(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にｎ型層、活性層、ｐ型層が積層された構造備え、該ｐ型層上と、該ｎ型層が一部露出された表面に、それぞれ正電極と負電極が設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、
前記ｎ型層中に、第一のｎ型層と、第一のｎ型層に接して、第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のｎ型層と、を有すると共に、
前記ｎ型層中の活性層と前記露出表面の間にあるｎ型層領域において、
前記第一のｎ型層と、該第一のｎ型層の活性層側に設けられた前記第二のｎ型層と、該第二のｎ型層の活性層側に前記第一のｎ型層と、該第一のｎ型層の上にｎ型クラッド層と、を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
基板上にｎ型層、活性層、ｐ型層が積層された構造備え、該ｐ型層上と、該ｎ型層が一部露出された表面に、それぞれ正電極と負電極が設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、
前記ｎ型層中に、第一のｎ型層と、第一のｎ型層に接して、第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のｎ型層と、を有すると共に、
前記ｎ型層中の基板と前記露出表面の間にあるｎ型層領域において、
前記第一のｎ型層と、該第一のｎ型層の基板側に設けられた第二のｎ型層と、を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｎ型層領域に、前記第二のｎ型層の下に接して、第一のｎ型層をさらに有する請求項１又は２記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項４】
前記第一のｎ型層と第二のｎ型層が、第一のｎ型層、第二のｎ型層、第一のｎ型層、第二のｎ型層、第一のｎ型層をこの順に積層した構造であり、該２つの第二のｎ型層が、それぞれ、前記負電極の露出表面より、活性層側と基板側に設けられている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項５】
前記第二のｎ型層の膜厚が、１０オングストローム〜１μｍである請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記第一のｎ型層が、ＧａＮ若しくはＡｌＧａＮである請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザダイオード（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光素子に使用される窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ、０≦a、０≦b、a＋b≦１）よりなる発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、実用化されている光度１ｃｄの青色ＬＥＤは窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ、０≦a、０≦b、a＋b≦１）よりなり、図１に示す構造を有している。それは、サファイアよりなる基板１の表面に、ＧａＮよりなるバッファ層２と、ＧａＮよりなるｎ型層３と、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層４と、ＩｎＧａＮよりなる活性層５と、ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層６と、ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層７とが順に積層されたダブルへテロ構造である。この青色ＬＥＤは順方向電流（Ｉｆ）２０ｍＡにおいて、順方向電圧（Ｖｆ）３．６Ｖ、ピーク発光波長４５０ｎｍ、光度１ｃｄ、発光出力１．２ｍＷと、青色ＬＥＤでは過去最高の性能を示している。
【０００３】
前記構造のＬＥＤにおいて、基板１はサファイアの他にＺｎＯ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、Ｓｉ等の材料が使用可能であるが、一般的にはサファイアが用いられる。バッファ層２はＧａＮの他、ＧａＡｌＮ、ＡｌＮ等が形成される。ｎ型コンタクト層３、ｎ型クラッド層４は窒化ガリウム系化合物半導体にＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｃ等のｎ型ドーパントをドープした窒化ガリウム系化合物半導体で形成される。また、ｎ型コンタクト層３、ｎ型クラッド層４は、このように二層に分けなくても単一のｎ型層として、クラッド層およびコンタクト層として作用させてもよい（つまり、いずれかの層を省略できる）。活性層５は少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体よりなり、ノンドープ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｃｄ、Ｂｅ等のｐ型ドーパント及び／またはｎ型ドーパントがドープされている。ｐ型クラッド層６、ｐ型コンタクト層７は窒化ガリウム系化合物半導体にｐ型ドーパントをドープした後、４００℃以上でアニーリングすることにより、ｐ型とされている。また、ｐ型クラッド層６、ｐ型コンタクト層７は、単一のｐ型層として、クラッド層およびコンタクト層として作用させてもよい（ｎ層と同様にいずれかの層を省略可能）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
