(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置内においてガスを供給するためのセラミックス製ガス供給構造であって、
前記ガス供給構造が、前記ガスを供給する供給面と背面とが設けられているセラミックス製の板状基体を備えており、この板状基体が薄肉部を備えており、前記薄肉部と前記背面との間に空隙部が形成されており、前記供給面側に前記ガスを供給するための複数のガス供給孔が前記薄肉部に設けられており、各ガス供給孔の一方の開口が前記供給面に設けられており、各ガス供給孔の他方の開口が前記空隙部に面しており、前記空隙部内に絶縁物からなる、一片以上のバルク片及びバルクを砕いたものが収容されていることを特徴とする、半導体製造装置用のセラミックス製ガス供給構造。
【請求項２】
前記各ガス供給孔の内径が１５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１記載のガス供給構造。
【請求項３】
前記薄肉部の厚さが２ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２記載のガス供給構造。
【請求項４】
前記ガス供給構造が、前記半導体製造装置内において半導体上の空間へと半導体プロセス用のガスを供給するためのガス供給装置であることを特徴とする、請求項１−３のいずれか一つの請求項に記載のガス供給構造。
【請求項５】
前記ガス供給構造が、半導体ウエハー保持装置に設けられており、前記供給面が半導体ウエハーを設置するための設置面であり、前記ガスが、前記設置面とこの設置面上に設置された半導体ウエハーとの間に供給されるべきバックサイドガスであることを特徴とする、請求項１−３のいずれか一つの請求項に記載のガス供給構造。
【請求項６】
前記板状基体の前記設置面側に、この設置面から突出する複数のエンボス部が設けられており、前記半導体ウエハーが各エンボス部に対して接触しており、これによって前記半導体ウエハーと前記設置面との間に前記バックサイドガスを供給するための空間が形成されていることを特徴とする、請求項５記載のガス供給構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シャワープレート等の、半導体製造装置用のセラミックス製ガス供給構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハーに対してプロセス用のガスを供給するために、いわゆるシャワープレートが使用されている。半導体製造装置においては、高周波電力の増加、プロズマ密度の増加に伴って、プロセス用ガスを半導体ウエハー上の空間へと均一に供給することが必要である。ガスの供給状態が巨視的、あるいは微視的に見て不均一となった場合には、平行平板電極間にプラズマを発生させる際に、平行平板電極間でアーキング、グロー放電が生じ、プロセス用ガスの絶縁破壊を生じやすくなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、シャワープレートからプロセス用のガスを半導体ウエハーの表面上の空間へと供給する際には、アーキングが生じ易いことが知られている。アーキングを防止するためには、シャワープレートの孔の直径を細くすることが有効であると言われており、このためにシャワープレートに直径０．５ｍｍ、長さ１０ｍｍの孔を設けることが知られている。
【０００４】
しかし、このようにガス供給孔を細くすることによってアーキングを防止することは困難である。例えば、アーキングを特に効果的に防止するためには、ガス供給孔の直径を０．１ｍｍ以下にすることが有効であると思われるが、例えば直径０．１ｍｍのガス供給孔を、１０ｍｍもの長さにわたってセラミックスシャワープレートに形成すること事実上不可能である。
【０００５】
直径０．５ｍｍ程度のガス供給孔を長さ１０ｍｍにわたってセラミックス製シャワープレートに形成する加工は不可能ではないが、この場合にはガス供給孔の内壁面に段差が生じやすく、このために乱流を生じやすい。また、こうした比較的に直径の小さいガス供給孔を、シャワープレートに十分に多数設けることは、加工時間、コストの点から非現実的である。このため、シャワープレートのガス供給孔の間隔が大きくなる傾向があり、各ガス供給孔からの吹き出し圧力が高くなる。これらの要因から、半導体ウエハー上の空間においてガスの乱流、渦流が生じやすくなる。このため、ガス供給孔の直径を小さくすることによって、アーキングを効果的に防止することも困難である。
