(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面側にのみ電極を形成しているＬＥＤを、凹所を有する支持基体の該凹所内に形成している接続端子にフリップチップ方式で実装していて、ＬＥＤの電極形成面から放射される光を、この電極形成面と対向している凹所の底部で反射させて凹所の開口側に取り出すようにしたＬＥＤ発光装置であって、前記ＬＥＤの電極形成面と前記凹所の底部と間に、その外周部が開放している間隙を形成すると共に、前記凹所の底部に前記ＬＥＤの電極形成面から放射された光を前記間隙の開放している外周部方向へと反射させる凸部と、この間隙の開放している外周部の底位置より高い位置にその上面が位置するように支持基体の凹所内に前記接続端子を上面に配した支持台とを形成し、前記凸部の頂部が前記凹所の底部の中央から外向き放射状に延びる十字形状の稜線を形成するようにすることにより、ＬＥＤの電極形成面から放射され、電極形成面と対向している凹所の底部で反射した光を前記間隙の開放している外周部を通過させて、凹所の開口側に取り出すようにしていることを特徴とするＬＥＤ発光装置。
【請求項２】
支持台が、凹所底部を横切るように立ち上がっていて、且つその側面は下向きに広がる反射面をなしている凸条部であって、その頂上面が凹所底部の中央から外向き放射状に延びる十字形状を形成していることを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ発光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一方の面側にのみ電極を形成しているＬＥＤ（Light Emittinng Diode：発光ダイオード）を、凹所を有する支持基体の該凹所内に形成している接続端子にフリップチップ方式で実装しているＬＥＤ発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一方の面側にのみ電極を形成しているＬＥＤからの光を特定の方向に取り出せるように実装する手段として、例えば図１２〔（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図〕に示すように、支持基体２に凹所３を形成し、その凹所３の底部４にＬＥＤ５をダイボンドし、ＬＥＤ５の電極６、６と、支持基体２上の接続端子７、７とを金ワイヤ８、８により接続した後、凹所３を透明樹脂９で封止する方法が行われている。なお、接続端子７は支持基体２に形成している回路パターン１０の一部でもある。
【０００３】
このようなＬＥＤ発光装置１に使用されるＬＥＤ５には、表裏面及び側面から光を放射するものがある。そして、ＬＥＤ５の側面から放射される光を効率良く凹所３の開口１４側に取り出す手段として、凹所３の内面を反射面とする方法がある。しかし、ＬＥＤ５をダイボンドしている面から出る光はダイボンド樹脂に吸収されるため、ＬＥＤ５からの光取り出し効率が不十分であるという問題がある。
【０００４】
光取り出し効率を改善する手段として、図１３〔（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図〕に示すように、ＬＥＤ５の電極６、６にそれぞれ金属突起１１、１１を形成し、電極形成面１２を下方にしたＬＥＤ５を、凹所３の底部４に形成している接続端子７、７にフリップチップ方式で実装することにより、凹所３の底部４側に位置するＬＥＤ５の電極形成面１２からの光を、電極形成面１２と対向している凹所３の底部４で反射し、反射した光をＬＥＤ５内を通して凹所３の開口１４側に取り出すことが検討されている。しかし、反射した光をＬＥＤ５内を通過させるようにして取り出す場合、光がＬＥＤ５内で吸収されたり、反射されたりして、光を効率よく取り出せないため、電極形成面１２からの光の取り出しについて、改善する方策が求められている。
【０００５】
なお、ここでいうフリップチップ方式とは、ＬＥＤ５の半導体素子が形成された面（電極形成面１２）を支持基体２と向かい合せる（フェースダウン）ようにして、ＬＥＤ５の電極６、６と支持基体２上の接続端子７、７とを電気的に接続する方式のことを表している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みて成されたもので、その目的とする所は、凹所を有する支持基体の該凹所内に形成している接続端子にフリップチップ方式で実装しているＬＥＤの電極形成面から発した光を効率良く、凹所３の開口側に取り出せるＬＥＤ発光装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明のＬＥＤ発光装置は、一方の面側にのみ電極を形成しているＬＥＤを、凹所を有する支持基体の該凹所内に形成している接続端子にフリップチップ方式で実装していて、ＬＥＤの電極形成面から放射される光を、この電極形成面と対向している凹所の底部で反射させて凹所の開口側に取り出すようにしたＬＥＤ発光装置であって、前記ＬＥＤの電極形成面と前記凹所の底部と間に、その外周部が開放している間隙を形成すると共に、前記凹所の底部に前記ＬＥＤの電極形成面から放射された光を前記間隙の開放している外周部方向へと反射させる凸部と、この間隙の開放している外周部の底位置より高い位置にその上面が位置するように支持基体の凹所内に前記接続端子を上面に配した支持台とを形成し、前記凸部の頂部が前記凹所の底部の中央から外向き放射状に延びる十字形状の稜線を形成するようにすることにより、ＬＥＤの電極形成面から放射され、電極形成面と対向している凹所の底部で反射した光を前記間隙の開放している外周部を通過させて、凹所の開口側に取り出すようにしていることを特徴とするＬＥＤ発光装置である。
