(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の第１主面に、半導体チップの外部電極と接続される複数本の第１配線が設けられ、前記絶縁基板の第１主面と対向する第２主面に、前記第１配線と電気的に接続された第２配線が設けられており、前記第２配線のうち、グラウンド電位の信号を供給する配線が、前記絶縁基板の全面に広がっている配線基板において、
前記絶縁基板における第１主面の、前記第１配線のうち高周波信号を伝送する配線に沿った領域には、前記高周波信号を伝送する配線に沿って連続した凹部が設けられており、
前記高周波信号を伝送する配線は、前記半導体チップの外部電極と接続される領域と、前記第２配線と接続される領域とを除く領域が、前記凹部上を通ることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁基板の凹部の底面に、前記グラウンド電位の信号を供給する配線が露出していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第１配線のうちの前記高周波信号を伝送する配線は、前記絶縁基板の凹部上で、前記絶縁基板と部分的に接着されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
絶縁基板の第１主面に、半導体チップの外部電極と接続される複数本の第１配線が設けられ、前記絶縁基板の第１主面と対向する第２主面に、前記第１配線と電気的に接続された第２配線が設けられており、前記第２配線のうち、グラウンド電位の信号を供給する配線が、前記絶縁基板の全面に広がっている配線基板と、前記配線基板の第１主面上に設けられた半導体チップと、前記配線基板の第１配線と前記半導体チップの外部電極を電気的に接続する導電性部材とを備える半導体装置において、
前記絶縁基板における第１主面の、前記第１配線のうち高周波信号を伝送する配線に沿った領域には、前記高周波信号を伝送する配線に沿って連続した凹部が設けられており、
前記高周波信号を伝送する配線は、前記半導体チップの外部電極と接続される領域と、前記第２配線と接続される領域とを除く領域が、前記凹部上を通ることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁基板の凹部の底面に、前記グラウンド電位の信号を供給する配線が露出していることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１配線のうちの前記高周波信号を伝送する配線は、前記絶縁基板の凹部上で、前記絶縁基板と部分的に接着されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
絶縁基板の第１主面に複数本の第１配線を形成し、前記絶縁基板の第２主面に、前記第１配線と電気的に接続される第２配線を形成する配線基板の製造方法において、
前記第１配線及び前記第２配線を形成した後、
前記絶縁基板の第１主面側から、前記絶縁基板の前記第１配線のうち高周波信号を伝送する配線に沿った領域をエッチングして、前記高周波信号を伝送する配線の、半導体チップの外部電極と接続される領域と、前記第２配線と接続される領域とを除く領域の下に連続した凹部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板及びそれを用いた半導体装置に関し、特に、高周波信号を扱う半導体装置に用いる両面配線基板に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、配線基板上に半導体チップを実装した半導体装置には、図１１及び図１２に示すように、絶縁基板１の第１主面に第１配線２が設けられ、前記絶縁基板１の第２主面に、前記第１配線２と電気的に接続された第２配線３が設けられた両面配線基板上に、半導体チップ８をフリップチップ実装した半導体装置がある。
【０００３】
このとき、前記第１配線２と前記第２配線３は、例えば、図１２に示したように、前記絶縁基板１に設けられた開口部（ビア穴）１０１の表面に設けられた銅めっき膜（ビア）４により接続されている。
【０００４】
また、前記第１配線２は、表面に、例えば、金あるいは錫などのめっき膜５が設けられており、前記めっき膜５及びはんだ接合材９により前記半導体チップ８の外部電極８０１と接続されている。
【０００５】
