(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
弗素を含むガスが導入されるチャンバと、
前記チャンバ内に設けられ、前記ガスを放電するための互いに対向する放電電極であって、そのうちの少なくとも１つが、電気陰性度が１．２以下の元素を表面に含み、かつＣｕまたはＡｌからなる放電電極と
を具備してなることを特徴とするエキシマレーザー装置。
【請求項２】
前記放電電極の対向面には弗素と前記元素との化合物層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のエキシマレーザー装置。
【請求項３】
前記弗素を含むガスは、Ｋｒ、ＡｒまたはＸｅと、Ｆ2 との混合ガスであることを特徴とする請求項１に記載のエキシマレーザー装置。
【請求項４】
前記元素は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＹのうちの少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載のエキシマレーザー装置。
【請求項５】
前記元素の添加量は、５０ｐｐｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のエキシマレーザー装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載のエキシマレーザー装置を露光光源として用いたことを特徴とする露光装置。
【請求項７】
レジスト上にマスクを設ける工程と、
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のエキシマレーザー装置を用いてエキシマレーザー光を前記マスクを介して前記レジストに照射する工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エキシマレーザ装置、特に半導体装置の製造に使用される露光装置の光源としてのエキシマレーザ装置、それを用いた露光装置および半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高集積化、半導体素子の微細化に伴い、より短波長の光を発せられる露光光源が求められいる。現状では、露光光源として、ＫｒＦまたはＡｒＦエキシマレーザー装置が多く用いられている。
【０００３】
ＫｒＦまたはＡｒＦエキシマレーザーのレーザ光励起は、ＫｒまたはＡｒとＦ2 ガスとをＮｅまたはＨｅなどで希釈してチャンバ内に数気圧の圧力で封入し、その中でパルス放電を発生させることで行う。パルス放電によって励起されたＫｒ原子またはＡｒ原子と、Ｆ原子とがエキシマと呼ばれるダイマーを形成し、これが崩壊する時にレーザー光を放出する。
【０００４】
このとき、チャンバ内では反応性の高いＦ原子が発生し、このＦ原子によりチャンバ内壁、放電電極などは腐食する。さらに、この腐食により、Ａｌ（チャンバ材料）と放電電極材料とＦとの化合物であるＡｌＦ3 あるいはＣｕＦ2 が発生し、そのパーティクルが希ガス中に蒸発する結果、チャンバ内のガスは劣化する。
【０００５】
現在、ＫｒＦまたはＡｒＦエキシマレーザー装置では、放電電極の材料（電極材料）として、低電気抵抗、高熱伝導および加工性の観点から、Ｃｕが用いられている。
【０００６】
放電電極は加圧ＡｒＦ、ＫｒＦプラズマ中に晒される。そのため、電極材料であるＣｕと弗素プラズマとが反応して、放電電極の表面にはＣｕ弗化物（絶縁物）が形成され、放電電極は腐食する。腐食が進むに連れて、Ｃｕ弗化物による電極表面の絶縁体化や、放電電極間（アノード・カソード間）の距離（ギャップ）の伸張化が進む。その結果、放電電極の品質が劣化したり、寿命が縮まったり、レーザー特性が経時変化するという問題が起こる。これらはリソグラフィ工程のばらつき、さらには半導体装置の性能のばらつきを招く。
【０００７】
上記問題はチャンバ内壁でも起こるが、電圧は印加されないため、放電電極ほど深刻な問題とはならない。すなわち、放電電極は、チャンバ内壁とは異なり、電圧が印加されるため、チャンバ内壁に比べてより腐食が速く進行するという問題がある。
【０００８】
