(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、一方の面に電極を有した電極回路基材と、
前記電極回路基材の電極上に接合された凸状の電極と、
前記電極を絶縁するように前記電極回路基材上に設けられた絶縁部材と、
前記絶縁部材及び前記凸状の電極上に設けられた回路電極パターンとを備え、
前記回路電極パターンは、
ニッケル、金、ニッケル、銅、ニッケル及び金の順にメッキされて成り、
前記凸状の電極は、
前記回路電極パターンの所定の位置に所望の導電部材が先細り、かつ、階段状にメッキされ、その後、前記絶縁部材を貫いて前記電極回路基材の電極に到達するように加圧されて成ることを特徴とする電子部品実装基板。
【請求項２】
前記電極回路基材は、回路電極パターンを有した内層用のコア部材であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装基板。
【請求項３】
前記回路電極パターン及び凸状の電極は電気メッキ法により形成されて成ることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装基板。
【請求項４】
前記凸状の電極は、先端が尖った円錐状を成していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装基板。
【請求項５】
前記凸状の電極は、回路電極パターンに選択的に銅をメッキされて成ることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装基板。
【請求項６】
前記絶縁部材は、接着性を有した熱硬化樹脂から成ることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装基板。
【請求項７】
メッキ及びエッチング可能な導電性の基材の一方の面にニッケル、金、ニッケル、銅、ニッケル及び金の順にメッキして所定の回路電極パターンを形成する工程と、
前記回路電極パターンを形成された回路電極基板上に非メッキ部材を選択的に形成する工程と、
前記非メッキ部材をマスクにして前記回路電極パターン上に所望の導電部材を先細り、かつ、階段状にメッキして接続用の凸状の電極を形成する工程と、
前記非メッキ部材を除去した後に、
絶縁性の熱接合部材を前記回路電極基板と所定の電極回路基材との間に挟むと共に、該回路電極基板の凸状の電極を前記電極回路基材に到達するように加圧して当該回路電極基板と電極回路基材とを接合する工程と、
前記回路電極基板と電極回路基材とが接続された多層基板から前記導電性の基材を選択エッチング除去する工程とを含むことを特徴とする電子部品実装基板の製造方法。
【請求項８】
前記回路電極パターン及び凸状の電極は電気メッキ法により形成し、該メッキ電流を調整して前記回路電極パターン及び凸状の電極の厚みを制御することを特徴とする請求項７に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項９】
前記回路電極パターンに銅を選択的にメッキして凸状の電極を形成することを特徴とする請求項７に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項１０】
前記電極回路基材は回路電極パターンを有した内層用のコア部材であることを特徴とする請求項７に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項１１】
前記導電性の基材に第１の非メッキ部材を選択的に形成した後に、前記非メッキ部材をマスクにして前記基材にニッケル、金、ニッケル、銅、ニッケル及び金の順にメッキすることにより前記回路電極パターンを形成することを特徴とする請求項７に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項１２】
