(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン化される基板をはんだ槽に搬送するとともに、はんだ槽から噴流された噴流はんだ液で加熱されてはんだ付を行なう鉛フリーはんだ付方法であって、
前記はんだ槽での前記噴流はんだ液を乱流域にするとともに、前記基板を所定時間、前記噴流はんだ液で浸漬しながら、前記基板を前記噴流はんだ液の流れに沿って順送し、
その後、前記はんだ槽での前記噴流はんだ液を層流域にするとともに、前記基板を前記噴流はんだ液の流れに対して逆送させ、
前記乱流域の発生、前記基板の順送、前記層流域の発生、前記基板の逆送を、順次制御して行なうことを特徴とする鉛フリーはんだ付方法。
【請求項２】
前記はんだの噴流を１槽のはんだ槽で行なうことを特徴とする請求項１記載の鉛フリーはんだ付方法。
【請求項３】
前記噴流はんだ液の噴流が、大気雰囲気で行なわれることを特徴とする請求項１又は２記載の鉛フリーはんだ付方法。
【請求項４】
前記基板が、ワイヤハーネスの付帯した立体成形基板又はプリント基板であることを特徴とする請求項１，２又は３記載の鉛フリーはんだ付方法。
【請求項５】
パターン化される基板をはんだ槽に搬送するとともに、前記はんだ槽から噴流された噴流液で加熱されてはんだ付を行なう鉛フリーはんだ付装置であって、
機台と、前記機台内に配置されて前記基板を収納するパレットと、前記基板を収納したパレットを搬送するロボットと、前記基板を収納したパレットを搬送するとともに前記基板を鉛フリーはんだ付するはんだ槽と、はんだ付された前記基板をパレットごと回収する回収装置と、
を備えて構成され、
前記はんだ槽において、前記はんだ槽での前記噴流はんだ液を乱流域にするとともに、前記基板を所定時間、前記噴流はんだ液で浸漬しながら、前記基板を前記噴流はんだ液の流れに沿って順送し、
その後、前記はんだ槽での前記噴流はんだ液を層流域にするとともに、前記基板を前記噴流はんだ液の流れに対して逆送させ、
前記乱流域の発生、前記基板の順送、前記層流域の発生、前記基板の逆送を、順次制御して行なうように構成されていることを特徴とする鉛フリーはんだ付装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、パターン化された配線基板にはんだ付を行なう鉛フリーはんだ付方法と装置に関する。配線基板は、立体成形基板、プリント基板、フレキシブル基板等を含むものであり、主に、ワイヤハーネスが接続された基板に好適な鉛フリーはんだ付方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、パターン化された配線基板、例えば、プリント基板のはんだ付けは、一般的にフローはんだあるいはリフローはんだ付方法等によって行なわれている。例えば、特開２０００−１４４４２４号に示されているものは、表面の実装品をリフローはんだ付した後で裏面側にフローはんだ付を行なうものであり、フローはんだ付では、はんだ槽に貯溜された溶融はんだを噴流させて、その噴流はんだを搬送コンベアにより搬送されるプリント基板の裏面側に噴き付けることによってはんだ付を行なっている。そして、プリント基板に噴流はんだを噴き付けてはんだ付けする際に、搬送されるプリント基板の上方より冷風を供給されて、プリント基板の表面側を冷却している。
【０００３】
また、従来から一般的にリフローはんだ方法で用いられていたはんだは、図８に示すように、窒素雰囲気の中で、鉛、錫の共晶はんだ（主にＰｂー６３Ｓｎ）が使用されていた。鉛を含んだ共晶はんだは融点（約１８３℃）が低く濡れ性が優れていることから、はんだ付を行なった後のはんだ付性がよい。しかし、鉛を含んだ材料は、鉛が雨水等によって溶出して地下水を汚染するという環境的問題が発生していることから、鉛の成分を含まない鉛フリーはんだ方法をとらざるを得なくなってきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
