(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップをフェイスダウンボンディングによって実装するＣＯＦ用テープであって、
フレキシブルテープと、
前記フレキシブルテープ上に形成された、前記半導体チップのバンプと接合するためのインナーリードと、
前記インナーリードにおける前記半導体チップのバンプと接合される接合部分側の先端に形成された、該バンプが接合される接合部分のインナーリード幅より広い幅広部と、
を具備し、
前記幅広部が前記フレキシブルテープに接着されていることを特徴とするＣＯＦ用テープ。
【請求項２】
上記接合部分より先端側のインナーリード表面の高さは、該接合部分のインナーリード表面の高さより低く形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦ用テープ。
【請求項３】
上記接合部分より先端側のインナーリードの厚さは、該接合部分のインナーリードの２０％以上８０％以下の厚さであることを特徴とする請求項１又は２に記載のＣＯＦ用テープ。
【請求項４】
上記幅広部は、その平面形状が多角形、楕円形及び円形のうちのいずれかからなることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項記載のＣＯＦ用テープ。
【請求項５】
上記幅広部が千鳥足状に配置されていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項記載のＣＯＦ用テープ。
【請求項６】
上記フレキシブルテープがテープ用絶縁フィルムであることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項記載のＣＯＦ用テープ。
【請求項７】
上記テープ用絶縁フィルムがポリイミド又は液晶ポリマーからなるフィルムであることを特徴とする請求項６に記載のＣＯＦ用テープ。
【請求項８】
上記バンプがＡｕ又はＳｎからなり、上記インナーリードが表面にＡｕメッキ又はＳｎメッキされたＣｕ薄膜からなることを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１項記載のＣＯＦ用テープ。
【請求項９】
半導体チップをフェイスダウンボンディングによって実装するＣＯＦ用テープの製造方法であって、
所定の形状を有するフレキシブルテープを準備する工程と、
前記フレキシブルテープ上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記半導体チップのバンプと接合するインナーリードを有し且つ該インナーリードにおける前記半導体チップのバンプと接合される接合部分側の先端に該バンプが接合される接合部分のインナーリード幅より広い幅広部が設けられた導電膜パターンを形成する工程と、
を具備し、
前記幅広部が前記フレキシブルテープに接着されていることを特徴とするＣＯＦ用テープの製造方法。
【請求項１０】
上記導電膜パターンを形成する工程の後又は前に、上記接合部分より先端側のインナーリード部分を加工することにより、該先端側のインナーリード表面の高さを、該接合部分のインナーリード表面の高さより低くする工程をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載のＣＯＦ用テープの製造方法。
【請求項１１】
半導体チップをフェイスダウンボンディングによってＣＯＦ用テープに実装した半導体装置であって、
前記半導体チップに形成されたバンプと、
フレキシブルテープと、
前記フレキシブルテープ上に形成され、該バンプが接合されたインナーリードと、
前記インナーリードにおける前記バンプと接合された接合部分側の先端に形成された、該バンプが接合された接合部分のインナーリード幅より広い幅を有する幅広部と、
を具備し、
前記幅広部が前記フレキシブルテープに接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
上記接合部分より先端側のインナーリード表面の高さは、該接合部分のインナーリード表面の高さより低く形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
上記インナーリードは、前記半導体チップの外周部分に対向するフレキシブルテープ上の部分及び前記半導体チップの能動面に対向するフレキシブルテープ上の部分に形成されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
半導体チップをフェイスダウンボンディングによってＣＯＦ用テープに実装した半導体装置の製造方法であって、
所定の形状を有するフレキシブルテープを準備する工程と、
前記フレキシブルテープ上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記半導体チップのバンプと接合するインナーリードを有し且つ該インナーリードにおける前記半導体チップのバンプと接合される接合部分側の先端に該バンプが接合される接合部分のインナーリード幅より広い幅広部が設けられた導電膜パターンを形成する工程と、
