(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物と、ＮｂまたはＮｂ合金とを積層して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備え、前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物は、Ｓｎ含有量が２０〜７５原子％の範囲にあることを特徴とするＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【請求項２】
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物を芯材とし、ＮｂまたはＮｂ合金をシース材として、このシース材に前記芯材を充填して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備え、前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物は、Ｓｎ含有量が２０〜７５原子％の範囲にあることを特徴とするＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【請求項３】
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物と、ＮｂまたはＮｂ合金とを積層して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備え、前記Ｎｂ合金が、３０原子％以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ及びＴａの群から選択された１種または２種以上の元素を含む合金であることを特徴とするＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【請求項４】
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物を芯材とし、ＮｂまたはＮｂ合金をシース材として、このシース材に前記芯材を充填して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備え、前記Ｎｂ合金が、３０原子％以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ及びＴａの群から選択された１種または２種以上の元素を含む合金であることを特徴とするＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【請求項５】
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物と、ＮｂまたはＮｂ合金とを積層して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備え、前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物は、Ｓｎ含有量が２０〜７５原子％の範囲にあり、かつ、前記Ｎｂ合金が、３０原子％以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ及びＴａの群から選択された１種または２種以上の元素を含む合金であることを特徴とするＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【請求項６】
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物を芯材とし、ＮｂまたはＮｂ合金をシース材として、このシース材に前記芯材を充填して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備え、前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物は、Ｓｎ含有量が２０〜７５原子％の範囲にあり、かつ、前記Ｎｂ合金が、３０原子％以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ及びＴａの群から選択された１種または２種以上の元素を含む合金であることを特徴とするＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【請求項７】
前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎの群から選択された１種または２種以上の金属を０．３〜２０原子％含有していることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【請求項８】
前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物に、０．３〜３０原子％のＣｕが添加・混合されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【請求項９】
