(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤモンド層或いは基板上に形成したダイヤモンド層からなる誘電体薄膜の上に表面弾性波を励起させるシングル電極指である櫛形電極を配置し、その上にＺｎＯ層を積層してなる表面弾性波素子において、ＺｎＯ層の厚みをＨ、表面弾性波の１次モードの５倍高調波の波長をλＭ、電極線幅ｄｍとしたとき横軸に（２π・Ｈ／λＭ）、縦軸にｄｍを与える２次元直交座標グラフにおいて、座標
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．８、ｄｍ＝１．１３）で与えられる点Ａと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝１．０１）で与えられる点Ｂと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．２、ｄｍ＝１．０２）で与えられる点Ｃと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．４、ｄｍ＝０．７７５）で与えられる点Ｄと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．２、ｄｍ＝０．６８）で与えられる点Ｅと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝０．７９２）で与えられる点Ｆと、
点Ａとを順に線分で結ぶ、６本の線分からなる領域ＡＢＣＤＥＦＡの前記６本の線分を含む内部に与えられる（２π・Ｈ／λＭ）とｄｍを満たす構造であるとともに、
前記ダイヤモンド層の厚みＨＤをとしたときに（２π・ＨＤ／λＭ）≧０．５を満たす構造で励起される表面弾性波の１次モードの５倍高調波を利用することで、電極線幅０．５μｍ以上で９．５ＧＨｚ〜１０．５ＧＨｚの周波数で動作することを特徴とする表面弾性波素子。
【請求項２】
ダイヤモンド層或いは基板上に形成したダイヤモンド層からなる誘電体薄膜の上に表面弾性波を励起させるシングル電極指である櫛形電極を配置し、その上にＺｎＯ層を積層し、その上に短絡用電極を積層してなる表面弾性波素子において、ＺｎＯ層の厚みをＨ、表面弾性波の１次モードの５倍高調波の波長をλＭ、電極線幅ｄｍとしたとき横軸に（２π・Ｈ／λＭ）、縦軸にｄｍを与える２次元直交座標グラフにおいて、座標
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．５、ｄｍ＝１．６０）で与えられる点Ａと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝１．１５）で与えられる点Ｂと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．４、ｄｍ＝０．６７５）で与えられる点Ｃと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝０．７０３）で与えられる点Ｄと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．５、ｄｍ＝１．１６）で与えられる点Ｅと、
点Ａとを順に線分で結ぶ、５本の線分からなる領域ＡＢＣＤＥＡの前記５本の線分を含む内部に与えられる（２π・Ｈ／λＭ）とｄｍを満たす構造であるとともに、
前記ダイヤモンド層の厚みＨＤをとしたときに（２π・ＨＤ／λＭ）≧０．５を満たす構造で励起される表面弾性波の１次モードの５倍高調波を利用することで、電極線幅０．５μｍ以上で９．５ＧＨｚ〜１０．５ＧＨｚの周波数で動作することを特徴とする表面弾性波素子。
【請求項３】
ダイヤモンド層或いは基板上に形成したダイヤモンド層からなる誘電体薄膜の上に短絡電極を積層し、その上にＺｎＯ層を積層し、その上に表面弾性波を励起させるシングル電極指である櫛形電極を配置してなる表面弾性波素子において、ＺｎＯ層の厚みをＨ、表面弾性波の１次モードの５倍高調波の波長をλＭ、電極線幅ｄｍとしたとき横軸に（２π・Ｈ／λＭ）、縦軸にｄｍを与える２次元直交座標グラフにおいて、座標
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝１．０１）で与えられる点Ａと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝２．０、ｄｍ＝０．７９８）で与えられる点Ｂと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝３．０、ｄｍ＝０．７８３）で与えられる点Ｃと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝４．０、ｄｍ＝０．７２５）で与えられる点Ｄと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝５．０、ｄｍ＝０．６１９）で与えられる点Ｅと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝５．２、ｄｍ＝０．５４０）で与えられる点Ｆと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝５．０、ｄｍ＝０．５０６）で与えられる点Ｇと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝４．０、ｄｍ＝０．５２５）で与えられる点Ｈと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝３．０、ｄｍ＝０．５６７）で与えられる点Ｉと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝２．０、ｄｍ＝０．６５３）で与えられる点Ｊと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝０．７９２）で与えられる点Ｋと、