この種の腐食の問題は定期的な電極の交換、ガスの交換といったメンテナンスを行うことで解決できるが、これはエキシマレーザーリソグラフィの課題の一つであるコスト問題の解決をさらに困難なものとするのみならず、長期的な光量のばらつきなど装置特性の劣化を招く。
【０００９】
腐食の問題を低コストで解決する方法の一つとして、ＣａＦ2 膜（膜厚：数１００μｍ）によるコーティングが知られている（特願平１０−１９６６６）。しかしながら、この方法はチャンバを対象としたものであり、放電電極には適用できない。
【００１０】
何故なら、チャンバは電気特性が要求されないため、その内壁をＣａＦ2 膜でコーティングしても問題はないが、放電電極は電気特性が要求されるため、上記ＣａＦ2 膜のような厚膜の絶縁膜でコーティングすると、電気的特性を満足できなくなるからである。また、ＣａＦ2 膜に欠陥が生じると、そこから選択的に腐食が進行し、上記諸問題が発生するものと考えられる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
上述の如く、従来のＫｒＦまたはＡｒＦエキシマレーザー装置では、反応性の高いＦ原子が発生し、放電電極が腐食するという問題があった。腐食の問題は定期的なメンテナンスを行うことで解決できるが、コストおよび装置特性の点で問題があった。
【００１２】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、放電電極の腐食を低コストで防止できるエキシマレーザー装置、それを用いた露光装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、エキシマレーザー装置の放電電極として、L. Paulingの電気陰性度が１．２以下の元素（添加元素）を表面に含むＣｕまたはＡｌからなる電極を用いる。
【００１４】
弗素はL. Paulingの電気陰性度値が４．０と大きく、元素周期律Ｉ族、II族、IIIa族の元素とイオン反応が極めて高い元素である。そこで、本発明では、これらの元素のなかで特に電気陰性度が１．２以下のものを電極全体に均一またはその表面に部分的に含む電極を放電電極として用いることによって、弗素との反応で電極表面に弗化化合物からなる緻密な層（弗化物層）を形成し、反応性の高いＦ原子による腐食を防止する。
【００１５】
この弗化物層は実験の結果、スパッタリング収率が低く、また電極表面に弗化化合物が形成されると、その後の弗化化合物の成長速度が低く、薄く、均一な弗化物層が形成され、良好な電極特性が得られることが判明した。
【００１６】
さらに、上記放電電極には自己修復機能があることが判明した。すなわち、電極表面の弗化物層を剥離した後、放電電極を弗素プラズマ中に晒すと、電極内部の固溶元素（Ｉ族、II族、IIIa族の元素）が電極表面に拡散し、新たな弗化物層が電極表面に形成される。このとき、放電電極に電圧を印加しても同様な緻密な弗化物層を形成することができた。
【００１７】
上記効果は、特に、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙの添加元素を用いた場合に顕著であり、その添加量は５０ｐｐｍ以上であれば良いことも判明した。
【００１８】
なお、これらの添加元素は、Ａｌ−Ｂａ、Ａｌ−Ｃａ、Ａｌ−Ｓｒ、Ａｌ−Ｙ、Ｃｕ−Ｂａ、Ｃｕ−Ｃａ、Ｃｕ−Ｓｒ、Ｃｕ−Ｙ系の合金の場合、添加元素が母材（Ａｌ、Ｃｕ）中に殆ど固溶せずに金属間化合物を形成するため、添加量を増やした場合でも電気抵抗の上昇は殆ど見られないものの、電極加工時の熱間圧延割れ防止の観点より、固溶領域を持たない上記添加元素とＣｕ（またはＡｌ）との合金系の場合には、添加元素の添加量は２at％以下が望ましい。また、Ａｌ−Ｋ、Ａｌ−Ｎａ、Ａｌ−Ｒｂ、Ｃｕ−Ｃｓ、Ｃｕ−Ｋ、Ｃｕ−Ｌｉ、Ｃｕ−Ｎａ、Ｃｕ−Ｒｂ系合金の場合、添加量が多いと添加元素が多量に含まれると、活性な液相が母材中に残り、加工中、使用中に酸化物を形成してしまうため、２００ｐｐｍ程度以下の添加が望ましい。また、弗化物層の厚さは、レーザー特性の劣化を引き起こさない１μｍ以下が好ましい。
【００１９】
