(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製プレートの一面側に突出する凸部の上面に形成された平坦面に、半導体素子が搭載される半導体装置用放熱板を製造する際に、
該金属製プレートの他面側に凹部をプレス加工によって形成し、前記凹部に対応する凸部を金属製プレートの一面側に突出させた後、
前記凸部を形成した金属製プレートを、前記金属製プレートの凸部に対応する凹部が形成された第１スペーサと、前記金属製プレートの凹部に対応する凸部が形成された第２スペーサとの間に、前記第１スペーサの凹部の底面と金属製プレートの凸部の上面とを当接させると共に、前記第１スペーサの凹部形成面と金属製プレートの凸部形成面との間にクリアランスを設けて挟み込み、
次いで、前記第１スペーサと第２スペーサとによって挟み込まれた金属製プレートを加圧しつつ加熱処理を施して前記金属製プレートの凸部の上面を平坦化することを特徴とする半導体装置用放熱板の製造方法。
【請求項２】
金属製プレートの凸部を、冷間鍛造によって形成する請求項１記載の半導体装置用放熱板の製造方法。
【請求項３】
第１スペーサの凹部形成面と金属製プレートの凸部形成面との間のクリアランスを０．００５〜０．２ｍｍとする請求項１又は請求項２記載の半導体装置用放熱板の製造方法。
【請求項４】
加熱処理の温度を、金属製プレートの軟化点よりも低温であって、前記金属製プレートと金属製スペーサとが接着することのない温度とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置用放熱板の製造方法。
【請求項５】
第１スペーサと第２スペーサとを、金属製プレートと同一金属によって形成された金属製のスペーサを用いる請求項１〜４のいずれか一項記載の半導体装置用放熱板の製造方法。
【請求項６】
第２スペーサの凸部形成面と金属製プレートの凹部形成面とを当接すると共に、前記第２スペーサの凸部の上面と金属製プレートの凹部の底面との間にクリアランスを形成する請求項１〜５のいずれか一項記載の半導体装置用放熱板の製造方法。
【請求項７】
第１スペーサと第２スペーサとの間に挟み込む金属製プレートとして、他面側に複数個の凹部をプレス加工によって一列に形成し、前記凹部の各々に対応する凸部を一面側に突出させた帯状金属製プレートを用い、前記第１スペーサと第２スペーサとによって挟み込まれた前記帯状金属製プレートを加圧しつつ加熱処理した後、前記帯状金属製プレートの凸部間の所定箇所を切断して個片の金属製プレートとする請求項１〜６のいずれか一項記載の半導体装置用放熱板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置用放熱板の製造方法に関し、更に詳細には金属製プレートの一面側に突出する凸部の上面に形成された平坦面に、半導体素子が搭載される半導体装置用放熱板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置１００には、図８に示す多層Ｐ−ＰＧＡ（Multi Layer Plastic Pin Grid Array）型のものがある。この半導体装置１００は、多層のプラスチック基板１０２の各層間に形成された導体パターン１０４、１０４・・と電気的に接続された複数本のピン１０６、１０６・・が、プラスチック基板１０２に形成された貫通孔内に立設され、且つキャビティ１０８の底面が銅や銅合金等から成る金属製プレート１１０によって形成されている。かかる金属製プレート１０４の凸部１１８の平坦面には、半導体素子１１２が搭載され、搭載された半導体素子１１２は導体パターン１０４の各々とボンディングワイヤ１１４、１１４・・によって電気的に接続される。
この様に、半導体素子１１２を金属製プレート１１０に搭載することにより、半導体装置１００の放熱性が向上できる。
尚、金属製プレート１１０に搭載された半導体素子１１２等は、キャビティ１０８の開口部に装着されたキャップ１１６によって封止される。
【０００３】
かかる金属製プレート１１０には、その斜視図である図９（ａ）及びＹ−Ｙ面における断面図である図９（ｂ）に示す様に、中央部近傍に半導体素子１１２が搭載される平坦面が上面に形成された凸部１１８が設けられている。
この凸部１１８の平坦面である上面１１８ａは、極めて高度な平坦度が要求されるため、従来、金属製プレート１１０の凸部１１８を研削加工によって形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
