(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
被処理基板の厚みを測定する測定手段と、
その先端部を前記被処理基板の裏面と当接させて前記被処理基板を昇降させるための複数の支持ピンを有する処理ユニットと、
前記被処理基板の表面に処理液を塗布するための塗布ノズルを有する塗布ユニットと、
前記測定手段により測定された被処理基板の厚みに応じて、前記基板処理ユニットにおいて前記複数の支持ピンにより前記被処理基板を昇降させるときの前記支持ピンの昇降速度の設定を変更するとともに、前記塗布ユニットにおいて前記塗布ノズルにより処理液を前記被処理基板の表面に吐出するときの前記塗布ノズルと前記被処理基板の表面との距離の設定を変更する設定変更手段と、
前記設定変更手段を制御する制御手段と、を備え、
前記塗布ユニットは前記塗布ノズルを前記被処理基板の表面に沿って走行させるものであって、前記設定変更手段は前記被処理基板の厚みに応じて、前記基板の表面に沿って走行する塗布ノズルと前記被処理基板との距離が一定となるように前記距離の設定を変更するとともに、
前記設定変更手段は、前記被処理基板の厚みが比較的小さい場合には、前記昇降速度を比較的小さくし、前記被処理基板の厚みが比較的大きな場合には、前記昇降速度を比較的大きくするように昇降速度の設定を変更することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
被処理基板の厚みを入力する入力手段と、
その先端部を前記被処理基板の裏面と当接させて前記被処理基板を昇降させるための複数の支持ピンを有する処理ユニットと、
前記被処理基板の表面に処理液を塗布するための塗布ノズルを有する塗布ユニットと、
前記入力手段により入力された被処理基板の厚みに応じて、前記基板処理ユニットにおいて前記複数の支持ピンにより前記被処理基板を昇降させるときの前記支持ピンの昇降速度の設定を変更するとともに、前記塗布ユニットにおいて前記塗布ノズルにより処理液を前記被処理基板の表面に吐出するときの前記塗布ノズルと前記被処理基板の表面との距離の設定を変更する設定変更手段と、
前記設定変更手段を制御する制御手段と、を備え、
前記塗布ユニットは前記塗布ノズルを前記被処理基板の表面に沿って走行させるものであって、前記設定変更手段は前記被処理基板の厚みに応じて、前記基板の表面に沿って走行する塗布ノズルと前記被処理基板との距離が一定となるように前記距離の設定を変更するとともに、
前記設定変更手段は、前記被処理基板の厚みが比較的小さい場合には、前記昇降速度を比較的小さくし、前記被処理基板の厚みが比較的大きな場合には、前記昇降速度を比較的大きくするように昇降速度の設定を変更することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記被処理基板の下面を保持する搬送アームを有し、前記搬送アームをカセット内に進入させて、前記カセットから被処理基板を取り出し、あるいは、前記カセットに被処理基板を収納する搬送ユニットをさらに備え、
前記設定変更手段は、さらに、被処理基板の厚みに応じて、前記搬送アームが前記カセット内に進入するときの前記搬送ユニットにおける搬送アームの高さ方向の位置の設定を変更することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
被処理基板の厚みを測定する測定手段と、
前記被処理基板の表面に処理液を塗布するための塗布ノズルを有する塗布ユニットと、
前記測定手段により測定された被処理基板の厚みに応じて、前記塗布ユニットにおいて前記塗布ノズルにより処理液を前記被処理基板の表面に吐出するときの前記塗布ノズルと前記被処理基板の表面との距離が０．２ｍｍ以下となるように前記距離の設定を変更する設定変更手段と、を備え、
前記塗布ユニットは前記塗布ノズルを前記被処理基板の表面に沿って走行させるものであって、前記設定変更手段は前記被処理基板の厚みに応じて、前記基板の表面に沿って走行する塗布ノズルと前記被処理基板との距離が一定となるように前記距離の設定を変更することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、
被処理基板の厚みを入力する入力手段と、
前記被処理基板の表面に処理液を塗布するための塗布ノズルを有する塗布ユニットと、
前記入力手段により入力された被処理基板の厚みに応じて、前記塗布ユニットにおいて前記塗布ノズルにより処理液を前記被処理基板の表面に吐出するときの前記塗布ノズルと前記被処理基板の表面との距離が０．２ｍｍ以下となるように前記距離の設定を変更する設定変更手段と、を備え、
前記塗布ユニットは前記塗布ノズルを前記被処理基板の表面に沿って走行させるものであって、前記設定変更手段は前記被処理基板の厚みに応じて、前記基板の表面に沿って走行する塗布ノズルと前記被処理基板との距離が一定となるように前記距離の設定を変更することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等のＦＰＤ（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板に対して各種の処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば液晶表示パネル用ガラス基板の製造工程におけるレジスト塗布ラインにおいては、カセットに収納されたガラス基板を搬送ユニットによりカセットから取り出し、このガラス基板を洗浄ユニットにより洗浄し、熱処理ユニットにより熱処理を行い、スピンコータやロールコータ等の塗布ユニットによりその表面にフォトレジストの薄膜を形成し、端縁洗浄ユニットにおいてその端縁の洗浄処理を行い、さらに、再度熱処理ユニットにより熱処理を行った後、搬送ユニットによりカセットに収納している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このような基板処理装置において処理すべき基板の厚みには、いくつかの種類がある。例えば液晶表示パネル用の角形ガラス基板においては、その厚みが０．７ｍｍのものと１．１ｍｍのものとが常用されている。このような厚みの異なる基板を同一の基板処理装置で処理することは困難である。