また、前記両面配線基板の第１主面、言い換えると前記半導体チップ８が実装された面には、接着剤１０を用いてカバープレート１１が接着されており、前記半導体チップ８、前記第１配線２と前記半導体チップの外部電極８０１との接続部を封止している。その他にも、前記カバープレート１１の代わりに、前記両面配線基板と前記半導体チップ８の間に、熱硬化性樹脂などの封止絶縁体を設けている場合もある。
【０００６】
また、前記第２配線３は、他の実装基板や外部装置との接続端子として設けられており、例えば、図１２に示したように、めっき膜５を介在してボール状端子（外部接続端子）１２が設けられている。また、前記ボール状端子１２が設けられた領域の外側は、はんだ保護膜（ソルダレジスト）６が設けられている。
【０００７】
また、前記半導体装置は、近年、配線の微細化とともに動作の高周波化（高速化）が進んでおり、通信装置や高速コンピュータ等の、数ＭＨｚ（メガヘルツ）から数ＧＨｚの高周波信号（高周波電流）を扱う装置に用いられる半導体装置の配線基板では、図１２に示したように、前記第２配線３のうち、グラウンド電位の信号を供給する配線（グラウンドパターン）３０１を、他の第２配線３の周辺を除く領域の全面に広げ、前記第１配線２、前記絶縁基板１、及び前記グラウンドパターン３０１によるマイクロストリップを構成し、特性インピーダンスの制御をしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術では、前記配線基板に用いられる絶縁基板１は、一般的に、比誘電率が3.5〜4.0程度のポリイミドテープや、比誘電率が4.0〜4.5程度のガラス布基材エポキシ樹脂積層板等であるため、高周波信号（高周波電流）を扱う配線基板（半導体装置）の場合には、前記絶縁基板１の誘電率、誘電損失等が、前記第１配線２を伝送する信号の伝送速度、信号波形、クロストークなどに影響を与え、高周波特性が劣化しやすいという問題があった。
【０００９】
特に、携帯電話等の無線通信の基地局で用いられる通信制御装置や、光通信装置などで用いられる半導体装置は、動作周波数が数十ＧＨｚ（ギガヘルツ）から数百ＧＨｚに達しようとしており、従来のポリイミドテープを絶縁基板１として用いた配線基板では、ノイズが発生しやすく、高周波特性が劣化しやすい。そのため、より高周波化した信号電流を扱う半導体装置への適用が難しいという問題があった。
【００１０】
前記高周波信号（高周波電流）扱う配線基板（半導体装置）において、信号電流がさらに高周波化した場合に高周波特性が劣化するのを防ぐためには、前記配線基板に用いる絶縁基板１を、伝送損失の少ない低誘電率の材料で構成する方法があるが、前記絶縁基板１の材料を変更した場合、前記第１配線２、前記絶縁基板１、及び前記グラウンドパターン３０１で構成されるマイクロストリップの構成が変わるため、特性インピーダンスの制御が難しくなるという問題があった。
【００１１】
また、前記絶縁基板１の材料を変更した場合には、例えば、前記絶縁基板１に開口部（ビア穴）を形成する工程等の条件も変更する可能性があり、従来の製造プロセスを適用できなくなる可能性があるという問題があった。
【００１２】
また、高周波特性の劣化を防ぐためには、前記絶縁基板１の材料を変更する他に、例えば、前記絶縁基板１を薄くする方法があるが、例えば、前記ポリイミドテープの場合は、厚さが２５μｍ以下になると、強度が低下し、変形しやすくなる。そのため、前記配線基板の製造工程中に歪みが生じ、配線パターンを形成する際の露光精度が低下し、電気的特性が劣化するという問題があった。
【００１３】
また、前記配線基板は、一般に、リールツーリール（reel to reel）方式で製造されるため、前記絶縁基板１が薄くなり強度が低下すると、各工程の搬送中に前記絶縁基板１が切れやすくなるという問題があった。
【００１４】
また、前記配線基板（絶縁基板）の強度が低下し、配線基板に歪みが生じると、前記配線基板を用いて半導体装置を製造する際の位置合わせが難しくなり、前記第１配線２と半導体チップの外部電極８０１を接続する際に接続不良が起きやすいという問題があった。
【００１５】
本発明の目的は、高周波信号（高周波電流）を扱う半導体装置に用いる両面配線基板において、高周波特性の劣化を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
【００１６】
本発明の他の目的は、高周波信号（高周波電流）を扱う半導体装置に用いる両面配線基板において、より高周波化した信号電流を扱う半導体装置への適用を容易にすることが可能な技術を提供することにある。
【００１７】
本発明の他の目的は、高周波信号（高周波電流）を扱う半導体装置に用いる両面配線基板において、信号電流の電気的特性の劣化を防ぐことが可能な技術を提供することにある。
