(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを利用して成膜処理がなされるプラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室内に設けられたカソード電極と、
前記カソード電極およびそれに電気的に接続された部材によって囲まれ、前記プラズマ処理室内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生用ガスを導入するためのガスが滞留するガス滞留部と、
前記カソード電極に接するように設けられた絶縁部と、
前記絶縁部を介して前記カソード電極に対向するように設けられたアノード電極と、
前記カソード電極および前記アノード電極とは前記プラズマ処理室内の空間を介して設けられた成膜基板と、
前記カソード電極のみを貫通して前記ガス滞留部と前記空間とを連通させるガス導入口とを備え、
前記ガス滞留部の内壁面全面が実質的に同電位になるように構成された、プラズマプロセス装置。
【請求項２】
プラズマを利用して成膜処理がなされるプラズマ処理室と、
前記プラズマ処理室内に設けられたカソード電極と、
前記カソード電極およびそれに電気的に接続された部材によって囲まれ、前記プラズマ処理室内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生用ガスを導入するためのガスが滞留するガス滞留部と、
前記カソード電極に接するように設けられた絶縁部と、
前記絶縁部を介して前記カソード電極に対向するように設けられたアノード電極と、
前記カソード電極および前記アノード電極とは前記プラズマ処理室内の空間を介して設けられた成膜基板と、
前記カソード電極および前記絶縁部の双方を貫通して前記ガス滞留部と前記空間とを連通させるガス導入口とを備え、
前記ガス滞留部の内壁面全面が実質的に同電位になるように構成された、プラズマプロセス装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体膜や絶縁膜の製造に用いられているプラズマプロセス装置に関し、特に、プラズマ励起化学気相成長法を用いた装置として好適な薄膜形成用プラズマ化学蒸着装置、ドライエッチング装置、または、アッシング装置などのプラズマプロセス装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、電子産業におけるアモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」という。）などの半導体膜や絶縁膜の製造には、プラズマプロセス装置が用いられている。このプラズマプロセス装置には、プラズマ励起化学気相成長法を用いた装置として好適な薄膜形成用プラズマ化学蒸着装置、ドライエッチング装置、または、アッシング装置等がある。以下、これらの装置を用いた半導体装置の製造方法の一例を説明する。
【０００３】
プラズマ１１を使って半導体膜などを成膜し、集積回路・液晶ディスプレイ・アモルファス太陽電池などの電子デバイスを製造する方法、いわゆる、プラズマ励起化学気相成長（Chemical Vapor Deposition（ＣＶＤ））法は、簡便性・操作性に優れているため、さまざまな電子デバイスを製造することに用いられている。その方法を用いる装置（プラズマ化学蒸着装置、以下、「プラズマＣＶＤ装置」という。）の形態としては、以下の図７および図８に示すようなものが一般的である。
【０００４】
プラズマＣＶＤ装置は、処理室（真空容器）５を用いて閉空間を構成し、その中にお互いに電気的に絶縁された対向する位置に平行に設置された２枚の導電板からなる電極２の間にプラズマ１１を発生させ、そこに材料ガスを流してガスを分解および解離することにより、一方の電極２に取付けられたシリコンやガラスといった成膜基板４の上に半導体膜を成膜する。
【０００５】
成膜するための材料ガスを分解するためのプラズマ１１を発生する手段としては、通常、周波数が１３．５６ＭＨｚの高周波などの電気エネルギが使用される。つまり、一方の導体板電極２は接地電位とし、もう一方の対向する電極２に電圧を印加して両導体板間に電界を発生させ、その絶縁破壊現象によるグロー放電現象としてプラズマ１１を生成する。
