(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する２枚の基板が液晶注入口を備えたシール部によって所定のセルギャップを有して固定され、前記シール部の内部が液晶で充填され、前記液晶注入口が封止剤によって封止されてなる液晶表示素子を製造するための液晶表示素子の製造装置であって、
前記液晶注入口から前記液晶を注入して前記シール部の内部を前記液晶で充填した液晶注入済みセルにおけるセルギャップを測定する第１の測定手段と、
該第１の測定手段によって測定された結果に基づいて加圧条件を決定し、該加圧条件にて前記２枚の基板を互いに接近する方向に加圧して前記液晶注入済みセルの略中央部を凹状にする加圧手段と、
該加圧手段による加圧によって前記液晶注入口から前記シール部の外側に押し出された液晶を拭き取る液晶拭き取り手段と、
該液晶拭き取り手段によって前記液晶が拭き取られた前記液晶注入口に未硬化状態の封止剤を供給する封止剤供給手段と、
該封止剤供給手段によって前記封止剤を供給した後に、前記加圧手段による加圧を解放して大気圧状態とし、該大気圧状態におけるセルギャップを単位時間ごとに測定する第２の測定手段と、
該第２の測定手段によって測定された前記セルギャップの均一性が所定範囲内になった時点で前記封止剤を硬化させる封止剤硬化手段と、
該封止剤硬化手段によって硬化した前記封止剤において、該封止剤が硬化する時点における前記液晶注入口からの浸透量を検出して、該浸透量を予め設定した判断基準により合否判定する封止剤浸透量検出手段と、
を含んでなる構成としたことを特徴とする液晶表示素子の製造装置。
【請求項２】
前記封止剤供給手段によって供給された前記未硬化状態の封止剤を加熱する封止剤加熱手段を設けたことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の製造装置。
【請求項３】
対向する２枚の基板が液晶注入口を備えたシール部によって所定のセルギャップを有して固定され、前記シール部の内部が液晶で充填され、前記液晶注入口が封止剤によって封止されてなる液晶表示素子を製造するための液晶表示素子の製造方法であって、
前記液晶注入口から前記液晶を注入して前記シール部の内部を前記液晶で充填した液晶注入済みセルにおけるセルギャップを測定する第１の測定工程と、
該第１の測定工程で測定された結果に基づいて加圧条件を決定し、該加圧条件にて前記２枚の基板を互いに接近する方向に加圧して前記液晶注入済みセルの略中央部を凹状にする加圧工程と、
該加圧工程における加圧によって前記液晶注入口から前記シール部の外側に押し出された液晶を拭き取る液晶拭き取り工程と、
該液晶拭き取り工程で前記液晶が拭き取られた前記液晶注入口に未硬化状態の封止剤を供給する封止剤供給工程と、
該封止剤供給工程後に、前記加圧工程における加圧を解放して大気圧状態とし、該大気圧状態におけるセルギャップを単位時間ごとに測定する第２の測定工程と、
該第２の測定工程で測定された前記セルギャップの均一性が所定範囲内になった時点で前記封止剤を硬化させる封止剤硬化工程と、
該封止剤硬化工程で硬化した前記封止剤において、該封止剤が硬化する時点における前記液晶注入口からの浸透量を検出して、該浸透量を予め設定した判断基準により合否判定する封止剤浸透量検出工程と、
を有することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２の測定工程において、少なくとも前記大気圧状態におけるセルギャップを単位時間ごとに測定する際に、前記封止剤を加熱することを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プロジェクタ，プロジェクションＴＶ等の基幹部品である液晶表示素子に関し、特に、この液晶表示素子への液晶注入後の封止工程に係わる液晶表示素子の製造装置及び液晶表示素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、シリコンＩＣ（ウエハ）基板とガラス基板を貼り合わせた液晶表示素子は、プロジェクタやプロジェクションＴＶ、ヘッドマウントディスプレイ等への応用が進み、その生産量はますます拡大している。