(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号波長の信号光が入力する光変調ユニットであって、当該信号光の伝搬方向に直列に配置される複数の吸収型光変調器（１６Ａ，１６Ｂ；１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃ）からなる光変調ユニット（１６，１１６）と、
当該複数の吸収型光変調器のそれぞれに逆バイアス電圧を印加する逆バイアス回路であって、当該信号光の入力側に位置する吸収型光変調器に、当該信号光の出力側に位置する吸収型光変調器への逆バイアス電圧以上の逆バイアス電圧を印加する逆バイアス回路（２６Ａ〜３２Ａ，２６Ｂ〜３２Ｂ；１２６Ａ〜１３２Ａ，１２６Ｂ〜１３２Ｂ，１２６Ｃ〜１３２Ｃ）と、
当該光変調ユニットに、当該信号光と同方向及び逆方向の何れかでプローブ波長のプローブ光を入力するプローブ光入力装置（１２，１４）と、
当該光変調ユニットを透過したプローブ光を取り出すプローブ光抽出手段（２２）
とを具備することを特徴とする光信号処理装置。
【請求項２】
当該光変調ユニット（１６、１１６）が、当該複数の吸収型光変調器を集積した集積素子からなる請求項１に記載の光信号処理装置。
【請求項３】
当該集積素子が、当該信号光の入力側において、光伝搬層を埋め込む第１の半絶縁性半導体（２３０）を有する請求項２に記載の光信号処理装置。
【請求項４】
当該集積素子が、当該信号光の出力側において、光伝搬層を埋め込む第２の半絶縁性半導体（２３４）を有する請求項２に記載の光信号処理装置。
【請求項５】
当該プローブ光入力装置が、当該信号光と当該プローブ光を合波して当該光変調ユニットに印加する光カップラ（１４）である請求項１に記載の光信号処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、光信号処理装置に関し、より具体的には、波長変換装置、波形整形装置、光演算装置及び光ゲート装置などとして利用可能な光信号処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
インターネットの普及と共にネットワークを流れるトラヒックの需要は止まることを知らずに拡大をしている。このような大容量ネットワークでは、ノードを結ぶ伝送路に光ファイバを使った通信方式が適用されており、伝送路の伝送速度も１０Ｇｂｉｔ／ｓを超えようとしている。
【０００３】
伝送路の伝送速度が４０Ｇｂｉｔ／ｓ以上で構成されたネットワークでは、コスト低減、装置設置スペースの節約、及び低消費電力の観点から、光信号を電気信号に変換することなく光信号の波長を変換する機能が望まれている。光信号と電気信号間の複雑な変換処理を無くすことができるからである。動作上も、４０Ｇｂｉｔ／ｓ以上で動作する電気回路を用意するのは難しい。
【０００４】
各種の波長変換装置が提案されている中で、特開平１０−７８５９５号公報及び対応する米国特許第５９５９７６４号公報に記載される波長変換装置は、偏波依存性が小さいことと、構成が簡単で動作が安定していることから、有望視されている。
【０００５】
また、この種の波長変換装置は、劣化した波形を整形する装置として、特定のタイムスロットの信号光をゲートする光ゲート装置として、また、複数のパルス信号光を論理演算する光演算装置としても利用できること、極端なケースとして同一波長の光キャリア間で信号を移転できることが知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