【０００６】
電圧がかかる側の電極、すなわち、電気的エネルギを印加する電極２をカソード電極２ａまたは放電電極と呼び、その近傍に大きな電界が形成されるため、そこで加速されるプラズマ１１の中の電子が材料ガスの解離を促しラジカルを生成する。そこで生成されたラジカルが、接地電位の電極２の上の成膜基板４までラジカル流れ１２として拡散して成膜面に堆積することにより、膜が成長する。なお、接地電位にある電極２をアノード電極２ｂと呼ぶ。
【０００７】
このようなプラズマＣＶＤ法はさまざまな産業で広く用いられている。たとえば、アクティブ駆動型の液晶ディスプレイの製造工程では、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と呼ばれているスイッチング素子が作製されるが、ＴＦＴ内ではその構成部としてａ−Ｓｉ膜や窒素シリコンなどのゲート酸化膜が重要な役割を果たしている。各々の膜がその役割を果たすためには、高品質膜を効率よく成膜する技術が不可欠である。
【０００８】
また、ドライエッチング装置またはアッシング装置は、上記と同様のプラズマ１１を利用して、用いるガスを変えることで薄膜の除去またはレジストの除去を行なうものであり、同様にアクティブ駆動型の液晶ディスプレイのＴＦＴ製造工程で重要な役割を果たしている。これらプラズマ１１を利用して薄膜の堆積・加工を行なう装置を総称してプラズマプロセス装置と呼んでいる。
【０００９】
しかしながら、従来使用されてきたプラズマプロセス装置には限界があり、たとえば、プラズマＣＶＤ装置としては液晶ディスプレイ・アモルファス太陽電池などの電子デバイスを作製する場合、しばしば、成膜基板４へ高品質膜を形成できるようにプラズマＣＶＤ装置を安定動作させることができないという問題が生じていた。
【００１０】
ごく一般的なプラズマＣＶＤ装置は、図７および図８のような構造をしている。前述のように、プラズマ１１はカソード電極２ａとアノード電極２ｂとの間に発生するため、成膜基板４は常にプラズマ１１にさらされた状態となる。したがって、成膜面にはプラズマ１１から出てくるイオンの衝撃によるダメージを受けるため、膜を高品質化するのが困難である。
【００１１】
そこで、成膜基板４へ高品質膜を成膜する方法としては、たとえば、特開平１１−１４４８９２号公報に記載の技術があるが、以下、これを説明する。
【００１２】
この方法においては、図５および図６に示すように、凸面を有する電極２を複数設けた成膜基板４を電極２から離れた位置に設置することで、横電界を形成し高品質の成膜が可能になるとしている。このように、成膜基板４を電極２から離れた場所に位置させることで、成膜基板４がプラズマ１１にさらされることがなくなり、薄膜の成膜表面へのイオン衝撃による膜質劣化がなく高品質膜の形成が可能となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法ではプラズマ１１発生空間へガスを噴出するガス導入口６あるいは噴出前にガスを滞留させておくガス滞留部７にて不要な放電が発生してしまうという問題が発生する。この原因としては、横電界を発生するためガス導入口６またはガス滞留部７が近傍にある複数の電極間に電圧を印加するため、ガス導入口６またはガス滞留部７にその漏れ電界が発生して絶縁破壊現象に至るためのものである。
【００１４】
このような放電が発生してしまうと、パウダーと呼ばれる高微分子体が発生する。筆者らの知見では、特にこのような漏れ電界によるような不安定な放電がパウダーを発生させやすい。このような状態で装置を運転し続けると、ガス導入口６またはガス滞留部７にパウダーが蓄積されてガス導入口６に目詰まりを起こしたり、材料ガスとともにパウダーがプラズマ１１発生空間に運ばれてそのまま基板上の膜内に取込まれてしまったりする。
【００１５】
すなわち、パウダーを取除くためにプラズマＣＶＤ装置のメンテナンスが頻繁に必要となったり、作製したＴＦＴ基板の歩留まりが低下したりする。つまり、この方法では、プラズマＣＶＤ装置の安定動作が保証できない。さらに、このような不要な放電が発生することで余分な消費電力が発生し、成膜に費やされる正味の電力量が不明となるために、成膜膜厚の制御精度に支障をきたす。すなわち、高品質膜を基板にプラズマＣＶＤ装置の安定動作させて、成膜する方法が未だ確立されていない。
