(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アミン、およびフッ化塩より選ばれた少なくとも１種の溶解剤及びポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリアクリル酸よりなる群より選ばれた少なくとも１種の水溶性高分子の水系溶液よりなる電子回路製造時に発生する残さ洗浄液。
【請求項２】
溶解剤が、フッ化塩である請求項１記載の残さ洗浄液。
【請求項３】
水系溶液の溶媒が、超純水又は超純水と有機溶媒との混合溶液である請求項１記載の残さ洗浄液。
【請求項４】
溶解剤の濃度が０．０５〜１重量％であり、水溶性高分子の濃度が０．０５〜１重量％である請求項１記載の残さ洗浄液。
【請求項５】
有機溶媒がグリコールエーテル類又はグリコールエーテル類とジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド及びＮ−メチル−２−ピロリドンより選ばれた少なくとも１種とよりなる請求項３記載の残さ洗浄液。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子回路パターン製造時において、基板をアッシング、エッチング或いはＣＭＰ処理した際に発生する残さを洗浄することを目的とする残さ洗浄液に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ上のＩＣやＬＳＩやＬＣＤ等は、一般的にフォトリソグラフィー技術を用いて、基板上に微細な電子回路パターンを形成させて製造されている。具体的には、酸化ケイ素などの絶縁膜やＡｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉなどの配線層またはＳＯＧやフッ素系の樹脂等などからなる低誘電膜が形成された基板ウエハ上に、フォトレジストを塗布し、所望のパターンを形成したマスクを通じて露光し、現像することで、所望の部位にレジストパターンを形成させる。次いで、このレジストパターン上から上記絶縁膜や配線層、または低誘電膜に対してエッチング等の処理を行い、その後レジストを除去することで実施されている。こうした電子回路パターンの形成において、フォトレジストの除去は残さ洗浄液による洗浄またはアッシング処理によって行っている。後者のアッシング処理はプラズマ等のエネルギーによりレジストを灰化させて除去する方法である。こうしたアッシング処理後のフォトレジスト除去面にはフォトレジストアッシング残さと呼ばれる不完全灰化物や、エッチングの際にパターンの側壁付近に生じる側壁堆積膜が上記処理では十分に除去できずに残存している。
【０００３】
ここで側壁堆積膜とは、エッチング工程においてフォトレジストマスクの側壁やパターン側壁に、エッチングガスとフォトレジスト、その下地の絶縁膜、配線層、低誘電膜、基板等が複雑に反応して形成される難溶性物である。この側壁堆積膜は異方性エッチングの効果を高める目的で故意に生成させる場合と、意図に反して生成する場合がある。こうした側壁堆積膜やフォトレジスト不完全灰化物は、エッチングとして反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行った場合、特に溶解性の低いものが顕著に生じる。なお、ＲＩＥは、基板であるウエハに負電圧をかけ、フッ化炭素、フッ化水素、塩化水素などのハロゲン化合物ガスを含む反応性ガスにプラズマを照射し行う方法である。
また、フォトレジストが、イオン注入処理に曝された場合にも、該レジストが変質し、難溶化する。さらに、アッシング処理後においても、上記フォトレジストの不完全灰化物が顕著に生じていた。なお、イオン注入処理とは、絶縁の基板において、所望する箇所に導電性箇所を形成する目的で、レジストの上方からレジスト表面に向かってリン、ホウ素、アンチモン、ヒ素等のイオンを打ち込む操作である。ここで、レジストはマスクとして働くために、レジストの除去された部位に選択的にイオンを打ち込むことができるものである。
【０００４】
