(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２バイト分のチェックサム記憶領域を有したＲＯＭと、
２バイト分のチェック用記憶領域を有した書き込み可能な不揮発性のメモリ装置とを備えた電子機器において、
前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較する第１の判断手段と、
当該第１の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第１の上下判断手段と、
当該第１の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、前記第１の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第２の判断手段と、
当該第２の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない第１の書込手段と、
前記第１の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第２の上下判断手段と、
当該第２の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込む第２の書込手段と
を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
電子機器の電源投入時に行う書込み可能な不揮発性のメモリ装置の初期処理方法であって、
ＲＯＭに２バイト分のチェックサム記憶領域を確保し、
前記メモリ装置の所定領域に２バイト分のチェック用記憶領域を確保し、
前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較する第１の比較処理工程と、
当該第１の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第１の上下判断処理工程と、
当該第１の上下判断処理工程により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、前記第１の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第２の比較処理工程と、
当該第２の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない第１の書込処理工程と
前記第１の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第２の上下判断処理工程と、
当該第２の上下判断処理工程により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込む第２の書込処理工程と
を備えたことを特徴とする書込み可能な不揮発性のメモリ装置の初期処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は書込み可能な不揮発性のメモリ装置を備えた電子機器及びそのメモリ装置の初期処理方法に係り、特にＲＯＭに記憶された動作設定値を記憶した書込み可能な不揮発性のメモリ装置を備えた電子機器と、電源投入時に行う書込み可能な不揮発性のメモリ装置の初期処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、プリンタやファクシミリ装置等の電子機器には、書込み可能な不揮発性のメモリが組み込まれているものがある。例えば、書込み可能な不揮発性のメモリであるＥＥＰＲＯＭを用いて、そのＥＥＰＲＯＭに動作設定値を記憶しているものでは、工場出荷時にＲＯＭに記憶されている初期値がこのＥＥＰＲＯＭにも記憶されている。
【０００３】
そして、上記電子機器のＲＯＭが、工場からの出荷後に制御プログラムのバグの修正や仕様変更等により内容が変更されたＲＯＭと交換される場合には、サービスセンターや顧客の事務所等において、サービスマンにより、ＲＯＭの交換が行われている。この場合には、交換された新しいＲＯＭの初期値は変更されているので、その初期値をＥＥＰＲＯＭに書込む処理をサービスマンが行う必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このＥＥＰＲＯＭの書き換え処理については、サービスマンが手動操作で行なっていた。このときに、単にサービスマンのミスによって、初期値の書き換え処理が行われないと、上記電子機器の正しい動作が保証されないという不都合が生じていた。
【０００５】
また、ＲＯＭの内容が設計上の都合やバグの修正のために変更されていた場合に、サービスマンに連絡がなされていないときには、サービスマンは、故障等の修理交換のため新たにはめ込んだＲＯＭが以前のＲＯＭと同じ内容だと思っている場合がある。従って、ＲＯＭに記憶されている初期値をＥＥＰＲＯＭに記憶させる初期値の書き換え処理が行われないという問題点があった。
【０００６】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、ＲＯＭを交換した場合にも、書込み可能な不揮発性のメモリ装置に対する書き換え作業をサービスマンにより行なう必要がない書込み可能な不揮発性のメモリ装置を備えた電子機器及びそのメモリ装置の初期処理方法の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明の電子機器は、２バイト分のチェックサム記憶領域を有したＲＯＭと、２バイト分のチェック用記憶領域を有した書き込み可能な不揮発性のメモリ装置とを備えた電子機器において、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較する第１の判断手段と、当該第１の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