【００１６】
また、従来使用されてきたドライエッチング装置またはアッシング装置は、図７および図８に示すプラズマＣＶＤ装置と同様の装置と使用しているが、これもまた問題を抱えていた。すなわち、プラズマ１１が成膜基板４全面にあるので、プラズマ１１内でラジカルの発生制御とイオンによる物理的エッチング動作を分離して制御できなかった。この場合に、特開平１１−１４４８９２号公報の方法、すなわち、図５および図６に示すようなプラズマＣＶＤ装置と同様の構造の装置を使用すれば、制御性は向上するものの、ガスを噴出させるガス導入口６または噴出前にガス滞留をさせておくガス滞留部７にて不要な放電が発生してしまうことはプラズマＣＶＤ装置の場合と同様であり、不要な電力消費や不安定な装置動作を招いてしまうという課題を抱えている。要するに、プラズマプロセス装置として、高品質な成膜加工を安定動作で行なえる装置がこれまで確立されていなかった。
【００１７】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高品質成膜および加工を安定動作で行なえるプラズマプロセス装置を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマプロセス装置は、プラズマを利用して成膜処理がなされるプラズマ処理室と、プラズマ処理室内に設けられたカソード電極と、カソード電極およびそれに電気的に接続された部材によって囲まれ、プラズマ処理室内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生用ガスを導入するためのガスが滞留するガス滞留部と、カソード電極に接するように設けられた絶縁部と、絶縁部を介してカソード電極に対向するように設けられたアノード電極と、カソード電極およびアノード電極とはプラズマ処理室内の空間を介して設けられた成膜基板と、カソード電極のみを貫通して前記ガス滞留部と空間とを連通させるガス導入口とを備え、ガス滞留部の内壁面全面が実質的に同電位になるように構成されている。
【００１９】
このような構成によれば、ガス滞留部の内壁面各部位の電位差により生じる電界の影響により、パウダーが発生することを抑制することができる。その結果、高品質な成膜加工を安定動作で行なうことができる。
本発明の他の局面のプラズマ処理装置は、プラズマを利用して成膜処理がなされるプラズマ処理室と、プラズマ処理室内に設けられたカソード電極と、カソード電極およびそれに電気的に接続された部材によって囲まれ、プラズマ処理室内にプラズマを発生させるためのプラズマ発生用ガスを導入するためのガスが滞留するガス滞留部と、カソード電極に接するように設けられた絶縁部と、絶縁部を介してカソード電極に対向するように設けられたアノード電極と、カソード電極およびアノード電極とはプラズマ処理室内の空間を介して設けられた成膜基板と、カソード電極および絶縁部の双方を貫通してガス滞留部と空間とを連通させるガス導入口とを備え、ガス滞留部の内壁面全面が実質的に同電位になるように構成されている。
このような構成によっても、ガス滞留部の内壁面各部位の電位差により生じる電界の影響により、パウダーが発生することを抑制することができる。その結果、高品質な成膜加工を安定動作で行なうことができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下に、本実施の形態のプラズマプロセス装置を、図を用いて具体的に説明する。
【００２７】
（実施の形態１）
本実施の形態のプラズマプロセス装置を、図１および図２に示すようなプラズマＣＶＤ装置を例にして説明する。本実施の形態のプラズマプロセス装置は、ガスを排出するためのメカニカル・ブースタ・ポンプ、またはロータリー・ポンプを装置に取付けて使用している。プラズマ発生のための材料ガスは、ＳｉＨ4（１０００ｓｃｃｍ）と水素（１５００ｓｃｃｍ）とを用いている。この材料ガスの導入は、図１に示すように、ストライプ状のカソード電極２ａに整列したガス導入口６から行なうものとする。電気的エネルギの印加を行なうために周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源を使用する。
【００２８】
