(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板上に配列された複数の素子を第二基板上に再配列する素子の配列方法において、
前記第一基板上に配列された複数の素子を、該第一基板上の素子の配列状態よりは離間した状態となるように、表面に接着剤層と剥離層を有する一時保持用部材に、該接着剤層に埋め込むように転写する工程と、
前記一時保持用部材上の前記接着剤層で固められた複数の素子を、素子毎に分離する工程と、
前記第二基板上にレーザ光の吸収率を高める光吸収材を含有した接着層を形成若しくは前記光吸収材を接着層の近傍に配設させる工程と、
前記一時保持用部材上の分離された複数の接着剤層で固められた素子を、前記剥離層から剥離して前記第二基板の接着層上に転写し、前記第二基板を介してレーザ光を照射して前記接着層を選択的に加熱し、前記複数の接着剤層で固められた素子を前記接着層に固着する工程とを有する
ことを特徴とする素子の配列方法。
【請求項２】
前記素子毎に分離する工程の前に、前記接着剤層で固められた複数の素子上に、それぞれ該素子の面積よりも大きい面積を有し、前記複数の素子に電気的に接続される電極パッドを形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項１記載の素子の配列方法。
【請求項３】
前記光吸収材は粒子又は薄膜からなること
を特徴とする請求項１記載の素子の配列方法。
【請求項４】
前記光吸収材は、前記転写対象となる素子の接着面、前記接着層の前記転写対象となる素子側表面、前記接着層の中途部、若しくは前記接着層の前記第二基板側表面のいずれか若しくは複数に配設される
ことを特徴とする請求項１記載の素子の配列方法。
【請求項５】
前記レーザ光は前記第二基板の裏側から照射される
ことを特徴とする請求項１記載の素子の配列方法。
【請求項６】
前記複数の素子を一時保持用部材に転写する工程で、該素子を離間させる距離が前記第一基板上に配列された素子のピッチの略整数倍になっており、
前記複数の接着剤層で固められた素子を第二基板に転写する工程で、該素子を離間させる距離が前記一時保持用部材に配列された素子のピッチの整数倍になっている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の素子の配列方法。
【請求項７】
前記素子は窒化物半導体を用いた半導体素子である
ことを特徴とする請求項１記載の素子の配列方法。
【請求項８】
前記素子は発光素子、液晶制御素子、光電交換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分である
ことを特徴とする請求項１記載の素子の配列方法。
【請求項９】
発光素子をマトリックス状に配置した画像表示装置の製造方法において、
第一基板上に配列された複数の発光素子を、該第一基板上の発光素子の配列状態よりは離間した状態となるように、表面に接着剤層と剥離層を有する一時保持用部材に、該接着剤層に埋め込むように転写する工程と、
前記一時保持用部材上の前記接着剤層で固められた複数の発光素子を、発光素子毎に分離する工程と、
前記第二基板上にレーザ光の吸収率を高める光吸収材を含有した接着層を形成若しくは前記光吸収材を接着層の近傍に配設させる工程と、
前記一時保持用部材上の分離された複数の接着剤層で固められた発光素子を、前記剥離層から剥離して第二基板の接着層上に転写し、前記第二基板を介してレーザ光を照射して前記接着層を選択的に加熱し、前記複数の接着剤層で固められた発光素子を前記接着層に固着する工程とを有する
ことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記発光素子毎に分離する工程の前に、前記接着剤層で固められた複数の発光素子上に、それぞれ該発光素子の面積よりも大きい面積を有し、前記複数の発光素子に電気的に接続される電極パッドを形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項９記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記光吸収材は粒子又は薄膜からなる
ことを特徴とする請求項９記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記光吸収材は、前記複数の接着剤層で固められた発光素子の接着面、前記接着層の前記発光素子側表面、前記接着層の中途部、若しくは前記接着層の前記第二基板側表面のいずれか若しくは複数に配設される
ことを特徴とする請求項９記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記レーザ光は前記第二基板の裏側から照射される
ことを特徴とする請求項９記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記複数の発光素子を一時保持用部材に転写する工程で、該発光素子を離間させる距離が前記第一基板上に配列された発光素子のピッチの略整数倍になっており、
前記複数の接着剤層で固められた発光素子を第二基板に転写する工程で、該発光素子を離間させる距離が前記一時保持用部材に配列された発光素子のピッチの整数倍になっている
ことを特徴とする請求項９又は１０記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細加工された素子をより広い領域に転写する素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、発光素子をマトリクス状に配列して画像表示装置に組上げる場合には、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）やプラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａnｅｌ）のように基板上に素子を形成するか、あるいは発光ダイオードディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）のように単体のＬＥＤパッケージを配列することが行われている。従来のＬＥＤ、ＰＤＰのごとき画像表示装置においては、素子や画素のピッチとその製造プロセスに関し、素子分離ができないために製造プロセスの当初から各素子はその画像表示装置の画素ピッチだけ間隔を空けて形成することが通常行われている。一方、ＬＥＤディスプレイの場合には通常、ＬＥＤチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤーボンド若しくはフリップチップによるバンプ接続により外部電極に接続し、パッケージ化されることが行われている。この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像表示装置としての画素ピッチに配列される。
【０００３】
発光素子であるＬＥＤ（発光ダイオード）は高価であるため、一枚のウエハから数多くのＬＥＤチップを製造することによりＬＥＤを用いた画像表示装置を低コストに製造できる。すなわち、ＬＥＤチップの大きさを従来約３００μｍのものを数十μｍ角のＬＥＤチップにして、それを実装して画像表示装置を製造すれば画像表示装置の価格を下げることができる。
【０００４】
