(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷配線基板上に実装半田付けされた電子部品を十分に含む幅を持ってレーザースキャニングして３次元データと落射輝度データとを計測し、得られた両方のデータを用いて、半田付け状態を検査する方法であって、３次元データを用いて電子部品の半田形状を、半田普通形状、半田少ない形状、半田多い形状に分類し、このうち半田普通形状の場合に適用されるものであり、予め設定された所定のエリアにおいて、予め与えられた部品の外形サイズから電子部品固有の特徴を示す基準位置を検出し、部品の姿勢の影響を受けない予め設定された不動位置から当該基準位置までの距離と距離しきい値とを比較し、当該距離が距離しきい値より長い場合に当該基準位置を選択し、この基準位置から所定の距離離れたエリアの落射輝度データを基にして半田付け部の外観を検査することを特徴とする半田付け状態の検査方法。
【請求項２】
印刷配線基板上に実装半田付けされた電子部品を十分に含む幅を持ってレーザースキャニングして３次元データと落射輝度データとを計測し、得られた両方のデータを用いて、半田付け状態を検査する方法であって、３次元データを用いて電子部品の半田形状を、半田普通形状、半田少ない形状、半田多い形状に分類し、このうち半田少ない形状の場合に適用されるものであり、予め設定された所定のエリアの隣接するデータの差がしきい値を超える位置を電子部品固有の特徴を示す基準位置とし、部品の姿勢の影響を受けない予め設定された不動位置から当該基準位置までの距離と距離しきい値とを比較し、当該距離が距離しきい値より長い場合に当該基準位置を選択し、この基準位置から所定の距離離れたエリアの落射輝度データを基にして半田付け部の外観を検査することを特徴とする半田付け状態の検査方法。
【請求項３】
印刷配線基板上に実装半田付けされた電子部品を十分に含む幅を持ってレーザースキャニングして３次元データと落射輝度データとを計測し、得られた両方のデータを用いて、半田付け状態を検査する方法であって、３次元データを用いて電子部品の半田形状を、半田普通形状、半田少ない形状、半田多い形状に分類し、このうち半田付け部が半田多い形状の場合に適用されるものであり、予め設定された所定のエリアにおいて、部品長手方向に盛り上った最大高さ位置を電子部品固有の特徴を示す基準位置とし、部品の姿勢の影響を受けない予め設定された不動位置から当該基準位置までの距離と距離しきい値とを比較し、当該距離が距離しきい値より長い場合に当該基準位置を選択し、この基準位置から所定の距離離れたエリアの落射輝度データを基にして半田付け部の外観を検査することを特徴とする半田付け状態の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は３次元データと落射輝度データの両方を用いて、印刷配線基板上に実装半田付けされた電子部品の半田付け状態を検査する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
３次元画像を用いて印刷配線基板上に半田付けされた部品の半田付け部を検査する方法としては、特開平７−９１９３２号公報に記載のものが知られている。この方法は、図３４に示すように半田付けされていない部品の寸法よりマスターパターンを予め作成し、次に半田付け部を包含するサーチエリアを設定して、このサーチエリアを３次元画像が得られるセンサーでスキャニングし、このスキャニングで得たサーチエリアの画像とマスターパターンとを照合して所定値以上のマッチング率の部位を検出することにより半田付け部の良否を判定するものである。しかしながら、この方法では、１）３次元センサーの最小分解能を下回る微小半田付け形状では、半田あり、なしのマッチング率の差がはっきりしないため正確な良否判別ができない、２）スキャニング時に外乱ノイズや２次反射の影響を受けた場合、安定した３次元計測ができないため、計測された３次元データがばらつき、マッチング率も同様にばらつくため正確な良否判別ができない、３）急峻な傾きを有するフィレット形状ではその部分の正確な３次元計測ができないため、良品、不良品のマッチング率の差がはっきりしなくなり、検査正当率が低下する、といった問題がある。
【０００３】
一方、輝度画像を用いて印刷配線基板上に半田付けされた部品の半田付け部を検査する方法としては、特開平２−２１２４８号公報に記載のものが知られている。この方法は、図３５に示すように基板に実装された電子部品の側部の電極の端面を輝度の切り換わりを検出する光学手段により検出した後、この端面の外方に半田部のチェックエリアを設定し、このチェックエリアに光を照射してカメラによりこのチェックエリアを観察し、設定輝度を有する画素数を求めることにより、半田部の外観を検査するものである。しかしながら、この方法では、１）図３６に示すように半田が電子部品側部の電極の端面に多く付着した場合、輝度切り換わり位置が変化することにより、チェックエリア位置が変わってしまい、その結果、検査正当率が低下する、２）輝度切り換わりがない電子部品ではチェックエリア位置が定まらないため検査できない、といった問題がある。
【０００４】
３次元画像のみによる良否判別、または輝度画像のみによる良否判別における夫々の欠点に対して、３次元データと落射輝度データとを併用することにより、前記問題点を克服し、より正確な良否判定を可能とする電子部品の半田付け状態の検査方法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る半田付け状態の検査方法は、印刷配線基板上に実装半田付けされた電子部品を十分に含む幅を持ってレーザースキャニングして３次元データと落射輝度データとを計測し、得られた両方のデータを用いて、電子部品固有の特徴を示す基準位置を検出し、当該位置から所定の距離離れたエリアの計測値を基にして半田付け部の外観を検査することを特徴とするものである。
【０００６】
また本発明の請求項１に係る半田付け状態の検査方法は、半田付け部が半田普通形状の場合に適用される電子部品の半田付け状態の検査方法であって、予め設定された所定のエリアにおいて、予め与えられた部品の外形サイズから電子部品固有の特徴を示す基準位置を検出し、半田付け部の外観を検査することを特徴とするものである。
【０００７】
また本発明の請求項１に係る半田付け状態の検査方法は、部品の姿勢の影響を受けない予め設定された不動位置から当該基準位置までの距離と距離しきい値とを比較し、当該距離が距離しきい値より長い場合に当該基準位置を選択し、半田付け部の外観を検査することを特徴とするものである。