そして、かかる用途に適応した液晶表示素子に関する出願を、本出願人は、先に特願２００１−８６４３号（平成１３年１月１７日出願）として行っている。以下、図３，図４を参照してかかる液晶表示素子１０について概説する。なお、後述する本発明になる液晶表示素子を説明する都合上、図４には、それぞれの基板２，４に配向膜２１，２２をそれぞれ形成した液晶表示素子としてある。
【０００３】
先の出願に記載された液晶表示素子１０は、図３，図４に示すように、透明導電膜１を表面に有するガラス基板２と、画素電極（表示エリア）３を表面に有するシリコンＩＣ基板４を相対向させ、その隙間（セルギャップ）に後述する液晶５とこのセルギャップを決めるために、接着剤とスペーサ６とよりなるシール接着剤７で固着し、前記したガラス基板２の表面に反射防止膜８を設けて構成している。なお、９は封止部となる液晶注入口である。この両図より明らかな如く、先の出願に記載された液晶表示素子１０には、２枚の貼り合わされた液晶セル内に、隙間を保つためのスペーサは設けられていないものである。
【０００４】
ところで、このような液晶表示素子１０を含む液晶表示素子にあって、液晶表示素子の注入口を封止する方法としては、液晶注入の終わった液晶注入セルの液晶注入口付近にある液晶を拭き取り、ディスペンサにより液晶注入口に封止剤を塗布して、毛細管現象によってこの封止剤を液晶注入口内部に含浸させ、紫外線照射または加熱によりこの封止剤を固化させることにより、液晶注入口を塞ぐといった技術が、例えば、特開平９−１５６１６号公報，特開２０００−３５５８８号公報，特開２０００−２０６５４５号公報等に記載されている。
【０００５】
以下、図６（ａ）〜（ｄ）を参照してその点につき説明する。図６（ａ）〜（ｄ）は、従来の液晶表示素子の封止方法を示す液晶注入セル２０の模式的断面図である。同図において、（ａ）は液晶１５が注入された後の液晶注入セル２０の側断面図であり、この図より明らかな如く、例えば、液晶１５が注入された後のガラス基板１２とシリコン基板１３は、その側面部が広がった（凸状）状態となっている。
【０００６】
そこで、この液晶１５を注入後に、正常な液晶注入セル２０とするべく、その側面部（液晶表示面）を側面より加圧する（図６（ｂ））。なお、この図６（ｂ）において、１５ａは液晶注入口１９より溢れ出た液晶部分である。次に、液晶注入口１９から溢れ出た液晶部分１５ａを拭き取った後（図６（ｃ））、封止剤１８を液晶注入口１９に塗布しながら側面加圧を順次減圧していき、しかる後、図示しない紫外線をこの封止剤１８に照射することにより、前記した液晶注入口１９が封止剤１８により塞がれる（封止される）ものである（図６（ｄ））。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記した如くの従来の液晶表示素子にあっては、２枚の貼り合わされた液晶注入セル２０内に、隙間を保つためのスペーサ１６があることを前提としたものであり、例えば、後述する本発明の如く液晶注入セル内にスペーサのない液晶表示素子にこの技術を用いた場合は、側面加圧により基板同士が接触するおそれが出てくる。このような場合を想定して、仮に側面加圧及び減圧をエアー圧の制御で行ったとしても、従来の方法を用いた液晶表示素子においては、高精度なセルギャップの均一性を得ることは困難である。
【０００８】
さらに、昨今では液晶表示素子の画像表示に高速応答が求められ、液晶表示素子のセルギャップが従来の５μｍ以上から３μｍ、さらには１μｍ近くまで小さくなっており、それに従ってセルギャップの均一性への要求が厳しくなってきている。これは、表示画像の明暗ムラ，色ムラを低減する要求があるためである。
【０００９】
