(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空、或いは不活性ガス雰囲気下で、Ｓｎを１３００〜１５００℃に加熱溶融し、これにＳｎに対して質量基準で０．１〜５％のＴｉのみを添加して１３００〜１５００℃に加熱溶融し、この溶湯を銅製の鋳型に鋳込むことを特徴とする、微細に分散したＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の製造方法。
【請求項２】
真空、或いは不活性ガス雰囲気下で、Ｓｎを１３００〜１５００℃に加熱溶融し、これにＳｎに対して質量基準で０．１〜５％のＴｉのみを添加して１３００〜１５００℃に加熱溶融し、この溶湯を鋳型の上に載置したカーボン製の受口を介して、銅製の鋳型に鋳込むことを特徴とする、微細に分散したＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の製造方法。
【請求項３】
Ｓｎ及びＴｉの加熱溶融温度が、１４００〜１４５０℃であることを特徴とする、請求項１又は２記載のＳｎ基合金の製造方法。
【請求項４】
不活性ガス雰囲気が、アルゴンガス雰囲気であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のＳｎ基合金の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、内部拡散法によるＮｂ3Ｓｎ超電導線材の製造に用いられるＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
超電導線材の製造方法として、内部拡散法によるＮｂ3Ｓｎ化合物を使用する方法が提案されている。ここで、内部拡散法とは、Ｎｂ金属棒が相互接触しない様、多数組み込まれたＣｕ基金属体の中心部にＳｎ金属棒を組み込んだ構造のモジュールと呼ばれるＮｂ3Ｓｎ超電導線材の先駆体を伸線加工して、約６５０℃に加熱してＳｎの拡散熱処理によりＮｂ金属と反応させ、最終的に超電導材料として有用なＮｂ3Ｓｎ線材を製造する方法である。この内部拡散法によるＮｂ3Ｓｎ超電導線材の高磁界での超電導特性を向上させる為に、Ｓｎ基体にＴｉを添加したＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金を使用することで、Ｓｎ金属を使用したＮｂ3Ｓｎ線材に比べ超電導特性のより改善されたものが得られることが知られている。しかし、ここで用いられるＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金は、Ｔｉ添加Ｓｎ基体を製造するに当たってＳｎの融点２３２℃とＴｉの融点１６７０℃の間に大きな差があること、また、Ｔｉにおいては酸化が著しいことのために、通常の溶融鋳造では未融解Ｔｉ及びＴｉ酸化物が発生し、これらのＳｎ基合金中への混入によって欠陥が生ずるという問題がある。
【０００３】
このような欠陥のないＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金を製造する方法として、例えば、不活性ガス雰囲気下で、Ｓｎを６００〜１７５０℃に加熱溶融し、これにＳｎの重量比で０．３〜６．５％のＴｉを添加して、５００〜１７５０℃で、鋳鉄製またはステンレス製の鋳型に鋳造する方法が提案されている（特公平６−７６６２５号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、不活性ガス雰囲気中での溶融と鋳鉄製またはステンレス製の鋳型を使用して鋳造したＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金では、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物の微細化が十分に進んでいない為に超電導特性の向上が望めないという問題があった。また、得られたＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金インゴットの引け巣が大きく、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の歩留りが悪く、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の製造方法の改善が必要であった。
本発明は、この様な従来の方法の問題を解決する為に考えられたものであり、微細な粒状の粒径のＳｎ−Ｔｉ系化合物がＳｎ基合金中に均一に分散し、更に鋳造に際してインゴットに引け巣が生じないＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の製造方法を得ることを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、真空、或いは不活性ガス雰囲気下で、Ｓｎを１３００〜１５００℃に加熱溶融し、これにＳｎに対して質量基準で０．１〜５％のＴｉのみを添加して１３００〜１５００℃に加熱溶融し、この溶湯を銅製の鋳型に鋳込むことを特徴とする、微細に分散したＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の製造方法である。
