(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対するレジスト塗布処理、露光後の現像処理、およびそれらの前後に行う熱的処理を含む一連の工程を実施する基板処理装置であって、
前記基板を加熱処理する加熱処理ユニットを含む前記一連の工程を実施するための複数の処理機構と、
前記各処理ユニットに対する基板の搬入出を行うための搬送機構と、
前記加熱処理ユニットの外部に設けられ、基板の下面にパレットを密着させた状態で装着するパレット装着ポートとを具備し、
前記搬送機構により、前記加熱処理ユニットに、このパレットが装着された状態の基板が搬入され、
前記パレットは、基板の反りや撓みを抑制するために、
内部に設けられた吸気路と、
この吸気路から延び、前記基板を吸着する吸着孔と、
外部の吸引手段により前記吸気路内を吸引する吸気口と、
吸引後に前記吸気口を閉じる蓋と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板に対するレジスト塗布処理、露光後の現像処理、およびそれらの前後に行う熱的処理を含む一連の工程を実施する基板処理装置であって、
前記基板を加熱処理する加熱処理ユニットを含む前記一連の工程を実施するための複数の処理機構と、
前記各処理ユニットに対する基板の搬入出を行うための搬送機構と、
基板の下面にパレットを密着させた状態で装着するパレット装着ポートとを具備し、
前記搬送機構により、前記加熱処理ユニットに、このパレットが装着された状態の基板が搬入され、
前記搬送機構は、前記加熱処理ユニットによる加熱後に前記基板と前記パレットとを別々に搬送するためにパレットを専用で搬送する保持アームを有し、
前記パレットは、基板の反りや撓みを抑制するために、
内部に設けられた吸気路と、
この吸気路から延び、前記基板を吸着する吸着孔と、
外部の吸引手段により前記吸気路内を吸引する吸気口と、
吸引後に前記吸気口を閉じる蓋と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
加熱処理後の前記パレットを冷却する冷却機構を備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記冷却機構は、前記パレット装着ポートに設けられていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記パレットは、前記基板を吸着する微少の吸着孔を有し、前記吸着孔から空気が侵入することにより、加熱終了時に吸着力が切れるようになっていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示基板等の基板にレジストを塗布し、これを露光した後現像処理する一連の工程を実施する複数の処理ユニットからなる基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造においては、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが形成される。
【０００３】
このレジスト液を塗布する工程では、矩形のＬＣＤ基板は、レジストの定着性を高めるために、アドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、冷却ユニットで冷却後、レジスト塗布ユニットに搬入される。
【０００４】
レジスト塗布ユニットでは、矩形の基板をスピンチャック上に保持した状態で回転させながら、その上方に設けられたノズルから基板の表面中心部にレジスト液を供給し、基板の回転による遠心力によってレジスト液を拡散させ、これにより、基板の表面全体にレジスト膜が塗布される。
【０００５】
このレジスト液が塗布された基板は、周縁の余分なレジストが除去された後、加熱処理ユニットに搬入され、プリベーク処理が行われる。次いで、基板は、冷却ユニットで冷却された後、露光装置に搬送され、そこで所定のパターンが露光される。そして、その後現像処理され、ポストベーク処理が施されて、所定のレジストパターンが形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このようなＬＣＤ基板の塗布・現像工程において、加熱処理ユニットによるプリベーク処理およびポストベーク処理を行う際には、加熱プレートに基板を直接載置するか、または加熱プレートに基板が直接接触することを避け、加熱プレートの固定ピンに載置して加熱プレートからの輻射熱によって加熱する、いわゆるプロキシミティー方式が採用される。
【０００７】
