(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心部に穴を設けたスパッタリングターゲットであって、
ターゲット外周側と内周側に壁を立設し、
前記ターゲットの中心を通りターゲット表面に垂直な面で切ったターゲット断面において、
ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ、下端の点をＢ、点Ａよりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ、ターゲット内周側の壁の上端の点をＡ′、下端の点をＢ′、点Ａ′よりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ′とし、
前記壁の斜面の角度∠ＡＢＨをθ１、∠Ａ′Ｂ′Ｈ′をθ１′とし、
さらに、外周側の壁の上端点Ａと内周側の壁の下端点Ｂ′を結ぶ線と、下端点Ｂ′における垂線が形成する角度（∠ＡＢ′Ｈ′−π／２）をθＲとし、内周側の壁の上端点Ａ′と外周側の壁の下端点Ｂを結ぶ線と下端点Ｂにおける垂線のなす角（∠Ａ′ＢＨ−π／２）をθＲ′としたとき、
これらが角度θ１，θ１′，θＲ，θＲ′が、
１−sin（θ１＋θＲ）＜２cosθ１
および１−sin（θ１′＋θＲ′）＜２cosθ１′
を満たすこと
を特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
平板のスパッタリングターゲットであって、
平板のターゲットの外周部に壁を立設し、
前記ターゲットの中心を通りターゲット表面に垂直な面で切ったターゲット断面において、
ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ、下端の点をＢ、点Ａよりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ、点Ｈとターゲットの中心点をはさんで反対側に位置する、ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ′、下端の点をＢ′、点Ａ′よりターゲット面におろした垂直とターゲット面との交点をＨ′とし、
前記壁の斜面の角度∠ＡＢＨをθ１、外周側の壁の上端点Ａと反対側に位置するターゲット外周側の壁の下端点Ｂ′を結ぶ線と、下端点Ｂ′における垂線が形成する角（∠ＡＢ′Ｈ′−π／２）をθＲとしたとき、これら角度θ１とθＲが、
１−sin（θ１＋θＲ）＜２cosθ１
を満たすこと
を特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項３】
真空処理室内にターゲットを配置し、前記ターゲットを載置するカソードに高周波電力を供給することで、前記真空処理室内にプラズマを発生させるスパッタリング装置であって、
前記ターゲットは、中央部に穴を設け、内周部と外周部の少なくとも一方に壁を立設したスパッタリングターゲット、あるいは外周部に壁を立設した平板のスパッタリングターゲットであって、前記壁の壁面とターゲット平面が形成する角度を、９０度より大きく１８０度より小さい角度とし、
前記ターゲット裏面の内周側およびターゲット裏面の外周側、あるいは前記ターゲットの側面に、前記プラズマ中の電子を前記ターゲット近傍に閉じ込める磁場を発生する磁石または磁極を配置し、
前記壁を設けた側の磁石または磁極に、前記ターゲットの壁の壁面と平行な面を形成したこと
を特徴とするスパッタリング装置。
【請求項４】
前記ターゲットは、中央部に穴を設けてその外周側と内周側に壁を立設し、その中心を通りターゲット表面に垂直な面で切ったターゲット断面において、ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ、下端の点をＢ、点Ａよりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ、ターゲット内周側の壁の上端の点をＡ′、下端の点をＢ′、点Ａ′よりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ′とし、前記壁の斜面の角度∠ＡＢＨをθ１、∠Ａ′Ｂ′Ｈ′をθ１′とし、さらに、外周側の壁の上端点Ａと内周側の壁の下端点Ｂ′を結ぶ線と、下端点Ｂ′における垂線が形成する角度（∠ＡＢ′Ｈ′−π／２）をθＲとし、内周側の壁の上端点Ａ′と外周側の壁の下端点Ｂを結ぶ線と下端点Ｂにおける垂線のなす角（∠Ａ′ＢＨ−π／２）をθＲ′としたとき、これらが角度θ１，θ１′，θＲ，θＲ′が、
