(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板にそれぞれ形成された少なくともＮｉ膜又はＮｉ合金膜を有する電極同士がＳｎを主成分とする半田により接合されてなる半導体装置において、
前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間のギャップが１００μｍ以下であり、前記Ｎｉ膜又はＮｉ合金膜と前記半田との間に前記半田と接するようにＡｕ−Ｓｎ化合物膜が介在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間のギャップが４０μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記Ａｕ−Ｓｎ化合物膜は、前記半田中へのNiの拡散を抑制する膜厚を有し、又は半田接合への応力を分散する膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記Ｎｉ膜又はＮｉ合金膜と前記Ａｕ−Ｓｎ化合物膜の間にＳｎ−Ｎｉ化合物膜が介在していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
第１の基板上に少なくともＮｉ膜又はＮｉ合金膜と最上部のＡｕ膜とを有する多層の電極を形成する工程と、
第２の基板上に少なくともＮｉ膜又はＮｉ合金膜と最上部のＡｕ膜とを有する多層の電極を形成する工程と、
前記第１の基板又は前記第２の基板のうち少なくともいずれかの前記電極のＡｕ膜上にＳｎを主成分とする半田によりバンプを形成する工程と、
前記第１の基板又は前記第２の基板とを前記電極形成面が向かい合うように対向させ、前記電極と前記バンプ又は前記バンプ同士を相互に接触させる工程と、
前記バンプを加熱し、溶融させて、前記Ａｕを前記半田中に含ませるとともに、前記電極同士を前記半田により接合させる工程と、
さらに加熱して、前記Ｎｉ膜又はＮｉ合金膜と前記半田との間に前記半田と接するＡｕ−Ｓｎ化合物膜を形成する工程とを有し、
前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間のギャップが１００μｍ以下であり、前記バンプを溶融して前記電極同士を接合した後の該半田中のＡｕの含有量が０．１ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下になるように前記電極のＡｕ膜の膜厚が決められていることを特徴とする半田による接合方法。
【請求項６】
第１の基板上に少なくともＮｉ膜又はＮｉ合金膜を有する電極を形成する工程と、
第２の基板上に少なくともＮｉ膜又はＮｉ合金膜を有する電極を形成する工程と、
前記第１の基板又は前記第２の基板のうち少なくともいずれか一の前記電極の上にＳｎを主成分とし、Ａｕを含有する半田によりバンプを形成する工程と、
前記第１の基板又は前記第２の基板とを前記電極形成面が向かい合うように対向させ、前記電極と前記バンプ又は前記バンプ同士を相互に接触させる工程と、
前記バンプを加熱し、溶融させて前記電極同士を前記半田により接合させる工程と、
さらに加熱して、前記Ｎｉ膜又はＮｉ合金膜と前記半田との間に前記半田と接するＡｕ−Ｓｎ化合物膜を形成する工程とを有し、
前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間のギャップが１００μｍ以下であり、前記バンプを溶融して前記電極同士を接合した後の該半田中のＡｕの含有量が０．１ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下になるように前記バンプを形成する半田中のＡｕの含有量が決められていることを特徴とする半田による接合方法。
【請求項７】
前記Ａｕ−Ｓｎ化合物膜を形成する加熱温度は、前記半田の溶融温度よりも低いことを特徴とする請求項５又は６に記載の半田による接合方法。
【請求項８】
前記Ｎｉ膜又はＮｉ合金膜と前記Ａｕ−Ｓｎ化合物膜の間にＳｎ−Ｎｉ化合物膜が形成されることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一に記載の半田による接合方法。