【０００４】
例えばガラス基板を収納するカセットにおいては、ガラス基板の厚みの差異によりその撓み量が異なることから、カセットにおけるガラス基板間のピッチを変更する必要が生じ、これに伴って、搬送ユニットによるガラス基板の搬送動作を変更する必要が生ずる。また、塗布ユニットや端縁洗浄ユニットにおいては、ガラス基板の厚みの差異により、ガラス基板の表面に供給すべきレジストや溶剤等の処理液の供給ノズルとガラス基板の表面との距離が変更されることから、適切な処理が困難となる。さらに、熱処理ユニットにおいては、昇降ピンによるガラス基板の昇降速度をガラス基板の厚みに応じて設定しないと、ガラス基板が破損する可能性がある。
【０００５】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その厚みの異なる基板を処理する場合であっても、基板を適切に処理することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、被処理基板の厚みを測定する測定手段と、その先端部を前記被処理基板の裏面と当接させて前記被処理基板を昇降させるための複数の支持ピンを有する処理ユニットと、前記被処理基板の表面に処理液を塗布するための塗布ノズルを有する塗布ユニットと、前記測定手段により測定された被処理基板の厚みに応じて、前記基板処理ユニットにおいて前記複数の支持ピンにより前記被処理基板を昇降させるときの前記支持ピンの昇降速度の設定を変更するとともに、前記塗布ユニットにおいて前記塗布ノズルにより処理液を前記被処理基板の表面に吐出するときの前記塗布ノズルと前記被処理基板の表面との距離の設定を変更する設定変更手段と、前記設定変更手段を制御する制御手段と、を備え、前記塗布ユニットは前記塗布ノズルを前記被処理基板の表面に沿って走行させるものであって、前記設定変更手段は前記被処理基板の厚みに応じて、前記基板の表面に沿って走行する塗布ノズルと前記被処理基板との距離が一定となるように前記距離の設定を変更するとともに、前記設定変更手段は、前記被処理基板の厚みが比較的小さい場合には、前記昇降速度を比較的小さくし、前記被処理基板の厚みが比較的大きな場合には、前記昇降速度を比較的大きくするように昇降速度の設定を変更することを特徴とする。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、被処理基板の厚みを入力する入力手段と、その先端部を前記被処理基板の裏面と当接させて前記被処理基板を昇降させるための複数の支持ピンを有する処理ユニットと、前記被処理基板の表面に処理液を塗布するための塗布ノズルを有する塗布ユニットと、前記入力手段により入力された被処理基板の厚みに応じて、前記基板処理ユニットにおいて前記複数の支持ピンにより前記被処理基板を昇降させるときの前記支持ピンの昇降速度の設定を変更するとともに、前記塗布ユニットにおいて前記塗布ノズルにより処理液を前記被処理基板の表面に吐出するときの前記塗布ノズルと前記被処理基板の表面との距離の設定を変更する設定変更手段と、前記設定変更手段を制御する制御手段と、を備え、前記塗布ユニットは前記塗布ノズルを前記被処理基板の表面に沿って走行させるものであって、前記設定変更手段は前記被処理基板の厚みに応じて、前記基板の表面に沿って走行する塗布ノズルと前記被処理基板との距離が一定となるように前記距離の設定を変更するとともに、前記設定変更手段は、前記被処理基板の厚みが比較的小さい場合には、前記昇降速度を比較的小さくし、前記被処理基板の厚みが比較的大きな場合には、前記昇降速度を比較的大きくするように昇降速度の設定を変更することを特徴とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、前記被処理基板の下面を保持する搬送アームを有し、前記搬送アームをカセット内に進入させて、前記カセットから被処理基板を取り出し、あるいは、前記カセットに被処理基板を収納する搬送ユニットをさらに備え、前記設定変更手段は、さらに、被処理基板の厚みに応じて、前記搬送アームが前記カセット内に進入するときの前記搬送ユニットにおける搬送アームの高さ方向の位置の設定を変更する。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、被処理基板の厚みを測定する測定手段と、前記被処理基板の表面に処理液を塗布するための塗布ノズルを有する塗布ユニットと、前記測定手段により測定された被処理基板の厚みに応じて、前記塗布ユニットにおいて前記塗布ノズルにより処理液を前記被処理基板の表面に吐出するときの前記塗布ノズルと前記被処理基板の表面との距離が０．２ｍｍ以下となるように前記距離の設定を変更する設定変更手段と、を備え、前記塗布ユニットは前記塗布ノズルを前記被処理基板の表面に沿って走行させるものであって、前記設定変更手段は前記被処理基板の厚みに応じて、前記基板の表面に沿って走行する塗布ノズルと前記被処理基板との距離が一定となるように前記距離の設定を変更することを特徴とする。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、被処理基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、被処理基板の厚みを入力する入力手段と、前記被処理基板の表面に処理液を塗布するための塗布ノズルを有する塗布ユニットと、前記入力手段により入力された被処理基板の厚みに応じて、前記塗布ユニットにおいて前記塗布ノズルにより処理液を前記被処理基板の表面に吐出するときの前記塗布ノズルと前記被処理基板の表面との距離が０．２ｍｍ以下となるように前記距離の設定を変更する設定変更手段と、を備え、前記塗布ユニットは前記塗布ノズルを前記被処理基板の表面に沿って走行させるものであって、前記設定変更手段は前記被処理基板の厚みに応じて、前記基板の表面に沿って走行する塗布ノズルと前記被処理基板との距離が一定となるように前記距離の設定を変更することを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１はこの発明に係る基板処理装置の配置を示す平面図である。なお、図１においては、各ユニット間のガラス基板５の搬送機構については、図示を省略している。
