(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバルーム内に構成した不活性ガスの雰囲気と外気とを置換するチャンバ装置の大気置換方法であって、
前記チャンバ装置が、インクジェット方式の描画装置を収容すると共にクリーンルームの形態を有するものにおいて、
前記チャンバルームの排気流路を開放すると共に不活性ガスのガス供給流路を閉塞し、前記チャンバルーム内に外気を強制送気して、前記チャンバルーム内の不活性ガスと外気とを置換することを特徴とするチャンバ装置の大気置換方法。
【請求項２】
前記外気の強制送気は、前記チャンバルーム内に不活性ガスを強制送気するファンを用いて行われることを特徴とする請求項１に記載のチャンバ装置の大気置換方法。
【請求項３】
前記外気は、前記ガス供給流路を介して前記チャンバルーム内に強制送気されることを特徴とする請求項１または２に記載のチャンバ装置の大気置換方法。
【請求項４】
前記外気は、温度調節装置を通過させて前記チャンバルーム内に強制送気されることを特徴とする請求項１、２または３に記載のチャンバ装置の大気置換方法。
【請求項５】
インクジェット方式の描画装置を、メンテナンス可能に収容すると共にクリーンルームの形態を有するチャンバ装置であって、
前記インクジェット方式の描画装置を収容するチャンバルームと、
前記チャンバルーム内に不活性ガスを供給すると共にガスダンパーを介設したガス供給流路と、
前記チャンバルーム内の雰囲気を排気すると共に排気ダンパーを介設した排気流路と、
前記チャンバルーム内に外気を強制送気するファンと、を備えたことを特徴とするチャンバ装置。
【請求項６】
前記ガスダンパーの下流側の前記ガス供給流路に合流すると共に外気ダンパーを介設した外気導入のための外気導入流路を、更に備え、
前記ファンは、前記外気導入流路の合流部の下流側の前記ガス供給流路に介設されていることを特徴とする請求項５に記載のチャンバ装置。
【請求項７】
前記外気導入流路の合流部と前記ファンとの間の前記ガス供給流路に介設した温度調節装置を、更に備えたことを特徴とする請求項６に記載のチャンバ装置。
【請求項８】
前記ファンの下流側の前記ガス供給流路に介設したフィルタを、更に備えたことを特徴とする請求項６または７に記載のチャンバ装置。
【請求項９】
前記外気ダンパーは、２つの開閉ダンパーで構成されていることを特徴とする請求項６、７または８に記載のチャンバ装置。
【請求項１０】
前記チャンバルームには、メンテナンス用の着脱パネル体が設けられ、
前記着脱パネル体は、空隙を存して対峙する外パネルおよび内パネルで構成されていることを特徴とする請求項６ないし９のいずれかに記載のチャンバ装置。
【請求項１１】
一方の端部が前記内外両パネルの前記空隙に連通すると共に、他方の端部が前記排気ダンパーの上流側の前記排気流路に連通するパネル体排気流路と、
前記パネル体排気流路に介設したパネル体排気ダンパーと、を更に備えたことを特徴とする請求項１０に記載のチャンバ装置。
【請求項１２】
前記着脱パネル体を閉塞ロックする電磁ロック機構と、前記チャンバルーム内の酸素濃度を計測する酸素濃度計測手段とを、更に備え、
前記電磁ロック機構は、前記濃度計測手段の検出結果に基づいて、前記着脱パネル体をロック・アンロックすることを特徴とする請求項１０または１１に記載のチャンバ装置。
【請求項１３】
前記ガスダンパー、前記排気ダンパーおよび前記大気ダンパーを開閉制御する制御手段を、更に備え、
前記制御手段は、不活性ガス運転時には、前記ガスダンパーおよび前記排気ダンパーを「開」に制御すると共に前記外気ダンパーを「閉」に制御し、
外気導入時には、前記ガスダンパーを「閉」に制御すると共に前記排気ダンパーおよび前記外気ダンパーを「開」に制御することを特徴とする請求項６ないし１２のいずれかに記載のチャンバ装置。
【請求項１４】
前記チャンバルームに隣接して機械室が設けられ、
前記ガス供給流路および前記外気導入流路は、前記機械室内を隔壁で仕切って構成されていることを特徴とする請求項６ないし１３のいずれかに記載のチャンバ装置。
【請求項１５】
請求項５ないし１４のいずれかに記載のチャンバ装置と、前記描画装置と、を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１６】
前記描画装置が、有機ＥＬ装置の製造装置であることを特徴とする請求項１５に記載の電気光学装置。
【請求項１７】
前記有機ＥＬ装置の製造装置が、ワークである基板に対し、発光機能材料を導入した機能液滴吐出ヘッドを相対的に走査し、前記発光機能材料を選択的に吐出して前記基板上の多数の画素領域に有機ＥＬ機能層を形成する液滴吐出装置を有していることを特徴とする請求項１６に記載の電気光学装置。
【請求項１８】
前記有機ＥＬ機能層が、ＥＬ発光層および正孔注入層のうち少なくとも前記ＥＬ発光層であることを特徴とする請求項１７に記載の電気光学装置。
【請求項１９】
請求項１６、１７または１８に記載の電気光学装置により製造されたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板等のワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で行うことを要するワーク処理装置を、メンテナンス可能に収容するチャンバ装置の大気置換方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ＥＬ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ワーク処理を不活性ガスの雰囲気中で行う半導体製造装置等に用いられるチャンバ装置では、ワークの出し入れ等において安全を考慮（作業者の酸欠等）し、チャンバ内の不活性ガスの雰囲気を大気と置換するようにしている。チャンバ内における不活性ガスと大気との置換は、通常、チャンバ内の不活性ガスを真空吸引することにより行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このような、従来のチャンバ装置では、不活性ガスの大気置換が真空吸引で行われるため、かなりの時間を要し且つ不活性ガスが残留し易い問題があった。特に、容積の大きなチャンバ装置では、大気置換に要する時間が、半導体製造のタクトタイムに大きく影響することが想定される。
【０００４】
本発明は、チャンバルーム内の不活性ガスの雰囲気と大気とを短時間で効率良く置換することができるチャンバ装置の大気置換方法、チャンバ装置、これを備えた電気光学装置および有機ＥＬ装置を提供することを課題としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のチャンバ装置の大気置換方法は、チャンバルーム内に構成した不活性ガスの雰囲気と外気とを置換するチャンバ装置の大気置換方法であって、チャンバ装置が、インクジェット方式の描画装置を収容すると共にクリーンルームの形態を有するものにおいて、チャンバルームの排気流路を開放すると共に不活性ガスのガス供給流路を閉塞し、チャンバルーム内に外気を強制送気して、チャンバルーム内の不活性ガスと外気とを置換することを特徴とする。
【０００６】
この構成によれば、チャンバルーム内において、不活性ガスの雰囲気と外気とを置換するときに、排気流路を開放しておいて、外気をチャンバルーム内に強制送気するようにしているため、チャンバルーム内の流入した外気が、不活性ガスを排気流路に向かって押し出すように作用する。このため、大気置換を迅速且つ効率よく行うことができる。しかも、不活性ガスの残留を抑制することができる。
【０００７】
この場合、外気の強制送気は、チャンバルーム内に不活性ガスを強制送気するファンを用いて行われることが、好ましい。
【０００８】
この構成によれば、大気置換に際し、チャンバルーム内に不活性ガスを強制送気するファンを活用することができ、外気導入用の装置構造を単純化することができる。
【０００９】
これらの場合、外気は、ガス供給流路を介してチャンバルーム内に強制送気されることが、好ましい。
【００１０】
