(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部所定電圧との間に外部インピーダンス素子を外部接続する周波数設定端子と、該周波数設定端子に接続され、前記外部インピーダンス素子をバイアスするバイアス部と、該バイアス部を介して前記外部インピーダンス素子と接続され、インピーダンス値に応じて発振周波数を制御する発振駆動部とを備え、該発振駆動部の起動の有無により内部動作の活性／非活性状態の切り替えが可能なＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、
前記内部動作を制御し、前記発振駆動部からの信号に基づき活性化される制御部と、
前記非活性状態において、前記バイアス部を活性状態に維持する補助活性部とを備え、
前記外部インピーダンス素子を介する前記周波数設定端子と前記外部所定電圧との間の経路を開閉制御する外部接続のスイッチ部により前記経路が接続されることに基づき、前記発振駆動部が起動されることを特徴とするＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
【請求項２】
前記活性／非活性状態の切り替えは、前記スイッチ部に入力される外部コントロール信号により制御されることを特徴とする請求項１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
【請求項３】
前記制御部は、
前記バイアス部を制御することにより、前記外部インピーダンス素子へのバイアス値を所定バイアス値に制御するバイアス制御部を含むことを特徴とする請求項１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
【請求項４】
前記補助活性部は、
外部印加電源から前記バイアス部にバイアスを供給するバイアス供給素子を含むことを特徴とする請求項１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
【請求項５】
基準電圧部を備え、
該基準電圧部を駆動するための駆動バイアスを、起動時と起動後の前記内部動作の活性状態とで切り替えることを特徴とする請求項１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
【請求項６】
前記基準電圧部から出力される基準電圧を監視しており、該基準電圧が所定電圧値以上であることを報知する基準電圧監視部を備え、
前記基準電圧監視部からの報知信号に基づき、前記駆動バイアスを切り替えることを特徴とする請求項５に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
【請求項７】
前記起動時における前記駆動バイアスは、前記発振駆動部により供給されることを特徴とする請求項５に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
【請求項８】
前記内部動作の活性状態における前記駆動バイアスは、前記基準電圧部により供給されることを特徴とする請求項５に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
【請求項９】
前記内部動作の非活性状態への切り替えの際、前記基準電圧部から該基準電圧部自身への前記駆動バイアスの供給を遮断する駆動バイアス遮断部を備えることを特徴とする請求項８に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
【請求項１０】
周波数設定端子をバイアスするバイアス部と、該バイアス部を介して前記周波数設定端子と接続される発振駆動部とを有するＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路と、前記周波数設定端子と所定電圧との間に接続され、インピーダンス値に応じて発振周波数が制御されるインピーダンス素子とを備え、該発振駆動部の起動の有無により内部動作の活性／非活性状態の切り替えが可能なＤＣ／ＤＣコンバータシステムにおいて、
前記内部動作を制御し、前記発振駆動部からの信号に基づき活性化される制御部と、
前記非活性状態において、前記バイアス部を活性状態に維持する補助活性部とを備え、
前記インピーダンス素子を介する前記周波数設定端子と前記所定電圧との間の経路を開閉制御するスイッチ部により前記経路が接続されることに基づき、前記発振駆動部が起動されることを特徴とするＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、外部コントロール信号により省電力モードにエントリーする機能を具備するＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、及びＤＣ／ＤＣコンバータシステムに関するものであり、特に小型の電子機器に使用されるＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、及びＤＣ／ＤＣコンバータシステムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ノートパソコンや携帯電話等に代表される携帯型の電子機器においては、携帯性を向上させた上で高機能化する必要から、個々の電子部品には益々小型化が要求されてきている。また、バッテリー駆動時の連続使用時間の改善要求も強く、個々の電子部品の低消費電流化も合わせて求められている。
【０００３】
更に、これらの要求は携帯機器にとどまらず高機能化を志向するパソコン等の電子機器においても重要な要求項目となっている。例えば、据え置き型パソコンのディスプレイ等においても近年液晶ディスプレイが一般的になってきているが、少しでも広い画面を確保するため、液晶ディスプレイ用バックライト等のバイアス電源は、狭幅のディスプレイ端部に実装せざるを得ないのが実情であり、高密度実装への要求は強い。また、近年の環境保護、省資源化への要求の高まりの中、パソコンのパワーセーブ機能においても適宜なタイミングで液晶ディスプレイのバックライト機能やハードディスク用モータのドライブ等が停止されることに加えて、これらを駆動するＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、及びＤＣ／ＤＣコンバータシステムについても、省電力モードに移行して電力消費を必要最小限に低減するといった省電力動作が要求されてきている。
【０００４】
図７に示すＤＣ／ＤＣコンバータシステム９００の制御回路８００では、発振周波数設定端子（ＲＴ）に接続される周波数設定抵抗ＲＴに応じて、スイッチング周波数が決定される構成である。ＤＣ／ＤＣコンバータシステム９００では省電力モード用の制御端子としてコントロール端子（ＣＴＬ）が設けられており、この端子（ＣＴＬ）に入力される外部コントロール信号ＣＴＬが、制御回路８００のコントロール端子（ＣＴＬ）を介して内部のバイアス回路ＢＩＡＳを制御し、バイアス回路ＢＩＡＳとＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１０で構成されるバイアス電流発生回路１１０を起動する。外部コントロール信号ＣＴＬを正論理とすれば、ハイ論理レベルの信号ＣＴＬに対してバイアス電流発生回路１１０が活性化され、制御回路８００内の各種の回路ブロックにバイアス電流を供給する。信号ＣＴＬがロー論理レベルの時には、バイアス電流発生回路１１０が非活性化され、制御回路８００内の各種の回路ブロックへのバイアス電流の供給が停止し、ＤＣ／ＤＣコンバータシステム９００は省電力モードとなる。
【０００５】
ここで、バイアス回路ＢＩＡＳ、およびＰＮＰバイポーラトランジスタＱ３、Ｑ１０で構成される起動制御部分の具体例を図８に示す。この起動制御部分により、基準電圧回路ＶＲＥＦが起動される。以下の説明では、外部コントロール信号ＣＴＬを正論理として説明する。
【０００６】
コントロール端子（ＣＴＬ）から入力される外部コントロール信号ＣＴＬは、抵抗素子ＲＢ１、ＲＢ２により分圧電圧Ｖａに分圧されて、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱＢ１のベース端子に入力される。分圧電圧ＶａがＮＰＮバイポーラトランジスタＱＢ１のエミッタ電圧に対して順方向電圧ＶＢＥ以上の電圧であれば、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱＢ１が導通し、エミッタ電圧と抵抗素子ＲＢ３により定まるバイアス電流Ｉ１００が流れる。バイアス電流Ｉ１００は、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１０、Ｑ３で構成されるカレントミラー回路を介してバイアス電流Ｉ２００として出力される。ここで、各ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１０、Ｑ３のエミッタ端子には、ダイオード素子ＤＢ３（順方向電圧は、ＶＢＥ）、抵抗素子ＲＢ４（抵抗値は、ＲＢ４）が接続されており、出力されるバイアス電流Ｉ２００は、ＶＢＥ／ＲＢ４で決定される一定の電流である。このバイアス電流Ｉ２００により基準電圧回路ＶＲＥＦが起動される。尚、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱＢ１のベース端子から接地電圧に対して直列に接続されているダイオード素子ＤＢ１、ＤＢ２は、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱＢ１のベース端子に過電圧が印加されないためのクランプ回路の役割を果たしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図７におけるＤＣ／ＤＣコンバータシステム９００においては、コントロール端子（ＣＴＬ）から入力される外部コントロール信号ＣＴＬが、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８００のコントロール端子（ＣＴＬ）を介して制御回路８００内に入力されて、制御回路８００の省電力モード動作を制御することが可能ではある。しかしながら、制御回路８００には、省電力モードを制御するための専用端子であるコントロール端子（ＣＴＬ）が備えられなければならない。この場合、制御回路８００を半導体集積回路等で構成される１つのパッケージに収納するとすると、このパッケージには専用のコントロール端子（ＣＴＬ）が備えられなければならずパッケージサイズの増大につながり好ましくない。
【０００８】
携帯・非携帯を問わず個々の電子部品についての小型化が強く求められている現在においては、制御回路８００を収納するパッケージサイズの縮小が専用端子の存在のために制限されてしまうおそれがある。この場合、液晶ディスプレイの狭端部等の僅少な空きスペースにＤＣ／ＤＣコンバータシステム９００を実装する自由度が制限されてしまうおそれがあり高密度実装の観点から問題である。
【０００９】