【００１２】
この基板処理装置は、液晶表示パネルを製造する際に、その素材である角形板状のガラス基板５に対して一連のレジスト塗布処理を施すものであり、搬入用のカセット２からガラス基板５を取り出し、あるいは搬出用のカセット２にガラス基板５を収納する搬送ユニット３と、ガラス基板５の表面を洗浄する洗浄ユニット４と、その内部に熱処理プレート４６を内蔵しガラス基板５に対して熱処理を施す複数の熱処理ユニット６と、ガラス基板５の表面にフォトレジストを供給してその薄膜を形成する塗布ユニット７と、ガラス基板５の端縁付近に塗布されたレジストを除去する端縁洗浄ユニット８と、搬入用のカセット２に収納されたガラス基板５の厚みを測定するための測定ユニット９と、各ユニットを制御する制御機構１０とを備える。
【００１３】
この基板処理装置においては、カセット２に収納されたガラス基板５は搬送ユニット３によりカセット２から取り出される。そして、このガラス基板５は洗浄ユニット４により洗浄され、複数の熱処理ユニット６により熱処理された後、塗布ユニット７によりその表面にフォトレジストの薄膜が形成される。そして、このガラス基板５は、端縁洗浄ユニット８においてその端縁の洗浄処理が施された後、再度複数の熱処理ユニット６により熱処理され、搬送ユニット３によりカセット２に収納される。
【００１４】
なお、上述した複数の熱処理ユニット６は、ガラス基板５を加熱処理する加熱ユニット、ガラス基板５を冷却処理する冷却ユニット、ガラス基板５をアドヒュージョン処理するアドヒュージョンユニットのいずれかとなっている。そして、洗浄ユニット４と塗布ユニット７との間においては、上流側から２個の加熱ユニット、アドヒュージョンユニットおよび冷却ユニットがこの順で配設されており、端縁洗浄ユニット８と搬出側の搬送ユニット３との間においては、上流側から３個の加熱ユニットおよび冷却ユニットがこの順で配設されている。
【００１５】
以下、上述した各ユニットの構成について個別に説明する。
【００１６】
先ず、搬送ユニット３の構成について説明する。図２は、図１に示す搬送ユニット３のカバーを切断して見た側面図であり、図３は搬送ユニット３の平面図である。
【００１７】
この搬送ユニット３は、ガラス基板５の下面を吸着して保持するための搬送アーム２１を有する。この搬送アーム２１に連結するスライダ２２は、支持部２３内においてモータ２８の駆動により回転するボールねじ２９と螺合している。このため、搬送アーム２１は、モータ２８の駆動により、図２および図３に示すＸ方向に往復移動する。
【００１８】
また、支持部２３を支持する支軸３１の上下方向の位置を規制する軸受体３２に付設されたスライダ３３は、基部３４内においてモータ３５の駆動により回転するボールねじ３６と螺合している。このため、搬送アーム２１は、モータ３５の駆動により、支持部２３とともに、図２に示すＺ方向に往復移動する。
【００１９】
さらに、支持部２３を支持する支軸３１の端部に付設された平歯車３７は、モータ３８の駆動により回転する平歯車３９と噛合している。このため、搬送アーム２１は、モータ３８の駆動により、支持部２３とともに、図３に示すθ方向に回動する。
【００２０】
搬送アーム２１の上面には、ガラス基板５を吸着保持する際に使用する３個の吸着孔４１が穿設されている。この吸着孔４１は、搬送アーム２１内に形成された連通孔４２および管路４３を介して真空ポンプ等の真空源４４と接続されている。
【００２１】
この搬送ユニット３においてカセット２からガラス基板５を取り出す際には、図４に示すように、搬送アーム２１をカセット２内に収納されたガラス基板５の下方に進入させた状態において、搬送アーム２１を若干上昇させてガラス基板５をその下方より支持するとともに、吸着孔４１による吸引作用によりガラス基板５を吸着する。そして、搬送アーム２１を水平方向に移動させてガラス基板５をカセット２内から取り出した後、搬送アーム２１を回動させてガラス基板５を後段の洗浄ユニット４に向けて搬送する。なお、この搬送ユニット３によりガラス基板５をカセット２に収納する際には、上述した工程を逆に実行する。
【００２２】
このような搬送ユニット３と対向配置されるカセット２は、ガラス基板５の厚みによってそのガラス基板５間のピッチが異なるものが使用される。すなわち、図４に示すように、カセット２におけるガラス基板５間のピッチＰ１は、搬送ユニット３の搬送アーム２１によるガラス基板５の下面からの吸着保持に必要なスペース等を考慮して決定される。
【００２３】
一方、処理を行うべきガラス基板５としてその厚みが小さいものを使用した場合においては、ガラス基板５自体の自重による撓み量が大きくなることから、カセット２におけるガラス基板５間のピッチを拡大しないと、搬送ユニット３の搬送アーム２１によるガラス基板５の吸着保持に支障を来す。このため、このような厚みの小さいガラス基板５を処理する場合においては、図５に示すように、ガラス基板５間の距離を大きくしたピッチＰ２のカセット２が使用される。
【００２４】
