(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
おもて面上に金属被覆パターン（２）と裏面上にシールド接地金属被覆（３）とを有する誘電体基板（１）を備え、前記シールド接地金属被覆（３）は、金属ベース（４）と電気的に接続され、その第１のプレート（６）が金属ベース（４）に電気的に接続され、その第２のプレート（７）が金属被覆パターン（２）と電気的に接続されているコンデンサー（５）を備えるパワーマイクロ波ハイブリッド集積回路において、
金属被覆したくぼみ（８）は誘電体基板（１）の裏面上に形成して、くぼみ（８）の金属被覆がコンデンサー（５）の第１のプレート（６）の役目を果たし、くぼみ（８）の上または下にある誘電体基板（１）の残存部分（９）がコンデンサー（５）の誘電体の役目を果たし、第２のプレート（７）が誘電体基板（１）のおもて面上に位置決めして金属被覆パターン（２）の１部分を形成するとともに、くぼみ（８）における残りの基板厚さが１〜４００μｍであり、
前記金属被覆パターン（２）は、コンデンサー（５）をトリミングするためのエレメント（１４）を備え、前記エレメント（１４）はコンデンサー（５）の第２のプレート（７）と電気的に接続されていて、
金属被覆した逆のくぼみ（１１）は、誘電体基板（１）のおもて面上に形成されており、前記逆のくぼみ（１１）の金属被覆がコンデンサー（５）の第２のプレート（７）の役目を果たし、金属被覆パターン（２）と電気的に接続されていることを特徴とするマイクロ波ハイブリッド集積回路。
【請求項２】
突起（１０）が金属ベース（４）上に形成されており、前記突起は、誘電体基板（１）のくぼみ（８）に配置してくぼみ（８）の金属被覆と電気的に接続され、くぼみ（８）の側壁と突起（１０）の側壁との間の間隔が０．００１〜５．０ｍｍであることを特徴とする、請求項１記載のマイクロ波ハイブリッド集積回路。
【請求項３】
誘電体基板のくぼみ（８、１１、１２）は導電性材料（１３）で満たされていることを特徴とする、請求項１又は２のいずれかに記載のマイクロ波ハイブリッド集積回路。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、一般に、電子工学に関し、特に、マイクロ波ハイブリッド集積回路（ＩＣ）に関する。
背景技術
マイクロ波ハイブリッド集積回路が知られており、その回路は、基板のおもて面上にトポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンと裏面上にシールド接地金属被覆とを有する誘電体基板を備える。基板は、トポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンの部分を作るボンディングパッドをシールド接地金属被覆と電気的に接続する金属被覆したホールを有する。コンデンサーはボンディングパッド上のその底板と固定し、その天板はワイヤーリード線によってコンデンサーを他の回路構成要素と電気的に接続する。基板は、金属接地ベースにその裏面と電気的に接続する（ハイパー・ワールド、１９９０年９月、ニューメロ２。トンプソン・コンポーゼンツ・マイクロオンデス。第２０回ヨーロッパマイクロ波会議。マイクロ波コミュニティのために設計した国際会議９０と展示会、会議の会報、第１巻。デュナ国際ホテル，ブダペスト，ハンガリー，９月１０日〜１３日，マイクロウエーブ・イグジビション・パブリッシャー会社によって発行された。（Hyper World, September 1990, numero 2. Thompson composents microondes. 20th European microwave conference. 90 the international conference and exhibition designed for the microwave community, conference proceedings, Volume 1. Duna international hotel, Budapest, Hungary, 10-13 September, published by Microwave Exhibitions Publishers Ltd.)）
前記のマイクロ波ハイブリッド集積回路は、回路の高さと関連する低い重量-サイズパラメータと同様に、金属被覆した接地ホールの比較的高い擬似インダクタンスに起因した低い電気的特性を有する。
別のマイクロ波ハイブリッド集積回路が知られており、その回路は、ホールを有する誘電体基板を備え、そのおもて面上にトポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンと、金属ベースと電気的に接続する裏面上にシールド接地金属被覆とを備え、
