(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂材にてなり回路パターン形成面を熱プレス板に接触させて載置された第１基材と、上記回路パターン形成面に対向する上記第１基材の裏面に載置され加熱された電子部品とを相対的に押圧して、上記電子部品の電極と上記回路パターン形成面との間に上記第１基材の残余部分を存在させて上記第１基材内へ上記電子部品を埋設し、
上記回路パターン形成面側より露出用部材にて上記残余部分を押し退け上記電極を上記回路パターン形成面に露出させ、
上記電子部品の露出した電極と電気的に接続する回路パターンを、上記第１基材の回路パターン形成面に形成して上記電極と上記回路パターンとの電気的接続を図る、
ことを特徴とする電子部品実装済部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品実装済部品の製造方法を用いて電子部品実装済部品を製造した後、
上記電極と上記回路パターンとの上記電気的接続後、上記第１基材の厚み方向から第２基材及び第３基材にて上記第１基材のラミネート処理を行なうことを特徴とする電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の、電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたことを特徴とする電子部品実装済完成品。
【請求項４】
非接触ＩＣカードを構成するため、上記回路パターンは、無線にて情報の送受信を行なうアンテナコイル形状にてなる、請求項３記載の電子部品実装済完成品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣチップ等の電子部品を基材に実装して半導体部品実装済部品を製造する電子部品実装済部品の製造方法、該製造方法にて製造される電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部品実装済完成品製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品に関する。上記電子部品実装済部品の製造方法は、例えば非接触ＩＣカードを製造する場合のように、アルミニウム、Ｃｕ、Ｎｉ等にて形成された回路パターンにＡｇやＣｕ等の導電性ペーストやメッキ法により設けた接続パッドにＩＣチップを電気的に接続する場合にて使用される。
【０００２】
【従来の技術】
非接触ＩＣカードを例に取り、従来の電子部品実装済完成品の製造方法について、図１６〜図２５を参照しながら以下に説明する。
従来、コイルとＩＣチップとを内蔵し、該コイルを介して外部とのデータの授与を行なう非接触ＩＣカードを製造する際において、上記コイルの形成方法としては、銅にてなる巻線コイルを用いる方法や、銀ペースト等の導体ペーストを印刷して形成する方法や、銅箔等の金属箔をエッチングしてコイルを形成する方法等が用いられており、なかでも上記導体ペーストを印刷して回路パターン及びコイルを形成する方法が盛んになっている。
【０００３】
図１６〜図２５は従来の非接触ＩＣカード及びその製造方法を示す。
図１６に示すように、従来の非接触ＩＣカードは、第１基材１ａに導電性ペーストにてコイルパターン２が形成され、このコイルパターン２の外周端３ａに設けた接続パッド６、及びコイルパターン２の内周端３ｂに設けた接続パッド６のそれぞれがＩＣチップ４の電極部と電気的に接続される構成となっている。
その製造工程は、図１７に示すように、まずステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１では、第１基材１ａの表面に導電性ペーストにてコイルパターン２を含む回路パターンを印刷する。上記導電性ペーストとしては、銀ペーストが好適に使用される。上記導電性ペーストの印刷は、スクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行われ、例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを第１基材１ａに印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターンを形成する。上記第１基材１ａ及び後述の第２基材２ｂには、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等からなる厚さ０．１〜０．５ｍｍ程度の熱可塑性樹脂が用いられる。
【０００４】
ステップ２では、上記印刷方法により第１基材１ａ上に形成した上記導電性ペーストにてなる上記回路パターンを１２０℃の温度で１０分間加熱して上記導電性ペーストを硬化させる。ステップ３では、図１８に示すように、上記回路パターンにおける上記外周端３ａや内周端３ｂに設けられた接続パッド６に異方導電性シート９を貼り付ける。該異方導電性シートとは、金属粒子を含有する樹脂シートであり、加熱、加圧されることで上記金属粒子と上記接続パッド６とを電気的に接続する。ステップ４では、異方導電性シート９を１００℃で５秒加熱して、接続パッド６に仮圧着する。ステップ５では、仮圧着した異方導電性シート９に半導体素子４やコンデンサ等の部品をマウントする。半導体素子の実装面には、図１９に示すように半導体素子４上の電極パッド７にバンプ１０が形成されており、図２０に示すようにバンブ１０と接続パッド６とが異方導電性シート９を介して電気的に接続される。尚、バンブ１０は、ワイヤボンディング法やメッキ法、具体的には半田、金、銀、銅等を用いたメッキ法により、半導体素子４の電極パッド７上に形成される。