このため、これに対応して、搬送ユニット３によるガラス基板５のカセット２からの取り出し、あるいはカセット２へのガラス基板５の収納時においても、搬送アーム２１の上下位置をカセット２のピッチＰ２に対応するように変更する必要がある。このため、この搬送ユニット３においては、後述するように、制御機構１０の制御でモータ３５の回転を制御して搬送アーム２１のＺ方向の位置を調整することにより、搬送アーム２１の上下位置をカセット２のピッチに対応させている。すなわち、この搬送ユニット３においては、処理を行うべきガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定として、搬送アーム２１の高さ方向（Ｚ方向）の位置を変更している。
【００２５】
次に、洗浄ユニット４の構成について説明する。
【００２６】
図１に示す洗浄ユニット４は、鉛直方向を向く回転軸を中心に回転する回転チャックに保持したガラス基板５の表面に洗浄液を供給した後、当該ガラス基板５の表面に回転ブラシを当接させることにより、ガラス基板５の表面を洗浄するユニットである。この洗浄ユニット４においては、処理を行うべきガラス基板５の厚みが変更された場合においても、この厚みの変化は柔軟性を有する回転ブラシにより吸収されることから、一般的には、ガラス基板５の厚みが洗浄処理に影響を与えることはない。
【００２７】
但し、例えば回転ブラシの下端部とガラス基板５の表面とを非接触状態として洗浄を実行する洗浄方式を採用する場合等、ガラス基板５の厚みの変化が洗浄処理に影響を与える場合においては、ガラス基板５を保持した回転チャックをガラス基板５の厚みの変化に対応する距離だけ昇降させることにより、そこに保持されたガラス基板５の表面の高さ位置が一定となるようにすればよい。
【００２８】
この場合においては、処理を行うべきガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定として、ガラス基板５を保持する回転チャックの高さ方向の位置を変更している。
【００２９】
次に、熱処理ユニット６の構成について説明する。図６は、図１に示す熱処理ユニット６の側面概要図である。
【００３０】
この熱処理ユニット６は、ハウジング４５内に配設された熱処理プレート４６と、この熱処理プレート４６を貫通して昇降可能な複数の支持ピン４７とを有する。
【００３１】
熱処理プレート４６は、その内部にヒータを内蔵したホットプレート、または、その内部にペルチェ素子等の冷却素子を内蔵したクールプレートから構成される。上述した加熱ユニットおよびアドヒュージョンユニットにおいてはこの熱処理プレート４６としてホットプレートが採用され、冷却ユニットにおいてはこの熱処理プレート４６としてクールプレートが採用される。
【００３２】
複数の支持ピン４７は、その先端部をガラス基板５の裏面周辺部分と当接させてガラス基板５を昇降させるためのものである。この複数の支持ピン４７の下端部は、支持部材４８により支持されている。そして、この支持部材４８に付設されたねじ４９は、モータ５２の駆動により回転するボールねじ５３と螺合している。このため、複数の支持ピン４７は、モータ５２の駆動により、図示しない搬送機構との間でガラス基板５を受け渡しするための上昇位置と、ガラス基板５を熱処理プレート４６上に載置するため熱処理プレート４６内まで下降した下降位置との間を昇降する。
【００３３】
この熱処理ユニット６においてガラス基板５を熱処理する場合には、複数の支持ピン４７を上昇させ、この支持ピン４７により図示しない搬送機構からガラス基板５を受け取る。そして、支持ピン４７を下降させることによりガラス基板５を熱処理プレート４６上に載置して、熱処理プレート４６によりガラス基板５に熱処理を施す。ガラス基板５に対する熱処理が完了すれば、支持ピン４７を上昇させてガラス基板５を熱処理プレート４６上から剥離し、図示しない搬送機構に受け渡す。
【００３４】
このような熱処理ユニット６においては、支持ピン４７の昇降速度は、ガラス基板５の厚みによって決定される。すなわち、ガラス基板５としてその厚みが小さいものを使用した場合においては、支持ピン４７の昇降速度を小さくしないと、特にガラス基板５を熱処理プレート４６から剥離する場合等において、ガラス基板５が破損するおそれがある。一方、ガラス基板５として厚みが大きいものを使用する場合においては、支持ピン４７の昇降速度を小さくすると、熱処理ユニット６における処理効率が低下する。
【００３５】
このため、この熱処理ユニット６においては、後述するように、制御機構１０の制御でモータ５２の回転速度を制御することにより、支持ピン４７の昇降速度をガラス基板５の厚みに対応して調整している。すなわち、この熱処理ユニット６においては、処理を行うべきガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定として、支持ピン４７の昇降速度を変更している。
【００３６】
次に、塗布ユニット７の構成について説明する。図７は、図１に示す塗布ユニット７の模式図であり、図８はその塗布ノズル５５の断面図である。
【００３７】
この塗布ユニット７は、ガラス基板５を水平に吸着保持する回転チャック５６と、ガラス基板５の表面に処理液としてのレジストを塗布するための塗布ノズル５５とを有する。回転チャック５６は、エアシリンダ５７の駆動により微少距離昇降可能な鉛直軸５８と連結されている。また、この鉛直軸５８はモータ５９と同期ベルト６０を介して接続されており、モータ５９の駆動により回転する。このため、回転チャック５６は、ガラス基板５を吸着保持した状態で微少距離だけ昇降し、かつ、鉛直軸５８を中心に回転する構成となっている。
【００３８】
また、塗布ノズル５５は支持アーム６２を介して移動フレーム６３と接続されている。さらに、回転チャック５６の周囲には、ガラス基板５の回転時におけるレジストの飛散を防止するためのカップ６５が配設されている。
【００３９】
