(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ基板と、このセンサ基板に形成されたパタ−ンによる段差を有する制御回路と、この制御回路上に形成された
一般式（１）；
0003941505.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はアリ−ル基、水素原子、脂肪族アルキル基、水酸基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。ｌ、ｍ、ｎはいずれも０以上の整数で重量平均分子量が１０００以上である。）で表わされるシリコ−ン系ポリマ−の硬化膜、
あるいは、一般式（２）；
0003941505.tif 000007
（式中、Ｒ１、Ｒ２はアリ−ル基、水素原子、脂肪族アルキル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は水素原子、アリ−ル基、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。ｎは整数で重量平均分子量が１０００以上である。）で表わされるシリコ−ン系ポリマ−の硬化膜からなる複数層積層された樹脂膜と、
上記樹脂膜上に形成され無機膜からなるパッシベ−ション膜に覆われた配線パタ−ンのセンシング部位と、からなることを特徴とするセンサ素子。
【請求項２】
複数層積層された樹脂膜の各層が、分子量の異なる硬化性ポリマ−の硬化膜からなることを特徴とする請求項１記載のセンサ素子。
【請求項３】
センサ素子が、磁気抵抗センサ、エアフロ−センサ、加速度センサ、圧力センサ、ヨ−レ−トセンサ、イメ−ジセンサのいずれかであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサ素子。
【請求項４】
パタ−ンによる段差を有する制御回路を備えたセンサ基板上に、
一般式（３）；
0003941505.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はアリ−ル基、水素原子、脂肪族アルキル基、水酸基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。ｌ、ｍ、ｎはいずれも０以上の整数で重量平均分子量が１０００以上である。）で表わされるシリコ−ン系ポリマ−、
あるいは、一般式（４）；
0003941505.tif 000009
（式中、Ｒ１、Ｒ２はアリ−ル基、水素原子、脂肪族アルキル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は水素原子、アリ−ル基、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。ｎは整数で重量平均分子量が１０００以上である。）で表わされるシリコ−ン系ポリマ−からなる熱硬化性ポリマ−の溶液を塗布して硬化性ポリマ−膜を形成し、
この硬化性ポリマ−膜を当該熱硬化性ポリマ−の溶融温度以上でかつ硬化温度未満の温度下で加熱処理した後、硬化温度以上の温度下で加熱することにより硬化樹脂膜とし、この硬化樹脂膜上に所定の無機膜からなるパッシベ−ション膜に覆われたセンシング部位を形成することを特徴とするセンサ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサ素子に関し、特に一定広がりのセンサ面を有する磁気抵抗センサ、エアフロ−センサ、加速度センサ、圧力センサ、ヨ−レ−トセンサ、イメ−ジセンサなどのセンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、車両の走行制御用のセンサ素子として、加速度センサ、ヨ−レ−トセンサ、圧力センサ、エアフロ−センサ、磁気抵抗センサ等が使用されている。このうち、ガソリン流量を検出するためのエアフロ−センサは、例えば、抵抗配線を埋め込んだセンシング部位を、ガソリン含有ガスの流路に接触させることにより生じる、センシング部位の温度変動を、抵抗配線の抵抗の変化で検出することにより、ガソリン含有ガスの流量を検知するように構成されており、このセンシング部位は、センシング部位を支持するシリコン窒化膜などの無機材料からなる下支持膜上に形成されていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この無機材料は通常、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法により形成されているため、ミクロな表面粗さや膜組成などの膜質が成膜装置や成膜条件によって微妙に変化する。この膜質の違いによって、センサ特性（例えば感度）に数％のばらつきが見られ、安定したセンサ特性を再現性よく得ることが困難であった。また、このセンシング部位と無機材料との応力差によって、センサ特性の劣化を生じたり、センシング部位を構成する抵抗配線や隣接する制御回路上の配線の位置ずれを引き起こすという問題があった。特に、抵抗配線等の配線をセンシング部位に用いたセンサの場合、その配線として用いられる構成材料によっては、下地材料との密着性が著しく弱く、例えば、センサ素子を樹脂で封止した場合などには、熱的、機械的な歪みにより、かかる配線が位置ずれを引き起こりやすい問題があった。
【０００４】
一方、磁気抵抗センサは、磁性金属細線からなるセンシング部位を有し、磁性金属の磁気抵抗効果を利用して磁界の大きさや方向の変化を検出できるように構成されている。このセンシング部位は、例えば特開平５−１８３１４５号公報に記載のごとく、基板上に形成された無機材料からなる下地絶縁膜上に形成されている、あるいは例えば特開平１０−２７０７７５号公報に記載のごとく、ガラス基板上に直接形成されている。このため上述のエアフロ−センサの場合と同様にセンサ特性のばらつき、配線などの位置ずれという問題があった。
【０００５】