そこで各素子を集積度高く形成し、各素子を広い領域に転写などによって離間させながら移動させ、画像表示装置などの比較的大きな表示装置を構成する技術があり、例えば米国特許No.５４３８２４１に記載される薄膜転写法や、特開平１１−１４２８７８号公報に記載される表示用トランジスタアレイパネルの形成方法などの技術が知られている。米国特許No.５４３８２４１では基板上に密に形成した素子が粗に配置し直される転写方法が開示されていおり、接着剤付の伸縮性基板に素子を転写した後、各素子の間隔と位置をモニターしながら伸縮性基板がｘ方向とｙ方向に伸張される。そして、伸張された基板上の各素子が所要のディスプレイパネル上に転写される。また、特開平１１−１４２８７８号公報に記載される技術では、第一基板上の液晶表示部を構成する薄膜トランジスタが第二基板上に全体転写され、次にその第二基板から選択的に画素ピッチに対応する第三の基板に転写する技術が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような転写技術により画像表示装置を製造する場合、転写対象となる素子が選択的に、かつ確実に転写される必要がある。また、効率の良い転写、精度の良い転写も要求される。微細な電子部品や電子デバイス、更にはそれらをプラスチックのような絶縁体に埋め込んだ電子部品を実装基板上に搭載する方法としては、熱可塑性樹脂を接着剤として用いる方法が一般的である。例えば、実装基板の必要箇所に熱可塑性樹脂を塗布し、その上に電子部品を置く。その後、基板ごと加熱して、接着剤を軟化させてその後冷却して基板に固定する。あるいは他の方法として、基板全面に熱可塑性樹脂を塗布して、その上に電子部品を置き、基板ごと加熱して、次いで接着剤を軟化させ、冷却して固定し、その後、エッチングやプラズマ処理によって露出している接着剤を除去して同様な構造を得る方法も知られている。
【０００６】
しかし、このような方法を用いた場合、電子部品を置くときには規則正しく１つずつ置いていく作業が必要になり、極めて煩雑であるばかりか、基板の全面加熱による他の部品の位置ずれや剥離なども問題になる。例えば、転写元の部品をそのままの配置で全て基板に配置する場合には、基板から基板に転写するという方法が可能であり、また熱可塑性樹脂を用いる場合には、全面を高周波、もしくは所要の雰囲気にさらして加熱して、転写元の基板に対する接着力よりも強い接着力を発生させて基板側に転写することが可能である。
【０００７】
しかしながら、これを応用して、転写したい部品と転写したくない部品を選択的に転写することも可能であるが、既存の技術では所望の部品を加熱することが困難であることから、実用には至っていない。さらに、既存の全面加熱の場合、余分な部分に熱可塑性樹脂を塗布すると加熱時に流動性によって部品の設置位置が変わる可能性がある。したがって、一般的には予め部品を置く位置に樹脂を塗布する必要が生じ、上記のように１つずつ置いていくという煩雑さを解消することはできない。同様に、吸着ヘッドなどを用いて転写元から一度電子部品を取り出し、基板の上に置くという方法も考えられるが、吸着ヘッドから基板に固定する場合、全面加熱を施すと、既に接着されている別の部品が剥離する恐れがある。
【０００８】
また、レーザにより全面加熱する方法では、熱可塑性樹脂、部品ともにレーザ光の吸収率が高くない場合には、所望の程度に加熱されないという問題がある。また、加熱面が部品である場合では、部品自体に耐熱性が必要とされるという問題がある。そして、レーザを用いて全面加熱すると、熱可塑性樹脂、部品、基板上の配線のいずれかもしくは複数の部材について光吸収率の高いレーザの波長を選択する必要性が生ずる。
【０００９】
本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたものであり、基板上の素子のうちで転写対象となる素子を確実に転写することができ、効率良くかつ精度良く素子を転写して配列することが可能な素子の配列方法、及び画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
本発明の素子の配列方法は、第一基板上に配列された複数の素子を第二基板上に再配列する素子の配列方法において、前記第一基板上に配列された複数の素子を、該第一基板上の素子の配列状態よりは離間した状態となるように、表面に接着剤層と剥離層を有する一時保持用部材に、該接着剤層に埋め込むように転写する工程と、前記一時保持用部材上の前記接着剤層で固められた複数の素子を、素子毎に分離する工程と、前記第二基板上にレーザ光の吸収率を高める光吸収材を含有した接着層を形成若しくは前記光吸収材を接着層の近傍に配設させる工程と、前記一時保持用部材上の分離された複数の接着剤層で固められた素子を、前記剥離層から剥離して前記第二基板の接着層上に転写し、前記第二基板を介してレーザ光を照射して前記接着層を選択的に加熱し、前記複数の接着剤層で固められた素子を前記接着層に固着する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
上記素子の配列方法において、転写対象となる素子の近くにある接着層を効率良くかつ確実に加熱することができるため、転写が効率良くかつ確実に行われ、素子間の距離を大きくする拡大転写を円滑に実施することができる。
【００１６】
本発明の画像表示装置の製造方法は、発光素子をマトリックス状に配置した画像表示装置の製造方法において、第一基板上に配列された複数の発光素子を、該第一基板上の発光素子の配列状態よりは離間した状態となるように、表面に接着剤層と剥離層を有する一時保持用部材に、該接着剤層に埋め込むように転写する工程と、前記一時保持用部材上の前記接着剤層で固められた複数の発光素子を、発光素子毎に分離する工程と、前記第二基板上にレーザ光の吸収率を高める光吸収材を含有した接着層を形成若しくは前記光吸収材を接着層の近傍に配設させる工程と、前記一時保持用部材上の分離された複数の接着剤層で固められた発光素子を、前記剥離層から剥離して第二基板の接着層上に転写し、前記第二基板を介してレーザ光を照射して前記接着層を選択的に加熱し、前記複数の接着剤層で固められた発光素子を前記接着層に固着する工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
上記画像表示装置の製造方法によれば、上記配列方法によって発光素子がマトリクス状に配置され、画像表示部分が構成される。従って、転写対象となる素子の近くにある接着層を効率良くかつ確実に加熱することができるために転写が効率良くかつ確実に行われ、密な状態すなわち集積度を高くして微細加工を施して作成された発光素子を、効率良く離間して再配置することができ、生産性が大幅に改善される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した素子の配列方法、及び画像表示装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本実施形態においては接着層にレーザ光に対する接着層の吸収率を高める光吸収材を含有させる場合について説明する。
【００１９】
また、接着層に含有させ又は接着層の近傍に配設させるレーザ光に対する接着層の吸収率を高める光吸収材の材料として、例えば薄膜であるクロムやアルミニウムなどからなる金属膜、あるいはカーボンブラックや炭酸カルシウムなどの粒子状材料がある。レーザ光に対する接着層の吸収率を高める光吸収材が金属の薄膜の場合、例えば転写対象となる素子の接着面や接着層の表面などに形成しても良く、また粒子状材料の場合には、例えば接着層に含有させたり、素子の表面に形成させたりしても良い。
