(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
四角形状の加工対象物を加工するレーザ加工装置において、
レーザ光を発生するレーザ発振器と、
前記レーザ発振器にて発生したレーザ光を加工対象物上で走査するスキャナ手段と、
前記スキャナ手段により走査されたレーザ光の反射光の光量を検出する光量検出手段と、
前記光量検出手段により検出された反射光の光量変化に基づいて前記加工対象物の位置を算出する位置算出手段とを備え、
前記スキャナ手段は、前記加工対象物上で第１の方向に向けて第１のレーザ光を走査し、当該第１の方向に向けて第１のレーザ光に平行な第２のレーザ光を走査するとともに、前記第１の方向に対して傾いた第２の方向に向けてレーザ光を走査し、
前記位置算出手段は、前記光量検出手段により検出された前記第１の方向に走査された第１のレーザ光および第２のレーザ光並びに前記第２の方向に走査されたレーザ光のそれぞれに対応する前記加工対象物からの反射光の光量変化から前記加工対象物の端部の位置を求め、この加工対象物の端部の位置に基づいて、前記加工対象物の位置を算出することを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】
四角形状の加工対象物の位置を測定する加工対象物の位置測定方法において、
加工対象物上で第１の方向に向けて第１のレーザ光を走査し、当該第１の方向に向けて第１のレーザ光に平行な第２のレーザ光を走査するとともに、前記第１の方向に対して傾いた第２の方向に向けてレーザ光を走査する工程と、
走査されたレーザ光の反射光の光量を検出する工程と、
前記第１の方向に走査された第１のレーザ光および第２のレーザ光並びに前記第２の方向に走査されたレーザ光のそれぞれに対応する前記加工対象物からの反射光の光量変化から前記加工対象物の端部の位置を求め、この加工対象物の端部の位置に基づいて、前記加工対象物の位置を算出する工程とを備えたことを特徴とする加工対象物の位置測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はレーザ光を用いて加工対象物を加工するレーザ加工装置に係り、とりわけガルバノメータスキャナ等によりレーザ光を走査しつつ加工対象物を加工するレーザ加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、レーザ光の光路上に配置されたガルバノメータスキャナ等によりレーザ光を走査しつつ加工対象物を加工するレーザマーキング装置等のレーザ加工装置が知られている。このようなレーザ加工装置においては一般に、加工対象物の位置を測定するために、ＣＣＤ（Charge Coupled Device ）カメラにより加工対象物を撮影するとともに、この撮影された画像を静止画像認識機構等を有する画像処理装置により認識する方法が採られている。なお、ＣＣＤカメラを用いて加工対象物の位置を測定する従来の方法としては、例えば図５および図６に示すようなものがある。
【０００３】
まず、図５により、従来のレーザ加工装置（レーザマーキング装置）の一例について説明する。図５に示すように、従来のレーザマーキング装置は、レーザ光を発生するレーザ発振器１と、レーザ発振器１にて発生したレーザ光を複数の加工対象物１０上で走査するガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂと、レーザ発振器１およびガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを制御するマーカコントローラ７と、複数の加工対象物１０の全体に照明光を照射する照明灯９と、照明灯９により照明光が照射された加工対象物１０を撮影するＣＣＤカメラ１３と、ＣＣＤカメラ１３により撮影された画像を認識するための静止画像認識機構を有する画像処理装置１４と、画像処理装置１４により認識された画像を表示するモニタ１５とを備えている。
【０００４】
図５に示すレーザマーキング装置において、加工対象物１０に対するマーキングは、マーカコントローラ７によりガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを制御しつつレーザ発振器１にて発生したレーザ光をガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを介して加工対象物１０上に照射することにより行われる。これに対し、加工対象物１０の位置測定は、照明灯９により照明光が照射された複数の加工対象物１０の全体をＣＣＤカメラ１３により撮影するとともに、この撮影された画像を画像処理装置１４により認識することにより行われる。なお、画像処理装置１４により認識された複数の加工対象物１０の画像はモニタ１５上に表示される。
【０００５】