１−sin（θ１＋θＲ）＜２cosθ１
および１−sin（θ１′＋θＲ′）＜２cosθ１′
を満たすターゲットであること
を特徴とする請求項３に記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
前記ターゲットは、平板のターゲットの外周部に壁を立設し、その中心を通りターゲット表面に垂直な面で切ったターゲット断面において、ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ、下端の点をＢ、点Ａよりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ、点Ｈとターゲットの中心点をはさんで反対側に位置する、ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ′、下端の点をＢ′、点Ａ′よりターゲット面におろした垂直とターゲット面との交点をＨ′とし、前記壁の斜面の角度∠ＡＢＨをθ１、外周側の壁の上端点Ａと反対側に位置するターゲット外周側の壁の下端点Ｂ′を結ぶ線と、下端点Ｂ′における垂線が形成する角（∠ＡＢ′Ｈ′−π／２）をθＲとしたとき、これら角度θ１とθＲが、
１−sin（θ１＋θＲ）＜２cosθ１
を満たすターゲットであること
を特徴とする請求項３に記載のスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はスパッタリングターゲットおよびそのスパッタリング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
基板に薄膜を形成する技術としてマグネトロンスパッタリング技術が広く用いられている。マグネトロンスパッタリング技術は、ターゲット付近に発生させたプラズマ中のイオンをターゲットに衝突させることにより、ターゲットからスパッタ粒子をはじき出し、その粒子を基板に付着させて薄膜を形成するものである。マグネトロンスパッタリング技術は、高密度のプラズマを発生させて高速成膜をすることが可能であるため、現在の薄膜形成方法の主流となっている。
【０００３】
従来のスパッタリング装置の概要について、図７を参照して説明する。
【０００４】
図７において、６は真空処理室であり、真空処理室６内に、被成膜材料である基板７と成膜材料であるターゲット11とが対向して配置されている。８は基板７の内周マスク、９は基板７の外周マスク、10はターゲット11の裏面に配置したカソード12に対して高周波電力を供給する電源である。前記カソード12の構造は、中心軸１に対して回転対称としている。またターゲット11には、中央部に穴を設け、両端部に垂直な壁11ａ，11ｂを立設している。
【０００５】
またターゲット11の内周側と外周側には異なる極性を有す中心部ヨーク（磁極）２ｂと外周ヨーク（磁極）２ａを配置し、直流電流を流すコイル13と前記磁極２ａ，２ｂと磁気結合されたヨークより構成される電磁石３が配置されている。
【０００６】
また基板７の裏面には内周側と外周側に永久磁石４，５が配置されており、このうち内周側の磁石４はターゲット11側の内周側に配置した磁極と同じ極を内周側に向けて配置している。一方、基板７の裏面に配置されて磁石のうち、外周側の磁石５はターゲット側の外周側に配置した磁極と同じ極を外周側に向けて配置している。
【０００７】
上記構成による作用を説明する。
【０００８】
ターゲット11と基板７とを対向して配置させた真空容器６内にスパッタガス（たとえば、アルゴンガス）を導入し、電極であるカソード12に電源10より高周波電圧を印加することにより、基板７とカソード12との間にプラズマを発生させる。すると、プラズマ中のイオンがターゲット11に衝突したときに生じた２次電子がターゲット近傍の陰極降下電位で加速され、アルゴンガス分子と衝突してアルゴンガス分子を電離することによりプラズマが維持され、またプラズマ内のアルゴンイオンが電場によって加速してターゲット11に衝突し、ターゲット物質が原子状態で真空中に飛び出す。そしてこの原子が基板７に付着し薄膜を形成する。この際、電磁石３の磁場によってターゲット11より飛び出して加速された電子や、プラズマ中に存在する電子はターゲット11表面付近に閉じこめられ、磁力線にしたがって運動し、高密度プラズマを発生させ、成膜速度を向上させる。