研削加工によって形成された金属製プレート１１０は、凸部１１８の上面１１８ａを極めて高度の平坦度に仕上げることができる。
しかし、金属製プレート１１０を研削加工によって製造することは、金属製プレート１１０の加工コストが高額となるため、最終的に得られる半導体装置も高額となる。更に、研削加工では金属製プレート１１０の加工速度の向上を容易に図ることができず、生産能力にも限界が生じ易い。
このため、本発明者等は、研削加工よりも製造コストを低減でき且つ優れた生産能力を有する冷間鍛造（プレス加工）によって、図９に示す金属製プレート１１０を製造する製造方法を試みた。この製造方法は、金属製プレートの一面側からプレス加工を施して凸部を形成するものであるが、この製造方法では、金属製プレート１１０の外周方向への延びが生じてしまうため好ましくない。
一方、金属製プレートの一面側に凹部をプレス加工によって形成し、金属製プレートの他面側に凸部を突出する製造方法によれば、金属製プレート１１０の外周方向への延びを抑制できる。しかしながら、かかる製造方法によって形成した金属製プレート１１０は、凸部１１８の上面１１８ａの平坦度が、研削加工して得た金属製プレートの凸部の上面よりも劣るため、半導体素子を搭載する放熱板としては到底採用し得ないことが判明した。
唯、金属製プレート１１０にプレス加工によって形成した凸部１１８の上面１１８ａの平坦化を図ることができれば、研削加工よりも低コストの金属製プレート１１０を大量に且つ安価に供給することが可能である。
そこで、本発明の課題は、金属製プレートの外周方向への延びを抑制しつつプレス加工して得られた金属製プレートの凸部の平坦面を、半導体素子を搭載し得るように平坦化し得る半導体装置用放熱板の製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、前記課題を解決すべく、先ず、金属製プレートの一面側に凹部をプレス加工によって形成し、金属製プレートの他面側に凸部を突出させて得た金属製プレートに形成した凸部の上面の平坦度が研削加工したものよりも劣る原因について検討したところ、プレス加工に因る加工歪みが内在していること、及びプレス加工においては、通常、コイル状に巻いた金属帯状体を使用するため、得られた金属製プレートには、コイル状に巻かれた際の巻き癖が残留していることに因るものと考えられる。
このため、本発明者等は、プレス加工によって得た金属製プレートを、その各面の凹凸形状に倣う一対のスペーサを用いて挟み込みつつ平坦化処理を施すことによって、凸部の上面が高度に平坦化された金属製プレートを得ることができることを見出し、本発明に到達した。
【０００６】
すなわち、本発明は、金属製プレートの一面側に突出する凸部の上面に形成された平坦面に、半導体素子が搭載される半導体装置用放熱板を製造する際に、該金属製プレートの他面側に凹部をプレス加工によって形成し、前記凹部に対応する凸部を金属製プレートの一面側に突出させた後、前記凸部を形成した金属製プレートを、前記金属製プレートの凸部に対応する凹部が形成された第１スペーサと、前記金属製プレートの凹部に対応する凸部が形成された第２スペーサとの間に、前記第１スペーサの凹部の底面と金属製プレートの凸部の上面とを当接させると共に、前記第１スペーサの凹部形成面と金属製プレートの凸部形成面との間にクリアランスを設けて挟み込み、次いで、前記第１スペーサと第２スペーサとによって挟み込まれた金属製プレートを加圧しつつ加熱処理を施して前記金属製プレートの凸部の上面を平坦化することを特徴とする半導体装置用放熱板の製造方法にある。
【０００７】
かかる本発明において、金属製プレートの凸部を、冷間鍛造によって形成することによって、温間鍛造の如く、プレス加工後の金属製プレートの熱収縮等を配慮することを必要とせず好ましい。
また、第１スペーサの凹部形成面と金属製プレートの凸部形成面との間のクリアランスを０．００５〜０．２ｍｍとすることが好ましい。更に、第２スペーサの凸部形成面と金属製プレートの凹部形成面とを当接すると共に、前記第２スペーサの凸部の上面と金属製プレートの凹部の底面との間にもクリアランスを形成することにより、金属製プレートの凹部形成面の平坦化も図ることができる。
この第１スペーサと第２スペーサとを、金属製プレートと同一金属によって形成した金属製のスペーサを用いることによって、第１スペーサ及び第２スペーサと金属製プレートとの相互矯正を図ることができる。この様に、金属製のスペーサを用いる場合、加熱処理の温度を、金属製プレートの軟化点よりも低温であって、前記金属製プレートと金属製スペーサとが接着することのない温度とすることによって、両者の接着を防止できる。