【００１８】
本発明の他の目的は、高周波信号（高周波電流）を扱う半導体装置に用いる両面配線基板において、製造歩留まりを向上させることが可能な技術を提供することにある。
【００１９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明において開示される発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。
【００２１】
（１）絶縁基板の第１主面に、半導体チップの外部電極（ボンディングパッド）と接続される複数本の第１配線が設けられ、前記絶縁基板の第１主面と対向する第２主面に、前記第１配線と電気的に接続された第２配線が設けられており、前記第２配線のうち、グラウンド電位の信号を供給する配線が、前記絶縁基板の全面に広がっている配線基板において、前記絶縁基板における第１主面の、前記第１配線のうち高周波信号を伝送する配線に沿った領域には、前記高周波信号を伝送する配線に沿って連続した凹部が設けられており、前記高周波信号を伝送する配線は、前記半導体チップの外部電極と接続される領域と、前記第２配線と接続される領域とを除く領域が、前記凹部上を通る配線基板である。
【００２２】
前記（１）の手段によれば、前記第１配線のうちの高周波信号を伝送する配線が、前記絶縁基板の凹部上を通ることにより、前記凹部上では、前記高周波信号を伝送する配線と前記第２配線の間の誘電率が、絶縁基板の誘電率よりも低い状態になり、伝送する信号の伝送速度、信号波形やクロストークへの影響を小さくし、高周波特性の劣化を防ぐことができる。
【００２３】
また、前記高周波特性の劣化を防ぐことができるため、より高周波化した信号電流を扱う配線基板への適用が容易となる。
【００２４】
またこのとき、前記絶縁基板の凹部の底面に、前記グラウンド電位の信号を供給する配線が露出している状態、すなわち、前記高周波信号を伝送する配線、前記凹部内の空気層、及び前記第２配線によるマイクロストリップが構成されている状態が好ましい。この場合、前記空気層の誘電率が１であるため、誘電損失が最も低くなり、もっとも高周波特性の劣化を防げる。
【００２５】
また、前記凹部の底面に前記第２配線が露出していない状態、例えば、前記高周波信号を伝送する配線が、前記絶縁基板の凹部領域の上で、前記絶縁基板と部分的に接着されている状態でも、前記高周波信号を伝送する配線と前記第２配線の間の絶縁基板が少なくなることにより、絶縁基板の誘電率や誘電損失による高周波特性の劣化を防ぐことができる。
【００２６】
（２）絶縁基板の第１主面に、半導体チップの外部電極（ボンディングパッド）と接続される複数本の第１配線が設けられ、前記絶縁基板の第１主面と対向する第２主面に、前記第１配線と電気的に接続された第２配線が設けられており、前記第２配線のうち、グラウンド電位の信号を供給する配線が、前記絶縁基板の全面に広がっている配線基板と、前記配線基板の第１主面上に設けられた半導体チップと、前記配線基板の第１配線と前記半導体チップの外部電極を電気的に接続する導電性部材とを備える半導体装置において、前記絶縁基板における第１主面の、前記第１配線のうち高周波信号を伝送する配線に沿った領域には、前記高周波信号を伝送する配線に沿って連続した凹部が設けられており、前記高周波信号を伝送する配線は、前記半導体チップの外部電極と接続される領域と、前記第２配線と接続される領域とを除く領域が、前記凹部上を通る半導体装置である。
【００２７】
前記（２）の手段によれば、前記絶縁基板の凹部上を通る第１配線（高周波信号を伝送する配線）を設けることにより、前記凹部上を通る配線を伝送する信号の高周波特性の劣化を防げるため、より高周波の信号電流を扱う半導体装置を得ることができる。
【００２８】
またこのとき、前記絶縁基板の凹部の底面に、前記グラウンド電位の信号を供給する配線が露出している状態、すなわち、前記高周波信号を伝送する配線、前記凹部内の空気層、及び前記第２配線によるマイクロストリップが構成されている状態が好ましい。この場合、前記空気層の誘電率が１であるため、誘電損失が最も低くなり、もっとも高周波特性の劣化を防げる。
【００２９】
また、前記凹部の底面に前記第２配線が露出していない状態、例えば、前記高周波信号を伝送する配線が、前記絶縁基板の凹部領域の上で、前記絶縁基板と部分的に接着されている状態でも、前記高周波信号を伝送する配線と前記第２配線の間の絶縁基板が少なくなることにより、絶縁基板の誘電率や誘電損失による高周波特性の劣化を防ぐことができる。