なお、放電電極の全体を添加元素とＣｕ（またはＡｌ）との合金体で形成する必要はなく、弗化物層は少なくとも電極表面に存在していれば十分である。好ましい形成方法、すなわち低コストの形成方法としては、例えば純Ｃｕ（または純Ａｌ）電極の表面に添加元素とＣｕ（またはＡｌ）との合金粉末を溶射する方法、純Ｃｕ（または純Ａｌ）電極の表面に添加元素をイオン注入により添加する方法、純Ｃｕ（または純Ａｌ）と添加元素との合金粉末を焼結して合金板を形成し、これを電極状に加工する方法などがあげられる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
本発明者らは、図１に示すＫｒＦエキシマレーザ装置の互いに対向する１対の放電電極（アノード電極、カソード電極）として、種々の互いに対向する１対の合金電極を作製し、実験を行ってみた。
【００２１】
図１において、１はチャンバを示しており、このチャンバ１は排気管２を介して真空排気され、その後、ガス導入管３からガス（ＫｒＦ2 、Ｈｅ、Ｎｅ）が導入されるようになっている。チャンバ１の材料は例えばＡｌである。チャンバ１内には互いに対向する１対の放電電極（アノード電極、カソード電極）４が設けられている。図中、上側の放電電極４がカソード電極、下側の放電電極４がアノード電極である。
【００２２】
放電電極４はパルス電源５に接続され、このパルス電源５により放電電極４にパルス電力が供給されると、大容量のＫｒＦの放電が発生する。この放電でＦ原子が生成され、このＦ原子はそれと同時に生成された励起状態のＫｒと反応して、短寿命のダイマーＫｒＦを形成する。このダイマーＫｒＦが崩壊する時に波長２４８ｎｍの光を放出し、ダイマーＫｒＦの密度がある閾値を越えると、位相の揃ったコヒーレント光（レーザー光）が得られる。
【００２３】
実験に用いた放電電極４は、Ｃｕ合金電極およびＡｌ合金電極である。具体的には、Ｃｕ合金電極は、添加元素としてＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｙをそれぞれ２０ｐｐｍ、５０ｐｐｍ、１００ｐｐｍが添加された合計３９種類のＣｕを主成分とする溶解により形成した合金電極である。同様に、Ａｌ合金電極は、上記１３種類の添加元素をそれぞれ２０ｐｐｍ、５０ｐｐｍ、１００ｐｐｍが添加された合計３９種類のＡｌを主成分とする溶解により形成した合金電極である。なお、上記溶解は添加元素が極めて活性のため真空溶解法により行った。真空溶解法による放電電極の形成方法は特別コストがかかる方法ではない。すなわち、放電電極を低コストで形成することができる。
【００２４】
それぞれの合金電極に関し、ＫｒＦ（３気圧）中、１０Ｖ印加し、７×１０9 回のショット試験を行った。その結果、添加元素としてＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙを５０ｐｐｍ以上添加した合金電極、特にアノード電極としての合金電極の表面形状は良好であり、ショット電圧変位の変化が５％以下であった。すなわち、本発明によれば、弗化コロージョン耐性の高い放電電極を実現できる。もちろん、エキシマレーザ用電極として従来から要求されている電気的要求特性は失われない。
【００２５】
また、試験後の電極表面を観察したところ、添加元素と弗素とからなる緻密な弗素化合物層（弗化物層）が薄く形成されていることが確認された。弗化物層の形成メカニズムは次の通りである。すなわち、図２に示すように、弗素プラズマ中の弗素（イオン、ラジカル）１１が、ＣｕまたはＡｌ合金電極１２に達すると、その表面層の添加元素１３が選択的に弗化されることにより、弗素化合物層１４が形成される。
【００２６】
添加元素の添加量が少ないにもかかわらず（５０ｐｐｍ程度）、緻密な弗化物層が形成される理由は次のように考えられる。すなわち、電極表面部の添加元素が選択的に弗化されて、電極表面部の添加元素濃度が低下すると、電極表面部と電極内部との間の添加元素の濃度勾配差を駆動力とする外方拡散が生じ、これによって電極内部の添加元素が電極表面部に移動し、その結果として添加元素の添加量が少ないにもかかわらず、緻密な弗化物層が形成されるものと考える。
【００２７】
また、以上のような絶縁層が表層に形成された場合においても、電気特性が劣化しない要因は、それら絶縁層が薄くかつ均一に形成されているためである。
【００２８】
