(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
粗金属錫を硝酸に溶解してメタ錫酸を沈澱させる工程、これを濾過して得たメタ錫酸を洗浄し、洗浄後のメタ錫酸を塩酸または弗酸に溶解する工程、この溶解液を電解液とした電解採取工程からなる高純度錫の製造方法であって、上記メタ錫酸沈澱工程において、粗金属錫を加えた加熱水溶液に硝酸を添加してメタ錫酸を沈澱させ、次いで上記塩酸または弗酸による溶解工程、この溶解液を用いた上記電解採取工程を経て５Ｎ以上の金属錫を得ることを特徴とする高純度錫の製造方法。
【請求項２】
請求項１の製造方法において、粗金属錫を加えた加熱水溶液に硝酸を添加してメタ錫酸を沈澱させる方法に代えて、硝酸液を電解液とし、粗金属錫をアノードに用いた電解酸化によってメタ錫酸を沈澱させる高純度錫の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体用高純度錫、例えば、ハンダ、ＢＧＡ（ボ−ルグリッドアレイ）等に使用される高純度錫の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の技術としては、粗金属錫をアノ−ドとし、電解精製によって高純度カソ−ドとする第一工程と、得られた高純度カソ−ドを更にアノ−ドとして、再び電解精製する方法が一般に知られており、この時、電解液は何らかの方法で不純物を除去する工夫が試みられていることも知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近年用途開発が広がり、特に半導体関連では、誤動作を防ぐ必要から、使用される金属錫の純度に対する要求は厳しくなって来ており、高純度品の提供が要望されている。しかし、電解精製を繰り返す上記従来技術では、この要求に十分に答えることは困難である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明者は、上記問題点を解決すべく鋭意研究開発に努めた結果、粗金属錫を水砕等によって微粉末化した後、これに加熱水を加え攪拌した状態にして、該溶液に硝酸を添加して、ｐＨ２以下の強酸領域中でメタ錫酸を沈降させ、この沈降メタ錫酸を希硝酸等で良く洗浄して得た粉末を、更に酸に再溶解し、この溶解液を電解液として金属錫を電解採取すると、得られる金属錫は、５Ｎ以上の高純度となるとの知見を得た。また、硝酸溶液を電解液とし、粗金属錫をアノ−ドとした電解で、電解酸化して得たメタ錫酸を、上記同様の再溶解・電解採取により、５Ｎ以上の高純度金属錫が得られるとの、また上記粗金属の溶解時に、メタ錫酸の性状を改善するために、予め硝酸アンモニウムを添加した液を用いればなお良いとの知見をも得られた。
【０００５】
本発明は、上記知見に基づく以下の構成によって上記問題を解決した高純度錫の製造方法を提供する。
（１）粗金属錫を硝酸に溶解してメタ錫酸を沈澱させる工程、これを濾過して得たメタ錫酸を洗浄し、洗浄後のメタ錫酸を塩酸または弗酸に溶解する工程、この溶解液を電解液とした電解採取工程からなる高純度錫の製造方法であって、上記メタ錫酸沈澱工程において、粗金属錫を加えた加熱水溶液に硝酸を添加してメタ錫酸を沈澱させ、次いで上記塩酸または弗酸による溶解工程、この溶解液を用いた上記電解採取工程を経て５Ｎ以上の金属錫を得ることを特徴とする高純度錫の製造方法。
（２）上記(１)の製造方法において、粗金属錫を加えた加熱水溶液に硝酸を添加してメタ錫酸を沈澱させる方法に代えて、硝酸液を電解液とし、粗金属錫をアノードに用いた電解酸化によってメタ錫酸を沈澱させる高純度錫の製造方法。
【０００６】
【本発明の実施の形態】
以下、本発明を実施形態に基づいて具体的に説明する。
金属錫に硝酸を作用させると、直接酸化して大部分は次式に示す反応によって、メタ錫酸（Ｈ2ＳｎＯ3）が生成する。
Ｓｎ＋２ＨＮＯ3 → Ｈ2ＳｎＯ3＋ＮＯ＋ＮＯ2
他の金属は次式に反応で溶解し、上記メタ錫酸沈澱と分離される。
Ｍ＋２ＨＮＯ3 → Ｍ++＋ＮＯ3-＋Ｈ2↑
本発明の製造方法は、上記メタ錫酸の沈澱生成を利用したものであり、粗金属錫を硝酸に溶解してメタ錫酸を沈澱させる工程、これを濾過して得たメタ錫酸を洗浄し、洗浄後のメタ錫酸を塩酸または弗酸に溶解する工程、この溶解液を電解液とした電解採取工程からなる高純度錫の製造方法である。
