(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）下記式（５）のフォトレジスト樹脂と、（ｂ）光酸発生剤と、（ｃ）光塩基発生剤と、（ｄ）有機溶媒を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。
【化１】
0003875474.tif 000015
【請求項２】
前記光塩基発生剤は下記式（１）の化合物、及び下記式（２）の化合物の中から選択されたことを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【化２】
0003875474.tif 000016
前記式（１）で、
Ｒ’は一つ又は二つのニトロ基で置換されているアリールであり、
Ｒ1及びＲ2は水素であるか、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ10の直鎖又は側鎖アルキルであり、
Ｒ3は置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ20の直鎖又は側鎖アルキル、置換又は非置換された炭素数Ｃ3〜Ｃ20のシクロアルキル、或いは置換又は非置換された炭素数Ｃ6〜Ｃ20のアリールである。
【化３】
0003875474.tif 000017
前記式（２）で、
Ｒ4及びＲ5は水素、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ20の直鎖又は側鎖アルキル、或いは置換又は非置換された炭素数Ｃ6〜Ｃ20のアリールであり、
Ｒ6は水素、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ20の直鎖又は側鎖アルキル、或いは置換又は非置換された炭素数Ｃ6〜Ｃ20のアラルキル（aralkyl）である。
【請求項３】
Ｒ’はニトロ基がオルト（ortho）の位置に一つ、又は二つ置換されているアリール基であることを特徴とする請求項２記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】
前記式（１）の化合物は、下記式（１ａ）〜式（１ｆ）の化合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項２記載のフォトレジスト組成物。
【化４】
0003875474.tif 000018
【請求項５】
前記式（２）の化合物は、下記式（２ａ）〜式（２ｃ）の化合物からなる群から選択されることを特徴とする請求項２記載のフォトレジスト組成物。
【化５】
0003875474.tif 000019
【請求項６】
前記光酸発生剤は、硫化塩系（sulfide type）又はオニウム塩系化合物であることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】
前記光酸発生剤は、ジフェニルヨウ素塩ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨウ素塩ヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨウ素塩ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルスルホニウムトリフレート、ジフェニルパラトルエニルスルホニウムトリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルスルホニウムトリフレート、ジフェニルパラ−ｔ−ブチルフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウムトリフレートからなる群から選択されたものを一つ、又は二つ以上含むことを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項８】
前記光酸発生剤は、前記フォトレジスト樹脂に対し0.05〜１０重量％の比率で用いられることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項９】
前記光塩基発生剤は、光酸発生剤に対し３０〜150重量％の比率で用いられることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１０】
前記有機溶媒は、メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、及び２−へプタノンからなる群から選択されたものであることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１１】
前記有機溶媒は、前記フォトレジスト樹脂に対し200〜800重量％の比率で用いられることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１２】
（ａ）請求項１〜１１のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を被エッチング層上部に塗布し、フォトレジスト膜を形成する段階、
（ｂ）前記フォトレジスト膜を露光する段階、及び、
（ｃ）前記結果物を現像し、望むパターンを得る段階を含むことを特徴とするフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１３】
前記（ｂ）段階の露光前、及び／又は、露光後に、ベーク工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１４】
前記ベーク工程は、７０〜200℃で行われることを特徴とする請求項１３記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１５】
