(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウム（Ｉｎ）と、亜鉛（Ｚｎ）と、窒素（Ｎ）と、からなり、バンドギャップ（Ｅｇ）が１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間にあることを特徴とする複合半導体。
【請求項２】
Ｉｎ1-XＺｎXＮYの組成式で表され、該組成式中のＸ，Ｙが０．２≦Ｘ＜１、０．６７≦Ｙ≦１を満たす請求項１記載の複合半導体。
【請求項３】
ＩｎとＺｎと窒素とからなりＥｇが１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間にある複合半導体からなることを特徴とする複合半導体薄膜。
【請求項４】
該複合半導体は、Ｉｎ1-XＺｎXＮYの組成式で表され、該組成式中のＸ，Ｙが０．２≦Ｘ＜１、０．６７≦Ｙ≦１を満たす請求項３記載の複合半導体薄膜。
【請求項５】
ＩｎとＺｎと窒素とからなりＥｇが１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間にある複合半導体からなる複合半導体薄膜の製造方法であって、
少なくとも窒素を含むプラズマを用い、Ｉｎ及びＺｎを少なくとも含む蒸発源より該Ｉｎ及び該Ｚｎを蒸発させるか、もしくはＩｎを少なくとも含む蒸発源とＺｎを少なくとも含む蒸発源とから該Ｉｎ及び該Ｚｎをそれぞれ蒸発させ、蒸発した該Ｉｎ及び該Ｚｎと、プラズマ中の該窒素と、を母材上に堆積させて該複合半導体薄膜を形成することを特徴とする複合半導体薄膜の製造方法。
【請求項６】
前記少なくとも窒素を含むプラズマは、アルゴン、ヘリウム、水素の少なくとも一種を含む請求項５記載の複合半導体薄膜の製造方法。
【請求項７】
反応性スパッタリング法を用いて該複合半導体薄膜を形成する請求項５記載の複合半導体薄膜の製造方法。
【請求項８】
反応性イオンプレーティング法を用いて該複合半導体薄膜を形成する請求項５記載の複合半導体薄膜の製造方法。
【請求項９】
該母材は、シリコン、ガラス、ステンレス鋼、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、透明導電膜（ＩＴＯ）の少なくとも一種からなる請求項５記載の複合半導体薄膜の製造方法。
【請求項１０】
該母材は、少なくとも該複合半導体薄膜を形成する表面が１４５〜１５５℃である請求項５記載の複合半導体薄膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、可視および近赤外域での光機能素子等の材料に利用することができる複合半導体、複合半導体薄膜および複合半導体薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、可視および近赤外域での光を利用して電気エネルギーに変換できる半導体としては、１．１２ｅＶのＥｇをもつシリコンや１．０ｅＶ〜２．０ｅＶの範囲内のＥｇをもつＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ等の化合物半導体がある。そして、アモルファスシリコンやこれらの化合物半導体からなる薄膜が作製され、太陽電池等の光機能素子の材料として利用されている。
【０００３】
しかし、シリコンは間接遷移型のバンド構造をもつため、エネルギー変換効率が低いという点で問題がある。また、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ等の化合物半導体は直接遷移型のバンド構造をもつためエネルギー変換効率が高いものの、合成プロセスが複雑で、また合成で使用する原料の値段も高いという問題があった。さらに、近年、産業廃棄物に対する環境保全の動きが高まってきており、これらの化合物半導体は砒素、リン、テルル、セレンといった物質状態によっては有害となる元素を含むため、廃棄物の処理についても問題となってきている。
【０００４】