また、第１スペーサと第２スペーサとの間に挟み込む金属製プレートとして、他面側に複数個の凹部をプレス加工によって一列に形成し、前記凹部の各々に対応する凸部を一面側に突出させた帯状金属製プレートを用い、前記第１スペーサと第２スペーサとによって挟み込まれた前記帯状金属製プレートを加圧しつつ加熱処理した後、前記帯状金属製プレートの凸部間の所定箇所を切断して個片の金属製プレートとすることにより、半導体装置用放熱板の生産効率を更に向上できる。
【０００８】
本発明によれば、プレス加工によって上面が平坦面である凸部が形成された金属製プレートを第１スペーサと第２スペーサとの間に挟み込む際に、金属製プレートの凸部の上面が第１スペーサに形成された凹部の底面と当接したとき、第１スペーサの凹部形成面と金属製プレートの凸部形成面との間にクリアランスが形成される。このため、第１スペーサの凹部形成面と金属製プレートの凸部形成面とが、金属製プレートの凸部の上面と第１スペーサに形成された凹部の底面とが当接する前に当接することを防止できる。
従って、金属製プレートの凸部の上面は、第１スペーサに形成された凹部の底面に確実に当接した状態で、第１スペーサと第２スペーサとによって所定圧力で挟まれて加熱処理が施されるため、金属製プレートの凸部の上面の平坦度を向上できる結果、この凸部の上面に半導体素子の背面を確実に接合できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明に係る半導体装置用放熱板として用いる金属製プレートは、図１（ａ）に示す様に、アルミニウムから成る帯状金属製プレート１０の一面側１４に、その長手方向に沿って上面が平坦面である凸部１２、１２・・を一列に形成した後、凸部１２間の所定箇所〔図１（ａ）の一点鎖線Ａで示す箇所〕で切断して得ることができる。
かかる帯状金属製プレート１０の凸部１２、１２・・は、冷間鍛造（プレス加工）によって形成する。このプレス加工においては、所定長さに切断された帯状金属製プレート１０の他面側１６に、図１（ａ）のＸ−Ｘ面における横断面である図１（ｂ）に示す様に、凹部１８をプレス加工により形成した際に、凹部１８に対応する帯状金属製プレート１０の一面側１４の箇所が突出して凸部１２を形成する。
尚、このプレス加工においては、凹部１８の開口面積が凸部１２の突出面積よりも若干小さくなるように、凹部１８を形成することが好ましい。
【００１０】
この様な、帯状金属製プレート１０には、プレス加工による加工歪み等の種々の残留応力が残留しており、帯状金属製プレート１０の平坦度が充分でなく、平坦面である凸部１２の上面１２ａ（以下、凸部平坦面１２ａと称することもある）には、半導体素子を搭載することはできない。
この残留応力には、帯状金属製プレート１０の原材であるアルミニウムプレートについたコイル状の巻き癖も含まれる。つまり、アルミニウムプレートは、通常、コイル状に巻かれた金属帯状体から切り取られて用いられるため、コイル状の巻き癖が残留している状態でプレス加工が施されるためである。
【００１１】
かかる残留応力を除去して凸部平坦面１２ａの平坦度を向上するには、金属製プレート１０の凸部平坦面１２ａを拘束状態で加熱処理する平坦化処理を施すことによって行うことができる。
図１に示す帯状金属製プレート１０には、その一面側１４（以下、凸部形成面１４と称することがある）及び他面側１６（以下、凹部形成面１６と称することがある）に凸部１２や凹部１８等の凹凸が形成されている。このため、図２に示す様に、表面側又は裏面側が帯状金属製プレート１０の凸部形成面１４又は凹部形成面１６の形状に倣って形成された一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２とを用い、帯状金属製プレート１０を第１スペーサ２０と第２スペーサ２２との間に挟み込むことによって、帯状金属製プレート１０の凸部平坦面１２ａに平坦化処理を容易に施すことができる。
この一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２とは、帯状金属製プレート１０と略同一のサイズであり、帯状金属製プレート１０の凸部形成面１４側に装着される第１スペーサ２０は、その表面側３２は平坦面に形成されているが、金属製プレート１０の凸部形成面１４に対応する裏面側２４（以下、凹部形成面２４と称することがある）には、帯状金属製プレート１０の凸部形成面１４に形成された凸部１２が挿入される凹部２６が形成されている。