前記露光工程は光源としてArF（193nm）、KrF（248nm）、VUV（157nm）、EUV（１３nm）、Ｅ−ビーム、Ｘ線、又はイオンビームを利用して行われることを特徴とする請求項１２記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１６】
前記露光工程は、１〜100mJ/cm2の露光エネルギーで行われることを特徴とする請求項１２記載のフォトレジストパターン形成方法。
【請求項１７】
請求項１２〜１６のいずれかに記載のフォトレジストパターン形成方法を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光塩基発生剤（Photo Base Generator；PBG）を導入したフォトレジスト組成物に関し、より詳しくは、フォトレジスト樹脂と、光酸発生剤と、有機溶媒からなる従来のフォトレジスト組成物に、光塩基発生剤をさらに含ませることにより、フォトレジスト上部に酸が多く発生し傾斜したパターンが形成され、I/Dバイアス（I/D Bias）が激しく発生する問題点を解決できるフォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法および半導体素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造の微細加工工程で高感度を達成するため、最近はKrF（248nm）、ArF（193nm）、VUV（157nm）、又はEUV（１３nm）のような遠紫外線（DUV：Deep  Ultra  Violet）領域の光源を用いるリソグラフィーに適したフォトレジストが脚光を浴びており、このようなフォトレジストは光酸発生剤（photoacid  generator）と酸に敏感に反応する構造のフォトレジスト重合体を配合して製造される。
【０００３】
このようなフォトレジストの作用機構は、光酸発生剤が光源から紫外線光を受けると酸を発生させ、このように発生した酸によりマトリックス高分子の主鎖又は側鎖が反応して分解されるか架橋結合することにより、光を受けた部分と受けなかった部分の高分子の極性が大きく変化し所定のパターンを形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このようなリソグラフィー工程で解像度は光源の波長に依存し、光源の波長が小さくなるほど微細パターンを形成させることができ、これに伴いこのような光源に適したフォトレジストが求められている。
【０００５】
さらに、一般にArF用フォトレジストは193nm波長で低い光吸収度、優れた乾式エッチング耐性と耐熱性、及び接着性を持たなければならず、また、公知の現像液、例えば2.38wt％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（TMAH）水溶液で現像可能なものが工程費用節減等の側面で有利である。しかし、このような全ての性質を満足する重合体を製造するのは非常に困難である。
【０００６】
例えば、主鎖がポリ（アクリレート）系である重合体の合成は容易であるがエッチング耐性の確保及び現像工程に問題がある。このようなエッチング耐性は、主鎖（main  chain）或いは側鎖（side  chain）に脂肪族環単位体を添加することにより増加させることができ、これによりArF感光剤としての使用が可能であるが、脂肪族環単位体の導入が実際の半導体製造工程で重大な問題を発生させている。
【０００７】
これら脂肪族環単位体（alicyclic  unit）を導入した感光剤及び化学増幅型感光剤では、図１のように空間イメージ（aerial  image）、又は樹脂自体の光吸収により感光剤の上部にさらに多量の光が露光されて酸の濃度が高くなり、これに伴い感光剤の上部に酸が多く発生し傾斜したパターンが形成されるという問題点がある。
【０００８】
さらに、脂肪族環単位体を導入した感光剤及び化学増幅型感光剤では、図２及び図３のようにアイソレーティドライン（isolated  line）とデンスライン（dense  line）のＣＤの差、即ちI/Dバイアスが激しく発生する。感光剤が同量の露光エネルギーにより露光されたとき、図２のアイソレーティドラインの周囲は実際に空間イメージの側面で図３のデンスラインよりさらに多量のエネルギーを受けることになる。また、化学増幅型感光剤の特性上アイソレーティドラインの周囲はデンスラインの周囲より酸の濃度が高くなり、酸の拡散が遥かに多くなる。したがって、同量の露光エネルギーにより露光されたとき、アイソレーティドラインの大きさがデンスラインの大きさより遥かに幅狭く形成されるのである。
【０００９】
本発明の目的は、フォトレジスト上部に酸が多く発生し傾斜したパターンが形成され、I/Dバイアスが激しく発生するような問題点を解決できるフォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法および半導体素子の製造方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
ここに本発明者らは、前記の問題点を解決するための研究の継続中、フォトレジスト組成物に光塩基発生剤を添加して露光時に感光剤表面上に塩基を発生させて酸を減少させることにより、前記の問題点を解決できることを見出し本発明を完成した。
【００１１】
前記目的を達成するため、本発明ではフォトレジスト樹脂と、光酸発生剤と、有機溶媒からなる従来のフォトレジスト組成物に光塩基発生剤をさらに含ませたフォトレジスト組成物を提供する。
【００１２】
本発明の請求項１記載のフォトレジスト組成物は、（ａ）下記式（５）のフォトレジスト樹脂と、（ｂ）光酸発生剤と、（ｃ）光塩基発生剤と、（ｄ）有機溶媒を含むことを特徴とする。
【化６】
0003875474.tif 000002
