(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１）上に順次第１の絶縁層（１）、ドープ可能層（３）及び犠牲層（４）を施し、第１のマスク（１０）を使用して犠牲層（４）の第１の領域を除去し、それによりそこに縁部（４ａ）を形成し、こうして露出されたドープ可能層（３）の第１の領域並びにその下にある基板（１）を第１の導電形のキャリアでドープし、それにより基板（１）内に第１のウェル（５）を形成し、
第２のマスク（１１）を使用して犠牲層（４）の第２の領域を除去し、その際前記縁部（４ａ）は第２のマスク（１１）を調整する作用をし、前記第２のマスクにより、この箇所でなお除去されていない犠牲層（４）を覆うようにして第２のマスク（１１）の形成時、犠牲層の第１と第２の領域の間に存在する犠牲層（４）の第３の領域（７）が保持されるようにし、こうして露出されたドープ可能層（３）の第２の領域並びにその下にある基板（１）を第２の導電形のキャリアでドープし、それにより基板（１）内に第２のウェル（６）を形成し、
犠牲層（１１）の第３の領域（７）上において、第２の絶縁層内に隆起部（９）が生ずるように第２の絶縁層（８）を形成し、
前記隆起部（９）を調整のために用いて該隆起部（９）を覆う第３のマスク（１２）を形成し、該マスクを用いて、上方に半導体装置が拡がる領域の外方に存在する第１の絶縁層（２）、ドープ可能層（３）および第２の絶縁層（８）を基板（１）の表面から除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ドープ可能層（３）としてシリコン層を使用することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記犠牲層（４）として酸化物層を使用することを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
フィールドプレート形絶縁トランジスタは、基板内で隣接しており相補形のドーピング原子でドープされている２つのウェルを相互に絶縁する作用をする半導体装置である。またこのトランジスタはいわゆるＬＯＣＯＳ絶縁に対して備えられてもよい。絶縁トランジスタによりウェル間の寄生ＭＯＳトランジスタの発生は阻止される。更にこの絶縁トランジスタはウェル間に配設され、基板の上方の薄いゲート酸化物上に、ドープ可能層からなりかつ両方のウェルの上方を覆ういわゆるフィールドプレートを有している。ウェルの上方にあるフィールドプレートの領域はそれぞれその下にあるウェルと同じ導電形のキャリアでドープされており、それぞれのウェルと同じ電位を有する。その上方に延びる導体路からフィールドプレートを絶縁するため、絶縁トランジスタはフィールドプレートの上方に厚いフィールド酸化物層を有する。
【０００３】
フィールドプレート形絶縁トランジスタの製造は、まずウェルを基板内に形成し、引続き絶縁トランジスタの製造にとって必要な層を形成するようにして行うことができる。
【０００４】
ドイツ連邦共和国特許出願公開第１９５２６５６８号明細書には、ウェル及び相応するフィールドプレートの領域の一方をそれぞれ一工程でドーピングするフィールドプレート形絶縁トランジスタの製造方法が記載されている。その際各フィールドプレート領域のドーピング濃度はその下にあるウェルの濃度に相当し従って濃度が比較的低いため、フィールドプレートは一体に形成可能である。上記出願明細書には、フィールドプレート形絶縁トランジスタを製造するためまずゲート酸化物層、フィールドプレート層及びフィールド酸化物層を施し、これらを引続きパターン化することが記載されている。引続きイオン注入によりウェルの一方及びその上にあるフィールドプレート領域をそれぞれ同時にドープし、その際絶縁トランジスタの下方にあるウェルの領域はフィールド酸化物層を通してドープされる。従ってこの方法は、フィールドプレートの下も（従って厚いフィールド酸化物層の下にも）ウェルの十分に深いドーピングを達成する注入ドーピングを行うために極めて大きなエネルギーを必要とするという欠点を有する。しかしウェルは、装置の絶縁耐性が過少にならないように十分深いものである必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、有利な半導体装置、例えば有利なフィールドプレート形絶縁トランジスタ及びその改良された製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
