(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１入力基準電圧および第１入力信号電圧を、第２基準電圧および第２信号電圧に変換する電圧変換回路において、
待機指示に基づいて待機制御信号を出力し、動作指示に基づいて動作制御信号を出力する制御回路と、
該制御回路からの出力信号を反転させた第１反転信号を出力する反転回路と、
前記待機制御信号および前記第１反転信号が入力されると待機用信号を出力し、前記動作制御信号および前記第１反転信号が入力されると、選択的に入力される前記第１入力基準電圧および前記第１入力信号電圧にそれぞれ対応した基準用信号および動作用信号を出力する３値論理回路と、
前記待機用信号および前記第１反転信号が入力された場合には出力レベルを前記第２基準電圧および前記第２信号電圧のいずれか一方に固定し、前記動作用信号および前記第１反転信号が入力された場合には、前記第１入力基準電圧の入力により前記第２基準電圧および前記第２信号電圧のいずれか一方を出力し、前記第１入力信号電圧の入力により前記第２基準電圧および前記第２信号電圧の他方を出力する電圧出力回路と、
を有する電圧変換回路。
【請求項２】
第１基準入力電圧および第１入力信号電圧を、第２基準電圧および第２信号電圧に変換する電圧変換回路において、
待機指示および動作指示のいずれか一方が選択的に入力されると、その入力された信号を反転させた第１反転信号を出力する第１反転制御回路と、該第１反転信号を反転させた待機制御信号または動作制御信号を出力する第２反転制御回路とが設けられた制御回路と、
前記待機制御信号および前記第１反転信号が入力されると待機用信号を出力し、前記動作制御信号および前記第１反転信号が入力されると、選択的に入力される前記第１入力基準電圧および前記第１入力信号電圧にそれぞれ対応した基準用信号および動作用信号を出力する３値論理回路と、
前記待機用信号および前記第１反転信号が入力された場合には出力レベルを前記第２基準電圧および前記第２信号電圧のいずれか一方に固定し、前記動作用信号および前記第１反転信号が入力された場合には、前記第１入力基準電圧の入力により前記第２基準電圧および前記第２信号電圧のいずれか一方を出力し、前記第１入力信号電圧の入力により前記第２基準電圧および前記第２信号電圧の他方を出力する電圧出力回路と、
を有する電圧変換回路。
【請求項３】
前記動作制御信号の出力時に前記３値論理回路の出力端を第１信号電圧に接続し、前記待機制御信号の出力時に前記３値論理回路の出力端を前記第１信号電圧から切り離すように制御可能に構成されたプルアップ回路をさらに有する、請求項１または２に記載の電圧変換回路。
【請求項４】
前記３値論理回路は、第１Ｐ型ＭＯＳトランジスタおよび第１Ｎ型ＭＯＳトランジスタから成るＣＭＯＳインバータを有し、該第１Ｐ型ＭＯＳトランジスタのソース端子には、第２Ｐ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子が接続され、前記第１Ｎ型ＭＯＳトランジスタのソース端子には、第２Ｎ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子が接続され、前記第２Ｐ型ＭＯＳトランジスタのソース端子は第１信号電圧に接続され、前記第２Ｎ型ＭＯＳトランジスタのソース端子は、第１基準電圧に接続され、前記第２Ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子には前記第１反転信号が入力され、前記第２のＰ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子には、前記待機制御信号または前記動作制御信号が入力され、前記ＣＭＯＳインバータの前記第１Ｐ型ＭＯＳトランジスタおよび前記第１Ｎ型ＭＯＳトランジスタの各ゲート端子には、前記第１入力基準電圧または前記第１入力信号電圧が入力されるように構成されている請求項１または２に記載の電圧変換回路。
【請求項５】
前記電圧出力回路は、それぞれのソース端子が第２信号電圧に接続されて相互に並列に設けられた第１および第２の各Ｐ型ＭＯＳトランジスタを有し、該第１のＰ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子は該第２のＰ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子に接続され、該第２のＰ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子は該第１のＰ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子に接続され、該第１のＰ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子は第１Ｎ型ＭＯＳトランジスタおよび第２Ｎ型ＭＯＳトランジスタを介して第２基準電圧に接続され、前記第２のＰ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子は、第３Ｎ型ＭＯＳトランジスタを介して前記第２基準電圧に接続されており、該第３Ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子には前記３値論理回路の出力が入力され、前記第２Ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子には前記第１入力基準電圧または前記第１入力信号電圧が入力され、前記第１Ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子には前記第１反転信号が入力されるように構成されている請求項１または２に記載の電圧変換回路。
【請求項６】
前記第１のＰ型ＭＯＳトランジスタのドレインと前記第１Ｎ型ＭＯＳトランジスタとのノードにインバータが接続されるとともに、前記第２のＰ型ＭＯＳトランジスタのドレインと前記第３Ｎ型ＭＯＳトランジスタとのノードにインバータが接続されている、請求項５に記載の電圧変換回路。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の電圧変換回路を集積した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電圧変換回路およびそれを用いた半導体装置に関し、特に、電源電圧の異なる回路間における信号電圧レベルを変換する電圧変換回路およびそれを用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電源電圧の異なる回路間にて信号の伝達を行う場合には、それらの回路間のインターフェイス回路として信号電圧の振幅レベルを変換する電圧変換回路（レベルシフター回路）が使用されている。
【０００３】
例えば、ＭＯＳトランジスタによって構成され、異なる電源電圧にて駆動される複数の回路部を有し、インターフェイス回路として動作する電圧変換回路の回路構成およびその動作を以下に説明する。
【０００４】
図７は、上記インターフェイス回路である電圧変換回路Ａの回路図である。図７に示す電圧変換回路Ａは、インバータ回路７０および電圧出力回路８０を有している。
【０００５】
電圧出力回路８０の電源電圧および基準電圧（Ｌｏｗレベル）は、それぞれＶＤＤ１およびＶＳＳ１である。また、インバータ回路７０の電源電圧および基準電圧（Ｌｏｗレベル）は、それぞれＶＤＤ２およびＶＳＳ１である。ここで、電圧条件としては、ＶＤＤ１＞ＶＤＤ２およびＶＳＳ１＝ＶＳＳ２＝ＧＮＤレベルであり、この条件を電圧条件Ａとする。
【０００６】
電圧出力回路８０は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８０ｃおよび８０ｄが並列に接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８０ｃおよび８０ｄの各ソース端子は、それぞれ電源電圧ＶＤＤ１に接続され、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８０ｃおよび８０ｄの各ドレイン端子は、それぞれＮ型ＭＯＳトランジスタ８０ａおよび８０ｂのドレイン端子にそれぞれ接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８０ｃおよび８０ｄの各ゲート端子は、それぞれＮ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂおよび８０ａのドレイン端子にそれぞれ接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂの各ドレイン端子は、電圧変換回路Ａの出力端子である出力ノードＢとなる。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａおよび８０ｂの各ソース端子は、それぞれＶＳＳ１＝ＧＮＤ（アース）に接続される。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのゲート端子は、インバータ回路７０の入力端子に接続され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂのゲート端子は、インバータ回路７０の出力端子に接続される。
【０００７】
インバータ回路７０は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ７０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ７０ａから構成されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ７０ｂのドレイン端子およびゲート端子は、それぞれＮ型ＭＯＳトランジスタ７０ａのドレイン端子およびゲート端子にそれぞれ接続される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ７０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ７０ａの各ドレイン端子は、インバータ回路７０の出力端子となり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ７０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ７０ａの各ゲート端子は、インバータ回路７０の入力端子となる。インバータ回路７０の入力端子は、電圧変換回路Ａの入力端子である入力ノードＡとなる。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ７０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ７０ａのソース端子は、それぞれ電源電圧ＶＤＤ２およびＶＳＳ２＝ＧＮＤ（アース）に接続される。
【０００８】
図７の電圧変換回路Ａは、入力ノードＡに信号電圧Ａ（Ｈｉｇｈレベル：ＶＤＤ２、Ｌｏｗレベル：ＶＳＳ２）が入力されると、出力ノードＢから信号電圧Ｂ（Ｈｉｇｈレベル：ＶＤＤ１、Ｌｏｗレベル：ＶＳＳ１）が出力され、信号電圧ＡのＨｉｇｈレベル：ＶＤＤ２を、信号電圧ＢのＨｉｇｈレベル：ＶＤＤ１に電圧変換する。この動作を、以下に説明する。尚、ＨｉｇｈレベルはＨ状態、ＬｏｗレベルはＬ状態と明記する。
【０００９】
入力ノードＡがＨ（ＶＤＤ２）状態の場合を考える。入力ノードＡがＨ状態になると、インバータ回路７０の入力端子および電圧出力回路８０のＮ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのゲート端子がＨ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａはＯＮ状態となる。この時、インバータ回路７０の出力端子はＬ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのドレイン端子はＬ状態となる。インバータ回路７０の出力端子がＬ状態となると、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂのゲート端子もＬ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂは、ＯＦＦ状態となりＮ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂのドレイン端子はＨ状態となる。
【００１０】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂのドレイン端子がＨ状態となるとＰ型ＭＯＳトランジスタ８０ｃのゲート端子もＨ状態となり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８０ｃはＯＦＦ状態となり、電圧出力回路８０の電源電圧ＶＤＤ１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのドレイン端子に印加されず、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのドレイン端子はＬ状態を保持する。
【００１１】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのドレイン端子がＬ状態であると、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８０ｄのゲート端子もＬ状態となり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８０ｄがＯＮ状態となる。これにより、電圧出力回路８０の電源電圧ＶＤＤ１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂのドレイン端子に印加される。この時、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂは、ＯＦＦ状態であるので、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂのドレイン端子のＨ状態（ＶＤＤ１）が出力端子である出力ノードＢより出力される。
【００１２】
入力ノードＡがＬ（ＶＳＳ２）状態の場合も同様に説明でき、出力ノードＢはＬ（ＶＳＳ１）状態となる。ここで、ＶＳＳ１＝ＶＳＳ２＝ＧＮＤである。
【００１３】
次に、電源電圧の異なる回路間に、図７に示す電圧変換回路Ａではなく、インバータ回路のみが設けられた場合の動作を図８を用いて説明する。
【００１４】