【０００８】
請求項２に係る発明のＬＥＤ装置は、支持台が、凹所底部を横切るように立ち上がっていて、且つその側面は下向きに広がる反射面をなしている凸条部であって、その頂上面が凹所底部の中央から外向き放射状に延びる十字形状を形成していることを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ発光装置である。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００２０】
図１は、本発明の第１参考例を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。第１参考例のＬＥＤ発光装置１では、成形によって作製した合成樹脂製の支持基体２を使用している。支持基体２には凹所３を形成していて、その凹所３の底部４には、その上面１５の高さが周囲より一段高くなっている柱状の支持台１６、１６を形成している。この柱状の支持台１６、１６は凹所３の底部４より立ち上がるように形成している。また、この柱状の支持台１６、１６は、成形によって支持基体２を作製する際に、同時に合成樹脂の成形によって支持基体２と一体に形成している。そして、支持台１６、１６上から凹所３の外部に延びる回路パターン１０、１０をめっきによって形成していて、支持台１６、１６の上面１５に接続端子７、７を回路パターン１０、１０の一部として形成している。回路パターン１０は、例えば、合成樹脂製の支持基体２に銅めっきを施して５〜１０μｍ程度の厚みの銅膜を形成した後、ニッケルめっきを施して５〜１０μｍ程度の厚みのニッケル膜を銅膜上に形成し、さらに金めっきを施して０．３〜０．５μｍ程度の厚みの金膜を表面に形成して作製することができる。
【００２１】
この第１参考例のＬＥＤ発光装置１では、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に、その外周部１７が開放している間隙１８を形成すると共に、この間隙１８の開放している外周部１７の底位置１９より高い位置にその上面１５が位置するように支持基体２の凹所３内に支持台１６を形成している。そして、凹所３の内面は柱状の支持台１６及び凹所３内に形成している回路パターン１０を除いて反射面となるように形成している。反射面とする具体的手段については特に限定はないが、例えば、凹所３の内面にアルミニウム等の金属膜を蒸着する等の手段で形成すればよい。なお、金属膜等の導電物質を用いて反射面を形成する場合には、反射面を形成する金属膜と、回路パターン１０とが電気的に絶縁されている状態になるように金属膜は形成する。
【００２２】
そして、ＬＥＤ５の電極形成面１２にある電極６、６上に金属突起１１、１１を形成しておき、この金属突起１１、１１と接続端子７、７を接合して、ＬＥＤ５をフリップチップ方式で支持基体２に実装する。金属突起１１、１１は、例えば金ワイヤを電極６、６上にワイヤボンドし、その後ワイヤを引きちぎる方法等によって形成することができ、フリップチップ方式による実装は、加圧、加熱、超音波印加等の手段により、ＬＥＤ５の電極６、６上に形成した金属突起１１、１１と、支持台１６上の接続端子７、７を接合し、合金層を形成することで行うことができる。さらに、ＬＥＤ５をフリップチップ方式で支持基体２に実装した後、凹所３内を透明樹脂９で埋めてＬＥＤ５及び接合部を封止するようにしている。
【００２３】
上記の第１参考例のＬＥＤ発光装置１では、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に、その外周部１７が開放している間隙１８を形成しているので、ＬＥＤ５の電極形成面１２から放射され、この電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４で反射した光は間隙１８の開放されている外周部１７を通って、凹所３の開口１４側に取り出すことができる。なお、その場合開放されている外周部１７を通った光は再度凹所３の内面で反射してから凹所３の開口１４側に取り出される場合もある。このように、第１参考例のＬＥＤ発光装置１では、その上面１５の高さを周囲より一段高く形成している柱状の支持台１６上に接続端子７を形成するようにしているので、このような支持台を形成することなく、凹所３の底部４に接続端子７を形成している、図１３に示す従来のＬＥＤ発光装置１に比べ、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に形成する間隙１８の高さを高く確保することができる。従って、第１参考例のＬＥＤ発光装置１では、ＬＥＤ５の電極形成面１２より発し、凹所３の底部４で反射する光について、ＬＥＤ５の電極形成面１２に向かって反射させずに、ＬＥＤ５の電極形成面１２と支持基体２の凹所３の底部４間に形成した間隙１８の開放されている外周部１７を通過させる割合を、より大きくすることができる。そのため、第１参考例のＬＥＤ発光装置１は、ＬＥＤ５の電極形成面１２より発した光を取り出す効率が向上しているＬＥＤ発光装置となる。