一方、はんだ付けされるワークがプリント基板でなく、例えば、車両に使用される回転検出装置（回転センサ）の立体成形基板を鉛フリーはんだ付で行なう場合、鉛フリーはんだにおいては、鉛を含まないことから共晶はんだに比べて融点（約２３２℃）が高く、しかも濡れ性が悪いことから、スルーホールのはい上がり不良やはんだ付後のはんだブリッジやはんだつらら等の外観不良を起こしやすい。つまり、立体成形基板は、樹脂ベース上にホールＩＣ等の磁気検出素子、バイアス磁石、コンデンサ、抵抗等の回路部品を搭載して各回路部品の端子を樹脂ベースに形成された配線パターンにはんだ付をし、これを樹脂モールドした構成であり、プリント基板と異なって、スルーホール高さが著しく高く、また、はんだ部分付部の凹凸形状が大きく形成されている。しかも立体成形基板にはワイヤハーネスが付帯されている。従って、立体成形基板ではスルーホールのはい上がり高さが高く、またはんだの温度はワイヤハーネスによって熱が奪われることから、はんだが高いスルーホールをはい上がりにくい状況となっていた。
【０００５】
しかも、濡れ性が悪く、高融点の錫１００％（あるいは鉛のない錫系合金）のはんだを使用することから、立体成形基板の配線のはんだはい上がり部分のメッキ部は、そのピール強度が低下するためにはんだ槽に僅かの時間しか暴露できない状態にある。そのために、特にスルーホールにおいてははんだ付性が低下するとともに、はんだブリッジやはんだつらら等の外観不良を発生しやすくなっていた。
【０００６】
この発明は、上述の課題を解決するものであり、濡れ性が悪く高融点のはんだを使用してはい上がりを確保して外観不良を防止できる鉛フリーはんだ付方法と装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明にかかわる鉛フリーはんだ付方法と装置では、上記の課題を解決するために以下のようにするものである。すなわち、
請求項１記載の鉛フリーはんだ付方法は、パターン化される基板をはんだ槽に搬送すると、はんだ槽においては、噴流はんだ液を乱流域にした状態で、基板を所定時間、噴流はんだ液の流れに対して順送して基板に噴流はんだ液を浸漬させることから、スルーホール内に噴流はんだ液を浸入させ、パターン化されるはんだ付部にはんだ付を行なう。従って、噴流はんだ液は高さの高いスルーホール内においてもはい上がることができる。
【０００８】
次に、前記はんだ槽の乱流域を停止させて層流域にした後、噴流はんだ液の流れに対して、前記基板を逆送させることによって付着されたはんだを切り返すこととなる。この際、はんだが基板から離れる部分に、基板の移動速度と、はんだの流速、はんだの表面張力、ピールバック速度との力学的関係が発生する。そして、この力学的関係が吊り合うように各速度を設定することによって、はんだが無駄なく切り返しを行なえることから、はんだブリッジやはんだつららの発生をなくして外観を向上させることができる。
【０００９】
そして、これを順次制御することによって、生産性を向上させることができる。
【００１０】
請求項２記載の発明では、この鉛フリーはんだ付を上記のように、乱流域・層流域で基板に噴流はんだ液を噴射することができ、しかも順送・逆送で順次基板を搬送するように行なうことができることから、はんだ槽を１槽にすることができ、１槽にすることによって装置自体をコンパクトに構成することができる。
【００１１】
また、請求項３記載の発明では、大気雰囲気内ではんだ付を行なうことによって、極めて短時間でのはんだ付作業を行なうことができ、作業性を向上することができる。
【００１２】
さらに、請求項４記載の発明では、基板が立体成形基板のようにスルーホール高さが高く、また、凹凸形状が大きく形成されていても、乱流域での噴流によってはい上がりを良好にするとともに、順送・逆送の切替えによって外観不良を防止することが可能となり、あるいは、立体成形基板やプリント基板等にワイヤハーネスを付帯させていても、ワイヤハーネスを閉じ込めてワイヤハーネスに加熱させずにはんだ槽ではんだ付を行なうことができる。。
【００１３】
