(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームやＸ線などを試料に照射して、試料表面から発生する特性Ｘ線を検出して元素分析を行うエネルギー分散型Ｘ線検出装置において、
金属素材によって製作され、半導体Ｘ線検出素子を絶縁体を介して収納し円筒状のめねじを設けた素子ホルダと、
金属素材によって製作され、前記半導体Ｘ線検出素子からの信号を増幅するための初段ＦＥＴを有する基板を収納し冷却機構を有しておねじを設けたフィンガ本体とを備え、
前記めねじと前記おねじによって素子ホルダとフィンガ本体を締結し前記半導体Ｘ線検出素子を固定するように構成したことを特徴とするエネルギー分散型Ｘ線検出装置。
【請求項２】
請求項１記載のエネルギー分散型Ｘ線検出装置において、半導体Ｘ線検出素子を収める前記素子ホルダを熱膨張係数の大きい金属素材によって製作し、一方、初段ＦＥＴを有する基板を収めた前記フィンガ本体を前記素子ホルダに比べて熱膨張係数の小さい金属素材によって製作したことを特徴とするエネルギー分散型Ｘ線検出装置。
【請求項３】
電子ビームやＸ線などを試料に照射して、試料表面から発生する特性Ｘ線を検出して元素分析を行うエネルギー分散型Ｘ線検出装置において、半導体Ｘ線検出素子を収納し円筒状のめねじを設けた素子ホルダと、前記半導体Ｘ線検出素子からの信号を増幅するための初段ＦＥＴを有する基板を収納し冷却機構を有しておねじを設けたフィンガ本体とを備え、前記めねじと前記おねじによって素子ホルダとフィンガ本体を締結し前記半導体Ｘ線検出素子を固定するように構成したことを特徴とするエネルギー分散型Ｘ線検出装置において、半導体Ｘ線検出素子の電極に電圧を供給するための高電圧配線を前記素子ホルダに通すことができるように前記素子ホルダにスリット状開口部を設けたことを特徴とするエネルギー分散型Ｘ線検出装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載されたエネルギー分散型Ｘ線検出装置を備えたことを特徴とする走査型電子顕微鏡または電子線マイクロアナライザー。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、試料表面から発生する特性Ｘ線を検出することで、試料の元素分析を行うエネルギー分散型Ｘ線検出装置に係わり、特に、蛍光Ｘ線装置や電子線マイクロアナライザーなどに用いられる半導体Ｘ線検出素子を保持する先端部の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子線を試料の表面に照射すると電子と物質との相互作用の結果、特性Ｘ線、反射電子、あるいは二次電子などの量子を発生する。これらの量子は試料の性質を示す情報の媒体である。その中で主に特性Ｘ線を検出して試料の微小領域を非破壊で元素分析する装置に電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）がある。
ＥＰＭＡは、電子照射系、試料ステージ、Ｘ線分光器、電子走査装置、コンピュータ制御装置とデータ処理系から構成されている。電子線を扱う部分は照射系あるいは鏡筒と呼ばれ、約１０−３〜１０−４Ｐａ程度の真空に保たれ、電子線は、フィラメント、ウェネルト円筒、陽極からなる電子銃から放射され、通常１〜５０ｋＶの電圧で加速される。この電子線は集束レンズ及び対物レンズの電磁レンズ作用で細く絞られ（電子プローブ）、試料室内の試料に照射される。試料上での電子線は、直径４０Å〜１μｍ程度になるが、分析目的に応じ径１００μｍ以上に電磁レンズの励磁を変えて調整できる。試料上の目的とする任意の分析場所に電子プローブを照射するため、試料は、水平動、上下動、回転などの移動機構を備えた試料ステージに装着される。分析位置は、通常、照射系内（又は試料室内）に組み込まれた電子走査装置でブラウン管上の走査像を観察して決められる。
電子プローブで照射された試料表面から発生するＸ線には、試料を構成する元素に固有の波長をもつ特性Ｘ線が含まれている。特性Ｘ線の波長λは、原子番号と次式Ｍｏｓｅｌｅｙの法則で結びつけられている。
