(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂材にてなり回路パターン形成面を熱プレス板に接触させて載置された第１基材と、上記回路パターン形成面に対向する上記第１基材の裏面に載置され加熱された電子部品とを相対的に押圧して、上記電子部品の電極と上記回路パターン形成面との間に上記第１基材の残余部分を存在させて上記第１基材内へ上記電子部品を埋設し、さらに上記回路パターン形成面側より露出用部材にて上記残余部分を押し退け上記電極を上記回路パターン形成面に露出させ、さらに、上記電子部品の露出した電極と電気的に接続する回路パターンを、上記第１基材の回路パターン形成面に形成して上記電極と上記回路パターンとの電気的接続を図った第１実装済部品を作製し、
上記第１実装済部品と同様に作製された一又は複数の第２実装済部品、及び上記第１実装済部品について、上記第１実装済部品及び上記第２実装済部品の一方における上記回路パターンと、他方における上記第１基材とを電気的に接続させて互いの厚み方向に沿って重ね合わせる、
ことを特徴とする積層型電子部品実装済部品の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の積層型電子部品実装済部品の製造方法を用いて積層型電子部品実装済部品を製造した後、
上記積層型電子部品実装済部品の厚み方向から第２基材及び第３基材にて上記積層型電子部品実装済部品のラミネート処理を行なうことを特徴とする電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項３】
上記ラミネート処理前に、上記第２基材及び上記第３基材の少なくとも一方に、上記積層型電子部品実装済部品内の上記回路パターンと電気的に接続される外部通信用電極を設け、上記ラミネート処理の際には上記外部通信用電極と上記回路パターンとを電気的に接続して上記ラミネート処理を行なう、請求項２記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項４】
上記ラミネート処理後、上記外部通信用電極を露出させる、請求項３記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項５】
請求項２から４のいずれかに記載の電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたことを特徴とする電子部品実装済完成品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣチップ等の電子部品を基材に実装して積層した積層型電子部品実装済部品の製造方法、該製造方法にて製造された上記積層型電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部品実装済完成品製造方法にて製造される電子部品実装済完成品に関する。上記積層型電子部品実装済部品を構成する電子部品実装済部品は、例えば複数の半導体素子、コンデンサ、抵抗等の受動部品を一つのキャリア基板に実装したＭＣＭ（マルチチップモジュール）や、複数個のメモリーチップを多段に重ねてなるスタックＩＣモジュールや、メモリーカード等が相当する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の電子部品実装済完成品の製造方法について、図２２及び図２３を参照しながら以下に説明する。従来、複数の半導体素子、受動部品等の電子部品が実装されたＭＣＭ（マルチチップモジュール）、スタックＩＣモジュール、メモリーモジュールにおいては、キャリア基板上に半導体素子をワイヤボンディング法により接続し、多層化していく方法がとられている。又、電子部品は、キャリア基板上の所定の回路パターンにクリーム半田を印刷し、リフローする方法により、実装されている。
【０００３】
図２２に示すように、従来のＭＣＭモジュール１０における複数個、本例の場合には３個の半導体素子１は、キャリア基板３上に積層され、キャリア基板３上に形成されている所定の回路パターン４と、ワイヤボンディング法により形成されたＡｕ、Ｃｕ、アルミニウムのワイヤ８を介して接続されている。１２は、ワイヤ８を含み半導体素子１を保護するための封止剤である。
又、電子部品５は、キャリア基板３上の所定の電極４と電子部品５の電極６とがクリーム半田７を介して接続されている。尚、９は、図示していないマザー基板と、当該ＭＣＭモジュール１０とを電気的に接続するための外部電極端子である。該外部電極端子９は、ＭＣＭモジュール１０単体で製品としての機能を果たすモジュールの場合は必要には無い。又、１１は、キャリア基板３の実装面側の回路パターンと外部電極端子９との電気的導通を図るためのスルーホールである。