この構成によれば、大気置換に際し、不活性ガスのガス供給流路を活用することができ、この点でも外気導入用の装置構造を単純化することができる。しかも、チャンバルームに大気導入用の開口部を形成する必要がなく、チャンバルームのエアータイト構造を単純化することができる。
【００１１】
これらの場合、外気は、温度調節装置を通過させてチャンバルーム内に強制送気されることが、好ましい。
【００１２】
この構成によれば、外気で満たされたチャンバルーム内を、所望の温度に保つことができる。例えば、チャンバルームに収容した装置において、ワーク導入前の不活性ガスを要しない試運転などを、設計上の温度環境のもとで行うことができる。
【００１３】
本発明のチャンバ装置は、インクジェット方式の描画装置を、メンテナンス可能に収容すると共にクリーンルームの形態を有するチャンバ装置であって、インクジェット方式の描画装置を収容するチャンバルームと、チャンバルーム内に不活性ガスを供給すると共にガスダンパーを介設したガス供給流路と、チャンバルーム内の雰囲気を排気すると共に排気ダンパーを介設した排気流路と、チャンバルーム内に外気を強制送気するファンと、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、ガスダンパーによりガス供給流路を閉塞し且つ排気ダンパーにより排気流路を開放した状態で、ファンを駆動することにより、チャンバルーム内の不活性ガスの雰囲気と大気とを容易に置換することができる。これにより安全性（酸欠防止）を維持した状態で、ワーク処理装置のメンテナンスが可能になる。また、この大気置換において、ファンにより外気をチャンバルーム内に強制送気するようにしているため、チャンバルーム内の流入した外気が、不活性ガスを排気流路に向かって押し出すように作用する。このため、大気置換を迅速且つ効率よく行うことができ、且つ不活性ガスの残留を抑制することができる。
【００１５】
この場合、ガスダンパーの下流側のガス供給流路に合流すると共に外気ダンパーを介設した外気導入のための外気導入流路を、更に備え、ファンは、外気導入流路の合流部の下流側のガス供給流路に介設されていることが、好ましい。
【００１６】
この構成によれば、ファンがガス供給流路に介設されているため、ファンを外気導入と不活性ガスの導入とで、兼用させることができ、装置構造を単純化することができる。また、外気導入流路をガス供給流路に合流させるようにしているため、ガス供給流路の一部を外気導入流路として活用することができると共に、チャンバルームに大気導入用の開口部を形成する必要がなくなる。
【００１７】
この場合、外気導入流路の合流部とファンとの間のガス供給流路に介設した温度調節装置を、更に備えることが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、外気で構成したチャンバルーム内の雰囲気を、所望の温度に保つことができる。このため、チャンバルームに収容したワーク処理装置において、ワーク導入前の不活性ガスを要しない試運転（例えば精度確認のための試運転）などを、設計上の温度環境のもとで行うことができる。
【００１９】
これらの場合、ファンの下流側のガス供給流路に介設したフィルタを、更に備えることが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、導入する不活性ガスは元より、導入する外気（大気）もフィルタで濾過することができ、大気導入時にあっても、塵や埃のチャンバルーム内への侵入を阻止することができる。なお、フィルタには、ＨＥＰＡフィルタを用いることが好ましい。
【００２１】
これらの場合、外気ダンパーは、２つの開閉ダンパーで構成されていることが、好ましい。
【００２２】
ワーク処理装置の定常運転時には、不活性ガスの雰囲気を良好に維持すべく外気ダンパーは常時「閉」となっている。しかし、外気ダンパーのダンパブレードの隙間からチャンバルーム内に外気が侵入するおそれがある。この構成によれば、外気ダンパーを２つの開閉ダンパーで構成することで、外気導入流路を二重に閉塞することができ、上記定常運転時におけるチャンバルーム内への外気の侵入を確実に防止することができる。なお、この２つの開閉ダンパーに開閉バルブを加えて、外気導入流路を三重に閉塞することが、より好ましい。
【００２３】
これらの場合、チャンバルームには、メンテナンス用の着脱パネル体が設けられ、着脱パネル体は、空隙を存して対峙する外パネルおよび内パネルで構成されていることが、好ましい。
【００２４】
この構成によれば、着脱パネル体を外すことにより、チャンバルームの一部を開放することができるため、ワーク処理装置のメンテナンスに支障を生ずることがない。また、着脱パネル体を、外パネルおよび内パネルの二重構造とすることにより、チャンバルーム内からの不活性ガスのリークを極力防止することができると共に、チャンバルーム内への水分の透過を極力防止することができる。
【００２５】
この場合、一方の端部が内外両パネルの空隙に連通すると共に、他方の端部が排気ダンパーの上流側の排気流路に連通するパネル体排気流路と、パネル体排気流路に介設したパネル体排気ダンパーとを、更に備えることが好ましい。
【００２６】
この構成によれば、内パネルから不活性ガスがリークして外パネルとの間の空隙に溜まることがあっても、このリークした不活性ガスは、大気置換時にパネル体排気流路を介して排気流路に流れるため、内外両パネルの空隙においても不活性ガスの残留を防止することができる。
【００２７】
これらの場合、着脱パネル体を閉塞ロックする電磁ロック機構と、チャンバルーム内の酸素濃度を計測する酸素濃度計測手段とを、更に備え、電磁ロック機構は、濃度計測手段の検出結果に基づいて、着脱パネル体をロック・アンロックすることが、好ましい。
【００２８】
この構成によれば、チャンバルーム内が不活性ガスで満たされている場合は元より、大気置換時に不活性ガスが残留している場合に、着脱パネル体が閉塞ロックされているため、誤って着脱パネル体が開放されてしまうのを、確実に防止することができる。
【００２９】
これらの場合、ガスダンパー、排気ダンパーおよび外気ダンパーを開閉制御する制御手段を、更に備え、制御手段は、不活性ガス運転時には、ガスダンパーおよび排気ダンパーを「開」に制御すると共に外気ダンパーを「閉」に制御し、外気導入時には、ガスダンパーを「閉」に制御すると共に排気ダンパーおよび外気ダンパーを「開」に制御することが、好ましい。
【００３０】
この構成によれば、不活性ガス運転時に、ガスダンパーおよび排気ダンパーを「開」に制御するようにしているため、チャンバルームに対し、不活性ガスの補給と排気とが連続して行われる。このため、チャンバルーム内の不活性ガスの雰囲気を常に新鮮に保つことができ、且つワーク処理により発生する気体を適宜排気することができる。また、チャンバルーム内における酸素濃度等の制御を容易に行うことができる。
【００３１】
これらの場合、チャンバルームに隣接して機械室が設けられ、ガス供給流路および外気導入流路は、機械室内を隔壁で仕切って構成されていることが、好ましい。
【００３２】
この構成によれば、不活性ガスおよび外気のダクト（ガス供給流路および外気導入流路）を、機械室内に直接作り込むことができ、専用ダクトを設ける必要が無く、機械室を単純な構造で且つコンパクトに形成することができる。
【００３５】
本発明の電気光学装置は、上記したチャンバ装置と、チャンバ装置に収容した前記描画装置と、を備えたことを特徴とする。
そして、前記描画装置が、有機ＥＬ装置の製造装置であることが、好ましい。
【００３６】
この構成によれば、良好な不活性ガスの雰囲気中でワーク処理を行うことができ、且つ安全な大気の雰囲気中でワーク処理装置のメンテナンス等を行うことができる。また、大気置換を短時間で行うことができるため、タクトタイム（ワーク処理）への影響を極力少なくすることができる。
【００３７】
この場合、有機ＥＬ装置の製造装置が、ワークである基板に対し、発光機能材料を導入した機能液滴吐出ヘッドを相対的に走査し、発光機能材料を選択的に吐出して基板上の多数の画素領域に有機ＥＬ機能層を形成する液滴吐出装置を有していることが、好ましい。