本発明は前記従来技術の問題点を解消するためになされたものであり、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路を、端子数を削減して小型化されたパッケージに収納しながら、ＤＣ／ＤＣコンバータシステムへの外部コントロール信号の入力による省電力モード機能を実現できる、実装自由度の高いＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、及びＤＣ／ＤＣコンバータシステムを提供すること、また、外部端子の信号条件に関わらず、安定した電圧を出力することができる、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、及びＤＣ／ＤＣコンバータシステムを提供すること、を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、請求項１に係るＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、あるいは請求項１０に係るＤＣ／ＤＣコンバータシステムは、外部所定電圧との間に外部インピーダンス素子を外部接続、あるいは所定電圧との間にインピーダンス素子を接続する周波数設定端子と、周波数設定端子に接続され、外部インピーダンス素子、あるいはインピーダンス素子をバイアスするバイアス部と、バイアス部を介して外部インピーダンス素子、あるいはインピーダンス素子と接続され、インピーダンス値に応じて発振周波数を制御する発振駆動部とを備えて、該発振駆動部の起動の有無により内部動作の活性／非活性状態の切り替えが可能なＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、あるいはＤＣ／ＤＣコンバータシステムにおいて、内部動作を制御し発振駆動部からの信号に基づき活性化される制御部と、非活性状態において、バイアス部を活性状態に維持する補助活性部とを備え、外部インピーダンス素子、あるいはインピーダンス素子を介する周波数設定端子と外部所定電圧、あるいは所定電圧との間の経路を開閉制御するスイッチ部により経路が接続されることに基づき、発振駆動部が起動されることを特徴とする。
【００１１】
請求項１のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、あるいは請求項１０のＤＣ／ＤＣコンバータシステムでは、外部インピーダンス素子、あるいはインピーダンス素子を介する周波数設定端子と外部所定電圧、あるいは所定電圧との間の経路上に配置されるスイッチ部を閉じることにより、非活性状態時に補助活性部により活性状態に維持されているバイアス部を介して発振駆動部が起動される。これに伴い、発振駆動部から信号が出力されて制御部が活性化される。
【００１２】
これにより、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、あるいはＤＣ／ＤＣコンバータシステムの起動・停止の制御を、発振周波数を制御するインピーダンス素子等の周波数設定端子への接続制御により行なうことにより、発振周波数の制御と、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、及びＤＣ／ＤＣコンバータシステムの起動制御を周波数設定端子で兼用することができる。起動・停止のための専用の制御端子を備える必要がなく、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路の端子数を削減することができ、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路のパッケージサイズを縮小してＤＣ／ＤＣコンバータシステムの実装自由度を向上させることができる。
【００１３】
また、請求項２に係るＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路は、請求項１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、活性／非活性状態の切り替えは、スイッチ部に入力される外部コントロール信号により制御されることを特徴とする。
【００１４】
請求項２のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路では、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路の活性／非活性状態の切り替えを制御する外部コントロール信号が、スイッチ部に入力されて、スイッチ部を開閉制御する。
【００１５】
これにより、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路に、外部コントロール信号を入力する専用端子を設けることなく、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路の活性／非活性状態の切り替えを制御することができる。
【００１６】
また、請求項３に係るＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路は、請求項１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、制御部は、バイアス部を制御することにより、外部インピーダンス素子へのバイアス値を所定バイアス値に制御するバイアス制御部を含むことを特徴とする。
【００１７】
請求項３のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路では、発振駆動部の起動によりバイアス制御部が活性化され、外部インピーダンス素子へのバイアス値が所定バイアス値に制御される。
【００１８】
これにより、スイッチ部が、周波数設定端子への外部インピーダンス素子の接続制御をして発振駆動部が起動されることにより、バイアス制御部が活性化されて外部インピーダンス素子へのバイアス値を所定バイアス値に制御するので、発振周波数を所定周波数に制御することができる。
【００１９】
また、請求項４に係るＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路は、請求項１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、補助活性部は、外部印加電源からバイアス部にバイアスを供給するバイアス供給素子を含むことを特徴とする。また、外部印加電源は、外部から供給される電源電圧あるいは接地電圧であることが好ましい。
【００２０】
請求項４のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路では、バイアス供給素子が、電源電圧あるいは接地電圧等の外部印加電源からバイアスを供給されることにより、バイアス部を活性状態に維持する。
【００２１】
これにより、バイアス部へのバイアス供給源は、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路が停止している非活性状態においても印加されている電源電圧あるいは接地電圧等の外部印加電源であるので、非活性化状態においてもバイアス部へのバイアスが供給されバイアス部を確実に活性状態に維持することができる。
【００２２】
また、請求項５に係るＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路は、請求項１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、基準電圧部を備え、基準電圧部を駆動するための駆動バイアスを、起動時と起動後の内部動作の活性状態とで切り替えることを特徴とする。
【００２３】
請求項５のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路では、駆動バイアスを、起動時と起動後の内部動作の活性状態とで切り替えて基準電圧部を駆動する。
【００２４】
これにより、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路の制御状態が安定した活性状態には至っていない過渡的な起動時においては、過渡状態おいても供給できる駆動バイアスにより基準電圧部を確実に起動することができる。安定した活性状態においては、起動時における駆動バイアスから安定したバイアス状態における駆動バイアスに切り替えるので、基準電圧部から目的の基準電圧を出力することができる。基準電圧部を起動することができると共に、起動後の活性状態において、基準電圧を目的値に維持することができ、動作状態を的確に設定することができる。
【００２５】
活性状態において、基準電圧への駆動バイアスの条件を一定に維持することができ、駆動バイアスが変化した際に発生する基準電圧の温度特性の変化や、基準電圧の電圧値自身の変化を抑止することができる。活性状態において安定した基準電圧を出力することができる。
【００２６】
また、請求項６に係るＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路は、請求項５に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、基準電圧部から出力される基準電圧を監視しており、基準電圧が所定電圧値以上であることを報知する基準電圧監視部を備え、基準電圧監視部からの報知信号に基づき、駆動バイアスを切り替えることを特徴とする。
【００２７】
請求項６のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路では、基準電圧監視部が、基準電圧部から出力される基準電圧を監視して、基準電圧が所定電圧値以上である場合に報知信号を出力する。この報知信号により、基準電圧部への駆動バイアスが切り替えられる。
【００２８】
これにより、基準電圧部が所定の駆動バイアス値以上で駆動されていれば、基準電圧部から出力される基準電圧は、所定電圧値を通過して目的の基準電圧まで上昇して安定する。従って、基準電圧に応じて出力される活性状態での駆動バイアスが、所定の駆動バイアス値以上となるような基準電圧の電圧値を、所定電圧値として設定してやれば、基準電圧が所定電圧値に達した時点で、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路が、起動時の過渡状態から活性状態に移行したとして、駆動バイアスの切り替えを行なうことができる。
【００２９】
また、請求項７に係るＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路は、請求項５に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、起動時における駆動バイアスは、発振駆動部により供給されることを特徴とする。
また、請求項８に係るＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路は、請求項５に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、内部動作の活性状態における駆動バイアスは、基準電圧部により供給されることを特徴とする。
【００３０】
請求項７のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路では、起動時には、発振駆動部が基準電圧部を駆動する駆動バイアスを供給する。
請求項８のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路では、内部動作の活性状態には、基準電圧部自身が駆動バイアスを供給する。
【００３１】
これにより、基準電圧部に供給される駆動バイアスは、起動時には、外部インピーダンス素子と接続され、インピーダンス素子のインピーダンス値に応じて発振周波数を制御する発振駆動部により供給されると共に、活性状態では、基準電圧部自身により供給される。
【００３２】
起動時には、起動制御を行なう発振駆動部により駆動バイアスが供給されるため、確実に駆動バイアスを供給することができる。活性状態では、電圧変動の少ない基準電圧部からの基準電圧に基づいて駆動バイアスが供給される。そのため、外部インピーダンス素子のインピーダンス値に応じて変動するおそれのある発振駆動部による駆動バイアスに比して、駆動バイアスの変動も少なく、基準電圧における温度特性の変動や基準電圧値自身の変動も抑制される。
【００３３】
また、請求項９に係るＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路は、請求項８に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、内部動作の非活性状態への切り替えの際、基準電圧部から基準電圧部自身への駆動バイアスの供給を遮断する駆動バイアス遮断部を備えることを特徴とする。
【００３４】
