は、複数の絶縁層と当該絶縁層の間の配線パターンとを含む多層構造を有する配線基板を製造するための方法であって、絶縁基材の両面に配線パターンが形成されてなる積層板における当該配線パターンに対して触媒を付着させる工程と、無電解めっき法により、配線パターンよりも高い抵抗率を有する金属材料を、配線パターン上において触媒を核にして堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を配線パターン上に形成する工程と、配線パターンが形成されている導体張板と絶縁膜材とを交互に積層し、当該積層体を積層方向に一括して加圧することによって多層構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明の第４の側面によると配線基板の別の製造方法が提供される。この方法は、複数の絶縁層と当該絶縁層の間の配線パターンとを含む多層構造を有する配線基板を製造するための方法であって、絶縁基材および当該絶縁基材の両面に貼り合わされている導体箔からなる導体張板において、導体箔をパターニングすることによって、導体張板の両面において配線パターンを形成する工程と、配線パターンに対して触媒を付着させる工程と、無電解めっき法により、配線パターンよりも高い抵抗率を有する金属材料を、配線パターン上において触媒を核にして堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を配線パターン上に形成する工程と、配線パターンが形成されている導体張板と絶縁膜材とを交互に積層し、当該積層体を積層方向に一括して加圧することによって多層構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１８】
本発明の第５の側面によると配線基板の別の製造方法が提供される。この方法は、複数の絶縁層と当該絶縁層の間の配線パターンとを含む多層構造を有する配線基板を製造するための方法であって、絶縁基材および当該絶縁基材の両面に貼り合わされている導体箔からなる導体張板において、導体箔に対して触媒を付着させる工程と、無電解めっき法により、導体箔よりも高い抵抗率を有する金属材料を、導体箔上において触媒を核にして堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を導体箔上に形成する工程と、アンカー部が形成された導体箔をパターニングすることによって、導体張板の両面において配線パターンを形成する工程と、配線パターンが形成されている導体張板と絶縁膜材とを交互に積層し、当該積層体を積層方向に一括して加圧することによって多層構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１９】
本発明の第６の側面によると配線基板の別の製造方法が提供される。この方法は、複数の絶縁層と当該絶縁層の間の配線パターンとを含む多層構造を有する配線基板を製造するための方法であって、絶縁層の上に形成されている配線パターンに対して触媒を付着させる工程と、無電解めっき法により、配線パターンよりも高い抵抗率を有する金属材料を、配線パターン上において触媒を核にして堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を配線パターン上に形成する工程と、配線パターンの上に更なる絶縁層を積層形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２０】
本発明の第７の側面によると配線基板の別の製造方法が提供される。この方法は、複数の絶縁層と当該絶縁層の間の配線パターンとを含む多層構造を有する配線基板を製造するための方法であって、絶縁層の上に貼り合わされている導体箔に対して触媒を付着させる工程と、無電解めっき法により、導体箔よりも高い抵抗率を有する金属材料を、導体箔上において触媒を核にして堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を導体箔上に形成する工程と、導体箔をパターニングすることによって、配線パターンを形成する工程と、配線パターンの上に更なる絶縁層を積層形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
本発明の第２から第７の側面に係る方法によると、第１の側面に係る配線基板を製造することができる。したがって、第２から第７の側面によっても、製造される配線基板において第１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏され、絶縁層と配線パターンとの間における密着性が高く、且つ、表皮効果に基づく伝送損失の少ない配線基板を得ることができる。
【００２２】
本発明の第１から第７の側面において、好ましくは、配線パターンからのアンカー部の高さは、０．０３〜０．１μｍとする。より好ましくは、アンカー部および配線パターンからなる配線部における、アンカー部が設けられている側の表面粗さＲｚは、０．２μｍ以下とする。
【００２３】
好ましくは、アンカー部は、金属、および／または、金属材料が酸化されてなる金属酸化物よりなる。より好ましくは、アンカー部は、コバルト、クロム、ニッケル、亜鉛、コバルト酸化物、クロム酸化物、ニッケル酸化物、および亜鉛酸化物からなる群より選択される材料を含んで構成されている。
【００２４】
好ましくは、アンカー部および配線パターンからなる配線部における、アンカー部が設けられている側の面と、絶縁層との間には、シランカップリング剤が介在している。シランカップリング剤は、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、アミノ基、ウレイド基、クロロプロピル基、メルカプト基、スルフィド基、およびイソシアネート基からなる群より選択される官能基を有するものが好ましい。
【００２５】
好ましくは、絶縁層は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂、および全芳香型ポリエステル系液晶ポリマー樹脂からなる群より選択される樹脂を主材として含んでいる。
【００２６】
本発明の第８の側面によると導体張板が提供される。この導体張板は、絶縁基材、および、当該絶縁基材の片面または両面に貼り合わされている導体箔を備え、導体箔の片面または両面には、導体箔とは異なる金属系材料からなり相互に離隔する複数のアンカー部が設けられていることを特徴とする。