前記インナーリードに前記半導体チップのバンプを加熱加圧して接合する工程と、
を具備し、
前記幅広部が前記フレキシブルテープに接着されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
上記導電膜パターンを形成する工程の前、又は、上記導電膜パターンを形成する工程と上記接合する工程の間に、上記接合部分より先端側のインナーリードを加工することにより、該先端側のインナーリード表面の高さを、該接合部分のインナーリード表面の高さより低くする工程をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＯＦ用テープ、その製造方法、半導体装置及びその製造方法に係わり、特に、ボンディング時にインナーリードの先端部分がフレキシブルフィルムから剥離することを防止したＣＯＦ用テープ、またインナーリードのボンディング部の形状均一性を確保できるＣＯＦ用テープ、その製造方法、半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５（ａ）は、従来のＣＯＦ(chip on flexibility)用テープを示す平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す６ｂ−６ｂ線に沿った断面図である。
【０００３】
このＣＯＦ用テープは、ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)テープのＣＯＦタイプのテープである。フレキシブルテープであるポリイミドフィルム１０１等の上には複数のインナーリード１０２が形成されている。インナーリード１０２は、図５（ａ）に示すように、その先端側の形状が半導体チップのバンプとの接続部分（インナーリードの先端より約７０μｍの位置）より同幅のストレート形状を有している。なお、他の従来例としてはインナーリードの先端部分がバンプとの接続部分より幅の狭い形状を有するものもある。
【０００４】
ＣＯＦ用テープを製作する場合、まず、所定形状のポリイミドフィルム１０１等を準備し、このポリイミドフィルム１０１の全面上にＣｕ薄膜等を貼り付ける。次いで、このＣｕ薄膜等をエッチングによりパターニングする。これによって、ポリイミドフィルム１０１等上には、インナーリード１０２の先端部分が同幅のストレート形状からなるリードもしくは幅狭テーパ形状のリードが形成される。次いで、インナーリード１０２の表面にＳｎメッキ、Ａｕメッキ又はその他のメッキを施す。このようにしてＣＯＦ用テープを製作する。
【０００５】
図６（ａ）は、従来の半導体装置の一部を示す平面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示す７ｂ−７ｂ線に沿った断面図である。この図に示す半導体装置は従来技術の問題点を有するものである。
【０００６】
まず、半導体チップ１０３を準備し、この半導体チップ１０３の能動面上には複数のＡｕ及びＳｎ等の金属バンプ１０４が設けられている。
次いで、半導体チップ１０３を図５に示すＣＯＦ用テープにＩＬＢ（インナーリードボンディング）実装を行う。
【０００７】
すなわち、ポリイミドフィルム１０１上に形成したインナーリード１０２をＡｕ、Ｓｎ等のバンプ１０４に位置合わせする。この際、Ａｕ、Ｓｎ等のバンプ１０４はインナーリード１０２の先端より約７０μｍの位置に置かれる。次いで、これらインナーリード１０４とＡｕ、Ｓｎ等のバンプ１０４をＡｕ−Ａｕの場合、３００〜５００℃に加熱し、ボンディングツール（図示せず）を用いて適性荷重を一括で加えてインナーリード１０２とＡｕ、Ｓｎ等のバンプ１０４を加熱加圧接合する。これにより、固相及び共晶接合を行い、リードとＡｕ、Ｓｎ等のバンプを電気的に接続し、半導体チップのフェイスダウンボンディングが実施され、ＩＬＢ実装が行われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の半導体装置におけるＣＯＦタイプのテープは、Ａｕ等のバンプ１０４と接合されるボンディング部のインナーリード１０２がポリイミド等のフィルム１０１上にあり、ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)テープのインナーリードのようにオーバーハング構造ではない。このため、ボンディング時にボンディングツールを用いて加熱加圧した際、図６（ｂ）に示すように、インナーリード１０２の下のポリイミド等のフィルム１０１にも熱と圧力が加えられる。これにより、インナーリード１０２の先端部分がポリイミド等のフィルム１０１から剥離することがある。若しくは、インナーリードの先端部分が捩れた状態になることもある（図示せず）。
【０００９】
このように剥離したり捩れたりすると、インナーリードと半導体チップの能動面とが接触するという弊害が発生することがあり、半導体装置の実装品質が低下し、ひいては半導体装置の品質信頼性が低下することになる。また、完成品である半導体装置の信頼性試験においても耐用度の高い品質が得られないことがある。また、上述したように剥離や捩れが生じると、半導体チップの能動面とインナーリードの先端部分が接触するなどの弊害が生じることがあり、不良の原因となることもある。