【００３８】
この構成によれば、発光機能材料の吐出して有機ＥＬ機能層を形成する工程を、良好な不活性ガスの雰囲気中で行うことができるため、発光機能材料の変質や損傷を有効に防止することができる。また、良好な大気置換により、液滴吐出装置のメンテナンス性を損なうことがない。
【００３９】
この場合、有機ＥＬ機能層が、ＥＬ発光層および正孔注入層のうち少なくともＥＬ発光層であることが、好ましい。
【００４０】
この構成によれば、有機ＥＬ装置における発光機能の主体を為す部分を、機能液滴吐出ヘッドで形成することができるため、より微小な画素を且つ精度良く形成することができ、高解像で且つ高画質の有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００４１】
本発明の有機ＥＬ装置は、上記した電気光学装置により製造されたことを特徴とする。
【００４２】
この構成によれば、高い品質と高い歩留まりの有機ＥＬ装置を、低コストで提供することができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。インクジェットプリンタのインクジェットヘッド（機能液滴吐出ヘッド）は、微小なインク滴（液滴）をドット状に精度良く吐出することができることから、例えば機能液滴（吐出対象液）に特殊なインクや、発光性或いは感光性の樹脂等を用いることにより、各種部品の製造分野への応用が期待されている。
【００４４】
本実施形態の電気光学装置は、例えば有機ＥＬ装置等の、いわゆるフラットディスプレイの製造装置に適用され、不活性ガスの雰囲気中において、その複数の機能液滴吐出ヘッドから発光材料等の機能液を吐出して（インクジェット方式）、有機ＥＬ装置の発光機能を為す各画素のＥＬ発光層および正孔注入層を形成するものである。
【００４５】
そこで、本実施形態では、有機ＥＬ装置の製造装置に適用した電気光学装置について説明すると共に、これにより製造される有機ＥＬ装置の構造および製造方法（製造プロセス）について説明する。
【００４６】
図１に示すように、実施形態の電気光学装置１は、描画装置２と描画装置２を収容するチャンバ装置３から成り、描画装置２に搭載した機能液滴吐出ヘッド４により、発光材料を吐出して有機ＥＬ装置のＥＬ発光層および正孔注入層を形成する一方、この機能液滴吐出ヘッド４の吐出動作を含む一連の製造工程を、チャンバ装置３で構成する不活性ガス（窒素ガス）の雰囲気中で行うようにしている。
【００４７】
詳細は後述するが、描画装置２は、液滴吐出装置６とこれに付随する各種の装置から成る付帯装置７とを備えている。チャンバ装置３は、チャンバルーム１１に、電気室１２および機械室１３を併設した、いわゆるクリーンルームの形態を有している。チャンバルーム１１には、不活性ガスである窒素ガスが導入され、これに収容した上記の液滴吐出装置６および付帯装置７は、全体として窒素ガスの雰囲気に曝され、窒素ガスの雰囲気中で稼動する。
【００４８】
図２ないし図５に示すように、液滴吐出装置６は、床上に設置した架台１５と、架台１５上に設置した石定盤１６と、石定盤１６上に設置したＸ軸テーブル１７およびこれに直交するＹ軸テーブル１８と、Ｙ軸テーブル１８に吊設するように設けたメインキャリッジ１９と、メインキャリッジ１９に搭載したヘッドユニット２０とを有している。
【００４９】
Ｘ軸テーブル１７は、Ｘ軸方向の駆動系が構成するＸ軸エアースライダ２２およびＸ軸リニアモータ２３を有し、これにθテーブル２４および基板Ｗをエアー吸引する吸着テーブル２５を搭載して、構成されている。また、Ｙ軸テーブル１８は、Ｙ軸方向の駆動系を構成する一対のＹ軸スライダ２７，２７、Ｙ軸ボールねじ２８およびＹ軸モータ（サーボモータ）２９を有し、これに上記のメインキャリッジ１９を吊設するブリッジプレート３０を搭載して、構成されている。
【００５０】
そして、メインキャリッジ１９に搭載したヘッドユニット２０には、サブキャリッジを介して、複数の機能液滴吐出ヘッド４が搭載されている。特に詳細は図示しないが、サブキャリッジには、１２個の機能液滴吐出ヘッド４が搭載されており、これら機能液滴吐出ヘッド４は、６個づつに二分され（図６では前後に二分）、主走査方向に対し所定の角度傾けて配設されている（図６参照）。
【００５１】
本実施形態の液滴吐出装置６では、機能液滴吐出ヘッド４の駆動（機能液滴の選択的吐出）に同期して基板Ｗが移動する構成であり、機能液滴吐出ヘッド４のいわゆる主走査は、Ｘ軸テーブル１７のＸ軸方向への往復動作により行われる。また、これに対応して、いわゆる副走査は、Ｙ軸テーブル１８により機能液滴吐出ヘッド４のＹ軸方向への往動動作により行われる。
【００５２】
一方、ヘッドユニット２０のホーム位置は、図１における後側の位置となっており、且つこの液滴吐出装置６の後方からヘッドユニット２０の運び込み或いは交換が行われる（詳細は後述する）。また、同図示の左側には、基板搬送装置（図示省略）が臨んでおり、基板Ｗはこの左方から搬入・搬出される。そして、この液滴吐出装置６の同図手前側には、上記付帯装置７の主な構成装置が、一体的に添設されている。
【００５３】
付帯装置７は、上記の架台１５および石定盤１６に隣接するように配置したキャビネット形式の共通機台３２と、共通機台３２内の一方の半部に収容したエアー供給装置３３および真空吸引装置３４と、共通機台３２内の一方の半部に主要装置を収容した機能液供給回収装置３５と、共通機台３２上に主要装置を収容したメンテナンス装置３６とを備えている。なお、図中の符号３７は、メインタンク（図示省略）とヘッドユニット２０との間の機能液流路に介設した、機能液供給回収装置３５の中間タンクである。
【００５４】
エアー供給装置３３、機能液供給回収装置３５の圧力供給源を構成すると共に、メンテナンス装置３６等におけるエアー圧アクチュエータの駆動源として用いられる。真空吸引装置３４は、上記の吸着テーブル２５に接続され、基板Ｗをエアー吸引により吸着セットする。機能液供給回収装置３５は、機能液滴吐出ヘッド４に機能液を供給すると共に、メンテナンス装置３６等から不要となった機能液を回収する。
【００５５】
メンテナンス装置３６は、機能液滴吐出ヘッド４の定期的なフラッシング（全吐出ノズルからの機能液の捨て吐出）を受けるフラッシングユニット４１と、機能液滴吐出ヘッド４の機能液吸引および保管を行うクリーニングユニット４２と、機能液滴吐出ヘッド４のノズル形成面をワイピングするワイピングユニット４３とを有している。クリーニングユニット４２およびワイピングユニット４３は、上記の共通機台３２上に配設され、フラッシングユニット４１は、基板Ｗの近傍において、Ｘ軸テーブル（θテーブル２４）１７上に搭載されている。
【００５６】
ここで、図６の模式図を参照して、チャンバ装置３内において窒素ガスの雰囲気中で稼動する描画装置２の一連の動作を簡単に説明する。先ず、準備段階として、ヘッドユニット２０が液滴吐出装置６に運び込まれ、これがメインキャリッジ１９にセットされる。ヘッドユニット２０がメインキャリッジ１９にセットされると、Ｙ軸テーブル１８がヘッドユニット２０を図外のヘッド認識カメラの位置に移動させ、ヘッドユニット２０の位置認識が行われる。ここで、この認識結果に基づいて、ヘッドユニット２０がθ補正され、且つヘッドユニット２０のＸ軸方向およびＹ軸方向の位置補正がデータ上で行われる。位置補正後、ヘッドユニット（メインキャリッジ１９）２０はホーム位置に戻る。
【００５７】
一方、Ｘ軸テーブル１７の吸着テーブル２５上に基板（この場合は、導入される基板毎）Ｗが導入されると、導入位置において図外の基板認識カメラが基板Ｗを位置認識する。ここで、この認識結果に基づいて、吸着テーブル２５を支持するθテーブル２４により基板Ｗがθ補正され、且つ基板ＷのＸ軸方向およびＹ軸方向の位置補正がデータ上で行われる。
【００５８】
このようにして準備が完了すると、実際の液滴吐出作業では、先ずＸ軸テーブル１７が駆動し、基板Ｗを主走査方向に往復動させると共に複数の機能液滴吐出ヘッド４を駆動して、機能液滴の基板Ｗへの選択的な吐出動作が行われる。基板Ｗが復動した後、こんどはＹ軸テーブル１８が駆動し、ヘッドユニット２０を１ピッチ分、副走査方向に移動させ、再度基板Ｗの主走査方向への往復移動と機能液滴吐出ヘッド４の駆動が行われる。そしてこれを、数回繰り返すことで、基板Ｗの端から端まで（全領域）液滴吐出が行われる。これにより、有機ＥＬ装置の発光層等が形成される。