【０００５】
ステップ６では、２００℃の温度で３０秒間加熱して、図２１に示すように異方導電性シートを硬化して、半導体素子４を本圧着する。尚、第１基材１ａにガラスエポキシ基板やセラミック基板を用いた一般的な半導体実装においては、このステップ６までで半導体素子の実装は完了する。
そして、ステップ７では、第１機材１ａに第２基材１ｂを貼り合わせてラミネート処理することにより、図２２に示すように、接続パッド６とバンプ１０とが異方導電性ペースト９を介して電気的に接続されたＩＣカードが得られる。図２２にて、５はコイルパターン２に並列接続されるコンデンサを示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の半導体部品実装済完成品製造方法、及び該製造方法にて製造される、半導体部品実装済完成品としての非接触ＩＣカードの構成では、以下の問題があった。
上記第１基材１ａや第２基材１ｂには、一般的にポリエチレンテレフタレートや塩化ビニル等の安価な熱可塑性樹脂が使用されている。一方、従来の製造工程では、上記ステップ６において異方導電性シート９を介して半導体素子４を本圧着する際の温度が２００℃以上と高温である為、耐熱性に劣る第１基材１ａや第２基材１ｂが劣化し易いという問題がある。
又、異方導電性シート９を用いて半導体素子４等の部品を第１基材１ａに固定する為、異方導電性シート９の第１基材１ａへの仮圧着及び本加圧工程が必要となる。よって、工程数が多くなり生産性が悪くコスト高になるという問題がある。さらに又、異方導電性シート９の代わりに異方導電性粒子を用いた場合も同様である。
【０００７】
さらに又、上記ステップ７においてラミネート処理する際に、半導体素子４が加熱、加圧される為、図２３に示すように、半導体素子４が第１基材１ａに沈み込み、導体ペーストによる回路パターン６が湾曲した形に変形してしまう。その結果、回路パターン断線の可能性が高く、動作不良の不具合が発生する。
又、図２４に示すように上記ステップ７においてラミネート処理する際に、実装されている半導体素子４及び電子部品５と第１基材１ａの表面に段差ｈが生じている為に、第２基材１ｂがその段差ｈになじまず、図２５に示すように、半導体素子４及び電子部品５周辺に気体例えば空気１７０が残り、外観上膨れや凹み等不良が生じる。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたもので、高品質、高生産性で安価な、半導体部品実装済部品を製造する電子部品実装済部品の製造方法、該製造方法にて製造される電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部品実装済完成品製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は以下のように構成する。
本発明の第１態様における、電子部品実装済部品の製造方法は、熱可塑性樹脂材にてなり回路パターン形成面を熱プレス板に接触させて載置された第１基材と、上記回路パターン形成面に対向する上記第１基材の裏面に載置され加熱された電子部品とを相対的に押圧して、上記電子部品の電極と上記回路パターン形成面との間に上記第１基材の残余部分を存在させて上記第１基材内へ上記電子部品を埋設し、
上記回路パターン形成面側より露出用部材にて上記残余部分を押し退け上記電極を上記回路パターン形成面に露出させ、
上記電子部品の露出した電極と電気的に接続する回路パターンを、上記第１基材の回路パターン形成面に形成して上記電極と上記回路パターンとの電気的接続を図る、
ことを特徴とする。
【００１２】
本発明の第２態様における、電子部品実装済完成品の製造方法は、上記第１態様における電子部品実装済部品の製造方法を用いて電子部品実装済部品を製造した後、
上記電極と上記回路パターンとの上記電気的接続後、上記第１基材の厚み方向から第２基材及び第３基材にて上記第１基材のラミネート処理を行なうことを特徴とする。
【００１３】
又、本発明の第３態様における電子部品実装済完成品は、上記第２態様の、電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたことを特徴とする。
【００１４】