図８に示すインバータ回路は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ９０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ９０ａから構成されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ９０ｂのドレイン端子およびゲート端子は、それぞれＮ型ＭＯＳトランジスタ９０ａのドレイン端子およびゲート端子に接続される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ９０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ９０ａのドレイン端子は、インバータ回路の出力端子である出力ノードＢとなり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ９０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ９０ａのゲート端子は、インバータ回路の入力端子である入力ノードＡとなる。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ９０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ９０ａのソース端子は、それぞれ電源電圧ＶＤＤ１およびＶＳＳ１＝ＧＮＤ（アース）に接続される。
【００１５】
このインバータ回路の入力ノードＡに、前述の電圧条件Ａ（ＶＤＤ１＞ＶＤＤ２およびＶＳＳ１＝ＶＳＳ２＝ＧＮＤレベル）を満足する信号電圧Ａ（Ｈ：ＶＤＤ２、Ｌ：ＶＳＳ２）が印加される場合の動作を説明する。
【００１６】
ＶＤＤ１とＶＤＤ２との電位差（＝ＶＤＤ１−ＶＤＤ２）が、図８のＰ型ＭＯＳトランジスタ９０ｂの閾値電圧未満である場合、入力ノードＡにＨ状態（ＶＤＤ２）の信号電圧Ａが入力されると、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ９０ｂはＯＦＦ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ９０ａはＯＮ状態となるため、出力ノードＢはＬ状態（ＶＳＳ１）となる。また、入力ノードＡにＬ状態（ＶＳＳ２）の信号電圧Ａが入力されると、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ９０ｂはＯＮ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ９０ａはＯＦＦ状態となるため、出力ノードＢはＨ状態（ＶＤＤ１）となる。これにより、インバータ回路は正常に動作し、入力ノードＡおよび出力ノードＢ間にて、電圧変換（ＶＤＤ２→ＶＤＤ１）が行われる。
【００１７】
ところが、ＶＤＤ１とＶＤＤ２との電位差が、図８のＰ型ＭＯＳトランジスタ９０ｂの閾値電圧以上である場合、入力ノードＡにＨ状態（ＶＤＤ２）の信号電圧Ａが入力されると、図８のインバータ回路のＰ型ＭＯＳトランジスタ９０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ９０ａの両方がＯＮ状態となる。これにより、電源電圧ＶＤＤ１およびＶＳＳ１（アース）間に、貫通電流が発生し、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ９０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ９０ａから成るＣＭＯＳトランジスタのインバータ回路は、信号電圧ＡがＨ状態では、貫通電流が常に流れることになり、低消費電力での駆動が満足できなくなる。
【００１８】
したがって、図７および８に示す回路において、入力ノードＡに電圧条件Ａを満足する信号電圧Ａ（Ｈ：ＶＤＤ２、Ｌ：ＶＳＳ２）が入力されて、出力ノードＡより信号電圧Ｂ（Ｈ：ＶＤＤ１、Ｌ：ＶＳＳ１）が正常に出力されるには、図７に示すように電圧出力回路８０が必要となる。
【００１９】
また、近年、電源電圧の異なるＩＣチップを組み合わせてシステム機器を構築する方式、および、動作電圧、機能等の異なる電圧変換回路ブロックを１チップ化する方式において、前述の電圧条件Ａのような信号入力条件にて動作する回路は、益々、多用される傾向にあると考えられる。
【００２０】
図７に示す電圧変換回路Ａは、入力電圧と出力電圧との電圧変換を行う機能のみを持つ回路であるが、これ以外にインターフェイス回路は、スタンバイ（待機）機能を有する場合、１チップ化された機能の異なる電圧変換回路ブロック間に使用される場合等がある。図９は、スタンバイ（待機）機能を有する場合のインターフェイス回路である電圧変換回路Ｂの一例を示す回路図である。
【００２１】
図９に示す電圧変換回路Ｂは、バッファ回路５０、ＮＯＲ回路６０、インバータ回路７０および電圧出力回路８０を有している。この電圧変換回路Ｂは、電圧変換回路Ｂの入力端子であるＮＯＲ回路６０のＡＤ端子に入力される上記電圧条件Ａを満足するＡＤ（アドレス）信号（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＶＳＳ２）を、電圧変換回路Ｂの制御端子であるバッファ回路５０のＣＥＢ端子に入力されるＣＥＢ信号に基づいて制御し、電圧変換回路Ｂの出力端子である電圧出力回路８０のＡＤＯＵＴＢ端子から、ＡＤ信号が電圧変換されたＡＤＯＵＴＢ信号（Ｈ状態：ＶＤＤ１、Ｌ状態：ＶＳＳ１）を出力する。ＣＥＢ信号は、電圧変換回路Ｂがスタンバイ状態であるか動作状態であるかを切り換える制御信号である。尚、インバータ回路７０および電圧出力回路８０は、回路構成が図７と同様の回路である。
【００２２】
バッファ回路５０は、ＣＭＯＳトランジスタから成るインバータ回路が直列に２段接続されている。１段目のインバータ回路は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ５０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ５０ａから構成されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ５０ｂのドレイン端子およびゲート端子は、それぞれＮ型ＭＯＳトランジスタ５０ａのドレイン端子およびゲート端子に接続される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ５０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ５０ａの各ドレイン端子は、１段目のインバータ回路の出力端子であり、２段目のインバータ回路の入力端子に接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ５０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ５０ａの各ゲート端子は、バッファ回路５０の入力端子であり、スタンバイ状態と動作状態との切換信号であるＣＥＢ信号が入力されるＣＥＢ端子となる。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ５０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ５０ａの各ソース端子は、それぞれ電源電圧ＶＤＤ２およびＶＳＳ２＝ＧＮＤ（アース）に接続される。
【００２３】
２段目のインバータ回路も、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ５０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ５０ｃから構成されており、１段目のインバータ回路と同様に接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ５０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ５０ｃの各ゲート端子は、２段目のインバータ回路の入力端子であり、１段目のインバータ回路の出力端子と接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ５０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ５０ｃの各ドレイン端子は、バッファ回路５０の出力端子であり、ノードＡに接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ５０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ５０ｃの各ソース端子は、それぞれ電源電圧ＶＤＤ２およびＶＳＳ２＝ＧＮＤ（アース）にそれぞれ接続される。
【００２４】
ＮＯＲ回路６０は、直列接続されたＰ型ＭＯＳトランジスタ６０ｃおよび６０ｄ、および、並列接続されたＮ型ＭＯＳトランジスタ６０ａおよび６０ｂを有している。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６０ｄのソース端子およびドレイン端子は、それぞれ電源電圧ＶＤＤ２およびＰ型ＭＯＳトランジスタ６０ｃのソース端子にそれぞれ接続され、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６０ｃのドレイン端子は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ａおよび６０ｂの各ドレイン端子とそれぞれ接続される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６０ｃのドレイン端子およびＮ型ＭＯＳトランジスタ６０ａおよび６０ｂのドレイン端子は、ＮＯＲ回路６０の出力端子であり、ノードＢに接続されている。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ａおよび６０ｂの各ソース端子は、ＶＳＳ２＝ＧＮＤ（アース）に接続される。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ａのゲート端子は、ノードＡを介してバッファ回路５０の出力端子に接続されるとともに、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６０ｃのゲート端子に接続される。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ｂのゲート端子は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６０ｄのゲート端子に接続され、ＮＯＲ回路６０の入力端子であり、アドレス信号であるＡＤ信号が入力されるＡＤ端子となる。
【００２５】
ＮＯＲ回路６０の出力端子は、ノードＢを介してインバータ回路７０の入力端子、および、電圧出力回路８０のＮ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのゲート端子に接続されている。
【００２６】
インバータ回路７０および電圧出力回路８０は、図７に示す回路と同様の回路構成であり、インバータ回路７０の出力端子が、ノードＣを介して電圧出力回路８０のＮ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂのゲート端子に接続されている。
【００２７】
次に、図９に示す電圧変換回路Ｂの動作を説明する。電圧変換回路Ｂは、制御端子であるＣＥＢ端子より入力されるＣＥＢ信号がＬ状態の場合に動作状態、ＣＥＢ信号がＨ状態の場合にスタンバイ状態となる。
【００２８】
ＣＥＢ信号がＨ状態（ＶＤＤ２）の場合、バッファ回路５０の入力端子には、Ｈ状態のＣＥＢ信号が入力され、バッファ回路５０の出力端子からＨ状態の出力信号が出力される。このＨ状態の出力信号は、ノードＡを介してＮＯＲ回路６０のＰ型ＭＯＳトランジスタ６０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ６０ａのゲート端子に入力され、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６０ｃはＯＦＦ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ａはＯＮ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ａのドレイン端子はＬ状態となる。
【００２９】
この場合、ＮＯＲ回路６０のＡＤ端子に入力されるＡＤ信号がＨ状態またはＬ状態のどちらのでも、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ａのドレイン端子に接続されているＮＯＲ回路６０の出力端子はＬ状態となるため、Ｌ状態の出力信号がノードＢを介してインバータ回路７０および電圧出力回路８０に出力される。インバータ回路７０および電圧回路８０は、Ｌ状態の信号が入力されると、図７の電圧変換回路Ａの動作にて説明したように、電圧出力回路８０の出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子はＬ状態となる。
【００３０】
これにより、電圧変換回路Ｂは、制御端子であるＣＥＢ端子に入力されるＣＥＢ信号がＨ状態であれば、入力端子であるＡＤ端子に入力されるＡＤ信号がＨ状態またはＬ状態の信号状態にかかわらず、出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号は、常に、Ｌ状態となり電圧変換回路Ｂのスタンバイ状態が保持される。
【００３１】
次に、ＣＥＢ信号がＬ状態（ＶＳＳ２）の場合、バッファ回路５０の入力端子には、Ｌ状態のＣＥＢ信号が入力され、バッファ回路５０の出力端子からＬ状態の出力信号が出力される。このＬ状態の出力信号は、ノードＡを介してＮＯＲ回路６０のＰ型ＭＯＳトランジスタ６０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ６０ａのゲート端子に入力され、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６０ｃは、ＯＮ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ａはＯＦＦ状態となる。
【００３２】
