(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基板の一面にアンテナ回路及び半導体素子搭載部に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、他面に治具穴に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設ける過程と、前記導電性基板の第１のレジストパターンを設けた側を保護フィルムで被覆し、しかる後第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、保護フィルムを剥離した後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着し、しかる後第１、第２のレジストパターンを剥離してアンテナ回路及び半導体素子搭載部を形成する過程と、形成した半導体素子搭載部上に半導体素子を固定する過程と、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にワイヤより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子搭載部に固定した半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を剥離もしくは溶解することにより除去し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面及び半導体素子搭載部を保護層で被覆する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法。
【請求項２】
導電性基板の両面に治具穴に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、しかる後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、前記治具穴を形成した導電性基板の全表面を導電性基板とは異なる金属層で被覆する過程と、前記金属層で表面を被覆した導電性基板の一面にアンテナ回路及び半導体素子搭載部に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設け、第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着してアンテナ回路及び半導体素子搭載部を形成する過程と、形成した半導体素子搭載部上に半導体素子を固定する過程と、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にワイヤにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子搭載部に固定した半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後前記導電性基板を覆っている金属層を溶解することにより樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を分離し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面及び半導体素子搭載部を保護層で被覆する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法。
【請求項３】
導電性基板の一面にアンテナ回路に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、他面に治具穴に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設ける過程と、前記導電性基板の第１のレジストパターンを設けた側を保護フィルムで被覆し、しかる後第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、保護フィルムを剥離した後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着し、しかる後第１、第２のレジストパターンを剥離してアンテナ回路を形成する過程と、形成したアンテナ回路上に半導体素子を載置し、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にフリップチップボンディングにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を剥離もしくは溶解することにより除去し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面を保護層で被覆する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法。
【請求項４】
導電性基板の両面に治具穴に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、しかる後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、前記治具穴を形成した導電性基板の全表面を導電性基板とは異なる金属層で被覆する過程と、前記金属層で表面を被覆した導電性基板の一面にアンテナ回路に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設け、第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着してアンテナ回路を形成する過程と、形成したアンテナ回路上に半導体素子を載置し、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にフリップチップボンディングにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後前記導電性基板を覆っている金属層を溶解することにより樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を分離し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面を保護層で被覆する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法。
【請求項５】
複数の非接触式データキャリアを多面付けで製造する非接触式データキャリアの製造方法であって、導電性基板の一面に複数の非接触式データキャリアのアンテナ回路及び半導体素子搭載部に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、他面に治具穴に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設ける過程と、前記導電性基板の第１のレジストパターンを設けた側を保護フィルムで被覆し、しかる後第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、保護フィルムを剥離した後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着し、しかる後第１、第２のレジストパターンを剥離して複数のデータキャリアのアンテナ回路及び半導体素子搭載部を形成する過程と、形成した半導体素子搭載部上に半導体素子を固定する過程と、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にワイヤより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子搭載部に固定した半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を剥離もしくは溶解することにより除去し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面及び半導体素子搭載部を保護層で被覆する過程と、しかる後個々の非接触式データキャリアに切断分離する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法。