他方、帯状金属製プレート１０の凹部形成面１６に装着される第２スペーサ２２は、その裏面側３４が平坦面に形成されているが、帯状金属製プレート１０の凹部形成面１６に対応する表面側２８（以下、凸部形成面２８と称することがある）には、帯状金属製プレート１０の凹部形成面１６に形成された凹部１８に挿入される凸部３０が形成されている。
【００１２】
かかる一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２との各々を、帯状金属製プレート１０の所定面に装着することによって、図３に示す様に、一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２とによって帯状金属製プレート１０を挟み込むことができる。
この際、第１スペーサ２０に形成した凹部２６の底面２６ａ（以下、凹部底面２６ａと称することがある）と、帯状金属製プレート１０の凸部平坦面１２ａとを当接させることが大切である。かかる第１スペーサ２０の凹部底面２６ａと帯状金属製プレート１０の凸部平坦面１２ａとを当接させることなく、後述の平坦化処理を施しても、帯状金属製プレート１０の凸部平坦面１２ａを充分な平坦度とすることができない。
ここで、第１スペーサ２０の凹部底面２６ａと帯状金属製プレート１０の凸部平坦面１２ａとを確実に当接させるためには、図３に示す様に、第１スペーサ２０の凹部底面２６ａと帯状金属製プレート１０の凸部平坦面１２ａとが当接したとき、第１スペーサ２０の凹部形成面２４と金属製プレート１０の凸部形成面１４との間にクリアランスｔ1 を設ける。このクリアランスｔ1 を設けることによって、第１スペーサ２０及び帯状金属製プレート１０の加工精度等に因り、第１スペーサ２０の凹部底面２６ａと帯状金属製プレート１０の凸部平坦面１２ａとの当接よりも先に、第１スペーサ２０の凹部形成面２４と帯状金属製プレート１０の凸部形成面１４とが当接する事態を回避できる。
【００１３】
他方、帯状金属製プレート１０を切断して得た半導体装置用放熱板の裏面（半導体素子が搭載される面に対して反対側となる面）に放熱フィン等を装着する予定がない場合には、半導体装置用放熱板の裏面となる帯状金属製プレート１０の凹部形成面１６又は凹部１８の底面のいずれにも厳格な平坦性が要求されず、帯状金属製プレート１０と第２スペーサ２２とが当接した際に、両者のいずれかの箇所にクリアランスを設ける必要はない。
但し、放熱フィン等を装着すべく、帯状金属製プレート１０の凹部形成面１６の平坦性が要求される場合には、図４に示す様に、帯状金属製プレート１０の凹部形成面１６と第２スペーサ２２の凸部形成面２８とが当接したとき、帯状金属製プレート１０の凹部１８の底面と第２スペーサ２２の凸部３０の上面との間にクリアランスｔ2 を形成し、帯状金属製プレート１０の凹部形成面１６と第２スペーサ２２の凸部形成面２８とを確実に当接させることが好ましい。
尚、半導体装置用放熱板の裏面に形成された凹部１８に、放熱フィン等を装着する場合には、帯状金属製プレート１０の凹部形成面１６と第２スペーサ２２の凸部形成面２８とが当接したとき、帯状金属製プレート１０の凹部１８の底面と第２スペーサ２２の凸部３０の平坦面である上面との間にクリアランスｔ2 を形成し、帯状金属製プレート１０の凹部形成面１６と第２スペーサ２２の凸部形成面２８とを確実に当接できるようにする。
【００１４】
本発明においては、図３又は図４に示す様に、一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２とによって帯状金属製プレート１０を挟み込み、帯状金属製プレート１０の両面に対応する一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２との平坦面である表面側３２と裏面側３４とに力Ｆ１、Ｆ２を加えることによって、帯状金属製プレート１０を所定圧力で挟み込むことができる。
更に、本発明では、図３又は図４に示す様に、一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２とによって所定圧力で挟み込んだ状態で帯状金属製プレート１０に平坦化処理を施す。