特開平１０−７８５９５号公報及び米国特許第５９５９７６４号公報に記載される波長変換装置では、波長変換時にポンプ光により吸収型光変調器内部で発生するキャリアの排出が、吸収型光変調器の静電容量で制限される。従って、波長変換の動作周波数は、吸収型光変調器の静電容量で制限される。通常の吸収型光変調器は、素子長が２００μｍ程度であり、静電容量が０．４ｐＦ程度であるので、波長変換動作が、最大、２０Ｇｂｉｔ／ｓ程度に制限される。また、このとき、波長変換装置の出力光（波長変換光）のオン・オフ比は１１ｄＢ程度である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ＯＦＣ２００１  ＭＥ４，”６０Ｇｂｉｔ／ｓ  ＷＤＭ−ＯＴＤＭ  Ｔｒａｎｓｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ  Ｕｓｉｎｇ  ａｎ  Ｅｌｅｃｔｏｒｏ−Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｍｕｄｕｌａｔｏｒ”で公開されている手法によると、吸収型光変調器部分の素子長を短くし、静電容量を低減することにより、動作周波数が向上でき、６０ＧＨｚまでの波長変換動作が確認されている。しかし、素子長を短くしたことに起因して、波長変換光のオン・オフ比が７．５ｄＢまで低下することが観測されている。伝送に必要な１０ｄＢ程度のオン・オフ比が得られないので、吸収型光変調器部分の素子長を短くする手法は、実用には適さない。
【０００８】
本発明は、２０Ｇｂｉｔ／ｓを超えて高速に動作可能な光信号処理装置を提示することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光信号処理装置は、信号波長の信号光が入力する光変調ユニットであって、当該信号光の伝搬方向に直列に配置される複数の吸収型光変調器からなる光変調ユニットと、当該複数の吸収型光変調器のそれぞれに逆バイアス電圧を印加する逆バイアス回路であって、当該信号光の入力側に位置する吸収型光変調器に、当該信号光の出力側に位置する吸収型光変調器への逆バイアス電圧以上の逆バイアス電圧を印加する逆バイアス回路と、当該光変調ユニットに、当該信号光と同方向及び逆方向の何れかでプローブ波長のプローブ光を入力するプローブ光入力装置と、当該光変調ユニットを透過したプローブ光を取り出すプローブ光抽出手段とを具備することを特徴とする。
【００１１】
当該光変調ユニットが、当該複数の吸収型光変調器を集積した集積素子からなる。これにより、光変調ユニットを小型化できる。当該集積素子の、当該信号光の入力側において、光伝搬層を埋め込む第１の半絶縁性半導体を設けることで、耐入力光パワーが向上する。当該集積素子の、当該信号光の出力側において、光伝搬層を埋め込む第２の半絶縁性半導体を設けることで、出力側の吸収型光変調器の変調領域長を精度良く制御できる。
【００１２】
【実施例】
以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００１３】
（第１実施例）
図１は、本発明の第１実施例の概略構成図を示す。入力端子１０には、波長１５３５ｎｍの信号光が入力し、入力端子１２には波長１５５８ｎｍのＣＷプローブ光が入力する。光カップラ１４は、入力端子１０からの信号光と入力端子１２からのプローブ光を合波する。変調器集積素子１６には、それぞれ、ＩｎＧａＡｓＰからなる変調層を具備する２つの電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂが直列に配置されている。即ち、変調器集積素子１６の下の電極１８はアースに接続する。集積素子１６の上には、電気的に分離された２つの電極２０Ａ，２０Ｂがあり、電極２０Ａが光変調器１６Ａの上部に位置し、電極２０Ｂが光変調器１６Ｂの上部に位置する。即ち、本実施例では、光変調器１６Ａと同１６Ｂに独立にバイアス電圧を印加できるようになっている。
【００１４】
このような集積素子１６は、例えば、Ｈ．  Ｔａｎａｋａ他，”ＯＰＴＩＣＡＬ  ＳＨＯＲＴ  ＰＵＬＳＥ  ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮ  ＡＮＤ  ＤＡＴＡ  ＭＯＤＵＬＡＴＩＯＮ  ＢＹ  Ａ  ＳＩＮＧＬＥ−ＣＨＩＰ  ＩｎＧａＡｓＰ  ＴＡＮＤＥＭ−ＩＮＴＥＧＲＡＴＥＤ  ＥＬＥＣＴＲＯＡＢＳＯＲＰＴＩＯＮ  ＭＯＤＵＬＡＴＩＯＮ  （ＴＥＡＭ）”，  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ２７ｔｈ  Ｍａｙ  １９８３，  Ｖｏｌ．２９，  Ｎｏ．１１，  ｐｐ．  １００２−１００３に記載されている。
【００１５】
