(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上に薬液、純水、不活性ガスのそれぞれを供給する分岐パイプがバルブを介して接続され、前記薬液、純水、不活性ガスのいずれかを吐出する外管ノズルと、前記外管ノズルの内部に薬液、純水、不活性ガスのそれぞれを供給する分岐パイプがバルブを介して接続され、前記薬液、純水、不活性ガスのいずれかを吐出する内管ノズルとを持つ多重ノズル形状を有し、前記外管ノズルは、先端形状が前記薬液、純水、不活性ガスのいずれかを吐出する吐出口付近より前記被処理基板に平行に延在して配置され、且つ処理中は前記被処理基板に非接触な状態にある構造を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記内管ノズルは、前記外管ノズルに対して同心円状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記多重ノズルの下にこれと対向するように配置され、回転中心が前記多重ノズルの中心位置と一致するように回転する被処理基板支持台を備えていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記被処理基板表面とこの表面に平行でかつ非接触な前記構造との距離は、任意に調整するように構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記被処理基板表面と前記構造との空間は、薬液吐出中において薬液で満たされているように構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記構造の直径は、前記外管ノズル外径の２倍以上であり、且つ前記被処理基板直径の２０％以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の基板処理装置を用いて半導体ウェーハを薬液により洗浄する工程と、前記基板処理装置を用いて薬液洗浄された半導体ウェーハを純水により洗浄する工程と、前記基板処理装置を用いて純水洗浄された半導体ウェーハを乾燥する工程とを備えていることを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記基板処理装置は、内部が窒素雰囲気にある処理チャンバー内に設置されていることを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記乾燥工程中に前記外管ノズルから不活性ガスを吐出して、大気が前記被処理基板と前記構造との間から回り込めないようにすることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハなどを処理する基板処理装置及びこの処理装置を用いる基板処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置は、半導体基板に形成する集積回路を設計する設計工程、集積回路を形成するために用いられる電子ビームなどを描画するためのマスク作成工程、単結晶インゴットから所定の厚みの半導体ウェーハ（以下、ウェーハという）を形成するウェーハ製造工程、ウェーハに集積回路などの半導体素子を形成するウェーハ処理工程、ウェーハを各半導体基板に分離しパッケージングして半導体装置を形成する組立工程及び検査工程等を経て形成される。ウェーハ処理工程には、薄膜形成工程、酸化工程、ドーピング工程、レジスト処理工程、露光工程、エッチング工程、洗浄工程などが有り、それぞれの工程に必要な製造装置が用意されている。半導体製造装置にはこの他にも排ガス処理装置などの環境に必要な装置も用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の基板洗浄装置では複数の薬液を混合して使用する場合がある。