(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にホール注入電極と、１種以上の有機層と、電子注入電極と、封止板とを順次有し、
さらに前記基板上には前記有機層および電子注入電極の平面構造を分離して素子分離を行う素子分離構造体を有し、かつこの素子分離構造体は基板側に形成された基部とこの基部よりも幅の広いオーバーハング部とを有する立体的構造物であり、
前記素子分離構造体は、素子分離を行う部分以外にも形成され、前記封止板のスペーサーとして機能している有機ＥＬディスプレイ。
【請求項２】
前記スペーサーとしての素子分離構造体の高さが１〜２０μm である請求項１の有機ＥＬディスプレイ。
【請求項３】
前記スペーサーとしての素子分離構造体と前記基板との間に、少なくとも１種以上のフィルター層を有する請求項１または２の有機ＥＬディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機化合物を用いた有機ＥＬディスプレイに関し、さらに詳細には、基板と封止板との間に設けられるスペーサーに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、有機ＥＬ素子が盛んに研究されている。これは、ホール注入電極上にトリフェニルジアミン（ＴＰＤ）などのホール輸送材料を蒸着により薄膜とし、さらにアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ３）などの蛍光物質を発光層として積層し、さらにＭｇなどの仕事関数の小さな金属電極（電子注入電極）を形成した基本構成を有する素子で、１０Ｖ前後の電圧で数１００から数１０，０００cd/m2ときわめて高い輝度が得られることで注目されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ素子を成膜する工程において、所定の発光パターンを得るため、例えば前記ＩＴＯ透明電極を成膜した後、発光部分のみＩＴＯ透明電極を露出させ、その他の部分は絶縁層で被覆し、さらにその上に有機層や電子注入電極を成膜する。この場合、電子注入電極がコモン電極となり、発光部分となる各ＩＴＯ透明電極と電子注入電極間に所定の電圧を印加することにより所望の発光領域を発光させることができる。従って、コモン電極となる電子注入電極およびそれに接続される有機層は、各セグメント群やデータライン（走査ライン）等毎に分離され、それぞれが独立して駆動されることが好ましく、このため、従来より素子分離のための手段が種々開発されている。
【０００４】
素子を分離する手段として、例えば特願平８−９３６９３９号に記載されている素子分離構造体（同明細書中ではスペーサーおよびオーバーハング体と表示）が知られている。この素子分離構造体は、ホール注入電極上に絶縁層を成膜パターニングした後、ポリイミド等のスペーサー層を形成した後、ポジレジスト材を塗布し、素子分離のための所望のフォトパターンを形成した後、現像して非露光部およびその下のスペーサー層を除去して得られるものである。なお、その詳細については同明細書中に記載されており、ここでは説明を省略する。
【０００５】
一方、有機ＥＬ素子は外気に曝されると電極が酸化されたり、水分により有機層が劣化したりする。このため電子注入電極成膜後に保護膜や封止膜を成膜したり、基板と反対側に封止板を設けて密閉する等外気から遮断するための構造が必要である。中でも封止板は、有機層を機械的な外力から保護する点でも有効であり、ディスプレイとして不可欠な構造部材である。この封止板を設ける方法としては、内部に積層されている有機層や電子注入電極等の有機ＥＬ素子構造体より高さのあるスペーサーと、封止材を兼ねた接着剤とを基板外周部に設けその上に封止板を配置して圧接することにより、基板からスペーサーの高さ分離れた位置、つまり有機層や電子注入電極等の有機ＥＬ構造体と干渉しない位置に封止板を設けることができる。
【０００６】
ところが、実際に封止板として用いられるガラス板や合成樹脂板等は、厚さが均一でなかったり、凹凸を有していたり、歪みを伴っていたりする場合が多く、端部で有機ＥＬ素子構造体よりも高い位置に配置したとしても、封止板の歪み等により有機ＥＬ素子構造体と、封止板とが干渉して有機ＥＬ素子構造体にダメージを与えたり破壊させたりする場合があった。このような封止板による干渉を防止するため、スペーサーの高さを十分高いものとすることも考えられるが、通常、フォトリソグラフィーを用いて形成されるスペーサーは、あまり厚くするとスペーサーの成形後に行うフォトリソ工程へ影響を及ぼし、スペーサーの近傍に配置された他のパターンの形状を歪める。つまり、引き続きフォトリソ工程を行う必要がある場合には、そのフォトリソ工程の前に形成されるスペーサーの膜厚は１０μm 前後が限度である。従って、スペーサーを作り込む工程は、素子分離構造体を形成した後に行う必要がある。
【０００７】
厚膜のスペーサーを形成するのには、印刷で例えば２０〜５０μm の厚さのポリイミド等の樹脂膜を形成する方法が適している。しかしながら、印刷法では、有機膜が形成される電極表面の露出部が原理的に汚染されやすいという欠点を有し、結果として発光ムラ等の不良を生じやすくなる。
【０００８】
一方、フォトリソグラフィー法でも、２０〜５０μm 程度の厚膜レジストを１回の塗布で形成するための材料が知られているが、厚膜レジストを形成する際に影響を受けない用にするために素子分離構造体の材料選択が制限される。いずれの方法にしろ、工程の追加が必要で、コストアップの要因になっていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、簡単な構成で、新たな製造工程を設ける必要もなく、確実に封止板による干渉が防止できる有機ＥＬディスプレイを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、以下の（１）〜（３）の構成により達成される。
（１）  基板上にホール注入電極と、１種以上の有機層と、電子注入電極と、封止板とを順次有し、さらに前記基板上には前記有機層および電子注入電極の平面構造を分離して素子分離を行う素子分離構造体を有し、かつこの素子分離構造体は基板側に形成された基部とこの基部よりも幅の広いオーバーハング部とを有する立体的構造物であり、前記素子分離構造体は、素子分離を行う部分以外にも素子分離構造体が形成され、前記封止板のスペーサーとして機能している有機ＥＬディスプレイ。