【０００６】
本発明の課題は、半導体製造装置内でガスを供給するためのセラミックス製ガス供給構造において、広い範囲にわたってガスの供給状態を安定させ、ガス流の不均一を防止できるようにすることであり、これによってアーキングを抑制できるようにすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体製造装置内においてガスを供給するためのセラミックス製ガス供給構造であって、前記ガス供給構造が、前記ガスを供給する供給面と背面とが設けられているセラミックス製の板状基体を備えており、この板状基体が薄肉部を備えており、前記薄肉部と前記背面との間に空隙部が形成されており、前記供給面側に前記ガスを供給するための複数のガス供給孔が前記薄肉部に設けられており、各ガス供給孔の一方の開口が前記供給面に設けられており、各ガス供給孔の他方の開口が前記空隙部に面しており、前記空隙部内に絶縁物からなる、一片以上のバルク片及びバルクを砕いたものが収容されていることを特徴とする。
【０００８】
以下、適宜図面を参照しつつ、本発明の作用効果について説明する。
【０００９】
図１は、本発明の一実施形態に係るシャワープレート２１の底面図、およびその一部拡大断面図である。シャワープレートは、半導体製造装置内において半導体上の空間へと半導体プロセス用のガスを供給するためのガス供給装置の代表例である。ブラズマアレスターにも適用できる。
【００１０】
シャワープレート２１の基体２２はセラミックスからなり、本例では略円板形状である。基体２２の供給面２２ａは、図示しない半導体ウエハーに対向している。シャワープレート２１には、所定箇所に薄肉部２３が形成されている。各薄肉部２３は、例えば図１に模式的に示すように、碁盤目状に、縦方向と横方向とにそれぞれ一定ピッチで設けられている。各薄肉部２３の位置では、基体２２に、背面２２ｂに向かって開口する空隙部１０が形成されている。各空隙部１０と供給面２２ａとの間にそれぞれ薄肉部２３が形成されている。各薄肉部２３には、それぞれ、複数のガス供給孔１４が形成されている。各ガス供給孔１４の一方の開口１４ａが供給面２２ａに設けられており、他方の開口２２ｂが空隙部１０に面している。
【００１１】
半導体ウエハーをプラズマエッチングあるいは成膜する際には、チャンバー内を真空にし、何らかの半導体プロセス用のガスを空間１１から各空隙部１０内へと供給する。このガスは、空隙部１０を通り、各ガス供給孔１４内を流れ、矢印Ｆのように吹き出す。
【００１２】
本発明者は、特にセラミックス加工の難しさによる孔の微視的形態に着目した。即ち、シャワープレートの基体の厚さは、例えば１０ｍｍ程度である。こうした厚いセラミックスの板状基体に対して、供給面２２ａから背面２２ｂへと向かって貫通孔を形成する加工は、一般に困難である。例えば板状基体２２を窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナのような硬度の高い緻密質セラミックスによって形成すると、工具の刃先を途中で取り替える必要がある。また、基体２２が厚いために、レーザー加工やエッチングプロセスによる穴あけは事実上困難である。なぜなら、ガス供給孔の一方の開口から他方の開口へと向かって大きなテーパーが発生するからである。このため、超音波機械加工を行うことが必要であるが、この場合であっても、ガス供給孔の直径には通常かなりのテーパーが発生し、供給孔の一方の開口と他方の開口との直径の差が生ずる。この差は、基体２２が厚くなるのにつれて、大きくなる。更に、基体２２の全厚にわたって一度に加工することはできないので、ガス供給孔の内壁面には階段状の段差が生ずる。これらの要因によって、ガス供給孔にガスを流したときに、ガスに乱流、渦流が発生し易くなる。
【００１３】
これに対して、本発明者は、従来、各ガス供給孔を設けていた各領域について、基体２２に薄肉部２３を形成し、薄肉部２３に複数のガス供給孔１４を形成することにした。たとえ径の小さいガス供給孔１４であっても、その長さが小さければ加工可能であり、前述したようなガス供給孔のテーパーと、ガス供給孔の内壁面における段差の発生を防止することができる。
【００１４】
その上、ガスはいったん空隙部１０内に滞留する。この際には空隙部１０内では、特に乱流や渦流を引き起こす要因はなく、ほぼ均等な圧力が保たれる。次いで、ガスは各ガス供給孔１４を矢印Ｆのように通過し、半導体ウエハー上の空間に供給される。