前記複合体が、超伝導性を安定化するためのＣｕマトリックス内に、１本または複数本挿入されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【請求項１０】
前記芯材は、Ｓｎの粉末と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属の粉末とを混合し、真空中で加熱してＳｎを溶融させ、拡散反応させることにより粉末状で生成されることを特徴とする請求項２，４，６，及び７〜９のいずれかに記載のＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＮＭＲ分析装置、核融合炉、高密度エネルギー貯蔵、電磁推進船等の種々の新技術開発を可能にする高磁界発生用のＮｂ3 Ｓｎ超伝導線材の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
超伝導線材としては、Ｎｂ−Ｔｉ系の合金線材が多く用いられ、電力消費なしに大電流を通電し、高磁界を発生することができる。しかし、この合金線材は液体ヘリウム温度（４．２Ｋ）における発生磁界の限度が約９テスラ（９Ｔ）である。従って核融合装置、ＮＭＲ分析装置などに必要な１０Ｔ以上の高磁界を発生するためには、化合物系超伝導体を用いる必要がある。Ａ１５型結晶構造をもつＮｂ3 Ｓｎ化合物は、このような要求に応える超伝導材料の一つとして知られている。その臨界温度Ｔｃは約１８Ｋ，上部臨界磁界Ｈｃ2 （４．２Ｋ）は約２１Ｔで、Ｎｂ−Ｔｉの約９Ｋ及び約１１．５Ｔに比べて、それぞれ２倍近く高い値をもつ。Ｎｂ3 Ｓｎ化合物の線材を作製する方法としては、主にブロンズ法が用いられている。この方法はＮｂを芯材とし、これをＣｕ−Ｓｎ合金マトリックスで包んだ複合体を作り、これを塑性加工したのち、拡散熱処理することによりＮｂ芯とマトリックスの界面にＮｂ3 Ｓｎ化合物相を生成する方法である（K.Tachikawa,  Filamentary A15 Superconductors, Plenum   Press(1980)p1 ）。その後、ＮｂとＳｎの中間化合物を芯材としてＮｂシースに充填し、加工後熱処理を行う事により、芯材とシース材の界面にＮｂ3 Ｓｎ相を生成する、いわゆるＥＣＮ法も発表されている（W.L.Neijmeijer他、  J.Less-common Metals,   Vol,160   (1990)  p161）。しかし、４．２Ｋで２０Ｔ以上の磁界を発生しうる超伝導線材はまだ実用化されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
Ｎｂ3 Ｓｎ相が良好な超伝導特性を示すためには、Ｎｂ3 Ｓｎ相の生成に際しＳｎの供給量が十分大きい事が必要である。しかし、たとえば前述のブロンズ法では、Ｃｕ−Ｓｎマトリックス中のＳｎ量は、Ｃｕ中のＳｎの固溶限界である約８原子％（約１４重量％）に限定される。
【０００４】
本発明はＳｎの供給量が大きく、実用上重要な高磁界における臨界電流密度Ｊｃがブロンズ法やＥＣＮ法線材より優れ、４．２Ｋで２０Ｔ以上の磁界を発生しうるＮｂ3 Ｓｎ線材を提供するものである。
【０００５】
なおＪｃは、磁界中で測定された臨界電流値Ｉｃを超伝導体の断面積で除して求められ、超伝導体を実用に供するには、２Ｘ１０4 Ａ／ｃｍ2 以上のＪｃをもつことが必要である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために、本発明は、
（１）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物と、ＮｂまたはＮｂ合金とを積層して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備え、前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物は、Ｓｎ含有量が２０〜７５原子％の範囲にあることを特徴とするＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【０００７】
（２）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物を芯材とし、ＮｂまたはＮｂ合金をシース材として、このシース材に前記芯材を充填して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備え、前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物は、Ｓｎ含有量が２０〜７５原子％の範囲にあることを特徴とするＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【０００８】
