(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの表面にスクライブラインを介して２次元的にマトリックス状に繰り返し配置された半導体集積回路と、前記半導体集積回路に設けられたレーザトリミングにより切断されるヒューズと、前記半導体ウエハの表面に設けられたレーザトリミング位置決め用パターンとから成る半導体装置において、前記レーザトリミング位置決め用パターンは高光反射率領域と低光反射率領域とから成り、前記高光反射率領域は平坦な下地の上に配置された高光反射率膜により形成され、前記低光反射率領域は前記ヒューズと同じ薄膜を用いて構成されているドットあるいは格子あるいはストライプ状の光を乱反射するためのパターン上に配置された前記高光反射率膜により形成されている半導体装置。
【請求項２】
前記レーザトリミング位置決め用パターンは、前記高光反射率領域と、前記高光反射率領域に挟まれた前記低光反射率領域とから成る請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記レーザトリミング位置決め用パターンは、前記低光反射率領域と、前記低光反射率領域に挟まれた前記高光反射率領域とから成る請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ヒューズは、多結晶シリコン薄膜で構成されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記高光反射率膜は、アルミニウムにより構成されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記レーザトリミング位置決め用パターンは、前記半導体集積回路チップ内の外部との電気的接続を行うためのパッド領域内に配置される請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記レーザトリミング位置決め用パターンは、前記スクライブラインの交点に配置される請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記レーザトリミング位置決め用パターンは、前記半導体ウエハの回転方向に対する比較的粗い位置決めを行うためのいわゆるシータマークと、前記半導体集積回路一つ一つに対してＸ方向及びＹ方向の精密な位置決めを行うためのいわゆるトリミングマークとを連続した前記高光反射率膜で一体化させた構造である請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
前記レーザトリミング位置決め用パターンにおいて、前記低光反射率領域を形成する前記ヒューズと同一材料で形成された薄膜からなるドットあるいは格子あるいはストライプ状のパターンにおける一組のラインアンドスペースの寸法は、前記レーザトリミング位置決め用パターンを検出するために照射されて走査されるレーザビームのスポットの直径以下である請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記低光反射率領域の一方の前記高光反射率領域との境界から他方の前記高光反射率領域との境界までの寸法は、レーザトリミング位置決めパターンを検出するために照射されて走査されるレーザビームのスポットの直径以上である請求項２記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記高光反射率領域の一方の前記低光反射率領域との境界から他方の前記低光反射率領域との境界までの寸法は、レーザトリミング位置決めパターンを検出するために照射されて走査されるレーザビームのスポットの直径以上である請求項３記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体集積回路に設けられた、前記ヒューズの本数が10本以上である請求項１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体集積回路内には、少なくとも1本以上の前記ヒューズを同一方向に並べて形成されるヒューズ群が、方向を変えて複数個設けられている請求項１記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体集積回路は電圧検出用ＩＣ、もしくはシリーズレギュレータＩＣ、もしくはスイッチングレギュレータＩＣ、もしくはリチウム電池保護用ＩＣである請求項１記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記レーザトリミング位置決め用パターンの最上層には、光透過可能な絶縁膜が配置されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記レーザトリミング位置決め用パターンは、前記半導体集積回路内のブリーダ抵抗領域内に配置される請求項１記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記ヒューズは、単結晶シリコン薄膜で構成されている請求項１６記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、レーザビーム照射により、半導体チップ表面に形成されているヒューズ素子を高精度で切断するための位置決め用パターンを設けた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アナログ半導体集積回路の装置において、アナログ特性の調整のためのレーザトリミング方法が知られている。例えば、特開平５−１３６７０号公報に記載されている。
半導体ウエハに集積回路を２次元的にパターニングした後に、ウエハ状態で各々の集積回路の電気特性を測定する。次に、アナログ特性の調整のために、配線の一部に設けられたヒューズ素子を選択して、レーザビーム照射により切断する。このようなレーザトリミング方法により、ヒューズ素子の切断選択により、集積回路のアナログ特性を希望の特性に合わせ込むことができる。所定のヒューズ素子にレーザビームを照射するために、半導体ウエハ表面に位置決め用パターンが設けられている。
【０００３】
図３（ａ）は、従来の位置決めパターンの平面図、図３（ｂ）は、従来の位置決めパターンの断面図、図３（ｃ）は、その位置決め用パターンを光ビーム照射でＣ−Ｃ’線方向に沿って走査した場合の光反射量変化を示す図である。
従来の位置決めパターンは、図３（ａ）に示すように、スクライブライン領域２０３上に設けられた、半導体ウエハの回転方向に対する比較的荒い位置合せを行なうための、いわゆるシータマーク３０１と、繰り返し配置された半導体集積回路チップ２０１一つ一つに対して正確な位置合せを行なうためのＸ方向トリミングマーク３０２、及びＹ方向トリミングマーク３０３とからなる。
【０００４】
シータマーク３０１の形状は画像認識を自動で行なうことが出来るように、半導体集積回路チップ２０１内のパッド領域２０２等と異なる特徴的な形をであることが望まれる。図３（ａ）の例ではカギ型の形状を示したが、他の形状でも特異的な形であって認識が容易であれば良い。
次に図３（ｂ）に示すように、従来の位置決めパターンは、シリコン基板１０１上に設けられたシリコン酸化膜からなる第一の絶縁膜１０２上に、四角形のアルミニウム膜１０５が配置されてなる。図３（ａ）のＣ−Ｃ’線方向に沿って光ビームを走査すると、アルミニウム膜１０５の反射率が高いために、図３（ｃ）のような光反射パターンが得られる。アルミニウム膜１０５上では高い光反射量を示し、アルミニウム膜１０５の無い部分では低い光反射量となる。
【０００５】