（２）  前記スペーサーとしての素子分離構造体の高さが１〜２０μm である上記（１）の有機ＥＬディスプレイ。
（３）  前記スペーサーとしての素子分離構造体と前記基板との間に、少なくとも１種以上のフィルター層を有する上記（１）または（２）の有機ＥＬディスプレイ。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。本発明の有機ＥＬディスプレイは、基板上にホール注入電極と、１種以上の有機層と、電子注入電極と、封止板とを順次有し、さらに前記基板上には成膜時に前記有機層および電子注入電極の平面構造を分離する素子分離構造体を有し、かつこの素子分離構造体は基板側に形成された基部とこの基部よりも幅の広いオーバーハング部とを有する立体的構造物であって、前記有機層および電子注入電極が分離される部分以外にも形成され、前記封止板のスペーサーとして機能するものである。
【００１２】
素子分離を行う部分以外の場所に素子分離構造体を配置し、これをスペーサーとして機能させることで、素子分離構造体の形成工程でスペーサーも形成することができ、しかも素子分離構造体を適当な場所に配置することで、有機ＥＬディスプレイ内部にもスペーサーが配置されることとなり、封止板の歪み等により、封止板と有機ＥＬ素子構造体とが干渉することを防止できる。
【００１３】
素子分離構造体は、特願平８−９３６９３９号に記載されているように、基部（スペーサー）とこの基部の上に形成され、基部より幅の広いオーバーハング体とを有する立体的な構造体で、通常は素子の分離を行う部分に形成され、素子分離構造体およびその影となる部分以外の領域にスパッタされた粒子や、蒸着される粒子が堆積され、それぞれの領域内で素子が形成される。
【００１４】
素子分離構造体を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、ホール注入電極や絶縁膜上に形成され、さらにその上に有機層、電子注入電極等が積層されることから、これらの構造膜と干渉しない材料であって、分離された各素子間とが電気的に接続されない材料であることが好ましい。また、基部とオーバーハング部とは、同一材料であっても異なる材料を用いて形成してもよいが、それぞれ異なる材料を用いるとオーバーハング形状が得られ易く好ましい。基部の形成に用いられる材料としては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の有機樹脂膜、ＳｉＯ2 、ＳｉＮx 、ａ−Ｓｉ、ＳＯＧ（Spin on Glass ）等の無機絶縁膜、Ａｌ等の容易に膜厚を厚くすることが可能で応力が小さい金属薄膜等が挙げられ、好ましくは、ポリイミド樹脂、ＳｉＯ2 、ＳＯＧ、Ａｌ等である。オーバーハング部の形成に用いられる材料としては、感光性を有するものが好ましく、例えばフォトレジスト、感光性ポリイミド、あるいは、ＳｉＯ2 、ＳｉＮx 、Ａｌ2Ｏ3 、ＣｒＯX 、ａ−Ｓｉ、ＳｉＣ等の堅い絶縁膜や半導体膜、あるいはＣｒ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮ，ＺｎＯ，ＩＴＯ等の導電性薄膜が使用可能であり、さらに絶縁膜や半導体膜、導電性薄膜の上に感光性の膜が積層されたもの等が挙げられ、好ましくは、フォトレジスト、ＳｉＯ2 、Ｃｒ、Ｔｉ等である。
【００１５】
基部の大きさとしては、特に限定されるものではないが、通常幅１μm 以上であれば十分に基部としての機能は果たすが、特に５μm 以上が好ましく、高さ（膜厚）は０．２μm 以上、特に０．５〜１０μm 程度が好ましい。また、オーバーハング部の大きさとしては、特に限定されるものではないが、通常基部の膜厚の１／２と同程度以上のオーバーハング長を有するような構造とすることが好ましい。高さ（膜厚）は０．１〜１０μm 、特に０．２〜５μm 程度が好ましい。これらを合わせた高さは、１〜２０μm 、特に０．７〜１０μm 程度が好ましい。
【００１６】
素子分離構造体を形成するには、先ず、ホール注入電極、絶縁膜等が形成された基板上に、上記基部の材料よりなる基部層を、好ましくは樹脂膜やＳＯＧ膜はスピンコート法やロールコート法で、絶縁膜や半導体膜はスパッタ法やＣＶＤ法で、金属膜は蒸着法等により形成し、さらに、上記同様に、基部層上に感光性を有するオーバーハング部層を形成する。このオーバーハング部層を露光、現像してパターニングすると同時、またはその後に、前記基部層をエッチングし、かつこの基部層がオーバーハング部層より小さくなるようにオーバーエッチングさせてオーバーハング体とすればよい。
【００１７】
本発明のスペーサーとしての素子分離構造体は、通常の素子分離に用いられる素子分離構造体より高い（大きい）ことが好ましい。通常の素子分離構造体より高くすることにより、通常の素子分離構造体と封止板とが干渉し、通常の素子分離構造体が変形したり、破壊したりして素子の分離に支障が生じることを防止できる。
【００１８】
スペーサーとしての素子分離構造体を、通常の素子分離構造体より高くする方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、通常カラーディスプレイを形成する場合、ホール注入電極ないし絶縁膜上にカラーフルター層や蛍光フィルター層等を形成するが、これらのフィルター層をスペーサーとしての素子分離構造体が形成される部分にも形成することにより、フィルター層の膜厚分、素子分離構造体の高さが高くなる。また、これらのフィルター層は、通常、異なる色のフィルター層同士が同一の領域に形成されることはないが、これら複数の種類のフィルター層を同一領域に積層することで、さらに高さのある素子分離構造体を得ることができる。フィルター層の膜厚は、好ましくは２〜２０μm 、特に５〜２０μm 程度が好ましい。
【００１９】
スペーサーとしての素子分離構造体の形状や大きさ、あるいはその配置場所等は、形成するディスプレイの大きさや、構造等により適宜適切なものとすればよい。
【００２０】
