(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を照射する光照射手段と、
この光照射手段に対向して配置される多数のフォトダイオードを配列形成したフォトダイオードアレイと、
前記フォトダイオードアレイと前記光照射手段の間にフォトダイオードの配列方向に相対移動可能に配置された光学格子が形成されたメインスケールと、
前記フォトダイオードアレイの出力信号を処理して変位量を求める信号処理手段と、
前記メインスケール上に配置され複数の透過部を不均一に配列形成してなる第１の原点検出用パターンと、
前記第１の原点検出用パターンと実質同じパターンをもって配列されて第２の原点検出用パターンを構成する第１グループの複数のフォトダイオードと、
前記第１グループの複数のフォトダイオードの隣接スペースに配置され前記第１グループの複数のフォトダイオードよりも大きな受光面積を有する第２グループの複数のフォトダイオードと、
前記第１グループの複数のフォトダイオードの出力と前記第２グループの複数のフォトダイオードの出力との差分をとることにより前記第１の原点検出用パターンと前記第２の原点検出用パターンとが一致した位置で原点信号を発生する原点信号検出手段と、
前記第１のグループの複数のフォトダイオードと前記信号処理手段との間の容量と、前記第２のグループの複数のフォトダイオードと前記信号処理手段との間の容量を等しくするために、前記第１のグループの複数のフォトダイオード又は前記第２のグループの複数のフォトダイオード及び前記信号処理回路との間に配置される補正用コンデンサとを備えたことを特徴とする光電式エンコーダの原点検出装置。
【請求項２】
前記補正用コンデンサは、前記第１のグループの複数のフォトダイオードと並列に配置される請求項１に記載の光電式エンコーダの原点検出装置。
【請求項３】
前記補正用コンデンサは、前記第２のグループの複数のフォトダイオードと直列に配置される請求項１に記載の光電式エンコーダの原点検出装置。
【請求項４】
光を照射する光照射手段と、
この光照射手段に対向して配置される多数のフォトダイオードを配列形成したフォトダイオードアレイと、
前記フォトダイオードアレイと前記光照射手段の間にフォトダイオードの配列方向に相対移動可能に配置された光学格子が形成されたメインスケールと、
前記フォトダイオードアレイの出力信号を処理して変位量を求める信号処理手段と、
前記メインスケール上に配置され複数の透過部を不均一に配列形成してなる第１の原点検出用パターンと、
前記第１の原点検出用パターンと実質同じパターンをもって配列されて第２の原点検出用パターンを構成する第１グループの複数のフォトダイオードと、
前記第１グループの複数のフォトダイオードの隣接スペースに配置され前記第１グループの複数のフォトダイオードよりも大きな受光面積を有する第２グループの複数のフォトダイオードと、
前記第１グループの複数のフォトダイオードの出力と前記第２グループの複数のフォトダイオードの出力との差分をとることにより前記第１の原点検出用パターンと前記第２の原点検出用パターンとが一致した位置で原点信号を発生する原点信号検出手段と、
前記第１のグループの複数のフォトダイオードと前記信号処理手段との間の容量と、前記第２のグループの複数のフォトダイオードと前記信号処理手段との間の容量を等しくするために、前記第１のグループの複数のフォトダイオード又は前記第２のグループの複数のフォトダイオード及び前記信号処理回路との間に配置されるダミーフォトダイオードとを備えたことを特徴とする光電式エンコーダの原点検出装置。
【請求項５】
前記ダミーフォトダイオードは、前記第１のグループの複数のフォトダイオードと並列に配置される請求項４に記載の光電式エンコーダの原点検出装置。
【請求項６】
前記ダミーフォトダイオードは、前記第２のグループの複数のフォトダイオードと直列に配置される請求項４に記載の光電式エンコーダの原点検出装置。
【請求項７】
前記ダミーフォトダイオードに光が受光されることを防止するための遮光部を備え、該遮光部の電位は、前記ダミーフォトダイオードの電位と等しくされている請求項２に記載の光電式エンコーダの原点検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リニアエンコーダやロータリーエンコーダとして用いられる光電式エンコーダの原点検出装置に関し、特に、受光面積の異なる複数の受光素子の出力の差動信号により原点位置を検出するようにした光電式エンコーダの原点検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