【００５９】
一方、上記の動作に並行し、液滴吐出装置６のヘッドユニット（機能液滴吐出ヘッド４）２０には、エアー供給装置３３を圧力供給源として機能液供給回収装置３５から機能液が連続的に供給され、また吸着テーブル２５では、基板Ｗを吸着すべく、真空吸引装置３４によりエアー吸引が行われる。また、液滴吐出作業の直前には、ヘッドユニット２０がクリーニングユニット４２およびワイピングユニット４３に臨んで、機能液滴吐出ヘッド４の全吐出ノズルからの機能液吸引と、これに続くノズル形成面の拭取りが行われる。液滴吐出作業中には、適宜ヘッドユニット２０がフラッシングユニット４１に臨んで、機能液滴吐出ヘッド４のフラッシングが行われる。
【００６０】
なお、本実施形態では、ヘッドユニット２０に対し、その吐出対象物である基板Ｗを主走査方向（Ｘ軸方向）に移動させるようにしているが、ヘッドユニット２０を主走査方向に移動させる構成であってもよい。また、ヘッドユニット２０を固定とし、基板Ｗを主走査方向および副走査方向に移動させる構成であってもよい。
【００６１】
次に、図７の系統図、および図８ないし図１３の構造図を参照して、チャンバ装置３について説明する。なお、チャンバ装置の説明では、図８における紙面の下側を「前」、上側「後」、左側を「左」、右側を「右」して説明する。
【００６２】
チャンバ装置３は、上記の描画装置２を収容するチャンバルーム１１と、チャンバルーム１１の右前部に併設した電気室１２と、チャンバルーム１１の右後部に併設した機械室１３とを備えている。なお、チャンバルーム１１に充填する不活性ガスとしては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノンおよびラドンのいずれかを用いることが好ましいが、本実施形態では、コストおよび安全性を考慮し窒素（窒素ガス）を用いている。
【００６３】
不活性ガス（窒素ガス）は、図外のガス製造装置からガス導入ユニット１０１を介して機械室１３に導入され、ここで調和処理されてチャンバルーム１１に導入される。また、チャンバルーム１１内の不活性ガスは、チャンバルーム１１の左前部に添設した排気ダクト（排気流路）１０２から適宜は排気され、図外のガス処理装置に送られる。実際の運転では、チャンバルーム１１に対し、不活性ガスの補給と排気とが連続して行われ、わずかに流れる不活性ガスにより、チャンバルーム１１内の雰囲気が構成されるようになっている。
【００６４】
チャンバルーム１１は、左側壁１１１、右側壁１１２、前部着脱パネルユニット１１３、後部着脱パネルユニット１１４、床壁１１５および天壁１１６を、エアータイト材で相互にシールして組み上げたプレハブ形式のものである。一方、チャンバルーム１１の内部に収容される液滴吐出装置６は、前後方向をＹ軸方向とし、左右方向をＸ軸方向とした姿勢で収容されている（図１参照）。すなわち、メンテナンス等を考慮して、描画装置２の付帯装置７は前部着脱パネルユニット１１３に面し、ヘッドユニット２０の運び込み等を考慮して、ヘッドユニット２０のホーム位置側が後部着脱パネルユニット１１４に面している。また、左側壁１１１には、基板Ｗの搬入搬出を行うためのシャッタ付き受渡し開口１１７が形成されている（図１１参照）。
【００６５】
前部着脱パネルユニット１１３および後部着脱パネルユニット１１４は、いずれも内パネルユニット１２１および外パネルユニット１２２の二重構造を有している。内パネルユニット１２１は、左右の中間に縦枠１２３ａを有する枠体１２３と、縦枠１２３ａにより構成した左右の開口部（メンテナンス開口）にそれぞれ着脱自在に装着した窓付きの一対の内パネル１２４，１２４とで構成されている（図１３参照）。各内パネル１２４には、左右のハンドルの他、複数のロックレバーが設けられており（いずれも図示省略）、内パネル１２４は、けんどん形式で枠体１２３に当てがわれ且つこの複数のロックレバーにより枠体１２３に気密に装着されている。
【００６６】
同様に、外パネルユニット１２２は、左右の中間に縦枠１２５ａを有する枠体１２５と、縦枠１２５ａにより構成した左右の開口部（メンテナンス開口）にそれぞれ着脱自在に装着した窓付きの一対の外パネル１２６，１２６とで構成されている（図１３参照）。各外パネル１２６には、左右のハンドル１２７，１２７の他、複数のロックレバー１２８が設けられており、この場合も外パネル１２６は、けんどん形式で枠体に当てがわれ且つこの複数のロックレバー１２８により枠体１２５に気密に装着されている。そして、外パネルユニット１２２は、内パネルユニット１２１よりに幾分幅広に且つ幾分丈が長く形成されていて、内外両パネル１２１，１２２の着脱作業に支障を生じないようになっている（図１３参照）。
【００６７】
また、内外各パネル１２４，１２６には、その上側に複数の電磁ロック装置１２９が組み込まれており、チャンバルーム１１内の酸素濃度に応じて、内外各パネル１２４，１２６をロック・アンロックできるようになっている（詳細は後述する）。すなわち、前部着脱パネルユニット１１３および後部着脱パネルユニット１１４は、電磁ロック装置１２９によりインターロックされている。
【００６８】
右側壁１１２の後上部には、機械室１３に連なる送気口１３１が形成され、これに対応して左側壁１１１の前下部には、排気ダクト１０２に連なる排気口１３２が形成されている。また、チャンバルーム１１の天井部分には、送気口１３１に連なるフィルタチャンバ１３３が形成されている。フィルタチャンバ１３３は、天井部分を格子状のフィルタ装着枠１３４で水平に仕切って構成され、このフィルタ装着枠１３４に複数（４つ）のフィルタ（ＨＥＰＡフィルタ）１３５が装着されている（図８参照）。
【００６９】
送気口１３１から流入した不活性ガスはフィルタチャンバ１３３に流入し、複数のフィルタ１３５を通過して液滴吐出装置６の上部に流入する。この場合、送気口１３１から流入した不活性ガスは、フィルタ（フィルタチャンバ１３３）１３５を通過するものの、その気流の主体は、チャンバルーム１１内をほぼ対角方向に流れて排気口１３２に至るようになっている。そして、この対角方向の気流の主流路上には、液滴吐出装置６の液滴吐出動作を行う領域、すなわち吐出エリアが臨んでいる。
【００７０】
すなわち、チャンバルーム１１内では、不活性ガスの主気流が吐出エリアを包み込むように流れ、且つ気流全体としはフィルタからダウンフローした後、排気口１３２に向かって流れる。これにより、吐出エリアは、常に新鮮な不活性ガスの雰囲気に曝されることになる。なお、この場合の気流の流速は、機能液滴吐出ヘッド４から吐出した機能液滴に飛行曲がりが生じない程度に調整されていることは、言うまでもない。
【００７１】
機械室１３の上部には、図外のガス製造装置に連なるガス導入ユニット１０１が設けられており、また機械室１１の内部は、適宜隔壁１３７で仕切られ、ガス導入ユニット１０１から上記の送気口１３１に至るガス流路１３８が形成されている。すなわち、機械室１３の内部には、ガス流路１３８となるダクトが一体的に形成されている。
【００７２】
ガス導入ユニット１０１には、上流側から順に、ガス開閉バルブ（電磁弁）１４２、ガス調整ダンパー（電動弁：高密度モータダンパー）１４３およびガス開閉ダンパー（高密度モータダンパー）１４４から成るガスダンパーユニット１４１が組み込まれている（図７参照）。上述したように、実施形態のチャンバ装置３では、不活性ガスの補給と排気とを連続して行う運転形態をとっており、ガス開閉バルブ１４２およびガス開閉ダンパー１４４を「開」とした状態で、ガス調整ダンパー１４３により不活性ガスの補給流量が調整される。また、後述する大気置換運転では、ガス開閉バルブ１４２、ガス調整ダンパー１４３およびガス開閉ダンパー１４４は、いずれも「閉」に制御される。
【００７３】
機械室１３の内部に構成したガス流路１３８は、ガス導入ユニット１０１から機械室１３の下部まで延び、ここでＵターンして上部の送気口１３１に至るようになっている。そして、このガス流路１３８のうち、上方に向かう流路部分に、後述するガス調和機器１５５が組み込まれている。