この場合、ＮＯＲ回路６０のＡＤ端子に入力されるＡＤ信号がＨ状態であれば、このＡＤ信号がＰ型ＭＯＳトランジスタ６０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ６０ｂのゲート端子に入力され、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６０ｄはＯＦＦ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ｂのドレイン端子はＬ状態となる。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ｂのドレイン端子がＬ状態となると、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ｂのドレイン端子に接続されているＮＯＲ回路６０の出力端子はＬ状態となるため、Ｌ状態の出力信号がノードＢを介してインバータ回路７０および電圧出力回路８０に出力される。インバータ回路７０および電圧出力回路８０は、Ｌ状態の信号が入力されると、電圧出力回路８０の出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子はＬ状態となる。
【００３３】
また、ＮＯＲ回路６０のＡＤ端子に入力されるＡＤ信号がＬ状態であれば、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６０ｄはＯＮ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ｂはＯＦＦ状態となる。この時、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ６０ａおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ６０ｂのドレイン端子はＨ状態であり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６０ｃおよびＰ型ＭＯＳトランジスタ６０ｄもＯＮ状態であるため、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ６０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ６０ｂのドレイン端子に接続されているＮＯＲ回路６０の出力端子は、電源電圧ＶＤＤ２は印加されＨ状態（ＶＤＤ２）となり、Ｈ状態の出力信号がノードＢを介してインバータ回路７０および電圧出力回路８０に出力される。インバータ回路７０および電圧出力回路８０は、Ｈ状態の信号が入力されると、図７の電圧変換回路Ａの動作にて説明したように、電圧出力回路８０の出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子はＨ状態となる。
【００３４】
これにより、電圧変換回路Ｂは、制御端子であるＣＥＢ端子に入力されるＣＥＢ信号がＬ状態であれば、入力端子であるＡＤ端子に入力されるＡＤ信号のＨ状態またはＬ状態の信号状態に基づいて、出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号は、それぞれＬ状態またはＨ状態の信号状態となり、電圧変換回路Ｂの動作状態が保持される。
【００３５】
図１０は、図９に示す電圧変換回路Ｂのスタンバイ状態が解除された場合のＣＥＢ信号、ＡＤ信号、ＡＤＯＵＴＢ信号および各ノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおける信号のタイミングチャートである。ここで、ＣＥＢ、ＡＤ、ＡＤＯＵＴＢおよびノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、それぞれＣＥＢ信号、ＡＤ信号、ＡＤＯＵＴＢ信号およびノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおける信号の信号波形を示す。
【００３６】
図９の電圧変換回路Ｂにおいてスタンバイ状態が解除される場合、バッファ回路５０に入力されるＣＥＢ信号がＨ状態（ＶＤＤ２）からＬ状態（ＶＳＳ２＝ＧＮＤ）に変化するので、バッファ回路５０の出力端子に接続されているノードＡにおけるバッファ回路５０の出力信号は、バッファ回路５０内の遅延時間（２Ｔ）だけ遅れて、図１０のノードＡに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【００３７】
この場合、ＮＯＲ回路６０に入力されるＡＤ信号は、図１０のＡＤに示すようにＬ状態（ＶＳＳ２＝ＧＮＤ）に固定されているとする。この時、図９に示すＮＯＲ回路６０の出力端子に接続されているノードＢにおけるＮＯＲ回路６０の出力信号は、ＮＯＲ回路６０内の遅延時間（１Ｔ）だけ遅れて、図１０のノードＢに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【００３８】
インバータ回路７０の出力端子に接続されているノードＣにおけるインバータ回路７０の出力信号は、インバーター回路７０内の遅延時間（１Ｔ）だけ遅れて、図１０のノードＣに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【００３９】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのドレイン端子に接続されているノードＤにおける信号は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのゲート端子に入力されるノードＢの信号状態に基づいて変化し、図１０のノードＤに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ１、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【００４０】
電圧変換回路Ｂの出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号は、図１０のノードＢおよびノードＣに示す信号波形のタイミングを受けて、図１０のＡＤＯＵＴＢに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ１、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【００４１】
図１０に示すように、ノードＣにおける信号は、ノードＢにおける信号よりも１Ｔだけ遅延する。このため、図９の電圧出力回路８０内の動作は、まず始めに図９に示すノードＢの信号状態が、ＮＯＲ回路６０の出力信号に基づいて、Ｌ状態からＨ状態に変化することによって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａがＯＦＦ状態からＯＮ状態になる。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａがＯＮ状態になると、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのドレイン端子がＬ状態になり、電圧出力回路８０のノードＤの信号状態がＨ状態（ＶＤＤ１）からＬ状態（ＧＮＤ）に変化する。その後、図９に示すノードＣの信号状態が、インバータ回路７０の出力信号に基づいて、Ｈ状態からＬ状態に変化することによって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂがＯＮ状態からＯＦＦ状態になる。このＮ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂがＯＮ状態からＯＦＦ状態になる動作時に、上記ノードＤの信号状態がＨ状態からＬ状態に変化することに伴うＰ型ＭＯＳトランジスタ８０ｄがＯＦＦ状態からＯＮ状態へ変化し、電源電圧ＶＤＤ１がＮ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂのドレイン端子に印加され、このドレイン端子に接続されたＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号がＬ状態（ＧＮＤ）からＨ状態（ＶＤＤ１）に変化する。この場合、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８０ｄがＯＦＦ状態からＯＮ状態になるタイミングと、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂがＯＮ状態からＯＦＦ状態になるタイミングとは、ほぼ同じタイミングということになる。
【００４２】
電圧出力回路８０におけるＡＤＯＵＴＢ信号のＬ状態からＨ状態への変化は、図１０に示すノードＢの信号波形のＬ状態からＨ状態への変化点が起点になっているので、この起点からの経過時間を遅延時間（ＡＴ）とする。
【００４３】
これにより、電圧変換回路Ｂのスタンバイ状態を解除した場合に、出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子からＡＤＯＵＴＢ信号が出力されるまでの遅延時間は、図１０のＡＤＯＵＴＢの信号波形に示すように、２Ｔ＋ＡＴとなる。この遅延時間は、ＣＥＢ信号がＨ状態から（ＶＤＤ２）／２の電圧値になる時間を起点とし、ＡＤＯＵＴＢ信号がＬ状態から（ＶＤＤ１）／２の電圧値になる時間を終点とする。
【００４４】
また、ＮＯＲ回路６０に入力されるＡＤ信号が、Ｈ状態（ＶＤＤ２）に固定されている場合は、ＡＤＯＵＴＢ信号は、常に、Ｌ状態となるので、この場合には、電圧変換回路Ｂのスタンバイ状態が解除されてから、出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子からＡＤＯＵＴＢ信号が出力されるまでの遅延時間は存在しない。
【００４５】
したがって、図９に示す電圧変換回路Ｂおけるスタンバイ状態の解除時に、出力信号であるＡＤＯＵＴＢ信号が出力されるまでの遅延時間は、２Ｔ＋ＡＴが最大（ワーストケース）となる。
【００４６】
次に、図９に示す電圧変換回路Ｂにおいて、スタンバイ状態を解除後、バッファ回路５０に入力されるＣＥＢ信号がＬ状態を保持し、ＮＯＲ回路６０に入力されるＡＤ信号がＬ状態からＨ状態に変化する場合を考える。
【００４７】
図１１は、電圧変換回路Ｂのスタンバイ状態の解除後、ＡＤ信号がＬ状態からＨ状態に変化した場合のＡＤＯＵＴＢ信号および各ノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄのおける信号のタイミングチャートである。ここで、ＣＥＢ、ＡＤ、ＡＤＯＵＴＢおよびノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、それぞれＣＥＢ信号、ＡＤ信号、ＡＤＯＵＴＢ信号およびノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおける信号の信号波形を示す。
【００４８】
ＣＥＢ信号は、スタンバイ状態が解除されているので、図１１のＣＥＢに示すように、Ｌ状態（ＧＮＤ）に固定されている。
【００４９】
ノードＡにおける信号は、ＣＥＢ信号がＬ状態（ＧＮＤ）であるので、Ｌ状態となり遅延時間は存在せず、図１１のノードＡに示すタイミングの信号波形（Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【００５０】
ＡＤ信号は、図１１のＡＤに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【００５１】
ノードＢにおける信号は、ＡＤ信号が入力されるＮＯＲ回路６０内の遅延時間（１Ｔ）だけ遅れて、図１１のノードＢに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【００５２】
ノードＣにおける信号は、インバーター回路７０内の遅延時間（１Ｔ）だけ遅れて、図１１のノードＣに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【００５３】
ノードＤにおける信号は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのスイッチングに基づいて変化し、図１１のノードＤに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ１、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【００５４】
ＡＤＯＵＴＢ信号は、図１１のノードＢおよびノードＣに示す信号波形のタイミングを受けて、図１１のＡＤＯＵＴＢに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【００５５】
図１１に示すように、ノードＣにおける信号は、ノードＢにおける信号よりも１Ｔだけ遅延する。このため、図９の電圧出力回路８０内の動作は、まず始めに図９に示すノードＢの信号状態が、ＮＯＲ回路６０の出力信号に基づいて、Ｈ状態からＬ状態に変化することによって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａがＯＮ状態からＯＦＦ状態になる。この時、電圧出力回路８０のＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号は、Ｈ状態であるため、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａおよびＰ型ＭＯＳトランジスタ８０ｃがＯＦＦ状態であり、電圧出力回路８０内のノードＤの信号状態は、フローティング状態になる。ただし、ノードＤには電流がどこからも供給されないので、ノードＤの信号状態は、Ｌ状態を維持する。  その後、図９に示すノードＣの信号状態が、インバータ回路７０の出力信号に基づいて、Ｌ状態からＨ状態に変化することによって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂがＯＦＦ状態からＯＮ状態となり、ここで初めて、ＡＤＯＵＴＢ信号がＨ状態からＬ状態に変化する。ＡＤＯＵＴＢ信号がＨ状態からＬ状態に変化することによって、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８０ｃがＯＦＦ状態からＯＮ状態に変化し、フローティング状態であったノードＤの信号状態がＬ状態からＨ状態に変化する。ノードＤの信号状態がＬ状態からＨ状態に変化することによって、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８０ｄがＯＮ状態からＯＦＦ状態に変化し、ＡＤＯＵＴＢ信号のＨ状態からＬ状態への遷移が加速される。
【００５６】
電圧出力回路８０におけるＡＤＯＵＴＢ信号のＨ状態からＬ状態への変化は、図１１に示すノードＣの信号波形のＬ状態からＨ状態への変化点が起点になっているので、この起点からの経過時間を遅延時間（ＢＴ）とする。