窒化ガリウム系化合物半導体の場合、他のＧａＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等のIII−Ｖ族化合物半導体に比べて、一般に電流が均一に広がりにくいという性質を有している。そこで図１のような構造のＬＥＤ素子を実現した場合、ｎ層から活性層に供給される電子の流れが、抵抗の低い箇所に集中してしまうという問題がある。図２は電流の集中による活性層の発光を模式的に示している。これは、ｎ型コンタクト層３の負電極８より供給された電子が、図２の矢印に示すように、ｐ型コンタクト層７の正電極９と、ｎ型コンタクト層３の負電極８との間の抵抗が低くなるように、いちばん近い距離を流れることにより、活性層５が網掛け部で示すように部分的に強く発光していることを表している。このように、電子がｎ型コンタクト層３に均一に広がらないと、活性層５から均一な発光が得られないという欠点がある。
【０００５】
また、上記構造のＬＥＤはＶｆ３．６Ｖと、従来のＭＩＳ構造の窒化ガリウム系化合物半導体よりなる青色ＬＥＤに比べて、５Ｖ以上Ｖｆを低下させた。これはｐ−ｎ接合による発光を示すものであるが、Ｖｆについてもまだ改良する余地があり、さらなるＶｆの低下が望まれている。
【０００６】
従って本発明はこのような事情を鑑みてなされてものであり、その目的とするところは、ダブルへテロ、シングルへテロ等、少なくともｎ型層が活性層と基板との間に形成された構造を備える窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、まず第一に活性層より均一な発光を得て、素子の光度、出力を向上させることにあり、第二にＶｆをさらに低下させて、発光効率を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
我々はｎ型層にさらにキャリア濃度の高い層を介在させることにより、上記問題
が解決できることを見いだした。即ち、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、基板上にｎ型層、活性層、ｐ型層が積層された構造備え、ｐ型層上と、ｎ型層が一部露出された表面に、それぞれ電極が設けられた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記ｎ型層中に、第一のｎ型層と、第一のｎ型層に接して、第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度が大きい第二のｎ型層と、を有すると共に、前記露出されたｎ型層表面に形成された電極から供給された電子が、前記第二のｎ型層中で平行に供給若しくは移動する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【発明の効果】
【０００８】
以上説明したように、本発明の発光素子は全て活性層から均一な面発光を得て発光出力の向上した素子を実現できる。また、実施例１、２のように第二のｎ型層３３を負電極８と、基板１との間に形成した発光素子は、明らかにＶｆが低下している。また実施例３は第二のｎ型層が基板と負電極との間にないので、Ｖｆは低下に関しては影響が少ないが、第二のｎ型層を多層膜としているので、活性層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層の結晶欠陥が少なくなり、発光出力が向上している。このように本発明の発光素子はキャリア濃度の大きい第二のｎ型層が第一のｎ型層に接して活性層側に形成されていることにより、均一な面発光を得て、発光出力の向上した素子を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の一実施例の発光素子の構造を図３に示す。基本的な構造は図１に示す発光素子とほぼ同じであるが、第一のｎ型層であるｎ型コンタクト層３に接して、活性層５側にその第一のｎ型層３よりも電子キャリア濃度が大きい新たな第二のｎ型層３３を形成している。基板１、バッファ層２、ｎ型コンタクト層３、ｎ型クラッド層４、活性層５、ｐ型クラッド層６、ｐ型コンタクト層７等は窒化ガリウム系化合物半導体で形成され、ｎ型コンタクト層３とｎ型クラッド層４とを単一のｎ型層とすることもでき、またｐ型クラッド層６とｐ型コンタクト層７とを単一のｐ型層とすることもできる。
【００１０】
本発明の発光素子において、結晶性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させるには、基板１にサファイアを好ましく用い、バッファ層２にＧａＮ、またはＡｌＮを成長させ、１０オングストローム〜０．５μｍの膜厚で形成することが好ましい。
【００１１】