スケールの変位を検出するエンコーダにおいて、その原点位置を検出するための原点検出装置を設けたものが広く知られている。例えば、図９に示すように、メインスケール８４上の所定箇所に、複数本のスリットを不均一に配列してなるスリットパターンＰ１を設けるとともに、受光素子としてのフォトダイオードアレイ８５側には、このスリットパターンと同一のパターンを備えた原点検出用受光素子としてのフォトダイオードアレイＰ２を形成させる。これにより、Ｐ１，Ｐ２が完全に重なったときに原点検出信号がピークとなり、原点位置（測長基準点）が検出される。
【０００３】
しかし、このような構成の場合、光の回折等により、原点位置以外でもフォトダイオードアレイＰ２に光が受光される。このため、図１０に示すように、その検出信号ＦＺ−ＯＵＴは、原点以外でもある程度の大きさ（ＮＰ２）となり、ピーク値との差Ｖ２が小さくなる。このため、ピーク信号Ｐの検出のためのしきい値Ｖｃを設定が困難であり、原点以外の位置においてピーク信号が検出される虞があるという問題があった。
【０００４】
この問題を解決するため、特開平７−３１８３７１号公報では、図１１に示すように、原点検出用のフォトダイオードアレイＰ２の隙間及び両端に、別のフォトダイオードアレイＰ３を設けている。フォトダイオードアレイＰ３を構成する各フォトダイオードは、フォトダイオードアレイＰ２を構成する各フォトダイオードよりも面積の大きいものが使用される。そして、このフォトダイオードアレイＰ２の出力信号とフォトダイオードアレイＰ３の出力信号の差分を原点検出信号として利用している。この構成によると、原点位置ではピーク信号が現われる一方、原点位置でない位置ではピーク信号と符号が反対の信号が出力される（例えば、原点位置でのピーク信号が−であれば、原点以外では＋の信号が得られる）。これにより、ピーク信号検出のための閾値の設定が容易になり、原点位置以外でピーク信号を検出する等の誤検出の可能性が少なくなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この特開平７−３１８３７１号公報に開示の原点検出装置の如く、受光面積の異なる複数の受光素子からの信号の差分に基づき信号の検出を行おうとする場合には、この２組の受光素子に起因する浮遊容量（接合容量）の相違により、外部からのノイズが相殺されず、これが誤検出の原因になるという問題があった。この問題を、図１２に基づいて説明する。すなわち、原点検出用のフォトダイオードＰ２と、これより受光面積の大きいフォトダイオードＰ３がある場合、それぞれの浮遊容量Ｃｘ１，Ｃｘ２はＣｘ１＜Ｃｘ２という関係となる。従って、電源電圧ＶＤＤ等からノイズｖｎが加わった場合、電流電圧変換回路８６−１ではＣｘ１に比例した大きさのノイズ信号ｖｎ１が得られる一方で、電流電圧変換回路８６−２では、Ｃｘ２に比例した大きさの信号ｖｎ２が得られる。このため、ｖｎ２＞ｖｎ１となり、電流電圧変換回路８６−１，８６−２の後段に配置された図示しない差動増幅回路により差分をとったとしてもこのノイズは相殺されないことになり、これが原点位置の誤検出の原因になるという問題が生じる。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みなされたもので、受光面積の異なる複数の受光素子からの検出信号の差分により原点位置を検出する場合において、ノイズによる検出誤差の生じる可能性を少なくし、原点検出装置の信頼性を高めることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的の達成のため、本出願の第１の発明に係る光電式エンコーダの原点検出装置は、光を照射する光照射手段と、この光照射手段に対向して配置される多数のフォトダイオードを配列形成したフォトダイオードアレイと、前記フォトダイオードアレイと前記光照射手段の間にフォトダイオードの配列方向に相対移動可能に配置された光学格子が形成されたメインスケールと、前記フォトダイオードアレイの出力信号を処理して変位量を求める信号処理手段と、前記メインスケール上に配置され複数の透過部を不均一に配列形成してなる第１の原点検出用パターンと、前記第１の原点検出用パターンと実質同じパターンをもって配列されて第２の原点検出用パターンを構成する第１グループの複数のフォトダイオードと、前記第１グループの複数のフォトダイオードの隣接スペースに配置され前記第１グループの複数のフォトダイオードよりも大きな受光面積を有する第２グループの複数のフォトダイオードと、前記第１グループの複数のフォトダイオードの出力と前記第２グループの複数のフォトダイオードの出力との差分をとることにより前記第１の原点検出用パターンと前記第２の原点検出用パターンとが一致した位置で原点信号を発生する原点信号検出手段と、前記第１のグループの複数のフォトダイオードと前記信号処理手段との間の容量と、前記第２のグループの複数のフォトダイオードと前記信号処理手段との間の容量を等しくするために、前記第１のグループの複数のフォトダイオード又は前記第２のグループの複数のフォトダイオード及び前記信号処理回路との間に配置される補正用コンデンサとを備えたことを特徴とする。
【０００８】
前記補正用コンデンサは、前記第１のグループの複数のフォトダイオードと並列に配置することができる。又は、前記補正用コンデンサは、前記第２のグループの複数のフォトダイオードと直列に配置することができる。
【０００９】
上記目的の達成のため、本出願の第２の発明に係る光電式エンコーダの原点検出装置は、光を照射する光照射手段と、この光照射手段に対向して配置される多数のフォトダイオードを配列形成したフォトダイオードアレイと、前記フォトダイオードアレイと前記光照射手段の間にフォトダイオードの配列方向に相対移動可能に配置された光学格子が形成されたメインスケールと、前記フォトダイオードアレイの出力信号を処理して変位量を求める信号処理手段と、前記メインスケール上に配置され複数の透過部を不均一に配列形成してなる第１の原点検出用パターンと、前記第１の原点検出用パターンと実質同じパターンをもって配列されて第２の原点検出用パターンを構成する第１グループの複数のフォトダイオードと、前記第１グループの複数のフォトダイオードの隣接スペースに配置され前記第１グループの複数のフォトダイオードよりも大きな受光面積を有する第２グループの複数のフォトダイオードと、前記第１グループの複数のフォトダイオードの出力と前記第２グループの複数のフォトダイオードの出力との差分をとることにより前記第１の原点検出用パターンと前記第２の原点検出用パターンとが一致した位置で原点信号を発生する原点信号検出手段と、前記第１のグループの複数のフォトダイオードと前記信号処理手段との間の容量と、前記第２のグループの複数のフォトダイオードと前記信号処理手段との間の容量を等しくするために、前記第１のグループの複数のフォトダイオード又は前記第２のグループの複数のフォトダイオード及び前記信号処理回路との間に配置されるダミーフォトダイオードとを備えたことを特徴とする。
【００１０】
前記ダミーフォトダイオードは、前記第１のグループの複数のフォトダイオードと並列に配置することができる。または、前記ダミーフォトダイオードは、前記第２のグループの複数のフォトダイオードと直列に配置することができる。この第２の発明は、前記ダミーフォトダイオードに光が受光されることを防止するための遮光部を備え、該遮光部の電位は、前記ダミーフォトダイオードの電位と等しくされているのが好適である。
【００１１】
本発明によれば、原点信号検出手段が、前記第１グループの複数のフォトダイオードの出力と前記第２グループの複数のフォトダイオードの出力との差分をとり、この差分に基づき前記第１の原点検出用パターンと前記第２の原点検出用パターンとの一致を検出し、原点位置を検出する。
このとき、第２グループの複数のフォトダイオードは、第１グループの複数のフォトダイオードよりも大なる受光面積を有するので、第２グループの複数のフォトダイオードに起因する浮遊容量は、、第１グループの複数のフォトダイオードに起因する浮遊容量よりも大となる。しかし、前記第１のグループの複数のフォトダイオード又は前記第２のグループの複数のフォトダイオード及び前記信号処理回路との間に配置される補正用コンデンサ又はダミーフォトダイオードにより、この容量の差は無くなり、これによるノイズ信号は信号処理手段により相殺される。従って、原点信号の誤検出の可能性が少なくなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光電式エンコーダの光学系の構成を示す。光照射手段は、ＬＥＤ１１とその出力光を平行光１３にコリメートする凹面鏡１２により構成されている。得られた平行光１３は、所定ピッチのスリットによる光学格子からなる目盛りが形成されたメインスケール１４に照射される。メインスケール１４を透過した光は、フォトダイオードアレイ１５により受光される。フォトダイオードアレイ１５は、シリコン基板に複数のフォトダイオードがメインスケール１４のスリット配列と対応する配列で集積形成されて、これがインデックススケールを兼ねている。フォトダイオードアレイ１５の出力は、信号処理回路１６に送られる。信号処理回路１６ではスケール移動に伴う出力電流の変化から、変位量を算出する。
