(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室にガスを導入しつつ真空排気して所定の圧力に維持し、真空処理室内の電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、電極上に載置した被処理物をエッチングするドライエッチング方法において、
電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波とエッチングレートに関して予め相関式を作成しておき、エッチング処理時に検出された電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のデータをプロセスレシピのステップ毎に分割し、それぞれのステップ毎にエッチングレートを算出し、算出されたエッチングレートが予め設定されている所定の範囲から外れた時に異常であると判定することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
真空処理室にガスを導入しつつ真空排気して所定の圧力に維持し、真空処理室内の電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、電極上に載置した被処理物をエッチングするドライエッチング方法において、
電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波とエッチングレートに関して予め相関式を作成しておき、エッチング処理時に検出された電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のデータをプロセスレシピのステップ毎に分割し、それぞれのステップ毎にエッチングレートを算出し、算出されたエッチングレートとエッチング時間よりエッチング深さを計算し、計算したエッチング深さが予め設定されている所定の範囲から外れた時に異常であると判定することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項３】
真空処理室にガスを導入しつつ真空排気して所定の圧力に維持し、真空処理室内の電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、電極上に載置した被処理物をエッチングするドライエッチング方法において、
電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波とエッチングレートに関して予め相関式を作成しておき、エッチング処理時に検出された電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のデータをプロセスレシピのステップ毎に分割し、それぞれのステップ毎にエッチングレートを算出し、算出されたエッチングレートとエッチング時間よりエッチング深さを計算し、計算したエッチング深さが予め設定されている所定値に達すると、エッチングを終了することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項４】
計算したエッチング深さが所定の時間内に予め設定されている所定値に達しない時に異常であると判定することを特徴とする請求項３記載のドライエッチング方法。
【請求項５】
エッチング処理中における電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のそれぞれの平均値とエッチングレートとの重回帰分析を行うことで関係式を作成し、その関係式によりエッチングレートを算出することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のドライエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマを利用してエッチング処理を行うドライエッチング方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のドライエッチング装置の一例として、平行平板型ドライエッチング装置について、図１１を参照しながら説明する。
【０００３】
図１１において、２１は内部を真空に保持する真空処理室であって、真空処理室２１の内部は真空排気手段２２により所定の真空度に保持される。エッチング処理が開始されると、反応ガス導入手段２５から真空処理室２１内にプロセスガスを導入しつつ、真空排気手段２２により真空処理室２１内部を所定の圧力に保ちながら、下部電極２３に高周波電源２７により高周波電力を供給し、被エッチング物２４を載置した下部電極２３と上部電極２６との間に発生する電界によりプラズマが発生させ、被エッチング物２４に対してエッチング処理を行う。エッチング処理が進行し、予め設定されたエッチング処理時間に到達するか、発光検出器の発光強度が予め設定された闘値に達すると、エッチング処理プロセスを終了する。