【０００６】
また、本発明は、真空、或いは不活性ガス雰囲気下で、Ｓｎを１３００〜１５００℃に加熱溶融し、これにＳｎに対して質量基準で０．１〜５％のＴｉのみを添加して１３００〜１５００℃に加熱溶融し、この溶湯を鋳型の上に載置したカーボン製の受口を介して、銅製の鋳型に鋳込むことを特徴とする、微細に分散したＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の製造方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の微細に分散したＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金は、以下に述べる方法によって、Ｓｎに対して質量基準で０．１〜５％、好ましくは０．５〜３％の割合でＳｎ基体にＴｉのみを添加し、微粒状のＳｎ−Ｔｉ系化合物をＳｎ基体中に形成せしめたＳｎ基合金である。このＳｎ基合金中に分散するＳｎ−Ｔｉ系化合物は、その最大粒子径が３０μｍで、平均粒子径が２０〜１５μｍの範囲であり、より好ましくは、最大粒子径が１５μｍで、平均粒子径が１０〜５μｍの範囲である。この本発明のＳｎ基合金に含まれるＳｎ−Ｔｉ系化合物は、その主成分がＴｉ6Ｓｎ5の組成からなる合金であり、Ｔｉ6Ｓｎ5を７０質量％以上、好ましくは９０質量％以上含むものであり、最も好ましくは全てがＴｉ6Ｓｎ5である。このほかにもＴｉ5Ｓｎ3等を含んでもよい。
【００１０】
本発明の上記の微細に分散したＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金は、真空、或いは不活性ガス雰囲気下で、Ｓｎを１３００〜１５００℃に加熱溶融し、これにＳｎに対して質量基準で０．１〜５％、好ましくは０．５〜３％のＴｉのみを添加して１３００〜１５００℃に加熱溶融し、この溶湯を銅製の鋳型に鋳込むことによって、或いは鋳込みの際に鋳型の上に載置したカーボン製の受口を介して、銅製の鋳型に鋳込むことによって得ることができる。本発明で使用する銅製の鋳型は、材質が銅であれば単純な銅製の鋳型のほかに、水冷の銅製鋳型、その他の種々の形態のものを使用することができる。
【００１１】
本発明の方法においては、真空または不活性ガス雰囲気下で、Ｓｎ及びＴｉを１３００〜１５００℃の範囲の温度で加熱・溶融することが必要である。また、鋳込みに際しては、材質が銅製の鋳型を用いて鋳込むことが必要である。鋳型が従来から使用されている材質が鋳鉄製またはステンレス製の鋳型を用いて鋳造したＳｎ基合金ではＳｎ−Ｔｉ系化合物の微細化が十分に進行せず、５０μｍ以上の比較的粒子径の大きいＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むものしか得られない。また、鋳型として銅製のものを使用しても、加熱溶融温度が１３００℃未満では従来の方法と同様に、Ｓｎ基合金中のＳｎ−Ｔｉ系化合物の微細化が十分に進行せず、５０μｍ程度の比較的粒子径の大きいＳｎ−Ｔｉ系化合物を多く含むものしか得られない。
【００１２】
これに対して、本発明にしたがって、真空または不活性ガス雰囲気下で、Ｓｎ及びＴｉを１３００〜１５００℃の範囲の温度で加熱・溶融し、さらに銅製の鋳型を用いて鋳造することによって、最大粒子径が３０μｍで、平均粒子径が２０〜１５μｍの範囲の微細に分散した微粒状のＳｎ−Ｔｉ系化合物を含んだＳｎ基合金を得ることができる。加熱・溶融温度は１４００〜１４５０℃とすることが更に好ましく、この場合は最大粒子径が１５μｍで、平均粒子径が１０〜５μｍの範囲のＳｎ−Ｔｉ系化合物を含んだＳｎ基合金を得ることができる。これは銅製の鋳型の使用によって、鋳型の熱伝導率が向上して急冷効果が増すため、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金中に含まれるＳｎ−Ｔｉ系化合物が微細分散するためである。なお、鋳込み温度が１５００℃を超えるとＳｎ基合金中に含まれるＳｎ−Ｔｉ系化合物の微細化の効果はあるが、１５００℃を超えるような高温度を使用するため鋳型の寿命が短くなるという問題があり、特に量産の場合には好ましくない。
【００１３】
なお、このＳｎ基合金中に含まれる微粒状のＳｎ−Ｔｉ系化合物粒子の大きさの測定は、Ｓｎ基合金の断面の研磨を行ない、光学顕微鏡でその断面の写真を撮影し、その写真から９．５×７．３ｃｍの画面内の１０個の粒子についてＳｎ−Ｔｉ系化合物が粒状であれば直径を、針状であれば短辺方向の長さを測定し、その最大値と平均値を求める。
【００１４】