電極部としては、図１および図２に示すように、５ｍｍ×５ｍｍ×１０００ｍのアルミニウム棒と、このアルミニウム棒と高さのみ異なる５ｍｍ×１０ｍｍ×１０００ｍｍのアルミニウム棒とが多数用いられ、大きさが１１００ｍｍ×１１００ｍｍで厚みが３ｍｍのアルミニウム板の上に配置される。アルミニウム板と５ｍｍ×１０ｍｍ×１０００ｍｍのアルミニウム棒とは、電気的に確実に接触するようにボルトを用いて固定されている。電極２ａと電極２ｂとの間の空間は絶縁物であるアルミナをそれぞれの形に加工して埋込んで電極間絶縁層３とする。電極２ａと電極２ｂとの間と電極間絶縁層３を組合せた構成物を電極基板と呼ぶとすると、電極基板全体は１１００ｍｍ×１１００ｍｍ×１３ｍｍの大きさになっている。
【００２９】
高周波電圧が電極基板のアルミニウム板部に印加されて、５ｍｍ×１０ｍｍ×１０００ｍｍのアルミニウム棒が高周波電位のカソード電極２ａとして機能する。カソード電極２ａと電極間絶縁層３で絶縁された５ｍｍ×５ｍｍ×１０００ｍｍのアルミニウム棒が接地電位のアノード電極２ｂとして機能する。ガス滞留部７は電極基板のアルミニウム板とその他の内壁がすべて金属で構成され、電気的に同電位になるような構造である。
【００３０】
また、個々のガス導入口６もカソード電極２ａとして機能する１つのアルミニウム棒を貫通するように設計されているので、その内壁は電気的の同電位になるような構造である。さらに、ガス導入口６とガス滞留部７との内壁は、同電位である。
【００３１】
成膜基板４として、カソード電極２ａから１５ｍｍ離れた位置に厚み１．１ｍｍのガラス基板を設置する。図１および図２の中には省略したが、成膜基板４を加熱する（成膜基板温度で２００℃）ために、成膜基板を保持している成膜基板ホルダ９の後にヒータを取付けている。
【００３２】
図１のプラズマプロセス装置に対して、ガス圧力を８０Ｐａとして高周波電力を５００Ｗとした装置の運転の様子を調べたところ、アモルファスシリコン膜が形成され成膜速度５Å／秒の成膜速度を得ることができた。また、装置運転後にガス導入口６とガス滞留部７とを調べたところ、パウダーの生成は確認されなかった。
【００３３】
一方、比較のために図５および図６の装置についても同様の運転試験を行なった。図５および図６のプラズマプロセス装置は、以下の点を除いて図１および図２のプラズマプロセス装置と同様である。図５および図６に示した従来のプラズマプロセス装置は、電極基板が、５ｍｍ×５ｍｍ×１０００ｍｍの多数のアルミニウム棒により構成され、大きさが１１００ｍｍ×１１００ｍｍで厚みが１０ｍｍの凹凸加工されたアルミナ板の上に配置されている。電極基板全体は１１００ｍｍ×１１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさである。すなわち、図１の電極基板からアルミニウム板を取除いた構造とほぼ同じである。ガス滞留部７の上部はアルミナ面であるため、さらに上部にある電極に印加される高周波電圧による高周波電界が侵入してくるのは避けられない。
【００３４】
また、個々のガス導入口６も電極間絶縁層３であるアルミナ板を貫通するように設計されているので、その内部には、高周波電界が存在してしまう構造である。すなわち、ガス導入口６の内壁面は同電位にない状態であり、ガス滞留部７の内壁面も同様に同電位にはない状態である。
【００３５】
図５および図６に示す従来のプラズマプロセス装置に対して、ガス圧力を８０Ｐａとして高周波電力を５００Ｗとして装置の運転様子を調べたところ、図１および図２に示すプラズマプロセス装置の場合と同様にアモルファスシリコン膜が形成された成膜速度４．５Å／秒の成膜速度を得られた。しかしながら、プラズマプロセス装置の運転後にガス導入口６とガス滞留部７とを調べたところ、パウダーが多量に生成されておりガス導入口６およびガス滞留部７の内壁全体がパウダー付着で茶色く変色していた。このようなパウダーが発生してしまったのは次のような原因による。
【００３６】
ガス導入口６の内壁面とガス滞留部７内壁面とが同電位ではないため、漏れてしまう高周波電界によりプラズマ１１の生成が発生してしまう。その結果として、パウダーが発生してしまったのである。また、成膜速度が０．５Å／秒減少した理由としては、導入した高周波電力の一部が、ガス導入口６とガス滞留部７とにおいて、プラズマ１１の異常な発生に費やされたためであり、成膜速度の減少は成膜基板を取出して測定するまでは把握不可能であった。つまり成膜装置としては動作が不安定であり、装置の安全運転が望めない。