【００２０】
まず、基本となる素子の転写方法について説明する。本発明により素子を転写するには、図１（ａ）に示すように、転写元となる基板１上に接着層２を形成し、この上に複数の素子３を配列形成する。
【００２１】
ここで、上記接着層２に、例えば比較的粘着力の小さい粘着性の樹脂などを用いることにより、簡単に他の基板に転写することが可能となる。
【００２２】
また、素子３としては、任意の素子に適用することができ、例示するならば、発光素子、液晶制御素子、光電交換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子などを挙げることができる。
【００２３】
次いで、図１（ｂ）に示すように、この基板１と対向して転写の橋渡しとなる一時保持用基板（第一基板）４を圧着し、この一時保持用基板４上に必要な素子３を選択的に写し取る。
【００２４】
上記一時保持用基板４上には、転写対象となる素子３ａに対応して、選択的に接着層５が形成されており、この接着層５の粘着力を基板１上の接着層２の粘着力よりも大きくしておく。このように接着層５の粘着力を基板１上の接着層２の粘着力よりも大きくしておくことにより、素子３ａを簡単に転写することができる。図１（ｃ）は、一時保持用基板４を基板１から剥がし取った状態を示すもので、選択的に形成された接着層５上に素子３ａが転写されている。
【００２５】
次に、図１（ｄ）に示すように、この素子３ａを写し取った一時保持用基板４を転写基板（第二基板）６と対向させて圧着し、素子３ａを転写基板６側へと移行する。上記転写基板６の表面には、レーザ光に対する接着層の吸収率を高める光吸収材７ａを含有する接着層７が全面に形成されており、素子３ａの近くにある８が既に固定されている。レーザ光に対する接着層の吸収率を高める７ａを含有する接着層７は、例えば、熱可塑性接着樹脂を塗布することにより形成されている。また、上記転写基板６は、素子３ａの転写時にレーザ光をこの転写基板６の裏面側から照射する必要があるので、光透過性を有することが好ましい。
【００２６】
転写に際しては、上記転写基板６に一時保持用基板４を重ね合わせた後、転写基板６の裏面側からレーザ光Ｌを照射し、上記接着層７を選択的に硬化し、その後、冷却硬化することによって素子３ａを接着層７に固定する。
【００２７】
例えば、図２に示すように、転写基板６の裏面側からレーザ光Ｌを照射し、転写対象となる素子３ａが接する部分の上記接着層７を選択的に加熱する。すると、熱可塑性接着樹脂からなる接着層７の加熱領域Ｈが硬化して素子３ａに対して接着力を発揮するのであるが、レーザ光Ｌに対する接着層７の吸収率を高める光吸収材７ａを含有しているため、素子３ａのある接着層がレーザ光Ｌをより良く吸収し、その接着層をより良く加熱することができる。そのため、転写対象である所望の素子３ａのある接着層を効率良く選択的に加熱することができ、素子３ａのある接着層を効率良く選択的に加熱することができる。
【００２８】
また、レーザ光Ｌに対する接着層７の吸収率を高める光吸収材７ａによってレーザ光Ｌが吸収され、素子３ａにレーザ光Ｌが至ることなく、レーザ光Ｌが素子３ａを傷めるのを回避することができる。
【００２９】
その後、レーザ光Ｌの照射を止め、上記加熱領域Ｈを冷却硬化すれば、素子３ａは、接着層７によって転写基板６に固定される。このとき、接着層７にはレーザ光Ｌに対する接着層７の光吸収率を高める光吸収材７ａが含有されているため、その光吸収材７ａにレーザ光Ｌを吸収させて素子３ａのある接着層を効率良く選択的に加熱することができる。そして、素子３ａのある接着層の効率良い加熱により素子３ａにレーザ光Ｌが照射される時間が短く、他の素子８のある接着層が加熱されることがないため、他の素子８の固着状態に影響を及ぼすこともなく、他の素子８に剥離や位置ずれが生ずることもない。
【００３０】
レーザ光Ｌに対する接着層７の吸収率を高める光吸収材７ａを含有する接着層７の加熱は、上記の例では、接着層７に直接レーザ光Ｌを照射して行ったが、接着層７をレーザ光Ｌで直接加熱することが難しい場合などには、図３に示すように、接着層７を透過したレーザ光Ｌを転写対象となる素子３ａに照射し、これを加熱することにより間接的に接着層７を加熱することも可能である。
【００３１】
このような場合、レーザ光Ｌに対する接着層７の吸収率を高める光吸収材７ａのようなレーザ光に対する接着層の吸収率を高める光吸収材を接着層７に含有させ又は接着層７の近傍に配設させることにより、そのレーザ光Ｌの吸収率が高い光吸収材によってレーザ光Ｌが吸収され、素子３ａにレーザ光Ｌが至ることなく、レーザ光Ｌが素子３ａを傷めるのを回避することができる。
【００３２】
転写対象となる素子３ａにレーザ光Ｌを照射し、上記接着層７と接する部分Ｈを加熱すれば、その熱が接着層７に伝わってこれを軟化する。後は、これを冷却硬化すれば、素子３ａは上記接着層７によって転写基板６に固定される。
【００３３】
あるいは、転写基板６上に配線が形成されている場合には、これをレーザ照射によって加熱し、接着層７を間接的に加熱することも可能であるが、
【００３４】
このような場合もまた上述と同様に、そのレーザ光Ｌの吸収率が高い光吸収材によってレーザ光Ｌが吸収され、素子３ａや配線にレーザ光Ｌが至ることなく、レーザ光Ｌが素子３ａや配線を傷めるのを回避することができる。
【００３５】
図４は、転写基板６上に配線パターン９が形成され、この上に素子３ａを転写する例を示すものである。通常、素子３ａに対応して、当該素子３ａと回路とを接続するための配線パターン９が形成されている。配線パターン９は、銅やアルミニウムなどの金属からなり、レーザ光Ｌにより容易に加熱することができる。
【００３６】
そこで、図４に示すように、素子３ａに対応して設けられた配線パターン９にレーザ光Ｌを照射し、素子３ａに対応する領域Ｈを過熱する。すると、その熱が接着層７に伝わってこれを軟化する。後は同様であり、これを冷却硬化すれば、素子３ａは接着層７によって転写基板６に固定される。
【００３７】
なお、上記図２乃至図４に示す加熱は、それぞれ単独で行っても良いし、あるいはレーザ光Ｌの照射により、これらが複合して最終的に接着層７が加熱、軟化されるようにしても良い。
【００３８】
上記レーザ光照射による加熱軟化及び冷却による硬化を経て、素子３ａを接着層７により転写基板６に固着した後、一時保持用基板４を剥離する。
【００３９】
これにより、転写対象となる素子３ａが転写基板６上に転写されるが、この状態では接着層７が全面に形成されたままである。
【００４０】
そこで、図１（ｅ）に示すようにエッチングを施し、接着層７の余分な部分を除去して選択転写プロセスを完了する。これにより、図１（ｆ）に示すような素子３ａが素子８間に選択転写された転写基板６を得ることができる。
【００４１】
上述のように、レーザ光Ｌを用いることによって、接着層７のごく狭い部分を短時間で加熱することが可能となり、隣接して既に接着された素子８を固着している接着層７にまで熱を伝えることがないため、これら隣接して接着素子８の固着状態に影響が及ぶことなく、選択的に素子３ａを転写することが可能となる。
【００４２】
このように、レーザ光Ｌに対する接着層７の吸収率を高める光吸収材７ａのようなレーザ光Ｌに対し接着層７の吸収率を高める光吸収材を接着層７に含有させることによって、素子３ａの近くの接着にレーザ光Ｌをより一層良く吸収させることができる。したがって、その接着層をより一層良く加熱することができ、素子３ａのある接着層を効率良く選択的に加熱することができる。