【０００４】
その製造工程は、図２３に示すように、まずステップ（図内では「Ｓ」にて示す）１では、キャリア基板３上の所定の電極４上にクリーム半田を印刷して塗布する。クリーム半田７の印刷は、一般的にスクリーン印刷法により実施される。次のステップ２では、上記印刷により形成したクリーム半田７上に電子部品５を位置合わせして実装する。その次のステップ３では、電子部品５が実装されたキャリア基板３をリフロー炉に通し、クリーム半田７を溶融し、その後、硬化させる。
その次のステップ４では、キャリア基板３の厚み方向に沿って半導体素子１を積み重ねる。尚、図中には示していないが、半導体素子１とキャリア基板３との間、及び各半導体素子１同士の間は、Ａｇペーストで接合されるのが一般的である。
次のステップ５では、半導体素子１の電極２とキャリア基板３の所定の電極４とをＡｕ、Ｃｕ、半田等にてなる金属ワイヤ８を用いたワイヤボンディング法により接合する。次のステップ６では、半導体素子１を保護するために、封止樹脂１２が塗布される。その次のステップ７では、バッチ炉に投入し封止剤１２を硬化させる。
このようにして、電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品としてのＭＣＭモジュール１０が作製される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部品実装済完成品製造方法にて製造される電子部品実装済完成品としてのＭＣＭモジュール、メモリーモジュール等の構成では、以下の問題があった。
キャリア基板３上に半導体素子１等の電子部品を積み上げていくために、モジュールの厚み方向の高さが高くなり、薄型化が要求される最近の製品ニーズに答えられない。又、半導体素子１を積み上げていく際、ワイヤボンディングするため、電極２を半導体素子１の外周部に配置しておく必要があるため、図示するように必然的に積み重ねられる半導体素子１は平面的に順次小さいものを用いる必要があり、使用可能な半導体素子１のサイズが限られる。逆に言うと、電極２が半導体素子１の外周部以外にある、いわゆるエリアパッドと呼ばれる半導体素子では、積み重ねができない。
本発明はこのような問題点を解決するためになされたもので、薄型化が可能であり、使用可能な電子部品の制約が少ない、複数層構造にてなる積層型電子部品実装済部品の製造方法、該製造方法にて作製された積層型電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品の製造方法、及び該電子部品実装済完成品製造方法にて製造される電子部品実装済完成品を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は以下のように構成する。
本発明の第１態様の積層型電子部品実装済部品の製造方法は、熱可塑性樹脂材にてなり回路パターン形成面を熱プレス板に接触させて載置された第１基材と、上記回路パターン形成面に対向する上記第１基材の裏面に載置され加熱された電子部品とを相対的に押圧して、上記電子部品の電極と上記回路パターン形成面との間に上記第１基材の残余部分を存在させて上記第１基材内へ上記電子部品を埋設し、さらに上記回路パターン形成面側より露出用部材にて上記残余部分を押し退け上記電極を上記回路パターン形成面に露出させ、さらに、上記電子部品の露出した電極と電気的に接続する回路パターンを、上記第１基材の回路パターン形成面に形成して上記電極と上記回路パターンとの電気的接続を図った第１実装済部品を作製し、
上記第１実装済部品と同様に作製された一又は複数の第２実装済部品、及び上記第１実装済部品について、上記第１実装済部品及び上記第２実装済部品の一方における上記回路パターンと、他方における上記第１基材とを電気的に接続させて互いの厚み方向に沿って重ね合わせる、
ことを特徴とする。
【０００８】
又、本発明の第２態様の電子部品実装済完成品の製造方法は、上記第１態様の積層型電子部品実装済部品の製造方法を用いて積層型電子部品実装済部品を製造した後、上記積層型電子部品実装済部品の厚み方向から第２基材及び第３基材にて上記積層型電子部品実装済部品のラミネート処理を行なうことを特徴とする。
【０００９】
又、上記第２態様において、上記ラミネート処理前に、上記第２基材及び上記第３基材の少なくとも一方に、上記積層型電子部品実装済部品内の上記回路パターンと電気的に接続される外部通信用電極を設け、上記ラミネート処理の際には上記外部通信用電極と上記回路パターンとを電気的に接続して上記ラミネート処理を行なうこともできる。
【００１０】
さらに、上記第２態様において、上記ラミネート処理後、上記外部通信用電極を露出させることもできる。
【００１１】