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置及び半田による接合方法に関し、より詳しくは、Ｓｎを主成分とする半田のバンプを用いて電子部品と回路基板とを接続する半導体装置及び半田による接合方法に関する。
【０００１】
【従来の技術】
電子機器部品は半田によって接合される部分が大多数である。接合に用いられる半田では、一般の電子部品ではＳｎ−Ｐｂ共晶半田（溶融温度１８３℃）が広く用いられている。
【０００２】
一方、接合に用いられる半田では、Ｐｂに５％のＳｎが添加された溶融温度３１４℃の半田（以下、Ｐｂ−５Ｓｎと称し、類似の表示はこれと同じような内容を表す。）が知られている。ＬＳＩや回路基板上の配線は一般的にＡｌが用いられており、このような半田を用いてＡｌ配線との接合を行おうとすると、半田が弾かれてＡｌ配線の上に直接半田付けすることはできない。このため、Ａｌ配線との密着性を高めるための密着層と、半田が拡散しないためのバリア層と、半田に濡れやすい金属からなる濡れ性向上層とが積層された電極を形成し、このような構成の電極上に半田付けを行って他の電極との接合を形成している。この場合、高い接合強度を得るための電極材料及び電極の積層構造を必要とする。
【０００３】
現状のＳｎ−Ｐｂ系半田では密着層にＴｉ，Ｃｒを用い、バリア層にＣｕ，Ｎｉを用い、濡れ性向上層にＡｕ，Ａｇ，Ｐｄ等を用いている。
【０００４】
また、現在ＬＳＩの実装方法として主流となっているフリップチップ実装では、半田バンプをＬＳＩチップの活性領域にアレイ状に配置するため、半田材料中のＰｂから発生するα線によりソフトエラーが起こるという問題がある。特に、素子の微細化、低電圧化が進行するにしたがってソフトエラーが増大し、問題となっている。
【０００５】
また、環境問題の点からもＰｂを含まない半田材料が要求され、Ｓｎを主成分とする半田の開発が盛んに行われている。
【０００６】
しかしながら、Ｓｎを主成分とする半田によりバンプ接合する際に、Ｐｂ−５Ｓｎ半田と比較してＳｎ成分が多いため、Ｐｂ−５Ｓｎ半田で使用する電極構成では、パンプ形成工程中で、電極上に形成した半田バンプを融点以上に加熱して溶融させたときに、バリア層の役割をするＮｉが半田中に拡散してＮｉ膜の膜厚が減少し、半田がＮｉ膜の下地の金属膜と接触するようになる。このとき、半田が下地の金属膜に弾かれて、半田バンプの欠落や接合強度の低下等の接合不良が多く発生することが分かった。
【０００７】
また、Ｎｉ膜やＣｕ膜の膜厚を厚くして上記不具合を防止しようとした場合、Ｓｎを主成分とする半田中へのＮｉ等の拡散は速く、バンプ形成工程中で半田中に多量のＮｉ等が拡散し、Ｓｎと金属間化合物を形成する。このため、半田の機械的強度が低下し、接合部の信頼性を著しく低下させることが分かった。
【０００８】
また、熱サイクル試験等の熱負荷によって、バリア層のＮｉ等が半田中に拡散して電極面積を減少させ、信頼性を低下させることも分かった。
【０００９】
さらに、一般の電子機器の電極表面層には、酸化防止膜としてＡｕが多く用いられている。ＡｕはＳｎを主成分とする半田、例えばＰｂ−６３Ｓｎ半田中に拡散しやすいため、Ａｕの膜厚が厚いと半田中に溶け込むＡｕの量が多くなり、Ａｕ−Ｓｎ金属間化合物によって半田の機械的強度が低下し、寿命が短くなる。
【００１０】
そこで、特開平３−６６４９２号公報ではＳｎ−Ａｇ系半田を用いて接合を形成する方法が開示されており、Ａｕが半田中に拡散して反応しても、Ａｇの作用によりＡｕ−Ｓｎ金属間化合物を半田中に分散させて機械的強度が低下しないようにしている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、Ｓｎ−Ａｇ系半田を用いた場合、フリップチップ実装などのようにＬＳＩチップの電極と回路基板の電極の間のギャップが１００μｍ以下になると、半田部分が少なくなって半田の応力緩和効果が小さくなり、電極部分にかかる応力が大きくなる。しかも、バリア層の金属の拡散によって半田が喰われ、半田と電極との接続面積が減少してくるとその影響はますます大きくなる。このため、半田接合が剥がれやすくなり、信頼性が低下する。
【００１２】