【０００８】
本発明の請求項２に係る半田付け状態の検査方法は、印刷配線基板上に実装半田付けされた電子部品を十分に含む幅を持ってレーザースキャニングして３次元データと落射輝度データとを計測し、得られた両方のデータを用いて、電子部品固有の特徴を示す基準位置を検出し、当該位置から所定の距離離れたエリアの計測値を基にして半田付け部の外観を検査することを特徴とするものである。
【０００９】
また本発明の請求項２に係る半田付け状態の検査方法は、半田付け部が半田少ない形状の場合に適用される電子部品の半田付け状態の検査方法であって、予め設定された所定のエリアの隣接するデータの差がしきい値を超える位置を基準位置とし、半田付け部の外観を検査することを特徴とするものである。
【００１０】
また本発明の請求項２に係る半田付け状態の検査方法は、部品の姿勢の影響を受けない予め設定された不動位置から当該基準位置までの距離と距離しきい値とを比較し、当該距離が距離しきい値より長い場合に当該基準位置を選択し、半田付け部の外観を検査することを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の請求項３に係る半田付け状態の検査方法は、印刷配線基板上に実装半田付けされた電子部品を十分に含む幅を持ってレーザースキャニングして３次元データと落射輝度データとを計測し、得られた両方のデータを用いて、電子部品固有の特徴を示す基準位置を検出し、当該位置から所定の距離離れたエリアの計測値を基にして半田付け部の外観を検査することを特徴とするものである。
【００１２】
また本発明の請求項３に係る半田付け状態の検査方法は、半田付け部が半田多い形状の場合に適用される電子部品の半田付け状態の検査方法であって、予め設定された所定のエリアにおいて、部品長手方向に盛り上った最大高さ位置を基準位置とし、半田付け部の外観を検査することを特徴とするものである。
【００１３】
また本発明の請求項３に係る半田付け状態の検査方法は、部品の姿勢の影響を受けない予め設定された不動位置から当該基準位置までの距離と距離しきい値とを比較し、当該距離が距離しきい値より長い場合に当該基準位置を選択し、半田付け部の外観を検査することを特徴とするものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１乃至図３２に基づいて説明する。
【００１５】
図１は本発明を実施する検査システムの構成を示すものである。３次元センサー、及び３次元形状検出部は印刷配線基板上に実装半田付けされた電子部品、及び半田付け部全体を３次元計測するための装置であり、検査対象となる印刷配線基板上の電子部品、及び半田付け部全体の高さの計測を行う。また、輝度センサー、及び輝度検出部は印刷配線基板上に実装半田付けされた電子部品、及び半田付け部全体の落射輝度計測するための装置であり、検査対象となる印刷配線基板上の電子部品、及び半田付け部全体の落射輝度データの計測を行う。そして、Ｘ軸移動機構、及びＹ軸移動機構により印刷配線基板を移動させて計測箇所を変えながら、３次元データと落射輝度データが同時に求められ、３次元データは画像メモリーａに、落射輝度データは画像メモリーｂに夫々格納され、画像処理部で検査判定が行われる。また、３次元画像と輝度画像の検出と処理の制御、並びに検査対象の印刷配線基板の制御部を介しての移動制御は、システム全体の制御を統括する全体制御部にて行われる。
【００１６】
本発明の実施の形態の一例として形状が略直方体の電子部品の半田付け状態の検査方法を図２乃至図４に基づいて説明する。この方法は検査対象の電子部品の半田付け状態を３次元計測と落射輝度計測して、先ず電子部品の幅方向の中央に電子部品のエッジを含むエリアを設定し、このエリア上にエッジ検出しきい値を超える微小区間を検出することにより、基準位置（エッジ）を決定した後、その基準位置から特定距離離れたエリアの落射輝度レベルの値を見ることで、電子部品の半田付け状態の良否を判断するものである（図２）。すなわち、図３に示すように基準位置から特定距離離れたエリアの落射輝度レベルは、良品ではフィレット面が傾斜しているため、真上方向の反射光量が少なく、落射輝度レベルは低く計測されるが、未半田のようにフィレット面が平らであれば、真上方向の反射光量は多く、落射輝度レベルは高く計測される。このようにフィレット面からの反射光量により半田付け状態の良否の判別を行うことができる。以下、本例の詳細を図４のフローチャートに基づいて説明する。
【００１７】
まず予め設定された検査領域を３次元計測、及び落射輝度計測することによって電子部品全体が十分に包含される３次元データと落射輝度データを取得する（ステップ１）。次にエッジ検出しきい値を入力する（ステップ２）。このエッジ検出しきい値は、電子部品の部品高さにより決定し、予め検査対象となる部品毎に検査システムに記憶させておく。次に電子部品の幅方向の中央に電子部品のエッジを含むエリアｓ〜ｅを設定し、このエリア上に微小ｘ分刻みで隣り合う２点ａ，ｂをとり、この２点ａ，ｂ間の３次元データの差ａ−ｂ（ｚ成分）を求める（ステップ３）。続いてこの２点ａ，ｂ間の３次元データの差ａ−ｂ（ｚ成分）とエッジ検出しきい値との比較をエリアｓ〜ｅにおいて行い（ステップ４）、２点ａ，ｂ間の３次元データの差ａ−ｂ＞エッジ検出しきい値を満たしたら、ステップ４を終了し、その時点の点ｂをエッジと決定し、点ｂの座標を基準位置とする（ステップ５）。次にオフセット値を入力する（ステップ６）。このオフセット値は基準位置から落射輝度レベルと相関性のあるフィレット面の位置までのＸ方向の距離とする。次に落射輝度しきい値を入力する（ステップ７）。この落射輝度しきい値は、本検査前の良品と不良品のサンプルを基にして決定する。次に基準位置からオフセット値離れた位置に矩形状の落射輝度算出エリアを設定し、初めに取得した落射輝度データを基に当該エリア内の落射輝度レベル（ｂｒｔｄａｔａ）を求める（ステップ８）。続いて落射輝度レベルと落射輝度しきい値とを比較し、落射輝度レベル（ｂｒｔｄａｔａ）＞落射輝度しきい値を満たしたら（ステップ９）、不良品と判別し（ステップ１０）、満たさなかったら良品と判別する。
【００１８】
このように３次元データがシャープに変化する部品固有のエッジを検出することにより、部品の位置を特定することが可能となり、輝度切り換わりがない電子部品においても基準位置を決めることが可能となる。また、当該基準位置から所定の距離離れたエリアの落射輝度レベルを見ることにより、３次元センサーの最小分解能を下回るような微小半田付け形状における半田有無の判別も可能となる。
