(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波情報を電荷情報に変換する変換層と、ＴＦＴのゲート線を制御して、画素の電荷情報を信号線から読み出す回路基板とを有する二次元画像検出器と、前記電荷情報を増幅してデジタル信号に変換する変換回路と、前記デジタル信号を処理して画像化を行う信号処理部とを備えた二次元画像撮影装置において、前記回路基板におけるリーク電流値を信号線ごとに読み出すリーク電流読み出し手段と、前記リーク電流値を用いて前記デジタル信号を補正するにあたり、前記回路基板の同一ゲート線が接続された画素の方向に前記リーク電流値を平滑化して補正に用いる補正手段と、を備えていることを特徴とする二次元画像撮影装置。
【請求項２】
請求項１に記載の二次元画像撮影装置において、前記補正手段をソフトウェアで構成したことを特徴とする二次元画像撮影装置。
【請求項３】
請求項１に記載の二次元画像撮影装置において、前記補正手段をハードウェアで構成したことを特徴とする二次元画像撮影装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の二次元画像撮影装置において、前記リーク電流読み出し手段は、リーク電流値を複数回読み出し、前記補正手段は、前記リーク電流値を平滑化して補正に用いることを特徴とする二次元画像撮影装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の二次元画像撮影装置において、信号線が分割してある場合、前記リーク電流読み出し手段は、分割部のラインから周辺部のラインへ向かって電荷情報の読み出しを行う場合には、前記リーク電流値の読み出しを、分割部に隣接したラインから電荷情報を読み出すタイミングの直前に行い、周辺部のラインから分割部のラインへ向かって電荷情報の読み出しを行う場合には、分割部に隣接したラインから電荷情報を読み出すタイミングの直後に行うことを特徴とする二次元画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、Ｘ線等の放射線、可視光、赤外光等の電磁波情報に基づいて画像を検出する二次元画像検出器を備えた二次元画像撮影装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の装置が備える二次元画像検出器には、変換層として半導体膜を用いたものが例示される。例えば、文献W.Zhao, et al. “A flat panel detector for digital radiology using active matrix readout of amorphous selenium.” Proc. SPIE Vol. 2708, pp. 523-531, 1996.には、二次元の行列状に配列されたＴＦＴ（信号読み出しスイッチとして機能）を備えた回路基板の上に、アモルファス・セレン(a-Se)膜を蒸着することでＸ線面センサを構成した例が開示されている。
【０００３】
このセンサは、まず、被写体を透過した放射線像がアモルファス・セレン膜上に投影され、像の濃淡に比例した電荷信号がアモルファス・セレン膜内に発生する。その後、アモルファス・セレン膜内に生成された電荷信号は、二次元状に配列された電荷収集電極（蓄積容量）に収集され、回路基板及び信号線を経由して外部に読み出されるようになっている。また、信号線が長くなると読出し雑音が大きくなること、１フレームの画像に相当する電荷信号を読出す時間が長くなること等の理由により、信号線を中央で二分割して両側にアレイアンプ回路を配置することによって信号線を短くしていることがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、ＴＦＴを備えた回路基板にはオフ時においても僅かながらリーク電流が存在するので、本来の信号成分にリーク電流成分が重畳された形で信号が読み出される。このようにして重畳されるリーク電流成分は、その信号線に接続されている全スイッチのリーク電流成分の総和になる。各スイッチのリーク電流は、その画素の信号成分に依存するので、信号成分が大きな領域ほどリーク電流が大きくなる。例えば、得られた画像のうち明るい部分に相当する部分ほどリーク電流が大きいので、アーティファクトがより多く発生するという問題がある。
【０００５】