【００１０】
また、上記従来の半導体装置では、Ａｕ等のバンプ１０４とインナーリード１０２とのボンディング時における加熱による接合溶融物がインナーリードの長手方向に流れてインナーリードの先端側に広がることがある。これにより、インナーリードと半導体チップの能動面とが接触するなどの弊害及び接合部の不安定要因が生じ、その結果、実装品質が低下することがある。また、製造上ボンディングエリアのリード細りが発生し、ボンディング品質が不安定になることがある。
【００１１】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、ボンディング時にインナーリードの先端部分がフレキシブルフィルムから剥離することかつ接合部分のリード変形による接合不安定化を防止したＣＯＦ用テープ、その製造方法、半導体装置及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、インナーリードと半導体チップの能動面との接触不良の発生を防止し、かつ接合影響エリアを限定できるＣＯＦ用テープ、その製造方法、半導体装置及びその製造方法を提供することにある。また、本発明の他の目的は、ボンディングエリアのリード形状の安定化を図ることができるＣＯＦ用テープ、その製造方法、半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係るＣＯＦ用テープは、半導体チップをフェイスダウンボンディングによって実装するＣＯＦ用テープであって、
フレキシブルテープと、
このフレキシブルテープ上に形成された、半導体チップのバンプと接合するためのインナーリードと、
このインナーリードの先端部に形成された、該バンプが接合される接合部分のインナーリード幅より広い幅広部と、
を具備することを特徴とする。
【００１３】
上記ＣＯＦ用テープによれば、インナーリードの先端部分にバンプが接合される接合部分のインナーリード幅より広い幅広部を形成している。このため、半導体チップのバンプとインナーリードを加熱加圧して接合する際、インナーリードの下のフレキシブルテープに熱が加えられても、従来の半導体装置のようにフレキシブルテープからインナーリードの先端部分が剥離することを抑制できる。また、リードの製造上、ボンディングエリアのリード形状を均一化でき、ボンディング品質を安定化できる。
【００１４】
また、本発明に係るＣＯＦ用テープにおいて、上記接合部分より先端側のインナーリード表面の高さは、該接合部分のインナーリード表面の高さより低く形成されていることが好ましい。これにより、バンプとインナーリードとの接合時における加熱による接合溶融物の広がりを抑制でき、また、この接合溶融物が長手方向に流れてインナーリード先端側に広がったとしても、インナーリードの先端側のリード表面の高さを低く形成している部分に溜められるので、インナーリードと半導体チップの能動面との接触不良の発生を防止できる。また、非溶融接合の場合、接合影響エリアを限定できる。
【００１５】
また、本発明に係るＣＯＦ用テープにおいて、上記接合部分より先端側のインナーリードの厚さは、該接合部分のインナーリードの２０％以上８０％以下の厚さであることも可能である。
【００１６】
また、本発明に係るＣＯＦ用テープにおいて、上記幅広部は、その平面形状が多角形、楕円形及び円形のうちのいずれかからなることも可能である。
【００１７】
また、本発明に係るＣＯＦ用テープにおいては、上記幅広部を千鳥足状に配置することも可能である。
【００１８】
また、本発明に係るＣＯＦ用テープにおいては、上記フレキシブルテープがテープ用絶縁フィルムであることも可能である。
また、本発明に係るＣＯＦ用テープにおいては、上記テープ用絶縁フィルムがポリイミド又は液晶ポリマーからなるフィルムであることも可能である。
【００１９】
また、本発明に係るＣＯＦ用テープにおいては、上記バンプがＡｕ又はＳｎからなり、上記インナーリードが表面にＡｕメッキ又はＳｎメッキされたＣｕ薄膜からなることも可能である。
【００２０】
本発明に係るＣＯＦ用テープの製造方法は、半導体チップをフェイスダウンボンディングによって実装するＣＯＦ用テープの製造方法であって、
所定の形状を有するフレキシブルテープを準備する工程と、
このフレキシブルテープ上に導電膜を形成する工程と、
この導電膜をパターニングすることにより、半導体チップのバンプと接合するインナーリードを有し且つインナーリードの先端部に該バンプが接合される接合部分のインナーリード幅より広い幅広部が設けられた導電膜パターンを形成する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明に係るＣＯＦ用テープの製造方法においては、上記導電膜パターンを形成する工程の後又は前に、上記接合部分より先端側のインナーリード部分を加工することにより、該先端側のインナーリード表面の高さを、該接合部分のインナーリード表面の高さより低くする工程をさらに含むことも可能である。
