(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
周辺部はＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体で構成され、その中心部は溶融法で作製したＮｄ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体で構成されたことを特徴とする酸化物超電導複合体。
【請求項２】
請求項１に記載される酸化物超電導複合体と、該酸化物超電導複合体を励磁する手段とを具備することを特徴とする酸化物超電導磁石。
【請求項３】
Ｎｄ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体及びＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体をそれぞれ所定の形状に切り出し、その中心部に溶融法で作製したＮｄ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体を配置し、その周辺部にＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体を配置するように組み合わせることを特徴とする酸化物超電導複合体の作製方法。
【請求項４】
溶融法で作製したＮｄ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体から所定の形状に切り出した物を結晶生成核として周囲にＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導体を結晶成長させ、その後に外形を整形することを特徴とする酸化物超電導複合体の作製方法。
【請求項５】
ドウナツ状の低抵抗金属板の中心部に、溶融法で作製したＮｄ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体からなるリングを所定の間隔をおいて前記低抵抗金属板を介在させて円周方向に少なくとも１個埋め込み、その外円周部にＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体からなるリングを所定の間隔をおいて前記低抵抗金属板を介在させて円周方向に少なくとも１個埋め込んだドウナツ状の低抵抗金属板を構成し、このリングが埋め込まれたドウナツ状の低抵抗金属板を複数枚軸方向に積み重ねて構成したことを特徴とする超電導コイル装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以上の超電導バルク体（高温超電導バルク体）からなる酸化物超電導複合体及びその作製方法に関し、特に、酸化物超電導複合体を用いた磁気浮上装置、磁気シールド、超電導マグネットなどに適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
臨界温度が液体窒素温度を超える超電導体の発見によって、全世界的に超電導応用が検討されている。なかでも、Ｙ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導体を代表するＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（δは欠損量）（Ｙ１２３）系材料の作製方法として、ＭＴＧ(Ｍelt-Ｔxture-Ｇrowth process)法、ＭＰＭＧ(Ｍelt-Ｐowder-Ｔxture-Ｇrowth process)法(“Melt processed high-temperature superconductors" World Scientific,Editor.Masato Murakami、特開平５−２７９０３２号公報、特開平５−２７９０３４号公報、特公平７−５１４６３号公報等参照)、ＲＥ１２３の作製方法として、ＯＣＭＧ(Ｏxygen Ｃontrolled-Ｍelt-Ｇrowth process)法(応用物理、第64巻、第4号、1995、368-371、特開平７−１８７６７１号公報、特開平７−２３２９１７号公報等参照)などが知られている。
【０００３】
また、溶融法でＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する酸化物超電導バルク体を用いた超電導磁石が特開平７−１１１２１３号公報に開示されている。
【０００４】
一般に行われている溶融法で、これら超電導体を作製すると、希土類元素のイオン半径が大きいため、Ｂａサイトと容易に置換し、臨界温度が大きく低下してしまうという問題があった。例えば、H.Uwe et al.：Physica C vol.153-155(1988)P.930-931に関連技術が記載されている。
【０００５】