請求項９のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路では、駆動バイアス遮断部により、内部動作の非活性状態への切り替えの際に、基準電圧部が基準電圧部自身に供給している駆動バイアスの供給を遮断する。
【００３５】
これにより、活性状態において、自己バイアスされて駆動されている基準電圧部を、内部動作の非活性状態への切り替えの際に、迅速、確実に非活性状態に移行させることができる。
【００３６】
図１に、本発明の第１原理説明図を示す。ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８を備えるＤＣ／ＤＣコンバータシステム９を模式的に示している。ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８における周波数設定端子（ＲＴ）には、外部インピーダンス素子として備えられている抵抗素子ＲＴとスイッチ部１とが、接地電圧との間で直列に接続されており、スイッチ部１には、外部コントロール信号ＣＴＬが入力されている。
【００３７】
ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８の内部では、周波数設定端子（ＲＴ）がバイアス部３を介して発振駆動部４に接続されると共に、周波数設定端子（ＲＴ）の信号値がフィードバック信号としてバイアス制御部５に接続されている。バイアス部３には補助活性部２及びバイアス制御部５からの信号が入力されている。また、発振駆動部４はバイアス制御部５及び制御部７に駆動信号を供給している。
【００３８】
ここで、スイッチ部１は、周波数設定端子（ＲＴ）と接地電圧との間の結線を開閉制御しており、ＤＣ／ＤＣコンバータシステム９の活性／非活性の状態を制御する外部コントロール信号ＣＴＬにより制御されている。補助活性部２は、ＤＣ／ＤＣコンバータシステム９の非活性状態においてバイアス部３を活性状態に維持するようにバイアス部３にバイアスを供給している。通常、電源電圧あるいは接地電圧（不図示）をバイアス供給源としている。バイアス部３は、周波数設定端子（ＲＴ）と発振駆動部４との間に備えられており、周波数設定端子（ＲＴ）に接続される抵抗素子ＲＴの抵抗値に応じて発振周波数が設定されるように抵抗素子ＲＴへのバイアス条件を調整するための駆動部の役割を有している。周波数設定端子（ＲＴ）の信号値をフィードバック信号とするバイアス制御部５により制御されている。例えば、発振周波数が、発振駆動部４に流れる電流値で制御される構成においては、周波数設定端子（ＲＴ）に印加される電圧値が制御される。また、発振周波数が、発振駆動部４に印加される電圧値で制御される構成においては、周波数設定端子（ＲＴ）に流される電流値が制御される。
【００３９】
発振駆動部４は、発振部６の他、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８内の全ての構成要素に活性化信号を供給する。発振部６以外の構成要素としては、バイアス制御部５、及び制御部７がこれにあたる。発振部６は、バイアス制御部５により制御されバイアス部３により駆動される周波数設定端子（ＲＴ）へのバイアス条件に基づき、周波数設定端子（ＲＴ）に接続される抵抗素子ＲＴが有する抵抗値に応じて、発振周波数が設定される。制御部７は、ＤＣ／ＤＣコンバータシステム９を構成する出力電圧（不図示）のレギュレート動作に必要な全ての制御動作を含む。例えば、誤差増幅制御、スイッチングデューティ発生制御、出力トランジスタの駆動制御等を含む。
【００４０】
ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８には、ＤＣ／ＤＣコンバータシステム９の活性／非活性状態を制御してシステム９の省電力モード機能を実現する制御信号である外部コントロール信号ＣＴＬを直接入力する専用端子は備えられておらず、外部コントロール信号ＣＴＬは、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８の外部に備えられているスイッチ部１に入力される。
【００４１】
外部コントロール信号ＣＴＬにより、省電力モードが指示されシステム９が非活性状態を維持する場合には、スイッチ部１はオフされて抵抗素子ＲＴと接地電圧との結線が開路され、接地電圧からスイッチ部１、抵抗素子ＲＴ、及びバイアス部３を介して発振駆動部４に至る結線は確立されず発振駆動部４は動作しない。そのため、発振駆動部４から起動信号は出力されず、発振部６に加えてバイアス制御部５、制御部７も活性化されない。電流消費がなくなり省電力モード状態が維持される。
【００４２】
外部コントロール信号ＣＴＬにより、通常動作状態が指示されシステム９が活性状態で動作する場合には、スイッチ部１はオンされて抵抗素子ＲＴと接地電圧との結線が閉路され、接地電圧からスイッチ部１、抵抗素子ＲＴ、及びバイアス部３を介して発振駆動部４に至る結線が確立される。これにより、発振駆動部４が活性化され起動信号が出力されて、発振部６に加えてバイアス制御部５、制御部７も活性化される。起動直後の状態では発振部６の発振周波数は正しく制御されてはいないが、発振駆動部４の起動により活性化されるバイアス制御部５により、周波数設定端子（ＲＴ）に接続されている抵抗素子ＲＴへのバイアス条件が制御されることにより、抵抗素子ＲＴの抵抗値と相俟って発振駆動部４の駆動信号が調整されて、発振部６は抵抗素子ＲＴにより設定される周波数で発振することとなり正常な定常状態に移行する。
【００４３】
以上に説明したように、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８に外部コントロール信号ＣＴＬを入力するための専用端子が備えられていなくとも、省電力モード機能に伴う活性／非活性状態の制御を行なうことができる。ここで、領域Ａは、外部コントロール信号ＣＴＬによる起動制御部分を示している。
【００４４】
図２に、本発明の第２原理説明図を示す。ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路内の起動制御部分Ａ'とバイアス制御部５との関係を示している。ここで、バイアス制御部５は第１原理説明図におけるものと同様なブロックである。
【００４５】
起動制御部分Ａ'から起動時に供給される起動駆動バイアスＢＡと、定常バイアス供給部３０から活性状態において供給される定常駆動バイアスＢＢとが、切り替え部２０に入力されている。切り替え部２０では、これらの駆動バイアスＢＡおよびＢＢのうちの何れか一方を選択して、基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０に対して駆動バイアスＢを供給している。基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０は、駆動バイアスＢにより駆動され、基準電圧ＶＲを出力する。基準電圧ＶＲは、切り替え部２０および定常バイアス供給部３０に入力されている。
【００４６】
外部コントロール信号ＣＴＬにより、起動制御部分Ａ'に起動がかかると、起動制御部分Ａ'は、発振動作の開始を指示すると共に、各種バイアスを出力して、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路における内部回路を起動する。起動駆動バイアスＢＡも同様に出力され、切り替え部２０を介して駆動バイアスＢとして基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０をバイアスする。ここで、起動駆動バイアスＢＡは、基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０が駆動されて目的の基準電圧ＶＲにまで立ち上がるのに充分なバイアス値に設定されているため、基準電圧ＶＲは徐々に上昇していく。
【００４７】
起動駆動バイアスＢＡにより起動されることにより、基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０から出力される基準電圧ＶＲが徐々に上昇して所定の電圧値に達すると、定常バイアス供給部３０が活性化され、定常駆動バイアスＢＢが出力される。これに伴い、切り替え部２０が動作し、駆動バイアスＢを起動駆動バイアスＢＡから定常駆動バイアスＢＢに切り替える。これ以後、基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０には、定常バイアス供給部３０から出力される所定の定常駆動バイアスＢＢが供給される。基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０は、所定の駆動バイアスＢで駆動され、所定の基準電圧ＶＲを出力する。
【００４８】
以上に説明したように、起動制御部分Ａ'により供給される起動時の過渡的な起動駆動バイアスＢＡで、基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０が確実に起動されると共に、基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０の起動後、基準電圧ＶＲが所定の電圧レベルにまで上昇した時点で、定常バイアス供給部３０が起動して所定の定常駆動バイアスＢＢが出力され、切り替え部２０により基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０への駆動バイアスＢが切り替わるので、安定した活性状態においては、基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０から出力される目的の基準電圧ＶＲに応じて、所定の駆動バイアスＢで、基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０を駆動することができる。目的の基準電圧ＶＲは電圧変動が少ないので、所定の駆動バイアスＢに関してもバイアス値の変動を抑制することができ、基準電圧部（ＶＲＥＦ）４０を安定して駆動でき、基準電圧ＶＲにおける温度特性の変動や電圧値自体の変動を抑制することができる。
【００４９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、及びＤＣ／ＤＣコンバータシステムについて具体化した第１乃至第３実施形態を図３乃至図６に基づき図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００５０】
図３は、本発明の第１実施形態を示すＤＣ／ＤＣコンバータシステム９０の回路図である。図３では、降圧型のスイッチング電源を例にとり説明する。出力電圧は、ＤＣ／ＤＣコンバータシステム９０の（＋）端子と（−）端子との間に出力される。出力電圧は、コイルＬ１に蓄えられるエネルギーをコイルＬ１の一端からコンデンサＣ１で平滑して得られる。コイルＬ１の他端にはＰＭＯＳトランジスタＭ１によりスイッチング制御されて接続される入力電源ＶＩＮと、ダイオード素子Ｄ１を介してコイルＬ１に蓄えられているエネルギーを回生する接地電圧とが接続されている。ここで、入力電圧ＶＩＮは、ＤＣ／ＤＣコンバータシステム９０の（ＶＩＮ）端子から入力され、ＰＭＯＳトランジスタＭ１のソース端子に供給されると共に、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０の（ＶＣＣ）端子から入力され、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０に電源電圧ＶＣＣを供給している。出力電圧を分圧する抵抗素子Ｒ２、Ｒ３は出力電圧の検出用であり、分圧電圧がＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０にフィードバックされて、出力電圧を一定に維持するためのＰＭＯＳトランジスタＭ１のスイッチングデューティを制御している。
【００５１】
ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０における各制御回路は、発振駆動部１４として備えられ定電流源回路を構成しているＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１、Ｑ２にミラー接続されて定電流回路を構成しているＰＮＰバイポーラトランジスタＱ３乃至Ｑ７により活性化される。この定電流源回路では、各ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１乃至Ｑ７のエミッタ端子が電源電圧ＶＣＣに接続され、ベース端子は共通に接続されると共にＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１のコレクタ端子にも接続されている。ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１のコレクタ端子への電流の有無により各トランジスタＱ２乃至Ｑ７からの電流の有無が制御される。
【００５２】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１のコレクタ端子には、エミッタ端子がＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０の周波数設定端子（ＲＴ）に接続されているＮＰＮバイポーラトランジスタＱ９のコレクタ端子が接続されている。ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ９はバイアス部１３を構成している。ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ９のベース端子には抵抗素子Ｒ４を介して電源電圧ＶＣＣが接続され、補助活性部１２あるいはバイアス供給素子１２を構成している。また、ベース端子には更に後述するバイアス制御部１５が接続されており、周波数設定端子（ＲＴ）の端子電圧を所定電圧に固定するための駆動トランジスタとしての役割を有している。
【００５３】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ２は、発振回路１６にバイアス電流を流すための定電流源である。発振周波数は、発振回路１６を構成するコンデンサＣＴの容量値とＰＮＰバイポーラトランジスタＱ２から出力されるバイアス電流値により決定される。発振回路１６は、バイアス電流に基づき発振回路の制御部ＯＳＣによりコンデンサＣＴへの充放電動作が制御され、三角波の発振波形を得る等の制御を行なっている。
【００５４】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ３は、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０内の回路動作に必要な基準電圧を生成する基準電圧回路ＶＲＥＦへのバイアス電流を供給している。また、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ４は、前述のＮＰＮバイポーラトランジスタＱ９のベース端子及びＮＰＮバイポーラトランジスタＱ８のコレクタ端子に接続されており、演算増幅器ＡＭＰ１の出力段トランジスタであるＮＰＮバイポーラトランジスタＱ８のバイアス電流源として機能している。演算増幅器ＡＭＰ１の入力端子には、反転入力端子に基準電圧回路ＶＲＥＦからの基準電圧が接続されると共に、非反転入力端子に周波数設定端子（ＲＴ）が接続されている。ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ３、Ｑ４、基準電圧回路ＶＲＥＦ、演算増幅器ＡＭＰ１、及びＮＰＮバイポーラトランジスタＱ８によりバイアス制御部１５として構成されている。バイアス制御部１５は、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ３、Ｑ４からのバイアス電流により、周波数設定端子（ＲＴ）を略基準電圧にバイアスするように制御する。尚、図示されていないが、演算増幅器ＡＭＰ１を活性化するバイアス電流も、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１を電流入力として構成される定電流源回路により生成されている。
【００５５】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ５、Ｑ６、及びＱ７は、各々、誤差増幅回路ＥＲＲ、スイッチングデューティ発生回路ＰＷＭ、及び出力トランジスタ駆動回路ＤＲＶへのバイアス電流供給用の定電流源である。これらの回路は、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０の（−ＩＮ）端子から入力される出力電圧の分圧電圧に対して誤差増幅を行い、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０の（ＤＲＶ）端子からの駆動信号によりＰＭＯＳトランジスタＭ１をスイッチング制御して、出力電圧を所定電圧にレギュレートするスイッチング制御を行なう制御部１７として構成されている。
【００５６】
周波数設定端子（ＲＴ）には接地電圧との間に、発振周波数を設定する抵抗素子ＲＴとＮＭＯＳトランジスタＭ２とが接続されている。ＮＭＯＳトランジスタＭ２のゲート端子にはＤＣ／ＤＣコンバータシステム９０の（ＣＴＬ）端子から外部コントロール信号ＣＴＬが入力されている。尚、ＮＭＯＳトランジスタＭ２のゲート端子とソース端子間にはゲート端子電圧放電用の抵抗素子Ｒ５が備えられている。ここで、領域１Ａは、外部コントロール信号ＣＴＬによる起動制御部分を示している。
【００５７】
ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０は、上記に説明した（ＶＣＣ）端子、（ＲＴ）端子、（−ＩＮ）端子、（ＤＲＶ）端子の他に必要な端子として、接地電圧を供給する（ＧＮＤ）端子と、誤差増幅回路ＥＲＲの位相補正のための（ＦＢ）端子とを追加しても６端子で構成することができる。（ＣＴＬ）端子を必要としていた従来技術のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８００において８端子のパッケージが必要であったのに比して６端子のパッケージに収納することができる。
【００５８】
以下、外部コントロール信号ＣＴＬによる省電力モード機能の動作について説明する。省電力モードを指示するロー論理レベルの外部コントロール信号ＣＴＬが入力される場合には、ＮＭＯＳトランジスタＭ２は非導通状態となり、周波数設定端子（ＲＴ）と接地電圧との間の電流経路が開放されて電流は流れなくなる。これにより、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ９を介してＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１に繋がる電流経路は形成されず、定電流源回路を構成するＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１への電流入力は行なわれない。
【００５９】
従って、定電流源回路Ｑ１乃至Ｑ７における全ての定電流源Ｑ２〜Ｑ７からはバイアス電流が流れることはなく、これらのバイアス電流により活性化されるべき発振回路１６の制御部ＯＳＣ、基準電圧回路ＶＲＥＦ、演算増幅器ＡＭＰ１、その出力段であるＮＰＮバイポーラトランジスタＱ８、誤差増幅回路ＥＲＲ、スイッチングデューティ発生回路ＰＷＭ、及び出力トランジスタ駆動回路ＤＲＶは全て非活性状態となり動作を停止する。このため、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０内で消費される消費電流は微小となり消費電流の極小さな省電力モードを実現することができる。
【００６０】
通常の動作状態を指示するハイ論理レベルの外部コントロール信号ＣＴＬが入力される場合には、ＮＭＯＳトランジスタＭ２が導通状態となり、周波数設定端子（ＲＴ）と接地電圧との間の電流経路が接続されて電流経路が確立される。これにより、電源電圧ＶＣＣからＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ９を介して周波数設定端子（ＲＴ）から出力され、抵抗素子ＲＴとＮＭＯＳトランジスタＭ２を経て接地電圧に至る電流経路が確立され、定電流源回路を構成するＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１への電流入力が行なわれる。
【００６１】
従って、定電流源回路Ｑ１乃至Ｑ７における全ての定電流源Ｑ２〜Ｑ７からは、バイアス電流が起動電流として流れ、これらのバイアス電流により活性化されるべき発振回路１６の制御部ＯＳＣ、基準電圧回路ＶＲＥＦ、演算増幅器ＡＭＰ１、その出力段であるＮＰＮバイポーラトランジスタＱ８、誤差増幅回路ＥＲＲ、スイッチングデューティ発生回路ＰＷＭ、及び出力トランジスタ駆動回路ＤＲＶが活性状態となって動作を開始する。ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ３、Ｑ４からの起動電流により基準電圧回路ＶＲＥＦ、演算増幅器ＡＭＰ１、及びその出力段であるＮＰＮバイポーラトランジスタＱ８が起動され、周波数設定端子（ＲＴ）の端子電圧を基準電圧回路ＶＲＥＦから出力される基準電圧に制御する。周波数設定端子（ＲＴ）には接地電圧に向けて抵抗素子ＲＴとＮＭＯＳトランジスタＭ２とが直列に接続されている。ハイ論理レベルの外部コントロール信号ＣＴＬにより導通されているＮＭＯＳトランジスタＭ２のオン抵抗値は抵抗素子ＲＴの抵抗値に比して無視できる抵抗値であることより、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１に入力される電流値は、抵抗素子ＲＴに基準電圧が印加される場合の電流値に略等しい電流となる。即ち、抵抗素子ＲＴの抵抗値に応じたバイアス電流で発振回路１６が活性化され、コンデンサＣＴの容量値と相俟って定められる所定周波数で発振動作が行なわれ定常状態に移行する。
【００６２】
以上に説明した第１実施形態によれば、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０、あるいはＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０を備えるＤＣ／ＤＣコンバータシステム９０の起動・停止の制御は、発振周波数を制御するインピーダンス素子等として備えられている抵抗素子ＲＴの周波数設定端子（ＲＴ）への接続制御により行なわれる。これにより、発振周波数の制御と、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０、及びＤＣ／ＤＣコンバータシステム９０の起動制御を周波数設定端子（ＲＴ）で兼用することができる。即ち、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０に外部コントロール信号ＣＴＬを入力する専用端子を設けることなく、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０の活性／非活性状態の切り替えを制御することができる。ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０の端子数を削減することができ、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０のパッケージサイズを縮小してＤＣ／ＤＣコンバータシステム９０の実装自由度を向上させることができる。
【００６３】
ここで、スイッチ部１１として備えられているＮＭＯＳトランジスタＭ２が、周波数設定端子（ＲＴ）と接地電圧間の抵抗素子ＲＴの接続制御をして、発振駆動部１４として備えられているＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１及びＱ２が定電流回路として起動される。これにより、バイアス制御部１５が活性化されて、周波数設定端子（ＲＴ）を介した抵抗素子ＲＴへのバイアス電圧値を所定電圧値に制御するので、発振周波数を所定周波数に制御することができる。
【００６４】
また、バイアス部１３として備えられているＮＰＮバイポーラトランジスタＱ９へのバイアスとしてのベース電流供給源は、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０の停止時においても印加されている外部印加電源の電源電圧ＶＣＣである。このため、非活性状態においても、電源電圧ＶＣＣからバイアス供給抵抗素子１２として備えられている抵抗素子Ｒ４を介して電流制限されながら供給されるバイアス電流が、エミッタ接続されるＮＰＮバイポーラトランジスタＱ９のベース電流として供給され、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ９を確実に活性状態に維持することができる。
【００６５】
また、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路８０には、従来技術とは異なり省電力モード時に内部回路を非活性状態にする外部コントロール信号ＣＴＬが直接入力されることはない。また、内部回路の起動はバイアス電流供給用の定電流源トランジスタＱ３乃至Ｑ７に発振駆動部１４の定電流源回路をミラー接続することにより行なわれる。即ち、外部コントロール信号ＣＴＬにより制御されバイアス電流を生成するバイアス電流発生回路１１０が不要となる。
【００６６】
図４は、第２実施形態として、本発明の第２原理説明図に対する実施形態である。起動制御部分１Ａは、第１実施形態と同様の構成であるので、ここでの説明は省略する。
【００６７】
切り替え部２１は、起動制御部分１Ａに備えられている定電流源回路を構成しているＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１、Ｑ２からミラー接続された定電流源ＩＳ１が、電源電圧ＶＣＣから、ダイオード素子Ｄ２２のアノード端子およびＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２１のベース端子に向けて接続されている。ダイオード素子Ｄ２２のカソード端子は接地電圧に接続されており、エミッタ端子が接地電圧に接続されているＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２１と合わせカレントミラー形式の定電流源回路を構成している。ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２１のコレクタ端子は、定電流源ＩＳ２を介して電源電圧ＶＣＣに接続されている。定電流源ＩＳ２に、後述する起動駆動バイアス電流ＩＡを供給する。
【００６８】
また、定電流源ＩＳ５、ダイオード素子Ｄ２２、およびＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２２が、定電流源ＩＳ１、ダイオード素子Ｄ２１、およびＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２１と同様な回路構成を備えており、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２２のコレクタ端子が定電流源ＩＳ２に接続されて、定電流源ＩＳ２に、後述する定常駆動バイアス電流ＩＢ０を供給する。
【００６９】
また、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２１のベース端子には、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２３のコレクタ端子が接続されている。ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２３のエミッタ端子は接地電圧に接続され、ベース端子には、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１から出力される基準電圧ＶＲが所定電圧値ＶＲＤＴ以上に上昇した場合に、図示しない基準電圧監視回路から出力される基準電圧検出信号ＤＴが入力されている。
【００７０】
定常バイアス供給部３１は、互いにベース端子が接続され、エミッタ端子が接地電圧に接続されているＮＰＮバイポーラトランジスタＱ３１、Ｑ３２により、カレントミラー形式の定電流源回路が構成されている。このうち、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ３１のコレクタ端子が、ベース端子と抵抗素子Ｒ３１とに接続されており、抵抗素子Ｒ３１を介して基準電圧ＶＲにバイアスされて基準電圧ＶＲに応じた電流値が設定される。ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ３２のコレクタ端子は定電流源ＩＳ４に接続されている。定電流源ＩＳ４は、切り替え部２１の定電流源ＩＳ５にミラー接続されている。
【００７１】
定電流源ＩＳ１には、起動制御部分１ＡのＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１、Ｑ２で構成されている定電流源回路に流れるバイアス電流ＩＡが流れる。このバイアス電流ＩＡは、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ２を介して発振周波数を設定するバイアス電流である共に、起動時に基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１への駆動バイアス電流となる（起動駆動バイアス電流ＩＡ）。図４では、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１と定電流源ＩＳ１との電流比を１としており、両者には同等の電流が流れて定電流源ＩＳ１に流れる起動駆動バイアス電流ＩＡが設定されているが、任意の電流比に設定することも可能である。定電流源ＩＳ１に流れる起動駆動バイアス電流ＩＡは、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２３が非導通である状態において、ダイオード素子Ｄ２１およびＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２１により定電流源ＩＳ２のバイアス電流Ｉ１として受け渡される（Ｉ１＝ＩＡ）。
【００７２】
定電流源ＩＳ５には、基準電圧ＶＲがＮＰＮバイポーラトランジスタＱ３１のベース・エミッタ間の順方向電圧ＶＢＥ以上になり、基準電圧ＶＲから抵抗素子Ｒ３１を介してＮＰＮバイポーラトランジスタＱ３１に至る電流経路が確立されると、この電流経路に流れる基準電圧ＶＲと抵抗素子Ｒ３１の抵抗値に応じたバイアス電流ＩＢが流れる。ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ３１、Ｑ３２で構成されている定電流源回路を介して定電流源ＩＳ４に電流が流れ、この電流が更に受け渡されて供給されるのである。図４では、定電流源ＩＳ４と定電流源ＩＳ５との電流比を１の場合を示しているが、任意の電流比に設定することもできる。定電流源ＩＳ５に流れるバイアス電流ＩＢは、ダイオード素子Ｄ２２およびＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２２により定電流源ＩＳ２のバイアス電流Ｉ１として受け渡される（Ｉ１＝ＩＢ、またはＩＡ＋ＩＢ）。
【００７３】
定電流源ＩＳ２のバイアス電流Ｉ１は、定電流源ＩＳ３に受け渡されて、駆動バイアス電流Ｉ２として、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１をバイアスする。この駆動バイアス電流Ｉ２は、基準電圧ＶＲの電圧値に応じて、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ３１およびＱ２３の導通に伴い切り替わる。
【００７４】
ここで、定電流源ＩＳ１乃至ＩＳ５については、図４では電流源のシンボルを使用して説明しており具体的な回路構成については明示していないが、起動制御部分１ＡにおけるＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１、Ｑ２で構成される定電流源と同様な回路構成とすることができる。更に、図４に示されている定電流源については、構成トランジスタをＭＯＳトランジスタ等のバイポーラトランジスタ以外のデバイスで構成する等の変形、また、電流値の調整のためのトランジスタサイズの変更やベース端子側またはソース端子側へのインピーダンス素子の挿入、更には電流精度を向上させるためのエミッタ端子側またはドレイン端子側へのバッファトランジスタの挿入等の各種の変形が、適宜に適用できることは言うまでもない。
【００７５】
また、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２１、Ｑ２２との間で、カレントミラー形式の定電流源回路を構成するダイオード素子Ｄ２１、Ｄ２２は、電流精度上、各々ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２１、Ｑ２２と同一デバイスで構成されることが一般的である。
【００７６】
図５に基づき、第２実施形態の起動時から活性状態に至る間の、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１への駆動バイアス電流Ｉ２の切り替えの様子について説明する。ハイ論理レベルの外部コントロール信号ＣＴＬが入力されると、起動制御部分１Ａにおいて、電源電圧ＶＣＣからＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１を介して接地電圧に至る電流経路が確立され、バイアス電流ＩＡが流れる。この電流は、発振回路１６の制御部ＯＳＣをバイアスして抵抗素子ＲＴに応じて発振周波数を決定するため、抵抗素子ＲＴに応じて異なる電流となる。抵抗素子ＲＴの抵抗値が小さな値の場合には定常状態において大きな電流となり（図５中、ＩＡ１）、抵抗素子ＲＴの抵抗値が大きな値の場合には定常状態において小さな電流となる（図５中、ＩＡ２）。
【００７７】
起動時においては、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２３が非導通状態であるため、起動駆動バイアス電流ＩＡが、定電流源ＩＳ１から定電流源ＩＳ２を介して定電流源ＩＳ３に受け渡され、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１がバイアスされる。起動駆動バイアス電流ＩＡの上昇に応じて基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１の駆動が開始され、以後、出力される基準電圧ＶＲは上昇していく。
【００７８】
基準電圧ＶＲの電圧値が、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ３１のベース・エミッタ間の順方向電圧ＶＢＥに達すると、抵抗素子Ｒ３１およびＮＰＮバイポーラトランジスタＱ３１を介して電流経路が確立され、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ３１，３２からなる定電流源回路が動作することにより、定電流源ＩＳ４、ＩＳ５、およびＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２２を介して、定電流源ＩＳ２にバイアス電流ＩＢが加算され、Ｉ１＝ＩＡ＋ＩＢとなる。この電流が定電流源ＩＳ３に受け渡され、駆動バイアス電流Ｉ２として基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１を駆動する。この時点では基準電圧ＶＲは目的の電圧値に到達しておらず、バイアス電流ＩＢは、目的の定常駆動バイアス電流ＩＢ０より小さな電流値である。
【００７９】