更に、本発明のＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金では、冷却時の収縮率が大きいためインゴットが固化する際の引け巣が大きく、従ってＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の歩留まりが悪くなるという問題があった。これに対して、本発明の方法においては、鋳型の上に載置したカーボン製の受口を介して、ＳｎとＴｉの溶湯を鋳型に鋳込むという方法を採用するものである。このような方法を採用することにより、受口の溶湯が押し湯の作用をしてインゴットの収縮する部分を埋めて、引け巣の形成が防止でき、製品の歩留まりが向上する。
【００１５】
本発明の微細に分散したＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金は、これを使用してＮｂ3Ｓｎ超電導線材の先駆体を製造することができる。即ち、Ｃｕ基金属材中に、Ｎｂ基金属材と共に、上記のＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金とを多数本、相互接触しない様に配置した構造のＮｂ3Ｓｎ超電導線材の先駆体である。
更に具体的には、内部に多数本のＮｂ金属棒を組み込んだ、棒状のＣｕ基金属材の中央部に、上記のＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の金属棒を組み込んだ構造のＮｂ3Ｓｎ超電導線材の先駆体である。
【００１６】
このような先駆体を使用して内部拡散法によってＮｂ3Ｓｎ超電導線材を製造することができる。即ち、まず、この本発明の先駆体を複数個組み合せて最終的な目的とする直径になるまで伸線加工し、Ｎｂ−Ｓｎ複合線を作る。次に、このＮｂ−Ｓｎ複合線を約６００〜８００℃に加熱してＳｎの拡散処理を行ない、複合線内のＳｎを拡散させてＮｂと反応させ、最終的にニオブ三錫（Ｎｂ3Ｓｎ）を形成させて、超電導特性の優れたＮｂ3Ｓｎ超電導線材が得られる。この際、本発明のＳｎ基合金中の微細に分散したＳｎ−Ｔｉ系化合物粒子はこの反応の過程で消失するが、前述のように、最大粒子径が３０μｍで、平均粒子径が２０〜１５μｍの範囲のＳｎ−Ｔｉ系化合物粒子を含むＳｎ基合金使用する場合は優れた超電導特性を示すが、この範囲を超えるより大きなＳｎ−Ｔｉ系化合物粒子を含むＳｎ基合金を使用した場合には、十分な超電導特性を示さない。
【００１７】
【実施例】
次に、実施例によって本発明を更に詳しく説明する。
実施例１：
Ｓｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の製造は、不活性ガス雰囲気中で溶融鋳造が可能な高周波加熱炉にてＡｒガス雰囲気で次の様に行った。
初めに、溶解ルツボ内にＳｎを５０Ｋｇと、添加材室に７〜８ｍｍ角、厚さ１ｍｍの片状Ｔｉを１Ｋｇ（Ｓｎに対する質量基準で２．０質量％のＴｉを配合）入れた。一方、内面に離形剤を塗布した、外径２２０ｍｍ×内径(１)８５ｍｍ・内径(２)６０ｍｍ・高さ５１０ｍｍの銅製の鋳型を準備した。
次に高周波加熱炉内及び添加材室内を１０-3Ｔｏｒｒ台まで真空引きした後、炉内のＯ2濃度が１ｐｐｍ以下になっていることを確認してから高周波加熱を開始した。まず、Ｓｎを１３００℃まで加熱し、融解したところで、Ａｒガスを導入すると同時に、添加材室のＴｉをＳｎの溶湯中に添加し３０分間保持する。その後、１４３０℃に加熱してＡｒガスを再導入した後、予め準備した上記の銅製の鋳型に鋳込んだ。
【００１８】
この方法により得られたＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の品質検査を行い、Ｔｉ添加量は目標２．０質量％Ｔｉに対し、略目標の２．０２質量％Ｔｉのインゴットが得られた。このインゴットの断面の顕微鏡観察の結果、Ｓｎ基合金中のＳｎ−Ｔｉ系化合物の粒径が最大で１５μｍで、平均粒径が１０μｍで、主たるＳｎ−Ｔｉ系化合物であるＴｉ6Ｓｎ5が含まれる割合がほぼ１００％の微細分散化したＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金のインゴットが得られた。
【００１９】
更に、得られたＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金インゴットは、内部拡散法Ｎｂ3Ｓｎ超電導線材の製造に用いられる為に、次の様な加工を実施した。即ち、インゴットの頭・底部の収縮巣の部分を切断除去しかつ少微なインゴット表面欠陥を除去する為、外周切削し所定のビレット状とし、次に押出し機とドローベンチによる引抜き加工で指定された外径に仕上げた。このＳｎ基合金を用いて、Ｎｂ、Ｃｕとともに最終形状まで伸線と熱拡散処理を行なって、内部拡散法によってＮｂ3Ｓｎ超電導線材を製造した。このようにして得た本発明のＳｎ基合金を使用したＮｂ3Ｓｎ超電導線材の超電導特性評価では、第１図に示す様に電流特性が従来法によるＳｎ基合金を用いたＮｂ3Ｓｎ線の臨界電流密度６５０Ａ／ｍｍ2に対し、７５０Ａ／ｍｍ2となり約１５％向上した。
【００２０】
