(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
オリエンテーションフラットを基準とする誘電体分離溝のパターンが形成された活性層用ウェーハの表面に誘電体分離酸化膜を介してポリシリコン層を成長させ、
このポリシリコン層の表面を研削・研磨後、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの重ね合わせ位置決めを行なってから、この研磨面を張り合わせ面として、活性層用ウェーハを支持基板用ウェーハの表面に張り合わせ、
この張り合わせウェーハの外周部を面取りし、
その後、活性層用ウェーハを裏面側から研削・研磨して、この研磨面に誘電体分離酸化膜で分離された複数の誘電体分離シリコン島を現出させる張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法において、
上記ウェーハ重ね合わせ位置決めを行なう前に、上記ポリシリコン層の外周部のうち、少なくともオリエンテーションフラット部分のポリシリコンを、アルカリ性エッチング液を含むスポンジの接触によるエッチングによって除去する張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法。
【請求項２】
上記ポリシリコンのエッチング時に、活性層用ウェーハの裏面に付着したポリシリコンもエッチングする請求項１に記載の張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法。
【請求項３】
上記ポリシリコンのエッチングは、あらかじめ面取り砥石を用いてエッチング部分を面取りしてから行なわれる請求項１または請求項２に記載の張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法、詳しくはウェーハ張り合わせ以降の工程で、支持基板用ウェーハのオリエンテーションフラットを基準としたオートアライメントを行なえる張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の張り合わせ誘電体分離ウェーハは、図４に示す各工程を経て製造されていた。
まず、活性層用ウェーハとなる表面を鏡面加工したシリコンウェーハ１０を用意する（図４（ａ））。次いで、シリコンウェーハ１０の表面に、マスク酸化膜１１を形成する（図４（ｂ））。さらに、ホトレジスト１２をマスク酸化膜１１上に被着し、フォトリソグラフ法によって所定位置に開口を形成する。続いて、この開口を介して露出した酸化膜１１を除去し、酸化膜１１に所定パターンの窓を形成する。その結果、シリコンウェーハ１０の表面の一部が露出する。次に、ホトレジスト１２の除去後、シリコンウェーハ１０をアルカリ性のエッチング液（ＩＰＡ／ＫＯＨ／Ｈ２Ｏ）に浸漬して、ウェーハ表面の窓内部を異方性エッチングする（図４（ｃ））。こうして、ウェーハ表面に断面Ｖ字形状の誘電体分離用溝１３が形成される。
【０００３】
次に、このマスク酸化膜１１を希ＨＦ液（希フッ酸液）またはバッファフッ酸液で洗浄除去する（図４（ｄ））。それから、ウェーハ表面に、酸化熱処理によって誘電体分離酸化膜１４を形成する（図４（ｅ））。その結果、誘電体分離用溝１３表面を含むシリコンウェーハ表面に所定厚さの誘電体分離酸化膜１４が形成される。
続いて、シリコンウェーハ１０の表面、すなわち誘電体分離酸化膜１４上に、種ポリシリコン層１５を所定の厚さに被着し、その後、約１２００〜１３００℃の高温ＣＶＤ法で、高温ポリシリコン層（ポリシリコン層）１６を１５０μｍ程度の厚さに成長させる（図４（ｆ））。それから、ウェーハ外周部を面取り砥石
により機械的に面取りし、そしてウェーハ裏面を研磨して、ウェーハ裏面に回り込んだ不要なポリシリコンの部分を除去して平坦化する。次に、ウェーハ表面の高温ポリシリコン層１６を厚さ約１０〜８０μｍまで研削、研磨し、その後、このシリコンウェーハ１０を表面研磨装置のウェーハ保持板から剥がし、脱ろうして洗浄する（図４（ｇ））。
このあと、ウェーハ表面に５５０〜７００℃の低温ＣＶＤ法で、厚さ１〜５μｍの低温ポリシリコン層１７を成長させる。それから、張り合わせ面の平坦化を図る目的で、この低温ポリシリコン層１７の表面をポリッシングする（同じく図４（ｇ））。
