(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチックフィルムからなる基材上に金属薄膜層／セラミック薄膜層の順に積層されている導電性低反射積層体であって、金属薄膜層が金、銀の合金をからなり、かつセラミック薄膜層が、酸化錫、酸化セリウムの混合酸化物をからなることを特徴とする導電性低反射積層体。
【請求項２】
基材と金属薄膜層の間にハードコートが形成されていることを特徴とする請求項１記載の導電性低反射積層体。
【請求項３】
セラミック薄膜層の金属薄膜層とは反対側に防汚層が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の導電性低反射積層体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、主として、ディスプレーに利用される、透明導電膜および導電性低反射膜の技術分野に属する。
【０００２】
【従来の技術】
透明導電膜としては、主に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）が使用されている。しかし、高光線透過率と低抵抗を両立することは、光学的に困難であり、とりわけ、プラスチックフィルムを用いた場合などの低温成膜においては大問題となっている。
【０００３】
低反射膜とは、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）やＣＲＴ（Ｃａｔｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）等のディスプレーにおいて、最外層もしくはそれに準じる位置に形成され、蛍光灯や太陽光等の外光の反射によってディスプレーが見にくくなることを防止するために利用されている。即ち、ディスプレー表面において、可視光の反射率を低減させる機能を有する膜のことを言う。現在まで、屈折率の異なる材料から成る膜を積層することにより可視領域の光線反射率を低減させることが検討されてきている。一般的には、材料には低屈折材料の酸化シリコンと高屈折材料の酸化チタン等の酸化物を用い、屈折率と膜厚等を厳重に考慮して無機多層低反射膜を形成する。
【０００４】
しかし、ディスプレーを有する多くの装置においては、外部から飛来する電磁波を遮蔽するため、もしくは該装置内部から発生する電磁波が外部に漏れることを防ぐための電磁波遮蔽膜が設けられていることが望ましい。
【０００５】
そこで、上記無機多層低反射膜の高屈折率層にＩＴＯを用いる構成や、Ａｇ薄膜の表裏にＩＴＯ薄膜を積層（基材／ＩＴＯ層１／銀層／ＩＴＯ層２）して、構成される多層膜が検討されている。
【０００６】
しかしながら、上記の構成はいずれも３層以上の構成であるため、コストが高いうえ、その層数の多さから、収率も低くなる可能性が極めて高い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は以上のような問題点に着目してなされたもので、透明導電膜の機能の面ではＩＴＯ１層では達成困難な、高光線透過率と低抵抗を両立し、さらに、導電性低反射膜の機能の面では、２層という層数で、低光線反射率と低抵抗を両立する、積層体を提供することを課題とする。
基本的に２層構成で高導電性、高光線透過率、および低反射率の機能を合わせ持つことを特徴とする積層体を提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、プラスチックフィルムからなる基材上に金属薄膜層／セラミック薄膜層の順に積層されている導電性低反射積層体であって、金属薄膜層が金、銀の合金をからなり、かつセラミック薄膜層が、酸化錫、酸化セリウムの混合酸化物をからなることを特徴とする導電性低反射積層体である。
【０００９】
請求項２記載の発明は、基材と金属薄膜層の間にハードコートが形成されていることを特徴とする請求項１記載の導電性低反射積層体である。
【００１０】
請求項３記載の発明は、セラミック薄膜層の金属薄膜層とは反対側に防汚層が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の導電性低反射積層体である。
【００１３】
以下、本発明を詳述する。
本発明の積層体の高光線透過率および低光線反射率の性能は、セラミック薄膜層と金属薄膜層の光学特性によって発揮される。それ故、本発明としては、各層の膜厚には詳しく言及していないが、本願発明において発明の主題となっていないだけであって、積層体が高光線透過率および低光線反射率を得るためには、各層の膜厚の調整が必要なことは言うまでもなく、本願発明のように材料を変更すれば、高光線透過率および低光線反射率を得るためにさらなる膜厚の調整が必要なことは言うまでもない。
【００１４】
本発明において、セラミック薄膜とは無機化合物薄膜であって、酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物などから成る薄膜をいう。
【００１５】
具体的に酸化物の例としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫のいずれか、または、それらの２種もしくは３種の混合酸化物が挙げられるが、目的および用途によっていかなる材料を用いても良い。例えば、前記の酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫の他、ガリウム、マグネシウム、チタン、アルミニウム、シリコン、セリウムなどのＩＩＩ族、ＩＶ族、ランタノイドの酸化物もしくはそれらの混合酸化物がある。
【００１６】