【００１９】
次に本発明の実施の形態の他の例としてリード部品の半田付け状態の検査方法を図５乃至１１に基づいて説明する。リード部品は図５に示すようにコネクタ部品等のピンを基板に空けた穴に挿入して、ピンの部分に半田付けを行って使用するものである。この方法は検査対象のリード部品の半田付け状態を３次元計測と落射輝度計測し、先ずリード部品の稜線に沿って落射輝度レベルの落差の大きい微小区間がないか検出し、落射輝度レベルの落差の大きい微小区間が無ければ良品と判別し、落射輝度レベルの落差の大きい微小区間があれば、その微小区間の終点が基板穴の縁等に相当するものと捉え、基準位置として決定する。そして、基準位置から特定距離離れたエリアのフィレット角度を３次元データを元に算出し、この値から半田付け状態の良否を判別するものである。すなわち、フィレット角度が大きいほど良品傾向が強く、逆に小さいほど不良傾向が強いので、予め設定したしきい値を判断指標として判別を行うことができる。以下、本例の詳細を図１１のフローチャートに基づいて説明する。
【００２０】
まず予め設定された検査領域を３次元計測、及び落射輝度計測することによって電子部品全体が十分に包含される３次元データと落射輝度データを取得する（ステップ１）。次にエッジ検出しきい値を入力する（ステップ２）。このエッジ検出しきい値は、穴部の落射輝度レベルと基板上の落射輝度レベルの差を基に決定される（図７）。次に図６（ａ）（ｂ）に示すようにリード部品の上端面中心を点ｓとし、放射状にエリアｓ〜ｅを設定し（点ｅはランドと基板の境界に設定する）、このエリアｓ〜ｅ上に微小刻みで隣り合う２点ａ，ｂをとり（ａ点はｂ点よりもｅ点に近い点とする）、この２点ａ，ｂ間の落射輝度レベルの差ａ−ｂを求める（ステップ３）。続いてこの２点ａ，ｂ間の落射輝度レベルの差ａ−ｂとエッジ検出しきい値との比較をエリアｓ〜ｅにおいて行い（ステップ４）、２点ａ，ｂ間の落射輝度レベルの差ａ−ｂ＞エッジ検出しきい値を満たす微小区間ａ，ｂが検出されなければ、良品と判別し、ステップ４を終了する。逆に２点ａ，ｂ間の落射輝度レベルの差ａ−ｂ＞エッジ検出しきい値を満たす微小区間ａ，ｂが検出されたならば、ステップ４を終了し、その時点の点ａをエッジ（基板穴の縁等に相当）と決定し、点ａの座標を基準位置とする（ステップ５）。次にオフセット値を入力する（ステップ６）。このオフセット値は基準位置からエリアｓ〜ｅの稜線を含む垂直面内に基準位置からｓ方向へ向かってとり、その値は基板の縁の丸みを避けられる程度の大きさとする。次に角度しきい値を入力する（ステップ７）。この角度しきい値は、良品のフィレット角度を基にして決定する。次に図１０に示すように基準位置からオフセット値離れた位置に角度算出エリアを設定し、初めに取得した３次元データを基に一次回帰手法により近似直線を算出し、その傾きをフィレット角度θとする（ステップ８）。続いてフィレット角度θと角度しきい値とを比較し、フィレット角度θ＞角度しきい値を満たしたら（ステップ９）、良品と判別し（ステップ１０）、満たさなかったら不良と判別する。
【００２１】
ところで、ステップ４にて２点ａ，ｂ間の落射輝度レベルの差ａ−ｂ＞エッジ検出しきい値を満たす微小区間ａ，ｂが検出される場合は、図８，図９に示されるような３通りのケースが考えられる。第１のケースは穴空き不良の場合であり、この場合は、基準位置として基板穴の縁が検出される。次の第２のケースは半田少の場合であり、この場合は、基準位置としてフィレット面が基板面と平行となる位置、すなわち、基板穴の縁より外側の位置が検出される（以上は図８）。そして、第３のケースは半田がしっかり付着した場合にも関わらず、基板ずれによってエリアｓ〜ｅがずれてしまい（点ｅが基板とランドの境界の外側に設定されてしまい）、ランドと基板との境界が基準位置として検出される場合である（図９）。そこで、第２，第３のケースが良品にも関わらず不良と判断されないように、ステップ８〜９にてフィレット角度を求めることで、判別を正しく行っている。
【００２２】
このように本例は、良品では発生しない落射輝度レベルの落差に着目した検査方法であり、この落射輝度レベルの落差を検出することにより、穴空き不良を判別し、半田少不良についてはフィレット面の３次元データを基にフィレット角度を求め、角度しきい値との比較により判別を行っている。つまり、外乱ノイズや２次反射の影響を受け、安定した３次元計測ができない部分や正確な３次元計測ができない急峻な傾きを有する部分には落射輝度データを採用し、正確な３次元計測が可能な部分にのみ３次元データを採用することで、検査正当率の向上を可能としている。
【００２３】
次に本発明の実施の形態の他の例として形状が略直方体の電子部品の半田形状の分類方法を図１２乃至図１５に基づいて説明する。この方法は、検査対象の電子部品の半田付け状態を３次元計測して、電子部品全体が十分に包含される３次元データを取得した後、エッジ部及び半田付け部を含むエリアを設定し、このエリア内の微小区間に予め設定した半田多いしきい値以上の盛り上り高さがあるか、さらには予め設定した半田少ないしきい値以下の半田付け高さがあるかを検出し、半田形状を半田多い形状、半田少ない形状、及び半田普通形状に分類するものである（図１３）。以下、本例の詳細を図１５のフローチャートに基づいて説明する。
【００２４】
まず予め設定された検査領域を３次元計測することによって電子部品全体が十分に包含される３次元データを取得する（ステップ１）。次に半田多いしきい値を入力する（ステップ２）。次に半田少ないしきい値を入力する（ステップ３）。この半田多いしきい値、及び半田少ないしきい値は、電子部品の部品高さにより決定され、半田多いしきい値は電子部品上面から半田頂点までの高さとして設定され、他方、半田少ないしきい値は電子部品上面から半田付着部までの高さとして設定されるもので（図１４）、予め検査対象となる部品毎に検査システムに記憶させておく。次に電子部品の幅方向の中央に電子部品のエッジを含むエリアｓ〜ｅを設定し、このエリア上に微小ｘ分刻みで隣り合う２点ａ，ｂをとり、この２点ａ，ｂ間の３次元データの差ｂ−ａ（ｚ成分）を求める（ステップ４）。続いてこの２点ａ，ｂ間の３次元データの差ｂ−ａ（ｚ成分）と半田多いしきい値との比較をエリアｓ〜ｅにおいて行い（ステップ５）、２点ａ，ｂ間の３次元データの差ｂ−ａ＞半田多いしきい値を満たしたら、ステップ５を終了し、半田多い形状と判別する。ステップ５を満たさなかった場合、２点ａ，ｂ間の３次元データの差ａ−ｂ（ｚ成分）と半田少ないしきい値との比較をエリアｓ〜ｅにおいて行い（ステップ６）、２点ａ，ｂ間の３次元データの差ａ−ｂ＞半田少ないしきい値を満たしたら、ステップ６を終了し、半田少ない形状と判別する。そして、ステップ５もステップ６も満たさないものは、半田普通形状と判別される。
