(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発性メモリと不揮発性メモリとが１チップに集積されている半導体記憶装置であって、
半導体記憶装置の外部からのデータアクセスに対して前記揮発性メモリの記憶データを参照させる揮発性メモリ参照手段と、
前記揮発性メモリの記憶データを前記不揮発性メモリに退避する記憶データ退避手段と、
電力を蓄積すると共に、蓄積した電力を用いて、前記記憶データ退避手段にて記憶データを退避するための電力を供給する電力供給手段と
が集積され、
前記不揮発性メモリ上の記憶領域を指定する領域指定を受け付ける領域指定受付手段が集積されており、
前記記憶データ退避手段は、前記領域指定にて指定された記憶領域に前記記憶データを退避する
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
半導体記憶装置の外部からの電力供給状態の変化を検出する状態変化検出手段が集積されており、
前記記憶データ退避手段は、前記状態変化検出手段が前記電力供給されている状態から電力供給されていない状態への変化を検出したら、前記揮発性メモリの記憶データを前記不揮発性メモリに退避する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記状態変化検出手段が前記電力供給されていない状態から電力供給されている状態への変化を検出したら、前記不揮発性メモリの記憶データを前記揮発性メモリに展開する記憶データ展開手段が集積されている
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
半導体記憶装置の外部からのデータ読み出しアクセスに対して前記不揮発性メモリの記憶データを参照させる不揮発性メモリ参照手段が集積されている
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリまたは強誘電体メモリのいずれかである
ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記電力供給手段は、充放電可能な二次電池、コンデンサ、またはリアクタンス素子のいずれかであって、
半導体記憶装置の外部から電力供給を受けて蓄電する
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、不揮発性の半導体記憶装置に関し、特にそのような半導体記憶装置の記憶内容の書き換え技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、情報通信技術の発展に伴ってパーソナルコンピュータを始めとして、各種コンピュータが広く普及している。このようなコンピュータは通常、主記憶装置としてＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static RAM）を使用している。このＤＲＡＭやＳＲＡＭは揮発性メモリであるため、記憶データを保持するためには常に電力の供給を受けなければならず、不慮の原因等により電力供給が杜絶えると、記憶データが失われてしまう。
【０００３】
この問題に対して、例えば、特開平６−２５９１７２号公報に開示の情報処理装置が提案されている。当該情報処理装置は、図７に示すような構成を備えており、バッテリ制御装置にてバッテリ電圧の低下を検出するとサブバッテリから電力の供給を受けながら、ＣＰＵ（Central Processing Unit）からの命令によってＲＡＭ上のデータを外部記憶装置に退避する。
【０００４】
このように、主電源の電圧低下を検出したのを契機としてバックアップ電源に切り換えると共に、揮発性メモリが記憶しているデータを不揮発性メモリに退避すれば、主電源の不調に起因する記憶データの喪失を回避することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記情報処理装置は、ＣＰＵの命令によって揮発性メモリから記憶データを読み出して不揮発性メモリに退避するので、この退避を完了するまでの間、ＣＰＵを含む情報処理装置の全ての回路構成要素に電力を供給し続けなければならない。このため、バックアップ電源を大規模なものとせざるをえないという問題がある。
【０００６】