また、ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−δ（ＲＥはＹ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｄｙ、δは欠損量）（ＲＥ１２３）系超電導体において、２１１相を微細分散させることにより、高い臨界電流が達成されているが、２１１相によるピン止め効果には限界が有り、他のピン止め点の可能性を追及する研究も進められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者は、前記従来の技術を検討した結果、以下の問題点を見いだした。
【０００７】
例えば、図９に示すようなＹ１２３又はＮｄ１２３系の単一の酸化物超電導バルク体では、そのＪｃ−Ｂ特性は図１０に示すようなグラフとなり、酸化物超電導バルク体内の臨界電流分布は図１１又は図１２に示すような分布となる。そのために、酸化物超電導バルク体内の捕捉磁場分布は図１３又は図１４に示すような分布となり、強い磁場が得られないという問題があった。
【０００８】
本発明の目的は、強い磁場を発生することが可能な技術を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以上の高温超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成した酸化物超電導複合体を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以上の高温超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体を作製する方法を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、強い磁場を発生する超電導マグネットを提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、強い磁場を発生する超電導コイル装置を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、強い磁場をシールドすることが可能な技術を提供することにある。
【００１５】
本発明の前記ならびにその他の目的及び新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本願によって開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１７】
（１）ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以上の超電導バルク体からなることを特徴とする酸化物超電導複合体。
【００１８】
（２）ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以上の超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体であって、その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成したものである。
【００１９】
（３）前記（２）の酸化物超電導複合体において、前記周辺部の低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体としてＹ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の超電導バルク体を用い、中心部の高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体として溶融法で作製したＮｄ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ系の酸化物超電導バルク体を用いたものである。
【００２０】
（４）前記（２）乃至（３）のいずれか１つの酸化物超電導複合体と、該酸化物超電導複合体を励磁する手段とを具備する酸化物超電導磁石である。
【００２１】
（５）Ｎｄ系超電導バルク体及びＹ系超電導バルク体をそれぞれ所定の形状に切り出し、それらを組み合わせて積層する酸化物超電導複合体の作製方法である。
【００２２】
（６）Ｎｄ系超電導バルク体から所定の形状に切り出した物を結晶生成核として周囲にＹ系超電導体を結晶成長させ、その後に外形を整形する酸化物超電導複合体の作製方法である。
【００２３】
（７）ドウナツ状の低抵抗金属板の中心部に、高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体からなるリングを所定の間隔をおいて前記低抵抗金属を介在させて円周方向に少なくとも１個埋め込み、その外円周部に低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体からなるリングを所定の間隔をおいて前記低抵抗金属を介在させて円周方向に少なくとも１個埋め込んだドウナツ状の低抵抗金属板を構成し、このリングが埋め込まれたドウナツ状の低抵抗金属板を複数枚軸方向に積み重ねて構成したものである。