また、電極内には溶解時に過飽和のため形成された添加元素と母材元素との金属間化合物が存在する系の場合、母材（ＡｌまたはＣｕ）中の添加元素が不足すると、上記金属間化合物から添加元素が供給され、弗化物層が形成される。
【００２９】
初期状態（実使用前）の放電電極の表面には弗化物層は形成されておらず、チャンバ内に放電電極を装填し、実際に実装置を使用している最中に上記メカニズムにより弗化物層は形成される。これでも問題は無いが、チャンバ内に装着する前に放電電極を弗素プラズマ処理または弗素雰囲気中で熱処理し、電極表面に弗化物層を予め形成しておくことが望ましい。これにより、レーザー特性はさらに安定する。
【００３０】
一方、放電電極として純Ｃｕ電極を用いた場合、３×１０9 回のショット試験の経過後にショット電圧変位の変化が５％を越え、４×１０9 回のショット試験の経過後は異常放電を示し、放電電極としての機能を示さなくなった。試験後に、電極表面の解析を行ったところ、ＣｕＦ2 が大量に表面に形成されているのが観察された。
【００３１】
その他の合金電極に関しては、４×１０9 回のショット試験の経過後にショット電圧変位の変化が５％を越え、６×１０9 回のショット試験の経過後に異常放電を示すに至った。試験後の電極表面の解析結果より、純Ｃｕ電極の場合と同様に、ＣｕＦ2 に加え添加元素の弗素化合物が表面に形成されているのが観察された。しかし、純Ｃｕ電極に比べて弗素化合物の生産量は少なく、添加元素の効果による性能向上は不十分であるが、効果の発現が観察された。
【００３２】
以上の結果より、放電電極の主構成元素（ＡｌまたはＣｕ）と合金を形成するための添加元素として、表１に示すL. Paulingの電気陰性度が１．２以下のものを使用することで、十分な腐食抑制の効果が得ることが分かる。また、その添加量は５０ｐｐｍ以上であれば良いことが判明した。ただし、溶解後加工の熱間加工時に添加量が１at％を越える材料は割れが生じその後の加工を進めることができないため、添加量は１at％以下が望ましい。
【００３３】
【表１】
0003875451.tif 000002
上記試験を行った放電電極を表面研削により弗素化合物を除去した後、同様の試験を行った。その結果、同様な試験結果を得た。このことより、試験中に熱応力等で弗素化合物が割れ、新表面が現れた場合、放電電極内の添加元素が外方拡散を起こして電極表面に緻密な弗素化合物層（保護膜）を再度形成し、それが放電電極を保護するものと考えられる。すなわち、本発明の放電電極には自己修復機能があることが判明した。
【００３４】
さらに本発明者らの研究によれば、上記弗素化合物層はＡｒイオンによるスパッタリング収率が低くいことが分かった。したがって、本発明の放電電極は、Ａｒイオンによるスパッタリングによって、放電電極、特にカソード放電電極が消耗あるいは劣化するという問題は起こらない。すなわち、本発明によれば、スパッタリング耐性の高い放電電極を実現できる。
【００３５】
これに対して、従来の放電電極は、Ａｒイオンに対するスパッタリング収率が低く、Ａｒイオンによるスパッタリングによって、消耗あるいは劣化するという問題が起こっていた。このような問題は放電電極の寿命を短くするという問題に繋がる。
【００３６】
以上述べたような放電電極を用いることにより、耐弗素コロージョン性およびスパッタリング耐性を低コストで改善でき、放電電極の絶縁体化や、放電電極間（アノード・カソード間）の距離（ギャップ）の短縮化を防止できる。
【００３７】
したがって、放電電極の品質が劣化したり、寿命が縮まったり、レーザー特性が経時変化するという問題を解決できる。その結果、長期安定したレーザー発振を行えるＫｒＦエキシマレーザー装置を低コストで実現することができる。
【００３８】
さらに、露光光源として上記ＫｒＦエキシマレーザー装置を用いた露光装置を使用して、半導体装置の製造を行えば、リソグラフィ工程のばらつき、半導体装置の性能のばらつきを防止できるようになる。
【００３９】