【請求項６】
複数の非接触式データキャリアを多面付けで製造する非接触式データキャリアの製造方法であって、導電性基板の両面に治具穴に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、しかる後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、前記治具穴を形成した導電性基板の全表面を導電性基板とは異なる金属層で被覆する過程と、前記金属層で表面を被覆した導電性基板の一面に複数の非接触データキャリアのアンテナ回路及び半導体素子搭載部に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設け、第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着して複数の非接触データキャリアのアンテナ回路及び半導体素子搭載部を形成する過程と、形成した半導体素子搭載部上に半導体素子を固定する過程と、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にワイヤにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子搭載部に固定した半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後前記導電性基板を覆っている金属層のみを溶解することにより樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を分離し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面及び半導体素子搭載部を保護層で被覆する過程と、しかる後個々の非接触式データキャリアに切断分離する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法。
【請求項７】
複数の非接触式データキャリアを多面付けで製造する非接触式データキャリアの製造方法であって、導電性基板の一面に複数の非接触データキャリアのアンテナ回路に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、他面に治具穴に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設ける過程と、前記導電性基板の第１のレジストパターンを設けた側を保護フィルムで被覆し、しかる後第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、保護フィルムを剥離した後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着し、しかる後第１、第２のレジストパターンを剥離して複数の非接触データキャリアのアンテナ回路を形成する過程と、形成したアンテナ回路上に半導体素子を載置し、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にフリップチップボンディングにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を剥離もしくは溶解することにより除去し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面を保護層で被覆する過程と、しかる後個々の非接触式データキャリアに切断分離する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法。
【請求項８】
複数の非接触式データキャリアを多面付けで製造する非接触式データキャリアの製造方法であって、導電性基板の両面に治具穴に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、しかる後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、前記治具穴を形成した導電性基板の全表面を導電性基板とは異なる金属層で被覆する過程と、前記金属層で表面を被覆した導電性基板の一面に複数のデータキャリアのアンテナ回路に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設け、第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着して複数の非接触データキャリアのアンテナ回路を形成する過程と、形成したアンテナ回路上に半導体素子を載置し、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にフリップチップボンディングにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後前記導電性基板を覆っている金属層のみを溶解することにより樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を分離し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面を保護層で被覆する過程と、しかる後個々の非接触式データキャリアに切断分離する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は非接触式データキャリアの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
非接触式データキャリアは、各種のデータを記憶できるメモリーを有し、外部のリーダー／ライターと非接触で交信できることから、データキャリアの付いた荷物の自動仕分け、在庫品の管理、商品の盗難防止、生産・流通管理等各種の用途に使われようになっている。
【０００３】
図１は従来から汎用されている非接触式データキャリアの一例を示す。この非接触式データキャリアはプラスチック等からなる基材１にコイル状アンテナ回路３を形成しこのアンテナコイルと該コイルに電気的に接続された容量素子により共振回路を形成して一定周波数の電波を受信し送信することができるように構成されている。一般的には１２５ｋＨｚ（中波）、１３．５６ＭＨｚ、２．４５ＧＨｚ（マイクロ波）の周波数帯が使用される。
【０００４】
図１に示す非接触式データキャリアにおいてはアンテナ回路３は導通部材４により基材１の裏面でジャンピング回路を形成し、そのアンテナ接続端子３ＣはＩＣチップ２の裏面のバンプに電気的に接続されている。また図１に図示する例においては容量素子はＩＣチップ２に内蔵されている。
【０００５】