【００７４】
また、ガス流路１３８は、図７に示すように、ガス導入ユニット１０１の下流側で分岐しており、ガス導入ユニット１０１からガス調和機器１５５を通過して送気口１３１に至る一方の主ガス流路１４７と、ガス導入ユニット１０１から直接送気口１３１に至る他方のバイパス流路１４８とで構成されている。主ガス流路１４７およびバイパス流路１４８には、それぞれ流路切替え用の手動ダンパー１４９，１５０が設けられており、この両手動ダンパー１４９，１５０は、チャンバ装置３を設置した初期調整時にのみ調整される。
【００７５】
なお、図７にのみ示すが、チャンバルーム１１にはリターン流路（リターン口）１５１が形成されており、チャンバルーム１１のリターンガスは、このリターン流路１５１を介して機械室１３に戻され、ガス調和機器１５５の上流側において主ガス流路１４７に合流する。但し、このリターンは予備的なものであり、通常運転時にはリターン運転は行わない。
【００７６】
主ガス流路１４７には、クーラ（チーリングユニット）１５６、ヒータ（電気ヒータ）１５７および２台のファン（シロッコファン）１５８，１５８から成るガス調和機器１５５が介設されている。クーラ１５６およびヒータ１５７は、機械室の上下中間位置に隣接して配置されており、温度調節装置を構成している。これにより、チャンバルーム１１内の不活性ガスの雰囲気が、所定の温度、例えば実施形態のものでは２０℃±０．５℃に維持されるようになっている。
【００７７】
ファン１５８は、機械室１３の上部にあって、送気口１３１に近接して設けられている。ガス導入ユニット１０１から導入した不活性ガスは、このファン１５８により、送気口１３１を介してチャンバルーム１１内に強制的に送気される。そして、このファン１５８により、チャンバルーム１１内への不活性ガスの補給量およびチャンバルーム１１内の気流の流速等が制御される。
【００７８】
排気流路を構成する排気ダクト１０２は、排気口１３２の近傍に排気チャンバ１６１を有しており、この排気チャンバ１６１から立ち上がり、さらにチャンバルーム１１の上面に沿って水平に延在している。排気ダクト１０２の下流側（チャンバルーム１１の上面に位置する部分）には、排気調整ダンパー１６３および排気開閉ダンパー１６４から成る排気ダンパーユニット１６２が介設され（図７参照）、この排気調整ダンパー１６３により排気流量が調整される。
【００７９】
また、排気チャンバ１６１には、上記の前部着脱パネルユニット１１３および後部着脱パネルユニット１１４からそれぞれ延びる２本の排気パイプ（パネル体排気流路）１６６，１６６が接続されている（図８、図９および図１１参照）。各排気パイプの上流端は、内パネルユニット１２１と外パネルユニット１２２との間の空隙１３０に連通しており、また各排気パイプ１６６には排気バルブ（パネル体排気ダンパー）１６７が介設されている。これにより、内外両パネルユニット１１３，１１４の空隙１３０部分にリークした不活性ガスを排気できるようになっている（詳細は後述する）。
【００８０】
一方、ガス調和機器１５５の上流側において主ガス流路１４７には、隔壁１３７により機械室内１３に構成した外気流路１７１が合流している（図７参照）。外気流路１７１の外気取入れ口１７２は、機械室１３の下部側面に開口しており、外気流路１７１の下流端は、クーラ１５６の上流側で主ガス流路１４７に合流している。また、外気流路１７１には、外気取入れ口１７２側から順に、外気開閉ダンパー１７４、外気調整ダンパー１７５および外気開閉バルブ１７６から成る外気ダンパーユニット１７３が介設されている。
【００８１】
この場合、外気開閉ダンパー１７４および外気調整ダンパー１７５は高気密ダンパーで構成され、外気開閉バルブ１７６は電磁弁（または電動二方弁）で構成されている。詳細は後述するが、外気置換運転を行う場合には、外気開閉ダンパー１７４、外気調整ダンパー１７５および外気開閉バルブ１７６はいずれも「開」に制御され、外気調整ダンパー１７５により外気の流量調整が行われる。また通常運電時には、これらダンパー１７４，１７５およびバルブ１７６はいずれも「閉」に制御され、これらの高気密性と個数とにより、外気の侵入を確実に遮断する。
【００８２】
次に、チャンバ装置３の運転方法について簡単に説明する。チャンバルーム１１に不活性ガスを導入する通常運転時では、外気ダンパーユニット１７３を「閉」とした状態で、ガスダンパーユニット１４１および排気ダンパーユニット１６２を「開」とし、ファン１５８により、チャンバルーム１１内に不活性ガスの補給および排気を行って、その雰囲気を構成する。
【００８３】
ガス調整バルブ１４３には、コントローラ１８１を介して、チャンバルーム１１内に設けた酸素濃度計（低濃度）１８２および水分計１８３が接続されており、これらの計測結果に基づいて、不活性ガスの補給流量が調整される。より具体的には、ガス調整バルブ１４３により、チャンバルーム１１内の酸素濃度および水分濃度がいずれも１０ｐｐｍ以下に維持されるように、制御される。なお、図中の符号１８４は、酸素濃度を表示するスケーリングメータである。
【００８４】
一方、排気調整ダンパー１６３には、コントローラ１８６を介して圧力計１８７が接続されており、圧力計１８７の計測結果に基づいて、不活性ガスの排気流量が調整される。すなわち、排気調整ダンパー１６３により、大気圧に対しチャンバルーム１１内が幾分正圧になるように、制御される。これにより、チャンバルーム１１から不活性ガスが漏れることはあっても、外気の侵入は防止される。また、ガスダンパーユニット１４１の下流側近傍、および排気ダンパーユニット１６２の上流側近傍には、それぞれ風速モニター１８８ａ，１８８ｂが設けられており、この風速モニター１８８ａ，１８８ｂの風力差の変化により、ファン１５８の故障や不活性ガスのリークが確認できるようになっている。
【００８５】
さらに、チャンバルーム１１内には、温度調節計（温度計）１８９が設けられており、温度調節計１８９は、リレー１９０を介してヒータ１５７に接続されている。この場合、温度調節装置のクーラ１５６は常時定格運転となっており、ヒータ１５７により、チャンバルーム１１内が２０℃±０．５℃になるように制御される。
【００８６】
一方、チャンバルーム１１内の不活性ガス追い出して外気を導入する大気置換運転では、ガスダンパーユニット１４１を「閉」とし、外気ダンパーユニット１７３および排気ダンパーユニット１６２を「開」として、ファン１５８により、チャンバルーム１１内に外気を強制的に導入する。すなわち、チャンバルーム１１内に外気を強制送気し、チャンバルーム１１内の不活性ガスを押し出すようにする。また、両排気バルブ１６７，１６７を「開」とし、内外両パネルユニット１２１，１２２の空隙１３０部分にリークした不活性ガスも排気する。
【００８７】
描画装置２のメンテナンス（着脱パネルユニット１１３，１１４の開放）を前提とする大気置換運転では、ヒータ１５７をＯＦＦとすると共に、外気調整ダンパー１７５および排気調整ダンパー１６３を「全開」として、流量調整は行わない。これにより、最短時間で大気置換が行われる。そして、チャンバルーム１１内に設けた酸素濃度計（高濃度）１９１の計測結果に基づいて、大気置換の完了が確認され、且つ上記の電磁ロック装置１２９のロック状態が解除される。これにより、前後両着脱パネルユニット１１３，１１４が開放可能状態となる。
【００８８】
また、描画装置（液滴吐出装置６）２の精度確認に関する試験運転を前提とする大気置換運転では、ヒータ１５７をＯＮとすると共に、外気調整ダンパー１７５および排気調整ダンパー１６３が流量調整され、チャンバルーム１１内が所望の温度（２０℃±０．５℃）の雰囲気（大気）に置換される。
【００８９】
このように、描画装置２をチャンバルーム１１に収容し、液滴吐出装置６による液滴吐出作業を新鮮な不活性ガスの雰囲気中で行うようにしているため、基板Ｗ上に着弾した機能液滴（発光材料）が変質したり損傷したりすることがなく、有機ＥＬ装置を安定に製造することができる。また、大気置換を行う場合に、ファン１５８を用いて外気をチャンバルーム１１内に強制的送り込むようにしているため、短時間で外気置換を行うことができる共に、不活性ガスの残留を極力防止することができる。