第１の上下判断手段と、当該第１の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、前記第１の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第２の判断手段と、当該第２の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない第１の書込手段と、前記第１の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第２の上下判断手段と、当該第２の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込む第２の書込手段とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
この構成により、請求項１に係る発明の電子機器では、電源投入時に第１の判断手段が前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較し、当該第１の判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第１の上下判断手段がチェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第１の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第２の判断手段がチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、第１の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第２の判断手段が前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第２の判断手段により、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第１の書込手段は、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない。
【０００９】
第２の上下判断手段は、第１の判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。
【００１０】
第２の書込手段は、当該第２の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、第２の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込む。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
この構成により、ＲＯＭのチェックサムの上位１バイトと下位１バイトが偶然同じ値になっている場合（たとえば「００」や「ＦＦ」等になっている場合）に、前記メモリ装置の２バイトの記憶領域に記憶された値も、偶然不定値の「００」や「ＦＦ」等になっている場合にも、ＲＯＭの交換を正しく判断することができる。
【００１９】
【００２０】
この構成により、ＲＯＭのチェックサムの上位１バイトと下位１バイトが偶然同じ値になっている場合（たとえば「００」や「ＦＦ」等になっている場合）に、前記メモリ装置の２バイトの記憶領域に記憶された値も、偶然不定値の「００」や「ＦＦ」等になっている場合にも、ＲＯＭの交換を正しく判断することができるチェックサムの値を前記メモリ装置に書き込むことができる。
【００２１】
請求項２に係る発明の電子機器の電源投入時に行う書込み可能な不揮発性のメモリ装置の初期処理方法は、ＲＯＭに２バイト分のチェックサム記憶領域を確保し、前記メモリ装置の所定領域に２バイト分のチェック用記憶領域を確保し、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較する第１の比較処理工程と、当該第１の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第１の上下判断処理工程と、当該第１の上下判断処理工程により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、前記第１の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第２の比較処理工程と、当該第２の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない第１の書込処理工程と、前記第１の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する第２の上下判断処理工程と、当該第２の上下判断処理工程により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の上下判断手段により、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込む第２の書込処理工程とを備えている。
【００２２】
この構成により、請求項２に係る発明の電子機器の電源投入時に行う書込み可能な不揮発性のメモリ装置の初期処理方法は、第１の比較処理工程で、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較し、当該第１の比較処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第１の上下判断処理工程で、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第１の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第２の比較処理工程で、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、第１の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第２の判断手段が前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第２の比較処理工程により、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第１の書込処理工程では、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない。