【０００９】
上記スパッタリング装置において、プラズマを維持するためにはこの磁力線がターゲット11上から出てターゲット上に落ちることが望ましい。一方、ターゲット11の材料利用効率を向上させ、高速成膜をさせるためには、この磁力線がターゲット表面と平行に近い方が、ターゲット11が均一にスパッタリングされるため好ましい。
【００１０】
しかし、ターゲット近傍の磁力線をターゲット表面と並行に近い形状にすると電子の閉じ込めが悪くなるため、上記のようにターゲット11の端部に壁11ａ，11ｂを立設して、電子の閉じ込めを良くしている。
【００１１】
図８にターゲット11の端部に壁11ａ，11ｂの面上の点における単位時間当たりの膜成長量を計算した結果を示す。このように、この壁面にはスパッタ粒子が再付着して成長している。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従来のマグネトロンスパッタ方法では材料利用効率を向上し、高速成膜をするために、ターゲット11の端部に壁11ａ，11ｂを立設すると、図８に示すように、スパッタ粒子がこの壁面に付着する。この付着したスパッタ粒子は、ダストの原因となることから、薄膜の膜質に悪影響を与える恐れがあった。
【００１３】
本発明は、このようなスパッタリングターゲットおよびスパッタリング装置において、スパッタ粒子の再付着をなくすことを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明のスパッタリングターゲットにおいては、中心部に穴を設けたスパッタリングターゲットであって、
ターゲット外周側と内周側に壁を立設し、
前記ターゲットの中心を通りターゲット表面に垂直な面で切ったターゲット断面において、ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ、下端の点をＢ、点Ａよりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ、ターゲット内周側の壁の上端の点をＡ′、下端の点をＢ′、点Ａ′よりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ′とし、前記壁の斜面の角度∠ＡＢＨをθ１、∠Ａ′Ｂ′Ｈ′をθ１′とし、さらに、外周側の壁の上端点Ａと内周側の壁の下端点Ｂ′を結ぶ線と、下端点Ｂ′における垂線が形成する角度（∠ＡＢ′Ｈ′−π／２）をθＲとし、内周側の壁の上端点Ａ′と外周側の壁の下端点Ｂを結ぶ線と下端点Ｂにおける垂線のなす角（∠Ａ′ＢＨ−π／２）をθＲ′としたとき、これらが角度θ１，θ１′，θＲ，θＲ′が、
１−sin（θ１＋θＲ）＜２cosθ１
および１−sin（θ１′＋θＲ′）＜２cosθ１′
を満たすことを特徴とするものである。
【００１５】
この本発明によれば、スパッタ粒子の再付着をなくすことのできるスパッタリングターゲットが得られる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、中心部に穴を設けたスパッタリングターゲットであって、
ターゲット外周側と内周側に壁を立設し、
前記ターゲットの中心を通りターゲット表面に垂直な面で切ったターゲット断面において、ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ、下端の点をＢ、点Ａよりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ、ターゲット内周側の壁の上端の点をＡ′、下端の点をＢ′、点Ａ′よりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ′とし、前記壁の斜面の角度∠ＡＢＨをθ１、∠Ａ′Ｂ′Ｈ′をθ１′とし、さらに、外周側の壁の上端点Ａと内周側の壁の下端点Ｂ′を結ぶ線と、下端点Ｂ′における垂線が形成する角度（∠ＡＢ′Ｈ′−π／２）をθＲとし、内周側の壁の上端点Ａ′と外周側の壁の下端点Ｂを結ぶ線と下端点Ｂにおける垂線のなす角（∠Ａ′ＢＨ−π／２）をθＲ′としたとき、これらが角度θ１，θ１′，θＲ，θＲ′が、