次に、図６により、従来のレーザ加工装置（レーザマーキング装置）の別の例について説明する。ここで図６に示すレーザマーキング装置は、加工対象物１０に対する照明および撮影がガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを介して行われる点を除いて、他は図５に示すレーザマーキング装置と略同一である。図６に示すレーザマーキング装置において、図５に示すレーザマーキング装置と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【０００６】
図６に示すレーザマーキング装置において、加工対象物１０に対するマーキングは、マーカコントローラ７によりガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを制御しつつレーザ発振器１にて発生したレーザ光をガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを介して加工対象物１０上に照射することにより行われる。これに対し、加工対象物１０の位置測定は、ガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを介してライト１１にて発生した光（可視光）を加工対象物１０上に照射しつつ加工対象物１０からの反射光をガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを介してＣＣＤカメラ１３に取り込み、この取り込まれた反射光（画像）を画像処理装置１４により認識することにより行われる。ここでライト１１にて発生した光は、各加工対象物１０の大きさに対応した範囲にのみ照射される。そして、この照射箇所はガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂの回動動作により順次変更され、各加工対象物１０ごとにその位置が測定される。なお、画像処理装置１４により認識された各加工対象物１０の画像はモニタ１５上に表示される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来のレーザ加工装置においては、加工対象物の位置を測定するために、ＣＣＤカメラにより加工対象物を撮影するとともに、この撮影された画像を静止画像認識機構等を有する画像処理装置により認識している。
【０００８】
しかしながら、図５に示すようなレーザ加工装置（レーザマーキング装置）では、複数の加工対象物１０の位置を一括して測定しているので、分解能が上がらず所望の検出精度が得られないという問題がある。
【０００９】
また、図６に示すレーザ加工装置（レーザマーキング装置）では、複数の加工対象物１０のそれぞれの位置を順次測定していくので、図５に示すレーザマーキング装置よりも高い検出精度を得ることはできるが、各加工対象物１０ごとに拡大して測定しているため視野が狭くなり、全体の位置測定に長時間を要してしまうという問題がある。
【００１０】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、複数の加工対象物の位置を高い検出精度でかつ短時間に測定することができるレーザ加工装置および加工対象物の位置測定方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、四角形状の加工対象物を加工するレーザ加工装置において、レーザ光を発生するレーザ発振器と、前記レーザ発振器にて発生したレーザ光を加工対象物上で走査するスキャナ手段と、前記スキャナ手段により走査されたレーザ光の反射光の光量を検出する光量検出手段と、前記光量検出手段により検出された反射光の光量変化に基づいて前記加工対象物の位置を算出する位置算出手段とを備え、前記スキャナ手段は、前記加工対象物上で第１の方向に向けて第１のレーザ光と当該第１のレーザ光に平行な第２のレーザ光を走査するとともに、前記第１の方向に対して傾いた第２の方向に向けてレーザ光を走査し、前記位置算出手段は、前記光量検出手段により検出された前記第１の方向に走査された第１のレーザ光および第２のレーザ光並びに前記第２の方向に走査されたレーザ光のそれぞれに対応する前記加工対象物からの反射光の光量変化から前記加工対象物の端部の位置を求め、この加工対象物の端部の位置に基づいて、前記加工対象物の位置を算出することを特徴とするレーザ加工装置を提供する。
【００１２】
また本発明は、四角形状の加工対象物の位置を測定する加工対象物の位置測定方法において、加工対象物上で第１の方向に向けて第１のレーザ光と当該第１のレーザ光に平行な第２のレーザ光を走査するとともに、前記第１の方向に対して傾いた第２の方向に向けてレーザ光を走査する工程と、走査されたレーザ光の反射光の光量を検出する工程と、前記第１の方向に走査された第１のレーザ光および第２のレーザ光並びに前記第２の方向に走査されたレーザ光のそれぞれに対応する前記加工対象物からの反射光の光量変化から前記加工対象物の端部の位置を求め、この加工対象物の端部の位置に基づいて、前記加工対象物の位置を算出する工程とを備えたことを特徴とする加工対象物の位置測定方法を提供する。