この平坦化処理では、帯状金属製プレート１０に加熱処理を施した後、冷却処理を施す。先ず、加熱処理においては、図５に示す帯状金属製プレート１０のロックウエル硬さ（ＨR ）と温度との関係を示すグラフにおいて、ＨR が急激に低下する矢印Ｂで示す変曲点（軟化点）近傍の温度で所定時間保持することが好ましい。この変曲点（軟化点）の温度は、金属の種類によって変わるため、平坦化処理を施す帯状金属製プレート１０を形成する金属について予め調査しておくことが好ましい。
この加熱処理は、帯状金属製プレート１０が酸化され易い金属から成る場合、窒素雰囲気中や真空中等の非酸化雰囲気下で施すことが好ましい。
ここで、帯状金属製プレート１０がアルミニウムによって形成されている場合、金属製プレート１０を一対のスペーサ２０、２２によって０．５〜１．０ｋｇ／ｃｍ2 の力で挟み込み、２００〜３００℃で１〜２時間の加熱処理を施すことが好ましい。
【００１５】
かかる加熱処理を施した後、一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２とに挟み込んだ状態で金属製プレート１０に冷却処理を施す。この冷却処理は、一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２とに挟み込まれた帯状金属プレート１０を、加熱炉等の加熱雰囲気中から徐々に雰囲気温度が低下するように制御された冷却雰囲気中を通過させて冷却してもよく、加熱雰囲気中から室温下に取り出して放冷してもよい。
室温近傍まで冷却された一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２との間から帯状金属製プレート１０を取り出すことによって、凸部平坦面１２ａ等の平坦度が著しく向上された帯状金属製プレート１０を得ることができる。このため、得られた帯状金属製プレート１０を、凸部１２間の所定箇所〔図１（ａ）の一点鎖線Ａで示す箇所〕で切断することによって、半導体装置用放熱板を得ることができる。この放熱板の凸部１２の上面に形成された凸部平坦面１２ａは、その平坦度が著しく向上されおり、半導体素子を搭載できる。
また、図４に示す様に、帯状金属製プレート１０の凹部形成面１６と第２スペーサ２２の凸部形成面２８とを当接させて平坦化処理を施した帯状金属製プレート１０から形成された半導体装置用放熱板は、半導体素子が搭載される凸部平坦面１２ａ及び放熱フィン等が装着される凹部形成面１６の平坦度を著しく向上できる。
ここで、冷却処理の途中において、一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２との間から帯状金属製プレート１０を取り出すと、帯状金属製プレート１０の熱収縮等に因る凹凸が帯状金属製プレート１０の凸部平坦面１２ａや凹部形成面１６に発生し易い。
【００１６】
この様に、帯状金属製プレート１０を挟み込んで平坦化処理を施す一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２としては、セラミックやタングステンカーバイト等の帯状金属製プレート１０よりも著しく軟化点温度の高い材料で形成したものであってもよいが、平坦化処理を施す帯状金属製プレート１０と同一金属によって形成した一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２とを用いることによって、一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２と帯状金属製プレート１０との相互矯正を図ることができ好ましい。
但し、この場合、加熱処理では、帯状金属製プレート１０と第１スペーサ２０及び第２スペーサ２２との接着を防止すべく、帯状金属製プレート１０の軟化点温度よりも低温であって、帯状金属製プレート１０と一対の第１スペーサ２０及び第２スペーサ２２とが接着することのない温度で施す。かかる加熱処理温度は、図５に示す矢印Ｂの温度よりも低温となるため、加熱時間を矢印Ｂの温度で施す場合よりも長くすることが好ましい。
【００１７】
以上、述べてきた図３及び図４においては、一枚の帯状金属製プレート１０を一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２との間に挟み込んで平坦化処理を施したが、図６に示す様に、複数枚の帯状金属製プレート１０、１０・・の各々を一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２との間に挟み込み積層して平坦化処理を施してもよい。