【００２７】
このような構成の導体張板を用いると、第１の側面に係る配線基板を製造することができる。或は、第３の側面に係る方法により多層配線基板を製造することができる、したがって、第８の側面によっても、製造される配線基板において、第１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏され、絶縁層と配線パターンとの間における密着性が高く、且つ、表皮効果に基づく伝送損失の少ない配線基板を得ることが可能となる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板Ｘ１の部分断面図である。図２は、図１の部分拡大図である。多層配線基板Ｘ１は、絶縁層１１ａ，１１ｂと、絶縁層１１ａおよび絶縁層１１ｂの間に埋設されている配線パターン１２ａと、絶縁層１１ｂ上にて外部に露出している配線パターン１２ｂと、スルーホールめっき１３とを備える。配線パターン１２ａにおける絶縁層１１ｂとの接触面には、複数のアンカー部１４が設けられている。配線パターン１２ｂにおける絶縁層１１ｂとの接触面には、複数のアンカー部１４が設けられている。スルーホールめっき１３は、基板を貫通するスルーホール１３’の内壁面に形成されている。
【００２９】
絶縁層１１ａ，１１ｂは、基材に樹脂材料を含浸させてなるプリプレグを用いて形成されたものであって、当該樹脂は熱硬化されている。絶縁層１１ａ，１１ｂを構成するための基材としては、ガラス織布基材、ガラス不織布基材、アラミド織布基材、アラミド不織布基材などが挙げられる。絶縁層１１ａ，１１ｂを構成するための樹脂材料としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フッ素含有樹脂、および全芳香型ポリエステル系液晶ポリマー樹脂などが挙げられる。
【００３０】
配線パターン１２ａ，１２ｂは、銅により構成されており、各々、所望の形状にパターン形成されている。配線パターン１２ａ，１２ｂは、スルーホールめっき１３によって相互に導通されており、このスルーホールめっき１３は、例えば金、銀、銅などのめっきにより形成されている。
【００３１】
アンカー部１４は、コバルト、クロム、ニッケル、亜鉛などの金属、または、これらの酸化物により構成されている。これらの金属および金属酸化物は、配線パターンを構成する銅よりも高い抵抗率を有する。図２および図４に示すように、配線パターン１２ａに設けられている複数のアンカー部１４は、配線パターン１２ａ上にて相互に離隔している。図２および図４におけるアンカー部１４の形状は模式的に表したものであって、本発明におけるアンカー部１４には、後述のアンカー部形成工程において単一の核から成長しためっき堆積体であるアンカー部、および、複数の核から成長した複数のめっき堆積体が合一したアンカー部が含まれる。このようなアンカー部１４の態様は、配線パターン１２ｂに設けられているアンカー部１４についても、同様である。アンカー部１４の配線パターン表面からの高さは、０．０３〜０．１μｍである。配線パターン１２ａ，１２ｂと、このようなアンカー部１４とからなる配線部において、アンカー部形成面の表面粗さＲｚ（十点平均高さ）は、０．２μｍ以下である。ここで、十点平均高さとは、断面曲線から基準長さだけを抜き取った部分において、最高から５番目までの山頂の標高の平均値と、最深から５番目までの谷底の標高の平均値との差をいう。したがって、配線パターン１２ａ，１２ｂ自体は、高さ０．０３〜０．１μｍのアンカー部１４を伴いつつアンカー部形成面の表面粗さＲｚが０．２μｍ以下となるような表面粗さを有する。
【００３２】
配線パターン１２ａ，１２ｂにおける、アンカー部１４が設けられている側の面と絶縁層１１ｂとの間には、シランカップリング剤を介在させてもよい。図３は、多層配線基板Ｘ１における配線パターン１２ａの、アンカー部１４が設けられている側の面と絶縁層１１ｂとの間に、シランカップリング剤が介在している場合の部分拡大図である。このようなカップリング剤の介在態様は、配線パターン１２ｂに設けられているアンカー部１４についても、同様である。
【００３３】
シランカップリング剤としては、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、アミノ基、ウレイド基、クロロプロピル基、メルカプト基、スルフィド基、およびイソシアネート基からなる群より選択される官能基を有するものを使用することができる。より具体的には、シランカップリング剤としては、例えば、Ｎ−２（アミノメチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、β−（３,４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
【００３４】
図５〜図７は、一括積層法により多層配線基板Ｘ１を製造するための工程を表す。多層配線基板Ｘ１の製造においては、まず、図５（ａ）に示すような導体張積層板１０を所定枚数用意する。導体張積層板１０は、絶縁層１１ａと、当該絶縁層１１ａの両面に貼着された導体箔１２とからなる。導体張積層板１０は、高温高圧下においてプリプレグを熱硬化させつつ、導体箔１２を当該プリプレグに圧着させることによって作製される。導体箔１２は、例えば、表面粗さＲｚが０．１μｍ以下の電解銅箔または圧延銅箔である。
【００３５】
導体張積層板１０の各々について、図５（ｂ）に示すように、所望の配線パターンを形成するためのレジストパターン２０を導体箔１２上に形成する。具体的には、導体箔１２上にフォトレジストを積層し、所望の配線パターンに対応した露光処理および現象処理により当該フォトレジストをパターニングすることによって、レジストパターン２０を形成する。次に、図５（ｃ）に示すように、レジストパターン２０をマスクとして導体箔１２に対してエッチング処理を施すことによって、配線パターン１２ａを形成する。導体箔１２として銅箔を採用する場合には、エッチング液としては、例えば塩化第二銅水溶液を使用することができる。この後、図５（ｄ）に示すように、レジストパターン２０を剥離する。
【００３６】