一方、近年、Ｉｎ、Ｚｎ、窒素のような高純度のものでも安価で、かつ安全な原料を用いることにより、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化亜鉛（Ｚｎ3 Ｎ2 ）といった化合物半導体が合成されている。ＩｎＮは、ウルツ鉱型の結晶構造をもつＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体として知られており、直接遷移型のバンド構造をもち、そのＥｇは１．９５ｅＶである。また、Ｚｎ3 Ｎ2 は、逆Ｓｃ2 Ｏ3 型の結晶構造をもつＩＩ−Ｖ族化合物半導体として知られており、直接遷移型のバンド構造をもち、そのＥｇは１．２３ｅＶである。このため、ＩｎＮおよびＺｎ3 Ｎ2 は、可視および近赤外域での光機能素子等の材料として利用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来、Ｉｎ、Ｚｎおよび窒素からなり、１．２３ｅＶと１．９５ｅＶとの間のＥｇをもつ半導体はまだ合成されておらず、また、こうした半導体からなる半導体薄膜も作製されていない。
本発明は上記実情に鑑みてなされたものであり、可視および近赤外域での光機能素子等の材料に利用することができる複合半導体、複合半導体薄膜および複合半導体薄膜の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、ＩｎおよびＺｎを含む蒸発源と窒素を含むプラズマを用い、蒸発源から蒸発させたＩｎおよびＺｎと、プラズマ中の窒素と、を母材上に堆積させることにより、Ｉｎ、Ｚｎおよび窒素を組成とする半導体を合成し、この半導体からなる半導体薄膜を形成したところ、形成された半導体薄膜が１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間のＥｇをもつことを発見し、本発明に至ったものである。
【０００７】
即ち、本発明の複合半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、窒素と、からなり、Ｅｇが１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間にあることを特徴とする。
また、本発明の複合半導体薄膜は、ＩｎとＺｎと窒素とからなりＥｇが１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間にある複合半導体からなることを特徴とする。
さらに、本発明の複合半導体薄膜の製造方法は、ＩｎとＺｎと窒素とからなりＥｇが１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間にある複合半導体からなる複合半導体薄膜の製造方法であって、少なくとも窒素を含むプラズマを用い、Ｉｎ及びＺｎを少なくとも含む蒸発源より該Ｉｎ及び該Ｚｎを蒸発させるか、もしくはＩｎを少なくとも含む蒸発源とＺｎを少なくとも含む蒸発源とから該Ｉｎ及び該Ｚｎをそれぞれ蒸発させ、蒸発した該Ｉｎ及び該Ｚｎと、プラズマ中の該窒素と、を母材上に堆積させて該複合半導体薄膜を形成することを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の複合半導体は、Ｉｎと、Ｚｎと、窒素と、からなり、Ｅｇが１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間にある半導体である。この複合半導体のＩｎ、Ｚｎ、及び窒素の組成比は特に限定されるものではなく、この組成比を選択することにより、１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間において、任意のＥｇをもつ複合半導体とすることができる。
【０００９】
中でも、この複合半導体は、Ｉｎ1-XＺｎXＮYの組成式で表され、該組成式中のＸ，Ｙが０．２≦Ｘ＜１、０．６７≦Ｙ≦１を満たすことが望ましい。これにより、半導体の電気的特性の１種であるキャリア移動度が向上する。
