(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換によって電荷を生成するフォトダイオード部と、前記フォトダイオード部からフローティングディフュージョン部へ前記電荷を読み出す転送ゲート部と、前記フローティングディフュージョン部から蓄積電荷を排出させるリセット動作を制御するリセットゲート部とを有する各画素部の前記フォトダイオード部で光電変換される電荷をオーバーフローさせるブルーミング防止構造を備えた固体撮像素子のダイナミックレンジ拡大方法であって、
前記転送ゲート部に印加する電圧を各画素部の電荷蓄積期間の途中で変化させるように転送ゲート電圧駆動を行うことで、各画素部の電荷蓄積期間の途中でオーバーフローレベルを上昇させてダイナミックレンジを拡大するようにした
ことを特徴とする固体撮像素子のダイナミックレンジ拡大方法。
【請求項２】
光電変換によって電荷を生成するフォトダイオード部と、
前記フォトダイオード部からフローティングディフュージョン部へ前記電荷を読み出す転送ゲート部と、
前記フローティングディフュージョン部から蓄積電荷を排出させるリセット動作を制御するリセットゲート部とを有し、
前記転送ゲート部は、前記フォトダイオード部の電荷蓄積期間において少なくとも２種類のゲート電位を持ち、
前記２種類のゲート電位のうちの第１ゲート電位によって第１オーバーフローレベルを設定し、第２ゲート電位によって前記第１オーバーフローレベルよりも高いレベルの第２オーバーフローレベルを設定する
ことを特徴とする固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はブルーミング防止構造を備えた固体撮像素子のダイナミックレンジ拡大方法とその固体撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＣＤ型固体撮像素子やＭＯＳ型固体撮像素子等の広く用いられている固体撮像素子では、各画素において入射光を光電変換して電荷を蓄積し、その蓄積電荷を信号電荷として読み出すようにしている。
この種の固体撮像素子は通常、ブルーミング防止構造を備えている。ブルーミングとは、ある画素に強い光が当たって大量の電荷が発生したときに、その電荷があふれ出して周囲の画素へ入り込むことによってハイライト部の像が広がって見えてしまう現象である。
ブルーミング防止構造は、各画素部で光電変換される電荷をオーバーフローさせて、各画素部の蓄積電荷を所与の最大蓄積電荷量であるオーバーフローレベルまでにとどめることで、ブルーミングの発生を防止する構造である。
ただし、こうして最大蓄積電荷量を決めてしまうと、それによってダイナミックレンジが制限され、そのオーバーフローレベルを超える電荷を発生させる大光量の入力に対応した出力信号のレベルは常に同一になり、光量情報が失われることになる。
この問題を軽減するために、各画素の電荷蓄積期間の途中でオーバーフローレベルを低レベルから高レベルへ変化させ、それによって、光量対出力信号特性にＫＮＥＥ特性を持たせるようにする方法が提案されている。
この方法を適用したＭＯＳ型固体撮像素子が特公平４−３２５８９号に開示されており、そこでは、縦形オーバーフロードレイン構造を備えたＭＯＳ型固体撮像素子において、ｎ形基板に対するｐウェルの電位Ｐｗｅｌｌを変化させることでオーバーフローレベルを上昇させるようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら同公報の方法では、１つの固体撮像素子の全ての画素において同時にオーバーフローレベルが上昇するため、電荷蓄積の開始及び終了のタイミングを全ての画素で揃えねばならず、その結果、レンズシャッタの使用が必須となっている。
電荷蓄積の開始及び終了のタイミングを全ての画素で揃えねばならないということは、あるラインからの信号の読出しを行っている間に他のラインで電荷蓄積を行うということができないために感度が低下することを意味する。またレンズシャッタが必須であることは、その固体撮像素子の用途を狭めるものである。