【００２２】
本発明に係る半導体装置は、半導体チップをフェイスダウンボンディングによってＣＯＦ用テープに実装した半導体装置であって、
半導体チップに形成されたバンプと、
フレキシブルテープと、
このフレキシブルテープ上に形成され、該バンプが接合されたインナーリードと、
このインナーリードの先端部に形成された、該バンプが接合された接合部分のインナーリード幅より広い幅を有する幅広部と、
を具備することを特徴とする。
【００２３】
また、本発明に係る半導体装置において、上記接合部分より先端側のインナーリード表面の高さは、該接合部分のインナーリード表面の高さより低く形成されていることも可能である。また、本発明に係る半導体装置において、上記インナーリードは、半導体チップの外周部分に対向するフレキシブルテープ上の部分及び半導体チップの能動面に対向するフレキシブルテープ上の部分に形成されていることも可能である。
【００２４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップをフェイスダウンボンディングによってＣＯＦ用テープに実装した半導体装置の製造方法であって、
所定の形状を有するフレキシブルテープを準備する工程と、
このフレキシブルテープ上に導電膜を形成する工程と、
この導電膜をパターニングすることにより、半導体チップのバンプと接合するインナーリードを有し且つインナーリードの先端部に該バンプが接合される接合部分のインナーリード幅より広い幅広部が設けられた導電膜パターンを形成する工程と、
インナーリードに半導体チップのバンプを加熱加圧して接合する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２５】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法においては、上記導電膜パターンを形成する工程の前、又は、上記導電膜パターンを形成する工程と上記接合する工程の間に、上記接合部分より先端側のインナーリードを加工することにより、該先端側のインナーリード表面の高さを、該接合部分のインナーリード表面の高さより低くする工程をさらに含むことも可能である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は、本発明に係る第１の実施の形態によるＣＯＦ用テープの一部を示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す１ｂ−１ｂ線に沿った断面図である。
【００２７】
ＣＯＦ用テープはフレキシブルテープであるポリイミド等の絶縁テープフィルム１１を有し、この絶縁テープフィルム１１の上にはラミネート、圧着等によって複数のインナーリード１２が形成されている。インナーリード１２の先端部分には、図１（ａ）に示すようにインナーリードと半導体チップのバンプを接続する部分（ボンディングエリア）のリード幅より広い幅を有する平面形状が矩形である矩形部１２ａが形成されている。この矩形部１２ａは、ボンディングエリアのリードより広面積な幅広部である。なお、このインナーリードの先端部分の平面形状は、矩形に限られず、多角形の形状であることも可能である。
【００２８】
この矩形部１２ａはポリイミド等の絶縁テープフィルム１１上においてこの例では千鳥足状に配置されている。これは、今後、リードピッチが縮小化に進むことが考えられるので、狭いリードピッチに対応するためである。なお、この矩形部の配置は、千鳥足状に限られず、列をずらした複列タイプであれば種々の配置が可能である。
【００２９】
図１（ｂ）に示すように、インナーリード１２のボンディングエリアより先端側１２ｂは、ボンディングエリアのリードに比べてリードの厚さが薄く形成されている。つまり、インナーリード１２のボンディングエリアより先端部分には段差が形成されており、該先端部分の表面はボンディングエリアのリード表面より低く形成されている。この段差によって厚さが薄く形成されているインナーリードの厚さは、例えば、ボンディングエリアのリード厚さの２０％〜８０％程度とすることが好ましい。
【００３０】
次に、上記ＣＯＦ用テープを製作する方法について説明する。
まず、所定形状のフレキシブルテープであるポリイミド等の絶縁テープフィルム１１を準備し、この絶縁テープフィルム１１の全面上にＣｕ薄膜等の導電膜をラミネート、圧着等により取り付ける。次いで、このＣｕ薄膜等をエッチングによりパターニングする。これによって、絶縁テープフィルム１１上には、図１（ａ）に示すように、インナーリード１２の先端部分に矩形部１２ａを有するリードが形成される。
【００３１】