【００５７】
これにより、電圧変換回路Ｂのスタンバイ状態を解除後、入力端子であるＡＤ端子から入力されるＡＤ信号のみがＬ状態からＨ状態に変化した場合に、出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子からＡＤＯＵＴＢ信号が出力されるまでの遅延時間は、図１１のＡＤＯＵＴＢの信号波形に示すように、１Ｔ＋ＢＴとなる。この遅延時間は、ノードＢの信号状態がＨ状態からＬ状態への変化点を起点とし、ＡＤＯＵＴＢ信号がＨ状態から（ＶＤＤ１）／２の電圧値になる時間を終点とする。
【００５８】
次に、図９に示す電圧変換回路Ｂにおいて、スタンバイ状態を解除後、バッファ回路５０に入力されるＣＥＢ信号がＬ状態を保持し、ＮＯＲ回路６０に入力されるＡＤ信号がＨ状態からＬ状態に変化する場合を考える。
【００５９】
図１２は、電圧変換回路Ｂのスタンバイ状態の解除後、ＡＤ信号がＨ状態からＬ状態に変化した場合のＡＤＯＵＴＢ信号および各ノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄのおける信号のタイミングチャートである。ここで、ＣＥＢ、ＡＤ、ＡＤＯＵＴＢおよびノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、それぞれＣＥＢ信号、ＡＤ信号、ＡＤＯＵＴＢ信号およびノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおける信号の信号波形を示す。
【００６０】
ＣＥＢ信号は、スタンバイ状態が解除されているので、図１２のＣＥＢに示すように、Ｌ状態（ＧＮＤ）に固定されている。
【００６１】
ノードＡにおける信号は、ＣＥＢ信号がＬ状態（ＧＮＤ）であるので、Ｌ状態となり遅延時間は存在せず、図１２のノードＡに示すタイミングの信号波形（Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【００６２】
ＡＤ信号は、図１２のＡＤに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【００６３】
ノードＢにおける信号は、ＡＤ信号が入力されるＮＯＲ回路６０内の遅延時間（１Ｔ）だけ遅れて、図１２のノードＢに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【００６４】
ノードＣにおける信号は、インバーター回路７０内の遅延時間（１Ｔ）だけ遅れて、図１２のノードＣに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【００６５】
ノードＤにおける信号は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのスイッチングに基づいて変化し、図１２のノードＤに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ１、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【００６６】
ＡＤＯＵＴＢ信号は、図１２のノードＢおよびノードＣに示す信号波形のタイミングを受けて、図１２のＡＤＯＵＴＢに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ１、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【００６７】
図１２に示すように、ノードＣにおける信号は、ノードＢにおける信号よりも１Ｔだけ遅延する。このため、図９の電圧出力回路８０内の動作は、まず始めに図９に示すノードＢの信号状態が、ＮＯＲ回路６０の出力信号に基づいて、Ｌ状態からＨ状態に変化することによって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａがＯＦＦ状態からＯＮ状態になる。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａがＯＮ状態になると、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ａのドレイン端子がＬ状態になり、電圧出力回路８０のノードＤの信号状態がＨ状態（ＶＤＤ１）からＬ状態（ＧＮＤ）に変化する。その後、図９に示すノードＣの信号状態が、インバータ回路７０の出力信号に基づいて、Ｈ状態からＬ状態に変化することによって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂがＯＮ状態からＯＦＦ状態になる。このＮ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂがＯＮ状態からＯＦＦ状態になる動作時に、上記ノードＤの信号状態がＨ状態からＬ状態に変化することに伴うＰ型ＭＯＳトランジスタ８０ｄがＯＦＦ状態からＯＮ状態へ変化し、電源電圧ＶＤＤ１がＮ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂのドレイン端子に印加され、このドレイン端子に接続されたＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号がＬ状態（ＧＮＤ）からＨ状態（ＶＤＤ１）に変化する。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ８０ｄがＯＦＦ状態からＯＮ状態になるタイミングと、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ８０ｂがＯＮ状態からＯＦＦ状態になるタイミングとは、図１０に示すスタンバイ状態が解除された場合と同様に、ほぼ同じタイミングということになる。
【００６８】
図１２に示すように、ノードＢの信号波形と、ノードＣの信号波形との関係は、ノードＢの信号波形がＬ状態からＨ状態に変化をし、この変化に基づいて、ノードＣの信号波形がＨ状態からＬ状態に変化する。このように、図９に示す電圧出力回路８０に対する信号の入力状態は、図１０に示すスタンバイ状態が解除された場合と同様であるため、ＡＤＯＵＴＢ信号はＬ状態からＨ状態に変化するまでの遅延時間は、ＡＴとなる。
【００６９】
これにより、電圧変換回路Ｂのスタンバイ状態を解除後、入力端子であるＡＤ端子から入力されるＡＤ信号のみがＨ状態からＬ状態に変化した場合に、出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子からＡＤＯＵＴＢ信号が出力されるまでの遅延時間は、図１２のＡＤＯＵＴＢの信号波形に示すように、１Ｔ＋ＡＴとなる。この遅延時間は、ノードＢの信号状態がＬ状態からＨ状態への変化点を起点とし、ＡＤＯＵＴＢ信号がＬ状態から（ＶＤＤ１）／２の電圧値になる時間を終点とする。
【００７０】
図１０、１１および１２のＡＤＯＵＴＢおよびノードＤに示すＡＤＯＵＴＢ信号およびノードＤの信号は、それぞれの電圧極性が反転している関係にある。図９に示す電圧出力回路８０内のノードＤにおける信号を、電圧変換回路Ｂの出力信号とした場合、図１１および１２に示すようにノードＤからの信号が出力されるまでの遅延時間の差が大きくなる。このため、ノードＤからの信号を電圧変換回路Ｂの出力信号とすることは好ましくない。これにより、電圧変換回路Ｂの出力信号は、スタンバイ状態の解除、スタンバイ状態解除後のＡＤ信号のＬ状態からＨ状態およびＨ状態からＬ状態のそれぞれの動作における遅延時間の差が小さいＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号を用いる。
【００７１】
【発明が解決しようとする課題】
図９に示す電圧変換回路Ｂでは、スタンバイ状態を解除する場合、および、スタンバイ状態解除後のアドレス信号であるＡＤ信号のみがＨ状態、Ｌ状態に変化する場合でも、前述のように、電圧変換回路Ｂの出力信号に遅延時間が生じ、この遅延時間を短縮することが強く要求される。例えば、一般的な半導体記憶装置のように、アドレス信号を入力して出力信号としてデータを出力する場合、半導体記憶装置内のアクセスタイムを短縮することにより、高速にデータの読み出しが可能となる。
【００７２】
しかしながら、図９に示す電圧変換回路Ｂでは、スタンバイ状態を解除するアクセス、および、スタンバイ状態解除後のアドレス信号のみがＨ状態またはＬ状態に変化するアクセスでも、電圧変換回路Ｂの出力信号に長い遅延時間が生じ、電圧変換回路Ｂを半導体記憶装置等の半導体装置に用いると、高速にデータの読み出しが行なえないおそれがある。
【００７３】
本発明は、このような課題を解決するものであり、その目的は、入出力端子間における信号の遅延時間を短縮する電圧変換回路およびそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【００７４】
【課題を解決するための手段】
本発明の電圧変換回路は、入力信号電圧を所定の電圧に変換する電圧変換回路において、待機・動作制御信号を反転させた第１反転信号を出力する反転回路と、該待機・動作制御信号および該第１反転信号に基づいて、入力信号に応じた動作用信号または待機用信号を出力する論理回路と、該待機用信号の入力により電圧変換出力レベルを所定の電圧レベルに固定し、該動作用信号の入力により、該入力信号および該第１反転信号に基づいて、該入力信号電圧を所定の電圧に変換して出力する電圧出力回路と、を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００７５】
また、本発明の電圧変換回路は、入力信号電圧を所定の電圧に変換する電圧変換回路において、第１反転信号を出力する第１反転制御回路および該第１反転信号を反転させた待機・動作制御信号を出力する第２反転制御回路が設けられた制御回路と、該待機・動作制御信号および該第１反転信号に基づいて、入力信号に応じた動作用信号または待機用信号を出力する論理回路と、該待機用信号の入力により電圧変換出力レベルを所定の電圧レベルに固定し、該動作用信号の入力により、該入力信号および該第１反転信号に基づいて、該入力信号電圧を所定の電圧に変換して出力する電圧出力回路と、を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００７６】
また、好ましくは、本発明の電圧変換回路は、前記待機・動作制御信号を生成する制御回路をさらに有する。
【００７７】
さらに、好ましくは、本発明の電圧変換回路において、前記論理回路は３値論理回路であり、該３値論理回路の出力端と電源との間にプルアップ回路が設けられ、該プルアップ回路は、前記第１反転信号により制御可能に構成されている。
【００７８】
さらに、好ましくは、本発明の電圧変換回路において、前記３値論理回路は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタおよびＮ型ＭＯＳトランジスタから成るＣＭＯＳインバータを有し、該Ｐ型ＭＯＳトランジスタのソース端子には、さらに他のＰ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子が接続され、該Ｎ型ＭＯＳトランジスタのソース端子には、さらに他のＮ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子が接続され、該他のＰ型ＭＯＳトランジスタのソース端子は電源電圧に接続され、該他のＮ型ＭＯＳトランジスタのソース端子は、アース（接地）に接続され、該他のＮ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子には前記第１反転信号が入力され、該他のＰ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子には、前記待機・動作制御信号が入力され、該ＣＭＯＳインバータの該Ｐ型ＭＯＳトランジスタおよびＮ型ＭＯＳトランジスタの各ゲート端子には、前記入力信号が入力されるように構成されている。
【００７９】
さらに、好ましくは、本発明の電圧変換回路において、前記電圧出力回路は、各ソース端子が電源に接続され並列に設けられた各Ｐ型ＭＯＳトランジスタを有し、一方の該Ｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子は他方の該Ｐ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子に接続され、他方の該Ｐ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子は一方の該Ｐ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子に接続され、一方の該Ｐ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子は第１Ｎ型ＭＯＳトランジスタおよび第２Ｎ型ＭＯＳトランジスタを介して接地され、他方の該Ｐ型ＭＯＳトランジスタのドレイン端子は、第３Ｎ型ＭＯＳトランジスタを介して接地されており、該第３Ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子には前記動作用信号または待機用信号が入力され、該第２Ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子には前記入力信号が入力され、該第１Ｎ型ＭＯＳトランジスタのゲート端子には前記第１反転信号が入力されるように構成されている。
【００８０】
さらに、好ましくは、本発明の電圧変換回路は、前記電圧出力回路が少なくとも二つの出力端子を有しており、一方の該出力端子と他方の該出力端子とから互いに極性を反転した電圧変換出力信号が出力される。
【００８１】
本発明の半導体装置は、請求項１〜７のいずれかに記載の電圧変換回路を集積したものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００８２】
上記構成により、以下、その作用を説明する。
【００８３】
本発明の電圧変換回路は、まず、入力信号であるＡＤ（アドレス）信号が、電圧出力回路に入力される。次に、待機・動作制御信号が反転回路に入力され、反転回路から待機・動作制御信号を反転させた第１反転信号が出力されて、電圧出力回路に入力される。また、待機・動作制御信号および第１反転信号が入力信号とともに論理回路に入力され、論理回路から入力信号に応じた極性の動作用信号または待機用信号が出力されて電圧出力回路に入力される。
【００８４】