更にｎ値と呼ばれる超電導線の長手方向の不均一性を示す値も、従来法のものが２０であるのに対し、Ｓｎ−Ｔｉ化合物の微細分散化が進んだ実施例１で得た本発明のものでは３０に向上した。尚、ｎ値は超電導線の長手方向の不均一性を示すものであるが、更に詳しくは、第１図に示すようなＳｎ基合金を使用したＮｂ3Ｓｎ超電導線材の電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）曲線において、その立ち上がりの部分をＶ∝Ｉnで表した場合の冪指数ｎを意味し、線材中の超電導フィラメント径の不揃い、長手方向の均一性、安定化材との接触抵抗等の線材の良否の判定に利用する指標であり、数値が大きいほど線材の特性が良いことを表す。
【００２１】
比較例１：
Ｓｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の製造は、不活性ガス雰囲気が保持される溶解鋳造が可能な高周波溶解炉にてＡｒガス雰囲気中で行った。
始めに、Ｓｎ２０Ｋｇを１３００℃で溶解し、この温度で約６０分保持した後に、粒状のスポンジＴｉの０．５Ｋｇ（Ｓｎに対し質量基準で２．５質量％のＴｉを配合）をＳｎ溶湯中に添加しカーボン棒で攪拌した。この状態で５分間保持して溶湯表面のスラグを除去して、溶湯温度１２００℃で、第４図に示すステンレス製の鋳型を用いて鋳造した。
【００２２】
この方法により得られたＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金は、品質検査の結果、目標２．５質量％のＴｉに対し、２．３質量％のＴｉであった。実施例１と同様にしてＳｎ基合金中のＳｎ−Ｔｉ系化合物の粒径を測定したところ、最大で５０μｍで、平均粒径が４０μｍのＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金のインゴットが得られた。
更に、このＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金は、実施例１と同様の方法によって、内部拡散法によりＮｂ3Ｓｎ超電導線材に加工した。このＮｂ3Ｓｎ超電導線材の電流特性は、第１図に示すように臨界電流密度６５０Ａ／ｍｍ2であった。
【００２３】
実施例２:
鋳込み温度を１３００℃とする以外は、実施例１と同様の条件と方法でＳｎ基合金インゴットを作った。Ｓｎ基合金中のＳｎ−Ｔｉ系化合物の粒子径を測定したところ、最大で３０μｍで、平均粒径が１５μｍであった。
【００２４】
比較例２:
鋳込み温度を１２００℃とする以外は、実施例１と同様の条件と方法でＳｎ基合金インゴットを作った。Ｓｎ基合金中のＳｎ−Ｔｉ系化合物の粒子径を測定したところ、最大で５０μｍのものを多く含み、平均粒径が３０μｍであった。
【００２５】
比較例３:
鋳込み温度を１５５０℃とする以外は、実施例１と同様の条件と方法でＳｎ基合金インゴットを作った。Ｓｎ基合金中のＳｎ−Ｔｉ系化合物の粒子径を測定したところ、最大で１５μｍ、平均粒径が１０μｍであり、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物が微細に分散したＳｎ基合金が得られたが、合金の鋳型への焼付きが起こり、鋳型の損傷が激しかった。
【００２６】
実施例３：
実施例１では、直接銅製の鋳型へ鋳込んでいたが、ここでは第２図に示す様にカーボン製の受口２を介して銅製の鋳型１へ鋳込む以外は、全て実施例１と同一の条件と方法でＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の溶解鋳造を行った。
ここで得られたＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金を実施例１と同様にして品質検査と超電導特性評価行った。その結果、Ｓｎ基合金中のＴｉ量は２．１５質量％であり、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物の粒径は最大で１５μｍで、平均粒径が１０μｍ、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物の組成はすべてＴｉ6Ｓｎ5であった。その後、実施例１と同様の方法によって、内部拡散法によりＮｂ3Ｓｎ超電導線材に加工し、このＮｂ3Ｓｎ超電導線材の評価を行なったところ、電流特性で７３９Ａ／ｍｍ2、ｎ値が２８であり、実施例１と同等のものであった。
また、受口２を介して銅製の鋳型１に鋳込むことにより、第３図に示す様なインゴットが得られ、受口内の湯が押湯の働きをして、第５図に示す様なインゴットに発生する引け巣がなくなり、歩留りが向上した。
【００２７】
実施例４：
実施例１〜３では、Ｓｎを高温加熱溶融している所へＴｉを添加したが、ここでは、加熱溶融前にＳｎとＴｉを溶解ルツボに入れる方法で行なった。
即ち、はじめに、溶解ルツボ内にＳｎを５０Ｋｇと、７〜８ｍｍ角、厚さ１ｍｍの片状Ｔｉを１Ｋｇ（Ｓｎに対する質量基準で２．０質量％のＴｉを配合）入れた。一方、内面に離形剤を塗布した、外径２２０ｍｍ×内径(１)８５ｍｍ・内径(２)６０ｍｍ・高さ５１０ｍｍの銅製の鋳型を準備した。