特に微細化の要求が大きいゲート電極（配線）のプロセスに適用することで大きな効果を期待できる。そのプロセスを簡単に説明すると、まずＳｉ基板上にゲート酸化膜を介してポリシリコン膜を形成する。次にポリシリコン膜上にレジストを塗布した後、上記露光装置を用いてゲートパターンを転写し、現像してレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンをマスクに用いてポリシリコン膜をＲＩＥ法にてエッチングすることで、微細な幅のゲート電極（配線）を十分に小さい寸法ばらつきでもって形成することが可能となる。なお、ポリシリコン膜の単層膜ではなく、ポリシリコン膜とシリサイド膜との積層膜としても良い。
【００４０】
以下、本発明の他の実施形態について説明するが、主に本実施形態との違いを中心に説明し、使用する装置、作用効果など本実施形態で説明した事項は必要でない限り省略する。
【００４１】
（第２の実施形態）
放電電極としてＣｕ−１００ｐｐｍＳｒ合金電極（Ｃｕ合金電極）を用いたエキシマレーザー装置をＫｒＦ投影型露光装置に組込み実使用試験を行った。このときの評価項目は、電極劣化期間（交換期間）およびレジスト（ポジ型）の寸法の経時変化である。レジストの上には、０．１８μｍルールのＬＳＩ製造ラインにおけるゲート配線形成のためのマスクが設けられており、このマスクを介してエキシマレーザーがレジストに照射され、レジストパターンが転写される。
【００４２】
実験の結果、本発明の放電電極（Ｃｕ合金電極）の劣化による交換期間は、従来の放電電極（純Ｃｕ電極）のそれの５倍以上であった。これにより、エキシマレーザー装置のメンテナンス時間を十分に短縮でき、エキシマレーザーリソグラフィのランニングコストを大幅に削減できるようになる。
【００４３】
さらに、本発明のＫｒＦ投影型露光装置を用いた場合、レジストの寸法は長期間経っても変化せず、ゲート配線幅のばらつきは見られなかった。これに対して従来のＫｒＦ投影型露光装置を用いた場合、時間の経過とともにゲート配線幅が広くなり、ゲート配線幅のばらつきが見られた。このばらつきの原因は、放電電極（純Ｃｕ電極）の経時的な劣化によって、ドーズ量（露光量）が経時的に低下するからである。
【００４４】
このように本発明によれば、従来とは異なり、放電電極に起因するゲート配線幅のばらつきの問題を解消でき、その結果としてロット間におけるデバイスのドレイン電流ばらつきを抑制することができ、動作特性の安定化が実現される。
【００４５】
また、金属配線においては、線幅ばらつきの減少により、ゲート配線のエレクトロマイグレーションのデータばらつき（σ）が減少し、ゲート配線の信頼の指標となる保証電流密度を高くできる。
【００４６】
このようなばらつきの抑制効果は、ゲート配線以外のリソグラフィ工程においても得られるので、全てのリソグラフィ工程で露光精度が向上し、プロセスの安定性が大幅に増す。その結果、個々のデバイス特性およびこれらの全体であるＬＳＩ特性、ならびにそれらのばらつきを飛躍的に改善できるようになる。
【００４７】
（第３の実施形態）
本実施形態では、イオン注入法により形成した放電電極を実験に用いた。実験に用いた放電電極は、Ｃｕ合金電極およびＡｌ合金電極である。具体的には、純Ｃｕ電極および純Ａｌ電極の各純金属電極に、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、およびＡｌ（Ｃｕ母材のみ）のイオンのそれぞれをドーズ量２．４×１０15atoms／ｃｍ2 の条件で注入することで、電極表面から１μｍの深さまでの領域に合金層を形成する。
【００４８】
その後、第１の実施形態と同様に、それぞれの放電電極に関し、Ｋｒ、Ｆ2 ガス（３気圧）中、１０Ｖ印加し、７×１０9 回のショット試験を行った。
【００４９】
その結果、添加元素としてＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙを添加した放電電極、特にアノード電極の表面形状は良好であり、ショット電圧変位の変化が５％以下であった。
【００５０】
その他の放電電極は、４×１０9 回を越えると電位変化が５％を越え、６×１０9 回を越えた付近で異常放電を示すに至った。試験後のこれらの電極表面の解析結果より、純Ｃｕ電極と純Ａｌ電極の場合と同様に、ＡｌＦ3 またはＣｕＦ2 に加え添加元素の弗素化合物が表面に形成されているのが観察された。しかし、純Ｃｕ電極と純Ａｌ電極に比べて弗素化合物の生産量は少なく、添加元素の効果による性能向上は不十分であるが、効果の発現が観察された。
