(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（２）
【化１】
0003915140.tif 000015
〔式中、Ｒ1及びＲ2は水素原子を意味し、ビナフチル部分はラセミ体でも光学活性体でもよい。〕で表わされるビナフトールメタンスルホネート化合物をトルエン溶媒中、反応温度−３０℃〜１０℃において、塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（II）の存在下、グリニャール試剤と反応させることを特徴とする式（１）
【化２】
0003915140.tif 000016
〔式中、ビナフチル部分はラセミ体でも光学活性体でもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、水素原子を表す。〕で表わされるビナフチル化合物の製造法。
【請求項２】
式（２）
【化３】
0003915140.tif 000017
〔式中、Ｒ1及びＲ2は水素原子を意味し、ビナフチル部分はラセミ体でも光学活性体でもよい。〕で表わされるビナフトールメタンスルホネート化合物。
【請求項３】
式（３）
【化４】
0003915140.tif 000018
〔式中、Ｒ1及びＲ2は水素原子を意味し、ビナフチル部分はラセミ体でも光学活性体でもよい。〕で表わされるビナフトールモノメトキシ化合物を、メタンスルホニル化試剤と反応させることを特徴とする式（２）
【化５】
0003915140.tif 000019
〔式中、ビナフチル部分はラセミ体でも光学活性体でもよく、Ｒ1及びＲ2は、前記に同じ。〕で表わされるビナフトールメタンスルホネート化合物の製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、オレフィン化合物から光学活性なエポキシ化合物を得る不斉エポキシ化反応において、光学活性サレンマンガン錯体触媒の中間体であるサリチル化合物の前駆物質となる新規なビナフチル化合物及びその中間体並びにこれら化合物の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
光学活性なエポキシ化合物は、医・農薬の中間体として重要である。
プロキラルなオレフィン化合物から光学活性なエポキシ化合物を製造する方法としては、例えば、特開平7-285983号公報、USP 5,420,314、Tetrahedron, 50,11827 (1994) 等の香月等の方法があり、これらは光学活性なサレンマンガン錯体を使用して触媒的不斉エポキシ化反応を行なう優れた方法である。
【０００３】
光学活性なサレンマンガン錯体触媒は、ジアミン化合物、サリチルアルデヒド化合物及びマンガン塩から合成されている。
サリチルアルデヒド化合物は、ビナフトールをモノトリフレート体としてフェニルグリニャールでクロスカップリング反応を行い、遊離のヒドロキシ基をメトキシメチル基として保護後、ホルミル化、脱保護して合成されている。
【０００４】
又、J. Org. Chem., 57, 4066 (1992) にも、ビナフトール誘導体とメチルグリニャールとのクロスカップリング反応の脱離基として、トリフレート基が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の方法は、何れも高価なトリフレート化試剤を使用している。
又、香月等の方法は、遊離のヒドロキシ基を保護せずそのままクロスカップリング反応させるため、２モル倍以上のグリニャール試剤が必要となること、その後の遊離のヒドロキシ基の保護に発癌性等の問題があるクロロメチルメチルエーテルを使用していること等、効率的な製造法とは言えない。
【０００６】
尚、本発明のビナフトールメタンスルホネート化合物のメタンスルホネート基を他のｐ−トルエンスルホネート基、カーバメート基等に変更すると、グリニヤール試剤との反応に満足すべき結果が得られなかった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記問題点を解決すべくサリチルアルデヒド化合物の前駆体の製造法について鋭意検討した結果、新規なメトキシ基を有するビナフチル化合物がサリチルアルデヒド化合物の中間体として有用であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、式（１）
【０００９】
【化７】
0003915140.tif 000002
【００１０】
〔式中、Ｒ1及びＲ2は、独立に水素原子、ハロゲン原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基、ニトロ基又はシアノ基を意味し、
Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、独立に水素原子、Ｃ1〜Ｃ4アルキル基又はＣ1〜Ｃ4アルコキシ基を意味し、
ビナフチル部分はラセミ体でも光学活性体でもよい。〕
で表わされるビナフチル化合物、
式（２）
【００１１】
【化８】
0003915140.tif 000003
【００１２】
〔式中、ビナフチル部分はラセミ体でも光学活性体でもよく、Ｒ1及びＲ2は、前記に同じ。〕
で表わされるビナフトールメタンスルホネート化合物を、ニッケル錯体触媒の存在下、グリニャール試剤と反応させることを特徴とする