【００１５】
この際には、各ガス供給孔１４にテーパーや内壁面の段差がほとんどなく、このためにガス供給孔１４内において乱流、渦流を引き起こしにくい。凹部１０内においては乱流、渦流が防止されており、ガス供給孔１４の長さは短い。各ガス供給孔１４から噴出するガスの流量は、それぞれ小さい。しかも、小さい直径の孔を設けた場合に比べて、薄肉部の面積は広く、このために広い範囲から均一にガスを安定して供給できる。これらの理由から、半導体ウエハー上の空間において、局所的な乱流、渦流などの不均一が抑制されるものと考えられる。
【００１６】
また、本発明のガス供給構造は、静電チャックや高周波発生用電極装置などの半導体ウエハー保持装置に対しても適用可能である。
【００１７】
半導体ウエハーを静電チャックによって保持し、赤外線等によって加熱する場合や、静電チャック自体を発熱させて半導体ウエハーを加熱することにより、半導体ウエハーの表面に半導体膜を形成するような場合には、半導体ウエハーの表面の温度を均一に保持する必要がある。この表面温度が不均一であると、ウエハーの表面に堆積する半導体膜の厚さが不均一となり、半導体不良の原因となるからである。このため、静電チャックの供給面と半導体ウエハーとの間にバックサイドガスを流すことによって、半導体ウエハーの温度分布を小さくする方法が知られている。
【００１８】
また、静電チャック内の電極に対して高周波電圧を印加し、半導体ウエハーの上にプラズマを発生させることによって、半導体ウエハーのクリーニングを行う場合には、プラズマから半導体ウエハーへの入熱によって半導体ウエハーが加熱される。この際には、半導体ウエハーの温度を一定にし、かつその温度分布を少なくするために、静電チャックの背面側に冷却装置を設置し、静電チャックの供給面と半導体ウエハーとの間にバックサイドガスを流した後に、プラズマを発生させることによって、プラズマから半導体ウエハーへと入ってきた熱量をバックサイドガスを通して静電チャックおよび冷却装置側へと逃がす。
【００１９】
バックサイドガスが必要な理由は以下のとおりである。即ち、静電チャックの供給面と半導体ウエハーとを直接に接触させると、両者の間の空間が減圧状態であることから、両者の温度差が大きくなり、かつ半導体ウエハーにおける温度のバラツキが大きくなる。これは、減圧状態ないし真空状態下では、供給面と半導体ウエハーとの間で、対流による熱伝導がほとんどなく、ほぼ純粋に輻射による熱伝達しか行われないために、たとえわずかな隙間しかない場合であっても、非常に高い断熱効果があるからである。
【００２０】
一方、半導体ウエハーと供給面との間にバックサイドガスを流すことにより、両者の間で対流による熱伝導が行われ、この結果、半導体ウエハーと供給面２ａとの温度差が微視的に見て小さくなり、また半導体ウエハーの表面温度のバラツキが小さくなる。
【００２１】
バックサイドガスを供給するためには、従来、例えば図２の模式的断面図に示すように、基体３の背面３ｂから供給面３ａへと向かって伸びるガス供給孔４を設けている。６は電極であり、５は供給面から突出するエンボス部であり、１は半導体ウエハーである。チャンバー内を真空状態にした後、ガス供給孔４から矢印Ａのようにバックサイドガスを供給すると、開口４ａから吹き出したガスは、空間７内を矢印Ｂのように流れ、エンボス部５の間のガス通路８を流れる。
【００２２】
しかし、次の問題点がいまだ残されている。即ち、ガス供給孔４から矢印Ａ、Ｂのようにバックサイドガスを空間７へと供給すると、このガスはエンボス部５の間のガス通路８を分岐しながら蛇行していき、最終的に空間７、ガス通路８に充満する。このエンボス部５は、半導体ウエハーの吸着状態をコントロールするという観点から静電チャックの供給面に設けられているものであり、例えば図４に一例を示すように、供給面３ａ上に規則的に多数形成されている。
【００２３】
ところが、こうした静電チャックを使用し、静電チャックの背面３ｂ側に、図示しない水冷フランジを設置し、前記したようにバックサイドガスを流し、半導体ウエハーに対して上面側から加熱し、同時に半導体ウエハーの熱を静電チャックを通して水冷フランジから除去することによって、半導体ウエハーの温度を、その全面にわたって１００−２００℃に保持することを試みた。この結果、場合によっては、半導体ウエハーに局所的なヒートスポットが現れることがあった。
