(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を該基板の処理面を下にして着脱自在に保持する基板ホルダと、
前記基板ホルダで保持した基板の処理面の外周部をシールするシールリングと、
前記基板ホルダの下方に配置され該基板ホルダで保持した基板の処理面に向けて処理液を噴射する複数の噴射ノズルと、
前記基板ホルダと前記噴射ノズルとを相対的に回転させる駆動機構とを有し、
中央部に位置する噴射ノズルとして、それ以外の噴射ノズルに比べ広い範囲に比較的弱い圧力が作用するノズルが使用されていることを特徴とする無電解めっき前処理装置。
【請求項２】
前記噴射ノズルは、前記基板ホルダで保持した基板に向けて噴射する処理液の運動エネルギーを調整できるよう構成されていることを特徴とする請求項１記載の無電解めっき前処理装置。
【請求項３】
前記中央部に位置する噴射ノズルとして円錐ノズルが、それ以外の噴射ノズルとして扇形ノズルがそれぞれ使用されていることを特徴とする請求項１または２記載の無電解めっき前処理装置。
【請求項４】
前記噴射ノズルは、前記基板ホルダで保持した基板の直径方向に沿って直線状に配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の無電解めっき前処理装置。
【請求項５】
基板を該基板の処理面を下にし処理面の外周部をシールして基板ホルダで保持し、
前記基板ホルダで保持した基板の処理面に向けて、複数の噴射ノズルから、中央部に位置する噴射ノズルの方がそれ以外の噴射ノズルより広い範囲に弱い圧力で処理液を噴射しつつ、
前記基板ホルダで保持した基板と前記噴射ノズルとを相対的に回転させることを特徴とする無電解めっき前処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板の表面に設けた配線用の微細な凹部に、無電解めっきによって銅や銀等の導電体を埋込んで埋込み配線を形成したり、このようにして形成した配線の表面を保護する保護膜を無電解めっきで形成するのに際し、この無電解めっきの前処理を行うのに使用される無電解めっき前処理装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体チップの高速化、高集積化に伴い、半導体基板上に配線回路を形成するための金属材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金に代えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐性が高い銅（Ｃｕ）を用いる動きが顕著になっている。この種の銅配線は、基板の表面に設けた微細凹みの内部に銅を埋込むことによって一般に形成される。この銅配線を形成する方法としては、めっきが一般的であり、電解銅めっきで銅配線を形成する際には、例えばＴａＮ等からなるバリア層の表面に、電解めっきの給電層としてのシード層を形成し、このシード層の表面に銅膜を成膜した後、その表面を化学機械的研磨（ＣＭＰ）により平坦に研磨するようにしている。
【０００３】
この種の配線にあっては、平坦化後、その配線の表面が外部に露出しており、この上に埋め込み配線を形成する際、例えば次工程の層間絶縁膜形成プロセスにおけるＳｉＯ２形成時の表面酸化やコンタクトホールを形成するためのＳｉＯ２エッチング等に際して、コンタクトホールの底に露出した配線のエッチャントやレジスト剥離等による表面汚染、更には銅配線にあっては銅の拡散が懸念されている。
【０００４】
このため、銀や銅等の配線材料との接合が強く、しかも比抵抗（ρ）が低い、例えばＮｉ−Ｂ合金膜等からなる保護膜（めっき膜）で配線の表面を選択的に覆って保護することが考えられる。ここで、Ｎｉ−Ｂ合金膜は、例えばニッケルイオン、ニッケルイオンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアルキルアミンボランまたは硼素化水素化合物等を有する無電解めっき液を使用した無電解めっきを施すことによって、銅膜等の表面に選択的に形成することができる。
【０００５】
ここで、例えば無電解銅めっきで基板の表面にシード層を形成したり、銅膜等の表面に保護膜（蓋めっき）を形成したりする際には、その前処理として、Ｐｄとの置換を行うためＳｎＣｌ２液等によるＳｎ吸着化処理、及び無電解めっきの際の触媒となるＰｄを基板上に析出させるためＰｄＣｌ２液等による置換処理を行う必要があり、これらの各処理には、それぞれ純水によるリンス処理（洗浄処理）を伴う。また、これらの２段処理を１液のＰｄ／Ｓｎコロイドのキャタリストで行われる場合もある。この場合も純水によるリンス処理が伴う。
【０００６】
従来、これらの無電解めっきの前処理（Ｓｎ吸着化処理またはＰｄ置換処理）や、前処理後のリンス処理（洗浄処理）は、基板を上下動自在な基板ホルダで横向きに保持し、この基板ホルダで保持した基板を、処理槽内の処理液中に浸漬（いわゆるどぶ付け）させたり、基板をその処理面を上向き（フェースアップ）に基板ホルダで保持し、この基板ホルダで保持した基板の上面（処理面）に処理液を供給したりすることで一般に行われていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板を処理液中に浸漬させて無電解めっきの前処理等を行うと、この浸漬法は拡散効果を利用したものであり、基板の処理面への新液の供給が積極的に行われず、このため、処理面に付着した汚染物や溶解したイオンの処理面からの離脱が遅く、処理時間がかなり長くかかってしまうばかりでなく、再汚染のおそれがあった。
【０００８】
一方、基板をフェースアップで保持して無電解めっきの前処理等を行うと、基板裏面の汚染を防止するためには、基板の処理面の外周部をシール材でシールする必要があり、このように、シール材でシールすると、基板の表面に処理液が溜まって、前述の浸漬処と同じ問題が生じ、シール材を省くと、基板の裏面の汚染を有効に防止できないといった問題があった。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、無電解めっきの前処理を、基板処理面の再汚染を防止しつつ、効率よく行うことができるようにした無電解めっき前処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板を該基板の処理面を下にして着脱自在に保持する基板ホルダと、前記基板ホルダで保持した基板の処理面の外周部をシールするシールリングと、前記基板ホルダの下方に配置され該基板ホルダで保持した基板の処理面に向けて処理液を噴射する複数の噴射ノズルと、前記基板ホルダと前記噴射ノズルとを相対的に回転させる駆動機構とを有し、中央部に位置する噴射ノズルとして、それ以外の噴射ノズルより噴射圧力が弱いノズルが使用されていることを特徴とする無電解めっき前処理装置である。
【００１１】
これにより、基板の処理面に積極的に新液を供給することで、処理面には常に新鮮な液が接触するようにして再汚染を防止するとともに、処理面の汚染物や溶解したイオンの基板表面からの離脱を早めて、基板を効率よく短時間で処理し、しかも、基板の処理面の外周部をシールリングでシールすることで、基板の裏面の汚染を有効に防止することができる。更に、基板ホルダと噴射ノズルとを相対的に回転及び／または上下動させながら処理液による基板の処理を行うことで、基板処理面に作用する圧力を緩和しながら、処理液を均一に基板の処理面の全面に供給することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記噴射ノズルは、前記基板ホルダで保持した基板に向けて噴射する処理液の運動エネルギーを調整できるよう構成されていることを特徴とする請求項１記載の無電解めっき前処理装置である。これにより、基板の処理面が処理液に接触する時に受ける圧力を調整することができる。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、前記中央部に位置する噴射ノズルとして円錐ノズルが、それ以外の噴射ノズルとして扇形ノズルがそれぞれ使用されていることを特徴とする請求項１または２記載の無電解めっき前処理装置である。このように、噴射ノズルとして扇形ノズルを使用することで、噴射ノズルの数を減少させ、広い範囲での圧力の調整を可能となし、しかも、中心部に位置する噴射ノズルとして、圧力の弱い円錐ノズルを使用することで、基板処理面の中心部に作用する圧力を緩和して、基板処理面により均一な圧力が作用するようにすることができる。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、前記噴射ノズルは、前記基板ホルダで保持した基板の直径方向に沿って直線状に配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の無電解めっき前処理装置である。
前記噴射ノズルは、前記基板ホルダで保持した基板の全面に亘って均等に分布した状態で配置されていてもよい。これにより、例えば基板と噴射ノズルの相対的な回転速度が高い場合のみならず、極めて遅くなった場合でも、基板処理面の全面に処理液を均一に供給することができる。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、基板を該基板の処理面を下にし処理面の外周部をシールして基板ホルダで保持し、前記基板ホルダで保持した基板の処理面に向けて、複数の噴射ノズルから、中央部に位置する噴射ノズルの方がそれ以外の噴射ノズルより広い範囲に弱い圧力で処理液を噴射しつつ、前記基板ホルダで保持した基板と前記噴射ノズルとを相対的に回転させることを特徴とする無電解めっき前処理方法である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、半導体装置における銅配線形成例を工程順に示すもので、先ず、図１（ａ）に示すように、半導体素子を形成した半導体基材１上の導電層１ａの上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２を堆積し、この絶縁膜２の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホール３と配線用の溝４を形成し、その上にＴａＮ等からなるバリア層５、更にその上に電解めっきの給電層としての銅シード層６をスパッタリング等により形成する。
