(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に半導体部品を挿入するとともに、上記基材のパターン形成面に上記半導体部品の回路接続部を露出させ、
上記回路接続部に接触して上記半導体部品と電気的に接続される回路パターンを上記パターン形成面上に形成することで当該回路パターンへの上記半導体部品の実装を行い、
上記回路接続部は上記半導体部品の電極、該電極上に形成したバンプ、及び該バンプの部材形成面に形成した回路接続用部材であり、上記基材に上記半導体部品が挿入されたとき上記回路接続用部材は上記パターン形成面より突出した状態であり、上記回路パターンは上記回路接続用部材に接触する、
ことを特徴とする半導体部品実装済部品の製造方法。
【請求項２】
上記基材は樹脂材にてなり、上記半導体部品の上記基材への挿入は、上記半導体部品及び上記基材を加熱しかつ上記半導体部品及び上記基材を相対的に押圧することでなされ、上記回路接続部の電気的接続面を上記基材の上記パターン形成面に露出させる、請求項１記載の半導体部品実装済部品の製造方法。
【請求項３】
基材に半導体部品を挿入するとともに、上記基材のパターン形成面に上記半導体部品の回路接続部を露出させ、
上記回路接続部に接触して上記半導体部品と電気的に接続される回路パターンを上記パターン形成面上に形成することで当該回路パターンへの上記半導体部品の実装を行い、
上記回路パターンの形成後、さらに、上記回路パターン上に電子部品を装着する、
ことを特徴とする半導体部品実装済部品の製造方法。
【請求項４】
上記回路パターンは、上記半導体部品と無線にて情報の送受信を行うためのアンテナコイル用形状である、請求項１から３のいずれかに記載の半導体部品実装済部品の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の半導体部品実装済部品の製造方法にて製造された半導体部品実装済部品を樹脂材にて封止して半導体部品実装済完成品を製造する、
ことを特徴とする半導体部品実装済完成品の製造方法。
【請求項６】
上記半導体部品実装済部品の上記樹脂材による封止は、上記半導体部品実装済部品の厚み方向から２つの樹脂材にて上記半導体部品実装済部品をサンドイッチしてなされる、請求項５記載の半導体部品実装済完成品の製造方法。
【請求項７】
上記樹脂材は熱可塑性樹脂シートにてなり、該熱可塑性樹脂シートは加熱され上記半導体部品実装済部品へ押圧されて上記半導体部品実装済部品の上記封止を行う、請求項６記載の半導体部品実装済完成品の製造方法。
【請求項８】
請求項５から７のいずれかに記載の半導体部品実装済完成品の製造方法を用いて製造されることを特徴とする半導体部品実装済完成品。
【請求項９】
上記半導体部品実装済完成品は非接触ＩＣカードである、請求項８記載の半導体部品実装済完成品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば非接触ＩＣカードを製造する場合のように導電性ペーストにてなる回路パターンに設けられた接続パッドにＩＣチップを電気的に接続する場合にて使用される、ＩＣチップ等の電子部品を基材に実装して半導体部品実装済部品を製造する半導体部品実装済部品の製造方法、該製造方法にて製造される半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品の製造方法、及び該半導体部品実装済完成品製造方法にて製造される半導体部品実装済完成品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
非接触ＩＣカードを例に採り、従来の半導体部品実装済完成品の製造方法について、図２０〜図２７を参照しながら以下に説明する。
従来、コイルとＩＣチップとを内蔵し、該コイルを介して外部とのデータの授与を行う非接触ＩＣカードを製造する際において、上記コイルの形成方法としては、銅にてなる巻き線コイルを用いる方法や、銀ペースト等の導体ペーストを印刷してコイルを形成する方法や、銅箔等の金属箔をエッチングしてコイルを形成する方法等が用いられており、なかでも上記導体ペーストを印刷して回路パターン及びコイルを形成する方法が盛んになっている。
【０００３】
図２０〜図２７は従来の非接触ＩＣカード及びその製造方法を示す。
図２０に示すように、従来の非接触ＩＣカードは、第１基材１ａに導電性ペーストにてコイルパターン２が形成され、このコイルパターン２の外周端３ａに設けた接続パッド６、及びコイルパターン２の内周端３ｂに設けた接続パッド６のそれぞれがＩＣチップ４の電極部と電気的に接続される構成となっている。
その製造工程は、図２１に示すように、まずステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１では、第１基材１ａの表面に導電性ペーストにてコイルパターン２を含む回路パターンを印刷する。上記導電性ペーストとしては、銀ペーストが好適に使用される。上記導電性ペーストの印刷は、スクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行われ、例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを第１基材１ａに印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターンを形成する。上記第１基材１ａ及び後述の第２基材２ｂには、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、アクリロニトリルブタジエンスチレン等からなる厚さ０．１〜０．５ｍｍ程度の熱可塑性樹脂が用いられる。
