(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、
前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、
前記レべリング処理と前記乾燥処理と前記除去処理とを行うレベリング・乾燥・除去ユニットと
を含む塗布処理装置。
【請求項２】
基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、
前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを行うカバレッジ・レベリングユニットと、
前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニットと
を含む塗布処理装置。
【請求項３】
基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、
前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、
前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、
前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニットと
を含む塗布処理装置。
【請求項４】
基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、
前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、
前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、
前記乾燥処理を行う乾燥ユニットと、
前記除去処理を行う除去ユニットと
を含む塗布処理装置。
【請求項５】
基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、
前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、
前記レべリング処理と前記乾燥処理を、基板を回転させて行うレべリング・乾燥ユニットと、
前記除去処理を行う除去ユニットと
を含む塗布処理装置。
【請求項６】
基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、
前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを、基板を回転させて行うカバレッジ・レベリングユニットと、
前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットと、
前記除去処理を行う除去ユニットと
を含む塗布処理装置。
【請求項７】
基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、
このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング処理と前記乾燥処理とを、基板を回転させて行うレベリング・乾燥ユニットと
を含む塗布処理装置。
【請求項８】
基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを、基板を回転させて行うカバレッジ・レベリングユニットと、
このカバレッジ・レベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットと
を含む塗布処理装置。
【請求項９】
基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、
前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、
前記複数個の個別の処理ユニットは、
前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、
このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング処理を、基板を回転させて行うレベリングユニットと、
このレベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットと
を含む塗布処理装置。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれかに記載の塗布処理装置において、
前記除去処理は、基板の周縁に付着した塗布液の膜を除去するエッジリンスである塗布処理装置。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれかに記載の塗布処理装置において、
前記除去処理は、基板の裏面に付着した塗布液を除去するバックリンスである塗布処理装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の塗布処理装置を塗布処理部として備えるとともに、
塗布処理および露光処理された基板を現像処理する現像処理部と、前記塗布・現像処理の前後に基板を熱処理する熱処理部と、前記各処理部に基板を搬送する搬送機構を備えた基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理装置において、
前記塗布処理部は、前記複数個の個別の処理ユニット間で基板を搬送する専用搬送機構を備えている基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示器用のガラス基板などの基板にフォトレジスト液などの塗布液を供給して基板上に塗布液の薄膜を形成する塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置に係り、特にこの種の装置のスループットを向上させる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板上に例えばフォトレジストの薄膜を生成する一連の塗布処理工程は、大まかには次のような処理に区分することができる。第１の処理は、基板上にフォトレジスト液を供給して基板表面全体をフォトレジスト液で覆う「カバレッジ処理」である。第２の処理は、基板上のフォトレジスト液を薄膜化する「レベリング処理」である。第３の処理は、基板上に形成されたフォトレジスト液の薄膜を乾燥させる「乾燥処理」である。さらに必要に応じて、第４の処理として、フォトレジストの薄膜が生成された基板表面の周縁や、基板裏面などの不要領域に付着したフォトレジストを除去する「除去処理」が行われる。
