(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が搭載されるダイパッド部と、前記ダイパッド部に先端が対向して配置し末端がフレーム枠と接続した複数のリード部と、前記リード部のフレーム枠近傍に設けられた切断部と、前記切断部近傍に樹脂を供給する開口部とを１ユニットとして、そのユニットを複数有し、前記ユニット間に封止樹脂を供給するランナー部を有したリードフレームを用意する工程と、前記リードフレームのダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、前記リードフレームの各リード部と前記半導体素子とを電気的に接続する工程と、リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも前記半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、前記リードフレームの前記開口部に前記樹脂を充填し、前記切断部近傍に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程と、ブレードにより前記リード部を切断しつつ、前記切断部近傍に形成した樹脂による接続部の一部は切断せずに残存させ、前記接続部により前記各ユニットを接続する工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの開口部に前記樹脂を充填し、切断部近傍に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程では、前記接続部の樹脂の頭頂部高さと前記半導体素子の上面を封止して形成した樹脂封止部の頭頂部の高さとを同一高さに形成することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの開口部に前記樹脂を充填し、切断部近傍に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程では、前記ランナー部に残存させて形成した樹脂の頭頂部高さと前記半導体素子の上面を封止して形成した樹脂封止部の頭頂部の高さとを同一高さに形成することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ブレードによりリード部を切断しつつ、切断部近傍に形成した樹脂による接続部の一部は切断せずに残存させ、前記接続部により各ユニットを接続する工程では、前記ブレードの回転数あるいは送りスピードは切り込み位置、あるいは切り込み量により可変設定することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの開口部に前記樹脂を充填し、切断部近傍に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程と、ブレードにより前記リード部を切断しつつ、前記切断部近傍に形成した樹脂による接続部の一部は切断せずに残存させ、前記接続部により前記各ユニットを接続する工程との間には、前記半導体素子の上面を封止して形成した樹脂封止部の頭頂部と前記ランナー部に残存させて形成した樹脂および前記接続部の樹脂の頭頂部とにシートを密着させる工程を有することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  ＯｕｔＬｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、と称される外部端子となるリード部が片面封止された小型／薄型の樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものであり、特に生産効率を向上させる樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために、樹脂封止型半導体装置などの半導体部品の高密度実装が要求され、それにともなって、半導体部品の小型、薄型化が進んでいる。また小型で薄型でありながら、多ピン化が進み、高密度の小型、薄型の樹脂封止型半導体装置が要望されている。
【０００３】
以下、従来のＱＦＮ型の樹脂封止型半導体装置に使用するリードフレームについて説明する。
【０００４】
図１４は、従来のリードフレームの構成を示す図であり、図１４（ａ）は平面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＡ−Ａ１箇所の断面図である。
【０００５】
図１４に示すように、従来のリードフレームは、銅（Ｃｕ）材よりなるフレーム枠１０１と、そのフレーム枠１０１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部１０２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠１０１と接続した吊りリード部１０３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状の複数のリード部１０４とより構成されている。そしてリード部１０４は、封止樹脂で封止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリード部１０４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部１０４ｂを構成するものであり、インナーリード部１０４ａとアウターリード部１０４ｂとは、一体で連続して設けられている。図１４（ａ）において、破線で示した領域は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部１０４（アウターリード部１０４ｂ）を金型で切断する部分を示している。