【００２４】
次に、図２は、本発明の第２参考例を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。第２参考例のＬＥＤ発光装置１は、上記の第１参考例のＬＥＤ発光装置１における、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に、その外周部１７が開放するように形成している間隙１８に関して、間隙１８を形成する凹所３の底部４を凹面状に形成するようにしている。そして、それ以外は第１参考例のＬＥＤ発光装置１と同じ構造にしている。
【００２５】
この第２参考例のＬＥＤ発光装置１では、電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４を凹面状に形成しているので、ＬＥＤ５の電極形成面１２より発し、凹所３の底部４で反射する光について、ＬＥＤ５の電極形成面１２に向かって反射させずに、ＬＥＤ５の電極形成面１２と支持基体２の凹所３の底部４間に形成した間隙１８の開放されている外周部１７を通過させる割合を、より大きくすることができる。そのため、第２参考例のＬＥＤ発光装置１は、ＬＥＤ５の電極形成面１２より発した光を取り出す効率がより向上しているＬＥＤ発光装置となる。
【００２６】
次に、図３は、本発明の第３参考例を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。第３参考例のＬＥＤ発光装置１は、図３に示すように、凹所３を有する支持基体２を、表面を反射面としている掘り込み部２０を備えるプリント基板２１と、この掘り込み部２０及び実装されたＬＥＤ５を包囲し、その内側面２２を反射面としている枠部材２３とで形成すると共に、プリント基板２１の掘り込み部２０に近接する掘り込み近接部２４を支持台１６として、この支持台１６の上面１５に接続端子７を形成するようにしている。掘り込み部２０は、実装されたＬＥＤ５の電極形成面１２の下方を通って、実装されたＬＥＤ５より外方に延びるようにプリント基板２１に形成している。また、枠部材２３の内側面２２は、内方に向けて傾斜する傾斜面に形成している。第３参考例の枠部材２３は外形を矩形状にしているが、多角形状や円形状とすることもできる。枠部材２３の材質は合成樹脂、金属、セラミック等各種の材質を使用することができる。そして、プリント基板２１と枠部材２３とは、例えば、接着剤等を用いて固着して、一体化する。また、掘り込み部２０の表面及び枠部材２３の内側面２２を反射面とする手段については、特に限定はないが、例えば、アルミニウム等の金属膜を蒸着する等の手段で形成すればよい。なお、金属膜等の導電物質を用いて反射面を形成する場合には、反射面を形成する金属膜と、プリント基板２１に形成する回路パターン１０とが電気的に絶縁されている状態になるように金属膜は形成する。
【００２７】
第３参考例のＬＥＤ発光装置１では、このように、凹所３を有する支持基体２を、掘り込み部２０を備えるプリント基板２１と、枠部材２３とで形成すると共に、プリント基板２１の掘り込み部２０に近接する掘り込み近接部２４を支持台１６として、この支持台１６の上面１５に接続端子７を形成している。そして、支持台１６、１６上から実装されたＬＥＤ５の外方に延びるように回路パターン１０、１０をプリント基板２１に形成している。なお、支持台１６、１６上に形成する接続端子７、７はこの回路パターン１０、１０の一部として形成されている。
【００２８】
回路パターン１０は、例えばプリント基板２１を作製する際に、材料の銅張り積層板の銅箔（厚み１２〜３５μｍ程度）にエッチング加工を施してパターン形成し、次いでニッケルめっきを施して５〜１０μｍ程度の厚みのニッケル膜を銅膜（銅箔）上に形成し、さらに金めっきを施して０．３〜０．５μｍ程度の厚みの金膜を表面に形成して作製することができる。また、回路パターン１０と外部との電気的接続は、例えばプリント基板２１に回路パターン１０と導通するスルーホール部を形成してプリント基板２１の裏面で外部と接続するようにする等の方法で行うことができる。
【００２９】
なお、この第３参考例のＬＥＤ発光装置１では、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に、その外周部１７が開放している間隙１８を、プリント基板２１の掘り込み部２０で形成するようにしている。そして、プリント基板２１の掘り込み部２０に近接する掘り込み近接部２４が、間隙１８の外周部１７の底位置１９より高い位置にその上面１５が位置するようになっていて、この掘り込み近接部２４を接続端子７が形成される支持台１６としている。