【００１３】
請求項２記載のフォトレジスト組成物は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記光塩基発生剤は下記式（１）の化合物、及び下記式（２）の化合物の中から選択されたことを特徴とする。
【化６】
0003875474.tif 000003
前記式（１）で、
Ｒ’は一つ又は二つのニトロ基で置換されているアリールであり、
Ｒ1及びＲ2は水素であるか、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ10の直鎖又は側鎖アルキルであり、
Ｒ3は置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ20の直鎖又は側鎖アルキル、置換又は非置換された炭素数Ｃ3〜Ｃ20のシクロアルキル、或いは置換又は非置換された炭素数Ｃ6〜Ｃ20のアリールである。
【化７】
0003875474.tif 000004
前記式（２）で、
Ｒ4及びＲ5は水素、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ20の直鎖又は側鎖アルキル、或いは置換又は非置換された炭素数Ｃ6〜Ｃ20のアリールであり、
Ｒ6は水素、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ20の直鎖又は側鎖アルキル、或いは置換又は非置換された炭素数Ｃ6〜Ｃ20のアラルキル（aralkyl）である。
【００１４】
請求項３記載のフォトレジスト組成物は、請求項２記載のフォトレジスト組成物において、Ｒ’はニトロ基がオルト（ortho）の位置に一つ、又は二つ置換されているアリール基であることを特徴とする。
【００１５】
請求項４記載のフォトレジスト組成物は、請求項２記載のフォトレジスト組成物において、前記式（１）の化合物は、下記式（１ａ）〜式（１ｆ）の化合物からなる群から選択されることを特徴とする。
【化８】
0003875474.tif 000005
【００１６】
請求項５記載のフォトレジスト組成物は、請求項２記載のフォトレジスト組成物において、前記式（２）の化合物は、下記式（２ａ）〜式（２ｃ）の化合物からなる群から選択されることを特徴とする。
【化９】
0003875474.tif 000006
【００１７】
請求項６記載のフォトレジスト組成物は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記光酸発生剤は、硫化塩系（sulfide  type）又はオニウム塩系化合物であることを特徴とする。
【００１８】
請求項７記載のフォトレジスト組成物は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記光酸発生剤は、ジフェニルヨウ素塩ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨウ素塩ヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨウ素塩ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルスルホニウムトリフレート、ジフェニルパラトルエニルスルホニウムトリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルスルホニウムトリフレート、ジフェニルパラ−ｔ−ブチルフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウムトリフレートからなる群から選択されたものを一つ、又は二つ以上含むことを特徴とする。
【００１９】
請求項８記載のフォトレジスト組成物は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記光酸発生剤は、前記フォトレジスト樹脂に対し0.05〜１０重量％の比率で用いられることを特徴とする。
【００２０】
請求項９記載のフォトレジスト組成物は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記光塩基発生剤は、光酸発生剤に対し３０〜150重量％の比率で用いられることを特徴とする。
【００２１】
請求項１０記載のフォトレジスト組成物は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記有機溶媒は、メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、及び２−へプタノンからなる群から選択されたものであることを特徴とする。
【００２２】
請求項１１記載のフォトレジスト組成物は、請求項１記載のフォトレジスト組成物において、前記有機溶媒は、前記フォトレジスト樹脂に対し200〜800重量％の比率で用いられることを特徴とする。
【００２５】
請求項１２記載のフォトレジストパターン形成方法は、
（ａ）請求項１〜１１のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を被エッチング層上部に塗布し、フォトレジスト膜を形成する段階、
（ｂ）前記フォトレジスト膜を露光する段階、及び、
（ｃ）前記結果物を現像し、望むパターンを得る段階を含むことを特徴とする。
【００２６】
請求項１３記載のフォトレジストパターン形成方法は、請求項１２記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記（ｂ）段階の露光前、及び／又は、露光後に、ベーク工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする。
【００２７】