【０００３】
従来の塗布処理装置は、上述した第１〜第３の各処理、あるいは第１〜第４の各処理を単一の処理ユニットで連続的に行っている。例えば、基板を回転させて塗布処理を行う回転塗布処理装置の場合、この処理ユニットは、基板を水平姿勢で保持して縦軸心周りで回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板にフォトレジスト液を供給する塗布液供給ノズルと、基板の裏面や基板表面周縁に溶剤を供給する溶剤供給ノズルとを備えている。このような単一の処理ユニットを備えた塗布処理装置が１枚の基板の塗布処理に要する時間は、概ね６０秒である。
【０００４】
ところで、近年主流となりつつある化学増幅型フォトレジストは、大気中のアンモニアなどによる化学汚染の影響を受けやすいという性質がある。そこで、基板が大気中に暴露される時間をできるだけ短くするために、上述した塗布処理装置と、フォトレジスト膜が形成された基板にパターンを焼きつける露光装置（ステッパー）とを連結して、塗布処理から露光までを連続的に行う「インライン方式」が広く採用されている。
【０００５】
塗布処理装置に連結される露光装置が１枚の基板の露光処理に要する時間は、概ね３０秒である。そのため、塗布処理装置のスループットを露光装置のそれに合わせるために、従来の塗布処理装置は、塗布処理ユニットを複数台（例えば、２台）設置し、各処理ユニットで上述した第１〜第３の各処理（あるいは、第１〜第４の各処理）を同時並行して行っている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の塗布処理装置に備えられた各塗布処理ユニットは、フォトレジスト膜の基板内平均膜厚や膜厚分布が規定範囲内になるように、レジスト吐出状態、レジスト温度、処理ユニット内の温湿度など塗布処理条件が各処理ユニットごとに調節されている。
【０００７】
しかしながら、各処理ユニットでフォトレジスト膜が形成された基板に回路パターンを焼きつけし、現像処理を行ってみると、現像処理後のパターン精度などの品質が基板間で大きくばらつくという問題が発生している。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板処理のスループットの向上を図るとともに、基板間の品質のばらつきを抑えることができる塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。
一方の塗布処理ユニットで処理された基板に合わせて露光・現像処理の各条件を設定すると、それらの基板の品質は満足できるものであるが、他方の塗布処理ユニットで処理された基板については前者の基板の品質よりも劣ることが分かった。つまり、基板間の品質のばらつきを抑えるためには、各塗布処理ユニットの種々の塗布処理条件を一致させる必要がある。しかし、実際問題として、各塗布処理ユニットの各構成部品には特性のばらつきがあるので、各塗布処理ユニットの塗布処理条件を厳密に一致させることは困難である。してみれば、複数個の塗布処理ユニットを使って並行処理を行うのではなく、一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けし、これらの区分けされた各処理を複数個の個別の処理ユニットを使って順に行わせるようにすればよい。このような知見に基づく本発明は、次のように構成されている。
【００１０】
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、前記レべリング処理と前記乾燥処理と前記除去処理とを行うレベリング・乾燥・除去ユニットとを含む。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを行うカバレッジ・レベリングユニットと、前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニットとを含む。
【００１２】
また、請求項３に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニットとを含む。
【００１３】
また、請求項４に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、前記乾燥処理を行う乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。
【００１４】
（作用・効果）請求項１から請求項４に記載の発明によれば、複数個の個別の処理ユニットを使って、一連の薄膜形成処理を時系列に区分けして行っているので、全ての基板は同じ塗布処理条件で処理されることになる。したがって、基板間の品質のばらつきを最小限に抑えることができる。しかも、各処理ユニットは、区分けされた各処理を並行して行うのでスループットを向上させることもできる。
また、基板の不要領域に付着した塗布液の膜を除去する除去処理を一連の薄膜形成処理過程に含む場合にも、その一連の薄膜形成処理過程を時系列に区分けして各処理ユニットが行うので、基板の品質が安定するとともに、装置のスループットを向上させることができる。
【００１５】
除去処理を一連の薄膜形成処理過程に含む場合においても、一連の薄膜形成処理をどのように区分けするかは任意である。例えば、請求項１に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、前記レべリング処理と前記乾燥処理と前記除去処理とを行うレベリング・乾燥・除去ユニットとを含む。
また、請求項２に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを行うカバレッジ・レベリングユニットと、前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニットとを含む。