点Ａとを順に線分で結ぶ、１１本の線分からなる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＡの前記１１本の線分を含む内部に与えられる（２π・Ｈ／λＭ）とｄｍを満たす構造であるとともに、
前記ダイヤモンド層の厚みＨＤをとしたときに（２π・ＨＤ／λＭ）≧０．５を満たす構造で励起される表面弾性波の１次モードの５倍高調波を利用することで、電極線幅０．５μｍ以上で９．５ＧＨｚ〜１０．５ＧＨｚの周波数で動作することを特徴とする表面弾性波素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
【０００２】
本発明は１０ＧＨｚ帯に動作周波数を持ち、量産可能な線幅０．５μｍ以上で作製でき、良好な動作特性を有する表面弾性波素子に関する。
【従来の技術】
【０００３】
固体表面にエネルギーが集中して伝搬する表面弾性波を利用した表面弾性波素子は、小型で作製しやすく、温度特性等が安定である為、ＴＶ受信用フィルター等として利用されている。一般に表面弾性波素子は圧電体の表面に櫛形の電極を形成して構成されている。典型的な表面弾性波素子は、表面弾性波を発生させるために、圧電体の表面上に１対の櫛形電極を備える構造を有する。入力櫛形電極に印加された交流電力は圧電体表面上で機械的エネルギーに変換されるが、電極が櫛形であるため圧電体内に疎密が発生して弾性波となり、圧電体表面を伝搬して出力櫛形電極へと到達する。そして、到達した表面弾性波は出力櫛形電極により再び電気的エネルギーに変換され出力される。
【０００４】
圧電体材料としては、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３等のバルク単結晶やＺｎＯ薄膜を基板上に気相成長させたもの等が用いられている。
【０００５】
現在のところ、単結晶圧電体を用いたものの他、ガラスの上にＺｎＯ圧電体を設けたものや、サファイアの上にＺｎＯ圧電体を設けたものなどが実用化されている。
【０００６】
近年、伝送情報量が増大し、伝送信号がマイクロ波領域に拡大しつつあり、１０ＧＨｚ帯で使用出来る素子の需要が高まっている。
【０００７】
一般に表面弾性波素子の動作周波数は表面弾性波の伝搬速度、及び波長で決定され、波長は櫛形電極の周期長で決定される。同じ周期長の電極を用いた場合、即ち同じ波長で表面弾性波素子を使用する場合、表面弾性波素子素材中の波の伝搬速度が大きい方が、高い周波数まで扱える。
【０００８】
単結晶圧電体のＬｉＮｂＯ３を用いた場合には、伝搬速度Ｖは３５００〜４０００（ｍ／ｓ）、ＬｉＴａＯ３では３３００〜３４００（ｍ／ｓ）程度である。
【０００９】
ＺｎＯの圧電体結晶をガラス基板上に成長させたものでは最大３０００（ｍ／ｓ）程度である。１０ＧＨｚをこれら従来材料で達成するためには速度が小さいため、０．５μｍ以上の線幅では不可能である。そこで物質中最高の音速を持つダイヤモンド（横波の速度：１３０００ｍ／ｓ、縦波の速度：１６０００ｍ／ｓ）を基材として用いる方法が考案されている。（例えば特開昭６４−６２９１１号公報）
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、ダイヤモンドを利用することで仮に伝搬速度１００００ｍ／ｓを有しても中心周波数１０ＧＨｚ付近で動作する表面弾性波素子を作製するためには電極線幅（波長の１／４）を０．２５μｍの微細加工をする必要が有り現在のプロセス技術では量産化できる状況にない。また、一般に表面弾性波素子は、その電気機械結合係数（電気的エネルギーが機械的エネルギーに変換される際の変換効率の指標）が大きい方が高い効率で動作する。特に電気機械結合係数は≧０．５％が望ましい。
【００１１】
基板の上に形成された圧電体薄膜を用いる場合には、伝搬速度及び電気機械結合係数は、圧電体薄膜及び基板材料のみならず圧電体薄膜の膜厚及び電極線幅にも依存する。１０ＧＨｚ付近で動作する表面弾性波素子を量産可能な線幅≧０．５μｍで作製するためには高調波を利用する必要がある。本発明は、１０ＧＨｚ付近で動作する高効率を有する表面弾性波素子を、高調波を利用することで量産可能な線幅≧０．５μｍで提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以下、ＺｎＯの膜厚をＨと書き、膜厚の表現はこれを伝搬する表面弾性波の高調波の波長で割って、２πを乗じた（２π・Ｈ／λＭ）によって表現する。同様にダイヤモンド基板の膜厚をＨＤと書き。膜厚の表現はこれを波長で割って、２πを乗じた（２π・ＨＤ／λＭ）によって表現する。これらは無次元のパラメータである。