所定の開口幅を有したシート状の第２の非メッキ部材を前記回路電極パターン上に選択的に形成することを特徴とする請求項１１に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の非メッキ部材上に開口幅を順次狭くしたシート状の複数の非メッキ部材を選択的に積層することを特徴とする請求項１２に記載の電子部品実装基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＮＥＷ−ＴＡＢ（Ｔape Ａutomated Ｂonding）技術及びＵＦＰＬ（Ｕltra Ｆine Ｐattern Ｌead−flame）技術に関し、携帯端末装置や携帯電話機などに実装される多層配線基板（ビルドアップ基板）に適用して好適な電子部品実装基板及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報通信分野ではマルチメディアの発達に伴い通信機能に加えて多種多様な機能を備えた携帯電話機や携帯ゲーム機等が使用される場合が多くなってきた。これらの携帯端末装置等には通信機能や情報検索機能などを実現する多数の電子部品や配線パターンを実装した多層配線基板が使用される場合が多い。
【０００３】
この種の多層配線基板には軽量化及び小型化が要求されるが、従来から両面銅箔を有した有機基板が使用されている。有機基板はガラスエポキシプリプレイグと呼ばれるガラス繊維布に半硬化状態のエポキシ樹脂を塗布したものである。
【０００４】
この両面銅箔付きの有機基板を使用した多層基板の製造方法によれば、まず、有機基板の両面銅箔にレジストパターニング処理をし、このレジストをマスクにして不要な銅箔をエッチング除去することにより配線パターンを形成する。その後、配線パターンの所定の位置で有機基板を貫く開孔部（コンタクトホール）を形成する。このコンタクトホールに無電解法により銅メッキを施し、このコンタクトホールを通じて表裏の配線パターンを接続する。このような配線基板と、予め同じような製法で作成して置いた他の配線基板とを熱硬化絶縁部材により接着して多層配線基板を得ている。
【０００５】
この種の両面銅箔付きの有機基板を使用した多層配線基板はプリプレーグが厚いため、配線基板の多層化に伴って益々仕上がり基板が厚くなる。また、コンタクトホールはドリルで開孔されるが、孔径が大きく面積を取るため高密度の妨げとなったり、孔間の相対位置関係がばらつくという欠点がある。孔開けをレーザー化しても高額の設備投資が必要となる。
【０００６】
この問題点を解決するために、ビルドアップ基板製造技術が開発されており、多層配線基板の小型化、軽量化及び低価格化が図られている。この種の基板製造技術には４つある。
【０００７】
▲１▼  フォトビアプロセス法
このプロセスでは、まず、表裏に配線パターンを施した内層用のコア部材に対して感光性絶縁樹脂を形成し、その後、この感光性絶縁樹脂上に写真法によりレジストパターニング処理をし、このレジストをマスクにして所定の位置で配線パターンに至る開口部（ビアホール）を形成する。その後、開口部に銅メッキを施すことにより、接続用の電極（スルーホール）を形成する方法である。このプロセスによれば、写真法により一括して開口部を形成できるので、開口部間の相対的位置精度を高くすることができ、また、コンタクトも短かく、比較的小さい開口部を高解像度に形成することができる。
【０００８】
▲２▼  第１のレーザービアプロセス
このプロセスでは、まず、表裏に配線パターンを施した内層用のコア部材に対して熱硬化絶縁樹脂を形成し、これを乾燥硬化（キュア）してレーザー加工法により所定の位置で配線パターンに至る開口部（ブラインドビアホール）を形成する。その後、開口部に銅メッキを施すことにより、接続用の電極（スルーホール）を形成する方法である。このプロセスによれば、ブラインドビアホールはレーザーによって加工されるので、ゴミの影響を受けにくく、クリーンルームでの作業が不要となる。
【０００９】
▲３▼  第２のレーザービアプロセス
このプロセスでは、表裏に配線パターンを施した内層用のコア部材を使用するところまでは第１のレーザービアプロセス法と同様であるが、このコア部材に対して、熱硬化絶縁樹脂付きの銅箔をコア部材の表裏に接着する。その後は、これをキュアしてレーザー加工法により所定の位置で銅箔を貫いて配線パターンに至る開口部（ブラインドビアホール）を形成し、その後、開口部に銅メッキを施すことにより、接続用の電極（スルーホール）を形成する方法である。
【００１０】