また、信号線を二分割している検出器では、分割された信号線ごとにリーク電流値が異なるので、信号線の分割部に信号量の差異が存在し、特に分割部に位置する画像上においてアーティファクトが目立つという問題がある。
【０００６】
この発明は、リーク電流成分を取得することによって、リーク電流成分に起因するデジタル信号の誤差を補償してアーティファクトを除去することができる二次元画像撮影装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
【０００８】
すなわち、請求項１に記載の発明は、電磁波情報を電荷情報に変換する変換層と、ＴＦＴのゲート線を制御して、画素の電荷情報を信号線から読み出す回路基板とを有する二次元画像検出器と、前記電荷情報を増幅してデジタル信号に変換する変換回路と、前記デジタル信号を処理して画像化を行う信号処理部とを備えた二次元画像撮影装置において、前記回路基板におけるリーク電流値を信号線ごとに読み出すリーク電流読み出し手段と、前記リーク電流値を用いて前記デジタル信号を補正するにあたり、前記回路基板の同一ゲート線が接続された画素の方向に前記リーク電流値を平滑化して補正に用いる補正手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００９】
（作用・効果）
二次元画像検出装器の変換層で生じた電荷情報が回路基板によって読み出され、変換回路によってデジタル信号に変換され、このデジタル信号が信号処理部で画像化のための処理をされる。このときリーク電流読み出し手段が回路基板におけるリーク電流値を信号線ごとに読み出して取得し、補正手段が、回路基板の同一ゲート線が接続された画素の方向にリーク電流値を平滑化してデジタル信号を補正するので、回路基板のリーク電流成分に起因するデジタル信号の誤差を補償することができる。したがって、信号処理部で画像化された画像からアーティファクトを除去することができる。また、同一ゲート線が接続された画素の方向にリーク電流を平滑化するとは、例えば、同時に読み出される画素群のうち、隣接する画素が接続された信号線のリーク電流値を用いて平滑化する。これによってもリーク電流値に含まれるノイズの影響を抑制することができる。その上、複数回リーク電流値を読み取る必要がないので、リーク電流成分に含まれるノイズの影響を抑制しつつも画像化の時間を短縮することができる。
【００１０】
なお、ここでいう補正手段は、信号処理部と別体の構成であってもよく、一体の構成であってもよい。
【００１１】
また、補正手段は、ソフトウェアで構成したり（請求項２）、ハードウェアで構成したりすることができる（請求項３）。ソフトウェアで構成した場合にはコストを低減することができ、ハードウェアで構成した場合には処理を高速化することができるので、動画像等をリアルタイムで処理するのに好適である。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の二次元画像撮影装置において、前記リーク電流読み出し手段は、リーク電流値を複数回読み出し、前記補正手段は、前記リーク電流値を平滑化して補正に用いることが好ましい。
【００１３】
（作用・効果）リーク電流読み出し手段がリーク電流値を複数回読み出し、補正手段がリーク電流値を平滑化して補正に用いる。つまり、時間的に異なる複数のリーク電流値を読み出して平滑化する（例えば、平均値を求める）ことにより、リーク電流値に含まれるノイズを小さくすることができる。したがって、リーク電流値に含まれるノイズの影響を抑制することができる。
【００１４】
（削除）
【００１５】
（削除）
【００１６】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の二次元画像撮影装置において、信号線が分割してある場合、前記リーク電流読み出し手段は、分割部のラインから周辺部のラインへ向かって電荷情報の読み出しを行う場合には、前記リーク電流値の読み出しを、分割部に隣接したラインから電荷情報を読み出すタイミングの直前に行い、周辺部のラインから分割部のラインへ向かって電荷情報の読み出しを行う場合には、分割部に隣接したラインから電荷情報を読み出すタイミングの直後に行うことが好ましい。
【００１７】
（作用・効果）分割部に隣接したラインは最もリーク電流成分に起因するアーティファクトが目立つ部分である。したがって、このラインから電荷情報を読み出すタイミングにあわせてリーク電流値を読み出すことにより、ある程度時間的な変動を伴うリーク電流値を正確に読み出すことができ、これにより正確に補正を行うことができる。したがって、リーク電流成分に起因するアーティファクトをより効果的に除去することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