【００３０】
そして、ＬＥＤ５の電極形成面１２にある電極６、６上に金属突起１１、１１を形成しておき、この金属突起１１、１１と接続端子７、７を接合して、ＬＥＤ５をフリップチップ方式で支持基体２に実装する。金属突起１１、１１は、例えば金ワイヤを電極６、７上にワイヤボンドし、その後ワイヤを引きちぎる方法等によって形成することができ、フリップチップ方式による実装は、加圧、加熱、超音波印加等の手段により、ＬＥＤ５の電極６、６上に形成した金属突起１１、１１と、支持台１６上の接続端子７、７を接合し、合金層を形成することで行うことができる。さらに、ＬＥＤ５をフリップチップ方式で支持基体２に実装した後、凹所３内を透明樹脂９で埋めてＬＥＤ５及び接合部を封止するようにしている。
【００３１】
上記の第３参考例のＬＥＤ発光装置１では、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に、その外周部１７が開放している間隙１８を形成しているので、ＬＥＤ５の電極形成面１２から放射され、この電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４である掘り込み部２０で反射した光は、間隙１８の開放されている外周部１７を通って、凹所３の開口１４側に取り出すことができる。なお、その場合外周部１７を通った光は再度凹所３の内面（枠部材２３の内側面２２）で反射してから凹所３の開口１４側に取り出される場合もある。このように、第３参考例のＬＥＤ発光装置１では、その上面１５を、間隙１８の外周部１７の底位置１９より高い位置となるにようにしている支持台１６（掘り込み近接部２４）上に接続端子７を形成するようにしているので、このような支持台を形成することなく、凹所３の底部４に接続端子７を形成している、図１３に示す従来のＬＥＤ発光装置１に比べ、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に形成する間隙１８の高さを高く確保することができる。従って、第３参考例のＬＥＤ発光装置１では、ＬＥＤ５の電極形成面１２より発し、凹所３の底部４で反射する光について、ＬＥＤ５の電極形成面１２に向かって反射させずに、ＬＥＤ５の電極形成面１２と支持基体２の凹所３の底部４間に形成した間隙１８の開放されている外周部１７を通過させる光の割合を、より大きくすることができる。そのため、第３参考例のＬＥＤ発光装置１は、光を取り出す効率が向上しているＬＥＤ発光装置となる。
【００３２】
次に、図４は、本発明の第４参考例を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。第４参考例のＬＥＤ発光装置１では、上記の第１参考例のＬＥＤ発光装置１に、さらに、ＬＥＤ５の電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４に、ＬＥＤ５の電極形成面１２からの発光を、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に形成している間隙１８の外周部１７方向へと反射させる凸部２８を追加して備えるようにしている。この凸部２８は、成形によって支持基体２を作製する際に、同時に合成樹脂の成形によって支持基体２と一体になるように形成していて、その表面を反射面に形成している。また、第４参考例では、凸部２８は、断面が略三角形の屋根状であり、実装されたＬＥＤ５の電極形成面１２の下方にあって、実装されたＬＥＤ５の端縁部に至るように支持基体２に形成している。そして、それ以外は第１参考例のＬＥＤ発光装置１と同じ構造にしている。
【００３３】
この第４参考例のＬＥＤ発光装置１では、ＬＥＤ５の電極形成面１２からの発光を、ＬＥＤ５の電極形成面１２と、この電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に形成している間隙１８の開放されている外周部１７方向へと反射させる凸部２８を備えているので、ＬＥＤ５の電極形成面１２より発し、凹所３の底部４で反射する光について、ＬＥＤ５の電極形成面１２に向かって反射させずに、ＬＥＤ５の電極形成面１２と支持基体２の凹所３の底部４間に形成した間隙１８の開放されている外周部１７を通過させる割合を、より大きくすることができる。そのため、第４参考例のＬＥＤ発光装置１は、ＬＥＤ５の電極形成面１２からの光を取り出す効率がより向上しているＬＥＤ発光装置となる。
【００３４】
次に、図５は、本発明の第５参考例を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。第５参考例のＬＥＤ発光装置１では、上記の第４参考例のＬＥＤ発光装置１における、実装されたＬＥＤ５の電極形成面１２の下方にある、支持基体２に形成している凸部２８について、図５に示すように、その形状をドーム状にしている。そして、それ以外は第４参考例のＬＥＤ発光装置１と同じ構造にしている。そのため、第５参考例のＬＥＤ発光装置１は、第４参考例のＬＥＤ発光装置１と同様に、光を取り出す効率がより向上しているＬＥＤ発光装置となる。