さらに又、本発明の第３態様の電子部品実装済完成品は、上記第２態様における電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたことを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態である、積層型電子部品実装済部品の製造方法、電子部品実装済完成品の製造方法、及び電子部品実装済完成品について、図を参照しながら以下に説明する。ここで、上記電子部品実装済完成品の製造方法は、上記積層型電子部品実装済部品の製造方法にて製造された積層型電子部品実装済部品を有する電子部品実装済完成品を製造する方法であり、上記電子部品実装済完成品は、上記電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたものである。尚、各図において同じ構成部分については同じ符号を付している。
又、上記積層型電子部品実装済部品として、本実施形態では多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品を例に採るが、勿論これに限定されるものではない。又、第１〜第３の実装済部品の機能を果たす一例として、本実施形態では電子部品内蔵コアモジュールを例に採る。さらに又、上記電子部品実装済完成品の機能を果たす一例として、本実施形態では上記多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品を有するＭＣＭ（マルチチップモジュール）を例に採るが、勿論これに限定されるものではない。
【００１３】
第１実施形態
図１は、本実施形態の上記多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品の製造方法を用いて作製された多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００を示している。
該多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００は、３つの上記電子部品内蔵コアモジュール２００〜２０２を、互いの厚み方向に沿って重ね合わせて３層に積層して形成されている。その内の、上記第１実装済部品に相当する電子部品内蔵コアモジュール２００を例に採り構造を説明する。尚、電子部品内蔵コアモジュール２００〜２０２の製造方法を含めて多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００の製造方法については以下に詳しくする。
【００１４】
電子部品の一例としての半導体素子１０１及びコンデンサ部品１０５は、導電性貫通穴としての機能を果たす一例であるスルーホール１１１を有するシート状の第１熱可塑性樹脂基材５０に予め埋め込まれている。尚、第１基材の機能を果たす一例が上記第１熱可塑性樹脂基材５０に相当する。該第１熱可塑性樹脂基材５０の回路パターン形成面１２３に露出した、半導体素子１０１のバンプ１１３及びコンデンサ部品１０５の電極１０６と接触するように、上記回路パターン形成面１２３に回路パターン１０４が形成される。多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００は、上述のように構成される電子部品内蔵コアモジュール２００と同様の構成を有する電子部品内蔵コアモジュール２０１、２０２をそれぞれ重ね合わせることで作製される。各電子部品内蔵コアモジュール２００〜２０２は、スルーホール１１１により電気的に導通している。
【００１５】
図２は、本実施形態の電子部品実装済完成品の製造方法を用いて作製され、上記多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００を備えた上記ＭＣＭ３０１を示している。以下にその構造を簡単に説明する。５１、５２は、第２基材及び第３基材の機能を果たす一例であり、半導体素子１０１、コンデンサ部品１０５及び回路パターン１０４を有する多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００を保護するためにラミネート処理を行なう第２熱可塑性樹脂基材及び第３熱可塑性樹脂基材である。
【００１６】
以下に、電子部品内蔵コアモジュール２００〜２０２の製造方法、及び多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００の製造方法を含み、ＭＣＭ３０１の製造方法について図３〜図１２を参照して説明する。
図３は、半導体部品に相当する半導体素子１０１を示しており、１０２は半導体素子１０１の電極、１１２は半導体素子１０１のアクティブ面を保護するパッシベーション膜を示す。