（３）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物と、ＮｂまたはＮｂ合金とを積層して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備え、前記Ｎｂ合金が、３０原子％以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ及びＴａの群から選択された１種または２種以上の元素を含む合金であることを特徴とするＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【０００９】
（４）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物を芯材とし、ＮｂまたはＮｂ合金をシース材として、このシース材に前記芯材を充填して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備え、前記Ｎｂ合金が、３０原子％以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ及びＴａの群から選択された１種または２種以上の元素を含む合金であることを特徴とするＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【００１０】
（５）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物と、ＮｂまたはＮｂ合金とを積層して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備え、前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物は、Ｓｎ含有量が２０〜７５原子％の範囲にあり、かつ、前記Ｎｂ合金が、３０原子％以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ及びＴａの群から選択された１種または２種以上の元素を含む合金であることを特徴とするＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【００１１】
（６）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物を芯材とし、ＮｂまたはＮｂ合金をシース材として、このシース材に前記芯材を充填して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備え、前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物は、Ｓｎ含有量が２０〜７５原子％の範囲にあり、かつ、前記Ｎｂ合金が、３０原子％以下のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ及びＴａの群から選択された１種または２種以上の元素を含む合金であることを特徴とするＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【００１２】
（７）前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物は、Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎの群から選択された１種または２種以上の金属を０．３〜２０原子％含有していることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載のＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
（８）前記Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物に、０．３〜３０原子％のＣｕが添加・混合されていることを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載のＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
（９）前記複合体が、超伝導性を安定化するためのＣｕマトリックス内に、１本または複数本挿入されていることを特徴とする（１）〜（８）のいずれかに記載のＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
（１０）前記芯材は、Ｓｎの粉末と、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属の粉末とを混合し、真空中で加熱してＳｎを溶融させ、拡散反応させることにより粉末状で生成されることを特徴とする（２）、（４）、（６）、及び（７）〜（９）のいずれかに記載のＮｂ３Ｓｎ超伝導線材の製造方法。
【手数料に関する特記事項】
産業技術力強化法第１６条第２項の規定による審査請求料の軽減申請中