【００２５】
このように電子部品の断面形状（３次元データ）の変化度合いにより半田形状が多い、少ない、普通の３タイプに分類することで、各タイプに適した基準位置（エッジ）の検出方法を使い分けることができ、半田付け状態に影響を受けない正確な部品の基準位置検出が可能となる。
【００２６】
ところで、上述の３次元計測による半田付け状態の検査方法、及び半田形状の分類方法においては次のような欠点を有する。すなわち、３次元データを計測するスキャナーは、基板面に対して６０度以上の傾斜面は計測できず、そのような部位のデータは不定値となり、突起状、又は陥没状のノイズとして計測されてしまう。そして、このようなノイズは特に電子部品のエッジ位置に発生しやすいため、正確な電子部品のエッジ検出が困難となり、前述の電子部品の半田形状の分類方法においても、上記ノイズによる影響で判別を誤る恐れがある。そこで、以下に述べる検査方法の例は、上記問題点を解消し、検出精度を高めるために、前述の電子部品の半田形状の分類方法（図１２乃至図１５）に続いて行われるものであり、半田形状の分類方法にて半田形状普通、半田少ない形状、半田多い形状と判断された各場合に適用される検査方法である。
【００２７】
本発明の実施の形態の他の例として形状が略直方体の電子部品の半田付け状態の検査方法を図１６乃至図１８に基づいて説明する。本検査方法は、前述の電子部品の半田形状の分類方法（図１２乃至図１５）に続いて行われるものであり、半田形状の分類方法にて半田普通形状と判断された場合に適用される検査方法である。この方法は、検査対象の電子部品の半田付け状態を３次元計測と落射輝度計測して、電子部品の長さ方向に直交する半田付け部の断面の大きさから基準位置（エッジ）を決定した後、その基準位置から特定距離離れたエリアの落射輝度レベルの値を見ることで、電子部品の半田付け状態の良否を判断するものである。以下、本例の詳細を図１８のフローチャートに基づいて説明する。
【００２８】
まず予め設定された検査領域を３次元計測、及び落射輝度計測することによって電子部品全体が十分に包含される３次元データと落射輝度データを取得する（ステップ１）。次にチップ高さとチップ幅の値を入力する（ステップ２）。次にチップ高さとチップ幅の値より、高さしきい値と幅しきい値の値が決まり、入力する（ステップ３）。尚、この高さしきい値と幅しきい値の値は半田の付き方を考慮し、基準位置（エッジ）を含む断面を仮想して設定されるもので、チップ高さとチップ幅に係数として数十％を乗じた値とする。次に検査領域の基板上面の高さ（以下基板高さとする）を計算する（ステップ４）。次に検査領域を、複数本のエリアｓ´〜ｅ´をチップ長さ方向に微小ｘ分刻みで配列して構成されるエリアｓ〜ｅとみなす。尚、上記エリアｓ´〜ｅ´は各位置（ｘ座標が同じ）において当該位置の半田付け部の断面の輪郭線と略同一なものである。そして、検査領域の最外側（検査領域内で電子部品から長手方向に最も離れた位置）を始まりとしてエリアｓ´〜ｅ´を設定し、このエリア上に点ａを設け、この点ａを微小ｙ刻みで点ｓ´から点ｅ´に移動させる（ステップ５，６）。この点ａをエリアｓ´〜ｅ´間で移動させる際、微小ｙ刻みで移動させる毎に点ａ（ｚ座標）−基板高さと高さしきい値とを比較し、点ａ（ｚ座標）−基板高さ＞高さしきい値であれば（ステップ７）、カウントをスタートし（ステップ８）、エリアｓ´〜ｅ´間のステップ７を満たす点ａの数をカウントする。そして、点ａ（ｚ座標）−基板高さ＜高さしきい値となれば（ステップ９）、カウントを終了する（ステップ１０）。そして、カウントスタートからカウント終了までのカウント数を計算し、このカウント数×微小ｙ刻み幅が幅しきい値を超える場合（ステップ１１）は、当該エリアｓ´〜ｅ´を基板上面に射影した線分と電子部品のチップ幅の中央を通る線の交点を基準位置（エッジ）とし、また、カウントスタート位置とカウントストップ位置をコーナーとして決定する（ステップ１２）。次にオフセット値を入力する（ステップ１３）。このオフセット値は基準位置から落射輝度レベルと相関性のあるフィレット面の位置までのＸ方向の距離とする。次に落射輝度しきい値を入力する（ステップ１４）。この落射輝度しきい値は、本検査前の良品と不良品のサンプルを基にして決定する。次に基準位置からオフセット値離れた位置に落射輝度算出エリアを設定し、初めに取得した落射輝度データを基に当該エリア内の落射輝度レベル（ｂｒｔｄａｔａ）を求める（ステップ１５）。続いて落射輝度レベルと落射輝度しきい値とを比較し、落射輝度レベル（ｂｒｔｄａｔａ）＞落射輝度しきい値を満たしたら（ステップ１６）、不良品と判別し（ステップ１７）、満たさなかったら良品と判別する。
【００２９】
このように半田普通形状の場合において、予め設定されている当該部品寸法（高さ、幅）を利用して、エッジを検出することにより、半田付け状態に影響を受けない正確な部品の基準位置検出が可能となる。
【００３０】
次に本発明の実施の形態の他の例として形状が略直方体の電子部品の半田付け状態の検査方法を図１９乃至図２１に基づいて説明する。本検査方法は、前述の電子部品の半田形状の分類方法（図１２乃至図１５）に続いて行われるものであり、半田形状の分類方法にて半田少ない形状と判断された場合に適用される検査方法である。この方法は、検査対象の電子部品の半田付け状態を３次元計測と落射輝度計測して、エッジ検出領域のうち、エッジ検出しきい値を超える座標を保存し、この保存された座標の中から電子部品の長さ方向に最も突出した座標を基準位置（エッジ）と決定した後、その基準位置から特定距離離れたエリアの落射輝度レベルの値を見ることで、電子部品の半田付け状態の良否を判断するものである。以下、本例の詳細を図２１のフローチャートに基づいて説明する。
【００３１】