また、従来の磁気抵抗センサでは、制御回路上に、センシング部位及びサ−ジ電流から保護するサ−ジ抵抗を積層化してセンサ素子の小型化を図ろうとしても、制御回路の最表面には層間絶縁膜としてシリコン窒化膜などの無機材料が設けられていたので、層間絶縁膜の表面には制御回路の凹凸が残りセンシング部位をその表面に積層することはできず制御回路とセンシング部位を同一平面に形成する必要があり、センサ素子の面積が大きくなるという問題があった。また、たとえセンシング部位と制御回路を積層にしたとしても、センシング部位は平坦面上に形成する必要があるが、層間絶縁膜の表面は平坦面でないため、センシング部位を形成できる領域が限られ、センサ素子の面積が大きくなるという問題があった。
【０００６】
本発明はかかる状況においてなされたものであり、ことに、その表面が平坦性に優れ、センシング部位に与える応力が低く、かつ低温で形成可能であり、製造過程においてもセンシング部位に悪影響を与える惧れのない樹脂膜上にセンシング部位を形成したセンサ素子を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のセンサ素子は、センサ基板と、このセンサ基板に形成されたパタ−ンによる段差を有する制御回路と、この制御回路上に形成された
一般式（１）；
0003941505.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はアリ−ル基、水素原子、脂肪族アルキル基、水酸基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。ｌ、ｍ、ｎはいずれも０以上の整数で重量平均分子量が１０００以上である。）で表わされるシリコ−ン系ポリマ−の硬化膜、
あるいは、一般式（２）；
0003941505.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２はアリ−ル基、水素原子、脂肪族アルキル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は水素原子、アリ−ル基、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。ｎは整数で重量平均分子量が１０００以上である。）で表わされるシリコ−ン系ポリマ−の硬化膜からなる複数層積層された樹脂膜と、
上記樹脂膜上に形成され無機膜からなるパッシベ−ション膜に覆われた配線パタ−ンのセンシング部位と、からなることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明で用いる樹脂膜は、センサ素子の製造プロセス温度や使用温度に対する高い耐熱性があり、３次元構造をもつ下地の被覆性に優れ、その表面を平坦にすることが可能であり、しかも下地やセンシング部位との密着性が優れている。また、低応力性で厚膜化も可能であり、さらに高耐環境性をも備えている。従って、センサ基板に形成された制御回路の上にシリコ−ン系ポリマ−の硬化膜からなる樹脂膜を設け、その上に無機膜からなるパッシベ−ション膜に覆われた配線パタ−ンのセンシング部位を設けたセンサ素子は、制御回路とセンシング部位のセンサ基板上での設置面を共用化するため、センシング部位専用の設置面を必要とするセンサに比べ、小型でセンサ特性の劣化の少ないものとなる。
【０００９】
本発明のセンサ素子は、加速度センサ、ヨ−レ−トセンサ、圧力センサ、磁気抵抗センサ、イメ−ジセンサ等の各種センサにおけるセンシング部位が樹脂膜上に形成されたものである。尚、センシング部位のみならず、隣接する基板や周辺回路を含めて樹脂膜上に形成される構成であってもよい。
【００１０】
この樹脂膜は、シリコ−ン系ポリマ−、ポリイミド系ポリマ−、ポリイミドシリコ−ン系ポリマ−、ポリアリ−レンエ−テル系ポリマ−、ビスベンゾシクロブテン系ポリマ−、ポリキノリン系ポリマ−、パ−フルオロ炭化水素系ポリマ−、フルオロカ−ボン系ポリマ−、芳香族炭化水素系ポリマ−のいずれかの硬化膜である。
【００１１】
これらの樹脂は、２００℃以上の耐熱性を有し、高純度で合成が可能である。
上記シリコ−ン系ポリマ−としては、下記一般式（１）に示されるシリコ−ン系ポリマ−、又は下記一般式（２）からなるシリコ−ン系ポリマ−を用いるのが適しており、これらは各々混合物であってもよい。これらのシリコ−ン系ポリマ−は、熱処理時の脱ガスが少ないため、センサ素子あるいはその制御回路などを汚染する可能性が小さい。特に、梯子型構造を有する下記一般式（２）のシリコ−ン系ポリマ−は、下記一般式（１）のシリコ−ン系ポリマ−に比べて剛直な構造をしているため、硬化後の耐熱性が優れており、膜形成時の応力も低く、またより高い耐圧性を有している。また、熱処理時の反応は末端基（Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６）で起こるため、熱処理時の脱ガスがさらに少ない。
【００１２】
一般式（１）；
0003941505.tif 000004
【００１３】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はアリ−ル基、水素原子、脂肪族アルキル基、水酸基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。ｌ、ｍ、ｎはいずれも０以上の整数で重量平均分子量が１０００以上である。）
【００１４】
一般式（２）；
0003941505.tif 000005
【００１５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２はアリ−ル基、水素原子、脂肪族アルキル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は水素原子、アリ−ル基、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。ｎは整数で重量平均分子量が１０００以上である。）