【０００６】
また、従来のリードフレームは、図１４（ｂ）に示すように、ダイパッド部１０２は吊りリード部１０３によって支持されているが、その吊りリード部１０３に設けたディプレス部によってダイパッド部１０２がリード部１０４上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされているものである。
【０００７】
なお、図示していないが、従来のリードフレームの表面には、主としてパラジウム（Ｐｄ）メッキまたは、ハンダメッキが施されているものである。パラジウムメッキについては、下地材が銅（Ｃｕ）であり、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、パラジウム（Ｐｄ）層、金（Ａｕ）層の３層でメッキ層が形成されている。
【０００８】
次に従来の樹脂封止型半導体装置について説明する。図１５は、図１４に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図１５（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＢ−Ｂ１箇所の断面図である。
【０００９】
図１５に示すように、リードフレームのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続されている。そしてダイパッド部１０２上の半導体素子１０５、インナーリード部１０４ａの外囲は封止樹脂１０７により封止されている。そしてそのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１０８を構成している。なお、封止樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面である。
【００１０】
次に従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００１１】
まず図１６に示すように、フレーム枠と、そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であって、アップセットされたダイパッド部１０２と、ダイパッド部１０２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部１０４とを有したリードフレームを用意する。
【００１２】
そして図１７に示すように、ダイパッド部１０２上に銀ペースト等の接着剤により半導体素子１０５を搭載しボンディングする。
【００１３】
次に図１８に示すように、ダイパッド部１０２上に搭載された半導体素子１０５の表面の電極パッド（図示せず）とリード部１０４のインナーリード部１０４ａとを金属細線１０６により電気的に接続する。
【００１４】
次に図１９に示すように、半導体素子１０５が搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部１０４の底面に封止シート１０９を密着させる。この封止シート１０９はリード部１０４の底面に封止樹脂が回り込まないように保護し、リード部１０４の底面を露出させるための部材である。
【００１５】
次に図２０に示すように、リードフレームを金型内に載置し、金型によりリード部１０４を封止シート１０９に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止樹脂を注入し、リードフレームの外囲としてダイパッド部１０２、半導体素子１０５、リード部１０４の上面領域と金属細線１０６の接続領域を封止する。図２１には外囲を封止樹脂１０７で封止した状態を示している。
【００１６】
次に図２２に示すように、リードフレームのリード部１０４の底面に密着させていた封止シート１０９をピールオフ等により除去する。
【００１７】
次に図２３に示すように、リード部１０４の切断箇所１１０に対して、金型による切断刃１１１でリードカットを行う。
【００１８】
そして図２４に示すように、リードフレームのダイパッド部１０２上に半導体素子１０５が搭載され、その半導体素子１０５とリード部１０４のインナーリード部１０４ａとが金属細線１０６により電気的に接続され、外囲が封止樹脂１０７により封止され、そしてそのリード部１０４（インナーリード部１０４ａ）の底面部分は封止樹脂１０７の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子１０８を構成するとともに、封止樹脂１０７の側面からはアウターリード部１０４ｂが露出し、実質的に封止樹脂１０７の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を得る。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、封止工程において成型時にリード間に樹脂が形成され、リードフレームに対して樹脂封止した後は、金型の切断刃によるリードカットを行っていたため、その切断工程において、リードカット時の衝撃によりリード部の隣接する封止樹脂の部分に樹脂カケ、クラック等が起こり、またリード部が封止樹脂部分から脱落するといった課題があった。また従来の樹脂封止型半導体装置の構造は、リード部の上面だけを封止樹脂で覆われたいわゆる片面封止構造であるため、金型の切断刃によるリードカットでは、その衝撃いかんによって、リード部、封止樹脂部の破損が発生しやすい状況であった。また、切断時に発生した樹脂くずが後工程の検査工程で接触不良による検査ミスを誘発させるといった課題もあった。さらに実装基板に搭載するはんだ付け工程での実装不良を起こす課題があった。