このプロセスによれば、ブラインドビアホールがレーザーによって加工されるので、第１のレーザービアプロセスの利点と、コア部材の凹凸部が熱硬化絶縁樹脂に吸収されることから、この凹凸部が反映されず配線基板の多層化がし易く、コア部材間の密着力も強いという利点がある。
【００１１】
▲４▼  べリードバンブインターコネクションテクノロジープロセス
図６は、従来例に係る多層配線基板１０の構成例を示す断面図である。図６に示す多層配線基板１０はべリードバンブインターコネクションテクノロジープロセスによって形成され、裏面に配線パターン３Ａ〜３Ｃや内層に接続用の電極２Ａ〜２Ｃを有したコア部材１を有している。このコア部材１の電極２Ａ〜２Ｃ上の各々にはバンプ電極４Ａ〜４Ｃがそれぞれ設けられており、更にバンプ電極４Ａ〜４Ｃを絶縁するようにコア部材１上には熱硬化絶縁樹脂５が設けられる。この熱硬化絶縁樹脂５及びバンプ電極４Ａ〜４Ｃ上の各々には回路電極パターン６Ａ〜６Ｃがそれぞれ設けられる。
【００１２】
このバンプ電極４Ａ〜４Ｃに関しては、回路電極パターン６Ａ〜６Ｃが形成される前の、図７Ａに示すような銅箔２の所定の位置に、銅入り導電ペーストを幾度か重ね印刷（バンプ印刷）して円錐状になされ、その後、円錐状導電ペースト４Ａ’〜４Ｃ’をキュアし、図７Ｂに示すコア部材１と熱硬化絶縁樹脂５と円錐状導電ペースト付きの銅箔２とを重ね合わせ、この熱硬化絶縁樹脂５を貫いてコア部材１の電極２Ａ〜２Ｃに到達するように加熱加圧されて成るものである。このプロセスによれば、接続用の開孔作業が不要なこと及び孔間の相対的位置精度が高くコンタクトを短くすることができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来例に係るべリードバンブインターコネクションテクノロジープロセスによれば、バンプ電極４Ａ〜４Ｃを得るためには、導電ペーストを銅箔２にバンプ印刷して円錐状導電ペースト４Ａ’〜４Ｃ’を形成しなければならない。この際に、幾度も導電ペーストを重ね刷りをしなくてはならず、導電ペーストの幅、高さのばらつきが大きくなるおそれがある。従って、バンプ印刷精度の限界によって、小さな径のコンタクトを困難にし、多層配線基板の高密度化の妨げとなるという問題がある。因みに、他の３つのプロセスでは以下のような問題がある。
【００１４】
フォトビアプロセス法によれば、写真法によりビアホールを形成するため、露光時にゴミの影響を受けやすく、クリーンルーム等の管理が必要となる。また、コア部材に感光性絶縁樹脂を塗布するため、コア部材の凹凸部が反映してしまい最終パターンを形成しずらい。更に、感光性絶縁樹脂に銅メッキを施すのみなので配線パターンの密着力が弱くなってしまう。
【００１５】
第１及び第２のレーザービアプロセス法によれば、レーザーにより順次ブラインドビアホールを開口するため、孔間の相対的位置精度が低下したり、またコンタクトも長くなってしまう。更に、第１のレーザービアプロセス法では熱硬化絶縁樹脂を塗布するため、コア部材の凹凸が反映してしまい最終パターンを形成しずらい。また、感光性絶縁樹脂に銅メッキを施すのみなので配線パターンの密着力が弱くなってしまう。
【００１６】
第２のレーザービアプロセス法によれば、レーザーにより銅箔を貫いて配線パターンに至る開口部を形成するため、大きなエネルギービームが必要となり、小さな開口部の孔開け作業が複雑になり、高価なレーザー加工装置が必要となる。
【００１７】
また、４つの方式はいずれも銅箔をエッチングして回路電極パターンを形成されるため、配線パターンの仕上がり精度に限界を生じ、当該多層配線基板を高周波回路に適用する場合はインピーダンス整合等の特別な対策を施さなければならないという問題もある。
【００１８】