現像後のフォトレジストを含め、こうしたアッシング処理後の除去面に残存するフォトレジスト不完全灰化物や側壁堆積膜は、配線パターンの接触不良になるため、これを洗浄して除去することが望まれる。そのため、種々の有機溶媒からなる液が残さ洗浄液として使用され、フォトレジストを含む残さの除去が試みられているが、イオン注入処理等を施したフォトレジストは変質しており、また、アッシング後のフォトレジスト残さは高度の重合物であったり、あるいは一部無機化しているため、これらの残さ洗浄液では十分に除去できていないのが実状であった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
こうした背景にあって、特開平１１−６７６３２公報には、洗浄液としてフッ素化合物、水溶性有機溶媒、および残分が水からなる組成の残さ洗浄液が示されている。上記洗浄液は、フッ素化合物と水との系により有機物が比較的に少ない残さに対しても良好な剥離を可能とすると共に、水溶性有機溶剤を５０〜８０重量％含有することにより、被洗浄面に存在する配線材料の防食を図ったものである。
【０００６】
しかしながら、上記洗浄液は、残さの除去性能を発揮するために水を必須とするものであり、上記有機溶媒のみによる防食効果については、未だ改善の余地があった。即ち、洗浄される残さの下地の防食が不十分になっており、特に、アルミニウムやアルミニウム合金などの金属配線材料やＳＯＧ等の低誘電膜における腐食の問題が懸念される。
【０００７】
上記問題について、上記公報においては、より高度な防食を目的として、界面活性剤を添加することが提案されている。
【０００８】
ところが、界面活性剤を添加することにより泡が発生するために、ウエハ上に泡が付着して洗浄の妨げとなったり、泡が系外に持ち出された場合、残さ洗浄液中の界面活性剤成分のみが選択的に減少して防食効果が変化するという問題が生じる。
【０００９】
一方、アッシング条件を厳しくするなどして、無機化が更に進んだ残さに対して、上記洗浄液では、完全に除去することが難しいという問題が存在する。これは、該洗浄液に防食剤として大量の有機溶媒を混入しているために、洗浄成分として添加されているフッ素系化合物の洗浄性能を十分に発揮することができないからである。
【００１０】
そこで、防食剤としての有機溶剤の使用を制限し、界面活性剤を防食剤として添加した組成の洗浄液として、特願平１０−３７３４６３公報には、フッ素化合物、両性界面活性剤、および残分が水からなる組成物が示されている。この洗浄液は、極めて変性化の進んだフォトレジストの不完全灰化物や側壁堆積膜等の残さを良好に除去でき、基板ウエハ上の絶縁膜や配線層の腐食性も低い洗浄液である。
【００１１】
しかしながら、該洗浄液においても、両性イオン界面活性剤を添加することにより、前記した如く、残さ洗浄時における泡の発生の問題があった。
【００１２】
従って、上述した洗浄液において、水に対する有機溶剤の割合を任意に変化させた場合でも、安定且つ優れた防食能力を発揮することができ、更に泡の発生が少ない残さ洗浄液の開発が望まれていた。
【００１３】
他方、近年ＣｕダマシンプロセスとしてＣｕ配線が使用されるようになってきたが、その際、化学的、機械的研磨（ＣＭＰ）という手法を用いてＣｕ配線を削ることでパターン形成を行なっている。ＣＭＰ処理後には、基板上にはアルミナ、シリカなどの研磨剤粉や基板の削り粉である酸化銅、タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、その他低誘電膜、層間絶縁膜などの残さが残存する。この場合の残さはほとんど無機物であるために、無機物に対して強力な洗浄を行なわなくてはならない。ところが、下地等の配線も金属等の無機物であることから、下地の腐食を避けることができなかった。
【００１４】
上記腐食の問題に対し、従来、洗浄液に添加する防食剤として、芳香族ヒドロキシ化合物、アセチレンアルコール、トリアゾール化合物等が用いられており、これらを前記洗浄液の防食剤として使用することが考えられるが、得られる洗浄液は防食性が弱いものであった。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題に鑑み、鋭意研究を続けてきた。その結果、溶解剤を含む水系溶液に水溶性高分子を添加することで、上記の課題が解決できることを見い出し、本発明を完成させるに至った。
【００１６】