１−sin（θ１＋θＲ）＜２cosθ１
および１−sin（θ１′＋θＲ′）＜２cosθ１′
を満たすことを特徴としたものであり、
前記壁により電子の閉じこめが良くなり、放電を維持しやすくなるとともに、上記式を満たす壁の角度を決めることによりターゲットにもうけた壁の表面に膜が再付着しにくく、さらに壁面もスパッタリングされやすくなり、ダストの原因となりうる壁面での膜成長が防止されるという作用を有する。
【００１８】
請求項２に記載の発明は、平板のスパッタリングターゲットであって、
平板のターゲットの外周部に壁を立設し、
前記ターゲットの中心を通りターゲット表面に垂直な面で切ったターゲット断面において、ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ、下端の点をＢ、点Ａよりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ、点Ｈとターゲットの中心点をはさんで反対側に位置する、ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ′、下端の点をＢ′、点Ａ′よりターゲット面におろした垂直とターゲット面との交点をＨ′とし、前記壁の斜面の角度∠ＡＢＨをθ１、外周側の壁の上端点Ａと反対側に位置するターゲット外周側の壁の下端点Ｂ′を結ぶ線と、下端点Ｂ′における垂線が形成する角（∠ＡＢ′Ｈ′−π／２）をθＲとしたとき、これら角度θ１とθＲが、
１−sin（θ１＋θＲ）＜２cosθ１
を満たすことを特徴としたものであり、
前記壁により電子の閉じこめが良くなり、放電を維持しやすくなるとともに、上記式を満たす壁の角度を決めることによりターゲットに設けた壁の表面に膜が再付着しにくく、さらに壁面もスパッタリングされやすくなり、ダストの原因となりうる壁面での膜成長が防止されるという作用を有する。
【００２０】
請求項３に記載の発明は、真空処理室内にターゲットを配置し、前記ターゲットを載置するカソードに高周波電力を供給することで、前記真空処理室内にプラズマを発生させるスパッタリング装置であって、
前記ターゲットは、中央部に穴を設け、内周部と外周部の少なくとも一方に壁を立設したスパッタリングターゲット、あるいは外周部に壁を立設した平板のスパッタリングターゲットであって、前記壁の壁面とターゲット平面が形成する角度を、９０度より大きく１８０度より小さい角度とし、
前記ターゲット裏面の内周側およびターゲット裏面の外周側、あるいは前記ターゲットの側面に、前記プラズマ中の電子を前記ターゲット近傍に閉じ込める磁場を発生する磁石または磁極を配置し、前記壁を設けた側の磁石または磁極に、前記ターゲットの壁の壁面と平行な面を形成したことを特徴としたものであり、
磁石あるいは磁極から出た磁力線がターゲットに立設した壁を通過しやすくなり、放電を維持しやすくできるという作用を有する。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、上記請求項３に記載の発明と関連する発明であり、前記ターゲットは、中央部に穴を設けてその外周側と内周側に壁を立設し、その中心を通りターゲット表面に垂直な面で切ったターゲット断面において、ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ、下端の点をＢ、点Ａよりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ、ターゲット内周側の壁の上端の点をＡ′、下端の点をＢ′、点Ａ′よりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ′とし、前記壁の斜面の角度∠ＡＢＨをθ１、∠Ａ′Ｂ′Ｈ′をθ１′とし、さらに、外周側の壁の上端点Ａと内周側の壁の下端点Ｂ′を結ぶ線と、下端点Ｂ′における垂線が形成する角度（∠ＡＢ′Ｈ′−π／２）をθＲとし、内周側の壁の上端点Ａ′と外周側の壁の下端点Ｂを結ぶ線と下端点Ｂにおける垂線のなす角（∠Ａ′ＢＨ−π／２）をθＲ′としたとき、これらが角度θ１，θ１′，θＲ，θＲ′が、
