(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一導電型半導体基板の表面に開口部を有するマスクを設け、前記開口部のみにコア層を含む半導体層を選択的に成長させる工程、前記マスクを除去したのち全面に逆導電型半導体層を成長させる工程、及び、前記逆導電型半導体層の前記コア層を含む半導体層の上に位置する部分に２つのストライプ状溝に挟まれた凸部を形成する工程を含むことを特徴とする光半導体素子の製造方法。
【請求項２】
一導電型半導体基板の表面に開口部を有するマスクを設け、前記マスクを用いて前記一導電型半導体基板をエッチングすることによって前記開口部に溝を形成し、前記マスクを残したまま前記開口部に形成された溝中のみにコア層を含む半導体層を選択的に成長させる工程、前記マスクを除去したのち全面に逆導電型半導体層を成長させる工程、及び、前記逆導電型半導体層の前記コア層を含む半導体層の上に位置する部分に２つのストライプ状溝に挟まれた凸部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の光半導体素子の製造方法。
【請求項３】
上記選択成長させたコア層を含む半導体層が、平坦な領域と、光出射端面に向かって膜厚が徐々に薄くなっていくテーパ領域とから構成されることを特徴とする請求項１または２に記載の光半導体素子の製造方法。
【請求項４】
上記コア層を、多重量子井戸層と、多重量子井戸層を挟む光ガイド層とによって構成したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光半導体素子の製造方法。
【請求項５】
上記コア層を含む半導体層の最上層として、上記全面に設ける逆導電型半導体層と同じ組成の逆導電型半導体層を設けることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光半導体素子の製造方法。
【請求項６】
上記マスクを除去したのちで、且つ、上記全面に逆導電型半導体層を成長させる前に、上記コア層を含む半導体層の構成原子が移動する程度の高温に放置する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光半導体素子の製造方法。
【請求項７】
上記マスクの開口部の少なくとも一部に回折格子を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は光半導体素子の製造方法に関するものであり、特に、光ファイバ通信に用いるスポットサイズ変換器を集積化した半導体レーザ等の光半導体素子の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光ファイバ通信は１本の光ファイバで大容量の情報を送ることができるため、これまでの幹線系から、加入者系或いは光ＬＡＮ等のネットワークに適用範囲を拡げていくことが要請されている。
【０００３】
この様な要請に応えるためにはコストの低減が必須であり、特に、光モジュール内における光半導体素子と光ファイバとの間の光結合が大きな問題になってきている。
【０００４】
この様な問題を解決するために、光を導波するコア層の厚さを出射端面に向かってテーパ状に変化させた構造のスポットサイズ変換器を集積化した光半導体素子、特に、スポットサイズ変換器付き半導体レーザ（必要ならば、Ｈ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ  ｅｔ  ａｌ．，ＩＥＥＥ  Ｐｈｏｔｏｎ．Ｔｅｃｈ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏｌ．６，１９９４，ｐｐ．１０８０−１０８１、杉江等，「Ｂｕｔｔ−Ｊｏｉｎｔ型選択成長スポットサイズ変換付き１．３μｍＬＤ」，１９９５年電子情報通信学会総合大会講演論文集，ｐ．４６５，ＳＣ−４−５、或いは、Ｙ．Ｔｏｈｍｏｒｉ  ｅｔ  ａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．３１，１９９５，ｐｐ．１０６９−１０７０参照）が提案されている。
【０００５】
この様なスポットサイズ変換器付き半導体レーザは、レンズを使用せずに高結合効率の光結合が可能で、且つ、位置精度の余裕も大きいので、光結合を簡単化できる素子として期待されている。
【０００６】