コンデンサーが基板ホールに配置して金属接地ベース上にその底板と固定しているが、コンデンサーの天板は、ワイヤーリード線によってトポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンと電気的に接続する。（マイクロウエーブとＲＦ，１９８６，第９巻，２３２ページを参照）。
前記のマイクロ波ハイブリッド集積回路は、上部コンデンサープレートとトポロジー的な金属被覆との間の長い距離による長い直線寸法に関連する低い重量-サイズパラメータと同様に、上部のコンデンサープレートをトポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンに接続する際に、高い擬似インダクタンスから生じる低い電気的特性を有する。
発明の概要
本発明の主たる目的は、回路の電気特性と重量-サイズ特性とを高める構造上の配置を有するマイクロ波ハイブリッド集積回路を提供することである。
前述の目的は、マイクロ波ハイブリッドＩＣにおいて、そのおもて面上にトポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンとその裏面上にシールド接地金属被覆とを備える誘電体絶縁基板を備え、前記金属被覆は金属ベースと電気的に接続して、コンデンサーは、その第１のプレートによってベースと電気的に接続し、その第２のプレートによってトポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンと電気的に接続し、本発明による金属被覆したくぼみは、基板の裏面又はおもて面の上に形成して、そのくぼみの金属被覆が第１のコンデンサープレートの役目を果たし、くぼみより上または下の基板部分が、誘電体コンデンサーの役目を果たし、第２のプレートが基板のおもて面に位置してトポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンの１部分を形成するが、くぼみにおける残存する基板厚さが１〜４００μｍであることによって達成される。
金属被覆した逆のくぼみは、裏面のくぼみより上にある基板おもて面上に形成し、前記ホールの金属被覆は、第２のコンデンサープレートの役目を果たし、トポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンと電気的に接続している。
金属ベース上において、形成する突起は、基板くぼみに配置し、くぼみの金属被覆と電気的に接続して、くぼみの側壁と突起の側壁との間の間隔が０．００１〜５．０ｍｍである。
基板のくぼみは、導電性材料で満たすために都合がよい。
トポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンは、コンデンサープレートと電気的に接続したトリミングエレメントを備える。
基板のおもて面上にトポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンの１部分として、第２の（上部）コンデンサープレートを設定するのと同様に、基板の裏面に金属被覆したくぼみを形成し、底のコンデンサープレートとしてくぼみ金属被覆を用い、くぼみの基板厚みの残りを誘電体コンデンサーとして用いることによって、基板容積内にコンデンサーを形成することができ、回路の重量-サイズ特性を改善する。
下記から残存する基板厚さを限定することは、基板強度をそこない、上記から、それは、重量-サイズ特性を改善するために、回路に用いるコンデンサーの最小容積と最大面積によって規定される。
金属ベース上に突起を形成して、基板の裏面上にくぼみに位置して、突起にくぼみ金属被覆を電気的に接続することは、接地の擬似インダクタンスを低減することになり、回路の電気的特性を改善する。
下記から突起とくぼみ壁との間の間隔を制限することは、くぼみ壁のいずれかの方向に突起を置き換えるという可能性によって規定され、上記から、それは、くぼみ底の十分な強度を確保するために規定されている。
基板の裏面におけるくぼみより上の基板のおもて面上に金属被覆した逆のくぼみを形成することで、回路が製造しやすくなる。
基板のおもて面にくぼみを形成することと、導電性材料で前記くぼみを満たすこととによって、コンデンサープレートと低い擬似インダクタンスを有するトポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンとの間で電気的に接続することができ、回路の電気パラメータが高くなる。