すなわち、本発明は、アミン、およびフッ化塩より選ばれた少なくとも１種の溶解剤及びポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリアクリル酸よりなる群より選ばれた少なくとも１種の水溶性高分子の水系溶液よりなる電子回路製造時に発生する残さ洗浄液である。
【００１７】
本発明に使用される溶解剤は、溶媒である水との相乗作用により前記難溶性の残さを極めて良好に溶解できる。また、水溶性高分子は高い防食能を発揮するために不可欠であるが、その作用機構は必ずしも明確でない。本発明者らは水溶性高分子が金属表面に吸着して保護膜を形成するものと推察している。疎水性基をあまり有していないことから泡立ちも少ない。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明は、アミンおよびフッ化塩より選ばれた少なくとも１種の溶解剤と水溶性高分子とを併せ用いることが必須である。
【００１９】
ここで溶解剤とは電子回路製造時に発生する残さを良好に除去できる能力をもつ物質であればよく、化学反応により除去するものであっても、分子間力や静電気的な親和力等により除去するものであってもよい。かかる能力を有する溶解剤は、アミン化合物およびフッ化塩のなかから選ばれる。このうちフッ化塩が、残さを除去する能力が最も高いという点で特に好ましい。
【００２０】
フッ化塩としては、フッ化アンモニウム化合物等が挙げられる。フッ化アンモニウム化合物としては、フッ化アンモニウムの他、陰イオンがフッ化物イオンである第１級、第２級、第３級、及び第４級アンモニウム塩が挙げられる。アンモニウム塩を構成する置換基としては、特に制限されるものではないが、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜３の低級アルキル基、フェニル基等のアリール基が好適である。本発明において好適に使用されるフッ化アンモニウム化合物を具体的に例示すると、フッ化アンモニウム；フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化テトラプロピルアンモニウム、フッ化トリメチル・エチルアンモニウム、フッ化トリエチル・メチルアンモニウム、フッ化ジメチル・ジエチルアンモニウム、フッ化ジメチル・ジプロピルアンモニウム、フッ化テトラフェニルアンモニウム、フッ化トリメチル・フェニルアンモニウム等のフッ化第４級アンモニウム塩；フッ化トリメチルアンモニウム、フッ化トリエチルアンモニウム、フッ化トリフェニルアンモニウム等のフッ化第３級アンモニウム塩；フッ化ジメチルアンモニウム、フッ化ジエチルアンモニウム、フッ化ジフェニルアンモニウム等のフッ化第２級アンモニウム塩；フッ化モノメチルアンモニウム、フッ化モノエチルアンモニウム、フッ化モノフェニルアンモニウム等のフッ化第１級アンモニウム塩などが挙げられるが、最も優れているのはフッ化アンモニウムである。本発明において、これらのフッ化アンモニウム化合物は、２種以上を併用しても良い。
【００２１】
他の溶解剤であるアミン化合物としてはメチルアミン、ベンジルアミン、1,3−プロパンジアミン、ヒドロキシルアミンなどが挙げられる。これらの溶解剤の洗浄液中での濃度は、残さの洗浄性と下地である配線の腐食を考慮して、０．０５〜１重量％の範囲であることが好ましく、さらに好ましくは０．１〜０．５重量％の範囲である。添加量が０．０５重量％よりも少ない場合、残さの除去が不完全になることがあり、１重量％より多いと下地の配線を腐食することがある。
【００２２】
本発明において用いられる水溶性高分子は、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリアクリル酸よりなる群より選ばれた少なくとも１種である。
【００２３】
これらの水溶性高分子の分子量は、３，０００以上、好ましくは１０，０００以上のものである。分子量が３，０００よりも小さい場合には、防食の効果が弱くなる傾向がある。また、分子量があまりに大きい場合には、一般に水に対する溶解度が小さくなったり、または溶液の粘度が増し、防食ムラを生じる可能性があるので、５００，０００以下のものがよい。特に好適には１０，０００〜１００，０００の範囲である。
【００２４】