【００１７】
そして、図１（ｂ）に示すように、半導体基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、半導体基板Ｗのコンタクトホール３及び溝４内に銅を充填させるとともに、絶縁膜２上に銅層７を堆積させる。その後、化学機械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅層７を除去して、コンタクトホール３及び配線用の溝４に充填させた銅層７の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜２の内部に銅シード層６と銅層７からなる配線８を形成する。次に、基板Ｗの表面に、例えば無電解Ｎｉ−Ｂめっきを施して、図１（ｄ）に示すように、配線８の露出表面にＮｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜（めっき膜）９を選択的に形成して配線８を保護する。
【００１８】
図２は、本発明の実施の形態の無電解めっき前処理装置を示す。この無電解めっき前処理装置は、例えば、図１におけるバリア層５の形成、銅シード層６の補強、銅層７の堆積、更には、保護膜（めっき膜）９の形成を無電解めっきで行う際に、その前処理及び該前処理に伴うリンス処理に使用される。
【００１９】
この無電解めっき前処理装置１０は、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面（処理面）を下向き（フェースダウン）にして着脱自在に保持する基板ホルダ１２を有している。この基板ホルダ１２は、内部に基板Ｗを収納する下方に開口したハウジング１４と、このハウジング１４の内部に上下動自在に配置したリング状の基板押え１６を有している。ハウジング１４の下端には、内方に膨出する爪部１４ａが設けられ、この爪部１４ａの上面にシールリング１８が取付けられている。
【００２０】
これにより、ハウジング１４の内部に搬入した基板Ｗをその外周部をシールリング１８に接触させて爪部１４ａの上部に載置保持し、この状態で、基板押え１６を下降させることで、基板Ｗをその外周部をハウジング１４の爪部１４ａと基板押え１６で挟持して保持し、この時に、シールリング１８を圧潰させることで、ここをシールするようになっている。
【００２１】
ハウジング１４は、回転モータ２０の出力軸２２に連結され、更に、この回転モータ２０は、上下動モータ２４の駆動に伴って、ボールねじ２６を介して上下動（昇降）する上下動アーム２８の自由端に固着されている。また、回転モータ２０のハウジングには、シリンダ３０が下向きに取付けられ、このシリンダ３０のロッドに中空円板状の昇降板３２が連結されている。そして、この昇降板３２の外周端面に軸受３４が取付けられ、この軸受３４の外輪に押圧ロッド３６が下向きで取付けられている。この押圧ロッド３６は、ハウジング１４の上壁を貫通して延び、この下端に前記基板押え１６が接続されている。
【００２２】
これによって、基板ホルダ１２で基板Ｗをシールリング１８でシールして保持した状態で、回転モータ２０の駆動に伴って、基板ホルダ１２と基板Ｗとが一体となって回転し、上下動モータ２４の駆動に伴って、基板ホルダ１２と基板Ｗとが一体となって上下動（昇降）するようになっている。
【００２３】
基板ホルダ１２の下方に位置して、基板ホルダ１２で保持した基板Ｗに向けて、処理液を噴射する複数の噴射ノズル４０を有するノズルヘッド４２が水平に配置されている。このノズルヘッド４２は、基板ホルダ１２で保持した基板Ｗの直径方向のほぼ全長に亘る長さを有する棒状体で構成され、上下方向に延びる固定軸４４の上端に連結されている。そして、この固定軸４４には、図示しない処理液供給パイプが接続され、処理液は、この固定軸４４の内部を通ってノズルヘッド４２に達し、ノズルヘッド４２に沿って流れながら各噴射ノズル４０から上方に向けて噴射されるようになっている。
【００２４】
この噴射ノズル４０は、基板ホルダ１２で保持した基板Ｗに向けて噴射する処理液の運動エネルギーを調整できるよう構成されていることが好ましい。これにより、基板Ｗの処理面が処理液に接触する時に受ける圧力を調整することができる。
ノズルヘッド４２の周囲を囲繞し、更に上方に延出して、上方に開口したカップ状の処理槽４６が配置されている。この処理槽４６は、処理液の飛散を防止するためのものであり、その底部には、排出口４６ａが設けられている。
【００２５】
次に、この無電解めっき前処理装置を用いて基板に薬液処理または純水によるリンス処理を行うときの動作について説明する。
先ず基板Ｗを基板ホルダ１２のハウジング１４の内部に入れ、爪部１４ａの上面に設けたシールリング１８に接触させて、基板Ｗをその表面（処理面）を下向きした状態（フェースダウン）で載置する。そして、基板押え１６を下降させて、基板Ｗの処理面（下面）の外周部をシールリング１８でシールした状態で、基板Ｗを挟持保持する。そして、必要に応じて、基板ホルダ１２を任意の位置に昇降させた後、更に一定の幅で基板ホルダ１２を上下動させ、同時に基板ホルダ１２を回転させる。
【００２６】
この状態で、薬液や純水等の処理液を噴射ノズル４０から基板Ｗに向けて噴射して基板Ｗの処理面の処理液による処理を施す。この時、噴射ノズル４０から基板に向けて噴射された処理液は、処理槽４６内に流入し、排出口４６ａから外部に排出される。
【００２７】
このように、薬液や純水等の処理液を噴射ノズル４０から基板Ｗに向けて噴射して基板Ｗの処理面の処理液による処理を施して、基板Ｗの処理面に積極的に新液を供給することで、処理面には常に新鮮な液が接触するようにして再汚染を防止するとともに、処理面の汚染物や溶解したイオンの基板Ｗの表面からの離脱を早めて、基板Ｗを効率よく短時間で処理し、しかも、基板Ｗの処理面の外周部をシールリング１８でシールすることで、基板Ｗの裏面の汚染を有効に防止することができる。更に、基板Ｗを噴射ノズル４０に対して、相対的に回転及び上下動させながら、基板Ｗの処理面に積極的に新液を供給することで、基板Ｗの処理面に作用する圧力を緩和しながら、処理液を均一に基板Ｗの処理面の全面に供給することができる。
なお、この例では、基板Ｗを噴射ノズル４０に対して、相対的に回転及び上下動させるようにしているが、噴射ノズル４０側を回転及び上下動させるようにしてもよい。
【００２８】
そして、所定の時間に亘って処理液による処理を行った後、噴射ノズル４０からの処理液の噴射を停止し、基板ホルダ１２の上下動を停止した後、基板Ｗに付着した処理液の液切りを行って、基板Ｗの回転を停止する。
しかる後、前述の逆の動作で処理終了後の基板Ｗをハウジング１４の外に搬送する。
【００２９】
図３は、前述の無電解めっき前処理装置１０を利用し、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に形成した配線用の溝やコンタクトホールに銅を埋込んで銅配線を形成するようにしためっき装置の全体構成を示す。
【００３０】
このめっき装置は、設備９０内に配置された、ロード・アンロード部９２ａ，９２ｂ、Ｓｎの吸着剤となるＳｎＣｌ２液等により吸着化処理を行う吸着化処理装置（無電解めっき前処理装置）９４、ＳｎとＰｄの置換のためＰｄＣｌ２液等により置換処理を行う置換処理装置（無電解めっき前処理装置）９６、無電解めっき装置９８、電解めっき装置１００、基板Ｗの外周部に付着乃至成膜した不要な銅を除去し、必要に応じて基板の裏面を洗浄するベベルエッチ装置１０２、ベベルエッチ後の基板を洗浄し乾燥させる洗浄・乾燥装置１０４、これらの間で基板Ｗの搬送を行う２基の搬送装置（搬送ロボット）１０６ａ，１０６ｂ、及び仮置きステージ１０８ａ，１０８ｂを有している。ここで、無電解めっき前処理装置である吸着化処理装置９４及び置換処理装置９６は、使用する薬液が異なるだけで、前記図２に示す無電解めっき前処理装置１０と同じ構成をしている。ここで、洗浄・乾燥装置１０４は、この例では、ペンシル・スポンジを備えたスピンドライユニットで構成されている。
【００３１】
次に、上記のように構成しためっき装置による一連のめっき処理の工程について説明する。まず、ロード・アンロード部９２ａまたは９２ｂに保持された基板Ｗを一方の搬送装置１０６ａにより取出し、仮置きステージ１０８ａまたは１０８ｂに置く。他方の搬送装置１０６ｂは、これを吸着化処理装置９４に搬送し、ここで、基板Ｗを上下動及び回転させつつ、基板Ｗの処理面にＳｎＣｌ２等の吸着化剤等を含む薬液を供給して基板Ｗの処理面の吸着化処理を行い、この薬液による処理に連続して、基板Ｗを上下動及び回転させつつ、基板Ｗの表面Ｓに純水を供給して、基板Ｗに付着した薬液を純水で洗い流すリンス処置を行う。次に、基板Ｗを隣接する置換処理装置９６に搬送し、ここで、基板Ｗを上下動及び回転させつつ、基板Ｗの表面ＳにＰｄＣｌ２液等でＰｄ置換を行い基板Ｗの表面Ｓの触媒付与処理を行い、この薬液による処理に連続して、基板Ｗを上下動及び回転させつつ、基板Ｗの表面に純水を供給して、基板Ｗに付着した薬液を純水で洗い流すリンス処置を行う。
【００３２】
この過程では、Ｓｎ吸着化処理装置において、ＳｎＣｌ２からのイオンＳｎ２＋が基板Ｗの表面に吸着され、このイオンは、置換処理装置において酸化されてＳｎ４＋になり、逆にＰｄ２＋は還元されて金属Ｐｄとなって基板Ｗの表面に析出して、次の無電解めっき工程の触媒層となる。この過程は、Ｐｄ／Ｓｎコロイドの１液キャタリストを用いて行うこともできる。なお、以上のような触媒付与工程は、この例のように、Ｓｎ吸着化処理装置とＰｄ置換処理装置で行うこともできるが、別の装置で行ってから基板Ｗを移送してもよい。また、半導体基板に存在する窪み内表面の材質、状態によっては、前述のＳｎ吸着化処理またはＰｄ置換処理を省略できる場合がある。
【００３３】
搬送装置１０６ｂは、基板Ｗをさらに無電解銅めっき装置９８に運び、ここで所定の還元剤と所定のめっき液を用いて無電解めっき処理を行う。これによって、例えば、ＴａＮ等からなるバリア層の表面に薄い銅めっき膜を形成する。この場合、固液界面で還元剤の分解によって生じた電子が、基板表面の触媒を経由してＣｕ２＋に与えられ、金属Ｃｕとして触媒上に析出して銅めっき膜を形成する。なお、この触媒としては、Ｐｄ以外にも、遷移金属である、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ等を用いることができる。