図５に示すように、複数の薬液１、２はそれぞれのノズルを介して混合タンク１０内で混合されて混合液３が生成される。混合タンク１０内の混合液３は、パイプを介して被処理基板（ウェーハ）５上に導かれ、パイプに繋がるノズル６から混合液３が吐出されてウェーハ５表面が洗浄される。このように薬液による洗浄が行われてから純水による洗浄が行われ、その後ウェーハは乾燥される。また、図６に示すように２つ以上のノズルをウェーハ５に近接配置し、それぞれのノズルから各薬液１、２を吐出し、ウエーハ５上で混合する方式もある。図５及び図６のどちらの方式も薬液処理及び水洗をウエ−ハ及びノズル等が入るに十分な大きさのチャンバー内あるいは大気解放系でいずれかで行われる。
図５に示された従来技術の問題点は、混合液をあらかじめ作製しておくため、混合により分解する薬液、たとえば、ＨＣｌとＨ2 Ｏ2 の混合液、ＮＨ4 ＯＨとＨ2 Ｏ2 の混合液等は、ウエ−ハの処理を行わないときも反応により活性なＨ2 Ｏ2 の分解が進んで経時的に薬液の組成が変化していくという問題があった。また、図６に示す従来方式では分解による薬液の経時変化は少ないが、吐出位置が異なる２つ以上のノズルから吐出する方式は半導体基板上で十分に薬液の均一の混合ができないという問題があった。
【０００４】
図５及び図６のどちらの従来技術においてもウエ−ハ及びノズル等が入るに十分な大きさのチャンバー内あるいは大気解放における薬液処理では薬液のミストが発生し、例えば、ＮＨ4 ＯＨとＨ2 Ｏ2 の混合液、ＨＣ１とＨ2 Ｏ2 の混合液等はアンモニア、塩酸などの揮発し易い成分がウェーハ処理中に揮発し、吐出部と吐出部とは離れたウエ−ハ外周部の薬液組成が異なってしまうという問題、環境中にＮＨ3 ガス、ＨＣ１ガスが放出され、環境汚染の問題が発生する。あるいは水洗中に大気中の不純物、たとえばＯ2 、ＣＯ2 が溶け込み、ウェーハに悪影響を与える等の問題があった。
本発明は、このような事情によりなされたものであり、薬液の分解による組成変化が少ない、ウェーハ上に均等に薬液が広がり、ウェーハ表面上での薬液のミスト発生、揮発を抑制することができる枚葉式にウェーハを処理する半導体製造装置及びこの製造装置を用いた基板処理方法を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体装置の製造工程におけるウェーハ処理のエッチング工程や洗浄工程などに用いる基板処理装置において、ウェーハ上に少なくとも薬液もしくは薬液及びガスのいずれかを吐出する外管ノズルを有し、さらにこのノズルの内部にさらに少なくとも薬液または薬液及びガスをそれぞれ流すことができる内管ノズルを持つ２重などの多重ノズル形状を有し、かつ外管ノズルの先端形状がウェーハに平行に延在して配置され、且つ処理中は前記被処理基板に非接触な状態で前記薬液及びガスのいずれかを吐出口付近より吐出する構造（これを天板構造という）を備えていることを特徴としている。
多重ノズルから同時に薬液を吐出し、ウェーハ近傍で薬液を効率よく混合でき、さらに外管ノズルにはウェーハの天板構造となるカバー（以下、ウェーハ天板という）が付いているので、薬液のミスト発生、揮発が抑えられる。また、ウェーハ天板が付いているので水洗時、純水が大気との接触面積が少なく大気中の不純物が純水中に溶け込むことを抑制できる。さらに、乾燥工程中において外管ノズルまたはその内側に配置された内管ノズルからＮ2 を吐出させれば、大気の回り込みが少ないので、酸素を必要とするウォターマークの発生も抑制できる。
【０００６】