【０００４】
一方、上記シリコンウェーハ１０とは別の、支持基板用ウェーハとなるシリコン酸化膜２１で被覆されたシリコンウェーハ２０を準備する（図４（ｈ））。このウェーハ表面は鏡面加工してある。次に、シリコンウェーハ２０上に、上記活性層用ウェーハ用のシリコンウェーハ１０を、この鏡面同士を接触させて張り合わせる（図４（ｉ））。
その後、張り合わせウェーハの張り合わせ強度を高める熱処理が施される。
次に、図４（ｊ）に示すように、この張り合わせウェーハの活性層用ウェーハ側の外周部を面取りする。すなわち、シリコンウェーハ１０の表面から斜めに研削し、張り合わせ界面を通り越してシリコンウェーハ２０の表層部に達するまで面取りする。
そして、張り合わせウェーハの活性層用ウェーハの表面を研削・研磨する（図４（ｋ））。この活性層用ウェーハの研削量は、誘電体分離酸化膜１４の一部が外部に露出し、高温ポリシリコン層１６の表面上に、誘電体分離酸化膜１４で区画された誘電体分離シリコン島１０Ａが現出されるまでとする。なお、シリコン酸化膜２１は、ＨＦ洗浄により適時除去される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来技術では、前述したように、シリコンウェーハ１０の表面に高温ポリシリコン層１６を成長させた後、面取り砥石によって機械的に面取りすることにより、ウェーハ外周部に堆積したポリシリコンを除去している。ところが、この除去作業を完璧に実施することは現実的に不可能である。そこで通常、削り過ぎによるシリコンウェーハ１０の小径化を避けるため、ウェーハ外周部にポリシリコンを一部残している。
これは、シリコンウェーハ１０のオリエンテーションフラット（以下、ＯＦと略す場合がある）部分においても例外ではない。したがって、シリコンウェーハ１０の本来のＯＦは、堆積したポリシリコンにより隠蔽され、目視することができなかった。これにより、従来法では、高温ポリシリコン層１６のＯＦ部分を、シリコンウェーハ１０のＯＦと平行に面取りすることは困難であった。
【０００６】
ところで、通常、ウェーハの張り合わせは、活性層用ウェーハのＯＦと支持基板用ウェーハのＯＦとを合致させ、次に、例えば両ウェーハの中央部からウェーハ外周部に向かって徐々に接触面積を広げるようにして張り合わされる。このようにすれば、支持基板用ウェーハのＯＦと、活性層用ウェーハに形成された誘電体分離溝の格子状のパターン（以下、単にパターンという場合がある）とを、比較的位置ずれが少なく、一様な位置関係を保って張り合わせることができる。具体的には、この格子状のパターンを構成する横方向の誘電体分離用溝（図３のＹ方向に沿った溝）と、支持基板用ウェーハのＯＦとを平行にして張り合わせる。これにより、張り合わせ以降の各工程で、支持基板用ウェーハのＯＦを基準としたオートアライメントを行なうことができる。
【０００７】
しかしながら、このオートアライメントが実施できるのは、活性層用ウェーハのＯＦ部分において、高温ポリシリコン層のＯＦと、この活性層用ウェーハの本来のＯＦとが平行であることを条件としている。これは、誘電体分離溝のパターンが高温ポリシリコン層で被覆されており、例えばモニタ画面上で支持基板用ウェーハのＯＦと上記パターンの横溝とを視認しながら、両者を平行状態にしたまま張り合わせることができないためである。
すなわち、従来技術にあっては、前述したように、ポリシリコン成長後の面取り時において、高温ポリシリコン層１６のＯＦとシリコンウェーハ１０のＯＦとを平行に面取りすることは困難であるという現状から、正確なオートアライメントはほとんどなされていないという問題があった。
【０００８】
【発明の目的】
そこで、この発明は、ウェーハ張り合わせ以降の工程で、支持基板用ウェーハのオリエンテーションフラットを基準としたオートアライメントを行なうことができる張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法を提供することを、その目的としている。