図１及び図２はこの発明の一実施例に係り、図１は実施例に係る二次元画像撮影装置の概略構成を示すブロック図であり、図２は二次元画像検出装置の一つのセンサ画素について概略構成を示した縦断面図である図である。
【００１９】
実施例に係る二次元画像撮影装置は、透過Ｘ線を検出する二次元画像検出器１と、この二次元画像検出装置１で検出された電荷情報である電荷信号を増幅してデジタル信号に変換するアレイアンプ３，５と、デジタル信号を処理して画像化を行う等の処理を行う画像処理装置７とを備えている。画像処理装置７には、画像を表示するＣＲＴや液晶表示装置などの画像表示装置９が接続されている。アレイアンプ３，５は、後述するセンサ画素からの電荷信号を増幅するとともにデジタル信号に変換する機能を有する。
【００２０】
さらに、二次元画像撮影装置は、二次元画像検出器１の各センサ画素を駆動するゲートドライバ１１と、このゲートドライバ１１及びアレイアンプ３，５を制御する制御回路１３とを備えている。
【００２１】
なお、上述したアレイアンプ３，５がこの発明における変換回路に相当し、画像処理装置７がこの発明における信号処理部に相当する。
【００２２】
この実施例では、発明の理解を容易にするために二次元画像検出器１が４×４個のセンサ画素をマトリックス状に備えているものとする。具体的には、図１の一番上の左から右に向かってセンサ画素１−１〜１−４の４個のセンサ画素が設けられ、二番目にはセンサ画素２−１〜２−４の４個のセンサ画素が設けられ、三番目にはセンサ画素３−１〜３−４の４個のセンサ画素が設けられ、四番目にはセンサ画素４−１〜４〜４の４個のセンサ画素が設けられている。
【００２３】
なお、説明上、センサ画素１−１〜１〜４をラインＬ１と、センサ画素２−１〜２−４をラインＬ２と、センサ画素３−１〜３〜４をラインＬ３と、センサ画素４−１〜４−４をラインＬ４と適宜に称する。
【００２４】
上述したアレイアンプ３は、信号線が長くなると読出し雑音が大きくなること、１フレームの画像に相当する電荷信号を読出す時間が長くなること等の理由により、読み出し信号線が短くなるようにラインＬ１，Ｌ２からの電荷信号を図中の上方向からアレイアンプ３で読み出し、ラインＬ３，Ｌ４からの電荷信号を図中の下方向からアレイアンプ５で読み出す。換言すると、二次元画像検出器１の二方向から電荷信号を読み出すように構成されている。なお、アレイアンプ３，５やゲートドライバ１１、制御回路１３は二次元画像検出器１に集積されている場合もある。
【００２５】
上記の構成をより詳細に説明する。
アレイアンプ３は、ラインＬ１のセンサ画素１−１とラインＬ２のセンサ画素２−１の電荷信号を第１信号線ＳＬ１から読み出し、ラインＬ１のセンサ画素１−２とラインＬ２のセンサ画素２−２の電荷信号を第２信号線ＳＬ２から読み出し、ラインＬ１のセンサ画素１−３とラインＬ２のセンサ画素２−３の電荷信号を第３信号線ＳＬ３から読み出し、ラインＬ１のセンサ画素１−４とラインＬ２のセンサ画素２−４の電荷信号を第４信号線ＳＬ４から読み出すように構成されている。
【００２６】
同様に、アレイアンプ５は、ラインＬ３のセンサ画素３−１とラインＬ４のセンサ画素４−１の電荷信号を第５信号線ＳＬ５から読み出し、ラインＬ３のセンサ画素３−２とラインＬ４のセンサ画素４−２の電荷信号を第６信号線ＳＬ６から読み出し、ラインＬ３のセンサ画素３−３とラインＬ４のセンサ画素４−３の電荷信号を第７信号線ＳＬ７から読み出し、ラインＬ３のセンサ画素３−４とラインＬ４のセンサ画素４−４の電荷信号を第８信号線ＳＬ８から読み出すように構成されている。
【００２７】
なお、上述したアレイアンプ３，５及び第１信号線ＳＬ１〜第８信号線ＳＬ８がこの発明におけるリーク電流読み出し手段に相当する。
【００２８】
上述した各センサ画素１−１〜１−４，２−１〜２−４，３−１〜３−４，４−１〜４−４は、ゲートドライバ１１によってオン・オフが制御される。具体的には、ゲート線ＧＬ１がラインＬ１の各センサ画素１−１〜１−４のゲートに接続され、ゲート線ＧＬ２がラインＬ２の各センサ画素２−１〜２−４のゲートに接続され、ゲート線ＧＬ３がラインＬ３の各センサ画素３−１〜３−４のゲートに接続され、ゲート線ＧＬ４がラインＬ４の各センサ画素４−１〜４−４のゲートに接続されている。これらはゲートドライバ１１により、例えば、ゲート線ＧＬ１、ＧＬ４が同時に駆動され、次にゲート線ＧＬ２，ＧＬ３が駆動されるように順次選択的に駆動される。