本発明に用いられる封止板は、基板側から発光した光を取り出す構成であれば、透明でも不透明でもよいが、封止板側からも発光した光を取り出す構成であれば透明ないし半透明の材質が好ましい。透明ないし半透明の材質としては、ガラス、石英、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン等の樹脂材が挙げられ、好ましくはガラスである。また、Ａｌ、ＳＵＳ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属材料を用いてもよい。本発明の有機ＥＬディスプレイは、素子分離構造体をスペーサーとして封止板の歪みに対応しているので、ガラス材等の中でも比較的安価な歪みの大きい材料を使用することができる。
【００２１】
次に、図１〜４を参照しつつ本発明の有機ＥＬディスプレイの具体的な構成例について説明する。
【００２２】
図１は本発明の有機ＥＬディスプレイの具体的構成例を示した平面図で、図２はそのＡ−Ａ’断面図、図３は他の構成例を示す断面図である。また、図４は素子分離構造体が形成される前のホール注入電極および絶縁膜のパターンを示した平面図である。
【００２３】
有機ＥＬディスプレイは、例えば図１、図２、図４に示されるように、基板１上の破線で示される所定パターンの領域に、ホール注入電極（ＩＴＯ透明電極）２が形成され、さらにその上を実線で示されるような発光部３あるいは端子部４を除いて絶縁膜１２が形成され、さらにその上に有機層、電子注入電極が形成されて、所定パターンの発光が得られるようになっている。
【００２４】
そして、本発明の有機ＥＬディスプレイは、図４のようにホール注入電極２と絶縁膜１２が形成された後、図１、２に示されるように、通常の素子分離構造体８とスペーサーとしての素子分離構造体９とを同時に形成する。通常の素子分離構造体８は、図示例のように、各表示機能毎に区分されるセグメント群を分離するように形成される。素子分離構造体８により分離された各領域には、１点鎖線で示されるような有機層１０と２点鎖線で示されるような電子注入電極が成膜され、それぞれの領域毎のコモン電極５，６，７を形成するようになっている。
【００２５】
通常の素子分離構造体８と共に形成されるスペーサーとしての素子分離構造体９は、発光機能に支障のない位置であって、通常の素子分離構造体８が形成されている部分以外の領域に形成され、その大きさや形状は図示例のように任意であり、発光機能に支障のないものとすればよい。なお、素子分離構造体９の領域が多くなって電子注入電極１１の成膜領域が減少したり、素子分離構造体９の領域により電子注入電極１１の成膜領域を分断したりして、各コモン電極５，６，７に接続される電子注入電極１１の抵抗値が増加する場合があるので、これらの抵抗値が増加しないような形状や大きさに形成することが好ましい。また、図示例では、７セグメント（８の字の部分）の内部の領域に形成されている素子分離構造体９に、９０°以下の開口を有するように切り込み部１４が形成されている。この切り込み部１４を形成することで素子分離構造体９上の電子注入電極１１と、素子分離構造体９が形成されていない領域に成膜された電子注入電極１１が接続されるため、抵抗の増加を抑制でき好ましい。
【００２６】
次に、本発明の有機ＥＬディスプレイの他の構成例について、図３を参照しつつ説明する。この例では、カラーディスプレイとして、第１〜第３のフィルター層１４ａ、１４ｂ、１４ｃを有し、この第１〜第３のフィルター層１４ａ、１４ｂ、１４ｃは、例えばそれぞれ、赤色、緑色、青色のフィルターに対応する。また、スペーサーとしての素子分離構造体９を形成する部分にも第１〜第３のフィルター層１４ａ、１４ｂ、１４ｃを積層して形成し、その後素子分離構造体９を形成したもので、通常の素子分離構造体よりも高いスペーサーとすることができる。また、フィルター層１４ａ、１４ｂ、１４ｃは、通常発光部３等に形成されるべきものを、同時に素子分離構造体９の形成領域にも形成すればよく、新たな工程の追加も不要である。そして、ホール注入電極２が形成される部分の平坦性を確保するため、好ましくはホール注入電極２や絶縁膜１２が形成される部分にオーバーコート層１３が設けられる。
【００２７】
ホール注入電極は、通常発光した光を基板側から取り出すため透明電極が好ましい。透明電極としては、ＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（亜鉛ドープ酸化インジウム）、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 等が挙げられるが、好ましくはＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）が好ましい。ＩＴＯは、通常Ｉｎ2 Ｏ3 とＳｎＯ2 とを化学量論組成で含有するが、Ｏ量は多少これから偏倚していてもよい。ＩｎＯX ・ＳｎＯY とすると、Ｘは１．０〜２．０、Ｙは０．８〜１．２の範囲が好ましい。Ｉｎ2 Ｏ3 に対しＳｎＯ2 の混合比は、モル％で１〜２０％が好ましく、さらには５〜１２％が好ましい。透明極の厚さは、電荷注入を十分行える一定以上の厚さを有すれば良く、好ましくは１０〜２００nm、特に５０〜１２０nmの範囲が好ましい。
【００２８】
透明電極は蒸着法等によっても形成できるが、好ましくはスパッタ法により形成することが好ましい。ＩＴＯ透明電極の形成にスパッタ法を用いる場合、好ましくはＩｎ2 Ｏ3 にＳｎＯ2 をドープしたターゲットを用いる。また、金属電極やバリア電極を成膜する場合には好ましくは前記材料金属あるいは合金の焼結体を用いることが好ましく、ＤＣスパッタ、あるいはＲＦスパッタ法により形成することが好ましい。スパッタ法によりＩＴＯ透明電極を成膜した場合、蒸着により成膜したものより発光輝度の経時変化が少ない。その投入電力としては、好ましくは０．１〜４Ｗ／cm2 の範囲が好ましい。特にＤＣスパッタ装置の電力としては、好ましくは０．１〜１０Ｗ／cm2、特に０．５〜７Ｗ／cm2の範囲である。また、成膜レートは５〜１００nm／min 、特に１０〜５０nm／min の範囲が好ましい。
【００２９】
スパッタガスとしては特に限定するものではなく、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガス、あるいはこれらの混合ガスを用いればよい。このようなスパッタガスのスパッタ時における圧力としては、通常０．１〜２０Pa程度でよい。