また、この発明は、工程数を削減することができる張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法を提供することを、その目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、オリエンテーションフラットを基準とする誘電体分離溝のパターンが形成された活性層用ウェーハの表面に誘電体分離酸化膜を介してポリシリコン層を成長させ、このポリシリコン層の表面を研削・研磨後、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの重ね合わせ位置決めを行なってから、この研磨面を張り合わせ面として、活性層用ウェーハを支持基板用ウェーハの表面に張り合わせ、この張り合わせウェーハの外周部を面取りし、その後、活性層用ウェーハを裏面側から研削・研磨して、この研磨面に誘電体分離酸化膜で分離された複数の誘電体分離シリコン島を現出させる張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法において、上記ウェーハ重ね合わせ位置決めを行なう前に、上記ポリシリコン層の外周部のうち、少なくともオリエンテーションフラット部分のポリシリコンを、アルカリ性エッチング液を含むスポンジの接触によるエッチングによって除去する張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法である。
【００１０】
ポリシリコン層は、どのような条件で成長させてもよい。例えば、高温ＣＶＤ法によって得られた高温ポリシリコン層でも、低温ＣＶＤ法による低温ポリシリコン層でもよい。ここでいう高温ＣＶＤ法とは、シリコンを含んだ原料ガスをキャリアガス（Ｈ2 ガスなど）とともに反応炉内へ導入し、高温に熱せられたシリコンウェーハ上に原料ガスの熱分解または還元により生成されたシリコンを析出させる方法である。シリコンを含む化合物としては、通常、ＳｉＣｌ2 Ｈ2 ，ＳｉＨＣｌ3 ，ＳｉＣｌ4 などが用いられる。
高温ＣＶＤ法に用いられる反応炉としては、例えばパンケーキ型炉、シリンダ型炉なども採用することができる。その場合、ポリシリコンの成長温度は炉の加熱方式で異なる。この用途に用いる縦型炉では、１２００〜１２９０℃、特に１２３０〜１２８０℃が好ましい。１２００℃未満ではシリコンウェーハが割れやすいという不都合が生じる。また、１２９０℃を超えるとスリップが発生し、シリコンウェーハが異常に反ったり、また割れやすいという不都合が生じる。
【００１１】
ポリシリコン層の厚さは限定されない。ただし、誘電体分離溝を形成するための異方性エッチングの深さの２〜３倍の厚さに対して、残したいポリシリコン層の厚さを付加した厚さが好ましい。ポリシリコン層の厚さが異方性エッチングを行った深さの２倍以下では、エッチング溝が充分に埋まらないことがある。一方、３倍以上では、不要に厚く成長させることとなり、不経済である。
異方性エッチング液には、ＫＯＨ（ＩＰＡ／ＫＯＨ／Ｈ2 Ｏ），ＫＯＨ（ＫＯＨ／Ｈ2 Ｏ），ＫＯＨ（ヒドラジン／ＫＯＨ／Ｈ2 Ｏ）を使用することができる。異方性エッチングの条件は、通常の条件を適用することができる。
また、ウェーハ表面側のレジスト膜に、異方性エッチング用の窓部を形成するための各工程の条件は、一般的な条件を採用することができる。
【００１２】
ここでいう重ね合わせ位置決めとは、平面視して、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを、例えば互いのオリエンテーションフラットを合致させた状態で重ね合わせることを意味する。
また、ポリシリコンのエッチング時に除去されるのは、ポリシリコン層の外周部の全域でもよいし、その一部でもよい。ただし、この一部を除去する場合には、少なくともオリエンテーションフラット部分を含んでいなければならない。したがって、オリエンテーションフラット部分だけのエッチングもあり得る。
【００１３】
ポリシリコンのエッチングの、最終段階は少なくとも、アルカリエッチングが望ましい。また酸エッチを併用しても良いが、最初酸エッチで行い、最終段階はアルカリエッチングを行っても良い。酸性エッチング液では、例えば各種の混酸などを採用することができる。一方、アルカリ性エッチング液では、例えばＫＯＨ，ＮａＯＨなどを採用することができる。ポリシリコンと酸化シリコンとのエッチレートの比率がおよそ１００：１と極端に異なる条件を選ぶことが出来る。これを利用して、誘電体分離酸化膜をストッパにしてエッチングすれば、エッチングの制御を簡単に行なうことができる。