また、本発明の複合半導体薄膜は、ＩｎとＺｎと窒素とからなりＥｇが１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間にある複合半導体からなる薄膜である。この複合半導体薄膜のＩｎ、Ｚｎ、及び窒素の組成比は特に限定されるものではなく、この組成比を選択することにより、１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間において、任意のＥｇをもつ複合半導体薄膜とすることができる。また、該複合半導体薄膜の膜面積、膜厚等は特に限定されるものではなく、用途に応じて選択することができる。
【００１０】
中でも、この複合半導体薄膜は、Ｉｎ1-XＺｎXＮYの組成式で表され、該組成式中のＸ，Ｙが０．２≦Ｘ＜１、０．６７≦Ｙ≦１を満たす該複合半導体からなることが望ましい。これにより、半導体の電気的特性の１種であるキャリア移動度が向上する。
さらに、本発明の複合半導体薄膜の製造方法において、使用する少なくともＩｎ及びＺｎを含む蒸発源としては特に限定されないが、ＩｎとＺｎとを所定量含む形態のものであり、ＩｎとＺｎとが同時に蒸発するものを使用できる。こうした形態としては、ＩｎとＺｎとが組み合わされたもの、混合物、Ｉｎ−Ｚｎ合金等を使用することができる。このようなＩｎ及びＺｎを含む蒸発源よりＩｎ及びＺｎを同時に蒸発させ、蒸発したＩｎ及びＺｎと、プラズマ中の窒素と、を母材上に堆積させて複合半導体薄膜を形成することができる。このとき、蒸発源のＩｎ及びＺｎの含有量の比を選択することにより、Ｉｎ、Ｚｎおよび窒素が所定の比率で含まれる複合半導体薄膜を作製することができる。
【００１１】
あるいは、Ｉｎを含む蒸発源とＺｎを含む蒸発源とをそれぞれ別々に用意し、それぞれの蒸発源から所定量のＩｎ及びＺｎを蒸発させ、蒸発源から別々に蒸発したＩｎ及びＺｎと、プラズマ中の窒素と、を母材上に堆積させることにより複合半導体薄膜を形成することができる。
また、本製造方法で使用する少なくとも窒素を含むプラズマは、少なくとも窒素を含むガスを用意し、これを高周波放電等によりガスに含まれる窒素の少なくとも一部をプラズマ状態にして生成することができる。窒素を含むガスとしては、Ｎ2 ガスを用いることにより、高純度の窒化物を得ることができる。また、Ｎ2 ガスは安全性に優れ、取扱も易しい。
【００１２】
また、本製造方法で使用する少なくとも窒素を含むプラズマは、アルゴン、ヘリウム、水素の少なくとも一種を含むことが望ましい。アルゴンを含ませることにより、プラズマ中の窒素を原子状に解離し、励起、イオン化を促進させることができる。また、プラズマ中で生成されたアルゴンイオンにより、成長膜に対する衝突が生じ、この衝突により形成される複合半導体薄膜の配向性を向上させることができる。また、ヘリウムを含ませることにより、プラズマ中の原子状の窒素をさらに増やすことができる。さらに、水素を含ませることにより、この水素がプラズマ中の窒素と反応して窒素と水素の化合物（ＮＨ）が合成され、このＮＨにより形成される複合半導体薄膜の窒化反応が促進される。
【００１３】
また、本製造方法で使用する母材は特に限定されないが、シリコン、ガラス、ステンレス鋼、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、透明導電膜（ＩＴＯ）の少なくとも一種からなることが望ましい。これらの母材は太陽電池等の光機能素子の部材として多く用いられる材料である。
また、該母材は、少なくとも該複合半導体薄膜を形成する表面が１４５〜１５５℃であることが望ましい。これにより、堆積した後にも堆積物が母材より熱エネルギーを受取って表面拡散することができるため、複合半導体の結晶化が促進される。
【００１４】
本製造方法では、反応性スパッタリング法を用いて複合半導体薄膜を形成することが望ましい。反応性スパッタリング法により容易に複合半導体薄膜を形成することができる。また、この方法では、原子もしくはクラスター等の粒径が小さな状態でＩｎ及びＺｎを蒸発源から蒸発させることができるため、Ｉｎ及びＺｎを粒径が小さな状態で母材上に堆積させることができる。この結果、結晶性が向上し、光学的特性、電気的特性等の特性に優れた複合半導体薄膜を得ることができる。なお、このとき、蒸発源としては、ＩｎとＺｎとが組み合わされたものを用いることができ、例えば、Ｉｎからなる板状のＩｎターゲットの上にＺｎからなるＺｎ小片を置き、それぞれの表面が同時にスパッタリングされるようにしたものを使用することができる。