【００１６】
かかるシリコ−ン系ポリマ−には、紫外光等の光により架橋して硬化するものが含まれ、その好適な例としては、前記一般式（１）においてＲ１、Ｒ２、Ｒ３の置換基の１％以上が不飽和結合を有する官能基であるものが挙げられ、また、前記一般式（２）においてＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６の置換基の１％以上が不飽和結合を有する官能基であるものが挙げられる。不飽和結合を有する官能基は、樹脂分子同士が架橋反応やラジカル反応により架橋させるための反応基であり、アルケニル基、アルキルアクリロイル基、アルキルメタクリロイル基もしくはスチリル基などが好ましいが、これらに限定されるものではない。これらの不飽和結合を有する官能基は、単独で導入してもよく、２種類以上混合して導入してもよい。かかる光架橋性のシリコ−ンポリマ−は、単独あるいは感光性架橋剤、光重合開始剤、光増感剤と組み合わせることで、光をドライビングフォ−スとしてより低温で硬化反応を進行させることができ、樹脂膜の下方に形成されている制御回路などにかかる温度を低減することができる点あるいはレジストを用いない自己パタ−ニングができる点で、センサ素子製造上での利点を備えている。
【００１７】
本発明のシリコ−ン系樹脂膜は、前記した一般式（１）及び／又は一般式（２）に示されるシリコ−ン系ポリマ−の溶液、いわゆるワニスを塗布した後、加熱硬化することにより形成することができる。かかるシリコ−ン系ポリマ−の溶液としては、アルコ−ル系、ケトン系、エ−テル系、ハロゲン系、エステル系、ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケトン系の溶剤溶液が適している。このシリコ−ンポリマ−の溶液中には、センシング部位の表面との接着性を向上するためのシランカップリング剤、硬化膜の密度を向上させるための重合性モノマ−あるいは重合開始剤、架橋剤、増感剤や、保存安定性を向上させるための重合禁止剤等が添加されていてもよい。特に、光架橋性のシリコ−ン系ポリマ−を用いる場合には、前述のごとく感光性の架橋剤、光重合開始剤、光増感剤等が添加されていてもよい。感光性架橋剤や光重合開始剤は、ラジカル反応あるいは架橋反応による膜硬化を引き起こすための添加剤であり、感光性架橋剤としては、芳香族アジド化合物、芳香族ビスアジド化合物、イミノキノンジアジド化合物、芳香族ジアゾ化合物や有機ハロゲン化合物などの光照射によりラジカル活性種を生成する感光性化合物が挙げられ、光重合開始剤としては、カルボニル化合物、ジカルボニル化合物、アセトフェノン、ベンゾインエ−テル、アシルフォスフィンオキシド、チオキサンソン、アミノカルボニル化合物、含窒素化合物などが挙げられる。尚、これらの添加物を含有する前記一般式（２）に示されるシリコ−ン系ポリマ−は特開平１０−３１９５９７号公報に記載されており、これを用いることができる。
【００１８】
硬化処理温度は、ポリマ−の種類やセンシング部位の耐熱温度、あるいは保護膜形成前のセンサ素子自体の耐熱温度等により異なるが、通常１００℃から４００℃が適しており、特に、前述した光架橋性のポリマ−を用いる場合には、１００℃から２５０℃の比較的低温で硬化処理を行うことができる。
【００１９】
また、本発明のセンサ素子のセンシング部位の下方に形成する樹脂膜は、前記したポリマ−のうち、重量平均分子量が１０万以下のポリマ−の硬化膜とすることを特徴とするものである。重量平均分子量を低い樹脂は、融点を有するので、融点付近の温度で熱処理することにより高い流動性（リフロ−性）を示す。従ってポリマ−の溶液を塗布後、融点付近の温度（即ちポリマ−の溶融温度以上でかつ硬化温度未満）で熱処理することにより、ポリマ−膜は溶融流動し、基板上の段差に対する穴埋め性が向上し、センシング部位の下地面をより平滑な状態にすることが可能である。この場合、リフロ−性を有するポリマ−であれば、重量平均分子量はいくらでも構わないが、特に、１０万以下のポリマ−が高いリフロ−性を示すので好ましい。
【００２０】
センシング部位の下方に樹脂膜を形成するとき、１度塗りでも、その膜厚を厚くすることで、平坦度は高くなるが、同種のポリマ−あるいは２種類以上のポリマ−からなるワニスを多層塗りすることで、より平坦度を向上させることができる。
【００２１】
特に前記２種類以上のポリマ−として、重量平均分子量が１０万を超える超高分子量のポリマ−と、重量平均分子量が１０万以下のポリマ−の両方を用いることにより、さらに平坦度を向上させることができる。即ち、重量平均分子量が低いポリマ−は、上述のように融点を有し、流動性（リフロ−性）が高いので、基板上の段差に対する穴埋め性が向上し、より平滑な状態にすることが可能である。
【００２２】
一方、重量平均分子量が高い超高分子量のポリマ−は融点を持たないものが多く、熱処理時の流動性が低いが、段差被覆性が良いので、樹脂膜形成後に段差は残るが、段差をカバレッジ良く被覆する上に、矩形部を滑らかにすることができる。従ってこれらの性質の異なるポリマ−を併用することにより、段差部分をより平坦な状態にすることができる。尚、リフロ−性を有しないポリマ−であれば、重量平均分子量はいくらでも構わないが、特に、１０万を超える超高分子量のポリマ−が低いリフロ−性を示すので好ましい。
【００２３】
１０万を超える超高分子量のポリマ−として、例えば前記した一般式（１）の側鎖の置換基（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）のうち２０％以上にアリ−ル基を導入したもの、あるいは前記した一般式（２）の側鎖の置換基（Ｒ１、Ｒ２）のうち２０％以上にアリ−ル基を導入したものを用いることによってクラック耐性が向上し、１μｍを超える厚膜形成が可能となる。
【００２４】