【００２９】
次に、図２を参照して、各センサ画素１−１，……，４−４について説明する。なお、各センサ画素１−１，……，４−４は同じ構造であるので、センサ画素１−１を例示して説明する。
【００３０】
センサ画素１−１は、積層構造を有し、バイアス電圧を供給するための共通電極１５と、電磁波情報である透過Ｘ線を電荷情報である電荷信号に変換する半導体層１７と、この半導体層１７内で発生した電荷信号を収集するための画素電極１９と、収集された電荷信号を蓄積するための蓄積容量２１と、この蓄積容量２１の電荷信号を外部に導出するように回路を第１信号線ＳＬ１に切換えるトランジスタスイッチ２３とを備えている。
【００３１】
ここで半導体層１７は、この発明における変換層に相当し、例えば、アモルファス・セレン層やＣｄＺｎＴｅ層等で構成されている。なお、変換層としては上記の半導体層以外にシンチレータ等を採用することができる。この場合には、シンチレータで一旦光に変換した後、フォトダイオード等で電荷信号に変換して蓄積容量に蓄積する構成とすればよい。
【００３２】
半導体層１７に入射した透過Ｘ線は、半導体層１７内で電荷信号に変換され、印加されている内部電界で駆動されて画素電極１９に到達する。そして、蓄積容量２１に電荷信号として蓄積される。蓄積容量２１に蓄積された電荷信号は、ゲート線ＧＬ１が駆動されると、トランジスタスイッチ２３がオンになって第１信号線ＳＬ１から外部に読み出される。このトランジスタスイッチ２３にはリーク電流が存在するので、ゲート線ＧＬ１を駆動しないトランジスタスイッチ２３がオフの状態であっても微弱な信号として第１信号線ＳＬ１から出力される。
【００３３】
なお、画素電極１９と、蓄積容量２１と、ゲート線ＧＬ１と、トランジスタスイッチ２３とは回路基板２４に形成されている。
【００３４】
次に、図３を参照して、上記のように構成された二次元画像撮影装置における撮影シーケンスについて説明する。なお、予め被写体を二次元画像検出器１の上に載置してＸ線を曝射し、透過Ｘ線が二次元画像検出器１に入射しているものとする。
【００３５】
まず、制御回路１３がゲートドライバ１１を制御してゲート信号ＧＬ１，ＧＬ４を駆動し、ラインＬ１のセンサ画素１−１〜１−４及びラインＬ４のセンサ画素４−１〜４−４のトランジスタスイッチをオンにする（信号Ｓ１）。次に、制御回路１３がアレイアンプ３，５を動作させて、ラインＬ１からの電荷信号を増幅するとともにデジタル信号に変換し、同様にラインＬ４からの電荷信号を変換する（信号ＳＣ１）。次いで、画像処理装置７に対して、ラインＬ１とラインＬ４からのデジタル信号をデータとして出力する（信号ＳＯ１）。これらの一連の動作によって、ラインＬ１とラインＬ４に蓄積された電荷信号が画像撮影装置に取り込まれる。
【００３６】
次に、上述したような動作を、ラインＬ２及びラインＬ３についても行う。つまり、ラインＬ２のセンサ画素２−１〜２−４及びラインＬ３のセンサ画素３−１〜３−４のトランジスタスイッチをオンとし（信号Ｓ２）、ラインＬ２，Ｌ３からの電荷信号を増幅するとともにデジタル信号に変換し（信号ＳＣ２）、画像処理装置７に対して、ラインＬ２，Ｌ３からのデジタル信号をデータとして出力する（信号ＳＯ２）。
【００３７】
上記のようにして、まず従来通りに各ラインＬ１〜Ｌ４からデジタル信号を収集する。次に、二次元画像検出器１の全てのセンサ画素１−１，……，４−４をオフにした状態で、アレイアンプ３，５を動作させる。これによりラインＬ１，Ｌ２のリーク電流を含む電荷信号が第１信号線ＳＬ１〜第４信号線ＳＬ４を通してそれぞれ読み出され、ラインＬ３，Ｌ４のリーク電流を含む電荷信号が第５信号線ＳＬ５〜第８信号線ＳＬ８を通してそれぞれ読み出され、各電荷信号がデジタル化される（信号ＬＫ１）。次に、各リーク電流に相当する信号ＬＫ１が画像処理装置７に対してデジタル信号として出力される（信号ＬＯ１）。
【００３８】
このようにして収集された信号ＬＯ１は、第１信号線ＳＬ１から読み出された信号がセンサ画素１−１，２−１の加算されたリーク電流値を表し、第２信号線ＳＬ２から読み出された信号がセンサ画素１−２，２−２の加算されたリーク電流値を表し、……、第８信号線ＳＬ８から読み出された信号がセンサ画素３−４，４−４の加算されたリーク電流値を表す。