活性層５と基板１との間に形成する第一のｎ型層は、ｎ型コンタクト層３としては通常１μｍ〜５μｍの膜厚で形成し、その表面にｎ型クラッド層４を形成する場合には５０オングストローム〜１μｍの膜厚で成長する。但し、前記のように、このｎ型クラッド層４は特に形成しなくてもよい。窒化ガリウム系化合物半導体としてはＧａＮ、ＡｌＧａＮが好ましく、最も好ましくはＧａＮとする。なぜならＧａＮ、ＡｌＧａＮはノンドープあるいはｎ型ドーパントをドープして容易にｎ型となり、ドーパントにより電子キャリア濃度を制御することが容易である。さらにＡｌＧａＮよりも単一層で結晶性のよい厚膜を形成するにはＧａＮが成長しやすい。例えば、サファイアを基板としてｎ型層とｐ型層とを順に積層した素子を実現した場合、ｎ型コンタクト層３の電極８を設けるため、ｐ型層をエッチングにより取り除き、ｎ型コンタクト層３を露出させる必要があるが、単一層で厚膜が形成できると、エッチング深さの遊度があるので、実際の素子を実現する際に非常に好都合である。
【００１２】
次に、活性層５は、通常５０オングストローム〜０．５μｍの膜厚で成長し、ＩｎＧａＮとすることが好ましい。ＩｎＧａＮはインジウムの混晶比によりバンド間発光を利用して発光素子の発光波長を紫〜緑色まで容易に変化させることができ、さらにｎ型、ｐ型のドーパントをドープして発光中心とすることも容易である。さらにＩｎのＧａに対する混晶比（Ｉｎ／Ｇａ）は０．５以下であることが好ましい。０．５より多いＩｎＧａＮは結晶性がよくないので実用的な発光素子を得ることが困難となる傾向にある。最も優れた活性層としてはｎ型ドーパントと、ｐ型ドーパントとがドープされてｎ型とされ、Ｇａに対するＩｎ混晶比が０．５以下のＩｎＧａＮを活性層とすることが好ましい。
【００１３】
活性層５の上に成長するｐ型層もＧａＮ、ＡｌＧａＮが好ましく、ｐ型クラッド層６は５０オングストローム〜１μｍの膜厚で形成し、ｐコンタクト層７は５０オングストローム〜５μｍの膜厚で成長する。但し、このｐ型クラッド層６は特に形成させなくてもよい。窒化ガリウム系化合物半導体としてはＧａＮ、ＡｌＧａＮを好ましく形成する、これらは単一層で結晶性のよい厚膜が成長しやすく、またｐ型ドーパントをドープして４００℃以上でアニールすると容易にｐ型となる傾向にある。
【００１４】
［作用］
図４に、図３の発光素子における第一のｎ型層であるｎ型コンタクト層３から、活性層５に供給される電子の流れを模式的に示す。これは、ｎ型コンタクト層３から供給される電子が、矢印に示すように電子キャリア濃度の大きい第二のｎ型層３３中を通って均一に広がることにより活性層５を均一に発光させることを示している。このように第一のｎ型層に接して、その第一のｎ型層よりも電子キャリア濃度の大きい第二のｎ型層３３を活性層側に形成すると、電子が第二のｎ型層３３中に均一に広がるので、活性層５から均一な面発光が得られる。
【００１５】
第二のｎ型層３３はインジウムを含むＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０＜X、Y≦０）とすることが好ましく、特に好ましくはＩｎのＧａに対する混晶比（Ｉｎ／Ｇａ）が０．５以下のＩｎＧａＮとするのがよい。なぜなら、Ｉｎを含む窒化ガリウム系化合物半導体の方が、含まないものよりも電子キャリア濃度の大きい層を形成しやすく、またＩｎを含む結晶は、含まない結晶に比べて結晶が柔らかく、転位などの結晶欠陥を吸収しやすい。そのため基板上にＡｌＧａＮ、ＧａＮ等の格子整合していない第一のｎ型層３を成長させた場合、その第一のｎ型層３の結晶欠陥を第二のｎ型層３３で緩和することが可能であるからである。
【００１６】
第二のｎ型層３３の電子キャリア濃度は１×１０１８／cm３〜１×１０２２／cm３の範囲に調整することが好ましく、また第二のｎ型層３３よりも電子キャリア濃度の小さい第一のｎ型層は１×１０１６／cm３〜１×１０１９／cm３の範囲に調整することが好ましい。これらの電子キャリア濃度は、前記のように第二のｎ型層にＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｃ等のｎ型ドーパントをドープすることにより調整可能である。第二のｎ型層３３の電子キャリア濃度が１×１０１８／cm３よりも小さいと、電子を広げる作用が得られにくくなり均一な活性層の発光が得られにくく、１×１０２２／cm３よりも大きいと結晶性が悪くなり、発光素子の性能に悪影響を及ぼす恐れがある。また第一のｎ型層についても電子キャリア濃度が１×１０１６／cm３よりも小さいと活性層自体の発光が得られにくく、また１×１０１９／cm３よりも大きいと１μｍ以上の厚膜を形成した際に結晶性が悪くなる傾向にあり、素子の出力を低下させる恐れがあるからである。
【００１７】
第二のｎ型層３３の膜厚は通常１０オングストローム〜１μｍの膜厚で、さらに好ましくは５０オングストローム〜０．３μｍの膜厚で形成することが好ましい。１０オングストロームよりも薄いと結晶性が不十分となるので、電子を広げる作用が得られにくくなり均一な活性層の発光が得られにくく、また１μｍよりも厚いと結晶欠陥が第二のｎ型層中に発生しやすくなり結晶性が悪くなるので、発光素子の性能を悪化させる恐れがある。
【００１８】