【００３０】
各素子分離構造体８，９が形成された後に成膜される有機層は、それぞれ少なくとも１層のホール輸送層および発光層を有し、その上に電子注入電極を有し、さらに最上層として保護電極を設けてもよい。なお、ホール輸送層は省略可能である。そして、電子注入電極は、蒸着、スパッタ法等、好ましくはスパッタ法で成膜される仕事関数の小さい金属、化合物または合金で構成される。
【００３１】
電子注入電極の構成材料としては、電子注入を効果的に行う低仕事関数の物質が好ましく、例えば、アルカリ金属類や、アルカリ土類金属類、あるいはこれらを０．１〜２０at％含有する合金であればよいが、本発明では特に電子注入電極の材料を制限するものではない。
【００３２】
電子注入電極の成膜にスパッタ法を用いることにより、成膜された電子注入電極膜は、蒸着の場合と比較して、スパッタされる原子や原子団が比較的高い運動エネルギーを有するため、表面マイグレーション効果が働き、有機層界面での密着性が向上する。また、プレスパッタを行うことで、真空中で表面酸化物層を除去したり、逆スパッタにより有機層界面に吸着した水分や酸素を除去できるので、クリーンな電極−有機層界面や電極を形成でき、その結果、高品位で安定した有機ＥＬディスプレイができる。ターゲットとしては前記組成範囲の合金や、金属単独でも良く、これらに加えて添加成分のターゲットを用いても良い。さらに、蒸気圧の大きく異なる材料の混合物をターゲットとして用いても、生成する膜とターゲットとの組成のズレは少なく、蒸着法のように蒸気圧等による使用材料の制限もない。また、蒸着法に比較して材料を長時間供給する必要がなく、膜厚や膜質の均一性に優れ、生産性の点で有利である。
【００３３】
スパッタ法により形成された電子注入電極は緻密な膜なので、粗な蒸着膜に比較して膜中への水分の進入が非常に少なく、化学的安定性が高く、長寿命の有機ＥＬディスプレイが得られる。
【００３４】
スパッタ時のスパッタガスの圧力は、好ましくは０．１〜５Paの範囲が好ましく、この範囲でスパッタガスの圧力を調節することにより、前記範囲のＬｉ濃度のＡｌＬｉ合金を容易に得ることができる。また、成膜中にスパッタガスの圧力を、前記範囲内で変化させることにより、上記Ｌｉ濃度勾配を有する電子注入電極を容易に得ることができる。また、成膜ガス圧力と基板ターゲット間距離の積が２０〜６５Pa・cmを満たす成膜条件にすることが好ましい。
【００３５】
スパッタガスは、通常のスパッタ装置に使用される不活性ガスや、反応性スパッタではこれに加えてＮ2、Ｈ2、Ｏ2、Ｃ2Ｈ4、ＮＨ3等の反応性ガスが使用可能である。
【００３６】
スパッタ法としてはＲＦ電源を用いた高周波スパッタ法等も可能であるが、成膜レートの制御が容易であり、有機ＥＬ素子構造体へのダメージを少なくするためにはＤＣスパッタ法を用いることが好ましい。ＤＣスパッタ装置の電力としては、好ましくは０．１〜１０Ｗ／cm2、特に０．５〜７Ｗ／cm2の範囲である。また、成膜レートは５〜１００nm／min 、特に１０〜５０nm／min の範囲が好ましい。
【００３７】
電子注入電極薄膜の厚さは、電子注入を十分行える一定以上の厚さとすれば良く、１nm以上、好ましくは３nm以上とすればよい。また、その上限値には特に制限はないが、通常膜厚は３〜５００nm程度とすればよい。
【００３８】
本発明の有機ＥＬディスプレイは、電子注入電極の上、つまり有機層と反対側には保護電極を設けてもよい。保護電極を設けることにより、電子注入電極が外気や水分等から保護され、構成薄膜の劣化が防止され、電子注入効率が安定し、素子寿命が飛躍的に向上する。また、この保護電極は、非常に低抵抗であり、電子注入電極の抵抗が高い場合には配線電極としての機能も有する。この保護電極は、Ａｌ、Ａｌおよび遷移金属（ただしＴｉを除く）、Ｔｉまたは窒化チタン（ＴｉＮ）のいずれか１種または２種以上を含有し、これらを単独で用いた場合、それぞれ保護電極中に少なくとも、Ａｌ：９０〜１００at％、Ｔｉ：９０〜１００at％、ＴｉＮ：９０〜１００ mol％程度含有されていることが好ましい。また、２種以上用いるときの混合比は任意であるが、ＡｌとＴｉの混合では、Ｔｉの含有量は１０at％以下が好ましい。また、これらを単独で含有する層を積層してもよい。特にＡｌ、Ａｌおよび遷移金属は、後述の配線電極として用いた場合、良好な効果が得られ、ＴｉＮは耐腐食性が高く、封止膜としての効果が大きい。ＴｉＮは、その化学量論組成から１０％程度偏倚していてもよい。さらに、Ａｌおよび遷移金属の合金は、遷移金属、特にＳｃ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｄ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ等を、好ましくはこれらの総計が１０at％以下、特に５at％以下、特に２at％以下含有していてもよい。遷移金属の含有量は少ないほど、配線材として機能させた場合の薄膜抵抗は下げられる。
【００３９】
保護電極の厚さは、電子注入効率を確保し、水分や酸素あるいは有機溶媒の進入を防止するため、一定以上の厚さとすればよく、好ましくは５０nm以上、さらに１００nm以上、特に１００〜１０００nmの範囲が好ましい。保護電極層が薄すぎると、本発明の効果が得られず、また、保護電極層の段差被覆性が低くなってしまい、端子電極との接続が十分ではなくなる。一方、保護電極層が厚すぎると、保護電極層の応力が大きくなるため、ダークスポットの成長速度が高くなってしまう。なお、配線電極として機能させる場合の厚さは、電子注入電極の膜厚が薄いために膜抵抗が高く、これを補う場合には、通常１００〜５００nm 程度、その他の配線電極として機能される場合には１００〜３００nm程度である。
【００４０】
電子注入電極と保護電極とを併せた全体の厚さとしては、特に制限はないが、通常１００〜１０００nm程度とすればよい。
【００４１】
電極成膜後に、前記保護電極に加えて、ＳｉＯX 等の無機材料、テフロン、塩素を含むフッ化炭素重合体等の有機材料等を用いた保護膜を形成してもよい。保護膜は透明でも不透明であってもよく、保護膜の厚さは５０〜１２００nm程度とする。保護膜は前記した反応性スパッタ法の他に、一般的なスパッタ法、蒸着法等により形成すればよい。
