(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シャーシと前記シャーシに配設された第一回路基板と第二回路基板とからなるマイクロ波装置であって、
前記第一回路基板は前記シャーシの底面に設けられた段差部に配設され、前記第二回路基板は前記第一回路基板に重なるように形成された突出部を備えるとともに同突出部の下面が前記第一回路基板の上面に接するように前記シャーシの底面に配設され、
前記突出部に設けた導体と前記第一回路基板の上面に設けた導体とを接続することを特徴とするマイクロ波装置。
【請求項２】
前記第二回路基板の突出部の端面に上面の導体に接続される導体部を形成し、前記導体部を前記第一回路基板の上面に設けた導体に接続するようにした請求項１記載のマイクロ波装置。
【請求項３】
前記導体部は、両面導体基板で構成した前記第二回路基板の突出部の端面に上面の導体および下面の導体にまたがる導体メッキを施したものでなる請求項１記載のマイクロ波装置。
【請求項４】
前記第二回路基板を両面導体基板で構成し、前記突出部に設けた導体にスルーホールを形成し、同スルーホールを介して前記突出部に設けた導体と前記第一回路基板の上面に設けた導体とを接続するようにした請求項１記載のマイクロ波装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はマイクロ波装置に係り、ＬＮＢ（低雑音周波数変換器）等の回路基板の取付構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＮＢ等のマイクロ波装置は、例えば、12GHz 帯等の信号増幅回路、フィルタおよびミキサ等の高周波回路部（ＲＦブロック）と、ダウンコンバートされた1GHz帯の信号増幅回路および電源回路等の中間周波回路部（ＩＦブロック）とから構成され、これらを１枚の基板に配設する場合、基板の材料は高周波回路部の性能を損なわないようにするには高周波損失の少ないセラミック基板等を用いることが必要で、コストが上昇するという問題があり、また、セラミック基板は材質が硬くもろいのでネジ止めで割れやすく、導電性接着剤を用いて筐体に固着せねばならず、大きな基板は取付けが難しいという問題がある。この問題に対処するため、高周波回路部と中間周波回路部とに分け、高周波回路部はセラミック基板等を用い、面積の大きい中間周波回路部にはガラス樹脂系基板等を用いて材料コストの上昇を抑え、シャーシにネジ止めできるようにする方法があるが、２つの基板間の接続にコネクタあるいはワイヤが必要となり、組立て作業が煩雑になるという問題が生じる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような点に鑑み、材料の異なる複数の基板を並べて配設し、コネクタあるいはワイヤ等を用いずに回路接続を行うようにし、組立てが容易でかつ安価に構成できるようにすることを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のマイクロ波装置は、シャーシと前記シャーシに配設された第一回路基板と第二回路基板とからなるマイクロ波装置であって、前記第一回路基板は前記シャーシの底面に設けられた段差部に配設され、前記第二回路基板は前記第一回路基板に重なるように形成された突出部を備えるとともに同突出部の下面が前記第一回路基板の上面に接するように前記シャーシの底面に配設され、前記突出部に設けた導体と前記第一回路基板の上面に設けた導体とを接続するように構成する。
【０００５】
また、前記第二回路基板の突出部の端面に上面の導体に接続される導体部を形成し、前記導体部を前記第一回路基板の上面に設けた導体に接続するように構成する。
【０００６】
また、前記導体部は、両面導体基板で構成した前記第二回路基板の突出部の端面に上面の導体および下面の導体にまたがる導体メッキを施して形成する。
【０００７】
また、前記第二回路基板を両面導体基板で構成し、前記突出部に設けた導体にスルーホールを形成し、同スルーホールを介して前記突出部に設けた導体と前記第一回路基板の上面に設けた導体とを接続するように構成する。
【０００８】
【０００９】
【００１０】
【発明の実施の形態】
発明の実施の形態を実施例に基づき図面を参照して説明する。図１は本発明によるマイクロ波装置の一実施例の要部構成図で、（イ）は平面図、（ロ）は（イ）のＡ−Ａ′矢視断面図である。図において、１はＬＮＢのシャーシ、２は仕切壁、３は切欠部、４および５は基板で、基板４は12GHz 帯等の信号増幅回路、フィルタおよびミキサ等の高周波回路部の基板（第一回路基板）で、高周波損失の少ないセラミック基板等を使用し、最小限の大きさに形成する。基板５はダウンコンバートされた1GHz帯の信号増幅回路および電源回路等を含む中間周波回路部の基板（第二回路基板）で、ガラス樹脂系基板等を用いる。６は基板５の突出部、７はシールドケースである。シャーシ１はアルミニウム等のダイキャストで箱体状に形成し、内部を仕切壁２で二室に区分し、一方に基板４を、他方に基板５を配設する。基板５の突出部６に基板４との接続部を導出し、この突出部６を基板４の上に重ねる。このため、仕切壁２に基板５の突出部６を通すための欠切部３を設け、また、シャーシ１の底面に図１（ロ）に示すように段差部を設け、基板５の下面が基板４の上面に接する高さになるようにする。基板４と基板５は仕切壁２で仕切られ、かつ、シャーシ１の上部開口にシールドケース７を被せてネジ止めするので、基板４と基板５とは電磁的にほぼ完全に遮蔽され、高周波回路部の局部発振波等は中間周波回路部には殆ど侵入しない。
【００１１】
そして、図２に示すように、基板５の突出部６の上面の導体12と基板４の上面の導体11とを半田付け（13）し、回路接続を行う。なお、この半田付けを確実なものにするため、例えば、図３に示すように、基板５を両面導体基板で構成し、突出部６の端面に導体メッキを施して導体部21を形成し、この導体部21を基板４の上面の導体11に半田付け（22）するようにする。あるいは、図４に示すように、突出部６に小さい孔を穿設し、この孔にスルーホール31を形成し、この孔に半田を流し込んで基板４に半田付け（32）するようにする。
【００１２】
なお、基板４は高周波回路部を搭載するので高周波損失の少ないセラミック基板を使用し、セラミック基板は硬くてもろく、ネジ止めで割れやすいので、導電性接着剤を用いてシャーシ１に固着するようにし、一方、基板５に搭載するのは中間周波回路部であるから、高周波特性は劣るがセラミック基板より取扱いの容易なガラス樹脂系基板等を使用し、ネジ止め等でシャーシ１に固定するようにする。
【００１３】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によるマイクロ波装置によれば、セラミック基板は高周波回路部のみに使用し、中間周波回路部にはセラミック基板より取扱いの容易なガラス樹脂系基板等を用いるのでコストの上昇を抑えられ、シャーシへの取付けに難のあるセラミック基板の面積を小さくでき、また、基板間の接続は双方の基板の導体部分を直接半田付けして行うのでコネクタあるいはワイヤによる接続作業が不要となり、廉価でかつ作業性のよいものが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるマイクロ波装置の一実施例の要部構成図で、（イ）は平面図、（ロ）は（イ）のＡ−Ａ′矢視断面図である。
【図２】基板間の半田付けの一例の説明図である。
【図３】基板間の半田付けの他の例の説明図である。
【図４】基板間の半田付けの他の例の説明図である。
【符号の説明】
１ シャーシ
２ 仕切壁
３ 切欠部
４ 第一回路基板（高周波回路部）
５ 第二回路基板（中間周波回路部）
６ 突出部
７ シールドケース
11、12 導体
21 導体メッキ
31 スルーホール
13、22、32 半田付け
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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