従って、この厳しい要求に応えるためには、製造段階でのセルギャップ管理が重要であり、液晶注入後から液晶表示素子の側面加圧及び解放、さらには封止剤塗布への時間経過とともに変化するセルギャップの変化を正確にモニタする必要が出てくる。
【００１０】
なお、側面加圧前後でセルギャップの均一性を確認するべく光学的な干渉縞をモニタする方法もあるが、前述したセルギャップ均一性への要求は、０．１μｍ以内の高精度であり、干渉縞でのサブミクロン領域のモニタでは、このような厳しいセルギャップの均一性への要求には応えることができない。
【００１１】
以上の如くの問題点を考察していくと、前記した如くの高精度なセルギャップの均一性を得るためには、液晶セル製造過程で、必要工程においてセルギャップの測定を行い、そこで誤差（均一性の範囲を越えている）がある場合、その時点で修正を行うようにすれば最終工程を終えた液晶セルのギャップは、求める範囲内のものとして得られているはずであるという知見が生まれることになる。
【００１２】
そこで、本発明者は鋭意検討した結果、液晶注入直後のセルギャップ測定機構、加圧解放後のセルギャップ測定機構等を含む各機構を有機的に構成配置することにより、液晶注入後の不均一なセルギャップ均一性を修正して良好なセルギャップ均一性を得ることが可能な液晶表示素子の製造装置及び液晶表示素子の製造方法を案出したものであり、本発明は、かかる液晶表示素子の製造装置及び液晶表示素子の製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、かかる目的を達成するためになされたものであり、以下の製造装置及び製造方法を提供する。
（ａ）対向する２枚の基板が液晶注入口を備えたシール部によって所定のセルギャップを有して固定され、前記シール部の内部が液晶で充填され、前記液晶注入口が封止剤によって封止されてなる液晶表示素子を製造するための液晶表示素子の製造装置であって、前記液晶注入口から前記液晶を注入して前記シール部の内部を前記液晶で充填した液晶注入済みセルにおけるセルギャップを測定する第１の測定手段と、該第１の測定手段によって測定された結果に基づいて加圧条件を決定し、該加圧条件にて前記２枚の基板を互いに接近する方向に加圧して前記液晶注入済みセルの略中央部を凹状にする加圧手段と、該加圧手段による加圧によって前記液晶注入口から前記シール部の外側に押し出された液晶を拭き取る液晶拭き取り手段と、該液晶拭き取り手段によって前記液晶が拭き取られた前記液晶注入口に未硬化状態の封止剤を供給する封止剤供給手段と、該封止剤供給手段によって前記封止剤を供給した後に、前記加圧手段による加圧を解放して大気圧状態とし、該大気圧状態におけるセルギャップを単位時間ごとに測定する第２の測定手段と、該第２の測定手段によって測定された前記セルギャップの均一性が所定範囲内になった時点で前記封止剤を硬化させる封止剤硬化手段と、該封止剤硬化手段によって硬化した前記封止剤において、該封止剤が硬化する時点における前記液晶注入口からの浸透量を検出して、該浸透量を予め設定した判断基準により合否判定する封止剤浸透量検出手段と、を含んでなる構成としたことを特徴とする液晶表示素子の製造装置である。
（ｂ）前記封止剤供給手段によって供給された前記未硬化状態の封止剤を加熱する封止剤加熱手段を設けたことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の製造装置である。
【００１４】
（ｃ）対向する２枚の基板が液晶注入口を備えたシール部によって所定のセルギャップを有して固定され、前記シール部の内部が液晶で充填され、前記液晶注入口が封止剤によって封止されてなる液晶表示素子を製造するための液晶表示素子の製造方法であって、前記液晶注入口から前記液晶を注入して前記シール部の内部を前記液晶で充填した液晶注入済みセルにおけるセルギャップを測定する第１の測定工程と、該第１の測定工程で測定された結果に基づいて加圧条件を決定し、該加圧条件にて前記２枚の基板を互いに接近する方向に加圧して前記液晶注入済みセルの略中央部を凹状にする加圧工程と、該加圧工程における加圧によって前記