【００９０】
次に、上記実施形態の電気光学装置１を用いた有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。
【００９１】
図１４ないし図２６は、有機ＥＬ装置の製造プロセスと共にその構造を表している。この製造プロセスは、バンク部形成工程と、プラズマ処理工程と、正孔注入／輸送層形成工程及び発光層形成工程からなる発光素子形成工程と、対向電極形成工程と、封止工程とを具備して構成されている。
【００９２】
バンク部形成工程では、基板５０１に予め形成した回路素子部５０２上及び電極５１１（画素電極ともいう）上の所定の位置に、無機物バンク層５１２ａと有機物バンク層５１２ｂを積層することにより、開口部５１２ｇを有するバンク部５１２を形成する。このように、バンク部形成工程には、電極５１１の一部に、無機物バンク層５１２ａを形成する工程と、無機物バンク層の上に有機物バンク層５１２ｂを形成する工程が含まれる。
【００９３】
まず無機物バンク層５１２ａを形成する工程では、図１４に示すように、回路素子部５０２の第２層間絶縁膜５４４ｂ上及び画素電極５１１上に、無機物バンク層５１２ａを形成する。無機物バンク層５１２ａを、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって層間絶縁層５１４及び画素電極５１１の全面にＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の無機物膜を形成する。
【００９４】
次にこの無機物膜をエッチング等によりパターニングして、電極５１１の電極面５１１ａの形成位置に対応する下部開口部５１２ｃを設ける。このとき、無機物バンク層５１２ａを電極５１１の周縁部と重なるように形成しておく必要がある。このように、電極５１１の周縁部（一部）と無機物バンク層５１２ａとが重なるように無機物バンク層５１２ａを形成することにより、発光層５１０の発光領域を制御することができる。
【００９５】
次に有機物バンク層５１２ｂを形成する工程では、図１５に示すように、無機物バンク層５１２ａ上に有機物バンク層５１２ｂを形成する。有機物バンク層５１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりエッチングして、有機物バンク層５１２ｂの上部開口部５１２ｄを形成する。上部開口部５１２ｄは、電極面５１１ａ及び下部開口部５１２ｃに対応する位置に設けられる。
【００９６】
上部開口部５１２ｄは、図１５に示すように、下部開口部５１２ｃより広く、電極面５１１ａより狭く形成することが好ましい。これにより、無機物バンク層５１２ａの下部開口部５１２ｃを囲む第１積層部５１２ｅが、有機物バンク層５１２ｂよりも電極５１１の中央側に延出された形になる。このようにして、上部開口部５１２ｄ、下部開口部５１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層５１２ａ及び有機物バンク層５１２ｂを貫通する開口部５１２ｇが形成される。
【００９７】
次にプラズマ処理工程では、バンク部５１２の表面と画素電極の表面５１１ａに、親インク性を示す領域と、撥インク性を示す領域を形成する。このプラズマ処理工程は、予備加熱工程と、バンク部５１２の上面（５１２ｆ）及び開口部５１２ｇの壁面並びに画素電極５１１の電極面５１１ａを親インク性を有するように加工する親インク化工程と、有機物バンク層５１２ｂの上面５１２ｆ及び上部開口部５１２ｄの壁面を、撥インク性を有するように加工する撥インク化工程と、冷却工程とに大別される。
【００９８】
まず、予備加熱工程では、バンク部５１２を含む基板５０１を所定の温度まで加熱する。加熱は、例えば基板５０１を載せるステージにヒータを取り付け、このヒータで当該ステージごと基板５０１を加熱することにより行う。具体的には、基板５０１の予備加熱温度を、例えば７０〜８０℃の範囲とすることが好ましい。
【００９９】
つぎに、親インク化工程では、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするプラズマ処理（Ｏ2プラズマ処理）を行う。このＯ2プラズマ処理により、図１６に示すように、画素電極５１１の電極面５１１ａ、無機物バンク層５１２ａの第１積層部５１２ｅ及び有機物バンク層５１２ｂの上部開口部５１２ｄの壁面ならびに上面５１２ｆが親インク処理される。この親インク処理により、これらの各面に水酸基が導入されて親インク性が付与される。図１６では、親インク処理された部分を一点鎖線で示している。
【０１００】
つぎに、撥インク化工程では、大気雰囲気中で４フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理（ＣＦ4プラズマ処理）を行う。ＣＦ4プラズマ処理により、図１７に示すように、上部開口部５１２ｄ壁面及び有機物バンク層の上面５１２ｆが撥インク処理される。この撥インク処理により、これらの各面にフッ素基が導入されて撥インク性が付与される。図１７では、撥インク性を示す領域を二点鎖線で示している。
【０１０１】
次に、冷却工程では、プラズマ処理のために加熱された基板５０１を室温、またはインクジェット工程（液滴吐出工程）の管理温度まで冷却する。プラズマ処理後の基板５０１を室温、または所定の温度（例えばインクジェット工程を行う管理温度）まで冷却することにより、次の正孔注入／輸送層形成工程を一定の温度で行うことができる。
【０１０２】
次に発光素子形成工程では、画素電極５１１上に正孔注入／輸送層及び発光層を形成することにより発光素子を形成する。発光素子形成工程には、４つの工程が含まれる。即ち、正孔注入／輸送層を形成するための第１組成物を各前記画素電極上に吐出する第１液滴吐出工程と、吐出された前記第１組成物を乾燥させて前記画素電極上に正孔注入／輸送層を形成する正孔注入／輸送層形成工程と、発光層を形成するための第２組成物を前記正孔注入／輸送層の上に吐出する第２液滴吐出工程と、吐出された前記第２組成物を乾燥させて前記正孔注入／輸送層上に発光層を形成する発光層形成工程とが含まれる。
【０１０３】
まず、第１液滴吐出工程では、インクジェット法（液滴吐出法）により、正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を電極面５１１ａ上に吐出する。なお、この第１液滴吐出工程以降は、水、酸素の無い窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。（なお、画素電極上にのみ正孔注入／輸送層を形成する場合は、有機物バンク層に隣接して形成される正孔注入／輸送層は形成されない）
【０１０４】
図１８に示すように、インクジェットヘッド（機能液滴吐出ヘッド）Ｈに正孔注入／輸送層形成材料を含む第１組成物を充填し、インクジェットヘッドＨの吐出ノズルを下部開口部５１２ｃ内に位置する電極面５１１ａに対向させ、インクジェットヘッドＨと基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された第１組成物滴５１０ｃを電極面５１１ａ上に吐出する。
【０１０５】
ここで用いる第１組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸(PSS)等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール(IPA)、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン(NMP)、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン(DMI)及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、Ｒ・Ｇ・Ｂの各発光層５１０ｂに対して同じ材料を用いても良く、発光層毎に変えても良い。
【０１０６】