さらに、請求項３に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、前記乾燥処理と前記除去処理とを行う乾燥・除去ユニットとを含む。
さらに、請求項４に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を行うカバレッジユニットと、前記レベリング処理を行うレベリングユニットと、前記乾燥処理を行う乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。
【００１６】
また、請求項５に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、前記レべリング処理と前記乾燥処理を、基板を回転させて行うレべリング・乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。
【００１７】
また、請求項６に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、さらに、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理を、前記一連の薄膜形成処理過程の中に含み、前記除去処理を含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを、基板を回転させて行うカバレッジ・レベリングユニットと、前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。
【００１８】
（作用・効果）請求項５と請求項６に記載の発明によれば、複数個の個別の処理ユニットを使って、一連の薄膜形成処理を時系列に区分けして行っているので、全ての基板は同じ塗布処理条件で処理されることになる。したがって、基板間の品質のばらつきを最小限に抑えることができる。しかも、各処理ユニットは、区分けされた各処理を並行して行うのでスループットを向上させることもできる。
また、基板の不要領域に付着した塗布液の膜を除去する除去処理を一連の薄膜形成処理過程に含む場合にも、その一連の薄膜形成処理過程を時系列に区分けして各処理ユニットが行うので、基板の品質が安定するとともに、装置のスループットを向上させることができる。
さらに、カバレッジ処理とレべリング処理と乾燥処理とを、基板を回転させて行う。
【００１９】
除去処理を一連の薄膜形成処理過程に含む場合においても、一連の薄膜形成処理をどのように区分けするかは任意である。請求項５に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、前記レべリング処理と前記乾燥処理を、基板を回転させて行うレべリング・乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。
また、請求項６に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを、基板を回転させて行うカバレッジ・レベリングユニットと、前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットと、前記除去処理を行う除去ユニットとを含む。
【００２０】
また、請求項７に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング処理と前記乾燥処理とを、基板を回転させて行うレベリング・乾燥ユニットとを含む。
【００２１】
また、請求項８に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを、基板を回転させて行うカバレッジ・レベリングユニットと、このカバレッジ・レベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットとを含む。
【００２２】
また、請求項９に記載の発明は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を行う塗布処理装置であって、前記一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにし、かつ、前記複数個の個別の処理ユニットは、前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング処理を、基板を回転させて行うレベリングユニットと、このレベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処理を、基板を回転させて行う乾燥ユニットとを含む。
【００２３】
（作用・効果）請求項７から請求項９に記載の発明によれば、複数個の個別の処理ユニットを使って、一連の薄膜形成処理を時系列に区分けして行っているので、全ての基板は同じ塗布処理条件で処理されることになる。したがって、基板間の品質のばらつきを最小限に抑えることができる。しかも、各処理ユニットは、区分けされた各処理を並行して行うのでスループットを向上させることもできる。
さらに、カバレッジ処理とレべリング処理と乾燥処理とを、基板を回転させて行う。
【００２４】
一連の薄膜形成処理をどのように区分けするかは任意である。例えば、請求項７に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を、基板を回転させて行うカバレッジユニットと、このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング処理と前記乾燥処理とを基板を、回転させて行うレベリング・乾燥ユニットとを含む。
また、請求項８に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理と前記レベリング処理とを、回転させて行うカバレッジ・レベリングユニットと、このカバレッジ・レベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処理を、回転させて行う行う乾燥ユニットとを含む。
さらに、請求項９に記載の発明は、前記複数個の個別の処理ユニットが、前記カバレッジ処理を、回転させて行うカバレッジユニットと、このカバレッジユニットで処理された基板に前記レベリング処理を、回転させて行うレベリングユニットと、このレベリングユニットで処理された基板に前記乾燥処理を行う乾燥ユニットとを含む。