そこで、この発明はこのような従来の課題を解決したものであって、孔開け用の高価なレーザー装置を使用することなく、フォトビア法と同等の小径で位置精度良く回路電極パターンと所定の電極回路基材とを接続できるようにすると共に、その回路電極パターンの平坦性及び密着力を向上できるようにした電子部品実装基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上述した課題は、少なくとも、一方の面に電極を有した電極回路基材と、この電極回路基材の電極上に接合された凸状の電極と、この電極を絶縁するように電極回路基材上に設けられた絶縁部材と、この絶縁部材及び凸状の電極上に設けられた回路電極パターンとを備え、この回路電極パターンは、ニッケル、金、ニッケル、銅、ニッケル及び金の順にメッキされて成り、凸状の電極は回路電極パターンの所定の位置に所望の導電部材が先細り、かつ、階段状にメッキされ、その後、絶縁部材を貫いて電極回路基材の電極に到達するように加圧されて成ることを特徴とする電子部品実装基板によって解決される。
【００２０】
本発明に係る電子部品実装基板によれば、ニッケル、金、ニッケル、銅、ニッケル及び金の順にメッキされて成る回路電極パターンと所望の導電部材を先細り、かつ、階段状にメッキされて成る凸状の電極とをほぼ一体化でき、一体化された凸状の電極を電極回路基材の電極に接合する構造を採ることができるので、接触抵抗のほとんど無視可能な電極接続構造の電子部品実装基板を提供することができる。
【００２１】
また、電極回路基材の電極や回路電極パターンなどの凹凸部を絶縁部材によって吸収できるので、平坦性及び密着力に優れた極薄型かつ高密度化の可能な電子部品実装基板を提供することができる。携帯電話機等の電子部品実装基板に十分応用することができる。
【００２２】
本発明に係る電子部品実装基板の製造方法はメッキ及びエッチング可能な導電性の基材の一方の面にニッケル、金、ニッケル、銅、ニッケル及び金の順にメッキして所定の回路電極パターンを形成する工程と、回路電極パターンを形成された回路電極基板上に非メッキ部材を選択的に形成する工程と、非メッキ部材をマスクにして前記回路電極パターン上に所望の導電部材を先細り、かつ、階段状にメッキして接続用の凸状の電極を形成する工程と、非メッキ部材を除去した後に、絶縁性の熱接合部材を回路電極基板と所定の電極回路基材との間に挟むと共に、その回路電極基板の凸状の電極を電極回路基材に到達するように加圧して当該回路電極基板と電極回路基材とを接合する工程と、この回路電極基板と電極回路基材とが接続された多層配線基板から導電性の基材を選択エッチング除去する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００２３】
本発明に係る電子部品実装基板の製造方法によれば、孔開け用の高価なレーザー装置を使用することなく、フォトビア法と同等の小径で相対的位置精度の高いブラインドコンタクトを行うことができる。しかも、回路電極パターンと凸状の電極とはメッキによって密着力を数段向上できる。
【００２４】
また、回路電極基板と電極回路基材とが接続された多層基板から、仮の基板として使用していた導電性の基材をエッチングにより全面除去されるので、平坦性及び密着力に優れた電子部品実装基板を製造することができる。これにより、相対的位置精度の高いブラインドビアホールを有したビルドアツプ基板などの電子部品実装基板の量産に十分対処することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
続いて、この発明に係る電子部品実装基板及びその製造方法の一実施の形態について、図面を参照しながら説明をする。
図１は本発明に係る実施形態としての電子部品実装基板１００の構成例を示す断面図である。
この実施形態では、回路電極パターン上に所望の導電部材をメッキして接続用の凸状の電極を形成した後に、絶縁性の熱接合部材を仮の回路電極基板と所定の電極回路基材との間に挟むと共に、この回路電極基板の凸状の電極を電極回路基材に到達するように加圧して当該回路電極パターンと電極回路基材とを接合するようにして、孔開け用の高価なレーザー装置を使用することなく、フォトビア法と同等の小径で位置精度良く回路電極パターンと所定の電極回路基材とを接続できるようにすると共に、その回路電極パターンの平坦性及び密着力を向上できるようにしたものである。
【００２６】
図１に示す電子部品実装基板１００は携帯電話機や携帯端末装置に適用して好適なビルドアップ型の多層配線基板を構成するものである。電子部品実装基板１００は適用機器及び配線基板の多層数にもよるが全体の厚さは数ｍｍ程度である。電子部品実装基板１００は電極回路基材の一例となる内層用のコア部材１１を有している。コア部材１１は、少なくとも、一方の面に複数のコンタクト用の電極１２Ａ〜１２Ｃを有している。