また、請求項５記載の鉛フリーはんだ付装置は、基板がパレットに収納されることから、例えば、基板が立体成形基板であったり、プリント基板であったり、又はフレキシブル基板であっても、各基板に合わせたパレットを製作することによって全ての基板を収納することができ、特にワイヤハーネスが付帯された基板をワイヤハーネスを閉じ込めることによって、ワイヤハーネスに加熱させずにはんだ槽ではんだ付を行なうことができる。そして、収納されたパレットごとロボットではんだ槽に搬送し、はんだ付を終了した基板をパレットごと回収装置から回収できるように構成していることから、品質の良い基板を生産性を上げて作業を行なうことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。実施形態の鉛フリーはんだ付け方法は、車両の回転検出装置（回転センサ）に使用される立体成形基板（以下、ＭＩＤ基板という。）をはんだ付することについて説明するものであり、図１〜２に示すはんだ付装置Ｍによって行なわれる。はんだ付装置Ｍは、機台１上に配置されるとともにＭＩＤ基板１０をパレット２０に収納してＭＩＤ基板１０が収納されたパレット２０をハンド２０１で把持するロボット２と、パレット２０に収納されたＭＩＤ基板１０にフラックス処理するフラックス装置３と、パレット２０に収納されたＭＩＤ基板１０に予熱を付与する加熱装置４と、ＭＩＤ基板１０にはんだ付けするはんだ槽５と、ＭＩＤ基板１０をパレット２０に収納してはんだ付装置Ｍ内に投入するとともにはんだ付けされたＭＩＤ基板１０をパレット２０を回収する投入・回収装置６とを有して構成されている。
【００１５】
ＭＩＤ基板１０は、図３に示すように、ＭＩＤ基板本体部１１とワイヤハーネス１５とを備え、ＭＩＤ基板本体部１１は、樹脂ベース１２上にホールＩＣ等の磁気検出素子、バイアス磁石、コンデンサ、抵抗等の回路部品を搭載（図３における裏面側に搭載するため図示せず）して各回路部品の端子を樹脂ベース１２に形成された配線パターン１３にはんだ付をし、これを樹脂モールドして構成されている。なお、各回路部品の端子は、樹脂ベース１２に形成されたスルーホール１４内に挿入されてはんだ付をすることによって配線パターン１３を形造ることとなる。
【００１６】
そして、この実施形態におけるＭＩＤ基板１０において各電子部品の端子を挿通するスルーホール１４は、その高さが約２．５ｍｍに形成され、はんだ付部の凹凸差は約４０μｍの段差を有している。これは、通常のプリント基板に対してスルーホール１３高さが約２．５倍、凹凸差は約８倍となっている。また、ＭＩＤ基板本体部１１の一端側から延びるワイヤハーネス１５は、先端にコネクタ部１６（図４参照）を有して形成される。
【００１７】
ＭＩＤ基板１０を収納するパレット２０は、図４〜６に示すように、ＭＩＤ基板１０以外にもプリント基板等を載置可能なベース板２１と、ＭＩＤ基板１０を上方から押える前部蓋部２５と、ワイヤハーネス１５をカバーする後部蓋部２７とを有している。実施形態におけるベース板２１には、ＭＩＤ基板本体部１１を収納する基板載置部２２と、ワイヤハーネスを収納するワイヤハーネス収納部２３とを有して略矩形状に形成され、さらに、ＭＩＤ基板１０の軸心方向に対して側部側にロボット２のハンド２０１に把持される被把持部２４を各２か所づつ備えて構成されている。
【００１８】
基板載置部２２には、ＭＩＤ基板本体部１１の両端を支持する支持部２２１（図６参照）が形成されるとともに、ＭＩＤ基板本体部１１の下方からはんだ噴流を噴き込むための開口部２２２がＭＩＤ基板本体部１１と略同幅に形成されている。さらに、基板配置部２２には、前部蓋部２５が支持部２２１に支持されたＭＩＤ基板本体部１１を上方から押圧するために一端が基板載置部２２に軸支されて開閉可能に配置されている。前部蓋部２５にはＭＩＤ基板本体部１１の両端を軽く押圧する押圧部２５２（図５又は６参照）が前部蓋部２５の本体２５１（図５又は６参照）から下方に突出するように形成されるとともに、前部蓋部２５を閉じた時に、基板載置部２２側のマグネット２２３及び前部蓋部２５側のマグネット２５３で基板載置部２２に固着可能に構成されている。
【００１９】
ワイヤハーネス収納部２３は、ＭＩＤ基板１０のワイヤハーネス１５を収納するために、実施形態においてはその約半分のスペース内でワイヤハーネスを屈曲させてコネクタ部１６を収納するように使用している。そして、後部蓋部２７の一端がワイヤハーネス収納部２３の一部に軸支されてワイヤはーネス１５を覆うように開閉可能に配置されている。後部蓋部２７も前部蓋部２５と同様に、閉じた時に他端がワイヤハーネス収納部２３にマグネット等で固着される。
【００２０】