【００２３】
第２の上下判断処理工程では、第１の比較処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。第２の書込処理工程では、当該第２の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、第２の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込む。
【００２４】
以上説明したように、本発明では、ＲＯＭのチェックサムの最初のデータと、書込み可能な不揮発性のメモリ装置の最初のチェック用データが異なれば、直ちに書込み可能な不揮発性のメモリ装置の初期化を行い、書込み可能な不揮発性のメモリ装置のチェック用の所定領域の２バイトのデータを書き込む。これにより常に新しいチェックデータが保持される。
【００２５】
また、チェックサムの記憶値が偶然にも同じ値である場合や、初期基板（装置に組み込んだ直後の基板）の書込み可能な不揮発性のメモリ装置が、所定値に全領域初期化されている場合であっても、ＲＯＭのチェックサムと前記メモリ装置のチャックサムの照合が可能になる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態である多機能ファクシミリ装置Ｓのブロック図であり、図２は多機能ファクシミリ装置Ｓの電源投入時の動作を示すフローチャートであり、図３は、多機能ファクシミリ装置ＳのＲＯＭ１１に記憶された初期値の例を示す図である。
【００２７】
本実施の形態では、図１で示すように、動作設定値を記憶した書込み可能な不揮発性のメモリ装置としてのＥＥＰＲＯＭ１０を備えた装置、つまりデータ処理装置として、多機能ファクシミリ装置Ｓを例にして説明する。
【００２８】
本実施の形態の多機能ファクシミリ装置Ｓは、パネル２を介して入力される操作者からの各種司令に応じて、動作モードの設定、スキャナ４による原稿画像の読み取り、送信データの符号化、ファクシミリデータの送受信、受信データの復号化、復号化したファクシミリデータのプリンタ３での記録用紙への記録を行うものである。そして、ＣＰＵ１，交換可能なＲＯＭ１１、動作設定値を記憶したＥＥＰＲＯＭ１０、一部が受信バッファメモリとして用いられているＲＡＭ１２、他の電話装置やファクシミリ装置との間での会話やファクシミリデータの送受信を可能にするネットワークコントロールユニット（ＮＣＵ）１３、モデム（図示せず）、およびこれらを接続するバスラインを備えている。尚、ＲＡＭ１２は、一般的なＤＲＡＭから構成され、ＲＯＭ１１は、図示外のソケットに載置され、着脱可能である。
【００２９】
そして、修理や部品交換によりＲＯＭ１１が変更された場合に、装置の電源を投入したときに、上記ＥＥＰＲＯＭ１０にＲＯＭ１１の初期値を書込むように構成している。この書込み動作は、図示外の制御フローチャートに従ってＣＰＵ１が行う。
【００３０】
つまり、本実施の形態の多機能ファクシミリ装置Ｓは、装置内に配設されたＲＯＭ１１と、このＲＯＭ１１に対応した動作設定値を記憶したＥＥＰＲＯＭ１０とを備えており、電源投入時に、ＲＯＭ１１に記憶されたＲＯＭ１１の全領域の記憶値の合計であるチェックサムの値とＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域に記憶されている値とを比較し、チェックサムの値と前記ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域に記憶されている値とが異なっているときには、前記ＲＯＭ１１に記憶されている初期値をＥＥＰＲＯＭ１０の所定の領域に書き込むものである。
【００３１】
その初期値の一例について図３を参照して説明する。初期値としては、例えば多機能ファクシミリ装置Ｓの場合には、図３で示すように、スキャナ部での読み取りのコントラスト係数（パラメータ）等各種のものがある。
【００３２】
本実施の形態の多機能ファクシミリ装置Ｓでは、まず、ＲＯＭ１１にチェックサムの記憶領域として２バイト分の記憶領域が確保されている。また、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域にも２バイト分の記憶領域が確保されている。そして、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域の２バイト分の記憶領域の上位１バイトの記憶領域のアドレスを「ＡＮＧＯＨ」とし、下位１バイトの記憶領域のアドレスを「ＡＮＧＯＨ＋１」とする。
【００３３】
次に、図２に示すフローチャートに従って、本実施の形態の多機能ファクシミリ装置Ｓの動作について説明する。まず、電源を投入すると、第１の比較処理工程であるステップＳ１で、ＲＯＭ１１に記憶されたチェックサムの上位１バイトの値とＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域の１バイトの記憶領域（アドレス「ＡＮＧＯＨ」）に記憶された値とを比較して、同じかどうか判断する。
【００３４】