式（１）
【００１３】
【化９】
0003915140.tif 000004
【００１４】
〔式中、ビナフチル部分はラセミ体でも光学活性体でもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5は、前記に同じ。〕
で表わされるビナフチル化合物の製造法及び
式（２）
【００１５】
【化１０】
0003915140.tif 000005
【００１６】
〔式中、ビナフチル部分はラセミ体でも光学活性体でもよく、Ｒ1及びＲ2は、前記に同じ。〕
ビナフチル部分はラセミ体でも光学活性体でもよい。〕
で表わされるビナフトールメタンスルホネート化合物並びに
式（３）
【００１７】
【化１１】
0003915140.tif 000006
【００１８】
〔式中、ビナフチル部分はラセミ体でも光学活性体でもよく、Ｒ1及びＲ2は、前記に同じ。〕
で表わされるビナフトールモノメトキシ化合物を、メタンスルホニル化試剤と反応させることを特徴とする
式（２）
【００１９】
【化１２】
0003915140.tif 000007
【００２０】
〔式中、ビナフチル部分はラセミ体でも光学活性体でもよく、Ｒ1及びＲ2は、前記に同じ。〕
で表わされるビナフトールメタンスルホネート化合物の製造法に関するものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、更に詳細に本発明を説明する。
先ず、置換基Ｒ1、Ｒ2、Ａ1、Ａ2、Ａ3、Ａ4及びＡ5について説明する。
Ｃ1〜Ｃ4アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等が挙げられる。
【００２２】
Ｃ1〜Ｃ4アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基，ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
又、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられる。
【００２３】
次に、式（２）のビナフトールメタンスルホネート化合物とグリニャール試剤との反応について説明する。
グリニャール試剤としては、アリールグリニャールが挙げられ、具体的にはフェニルグリニャール、ｐ−メチルフェニルグリニャール、３，５−ジメチルフェニルグリニャール、ｐ−メトキシフェニルグリニャール等が挙げられる。
【００２４】
グリニャール試剤の使用量としては、式（２）のビナフトールメタンスルホネート化合物に対して当量以上であればよく、好ましくは当量程度がよい。
ニッケル錯体触媒としては、ニッケル１，３−ジケトンキレート化合物、ハロゲン化ニッケルホスフィン錯体化合物が挙げられる。
ニッケル１，３−ジケトンキレート化合物としては、ニッケル（II）アセチルアセトナート、ニッケル（II）トリフルオロアセチルアセトナート、ニッケル（II）ヘキサフルオロアセチルアセトナート等が挙げられる。
【００２５】
ハロゲン化ニッケルホスフィン錯体化合物としては、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（II）、二塩化ビス（トリメチルホスフィン）ニッケル（II）、二塩化ビス（トリエチルホスフィン）ニッケル（II）、二塩化ビス（トリｎ−ブチルホスフィン）ニッケル（II）、二塩化ビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ニッケル（II）、二臭化ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（II）、二沃化ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（II）、二塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（II）、二臭化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（II）、二沃化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（II）、二塩化［１，２−ビス（ジメチルホスフィノ）エタン］ニッケル（II）、二塩化［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（II）、二塩化［１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン］ニッケル（II）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ニッケル（II）等が挙げられる。
【００２６】
好ましいニッケル錯体触媒としては、ニッケル（II）アセチルアセトナート、二塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（II）が挙げられ、特に好ましくは、二塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（II）が挙げられる。