本発明の基板処理装置は、被処理基板上に薬液、純水、不活性ガスのそれぞれを供給する分岐パイプがバルブを介して接続され、前記薬液、純水、不活性ガスのいずれかを吐出する外管ノズルと、前記外管ノズルの内部に薬液、純水、不活性ガスのそれぞれを供給する分岐パイプがバルブを介して接続され、前記薬液、純水、不活性ガスのいずれかを吐出する内管ノズルとを持つ多重ノズル形状を有し、前記外管ノズルは、先端形状が前記薬液、純水、不活性ガスのいずれかを吐出する吐出口付近より前記被処理基板に平行に延在して配置され、且つ処理中は前記被処理基板に非接触な状態にある構造を備えていることを特徴としている。前記内管ノズルは、前記外管ノズルに対して同心円状に配置されているようにしても良い。前記多重ノズルの下にこれと対向するように配置され、回転中心が前記多重ノズルの中心位置と一致するように回転する被処理基板支持台を備えていても良い。前記被処理基板表面とこの表面に平行でかつ非接触な前記天板との距離は、任意に調整するようにしても良い。前記被処理基板表面と前記天板との空間には、薬液吐出中において薬液で満たされているようにしても良い。前記構造の直径は前記外管ノズル外径の２倍以上であり、且つ前記被処理基板直径の２０％以上であるようにしても良い。処理チャンバーの容積によってウェーハ処理の効果の大小が変化するため、前記構造直径は外管ノズル外径の２倍以上であるのが好ましく、被処理基板直径の２０％以上が好ましい。このような数値の範囲であれば本発明の作用効果が顕著に現れてくるので被処理基板の面積をこのようにするのが好ましい。
【０００７】
本発明の基板処理方法は、前記本発明の基板処理装置を用いて半導体ウェーハを薬液により洗浄する工程と、前記基板処理装置を用いて薬液洗浄された半導体ウェーハを純水により洗浄する工程と、前記基板処理装置を用いて純水洗浄された半導体ウェーハを乾燥する工程とを備えていることを特徴としている。前記基板処理装置は、内部が窒素雰囲気にある処理チャンバー内に設置しても良い。前記乾燥工程中に前記外管ノズルから窒素ガスを吐出して、大気が前記被処理基板と前記構造との間から回り込めないようにしてもよい。乾燥工程中に外管ノズルからＮ2 を吐出すれば、大気がウェーハとウェーハ天板の隙間から回り込めずウェーハ表面をＮ2 雰囲気にすることができるので大気中の酸素を原因とするウォターマークの発生を抑制できる。
ウェーハを回転チャックで回転させながら同心円上に配置された多重ノズルから混合液を吐出する場合、外管ノズル及び内管ノズルの吐出中心が半導体基板の回転中心に一致する場合は、ウェーハにさらに均等に薬液を広げることが可能となる。ウェーハ天板とウェーハとの距離との最適値は薬液または純水の吐出量、Ｎ2 の吐出量によって変わるのでその距離を任意に調整することにより薬液のミスト発生、揮発を最も抑制することができ、さらに水洗時、大気と接することなく大気中の不純物が純水中にとけ込むことを完全に防ぐことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して発明の実施の形態を説明する。
まず、図１及び図２を参照して第１の実施例を説明する。
図１は、基板処理装置の断面図、図２は、ウェーハ天板（天板構造）とウェーハの平面図である。この処理装置は、雰囲気を任意に設定することができるチャンバー内に設定することができるが、大気解放システムにおいて処理操作を行うことができる。
この基板処理装置は、被処理基板であるウェーハを支持する支持台１０６を備えている。支持台１０６には回転チャック１０７が取り付けられ、これにより支持台１０６がウェーハを載せた状態で回転されるようになっている。ウェーハ１００は、支持台１０６に支持固定されて多重ノズルと対向している。多重ノズルは、供給パイプに繋がる外管ノズル１０３とこの内部にこれと同心円状に配置された内管ノズル１０４とから構成されている。内管ノズルは、この実施例のように１本に限るものではなく、２本、３本・・・と同心円状に配置してもよい。このように配置すると混合する薬液の数を増やすことができる。
【０００９】
外管ノズル１０３のウェーハ１００と対向する最先端部には、ウェーハ１００に平行にウェーハ天板１０５が取り付けられている。