【００２４】
（８）前記（７）の超電導コイル装置において、前記ドウナツ状の低抵抗金属板は銅（Ｃｕ）板からなり、高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体はＮｄ１２３のバルク体からなり、低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体はＹ１２３のバルク体からなる。
【００２５】
前記述の手段によれば、ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類以上の超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体であって、その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成したので、超電導バルク体の周辺部及び中央部に大きな臨界電流を流すことができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明についてその実施形態（実施例）を図面を参照して詳細に説明する。
【００２７】
（実施形態１）
図１は本発明の実施形態１の酸化物超電導複合体の構成を示す斜視図、図２は本実施形態１の酸化物超電導複合体内部（ＨＢ１２３：ＨＹＢＲＩＤ１２３）の臨界電流密度分布を示すグラフ、図３は本実施形態１の酸化物超電導複合体の捕捉磁場分布を示すグラフである。図１において、１はＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（δは欠損量）（以下、Ｙ１２３と称する）、２はＮｄＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-δ（δは欠損量）（以下、Ｎｄ１２３と称する）である。図２，図３中のＨＢ１２３は本実施形態１の酸化物超電導複合体を表わす。
【００２８】
本実施形態１の酸化物超電導複合体は、Ｙ１２３のバルク体の磁石は、臨界電流が周辺部に集中し、Ｎｄ１２３バルク体の磁石は、臨界電流が中央部に集中するため、この二つのバルク体を組み合わせて周辺部と中央部の両方に臨界電流が流れるように改良したものであり、図１に示すように、ＲＥ-Ｂａ-Ｃｕ-Ｏ（ＲＥは希土類元素を示す）系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも２種類の超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体ＨＢ１２３であって、その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有するＹ１２３の超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で大きい臨界電流密度を有するＮｄ１２３の超電導バルク体で構成したものである。
【００２９】
本実施形態１の酸化物超電導複合体は、まず、前記Ｙ１２３の超電導バルク体及びＮｄ１２３の酸化物超電導バルク体を作製し、そのバルク体から所定の形状に切り出し、それらを組み合わせて構成する。
【００３０】
このように構成することにより、強い磁場を得ることができた。シミュレーションによる本実施形態１の酸化物超電導複合体内の臨界電流密度分布を図２に示す。これに対して、Ｙ１２３のみのバルク体内の臨界電流密度分布は図１１に示すようになり、Ｎｄ１２３のみのバルク体内の臨界電流密度分布は図１２に示すようになった。
【００３１】
また、酸化物超電導バルク体の表面から１２ｃｍ離れたところに発生する磁場の最大値はＹ１２３のみの酸化物超電導バルク体で最大０.２３Ｔ（図１３）、Ｎｄ１２３のみの酸化物超電導バルク体で最大０.２７Ｔ（図１４）であったのに対し、本実施形態１の酸化物超電導複合体においては最大０.３８Ｔ（図３）であった。このように、本実施形態１の酸化物超電導複合体によれば、捕捉磁場が大幅に向上していることがわかる。
【００３２】
本実施形態１では、前記周辺部の低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体として、例えば、Ｙ１２３の超電導バルク体を用い、中心部の高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体として溶融法で作製したＮｄ１２３の酸化物超電導バルク体を用いたが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３３】
次に、前記本実施形態１の酸化物超電導複合体の他の作製方法について説明する。
【００３４】