【００５１】
また、上記インプラを施した電極材料に、さらに弗素を１×１０15イオン注入した試料に対して同様な実試験を行うと良好な結果を得ることができた。
【００５２】
本実施形態は電極の主構成元素（母材）として純金属を用いたが、加工性の点より材料強度強化元素、切削性向上元素合金元素として添加することは何等問題はない。また、時効熱処理を施すことも問題はない。また、弗素をイオン注入により追加する場合、添加元素のドーズ量以下導入することが望ましい。
【００５３】
（第４の実施形態）
本実施形態では、溶射法により形成した放電電極を実験に用いた。実験に用いた放電電極は、Ｃｕ合金電極およびＡｌ合金電極である。具体的には、純Ｃｕ電極および純Ａｌ電極の各純金属電極の表面に、その構成元素（基材元素）と各添加元素（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ）との合金粉末を用いた溶射法により合金層（溶射層）を電極表面に形成する。溶射層中の合金粉末の量は１００ｐｐｍ、溶射層の厚さは１００μｍである。また、溶射の際には、溶射曹内を排気した後、溶射曹内を減圧Ａｒガスで置換することで、合金粉末の酸化を抑制した。
【００５４】
以上のようにして形成したそれぞれの放電電極に関し、第１の実施形態と同様に、ＫｒＦガス（３気圧）中、１０Ｖ印加し、７×１０9 回のショット試験を行った。その結果、放電電極、特にアノード電極の表面形状は良好であり、ショット電圧変異の変化が５％以下であった。
【００５５】
本発明において、溶射層の厚さは、基板表面が露出するようなピンホールを防ぐため、下限としては１０μｍ以上が望ましい。一方、上限は放電電極が熱応力で変形しない５００μｍ以下が望ましい。
【００５６】
なお、本実施形態では、溶射をＡｒガス中で行ったが、希ガス、窒素ガス、またはそれらに弗素ガスを含んだ状態などの雰囲気で行うことは何等問題を生じない。また、溶射粉末として母材料を含む合金を用いたが、純Ｃｕ電極にＡｌ合金粉末、純Ａｌ電極にＣｕ合金粉末を溶射しても問題はなかった。
【００５７】
さらにまた、溶射でなく、含浸（シンタリング）、スパッタリング、真空蒸着により、純電極の表層に合金層を形成しても同様な効果を得られた。これらの場合、合金層の厚さを数μｍ程度まで薄くすることができた。
【００５８】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、ＫｒＦエキシマレーザー装置の場合について説明したが、本発明はＡｒＦ、ＸｅＦエキシマレーザー装置など他のＦを含むガスを用いたエキシマレーザー装置にも適用できる。
【００５９】
また、上記実施形態では、本発明に係るエキシマレーザ装置を半導体装置の製造に使用される露光装置の光源に用いる場合について説明したが、その用途は半導体の分野に限定されるものではない。
【００６０】
また、上記実施形態では、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａおよびＹの一種を含む放電電極の場合について説明したが、これらの添加元素のうちの二種類以上を含む放電電極を用いても良い。
【００６１】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【００６２】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、放電電極として電気陰性度が１．２以下の元素を表面に含み、かつＣｕまたはＡｌからなる電極を用いることで、放電電極の腐食を低コストで防止できるエキシマレーザー装置、それを用いた露光装置および半導体装置の製造方法を実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＫｒＦエキシマレーザ装置の概略構成を示す模式図
【図２】弗化物層の形成メカニズムを説明するための図
【符号の説明】
１…チャンバ
２…排気管
３…ガス導入管
４…放電電極
５…パルス電源
１１…弗素
１２…ＣｕまたはＡｌ合金電極
１３…添加元素
１４…弗素化合物層
【図１】
0003875451.tif 000003
【図２】
0003875451.tif 000004