このステップＳ１の第１の比較処理工程によって、ＲＯＭ１１に記憶されたチェックサムの上位１バイトの値とＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ」に記憶された値とが異なる場合には（Ｓ１：ＮＯ）、ＲＯＭ１１が交換されてＲＯＭ１１の記憶内容の変更があったものであるので、後述するＳ４，Ｓ５，Ｓ６と同様のＳ８，Ｓ９，Ｓ１０の処理を経て、交換された新たなＲＯＭ１１に記憶されている初期設定値を書き込む初期化工程（ステップＳ２）で直ちにＥＥＰＲＯＭ１０を初期化する。即ち、ステップＳ２の初期化工程で、ＲＯＭ１１に記憶された初期設定値をＥＥＰＲＯＭ１０に書込んで更新するのである。そして、ステップＳ２の初期化工程の後に、ステップＳ３の書込処理工程でＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトと下位１バイトの値をＥＥＰＲＯＭ１０に書込む。
【００３５】
本実施の形態の場合では、ＲＯＭ１１のチェックサム上位１バイトの値をＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ」に書込み、次述するＳ４，Ｓ５，Ｓ６と同様のＳ８，Ｓ９，Ｓ１０の処理で決定されるＲＡＭ１２の記憶エリアのアドレス「ＡＡＡ」の値をＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ」に続くアドレス「ＡＮＧＯＨ＋１」の記憶領域に書込むのである。
【００３６】
前記ステップＳ１の比較処理工程で、ＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトの記憶値がＥＥＰＲＯＭ１０アドレス「ＡＮＧＯＨ」の記憶値と同じ場合には（Ｓ１：ＹＥＳ）、基本的には、ＲＯＭ１１が交換されておらず変更がないものと判断できる。しかし、ＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトの記憶値とＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ」の記憶値とが偶然に同じ値である場合も考えられる。
【００３７】
例えば、本実施の形態の多機能ファクシミリ装置の製造工程で、ＥＥＰＲＯＭ１０を図示外の基盤に実装した段階では、ＥＥＰＲＯＭ１０の記憶エリアの値は、不定になっている。その一例としては、「００」や「ＦＦ」となっていることが多い。その場合に、ＲＯＭ１１に記憶された２バイト分のチェックサムの値が「００」や「ＦＦ」に偶然になっていた場合には、ＥＥＰＲＯＭ１０は、ＲＯＭ１１に記憶されている正しい初期設定値を記憶しているのではないにも関わらず、ＥＥＰＲＯＭ１０への初期設定値の書き直しがなされないことになってしまう。このようなことを防止するするために、本実施の形態では、図２に示すフローチャートのＳ４以下のステップの処理を行う。
【００３８】
まず、ステップＳ４の上下判断処理工程でＲＯＭ１１に記憶されているチェックサムの上位１バイトと下位１バイトの値が同じかどうかを判断する。例えば、当該チェックサムの値が「００」となっている場合には、上位１バイトの値が「０」で下位１バイトの値も「０」なので、ステップＳ４でＹＥＳと判断される。
【００３９】
ステップＳ４の上下判断処理工程により、ＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトと下位１バイトの記憶値が同じ場合には（Ｓ４：ＹＥＳ）、ステップＳ５における処理によりＲＯＭ１１のチェックサム下位１バイトの記憶値に１を加えたものをＲＡＭ１２の記憶領域のアドレス「ＡＡＡ」に記憶する。この場合には、アドレス「ＡＡＡ」の記憶値は「０」に「１」が加えられた「１」となる。従って、ＲＡＭ１２の記憶領域のアドレス「ＡＡＡ」には、ＲＯＭ１１のチェックサムの下位１バイトの値である「０」に「＋１」された値である「１」が記憶され、その値とＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ＋１」の値（本例では「０」）とが比較され（Ｓ７）、「１」と「０」とで一致しないので（Ｓ７：ＮＯ）、ＥＥＰＲＯＭ１０の初期化が行われる（Ｓ２）。即ち、ＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ」と「ＡＮＧＯＨ＋１」との２バイトの記憶領域に記憶された値が、不定値の「００」や「ＦＦ」等になっている場合に、ＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトと下位１バイトが偶然同じ値になっている場合（「００」や「ＦＦ」だった場合）でも、ステップＳ７において「ＮＯ」と判断されて、正しい初期化処理（ステップＳ２の工程）がＥＥＰＲＯＭ１１に対して行われることになる。
【００４０】
また、ステップＳ４の上下判断処理工程によりＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトの記憶値と下位１バイトとの記憶値とが異なる場合には（Ｓ４：ＮＯ）、ステップＳ６での処理によりＲＯＭ１１のチェックサム下位１バイトの記憶値をそのままＲＡＭ１２の記憶エリアのアドレス「ＡＡＡ」に記憶する。
【００４１】
次に、ステップＳ７の判断処理工程で、上記各ステップで決定されＲＡＭ１２の記憶エリアのアドレス「ＡＡＡ」に記憶された値が、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域（アドレス「ＡＮＧＯＨ＋１」）に記憶された値と同じかどうかが判される。そして、この判断処理工程で、ＲＡＭ１２の記憶エリアのアドレス「ＡＡＡ」に記憶された値が、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域（アドレス「ＡＮＧＯＨ＋１」）に記憶された値と異なると判断された場合には（Ｓ７：ＮＯ）、ステップＳ２で、ＥＥＰＲＯＭ１０を初期化しＲＯＭ１１に記憶された初期設定値をＥＥＰＲＯＭ１０に書込んでＥＥＰＲＯＭ１０の記憶値を更新する。
【００４２】