高い光反射量と低い光反射量との光反射量の変化する部分を用いて、トリミングに用いる基準となる位置を把握する。位置決めパターンと集積回路の多結晶シリコン膜から成るヒューズ素子との間の位置関係は設計時に決められている。従って、位置決めパターンに光ビームを照射して、光反射量の変化する位置を検出することにより、所望のヒューズ素子の座標を計算し、その場所にレーザー照射することによって、選択的にヒューズ素子をトリミングすることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のレーザトリミングにおいては、ヒューズ素子と位置決めパターンとが異なる薄膜で形成されていたために、正確な位置決めができなかった。
アルミニウムのパターンである位置決め用パターンにより基準とする位置を検出して、ヒューズ素子である多結晶シリコン薄膜をレーザトリミングした場合、半導体プロセス中に生じるアルミニウムのパタンと多結晶シリコン薄膜で形成した素子との合せずれによって、図２２のように、ヒューズ素子３１に対してレーザ照射領域３２が位置ずれてしまう。レーザ照射領域３２はエネルギー分布がガウシャン分布になっているために、レーザ照射領域３２の端部のエネルギー強度は低い。従って、ウエハプロセスにおいて、多結晶シリコン膜のパターニングとアルミニウム膜のパターニングとの間に大きな合わせずれがあると、ヒューズカット残り部分３４が出来てしまい、安定してヒューズ素子が切断できなくなってしまうという問題点があった。
【０００７】
また、従来は、レーザトリミング位置決め用パターンは半導体集積回路チップ間のスクライブライン領域に配置している場合が多いが、スクライブライン領域は、半導体ウエハのスクライブ（切断）に用いる切りしろの部分であって、この領域に多数の膜が存在すると、ダイシング工程時にダイシング用のカッターの刃を傷めてしまい、ダイシング工程のスループットを低下させたり、極端な場合にはダイシングが良好に行えずに半導体集積回路チップを損傷するという問題点があった。
【０００８】
そこで、この発明の目的は、半導体チップのヒューズ素子に対して精度良く位置決めしてトリミングすることができる半導体装置を提供することにある。さらに、本発明の目的は、トリミングの位置決め精度を高くすることにより、ヒューズ素子領域の小型化及びコストダウンを可能にすることである。
また、スクライブライン領域に占めるレーザトリミング位置決め用パターンの面積を少なくし、または、レーザトリミング位置決め用パターンを半導体集積回路チップ内に取り込むことにより、ダイシング工程に支障を来たさない半導体装置を提供する事にある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、本発明は以下の手段をとった。
（１）半導体ウエハの表面にスクライブラインを介して２次元的にマトリックス状に繰り返し配置された半導体集積回路と、半導体集積回路に設けられたレーザトリミング用ヒューズ素子と、半導体ウエハの表面に設けられたレーザトリミング位置決め用パターンとから成る半導体装置において、レーザトリミング位置決め用パターンがレーザトリミング用ヒューズ素子と同じ薄膜で構成した。
【００１０】
（２）前記レーザトリミング位置決め用パターンが、高光反射率領域と、高光反率領域に囲まれた低光反射率領域とから成る半導体装置とした。また、逆に低光反射率領域と、低光反率領域に囲まれた高光反射率領域とから成る半導体装置とした。
（３）前記低光反射率領域が、光乱反射するためのドットあるいは格子あるいはストライプ状パターンとした。
【００１１】
（４）半導体ウエハの表面にスクライブラインを介して２次元的にマトリックス状に繰り返し配置された半導体集積回路と、半導体集積回路に設けられたレーザトリミング用ヒューズ素子と、半導体ウエハの表面に設けられたレーザトリミング位置決め用パターンとから成る半導体装置において、レーザトリミング位置決め用パターンは高光反射率領域と低光反射率領域とから成り、高光反射率領域は平坦な下地の上に形成された高光反射率膜により形成され、低光反射率領域はレーザトリミング用ヒューズ素子と同じ薄膜で構成されている光乱反射するための格子あるいはストライプあるいはドット状のパターン上に形成された高光反射率膜により形成した。
【００１２】
（５）前記レーザトリミング位置決め用パターンを、高光反射率領域と、高光反射率領域に囲まれた低光反射率領域とした。
（６）前記レーザトリミング位置決め用パターンを、低光反射率領域と、低光反射率領域に囲まれた高光反射率領域ととした。
（７）前記高光反射率膜を、アルミニウムにより構成した。
【００１３】
（８）前記レーザトリミング位置決め用パターンを、半導体集積回路チップ内の外部との電気的接続を行うためのパッド領域内に配置した。
（９）前記レーザトリミング位置決め用パターンは高光反射率領域と低光反射率領域とから成り、高光反射率領域は平坦な下地の上に形成された高光反射率膜により形成され、低光反射率領域はレーザトリミング用ヒューズ素子と同じ薄膜で構成されている光乱反射するための格子あるいはストライプあるいはドット状のパターン上に形成された高光反射率膜により形成した。
【００１４】
（１０）前記レーザトリミング位置決め用パターンを、スクライブラインの交点に配置した。
（１１）前記レーザトリミング位置決め用パターンを、半導体ウエハの回転方向に対する比較的荒い位置合せを行なうためのいわゆるシータマークと、繰り返し配置された半導体集積回路一つ一つに対して正確な位置合せを行なうためのトリミングマークとを兼用できる連続した構造にした。
【００１５】
（１２）前記高光反射率領域と低光反射率領域との光反射量の差（コントラスト）を大きくするために、レーザトリミング位置決め用パターン内部の寸法をレーザービーム直径を指標として規定した。
（１３） 前記レーザトリミング位置決め用パターンを、半導体集積回路チップ内のブリーダ抵抗領域内に配置した。
【００１６】
【発明の実施の形態】
レーザトリミング位置決め用パターンは高光反射率領域と低光反射率領域とから成り、高光反射率領域と低光反射率領域との境界、すなわち光反射率が急峻に変化する場所はレーザトリミング用ヒューズ素子と同じ薄膜により形成されたパタンによって規定される。これにより、ウエハプロセスでの合わせずれに全く影響されずに正確にレーザトリミングできる。
【００１７】
また、レーザトリミング位置決め用パターンは、スクライブライン領域から半導体集積回路チップ内の外部との電気的接続を行うためのパッド領域内あるいはブリーダ抵抗領域内に移して配置したり、スクライブライン領域内に形成する場合には、半導体ウエハの回転方向に対する比較的荒い位置合せを行なうためのいわゆるシータマークと、繰り返し配置された半導体集積回路一つ一つに対して正確な位置合せを行なうためのトリミングマークとを兼用できる連続した構造として、スクライブラインの交点に配置することにより、スクライブライン領域に占めるレーザトリミング位置決め用パターンの面積を小さく抑える事ができる。
【００１８】
さらに、高光反射率領域と低光反射率領域との反射率に大きな差を持たせる（コントラストを上げる）ように、レーザトリミング位置決め用パターンの寸法をレーザービーム直径を指標として規定したので、レーザートリミング位置決め用パターンの能力を十分に発揮できる構造が得られる。
【００１９】
【実施例】
以下に、この発明の実施例を図面に基づいて説明する。
なお、以下の説明は簡単のため図示は省略するが、特に断らない限りレーザートリミング用のヒューズ素子は多結晶シリコン薄膜により形成されているものとする。
【００２０】
図１（ａ）は、本発明の原理を示す第１の参考例である位置決め用パターンの平面図を、また図１（ｂ）は、光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図１（ａ）のＡ−Ａ’方向に沿って走査した場合の値である。本例の位置決めパターンは、図１（ａ）のように、高光反射率領域２と、その内側の低光反射率領域３から構成されている。図１（ａ）の例においては、光の乱反射作用を利用して低光反射率領域３を形成した。乱反射を起こさせるために、半導体基板４上にヒューズ素子と同一薄膜である多結晶シリコン薄膜１ａをドット状に多数、形成した。乱反射させるためには、ドット状以外に格子状や、ストライプ状等のパターンでも良く、図１（ｂ）のような光反射パターンが得られる。