液晶注入口から前記シール部の外側に押し出された液晶を拭き取る液晶拭き取り工程と、該液晶拭き取り工程で前記液晶が拭き取られた前記液晶注入口に未硬化状態の封止剤を供給する封止剤供給工程と、該封止剤供給工程後に、前記加圧工程における加圧を解放して大気圧状態とし、該大気圧状態におけるセルギャップを単位時間ごとに測定する第２の測定工程と、該第２の測定工程で測定された前記セルギャップの均一性が所定範囲内になった時点で前記封止剤を硬化させる封止剤硬化工程と、該封止剤硬化工程で硬化した前記封止剤において、該封止剤が硬化する時点における前記液晶注入口からの浸透量を検出して、該浸透量を予め設定した判断基準により合否判定する封止剤浸透量検出工程と、を有することを特徴とする液晶表示素子の製造方法である。
（ｄ）前記第２の測定工程において、少なくとも前記大気圧状態におけるセルギャップを単位時間ごとに測定する際に、前記封止剤を加熱することを特徴とする請求項３記載の液晶表示素子の製造方法である。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な一実施例を添付図面に基づいて説明する。なお、以下に述べる実施例は本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
【００１６】
図１は本発明に係る液晶表示素子の製造装置の一実施例を示す全体図、図２は本発明に係る液晶表示素子の製造方法を示す模式的断面図、図３及び図４は液晶表示素子の構造を示す斜視図及び断面図、図５は本発明による効果を説明するための図である。なお、前記した従来例と同一部分は同一符号を用い、その詳細な説明は省略する。
【００１７】
図１は、本実施例に係る液晶表示素子の製造装置３０を示す好適な一実施例の全体図である。図１において、３１はセル搬送ロボット、３２は液晶注入済みセルカセット、３３は封止済セルカセット、３４は第１の機構となる液晶有無検査機構、３５は、セルギャップ測定機構及びセル加熱機構を有する第２の機構、３６は、セル加圧機構，液晶拭き取り機構，封止剤塗布機構，封止剤拭き取り機構，加圧コントロール機構等よりなる第３の機構、３７は、セルギャップ測定機構，紫外線照射機構，セル加熱機構等よりなる第４の機構、３８は、第５の機構となる封止剤浸透量測定機構（画像処理機構）、３９は、これら第１の機構３４〜第５の機構３８の略中心部に配置されたセンターインデックステーブルであり、このセンターインデックステーブル３９は一方向に回転自在に構成されているものである。
【００１８】
ここで、本実施例に係る液晶表示素子の製造装置３０に供される前記した液晶表示素子１０を得る方法について、前記した図３、図４を参照して説明する。
【００１９】
まず、表面に予め必要な反射防止膜８、透明電極膜１を設けた液晶表示素子１０のガラス基板２であるコーニング社製＃１７３７ガラスと、ＣＭＯＳトランジスタより駆動電圧の供給を受ける反射画素電極３を表面に有するシリコンＩＣ基板４のそれぞれに、配向膜２１，２２を成膜し、一方の基板であるシリコンＩＣ基板４の画素電極（表示エリア）３外周に、ヤクシ化成（株）製ＳＷシリーズスペーサボール６を混入させた協立化学産業（株）製メインシール接着剤７（ＷＲシリーズ）を塗布した後、前記した両基板２，４を上述したプレス成型により貼り合わせ接着する。これにより、両基板２，４間にセルギャップが形成される。
【００２０】
しかる後、貼り合わせ接着された両基板２，４は、図示しない真空槽内に搬送され、その真空槽内に用意されている液晶が液晶注入口９より注入され液晶注入済セル４０とした後、前記した液晶注入口９が封止されることにより液晶表示素子１０が完成されるものである。なお、注入される液晶５は、ネマチック型液晶を用いる。
【００２１】
次に、本実施例に係る液晶表示素子の製造装置３０において、液晶注入後の不均一なセルギャップ均一性を修正して良好なセルギャップ均一性を得る点について、大略説明する。
【００２２】