【００４２】
さらに、素子の有機層や電極の酸化を防ぐために素子上に封止層を形成することが好ましい。封止層は、湿気の侵入を防ぐために市販の低吸湿性の光硬化性接着剤、エポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、架橋エチレン−酢酸ビニル共重合体接着剤シート等の接着性樹脂層を用いて、ガラス板等の封止板を接着し密封する。ガラス板以外にも金属板、プラスチック板等を用いることもできる。
【００４３】
次に、本発明のＥＬ素子に設けられる有機物層について述べる。
【００４４】
発光層は、ホール（正孔）および電子の注入機能、それらの輸送機能、ホールと電子の再結合により励起子を生成させる機能を有する。発光層には比較的電子的にニュートラルな化合物を用いることが好ましい。
【００４５】
ホール注入輸送層は、陽電極からのホールの注入を容易にする機能、ホールを安定に輸送する機能および電子を妨げる機能を有し、電子注入輸送層は、陰電極からの電子の注入を容易にする機能、電子を安定に輸送する機能およびホールを妨げる機能を有するものであり、これらの層は、発光層に注入されるホールや電子を増大・閉じこめさせ、再結合領域を最適化させ、発光効率を改善する。
【００４６】
発光層の厚さ、ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、形成方法によっても異なるが、通常、５〜５００nm程度、特に１０〜３００nmとすることが好ましい。
【００４７】
ホール注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層の厚さと同程度もしくは１／１０〜１０倍程度とすればよい。ホールもしくは電子の、各々の注入層と輸送層を分ける場合は、注入層は１nm以上、輸送層は２０nm以上とするのが好ましい。このときの注入層、輸送層の厚さの上限は、通常、注入層で５００nm程度、輸送層で５００nm程度である。このような膜厚については注入輸送層を２層設けるときも同じである。
【００４８】
本発明の有機ＥＬディスプレイの発光層には発光機能を有する化合物である蛍光性物質を含有させる。このような蛍光性物質としては、例えば、特開昭６３−２６４６９２号公報に開示されているような化合物、例えばキナクリドン、ルブレン、スチリル系色素等の化合物から選択される少なくとも１種が挙げられる。また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム等の８−キノリノールないしその誘導体を配位子とする金属錯体色素などのキノリン誘導体、テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、１２−フタロペリノン誘導体等が挙げられる。さらには、特願平６−１１０５６９号のフェニルアントラセン誘導体、特願平６−１１４４５６号のテトラアリールエテン誘導体等を用いることができる。
【００４９】
また、それ自体で発光が可能なホスト物質と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントとしての使用が好ましい。このような場合の発光層における化合物の含有量は０．０１〜１０wt% 、さらには０．１〜５wt% であることが好ましい。ホスト物質と組み合わせて使用することによって、ホスト物質の発光波長特性を変化させることができ、長波長に移行した発光が可能になるとともに、素子の発光効率や安定性が向上する。
【００５０】
ホスト物質としては、キノリノラト錯体が好ましく、さらには８−キノリノールないしその誘導体を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このようなアルミニウム錯体としては、特開昭６３−２６４６９２号、特開平３−２５５１９０号、特開平５−７０７３３号、特開平５−２５８８５９号、特開平６−２１５８７４号等に開示されているものを挙げることができる。
【００５１】
具体的には、まず、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メタン］、等がある。
【００５２】
また、８−キノリノールないしその誘導体のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であってもよく、このようなものとしては、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（メタークレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，３−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，６−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，４−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，６−ジフェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，４，６−トリフェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，３，６−トリメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２，３，５，６−テトラメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（１−ナフトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（オルト−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（メタ−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（３，５−ジメチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）（３，５−ジ−tert−ブチルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−エチル−８−キノリノラト）（パラ−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシ−８−キノリノラト）（パラ−フェニルフェノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラト）（オルト−クレゾラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−６−トリフルオロメチル−８−キノリノラト）（２−ナフトラト）アルミニウム(III) 等がある。
