(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子が形成された素子形成基板体と、上記素子が形成された素子形成領域を含む素子形成基板体を挟み込んでサンドイッチ状に接合する表蓋基板体および裏蓋基板体と、上記表蓋基板体と裏蓋基板体に囲まれ上記素子を収容する空間と、上記表蓋基板体の表面に開口部が形成され該開口部から素子形成基板体表面に至る穴部と、この穴部により囲まれる素子形成基板体の表面領域内に上記素子形成基板体を貫通して形成された前記穴部よりも小径の小径開口部を持つ貫通孔と、上記素子形成基板体の裏面と裏蓋基板体との間に形成されて上記貫通孔から素子形成基板体の下側を通って上記空間に連通する連通通路とが形成され、上記穴部に露出する上記貫通孔の小径開口部の上端縁となる素子形成基板体の表面部位で上記小径開口部が封止部材により塞がれて上記穴部から貫通孔と連通通路を介して連通する上記素子の収容空間が封止されていることを特徴とした素子の封止パッケージ構造。
【請求項２】
封止部材は錫系の金属により形成され、連通孔の小径開口上端縁部の表面には上記封止部材と拡散反応を起こして金属結合することができる封止強化膜が設けられており、この封止強化膜の上側に封止部材が接合されていることを特徴とする請求項１記載の素子の封止パッケージ構造。
【請求項３】
素子が形成された素子形成基板体と、上記素子が形成された素子形成領域を含む素子形成基板体を挟み込んでサンドイッチ状に接合する表蓋基板体および裏蓋基板体と、上記表蓋基板体と裏蓋基板体に囲まれ上記素子を収容する空間と、上記表蓋基板体の表面に開口部が形成され該開口部から素子形成基板体表面に至る穴部と、この穴部により囲まれる素子形成基板体の表面領域内に前記穴部よりも小径の小径開口部が形成され該小径開口部から上記空間に連通接続する連通孔と、上記連通孔の小径開口部を塞いで上記素子の収容空間を封止する封止部材とが設けられており、当該封止部材は錫系の金属により形成され、連通孔の小径開口上端縁には上記封止部材と拡散反応を起こして金属結合することができる封止強化膜が設けられており、この封止強化膜の上側に封止部材が接合されていることを特徴とする素子の封止パッケージ構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロジャイロ等の素子を封止する素子の封止パッケージ構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図４にはマイクロジャイロ等の素子を封止する素子の封止パッケージ構造の一例が断面状態で示されている。この封止パッケージ構造は、同図に示すように、裏蓋基板体（例えば、ガラス基板）１と、素子形成基板体（例えば、低抵抗シリコン基板）２と、表蓋基板体（例えば、ガラス基板）３とを有して構成されており、上記素子形成基板体２にはマイクロジャイロ等の素子４が形成され、この素子４が形成された素子形成領域を含む素子形成基板体２を上記裏蓋基板体１と表蓋基板体３が挟み込んでサンドイッチ状に接合されている。
【０００３】
上記裏蓋基板体１には上記素子形成基板体２の素子形成領域に対向する領域に凹部（キャビティ）５が形成され、また、表蓋基板体３にも素子形成基板体２の素子形成領域に対向する領域に凹部（キャビティ）６が形成され、素子形成基板体２には素子４の近傍領域に貫通孔（図示せず）が形成されており、上記凹部５，６と、素子形成基板体２の貫通孔とによって、上記素子４を収容する空間８が構成されている。
【０００４】
また、表蓋基板体３の表面には開口部が形成され該開口部から上記素子形成基板体２の表面に至る穴部であるスルーホール（パスホール）１０が表蓋基板体３に設けられ、このスルーホール１０の内周面に開口部１１ａが設けられ該開口部１１ａから前記空間８に連通する通路１１が素子形成基板体２と表蓋基板体３の境界領域に設けられている。上記スルーホール１０には封止膜１２がスパッタや蒸着等により成膜形成され該封止膜１２によって前記通路１１の開口部１１ａは塞がれ上記素子４を収容している空間８は封止されている。