【００３５】
次に、図６は、本発明の第６参考例を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。第６参考例のＬＥＤ発光装置１では、上記の第４参考例のＬＥＤ発光装置１における、実装されたＬＥＤ５の電極形成面１２の下方にある、支持基体２に形成している凸部２８について、図６に示すように、その形状を円錐状にしている。そして、それ以外は第４参考例のＬＥＤ発光装置１と同じ構造にしている。そのため、第６参考例のＬＥＤ発光装置１は、第４参考例のＬＥＤ発光装置１と同様に、光を取り出す効率がより向上しているＬＥＤ発光装置となる。
【００３６】
次に、図７は、本発明の第７参考例を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線を断面とする概略断面図である。第７参考例のＬＥＤ発光装置１では、上記の第４参考例のＬＥＤ発光装置１における、実装されたＬＥＤ５の電極形成面１２の下方にある、支持基体２に形成している凸部２８について、図７に示すように、その形状を四角錐状にしていて、凸部２８が、電極形成面１２と対向している支持基体２の凹所３の底部４間に形成している間隙１８の開放されている外周部１７方向に向いた反射面を備えるようにしている。また、第７参考例では、ＬＥＤ５が電極６を４個備えていて、それぞれの電極６に対応するように４個の柱状の支持台１６及び４個の接続端子７を形成し、さらに各接続端子７に接続している４本の回路パターン１０を形成するようにしている。そして、その他の構造については、第４参考例のＬＥＤ発光装置１と略同じ構造にしている。なお、第７参考例では凸部２８を四角錐状としているが、間隙１８の開放している外周部１７方向に向いた反射面を備えるようにさえ凸部２８を形成すれば、光を取り出す効率をより向上させることができるので、凸部２８を各種の多面体とすることも可能である。
【００３７】
このように、第７参考例は、間隙１８の開放している外周部１７方向に向いた反射面を備える凸部２８を有するので、このような凸部を備えないものに比べ、ＬＥＤ５の電極形成面１２からの光を取り出す効率がより向上しているＬＥＤ発光装置となる。
【００３８】
次に、図８は、本発明の第１実施形態を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線を断面とした場合の概略端面図である。第１実施形態のＬＥＤ発光装置１では、上記の第７参考例のＬＥＤ発光装置１における、実装されたＬＥＤ５の電極形成面１２の下方にある、支持基体２に形成している、ＬＥＤ５の電極形成面１２からの発光を間隙１８の開放している外周部１７方向へと反射させる凸部２８について、図８（ａ）に示すように、その頂部２９が凹所３の底部４の中央から外向き放射状に延びる十字形状の稜線を形成するようにしている。そして凸部２８の凹所３の底部４からの立ち上がり面は傾斜している反射面に形成している。そして、その他の構造については、第７参考例のＬＥＤ発光装置１と同じ構造にしている。
【００３９】
このように、第１実施形態は、間隙１８の開放している外周部１７方向へと反射させる凸部２８を有するので、このような凸部を備えないものに比べ、ＬＥＤ５の電極形成面１２からの光を取り出す効率がより向上しているＬＥＤ発光装置となる。
【００４０】
次に、図９は、本発明の第８参考例を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線を断面とする概略断面図である。第８参考例のＬＥＤ発光装置１では、上記の第１参考例のＬＥＤ発光装置１における、柱状の支持台１６に代えて、支持台１６は、凹所３の底部４を横切るように立ち上がっていて、且つ、その側面は下向きに広がる反射面をなしている突条部としている。そして、この突条部としている支持台１６の頂上面は略平坦面に形成していて、この頂上面に接続端子７及び回路パターン１０を形成するようにしている。そして、その他の構造については、第１参考例のＬＥＤ発光装置１と同じ構造にしている。
【００４１】
このように、第８参考例では、支持台１６を、前記のような突条部として形成しているので、柱状の支持台を形成するより、その作製が容易となり、且つ。第１参考例のＬＥＤ発光装置と同様にＬＥＤ５の電極形成面１２からの光を取り出す効率が向上しているＬＥＤ発光装置となる。
【００４２】