【００５３】
このほか、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２，４−ジメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（４−エチル−２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−メチル−４−メトキシキノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（５−シアノ−２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラト）アルミニウム(III) 等であってもよい。
【００５４】
このほかのホスト物質としては、特願平６−１１０５６９号に記載のフェニルアントラセン誘導体や特願平６−１１４４５６号に記載のテトラアリールエテン誘導体なども好ましい。
【００５５】
発光層は電子注入輸送層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラト）アルミニウム等を使用することが好ましい。これらの蛍光性物質を蒸着すればよい。
【００５６】
また、必要に応じて発光層は、少なくとも一種以上のホール注入輸送性化合物と少なくとも１種以上の電子注入輸送性化合物との混合層とすることも好ましく、この混合層中にドーパントを含有させることが好ましい。このような混合層における化合物の含有量は、０．０１〜２０wt% 、さらには０．１〜１５wt% とすることが好ましい。
【００５７】
混合層では、キャリアのホッピング伝導パスができるため、各キャリアは極性的に優勢な物質中を移動し、逆の極性のキャリア注入は起こり難くなり、有機化合物がダメージを受け難くなり、素子寿命がのびるという利点があるが、前述のドーパントをこのような混合層に含有させることにより、混合層自体のもつ発光波長特性を変化させることができ、発光波長を長波長に移行させることができるとともに、発光強度を高め、かつ素子の安定性を向上させることができる。
【００５８】
混合層に用いられるホール注入輸送性化合物および電子注入輸送性化合物は、各々、後述のホール注入輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物の中から選択すればよい。なかでも、ホール注入輸送層用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、例えばホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
【００５９】
電子注入輸送性の化合物としては、キノリン誘導体、さらには８−キノリノールないしその誘導体を配位子とする金属錯体、特にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を用いることが好ましい。また、上記のフェニルアントラセン誘導体、テトラアリールエテン誘導体を用いるのも好ましい。
【００６０】
ホール注入輸送層用の化合物としては、強い蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記のホール輸送材料であるトリフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用いるのが好ましい。
【００６１】
この場合の混合比は、それぞれのキャリア移動度とキャリア濃度を考慮する事で決定するが、一般的には、ホール注入輸送性化合物の化合物／電子注入輸送機能を有する化合物の重量比が、１／９９〜９９／１、さらには１０／９０〜９０／１０、特には２０／８０〜８０／２０程度となるようにすることが好ましい。
【００６２】
また、混合層の厚さは、分子層一層に相当する厚みから、有機化合物層の膜厚未満とすることが好ましく、具体的には１〜８５nmとすることが好ましく、さらには５〜６０nm、特には５〜５０nmとすることが好ましい。
【００６３】
また、混合層の形成方法としては、異なる蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧（蒸発温度）が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもできる。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ましいが、場合によっては、化合物が島状に存在するものであってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散させてコーティングすることにより、発光層を所定の厚さに形成する。
【００６４】
また、ホール注入輸送層には、例えば、特開昭６３−２９５６９５号公報、特開平２−１９１６９４号公報、特開平３−７９２号公報、特開平５−２３４６８１号公報、特開平５−２３９４５５号公報、特開平５−２９９１７４号公報、特開平７−１２６２２５号公報、特開平７−１２６２２６号公報、特開平８−１００１７２号公報、ＥＰ０６５０９５５Ａ１等に記載されている各種有機化合物を用いることができる。例えば、テトラアリールベンジシン化合物（トリアリールジアミンないしトリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等である。これらの化合物は２種以上を併用してもよく、併用するときは別層にして積層したり、混合したりすればよい。