凹面鏡１２の代わりに凸レンズを用いて平行光１３を生成するようにしてもよい。
【００１３】
図２（ａ）（ｂ）は、メインスケール１４の所定箇所に形成された第１の原点検出用パターンを側面図と平面図で示している。この実施例では図示のように、透過部として、４５μｍ 幅の４個のスリットＳ１〜Ｓ４が不均一に配列形成されている。
【００１４】
図３（ａ）（ｂ）は 、図２に示すメインスケール１４側の第１の原点検出用パターンに対応して、フォトダイオードアレイ１５に形成された第２の原点検出用パターン（以下、Ｚ相パターン）と非原点検出用パターン（以下、ＺＢ相パターン）を示す側面図と平面図である。第１グループのフォトダイオードＺＰＤ１，ＺＰＤ２，ＺＰＤ３，ＺＰＤ４がＺ相パターンを構成するもので、その配列はメインスケール側原点検出用パターンを構成するスリットＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４に対応する。
【００１５】
これら第１グループのフォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４のそれぞれに隣接する広いスペースには、これを埋めるように、ＺＢ相パターンを構成する第２グループのフォトダイオードＺＢＰＤ１，ＺＢＰＤ２，ＺＢＰＤ３，ＺＢＰＤ４が形成されている。フォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４の各間隙のみならず、両外側にフォトダイオードＺＢＰＤ１，ＺＢＰＤ４が配置されていることが重要である。第１グループのフォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４の出力電流は加算されて、Ｚ相出力電流となる。第２グループのフォトダイオードＺＢＰＤ１〜ＺＢＰＤ４の出力電流は加算されて、ＺＢ相出力電流となる。
【００１６】
具体的にこの実施例では、図にμｍ 単位で寸法を書き込んだように、Ｚ相パターンを構成するフォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４は、メインスケール側原点検出用パターンのスリット幅と同じ４５μｍ 幅の細長い受光面を有する。これらのフォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４の各間隙及び周辺の４５μｍ より広いスペースに、４５μｍ 以上のスペースを残さないように受光面幅が設定されたフォトダイオードＺＢＰＤ１〜ＺＢＰＤ４が形成されている。
【００１７】
ＺＢ相パターンを構成するフォトダイオードＺＢＰＤ１〜ＺＢＰＤ４のうち少なくとも両端のフォトダイオードＺＢＰＤ１，ＺＢＰＤ４は、Ｚ相パターンを構成するフォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４の幅よりも大きい幅を有する。より具体的に言えば、図３（ｂ）に示すように、第２グループの左端のフォトダイオードＺＢＰＤ１のピッチａ１は、第１グループの右端のフォトダイオードＺＰＤ４のピッチａ２より大きく設定され、第２グループの右端のフォトダイオードＺＢＰＤ４のピッチｂ１は、第１グループの左端のフォトダイオードＺＰＤ１のピッチｂ２より大きく設定されている。これにより、後述するように、原点位置からずれた位置で発生する非ピーク電圧が原点位置で得られるピーク電圧と同極性になることが防止される。
【００１８】
図４は、信号処理回路１６に含まれる原点検出回路の構成である。この原点検出回路は、図３に示すＺ相パターンを構成するフォトダイオード群ＺＰＤ１〜ＺＰＤ４から得られるＺ相出力信号、及びＺＢ相パターンを構成するフォトダイオード群ＺＢＰＤ１−ＺＢＰＤ４から得られるＺＢ相出力信号を処理して原点検出を行う。この原点検出回路は、二つの電流電圧変換器４１，４２と、これらの電流電圧変換器４１，４２の出力の差を取る差動増幅器４３と、この差動増幅器４３の出力を所定のしきい値電圧と比較して原点信号Ｚを出力する比較回路４４とにより構成されている。