【００３４】
次に、無電解めっき処理後の基板Ｗを搬送装置１０６ｂで無電解めっき装置９８から取り出して電解めっき装置１００に運び、ここで、基板を所定の電解めっき液に浸漬させつつ、基板と電解めっき液との間に所定のめっき電圧を印加することで、電解めっき処理を行う。これによって、基板Ｗの表面に形成された配線用の溝やコンタクトホールの内部に銅を充填する。
【００３５】
次に、この基板を搬送装置１０６ｂで仮置きステージ１０８ａまたは１０８ｂに置き、搬送装置１０６ａでベベルエッチ装置１０２に運び、ここで、基板Ｗの外周部に付着乃至成膜した不要な銅を除去し、必要に応じて基板Ｗの裏面を洗浄する。
【００３６】
このベベルエッチ後の基板Ｗを搬送装置１０６ａで洗浄・乾燥装置１０４に運び、この洗浄・乾燥装置１０４でペンシル・スポンジによる仕上げの洗浄とスピンドライによる乾燥を行って、ロード・アンロード部９２ａまたは９２ｂへ戻す。基板は後にアニール装置やＣＭＰ装置に搬送される。
なお、この例では、無電解銅めっきで銅めっき膜を成膜した例を示しているが、無電解めっきで成膜するめっき膜としては、銅の他に、Ｎｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｐ，Ｎｉ−Ｗ−Ｐ，Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｗ−Ｐ等が挙げられる。
【００３７】
図４は、図１に示す保護膜９を形成する一連のめっき処理（蓋めっき処理）を行うめっき装置の全体構成を示す。このめっき装置は、ロード・アンロード部７０、前処理装置７２、Ｐｄ付着装置（無電解めっき前処理装置）７４、無電解めっき前処理装置７６、無電解めっき装置７８及び洗浄・乾燥装置８０を有し、更に、搬送経路８２に沿って走行自在で、これらの間で基板の受渡しを行う搬送装置８４が備えられている。
【００３８】
次に、上記のように構成しためっき装置による一連のめっき処理（蓋めっき処理）の工程について説明する。まず、ロード・アンロード部７０に保持された基板Ｗを搬送装置８４により取出し、前処理装置７２に搬送し、ここで、基板に例えば基板表面を再度洗浄する前処理を施す。そして、銅層７（図１参照）の表面にＰｄ付着装置７４でＰｄを付着させて銅層７の露出表面を活性化させ、しかる後、無電解めっき前処理装置７６で無電解めっき前処理、例えば中和処理を施す。次に、無電解めっき装置７８に搬送し、ここで、活性化した銅層７の表面に、例えばＣｏ−Ｗ−Ｐによる選択的な無電解めっきを施し、これによって、図１（ｄ）に示すように、銅層７の露出表面をＣｏ−Ｗ−Ｐ膜（保護膜）９で保護する。この無電解めっき液としては、例えば、コバルトの塩とタングステンの塩に、還元剤、錯化剤、ｐＨ緩衝剤及びｐＨ調整剤を添加したものがあげられる。
【００３９】
なお、研磨後に露出した表面に、例えば無電解Ｎｉ−Ｂめっきを施して、配線８の外部への露出表面に、Ｎｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜（めっき膜）９を選択的に形成して配線８を保護するようにしてもよい。この保護膜９の膜厚は、０．１〜５００ｎｍ、好ましくは、１〜２００ｎｍ、更に好ましくは、１０〜１００ｎｍ程度である。
【００４０】
この保護膜９を形成する無電解Ｎｉ−Ｂめっき液としては、例えばニッケルイオン、ニッケルイオンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアルキルアミンボランまたは硼素化水素化合物を含有し、ｐＨ調整にＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を使用して、ｐＨを５〜１２に調整したものが使用される。
次に、この蓋めっき処理後の基板Ｗを洗浄・乾燥処理装置８０に搬送して洗浄・乾燥処理を行い、この洗浄・乾燥後の基板Ｗを搬送装置８４でロード・アンロード部７０のカセットに戻す。
【００４１】
なお、この例では、蓋めっき処理として、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ無電解めっき処理を施す前に、Ｐｄを付着することによって活性化させた銅層７の露出表面をＣｏ−Ｗ−Ｐ膜で選択的に被覆するようにした例を示しているが、これに限定されないことは勿論である。
【００４２】
ここで、図５及び図６に示すように、基板ホルダ１２で保持した基板Ｗの直径方向に沿って直線状に延びるノズルヘッド４２の長さ方向に沿って配置される噴射ノズル４０として、中央部に位置するものに円錐ノズル４０ａを、それ以外のものにノズルヘッド４２の軸方向に沿って扁平に延びる扇形ノズル４０ｂをそれぞれ使用している。
【００４３】
このように、噴射ノズル４０として扇形ノズル４０ｂを使用することで、この扇形ノズル４０ｂでより直線状に処理液を噴射して、噴射ノズル４０の数を減少させることができ、これによって、広い範囲での圧力調整が可能となる。しかも、全ての噴射ノズル４０として、扇形ノズル４０ｂを使用して、基板ホルダ１２で保持した基板Ｗに向けて処理液を噴射すると、図７（ａ）に示すように、基板Ｗの中央領域が連続した高圧力を受けて、基板処理面の中心領域により高い圧力が作用しまうが、中心部に位置する噴射ノズル４０として、広い領域に比較的弱い圧力が作用する円錐ノズル４０ａを使用することで、図７（ｂ）に示すように、基板処理面の中心領域に作用する圧力を緩和して、基板処理面により均一な圧力が作用するようにすることができる。
【００４４】
更に、図８に示すように、ノズルヘッド４２として、基板Ｗとほぼ同じ大きさを有する円板状のものを使用し、この円板状のノズルヘッド４２の全面に亘って噴射ノズル４０を均一に分布した状態に配置してもよい。例えば、無電解めっき前処理は、基板の回転に依存されやすく、前述のように、ノズルヘッドとして、直線状のものを使用し、基板を高速で回転させて前処理を行うと、図９に点線で示すように、基板（ウエハ）の外周に向かうにしたがってシート抵抗が高くなるが、このように、噴射ノズル４０を基板の全面に均等に配置することで、例えば基板を高速で回転させた場合でも、また基板を低速で回転させた場合でも、図９に実線で示すように、基板（ウエハ）の全面に亘るシート抵抗を均一にして、処理面の全面に処理液を均一に供給することができる。
【００４５】
図１０は、一連の基板処理を行う基板処理装置の平面配置図を示す。図示するように、この基板処理装置は、半導体基板を収容した基板カセットの受け渡しを行う搬入・搬出エリア５２０と、プロセス処理を行うプロセスエリア５３０と、プロセス処理後の半導体基板の洗浄及び乾燥を行う洗浄・乾燥エリア５４０を具備する。洗浄・乾燥エリア５４０は、搬入・搬出エリア５２０とプロセスエリア５３０の間に配置されている。搬入・搬出エリア５２０と洗浄・乾燥エリア５４０には隔壁５２１を設け、洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア５３０の間には隔壁５２３を設けている。
【００４６】
隔壁５２１には、搬入・搬出エリア５２０と洗浄・乾燥エリア５４０との間で半導体基板を受け渡すための通路（図示せず）を設け、該通路を開閉するためのシャッター５２２を設けている。また、隔壁５２３にも洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア５３０との間で半導体基板を受け渡すための通路（図示せず）を設け、該通路を開閉するためのシャッター５２４を設けている。洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア５３０は独自に給排気できるようになっている。
【００４７】
上記構成の半導体基板配線用の基板処理装置はクリーンルーム内に設置され、各エリアの圧力は、
（搬入・搬出エリア５２０の圧力）＞（洗浄・乾燥エリア５４０の圧力）＞（プロセスエリア５３０の圧力）
に設定され、且つ搬入・搬出エリア５２０の圧力は、クリーンルーム内圧力より低く設定される。これにより、プロセスエリア５３０から洗浄・乾燥エリア５４０に空気が流出しないようにし、洗浄・乾燥エリア５４０から搬入・搬出エリア５２０に空気が流出しないようにし、さらに搬入・搬出エリア５２０からクリーンルーム内に空気が流出しないようにしている。
【００４８】
搬入・搬出エリア５２０には、半導体基板を収容した基板カセットを収納するロードユニット５２０ａとアンロードユニット５２０ｂが配置されている。洗浄・乾燥エリア５４０には、めっき処理後の処理を行う各２基の水洗部５４１、乾燥部５４２が配置されると共に、半導体基板の搬送を行う搬送部（搬送ロボット）５４３が備えられている。ここに水洗部５４１としては、例えば前端にスポンジがついたペンシル型のものやスポンジ付きローラ形式のものが用いられる。乾燥部５４２としては、例えば半導体基板を高速でスピンさせて脱水、乾燥させる形式のものが用いられる。
プロセスエリア５３０内には、半導体基板のめっきの前処理を行う前処理槽５３１と、銅めっき処理を行うめっき槽（めっき装置）５３２が配置されると共に、半導体基板の搬送を行う搬送部（搬送ロボット）５３３が備えられている。
【００４９】
図１１は、基板処理装置内の気流の流れを示す。洗浄・乾燥エリア５４０においては、配管５４６より新鮮な外部空気が取込まれ、高性能フィルタ５４４を通してファンにより押込まれ、天井５４０ａよりダウンフローのクリーンエアとして水洗部５４１、乾燥部５４２の周囲に供給される。供給されたクリーンエアの大部分は、床５４０ｂより循環配管５４５により天井５４０ａ側に戻され、再び高性能フィルタ５４４を通してファンにより押込まれて、洗浄・乾燥エリア５４０内に循環する。一部の気流は、水洗部５４１及び乾燥部５４２内からダクト５５２を通って排気される。
【００５０】
プロセスエリア５３０は、ウエットゾーンといいながらも、半導体基板表面にパーティクルが付着することは許されない。このためプロセスエリア５３０内に天井５３０ａより、ファンにより押込まれて高性能フィルタ５３３を通してダウンフローのクリーンエアを流すことにより、半導体基板にパーティクルが付着することを防止している。
しかしながら、ダウンフローを形成するクリーンエアの全流量を外部からの給排気に依存すると、膨大な給排気量が必要となる。このため、室内を負圧に保つ程度の排気のみをダクト５５３よりの外部排気とし、ダウンフローの大部分の気流を、配管５３４，５３５を通した循環気流でまかなうようにしている。