【０００５】
さらに、上記表蓋基板体３には上記スルーホール１０以外にも該表蓋基板体３の表面から素子形成基板体２に至るスルーホール１３が形成されている。このスルーホール１３は上記素子４に導通接続している電極パターン１４を外部接続させるためのものであり、上記素子４は上記電極パターン１４を通して外部と導通接続することができる。
【０００６】
上記素子４は半導体製造技術により製造される微細な素子であり、素子４がマイクロジャイロ等の振動素子である場合には、大気中では空気のダンピングに起因して素子４の動作特性が悪化するという問題が生じることから、空間８を真空状態で上記封止膜１２により封止し、つまり、真空状態の空間８に素子４を収容封止することで、空気の悪影響が素子の動作特性に及ぶのを防止し、上記素子４の動作特性の悪化の問題を回避している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のように、通路１１を封止膜１２で塞ぐ構成では、素子４の封止の信頼性が低いという問題がある。それというのは、スルーホール１０は超音波加工やサンドブラスト加工等の穿孔加工技術を用いて表蓋基板体３に形成されるので、スルーホール１０の内周面は粗く、つまり、スルーホール１０の内周面には凹凸が存在し、また、スルーホール１０の内周面はテーパー（先細り）形状となっていることから、封止膜１２をスパッタや蒸着等の成膜形成技術を用いてスルーホール１０の内周面上に隙間無く成膜形成するのは非常に困難である。すなわち、封止膜１２の材料はスルーホール１０の内周面の凸部に成膜され、この凸部の影になる凹部には封止膜１２は殆ど成膜されず、封止膜１２によりスルーホール１０の内周面を隙間なく覆うことは困難である。
【０００８】
上記のように、上記スルーホール１０と封止膜１２の間には隙間があり、この隙間から外部の空気が空間８内に入り込んでしまう虞があり、空間８の封止が不完全な場合があり、このことにより、素子４の封止の信頼性が低くなってしまう。
【０００９】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、素子の特性が良好となる空間内に素子を気密性高く封止することができ、素子の封止の信頼性を向上させることができ、素子の特性を高めることが可能な素子の封止パッケージ構造を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明は次のような構成をもって前記課題を解決する手段としている。すなわち、第１の発明は、素子が形成された素子形成基板体と、上記素子が形成された素子形成領域を含む素子形成基板体を挟み込んでサンドイッチ状に接合する表蓋基板体および裏蓋基板体と、上記表蓋基板体と裏蓋基板体に囲まれ上記素子を収容する空間と、上記表蓋基板体の表面に開口部が形成され該開口部から素子形成基板体表面に至る穴部と、この穴部により囲まれる素子形成基板体の表面領域内に上記素子形成基板体を貫通して形成された前記穴部よりも小径の小径開口部を持つ貫通孔と、上記素子形成基板体の裏面と裏蓋基板体との間に形成されて上記貫通孔から素子形成基板体の下側を通って上記空間に連通する連通通路とが形成され、上記穴部に露出する上記貫通孔の小径開口部の上端縁となる素子形成基板体の表面部位で上記小径開口部が封止部材により塞がれて上記穴部から貫通孔と連通通路を介して連通する上記素子の収容空間が封止されている構成をもって前記課題を解決する手段としている。また、第２の発明は、上記第１の発明の構成を備えた上で、前記封止部材は錫系の金属により形成され、連通孔の小径開口上端縁部の表面には上記封止部材と拡散反応を起こして金属結合することができる封止強化膜が設けられており、この封止強化膜の上側に封止部材が接合されていることをもって前記課題を解決する手段としている。
【００１１】