光カップラ１４の出力光は、変調器集積素子１６の電気吸収型光変調器１６Ａに入力する。電気吸収型光変調器１６Ａの出力光は電気吸収型光変調器１６Ｂに入力する。電気吸収型光変調器１６Ｂの出力光は、波長λｐ（１５５８ｎｍ）を中心透過波長とする光バンドパスフィルタ２２に入力する。光バンドパスフィルタ２２は、電気吸収型光変調器１６Ｂの出力光から波長λｐの成分、即ちプローブ光成分のみを抽出して、出力端子２４に供給する。
【００１６】
電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂは互いに独立に逆バイアスされている。即ち、直流電圧源２６Ａは正極がアースに接続し、負極が、インダクタンス２８Ａ、コンデンサ３０Ａ及び、高周波信号を終端するための終端抵抗３２Ａを介してアースに接続する。そして、インダクタンス２８Ａとコンデンサ３０Ａの接続点の電圧が、逆バイアス電圧として電極２０Ａを介して電気吸収型光変調器１６Ａに印加されている。インダクタンス２８Ａ及びコンデンサ３０Ａからなる部分は、いわゆるバイアスティーとなる。同様に、直流電圧源２６Ｂは正極がアースに接続し、負極が、インダクタンス２８Ｂ、コンデンサ３０Ｂ及び、高周波信号を終端するための終端抵抗３２Ｂを介してアースに接続する。そして、インダクタンス２８Ｂとコンデンサ３０Ｂの接続点の電圧が、逆バイアス電圧として電極２０Ｂを介して電気吸収型光変調器１６Ｂに印加されている。インダクタンス２８Ｂ及びコンデンサ３０Ｂからなる部分は、いわゆるバイアスティーとなる。
【００１７】
電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂ内では、信号光の強度変化に応じて、プローブ波長λｐの吸収損失が変化し、その結果、プローブ光の振幅が、信号光の強度変化に応じて変化する。これにより、波長λｓの信号光で搬送される信号の波形が、プローブ光に転写される。換言すると、信号を搬送する光キャリアの波長がλｓからλｐに変化する。この動作の詳細は、特開平１０−７８５９５号公報及び米国特許第５９５９７６４号公報に記載されているので、これ以上の説明を省略する。
【００１８】
本実施例では、直列接続した電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂの内の、信号光入力側の電気吸収型光変調器１６Ａの逆バイアス電圧を、信号光出力側の電気吸収型光変調器１６Ｂの逆バイアス電圧以上にしている。その理由を以下に説明する。
【００１９】
単一の電気吸収型光変調器を使用する場合で、信号光の光パワー、逆バイアス電圧、素子長及び変換光のオン・オフ比の関係を調べた。具体的には、吸収型光変調器に入力する信号光の光パワーが＋１５ｄＢｍと＋１０ｄＢｍのときで、逆バイアス電圧及び素子長に対して、吸収型光変調器の出力光に含まれるプローブ光成分（波長変換光）の最高パワーと最低パワーの比（オン・オフ比）を測定した。図２は、吸収型光変調器に入力する信号光の光パワーが＋１５ｄＢｍのときの、逆バイアス電圧、素子長及び波長変換光のオン・オフ比の関係を示し、図３は、吸収型光変調器に入力する信号光の光パワーが＋１０ｄＢｍのときの、逆バイアス電圧、素子長及び波長変換光のオン・オフ比の関係を示す。図２及び図３において、横軸は逆バイアス電圧Ｖｂ（Ｖ）、縦軸は、オン・オフ比（ｄＢ）である。素子長は、２５μｍ、５０μｍ、７５μｍ及び２００μｍである。
【００２０】
波長変換光のオン・オフ比は、逆バイアス電圧が高くなると、増加するが、ある逆バイアス電圧値よりも高くなると、減少する傾向を示した。また、素子長が長くなるほど、波長変換光のオン・オフ比の最高値は大きくなり、波長変換光のオン・オフ比が最大になる逆バイアス電圧は、低くなった。更に、信号光の入力パワーが高いほど、波長変換光のオン・オフ比の最高値は大きくなり、波長変換光のオン・オフ比が最大になる逆バイアス電圧は、高くなった。
【００２１】