次に、図１０は、本発明の第２実施形態を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線を断面とした場合の概略端面図である。第２実施形態のＬＥＤ発光装置１では、上記の第８参考例のＬＥＤ発光装置１における、凹所３の底部４を横切るように立ち上がっていて、且つその側面は下向きに広がる反射面をなしている突条部で形成している支持台１６について、さらに、その頂上面が凹所３の底部４の中央から外向き放射状に延びる十字形状を形成している凸条部となるようにしている。また、第２実施形態では、ＬＥＤ５が電極６を４個備えていて、それぞれの電極６に対応するように支持台１６上に４個の接続端子７を形成し、さらに各接続端子７に接続している４本の回路パターン１０を形成するようにしている。
【００４３】
このように、第２実施形態では、支持台１６を、前記のような突条部として形成しているので、電極６を４個備えるＬＥＤ５に対応できて、且つ、柱状の支持台を形成する場合よりも支持台１６の作製が容易となると共に、第１参考例のＬＥＤ発光装置と同様にＬＥＤ５の電極形成面１２からの光を取り出す効率が向上しているＬＥＤ発光装置となる。
【００４４】
次に、図１１は、本発明の第１０参考例を示していて、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。第１０参考例のＬＥＤ発光装置１では、上記の第４参考例のＬＥＤ発光装置１における、支持基体２に形成している柱状の支持台１６について、図１１に示すように、その形状を四角錐台にしている。そして、それ以外は第４参考例のＬＥＤ発光装置１と同じ構造にしている。そのため、第１０参考例のＬＥＤ発光装置１は、第４参考例のＬＥＤ発光装置１と同様に、光を取り出す効率がより向上しているＬＥＤ発光装置となる。なお、この第１０参考例では、支持台１６の形状を四角錐台としているが、円錐台或いは各種角錐台の形状に形成しても、同様の効果を奏することができる。
【００４５】
【発明の効果】
請求項１，２に係る発明のＬＥＤ発光装置では、ＬＥＤの電極形成面と凹所の底部と間に、その外周部が開放している間隙を形成すると共に、凹所の底部にＬＥＤの電極形成面から放射された光を前記間隙の開放している外周部方向へと反射させる凸部と、この間隙の開放している外周部の底位置より高い位置にその上面が位置するように支持基体の凹所内に接続端子を上面に配した支持台とを形成し、凸部の頂部が凹所の底部の中央から外向き放射状に延びる十字形状の稜線を形成するようにすることにより、ＬＥＤの電極形成面から放射され、電極形成面と対向している凹所の底部で反射した光を前記間隙の開放している外周部を通過させて、凹所の開口側に取り出すようにしているので、ＬＥＤの電極形成面から発した光を、支持基体の凹所の開口側に取り出す効率が向上しているＬＥＤ発光装置となる。
【００４６】
請求項２に係る発明のＬＥＤ発光装置では、上記の効果に加えて、ＬＥＤの電極形成面から発した光を、支持基体の凹所の開口側に取り出す効率がより向上するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１参考例の構成を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図２】  本発明の第２参考例の構成を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図３】  本発明の第３参考例の構成を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図４】  本発明の第４参考例の構成を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図５】  本発明の第５参考例の構成を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図６】  本発明の第６参考例の構成を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図７】  本発明の第７参考例の構成を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図８】  本発明の第１実施形態の構成を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略端面図である。
【図９】  本発明の第８参考例の構成を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図１０】  本発明の第２実施形態の構成を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略端面図である。
【図１１】  本発明の第９参考例の構成を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図１２】  従来のＬＥＤ発光装置の一例を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図１３】  従来のＬＥＤ発光装置の他の例を説明する図であって、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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