然りとて、不揮発性メモリには書き換え回数の制限（例えば、強誘電体メモリでは１０10回、フラッシュメモリでは１０5回程度である。）があるため、揮発性メモリに代えて、不揮発性メモリを主記憶装置として採用することはできない。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、電力供給が杜絶した場合に、大規模なバックアップ電源を要することなく、かつ書き換え回数の制限に煩わされずにデータを保持することができる半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明にかかる半導体記憶装置は、揮発性メモリと不揮発性メモリとが１チップに集積されている半導体記憶装置であって、半導体記憶装置の外部からのデータアクセスに対して前記揮発性メモリの記憶データを参照させる揮発性メモリ参照手段と、前記揮発性メモリの記憶データを前記不揮発性メモリに退避する記憶データ退避手段と、電力を蓄積すると共に、蓄積した電力を用いて、前記記憶データ退避手段にて記憶データを退避するための電力を供給する電力供給手段とが集積されていることを特徴とする。
【０００８】
このようにすれば、半導体記憶装置の外部からのデータアクセスについては揮発性メモリを参照させるため、半導体記憶装置の外部からのデータアクセスに起因する不揮発性メモリの書き換え回数の増加を回避することができる。また、電力供給手段はバックアップ電源として半導体記憶装置内で記憶データを退避するに足る電力を供給できればよいので、従来技術のように記憶データを退避するに際して半導体メモリを含む回路全体の動作を継続させる必要がなく、従って、大規模なバックアップ電源を要しない。
【０００９】
なお、半導体記憶装置の外部からの電力供給状態の変化を検出する状態変化検出手段が集積されており、前記記憶データ退避手段は、前記状態変化検出手段が前記電力供給されている状態から電力供給されていない状態への変化を検出したら、前記揮発性メモリの記憶データを前記不揮発性メモリに退避する命令を送信することを特徴とする。
【００１０】
また、前記状態変化検出手段が前記電力供給されていない状態から電力供給されている状態への変化を検出したら、前記不揮発性メモリの記憶データを前記揮発性メモリに展開する記憶データ展開手段が集積されていることを特徴とする。以上のようにすれば、本発明に係る半導体記憶装置をあたかも揮発性メモリであるかのようにしてユーザに使用させることができる。
【００１１】
また、前記不揮発性メモリ上の記憶領域を指定する領域指定を受け付ける領域指定受付手段が集積されており、前記記憶データ退避手段は、前記領域指定にて指定された記憶領域に前記記憶データを退避することを特徴とする。
また、半導体記憶装置の外部からのデータ読み出しアクセスに対して前記不揮発性メモリの記憶データを参照させる不揮発性メモリ参照手段が集積されていることを特徴とする。このようにすれば、揮発性メモリの記憶容量を増大させることなく、半導体記憶装置の不揮発性メモリとしての記憶容量を増大させることができるので、半導体記憶装置のコストを低減すると同時に、装置サイズを小型化することができる。
【００１２】
また、前記不揮発性メモリは、フラッシュメモリまたは強誘電体メモリのいずれかであることを特徴とする。このようにすれば、揮発性メモリから不揮発性メモリに記憶データを退避する際に必要となる電力量を低減することができる。したがって、半導体記憶装置内部に蓄積すべき電力量を削減することができるので、半導体記憶装置の小型化を実現することができる。
【００１３】
また、前記電力供給手段は、充放電可能な二次電池、コンデンサ、またはリアクタンス素子のいずれかであって、半導体記憶装置の外部から電力供給を受けて蓄電することを特徴とする。このような素子を用いることによって、半導体記憶装置の外部から電力供給を受けている間に必要な電力を蓄積し、外部からの電力の供給がされなくなったときに、蓄積した電力を利用することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る半導体記憶装置の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係る半導体記憶装置について、その構成を示した機能ブロック図である。図１において、半導体記憶装置１は、半導体記憶装置１の動作を制御する制御部１０２、揮発性メモリ１０３、不揮発性メモリ１０４、揮発性メモリ１０３に対するアクセスを切り替えるセレクタ１０１、および半導体記憶装置外部から受電して制御部１０２等に給電する電力供給部１０５を備えている。
【００１５】
制御部１０２は半導体記憶装置１の外部から基準信号を受け付け、この基準信号に応じて揮発性メモリ１０３と不揮発性メモリ１０４の間で記憶データのコピー（退避または展開）を実行する。図２は、揮発性メモリ１０３と不揮発性メモリ１０４の間で記憶データをコピーする際に制御部１０２が実行する処理の内容を示したフローチャートである。
【００１６】