また、この様なスポットサイズ変換器付き半導体レーザとして、埋込構造を用いないリッジ型テーパ導波路付き半導体レーザが提案されており、このリッジ型テーパ導波路付き半導体レーザにおいてはコア層をメサエッチングしたのちに埋込層の再成長のプロセスが不要であるため、埋込構造の素子よりも簡単な工程で製作可能であるという特徴がある。
【０００７】
ここで、図７を参照して、従来のリッジ型テーパ導波路付き半導体レーザの概略的構成を説明する。
図７参照
このリッジ型テーパ導波路付き半導体レーザは、ｎ型ＩｎＰ基板３１上に、テーパ導波路部３６において膜厚が出射端面に向かってテーパ状に減少すると共に、レーザ部３５において膜厚が一定のＭＱＷコア層３２を設け、その上に薄いｐ型ＩｎＰクラッド層３３を介してストライプ状のｐ型ＩｎＰリッジ３４を設けたものであり、この場合、ｐ型ＩｎＰリッジ３４の幅はレーザ部３５では一定であり、テーパ導波路部３６において膜厚が出射端面に向かってフレア状に拡大する形状となっている。
【０００８】
この様なリッジ型テーパ導波路付き半導体レーザにおける膜厚テーパ導波路の形成方法としては誘電体マスクを用いた選択成長法（必要ならば、特開平８−４６２９５号公報参照）、シャドーマスクを用いた成長技術（必要ならば、青木他，電子情報通信学会総合大会，Ｃ−３７２，１９９６参照）、或いは、エッチングによる形成（必要ならば、Ｔ．Ｂｒｅｎｎｅｒ  ｅｔ  ａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．３１，ｐｐ．１４４３〜１４４５，１９９５参照）等が報告されている。
【０００９】
この様な３種類の形成方法の内、埋込構造の膜厚テーパ導波路の作製の際にも多く用いられている、誘電体マスクを用いた選択成長法が形状の制御性及び再現性の点では優れているので、この誘電体マスクを用いた選択成長法を図８を参照して説明する。
【００１０】
図８（ａ）参照
まず、ｎ型ＩｎＰ基板３１の表面に、テーパ導波路部を形成する領域においては出射端面に向かって幅が徐々に広くなるテーパ状開口部とし、一方、レーザ部を形成する領域においては均一で幅細の開口部としたストライプ状の開口部３８を有するＳｉＯ2 マスク３７を設ける。
【００１１】
図８（ｂ）参照
次いで、減圧ＭＯＶＰＥ法（減圧有機金属気相成長法）によって、ＭＱＷコア層３２、及び、ｐ型ＩｎＰクラッド層３３を順次成長させるが、この場合のＭＱＷコア層３２は、１．１μｍ波長組成のＩｎＧａＡｓＰ層からなる上下の光ガイド層と、１．１μｍ波長組成のＩｎＧａＡｓＰ障壁層及び１．３５μｍ波長組成のＩｎＧａＡｓＰ井戸層を交互に井戸層が５層になるように堆積させた量子井戸層によって構成する。
【００１２】
この際、ＳｉＯ2 マスク３７に設けたストライプ状の開口部３８の形状によって、ＭＱＷコア層３２の膜厚は、テーパ導波路部においては出射端面に向かってテーパ状に減少し、且つ、レーザ部においては平坦な構造となるが、成長層の端部には異常成長部３９が発生する。
【００１３】
図８（ｃ）参照
次いで、所定のマスク（図示せず）を用いてエッチングすることによって、２つのストライプ状溝４０に囲まれたｐ型ＩｎＰリッジ３４を形成し、このｐ型ＩｎＰリッジ３４の下に位置するＭＱＷコア層３２を能動領域及び光導波領域とする。
【００１４】
図８（ｄ）参照
次いで、光ファイバ（図示せず）を載置したマウント基板４１上に、リッジ型テーパ導波路付き半導体レーザを、光をモニタすることなく、即ち、パッシブアライメント方式で、半田層４２を用いてジャンクションダウンのボンディングを行って光モジュールの概略的構成が完成する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この様な誘電体マスクによる選択成長法を用いたリッジ型テーパ導波路付き半導体レーザにおいては、成長層端部の異常成長部３９により表面が平坦でなくなるため、安定したジャンクションダウンのボンディングが困難になるという問題がある。
【００１６】
また、それと同時に光を実際にモニタすることなく光ファイバと半導体レーザとの位置合わせを行うパッシブアライメントが困難になり、モジュールの組立を容易にするためにテーパ導波路部、即ち、スポットサイズ変換器を設けた意味がなくなるという問題がある。
【００１７】
したがって、本発明は、リッジ型テーパ導波路付き半導体レーザの表面を平坦化し、ボンディングを容易にすることを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１（ａ）乃至（ｄ）参照