λ＝Ｃ／（Ｚ−σ）２、Ｚ：原子番号、Ｃ、σ：定数
λをＸ線分光器で測定すれば、Ｚを知ることができ、従って試料を構成する元素が分かる。また、Ｘ線のエネルギーＥはλ（Å）とＥ（ＫｅＶ）≒１２．４／λの関係があるので、エネルギーの値より元素を知ることができる。Ｘ線分光器には、波長分散形分光器（ＷＤＳ）と半導体検出器で直接Ｘ線エネルギーを検出するエネルギー分散形分光器（ＥＤＳ）がある。ここでは後者のＥＤＳについて説明する。
ＥＤＳでは半導体検出器に入ったＸ線は、そのエネルギーに比例した数の電子―正孔対を半導体中につくり、電気信号を発生させる。この電気信号の大きさを多重波高分析器で識別することにより、Ｘ線のエネルギー値Ｅを知り試料構成元素を検出することができる。
【０００３】
図４にエネルギー分散型Ｘ線検出装置の構造を示す。電子銃２０からの電子ビームが試料２１に照射され、試料２１から特性Ｘ線が発せられる。通常半導体Ｘ線検出素子１は、エンドキャップ２４と呼ばれる円筒形の肉厚の薄い部材に収められ、エンドキャップ２４とコールドフィンガ７との間は真空状態に保たれる。そして、半導体Ｘ線検出素子１は、測定性能を向上させるために、コールドフィンガ７の先端に取り付けられて、デュア３５に貯められた液体窒素でその温度近くまで冷却される。そして、試料２１から発せられた特性Ｘ線は、コリメータ２２の穴を通り、極めて薄い部材で作られたＸ線入射窓２３を透過して素子ホルダ４内に備えられた半導体Ｘ線検出素子１で検出される。コリメータ２２は穴径の異なる穴が複数個設けられ、特性Ｘ線の強度に応じて選択設定される。コリメータ２２は支持シャフト２６により保持されている。そして、支持シャフト２６はＯリング２８によって筐体２９内部の真空と外気の大気圧とを遮断している。そしてベースブロック３０に設けられたＯリング２８と支持ブロック２５に支えられ、先端に取り付けられているコリメータ２２を駆動レバー３２で回転し、コリメータ穴を選択設定している。一方、半導体Ｘ線検出素子１を内蔵する円筒形のエンドキャップ２４は、Ｘ線感度を調整できるようにするため、試料２１と半導体Ｘ線検出素子１との距離を調整できるように、エンドキャップ２４の他端に取り付けられた検出器本体ブロック３４がレール３１に固定され、ハンドル３３を回すことにより前後に駆動される。そして、エンドキャップ２４は、Ｏリング２７によって筐体２９内部の真空と外気の大気圧とを遮断している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のエネルギー分散型Ｘ線検出装置は、以上のように構成されているが、半導体Ｘ線検出素子１の性能を維持するため、液体窒素を貯めたデュア３５からの液体窒素冷却を必要とし、この液体窒素をデュア３５からコールドフィンガ７と呼ばれる部材に送って、先端部の素子ホルダ４内に備えられた半導体Ｘ線検出素子１を冷却し、コールドフィンガ７が先端部を支持している。
このとき、検出効率を高めるために、半導体Ｘ線検出素子１を試料２１にできるだけ近づける必要があるため、このコールドフィンガ７とそれを内蔵したエンドギャップ２４はその長さを長くとる必要がある。
一方、その電気的雑音を少なくするため、半導体Ｘ線検出素子１にできるだけ近い位置のフィンガ本体６内に、初段信号増幅のためのＦＥＴ１１が設けられている。
従って、半導体Ｘ線検出素子１および初段のＦＥＴ１１は、長いコールドフィンガ７の先端に備えられることになり、その半導体Ｘ線検出素子１やＦＥＴ１１の保持方法によっては、それらが極めて振動に対して弱くなる構造になる。そのため、これらの部材の固定方法が複雑化し、部品点数が多くなり、加工条件も厳しくなるため、コストがかさんでしまうという問題がある。