【００４３】
さらに、レーザ光Ｌの吸収率が高い光吸収材によってレーザ光Ｌが吸収され、素子３ａにレーザ光Ｌが至ることなく、素子３ａをレーザ光Ｌが傷めるのを回避することができる。このレーザ光Ｌの吸収率が高い光吸収材はレーザ光Ｌが素子３ａに至るのを防ぎ、素子３ａにレーザ光Ｌが至らないため、素子３ａがレーザ光Ｌによって傷むことを考慮することなく、素子３ａの材料と関係のない種々のレーザの種類や波長を選定することができる。
【００４４】
また、レーザ光Ｌに対し接着層７の吸収率を高める光吸収材の材料として、レーザ光Ｌの吸収特性が既知な材料を選ぶことにより、加熱時の発熱量が予想することができ、素子３ａの材料としてレーザ光Ｌの吸収特性と関係のない材料を選定することができる。
【００４５】
なお、以上の説明においては、接着層７を構成する材料として、熱可塑性接着樹脂を例にして説明したが、熱硬化性接着樹脂でも同様の手法により素子の選択的転写が可能である。熱硬化性接着樹脂の場合には、レーザ光Ｌの照射により加熱された部分が熱硬化し、素子を固着する。
【００４６】
また、図５はレーザ光Ｌに対する接着層７の吸収率を高める光吸収材７ａを接着層７側表面に配設させ、転写対象である素子７ａのある接着層７を加熱する場合である。この場合も接着層７にレーザ光Ｌに対する接着層７の吸収率を高める光吸収材７ａを含有させる場合と同様に、レーザ光Ｌの吸収率が高い光吸収材によってレーザ光Ｌが吸収され、素子３ａや配線にレーザ光Ｌが至ることなく、素子３ａや配線をレーザ光Ｌが傷めるのを回避することができる。
【００４７】
上記転写方法は、例えばアクティブマトリクス方式の画像表示装置における素子転写などに応用すると、極めて有用である。アクティブマトリクス方式の画像表示装置では、駆動素子であるＳｉトランジスタに隣接して、Ｒ、Ｇ、Ｂの発光素子を配置する必要がある。これらＲ、Ｇ、Ｂの発光素子は、順次Ｓｉトランジスタの近い位置に転写する必要があるが、Ｓｉトランジスタは極めて熱伝導が良く、熱が加わると内部回路の破損につながる。ここで、上記転写方法を利用することにより、Ｓｉトランジスタに熱が伝わるのを回避することができ、上記不都合を解消することができる。例えば、上記Ｓｉトランジスタの大きさが５６０μｍ×１６０μｍ×３５μｍ、各発光素子が一辺５〜１０μｍ程度の小面積であり、接着層にエポキシ系熱硬化性樹脂を用い、ＹＡＧ２倍レーザ（波長５３２nｍ）を照射する場合、レーザ照射による加熱は４n秒、冷却は１０n秒程度である。レーザ照射による加熱時間が１０n秒以下であれば、隣接するＳｉトランジスタに熱の影響が及ぶことはない。
【００４８】
次に、上記転写方法の応用例として、二段階拡大転写法による素子の配列方法および画像表示装置の製造方法について説明する。本例の素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法は、高集積度をもって第一基板上に作成された素子を第一基板上で素子が配列された状態よりは離間した状態となるように一時保持用部材に転写し、次いで一時保持用部材に保持された前記素子をされに離間して第二基板上に転写する二段階の拡大転写を行う。なお、本実施形態では転写を二段階としているが、素子を離間して配置する拡大度に応じて転写を三段階やそれ以上の多段階とすることもできる。
【００４９】
図６はそれぞれ二段階拡大転写法の基本的な工程を示す図である。まず、図６の（ａ）に示す第一基板１０上に、例えば発光素子のような素子１２を密に形成する。素子を密に形成することで、各基板当たりに生成される素子の数を多くすることができ、製品コストを下げることができる。第一基板１０は例えば半導体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイヤ基板、プラスチック基板などの種々素子形成可能な基板であるが、各素子１２は第一基板１０上に直接形成したものであっても良く、他の基板上で形成されたものを配列したものであっても良い。
【００５０】
次に図６の（ｂ）に示すように、第一基板１０から各素子１２が図中破線で示す一時保持用部材１１に転写され、この一時保持用部材１１の上に各素子１２が保持される。ここで隣接する素子１２は離間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子１２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。このとき離間される距離は、特に限定されず、一例として後続の工程での樹脂部形成や電極パッドの形成を考慮した距離とすることができる。一時保持用部材１１上に第一基板１０から転写した際に第一基板１０上の全部の素子が離間されて転写されるようにすることができる。この場合には、一時保持用部材１１のサイズはマトリクス状に配された素子１２の数（ｘ方向、ｙ方向にそれぞれ）に離間した距離を乗じたサイズ以上であれば良い。また、一時保持用部材１１上に第一基板１０上の一部の素子が離間されて転写されるようにすることも可能である。
【００５１】
このような第一転写工程の後、図６の（ｃ）に示すように、一時保持用部材１１上に存在する素子１２は離間されていることから、各素子１２ごとに素子周りの樹脂の被覆と電極パッドの形成が行われる。素子周りの樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、次の第二転写工程での取扱いを容易にするなどのために形成される。電極パッドの形成は、後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、その際に配線不良が生じないように比較的大き目のサイズに形成されるものである。なお、図１の（ｃ）には電極パッドは図示していない。各素子１２の周りを樹脂１３が覆うことで樹脂形成チップ１４が形成される。素子１２は平面上、樹脂形成チップ１４の略中央に位置するが、一方の辺や角側に偏った位置に存在するものであっても良い。
【００５２】
次に、図６の（ｄ）に示すように、第二転写工程が行われる。この第二転写工程では一時保持用部材１１上でマトリクス状に配される素子１２が樹脂形成チップ１４ごとさらに離間するように第二基板１５上に転写される。
【００５３】
この第二転写工程に上記図１に示す転写方法を応用するが、これについては後ほど詳述する。
【００５４】
第二転写工程においても、隣接する素子１２は樹脂形成チップ１４ごとに離間され、図示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子１２はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写される。第二転写工程によって配置された素子の位置が画像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置であるとすると、当初の素子１２間のピッチの略整数倍が第二転写工程によって配置された素子１２のピッチとなる。ここで第一基板１０から一時保持用部材１１での離間したピッチの拡大率をnとし、一時保持用部材１１から第二基板１５での離間したピッチの拡大率をｍとすると、略整数倍の値ＥはＥ=n(ｍで表される。拡大率n、ｍはそれぞれ整数であっても良く、整数でなくともＥが整数となる組み合わせ(例えばn=２.４でｍ=５)であれば良い。
【００５５】