１−sin（θ１＋θＲ）＜２cosθ１
および１−sin（θ１′＋θＲ′）＜２cosθ１′
を満たすターゲットであることを特徴としたものであり、
前記壁により電子の閉じこめが良くなり、放電を維持しやすくなるとともに、ターゲットにもうけた壁の表面に膜が再付着しにくく、さらに壁面もスパッタリングされやすくなり、ダストの原因となるうる壁面での膜成長が防止されるとともに、磁石あるいは磁極から出た磁力線がターゲットに立設した壁を通過しやすくなり、放電を維持しやすくできるという作用を有する。
【００２２】
請求項５に記載の発明は、上記請求項３に記載の発明と関連する発明であり、前記ターゲットは、平板のターゲットの外周部に壁を立設し、その中心を通りターゲット表面に垂直な面で切ったターゲット断面において、ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ、下端の点をＢ、点Ａよりターゲット面におろした垂線とターゲット面との交点をＨ、点Ｈとターゲットの中心点をはさんで反対側に位置する、ターゲット外周側の壁の上端の点をＡ′、下端の点をＢ′、点Ａ′よりターゲット面におろした垂直とターゲット面との交点をＨ′とし、前記壁の斜面の角度∠ＡＢＨをθ１、外周側の壁の上端点Ａと反対側に位置するターゲット外周側の壁の下端点Ｂ′を結ぶ線と、下端点Ｂ′における垂線が形成する角（∠ＡＢ′Ｈ′−π／２）をθＲとしたとき、これら角度θ１とθＲが、
１−sin（θ１＋θＲ）＜２cosθ１
を満たすターゲットであることを特徴とするものであり、
前記壁により電子の閉じこめが良くなり、放電を維持しやすくなるとともに、ターゲットに設けた壁の表面に膜が再付着しにくく、さらに壁面もスパッタリングされやすくなり、ダストの原因となるうる壁面での膜成長が防止されるとともに、磁石あるいは磁極から出た磁力線がターゲットに立設した壁を通過しやすくなり、放電を維持しやすくできるという作用を有する。
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における、外径１６０ｍｍ、内径２０ｍｍのリング状のターゲットを用いて直径１２０ｍｍの基板に成膜するマグネトロンスパッタリング装置の構成図、図２は同スパッタリング装置のスパッタリングターゲットの断面図である。
【００２４】
実施の形態１のスパッタリング装置では、後述するターゲット21の内周側と外周側に配置される異なる極性を有す中心部ヨーク（磁極）23ｂと外周ヨーク（磁極）23ａの形状を、従来例の図７の形状と変更している。すなわち、中心部ヨーク（磁極）23ｂに、ターゲット内周側の壁22ｂの壁面と平行な面を形成し、外周ヨーク（磁極）23ａに、ターゲット外周側の壁22ａの壁面と平行な面を形成している。
【００２５】
この磁極23ａ，23ｂの形状、およびカソード12上に配置されるスパッタリングターゲット21の形状を除いて、マグネトロンスパッタリング装置の構成は、従来例の図７の構成と同一である。同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００２６】
図２に基づいてスパッタリングターゲット21について詳細に説明する。
【００２７】
図２に示すように、ターゲット内周部および外周部に電子を閉じこめやすくする作用を有する高さ５ｍｍの壁22ａ，22ｂを設けている。
【００２８】
いま、図２中において外周側の壁22ａの上端の点をＡ、下端の点をＢ、Ａよりターゲット面22ｃにおろした垂線とターゲット面22ｃとの交点をＨとし、内周側の壁22ｂの上端の点をＡ′、下端の点をＢ′、Ａ′よりターゲット面22ｃにおろした垂線とターゲット面22ｃとの交点をＨ′とし、∠ＡＢＨの角度をθ１、（∠ＡＢ′Ｈ′−π／２）の角度をθＲ、∠Ａ′Ｂ′Ｈ′の角度をθ１′、（∠Ａ′ＢＨ−π／２）の角度をθＲ′とする。また壁面とターゲット表面22ｃのなす∠ＡＢＢ′の角度をθ２、∠Ａ′Ｂ′Ｂの角度をθ２′とする。
【００２９】
ターゲット21の中心軸１から外周側の壁22ａの上端点Ａまでの距離は７８ｍｍとする。このとき、中心軸１から下端点Ｂまでの距離は、
１−sin（θ１＋θＲ）＜２cosθ１