図１２に示すステップ（図１２では「Ｓ」にて示す）１０１において、半導体素子１０１の電極１０２上にＡｕやＣｕ、半田等にてなる金属ワイヤを用いたワイヤボンディング法により、バンプ１１３を形成する。尚、バンプ１１３の形成方法は、上記ワイヤボンディング法に限定されるものではなく、メッキ法でも良い。又、図４は、コンデンサ部品１０５を示し、１０６はコンデンサ部品１０５の外部電極である。
【００１７】
次のステップ１０２では、バンプ１１３を形成した半導体素子１０１及びコンデンサ部品１０５を、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有する熱可塑性樹脂で形成されたシート状の第１熱可塑性樹脂基材５０上に載置する。半導体素子１０１及びコンデンサ部品１０５は、それぞれ複数個搭載する場合もあり、又、コンデンサ部品１０５は搭載しない場合もある。第１熱可塑性樹脂基材５０には、該第１熱可塑性樹脂基材５０の厚み方向に沿って該第１熱可塑性樹脂基材５０を貫通し、導電性材料を有するスルーホール１１１が設けてある。尚、スルーホール１１１は、図７に示すように半導体素子１０１及びコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材５０に埋設した後に設けても良い。又、スルーホール１１１の形成は、金型によるプレスやＮＣパンチャーを用いて行う。
【００１８】
ここで、第１熱可塑性樹脂基材５０の厚みは、本実施形態の場合、後述するようにバンプ１１３及び外部電極１０６を第１熱可塑性樹脂基材５０の回路パターン形成面１２３に露出させる必要から、基本的に半導体素子１０１の厚み以上、半導体素子１０１の厚みとバンプ１１３の高さを合わせた厚み以下にすることが望ましい。例えば、半導体素子１０１の厚みが０．１８ｍｍ、バンプ１１３の高さが０．０４ｍｍの場合、第１熱可塑性樹脂基材５０の厚みは０．２ｍｍが好ましい。又、コンデンサ部品１０５は、第１熱可塑性樹脂基材５０の厚みに対して５０μｍ程度厚い厚みのものを用いることが好適である。少なくとも、コンデンサ部品１０５の厚みが第１熱可塑性樹脂基材５０の厚み以下になることは避ける必要がある。
【００１９】
次のステップ１０３では、図５に示すようにバンプ１１３付の半導体素子１０１、及びコンデンサ部品１０５が載置された第１熱可塑性樹脂基材５０を、図６に示すように、熱プレス板１７１、１７２間に狭み、バンプ１１３付半導体素子１０１及びコンデンサ部品１０５と、第１熱可塑性樹脂基材５０とを加熱装置１７３にて加熱しながら、押圧装置１７４にて相対的に押圧して、半導体素子１０１及びコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材５０内に押し込み埋設する。該熱プレス動作の条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の第１熱可塑性樹脂基材５０を用いた場合、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１６０℃、プレス時間１分である。尚、上記温度、圧力の各値は、第１熱可塑性樹脂基材５０の材質により異ならせる。又、半導体素子１０１及びコンデンサ部品１０５の押圧動作は、それぞれ別々の熱プレス板を用いて個別に実施しても良い。
【００２０】
次のステップ１０４に対応する図７は、上記プレス後における半導体素子１０１、コンデンサ部品１０５及び第１熱可塑性樹脂基材５０の状態を示した断面図である。第１熱可塑性樹脂基材５０への半導体素子１０１、コンデンサ部品１０５の上記挿入動作により、本実施形態では図７に示すように、バンプ１１３の端面１１３ａ、及びコンデンサ部品１０５の電極１０６の端面１０６ａ、つまり上記プレス動作によりバンプ１１３及び電極１０６が熱プレス板１７１に接触した面を第１熱可塑性樹脂基材５０の回路パターン形成面１２３に露出させ、該状態で半導体素子１０１及びコンデンサ部品１０５は、第１熱可塑性樹脂基材５０に埋設される。
このとき、本実施形態では、薄型化を図るため、半導体素子１０１の上記アクティブ面に対向する裏面１０１ａ及びコンデンサ部品１０５の片面側１０５ａと、上記回路パターン形成面１２３に対向する第１熱可塑性樹脂基材５０の裏面１２２ａとは、図示するように同一面となるようにしているが、これに限定されるものではない。つまり、製造する電子部品内蔵コアモジュール２００によっては、上述した第１熱可塑性樹脂基材５０の厚みや、熱プレス基板１７１、１７２の押圧力等の調整により、例えば、第１熱可塑性樹脂基材５０の裏面１２２ａより半導体素子１０１の裏面１０１ａ及びコンデンサ部品１０５の端面１０５ａを突出させても良い。
【００２１】