この重量平均分子量が異なる２種類のポリマ−からなる樹脂膜の形成時において、どちらを先に形成しても平坦度を向上することが可能であるが、低分子量のポリマ−からなる樹脂膜はクラック耐性が低く厚膜形成が困難なため、高分子量のポリマ−からなる樹脂膜を先に形成し、段差を多少減らした後、低分子量のポリマ−からなる樹脂膜をクラック発生限界以下の膜厚で形成する方がより平坦度が向上するので好ましい。
【００２５】
以下、添付の図面を参照して本発明のセンサ素子について説明する。
【００２６】
第１図の（ｇ）は、本発明に係る磁気抵抗センサの一例を説明する断面図である。磁気抵抗センサの制御回路２が表面に形成されたセンサ基板１と細線６によって構成されるセンシング部位との間に樹脂膜３が介在される。制御回路２は、通常バイポ−ラＩＣによって構成され、センサ基板１の表面側に形成された下層配線２ａ、ＰＳＧなどからなる下層絶縁膜２ｂ、下層絶縁膜２ｂ上に形成された上層配線２ｃ、これらの表面にスパッタリング法やＣＶＤ法により形成された無機膜（シリコン窒化膜、シリコン酸化膜等）からなる層間絶縁膜２ｄ、などから構成される。この制御回路２上には、樹脂膜３が形成され、この樹脂膜３上に磁気抵抗効果を示す磁性金属からなる細線６が形成される。この細線６は近接する複数の配線パタ−ンからなる微細配線パタ−ンを有している。また、サ−ジ電流に対する電源及びトランジスタの保護のためのＡｌＳｉからなるサ−ジ抵抗７もこの樹脂膜３上に形成される。細線６と制御回路の上層配線２ｃ、サ−ジ抵抗７と制御回路の上層配線２ｃとは接続金属８によって接続される。これらの表面には、スパッタリング法やＣＶＤ法で形成された無機膜（シリコン窒化膜、シリコン酸化膜等）からなるパッシベ−ション膜９が形成される。
【００２７】
第１図の（ａ）から（ｇ）は、本発明に係る磁気抵抗センサの製造方法の一例を説明する断面図である。
【００２８】
まず、センサ基板１の表面側に通常のバイポ−ラＩＣの製造プロセスにより制御回路２を形成する（第１図の（ａ））。
【００２９】
この制御回路２上に、シリコ−ン系ポリマ−、ポリイミド系ポリマ−、ポリイミドシリコ−ン系ポリマ−、ポリアリ−レンエ−テル系ポリマ−、ビスベンゾシクロブテン系ポリマ−、ポリキノリン系ポリマ−、パ−フルオロ炭化水素系ポリマ−、フルオロカ−ボン系ポリマ−、芳香族炭化水素系ポリマ−あるいは前記した一般式（１）及び／又は一般式（２）に示すシリコ−ン系ポリマ−をアルコ−ル系、ケトン系、エ−テル系、ハロゲン系、エステル系、ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケトン系などの溶剤に溶解させたワニスを１０ｎｍから５０μｍの膜厚で塗布し、ホットプレ−ト上で１００℃〜４００℃で熱処理を行い、樹脂膜３を制御回路２上に形成する（第１図の（ｂ））。
【００３０】
次に、樹脂膜３の表面に膜厚が１００ｎｍから２０μｍのｉ線用ポジレジスト４を塗布し（第１図の（ｃ））、制御回路２の上層配線２ｃのコンタクト部、ボンディングパッド（図示せず）あるいはダイシングライン（図示せず）などを露出するためのコンタクトホ−ルパタ−ンを有するマスク５を用いて、上方より紫外光（ｉ線）を照射し、コンタクトホ−ル部のｉ線用ポジレジスト４を露光する（第１図の（ｄ））。
【００３１】
次に、露光後ベ−クを行った後、現像処理を行い、所望のパタ−ンを有するｉ線用ポジレジスト４のパタ−ンが得られる（第１図の（ｅ））。
【００３２】
このｉ線用ポジレジスト４のパタ−ンをマスクとして、反応性イオンエッチング装置あるいはイオンビ−ムエッチング装置を用いて樹脂膜３と層間絶縁膜２ｄを連続的にドライエッチング法により除去しコンタクトホ−ルを得る。反応性イオンエッチングで用いるエッチング用ガスは、樹脂膜３をエッチングできるガス種なら特に限定しないが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８、Ｎ２、Ｈ２、Ａｒ、Ｏ２などからなる混合ガスが好ましく用いることができる。このように、樹脂膜３の除去をドライエッチング法により行うと、樹脂膜３と層間絶縁膜２ｄを連続的に除去できるため、プロセスの簡略化ができる。
【００３３】
次に、樹脂膜３上のｉ線用ポジレジスト４をウエット除去、あるいは反応性イオンエッチング装置、イオンビ−ムエッチング装置、アッシング装置などを用いてドライ除去し、オ−ブンあるいはホットプレ−トを用いて、１００℃〜４５０℃でポストベ−クを行い樹脂膜３の硬化を行う。これにより、所定の部分が開口され、表面が平坦化した樹脂膜３が得られる（第１図の（ｆ））。
【００３４】
この樹脂膜３上に細線６及びサ−ジ抵抗７を形成する。細線６及びサ−ジ抵抗７は樹脂膜３に設けられた開口部を介してそれぞれ制御回路２の上層配線２ｃのコンタクト部などと接続金属８によって接続される。最後にこの細線６及びサ−ジ抵抗７を保護するシリコン窒化膜などからなるパッシベ−ション膜９を形成することにより磁気抵抗センサが得られる（第１図の（ｇ））。
【００３５】
上記磁気抵抗センサは、そのセンシング部位を前記樹脂膜３上に形成することにより、センサ特性の劣化、あるいは細線６やサ−ジ抵抗７などの位置ずれを防止することができ、さらに、制御回路２の上層配線２ｃなどの位置ずれも防止することも可能である。また、この樹脂膜３は、大きな絶縁耐圧をもつため、制御回路２上にセンシング部位を形成した場合、制御回路２に起因する電界によるセンサ特性の劣化を防止でき、さらに、制御回路２上にサ−ジ抵抗７を形成した場合、サ−ジ抵抗７に起因する電界による制御回路２の誤動作を防止できる。この樹脂膜３は、残留応力が低い上、緩衝作用を有するので、センサ素子全体を封止樹脂で封止する場合には、封止樹脂からの応力を緩衝し、細線６やサ−ジ抵抗７などの位置ずれや、これによるセンサ素子の誤作動を防ぐことができる。また、センサ素子の製造プロセスに耐えうる耐熱性を有しており、また耐環境性に優れているので、制御回路２の保護膜としても有効である。さらに、プレッシャ−クッカ−テストによるセンサ特性評価でも、特性上の異常は認められない。