【００３９】
この発明における補正手段に相当する画像処理装置７は、収集した信号ＳＯ１，ＳＯ２処理して画像化を行うが、各リーク電流値である信号ＬＯ１を用いて信号ＳＯ１，ＳＯ２を補正した後に画像化を行う。
【００４０】
具体的には、ラインＬ１に位置するセンサ画素１−１の電荷信号に応じたデジタル信号から、第１信号線ＳＬ１から読み出したリーク電流値を減算し、センサ画素１−２の電荷信号に応じたデジタル信号から、第２信号線ＳＬ２から読み出したリーク電流値を減算し、センサ画素１−３の電荷信号に応じたデジタル信号から、第３信号線ＳＬ３から読み出したリーク電流値を減算し、センサ画素１−４の電荷信号に応じたデジタル信号から、第４信号線ＳＬ４から読み出したリーク電流値を減算する。このような減算処理を他のラインＬ２〜Ｌ４についても行う。
【００４１】
なお、画像処理装置７における補正処理は、ソフトウェアで構成してもよく、ハードウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成した場合にはコストを低減することができ、ハードウェアで構成した場合には処理を高速化することができるので、動画像等をリアルタイムで処理するのに適している。
【００４２】
このように回路基板２４における各センサ画素のリーク電流値を第１ないし第８信号線ＳＬ１〜ＳＬ８ごとに読み出して取得し、画像処理装置７がリーク電流値を用いてデジタル信号を補正するので、二次元画像検出器１のリーク電流成分に起因するデジタル信号の誤差を補償することができる。したがって、画像処理装置７で画像化された画像からアーティファクトを除去することができる。
【００４３】
また、二次元画像検出器１の信号線分割部に隣接したラインＬ２，Ｌ３は、画像化した際に最もリーク電流成分に起因するアーティファクトが目立つ部分である。したがって、上述した撮影シーケンスに示すように、これらのラインＬ２，Ｌ３から電荷信号を読み出した「直後」にリーク電流値を読み出すことにより、ある程度時間的な変動を伴うリーク電流値を正確に読み出すことができ、これにより正確に補正を行うことができる。したがって、リーク電流成分に起因するアーティファクトをより効果的に除去することができる。
【００４４】
上記の実施例では、ラインＬ２，Ｌ３の前にラインＬ１，Ｌ４の電荷信号を収集するようにしているが、ラインＬ１，Ｌ４の前にラインＬ２，Ｌ３の電荷信号を収集する撮影シーケンスを採用することがある。このような場合には、ラインＬ２，Ｌ３の「直前」にリーク電流値を収集するようにすればよい。なお、リーク電流の性質から上記のようなタイミングで収集することが好ましいが、分割部分の境界ラインからの電荷信号収集タイミングに必ずしも合わせる必要はない。この場合でも、リーク電流値を収集して補正に用いることにより従来例に比較してリーク電流成分に起因するアーティファクトを低減することが可能である。
【００４５】
＜変形例＞
次に、図４のタイムチャートを参照して、この発明の変形例について説明する。
【００４６】
上記の実施例では、リーク電流値を一度だけ収集し、そのリーク電流値を補正に用いた。一方、この変形例ではリーク電流値を複数回測定するようにしている。具体的には、まずラインＬ１，Ｌ４と、ラインＬ２，Ｌ３について一回目の電荷信号を収集し（信号Ｓ１，Ｓ２，ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＯ１，ＳＯ２）、リーク電流値を一度収集し（信号ＬＫ１，ＬＯ１）、所定時間後に二回目のリーク電流値を収集する（信号ＬＫ２，ＬＯ２）。
【００４７】
このようにしてリーク電流を二回にわたって収集した後、これらを加算平均して補正に用いる。具体的には、第１信号線ＳＬ１から読み出した１回目のリーク電流値と２回目のリーク電流値との平均値を求め、この平均値を、ラインＬ１に位置するセンサ画素１−１の電荷信号に応じたデジタル信号から減算するのである。このようなリーク電流の加算平均を他のセンサ画素についても行って、各リーク電流成分の補正を行う。
【００４８】
このように二回のリーク電流値を平滑化してデジタル信号の補正に用いることにより、時間的に異なる二つのリーク電流値を平滑化することになる。したがって、リーク電流値に含まれるノイズを小さくすることができる。その結果、補正に悪影響を及ぼす、リーク電流値に含まれるノイズの影響を抑制することができる。
【００４９】