しかしながら、上記いずれの場合でも基板が加熱される際、その中央部が比較的速く昇温され、その周辺部は中央部よりも遅く昇温される傾向がある。その結果、中央部と周辺部との温度差が生じ、それに起因して、基板の周辺部に「反り」が生じる場合がある。また、近年、ＬＣＤ基板の薄型化が進み、基板自体に「撓み」が生じやすくなっている。このような「反り」や「撓み」が生じると、加熱プレート自体の温度均一性をいくら向上しても、熱履歴が部分的にばらつき、処理均一性の低下につながり、現像処理後に回路パターンの線幅の変動を招ねくおそれがある。
【０００８】
一方、熱履歴を均一にするために、基板を降下して加熱プレートに載置する際、基板を段階的に降下して、基板を段階的に加熱プレートに近づけ、基板の中央部と周辺部とを徐々に加熱して、基板の面内温度が均一になるようにして反りを防止する方法が考えられている。
【０００９】
しかしながら、このように面内温度がある程度均一化されたとしても、「撓み」が生じた場合に熱履歴を十分に均一にすることは困難である。
【００１０】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、基板の「反り」や「撓み」を有効に防止して基板の搬送や処理を行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によれば、基板に対するレジスト塗布処理、露光後の現像処理、およびそれらの前後に行う熱的処理を含む一連の工程を実施する基板処理装置であって、
前記基板を加熱処理する加熱処理ユニットを含む前記一連の工程を実施するための複数の処理機構と、
前記各処理ユニットに対する基板の搬入出を行うための搬送機構と、
前記加熱処理ユニットの外部に設けられ、基板の下面にパレットを密着させた状態で装着するパレット装着ポートとを具備し、
前記搬送機構により、前記加熱処理ユニットに、このパレットが装着された状態の基板が搬入され、
前記パレットは、基板の反りや撓みを抑制するために、
内部に設けられた吸気路と、
この吸気路から延び、前記基板を吸着する吸着孔と、
外部の吸引手段により前記吸気路内を吸引する吸気口と、
吸引後に前記吸気口を閉じる蓋と、
を有することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１２】
本発明の第２の観点によれば、基板に対するレジスト塗布処理、露光後の現像処理、およびそれらの前後に行う熱的処理を含む一連の工程を実施する基板処理装置であって、
前記基板を加熱処理する加熱処理ユニットを含む前記一連の工程を実施するための複数の処理機構と、
前記各処理ユニットに対する基板の搬入出を行うための搬送機構と、
基板の下面にパレットを密着させた状態で装着するパレット装着ポートとを具備し、
前記搬送機構により、前記加熱処理ユニットに、このパレットが装着された状態の基板が搬入され、
前記搬送機構は、前記加熱処理ユニットによる加熱後に前記基板と前記パレットとを別々に搬送するためにパレットを専用で搬送する保持アームを有し、
前記パレットは、基板の反りや撓みを抑制するために、
内部に設けられた吸気路と、
この吸気路から延び、前記基板を吸着する吸着孔と、
外部の吸引手段により前記吸気路内を吸引する吸気口と、
吸引後に前記吸気口を閉じる蓋と、
を有することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００２０】
このような構成によれば、パレット装着ポートにおいて基板の下面にパレットを密着させた状態で装着するので、基板搬送および処理の際に、基板に「反り」や「撓み」が生じることを有効に防止することができる。また、基板がこのようなパレットに密着された状態で加熱処理を行うユニットに搬入された際には、このように基板に「反り」や「撓み」が生じることを防止することができる他、加熱プレートの熱がパレットを介して基板へ速やかに伝熱されて基板を均一に加熱することができるので、基板の熱履歴の部分的ばらつきによる処理の不均一を回避することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明が適用される塗布処理ユニットを備えたＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す斜視図である。
【００２５】
この塗布・現像処理システムは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション２およびインターフェイス部３が配置されている。
【００２６】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部１５、１６が設けられている。
【００２７】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射装置（ＵＶ）および冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる紫外線照射／冷却ユニット２５、２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２６、および２つの冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる冷却ユニット２７が配置されている。