（１）本発明は、光半導体素子の製造方法において、一導電型半導体基板１の表面に開口部３を有するマスク２を設け、開口部３のみにコア層を含む半導体層４を選択的に成長させる工程、マスク２を除去したのち全面に逆導電型半導体層６を成長させる工程、及び、逆導電型半導体層６のコア層を含む半導体層４の上に位置する部分に２つのストライプ状溝７に挟まれた凸部８を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１９】
この様に、コア層を含む半導体層４を選択成長させた後に、全面に逆導電型半導体層６を成長させているので、選択成長させる半導体層をコア層を含む半導体層４のみにして薄くすることができるので、その端部に形成される異常成長部５を小さくすることができ、さらに、厚い逆導電型半導体層６によって異常成長部５の影響を余り受けることなく表面を平坦化することができ、パッシブアライメントに必要なジャンクションダウンでのボンディングが可能になる。
【００２０】
（２）また、本発明は、光半導体素子の製造方法において、一導電型半導体基板１の表面に開口部３を有するマスク２を設け、マスク２を用いて一導電型半導体基板１をエッチングすることによって開口部３に溝を形成し、マスク２を残したまま開口部３に形成された溝中のみにコア層を含む半導体層４を選択的に成長させる工程、マスク２を除去したのち全面に逆導電型半導体層６を成長させる工程、及び、逆導電型半導体層６のコア層を含む半導体層４の上に位置する部分に２つのストライプ状溝７に挟まれた凸部８を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２１】
この様に、溝内にコア層を含む半導体層４を選択成長させているので、コア層を含む半導体層４の端部に形成される異常成長部５は非常に小さくなり、その後に全面に成長させた逆導電型半導体層６の表面はより平坦になるので、パッシブアライメントに必要なジャンクションダウンでのボンディングがより可能になる。
【００２２】
（３）また、本発明は、上記（１）または（２）において、選択成長させたコア層を含む半導体層４が、平坦な領域と、光出射端面に向かって膜厚が徐々に薄くなっていくテーパ領域とから構成されることを特徴とする。
【００２３】
この様に、光出射端面に向かって膜厚が徐々に薄くなっていくテーパ領域、即ち、テーパ導波路部を設けることによってスポットサイズ変換器を構成することができるので、パッシブアライメントが容易になる。
【００２４】
（４）また、本発明は、上記（１）乃至（３）のいずれかにおいて、コア層を、多重量子井戸層と、多重量子井戸層を挟む光ガイド層とによって構成したことを特徴とする。
【００２５】
この様に、コア層を多重量子井戸構造で構成することによって、テーパ導波路部における量子準位による実効禁制帯幅をレーザ部の実効禁制帯幅より大きくすることができ、テーパ導波路部における光の吸収損失を小さくすることができる。
【００２６】
（５）また、本発明は、上記（１）乃至（４）のいずれかにおいて、コア層を含む半導体層４の最上層として、全面に設ける逆導電型半導体層６と同じ組成の逆導電型半導体層を設けることを特徴とする。
【００２７】
この様に、コア層を含む半導体層４の最上層として、全面に設ける逆導電型半導体層６と同じ組成の逆導電型半導体層を設けることにより、マスク２を除去した後の再成長に伴う成長界面の荒れの影響をコア層に及ぼすことがなくなり、コア層に直接逆導電型半導体層６を成長させた場合に比べてヘテロ接合界面をシャープにすることができる。
【００２８】
（６）また、本発明は、上記（１）乃至（５）のいずれかにおいて、マスク２を除去したのちで、且つ、全面に逆導電型半導体層６を成長させる前に、コア層を含む半導体層４の構成原子が移動する程度の高温に放置する工程を含むことを特徴とする。
【００２９】
この様に、全面に逆導電型半導体層６を成長させる前に、コア層を含む半導体層４の構成原子が移動する程度の高温に放置することにより、マストランスポート現象によって異常成長部５の突起を小さくすることができ、全面に成長させる逆導電型半導体層６の表面をより平坦にすることができる。
【００３０】
（７）また、本発明は、上記（１）乃至（６）のいずれかにおいて、マスク２の開口部３の少なくとも一部に回折格子を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００３１】
この様に、回折格子を形成することによって、ＤＦＢ（分布帰還型）半導体レーザ、或いは、ＤＢＲ（分布ブラッグ反射）型半導体レーザを構成することができ、リッジ型テーパ導波路付き半導体レーザにおける発振波長の単一化が可能になる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