第二基板１５上に樹脂形成チップ１４ごとに離間された各素子１２には、配線が施される。このとき、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子１２が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、ｐ電極、n電極への配線を含み、液晶制御素子の場合は、選択信号線、電圧線や、配向電極膜などの配線等を含む。
【００５６】
図６に示した二段階拡大転写法においては、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッドや樹脂固めなどを行うことができ、そして第二転写後に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。したがって、画像表示装置の歩留まりを向上させることができる。また、本実施形態の二段階拡大転写法においては、素子間の距離を離間する工程が二工程であり、このような素子間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、実際は転写回数が減ることになる。すなわち、例えば、ここで第一基板１０から一部保持用部材１１での離間したピッチの拡大率を２（n=２）とし、一時保持用部材１１，１１ａから第二基板１５での離間したピッチの拡大率を２（ｍ=２）とすると、仮に一度の転写で拡大した範囲に転写しようとしたときでは、最終拡大率が２(２の４倍で、その二乗の１６回の転写すなわち第一基板のアライメントを１６回行う必要が生ずるが、本実施形態の二段階拡大転写法では、アライメント回数は第一転写工程での拡大率２の二乗の４回と第二転写工程での拡大率２の二乗の４回を単純に加えただけの計８回で済むことになる。すなわち、同じ転写倍率を意図する場合においては、(n+ｍ)２=n２+２nｍ+ｍ２であることから、必ず２nｍ回だけ転写回数を減らすことができることになる。したがって、製造工程も回数分だけ時間や経費の節約となり、特に拡大率の大きい場合に有益となる。
【００５７】
なお、図６に示した二段階拡大転写法においては、素子１２を例えば発光素子としているが、これに限定されず、他の素子例えば液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、微小光学素子から選ばれた素子もしくはその部分、これらの組み合わせなどであっても良い。
【００５８】
上記第二転写工程においては、樹脂形成チップとして取り扱われ、一時保持用部材上から第二基板に転写されるが、この樹脂形成チップについて図７及び図８を参照して説明する。樹脂形成チップ２０は、離間して配置されている素子２１の周りを樹脂２２で固めたものであり、このような樹脂形成チップ２０は、一時保持用部材から第二基板に素子２１を転写する場合に使用できるものである。
【００５９】
樹脂形成チップ２０は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。この樹脂形成チップ２０の形状は樹脂２２を固めて形成された形状であり、具体的には各素子２１を含むように未硬化の樹脂を全面に塗布し、これを硬化した後で縁の部分をダイシング等で切断することで得られる形状である。
【００６０】
略平板上の樹脂２２の表面側と裏面側にはそれぞれ電極パッド２３，２４が形成される。これら電極パッド２３，２４の形成は全面に電極パッド２３，２４の材料となる金属層や多結晶シリコン層などの導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極形状にパターニングすることで形成される。これら電極パッド２３，２４は発光素子である素子２１のｐ電極とn電極にそれぞれ接続されるように形成されており、必要な場合には樹脂２２にビアホールなどが形成される。
【００６１】
ここで電極パッド２３，２４は樹脂形成チップ２０の表面側と裏面側にそれぞれ形成されているが、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能であり、例えば、薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲート、ドレインの３つの電極があるため、電極パッドを３つ或いはそれ以上形成しても良い。電極パッド２３，２４の位置が平板状ずれているのは、最終的な配線形成時に上側からコンタクトをとっても重ならないようにするためである。電極パッド２３，２４の形状も正方形に限定されず他の形状としても良い。
【００６２】
このような樹脂形成チップ２０を構成することで、素子２１の周りが樹脂２２で被覆され平坦化によって精度良く電極パッド２３，２４を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取扱いが容易になる。後述するように、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、比較的大き目のサイズの電極パッド２３，２４を利用した配線を行うことで、配線不良が未然に防止される。
【００６３】
次に、図９に本例の二段階拡大転写方で使用される素子の一例としての発光素子の構造を示す。図９の（ａ）が素子断面図であり、図９の（ｂ）が平面図である。この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、例えばサファイヤ基板上に結晶成長される素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレーションが生じ、ＧａＮ系の窒素が気化する現象にともなってサファイヤ基板とＧａＮ系の成長層との間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。
【００６４】
まず、その構造については、ＧａＮ系半導体層からなる下地成長層３１上に選択成長された六角錐形状のＧａＮ層３２が形成されている。なお、下地成長層３１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧａＮ層３２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ法などによって形成される。このＧａＮ層３２は、成長時に使用されるサファイヤ基板の主面をＣ面とした場合にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧａＮ層３２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。ＧａＮ層３２の傾斜したＳ面を覆うように活性層であるＩnＧａＮ層３３が形成されており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層３４が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層３４もクラッドとして機能する。
【００６５】
このような発光ダイオードには、ｐ電極３５とn電極３６が形成されている。ｐ電極３５はマグネシウムドープのＧａＮ層３４上に形成されるNｉ／Ｐｔ／ＡｕまたはNｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成される。n電極３６は前述の図示しない絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料を蒸着して形成される。なお、図９に示すように下地成長層３１の裏面側からn電極取り出しを行う場合は、n電極３６の形成は下地成長層３１の表面側には不要となる。