【００３０】
（３）絶縁基板の第１主面に複数本の第１配線を形成し、前記絶縁基板の第２主面に、前記第１配線と電気的に接続される第２配線を形成する配線基板の製造方法において、前記第１配線及び前記第２配線を形成した後、前記絶縁基板の第１主面側から、前記絶縁基板の前記第１配線のうち高周波信号を伝送する配線に沿った領域をエッチングして、前記高周波信号を伝送する配線の、半導体チップの外部電極と接続される領域と、前記第２配線と接続される領域とを除く領域の下に連続した凹部を形成する配線基板の製造方法である。
【００３１】
前記（３）の手段によれば、前記絶縁基板の第１主面及び第２主面に、従来と同様の手順で第１配線及び第２配線を形成した後、前記絶縁基板をエッチングして前記第１配線のうちの高周波信号を伝送する配線の下に凹部を形成することにより、前記（１）の手段に示した配線基板を容易に得ることができる。そのため、信号電流がより高周波化した半導体装置への適用が容易になる。
【００３２】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００３３】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰り返しの説明は省略する。
【００３４】
【発明の実施の形態】
（実施例）
図１乃至図３は、本発明による一実施例の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図１は配線基板の平面図、図２は図１に示した配線基板の領域Ｌの拡大平面図、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ’線での断面図、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【００３５】
図１において、１は絶縁基板（ポリイミド基板）、１０１は開口部（ビア穴）、１０２は凹部、２は第１配線、２０１は高周波信号を伝送する配線、３は第２配線、３０１はグラウンドパターン、４は銅めっき膜、５はめっき膜、６ははんだ保護膜（ソルダレジスト）である。
【００３６】
本実施例の配線基板は、図１、図２、図３（ａ）、及び図３（ｂ）に示すように、絶縁基板１の第１主面に、半導体チップの外部電極（ボンディングパッド）と接続される第１配線２が設けられ、前記絶縁基板１の第１主面と対向する第2主面に、前記第１配線２と電気的に接続された第2配線３が設けられており、前記第2配線３のうち、グラウンド電位の信号を供給する配線（グラウンドパターン）３０１が、他の第２配線３の周辺を除く領域の全面に広がっている両面配線基板である。
【００３７】
このとき、前記第１配線２と第２配線３は、例えば、図３（ａ）に示したように、前記絶縁基板１に設けられた開口部（ビア穴）１０１の表面に設けられた銅めっき膜（ビア）４により電気的に接続されている。
【００３８】
また、本実施例の配線基板の絶縁基板１は、図２、図３（ａ）、及び図３（ｂ）に示したように、所定領域に凹部１０２が設けられており、前記第１配線２のうち、高周波信号（高周波電流）を伝送する配線２０１の、前記半導体チップの外部電極と接続される領域、及び前記第２配線３と接続される領域を除く領域が、前記絶縁基板の凹部１０２上を通っている。また、前記絶縁基板の凹部１０２は、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示したように、前記グラウンドパターン３０１まで達しており、凹部１０２の底面に前記グラウンドパターン３０１が露出している。すなわち、本実施例の配線基板は、前記高周波信号を伝送する配線２０１、前記凹部１０２の空気層、及び前記グラウンドパターン３０１によるマイクロストリップを構成して、特性インピーダンスの制御をしている。
【００３９】
また、前記第１配線２の表面及び前記第２配線３の所定領域には、例えば、金めっき膜や錫めっき膜等のめっき膜５が設けられている。このとき、前記第２配線３の所定領域は、実装基板や外部装置と接続する際の外部接続端子となる領域であり、例えばボール状端子が接続される。また、前記第２配線３の、前記めっき膜５が設けられた領域の外側は、はんだ保護膜（ソルダレジスト）６が設けられている。
【００４０】
図４乃至図７は、本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）、及び図４（ｂ）は両面配線基板を形成する工程の断面図、図５は絶縁基板の凹部を形成する工程の平面図、図６（ａ）は図５のＣ−Ｃ’線での断面図、図６（ｂ）は図５のＤ−Ｄ’線での断面図、図７（ａ）は図６（ａ）の数分後の状態を示す断面図、図７（ｂ）は図６（ｂ）の数分後の状態を示す断面図である。