【００１３】
本発明者らの実験によれば、膜厚Ｈ、ＨＤは、その波長に対する比率が伝搬速度Ｖ、電気機械結合係数Ｋ２に影響するということがわかっている。従って上記のパラメータにより条件を分類することが有用である。図１〜４に本発明の表面弾性波素子の断面図を示す。それぞれ簡単の為に、Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ型と略称する。
【００１４】
図１はＩ型のものを示す。これはＳｉ基板１の上に、ダイヤモンド層２を形成し、その上にＺｎＯ層３を設け、この上に櫛形電極４を形成したものである。
【００１５】
図２はＩＩ型のものを示す。これはＳｉ基板１の上に、ダイヤモンド層２を形成し、櫛形電極４をその上に設けたものである。この上にさらにＺｎＯ層３を形成する。
【００１６】
図３はＩＩＩ型のものを示す。これはＳｉ基板１の上に、ダイヤモンド層２を形成し、櫛形電極４を形成し、ＺｎＯ層３を設けたものである。ここまではＩＩ型と同じであるが、さらに、ＺｎＯ層３の上に短絡用電極５を形成する。
【００１７】
図４はＩＶ型のものを示す。これはＳｉ基板１の上に、ダイヤモンド層２を形成し、この上に短絡用電極５を設ける。さらにＺｎＯ層３を形成し、この上に櫛形電極４を形成したものである。以下、実験結果と対照しながら説明する。以下、表面弾性波の高調波の波長をλＭとする。
【００１８】
図５はＩ型の構造について、ダイヤモンド層の厚みＨＤを（２π・ＨＤ／λＭ）＝４．０とし、ＺｎＯ層の厚みＨを変化させて位相速度（伝搬速度）を測定した結果を示すグラフである。横軸は２π・Ｈ／λＭである。縦軸は位相速度（ｍ／ｓ）である。この結果よりＺｎＯ層が薄い方が、音速が大きいダイヤモンドの影響を受けやすく、位相速度が速くなる。四角は０次モード、菱形は１次モード、丸は２次モード、三角は３次モードである。
【００１９】
ここでλＭは図１５に示す様な櫛形電極の１周期における波長から求められるものであり、電極の線幅をｄｍ、電極間の幅をｄｆ、高調波の倍数をＭとすると、波長λＭは２・（ｄｆ＋ｄｍ）／Ｍで与えられる。位相速度については構造による違い（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ型の違い）はない。
【００２０】
図６はＩ型の構造についてＺｎＯの厚み（２π・Ｈ／λＭ）を２．２としたとき、１次モード５倍高調波における電気機械結合係数Ｋ２の電極線幅を変化させた場合の測定結果を示すグラフである。電極線幅が０．４７μｍおよび１．０３μｍの場合にＫ２は０となり、これから外れるほどＫ２は大きくなる。また、電極線幅０．７５μｍに対して線対称の関係にある。測定周波数はこの測定例を含め、以下すべての測定例において１０ＧＨｚである。
【００２１】
図７はＩ型の構造について、ダイヤモンド層或いは基板上に形成したダイヤモンド層からなる誘電体薄膜の上にＺｎＯ層を積層し、その上に表面弾性波を励起させる櫛形電極を配置してなる表面弾性波素子において、ＺｎＯ層の厚みをＨ、表面弾性波の高調波の波長をλＭ、電極線幅ｄｍとしたとき横軸に（２π・Ｈ／λＭ）、縦軸にｄｍを与える２次元直交座標グラフで、座標
（（２π・Ｈ／λＭ）＝２．２、ｄｍ＝０．７５０）で与えられる点Ａと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝２．５、ｄｍ＝０．８１２）で与えられる点Ｂと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝３．０、ｄｍ＝０．８２６）で与えられる点Ｃと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝４．０、ｄｍ＝０．７３８）で与えられる点Ｄと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝５．０、ｄｍ＝０．６４４）で与えられる点Ｅと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝５．４、ｄｍ＝０．５６３）で与えられる点Ｆと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝５．０、ｄｍ＝０．５０６）で与えられる点Ｇと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝４．０、ｄｍ＝０．５１３）で与えられる点Ｈと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝３．０、ｄｍ＝０．５７４）で与えられる点Ｉと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝２．５、ｄｍ＝０．６３８）で与えられる点Ｊと、
点Ａとを順に線分で結ぶ、１０本の線分からなる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＡの前記１０本の線分を含む内部に与えられる（２π・Ｈ／λＭ）とｄｍを満たす構造で励起される表面弾性波の１次モードの５倍高調波を利用することで、電極線幅０．５μｍ以上で１０ＧＨｚ付近の周波数特性で動作することを特徴とする。この表面弾性波素子は電気機械結合係数０．５％以上の高効率を有する。しかし、この範囲の外においては電気機械結合係数Ｋ２＜０．５％であった。