また、濡れ性向上層のＡｕ膜は酸化防止効果と半田中への拡散量との兼ね合いを考慮し、さらに最低限濡れ性を確保できるような膜厚でよいため、その膜厚を０．１μｍ以下と薄くしていることが多い。この場合、半田付け時の濡れ性不良がでないように、半田付け時間を長くして半田付け温度も従来よりも高温で行うようにしている。このため、Ｓｎを主成分とする半田を使用し、Ｎｉ膜やＮｉ合金膜をバリア層とする場合には、バリア層のＮｉが半田中に多量に拡散し、このため半田接合の機械的強度を弱め、信頼性を低下させている。
【００１３】
本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、電極への半田の濡れ性を確保するとともに、バリア層のＮｉ等の半田中への拡散を抑制して半田接合の機械的強度を向上させることができる半導体装置及び半田による接合方法を提供するものである。
【００１４】
【発明の属する技術分野】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、半導体装置に係り、第１の基板と第２の基板にそれぞれ形成された少なくともＮｉ膜又はＮｉ合金膜を有する電極同士がＳｎを主成分とする半田により接合されてなる半導体装置において、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間のギャップが１００μｍ以下であり、前記Ｎｉ膜又はＮｉ合金膜と前記半田との間に前記半田と接するようにＡｕ−Ｓｎ化合物膜が介在していることを特徴としている。
【００１５】
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の半導体装置に係り、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間のギャップが４０μｍ以上であることを特徴とし、
請求項３記載の発明は、請求項１に記載の半導体装置に係り、前記Ａｕ−Ｓｎ化合物膜は、前記半田中へのNiの拡散を抑制する膜厚を有し、又は半田接合への応力を分散する膜厚を有することを特徴とし、
請求項４の発明は、請求項１記載の半導体装置に係り、前記Ｎｉ膜又はＮｉ合金膜と前記Ａｕ−Ｓｎ化合物膜の間にＳｎ−Ｎｉ化合物膜が介在していることを特徴としている。
【００１６】
請求項５の発明は、半田による接合方法に係り、第１の基板上に少なくともＮｉ膜又はＮｉ合金膜と最上部のＡｕ膜とを有する多層の電極を形成する工程と、第２の基板上に少なくともＮｉ膜又はＮｉ合金膜と最上部のＡｕ膜とを有する多層の電極を形成する工程と、前記第１の基板又は前記第２の基板のうち少なくともいずれかの前記電極のＡｕ膜上にＳｎを主成分とする半田によりバンプを形成する工程と、前記第１の基板又は前記第２の基板とを前記電極形成面が向かい合うように対向させ、前記電極と前記バンプ又は前記バンプ同士を相互に接触させる工程と、前記バンプを加熱し、溶融させて、前記Ａｕを前記半田中に含ませるとともに、前記電極同士を前記半田により接合させる工程と、さらに加熱して、前記Ｎｉ膜又はＮｉ合金膜と前記半田との間に、前記半田と接するＡｕ−Ｓｎ化合物膜を形成する工程とを有し、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間のギャップが１００μｍ以下であり、前記バンプを溶融して前記電極同士を接合した後の該半田中のＡｕの含有量が０．１ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下になるように前記電極のＡｕ膜の膜厚が決められていることを特徴としている。
【００１７】
請求項６の発明は、半田による接合方法に係り、第１の基板上に少なくともＮｉ膜又はＮｉ合金膜を有する電極を形成する工程と、第２の基板上に少なくともＮｉ膜又はＮｉ合金膜を有する電極を形成する工程と、前記第１の基板又は前記第２の基板のうち少なくともいずれか一の前記電極の上にＳｎを主成分とし、Ａｕを含有する半田によりバンプを形成する工程と、前記第１の基板又は前記第２の基板とを前記電極形成面が向かい合うように対向させ、前記電極と前記バンプ又は前記バンプ同士を相互に接触させる工程と、前記バンプを加熱し、溶融させて前記電極同士を前記半田により接合させる工程と、さらに加熱して、前記Ｎｉ膜又はＮｉ合金膜と前記半田との間に、前記半田と接するＡｕ−Ｓｎ化合物膜を形成する工程とを有し、前記第１の基板表面と前記第２の基板表面との間のギャップが１００μｍ以下であり、前記バンプを溶融して前記電極同士を接合した後の該半田中のＡｕの含有量が０．１ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下になるように前記バンプを形成する半田中のＡｕの含有量が決められていることを特徴としている。