図１８に示すように、吐出された第１組成物滴５１０ｃは、親インク処理された電極面５１１ａ及び第１積層部５１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に満たされる。電極面５１１ａ上に吐出する第１組成物量は、下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、第１組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、第１組成物滴５１０ｃは１回のみならず、数回に分けて同一の電極面５１１ａ上に吐出しても良い。
【０１０７】
次に正孔注入／輸送層形成工程では、図１９に示すように、吐出後の第１組成物を乾燥処理及び熱処理して第１組成物に含まれる極性溶媒を蒸発させることにより、電極面５１１ａ上に正孔注入／輸送層５１０ａを形成する。乾燥処理を行うと、第１組成物滴５１０ｃに含まれる極性溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層５１２ａ及び有機物バンク層５１２ｂに近いところで起き、極性溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。
【０１０８】
これにより図１９に示すように、乾燥処理によって電極面５１１ａ上でも極性溶媒の蒸発が起き、これにより電極面５１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部５１０ａが形成される。電極面５１１ａ上では極性溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面５１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部５１０ａが形成される。
【０１０９】
次に第２液滴吐出工程では、インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。この第２液滴吐出工程では、正孔注入／輸送層５１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる第２組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層５１０ａに対して不溶な非極性溶媒を用いる。
【０１１０】
しかしその一方で正孔注入／輸送層５１０ａは、非極性溶媒に対する親和性が低いため、非極性溶媒を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層５１０ａと発光層５１０ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層５１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。そこで、非極性溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層５１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層を形成する前に表面改質工程を行うことが好ましい。
【０１１１】
そこでまず、表面改質工程について説明する。表面改質工程は、発光層形成の際に用いる第１組成物の非極性溶媒と同一溶媒またはこれに類する溶媒である表面改質用溶媒を、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法またはディップ法により正孔注入／輸送層５１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行う。
【０１１２】
例えば、インクジェット法による塗布は、図２０に示すように、インクジェットヘッドＨに、表面改質用溶媒を充填し、インクジェットヘッドＨの吐出ノズルを基板（すなわち、正孔注入／輸送層５１０ａが形成された基板）に対向させ、インクジェットヘッドＨと基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルＨから表面改質用溶媒５１０ｄを正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出することにより行う。そして、図２１に示すように、表面改質用溶媒５１０ｄを乾燥させる。
【０１１３】
次に第２液滴吐出工程では、インクジェット法（液滴吐出法）により、発光層形成材料を含む第２組成物を正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。図２２に示すように、インクジェットヘッドＨに、青色（Ｂ）発光層形成材料を含有する第２組成物を充填し、インクジェットヘッドＨの吐出ノズルを下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層５１０ａに対向させ、インクジェットヘッドＨと基板５０１とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された第２組成物滴５１０ｅとして吐出し、この第２組成物滴５１０ｅを正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出する。
【０１１４】
発光層形成材料としては、ポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。
【０１１５】
非極性溶媒としては、正孔注入／輸送層５１０ａに対して不溶なものが好ましく、例えば、シクロへキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等を用いることができる。このような非極性溶媒を発光層５１０ｂの第２組成物に用いることにより、正孔注入／輸送層５１０ａを再溶解させることなく第２組成物を塗布できる。
【０１１６】
図２２に示すように、吐出された第２組成物５１０ｅは、正孔注入／輸送層５１０ａ上に広がって下部、上部開口部５１２ｃ、５１２ｄ内に満たされる。第２組成物５１０ｅは１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層５１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における第２組成物の量は同一でも良く、各回毎に第２組成物量を変えても良い。
【０１１７】
次に発光層形成工程では、第２組成物を吐出した後に乾燥処理及び熱処理を施して、正孔注入／輸送層５１０ａ上に発光層５１０ｂを形成する。乾燥処理は、吐出後の第２組成物を乾燥処理することにより第２組成物に含まれる非極性溶媒を蒸発して、図２３に示すような青色（Ｂ）発光層５１０ｂを形成する。
【０１１８】
続けて、図２４に示すように、青色（Ｂ）発光層５１０ｂの場合と同様にして、赤色（Ｒ）発光層５１０ｂを形成し、最後に緑色（Ｇ）発光層５１０ｂを形成する。なお、発光層５１０ｂの形成順序は、前述の順序に限られるものではなく、どのような順番で形成しても良い。例えば、発光層形成材料に応じて形成する順番を決める事も可能である。
【０１１９】
次に対向電極形成工程では、図２５に示すように、発光層５１０ｂ及び有機物バンク層５１２ｂの全面に陰極５０３（対向電極）を形成する。なお，陰極５０３は複数の材料を積層して形成しても良い。例えば、発光層に近い側には仕事関数が小さい材料を形成することが好ましく、例えばＣａ、Ｂａ等を用いることが可能であり、また材料によっては下層にＬｉＦ等を薄く形成した方が良い場合もある。また、上部側（封止側）には下部側よりも仕事関数が高いものが好ましい。これらの陰極（陰極層）５０３は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、発光層５１０ｂの熱による損傷を防止できる点で好ましい。
【０１２０】