一方、一般的に、初段のＦＥＴ１１が最も低雑音の特性を示す温度は、液体窒素温度で冷却されているコールドフィンガ７の温度よりも数十度程度高いことが知られている。従って、この初段のＦＥＴ１１に備えられたヒータの温度を最適化することでＦＥＴ１１の雑音特性を向上させ、高分解能のエネルギー分散型Ｘ線検出装置が可能となる。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、従来の構造より耐振動性にすぐれ、かつ低コストを実現し、さらにＦＥＴのヒータ温度を最適化することにより低雑音高分解能の検出器先端部の構造を有するエネルギー分散型Ｘ線検出装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明のエネルギー分散型Ｘ線検出装置は、電子ビームやＸ線などを試料に照射して、試料表面から発生する特性Ｘ線を検出して元素分析を行うエネルギー分散型Ｘ線検出装置において、金属素材によって製作され、半導体Ｘ線検出素子を収納し円筒状のめねじを設けた素子ホルダと、金属素材によって製作され、前記半導体Ｘ線検出素子からの信号を増幅するための初段ＦＥＴを有する基板を収納し冷却機構を有しておねじを設けたフィンガ本体とを備え、前記めねじと前記おねじによって素子ホルダとフィンガ本体を締結し前記半導体Ｘ線検出素子を固定するように構成したものである。
【０００７】
さらに、本発明のエネルギー分散型Ｘ線検出装置は、請求項１記載のエネルギー分散型Ｘ線検出装置において、半導体Ｘ線検出素子を収める前記素子ホルダを熱膨張係数の大きい金属素材によって製作し、一方、初段ＦＥＴを有する基板を収めた前記フィンガ本体を前記素子ホルダに比べて熱膨張係数の小さい金属素材によって製作したものである。
【０００８】
そして、本発明のエネルギー分散型Ｘ線検出装置は、電子ビームやＸ線などを試料に照射して、試料表面から発生する特性Ｘ線を検出して元素分析を行うエネルギー分散型Ｘ線検出装置において、半導体Ｘ線検出素子を収納し円筒状のめねじを設けた素子ホルダと、前記半導体Ｘ線検出素子からの信号を増幅するための初段ＦＥＴを有する基板を収納し冷却機構を有しておねじを設けたフィンガ本体とを備え、前記めねじと前記おねじによって素子ホルダとフィンガ本体を締結し前記半導体Ｘ線検出素子を固定するように構成したことを特徴とするエネルギー分散型Ｘ線検出装置において、半導体Ｘ線検出素子の電極に電圧を供給するための高電圧配線を前記素子ホルダに通すことができるように前記素子ホルダにスリット状開口部を設けたものである。
【００１０】
さらに、請求項４に記載された発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載されたエネルギー分散型Ｘ線検出装置を備えた走査型電子顕微鏡または電子線マイクロアナライザーである。
【００１１】
本発明のエネルギー分散型Ｘ線検出装置は、上記のように構成されており、金属素材によって製作され、半導体Ｘ線検出素子を収納し円筒状のめねじを設けた素子ホルダと、金属素材によって製作され、前記半導体Ｘ線検出素子からの信号を増幅するための初段ＦＥＴを有する基板を収納し冷却機構を有しておねじを設けたフィンガ本体とをねじによって締結し、半導体Ｘ線検出素子を固定するように構成し、さらに、半導体Ｘ線検出素子を収める素子ホルダを熱膨張係数の大きい金属素材によって製作し、一方、初段ＦＥＴを有する基板を収めた前記フィンガ本体を前記素子ホルダに比べて熱膨張係数の小さい金属素材によって製作し、そして、半導体Ｘ線検出素子の電極に電圧を供給するための高電圧配線を前記素子ホルダに通すことができるようにスリット状開口部を備えている。そのため、半導体Ｘ線検出素子を備えた素子ホルダとよばれる部材と、ＦＥＴを設けた基板を接着した主要構成材であるフィンガ本体とよばれる部材とを締結する構造にし、これら２つの熱膨張係数の異なる部材で製作することにより、ＦＥＴを設けた基板に直接半導体Ｘ線検出素子を押し当て接触固定することで、従来からのばねによる半導体Ｘ線検出素子を固定する方法に特有の耐振動特性を改善し、ばね成分を無くし、耐振動特性を向上させることができる。さらに、主要構成材であるフィンガ本体に、半導体Ｘ線検出素子を収めた素子ホルダを直接ねじによって締結することにより、固定方法を簡素化し、部品点数を減らし、低コストなフィンガ本体の構造を実現することができる。