【００２２】
図８はＩＩ型の構造について、ダイヤモンド層或いは基板上に形成したダイヤモンド層からなる誘電体薄膜の上に表面弾性波を励起させる櫛形電極を配置し、その上にＺｎＯ層を積層してなる表面弾性波素子において、ＺｎＯ層の厚みをＨ、表面弾性波の高調波の波長をλＭ、電極線幅ｄｍとしたとき横軸に（２π・Ｈ／λＭ）、縦軸にｄｍを与える２次元直交座標グラフにおける、座標
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．２、ｄｍ＝０．７７５）で与えられる点Ａと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝２．０、ｄｍ＝０．６５１）で与えられる点Ｂと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝３．０、ｄｍ＝０．５４３）で与えられる点Ｃと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝３．４、ｄｍ＝０．５００）で与えられる点Ｄと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．８、ｄｍ＝０．５００）で与えられる点Ｅと、
点Ａとを順に線分で結ぶ、５本の線分からなる領域ＡＢＣＤＥＡの前記５本の線分を含む内部に与えられる（２π・Ｈ／λＭ）とｄｍを満たす構造で励起される表面弾性波の０次モードの５倍高調波を利用することで、電極線幅０．５μｍ以上で１０ＧＨｚ付近の周波数特性で動作することを特徴とする。この表面弾性波素子は電気機械結合係数０．５％以上の高効率を有する。しかし、この範囲の外においては電気機械結合係数Ｋ２＜０．５％であった。
【００２３】
図９はＩＩ型の構造についてダイヤモンド層或いは基板上に形成したダイヤモンド層からなる誘電体薄膜の上に表面弾性波を励起させる櫛形電極を配置し、その上にＺｎＯ層を積層してなる表面弾性波素子において、ＺｎＯ層の厚みをＨ、表面弾性波の高調波の波長をλＭ、電極線幅ｄｍとしたとき横軸に（２π・Ｈ／λＭ）、縦軸にｄｍを与える２次元直交座標グラフにおいて、座標
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．８、ｄｍ＝１．１３）で与えられる点Ａと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝１．０１）で与えられる点Ｂと、
（（２π−Ｈ／λＭ）＝１．２、ｄｍ＝１．０２）で与えられる点Ｃと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．４、ｄｍ＝０．７７５）で与えられる点Ｄと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．２、ｄｍ＝０．６８）で与えられる点Ｅと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝０．７９２）で与えられる点Ｆと、
点Ａとを順に線分で結ぶ、６本の線分からなる領域ＡＢＣＤＥＦＡの前記６本の線分を含む内部に与えられる（２π・Ｈ／λＭ）とｄｍを満たす構造で励起される表面弾性波の１次モードの５倍高調波を利用することで、電極線幅０．５μｍ以上で１０ＧＨｚ付近の周波数特性で動作することを特徴とする。この表面弾性波素子は電気機械結合係数０．５％以上の高効率を有する。しかし、この範囲の外においては電気機械結合係数Ｋ２＜０．５％であった。
【００２４】
図１０はＩＩＩ型の構造についてダイヤモンド層或いは基板上に形成したダイヤモンド層からなる誘電体薄膜の上に表面弾性波を励起させる櫛形電極を配置し、その上にＺｎＯ層を積層し、その上に短絡用電極を積層してなる表面弾性波素子において、ＺｎＯ層の厚みをＨ、表面弾性波の高調波の波長を、電極線幅ｄｍとしたとき横軸に（２π・Ｈ／λＭ）、縦軸にｄｍを与える２次元直交座標グラフにおいて、座標
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．８、ｄｍ＝０．９００）で与えられる点Ａと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝０．９１０）で与えられる点Ｂと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．５、ｄｍ＝０．８５３）で与えられる点Ｃと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝２．０、ｄｍ＝０．６８２）で与えられる点Ｄと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝２．５、ｄｍ＝０．５８９）で与えられる点Ｅと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝３．０、ｄｍ＝０．５２７）で与えられる点Ｆと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝３．２、ｄｍ＝０．５００）で与えられる点Ｇと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．６、ｄｍ＝０．５００）で与えられる点Ｈと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．５、ｄｍ＝０．５２３）で与えられる点Ｉと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝０．７１５）で与えられる点Ｊと、