【００６６】
このような構造のＧａＮ系の発光ダイオードは、青色発行も可能な素子であって、特にレーザアブレーションより比較的簡単にサファイヤ基板から剥離することができ、レーザビームを選択的に照射することで選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダイオードとしては、平板状や帯状に活性層が形成される構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子や化合物半導体素子などであっても良い。
【００６７】
次に、図１０から図１６までを参照しながら、図６に示す発光素子の配列方法の具体的手法について説明する。発行素子は図９に示したＧａＮ系の発光ダイオードを用いる。まず、図１０に示すように、第一基板４１の主面上には複数の発光ダイオード４２がマトリクス状に形成されている。発光ダイオード４２の大きさは約２０μｍ程度とすることができる。第一基板４１の構造材料としてはサファイヤ基板などのように発光ダイオード４２に照射するレーザ波長の透過率の高い材料が用いられる。発光ダイオード４２にはｐ電極などまでは形成されているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間分離の溝４２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオード４２は分離できる状態にある。この溝４２ｇの形成は例えば反応性イオンエッチングで行う。このような第一基板４１を図１１に示すように一時保持用部材４３に対峙させて選択的な転写を行う。
【００６８】
一時保持用部材４３の第一基板４１に対峙する面には剥離層４４と接着層４５が２層になって形成されている。ここで一時保持用部材４１の例としては、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いることができ、一時保持部材４１上の剥離層４４の例としては、フッ素コート、シリコン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いることができる。また一時保持用部材４３上の剥離層４５としては紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかからなる層を用いることができる。一例としては一時保持用部材４３として石英ガラス基板を用い、剥離層４４としてポリイミド膜約４μｍを形成後、接着層４５としてのＵＶ硬化型接着剤を約２０μｍ厚で塗布する。
【００６９】
一時保持用部材４３の接着層４５は、硬化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するように調整され、未硬化領域４５ｙに選択転写にかかる発光ダイオード４２が位置するように位置合わせされる。硬化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するような調整は、例えばＵＶ硬化型接着剤を露光機にて選択的に２００μｍピッチでＵＶ露光し、発光ダイオード４２を転写するところは未硬化でそれ以上は硬化させてある状態にすればよい。このようなアライメントの後、その位置の発光ダイオード４２をレーザにて第一基板４１の裏面から照射して発光ダイオード４２を第一基板４１からレーザアブレーションを利用して剥離する。ＧａN系の発光ダイオード４２はサファイヤとの界面で金属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離できる。照射するレーザとしてはエキシマレーザ、高調波レーザなどが用いられる。
【００７０】
このレーザアブレーションを利用した剥離によって、選択照射に引っかかる発光ダイオード４２はＧａN層と第一基板４１の界面で分離し、反対側の接着層４５の未硬化領域４５ｙに発光ダイオード４２のｐ電極部分を突き刺すようにして転写される。他のレーザが照射されない領域の発光ダイオード４２については、対応する接着層４５の部分が硬化した領域４５ｓであり、レーザも照射されていないために一時保持用部材４３側に転写されることはない。なお、図１０では１つの発光ダイオード４２だけが選択的にレーザ照射されているが、nピッチ分だけ離間した領域においても同様に発光ダイオード４２はレーザ照射されているものとする。このような選択的な転写によって発光ダイオード４２は第一基板４１上に配列されている時よりも離間して一時保持用部材４３上に配列される。
【００７１】
発光ダイオード４２は一時保持用部材４３の接着層４５に保持された状態で、発光ダイオード４２の裏面がn電極側（カソード電極側）になっていて、発光ダイオード４２の裏面には樹脂（接着剤）がないように除去、洗浄されているため、図１１に示すように電極パッド４６を形成した場合では、電極パッド４６は発光ダイオード４２の裏面と電気的に接続されている。
【００７２】
接着層４５の洗浄の例としては酸素プラズマで接着剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて洗浄する。かつ、レーザにてＧａN系発光ダイオードをサファイヤ基板からなる第一基板４１から剥離したときには、その剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａをエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸で行うことになる。その後、電極パッド４６をパターニングする。このときのカソード側の電極パッドは約６０μｍ角とすることができる。電極パッド４６としては透明電極（ＩＴＯ、ＺnＯ系など）もしくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光を遮ることがないので、パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易になる。
【００７３】
図１２は一時保持用部材４３から発光ダイオード４２を第二の一時用保持部材４７に転写して、アノード電極（ｐ電極）側のビアホール５０を形成した後、アノード側電極パッド４９を形成し、樹脂からなる接着層４５をダイシングした状態を示している。このダイシングの結果、素子分離溝５１が形成され、発光ダイオード４２は素子ごとに区分けされたものになる。素子分離溝５１はマトリクス状の各発光ダイオード４２を分離するため、平面パターンとしては縦横に延長された複数の平行線からなる。素子分離溝５１の底部では第二の一時保持用部材４７の表面が臨む。
【００７４】
また、第二の一時保持用部材４７上には剥離層４８が形成される。この剥離層４８は例えばフッ素コート、シリコン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）、ポリイミドなどを用いて作成することができる。第二の一時保持用部材４７は、一例としてプラスチック基板にＵＶ粘着材が塗布してある、いわゆるダイシングシートであり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するものを利用できる。
【００７５】
このような剥離層４８を形成した一時保持用部材４７の裏面からエキシマレーザを照射する。これにより、例えば剥離層４４としてポリイミドを形成した場合では、ポリイミドと石英基板の界面でポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して、各発光ダイオード４２は第二の一時保持用部材４７側に転写される。