本実施例に係る液晶表示素子の製造装置３０の特徴とするところは、液晶注入後及びセルへの封止剤塗布及びセル側面への加圧解放後のセルギャップを測定する機能を有していることである。また、液晶注入後のセルギャップ測定結果によりセル側面への加圧条件コントロールの機能も有していることである。これにより、液晶注入後の不均一な面内セルギャップをセル側面の加圧により矯正し、かつ、加圧解放後の時間経過とともに変化して行くセルギャップの絶対値をとらえ、セル面内のセルギャップ均一性が最も良好となった時点で、封止剤１３を紫外線照射により硬化させて良好なセルギャップ均一性を維持することができる。
【００２３】
また、この液晶表示素子の製造装置３０の構成においては、セル側面の加圧を解放すると共に経時的に変化するセルギャップ均一性に合わせて、封止剤１３の液晶注入口９内での最適な浸透量を得るため、液晶注入済セル４０の加熱機構を有していることである。そして、この液晶注入済セル４０の加熱により封止剤１３の粘性を下げることが可能で、液晶注入口９への含浸スピードをコントロールすることができる。
【００２４】
また、前記課題を解決するための製造方法としては、以下の如くの方法をとった。まず、液晶注入後のセルギャップ測定を行う（図２（ｂ））。通常、液晶注入後は、図２（ａ）に示すようにセルギャップの均一性としては、面中央が凸状になっている場合が多い。このセルギャップ測定の時点で、後工程での封止剤１３の含浸をコントロールするための液晶注入済セル４０への加熱も行っておく。
【００２５】
次に、セルギャップ測定の結果を基に液晶注入済セル４０側面への加圧条件を決め、セル側面を空気圧で加圧して面中央付近を凹状にする（図２（ｃ））。
【００２６】
このとき加圧により液晶注入済セル４０内より押し出された液晶５ａを拭き取る（図２（ｄ））。
【００２７】
次に封止剤１３を、例えば、図示しないディスペンサで液晶注入口９に塗布する（図２（ｅ））。
【００２８】
次に、セル側面の加圧を解放してセル面の凹凸状態を均一な状態に進める。封止剤１３は、前記加圧の解放により液晶注入済セル４０内が減圧状態となるため、液晶注入口９内を浸透していく。このとき、液晶注入口９の余分な封止剤１３を拭き取る（図２（ｆ））。
【００２９】
この時点からセルギャップの測定を再開するとともに液晶注入済セル４０への加熱も再開する（図２（ｇ））。
【００３０】
セルギャップの面内均一性が良好になった時点（±０．０５μｍ以内）で液晶注入口９内の封止剤１３に紫外線を照射して硬化させる（図２（ｈ））。
【００３１】
この後、液晶注入口９内の封止剤１３の浸透量を画像でとらえ、画像処理により封止の完了を判定する（図２（ｉ））。
【００３２】
以下、本実施例に係る液晶表示素子の製造装置３０において、液晶注入後の不均一なセルギャップ均一性を修正して良好なセルギャップ均一性を得る点について、図１，図２を参照してさらに具体的に説明する。
【００３３】
図２（ａ）の如く、液晶５が注入された液晶注入済セル４０を、図１の液晶注入済セルカセット３２内にセットする。次に、この液晶注入済セルカセット３２内より前記液晶注入済セル４０をセル搬送ロボット３１にて１枚ずつ取り出して、最初のステージ、すなわち、第１の機構である液晶有無検査機構３４に送る。
【００３４】
第１の機構である液晶有無検査機構３４では、液晶注入済セル４０内に液晶５が入っているかどうかの確認がなされる。そして、そこに液晶５が入っていることの確認ができると、この液晶注入済セル４０は、センターインデックステーブル３９上に載置された後、この液晶注入済セル４０が載置されたセンターインデックステーブル３９は、例えば、時計方向に回転して、次のステージ、すなわち、セルギャップ測定機構及びセル加熱機構を有する第２の機構３５へこの液晶注入済セル４０を搬送する。
【００３５】
図２（ｂ）の如く、第２の機構３５では、搬送された液晶注入済セル４０のセルギャップ測定と、この液晶注入済セル４０への加熱が行われる。セルギャップの測定は、長波長領域での干渉光をソフトウエアで解析計算することにより行う。液晶注入済セル４０への加熱は、４０℃〜６０℃で行うのがよく、望ましくは５０℃前後である。加熱は、シースヒータの埋め込まれたブロックを液晶注入済セル４０の片側面に密着する方法により行う。