【００３６】
尚、樹脂膜３としてシリコ−ン系樹脂膜を用いた場合には、上記層間絶縁膜２ｄは、シリコ−ン系樹脂膜との接着性をより向上させるため、その表面に水酸基を多く含むものが好ましい。
【００３７】
また、樹脂膜３として、前記一般式（１）のＲ１、Ｒ２、Ｒ３の側鎖の置換基の全てを水素原子あるいは脂肪族アルキル基にしたシリコ−ン系ポリマ−、あるいは前記一般式（２）のＲ１、Ｒ２の全てを水素原子あるいは脂肪族アルキル基にしたシリコ−ン系ポリマ−からなる樹脂膜を用いることにより、樹脂膜３の平坦性が向上し、樹脂膜３とセンシング部位との相性がよくなりセンサ特性を向上することができる。特に、水素原子、メチル基、エチル基が好ましい。
【００３８】
また、樹脂膜３として、前記一般式（２）のＲ３〜Ｒ６の末端の置換基の全てを水素原子にしたシリコ−ン系ポリマ−からなる樹脂膜を用いることにより、下地膜との密着性を向上することができる。
【００３９】
尚、１μｍ以上の厚膜を形成する場合、一般式（１）においてはＲ１、Ｒ２、Ｒ３のうち２０％以上が、一般式（２）においてはＲ１、Ｒ２のうち２０％以上がフェニル基などのアリ−ル基であることが好ましく、シリコ−ン系ポリマ−の重量平均分子量を５万以上にすれば、厚膜の際のクラック耐性が向上するのでさらに好ましい。
【００４０】
また、重量平均分子量が１０万以下のポリマ−は、融点を持っているため、そのワニスを塗布後に融点付近（即ちポリマ−の溶融温度以上でかつ硬化温度未満）で熱処理することで、ポリマ−膜は段差の低い方向へ溶融流動（リフロ−）するので、穴部を樹脂膜で効率よく埋め込むことができ、センシング部位を形成する下地面をより平坦な状態にすることができる。特に１、０００〜１０、０００の重量平均分子量のポリマ−がリフロ−性が非常に高いので、好ましく用いることができる。ただし、塗布膜厚が段差と同等か薄い場合は、段差の矩形形状が残ってしまう場合がある。
【００４１】
一方、重量平均分子量が１０万を超えるポリマ−は、融点を持っていないものが多いので、熱処理時の流動性（リフロ−性）が低く、穴埋め性は悪いが、段差被覆性は良く、さらに段差の矩形形状を滑らかにすることができる。樹脂膜３上に形成する細線６やサ−ジ抵抗７などの配線が、下地の矩形形状により断線する恐れがある場合は、この超高分子量のポリマ−からなる樹脂膜を用いると効果が大きい。
【００４２】
尚、樹脂膜を１度塗りで塗布して、制御回路２の段差を十分に埋めることができない場合は、厚膜で塗布するか、多層塗りすることで改善できる。多層塗りの場合、同一のワニスを用いて行ってもよく、粘度の異なるワニス、あるいは異なるポリマ−で構成されるワニスを用いて行っても構わない。ただし、多層塗りの際、下地の樹脂膜とミキシングしないように、成膜の度にポストベ−クを行うか、下地の樹脂膜が溶解しない溶媒で調整されているワニスを用いる必要がある。
【００４３】
多層塗りの場合、上述のリフロ−性の高い重量平均分子量が１０万以下のポリマ−とリフロ−性の低い重量平均分子量が１０万を超えるポリマ−を併用すれば、段差部をより平坦化することできる。
【００４４】
即ち、まず、リフロ−性が高く、穴埋め性が良好な重量平均分子量が低いポリマ−からなる樹脂膜を形成することで段差の矩形部の形状は残るが、段差部分をある程度樹脂膜で埋め込むことができる。次にこの表面に段差被覆性が良好な重量平均分子量が高いポリマ−からなる樹脂膜を積層することにより、矩形部を滑らかにし、さらに残存の段差を埋め込むことでより平坦な状態にすることができる。
【００４５】
尚、重量平均分子量が低いポリマ−からなる樹脂膜と重量平均分子量が高いポリマ−からなる樹脂膜の形成順序はどちらでもよいが、重量平均分子量が低いポリマ−からなる樹脂膜の方がクラック耐性が低く、厚膜形成が困難なため、重量平均分子量が高いポリマ−からなる樹脂膜を先に形成して、段差を多少減らして重量平均分子量が低いポリマ−からなる樹脂膜をクラック発生限界以下の膜厚で形成する方がより平坦度が向上する。
実施の形態２．
【００４６】
また、上記センサ素子は、センサであれば限定しないが、特に、磁気抵抗センサ、エアフロ−センサ、加速度センサ、圧力センサ、ヨ−レ−トセンサ、イメ−ジセンサがセンサ素子として用いられる。
【００４７】
また、制御回路２が表面に形成されたセンサ基板上に樹脂膜を形成する代わりに、樹脂膜を表面に絶縁膜が形成されたセンサ基板上に形成してもよく、またガラス基板やシリコン基板などからなるセンサ基板上に直接形成してもよい。これらの場合もその樹脂膜上にセンシング部位が形成される。
【００４８】
また、上記センサ素子のセンシング部位（細線６）は、センサの種類により異なるが、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｃ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒなどの金属や、これらの金属からなる合金、酸化物、窒化物、珪化物、硫化物、炭化物、フッ化物などが用いられる。例えば、合金としては、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ、Ｃｕ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｆｅ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｃ、Ｃｏ−Ｃｒなど、酸化物としては、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２など、窒化物としては、ＡｌＮ、Ｃｒ２Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ、ＺｒＮなど、珪化物としては、ＣｒＳｉ２、ＭｏＳｉ２．５、ＷＳｉ２、ＷＳｉ０．４など、硫化物としては、ＺｎＳ、炭化物としては、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＷＣなど、フッ化物としては、ＭｇＦ２などが用いられるが、上記に限定されるものではなく、センサ素子を作製する上で必要な材料であれば、何でもよい。
