(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を収納するのに好適な溝が設けられた第１主表面を具え、この溝が、前記第１主表面全体に亘って連続する導体パターンが設けられた壁を有する支持バーの上に設置された装置を製造するに当たり、導電材料の層及びホトレジストを、前記支持バー上に順次設け、前記第１主表面及び前記溝に対して、前記溝の底部が照射されずに前記壁の一部及び前記第１主表面の一部が照射されるような角度で、２方向から前記ホトレジストを照射し、前記導電材料の層をパターニングすることによって、前記導体パターンを設けることを特徴とする支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【請求項２】
半導体素子を収納するのに好適な溝が設けられた第１主表面を具え、この溝が、前記第１主表面全体に亘って連続する導体パターンが設けられた壁を有する支持バーの上に設置された装置を製造するに当たり、ホトレジストを、前記支持バー上に設け、前記第１主表面及び前記溝に対して、前記溝の底部が照射されずに前記壁の一部及び前記第１主表面の一部が照射されるような角度で、２方向から前記ホトレジストを照射し、前記壁及び第１主表面の露出した部分に導電材料を選択的に堆積することによって、前記導体パターンを設けることを特徴とする支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【請求項３】
前記導体パターンを設けた後半導体素子を前記溝に挿入し、これにより前記半導体素子を、前記壁上の前記導体パターンに電気的に接触させ、その後、前記支持バーを、それぞれが前記支持バーの一部と一つ以上の半導体素子とを具える個々の半導体装置に細分することを特徴とする請求の範囲１又は２に記載の支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【請求項４】
前記溝の幅に比べて肉薄なホトレジストを設けることを特徴とする請求の範囲１から３のうちのいずれかに記載の支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【請求項５】
前記ホトレジストを電気泳動によって設け、その後照射前に４０〜６０℃の間の温度で焼き出すことを特徴とする請求の範囲１から４のうちのいずれかに記載の支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【請求項６】
前記ホトレジストを、ほぼ平行な光を具える光ビームに対して露出することを特徴とする請求の範囲１から５のうちのいずれかに記載の支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【請求項７】
前記光ビームの視準角を２°より小さくすることを特徴とする請求の範囲６記載の支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【請求項８】
前記光ビームを入射平面に対して平行な方向に偏光させ、その間前記光ビームは、前記溝中のホトレジストの表面に対して３０°と４０°との間の角にあることを特徴とする請求の範囲６記載の支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【請求項９】
前記導体パターンが、前記第１主表面に対向して配置した前記支持バーの第２主表面に対する前記支持バーの側面の全体に亘って連続する請求の範囲１から８のうちのいずれかに記載の支持バーの上に設置された装置の製造方法において、前記導体パターンを、一方の前記主表面上のホトレジストを直接照射することにより設け、同時に他方の前記主表面上のホトレジストを、反射表面により間接的に照射し、前記他方の主表面の一部を遮る前記側面及び前記側面上のホトレジストを、直接的又は間接的に照射することを特徴とする支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【請求項１０】
複数の支持バーを一つの同一処理工程で照射し、これら支持バーの溝が互いに並列になるとともに、隣接する支持バーの側面を間接的な照射に対して前記支持バーが遮るような前記支持バー間の距離にして、前記支持バーを配置することを特徴とする請求の範囲９記載の支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【請求項１１】