次に、図５（ｅ）に示すように、無電解めっき法により、配線パターン１２ａの表面にアンカー部１４を形成する。具体的には、まず、Ｐｄイオンを含む液剤に対して積層板１０を浸漬することによって、当該Ｐｄイオンを、配線パターン１２ａ表面の構成元素と置換して配線パターン１２ａの表面に対して選択的にＰｄとして付着させる。このとき、浸漬温度は５５〜６５℃とし、浸漬時間は３〜５分とする。次に、アンカー部１４を形成するためのめっき材料を含むめっき液に対して積層板１０を浸漬することによって、当該めっき材料を、触媒としてのＰｄを核として配線パターン１２ａ表面にて堆積成長させる。このとき、浸漬温度は７９〜８１℃とし、浸漬時間は１０〜３０秒とし、めっき材料が配線パターン１２ａの表面全体を覆わずに高さ０．１μｍ以下のアンカー部１４を形成するように、めっき処理を終了させる。めっき材料としては、コバルト、クロム、ニッケル、亜鉛などを使用することができる。このような無電解めっき法によるアンカー部１４の形成は、配線パターン１２ａを形成する前に、導体張積層板１０の導体箔１２に対して行ってもよい。その場合、アンカー部１４が既に設けられている導体箔１２から配線パターン１２ａが形成され、図５（ｅ）に示す工程は行わない。
【００３７】
アンカー部１４を金属酸化物により構成する場合には、図５（ｅ）に示す工程で金属製のアンカー部１４を形成した後に、当該アンカー部１４を酸化処理する。この酸化処理は、例えば、金属製のアンカー部１４が形成されている積層板１０を、酸素気流下および１５０〜２５０℃の条件で、１〜６時間放置することによって行う。
【００３８】
また、配線パターン１２ａのアンカー部形成面と絶縁層１１ａとの間にシランカップリング剤を介在させる場合には、図５（ｅ）に示す工程で金属製のアンカー部１４を形成した後に、または、上述のようにして酸化処理を行った後に、当該表面に対してカップリング剤処理を施す。このカップリング剤処理は、シランカップリング剤を含む溶液をアンカー部形成面に対してスプレー塗布し、これを乾燥することによって行う。スプレー塗布に代えて、シランカップリング剤を含む溶液の、スピンコーターによる塗布、浸漬、流しかけを採用してもよい。
【００３９】
次に、上述のようにして配線パターン１２ａの表面にアンカー部１４が形成された複数の積層板１０と、プリプレグ１１ｂ’と、アンカー部１４が形成されている導体箔１２とを、図６（ａ）に示すような配置関係にて積層する。当該導体箔１２は、配線パターン１２ａの表面にアンカー部１４を形成したのと同様の上述の手法により、導体箔１２上にアンカー部１４を形成することによって用意されたものである。次に、図６（ｂ）に示すように、図６（ａ）の積層構造体を加熱下にて厚み方向にプレスする。これによって、プリプレグ１１ｂ’が硬化し、複数の積層板１０と最外の２枚の導体箔１２とが絶縁層１１ｂを介して一体化される。
【００４０】
次に、図７（ａ）に示すように、ドリルによって、積層構造体を貫通するようにスルーホール１３’を形成する。次に、スルーホール１３’の内壁を過マンガン酸塩水溶液によりデスミア処理した後、図７（ｂ）に示すようにスルーホールめっき１３を形成する。スルーホールめっき１３は、スルーホール１３’に対して無電解銅めっきに続いて電気銅めっきを施すことにより形成される。次に、図７（ｃ）に示すように、最外の２枚の導体箔１２から配線パターン１２ｂを形成する。具体的には、配線パターン１２ｂに対応する形状のレジストパターンを導体箔１２上に形成し、これをマスクとしてエッチングを行った後、当該レジストパターンを剥離する。この後、必要に応じて、スルーホール１３’に樹脂が充填される。
【００４１】
以上の工程を経ることによって、絶縁層１１ａ，１１ｂと、配線パターン１２ａ，１２ｂと、スルーホールめっき１３とを備えて、配線パターン１２ａにおける絶縁層１１ｂとの接触面にアンカー部１４が設けられ、且つ、配線パターン１２ｂにおける絶縁層１１ｂとの接触面にアンカー部１４が設けられている多層配線基板Ｘ１が作製される。
【００４２】
このような構成の多層配線基板Ｘ１においては、配線パターン１２ａ，１２ｂに設けられているアンカー部１４の絶縁層１１ｂに対するアンカー効果によって、絶縁層１１ｂと配線パターン１２ａとの間、および、絶縁層１１ｂと配線パターン１２ｂとの間において、高い密着性が達成されている。絶縁材料に対する密着性については、金属よりも金属酸化物の方が高い傾向にあるので、アンカー部１４が金属酸化物により構成されている場合には、金属により構成されている場合よりも、絶縁層１１ｂと配線パターン１２ａ，１２ｂとの間において、より高い密着性を達成できる傾向にある。また、上掲のシランカップリング剤は、無機材料と結合可能な官能基（水酸基、メトキシ基、エトキシ基など）に加え、樹脂材料と結合可能な官能基（ビニル基、アミノ基、エポキシ基、イミダゾール基など）を有して無機材料および樹脂材料の間を架橋する機能を呈するので、アンカー部１４および配線パターン１２ａ，１２ｂと絶縁層１１ｂとの間に図３に示すようにシランカップリング剤が介在している場合には、そうでない場合よりも、絶縁層１１ｂと配線パターン１２ａ，１２ｂとの間において、より高い密着性を達成できる場合がある。
【００４３】
また、多層配線基板Ｘ１においては、高周波の信号が配線パターンを伝送される場合に、表皮効果が抑制される。アンカー部１４は、配線パターン１２ａ，１２ｂよりも高抵抗率の材料により構成されているため、配線パターン１２ａ，１２ｂを流れる電流ないし電気信号は、低抵抗率の配線パターン１２ａ，１２ｂから、当該配線パターン１２ａ，１２ｂとは異なる材料より構成されて且つ高抵抗率のアンカー部１４へは、通過経路ないし進路を取りにくい。したがって、高周波信号の表皮効果、即ち、より高周波の信号は配線部においてより表面を流れるという現象は、抑制される。
【００４４】
更には、多層配線基板Ｘ１においては、伝送信号の表皮効果が顕著な場合であっても、伝送損失が過大となるのが抑制される。アンカー部１４の配線パターン表面からの高さが０．０３〜０．１μｍであって且つ配線パターン１２ａ，１２ｂのアンカー部形成面の表面粗さＲｚが０．２μｍ以下であり、従来の粗化技術によるよりも、配線パターン１２ａ，１２ｂの表面粗さは小さい。そのため、伝送信号が極めて高周波であって且つ表皮効果に基づいてその高周波信号の伝送経路にアンカー部１４が含まれてしまう場合であっても、従来の粗化技術によるよりも、信号伝送距離の冗長化の程度は少なく、伝送損失が過大となるのが抑制される。また、伝送信号が極めて高周波であって且つ表皮効果に基づいてその高周波信号の伝送経路にアンカー部１４が含まれてしまう場合であっても、アンカー部１４が配線パターン１２ａ，１２ｂ上において相互に離隔して設けられているため、当該電気信号は、高抵抗率のアンカー部１４のみを伝わることはなく、アンカー部間の低抵抗率の配線パターン１２ａ，１２ｂをも必ず通過する。その結果、伝送損失が過大となるのが抑制される。