【００４９】
また、前記ワニスを塗布する前に制御回路２の表面をシランカップリング剤を含有する溶液等により処理し、制御回路２と樹脂膜３との密着性を強化してもよい。
【００５０】  また、前記ワニスを塗布後に樹脂膜２の表面をヘキサメチレンジシラザン等により処理し、ｉ線用ポジレジスト４と樹脂膜３との密着性を強化してもよい。また、パタ−ン形状を精度よく行うためにｉ線用ポジレジスト４上に反射防止膜を形成してもよい。
【００５１】
また、上記の説明では、ｉ線用ポジレジスト４を用いたが、所望のパタ−ン形成が可能であれば、ポジレジストやネガレジストどちらでもよく、また、ｇ線用、ｉ線用、ＫｒＦエキシマ用、ＡｒＦエキシマ用のいずれでもよい。
【００５２】
また、樹脂膜３を現像する前に、ｉ線用ポジレジスト４のパタ−ン全面に紫外線照射し、架橋密度を上げて、該樹脂膜専用の現像液やリンス液に対する耐性を向上させてもよい。
【００５３】
また、樹脂膜３と層間絶縁膜２ｄを連続的にドライエッチングする方法の代わりに樹脂膜３を現像処理により除去し、層間絶縁膜２ｄをドライエッチングにより除去してもよい。現像処理は、その樹脂膜専用の現像液で、浸漬現像、あるいはスピン現像を行った後、その樹脂膜専用のリンス液で洗浄することにより行う。
【００５４】
また、酸素を含むエッチング用ガスを用いた反応性イオンエッチングでパタ−ン形成を行う場合やｉ線用ポジレジスト４の除去をアッシング装置を用いて行う場合、低圧条件かつ低パワ−条件で行えば、樹脂膜３の表面層の酸化を低減できる。特に、１Ｔｏｒｒ以下の低圧条件かつ１ｋＷ以下の低パワ−条件で樹脂膜３の表面の酸化をより低減することができる。
【００５５】
また、上記の例では、表面に層間絶縁膜２ｄが形成された制御回路２上に樹脂膜３を形成し、特に応力緩衝膜、平坦化膜として機能させるが、上述のポリマ−は高純度であるので、これらのポリマ−からなる樹脂膜３を、表面に層間絶縁膜２ｄが形成されていない制御回路２上に直接形成し、応力緩衝膜及び平坦化膜の機能に加えて保護膜の機能も持たせることができる。この場合には、樹脂膜３は、回転塗布で樹脂膜３を形成するため、プラズマ照射による制御回路２の放射線ダメ−ジも回避することができる。
【００５６】  尚、層間絶縁膜２ｄは、樹脂膜３との接着性をより向上させるため、その表面に水酸基を多く含むものが好ましい。
【００５７】  第２図の（ｆ）は、本発明に係る磁気抵抗センサの他の例を説明する断面図である。この磁気抵抗センサは、制御回路２が表面に形成されたセンサ基板１と細線６によって構成されるセンシング部位との間に光硬化した樹脂膜１３が介在される。その他の構成は第１図と同じである。
【００５８】
第２図（ａ）から（ｆ）は、本発明に係る磁気抵抗センサの製造方法の他の例を説明する断面図である。この磁気抵抗センサの製造方法が上述の方法と異なるのは、光架橋性のポリマ−を溶剤に溶解し、さらに光架橋剤や光重合剤を添加したものを用いている点である。このような光架橋性のポリマ−としては、例えばポリイミド系ポリマ−、シリコ−ン系ポリマ−などが用いられ、シリコ−ン系ポリマ−からなる樹脂膜のパタ−ン形成方法としては、例えば特開平１０−３１９５９７号公報に記載されている。
【００５９】
まず、上述の方法と同様にして、制御回路２が表面に形成されたセンサ基板１上に、光架橋性のポリマ−のワニスを塗布後、１００℃〜２５０℃で熱処理する（第２図の（ａ）、（ｂ））。次に所望のパタ−ンを有するマスク１５を用いて上方より、照射して露光し、光の非照射部分の樹脂膜を現像処理で除去し、１００℃〜４５０℃でポストベ−クを行い、樹脂膜の硬化を行う。これにより所定の部分が開口した平坦化した樹脂膜１３が得られる（第２図の（ｃ）、（ｄ））。
【００６０】
この樹脂膜１３上に、上述の方法と同様にして、制御回路２の層間絶縁膜２ｄの除去、細線６、サ−ジ抵抗７、接続金属８、パッシベ−ション膜９の形成を行い、光硬化した樹脂膜１３上にセンシング部位を形成した磁気抵抗センサが得られる（第２図の（ｅ）、（ｆ））。
【００６１】
尚、上述のような樹脂膜を平坦化するために多層形成することがさらに効果的である。この場合、多層のすべての層を光硬化性ポリマ−からなる樹脂膜にする必要はないが、少なくとも最上層の樹脂膜は光硬化性ポリマ−からなる樹脂膜にする必要がある。このとき、この光硬化性ポリマ−からなる樹脂膜をマスクにして、下層の樹脂膜及び層間絶縁膜を連続的にドライエッチングにより除去することが好ましい。
【００６２】
感光性架橋剤や光重合開始剤は通常、光をドライビングフォ−スとして、反応を引き起こすため、添加されているものであるが、熱処理によっても分解し、硬化反応が起こる。該ポリマ−は、センサ素子上に形成するため、その焼成温度条件が直接的にセンサ特性に悪影響を及ぼすが、高分子量化したものは熱硬化しなくても５００℃の耐熱性があり、これらの添加物を入れることで、膜形成時の焼成温度を下げることができ、センサ素子の耐熱限界温度以下の温度で焼成することが可能となる。さらに、これらの添加剤を入れることで感光性を発現し、樹脂膜にパタ−ンを転写する必要がある場合、所望のパタ−ンを有するマスクを通して直接紫外線を照射した後に、現像することで、パタ−ン形成することが可能である。このため、レジストパタ−ン形成工程を省くことができ、短時間でしかも安定にパタ−ンを転写することができるので、プロセスの簡略化、低コスト化に寄与できる。
実施の形態１．
【００６３】
第３図は、本発明に係る実施例１のエアフロ−センサの構造を説明する図であり、その（ａ）が平面図、その（ｂ）が（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００６４】