これらの課題は、本発明の請求項１に記載の半導体装置及び請求項３に記載の製造方法により解決される。本発明によれば従来の技術にはない犠牲層が備えられる。第１のマスク処理で犠牲層の第１の領域を除去することにより、第２のマスク処理を実施する際の調整点として使用される犠牲層の縁部が形成される。
【０００７】
本発明は、半導体装置の製造のため処理工程を行う際にその完成半導体装置に規定された電気的機能にとって必要なパターンにより形成される調整マークを使用することのできないあらゆる半導体装置に使用することができる。実際には本発明の犠牲層は半導体装置の電気的機能に必要なものではなく、即ち例えばこの犠牲層は回路技術上必要なものとして備えられるものではなく、また異なる層の相互の絶縁に使用されるものでもなく、むしろ完成された半導体装置は犠牲層が存在することに無関係に機能する。犠牲層は単に半導体装置の製造の際に必要なだけであり、その際必要な製造工程を所望の順序で実施することを可能にする。本発明は、電気的機能に必要なパターンを形成するための製造工程を連続して実施することを可能にする。これらのパターンに適当な調整マークがないため電気的機能に関係のない犠牲層がなければ連続して行うことは不可能であろう。
【０００８】
本発明により、半導体装置がフィールドプレート形絶縁トランジスタである場合、既にドープ可能層（又はフィールドプレート層）の上方の第２の絶縁層（例えばフィールド酸化物層）を施す前にドーピングをドープ可能層及びその下にあるウェルに行うことが可能となる。犠牲層は第２のマスク処理を第１のマスク処理に対して調整し、又は第２のウェル及びドープ可能層の第２の領域を第１のウェル及びドープ可能層の第１の領域に対して調整することを可能にするために必要である。
【０００９】
第２の絶縁層を施す前に、従って薄い第１の絶縁層及びドープ可能層を通してだけウェルをドーピングすることにより、全ての部分に十分なウェルの深さ（ドープ可能層の下にも）を達成するのに、上記の従来技術と比較して僅かなエネルギーだけで注入ドーピングを行うことを可能にする。ウェルの深さは本発明方法を使用した場合半導体装置の内部及び外部でほぼ同じであるため、均質な横方向のドーパント分布が達成される。
【００１０】
これに対して上記の従来技術では、ドーピングは完成（既に第２の絶縁層を有している）絶縁トランジスタをマスク処理によりパターン化してから行われる。その後のウェルを形成するための２つのマスク処理の調整には既にパターン化された絶縁トランジスタが使用される。その際ドーピングは厚い第２の絶縁層を通して行われ、従ってフィールドプレート形絶縁トランジスタの下方の均質な横方向のドーパント分布が妨げられる。
【００１１】
本発明の他の実施態様によれば、第２のマスク処理を行う際犠牲層のウェブをこれまで既に除去された犠牲層の第１と第２の領域間に生じさせ、それによりその後の第２の絶縁層の全面的被着の際に、このウェブの上方の第２の絶縁層内に隆起部が形成される。この隆起部は半導体装置のパターン化のための第３のマスク処理を調整する作用をする。
【００１２】
露光装置の視界内にある複数の同種の本発明による半導体装置を一つの基板上に形成する必要のある場合には、全ての半導体装置の各製造工程に唯一のマスクを同時に使用することで十分である。更に第２のマスク処理の調整に第１のマスク処理により生じる２つの縁部のみを使用すること（一平面の調整には常に２つの調整マークが必要である）が可能である。更に露光装置の視界毎に半導体装置が２つだけある場合、第３のマスク処理の調整のため第２の絶縁層に隆起部を形成するには本発明による犠牲層のウェブを１つ設けるだけで十分である。本発明による犠牲層のウェブが存在しない場合、ウェルは直接互いに隣接することになり、双方の間隔がなくなりかねない。