さらに、エッチング方法も限定されない。例えばあらかじめ面取り砥石で機械的な面取りを行い、その後、エッチングをしてもよい。使用されるエッチング装置も限定されない。例えば、エッチング槽の液面下に支持基板用ウェーハを浸漬させる装置でもよいし、エッチング液を含んだスポンジを、回転中の支持基板用ウェーハの外周部に押し付ける装置でもよい。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、上記ポリシリコンのエッチング時に、活性層用ウェーハの裏面に付着したポリシリコンもエッチングする請求項１に記載の張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法である。
ポリシリコンをエッチングする際、これに使用されるエッチング液によって、ウェーハ裏面のポリシリコンも除去させられる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、上記ポリシリコンのエッチングは、あらかじめ面取り砥石を用いてエッチング部分を面取りしてから行なわれる請求項１または請求項２に記載の張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法である。
面取り砥石の種類は限定されない。例えば、ビトリファイド面取り砥石でもよいし、レジノイド面取り砥石でもよい。また、メタルボンド面取り砥石でもよい。
面取り後、ポリシリコン層の外周部において、ウェーハ半径方向の残り長さ（以下、単に残長という場合がある）は限定されない。ただし、通常は５０μｍ以下である。５０μｍを超えるとエッチング時間が長くなる。
面取り後のエッチングは、エッチング面があれにくいアルカリエッチングが好ましい。
【００１６】
【作用】
この発明によれば、ポリシリコンの成長後、活性層用ウェーハの外周部にエッチングが施される。具体的には、ポリシリコン層のうち、少なくともオリエンテーションフラット部分が、アルカリ性エッチング液を含んだスポンジを接触させるエッチングによって除去される。これにより、活性層用ウェーハの本来のオリエンテーションフラットが露出するとともに、ウェーハ外周部に残ったわずかなポリシリコンを完全に除去することができる。
その後、活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの重ね合わせ位置決めを行なう。この重ね合わせ位置決めは、露出した活性層用ウェーハのオリエンテーションフラットと、支持基板用ウェーハのオリエンテーションフラットとを合致させることで行なわれる。その結果、ウェーハ張り合わせ以降の工程で、支持基板用ウェーハのオリエンテーションフラットを基準としたオートアライメントを行なうことができる。
【００１７】
特に、請求項２の発明によれば、ポリシリコンのエッチングと同時に、活性層用ウェーハの裏面に付着したポリシリコンもエッチングするので、工程数が削減される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施例に係る張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法を説明する。なお、ここでは従来技術の欄で説明した張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法を例に説明する。したがって、同一部分には同一符号を付す。説明の都合上、水平面内の一方向をＸ方向、これに直交する水平面内の方向をＹ方向、上下方向をＺ方向とする。
まず、活性層用ウェーハとなる表面を鏡面加工した直径４〜６インチのシリコンウェーハ１０を作製、準備する（図１（ａ））。面方位は（１００）とする。
次に、このシリコンウェーハ１０を洗浄する。それから、このシリコンウェーハの表面に、例えば厚さ１μｍのマスク酸化膜１１を形成する（図１（ｂ））。マスク酸化膜１１に代えて、ＣＶＤ法によりチッ化膜（ＳｉＮｘ ）を成長させてもよい。
【００１９】
次に、公知のフォトリソ工程により、このマスク酸化膜１１上にフォトレジスト膜１２を被着する。そして、通常の通りフォトレジスト膜１２に所定パターンの窓を形成する（図１（ｃ））。