【００２１】
ヒューズ素子としては、光吸収しやすく切断しやすい膜が好ましい。また、集積回路を構成するために導電膜である必要がある。好ましい膜としては、多結晶シリコン膜である。多結晶シリコン膜は、光吸収しやすく、レーザ照射で容易に切断できる。多結晶シリコン薄膜１を、図１（ａ）のようなドット状のパターンとして、位置決めパターンの内側を低光反射率領域３とすることにより、光反射量の大きなコントラストを得ることが可能になる。高光反射率領域２は、従来と同様に、半導体基板上に設けられた酸化膜等から成るフィールド領域で構成することができる。
【００２２】
図２（ａ）は、本発明の原理を示す第２の参考例である位置決め用パターンの平面図、図２（ｂ）は、光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図２（ａ）のＢ−Ｂ’方向に沿って走査した場合の値である。本例の位置決めパターンは、図２（ａ）のように、低光反射率領域３と、その内側の高光反射率領域２から構成されており、図１（ａ）で示した例の逆の構成になっている。レーザトリミング位置決め用パターンとしては低光反射率領域３と、高光反射率領域２のどちらかが、相手を平面的に挟んだ形になれば良いので図２（ａ）のような構成が可能になる。
【００２３】
また、特に図示しないが、図1及び図2で示した本発明の実施例において、シリコン窒化膜やＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などのシリコン酸化膜、あるいはポリイミド膜などの光透過可能な絶縁膜を最上層に配置して、低光反射率領域３での光の乱反射を増長させることで、より低い光反射率が得られるようにして、高光反射率領域２と低光反射率領域３との光反射量のコントラストを大きくしても良い。
【００２４】
図４（ａ）は、本発明の半導体装置の第１の実施例による位置決め用パターンの平面図、図４（ｂ）は、本発明の半導体装置の第１の実施例による位置決め用パターンの断面図、図４（ｃ）は、本発明の半導体装置の第１の実施例による位置決め用パターンに光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図４（ａ）のＤ−Ｄ’線方向に沿って走査した場合の値である。本発明の第１の実施例による位置決めパターンは、図４（ｂ）に示すように、高光反射率領域１０６ａと、その内側の低光反射率領域１０７ａから構成されている。
【００２５】
次に図４（ａ）および図４（ｂ）を用いて、本発明の位置決めパターンの構造を説明する。シリコン基板１０１上にシリコン酸化膜等からなる第一の絶縁膜１０２が形成されており、第一の絶縁膜１０２上に、部分的にドット状の多結晶シリコン薄膜１０３ａが形成される。多結晶シリコン薄膜１０３ａが形成されない領域は、平坦な第一の絶縁膜１０２が露出している。この上に、ＰＳＧ膜等からなる第二の絶縁膜１０４ａが形成されており、第二の絶縁膜１０４ａ上にアルミニウム膜１０５ａが形成されている。ドット形状の多結晶シリコン薄膜１０３ａの形成されている領域の上方に位置するアルミニウム膜１０５ａの表面は、多結晶シリコン薄膜１０３ａのパターンの影響によって、凸凹になっており、この部分に照射された光は乱反射してしまう。従って、この領域を低光反射率領域１０７ａとすることができる。一方、多結晶シリコン薄膜１０３ａの形成されていない領域上のアルミニウム膜１０５ａの表面は平坦であり、高光反射率領域１０６ａとすることができる。
【００２６】
光ビームを図４（ａ）のＤ−Ｄ’線方向に沿って走査した場合の光反射量は、図４（ｃ）に示すように、平坦な表面を有するアルミニウム膜１０５ａで形成される高光反射率領域１０６ａにおいては大きく、凸凹な表面を有するアルミニウム膜１０５ａで形成される低光反射率領域１０７ａにおいては小さくなる。
図４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の例においては、光の乱反射作用を利用して低光反射率領域１０７ａを形成した。光の乱反射を起こすために、ヒューズ素子と同一薄膜である多結晶シリコン薄膜１０３ａによりドット状のパターンを形成した。ドット状以外の、格子状やストライプ状などのパターンでも光の乱反射を起こすことは可能であり、図４（ｃ）のような光反射パターンが得られる。
【００２７】
図４（ｂ）における第一の絶縁膜１０２及び第二の絶縁膜１０４ａは必ずしも必要ではないので、場合によっては削除してもよい。また、アルミニウム膜１０５ａに代えて、高光反射率膜としてタングステン、クロム、金などの金属材料を用いても良い。また、特に図示しないが、図４（ｂ）におけるアルミニウム膜１０５ａ上に、シリコン窒化膜やＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などのシリコン酸化膜、あるいはポリイミド膜などの光透過可能な絶縁膜を配置して、低光反射率領域１０７ａでの光の乱反射を増長させることで、より低い光反射率が得られるようにして、高光反射率領域１０６ａと低光反射率領域１０７ａとの光反射量のコントラストを大きくとることも良い。
【００２８】
以上述べたように、高光反射率領域１０６ａと低光反射率領域１０７ａとの境界は、ヒューズ素子と同一の薄膜材料である多結晶シリコン薄膜１０３ａのパターンによって決められるため、従来の位置決めパターンの課題であった、ヒューズ素子を形成する多結晶シリコンと、位置決めパターンを形成するアルミニウム膜との合わせずれによる問題から解放することができる。
【００２９】
図５（ａ）は、本発明の半導体装置の第２の実施例による位置決め用パターンの平面図、図５（ｂ）は、本発明の半導体装置の第２の実施例による位置決め用パターンの断面図、図５（ｃ）は、本発明の半導体装置の第２の実施例による位置決め用パターンに光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図５（ａ）のＥ−Ｅ’線方向に沿って走査した場合の値である。本発明の第２の実施例の位置決めパターンは、図４（ａ）から（ｃ）に示した第１の実施例と同様に、高光反射率領域１０６ｂと、その内側の低光反射率領域１０７ｂから構成されている。
【００３０】
図４に示した第１の実施例と図５に示す第２の実施例とで異なる点は、高光反射率領域１０６ｂが平坦な多結晶シリコン薄膜１０３ｂの上方に位置するアルミニウム膜１０５ｂにより形成されている点である。高光反射率領域１０６ｂは平坦な下地上の高光反射率膜により形成されていれば、その役割を果たすことができるのでこのような構成も可能となる。その他の説明については、図４（ａ）から（ｃ）と関連した符号を附記することで説明に代える。
【００３１】
図６（ａ）は、本発明の半導体装置の第３の実施例による位置決め用パターンの平面図、図６（ｂ）は、本発明の半導体装置の第３の実施例による位置決め用パターンの断面図、図６（ｃ）は、本発明の半導体装置の第３の実施例による位置決め用パターンに光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図６（ａ）のＦ−Ｆ’線方向に沿って走査した場合の値である。本発明の第３の実施例の位置決めパターンは、外側に低光反射率領域１０７ｃを配置し、その内側に高光反射率領域１０６ｃを配置した構成をとる。位置決め用パターンとしては、高光反射率領域１０６ｃと低光反射率領域１０７ｃのどちらかが、もう一方の領域に挟まれた形をとっていれば良く、図６（ａ）から（ｃ）に示した第３の実施例は、図４（ａ）から（ｃ）に示した第１の実施例の反対の配置をした場合を示すものであってこのような構成をとっても良いことを示すものである。その他の説明については、図４（ａ）から（ｃ）と関連した符号を附記することで説明に代える。
【００３２】