ここで、本発明の第１の実施の形態を図２及び図３を参照して説明する。
図２（ａ）参照
まず、電子濃度が１．０〜３．０×１０18ｃｍ-3、例えば、２．０×１０18ｃｍ-3のｎ型ＩｎＰ基板１１表面に、テーパ導波路部を形成する長さ２００μｍの領域においては出射端面に向かって幅が徐々に広くなるテーパ状開口部とし、一方、長さ３００μｍのレーザ部を形成する領域においては均一で幅細のストライプ状開口部とからなる開口部１３を有する選択成長マスクとなるＳｉＯ2 マスク１２を設ける。
【００３３】
図２（ｂ）参照
次いで、減圧ＭＯＶＰＥ法を用いて、ＭＱＷコア層１４、及び、厚さ５０〜３００ｎｍ、例えば、１００ｎｍのｐ型ＩｎＰクラッド層１５を順次選択成長させる。
なお、このｐ型ＩｎＰクラッド層１５は、後のＳｉＯ2 マスク１２除去後の再成長の際の成長界面の荒れがＭＱＷコア層１４に及ばないようにするため、即ち、ヘテロ接合界面をシャープにするために設けるものである。
【００３４】
この際、ＭＱＷコア層１４を構成する上下の光ガイド層及び量子井戸層の膜厚が、例えば、テーパ導波路部においては出射端面に向かって２００μｍかけて１／３の厚さにテーパ状に減少させ、且つ、レーザ部においては平坦な構造とする。
【００３５】
なお、この第１の実施の形態においては、レーザ部を形成する平坦な領域における厚さが、上下の光ガイド層を厚さ５０〜１５０ｎｍ、例えば、１００ｎｍの１．１μｍ波長組成のＩｎＧａＡｓＰ層によって構成し、また、量子井戸層を、厚さ１０ｎｍの６層の１．１μｍ波長組成のＩｎＧａＡｓＰ障壁層と、厚さ６ｎｍの５層の１．３５μｍ波長組成のＩｎＧａＡｓＰ井戸層を堆積する。
【００３６】
図２（ｃ）参照
次いで、ＳｉＯ2 マスク１２を除去したのち、再び減圧ＭＯＶＰＥ法を用いて、厚さ２０００〜６０００ｎｍ、例えば、４０００ｎｍ（４μｍ）のｐ型ＩｎＰクラッド層１６及び厚さ２００〜１０００ｎｍ、例えば、５００ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７を堆積させる。
【００３７】
図３（ｄ）参照
次いで、レジストパターン（図示せず）をマスクとして、エタン系ガスを用いてドライ・エッチングすることによって幅１０μｍで、ＭＱＷコア層１４の表面から５０〜３００ｎｍ、例えば、１００ｎｍの厚さのｐ型ＩｎＰクラッド層１５またはｐ型ＩｎＰクラッド層１６が残る深さの２本のストライプ状溝１８を形成し、その間の凸部をリッジ１９とする。
【００３８】
この場合、リッジ１９の幅は、例えば、レーザ部で２μｍ、テーパ導波路部で出射端面に向かってフレア状に広がり、出射端面で５μｍになるようにレジストパターンを形成する。
【００３９】
図３（ｅ）参照
次いで、テーパ導波路部２１の先端から１５０μｍの領域のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７をエッチング除去したのち、以降は図示しないものの、全面にＳｉＯ2 膜を設けてリッジ１９の頂上のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７に対してのみコンタクトのための開口部を設け、開口部を覆うようにｐ側電極を設けると共に、ｎ型ＩｎＰ基板１１の裏面にｎ側電極を設けることによって、リッジ型テーパ導波路付き半導体レーザの基本構造が完成する。
【００４０】
この第１の実施の形態においては、選択成長させる半導体層の厚さは、２９０ｎｍのＭＱＷコア層１４と３００ｎｍのｐ型ＩｎＰクラッド層１５だけで約６００ｎｍであるので、従来の選択成長半導体層より大幅に薄くすることができ、したって、異常成長部の突起を大幅に小さくすることができる。
【００４１】
また、この場合、全面に厚いｐ型ＩｎＰクラッド層１６及びｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７を成長させているので、表面をより平坦にすることができ、したがって、リッジ１９を形成したのちジャンクションダウンでボンディングしても、精度の良い安定したパッシブアライメントが可能になる。
【００４２】
なお、異常成長部をより小さくするためには、ｐ型ＩｎＰクラッド層１６を成長させる前に、ＭＯＶＰＥ装置内においてＰＨ3 雰囲気中で６２０℃程度の高温に保持することにより、マストランスポート現象により異常成長部の形状をなめらかにすれば良く、それによって表面の平坦性をさらに増すことができる。
【００４３】