また、本発明における水溶性高分子は、分子中に存在する親水基によって、下地を構成する金属と電気的に、或いは配位結合等の親和力によって吸着して、その表面に保護被膜を形成し、防食の効果を発揮するものと考えられる。このため、水溶性高分子は、該下地金属表面に単分子層を形成するにたる量以上用いるのが好ましい。しかしながらあまりに多量に用いた場合には、溶液の粘度が増し、かえって残さが十分に除去されないことがある。そこで、水溶性高分子の洗浄液中での濃度は、０．０５〜１重量％、好ましくは、０．１〜０．５重量％の範囲で用いるのが好ましい。
本発明における水系溶液を構成する溶媒は一般に超純水および有機溶媒である。超純水とは通常、半導体に使用される超純水のことであり、Ｎａイオン、Ｋイオン等の金属カチオンの総計含有量が５ｐｐｂ以下であり、かつハロゲンイオンも総含有量が５ｐｐｂ以下のものを示す。また、しばしば有機溶媒の併用が好ましい場合がある。ここで用いられる有機溶媒は、水溶性であり、かつ極性の高いものが好ましい。具体的にはジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のラクタム類、ジオキサン等のエーテル類、イソプロピルアルコール等のアルコール類、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類が挙げられる。
【００２５】
本発明において、上記有機溶媒の混合割合は、特に限定されない。一般には、洗浄の対象とする残さの無機化の度合いによって適宜選択すればよい。例えば、アッシング時間を長くする等の方法でアッシング条件を厳しくすることにより、残さ中に有機物がほとんど残っていないものに関しては有機溶媒の濃度が４０重量％以下の洗浄剤が好適に使用される。また、残さがフォトレジスト自体であったり、アッシング処理が弱いなどにより、比較的多量の有機物が残る残さの場合、有機溶媒の濃度は、前記４０重量％を超えて増加することができ、その割合は８５重量％、好ましくは８０重量％までの範囲が許容できる。即ち、洗浄液における有機溶剤の濃度が８５重量％より高い場合は、残さの種類によらず、洗浄能力の低下を招く傾向にある。
【００２６】
特に、後者の様にフォトレジスト或いは比較的有機物が残っている残さに対して、使用する有機溶媒は、グリコールエーテル類単独又はグリコールエーテル類を含む水溶性有機溶媒を使用することが、残さ除去性が良くまた腐食も少ないため、特に好ましい。
【００２７】
グリコールエーテルと他の水溶性有機溶媒を併用する場合、好適な有機溶媒としては、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンより選ばれた少なくとも１種である。また、上記併用において、グリコールエーテル類の割合は、全有機溶媒の１０重量％以上、好ましくは、２０重量％以上が推奨される。
【００２８】
本発明の残さ洗浄液は、単に各成分を所定の比率で混ぜ合わせるだけでよく、その際の温度や攪拌条件など特に制限はない。
ここで使用する残さ洗浄液は十分に精製されたものが好ましく、特に金属イオンの含有量が各５０ｐｐｂ以下、好ましくは１０ｐｐｂ以下さらに好ましくは１ｐｐｂ以下である。また、不溶の微少固形物等がもしあれば十分にろ過等の処理により除去していることが好ましい。好ましくは０．５ミクロン以下の粒子が１ミリリットル中に５０個以内であり、さらに好ましくは０．３ミクロン以下の粒子が１ミリリットル中に５０個以内である。
【００２９】
本発明の上記残さ洗浄液には、必要に応じて、上記水溶性高分子化合物の他に界面活性剤などの溶解助剤、キノリノールなどの還元剤、または消泡剤などを添加しても良い。
【００３０】
本発明の残さ洗浄液が適用されるフォトレジストは公知のもが何ら制限なく使用される。電子回路パターンの製造に使用されるｇ線用、ｉ線用、ＫｒＦエキシマ光線用、ＡｒＦエキシマ光線用、Ｆ2エキシマ光線用、Ｘ線用、電子線用のフォトレジストが好ましい。樹脂としてはノボラック系樹脂やポリヒドロキシスチレン系樹脂，ポリメタクリル酸系樹脂などが挙げられる。
【００３１】
本発明の残さ洗浄液は、通常、基板ウエハ上で現像後、さらにエッチングまたはイオン注入等の処理を行った後のフォトレジストおよび残さ、またはこのウエハをアッシング処理した後において発生する残さを除去する際に使用される。
【００３２】
