(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に第１の絶縁層を形成し、この第１の絶縁層をパターニングする工程と、このパターニングした第１の絶縁層上に、この第１の絶縁層と架橋層を形成し得ることができ、かつ化学的に溶解できる粒子が混合された第２の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層と接する前記第２の絶縁層に架橋層を形成する工程と、この架橋層を残して前記第２の絶縁層を溶解する工程と、前記架橋層の粒子を化学的に溶解して架橋層表面を粗面化する工程と、この粗面化した架橋層上に導体層を形成する工程を含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
第１の絶縁層が、酸を発生しうる、あるいは酸を含む絶縁膜で構成され、かつ、第２の絶縁層が、酸の存在により架橋反応を起こす成分を含み、前記第1の絶縁層からの酸の供給により架橋層を形成することを特徴とする請求項１記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
基材上に第１の絶縁層を形成し、この第１の絶縁層をパターニングする工程と、このパターニングした第１の絶縁層上に、この第１の絶縁層と不溶層を形成し得ることができ、かつ化学的に溶解できる粒子が混合された第２の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とを相溶させ、前記第１の絶縁層と接する前記第２の絶縁層に不溶層を形成する工程と、この不溶層を残して前記第２の絶縁層を溶解する工程と、前記不溶層の粒子を化学的に溶解して不溶層表面を粗面化する工程と、この粗面化した不溶層上に導体層を形成する工程を含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
第２の絶縁層中の粒子が、酸溶液、アルカリ溶液、あるいは、有機溶媒に可溶であることを特徴とする請求項１あるいは請求項３に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項５】
第１の絶縁層と第２の絶縁層が複数層形成されることを特徴とする請求項１あるいは請求項３に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プリント配線板の製造での絶縁膜形成プロセスにおいて、絶縁膜に形成されたビアサイズを微細化するとともに、導体層との密着性を確保するための表面粗化を容易に実現し、絶縁膜の特性向上を実現するための絶縁膜材料、形成プロセス、および、それを用いた絶縁膜形成方法、さらには、この絶縁膜を用いたプリント配線板の製造方法、ならびに、この製造方法によって製造されたプリント配線板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の軽薄短小化に伴い、プリント配線板には、高密度化と電気特性の向上が求められてきており、製造プロセスに要求される配線および分離幅は非常に微細化され、これに伴い形成される導体層と絶縁層との密着性の確保が重要な課題となっている。
一般的に、このような微細パターン形成に対応する絶縁膜の形成では、絶縁膜を形成した後、レーザ照射などによりホール（ビア）パターン形成を行う、あるいは、フォトリソグラフィ技術によりホールパターンを形成し、その後に、ウェットエッチングによる絶縁膜表面の粗面化処理を行う。さらに、メッキなどにより、絶縁層上に導体層を形成、さらにパターニング処理を行うことにより導体回路を形成する。粗面化処理は、形成した導体層と絶縁層の密着性を向上させる手法として非常に重要な工程である。
【０００３】
上記からわかるように、絶縁層の形成においては、絶縁膜表面の粗面化技術、ビアパターン形成技術が非常に重要になる。
粗面化技術としては、絶縁層中に予めウェットエッチング溶液に溶解しやすい成分を粒子状に混合しておき、絶縁層を形成した後に、ウェットエッチング処理を行い、絶縁層中の粒子成分を溶解除去することにより、表面粗化を実現している。
【０００４】
例えば、特開平８−６４９６１号公報は、エポキシ樹脂あるいは感光性樹脂の中に、酸化剤で溶解除去可能な金属粒子、無機粒子、あるいはアルカリに可溶な樹脂粒子などを混合し、膜形成後にこれらの成分をエッチングし、表面を粗面化する方法が提案されている。さらに、特公平５-３３８４０号公報では、エポキシ樹脂成分の中に、ブタジエン／アクリロニトリル共重合体から成るゴム粒子を混合したもので絶縁層を形成し、重クロム酸カリウム、硫酸、などの混合物からなる酸化剤により化学的にエッチングすることにより、絶縁層表面を粗面化する方法が提案されている。
【０００５】