【００２８】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２および基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、搬送路１３の他方側には、２つの加熱装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット２８、加熱処理装置（ＨＰ）と冷却処理装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる加熱処理／冷却ユニット２９、およびアドヒージョン処理装置（ＡＤ）と冷却装置（ＣＯＬ）とが上下に積層されてなるアドヒージョン処理／冷却ユニット３０が配置されている。
【００２９】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には、３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ、２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット３１、および加熱処理装置（ＨＰ）と冷却装置（ＣＯＬ）が上下に積層されてなる２つの加熱処理／冷却ユニット３２、３３が配置されている。
【００３０】
上記主搬送装置１７，１８，１９は、それぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有している。
【００３１】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト処理ユニット２２、現像処理ユニット２４ａのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【００３２】
また、中継部１５、１６のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置されており、さらにメンテナンスが可能なスペース３５が設けられている。
【００３３】
インターフェイス部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファーカセットを配置する２つのバッファーステージ３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６およびバッファステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００３４】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【００３５】
このように構成される塗布・現像処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの紫外線照射／冷却ユニット２５の紫外線照射装置（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理が行われ、その後そのユニットの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、前段部２ａに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つで加熱乾燥された後、冷却ユニット２７のいずれかの冷却装置（ＣＯＬ）で冷却される。
【００３６】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の上段のアドヒージョン処理装置（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２２でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇは、中段部２ｂに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、ユニット２９または３０の下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却される。
【００３７】
その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じて後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（ＨＰ）でポストエクスポージャーベーク処理を行った後、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、冷却装置（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９，１８，１７および搬送機構１０によってカセットステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００３８】
次に、図２ないし図４を参照しつつ、本実施の形態に係る加熱処理装置（ＨＰ）について説明する。図２は、本実施の形態に係る加熱処理装置（ＨＰ）の断面図であり、図３は、図２に示した加熱処理装置（ＨＰ）に用いる金属製のパレットの平面図であり、図４は、図２に示した加熱処理装置（ＨＰ）の断面図であって、基板の加熱処理状態を示す。
【００３９】
図２に示すように、加熱処理処理装置（ＨＰ）には、昇降自在のカバー４１が設けられ、このカバー４１の下側には、基板Ｇを加熱するための加熱プレート４２がその加熱面を水平にして配置されいてる。この加熱プレート４２には、ヒーター（図示せず）が装着されており、所望の温度に設定可能となっている。
【００４０】
この加熱プレート４２と基板Ｇとの間には、加熱プレート４２からの熱を基板Ｇに伝熱するための伝熱パレット４３が介在されている。この伝熱パレット４３は良熱伝導性の材料で構成されていることが好ましく、例えばアルミニウム等の金属で構成される。
【００４１】
また、加熱プレート４２の複数の孔を通挿して、伝熱パレット４２を昇降するための複数の第１のリフトピン４４が昇降自在に設けられていると共に、加熱プレート４２および伝熱パレット４３の複数の孔を通挿して、基板Ｇを昇降するための複数の第２のリフトピン４５が昇降自在に設けられている。これら第１および第２のリフトピン４４，４５は、それぞれ、水平に延在された支持部材４６，４７を介して、昇降機構４８により昇降されるようになっている。
【００４２】
これにより、昇降機構４８により第１のリフトピン４４が上昇されて伝熱パレット４３が上方位置にある状態で、第２のリフトピン４５が上昇して、搬入された基板Ｇを受け取り、次いで、図４に示すように、第１のリフトピン４４が降下して、伝熱パレット４３を加熱プレート４２上に載置し、その後、第２のリフトピン４５が降下して、基板Ｇを伝熱パレット４３上に載置し、加熱処理終了後、図２に示すように、第２のリフトピン４５が再び上昇して基板Ｇを搬出位置まで持ち上げ、第１リフトピン４４が上昇して伝熱パレット４３を冷却位置に持ち上げるようになっている。
【００４３】
加熱プレート４２の上面には、伝熱パレット４３を吸着するためのバキューム溝５０が設けられており、このバキューム溝５０には、吸引孔５１が連通されて、吸引機構５２により吸引されるようになっている。この吸引機構５２を作動させることにより、伝熱パレット４３を加熱プレート４２に真空吸着させることができる。また、金属製のパレット４３の上面にも、図３にも示すように、基板Ｇを吸着するための環状のバキューム溝５３が設けられており、このバキューム溝５３には、吸引孔５４および吸引孔５５が連通され、図４に示すように、伝熱パレット４３が加熱プレート４２に吸着された際に、吸引機構５６が吸引孔に連通され、この状態で吸引機構５６を作動させることにより、基板Ｇを伝熱パレット４３に真空吸着させ、これらを密着させるようになっている。
【００４４】
次に、このような加熱処理装置（ＨＰ）による処理について説明する。
まず、図２に示すように、昇降機構４８により第１のリフトピン４４が上昇されてパレット４３が上方位置にある状態で、第２のリフトピン４５が上昇して、搬入された基板Ｇを受け取る。
【００４５】
次いで、図４に示すように、第１のリフトピン４４が降下して、伝熱パレット４３が加熱プレート４２上に載置され、吸引機構５２により吸引孔５１を介してバキューム溝５０が吸引され、伝熱パレット４３が加熱プレート４２に吸着される。
【００４６】
その後、第２のリフトピン４５が降下して、基板Ｇが伝熱パレット４３上に載置され、吸引機構５６により吸引孔５４，５５を介してバキューム溝５３が吸引されて基板Ｇが金属製のパレット４３に真空吸着され、基板Ｇが伝熱パレット４３に密着される。
【００４７】
この状態で加熱プレート４２により基板Ｇの加熱処理が開始される。この場合に、伝熱パレット４３が基板Ｇに密着させるまでの間、加熱プレート４２からの熱は、伝熱パレット４３によって一時的に遮断されているため、基板Ｇには熱による反りは生じない。そして、基板Ｇが伝熱パレット４３に密着された後は、基板Ｇが伝熱パレットに拘束された状態で加熱プレート４２に載置されているので、基板に「反り」や「撓み」が生じることを防止することができる。また、伝熱パレット４３が基板Ｇに密着しているので、加熱プレート４２の熱が伝熱パレット４３を介して基板Ｇへ速やかに伝熱されて基板Ｇを均一に加熱することができる。したがって、基板Ｇの熱履歴の部分的ばらつきによる処理の不均一を回避することができる。具体的には現像後の線幅の均一化を図ることができる。