【００２７】
このコア部材１１の電極１２Ａ上には凸状の電極１４Ａが接合され、その電極１２Ｂ上には凸状の電極１４Ｂが接合され、その電極１２Ｃ上には凸状の電極１４Ｃが各々接合されており、コア部材１１上にはこれらの電極１２Ａ〜１２Ｃ及び１４Ａ〜１４Ｃを絶縁するように絶縁部材（以下で熱接合部材ともいう）１５が設けられている。この絶縁部材１５は接着性を有した熱硬化絶縁樹脂から構成されている。コア部材１１下には回路電極パターン１３Ａ〜１３Ｃが設けられている。
【００２８】
この絶縁部材１５、凸状の電極１４Ａ上には回路電極パターン１６Ａが設けられ、凸状の電極１４Ｂ上には回路電極パターン１６Ｂが設けられ、及び、凸状の電極１４Ｃ上には回路電極パターン１６Ｃが各々設けられている。回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃは、メッキ及びエッチング可能な導電性の仮の基材に選択的に形成された非メッキ部材をマスクにしてその基材に導電部材をメッキした後、その基材を選択エッチング除去して形成されたものである（図２〜図４参照）。
【００２９】
このように形成すると、回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃのサイドエッジを垂直に切り立つように整形することができ、銅箔をエッチングしてパターン形成する場合に比べて表皮効果に優れた配線パターンが得られ、高周波動作に最適となる。
【００３０】
この凸状の電極１４Ａ〜１４Ｃは各々の回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃの所定の位置に所望の導電部材を凸状にメッキし、その後、絶縁部材１５を貫いてコア部材１１の電極１２Ａ〜１２Ｃに到達するように加圧されて形成されたものである。回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃ及び凸状の電極１４Ａ〜１４Ｃは電気メッキ法により形成される。例えば、回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃは、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、ニッケル、銅（Ｃｕ）、ニッケル及び金の順にメッキされて構成され、凸状の電極１４Ａ〜１４Ｃは回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃに銅を選択的にメッキすることにより形成される。
【００３１】
続いて、電子部品実装基板１００の製造方法について説明をする。図２〜図５は電子部品実装基板１００の形成例（その１〜４）を示す工程図である。この例では凸状の電極１４Ａ〜１４Ｃに関して、回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃ上に選択的に先細り、かつ、階段状のレジスト空洞部を形成し、その後、この空洞に一挙に銅メッキをする場合を例に挙げる。
【００３２】
これを前提にして、まず、メッキ及びエッチング可能な導電性の基材の一例となる、図２Ａに示すような板厚ｔの銅箔（薄い銅板）２０を準備する。銅箔２０の板厚ｔは１００〜２００μｍ程度であり、この例ではｔ＝１２５μｍの銅箔を使用する。この銅箔２０は電子部品実装基板１００を製造する過程で仮の基板となる。
【００３３】
その後、図２Ｂにおいて、銅箔２０の一方の面に第１の非メッキ部材の一例となるレジストを写真法によりパターニングする。なお、銅箔２０の反対面や側面にもレジストが必要であるが、図が複雑になるので、他の図においても省略する。
【００３４】
この銅箔２０の全面にレジストを塗布し、回路電極パターンを焼き付けたレチクルをマスクにして露光する。その後、レジストを現像した後に不要なレジスト膜を除去する。これにより、銅箔２０の一方の面に所定の回路電極パターンを反転したレジストパターン１７を形成することができる。
【００３５】