しかし、混合する成分が、金属あるいは無機粒子の場合には、絶縁特性を低下させる可能性が高く、また、ゴム粒子などの成分を混合する場合には、表面粗化を実現するためにゴム粒子などの樹脂粒子のうちの表面部分は除去されるが、大部分の粒子は絶縁層中に残存するため絶縁層の特性低下を生じるだけでなく、熱膨張などが関与する熱機械特性を低下させる問題がある。そのため、これらの手法を用いて製造したプリント配線板は、電気特性、熱機械特性が劣化する問題が残る。
【０００６】
さらに、多層基板製造では、上下の導体回路パターンの導通を確保するために、ホール（ビア）を形成する必要がある。ビアパターン形成には、ドリリングあるいはレーザを用いた穴あけ、さらには、フォトリソグラフィが用いられているが、ドリリングあるいはレーザ穴あけでは、１００μｍサイズのビア形成が限界であり、また、感光性の絶縁材料を用いたフォトリソグラフィ技術では層間絶縁膜の膜厚が厚い場合、露光光が絶縁層下部まで届かないため厚膜化できないという問題がある。
【０００７】
【本発明の解決しようとする課題】
以上説明したように、従来の層間絶縁層中に表面粗化のための粒子状物質を混合する方法では、電気特性、熱機械特性の向上には限界がある。また、微細ビア形成においては、露光光強度の吸収劣化により、解像できる層間絶縁層の膜厚には限界があった。また、レーザー、ドリリングでは、形成可能な穴径に限界があった。
【０００８】
本発明は、特性に優れる絶縁層であり、かつ導体層との密着性を確保するための表面粗化に適した絶縁層から構成される多層構造にすることにより、絶縁層の電気特性、熱機械特性を向上させるだけでなく、従来技術の加工限界を超える微細なビア形成を実現するプリント配線板の製造方法およびプリント配線板を提供するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、基材上に第１の絶縁層を形成し、この第１の絶縁層をパターニングする工程と、このパターニングした第１の絶縁層上に、この第１の絶縁層と架橋層を形成し得ることができ、かつ化学的に溶解できる粒子が混合された第２の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層と接する前記第２の絶縁層に架橋層を形成する工程と、この架橋層を残して前記第２の絶縁層を溶解する工程と、前記架橋層の粒子を化学的に溶解して架橋層表面を粗面化する工程と、この粗面化した架橋層上に導体層を形成する工程を含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【００１０】
請求項２に係る発明は、請求項１記載のプリント配線板の製造方法において、第１の絶縁層が、酸を発生しうる、あるいは酸を含む絶縁膜で構成され、かつ、第２の絶縁層が、酸の存在により架橋反応を起こす成分を含み、前記第1の絶縁層からの酸の供給により架橋層を形成するものである。
【００１１】
請求項３に係る発明は、基材上に第１の絶縁層を形成し、この第１の絶縁層をパターニングする工程と、このパターニングした第１の絶縁層上に、この第１の絶縁層と不溶層を形成し得ることができ、かつ化学的に溶解できる粒子が混合された第２の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とを相溶させ、前記第１の絶縁層と接する前記第２の絶縁層に不溶層を形成する工程と、この不溶層を残して前記第２の絶縁層を溶解する工程と、前記不溶層の粒子を化学的に溶解して不溶層表面を粗面化する工程と、この粗面化した不溶層上に導体層を形成する工程を含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法である。
【００１２】
請求項４に係る発明は、請求項１あるいは請求項３に記載のプリント配線板の製造方法において、第２の絶縁層中の粒子が、酸溶液、アルカリ溶液、あるいは、有機溶媒に可溶であるものである。
【００１３】
請求項５に係る発明は、請求項１あるいは請求項３に記載のプリント配線板の製造方法において、第１の絶縁層と第２の絶縁層が複数層形成されるものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係るプリント配線板の絶縁層形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。図１を参照しながら、この実施の形態におけるプリント配線板の製造方法を説明する。
【００１６】
先ず、図１のステップ１に示すように、プリント配線板基材（コア基板）３に、適当な加熱処理により内部に酸を発生する機構をもつ第１の絶縁材料を塗布し、第１の絶縁層１を形成する（例えば、厚さ１０〜７０μｍ程度）。
この第１の絶縁層１は、コア基板３上にスピンコート、カーテンコート、ディップ浸積などにより第１の絶縁材料を塗布し、次に、プリべーク（７０〜１５０℃で１分〜６０分程度の熱処理）を施して、塗布した第１の絶縁材料中の溶剤を蒸発させて形成する。