次に高周波加熱炉内及び添加材室内を１０-3Ｔｏｒｒ台まで真空引きした後、炉内のＯ2濃度が１ｐｐｍ以下になっていることを確認してから高周波加熱を開始した。まず、ＳｎとＴｉを１３００℃まで加熱し、融解したところで、Ａｒガスを導入し、３０分間保持する。その後、１４３０℃に加熱してＡｒガスを再導入した後、第２図に示す様なカーボン製の受け口２を介して銅製の鋳型１に鋳込んだ。
【００２８】
ここで得られたＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金を実施例１と同様にして品質検査と超電導特性評価行った。その結果、Ｓｎ基合金中のＴｉ量は１．９５質量％であり、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物の粒径は最大で１５μｍで、平均粒径が１０μｍ、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物の組成はすべてＴｉ6Ｓｎ5であった。その後、実施例１と同様の方法によって、内部拡散法によりＮｂ3Ｓｎ超電導線材に加工し、このＮｂ3Ｓｎ超電導線材の評価を行なったところ、電流特性で７４２Ａ／ｍｍ2、ｎ値が３１であり、実施例１と同等のものであった。
また、受口２を介して銅製の鋳型１に鋳込むことにより、第３図に示す様なインゴットが得られ、受口内の湯が押湯の働きをしてインゴットに引け巣が発生せず、歩留りが向上した。
【００２９】
また、従来の方法では高温溶解中に添加したＴｉを撹拌する為に、異物や溶湯表面のドロス（ＳｎやＴｉの酸化物）がインゴット全体に撹拌され、これらが原因で、超電導線材の製造過程での断線を引き起こすという問題があったが、加熱溶解前にＳｎとＴｉを溶解ルツボに同時に入れるこの実施例４の方法で得られたインゴットを使用した場合には、このような問題は発生しなかった。
【００３０】
最後に銅鋳型から水冷銅型に変更したり、溶解装置を大型化し、複数本の溶解鋳造をしても、得られる Ｓｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の品質が変化することがないことはいうまでもない。
【００３１】
【発明の効果】
請求項１の発明は、以上の様に真空或いは不活性ガス雰囲気中でＳｎとＴｉを溶解鋳造し、冷却性の優れた銅製または水冷銅製の鋳型に鋳込む、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の製造方法であり、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物が３０μｍ以下の微粒子として微細分散しており、Ｎｂ3Ｓｎ超電導線材に使用した場合に優れた超電導特性を示すという効果を奏する。
【００３２】
請求項２の発明は、真空或いは不活性ガス雰囲気中でＳｎとＴｉを溶解鋳造し、カーボンの受口を介して冷却性の優れた銅製または水冷銅製の鋳型に鋳込む、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金の製造方法であり、Ｓｎ−Ｔｉ系化合物が３０μｍ以下の微粒子として微細分散しており、Ｎｂ3Ｓｎ超電導線材に使用した場合に優れた超電導特性を示す。更に、受口の湯が押湯の働きをするので、引け巣が発生せず、インゴットの歩留りを向上させる効果があるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施例１による方法と比較例１で製造したＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金を内部拡散法Ｎｂ3Ｓｎ線材先駆体に用いた、内部拡散法Ｎｂ3Ｓｎ線材の超電導電流特性を示す図である。
【図２】  本発明の実施例３による受け口を介した鋳込み方法を示す図である。
【図３】  本発明の実施例３よる受け口を介した鋳込み方法によって得られたＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金インゴットの断面図を示したものである。
【図４】  比較例１による鋳込み方法を示す図である。
【図５】  比較例１による鋳込み方法によって得られたＳｎ−Ｔｉ系化合物を含むＳｎ基合金インゴットの断面図を示したものである。
【符号の説明】
１  本発明に使用する鋳造用鋳型（銅製）、２  カーボン製受口、３  Ｓｎ−Ｔｉ溶湯合金、４  高周波加熱炉、５  実施例３により得られたＳｎ基合金インゴット、６  押湯部分、７  引け巣、８  比較例１に使用する鋳造用鋳型（ステンレス）、９  Ｓｎ−Ｔｉ溶湯合金、１０  高周波加熱炉、１１  比較例１により得られたＳｎ基合金インゴット、１２  引け巣。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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