【００５１】
循環気流とした場合に、プロセスエリア５３０を通過したクリーンエアは、薬液ミストや気体を含むため、これをスクラバ５３６及びミトセパレータ５３７，５３８を通して除去する。これにより天井５３０ａ側の循環ダクト５３４に戻ったエアは、薬液ミストや気体を含まないものとなり、再びファンにより押込まれて高性能フィルタ５３３を通ってプロセスエリア５３０内にクリーンエアとして循環する。
床部５３０ｂよりプロセスエリア５３０内を通ったエアの一部は、ダクト５５３を通って外部に排出され、薬液ミストや気体を含むエアがダクト５５３を通って外部に排出される。天井５３０ａのダクト５３９からは、これらの排気量に見合った新鮮な空気がプロセスエリア５３０内に負圧に保った程度に供給される。
【００５２】
上記のように搬入・搬出エリア５２０、洗浄・乾燥エリア５４０及びプロセスエリア５３０のそれぞれの圧力は、
（搬入・搬出エリア５２０の圧力）＞（洗浄・乾燥エリア５４０の圧力）＞（プロセスエリア５３０の圧力）
に設定されている。従って、シャッター５２２，５２４（図１０参照）を開放すると、これらのエリア間の空気の流れは、図１１に示すように、搬入・搬出エリア５２０、洗浄・乾燥エリア５４０及びプロセスエリア５３０の順に流れる。また、排気はダクト５５２及び５５３を通して、図１３に示すように、集合排気ダクト５５４に集められる。
【００５３】
図１２は、基板処理装置がクリーンルーム内に配置された一例を示す外観図である。搬入・搬出エリア５２０のカセット受渡し口５５５と操作パネル５５６のある側面が仕切壁５５７で仕切られたクリーンルームのクリーン度の高いワーキングゾーン５５８に露出しており、その他の側面は、クリーン度の低いユーティリティゾーン５５９に収納されている。
【００５４】
上記のように、洗浄・乾燥エリア５４０を搬入・搬出エリア５２０とプロセスエリア５３０の間に配置し、搬入・搬出エリア５２０と洗浄・乾燥エリア５４０の間及び洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア５３０の間にはそれぞれ隔壁５２１を設けたので、ワーキングゾーン５５８から乾燥した状態でカセット受渡し口５５５を通して半導体基板配線用の基板処理装置内に搬入される半導体基板は、基板処理装置内でめっき処理され、洗浄・乾燥した状態でワーキングゾーン５５８に搬出されるので、半導体基板面にはパーティクルやミストが付着することなく、且つクリーンルーム内のクリーン度の高いワーキングゾーン５５８をパーティクルや薬液や洗浄液ミストで汚染することはない。
【００５５】
なお、図１０及び図１１では、基板処理装置が搬入・搬出エリア５２０、洗浄・乾燥エリア５４０、プロセスエリア５３０を具備する例を示したが、プロセスエリア５３０内又はプロセスエリア５３０に隣接してＣＭＰ装置を配置するエリアを設け、該プロセスエリア５３０又はＣＭＰ装置を配置するエリアと搬入・搬出エリア５２０の間に洗浄・乾燥エリア５４０を配置するように構成しても良い。要は半導体基板配線用の基板処理装置に半導体基板が乾燥状態で搬入され、めっき処理の終了した半導体基板が洗浄され、乾燥した状態で排出される構成であればよい。
【００５６】
図１４は、半導体基板配線用の他の基板処理装置の平面構成を示す図である。図示するように、半導体基板配線用の基板処理装置は、半導体基板を搬入する搬入部６０１、銅めっきを行う銅めっき槽６０２、水洗浄を行う水洗槽６０３，６０４、化学機械研磨（ＣＭＰ）を行うＣＭＰ部６０５、水洗槽６０６，６０７、乾燥槽６０８及び配線層形成が終了した半導体基板を搬出する搬出部６０９を具備し、これら各槽に半導体基板を移送する図示しない基板移送手段が１つの装置として配置され、半導体基板配線用の基板処理装置を構成している。
【００５７】
上記配置構成の基板処理装置において、基板移送手段により、搬入部６０１に載置された基板カセット６０１−１から、配線層が形成されていない半導体基板を取り出し、銅めっき槽６０２に移送する。該銅めっき槽６０２において、配線溝や配線孔（コンタクトホール）からなる配線部を含む半導体基板Ｗの表面上に銅めっき層を形成する。
【００５８】
前記銅めっき槽６０２で銅めっき層の形成が終了した半導体基板Ｗを、基板移送手段で水洗槽６０３及び水洗槽６０４に移送し、水洗を行う。続いて該水洗浄の終了した半導体基板Ｗを基板移送手段でＣＭＰ部６０５に移送し、該ＣＭＰ部６０５で、銅めっき層から配線溝や配線孔に形成した銅めっき層を残して半導体基板Ｗの表面上の銅めっき層を除去する。
【００５９】
続いて上記のように銅めっき層から配線溝や配線孔からなる配線部に形成した銅めっき層を残して半導体基板Ｗの表面上の不要の銅めっき層の除去が終了した半導体基板Ｗを、基板移送手段で水洗槽６０６及び水洗槽６０７に送り、水洗浄し、更に水洗浄の終了した半導体基板Ｗは乾燥槽６０８で乾燥させ、乾燥の終了した半導体基板Ｗを配線層の形成の終了した半導体基板として、搬出部６０９の基板カセット６０９−１に格納する。
【００６０】
図１５は、半導体基板配線用の他の基板処理装置の平面構成を示す図である。図１５に示す基板処理装置が図１４に示す装置と異なる点は、銅めっき槽６０２、水洗槽６１０、前処理槽６１１、銅めっき膜の表面に保護膜を形成する蓋めっき槽６１２、ＣＭＰ部６１５、水洗槽６１３、６１４を追加し、これらを含め１つの装置として構成した点である。
【００６１】
上記配置構成の基板処理装置において、配線溝や配線孔（コンタクトホール）からなる配線部を含む半導体基板Ｗの表面上に銅めっき層を形成する。続いて、ＣＭＰ部６０５で銅めっき層から配線溝や配線孔に形成した銅めっき層を残して半導体基板Ｗの表面上の銅めっき層を除去する。
【００６２】
続いて、上記のように銅めっき層から配線溝や配線孔からなる配線部に形成した銅めっき層を残して半導体基板Ｗの表面上の銅めっき層を除去した半導体基板Ｗを水洗槽６１０に移送し、ここで水洗浄する。続いて、前処理槽６１１で、後述する蓋めっきを行うための前処理を行う。該前処理の終了した半導体基板Ｗを蓋めっき槽６１２に移送し、蓋めっき槽６１２で配線部に形成した銅めっき層の上に保護膜を形成する。この保護膜としては、例えばＮｉ−Ｂ無電解めっき槽を用いる。保護膜を形成した後、半導体基板Ｗを水洗槽６０６，６０７で水洗浄し、更に乾燥槽６０８で乾燥させる。
そして、銅めっき層上に形成した保護膜の上部をＣＭＰ部６１５で研磨し、平坦化して、水洗槽６１３，６１４で水洗浄した後、乾燥槽６０８で乾燥させ、半導体基板Ｗを搬出部６０９の基板カセット６０９−１に格納する。
【００６３】
図１６は半導体基板配線用の他の基板処理装置の平面構造を示す図である。図示するように、この基板処理装置は、ロボット６１６を中央に配置し、その周囲のロボットアーム６１６−１が到達する範囲に銅めっきを行う銅めっき槽６０２、水洗槽６０３、水洗槽６０４、ＣＭＰ部６０５、蓋めっき槽６１２、乾燥槽６０８及びロード・アンロード部６１７を配置して１つの装置として構成したものである。なお、ロード・アンロード部６１７に隣接して半導体基板の搬入部６０１及び搬出部６０９が配置されている。
【００６４】
上記構成の半導体基板配線用の基板処理装置において、半導体基板の搬入部６０１から配線めっきの済んでいない半導体基板がロード・アンロード部６１７に移送され、該半導体基板をロボットアーム６１６−１が受け取り、銅めっき槽６０２に移送し、該めっき槽で配線溝や配線孔からなる配線部を含む半導体基板の表面上に銅めっき層を形成する。該銅めっき層の形成された半導体基板をロボットアーム６１６−１によりＣＭＰ部６０５に移送し、該ＣＭＰ部６０５で銅めっき層から配線溝や配線孔からなる配線部に形成した銅めっき層を残して半導体基板Ｗの表面上の余分な銅めっき層を除去する。
【００６５】
表面の余分な銅めっき層が除去された半導体基板はロボットアーム６１６−１により、水洗槽６０４に移送され、水洗処理された後、前処理槽６１１に移送され、該前処理槽６１１で蓋めっき用の前処理が行われる。該前処理の終了した半導体基板はロボットアーム６１６−１により、蓋めっき槽６１２に移送され、該蓋めっき槽６１２で、配線溝や配線孔からなる配線部に形成され銅めっき層の上に保護膜を形成する。保護膜が形成された半導体基板はロボットアーム６１６−１により、水洗槽６０４に移送されここで水洗処理された後、乾燥槽６０８に移送され、乾燥した後、ロード・アンロード部６１７に移送される。該配線めっきの終了した半導体基板は搬出部６０９に移送される。
【００６６】
図１７は、他の半導体基板処理装置の平面構成を示す図である。この半導体基板処理装置は、ロード・アンロード部７０１、銅めっきユニット７０２、第１ロボット７０３、第３洗浄機７０４、反転機７０５、反転機７０６、第２洗浄機７０７、第２ロボット７０８、第１洗浄機７０９、第１ポリッシング装置７１０及び第２ポリッシング装置７１１を配置した構成である。第１ロボット７０３の近傍には、めっき前後の膜厚を測定するめっき前後膜厚測定機７１２、研磨後で乾燥状態の半導体基板Ｗの膜厚を測定する乾燥状態膜厚測定機７１３が配置されている。
【００６７】
第１ポリッシング装置（研磨ユニット）７１０は、研磨テーブル７１０−１、トップリング７１０−２、トップリングヘッド７１０−３、膜厚測定機７１０−４、プッシャー７１０−５を具備している。第２ポリッシング装置（研磨ユニット）７１１は、研磨テーブル７１１−１、トップリング７１１−２、トップリングヘッド７１１−３、膜厚測定機７１１−４、プッシャー７１１−５を具備している。
【００６８】
コンタクトホールと配線用の溝が形成され、その上にシード層が形成された半導体基板Ｗを収容したカセット７０１−１をロード・アンロード部７０１のロードポートに載置する。第１ロボット７０３は、半導体基板Ｗをカセット７０１−１から取り出し、銅めっきユニット７０２に搬入し、銅めっき膜を形成する。その時、めっき前後膜厚測定機７１２でシード層の膜厚を測定する。銅めっき膜の成膜は、まず半導体基板Ｗの表面の親水処理を行い、その後銅めっきを行って形成する。銅めっき膜の形成後、銅めっきユニット７０２でリンス若しくは洗浄を行う。時間に余裕があれば、乾燥してもよい。
【００６９】