【００２５】
上記の除去処理としては、例えば、基板の周縁に付着した塗布液の膜を除去するエッジリンス（請求項１０に記載の発明）、あるいは、基板の裏面に付着した塗布液を除去するバックリンス（請求項１１に記載の発明）がある。
【００２６】
また、請求項１２に記載の発明は、請求項１から請求項１１のいずれかに記載の塗布処理装置を塗布処理部として備えるとともに、塗布処理および露光処理された基板を現像処理する現像処理部と、前記塗布・現像処理の前後に基板を熱処理する熱処理部と、前記各処理部に基板を搬送する搬送機構を備えた基板処理装置である。
【００２７】
（作用・効果）請求項１２に記載の発明によれば、塗布処理部において、一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにしたので、基板の品質が安定するとともに、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
また、基板の不要領域に付着した塗布液の膜を除去する除去処理を一連の薄膜形成処理過程に含む場合にも、その一連の薄膜形成処理過程を時系列に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにしたので、基板の品質が安定するとともに、基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００２８】
また、請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の基板処理装置において、前記塗布処理部は、前記複数個の個別の処理ユニット間で基板を搬送する専用搬送機構を備えている。
【００２９】
（作用・効果）請求項１３に記載の発明によれば、塗布処理部、現像処理部、および熱処理部の相互間では、この基板処理装置の主たる搬送機構が基板の搬送を行う一方、塗布処理部内の複数個の処理ユニット間では専用搬送機構を使って基板の搬送を行う。つまり、塗布処理部内の基板搬送を専用搬送機構に負担させているので、主たる搬送機構の負担が過渡になって基板処理装置のスループットが低下するという事態を回避することができる。
【００３１】
本明細書は次のような課題解決手段も開示している。
【００３２】
（１）基板に対して所要の処理を行う複数個の処理部と、前記各処理部間の基板搬送に共通使用される主搬送機構とを備えた基板処理装置において、前記主搬送機構に代わって特定の処理部間で基板搬送を行う専用搬送機構を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【００３３】
例えば、基板にフォトレジスト膜を塗布形成する塗布処理部、基板に現像処理を行う現像処理部、および基板に熱処理を行う熱処理部などの複数個の処理部と、これら各処理部間の基板搬送に共通使用される主搬送機構とを備えた基板処理装置の場合、各処理部の処理効率を上げても主搬送機構の搬送速度や基板の受け渡しの速度に上限があるので、これが制約となって基板処理装置のスループットをあるレベル以上に上げられないことがある。前記（１）の発明は、特定の処理部間の基板搬送の役目を専用搬送機構に担わせているので、主搬送機構の負担が軽減され、結果として基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【００３４】
（２）前記（１）に記載の基板処理装置において、前記複数個の処理部は上下に多段配置されており、前記主搬送機構は昇降移動することにより少なくとも上下の処理部間の基板搬送に共通使用され、かつ、前記専用搬送機構は、同じ高さ位置に設けられた特定の処理部間の基板搬送に使用される基板処理装置。
【００３５】
前記（２）の発明によれば、専用搬送機構は、同じ高さ位置に設けられた特定の処理部間の基板搬送に使用されるので、特定の処理部間で基板を速やかに搬送することができるとともに、上下に移動する主搬送機構との干渉を容易に避けることができる。
【００３６】
（３）前記（２）に記載の基板処理装置において、前記同じ高さ位置に設けられた特定の処理部は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして処理する複数個の個別の処理ユニットであり、前記専用搬送機構は前記複数個の個別の処理ユニット間の基板搬送に使用される基板処理装置。
【００３７】
（４）前記（２）に記載の基板処理装置において、前記同じ高さ位置に設けられた特定の処理部は、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理と、基板の不要領域に付着した塗布液を除去する除去処理とを含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして処理する複数個の個別の処理ユニットであり、前記専用搬送機構は前記複数個の個別の処理ユニット間の基板搬送に使用される基板処理装置。
【００３８】
前記（３）または（４）に記載の発明によれば、一連の薄膜形成処理を時系列に区分けして処理する複数個の個別の処理ユニット間の基板搬送を専用搬送機構で行うので、主搬送機構の負担が軽減するとともに、薄膜形成途中の基板を搬送することによって主搬送装置に塗布液が付着して、他の基板を汚染するという不都合も回避することができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。
＜第１実施例＞
図１は、本発明に係る塗布処理装置の一実施例を用いた基板処理装置の要部の平面図、図２は、同じく要部の正面図である。
【００４０】
この基板処理装置は、半導体ウエハなどの基板Ｗ上にフォトレジスト液などの塗布液の薄膜を形成する塗布処理部１と、塗布処理および図示しない露光装置で露光処理された基板Ｗを現像処理する現像処理部２と、塗布・現像処理の前後に基板を熱処理する熱処理部３と、各処理部１，２，３に基板Ｗを搬送する搬送機構４などを備えている。各処理部１，２，３は搬送機構４の周囲に上下多段に配設されており、下段に塗布処理部１と現像処理部２が配置され、上段に熱処理部３が配置されている。以下、各部の構成を具体的に説明する。