次のステップ１０５では、図８に示すように、Ａｇ、Ｃｕ等の導電性ペーストを用いて、バンプ１１３の端面１１３ａ、及びコンデンサ部品１０５の電極１０６の端面１０６ａに接触するように、半導体素子１０１及びコンデンサ部品１０５と電気的に接続される回路パターン１０４を、第１熱可塑性樹脂基材５０の回路パターン形成面１２３上に形成する。上記導電性ペーストによる回路パターン１０４の形成は、一般的にスクリーン印刷やオフセット印刷やグラビア印刷等によって行われる。例えばスクリーン印刷の場合、１６５メッシュ／インチ、乳剤厚み１０μｍのマスクを介して導電性ペーストを印刷し、導体厚み約３０μｍの回路パターン１０４を形成する。又、回路パターン１０４の形成とともに、スルーホール１１１内にも導電性ペーストが充填される。
尚、回路パターン１０４の形成方法は、導電性ペーストの印刷による形成方法に限定されるものではなく、Ｃｕ、Ｎｉ、アルミニウム等の金属メッキにより形成しても良い。該メッキによる回路パターン１０４の形成の際にも、スルーホール１１１内には同時にメッキが施される。
このようにして、回路パターン１０４への半導体素子１０１及びコンデンサ部品１０５の実装が行なわれる。又、図８に示す状態の構成部分を、電子部品内蔵コアモジュール２００とする。
以上の動作により、電子部品内蔵コアモジュール２００が製造され、これと同様にして電子部品内蔵コアモジュール２０１，２０２が製造される。
【００２２】
次のステップ１０６では、上述した電子部品内蔵コアモジュール２００〜２０２について、図９に示すように、隣接する電子部品内蔵コアモジュール同士にて上記回路パターン１０４と上記スルーホール１１１とを電気的に接続させて互いの厚み方向に沿って重ね合わせる。次のステップ１０７にて、これら電子部品内蔵コアモジュール２００〜２０２のラミネート処理を行なう。該ラミネート処理は、加熱装置３０３にて加熱された平面プレス板３０１、３０２により加熱され、押圧装置３０４にて加圧して実施する。処理条件は、各電子部品内蔵コアモジュール２００〜２０２において、例えばポリエチレンテレフタレート製の熱可塑性樹脂基材５０が使用されている場合、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１６０℃、昇圧時間１分、圧力保持時間１分である。
以上の動作により、上記多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品が作製される。
【００２３】
次に、ステップ１０８において、図１０に示すように、上記多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００をその厚み方向からポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルブタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有するシート状の第２熱可塑性樹脂基材５１及び第３熱可塑性樹脂基材５２にてサンドイッチして、ラミネート処理し、多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００の封止を行なう。該ラミネート処理は、加熱された平面プレス板３０１、３０２により加熱、加圧して実施される。処理条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の熱可塑性樹脂基材５０を用いた場合、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１６０℃、昇圧時間１分、圧力保持時間１分である。
【００２４】
又、該ラミネート処理は、図１１に示すロールプレス方式により実施しても良い。図１１において、３１０、３１１は、加熱装置３１２にて加熱され、駆動装置３１３にて回転されるローラーである。多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００をその厚み方向からサンドイッチする形でポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリカーボネイト、アクリロニトリルプタジエンスチレン等の電気的絶縁性を有するシート状の第２熱可塑性樹脂基材３２１及び第３熱可塑性樹脂基材３２２をローラー３１０、３１１間に供給し、多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００をその厚み方向からラミネート処理していく。処理条件は、例えばポリエチレンテレフタレート製の熱可塑性樹脂基材５０を用いた場合、圧力３０×１０５Ｐａ、温度１４０℃、ラミネート速度０．１ｍ／分である。
【００２５】