又、上記第３態様の電子部品実装済完成品において、非接触ＩＣカードを構成するため、上記回路パターンは、無線にて情報の送受信を行なうアンテナコイル形状にて形成することもできる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態である、電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済完成品の製造方法、及び電子部品実装済完成品について、図を参照しながら以下に説明する。ここで、上記電子部品実装済完成品の製造方法は、上記電子部品実装済部品の製造方法にて製造された電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品を製造する方法であり、及び上記電子部品実装済完成品は上記電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたものである。尚、各図において同じ構成部分については同じ符号を付している。
上記「電子部品実装済完成品」の機能を果たす一例として本実施形態では非接触ＩＣカードを例にとるが、勿論これに限定されるものではない。
【００１６】
第１実施形態；
図１は、本実施形態の電子部品実装済部品製造方法を用いて製造された電子部品実装済部品を示している。尚、上記電子部品実装済部品を電子部品内蔵コアモジュール部品と記す場合もある。又、図１では、該電子部品内蔵コアモジュール部品の一例として、非接触ＩＣカードを構成する電子部品内蔵コアモジュール部品１０１を示している。
上記非接触ＩＣカードにおける電子部品内蔵コアモジュール部品１０１において、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５は予め第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋め込まれ、該第１熱可塑性樹脂基材１２２の、回路形成面に相当する回路パターン形成面１２３に露出したバンプ１１３及びコンデンサ部品１０５の電極露出面１１５にコイルパターン１０２を含む回路パターン１１８を形成する。回路パターン１１８及び電極露出面１１５は異方導電性ペースト等を介さずに直接に回路パターン１１８と導通を得る点、並びに半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５と、パターン形成面１２３との間には第１熱可塑性樹脂基材１２２が介在している点で従来例とは異なる。
【００１７】
図２は、本実施形態の電子部品実装済部品の製造方法を用いて作製された電子部品実装済部品を備えた電子部品実装済完成品の一例としての非接触ＩＣカード１００を示している。ここで、１２４、１２５は、半導体素子１０４、コンデンサ部品１０５、及び回路パターン１１８を有する上記電子部品内蔵コアモジュール部品１０１を保護する為にラミネート処理を行なうためのシート状の部材であり、第２基材及び第３基材の機能を果たす一例である第２熱可塑性樹脂基材及び第３熱可塑性樹脂基材である。
以下に、上記電子部品実装済部品１０１の製造方法を含めて上記非接触ＩＣカード１００の製造方法について、図を参照して説明する。
【００１８】
図１０に示すステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１０１において、図３に示すように、電子部品の一例に相当する半導体素子１０４の電極１１７上に、ＡｕやＣｕ、半田等にてなる金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法により、バンプ１１３を形成する。尚、バンプ１１３の形成方法は、ワイヤボンディング法による形成に限定されるものではなく、めっき法による形成でも良い。又、図３に示す１１２は、半導体素子１０４のアクティブ面を保護するためのパッシベーション膜である。
次のステップ１０２において、バンブ１１３を形成した半導体素子１０４、及び図４に示すように、外部電極５０を有し電子部品の他の例としてのコンデンサ部品１０５を、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂で形成されたシート状の、第１基材の機能を果たす一例である第１熱可塑性樹脂基材１２２上にマウントする。半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５は、それぞれ複数個マウントする場合もあり、又、コンデンサ部品１０５は搭載せずに一つ若しくは複数の半導体素子１０４のみをマウントする場合もある。
【００１９】
ここで、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１は、本実施形態の場合、後述するようにバンプ１１３を第１熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３から露出させる必要から、基本的に半導体素子１０４の厚み以上で、半導体素子１０４の厚みとバンプ１１３の高さとを合わせた厚み以下にすることが望ましい。例えば、半導体素子１０４の厚みが０．１８ｍｍ、バンプ１１３の高さが０．０４ｍｍの場合、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みは０．２０ｍｍが好ましい。又、回路パターン形成面１２３から上記外部電極５０を露出させる必要から、コンデンサ部品１０５は、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みに対して５０μｍ程度厚い厚みのものを用いることが好適である。少なくとも、厚みが第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１以下になること避ける必要がある。