マスクを用いて光が照射表面に直接入射するようにし、その間光が、前記マスク及び前記反射表面を介して間接的に照射表面に入射することを特徴とする請求の範囲９記載の支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【請求項１２】
前記マスクは、主に１方向に延在するパターンを具え、前記マスク上のパターンの方向が前記溝の長手方向に対してほぼ横切るようにすることを特徴とする請求の範囲１１記載の支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【請求項１３】
前記支持バー上に金属層を設け、負のホトレジストを設け、このホトレジストを露光し、前記ホトレジストの非露光部を除去し、前記金属層をエッチングすることにより前記導体パターンを設けることを特徴とする請求の範囲１に記載の支持バーの上に設置された装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体素子を収納するのに好適な溝が設けられた第１主表面を具え、この溝が、前記第１主表面全体に亘って連続する導体パターンが設けられた壁を有する支持バーの上に設置された装置を製造する支持バーの上に設置された装置の製造方法に関するものである。
このような方法は、半導体素子の容器として作用する支持バーを形成するのに非常に好適である。
欧州特許明細書第439227号は、冒頭で説明したような種類の方法を開示している。これによれば、支持バーを金属により無電解的に核生成し、溝の底部上の金属をレーザ照射によって除去すなわち非導電状態とすることにより導体パターンを設ける。このようにして導電金属パターンが形成され、導電金属パターンを電気化学的な肉厚とする。
説明した既知の方法は、導体パターン間に時々短絡が発生するという不都合を有する。短絡を有する支持バーは、半導体素子を収容するのに使用できない。溝の底部の金属を除去すなわち非導電状態とするのは困難であることが確認されている。
本発明の目的は、上記不都合を低減することである。
本発明によれば、この目的のために、支持バーの上に設置された装置の製造方法は、導電材料の層及びホトレジストを、前記支持バー上に順次設け、前記第１主表面及び前記溝に対して、前記溝の底部が照射されずに前記壁の一部及び前記第１主表面の一部が照射されるような角度で、２方向から前記ホトレジストを照射し、前記導電材料の層をパターニングすることによって、前記導体パターンを設けることを特徴とするものである。支持バーの上に設置された装置の製造方法の他の例は、ホトレジストを、前記支持バー上に設け、前記第１主表面及び前記溝に対して、前記溝の底部が照射されずに前記壁の一部及び前記第１主表面の一部が照射されるような角度で、２方向から前記ホトレジストを照射し、前記壁及び第１主表面の露出した部分に導電材料を選択的に堆積することによって、前記導体パターンを設けることを特徴とするものである。「ホトレジスト」という語はこの場合、例えば電子又は光のような放射に感知するラッカーを意味するものと理解され、また、「照射する」とは、放射に対してホトレジストを露出することを意味する。
本発明による方法は既知の方法に比べて信頼性がある。本発明による方法においては、支持バーの幾何学的配置がホトレジストの照射に利用される。溝の端部が溝の底部を遮り、したがって底部が照射されない。第１主表面上及び溝の両方の壁上のホトレジストは、２方向から露光が行われるように照射される。ホトレジストを、溝の端部全体に亘って延在するとともに溝に隣接する第１主表面の一部全体に亘って連続する導体パターンを形成するのに使用し、その間溝の底部に導体パターンが存在しない。この場合導体パターンは、溝の互いに対向する壁上に存在し、これらの壁は、溝の底部上に導体パターンが存在しないために電気的に分離されている。ホトレジストは、例えば、ホトレジストの現像及び例えば室温より高い温度での処理（焼き出し）のような後処理によりパターン化される。
次いで、パターン化されたホトレジストは導体パターンを得るために使用される。
本発明により製造された溝の底部に短絡のない支持バーは、ＳＭＤ（表面載置装置）技術で半導体装置を製造するのに非常に好適である。好適には、前記導体パターンを設けた後、半導体素子を前記溝に設け、これにより前記半導体素子を、前記壁上の前記導体パターンに電気的に接触させ、その後、前記支持バーを、それぞれが前記支持バーの一部と一つ以上の半導体素子とを具える個々の半導体装置に細分する。好適には、半導体素子を設けた後、エポキシ樹脂のような絶縁材料を溝に充填する。実際には、複数の半導体素子を溝中に設け、その後支持バーを個々の半導体装置に分割する。