以上の工程を経て、図２に示すような、半導体素子１０１及びコンデンサ部品１０５を実装したモジュールとしての電子部品実装済完成品としての機能を果たす一例に相当するＭＣＭ３０１が完成する。
このように本実施形態によれば、モジュールが半導体素子１０１やコンデンサ部品１０５を、基板である熱可塑性樹脂基材５０に埋設してなる電子部品内蔵コアモジュール２００〜２０２を積み重ねてＭＣＭ３０１を形成する構造であることから、キャリア基板３上に部品を積み上げていく従来の構造と異なり、キャリア基板３の厚み分、ＭＣＭの厚みを薄くすることができる。よって、薄型化が要求される最近の製品ニーズを満足することが可能となる。
【００２６】
さらに、半導体素子１０１のバンプ１１３やコンデンサ部品１０５の電極１０６に直接接触するように回路パターン１０４を形成することから、ワイヤボンディング用の電極２を半導体素子１の周囲部分に形成する必要がない。よって、半導体素子を積み上げていく際、任意のサイズの半導体素子を用いることができる。さらに、半導体素子の電極位置に制限が無いため、エリアパッドタイプの半導体素子を積み重ねることが可能となる。
【００２７】
第２実施形態
上述の第１実施形態では、半導体素子１０１のバンプ１１３等が第１熱可塑性樹脂基材５０のパターン形成面１２３に露出可能な場合を例に採ったが、例えば第１熱可塑性樹脂基材５０の厚みよりかなり厚みの薄い半導体素子１０１やコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材５０に埋設する場合には、図１３に示すように、埋設工程のみでは半導体素子１０１のバンプ１１３上やコンデンサ部品１０５の電極１０６上には未だ樹脂の残余部分５０１が存在し、上記パターン形成面１２３にバンプ１１３や電極１０６を露出できないときもある。
【００２８】
当該第２実施形態は、このような場合に対応するものである。即ち、上記ステップ１０４の後、上記ステップ１０５の前に、図１３に示すように、第１熱可塑性樹脂基材５０の回路パターン形成面１２３側より、半導体素子１０１のバンプ１１３及びコンデンサ部品１０５の電極１０６上を押圧部材５００で押圧し、図１４に示すように、バンプ１１３及び電極１０６上の樹脂の残余部分５０１を押しのけ、形成された凹部１１５にてバンプ１１３及び電極１０６を露出させる。上記押圧部材５００は、加熱装置５０２にて加熱され、駆動装置５０３にて第１熱可塑性樹脂基材５０の厚み方向に沿って移動する。上記押圧部材５００による押圧条件は、例えば、押圧部材５００を２００℃に加熱し、荷重９８０ｍＮの力で押圧する。
【００２９】
これにより、例えば第１熱可塑性樹脂基材５０に比べてかなり厚みの薄い半導体素子１０１やコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材５０に埋設しただけでは、回路パターン形成面１２３にバンプ１１３や電極１０６を露出できない場合であっても、上記ステップ１０５以降の工程を実行することができる。
したがって、図１５に示すように、電極１０２上にバンプ１１３を形成していない半導体素子の使用が可能となり、又、電極が突起していないフィルム状のコンデンサ部品が使用可能となる等、電子部品の形状の選択範囲を拡大することができる。
又、上記押圧部材５００による押圧工程により、回路パターン形成面１２３における電極の露出面積をより拡大することもできる。よって、図７に示すように埋設工程により回路パターン形成面１２３にバンプ１１３等が既に露出している場合であっても押圧部材５００による押圧工程を実行することができる。
【００３０】
第３実施形態
第３実施形態では、図１６に示すように、上記ステップ１０８にて使用する第３熱可塑性樹脂基材５２には、当該第３熱可塑性樹脂基材５２が接触する電子部品内蔵コアモジュール２００に形成されている回路パターン１０４の内、外部との通信に関与する部分に対応して、予め外部電極端子６００を埋設しておく。上記外部電極端子６００は、ＭＣＭと外部との通信を行うための電極であり、例えばＣｕ、ステンレス、アルミニウム等の金属箔や、ガラスエポキシ基板にＡｕメッキが施されたような、電気的導通が可能な材料で構成される。
又、第３熱可塑性樹脂基材５２に対する外部電極端子６００の埋設は、半導体素子１０１やコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材５０に埋設したときと同様、熱プレスにより実施する。
又、図１７に示すように、外部電極端子６００は、第３熱可塑性樹脂基材５２に埋設しておくのではなく、多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００の回路パターン１０４における上記外部との通信に関与する部分に予め配置しておく構成でも良い。
【００３１】