【０００４】
ステップ２では、上記印刷方法により第１基材１ａ上に形成した上記導電性ペーストにてなる上記回路パターンを１２０℃の温度で１０分間加熱して上記導電性ペーストを硬化させる。
ステップ３では、図２２に示すように、上記回路パターンにおける上記外周端３ａや内周端３ｂに設けられた接続パッド６に異方導電性シート９を貼り付ける。該異方導電性シートとは、金属粒子を含有する樹脂シートであり、加熱、加圧されることで上記金属粒子と上記接続パッド６とを電気的に接続する。
ステップ４では、異方性導電シート９を１００℃で５秒間加熱して接続パッド６に仮圧着する。
ステップ５では、仮圧着した異方導電性シート９に半導体素子４やコンデンサ等の部品をマウントする。半導体素子４の実装面には、図２３に示すように半導体素子４上の電極パッド７にバンプ１０が形成されており、図２４に示すようにバンプ１０と接続パッド６とが異方導電性シート９を介して電気的に接続される。尚、バンプ１０は、ワイヤボンディング法やメッキ法、具体的には半田、金、銀、銅を用いたメッキ法により、半導体素子４の電極パッド７上に形成される。ステップ６では、２００℃の温度で３０秒間加熱して、図２５に示すように異方導電性シート９を硬化して、半導体素子４を本圧着する。
【０００５】
尚、第１基材１ａにガラスエポキシ基板やセラミック基板を用いた一般的な半導体実装においては、このステップ６までで半導体素子の実装は完了する。
そして、ステップ７では、第１基材１ａに第２基材１ｂを貼り合わせてラミネート処理することにより、図２６に示すように、接続パッド６とバンプ１０とが異方導電性ペースト９を介して電気的に接続されたＩＣカードが得られる。図２６にて、５はコイルパターン２に並列接続されるコンデンサを示す。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の半導体部品実装済完成品製造方法、及び該製造方法にて製造される、半導体部品実装済完成品としての非接触ＩＣカードの構成では、以下の問題があった。
上記第１基材１ａや第２基材１ｂには、一般的にポリエチレンテレフタレートや塩化亜ビニル等の安価な熱可塑性樹脂が使用されている。一方、従来の製造工程では、上記ステップ６において異方導電性シート９を介して半導体素子４を本圧着する際の温度が２００℃以上と高温である為、耐熱性に劣る第１基材１ａや第２基材１ｂが劣化し易いという問題がある。
【０００７】
又、異方導電性シート９を用いて半導体素子４等の部品を第１基材１ａに固定する為、異方導電性シート９の第１基材１ａへの仮圧着及び本加圧工程が必要となる。よって、工程数が多くなり生産性が悪くコスト高になるという問題がある。又、異方導電性シート９の代わりに異方導電性粒子を用いた場合も同様である。
【０００８】
又、上記ステップ７においてラミネート処理する際に、半導体素子４が加圧、加熱される為、図２７に示すように、半導体素子４が第１基材１ａに沈み込み、導電性ペーストによる回路パターン６が湾曲した形に変形してしまう。その結果、回路パターンの断線の可能性が高く、動作不良の不具合が発生する。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたもので、高品質、高生産性で安価な、半導体部品実装済部品の製造方法、半導体部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１態様である半導体部品実装済部品の製造方法は、基材に半導体部品を挿入するとともに、上記基材のパターン形成面に上記半導体部品の回路接続部を露出させ、
上記回路接続部に接触して上記半導体部品と電気的に接続される回路パターンを上記パターン形成面上に形成することで当該回路パターンへの上記半導体部品の実装を行い、
上記回路接続部は上記半導体部品の電極、該電極上に形成したバンプ、及び該バンプの部材形成面に形成した回路接続用部材であり、上記基材に上記半導体部品が挿入されたとき上記回路接続用部材は上記パターン形成面より突出した状態であり、上記回路パターンは上記回路接続用部材に接触する、
ことを特徴とする。
【００１０】
又、上記基材は樹脂材にてなり、上記半導体部品の上記基材への挿入は、上記半導体部品及び上記基材を加熱しかつ上記半導体部品及び上記基材を相対的に押圧することでなされ、上記回路接続部の電気的接続面を上記基材の上記パターン形成面に露出させるようにしてもよい。
【００１２】
本発明の第２態様である半導体部品実装済完成品の製造方法は、上記第１態様の半導体部品実装済部品製造方法を用いて半導体部品実装済部品を作製し、