実際には、ホトレジストは、０．５〜５０μｍの間にある肉厚を有する。ホトレジストの肉厚と同一の大きさの目安の所定の溝幅では、溝は実際にホトレジストで充填される。この際、溝の底部上の非照射部を現像すると、実際的な問題が生じる。さらに、この際に壁及びホトレジスト表面に対する反射がホトレジスト中に発生し、ホトレジストに設けられたパターンの正確さに悪影響が及ぼされる。好適には、前記溝の幅に比べて肉薄なホトレジストを設ける。この場合、良好に規定されたパターンをホトレジストに設けることができるとともに、溝の底部上のホトレジストの現像にいかなる問題も生じない。
ホトレジストを、種々の方法例えば塗布、スピン又は浸漬により設けることができる。好適には、前記ホトレジストを電気泳動によって設け、その後照射前に、４０〜６０℃の間の温度で焼き出す。電気泳動的に設けられたホトレジストを支持バーに設けた場合、ホトレジストは、溝の周りの領域で特に、非常に均一な肉厚を有することが確認されている。ホトレジストは、６０℃より上の焼き出し温度で非常に軟らかくなり、したがってホトレジストを溝に充填するように流れ出す。４０℃のより下の焼き出し温度でもホトレジストが非常に軟らかくなり、したがって、例えばホトレジストを有する支持バーの取扱中ホトレジストに引っかき傷が生じやすい。４０〜６０℃の間の焼き出し温度を用いると、ホトレジストは、ホトレジストが流れ出すのを防止する硬さを有し、同時にホトレジストは取扱中にもかかわらず十分硬くなる。
ホトレジスト中に形成できるパターンの正確さは、設けたホトレジストそれ自体だけでなく露出方法にも依存する。好適には、前記ホトレジストを、ほぼ平行な光を具える光ビームに対して露出する。この場合、露出してないホトレジストと露出しているホトレジストとの間の境界の輪郭が明瞭であり、したがって正確なパターンをホトレジストに設けることができる。好適には、前記光ビームの視準角を２°より小さくする。この場合、パターンの正確さに実際に問題が生じないことが確認されている。
好適には、前記光ビームを、入射平面に対して平行な方向に偏光させ、その間前記光ビームは、前記溝中のホトレジストの表面に対して３０°と４０°との間の角にある。入射平面は、バーの長手方向に垂直なバーの断面に平行である。これらの状況では、ホトレジストの表面上の光ビームの反射はほぼ零である。この場合、反射が原因の溝の底部のホトレジストの照射が生じず、したがってより輪郭が明瞭なパターンがホトレジストに写像される。
既知の方法では、前記導体パターンが、前記第１主表面に対向して配置した前記支持バーの第２主表面に対する前記支持バーの側面の全体に亘って連続する。本発明によれば、前記導体パターンを、一方の前記主表面上のホトレジストを直接照射することにより設け、同時に他方の前記主表面上のホトレジストを、反射表面により間接的に照射し、前記他方の主表面の一部を遮る前記側面及び前記側面上のホトレジストを、直接的又は間接的に照射する。
したがって、支持バーの第１主表面から第２主表面に延在する導体パターンを、単一の露光ステップにより本発明の方法によって設ける。
好適には、複数の支持バーを一つの同一処理工程で照射し、これら支持バーの溝が互いに並列になるとともに、隣接する支持バーの側面を間接的な照射に対して前記支持バーが遮るような前記支持バー間の距離にして、前記支持バーを配置する。この場合、側面は直接的な照射のみが行われ、任意の間接的な照射は隣接する支持バーによって防止される。
既に説明したような本発明による方法では、支持バーの長手方向に構成されない導体パターンを設ける。複数の個別の導体パターンを溝の一方の壁上に有する半導体装置を製造すべき場合、導体パターンを更に壁上でパターン形成する必要がある。好適には、本発明による方法は、マスクを用いて光が照射表面に直接入射するようにし、その間光が、前記マスク及び前記反射表面を介して間接的に照射表面に入射する。マスクを、ホトレジストに別のパターンを与えるために用いる。本発明による方法は、壁上、第１主表面上、側面上及び第２主表面上のホトレジストにパターンを形成するのに一つのマスクのみが要求される。本発明による方法により簡単な方法で、ホトレジストに別のパターンを設けることができる。
好適には、前記マスクは、主に１方向に延在するパターンを具え、前記マスク上のパターンの方向が前記溝の長手方向に対してほぼ横切るようにする。この場合例えば、溝の壁、第１主表面、側面及び第２主表面全体に亘って延在する複数の平行な導体パターンを形成することができる。