塗布ノズル５５は、図８に示すように、その断面が倒立家型をなし、その下端部にはレジストをガラス基板５の表面に塗布するための吐出口６６が設けられている。この吐出口６６は、図８における紙面に垂直な方向に延びるスリット状の形状を成す。また、この塗布ノズル５５には、塗布ノズル５５にレジストを供給するレジスト供給管６７が接続されている。
【００４０】
このレジスト供給管６７は、図７に示すように、エア弁６８を介してレジスト供給槽６９に接続されている。そして、このレジスト供給槽６９は、窒素ガスにより加圧された加圧室７１内に設置されている。このため、エア弁６８を開放すれば、レジスト供給槽６９からレジスト供給管６７を介して塗布ノズル５５にレジストが圧送される。
【００４１】
レジスト供給管６７より塗布ノズル５５に圧送されたレジストは、吐出口６６からガラス基板５の表面に向けて均一に吐出される。なお、塗布ノズル５５の下端部とガラス基板５の表面との距離は、例えば０．１〜０．２ｍｍ程度に設定されている。
【００４２】
この塗布ユニット７によりガラス基板５にレジストを塗布する場合においては、矩形状のガラス基板５を回転チャック５６により吸着保持して停止させた状態で移動フレーム６３を走行させることにより、塗布ノズル５５をガラス基板５の表面に沿って走行させるとともに、レジスト供給管６７より塗布ノズル５５にレジストを供給する。これにより、図８に示すように、ガラス基板５の表面にレジストが塗布される。しかる後、回転チャック５６を高速に回転させ、ガラス基板５の表面に塗布されたレジストを遠心力によりガラス基板５の表面全域に行き渡らせることにより、ガラス基板５の表面に均一なレジストの薄膜を形成する。
【００４３】
このような塗布ユニット７において処理すべきガラス基板５の厚みが変更された場合においては、ガラス基板５にレジストを適切に塗布することが不可能となる。すなわち、厚みの小さいガラス基板５を処理するために使用される塗布ユニット７で厚みの大きいガラス基板５を処理した場合においては、塗布ノズル５５の下端部とガラス基板５の表面とが衝突することになる。また、厚みの大きいガラス基板５を処理するために使用される塗布ユニット７で厚みの小さいガラス基板５を処理した場合においては、塗布ノズル５５の下端部とガラス基板５の表面との距離が大きくなることにより、レジストの塗布不良が発生する。
【００４４】
このため、この塗布ユニット７においては、後述するように、制御機構１０の制御でエアシリンダ５７を駆動して回転チャック５６を微少距離昇降させることにより、回転チャック５６に吸着保持されたガラス基板５の表面の高さ位置が一定となるようにし、これにより塗布ノズル５５の下端部とガラス基板５の表面との間の距離が一定となるようにしている。すなわち、この塗布ユニット７においては、処理を行うべきガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定として、ガラス基板５を保持する回転チャック５６の高さ方向の位置を変更している。
【００４５】
なお、上記塗布ユニット７においては、回転チャック５６を昇降させることにより塗布ノズル５５の下端部とガラス基板５の表面との間の距離が一定となるようにしているが、塗布ノズル５５を昇降させることにより塗布ノズル５５の下端部とガラス基板５の表面との間の距離が一定となるようにしてもよい。
【００４６】
また、上記塗布ユニット７においては、レジストを吐出する塗布ノズル５５を使用してガラス基板５にレジストを塗布するものであるが、例えば現像液をカーテン状に吐出する現像液供給ノズルを使用したガラス基板５の現像ユニットにおいても、上記同様、現像液供給ノズルの下端部とガラス基板５の表面との距離が一定となるように調整することで、ガラス基板５を精度よく現像できるようにすることも可能である。
【００４７】
次に、端縁洗浄ユニット８の構成について説明する。図９は、図１に示す端縁洗浄ユニット８の側面図であり、図１０はその平面図である。
【００４８】
この端縁洗浄ユニット８は、塗布ユニット７によりその表面にレジストが塗布されたガラス基板５をその下面より支持する真空チャック５１と、矩形状のガラス基板５における各辺に対応して配設された４個のレジスト除去ヘッド６１と、各レジスト除去ヘッド６１をガラス基板５の各辺に沿って往復移動させるためのレジスト除去ヘッド移動機構８１とを備える。
【００４９】
前記真空チャック５１は、その内部にエアシリンダ等の駆動源を内蔵する昇降機構１２と連結されている。このため、この真空チャック５１は、ガラス基板５を保持した状態で微少距離だけ昇降可能となっている。
【００５０】
前記レジスト除去ヘッド６１は、前記真空チャック５１に支持されたガラス基板５の端縁に処理液を供給してレジストを除去するためのものである。図１１はこのレジスト除去ヘッド６１を真空チャック５１の一部とともに示す断面図であり、図１２はレジスト除去ヘッド６１のカバー１３を破断して示す正面図である。
【００５１】
これらの図に示すように、このレジスト除去ヘッド６１は、ガラス基板５の端縁表面に溶剤等の処理液を供給するための８本の処理液供給ノズル１４と、ガラス基板５の端縁表面に窒素ガスや空気等の気体を供給するための８本の気体供給ノズル１５と、ガラス基板５の端縁裏面に溶剤等の処理液を供給するための８本の裏面用処理液供給ノズル１６と、ガラス基板５の端縁裏面に窒素ガスや空気等の気体を供給するための２本の裏面用気体供給ノズル１７と、ガラス基板の端縁に供給された処理液を吸引除去するための排気部１８とを有する。
【００５２】
８本の処理液供給ノズル１４は、各々処理液供給管２４と接続されている。また、この処理液供給管２４は、図示しない加圧タンクを介して処理液の供給源と接続されている。一方、８本の気体供給ノズル１５は、各々気体供給管２５と接続されている。また、この気体供給管２５は、図示しない電磁弁等を介して気体の供給源と接続されている。
【００５３】