【０００４】
このような従来のドライエッチング装置では、直接その加工（反応）の進み具合を観察しながら加工を行うことは非常に難しいため、直接観察に基づいて加工するよりも簡便にできる間接的な方法に基づいて加工するのが一般的である。例えば、反応状態の検出、すなわちエッチングの進み具合を、真空処理室２１に設けた窓を通してプラズマ発光の発光強度の変化を検出することで行っている。
【０００５】
また、装置の制御パラメータである高周波電力、真空処理室２１内の圧力、ガス流量、マッチングポジションなどをモニタし、各パラメータ毎に予め設定されている所定の範囲から外れた時に、異常と判定し、エッチング装置の動作を停止するインターロック方式が採用されており、不良品の発生を最小限に抑えることが一般的に行われている。
【０００６】
また、エッチング反応状態及び装置状態の検出方法の改善策として、以下の３例が提案されている。
【０００７】
特開平８−２９８２５９号公報においては、複数の発光検出器により、被エッチング膜、フォトレジスト、エッチングガス等に固有のプラズマ発光波長と発光強度を同時にモニタし、これらの出力強度比から被エッチング膜及び下地膜のエッチングレートと選択比を算出し、エッチング状態を判断し、エッチング状態の補正制御を行う方法が開示されている。
【０００８】
また、特開平９−２１９３９６号公報では、反応状態の検出をプラズマのインピーダンス変化を検出することにより行う方法が開示されている。
【０００９】
また、特開２０００−１１４１３０号公報では、測定値からマハラノビス距離を算出し、マハラノビス距離が所定の値を越えたとき、異常動作が発生したことを判定する方法が開示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の方法の内、一般的に採用されているインターロック方式では、エッチング処理中に、高周波電力、真空処理室２１の圧力、ガス流量、マッチングポジションなどの各パラメータの測定値が所定の範囲内に入っていたとしても、真空処理室２１内のプラズマ状態等に起因する、エッチングレート変動などが発生することがある。例えば、酸化膜エッチングにおいて、真空処理室２１内に配線材料であるアルミニウムや銅が放出された場合に酸化膜のエッチングレートが変動することなどである。また、真空排気手段２２における圧力制御手段の圧力検出器のゼロ点シフトによるプロセス処理圧力のずれや、反応ガス導入手段２５におけるガス流量制御器の流量ずれが生じても、インターロック方式で検知することは困難である。
【００１１】
また、特開平８−２９８２５９号公報では、真空処理室２１に設けた窓を通してプラズマ発光の発光強度の変化を検出することを行っており、反応状態を検出するための窓はその内面がプラズマ状態の反応性雰囲気に曝されるため、反応生成物が付着したりする。そのため、窓を透過する光の透過率が使用状況や使用時間により変化し、プラズマ発光の発光強度を検出する真空処理室２１外の発光検出器から得られる信号も使用状況や使用時間により変化してしまう。このような経時変化があるため、プラズマ発光強度によるエッチングレートの算出及びエッチング状態の補正制御は長時間安定して行うのは極めて困難である。
【００１２】
一方、特開平９−２１９３９６号公報では、窓を通してプラズマ発光強度を検出する上記方法とは異なり、窓を設ける必要がなく、インピーダンスの検出ができるので、検出された信号は使用状況や使用時間による影響を受けることはない。しかし、インピーダンス値だけでは、反応状態の正確な把握及びエッチングプロセス、例えばエッチングレートの算出や、目的とするエッチング深さをエッチングするための制御は困難であり、たとえ実現したとしても量産に使用できる精度、再現性を得るのは困難である。
【００１３】
また、特開２０００−１１４１３０号公報では、装置が正常に動作しているか異常なのかを判定するレベルに止まっているため、エッチングプロセス、例えばエッチングレートの算出や所定のエッチング深さにエッチングするための制御は不可能である。
【００１４】
要するに、上述した従来技術のドライエッチング装置においては、その改善技術においても、エッチングレート変動によるエッチング深さの規格外れなどのプロセス異常を検知すること、及び所定のエッチング深さにエッチングするための制御はできないという問題があり、歩留りを低下させる一つの要因となっている。
【００１５】
さらに、近年の微細化プロセスの進展に伴い、ＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）やダマシンプロセスにおけるトレンチエッチングなどのように、下地までエッチングせず途中までしかエッチングしないプロセスでは、従来の終点検出によるエッチング制御ができないので、エッチングレートの検出及び所定のエッチング深さへのエッチングが非常に重要になっている。