また、フッ化リチウムは、発光層５１０ｂ上のみに形成しても良く、更に青色（Ｂ）発光層５１０ｂ上のみに形成しても良い。この場合、他の赤色（Ｒ）発光層及び緑色（Ｇ）発光層５１０ｂ、５１０ｂには、ＬｉＦからなる上部陰極層５０３ｂが接することとなる。また陰極１２の上部には、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により形成したＡｌ膜、Ａｇ膜等を用いることが好ましい。また、陰極５０３上に、酸化防止のためにＳｉＯ2、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【０１２１】
最後に、図２６に示す封止工程では、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気中で、有機ＥＬ素子５０４上に封止用基板５０５を積層する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極５０３にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極５０３に侵入して陰極５０３が酸化されるおそれがあるので好ましくない。そして最後に、フレキシブル基板の配線に陰極５０３を接続するとともに、駆動ＩＣに回路素子部５０２の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置５００が得られる。
【０１２２】
【発明の効果】
以上のように、本発明のチャンバ装置の大気置換方法およびチャンバ装置によれば、チャンバルーム内の大気置換において、外気をチャンバルーム内に強制送気するようにしているため、不活性ガスの残留を抑制しつつ、チャンバルーム内の不活性ガスの雰囲気と大気とを短時間で効率良く置換することができる。
【０１２３】
また、本発明の電気光学装置および有機ＥＬ装置によれば、良好な不活性ガスの雰囲気中でワーク処理を行うことができ、且つ安全な大気の雰囲気中でワーク処理装置のメンテナンス等を行うことができる。また、大気置換を短時間で行うことができる。さらに、高品質で且つ信頼性の高い有機ＥＬ装置を、低コストで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る電気光学装置の外観斜視図である。
【図２】実施形態に係る描画装置の外観斜視図である。
【図３】実施形態に係る描画装置の外観正面図である。
【図４】実施形態に係る描画装置の外観側面図である。
【図５】実施形態に係る描画装置の外観平面図である。
【図６】実施形態に係る描画装置の液滴吐出装置の模式図である。
【図７】実施形態に係るチャンバ装置のシステム系統図である。
【図８】実施形態に係るチャンバ装置の平面図である。
【図９】実施形態に係るチャンバ装置の正面図である。
【図１０】実施形態に係るチャンバ装置の右側面図である。
【図１１】実施形態に係るチャンバ装置の左側面図である。
【図１２】実施形態に係るチャンバ装置の背面図である。
【図１３】実施形態に係るチャンバ装置の着脱パネルユニットの横断面図（ａ）および横断面図（ｂ）である。
【図１４】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるバンク部形成工程（無機物バンク）の断面図である。
【図１５】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるバンク部形成工程（有機物バンク）の断面図である。
【図１６】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるプラズマ処理工程（親水化処理）の断面図である。
【図１７】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるプラズマ処理工程（撥水化処理）の断面図である。
【図１８】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における正孔注入層形成工程（液滴吐出）の断面図である。
【図１９】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における正孔注入層形成工程（乾燥）の断面図である。
【図２０】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における表面改質工程（液滴吐出）の断面図である。
【図２１】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における表面改質工程（乾燥）の断面図である。
【図２２】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるＢ発光層形成工程（液滴吐出）の断面図である。
【図２３】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるＢ発光層形成工程（乾燥）の断面図である。
【図２４】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法におけるＲ・Ｇ・Ｂ発光層形成工程の断面図である。
【図２５】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における対向電極形成工程の断面図である。
【図２６】実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法における封止工程の断面図である。
【符号の説明】
１  電気光学装置                      ２  描画装置
３  チャンバ装置                      ４  機能液滴吐出ヘッド
６  液滴吐出装置                    １１  チャンバルーム
１２  電気室                          １３  機械室
１７  Ｘ軸テーブル                    １８  Ｙ軸テーブル
２０  ヘッドユニット                １０１  ガス導入ユニット
１０２  排気ダクト                    １１３  前部着脱パネルユニット
１１４  後部着脱パネルユニット        １２１  内パネルユニット
１２２  外パネルユニット              １２４  内パネル
１２６  外パネル                      １２９  電磁ロック装置
１３０  空隙                          １３１  送気口
１３２  排気口                        １３３  フィルタチャンバ
１３５  フィルタ                      １３７  隔壁
１３８  ガス流路                      １４１  ガスダンパーユニット
１４２  ガス開閉バルブ                １４３  ガス調整バルブ
１４４  ガス開閉ダンパー              １４７  主ガス流路
１５５  ガス調和機器                  １５６  クーラ
１５７  ヒータ                        １５８  ファン
１６１  排気チャンバ                  １６２  排気ダンパーユニット
１６３  排気調整ダンパー              １６４  排気開閉ダンパー
１６６  排気パイプ                    １６７  排気バルブ
１７１  外気流路                      １７２  外気取入れ口
１７３  外気ダンパーユニット          １７４  外気開閉ダンパー
１７５  外気調整ダンパー              １７６  外気開閉バルブ
５００  有機ＥＬ装置                  ５０１  基板
５０４  有機ＥＬ素子                ５１０ａ  正孔注入／輸送層
５１０ｂ  発光層                            Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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