【００２０】
またリードカットにおいては、金型切断の代わりに回転ブレードでリード部を切削して切断する場合もあるが、そのブレード切断においては、リード部を切断した際、分離されたリードフレームのフレーム枠が飛散し、生産性の低下等、悪影響を及ぼすという課題もあった。
【００２１】
本発明は前記した従来のリード部の切断方法を改善して課題を解決し、品質のよい小型片面封止型の樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体素子が搭載されるダイパッド部と、前記ダイパッド部に先端が対向して配置し末端がフレーム枠と接続した複数のリード部と、前記リード部のフレーム枠近傍に設けられた切断部と、前記切断部近傍に樹脂を供給する開口部とを１ユニットとして、そのユニットを複数有し、前記ユニット間に封止樹脂を供給するランナー部を有したリードフレームを用意する工程と、前記リードフレームのダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、前記リードフレームの各リード部と前記半導体素子とを電気的に接続する工程と、リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも前記半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの前記開口部に前記樹脂を充填し、前記切断部近傍に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程と、ブレードにより前記リード部を切断しつつ、前記切断部近傍に形成した樹脂による接続部の一部は切断せずに残存させ、前記接続部により前記各ユニットを接続する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２４】
また、リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの開口部に前記樹脂を充填し、切断部近傍
に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程では、前記接続部の樹脂の頭頂部高さと前記半導体素子の上面を封止して形成した樹脂封止部の頭頂部の高さとを同一高さに形成する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２５】
また、リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの開口部に前記樹脂を充填し、切断部近傍に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程では、前記ランナー部に残存させて形成した樹脂の頭頂部高さと前記半導体素子の上面を封止して形成した樹脂封止部の頭頂部の高さとを同一高さに形成する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２６】
また、樹脂封止後のリードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断部に対してブレードにより切削を行い、リードカットし、各ユニットを分離する工程では、前記ブレードの回転数あるいは送りスピードは切り込み位置、あるいは切り込み量により可変設定する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２７】
また、リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、前記ランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの開口部に前記樹脂を充填し、切断部近傍に前記樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを前記樹脂による接続部で接続する工程と、ブレードにより前記リード部を切断しつつ、前記切断部近傍に形成した樹脂による接続部の一部は切断せずに残存させ、前記接続部により前記各ユニットを接続する工程との間には、半導体素子の上面を封止して形成した樹脂封止部の頭頂部と前記ランナー部に残存させて形成した樹脂および前記接続部の樹脂の頭頂部とにシートを密着させる工程を有する樹脂封止型半導体装置の製造方法である。
【００２８】
前記構成により、ブレードにより切断されたフレーム枠が樹脂による接続部で連結され、リード部は切断されていても接続部で各ユニットが接続支持されているので分離せず、切断時において、切断されたフレーム枠の飛散を防止し、生産性の優れた樹脂封止型半導体装置の製造方法を実現できるものである。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３０】
まず本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法で用いるリードフレームについて説明する。
【００３１】
図１は本実施形態のリードフレームを示す図で、図１（ａ）は一部分の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＣ−Ｃ１箇所の断面図である。
【００３２】