ニッケル錯体触媒の使用量としては、式（２）のビナフトールメタンスルホネート化合物に対して０．１〜５０モル％の範囲、好ましくは、１〜２０モル％の範囲がよい。
【００２７】
反応溶媒としては、反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロルベンゼン、ｏ−ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル類等が挙げられる。
【００２８】
好ましい溶媒としては、トルエン、ジイソプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等が挙げられ、特にトルエンがよい。
更に、これらの溶媒は、単独又は組み合わせて使用することもできる。
反応温度としては、通常−１００℃から使用する溶媒の沸点まで可能であるが、好ましくは−５０℃から５０℃の範囲、特に−３０℃〜１０℃の範囲がよい。
【００２９】
反応時間は、通常０．１〜１０００時間である。
反応終了後、水を加え適当な溶媒により目的物を抽出し、減圧濃縮して粗製物を得るか、又は適当な溶媒から目的物を固体として析出させて粗製物を得ることができる。
更に、再結晶又はシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の常法による精製を行なうことにより、純粋な式（１）のビナフチル化合物を得ることができる。
【００３０】
式（３）のビナフトールモノメトキシ化合物とメタンスルホニル化試剤との反応について説明する。
メタンスルホニル化試剤としては、メタンスルホニルクロライド、メタンスルホン酸無水物等が挙げられる。
メタンスルホニル化試剤の使用量は、式（３）のビナフトールモノメトキシ化合物に対して当量以上であればよく、好ましくは、効率等の面からは当量付近がよい。
【００３１】
反応で生成する塩化水素又はスルホン酸の除去のために、塩基を共存させることもできる。
塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等のアルカリ金属水酸化物及びアルカリ土類金属水酸化物、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム等のアルカリ金属炭酸塩及びアルカリ土類金属炭酸塩、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチウム等のアルカリ金属重炭酸塩、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］−５−ノネン（ＤＢＮ）、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジン等のアミン類、ピリジン、メチルエチルピリジン、ルチジン等のピリジン類が挙げられる。
【００３２】
好ましくは、有機塩基が操作性等の面から望ましい。
塩基の使用量としては、通常はメタンスルホニル化試剤に対して、０．８〜２０モル倍の範囲、好ましくは、１．０〜５．０モル倍の範囲がよい。
反応溶媒としては、反応に関与しないものであれば特に制限はなく、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等のニトリル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロルベンゼン、ｏ−ジクロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、ジメトキシエタン等のエーテル類、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブタノール、シクロヘキサノール等のアルコール類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類、１，３−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチル尿素等の尿素類等が挙げられ、好ましくは、トルエン、ジクロロメタン、ジエチルエーテルが挙げられる。
【００３３】
更に、これらの溶媒は、単独又は組み合わせて使用することもできる。
反応温度は、特に制限はなく、通常−２０℃から使用する溶媒の沸点まで可能であるが、好ましくは２０℃から１００℃の範囲で行うのがよい。
反応時間は、通常０．１〜１０００時間である。
反応終了後は、水を加えて適当な溶媒により目的物を抽出し、溶媒を減圧濃縮して粗製物を得るか、又は適当な溶媒から目的物を固体として析出させて粗製物を得ることができる。
【００３４】
更に、再結晶又はシリカゲルカラムクロマトグラフィー等の常法による精製を行なうことにより、純粋な式（２）のビナフトールメタンスルホネート化合物を得ることができる。
【００３５】
【実施例】
以下、実施例を挙げて更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
【００３６】
【化１３】
0003915140.tif 000008
【００３７】
アルゴン雰囲気下、塩化メチレン５０ｍｌ中に、トリエチルアミン２．４１ｇ（２３．８ミリモル）とビナフトールモノメトキシ化合物（１）５．００ｇ（１６．６ミリモル）を加え、室温で３０分攪拌した後、メタンスルホニルクロライド２．７２ｇ（２３．７ミリモル）を滴下し、５時間加熱還流攪拌した。