【００２０】
次のステップ１０３では、図６に示すように、バンプ１１３付の半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を載置した第１熱可塑性樹脂基材１２２を熱プレス板１７１、１７２間に狭み、熱プレス板１７１、１７２にて、バンプ１１３付の半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５、並びに第１熱可塑性樹脂基材１２２を加熱しながらこれらを相対的に押圧して、図７に示すように半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材１２２内に埋設する。尚、図６において、１７３、１７４は、上記押圧動作のために熱プレス板１７１、１７２を移動させる各移動装置であり、１７５、１７６は、熱プレス板１７１、１７２をそれぞれ加熱するための加熱装置である。
該熱プレス動作の条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材を用いた場合、一例として、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１６０℃、プレス時間１分である。尚、上記温度、圧力値は、第１熱可塑性樹脂基材１２２の材質により異ならせる。
又、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５に対する押圧動作は、それぞれ別々の熱プレス板を用いて個別に実施しても良い。
【００２１】
本実施形態では、バンプ１１３及び電極５０がそれぞれ熱プレス板１７１に接触した面である、バンブ１１３の端面１１５、及びコンデンサ部品１０５の電極５０の端面５１が熱プレス板１７１に達するまで押圧することから、図７に示すように上記プレス動作により、上記端面１１５及び端面５１は、それぞれ第１熱可塑性樹脂基材１２２における上記熱プレス板１７１との接触面である上記回路パターン形成面１２３に露出することになる。
【００２２】
このとき、本実施形態では薄型化を図るため、半導体素子１０４の上記アクティブ面に対向する裏面１０４ａ及びコンデンサ部品１０５の片面側１０５ａと、上記パターン形成面１２３に対向する第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａとは、図示するように同一面となるようにしているが、これに限定されるものではない。つまり、製造する半導体部品実装済部品によっては、上述した第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１や、熱プレス板１７１、１７２の押圧力等の調整により、例えば、第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａより半導体素子１０４の裏面１０４ａ及びコンデンサ部品１０５の端面１０５ａを突出させても良い。
【００２３】
次のステップ１０５では、第１熱可塑性樹脂基材１２２における回路パターン形成面１２３に露出している、バンブ１１３の端面１１５、及びコンデンサ部品１０５の電極５０の端面５１と電気的接続を図るため、端面１１５、５１に接触するようにして、Ａｇ、Ｃｕ等の導電性ペーストを用いて回路パターン１１８をパターン形成面１２３上に形成する。尚、回路パターン１１８には、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５と電気的に接続されるコイルパターン１０２を含む。該導電性ペーストによる回路パターン１１８の形成は、一般的にスクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行う。例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターン１１８を形成する。
【００２４】
尚、回路パターン１１８の形成は、導電性ペーストの印刷による形成に限定されるものではなく、Ｃｕ、Ｎｉ、アルミニウム等の金属メッキにより形成しても良い。
又、形成される回路パターン１１８は、本実施形態では、半導体素子１０４と無線にて情報の送受信を行なう為のアンテナコイルの形状である。勿論、上記回路パターン１１８は、上記アンテナコイル形状に限定されるものではなく、製造物としての電子部品実装済部品の機能に応じた形態に形成される。
このようにして、回路パターン１１８への半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５の実装を行ない図１に示す電子部品内蔵コアモジュール部品１０１が形成される。さらに以下の工程を実行することで、即ち電子部品実装済完成品の製造方法を実行することで、電子部品実装済完成品、本実施形態では非接触ＩＣカード１００が作製される。
【００２５】