図７（ａ）は、本発明の半導体装置の第６の実施例による位置決め用パターンの平面図、図７（ｂ）は、本発明の半導体装置の第６の実施例による位置決め用パターンの断面図、図７（ｃ）は、本発明の半導体装置の第６の実施例による位置決め用パターンに光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図７（ａ）のＧ−Ｇ’線方向に沿って走査した場合の値である。本発明の第６の実施例の位置決めパターンは、外側に低光反射率領域１０７ｄを配置し、その内側に高光反射率領域１０６ｄを配置した構成をとる。
【００３３】
第５の実施例における説明と同様に、位置決め用パターンとしては、高光反射率領域１０６ｄと低光反射率領域１０７ｄのどちらかが、もう一方の領域に挟まれた形をとっていれば良く、図７（ａ）から（ｃ）に示した第６の実施例は、図５（ａ）から（ｃ）に示した第４の実施例の反対の配置をした場合を示すものである。その他の説明については、図４（ａ）から（ｃ）と関連した符号を附記することで説明に代える。
【００３４】
図４から図７における第一の絶縁膜１０２及び第二の絶縁膜１０４は必ずしも必要ではないので、場合によっては削除してもよい。また、アルミニウム膜１０５に代えて、高光反射率膜としてタングステン、クロム、金などの金属材料を用いても良い。また、特に図示しないが、アルミニウム膜１０５上に、シリコン窒化膜やＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などのシリコン酸化膜、あるいはポリイミド膜などの光透過可能な絶縁膜を配置して、低光反射率領域１０７での光の乱反射を増長させることで、より低い光反射率が得られるようにして、高光反射率領域１０６と低光反射率領域１０７との光反射量のコントラストを大きくとることも良い。
【００３５】
図８（ａ）は位置決め用パターンを有する半導体集積回路チップの模式的平面図である。図８（ｂ）は図８（ａ）のレーザートリミング位置決め用パターンの配置されたパッド領域を拡大した模式的平面図である。
図８（ａ）に示すように、半導体集積回路チップ２０１内には、アルミニウム等の導電性薄膜により形成された、外部との電気的接続を行うためのパッド領域２０２が配置されている。また、隣り合う半導体集積回路チップ２０１との間にはスクライブライン領域２０３が配置される。ここで、本発明によるレーザートリミング位置決め用パターンはパッド領域２０２の内部に形成されている。
【００３６】
図８（ｂ）は本発明によるレーザートリミング位置決め用パターン２０４ａを内蔵したパッド領域２０２を示した平面図である。図８（ｂ）においてパッド領域２０２の一部がレーザートリミング位置決め用パターン領域２０４ａとなっている。
もともと、パッド領域２０２は外部との電気的接続に必要な領域であり、パッド領域２０２の内部にレーザートリミング位置決め用パターン領域２０４ａを形成しているので、半導体集積回路チップ２０１の面積を増大することなく、レーザトリミング位置決め用パターン２０４ａを半導体集積回路チップ内に取り込むことができる。
【００３７】
図８（ａ）及び（ｂ）では、一つのパッド領域２０２内にレーザトリミング位置決め用パターン２０４ａを一つ形成した例を示したが、必要に応じて、一つのパッド領域２０２内に複数のレーザトリミング位置決め用パターン２０４ａを形成してもかまわないし、複数のパッド領域２０２内にレーザトリミング位置決め用パターン２０４ａを一つずつ、あるいは複数個ずつ形成してもよい。
【００３８】
次に図９から図１２を用いてさらに詳細に本発明によるレーザトリミング位置決め用パターンについて説明する。
図９（ａ）は、本発明の半導体装置の第５の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、図９（ｂ）は、本発明の半導体装置の第５の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、図９（ｃ）は、本発明の半導体装置の第５の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンに光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図９（ａ）のＨ−Ｈ’線方向に沿って走査した場合の値である。本発明の第５の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンは、図９（ｂ）に示すように、高光反射率領域１０６ｅと、その内側の低光反射率領域１０７ｅから構成されている。
【００３９】
図９（ａ）および図９（ｂ）を用いて、本発明のレーザートリミング位置決め用パターンの構造を説明する。
シリコン基板１０１上にシリコン酸化膜等からなる第一の絶縁膜１０２が形成されており、第一の絶縁膜１０２上に、部分的にドット状の多結晶シリコン薄膜１０３ｅが形成される。多結晶シリコン薄膜１０３ｅが形成されない領域は、平坦な第一の絶縁膜１０２が露出している。この上に、ＰＳＧ膜等からなる第二の絶縁膜１０４ｅが形成されており、第二の絶縁膜１０４ｅ上にアルミニウム膜１０５ｅが形成されている。ドット形状の多結晶シリコン薄膜１０３ｅの形成されている領域の上方に位置するアルミニウム膜１０５ｅの表面は、多結晶シリコン薄膜１０３ｅのパターンの影響によって、凸凹になっており、この部分に照射された光は乱反射してしまう。従って、この領域を低光反射率領域１０７ｅとすることができる。一方、多結晶シリコン薄膜１０３ｅの形成されていない領域上のアルミニウム膜１０５ｅの表面は平坦であり、高光反射率領域１０６ｅとすることができる。
【００４０】
光ビームを図９（ａ）のＨ−Ｈ’線方向に沿って走査した場合の光反射量は、図９（ｃ）に示すように、平坦な表面を有するアルミニウム膜１０５ｅで形成される高光反射率領域１０６ｅにおいては大きく、凸凹な表面を有するアルミニウム膜１０５ｅで形成される低光反射率領域１０７ｅにおいては小さくなる。
図９（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の例においては、光の乱反射作用を利用して低光反射率領域１０７ｅを形成した。光の乱反射を起こすために、ヒューズ素子と同一薄膜である多結晶シリコン薄膜１０３ｅによりドット状のパターンを形成した。ドット状以外の、格子状やストライプ状などのパターンでも光の乱反射を起こすことは可能であり、図３（ｃ）のような光反射パターンが得られる。
【００４１】
図９（ｂ）における第一の絶縁膜１０２と第二の絶縁膜１０４ｅのどちらか一方は必ずしも必要ではないので、場合によっては削除してもよい。また、シリコン基板１０１と同電位にしてよいパッド領域２０２内にレーザートリミング位置決め用パタン２０４を配置する場合には、第一の絶縁膜１０２と第二の絶縁膜１０４の両方を省略し、アルミニウム膜１０５ｅとシリコン基板１０１とを電気的に接続した形態をとっても良い。また、アルミニウム膜１０５ｅに代えて、外部との電気的接続の用途に合致していれば、高光反射率膜としてタングステン、クロム、金などの金属材料を用いても良い。
【００４２】
以上述べたように、高光反射率領域１０６ｅと低光反射率領域１０７ｅとの境界は、ヒューズ素子と同一の薄膜材料である多結晶シリコン薄膜１０３ｅのパターンによって決められるため、従来のレーザートリミング位置決め用パタンの課題であった、ヒューズ素子を形成する多結晶シリコンと、レーザートリミング位置決め用パターンを形成するアルミニウム膜との合わせずれによる問題から解放することができる。
【００４３】