その後、図２Ｃに示す電気メッキ装置２００に銅箔２０をセットして、レジストパターン１７をマスクにして銅箔２０に所望の導電部材をメッキにより成長する。電気メッキ装置２００には周知の電解メッキ方法が適用される。電気メッキ装置２００はメッキ容器２０１の中に電解液２０２、陽極２０３、その外部に直流電源２０４及び電流計２０５を有している。陽極２０３には所望の導電部材を用いてもよい。
【００３６】
メッキ母材となる銅箔２０は直流電源２０４の−端子に接続され、陽極２０３は電流計２０５を通じて直流電源２０４の＋端子に接続して使用される。電解液２０２は導電部材によって取り替えるようになされる。この例で導電部材（メッキ部材）には金、ニッケル及び銅が使用され、レジストパターン１７を形成された銅箔２０にはＮｉ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕの順にメッキがなされる。
【００３７】
このとき、各々のメッキ部材におけるメッキ電流Ｉは電流計２０５を見ながら調整し、各々のメッキ部材の厚みを調整することにより、回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃの全体の厚みを制御するようになされる。各々のメッキ部材の厚みはメッキ電流Ｉを多くし、通電時間を長くするとメッキ量を多くすることができる。銅箔パターンにより配線を形成する場合に比べて厚みのある回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃを形成することができる。
【００３８】
その後、レジストを除去する。これにより、銅箔２０の一方の面にＮｉ／Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕを積層した回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃを形成することができる。ここで回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃがメッキされた銅箔２０を以後、回路電極基板２０’ともいう。
【００３９】
このような回路電極基板２０’が出来上がったら、接続用の凸状のバンプ電極１４Ａ〜１４Ｃを形成するために、まず、図３Ａにおいて、回路電極基板２０’の回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃ上に第２の非メッキ部材の一例となる、所定の開口幅を有したシート状のレジスト膜１８を選択的に形成する。レジスト膜１８にはドライフィルム状のものを使用する。バンプ電極１４Ａ〜１４Ｃを円錐状に近づけるために、レジスト膜１８で抜かれる１つの開口形状は円形状あるいは楕円形状とするとよい。もちろん、開口形状は矩形状であってもよい。
【００４０】
そして、図３Ａに示した一層目のレジスト膜１８上に図３Ｂに示す開口幅を順次狭くしたシート状のレジスト膜１９を積層するようになされる。このとき前回のレジスト膜１８よりもやや小さい窓を有したシート状のレジスト膜１９で覆う。このレジスト膜１９上に更に図３Ｃに示すレジスト膜２１を積層する。
【００４１】
これにより、図３Ｃに示す回路電極パターン１６Ａ上に選択的に先細りかつ階段状（凸状：円錐状）のレジスト空洞部２２Ａを形成すること、同様にして、回路電極パターン１６Ｂ上にレジスト空洞部２２Ｂを形成すること、回路電極パターン１６Ｃ上にレジスト空洞部２２Ｃを形成することができる。このようにすると凸状の空洞部２２Ａ〜２２Ｃに一挙に一度に電気メッキを成長できるようになる。
【００４２】
その後、図４Ａに示す電気メッキ装置２００に回路電極基板２０’をセットして、積層されたレジスト膜１８，１９，２１等をマスクにして回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃ上に所望の導電部材をメッキする。電解液２０２には硫酸銅の水溶液が使用される。この例で導電部材（メッキ部材）には銅が使用され、レジスト膜１８，１９，２１をパターニングされた回路電極基板２０’にはＣｕがメッキされる。
【００４３】