次のステップ１０６では、図８に示すように、上記電子部品内蔵コアモジュール部品１０１をその厚み方向からポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等電気的絶縁性を有するシート状の第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５にてサンドイッチして、ラミネート処理し、電子部品内蔵コアモジュール部品１０１の封止を行なう。該ラミネート処理は、加熱された平面プレス板２０１、２０２により加熱、加圧して実施する。処理条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の熱可塑性樹脂基材を用いた場合、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１６０℃、昇圧時間１分、圧力保持時間１分である。尚、図８において、２０５、２０６は、上記押圧動作のために平面プレス板２０１、２０２を移動させる各移動装置であり、２０７、２０８は、平面プレス板２０１、２０２をそれぞれ加熱するための加熱装置である。
【００２６】
又、上記ラミネート処理は、図９に示すロールプレス方式により実施しても良い。図９において２０３、２０４は加熱されたローラーである。電子部品内蔵コアモジュール１０１をその厚み方向からサンドイッチする形でポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等電気的絶縁性を有するシート状の第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５をローラー２０３、２０４間に供給し、ラミネート処理していく。処理条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の熱可塑性樹脂基材１２４、１２５を用いた場合、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１４０℃、ラミネート速度０．１ｍ／分である。尚、図９において、２０９、２１０は、上記押圧動作のためにローラ２０３、２０４を回転させる各駆動装置であり、２１１、２１２は、ローラ２０３、２０４をそれぞれ加熱するための加熱装置である。
以上の工程を経て、図２に示すような、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５が実装されたモジュールとしての電子部品実装済部品や、本実施形態の場合のように電子部品実装済完成品としての機能を果たす一例に相当する非接触ＩＣカード１００が完成する。
【００２７】
このように本実施形態によれば、第１熱可塑性樹脂基材１２２に半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を予め埋め込んだ後に、カード化を実施する為、実装されている半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５と第１基材１２２の表面との間に段差が無い。その為、従来例における図２４及び図２５に示すように第２基材１ｂがその段差ｈになじまず、半導体素子４及び電子部品５周辺に気体１７０が残り、外観上膨れや凹み等不良が生じることは無い。
又、第１熱可塑性樹脂基材１２２に半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を予め埋め込んだ後、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５と電気的接続を図って回路パターン１１８を形成することから、従来例における図２３に示すようなカード化後における半導体素子４の基材１ａへの沈み込みは発生せず、回路パターン６が断線することは無く、高品質の電子部品実装済部品及び電子部品実装済宛成品を製造することが可能になる。
【００２８】
さらに、高価な異方導電性シートまたは異方導電性粒子等の接合材料を用いる必要が無い為、加熱押圧動作を要する異方導電性シート等の処理に要する工程は必要ない。よって耐熱性の低いシート基材を使用することができ、かつ第１基材１２２の劣化を招くこともない。よって、高品質、高生産性旦つ安価な電子部品実装済部品及び電子部品実装済完成品を提供することが可能になる。
尚、上述した図１〜図９は半導体素子１０４、コンデンサ部品１０５と回路パターン１１８の接続箇所のみを示したものであり、電子部品実装済完成品の全体を示すものではない。
【００２９】
第２実施形態；
上述の第１実施形態では、半導体素子１０４のバンプ１１３等が第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に露出可能な場合を例に採ったが、例えば第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みｔ１よりかなり厚みの薄い半導体素子１０４やコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋設する場合には、図１１に示すように、埋設工程のみでは半導体素子１０４のバンプ１１３上やコンデンサ部品１０５の電極５０上には未だ樹脂の残余部分３０１が存在し、上記パターン形成面１２３にバンプ１１３や電極５０を露出できないときもある。