【００１８】
請求項７の発明は、請求項５又は６に記載の半田による接合方法に係り、前記Ａｕ−Ｓｎ化合物膜を形成する加熱温度は、前記半田の溶融温度よりも低いことを特徴としている。
【００１９】
請求項８の発明は、請求項５乃至７のいずれか一に記載の半田による接合方法に係り、前記Ｎｉ膜又はＮｉ合金膜と前記Ａｕ−Ｓｎ化合物膜の間にＳｎ−Ｎｉ化合物膜が形成されることを特徴としている。
【００２４】
ところで、Ｎｉ膜又はＮｉを含む合金膜とＡｕ膜とを有する電極同士をＳｎを主成分とする半田で接合した場合、本願発明者によって以下のことが見いだされた。
【００２５】
即ち、電極の表面層の構成材料であるＡｕが半田中に拡散してＡｕ−Ｓｎ化合物が形成され、半田中に分散する。一方、同じく電極の構成材料であるＮｉはＡｕと比較してＳｎ含有半田中への拡散速度が遅いため、ほとんどは電極の直上でＳｎ−Ｎｉ化合物を形成する。更に、分散したＡｕ−Ｓｎ化合物は半田の融点以下の加熱によってＳｎ−Ｎｉ化合物の周りに凝集する。また、Ｓｎ−Ｎｉ化合物の周りに凝集して形成されたＡｕ−Ｓｎ化合物層はＳｎを主成分とする半田中へのＮｉの拡散を抑制する効果がある。
【００２６】
本発明の半導体装置は、第１の基板と第２の基板にそれぞれ形成された少なくともＮｉ膜又はＮｉ合金膜を有する電極同士がＳｎを主成分とする半田により接合され、Ｎｉ膜又はＮｉ合金膜と半田との間に半田と接するようにＡｕ−Ｓｎ化合物層を介在させている。
【００２７】
即ち、Ｎｉ膜又はＮｉ合金膜と半田との間に介在するＡｕ−Ｓｎ化合物層がＮｉの拡散を抑制する機能を有するため、Ｓｎ系半田中へのＮｉの拡散を抑制することができる。
【００２８】
また、本発明の半田接合の形成方法においては、Ｓｎを主成分とする半田を溶融して少なくともＮｉ膜又はＮｉをふくむ合金膜と最上層のＡｕ膜とを有する電極同士を接合し、さらに加熱してＮｉ膜又はＮｉをふくむ合金膜と半田との間に半田と接するＡｕ−Ｓｎ化合物層を形成している。
【００２９】
又は、電極の最上層にＡｕ膜を用いない場合、或いはＡｕ膜の膜厚が薄い場合には、Ａｕを含有させたＳｎを主成分とする半田を用いている。
【００３０】
これらの場合いずれも、半田による接合を形成した後の半田中に含まれるＡｕの量が０．１ｗｔ％〜２０ｗｔ％程度になるように膜厚調整や含有量の調整を行うようにすることが好ましい。
【００３１】
これにより、半田による接合を形成した後電極中のＮｉ膜等と半田の間、更には接合形成の際に電極の直上に形成されたＳｎ−Ｎｉ化合物と半田との間にＡｕ−Ｓｎ化合物層を形成することができる。
【００３２】
即ち、Ｓｎを主成分とする半田への拡散速度の遅いＮｉを電極の構成材料として用いた場合、接合形成の際に電極の直上にＳｎ−Ｎｉ化合物層が形成されるとともに、半田中にＡｕ−Ｓｎ化合物が生成して分散する。そして、接合形成後半田の融点より低い温度でさらに加熱することにより、半田中に分散するＡｕ−Ｓｎ化合物をＳｎ−Ｎｉ化合物層の周辺に凝集させることができる。
【００３３】
このようにして、電極中のＮｉ膜等と半田の間、更にはＳｎ−Ｎｉ化合物層と半田の間にＮｉの拡散を抑制しうるＡｕ−Ｓｎ化合物層を介在させることができるので、半田中へのＮｉの拡散を抑制し、電極面積の減少を防止することができる。
【００３４】
これによって、半田接合形成の工程中のバンプ欠け不良を減少でき、接合形成後も良好な接合状態を維持し、耐熱疲労寿命の向上を図ることができる。
【００３５】
また、Ａｕ−Ｓｎ化合物層と半田の界面に応力が集中するが、接合形成後の加熱時間を長くし、或いは半田中のＡｕの量を増やして厚いＡｕ−Ｓｎ化合物層を形成することによって、半田接合への応力が集中する箇所を半田接合の中央部へとシフトさせることができる。このため、半田接合への応力を両基板に分散して緩和することができ、寿命を向上させる効果がある。
【００３６】
さらに、熱サイクル試験等の加熱によりＡｕ−Ｓｎ化合物層の成長が促進されて厚いＡｕ−Ｓｎ化合物層が形成されるため、半田中へのＮｉ拡散をさらに抑制する効果が得られる。
【００３７】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００３８】