【００６５】
ホール注入輸送層をホール注入層とホール輸送層とに分けて設層する場合は、ホール注入輸送層用の化合物のなかから好ましい組合せを選択して用いることができる。このとき、ホール注入電極（ＩＴＯ等）側からイオン化ポテンシャルの小さい化合物の層の順に積層することが好ましい。また陽電極表面には薄膜性の良好な化合物を用いることが好ましい。このような積層順については、ホール注入輸送層を２層以上設けるときも同様である。このような積層順とすることによって、駆動電圧が低下し、電流リークの発生やダークスポットの発生・成長を防ぐことができる。また、素子化する場合、蒸着を用いているので１〜１０nm程度の薄い膜も、均一かつピンホールフリーとすることができるため、ホール注入層にイオン化ポテンシャルが小さく、可視部に吸収をもつような化合物を用いても、発光色の色調変化や再吸収による効率の低下を防ぐことができる。ホール注入輸送層は、発光層等と同様に上記の化合物を蒸着することにより形成することができる。
【００６６】
また、必要に応じて設けられる電子注入輸送層には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等を用いることができる。電子注入輸送層は発光層を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス（８−キノリノラト）アルミニウム等を使用することが好ましい。電子注入輸送層の形成は発光層と同様に蒸着等によればよい。
【００６７】
電子注入輸送層を電子注入層と電子輸送層とに分けて積層する場合には、電子注入輸送層用の化合物の中から好ましい組み合わせを選択して用いることができる。このとき、電子注入電極側から電子親和力の値の大きい化合物の順に積層することが好ましい。このような積層順については電子注入輸送層を２層以上設けるときも同様である。
【００６８】
基板材料としては、ガラスや石英、樹脂等の透明ないし半透明材料を用いる。また、基板に色フィルター膜や蛍光性物質を含む色変換膜、あるいは誘電体反射膜を用いて発光色をコントロールしてもよい。
【００６９】
色フィルター膜には、液晶ディスプレイ等で用いられているカラーフィルターを用いれば良いが、有機ＥＬの発光する光に合わせてカラーフィルターの特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化すればよい。
【００７０】
また、ＥＬ素子材料や蛍光変換層が光吸収するような短波長の外光をカットできるカラーフィルターを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向上する。
【００７１】
また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用いてカラーフィルターの代わりにしても良い。
【００７２】
蛍光変換フィルター膜は、ＥＬ発光の光を吸収し、蛍光変換膜中の蛍光体から光を放出させることで、発光色の色変換を行うものであるが、組成としては、バインダー、蛍光材料、光吸収材料の三つから形成される。
【００７３】
蛍光材料は、基本的には蛍光量子収率が高いものを用いれば良く、ＥＬ発光波長域に吸収が強いことが望ましい。実際には、レーザー色素などが適しており、ローダミン系化合物・ペリレン系化合物・シアニン系化合物・フタロシアニン系化合物（サブフタロ等も含む）ナフタロイミド系化合物・縮合環炭化水素系化合物・縮合複素環系化合物・スチリル系化合物・クマリン系化合物等を用いればよい。
【００７４】
バインダーは基本的に蛍光を消光しないような材料を選べば良く、フォトリソグラフィー・印刷等で微細なパターニングが出来るようなものが好ましい。また、ＩＴＯの成膜時にダメージを受けないような材料が好ましい。
【００７５】
光吸収材料は、蛍光材料の光吸収が足りない場合に用いるが、必要の無い場合は用いなくても良い。また、光吸収材料は、蛍光性材料の蛍光を消光しないような材料を選べば良い。
【００７６】
ホール注入輸送層、発光層および電子注入輸送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用いた場合、アモルファス状態または結晶粒径が０．１μm 以下の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が０．１μm を超えていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高くしなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく低下する。
【００７７】
真空蒸着の条件は特に限定されないが、１０-4Pa以下の真空度とし、蒸着速度は０．０１〜１nm／sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続して各層を形成することが好ましい。真空中で連続して形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げるため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低くしたり、ダークスポットの成長・発生を抑えたりすることができる。
【００７８】
これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場合において、１層に複数の化合物を含有させる場合、化合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着することが好ましい。
【００７９】
本発明の有機ＥＬディスプレイは、通常、直流駆動型のＥＬ素子として用いられるが、交流駆動またはパルス駆動とすることもできる。印加電圧は、通常、２〜２０V 程度とされる。
【００８０】
【実施例】
以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００８１】
＜実施例１＞