作製された上記半導体部品実装済部品を樹脂材にて封止して半導体部品実装済完成品を製造することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第３態様である半導体部品実装済完成品は、上記第２態様の半導体部品実装済完成品の製造方法を用いて製造されることを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態である、半導体部品実装済部品の製造方法、半導体部品実装済完成品の製造方法、及び半導体部品実装済完成品について、図を参照しながら以下に説明する。ここで、上記半導体部品実装済完成品の製造方法は、上記半導体部品実装済部品の製造方法にて製造された半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品を製造する方法であり、及び上記半導体部品実装済完成品は上記半導体部品実装済完成品の製造方法にて製造されたものである。尚、各図において同じ構成部分については同じ符号を付している。
【００１５】
上記「課題を解決するための手段」に記載する、「基材」の機能を果たす一例として本実施形態では第１熱可塑性樹脂基材１２２を例に採り、又、「回路接続部」の機能を果たす一例として本実施形態では電極１１７、バンプ１１３、及び回路接続用部材１１８の一組を例に採る。しかしながら、上記「回路接続部」は、これに限定されるものではなく、電極１１７のみの場合、電極１１７及びバンプ１１３の場合をも含む概念である。
又、「半導体部品実装済完成品」の機能を果たす一例として本実施形態では非接触ＩＣカードを例に採るが、勿論これに限定されるものではない。
又、「電極部」の機能を果たす一例として本実施形態では、電極１１７のみ、電極１１７及びバンプ１１３を例に採る。
【００１６】
図１には、本実施形態の半導体部品実装済部品の製造方法を用いて作製された半導体部品実装済部品を備えた、半導体部品実装済完成品の一例としての非接触ＩＣカード１０１を示している。該非接触ＩＣカード１０１において、半導体素子１１４は予め第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋め込まれ、該第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に露出したバンプ１１３の部材形成面１１５に回路接続用部材１１８を形成する。そして、導電性ペーストにより形成した回路パターン１１６と回路接続用部材１１８とは異方導電性シート等を介さずに直接に導通を得る点で従来例と異なる。１２４、１２５は、半導体素子１１４及び回路パターン１１６を有する半導体部品実装済部品１２１を保護する為にラミネート処理を行う第２熱可塑性樹脂シート基材及び第３熱可塑性樹脂シート基材である。以下に、非接触ＩＣカード１０１の製造手順について、図２〜図８、及び図１５を参照して説明する。
【００１７】
図２において、１１７は半導体部品に相当する半導体素子１１４の電極、１１２は半導体素子１１４のアクティブ面を保護するパッシベーション膜を示す。
図２及び図１５に示すステップ（図１５では「Ｓ」にて示す）１０１において半導体素子１１４の電極１１７上に、ＡｕやＣｕ、半田等にてなる金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法により、バンプ１１３を形成する。
次に、図３及び図１５に示すステップ１０２において、バンプ１１３を形成した半導体素子１１４をポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂で形成されたシート状の第１熱可塑性樹脂基材１２２上に一個もしくは複数個マウントする。ここで、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みは、本実施形態の場合、後述するように少なくともバンプ１１３の部材形成面１１５を第１熱可塑性樹脂基材１２２から露出させる必要性から、基本的に半導体素子１１４の厚みとバンプ１１３の高さとを合わせた厚み以下であり、半導体素子１１４の厚み以上にすることが望ましい。例えば、半導体素子１１４の厚みが０．１８ｍｍ、バンプ１１３の高さが０．０４ｍｍの場合、第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みは、０．２ｍｍが好ましい。
【００１８】
次に図４及び図１５に示すステップ１０３において、バンプ１１３付の半導体素子１１４がマウントされた第１熱可塑性樹脂基材１２２を熱プレス板１７１、１７２の間に狭み、バンプ１１３付の半導体素子１１４と第１熱可塑性樹脂基材１２２とを加熱しながら相対的に押圧し、半導体素子１１４を第１熱可塑性樹脂基材１２２内に挿入する。該熱プレスの条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材１２２を用いた場合、圧力３０Ｋｇ／ｃｍ2、温度１２０℃、プレス時間１分である。尚、上記温度、圧力は、第１熱可塑性樹脂基材１２２の材質により異ならせる。
【００１９】
ステップ１０４に対応する図５は、上記プレス後における半導体素子１１４及び第１熱可塑性樹脂基材１２２の状態を示した断面図である。第１熱可塑性樹脂基材１２２への半導体素子１１４の上記挿入動作により、本実施形態では図５に示すように、バンプ１１３の端面、つまり上記プレスによりバンプ１１３が熱プレス板１７１に接触した面である部材形成面１１５を第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に露出させた状態で、半導体素子１１４及びバンプ１１３は第１熱可塑性樹脂基材１２２に埋設される。