まず予め設定された検査領域を３次元計測、及び落射輝度計測することによって電子部品全体が十分に包含される３次元データと落射輝度データを取得する（ステップ１）。次にエッジ検出しきい値を入力する（ステップ２）。このエッジ検出しきい値は、電子部品の高さにより決定し、予め検査対象となる部品種毎に検査システムに記憶させておく。尚、その値は部品の高さの数十％程度である。次に検査領域を、複数本のエリアｓ´〜ｅ´をチップ幅方向に微小ｙ刻みで配列して構成されるエリアｓ〜ｅとみなす。尚、上記エリアｓ´〜ｅ´は各位置（ｙ座標が同じ）において当該位置の電子部品及び半田付け部の輪郭線と略同一なものである。そして、検査領域の最外側（検査領域内で電子部品の幅方向に最も離れた線）を始まりとしてエリアｓ´〜ｅ´を設定し（ステップ３）、このエリア上に微小ｘ分刻みで隣り合う２点ａ，ｂをとり、この２点ａ，ｂ間の３次元データの差ａ−ｂ（ｚ成分）を求める（ステップ４）。続いてこの２点ａ，ｂ間の３次元データの差ａ−ｂ（ｚ成分）とエッジ検出しきい値との比較をエリアｓ〜ｅにおいて行い（ステップ５）、２点ａ，ｂ間の３次元データの差ａ−ｂ＞エッジ検出しきい値を満たしたら、その時点の点ｂを基準位置（エッジ）候補としてその座標を保存し（ステップ６）、未検査のエリアｓ´〜ｅ´があれば、ステップ３にて次のエリアｓ´〜ｅ´に移行し、ステップ３，４，５を再度計算する。そして、エリアｓ〜ｅ内のサーチが全て終わったら、サーチの結果、保存された基準位置（エッジ）候補のうち、ｘ座標が最大となる（Ｘ方向に最も突出している）点を最終的な基準位置（エッジ）とする（ステップ７）。これは角型コンデンサーのエッジが丸みを持っているため、チップ自身を基準位置としないようにするためである。次にオフセット値を入力する（ステップ８）。このオフセット値は基準位置から落射輝度レベルと相関性のあるフィレット面の位置までのＸ方向の距離とする。次に落射輝度しきい値を入力する（ステップ９）。この落射輝度しきい値は、本検査前の良品と不良品のサンプルを基にして決定する。次に基準位置からオフセット値離れた位置に落射輝度算出エリアを設定し、初めに取得した落射輝度データを基に当該エリア内の落射輝度レベル（ｂｒｔｄａｔａ）を求める（ステップ１０）。続いて落射輝度レベルと落射輝度しきい値とを比較し、落射輝度レベル（ｂｒｔｄａｔａ）＞落射輝度しきい値を満たしたら（ステップ１１）、不良品と判別し（ステップ１２）、満たさなかったら良品と判別する。
【００３２】
このように半田少ない形状の場合において、検査領域内で部品長手方向に隣接するデータの差がしきい値を超える位置を求め、その位置をエッジ位置とし、得られたエッジ位置のうち最も外側の位置を基準位置とすることにより、半田付け状態に影響を受けない正確な部品基準位置検出が可能となるとともに、部品上をエッジ位置とする誤検出の防止も可能となる。
【００３３】
次に本発明の実施の形態の他の例として形状が略直方体の電子部品の半田付け状態の検査方法を図２２乃至図２４に基づいて説明する。本検査方法は、前述の電子部品の半田形状の分類方法（図１２乃至図１５）に続いて行われるものであり、半田形状の分類方法にて半田多い形状と判断された場合に適用される検査方法である。この方法は、検査対象の電子部品の半田付け状態を３次元計測と落射輝度計測して、エッジ検出領域のうち、最大高さ座標を求め、この座標を基準位置（エッジ）と決定した後、その基準位置から特定距離離れたエリアの落射輝度レベルの値を見ることで、電子部品の半田付け状態の良否を判断するものである。以下、本例の詳細を図２４のフローチャートに基づいて説明する。
【００３４】
まず予め設定された検査領域を３次元計測、及び落射輝度計測することによって電子部品全体が十分に包含される３次元データと落射輝度データを取得する（ステップ１）。次にエッジ検出領域をサーチし（ステップ２）、サーチしたエッジ検出領域内で最大高さ座標を求め（ステップ３）、その最大高さ座標を基準位置とする（ステップ４）。次にオフセット値を入力する（ステップ５）。このオフセット値は基準位置から落射輝度レベルと相関性のあるフィレット面の位置までのＸ方向の距離とする。次に落射輝度しきい値を入力する（ステップ６）。この落射輝度しきい値は、本検査前の良品と不良品のサンプルを基にして決定する。次に基準位置からオフセット値離れた位置に落射輝度算出エリアを設定し、初めに取得した落射輝度データを基に当該エリア内の落射輝度レベル（ｂｒｔｄａｔａ）を求める（ステップ７）。続いて落射輝度レベルと落射輝度しきい値とを比較し、落射輝度レベル（ｂｒｔｄａｔａ）＞落射輝度しきい値を満たしたら（ステップ８）、不良品と判別し（ステップ９）、満たさなかったら良品と判別する。
【００３５】
このように半田多い形状の場合において、部品長手方向に盛り上った最大高さ位置をエッジと近似し、その位置を基準位置とすることにより、半田付け状態に影響を受けない正確な部品基準位置検出が可能となる。
【００３６】
次に本発明の実施の形態の例として形状が略直方体の電子部品の基準位置の設定方法を図２５乃至図２８に基づいて説明する。この方法は、前記３つの半田付け状態の検査方法のいずれかで決定された基準位置が、妥当かどうかを検討し、妥当でなければ仮想基準位置を新たに設定するものである。そして、この仮想基準位置を基準位置として新たに設定するのは、前記の半田普通形状、半田少ない形状、半田多い形状の３タイプ以外に、半田が盛り上らず多めに付くタイプ（図２９の[Ｅ]タイプ）が存在し、これに対して正確な検査を行うためである。すなわち、この[Ｅ]タイプでは、電子部品のエッジ付近で３次元データの変化がないため、電子部品のエッジを検出できず、また半田の最大高さ座標も検出できないため、上記３つの検査方法は適用できない。そこで、第１の例の検査方法（図２乃至図４）を適用すると、図２７に示すように電子部品のエッジより遠く離れた位置を基準位置として検出してしまうため、その位置から半田量を計算すると０に近い値となり、良品であるにも関わらず、半田なしの不良と判定されてしまう。また、検出された基準位置から落射輝度算出エリアの落射輝度レベルを算出すると、基板上の高い落射輝度レベルが得られ、これによっても不良と判定されてしまう。そこで、本方法は不動位置から距離しきい値を設定し、前記３つの検査方法のいずれかで決定された基準位置が不動位置から距離しきい値内にあるかどうか判別し、ない場合は、先に行った検査方法の基準位置は妥当であるとみなし、ある場合は、[Ｅ]タイプとみなし、新たに仮想基準位置を設定し、正確な半田量の算出や落射輝度データの算出を行おうとするものである。以下、本例の詳細を図２８のフローチャートに基づいて説明する。
【００３７】