（第１の実施の形態）
図１〜図３は、本発明の第１の実施の形態に係る半田による接合方法及びその方法により作成された半導体装置について示す断面図である。
【００３９】
それらの図のうち、図３は本発明の第１の実施の形態に係る半田による接合方法により作成された半導体装置について示す断面図である。
【００４０】
その半導体装置は、図３に示すように、窒化アルミニウム基板（ＡｌＮ基板）或いはアルミナ基板上に図示しない接続電極や回路配線が形成された回路基板２６と、図示しないトランジスタや配線や接続電極等からなる集積回路が形成された半導体基板２１とが相互の接続電極等の形成面が対向するように積層され、それぞれの接続電極が半田２５ｂで接合されている構成を有する。
【００４１】
この場合、半田２５ｂの材料として錫（Ｓｎ）中に銀（Ａｇ）が３．５ｗｔ％含有されたものが用いられている。
【００４２】
また、接合用の半田２５ｂは半導体基板２１上のＮｉ膜２３ａを有する電極と回路基板２６上のＮｉ膜２８を有する電極の間に形成され、さらに、各Ｎｉ膜２３ａ及び２８と半田２５ｂとの間にそれぞれ少なくとも半田２５ｂと接するようにＡｕ−Ｓｎ化合物膜３１ａ，３１ｂが形成されている構成を有している。
【００４３】
また、上記半導体装置を製造する場合、半田バンプを溶融して接合用の半田２５ｂを形成する関係上、実際には、電極の直上にＳｎ−Ｎｉ化合物膜３０ａ，３０ｂが形成されるため、広くはＮｉ膜２３ａ，２８と接合用の半田２５ｂとの間、狭くはＳｎ−Ｎｉ化合物膜３０ａ，３０ｂと接合用の半田２５ｂとの間にＡｕ−Ｓｎ化合物膜３１ａ，３１ｂが介在することになる。
【００４４】
さらに、Ｎｉ膜２３ａと半導体基板２１の間、Ｎｉ電極２８と回路基板２６との間にはそれぞれ密着層としてＴｉ膜２２ａ，２７が介在している。
【００４５】
次に、図１〜図３を参照しながら上記半導体装置を作成する方法について説明する。
【００４６】
まず、図１（ａ）に示すように、トランジスタや配線等からなる集積回路が形成された半導体基板２１上に密着層となる膜厚１００ｎｍのＴｉ膜２２をスパッタ法により形成し、メッキ法によりＴｉ膜２２上にバリア層となる膜厚２μｍのＮｉ膜２３を形成し、その上に同じくメッキ法により濡れ性向上層となる膜厚７００ｎｍのＡｕ膜２４を形成する。
【００４７】
このとき、図５に示すように、Ａｕ膜２４の膜厚は半田溶融時に半田中に含まれるようになるＡｕの含有量に影響を及ぼすため、注意を要する。なお、図５は半導体基板２１と回路基板２６間のギャップをパラメータとして半田溶融時の半田中のＡｕ含有量について調査した結果を示すグラフであり、縦軸は線形目盛りで表した半田中のＡｕ含有量（ｗｔ％）を示し、横軸は線形目盛りで表した電極最上層のＡｕ膜厚（μｍ）を示す。
【００４８】
次いで、図１（ｂ）に示すように、同じマスクを用いてＡｕ膜２４とＮｉ膜２３とＴｉ膜２２とをパターニングして、半田により接合されるべき直径１００μｍの電極を形成する。これにより、半導体基板２１側から密着層のＴｉ膜２２ａとバリア層のＮｉ膜２３ａと濡れ性向上層のＡｕ膜２４ａからなる多層の電極が形成される。
【００４９】
次に、図１（ｃ）に示すように、半田バンプ２５を半導体基板２１の電極上に形成する。このような半田バンプの形成方法の一例として所謂ディンプルプレート法と称されるものがあり、その方法を図４（ａ），（ｂ）に示す。
【００５０】
まず、Ｓｎ中に３．５ｗｔ％のＡｇを含む半田粉末とフラックスビヒクルとを９：１の比率で混合し、半田ペースト２５ｃを作成する。
【００５１】
次いで、図４（ａ）に示すように、この半田ペースト２５ｃを転写板５１の凹部５２に充填する。続いて、図４（ｂ）に示すように、半田の融点以上の温度になるように加熱して半田ペースト２５ｃを溶融し、半田ボール２５ｄを形成する。
【００５２】
この半田ボール２５ｄに半導体基板２１の電極を接触させて付着させ、電極上に半田バンプ２５を形成する。形成された半田バンプ２５の形状を整え、表面の酸化被膜を除去するため、半田バンプ２５の表面にフラックスを塗布し、窒素中で半田の融点２８０℃以上の温度に加熱して溶融し、凝固させる。この状態を図１（ｃ）に示す。
【００５３】
続いて、ダイサー等により半導体基板２１を切断して平面形状が一辺１３ｍｍの正方形状のチップに分離する。
【００５４】