なお、パレット２０は、基板収納部２２、ワイヤハーネス収納部２３、ロボット２のハンド２０１に把持される被把持部２４、及び各基板を押圧する前部蓋部２５、ワイヤハーネス１５を覆う後部蓋部２７、ＭＩＤ基板本体部１１の下面に噴流はんだ液を噴き込むための開口部２２２が形成あるいは配置されていれば、特にそれらの形状に限定するものではなく、また、ＭＩＤ基板やプリント基板あるいは他の基板の形状に合わせて全体の形状を形成すればよい。
【００２１】
ロボット２は、機台１上の略中央部に位置するように配置され、投入・回収装置６に投入されてＭＩＤ基板１０を収納したパレット２０をハンド２０１で把持して、順に、フラックス装置３、加熱装置４、はんだ槽５にＭＩＤ基板１０を搬送して投入・回収装置６に回収するように作動される。
【００２２】
フラックス装置３は、ロボット２のハンド２０１で搬送されたＭＩＤ基板１０の裏面側にフラックス液を塗布してはんだ付を行なえるように構成され、これは、公知のフラックス装置が配置される。実施形態において、このフラックス装置３では、フラックス液はソルダライトＵＬＦ−３０００が使用され、間欠スプレー方式で約２秒間で塗布する。
【００２３】
加熱装置４は、搬送部４１と加熱部４２とを有して構成され、ＭＩＤ基板１０を収納してロボット２のハンド２０１で把持されたパレット２０が、ハンド２０１の把持解除で加熱装置４の一端に載置されると、搬送部４１によってＭＩＤ基板１０を収納したパレット２０を一方の側に向かって所定時間内で搬送し、その間、加熱装置４２によってＭＩＤ基板１０に予熱を加える。実施形態においては、この予熱温度は約８０〜１００℃に設定され、予熱時間は約１０秒程度に設定されている。
【００２４】
はんだ槽５は、フローはんだ付方式が採用され、噴流となった噴流はんだ液をパレット２０の開口部２２２を通って裏面側から噴き付けることによってはんだ付が行なわれるように構成され、図７に示すように、ノズル５１とはんだ流ガイド５２とを有して１槽で構成されている。はんだ槽５には、噴流はんだ液を噴き付けるためのノズルと５１、ノズル５１から噴射された噴流はんだ液の流れを形成するはんだ流ガイド５２と、噴流はんだ液に乱流を発生させる図示しないモータとを有している。そして、このはんだ槽５では、モータを作動させることによって噴流はんだ液を攪拌して高速のはんだ流で乱流域を形成する。
【００２５】
そして、はんだ槽５では、ＭＩＤ基板１０を収納したパレット２０をロボット２のハンド２０１が把持した状態で、ロボット２の制御によって、乱流域又は層流域の中でノズル５１の上方でパレット２０を順送させたり逆送させたりする。この作動は後述の作用の中で詳細に説明する。
【００２６】
はんだ槽５におけるはんだ付作業は大気雰囲気の中で行なわれ、また、はんだ付作業によって、はんだ槽５の上方で上昇された温度を吸引するバキューム装置８（図２参照）が、はんだ槽５の上方に配置されている。
【００２７】
次に、上記のように構成されたはんだ付装置Ｍの作用を、図１〜８に基づいて説明する。
【００２８】
はんだ付装置Ｍの外でパレット２０にセットされたＭＩＤ基板１０（以下、基板収納体３０という。）が、投入・回収装置６からはんだ付装置Ｍ内に投入されると、ロボット２のハンド３がパレット２０の被把持部２４を両側から把持して、基板収納体３０を保持する。
【００２９】
ロボット２に保持された基板収納体３０は、フラックス装置３に搬送されてロボット２に保持された状態のまま、フラックス液をＭＩＤ基板１０の裏面側に塗布する。
【００３０】
次にフラックス液が塗布された基板収納体３０は、ロボット２によって加熱装置４に搬送される。加熱装置４では、ロボット２がハンド２０１で基板収納体３０を把持解除すると、基板収納体３０は搬送部４１で搬送されながら予熱される。この際、基板収納体３０を把持解除したロボット２は、加熱装置４で予熱されて予熱部４２の先端で待機している直前の基板収納体３０をはんだ槽５に搬送してはんだ付をする。そして、はんだ付をした基板収納体３０を投入・回収装置６で回収した後、新たな基板収納体３０を把持して、フラックス処置をして加熱装置４に再び搬送する。これによって、タクトタイムを短縮することができる。
【００３１】