このとき、本実施形態では、薄型化を図るため、半導体素子１１４の上記アクティブ面に対向する裏面１１４ａと、上記パターン形成面１２３に対向する第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａとは、図示するように同一面となるようにしているが、これに限定されるものではない。つまり、製造する半導体部品実装済部品によっては、上述した第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚みや、熱プレス板１７１，１７２の押圧力等の調整により、例えば、第１熱可塑性樹脂基材１２２の裏面１２２ａより半導体素子１１４の裏面１１４ａを突出させてもよい。
【００２０】
尚、上記部材形成面１１５が電気的接続面の機能を果たす一例である。又、本実施形態では、部材形成面１１５のみが第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に露出しているが、例えば熱プレス板１７１の形状を工夫する等により、部材形成面１１５だけでなくバンプ１１３の一部又は全部をパターン形成面１２３より露出させてもよい。このように構成したときには、上記電気的接続面は、パターン形成面１２３より露出した部分の外表面に相当する。尚、図１６には、バンプ１１３の部材形成面１１５及びその近傍部分をパターン形成面１２３より露出された場合を図示している。
【００２１】
次に、図６及び図１５におけるステップ１０５において、第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に露出したバンプ１１３の部材形成面１１５上にＡｕやＣｕ、半田等にてなる金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法により、回路接続用部材１１８を形成する。
次に、図７及び図１５におけるステップ１０６において、Ａｇ、Ｃｕ等の導電性ペーストを用いて、回路接続用部材１１８に接触するように、好ましくは図示するように回路接続用部材１１８を埋設するようにして半導体素子１１４と電気的に接続される回路パターン１１６を、第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３上に形成する。該導電性ペーストによる回路パターン１１６の形成は、一般的に、スクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行われる。例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介し、導電性ペーストを印刷し、導体厚みが約３０μｍにてなる回路パターン１１６を形成する。尚、形成される回路パターン１１６は、本実施形態では、半導体素子１１４と無線にて情報の送受信を行うためのアンテナコイルの形状である。勿論、上記回路パターン１１６は、上記アンテナコイル形状に限定されるものではなく、製造物としての半導体部品実装済部品の機能に応じた形態に形成される。
このようにして回路パターン１１６への半導体素子１１４の実装を行う。又、該実装された図７に示す状態の構成部分を、半導体部品実装済部品１２１とする。
【００２２】
次に、図８及び図１５におけるステップ１０７において、上記半導体部品実装済部品１２１をその厚み方向から、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネート、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有するシート状の第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５にてサンドイッチしてラミネート処理し、半導体部品実装済部品１２１の封止を行う。該ラミネート処理の条件は、ポリエチレンテレフタレート製の第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５を熱プレス板にてプレスする場合、圧力３０Ｋｇ／ｃｍ2、温度１２０℃、昇圧時間１分、圧力保持時間１分である。
以上の工程を経て、図１に示すような、半導体素子１１４が実装されたモジュールとしての半導体部品実装済部品や、本実施形態の場合のように上記半導体部品実装済部品を有する半導体部品実装済完成品としての機能を果たす一例に相当する非接触ＩＣカード１０１が完成する。
【００２３】
このように本実施形態によれば、第１熱可塑性樹脂基材１２２に半導体素子１１４を予め埋め込んだ後に、カード化を実施する為、従来例における図２７に示すようなカード化後における半導体素子４の基材１ａへの沈み込みは発生しない。よって、回路パターン１１６が断線することは無く、高品質の半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品を製造することが可能になる。