【００１７】
次に、第１の絶縁層１に、ビアホールパターンを形成する。このビアホールパターン形成方法としては、ドリリングによる方法、あるいは、炭酸ガス（ＣＯ2）やエキシマレーザにより、ビア形成（穴あけ）を行う手法が適用可能である。さらに、このビアホールパターン形成（穴あけ）は、第１の絶縁層１に感光性材料を用いる場合には、フォトリソグラフィにより形成することも可能であり、図１ステップ２に示すようなビアパターンを含む絶縁層パターン１ａを形成する。
【００１８】
ここで用いる第１の絶縁層１の形成に用いる材料は、適当な加熱処理により内部に酸性成分が発生する機構を用いた絶縁材料であればよく、液状レジスト、フィルム状レジストのどちらでも良く、また、ポジ型、ネガ型レジストのどちらでもよい。
例えば、第１の絶縁材料としては、エポキシ樹脂あるいは、エポキシ変性されたアクリレート樹脂を主成分とする材料、あるいはエポキシ樹脂のカチオン重合を利用する材料、あるいは、フェノール樹脂とメラミン樹脂で構成される材料、あるいは、これらの混合物で構成される材料などが挙げられる。さらには、カルボキシ変性されたエポキシアクリレートとエポキシ樹脂の混合物で構成される材料、あるいは珪皮酸エステルとエポキシ樹脂から構成される材料などが挙げられる。
【００１９】
フォトリソグラフィによりパターン形成可能なエポキシ樹脂のカチオン重合を利用する材料の例としては、シプレイ・ファーイースト社製のＸＰ９５００などが挙げられる。
なお、ここで用いられる第１絶縁膜形成用の材料は、上述したものに限定されるものではなく、酸性成分を発生する機構を持つ絶縁材料であれば特に限定されるものではなく、その他のものでもよい。
【００２０】
次に、図１ステップ３に示すように、酸の存在により架橋する架橋性の材料を主成分とし、図１の第１の絶縁層１を溶解しない第２の絶縁材料を塗布して第２の絶縁層２を形成する。
塗布方法は、第１の絶縁層１上に均一に塗布可能であれば、特に限定されるものではなく、スプレーによる塗布、回転塗布、カーテンコート、あるいはディッピングにより塗布することも可能である。また、フィルム状レジストをラミネートしても良い。第２の絶縁材料の塗布後、必要に応じてこれをプリベークし（例えば、８５℃、５分程度)、第２の絶縁層２を形成する。
【００２１】
次に、図１ステップ４に示すように、コア基板３に形成された絶縁層パターン１ａと、この上に形成された第２の絶縁層２とを加熱処理する。加熱温度は、例えば８５℃〜１６０℃程度であり、第１の絶縁層１が変形しない温度範囲とする。加熱処理により、絶縁層パターン１ａから酸の拡散を促進させ、第２の絶縁層２中へ供給し、絶縁層パターン１ａの上面に接する第２のレジスト２との界面において、架橋反応を発生させる。この場合の加熱処理温度／時間は、例えば８５℃〜１６０℃／１〜６０分であり、用いる絶縁層材料の種類、必要とする反応層の厚みにより、最適な条件に設定すれば良い。
この加熱処理により、架橋反応を起こした架橋層４が、絶縁層パターン１ａを被覆するように第２の絶縁層２の中に形成される。
【００２２】
次に、図１ステップ５に示すように、水、あるいは、水溶性の有機溶剤の水溶液、あるいはＴＭＡＨ等のアルカリ水溶液の現像液、あるいは有機溶剤など第２の絶縁層２の未架橋部分を溶解できる溶媒を用いて、架橋していない第２の絶縁層２を洗浄除去する。さらに、酸溶液処理により、架橋層４中の粒子成分（酸溶液溶解成分）を溶解除去し、絶縁層２の架橋層４の表面部分を粗面化する。以上の処理により、ビア内径を縮小するとともに、第１の絶縁層１上に表面が粗面化された絶縁層５を形成することが可能となる。
【００２３】
次に、図１ステップ６に示すように、メッキなどにより粗面化された絶縁層５上に導体層を形成し、さらに、ステップ１から６を繰り返すことにより、多層配線を持つプリント配線板を製造することが可能となる。
以上、図１を参照して説明した絶縁層の形成方法では、絶縁層パターン１ａ上に第２の絶縁層２を形成に、適当な加熱処理により絶縁層パターン１ａ中の酸を、第２のレジスト２へ拡散させる方法について説明した。
【００２４】
ここで、第２の絶縁層２に用いられる第２の絶縁材料について説明する。
第２の絶縁材料としては、架橋性の水溶性樹脂の単独、あるいはそれらの２種類以上の混合物を用いることができる。また、水溶性架橋剤の単独、あるいはそれらの２種類以上の混合物が用いられる。さらに、これら水溶性樹脂と水溶性架橋剤との混合物が用いられる。
第２の絶縁材料として混合物を用いる場合には、それらの材料組成は、適用する第１の絶縁層材料、あるいは設定した反応条件などにより、最適な組成を設定すれば良く、特に限定されるものではない。
【００２５】