【００１６】
本発明は、上記従来の問題に鑑み、所定のエッチング深さにエッチングを行うことができ、またプロセス異常を正確に判定できるドライエッチング方法及び装置を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１発明のドライエッチング方法は、真空処理室にガスを導入しつつ真空排気して所定の圧力に維持し、真空処理室内の電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させ、電極上に載置した被処理物をエッチングするドライエッチング方法において、電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波とエッチングレートに関して予め相関式を作成しておき、エッチング処理時に検出された電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のデータをプロセスレシピのステップ毎に分割し、それぞれのステップ毎にエッチングレートを算出し、算出されたエッチングレートが予め設定されている所定の範囲から外れた時に異常であると判定するものである。
【００１８】
これにより、装置状態やプラズマ状態などの変動などにより、正常なエッチングレートでエッチング処理が行われていない場合には、確実に異常として検出することができる。また、エッチングレートを算出するのに上記相関式に基づいて算出するので、プラズマ発光の発光強度を検出する従来技術のように、窓に反応生成物が付着して検出値に経時変化が生じるという問題がなく、使用状況や使用時間に関係なく、精度良くエッチングレートを算出することができる。特に、上記エッチングレートの算出において、電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のデータを、プロセスレシピのステップ毎に分割し、それぞれのステップ毎にエッチングレートを算出しているので、レシピ構成が単一のステップのものだけでなく、複数ステップで構成されている場合でも、目的とするステップのエッチングレートを正しく算出することができる。
【００１９】
また、第２発明のドライエッチング方法は、上記算出されたエッチングレートとエッチング時間よりエッチング深さを計算し、計算したエッチング深さが予め設定されている所定の範囲から外れた時に異常であると判定するものであり、これにより、ＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）やダマシンプロセスにおけるトレンチエッチングなどのように、下地までエッチングせず、途中までしかエッチングしないプロセスにおけるエッチング深さ異常を検出することができる。特に、上記エッチングレートの算出において、電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のデータを、プロセスレシピのステップ毎に分割し、それぞれのステップ毎にエッチングレートを算出しているので、レシピ構成が単一のステップのものだけでなく、複数ステップで構成されている場合でも、目的とするステップのエッチングレートを正しく算出することができる。
【００２０】
また、第３発明のドライエッチング方法は、上記計算したエッチング深さが予め設定されている所定値に達すると、エッチングを終了するものであり、エッチング処理毎にエッチング深さばらつきの少ない高精度なエッチング処理を行うことができる。特に、上記エッチングレートの算出において、電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のデータを、プロセスレシピのステップ毎に分割し、それぞれのステップ毎にエッチングレートを算出しているので、レシピ構成が単一のステップのものだけでなく、複数ステップで構成されている場合でも、目的とするステップのエッチングレートを正しく算出することができる。
【００２１】
また、上記計算したエッチング深さが所定の時間内に予め設定されている所定値に達しない時に異常であると判定することにより、装置状態やプラズマ状態の変動などにより正常なエッチングレートで処理が行われていない場合に、確実に異常として検知することができる。
【００２２】
また、上記エッチングレートの算出において、エッチング処理中における電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のそれぞれの平均値とエッチングレートとの重回帰分析を行うことで関係式を作成し、その関係式によりエッチングレートを算出すると、電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のそれぞれの平均値を用いることで、瞬時の測定値からエッチングレートを予測するものに比してばらつきの少ない高精度な予測を行うことができ、また電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波までを関係式に使用していることにより、非線形な特性を持つプラズマの状態を反映することができ、高精度な予測を行うことができる。
