(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された金属薄層とを備え、
前記金属薄層は、クロムおよび銅を含み、クロム層と、その上に形成される金属共存部分と、その上に形成される銅層とを備え、
前記金属共存部分は、厚さ方向において、前記クロム層および前記銅層との間に界面が形成されないように、形成されており、
前記金属共存部分では、前記クロム層側においては、前記銅に対する前記クロムの存在割合が高く、前記銅層側においては、前記クロムに対する前記銅の存在割合が高く、
前記金属共存部分が、前記金属薄層の厚さ方向において、８０％以上の割合で存在していることを特徴とする、配線回路形成用基板。
【請求項２】
前記金属薄層は、前記絶縁層の表面に、前記クロムと前記銅とを、順次スパッタリングすることによって形成されており、
前記金属共存部分は、前記クロムがスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散するクロム飛散領域と、前記銅がスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散する銅飛散領域とを、重複させることにより、形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路形成用基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の配線回路形成用基板と、前記配線回路形成用基板の前記金属薄層の上に形成された導体パターンとを備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項４】
絶縁層の表面に、クロムと銅とを順次スパッタリングすることによって、前記クロム層および前記銅層を備える金属薄層を形成する、金属薄層の形成方法であって、
前記クロムがスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散するクロム飛散領域と、前記銅がスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散する銅飛散領域とが、重複するように、前記クロムおよび前記銅をスパッタリングすることにより、
前記クロム層および前記銅層の間に形成される前記クロムおよび前記銅が共存する金属共存部分の存在により、厚さ方向において、前記クロム層および前記銅層の間に界面を形成させないように、かつ、前記金属共存部分を、前記金属薄層の厚さ方向において、８０％以上の割合で存在させるように、金属薄層を形成することを特徴とする、金属薄層の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路形成用基板、配線回路基板および金属薄層の形成方法、詳しくは、絶縁層の上に金属薄層を備える配線回路形成用基板、および、その配線回路形成用基板が用いられる配線回路基板、ならびに、その金属薄層を形成するための金属薄層の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、配線回路基板においては、導体パターンの高密度化がますます要求されている。導体パターンのパターンニング法として、従来より、サブトラクティブ法、アディティブ法が知られており、高密度化を図る観点からは、アディティブ法が広く用いられている。
アディティブ法では、ポリイミドなどの樹脂フィルムからなる絶縁層の表面に、スパッタリング法などにより金属薄層を形成し、その金属薄層の表面に、電解銅めっきにより、導体パターンを形成するようにしている。
【０００３】
このようなアディティブ法では、絶縁層と導体パターンとの密着性を向上させるべく、例えば、絶縁層の表面に、まず、絶縁層との密着性が良好なニッケル薄層を、スパッタリング法で形成し、次いで、そのニッケル薄層の表面に、ニッケル薄層および導体パターンとの密着性が良好な銅薄層を、スパッタリング法で形成することが知られている。
また、例えば、プラスチックフィルムの片面または両面に、金属蒸着層を設け、該金属蒸着層上に電気めっき法で導電性金属層を積層してなるフレキシブルプリント配線用基板において、該金属蒸着層がＮｉとＣｒを主成分とする層と銅を主成分とする層からなり、ＮｉとＣｒを主成分とする層のプラスチックフィルムと接する側の界面（界面Ａ）付近の組成と、ＮｉとＣｒを主成分とする層の銅を主成分とする層と接する側の界面（界面Ｂ）付近の組成が異なり、かつ、界面Ａ付近のＣｒ含有率と界面Ｂ付近のＣｒ含有率では界面Ａ付近のＣｒ含有率の方が高いフレキシブルプリント配線用基板が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