【００４８】
加熱処理終了後、図２に示すように、第２のリフトピン４５が再び上昇されて基板Ｇが搬出位置まで持ち上げられ、主搬送装置１８により搬出されるとともに、第１リフトピン４４が上昇されて伝熱パレット４３が冷却位置に持ち上げられる。
【００４９】
なお、この先行の基板Ｇへの加熱処理が終了した後、後続の基板Ｇへの加熱処理を開始するまでの間に、金属製のパレット４３の温度が所定温度以下まで低下されていない場合には、温度が低下していない伝熱パレット４３に後続の基板Ｇを載置した際に、その基板が急激に加熱され、「反り」が生じる虞れがある。
【００５０】
したがって、このような対策として、図５に示すように、冷却手段としてファン６０を設け、先行の基板Ｇへの加熱処理が終了した時点で、伝熱パレット４３を冷却位置に位置させるとともにファン６０により伝熱パレット４３を冷却し、パレット４３の温度を所定温度以下に低下させることが有効である。なお、冷却手段はファン６０に限らず、パレット４３上方に水冷またはガス冷却構造の冷却板を上下動可能に設けこの冷却板をパレット４３に接触させることや、搬送アームによってパレット４３に冷却板を載置すること等、種々のものを採用することができる。
【００５１】
また、このような熱の影響を排除するための他の対策としては、伝熱パレット４３を有する加熱処理装置（ＨＰ）を複数個設け、先行の基板Ｇについて一つの加熱処理装置（ＨＰ）を使用した後、後続の基板Ｇについては、他の加熱処理装置を使用することが挙げられる。これにより、伝熱パレット４３の温度がある程度低下してから基板Ｇを搬入することができる。
【００５２】
さらに、上の例とは異なり、伝熱パレット４３を第１のリフトピン４４に固定するのではなく、取り外せるようにし、基板Ｇの搬入時に伝熱パレット４３も搬入するようにするようにすることによってもこのような熱影響を排除することができる。
【００５３】
伝熱パレット４３に基板Ｇを吸着させる際には、図６に示すように、第１のリフトピン４４の内部に吸引孔５７を設け、この吸引孔５７を介して吸引を行って基板Ｇを伝熱パレット４３に真空吸着させることもできる。この場合には、伝熱パレット４３の吸着溝５３および吸着孔５４に対応する位置に第１の支持ピン４４がくるようにすればよい。このようにすることにより、伝熱パレット４３を加熱プレート４２に載置しない状態でも基板Ｇを伝熱パレット４３に容易に吸着させることができる。そして、その後に伝熱パレット４３を下降して加熱プレート４２に載置しても、パレット４３が基板Ｇを拘束しているので、加熱プレート４２からの熱で基板Ｇが反ることがなく、基板Ｇを段階的に下降させる等の操作は不要となる。
【００５４】
上述した実施の形態では、加熱処理装置（ＨＰ）における処理のみに伝熱パレット４３を用いたが、この伝熱パレット４３を基板Ｇの下側に密着させた状態で、主搬送装置１７，１８，１９により、レジスト塗布・現像処理システムの少なくとも一部の処理装置に搬送し処理するようにしてもよい。このようにパレット４３に密着された状態で基板を搬送し、処理することにより、基板Ｇに「反り」や「撓み」がほとんどない状態で基板Ｇの搬送および処理を行うことができる。
【００５５】
この場合には、システム１内に基板Ｇに放熱パレット４３を装着するパレット装着ポートが必要であるが、このようなポートは種々の位置に配置することが可能である。例えば、図７に示すように、カセットステーション１にパレット装着ポート８０を配置してもよいし、また、図８に示すように、２段の加熱処理装置（ＨＰ）を備えた加熱処理ユニット２８の下段の加熱処理装置の代わりに、パレット装着ポート８１を配置することもできる。
【００５６】
この場合に、このようにパレット４３を装着した状態で処理可能な処理装置としては、上述の加熱処理装置（ＨＰ）の他、例えば、冷却処理装置（ＣＯＬ）、表面洗浄ユニット（ＳＣＲ）、現像処理ユニット（ＤＥＶ）などである。なお、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）や裏面洗浄ユニット（ＳＣＲ）では、パレットは処理の妨げとなるおそれがあるので、これらの処理ユニットには、パレットを外した状態で搬入するように構成することが好ましい。
【００５７】
パレット４３を基板Ｇに装着するタイミングとしては、例えば、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）の処理が終了した後、または、カセットステーション１から基板Ｇを取り出す際を挙げることができる。特に、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）の処理が終了した後に装着することにより、次のプリベーク処理において、基板Ｇを均一に熱処理することができるので好ましく、この場合には加熱処理ユニット２８の位置のパレット装着ポート８１を設けることが好都合である。