本発明は前記不具合を解消すべく案出されたものであり、本発明の目的は、リセットゲート、転送ゲート、ないしはバイアスゲート等の、信号電荷の読み出しのために本来備えられているゲートへの印加電圧を制御するだけで好適にオーバーフローレベルを変化させることができ、電荷蓄積開始及び終了のタイミングを全ての画素で備えることを必要とせず、レンズシャッタを使用することも要求されない、ブルーミング防止構造を備えた固体撮像素子のダイナミックレンジ拡大方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明は、光電変換によって電荷を生成するフォトダイオード部と、前記フォトダイオード部からフローティングディフュージョン部へ前記電荷を読み出す転送ゲート部と、前記フローティングディフュージョン部から蓄積電荷を排出させるリセット動作を制御するリセットゲート部とを有する各画素部の前記フォトダイオード部で光電変換される電荷をオーバーフローさせるブルーミング防止構造を備えた固体撮像素子であり、又その固体撮像素子のダイナミックレンジ拡大方法であって、前記転送ゲート部に印加する電圧を各画素部の電荷蓄積期間の途中で変化させるように転送ゲート電圧駆動を行うことで、各画素部の電荷蓄積期間の途中でオーバーフローレベルを上昇させてダイナミックレンジを拡大するようにしたことを特徴とする。
【０００５】
本発明によれば、信号電荷の読み出しのために本来備えられている転送ゲートへの印加電圧を制御するだけで好適にオーバーフローレベルを変化させることができる。そして、電荷蓄積開始及び終了のタイミングを全ての画素で揃える必要がないため、それによって感度が低下することがなく、また、レンズシャッタを使用する必要がないことから、それによって用途が制約されることもない。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は本発明の第１の実施の形態にかかる方法が適用される固体撮像素子の全体回路図、図２は本発明に係わる固体撮像素子の画素部回路図、図３はリセット線及び垂直選択線の駆動タイミングを示すタイミング図、図４は画素部の時間対蓄積電荷量の特性を示すグラフ、図５はリセット線、垂直選択線、及び水平選択線の駆動タイミングを示すタイミング図、図６は本発明に係わる固体撮像素子の画素部回路図である。
図１に示した固体撮像素子１０は、リセットゲートを有する横形ブルーミング防止構造を備えたＭＯＳ型撮像素子である。
固体撮像素子１０は、基板上にアレイ状に並べて形成された多数の画素部１２と、それら画素部１２に接続した周辺回路とを有する。
周辺回路には、全ての画素部１２に接続された電源線１４、１本のラインに含まれる画素部１２に各々が接続されたリセット線１６及び垂直選択線１８、それらリセット線１６及び垂直選択線１８を所定のタイミングで駆動する垂直走査レジスタ（Ｖスキャナ）２０、全てのラインの同一水平位置にある画素部１２に各々が接続された信号線２２、各信号線２２に接続された出力トランジスタ２４、各出力トランジスタ２４のゲートに接続された水平選択線２６、それに、それら水平選択線２６を所定のタイミングで駆動する水平走査レジスタ（Ｈスキャナ）２８が含まれる。
【０００７】
図２に示すように、画素部１２は、ＡＭＩ（Amplified MOS Intelligent Imager）型の画素構造を持つものであり、ｐ- 領域内に形成された３個のｎチャネル形ＭＯＳトランジスタ３０、３２、３４を含んでおり、そのうちの第１トランジスタ３０は、そのソース３６が接合型フォトダイオード（電荷蓄積部）として形成されている。
より詳しくは、第１トランジスタ３０は、フォトダイオードであるソース３６と、電源電圧ＶＤＤに接続されたドレイン３８と、リセット線１６に接続されたゲート４０とで構成されている。
第２トランジスタ３２はドライブ用トランジスタ、第３トランジスタ３４は選択用トランジスタであり、これらトランジスタ３２、３４は、それらのソース−ドレインが互いに直列に接続された上で電源線１４と信号線２２との間に接続されており、第２トランジスタ３２のゲートは第１トランジスタ３０のソース３６に、また第３トランジスタ３４のゲートは垂直選択線１８に、夫々接続されている。