【００２７】
【参考例および実施形態】
以下、本発明のドライエッチング方法の参考例および実施形態について、図１〜図１０を参照して説明する。
【００２８】
（第１の参考例）
第１の参考例に係るドライエッチング装置の概略構成を示す図１において、１は内部を真空に保持する真空処理室であって、この真空処理室１の内部を所定の真空度に保持する真空排気手段２と、真空処理室１内に反応ガスを導入する反応ガス導入手段５が設けられている。また、真空処理室１内に被処理物を出し入れする搬入出手段（図示せず）が設けられている。真空処理室１の下部には、下部電極（試料台）３が配設され、この下部電極３上にエッチングを行う半導体ウェハ等の被処理物４を載置して保持させる。６は、真空処理室１の上部に下部電極３に対向して配設された上部電極であり、真空処理室１とともに接地されている。７は、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力を出力する高周波電源であり、インピーダンス整合器８を介し、さらに電流、電圧を検出する電流・電圧検出器９を介して下部電極３に接続されている。
【００２９】
電流・電圧検出器９で検出された電流、電圧を、電流、電圧及び位相差の基本波と高調波に変換する電流・電圧変換器１０と、電流・電圧変換器１０からの出力信号によりエッチングレートを演算するプロセス演算装置１１と、プロセス演算装置１１の算出されたエッチングレートを予め設定されている所定の範囲内にあるか比較し、所定の範囲から外れた時に異常であると判定する異常検出装置１２とが設けられている。
【００３０】
次に、以上の構成のドライエッチング装置を用いたドライエッチング処理工程について説明する。まず、搬入出手段（図示せず）により被処理物４を真空処理室１内に搬入して下部電極３上に載置して保持させる。その後、反応ガス導入手段５よりガスを真空処理室１内に導入するとともに真空排気手段２により真空排気して真空処理室１の内部を所定の圧力に維持する。次に、高周波電源７から下部電極３に高周波電力を印加する。下部電極３に印加された高周波電力により真空処理室１内の気体がプラズマ化され、プラズマ中のイオン、電子及びラジカルにより被処理物４上に形成されている被エッチング膜をプラズマエッチングする。この後、排気ガス成分やエッチング反応により生じた反応生成物は真空排気手段２により排気される。
【００３１】
被エッチング膜がシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）で、下地がシリコン（Ｓｉ）のウェハ構造のエッチングに適用した時の具体例について説明する。
【００３２】
まず、エッチングレート予測式の作成を予め行う。図２はシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）を下部電極３上に載置してエッチング処理を行った時の電流の変化を示す模式図である。エッチング条件は次の通りである。
【００３３】
高周波電力：１４００Ｗ
圧力      ：２５０ｍｔｏｒｒ
ＣＦ4     ：  ７０ｓｃｃｍ
ＣＨＦ3   ：  ３０ｓｃｃｍ
Ａｒ      ：２００ｓｃｃｍ
Ｏ2       ：  ３０ｓｃｃｍ
図２において、ａ点で放電がオンし、エッチング処理が開始され、ｂ点で放電がオフし、エッチング処理が終了している。エッチング処理中に、電流・電圧検出器９により電流、電圧を検出し、次に検出された電流、電圧から位相差を算出し、それらをフーリェ変換し、それぞれ基本波（ｆ０）から第４次高調波（ｆ４）に分解し、電流基本波（Ｉ０）〜電流４次高調波（Ｉ４）、電圧基本波（Ｖ０）〜電圧４次高調波（Ｖ４）、及び位相差基本波（φ０）〜位相差４次高調波（φ４）を算出する。
【００３４】
次に、図２に示すように、放電の開始（ａ点）直後及び終了（ｂ点）直前の不安定領域の計測データを除いた安定領域の計測データのみを抽出し、電流基本波（Ｉ０）〜電流４次高調波（Ｉ４）、電圧基本波（Ｖ０）〜電圧４次高調波（Ｖ４）、及び位相差基本波（φ０）〜位相差４次高調波（φ４）のそれぞれについて平均値を算出する。また、この時のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）のエッチングレートを測定しておく。このような手順で数１０枚から２００枚程度のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）のエッチングを繰り返し実施する。
【００３５】