なお、上記の変形例に限定されることなく、三回以上のリーク電流値を測定して平滑化した後に補正に用いるようにしてもよいことは言うまでもない。
【００５０】
また、上記の平滑化に代えて、上述した図３または図７の撮影シーケンスでデータ収集を行った後に、ゲート線方向にリーク電流値を平滑化するようにしてもよい。
【００５１】
具体的には、センサ画素１−１，２−１の第１信号線ＳＬ１から読み出したリーク電流値と、それらのセンサ画素１−１，２−１に、ゲート線ＧＬ１，２方向に隣接するセンサ画素１−２，２−２の第２信号線ＳＬ２から読み出したリーク電流値とを加算平均する。このようにして平滑化したリーク電流値を、センサ画素１−１のデジタル信号から減算して補正する。また、センサ画素１−２，２−２の第２信号線ＳＬ２から読み出したリーク電流値と、センサ画素１−３，２−３の第３信号線ＳＬ３から読み出したリーク電流値とを加算平均し、この平均値をセンサ画素１−２のデジタル信号から減算して補正する。同様に、センサ画素１−３，２−３のリーク電流値とセンサ画素１−４，２−４のリーク電流値とを加算平均して、センサ画素１−３の補正に用い、センサ画素１−４，２−４のリーク電流値と、センサ画素１−３，２−３のリーク電流値とを加算平均して、センサ画素１−４の補正に用いるのである。このようなラインＬ１に対する平滑化を他のラインＬ２〜Ｌ４についても実施する。
【００５２】
このようにゲート線方向にリーク電流値を平滑化するとは、同一のゲート線が接続された画素群（ライン）のリーク電流値を利用することである。これによってもリーク電流値に含まれるノイズの影響を抑制することができる。その上、図３の撮影シーケンスのようにリーク電流値の収集を一度しか行わない場合であってもリーク電流成分に含まれるノイズの影響を抑制でき、しかも複数回リーク電流値を読み取る必要がないので、図４の撮影シーケンスに比較して画像化の時間を短縮することができる。
【００５３】
なお、この発明は上述した実施例に限定されるものではなく、以下のように変形実施が可能である。
【００５４】
（１）上記の実施例では、リーク電流に起因するアーティファクトが目立つ、信号線を二分割した二次元画像検出器を備えた装置を例に採って説明したが、リーク電流値は信号線を分割していない検出器にも存在している。このような検出器を備えている装置であっても、この発明を適用することでリーク電流値に起因するアーティファクトを除去することが可能である。
【００５５】
（２）信号線を二分割より多く分割した二次元画像検出器を備えた装置であってもこの発明を適用することが可能である。
【００５６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、この発明によれば、リーク電流読み出し手段が回路基板におけるリーク電流値を信号線ごとに読み出して取得し、補正手段が、回路基板の同一ゲート線が接続された画素の方向にリーク電流値を平滑化してデジタル信号を補正するので、二次元画像検出器の回路基板のリーク電流成分に起因するデジタル信号の誤差を補償することができる。したがって、信号処理部で画像化された画像からアーティファクトを除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例に係る二次元画像撮影装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】  二次元画像検出器の一つのセンサ画素について概略構成を示した縦断面図である。
【図３】  撮影シーケンスを示すタイムチャートである。
【図４】  撮影シーケンスの他の例を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
１  …  二次元画像検出器
３，５  …  アレイアンプ（変換回路、リーク電流読み出し手段）
７  …  画像処理装置（信号処理部、補正手段）
１１  …  ゲートドライバ
１−２〜１−４  …  センサ画素
２−１〜２−４  …  センサ画素
３−１〜３−４  …  センサ画素
４−１〜４−４  …  センサ画素
Ｌ１〜Ｌ４  …  ライン
ＳＬ１〜ＳＬ８  …  第１〜第８信号線（リーク電流読み出し手段）
ＧＬ１〜ＧＬ４  …  ゲート線
【図１】
0003979165.tif 000002
【図２】
0003979165.tif 000003
【図３】
0003979165.tif 000004
【図４】
0003979165.tif 000005