まず予め設定された検査領域を設定し（ステップ１）、次に検査領域の最外側の線（不動位置）と電子部品の幅方向の中央を通る線との交点を不動座標とし、その座標を取得する（ステップ２）。次に前記３つの検査方法（半田普通形状の検査方法、半田少ない形状の検査方法、及び半田多い形状の検査方法）のいずれかで決定された基準位置座標を取得し（ステップ３）、続いて距離しきい値を入力する（ステップ４）。この距離しきい値は、電子部品のずれにより、反対側のランドを電子部品が外れた時の不動位置から電子部品までの距離を示している（図２６）。次に不動座標と基準位置座標との距離ｄを算出し（ステップ５）、この距離ｄと距離しきい値とを比較する（ステップ６）。ステップ６を満たさない場合、すなわち、ｄ＞距離しきい値であれば、ステップ３にて取得した基準位置座標は妥当とみなし、基準位置として採用する（ステップ７）。逆にステップ６を満たす場合、すなわち、ｄ＜距離しきい値であれば、仮想距離ｄ´を入力し、不動位置から電子部品側へ仮想距離ｄ´の値だけ離れた位置を仮想基準位置とする（ステップ９）。尚、この仮想距離ｄ´の値は[Ｅ]タイプのサンプル等を基に設定する。
【００３８】
このように予め設定された不動位置と前記３つの検査方法のいずれかで得られた基準位置との距離を算出し、距離しきい値と比較し、不動位置から基準位置までの距離が距離しきい値より短ければ、不動位置から所定長さの位置をエッジとすることにより、[Ｅ]タイプのような場合でも、半田付け状態に影響を受けない良否判定をすることが可能となる。
【００３９】
次に本発明の参考例として形状が略直方体の電子部品の半田付けの検査方法を図２９乃至図３０に基づいて説明する。略直方体の電子部品の半田付け状態は図２９のように大別することができる。すなわち、[Ａ]半田なし不良、[Ｂ]半田少ない、[Ｃ]半田普通、[Ｄ]半田多い（ピーク有り）、[Ｅ]半田多い（ピークなし）、[Ｆ]半田不濡れ不良であり、[Ｄ]や[Ｅ]では半田により特徴点であるエッジやコーナーが隠されてしまうので、当該特徴点の検出は非常に困難である。そこで、本方法は、先述の半田形状の分類方法、及び半田付け状態の検査方法を組み合わせて、半田付け状態を分類し、各半田付け状態毎の基準位置の設定の仕方にしたがって基準位置を設定し、半田量、及び落射輝度レベルの値を見ることで良否の判別を行うものである。以下、本例の詳細を図３０のフローチャートに基づいて説明する。
【００４０】
まず予め設定された検査領域を３次元計測、及び落射輝度計測することによって電子部品全体が十分に包含される３次元データと落射輝度データを取得する（ステップ１）。次に各しきい値（半田多いしきい値、半田少ないしきい値、距離しきい値、半田量しきい値、各オフセット値、落射輝度しきい値）を入力する（ステップ２）。続いて先述の電子部品の半田形状の分類方法（図１２乃至図１５）を用いて、[Ｄ]半田多い（ピーク有り）と、[Ａ]半田なし不良、及び[Ｂ]半田少ないに分類し（ステップ３〜ステップ５）、前述の基準位置の設定方法（図２５乃至図２８）中の判別式を用いて、[Ｅ]半田多い（ピークなし）と、[Ｃ]半田普通に分類する（ステップ６）。このようにして、[Ａ]〜[Ｅ]のいずれかに分類された検査部品は、先述の検査方法のうち該当する方法を適用して、基準位置を決定する（ステップ７）。次に基準位置を始点に３次元データを基にして半田量（体積）を計算し（ステップ８）、半田量しきい値と比較する（ステップ９）。ここで、半田量＞半田量しきい値であれば良品と判別して終了する。逆に半田量＜半田量しきい値であれば、次の落射輝度計算に進む。落射輝度計算は設定された基準位置からオフセット値離れた位置に落射輝度算出エリアを設定し、初めに取得した落射輝度データを基に当該エリア内の落射輝度レベルを算出する（ステップ１０）。次に落射輝度しきい値と比較する（ステップ１１）。ここで、落射輝度レベル＜落射輝度しきい値であれば良品と判別して終了し、逆に落射輝度レベル＞落射輝度しきい値であれば不良として終了する。尚、[Ｆ]半田不濡れ不良は、落射輝度算出エリアのピーク輝度位置を求め、当該位置左右外側の相対落射輝度変化を求めることにより判別することができる。
【００４１】
このように半田形状を網羅的に分類し、半田量による良否判定、及び落射輝度レベルによる良否判定を行うことで、検査漏れを少なくでき、正当率の高い半田付け状態の検査が可能となる。
【００４２】
次に本発明の他の参考例としてリード部品の半田付け状態の検査方法を図３１乃至３３に基づいて説明する。この方法は検査対象のリード部品の半田付け状態を３次元計測と落射輝度計測し、先ずリード部品の稜線に沿って落射輝度レベルの落差の大きい微小区間がないか検出し、落射輝度レベルの落差の大きい微小区間が無ければ良品と判別し、落射輝度レベルの落差の大きい微小区間があれば、その微小区間の終点が基準位置として決定される。そして、図３２（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように検査領域の最外側の不動位置から基準位置までの距離が大きくなるほど不良傾向が強くなることから、良品と不良品とを選別できる不動位置から基準位置までの距離しきい値を設定できる。したがって、この距離しきい値と不動位置から決定された基準位置までの距離の比較を行うことで、良品を大方判別できる。この比較で尚も不良の可能性有りと判別された場合は、基準位置から特定距離離れたエリアのフィレット角度を３次元データを元に算出し、この値から半田付け状態の良否を判別する。以下、本例の詳細を図３０のフローチャートに基づいて説明する。
【００４３】
まず予め設定された検査領域を３次元計測、及び輝度計測することによって電子部品全体が十分に包含される３次元データと落射輝度データを取得する（ステップ１）。次に各しきい値を入力する（ステップ２）。この各しきい値とは、落射輝度しきい値、距離しきい値、オフセット値、角度しきい値を指す。次に図３１に示すようにリード部品の上端面中心を点ｓとし、放射状にエリアｓ〜ｅを設定し（ｅ点はランドと基板の境界に設定する）、このエリアｓ〜ｅ上に微小刻みで隣り合う２点ａ，ｂをとり（ａ点はｂ点よりもｅ点に近い点とする）、この２点ａ，ｂ間の落射輝度レベルの差ａ−ｂを求める（ステップ３）。続いてこの２点ａ，ｂ間の落射輝度レベルの差ａ−ｂとエッジ検出しきい値との比較をエリアｓ〜ｅにおいて行い（ステップ４）、２点ａ，ｂ間の落射輝度レベルの差ａ−ｂ＞エッジ検出しきい値を満たす微小区間ａ，ｂが検出されなければ、良品と判別し、ステップ４を終了する。逆に２点ａ，ｂ間の落射輝度レベルの差ａ−ｂ＞エッジ検出しきい値を満たす微小区間ａ，ｂが検出されたならば、ステップ４を終了し、その時点の点ａをエッジ（基板穴の縁等に相当）と決定し、点ａの座標を基準位置とする（ステップ５）。