次いで、半田バンプ２５の表面にフラックスを塗布したのち、回路基板２６の電極の上に半田パンプ２５を位置合わせし、接触させる。回路基板２６の電極は半導体基板２１の電極と同じ構造を有し、下から密着層のＴｉ膜２７とバリア層のＮｉ膜２８と濡れ性向上層のＡｕ膜２９とが順に積層されてなる。図２（ａ）に示すように、回路基板２６の電極の上に半導体基板２１上の半田パンプ２５を位置合わせし、接触させる。回路基板２６の電極は半導体基板２１の電極と同じ構造を有し、下から密着層のＴｉ膜２７とバリア層のＮｉ膜２８と濡れ性向上層のＡｕ膜２９とが順に積層されてなる。
【００５５】
次に、図２（ｂ）に示すように、半田パンプ２５を溶融温度よりも高い温度２８０℃に加熱して半田パンプ２５を溶融させ、電極同士を半田２５ａにより接合する。このとき、半導体基板２１表面と回路基板２６表面との間のギャップは約６０μｍであった。従って、図５より、半田中に含まれるＡｕの含有量は凡そ３％と推定される。
【００５６】
このとき、両電極の最上層のＡｕ膜２４ａ，２９からＡｕが半田２５ａ中に拡散してＳｎと結合し、半田２５ａ中に分散するＡｕ−Ｓｎ化合物３１が形成される。また、電極中からＮｉが半田２５ａ中に拡散して半田２５ａとＮｉ膜２３ａ，２８との間にＳｎ−Ｎｉ化合物膜３０ａ，３０ｂが形成される。この場合、ＮｉはＳｎを主成分とする半田２５ａへの拡散速度が遅いため、Ｓｎ−Ｎｉ化合物膜３０ａ，３０ｂは電極の直上に形成される。
【００５７】
次いで、半田２５ａを窒素中で半田２５ａの融点よりも低い温度１２５℃で加熱する。これにより、半田２５ａ中に分散するＡｕ−Ｓｎ化合物３１がＳｎ−Ｎｉ化合物膜３０ａ，３０ｂの近くに凝集してＳｎ−Ｎｉ化合物膜３０ａ，３０ｂと半田２５ｂとの間にＡｕ−Ｓｎ化合物膜３１ａ，３１ｂが形成される。
【００５８】
これにより、半導体基板２１と回路基板２６にそれぞれ形成された電極同士がＳｎを主成分とする半田２５ｂにより接合されて半導体基板２１と回路基板２６間が電気的に接続されてなる半導体装置が完成する。
【００５９】
次に、Ａｕ膜の膜厚以外上記の半導体装置と同じ構成を有する試験用試料を作成し、これらを用いて用いて熱サイクル試験を行った。
【００６０】
試験試料としてＡｕ膜の膜厚を０μｍ（Ａｕ膜無し），０．０５，０．５，１．０μｍと変えた４種類の半導体装置を作成した。他の条件は第１の実施の形態と同じである。
【００６１】
熱サイクル試験の試験条件は、−５５℃→＋１２５℃→−５５℃を一サイクルとして接合部分等が破断するまで何回か繰り返した。この場合、一サイクル中の各温度状態は３０分間保持される。
【００６２】
その結果を表１に示す。
【００６３】
【表１】
0004011214.tif 000002
【００６４】
表１によれば、Ａｕ膜無し，及び０．０５μｍの場合２００サイクルで破断し、０．５μｍの場合４００サイクルで破断し、１．０μｍの場合凡そ５００サイクルまで破断もなく良好な接合状態が維持された。
【００６５】
以上のように、第１の実施の形態によれば、Ｓｎを主成分とする半田バンプ２５を溶融して少なくともＮｉ膜２３ａ，２８と最上層のＡｕ膜２４ａ，２９とを有する電極同士を接合し、さらに加熱してＮｉ膜２３ａ，２８と半田２５ｂとの間に半田２５ｂと接するＡｕ−Ｓｎ化合物膜３１ａ，３１ｂを形成している。
【００６６】
即ち、広くは電極を構成するＮｉ膜２３ａ，２８と半田２５ｂの間、狭くは接合形成の際に電極の直上に形成されたＳｎ−Ｎｉ化合物膜３０ａ，３０ｂと半田２５ｂとの間にＮｉの拡散抑制効果を有するＡｕ−Ｓｎ化合物層３１ａ，３１ｂを形成することができる。このため、半田２５ｂ中へのＮｉの拡散を抑制し、電極面積の減少を防止することができる。
【００６７】
これにより、半田による接合形成の工程中のバンプ欠け不良を減少でき、接合形成後も良好な接合状態を維持し、耐熱疲労寿命の向上を図ることができる。
【００６８】
なお、Ａｕ−Ｓｎ化合物膜３１ａ，３１ｂと半田２５ｂの界面に応力が集中するが、接合形成後の加熱時間を長くし、或いは半田２５ａ中のＡｕの量を増やして厚いＡｕ−Ｓｎ化合物膜３１ａ，３１ｂを形成することによって、半田２５ｂへの応力が集中する箇所を半田２５ｂの中央部へとシフトさせることができる。これにより、半田２５ｂへの応力を両基板２１，２６に分散して緩和することができ、寿命を向上させる効果がある。
【００６９】