このような非接触式データキャリアは樹脂製基材にラミネートしたアルミ箔等の金属箔をフォトエッチング法やレジストパターンを印刷により形成後にレジストパターンを介してエッチングする方法によりアンテナ回路３を形成し導通部材４とスルーホールを介して電気的に接続してジャンピング回路を形成し、裏面側にバンプを形成したＩＣチップをアンテナ接続端子に対応する位置に位置合わせして配置しバンプとアンテナ接続端子間を電気的に接続し、アンテナ回路３及びＩＣチップを保護するための被覆を設けることにより形成することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような非接触式データキャリアはアンテナ回路３を導通部材４とスルーホールを介して電気的に接続してジャンピング回路を形成しなければならず、また裏面側にバンプを形成したＩＣチップをアンテナ接続端子に対応する位置に位置合わせして配置しバンプとアンテナ接続端子間を電気的に接続しなければならない。さらにアンテナとＩＣチップを別々に製造することにより高コストとなる。
【０００７】
そのため製造コストがかかり特に２．４５ＧＨｚ（マイクロ波）の周波数帯が使用されるものの製造コストはその構造によって異なるが５ドルから１００ドル以上になるといわれている。（"Micro Stamp presented by Mitsui & Co., Ltd. http://www.mbd.co.jp/mc/rfid.00.html"から）
【０００８】
本発明の目的は従来よりも低コストで製造し得る非接触式データキャリアの製造方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、上記の非接触式データキャリアの製造方法に関する課題を解決するもので、導電性基板の一面にアンテナ回路及び半導体素子搭載部に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、他面に治具穴に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設ける過程と、前記導電性基板の第１のレジストパターンを設けた側を保護フィルムで被覆し、しかる後第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、保護フィルムを剥離した後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着し、しかる後第１、第２のレジストパターンを剥離してアンテナ回路及び半導体素子搭載部を形成する過程と、形成した半導体素子搭載部上に半導体素子を固定する過程と、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にワイヤより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子搭載部に固定した半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を剥離もしくは溶解することにより除去し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面及び半導体素子搭載部を保護層で被覆する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法を要旨とする。
【００１６】
請求項２に記載の発明は、上記の非接触式データキャリアの製造方法に関する課題を解決するもので、導電性基板の両面に治具穴に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、しかる後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、前記治具穴を形成した導電性基板の全表面を導電性基板とは異なる金属層で被覆する過程と、前記金属層で表面を被覆した導電性基板の一面にアンテナ回路及び半導体素子搭載部に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設け、第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着してアンテナ回路及び半導体素子搭載部を形成する過程と、形成した半導体素子搭載部上に半導体素子を固定する過程と、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にワイヤにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子搭載部に固定した半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後前記導電性基板を覆っている金属層を溶解することにより樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を分離し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面及び半導体素子搭載部を保護層で被覆する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法を要旨とする。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、上記の非接触式データキャリアの製造方法に関する課題を解決するもので、導電性基板の一面にアンテナ回路に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、他面に治具穴に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設ける過程と、前記導電性基板の第１のレジストパターンを設けた側を保護フィルムで被覆し、しかる後第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、保護フィルムを剥離した後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着し、しかる後第１、第２のレジストパターンを剥離してアンテナ回路を形成する過程と、形成したアンテナ回路上に半導体素子を載置し、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にフリップチップボンディングにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を剥離もしくは溶解することにより除去し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面を保護層で被覆する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法を要旨とする。
【００１８】