次に、図４及び図５を参照して本発明の第２の実施の形態を説明する。
図４（ａ）参照
まず、電子濃度が１．０〜３．０×１０18ｃｍ-3、例えば、２．０×１０18ｃｍ-3のｎ型ＩｎＰ基板１１表面に、テーパ導波路部を形成する長さ２００μｍの領域においては出射端面に向かって幅が徐々に広くなるテーパ状開口部とし、一方、長さ３００μｍのレーザ部を形成する領域においては均一で幅細のストライプ状開口部とからなる開口部１３を有する選択成長マスクとなるＳｉＯ2 マスク１２を設け、エタン系ガスを用いたドライ・エッチングによってｎ型ＩｎＰ基板１１に選択成長させる膜厚に相当する深さ、例えば、深さ４００ｎｍの溝２２を形成する。
【００４４】
図４（ｂ）参照
次いで、減圧ＭＯＶＰＥ法を用いて、溝２２の内部にＭＱＷコア層１４、及び、厚さ５０〜３００ｎｍ、例えば、１００ｎｍのｐ型ＩｎＰクラッド層１５を順次選択成長させる。
なお、この場合のｐ型ＩｎＰクラッド層１５も、後のＳｉＯ2 マスク１２除去後の再成長の際の成長界面の荒れがＭＱＷコア層１４に及ばないようにするために設けるものである。
【００４５】
この際、ＭＱＷコア層１４を構成する上下の光ガイド層及び量子井戸層の膜厚が、例えば、テーパ導波路部においては出射端面に向かって２００μｍかけて１／３の厚さにテーパ状に減少させ、且つ、レーザ部においては平坦な構造とする。
【００４６】
なお、この第２の実施の形態においても、レーザ部を形成する平坦な領域における厚さが、上下の光ガイド層を厚さ５０〜１５０ｎｍ、例えば、１００ｎｍの１．１μｍ波長組成のＩｎＧａＡｓＰ層によって構成し、また、量子井戸層を、厚さ１０ｎｍの６層の１．１μｍ波長組成のＩｎＧａＡｓＰ障壁層と、厚さ６ｎｍの５層の１．３５μｍ波長組成のＩｎＧａＡｓＰ井戸層を堆積する。
【００４７】
図４（ｃ）参照
次いで、ＳｉＯ2 マスク１２を除去したのち、再び減圧ＭＯＶＰＥ法を用いて、厚さ２０００〜６０００ｎｍ、例えば、４０００ｎｍ（４μｍ）のｐ型ＩｎＰクラッド層１６及び厚さ２００〜１０００ｎｍ、例えば、５００ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７を順次堆積させる。
【００４８】
図５（ｄ）参照
次いで、レジストパターン（図示せず）をマスクとして、エタン系ガスを用いてドライ・エッチングすることによって幅１０μｍで、ＭＱＷコア層１４の表面から５０〜３００ｎｍ、例えば、１００ｎｍの厚さのｐ型ＩｎＰクラッド層１５またはｐ型ＩｎＰクラッド層１６が残る深さの２本のストライプ状溝１８を形成し、その間の凸部をリッジ１９とする。
【００４９】
この場合、リッジ１９の幅は、例えば、レーザ部で２μｍ、テーパ導波路部で出射端面に向かってフレア状に広がり、出射端面で５μｍになるようにレジストパターンを形成する。
【００５０】
図５（ｅ）参照
次いで、テーパ導波路部２１の先端から１５０μｍの領域のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７をエッチング除去したのち、以降は図示しないものの、全面にＳｉＯ2 膜を設けてリッジ１９の頂上のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１７に対してのみコンタクトのための開口部を設け、開口部を覆うようにｐ側電極を設けると共に、ｎ型ＩｎＰ基板１１の裏面にｎ側電極を設けることによって、リッジ型テーパ導波路付き半導体レーザの基本構造が完成する。
【００５１】
この第２の実施の形態においては、溝２２の内部にＭＱＷコア層１４とｐ型ＩｎＰクラッド層１５を成長させているので、異常成長部の突起は上記の第１の実施の形態より大幅に小さくすることができ、それによって、表面の平坦性はさらに良好になる。
【００５２】
また、この第２の実施の形態においても、選択成長で形成する成長層の厚さが一定でないために必然的に段差が生じてしまい、また、レーザ部２０の成長層厚が溝２２の深さより大きい場合には、上記の第１の実施の形態の場合よりは小さくなるが異常成長部が生ずる。
【００５３】
この異常成長部を小さくするためには、ｐ型ＩｎＰクラッド層１６を成長させる前に、ＭＯＶＰＥ装置内においてＰＨ3 雰囲気中で６２０℃程度の高温に保持することにより、マストランスポート現象により異常成長部の形状をなめらかにすれば良い。
【００５４】
次に、図６を参照して本発明の第３の実施の形態を説明する。
図６参照