【００４１】
以下、図４乃至図７に沿って、本実施例の配線基板の製造方法を説明するが、従来の両面配線基板の製造方法と同じ工程については、その詳細な説明を省略する。
【００４２】
まず、図４（ａ）に示したように、絶縁基板１の第１主面に第１導体膜２’を形成し、前記絶縁基板１の第２主面に第２導体膜３’を形成したテープ材料の所定位置に開口部（ビア穴）１０１を形成する。このとき、前記絶縁基板１にはポリイミドテープを用い、前記第１導体膜２’及び第２導体膜３’には、電解銅箔、圧延銅箔などの銅箔を用いる。また、前記開口部１０１は、例えば、前記第２導体膜３’を部分的にエッチングで除去した後、炭酸ガスレーザ等で前記絶縁基板１をレーザエッチングして形成する。
【００４３】
次に、図４（ｂ）に示すように、前記第２導体膜３’の表面及び前記ビア穴１０１の内部表面に銅めっき膜４を形成する。前記銅めっき膜４は、例えば、無電解銅めっき膜を薄く形成した後、電解銅めっきで所定の厚さに形成する。
【００４４】
次に、図４（ｃ）に示すように、前記第１導体膜２’をエッチング処理して第１配線２を形成し、前記第２導体膜３’及びその表面の銅めっき膜４をエッチング処理して第２配線３を形成する。このとき、前記第２配線３のうち、グラウンド電位の信号電流を伝送する配線（グラウンドパターン）３０１は、他の第２配線３の周辺を除く全面に形成し、前記第１配線２のうち、高周波信号を伝送する配線の下部を通るようする。
【００４５】
次に、図４（ｄ）に示すように、前記第２配線３の表面に、前記第２配線３の所定領域が露出するようにはんだ保護膜（ソルダレジスト）６を形成し、前記第１配線２の表面及び前記第２配線３の露出面に、めっき膜５として、例えば、ニッケルめっき膜を下地とした金めっき膜を形成する。
【００４６】
ここまでの手順は、従来の両面配線基板の製造方法と同様のプロセスであり、前記手順に限らず、種々の方法で製造することができる。
【００４７】
前記手順に沿って前記両面配線基板を形成した後、図５、図６（ａ）、及び図６（ｂ）に示したように、前記配線基板の前記第１配線２のうち、高周波信号を伝送する配線２０１の所定領域及びその周辺の上部に開口部７０１が設けられたマスク７を配置し、プラズマを照射して前記絶縁基板１をエッチングし、凹部１０２を形成する。このとき、前記マスクの開口部７０１内を通る配線２０１はエッチングされず、前記絶縁基板の凹部１０２が、図６（ｂ）に示したように、前記配線２０１の下部に広がる。
【００４８】
その後さらにエッチングを続けると、前記配線２０１の両端から進行してきた凹部１０２の端面が重なり、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、凹部１０２が前記配線２０１の下部で貫通し、最終的に前記配線２０１の下部の絶縁基板１が除去され、図３（ａ）および図３（ｂ）に示したように、前記凹部１０２の底面にグラウンドパターン３０１が露出した状態になり、本実施例の配線基板を得ることができる。
【００４９】
また、前記プラズマエッチングは、エッチング反応を促進するフッ素系ガスが混入された雰囲気中で行うのが好ましく、前記絶縁基板（ポリイミド）の厚さが２０μｍから３０μｍの場合には、数分〜数十分で前記凹部を形成できる。
【００５０】
本実施例の配線基板では、前記第１配線２のうち、高周波信号（高周波電流）を伝送する配線２０１の所定領域が、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示したように、前記絶縁基板の凹部１０２上を通るため、前記凹部１０２上では、前記配線２０１、前記凹部１０２の空気層、及びグラウンドパターン３０１によるマイクロストリップが構成されている。このとき、前記凹部１０２の空気層は比誘電率が１であるため、図１２に示したような、従来のマイクロストリップを構成する両面配線基板に比べて、同じ周波数の信号電流を扱った場合の伝送速度、信号波形、クロストークへの影響を少なくすることができ、高周波信号の劣化を防ぐことができる。
【００５１】
また、高周波信号の劣化を防ぐことができるため、光通信装置などに用いられる半導体装置のように、数十ＧＨｚから数百ＭＨｚ程度の高周波信号（高周波電流）を扱う半導体装置に適用することができる。またこのとき、前記配線基板は、従来と同様の手順で形成した後、絶縁基板１の所定領域をエッチングするだけでよく、製造プロセスの変更が少ないため、容易に適用することができる。