【００４５】
このように、本発明に係る多層配線基板Ｘ１においては、絶縁層１１ｂと配線パターン１２ａ，１２ｂとの間における密着性が高く、且つ、表皮効果に基づく伝送損失は少ない。
【００４６】
図８は、本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板Ｘ２の部分断面図である。多層配線基板Ｘ２は、絶縁層１１ａ，１１ｂと、配線パターン１２ａ，１２ｂと、スルーホールめっき１３と、アンカー部１４とを備える。各部材の構成材料については、第１の実施形態に係る多層配線基板Ｘ１に関して上述したのと同様である。多層配線基板Ｘ２は、配線パターン１２ａにおける絶縁層１１ａとの接触面にもアンカー部１４が設けられている点において、多層配線基板Ｘ１と異なる。したがって、多層配線基板Ｘ２においては、絶縁層１１ｂと配線パターン１２ａとの間、および、絶縁層１１ｂと配線パターン１２ｂとの間に加えて、絶縁層１１ａと配線パターン１２ａとの間においても、高い密着性が達成されている。配線パターン１２ａおよびそれに設けられているアンカー部１４と絶縁層１１ａとの間、および／または、配線パターン１２ａおよびそれに設けられているアンカー部１４と絶縁層１１ｂとの間には、多層配線基板Ｘ１に関して図３を参照して上述したのと同様に、シランカップリング剤を介在させてもよい。
【００４７】
図９は、一括積層法により多層配線基板Ｘ２を製造するための工程を表す。多層配線基板Ｘ２の製造においては、まず、導体箔１２の両面に対して、図９（ａ）に示すようにアンカー部１４を形成する。導体箔１２は、例えば、表面粗さＲｚが０．１μｍ以下の電解銅箔または圧延銅箔である。アンカー部１４の形成に際しては、図５（ｅ）に示す工程で配線パターン１２ａ表面にアンカー部１４を形成するための手法と同様の手法を用いる。
【００４８】
アンカー部１４の形成の後、図９（ｂ）に示すように、導体張積層板１０を形成する。具体的には、アンカー部１４が形成されている導体箔１２を、アンカー部１４を介して所定のプリプレグ１１ａ’の両面に貼着する。貼着に際しては、高温高圧下においてプリプレグ１１ａ’を熱硬化させつつ、導体箔１２をプリプレグ１１ａ’に圧着させる。このようにして、絶縁層１１ａとこの両面に設けられた導体箔１２とからなる導体張積層板１０が所定数作製される。
【００４９】
次に、図９（ｃ）に示すように、所望の配線パターンを形成するためのレジストパターン２０を導体箔１２上に形成する。具体的には、導体箔１２上にフォトレジストを積層し、所望の配線パターンに対応した露光処理および現象処理により当該フォトレジストをパターニングすることによって、レジストパターン２０を形成する。次に、図９（ｄ）に示すように、レジストパターン２０をマスクとして導体箔１２に対してエッチング処理を施すことによって、配線パターン１２ａを形成する。この後、図９（ｅ）に示すように、レジストパターン２０を剥離する。
【００５０】
アンカー部１４を金属酸化物により構成する場合には、例えば図９（ａ）に示す工程で金属製のアンカー部１４を形成した後に、当該アンカー部１４を酸化処理する。この酸化処理の方法は、多層配線基板Ｘ１に関して上述したアンカー部１４の酸化処理と同様である。また、配線パターン１２ａのアンカー部形成面と絶縁層１１ａとの間にシランカップリング剤を介在させる場合には、例えば図９（ａ）に示す工程で金属製のアンカー部１４を形成した後に、または、上述のようにして酸化処理を行った後に、当該表面に対してカップリング剤処理を施す。このとき、絶縁層１１ｂと接することとなるアンカー部形成面に対してもカップリング剤処理してもよい。このカップリング剤処理は、多層配線基板Ｘ１に関して上述したカップリング剤処理と同様である。
【００５１】
このようにして両面にアンカー部１４が形成されて必要に応じて酸化処理および／またはカップリング剤処理が施された積層板１０を用いて、多層配線基板Ｘ１に関して図６および図７を参照して上述したのと同様の工程を経ることによって、本実施形態に係る多層配線基板Ｘ２が作製される。
【００５２】
上述の図９（ａ）に示す工程において無電解めっき法により導体箔１２の片面にのみアンカー部１４を形成し、続いて図９（ｂ）に示す工程において、アンカー部１４が形成されている導体箔１２を、当該アンカー部１４を介してプリプレグ１１ａ’の両面に貼着して導体張板１０を作製し、当該導体張板１０を用いて図９（ｃ）〜（ｅ）、図６および図７の工程を行ってもよい。この場合、絶縁層１１ａ，１１ｂと、配線パターン１２ａ，１２ｂと、スルーホールめっき１３とを備えて、配線パターン１２ａにおける絶縁層１１ａとの接触面にアンカー部１４が設けられ、且つ、配線パターン１２ｂにおける絶縁層１１ｂとの接触面にアンカー部１４が設けられている多層配線基板が作製される。
【００５３】
上述の図９（ａ）に示す工程において無電解めっき法により導体箔１２の片面にのみアンカー部１４を形成し、続いて図９（ｂ）に示す工程において、アンカー部１４が形成されている導体箔１２を、当該アンカー部１４を露出させつつプリプレグ１１ａ’の両面に貼着して導体張板１０を作製し、当該導体張板１０を用いて図９（ｃ）〜（ｅ）、図６および図７の工程を行ってもよい。この場合、絶縁層１１ａ，１１ｂと、配線パターン１２ａ，１２ｂと、スルーホールめっき１３とを備えて、配線パターン１２ａにおける絶縁層１１ｂとの接触面にアンカー部１４が設けられ、且つ、配線パターン１２ｂにおける絶縁層１１ｂとの接触面にアンカー部１４が設けられている多層配線基板Ｘ１が作製される。
【００５４】
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る多層配線基板Ｘ３の部分断面図である。多層配線基板Ｘ３は、コア基板３０と、この上に積層されている絶縁層３１，３２と、絶縁層３１および絶縁層３２の間に埋設されている配線パターン４１とを備える。配線パターン４１における絶縁層３２との接触面には、複数のアンカー部１４が相互に離隔して設けられている。配線パターン４１に対するアンカー部１４の形成の態様については、多層配線基板Ｘ１に関して図２および図４を参照して上述したのと同様である。
【００５５】