第１ロボット７０３で銅めっきユニット７０２から半導体基板Ｗを取り出したとき、めっき前後膜厚測定機７１２で銅めっき膜の膜厚を測定する。その測定結果は、記録装置（図示せず）に半導体基板の記録データとして記録され、なお且つ、銅めっきユニット７０２の異常の判定にも使用される。膜厚測定後、第１ロボット７０３が反転機７０５に半導体基板Ｗを渡し、該反転機７０５で反転させる（銅めっき膜が形成された面が下になる）。第１ポリッシング装置７１０、第２ポリッシング装置７１１による研磨には、シリーズモードとパラレルモードがある。以下、シリーズモードの研磨について説明する。
【００７０】
シリーズモード研磨は、１次研磨をポリッシング装置７１０で行い、２次研磨をポリッシング装置７１１で行う研磨である。第２ロボット７０８で反転機７０５上の半導体基板Ｗを取り上げ、ポリッシング装置７１０のプッシャー７１０−５上に半導体基板Ｗを載せる。トップリング７１０−２はプッシャー７１０−５上の該半導体基板Ｗを吸着し、研磨テーブル７１０−１の研磨面に半導体基板Ｗの銅めっき膜形成面を当接押圧し、１次研磨を行う。該１次研磨では基本的に銅めっき膜が研磨される。研磨テーブル７１０−１の研磨面は、ＩＣ１０００のような発泡ポリウレタン、又は砥粒を固定若しくは含浸させたもので構成されている。該研磨面と半導体基板Ｗの相対運動で銅めっき膜が研磨される。
【００７１】
銅めっき膜の研磨終了後、トップリング７１０−２で半導体基板Ｗをプッシャー７１０−５上に戻す。第２ロボット７０８は、該半導体基板Ｗを取り上げ、第１洗浄機７０９に入れる。この時、プッシャー７１０−５上にある半導体基板Ｗの表面及び裏面に薬液を噴射しパーティクルを除去したり、つきにくくしたりすることもある。
【００７２】
第１洗浄機７０９において洗浄終了後、第２ロボット７０８で半導体基板Ｗを取り上げ、第２ポリッシング装置７１１のプッシャー７１１−５上に半導体基板Ｗを載せる。トップリング７１１−２でプッシャー７１１−５上の半導体基板Ｗを吸着し、該半導体基板Ｗのバリア層を形成した面を研磨テーブル７１１−１の研磨面に当接押圧して２次研磨を行う。この２次研磨ではバリア層が研磨される。但し、上記１次研磨で残った銅膜や酸化膜も研磨されるケースもある。
【００７３】
研磨テーブル７１１−１の研磨面は、ＩＣ１０００のような発泡ポリウレタン、又は砥粒を固定若しくは含浸させたもので構成され、該研磨面と半導体基板Ｗの相対運動で研磨される。このとき、砥粒若しくはスラリーには、シリカ、アルミナ、セリア等が用いられる。薬液は、研磨したい膜種により調整される。
【００７４】
２次研磨の終点の検知は、光学式の膜厚測定機を用いてバリア層の膜厚を測定し、膜厚が０になったこと又はＳｉＯ２  からなる絶縁膜の表面検知で行う。また、研磨テーブル７１１−１の近傍に設けた膜厚測定機７１１−４として画像処理機能付きの膜厚測定機を用い、酸化膜の測定を行い、半導体基板Ｗの加工記録として残したり、２次研磨の終了した半導体基板Ｗを次の工程に移送できるか否かの判定を行う。また、２次研磨終点に達していない場合は、再研磨を行ったり、なんらかの異常で規定値を超えて研磨された場合は、不良品を増やさないように次の研磨を行わないよう半導体基板処理装置を停止させる。
【００７５】
２次研磨終了後、トップリング７１１−２で半導体基板Ｗをプッシャー７１１−５まで移動させる。プッシャー７１１−５上の半導体基板Ｗは第２ロボット７０８で取り上げる。この時、プッシャー７１１−５上で薬液を半導体基板Ｗの表面及び裏面に噴射してパーティクルを除去したり、つきにくくすることがある。
【００７６】
第２ロボット７０８は、半導体基板Ｗを第２洗浄機７０７に搬入し、洗浄を行う。第２洗浄機７０７の構成も第１洗浄機７０９と同じ構成である。半導体基板Ｗの表面は、主にパーティクル除去のために、純水に界面活性剤、キレート剤、またｐＨ調整剤を加えた洗浄液を用いて、ＰＶＡスポンジロールによりスクラブ洗浄される。半導体基板Ｗの裏面には、ノズルからＤＨＦ等の強い薬液を噴出し、拡散している銅をエッチングしたり、又は拡散の問題がなければ、表面と同じ薬液を用いてＰＶＡスポンジロールによるスクラブ洗浄をする。
【００７７】
上記洗浄の終了後、半導体基板Ｗを第２ロボット７０８で取り上げ、反転機７０６に移し、該反転機７０６で反転させる。該反転させた半導体基板Ｗを第１ロボット７０３で取り上げ第３洗浄機７０４に入れる。第３洗浄機７０４では、半導体基板Ｗの表面に超音波振動により励起されたメガソニック水を噴射して洗浄する。そのとき純水に界面活性剤、キレート剤、またｐＨ調整剤を加えた洗浄液を用いて公知のペンシル型スポンジで半導体基板Ｗの表面を洗浄してもよい。その後、スピン乾燥により、半導体基板Ｗを乾燥させる。
上記のように研磨テーブル７１１−１の近傍に設けた膜厚測定機７１１−４で膜厚を測定した場合は、そのままロード・アンロード部７０１のアンロードポートに載置するカセットに収容する。
【００７８】
図１８は、他の半導体基板処理装置の平面構成を示す図である。この半導体基板処理装置の図１７に示す半導体基板処理装置と異なる点は、図１７に示す銅めっきユニット７０２の代わりに蓋めっきユニット７５０を設けた点である。
銅膜を形成した半導体基板Ｗを収容したカセット７０１−１は、ロード・アンロード部７０１に載置される。半導体基板Ｗは、カセット７０１−１から取り出され、第１ポリッシング装置７１０または第２ポリッシング装置７１１に搬送されて、ここで銅膜の表面が研磨される。この研磨終了後、半導体基板Ｗは、第１洗浄機７０９に搬送されて洗浄される。
【００７９】
第１洗浄機７０９で洗浄された半導体基板Ｗは、蓋めっきユニット７５０に搬送され、ここで銅めっき膜の表面に保護膜が形成され、これによって、銅めっき膜が大気中で酸化することが防止される。蓋めっきを施した半導体基板Ｗは、第２ロボット７０８によって蓋めっきユニット７５０から第２洗浄機７０７に搬送され、ここで純水または脱イオン水で洗浄される。この洗浄後の半導体基板Ｗは、ロード・アンロード部７０１に載置されたカセット７０１−１に戻される。
【００８０】
図１９は、更に他の半導体基板処理装置の平面構成を示す図である。この半導体基板処理装置の図１８に示す半導体基板処理装置と異なる点は、図１８に示す第１洗浄機７０９の代わりにアニールユニット７５１を設けた点である。
前述のようにして、第１ポリッシング装置７１０または第２ポリッシング装置７１１で研磨され、第２洗浄機７０７で洗浄された半導体基板Ｗは、蓋めっきユニット７５０に搬送され、ここで銅めっき膜の表面に蓋めっきが施される。この蓋めっきが施された半導体基板Ｗは、第１ロボット７０３によって、蓋めっきユニット７５０から第３洗浄機７０４に搬送され、ここで洗浄される。
【００８１】
第１洗浄機７０９で洗浄された半導体基板Ｗは、アニールユニット７５１に搬送され、ここでアニールされる。これによって、銅めっき膜が合金化されて銅めっき膜のエレクトロンマイグレーション耐性が向上する。アニールが施された半導体基板Ｗは、アニールユニット７５１から第２洗浄機７０７に搬送され、ここで純水または脱イオン水で洗浄される。この洗浄後の半導体基板Ｗは、ロード・アンロード部７０１に載置されたカセット７０１−１に戻される。
【００８２】
図２０は、基板処理装置の他の平面配置構成を示す図である。図２０において、図１７と同一符号を付した部分は、同一又は相当部分を示す。この基板研磨装置は、第１ポリッシング装置７１０と第２ポリッシング装置７１１に接近してプッシャーインデクサー７２５を配置し、第３洗浄機７０４と銅めっきユニット７０２の近傍にそれぞれ基板載置台７２１、７２２を配置し、第１洗浄機７０９と第３洗浄機７０４の近傍にロボット７２３を配置し、第２洗浄機７０７と銅めっきユニット７０２の近傍にロボット７２４を配置し、更にロード・アンロード部７０１と第１ロボット７０３の近傍に乾燥状態膜厚測定機７１３を配置している。
【００８３】
上記構成の基板処理装置において、第１ロボット７０３は、ロード・アンロード部７０１のロードポートに載置されているカセット７０１−１から半導体基板Ｗを取り出し、乾燥状態膜厚測定機７１３でバリア層及びシード層の膜厚を測定した後、該半導体基板Ｗを基板載置台７２１に載せる。なお、乾燥状態膜厚測定機７１３が、第１ロボット７０３のハンドに設けられている場合は、そこで膜厚を測定し、基板載置台７２１に載せる。第２ロボット７２３で基板載置台７２１上の半導体基板Ｗを銅めっきユニット７０２に移送し、銅めっき膜を成膜する。銅めっき膜の成膜後、めっき前後膜厚測定機７１２で銅めっき膜の膜厚を測定する。その後、第２ロボット７２３は、半導体基板Ｗをプッシャーインデクサー７２５に移送し搭載する。
【００８４】
〔シリーズモード〕
シリーズモードでは、トップリングヘッド７１０−２がプッシャーインデクサー７２５上の半導体基板Ｗを吸着し、研磨テーブル７１０−１に移送し、研磨テーブル７１０−１上の研磨面に該半導体基板Ｗを押圧して研磨を行う。研磨の終点検知は上記と同様な方法で行い、研磨終了後の半導体基板Ｗはトップリングヘッド７１０−２でプッシャーインデクサー７２５に移送され搭載される。第２ロボット７２３で半導体基板Ｗを取り出し、第１洗浄機７０９に搬入し洗浄し、続いてプッシャーインデクサー７２５に移送し搭載する。
【００８５】
トップリングヘッド７１１−２がプッシャーインデクサー７２５上の半導体基板Ｗを吸着し、研磨テーブル７１１−１に移送し、その研磨面に該半導体基板Ｗを押圧して研磨を行う。研磨の終点検知は上記と同様な方法で行い、研磨終了後の半導体基板Ｗは、トップリングヘッド７１１−２でプッシャーインデクサー７２５に移送され搭載される。第３ロボット７２４は、半導体基板Ｗを取り上げ、膜厚測定機７２６で膜厚を測定した後、第２洗浄機７０７に搬入し洗浄する。続いて第３洗浄機７０４に搬入し、ここで洗浄した後にスピンドライで乾燥を行い、その後、第３ロボット７２４で半導体基板Ｗを取り上げ、基板載置台７２２上に載せる。
【００８６】
〔パラレルモード〕
パラレルモードでは、トップリングヘッド７１０−２又は７１１−２がプッシャーインデクサー７２５上の半導体基板Ｗを吸着し、研磨テーブル７１０−１又は７１１−１に移送し、研磨テーブル７１０−１又は７１１−１上の研磨面に該半導体基板Ｗを押圧してそれぞれ研磨を行う。膜厚を測定した後、第３ロボット７２４で半導体基板Ｗを取り上げ、基板載置台７２２上に載せる。
第１ロボット７０３は、基板載置台７２２上の半導体基板Ｗを乾燥状態膜厚測定機７１３に移送し、膜厚を測定した後、ロード・アンロード部７０１のカセット７０１−１に戻す。