【００３６】
このように、液晶注入済セル４０のセルギャップ測定と、この液晶注入済セル４０への加熱が終了すると、この液晶注入済セル４０は、センターインデックステーブル３９上に載置された後、この液晶注入済セル４０が載置されたセンターインデックステーブル３９は、例えば、時計方向に回転して、次のステージ、すなわち、セル加圧機構，液晶拭き取り機構，封止剤塗布機構，封止剤拭き取り機構，加圧コントロール機構等よりなる第３の機構３６へこの液晶注入済セル４０を搬送する。
【００３７】
図２（ｃ）〜図２（ｆ）の如く、第３の機構３６では、第２の機構３５での液晶注入済セル４０へのセルギャップ測定結果に基づき、センターインデックステーブル３９により搬送された液晶注入済セル４０の両基板２，３の外側から、前記したセル加圧機構により空気圧による加圧が行われる。このとき、両基板２，３に接触する部分は、液晶表示素子１０としての表示領域の外側であり、０．５ＭＰａまでの加圧が可能である。
【００３８】
接触部分の材質は、ウレタン，バイトン等が望ましいが、これらの材料に限定するものではない。また、接触部分は、加圧された空気が漏れないような材質が好ましい。なお、加圧の望ましい条件は、０．１〜０．２ＭＰａであった。また、加圧の時間は制御でき、１０秒〜３０秒が望ましい。前記した如く、第３の機構３６では、この加圧と同時に液晶注入済セル４０の液晶注入口９から押し出された液晶５ａを拭き取る液晶拭き取り機構も有している。そして、この加圧により液晶注入済セル４０面内のセルギャップ均一性は凹状態となる（図２（ｄ））。
【００３９】
さらに、図示しないディスペンサにて長瀬産業（株）社製の紫外線硬化型の封止剤１３を封止剤塗布機構により塗布する。また、前記した如く第３の機構３６では、この塗布した後の余分な封止剤１３を拭き取る封止剤拭き取り機構を設けている。前記加圧工程の後、加圧コントロール機構により加圧の圧力を解放（減圧）し、大気圧にする。加圧を解放することにより、封止剤１３が液晶注入口９に引き込まれて、この液晶注入口９が封止される（図２（ｆ））。
【００４０】
このように、第３の機構３６でのセル加圧、液晶拭き取り、封止剤塗布、封止剤拭き取り、加圧コントロールによる加圧の解放等が終了した液晶注入済セル４０は、センターインデックステーブル３９上に載置された後、この液晶注入済セル４０が載置されたセンターインデックステーブル３９は、例えば、時計方向に回転して、次のステージ、すなわち、セルギャップ測定機構，紫外線照射機構，セル加熱機構等よりなる第４の機構３７へとこの液晶注入済セル４０を搬送する。
【００４１】
図２（ｇ），図２（ｈ）の如く、第４の機構３７では、まず加圧解放後の液晶注入済セル４０のセルギャップを、セルギャップ測定機構により測定する。このとき、セル加熱機構によりこの液晶注入済セル４０への加熱を再開する。加熱方法は前記と同様で、シースヒータ埋め込みブロックを液晶注入済セル４０の片側面に密着させることにより行う。前記したセルギャップの測定では、時間経過とともに変化するセルギャップを単位時間ごとに測定し、セルギャップ均一性がフラットになった時点で、液晶注入口９に浸透した封止剤１３に紫外線照射機構３７ｂにより紫外線を照射する。これによって封止剤１３が硬化し、セルギャップの変化が止まる（図２（ｈ））。なお、本実施例では、セルギャップ均一性の範囲を、±０．０５μｍ以内においている。
【００４２】
このように、第４の機構３７でのセルギャップ測定、紫外線照射、セル加熱等が終了した液晶注入済セル４０は、センターインデックステーブル３９上に載置された後、この液晶注入済セル４０が載置されたセンターインデックステーブル３９は、例えば、時計方向に回転して、次のステージ、すなわち、封止剤浸透量測定機構（画像処理機構）を有する第５の機構３８へとこの液晶注入済セル４０を搬送する。