フォトダイオードである第１トランジスタ３０のソース３６は、入射光を光電変換してその電荷を蓄積する。第１トランジスタ３０のゲート４０はリセットゲートとして、またドレイン３８はリセットドレインとして機能し、ゲート４０に所定のリセット電圧を印加したならば、ソース３６に蓄積されていた電荷がドレイン３８へ排出されて画素部１２がリセットされる。
電荷蓄積期間中にゲート４０に印加されている電圧に応じて、ソース３６に蓄積可能な最大蓄積電荷量が決まる。この最大蓄積電荷量を超える電荷は、ソース３６からオーバーフローしてドレイン３８へ排出されるため、この最大蓄積電荷量をオーバーフローレベルという。
このオーバーフローレベルを、ソース３６から電荷が漏れ出して周囲の画素部に入り込むおそれのないレベルに定めることにより、ブルーミングの発生が防止される。
【０００８】
固体撮像素子１０は、各画素部１２の電荷蓄積期間の途中でオーバーフローレベルを低レベルから高レベルへ上昇させることでダイナミックレンジを拡大しており、それについて図３及び図４を参照して説明する。
図３は、第ｎラインのリセット線１６の電圧ＶＲｎ及び垂直選択線１８の電圧Ｖｎの駆動タイミングを示しており、図４は、画素部の時間対蓄積電荷量の特性を示している。
垂直選択線１８の電圧Ｖｎは２値駆動されており、この電圧Ｖｎがハイレベルにある間に第ｎラインの各画素部１２の信号電荷が次々と読み出される。一方、リセット線１６の電圧ＶＲｎは３値駆動されており、電圧レベルの高い方から順に、Ｖｈ、Ｖｍ、Ｖｌの３つのレベルを取る。これら２つの信号は、固体撮像素子１０の１動作サイクル（１Ｖ）ごとに周期的に変化する。
図３の時刻ａでは、電圧ＶＲｎがＶｈからＶｍになり、第１トランジスタ３０のソース（フォトダイオード）３６で光電変換された電荷の蓄積が始まる。このとき画素に蓄えることのできる最大蓄積電荷量（オーバーフローレベル）は、電圧レベルＶｍに対応したＱｍａｘ１（図４）になっている。
時刻ａから時刻ｂまでの期間Ｔ１は、光電変換された電荷がソース３６に蓄積されて行く。この期間中に光電変換された電荷量がＱｍａｘ１を超えた画素部では、リセットゲート４０を通りリセットドレイン３８へ（従って電源電圧ＶＤＤへ）電荷が捨てられ、蓄積される電荷量はＱｍａｘ１に飽和する。
時刻ｂでは、電圧ＶＲｎがＶｍからＶｌに変わり、それに伴ってオーバーフローレベルがＱｍａｘ１からＱｍａｘ２（図４）に増え、Ｑｍａｘ１に飽和していた画素部では、光電変換された電荷の蓄積が再開される。
時刻ｂから時刻ｃまでの期間Ｔ２は、光電変換された電荷がソース３６に蓄積されて行く。この期間中に光電変換された電荷量がＱｍａｘ２を超えた画素部では、リセットゲート４０を通りリセットドレイン３８へ（従って電源電圧ＶＤＤへ）電荷が捨てられ、蓄積される電荷量はＱｍａｘ２に飽和する。
時刻ｃでは、電圧Ｖｎのパルスが立ち、第２（選択用）トランジスタ３４がオンとなり、蓄積された電荷量に応じた出力信号が信号線２２を通して出力されて行く。
【０００９】
以上の動作により得られるダイナミックレンジの拡大について、図４のグラフを参照して説明する。
オーバーフローレベルを電荷蓄積期間の途中で上昇させずに最初からＱｍａｘ２に設定した場合には、画素部に大光量が入射して蓄積電荷量が図４の直線Ｌ１やＬ２で示したように上昇して行くと、そのまま破線に沿って変化して夫々時刻ｔ１ないしｔ２で飽和する。従って、Ｌ１とＬ２に対応する２つの光量を固体撮像素子１０の出力レベルで区別することはできない。
これに対して、上述したようにオーバーフローレベルを電荷蓄積期間の途中で低レベルＱｍａｘ１から高レベルＱｍａｘ２へ上昇させた場合には、夫々の直線Ｌ１及びＬ２は実線で示したように折れ線となり、出力時点の蓄積電荷量が夫々Ｑ１及びＱ２となり、それら光量は出力レベルで区別されるようになる。即ち、これによって固体撮像素子１０のダイナミックレンジが拡大される。
【００１０】
次に図５のタイミング図を参照して、以上に説明した本発明の方法が先に言及した特公平４−３２５８９号に開示されている方法と比較してどのように優れているかを説明する。