図２において、制御部１０２は、先ず、基準信号を参照する（ステップＳ１）。基準信号がＬからＨに変化した場合（ステップＳ２でＹｅｓ）、制御部１０２は電力の供給が開始されたと判断して、揮発性メモリ１０３に対する外部からのアクセスを遮断し、制御部１０２が揮発性メモリ１０３にアクセスできるようにする。すなわち、セレクタ１０１に対して選択信号（Ｌ）を入力する（ステップＳ７）。
【００１７】
その後、制御部１０２は不揮発性メモリ１０４から記憶データを読み出して、揮発性メモリ１０３に記憶データをコピー（展開）する（ステップＳ８）。揮発性メモリ１０３に記憶データを展開し終わったら、揮発性メモリ１０３に対する外部からのアクセスを許可するために、セレクタ１０１に選択信号（Ｈ）を入力する（ステップＳ９）。
【００１８】
またこれとは逆に、基準信号がＨからＬに変化した場合には（ステップＳ３でＹｅｓ）、制御部１０２は電力の供給が杜絶えたと判断して、セレクタ１０１に対し選択信号（Ｌ）を入力する（ステップＳ４）。その後、揮発性メモリ１０３から不揮発性メモリ１０４に記憶データをコピー（退避）し（ステップＳ５）、セレクタ１０１に選択信号（Ｈ）を入力する（ステップＳ９）。ステップＳ３でＮｏの場合、若しくはステップＳ６、Ｓ９の処理の後、再びステップＳ１に進んで、基準信号を参照する。
【００１９】
なお、揮発性メモリ１０３と不揮発性メモリ１０４とは同一記憶容量のメモリであって、制御部１０２は記憶データのコピーに際して、コピー元のメモリを先頭から順に参照して、コピー先のメモリに対して、これも先頭から順番にデータを書き込む。制御部１０２はこれらのメモリにアクセスするために、制御信号やアドレス信号を出力し、記憶データの読み書きを実行する。
【００２０】
電力供給部１０５は、半導体記憶装置１の外部から電力の供給を受けて、これを制御部１０２等に供給する一方、これと同時に電力供給部１０５内部に電力を蓄積する。この電力供給部１０５は、外部からの電力供給が杜絶した際に制御部１０２が揮発メモリ１０３上の記憶データを不揮発性メモリ１０４に退避できるに足るだけの電力のみを蓄積する。そして、外部からの電力供給の杜絶を検出したら蓄積しておいた電力を制御部１０２等に供給する。
【００２１】
なお、電力の蓄積は、例えば、誘電体コンデンサやリアクタンス素子、或いは薄膜電池など、充放電可能な小電力容量の電力蓄積手段を半導体記憶装置１上に集積することにより実現する。これによって、半導体記憶装置１は外部からの電力供給を一切受けることなく揮発性メモリ１０３の記憶データを不揮発性メモリ１０４に退避することができる。
【００２２】
また、上記基準信号として、既存の信号であって、いわゆるＣＥ（Chip Enable）、或いはＣＳ（Chip Select）といった信号を流用するとしても良い。これらの信号を流用すれば、半導体記憶装置１について、そのピン数を増加させることなく、本発明の機能を果たさせることができる。したがって、本発明に係る半導体記憶装置１は既存の半導体記憶装置と同様にして、回路基板に実装することができる。
【００２３】
上記において、揮発性メモリ１０３は、例えば、ＳＲＡＭやＤＲＡＭとすればよい。また、不揮発性メモリ１０４は、例えば、強誘電体メモリ（Ferroelectronic RAM）とするのが好ましい。強誘電体メモリを適用すれば、揮発性メモリ１０３と不揮発性メモリ１０４の間で記憶データをコピーするのに必要となる電力量を低減することができる。したがって、電力供給部１０５をより小型化できる。また、不揮発性メモリ１０４はフラッシュメモリであってもよい。
【００２４】
以上のように、揮発性メモリ１０３、不揮発性メモリ１０４、制御部１０２、電力供給部１０５等を１チップに集積すれば、電力供給が杜絶した場合の記憶データの退避に際して、半導体記憶装置１内で記憶データをコピーするのに足るだけの電力しか必要としないので、記憶データを退避するのに際して、大規模なバックアップ電源を要することない。
【００２５】
また、半導体記憶装置１は、外部から電力の供給を受けている間は揮発性メモリ１０３部分に対してのみ記憶データの書き換えがされるので、不揮発性メモリ１０４の書き換え回数を抑制することができる。したがって、従来の不揮発性メモリと比較して書き換え回数の制限を大幅に緩和することができ、事実上、書き換え回数に制限のない不揮発性メモリとなっている。
【００２６】
また、半導体記憶装置１の外部からのメモリアクセスは揮発性メモリ部分に対してのみ行なわれるので、従来の揮発性メモリと同等のアクセス速度を実現することができる。従って、本発明により、大規模なバックアップ電源を必要とせず、ほぼ無制限に書き換えが可能であって、しかも従来の揮発性メモリと同等のアクセス速度を有する半導体記憶装置を得ることができる。