【００５８】
また、パレット４３を基板Ｇに密着した状態でシステム内を搬送する場合には、真空吸着力が経時的に小さくなるおそれがあるため、システム内の適宜の位置で真空引きできるように構成することが好ましい。この場合に、図９の平面図（ａ）および側面図（ｂ）に示すように、パレット４３内部に吸気路９１を設け、吸気路９１から上方に延びるように複数の基板吸着孔９２を形成し、かつパレット４３側面に吸気口９３を設けて、吸気口９３から適宜の吸引手段で吸引し、吸引後に吸気路９３に蓋９４をすることにより、吸着保持力を上昇させることができる。
【００５９】
このように、基板の搬送および熱処理以外にパレットを用いる場合には、上述したようにパレットの「反り」や「撓み」を抑制する効果のほうが大きいから、パレットには必ずしも伝熱効果を奏する必要はない。
【００６０】
なお、このように、システム内にパレット装着ポートを設ける場合には、前述の加熱処理装置（ＨＰ）において加熱処理にのみパレット４３を使用する際に、予めパレット４３と基板Ｇとを密着した状態で搬入することが可能となり、加熱処理装置（ＨＰ）でパレット４３を装着することが不要となり、リフトピンに真空吸着孔を設けること等が不要となる。この場合に、加熱後、パレット４３と基板Ｇとを別々に搬送する必要があるが、これは主搬送装置１７，１８，１９にパレット専用のアームを設けることにより実現することができる。その際に、パレット４３の吸着孔が微小になっており、そこから空気が侵入して加熱終了時に吸着力が切れるようにすることにより、加熱後の搬送をスムーズに行うことができる。また、パレット装着ポートに冷却機構を設けることにより、加熱終了後のパレットをそこで冷却させることが可能となる。
【００６１】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、レジスト塗布・現像処理システムに本発明を適用した場合について説明したが、他の用途に用いる加熱処理装置に対して適用可能である。また、基板としてＬＣＤ基板の場合について説明したが、液晶表示装置用のカラーフィルター基板、半導体ウエハ等、他の基板に対して適用することもできる。
【００６２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、加熱プレートによる基板の加熱時に、伝熱パレットが基板に密着した状態で加熱プレートと基板との間に介装されているので、基板に「反り」や「撓み」が生じることを防止することができ、また、加熱プレートの熱が伝熱パレットを介して基板へ速やかに伝熱されて基板を均一に加熱することができ、基板の熱履歴の部分的ばらつきによる処理の不均一を回避することができる。
【００６３】
また、基板に対するレジスト塗布処理、露光後の現像処理、およびそれらの前後に行う熱的処理を含む一連の工程を実施する基板処理装置において、パレット装着ポートにおいて基板の下面にパレットを密着させた状態で装着し、これを搬送装置で少なくとも一部処理機構へ搬送するので、基板搬送および処理の際に、基板に「反り」や「撓み」が生じることを有効に防止することができる。また、基板がこのようなパレットに密着された状態で加熱処理を行うユニットに搬入された際には、このように基板に「反り」や「撓み」が生じることを防止することができるほか、また、加熱プレートの熱がパレットを介して基板へ速やかに伝熱されて基板を均一に加熱することができるので、基板の熱履歴の部分的ばらつきによる処理の不均一を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明が適用されるＬＣ基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図２】本実施の形態に係る加熱処理装置（ＨＰ）を示す断面図。
【図３】図２に示した加熱処理装置（ＨＰ）に用いる伝熱パレットの平面図。
【図４】図２に示した加熱処理装置（ＨＰ）の基板加熱処理状態を示す断面図。
【図５】加熱処理装置の他の実施形態を示す断面図。
【図６】基板を伝熱パレットに吸着させる吸着機構の他の構成を示す図。
【図７】パレット装着ポートの配置位置の一例を示す平面図。
【図８】パレット装着ポートの配置位置の他の例を示す側面図。
【図９】基板を伝熱パレットに吸着させる吸着機構のさらに他の構成を示す平面図および側面図。
【符号の説明】
２８，２９；加熱処理ユニット
４２；加熱プレート
４３；伝熱パレット
４４；第１のリフトピン
４５；第２のリフトピン
４８；昇降機構
５０；バキューム溝
５３；バキューム溝
８０，８１；パレット装着ポート
ＨＰ；加熱処理装置
Ｇ；ＬＣＤ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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