基準電圧ＶＲは更に上昇を続け、所定の電圧値ＶＲＤＴに達すると、基準電圧検出信号ＤＴが検出されてＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２３が導通される。定電流源ＩＳ１の起動駆動バイアス電流ＩＡがバイパスされ、定電流源ＩＳ２のバイアス電流Ｉ１はバイアス電流ＩＢとなる。従って、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１は、自らが出力する基準電圧ＶＲに応じて生成されるバイアス電流ＩＢに応じて駆動されることとなる。
【００８０】
その後、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１が定常状態に移行し、目的の基準電圧ＶＲを出力すると、この電圧に応じたバイアス電流ＩＢが定常駆動バイアス電流ＩＢ０として基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１に供給される。基準電圧ＶＲは、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１の回路構成に依存するが、電源電圧ＶＣＣ、温度等に対する変動が少ない電圧となることが一般的であるため、こうした基準電圧ＶＲにより生成された定常駆動バイアス電流ＩＢ０は、変動の少ないバイアス電流となる。
【００８１】
定常状態において、発振周波数を調整するため抵抗素子ＲＴに応じてバイアス電流値が変動する起動駆動バイアス電流ＩＡを駆動バイアス電流Ｉ２として使用する場合に比して、変動の少ない安定した駆動バイアス電流Ｉ２を供給することができ、基準電圧ＶＲの温度特性の変動および電圧自体の変動を抑制することができる。
【００８２】
ここで、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１の具体例としては、バンドギャップリファレンス（ＢＧＲ）回路等が考えられる。
【００８３】
図６は、第３実施形態として、本発明の第２実施形態のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、外部コントロール信号ＣＴＬをロー論理レベルに遷移する際、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１を速やかに非活性状態に状態遷移させることができる駆動バイアス遮断回路５１の構成例である。
【００８４】
ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１との間でミラー接続された定電流源として、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ５１が備えられており、そのコレクタ端子は、抵抗素子Ｒ５１に接続されると共に、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ５２のベース端子に接続されている。ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ５２のコレクタ端子は、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ５３のベース端子に接続されると共に、切り替え部２１の定電流源ＩＳ５を流れるバイアス電流ＩＢが受け渡される定電流源ＩＳ６に接続されている。更に、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ５３のコレクタ端子が、切り替え部２１のダイオード素子Ｄ２１とＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２１のベース端子との接続点に接続されている。また、抵抗素子Ｒ５１の他端、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ５２、Ｑ５３のエミッタ端子は接地電圧に接続され、定電流源ＩＳ６の他端は電源電圧ＶＣＣに接続されている。
【００８５】
外部コントロール信号ＣＴＬがロー論理レベルに遷移すると、ＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１を介する電流経路が遮断されるため、起動駆動バイアス電流ＩＡが遮断される。これに伴い、定電流源であるＰＮＰバイポーラトランジスタＱ５１に流れていた起動駆動バイアス電流ＩＡも遮断される。そのため、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ５２のベース端子へのベース電流の供給がなくなり、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ５２が非導通となる。その結果、定電流源ＩＳ６に流れていたバイアス電流ＩＢが、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ５３のベース端子に供給され、切り替え部２１のダイオード素子Ｄ２１とＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２１のベース端子との接続点に供給されていた定電流源ＩＳ５からのバイアス電流ＩＢをバイパスするので、定電流源ＩＳ２への電流供給はなくなり、同時に定電流源ＩＳ３のバイアス電流Ｉ２もなくなる。基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１が停止する。尚、この段階では、定電流源ＩＳ１に供給されていた起動駆動バイアス電流ＩＡも流れないので、ＮＰＮバイポーラトランジスタＱ２１を介して定電流源ＩＳ２に起動駆動バイアス電流ＩＡが流れることもない。
【００８６】
以上に説明した第２および第３実施形態によれば、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１への駆動バイアス電流Ｉ２を、起動時と起動後の内部動作の活性状態である定常状態とで切り替えるので、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路の制御状態が定常状態には至っていない過渡的な起動時においては、過渡状態おいても供給できる駆動バイアス電流である起動駆動バイアス電流ＩＡにより、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１を確実に起動することができる。安定した定常状態においては、起動時における起動駆動バイアス電流ＩＡから安定したバイアス状態である定常駆動バイアス電流ＩＢ０に切り替えられるので、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１から目的の基準電圧ＶＲを出力することができる。基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１を起動することができると共に、起動後の定常状態において、基準電圧ＶＲを目的値に維持することができ、動作状態を的確に設定することができる。
【００８７】
また、定常状態において、基準電圧ＶＲへの駆動バイアス電流Ｉ２の条件を一定に維持することができ、駆動バイアス電流Ｉ２が変化した際に発生する基準電圧ＶＲの温度特性の変化や、基準電圧ＶＲの電圧値自身の変化を抑止することができる。定常状態において安定した基準電圧ＶＲを出力することができる。
【００８８】
また、アンダーボルテージロックアウト（以下、ＵＶＬＯ）回路等の基準電圧監視部が、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１から出力される基準電圧ＶＲを監視して、基準電圧ＶＲが所定電圧値ＶＲＤＴ以上である場合に報知信号である基準電圧検出信号ＤＴを出力して、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１への駆動バイアス電流Ｉ２が切り替えられるので、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１が所定の駆動バイアス電流値以上で駆動されていれば、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１から出力される基準電圧ＶＲは、所定電圧値ＶＲＤＴを通過して目的の基準電圧まで上昇して安定する。従って、基準電圧ＶＲに応じて出力される定常状態における駆動バイアス電流Ｉ２が、所定の駆動バイアス電流値以上となるような基準電圧ＶＲの電圧値を、所定電圧値ＶＲＤＴとして設定してやれば、基準電圧ＶＲが所定電圧値ＶＲＤＴに達した時点で、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路が、起動時の過渡状態から定常状態に移行したとして、駆動バイアス電流Ｉ２の切り替えを行なうことができる。
【００８９】
また、起動時には、起動制御部分１Ａに含まれる発振駆動部のＰＮＰバイポーラトランジスタＱ１、Ｑ２で構成される定電流源回路が、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１を駆動する駆動バイアス電流Ｉ２を供給し、定常状態では、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１自身が、駆動バイアス電流Ｉ２を供給するので、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１に供給される駆動バイアス電流Ｉ２は、起動時には、外部インピーダンス素子である抵抗素子ＲＴと接続され、その抵抗値に応じて発振周波数を制御する発振駆動部の定電流源回路により供給されると共に、定常状態では、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１自身により供給される。
【００９０】
起動時には、起動制御を行なう発振駆動部により駆動バイアス電流Ｉ２が供給されるため、駆動バイアス電流Ｉ２を確実に供給することができる。定常状態では、電圧変動の少ない基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１からの基準電圧ＶＲに基づいて駆動バイアス電流Ｉ２が供給される。そのため、抵抗素子ＲＴの抵抗値に応じて変動するおそれのある発振駆動部による起動駆動バイアス電流ＩＡに比して、駆動バイアス電流Ｉ２の変動も少なく、基準電圧ＶＲにおける温度特性の変動や基準電圧ＶＲの電圧値自身の変動も抑制される。
【００９１】
また、駆動バイアス遮断部である駆動バイアス遮断回路５１により、外部コントロール端子ＣＴＬの遷移による非活性状態への切り替えの際に、基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１が自らに供給している定常駆動バイアス電流ＩＢ０の供給を遮断するので、定常状態において、自己バイアスされて駆動されている基準電圧（ＶＲＥＦ）回路４１を、外部コントロール端子ＣＴＬの遷移による非活性状態への切り替えの際に、迅速、確実に非活性状態に移行させることができる。
【００９２】
尚、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることは言うまでもない。
例えば、本実施形態においては、定電流源回路、バイアス部１３、バイアス制御部１５を構成するトランジスタをバイポーラトランジスタで構成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＭＯＳトランジスタで構成することもできる。この場合、第１実施形態の抵抗素子Ｒ４はベース電流を供給するバイアス供給素子としてではなく、非活性状態においてゲート電圧に電源電圧ＶＣＣを印加するバイアス供給素子として機能する。何れの場合も、非活性状態においてバイアス部１３を構成するトランジスタを活性状態に維持する機能を有するものである。また、バイポーラトランジスタで構成する場合、及びＭＯＳトランジスタで構成する場合については何れも、電圧関係とトランジスタの導電型とを逆転させて構成することもできる。