さらに、このシンプルな構造は素子への熱伝導を良くし、素子の冷却を促し、より高分解能を得ることができるようになる。この際、素子ホルダを締結するにあたり、高電圧印加用の高電圧配線が、締結によりねじれることがあったが、スリット状開口部を素子ホルダに開けることにより、高電圧配線のねじれのない構造とすることができる。そのことにより、配線がひろう雑音を極力少なくすることが可能となり、高分解能型のエネルギー分散型Ｘ線検出装置を実現することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明のエネルギー分散型Ｘ線検出装置の一実施例を図１、図２を参照しながら説明する。図１は本発明のエネルギー分散型Ｘ線検出装置の半導体Ｘ線検出素子１を収納した素子ホルダ４とフィンガ本体６の先端内部の検出部の構造展開図を示し、図２はその断面図を示す。
本エネルギー分散型Ｘ線検出装置は、従来の装置と比べて、コールドフィンガ７の先端に装着されたフィンガ本体６と素子ホルダ４で締結された検出部の内部構造が異なり、図１及び図２に示す構造をしている。他の各部の構成は図４に示すものと同じである。
【００１３】
本装置は、コールドフィンガ７の先端に装着されデュア３５に貯められた液体窒素でその温度近くまで冷却され、肉厚の薄い円筒状の真空にされたエンドキャップ２４に内蔵されて、素子ホルダ４とフィンガ本体６が締結され内部に半導体Ｘ線検出素子１と基板５上にＦＥＴ１１とヒータ抵抗１２を設けた検出部と、その検出部を前後させるレール３１、ハンドル３３と、支持シャフト２６の先端に装着されたコリメータ２２と、そのコリメータ２２の穴を選択するための駆動レバー３２と、エンドキャップ２４と支持シャフト２６を渡設する支持ブロック２５とから構成されている。
【００１４】
本装置の検出部は、前面に特性Ｘ線を入射させる検出口１５の穴を有し、円筒状の円周部に高電圧配線８を通すスリット状開口部１０が設けられ、反対側の開口部にめねじが加工された素子ホルダ４と、内部に電極２と半導体Ｘ線検出素子１を収める円筒状の絶縁体３と、特性Ｘ線を検知する半導体Ｘ線検出素子１と、それに高電圧を印加するための高電圧配線８及び電極２と、先端部とデュア３５を熱的に接続することで半導体Ｘ線検出素子１を冷却し保持するコールドフィンガ７と、内部に基板５を装着し円筒状の一端の外周におねじ１４を加工し素子ホルダ４とおねじ１４によって締結する銅などの熱伝導性の良い素材で作られたフィンガ本体６と、半導体Ｘ線検出素子１からの信号を初段増幅するためのＦＥＴ１１とそのＦＥＴ１１のゲートに接続されたゲート電極１３とそのＦＥＴ１１の動作温度をコントロールするヒータ抵抗１２とを搭載し外部との信号の送受をするＦＥＴ配線９とを備えた基板５とから構成されている。
【００１５】
エンドキャップ２４は、試料２１が筐体２９の試料室にセットされており、筐体２９に取り付ける取付フランジから試料２１までの距離が長いため、挿入するエンドキャップ２４の長さも長くなる。軽量にするためにも、その肉厚は薄く円筒状に作られ、内部を真空にして、冷却された半導体Ｘ線検出素子１とコールドフィンガ７が内蔵されている。そして、筐体２９内側では、先端に特性Ｘ線を透過する薄いＸ線入射窓２３を有し、筐体２９外部の他端は検出器本体ブロック３４に装着されている。そして、真空の筐体２９内側と筐体２９外側をＯリング２７でシールしている。検出器本体ブロック３４はレール３１に固定され、ハンドル３３を回すことによりエンドキャップ２４が前後する。それにより半導体Ｘ線検出素子１が試料２１に近づいたり遠ざかったりする。
【００１６】