【００１３】
本発明によれば、加工対象物上で所定方向に向けてレーザ光を走査するとともに、加工対象物からの反射光の光量変化に基づいて加工対象物の位置を算出しているので、各加工対象物の位置を高い検出精度でかつ短時間に測定することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１乃至図３は本発明によるレーザ加工装置および加工対象物の位置測定方法の一実施の形態を示す図であり、図１は加工対象物１０上に文字や図形等のマーキングを行うレーザマーキング装置を示している。
【００１５】
図１に示すように、レーザマーキング装置は、ＹＡＧレーザ光を発生するＹＡＧレーザ発振器１と、可視光であるＨｅ−Ｎｅレーザ光を発生するＨｅ−Ｎｅレーザ発振器３と、ＹＡＧレーザ発振器１およびＨｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生したレーザ光を、治具（図示せず）上に載置された複数の加工対象物１０上で走査するガルバノメータスキャナ（スキャナ手段）２ａ，２ｂと、ＹＡＧレーザ発振器１およびガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを制御するマーカコントローラ７と、加工対象物１０または治具から反射されたレーザ光の光量を検出するＰＩＮフォトダイオード（光量検出手段）４と、ＰＩＮフォトダイオード４により検出された反射光の光量変化に基づいて加工対象物１０の位置を算出する光量処理装置（位置算出手段）５と、光量処理装置５による処理結果を表示するモニタ６とを備えている。
【００１６】
ここで、ＹＡＧレーザ発振器１およびＨｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生したレーザ光の光路上には一対のハーフミラー１２ａ，１２ｂが配置されており、一方のハーフミラー１２ａはＹＡＧレーザ発振器１にて発生したレーザ光を透過させるとともに加工対象物１０または治具からの反射光をＰＩＮフォトダイオード４に向けて反射させるものである。また他方のハーフミラー１２ｂは、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生したＨｅ−Ｎｅレーザ光を一方のハーフミラー１２ａに向けて反射させるとともに一方のハーフミラー１２ａにて反射された加工対象物１０または治具からの反射光をＰＩＮフォトダイオード４に向けて透過させるものである。なお、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生したＨｅ−Ｎｅレーザ光は、一方のハーフミラー１２ａにおいてＹＡＧレーザ発振器１にて発生したＹＡＧレーザ光と同軸となるように重ね合わされるようになっている。
【００１７】
また、複数の加工対象物１０の上方には照明灯９が設けられている。なお照明灯９は、加工対象物１０の配置作業等を容易にするために設けられたものであり、加工対象物１０の位置測定に直接必要とされるものではない。
【００１８】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
【００１９】
まず、加工対象物１０上に文字や図形等のマーキングを行う前に、治具上における加工対象物１０の位置測定を行う。このような位置測定時には、マーカコントローラ７の制御の下で、ＹＡＧレーザ発振器１にてＹＡＧレーザ光を発生させ、この発生したＹＡＧレーザ光をハーフミラー１２ａを介してガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂに導く。なお、このような位置測定時におけるレーザ光の出力はマーキング時の出力よりも低く設定されている。また、ＹＡＧレーザ光は波長が１．０６μｍで目に見えないため、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生した可視光であるＨｅ−Ｎｅレーザ光をハーフミラー１２ａ，１２ｂを介してＹＡＧレーザ光と同軸となるように重ね合わせる。
【００２０】
また同時に、マーカコントローラ７の制御の下で、ガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを作動させ、これによりＹＡＧレーザ発振器１およびＨｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生したレーザ光を治具上に載置された複数の加工対象物１０上で走査する。ここで、複数の加工対象物１０が図１に示すように治具上で一列に並んでいる場合には、複数の加工対象物１０のそれぞれをレーザ光が順次横切るよう直線的に走査する。