【００９３】
また、周波数設定端子（ＲＴ）と接地電圧との間に直列接続される抵抗素子ＲＴとＮＭＯＳトランジスタＭ２の接続関係の順序は逆でも可能である。更に、ＮＭＯＳトランジスタＭ２に代えてバイポーラトランジスタを備える構成とすることもでき、また、電圧関係を逆転させてトランジスタの導電型を逆にする構成とすることもできる。
【００９４】
また、本実施形態では、周波数設定端子（ＲＴ）の端子電圧を一定に制御して抵抗素子ＲＴの抵抗値に応じて流れる電流に基づき、発振周波数が決定される場合を例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、周波数設定端子（ＲＴ）に流れる電流値を一定に維持して、抵抗素子ＲＴの抵抗値に応じて周波数設定端子（ＲＴ）に現れる電圧値に基づき、発振周波数が設定される構成についても適用可能なことは言うまでもない。
【００９５】
また、本実施形態では、降圧型のスイッチング電源を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、昇圧型、反転出力型等のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、及びＤＣ／ＤＣコンバータシステムについても同様に適用することができる。
【００９６】
また、第２および第３実施形態については、起動制御部分１Ａとして第１実施形態を備える場合を例にとり説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、従来技術の起動制御部分（図８）を備える場合にも、同様に適用することができる。
【００９７】
また、第２または第３実施形態においては、定電流源として内部回路をバイアスするＰＮＰバイポーラトランジスタＱ３乃至Ｑ７に流れるバイアス電流を発振周波数の設定に関わらず一定とすることができるので、高い発振周波数の設定の場合においても、バイアス電流が増加することはなく、消費電流の増大を招くことはない。
更に、発振周波数の違いに関わらず、各内部回路へのバイアス電流を一定に維持しておくことができるので、各内部回路の特性を一定に維持しておくことができる。例えば、演算増幅器ＡＭＰ１や誤差増幅回路ＥＲＲの周波数応答特性、スイッチングデューティ発生回路ＰＷＭや出力トランジスタ駆動回路ＤＲＶの応答速度の特性を一定に維持しておくことができる。これにより、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、またはＤＣ／ＤＣコンバータシステムの出力特性を所定の特性に維持しておくことができる。
【００９８】
（付記１）  外部所定電圧との間に外部インピーダンス素子を外部接続する周波数設定端子と、該周波数設定端子に接続され、前記外部インピーダンス素子をバイアスするバイアス部と、該バイアス部を介して前記外部インピーダンス素子と接続され、インピーダンス値に応じて発振周波数を制御する発振駆動部とを備え、内部動作の活性／非活性状態の切り替えが可能なＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、
前記内部動作を制御し、前記発振駆動部からの信号に基づき活性化される制御部と、
前記非活性状態において、前記バイアス部を活性状態に維持する補助活性部とを備え、
前記外部インピーダンス素子を介する前記周波数設定端子と前記外部所定電圧との間の経路を開閉制御する外部接続のスイッチ部により前記経路が接続されることに基づき、前記発振駆動部が起動されることを特徴とするＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記２）  前記活性／非活性状態の切り替えは、前記スイッチ部に入力される外部コントロール信号により制御されることを特徴とする付記１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記３）  前記制御部は、
前記バイアス部を制御することにより、前記外部インピーダンス素子へのバイアス値を所定バイアス値に制御するバイアス制御部を含むことを特徴とする付記１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記４）  前記補助活性部は、
外部印加電源から前記バイアス部にバイアスを供給するバイアス供給素子を含むことを特徴とする付記１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記５）  前記外部印加電源は、
外部から供給される電源電圧あるいは接地電圧であることを特徴とする付記４に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記６）  前記バイアス部は、
前記周波数設定端子に向けてエミッタ接続されるバイポーラトランジスタを含むことを特徴とする付記１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記７）  前記バイアス部は、
前記周波数設定端子に向けてソース接続されるＭＯＳトランジスタを含むことを特徴とする付記１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記８）  前記バイアス供給素子は、
前記電源電圧あるいは前記接地電圧と、前記バイポーラトランジスタのベース端子あるいは前記ＭＯＳトランジスタのゲート端子との間に接続されるバイアス供給抵抗素子を備えることを特徴とする付記５乃至７のうち少なくとも何れか１項に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記９）  外部所定電圧との間に外部抵抗素子を外部接続する周波数設定端子と、該周波数設定端子に接続され、前記外部抵抗素子を電圧バイアスするトランジスタと、該トランジスタを介して前記外部抵抗素子と接続され、抵抗値に応じたバイアス電流を出力して発振周波数を制御する発振電流源とを備え、内部動作の活性／非活性状態の切り替えが可能なＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、
前記発振電流源にミラー接続される電流源からのバイアス電流に基づき活性化され、前記トランジスタを制御することにより、前記外部抵抗素子への電圧バイアスを所定電圧値に制御するバイアス制御部と、
前記発振電流源にミラー接続される電流源からのバイアス電流に基づき活性化され、前記内部動作を制御するその他の制御部と、
前記非活性状態において、前記トランジスタをバイアスするバイアス抵抗素子とを備え、
前記外部抵抗素子を介する前記周波数設定端子と前記外部所定電圧との間の経路を開閉制御する外部接続のスイッチトランジスタにより前記経路が接続されることに基づき、前記発振電流源が起動されることを特徴とするＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記１０）  基準電圧部を備え、
該基準電圧部を駆動するための駆動バイアスを、起動時と起動後の前記内部動作の活性状態とで切り替えることを特徴とする付記１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記１１）  基準電圧部を備え、
該基準電圧部を駆動するための駆動バイアス電流を、起動時と起動後の前記内部動作の活性状態とで切り替えることを特徴とする付記９に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記１２）  前記基準電圧部から出力される基準電圧を監視しており、該基準電圧が所定電圧値以上であることを報知する基準電圧監視部を備え、
前記基準電圧監視部からの報知信号に基づき、前記駆動バイアスまたは前記駆動バイアス電流を切り替えることを特徴とする付記１０または１１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記１３）  前記起動時における、前記駆動バイアスまたは前記駆動バイアス電流は、前記発振駆動部または前記発振電流源により供給されることを特徴とする付記１０または１１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記１４）  前記内部動作の活性状態における、前記駆動バイアスまたは前記駆動バイアス電流は、前記基準電圧部により供給されることを特徴とする付記１０または１１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記１５）  前記内部動作の非活性状態への切り替えの際、前記基準電圧部から該基準電圧部自身への前記駆動バイアスまたは前記駆動バイアス電流の供給を遮断する駆動バイアス遮断部を備えることを特徴とする付記１４に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記１６）  前記駆動バイアス遮断部は、前記発振駆動部からの信号または前記発振電流源からのバイアス電流に基づき、前記駆動バイアスまたは前記駆動バイアス電流の供給を遮断することを特徴とする付記１５に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記１７）  内部動作の活性／非活性状態の切り替えが可能なＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、
基準電圧部を備え、
該基準電圧部を駆動するための駆動バイアスを、起動時と起動後の前記内部動作の活性状態とで切り替えることを特徴とするＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。（付記１８）  前記基準電圧部から出力される基準電圧を監視しており、該基準電圧が所定電圧値以上であることを報知する基準電圧監視部を備え、
前記基準電圧監視部からの報知信号に基づき、前記駆動バイアスを切り替えることを特徴とする付記１７に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記１９）  前記内部動作の活性状態における、前記駆動バイアスは、前記基準電圧部により供給されることを特徴とする付記１７に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記２０）  前記内部動作の非活性状態への切り替えの際、前記基準電圧部から該基準電圧部自身への前記駆動バイアスの供給を遮断する駆動バイアス遮断部を備えることを特徴とする付記１９に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路。
（付記２１）  周波数設定端子をバイアスするバイアス部と、該バイアス部を介して前記周波数設定端子と接続される発振駆動部とを有するＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路と、前記周波数設定端子と所定電圧との間に接続され、インピーダンス値に応じて発振周波数が制御されるインピーダンス素子とを備え、内部動作の活性／非活性状態の切り替えが可能なＤＣ／ＤＣコンバータシステムにおいて、
前記内部動作を制御し、前記発振駆動部からの信号に基づき活性化される制御部と、
前記非活性状態において、前記バイアス部を活性状態に維持する補助活性部とを備え、
前記インピーダンス素子を介する前記周波数設定端子と前記所定電圧との間の経路を開閉制御するスイッチ部により前記経路が接続されることに基づき、前記発振駆動部が起動されることを特徴とするＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
（付記２２）  前記活性／非活性状態の切り替えは、前記スイッチ部に入力される外部コントロール信号により制御されることを特徴とする付記２１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
（付記２３）  前記制御部は、