次に、電流基本波（Ｉ０）〜電流４次高調波（Ｉ４）、電圧基本波（Ｖ０）〜電圧４次高調波（Ｖ４）、及び位相差基本波（φ０）〜位相差４次高調波（φ４）の平均値とエッチングレートの重回帰分析を行い、エッチングレート予測に必要なパラメータを選択し、選択されたそれぞれのパラメータの係数を決定することで、次のようなエッチングレート予測式が作成される。
【００３６】
Ｙ＝ａ1 Ｉ０＋ａ2 Ｉ１＋・・・＋ａn Ｖ２＋ａn+1 Ｖ３＋・・＋ｂ0 
Ｙ：エッチングレート予測値（ｎｍ／ｍｉｎ）
ａ1 〜ａn+1 ：係数
Ｉ０〜Ｖ３：計測データ
ｂ0 ：定数
ここで、必要であれば、電流、電圧、位相差よりインピーダンスを計算し、計算されたインピーダンスをパラメータとして用いることも可能である。
【００３７】
図３は、実際にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）を２７スライスエッチングし、エッチングレート予測式で算出したエッチングレート予測値を横軸にとり、実測したエッチングレートを縦軸に取り、相関の良し悪しを確認したものであるが、相関係数が９９．８％、予測精度は±２％以下と非常に良好であった。
【００３８】
次に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）を下部電極３上に載置し、エッチング処理を行い、図４に示すように、上記の手順で算出された電流基本波（Ｉ０）〜電流４次高調波（Ｉ４）、電圧基本波（Ｖ０）〜電圧４次高調波（Ｖ４）、及び位相差基本波（φ０）〜位相差４次高調波（φ４）の平均値を、上記エッチングレート予測式の計測データ部に代入し、エッチングレート予測値を算出する。図５に示すように、エッチングレートの上下限を予め設定しておき、算出されたエッチングレート予測値がこの範囲内にあるか、外れているかを比較判定し、外れている場合にはエッチングレート異常であると判定する。
【００３９】
（第２の参考例）
次に、第２の参考例に係るドライエッチング装置について、図６〜図８を参照して説明する。なお、以下の参考例および実施形態の説明において、上記第１の参考例と同一の構成要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００４０】
図６において、第２の参考例に係るドライエッチング装置においては、エッチング深さを計算するエッチング深さ演算装置１３と、エッチング深さ演算装置１３にて算出されたエッチング深さが予め設定されている所定の範囲内にあるか比較し、所定の範囲から外れた時に異常であると判定する異常検出装置１２と、エッチング深さが予め設定されている所定の値に達すると、エッチングを終了させるプロセス制御装置１４が設けられている。
【００４１】
次に、動作を説明すると、エッチング処理時にエッチング深さ演算装置１３にて１００ｍｓｅｃ毎にエッチングレート予測値を演算算出し、エッチング処理時間と掛け算することでエッチング深さ予測値を算出する。この算出されたエッチング深さ予測値が予め設定されている所定の範囲内にあるか比較し、所定の範囲から外れた時に異常であると判定する。
【００４２】
また、エッチング深さのばらつきを低減するために、図７に示すように、エッチング深さが所定の深さになるようにエッチング時間を調整し、エッチング深さが所定の深さに到達したところでエッチング処理を終了する。
【００４３】
また、図８に示すように、所定の時間内にエッチング深さが予め設定されている所定の値に達して処理が終了しないときに、異常であると判定する。
【００４４】
（第３の参考例）
次に、第３の参考例のドライエッチング方法について、図９を参照して説明する。
【００４５】
本参考例においては、正常処理時における電流及び電圧の基本波及び高調波の変動範囲を予め記憶しておき、エッチング処理時に検出された電流及び電圧の基本波及び高調波の内いずれかが、記憶されている所定の範囲から外れた時に異常と判定する。
【００４６】
まず、異常の発生していない正常な動作時における一定期間のエッチング処理時に検出される電流基本波（Ｉ０）〜電流４次高調波（Ｉ４）、電圧基本波（Ｖ０）〜電圧４次高調波（Ｖ４）、及び位相差基本波（φ０）〜位相差４次高調波（φ４）の平均値のそれぞれについて、上下限値を抽出し、図９に示すように、変動範囲の上下限を設定する。次に、エッチング処理を行い、算出された電流基本波（Ｉ０）〜電流４次高調波（Ｉ４）、電圧基本波（Ｖ０）〜電圧４次高調波（Ｖ４）、及び位相差基本波（φ０）〜位相差４次高調波（φ４）の平均値がこの範囲にあるか、外れているかを比較判定し、外れている場合には異常であると判定する。
【００４７】
（実施形態）
次に、本発明の実施形態のドライエッチング方法について、図１０を参照して説明する。
【００４８】