本発明に係るエアフロ−センサは、下支持膜３２が表面に形成されたシリコン基板３１とジグザグ状の微細配線パタ−ンからなる金属線３３によって構成されるセンシング部位との間に樹脂膜３４が介在される。この金属線３３の両端には、電気抵抗値の変化を検出するボンディングパッド３５が接続して設けられる。これらの金属線３３、樹脂膜３４の表面には上支持膜３６が形成される。また、シリコン基板３１のセンシング部位の下方には凹部３７が設けられる。
【００６５】
このエアフロ−センサは、通電加熱された金属線３３が凹部３７を通過する気体の流速に依存して奪われる熱量を、電気抵抗値の変化によって気体の流速を検知するものである。
【００６６】
このエアフロ−センサの製造方法について説明する。まず、約３００μｍの厚さのシリコン基板３１の表面側にスパッタリング装置により形成したシリコン窒化膜からなる下支持膜３２を形成した。
【００６７】
次に下支持膜３２上に樹脂膜３４としてポリイミド系樹脂膜のパタ−ン形成を以下の方法で行った。
【００６８】
まず、Ｎ−メチルピロリドンなどの有機溶媒に溶かしたポリイミド系ポリマ−のワニス（日立化成社製、ＰＩＸ−１４００）を、シリコン窒化膜からなる下支持膜３２の表面に毎分３０００回転の速度で回転塗布し、ホットプレ−ト上で１２０℃で１分間熱処理して乾燥させ表面処理した。さらに、オ−ブン中で３５０℃で１時間ポストベ−クを行い、完全に硬化させ、約２μｍの膜厚のポリイミド系樹脂膜３４を形成した。
【００６９】
ポリイミド系樹脂膜３４上に、ｉ線用ポジレジストを膜厚が約５μｍになるように回転塗布し、通常のフォトリソグラフィ−を行い、所望のダイシングラインを開口するためのｉ線用ポジレジストパタ−ンを得た。
【００７０】
次に、このｉ線用ポジレジストパタ−ンをマスクとして、ｉ線用ポジレジストで保護されていない部分のポリイミド系樹脂膜をドライエッチング法により除去した。
【００７１】
ドライエッチングは反応性イオンエッチング装置を用い、ドライエッチング用ガスとして、Ｃ４Ｆ８／Ｏ２の混合比が３／７のガスを用いて行った。さらに、ｉ線用ポジレジストを酸素プラズマでアッシング除去し、所定の部分が開口されたポリイミド系樹脂膜３４を得た。
【００７２】
このポリイミド系樹脂膜３４を形成した後、ポリイミド系樹脂膜３４上に、温度センサとなるＰｔからなる金属線３３、ボンディングパッド３５、シリコン窒化膜からなる上支持膜３６の順に形成した。その後、金属線３３直下のシリコン基板３１をウエットエッチング法により除去し、凹部３７を形成した。最後に、ボンディングパッド３５とリ−ドフレ−ム（図示せず）をボンディングワイヤ（図示せず）で接続した。
【００７３】
このエアフロ−センサは、通電されたＰｔからなる金属線３３は外気温度より１００℃程度高い温度に加熱されており、気流の流れの強さに依存して、Ｐｔからなる金属線３３は熱を奪われ温度が下がる。Ｐｔからなる金属線３３はその温度により抵抗値が変化するため、奪われた熱量を電気的に検知することができる。奪われた熱量と気流の流れの強さは１対１に対応するため、気体の流れを知ることができる。
【００７４】
無機膜上にセンシング部位を形成したエアフロ−センサでは、センサ特性のばらつきが大きい、金属線の位置ずれによるセンサ特性の劣化という問題があったが、樹脂膜上にセンシング部位を形成することによってこれらの問題は解消され、耐久試験も実用レベルであった。
実施の形態２．
【００７５】
第１図の（ｇ）は、本発明に係る実施例２の磁気抵抗センサの構造を説明する断面図である。バイポ−ラＩＣによって構成される制御回路２の層間絶縁膜２ｄの表面に、樹脂膜３としてシリコ−ン系樹脂膜の形成を以下の方法で行った。
【００７６】
まず、上記一般式（１）の側鎖Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３がすべてメチル基で、重量平均分子量が０．５万のシリコ−ン系ポリマ−をメタノ−ルに２０重量％になるように溶解させたワニス（ａ）、上記一般式（２）の側鎖Ｒ１、Ｒ２うち１０ｍｏｌ％がアリル基で、残りがフェニル基であり、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６が水素原子（水酸基）である、重量平均分子量が２０万のシリコ−ン系ポリマ−をメトキシベンゼンに１０重量％になるように溶解させ、さらにこのポリマ−に対して０．５重量％のγ−アミノプロピルトリメトキシシランを加えたワニス（ｂ）を調整する。
【００７７】
このワニス（ｂ）を層間絶縁膜２ｄの表面に毎分２５００回転の速度で回転塗布し、ホットプレ−ト上で２５０℃で５分間熱処理して硬化させた。膜厚１．３μｍのシリコ−ン系樹脂膜を形成した。段差被覆性は良いが、十分に平坦化されず、まだ１．２μｍの段差が残っている。
【００７８】
次に、ワニス（ａ）をこのシリコ−ン系樹脂膜表面に毎分２５００回転の速度で回転塗布し、ホットプレ−ト上でこのシリコ−ン系ポリマ−の融点付近の１２０℃から２００℃で熱処理を行い、シリコ−ン系ポリマ−をリフロ−させた。これによって、シリコ−ン系ポリマ−は段差部分に流動し、段差をほぼなくすことができた。
【００７９】
次に、窒素雰囲気下のオ−ブン中で３５０℃で１時間ポストベ−クを行い、完全に硬化させた。
【００８０】
次に、この表面に、ｉ線用ポジレジストを約５μｍ膜厚になるように回転塗布し、通常のフォトリソグラフィ−を行い、コンタクトホ−ルやダイシングラインなどの所要のパタ−ンを有するレジスト層を得た。
【００８１】
次に、ｉ線用ポジレジスト４で保護されていない部分の樹脂膜をドライエッチング法で除去した。ドライエッチング法は、シリコ−ン系樹脂膜に影響のない方法であれば、特に限定はしないが、反応性イオンエッチング法あるいはイオンビ−ムエッチング法が好ましく用いることができる。今回は、反応性イオンエッチングを用い、ドライエッチング用ガスは、ＣＦ４／Ｏ２の混合比が８／２のガスを用いて行った。さらに、ｉ線用ポジレジスト４を酸素プラズマでアッシング除去し、樹脂膜３のパタ−ニングが完了した。