【００８７】
図２１は、基板処理装置の他の平面配置構成を示す図である。この基板処理装置では、シード層が形成されていない半導体基板Ｗに、シード層及び銅めっき膜を形成し、研磨して回路配線を形成する基板処理装置である。
この基板研磨装置は、第１ポリッシング装置７１０と第２ポリッシング装置７１１に接近してプッシャーインデクサー７２５を配置し、第２洗浄機７０７とシード層成膜ユニット７２７の近傍にそれぞれ基板載置台７２１、７２２を配置し、シード層成膜ユニット７２７と銅めっきユニット７０２に接近してロボット７２３を配置し、第１洗浄機７０９と第２洗浄機７０７の近傍にロボット７２４を配置し、更にロード・アンロード部７０１と第１ロボット７０３の近傍に乾燥膜厚測定機７１３を配置している。
【００８８】
第１ロボット７０３でロード・アンロード部７０１のロードポートに載置されているカセット７０１−１から、バリア層が形成されている半導体基板Ｗを取り出して基板載置台７２１に載せる。次に第２ロボット７２３は、半導体基板Ｗをシード層成膜ユニット７２７に搬送し、シード層を成膜する。このシード層の成膜は無電解めっきで行う。第２ロボット７２３は、シード層の形成された半導体基板をめっき前後膜厚測定機７１２でシード層の膜厚を測定する。膜厚測定後、銅めっきユニット７０２に搬入し、銅めっき膜を形成する。
【００８９】
銅めっき膜を形成後、その膜厚を測定し、プッシャーインデクサー７２５に移送する。トップリング７１０−２又は７１１−２は、プッシャーインデクサー７２５上の半導体基板Ｗを吸着し、研磨テーブル７１０−１又は７１１−１に移送し研磨する。研磨後、トップリング７１０−２又は７１１−２は、半導体基板Ｗを膜厚測定機７１０−４又は７１１−４に移送し、膜厚を測定し、プッシャーインデクサー７２５に移送して載せる。
【００９０】
次に、第３ロボット７２４は、プッシャーインデクサー７２５から半導体基板Ｗを取り上げ、第１洗浄機７０９に搬入する。第３ロボット７２４は、第１洗浄機７０９から洗浄された半導体基板Ｗを取り上げ、第２洗浄機７０７に搬入し、洗浄し乾燥した半導体基板を基板載置台７２２上に載置する。次に、第１ロボット７０３は、半導体基板Ｗを取り上げ乾燥状態膜厚測定機７１３で膜厚を測定し、ロード・アンロード部７０１のアンロードポートに載置されているカセット７０１−１に収納する。
【００９１】
図２１に示す基板処理装置においても、回路パターンのコンタクトホール又は溝が形成された半導体基板Ｗ上にバリア層、シード層及び銅めっき膜を形成して、研磨して回路配線を形成することができる。
バリア層形成前の半導体基板Ｗを収容したカセット７０１−１を、ロード・アンロード部７０１のロードポートに載置する。そして、第１ロボット７０３でロード・アンロード部７０１のロードポートに載置されているカセット７０１−１から、半導体基板Ｗを取り出して基板載置台７２１に載せる。次に、第２ロボット７２３は、半導体基板Ｗをシード層成膜ユニット７２７に搬送し、バリア層とシード層を成膜する。このバリア層とシード層の成膜は、無電解めっきで行う。第２ロボット７２３は、めっき前後膜厚測定機７１２で半導体基板Ｗに形成されたバリア層とシード層の膜厚を測定する。膜厚測定後、銅めっきユニット７０２に搬入し、銅めっき膜を形成する。
【００９２】
図２２は、基板処理装置の他の平面配置構成を示す図である。この基板処理装置は、バリア層成膜ユニット８１１、シード層成膜ユニット８１２、めっきユニット８１３、アニールユニット８１４、第１洗浄ユニット８１５、ベベル・裏面洗浄ユニット８１６、蓋めっきユニット８１７、第２洗浄ユニット８１８、第１アライナ兼膜厚測定器８４１、第２アライナ兼膜厚測定器８４２、第１基板反転機８４３、第２基板反転機８４４、基板仮置き台８４５、第３膜厚測定器８４６、ロード・アンロード部８２０、第１ポリッシング装置８２１、第２ポリッシング装置８２２、第１ロボット８３１、第２ロボット８３２、第３ロボット８３３、第４ロボット８３４を配置した構成である。なお、膜厚測定器８４１，８４２，８４６はユニットになっており、他のユニット（めっき、洗浄、アニール等のユニット）の間口寸法と同一サイズにしているため、入れ替え自在である。
この例では、バリア層成膜ユニット８１１は、無電解Ｒｕめっき装置、シード層成膜ユニット８１２は、無電解銅めっき装置、めっきユニット８１３は、電解めっき装置を用いることができる。
【００９３】
図２３は、この基板処理装置内での各工程の流れを示すフローチャートである。このフローチャートにしたがって、この装置内での各工程について説明する。先ず、第１ロボット８３１によりロード・アンロードユニット８２０に載置されたカセット８２０ａから取り出された半導体基板は、第１アライナ兼膜厚測定ユニット８４１内に被めっき面を上にして配置される。ここで、膜厚計測を行うポジションの基準点を定めるために、膜厚計測用のノッチアライメントを行った後、銅膜形成前の半導体基板の膜厚データを得る。
【００９４】
次に、半導体基板は、第１ロボット８３１により、バリア層成膜ユニット８１１へ搬送される。このバリア層成膜ユニット８１１は、無電解Ｒｕめっきにより半導体基板上にバリア層を形成する装置で、半導体装置の層間絶縁膜（例えば、ＳｉＯ２）への銅拡散防止膜としてＲｕを成膜する。洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第１ロボット８３１により第１アライナ兼膜厚測定ユニット８４１に搬送され、半導体基板の膜厚、即ちバリア層の膜厚を測定される。
【００９５】
膜厚測定された半導体基板は、第２ロボット８３２でシード層成膜ユニット８１２へ搬入され、前記バリア層上に無電解銅めっきによりシード層が成膜される。洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第２ロボット８３２により含浸めっきユニットであるめっきユニット８１３に搬送される前に、ノッチ位置を定めるために第２アライナ兼膜厚測定器８４２に搬送され、銅めっき用のノッチのアライメントを行う。ここで、必要に応じて銅膜形成前の半導体基板の膜厚を再計測してもよい。
【００９６】
ノッチアライメントが完了した半導体基板は、第３ロボット８３３によりめっきユニット８１３へ搬送され、銅めっきが施される。洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第３ロボット８３３により半導体基板端部の不要な銅膜（シード層）を除去するためにベベル・裏面洗浄ユニット８１６へ搬送される。ベベル・裏面洗浄ユニット８１６では、予め設定された時間でベベルのエッチングを行うとともに、半導体基板裏面に付着した銅をフッ酸等の薬液により洗浄する。この時、ベベル・裏面洗浄ユニット８１６へ搬送する前に、第２アライナ兼膜厚測定器８４２にて半導体基板の膜厚測定を実施して、めっきにより形成された銅膜厚の値を得ておき、その結果により、ベベルのエッチング時間を任意に変えてエッチングを行っても良い。なお、ベベルエッチングによりエッチングされる領域は、基板の周縁部であって回路が形成されない領域、または回路が形成されていても最終的にチップとして利用されない領域である。この領域にはベベル部分が含まれる。
【００９７】
ベベル・裏面洗浄ユニット８１６で洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第３ロボット８３３で基板反転機８４３に搬送され、該基板反転機８４３にて反転され、被めっき面を下方に向けた後、第４ロボット８３４により配線部を安定化させるためにアニールユニット８１４へ投入される。アニール処理前及び／又は処理後、第２アライナ兼膜厚測定ユニット８４２に搬入し、半導体基板に形成された、銅膜の膜厚を計測する。この後、半導体基板は、第４ロボット８３４により第１ポリッシング装置８２１に搬入され、半導体基板の銅層、シード層の研磨を行う。
【００９８】
この際、砥粒等は所望のものが用いられるが、ディッシングを防ぎ、表面の平面度を出すために、固定砥粒を用いることもできる。第１ポリッシング終了後、半導体基板は、第４ロボット８３４により第１洗浄ユニット８１５に搬送され、洗浄される。この洗浄は、半導体基板直径とほぼ同じ長さを有するロールを半導体基板の表面と裏面に配置し、半導体基板及びロールを回転させつつ、純水又は脱イオン水を流しながら洗浄するスクラブ洗浄である。
【００９９】
第１の洗浄終了後、半導体基板は、第４ロボット８３４により第２ポリッシング装置８２２に搬入され、半導体基板上のバリア層が研磨される。この際、砥粒等は所望のものが用いられるが、ディッシングを防ぎ、表面の平面度を出すために、固定砥粒を用いることもできる。第２ポリッシング終了後、半導体基板は、第４ロボット８３４により、再度第１洗浄ユニット８１５に搬送され、スクラブ洗浄される。洗浄終了後、半導体基板は、第４ロボット８３４により第２基板反転機８４４に搬送され反転されて、被めっき面を上方に向けられ、更に第３ロボット８３３により基板仮置き台８４５に置かれる。
【０１００】
半導体基板は、第２ロボット８３２により基板仮置き台８４５から蓋めっきユニット８１７に搬送され、銅の大気による酸化防止を目的に銅面上にニッケル・ボロンめっきを行う。蓋めっきが施された半導体基板は、第２ロボット８３２により蓋めっきユニット８１７から第３膜厚測定器８４６に搬入され、銅膜厚が測定される。その後、半導体基板は、第１ロボット８３１により第２洗浄ユニット８１８に搬入され、純水又は脱イオン水により洗浄される。洗浄が終了した半導体基板は、台１ロボット８３１によりロード・アンロード部８２０に載置されたカセット８２０ａ内に戻される。
アライナ兼膜厚測定器８４１及びアライナ兼膜厚測定器８４２は、基板ノッチ部分の位置決め及び膜厚の測定を行う。
【０１０１】
ベベル・裏面洗浄ユニット８１６は、エッジ（ベベル）銅エッチングと裏面洗浄が同時に行え、また基板表面の回路形成部の銅の自然酸化膜の成長を抑えることが可能である。図２４に、ベベル・裏面洗浄ユニット８１６の概略図を示す。図２４に示すように、ベベル・裏面洗浄ユニット８１６は、有底円筒状の防水カバー９２０の内部に位置して基板Ｗをフェースアップでその周縁部の円周方向に沿った複数箇所でスピンチャック９２１により水平に保持して高速回転させる基板保持部９２２と、この基板保持部９２２で保持された基板Ｗの表面側のほぼ中央部上方に配置されたセンタノズル９２４と、基板Ｗの周縁部の上方に配置されたエッジノズル９２６とを備えている。センタノズル９２４及びエッジノズル９２６は、それぞれ下向きで配置されている。また基板Ｗの裏面側のほぼ中央部の下方に位置して、バックノズル９２８が上向きで配置されている。前記エッジノズル９２６は、基板Ｗの直径方向及び高さ方向を移動自在に構成されている。