【００５２】
図８乃至図１０は、本実施例の配線基板を用いた半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図８は半導体装置の平面図、図９は図８のＥ−Ｅ’線での断面図である。なお、図８では、半導体チップを封止するカバーキャップを省略して示している。
【００５３】
本実施例の配線基板は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）などの半導体装置に用いられる配線基板であり、例えば、図８及び図９に示すように、前記配線基板の、前記第１配線２が形成された面に半導体チップ９を配置し、前記第１配線２と前記半導体チップ８の外部電極８０１とを、はんだ接合材９を用いてフリップチップ接続する。
【００５４】
またこのとき、前記半導体チップ８、前記第１配線２と前記半導体チップの外部電極８０１との接続部を封止するために、例えば、図９に示したように、前記両面配線基板の第１主面、言い換えると前記半導体チップ８が接続された面に、熱硬化性樹脂などの接着剤１０を用いてカバープレート１１を接着する。
【００５５】
また、前記第２配線３の所定領域、言い換えると、前記めっき膜５が形成された領域には、図９に示したように、例えば、はんだ接合材を用いたボール状端子１２が接続される。
【００５６】
以上説明したように、本実施例の配線基板によれば、前記絶縁基板１の所定領域に凹部１０２を設け、高周波信号を伝送する配線２０１が前記凹部１０２上を通るようにして、前記配線２０１、前記凹部１０２の空気層、前記グラウンドパターン３０１によるマイクロストリップを構成することにより、従来の両面配線基板と比べて、同じ周波数の信号電流を伝送したときの伝送速度、信号波形、クロストークへの影響を少なくすることができる。そのため、高周波特性の劣化を低減できる。
【００５７】
また、高周波信号（高周波電流）を伝送したときの伝送速度、信号波形、クロストークへの影響を少なくすることができ、前記高周波特性の劣化を防ぐことができるため、より高周波化した信号電流を扱う半導体装置への適用が容易になる。
【００５８】
また、前記絶縁基板１としてポリイミドテープを用いた場合でも、前記絶縁基板を薄型化することなく、より高周波化した半導体装置への適用が可能であるため、前記絶縁基板１の強度の低下による、露光精度の低下、電気的特性の劣化、テープ切れ等を防ぎ、製造歩留まりの低下を防ぐことができる。
【００５９】
また、前記絶縁基板１としてポリイミドテープを用いた場合でも、より高周波化した半導体装置への適用が可能であるため、従来の製造プロセスを大幅に変更する必要がなく、配線基板の製造コストの上昇を抑えることができる。
【００６０】
また、前記実施例では、前記凹部１０２の形成時間を長く取り、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示したように、前記凹部１０２の底面に前記グラウンドパターン３０１が露出するようにしているが、これに限らず、例えば、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示したように、前記配線２０１の下部に前記絶縁基板１が残っている状態であってもよい。この場合、前記配線２０１の下部の絶縁基板１は薄くなっており、従来の配線基板に比べて、絶縁基板１の誘電率や誘電損失の影響は少ないと考えられるため、高周波特性の劣化を防ぐことが可能となる。
【００６１】
また、前記凹部１０２が、前記配線２０１の下部で貫通していない状態、すなわち、図６（ｂ）に示した状態と、図７（ｂ）に示した状態の中間の状態であっても、従来の配線基板に比べ、高周波特性の劣化を防ぐことができると考えられる。
【００６２】
また、前記実施例では、前記第１配線２の表面に金めっき膜５を形成したが、これに限らず、例えば、錫めっき膜を形成してもよい。ただし、前記錫めっき膜の場合は、フッ素系のガスと反応してしまうため、前記凹部を形成する際には、前記フッ素系ガスを用いないでエッチングする。
【００６３】
図１０は、前記実施例の配線基板を用いた半導体装置の変形例を示す模式断面図である。
【００６４】
前記実施例で説明した配線基板を用いた半導体装置は、図９に示したように、カバープレート１１を用いて封止する代わりに、例えば、図１０に示すように、前記配線基板の第１配線２上に、ＮＣＦ、ＡＣＦなどのフィルム状のアンダーフィル材１３を設け、前記半導体チップ８の外部電極８０１上に金バンプ（スタッドバンプ）１４を設けておき、前記金バンプ１４で前記アンダーフィル材１３を押しのけて前記第１配線２０１と接続させてもよい。また、その他にも、前記絶縁基板の凹部１０２が塞がれないようにすれば、液状の封止絶縁体を用いて封止することも可能である。