この外管ノズル１０３及び内管ノズル１０４から供給パイプを介して薬液、純水、不活性ガスなどが供給され、必要に応じて薬液同士がノズル１０３、１０４の吐出口近傍、つまり、ウェーハ１００近傍で混合され、この混合液がウェーハ１００表面を洗浄する。
ウェーハ１００を支持台１０６に取り付けてから、回転チャック１０７を回転させてウェーハ１００を回転させる。ウェーハ１００を回転させながら多重ノズルから混合液をその上に吐出させる。外管ノズル１０３及び内管ノズル１０４の吐出中心がウェーハ１００の中心にあるなら、外管ノズル１０３、内管ノズル１０４のそれぞれから吐出された薬液１０１、１０２は、ウェーハ１００上に均等に広がり薬液１０１、１０２の混合むらは起こらない。
【００１０】
回転チャック１０７は、上下に移動させることができるので、ウェーハ天板１０５及びウェーハ１００間の距離は、任意に調整することができる。そして、大気がウェーハ１００及びウェーハ天板１０５の隙間から回り込まないようウェーハ１００とウェーハ天板１０５との間にできるスペースを完全に液体、すなわち、薬液の混合液とするように、薬液吐出中あるいは純水吐出中にウェーハ１００とウェーハ天板１０５との距離を調整することができる。
また、この実施例の基板処理装置を用いてウェーハ処理工程の洗浄工程を行う場合、ウェーハ１００を薬液洗浄し、次いで純水洗浄し、その後ウェーハ１００を乾燥処理する。この乾燥処理において、外管ノズル１０３及び内管ノズル１０４から窒素（Ｎ2 ）ガスを吐出することにより、ウェーハ天板１０５とウェーハ１００との間は、Ｎ2 雰囲気を維持させることができる。
この実施例ではウェーハの回転機構がある場合について説明したが、本発明では、ウェーハ乾燥が必要なければ、ウェーハ回転機構はなくても構わない。
【００１１】
外管ノズルに取り付けたウェーハ天板の大きさは、実施例ではウェーハ面積と同等以上の面積を有する場合について説明したが、本発明は、この大きさに限定されない。この実施例が大気解放システムで実施されるなら、外気の影響が大きいので、ウェーハ天板の大きさは、ウェーハと同じかこれより大きい方が好ましい。しかし、この基板処理装置が処理チャンバーに収容されている場合はことなる。処理チャンバーの容積によってウェーハ処理の効果の大小が変化するため、ウェーハ天板直径（Ｒ）は、外管ノズル外径（ｒ）の２倍以上であるのが好ましく、ウェーハ直径（Ｔ）の２０％以上であれば、本発明の作用効果が顕著に現れてくるので、ウェーハ天板の面積を以上のように限定することが好ましい。図２（ａ）は、図１の基板処理装置のウェーハとウェーハ天板の平面図であり、図２（ｂ）は、他のウェーハとウェーハ天板の平面図である。
また、ウェーハ天板が十分ウェーハ表面を覆っていない場合、ウェーハ天板の構造を有する外管ノズルと内管ノズルとは一体としてウェーハ面に平行な１方向あるいは任意方向に走査できる構造にすることも可能である。つまり、多層ノズルは、任意にウェーハ上を移動させることができる。
【００１２】
以上のように、この実施例では多重ノズルから同時に異なる薬液または純水を吐出し、ウエ−ハ近傍で吐出直前に薬液を混合するため、あらかじめ混合液を作製しておく従来技術と異なり、過酸化水素などの薬液の分解による組成変化は起こらない。外管ノズル、内管ノズルそれぞれから吐出された薬液は、ウェーハ直前に配置されるノズルを複数個持ち吐出位置が異なる従来技術とは異なりウェーハ上に均等に薬液が広がるため薬液の混合むらが少なくなる。外管ノズルの吐出口側の先端部にウエ−ハ天板が取り付けられているのでウエ−ハ表面上での薬液のミスト発生、揮発を抑制することができ、さらに水洗時においては大気と純水の接触面積を小さくすることができ、大気中の不純物が純水中に溶け込むのを防ぐことができる。今後の傾向であるウエ−ハが大口径化した場合には表面積がさらに大きくなっていくので、外管ノズルにウェーハ天板を設ける構造はさらに有効となる。また、乾燥工程中に外管ノズルからＮ2 を吐出すれば、大気がウェーハとウェーハ天板の隙間から回り込めずウェーハ表面をＮ2 雰囲気にすることができるので大気中の酸素を原因とするウォターマークの発生を抑制できる。