を満たすように決めると良い。この式について説明する。
【００３０】
まず、図３（ａ）に示す壁22ａの壁面のある点Ｐにおいて、単位時間に付着するスパッタ粒子量を見積もる。いま点Ｑの微小領域ｄｘよりスパッタ粒子が距離ｒ離れた前記点Ｐに付着するとき、粒子密度は（１／ｒ）となる。さらに、スパッタ粒子は斜面に付着するので、密度が｛sin （θ＋θ１−π／２）｝に下がることになる。ターゲット21全面がスパッタされ、各点から飛び出すスパッタ粒子が一般的によくいわれるコサイン則｛一般的にスパッタ粒子はターゲット21に垂直な軸とスパッタ粒子の進行方向とのなす角をθとしたときにｃｏｓnθに比例する分布を持つ。通常この式中のｎはおおむね１である：図３（ｂ）参照｝に従うとして付着量は下記の式により表される。
【００３１】
【数１】
0003883316.tif 000002
一方、壁面がスパッタリングされる量は、図３（ｃ）に示すように、入射スパッタリング粒子の見込む面積に応じて、２cos θ１になる。
【００３２】
したがって、（付着量）＜（スパッタリングされる量）の条件は、
１−sin （θ１＋θＲ）＜２cos θ１
で表される。
【００３３】
壁面とターゲット表面22ｃのなす角度θ２は、９０度より大きく１８０度より小さい角度とすれば良く、より好ましくは、角度θ１が７０度以下（角度θ２は１１０度以上）であれば良く、例えば角度θ１が４５度となるように、中心軸１からＢまでの距離を７３ｍｍとした。
【００３４】
またターゲットの中心軸１から内周側の壁22ｂの上端点Ａ′までの距離を１１ｍｍとする。このとき中心軸１から下端点Ｂ′までの距離は、上記式と同様に、
１−sin（θ１′＋θＲ′）＜２cosθ１′
を満たすように決めと良い。壁面とターゲット表面22ｃのなす角度θ２′は、９０度より大きく１８０度より小さい角度とすれば良く、より好ましくは、角度θ１′が７０度以下（角度θ２′は１１０度以上）であれば良く、例えば角度θ１′が４５度となるように、中心軸１からＢ′までの距離を１６ｍｍとした。
【００３５】
図１において、ターゲットにもうけた壁面22ａ，22ｂとターゲット面22ｃのなす角度θ１およびθ１′を９０度より小さくすることにより、壁面への膜の付着確率を下げかつ、壁面をスパッタさせることができる。さらに壁面上の全ての点において単位時間当たりの付着量が単位時間当たりのスパッタ量より小さい場合に、壁面での膜成長を防止する効果が大きくなる。図４に図１に示す構成において、計算により求めた、壁面への膜の付着量とスパッタされる量の差すなわち膜の成長量を示す。この結果より角度θ１およびθ１′を７０度以下にすることで、壁面での膜成長を防止する効果が大きくなることがわかる。
【００３６】
一般的には図２中の記号を用いて
１−sin（θ１＋θＲ）＜２cosθ１
および  １−sin（θ１′＋θＲ′）＜２cosθ１′
を満たすように壁面の角度を決めれば壁面での膜成長を防止する効果が大きくなる。
【００３７】
また、磁極23ａにターゲット外周側の壁22ａの壁面と平行な面を設け、磁極23ｂにターゲット内周側の壁22ｂの壁面と平行な面を設けたことにより、磁極23ａ，23ｂから出た磁力線がターゲット21にもうけた壁22ａ，22ｂを通過しやすくなり、放電を維持しやすくでき、その結果、電子の閉じこめを良くすることができる。さらに、磁極23ａ，23ｂから出た磁力線がターゲット21の壁22ａ，22ｂを通過しやすくする効果があるため、壁面とターゲット表面22ｃのなす角度θ２，θ２′を大きくしても放電を維持することができ、壁の表面に膜が再付着しにくくし、さらに壁面もスパッタリングされやすくなることにより、ダストの原因となるうる壁面での膜成長を防止することができる。
【００３８】
なお、本実施の形態１では、電磁石３を使用しているが、永久磁石を使用してもよい。この場合、永久磁石は例えばネオジウム・鉄・ボロン磁石より構成するのが好ましい。また電源10として、高周波電力用電源を使用しているが、直流電源を使用してもよい。
（実施の形態２）
図５は実施の形態２におけるスパッタリング装置のスパッタリングターゲットの断面図である。
【００３９】
図５に示すように、平板のターゲット31の外周部に、電子を閉じこめやすくする作用を有する壁32ａを設けている。