このように、電圧出力回路は、電圧出力回路の出力側の所定の入力端子に入力信号、第１反転信号が入力され、電圧出力回路の入力側の所定に入力端子に動作用信号または待機用信号が入力され、動作用信号または待機用信号が入力されるよりも先に、入力信号および第１反転信号が入力されることによって、入力信号および第１反転信号の信号波形の変化を受けて、電圧変換回路の出力信号である電圧変換出力信号の信号波形が変化を開始するので、信号の遅延時間の短縮が実現できる。
【００８５】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。
【００８６】
図１は、本発明の実施形態である電圧変換回路１の回路図である。
【００８７】
図１に示す本発明の電圧変換回路１は、スタンバイ機能を備えており、制御回路であるバッファ回路１０、反転回路であるインバータ回路１５、出力状態がＨ状態、Ｌ状態、ＨＩＧＨインピーダンスの３つの状態を取る３値論理回路であるトライステート回路２０、入力信号電圧を所定の電圧に変換する電圧出力回路２５およびプルアップ回路であるプルアップ用Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａを有する。
【００８８】
本発明の電圧変換回路１は、電圧変換回路１の入力端子であるトライステート回路２０のＡＤ端子に入力される前述の電圧条件Ａを満足するＡＤ（アドレス）信号（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＶＳＳ２）を、電圧変換回路１の制御端子であるバッファ回路１０のＣＥＢ端子に入力されるＣＥＢ信号に基づいて制御し、電圧変換回路１の出力端子である電圧出力回路２５のＡＤＯＵＴＢ端子から、ＡＤ信号が電圧変換されたＡＤＯＵＴＢ信号（Ｈ状態：ＶＤＤ１、Ｌ状態：ＶＳＳ１）が最小の遅延時間にて出力される。ＣＥＢ信号は、電圧変換回路１がスタンバイ状態であるか動作状態であるかを切り換える制御信号である。
【００８９】
バッファ回路１０は、ＣＭＯＳトランジスタから成るインバータ回路が直列に２段接続されている。１段目のインバータ回路は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１０ａから構成されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０ｂのドレイン端子およびゲート端子は、それぞれＮ型ＭＯＳトランジスタ１０ａのドレイン端子およびゲート端子にそれぞれ接続される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１０ａの各ドレイン端子は、１段目のインバータ回路の出力端子であり、２段目のインバータ回路の入力端子に接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１０ａの各ゲート端子は、バッファ回路１０の入力端子であり、スタンバイ状態と動作状態との切換信号であるＣＥＢ信号が入力されるＣＥＢ端子となる。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１０ａの各ソース端子は、それぞれ電源電圧ＶＤＤ２およびＶＳＳ２＝ＧＮＤ（アース）に接続される。
【００９０】
２段目のインバータ回路も、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１０ｃから構成されており、１段目のインバータ回路と同様に接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１０ｃの各ゲート端子は、２段目のインバータ回路の入力端子であり、１段目のインバータ回路の出力端子と接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１０ｃの各ドレイン端子は、バッファ回路１０の出力端子であり、ノードＡに接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１０ｃの各ソース端子は、それぞれ電源電圧ＶＤＤ２およびＶＳＳ２＝ＧＮＤ（アース）にそれぞれ接続される。
【００９１】
インバータ回路１５は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１５ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１５ａから構成されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１５ｂのドレイン端子およびゲート端子は、それぞれＮ型ＭＯＳトランジスタ１５ａのドレイン端子およびゲート端子にそれぞれ接続される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１５ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１５ａの各ドレイン端子は、インバータ回路１５の出力端子となり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１５ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１５ａの各ゲート端子は、インバータ回路１５の入力端子となる。インバータ回路１５の出力端子は、ノードＣを介してトライステート回路２０のＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ａのゲート端子、プルアップ用Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａのゲート端子および電圧出力回路２５のＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのゲート端子に接続されている。インバータ回路１５の入力端子は、ノードＡを介してバッファ回路１０の出力端子に接続されているとともに、トライステート回路２０のＰ型ＭＯＳトランジスタ２０ｄのゲート端子に接続される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１５ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ１５ａの各ソース端子は、それぞれ電源電圧ＶＤＤ２およびＶＳＳ２（ＧＮＤ：アース）にそれぞれ接続される。
【００９２】
トライステート回路２０は、ＣＭＯＳトランジスタを構成するＰ型ＭＯＳトランジスタ２０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ｂ、および、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ｂの各ソース端子にそれぞれ接続されたＰ型ＭＯＳトランジスタ２０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ａを有している。
【００９３】
Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ｂは、それぞれドレイン端子同士およびゲート端子同士が接続され、ドレイン端子側がトライステート回路２０の出力端子、ゲート端子側がトライステート回路２０の入力端子となる。トライステート回路２０の出力端子は、ノードＢを介してプルアップ用Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａのドレイン端子および電圧出力回路２５のＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ａの各ゲート端子に接続されている。トライステート回路２０の入力端子は、アドレス信号であるＡＤ信号が入力されるＡＤ端子であり、電圧出力回路２５のＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂのゲート端子に接続されている。
【００９４】
Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ｂの各ソース端子は、それぞれＰ型ＭＯＳトランジスタ２０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ａのドレイン端子にそれぞれ接続される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｄのソース端子およびゲート端子は、それぞれ電源電圧ＶＤＤ２およびインバータ回路１５の入力端子にそれぞれ接続され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２０ａのソース端子およびゲート端子は、それぞれＶＳＳ２（ＧＮＤ：アース）およびインバータ回路１５の出力端子にそれぞれ接続される。
【００９５】
ノードＢを電源電圧ＶＤＤ２にプルアップするプルアップ用Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａは、ソース端子が電源電圧ＶＤＤ２に接続され、ドレイン端子およびゲート端子がそれぞれノードＢおよびノードＣにそれぞれ接続されている。
【００９６】
電圧出力回路２５は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄおよび２５ｅが並列に接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄおよび２５ｅの各ソース端子は、それぞれ電源電圧ＶＤＤ１に接続され、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄおよび２５ｅの各ドレイン端子は、それぞれＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ａおよび２５ｃのドレイン端子にそれぞれ接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄおよび２５ｅの各ゲート端子は、それぞれＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃおよび２５ａのドレイン端子にそれぞれ接続されている。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのソース端子は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂのドレイン端子に接続されている。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｅおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃの各ドレイン端子は、電圧変換回路１の出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子となる。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａおよび２５ｂの各ソース端子は、それぞれＶＳＳ１（ＧＮＤ：アース）に接続される。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａおよび２５ｃの各ゲート端子は、それぞれノードＢおよびノードＣを介してトライステート回路２０およびインバータ回路１５の出力端子にそれぞれ接続され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂのゲート端子は、トライステート回路２０の入力端子であるＡＤ端子に接続される。
【００９７】
次に、図１に示す本発明の電圧変換回路１の動作を説明する。電圧変換回路１は、制御端子であるＣＥＢ端子より入力されるＣＥＢ信号がＬ状態の場合に動作状態、ＣＥＢ信号がＨ状態の場合にスタンバイ状態となる。
【００９８】
ＣＥＢ信号がＨ状態（ＶＤＤ２）の場合、バッファ回路１０の入力端子には、Ｈ状態のＣＥＢ信号が入力され、ＣＭＯＳトランジスタが２段接続されたバッファ回路１０の出力端子からＨ状態の出力信号（待機・動作制御信号）が出力される。このＨ状態の出力信号は、ノードＡを介してインバータ回路１５の入力端子、および、トライステート回路２０ののＰ型ＭＯＳトランジスタ２０ｄのゲート端子に入力される。このため、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｄは、ＯＦＦ状態となる。また、Ｈ状態の信号が入力されたインバータ回路１５の出力端子からは、Ｌ状態の出力信号（第１反転信号）が出力され、そのＬ状態の出力信号は、トライステート回路２０のＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ａ、電圧出力回路２５のＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃおよびプルアップ用Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａの各ゲート端子に入力され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２０ａおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃはＯＦＦ状態となり、プルアップ用Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａはＯＮ状態となり、ノードＢをＨ状態に保持する。
【００９９】
この場合、トライステート回路２０のＡＤ端子に入力されるＡＤ信号がＨ状態またはＬ状態のどちらでも、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ａは、ＯＦＦ状態であるので、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ｂのドレイン端子に接続されているトライステート回路２０の出力端子はＨＩＧＨインピーダンスとなる。このため、トライステート回路２０の出力状態は、ＨＩＧＨインピーダンスに固定される。ところが、ノードＢは、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａによりＨ状態に保持されているので、電圧出力回路２５のＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのゲート端子には、Ｈ状態の信号（待機用信号）が入力される。