この特許文献１においては、パターン形成、エッチング、配線、ＩＣ実装などの工程を経ても、さらに厳しい環境試験を経ても、はくり、はがれのない密着性に優れたＦＰＣ基板、ＣＯＦ基板等のフレキシブルプリント配線用基板を得ることができると、記載されている。
【特許文献１】特開２００３−３１８５３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ニッケル薄層と銅薄層とを順次スパッタリングで形成する場合には、ニッケル薄層と銅薄層との間に界面を生じる。また、上記特許文献１においても、やはり、ＮｉとＣｒを主成分とする層と銅を主成分とする層との間に界面を生じる。
このような界面が生じると、その後に、導体パターンをめっき処理した場合などにおいて、界面での密着力が低下するので、たとえ、絶縁層と導体パターンとの間の密着性が良好であっても、金属薄層において、層間剥離を生じ、導体パターンの剥がれが発生する。
【０００６】
本発明の目的は、絶縁層と導体パターンとの間の密着性の向上を図ることができ、しかも、金属薄層における層間剥離を防止することのできる、配線回路形成用基板、および、その配線回路形成用基板が用いられる配線回路基板、ならびに、その金属薄層を形成するための金属薄層の形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路形成用基板は、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された金属薄層とを備え、前記金属薄層は、クロムおよび銅を含み、クロム層と、その上に形成される金属共存部分と、その上に形成される銅層とを備え、前記金属共存部分は、厚さ方向において、前記クロム層および前記銅層との間に界面が形成されないように、形成されており、前記金属共存部分では、前記クロム層側においては、前記銅に対する前記クロムの存在割合が高く、前記銅層側においては、前記クロムに対する前記銅の存在割合が高く、前記金属共存部分が、前記金属薄層の厚さ方向において、８０％以上の割合で存在していることを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の配線回路形成用基板では、前記絶縁層の表面に、前記クロムと前記銅とを、順次スパッタリングすることによって形成されており、前記金属共存部分は、前記クロムがスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散するクロム飛散領域と、前記銅がスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散する銅飛散領域とを、重複させることにより、形成されていることが好適である。
【０００９】
また、本発明は、上記した配線回路形成用基板と、前記配線回路形成用基板の前記金属薄層の上に形成された導体パターンとを備えている、配線回路基板を含んでいる。
【００１０】
さらに、本発明は、絶縁層の表面に、クロムと銅とを順次スパッタリングすることによって、前記クロム層および前記銅層を備える金属薄層を形成する、金属薄層の形成方法であって、前記クロムがスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散するクロム飛散領域と、前記銅がスパッタリングにより前記絶縁層の表面に飛散する銅飛散領域とが、重複するように、前記クロムおよび前記銅をスパッタリングすることにより、前記クロム層および前記銅層の間に形成される前記クロムおよび前記銅が共存する金属共存部分の存在により、厚さ方向において、前記クロム層および前記銅層の間に界面を形成させないように、かつ、前記金属共存部分を、前記金属薄層の厚さ方向において、８０％以上の割合で存在させるように、金属薄層を形成する、金属薄層の形成方法を含んでいる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線回路形成用基板およびその配線回路形成用基板が用いられる本発明の配線回路基板によれば、金属薄層が、クロムおよび銅を含み、これらが絶縁層および導体パターンに対して、それぞれ密着性が良好であるので、絶縁層および導体パターンの間の密着性の向上を図ることができる。しかも、金属薄層は、クロムおよび銅が共存する金属共存部分を、金属薄層の厚さ方向において８０％以上の割合で存在させて、厚さ方向において、クロム層および銅層との間に界面が形成されないように、形成されている。そのため、金属薄層において層間剥離が生じることを防止することができ、導体パターンの剥がれを防止することができる。