請求項４に記載の発明は、上記の非接触式データキャリアの製造方法に関する課題を解決するもので、導電性基板の両面に治具穴に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、しかる後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、前記治具穴を形成した導電性基板の全表面を導電性基板とは異なる金属層で被覆する過程と、前記金属層で表面を被覆した導電性基板の一面にアンテナ回路に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設け、第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着してアンテナ回路を形成する過程と、形成したアンテナ回路上に半導体素子を載置し、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にフリップチップボンディングにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後前記導電性基板を覆っている金属層を溶解することにより樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を分離し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面を保護層で被覆する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法を要旨とする。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、上記の非接触式データキャリアの製造方法に関する課題を解決するもので、複数の非接触式データキャリアを多面付けで製造する非接触式データキャリアの製造方法であって、導電性基板の一面に複数の非接触式データキャリアのアンテナ回路及び半導体素子搭載部に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、他面に治具穴に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設ける過程と、前記導電性基板の第１のレジストパターンを設けた側を保護フィルムで被覆し、しかる後第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、保護フィルムを剥離した後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着し、しかる後第１、第２のレジストパターンを剥離して複数のデータキャリアのアンテナ回路及び半導体素子搭載部を形成する過程と、形成した半導体素子搭載部上に半導体素子を固定する過程と、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にワイヤより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子搭載部に固定した半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を剥離もしくは溶解することにより除去し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面及び半導体素子搭載部を保護層で被覆する過程と、しかる後個々の非接触式データキャリアに切断分離する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法を要旨とする。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、上記の非接触式データキャリアの製造方法に関する課題を解決するもので、複数の非接触式データキャリアを多面付けで製造する非接触式データキャリアの製造方法であって、導電性基板の両面に治具穴に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、しかる後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、前記治具穴を形成した導電性基板の全表面を導電性基板とは異なる金属層で被覆する過程と、前記金属層で表面を被覆した導電性基板の一面に複数の非接触データキャリアのアンテナ回路及び半導体素子搭載部に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設け、第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着して複数の非接触データキャリアのアンテナ回路及び半導体素子搭載部を形成する過程と、形成した半導体素子搭載部上に半導体素子を固定する過程と、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にワイヤにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子搭載部に固定した半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後前記導電性基板を覆っている金属層のみを溶解することにより樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を分離し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面及び半導体素子搭載部を保護層で被覆する過程と、しかる後個々の非接触式データキャリアに切断分離する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法を要旨とする。
【００２１】
請求項７に記載の発明は、上記の非接触式データキャリアの製造方法に関する課題を解決するもので、複数の非接触式データキャリアを多面付けで製造する非接触式データキャリアの製造方法であって、導電性基板の一面に複数の非接触データキャリアのアンテナ回路に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、他面に治具穴に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設ける過程と、前記導電性基板の第１のレジストパターンを設けた側を保護フィルムで被覆し、しかる後第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、保護フィルムを剥離した後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着し、しかる後第１、第２のレジストパターンを剥離して複数の非接触データキャリアのアンテナ回路を形成する過程と、形成したアンテナ回路上に半導体素子を載置し、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にフリップチップボンディングにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を剥離もしくは溶解することにより除去し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面を保護層で被覆する過程と、しかる後個々の非接触式データキャリアに切断分離する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法を要旨とする。
【００２２】
請求項８に記載の発明は、上記の非接触式データキャリアの製造方法に関する課題を解決するもので、複数の非接触式データキャリアを多面付けで製造する非接触式データキャリアの製造方法であって、導電性基板の両面に治具穴に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、しかる後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成する過程と、前記治具穴を形成した導電性基板の全表面を導電性基板とは異なる金属層で被覆する過程と、前記金属層で表面を被覆した導電性基板の一面に複数のデータキャリアのアンテナ回路に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設け、第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着して複数の非接触データキャリアのアンテナ回路を形成する過程と、形成したアンテナ回路上に半導体素子を載置し、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にフリップチップボンディングにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止する過程と、しかる後前記導電性基板を覆っている金属層のみを溶解することにより樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を分離し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面を保護層で被覆する過程と、しかる後個々の非接触式データキャリアに切断分離する過程の各過程を含むことを特徴とする非接触式データキャリアの製造方法を要旨とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