【００１５】
また、本製造方法では、反応性イオンプレーティング法を用いて複合半導体薄膜を形成することが望ましい。反応性イオンプレーティング法により容易に複合半導体薄膜を形成することができる。また、この方法では成膜速度を大きくすることができるため、高速度で該複合半導体薄膜を形成することができる。
【００１６】
【作用】
本発明の複合半導体は、１．２３ｅＶと１．９５ｅＶとの間のＥｇをもつ半導体材料とすることができる。また、Ｉｎ、Ｚｎおよび窒素の組成比を選択することにより、１．２３ｅＶと１．９５ｅＶとの間の範囲において所望のＥｇをもつ半導体材料とすることができる。さらに、この複合半導体は人体に無害である。
【００１７】
中でも、Ｉｎ1-XＺｎXＮYの組成式で表され、該組成式中のＸ，Ｙが０．２≦Ｘ＜１、０．６７≦Ｙ≦１を満たす複合半導体は、キャリア移動度が大きく、かつキャリア密度が小さい半導体材料となる。
また、本発明の複合半導体薄膜は、１．２３ｅＶと１．９５ｅＶとの間のＥｇをもつ半導体薄膜材料とすることができる。また、Ｉｎ、Ｚｎおよび窒素の組成比を選択することにより、１．２３ｅＶと１．９５ｅＶとの間の範囲において所望のＥｇをもつ半導体薄膜材料とすることができる。
【００１８】
中でも、Ｉｎ1-XＺｎXＮYの組成式で表され、該組成式中のＸ，Ｙが０．２≦Ｘ＜１、０．６７≦Ｙ≦１を満たす複合半導体からなる複合半導体薄膜は、キャリア移動度が大きく、かつキャリア密度が小さい半導体薄膜材料となる。
また、本発明の複合半導体薄膜の製造方法により、ｎ型の複合半導体薄膜が形成される。また、Ｉｎ、Ｚｎの蒸発量をそれぞれ調節することによりＩｎ、Ｚｎ及び窒素の組成比を任意に制御できるため、１．２３ｅＶと１．９５ｅＶとの間の範囲で連続的にＥｇを変えることができる。また、Ｉｎ1-XＺｎXＮYの組成式で表され、該組成式中のＸ，Ｙが０．２≦Ｘ＜１、０．６７≦Ｙ≦１を満たす複合半導体薄膜を製造できるため、キャリア移動度の大きい半導体薄膜材料を製造することができる。
【００１９】
また特に、反応性スパッタリング法を用いることにより容易に光学的特性、電気的特性等に優れた複合半導体薄膜を製造することができる。また、反応性イオンプレーティング法を用いることにより高速で容易に複合半導体薄膜を製造することができる。
【００２０】
【実施例】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。
（実施例）
本実施例では、複合半導体薄膜の作製装置としては高周波マグネトロンスパッタリング装置を使用した。また、Ｉｎ及びＺｎの蒸発源としては、Ｉｎからなる円板状のＩｎターゲット（サイズ；φ７６．２ｍｍ、厚さ５〜１０ｍｍ、純度９９．９９９９％）とＺｎからなる円形薄板状のＺｎ小片（φ６ｍｍ、９９．９％）とを準備し、１個のＺｎ小片がＩｎターゲット上に置かれてなる蒸発源、もしくは複数のＺｎ小片がそれぞれ重ならないように任意の間隔をおいてＩｎターゲット上に置かれてなる蒸発源を用いた。母材としてはガラスからなる基板（サイズ；５０ｍｍ×５０ｍｍ）を用いた。
【００２１】
図１に、本実施例で使用した複合半導体薄膜の作製装置の概略図を示す。複合半導体薄膜の作製は真空容器１の中で行った。この真空容器１は、ロータリーポンプ２およびターボ分子ポンプ３により、最高１０-5オーダーＰａの真空度を保つことができる。真空容器１の底部に設けられた円板形の永久磁石４の上にＩｎ及びＺｎの蒸発源５を固定し、蒸発源５から上方の５０ｍｍの位置に基板６を基板ホルダーにより固定した。この永久磁石４は、蒸発源５のスパッタリングを促進させるものである。また、基板６の裏側には基板６を加熱することができるヒーター７を設けた。
【００２２】