コア基板３０は、例えば、基材に樹脂を含浸させて当該樹脂をＢステージの状態としたプリプレグを複数積層したものである。基材としては、ガラス織布基材、ガラス不織布基材、アラミド織布基材、アラミド不織布基材などが挙げられる。樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、マレイミド樹脂、シアネート樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フッ素含有樹脂、および全芳香型ポリエステル系液晶ポリマー樹脂などが挙げられる。コア基板３０の表面には、銅により内層配線パターン４０が形成されている。内層配線パターン４０における絶縁層３１との接触面には、複数のアンカー部１４が相互に離隔して設けられている。
【００５６】
絶縁層３１，３２の構成材料としては、例えば、コア基板１０を形成するためのプリプレグの構成材料として上掲した樹脂を用いることができる。図１０に示す多層配線基板Ｘ３において、絶縁層３１には、ビアホール３１ａが形成されている。
【００５７】
配線パターン４１は、絶縁層３１上においてパターン形成されたものである。配線パターン４１と内層配線パターン４０とは、ビアホール３１ａに形成されたビア４１ａを介して導通している。
【００５８】
アンカー部１４の構成材料および高さについては、多層配線基板Ｘ１のアンカー部１４に関して上述したのと同様である。
【００５９】
図１１〜図１３は、ビルドアップ法により多層配線基板Ｘ３を製造するための工程を表す。多層配線基板Ｘ３の製造においては、まず、図１１の（ａ）および（ｂ）に示すように、予め内層配線パターン４０が既にパターン形成されているコア基板３０の上に、未硬化の樹脂膜３１’を積層して絶縁層３１を形成する。内層配線パターン４０の表面には、無電解めっき法により、予め複数のアンカー部１４が相互に離隔して設けられている。アンカー部１４の形成に際しては、多層配線基板Ｘ１の製造における図５（ｅ）に示す工程で配線パターン１２ａの表面にアンカー部１４を形成するための手法と同様の手法を用いる。絶縁層３１の形成に際しては、樹脂膜３１’を構成する樹脂材料の性質に応じて、加熱および加圧下で貼り合わせ工程を行う。
【００６０】
次に、図１１（ｃ）に示すように、絶縁層３１の所定箇所において、ビアホール３１ａを形成する。ビアホール３１ａの形成手段としては、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザなどを採用することができる。これらのレーザによりビアホール３１ａを形成すると、ビアホール３１ａの内壁には微細な凹凸形状が形成され、ビアホール３１ａの内壁とこれに接触形成されるビア４１ａとの間において充分なアンカー効果が得られる。
【００６１】
次に、図１２（ａ）に示すように、無電解銅めっき法により、絶縁層３１上に厚さ０．０５〜０．５μｍの無電解銅めっき層４１’を形成する。この無電解銅めっき法としては、例えば、絶縁層３１の露出面に対する、コンディショニング、触媒前処理、触媒処理、反応促進処理、無電解銅めっき析出処理などの一連の処理工程を含む公知の手法を採用することができる。無電解銅めっき層４１’は、絶縁層３１上の全面を被覆し、後の工程の電気めっき処理における通電層として機能することとなる。
【００６２】
次に、図１２（ｂ）に示すように、無電解銅めっき層４１’上にレジストパターン５０を形成する。具体的には、無電解銅めっき層４１’上にフォトレジストを積層し、所望の配線パターンに対応した露光処理および現象処理により当該フォトレジストをパターニングすることによって、レジストパターン５０を形成する。
【００６３】
次に、図１２（ｃ）に示すように、無電解銅めっき層４１’を通電層として、電気銅めっき処理を施す。これにより、レジストパターン５０の非マスク領域に、厚さ１０〜３０μｍの電気銅めっき層４１’’を堆積成長させる。電気銅めっき法としては、例えば、酸性硫酸銅めっき液を用いた公知の手法を採用することができる。次に、図１２（ｄ）に示すように、レジストパターン５０を剥離する。剥離液としては、水酸化ナトリウム水溶液や有機アミン系水溶液を用いることができる。
【００６４】
次に、図１３（ａ）に示すように、電気銅めっき層４１’’に覆われていない無電解銅めっき層４１’を除去する。具体的には、無電解銅めっき層４１’は、例えば、過酸化水素と硫酸の混合水溶液、または、塩化第二銅水溶液などを用いてエッチング除去する。この結果、無電解銅めっき層４１’および電気銅めっき層４１’’からなる配線パターン４１が、絶縁層３１上にパターン形成されることとなる。
【００６５】
次に、図１３（ｂ）に示すように、無電解めっき法により、配線パターン４１の表面にアンカー部１４を形成する。具体的には、多層配線基板Ｘ１の製造における図５（ｅ）に示す工程で配線パターン１２ａの表面にアンカー部１４を形成するための手法と同様の手法により、アンカー部１４を形成する。
【００６６】
配線パターン４１に形成されたアンカー部１４を金属酸化物により構成する場合には、図１３（ｂ）に示す工程で金属製のアンカー部１４を形成した後に、当該アンカー部１４を酸化処理する。この酸化処理の方法は、多層配線基板Ｘ１に関して上述したアンカー部１４の酸化処理と同様である。また、配線パターン４１のアンカー部形成面と絶縁層３２との間にシランカップリング剤を介在させる場合には、図１３（ｂ）に示す工程で金属製のアンカー部１４を形成した後に、または、上述のようにして酸化処理を行った後に、当該表面に対してカップリング剤処理を施す。このカップリング剤処理は、多層配線基板Ｘ１に関して上述したカップリング剤処理と同様である。
【００６７】
次に、図１３（ｃ）に示すように、絶縁層３１に対して、配線パターン４１の上方から絶縁層３２を積層形成する。これによって、図１０に示した多層配線基板Ｘ３が作製される。
【００６８】
図１３（ｄ）は、上述の、ビアホール３１ａの形成から配線パターン４１の形成を経て絶縁層３２の積層形成までの一連の工程を、絶縁層３２上において再び繰り返した後の多層配線基板Ｘ３’を表す。このように、当該一連の工程を所定数繰り返すことによって、所望の積層数を達成することができる。また、多層配線基板Ｘ１，Ｘ２と同様に、多層配線基板Ｘ３，Ｘ３’においても、最外絶縁層上に配線パターンを更に設けてもよい。
【００６９】