図２は本発明で製造する非接触式データキャリアを示す。図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように本発明の非接触式データキャリアは半導体素子１１及びアンテナ回路１２が封止用樹脂１３により封止され、半導体素子１１の電極部はワイヤ１４を介してアンテナ回路１２の両端部に電気的に接続されている。そして樹脂封止部から露出するアンテナコイル１２の部分及び半導体素子搭載部１５はソルダーレジストからなる保護層１６で保護されている。
【００２５】
図２から明らかなように本発明の非接触式データキャリアにおいてはアンテナ回路を導通部材とスルーホールを介して電気的に接続してジャンピング回路を形成したり、ＩＣチップに形成したバンプをアンテナ接続端子に対応する位置に位置合わせして配置しバンプとアンテナ接続端子間を電気的に接続する必要はない。単に半導体素子搭載部に半導体素子を載置しワイヤにて半導体素子の電極部をアンテナ回路の両端部に電気的に接続するだけでよい。従って従来の非接触式データキャリアに比して低コストで製造することができるものである。
【００２６】
図３は本発明で製造する非接触式データキャリアの別の実施の形態を示す。半導体素子１１及び線状のアンテナ回路１７が封止用樹脂１３により封止され、半導体素子１１の電極部はワイヤ１４によりアンテナ回路１７に電気的に接続されている。そして樹脂封止部から露出するアンテナ回路１７及び半導体素子１１はソルダーレジストからなる保護層１６で保護されている。
【００２７】
図４は本発明で製造する非接触式データキャリアの更に別の実施の形態を示す。半導体素子１１及び方形のアンテナ回路１８は封止用樹脂１３により封止され、半導体素子１１の電極部はワイヤ１４によりアンテナ回路１８の両端部に電気的に接続されている。そして樹脂封止部から露出するアンテナ回路１８及び半導体素子１１はソルダーレジストからなる保護層１６で保護されている。
【００２８】
図５は本発明で製造する非接触式データキャリアの更に別の実施の形態を示す。半導体素子１１及び平行なアンテナ回路１９は封止用樹脂１３により封止され、半導体素子１１の電極部はワイヤ１４によりアンテナ回路１９に電気的に接続されている。そして樹脂封止部から露出するアンテナ回路１９及び半導体素子１１はソルダーレジストからなる保護層１６で保護されている。
【００２９】
図６は本発明で製造する非接触式データキャリアの別の実施の形態を示す。半導体素子１１及び線状のアンテナ回路２０が封止用樹脂１３により封止され、半導体素子１１の電極部はフリップチップボンディング方式によりバンプ２１を介してアンテナ回路２０に電気的に接続されている。そして樹脂封止部から露出するアンテナ回路２０はソルダーレジストからなる保護層１６で保護されている。
【００３０】
図７は本発明で製造する非接触式データキャリアの更に別の実施の形態を示す。半導体素子１１及び一直線上に対向して配置された線状のアンテナ回路２２は封止用樹脂１３により封止され、半導体素子１１の電極部はフリップチップボンディング方式によりバンプ２１を介してアンテナ回路２２に電気的に接続されている。そして樹脂封止部から露出するアンテナ回路２２はソルダーレジストからなる保護層１６で保護されている。
【００３１】
図８は本発明で製造する非接触式データキャリアの更に別の実施の形態を示す。半導体素子１１及びそれぞれ接続用の突出部を有し、互いに平行に配置されたアンテナ回路２３は封止用樹脂１３により封止され、半導体素子１１の電極部はフリップチップボンディング方式によりバンプ２１を介してアンテナ回路２３の突出部に電気的に接続されている。そして樹脂封止部から露出するアンテナ回路２３はソルダーレジストからなる保護層１６で保護されている。
【００３２】
本発明で製造する非接触式データキャリアは、その封止用樹脂側及び保護層の面側の一方あるいは両方に適当なインダクタンスに設定されたアンテナ回路を形成し、これをブースターアンテナや共振回路の一部として用いることも可能である。この場合アンテナ回路との間にビアやスルーホールなどを形成することにより付加するアンテナとの間に電気的接続をとり共振させることも可能であるが、ビアやスルーホール無しに付加するアンテナに適当なパターンを形成するなどして封止用樹脂や保護層の絶縁層を容量成分とし、その結合により共振をとることも可能である。
【００３３】
図９は本発明で製造する非接触式データキャリアの更に別の実施の形態を略図示するものである。この実施の形態は半導体素子及びアンテナ回路が樹脂封止され、半導体素子の電極部はアンテナ回路の端部に電気的に接続してなるアンテナ付半導体パッケージ５１とブースターアンテナ５２の組み合わせよりなる。この実施の形態においては、アンテナ付半導体パッケージ５１のアンテナ回路とブースターアンテナ５２の間にビアやスルーホールなどを形成することにより付加するブースターアンテナとの間に電気的接続をとり共振させることも可能であるが、ビアやスルーホール無しに付加するアンテナに適当なパターンを形成するなどして封止用樹脂や保護層の絶縁層を容量成分とし、その結合により共振をとることも可能である。
【００３４】
図１０は第１の本発明の非接触式データキャリアの製造方法を示す。図１０に示すように、先ず、銅合金、４２アロイ、ステンレス（ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ３０４）等からなる導電性基板２４を用意しアンテナ回路を形成する側の面をサンドブラスにより凹凸をつける表面処理を行った後、その表面処理面をクロム酸液により酸化させ酸化膜を生成し、その上に後工程で形成される導電性金属膜及び封止用樹脂の導電性基板からの剥離を容易にする剥離処理を行う（図１０（１））。
【００３５】
次いで導電性基板２４の両面にドライフィルムレジストを用いて感光性レジスト層を形成し、露光、現像処理等を行って導電性基板２４の前記処理（表面処理及び剥離処理）を施した面に非接触式データキャリアのアンテナ回路及び半導体素子搭載部に相当する部分が開口した第１のレジストパターン２５を設け、他面に治具穴に相当する部分が開口した第２のレジストパターン２６を設ける（図１０（２））。
【００３６】
ドライフィルムレジストは、一般にはレジストを支持するフィルム基材、レジスト、保護コートフィルムの３層からなる。保護コートフィルムを剥がし、レジスト面を露出させた状態で、レジスト面を導電性基板２４の面に密着させ、しかる後フィルム基材を剥離することにより導電性基板２４の面に形成することができる。
【００３７】
尚、第１のレジストパターン２５及び第２のレジストパターン２６の形成はスクリーン印刷、グラビア印刷等の印刷技術によって行ってもよい。
【００３８】