【００４１】
塗布処理部１は、本発明の塗布処理装置に相当するもので、基板Ｗ上にフォトレジスト液を供給して基板Ｗの表面をフォトレジスト液で覆うカバレッジ処理と、基板Ｗ上のフォトレジスト液を薄膜化するレベリング処理と、基板Ｗ上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理と、基板Ｗの不要領域に付着したフォトレジスト液を除去する除去処理とを含む一連の薄膜形成処理を、時系列に２つに区分けして、２個の個別の第１、第２処理ユニット５、６で順に行うように構成されている。本実施例では、図３の（a)に示すように、第１処理ユニット５が主としてカバレッジ処理を行い、第２処理ユニット６がレベリング、乾燥、および除去（エッジリンスとバックリンス）の各処理を行うようになっている。
【００４２】
本発明のカバレッジユニットに相当する第１処理ユニット５は、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持し、モータ７ａで回転駆動されるスピンチャック７を備えている。このスピンチャック７の周囲に、基板Ｗから飛散したフォトレジスト液を受け止めて排出する飛散防止カップ８が配設されている。この飛散防止カップ８の傍らに、フォトレジスト液の種類に応じた複数本のレジスト供給ノズル９と、エッジリンス用の溶剤供給ノズル１０とがそれぞれ配設されている。
【００４３】
本発明のレベリング・乾燥・除去ユニットに相当する第２処理ユニット６は、第１処理ユニット１と同様に、モータ１１ａで回転駆動されるスピンチャック１１と、飛散防止カップ１２とを備えている。飛散防止カップ１２の傍らにはエッジリンス用の溶剤供給ノズル１３が配設されている。また、スピンチャック７に保持された基板Ｗの裏面に対向してバックリンス用の溶剤供給ノズル１４が配設されている。
【００４４】
現像処理部２は、同様の構成のものが２台備えられている。各現像処理部２は、塗布処理部１と同様にスピンチャック１５と飛散防止カップ１６とを備えている。また、飛散防止カップ１６の傍らに現像液供給ノズル１７と洗浄液供給ノズル１８とが配設されている。
【００４５】
熱処理部３は、塗布処理および現像処理の前後に基板Ｗを加熱処理する複数個の加熱ユニット１９と、加熱処理された基板Ｗを冷却して常温に戻す冷却ユニット２０を備えている。各ユニット１９および２０は、図示しない熱処理プレートに基板Ｗを載置して熱処理を行うように構成されている。なお、図２中の符号２１は、各ユニット１９，２０に設けられた基板Ｗの搬入・搬出用の開口である。
【００４６】
搬送機構４は、昇降および旋回移動可能な可動ベース２２に、それぞれ独立して駆動される２つの多関節アーム２３が備えられている。各多関節アーム２３の先端部には、基板Ｗを水平姿勢で支持する支持具２４がそれぞれ取り付けられている。各多関節アーム２３は伸縮移動可能に構成されている。
【００４７】
次に、上述した構成を備えた基板処理装置の動作を説明する。
Ａ：熱処理（１）
まず、搬送機構４の２つの多関節アーム２３が、図示しないインデクサユニットから未処理の基板Ｗ（以下、一方の基板を符号Ｗ１で、他方の基板を符号Ｗ２で表す）をそれぞれを受け取り、一方の基板Ｗ１を所定の加熱ユニット１９に搬入する。この加熱ユニット１９は基板Ｗ１にアドヒージョン処理（レジストの密着強化処理）を施す。一方の多関節アーム２３が、アドヒージョン処理を受けた基板Ｗ１を加熱ユニット１９から搬出すると、他方の多関節アームを使って基板Ｗ２を加熱ユニット１９に搬入する。加熱ユニット１９から取り出した基板Ｗ１を搬送機構４が冷却ユニット２０に搬送する。冷却ユニット２０はその基板Ｗ１を常温にまで冷却する。
【００４８】
Ｂ：カバレッジ処理
熱処理が終わると、搬送機構４は、その基板Ｗ１を塗布処理部１の第１処理ユニット５に搬送する。この基板Ｗ１をスピンチャック７が吸着保持する。所定のレジスト供給ノズル９が移動して基板Ｗ１の中央部にフォトレジスト液を供給する。スピンチャック７が第１の回転速度で回転してフォトレジスト液を回転半径方向外側に向けて広げる。これにより基板Ｗ１の表面がフォトレジスト液で覆われる。このときに溶剤供給ノズル１０が、回転している基板Ｗ１の周縁に溶剤を供給して、基板Ｗ１の周縁部のフォトレジスト液を洗浄除去する。なお、基板Ｗ１にカバレッジ処理を施している間に、搬送機構４は、加熱処理ユニット１９内の基板Ｗ２を冷却ユニット２０に移すとともに、次の基板Ｗ３を加熱処理ユニット１９に搬入する。
【００４９】
Ｃ：レベリング・乾燥・エッジリンス・バックリンス処理
カバレッジ処理が終わると、搬送機構４は、その基板Ｗ１を塗布処理部１の第２処理ユニット６に搬送する。なお、第１処理ユニット５で基板Ｗ１の周縁部のフォトレジスト液を除去しているので、搬送機構４の支持具２４がフォトレジスト液で汚れることがない。第２処理ユニット６に搬送された基板Ｗ１をスピンチャック１１が吸着保持する。スピンチャック１１が第２の回転速度で回転することにより、基板Ｗ１のフォトレジスト液を薄膜化する（レベリング処理）。スピンチャック１１が続けて回転することにより、基板Ｗ１上のフォトレジスト膜中の溶剤が飛散し、フォトレジスト膜が乾燥する（乾燥処理）。次に溶剤供給ノズル１３が、回転している基板Ｗの周縁に溶剤を供給して、基板Ｗの周縁部のフォトレジスト膜を洗浄除去する（エッジリンス）。また、溶剤供給ノズル１４が、回転している基板Ｗ１の裏面に溶剤を供給して、基板Ｗ１の裏面に回り込んで付着したフォトレジストを洗浄除去する（バックリンス）。
【００５０】
第２処理ユニット６で基板Ｗ１に一連の処理を施している間に、搬送機構４は、冷却処理された基板Ｗ２を第１処理ユニット５に搬入する。そして、第２処理ユニット６での基板Ｗ１の処理と並行して、第１処理ユニット５で基板Ｗ２にカバレッジ処理を行う。以下同様に、第１処理ユニット５の処理と第２処理ユニット６の処理とを並行して進める。なお、以下では基板Ｗ１の処理に着目して説明するが、各処理部１，２，３で並行処理が行われるのは同様である。
【００５１】
Ｄ：熱処理（２）
第２処理ユニット６での処理が終わると、搬送機構４は、その基板Ｗ１を熱処理部３に搬送する。熱処理部３は、適当な加熱ユニット１９および冷却ユニット２０を使って、基板Ｗ１に加熱・冷却処理を施す。
【００５２】