点Ａとを順に線分で結ぶ、１０本の線分からなる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＡの前記１０本の線分を含む内部に与えられる（２π・Ｈ／λＭ）とｄｍを満たす構造で励起される表面弾性波の０次モードの５倍高調波を利用することで、電極線幅０．５μｍ以上で１０ＧＨｚ付近の周波数特性で動作することを特徴とする。この表面弾性波素子は電気機械結合係数０．５％以上の高効率を有する。しかし、この範囲の外においては電気機械結合係数Ｋ２＜０．５％であった。
【００２５】
図１１はＩＩＩ型の構造についてダイヤモンド層或いは基板上に形成したダイヤモンド層からなる誘電体薄膜の上に表面弾性波を励起させる櫛形電極を配置し、その上にＺｎＯ層を積層し、その上に短絡用電極を積層してなる表面弾性波素子において、ＺｎＯ層の厚みをＨ、表面弾性波の高調波の波長をλＭ、電極線幅ｄｍとしたとき横軸に（２π・Ｈ／λＭ）、縦軸にｄｍを与える２次元直交座標グラフにおいて、座標
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．５、ｄｍ＝１．６０）で与えられる点Ａと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝１．１５）で与えられる点Ｂと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．４、ｄｍ＝０．６７５）で与えられる点Ｃと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝０．７０３）で与えられる点Ｄと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．５、ｄｍ＝１．１６）で与えられる点Ｅと、
点Ａとを順に線分で結ぶ、５本の線分からなる領域ＡＢＣＤＥＡの前記５本の線分を含む内部に与えられる（２π・Ｈ／λＭ）とｄｍを満たす構造で励起される表面弾性波の１次モードの５倍高調波を利用することで、電極線幅０．５μｍ以上で１０ＧＨｚ付近の周波数特性で動作することを特徴とする。この表面弾性波素子は電気機械結合係数０．５％以上の高効率を有する。しかし、この範囲の外においては電気機械結合係数Ｋ２＜０．５％であった。
【００２６】
図１２はＩＶ型の構造についてダイヤモンド層或いは基板上に形成したダイヤモンド層からなる誘電体薄膜の上に短絡電極を積層し、その上にＺｎＯ層を積層し、その上に表面弾性波を励起させる櫛形電極を配置してなる表面弾性波素子において、ＺｎＯ層の厚みをＨ、表面弾性波の高調波の波長をλＭ、電極線幅ｄｍとしたとき横軸に（２π・Ｈ／λＭ）、縦軸にｄｍを与える２次元直交座標グラフにおいて、座標
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝０．８１３）で与えられる点Ａと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．５、ｄｍ＝０．７７０）で与えられる点Ｂと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．７、ｄｍ＝０．６１３）で与えられる点Ｃと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．５、ｄｍ＝０．５８１）で与えられる点Ｄと、
点Ａとを順に線分で結ぶ、４本の線分からなる領域ＡＢＣＤＡの前記４本の線分を含む内部に与えられる（２π・Ｈ／λＭ）とｄｍを満たす構造で励起される表面弾性波の０次モードの５倍高調波を利用することで、電極線幅０．５μｍ以上で１０ＧＨｚ付近の周波数特性で動作することを特徴とする。この表面弾性波素子は電気機械結合係数０．５％以上の高効率を有する。しかし、この範囲の外においては電気機械結合係数Ｋ２＜０．５％であった。
【００２７】
図１３はＩＶ型の構造についてダイヤモンド層或いは基板上に形成したダイヤモンド層からなる誘電体薄膜の上に短絡電極を積層し、その上にＺｎＯ層を積層し、その上に表面弾性波を励起させる櫛形電極を配置してなる表面弾性波素子において、ＺｎＯ層の厚みをＨ、表面弾性波の高調波の波長をλＭ、電極線幅ｄｍとしたとき横軸に（２π・Ｈ／λＭ）、縦軸にｄｍを与える２次元直交座標グラフにおいて、座標