これらは、逆バイアス電圧が高くなるほど波長変換光のオン・オフ比は大きくなるが、ある逆バイアス電圧を越すと波長変換が生じなくなることと、信号光パワーが十分に高い領域では波長変換が生じるが、信号光パワーが低くなると波長変換が生じなくなることを示している。この結果、波長変換光のオン・オフ比を上げるには、吸収型変調器内部の光の伝搬方向に沿って、信号光のパワーが充分に高い信号光入力端面の近傍では、逆バイアス電圧を高くして、波長変換の効率を上げ、信号光のパワーが低くなった信号光出力端面近傍ではバイアス電圧を徐々に低くしていけばよいことを示している。
【００２２】
この見解に従い、本実施例では、信号光の伝搬方向に２つの電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂを配置し、後側の電気吸収型光変調器１６Ｂの逆バイアス電圧を、前側の電気吸収型光変調器１６Ａの逆バイアス電圧以下にした。換言すると、電気吸収型光変調器を前半部分と後半部分に分離し、後半部分の逆バイアス電圧を、前半部分の逆バイアス電圧以下にした。
【００２３】
逆バイアス電圧を同じにしても、目的とする波長変換動作に必要な変換領域長を２つの電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂに分離したことにより、個々の電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂの素子長が短くなる。これにより、周波数帯域が広がり、波長変換光の信号品質が向上する。勿論、逆バイアス電圧に差をつけることで、更に、周波数帯域が広がり、波長変換光の信号品質が向上する。
【００２４】
試作例を説明する。各電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂの素子長を７５μｍとした。発明者らの測定によると、７５μｍの素子長では、静電容量が０．１６ｐＦとなる。この場合、５０Ω系の高周波線路でこの電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂを用いると、３ｄＢ帯域幅が４０ＧＨｚとなり、４０Ｇｉｔ／ｓの波長変換動作が可能となる。変調器集積素子１６における信号光の入力パワーを＋１５ｄＢｍに設定し、電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂの逆バイアス電圧をそれぞれ−３．５Ｖ及び−２．５Ｖに設定した。このとき、プローブ光は、電気吸収型光変調器１６Ａで７．７ｄＢのオン・オフ比で強度変調され、更に、電気吸収型光変調器１６Ｂで、２．８ｄＢのオン・オフ比で強度変調される。従って、変調器集積素子１６から出力されるプローブ光は、１０．５ｄＢで強度変調されている。従って、図１に示す波長変換装置は、４０Ｇｂｉｔ／ｓで動作し可能であり、しかも、波長変換光に対し１０ｄＢ以上のオン・オフ比を達成できる。
【００２５】
（第２実施例）
図４は、本発明の第２実施例の概略構成図を示す。図１に示す実施例と同じ構成要素には、同じ符号を付してある。
【００２６】
図１に示す第１実施例では、２つの電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂを直列接続したが、図４に示す実施例では、光変調器集積素子１１６に直列に３つの電気吸収光変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃを形成し、電気吸収光変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃの順に低い逆バイアス電圧値を印加するように構成した。
【００２７】
即ち、集積素子１１６の上には、電気的に分離された３つの電極１２０Ａ，１２０Ｂ，１２０Ｃがあり、電極１２０Ａが光変調器１１６Ａの上部に位置し、電極１２０Ｂが光変調器１１６Ｂの上部に位置し、電極１２０Ｃが光変調器１１６Ｃの上部に位置する。
【００２８】
直流電圧源１２６Ａは正極がアースに接続し、負極は、インダクタンス１２８Ａ、コンデンサ１３０Ａ及び、高周波信号を終端するための終端抵抗１３２Ａを介してアースに接続する。そして、インダクタンス１２８Ａとコンデンサ１３０Ａの接続点の電圧が、逆バイアス電圧として電極１２０Ａを介して電気吸収型光変調器１１６Ａに印加されている。インダクタンス１２８Ａ及びコンデンサ１３０Ａからなる部分は、いわゆるバイアスティーとなる。