上記の熱処理の後、搬送機構４は、基板Ｗ１を本基板処理装置に連結された図示しない露光装置に受け渡す。露光装置で回路パターンが焼き付けられた基板Ｗ１は再び搬送機構４に受け渡される。
【００５３】
Ｅ：熱処理（３）
基板Ｗ１を受け取った搬送機構４は、その基板Ｗ１を熱処理部３に搬送する。熱処理部３は、適当な加熱ユニット１９および冷却ユニット２０を使って、基板Ｗ１に加熱・冷却処理を施す。
【００５４】
Ｆ：現像処理
上記の熱処理の後、搬送機構４は、その基板Ｗ１を現像処理部２に搬送する。この基板Ｗ１をスピンチャック１５が吸着保持する。現像液供給ノズル１７が移動して基板Ｗ１の中央部に現像液を供給して、現像液を基板Ｗ１上に液盛りする。基板Ｗ１を静止させた状態で、フォトレジスト膜の現像処理を行う。現像処理が終わると基板Ｗ１を高速回転させて基板Ｗ１上の現像液を振り切るとともに、洗浄液供給ノズル１８から基板Ｗ１へ洗浄液を供給して、基板Ｗ１を洗浄する。
【００５５】
洗浄処理が終わると、洗浄液の供給を止めるとともに、基板Ｗ１を継続して回転させて基板Ｗ１を乾燥処理する。必要に応じて基板Ｗ１に加熱・冷却処理を施した後、搬送機構４は基板Ｗ１をインデクサユニットに戻す。
【００５６】
以上のように、本実施例に係る基板処理装置によれば、第１処理ユニット５でカバレッジ処理を行う一方、第２処理ユニット６でレベリング・乾燥・エッジリンス・バックリンス処理を行っているので、全ての基板Ｗは同じ塗布処理条件で処理されることになる。したがって現像処理後のパターン精度など、基板Ｗの品質のばらつきを最小限に抑えることができる。しかも、第１処理ユニット５および第２処理ユニット６は並行して各処理を行うので、基板処理のスループットを向上させることができる。
【００５７】
なお、上述した実施例装置では、第１処理ユニット５でカバレッジ処理を、第２処理ユニット６でレベリング・乾燥・エッジリンス・バックリンス処理を、それぞれ行うようにしたが、図３の（ｂ）に示すように、第１処理ユニット５でカバレッジ処理とレベリング処理とを行い、第２処理ユニット６で乾燥・除去（エッジリンス・バックリンス）の各処理を行うようにしてもよい。この場合、第１処理ユニット５が本発明におけるカバレッジ・レベリングユニットに相当し、第２処理ユニット６が本発明の乾燥・除去ユニットに相当する。
【００５８】
また、現実にはレベリング処理と乾燥処理との境目は必ずしも明確ではないので、第１処理ユニット５でレベリング処理または乾燥処理を途中まで行い、それ以降の処理を第２処理ユニット６で行ってもよい。
【００５９】
＜第２実施例＞
図４は、第２実施例に係る基板処理装置の要部の平面図である。
第１実施例では、第１処理ユニット５から第２処理ユニット６へ基板Ｗを搬送する際に、各処理部１，２，３間の基板搬送に用いられる主たる搬送機構４を用いたので、それだけ搬送機構４の負担が増す。搬送機構４には移動速度や基板受け渡し速度に上限があるので、搬送機構４の負担が過度になると、各処理部１，２，３の処理速度を速めても、搬送機構４の制約のために基板処理装置のスループットの向上が望めなくなる。そこで、本実施例では、第１処理ユニット５から第２処理ユニット６へ基板Ｗを搬送するための専用搬送機構２５を備えている。専用搬送機構２５は、搬送機構４と同様に伸縮および旋回移動可能な多関節アーム２３を備え、この多関節アーム２３の先端部に基板Ｗを支持する支持具２４が取り付けられている。なお、他の構成は第１実施例と同様であるので、ここでの説明は省略する。また、本実施例も第１実施例と同様に変形実施できることはもちろんである。
【００６０】
専用搬送機構２５は、同じ高さ位置にある第１、第２処理ユニット５，６間の基板搬送に使用されるので、第１、第２処理ユニット５，６間で基板Ｗを速やかに搬送することができる。また、上下に移動する搬送機構４との干渉も容易に避けることができる。さらに、本実施例装置によれば、第１、第２処理ユニット５，６間の基板搬送に専用搬送機構２５を用いているので、仮に基板Ｗの搬送中に専用搬送機構２５の支持具２４がフォトレジスト液で汚れたとしても、第２処理ユニット６で基板Ｗが除去処理されるので、主たる搬送機構４がフォトレジスト液で汚れることがない。つまり搬送機構４を介して基板Ｗが汚染されるという不都合を回避することができる。したがって、本実施例によれば、第１実施例の第１処理ユニット５に備えられているようなエッジリンス用の溶剤供給ノズル１０を備える必要がない。
【００６１】
＜第３実施例＞
図５は、第３実施例に係る基板処理装置の要部の平面図である。
第１および第２実施例では、一連の薄膜形成処理を時系列に２つに区分けして、２個の個別の第１、第２処理ユニット５、６で順に行うように構成したが、本実施例では、一連の薄膜形成処理を時系列に３つに区分けして、３個の個別の第１、第２、第３処理ユニット２６，２７，２８で順に行うように構成してある。なお、他の構成は第１実施例と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００６２】
各処理ユニット２６，２７，２８には、それぞれスピンチャック２９および飛散防止カップ３０が設けられている。第１処理ユニット２６は、フォトレジスト液の種類に応じた複数本のレジスト供給ノズル９を備えている。図３の（ｃ）に示すように、本発明のカバレッジユニットに相当する第１処理ユニット２６は、スピンチャック２９に保持された基板Ｗ上に所定のレジスト供給ノズル９からフォトレジスト液を供給して、基板Ｗの表面をフォトレジスト液で覆うカバレッジ処理を行う。本発明のレベリングユニットに相当する第２処理ユニット２７は、カバレッジ処理された基板Ｗを所定の回転速度で回転させてフォトレジスト液を薄膜化するレベリング処理を行う。本発明の乾燥・除去ユニットに相当する第３処理ユニットは、レベリング処理された基板Ｗを所定の回転速度で回転させてフォトレジスト膜の乾燥処理を行うとともに、基板Ｗのエッジリンスとバックリンスとを行う。
【００６３】
本実施例装置の場合も全ての基板Ｗの塗布処理条件は同じになる。しかも、一連の薄膜化処理を区分けして、３個の第１、第２、第３処理ユニット２６，２７，２８で並行して行うので、基板処理装置のスループットを一層向上することができる。
【００６４】