既に説明したように、選択的な堆積又はリフトオフ技術により導体パターンを設けることができるが、好適には、前記支持バー上に金属層を設け、負のホトレジストを設け、このホトレジストを露光し、前記ホトレジストの非露光部を除去し、前記金属層をエッチングすることにより前記導体パターンを設ける。したがって、導体パターンを簡単かつ信頼性のある方法で設けることができる。
本発明を、図面を参照した実施例により以下詳細に説明する。図面は線図的であり、寸法通りではない。図面中、同一部材に同一符号を付す。
図１は、全体に亘って連続する導体パターン６，７を設けた壁４，５を有する溝３を設けた第１主表面２を具える支持バー１から開始し、半導体素子１０を溝３に適合するように固定して設け、半導体素子１０を、各壁４，５上の半導体パターン６，７に電気的に接触させるようにした半導体装置の製造方法の側面図である。実際には、支持バー１を通常、支持バー１の長手方向に及ぶ溝３とともに長くし、すなわち長手方向は図１〜３の図面平面を横切る。
このような方法は、ＳＭＤ（表面載置装置）容器に載せ置かれた半導体装置の製造方法に好適である。
支持バー１を金属により無電解的に核生成し、溝３の底部８にレーザを照射して金属を除去すなわち非導電とし、これにより導体パターンを金属中に形成し、金属の導体パターンを電気化学的に肉厚とることにより導電パターン６，７を設けるような半導体装置の製造方法は既知である。
上記既知の方法は、導体パターン間で時々短絡が生じるという欠点を有する。
溝３の底部８の金属を除去すなわち非導電とするのは困難である。
図１及び２は、導体パターン６，７が、パターン化されたホトレジスト１２による導電材料９のパターニングを通じて設けられ、ホトレジスト１２を支持バー１上に設けるとともに、第１主表面２及び溝３に対して、溝３の底部８が照射されずに壁４，５の一部及び第１主表面２の一部が照射される（図２参照、この場合ホトレジスト１２の斜線部が照射される。）ような角度で、２方向からホトレジスト１２が照射された後、設けられたホトレジスト１２及び導電材料９の層をパターン化することを特徴とする本発明による方法（図１参照）を示す。
本発明による方法は既知の方法に比べて信頼性がある。本発明の方法によれば、支持バー１の幾何学的配置をホトレジスト１２の露光に利用する。溝３の端部１７，１８は溝３の底部８を切り離し、したがって底部８は照射されない。２方向１３，１４から照射することにより、第１主表面２上及び溝３の二つの壁４，５上のホトレジスト１２が露光される。
ホトレジスト１２を、溝３の壁４，５全体に亘って延在するとともに溝３に隣接する第１主表面２の一部の全体に亘って連続する導体パターンを形成するのに使用するが、その間溝３の底部８には導体パターン６，７が存在しない。この場合導体パターン６，７は溝３の互いに対向する壁４，５上に存在し、これら壁は、導体パターン６，７が溝３の底部８上に存在しないので電気的に分離されている。図１ｄは、溝３中に設けられた半導体素子１０を、例えばその下側２１によって一方の壁４上の導体パターン６と電気的に接触させる方法を示し、それに対して、半導体素子１０の上側２２は、盛り上がったバンプ接点により他方の壁上の導体パターン７と接触させる。
ホトレジストを例えば、ホトレジストの現像及び例えば室温より高い温度で処理する（焼き出し）後処理によりパターン化する。
パターン化されたホトレジスト１２を、導体パターン６，７を得るために種々の方法で使用することができる。正のホトレジスト１２を用いる場合、ホトレジスト１２は現像及び後処理後溝３の底部８上に存在したままであり、それに対して溝３の壁４，５上にホトレジスト１２が存在しない。次いで、導電材料を選択的にこれら壁４，５上に堆積する。これを、例えば、支持バー全体の上に銅の核生成層を無電解的に堆積し、正のホトレジストを塗布してこれをパターン化し、ホトレジストで被覆されてない核生成層に銅メッキし、ホトレジストを溶解することによりホトレジストを除去し、短時間銅をエッチングして核生成層をエッチング除去するが電気メッキされた銅層は十分な肉厚を保った状態にすることにより行うことができる。
図１は、負のホトレジスト１２を用いる方法を示す。この場合、先ず、支持バー１に、負のホトレジスト１２が被覆された導電材料９の層を設ける（図１ａ参照）。負のホトレジスト１２の露光、現像及び後処理後、ホトレジスト１２は溝３の壁４，５上に存在したままであるが、溝３の底部８から取り除かれる（図１ｂ参照）。次いで、導電材料９の層を、例えばエッチングにより底部８から除去する（図１ｃ参照）。パターン化されたホトレジスト１２を、リフトオフのようなそれ自体既知の技術によって導体パターン６，７を設けるために使用することもできる。