【００２９】
同様に、直流電圧源１２６Ｂは正極がアースに接続し、負極は、インダクタンス１２８Ｂ、コンデンサ１３０Ｂ及び、高周波信号を終端するための終端抵抗１３２Ｂを介してアースに接続する。そして、インダクタンス１２８Ｂとコンデンサ１３０Ｂの接続点の電圧が、逆バイアス電圧として電極１２０Ｂを介して電気吸収型光変調器１１６Ｂに印加されている。インダクタンス１２８Ｂ及びコンデンサ１３０Ｂからなる部分は、いわゆるバイアスティーとなる。
【００３０】
直流電圧源１２６Ｃは正極がアースに接続し、負極は、インダクタンス１２８Ｃ、コンデンサ１３０Ｃ及び、高周波信号を終端するための終端抵抗１３２Ｃを介してアースに接続する。そして、インダクタンス１２８Ｃとコンデンサ１３０Ｃの接続点の電圧が、逆バイアス電圧として電極１２０Ｃを介して電気吸収型光変調器１１６Ｃに印加されている。インダクタンス１２８Ｃ及びコンデンサ１３０Ｃからなる部分は、いわゆるバイアスティーとなる。
【００３１】
図４に示す実施例では、各電気吸収光変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃの素子長を、５０μｍ程度に短くできる。各変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃの素子長が５０μｍの場合、静電容量は０．１２ｐＦ程度と、第１実施例の場合よりも小さくなり、３ｄＢ帯域幅が５３ＧＨｚとなり、更に高いビットレートでの波長変換動作が可能になる。なお、電気吸収型光変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃへの逆バイアス電圧を、例えば、それぞれ−４．５Ｖ、−３．５Ｖ及び−１．５Ｖとする。電気吸収型光変調器１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃへの逆バイアス電圧を、それぞれの素子長と信号光パワーに応じて最適な波長変換動作を得られる値に設定できるので、第１実施例よりも高いオン・オフ比を達成できる。
【００３２】
（その他）
図５は、変調器集積素子１６の外観斜視図を示し、図６は、その中央断面図を示す。光入力側から、導波領域２１０、変調領域２１２，絶縁領域２１４、変調領域２１６及び導波領域２１８からなる。変調領域２１２が、電気吸収型光変調器１６Ａに対応し、変調領域２１６が電気吸収型光変調器１６Ｂに対応する。
【００３３】
ｎ−ＩｎＰ基板２２０の上にＩｎＧａＡｓＰ変調層２２２及びＩｎＧａＡｓＰバッファ層２２４を積層する。バッファ層２２４の上の、変調領域２１２，２１４に対応する部分には、ｎ−ＩｎＰ層２２６Ａ，２２６Ｂ及びｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層２２８Ａ，２２８Ｂを積層し、導波路領域２１０，２１８及び絶縁領域２１４に対応する部分には、鉄をドープした半絶縁性ＩｎＰ層２３０，２３２，２３４を積層する。
【００３４】
ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層２２８Ａ，２２８Ｂの上にそれぞれ、電極２３６Ａ，２３６Ｂを配置し、ＩｎＰ層２３０，２３２，２３４の上にはガラス（ＳｉＯ２）２４０を配置する。また、基板２２０の下には、全面に電極２４２を配置する。電極２４２は、電極１８に対応する。
【００３５】
図５及び図６に示す集積構成では、入力側の導波路領域２１０に、鉄をドープした半絶縁性ＩｎＰ層２３０を埋め込んだので、信号光の耐入力パワーを改善できた。実測例では、２ｄＢ向上した。これにより、変調器集積素子１６への入力光パワーを更に上げることができ、その結果、波長変換光のオン・オフ比を上げることができた。また、出力側の導波路領域２１８に、鉄をドープした半絶縁性ＩｎＰ層２３２を埋め込んだので、変調領域２１６の長さを精度よく制御できる。
【００３６】