当該第２実施形態は、このような場合に対応するものである。即ち、図１１に示すように、上記ステップ１０４の後でステップ１０５の前に、第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３側より、半導体素子１０４のバンプ１１３及びコンデンサ部品１０５の電極５０上を、加熱された露出用部材３００で押圧することで、図１２に示すようにバンブ１１３及び電極５０上の樹脂３０１を押しのけ、バンプ１１３及び電極５０をパターン形成面１２３に露出させる。
【００３０】
このように第２実施形態によれば、上記埋設工程のみではバンブ１１３及び電極５０をパターン形成面１２３に露出できない場合でも、上記露出用部材３００を用いた露出工程によりバンブ１１３及び電極５０をパターン形成面１２３に露出させることができる。よってその後、上記ステップ１０５、さらには上記ステップ１０６を実行することが可能となる。
さらに又、第２実施形態によれば図１３に示すように、電極１１７にバンブ１１３を形成していない半導体素子１０４１や、電極が突出していないフィルム状のコンデンサ部品であっても使用が可能となる。よって、種々の形態の電子部品が使用可能となり電子部品の選択範囲を拡大することができる。
上記露出用部材３００の押圧条件は、例えば、２００℃に加熱され、荷重９８０ｍＮである。
【００３１】
又、露出用部材３００による上記露出工程は、バンプ１１３や電極５０の上記パターン形成面１２３における露出面積をより拡大するために実行することもできる。即ち、図７に示すように、半導体素子１０４及びコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋設したとき、既にバンプ１１３や電極５０がパターン形成面１２３に露出している場合であっても上記露出工程を実行してもよい。該動作により、バンプ１１３や電極５０のパターン形成面１２３における露出面積をより拡大することができ、導電性ペーストとの接合強度が増し、接合信頼性を向上させることができる。
【００３２】
第３実施形態；
該第３実施形態では、上記ステップ１０５の終了後、ステップ１０６の実行前に、図１４に示すように、図１に示す電子部品内蔵コアモジュール部品１０１をその厚み方向から押圧用部材３０２、３０３にて加熱、加圧する。該加熱、加圧条件は、例えば、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１６０℃、昇圧時間１分、圧力保持時間１分である。
該押圧動作により、第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に形成されている上記回路パターン１１８は、第１熱可塑性樹脂基材１２２内に埋め込まれる。よって、図１４に示す、第１熱可塑性樹脂基材１２２の回路パターン形成面１２３と回路パターン１１８との、数μｍ〜数十μｍにてなる段差ｈ２が無くなり、図１５に示すようにパターン形成面１２３が平坦な電子部品内蔵コアモジュール部品１０６が作製される。
【００３３】
上記電子部品内蔵コアモジュール部品１０６によれば、該電子部品内蔵コアモジュール部品１０６を上記第２、第３の熱可塑性樹脂基材１２４、１２５で封止する際に、気体溜まり発生の原因となる段差がμｍレベルのオーダーで無くなるため、上記膨れ等の外観上の不良発生が無い。よって、高品質の電子部品実装済完成品を安定して供給することができる。
【００３４】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明の第１態様における電子部品実装済部品の製造方法によれば、第１基材に電子部品を埋め込み、該第１基材上に上記電子部品と電気的に接続する回路パターンを形成したことから、従来のように異方導電性部材を用いる必要がない。よって、上記異方導電性部材を本圧着するために必要であった、例えば２００℃以上の加熱動作が不要となる。したがって、上記異方導電性部材用の加熱動作は不要となり、かつ耐熱性に劣る上記第１基材について加熱が原因で劣化することはなく、かつ高価な異方導電性部材の使用を排除できるので、高品質、高生産で安価な半導体部品実装済部品の製造方法を提供することができる。
【００３５】
又、上記電子部品の埋設後、該電子部品の電極を露出させた後、上記回路パターンの形成を行なうことで、例えば第１基材の厚みよりかなり厚みの薄い電子部品を第１基材に埋設した場合であっても、埋設した電子部品と上記回路パターンとを電気的に接続することができる。よって、種々の形態の電子部品が使用可能となり電子部品の選択範囲を拡大することができる。
【００３６】
上記第１基材の回路形成面上に形成した上記回路パターンを当該第１基材内へ押し込み上記回路形成面を平坦化することができる。
【００３７】
本発明の第２態様における電子部品実装済完成品の製造方法、及び第３態様における半導体部品実装済完成品によれば、上記第１態様の製造方法にて製造された電子部品実装済部品を使用することから、高品質、高生産で安価な電子部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品を提供することができる。
【００３８】