また、熱サイクル試験等の加熱によりＡｕ−Ｓｎ化合物膜３１ａ，３１ｂの成長が促進されてより厚いＡｕ−Ｓｎ化合物膜３１ａ，３１ｂが形成されるため、半田２５ｂ中へのＮｉ拡散をさらに抑制する効果が得られる。
（第２の実施の形態）
次に、図６を参照しながら第１の実施の形態の半導体装置を作成する別の半田による接合方法について説明する。
【００７０】
第１の実施の形態と異なるところは、電極の最上層にＡｕ膜を形成せずに、半田４４中にＡｕを適量含有させている点である。
【００７１】
まず、図示しないトランジスタや配線等からなる集積回路が形成された半導体基板４１上に密着層となる膜厚１００ｎｍのＴｉ膜４２をスパッタ法により形成し、メッキ法によりＴｉ膜４２上にバリア層となる膜厚４μｍのＮｉ膜４３を形成する。
【００７２】
次いで、同じマスクを用いてＮｉ膜４３とＴｉ膜４２とをパターニングして、図６（ａ）に示すような、半田により接合される直径１００μｍの電極を形成する。
【００７３】
次に、Ａｕを５ｗｔ％含むＳｎ−３．５Ａｇの半田粉末とフラックスビヒクルとを９：１で混合して、半田ペーストを作成する。続いて、図４（ａ），（ｂ）に示すディンプルプレート法により、半田バンプ４４を半導体基板２１の電極上に形成する。形成された半田バンプ４４の形状を整え、表面の酸化被膜を除去するため、半田バンプ４４の表面にフラックスを塗布し、窒素中で半田の融点２８０℃以上の温度に加熱して溶融し、凝固させる。
【００７４】
次いで、半田バンプ４４の表面にフラックスを塗布した後、回路基板４５の電極の上に半導体基板４１の半田パンプ４４を位置合わせし、接触させる。なお、回路基板４５の電極も半導体基板４１の電極と同じくＴｉ膜４６とその上のＮｉ膜４７とから構成されている。
【００７５】
次に、半田パンプ４４を窒素中で溶融温度よりも高い温度２８０℃で加熱して半田パンプ４４を溶融させ、半田により電極同士を接合する。このとき、図に示していないが、半田パンプ４４中のＡｕがＳｎと結合し、半田中に分散するＡｕ−Ｓｎ化合物が形成される。また、図６（ｂ）に示すように、半田とＮｉ膜４３，４７との間に介在するＳｎ−Ｎｉ化合物膜４８ａ，４８ｂが形成される。
【００７６】
次いで、図６（ｂ）に示すように、半田の融点よりも低い温度１２５℃で半田を加熱し、所定の時間保持する。これにより、半田中に分散するＡｕ−Ｓｎ化合物がＳｎ−Ｎｉ化合物膜４８ａ，４８ｂの近くに凝集してＳｎ−Ｎｉ化合物膜４８ａ，４８ｂと半田４４ａとの間にＡｕ−Ｓｎ化合物層４９ａ，４９ｂが形成される。
【００７７】
以上のようにして、半導体基板４１と回路基板４５にそれぞれ形成された電極同士がＳｎを主成分とする半田４４ａにより接合されて半導体基板４１と回路基板４５間が電気的に接続されてなる半導体装置が完成する。
【００７８】
この半導体装置について第１の実施の形態と同じ条件で熱サイクル試験を５００サイクルまで行った結果、破断もなく良好な接合状態が保持されていた。
【００７９】
以上のように、第２の実施の形態によれば、電極の最上層にＡｕ膜を形成せずＳｎを主成分とする半田４４中にＡｕを含有させて、半田４４ａを溶融して電極同士を接合し、加熱している。
【００８０】
これにより、電極中のＮｉ膜４３，４７と半田の間、更には接合形成の際に電極の直上に生成したＳｎ−Ｎｉ化合物膜４８ａ，４８ｂと半田４４ａとの間にＡｕ−Ｓｎ化合物膜４９ａ，４９ｂを形成することができるので、半田４４ａ中へのＮｉの拡散を抑制し、電極面積の減少を防止することができる。
【００８１】
これによって、半田接合形成の工程中のバンプ欠け不良を減少でき、接合形成後も良好な接合状態を維持し、耐熱疲労寿命の向上を図ることができる。
なお、上記実施の形態により本願発明の具体的な形態について説明してきたが、上記実施の形態に限られるものではなく、上記実施の形態から導かれる設計変更程度の種々の変形例は本願発明の技術的範囲に含まれる。
【００８２】
例えば、第１の実施の形態では、半田バンプ２５を溶融して電極同士を接合した後の半田２５ａ中のＡｕの含有量を凡そ３ｗｔ％としているが、これに限られるものではなく、Ａｕ膜２４ａの膜厚や半田２５ｂの高さ（ギャップ）を調整して半田２５ａ中のＡｕの含有量を任意に調整してよいが、特に０．１ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下の範囲が好ましい。
【００８３】