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝１．０１）で与えられる点Ａと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝２．０、ｄｍ＝０．７９８）で与えられる点Ｂと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝３．０、ｄｍ＝０．７８３）で与えられる点Ｃと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝４．０、ｄｍ＝０．７２５）で与えられる点Ｄと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝５．０、ｄｍ＝０．６１９）で与えられる点Ｅと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝５．２、ｄｍ＝０．５４０）で与えられる点Ｆと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝５．０、ｄｍ＝０．５０６）で与えられる点Ｇと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝４．０、ｄｍ＝０．５２５）で与えられる点Ｈと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝３．０、ｄｍ＝０．５６７）で与えられる点Ｉと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝２．０、ｄｍ＝０．６５３）で与えられる点Ｊと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝１．０、ｄｍ＝０．７９２）で与えられる点Ｋと、
点Ａとを順に線分で結ぶ、１１本の線分からなる領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫＡの前記１１本の線分を含む内部に与えられる（２π・Ｈ／λＭ）とｄｍを満たす構造で励起される表面弾性波の１次モードの５倍高調波を利用することで、電極線幅０．５μｍ以上で１０ＧＨｚ付近の周波数特性で動作することを特徴とする。この表面弾性波素子は電気機械結合係数０．５％以上の高効率を有する。しかし、この範囲の外においては電気機械結合係数Ｋ２＜０．５％であった。
【００２８】
図１６は、ＩＩＩ型の構造についてＺｎＯの厚み（２π・Ｈ／λＭ）を０．５としたとき、一次モード３倍高調波における電気機械結合係数Ｋ２の電極線幅を変化させた場合の測定結果を示すグラフである。電極線幅が０．６６μｍ以下または０．９９μｍ以上の場合にＫ２は０．５％以上となる。
【００２９】
図１４はＩＩＩ型の構造についてダイヤモンド層或いは基板上に形成したダイヤモンド層からなる誘電体薄膜の上に表面弾性波を励起させる櫛形電極を配置し、その上にＺｎＯ層を積層し、その上に短絡用電極を積層してなる表面弾性波素子において、ＺｎＯ層の厚みをＨ、表面弾性波の高調波の波長をλＭ、電極線幅ｄｍとしたとき横軸に（２π・Ｈ／λＭ）、縦軸にｄｍを与える２次元直交座標グラフにおいて、座標
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．５０、ｄｍ＝０．５０）で与えられる点Ａと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．５０、ｄｍ＝０．６６）で与えられる点Ｂと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．８０、ｄｍ＝０．５４）で与えられる点Ｃと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．９０、ｄｍ＝０．５０）で与えられる点Ｄと、
点Ａとを順に線分で結ぶ、４本の線分からなる領域ＡＢＣＤＡの前記４本の線分を含む内部及び、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．５０、ｄｍ＝０．９９）で与えられる点Ｅと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．５０、ｄｍ＝１．１６）で与えられる点Ｆと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．９０、ｄｍ＝０．７５）で与えられる点Ｇと、
（（２π・Ｈ／λＭ）＝０．８０、ｄｍ＝０．８１）で与えられる点Ｈと、
点Ｅとを順に線分で結ぶ、４本の線分からなる領域ＥＦＧＨＥの前記４本の線分を含む内部に与えられる（２π・Ｈ／λＭ）とｄｍを満たす構造で励起される表面弾性波の１次モードの３倍高調波を利用することで、電極線幅０．５μｍ以上で１０ＧＨｚ付近の周波数特性で動作することを特徴とする。この表面弾性波素子は電気機械結合係数０．５％以上の高効率を有する。しかし、この範囲の外においては電気機械結合係数Ｋ２＜０．５％であった。
【発明の実施の形態】
【００３０】
本発明では、天然型ダイヤモンドと合成ダイヤモンドのいずれも使用可能である。また、単結晶ダイヤモンドでも多結晶ダイヤモンドでもアモルファスダイヤモンドでもよい。また、ダイヤモンド単体でもよいし、他の基材上に形成された薄膜でも良い。
【００３１】
ダイヤモンド層は基板の一部であっても良いし、基板の全部であっても良い。ダイヤモンド層はその全部が絶縁性であっても良いが、その一部または全部が半導電性であってもよい。また、ダイヤモンドを成膜するための基板としては、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｗ等の無機材料、金属あるいはガラス、セラミックス、酸化物、窒化物等のいずれであってもよい。いずれの基材でも最適な（２π・Ｈ／λＭ）は同じである。しかしながらダイヤモンドの膜厚が非常に薄く、表面弾性波の波長より非常に小さい場合、特に、（２π・ＨＤ／λＭ）＜０．５の場合には基材の影響が現れて波の伝搬速度が低下する。したがって（２π・ＨＤ／λＭ）≧０．５であることが望ましく、（２π・ＨＤ）／λＭ）≧４．０がさらに好適である。