半導体Ｘ線検出素子１は、入射した特性Ｘ線がそのエネルギーに比例した数の電子―正孔対を半導体中につくり、電気信号を発生させるもので、Ｓｉ（Ｌｉ）結晶が使われ、Ｘ線測定時は、性能を上げる（熱雑音を下げる）ために液体窒素を用いて冷却される。本装置では液体窒素をデュア３５に貯め、真空にされたエンドキャップ２４内に、コールドフィンガ７の部材で先端に装着された半導体Ｘ線検出素子１を液体窒素温度近くに冷却している。先端部の半導体Ｘ線検出素子１が収められている素子ホルダ４とフィンガ本体６は、コールドフィンガ７によって支持され、液体窒素のデュア３５につながっており、Ｘ線検出時は、ＦＥＴの熱雑音をおさえるため、液体窒素温度近くにまで冷却されて使用される。
そして、高電圧配線８が素子ホルダ４に設けられたスリット状開口部１０を通り、さらに、絶縁体３を通って電極２に接続され、半導体Ｘ線検出素子１に高電圧が印加される構造であり、その半導体Ｘ線検出素子１は、外部と絶縁するために、例えばＢＮ（窒化ボロン）などで作られる絶縁体３に電極２と共に入れられ素子ホルダ４に収められる。そして、めねじが加工された素子ホルダ４とおねじ１４が加工されたフィンガ本体６とを締結する時に、半導体Ｘ線検出素子１は、電極２とゲート電極１３の間に挟まれて、半導体Ｘ線検出素子１の出力端と基板５に設けられたゲート電極１３が電気的に接触固定される。それによって、半導体Ｘ線検出素子１の出力信号は、基板５に設けられたゲート電極１３によってＦＥＴ１１からその信号が取り出される。
【００１７】
基板５は、半導体Ｘ線検出素子１からの信号を初段増幅するためのＦＥＴ１１のチップと、それを加熱するヒータ抵抗１２が備えられ、ＦＥＴ１１のゲート端子が基板５の端面に設けられたゲート電極１３に電気的に接続され、ＦＥＴ配線９によって後段のプリアンプ（図示せず）に接続される。ＦＥＴ１１のチップは基板５に設けられたヒータ抵抗１２によって動作時の温度が制御され、暖められる構造をしている。そして、基板５は、フィンガ本体６に加工された取付け位置に接着剤によって固定される。
【００１８】
次に、本装置の特徴を請求項にそって説明する。請求項１では、基板５と素子ホルダ４の間に半導体Ｘ線検出素子１を配し、基板５に設けられたゲート電極１３に直接半導体Ｘ線検出素子１をあて、金属素材によって製作され、めねじを備えた素子ホルダ４を、金属素材によって製作され、おねじを備えたフィンガ本体６に直接締結する構造によって、半導体Ｘ線検出素子１を固定することを特徴としており、このような簡単な構造をとることで、部品点数を少なくし、製作コストを小さくしたことを特徴とする。また、このことで、フィンガ本体６と半導体Ｘ線検出素子１の熱伝導を良くし、半導体Ｘ線検出素子１の冷却をより促すことができるようになるため、高分解能の測定を行うには有利となる。本装置では、基板５とフィンガ本体６の接着、及び素子ホルダ４とフィンガ本体６の締結によって、ばね成分のない構造をとっている。このばね成分を持たない構造をとることにより、耐振動特性は格段に向上することができる。
【００１９】
各部材は、液体窒素温度にまで冷却されるために熱収縮を起こす。このため、従来の構造は、半導体Ｘ線検出素子１とゲート電極１３の間にばねを入れたり、あるいは、基板５を接着せずに基板５とフィンガ本体６との間にばねを入れるなどして、各部材が熱収縮を起こしても、半導体Ｘ線検出素子１とゲート電極１３の電気的接触を保てるようにする構造をとることが一般的であった。しかしながら、ばね成分を持つ構造においては、耐振動特性が劣り、振動に弱い検出部となってしまう。
【００２０】
請求項２では、素子ホルダ４は、例えば、アルミニウムなどの熱膨張係数が大きい部材を用い、一方、フィンガ本体６は素子ホルダ４に比較して熱膨張係数が小さい、例えば、銅、真鍮などの部材を用いる。これにより液体窒素に冷却された場合、熱収縮率が大きい素子ホルダ４の方がフィンガ本体６より縮むことで、半導体Ｘ線検出素子１を固定する方向に働き、液体窒素温度でも半導体Ｘ線検出素子１及び絶縁材３は、金属にくらべて熱収縮率は無視できるほど小さいので、ゲート電極１３と半導体Ｘ線検出素子１との電気的コンタクトを損なうことがない。
【００２１】