次に基準位置から不動位置までの距離ｄを計算し（ステップ６）、基準位置から不動位置までの距離ｄと距離しきい値とを比較する（ステップ７）。ここで、基準位置から不動位置までの距離ｄが、基準位置から不動位置までの距離ｄ＞距離しきい値を満たさなければ、十分なフィレット面があると認識して良品と判別し、ステップ７を終了する。逆に基準位置から不動位置までの距離ｄが、基準位置から不動位置までの距離ｄ＞距離しきい値を満たせば、不良の可能性有りと判別され、次のステップに進む。次にオフセット値を入力する（ステップ８）。このオフセット値は基準位置からエリアｓ〜ｅの稜線を含む垂直面内に基準位置からｓ方向へ向かってとり、その値は基準位置に連続する基板の縁の丸みを避けれる程度の大きさとする。次に基準位置からオフセット値離れた位置に角度算出エリアを設定し、初めに取得した３次元データを基に一次回帰手法により近似直線を算出し、その傾きをフィレット角度θとする（ステップ９）。続いてフィレット角度θと角度しきい値とを比較し、フィレット角度θ＞角度しきい値を満たしたら（ステップ１０）、良品と判別し、満たさなかったら不良と判別して終了する。
【００４４】
このように本例は、良品では発生しない落射輝度レベルの落差に着目して、落射輝度レベルの落差を検出することにより、穴空き不良を判別するとともに、検査領域の最外側の不動位置から基準位置までの距離が大きくなるほど不良傾向が強くなることに着目して、距離しきい値と不動位置から基準位置までの距離の比較を行うことで、良品を判別し、また、半田少不良についてはフィレット面の３次元データを基にフィレット角度を求め、角度しきい値との比較によって判別を行うことにより、検査正当率を向上させている。
【００４５】
【発明の効果】
本発明の請求項１記載の発明にあっては、３次元データがシャープに変化する部品固有のエッジを検出することにより、部品の位置を特定することが可能となり、輝度切り換わりがない電子部品においても基準位置を決めることが可能となる。また、当該基準位置から所定の距離離れたエリアの落射輝度レベルを見ることにより、３次元センサーの最小分解能を下回るような微小半田付け形状における半田有無の判別も可能となる。また、リード部品では、良品では発生しない落射輝度レベルの落差に着目し、この落射輝度レベルの落差を検出することにより、穴空き不良を判別し、半田少不良についてはフィレット面の３次元データを基にフィレット角度を求め、角度しきい値との比較により判別を行っている。つまり、外乱ノイズや２次反射の影響を受け、安定した３次元計測ができない部分や正確な３次元計測ができない急峻な傾きを有する部分には落射輝度データを採用し、正確な３次元計測が可能な部分にのみ３次元データを採用することで、検査正当率の向上を可能としている。
【００４６】
また本発明の請求項１記載の発明にあっては、半田普通形状の場合において、予め設定されている当該部品寸法（高さ、幅）を利用して、エッジを検出することにより、半田付け状態に影響を受けない正確な部品の基準位置検出が可能となる。
【００４７】
また本発明の請求項１記載の発明にあっては、予め設定された不動位置から当該基準位置までの距離を算出し、距離しきい値と比較し、不動位置から基準位置までの距離が距離しきい値より長ければ、不動位置から所定長さの位置をエッジとすることにより、半田付け状態に影響を受けない良否判定をすることが可能となる。
【００４８】
本発明の請求項２記載の発明にあっては、３次元データがシャープに変化する部品固有のエッジを検出することにより、部品の位置を特定することが可能となり、輝度切り換わりがない電子部品においても基準位置を決めることが可能となる。また、当該基準位置から所定の距離離れたエリアの落射輝度レベルを見ることにより、３次元センサーの最小分解能を下回るような微小半田付け形状における半田有無の判別も可能となる。また、リード部品では、良品では発生しない落射輝度レベルの落差に着目し、この落射輝度レベルの落差を検出することにより、穴空き不良を判別し、半田少不良についてはフィレット面の３次元データを基にフィレット角度を求め、角度しきい値との比較により判別を行っている。つまり、外乱ノイズや２次反射の影響を受け、安定した３次元計測ができない部分や正確な３次元計測ができない急峻な傾きを有する部分には落射輝度データを採用し、正確な３次元計測が可能な部分にのみ３次元データを採用することで、検査正当率の向上を可能としている。
【００４９】
また本発明の請求項２記載の発明にあっては、半田少ない形状の場合において、検査領域内で部品長手方向に隣接するデータの差がしきい値を超える位置を求め、その位置をエッジ位置とし、得られたエッジ位置のうち最も外側の位置を基準位置とすることにより、半田付け状態に影響を受けない正確な部品基準位置検出が可能となるとともに、部品上をエッジ位置とする誤検出の防止が可能となる。
【００５０】
また本発明の請求項２記載の発明にあっては、予め設定された不動位置から当該基準位置までの距離を算出し、距離しきい値と比較し、不動位置から基準位置までの距離が距離しきい値より長ければ、不動位置から所定長さの位置をエッジとすることにより、半田付け状態に影響を受けない良否判定をすることが可能となる。
【００５１】
本発明の請求項３記載の発明にあっては、３次元データがシャープに変化する部品固有のエッジを検出することにより、部品の位置を特定することが可能となり、輝度切り換わりがない電子部品においても基準位置を決めることが可能となる。また、当該基準位置から所定の距離離れたエリアの落射輝度レベルを見ることにより、３次元センサーの最小分解能を下回るような微小半田付け形状における半田有無の判別も可能となる。また、リード部品では、良品では発生しない落射輝度レベルの落差に着目し、この落射輝度レベルの落差を検出することにより、穴空き不良を判別し、半田少不良についてはフィレット面の３次元データを基にフィレット角度を求め、角度しきい値との比較により判別を行っている。つまり、外乱ノイズや２次反射の影響を受け、安定した３次元計測ができない部分や正確な３次元計測ができない急峻な傾きを有する部分には落射輝度データを採用し、正確な３次元計測が可能な部分にのみ３次元データを採用することで、検査正当率の向上を可能としている。
【００５２】
また本発明の請求項３記載の発明にあっては、半田多い形状の場合において、部品長手方向に盛り上った最大高さ位置をエッジと近似し、その位置を基準位置とすることにより、半田付け状態に影響を受けない正確な部品基準位置検出が可能となる。