同様に、８本の裏面用処理液供給ノズル１６は、各々処理液供給管２６と接続されている。また、この処理液供給管２６は、図示しない加圧タンクを介して処理液の供給源と接続されている。一方、２本の気体供給ノズル１７は、各々気体供給管２７と接続されている。また、この気体供給管２７は、図示しない電磁弁等を介して気体の供給源と接続されている。
【００５４】
また、排気部１８は、図９および図１０に示す排気管６４と接続されている。この排気管６４は、図示しない電磁弁等を介して真空ポンプや排気ファン等の排気手段と接続されている。
【００５５】
再度図９および図１０を参照して、前記レジスト除去ヘッド移動機構８１は、支持具８２を介して各レジスト除去ヘッド６１を支持するとともに、固定フレーム８４に付設された上下一対のガイド部材８５に案内され、矩形状をなすガラス基板５の端縁に沿って移動可能な４個の支持アーム８３を有する。そして、各支持アーム８３は、駆動モータ８６に連動連結された駆動プーリ８７と複数の従動プーリ８８とに亘って巻回されたワイヤー８９に連結されている。このため、駆動モータ８６を正逆転させることにより、各レジスト除去ヘッド６１は、ガラス基板５の端縁に沿って往復移動する。
【００５６】
この、端縁洗浄ユニット８によりガラス基板５の端縁を洗浄する場合においては、レジスト除去ヘッド６１における処理液供給ノズル１４および裏面用処理液供給ノズル１６からガラス基板５の端縁両面に処理液を供給するとともに、気体供給ノズル１５および裏面用気体供給ノズル１７からガラス基板５の端縁両面に向けて気体を噴出する。
【００５７】
そして、レジスト除去ヘッド移動機構８１により、各レジスト除去ヘッド６１をガラス基板５の端縁に沿って移動させる。これにより、ガラス基板５の端縁両面に処理液が供給され、ガラス基板５の端縁付近に塗布されたレジストが溶解除去される。レジストの除去に供された処理液と溶解除去されたレジストは、気体供給ノズル１５および裏面用気体供給ノズル１７からガラス基板５の端縁両面に向けて噴出される気体により、ガラス基板５の端縁から外方に吹き飛ばされた後、排気部１８により吸引除去される。この状態において、各吸引ヘッド６１がガラス基板５の端縁全域に沿って移動することにより、ガラス基板５の端縁全域に亘ってレジストを吸引除去することができる。
【００５８】
このような端縁洗浄ユニット８において処理すべきガラス基板５の厚みが変更された場合においては、ガラス基板５の端縁を適切に洗浄することが不可能となる。すなわち、厚みの小さいガラス基板５を処理するために使用される端縁洗浄ユニット８で厚みの大きいガラス基板５を処理した場合においては、処理液供給ノズル１４の下端部とガラス基板５の表面とが衝突することになる。また、厚みの大きいガラス基板５を処理するために使用される端縁洗浄ユニット８で厚みの小さいガラス基板５を処理した場合においては、塗布ノズル５５の下端部とガラス基板５の表面との距離が大きくなることにより、処理液供給ノズル１４から吐出された後ガラス基板５の表面に到達する前の、排気部１８による吸引作用によって生じる処理液の軌跡の変化により、処理液がガラス基板５の表面に十分に供給されなかったり、処理液のガラス基板５の表面に対する到達位置が不安定となって洗浄領域と非洗浄領域の境界線の形状が悪化したりする現象が発生する。
【００５９】
このため、この端縁洗浄ユニット８においては、後述するように、制御機構１０の制御で昇降機構１２を駆動して真空チャック５１を微少距離昇降させることにより、真空チャック５１に吸着保持されたガラス基板５の表面の高さ位置が一定となるようにし、これにより処理液供給ノズル１４の下端部と真空チャック５１に支持されたガラス基板５の表面との間隔が一定となるようにしている。すなわち、この端縁洗浄ユニット８においては、処理を行うべきガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定として、ガラス基板５を保持する真空チャック５１の高さ方向の位置を変更している。
【００６０】
なお、上記のように処理液供給ノズル１４の下端部と真空チャック５１に支持されたガラス基板５の表面との間隔を一定にするために真空チャック５１を上昇させた場合においては、裏面用処理液供給ノズル１６の上端部と真空チャック５１に支持されたガラス基板５の裏面との間隔が変化する。しかしながら、ガラス基板５の裏面においては、レジストはガラス基板５の端縁に線状に付着しているに過ぎないことから、裏面用処理液供給ノズル１６の下端部とガラス基板５の裏面との間隔がこのように変化した場合においても、ガラス基板５の裏面におけるレジスト除去に実質的な影響はない。
【００６１】
なお、上記端縁洗浄ユニット８においては、真空チャック５１を昇降させることにより処理液供給ノズル１４の下端部とガラス基板５の表面との間の距離が一定となるようにしているが、処理液供給ノズル１４を昇降させることにより処理液供給ノズル１４の下端部とガラス基板５の表面との間の距離が一定となるようにしてもよい。
【００６２】
次に、測定ユニット９の構成について説明する。
【００６３】
図１に示す測定ユニット９は、処理を行うべきガラス基板５の厚みを測定するためのものであり、カセット２に収納されたガラス基板５の端縁を撮像し得るように配置されたＣＣＤカメラ７３を有する。そして、このＣＣＤカメラ７３は、測定ユニット９に内蔵された画像処理装置を介して、図１３に示す制御機構１０のメインコントローラ７４に接続されている。
【００６４】
なお、上記ＣＣＤカメラ４３のかわりに、接触子を有する接触式変位センサを使用してガラス基板５の厚みを測定するようにしてもよい。さらに、ガラス基板５自体を測定する換わりに、ガラス基板５を収納するカセット２に表示されたガラス基板５の厚みを表すマーク等を測定することにより、そこに収納されたガラス基板５の厚みを認識するようにしてもよい。
【００６５】
次に、制御機構１０の構成について説明する。図１３は、上述した基板処理装置を制御する制御機構１０を示すブロック図である。
【００６６】