次いで前記導電性基板の第１のレジストパターン２５を設けた側をポリエチレンテレフタレートフィルム等からなる耐食性の保護フィルム２７で被覆する（図１０（３））。
【００３９】
しかる後第２のレジストパターン２６の開口部から露出する導電性基板２４の領域をエッチングすることにより治具穴２８を形成する（図１０（４））。
【００４０】
次いで保護フィルム２７を剥離して第１のレジストパターン２５を露出させ（図１０（５））、第１のレジストパターン２５の開口部から露出する導電性基板２４の表面にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等のメッキあるいはそれらの多層メッキ２９を施し（図１０（６））、しかる後第１のレジストパターン２５を剥離液に浸漬して剥離し、次いで洗浄処理等を施してアンテナ回路１２及び半導体素子搭載部１５を形成する（図１０（７））。尚、第２のレジストパターン２６は第１のレジストパターン２５の剥離時に一緒に剥離される。
【００４１】
次いで形成した半導体素子搭載部１５上に半導体素子１１を載置し、半導体素子搭載部１５に固定する（図１０（８））。
【００４２】
しかる後Ａｕ等の貴金属のワイヤ１４により半導体素子１１の電極部をアンテナ回路１２の両端部に接続する（図１０（９））。尚、ワイヤボンディングは加熱のみで圧着する熱圧着ボンダ、熱圧着と超音波を併用する超音波熱圧着ボンダ、常温で超音波振動のみで圧着するウェッジボンダ等のワイヤボンディング装置を用いて行うことができる。
【００４３】
次いでアンテナ回路１２及び半導体素子１１並びにワイヤ１４をエポキシ樹脂等の封止用樹脂１３を用いて封止する（図１０（１０））。この封止の過程では、導電性基板２４の表面に凹凸を付ける表面処理が施されていることによりアンテナ回路１２及び半導体素子搭載部１５を形成する金属膜は導電性基板２４に対して確実に密着し封止用樹脂のモールド時の圧力に耐え剥離を生ずることはない。
【００４４】
次いで導電性基板２４を封止したアンテナ回路１２及び半導体素子１１から剥離する（図１０（１１））。この剥離は先に行った表面処理及び剥離処理により垂直方向の力に対して剥離が容易になっていることにより可能とされるものである。
【００４５】
次いで樹脂封止部から露出するアンテナ回路１２面及び半導体素子搭載部１５を保護層１６で被覆することにより本発明の非接触式データキャリアが得られる（図１０（１２））。
【００４６】
次に前記した第１の非接触式データキャリアの製造方法の実施の形態の変形態様を示す。この変形態様においては導電性基板として銅合金からなるものを用いる。そしてアンテナ回路及び半導体素子搭載部はＣｕ／Ｐｄの二層からなるものを形成する。そして導電性基板を銅は溶解するがＰｄは溶解しない液を用いて選択的に溶解する。その他は前記した第１の非接触式データキャリアの製造方法の実施の形態と同様である。
【００４７】
図１１は第２の本発明の非接触式データキャリアの製造方法を示す。先ず、ステンレス（ＳＵＳ４３０）等からなる導電性基板２４を用意し（図１１（１））、導電性基板２４の両面に治具穴に相当する部分が開口した第１のレジストパターン３０、３１を設け（図１１（２））、しかる後第１のレジストパターン３０、３１の開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴２８を形成する（図１１（３））。
【００４８】
次いで治具穴２８を形成した導電性基板２４の全表面を導電性基板とは異なる金属メッキ層（銅メッキ層）３２で被覆する（図１１（４））。
【００４９】
次いで、金属メッキ層３２で表面を被覆した導電性基板２４の一面にアンテナ回路及び半導体素子搭載部に相当する部分が開口した電着レジストからなる第２のレジストパターン３３を設け（図１１（５））、第２のレジストパターン３３の開口部から露出する導電性基板２４の表面に金、銀等２９を電着して（図１１（６））アンテナ回路１２及び半導体素子搭載部１５を形成する（図１１（７））。
【００５０】
次いで形成した半導体素子搭載部１５上に半導体素子１１を固定し（図１１（８））、更に半導体素子１１の電極部をアンテナ回路１２の端部にワイヤ１４により電気的に接続する（図１１（９））。
【００５１】
しかる後半導体素子搭載部１５に固定した半導体素子１１及びアンテナ回路１２をエポキシ樹脂等の封止用樹脂１３を用いて樹脂封止する（図１１（１０））。
【００５２】
しかる後、前記導電性基板２４を覆っている金属層３２のみを腐蝕液を用いて選択的に溶解することにより樹脂封止した半導体素子搭載部１５及びアンテナ回路１２から導電性基板２４を分離し（図１１（１１））、樹脂封止部から露出するアンテナ回路１２及び半導体素子搭載部１５を保護層１６で被覆することにより本発明の非接触式データキャリアが得られる（図１１（１２））。
【００５３】
次に図１２を用いて第３の本発明の非接触式データキャリアの製造方法について説明する。
【００５４】
図１２に示すように、先ず、銅合金、４２アロイ、ステンレス（ＳＵＳ４３０、ＳＵＳ３０４）等からなる導電性基板２４を用意しアンテナ回路を形成する側の面をサンドブラスにより凹凸をつける表面処理を行った後、その表面処理面をクロム酸液により酸化させ酸化膜を生成し、その上に後工程で形成される導電性金属膜及び封止用樹脂の導電性基板からの剥離を容易にする剥離処理を行う（図１２（１））。
【００５５】
次いで導電性基板２４の両面にドライフィルムレジストを用いて感光性レジスト層を形成し、露光、現像処理等を行って導電性基板２４の前記処理（表面処理及び剥離処理）を施した面に非接触式データキャリアのアンテナ回路に相当する部分が開口した第１のレジストパターン３４を設け、他面に治具穴に相当する部分が開口した第２のレジストパターン３５を設ける（図１２（２））。
【００５６】
ドライフィルムレジストは、一般にはレジストを支持するフィルム基材、レジスト、保護コートフィルムの３層からなる。保護コートフィルムを剥がし、レジスト面を露出させた状態で、レジスト面を導電性基板２４の面に密着させ、しかる後フィルム基材を剥離することにより導電性基板２４の面に感光性レジスト層を形成することができる。
【００５７】
尚、第１のレジストパターン３４及び第２のレジストパターン３５の形成はスクリーン印刷、グラビア印刷等の印刷技術によって行ってもよい。
【００５８】
次いで前記導電性基板の第１のレジストパターン３４を設けた側をポリエチレンテレフタレートフィルム等からなる耐食性の保護フィルム３６で被覆する（図１２（３））。
【００５９】
しかる後第２のレジストパターン３６の開口部から露出する導電性基板２４の領域をエッチングすることにより治具穴２８を形成する（図１２（４））。
【００６０】
次いで保護フィルム３６を剥離して第１のレジストパターン３４を露出させ（図１２（４））、第１のレジストパターン３４の開口部から露出する導電性基板２４の表面にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等のメッキあるいはそれらの多層メッキ３７を施し（図１２（５））、しかる後第１のレジストパターン３４を剥離液に浸漬して剥離し、次いで洗浄処理等を施してアンテナ回路３８を形成する（図１２（６））。尚、第２のレジストパターン３５は第１のレジストパターン３５の剥離時に一緒に剥離される。
【００６１】
次いで形成したアンテナ回路３８上に半導体素子１１を載置し、アンテナ回路３８をフリップチップボンディング方式によりバンプ２１を介して半導体素子１１に電気的に接続する（図１２（７））。
【００６２】