【００１２】
また、本発明の金属薄層の形成方法によれば、クロム飛散領域と銅飛散領域とが重複するように、クロムおよび銅をスパッタリングするのみで、簡易かつ確実に、上記した金属薄層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としてフレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図である。以下、図１を参照して、このフレキシブル配線回路基板の製造方法を説明する。
この方法では、まず、図１（ａ）に示すように、絶縁層としてベース絶縁層１を用意する。ベース絶縁層１としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂などの合成樹脂のフィルムが用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂のフィルムが用いられる。
【００１４】
なお、ベース絶縁層１は、例えば、予めフィルムとして形成されているものや、また、感光性樹脂の溶液を成膜して、露光および現像することにより、所定パターンに形成した後、硬化させたものが用いられる。
また、ベース絶縁層１の厚みは、通常、３〜１００μｍ、好ましくは、５〜５０μｍである。
【００１５】
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１の上に、金属薄層２を形成して、配線回路形成用基板１０を形成する。金属薄層２は、クロムおよび銅を含み、かつ、クロムおよび銅が共存する金属共存部分３（図２参照）の存在により、厚さ方向において、クロム（クロム層：後述）および銅（銅層：後述）の間に界面が形成されないように、形成されている。
より具体的には、この金属薄層２は、図２に示すように、ベース絶縁層１に隣接するクロム層としてのクロム偏在部分４と、後述する導体パターン６に隣接する銅層としての銅偏在部分５と、それらクロム偏在部分４と銅偏在部分５との間に介在される金属共存部分３とを大別して備えており、それらが境界なく連続して存在している。
【００１６】
クロム偏在部分４は、ベース絶縁層１の上に隣接配置され、クロム３５（図３参照）が９５原子％以上、好ましくは、９７原子％以上の割合で存在している金属薄層２の下層部分である。クロム３５は、ベース絶縁層１との密着性が良好な金属である。
【００１７】
なお、クロム偏在部分４においては、クロム３５の残余が銅３６（図３参照）であり、ベース絶縁層１から金属共存部分３に向かうに従って、銅３６に対するクロム３５の割合（クロム／銅）が減少するように、クロム３５が偏在している。
銅偏在部分５は、導体パターン６の下に隣接配置され、銅３６が９５原子％以上、好ましくは、９７原子％以上の割合で存在している金属薄層２の上層部分である。銅３６は、導体パターン６との密着性が良好な金属である。
【００１８】
なお、銅偏在部分５においては、銅３６の残余がクロム３５であり、金属共存部分３から導体パターン６に向かうに従って、クロム３５に対する銅３６の割合（銅／クロム）が増加するように、銅３６が偏在している。
【００１９】
金属共存部分３は、クロム偏在部分４の上に隣接配置されるとともに、銅偏在部分５の下に隣接配置され、クロム３５および銅３６の合計を１００原子％としたときに、クロム３５および銅３６がともに５原子％以上、好ましくは、１０原子％以上の割合で共存している金属薄層２の中間層部分である。
なお、この金属薄層２の厚さ方向におけるクロム３５および銅３６の存在割合は、例えば、オージェ電子分光法を用いる分析（オージェ分析）により、求めることができる。
【００２０】
この金属共存部分３においては、クロム偏在部分４から銅偏在部分５に向かうに従って、銅３６に対するクロム３５の割合（クロム／銅）が減少するように、クロム３５および銅３６が共存している。