さらに、第二のｎ型層３３はＩｎ、Ｇａ、Ａｌの組成比が異なる窒化ガリウム系化合物半導体を２層以上積層した多層膜としてもよい。多層膜とする際の各層の膜厚も１０オングストローム〜１μｍ、さらに好ましくは５０オングストローム〜０．３μｍの多層膜とすることが好ましい。この第二のｎ型層３３を多層膜とすることにより、第一のｎ型層の結晶欠陥を多層膜層で止めると共に、格子整合していない窒化ガリウム系化合物半導体を積層した際の結晶中の歪を緩和して、結晶性に優れた半導体層を成長できるので発光素子の出力を向上させることができる。
【００１９】
次に、図５は本発明の他の実施例の発光素子の構造を示す模式断面図である。これは第一のｎ型層３に形成された負電極８と基板１との間に、第二のｎ型層３３が形成され、第二のｎ型層３３と負電極８との距離が接近していることを示している。本来であれば、電極８をキャリア濃度の大きい第二のｎ型層３３の表面に形成できれば、例えば図４と比較して、電子がキャリア濃度の大きい第二のｎ型層３３を通って流れるので、発光素子のＶｆを低下させることができる。しかしながら、サファイアのような絶縁性基板を用いた場合、エッチングを第二のｎ型層３３で止めることが生産技術上困難であるため、図５のように第二のｎ型層３３と負電極８との距離を短くして、電極８から注入された電子がキャリア濃度の大きい第二のｎ型層３３を通ることにより、Ｖｆを低下させることが可能となる。
【００２０】
さらに、サファイアを基板とし、そのサファイア基板の表面に少なくともｎ型層と、活性層と、ｐ型層とが順に積層されて、そのｐ型層と活性層とがエッチングされて露出されたｎ型層の表面に電極が形成される構造の発光素子においては、第二のｎ型層３３を、ｎ型層の電極形成面と基板との間に形成することにより効果的にＶｆを低下させることができる。なぜなら、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ等の導電性基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体を成長した構造の発光素子であれば、ｎ型層の電極は基板側に形成でき、ｎ層側の電子は活性層に対し垂直に供給される。それに対し前記のようにサファイア基板を有する素子は、活性層に対し平行に供給される。垂直に供給される電子がｎ型層を移動する距離はせいぜい数μｍであるのに対し、平行に供給される電子の移動距離は数十μｍ〜数百μｍもある。従って電子が平行に供給される素子において、電子が平行に供給される第二のｎ型層のキャリア濃度を大きくすることにより、電子が移動しやすくなるのでＶｆを低下させることができる。
【実施例１】
【００２１】
ＭＯＶＰＥ法により、２インチφのサファイアよりなる基板１の表面に、ＧａＮよりなるバッファ層２を０．０２μｍの膜厚で成長させる。このバッファ層２の表面に第一のｎ型層として、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度５×１０／１８cm３のｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３を１μｍの膜厚で成長させる。
【００２２】
次にｎ型コンタクト層３の表面に第二のｎ型層として、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度１×１０２０／cm３のｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層を０．０５μｍの膜厚で成長させる。
【００２３】
次に同じくＳｉをドープした電子キャリア濃度５×１０１８／cm３のＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３’を３μｍの膜厚で成長させる。
【００２４】
ｎ型コンタクト層３’の表面に、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度１×１０１８／cm３のｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｎ型クラッド層を０．１μｍの膜厚で成長させ、その上にＳｉとＺｎドープｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる活性層５を０．１μｍと、ＭｇドープＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型クラッド層６と、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ型コンタクト層７を順に成長させて積層する。
【００２５】
以上のようにして得たウェーハをアニーリング装置に入れ、７００℃でアニーリングして、ｐ型クラッド層６およびｐ型コンタクト層７をさらに低抵抗なｐ型とした後、ｐ型コンタクト層７の表面に所定の形状のマスクを形成し、ｐ型コンタクト層側からエッチングを行い、ｎ型コンタクト層３’を露出させる。
【００２６】
後は常法に従い、ｐ型コンタクト層７に正電極９と、露出したｎ型コンタクト層３’に負電極８を形成した後、チップ状に分離して、図５に示すような構造の青色発光素子とした。この発光素子発光させたところ、活性層５から主発光波長４５０ｎｍの均一な面発光が観測され、順方向電流（Ｉｆ）２０ｍＡにおいて、Ｖｆは３．３Ｖであり、発光出力は１．８ｍＷであった。
【実施例２】
【００２７】