【００１９】
Ｚ相パターンを構成するフォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４の受光電流はまとめてＺ相出力信号として取り出され、これが演算増幅器ＯＰ２を用いた電流電圧変換器４２により電圧値に変換される。ＺＢ相パターンを構成するフォトダイオードＺＢＰＤ１〜ＺＢＰＤ４の受光電流も同様にまとめてＺＢ相出力として取り出され、これは演算増幅器ＯＰ１を用いた電流電圧変換器４１により電圧値に変換される。
【００２０】
二つの電流電圧変換器４１，４２の出力は差動増幅器４３により差が取られて、差出力ＦＺ−ＯＵＴが得られる。この差出力信号ＦＺ−ＯＵＴは、メインスケールの移動に伴って図５に示すように、検出回路の基準電圧ＶREF に対して正から負にまたがって変動するが、原点位置を示すピーク電圧Ｐのみが負になる。
【００２１】
前述したように、ＺＢ相パターンを構成するフォトダイオードＺＢＰＤ１〜ＺＢＰＤ４のうち少なくとも両端のフォトダイオードＺＢＰＤ１，ＺＢＰＤ４は、Ｚ相パターンを構成するフォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４の幅よりも大きい幅を有する。このため、ＺＢ相パターンを構成するフォトダイオードＺＢＰＤ１〜ＺＢＰＤ４のトータルの受光面積は、Ｚ相パターンを構成するフォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４のトータルの受光面積よりも大きい。このため、ＺＢＰＤ１〜４の浮遊容量Ｃｘ２は、ＺＰＤ１〜４の浮遊容量Ｃｘ１よりも大きくなる。このため、［発明が解決しようとする課題］の欄で説明したような問題を回避すべく、フォトダイオードＺＰＤ１〜４と並列に補正用コンデンサ４５を配置する。この補正用コンデンサ４５の容量Ｃｄは、Ｃｘ１＋Ｃｄ＝Ｃｘ２となるように選択される。
【００２２】
差出力信号ＦＺ−ＯＵＴは、比較回路４４により、しきい値電圧ＶC と比較されて、図５に示すようにピーク電圧Ｐのみが検出され、これが原点信号Ｚとして出力される。
【００２３】
図６（ａ）（ｂ）（ｃ）は、この実施例のエンコーダにおいて、メインスケール１４をフォトダイオードアレイ１５に対して相対移動させたときの、メインスケール側原点検出用パターンと、フォトダイオードアレイ１５側のＺ相パターン及びＺＢ相パターンとの重なりの様子を示している。図の斜線部は、メインスケール側原点検出用パターンを構成するスリットＳ１〜Ｓ４を透過した光によるフォトダイオードアレイ１５上の照射パターンである。
【００２４】
図６（ａ）は、スリットＳ１〜Ｓ４がフォトダイオードアレイ１５上のＺ相パターンを構成するフォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４に一対一で対応して重なる原点位置の場合である。このときフォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４の全てに受光電流が流れ、これが加算されて大きなＺ相出力が得られる。またこのとき、ＺＢ相パターンを構成するフォトダイオードＺＢＰＤ１〜ＺＢＰＤ４には光が照射されず、ＺＢ相出力はゼロである。
【００２５】
図６（ｂ）は、 図６（ａ）に対してメインスケール１４が僅かに左方向にずれて、スリットＳ２がＺ相用のフォトダイオードＺＰＤ１に重なった位置の例である。このときフォトダイオードＺＰＤ１から受光電流が得られるが、他のスリットＳ１，Ｓ３，Ｓ４がＺＢ相用のフォトダイオードＺＢＰＤ１，ＺＢＰＤ２，ＺＢＰＤ３にそれぞれ重なるから、Ｚ相出力より大きなＺＢ相出力が得られる。
【００２６】
図６（ｃ）は、メインスケール１４が更に左側にずれて、スリットＳ４がＺ相用フォトダイオードＺＰＤ３に重なった状態を示している。この場合も斜線で示す重なりパターンを比較して明らかなように、やはりＺ相出力よりＺＢ相出力が大きくなる。
【００２７】
図６（ｂ）（ｃ）は上述のように原点位置からずれた場合の２例であるが、ＺＢ相パターンを構成するフォトダイオードＺＢＰＤ１〜ＺＢＰＤ４と、Ｚ相パターンを構成するフォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４とは、シミュレーションによる確認を行って、 図６（ａ）に示す原点位置以外ではＺＢ相出力が常にＺ相出力より大きくなるようにレイアウトされる。
【００２８】