請求項１４記載のフォトレジストパターン形成方法は、請求項１３記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記ベーク工程は、７０〜200℃で行われることを特徴とする。
【００２８】
請求項１５記載のフォトレジストパターン形成方法は、請求項１２記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記露光工程は光源としてArF（193nm）、KrF（248nm）、VUV（157nm）、EUV（１３nm）、Ｅ−ビーム、Ｘ線、又はイオンビームを利用して行われることを特徴とする。
【００２９】
請求項１６記載のフォトレジストパターン形成方法は、請求項１２記載のフォトレジストパターン形成方法において、前記露光工程は、１〜100mJ/cm2の露光エネルギーで行われることを特徴とする。
【００３０】
請求項１７記載の半導体素子の製造方法は、請求項１２〜１６のいずれかに記載のフォトレジストパターン形成方法を含むことを特徴とする。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
【００３２】
本発明では、先ず（ａ）フォトレジスト樹脂と、（ｂ）光酸発生剤と、（ｃ）光塩基発生剤と、（ｄ）有機溶媒を含むフォトレジスト組成物を提供する。
【００３３】
前記光塩基発生剤は、下記式（１）のベンジルオキシカルボニル系化合物及び下記式（２）のＯ−アシルオキシム系化合物からなる群から選択することができ、これら以外にも全ての光塩基発生剤を用いることができる（Prog．Polym．Sci.，Vol．21，1−45，1996，Elsevier  Science  Ltd.）。
【００３４】
【化１１】
0003875474.tif 000007
前記式（１）で、
Ｒ’は一つ又は二つのニトロ基で置換されているアリールであり、
Ｒ1及びＲ2は水素であるか、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ10の直鎖又は側鎖アルキルであり、
Ｒ3は置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ20の直鎖又は側鎖アルキル、置換又は非置換された炭素数Ｃ3〜Ｃ20のシクロアルキル、或いは置換又は非置換された炭素数Ｃ6〜Ｃ20のアリールである。
【００３５】
このとき、Ｒ’はニトロ基がオルト（ortho）の位置に一つ、又は二つ置換されているアリール基であるのが好ましい。
【００３６】
【化１２】
0003875474.tif 000008
前記式（２）で、
Ｒ4及びＲ5は水素、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ20の直鎖又は側鎖アルキル、或いは置換又は非置換された炭素数Ｃ6〜Ｃ20のアリールであり、
Ｒ6は水素、置換又は非置換された炭素数Ｃ1〜Ｃ20の直鎖又は側鎖アルキル、或いは置換又は非置換された炭素数Ｃ6〜Ｃ20のアラルキル（aralkyl）である。
【００３７】
前記式（１）の化合物は、下記式（１ａ）〜式（１ｆ）の化合物からなる群から選択されるのが好ましい。
【化１３】
0003875474.tif 000009
【００３８】
さらに、前記式（２）の化合物は下記式（２ａ）〜式（２ｃ）の化合物からなる群から選択されるのが好ましい。
【化１４】
0003875474.tif 000010
【００３９】
前記式（１）の化合物は下記式（３）及び式（４）の化合物を反応させて製造することができる。
【化１５】
0003875474.tif 000011
前記式（３）及び式（４）で、Ｒ’、Ｒ1、Ｒ2、及びＲ3は前述の通りである。
【００４０】
具体的に、前記式（１ａ）の化合物は下記式（３ａ）の化合物と式（４ａ）の化合物を反応させて製造することができ、式（１ｂ）の化合物は式（３ａ）の化合物と式（４ｂ）の化合物を反応させて製造することができる。
【化１６】
0003875474.tif 000012
【００４１】
前記フォトレジスト組成物で光酸発生剤は硫化塩系又はオニウム塩系化合物を用いることができ、具体的に、ジフェニルヨウ素塩ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨウ素塩ヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨウ素塩ヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルスルホニウムトリフレート、ジフェニルパラトルエニルスルホニウムトリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルスルホニウムトリフレート、ジフェニルパラ−ｔ−ブチルフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウムトリフレートからなる群から選択された化合物を一つ、又は二つ以上含むのが好ましい。また、前記光酸発生剤は、フォトレジスト樹脂に対し0.05〜１０重量％の比率で用いるのが好ましい。
【００４２】
さらに、光塩基発生剤は光酸発生剤に対し３０〜150重量％の比率で用いられるのが好ましい。
【００４３】
さらに、前記有機溶媒はプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、メチル−３−メトキシプロピオネート、エチル−３−エトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、及び２−へプタノンからなる群から選択されたものを、フォトレジスト樹脂に対し200〜800重量％の比率で用いるのが好ましい。
【００４４】
さらに、前記フォトレジスト樹脂としては通常の化学増幅型フォトレジスト重合体であれば何でも用いることができ、式（５）の化合物を用いるのがより好ましい。