【００２４】
一方、図３は、本発明の一実施形態に係る静電チャック１２の一部断面図であり、図４は、図３の静電チャックの全体の概略的平面図であり、図５は図４の一部拡大図である。図４、図５においては、便宜上、半導体ウエハー１を図示していない。
【００２５】
静電チャック１２の基体３はセラミックスからなり、本例では略円板形状である。基体２の供給面３ａに、半導体ウエハー１を設置し、静電力によって吸着する。供給面３ａには、例えば図４に示すように、略円形の突起からなるエンボス部５が多数規則的に配列されている。このエンボス部の各形状、配列パターンは、静電チャックに対して要求される吸着特性に応じて決定されるべきものであり、むろん図４に示す形状および配列パターンには限定されない。半導体ウエハー１を供給面３ａ上に設置する際には、エンボス部５の上面に対して直接接触する。基体３の供給面３ａの近傍には、平板形状の静電チャック電極６が埋設されている。電極６に対しては、図示しない導電性端子が接続されている。
【００２６】
静電チャックの基体３には、背面３ｂに向かって開口する空隙部１０が所定箇所に形成されている。空隙部１０と供給面３ａとの間には薄肉部１５が形成されており、薄肉部１５には複数のガス供給孔１４が形成されている。各ガス供給孔１４の一方の開口１４ａが設置面３ａに設けられており、他方の開口１４ｂが凹部１０に面している。
【００２７】
半導体ウエハーをプラズマエッチングあるいは成膜する際には、チャンバー内を真空にし、半導体ウエハー１を供給面３ａ上に設置し、電極６に直流電圧を供給して半導体ウエハー１を静電吸着し、次いでバックサイドガスを基体３の背面３ｂ側に導入する。このガスは、空隙部１０を通り、各ガス供給孔１４内を矢印Ｄのように流れ、空間７へと吹き出す。そして、空間７から、各エンボス部の間のガス通路８内へと流出する。半導体ウエハー１と供給面６との間にバックサイドガスを供給した後に、チャンバー内へと成膜ガスあるいはエッチングガスを導入し、電極６へと、直流電圧に加えて高周波電圧を供給し、半導体ウエハー１上の空間にプラズマを発生させる。
【００２８】
本発明者は、前記のような構成を採用することによって、半導体ウエハーを加熱したときに、半導体ウエハーのヒートスポットが縮小し、あるいは消失することを見いだした。
【００２９】
この理由は明確ではないが、バックサイドガスの流れに関係しているものと考えられる。即ち、図２に示すような静電チャックにおいては、各ガス供給位置において、それぞれ１つのガス供給孔４からバックサイドガスを供給している。このガスは通常であれば、各エンボス部間のガス通路８に対してもほぼ均等に流れるはずである。
【００３０】
しかし、本発明者は、特にセラミックス加工の難しさによる孔の微視的形態に着目した。厚いセラミックスの板状基体に対して、供給面３ａから背面３ｂへと向かって貫通孔を形成する加工は一般に困難である。例えば板状基体３を窒化アルミニウム、窒化珪素、アルミナのような硬度の高い緻密質セラミックスによって形成すると、工具の刃先を途中で取り替える必要がある。また、基体３が厚いために、レーザー加工やエッチングプロセスによる穴あけは事実上困難である。なぜなら、ガス供給孔４の一方の開口から他方の開口へと向かって大きなテーパーが発生するからである。このため、超音波機械加工を行うことが必要であるが、この場合であっても、ガス供給孔４の直径には通常かなりのテーパーが発生し、供給孔４の一方の開口４ａと他方の開口４ｂとの直径の差が生ずる。この差は、基体３が厚くなるのにつれて、大きくなる。更に、基体３の全厚にわたって一度に加工することはできないので、ガス供給孔４の内壁面には階段状の段差が生ずる。
【００３１】
これらの要因によって、ガス供給孔４にバックサイドガスを最初に流したときに、ガスに乱流、渦流が発生し、この状態でガスが開口４ａから吹き出し、比較的大きな圧力をもって半導体ウエハー１に衝突し、次いでエンボス部５間の比較的狭いガス通路８へと流れていく。おそらくこの際にガスの流れに何らかの偏りが発生し、ガス圧力の比較的少ない低圧領域が生じ、この低圧領域において半導体ウエハーから静電チャックへの熱伝達か抑制され、ヒートスポットが発生するものと思われる。
【００３２】