次いでアンテナ回路３８及び半導体素子１１をエポキシ樹脂等の封止用樹脂１３を用いて封止する（図１２（８））。この封止の過程では、導電性基板２４の表面に凹凸を付ける表面処理が施されていることによりアンテナ回路３８を形成する金属膜は導電性基板２４に対して確実に密着し封止用樹脂のモールド時の圧力に耐え剥離を生ずることはない。
【００６３】
次いで導電性基板２４を封止したアンテナ回路３８及び半導体素子１１から剥離する（図１２（９））。この剥離は先に行った表面処理及び剥離処理により垂直方向の力に対して剥離が容易になっていることにより可能とされるものである。
【００６４】
次いで樹脂封止部から露出するアンテナ回路３８面を保護層１６で被覆することにより本発明の非接触式データキャリアが得られる（図１２（１０））。
【００６５】
次に前記した第３の非接触式データキャリアの製造方法の実施の形態の変形態様を示す。この変形態様においては導電性基板として銅合金からなるものを用いる。そしてアンテナ回路及び半導体素子搭載部はＣｕ／Ｐｄの二層からなるものを形成する。そして導電性基板を銅は溶解するがＰｄは溶解しない液を用いて選択的に溶解する。その他は前記した第１の非接触式データキャリアの製造方法の実施の形態と同様である。
【００６６】
図１３は第４の本発明の非接触式データキャリアの製造方法を示す。先ず、ステンレス（ＳＵＳ４３０）等からなる導電性基板２４を用意し（図１３（１））、導電性基板２４の両面に治具穴に相当する部分が開口した第１のレジストパターン３０、３１を設け（図１３（２））、しかる後第１のレジストパターン３０、 ３１の開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴２８を形成する（図１３（３））。
【００６７】
次いで治具穴２８を形成した導電性基板２４の全表面を導電性基板とは異なる金属メッキ層（銅メッキ層）３２で被覆する（図１３（４））。
【００６８】
次いで、金属メッキ層３２で表面を被覆した導電性基板２４の一面にアンテナ回路に相当する部分が開口した電着レジストからなる第２のレジストパターン３３を設け（図１３（５））、第２のレジストパターン３３の開口部から露出する導電性基板２４の表面に金、銀等３７を電着して（図１３（６））アンテナ回路３８を形成する（図１３（７））。
【００６９】
次いで形成したアンテナ回路３８上に半導体素子１１を載置し、アンテナ回路３８をフリップチップボンディング方式によりバンプ２１を介して半導体素子１１に電気的に接続する（図１３（８））。
【００７０】
しかる後半導体素子１１及びアンテナ回路３８をエポキシ樹脂等の封止用樹脂１３を用いて樹脂封止する（図１３（９））。
【００７１】
しかる後、前記導電性基板２４を覆っている金属メッキ層３２のみを腐蝕液を用いて選択的に溶解することにより樹脂封止したアンテナ回路３８から導電性基板２４を分離し（図１３（１０））、樹脂封止部から露出するアンテナ回路３８面を保護層１６で被覆することにより本発明の非接触式データキャリアが得られる（図１３（１１））。
【００７２】
図１４、図１５は複数の非接触式データキャリアを多面付けで製造する非接触式データキャリアの製造方法を示す。図１４に示すように先ず、銅合金、４２アロイ、ステンレス（ＳＵＳ４３０）等からなる導電性基板４１を用意しアンテナ回路を形成する側の面をサンドブラスにより凹凸をつける表面処理を行った後、その表面処理面をクロム酸液により酸化させ酸化膜を生成し、その上に後工程で形成される導電性金属膜及び封止用樹脂の導電性基板からの剥離を容易にする剥離処理を行う（図１４（１））。
【００７３】
次いで導電性基板４１の両面にドライフィルムレジストを用いて感光性レジスト層を形成し、露光、現像処理等を行って導電性基板４１の前記処理（表面処理及び剥離処理）を施した面に複数の非接触式データキャリアのアンテナ回路及び半導体素子搭載部に相当する部分が開口した第１のレジストパターン４２を設け、他面に治具穴に相当する部分が開口した第２のレジストパターン４３を設ける（図１４（２））。
【００７４】
尚、第１のレジストパターン４２及び第２のレジストパターン４３の形成はスクリーン印刷、グラビア印刷等の印刷技術によって行ってもよい。
【００７５】
次いで前記導電性基板の第１のレジストパターン４２を設けた側をポリエチレンテレフタレートフィルム等からなる耐食性の保護フィルム４４で被覆する（図１４（３））。
【００７６】
しかる後第２のレジストパターン４３の開口部から露出する導電性基板４１の領域をエッチングすることにより治具穴４５を形成する（図１４（４））。
【００７７】
次いで保護フィルム４４を剥離して第１のレジストパターン４２を露出させ（図１４（５）、第１のレジストパターン４２の開口部から露出する導電性基板４１の表面にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等のメッキあるいはそれらの多層メッキ４６を施し（図１４（６））、しかる後第１のレジストパターン４２を剥離液に浸漬して剥離し、次いで洗浄処理等を施してアンテナ回路１２及び半導体素子搭載部１５を形成する（図１４（７））。尚、第２のレジストパターン４３は第１のレジストパターン４２の剥離時に一緒に剥離される。
【００７８】
次いで形成した半導体素子搭載部１５上に半導体素子１１を載置し固定する（図１５（１））。
【００７９】
しかる後Ａｕ等の貴金属のワイヤ１４により半導体素子１１の電極部をアンテナ回路１２の両端部に電気的に接続する（図１５（２））。
【００８０】
次いでアンテナ回路１２及び半導体素子１１並びにワイヤ１４をエポキシ樹脂等の封止用樹脂１３を用いて封止する（図１５（３））。
【００８１】
次いで導電性基板４１を封止したアンテナ回路１２及び半導体素子１１から剥離し、次いで樹脂封止部から露出するアンテナ回路１２及び半導体素子搭載部１５をソルダーペースト等を塗布して形成した保護層４７で保護する（図１５（４））。
【００８２】
しかる後個々の非接触式データキャリアに切断分離する（図１５（５））。
【００８３】
以上述べた製造方法によれば多面付けで多数の非接触式データキャリアを効率的に製造することができる。
【００８４】
更に、複数の非接触式データキャリアを多面付けで製造することは、導電性基板の両面に治具穴に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、しかる後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成し、前記治具穴を形成した導電性基板の全表面を導電性基板とは異なる金属層で被覆し、前記金属層で表面を被覆した導電性基板の一面に複数の非接触データキャリアのアンテナ回路及び半導体素子搭載部に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設け、第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着して複数の非接触データキャリアのアンテナ回路及び半導体素子搭載部を形成し、形成した半導体素子搭載部上に半導体素子を固定し、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にワイヤにより電気的に接続する過程と、しかる後半導体素子搭載部に固定した半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止し、しかる後前記導電性基板を覆っている金属層のみを溶解することにより樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を分離し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面を保護層で被覆し、しかる後個々の非接触式データキャリアに切断分離することによっても行うことができる。