【０１０２】
このエッジノズル９２６の移動幅Ｌは、基板の外周端面から中心部方向に任意の位置決めが可能になっていて、基板Ｗの大きさや使用目的等に合わせて、設定値の入力を行う。通常、２ｍｍから５ｍｍの範囲でエッジカット幅Ｃを設定し、裏面から表面への液の回り込み量が問題にならない回転数以上であれば、その設定されたカット幅Ｃ内の銅膜を除去することができる。
【０１０３】
次に、この洗浄装置による洗浄方法について説明する。まず、スピンチャック９２１を介して基板を基板保持部９２２で水平に保持した状態で、半導体基板Ｗを基板保持部９２２と一体に水平回転させる。この状態で、センタノズル９２４から基板Ｗの表面側の中央部に酸溶液を供給する。この酸溶液としては非酸化性の酸であればよく、例えばフッ酸、塩酸、硫酸、クエン酸、蓚酸等を用いる。一方、エッジノズル９２６から基板Ｗの周縁部に酸化剤溶液を連続的または間欠的に供給する。この酸化剤溶液としては、オゾン水、過酸化水素水、硝酸水、次亜塩素酸ナトリウム水等のいずれかを用いるか、またはそれらの組み合わせを用いる。
【０１０４】
これにより、半導体基板Ｗの周縁部のエッジカット幅Ｃの領域では上面及び端面に成膜された銅膜等は酸化剤溶液で急速に酸化され、同時にセンタノズル９２４から供給されて基板の表面全面に拡がる酸溶液によってエッチングされ溶解除去される。このように、基板周縁部で酸溶液と酸化剤溶液を混合させることで、予めそれらの混合水をノズルから供給するのに比べて急峻なエッチングプロフィールを得ることができる。このときそれらの濃度により銅のエッチングレートが決定される。また、基板の表面の回路形成部に銅の自然酸化膜が形成されていた場合、この自然酸化物は基板の回転に伴って基板の表面全面に亘って広がる酸溶液で直ちに除去されて成長することはない。なお、センタノズル９２４からの酸溶液の供給を停止した後、エッジノズル９２６からの酸化剤溶液の供給を停止することで、表面に露出しているシリコンを酸化して、銅の付着を抑制することができる。
【０１０５】
一方、バックノズル９２８から基板の裏面中央部に酸化剤溶液とシリコン酸化膜エッチング剤とを同時または交互に供給する。これにより半導体基板Ｗの裏面側に金属状で付着している銅等を基板のシリコンごと酸化剤溶液で酸化しシリコン酸化膜エッチング剤でエッチングして除去することができる。なおこの酸化剤溶液としては表面に供給する酸化剤溶液と同じものにする方が薬品の種類を少なくする上で好ましい。またシリコン酸化膜エッチング剤としては、フッ酸を用いることができ、基板の表面側の酸溶液もフッ酸を用いると薬品の種類を少なくすることができる。これにより、酸化剤供給を先に停止すれば疎水面が得られ、エッチング剤溶液を先に停止すれば飽水面（親水面）が得られて、その後のプロセスの要求に応じた裏面に調整することもできる。
【０１０６】
このように酸溶液すなわちエッチング液を基板に供給して、基板Ｗの表面に残留する金属イオンを除去した後、更に純水を供給して、純水置換を行ってエッチング液を除去し、その後、スピン乾燥を行う。このようにして半導体基板表面の周縁部のエッジカット幅Ｃ内の銅膜の除去と裏面の銅汚染除去を同時に行って、この処理を、例えば８０秒以内に完了させることができる。なお、エッジのエッジカット幅を任意（２ｍｍ〜５ｍｍ）に設定することが可能であるが、エッチングに要する時間はカット幅に依存しない。
【０１０７】
めっき後のＣＭＰ工程前に、アニール処理を行うことが、この後のＣＭＰ処理や配線の電気特性に対して良い効果を示す。アニール無しでＣＭＰ処理後に幅の広い配線（数μｍ単位）の表面を観察するとマイクロボイドのような欠陥が多数見られ、配線全体の電気抵抗を増加させたが、アニールを行うことでこの電気抵抗の増加は改善された。アニール無しの場合に、細い配線にはボイドが見られなかったことより、粒成長の度合いが関わっていることが考えられる。つまり、細い配線では粒成長が起こりにくいが、幅の広い配線では粒成長に伴い、アニール処理に伴うグレン成長の過程で、めっき膜中のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）でも見えないほどの超微細ポアが集結しつつ上へ移動することで配線上部にマイクロボイド用の凹みが生じたという推測ができる。アニールユニットのアニール条件としては、ガスの雰囲気は水素を添加（２％以下）、温度は３００〜４００℃程度で１〜５分間で上記の効果が得られた。
【０１０８】
図２７及び図２８は、アニールユニット８１４を示すものである。このアニールユニット８１４は、半導体基板Ｗを出し入れするゲート１０００を有するチャンバ１００２の内部に位置して、半導体基板Ｗを、例えば４００℃に加熱するホットプレート１００４と、例えば冷却水を流して半導体基板Ｗを冷却するクールプレート１００６が上下に配置されている。また、クールプレート１００６の内部を貫通して上下方向に延び、上端に半導体基板Ｗを載置保持する複数の昇降ピン１００８が昇降自在に配置されている。更に、アニール時に半導体基板Ｗとホットプレート１００８との間に酸化防止用のガスを導入するガス導入管１０１０と、該ガス導入管１０１０から導入され、半導体基板Ｗとホットプレート１００４との間を流れたガスを排気するガス排気管１０１２がホットプレート１００４を挟んで互いに対峙する位置に配置されている。
【０１０９】
ガス導入管１０１０は、内部にフィルタ１０１４ａを有するＮ２ガス導入路１０１６内を流れるＮ２ガスと、内部にフィルタ１０１４ｂを有するＨ２ガス導入路１０１８内を流れるＨ２ガスとを混合器１０２０で混合し、この混合器１０２０で混合したガスが流れる混合ガス導入路１０２２に接続されている。
【０１１０】
これにより、ゲート１０００を通じてチャンバ１００２の内部に搬入した半導体基板Ｗを昇降ピン１００８で保持し、昇降ピン１００８を該昇降ピン１００８で保持した半導体基板Ｗとホットプレート１００４との距離が、例えば０．１〜１．０ｍｍ程度となるまで上昇させる。この状態で、ホットプレート１００４を介して半導体基板Ｗを、例えば４００℃となるように加熱し、同時にガス導入管１０１０から酸化防止用のガスを導入して半導体基板Ｗとホットプレート１００４との間を流してガス排気管１０１２から排気する。これによって、酸化を防止しつつ半導体基板Ｗをアニールし、このアニールを、例えば数十秒〜６０秒程度継続してアニールを終了する。基板の加熱温度は１００〜６００℃が選択される。
【０１１１】
アニール終了後、昇降ピン１００８を該昇降ピン１００８で保持した半導体基板Ｗとクールプレート１００６との距離が、例えば０〜０．５ｍｍ程度となるまで下降させる。この状態で、クールプレート１００６内に冷却水を導入することで、半導体基板Ｗの温度が１００℃以下となるまで、例えば１０〜６０秒程度、半導体基板を冷却し、この冷却終了後の半導体基板を次工程に搬送する。
なお、この例では、酸化防止用のガスとして、Ｎ２ガスと数％のＨ２ガスを混合した混合ガスを流すようにしているが、Ｎ２ガスのみを流すようにしてもよい。
【０１１２】
図２５は、無電解めっき装置の概略構成図である。図２５に示すように、この無電解めっき装置は、被めっき部材である半導体基板Ｗをその上面に保持する保持手段９１１と、保持手段９１１に保持された半導体基板Ｗの被めっき面（上面）の周縁部に当接して該周縁部をシールする堰部材９３１と、堰部材９３１でその周縁部をシールされた半導体基板Ｗの被めっき面にめっき液を供給するシャワーヘッド９４１を備えている。無電解めっき装置は、さらに保持手段９１１の上部外周近傍に設置されて半導体基板Ｗの被めっき面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段９５１と、排出された洗浄液等（めっき廃液）を回収する回収容器９６１と、半導体基板Ｗ上に保持しためっき液を吸引して回収するめっき液回収ノズル９６５と、前記保持手段９１１を回転駆動するモータＭとを備えている。以下、各部材について説明する。
【０１１３】
保持手段９１１は、その上面に半導体基板Ｗを載置して保持する基板載置部９１３を設けている。この基板載置部９１３は、半導体基板Ｗを載置して固定するように構成されており、具体的には半導体基板Ｗをその裏面側に真空吸着する図示しない真空吸着機構を設置している。一方、基板載置部９１３の裏面側には、面状であって半導体基板Ｗの被めっき面を下面側から暖めて保温する裏面ヒータ９１５が設置されている。この裏面ヒータ９１５は、例えばラバーヒータによって構成されている。この保持手段９１１は、モータＭによって回転駆動されると共に、図示しない昇降手段によって上下動できるように構成されている。
堰部材９３１は、筒状であってその下部に半導体基板Ｗの外周縁をシールするシール部９３３を設け、図示の位置から上下動しないように設置されている。
【０１１４】
シャワーヘッド９４１は、先端に多数のノズルを設けることで、供給されためっき液をシャワー状に分散して半導体基板Ｗの被めっき面に略均一に供給する構造のものである。また洗浄液供給手段９５１は、ノズル９５３から洗浄液を噴出する構造である。
めっき液回収ノズル９６５は、上下動且つ旋回できるように構成されていて、その先端が半導体基板Ｗの上面周縁部の堰部材９３１の内側に下降して半導体基板Ｗ上のめっき液を吸引するように構成されている。
【０１１５】
次に、この無電解めっき装置の動作を説明する。まず図示の状態よりも保持手段９１１を下降して堰部材９３１との間に所定寸法の隙間を設け、基板載置部９１３に半導体基板Ｗを載置・固定する。半導体基板Ｗとしては例えばφ８インチ基板を用いる。
次に、保持手段９１１を上昇して図示のようにその上面を堰部材９３１の下面に当接させ、同時に半導体基板Ｗの外周を堰部材９３１のシール部９３３によってシールする。このとき半導体基板Ｗの表面は開放された状態となっている。
【０１１６】