さらに、ステップＳ２での初期化後に、ステップＳ３でＲＯＭ１１のチェックサムの上位１バイトの記憶値をＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ」に記憶し、次にＲＡＭ１２のアドレス「ＡＡＡ」に記憶した値をＥＥＰＲＯＭ１０のアドレス「ＡＮＧＯＨ＋１」に記憶する。
【００４３】
上記ステップＳ７の判断処理工程で、ＲＡＭ１２の記憶エリアのアドレス「ＡＡＡ」に記憶された値が、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域（アドレス「ＡＮＧＯＨ＋１」）に記憶された値と同じであると判断された場合には（Ｓ７：ＹＥＳ）、ＥＥＰＲＯＭ１０には何らの書込みを行わない。これは、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域アドレス「ＡＮＧＯＨ」及び「ＡＮＧＯＨ＋１」（２バイト分）の記憶値とＲＯＭ１１のチェックサムを記憶した２バイト分の記憶エリアの記憶値が等しく、ＲＯＭが交換されていないと判断できるからである。
【００４４】
以上のように、ＲＯＭ１１のチェックサムをＥＥＰＲＯＭ１０に記憶し、電源立ち上げ時に、ＲＯＭ１１に記憶されているチェックサムの値とＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域に記載されている値とを比較することにより、ＲＯＭ１１が変更されたと判断したら、新しいＲＯＭ１１の初期値をＥＥＰＲＯＭ１０に書込むことにより、正しい動作が保証される。
【００４５】
なお、上記実施の形態では、ＲＯＭ１１のチェックサムを２バイト確保しており、ＲＯＭ１１のチェックサム下位１バイトから決定される値をＲＡＭのアドレス「ＡＡＡ」に記憶して利用している。また、ＥＥＰＲＯＭ１０の所定領域の値も２バイト確保している。
【００４６】
図２に示すように、この２バイトのうち上位１バイトをのアドレスを「ＡＮＧＯＨ」とし、下位バイトのアドレスを「ＡＮＧＯＨ＋１」としているが、これらのアドレスは、任意のものをその値とすることができる。
【００４７】
なお、書込み可能な不揮発性のメモリ装置としてＥＥＰＲＯＭを使用したが、フラッシュメモリや電池等でメモリバックアップされたＤＲＡＭや通常のＲＡＭであっても良い。
【００４８】
また、上記の実施の形態では、ステップＳ５でＲＯＭ１１のチェックサムの下位１バイトの記憶値に「１」を加えているが、この値は、「１」以外の他の任意の値でもよい。例えば、「２」「３」「５」等でもよい。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１に係る発明の書込み可能な不揮発性のメモリ装置を備えた電子機器では、電源投入時に第１の判断手段がチェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較し、当該第１の判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第１の上下判断手段が前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第１の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第２の判断手段がチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、第１の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第２の判断手段が前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第２の判断手段により、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第１の書込手段は、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の判断手段により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない。
【００５０】
第２の上下判断手段は、第１の判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。
【００５１】
第２の書込手段は、当該第２の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、第２の上下判断手段により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込むことができる。
【００５２】
【００５３】
従って、メモリ装置の初期化を行った後に、書込手段がメモリ装置にＲＯＭの記憶内容の変更を判断するために使用される値の書込み動作を行うので、ＲＯＭの記憶内容の変更を判断するために使用される新しい値を確実に書き込んでおくことができる。
【００５４】
【００５５】
また、ＲＯＭのチェックサムの上位１バイトと下位１バイトが偶然同じ値になっている場合（たとえば「００」や「ＦＦ」等になっている場合）に、前記メモリ装置の２バイトの記憶領域に記憶された値も、偶然不定値の「００」や「ＦＦ」等になっている場合にも、ＲＯＭの交換を正しく判断することができるチェックサムの値を前記メモリ装置に書き込むことができる。
【００５６】