【００６５】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることはもちろんである。
【００６６】
例えば、前記実施例では、第１配線２及び第２配線３を有する両面配線基板を例にあげて説明したが、これに限らず、３層以上の配線層を有する多層配線基板であっても、マイクロストリップを構成している配線基板であれば適用できることはいうまでもない。
【００６７】
【発明の効果】
本発明において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００６８】
（１）高周波信号（高周波電流）を扱う半導体装置に用いる両面配線基板において、高周波特性の劣化を防ぐことができる。
【００６９】
（２）高周波信号（高周波電流）を扱う半導体装置に用いる両面配線基板において、より高周波化した信号電流を扱う半導体装置への適用を容易にすることができる。
【００７０】
（３）高周波信号（高周波電流）を扱う半導体装置に用いる両面配線基板において、信号電流の電気的特性の劣化を防ぐことができる。
【００７１】
（４）高周波信号（高周波電流）を扱う半導体装置に用いる両面配線基板において、製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による一実施例の配線基板の概略構成を示す模式平面図である。
【図２】本実施例の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図１に示した配線基板の領域Ｌの拡大平面図である。
【図３】本実施例の配線基板の概略構成を示す模式図であり、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ’線での断面図、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図４】本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）、及び図４（ｃ）は、両面配線基板を形成する各工程の断面図である。
【図５】本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、絶縁基板の凹部を形成する工程の平面図である。
【図６】本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図６（ａ）は図５のＣ−Ｃ’線での断面図、図６（ｂ）は図５のＤ−Ｄ’線での断面図である。
【図７】本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図７（ａ）は図６（ａ）の数分後の状態を示す断面図、図７（ｂ）は図６（ｂ）の数分後の状態を示す断面図である。
【図８】本実施例の配線基板を用いた半導体装置の概略構成を示す模式平面図である。
【図９】本実施例の配線基板を用いた半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図８に示した半導体装置のＥ−Ｅ’線での断面図である。
【図１０】前記実施例の配線板を用いた半導体装置の変形例を説明するための模式断面図である。
【図１１】従来の半導体装置の概略構成を示す模式平面図である。
【図１２】従来の半導体装置の概略構成を示す模式図であり、図１１に示した半導体装置のＦ−Ｆ’線での断面図である。
【符号の説明】
１  絶縁基板（ポリイミドテープ）
１０１  開口部（ビア穴）
１０２  凹部
２  第１配線
２０１  高周波信号を伝送する配線
２’  第１導体膜
３  第２配線
３０１  グラウンドパターン
３’  第２導体膜
４  銅めっき膜
５  めっき膜
６  はんだ保護膜（ソルダレジスト）
７  エッチングマスク
７０１  マスク７の開口部
８  半導体チップ
８０１  半導体チップの外部電極
９  はんだ接合材
１０  接着剤
１１  カバープレート
１２  ボール状端子
１３  シート状のアンダーフィル材
１４  金バンプ（スタッドバンプ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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