続いて、この窓を介して、エッチングにより酸化膜１１に同じパターンの窓を形成し、シリコンウェーハ１０表面の一部を露出させる。その後、フォトレジスト膜１２を除去する（同じく図１（ｃ））。そして、このウェーハ表面を洗浄する。
さらに、この酸化膜１１をマスクとして、シリコンウェーハ１０を異方性エッチング液（ＩＰＡ／ＫＯＨ／Ｈ2 Ｏ）に所定時間だけ浸漬する。その結果、シリコンウェーハ表面には所定パターンでの凹部（窪み）が形成されることになる。すなわち、ウェーハ表面に異方性エッチングが施され、断面Ｖ字形状の誘電体分離用溝１３が形成される（同じく図１（ｃ））。
【００２０】
次いで、このマスク酸化膜１１は、例えば希ＨＦ液により洗浄除去される（図１（ｄ））。
その後、必要に応じて、シリコン内部にドーパントを注入し、それからウェーハ表面（裏面も）に、酸化熱処理によって所定厚さの誘電体分離酸化膜１４を形成する（図１（ｅ））。このとき、誘電体分離用溝１３上にも、誘電体分離酸化膜１４が形成される。そして、このウェーハ表面を洗浄する。
続いて、このシリコンウェーハ１０の表面、すなわち表面側の誘電体分離酸化膜１４上に、種ポリシリコン層１５を所定の厚さに被着する（図１（ｆ））。被着後その表面を洗浄する。
【００２１】
次に、約１２００〜１３００℃の高温ＣＶＤ法で、種ポリシリコン層１５の表面に、高温ポリシリコン層（ポリシリコン層）１６を１５０μｍくらいの厚さに成長させる（同じく図１（ｆ））。
その後、シリコンウェーハ１０の外周部を、＃８００（粒径１５〜２５μｍ）のメタルボンド砥石２２を用いて１００μｍ面取りする（図１（ｇ））。このとき、高温ポリシリコン層１６の外周部の残長は５０μｍである。
続いて、上記フォトリソ工程により、高温ポリシリコン層１６上にフォトレジスト膜２３を被着する。その後、ＫＯＨ（アルカリ性エッチング液）を含むスポンジ２４を、回転中のシリコンウェーハ１０の外周部に接触させる。これにより、ウェーハ外周部に残ったわずかなポリシリコンと、ウェーハ裏面に回り込んだ不要なポリシリコン突起１６ａとを完全に除去する（図１（ｈ１））。エッチング面が荒れやすい酸エッチングに比べて、シリコンウェーハ１０の露出された面取り面の平滑度は高い。なお、このエッチングは、エッチングレートがきわめて小さい誘電体分離酸化膜１４まで達したときに中止される。この一実施例では、エッチング時にポリシリコン突起１６ａも除去するので、製造工程数の削減が図れる。
【００２２】
なお、これ以外のエッチング法を採用してもよい。すなわち、例えばシリコンウェーハ１０を、エッチング槽２５のエッチング液に所定時間だけ浸漬して、ウェーハ外周部に残存するポリシリコンなどを除去してもよい（図１（ｈ２））。なお、このエッチングを酸とアルカリの２種類のエッチング液を使用して、効率良く行なうこともできる。すなわち、まずフッ酸／硝酸（１：１〜１：５）の混酸を用いて、室温で酸エッチングする。これにより、ウェーハ外周部のポリシリコンおよびポリシリコン突起１６ａの大半が除去される。そして、アルカリ性エッチング液によって、残った若干のポリシリコンが除去される。アルカリ性エッチング液としては８０℃、１０重量％のＫＯＨ液が用いられる。このエッチング時、シリコンウェーハ１０は１０〜６０ｒｐｍの低速でモータにより回転させられる。
【００２３】
次に、高温ポリシリコン層１６上から、周知の方法によってフォトレジスト膜２３を除去する（図１（ｉ））。
続いて、ウェーハ表面の高温ポリシリコン層１６を厚さ約１０〜８０μｍまで研削、研磨する。その後、このシリコンウェーハ１０を表面研磨装置のウェーハ保持板から剥がし洗浄する（図１（ｊ））。
このあと、ウェーハ表面に５５０〜７００℃の低温ＣＶＤ法で、厚さ１〜５μｍの低温ポリシリコン層１７を成長させる。そして、張り合わせ面の平坦化を図る目的で、この低温ポリシリコン層１７の表面をポリッシングする（同じく図１（ｊ））。
【００２４】
一方、支持基板用ウェーハとなる、シリコン酸化膜２１で被覆された直径４〜６インチの鏡面仕上げされたシリコンウェーハ２０を準備する（図１（ｋ））。次いで、その鏡面同士を対峙させて、シリコンウェーハ２０と活性層用ウェーハ用のシリコンウェーハ１０との重ね合わせの位置決めを行う（図１（ｌ））。具体的には、両ウェーハ１０，２０を平行配置し、この状態で両ウェーハ１０，２０をＸ，Ｙ方向に移動させて、シリコンウェーハ１０のＯＦ１０ａと、シリコンウェーハ２０のＯＦ２０ａとを合致させる（図２および図３参照）。