図５に示したのは、第ｎラインのリセット線１６の電圧ＶＲｎ、第ｎ＋１ラインのリセット線１６の電圧ＶＲｎ＋１、第ｎラインの垂直選択線１８の電圧Ｖｎ、第ｎ＋１ラインの垂直選択線１８の電圧Ｖｎ＋１、各ラインの第ｉ画素に対応した水平選択線２６の電圧Ｈｉ、それに各ラインの第ｉ＋１画素に対応した水平選択線２６の電圧Ｈｉ＋１である。
電圧Ｖｎがハイレベルにある間（１Ｈ）に、電圧Ｈｉがハイレベルになったならば、第ｎラインの第ｉ画素からの読み出しが行われる。図から明らかなようにあるラインからの読み出しが行われているときに、その他のラインは電荷を蓄積している。これは特公平４−３２５８９号の方法では不可能なことであり、これによって所与の長さの動作サイクル中の電荷蓄積期間を長く取れるため、固体撮像素子の感度を高感度にすることができる。
また、いうまでもなく、レンズシャッタを必要としないことも、特公平４−３２５８９の方法と比較したときの本発明の方法の利点の１つである。
以上に説明した実施例によれば、各画素部１２が、その画素部の電荷蓄積部から蓄積電荷を排出するリセット動作を制御するためのリセットゲート４０を備えており、各画素部１２のリセットゲート４０に印加する電圧ＶＲを各画素部１２の電荷蓄積期間の途中でＶｍからＶｌへ変化させるようにリセットゲート電圧駆動を行うことで、オーバーフローレベルを低レベルＱｍａｘ１から高レベルＱｍａｘ２へ上昇させている。
即ち、各画素部１２のリセットゲート４０に印加する電圧を、その画素部にリセット動作を行わせる第１電圧Ｖｈと、その画素部のオーバーフローレベルをブルーミング防止のためのレベルより低いレベルに設定する第２電圧Ｖｍと、その画素部のオーバーフローレベルをブルーミング防止のためのレベルに設定する第３電圧Ｖｌとの間で３値駆動して、その画素部１２の電荷蓄積期間の開始時に前記第１電圧Ｖｈとし、その直後に前記第２電圧Ｖｍとし、その電荷蓄積期間の途中で前記第３電圧Ｖｌとしている。
そのため、その第２電圧Ｖｍのレベル、及び／または、オーバーフローレベルを低レベルＱｍａｘ１に維持する期間Ｔ１と高レベルＱｍａｘ２に維持する期間Ｔ２との比を、撮像対象に合わせて設定することにより、その撮像対象に適したダイナミックレンジを確保することができる。
【００１１】
次に、図６を参照して本発明に係わる固体撮像素子について説明する。
詳しくは図６は本発明の第２の実施の形態にかかる方法が適用された固体撮像素子の画素部５２の回路図である。
画素部５２は、フローティングディフュージョン型の読出構造を有するものであり、ｐ- 領域内に形成された１個の接合型フォトダイオード５４と３個のｎチャネル形ＭＯＳトランジスタ５６、５８、６０とを含んでおり、そのうちの第１トランジスタ５６のソース６２は、フォトダイオード（電荷蓄積部）５４の蓄積電荷が転送ゲート６４の下のチャネルを介して送り込まれるようにしたフローティングディフュージョン部として形成されている。
より詳しくは、第１トランジスタ５６は、フローティングディフュージョン部であるソース６２と、電源電圧ＶＤＤに接続されたドレイン６６と、リセット線１１６に接続されたゲート（リセットゲート）６８とで構成されている。
第２トランジスタ５８はドライブ用トランジスタ、第３トランジスタ６０は選択用トランジスタであり、これらトランジスタ５８、６０は、それらのソース−ドレインが互いに直列に接続された上で電源線１１４と信号線１２２との間に接続されており、第２トランジスタ５８のゲートは第１トランジスタ５６のソース６２に、また第３トランジスタ６０のゲートは垂直選択線１１８に、夫々接続されている。転送ゲート６４は、転送制御線７０に接続されている。
電荷蓄積期間中にフォトダイオード５４は入射光を光電変換してその電荷を蓄積する。この電荷蓄積期間中に転送ゲート６４に印加されている電圧に応じて、フォトダイオード５４に蓄積可能な最大蓄積電荷量が決まる。最大蓄積電荷量を超える電荷が発生した場合には、余分な電荷がフォトダイオード５４からオーバーフローしてフローティングディフュージョン部（第１トランジスタ５６のソース６２）へ流れ出す。また、電荷蓄積期間中は、リセットゲート６８の障壁レベルが転送ゲート６４の障壁レベルより高くならないようにしているため、フォトダイオード５４からフローティングディフュージョン部６２へ流れ出した電荷が大量であった場合には、その電荷はそこから更にリセットゲート６８の下のチャネルを通ってドレイン６６へ排出される。