本実施形態のリードフレームは、銅（Ｃｕ）材よりなるフレーム枠１と、そのフレーム枠１内に、半導体素子が載置される矩形状のダイパッド部２と、ダイパッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠１と接続した吊りリード部３と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とより構成されている。そしてリード部４は、封止樹脂で封止された際、封止樹脂部に埋設される部分はインナーリード部４ａを構成し、封止樹脂部より露出する部分はアウターリード部４ｂを構成するものであり、インナーリード部４ａとアウターリード部４ｂとは、一体で連続して設けられている。図１（ａ）において、破線で示した領域は、半導体素子を搭載して樹脂封止型半導体装置を構成する場合、封止樹脂で封止する領域を示しており、また一点鎖線で示した部分は、半導体素子を搭載して樹脂封止し、樹脂封止型半導体装置を構成した後、リード部４（アウターリード部４ｂ）をブレードで切断する切断部５を示している。
【００３３】
また、本実施形態のリードフレームは、図１（ｂ）に示すように、ダイパッド部２は吊りリード部３によって支持されているが、その吊りリード部３に設けたディプレス部によってダイパッド部２がリード部４（４ａ）上面に対して上方に配置されるよう、アップセットされているものである。また半導体装置に樹脂を供給する導入部はランナー部であり、この一部が切断後にフレーム枠を接続する接続部となる。また、リードフレームの他の切断位置にはフレーム枠の接続部に樹脂を供給する開口部１０を適宜設けて封止工程において半導体装置を構成するとともに、樹脂を供給する導入部となる。樹脂による接続部はブレードで切断する切断部５に配置され、切断後にフレーム枠を接続する役割を果たしている。
【００３４】
また図示していないが、本実施形態のリードフレームの表面には、パラジウム（Ｐｄ）メッキ、具体的には、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層、パラジウム（Ｐｄ）メッキ層、金（Ａｕ）メッキ層の３層でメッキ層を構成したり、または、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）等のハンダメッキが部分的に施されているものである。
【００３５】
なお本実施形態のリードフレームは、図１に示す構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上下に連続して配列されるものである。また、金型に載置して樹脂封止工程において樹脂を供給するランナー部を広く設けているリードフレームである。
【００３６】
次に本実施形態のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置について説明する。図２は、図１に示したリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置を示す図であり、図２（ａ）は、内部構成を破線で示した透視平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＤ−Ｄ１箇所の断面図である。
【００３７】
図２に示すように、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導体素子６、インナーリード部４ａの外囲は封止樹脂８により封止されている。そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面からスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成している。なお、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出しているが、実質的に封止樹脂８の側面と同一面である。すなわち、本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、ダイパッド部２上に搭載された半導体素子６と、そのダイパッド部２に先端部が対向して配置され、複数のリード部４と、半導体素子６の電極とリード部４とを電気的に接続した金属細線７と、ダイパッド部２、半導体素子６、リード部４の底面および一側面を除いて外囲を封止した封止樹脂８とよりなる樹脂封止型半導体装置である。
【００３８】
次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について説明する。
【００３９】
まず図３に示すように、フレーム枠と、そのフレーム枠内に、半導体素子が載置される矩形状であって、アップセットされたダイパッド部２と、ダイパッド部２の角部をその先端部で支持し、端部がフレーム枠と接続した吊りリード部と、半導体素子を載置した場合、その載置した半導体素子と金属細線等の接続手段により電気的に接続するビーム状のリード部４とを各ユニットとして、接続部に樹脂を充填する開口部を有したリードフレームを用意する。
【００４０】
そして図４に示すように、リードフレームの各ユニットのダイパッド部２上に銀ペースト等の接着剤によりそれぞれ半導体素子６を搭載しボンディングする。
【００４１】
次に図５に示すように、ダイパッド部２上に搭載された半導体素子６の表面の電極パッド（図示せず）とリード部４のインナーリード部４ａとを金属細線７により電気的に接続する。
【００４２】
次に図６に示すように、半導体素子６が搭載された状態のリードフレームの少なくともリード部４の底面に封止シート１１を密着させる。この封止シート１１はリード部４の底面に封止樹脂が回り込まないように保護して、リード部４の底面をスタンドオフを有して露出させるとともに開口部を搭通して接続部に樹脂を供給するための機能部材である。