図６に示すリッジ型テーパ導波路付き半導体レーザはＤＦＢ型半導体レーザであり、上記の第１の実施の形態と同様の工程であるが、図２（ａ）に示したＳｉＯ2 マスクを形成したのち、開口部のテーパ導波路形成しない領域に回折格子２３を設け、その後は図２（ｂ）以降の工程と同様の工程を行えば良い。
なお、先に、部分的に回折格子２３を形成したのち、ＳｉＯ2 マスクを形成しても良いものである。
【００５５】
この場合、出射端面側にＡＲコーティング（無反射コーティング）２４を施し、背面側にＨＲコーティング（高反射コーティング）２５を施している。
なお、この様なＨＲコーティング２５は上記の第１及び第２の実施の形態においても設けているものである。
【００５６】
また、この様な回折格子２３は上記の第２の実施の形態のリッジ型テーパ導波路付き半導体レーザに設けても良いものであり、その場合には、図４（ａ）に示したようにレーザ部を形成する領域に幅２０μｍの溝を形成したのち、その中央部の幅５μｍ程度の領域に回折格子を形成すれば良い。
【００５７】
この様なＤＦＢ型の半導体レーザにおいては、テーパ導波路によるスポットサイズの拡大効果と共に、発振波長の単一化が得られることになる。
【００５８】
以上、本発明の各実施の形態を説明してきたが、上記の第１及び第２の実施の形態においては、量子井戸層として厚さ１０ｎｍの１．１μｍ波長組成のＩｎＧａＡｓＰ障壁層と、厚さ６ｎｍの１．３５μｍ波長組成のＩｎＧａＡｓＰ井戸層を交互に井戸層が５層になるように堆積させて形成しているが、この様な構成に限られるものでなく、必要とする波長、例えば、１．５μｍ帯及び出力に応じて各層の組成、厚さ、及び、層数を任意に選択すれば良い。
【００５９】
また、上記の各実施の形態においては、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系光半導体素子として説明しているが、本発明はＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系に限られるものではなく、ＩｎＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系、或いは、ＩｎＧａＰ／ＡｌＩｎＧａＰ系等にも適用できるものである。
【００６０】
【発明の効果】
本発明によれば、リッジ型テーパ導波路付き半導体レーザのリッジを形成するためのクラッド層を全面成長により形成しているので表面の平坦化が可能になり、それによって、パッシブアライメントに不可欠なジャンクションダウンでのボンディングが可能になるため、光モジュールの組立を簡単にすることができ、光ファイバ通信の発展に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態の図２以降の製造工程の説明図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の途中までの製造工程の説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態の図４以降の製造工程の説明図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態の説明図である。
【図７】従来のリッジ型テーパ導波路付き半導体レーザの要部斜視図である。
【図８】従来のリッジ型テーパ導波路付き半導体レーザの製造工程の説明図である。
【符号の説明】
１  一導電型半導体基板
２  マスク
３  開口部
４  コア層を含む半導体層
５  異常成長部
６  逆導電型半導体層
７  ストライプ状溝
８  凸部
１１  ｎ型ＩｎＰ基板
１２  ＳｉＯ2 マスク
１３  開口部
１４  ＭＱＷコア層
１５  ｐ型ＩｎＰクラッド層
１６  ｐ型ＩｎＰクラッド層
１７  ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
１８  ストライプ状溝
１９  リッジ
２０  レーザ部
２１  テーパ導波路部
２２  溝
２３  回折格子
２４  ＨＲコーティング
２５  ＡＲコーティング
３１  ｎ型ＩｎＰ基板
３２  ＭＱＷコア層
３３  ｐ型ＩｎＰクラッド層
３４  ｐ型ＩｎＰリッジ
３５  レーザ部
３６  テーパ導波路部
３７  ＳｉＯ2 マスク
３８  開口部
３９  異常成長部
４０  ストライプ状溝
４１  マウント基板
４２  半田層
【図１】
0003887733.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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