図１０（ａ）は、本発明の半導体装置の第６の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、図１０（ｂ）は、本発明の半導体装置の第６の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、図１０（ｃ）は、本発明の半導体装置の第６の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンに光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図１０（ａ）のＩ−Ｉ’線方向に沿って走査した場合の値である。本発明の第６の実施例のレーザトリミング位置決めパターンは、図９（ａ）から（ｃ）に示した第５の実施例と同様に、高光反射率領域１０６ｆと、その内側の低光反射率領域１０７ｆから構成されている。
【００４４】
図９の第５の実施例と図１０の第６の実施例との異なる点は、高光反射率領域１０６ｆが平坦な多結晶シリコン薄膜１０３ｆの上方に位置するアルミニウム膜１０５ｆにより形成されている点である。高光反射率領域１０６ｆは平坦な下地上の高光反射率膜により形成されていれば、その役割を果たすことができるのでこのような構成も可能となる。その他の説明については、図９（ａ）から（ｃ）と関連した符号を附記することで説明に代える。
【００４５】
図１１（ａ）は、本発明の半導体装置の第７の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、図１１（ｂ）は、本発明の半導体装置の第７の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、図１１（ｃ）は、本発明の半導体装置の第７の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンに光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図１１（ａ）のＪ−Ｊ’線方向に沿って走査した場合の値である。本発明の第７の実施例の位置決めパターンは、外側に低光反射率領域１０７ｇを配置し、その内側に高光反射率領域１０６ｇを配置した構成をとる。レーザトリミング位置決め用パターンとしては、高光反射率領域１０６ｇと低光反射率領域１０７ｇのどちらかが、もう一方の領域に挟まれた形をとっていれば良く、図１１（ａ）から（ｃ）に示した第７の実施例は、図９（ａ）から（ｃ）に示した第５の実施例の反対の配置をした場合を示すものであってこのような構成をとっても良いことを示すものである。その他の説明については、図９（ａ）から（ｃ）と関連した符号を附記することで説明に代える。
【００４６】
図１２（ａ）は、本発明の半導体装置の第８の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、図１２（ｂ）は、本発明の半導体装置の第８の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、図１２（ｃ）は、本発明の半導体装置の第８の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンに光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図１２（ａ）のＫ−Ｋ’線方向に沿って走査した場合の値である。本発明の第８の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンは、外側に低光反射率領域１０７ｈを配置し、その内側に高光反射率領域１０６ｈを配置した構成をとる。
【００４７】
第６の実施例における説明と同様に、レーザトリミング位置決め用パターンとしては、高光反射率領域１０６ｈと低光反射率領域１０７ｈのどちらかが、もう一方の領域に挟まれた形をとっていれば良く、図１２（ａ）から（ｃ）に示した第８の実施例は、図１０（ａ）から（ｃ）に示した第６の実施例の反対の配置をした場合を示すものである。その他の説明については、図９（ａ）から（ｃ）と関連した符号を附記することで説明に代える。
【００４８】
図１３は以下に説明する本発明の半導体装置の第９から第１０の実施例による位置決め用パターンを有する半導体集積回路チップの模式的平面図である。
図１３に示すように、半導体集積回路チップ２０１内には、ブリーダ抵抗領域６０１が配置されている。また、隣り合う半導体集積回路チップ２０１の間にはスクライブライン領域２０３が配置される。ここで、本発明によるレーザトリミング位置決め用パターンはブリーダ抵抗領域６０１の内部に形成されている。図１３においてブリーダ抵抗領域６０１の一部がレーザトリミング位置決め用パターン領域２０４となっている。
【００４９】
もともと、ブリーダ抵抗領域６０１は電圧検出用ＩＣや、定電圧出力用ＩＣにおいて必要な領域であり、ブリーダ抵抗領域６０１の内部にレーザートリミング位置決め用パターン領域２０４ｂを形成しているので、半導体集積回路チップ２０１の面積を増大することなく、レーザトリミング位置決め用パターン２０４ｂを半導体集積回路チップ内に取り込むことができる。
【００５０】
図１３では、一つのブリーダ抵抗領域６０１内にレーザトリミング位置決め用パターン２０４ｂを一つ形成した例を示したが、必要に応じて、一つのブリーダ抵抗領域６０１内に複数のレーザトリミング位置決め用パターン２０４ｂを形成してもかまわないし、複数のブリーダ抵抗領域６０１内にレーザトリミング位置決め用パターン２０４ｂを一つずつ、あるいは複数個ずつ形成してもよい。
【００５１】
次に図１４から図１５を用いてさらに詳細に本発明によるレーザトリミング位置決め用パターンについて説明する。
図１４（ａ）は、本発明の半導体装置の第９の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、図１４（ｂ）は、本発明の半導体装置の第９の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、図１４（ｃ）は、本発明の半導体装置の第９の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンに光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図１４（ａ）のＬ−Ｌ’線方向に沿って走査した場合の値である。本発明の第９の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンは、図１４（ｂ）に示すように、高光反射率領域１０６ｉと、その内側の低光反射率領域１０７ｉから構成されている。
【００５２】
次に図１４（ａ）および図１４（ｂ）を用いて、本発明のレーザートリミング位置決め用パターンの構造を説明する。
シリコン基板１０１上にシリコン酸化膜等からなる第一の絶縁膜１０２が形成されており、第一の絶縁膜１０２上に、部分的に低抵抗領域５０３ａと高抵抗領域５０４ａとからなるストライプ状の多結晶シリコン薄膜で形成された複数のブリーダ抵抗体５０２ａが形成される。ブリーダ抵抗体５０２ａが形成されない領域は、平坦な第一の絶縁膜１０２が露出している。この上に、ＰＳＧ膜等からなる第二の絶縁膜１０４ｉが形成されており、第二の絶縁膜１０４ｉ上にアルミニウム膜１０５ｉが形成されている。ストライプ状の多結晶シリコン薄膜で形成されているブリーダ抵抗体５０２ａ領域の上方に位置するアルミニウム膜１０５ｉの表面は、ブリーダ抵抗体５０２ａのパタンの影響によって、凸凹になっており、この部分に照射された光は乱反射してしまう。従って、この領域を低光反射率領域１０７ｉとすることができる。一方、ブリーダ抵抗体５０２ａの形成されていない領域上のアルミニウム膜１０５ｉの表面は平坦であり、高光反射率領域１０６ｉとすることができる。
【００５３】
光ビームを図１４（ａ）のＬ−Ｌ’線方向に沿って走査した場合の光反射量は、図１４（ｃ）に示すように、平坦な表面を有するアルミニウム膜１０５ｉで形成される高光反射率領域１０６ｉにおいては大きく、凸凹な表面を有するアルミニウム膜１０５ｉで形成される低光反射率領域１０７ｉにおいては小さくなる。図１４（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の例においては、光の乱反射作用を利用して低光反射率領域１０７ｉを形成した。光の乱反射を起こすために、ヒューズ素子と同一薄膜である多結晶シリコン薄膜によりストライプ状のブリーダ抵抗体５０２ａを形成した。図１４（ｂ）において、高光反射率膜としてタングステン、クロム、金などの金属材料を用いても良い。