次に、裏面ヒータ９１５によって半導体基板Ｗ自体を直接加熱して、例えば半導体基板Ｗの温度を７０℃にし（めっき終了まで維持する）、次に、シャワーヘッド９４１から、例えば５０℃に加熱されためっき液を噴出して半導体基板Ｗの表面の略全体にめっき液を降り注ぐ。半導体基板Ｗの表面は、堰部材９３１によって囲まれているので、注入しためっき液は全て半導体基板Ｗの表面に保持される。供給するめっき液の量は、半導体基板Ｗの表面に１ｍｍ厚（約３０ｍｌ）となる程度の少量で良い。なお被めっき面上に保持するめっき液の深さは１０ｍｍ以下であれば良く、この例のように１ｍｍでも良い。この例のように供給するめっき液が少量で済めばこれを加熱する加熱装置も小型のもので良くなる。そしてこの例においては、半導体基板Ｗの温度を７０℃に、めっき液の温度を５０℃に加熱しているので、半導体基板Ｗの被めっき面は例えば６０℃になり、この例におけるめっき反応に最適な温度にできる。このように半導体基板Ｗ自体を加熱するように構成すれば、加熱するのに大きな消費電力の必要なめっき液の温度をそれほど高く昇温しなくても良いので、消費電力の低減化やめっき液の材質変化の防止が図れ、好適である。なお半導体基板Ｗ自体の加熱のための消費電力は小さくて良く、また半導体基板Ｗ上に溜めるめっき液の量は少ないので、裏面ヒータ９１５による半導体基板Ｗの保温は容易に行え、裏面ヒータ９１５の容量は小さくて良く装置のコンパクト化を図ることができる。また半導体基板Ｗ自体を直接冷却する手段を用いれば、めっき中に加熱・冷却を切替えてめっき条件を変化させることも可能である。半導体基板上に保持されているめっき液は少量なので、感度良く温度制御が行える。
【０１１７】
そして、モータＭによって半導体基板Ｗを瞬時回転させて被めっき面の均一な液濡れを行い、その後半導体基板Ｗを静止した状態で被めっき面のめっきを行う。具体的には、半導体基板Ｗを１ｓｅｃだけ１００ｒｐｍ以下で回転して半導体基板Ｗの被めっき面上をめっき液で均一に濡らし、その後静止させて１ｍｉｎ間無電解めっきを行わせる。なお瞬時回転時間は長くても１０ｓｅｃ以下とする。
【０１１８】
上記めっき処理が完了した後、めっき液回収ノズル９６５の先端を半導体基板Ｗの表面周縁部の堰部材９３１の内側近傍に下降し、めっき液を吸い込む。このとき半導体基板Ｗを例えば１００ｒｐｍ以下の回転速度で回転させれば、半導体基板Ｗ上に残っためっき液を遠心力で半導体基板Ｗの周縁部の堰部材９３１の部分に集めることができ、効率良く、且つ高い回収率でめっき液の回収ができる。そして保持手段９１１を下降させて半導体基板Ｗを堰部材９３１から離し、半導体基板Ｗの回転を開始して洗浄液供給手段９５１のノズル９５３から洗浄液（超純水）を半導体基板Ｗの被めっき面に噴射して被めっき面を冷却すると同時に希釈化・洗浄することで無電解めっき反応を停止させる。このときノズル９５３から噴射される洗浄液を堰部材９３１にも当てることで堰部材９３１の洗浄を同時に行っても良い。このときのめっき廃液は、回収容器９６１に回収され、廃棄される。
【０１１９】
なお、一度使用しためっき液は再利用せず、使い捨てとする。前述のようにこの装置において使用されるめっき液の量は従来に比べて非常に少なくできるので、再利用しなくても廃棄するめっき液の量は少ない。なお場合によってはめっき液回収ノズル９６５を設置しないで、使用後のめっき液も洗浄液と共にめっき廃液として回収容器９６１に回収しても良い。
そしてモータＭによって半導体基板Ｗを高速回転してスピン乾燥した後、保持手段９１１から取り出す。
【０１２０】
図２６は、他の無電解めっき装置の概略構成図である。図２６において、前記の例と相違する点は、保持手段９１１内に裏面ヒータ９１５を設ける代わりに、保持手段９１１の上方にランプヒータ（加熱手段）９１７を設置し、このランプヒータ９１７とシャワーヘッド９４１−２とを一体化した点である。即ち、例えば複数の半径の異なるリング状のランプヒータ９１７を同心円状に設置し、ランプヒータ９１７の間の隙間からシャワーヘッド９４１−２の多数のノズル９４３−２をリング状に開口させている。なおランプヒータ９１７としては、渦巻状の一本のランプヒータで構成しても良いし、さらにそれ以外の各種構造・配置のランプヒータで構成しても良い。
【０１２１】
このように構成しても、めっき液は、各ノズル９４３−２から半導体基板Ｗの被めっき面上にシャワー状に略均等に供給でき、またランプヒータ９１７によって半導体基板Ｗの加熱・保温も直接均一に行える。ランプヒータ９１７の場合、半導体基板Ｗとめっき液の他に、その周囲の空気をも加熱するので半導体基板Ｗの保温効果もある。
【０１２２】
なおランプヒータ９１７によって半導体基板Ｗを直接加熱するには、比較的大きい消費電力のランプヒータ９１７が必要になるので、その代わりに比較的小さい消費電力のランプヒータ９１７と前記図２５に示す裏面ヒータ９１５とを併用して、半導体基板Ｗは主として裏面ヒータ９１５によって加熱し、めっき液と周囲の空気の保温は主としてランプヒータ９１７によって行うようにしても良い。また前述の実施例と同様に、半導体基板Ｗを直接、または間接的に冷却する手段をも設けて、温度制御を行っても良い。
【０１２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板の処理面に積極的に新液を供給することで、処理面には常に新鮮な液が接触するようにして再汚染を防止するとともに、処理面の汚染物や溶解したイオンの基板表面からの離脱を早めて、基板を効率よく短時間で処理し、しかも、基板の処理面の外周部をシールすることで、基板の裏面の汚染を有効に防止することができる。更に、基板ホルダと噴射ノズルとを相対的に回転及び／または上下動させることで、基板処理面に作用する圧力を緩和するとともに、処理液を均一に基板の処理面の全面に供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】銅めっきにより銅配線を形成する例を工程順に示す図である。
【図２】  本発明の実施の形態の無電解めっき前処理装置の断面図である。
【図３】  図２に示す無電解めっき前処理装置を利用して、銅配線を形成するようにしためっき装置の全体構成を示す配置図である。
【図４】  図２に示す無電解めっき前処理装置を利用して、保護膜を形成する一連のめっき処理（蓋めっき処理）を行うめっき装置の全体構成を示す配置図である。
【図５】  本発明の実施の形態の無電解めっき前処理装置のノズルヘッドを示す正面図である。
【図６】図５のノズルヘッドを示す平面図である。
【図７】（ａ）は、図５において、噴射ノズルとして全て扇形ノズルを使用して無電解めっき前処理を行った時の基板（ウエハ）の処理面の状態を示す図で、（ｂ）は、噴射ノズルとして、中央に位置するものに円錐ノズルを、他のものに扇形ノズルをそれぞれ使用して無電解めっき前処理を行った時の基板（ウエハ）の処理面の状態を示す図である。
【図８】  ノズルヘッドの他の例を示す平面図である。
【図９】ノズルヘッドとして、図８に示すものを使用して無電解めっき前処理を行った時の基板（ウエハ）の全面に亘るシート抵抗を実線で、直線状のものを使用して無電解めっき前処理を行った時の基板（ウエハ）の全面に亘るシート抵抗を波線でそれぞれ示すグラフである。
【図１０】一連の基板の処理を行う基板処理装置を示す平面配置図である。
【図１１】図１０に示す基板処理装置内の気流の流れを示す図である。
【図１２】図１０に示す基板処理装置の各エリア間の空気の流れを示す図である。
【図１３】図１０に示す基板処理装置をクリーンルーム内に配置した一例を示す外観図である。
【図１４】一連の基板の処理を行う基板処理装置の他の例を示す平面配置図である。
【図１５】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に他の例を示す平面配置図である。
【図１６】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に他の例を示す平面配置図である。
【図１７】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に他の例を示す平面配置図である。
【図１８】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に他の例を示す平面配置図である。
【図１９】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に他の例を示す平面配置図である。
【図２０】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に他の例を示す平面配置図である。
【図２１】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に他の例を示す平面配置図である。
【図２２】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に他の例を示す平面配置図である。
【図２３】図２２に示す基板処置装置における各工程の流れを示すフローチャートである。
【図２４】ベベル・裏面洗浄ユニットを示す概要図である。
【図２５】無電解めっき装置の一例を示す概要図である。
【図２６】無電解めっき装置の他の例を示す概要図である。
【図２７】アニールユニットの一例を示す縦断正面図である。
【図２８】図２７の平断面図である。
【符号の説明】
７  銅層
８  配線
９  保護膜
１０  基板処理装置（無電解めっき前処理装置）
１２  基板ホルダ
１４  ハウジング
１４ａ  爪部
１６  基板押え
１８  シールリング
２０  回転モータ
２４  上下動モータ
２８  上下動アーム
３２  昇降板
３６  押圧ロッド
４０  噴射ノズル
４０ａ  円錐ノズル
４０ｂ  扇形ノズル
４２  ノズルヘッド
４６  処理槽
７０  ロード・アンロード部
７２  前処理装置
７４  Ｐｄ付着装置（無電解めっき前処理装置）
７６  無電解めっき前処理装置
７８  無電解めっき装置
９２ａ，９２ｂ  ロード・アンロード部
９４  吸着化処理装置（無電解めっき前処理装置）
９６  置換処理装置（無電解めっき前処理装置）
９８  無電解めっき装置
１００  電解めっき装置
１０２  ベベルエッチ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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