【００７６】
このプロセスの例として、第二の一時保持用部材４７の表面を酸素プラズマで発光ダイオード４２の表面が露出してくるまでエッチングする。まずビアホール５０の形成はエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザを用いることができる。このとき、ビアホールは約３〜７μｍの径を開けることになる。アノード側電極パッドはNｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。ダイシングプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要のときには上記レーザを用いたレーザによる加工を行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の樹脂からなる接着層４５で覆われた発光ダイオード４２の大きさに依存する。一例として、エキシマレーザにて幅約４０μｍ溝加工を行い、チップの形状を形成する。
【００７７】
次に、機械的手段を用いて発光ダイオード４２が第二に一時保持用部材４７から剥離される。図１３は、第二の一時保持用部材４７上に配列している発光ダイオード４２を吸着装置５３でピックアップするところを示した図である。このときの吸着孔５５は画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて、発光ダイオード４２を多数個、一括で吸着できるようになっている。このときの開口径は、例えば約φ１００μｍで６００μｍピッチのマトリクス状に開口されて、一括で約３００個を吸着できる。このときの吸着孔５５の部材は例えば、Nｉ電鋳により作製したもの、もしくはＳＵＳなどの金属板５２をエッチングで穴加工したものが使用され、金属板５２の吸着孔５５の奥には、吸着チャンバ５４が形成されており、この吸着チャンバ５４を負圧に制御することで発光ダイオード４２の吸着が可能になる。発光ダイオード４２はこの段階で樹脂からなる接着層４５で覆われており、その上面は略平坦化されており、このために吸着装置５３による選択的な吸着を容易に進めることができる。
【００７８】
図１４は発光ダイオード４２を第二基板６０に転写するところを示した図である。この転写に、上記図１から図４に示す転写方法を応用する。すなわち、第二基板６０に装着する際に第二基板６０にあらかじめ接着層５６を塗布しておき、その発光ダイオード４２下面の接着層５６を硬化させ、発光ダイオード４２を第二基板６０に固着して配列させる。この装着時には、吸着装置５３の吸着チャンバ５４が圧力の高い状態となり、吸着装置５３と発光ダイオード４２との吸着による結合状態は解放される。
【００７９】
ここで、接着層５６は熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤などによって構成することができ、レーザ光７３に対する接着層５６の吸収率を高める光吸収材５６ａを含有している。この接着層５６に含有させる光吸収材５６ａとして、例えば炭酸カルシウムやカーボンのような材料がある。
【００８０】
発光ダイオード４２が配列される位置は、一時保持用部材４３，４７上での配列よりも離間したものとなる。そのとき接着層５６の樹脂を硬化させるエネルギーは第二基板６０の裏面から供給される。
【００８１】
先ほども述べたように、第二基板６０の裏面からレーザ光７３を照射し、転写する樹脂形成チップ（発光ダイオード４２及び接着層４５）に対応する部分の接着層５６を加熱する。これにより、接着層５６が熱可塑性接着剤の場合には、その部分の接着層５６が軟化し、その後、冷却硬化することにより樹脂形成チップが第二基板６０上に固着する。同様に、接着層５６が熱硬化性接着剤の場合にも、レーザ光７３が照射された部分の接着層５６が硬化して、樹脂形成チップが第二基板６０上に固着される。
【００８２】
このとき、第二基板６０の裏面側からレーザ光７３を照射することによって、転写対象でない発光ダイオードの近くの接着層を加熱することなく、直接的あるいは発光ダイオード４２や電極層５７を介して間接的に発光ダイオード４２のある接着層を選択的に加熱することができる。さらに、レーザ光７３に対する接着層５６の吸収率を高める光吸収材５６ａを含有させることによって、発光ダイオード４２のある接着層５６にレーザ光７３をより一層良く吸収させることができ、その接着層をより一層良く加熱することができる。そのため、発光ダイオード４２のある接着層を効率良く選択的に加熱することができる。
【００８３】
また、第二基板６０上にシャドウマスクとしても機能する電極層５７を配設して、レーザ光７３を照射することによりこの電極層５７を加熱し、間接的に接着層５６を加熱するようにしても良い。特に電極層５７の画面側の表面すなわち当該画像表示装置を見る人がいる側の面に黒クロム層５８を形成する。このようにすることで画像のコントラストを向上させることができるととともに、黒クロム層５８でのエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射されるレーザ光７３によって接着層５６が早く硬化するようにすることができる。
【００８４】
図１５はＲＧＢの三色の発光ダイオード４２、６１、６２、を第二基板６０に配列させ絶縁層５９を塗布した状態を示す図である。図１３および図１４で用いた吸着装置５３をそのまま使用して、第二基板６０にマウントする位置をその色の位置にずらすだけでマウントすると、画素としてのピッチは一定のまま三色からなる画素を形成できる。絶縁層５９としては透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いることができる。三色の発光ダイオード４２，６１，６２は必ずしも同じ形状でなくとも良い。図１３では赤色発光ダイオード６１が六角錐ＧａNの層を有しない構造とされ、他の発光ダイオード４２，６２とその形状が異なっているが、この段階では各発光ダイオード４２，６１，６２はすでに樹脂形成チップとして樹脂からなる接着層４５で覆われており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取扱いが実現される。
【００８５】
図１６は配線形成工程を示す図である。絶縁層５９に開口部６５，６６，６７，６８，６９，７０を形成し、発光ダイオード４２，６１，６２のアノード、カソードの電極パッドと第二基板６０の配線用の電極層５７を接続する配線６３，６４，７１を形成した図である。このときに形成する開口部すなわちビアホールは発光ダイオード４２，６１，６２の電極パッド４６，４９の面積を大きくしているのでビアホール形状は大きく、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。このときのビアホールは約６０μｍ角の電極パッド４６，４９に対し、約φ２０μｍのものを形成できる。また、ビアホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するものの３種類の深さがあるのでレーザのパルス数で制御し、最適な深さを開口する。その後、保護層を配線上に形成し、画像表示装置のパネルは完成する。このとき保護層は図１４の絶縁層５９と透明エポキシ接着剤などの同様の材料が使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを接続して駆動パネルを製作することになる。