上述の実施例では、信号光の入力側の電吸収型光変調器に印加する逆バイアス電圧を、信号光の出力側の電吸収型光変調器に印加する逆バイアス電圧に比べ高くしていたが、逆バイアス電圧を同じにしても、従来例よりも高い動作周波数が可能になる。例えば、第１実施例での二つの吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂの逆バイアス電圧を−３．５Ｖに設定した場合、オン・オフ比が０・０１ｄＢ低下するものの、動作周波数は、従来例よりも高くできる。
【００３７】
２つ又は３つの吸収型光変調器を同一基板上に集積した変調器集積素子の実施例を説明したが、４つ以上の電気吸収型光変調器を集積した変調器集積素子を用い、信号光の入力側から逆バイアス電圧を同一又は低くした構成でも、波長変換光のオン・オフ比の改善及び／又は高い動作周波数を得ることができる。
【００３８】
信号光とプローブ光が同一方向に伝搬する実施例を説明したが、信号光とプローブ光が逆方向に伝搬する構成でも、同様の効果が得られる。この場合、光バンドパスフィルタ２２を省略できる。入力端子１０と素子１６の間に、素子１６から出力されるプローブ光を抽出する光サーキュレータを配置すればよい。
【００３９】
電気吸収型光変調器１６Ａ，１６Ｂ，１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６ＣとしてはＩｎＧａＡｓＰ電気吸収型光変調器が代表的であるが、逆バイアス電圧を印加して吸収を発生させる吸収型光変調器であれば、本発明に利用できる。例えば、半導体の量子井戸（ＱＷ）の量子シュタルク効果を用いる光変調器でもよい。
【００４０】
複数の電気吸収型光変調器を集積する実施例を説明したが、必ずしも１つの素子として集積することは、本発明にとって必須ではない。個別素子からなる吸収型光変調器を光学的に結合したものであってもよい。その場合、必要により、吸収型光変調器の間に光増幅器を配置するのが好ましい。
【００４１】
波長変換装置への応用例を説明したが、波形整形装置又はその一部としても使用できる。また、プローブ光をクロックパルス光、又は別の信号を搬送するパルス光とすることで、本実施例は、光ゲート装置又は光演算装置としても動作し得ることは明らかである。
【００４２】
【発明の効果】
以上の説明から容易に理解できるように、本発明によれば、出力光のオン・オフ比を高くでき、及び／又は、動作周波数を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施例の概略構成図である。
【図２】信号光入力パワーが＋１５ｄＢｍであるときの波長変換効率を示す図である。
【図３】  信号光入力パワーが＋１０ｄＢｍであるときの波長変換効率を示す図である。
【図４】  本発明の第２実施例の概略構成ブロック図である。
【図５】  光変調器集積素子１６の斜視図である。
【図６】  図５の中央断面図である。
【符号の説明】
１０，１２：入力端子
１４：光カップラ
１６：変調器集積素子
１６Ａ，１６Ｂ：電気吸収型光変調器
１８，２０Ａ，２０Ｂ：電極
２２：光バンドパスフィルタ
２４：出力端子
２６Ａ，２６Ｂ：直流電圧源
２８Ａ，２８Ｂ：インダクタンス
３０Ａ，３０Ｂ：コンデンサ
３２Ａ，３２Ｂ：終端抵抗
１１６：光変調器集積素子
１１６Ａ，１１６Ｂ，１１６Ｃ：電気吸収光変調器
１２０Ａ，１２０Ｂ，１２０Ｃ：電極
１２６Ａ，１２６Ｂ，１２６Ｃ：直流電圧源
１２８Ａ，１２８Ｂ，１２８Ｃ：インダクタンス
１３０Ａ，１３０Ｂ，１３０Ｃ：コンデンサ
１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ：終端抵抗
２１０：導波領域
２１２：変調領域
２１４：絶縁領域
２１６：変調領域
２１８：導波領域
２２０：ｎ−ＩｎＰ基板
２２２：ＩｎＧａＡｓＰ変調層
２２４：ＩｎＧａＡｓＰバッファ層
２２６Ａ，２２６Ｂ：ｎ−ＩｎＰ層
２２８Ａ，２２８Ｂ：ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層
２３０，２３２，２３４：鉄をドープしたＩｎＰ層
２３６Ａ，２３６Ｂ：電極
２４０：ガラス（ＳｉＯ２）
２４２：電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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