第２の絶縁材料の具体例としては、図３に示すような、ポリアクリル酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、スチレン−マレイン酸共重合体、ポリビニルアミン樹脂、ポリアリルアミン、オキサゾリン基含有水溶性樹脂、などが特に有効に適用可能であり、また、酸性成分存在下で架橋反応を生じる、あるいは、水溶性の架橋剤と混合が可能であれば、特に限定されない。水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素樹脂、アルキッド樹脂、スルホンアミド樹脂なども適用可能である。また、これらを単独で用いても、混合物として用いても有効である。
【００２６】
次に、第２の絶縁材料に用いることができる水溶性架橋剤としては、具体的には、図４に示すような尿素誘導体、アルコキシエチレン尿素、Ｎ−アルコキシエチレン尿素、エチレン尿素、エチレン尿素カルボン酸などの尿素系架橋剤、メラミン、アルコキシメチレンメラミン、などのメラミン系架橋剤、ベンゾグアナミン、グリコールウリル等のアミノ系架橋剤などが適用可能である。しかし、アミノ系架橋剤に特に限定されるものではなく、酸によって架橋を生じる水溶性架橋剤であれば特に限定されるものではない。
【００２７】
さらに第２の絶縁材料に用いられる具体的な水溶性レジスト材料としては、上述したような水溶性樹脂の単独あるいは混合物に、同じく上述したような水溶性架橋剤の単独又は混合物を、相互に混合して用いることも有効である。
例えば、具体的には、水溶性樹脂組成物としてはポリビニルアセタール樹脂を用い、水溶性架橋剤としてはメトキシメチロールメラミン、あるいはエチレン尿素などを混合して用いることなどが挙げられる。この場合、水溶性が高いため、混合溶液の保存安定性が優れている。
なお、第２の絶縁材料は、水溶性あるいは、第１の絶縁層を溶解しない水溶性有機溶媒に可溶であり、かつ、酸成分の存在下で、架橋反応を生じる材料であれば特に限定されるものではない。
【００２８】
さらに必要に応じて、第２の絶縁材料として、酸化剤で溶解除去可能な金属粒子、無機粒子、あるいはアルカリに可溶な樹脂粒子などを混合する、あるいは、ブタジエン／アクリロニトリル共重合体から成るゴム粒子を混合し、第２の絶縁層を形成し、第１の絶縁層と接するこの第２の絶縁層中に第１の絶縁層との反応層を形成した後に、重クロム酸カリウム、硫酸、などの混合物からなる酸化剤により化学的にエッチングして、絶縁層表面を粗面化することも可能である。
【００２９】
本実施の形態においては、第１の絶縁層１と第２の絶縁層２との架橋反応を制御し、絶縁層パターン１ａ上に形成される架橋層４の厚みを制御することが重要である。架橋反応の制御は、適用する第１の絶縁材料と第２の絶縁材料との反応性絶縁層パターン１ａの形状、必要とする架橋反応層４の厚み、などに応じて、最適化することが望ましい。
【００３０】
第１の絶縁層１と第２の絶縁層２との架橋反応の制御は、プロセス条件の調整による手法と、第２の絶縁材料の組成を調整する手法がある。
架橋反応のプロセス的な制御手法としては、（１）加熱処理温度、処理時間を調整する、などの手法が有効である。特に、加熱して架橋する時間を調整することにより、架橋層４の厚みを制御することが可能であり、非常に反応制御性の高い手法といえる。
また、第２の絶縁層２に用いる第２の絶縁材料の組成面からは、（２）適当な２種類以上の水溶性樹脂を混合し、その混合比を調整することにより、第１の絶縁層１との反応量を制御する、（３）水溶性樹脂に、適当な水溶性架橋剤を混合し、その混合比を調整することにより、第１の絶縁層１との反応量を制御する、などの手法が有効である。
【００３１】
しかしながら、これらの架橋反応の制御は、一元的に決定されるものではなく、（１）第２の絶縁材料と第１の絶縁材料との反応性、（２）絶縁層パターン１ａの形状、膜厚、（３）必要とする架橋層の膜厚、（４）使用可能な露光条件、あるいはＭＢ条件、（５）塗布条件、などの様々な条件を勘案して決定する必要がある。特に、第１の絶縁層と第２の絶縁層との反応性は、第１の絶縁材料の組成により、影響を受けることが分かっており、そのため、実際に本発明を適用する場合には、上述した要因を勘案し、第２の絶縁材料の組成を最適化することが望ましい。
従って、第２の絶縁材料として用いられる水溶性材料の種類とその組成比は、特に限定されるものではなく、用いる材料の種類、熱処理条件などに応じて、最適化して用いる。
【００３２】
実施の形態２．
次に、酸の拡散により架橋させる手法に代わって、第１の絶縁層と第２の絶縁層がその界面で相互溶解することにより現像液に不溶化し、第１の絶縁層１上に新たな樹脂層を形成する方法について説明する。
図２は、この場合の絶縁層パターンの形成方法を説明するためのプロセスフロー図である。
【００３３】