【００３７】
以上述べたように、本実施の形態のプラズマプロセス装置は、ガス滞留部７の内壁がほぼ同電位であることにより、パウダーの発生が抑制され、安定な装置運転が可能となる。ここで、たとえば、ガス滞留部７の内壁の一部が誘電体で構成されていて、その一部だけ内壁の電位が若干異なるような場合でも、すなわち、ガス滞留部７の内壁全面の電位が完全に同じでなくても、プラズマ１１やパウダーは発生せず問題は発生しない。すなわち、ガス滞留部７内で不要な放電が発生しない程度に、実質的に内壁面全面がほぼ同電位であれば上記の実験結果と同じ効果が期待できる。同様のことはガス導入口６の内壁についても言える。また、ガス導入口６の内壁全面とガス滞留部７の内壁全面との電位差が大きい場合、それらの内壁面間で放電が発生して、パウダー生成が起こってしまう。その結果から、ガス導入口６の内壁とガス滞留部７の内壁との電位が、全く同じか、放電が発生しない程度に実質的に同電位であることが望ましいことが分かる。
【００３８】
以上の実施の形態のプラズマプロセス装置は、主に液晶ディスプレイ用ＴＦＴ工程での装置を仮定した大きさの装置であるが、同様の効果は装置の大きさに依存せず発揮できる。たとえば、現在シリコンウェハ上に集積回路を作製するプロセスに使用する成膜・ドライエッチング・アッシング装置としては、１２インチ程度の装置の大きさが想定されるが、そのような比較的小型のプラズマプロセス装置においても、前述のような構造にすれば、同様の効果を得ることが可能である。
【００３９】
また、本実施の形態のプラズマプロセス装置で使用した電極基板材料であるアルミニウムおよびアルミナなどの材料は、これら材料に限定されるものではない。たとえば、電極基板やガス滞留部６に使用したアルミニウムは、導電性が維持できる限りステンレスや各種金属合金類に代替することが可能であるとともに、電極基板に使用したアルミナはテフロン（Ｒ）またはフォトベールなどの他の絶縁材料に代替可能である。
【００４０】
さらに、本実施の形態のプラズマプロセス装置は、プラズマＣＶＤ装置を例にして説明したが、プラズマＣＶＤ装置に限定されるものではなく、ドライエッチング装置またはアッシング装置など、広くプラズマ１１を用いた薄膜加工装置に適用可能である。たとえば、ドライエッチング装置に適用する場合は、プラズマを発生させるためのガス種をＣＦ4、ＳＦ6、Ｃｌ2、ＨＣ、ＢＣｌ3、Ｏ2などに変更すればよい。また、ドライエッチング装置として用いる場合は、成膜基板１の背面に基板バイアス用の電極を別途取付けることとなる。
【００４１】
この場合、図５および図６に示すような構造であると、ガス滞留部６やガス導入部７でプラズマ１１が発生してしまうため、その異常なプラズマ１１の生成に費やされる電力が予測できるので、ドライエッチング動作に実際どの程度使用されているかという電力の仕様割合が予測不可能であるという不都合が生じる。一方、図１に示すプラズマプロセス装置を用いることで、ガス滞留部７やガス導入口６でプラズマ１１が発生することなく、装置として制御された状態で安全運転できる。
【００４２】
なお、本実施の形態のプラズマプロセス装置は、上述のように、ガス導入口６を第１導体部品に孔を貫通させることで実現し、ガス滞留部７を第２導体部品の組合せで構成し、第１導体部品を該第２導体部品に組合せるか、該第１部品と該第２部品を一体に形成することが効果的である。
【００４３】
（実施の形態２）
本実施の形態のプラズマプロセス装置を、以下図３および図４を用いて説明する。本実施の形態のプラズマプロセス装置の運転結果を以下に示す。図３および図４に示すプラズマＣＶＤ装置を使用し、以下に述べる内容を除いて実施の形態１と同様の構成および条件である。電極基板は、図に示すように、５ｍｍ×５ｍｍ×１０００ｍｍの多数のアルミニウム棒により構成され、大きさが１１００ｍｍ×１１００ｍｍで厚みが３ｍｍのアルミニウム板の上に配置されている。
【００４４】