【００４３】
図２（ｉ）の如く、第５の機構３８では、液晶注入口９内の封止剤１３の浸透量を、封止剤浸透量測定機構（画像処理機構）であるＣＣＤカメラにて撮影データとして取り込み、画像処理によって予め設定した判断基準により封止工程としての合格判定を行う。
【００４４】
このように、第５の機構３８での合格判定が終了した液晶注入済セル４０は、センターインデックステーブル３９上に載置された後、この液晶注入済セル４０が載置されたセンターインデックステーブル３９は、例えば、時計方向に回転して、前記した第１の機構である液晶有無検査機構３４に、この液晶注入済セル４０を搬送する。
【００４５】
第１の機構である液晶有無検査機構３４は、搬送された液晶注入済セル４０が良品の場合は、この液晶注入済セル４０を図示の如く矢印方向に搬送して、封止済みセルカセット３３内に回収する。なお、搬送された液晶注入済セル４０が良品でない場合は、図示しないＮＧセルカセット内にそれを回収する。
【００４６】
図５は、本実施例に係る液晶表示素子の製造装置３０よって作製された液晶表示素子の封止後のセルギャップ測定値を示す説明図である。同図（ａ）は、液晶注入後の値、同図（ｂ）は封止硬化後の値である。周辺のセルギャップは、液晶表示素子１０の画像表示領域四隅の平均値、中心値は画像表示領域の中心の値である。また、均一性は、中心値から周辺値の差であり、この値が０に近い程均一性が良好であることを示すものである。
【００４７】
この測定結果によれば、液晶注入後の均一性は、封止剤硬化後に大きく改善していることを示し、特に注入後に均一性の悪かった素子Ｎｏ．３と素子Ｎｏ．７を除いては、封止剤硬化後の均一性が０．１μｍを下回っており非常に良好なセルギャップ均一性が得られていることがわかる。なお、ここでは加圧条件を一定にしており、素子Ｎｏ．３と素子Ｎｏ．７のそれぞれについても、加圧条件を変更することで封止硬化後に良好な均一性を得ることができるものである。従って、本実施例に係る液晶表示素子の製造装置及び液晶表示素子の製造方法により、表示画像品質の優れた液晶表示素子が得られる。
【００４８】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の液晶表示素子の製造装置によれば、液晶注入後の不均一なセルギャップ均一性を修正して良好なセルギャップ均一性を得ることができる。
【００４９】
また、本発明の液晶表示素子の製造方法によれば、液晶注入後の不均一なセルギャップ均一性を修正して良好なセルギャップ均一性を有する液晶表示素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶表示素子の製造装置の一実施例を示す全体図である。
【図２】本発明に係る液晶表示素子の製造方法を示す模式的断面図である。
【図３】液晶表示素子の構造を示す斜視図である。
【図４】液晶表示素子の構造を示す断面図である。
【図５】本発明による効果を説明するための図である。
【図６】従来の液晶表示素子の封止方法を示す液晶セルの模式的断面図である。
【符号の説明】
１  透明導電膜
２  ガラス基板
３  画素電極
４  シリコンＩＣ基板
５  液晶
６  スペーサ
７  シール接着剤
８  反射防止膜
９  液晶注入口
１０  液晶表示素子
２１，２２  配向膜
３０  液晶表示素子の製造装置
３１  セル搬送ロボット
３２  液晶注入済セルカセット
３３  封止剤セルカセット
３４  液晶有無検出機構（第１の機構）
３５    第２の機構
３６  第３の機構
３７  第４の機構
３８  第５の機構
３９  センターインデックステーブル
４０  液晶注入済みセル
【図１】
0003879438.tif 000002
【図２】
0003879438.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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