前記バイアス部を制御することにより、前記インピーダンス素子へのバイアス値を所定バイアス値に制御するバイアス制御部を含むことを特徴とする付記２１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
（付記２４）  前記補助活性部は、
外部印加電源から前記バイアス部にバイアスを供給するバイアス供給素子を含むことを特徴とする付記２１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
（付記２５）  前記外部印加電源は、
外部から供給される電源電圧あるいは接地電圧であることを特徴とする付記２４に記載のＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
（付記２６）  前記バイアス部は、
前記周波数設定端子に向けてエミッタ接続されるバイポーラトランジスタを含むことを特徴とする付記２１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
（付記２７）  前記バイアス部は、
前記周波数設定端子に向けてソース接続されるＭＯＳトランジスタを含むことを特徴とする付記２１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
（付記２８）  前記バイアス供給素子は、
前記電源電圧あるいは前記接地電圧と、前記バイポーラトランジスタのベース端子あるいは前記ＭＯＳトランジスタのゲート端子との間に接続されるバイアス供給抵抗素子を備えることを特徴とする付記２５乃至２７のうち少なくとも何れか１項に記載のＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
（付記２９）  周波数設定端子を電圧バイアスするトランジスタと、該トランジスタを介して前記周波数設定端子と接続される発振電流源とを有するＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路と、前記周波数設定端子と所定電圧との間に接続され、抵抗値に応じて発振周波数が制御される抵抗素子とを備え、内部動作の活性／非活性状態の切り替えが可能なＤＣ／ＤＣコンバータシステムにおいて、
前記発振電流源にミラー接続される電流源からのバイアス電流に基づき活性化され、前記トランジスタを制御することにより、前記抵抗素子への電圧バイアスを所定電圧値に制御するバイアス制御部と、
前記発振電流源にミラー接続される電流源からのバイアス電流に基づき活性化され、前記ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路における前記内部動作を制御するその他の制御部と、
前記非活性状態において、前記トランジスタをバイアスするバイアス抵抗素子とを備え、
前記抵抗素子を介する前記周波数設定端子と前記所定電圧との間の経路を開閉制御するスイッチトランジスタにより前記経路が接続されることに基づき、前記発振電流源が起動されることを特徴とするＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
（付記３０）  基準電圧部を備え、
該基準電圧部を駆動するための駆動バイアスを、起動時と起動後の前記内部動作の活性状態とで切り替えることを特徴とする付記２１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
（付記３１）  基準電圧部を備え、
該基準電圧部を駆動するための駆動バイアス電流を、起動時と起動後の前記内部動作の活性状態とで切り替えることを特徴とする付記２９に記載のＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
（付記３２）  内部動作の活性／非活性状態の切り替えが可能なＤＣ／ＤＣコンバータシステムにおいて、
基準電圧部を備え、
該基準電圧部を駆動するための駆動バイアスを、起動時と起動後の前記内部動作の活性状態とで切り替えることを特徴とするＤＣ／ＤＣコンバータシステム。
【００９９】
また、付記６、８に係るＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路は、付記１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、バイアス部は、周波数設定端子に向けてエミッタ接続されるバイポーラトランジスタを含み、バイアス供給素子は、電源電圧あるいは接地電圧と、バイポーラトランジスタのベース端子との間に接続されるバイアス供給抵抗素子を備えることを特徴とする。
【０１００】
付記６、８のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路では、電源電圧あるいは接地電圧とベース端子との間に接続されるバイアス供給抵抗素子により、周波数設定端子に向けてエミッタ接続されるバイポーラトランジスタを含んだバイアス部が活性状態に維持される。
【０１０１】
これにより、電源電圧あるいは接地電圧からバイアス供給抵抗素子を介して電流制限されながら供給されるバイアス電流が、エミッタ接続されるバイポーラトランジスタのベース電流として供給されるので、バイポーラトランジスタを確実に活性状態にすることができる。
【０１０２】
また、付記７、８に係るＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路は、付記１に記載のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路において、バイアス部は、周波数設定端子に向けてソース接続されるＭＯＳトランジスタを含み、バイアス供給素子は、電源電圧あるいは接地電圧と、ＭＯＳトランジスタのゲート端子との間に接続されるバイアス供給抵抗素子を備えることを特徴とする。
【０１０３】
付記７、８のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路では、電源電圧あるいは接地電圧とゲート端子との間に接続されるバイアス供給抵抗素子により、周波数設定端子に向けてソース接続されるＭＯＳトランジスタを含んだバイアス部が活性状態に維持される。
【０１０４】
これにより、電源電圧あるいは接地電圧からバイアス供給抵抗素子を介して電流制限されながら供給されるバイアス電圧が、ソース接続されるＭＯＳトランジスタのゲート電圧として供給されるので、ＭＯＳトランジスタを確実に活性状態にすることができる。
【０１０５】
また、付記９に係るＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、あるいは付記２９に係るＤＣ／ＤＣコンバータシステムは、外部所定電圧との間に外部抵抗素子を外部接続、あるいは所定電圧との間に抵抗素子を接続する周波数設定端子と、周波数設定端子に接続され、外部抵抗素子、あるいは抵抗素子を電圧バイアスするトランジスタと、トランジスタを介して外部抵抗素子、あるいは抵抗素子と接続され、抵抗値に応じたバイアス電流を出力して発振周波数を制御する発振電流源とを備え、内部動作の活性／非活性状態の切り替えが可能なＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、あるいはＤＣ／ＤＣコンバータシステムにおいて、発振電流源にミラー接続される電流源からのバイアス電流に基づき活性化され、トランジスタを制御することにより、外部抵抗素子、あるいは抵抗素子への電圧バイアスを所定電圧値に制御するバイアス制御部と、発振電流源にミラー接続される電流源からのバイアス電流に基づき活性化され、内部動作を制御するその他の制御部と、非活性状態において、トランジスタをバイアスするバイアス抵抗素子とを備え、外部抵抗素子、あるいは抵抗素子を介する周波数設定端子と外部所定電圧、あるいは所定電圧との間の経路を開閉制御するスイッチトランジスタにより経路が接続されることに基づき、発振電流源が起動されることを特徴とする。
【０１０６】
付記９のＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、あるいは付記２９のＤＣ／ＤＣコンバータシステムでは、外部抵抗素子、あるいは抵抗素子を介する周波数設定端子と外部所定電圧、あるいは所定電圧との間の経路上に配置されるスイッチトランジスタを閉じることにより、非活性状態時にバイアス抵抗素子により活性状態に維持されているトランジスタを介して発振電流源が起動される。これに伴い、発振電流源にミラー接続される電流源からのバイアス電流に基づき、バイアス制御部、及びその他の制御部が活性化される。
【０１０７】
これにより、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、あるいはＤＣ／ＤＣコンバータシステムの起動・停止の制御を、発振周波数を制御する抵抗素子等の周波数設定端子への接続制御により行なうことにより、発振周波数の制御と、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、及びＤＣ／ＤＣコンバータシステムの起動制御を周波数設定端子で兼用することができる。起動・停止のための専用の制御端子を備える必要がなく、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路の端子数を削減することができ、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路のパッケージサイズを縮小してＤＣ／ＤＣコンバータシステムの実装自由度を向上させることができる。
【０１０８】
【発明の効果】
本発明によれば、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路を端子数を削減して小型化されたパッケージに収納しながら、外部コントロール信号の入力による省電力モード機能を有するＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、及びＤＣ／ＤＣコンバータシステムについて、実装自由度の向上を図ることが可能となる。また、外部端子の信号条件に関わらず、安定した電圧を出力することができる、ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路、及びＤＣ／ＤＣコンバータシステムを提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１原理説明図である。
【図２】  本発明の第２原理説明図である。
【図３】  第１実施形態のＤＣ／ＤＣコンバータシステムを示す回路図である。
【図４】  第２実施形態のＤＣ／ＤＣコンバータにおける起動制御部分を示す回路図である。
【図５】  第２実施形態の起動時のバイアス電流を示す動作波形図である。
【図６】  第３実施形態のＤＣ／ＤＣコンバータにおける起動制御部分を示す回路図である。
【図７】  従来技術のＤＣ／ＤＣコンバータシステムを示す回路図である。
【図８】  従来技術のＤＣ／ＤＣコンバータにおける起動制御部分を示す回路図である。
【符号の説明】
１、１４            スイッチ部
２、１２            補助活性部
３、１３            バイアス部
４、１４            発振駆動部
５、１５            バイアス制御部
６、１６            発振部
７、１７            制御部
８、８０、８００    ＤＣ／ＤＣコンバータ制御回路
９、９０、９００    ＤＣ／ＤＣコンバータシステム
２０、２１          切り替え部
３０、３１          定常バイアス供給部
４０、４１          基準電圧（ＶＲＥＦ）回路
５１                駆動バイアス遮断回路
Ａ、Ａ'、１Ａ            起動制御部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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