【００５４】
以上述べたように、高光反射率領域１０６ｉと低光反射率領域１０７ｉとの境界は、ヒューズ素子と同一の薄膜材料である多結晶シリコン薄膜で形成されたブリーダ抵抗体５０２ａによって決定されるため、従来のレーザートリミング位置決め用パタンの課題であった、ヒューズ素子を形成する多結晶シリコンと、レーザートリミング位置決め用パタンを形成するアルミニウム膜との合わせずれによる問題から解放することができる。
【００５５】
図１５（ａ）は、本発明の半導体装置の第１０の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、図１５（ｂ）は、本発明の半導体装置の第１０の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、図１５（ｃ）は、本発明の半導体装置の第１０の実施例によるレーザトリミング位置決め用パターンに光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図１５（ａ）のＭ−Ｍ’線方向に沿って走査した場合の値である。
【００５６】
本発明の第１０の実施例のレーザトリミング位置決めパターンは、外側に低光反射率領域１０７ｊを配置し、その内側に高光反射率領域１０６ｊを配置した構成をとる。レーザトリミング位置決め用パターンとしては、高光反射率領域１０６ｊと低光反射率領域１０７ｊのどちらかが、もう一方の領域に挟まれた形をとっていれば良く、図１５（ａ）から（ｃ）に示した第１０の実施例は、図１４（ａ）から（ｃ）に示した第９の実施例の反対の配置をした場合を示すものであってこのような構成をとっても良いことを示すものである。その他の説明については、図１４（ａ）から（ｃ）と関連した符号を附記することで説明に代える。
【００５７】
図１３、図１４、及び図１５で説明した本発明の実施例において、ブリーダ抵抗体５０２はヒューズ素子と同一の材料である多結晶シリコン薄膜で形成した場合を示したが、ここで図示しないが通常のシリコン基板１０１に代えて、ＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）基板を用いて、ブリーダ抵抗体５０２及びヒューズ素子をＳＯＩ基板上の単結晶シリコンデバイス形成層で形成することも可能である。この場合でも上述した通常のシリコン基板の場合と同様に、高光反射率領域１０６と低光反射率領域１０７との境界は、ヒューズ素子と同一の薄膜材料である単結晶薄膜のシリコンデバイス形成層によって形成されたブリーダ抵抗体５０２のパターンによって決められるため、従来のアルミニウム膜で形成されたレーザートリミング位置決めパターンによる合わせずれの問題から解放することが出来る。
【００５８】
図１６（ａ）は、本発明の半導体装置の第１１の実施例による位置決め用パターンの平面図、図１６（ｂ）は、本発明の半導体装置の第１１の実施例による位置決め用パターンの断面図、図１６（ｃ）は、本発明の半導体装置の第１１の実施例による位置決め用パターンに光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図１６（ａ）のＮ−Ｎ’線方向に沿って走査した場合の値である。本発明の第１１の実施例によるレーザトリミング用位置決めパターン４０１ａは、図１６（ａ）に示すように、縦、横のスクライブライン領域２０３の交点上に設けられており、半導体ウエハの回転方向に対する比較的荒い位置合せを行なうための、いわゆるシータマークの機能と、繰り返し配置された半導体集積回路チップ２０１の一つ一つに対して正確な位置合せを行なうためのＸ方向トリミングマーク及びＹ方向トリミングマークの機能とを併せ持つ連続した構造になっている。レーザトリミング用位置決めパターン４０１ａの形状は画像認識を自動で行なうことが出来るように、半導体集積回路チップ２０１内のパッド領域２０２等と異なる特徴的な形であることが望まれるため、図１６（ａ）の例では十字型の形とした。
【００５９】
次に図１６（ｂ）を用いて本発明の第１１の実施例によるレーザトリミング用位置決めパターン４０１ａの断面構造を説明する。
シリコン基板１０１上にシリコン酸化膜等からなる第一の絶縁膜１０２が形成されており、第一の絶縁膜１０２上に、部分的にドット状の多結晶シリコン薄膜１０３ｋが形成される。多結晶シリコン薄膜１０３ｋが形成されない領域は、平坦な第一の絶縁膜１０２が露出している。この上に、アルミニウム膜１０５ｋが形成されている。ドット形状の多結晶シリコン薄膜１０３ｋの形成されている領域の上方に位置するアルミニウム膜１０５ｋの表面は、多結晶シリコン薄膜１０３ｋのパターンの影響によって、凸凹になっており、この部分に照射された光は乱反射してしまう。従って、この領域を低光反射率領域１０７ｋとすることができる。一方、多結晶シリコン薄膜１０３ｋの形成されていない領域上のアルミニウム膜１０５ｋの表面は平坦であり、高光反射率領域１０６ｋとすることができる。
【００６０】
光ビームを図１６（ａ）のＮ−Ｎ’線方向に沿って走査した場合の光反射量は、図１６（ｃ）に示すように、平坦な表面を有するアルミニウム膜１０５ｋで形成される高光反射率領域１０６ｋにおいては大きく、凸凹な表面を有するアルミニウム膜１０５ｋで形成される低光反射率領域１０７ｋにおいては小さくなる。図１６（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の例においては、光の乱反射作用を利用して低光反射率領域１０７ｋを形成した。光の乱反射を起こすために、ヒューズ素子と同一薄膜である多結晶シリコン薄膜１０３ｋによりドット状のパターンを形成した。ドット状以外の、格子状やストライプ状などのパターンでも光の乱反射を起こすことは可能であり、図１６（ｃ）のような光反射パターンが得られる。場合によっては、図１６（ｂ）における第一の絶縁膜１０２や多結晶シリコン薄膜１０３ｋ上に第二の絶縁膜などを形成してもよい。また、アルミニウム膜１０５ｋに代えて、高光反射率膜としてタングステン、クロム、金などの金属材料を用いても良い。また、特に図示しないが、図１６（ｂ）におけるアルミニウム膜１０５ｋ上に、シリコン窒化膜やＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などのシリコン酸化膜、あるいはポリイミド膜などの光透過可能な絶縁膜を配置して、低光反射率領域１０７ｋでの光の乱反射を増長させることで、より低い光反射率が得られるようにして、高光反射率領域１０６ｋと低光反射率領域１０７ｋとの光反射量のコントラストを大きくとることも良い。
【００６１】
以上述べたように、高光反射率領域１０６ｋと低光反射率領域１０７ｋとの境界は、ヒューズ素子と同一の薄膜材料である多結晶シリコン薄膜１０３のパタンによって決められるため、従来の位置決めパタンの課題であった、ヒューズ素子を形成する多結晶シリコンと、位置決めパタンを形成するアルミニウム膜との合わせずれによる問題から解放することができる。
【００６２】
また、レーザトリミング位置決め用パターン４０１ａは、スクライブライン領域２０３の交点に配置し、半導体ウエハの回転方向に対する比較的荒い位置合せを行なうためのいわゆるシータマークの機能と、繰り返し配置された半導体集積回路チップ２０１一つ一つに対してＸ、Ｙ方向の正確な位置合せを行なうためのトリミングマークの機能とを兼用できる、連続した構造にしたのでスクライブライン領域２０３に占めるレーザトリミング位置決め用パターンの面積を小さくすることができる。
【００６３】