Ｎｄ１２３の酸化物超電導バルク体は、公知のＯＣＭＧ法を用いて、元原料の混合→仮焼→溶融→急冷→粉砕・混合→成型→半溶融→徐冷の処理手順で作製する。前記徐冷処理においては酸素制御を行う。
【００３５】
Ｙ１２３の超電導バルク体は、公知のＭＰＭＧ法を用いて、元原料の混合→仮焼→溶融→急冷→粉砕・混合（融点を下げるため銀を添加）→成型→半溶融→徐冷→アニールの処理手順で作製する。
【００３６】
この作製方法は、まず、特開平７−１８７６７１号公報に記載されているＯＣＭＧ法に基づき、Ｎｄ１２３のバルク体を作製する。すなわち、Ｎｄ2Ｏ3、ＢａＣＯ3、ＣｕＯ粉末をＮｄ：Ｂａ：Ｃｕの比が所定の割合、例えば１：２：３となるように混合する。これを９００℃で２４時間仮焼し、白金るつぼ中に入れ、１４００℃で２０分加熱溶融後、銅製のハンマーで挟んで急冷された板を粉砕し、１６０×１６０×２０ｍｍ3に成型する。
【００３７】
この成型体を１１２０℃で２０分加熱後、１０８０℃まで２０分で冷却し、その後９５０℃まで１℃／時（ｈ）の速度で徐冷する。この際、前記成型体は０.０１気圧の酸素分圧下で熱処理を行う。なお、Ｎｄ１２３相の生成温度は０.０１気圧の酸素分圧下で約１０６０℃である。
【００３８】
次に、特願平３−６８６２７号公報、特開平５−２７９０３２号公報等に記載されるＭＰＭＧ法に基づき、前記作製したＮｄ１２３のバルク体の周囲にＹ１２３のバルク体を結晶成長させ、最後に全体をアニールする。
【００３９】
すなわち、Ｙ2Ｏ3、ＢａＣＯ3、ＣｕＯ粉末をＹ：Ｂａ：Ｃｕの比が１.８：２.４：３.４となるようにそれぞれ混合する。これを９００℃で２４時間仮焼し、白金るつぼ中に入れ、１４００℃で２０分加熱溶融後、銅製のハンマーで挟んで急冷された板を粉砕した後、Ａｇ2Ｏ粉を粉砕粉に対して１０重量％添加し、さらに十分混合する。
【００４０】
それを前記作製したＮｄ１２３のバルク体の周囲に配置して、全体で２００×２００×２０ｍｍ3の形状になるように成型する。さらに１０４０℃で３０分間加熱し、９８０℃まで１０分間で冷却する。その後９００℃まで１℃／ｈの割合で徐冷し、その後炉冷する。
【００４１】
最後に１気圧の酸素気流中で５００℃〜６００℃で所定の時間加熱後炉冷することによって酸化物超電導複合体を作製する。
【００４２】
なお、前記Ｙ１２３相の生成温度は、本来、大気中で約１０００℃であるが、Ａｇを添加することにより、融点が４０℃程度低下（１０００℃→９６０℃）している。一方Ｎｄ１２３相の生成温度は大気中で１０９０℃であり、この熱処理では変化しない。
【００４３】
（実施形態２）
図４は本発明の実施形態２の酸化物超電導複合体を説明するための、３種類の超電導体Ｎｄ１２３、Ｓｍ１２３、Ｙ１２３の臨界電流密度の磁場依存性を示すグラフであり、図５は本発明の実施形態２の酸化物超電導複合体の構成を示す斜視図である。図５において、１はＹ１２３、２はＮｄ１２３、３はＳｍ１２３である。なお、図４と前述の図１０は同じ酸化物超電導体のＪｃ−Ｂ特性を示すグラフであるが、その作製条件によって、少し異なっている。
【００４４】
本発明の実施形態２の酸化物超電導複合体は、図５に示すように、高磁場がかかる領域（超電導複合体の中心部）にＮｄ１２３を、その中間磁場がかかる領域にＳｍ１２３を、低い磁場の複合体外縁部にＹ１２３を配置したものである。このように構成することにより、本発明の応用範囲を拡大することができる。
【００４５】
（参考実施形態３）
図６は本発明の参考実施形態３の酸化物超電導複合体の構成を示す斜視図であり、１はＹ１２３、２はＮｄ１２３である。
【００４６】
本発明の参考実施形態３の酸化物超電導複合体は、図６に示すように、高磁場がかかる領域（超電導複合体の中心部）にＮｄ１２３を配置し、Ｎｄ１２３の低い磁場の領域となる両表面部にＹ１２３を配置し、Ｎｄ１２３をＹ１２３でサンドイッチ状に挟持したものである。このように構成することにより、本発明の応用範囲を拡大することができる。
【００４７】
（実施形態４）
本発明の実施形態４は、前記実施形態１又は２の酸化物超電導複合体を超電導マグネットに適用した実施例である。
【００４８】
すなわち、前記実施形態１又は２の酸化物超電導複合体を、その超電導バルク体の超電導状態に転移する温度（臨界温度）以上の状態で超電導磁石、電磁コイル装置等の磁場発生装置によって印加された磁場中に置く。この磁場中で酸化物超電導複合体のバルク体を液体窒素あるいは縮凍機等の冷却手段で臨界温度以下まで冷却する。その後、周囲の印加磁場を消磁する。これにより磁場を酸化物超電導複合体内のピン止め点に捕捉し、強磁場の超電導マグネットが実現できる。
【００４９】
（実施形態５）
本発明の実施形態５は、前記実施形態４と同様に実施形態１又は２の酸化物超電導複合体を超電導マグネットに適用した他の実施例である。
【００５０】