【００４０】
いま、実施の形態１と同様に、図５中において外周側の壁32ａの上端の点をＡ、下端の点をＢ、上端点Ａよりターゲット面22ｃにおろした垂線とターゲット面22ｃとの交点をＨとし、この交点Ｈとターゲットの中心点をはさんで反対側に位置する、ターゲット外周面の壁の上端の点をＡ′、下端の点をＢ′、上端点Ａ′よりターゲット面32ｃにおろした垂直とターゲット面との交点をＨ′とし、壁32ａの斜面の角度∠ＡＢＨをθ１、外周壁の上端点Ａと反対側に位置するターゲット外周側の壁の下端点Ｂ′を結ぶ線と、ターゲットに垂直な線のなす角度（∠ＡＢ′Ｈ′−π／２）をθＲとしたとき、これら角度θ１およびθＲが、
１−sin（θ１＋θＲ）＜２cosθ１
をみたす関係としている。壁面とターゲット表面32ｃのなす∠ＡＢＢ′の角度をθ２とする。
【００４１】
このようなターゲット31においても、壁面とターゲット表面32ｃのなす角度θ２は、９０度より大きく１８０度より小さい角度とすれば良く、実施の形態１と同様に、壁32ａにより電子の閉じこめを良くし、放電を維持しやすくすると同時に、ターゲット31に設けた壁32ａの表面に膜が再付着しにくく、さらに壁面もスパッタリングされやすくすることができ、ダストの原因となりうる壁面での膜成長を防止することができる。
（実施の形態３）
図６は実施の形態３におけるスパッタリング装置のスパッタリングターゲットの断面図である。
【００４２】
図６に示すように、平板のターゲット41の外周部に設けた壁42ａの表面（上面と内周面）を細かな凹凸を有する面として、壁42ａの表面の面粗度を悪く、すなわち荒らした状態としている。面粗度を悪くする手段としては、例えばガラスビーズを吹き付ける処理や表面に金属を溶射するという方法がある。この場合、溶射する金属としては例えばアルミニウム（Ａｌ）があり、また金属ターゲットの場合はターゲットと同じ物質であることが望ましい。
【００４３】
このように、壁面の面粗度を悪くすると、壁42ａ，42ｂに付着した膜の応力が低減される。よって、壁42ａ，42ｂに付着た膜ははがれにくくなり、ダストの原因となることを防止することができる。
【００４４】
なお、本実施の形態３では、平板のターゲット41の外周部に設けた壁42ａの表面の面粗度を悪くしているが、ターゲットの中央部に穴を設け、外周部と内周部の少なくとも一方に壁を設けたものであっても、同様の効果を期待できる。
【００４５】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、ターゲットに設けた壁の表面に膜が再付着しにくくなり、さらに壁面もスパッタリングされやすくなることにより、ダストの原因となりうる壁面での膜成長を防止することができるという有利な効果を得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１におけるスパッタリング装置の構成図である。
【図２】同スパッタリング装置のスパッタリングターゲットの断面図である。
【図３】同スパッタリング装置のスパッタリングターゲットの説明図である。
【図４】同スパッタリング装置における、壁面における膜の成長量を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態２におけるスパッタリングターゲットの断面図である。
【図６】本発明の実施の形態３におけるスパッタリングターゲットの断面図である。
【図７】従来のスパッタリング装置の構成図である。
【図８】従来のスパッタリング装置における、壁面における膜の成長量を示す図である。
【符号の説明】
１    中心線
３    電磁石
４    内周補助磁石
５    外周補助磁石
６    真空容器
７    基板
８    内周マスク
９    外周マスク
10    電源
12    カソード
13    コイル
21，31，41    ターゲット
22ａ，32ａ，42ａ    外周側ターゲット壁
22ｂ    内周側ターゲット壁
23ａ，23ｂ    磁極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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