信号電荷の読み出しの際には、その直前にリセットゲート６８がオンとされてフローティングディフュージョン部６２の電荷が全てドレインへ排出され、続いてリセットゲート６８がオフとされ転送ゲート６２がオンとされることで、フォトダイオード５４からフローティングディフュージョン部６２へ蓄積電荷が流れ出し、即ち送り込まれる。そして、それによって発生するフローティングディフュージョン部６２の電位変化が、第２トランジスタ５８を介して信号として読み出される。
【００１２】
以上の構成において、電荷蓄積期間中に転送ゲート６４に印加される電圧に応じて画素部５２のオーバーフローレベルが決まる。そこで、本発明の第２の実施の形態にかかる方法では、転送ゲート６４に印加する電圧を画素部５２の電荷蓄積期間の途中で変化させるように転送ゲート電圧駆動を行うことで、その電荷蓄積期間の途中でオーバーフローレベルを低レベルから高レベルへ上昇させるようにしている。
より詳しくは、各画素部５２の転送ゲート６２に印加する電圧を、その画素部に転送動作を行わせる第１電圧と、その画素部のオーバーフローレベルをブルーミング防止のためのレベルより低いレベルに設定する第２電圧と、その画素部のオーバーフローレベルをブルーミング防止のためのレベルに設定する第３電圧との間で３値駆動して、その画素部の電荷蓄積期間の開始時に前記第１電圧とし、その直後に前記第２電圧とし、その電荷蓄積期間の途中で前記第３電圧とするようにしている。
この転送ゲート電圧駆動によっても、先に説明した第１の実施の形態による利点と同じ利点が得られる。
【００１３】
次に、図７を参照して本発明の第３の実施の形態について説明する。
図７は本発明の第３の実施の形態にかかる方法が適用される固体撮像素子の画素部７２の回路図である。
画素部７２は、フローティングゲート型の読出構造を有するものであり、ｐ- 領域内に形成されたｎチャネル形ＭＯＳトランジスタ７４と、フォトゲート７６（このフォトゲート７６の下のポテンシャル井戸に電荷が蓄積される）と、バイアスゲート７８（このバイアスゲート７８はバリアゲートとして機能する）とを含んでいる。
トランジスタ７４は、そのソース８０が信号線２２２に接続され、そのドレイン８２が電源線２１４に接続され、そのゲート８４がフローティングゲート電極７６に接続されている。
フォトゲート７６は更に、静電容量を介して垂直選択線２１８に接続されており、また、バイアスゲート７８は、直流バイアス線８６に接続されている。信号電荷の読み出しは信号線２２２に接続されている出力トランジスタ（不図示）を介して行われる。
【００１４】
画素部７２の蓄積、読出し、及びリセットの３動作は、垂直選択線２１８の電圧を３値駆動することによって制御されている。即ち、垂直選択線２１８の電圧をＶｍにしているときにフォトゲート７６の下のポテンシャル井戸に電荷が蓄積され、その電圧をＶｈに上昇させると、フォトゲート７６及びそれに接続しているトランジスタ７４のゲート８４がフローティング状態になり、このときのゲート８４の電位は蓄積電荷に応じた電位となり、この電位がトランジスタ７４を介して検出される。また、垂直選択線２１８の電圧をＶｍより低いＶ１にすると、フォトゲート７６の電位が下がり、このフォトゲート７６の下のポテンシャル井戸が浅くなって、井戸の底がバイアスゲート７８による障壁レベル以上の高さになるため、そのポテンシャル井戸に蓄積されていた電荷が全てトランジスタ７４のドレイン８２へ排出されて画素部７２がリセットされる。
以上の構成において、フォトゲート７６の下のポテンシャル井戸に蓄積可能な最大蓄積電荷量は（従って、画素部７２のオーバーフローレベルは）、バイアスゲート７８への印加電圧によって決まり、最大蓄積電荷量を超える電荷はバイアスゲート７８の下のチャネルを通ってトランジスタ７４のドレイン８２へ排出される。