また、第２の実施の形態では、半田４４中のＡｕの量、即ち半田により電極同士を接合したときの半田４４中のＡｕの含有量を５ｗｔ％としているが、同じく半田４４中のＡｕの含有量を任意に選択できる。特に０．１ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下の範囲が好ましい。
【００８４】
さらに、第２の実施の形態では、電極の最上層にＡｕ膜を形成しない場合について示しているが、Ａｕ膜の膜厚が薄い場合にも適用できる。この場合にも、当初の半田中のＡｕの含有量と半田溶融時に電極から半田中に拡散するＡｕの量を決める、Ａｕ膜厚，ギャップ寸法，加熱条件等を調整して、半田と電極金属との接合を形成したときの半田中のＡｕの含有量を任意に調整することができるが、同じく０．１ｗｔ％以上、２０ｗｔ％以下の範囲が好ましい。
【００８５】
また、第１及び第２の実施の形態では、半田バンプ２５，４４を半導体基板２１，４１側にのみ形成しているが、半導体基板２１，４１側と回路基板２６，４５側両方に形成してもよい。
【００８６】
さらに、第１及び第２の実施の形態では、半田はＳｎにＡｇを添加したものが用いられているが、Ｓｎに、Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｎｉ，Ｓｂ，又はＺｎのうち少なくともいずれか一つを添加したものでもよい。
【００８７】
また、第１及び第２の実施の形態では、電極のバリア層の材料としてＮｉを用いた場合に本発明を適用しているが、Ｎｉを含む合金を用いた場合にも本発明を適用できる。
【００８８】
【発明の効果】
本発明によれば、Ｓｎを主成分とする半田を溶融して少なくともＮｉ膜又はＮｉをふくむ合金膜と最上層のＡｕ膜とを有する電極同士を接合し、さらに加熱してＮｉ膜又はＮｉをふくむ合金膜と半田との間に半田と接するＡｕ−Ｓｎ化合物層を形成している。
【００８９】
又は、電極の最上層にＡｕ膜を用いない場合、或いはＡｕ膜の膜厚が薄い場合には、Ａｕを含有したＳｎを主成分とする半田を用いることを特徴としている。
【００９０】
従って、電極中のＮｉ膜等と半田の間、或いは接合形成の際に電極の直上に形成されるＳｎ−Ｎｉ化合物と半田との間にＮｉの拡散阻止効果を有するＡｕ−Ｓｎ化合物層が形成されるので、半田中へのＮｉの拡散を抑制し、電極面積の減少を防止することができる。
【００９１】
これによって、半田接合形成の工程中のバンプ欠け不良を減少でき、接合形成後も良好な接合状態を維持し、耐熱疲労寿命の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半田による接合方法について示す断面図（その１）である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半田による接合方法について示す断面図（その２）である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半田による接合方法について示す断面図（その３）である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半田パンプの形成方法について示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る半田パンプの形成方法におけるＡｕ膜の膜厚と半田中のＡｕの含有量の相関関係について示すグラフである。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る半田による接合方法について示す断面図である。
【図７】従来例に係る半田による接合方法について示す断面図である。
【符号の説明】
２１，４１  半導体基板（第１の基板）
２３，２３ａ，２８，４３，４７  Ｎｉ膜
２４，２４ａ，２９  Ａｕ膜
３０ａ，３０ｂ，４８ａ，４８ｂ  Ｓｎ−Ｎｉ化合物膜
２５  半田バンプ
２５ａ，４４ａ  半田
２６，４５  回路基板（第２の基板）
３１  Ａｕ−Ｓｎ化合物
３１ａ，３１ｂ，４９ａ，４９ｂ  Ａｕ−Ｓｎ化合物膜
４４  Ａｕ入り半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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