図２のステップ１、２は、実施の形態１と同様である。さらに、ステップ３に示すように、絶縁層パターン１ａ上に、第１の絶縁層１と相互溶解する第２の絶縁材料を主成分として構成されていることを特徴とする第２の絶縁層２を形成する。
第２の絶縁材料の塗布方法は、第１の絶縁層１上に均一に塗布可能であれば、特に限定されるものではなく、スプレーによる塗布、回転塗布、カーテンコート、あるいは第２の絶縁材料溶液中に浸漬（ディッピング）することにより塗布することも可能である。また、フィルム状レジストをラミネートしても良い。次に、第２の絶縁材料の塗布後、必要に応じてこれをプリベークし（例えば、８５℃、５分程度)、第２の絶縁層２を形成する。
【００３４】
次に、図２ステップ４に示すように、コア基板３に形成された絶縁層パターン１ａと、この上に形成された第２の絶縁層２とを加熱処理する。加熱温度は、例えば８５℃〜１６０℃程度であり、第１の絶縁層１が変形しない温度範囲とする。加熱処理により、絶縁層パターン１ａと、第２の絶縁層２中の相互溶解を発生させることにより、絶縁層パターン１ａの上面に接する第２の絶縁層２との界面において、不溶化層４を形成する。
この場合の加熱処理温度／時間は、例えば８５℃〜１６０℃／１〜６０分であり、用いる絶縁層材料の種類、必要とする反応層の厚みにより、最適な条件に設定すれば良い。
この加熱処理により、相互溶解による不溶化層４が、絶縁層パターン１ａを被覆するように第２の絶縁層２の中に形成される。
【００３５】
次に、図２ステップ５に示すように、水、あるいは、水溶性の有機溶剤の水溶液、あるいはＴＭＡＨ等のアルカリ水溶液の現像液、あるいは有機溶剤など第２の絶縁層２の不溶化されていない部分を溶解できる溶媒を用いて、第２の絶縁層２を洗浄除去する。さらに、酸溶液処理により、不溶化層４中の粒子成分を溶解除去し、不溶化層４の表面部分を粗面化した絶縁層５を形成する。以上の処理により、ビア内径を縮小するとともに、第１の絶縁層１上に表面が粗面化された絶縁層５を形成することが可能となる。
【００３６】
次に、図２ステップ６では、実施の形態１のステップ６と全く同様な処理を行う。
【００３７】
以上、図２を参照して説明した絶縁層５の形成方法では、絶縁層パターン１ａ上に第２の絶縁層２を形成し、適当な加熱処理により絶縁層パターン１ａ成分を、第２の絶縁層２へ拡散させることにより、第１の絶縁層パターン表面に不溶化層５を形成する方法について説明した。
【００３８】
ここで、第２の絶縁層２に用いられる材料について説明する。第1の絶縁層１と相溶して不溶化層を形成するために用いられる第２の絶縁材料としては、ポリフェニルシリセスシロキサン、ポリメチルシリセスシロキサンあるいは、メラミン樹脂、などが挙げられるが、これらに限定されるものではなく、用いる第１の絶縁材料の種類に応じて、最適な相溶性を持つ樹脂材料を適宜選択すれば良く、特に限定されるものではない。
【００３９】
また、これらの材料を用いる場合には、第２の絶縁材料を溶解させる溶媒の選択が重要であり、その溶媒としては、キシレン、アニソール、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリドン、γ―ブチロラクトン、あるいはこれらの混合溶媒などが挙げられ、第２の絶縁材料を溶解するとともに、第１の絶縁層と適度に相溶することが必要であり、特に限定されるものではなく、第２の絶縁材料を溶解し、かつ第１の絶縁層と相溶可能であればこれらに限定されるものではなない。
【００４０】
さらに必要に応じて、第２の絶縁材料に、酸化剤で溶解除去可能な金属粒子、無機粒子、あるいはアルカリに可溶な樹脂粒子などを混合する、あるいは、ブタジエン／アクリロニトリル共重合体から成るゴム粒子を混合し、絶縁層（相互溶解した反応層）５を形成した後に、重クロム酸カリウム、硫酸、などの混合物からなる酸化剤により化学的にエッチングすることにより、絶縁層５表面を粗面化することも可能である。
【００４１】
本実施の形態においては、第１の絶縁層１と第２の絶縁層２との相互溶解を制御し、絶縁層パターン１ａ上に形成される不溶化層４の厚みを制御することが重要である。不溶化層の制御は、適用する第１の絶縁材料と第２の絶縁材料との反応性、絶縁層パターン１ａの形状、必要とする不溶化層４の厚み、などに応じて、最適化することが望ましい。
【００４２】
第１の絶縁層と第２の絶縁層との相互溶解の制御は、プロセス条件の調整による手法と、第２の絶縁材料の組成を調整する手法がある。
相互溶解のプロセス的な制御手法としては、（１）加熱処理温度、処理時間を調整する、などの手法が有効である。特に、加熱して相互溶解する時間を調整することにより、不溶化層の厚みを制御することが可能であり、非常に反応制御性の高い手法といえる。