上述の多層配線基板Ｘ１，Ｘ２は、配線パターン１２ａ，１２ｂ間の電気的接続を図るために、スルーホールめっき１３を備えているが、本発明では、スルーホールめっき１３と共に又はこれに代えて、埋め込みビアやブラインドビアを設けてもよい。このような構成によっても、配線パターン１２ａ，１２ｂ間において良好な電気的接続を達成することができる。上述の多層配線基板Ｘ３，Ｘ３’では、多層配線構造はコア基板１０の片面側にのみ形成されているが、本発明では、このような構成に限らず、多層配線構造はコア基板１０の両面に形成してもよい。多層配線基板Ｘ３，Ｘ３’の製造においては、図１２（ａ）〜図１３（ａ）を参照して、セミアディティブ法により配線パターン４１を形成する手法を説明したが、本発明では、配線パターン４１の形成においてサブトラクティブ法またはフルアディティブ法を採用してもよい。サブトラクティブ法を採用する場合には、成膜された配線材料膜から配線パターン４１をパターニングする前に、アンカー部１４を配線材料膜表面に形成してもよい。
【００７０】
また、上述の実施形態については、多層配線基板を例に挙げて説明したが、本発明は、そのように多層化が図られている配線基板に限らず、片面または両面のプリント配線基板においても実施することができる。また、本発明は、片面銅張板または両面銅張板などにおいても実施することができる。絶縁基材と銅箔との間で高い密着性が達成されているそのような銅張板を用いると、本発明に係る配線基板を作製することができる。また、そのような銅張板は、グランド接続用の導体部を備えた基板などとしても、好適に利用可能である。
【００７１】
【実施例】
以下、本発明の実施例について、比較例とともに説明する。
【００７２】
【実施例１】
＜サンプル基板の作製＞
厚さ０．１ｍｍであってサイズ３００×３００ｍｍのＦＲ−４材の両面に厚さ１８μｍの銅箔が貼着されている両面銅張積層板（商品名：Ｒ−１７６６、松下電工製）を、脱脂液に３分間浸漬することによって脱脂処理した。この脱脂液は、ソフトエッチング剤（商品名：ＰＴ−０、ワールドメタル製）を１０vol％の濃度で含む。続いて、この両面銅張積層板を、選択性パラジウム付与剤であるＰｄ溶液（商品名：ＡＴ−９０、ワールドメタル製）に浸漬し、銅箔表面に触媒としてのＰｄを付着させた。このとき、浸漬温度は６０℃とし、浸漬時間は５分間とした。次に、両面銅張積層板を、無電解コバルトめっき液に浸漬した。この無電解コバルトめっき液は、ワールドメタル製のコンバスＦ−１とコンバスＦ−２とを１：１で混合したものである。このとき、浸漬温度を６０℃とし、浸漬時間は２０秒間とすることによって、わずかに外観色が変化する程度のめっきを施した。これにより、Ｐｄを核として銅箔表面にて高さ０．１μｍ以下のコバルトアンカー部が形成された。コバルトアンカー部が銅箔表面全体を覆うことなく銅箔表面にて点在していることは、２次元Ｘ線元素分析により確認した。次に、コバルトアンカー部が形成された両面銅張積層板の両面に対して、ＦＲ−４材であるプリプレグ（商品名：ガラスエポキシマルチＲ−１６６１、松下電工製）を重ね合わせ、真空プレスによってこれらを一体化させた。このとき、プレス温度は１８０℃とし、プレス圧力は３０ｋｇｆ／ｃｍ2とした。このようにして、３層の絶縁層とこれらの間の２層の銅層とからなる本実施例のサンプル基板を作製した。
【００７３】
＜密着性の評価＞
上述のようにして作製したサンプル基板について、絶縁層と銅箔との間における剥離強度を測定した。具体的には、サンプル基板を１ｃｍ幅に切り込み、この１ｃｍ幅のサンプル基板の最上位の絶縁層を、その幅方向に垂直であって基板に垂直な方向へ剥がし、剥がし速度が一定であるときに当該絶縁層に作用する力を測定した。その結果、本実施例のサンプル基板は、絶縁層と銅箔との間にて剥離強度０．８ｋｇｆ／ｃｍを示し、絶縁層と銅箔との間において充分な密着性が達成されていることが判った。
【００７４】
＜多層配線基板の作製＞
厚さ０．１ｍｍであってサイズ３００×３００ｍｍのＦＲ−４材の両面に厚さ１８μｍの銅箔が貼着されている両面銅張積層板（商品名：Ｒ−１７６６、松下電工製）の両面の各々において、ラミネート装置（ＭＬ−４８０１、ＭＣＫ製）を使用して、厚み４０μｍのドライフィルムフォトレジスト（商品名：ＮＩＴ−２１５、日合モートン製）をラミネートした。このとき、密着ロール温度は１０５℃とし、ロール圧力は４ｋｇ／ｃｍとした。このレジストに対して露光処理および現像処理を施すことにより、レジストパターンを形成した。現像処理には、炭酸ナトリウム１ｗｔ％水溶液を用いたスプレー現像プロセスを採用した。次に、このレジストパターンの非マスク領域の銅箔を、過酸化水素−硫酸系エッチング液（商品名：ＳＥ−０７、三菱ガス化学製）でエッチング除去した。この後、レジストパターンを剥離することによって、ＦＲ−４材の両面に銅配線パターンが形成された積層板を得た。このようにして所望の銅配線パターンが形成された積層板を、脱脂液に３分間浸漬することによって脱脂処理した。この脱脂液は、ソフトエッチング剤（商品名：ＰＴ−０、ワールドメタル製）を１０vol％の濃度で含む。以降の工程については、サンプル基板の作製における脱脂処理後の工程と同様にして、３層の絶縁層とこれらの間の２層の配線パターンとからなる本実施例の多層配線基板を作製することができた。
【００７５】
【実施例２】
アンカー部の形成において、無電解コバルトめっき液に代えて無電解ニッケルめっき液（商品名：ニムデンＳＸ、上村工業製）を用いてニッケルアンカー部を形成した以外は実施例１と同様にして、剥離強度測定用のサンプル基板を作製した。このニッケルアンカー部には微量のリンが含有されている。このサンプル基板について、実施例１と同様にして剥離強度を測定したところ、本実施例におけるサンプル基板は０．８ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示し、絶縁層と銅箔との間において充分な密着性が達成されていることが判った。また、アンカー部の形成において、無電解コバルトめっき液に代えて無電解ニッケルめっき液（商品名：ニムデンＳＸ、上村工業製）を用いてニッケルアンカー部を形成した以外は実施例１と同様にして、本実施例の多層配線基板を作製することもできた。
【００７６】
【実施例３】