又、電子部品を埋設することから、従来のような、第１基材と電子部品との段差は無くなる。よって、上記電子部品実装済部品を第２基材及び第３基材にてラミネート処理したとき、電子部品の周辺に気体が残り、半導体部品実装済完成品の外観上、膨れや凹み等の不良が生じることは無い。さらに、上述のように電子部品は第１基材内に埋設され、かつ上記第１基材上に回路パターンを形成したことから、ラミネート処理したとき、従来発生したような電子部品の基材への沈み込みは発生せず、回路パターンが断線することは無い。よって、高品質の電子部品実装済完成品を安定して供給することができる。
【００３９】
又、上記回路形成面の平坦化により、当該電子部品実装済部品をラミネート処理して電子部品実装済完成品を作製するとき、膨れ等の外観上の不良発生を無くすことができる。よって、高品質の電子部品実装済完成品を安定して供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態における電子部品内蔵コアモジュール部品の断面図である。
【図２】  本発明の実施形態における電子部品実装済完成品の断面図である。
【図３】  図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体素子を示す図である。
【図４】  図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品に含まれるコンデンサ部品を示す図である。
【図５】  図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、第１熱可塑性樹脂基材上に半導体素子及びコンデンサ部品を載置した状態を示す図である。
【図６】  図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体素子等を第１熱可塑性樹脂基材へ押し込む状態を示す図である。
【図７】  図１、図２に示す電子部品内蔵コアモジュール部品、及び電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、半導体素子等を第１熱可塑性樹脂基材内に埋設した状態を示す図である。
【図８】  図１に示す電子部品内蔵コアモジュール部品を備えた電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、電子部品内蔵コアモジュール部品を平面プレス板にてラミネート処理する状態を示す図である。
【図９】  図１に示す電子部品内蔵コアモジュール部品を備えた電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、電子部品内蔵コアモジュール部品をローラにてラミネート処理する状態を示す図である。
【図１０】  電子部品実装済完成品の製造過程を示すフローチャートである。
【図１１】  本発明の第２実施形態における電子部品内蔵コアモジュール部品の製造方法における露出工程を説明するための図である。
【図１２】  上記露出工程にてバンプ等が露出した状態における電子部品内蔵コアモジュール部品の断面図である。
【図１３】  上記露出工程が適用可能な電子部品の一例を説明するための図である。
【図１４】  本発明の第３実施形態における電子部品内蔵コアモジュール部品の製造方法を説明するための図である。
【図１５】  図１４に示す製造方法にて作製された電子部品内蔵コアモジュール部品の断面図である。
【図１６】  従来の非接触ＩＣカードの構造を示す斜視図である。
【図１７】  従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示すフローチャートである。
【図１８】  従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図１９】  従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２０】  従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２１】  従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２２】  従来の非接触IＣカードの構造を示す断面図である。
【図２３】  従来の非接触IＣカードの不具合状態を示す断面図である。
【図２４】  従来の非接触IＣカードの構造において基材と電子部品との段差を説明するための図である。
【図２５】  従来の非接触ＩＣカードの不具合状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１００…非接触ＩＣカード、１０１…電子部品内蔵コアモジュール部品、
１２２…第１熱可塑性樹脂基材、１０４…半導体素子、１０５…電子部品、
１１７…電極、１１８…回路パターン、１２３…パターン形成面、
１２４…第２熱可塑性樹脂基材、１２５…第３熱可塑性樹脂基材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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