また、第２の絶縁層に用いる第２の絶縁材料の組成面からは、（２）適当な２種類以上の樹脂材料を混合し、その混合比を調整することにより、第１の絶縁層との相互溶解を制御する、（３）第２の絶縁材料を溶解する溶媒に混合溶媒を用い、それらの溶媒の混合比を調整することにより、第１の絶縁層との相互溶解量を制御する、などの手法が有効である。
【００４３】
しかしながら、これらの反応の制御は、一元的に決定されるものではなく、（１）第２の絶縁層と第１の絶縁層との相溶性、（２）絶縁層パターンの形状、膜厚、（３）必要とする不溶化層の膜厚などの様々な条件を勘案して決定する必要がある。特に、第１の絶縁層と第２の絶縁層との相溶性は、第１の絶縁材料の組成により、影響を受けることが分かっており、そのため、実際に本発明を適用する場合には、上述した要因を勘案し、第２の絶縁材料の組成を最適化することが望ましい。
従って、第２の絶縁層に用いられる第２の絶縁材料とこの材料を溶解している溶媒の種類とその組成比は、特に限定されるものではなく、用いる材料の種類、熱処理条件などに応じて、最適化して用いる。
【００４４】
上記実施の形態１および２のプリント配線板の製造方法によれば、表面粗化促進のための成分を含まない第１の絶縁層を形成しパターニングした後、さらに、すでに形成した第１の絶縁層上に、表面粗化を促進させる粒子を含む第２の絶縁層を形成し、この第２の絶縁層の第１の絶縁層と接する面内部に反応層を形成することにより、絶縁層の特性向上を実現するとともに、すでに形成されているパターン内壁に新たな反応による絶縁層を形成することにより、パターンサイズを初期サイズからさらに縮小することにより、微細パターン形成の解像限界を向上させることができる。
【００４５】
また、上記プリント配線板の製造方法を採用して構成され、コア基材１上のパターニングされた第１の絶縁層１と、第１の絶縁層１上に第１の絶縁層１と反応して形成され、化学的に溶解する粒子を含み、その表面の粒子を除去して粗面化された反応層４，５と、反応層４，５上に形成された導体層６を備えたプリント配線板は、絶縁性が高い絶縁層と微細パターン形成の解像限界を向上させたものが得られる。
【００４６】
【実施例】
次に、前記の実施の形態１および２に関連した実施例について説明する。以下の実施例は、一つ以上の実施の形態に関係する場合がある。
【００４７】
実施例１．
（下地パターンの形成（感光性の場合））
コア基板３に三菱瓦斯化学社製の型名：ＦＲ４基板（銅箔２０μｍ）を用い、その上にシプレイ社製の感光性絶縁樹脂材料ＸＰ９５００をカーテンコートにより塗布、９０℃で３０分加熱乾燥し、樹脂膜厚５０μｍの第１の絶縁層２を形成した。さらに、図３に示すような直径１００μｍの円形パターンを持つマスクを用いて、ＵＶ露光機（ＵＳＨＩＯ電機社製）を用いて１．５Ｊ／ｃｍ2の紫外線を照射し、さらに、９０℃３０分加熱処理を行った後現像し、図４に示すような直径１００μｍのホールパターンを持つ絶縁層１ａを得た。
【００４８】
実施例２．
（酸架橋型材料の調製）
第２の絶縁材料として、１Ｌメスフラスコを用い、積水化学社製のポリビニルアセタール樹脂エスレックＫＷ３：５０ｇに、三和ケミカル社製のエチレン尿素、型名：ＭＸ２８０を１５０ｇと、純水２８０ｇ、イソプロピルアルコール２０ｇを混合し、室温で２時間攪拌混合した後、さらに、粒径５μｍと１μｍのブタジエン／アクリロニトリル共重合体をそれぞれ１５ｇずつを混合し、さらに室温で６時間攪拌混合することにより、第２の絶縁材料溶液を得た。
【００４９】
実施例３．
（相互溶解型材料の調製）
三井サイナミド社製のメトキシメチロールメラミン３７０ｇおよびサイメル２００ｇと、Ｎ―メチルピロリドン１００ｇ、純水１８０ｇ、イソプロピルアルコール２０ｇを混合し、室温で６時間攪拌混合した後、さらに、粒径５μｍと１μｍのブタジエン／アクリロニトリル共重合体をそれぞれ１５ｇずつを混合し、さらに室温で６時間攪拌混合することにより、第２の絶縁材料溶液を得た。
【００５０】
実施例４．
（エポキシ樹脂とゴム粒子混合材料の調製）
油化シェル製のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂エピコート１８０の５０％アクリル化物１２０ｇ、油化シェル製のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（Ｅ１００１）８０ｇ、ジアリルテレフタレート３０ｇ、チバガイギー社製のイルガキュア９０７（型名）６ｇ、溶媒としてブチルセロソルブアセテート１００ｇを混合し室温下で３時間攪拌混合することにより、第１の絶縁材料溶液を得た。
さらに、粒径５μｍと１μｍのブタジエン／アクリロニトリル共重合体をそれぞれ１５ｇずつ混合し、室温下で３時間攪拌混合することにより、ゴム粒子成分を含んだ第１の絶縁材料溶液をあわせて得た。
【００５１】
比較例１．
（実施例４を用いたパターン）