この様に、複数枚の帯状金属製プレート１０、１０・・を積層して平坦化処理する場合、図７に示す様に、一枚の帯状金属製プレート１０を挟み込んだ一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２とを積層した後、最上部と最下部とに位置する第１スペーサ２０と第２スペーサ２２とに所定の力Ｆ１、Ｆ２を加えることによって、帯状金属製プレート１０の各々を一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２とにより所定圧力で挟み込むことができる。
【００１８】
図７において、複数枚の帯状金属製プレート１０、１０・・を積層し、各凸部平坦面１２ａを平坦化処理する際に、図７（ａ）は、第１スペーサ２０の凹部底面２６ａと帯状金属製プレート１０の凸部平坦面１２ａとが当接したとき、第１スペーサ２０の凹部形成面２４と金属製プレート１０の凸部形成面１４との間のみにクリアランスを設ける例である。また、図７（ｂ）は、第１スペーサ２０の凹部形成面２４と金属製プレート１０の凸部形成面１４との間にクリアランスを設け、更に帯状金属製プレート１０の凹部１８の底面と第２スペーサ２２の凸部３０の上面とが当接したとき、帯状金属製プレート１０の凹部形成面１６と第２スペーサ２２の凸部形成面２８との間にクリアランスを設ける例である。
【００１９】
以上、述べてきた図１〜図７においては、帯状金属製プレート１０を一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２との間に挟み込んで平坦化処理を施しているが、プレス加工で形成した帯状金属製プレート１０を、図１（ａ）に示す一点鎖線Ａの箇所で切断し、凸部１２が一個形成された個片とした後、この個片の金属製プレートを一対の第１スペーサ２０と第２スペーサ２２との間に挟み込んで平坦化処理を施してもよい。
【００２０】
【発明の効果】
本発明によれば、第１スペーサと第２スペーサとによって金属製プレートを挟み込んで平坦化処理を行う際に、半導体素子が搭載される金属製プレートの凸部に形成された凸部平坦面と第１スペーサの凹部底面とが、第１スペーサの凸部形成面と金属製プレートの凸部形成面との間にクリアランスを形成することによって確実に当接して平坦化処理が施される。
このため、金属製プレートの凸部の上面は確実に平坦度が向上される結果、平坦化処理が施された金属製プレートを半導体装置用放熱板に用いることによって、この放熱板の凸部の上面に搭載された半導体素子は、その背面が凸部の上面に密着でき、放熱性が向上された半導体装置を得ることができる。
また、従来、研削加工によって形成されていた半導体装置用放熱板をプレス加工によって形成可能となり、金属製の放熱板を使用した半導体装置の製造コストの低減を図ることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置用放熱板を得ることができる帯状金属製プレートを説明する斜視図と横断面図である。
【図２】帯状金属製プレートと一対のスペーサとの関係を説明する横断面図である。
【図３】帯状金属製プレートを一対のスペーサによって挟み込んだ状態を説明する横断面図である。
【図４】帯状金属製プレートを一対のスペーサによって挟み込んだ他の状態を説明する横断面図である。
【図５】平坦化処理の加熱処理において採用する加熱処理温度について説明するグラフである。
【図６】複数枚の帯状金属製プレートに平坦化処理を施す際の金属製プレートの各々と一対のスペーサとの関係を説明する横断面図である。
【図７】複数枚の帯状金属製プレートの各々を一対のスペーサで挟み積層した状態を説明する横断面図である。
【図８】半導体装置の一例を説明する断面図である。
【図９】半導体装置の放熱板に使用される従来の金属製プレートの一例を説明する斜視図と横断面図である。
【符号の説明】
１０  帯状金属製プレート
１２  帯状金属製プレート１０の凸部
１２ａ  凸部１２の平坦面である上面
１４  帯状金属製プレート１０の凸部形成面
１６  帯状金属製プレート１０の凹部形成面
１８  帯状金属製プレート１０の凹部
２０  第１スペーサ
２２  第２スペーサ
２４  第１スペーサ２０の凹部形成面
２６  第１スペーサ２０の凹部
２６ａ  第１スペーサ２０の凹部底面
２８  第２スペーサ２２の凸部形成面
３０  第２スペーサ２２の凸部
Ｆ１、Ｆ２  力
【図１】
0003886626.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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