【００８２】
この樹脂膜３上に磁気抵抗効果を示す磁性金属の細線６及びＡｌＳｉからなるサ−ジ抵抗７の形成、細線５及びサ−ジ抵抗６と制御回路２の上層配線２ｃのコンタクト部などとを接続する接続金属８を形成を行い、最後にこの細線６及びサ−ジ抵抗７を保護するシリコン窒化膜などからなるパッシベ−ション膜９の形成を行った。
【００８３】
センサ特性評価と耐久試験を行ったところ、平坦な基板上に作製した時と、同等以上のセンサ特性と耐久性を得た。このように制御回路上にセンシング部位及びサ−ジ抵抗を形成することで、チップサイズを縮小することができるとともに、センサ素子のパタ−ン形状をチップの大きさの範囲内で任意に設計することができる。さらに、積層したサ−ジ抵抗に発生する電界により、制御回路の誤動作、センサ特性の劣化は検出されず、平坦化膜材料の絶縁耐圧が十分高いことが実証できた。このように、センシング部位とサ−ジ抵抗を制御回路上に同時に積層することにより、センサ素子の大幅な縮小化が可能となった。
【００８４】
また、磁性金属からなる細線６及びサ−ジ抵抗７の位置ずれにより生じるセンサ特性の劣化も見られなかった。
実施の形態３．
【００８５】
第２図の（ｆ）は、本発明に係る実施例３の磁気抵抗センサの構造を説明する断面図である。バイポ−ラＩＣによって構成される制御回路２の層間絶縁膜２ｄの表面に、樹脂膜１３としてシリコ−ン系樹脂膜と光硬化したシリコ−ン系樹脂膜との多層膜の形成を以下の方法で行った。
【００８６】
まず、上記一般式（２）の側鎖Ｒ１、Ｒ２が全てメチル基で、末端のＲ３〜Ｒ６が水素基の重量平均分子量が５万のシリコ−ン系ポリマ−をメタノ−ルに１５重量％になるように溶解させたワニス（ａ）と、上記一般式（２）の側鎖Ｒ１、Ｒ２うち２０ｍｏｌ％がメタクリロイルプロピル基で、残りがフェニル基であり、末端のＲ３〜Ｒ６がメチル基である重量平均分子量が３０万のシリコ−ンラダ−系ポリマ−をメトキシベンゼンに１０重量％になるように溶解させ、さらにこのポリマ−に対して５重量％の２、６−ビス（４’−アジドベンザル）メチルシクロヘキサノンを加えたワニス（ｂ）、γ−（アクリロキシプロピル）トリメトキシシランを１重量％含む水溶液（ｃ）を調整しておく。
【００８７】
最大段差が２．５μｍのパタ−ンを有する制御回路を形成した基板上に、密着性を強化するため水溶液（ｃ）を毎分２０００回転の速度で回転塗布し、ホットプレ−ト上で１１０℃で２分間熱処理を行った後、ワニス（ａ）を毎分２０００回転の速度で回転塗布し、ホットプレ−ト上でこのシリコ−ン系ポリマ−の融点付近の１２０℃で５分間熱処理を行い樹脂膜をリフロ−させ、さらにオ−ブンにて３７５℃で１時間ポストベ−クし、１．２μｍの膜厚の１層目のシリコ−ン系樹脂膜を形成した。穴埋め性が良くある程度平坦化されたが、段差のエッジ部分の矩形形状が残っていた。次に、その膜上にワニス（ｂ）を約３μｍ膜厚になるように毎分３０００回転の速度で回転塗布し、ホットプレ−ト上で１３５℃で熱処理を行い２層目のシリコ−ン系樹脂膜を形成した。２層塗りすることで、段差は初期の１０％以下となった。さらに、コンタクトホ−ルやダイシングラインなどの所要のパタ−ンを有するフォトマスクを通して、超高圧水銀灯を光源とする紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ２の出力で密着露光した。
【００８８】
続いて、メトキシベンゼン／キシレン＝１／４（体積比）の現像液で、未露光部分を溶解除去し、キシレンで洗浄することで、シリコ−ン系樹脂膜のパタ−ニングが完了する。その後にオ−ブン中で窒素雰囲気下、２５０℃で１時間ポストベ−クを行い、完全に硬化させ、２層目のシリコ−ン系樹脂膜のパタ−ンを形成した。
【００８９】
次に、このシリコ−ン系樹脂膜のパタ−ンをマスクとして、１層目のシリコ−ン系樹脂膜及び層間絶縁膜をドライエッチング法で連続的に除去した。ドライエッチング法は、シリコ−ン系樹脂膜に影響のない方法であれば、特に限定はしないが、反応性イオンエッチング法あるいはイオンビ−ムエッチング法が好ましく用いることができる。今回は、反応性イオンエッチング法を用い、ドライエッチング用ガスは、ＣＦ４／Ｏ２／Ａｒの混合比が５／３／２のガスを用いて行った。このようにして、２層構造の樹脂膜のパタ−ン形成が完了した。
【００９０】
次にこの樹脂膜１３上に実施例２と同様に、細線６、サ−ジ抵抗７、接続金属８、パッシベ−ション膜９を形成し磁気抵抗センサ素子を作製した。
【００９１】
この磁気抵抗センサ素子のセンサ特性とその耐久試験を行ったところ、平坦な基板上に作製した時と同等以上のセンサ特性と耐久性を得た。このように実施例３においては、実施例２と同様の効果が得られるとともに、レジストパタ−ン形成工程を省くことができるので、プロセスの簡略化、低コスト化に寄与できる。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
以上のように、本発明にかかるセンサ素子はセンサ素子の信頼性向上を図るのに適しており、例えば磁気抵抗センサ、エアフロ−センサ、加速度センサ、圧力センサ、ヨ−レ−トセンサ、イメ−ジセンサに用いるのに適している。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
第１図は、本発明に係る磁気抵抗センサの構造及びその製造方法の一例を説明する断面図である。
【００９４】
第２図は、本発明に係る磁気抵抗センサの構造及びその製造方法の他の例を説明する断面図である。
【００９５】
第３図は、本発明に係る実施例１のエアフロ−センサの構造を説明する図であり、その（ａ）が平面図、その（ｂ）が（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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