図１７（ａ）は、本発明の半導体装置の第１２の実施例による位置決め用パターンの平面図、図１７（ｂ）は、本発明の半導体装置の第１２の実施例による位置決め用パターンの断面図、図１７（ｃ）は、本発明の半導体装置の第１２の実施例による位置決め用パターンに光ビームを走査した場合の光反射量の変化を示す図である。光反射量は、図１７（ａ）のＯ−Ｏ’線方向に沿って走査した場合の値である。
【００６４】
本発明の第１２の実施例におけるレーザトリミング位置決め用パターン４０１ｂは、図１３（ａ）から（ｃ）に示した第１１の実施例と同様に、スクライブライン領域２０３の交点に配置されている。
図１６の第１１の実施例と図１７の第１２の実施例との異なる点は、高光反射率領域１０６ｌが低反射率領域１０７ｌに挟まれた構造をとっている点と、レーザトリミング位置決め用パターン４０１ｂの形が図１３に示した第１３の実施例では十字型であったのに対してカギ型になっている点である。
【００６５】
レーザトリミング位置決め用パターンとしては、高光反射率領域１０６ｌと低光反射率領域１０７ｌのどちらかが、もう一方の領域に挟まれた形をとっていれば良く、図１７（ａ）から（ｃ）に示した第１２の実施例は、図１６（ａ）から（ｃ）に示した第１１の実施例の反対の配置をした場合を示すものであり、このような構成をとっても良いことを示すものである。また、レーザトリミング位置決め用パターン４０１ｂの形状は、画像認識を自動で行なうことが出来るように、半導体集積回路チップ２０１内のパッド領域２０２等と異なる特徴的な形であれば良く、図１７（ａ）の例ではカギ型の形としたが、図１６（ａ）や図１７（ａ）に示した形に限るものでは無い。
【００６６】
その他の説明については、図１６（ａ）から（ｃ）と関連した符号を附記することで説明に代える。
図１８（ａ）は、本発明によるレーザトリミング位置決め用パターンの一部とレーザビームを表した模式的平面図である。
図１８（ａ）においてａは一組のドット状の多結晶シリコン薄膜１０３のラインアンドスペースの寸法（ヒューズ素子と同一材料のドットの寸法とドットが形成されない部分の寸法との和）を示す。また、ｄはレーザービームスポット５０１の直径を示す。
【００６７】
図１８（ｂ）は高光反射率領域の光反射量と低光反射率領域の光反射量の差であるコントラストと、一組のドット状の多結晶シリコン薄膜１０３のラインアンドスペース寸法ａとの関係を示した図である。
コントラストは、一組のドット状の多結晶シリコン薄膜１０３のラインアンドスペース寸法ａが小さいほど向上してくる。指標として、レーザービームスポット５０１の直径ｄを考えると、一組のドット状の多結晶シリコン薄膜１０３のラインアンドスペース寸法ａがレーザービームスポット５０１の直径ｄ以下程度ならば実用可能なコントラストに到達するが、さらに高いコントラストを得るために、一組のドット状の多結晶シリコン薄膜１０３のラインアンドスペース寸法ａはレーザービームスポット５０１の直径ｄの2分の１以下であるとことが望ましい。図１８では、ドット状の多結晶シリコン薄膜１０３の場合について説明したが、格子状あるいはストライプ状のパターンの場合でも同様であり、例えばストライプ状のパターンの場合、1本の多結晶シリコン薄膜１０３のラインの短辺の寸法と、隣の多結晶シリコン薄膜１０３のラインとの隙間の寸法との和を図１８で説明した寸法ａと置き換えれば良い。
【００６８】
図１９（ａ）は、本発明によるレーザートリミング位置決め用パターンの一部とレーザービームを表した模式的平面図である。
図１９（ａ）において、ｂは低光反射率領域１０７のレーザー走査方向の寸法を示し、また、ｄはレーザービームスポット５０１の直径を示す。
図１９（ｂ）は高光反射率領域１０６の光反射量と低光反射率領域１０７との光反射量の差であるコントラストと、低光反射率領域１０７のレーザー走査方向の寸法ｂとの関係を示した図である。
【００６９】
コントラストは低光反射率領域１０７のレーザー走査方向の寸法ｂが大きいほど向上してくる。指標としてレーザービームスポット５０１の直径ｄを考えると、寸法ｂが直径ｄ以上程度ならば実用可能なコントラストに到達するが、さらに高いコントラストを得るために、ｂはｄの2倍以上の寸法であるとことが望ましい。図１９では、ドット型の場合について説明したが、格子状あるいはストライプ状のパターンによって低光反射率領域１０７を形成した場合でも同様である。
【００７０】
また、図１９では低光反射率領域１０７が高光反射率領域１０６に挟まれた形の場合について説明したが、図２の例で示したような高光反射率領域１０６が低光反射率領域１０７に挟まれた形の場合には、図１９で説明した寸法ｂを、高光反射率領域１０６の寸法として置き換えれば同様の結果となる。
また、図１８、及び図１９を用いて説明した、本発明によるレーザトリミング位置決め用パターンにおける、一組のドット状の多結晶シリコン薄膜１０３のラインアンドスペース寸法ａとレーザービームスポット５０１の直径ｄとの望ましい寸法上の関係、及び、低光反射率領域１０７のレーザー走査方向の寸法ｂとレーザービームスポット５０１の直径ｄとの望ましい寸法上の関係は、前述した本発明の第１の実施例から第１０の実施例の全てにあてはめることが可能である。
【００７１】
図２０は、本発明の位置決め用パターンを用いてレーザトリミングしたヒューズ素子の平面図である。ヒューズ素子３１の中心にレーザスポット３２が照射することが可能になる。
本発明の半導体装置は、バラツキの大きな半導体素子から成る半導体集積回路に非常に適している。例えば、図２１は、高耐圧のＭＯＳトランジスタから構成される電圧検出用ＩＣ７００のブロック図である。ＭＯＳＩＣは、バイポーラＩＣに比べアナログ特性のバラツキが大きい。特に、高耐圧特性の場合、ゲート絶縁膜を厚くするために、ますます、アナログ特性のバラツキが大きくなる。従って、アナログＭＯＳＩＣの場合、図２１のように大きなヒューズ素子領域７０１やＰｏｌｙ抵抗領域７０２を必要とする。１０個以上のヒューズ素子を設けることによりバラツキの小さいアナログ特性を得ることができる。
【００７２】
本発明のレーザートリミング位置決め用パターンを用いることにより電圧検出用ＩＣのヒューズ素子占有面積を小さくすることができるのでＩＣ全体の小面積化が図れる。また図示しないが、本発明によるレーザートリミング位置決め用パターンを、シリーズレギュレータＩＣや、スイッチングレギュレータＩＣ、リチウム電池保護用ＩＣ等に用いても同様の効果が得られる。また、レーザートリミングの位置合せ精度が向上するので、これらのＩＣに用いるヒューズ素子の配列方向をを平面的に異ならせて、２ヶ所以上に配置することも可能になる。
【００７３】
本発明の位置決め用パターンは、スクライブライン領域あるいは、ＴＥＧチップ、または半導体集積回路チップのいずれに設けても実施できる。スクラブライン領域あるいはＴＥＧチップに配置した場合には、半導体集積回路チップの面積を小さくする効果がある。
また、本発明は、アナログＭＯＳＩＣに適しているが、ディシタルＩＣに用いることも可能である。非常にバラツキの小さな高密度のアナログバイポーラＩＣにも適している。
【００７４】
更に、ＳＯＩ基板を用いたＩＣに適用することも容易であり、その場合でも通常のシリコン基板上のＩＣと同等の効果を得ることが出来る。
今まで述べた実施例では、レーザトリミング用のヒューズ素子を多結晶シリコン薄膜で形成した場合について説明したが、本発明は多結晶シリコン薄膜に限定するものではなく、レーザトリミング用のヒューズ素子を形成する薄膜と同一の薄膜を用いて光の乱反射をおこさせるようなドット状等のパタンとして低光反射率領域１０７を形成すれば良い。
【００７５】
【発明の効果】
本発明によるレーザトリミング位置決め用パターンは、高光反射率領域と低光反射率領域との境界、すなわち光反射率が急峻に変化する場所をレーザトリミング用ヒューズ素子と同じ薄膜により形成されたパタンによって規定できるようになった。さらにレーザトリミング位置決め用パターン内部の寸法と、レーザービームスポット径との望ましい関係を示した。これにより以下の効果を有する。
【００７６】
（１）ヒューズ素子を安定して切断することが可能となる。