【００３２】
ダイヤモンド薄膜の形成方法はＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、ＰＶＤ法、熱フィラメント法等、公知の方法で行うことができる。反応室内部のガスをプラズマ化するための方法としては、高周波、低周波によるグロー放電法、アーク放電法等の各種放電法等を用いることができる。ダイヤモンドを形成する方法としては、水素原子を含む化合物を用いて成膜できる。またハロゲン原子を供給し得るガスと水素原子を含む化合物を用いて成膜できる。ハロゲン原子を供給し得るガスとは、ハロゲン分子は勿論、ハロゲン化有機化合物、ハロゲン化無機化合物等のハロゲン原子を分子内に含む化合物をすべて含有する。たとえば、フッ化メタン、フッ化エタン、トリフッ化メタン、フッ化エチレン等のパラフィン系、オレフィン系、脂環式、芳香族等の有機化合物、ハロゲン化シランのような無機化合物等である。ハロゲンガスを成膜室内に導入することにより基板温度を下げることができ、２００℃〜９００℃でダイヤモンドが成膜できる。
ハロゲンがスは水素元素との結合力が大きく原子半径の小さい方が好ましい。特に低圧で安定な膜を形成するためには、フッ化化合物が好ましい。また水素原子を含む化合物としては、たとえばメタン、エタン、プロパン等の脂肪族炭化水素、ベンゼン、ナフタレン等の芳香族炭化水素の他エチレン、プロピレン、ビドラジン等のヘテロ原子を有する有機化合物等である。
【００３３】
ダイヤモンドの高純度のものは誘電率の低い絶縁体である。しかし、Ｂ、Ａｌ、Ｐ、Ｓ等の不純物を導入したり、イオン注入や電子線照射により格子欠陥を導入すると、半導電性ダイヤモンドを形成できる。Ｂを含む半導電性のダイヤモンド単結晶は天然にも稀に産出し、超高圧法により人工的に産出することも可能である。ダイヤモンド層あるいは基板状に成膜したダイヤモンド薄膜は絶縁体であることが好ましく、抵抗率は１０７Ω・ｃｍ以上、好ましくは１０９Ωｃｍ以上が必要である。またダイヤモンド層あるいは成膜したダイヤモンド薄膜の表面は、表面弾性波の散乱やその他の損失を軽減するため、平坦であることが好ましく、必要に応じて表面を研磨する必要がある。またエピタキシャル法による単結晶ダイヤモンド薄膜を使用することもできる。
【００３４】
ＺｎＯ薄膜はスパッタ法やＣＶＤ法の気相合成法を用いることによって、大きな圧電性を有するＣ軸配向性の優れたものを成長することができる。Ｃ軸配向性がσ値で３°以下であり、抵抗率１０５Ωｃｍ以上であることが好ましい。ＺｎＯは、ｃ軸配向性ＺｎＯであることがのぞましい。ここに、ｃ軸配向であるとは、ＺｎＯ膜の（００１）面が基板と平行であるように形成されることをいう。形成されたＺｎＯ膜がｃ軸配向であれば、ＺｎＯの本来有する圧電性を充分に利用した表面弾性波素子を実現することが可能になる。
【００３５】
電極、及び短絡用電極材料としてはエッチングによる電極作製が可能で、抵抗率が小さい金属であり、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、等の低温で蒸着可能な金属、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ等の高温で成膜される金属、またＴｉの上にＡｌを蒸着したような２種以上の金属を用いることも可能である。特に、電極作製の容易さよりＡｌ、Ｔｉを用いることが好ましい。櫛形電極の作製方法は電極用金属成膜後、レジストを電極用金属表面に均一に塗布し、ガラス等の透明平板に櫛形電極パターンを有するマスクをのせ、水銀ランプ等を用いて露光、あるいは電子ビームにより電極を直接形成することも可能である。その後、現像してレジストによる櫛形電極を形成する。
【００３６】
電極、及び短絡用電極の厚さとしては、１０〜５００ｎｍ程度の厚さであることが好ましい。１０ｎｍ未満では抵抗率が高くなり損失が増加する。一方、５００ｎｍを越えると、表面弾性波の反射を引き起こす質量付加効果が著しくなる。特に１０〜３０ｎｍが最も好ましい。
【００３７】
電極のエッチング方法は、たとえば、Ａｌ等の低融点金属としては水酸化ナトリウム溶液等のアルカリ性溶液、硝酸等の酸性溶液によるウエットエッチング法でエッチング可能である。高融点金属もフッ酸と硝酸の混合溶液を用いてエッチング可能である。また、ＢＣｌ３等のガスを用いて、反応性イオンエッチング法により電極を作製することも可能である。
【００３８】
電極のエッチングの際に用いる薬品あるいはガスによりＺｎＯ表面を劣化させることがあり、その対策としてＺｎＯと櫛形電極の間に薄い絶縁体、あるいは誘電体を挿入することも可能である。この場合、薄膜の影響がない様薄膜の厚みを５０ｎｍ以下にする必要がある。
[実施例]
図１から図４に示した４種類の表面弾性波フィルタをＺｎＯ膜及びダイヤモンド膜の膜厚を変化させて作製した。そのフィルター特性を測定し、その動作周波数ｆより表面弾性波の位相速度Ｖ＝ｆ・λＭを求め、櫛形電極の放射インピーダンスの測定より、電気機械結合係数Ｋ２を求めた。測定周波数は１０ＧＨｚである。