コア基板３に三菱瓦斯化学社製ＦＲ４基板（銅箔２０μｍ）を用い、その上に実施例４で得たゴム粒子成分を含まない第１の絶縁材料溶液をカーテンコートで塗布し、８０℃で３０分加熱乾燥し、膜厚５０μｍの第１の絶縁層１を形成した。さらに、図３に示すような直径１００μｍの円形パターンを持つマスクを用いて、超高圧水銀灯（ＵＳＨＩＯ電機社製）を用いて１．５Ｊ／ｃｍ2の紫外線を照射し、さらに、９０℃３０分加熱処理を行った後、現像処理し、さらに、超高圧水銀灯により１．５Ｊ／ｃｍ2の紫外線照射を行い、図５に示すような直径１００μｍのホールパターンを持つ絶縁層１ａを得た。
【００５２】
比較例２．
（実施例４を用いたパターン、メッキまで実施）
コア基板３に三菱瓦斯化学社製ＦＲ４基板（銅箔２０μｍ）を用い、その上に実施例４で得たゴム粒子成分を含む第１の絶縁材料溶液をカーテンコートで塗布し、８０℃で３０分加熱乾燥し、膜厚５０μｍの第１の絶縁層１を形成した。さらに、図３に示すような直径１００μｍの円形パターンを持つマスクを用いて、超高圧水銀灯（ＵＳＨＩＯ電機社製）を用いて２．０Ｊ／ｃｍ2の紫外線を照射し、さらに、９０℃３０分加熱処理を行った後、現像処理し、さらに、超高圧水銀灯により２．０Ｊ／ｃｍ2の紫外線照射を行い、図６に示すような直径１００μｍのホールパターンを持つ絶縁層１ａを得た。
次に、この基板をクロム酸（ＣｒＯ3）５００ｇ／Ｌ水溶液で構成した酸化剤に５０℃で１５分間浸漬揺動して絶縁層表面を粗化した後、シプレイ社製中和剤ＯＭ９５０に浸漬した後水洗した。さらに、無電解メッキ処理と電解メッキ処理を行い、膜厚２０μｍのＣｕを形成した。
【００５３】
実施例５．
（実施例１と実施例２（酸架橋））
図７に示すように、実施例１で得た１００μｍ径のバイアホールパターンを形成した第１の絶縁層１が形成されたコア基板３上に、実施例２で得た溶液をカーテンコート法により塗布、８０℃で２０分間プリベークし、第２の絶縁層２を形成した。次に、１２０℃／１５分、１２０℃／３０分、１２０℃／４５分、１２０℃／６０分、１３０℃／３０分、１４０℃／３０分のそれぞれの温度で加熱処理を行い、第１の絶縁層１と第２の絶縁層２の界面での第２の絶縁層２面内に架橋反応を進行させた。さらに、純水スプレイ現像（スプレイ圧＝１．２Ｋｇ／ｃｍ2）で基板を洗浄し、絶縁層２中の未架橋部分を除去し、第１の絶縁層１上に、架橋層４ａを形成した。この時のバイアホール径は、処理前の第１の絶縁層１に形成されていたバイアホール径１００μｍよりもいずれの場合も小さいサイズのホール径が得られた（表１）。また、得られたホール径は、加熱処理温度依存性が確認され、温度が高くなるに従ってホール径は小さくなった。また、１２０℃で処理した場合は、処理時間が長くなるにつれ、ホール径は小さくなった。
【００５４】
【表１】
0003941271.tif 000002
【００５５】
次に、この基板をクロム酸（ＣｒＯ3）５００ｇ／Ｌ水溶液で構成した酸化剤に５０℃で１５分間浸漬揺動して絶縁層表面を粗化した後、シプレイ社製中和剤ＯＭ９５０に浸漬した後水洗した。
さらに、無電解メッキ処理と電解メッキ処理を行い、膜厚２０μｍのＣｕを形成し、ピール強度を測定した（９０度剥離）結果、９５０ｇ／ｃｍであり、十分な剥離強度が実現できていることが確認された。
【００５６】
実施例６．
（実施例１と実施例３（相互溶解））
図８に示すように、実施例１で得た１００μｍ径のバイアホールパターンを形成した第１の絶縁層１が形成されたコア基板３上に、実施例３で得た溶液をカーテンコートにより塗布、９０℃で３０分間プリベークし、第２の絶縁層２を形成した。さらに、１２０℃／３０分、１３０℃／３０分、１４０℃／１５分、３０分、４５分のそれぞれの温度で加熱処理を行い、第１の絶縁層１と第２の絶縁層２の界面で相互溶解を進行させ、不溶化層４ｂを形成した。さらに、Ｎ−メチルピロリドンを用いたスプレイ現像（スプレイ圧＝１．２Ｋｇ／ｃｍ2）で基板を洗浄し、絶縁層２中の溶解部分を除去し、第１の絶縁層１上に、不溶化層４ｂを形成した。この時のバイアホール径は、処理前の第１の絶縁層１に形成されていたバイアホール径１００μｍよりもいずれの場合も小さいサイズのホール径が得られた（表２）。また、得られたホール径は、加熱処理温度依存性が確認され、温度が高くなるに従ってホール径は小さくなった。また、１２０℃で処理した場合は、処理時間が長くなるにつれ、ホール径は小さくなった。
【００５７】
【表２】
0003941271.tif 000003
【００５８】
次に、この基板をクロム酸（ＣｒＯ3）５００ｇ／Ｌ水溶液で構成した酸化剤に５０℃で１５分間浸漬揺動して絶縁層表面を粗化した後、シプレイ社製中和剤ＯＭ９５０に浸漬した後水洗した。
さらに、無電解メッキ処理と電解メッキ処理を行い、膜厚２０μｍのＣｕを形成し、ピール強度を測定した（９０度剥離）結果、９５０ｇ／ｃｍであり、十分な剥離強度が実現できていることが確認された。
【００５９】
実施例７．