【００２７】
（第２の実施の形態）
次に、第２の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施の形態に係る半導体記憶装置の構成は第１の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成と概ね同じであるが、不揮発性メモリの容量において相異している。図３は、本実施の形態に係る半導体記憶装置について、その構成を示した機能ブロック図である。
【００２８】
図３において、半導体記憶装置２は、半導体記憶装置１と同様に、セレクタ２０１、制御部２０２、揮発性メモリ２０３、不揮発性メモリ２０４、電力供給部２０５を備えている。特に、不揮発性メモリ２０４は、記憶領域＃１から記憶領域＃ＮまでのＮ個の記憶領域からなっており、各記憶領域の記憶容量はそれぞれ揮発性メモリ２０３の記憶容量に等しい。
【００２９】
また、制御部２０２は、制御部１０２が入出力する各信号に加えて、半導体記憶装置２の外部から領域選択信号を受け付ける。制御部２０２は、受け付けた領域選択信号に応じて、揮発性メモリ２０３との間で記憶データのコピーを行う記憶領域を、不揮発性メモリ２０４の記憶領域＃１から記憶領域＃Ｎの何れかから選択する。
【００３０】
すなわち、制御部２０２は、基準信号がＬからＨに変化したらセレクタ２０１に選択信号（Ｌ）を入力し、領域選択信号に応じた不揮発性メモリ２０４から揮発性メモリ２０３に記憶データをコピーして、セレクタ２０１に選択信号（Ｈ）を入力する。逆に、基準信号がＨからＬに変化したら、制御部２０２はセレクタ２０１に選択信号（Ｌ）を入力し、揮発性メモリ２０３から領域選択信号に応じた不揮発性メモリ２０４に記憶データをコピーして、セレクタ２０１に選択信号（Ｈ）を入力する。
【００３１】
上記第１の実施の形態においては、半導体記憶装置１の記憶容量を増大させようとすると揮発性メモリ１０３の記憶容量を増大させなければならないのに対して、本実施の形態のようにすれば、揮発性メモリ２０３の記憶容量を増大させることなく、半導体記憶装置２の不揮発性メモリとしての記憶容量を増大させることができる。したがって、半導体記憶装置のコストを低減すると同時に、装置サイズを小型化することができるという利点がある。
【００３２】
（第３の実施の形態）
次に、第３の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施の形態に係る半導体記憶装置の構成は第２の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成と概ね同じであるが、不揮発性メモリの容量を増大させるのに代えて、不揮発性メモリの個数を増大させている点が異なっている。図４は本実施の形態に係る半導体記憶装置の構成を示した機能ブロック図である。
【００３３】
図４において、半導体記憶装置３は、セレクタ３０１、制御部３０２、揮発性メモリ３０３、不揮発性メモリ３０４１〜３０４Ｎ、および電力供給部３０５を備えている。不揮発性メモリ３０４１〜３０４Ｎはそれぞれ揮発性メモリ３０３の記憶容量に等しい記憶容量を有し、いずれも電力供給部３０５から電力の供給を受けている。
【００３４】
制御部３０２は、上記第２の実施の形態におけるの制御部２０２と同様の構成に加えて、不揮発性メモリ３０４１〜３０４ＮのそれぞれにアクセスするためのＮ個のインタフェースを備えている。制御部３０２は、半導体記憶装置３の外部から受け付けた領域選択信号に応じて、不揮発性メモリ３０４１〜３０４Ｎの何れかから選択し、揮発性メモリ３０３との間で記憶データのコピーを行う。
【００３５】
このようにすれば、上記第２の実施の形態における半導体記憶装置２とは異なって、揮発性メモリ３０３との間で記憶データのコピーを行わなかった不揮発性メモリの書き換え回数が他の不揮発性メモリへの書き換えによってカウントアップされないので、半導体記憶装置３の寿命を全体として更に延長することができる。
【００３６】
なお、半導体記憶装置３のユーザは、半導体記憶装置３を揮発性メモリ３０３の記憶容量分の記憶容量を有し、極めて寿命の長い不揮発性メモリとして利用することもできるし（このように使用すれば書き換え回数の上限が更にＮ倍される。）、また、基準信号と領域選択信号を操作して、適宜、不揮発性メモリ３０４と揮発性メモリ３０３の間で記憶データのコピーをさせることによって、記憶容量の大きい不揮発性メモリとして使用することもできる。
【００３７】
（第４の実施の形態）