上部コンデンサープレートと電気的に接続して基板のくぼみより上にあるコンデンサートリミングエレメントを、トポロジー的な金属被覆パターンに備えることによって、コンデンサー容量をより正確にすることができ、これにより回路の電気パラメータを高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
本発明は、添付した図面を参照して、具体的な実施形態の詳細な説明によって説明する。
図１は、本願のマイクロ波ハイブリッド集積回路の断面図である。
図２は、図１の平面図である。
図３は、本願のマイクロ波ハイブリッド集積回路の他の実施形態の断面図である。
図４は、本願のマイクロ波ハイブリッド集積回路の別の実施形態の断面図である。
図５は、本願のマイクロ波ハイブリッド集積回路のさらに別の実施形態の断面図である。
詳細な説明
本発明によるマイクロ波ハイブリッド集積回路は、例えば、ポリコールからなる誘電体基板１を備え、それのおもて面上にトポロジー的な（配線としての）金属被覆パターン２とその裏面上にシールド接地金属被覆３とを備え、金属被覆の構成は、例えば、Ｔｉ（１００オーム／平方ミリメートル）−Pｄ（０．２μｍ）−Ａｕ（３μｍ）のようになっている。基板１は、金属接地ベース４と結合する（例えば、ハンダ付けする）。
コンデンサー５は、金属ベース４上の第１の（底）プレート６と固定する。コンデンサー５の第２の（上部）プレート７（図２）は、トポロジー的な金属被覆パターン２と電気的に接続する。
基板１（図１）の裏面上において、金属被覆したくぼみ８は、例えば、Ｐｄ-Ｎｉ（０．１２μｍ）−Ａｕ（２μｍ）のような金属被覆構造を有する。くぼみ８の金属被覆は、コンデンサー５の第１の（底）プレート６の役目を果たす。くぼみ８より上の基板１の残り部分９は、そのプレート６，７を分離するコンデンサー５の誘電体の役目を果たす。第２の（上部）プレート７は、基板１のおもて面に位置しており、トポロジー的な（配線としての）金属被覆パターン２の部分を作る。くぼみ８における基板１の残存する厚さは、例えば７０ミューである。
金属ベース４上において、形成する突起１０は、基板１のくぼみ８に配置して、くぼみ８の金属被覆と電気的に接続している。くぼみ８の側壁と突起１０の側壁との間の間隔は、０．２ｍｍ（すなわち、突起が１．０×１．０ｍｍであるとともに、くぼみ８が１．４×１．４ｍｍ）である。
金属被覆した逆のくぼみ１１は、基板１の裏面上のくぼみ８より上の基板１（図３）のおもて面上に形成する。くぼみ１１の金属被覆は、コンデンサー５の上板７の役目を果たし、トポロジー的な（配線としての）金属被覆パターン２と電気的に接続する。
金属被覆したくぼみ１２（図４）は、基板１のおもて面上だけに形成する。
基板１における凹部８，１１，１２は、導電性材料１３で満たす（図５）。
コンデンサー５をトリミングするためのエレメント１４（図２）は、トポロジー的な（配線としての）金属被覆パターン２に形成する。前記エレメントは、上部コンデンサープレートと電気的に接続して、くぼみ８より上に位置決めする。
本発明によるマイクロ波ハイブリッド集積回路は、以下のように作用する。
信号をコンデンサー５の上板７（図１）に加え、その底板６上で発生する電荷は、金属ベース４の突起１０又は直接に金属接地ベース４によって接地する。
本願の集積回路を用いることによって、コンデンサーとトポロジー的な（配線としての）金属被覆パターンとの間での電気的接続の擬似インダクタンスを低減することによって、電気的特性を高めることができ、コンデンサーをその基板自体に組み込むことによって、重量-サイズ特性を改善することができる。
さらに、本発明による集積回路は、ジョイント数を減らすことによって回路の信頼性を高めることができ、貴金属の消費を減らすことができる。
本発明の開示した実施形態を説明する際、明確にするために具体的な狭い用語を用いている。しかしながら、本発明は、選択した具体的な用語に限定されないし、そのような各用語が、類似した方法において作用する全ての均等なエレメントをカバーし、類似した問題を解決するために用いられることが理解されるべきである。
本発明は、本明細書において好ましい実施形態について説明しているけれども、本発明の精神と範囲から逸脱することなく、いろいろな変形例と変更を構造の詳細に加えることは、当業者によって容易に理解される。全てのこれらの変形例と変更は、本発明の精神と範囲及び以下の請求の範囲の制限内にあることを考慮するべきである。
【図１】
0003965214.tif 000002
【図２】
0003965214.tif 000003
【図３】
0003965214.tif 000004
【図４】
0003965214.tif 000005
【図５】
0003965214.tif 000006