（実施例６（相互溶解）と比較例２（ゴム粒子混合エポキシ）の比較）
図９に示すように、比較例１で得た１００μｍのホールパターンを持つゴム粒子成分を含まない絶縁層１ａを形成した基板上に、実施例２の第２の絶縁材料溶液をカーテンコート法で塗布し、８０℃で２０分間プリベークし、第２の絶縁層２を形成した。次に、１２０℃／３０分、１３０℃／３０分、１４０℃／３０分のそれぞれの温度で加熱処理を行い、第１の絶縁層１ａと第２の絶縁層２の界面に架橋反応を進行させた。さらに、純水スプレイ現像（スプレイ圧＝１．２Ｋｇ／ｃｍ2）で基板を洗浄し、絶縁層２中の未架橋部分を除去し、第１の絶縁層１ａ上に、架橋層４ａを形成した。この時のバイアホール径は、処理前の第１の絶縁層に形成されていたバイアホール径１００μｍよりもいずれの場合も小さいサイズのホール径が得られた（表３）。また、得られたホール径は、加熱処理温度依存性が確認され、温度が高くなるに従ってホール径は小さくなった。
【００６０】
【表３】
0003941271.tif 000004
【００６１】
次に、この基板をクロム酸（ＣｒＯ3）５００ｇ／Ｌ水溶液で構成した酸化剤に５０℃で１５分間浸漬揺動して絶縁層表面を粗化した後、シプレイ社製中和剤ＯＭ９５０に浸漬した後水洗した。さらに、無電解メッキ処理と電解メッキ処理を行い、膜厚２０μｍのＣｕを形成し、プリント配線板を得た。
【００６２】
実施例８．
（比較例１と実施例７（ゴム粒子有無）の特性比較）
比較例１で得たプリント配線板と実施例７で得たプリント配線板を用いて、絶縁層の誘電率を測定した（２５℃、１ＫＨｚ）。その結果、誘電率は、表４に示す結果となり、第１の絶縁層に表面粗面化処理用のゴム粒子が含まれず、第２の絶縁層にゴム粒子を含ませた場合に誘電特性はよくなることが確認された。
【００６３】
【表４】
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【００６４】
次に、プリント配線板の垂直方向の熱膨張率（８０℃〜１２０℃）を測定した結果、第１の絶縁層に表面粗面化処理用のゴム粒子を含ます、第２の絶縁層にゴム粒子を含ませた場合に熱膨張率は小さくなることが確認された（表５）。
【表５】
0003941271.tif 000006
さらに、プリント配線板の銅箔と絶縁層の密着強度について、９０度剥離によるピール強度測定を実施した。その結果、第１の絶縁層に表面粗面化処理用のゴム粒子を含いだ場合と第２の絶縁層にゴム粒子を含ませた場合で密着強度はほぼ同じ値であることが確認された（表６）。
【表６】
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【００６５】
【発明の効果】
この発明のプリント配線板の製造方法は、表面粗化促進のための成分を含まない絶縁層を形成した後、さらに、すでに形成した絶縁層上に、表面粗化を促進させる成分を含む絶縁層を形成することにより、絶縁層の特性向上を実現するとともに、すでに形成されているビアなどのパターン内壁に新たな反応による絶縁層を形成することにより、ビアサイズなどのパターンサイズを初期サイズからさらに縮小することにより、微細パターン形成の解像限界を向上させることができる効果がある。
【００６６】
また、この発明のプリント配線板の製造方法を採用して構成されたプリント配線板は絶縁性が高い絶縁層と微細パターン形成の解像限界を向上させたものが得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明におけるプリント配線基板の製造方法の実施の形態１を説明するためのプロセスフロー図である。
【図２】  この発明におけるプリント配線基板の製造方法の実施の形態２を説明するためのプロセスフロー図である。
【図３】  この発明の実施例１で用いるビアパターンを形成するためのマスクパターンを説明するための図である。
【図４】  第1の絶縁層にビアパターンを形成する方法を説明するための工程フロー図である。
【図５】  第1の絶縁層にビアパターンを形成する方法を説明するための工程フロー図である。
【図６】 比較例２のプリント配線板の製造方法を説明するための工程フロー図である。
【図７】 実施例５のプリント配線板の製造方法を説明するための工程フロー図である。
【図８】 実施例６のプリント配線板の製造方法を説明するための工程フロー図である。
【図９】 実施例７のプリント配線板の製造方法を説明するための工程フロー図である。
【符号の説明】
１  第１の絶縁層、  ２  第２の絶縁層、３コア基板、４  反応層（架橋層、不溶層）、５  反応層の粗面、６  導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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