この制御機構１０は、メインコントローラ７４と、搬送ユニット３を制御する搬送ユニットコントローラ７５と、熱処理ユニット６を制御する熱処理ユニットコントローラ７６と、塗布ユニット７を制御する塗布ユニットコントローラ７７と、端縁洗浄ユニット８を制御する端縁洗浄ユニットコントローラ７８とを備える。これらのメインコントローラ７４、搬送ユニットコントローラ７５、熱処理ユニットコントローラ７６、塗布ユニットコントローラ７７、端縁洗浄ユニットコントローラ７８は、データバス７９により互いに連結されている。
【００６７】
また、搬送ユニットコントローラ７５は、搬送ユニット３における搬送アーム２１の上下位置を調整するためのモータ３５を含む搬送アーム上下機構９５と接続されている。また、熱処理ユニットコントローラ７６は、熱処理ユニット６における支持ピン４７を昇降駆動するためのモータ５２を含む支持ピン上下機構９６と接続されている。また、塗布ユニットコントローラ７７は、塗布ユニット７における回転チャック５６を昇降駆動するためのエアシリンダ５７を含む回転チャック上下機構９７と接続されている。さらに、端縁洗浄ユニットコントローラ７８は、端縁洗浄ユニット８における真空チャック５１を昇降駆動するための昇降機構１２を含む真空チャック上下機構９８と接続されている。
【００６８】
なお、搬送ユニットコントローラ７５や熱処理ユニットコントローラ７６は、各搬送ユニット３または各熱処理ユニット６毎に配設するようにしてもよい。
【００６９】
上述した基板処理装置によりガラス基板５を処理する場合においては、測定ユニット９におけるＣＣＤカメラ７３により、次に処理を実行されるためにカセット２に収納されたガラス基板５の端縁を撮像する。そして、撮像された端縁の画像を画像処理することにより、ガラス基板５の厚みを測定する。測定ユニット９において測定されたガラス基板５の厚みは、メインコントローラ７４に送られる。
【００７０】
メインコントローラ７４は、測定ユニット９により測定したガラス基板５の厚みに基づいて、各処理ユニットに対応したコントローラにガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定の変更を指示する。これにより、各コントローラはガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定を変更する。
【００７１】
より具体的には、搬送ユニットコントローラ７５は、搬送アーム上下機構９５により搬送ユニット３における搬送アーム２１の上下位置を調整することにより、搬送アーム２１の上下位置をカセット２のピッチに対応させ、ガラス基板５をカセット２から適切に取り出し、また、ガラス基板５をカセット２内に適切に収納し得るようにしている。
【００７２】
また、熱処理ユニットコントローラ７６は、支持ピン上下機構９６により熱処理ユニット６における支持ピン４７の昇降速度をガラス基板５の厚みに対応して調整することにより、ガラス基板５に破損を生じることなく迅速にガラス基板を昇降し得るようにしている。
【００７３】
また、塗布ユニットコントローラ７７は、回転チャック上下機構９７により塗布ユニット７における回転チャック５６を昇降駆動して、回転チャック５６に吸着保持されたガラス基板５の表面の高さ位置が一定となるようにすることにより、塗布ノズル５５の下端部とガラス基板５の表面との衝突やレジストの塗布不良を防止している。
【００７４】
さらに、端縁洗浄ユニットコントローラ７８は、昇降機構１２により端縁洗浄ユニット８における真空チャック５１を昇降駆動して、真空チャック５１に吸着保持されたガラス基板５の表面の高さ位置が一定となるようにすることにより、
処理液供給ノズル１４の下端部とガラス基板５の表面との衝突やガラス基板５の端縁の洗浄不良を防止している。
【００７５】
このように、各ユニットにおいてガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定が変更されることにより、ガラス基板５の厚みが変更された場合においても、ガラス基板５に対して、一連のレジスト塗布処理を適切に実行することが可能となる。
【００７６】
上述した実施の形態においては、測定ユニット９でガラス基板５の厚みを測定することにより各ユニットにおいてガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定を変更する場合について説明したが、処理を行うべきガラス基板５の厚みを予め入力することにより、各ユニットにおいてガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定を変更するようにしてもよい。
【００７７】
図１４はこのような実施形態に係る制御機構１１を示すブロック図である。
【００７８】
この制御機構１１においては、上述した実施形態における測定ユニット９に換えて、入力装置１９がメインコントローラ７４に接続されている。この制御機構１１を有する基板処理装置においてガラス基板５を処理する場合には、入力装置１９から処理を行うべきガラス基板５の厚みを入力する。この入力値はメインコントローラ７４に送られる。そして、メインコントローラ７４は、入力装置１９から入力されたガラス基板５の厚みに基づいて、各処理ユニットに対応したコントローラにガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定の変更を指示する。これにより、各コントローラはガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定を変更する。
【００７９】
なお、入力装置１９からガラス基板５の厚みを入力する場合においては、予め設定した複数のガラス基板５の厚みのうちから処理すべきガラス基板５の厚みを選択するようにしてもよく、また、実際のガラス基板５の厚みを数値として入力してもよい。
【００８０】