【００３９】
１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３ｍｍのＳｉ基板状にマイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いてダイヤモンドを５０μｍ成膜した後、ダイヤモンド表面をダイヤモンドコート研磨機を用いて種々の膜厚１〜３０μｍまで研磨した。多結晶ダイヤモンドの原料にはＣＨ４をＨ２で１００倍に希釈したガスを用いた。単結晶ダイヤモンドは超高圧合成法による人工Ｉｂ型ダイヤモンドの（１００）面を研磨したものである。これらの膜はいずれも１０９Ωｃｍ以上の抵抗率を有していた。
【００４０】
研磨したダイヤモンド表面に圧電体、電極、あるいは短絡電極を形成した。圧電体としてはＺｎＯの薄膜を形成した。ＺｎＯ薄膜はＺｎＯ多結晶をＡｒと酸素の混合ガスでスパッタする方法で得た。スパッタの条件は基板温度４００℃、ＲＦパワー１６０Ｗ、圧力２．７Ｐａである。スパッタの時間を変えることでＺｎＯの膜厚を変化させることができ、ＺｎＯの膜厚を（２π・Ｈ／λＭ）＝０．２〜１０のものを作成した。
【００４１】
電極、及び短絡用電極はＡｌを抵抗加熱法により５０ｎｍ蒸着し、電極はフォトリソグラフィー法を用いて電極線幅が０．５μｍ以上のものを作製した。電極の作製はウェットエッチング法を用いた。
【００４２】
本発明によれば、３倍高調波及び５倍高調波を利用することで、電気機械結合係数が大きい表面弾性波素子が量産可能な電極線幅で得られるので、１０ＧＨｚ帯の高周波領域で動作する表面弾性波素子を容易に提供することが出来る。表面弾性波素子の用途としては帯域通過フィルター、共振器、発振器、コンボルバー等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明のＩ型の表面弾性波素子の例を示す断面図である。
【図２】  図２は、本発明のＩＩ型の表面弾性波素子の例を示す断面図である。
【図３】  図３は、本発明のＩＩＩ型の表面弾性波素子の例を示す断面図である。
【図４】  図４は、本発明のＩＶ型の表面弾性波素子の例を示す断面図である。
【図５】  図５は、本発明の実施例においてダイヤモンド層の厚みを（２π・ＨＤ／λＭ）＝４．０としたとき、ＺｎＯの厚みと表面弾性波の位相速度Ｖの関係の測定結果を示すグラフである。
四角は０次モード、菱形は１次モード、丸は２次モード、三角は３次モード、である。
【図６】  図６は、本発明の実施例によるＩ型の表面弾性波素子において、１次モードの５倍高調波における電気機械結合係数Ｋ２の電極線幅依存性を示すグラフである。
【図７】  図７は、本発明の実施例によるＩ型の表面弾性波素子において、１次モードの５倍波を利用した場合の（２π・Ｈ／λＭ）を横軸、ｄｍを縦軸とするグラフで、領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪを示す。
【図８】  図８は、本発明の実施例によるＩＩ型の表面弾性波素子において、０次モードの５倍波を利用した場合の（２π・Ｈ／λＭ）を横軸、ｄｍを縦軸とするグラフで、領域ＡＢＣＤＥを示す。
【図９】  図９は、本発明の実施例によるＩＩ型の表面弾性波素子において、１次モードの５倍波を利用した場合の（２π・Ｈ／λＭ）を横軸、ｄｍを縦軸とするグラフで、領域ＡＢＣＤＥＦを示す。
【図１０】  図１０は、本発明の実施例によるＩＩＩ型の表面弾性波素子において、０次モードの５倍波を利用した場合の（２π・Ｈ／λＭ）を横軸、ｄｍを縦軸とするグラフで、領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪを示す。
【図１１】  図１１は、本発明の実施例によるＩＩＩ型の表面弾性波素子において、１次モードの５倍波を利用した場合の（２π・Ｈ／λＭ）を横軸、ｄｍを縦軸とするグラフで、領域ＡＢＣＤＥを示す。
【図１２】  図１２は、本発明の実施例によるＩＶ型の表面弾性波素子において、０次モードの５倍波を利用した場合の（２π・Ｈ／λＭ）を横軸、ｄｍを縦軸とするグラフで、領域ＡＢＣＤを示す。
【図１３】  図１３は、本発明の実施例によるＩＶ型の表面弾性波素子において、１次モードの５倍波を利用した場合の（２π・Ｈ／λＭ）を横軸、ｄｍを縦軸とするグラフで、領域ＡＢＣＤＥＦＧＨＩＪＫを示す。
【図１４】  図１４は、本発明の実施例によるＩＩＩ型の表面弾性波素子において、１次モードの３倍波を利用した場合の（２π・Ｈ／λＭ）を横軸、ｄｍを縦軸とするグラフで、領域ＡＢＣＤ及び領域ＥＦＧＨを示す。
【図１５】  図１５は、本発明の実施例に用いた櫛形電極の平面図である。
【図１６】  図１６、は本発明の実施例によるＩＩＩ型の表面弾性波素子において、１次モードの３倍高調波における電気機械結合係数Ｋ２の電極線幅依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４３】
１は基板、２はダイヤモンド層、３はＺｎＯ層、４は櫛形電極、５は短絡用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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