〔メタ錫酸沈澱工程〕
粗金属錫粉末（純度95〜99.99％）を用い、必要に応じて、緩衝液として硝酸アンモニウム（NH4NO3：1〜4mol/L）溶液を用い、緩衝液を５０℃以上に加熱し上記粗金属錫粉末を加えて攪拌した溶液を準備する。この溶液に所定量の硝酸(HNO3)を徐々に４時間以上かけてゆっくりと添加する。すると上記反応がゆっくりと進行し、徐々に白色のメタ錫酸が生成ずる。緩衝液を用いることによってメタ錫酸は沈降性の良いものができる。
〔塩酸・弗酸溶解工程〕
上記溶液を濾過して回収したメタ錫酸を希硝酸水で洗浄して残留する不純物を除去した後に、塩酸または弗酸に溶解する。
〔電解採取〕
洗浄後のメタ錫酸を塩酸または弗酸に溶解した液を電解液として用い、アノードにカーボン電極、カソードに高純度錫を用いて電解し、金属錫を電解採取する。この電解採取によって純度５Ｎ以上の高純度の金属錫が得られる。なお、アノード材はカーボンの他にＰｂ等の不溶性材料であれば良い。
【０００７】
〔電解酸化によるメタ錫酸の生成〕
本発明の製造方法において、メタ錫酸は上記硝酸の加熱溶解に代えて、電解酸化によって沈澱させても良い。すなわち、硝酸液を電解液とし、粗金属錫（純度95〜99.99％）からなるアノードを用いた電解酸化によってメタ錫酸を沈澱させる。このメタ錫酸を濾過して回収したメタ錫酸を希硝酸水で洗浄し、洗浄後のメタ錫酸を塩酸または弗酸に溶解し、この溶解液を電解液として用い、アノードにカーボン電極、カソードに高純度錫を用いて電解し、金属錫を電解採取する。この電解採取によって純度５Ｎ以上の高純度の金属錫が得られる。
【０００８】
【実施例】
以下、本発明の実施例について具体的に説明する。
[実施例１]
まず、平均粒径３ｍｍの金属錫（純度：９９．５％）を１００ｇ用意し、これをＮＨ4ＮＯ3粉末：８０ｇ、Ｈ2Ｏ：５００ｍｌで調整したＮＨ4ＮＯ3溶液に投入し、６０℃に昇温保持した状態で、これに濃ＨＮＯ3２５０ｍｌを攪拌しながら、分液ロ−トから１０分毎に８ｍｌずつ４時間以上掛けて添加した。その後も６０℃に保持した状態で、攪拌を続け、沈澱物が生成し、溶液の白濁状態が変わらなくなるまで行った。この間の所要時間は４時間であった。この後溶液を室温まで自然冷却し、ろ過し、希硝酸水（０．１〜０．５モル／ｌ）にてろ過洗浄を３回（約４００ｃｃ）行い、残渣物を、１０５℃で乾燥し、これを軽く粉砕した。この粉砕物を塩酸にて溶解し、ろ過後カ−ボン電極を利用して、電解採取し、採取した金属錫を分析したところ、５Ｎ以上の高純度を示した。不純物分析結果を表１に示す。
【０００９】
【表１】
0003972464.tif 000002
【００１０】
[実施例２]
濃度２モル／ｌの硝酸電解液中で、純度：９５％の粗金属錫アノ−ドを利用して、電解酸化を行い、得られたメタ錫酸を、ろ過、洗浄し、残渣物を、１０５℃で乾燥し、これを軽く粉砕した。この粉砕物を弗酸にて溶解し、（Ｈ2ＳＯ4：４５ｇ／ｌ、Ｈ2ＳｉＦ6：５５ｇ／ｌ）の電解液に調整した後、白金メッキしたカ−ボンアノ−ド電極を利用して、カソ−ドに高純度錫を用い、電解採取し、採取した金属錫を分析したところ、５Ｎ以上の高純度を示した。不純物分析結果を表２に示す。
【００１１】
【表２】
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【００１２】
[従来例１]
純度：９８．２％の粗金属錫をアノ−ドとして用い、電解液組成：Ｓｎ３０ｇ／ｌ、Ｈ2ＳＯ4 ４５ｇ／ｌ、Ｈ2ＳｉＦ6 ５２ｇ／ｌ，温度：３０℃，電解電圧：０．１５Ｖで電解精製した。得られた金属錫を分析したところ、純度９９．９５％であった。不純物分析結果を表３に示す。
【００１３】
【表３】
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【００１４】
【発明の効果】
本発明の方法で得られた金属錫は、実施例から明らかな様に、従来法により得られた金属錫に較べ、高純度で、５Ｎを超えるものである。このため、例えば、半導体用のハンダ等としての利用に十分耐え得るもので、有用である。