フォトレジストのアッシング処理は、酸素ラジカルを発生させてフォトレジストを灰化させる公知の方法が制限なく適用できる。例えば、バッチ式でも枚葉処理式でも良く、さらにオゾンアッシング方式、ＵＶオゾンアッシング方式などが制限なく適用できる。エッチング処理としてはウエットエッチングおよびドライエッチングのどちらでも構わないが、通常はドライエッチッグした後の残さを除去する際に使用する。ドライエッチングとしてはプラズマエッチング、リアクティブイオンエッチングなどがあるが制限なく適用できる。
【００３３】
ＣＭＰに用いられるスラリーはアルミナ、シリカ等、何であっても構わない。手法はウエハを回転等により物理的に移動させる方法であっても、パッドが回転することで研磨を行なう手法であっても、両方が駆動する手法であっても構わない。
【００３４】
また、基板ウエハとしては、特に制限されるものではないが、表面に、ＳｉＯ2層等の絶縁膜層やＳＯＧ、フッ素系樹脂などの低誘電層間絶縁膜材料、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉやそれらの合金等の配線が形成されたシリコンウエハ、ガラス等が一般的に用いられている。
【００３５】
本発明の残さ洗浄液を使用した処理面の洗浄は、該処理表面を残さ洗浄液に浸漬したり、該処理表面に残さ洗浄液をスプレーすることなどにより行えば良い。その際の、残さ洗浄液の温度は特に制限されるものではない。一般に加温して使用した方が残さに対する除去能力は向上するが、その分下地の腐食も大きくなり、許容できる洗浄時間の許容幅は短くなる傾向がある。所望される洗浄性と防食性、そして操作性を勘案して温度を適宜設定すれば良い。通常、１０〜８０℃、より好適には２０〜６０℃の範囲から採択される。
【００３６】
使用後の残さ洗浄液はポンプ等で循環し、可能な限り繰り返し使用して使うこともできる。また，有効成分のみを再生して使用することも可能である。
【００３７】
【実施例】
次に実施例を示して、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら制限されるものではない。
【００３８】
実施例１〜１７（実施例１３は欠番）及び比較例１〜２、１２
８インチシリコンウエハ上にＴｉＮの薄膜を形成した後、スパッタ装置を用いてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕの皮膜を形成させた。その上にさらにプラズマにより酸化膜を積層した。その後、市販のｉ線ポジ型レジストを約１ミクロンの厚さに塗布し、プリベークした。次いでｉ線を照射し、露光後ベークをし、現像、リンスを行い、さらにポストベークした。このサンプルをＲＩＥによりエッチングし、プラズマリアクタを用いて用済みレジストをアッシングした。アッシング条件は、酸素ガスを用いて０．０４ｍｍＨｇ、温度５０℃、３００秒間である。
【００３９】
以上の処理が施されたシリコンウエハから試験片をダイヤモンドカッターで切り出し、表１および表２に記載の組成の洗浄液を調製し、該各残さ洗浄液に２３℃で浸漬した。各アッシング残さ洗浄液について、浸漬を開始してから４０分が経過するまでの間で、１分間隔で浸漬時間を区切った計４０試験片で実施した。上記各浸漬時間経過後に超純水で洗浄し、各洗浄面を走査型電子顕微鏡にて４万倍の倍率で観察し、側壁堆積膜、フォトレジスト不完全灰化物の除去が行なわれるようになった最初の時間を示した。この時間が短いほど洗浄性能が高いことを示す。
【００４０】
また、前記各試験片における金属配線の防食性についても、走査型電子顕微鏡でにて４万倍の倍率で観察し、わずかでも試験箇所に腐食が観察されるようになった試験片の試験時間を防食性の目安とし、表１〜３に記載した。この防食時間が長いほど防食性に優れるといえる。
【００４１】
各残さ洗浄液について、残さが除去されてから、金属配線の腐食箇所が認められるに至るまでの浸漬時間を２３℃での洗浄時間の許容幅として評価した。この許容幅は装置上の操作マージンを意味し、この値が大きいほど、洗浄後からリンスまでの時間のばらつきの許容度が高い、もしくは歩留まりが小さいこと示している。
【００４２】
さらに、各液を蓋のできるガラス瓶に入れ激しく攪拌し，一時間後に泡がほとんどきれなかったものを×とし，良好に泡切れされたものを○とし表１〜表３に記載した。