【化１７】
0003875474.tif 000013
【００４５】
本発明では、さらに下記の段階を含むフォトレジストパターン形成方法を提供する。
（ａ）光塩基発生剤を含む本発明のフォトレジスト組成物を、被エッチング層上部に塗布してフォトレジスト膜を形成する段階、
（ｂ）前記フォトレジスト膜を露光する段階、及び、
（ｃ）前記結果物を現像し、望むパターンを得る段階。
【００４６】
前記過程で、（ｂ）段階の露光前、及び／又は、露光後に、ベーク工程を行う段階をさらに含むことができ、このようなベーク工程は７０〜200℃で行われるのが好ましい。
【００４７】
さらに、前記露光工程は光源としてArF、KrF、VUV、EUV、Ｅ−ビーム、Ｘ線、又はイオンビームを利用し、１〜100mJ/cm2の露光エネルギーで行なわれるのが好ましい。
【００４８】
さらに、本発明では前記本発明のフォトレジストパターン形成方法を含む半導体素子の製造方法を提供する。
【００４９】
光塩基発生剤を導入した本発明のフォトレジスト組成物を利用してパターンを形成すれば、図４で見られるように露光時に感光剤表面上に塩基が発生し、感光剤表面上に多く発生した酸を中和させてこれを減少させることにより、図５のように傾斜したパターンの形成を防止する、または減少させるとともに、下記実施例の実験で見られるようにI/Dバイアスを減少させる効果を得ることができる。
【００５０】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づき詳しく説明する。但し、実施例は発明を例示するのみであり本発明が下記実施例により限定されるものではない。
【００５１】
実施例１．  式（１ａ）の光塩基発生剤の製造
前記式（４ａ）の物質0.1モル（17.4ｇ）とテトラヒドロフラン200mlを500mlラウンドフラスコに投入した後、前記式（３ａ）の物質0.2モル（30.6ｇ）を添加して１０時間攪拌した。攪拌後析出された物質を濾過して乾燥させ、前記式（１ａ）の光塩基発生剤を製造した。
【００５２】
実施例２．  式（１ｂ）の光塩基発生剤の製造
前記式（４ｂ）の物質0.1モル（17.4ｇ）とテトラヒドロフラン200mlを500mlラウンドフラスコに投入した後、前記式（３ａ）の物質0.2モル（30.6ｇ）を添加して３日間攪拌した。攪拌後蒸発器で溶媒の一部を除去してから、水から沈澱物を取り乾燥させて前記式（１ｂ）の光塩基発生剤を製造した。
【００５３】
［比較例］
前記式（５）の重合体２０ｇ、光酸発生剤のトリフェニルスルホニウムトリフレート0.24ｇを２−ヘプタノン110ｇに溶解しフォトレジスト組成物を製造した。
この組成物をシリコンウェーハに塗布し140℃で９０秒間ベークした後ArF露光装備で露光し、次いで140℃で９０秒間再度ベークし2.38wt％  TMAH現像液で現像して傾斜したパターンを得た（図６参照）。
その後、アイソレーティドラインとデンスラインのＣＤの差を測定した。結果を下記表１に示す。
【００５４】
実施例３．  フォトレジスト組成物の製造及びパターン形成
前記式（５）の重合体２０ｇ、光酸発生剤のトリフェニルスルホニウムトリフレート0.24ｇ、前記式（１ａ）の光塩基発生剤0.096ｇを２−ヘプタノン110ｇに溶解しフォトレジスト組成物を製造した。
この組成物をシリコンウェーハに塗布し140℃で９０秒間ベークした後ArF露光装備で露光し、次いで140℃で９０秒間再度ベークし2.38wt％  TMAH現像液で現像して垂直の0.13μm  L/S超微細パターンを得た（図７参照）。
その後、アイソレーティドラインとデンスラインのＣＤの差を測定した。結果を下記表１に示す。
【表１】
0003875474.tif 000014
【００５５】
実施例４．  フォトレジスト組成物の製造及びパターン形成
式（１ａ）の光塩基発生剤の代わりに式（１ｂ）の光塩基発生剤を用い、前記実施例３と同様の方法でフォトレジスト組成物を製造し、これを利用して図７と同様にフォトレジストパターンを形成した。
【００５６】
【発明の効果】
以上で検討したように、光塩基発生剤を用いた本発明のフォトレジスト組成物は、光塩基発生剤を用いなかったフォトレジスト組成物に比べ、図６のように傾斜したパターンを図７のように良好な垂直パターンに改善することができるだけでなく、I/Dバイアスも小さいので超微細パターン、特にArF（193nm）光源のような極短波長領域の光源を採用するフォトリソグラフィーに有効に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】光酸発生剤のみを含む感光剤を用いた場合のパターン形成を説明するための図面である。
【図２】光酸発生剤のみを含む感光剤を用いた場合のアイソレーティドライン（isolated  line）のパターン形成を説明するための図面である。
【図３】光酸発生剤のみを含む感光剤を用いた場合のデンスライン（dense  line）のパターン形成を説明するための図面である。
【図４】光塩基発生剤を含む感光剤を用いた場合に感光剤上部の塩基濃度が高いことを示す図面である。
【図５】光酸発生剤とともに光塩基発生剤を含む感光剤を用いた場合、感光剤上部の酸と塩基の濃度が高いことを示す図面である。
【図６】光塩基発生剤を含まず光酸発生剤のみを含む感光剤を用いて得られたパターン写真である。
【図７】光酸発生剤とともに光塩基発生剤を含む感光剤を用いて得られたパターン写真である。
【図１】
0003875474.tif 000020
【図２】
0003875474.tif 000021
【図３】
0003875474.tif 000022
【図４】
0003875474.tif 000023
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003875474.tif 000026