前述したように、誘電体分離用溝１３の異方性エッチング時、横方向（Ｙ方向）の各誘電体分離用溝１３は、シリコンウェーハ１０のＯＦ１０ａを基準にしてＯＦ１０ａと平行に異方性エッチングされる。これにより、両ＯＦ１０ａ，２０ａを合致させるだけで、シリコンウェーハ１０の横方向の誘電体分離用溝１３と、シリコンウェーハ２０のＯＦ２０ａとを平行に配置することができる。その結果、張り合わせ以降の各工程で、シリコンウェーハ２０のＯＦ２０ａを基準としたオートアライメントを行なうことができる。
【００２５】
続いて、両ウェーハ１０，２０をＺ方向に移動させて張り合わせ、その後、通常の張り合わせ熱処理をして、張り合わせ強度を高める（同じく図１（ｌ））。
次に、図１（ｍ）に示すように、張り合わせウェーハの活性層用ウェーハ側の外周部の面取りを行なう。
そして、この張り合わせウェーハの活性層用ウェーハ側表面を研削・研磨する（図１（ｎ））。活性層用ウェーハの研削量は、誘電体分離酸化膜１４の一部が外部に露出し、高温ポリシリコン層１６の表面上に、誘電体分離酸化膜１４で区画された誘電体分離シリコン島１０Ａが現出するまでとする。なお、シリコン酸化膜２１は、ＨＦ洗浄により適時除去される。こうして、張り合わせ誘電体分離ウェーハが作製される。
【００２６】
【発明の効果】
この発明によれば、ポリシリコンの成長後、活性層用ウェーハの外周部にエッチングが施される。具体的には、ポリシリコン層のうち、少なくともオリエンテーションフラット部分が、アルカリ性エッチング液を含むスポンジを接触させるエッチングによって除去される。これにより、露出した活性層用ウェーハのオリエンテーションフラットと、支持基板用ウェーハのオリエンテーションフラットとを合致させて張り合わせ位置決めをすることができる。その結果、ウェーハ張り合わせ以降の工程で、支持基板用ウェーハのオリエンテーションフラットを基準としたオートアライメントを行なうことができる。しかも、上述したスポンジを接触させるエッチングを行うことで、ウェーハ外周部に残ったわずかなポリシリコンをも完全に除去することができる。
【００２７】
特に、請求項２の発明によれば、ポリシリコンのエッチングと同時に、活性層用ウェーハの裏面に付着したポリシリコンもエッチングすることができるので、張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造工程数の削減を図ることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の一実施例に係る張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法を説明するための断面図である。
【図２】  この発明の一実施例に係る張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法に用いられるウェーハ張り合わせ装置を示す説明図である。
【図３】  この発明の一実施例に係る張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造方法におけるウェーハ重ね合わせ工程を示す説明図である。
【図４】  従来の張り合わせ誘電体分離ウェーハの製造工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１０  シリコンウェーハ（活性層用ウェーハ）、
１０Ａ  誘電体分離シリコン島、
１０ａ  ＯＦ（オリエンテーションフラット）、
１３  誘電体分離溝、
１４  誘電体分離酸化膜、
１６  ポリシリコン層、
１６ａ  ポリシリコン突起（ポリシリコン）、
２０  シリコンウェーハ（支持基板用ウェーハ）、
２２  メタルボンド砥石。
【図１】
0003945130.tif 000002
【図２】
0003945130.tif 000003
【図３】
0003945130.tif 000004
【図４】
0003945130.tif 000005