【００８６】
上述の発光素子の配列方法は、本発明の素子の転写方法を用いるため、レーザ光７３に対する接着層５６の吸収率を高める光吸収材５６ａを接着層５６に含有させることによって、発光ダイオード４２のある接着層を効率良く選択的に加熱することができ、発光ダイオード４２を効率良く配列することができる。
【００８７】
さらに、レーザ光７３に対する接着層５６の吸収率を高める光吸収材５６ａによってレーザ光７３が吸収され、発光ダイオード４２にレーザ光７３が至ることがないため、発光ダイオード４２をレーザ光７３が傷めるのを回避することができる。したがって、発光ダイオード４２をレーザ光７３により傷めることなく配列することができる。
【００８８】
また、本発明の基本となる素子の転写方法では転写対象である素子とレーザ光の材料との依存性がないため、選定作業がなくなり簡便となり、レーザ光７３に対する接着層５６の吸収率を高める光吸収材７ａを接着層５６に含有させた上で接着層５６を全面塗布すればよいので、簡略なプロセスによって発光ダイオード４２を配列することができる。
【００８９】
そして、発光ダイオード４２のある接着層の効率良い加熱により発光ダイオード４２にレーザ光７３が照射される時間が短く、他の発光ダイオードのある接着層が加熱されないため、他の発光ダイオードの固着状態に影響を及ぼすこともなく、転写対象である発光ダイオード以外の発光ダイオードに剥離や位置ずれが生ずることもなく、発光ダイオード４２を確実に精度良く配列することができる。
【００９０】
上述の発光素子の配列方法において、拡大転写を用いるため、一時保持用部材４３に発光ダイオード４２を保持させた時点で既に広がった素子間の間隔を利用して比較的サイズの大きい電極パッド４６，４９などを設けることが可能となり、それら比較的サイズの大きな電極パッド４６，４９を利用した配線が行われるために、素子サイズに比較して最終的な装置のサイズが著しく大きな場合であっても容易に配線を形成できる。また、発光素子の周囲が硬化した接着層４５で被覆され平坦化によって精度良く電気パッド４６，４９を形成できるとともに素子に比べて広い領域に電気パッド４６，４９を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取扱いが容易になる。
【００９１】
本発明の基本となる素子の転写方法によれば、基板裏面側からレーザ光を照射することによって、転写対象である素子以外の素子の近くにある接着層を加熱することなく、直接的あるいは素子や配線を介して間接的に転写対象である所望の素子の近くにある接着層を選択的に加熱することができる。したがって、レーザ光に対する接着層の吸収率を高める光吸収材を接着層に含有させ又は接着層の近傍に配設させることによって、転写対象である所望の素子の近くにある接着層にレーザ光をより一層良く吸収させることができ、その接着層をより一層良く加熱することができる。そのため、転写対象である所望の素子のある接着層を効率良く選択的に加熱することができる。
【００９２】
さらに、レーザ光の吸収率が高い光吸収材によってレーザ光が吸収され、転写対象となる素子にレーザ光が至ることなく、転写対象となる素子をレーザ光が傷めるのを回避することができる。そのため、素子をレーザ光により傷めることを考慮することなく、素子の材料と関係のない種々のレーザの種類や波長を選定することができる。
【００９３】
そして、その光吸収材の材料として、レーザ光の吸収特性が既知な材料を選ぶことにより、加熱時の発熱量が予想することができ、素子の材料としてレーザ光の吸収特性と関係のない材料を選定することができる。
【００９４】
このようにレーザ光と素子の材料との依存性がなくなるため、選定作業がなくなり簡便となり、レーザ光に対する接着層の吸収率を高める光吸収材を接着層に含有させ又は接着層の近傍に配設させた上で接着層を全面に形成すればよいので、プロセスの簡略化が可能である。
【００９５】
また、その光吸収材によって転写対象である素子のある接着層を効率良くに加熱することができるため、素子へのレーザ光の照射時間が短く、転写対象である素子の近くにある接着層が加熱されることがないから、転写対象である素子以外の素子の固着状態に影響を及ぼすこともなく、転写対象である素子以外の素子に剥離や位置ずれが生ずることもない。
【００９６】
【発明の効果】
本発明の素子の配列方法によれば、上記素子の転写方法を応用しているため、素子がレーザ光によって傷むことなく、素子の転写を効率良く、確実に行うことができ、素子間の距離を大きくする拡大転写を円滑に実施することが可能である。
【００９７】
同様に、本発明の画像表示装置の製造方法によれば、密な状態すなわち集積度を高くして微細加工を施して作成された発光素子を、上記素子の転写方法を応用して発光素子がレーザ光によって傷むことなく、効率良く離間して再配置することがでる。したがって、精度の高い画像表示装置を生産性良く製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の基本となる転写方法による転写プロセスの一例を示す概略断面図である。
【図２】レーザ光に対する接着層の吸収率を高める光吸収材を接着層に含有させレーザ光により接着層を加熱した様子を示す模式図である。
【図３】レーザ光に対する接着層の吸収率を高める光吸収材を接着層に含有させレーザ光により素子を加熱した様子を示す模式図である。
【図４】レーザ光に対する接着層の吸収率を高める光吸収材を接着層に含有させレーザ光により配線パターンを加熱した様子を示す模式図である。
【図５】レーザ光に対する接着層の吸収率を高める光吸収材を配設させレーザ光により素子を加熱した様子を示す模式図である。
【図６】素子の配列方法を示す模式図である。
【図７】樹脂形成チップの概略斜視図である。
【図８】樹脂形成チップの概略平面図である。
【図９】発光素子の一例を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図１０】第一転写工程を示す概略断面図である。
【図１１】電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図１２】第二基板の一時保持用部材への転写後の電極パッド形成工程を示す概略断面図である。
【図１３】吸着工程を示す概略断面図である。
【図１４】第二転写工程を示す概略断面図である。
【図１５】絶縁層の形成工程を示す概略断面図である。
【図１６】配線形成工程を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１  基板
３  素子
４  一時保持用基板（第一基板）
６  転写基板（第二の基板）
７  接着層
７ａ  レーザ光吸収材
４１  第一基板
４２  発光ダイオード
４３  一時保持用部材
４５  接着層
５６接着層
５６ａ  レーザ光吸収材
５７  電極層
６０  第二基板
【図１】
0003890921.tif 000002
【図２】
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【図３】
0003890921.tif 000004
【図４】
0003890921.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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