次いで、インナーリード１２のボンディングエリアより先端側１２ｂ以外のリードをエッチングマスクで覆い、このエッチングマスクをマスクとして該先端側１２ｂをハーフエッチングする。なお、ここでは、リードを形成した後にハーフエッチングを行っているが、これらの工程を逆にしても良い。つまり、Ｃｕ薄膜等をパターニングする前にＣｕ薄膜等にハーフエッチング処理を施し、その後、Ｃｕ薄膜等をパターニングしてリードを形成しても良い。これにより、該先端側１２ｂのリード厚さがボンディングエリアのリードに比べて薄く形成され、該先端側１２ｂのリード表面はボンディングエリアのリード表面より低く形成される。この際のエッチングは、該先端側１２ｂのリードを全部エッチングするのではなく、２０％〜８０％程度エッチングするハーフエッチングである。また、このようにインナーリードの先端側１２ｂを加工処理できる手段であれば、ハーフエッチングに限らず、他の加工方法を用いることも可能である。
【００３２】
次いで、インナーリードの表面にＡｕ、Ｓｎ等のメッキをする。このようにしてＣＯＦ用テープを製作する。
【００３３】
図２（ａ）は、本発明に係る第１の実施の形態による半導体装置の一部を示す平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す２ｂ−２ｂ線に沿った断面図である。
【００３４】
まず、半導体チップ１３を準備する。この半導体チップ１３の能動面上には複数のＡｕ、Ｓｎ等の金属バンプ１４が設けられている。半導体チップ１３の内部には絶縁膜（図示せず）が形成されており、この絶縁膜上には厚さ１μｍ程度のＡｌパッド（図示せず）が形成されている。このＡｌパッドは、例えば集積回路の入出力及び電源電圧を供給するためのものである。Ａｌパッド及び絶縁膜の上には厚さ２μｍ程度のシリコン酸化膜等からなるパッシベーション膜（図示せず）が形成されている。このパッシベーション膜には、Ａｌパッド上に位置する開口部が形成されている。この開口部内及びパッシベーション膜上にはバリアメタル層が形成されており、このバリアメタル層上にはメッキ用金属層が形成されている。このメッキ用金属層上には高さ２２μｍ程度のＡｕ、Ｓｎ等のバンプ４が形成されている。
【００３５】
次いで、半導体チップ１３を図１に示すＣＯＦ用テープにＩＬＢ実装を行う。すなわち、ポリイミド等の絶縁テープフィルム１１上に形成したインナーリード１２をＡｕ、Ｓｎ等のバンプ１４に位置合わせする。この際、Ａｕ、Ｓｎ等のバンプ１４はインナーリード１２のボンディングエリアに置かれ、このボンディングエリアはインナーリードの先端より例えば約７０μｍの位置にある。また、ここでは、インナーリードは、半導体チップ１３の外周部分に対向するフレキシブルテープである絶縁テープフィルム１１上の部分に形成されているが、これに限定されるものではなく、さらに半導体チップ１３の能動面（内部面）に対向する絶縁テープフィルム上の部分に形成されていることも可能である。
【００３６】
次いで、これらインナーリード１４とＡｕ、Ｓｎ等のバンプ１４を３００〜５００℃程度の固相接合及び共晶接合温度に加熱し、ボンディングツール（図示せず）を用いて適性総荷重を一括で加えてインナーリード１２とＡｕ、Ｓｎ等のバンプ１４を加熱加圧接合する。これにより、固相接合及び共晶接合を行い、リードとＡｕ、Ｓｎ等のバンプを電気的に接続し、半導体チップのフェイスダウンボンディングが実施され、ＩＬＢ実装が行われる。
【００３７】
上記第１の実施の形態によれば、インナーリード１２の先端部分に面積の広い矩形部１２ａを形成している。このため、半導体チップ１３のＡｕ、Ｓｎ等のバンプ１４とインナーリード１２を加熱加圧して接合する際、インナーリードの下のポリイミド等の絶縁テープフィルム１１にも熱が加えられても、従来の半導体装置のようにポリイミド等のフィルムからインナーリードの先端部分が剥がれることを抑制できる。つまり、インナーリードのボンディングエリアより幅の広い矩形部１２ａを形成しているため、インナーリードの先端部分とポリイミド等のフィルムとの接着力を従来の半導体装置のそれより大きくすることができる。これにより、インナーリードの先端部分に剥離、捩れ、変形、たわみなどの異常の発生を防止できる。従って、品質信頼性の高いＣＯＦのボンディング実装品を確保することができる。よって、半導体装置の実装品質を向上でき、半導体装置の品質信頼性を高めることができる。
【００３８】
また、インナーリードの先端部分に剥離、捩れ、変形、たわみなどの異常の発生を防止できることから、完成品である半導体装置の信頼性試験においても耐用度の高い品質を得ることができる。
【００３９】
また、上述したように剥離などの異常の発生を防止できるので、半導体チップの能動面とインナーリードの先端部分が接触するなどの弊害の発生を防止でき、不良の原因を低減できる。また、製造上、リードのボンディングエリア部の形状を均一にできるため、ボンディング品質の安定化が確保できる。
【００４０】
また、上記第１の実施の形態では、インナーリードの先端側１２ｂにリード厚さを薄くした段差を設けているため、Ａｕ、Ｓｎ等のバンプ１４とインナーリード１２とのボンディング時における加熱による接合溶融物の広がりを抑制できる。また、この接合溶融物が長手方向に流れてインナーリード先端側に広がったとしても、インナーリードの先端側１２ｂのリード厚さが薄くなっている部分に溜められる。従って、インナーリードと半導体チップの能動面との接触等の弊害を抑制でき、より安定した実装品質を確保することができる。