【００４３】
次に図７、図８に示すように、リードフレームを金型内に載置し、金型によりリード部４の端部（切断部付近）を封止シート１１に対して押圧した状態でエポキシ系樹脂よりなる封止樹脂８をランナー部より注入し、リードフレームの外囲としてダイパッド部２、半導体素子６、リード部４の上面領域と金属細線７の接続領域を各ユニットごとに個別に封止するとともに、接続部にも樹脂を充填する。この接続部にはリードフレーム枠に設けた開口部より樹脂が供給される。また、ランナー部の一部をブレードカットされるカット位置に延長して接続部にする。接続部、ランナー部に形成する樹脂の高さは半導体装置の樹脂高さと同じ高さに金型により成型され、後工程で樹脂シートに半導体装置の樹脂頭頂部とともに接着される。図８は外囲を封止樹脂８で封止した部分図である。ここで接続部、ランナー部、各ユニットの半導体装置の樹脂の高さを略同一高さにそろえるのは、後工程で密着させるシートが安定に密着し、リードカット時の影響を低減するためである。
【００４４】
次に図９に示すように、リードフレームのリード部４の底面に密着させていた封止シート１１をピールオフ等により除去する。この状態では、封止樹脂８の底面からリード部４が３０［μｍ］程度突出（スタンドオフ）して露出しているものである。
【００４５】
そしてリードフレームに対する樹脂封止後の状態は、図１０（ａ）に示すように各ユニットごとに封止樹脂８により樹脂封止されているものであり、各ユニットの周辺には樹脂による接続部が適宜配されている（図示せず）。
【００４６】
図１０（ｂ）は樹脂封止された後の部分平面図であり、封止樹脂８は各ユニット間のランナー部１２とともに、接続部１３−１にも充填され、半導体素子部を充填した後、フレーム枠１に配した開口部（図示せず）から接続部１３にも充填され、切断後のフレーム枠１相互の接続部となる。なお、封止樹脂８による接続部１３には半導体装置部より樹脂を供給することも可能である。
【００４７】
また、ランナー部１２は除去せずにフレーム枠１に接続された状態で保持され、樹脂による接続部１３−１に充填され、切断後のフレーム枠１相互の接続部となる。フレーム枠１外のランナー部１２−１およびカル部は切断して搬送等に好適にする。
【００４８】
次に図１１に示すように、各ユニットごとに樹脂封止された樹脂頭頂部８ａとともに樹脂接続部１３，１３−１の頭頂部、ランナー部にも樹脂シート１４を接着する。この樹脂シート１４は樹脂部を接着して回転ブレード１５によりフレーム枠と半導体装置のリード部４とを切断した後も分離された半導体装置のユニット、縦横に切断されたフレーム枠を安定かつ確実に固定するもので、接着剤を有する樹脂シート１４であり、ブレードでの切断による応力や切断時に使用する水等に耐える接着力を有している。樹脂シート１４の接着力と接続部１３，１３−１頭頂部の面積により接着力が決定される。
【００４９】
次に図１２に示すように、樹脂封止後のリードフレームのリード部４の切断部５に対して、リードフレーム底面側から回転ブレード１５で縦横にリードカットを行い、半導体装置の各ユニットを分離するとともにフレーム枠も分離させる。このリードカットは、樹脂による接続部１３，１３−１の一部を残して切断するものであり、リードフレームの厚みが２００［μｍ］であり、半導体装置の封止樹脂８の厚みが６００［μｍ］で、総高さが８００［μｍ］ある場合は、接続部１３，１３−１の厚みも約６００［μｍ］で、接続部１３，１３−１を約２００［μｍ］を残してカットし、接続させておくことになる。
【００５０】
また、半導体装置の周辺部のみを切断して外周部のフレーム枠を切断せずにフレーム枠にかかる応力を少なくすることも可能で生産性を向上するとともに接続部の面積も少なくできる。また回転ブレード１５の回転数、送り速度は、切り込み量を適宜リードフレームのカット位置、カット幅、Ｃｕ材（リードフレーム材）の厚み等により設定することにより、ブレードの摩耗を少なくして連続性生産時間を長くして生産性のよい樹脂封止型半導体装置の生産が可能になる。
【００５１】
また、接着力を向上させるため樹脂による接続部１３の幅を広くしたり、または接続部１３を樹脂封止型半導体装置間のフレーム枠の中央部に配することもできる。
【００５２】
そしてカットされなかった接続部１３，１３−１により、フレーム枠間が接続され、樹脂シート１４に接着されフレーム枠の飛散を防止して安定した生産が可能となる。この後、接着力を弱める工程を経て、樹脂封止型半導体装置をジグ等に順じ移載する。また、樹脂接続部１３，１３−１により連結されたフレーム枠は移載されずに樹脂シートに接着されて残される。なお、本実施形態では、接着力をＵＶ（紫外線）照射で弱くするＵＶシートと称されるシートを樹脂シートに使用し、紫外線照射により接着力を弱めている。
【００５３】
そして図１３に示すように、リードフレームのダイパッド部２上に半導体素子６が搭載され、その半導体素子６とリード部４のインナーリード部４ａとが金属細線７により電気的に接続され、外囲が封止樹脂８により封止され、そしてそのリード部４（インナーリード部４ａ）の底面部分は封止樹脂８の底面から３０［μｍ］以上のスタンドオフを有して露出して、外部端子９を構成するとともに、封止樹脂８の側面からはアウターリード部４ｂが露出し、実質的に封止樹脂８の側面と同一面を構成した樹脂封止型半導体装置を得るものである。なお、個々の樹脂封止型半導体装置への分離は、個々のユニットを接続している樹脂による接続部を除去することにより可能である。
【００５４】