実際には、ホトレジストは０．５〜５０μｍの間にある肉厚２５を有する（図２参照）。ホトレジスト１２の肉厚２５と同一の大きさの目安の溝３の幅２６を有するので、溝３は実際にはホトレジスト１２で全体的に充填される。この場合、溝３の底部８上の非照射部を現像すると、照射されていないホトレジスト１２が溝３中に高く存在するので、実際上問題が生じる。さらに、壁４，５及びホトレジスト１２の表面の反射がホトレジスト１２中に生じるので、ホトレジスト１２に設けられたパターンの正確さに悪影響が及ぼされる。好適には、ホトレジスト１２を、溝３の幅２６に比べて小さい肉厚２５となるように設ける。この際、良好に規定されたパターンをホトレジスト１２に設けることができ、同時に、溝３の底部８上のホトレジスト１２の現像に問題が生じない。
ホトレジスト１２を種々の方法例えば塗布、スピン又は浸漬によって設けることができる。好適には、ホトレジスト１２を電気泳動によって設ける。一例として、Shipley社製の負のホトレジストED2100又はCiba Geigy社製の正のホトレジストOptimet P2000を使用することができる。この際、ホトレジストを、製造者の指示に応じた既知の方法で電気化学プロセスにより設ける。電気泳動的に設けられた支持バー１上のホトレジスト１２は、溝３の周りの区域で特に非常に均一な肉厚２５を有することが経験上確かめられている。
好適には、ホトレジスト１２を設けた後露光する前に、４０〜６０℃の間の温度でホトレジストを焼き出す。６０℃より上の温度で焼き出すと、ホトレジスト１２が非常に軟らかくなるために、例えば溝３を充填するように流れ出す。４０℃より下の温度で焼き出しても、ホトレジスト１２が非常に軟らかくなり、例えばホトレジスト１２を設けた支持バー１の取扱中引っかき傷が生じやすくなるおそれがある。４０〜６０℃の間の焼き出し温度では、ホトレジスト１２は、ホトレジスト１２の流出を防止するような硬さを有し、同時に、ホトレジスト１２も取扱中にもかかわらず十分硬い。
ホトレジスト１２に形成することができるパターンの正確さは、設けられたホトレジスト１２だけでなく露光方法にも依存する。好適には、ホトレジスト１２を、ほぼ平行な光を具える光ビームで照射する。照射されないホトレジスト１２と照射されたホトレジスト１２との間の境界２７はこの場合輪郭が明瞭であり、したがって正確なパターンをホトレジスト１２に設けることができる（図２参照）。好適には、光ビームの視準角を２°より小さくする。実際、この場合ホトレジスト１２のパターンの正確さに関連して問題が発生しないことが確認されている。
好適には、光ビームは、入射平面に対して平行、この場合、図２の図面平面に対して平行な方向に偏光される。この間、光ビームは、溝中のホトレジスト表面に対して３０〜４０°の間の角２８にある。ホトレジストの表面上の光ビームの反射はこれらの状況下でほとんど零である。反射が原因の溝の底部のホトレジストの照射が生じず、したがって輪郭の明瞭なパターンがホトレジストに写像される。
図１ｃ及び１ｄは、導体パターン６，７を、支持バー１の側面２９，３０全体に亘って第１主表面２に対向して配置した支持バー１の第２表面３２まで連続させる方法を示す。図１ｄは、いわゆる「表面載置装置」（ＳＭＤ）として半導体装置に最終的に載せ置く方法を示す。本例では、第２主表面３２上の導体パターン６，７は、プリント回路基盤３３上に載せ置かれた半導体装置との接触パッドを形成する。この場合プリント回路基盤３３上の導体パターン３４，３５は、半田付けされた接合部３６，３７を介して支持バー１上の導体パターン６，７と接触する。図３は、一方の主表面２上のホトレジスト１２を直接照射し、それに対して他方の主表面３２上のホトレジストを反射表面４０を介して間接的に照射し、側面２９，３０が他方の主表面３２の一部を切り離し、その間側面２９，３０上のホトレジスト１２を直接的又は間接的に照射することにより導体パターン６，７を設ける本発明による方法を示す。図３に示す状況では、ホトレジスト１２の斜線部を照射するものとする。側面２９，３０をも、ミラー４０により間接的に部分照射する。これにより、通常は照射が困難である支持バー１の角部３１を良好に照射するという利点が得られる（図３参照）。図３は、互いに隣接する複数の支持バーを同時に照射した場合、支持バー１に隣接して配置された支持バー１’により、全体の側面３０を２度すなわち直接的又は間接的（光１４’は境界を表す。）に照射しないようにする方法を示す。