このとき、メッキ電流Ｉを調整して凸状のレジスト空洞部２２Ａ〜２２Ｃへの銅のメッキ速度が制御される。例えば、初期段階で電流Ｉを多くし、メッキ終了に近づくにつれて電流Ｉを少なくしたり、メッキ初期からメッキ終了に至るまで一定電流を通電する方法が採られる。均一なメッキを成長させるためである。
【００４４】
このようにメッキ電流Ｉを制御し、その後、レジスト膜１８，１９，２１等を除去すると、図４Ｂに示すような接続用の凸状のバンプ電極１４Ａ〜１４Ｃを回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃ上に形成することができる。このバンプ電極１４Ａ〜１４Ｃの先端は薬品又は電解研磨するとよい。尖がった円錐状のバンプ電極１４Ａ〜１４Ｃを得ることができ、後工程において、熱接合部材を突き破り易くなる。
【００４５】
この後工程については従来例と同様にして、図５Ａにおいて、絶縁性の熱接合部材（絶縁部材）１５を回路電極基板２０’と所定のコア部材１１との間に挟む。熱接合部材１５にはプリプレグなどの熱硬化絶縁樹脂が使用される。熱接合部材１５はスクリーン印刷で供給されたものでもよい。コア部材１１は層間絶縁部材１１Ａの表面に接続用の電極１２Ａ〜１２Ｃを有し、その裏面に回路電極パターン１３Ａ〜１３Ｃを有し、電極１２Ａ及び回路電極パターン１３Ａとの間がバンプ電極１３Ｄで接続されており、内層用のコア構造を成している。
【００４６】
この回路電極基板２０’と所定のコア部材１１との間に熱接合部材１５を挟み込んだら、その回路電極基板２０’のバンプ電極１４Ａ〜１４Ｃをコア部材１１の電極１２Ａ〜１２Ｃに到達するように加圧、加熱して当該回路電極基板２０’とコア部材１１とを接合する。
【００４７】
この際の接合条件は、４０ｋｇ／ｃｍ2〜６０ｋｇ／ｃｍ2の圧力で、１７０℃〜１８０℃の温度で、回路電極基板２０’とコア部材１１との接合体を３０分間程度、このままの状態で保持される。この接合によって回路電極基板２０’がコア部材１１に接着されると共に、コア部材１１や回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃの凹凸部が熱硬化絶縁樹脂層により吸収されて平坦性が高くなる。
【００４８】
その後、図５Ｂにおいて、回路電極基板２０’とコア部材１１とが接着された多層配線基板から仮の基板として使用していた銅箔２０を全面エッチングして除去する。銅はアルカリ液を使用してエッチングする。銅のエッチング液には専用エッチャントをアンモニアによりペーハーを８．０乃至８．５程度に調整した水溶液を４５℃にして使用する。ニッケルのエッチング液には専用酸性エッチャントを温度３５℃にして使用する。
【００４９】
これにより、携帯電話機や携帯端末装置に適用して好適な図１に示したようなビルドアップ型の多層配線基板が完成する。更に多層化したい場合は上述の形成工程を繰り返せばよい。
【００５０】
このように、本発明に係る実施形態としての電子部品実装基板１００によれば、回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃとバンプ電極１４Ａ〜１４Ｃとを電気メッキによってほぼ一体化でき、一体化されたバンプ電極をコア部材１１の電極１２Ａ〜１２Ｃに加圧接着接合する構造を採ることができるので、接触抵抗のほとんど無視可能な電極接続構造の電子部品実装基板１００を提供することができる。
【００５１】
また、コア部材１１の接続用の電極１２Ａ〜１２Ｃや回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃなどの凹凸部を熱接合部材１５によって吸収できるので、平坦性及び密着力に優れた極薄型の電子部品実装基板１００を提供することができる。
【００５２】
更に、この電子部品実装基板１００の製造方法によれば、孔開け用の高価なレーザー装置を使用することなく、フォトビア法と同等の小径で相対的位置精度の高いブラインドコンタクトを行うことができる。しかも、回路電極パターン１６Ａ〜１６Ｃとバンプ電極１４Ａ〜１４Ｃとはメッキによって密着力を数段向上できる。
【００５３】
また、回路電極基板２０’とコア部材１１とが接続された多層配線基板から、仮の基板として使用していた銅箔２０をエッチングにより全面除去されるので、平坦性及び密着力に優れた電子部品実装基板１００を再現性良く製造することができる。これにより、電子部品実装基板１００の量産に十分対処することができる。