以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体素子が搭載されるダイパッド部と、そのダイパッド部に先端が対向して配置し、末端がフレーム枠と接続した複数のリード部と、各リード部のフレーム枠近傍に設けられたリードカット時の切断部と、その切断部近傍に樹脂を供給する開口部とを１ユニットとして、そのユニットを複数有し、各ユニット間に封止樹脂を供給するランナー部を有したリードフレームを用意する工程と、用意したリードフレームのダイパッド部に半導体素子を搭載する工程と、リードフレームの各リード部と搭載した半導体素子とを電気的に接続する工程と、リードフレームのランナー部より樹脂を導入し、少なくとも半導体素子、リード部の上面を樹脂により封止するとともに、リードフレームのランナー部に樹脂を残存させて樹脂を形成し、リードフレームの開口部に樹脂を充填し、切断部近傍に樹脂による接続部を形成し、各ユニットどうしを樹脂による接続部で接続する工程と、樹脂封止後のリードフレームの各ユニットの境界部分のリード部の切断部に対してブレードにより切削を行い、切断部に形成した樹脂とともにリードカットし、各ユニットを分離する工程とよりなるものであり、リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法での、ブレードカットによる生産性の優れた製造方法である。
【００５５】
また、本発明の要旨を越えない限り種々の変形実施が可能であることは言うまでもない。例えば、封止工程で成型時に樹脂固定部を形成すると品質に影響する樹脂封止型半導体装置の場合は、樹脂シートにあらかじめ作成した樹脂固定部を接着しても良い。
【００５６】
また、片面封止型の樹脂封止型半導体装置であればダイパッド部を樹脂底面より露出した構造の半導体装置においても可能であり、リードをアレー状に配した樹脂封止型半導体装置にも有効である。また、封止シートを使用しない生産も可能である。
【００５７】
【発明の効果】
以上、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、封止工程において、封止樹脂により半導体素子部を封止するとともに、樹脂封止後のリードフレームの各ユニットの境界部分のフレーム枠の切断箇所に対しても、樹脂を充填することにより封止樹脂による接続部を形成し、封止樹脂の樹脂頭頂部および接続部の頭頂部に対して樹脂シートに接着し、回転ブレードにより切断部を切断することにより、その切断時において、フレーム枠の飛散を防止し、生産性の優れた樹脂封止型半導体装置の製造方法を実現できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のリードフレームを示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図５】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図６】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図７】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図８】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図９】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１０】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１３】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１４】従来のリードフレームを示す図
【図１５】従来の樹脂封止型半導体装置を示す図
【図１６】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１７】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１８】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図１９】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２０】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２１】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２２】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２３】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【図２４】従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
１  フレーム枠
２  ダイパッド部
３  吊りリード部
４  リード部
５  切断部
６  半導体素子
７  金属細線
８  封止樹脂
８ａ  頭頂部
９  外部端子
１０  開口部
１１  封止シート
１２  ランナー部
１３  接続部
１４  樹脂シート
１５  回転ブレード
１０１  フレーム枠
１０２  ダイパッド部
１０３  吊りリード部
１０４  リード部
１０５  半導体素子
１０６  金属細線
１０７  封止樹脂
１０８  外部端子
１０９  封止シート
１１０  切断箇所
１１１  切断刃
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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