また、この金属薄層２の厚みは、例えば、１０〜５００ｎｍ、好ましくは、５０〜３００ｎｍであり、金属共存部分３は、金属薄層２の厚み方向において、金属薄層２の全体の８０％以上の割合で存在している。８０％未満の割合であると、耐久後において剥離しやすくなる場合がある。なお、クロム偏在部分４は、金属薄層２の厚み方向において、金属薄層２の全体の２０％未満、さらには、１０％以下の割合、銅偏在部分５は、金属薄層２の厚み方向において、金属薄層２の全体の２０％未満、さらには、１０％以下の割合で存在していることが好適である。
【００２１】
このような金属薄層２は、特に制限されないが、真空蒸着法、好ましくは、スパッタリング法により形成し、より具体的には、図３に示すスパッタリング装置２１を用いて、形成する。
図３において、このスパッタリング装置２１は、マグネトロン型の連続スパッタリング装置であって、真空槽２２と、その真空槽２２内に、電極ロール２３、プラズマ電極２６、第１スパッタリング電極２４、第２スパッタリング電極２５、巻出軸２７、巻取軸２８、２つの巻出側案内ロール２９および３０、２つの巻取側案内ロール３１および３２とを備えている。
【００２２】
プラズマ電極２６、第１スパッタリング電極２４および第２スパッタリング電極２５は、電極ロール２３に対して所定間隔を隔てて対向配置され、電極ロール２３の回転方向の上流側から下流側に向かって周方向において順次配置されている。
巻出軸２７および巻取軸２８は、電極ロール２３に対して、プラズマ電極２６、第１スパッタリング電極２４および第２スパッタリング電極２５と反対側に配置されている。
【００２３】
２つの巻出側案内ロール２９および３０は、巻出軸２７と電極ロール２３との間に配置され、２つの巻取側案内ロール３１および３２は、巻取軸２８と電極ロール２３との間に配置されている。
巻出軸２７には、長尺状のフィルムからなるベース絶縁層１が巻回されている。このベース絶縁層１は、巻出軸２７によって送り出され、巻出側案内ロール２９および３０に沿って電極ロール２３に案内され、電極ロール２３の回転によって、その電極ロール２３の外周面に沿って移動された後、巻取側案内ロール３１および３２に沿って巻取軸２８に案内され、この巻取軸２８によって巻き取られる。
【００２４】
また、第１スパッタリング電極２４および第２スパッタリング電極２５には、それぞれ直流電源３３および３４が接続され、それぞれの放電面には、ターゲットとして、クロム３５および銅３６が、それぞれ設置されている。
また、第１スパッタリング電極２４および第２スパッタリング電極２５は、図４に示すように、スパッタリング時において、第１スパッタリング電極２４の放電面に設置されるクロム３５がスパッタリングによりベース絶縁層１の表面に飛散するクロム飛散領域３７と、第２スパッタリング電極２５の放電面に設置される銅３６がスパッタリングによりベース絶縁層１の表面に飛散する銅飛散領域３８とが、互いに重複するように、近接配置されている。
【００２５】
なお、このようなスパッタリング装置２１では、従来においては、図５に示すように、例えば、第１スパッタリング電極２４および第２スパッタリング電極２５に、クロム飛散領域３７と銅飛散領域３８とが互いに重複しないように、第１スパッタリング電極２４および第２スパッタリング電極２５のそれぞれの周囲を囲むターゲットカバー３９がそれぞれ設けられている。各ターゲットカバー３９は、第１スパッタリング電極２４および第２スパッタリング電極２５と、電極ロール２３との対向方向に延びるように、第１スパッタリング電極２４および第２スパッタリング電極２５の周囲から立設しており、各ターゲットカバー３９によって、クロム３５および銅３６が飛散する領域を、互いに重複しないように規制している。
【００２６】
しかるに、このスパッタリング装置２１では、各ターゲットカバー３９を設けないようにする（既存のスパッタリング装置１から取り外す）ことによって、クロム飛散領域３７と銅飛散領域３８とを互いに重複させるようにしている。
また、各ターゲットカバー３９を設けて、各ターゲットカバー３９の高さＴ１およびＴ２（第１スパッタリング電極２４の周囲から立設するターゲットカバー３９の高さをＴ１、第２スパッタリング電極２５の周囲から立設するターゲットカバー３９の高さをＴ２とする。）を調整することで、金属共存部分３の金属薄層２の厚み方向における存在割合を制御することもできる（後述する実施例参照）。
【００２７】
そして、このスパッタリング装置２１を用いて、スパッタリング法により金属薄層２を連続的に形成するには、まず、真空槽２２内に雰囲気ガスを封入して真空にする。