さらに、異方導電性シート又は異方導電性粒子等の接合材料を用いる必要が無い為、異方導電性シート等の処理に要する工程はなく、高生産性且つ安価な半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品を提供することが可能になる。
【００２４】
又、上述した実施形態では、回路接続用部材１１８と回路パターン１１６とが接触するように構成したが、若干、バンプ１１３との電気的接続性に劣る可能性が考えられるが、図１６に示す半導体部品実装済部品１２６及び図１７に示す非接触ＩＣカード１０６のように、回路接続用部材１１８を設けず、バンプ１１３の部材形成面１１５及びその近傍部分にて、又は部材形成面１１５のみにて、回路パターン１１６との電気的接続を図るように構成することもできる。尚、図１６は、部材形成面１１５及びその近傍部分にて回路パターン１１６と電気的接続を図るように構成した場合を図示し、図１７は部材形成面１１５のみにて回路パターン１１６と電気的接続を図るように構成した場合を図示している。
又、上述したように、半導体素子１１４を第１熱可塑性樹脂基材１２２に挿入するときに使用する熱プレス板１７１を工夫することで、図１８に示す半導体部品実装済部品１２７及び図１９に示す非接触ＩＣカード１０７のように、回路接続用部材１１８及びバンプ１１３を設けず、半導体素子１１４の電極１１７と回路パターン１１６とを直接に接触させるように構成することもできる。この場合、電極１１７の表面１１７ａが上記電気的接続面に相当する。
【００２５】
よって、半導体素子１１４の電極１１７と回路パターン１１６とを直接に接触させるように構成したときには、上述したステップ１０１〜１０７の処理の内、ステップ１０１、１０２、及び１０５は削除される。
又、上述の実施形態では、半導体素子１１４の供給を受けた時点からの製造工程を説明したが、既にステップ１０１〜１０４の工程が終了した物が供給可能なときには、上記ステップ１０５から開始可能であり、又、半導体素子１１４の電極１１７の表面１１７ａが第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３に露出したような物が供給可能なときには、上記ステップ１０６から開始可能である。
【００２６】
又、図９に示すようにステップ１０７にてパターン形成面１２３上に回路パターン１１６を形成した後、当該回路パターン１１６の所定の位置にコンデンサ、抵抗等の受動部品である電子部品１２９をマウントした、半導体部品実装済部品１２８を形成することもできる。そして、図１０に示すように、該半導体部品実装済部品１２８をその厚み方向から第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５にてサンドイッチしてラミネート処理して、図１０に示す非接触ＩＣカード１０２を製造することもできる。
【００２７】
又、上述した図１〜図１０では、半導体素子１１４と回路パターン１１６との接続箇所のみを示しているが、図７に示す半導体部品実装済部品１２１の全体を示す平面図を図１１に、図１１に示すＩ−Ｉ部分の断面図を図１２に示し、さらに半導体部品実装済部品１２１の全体を第２熱可塑性樹脂基材１２４及び第３熱可塑性樹脂基材１２５にてラミネート処理してなる非接触ＩＣカード１０１における上記Ｉ−Ｉ部分の断面図を図１３に示す。
又、図１４に示すように、回路パターン１１６の外周端１３０と半導体素子１１４の電極１１７の対応部分１３１とをジャンパー接続する為に、回路パターン１１６に絶縁膜１３２を設けた後、外周端１３０と上記電極対応部分１３１とを導電性ペーストの印刷や導電性箔１３３等にて電気的に接続する。これにより図示するようなジャンパーが完成する。尚、絶縁膜１３２の形成は、ポリエステル系の絶縁箔の接着や絶縁塗料の印刷により行う。
【００２８】
尚、以上の説明において、半導体部品実装済完成品の機能を果たす一例としての非接触ＩＣカードを製造する際に、半導体部品実装済部品１２１や半導体部品実装済部品１２８を、２つの熱可塑性樹脂基材１２２，１２５にてサンドイッチする構成を採っているが、該構成に限定されるものではない。例えば、第１熱可塑性樹脂基材１２２をプレート上に載置して、これを封止するようなときには第３熱可塑性樹脂基材１２５のみを使用すればよく、製造する半導体部品実装済部品の種類や、機能等に応じて、２つの熱可塑性樹脂基材１２２，１２５の使用を適宜工夫すればよい。
【００２９】
又、上述の実施形態では、タクト向上のため、上述のように第１熱可塑性樹脂基材１２２の厚み調整、及び熱プレス動作の制御を行うことで、上記ステップ１０３にて、第１熱可塑性樹脂基材１２２へのバンプ１１３付き半導体素子１１４の挿入動作と、バンプ１１３の部材形成面１１５のパターン形成面１２３への露出動作とを同じ工程にて処理しているが、これに限定されるものではない。即ち、上記電気的接続面、例えば部材形成面１１５をパターン形成面１２３に露出させず、上記回路接続用部材１１８の形成時における熱にて第１熱可塑性樹脂基材１２２を溶融して回路接続用部材１１８を部材形成面１１５上に形成しかつ回路接続用部材１１８と部材形成面１１５との電気的接続を図るように構成してもよい。
【００３０】
又、上述した実施形態では、回路パターン１１６は第１熱可塑性樹脂基材１２２のパターン形成面１２３上に形成したが、上記半導体部品実装済完成品の製造工程においては、以下のように構成することもできる。つまり、上記パターン形成面１２３に対面する上記第３熱可塑性樹脂基材１２５に回路パターン１１６を形成することもできる。