【００１３】
ウェーハを回転チャックで回転させながら同心円上に配置された多重ノズルから混合液を吐出する場合、外管ノズル及び内管ノズルの吐出中心がウェーハの回転中心に一致する場合は、ウェーハにさらに均等に薬液を広げることが可能となる。ウェーハ天板とウェーハとの距離との最適値は薬液または純水の吐出量、Ｎ2 の吐出量によって変わるのでその距離を任意に調整し、特に、薬液処理中又は水洗中、ウェーハとウェーハ天板の隙間を完全に液体とすることにより薬液のミスト発生、揮発を最も抑制することができ、さらに水洗時、大気と接することなく大気中の不純物が純水中にとけ込むことを完全に防ぐことができる。
【００１４】
次に、図３を参照して第２の実施例を説明する。
この実施例では多層ノズルに実際の薬液及び窒素ガスを供給する装置を説明する。図は、基板処理装置の断面図である。この処理装置は、雰囲気を任意に設定することができるチャンバー内に設定してもよく、大気解放システムにおいて処理操作を行うことができる。
この処理装置は、被処理基板であるウェーハを支持する支持台２０６を備えている。支持台２０６には回転チャック２０７が取り付けられ、これにより支持台２０６がウェーハを載せた状態で回転されるようになっている。また、支持台２０６と回転チャック２０７に上下に移動する機構を備え、ウェーハとウェーハ天板の間隔を適宜調節できるようになっている。ウェーハ２００は、支持台２０６に支持固定されて多重ノズルと対向している。多重ノズルは、供給パイプに繋がる外管ノズル２０３とこの内部にこれと同心円状に配置された内管ノズル２０４とから構成されている。外管ノズル２０３のウェーハ２００と対向する最先端部には、ウェーハ２００に平行にウェーハ天板２０５が取り付けられている。
【００１５】
この外管ノズル２０３及び内管ノズル２０４から供給パイプを介して薬液、純水、不活性ガスなどが供給され、必要に応じて所望の薬液が外管ノズル２０３及び内管ノズル２０４の吐出口近傍、つまり、ウェーハ２００近傍で混合され、この混合液がウェーハ１００表面を洗浄する。外管ノズル２０３には分岐パイプ２０８〜２１１がそれぞれバルブＶ１〜Ｖ４を介して接続されており、内管ノズル２０４には分岐パイプ２１２〜２１５がそれぞれバルブＶ５〜Ｖ８を介して接続されている。分岐パイプ２０８、２１５には純水が供給され、分岐パイプ２１１、２１４にはＮ2 ガスが供給される。分岐パイプ２０９、２１０にはそれぞれＨ2 Ｏ2 、ＮＨ4 ＯＨが供給される。また、分岐パイプ２１２、２１３にはそれぞれＨＣｌ、Ｈ2 ＳＯ4 が供給される。
ウェーハ２００を支持台２０６に取り付けてから、回転チャック２０７を回転させることによりウェーハ２００を回転させる。ウェーハ２００を回転させながら多重ノズルから混合液をその上に吐出させる。外管ノズル２０３及び内管ノズル２０４の吐出中心がウェーハ２００の中心にあれば外管ノズル２０３、内管ノズル２０４のそれぞれから吐出された薬液２０２、２０３は、ウェーハ２００上に均等に広がり薬液２０１、２０２の混合むらは起こらない。
【００１６】
外管ノズル２０３及び内管ノズル２０４に取り付けたバルブを適宜開閉して混合する薬液を選択する。例えば、ＨＣｌとＨ2 Ｏ2 の混合液、Ｈ2 Ｏ2 とＨ2 ＳＯ4 の混合液などを形成する。バルブを開閉して混合液に含まれる薬液の混合割合を適宜調整する。例えば、Ｈ2 Ｏ2 とＨ2 ＳＯ4 とを１：６〜１：１０に混合してフォトレジストをエッチング除去するエッチング液を生成する。また、濃度３０％程度のＨ2 Ｏ2 と濃度９６〜９８％のＨ2 ＳＯ4 とを１：１に混合してＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、ＴｉＮなどの金属膜をパターニングするためのエッチング液を生成する。