両面銅張積層板を無電解コバルトめっき液に浸漬してコバルトアンカー部を形成した後に、更に、銅箔における当該アンカー部形成面を酸化処理することによって、コバルトアンカー部に代えてコバルト酸化物アンカー部を形成した以外は実施例１と同様にして、剥離強度測定用のサンプル基板を作製した。この酸化処理は、当該積層板を、酸素気流下および１２０℃の条件で、１時間放置することによって行った。このサンプル基板について、実施例１と同様にして剥離強度を測定したところ、本実施例におけるサンプル基板は０．８ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示し、絶縁層と銅箔との間において充分な密着性が達成されていることが判った。また、両面銅張積層板を無電解コバルトめっき液に浸漬してコバルトアンカー部を形成した後に、更に、銅箔における当該アンカー部形成面を酸化処理することによって、コバルトアンカー部に代えてコバルト酸化物アンカー部を形成した以外は実施例１と同様にして、本実施例の多層配線基板を作製することもできた。
【００７７】
【実施例４】
両面銅張積層板を無電解ニッケルめっき液に浸漬してニッケルアンカー部を形成した後に、更に、銅箔における当該アンカー部形成面を酸化処理することによって、ニッケルアンカー部に代えてニッケル酸化物アンカー部を形成した以外は実施例２と同様にして、剥離強度測定用のサンプル基板を作製した。この酸化処理は、当該積層板を、酸素気流下および１２０℃の条件で、１時間放置することによって行った。このサンプル基板について、実施例１と同様にして剥離強度を測定したところ、本実施例におけるサンプル基板は０．８ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示し、絶縁層と銅箔との間において充分な密着性が達成されていることが判った。また、両面銅張積層板を無電解ニッケルめっき液に浸漬してニッケルアンカー部を形成した後に、更に、銅箔における当該アンカー部形成面を酸化処理することによって、ニッケルアンカー部に代えてニッケル酸化物アンカー部を形成した以外は実施例２と同様にして、本実施例の多層配線基板を作製することもできた。
【００７８】
【実施例５】
酸化処理における酸化温度を１２０℃に代えて１００℃とするとともに、ニッケル酸化物アンカー部が形成された後の銅箔表面をカップリング剤処理した以外は実施例４と同様にして、剥離強度測定用のサンプル基板を作製した。このカップリング剤処理は、主成分としてＮ−２（アミノメチル）３−アミノプロピルトリメトキシシランを含むアミノ系シランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ−６０３、信越シリコーン製）の水溶液に積層板を浸漬した後、これを乾燥することによって行った。このサンプル基板について、実施例１と同様にして剥離強度を測定したところ、本実施例におけるサンプル基板は１．０ｋｇｆ／ｃｍの剥離強度を示し、絶縁層と銅箔との間において充分な密着性が達成されていることが判った。また、酸化処理における酸化温度を１２０℃に代えて１００℃とするとともに、ニッケル酸化物アンカー部が形成された後の銅箔表面をカップリング剤処理した以外は実施例４と同様にして、本実施例の多層配線基板を作製することもできた。
【００７９】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００８０】
（付記１）少なくとも１つの絶縁層、および、当該絶縁層に接する少なくとも１つの配線パターンを備え、
前記配線パターンにおける、前記絶縁層と接する片面または両面には、前記配線パターンとは異なる金属系材料からなり相互に離隔する複数のアンカー部が設けられていることを特徴とする、配線基板。
（付記２）前記配線パターンからの前記アンカー部の高さは、０．０３〜０．１μｍである、付記１に記載の配線基板。
（付記３）前記アンカー部および前記配線パターンからなる配線部における、前記アンカー部が設けられている側の表面粗さＲｚは、０．２μｍ以下である、付記２に記載の配線基板。
（付記４）前記アンカー部は、金属および／または金属酸化物よりなる、付記１から３のいずれか１つに記載の配線基板。
（付記５）前記アンカー部は、コバルト、クロム、ニッケル、亜鉛、コバルト酸化物、クロム酸化物、ニッケル酸化物、および亜鉛酸化物からなる群より選択される材料を含んでなる、付記４に記載の配線基板。
（付記６）前記アンカー部および前記配線パターンからなる配線部における、前記アンカー部が設けられている側の面と、前記絶縁層との間には、シランカップリング剤が介在している、付記１から５のいずれか１つに記載の配線基板。
（付記７）前記シランカップリング剤は、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、アミノ基、ウレイド基、クロロプロピル基、メルカプト基、スルフィド基、およびイソシアネート基からなる群より選択される官能基を有する、付記６に記載の配線基板。
（付記８）前記絶縁層は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂、および全芳香型ポリエステル系液晶ポリマー樹脂からなる群より選択される樹脂を主材として含む、付記１から７のいずれか１つに記載の配線基板。
（付記９）少なくとも１つの絶縁層、および、当該絶縁層に接する少なくとも１つの配線パターンを備える配線基板を製造するための方法であって、
導体箔の片面または両面に対して触媒を付着させる工程と、
無電解めっき法により、前記導体箔よりも高い抵抗率を有する金属材料を、前記導体箔上において前記触媒を核にして堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を前記導体箔上に形成する工程と、
前記アンカー部が形成された前記導体箔を、当該アンカー部を介して絶縁層に貼り合わせる工程と、
前記導体箔をパターニングすることによって配線パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする、配線基板の製造方法。
（付記１０）複数の絶縁層と当該絶縁層の間の配線パターンとを含む多層構造を有する配線基板を製造するための方法であって、
絶縁基材の両面に配線パターンが形成されてなる積層板における当該配線パターンに対して触媒を付着させる工程と、
無電解めっき法により、前記配線パターンよりも高い抵抗率を有する金属材料を、前記配線パターン上において前記触媒を核にして堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を前記配線パターン上に形成する工程と、
前記配線パターンが形成されている前記導体張板と絶縁膜材とを交互に積層し、当該積層体を積層方向に一括して加圧することによって前記多層構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする、配線基板の製造方法。