図３及び１に示した本発明による方法では、溝３の壁４，５、第１主表面２の一部、支持バー１の側面２９，３０及び支持バー１の第２主表面３２の一部の全体に亘って延在する導体パターン６，７を一露光ステップで設ける。各側面２９，３０は第２主表面３２の一部を遮るので、一方の壁４の導体パターン６が溝３の他方の壁５上の導体パターン７と電気的に接触しないようにホトレジスト１２を第２主表面３２上でパターン化することができる。
以上説明したような本発明による方法によれば、導体パターン６，７を、支持部材１の第１主表面２、側面２９，３０及び第２主表面３２全体に亘って延在するように溝の各壁４，５上に設ける。溝３の底部８に導電材料９を被覆せず、第２主表面３２の一部を関連の側面２９，３０により切り離すので、一方の壁４上の導体パターン６は他方の壁５上の導体パターン７に接触しない。このような方法は、ダイオードのように二つのゲートを有する半導体装置の製造に非常に好適であり、この場合半導体装置の二つのゲートを、溝３の壁４，５上の相違する導体パターン６，７に接続する。二つより多いゲートを有する半導体装置を製造すべき場合、壁４，５上の導体パターン６，７に別のパターンを設ける必要がある。図３は、露出表面２，２９，３０に直接光を入射させるマスク４１を使用し、それに対して光がマスク４１を介して露出表面３２，２９，３０に入射するとともに反射表面４０により間接的に露出表面３２，２９，３０に入射することを特徴とする本発明による方法の好適実施例を示す。マスク４１を、ホトレジスト１２に別のパターンを付与するために使用する。本発明による方法では、壁４，５上、第１主表面２上、側面２９，３０上及び第２主表面３２上に別のパターンを設けるために用いるマスクを一つのみ必要とする。直接照射するのに使用されるマスク４１の一部は主表面２上に存在し、同時にマスク４１は支持バー１の横方向に延在する。支持バー１の横方向のマスクの一部４１’を、反射表面４０を介して第２主表面３２を照射するのに使用する。これにより、ホトレジスト１２に、別のパターンを簡単な方法で設けることができる。
図４はマスク４１上のパターンの平面図である。好適には、マスク４１は、主に１方向４４に延在するパターンを具え、マスク４１上のパターンの方向４４は溝３の長手方向４５（図５参照）に対してほぼ垂直である。図４のマスク４１は、破線１７，１８による溝３の端部１７，１８の位置と、破線４６，４７による支持バー１の端部４６，４７の位置とを示す。この場合、例えば、溝３の壁４，５、第１主表面２、側面２９，３０及び第２主表面３２全体に亘って延在する複数の並列な導体パターン６，７を形成することができる。図５は、図４のマスク４１により形成されたこのような平行導体パターン６，７を設けた支持バー１を示す。半導体本体１０を設けた後、図５の支持バー１を、例えば破線で示した位置４８の鋸引きにより支持バーを分割することによって個々の半導体装置に細分する。二つの導体パターン７が溝の壁５上に存在するとともに一つの導体パターン６が各半導体素子の壁４上に存在し、その結果半導体素子１０を例えばトランジスタとすることができる。複数のゲートを有する半導体素子１０を、導体パターン６，７を複数のパターンに分割した溝３中に設けることができ、これらゲートを、平行な導体パターン６，７を介する第２主表面３２上の接触パッドに対して延在させることができる。この際、プリント回路基盤３３上に載せ置くと、平行な導体パターン６，７を介する半導体素子１０のゲートと接触することができる。
既に説明したように、導体パターン６，７を、選択的な堆積すなわちリフトオフ技術により設けることができるが、好適には、金属層９を支持バー１上に設け、負のホトレジスト１２を設け、ホトレジスト１２を図３により露光し、ホトレジスト１２の非露光部を除去し、金属層９をエッチングする図１に示す方法により導体パターン６，７を設ける。このように導体パターン６，７を簡単かつ信頼性のある方法で設けることができる。