【００１３】
【実施例】
本発明の一実施例を本発明にとって重要な処理工程のみを図解する図１乃至図４に基づき以下に詳述する。その際フィールドプレート形絶縁トランジスタである半導体装置の製造について説明する。
【００１４】
図１において例えば主としてシリコンを含む基板１上に、半導体装置又はフィールドプレート形絶縁トランジスタのゲート酸化物を形成するための第１の絶縁層２を施す。その上に例えばシリコンからなるドープ可能層３（この場合フィールドプレート層）及び例えば酸化物（例えばＴＥＯＳ（テトラエチルオルトシリケート））からなる犠牲層４を形成する。第１のマスク１０で犠牲層４の一部が覆われ、例えばエッチングによりマスク１０により覆われていない犠牲層４の第１の領域を除去する。このようにしてその下にあるドープ可能層３の第１の領域が露出される。引続き第１のドーピング（例えばイオン注入による）によりドープ可能層３の第１の領域並びにその下にある基板１の部分を第１の導電形のキャリアでドープし、それにより基板１内に第１のウェル５が形成される。
【００１５】
図２に示すように、第１のウェル５の導電形を補う導電形で第２のウェル６を形成するために、第２のマスク１１によりドープ可能層３の第１の領域（これは既に第１のマスク１０を使用してドープされている）を覆う。この場合図１に見られる犠牲層４の縁部４ａ（これは犠牲層４の第１の領域の除去により生じる）が第２のマスク１１の調整に使用される。図２の第２のマスク１１はドープ可能層３の第１の領域のみならず、この箇所でまだ除去されていない犠牲層４に接する部分（後述する工程の実施後ウェブ７の形を有している）も覆い、即ち図１による措置に相応して第２のマスク１１により覆われていない犠牲層４の第２の領域を除去する。それによりその下にあるドープ可能層３の第２の領域が露出され、この領域は図１と同様にその下にある基板１の部分と共に同時に第２の導電形のキャリアでドープされる。こうして基板１内に第２のウェル６が形成される。
【００１６】
図３に示すように、引続き例えばフィールド酸化物層であってもよい第２の絶縁層８を全面的に施す。本発明のこの実施例の場合に存在するウェブ７によりほぼ一定の厚さを有するこの第２の絶縁層８の析出の際にウェブ７の上方に隆起部９が第２の絶縁層８内に形成される。
【００１７】
図４に示すように、この隆起部９は引続き絶縁トランジスタのパターン化に使用される第３のマスク１２を調整する作用をし、このマスク１２は第２の絶縁層８の絶縁トランジスタが形成される部分を覆う。第３のマスク１２により覆われていない第１の絶縁層２、ドープ可能層３並びに第２の絶縁層８の領域は更に例えば異方性エッチングにより基板１に対して選択的に除去可能である。
【００１８】
ドープ可能層３の種々にドープされている領域は、構成要素として絶縁トランジスタを有する集積回路の作動中にそれぞれその下にあるウェル５、６と同じ電位で接続されているべきである。そのために絶縁トランジスタの製造後両方のウェル５、６のそれぞれの間にそれぞれその上にあるドープ可能層３の領域との電気的接続が形成されると有利である。これは図４に示されているパターン化の後に行われる。この種の接続を形成する方法は当業者には公知である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体装置の基板内に第１のウェルを形成する工程の説明図。
【図２】ウェブ及び第２のウェルを形成する工程の説明図。
【図３】隆起部を有する第２の絶縁層８を全面的に施す工程の説明図。
【図４】第３のマスクにより絶縁トランジスタが形成される部分を覆う工程の説明図。
【符号の説明】
１  基板
２  第１の絶縁層
３  ドープ可能層
４  犠牲層
４ａ  犠牲層の縁部
５  第１のウェル
６  第２のウェル
７  ウェブ
８  第２の絶縁層
９  隆起部
１０  第１のマスク
１１  第２のマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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