【００４１】
図３（ａ）は、本発明に係る第２の実施の形態によるＣＯＦ用テープの一部を示す平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す３ｂ−３ｂ線に沿った断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００４２】
インナーリード１２の先端部分には、図３（ａ）に示すようにインナーリードと半導体チップのバンプを接続する部分（ボンディングエリア）のリード幅より広い幅を有する平面形状が円形である円形部２２ａが形成されている。この円形部２２ａは、ボンディングエリアのリードより広面積な幅広部である。
【００４３】
上記第２の実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４４】
図４（ａ）は、本発明に係る第３の実施の形態によるＣＯＦ用テープの一部を示す平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す４ｂ−４ｂ線に沿った断面図であり、図１と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００４５】
インナーリード１２の先端部分には、図４（ａ）に示すようにインナーリードと半導体チップのバンプを接続する部分（ボンディングエリア）のリード幅より広い幅を有する平面形状が楕円形である楕円形部３２ａが形成されている。この楕円形部３２ａは、ボンディングエリアのリードより広面積な幅広部である。
【００４６】
この楕円形部３２ａはポリイミド等の絶縁テープフィルム１１上において一列に配置されており、千鳥足状には配置されていない。
【００４７】
上記第３の実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、インナーリードの先端部分にバンプが接合される接合部分のインナーリード幅より広い幅広部を形成している。したがって、ボンディング時にインナーリードの先端部分がフレキシブルフィルムから剥離することを防止したＣＯＦ用テープ、その製造方法、半導体装置及びその製造方法を提供することができる。また、リードのボンディングエリア部のリード形状の均一性が得られることからボンディング品質の安定化を提供できる。
【００５０】
また、本発明によれば、上記接合部分より先端側のインナーリード表面の高さを、該接合部分のインナーリード表面の高さより低く形成している。したがってインナーリードと半導体チップの能動面との接触不良の発生を防止できるＣＯＦ用テープ、その製造方法、半導体装置及びその製造方法を提供することができる。また、接合領域を限定できることによる接合の安定性を確保できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明に係る第１の実施の形態によるＣＯＦ用テープの一部を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す１ｂ−１ｂ線に沿った断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明に係る第１の実施の形態による半導体装置の一部を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す２ｂ−２ｂ線に沿った断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明に係る第２の実施の形態によるＣＯＦ用テープの一部を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す３ｂ−３ｂ線に沿った断面図である。
【図４】（ａ）は、本発明に係る第３の実施の形態によるＣＯＦ用テープの一部を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す４ｂ−４ｂ線に沿った断面図である。
【図５】（ａ）は、従来のＣＯＦ用テープを示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す６ｂ−６ｂ線に沿った断面図である。
【図６】（ａ）は、従来の半導体装置の一部を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す７ｂ−７ｂ線に沿った断面図である。
【符号の説明】
１１，１０１…ポリイミド等の絶縁テープフィルム
１２，１０２…インナーリード
１２ａ…矩形部
１２ｂ…インナーリードのボンディングエリアより先端側
１３，１０３…半導体チップ
１４，１０４…Ａｕ、Ｓｎ等の金属バンプ
２２ａ…円形部
３２ａ…楕円形部
【図１】
0003915546.tif 000002
【図２】
0003915546.tif 000003
【図３】
0003915546.tif 000004
【図４】
0003915546.tif 000005
【図５】
0003915546.tif 000006
【図６】
0003915546.tif 000007