反応液を冷却し、飽和重曹水５０ｍｌを加えて、有機層を分液した後、有機層を減圧下濃縮し、粗製物５．２４ｇを得た。
【００３８】
粗製物に酢酸エチル７８．６ｇを加えて加熱溶解後、ｎ−ヘキサン２６．２ｇを加えて、室温まで冷却し結晶を析出させた。
結晶をろ過し、ビナフトールメタンスルホネート（２）４．１３ｇを得た。
融点  187.7-188.5℃
1H NMR(CDCl3 400MHz):8.04(1H,d,J=8.79Hz),8.01(1H,d,J=8.42Hz),7.96(1H,d,                       J=8.24Hz),7.88(1H,d,J=8.05Hz),7.71(1H,d,J=8.97Hz),                       7.50(1H,tt,J=8.05,1.28Hz),7.46(1H,d,J=8.97Hz),
7.38-7.24(4H,m),7.10(1H,d,J=8.42Hz),3.81(3H,s),
2.33(3H,s)
IR(KBr):3058,3022,2931,1622,1591,1508,1344,1255,1168,1082,1051,957,812,          748,521cm-1
MS m/z:378(M+)
実施例２
【００３９】
【化１４】
0003915140.tif 000009
【００４０】
実施例１のビナフトールモノメトキシ化合物（１）を、光学活性な（Ｒ）−体（３）に代えた他は、実施例１と同様に反応及び後処理を行ない、光学活性な（Ｒ）−ビナフトールメタンスルホネート（４）３．５ｇを得た。
m.p. 120.5-121.4℃
MS m/z:378(M+)
実施例３
【００４１】
【化１５】
0003915140.tif 000010
【００４２】
アルゴン雰囲気下、トルエン１０ｍｌ中に、ビナフトールメタンスルホネート（２）０．２５０ｇ（０．６６１ミリモル）と塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（II）０．０１７ｇ（０．０３２ミリモル）を加え、０℃に冷却して３０分間攪拌した。
この反応液にフェニルマグネシウムブロマイドのエーテル溶液０．３３ｍｌ（３．０Ｍ／エーテル、０．９９ミリモル）を０℃で滴下して、そのまま５時間攪拌した。
【００４３】
反応液に飽和塩化アンモニウム水溶液１０ｍｌを加え、セライトろ過により不溶分を除去した後、分液し、有機層を液体クロマトグラフ（カラム：Ｉｎｅｒｔｓｉｌ  ＯＤＳ−２  ４．６φ×２５０ｍｍ、カラム温度：４０℃、溶離液：アセトニトリル／メタノール／水＝４３／３１／２６（酢酸０．１％）、流量：１．０ｍｌ／ｍｉｎ．、検出：ＵＶ２３５ｎｍ）で定量したところ、ビナフチル化合物（３）０．２２４ｇ（収率９４％）が得られた。
【００４４】
融点  141.2-141.7℃
1H NMR(CDCl3 400MHz):8.00(1H,d,J=8.4Hz),7.94(1H,d,J=8.4Hz),7.82(1H,d,
J=8.4Hz),7.76(1H,d,J=8.4Hz),7.65(1H,d,J=8.4Hz),                       7.44(1H,ddd,J=3.2,4.8,8.0Hz),7.28-7.07(8H,m),7.04
-6.90(3H,m),3.56(3H,s)
IR(KBr):3055,2831,1620,1591,1506,1331,1263,1151,1074,1022,908,804,758,
700cm-1
MS m/z(rel.Int.):378(M+,35),315(20),239(30),77(100)
実施例４
【００４５】
【化１６】
0003915140.tif 000011
【００４６】
ビナフトールメタンスルホネート（２）を光学活性な（Ｒ）−体（４）に代えた他は、実施例３と同様に反応及び後処理行ない、光学活性な（Ｒ）−ビナフチル化合物（６）を得た。
融点  99.0-99.8℃
MS m/z(rel.Int.):378(M+,35),315(20),239(30),77(100)
実施例５〜１０
反応温度を変化した他は、実施例３と同様に反応及び後処理を行ない、ビナフチル化合物（５）を得た。結果を下表に示す。
【００４７】
【表１】
0003915140.tif 000012
実施例１１〜１４
反応溶媒を変化した他は、実施例３と同様に反応及び後処理を行ない、ビナフチル化合物（５）を得た。結果を下表に示す。
【００４８】
【表２】
0003915140.tif 000013
実施例１５〜１８
ニッケル錯体触媒を代えた他は、実施例３と同様に反応及び後処理を行ない、ビナフチル化合物（５）を得た。結果を下表に示す。
【００４９】
【表３】
0003915140.tif 000014
【００５０】
【発明の効果】
本発明により、新規な式（２）のビナフトールメタンスルホネート化合物から、光学活性サレンマンガン錯体触媒の中間体であるサリチルアルデヒド化合物の前駆物質として有用な新規な式（１）のビナフチル化合物を容易に製造することができる。
【００５１】
尚、式（１）のビナフチル化合物より、ホルミル化反応及び脱メチル反応を経由してサリチル化合物を容易に製造することができる。