はんだ槽５に搬送された基板収納体３０は、ロボット２に保持された状態のまま、はんだ槽５のノズル５１上方に搬送される。実施形態のはんだは、図８に示すように、濡れ性が悪く高融点の錫１００％のものを使用して、ＭＩＤはんだ付性（はんだはい上がり）を確保しながらはんだ外観不良を低減するために、基板収納体３０がはんだ槽５のノズル５１上方に配置される際、はんだ槽５は、下記表１のはんだ付条件で示すように、シーケンス制御あるいはコンピュータプログラミングされたモータによって乱流域を形成し、ＭＩＤ基板１０の浸漬深さを２〜２．５ｍｍに設定している。はんだ槽５のノズル５１から噴流する噴流はんだ液は基板収納体３０のパレット２０の下部開口部２２２からＭＩＤ基板１０内に噴流するとともにはんだ流ガイド５２に沿って流れている（順送方向）。基板収納体１０がロボット２にて、はんだ槽５の上方に移動されると、基板収納体３０は、水平方向に対してＭＩＤ基板角度０〜８°（実施形態では約８°）の範囲内ではんだ流の順送方向に沿って移動させる。この移動は約３．５〜４秒で行なわれ、この間に、はんだがＭＩＤ基板１０に浸漬されることになる。
【００３２】
【表１】
0003879448.tif 000002
【００３３】
基板収納体３０が、所定時間搬送されると、次に、はんだ槽５は乱流域を停止して層流域を形成させる。そして、基板収納体３０をロボット２により噴流はんだ液の流れに対して逆送させる。このときのはんだ槽５のはんだ付条件は、下記表２の第２のはんだ付条件で示すように、噴流はんだ液量を２．５〜３ｍｍとし、層流域内でＭＩＤ基板深さを２〜２．５ｍｍに設定する。そして、基板収納体３０をロボット２によって、ＭＩＤ基板角度３〜８°で噴流はんだ液に対して逆送方向に３．５〜４秒間移動させる。
【００３４】
【表２】
0003879448.tif 000003
【００３５】
これによって、ＭＩＤ基板１０のはんだ付部に付着されたはんだは、基板収納体３０の層流域内での逆送によって、力学的関係で釣合が取れることによって、無駄なくきれいに切り返されることとなる。
【００３６】
上記のようなはんだ付条件で、ロボット２に把持された基板収納体３０のＭＩＤ基板１０を、１槽のはんだ槽５ではんだ付を行なうことによって、大気雰囲気内で行なうことができ、その結果、図８に示すように極めて短時間でワイヤハーネス１５を付帯したＭＩＤ基板１０にはんだ付を行なうことができる。
【００３７】
図８のグラフは、従来から一般的に行なわれてプリント基板を窒素雰囲気の中でフローはんだ付をしたもの（二点鎖線で示す）と、本発明によるはんだ付装置Ｍで行なわれて大気雰囲気内でＭＩＤ基板１０をフローはんだ付したもの（実線で示す）との、温度プロファイルの比較を示したものである。
【００３８】
上述のように、高融点（約２３２℃）の錫１００％を使用しても、乱流域での順送、層流域での逆送をロボット２の搬送により大気雰囲気で行なうことにより、一般に行なわれていたはんだ付方法に比べて、極めて短時間ではんだ付を行なうことができる。
【００３９】
なお、ロボット２がはんだ槽５上において、乱流域の中での順送、層流域の中での逆送を行なう作動は、その位置及び移動量を記憶されることから、一旦行なえばティーチングされてこれを繰り返して行なうこととなる。
【００４０】
従って、上記のように、実施形態のはんだ付方法では、以下のような効果を達成できる。
【００４１】
第１に、はんだ槽５においては、モータによってはんだ槽５を乱流域にした状態で、ＭＩＤ基板１０が収納された基板収納体３０を３．５〜４秒間、噴流はんだ液の流れに対してロボット２の操作によって順送してＭＩＤ基板に噴流液を浸漬させることから、スルーホール内に噴流はんだ液を浸入させ、パターン化されたはんだ付部にはんだ付を行なう。従って、はんだは高さの高いスルーホール内においてもはい上がることができる。
【００４２】
次に、前記はんだ槽の乱流域を停止させて層流域にした後、噴流はんだ液の流れに対してロボット２の操作で逆送させることによってはんだを切り返すこととなる。この際、はんだがＭＩＤ基板１０から離れる部分に、ＭＩＤ基板１０の移動速度と、はんだの流速、はんだの表面張力、ピールバック速度との力学的関係が発生する。そして、この力学的関係が吊り合うように各速度を設定することによって、はんだが無駄なく切り返しを行なえることから、はんだブリッジやはんだつららの発生をなくして外観を向上させることができる。