【０１００】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのゲート端子がＨ状態になると、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａはＯＮ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子はＬ状態になる。この時、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのゲート端子には、インバータ回路１５からのＬ状態の出力信号がノードＣを介して入力され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂのゲート端子には、ＡＤ端子からＨ状態またはＬ状態のＡＤ信号が入力される。このため、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃは、ＯＦＦ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂは、ＡＤ信号に基づいてＯＮ状態またはＯＦＦ状態となる。これにより、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂのＯＮ状態またはＯＦＦ状態に影響を受けず、Ｈ状態を保持する。
【０１０１】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子がＨ状態となるとＰ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄのゲート端子もＨ状態となり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄはＯＦＦ状態となる。このため、電圧出力回路２５の電源電圧ＶＤＤ１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子に印加されず、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子はＬ状態を保持する。
【０１０２】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子がＬ状態であると、ノードＤを介してＰ型ＭＯＳトランジスタ２５ｅのゲート端子もＬ状態となり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｅがＯＮ状態となる。これにより、電圧出力回路２５の電源電圧ＶＤＤ１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子に印加される。この時、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃは、ＯＦＦ状態であるので、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子に接続された電圧出力回路２５のＡＤＯＵＴＢ端子よりＨ状態（ＶＤＤ１）の信号が出力される。
【０１０３】
これにより、電圧変換回路１は、制御端子であるＣＥＢ端子に入力されるＣＥＢ信号がＨ状態であれば、入力端子であるＡＤ端子に入力されるＡＤ信号がＨ状態またはＬ状態の信号状態にかかわらず、出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号は、常に、Ｈ状態となり電圧変換回路１のスタンバイ状態が保持される。
【０１０４】
次に、ＣＥＢ信号がＬ状態（ＶＳＳ２）の場合、バッファ回路１０の入力端子であるＣＥＢ端子には、Ｌ状態のＣＥＢ信号が入力され、バッファ回路１０の出力端子からＬ状態の出力信号が出力される。このＬ状態の出力信号は、ノードＡを介してインバータ回路１５の入力端子およびトライステート回路２０のＰ型ＭＯＳトランジスタ２０ｄのゲート端子に入力される。この時、インバータ回路１５の出力端子からは、Ｈ状態の出力信号が出力され、このＨ状態の出力信号は、ノードＣを介してトライステート回路２０のＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ａ、電圧出力回路２５のＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃおよびプルアップ用Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａの各ゲート端子に入力され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２０ａおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃはＯＮ状態となり、プルアップ用Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａはＯＦＦ状態となる。
【０１０５】
また、Ｌ状態の信号がゲート端子に入力されたＰ型ＭＯＳトランジスタ２０ｄは、ＯＮ状態となる。このため、トライステート回路２０のＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ａおよびＰ型ＭＯＳトランジスタ２０ｄのどちらもＯＮ状態となり、トライステート回路２０は、入力端子であるＡＤ端子に入力されるＨ状態またはＬ状態のＡＤ信号に基づいてノードＢに出力信号（動作用信号）を出力する。
【０１０６】
この場合、トライステート回路２０のＡＤ端子に入力されるＡＤ信号がＨ状態であれば、Ｈ状態のＡＤ信号がＰ型ＭＯＳトランジスタ２０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ｂのゲート端子、および、電圧出力回路２５のＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂのゲート端子に入力される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ａは、どちらもＯＮ状態となるので、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ｂは、ＣＭＯＳトランジスタとして動作し、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂもＯＮ状態となる。このため、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ｂのドレイン端子に接続されているトライステート回路２０の出力端子からは、Ｌ状態の出力信号が出力される。このＬ状態の出力信号は、ノードＢを介して電圧出力回路２５のＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのゲート端子に入力される。
【０１０７】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのゲート端子がＬ状態になると、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａはＯＦＦ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子はＨ状態になる。この時、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのゲート端子には、インバータ回路１５からのＨ状態の出力信号がノードＣを介して入力される。このため、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂは、共にＯＮ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子はＬ状態となる。
【０１０８】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子がＬ状態となるとＰ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄのゲート端子もＬ状態となり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄはＯＮ状態となる。このため、電圧出力回路２５の電源電圧ＶＤＤ１が、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子に印加され、ノードＤがＨ状態に保持される。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子がＨ状態となると、ノードＤを介してＰ型ＭＯＳトランジスタ２５ｅのゲート端子もＨ状態となり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｅはＯＦＦ状態となる。このため、電圧出力回路２５の電源電圧ＶＤＤ１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子に印加されず、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子はＬ状態を保持され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子に接続された電圧出力回路２５のＡＤＯＵＴＢ端子よりＬ状態（ＶＳＳ１）の信号が出力される。
【０１０９】
また、ＣＥＢ信号がＬ状態（ＶＳＳ２）において、トライステート回路２０のＡＤ端子に入力されるＡＤ信号がＬ状態であれば、Ｌ状態のＡＤ信号がＰ型ＭＯＳトランジスタ２０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ｂのゲート端子、および、電圧出力回路２５のＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂのゲート端子に入力される。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ａは、どちらもＯＮ状態であるので、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ｂは、ＣＭＯＳトランジスタとして動作し、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂは、ＯＦＦ状態となる。このため、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２０ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ｂのドレイン端子に接続されているトライステート回路２０の出力端子からは、Ｈ状態の出力信号が出力される。このＨ状態の出力信号は、ノードＢを介して電圧出力回路２５のＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのゲート端子に入力される。
【０１１０】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのゲート端子がＨ状態になると、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａはＯＮ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子はＬ状態になる。この時、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのゲート端子には、インバータ回路１５からのＨ状態の出力信号がノードＣを介して入力される。このため、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃは、ＯＮ状態となるが、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂは、ＯＦＦ状態となり、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂのドレイン端子のＨ状態と同電位になる。
【０１１１】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子がＨ状態になるとＰ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄのゲート端子もＨ状態となり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄはＯＦＦ状態となる。このため、電圧出力回路２５の電源電圧ＶＤＤ１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子に印加されず、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子のＬ状態が保持される。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子がＬ状態であると、ノードＤを介してＰ型ＭＯＳトランジスタ２５ｅのゲート端子もＬ状態となり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｅはＯＮ状態となる。このため、電圧出力回路２５の電源電圧ＶＤＤ１は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子に印加され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子に接続された電圧出力回路２５のＡＤＯＵＴＢ端子よりＨ状態（ＶＤＤ１）の信号が出力される。
【０１１２】
これにより、電圧変換回路１は、制御端子であるＣＥＢ端子に入力されるＣＥＢ信号がＬ状態であれば、入力端子であるＡＤ端子に入力されるＡＤ信号がＨ状態またはＬ状態の信号状態に基づいて、出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号は、それぞれＬ状態またはＨ状態となり電圧変換回路１の動作状態が保持される。
【０１１３】
図２は、図１に示す電圧変換回路１のスタンバイ状態が解除された場合のＣＥＢ信号、ＡＤ信号、ＡＤＯＵＴＢ信号および各ノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおける信号のタイミングチャートである。ここで、ＣＥＢ、ＡＤ、ＡＤＯＵＴＢおよびノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、それぞれＣＥＢ信号、ＡＤ信号、ＡＤＯＵＴＢ信号およびノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおける信号の信号波形を示し、ノードＡにおける信号は待機・動作制御信号、ノードＢにおける信号は待機用信号または動作用信号、ノードＣにおける信号は第１反転信号、ＡＤＯＵＴＢ信号は電圧変換出力信号である。
【０１１４】