【００５４】
この実施形態ではシート状のレジストを積層して数段の開口幅の異なるレジスト空洞部２２Ａ〜２２Ｃを形成し、その後、一度に銅をメッキする方法について説明したが、これに限られることはない。もちろん、液状のレジストを使用して、その都度、感光し現像し、レジスト膜をパターニングして銅をメッキしては、レジストパターニング工程を複数回繰り返してバンプメッキを徐々に細くしながら突起状のバンプ電極を形成しても同様な効果を得ることができる。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る電子部品実装基板によれば、電極回路基材の電極と絶縁部材上でニッケル、金、ニッケル、銅、ニッケル及び金の順にメッキされて成る回路電極パターンとを接合する凸状の電極を備え、この凸状の電極は回路電極パターンの所定の位置に所望の導電部材が先細り、かつ、階段状にメッキされ、その後、絶縁部材を貫いて電極回路基材の電極に到達するように加圧されて成るものである。
【００５６】
この構成によって、回路電極パターンと凸状の電極とをほぼ一体化でき、一体化された凸状の電極を電極回路基材の電極に接合する構造を採ることができるので、接触抵抗のほとんど無視可能な電極接続構造の電子部品実装基板を提供することができる。
【００５７】
また、電極回路基材の電極や回路電極パターンなどの凹凸部を絶縁部材によって吸収できるので、平坦性及び密着力に優れた極薄型の電子部品実装基板を提供することができる。携帯電話機等の電子部品実装基板に十分応用することができる。
【００５８】
本発明に係る電子部品実装基板の製造方法によれば、ニッケル、金、ニッケル、銅、ニッケル及び金の順にメッキされて成る回路電極パターン上に所望の導電部材を先細り、かつ、階段状にメッキして接続用の凸状の電極を形成した後に、この非メッキ部材を除去し、その後、絶縁性の熱接合部材を回路電極基板と所定の電極回路基材との間に挟むと共に、この回路電極基板の凸状の電極を電極回路基材に到達するように加圧して当該回路電極基板と電極回路基材とを接合するようになされる。
【００５９】
この構成によって、孔開け用の高価なレーザー装置を使用することなく、フォトビア法と同等の小径で相対的位置精度の高いブラインドコンタクトを行うことができる。しかも、回路電極パターンと凸状の電極とはメッキによって密着力を数段向上できる。
【００６０】
また、回路電極基板と電極回路基材とが接続された多層配線基板から、仮の基板として使用していた導電性の基材をエッチングにより全面除去されるので、平坦性及び密着力に優れた電子部品実装基板を製造することができる。電子部品実装基板の量産に十分対処することができる。
この発明は小型及び軽量化される携帯端末装置や携帯電話機に実装する多層配線基板に適用して極めて好適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る実施形態としての電子部品実装基板１００の構成例を示す断面図である。
【図２】Ａ〜Ｃは電子部品実装基板１００の形成例（その１）を示す工程図である。
【図３】Ａ〜Ｃは電子部品実装基板１００の形成例（その２）を示す工程図である。
【図４】Ａ及びＢは電子部品実装基板１００の形成例（その３）を示す工程図である。
【図５】Ａ及びＢは電子部品実装基板１００の形成例（その４）を示す工程図である。
【図６】従来例に係る多層配線基板１０の構成例を示す断面図である。
【図７】Ａ及びＢは、多層配線基板１０の接合時の形成例を示す工程図である。
【符号の説明】
１１・・・コア部材（電極回路基材）、１２Ａ〜１２Ｃ・・・電極、１３Ａ〜１３Ｃ・・・回路電極パターン、１４Ａ〜１４Ｃ・・・バンプ電極（凸状の電極）、１５・・・熱接合部材（絶縁部材）、１７・・・レジストパターン、１８，１９，２１・・・レジスト膜、２０・・・銅箔、２２Ａ〜２２Ｃ・・・レジスト空洞部、１００・・・電子部品実装基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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