これに致して、本実施形態によれば、一つのガス供給孔４を複数のガス供給孔１４に分割した。この際、静電チャックの全体としてのバックサイドガスの必要量が変化しないものとすると、ガス供給孔１４の径は、ガス供給孔４の径よりも小さくする必要がある。上述したように、径の小さい貫通孔をセラミックス基体３に形成することは困難である。このため、基体３に薄肉部１５を形成し、薄肉部１５に複数のガス供給孔１４を形成することにした。たとえ径の小さいガス供給孔１４であっても、その長さが小さければ現実的に加工可能だからである。しかも、このようにガス供給孔１４の長さを小さくすると、前述したようなガス供給孔のテーパーと、ガス供給孔の内壁面における段差の発生を防止することができる。
【００３３】
こうした構成によれば、バックサイドガスはいったん凹部１０内に滞留する。この際には凹部１０内では、特に乱流や渦流を引き起こす要因はなく、ほぼ均等な圧力が保たれるものと思われる。次いでガスは各ガス供給孔１４を矢印Ｄのように通過し、空間７を通してエンボス部５の間のガス通路８へと供給される。
【００３４】
この際には、（ａ）各ガス供給孔１４にテーパーや内壁面の段差がほとんどなく、このためにガス供給孔１４内において乱流、渦流を引き起こしにくい。（ｂ）凹部１０内においては乱流、渦流が防止されており、ガス供給孔１４の長さはガス供給孔４に比べて非常に短い。（ｃ）各ガス供給孔１４から噴出するガスの流量は、ほぼ、ガス供給孔４から噴出するガスの流量を、ガス供給孔１４の個数で除した値になるものと考えられる。このため、各ガス供給孔１４から空間７内に噴出するガスの流量は小さく、このためガスの半導体ウエハーへの衝突エネルギーも小さい。これらの理由から、エンボス部５間のガス通路８における局所的な低圧領域の発生が抑制されるものと考えられる。
【００３５】
また、図６に示すガス供給構造は、図３に示したガス供給構造とほぼ同様の構造を有している。ただし、図６においては、空隙部１０の背面３ｂ側の凹み３ｃに、別体のガス供給装置３１が設置されている。ガス供給装置３１は、平板状の基体３２からなり、基体３２は空隙部１０の背面への開口のほぼ全面を被覆している。基体３２には、所定個数のガス供給孔３３が形成されており、各ガス供給孔３３は、空隙部１０に開口する一方の開口３３ａと、背面１１側に開口する他方の開口３３ｂとを有している。バックサイドガスは、各ガス供給孔３３を矢印Ｇのように流れ、空隙部１０内に入り、その後は前述したように流れる。
【００３６】
また、空隙部内に一片または複数片のバルク片を収容することができる。このバルク片はセラミックスや、セラミックスと金属との複合材料からなることが好ましい。
【００３７】
また、空隙部内にセラミックス粉末を収容することができる。
【００３８】
エンボス部の形態は特に限定されず、エンボス部の上面が平坦であればよく、円柱状のものの外、四角柱状などの矩形状のものなど、いかなる形状のものも使用してよい。
【００３９】
円柱状のエンボス部の場合は、その直径は１〜８ｍｍが好ましく、厚さは１〜８ｍｍとすることが好ましい。また、それらの高さｇは５〜５０μｍであることが好ましい。
【００４０】
静電チャックの基体の内部に抵抗発熱体を埋設し、この抵抗発熱体に電力を供給することによって半導体ウエハーを加熱できる。また、基体内に高周波電極を埋設することも好ましい。
【００４１】
ガス供給孔の直径ａは、本発明の作用効果を達成する上で、１５０μｍ以下が好ましく、１００μｍ以下が更に好ましい。もっとも外側のガス供給孔とエンボス部との間隔ｆは、３ｍｍ以上が好ましい。エンボス部の高さｇは０．００５−０．０５ｍｍが好ましい。各薄肉部の厚さｂは、ガス供給孔の内壁面のテーパーや段差を防止するために、１ｍｍ以下とすることが好ましい。空隙部１０の直径ｅは３−５ｍｍが好ましく、厚さｄは３−２５ｍｍが好ましい。
【００４２】
基体は、緻密質セラミックスによって形成することが好ましい。具体的には、窒化珪素、窒化アルミニウム、サイアロン等の窒化物系セラミックスによって形成することが好ましい。窒化珪素を用いる場合には、耐熱衝撃性の高い保持部材が得られる。また、窒化アルミニウムを用いる場合には、ハロゲン系腐蝕性ガスに対して、高い耐蝕性を有する保持部材が得られる。特に、Ｙ2 Ｏ3 とＹｂ2 Ｏ3 の少なくともどちらか一方を焼結助材として含有する窒化珪素、Ｙ2 Ｏ3 を焼結助材として含有する窒化アルミニウムは、セラミックスとして熱伝導率が高いので、加熱面の均熱性を向上させるという観点から、特に好ましい。
【００４３】