第３の発明は、素子が形成された素子形成基板体と、上記素子が形成された素子形成領域を含む素子形成基板体を挟み込んでサンドイッチ状に接合する表蓋基板体および裏蓋基板体と、上記表蓋基板体と裏蓋基板体に囲まれ上記素子を収容する空間と、上記表蓋基板体の表面に開口部が形成され該開口部から素子形成基板体表面に至る穴部と、この穴部により囲まれる素子形成基板体の表面領域内に前記穴部よりも小径の小径開口部が形成され該小径開口部から上記空間に連通接続する連通孔と、上記連通孔の小径開口部を塞いで上記素子の収容空間を封止する封止部材とが設けられており、当該封止部材は錫系の金属により形成され、連通孔の小径開口上端縁には上記封止部材と拡散反応を起こして金属結合することができる封止強化膜が設けられており、この封止強化膜の上側に封止部材が接合されている構成をもって前記課題を解決する手段としている。
【００１２】
上記構成の発明において、表蓋基板体の表面から素子形成基板体に至る穴部が表蓋基板体に形成され、この穴部により囲まれる素子形成基板体の表面には穴部よりも小径の小径開口部が形成され該開口部から素子を収容している空間に連通されている。例えば、封止部材は上記小径開口部を塞ぐと共に、小径開口上端縁に接合して上記素子の収容空間を封止する。
【００１３】
上記の如く、素子を収容している空間は封止膜ではなく、封止部材により封止され、その上、封止部材を小径開口上端縁に接合させることが可能であるので、上記小径開口部を隙間なく完璧に塞ぐことが可能となる。このことから、素子の収容空間の気密性が格段に向上し、素子の封止の信頼性は高まる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明に係る実施形態例を図面に基づき説明する。
【００１５】
図１の（ａ）には本実施形態例の素子の封止パッケージ構造が断面状態で示されている。なお、この実施形態例の説明において、図４に示す素子の封止パッケージ構造と同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００１６】
この実施形態例では、スルーホール１０と空間８を連通接続する通路の形成形態とその通路の封止形態に特徴があり、素子４を収容している空間８の封止の信頼性を向上させる構成を有している。それ以外の構成は前記図４に示す構成と同様な構成を備えている。
【００１７】
図１の（ａ）に示すように、素子形成基板体２にはスルーホール（穴部）１０に連通接する貫通孔１８が素子４の形成領域の近傍に形成されている。この貫通孔１８は、該貫通孔１８部分を抜き出し拡大した図１の（ｂ）、および、図１の（ａ）に示すように、上記スルーホール１０により囲まれる素子形成基板体２の表面領域内に形成された上記スルーホール１０よりも小径な小径開口部１８ａから素子形成基板体２の底面まで貫通形成されたものである。
【００１８】
また、上記貫通孔１８の底面側から空間８に連通接続している連通通路２０が形成されており、この連通通路２０を形成するための凹部５ａが裏蓋基板体１に形成されている。上記貫通孔１８と連通通路２０により、空間８とスルーホール１０を連通接続する連通孔１６が構成されている。
【００１９】
この実施形態例では、上記連通孔１６の貫通孔１８の小径開口上端縁１８ｂには全領域に渡り封止強化膜２１が形成され、この封止強化膜２１の上側に接合し上記小径開口部１８ａを塞ぐ封止部材１７が設けられ、この封止部材１７により素子４が収容されている空間８は気密性高く封止されている。上記封止部材１７は低融点金属（例えば、錫系の金属（例えば、半田））により形成されており、封止強化膜２１は上記封止部材１７と拡散反応を起こして金属結合することができる材料（例えば、ニッケル）により構成されている。
【００２０】
この実施形態例では、素子４はマイクロジャイロ等の振動素子により構成され、この振動素子４の振動を妨げることがない形状および大きさに空間８が形成され、また、前記したように、素子４の動作特性の悪化を防止するために空間８は真空状態に封止されている。
【００２１】