【００２１】
このようにして走査されたレーザ光は加工対象物１０の表面または治具の表面で反射され、この反射光はガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂおよびハーフミラー１２ａ，１２ｂを介してＰＩＮフォトダイオード４に戻される。
【００２２】
そして、ＰＩＮフォトダイオード４により、加工対象物１０の表面または治具の表面で反射された反射光の光量が検出され、さらに光量処理装置５により、ＰＩＮフォトダイオード４により検出された反射光の光量変化に基づいて加工対象物１０の位置が算出される。なお、光量処理装置５による処理結果はモニタ６上に表示される。
【００２３】
ここで例えば、レーザ光を所定方向に直線的に走査する場合には、レーザ光の反射光の光量は加工対象物１０の反射率と治具の反射率との相違や、加工対象物１０および治具の高低差等に応じて変化するので、このような反射光の光量変化に基づいて所定方向に向かう走査直線上での加工対象物１０の端部の位置を測定することができる。
【００２４】
図２（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、このような位置測定時におけるＰＩＮフォトダイオード４での検出例を示す図であり、治具１８上に載置された１つの加工対象物１０（図２（ａ）参照）に対してレーザ光を図面の左右方向に走査した場合の検出例を図２（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示す。図２（ｂ）（ｃ）（ｄ）のうち、図２（ｂ）は加工対象物１０の表面の反射率が治具１８の表面の反射率よりもはるかに大きい場合の検出例を示す図、図２（ｃ）は加工対象物１０の表面の反射率と治具１８の表面の反射率とが略同一でかつ加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 および治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 の高低差が少ない場合の検出例を示す図、図２（ｄ）は加工対象物１０の表面の反射率と治具１８の表面の反射率とが略同一でかつ加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 および治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 の高低差が極端に大きい場合の検出例を示す図である。
【００２５】
図２（ｂ）に示すように、加工対象物１０の表面の反射率が治具１８の表面の反射率よりもはるかに大きい場合には、加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 において反射レベルが急激に変化する。このため光量処理装置５は、ＰＩＮフォトダイオード４により検出されたこのような反射レベルの変化に基づいて走査直線上での加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 の位置を検出することができる。なお、加工対象物１０の左端Ｍ2 より左側、または加工対象物１０の右端Ｍ3 より右側には治具１８の表面しか存在しないので、この部分では反射レベルがほとんど変化しない（治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 においてはその高低差に対応したわずかな変化のみが検出される）。
【００２６】
また図２（ｃ）に示すように、加工対象物１０の表面の反射率と治具１８の表面の反射率とが略同一でかつ加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 および治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 の高低差が少ない場合には、レーザ光に略垂直な反射面からの反射レベルは略同一であるが、加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 および治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 においては反射レベルがいったん急激に下降する。このため光量処理装置５は、ＰＩＮフォトダイオード４により検出されたこのような反射レベルの変化と、治具１８上における加工対象物１０のおおよその位置関係とに基づいて走査直線上での加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 の位置を検出することができる。
【００２７】