次に、第４の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施の形態に係る半導体記憶装置の構成は第１の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成と概ね同じであるが、外部からの基準信号の入力を必要としない点で第１の実施の形態に係る半導体記憶装置とは異なっている。図５は本実施の形態に係る半導体記憶装置の構成を示した機能ブロック図である。
【００３８】
図５において、半導体記憶装置４は、セレクタ４０１、制御部４０２、揮発性メモリ４０３、不揮発性メモリ４０４、および電力供給部４０５を備えている。電力供給部４０５は制御部４０２に対して供給状態信号を入力する。電力供給部４０５は、半導体記憶装置４の外部から電力の供給を受けて制御部４０２等に電力を供給しているときは、供給状態信号としてＨを出力する。また、蓄積しておいた電力を用いて電力供給しているときには、供給状態信号をＬとして出力する。
【００３９】
制御部４０２は電力供給部４０５から受け付けた供給状態信号がＬからＨに変化したのを検出したら、セレクタ４０１に対して選択信号（Ｌ）を入力して、不揮発性メモリ４０４から揮発性メモリ４０３に記憶データをコピーした後、セレクタ４０１に選択信号（Ｈ）を入力する。逆に、供給状態信号がＨからＬに変化したのを検出したら、制御部４０２はセレクタ４０１に対し選択信号（Ｌ）を入力し、揮発性メモリ４０３から不揮発性メモリ４０４に記憶データをコピーした後、セレクタ４０１に選択信号（Ｈ）を入力する。
【００４０】
なお、セレクタ４０１は、制御部４０２から選択信号（Ｌ）を入力されると制御部４０２に揮発性メモリ４０３へのアクセスを許可する。これによって、制御部４０２による揮発性メモリ４０３と不揮発性メモリ４０４との間の記憶データのコピーが可能になる。また、セレクタ４０１は選択信号（Ｈ）を受け付けると、揮発性メモリ４０３に対する半導体記憶装置４の外部からのアクセスを許可する。
【００４１】
（第５の実施の形態）
次に、第５の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施の形態に係る半導体記憶装置の構成は第２の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成と第４の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成を兼ね備えたような構成となっているが、不揮発性メモリに対しても外部からのアクセスを認める点で相違している。
【００４２】
図６は、本実施の形態に係る半導体記憶装置の構成を示した機能ブロック図である。図６において、半導体記憶装置５はセレクタ５０１、制御部５０２、揮発性メモリ５０３、不揮発性メモリ５０４、電力供給部５０５を備えている。不揮発性メモリ５０４は、上記第２の実施の形態におけるのと同様に、記憶領域＃１から記憶領域＃ＮまでのＮ個の記憶領域からなっており、各記憶領域の記憶容量はそれぞれ揮発性メモリ５０３の記憶容量に等しい。
【００４３】
制御部５０２は、上記第２の実施の形態におけるのと同様に、供給状態信号がＬからＨに変化したらセレクタ５０１に選択信号（Ｌ）を入力し、領域選択信号に応じた不揮発性メモリ５０４から揮発性メモリ５０３に記憶データをコピーして、セレクタ５０１に選択信号（Ｈ）を入力する。逆に、供給状態信号がＨからＬに変化したら、制御部５０２はセレクタ５０１に選択信号（Ｌ）を入力し、揮発性メモリ５０３から領域選択信号に応じた不揮発性メモリ５０４に記憶データをコピーして、セレクタ５０１に選択信号（Ｈ）を入力する。
【００４４】
セレクタ５０１は制御部５０２と同様に領域選択信号を入力されており、半導体記憶装置５の外部からのアクセス要求を受け付けると、入力されたアドレス信号を参照して、アクセス要求に係るアドレスが領域選択信号に係る記憶領域内を指している場合には、アクセス要求をした外部装置（ＣＰＵ等）を揮発性メモリ５０３にアクセスさせる。
【００４５】
一方、入力されたアドレス信号が領域選択信号に係る記憶領域内を指していないときは、アクセス要求をした外部装置（ＣＰＵ等）を不揮発性メモリ５０４にアクセスさせる。なお、この場合には、不揮発性メモリ５０４からの記憶データの読み出し要求のみを受け付けることとし、不揮発性メモリ５０４に対する書き込み要求は受け付けない。
【００４６】
以上のように、半導体記憶装置５においては、書き込みの必要なデータは揮発性メモリ５０３上に展開し、読み出すのみでよいデータについては不揮発性メモリ５０４から直接読み出すので、揮発性メモリの容量を抑えながら、大量のデータを参照させることができるようになる。また、この不揮発性メモリからのデータ読み出し速度は、揮発性メモリからデータを読み出す場合と同程度であるので、半導体記憶装置５によれば高速かつ大量のデータ読み出しが可能となる。