回転チャック２０７は、上下に移動させることができるので、ウェーハ天板２０５及びウェーハ２００間の距離は、任意に調整することができる。そして、大気がウェーハ２００及びウェーハ天板２０５の隙間から回り込まないようウェーハ２００とウェーハ天板２０５との間にできるスペースを完全に薬液の混合液とするように、薬液吐出中あるいは純水吐出中にウェーハ２００とウェーハ天板２０５との距離を調整することができる。
【００１７】
また、分岐パイプに供給される薬液は、図３に示す材料に限らない。例えば、分岐パイプ２０９にはＨ2 Ｏ2 に代えてオゾン（Ｏ3 ）水を供給し、分岐パイプ２１０にはＮＨ4 ＯＨに代えてアルカリイオン水を供給し、分岐パイプ２１２にはＨＣｌに代えて酸性イオン水を供給することができる。アルカリイオン水及び酸性イオン水は、イオン水生成装置により生成され、各分野に利用される。とくに半導体装置の製造や液晶の製造などに多く用いられている。また、純水は、イオン、微粒子微生物、有機物などの不純物をほとんど除去した抵抗率が５〜１８ＭΩｃｍ程度の高純度の水である。超純水は、超純水製造装置により水中の懸濁物質、溶解物質及び高効率に取り除いた純水よりさらに純度の高い極めて高純度の水である。これらの水（以下、これらをまとめて純水という）を電気分解することによって酸化性の強い陽極水や還元性の強い陰極水などのイオン水が生成される。
【００１８】
以上のように、この実施例では多重ノズルから同時に異なる薬液又は純水を吐出し、ウエ−ハ近傍で吐出直前に薬液を混合するため、あらかじめ混合液を作製しておく従来技術と異なり、過酸化水素などの薬液の分解による組成変化は起こらない。外管ノズル、内管ノズルそれぞれから吐出された薬液は、ウェーハ直前に配置されるノズルを複数個持ち吐出位置が異なる従来技術とは異なりウェーハ上に均等に薬液が広がるため薬液の混合むらが少なくなる。外管ノズルの吐出口側の先端部にウエ−ハ天板が取り付けられているのでウエ−ハ表面上での薬液のミスト発生、揮発を抑制することができ、さらに水洗時においては大気と純水の接触面積を小さくすることができ、大気中の不純物が純水中に溶け込むのを防ぐことができる。ウエ−ハを大口径化した場合には表面積がさらに大きくなっていくので、外管ノズルにウェーハ天板を設ける構造はさらに有効となる。
【００１９】
次に、図４を参照して第３の実施例を説明する。
図は、基板処理装置の断面図である。この処理装置は、処理チャンバー内に設置されていることに特徴がある。この基板処理装置は、被処理基板であるウェーハを支持する支持台３０６を備えている。支持台３０６には回転チャック３０７が取り付けられ、これにより支持台３０６がウェーハを載せた状態で回転できるようになっている。ウェーハ３００は、支持台３０６に支持固定されて多重ノズルと対向している。多重ノズルは、供給パイプに繋がる外管ノズル３０３とこの内部にこれと同心円状に配置された内管ノズル３０４とから構成されている。
外管ノズル３０３のウェーハ３００と対向する最先端部には、ウェーハ３００に平行にウェーハ天板３０５が取り付けられている。この外管ノズル３０３及び内管ノズル３０４から供給パイプを介して薬液、純水、不活性（Ｎ2 ）ガスなどが供給され、適宜薬液がノズル３０３、３０４の吐出口近傍、つまり、ウェーハ３００近傍で混合され、この混合液がウェーハ３００表面を洗浄する。
【００２０】
ウェーハ３００を支持台３０６に取り付けてから、回転チャック３０７を回転させてウェーハ３００を回転させる。ウェーハ３００を回転させながら多重ノズルから混合液をその上に吐出させる。外管ノズル３０３及び内管ノズル３０４の吐出中心がウェーハ３００の中心にあるなら、外管ノズル３０３、内管ノズル３０４のそれぞれから吐出された薬液３０１、３０２は、ウェーハ３００上に均等に広がり薬液３０１、３０２の混合むらは起こらない。