（２）複数ヒューズ素子を必要とするＩＣにおいて、ヒューズ素子領域を小面積で形成できる。
（３）複数ヒューズ素子を必要とするＩＣにおいて、ヒューズ素子領域を２ヶ所以上方向を異ならせて設計することが可能である。
【００７７】
また、本発明によるレーザトリミング位置決め用パターンは、半導体集積回路チップ内の既存のパッド領域内やブリーダ抵抗領域内に形成したり、半導体ウエハの回転方向に対する比較的荒い位置合せを行なうためのいわゆるシータマークの機能と、繰り返し配置された半導体集積回路一つ一つに対して正確な位置合せを行なうためのトリミングマークの機能とを兼用できる連続した構造として、スクライブラインの交点に配置したりすることができる。
【００７８】
これにより以下の効果を有する。
（４）半導体集積回路の切り出し（ダイシング工程）において、ダイシング用の刃を傷めにくくなりスループットが向上する。さらに、半導体集積回路に損傷を与える危険性も低減する。
（５）スクライブライン領域内に、半導体集積回路形成工程（いわゆる前工程）において使用する、テスト用パタンやパタン合せ用のマーク等を挿入できる領域が広がり、十分な工程管理ができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）は本発明の第１の参考例の半導体装置のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図２】  （ａ）は本発明の第２の参考例の半導体装置のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図３】  （ａ）は従来の半導体装置のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図４】  （ａ）は本発明の半導体装置の第１の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図５】  （ａ）は本発明の半導体装置の第２の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、（ｃ）は（ａ）のＥ−Ｅ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図６】  （ａ）は本発明の半導体装置の第３の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、（ｃ）は（ａ）のＦ−Ｆ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図７】  （ａ）は本発明の半導体装置の第４の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、（ｃ）は（ａ）のＧ−Ｇ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図８】  （ａ）は本発明による半導体装置の第５の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンを含む半導体集積回路チップの模式的平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの配置されたパッド領域を拡大した模式的平面図である。
【図９】（ａ）は本発明の半導体装置の第５の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、（ｃ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図１０】  （ａ）は本発明の半導体装置の第６の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、（ｃ）は（ａ）のＩ−Ｉ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図１１】  （ａ）は本発明の半導体装置の第７の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、（ｃ）は（ａ）のＪ−Ｊ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図１２】  （ａ）は本発明の半導体装置の第８の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、（ｃ）は（ａ）のＫ−Ｋ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図１３】  本発明による半導体装置のレーザトリミング位置決め用パターンを含む半導体集積回路チップの模式的平面図である。
【図１４】  （ａ）は本発明の半導体装置の第９の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、（ｃ）は（ａ）のＬ−Ｌ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図１５】（ａ）は、本発明の半導体装置の第１０の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、（ｃ）は（ａ）のＭ−Ｍ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図１６】（ａ）は本発明の半導体装置の第１１の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、（ｃ）は（ａ）のＮ−Ｎ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図１７】  （ａ）は本発明の半導体装置の第１２の実施例のレーザトリミング位置決め用パターンの平面図、（ｂ）は（ａ）のレーザトリミング位置決め用パターンの断面図、（ｃ）は（ａ）のＯ−Ｏ’線に沿った光反射量を示す図である。
【図１８】（ａ）は本発明によるレーザトリミング位置決め用パターンの一部とレーザービームスポットとを表した模式的平面図、（ｂ）は高光反射率領域の光反射量と低光反射率領域の光反射量の差であるコントラストと一組のドット状の多結晶シリコン薄膜のラインアンドスペース寸法ａとの関係を示した図である。
【図１９】（ａ）は本発明によるレーザトリミング位置決め用パターンの一部とレーザービームスポットとを表した模式的平面図、（ｂ）は高光反射率領域の光反射量と低光反射率領域の光反射量の差であるコントラストと低光反射率領域のレーザー走査方向の寸法ｂとの関係を示した図である。
【図２０】  半導体装置のヒューズ素子の平面図である。
【図２１】  本発明の半導体装置のブロック図である。
【図２２】  半導体装置のヒューズ素子の平面図である。
【符号の説明】
３１      ヒューズ素子
３２      レーザ照射スポット領域
３３      下地の焦げを起す領域
３４      ヒューズカット残りになる部分
１０１    シリコン基板
１０２    第一の絶縁膜
１０３    多結晶シリコン薄膜
１０４    第二の絶縁膜
１０５    アルミニウム膜
２、１０６    高光反射率領域
３、１０７    低光反射率領域
２０１    半導体集積回路チップ
２０２    パッド領域
２０３    スクライブライン領域
２０４    レーザートリミング位置決め用パターン
３０１    シータマーク
３０２    Ｘ方向トリミングマーク
３０３    Ｙ方向トリミングマーク
４０１    レーザトリミング位置決め用パターン
５０１    レーザービームスポット
５０２    ブリーダ抵抗体
５０３    低抵抗領域
５０４    高抵抗領域
６０１    ブリーダ抵抗領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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