また、真空容器１には、高純度のＮ2 ガス（純度９９．９９９９％）を導入できるＮ2 ガス源８、および高純度のＡｒガス（純度９９．９９９９％）を導入できるＡｒガス源９を取り付けた。
真空容器１の中の空気をロータリーポンプ２およびターボ分子ポンプ３を用いて排気し、真空容器１の中を１０-5Ｐａの真空度にした。そして、蒸発源５の表面酸化物を除くためＡｒガス源９から高純度のＡｒガスを導入して蒸発源５をスパッタエッチングした。このとき、基板６に蒸発源５の表面酸化物が付着しないようにシャッター１０を閉じたまま行った。再びターボ分子ポンプ３を用いて真空容器１の中を１０-5Ｐａの真空度にし、続いてＮ2 ガス源８およびＡｒガス源９から高純度Ｎ2 ガスおよび高純度Ａｒガスを、導入量をそれぞれ調節しながら真空容器１内に導入し、Ｎ2 およびＡｒの分圧をそれぞれ１．８０Ｐａおよび０．２０Ｐａとした。
【００２３】
また、ヒーター７により基板６を加熱し、基板６を１４５℃〜１５５℃の間の温度で保持し、高周波出力３０Ｗの高周波放電を発生させ、シャッター１０を開いて蒸発源５のスパッタリングを６０分間行い、基板６の表面上に複合半導体薄膜を作製した。
本実施例では、蒸発源５においてＩｎターゲットの上に置くＺｎ小片の個数を変化させ、薄膜試料を作製した。
（比較例１）
蒸発源５の代わりにＩｎターゲットのみからなる蒸発源を用いる以外は実施例と同様にして薄膜試料を作製し、これを比較例１の薄膜試料とした。
（比較例２）
蒸発源５の代わりにＩｎターゲットと同じ大きさ、形状のＺｎターゲットからなる蒸発源を用いる以外は実施例と同様にして薄膜試料を作製し、これを比較例２の薄膜試料とした。
（試料の評価）
上記の薄膜試料の作製により得られた実施例の薄膜試料、および比較例１、比較例２の薄膜試料について、触針法により膜厚測定をした結果、２００〜３００ｎｍの膜厚を有することがわかった。また、これらの薄膜試料につきＸ線電子分光法（ＸＰＳ）により組成分析を行った結果、実施例の薄膜試料はＩｎ、Ｚｎ、窒素を組成としてＩｎ1-XＺｎXＮYで表される組成式をもち、Ｘ、Ｙはそれぞれ、０＜Ｘ＜１、０．６７≦Ｙ≦１を満たすことがわかった。一方、比較例１の薄膜試料はＩｎと窒素とを組成としてＩｎＮで表される組成式をもち、比較例２の薄膜試料はＺｎと窒素とを組成としてＺｎ3 Ｎ2 で表される組成式をもつことがわかった。
【００２４】
次に、実施例の薄膜試料、および比較例１、比較例２の薄膜試料についてそれぞれ光吸収測定を行い、薄膜試料に吸収されたスペクトル波長からそれぞれの薄膜試料のＥｇを求めた。本測定では、２００〜３２００ｎｍの波長の光吸収スペクトルを測定した。本測定によって求められたＥｇの結果を図２に示す。図２より、実施例の薄膜試料は、１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間のＥｇをもつことがわかる。また、Ｘの増加に伴ってＥｇが減少することがわかる。
【００２５】
また、実施例の薄膜試料、および比較例１、比較例２の薄膜試料について、抵抗率、キャリア移動度、キャリア密度を測定し、電気的特性について調べた。本測定ではファン・デル・パウ法を用いて測定を行った。
抵抗率について測定した結果、実施例の薄膜試料は、１０-2〜１０-1Ωｃｍの抵抗率をもち、どの試料も抵抗率の小さな半導体であることがわかった。
【００２６】
図３に、キャリア移動度について測定した結果を示す。図３より、実施例の薄膜試料のキャリア移動度は、１〜８０ｃｍ2 ／Ｖｓにあることがわかる。一方、比較例１の薄膜試料のキャリア移動度は１ｃｍ2 ／Ｖｓであり、比較例２の薄膜試料のキャリア移動度は８０ｃｍ2 ／Ｖｓであることがわかる。また、本測定により、実施例の薄膜試料、および比較例１、比較例２の薄膜試料はｎ型の半導体であることもわかった。
【００２７】
また図３より、実施例の薄膜試料では、Ｘが０．２より小さいとき、Ｘの増加に伴ってキャリア移動度が増加し、Ｘが０．２付近で急激なキャリア移動度の増加が見られることがわかる。そして、Ｘが０．２以上において、１０〜８０ｃｍ2 ／Ｖｓの比較的大きなキャリア移動度をもつことがわかる。この結果より、Ｘが０．２≦Ｘ＜１の範囲にあるとき、ＩｎＮとＺｎ3 Ｎ2 のキャリア移動度の範囲内でキャリア移動度が向上することがわかる。