基体の電極や抵抗発熱体は、タンタル，タングステン，モリブデン，白金，レニウム、ハフニウム及びこれらの合金等の高融点金属を例示できる。半導体汚染防止の観点からは、更に、タンタル、タングステン、モリブデン、白金及びこれらの合金が好ましい。
【００４４】
プロセス用のガスが複数種類のガスの混合物である場合には、混合後のガスを各空隙部に対して供給することができる。また、混合前の各構成ガスを、それぞれ別の空隙部に対して供給することができる。
【００４５】
バックサイドガスとしては、 不活性ガスが好ましい。特に、６００°Ｃ以上の高温に被保持体を加熱する用途においては、気体とセラミックス等との反応を防止するという観点から、不活性ガスが特に好ましい。不活性ガスとしては、アルゴン、 ヘリウム、 窒素等が好ましい。バックサイドガスの導入前の温度は、室温であってよく、加熱されていてよく、室温よりも冷却されていてよい。
【００４６】
空隙部１０は、超音波機械加工によって比較的容易に形成できる。各ガス供給孔は、直径が小さいが、短いことから、レーザー加工、エッチング加工によって形成できる。
【００４７】
【実施例】
発明の実施の形態で示したように、ＡｌＮ粉末を所定形状に成形して成形体を形成した後、この成形体上にＭｏからなる金属電極６を配置し、さらにＡｌＮ粉末を充填して再度成形して金属電極６を埋設した成形体を形成し、次いで、この成形体を窒素雰囲気中で焼結することにより、直径２００ｍｍの基材３を形成した。
【００４８】
この基材３上に、ＡｌＮからなるエンボス部５を形成した。また、機械加工によって空隙部１０を形成した。空隙部１０の厚さｄは９ｍｍであり、直径ｅは４ｍｍであった。所要時間は１５分であった。
【００４９】
また、供給面３ａ側から、ＣＯ2 レーザー（波長１０．６μｍ）を照射し、レーザー加工を行った。各薄肉部にそれぞれ７１個のガス供給孔を形成した。薄肉部の厚さｂは０．６ｍｍであり、直径ａは０．１ｍｍである。レーザー加工に必要な時間は、各ガス供給孔当たり２秒であった。
【００５０】
静電チャックのエンボス部の上に、直径２００ｍｍのシリコンウエハを載置し、電極６に直流電圧を印加して電場を発生させ、シリコンウエハを本静電チャックに吸着させた。
【００５１】
次いで、シリコンウエハと基体３の間に形成された空間７に、ヘリウムから構成されるバックサイドガスを、配管（図示せず）から導入し、空間７に均一に充填した後、加熱ランプにより上部からシリコンウエハを３５０℃まで加熱した。この状態で熱電対付ウエハーによって半導体ウエハーの表面温度を１７点で測定したところ、最高温度と最低温度との差は３℃であり、温度は安定していた。
【００５２】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体製造装置内でガスを供給するためのセラミックス製ガス供給構造において、広い範囲にわたってガスの供給状態を安定させ、ガス流の不均一を防止でき、これによってアーキングを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係るシャワープレートを背面側から見た底面図およびその一部拡大断面図である。
【図２】従来の静電チャックの一部断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る静電チャックの一部断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る静電チャックを模式的に示す平面図である。
【図５】図４の一部拡大図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係る静電チャックの一部断面図である。
【符号の説明】
３、２２  基体        ３ａ、２２ａ  供給面        ３ｂ、２２ｂ  背面        ５  エンボス部        １４  ガス供給孔        １４ａ  一方の開口        １４ｂ  他方の開口        １０  空隙部        １５、２３  薄肉部        ２１  シャワープレート
【図１】
0003965258.tif 000002
【図２】
0003965258.tif 000003
【図３】
0003965258.tif 000004
【図４】
0003965258.tif 000005
【図５】
0003965258.tif 000006
【図６】
0003965258.tif 000007