（付記１１）複数の絶縁層と当該絶縁層の間の配線パターンとを含む多層構造を有する配線基板を製造するための方法であって、
導体箔よりも高い抵抗率を有して相互に離隔する複数のアンカー部が片面または両面に設けられている導体箔が、当該アンカー部を介して絶縁基材の両面に貼り合わされてなる導体張板において、前記導体箔をパターニングすることによって、前記導体張板の両面において配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンが形成されている前記導体張板と絶縁膜材とを交互に積層し、当該積層体を積層方向に一括して加圧することによって前記多層構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする、配線基板の製造方法。
（付記１２）複数の絶縁層と当該絶縁層の間の配線パターンとを含む多層構造を有する配線基板を製造するための方法であって、
絶縁基材、および、当該絶縁基材の両面に貼り合わされている導体箔からなる導体張板において、前記導体箔に対して触媒を付着させる工程と、
無電解めっき法により、前記導体箔よりも高い抵抗率を有する金属材料を、前記導体箔上において前記触媒を核にして堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を前記導体箔上に形成する工程と、
前記アンカー部が形成された前記導体箔をパターニングすることによって、前記導体張板の両面において配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンが形成されている前記導体張板と絶縁膜材とを交互に積層し、当該積層体を積層方向に一括して加圧することによって前記多層構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする、配線基板の製造方法。
（付記１３）複数の絶縁層と当該絶縁層の間の配線パターンとを含む多層構造を有する配線基板を製造するための方法であって、
絶縁層の上に形成されている配線パターンに対して触媒を付着させる工程と、
無電解めっき法により、前記配線パターンよりも高い抵抗率を有する金属材料を、前記配線パターン上において前記触媒を核にして堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を前記配線パターン上に形成する工程と、
前記配線パターンの上に更なる絶縁層を積層形成する工程と、を含むことを特徴とする、配線基板の製造方法。
（付記１４）複数の絶縁層と当該絶縁層の間の配線パターンとを含む多層構造を有する配線基板を製造するための方法であって、
絶縁層の上に成膜されている導体箔に対して触媒を付着させる工程と、
無電解めっき法により、前記導体箔よりも高い抵抗率を有する金属材料を、前記導体箔上において前記触媒を核にして堆積成長させることによって、相互に離隔する複数のアンカー部を前記導体箔上に形成する工程と、
前記導体箔をパターニングすることによって、配線パターンを形成する工程と、
前記配線パターンの上に更なる絶縁層を積層形成する工程と、を含むことを特徴とする、配線基板の製造方法。
（付記１５）前記アンカー部は、前記配線パターンまたは前記導体箔からの高さが０．０３〜０．１μｍとなるように形成される、付記９から１４のいずれか１つに記載の配線基板。
（付記１６）前記アンカー部は酸化される、付記９から１５のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
（付記１７）前記アンカー部および前記配線パターンからなる配線部における、前記アンカー部が設けられている側の面に、シランカップリング剤を付着させる工程を更に含む、付記９から１６のいずれか１つに記載の配線基板の製造方法。
（付記１８）絶縁基材、および、当該絶縁基材の片面または両面に貼り合わされている導体箔を備え、
前記導体箔の片面または両面には、前記導体箔とは異なる金属系材料からなり相互に離隔する複数のアンカー部が設けられていることを特徴とする、導体張板。
【００８１】
【発明の効果】
本発明によると、絶縁層と配線パターンとの間における密着性が高く、且つ、表皮効果に基づく伝送損失の少ない、両面プリント配線板や多層配線基板などの配線基板を得ることができる。このような配線基板によると、電子機器に組み込まれる電子部品の高密度実装化に適切に対応することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る多層配線基板の部分断面図である。
【図２】図１の部分拡大図である。
【図３】図１の多層配線基板において、配線パターンにおけるアンカー部が設けられている側の面と前記絶縁層との間に、シランカップリング剤が介在している場合の部分拡大図である。
【図４】配線パターン上におけるアンカー部の形成態様を模式的に表す平面図である。
【図５】図１の多層配線基板の製造方法における一部の工程を表す。
【図６】図５に続く工程を表す。
【図７】図６に続く工程を表す。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る多層配線基板の部分断面図である。
【図９】図８の多層配線基板の製造方法における一部の工程を表す。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係る多層配線基板の部分断面図である。
【図１１】図１０の多層配線基板の製造方法における一部の工程を表す。
【図１２】図１１に続く工程を表す。
【図１３】図１２に続く工程を表す。
【符号の説明】
Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ３’      多層配線基板
１１ａ，１１ｂ，３１，３２      絶縁層
１２ａ，１２ｂ，４１      配線パターン
１３      スルーホールめっき
１４      アンカー部
２０，５０      レジストパターン
【図１】
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【図２】
0004011968.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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