図１６及び図１７における構成にてラミネート処理を実施することで、図１８に示すようなＭＣＭ３３１が形成される。尚、上記ラミネート処理は、図１０に示す面プレス方式や、図１１に示すロールラミネート方式のどちらでも実施することができる。
上記ラミネート処理後、第３熱可塑性樹脂基材５２において上記外部電極端子６００に対向する露出用部分６０１の樹脂を除去することで、図１９に示すように外部電極端子６００が外部通信用窓６０２にて外部に露出させる。これにて、外部と電気的導通が可能な端子として外部電極端子６００は機能する。
尚、本第３実施形態では、外部電極端子６００は１箇所にのみ埋設されているが、これに限定されるものではなく、複数個に埋設しても良い。
【００３２】
このような構成を有し、電子部品実装済完成品の機能を果たす一例としてのＭＣＭ３３１は、他の電子部品搭載基板と接続が可能になる。又、例えばＩＣカードの一種であるコンビカードにおける接触カード用コンタクト端子として外部電極端子６００を用いれば、ＭＣＭ３３１内の回路パターン１０４でコイルを形成することで、ＭＣＭ３３１単体でコンビカードを形成することができる。
【００３３】
第４実施形態
上述の第３実施形態では、第３熱可塑性樹脂基材５２の露出用部分６０１の樹脂を除去して外部通信用窓６０２を形成したが、外部通信用窓６０２の形成方法はこれに限定されない。例えば、当該第４実施形態では、図２０に示すように、上記外部通信用窓６０２を予め形成し、該外部通信用窓６０２に対向して上記外部電極端子６００を埋設した第３熱可塑性樹脂基材５３を用い、上記回路パターン１０４の内、外部との通信に関与する部分に外部電極端子６００を対応させて第３熱可塑性樹脂基材５３を配置する。外部電極端子６００の埋設動作は、本実施形態では、半導体素子１０１やコンデンサ部品１０５を第１熱可塑性樹脂基材５０に埋設する場合と同様に、第３熱可塑性樹脂基材５３に対し、熱プレスにより実施する。
【００３４】
さらに又、外部通信用窓６０２に対向して上記外部電極端子６００を予め埋設した第３熱可塑性樹脂基材５３を用いるのではなく、図２１に示すように、外部電極端子６００は、多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品３００の回路パターン１０４における上記外部との通信に関与する部分に予め配置しておく構成でも良い。そして、外部通信用窓６０２を設けた第３熱可塑性樹脂基材５４を、外部電極端子６００と上記外部通信用窓６０２とが対向するように配置して、上記ラミネート処理を行うようにすることもできる。
このような第４実施形態のＭＣＭでも、上述の第３実施形態のＭＣＭ３３１の場合と同様の効果を得ることができる。
【００３５】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の第１態様の積層型電子部品実装済部品の製造方法によれば、第１基材内へ電子部品を埋設して構成される第１〜第３実装済部品を重ね合わせることから、キャリア基板上に電子部品を積層してなる従来の積層型電子部品実装済部品に比べて上記キャリア基板の厚さ分、積層型電子部品実装済部品の厚みを薄くすることができる。よって、薄型化が要求される最近の製品ニーズを満足することが可能となる。
又、上記電子部品と上記第１基材上の回路パターンとはワイヤボンディングではなく直接に電気的接続を図ることから、使用される電子部品が従来のように周囲部分に電極を配置した電子部品に限定されることはなく、さらに電子部品の大きさが制限されることもない。
【００３６】
又、上記電子部品の第１基材への埋設後、該電子部品の電極を露出させた後、回路パターンの形成を行なうことで、例えば第１基材の厚みよりかなり厚みの薄い電子部品を第１基材に埋設した場合であっても、埋設した電子部品と上記回路パターンとを電気的に接続することができる。よって、種々の形態の電子部品が使用可能となり電子部品の選択範囲を拡大することができる。
【００３７】
又、本発明の第２態様の電子部品実装済完成品の製造方法、及び第３態様の電子部品実装済完成品によれば、上述した第１態様の積層型電子部品実装済部品を用いることから、上述のように、電子部品実装済完成品の薄型化、及び使用可能な電子部品の選択範囲の拡大を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態における多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品の断面図である。
【図２】  本発明の実施形態における電子部品実装済完成品の断面図である。
【図３】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品に備わる半導体素子を示す図である。