なお、本実施例では、各処理ユニット２６，２７、２８間の基板搬送に主たる搬送機構４を用いているので、搬送機構４の支持具２４にフォトレジスト液が付着するのを防止するために、第１処理ユニット２６と第２処理ユニット２７に、第１実施例の第１処理ユニット５に備えたようなエッジリンス用の溶剤供給ノズル１０を設けてもよい。あるいは、第１、第２処理ユニット２６，２７間および第２、第３処理ユニット２７，２８間を、それぞれ第２実施例のように専用搬送機構２５を用いて基板Ｗを搬送してもよい。
【００６５】
＜第４実施例＞
図６は、第４実施例に係る塗布処理装置の要部の平面図である。
本実施例装置は、略１２０度ごとに間欠回転移動する回転テーブル３１上に３つの基板保持部３２，３３，３４が等間隔に設定されている。各基板保持部３２、３３，３４には、スピンチャック３５と飛散防止カップ３６とがそれぞれ設けられている。回転テーブル３１の周囲であって、各基板保持部３２、３３、３４が停止する位置に処理ステーションＳ１、Ｓ２、Ｓ３が設定されている。処理ステーションＳ１には、第１実施例で説明したと同様の搬送機構４が配設されている。第２処理ステーションＳ２には、フォトレジスト液を供給するレジスト供給ノズル９が配設されている。第３処理ステーションＳ３には、エッジリンス用の溶剤供給ノズル１３が配設されている。本実施例における処理ステーションと基板保持部との組合せは、本発明における処理ユニットに相当する。
【００６６】
本実施例によれば、まず第１処理ステーションＳ１において、搬送機構４が未処理の基板Ｗを基板保持部３２のスピンチャック３５上に移載する。このスピンチャック３５が基板Ｗを吸着保持した後、回転テーブル３１が間欠回転移動して基板保持部３２が第２処理ステーションＳ２に進む。
【００６７】
第２処理ステーションＳ２では、レジスト供給ノズル９が揺動移動して基板保持部３２の基板Ｗ上にフォトレジスト液を供給する。続いて基板保持部３２のスピンチャック３５が第１の回転速度で回転することにより、基板Ｗの表面をフォトレジスト液で覆う（カバレッジ処理）。カバレッジ処理が終わるとさらに回転テーブル３１が間欠回転移動することにより、基板処理部３２が第３処理ステーションＳ３に進む。
【００６８】
第３処理ステーションＳ３では、基板保持部３２のスピンチャック３５が高速回転することにより、基板Ｗ上のフォトレジスト液を薄膜化する（レベリング処理）。さらにスピンチャック３５が第２の回転速度で回転することにより、基板Ｗ上のフォトレジスト膜を乾燥する（乾燥処理）。続いて、基板Ｗを回転させながら溶剤供給ノズル１３が基板Ｗの周縁に溶剤を供給することにより、基板Ｗの周縁に付着したフォトレジスト膜を洗浄除去する（エッジリンス）。
【００６９】
エッジリンスが終わると、回転テーブル３１が間欠回転移動することにより、基板処理部３２が第１処理ステーションＳ１に戻る。搬送機構４は、処理済の基板Ｗを基板処理部３２のスピンチャック３５から受け取るとともに、新たな未処理の基板Ｗをスピンチャック３５上に載せる。
【００７０】
以後同様の処理が繰り返し行われることにより、第１処理ステーションＳ１における基板Ｗの搬入・搬出処理と、第２処理ステーションＳ２におけるカバレッジ処理と、第３処理ステーションＳ３におけるレベリング・乾燥・エッジリンスの各処理が同時並行して行われる。
【００７１】
レジスト供給ノズル９が共通使用されるので、本実施例装置の場合も全ての基板Ｗの塗布処理条件は概ね同じになる。しかも、基板Ｗの搬入・搬出処理と、カバレッジ処理と、レベリング・乾燥・エッジリンスの各処理とを同時並行して行うので、塗布処理装置のスループットを向上することができる。
【００７２】
なお、上述した第１および第４実施例におけるカバレッジ、レベリング、乾燥等の各処理時のスピンチャック７の第１の回転速度および第２の回転速度は、各々を低速回転、高速回転となるよう異なる回転速度としてもよく、また、いずれも同程度の回転速度としてもよい。
【００７３】
また、上述した第４実施例では、第１処理ステーションＳ１で基板Ｗの搬入・搬出処理を、第２処理ステーションＳ２でカバレッジ処理を、第３処理ステーションＳ３でレベリング・乾燥・エッジリンスの各処理を、それぞれ行ったが、各処理ステーションＳ１〜Ｓ３で行う処理は任意に設定可能であり、例えば第２処理ステーションＳ２でカバレッジとレベリングの各処理を行い、第３処理ステーションＳ３で乾燥とエッジリンスの各処理を行うようにしても良い。また、処理ステーションの個数は任意であり、２個、あるいは４個以上の処理ステーションを設け、一連の薄膜形成処理を時系列に区分けして、各処理ステーションで行うようにしても良い。
【００７４】
上述した第１〜第４実施例では、乾燥・エッジリンスの各処理を１つのユニットで行っていたが、下記の第５〜第８実施例のように、乾燥・エッジリンスの各処理をそれぞれ２つのユニットで時系列に区分けてしてもよい。
【００７５】
＜第５実施例＞
例えば、図１，２に示すような第１実施例装置において、第１処理ユニット５を、カバレッジ処理、レべリング処理、および乾燥処理を行うように構成するとともに、第２処理ユニット６を、除去処理を行うように構成する。この場合、第１処理ユニット５が本発明におけるカバレッジ・レべリング・乾燥ユニットに相当し、第２処理ユニット６が本発明における除去ユニットに相当する。
【００７６】
なお、第１実施例装置のみならず、第２，第３実施例装置の処理ユニット５，６（，または２６，２７，２８）、または第４実施例装置の第１，第２，第３処理ステーションＳ１，Ｓ２，Ｓ３を、本発明のカバレッジ・レべリング・乾燥ユニット、除去ユニットとしてそれぞれ適用することもできる。また、第１実施例装置の各処理ユニット５，６を本実施例に適用する場合には、搬送機構４の支持具２４にフォトレジスト液が付着するのを防止するために、第１処理ユニット５で基板Ｗの周縁部のフォトレジスト液を除去して（エッジリンス）、基板Ｗの裏面に回り込んで付着したフォトレジスト液を洗浄除去するバックリンスのみを第２処理ユニット６で行ってもよい。第３実施例装置の各処理ステーションＳ１，Ｓ２，Ｓ３を本実施例に適用する場合も同様である。
【００７７】
＜第６実施例＞