なお、成膜法によつては、非化学量論的な膜が形成される場合もあるので、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫や、ガリウム、マグネシウム、チタン、アルミニウム、シリコン、セリウムなどのＩＩＩ族、ＩＶ族、ランタノイドの酸化物は、通常の化学反応による元素組成比の膜組成であるとは限らない。また、膜方向により連続的もしくは断続的に一つの膜内で組成が変化するものであっても上記の条件を満たす層からなるものであれば、構わない。
また、本性質の膜の特性に反しない範囲ないで１０％以内の他の成分による不純物を含むものでも本発明の意図する膜組成と言える。
【００１７】
本発明にかかわる金属薄膜層は、導電性に優れていれば、いかなる材料でも良いが、例としては、金、銀、銅もしくはそれらの合金を挙げることができる。特に、これらの中で、銀を主成分としたものは、導電性および光学特性の面で優れている。
また、本性質の膜の特性に反しない範囲ないで１０％以内の金、銀、銅以外の成分による不純物を含むものでも本発明の意図する膜組成と言える。
【００１８】
本発明にかかわる基材は、いかなる材質であっても、また平板状に限らずいかなる形状であっても、可撓性があっても無くても良いが、ディスプレーへの応用を考慮すると、ガラスやプラスチックフィルムを挙げることができる。ここで、プラスチックとは有機物であって高分子のものをいう。
【００１９】
本発明にかかわる成膜方法は、目的の薄膜を形成できる方法であればいかなる方法でも良いが、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング、ＣＶＤ（化学的真空成膜法）などの成膜方法が適している。
【００２０】
本発明で用いている、基材上に金属薄膜層／セラミック薄膜層の順に積層されている積層体とは、金属薄膜層／セラミック薄膜層が結果として連続して基材上に形成されていれば良く、基材上の両面もしくは片面、および、セラミック薄膜層の金属薄膜層とは反対側に、何らかの処理もしくは成膜を施すことは、目的の特性に実質的に悪影響を及ぼさないかぎり、なんら問題ない。
【００２１】
たとえば、基材と金属薄膜層の間に、ハードコート、酸素および水蒸気バリア膜、密着層などの層を介したものであっても良い。また、セラミック層の金属薄膜層とは反対側に撥水層や防汚層などの層を形成したものであっても良い。
金属薄膜層およびセラミック薄膜層は、前処理、後処理、表面処理を全く行わなくとも良いが、必要に応じて処理（プラズマ処理、イオンボンバード処理等）を施しても良い。
【発明の実施の形態】
【００２２】
実施の形態について、実施例を参照して説明する。
図１に、本発明の積層体実施例を示す。金属薄膜層、セラミック薄膜層は、それぞれ、膜厚、屈折率、吸収係数など光学膜の設計に必要な条件を充分考慮して構成される。
【実施例】
【００２３】
基材に厚さ１００μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、セラミック薄膜層に酸化錫、酸化セリウム混合酸化物、金属薄膜層に銀、銅の合金、を用いた。
【００２４】
セラミック薄膜の酸化物の混合比は、酸化錫：酸化セリウム＝９５：５重量％、金属薄膜層の混合比は、銀：銅＝９８：２原子％のものを用いた。成膜方法は、金属薄膜層にはＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリング法を用い、セラミック膜にはプラズマアシストＥＢ（電子ビーム）蒸着法を用いた。各層の目標膜厚は、セラミック薄膜層が約３０ｎｍ、金属薄膜層が約７ｎｍ、とした。
【００２５】
形成した積層体の光線透過率と光線反射率のグラフを図２に、基材であるＰＥＴフィルムのものとあわせて示す。それぞれ波長５５０ｎｍでの値は、それぞれ光線透過率が８３．３％（基材のみ：８６．０％）、光線反射率が０．８％（基材のみ：６．７％）となり、高光線透過率、および、低反射率が得られた。
【００２６】
また、積層体の表面抵抗を測定したところ、１５Ω／□（膜厚および形状考慮の四端子法による）となった。この抵抗値は、膜厚および光線透過率を考慮すると極めて低抵抗である。
【００２７】
図３に積層体が２層構成であることを明確にするために、Ｘ線光電子分光法による深さ方向の分析結果を示す。分析の際は、セラミック薄膜層を示すＳｎ、金属薄膜層を示すＡｇと、基材であるＰＥＴフィルムを示すＣを分析した。この測定結果により、本積層体が２層構成であることが明確となった。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の積層体によれば、膜厚、屈折率、吸収係数等、光学膜の設計に必要な条件を考慮して、基材上に金属薄膜層／セラミック薄膜層の順に積層体を形成することにより、透明導電膜の機能の面ではＩＴＯ１層では達成困難な、高光線透過率と低抵抗を両立し、さらに、導電性低反射膜の機能の面では、２層という層数で、低光線反射率と低抵抗を両立する、積層体が得られる。また、この層数が少ないことにより、飛躍的なコストダウンと、収率の格段の向上が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す説明図である。
【図２】実施例の光線透過率および光線反射率を示すグラフである。
【図３】実施例が２層構成であることを示す光電子分光法による深さ方向分析の結果のグラフである。
【符号の説明】
１…基材  ２…金属薄膜層  ３…セラミック薄膜層
【図１】
0003879178.tif 000002
【図２】
0003879178.tif 000003
【図３】
0003879178.tif 000004