【００８５】
更に、複数の非接触式データキャリアを多面付けで製造することは、導電性基板の一面に複数の非接触データキャリアのアンテナ回路に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、他面に治具穴に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設け、前記導電性基板の第１のレジストパターンを設けた側を保護フィルムで被覆し、しかる後第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成し、保護フィルムを剥離した後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着し、しかる後第１、第２のレジストパターンを剥離して複数の非接触データキャリアのアンテナ回路を形成し、形成したアンテナ回路上に半導体素子を載置し、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にフリップチップボンディングにより電気的に接続し、しかる後半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止し、しかる後樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を剥離もしくは溶解することにより除去し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面を保護層で被覆し、しかる後個々の非接触式データキャリアに切断分離することによっても行うことができる。
【００８６】
更に、複数の非接触式データキャリアを多面付けで製造することは、導電性基板の両面に治具穴に相当する部分が開口した第１のレジストパターンを設け、しかる後第１のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の領域をエッチングすることにより治具穴を形成し、前記治具穴を形成した導電性基板の全表面を導電性基板とは異なる金属層で被覆し、前記金属層で表面を被覆した導電性基板の一面に複数のデータキャリアのアンテナ回路に相当する部分が開口した第２のレジストパターンを設け、第２のレジストパターンの開口部から露出する導電性基板の表面に金属を電着して複数の非接触データキャリアのアンテナ回路を形成し、形成したアンテナ回路上に半導体素子を載置し、半導体素子の電極部をアンテナ回路の端部にフリップチップボンディングにより電気的に接続し、しかる後半導体素子及びアンテナ回路を樹脂封止し、しかる後前記導電性基板を覆っている金属層のみを溶解することにより樹脂封止した半導体素子及びアンテナ回路から導電性基板を分離し、樹脂封止部から露出するアンテナ回路面を保護層で被覆し、しかる後個々の非接触式データキャリアに切断分離するすることによっても行うことができる。
【００８８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る非接触式データキャリアの製造方法によれば、従来の非接触式データキャリアにおけるようにアンテナ回路を導通部材とスルーホールを介して電気的に接続してジャンピング回路を形成したり、ＩＣチップに形成したバンプをアンテナ接続端子に対応する位置に位置合わせして配置しバンプとアンテナ接続端子間を電気的に接続することなく、従来よりも低コストで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来の非接触式データキャリアの例を示す平面図である。
【図２】  本発明で製造する非接触式データキャリアを示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図３】  本発明で製造する非接触式データキャリアの他の実施の形態を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図４】  本発明で製造する非接触式データキャリアの更に他の実施の形態を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図５】  本発明で製造する非接触式データキャリアの更に他の実施の形態を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図６】  本発明で製造する非接触式データキャリアの更に他の実施の形態を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図７】  本発明で製造する非接触式データキャリアの更に他の実施の形態を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図８】  本発明で製造する非接触式データキャリアの更に他の実施の形態を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。
【図９】  本発明で製造する非接触式データキャリアの更に他の実施の形態を示す平面図である。
【図１０】  本発明の第１の非接触式データキャリアの製造方法の工程を示す断面図である。
【図１１】  本発明の第２の非接触式データキャリアの製造方法の工程を示す断面図である。
【図１２】  本発明の第３の非接触式データキャリアの製造方法の工程を示す断面図である。
【図１３】  本発明の第４の非接触式データキャリアの製造方法の工程を示す断面図である。
【図１４】  本発明の第５の非接触式データキャリアの製造方法の工程を示す断面図である。
【図１５】  図１４に示す工程に続く本発明の第５の非接触式データキャリアの製造方法の工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１１  半導体素子
１２  アンテナ回路
１３  封止樹脂
１４  ワイヤ
１５  半導体素子搭載部
１６  保護層
１７  アンテナ回路
１８  アンテナ回路
１９  アンテナ回路
２０  アンテナ回路
２１  バンプ
２２  アンテナ回路
２３  アンテナ回路
２４  導電性基板
２５  第１のレジストパターン
２６  第２のレジストパターン
２７  保護フィルム
２８  治具穴
２９  Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等のメッキあるいはそれらの多層メッキ
３０、３１    第１のレジストパターン
３２  金属メッキ層
３３  第２のレジストパターン
３４  第１のレジストパターン
３５  第２のレジストパターン
３６  保護フィルム
３７  Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等のメッキあるいはそれらの多層メッキ
３８  アンテナ回路
４１  導電性基板
４２  第１のレジストパターン
４３  第２のレジストパターン
４４  保護フィルム
４５  治具穴
４６  Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等のメッキあるいはそれらの多層メッキ
４７  保護層
５１  アンテナ付半導体パッケージ
５２  ブースターアンテナ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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