さらに、請求項２に係る発明の書込み可能な不揮発性のメモリ装置の初期処理方法では、電源投入時に第１の比較処理工程で、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とを比較し、当該第１の比較処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第１の上下判断処理工程で、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第１の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合に、第２の比較処理工程で、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較し、第１の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と前記チェックサム記憶領域の前記下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第２の判断手段が前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値と、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。当該第２の比較処理工程により、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、第１の書込処理工程では、前記ＲＯＭに記憶された初期設定値を前記メモリ装置に書き込んだ後、前記チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えた値とを、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、前記第２の比較処理工程により、前記チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値又はその記憶値に所定値を加えたものと、前記チェック用記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、前記メモリ装置のチェック用記憶領域に書込みを行わない。
第２の上下判断処理工程では、第１の比較処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェック用記憶領域の上位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合に、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを比較する。第２の書込処理工程では、当該第２の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが同じと判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値に所定値を加えた値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込み、第２の上下判断処理工程により、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値とチェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とが異なると判断された場合には、ＲＯＭに記憶された初期設定値をメモリ装置に書き込んだ後、チェックサム記憶領域の上位１バイトの記憶値と、チェックサム記憶領域の下位１バイトの記憶値とを、メモリ装置のチェック用記憶領域に書込む。
従って、ＲＯＭの内容が変更された場合（即ち、ＲＯＭが新たな内容を記憶したＲＯＭに交換された場合）には、自動的に書込み可能な不揮発性のメモリ装置の値をＲＯＭに記憶された初期値に書き換えるので、ＲＯＭの変更により、その都度書込み可能な不揮発性のメモリ装置の内容をＲＯＭに合わせるためのサービスマン等による書換作業が不要となる。また、前記メモリ装置にＲＯＭの記憶内容の変更を判断するために使用される値の書込み動作を行うので、ＲＯＭの記憶内容の変更を判断するために使用される新しい値を確実に書き込んでおくことができる。
【００５７】
【００５８】
さらに、ＲＯＭのチェックサムの上位１バイトと下位１バイトが偶然同じ値になっている場合（たとえば「００」や「ＦＦ」等になっている場合）に、前記メモリ装置の２バイトの記憶領域に記憶された値も、偶然不定値の「００」や「ＦＦ」等になっている場合や、組立直後の初期状態の基板で書込み可能な不揮発性のメモリ装置が所定値に全領域初期化されている場合であっても、ＲＯＭの交換を正しく判断することができ、かつ、当該場合にもＲＯＭの交換を正しく判断することができるチェックサムの値を前記メモリ装置に書き込むことができる。
【００５９】
以上のように、本発明によれば、電源投入時に、必ずＲＯＭに記憶されたチェックサムの値と書込み可能な不揮発性のメモリ装置に記憶されたチェック用の記憶領域の値とを比較し、ＲＯＭの内容が変更された場合には書込み可能な不揮発性のメモリ装置の値をＲＯＭの初期値に書き換えるので、ＲＯＭの変更により、その都度書込み可能な不揮発性のメモリ装置の内容を新たなＲＯＭの記憶内容に合わせるサービスマン等による作業が不要となる。従って、ＲＯＭを交換した場合にも、書込み可能な不揮発性のメモリ装置に対する書き換え作業を行なう必要がない書込み可能な不揮発性のメモリ装置を備えた電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施の形態である多機能ファクシミリ装置のブロック図である。
【図２】  本発明の一実施の形態である多機能ファクシミリ装置の電源投入時の動作を示すフローチャートである。
【図３】  本発明の一実施の形態である多機能ファクシミリ装置のＲＯＭが記憶している初期値の例を示す図である。
【符号の説明】
１  ＣＰＵ
２  パネル
３  プリンタ
４  スキャナ
１０  書込み可能な不揮発性のメモリ装置（ＥＥＰＲＯＭ）
１１  ＲＯＭ
１２  ＲＡＭ
１３  ネットワークコントロールユニット（ＮＣＵ）
Ｓ  多機能ファクシミリ装置
【図１】
0003879243.tif 000002
【図２】
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【図３】
0003879243.tif 000004