ここで本発明による方法の一実施例を説明する。２ｍｍの幅、１．４ｍｍの高さ、３０ｃｍの長さ、８００μｍの溝の深さ及び３００μｍの溝の幅を有するセラミック材料の支持バー１を用いる。先ず、１．５μｍの肉厚の銅層９を、既知の方法でこの支持バーの上に無電解的に設ける（図１ａ）。ED2100 Shipleyホトレジスト１２を、電気泳動により約１０μｍの肉厚の層にしてこの銅層９上に設ける。このホトレジストを６０℃で１０分間焼き出し、その後ホトレジスト１２を、マスク４１及びミラー４０を用いて本発明により露光する（図３，４参照）。露光中、光ビームの視準角を１．７°とし、角１５及び１６をそれぞれ３５°及び１４５°とする。露光後、ホトレジスト１２を、ホトレジスト１２に対して説明した方法で現像する。現像後、ホトレジスト１２を、８０℃で１５分間再び焼き出す。この際、図１ｂの状態となる。次いで、銅層９を基準銅エッチャントを用いてエッチングする。次いで、ホトレジストを、ホトレジストに属するレジストリムーバ、この場合「Shipley 2010リムーバ」により除去する。図１ｃ又は５の状態がこの際生じる。次いで、半導体素子１０を支持バー１に挿入して、溝３に適合するように固定する（図１ｄ参照）。半導体素子１０は、溝の壁４上の導体パターン６と電気的に接触する下側２１に金属化層を有する。半導体素子の上側２２に、例えば複数のバンプ接点５０を設ける。溝３に挿入する際に、バンプ５０は、互いに隣接して配置した複数の導体パターン７と電気的に接触する。したがって、半導体素子１０の複数のゲート（入力部、出力部）を、第２主表面３２上の接触パッドに延在する導体パターン６，７に接続する。次いで、不活性化材料５１、本例ではエポキシ樹脂を溝に充填する（図１ｄ参照）。次いで支持バーを、図５に示すライン４８に沿って分割する。個々の半導体素子をこのようにして形成する。図５は、二つの半導体素子を載せ置くことができる支持バー１の一部のみを示す。実際には、複数の半導体装置を一つの支持バー１から製造する。図１ｄは、導体パターン３４，３５を設けたプリント回路基盤３３上に半導体装置を接着剤５２を用いて接着する方法を示す。この際、導体パターン６，７とプリント回路基盤３３上のパターン３４，３５との間の半田付け接合部３６，３７を形成する。
上記実施例で所定の技術を用いたが、これらに限定されるものではない。したがってパターン化されたホトレジストを全ての場合において除去する必要はない。金属層９の代わりに、例えば多結晶シリコン又は酸化導体のような相違する導電材料の層を使用することもできる。ホトレジスト１２を、導電層９のエッチングに使用することができるが、導電材料の選択的な堆積すなわちリフトオフのような技術にも用いることができる。
本発明の方法によれば、例えば、第１主表面２、側面２９，３０及び第２主表面３２の一部に、マスク４１及びミラー４０によりパターン化されたホトレジスト１２を第１のステップで設ける。この場合第２のマスクを用いて、第２主表面３２の他の部分に、パターン化されたホトレジスト１２を設ける。この最後の方法は、支持バー１に対して比較的大きな第１及び第２主表面２，３２と、比較的小さな側面２９，３０とを設けるのに特に好適である。第２主表面３２上のホトレジストに別の輪郭を形成する第２マスクは、導体パターン間に所定の相互接続部を設けて、例えばメッキによりパターン化された金属層９を更に成長させるべき場合にも利用できる。この場合、相互接続部を例えば区域４８（図５）に配置することができ、したがって相互接続部を、支持バー１を個々の半導体装置に細分する際にも分離する。第２マスクはミラーとしても局所的に作用することができる。ここに図示した例の接触パッドは第２主表面３２上に存在する（図１ｄ参照）。導体パターンを、第１主表面２全体に亘ってのみ連続させることもできる。この場合、半導体装置を、プリント回路基盤上の主表面２に載せ置くことができる。本発明は、実施例に図示したような連続した溝を有する支持バーに限定されるものではない。本発明は、例えば、溝が局所的に設けられた場合すなわち溝が遮断物を有する場合も利用できる。
実際には、複数の支持バー１を本発明による方法で同時に処理する。この場合、図３に示したように、複数の支持バー１を同時に照射する一つの大きなマスク４１が存在する。
【図面の簡単な説明】
図１は、本発明による半導体装置の製造の数段階を示す。
図２は、本発明による方法により第１主表面上及び溝中にパターンを設けた支持バーの断面図である。
図３は、本発明による方法により第１主表面上、溝中、側面上及び第２主表面上にパターンを設けた支持バーの断面図である。
図４は、本発明による方法で用いられるマスクの平面図である。
図５は、複数の平行な導体パターンを設けた支持バーを示す。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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