さらに図２（ｄ）に示すように、加工対象物１０の表面の反射率と治具１８の表面の反射率とが略同一でかつ加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 および治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 の高低差が極端に大きい場合には、加工対象物１０の表面または治具１８の表面からの反射レベルが反射面の高低差に対応して変化し、加工対象物１０の表面または治具１８の表面からの反射レベルは加工対象物１０および治具１８の断面とほぼ同一形状の波形として検出される。このため光量処理装置５は、ＰＩＮフォトダイオード４により検出されたこのような反射レベルの変化に基づいて走査直線上での加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 の位置を検出することができる。
【００２８】
なお図２（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示すように、加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 および治具１８の段差部分Ｍ1 ，Ｍ4 において、反射レベルの波形の変化点位置と加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 等の位置とは完全には一致していない。このため光量処理装置５においては、例えば反射レベルの上昇（下降）開始点位置および上昇（下降）終了点位置の位置座標の平均値等を算出することにより両端Ｍ2 ，Ｍ3 等の位置を求めるようにするとよい。
【００２９】
このようにして、レーザ光を加工対象物１０の所定の一方向に走査することにより、ＰＩＮフォトダイオード４および光量処理装置５により走査直線上での加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 の位置を測定することができる。ここで、治具上における加工対象物１０のずれが一方向にのみ生じる場合には、上述したような一方向への走査のみで加工対象物１０の位置を測定することも可能である。しかしながら、図３（ａ）に示すように、治具上において加工対象物１０が任意の方向にずれるような場合には、上述したような一方向への走査のみでは加工対象物１０の位置を確実に測定することができない。
【００３０】
ここで図３（ａ）（ｂ）により、加工対象物１０が治具上で任意の方向にずれる場合の位置測定方法について説明する。なおここでは、図３（ａ）に示すように、矩形状の加工対象物１０が加工予定位置（図３（ａ）の２点鎖線）から実際の位置（図３（ａ）の実線）までずれているものとする。
【００３１】
この場合には、第１に、レーザ光を加工対象物１０上で符号▲１▼▲２▼▲３▼の方向に走査することにより各走査直線▲１▼▲２▼▲３▼上での加工対象物１０の端部の位置を測定する。
【００３２】
具体的には、まず第１に、直線ｘ＝Ｘ１に沿ってＹ軸方向にレーザ光を走査し（符号▲１▼）、この走査されたレーザ光に対応する反射光の光量変化に基づいて加工対象物１０の位置Ａ（Ｘ１，Ｙ１），Ｂ（Ｘ１，Ｙ１′）を測定する。第２に、直線ｘ＝Ｘ２（＝Ｘ１＋Δｘ）に沿ってＹ軸方向にレーザ光を走査し（符号▲２▼）、この走査されたレーザ光に対応する反射光の光量変化に基づいて加工対象物１０の位置Ｃ（Ｘ２，Ｙ２），Ｄ（Ｘ２，Ｙ２′）を測定する。第３に、直線ｙ＝Ｙ３に沿ってＸ軸方向にレーザ光を走査し（符号▲３▼）、この走査されたレーザ光に対応する反射光の光量変化に基づいて加工対象物１０の位置Ｅ（Ｘ３，Ｙ３），Ｆ（Ｘ３′，Ｙ３）を測定する。
【００３３】
このようにして３つの走査直線▲１▼▲２▼▲３▼上での加工対象物１０の端部の位置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，ＥおよびＦを測定した後、これらの位置Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，ＥおよびＦの座標に基づいて加工対象物１０の実際の位置を特定する。
【００３４】
具体的には、まず、位置Ａ，Ｃの座標値Ｘ１，Ｘ２，Ｙ１，Ｙ２に基づいて次式（１）により、加工対象物１０のＸ軸に対する傾きθを計算する。なお次式（１）においてΔｘ＝Ｘ２−Ｘ１，Δｙ＝Ｙ２−Ｙ１である。
【００３５】
θ＝Ｔａｎ-1（Δｙ／Δｘ）    …  （１）
ここで、加工対象物１０の加工予定位置における仮想原点Ｏ１の座標を（Ｘ０，Ｙ０）、仮想原点Ｏ１に対応する実際の原点Ｏ２の座標を（Ｘ０″，Ｙ０″）とすると、加工対象物１０の実際の位置における特定の点Ｐ２の座標（Ｘ″，Ｙ″）は、点Ｐ２に対応する加工予定位置における点Ｐ１の座標（Ｘ，Ｙ）の関数として次式（２）（３）により求められる。