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明では、Ｎｂを除くＩＶａ族及びＶａ族元素の群、すなわちＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，及びＴａの群から選ばれた１種または２種以上の金属とＳｎの合金または金属間化合物と、ＮｂまたはＮｂ合金とを積層して複合体を形成する工程と、この複合体を線材に加工後熱処理する工程とを備えている。具体的にはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｔａ等の元素の群から選ばれた１種または２種以上の金属と、Ｓｎとの合金または金属間化合物を芯材とし、ＮｂまたはＮｂ合金をシース材として、このシース材に前記芯材を充填し、このようにして得られた複合体を線材に加工後熱処理を行う。以下、この具体例に基づいて本発明を詳細に説明する。
【００１４】
（複合体形成工程）
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｔａ等の元素の群から選ばれた１種または２種以上の金属と、Ｓｎとの合金または金属間化合物は、従来のＣｕ−Ｓｎマトリックスとは異なり、Ｓｎを多く含有することができる。本発明では、芯材に含まれるＳｎ量は２０〜７５原子％の範囲とする。Ｓｎ量が２０原子％未満ではＳｎの供給量が少なく、良好な超伝導特性が得られない。７５原子％を超えると芯材の融点が低下し、熱処理時に線材から外部に浸み出して好ましくない。
【００１５】
本発明方法によれば、芯材中のＳｎ含有量がブロンズ法より大きいとともに、ＳｎのＮｂシース材に対する結合力が、芯材中の上記のＴｉ，Ｔａ等の元素よりも強い。このため、熱処理の際ＥＣＮ法よりＳｎが容易に芯材からシース材に拡散する。この結果、ブロンズ法やＥＣＮ法線材より優れた特性を持つＮｂ3 Ｓｎ超伝導線材が作製される。
【００１６】
また本発明方法によれば、Ｔｉ，Ｔａ等の元素がＳｎと同時に芯材からＮｂ3 Ｓｎ相中に拡散するため、高磁界特性のさらに改善されたＮｂ3 Ｓｎ線材が作製される。ここでＩＶａ族元素のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ及びＶａ族元素のＶ，ＴａはＮｂ3 Ｓｎ相に添加されるとほぼ同等の高磁界特性の改善が得られる。ＩＶａ族元素の場合は主としてＮｂ3 Ｓｎ結晶粒を微細化してＪｃを高める効果があり、一方、Ｖａ族元素の場合は前記のＨｃ2 を高める効果を生ずる。
【００１７】
本発明方法における芯材は、Ｓｎの粉末とＩＶａ族あるいはＶａ族金属の粉末を混合し、真空中で加熱してＳｎを溶融させ、拡散反応させることにより粉末状で生成され、シース内への充填が簡単となる。
【００１８】
芯材中にＳｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎからなる群から選ばれた１種または２種以上の金属が０．３〜２０原子％添加されると、高磁界におけるＪｃを高める上に効果がある。ここで含有量が０．３原子％未満では添加の効果がなく、また２０原子％を超えるとかえって超伝導特性を低下させる。
【００１９】
さらに芯材に０．３〜３０原子％のＣｕが添加されると、Ｎｂ3 Ｓｎ相を生成させる芯材とシース材の拡散反応が促進されて、熱処理温度を低下させることが出来る。すなわちＣｕを添加しない場合は、充分な厚さのＮｂ3 Ｓｎ相を生成させるためには９００℃の熱処理温度を必要とするが、Ｃｕの添加により熱処理温度を７５０℃までに低下させることが出来る。Ｃｕの添加量が０．３原子％未満では熱処理温度低下の効果がみられず、また３０原子％を超えて添加するとＮｂ3 Ｓｎ相中にＣｕが固溶して超伝導特性を低下させる。
【００２０】
Ｎｂシース材には、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｔａ等の元素が３０原子％以下含まれていると、Ｎｂ3 Ｓｎ線材の特性をさらに向上させると共に、シース材の機械的強度を増加してマグネットにまいた場合の電磁力に耐える上に好ましい結果を生ずる。但し、３０原子％を超えて含有されると加工性を低下させるため好ましくない。
（加工後熱処理する工程）
上記の複合体の加工は、押出し、圧延、線引き、管引き等通常の手段が適用でき、加工手段によって、テープ状、線状、管状の線材が作製できる。また、複合体の加工性は良好であり、中間焼鈍は必要としない。
【００２１】
熱処理温度は、９００℃〜１０００℃の間が好ましく（但し、上述のように、Ｃｕの添加により熱処理温度を７５０℃までに低下させることが出来る）、加熱時間は５〜１００時間が適当である。また、雰囲気は真空中又は不活性ガス中で行う。
（Ｃｕとの複合）
超伝導線材を実用する上には、電磁気的な擾乱が加わっても超伝導性が破れないために電気伝導度の高いＣｕが複合されていることが望ましく、このＣｕの作用は超伝導特性の安定化と呼ばれている。これまでに述べた本発明における芯材とシース材との複合体は、いずれもＣｕとの複合化が容易である。そのためＣｕをマトリックスとして、その内に１本または複数本の芯材とシース材の複合体を挿入して線材に加工すると、マトリックスと複合体との間に良好な密着性がえられ、超伝導性を安定化する上に効果がある。
【００２２】