第５実施例では、例えば、図１，２に示すような第１実施例装置において、第１処理ユニット５を、本発明のカバレッジ・レべリング・乾燥ユニット、第２処理ユニット６を、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用したが、本実施例では、図５に示すような第３実施例装置において、第１処理ユニット２６を、本発明のカバレッジユニット、第２処理ユニット２７を、本発明のレベリング・乾燥ユニット、第３処理ユニット２８を、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用する。
【００７８】
なお、第５実施例と同様に、第１，第２，第４実施例装置の各々の構成を、本発明のカバレッジユニット、本発明のレベリング・乾燥ユニット、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用することもできるし、エッジリンスを、カバレッジユニットまたはレベリング・乾燥ユニットのいずれかに組み込むこともできる。
【００７９】
＜第７実施例＞
第５，６実施例では、レべリング処理、および乾燥処理を１つの処理ユニットで行ったが、本実施例では、例えば、図５に示すような第３実施例装置において、第１処理ユニット２６を、本発明のカバレッジ・レベリングユニット、第２処理ユニット２７を、本発明の乾燥ユニット、第３処理ユニット２８を、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用する。
【００８０】
なお、第５，第６実施例と同様に、第１，第２，第４実施例装置の各々の構成を、本発明のカバレッジ・レベリングユニット、本発明の乾燥ユニット、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用することもできるし、エッジリンスを、カバレッジ・レベリングユニットまたは乾燥ユニットのいずれかに組み込むこともできる。
【００８１】
＜第８実施例＞
第５〜第７実施例では、２つまたは３つの処理ユニット（，または処理ステーション）を備えて、これらの処理ユニットを各々の処理にそれぞれ割り当てたが、本実施例では、例えば、図５に示すような第３実施例装置において、第１，第２，第３処理ユニット２６，２７，２８の他に、図示を省略する第４処理ユニットを備え、第１処理ユニット２６を、本発明のカバレッジユニット、第２処理ユニット２７を、本発明のレベリングユニット、第３処理ユニット２８を、本発明の乾燥ユニット、第４処理ユニットを、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用する。
【００８２】
なお、第５〜第７実施例と同様に、第１，第２，第４実施例装置の各々の構成を、本発明のカバレッジユニット、本発明のレベリングユニット、本発明の乾燥ユニット、本発明の除去ユニットとしてそれぞれ適用することもできるし、エッジリンスを、カバレッジユニット、レベリングユニット、または乾燥ユニットのいずれかに組み込むこともできる。
【００８３】
本発明は、上述した各実施例のものに限らず、次のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例では、塗布液としてフォトレジスト液を例に採ったが、本発明はポリイミド樹脂やＳＯＧ（spin on glass)などの塗布にも適用することができる。
【００８４】
（２）実施例では基板を回転させることによってカバレッジ・レベリング・乾燥の各処理を行ったが、本発明は基板を回転させないでこれらの各処理を行うものにも適用することができる。例えば、静止させた基板上にスリットノズルなどを走査させることにより、基板表面を塗布液で覆うものや、基板を振動させて塗布液のレベリングを行うものや、基板を減圧雰囲気に置くか、あるいはブロワーなどによって塗布膜を乾燥させるようにしてもよい。
【００８５】
（３）上述した第１〜第８実施例では、基板Ｗの不要領域に付着したフォトレジスト液を除去する除去処理（エッジリンスとバックリンス）を、一連の薄膜形成処理過程の中に含んだ基板処理装置を例に採って説明したが、除去処理を一連の薄膜形成処理過程の中に含まずに、カバレッジ処理、レベリング処理、および乾燥処理からなる一連の薄膜形成処理を行う基板処理装置においても、第１〜第８実施例のように適宜選択することができる。
【００８６】
（４）上述した第１〜第８実施例では、基板を保持するのに、吸着保持するスピンチャックを用いたが、全部あるいは一部のユニット（例えばリンス（除去）ユニットのみ）に、基板を機械的に保持する（例えば基板の端縁を支持することで保持する）メカチャックを用いてもよい。
【００８７】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、基板上に塗布液を供給して基板表面を塗布液で覆うカバレッジ処理と、基板上の塗布液を薄膜化するレベリング処理と、基板上に形成された塗布液の膜を乾燥させる乾燥処理とを含む一連の薄膜形成処理を時系列に任意に区分けして、複数個の個別の処理ユニットで順に行うようにしたので、全ての基板が同じ塗布処理条件で処理されることになり、基板間の品質のばらつきを最小限に抑えることができる。また、各処理ユニットは、区分けされた各処理を並行して行うので、処理装置のスループットを向上させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る塗布処理装置の一実施例を用いた基板処理装置の要部の平面図である。
【図２】第１実施例装置の要部の正面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、各処理ユニットが行う処理内容を示したブロック図である。
【図４】第２実施例に係る基板処理装置の要部の平面図である。
【図５】第３実施例に係る基板処理装置の要部の平面図である。
【図６】第４実施例に係る塗布処理装置の要部の平面図である。
【符号の説明】
Ｗ  …  基板
１  …  塗布処理部
２  …  現像処理部
３  …  熱処理部
４  …  搬送機構
５  …  第１処理ユニット
６  …  第２処理ユニット
【図１】
0003963732.tif 000002
【図２】
0003963732.tif 000003
【図３】
0003963732.tif 000004
【図４】
0003963732.tif 000005
【図５】
0003963732.tif 000006
【図６】
0003963732.tif 000007