本発明の第３の実施の形態にかかる方法では、バイアスゲート７８に印加する電圧を画素部７２の電荷蓄積期間の途中で変化させるようにバイアスゲート電圧駆動を行うことで、その電荷蓄積期間の途中でオーバーフローレベルを低レベルから高レベルへ上昇させるようにしている。
より詳しくは、各画素部７２のバイアスゲート７８に印加する電圧を、その画素部のオーバーフローレベルをブルーミング防止のためのレベルより低いレベルに設定する第１電圧と、その画素部のオーバーフローレベルをブルーミング防止のためのレベルに設定する第２電圧との間で２値駆動して、その画素部の電荷蓄積期間の開始時に前記第１電圧とし、その電荷蓄積期間の途中で前記第２電圧とするようにしている。
このバイアスゲート電圧駆動によっても、先に説明した第１及び第２の実施の形態による利点と同じ利点が得られる。
【００１５】
尚、以上に説明した実施の形態では、夫々リセットゲート、転送ゲート、ないしはバイアスゲートに印加する電圧を３値駆動（ただしバイアスゲートは２値駆動）することで、オーバーフローレベルを低レベルと高レベルとの２段階に制御するようにしたものであったが、それらゲートに印加する電圧を４値以上（ただしバイアスゲートは３値以上）に駆動して、オーバーフローレベルを３段階以上に制御する方法もあり、また、それらゲートに印加する電圧を連続的に変化させて、オーバーフローレベルを連続的に上昇させる方法もある。
【００１６】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明は、光電変換によって電荷を生成するフォトダイオード部と、前記フォトダイオード部からフローティングディフュージョン部へ前記電荷を読み出す転送ゲート部と、前記フローティングディフュージョン部から蓄積電荷を排出させるリセット動作を制御するリセットゲート部とを有する各画素部の前記フォトダイオード部で光電変換される電荷をオーバーフローさせるブルーミング防止構造を備えた固体撮像素子のダイナミックレンジ拡大方法であって、各画素部の転送ゲートに印加する電圧を各画素部の電荷蓄積期間の途中で変化させるようにゲート電圧駆動を行ことで各画素部の電荷蓄積期間の途中でオーバーフローレベルを上昇させてダイナミックレンジを拡大するようにした。そのため、信号電荷の読み出しのために本来備えられているゲートへの印加電圧を制御するだけで好適にオーバーフローレベルを変化させることができる。更に、電荷蓄積開始及び終了のタイミングを全ての画素で揃える必要がないため、それによって感度が低下することがなく、また、レンズシャッタを使用する必要がないことから、それによって用途が制約されることもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる方法が適用される固体撮像素子の全体回路図である。
【図２】図１の固体撮像素子の画素部の回路図である。
【図３】リセット線及び垂直選択線の駆動タイミングを示すタイミング図である。
【図４】画素部の時間対蓄積電荷量の特性を示すグラフである。
【図５】リセット線、垂直選択線、及び水平選択線の駆動タイミングを示すタイミング図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態にかかる方法が適用される固体撮像素子の画素部の回路図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態にかかる方法が適用される固体撮像素子の画素部の回路図である。
【符号の説明】
１０……固体撮像素子、１２……画素部、３６……電荷蓄積部（フォトダイオード）、４０……リセットゲート、５２……画素部、５４……電荷蓄積部（フォトダイオード）、６２……フローティングディフュージョン部、６４……転送ゲート、７２……画素部、７６……フローティングゲート、７８……バイアスゲート、８０……電荷蓄積部（フォトダイオード）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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