雰囲気ガスとしては、例えば、アルゴン、ネオン、キセノン、クリプトンなどの不活性ガスが好ましく用いられる。工業的には、アルゴンが好ましく用いられる。また、真空度は、例えば、５×１０−３〜１．６Ｐａ、好ましくは、５×１０−２〜１．６×１０−１Ｐａに設定する。
【００２８】
次いで、巻出軸２７に巻回されているベース絶縁層１を、巻出軸２７によって送り出し、２つの巻出側案内ロール２９および３０に沿って電極ロール２３に案内した後、電極ロール２３の回転により、その電極ロール２３の外周面に沿って移動させる。また、各直流電極３３および３４から、第１スパッタリング電極２４および第２スパッタリング電極２５に対して電圧を印加して、クロム３５および銅３６をそれぞれスパッタリングする。
【００２９】
そして、ベース絶縁層１が、クロム飛散領域３７内に進入すると、クロム飛散領域３７（次に述べる重複部分４０を除く。）内では、ベース絶縁層１には、スパッタリングにより飛散するクロム３５が蒸着される。これによって、ベース絶縁層１の上にクロム偏在部分４が形成される。
なお、クロム飛散領域３７（次に述べる重複部分４０を除く。）内でも、銅３６が若干飛散する場合があるため、そのような場合には、クロム飛散領域３７（次に述べる重複部分４０を除く。）内において、電極ロール２３の回転方向の上流側から下流側に向かうに従って、ベース絶縁層１の表面には、銅３６に対するクロム３５の割合が減少するようにクロム３５が蒸着される。また、クロム飛散領域３７（次に述べる重複部分４０を除く。）内において、銅３６の飛散がほとんどない場合には、クロム飛散領域３７（次に述べる重複部分４０を除く。）内においては、ほぼクロム３５のみが蒸着される。
【００３０】
次いで、ベース絶縁層１が、クロム飛散領域３７と銅飛散領域３８とが互いに重複する重複部分４０に進入すると、ベース絶縁層１には、スパッタリングによりそれぞれ飛散するクロム３５および銅３６が蒸着される。これによって、クロム偏在部分４の上に金属共存部分３が形成される。
なお、重複部分４０内では、クロム３５および銅３６が混合状態で飛散するが、電極ロール２３の回転方向の上流側から下流側に向かうに従って、ベース絶縁層１の表面には、銅３６に対するクロム３５の割合が減少するように、クロム３５および銅３６が蒸着される。
【００３１】
その後、ベース絶縁層１が、銅飛散領域３８（重複部分４０を除く。）内に進入する。銅飛散領域３８（重複部分４０を除く。）内では、ベース絶縁層１には、スパッタリングにより飛散する銅３６が蒸着される。これによって、金属共存部分３の上に銅偏在部分５が形成される。
なお、銅飛散領域３８（重複部分４０を除く。）内でも、クロム３５が若干飛散する場合があるため、そのような場合には、銅飛散領域３８（重複部分４０を除く。）内において、電極ロール２３の回転方向の上流側から下流側に向かうに従って、ベース絶縁層１の表面には、クロム３５に対する銅３６の割合が増加するように銅３６が蒸着される。また、銅飛散領域３８（重複部分４０を除く。）内において、クロム３５の飛散がほとんどない場合には、銅飛散領域３８（重複部分４０を除く。）内においては、ほぼ銅３６のみが蒸着される。
【００３２】
なお、このスパッタリング装置２１において、プラズマ電極２６には、マッチング回路４２を介して高周波電源４３が接続されるとともに、その放電面には、金属のインゴット４４が設置されている。そして、このプラズマ電極２６は、ベース絶縁層１の表面を、改質の目的などによりプラズマ処理する場合に用いられ、その場合には、高周波電源４３からマッチング回路４２を介してプラズマ電極２６に高周波電圧が印加される。
【００３３】
次いで、この方法では、得られた配線回路形成用基板１０の金属薄層２の上に導体パターン６を形成する。導体パターン６は、アディティブ法により配線回路パターンとして形成され、まず、図１（ｃ）に示すように、金属薄層２の表面に、めっきレジスト７を配線回路パターンの反転パターンで形成する。
めっきレジスト７は、特に制限されないが、例えば、ドライフィルムレジストを、金属薄層２の全面に積層した後、露光および現像することにより、配線回路パターンの反転パターンのレジストパターンとして形成する。なお、めっきレジスト７の厚みは、通常、５〜３０μｍ、好ましくは、１０〜２０μｍである。
【００３４】
そして、この方法では、図１（ｄ）に示すように、めっきレジスト７から露出する金属薄層２の表面に、導体パターン６を、配線回路パターンとして形成する。