【００５３】
また本発明の請求項３記載の発明にあっては、予め設定された不動位置から当該基準位置までの距離を算出し、距離しきい値と比較し、不動位置から基準位置までの距離が距離しきい値より長ければ、不動位置から所定長さの位置をエッジとすることにより、半田付け状態に影響を受けない良否判定をすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明を実施する検査システムの構成図である。
【図２】  本発明の実施の形態の一例を示すものであり、検査エリアを設定された電子部品の斜視図である。
【図３】  半田形状と落射輝度レベルの関係を示す説明図である。
【図４】  図２の検査方法のフローチャートである。
【図５】  本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、基板に半田付けしたリード部品の断面図である。
【図６】  同上の（ａ）は検査エリアを設定されたリード部品の斜視図、（ｂ）は（ａ）のリード部品の上面図である。
【図７】  同上の検査エリアでの３次元データのグラフと、落射輝度レベルのグラフである。
【図８】  同上の検査エリアでの３次元データのグラフと、落射輝度レベルのグラフである。
【図９】  同上の検査エリアでの３次元データのグラフと、落射輝度レベルのグラフである。
【図１０】  同上の検査エリアでの３次元データのグラフと、落射輝度レベルのグラフである。
【図１１】  同上の検査方法のフローチャートである。
【図１２】  本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、検査エリアを設定された電子部品の斜視図である。
【図１３】  同上の半田付け部の断面形状とその分類の相関図である。
【図１４】  同上の半田多いしきい値と半田少ないしきい値の説明図である。
【図１５】  同上の検査方法のフローチャートである。
【図１６】  本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、検査エリアを設定された電子部品の斜視図である。
【図１７】  同上のエリアｓ´〜ｅ´間の説明図である。
【図１８】  同上の検査方法のフローチャートである。
【図１９】  本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、検査エリアを設定された電子部品の斜視図である。
【図２０】  同上の検査エリアを設定された電子部品の上面図である。
【図２１】  同上の検査方法のフローチャートである。
【図２２】  本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、検査対象の電子部品の側面図である。
【図２３】  同上の検査エリアを設定された電子部品の上面図である。
【図２４】  同上の検査方法のフローチャートである。
【図２５】  本発明の実施の形態の他の例を示すものであり、検査エリアを設定された電子部品の斜視図である。
【図２６】  ランド上に載置された電子部品の上面図である。
【図２７】  半田が盛り上らず多めに付くタイプ（図２９の[Ｅ]タイプ）の側面図である。
【図２８】  同上の検査方法のフローチャートである。
【図２９】  半田形状のタイプの分類図である。
【図３０】  本発明の参考例を示すものであり、同検査方法のフローチャートである。
【図３１】  本発明の他の参考例を示すものであり、検査エリアを設定されたリード部品の上面図と、検査エリアでの３次元データのグラフと、落射輝度レベルのグラフである。
【図３２】  同上の（ａ）は良品の場合の、（ｂ）は半田少の場合の、（ｃ）は穴空き不良の場合の検査エリアでの３次元データのグラフと、落射輝度レベルのグラフである。
【図３３】  同上の検査方法のフローチャートである。
【図３４】  従来例を示すものであり、検査部品とマスクパターンとの照合の説明図である。
【図３５】  従来例を示すものであり、ランド上に載置された電子部品の上面図である。
【図３６】  （ａ）は半田少の場合の、（ｂ）は半田過剰の場合の輝度切り換わり位置と落射輝度レベルのグラフである。
【図１】
0003890800.tif 000002
【図２】
0003890800.tif 000003
【図３】
0003890800.tif 000004
【図４】
0003890800.tif 000005
【図５】
0003890800.tif 000006
【図６】
0003890800.tif 000007
【図７】
0003890800.tif 000008
【図８】
0003890800.tif 000009
【図９】
0003890800.tif 000010
【図１０】
0003890800.tif 000011
【図１１】
0003890800.tif 000012
【図１２】
0003890800.tif 000013
【図１３】
0003890800.tif 000014
【図１４】
0003890800.tif 000015
【図１５】
0003890800.tif 000016
【図１６】
0003890800.tif 000017
【図１７】
0003890800.tif 000018
【図１８】
0003890800.tif 000019
【図１９】
0003890800.tif 000020
【図２０】
0003890800.tif 000021
【図２１】
0003890800.tif 000022
【図２２】
0003890800.tif 000023
【図２３】
0003890800.tif 000024
【図２４】
0003890800.tif 000025
【図２５】
0003890800.tif 000026
【図２６】
0003890800.tif 000027
【図２７】
0003890800.tif 000028
【図２８】
0003890800.tif 000029
【図２９】
0003890800.tif 000030
【図３０】
0003890800.tif 000031
【図３１】
0003890800.tif 000032
【図３２】
0003890800.tif 000033
【図３３】
0003890800.tif 000034
【図３４】
0003890800.tif 000035
【図３５】
0003890800.tif 000036
【図３６】
0003890800.tif 000037