【図４】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品に備わる電子部品の図である。
【図５】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品、電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、図１２に示すステップ１０２における状態を示す図である。
【図６】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品、電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、図１２に示すステップ１０３における状態を示す図である。
【図７】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品、電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、図１２に示すステップ１０４における状態を示す図である。
【図８】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品、電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、図１２に示すステップ１０５における状態を示す図である。
【図９】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品、電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、図１２に示すステップ１０６における状態を示す図である。
【図１０】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品、電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、図１２に示すステップ１０７における状態を示す図である。
【図１１】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品、電子部品実装済完成品の製造過程を説明するための図であり、図１２に示すステップ１０７における他の実施形態を示す図である。
【図１２】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品、電子部品実装済完成品の製造過程を示すフローチャートである。
【図１３】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品、電子部品実装済完成品の第２実施形態を示す図であって、図１２に示すステップ１０４後、ステップ１０５前に実行される押圧動作を示す図である。
【図１４】  図１３に示す押圧動作後の状態を示す図である。
【図１５】  図１３に示す押圧動作を実行して形成される多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品の変形例における断面図である。
【図１６】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品、電子部品実装済完成品の第３実施形態を示す図である。
【図１７】  図１６に示す第３実施形態の多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品、電子部品実装済完成品の変形例を示す図である。
【図１８】  図１６に示す第３実施形態の電子部品実装済完成品を示す図である。
【図１９】  図１６に示す第３実施形態の電子部品実装済完成品を示す図である。
【図２０】  図１、図２に示す多層構造電子部品内蔵コアモジュール部品、電子部品実装済完成品の第４実施形態を示す図である。
【図２１】  図２０に示す電子部品実装済完成品の変形例を示す図である。
【図２２】  従来のＭＣＭの構造を示す断面図である。
【図２３】  従来のＭＣＭの製造工程を示すフローチャートである。
【符号の説明】
５０…第１熱可塑性樹脂基材、５１…第２熱可塑性樹脂基材、
５２…第３熱可塑性樹脂基材、
１０１…半導体素子、１０２…電極、１０４…回路パターン、
１０５…コンデンサ部品、１０６…電極、１１１…スルーホール、
１２３…回路パターン形成面、
２００〜２０２…電子部品内蔵コアモジュール、
３００…多層構造電子部品内蔵コアモジュール、３０１…ＭＣＭ、
６００…外部通信用電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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