【００４３】
そして、これを順次制御することによって、パターン化されたはんだ付部にはんだ付を行なって生産性を向上させることができる。
【００４４】
第２に、この鉛フリーはんだ付を上記のように、乱流域でＭＩＤ基板１０に噴流はんだ液を噴射することができ、しかも順送・逆送で順次ＭＩＤ基板１０を収納した基板収納体３０をロボット２で搬送するように行なうことができることから、はんだ槽５を１槽にすることができ、１槽にすることによってはんだ付装置Ｍ自体をコンパクトに構成することが可能となる。
【００４５】
第３に、基板収納体３０をロボット２で順送又は逆送するとともにはんだ槽５を乱流域と層流域のなかで、はんだ付を行なうことから、大気雰囲気内で行なうことができ、大気雰囲気内ではんだ付を行なうことによって、図８に示すように、例えば、プリント基板を通常のフローはんだ付で行なうものより、極めて短時間でのはんだ付作業を行なうことができ、作業性を向上することができる。
【００４６】
第４に、実施形態のはんだ付装置Ｍでは、基板がＭＩＤ基板１０のようにスルーホール高さが高く、また、凹凸形状が大きく形成されていても、乱流域での噴流によってはい上がりを良好にするとともに、順送・逆送の切替えによって外観不良を防止することが可能となる。
【００４７】
そして、ＭＩＤ基板１０がパレット２０に収納されることから、例えば、基板が立体成形基板であったり、プリント基板であったり、又はフレキシブル基板であっても、各基板に合わせたパレットを製作することによって全ての基板を収納することができ、特にワイヤハーネス１５が付帯されたＭＩＤ基板１０のワイヤハーネス１５をワイヤハーネス収納部２３に閉じ込めることによって、ワイヤハーネス１５を加熱させずにはんだ槽５ではんだ付を行なうことができる。
【００４８】
第５に、実施形態のはんだ付装置Ｍは、基板収納体３０をフラックス処理、予熱をした後で、ロボット２ではんだ槽５に搬送し、はんだ付を終了したＭＩＤ基板１０をパレット２０ごと投入・回収装置６から回収できるように構成していることから、品質の良いＭＩＤ基板１０を生産性を上げて作業を行なうことができる。
【００４９】
なお、基板収納体３０に収納される基板はＭＩＤ基板１０に限らず、ワイヤハーネスの付帯したプリント基板、あるいは、ワイヤハーネスの付帯しないＭＩＤ基板、プリント基板あるいはフレキシブル基板等であってもよい。
【００５０】
また、上記形態でははんだ槽５を１槽で構成しているが、勿論２槽以上で形成するようにしてもよい。
【００５１】
さらに、はんだ槽５におけるはんだは、錫１００％でなくても、鉛フリーはんだ、例えば、Ｓｎ−Ａｇ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ等のＳｎ系はんだであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一形態によるはんだ付装置を示す平面図である。
【図２】図１におけるはんだ付装置を示す側面図である。
【図３】図１のはんだ付装置ではんだ付けされるＭＩＤ基板を示す平面図である。
【図４】ＭＩＤ基板を収納するパレットを示す平面図である。
【図５】同正面断面図である。
【図６】同側面断面図である。
【図７】図１におけるはんだ槽ではんだ付を行なう状態を示す簡略断面図である。
【図８】本発明によるはんだ付と従来のはんだ付による温度プロファイルを比較したグラブである。
【符号の説明】
Ｍ…はんだ付装置
１…機台
２…ロボット
３…フラックス装置
４…加熱装置
５…はんだ槽
６…投入・回収装置
１０…ＭＩＤ基板（立体成形基板）
１１…ＭＩＤ基板本体部
１４…スルーホール
１５…ワイヤハーネス
２０…パレット
２１…ベース板
２２…基板載置部
２２２…開口部
２３…ワイヤハーネス収納部
２４…被把持部
２５…前部蓋部
２７…後部蓋部
５１…ノズル
５２…はんだ流ガイド
【図１】
0003879448.tif 000004
【図２】
0003879448.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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