すなわち、前記実施形態１又は２の酸化物超電導複合体のバルク体を、あらかじめ液体窒素あるいは冷凍機等の冷却手段で臨界温度以下まで冷却しておき、その後、磁場発生装置によって前記酸化物超電導複合体のバルク体を置いている空間に、瞬間的（パルス的）に酸化物超電導複合体のバルク体が着磁する磁場より強い磁場させる。これにより、磁場を酸化物超電導複合体のバルク体内のピン止め点に捕捉し、強磁場の超電導マグネットが実現できる。
【００５１】
（実施形態６）
図７は本発明の実施形態６の超電導コイル装置の外観構成を示す斜視図であり、図８は図７のＡ−Ａ線で切った断面図である。図７及び図８において、１１はＹ１２３のバルク体からなるリング、１２はＮｄ１２３のバルク体からなるリング、１３はドウナツ状の銅（Ｃｕ）板、１４は空洞である。
【００５２】
本実施形態６の超電導コイル装置は、図７及び図８に示すように、ドウナツ状の銅板の中心部には、Ｎｄ１２３のバルク体からなるリング１２を、外円周部にはＹ１２３のバルク体からなるリング１１をそれぞれ所定の間隔をおいて円周方向に複数個埋め込んだドウナツ状の銅板を作製する。このリング１１及び１２が埋め込まれたドウナツ状の銅板を複数枚軸方向に積み重ねて構成したものである。
【００５３】
また、ドウナツ状の銅板にリング状の溝を複数個設け、この溝の中にＹ１２３及びＮｄ１２３のバルク体を埋め込んだ構成にし、このＹ１２３及びＮｄ１２３のバルク体を配置した各銅板を積層してもよい。なお、前記実施形態（実施例）では、ＲＥとして、Ｙ，Ｎｄを用いたが、他の希土類元素であってもよいことはもちろんである。
【００５４】
本実施形態６の超電導コイル装置の着磁方法は、前述した実施形態４もしくは実施形態５の超電導マグネットと同様にして行う。
【００５５】
このように構成することにより、例えば、計測装置等に使用される強い均一磁場を容易に得ることができる。
【００５６】
以上の説明からわかるように、本発明の酸化物超電導複合体は、例えば、磁気浮上式列車の車載超電導磁石、磁気浮上搬送機、超電導磁気浮上式カタパルト、高層建築物用超電導エレベータ、超電導電磁推進船用磁石、超電導モータ、超電導発電機、磁気分離装置、磁気ベアリング、電力貯蔵用フライホイール、粒子加速器用磁石、医療用ＮＭＲ−ＣＴの磁石等に適用できることは勿論である。
【００５７】
以上、本発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得ることはいうまでもない。
【００５８】
【発明の効果】
本願によって開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００５９】
（１）その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成するので、強い磁場を発生することができる。
【００６０】
（２）強い磁場をシールドすることができる。
【００６１】
（３）強い磁場を発生する超電導マグネットが実現できる。
【００６２】
（４）強い磁場を発生する円筒状超電導コイル装置が実現できるので、その円筒内に強い均一磁場を発生させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態１の酸化物超電導複合体の構成を示す斜視図である。
【図２】  本実施形態１の酸化物超電導複合体内部（ＨＢ１２３）の臨界電流密度分布を示すグラフである。
【図３】  本実施形態１の酸化物超電導複合体の捕捉磁場分布を示すグラフである。
【図４】  本発明の実施形態２の酸化物超電導複合体を説明するための、３種類の超電導体Ｎｄ１２３、Ｓｍ１２３、Ｙ１２３の臨界電流密度の磁場依存性を示すグラフである。
【図５】  本発明の実施形態２の酸化物超電導複合体の構成を示す斜視図である。
【図６】  本発明の参考実施形態３の酸化物超電導複合体の構成を示す斜視図である。
【図７】  本発明の実施形態６の超電導コイル装置の外観構成を示す斜視図である。
【図８】  図７のＡ−Ａ線で切った断面図である。
【図９】  従来の酸化物超電導複合体のバルク体の問題点を説明するための図である。
【図１０】  従来の酸化物超電導体のＪｃ-Ｂ特性を示すグラフである。
【図１１】  Ｙ１２３のみのバルク体内部の臨界電流密度分布を示すグラフである。
【図１２】  Ｎｄ１２３のみのバルク体内部の臨界電流密度分布を示すグラフである。
【図１３】  Ｙ１２３のみのバルク体の捕捉磁場分布を示すグラフである。
【図１４】  Ｎｄ１２３のみのバルク体の捕捉磁場分布を示すグラフである。
【符号の簡単な説明】
１…Ｙ１２３、２…Ｎｄ１２３、ＨＢ１２３…本発明の酸化物超電導複合体、３…Ｓｍ１２３、１１…Ｙ１２３のバルク体からなるリング、１２…Ｎｄ１２３のバルク体からなるリング、１３…ドウナツ状の銅（Ｃｕ）板、１４…空胴。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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