回転チャック３０７は、上下に移動させることができるので、ウェーハ天板３０５及びウェーハ３００間の距離は、任意に調整することができる。そして、ウェーハ３００とウェーハ天板３０５との間にできるスペースを完全に液体、すなわち薬液の混合液とするように、薬液吐出中あるいは純水吐出中にウェーハ３００とウェーハ天板３０５との距離を調整することができる。
この処理装置は、大気解放システムで操作をしないで処理チャンバー３０８内で操作される。そして、処理チャンバー３０８にはノズル３０９が取り付けられており、処理操作中にはＮ2 ガスをノズル３０９からチャンバー内に供給されるようになっている。ウェーハ天板３０５の直径は、ウェーハ３００の直径より小さくなっており（すなわち、図２（ｂ）のウェーハ天板を用いる）、ウェーハ３００は、ウェーハ天板３０５から突出している。
【００２１】
以上のように、この実施例では多重ノズルから同時に異なる薬液又は純水を吐出し、ウエ−ハ近傍で吐出直前に薬液を混合するため、あらかじめ混合液を作製しておく従来技術と異なり、過酸化水素などの薬液の分解による組成変化は起こらない。外管ノズル、内管ノズルそれぞれから吐出された薬液は、ウェーハ直前に配置されるノズルを複数個持ち吐出位置が異なる従来技術とは異なりウェーハ上に均等に薬液が広がるため薬液の混合むらが少なくなる。外管ノズルの吐出口側の先端部にウエ−ハ天板が取り付けられているのでウエ−ハ表面上での薬液のミスト発生、揮発を抑制することができる。さらにこの実施例では処理装置を窒素雰囲気中に配置するので、大気中の不純物が純水中に溶け込むことがない。このように、大気の影響を考慮する必要がないので、ウェーハ天板を小さくすることができ、ウェーハの大きさが異なっていても同じ処理装置で対応することができる。近年の傾向であるウエ−ハを大口径化した場合には表面積が大きくなっていくので、外管ノズルにウェーハ天板を設ける構造はさらに有効となる。
【００２２】
【発明の効果】
本発明では、多重ノズルから同時に異なる薬液または純水を吐出し、被処理基板近傍で薬液を混合することが可能であるため、薬液の分解による組成変化は起こらない。さらに外管ノズル、内管ノズルそれぞれから吐出された薬液は、被処理基板上に均等に薬液が広がるため薬液の混合むらは起こらない。また、外管ノズルが天板構造を有しているため、ウエ−ハ表面上での薬液のミスト発生、揮発を抑制することができるとともに、水洗時は、大気と純水の接触面積を小さくすることができ、大気中の不純物が純水中にとけ込むことを防ぐことができ、半導体装置の製造にも最適である。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例の基板処理装置の断面図。
【図２】本発明のウェーハ及びウェーハ天板の平面図。
【図３】第２の実施例の基板処理装置の断面図。
【図４】第３の実施例の基板処理装置の断面図。
【図５】従来の基板処理装置の断面図。
【図６】従来の基板処理装置の断面図。
【符号の説明】
１、２、１０１、１０２・・・薬液、    ３・・・混合液、
４・・・水洗ノズル、    ５、１００、２００、３００・・・ウェーハ、
６・・・ノズル、    １０・・・混合タンク、
１０３、２０３、３０３・・・外管ノズル、
１０４、２０４、３０４・・・内管ノズル、
１０５、２０５、３０５・・・天板構造（ウェーハ天板）、
１０６、２０６、３０６・・・支持台、
１０７、２０７、３０７・・・回転チャック、
２０８、２０９、２１０、２１１、２１２、２１３、２１４、２１５・・・分岐パイプ。
【図１】
0004011218.tif 000002
【図２】
0004011218.tif 000003
【図３】
0004011218.tif 000004
【図４】
0004011218.tif 000005
【図５】
0004011218.tif 000006
【図６】
0004011218.tif 000007