【００３６】
Ｘ″＝Ｘｃｏｓθ−Ｙｓｉｎθ＋（Ｘ０″−Ｘ０）    …  （２）
Ｙ″＝Ｘｓｉｎθ＋Ｙｃｏｓθ＋（Ｙ０″−Ｙ０）    …  （３）
なお上式（２）（３）において、
Ｘ０″＝｛（ｍ2 ・Ｘ１＋Ｘ３）−ｍ・（Ｙ１−Ｙ３）｝／（ｍ2 ＋１）
Ｙ０″＝｛（ｍ2 ・Ｙ３＋Ｙ１）−ｍ・（Ｘ１−Ｘ３）｝／（ｍ2 ＋１）
ｍ＝Δｙ／Δｘ
である。
【００３７】
以上のようにして加工対象物１０の実際の位置（Ｘ″，Ｙ″）が求められた場合には、加工予定位置（Ｘ，Ｙ）を基準として規定されているマーキング情報を上式（２）（３）に従って加工対象物１０の実際の位置に対応したマーキング情報に変換する。その後、マーカコントローラ７の制御の下で、この変換されたマーキング情報に基づいてガルバノメータスキャナ２ａ，２ｂを作動させ、ＹＡＧレーザ発振器１にて発生したＹＡＧレーザ光を加工対象物１０上に照射することにより、加工対象物１０上に文字や図形等のマーキングを行う。なお、このようなマーキング時には、レーザ光の出力が加工に適した出力レベルとなるようＹＡＧレーザ発振器１が再設定される。また、このようなマーキング中においても、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生した可視光であるＨｅ−Ｎｅレーザ光をＹＡＧレーザ発振器１にて発生したＹＡＧレーザ光に重ね合わせ、これによりマーキング状況を目で確認できるようにしてもよい。
【００３８】
このように本実施の形態によれば、マーカコントローラ７の制御の下で、ＹＡＧレーザ発振器１にて発生したレーザ光を治具上に載置された複数の加工対象物１０上で走査するとともに、このようにして走査されたレーザ光の反射光の光量をＰＩＮフォトダイオード４により検出し、さらにＰＩＮフォトダイオード４により検出された反射光の光量変化に基づいて光量処理装置５により加工対象物１０の位置を算出しているので、各加工対象物１０の位置を高い検出精度でかつ短時間に測定することができ、また加工対象物１０の外形があらかじめ分かっている場合には任意の形状の加工対象物１０についてその位置を測定することができる。
【００３９】
さらに、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３にて発生したＨｅ−Ｎｅレーザ光をハーフミラー１２ａ，１２ｂを介してＹＡＧレーザ光と同軸となるように重ね合わせているので、位置測定時等においてＹＡＧレーザ光の走査状況を目で確認することができる。
【００４０】
以上、本発明の一実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。例えば図４に示すように、ＰＩＮフォトダイオード４の入射部の近傍にピンホール８を設け、これにより正反射光以外の乱反射光および外部光の入射を防ぐようにしてもよく、またＹＡＧレーザ光の走査状況およびマーキング状況を目で確認する必要がない場合には、Ｈｅ−Ｎｅレーザ発振器３をレーザマーキング装置の構成から除外するようにしてもよい。
【００４１】
また、上述した実施の形態では、加工対象物１０の両端Ｍ2 ，Ｍ3 等における反射レベルの変化に基づいて加工対象物１０の位置を測定しているが、加工対象物１０の一部に凸部や刻印マーク等がある場合にはこれらの端部等における反射レベルの変化に基づいて加工対象物１０の位置を測定することも可能である。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、加工対象物上で所定方向に向けてレーザ光を走査するとともに、加工対象物からの反射光の光量変化に基づいて加工対象物の位置を算出しているので、各加工対象物の位置を高い検出精度でかつ短時間に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるレーザ加工装置の一実施の形態を示す図。
【図２】図１に示すレーザ加工装置における反射光の光量変化の検出例を示す図。
【図３】図１に示すレーザ加工装置における加工対象物の位置算出方法を説明するための図。
【図４】本発明によるレーザ加工装置の別の実施の形態を示す図。
【図５】従来のレーザ加工装置の一例を示す図。
【図６】従来のレーザ加工装置の別の例を示す図。
【符号の説明】
１  ＹＡＧレーザ発振器
２ａ，２ｂ  ガルバノメータスキャナ（スキャナ手段）
４  ＰＩＮフォトダイオード（光量検出手段）
５  光量処理装置（位置算出手段）
７  マーカコントローラ
１０  加工対象物
【図１】
0003984683.tif 000002
【図２】
0003984683.tif 000003
【図３】
0003984683.tif 000004
【図４】
0003984683.tif 000005
【図５】
0003984683.tif 000006
【図６】
0003984683.tif 000007