【００２８】
図４に、キャリア密度について測定した結果を示す。図４より、実施例の薄膜試料のキャリア密度は３×１０18〜１×１０20ｃｍ-3にあることがわかる。一方、比較例１の薄膜試料のキャリア密度は１×１０20ｃｍ-3であり、比較例２の薄膜試料のキャリア密度は８×１０18ｃｍ-3であることがわかる。この結果より、実施例の薄膜試料は、ほぼＩｎＮとＺｎ3 Ｎ2 のキャリア密度の範囲内の比較的大きなキャリア密度をもつことがわかる。
【００２９】
また図４より、実施例の薄膜試料では、Ｘが０．２より小さいとき、Ｘの増加に伴ってキャリア密度が減少し、Ｘが０．２付近の実施試料で急激なキャリア密度の減少が見られる。そして、Ｘが０．２以上のとき、比較例２の薄膜試料とほぼ同じキャリア密度をもつことがわかる。
【００３０】
【発明の効果】
本発明の複合半導体は、１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間のＥｇをもつ半導体材料として利用できるため、可視および近赤外域での光機能素子等の材料に使用することができ、例えば、太陽電池の材料に使用できる。また、１．２３〜１．９５ｅＶの範囲において任意のＥｇをもつ半導体材料として利用できるため、用途に応じて可視および近赤外域での特定の光スペクトルで動作する光機能素子等の材料に使用することができる。また、この複合半導体は人体に無害であるため取扱が容易である。さらに、有害となる元素を含まないため、廃棄物の処理が容易となる。
【００３１】
また、本発明の複合半導体薄膜は、１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間のＥｇをもつ半導体薄膜材料として利用できるため、可視および近赤外域での薄型の光機能素子等の材料に使用することができ、例えば、薄型の太陽電池の材料に使用できる。また、１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間の範囲において任意のＥｇをもつ半導体薄膜材料として利用できるため、用途に応じて可視および近赤外域の特定の光スペクトルで動作する薄型の光機能素子等の材料に使用することができる。
【００３２】
本発明の複合半導体薄膜の製造方法によりｎ型の複合半導体薄膜が作製できるため、このｎ型の複合半導体薄膜をｐ型の複合半導体薄膜と組み合わせることにより可視および近赤外域での薄型の光機能素子等を形成することができ、例えば薄型の太陽電池を形成することができる。
また本製造方法では、従来の１．２３ｅＶと１．９５ｅＶの間にＥｇをもつ半導体に比べ、比較的安価な原料を使用でき、特にＺｎ、窒素は非常に安価な原料であるため製造コストが安くなる。また、使用する原料は安全であり、製造中においても有害な物質が生じないため、製造に従事する作業員にとって安全となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この図は、実施例の薄膜試料、および比較例１、比較例２の薄膜試料を作製した作製装置の概略図を示す図である
【図２】この図は、実施例の薄膜試料、および比較例１、比較例２の薄膜試料についてＥｇを測定した結果を示す図である。
【図３】この図は、実施例の薄膜試料、および比較例１、比較例２の薄膜試料についてキャリア移動度を測定した結果を示す図である。
【図４】この図は、実施例の薄膜試料、および比較例１、比較例２の薄膜試料についてキャリア密度を測定した結果を示す図である。
【符号の説明】
１：真空容器  ２：ロータリーポンプ  ３：ターボ分子ポンプ  ４：永久磁石５：蒸発源  ６：基板  ７：ヒーター  ８：Ｎ2 ガス源  ９：Ａｒガス源  １０：シャッター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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