【００４３】
【表１】
0003891768.tif 000002
【００４４】
【表２】
0003891768.tif 000003
【００４５】
【表３】
0003891768.tif 000004
【００４６】
実施例１８〜３８及び比較例３〜１１
８インチシリコンウエハ上にＴｉＮの薄膜を形成した後、スパッタ装置を用いてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕの皮膜を形成させた。その上にさらにＴｉＮの薄膜を積層した。その後、市販のｉ線ポジ型レジストを約１ミクロンの厚さに塗布し、プリベークした。次いでｉ線を照射し露光後ベーク、現像、リンスを行い、さらにポストベークした。このレジストをマスクとしてＲＩＥによりエッチングした。さらに、プラズマリアクタを用いて用済みレジストをアッシングし、サンプルＡとした。
【００４７】
また、８インチシリコンウエハ上にスパッタ装置を用いてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕの皮膜を形成させた後、ＴｉＮの薄膜を形成させた。その上にＳＯＧおよび酸化膜を積層した。その後、市販のｉ線ポジ型レジストを約１ミクロンの厚さに塗布し、プリベークした。
【００４８】
次いで、ｉ線を照射し露光後ベーク、現像し、ホール状のレジストパターンを形成した。続いて、リンスを行い、さらにポストベークした。このレジストをマスクとしてＲＩＥによりエッチングし、サンプルＢとした。さらに、プラズマリアクタを用いて用済みレジストをアッシングし、サンプルＣとした。上記サンプルＡおよびサンプルＣを製造するのに用いたアッシング条件は、酸素ガスを用いて０．０４ｍｍＨｇ、温度５０℃、１５０秒間である。
【００４９】
以上の処理が施されたシリコンウエハから試験片をダイヤモンドカッターで切り出し、表４〜表９に記載の組成を調製し、該各残さ洗浄除去剤に２３℃で浸漬した。各アッシング残さ洗浄除去剤について、浸漬を開始してから４０分が経過するまでの間で、１分間隔で浸漬時間を区切った計４０試験片で実施した。
【００５０】
上記各浸漬時間経過後に試験片を超純水で洗浄し、各洗浄面を走査型電子顕微鏡にて４万倍の倍率で観察し、側壁堆積膜、フォトレジスト不完全灰化物の除去が行なわれるようになった最初の時間を示した。この時間が短いほど洗浄性能が高いことを示す。
【００５１】
また、前記各試験片における金属配線の防食性についても、走査型電子顕微鏡でにて４万倍の倍率で観察し、わずかでも試験箇所に腐食が観察されるようになった試験片の試験時間を防食性の目安とし、表４〜９に記載した。この防食時間が長いほど防食性に優れるといえる。
【００５２】
また、各液を蓋のできるガラス瓶に入れ激しく攪拌し，一時間後に泡がほとんどきれなかったものを×とし，良好に泡切れされたものを○とし表４〜表９に記載した。
【００５３】
【表４】
0003891768.tif 000005
【００５４】
【表５】
0003891768.tif 000006
【００５５】
【表６】
0003891768.tif 000007
【００５６】
【表７】
0003891768.tif 000008
【００５７】
【表８】
0003891768.tif 000009
【００５８】
【表９】
0003891768.tif 000010
【００５９】
【発明の効果】
本発明の残さ洗浄液は、電子回路パターン製造時において基板上のフォトレジスト、および、アッシング、エッチング、イオン注入、またはＣＭＰなどの処理した際に発生する残さを良好に洗浄除去することができる。特に、多種多様化する様々な残さに対する除去能力が高い。しかも、基板ウエハ上の絶縁膜や低誘電膜、配線に対する腐食性も極めて低く、防食剤成分として界面活性剤を使用していないため、泡立ちによる問題も少ない。
【００６０】
従って、基板ウエハを洗浄する際に、種々の残さが良好に除去され、かつ下地の腐食も低く押さえられ、更に使用時間の余裕度にも極めて優れる。特に無機性の高い残さに対する除去能力が高い。しかも、基板ウエハ上の絶縁膜や低誘電膜、配線に対する腐食性も極めて低く、防食剤成分として界面活性剤を使用していないため、泡立ちによる問題も少ない。