ガラス基板上に、液晶ディスプレイのカラー化手法として、最も一般的な顔料分散型のカラーフィルター塗布工程を施した。各色１．５〜２．０μm のフィルター膜厚となるように塗布し、パターニングした。カラーフィルターの塗布工程は、赤を例に説明すると次のように行った。赤色用カラーフィルター液を１０００rpm で５秒間スピンコートし、１００℃で３分間プリベークした。露光機で２０ mＷの紫外線を３０秒照射した後に、約０．１％濃度のＴＭＡＨ水溶液で現像した。現像時間は約１分間であった。その後、塗布する別のカラーフィルター液に溶解しないように、２２０℃で１時間キュアし、赤色カラーフィルターパターンを完成した。他の色（緑、青）は、材料（顔料）が異なるために、上記の赤色カラーフィルター形成条件とは、その詳細において異なるものの、ほぼ同様の工程となる。なお、この例では製造が比較的容易であるため、カラーフィルターのみを用いているが、蛍光変換フィルターを用いて緑、赤は色変換を行うことで出力させ、より高輝度発光の構成とすることも可能であるし、カラーフィルターと蛍光変換フィルターとを積層し、輝度低下の防止と色純度の向上を両立させるような構成とすることも可能である。
【００８２】
さらに、この上にＩＴＯを成膜する面の平坦性を向上させるためにオーバーコート材を塗布し、やはり同様に２２０℃で１時間キュアした。スペーサー部分になる領域には以上の膜により積層し、このフィルター膜形成工程で７〜８μm の高さが得られた。
【００８３】
カラーフィルターおよびオーバーコート層が形成された基板上に、ＩＴＯ透明電極（ホール注入電極）をスパッタ法にて１００nm成膜した。得られたＩＴＯ薄膜を、フォトリソグラフィーの手法によりパターニング、エッチング処理し、図４に示されるようなホール注入電極パターンとした。次いで絶縁膜としてＳｉＯ2 を３００nmの厚さに塗布し、パターニングして図４に示されるようなホール注入電極および絶縁膜のパターンを得た。
【００８４】
次いで、素子分離構造体８，９の基部を形成するため、ＩＴＯ透明電極と絶縁膜が成膜された基板上に、ポリイミドを２μm の厚さに塗布し、続けてオーバーハング部となるポジレジスト層を３μm の厚さに塗布し、露光し、現像して素子分離構造体８，９を得た。このとき、フィルターによるスペーサーと素子分離構造体の合計の高さが１２〜１３μm となり、封止板が発光部に干渉しないための十分な高さを持つスペーサーが形成された。
【００８５】
次いで、表面をＵＶ／Ｏ3 洗浄した後、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定して、槽内を１×１０-4Pa以下まで減圧した。４，４’，４”−トリス（−Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（以下、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）を蒸着速度０.２nm／sec.で４０nmの厚さに蒸着し、ホール注入層とし、次いで減圧状態を保ったまま、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ｍ−トリル−４，４’−ジアミノ−１，１’−ビフェニル（以下、ＴＰＤ）を蒸着速度０．２nm／sec.で３５nmの厚さに蒸着し、ホール輸送層とした。さらに、減圧を保ったまま、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（以下、Ａｌｑ3 ）を蒸着速度０.２nm／sec.で５０nmの厚さに蒸着して、電子注入輸送・発光層とした。次いで減圧を保ったまま、このＥＬ素子構造体基板を真空蒸着装置からスパッタ装置に移し、スパッタ圧力１．０PaにてＡｌＬｉ電子注入電極（Ｌｉ濃度：７．２at％）を５０nmの厚さに成膜した。その際スパッタガスにはＡｒを用い、投入電力は１００Ｗ、ターゲットの大きさは４インチ径、基板とターゲットの距離は９０mmとした。さらに、減圧を保ったまま、このＥＬ素子基板を他のスパッタ装置に移し、Ａｌターゲットを用いたＤＣスパッタ法により、スパッタ圧力０．３PaにてＡｌ保護電極を２００nmの厚さに成膜した。この時スパッタガスにはＡｒを用い、投入電力は５００Ｗ、ターゲットの大きさは４インチ径、基板とターゲットの距離は９０mmとした。
【００８６】
最後にガラス封止板を貼り合わせ、有機ＥＬディスプレイとした。同様にして得られた有機ＥＬディスプレイ１００サンプルを用意し、以下の方法で評価した。
【００８７】
乾燥アルゴン雰囲気中で直流電圧を印加し、１０mA／cm2 の定電流密度で連続駆動させた。表面を目視観察し、ガラス板の干渉により有機層等にダメージを受けたサンプルの有無を確認したところ１００サンプルとも不具合箇所は確認されなかった。
【００８８】
＜比較例１＞
実施例１において、スペーサとしての素子分離構造体９を形成することなく、その他は実施例１と同様にして、有機ＥＬディスプレイを得た。得られた比較サンプルについて、実施例１と同様な評価を行ったところ、１００サンプル中不良サンプルが５０サンプル確認された。
【００８９】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、簡単な構成で、新たな製造工程を設ける必要もなく、確実に封止板による干渉が防止できる有機ＥＬディスプレイを提できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬディスプレイの一構成例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面矢視図である。
【図３】本発明の有機ＥＬディスプレイの他の構成例を示す断面図である。
【図４】図１のディスプレイにおいて、基板上にホール注入電極と絶縁膜とを形成した状態を示す平面図である。
【符号の説明】
１    基板
２    ホール注入電極
３    発光部（ホール注入電極露出部）
４    端子部
５    コモン端子１
６    コモン端子２
７    コモン端子３
８    通常の素子分離構造体
９    スペーサーとしての素子分離構造体
１０    有機層成膜領域
１１    電子注入電極成膜領域
１２    絶縁膜
【図１】
0003886607.tif 000002
【図２】
0003886607.tif 000003
【図３】
0003886607.tif 000004
【図４】
0003886607.tif 000005