図１の電圧変換回路１においてスタンバイ状態が解除される場合、バッファ回路１０に入力されるＣＥＢ信号がＨ状態（ＶＤＤ２）からＬ状態（ＶＳＳ２＝ＧＮＤ）に変化するので、バッファ回路１０の出力端子に接続されているノードＡにおけるバッファ回路１０の出力信号は、バッファ回路１０内の遅延時間（２Ｔ）だけ遅れて、図１のノードＡに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【０１１５】
この場合、トライステート回路２０に入力されるＡＤ信号は、図２のＡＤに示すようにＨ状態（ＶＤＤ２）に固定されているとする。
【０１１６】
この時、図１に示すノードＡの信号が入力されるインバータ回路１５の出力端子に接続されているノードＣにおける出力信号は、インバーター回路１５内の遅延時間（１Ｔ）だけ遅れて、図２のノードＣに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【０１１７】
ノードＣの信号波形がＬ状態からＨ状態への変化を受けて、図１に示すトライステート回路２０の出力端子に接続されているノードＢにおける出力信号は、ノードＣの信号よりトライステート回路２０内の遅延時間（１Ｔ）だけ遅れて、図２のノードＢに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【０１１８】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子に接続されているノードＤにおける信号は、ノードＢの信号波形がＨ状態からＬ状態への変化を受けて、図２のノードＤに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ１、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【０１１９】
電圧変換回路１の出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号は、図２のノードＢおよびノードＣに示す信号波形のタイミングを受けて、図２のＡＤＯＵＴＢに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ１、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【０１２０】
図２に示すように、ノードＢにおける信号は、ノードＣにおける信号よりも１Ｔだけ遅延する。図１の電圧出力回路２５内の動作は、まず始めに、Ｈ状態のＡＤ信号がＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂのゲート端子に入力され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂはＯＮ状態となる。次に、ノードＣの信号状態が、インバータ回路１５の出力信号に基づいて、Ｌ状態からＨ状態に変化することによって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃがＯＦＦ状態からＯＮ状態になり、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａがＯＮ状態からＯＦＦ状態になる。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａは、ＯＦＦ状態となりトライステート回路２０の出力信号であるノードＢにおける信号の変化に影響しない。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃがＯＮ状態になると、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子がＨ状態からＬ状態に変化し、電圧出力回路２５のＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号もＨ状態（ＶＤＤ１）からＬ状態（ＧＮＤ）に変化し始める。そうすると、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄがＯＦＦ状態からＯＮ状態に変化する。その変化中に、トライステート回路２０の出力信号であるノードＢにおける信号は、Ｈ状態からＬ状態に変化し、これに伴ないＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ａがＯＮ状態からＯＦＦ状態に変化し、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子に接続されているノードＤの信号状態がＬ状態からＨ状態に変化する。この結果、ノードＤのＨ状態の信号がＰ型ＭＯＳトランジスタ２５ｅのゲート端子に入力され、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｅは、ＯＮ状態からＯＦＦ状態に変化し、電源電圧ＶＤＤ１およびＧＮＤ（ＶＳＳ１）間のＰ型ＭＯＳトランジスタ２５ｅ、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂを流れる貫通電流は、無くなる。
【０１２１】
このように、電圧出力回路２５におけるＡＤＯＵＴＢ信号のＨ状態からＬ状態への変化は、ノードＢにおける信号の遅延時間に関係なく、図２に示すノードＣの信号波形のＬ状態からＨ状態への変化点が起点になっているので、この起点からの経過時間を遅延時間（ＣＴ）とする。
【０１２２】
これにより、電圧変換回路１のスタンバイ状態を解除した場合に、出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子からＡＤＯＵＴＢ信号が出力されるまでの遅延時間は、図２のＡＤＯＵＴＢの信号波形に示すように、２Ｔ＋ＣＴとなる。この遅延時間は、
ＣＥＢ信号がＨ状態から（ＶＤＤ２）／２の電圧値になる時間を起点とし、ＡＤＯＵＴＢ信号がＨ状態から（ＶＤＤ１）／２の電圧値になる時間を終点とする。
【０１２３】
また、トライステート回路２０に入力されるＡＤ信号が、Ｌ状態（ＶＳＳ２）に固定されている場合は、ＡＤＯＵＴＢ信号は、常に、Ｈ状態となるので、この場合には、電圧変換回路１のスタンバイ状態が解除されてから、出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子からＡＤＯＵＴＢ信号が出力されるまでの遅延時間は存在しない。
【０１２４】
したがって、図１に示す電圧変換回路１おけるスタンバイ状態の解除時に、出力信号であるＡＤＯＵＴＢ信号が出力されるまでの遅延時間は、２Ｔ＋ＣＴが最大（ワーストケース）となる。
【０１２５】
本発明の電圧変換回路１および従来例である図９に示す電圧変換回路Ｂのスタンバイ状態を解除した場合の電圧出力回路２５および８０におけるＡＤＯＵＴＢ信号の電圧変化が生じるまでのそれぞれの遅延時間ＣＴおよび遅延時間ＡＴを、図２および図１０のタイミングチャートを用いて比較すると、以下の改善が図れる。従来例における遅延時間ＡＴは、図１０に示すノードＢの信号波形の変化を受けて、ノードＤの信号波形が変化し、さらに、そのノードＤの信号波形の変化を受けて、ＡＤＯＵＴＢの信号波形が変化するまでの時間である。一方、本発明における遅延時間ＣＴは、図２に示すノードＣの信号波形の変化を受けて、ＡＤＯＵＴＢ信号波形が変化するまでの時間である。
【０１２６】
この結果、遅延時間ＣＴは、ノードＣ→ＡＤＯＵＴＢに対する信号変化の時間となり、遅延時間ＡＴのようなノードＢ→ノードＤ→ＡＤＯＵＴＢに対する信号変化の時間に対して、明確に時間短縮が図れる。
【０１２７】
次に、図１に示す電圧変換回路１において、スタンバイ状態を解除後、バッファ回路５０に入力されるＣＥＢ信号がＬ状態を保持し、トライステート回路２０に入力されるＡＤ信号がＬ状態からＨ状態に変化する場合を考える。
【０１２８】
図３は、本発明の電圧変換回路１のスタンバイ状態の解除後、ＡＤ信号がＬ状態からＨ状態に変化した場合のＡＤＯＵＴＢ信号および各ノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄのおける信号のタイミングチャートである。ここで、ＣＥＢ、ＡＤ、ＡＤＯＵＴＢおよびノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、それぞれＣＥＢ信号、ＡＤ信号、ＡＤＯＵＴＢ信号およびノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおける信号の信号波形を示す。
【０１２９】
ＣＥＢ信号は、スタンバイ状態が解除されているので、図３のＣＥＢに示すように、Ｌ状態（ＧＮＤ）に固定されている。
【０１３０】
ノードＡにおける信号は、ＣＥＢ信号がＬ状態（ＧＮＤ）であるので、Ｌ状態となり遅延時間は存在せず、図３のノードＡに示すＬ状態の信号波形（Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【０１３１】
ＡＤ信号は、図３のＡＤに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【０１３２】
ノードＢにおける信号は、ＡＤ信号が入力されるトライステート回路２０内の遅延時間（１Ｔ）だけ遅れて、図３のノードＢに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【０１３３】
ノードＣにおける信号は、インバーター回路１５の入力信号であるノードＡの信号がＬ状態であるので、Ｈ状態となり遅延時間は存在せず、図３のノードＣに示すＨ状態の信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２）になる。
【０１３４】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子に接続されているノードＤにおける信号は、ノードＢの信号波形がＨ状態からＬ状態への変化を受けて、図３のノードＤに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ１、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【０１３５】
ＡＤＯＵＴＢ信号は、図３のノードＢおよびノードＣに示す信号波形のタイミングを受けて、図３のＡＤＯＵＴＢに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【０１３６】
図３に示すように、ノードＣにおける信号は、Ｈ状態となり遅延時間が存在しない。図１の電圧出力回路２５内の動作は、まずＬ状態からＨ状態に変化するＡＤ信号がＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂのゲート端子に入力され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂはＯＦＦ状態からＯＮ状態となる。次に、Ｈ状態のノードＣにおける信号によって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃおよびＰ型ＭＯＳトランジスタ３０ａがそれぞれＯＮ状態およびＯＦＦ状態となる。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａは、ＯＦＦ状態であるので、トライステート回路２０の出力信号であるノードＢにおける信号の変化に影響しない。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃがＯＮ状態になると、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子がＨ状態からＬ状態に変化し、電圧出力回路２５のＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号もＨ状態（ＶＤＤ１）からＬ状態（ＧＮＤ）に変化し始める。そうすると、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄがＯＦＦ状態からＯＮ状態に変化する。その変化中に、Ｌ状態からＨ状態に変化するＡＤ信号が入力されるトライステート回路２０の出力信号であるノードＢにおける信号は、Ｈ状態からＬ状態に変化し、これに伴ないＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ａがＯＮ状態からＯＦＦ状態に変化し、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子に接続されているノードＤの信号状態がＬ状態からＨ状態に変化する。その後、前述の電圧変換回路１のスタンバイ状態が解除される場合と同様の動作となる。
【０１３７】
このように、電圧出力回路２５におけるＡＤＯＵＴＢ信号のＨ状態からＬ状態への変化は、図３に示すＡＤの信号波形のＬ状態からＨ状態への変化点が起点になっているので、この起点からの経過時間を遅延時間（ＣＴ）とする。
【０１３８】
これにより、電圧変換回路１のスタンバイ状態を解除後、入力端子であるＡＤ端子から入力されるＡＤ信号がＬ状態からＨ状態に変化した場合に、出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子からＡＤＯＵＴＢ信号が出力されるまでの遅延時間は、上記ＡＤの信号波形のＬ状態からＨ状態への変化点が起点になるため、図３のＡＤＯＵＴＢの信号波形に示すように、ＣＴとなる。この遅延時間は、ＡＤの信号波形のＬ状態からＨ状態への変化点を起点とし、ＡＤＯＵＴＢ信号がＨ状態から（ＶＤＤ１）／２の電圧値になる時間を終点とする。
【０１３９】
本発明の電圧変換回路１および従来例である図９に示す電圧変換回路Ｂのスタンバイ状態を解除後、トライステート回路２０に入力されるＡＤ信号がＬ状態からＨ状態に変化する場合の電圧出力回路２５および８０におけるＡＤＯＵＴＢ信号の電圧変化が生じるまでのそれぞれの遅延時間ＣＴおよび遅延時間１Ｔ＋ＢＴを、図３および図１１のタイミングチャートを用いて比較すると、以下の改善が図れる。従来例における遅延時間ＡＴは、図１１に示すようにＡＤ信号が入力された後に、ノードＣの信号波形の変化を受けて、ＡＤＯＵＴＢの信号波形が変化するまでの時間である。一方、本発明における遅延時間ＣＴは、図３に示す入力信号であるＡＤの信号波形の変化を受けて、直ちにＡＤＯＵＴＢ信号波形が変化するまでの時間である。
【０１４０】
この結果、遅延時間ＣＴは、ＡＤ→ＡＤＯＵＴＢに対する信号変化の時間となり、遅延時間１Ｔ＋ＢＴのようなＡＤ→ノードＣ→ＡＤＯＵＴＢに対する信号変化の時間に対して、明確に時間短縮が図れる。
【０１４１】