導体パターン６の導体としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、または、これらの合金などの金属が用いられ、好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン６の形成は、無電解めっき、電解めっきなどのめっきが用いられ、好ましくは、電解めっきが用いられる。より具体的には、金属薄層２におけるめっきレジスト７が形成されていない部分に、電解銅めっきにより、銅からなる導体パターン６を配線回路パターンとして形成する。電解銅めっきのめっき液としては、例えば、硫酸銅めっき液、ピロ燐酸銅めっき液などが用いられる。
【００３５】
なお、導体パターン６の厚みは、通常、３〜２０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。
次いで、この方法では、図１（ｅ）に示すように、めっきレジスト７を除去する。めっきレジスト７の除去は、例えば、エッチング液として水酸化ナトリウム溶液などのアルカリ溶液を用いる化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離が用いられる。
【００３６】
そして、この方法では、図１（ｆ）に示すように、導体パターン６から露出する金属薄層２を除去する。金属薄層２の除去は、例えば、エッチング液として、塩化第二鉄溶液やフェロシアン酸カリウム溶液などを用いる化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法が用いられる。
なお、このようにして形成される導体パターン６の表面には、ニッケルめっき層や金めっき層などの金属めっき層を、電解めっきや無電解めっきなどのめっき処理により形成してもよい。
【００３７】
その後、この方法では、必要により、図１（ｇ）に示すように、ベース絶縁層１の上に、導体パターン６を被覆するように、カバー絶縁層８を形成して、フレキシブル配線回路基板を得る。
カバー絶縁層８としては、ベース絶縁層１と同様の合成樹脂が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。カバー絶縁層８の形成は、例えば、導体パターン６を含むベース絶縁層１の上に、感光性樹脂の溶液を成膜して、露光および現像することにより、所定パターンに形成した後に、硬化させる。
【００３８】
なお、カバー絶縁層８の厚みは、通常、２〜５０μｍ、好ましくは、５〜３０μｍである。
そして、上記した配線回路形成用基板１０を用いて、このようにして得られるフレキシブル配線回路基板によれば、金属薄層２が、ベース絶縁層１に隣接するクロム偏在部分４と、導体パターン６に隣接する銅偏在部分５と、それらクロム偏在部分４と銅偏在部分５との間に介在される金属共存部分３とに大別され、それらが境界なく連続して存在している。そのため、クロム偏在部分４に偏在するクロム３５が、ベース絶縁層１と密着性の良好な金属であり、銅偏在部分５に偏在する銅３６が、導体パターン６と密着性の良好な金属であるので、これらベース絶縁層１および導体パターン６の間の密着性の向上を図ることができる。しかも、金属薄層２には、クロム３５および銅３６が共存する金属共存部分３を、金属薄層２の厚さ方向において８０％以上の割合で存在させているので、金属薄層２においてクロム３５と銅３６との間の層間剥離が生じることを防止することができ、導体パターン６の剥がれを防止することができる。
【００３９】
また、上記した金属薄層２の形成方法によれば、スパッタリング装置２１を用いて、クロム飛散領域３７と銅飛散領域３８とが重複するように、クロム３５および銅３６をスパッタリングするのみで、簡易かつ確実に、クロム偏在部分４、銅偏在部分５および金属共存部分３が境界なく連続して存在する金属薄層２を形成することができる。
【実施例】
【００４０】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