なお、本発明方法は、線材の製造方法に係るが、本発明で得られた複合体を圧延加工して、磁気シールド等に有用な板状のＮｂ３Ｓｎ超伝導体を作製することも可能である。
【００２３】
【実施例】
次に本発明の実施例を説明する。
実施例  １
それぞれ３５０メッシュ以下のＴａ粉末とＳｎ粉末を原子比が６対５となるように混合し、アルミナるつぼに入れ、１Ｘ１０-5Ｔｏｒｒの真空中で９５０℃、２０時間反応させてＴａ−Ｓｎ合金微粉末を作製した。これを外径１０ｍｍ，内径７ｍｍのＮｂシースに充填して複合体を作製し、溝ロールと平ロールにより巾５ｍｍ，厚さ０．５ｍｍのテープ線材に加工した。この線材を９００℃で４０時間の加熱処理を行った後の断面を観察すると、芯材とシース材の界面に厚さ６０μｍのＮｂ3 Ｓｎ相が生成されていた。この厚さは、同様な断面構造のプロンズ法あるいはＥＣＮ法Ｎｂ3 Ｓｎ線材で生成されるＮｂ3 Ｓｎ相の厚さの約３倍に達する。これはシース材のＮｂとＳｎの結合性が、芯材中のＴａより著しく大きいため、芯材中のＳｎの大部分がＮｂと拡散反応するためである。本発明の製造方法で得られた線材は１８．５ＫのＴｃと、液体ヘリウム中（４．２Ｋ）で２１Ｔの磁界中で１３０ＡのＩｃを示した。そのＪｃ値は３．６Ｘ１０4 Ａ／ｃｍ2 に達し、４．２Ｋで２１Ｔの超高磁界が発生可能なことを示した。
【００２４】
なお、ブロンズ法及びＥＣＮ法によるＮｂ3 Ｓｎ線材では、４．２Ｋ，２０ＴではＪｃが２Ｘ１０4 Ａ／ｃｍ2 以下に低下するため、２０Ｔの磁界発生は不可能な特性になった。
実施例  ２
スポンジ状のＴｉを粉砕し、３５０メッシュ以下のＳｎ粉末と混合してアルミナるつぼに入れ、１Ｘ１０-5Ｔｏｒｒの真空中で８５０℃、２０時間反応させて、Ｔｉ−Ｓｎ合金粉末を作製した。ここで、合金粉末中のＳｎの組成は５０原子％であった。このＴｉ−Ｓｎ合金粉末を外径８ｍｍ，内径６ｍｍのＮｂシースに充填して複合体を作製し、溝ロールとスエージングで外径２ｍｍの線材に加工した。別に、外径１３ｍｍのＣｕ棒の中央とその周囲に対照的に６ヶ所、合計７ヶ所に直径２．１ｍｍの孔をあけてＣｕマトリックスを作製した。このマトリックス中に前記の線材を７本挿入して新たな複合体を作製した。この複合体を溝ロール、スエージング及び線引き加工により、直径１．３ｍｍの線に加工したがＣｕマトリックスを含む複合体の加工は容易であり、良好な断面構造を持つ線材が作製された。この線材を９００℃で４０時間熱処理を行った試料のＩｃは、４．２Ｋ，２０Ｔの磁界中で、１５０Ａであり、Ｊｃは４．２Ｘ１０4 Ａ／ｃｍ2 となった。
実施例  ３
ＴａとＳｎの組成比が６対５の混合粉末に１原子％のＧｅ粉末を加えて、実施例１と同様な方法で、Ｔａ−Ｓｎ−Ｇｅ合金粉末を作製した。この粉末を外径１０ｍｍ，内径７ｍｍの、Ｎｂ−３．５原子％Ｔａ合金シースに充填し、実施例１と同様な方法で巾５ｍｍ，厚さ０，５ｍｍのテープ線材を加工した。この線材を９００℃で４０時間熱処理を行った試料は、４．２Ｋ，２２Ｔの磁界中で１７０ＡのＩｃを示し、そのＪｃ値は４．７Ｘ１０4 Ａ／ｃｍ2 となった。このように芯材にＧｅ，シース材にＴａを添付することにより、実施例１より優れた高磁界特性をうることが出来た。
実施例  ４
実施例２と同様な方法で作成した、Ｔｉ−５０原子％Ｓｎ合金粉末に、２００メッシュ以下のＣｕ粉末を１０原子％加えた混合粉末を作製した。この混合粉末を外径８ｍｍ，内径６ｍｍのＮｂ−３原子％Ｔｉ合金シースに充填し、実施例２と同様にして、外径２ｍｍの線材を加工した。ついで実施例２と同様な方法により、Ｃｕマトリックスに前記の線材が７本複合された複合体を作製した。この外径１３ｍｍの複合体を実施例２と同様な方法で直径１．３ｍｍの線に加工した。この場合も複合体の加工性は良好であった。この線材を７７５℃で４０時間熱処理を行った試料のＩｃは、４．２Ｋ，２０Ｔで１９０Ａであり、Ｊｃは５．０Ｘ１０4 Ａ／ｃｍ2 となった。この様に、芯材にＣｕを添加することにより熱処理温度を低下させることが出来、また、シース材にＴｉを添加することにより高磁界におけるＪｃ値が向上した。
【００２５】
【発明の効果】
Ｎｂを除くＩＶａ族またはＶａ族金属とＳｎとの合金または金属間化合物を芯材とし、Ｎｂシース材に充填して線材に加工後熱処理する本発明により、従来のブロンズ法あるいはＥＣＮ法等より厚く、かつ高磁界特性の優れたＮｂ3 Ｓｎ相を有する超伝導線材を作製することが出来る。さらに、シース材にＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＶまたはＴａ，一方、芯材にＳｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｇａ，またはＩｎを添加すると高磁界特性を向上させることが出来る。また芯材にＣｕを添加すると、必要な熱処理温度を低下させることが出来る。上記芯材とシース材の複合体はＣｕマトリックスとの複合加工が容易であり、安定性の優れた超伝導線材を提供することが出来る。このように本発明によると、従来法よりも高磁界特性の改善されたＮｂ3 Ｓｎ線材を容易に製造することが出来るため、工業的効果が大きい。