バッファ層２の表面に、第一のｎ型層として電子キャリア濃度１×１０１８／cm３のＧｅドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３を１μｍの膜厚で成長し、その表面に電子キャリア濃度５×１０２０／cm３のＧｅドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第二のｎ型層を０．０１μｍの膜圧で成長させる。次に第二のｎ型層３３の表面に同じく電子キャリア濃度１×１０１８／cm３のＧｅドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３’を２μｍと、電子キャリア濃度５×１０２０／cm３のＧｅドープｎ型Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる第二のｎ型層３３’を０．０１μｍと、電子キャリア濃度１×１０１８／cm３のＧｅドープｎ型ＧａＮ層とを１μｍの膜厚で順に成長させる。
【００２８】
後は実施例１と同様にしてｎ型クラッド層４、活性層５、ｐ型クラッド層６、ｐ型コンタクト層７を積層して、図６に示すような構造の青色発光素子とした。但し、図６に示すように、ｐ型コンタクト層７からのエッチング深さはｎ型コンタクト層３’までとし、負電極８はｎ型コンタクト層３’の表面に形成した。そして、この発光素子を発光させたところ、実施例１と同様に活性層５からは均一な面発光が観測され、Ｉｆ２０ｍＡにおいてＶｆ３．２Ｖ、発光出力は２．０ｍＷであった。
【実施例３】
【００２９】
バッファ層２の表面に、第一のｎ型層として電子キャリア濃度１×１０１８／cm３のＳｉドープＡｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるｎ型コンタクト層３を３μｍの膜厚で成長させる。次にその表面に、電子キャリア濃度１×１０２０／cm３のＳｉドープＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎを０．０１μｍと、電子キャリア濃度１×１０２０／cm３のＳｉドープＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎを０．０１μｍとを、それぞれ交互に５層づつ積層した第二のｎ型層３３を成長させる。
【００３０】
次に第二のｎ型層３３の表面に、ＳｉとＺｎドープｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる活性層５を０．１μｍと、ＭｇドープＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型クラッド層６と、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ型コンタクト層７を順に成長させて積層する。つまり、実施例１のｎ型クラッド層４を成長させない他は同様にして活性層５、ｐ型クラッド層６、ｐ型コンタクト層７を成長させる。後は実施例１と同様にしてエッチングを行い、図３に示すような構造の発光素子とした。この発光素子を発光させたところ同様に活性層５からは均一な面発光が得られ、Ｉｆ２０ｍＡにおいて、Ｖｆ３．５Ｖであり、発光出力は２．２ｍＷであった。
［比較例１］
【００３１】
実施例１において、第二のｎ型層３３を成長させず、ＧａＮコンタクト層を連続的に４μｍの膜厚で成長させる他は同様にして、図１に示すような構造の発光素子とした。この発光素子の活性層は、図２に示すように正電極９と、負電極８との間で強く発光し、均一な発光を得ることができなかった。またＩｆ２０ｍＡにおいて、Ｖｆは３．６Ｖ、発光出力１．２ｍＷであった。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明はレーザダイオード（ＬＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の発光素子に使用される窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ、０≦a、０≦b、a＋b≦１）よりなる発光素子に関する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】従来の発光素子の構造を示す模式断面図。
【図２】図１の発光素子の発光状態を示す模式断面図。
【図３】本発明の一実施例の発光素子の構造を示す模式断面図。
【図４】図３の発光素子の発光状態を示す模式断面図。
【図５】本発明の他の実施例の発光素子の発光状態を示す模式断面図。
【図６】本発明の他の実施例の発光素子の構造を示す模式断面図。
【符号の説明】
【００３４】
１・・・・・基板              ２・・・・・バッファ層
４・・・・・ｎ型クラッド層    ５・・・・・活性層
６・・・・・ｐ型クラッド層    ７・・・・・ｐ型コンタクト層
８・・・・・負電極            ９・・・・・正電極
３、３'、３”・・・・・第一のｎ型層（ｎ型コンタクト層）
３３、３３'  ・・・・・第二のｎ型層
【図１】
0003972943.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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