請求項３では、素子ホルダ４をフィンガ本体６に締結する場合、電極２に高電圧を供給する高電圧配線８がねじれてしまったり、不用意に長い配線となることは、雑音を拾う一つの原因になる。そこで、本装置においては高電圧配線８を通すために設けられた素子ホルダ４の配線導入口を、スリット状にしたスリット状開口部１０を備えたことを特徴とする。この配線導入口が従来のような単に穴だけであると、締結後の素子ホルダ４の向きと、配線先のコネクタ（図示せず）などの向きとが、最大１８０°違うことが発生する。この時、コールドフィンガ７の半周分のねじれが高電圧配線８に生じることになる。本装置では、この開口をスリット状としたことで、締結後の向きが何れの方向であっても、高電圧配線８が通る向きを配線先のコネクタの向きにあわせることができるため、常に、真っ直ぐな最短での配線路をとることができる。従って、高電圧配線８のねじれなどによる雑音を極力押さえることができる。
【００２２】
次に、本装置の操作の一例を説明する。まず、試料２１を試料ステージに載せ、試料室の所定の場所にセットし、筐体２９内部を真空にする。電子銃２０からの走査電子で試料表面の状態をモニタで観察し、分析する位置を決める。決めた位置を試料ステージを動かして、分析ターゲット位置にセットする。先端に備えられた半導体Ｘ線検出素子１が正常に冷却されているかを確認し、さらに、フィンガ本体６内に設けられた基板５上に搭載されたＦＥＴ１１を暖めるヒータ抵抗１２に最適な電圧が印加されていることを確認し（自動設定の場合不要）、そして、電子銃２０から電子ビームを試料２１にあて、そこから特性Ｘ線を発生させる。まず、ハンドル３３を回して、半導体Ｘ線検出素子１を内蔵したエンドキャップ２４を試料２１に近づける。そして、駆動レバー３２を回して、コリメータ２２のコリメータ穴を選択する。試料２１から発生する特性Ｘ線の強度によって測定可能なレベルに設定して測定する。その電気信号を多重波高分析器にかけてエネルギースペクトルを得る。
【００２３】
【発明の効果】
本発明のエネルギー分散型Ｘ線検出装置は上記のように構成されており、金属素材によって製作され、半導体Ｘ線検出素子を収納した素子ホルダと、金属素材によって製作され、初段ＦＥＴを有する基板を収納したフィンガ本体とをねじによって締結して、半導体Ｘ線検出素子を固定し、さらに、素子ホルダを熱膨張係数の大きい金属素材とし、フィンガ本体を素子ホルダに比べて熱膨張係数の小さい金属素材とし、そして、高電圧配線を素子ホルダに通すことができるようにスリット状開口部を備えている。そのため、フィンガ本体に、素子ホルダを直接ねじによって締結することにより、簡単な構造で半導体Ｘ線検出素子への熱伝導を良くして冷却を促し、より高分解能を得ることができるようになる。そして、固定方法を簡素化して部品点数を減らし、低コストなフィンガ本体の構造を実現することができる。そして、ＦＥＴを設けた基板に直接半導体Ｘ線検出素子を押し当て接触固定することで、ばね成分を無くし、熱膨張係数の違いによる固定法で耐振動特性を向上させることができる。さらに、高電圧配線が素子ホルダ締結時に、ねじれることが無いように、スリット状開口部を設けているので、配線がひろう雑音を極力少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のエネルギー分散型Ｘ線検出装置の一実施例を示す図である。
【図２】  本発明のエネルギー分散型Ｘ線検出装置のフィンガ先端部の断面をを示す図である。
【図３】  本発明のエネルギー分散型Ｘ線検出装置のＦＥＴ加熱用のヒータ電圧に対する分解能の実験データを示す図である。
【図４】  従来のエネルギー分散型Ｘ線検出装置を示す図である。
【符号の説明】
１…半導体Ｘ線検出素子
２…電極
３…絶縁体
４、４ａ…素子ホルダ
５…基板
６、６ａ…フィンガ本体
７…コールドフィンガ
８…高電圧配線
９…ＦＥＴ配線
１０…スリット状開口部
１１…ＦＥＴ
１２…ヒータ抵抗
１３…ゲート電極
１４…おねじ
１５…検出口
【図１】
0003890883.tif 000002
【図２】
0003890883.tif 000003
【図３】
0003890883.tif 000004
【図４】
0003890883.tif 000005