図３に示すスパッタリング装置において、表１に示す高さ（第１スパッタリング電極のターゲットカバー３９の高さをＴ１、第２スパッタリング電極のターゲットカバー３９の高さをＴ２として示す。）のターゲットカバーを装着した場合であって、巻出軸に厚さ２５μｍのポリイミド樹脂のフィルムからなるベース絶縁層を巻回した（図１（ａ）参照）。次いで、第１スパッタリング電極の放電面にクロムを設置し、第２スパッタリング電極の放電面に銅を設置した。その後、真空槽内に、アルゴンを封入して、真空度を１×１０−１Ｐａに設定した。その後、ベース絶縁層を、巻出軸によって送り出し、電極ロールの回転により、その電極ロールの外周面に沿って移動させるとともに、各直流電源から、第１スパッタリング電極および第２スパッタリング電極に対して電圧を印加して、クロムおよび銅を、電極ロールの外周面に沿って移動するベース絶縁層の表面に、スパッタリングした。
【００４１】
これによって、ベース絶縁層の上に、クロム偏在部分、金属共存部分および銅偏在部分が境界なく連続して存在する金属薄層を形成し、配線回路形成用基板を得た（図１（ｂ）参照）。なお、クロム偏在部分、金属共存部分および銅偏在部分の、金属薄層の厚み方向における存在割合（オージェ分析に基づく。）を表１に示す。
次いで、ドライフィルムレジストを、金属薄層の全面に積層した後、露光および現像することにより、配線回路パターンの反転パターンのレジストパターンとして、厚み１５μｍのめっきレジストを形成した（図１（ｃ）参照）。
【００４２】
その後、めっきレジストから露出する金属薄層の表面に、硫酸銅めっき液を用いる電解銅めっきにより、厚み１０μｍの導体パターンを配線回路パターンで形成した（図１（ｄ）参照）。
そして、めっきレジストを、水酸化ナトリウム溶液を用いる化学エッチングにより除去し（図１（ｅ）参照）、次いで、導体パターンから露出する金属薄層を、塩化第二鉄溶液を用いる化学エッチングにより除去し（図１（ｆ）参照）、フレキシブル配線回路基板を得た。
【００４３】
比較例１〜比較例５
図３に示すスパッタリング装置において、第１スパッタリング電極および第２スパッタリング電極のターゲットカバーを、表１に示す比較例１〜５の高さにそれぞれ変更した以外は、実施例１と同様の方法によってフレキシブル配線回路基板を得た。
【００４４】
評価（導体パターンの剥離性）
実施例および各比較例の導体パターンに、電解ニッケルめっきおよび電解金めっきにより、ニッケルめっき層および金めっき層を形成し、相対湿度６０％、温度９０℃の雰囲気下において、１６８時間、２４０時間、３６０時間、４８０時間放置後、導体パターン（金めっき層）の表面にセロハンテープを貼着し、その後剥離することにより、導体パターンの剥離の有無について評価した。剥離が認められた剥離時間を表１に示す。
【００４５】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態として、フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層の上に、金属薄層を形成して、配線回路形成用基板を形成する工程、（ｃ）は、金属薄層の上に、めっきレジストを導体パターンの反転パターンで形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストから露出する金属薄層の上に、導体パターンを配線回路パターンで形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｆ）は、導体パターンから露出する金属薄層を除去する工程、（ｇ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆するように、カバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図２】図１（ｂ）の工程で形成される金属薄層の要部断面図である。
【図３】図１（ｂ）の工程で用いられるスパッタリング装置を示す概略構成図である。
【図４】図３に示すスパッタリング装置の要部説明図（ターゲットカバーが設けられていない態様）である。
【図５】図３に示すスパッタリング装置の要部説明図（ターゲットカバーが設けられている態様）である。
【符号の説明】
【００４７】
１      ベース絶縁層
２      金属薄層
３      金属共存部分
６      導体パターン
３５    クロム
３６    銅
３７    クロム飛散領域
３８    銅飛散領域
【図１】
0003962039.tif 000003
【図２】
0003962039.tif 000004
【図３】
0003962039.tif 000005
【図４】
0003962039.tif 000006
【図５】
0003962039.tif 000007