【００３１】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明の第１態様における、半導体部品実装済部品の製造方法、第２態様における、半導体部品実装済完成品の製造方法、及び第３態様の半導体部品実装済完成品によれば、半導体部品を基材に挿入後、挿入された半導体部品に対して回路パターンを形成することで実装を完成させる。よって、実装時には異方性導電シートを用いない為、従来に比べて大幅な生産性の向上とコストダウンが可能となる。又、上記基材に挿入された半導体部品に対して回路パターンを形成することから、従来発生したような半導体部品の基材への沈み込みを防ぐことができ、その結果、回路パターンの断線が無く、高品質の半導体部品実装済部品及び半導体部品実装済完成品を安定して生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態における半導体部品実装済完成品の断面図である。
【図２】  図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、ステップ１０１における状態を示す図である。
【図３】  図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、ステップ１０２における状態を示す図である。
【図４】  図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、ステップ１０３における状態を示す図である。
【図５】  図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、ステップ１０４における状態を示す図である。
【図６】  図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、ステップ１０５における状態を示す図である。
【図７】  図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、ステップ１０６における状態を示す図である。
【図８】  図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、ステップ１０７における状態を示す図である。
【図９】  図１に示す半導体部品実装済完成品に備わる半導体部品実装済部品について、電子部品を回路パターン上に装着した状態を示す断面図である。
【図１０】  図9に示す半導体部品実装済部品をラミネート処理した状態を示す断面図である。
【図１１】  図１に示す半導体部品実装済完成品が非接触ＩＣカードの場合であって、該非接触ＩＣカードに備わる半導体部品実装済部品の平面図である。
【図１２】  図１１に示すＩ−Ｉ部における断面図である。
【図１３】  図１１における非接触ＩＣカードの上記Ｉ−Ｉ部における断面図である。
【図１４】  図１１における非接触ＩＣカードにて、ジャンパーを設けた状態を示す平面図である。
【図１５】  図１に示す半導体部品実装済完成品の製造過程を示すフローチャートである。
【図１６】  図７に示す半導体部品実装済部品の変形例における断面図である。
【図１７】  図１６に示す半導体部品実装済部品にラミネート処理を施した状態における断面図である。
【図１８】  図７に示す半導体部品実装済部品のさらに別の変形例における断面図である。
【図１９】  図１８に示す半導体部品実装済部品にラミネート処理を施した状態における断面図である。
【図２０】  従来の非接触ＩＣカードの構造を示す斜視図である。
【図２１】  従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示すフローチャートである。
【図２２】  従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２３】  従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２４】  従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２５】  従来の非接触ＩＣカードの製造工程を示す断面図である。
【図２６】  従来の非接触ＩＣカードの構造を示す断面図である。
【図２７】  従来の非接触ＩＣカードにおける不具合状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１、１０２…非接触ＩＣカード、
１１３…バンプ、１１４…半導体素子、１１５…部材形成面、
１１６…回路パターン、１１７…電極、１１８…回路接続用部材、
１２１…半導体部品実装済部品、１２２…第１熱可塑性樹脂基材、
１２３…パターン形成面、１２４…第２熱可塑性樹脂基材、
１２５…第３熱可塑性樹脂基材、
１２８…半導体部品実装済部品、１２９…電子部品。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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