本実施形態においては、電流及び電圧の基本波及び高調波のデータを、プロセスレシピのステップ毎に分割し、それぞれのステップ毎にエッチングレートを算出する。このエッチングレートの算出方法は、複数ステップの処理レシピで構成されている場合に適用されるものであり、図１０（ｂ）に示すように、例えばプロセスレシピが、ステップ１（ブレークスルー）：１０秒ステップ２（メインエッチ） ：４０秒ステップ３（オーバーエッチ）：１０秒で、それぞれのステップ毎に異なるプロセス条件が設定されている場合、図１０（ａ）に示すように、放電の開始（ａ点）直後及び終了（ｂ点）直前の不安定領域の計測データを除いた計測データを抽出し、第１の参考例と同様の方法でエッチングレートを算出しても、他のステップのデータが含まれているために正しく算出されない。
【００４９】
このような課題に対して、図１０（ｂ）に示すように、プロセスレシピのステップ時間毎に分割し、それぞれについて第１の参考例と同様の方法でエッチングレートを算出する。これにより、目的とするステップのエッチングレートを正しく算出することができる。
【００５０】
【発明の効果】
本発明のドライエッチング方法及び装置によれば、以上のようにエッチング処理時に検出された電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波からエッチングレートを算出し、算出されたエッチングレートが所定の範囲から外れた時に異常であると判定するので、装置状態やプラズマ状態の変動などにより正常なエッチングレートでエッチング処理がおこなわれていない場合に確実に異常として検知することができる。また、エッチングレートの算出に際して、電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のデータを、プロセスレシピのステップ毎に分割し、それぞれのステップ毎にエッチングレートを算出すると、レシピ構成が単一のステップのものだけでなく、複数ステップで構成されている場合においても目的とするステップのエッチングレートを正しく算出することができる。
【００５１】
また、算出されたエッチングレートとエッチング時間よりエッチング深さを計算し、エッチング深さが所定の範囲から外れた時に異常であると判定すると、特に、ＳＴＩ（シャロートレンチアイソレーション）やダマシンプロセスにおけるトレンチエッチングなどのように、下地までエッチングせずに途中までしかエッチングしないプロセスにおけるエッチング深さ異常を検知することができる。
【００５２】
また、エッチング深さが予め設定された所定の値に達すると、エッチングを終了すると、エッチング処理毎にエッチング深さばらつきの少ない高精度なエッチング処理を行うことができる。
【００５３】
また、上記エッチングレートの算出に際して、エッチング処理中における電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のそれぞれの平均値とエッチングレートとの重回帰分析を行うことで関係式を作成し、その関係式によりエッチングレートを算出すると、電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波のそれぞれの平均値を用いることでばらつきの少ない高精度な予測を行うことができ、また電流、電圧及び位相差の基本波及び高調波までを関係式に使用していることにより、非線形な特性を持つプラズマの状態を反映することができ、高精度な予測を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態のドライエッチング装置の概略構成図である。
【図２】同実施形態におけるシリコン酸化膜エッチング時の電流の変化を示す模式図である。
【図３】同実施形態におけるエッチングレート予測値と実測値の相関を示すグラフである。
【図４】同実施形態におけるエッチングレート異常検出方法のフロー図である。
【図５】同実施形態におけるエッチングレート異常検出方法の説明図である。
【図６】本発明の第２の実施形態のドライエッチング装置の概略構成図である。
【図７】同実施形態におけるエッチング深さ異常の検出方法のフロー図である。
【図８】同実施形態におけるエッチング処理時間の異常検出方法の説明図である。
【図９】本発明の第３の実施形態における異常検出方法の説明図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態におけるエッチングレートの算出方法の説明図である。
【図１１】従来例のドライエッチング装置の概略構成図である。
【符号の説明】
１  真空処理室
２  真空排気手段
３  下部電極
４  被処理物
５  反応ガス導入手段
７  高周波電源
８  インピーダンス整合器
９  電流・電圧検出器
１０  電流・電圧変換器
１１  プロセス演算装置
１２  異常検出装置
１３  エッチング深さ演算装置
１４  プロセス制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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