上述した実施の形態においては、いずれも、ガラス基板５に作用する基板処理装置の機械的な設定として、各ユニットにおいて、ガラス基板５の処理時にガラス基板５に作用する処理機構の上下移動に係る設定を利用し、ガラス基板５の厚みに応じてこの処理機構の上下移動に係る設定を変更する場合について説明したが、基板処理装置がガラス基板５の厚みに応じて変更すべきその他の基板処理装置の機械的な設定を有する場合には、この設定をも変更するようにしてもよい。
【００８１】
また、上述した実施の形態においては、いずれも、基板として液晶表示パネル用の角形のガラス基板５を使用した場合について説明したが、他のＦＰＤ用基板や半導体ウエハあるいは半導体製造装置用マスク基板等の各種の基板の端縁処理を行う装置にこの発明を適用することも可能である。
【００８２】
【発明の効果】
請求項１および請求項４に記載の発明によれば、被処理基板の厚みを測定する測定手段と、測定手段により測定された被処理基板の厚みに応じて、被処理基板に作用する基板処理装置の機械的な設定を変更する設定変更手段とを備えたことから、厚みの異なる基板を処理する場合であっても、基板の厚みの測定値に応じた設定により、基板を適切に処理することができる。
【００８３】
請求項２および請求項５に記載の発明によれば、被処理基板の厚みを入力する入力手段と、入力手段により入力された被処理基板の厚みに応じて、被処理基板に作用する基板処理装置の機械的な設定を変更する設定変更手段とを備えたことから、厚みの異なる基板を処理する場合であっても、基板の厚みの入力値に応じた設定により、基板を適切に処理することができる。
【００８４】
請求項１乃至請求項３に記載の発明によれば、被処理基板の厚みに応じて、基板処理ユニットにおいて複数の支持ピンにより被処理基板を昇降させるときの支持ピンの昇降速度の設定を変更する設定変更手段を備えることから、基板の厚みが小さいものを使用した場合においては、支持ピンの昇降速度を小さくして、基板の破損等を防止することができる。また、基板の厚みが大きいものを使用する場合においては、支持ピンの昇降速度を小さくすることによる、処理効率の低下を防止することができる。
【００８５】
請求項１乃至３、請求項４、および、請求項５に記載の発明によれば、被処理基板の厚みに応じて、塗布ユニットにおいて塗布ノズルにより処理液を被処理基板の表面に吐出するときの塗布ノズルと被処理基板の表面との距離の設定を変更する設定変更手段を備えることから、厚みの小さい基板を処理する設定で厚みの大きい基板を処理した場合においてノズルと基板表面との衝突を防止することができる。また、厚みの大きい基板を処理する設定で厚みの小さい基板を処理した場合においてノズルの下端部と基板表面との距離が大きくなることによる処理液塗布不良を防止することができる。
【００８６】
請求項３に記載の発明によれば、被処理基板の厚みに応じて、搬送アームがカセット内に進入するときの搬送ユニットにおける搬送アームの高さ方向の位置の設定を変更する設定変更手段を備えることから、基板の厚みが小さい場合に基板自体の自重による撓み量が大きくなることによる搬送アームの基板保持に来される支障を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明に係る基板処理装置の配置を示す平面図である。
【図２】  搬送ユニット３のカバーを切断して見た側面図であある。
【図３】  搬送ユニット３の平面図である。
【図４】  ガラス基板５を収納したカセット２を示す模式図である。
【図５】  ガラス基板５を収納したカセット２を示す模式図である。
【図６】  熱処理ユニット６の側面概要図である。
【図７】  塗布ユニット７の模式図である。
【図８】  塗布ノズル５５の断面図である。
【図９】  端縁洗浄ユニット８の側面図である。
【図１０】  端縁洗浄ユニット８の平面図である。
【図１１】  レジスト除去ヘッド６１等を示す断面図である。
【図１２】  レジスト除去ヘッド６１のカバー１３を破断して示す正面図である。
【図１３】  制御機構１０を示すブロック図である。
【図１４】  他の実施形態に係る制御機構１１を示すブロック図である。
【符号の説明】
２      カセット
３      搬送ユニット
４      洗浄ユニット
５      基板
６      熱処理ユニット
７      塗布ユニット
８      端縁洗浄ユニット
９      測定ユニット
１０    制御機構
１１    制御機構
１４    処理液供給ノズル
１９    入力装置
２１    搬送アーム
４６    熱処理プレート
４７    支持ピン
５１    真空チャック
５５    塗布ノズル
５６    回転チャック
６１    レジスト除去ヘッド
７３    ＣＣＤカメラ
７５    搬送ユニットコントローラ
７６    熱処理ユニットコントローラ
７７    塗布ユニットコントローラ
７８    端縁洗浄ユニットコントローラ
９５    搬送アーム上下機構
９６    支持ピン上下機構
９７    回転チャック上下機構
９８    真空チャック上下機構
【図１】
0003879880.tif 000002
【図２】
0003879880.tif 000003
【図３】
0003879880.tif 000004
【図４】
0003879880.tif 000005
【図５】
0003879880.tif 000006
【図６】
0003879880.tif 000007
【図７】
0003879880.tif 000008
【図８】
0003879880.tif 000009
【図９】
0003879880.tif 000010
【図１０】
0003879880.tif 000011
【図１１】
0003879880.tif 000012
【図１２】
0003879880.tif 000013
【図１３】
0003879880.tif 000014
【図１４】
0003879880.tif 000015