以上により、 図４のＺ相側の電流電圧変換器４２とＺＢ相側の電流電圧変換器４１の出力を比較すると、原点位置を除いて常に、後者の方が大きい。これにより差動増幅器４３の出力ＦＺ−ＯＵＴは、 図５に示したように、原点位置でのみ負の大きなピーク電圧Ｐとなり、それ以外の位置で発生する非ピーク電圧ＮＰ１は常に正となる。
【００２９】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態を、図７に基づいて説明する。
上記実施の形態においては、フォトダイオードＺＰＤ１〜ＺＰＤ４と並列に補正用コンデンサ４５を接続することによりノイズによる誤差信号の発生を防止していたが、本実施の形態では、図７に示すように、補正用コンデンサ４５の代わりに、ダミーフォトダイオードＰＤｄ４６を接続している。このダミーフォトダイオードＰＤｄにより寄生容量Ｃｘｄが加わることになる。Ｃｘ１＋Ｃｘｄ＝Ｃｘ２となるよう、ダミーフォトダイオードＰＤｄの大きさを適切に選ぶのが好ましい。光電式エンコーダ、原点検出装置の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００３０】
図８は、本実施の形態の受光素子アレイの断面図である。ダミーフォトダイオードＰＤｄは、光を受光して検出電流が生じるのを防ぐため、遮光部４８により覆って光を受光できないようにする。このとき、遮光部４８は、ダミーフォトダイオードＰＤｄの信号線に接続されているのが好ましい。遮光部４８がダミーフォトダイオードＰＤｄに対し絶縁されていると、遮光部４８とダミーフォトダイオードＰＤｄとの間に新たな浮遊容量が現われるからである。
【００３１】
上記の実施の形態においては、補正用コンデンサ４５又はダミーフォトダイオードＰＤｄを受光面積が小さいフォトダイオードＺＰＤ１〜４と並列に接続していたが、受光面積が大きいフォトダイオードＺＢＰＤ１〜４と直列に接続してもよい。Ｃｘ１＝Ｃｘ２・Ｃｄ／（Ｃｘ２＋Ｃｄ）となるように、Ｃｄを選択すればよい。要するに、Ｚ相側の静電容量と、ＺＢ相側の静電容量とが略等しくなればよい。
【００３２】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、受光面積の異なる複数の受光素子からの検出信号の差分により原点位置を検出する場合において、ノイズによる検出誤差の生じる可能性が少なくし、原点検出装置の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る第1の実施の形態の光電式エンコーダの構成を示す図である。
【図２】  第１の実施の形態の光電式エンコーダのメインスケール１４上に形成された原点検出用のスリットＳ１−Ｓ４の形状を示す図である。
【図３】  同じく第１の実施の形態の光電式エンコーダのフォトダイオードアレイ１５上に形成されたフォトダイオードの構成を示す図である。
【図４】  第１の実施の形態の原点位置検出回路の構成を示す図である。
【図５】  第１の実施の形態の検出回路の出力信号ＦＺ−ＯＵＴの波形を示す図である。
【図６】  第１の実施の形態におけるメインスケール１４の位置とフォトダイオードアレイ１５の位置との関係を示す図である。
【図７】  本発明の第２の実施の形態に係る光電式エンコーダの原点位置検出回路の図である。
【図８】  第２の実施の形態の原点検出回路の具体的な構造を示す図である。
【図９】  第１の従来例の光電式エンコーダの原点検出装置におけるスリットとフォトダイオードアレイの構造を示す。
【図１０】  第１の従来例の原点検出信号の波形を示す図である。
【図１１】  第２の従来例のスリットとフォトダイオードアレイの配置関係を示す図である。
【図１２】  第２の従来例の問題点を説明する説明図である。
【符号の説明】
１１・・・ＬＥＤ、１２・・・凹面鏡、１４・・・・・・メインスケール、１５…フォトダイオードアレイ、Ｓ１〜Ｓ４・・・・・・スリット、ＺＰＤ１〜ＺＰＤ４・・・・・・原点検出用の第１グループのフォトダイオード、ＺＢＰＤ１〜ＺＢＰＤ４・・・・・・非原点検出用の第２グループのフォトダイオード（非原点検出用）、４１，４２・・・・・・電流電圧変換器、４３・・・・・・差動増幅器、４４・・・・・・比較回路、・４５・・・・・補正用コンデンサ、ＰＤｄ・・・・・・ダミーフォトダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１１】
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