次に、図１に示す電圧変換回路１において、スタンバイ状態を解除後、バッファ回路５０に入力されるＣＥＢ信号がＬ状態を保持し、トライステート回路２０に入力されるＡＤ信号がＨ状態からＬ状態に変化する場合を考える。
【０１４２】
図４は、本発明の電圧変換回路１のスタンバイ状態の解除後、ＡＤ信号がＨ状態からＬ状態に変化した場合のＡＤＯＵＴＢ信号および各ノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄのおける信号のタイミングチャートである。ここで、ＣＥＢ、ＡＤ、ＡＤＯＵＴＢおよびノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、それぞれＣＥＢ信号、ＡＤ信号、ＡＤＯＵＴＢ信号およびノードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおける信号の信号波形を示す。
【０１４３】
ＣＥＢ信号は、スタンバイ状態が解除されているので、図１１のＣＥＢに示すように、Ｌ状態（ＧＮＤ）に固定されている。
【０１４４】
ノードＡにおける信号は、ＣＥＢ信号がＬ状態（ＧＮＤ）であるので、Ｌ状態となり遅延時間は存在せず、図４のノードＡに示すＬ状態の信号波形（Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【０１４５】
ＡＤ信号は、図４のＡＤに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【０１４６】
ノードＢにおける信号は、ＡＤ信号が入力されるトライステート回路２０内の遅延時間（１Ｔ）だけ遅れて、図４のノードＢに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）になる。
【０１４７】
ノードＣにおける信号は、インバーター回路１５の入力信号であるノードＡの信号がＬ状態であるので、Ｈ状態となり遅延時間は存在せず、図４のノードＣに示すＨ状態の信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２）になる。
【０１４８】
Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子に接続されているノードＤにおける信号は、ノードＢの信号波形がＬ状態からＨ状態への変化を受けて、図４のノードＤに示すＨ状態からＬ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ１、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【０１４９】
ＡＤＯＵＴＢ信号は、図４のノードＢおよびノードＣに示す信号波形のタイミングを受けて、図４のＡＤＯＵＴＢに示すＬ状態からＨ状態に変化する信号波形（Ｈ状態：ＶＤＤ２、Ｌ状態：ＧＮＤ）となる。
【０１５０】
図４に示すように、ノードＣにおける信号は、Ｈ状態を保持し、遅延時間が存在しない。図１の電圧出力回路２５内の動作は、まずＨ状態からＬ状態に変化するＡＤ信号がＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂのゲート端子に入力され、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂはＯＮ状態からＯＦＦ状態になる。次に、Ｈ状態のノードＣにおける信号によって、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃおよびＰ型ＭＯＳトランジスタ３０ａがそれぞれＯＮ状態およびＯＦＦ状態となる。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａは、ＯＦＦ状態であるので、トライステート回路２０の出力信号であるノードＢにおける信号の変化に影響しない。
【０１５１】
ＡＤ信号がＨ状態からＬ状態に変化すると、ＡＤ信号が入力されるトライステート回路２０の出力信号であるノードＢにおける信号は、Ｌ状態からＨ状態に変化し、これに伴ないＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ａがＯＦＦ状態からＯＮ状態に変化し、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子に接続されているノードＤの信号状態がＨ状態からＬ状態に変化する。また、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂのドレイン端子と同電位になる。
【０１５２】
ノードＤの信号状態がＬ状態になると、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｅがＯＮ状態となり、電源電圧ＶＤＤ１がＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのドレイン端子に印加され、ＡＤＯＵＴＢ端子から出力されるＡＤＯＵＴＢ信号もＬ状態（ＧＮＤ）からＨ状態（ＶＤＤ１）に変化し始める。そうすると、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄがＯＮ状態からＯＦＦ状態に変化する。
【０１５３】
このように、電圧出力回路２５におけるＡＤＯＵＴＢ信号のＬ状態からＨ状態への変化は、図４に示すＡＤの信号波形がＨ状態からＬ状態になった時間を起点としているので、この起点からの経過時間を遅延時間（ＤＴ）とする。
【０１５４】
これにより、電圧変換回路１のスタンバイ状態を解除後、入力端子であるＡＤ端子から入力されるＡＤ信号がＨ状態からＬ状態に変化した場合に、出力端子であるＡＤＯＵＴＢ端子からＡＤＯＵＴＢ信号が出力されるまでの遅延時間は、図４のＡＤＯＵＴＢの信号波形に示すように、１Ｔ＋ＤＴとなる。この遅延時間は、ＡＤ信号がＨ状態から（ＶＤＤ２）／２の電圧値になる時間を起点とし、ＡＤＯＵＴＢ信号がＬ状態（ＧＮＤ）から（ＶＤＤ１）／２の電圧値になる時間を終点とする。
【０１５５】
本発明の電圧変換回路１および従来例である図９に示す電圧変換回路Ｂのスタンバイ状態を解除後、トライステート回路２０に入力されるＡＤ信号がＨ状態からＬ状態に変化する場合の電圧出力回路２５および８０におけるＡＤＯＵＴＢ信号の電圧変化が生じるまでのそれぞれの遅延時間１Ｔ＋ＤＴおよび遅延時間１Ｔ＋ＡＴを、図４および図１２のタイミングチャートを用いて比較すると、以下の改善が図れる。従来例における遅延時間ＡＴは、図１２に示すようにＡＤ信号が入力された後に、ノードＣの信号波形の変化を受けて、ＡＤＯＵＴＢの信号波形が変化するまでの時間である。一方、本発明における遅延時間１Ｔ＋ＤＴは、図４に示す入力信号であるＡＤの信号波形の変化を受けて、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ２５ｂが完全にＯＦＦ状態となり、その後、ＡＤＯＵＴＢ信号波形が変化するまでの時間である。このため、
この結果、遅延時間１Ｔ＋ＤＴは、ＡＤ→ＡＤＯＵＴＢに対する信号変化の時間となり、遅延時間１Ｔ＋ＡＴのようなＡＤ→ノードＣ→ＡＤＯＵＴＢに対する信号変化の時間に対して、明確に時間短縮が図れる。
【０１５６】
このような構成により、図１に示す本発明の電圧変換回路１は、図９に示す従来の電圧変換回路Ｂと比較して、入力信号が出力信号として出力されるまでの遅延時間が短縮され、信号伝送におけるアクセスの高速化が図れる。
【０１５７】
尚、実際の電圧変換回路内において、入力信号が出力信号として出力されるまでの遅延時間は、トランジスタのサイズ、回路素子と回路素子との接続によって生じる配線等によって決定されるが、本発明の実施形態の内容により、本質的に本発明の図１の電圧変換回路１は、従来例の図９の電圧変換回路Ｂと比較して、遅延時間が短縮できる。
【０１５８】
図５は、本発明の他の実施形態である電圧変換回路２の回路図である。図５の電圧変換回路図２は、図１の電圧変換回路１のインバータ回路１５が設けられていない以外、図１の電圧変換回路１と同様の構成である。
【０１５９】
図５の電圧変換回路２は、バッファ回路１０のＰ型ＭＯＳトランジスタ１０ｂおよびＮ型ＭＯＳタランジスタ１０ａから構成された１段目のインバータ回路の出力端子とノードＣとが接続されている。バッファ回路１０の１段目のインバータ回路は、電圧変換回路２において、図１の電圧変換回路１のインバータ回路１５と同様の作用を有し、バッファ回路１０の１段目のインバータ回路の出力信号は、ノードＣを介してトライステート回路２０のＮ型ＭＯＳトランジスタ２０ａのゲート端子、プルアップ用Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３０ａのゲート端子および電圧出力回路２５のＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ｃのゲート端子に供給される。
【０１６０】
このような構成により、図５の電圧変換回路２は、図１の電圧変換回路１と同様の効果が得られ、回路規模の設定および配線の設計によっては、図１の電圧変換回路１より、さらに、入力信号が出力信号として出力されるまでの遅延時間が短縮され、信号伝送におけるアクセスの高速化が図れる。
【０１６１】
図６は、本発明の電圧変換回路１および２の電圧出力回路２５のＡＤＯＵＴＢ端子、および、ノードＤ側のＰ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子に、それぞれインバータ回路が接続された回路図である。２つのインバータ回路は、反転電圧を調整することによって、それぞれ極性の異なる信号を出力する。
【０１６２】
電圧出力回路２５のＡＤＯＵＴＢ端子に接続されているインバータ回路は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３５ｂおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ３５ａから構成されており、ノードＤ側のＰ型ＭＯＳトランジスタ２５ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ２５ａのドレイン端子に接続されているインバータ回路は、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ３５ｄおよびＮ型ＭＯＳトランジスタ３５ｃから構成されている。
【０１６３】
これにより、図６に示す電圧出力回路２５を備えた電圧変換回路１および２は、２つの出力端子を有し、２つの極性の異なる出力信号を同時に出力することが可能となる。この結果、電圧変換回路１および２は、入力信号を複数の回路ブロックに出力でき、多機能化が図れる。
【０１６４】
また、このような本発明の電圧変換回路１および２が複数のＬＳＩ等の回路ブロック間に設けられることによって、多機能化された半導体装置が得られる。
【０１６５】
【発明の効果】
本発明の電圧変換回路は、入力信号と、待機・動作制御信号を反転させた第１反転信号と、待機・動作制御信号および第１反転信号に基づいて入力信号に応じて生成された動作用信号または待機用信号とが入力される電圧出力回路において、入力信号および第１反転信号が動作用信号または待機用信号よりも先に電圧出力回路に入力されるために、入力信号および第１反転信号に基づいて、入力信号電圧を所定の電圧に変換して出力することができ、これにより、入出力端子間における信号の遅延時間が短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態である電圧変換回路の回路図である。
【図２】図１に示す電圧変換回路のスタンバイ状態が解除された場合の各信号のタイミングチャートである。
【図３】図１に示す電圧変換回路のスタンバイ状態の解除後、入力信号がＬ状態からＨ状態に変化する場合の各信号のタイミングチャートである。
【図４】図１に示す電圧変換回路のスタンバイ状態の解除後、入力信号がＨ状態からＬ状態に変化する場合の各信号のタイミングチャートである。
【図５】本発明の他の実施形態である電圧変換回路の回路図である。
【図６】図１および５に示す電圧変換回路の出力端子が２つの場合の回路図である。
【図７】従来の電圧変換回路の回路図である。
【図８】インバータ回路の回路図である。
【図９】従来の他の例である電圧変換回路の回路図である。
【図１０】図９に示す電圧変換回路のスタンバイ状態が解除された場合の各信号のタイミングチャートである。
【図１１】図９に示す電圧変換回路のスタンバイ状態の解除後、入力信号がＬ状態からＨ状態に変化する場合の各信号のタイミングチャートである。
【図１２】図９に示す電圧変換回路のスタンバイ状態の解除後、入力信号がＨ状態からＬ状態に変化する場合の各信号のタイミングチャートである。
【符号の説明】
１    電圧変換回路
２    電圧変換回路
１０    バッファ回路
１０ａ  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
１０ｂ  Ｐ型ＭＯＳトランジスタ
１０ｃ  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
１０ｄ  Ｐ型ＭＯＳトランジスタ
１５    インバータ回路
１５ａ  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
１５ｂ  Ｐ型ＭＯＳトランジスタ
２０    トライステート回路
２０ａ  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
２０ｂ  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
２０ｃ  Ｐ型ＭＯＳトランジスタ
２０ｄ  Ｐ型ＭＯＳトランジスタ
２５    電圧出力回路
２５ａ  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
２５ｂ  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
２５ｃ  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
２５ｄ  Ｐ型ＭＯＳトランジスタ
２５ｅ  Ｐ型ＭＯＳトランジスタ
３０ａ  プッシュプル用Ｐ型ＭＯＳトランジスタ
３５ａ  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
３５ｂ  Ｐ型ＭＯＳトランジスタ
３５ｃ  Ｎ型ＭＯＳトランジスタ
３５ｄ  Ｐ型ＭＯＳトランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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