【００４７】
（変形例）
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明は、上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することができる。
（１）  電力供給部が蓄積する電力量
記憶データ保持にあたって信頼性確保の観点より、電力供給部１０５等に蓄積する電力量は、揮発性メモリと不揮発性メモリの間で記憶データをコピーするのに必要となる電力量の１０倍程度としても良い。このようにしても、従来技術のように、回路全体を動作させて記憶データをバックアップする場合に比べれば必要となる電力量が小さくて済むので、電力の蓄積に要するコストを低減することができる。
【００４８】
（２）  揮発性メモリの記憶容量と不揮発性メモリの記憶容量の関係
上記実施の形態においては、いずれも不揮発性メモリの記憶容量は揮発性メモリの記憶容量よりも大きいとしたが、これに代えて、不揮発性メモリの記憶容量は揮発性メモリの記憶容量としても小さいとしても良い。この場合、揮発性メモリの特定の記憶領域のみを退避するとしても良いし、退避する記憶領域の指定を外部から受け付けるとしても良い。
【００４９】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、半導体記憶装置に内蔵の電力供給部には必要量の電力を蓄積して、揮発性メモリと不揮発性メモリとの間における記憶データのコピーの用に供するので、半導体記憶装置に対する外部から電力供給が杜絶しても、揮発性メモリ上の記憶データが損なわれる事なく、不揮発性メモリに退避される。
【００５０】
例えば、いわゆる非接触型ＩＣカードは外部からの電波によって電力を供給されるのだが、このような非接触型ＩＣカードについても本発明に係る半導体記憶装置を実装すれば、不慮の原因によって電波の到達圏外に出てしまい、電力供給が杜絶えてしまった場合であっても、半導体記憶装置の記憶データが損なわれることなく保持される。
【００５１】
また、半導体記憶装置外部からのメモリアクセスは揮発性メモリ部分に対してのみ行なわれるので、不揮発性メモリ部分の書き換え回数を大幅に低減して、実質的に書き換え回数の制限を取り去ることができ、更にメモリアクセスの高速化を図ることができる。したがって、例えば、本発明に係る半導体記憶装置からファイルデータなど大量のデータを読み出す際に、これに要する読み出し時間を短縮することができる。
【００５２】
また、半導体記憶装置の内部に蓄えられる電力の容量は、記憶データを揮発性メモリから不揮発性メモリにコピーするのに要する電力の１０倍もあれば十分であるので、従来技術による場合と比較して蓄電量を大幅に削減できるので、半導体記憶装置を含む回路規模を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体記憶装置について、その構成を示した機能ブロック図である。
【図２】揮発性メモリ１０３と不揮発性メモリ１０４の間で記憶データをコピーする際に制御部１０２が実行する処理の内容を示したフローチャートである。
【図３】第２の実施の形態に係る半導体記憶装置について、その構成を示した機能ブロック図である。
【図４】第３の実施の形態に係る半導体記憶装置について、その構成を示した機能ブロック図である。
【図５】第４の実施の形態に係る半導体記憶装置について、その構成を示した機能ブロック図である。
【図６】第５の実施の形態に係る半導体記憶装置について、その構成を示した機能ブロック図である。
【図７】特開平６−２５９１７２号公報に開示の情報処理装置について、その構成を示した機能ブロック図である。
【符号の説明】
１、２、３、４、５                        半導体記憶装置
１０１、２０１、３０１、４０１、５０１    セレクタ
１０２、２０２、３０２、４０２、５０２    制御部
１０３、２０３、３０３、４０３、５０３    揮発性メモリ
１０４、２０４、３０４、４０４、５０４    不揮発性メモリ
１０５、２０５、３０５、４０５、５０５    電力供給部
【図１】
0004015835.tif 000002
【図２】
0004015835.tif 000003
【図３】
0004015835.tif 000004
【図４】
0004015835.tif 000005
【図５】
0004015835.tif 000006
【図６】
0004015835.tif 000007
【図７】
0004015835.tif 000008