電極２間の空間は絶縁物であるアルミナをそれぞれの形に加工されて埋込まれている。電極基板全体は１１００ｍｍ×１１００ｍｍ×１３ｍｍの大きさである。高周波電圧が電極基板のアルミニウム板部、すなわち、ガス滞留部６の内壁全体に印加され、それらとアルミナで絶縁された５ｍｍ×５ｍｍ×１０００ｍｍのアルミニウム棒が接地電位となっている。すなわち、電極基板のアルミニウム板がカソード電極２ａ、５ｍｍ×５ｍｍ×１０００ｍｍのアルミニウム棒がアノード電極２ｂとして機能する。ガス滞留部７は電極基板のアルミニウム板とその他の内壁がすべて金属で構成され、電気的に同電位になるような構造である。
【００４５】
また、個々のガス導入口６は電極間絶縁層３であるアルミナ板を貫通するように設計されているので、厳密には、その内壁は同電位にはならないが、周囲の構成物の電位はガス導入口６に対して対称であるので、ガス導入口６内面は図中水平方向にほぼ電気的に同電位と見なせるため、放電が発生しにくい構造となっている。この場合カソード電極２ａである高周波電圧印加部は放電空間には露出していないが、高周波電界は上部の電極間絶縁層を通して放電空間に保持される。
【００４６】
図３および図４に示すプラズマプロセス装置に対して、ガス圧力を８０Ｐａとし、高周波電力６５Ｗとし装置の運転の様子を調べたところ、アモルファスシリコン膜が形成され、成膜速度５Å／秒の成膜速度を得ることができた。また、プラズマプロセス装置の運転後にガス導入口６とガス滞留部７とを調べたところ、パウダーの生成は確認されなかった。
【００４７】
上記のような本実施の形態のプラズマプロセス装置によれば、成膜基板４への成膜・薄膜加工を安定した装置性能で行なうことができる。
【００４８】
また、アクティブ駆動型の液晶ディスプレイを作製するためには、アモルファスシリコン膜などを用いたＴＦＴ部を持つ必要があるが、その製造工程で高品質膜を安定した装置運転で形成および加工が可能となることで、デバイス作製の再現性の確保およびメンテナンス時間の低減と歩留まりの向上の点で改善を図ることができる。
【００４９】
さらに、液晶ディスプレイ以外の分野では、同じくプラズマＣＶＤ法により成膜を行なっているアモルファスシリコン太陽電池の光変換層であるアモルファスシリコンの成膜装置としても同様の効果が得られる。
【００５０】
なお、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【００５１】
【発明の効果】
上記のプラズマプロセス装置によれば、ガス滞留部の内壁面各部位の電位差により生じる電界の影響により、パウダーが発生することを抑制することができるため、高品質な成膜加工を安定動作で行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施の形態１の薄膜形成用プラズマ化学蒸着装置の概略構成を示す図である。
【図２】  実施の形態１の薄膜形成用プラズマ化学蒸着装置の断面を示す図である。
【図３】  実施の形態２の薄膜形成用プラズマ化学蒸着装置の概略構成を示す図である。
【図４】  実施の形態２の薄膜形成用プラズマ化学蒸着装置の断面を示す図である。
【図５】  従来の薄膜形成用プラズマ化学蒸着装置の概略構成を示す図である。
【図６】  従来の薄膜形成用プラズマ化学蒸着装置の断面を示す図である。
【図７】  従来の薄膜形成用プラズマ化学蒸着装置の概略構成を示す図である。
【図８】  従来の薄膜形成用プラズマ化学蒸着装置の断面を示す図である。
【符号の説明】
１  電源（電気的エネルギ印加を行なう）、２  電極、２ａ  カソード電極、２ｂ  アノード電極、３  電極間絶縁層、４  成膜基板、５  処理室（真空容器）、６  ガス導入口、７  ガス滞留部、８  導入端子、９  成膜基板ホルダ、１１  放電（プラズマ）、１２  ラジカル流れ、１３  ガス供給部、１４  ガス流れ。
【図１】
0004011315.tif 000002
【図２】
0004011315.tif 000003
【図３】
0004011315.tif 000004
【図４】
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【図５】
0004011315.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図８】
0004011315.tif 000009