上記空間８を真空状態に封止する作業は次のようにして行われる。例えば、上記素子４と該素子４に連通接続した電極パターン１４と貫通孔１８等が形成された素子形成基板体２と、凹部５，５ａ等が形成された裏蓋基板体１と、凹部６とスルーホール１０，１３等が形成された表蓋基板体３とを別々に予め用意しておき、上記素子４が形成された素子形成基板体２の素子形成領域に上記裏蓋基板体１の凹部５を対向させ、上記素子形成基板体２の素子形成領域に表蓋基板体３の凹部６を対向させ、また、裏蓋基板体１の凹部５ａを素子形成基板体２の貫通孔１８に、上記表蓋基板体３のスルーホール１０を素子形成基板体２の貫通孔１８にそれぞれ位置合わせした状態で、素子形成基板体２を裏蓋基板体１と表蓋基板体３で挟み込んでサンドイッチ状に例えば陽極接合により接合し、また、上記貫通孔１８の小径開口上端縁１８ｂには前記封止強化膜２１を形成した後に、図２に示すような状態で、真空中に配置し、素子４を収容している空間８内の空気を上記連通通路２０と貫通孔１８とスルーホール１０を順に通して排気する。
【００２２】
そして、素子４の動作特性が良好となる適切な真空状態まで空間８の真空排気が行われた状態で、引き続き同真空中で、封止部材１７により上記貫通孔１８の小径開口部１８ａを塞ぐ。その後、一体化した裏蓋基板体１と素子形成基板体２と表蓋基板体３を加熱して封止部材１７の溶融可能な温度に封止部材１７を加熱して封止部材１７を溶融させ、封止部材１７と封止強化膜２１の接触部分に拡散反応を生じさせて封止部材１７を封止強化膜２１に金属接合させる。
【００２３】
上記封止部材１７は小径開口部１８ａを塞ぐことができ、かつ、封止強化膜２１に接合することができ、しかも、封止強化膜２１から食み出さない適切な量が予め求められており、この求められた量の封止部材１７により小径開口部１８ａを塞ぐことによって、小径開口部１８ａを完全に塞ぐことができる。
【００２４】
上記のようにして空間８は真空状態に封止される。
【００２５】
この実施形態例によれば、素子形成基板体２にスルーホール１０に連通する貫通孔１８を設けると共に、該貫通孔１８から空間８に連通する連通通路２０を設け、上記貫通孔１８の小径開口部１８ａを封止部材１７により塞いで空間８を封止する構成を備えているので、つまり、スパッタや蒸着等により形成された封止膜ではなく、封止部材１７により小径開口部１８ａを塞ぐので、封止部材１７によって貫通孔１８の小径開口部１８ａを隙間なく塞ぐことができ、空間８を気密性高く封止することができる。このことから、空間８内に収容される素子４の動作特性を格段に向上させることが可能となる。
【００２６】
特に、この実施形態例では、貫通孔１８の小径開口上端縁１８ｂには封止強化膜２１が設けられ、封止部材１７は小径開口部１８ａを塞ぐと共に上記封止強化膜２１の上側に接合されている構成であり、上記封止強化膜２１は封止部材１７と金属結合し結合強度を高める材料により形成されているので、封止部材１７と封止強化膜２１の結合強度は非常に強く、封止部材１７と封止強化膜２１の間に隙間が生じることはなく、封止部材１７によって空間８を完璧に封止することができ、また、封止部材１７が取れてしまうという問題を確実に回避することができることから、空間８の封止の信頼性を格段に高めることができる。もちろん、上記封止強化膜２１と小径開口上端縁１８ｂの間に隙間はない。
【００２７】
また、貫通孔１８はスルーホール１０よりも小径の開口部１８ａを有し、この小径開口部１８ａを封止部材１７により塞ぐ構成であるので、貫通孔１８を塞ぐために必要な封止部材１７の量は非常に少なくて済む。これに対して、例えば、図３に示すように、スルーホール１０の開口部を封止部材１７により塞ぐことが考えられるが、この場合には、スルーホール１０の開口部は上記小径開口部１８ａに比べて穴径が大きく、スルーホール１０の開口部を塞ぐためには多量の封止部材１７が必要となり、このことにより、次のような理由により空間８の真空状態を悪化させる虞がある。
【００２８】
それというのは、封止部材１７を溶融したときに該封止部材１７に吸着していた吸着ガス（例えば、水分や酸素ガス）が発生することから、上記のように封止強化膜２１に接合させるために封止部材１７を溶融したときに、その溶融状態の封止部材１７から発生したガスの一部が空間８内に入り込んでしまう。上記溶融状態の封止部材１７から発生するガス量は封止部材１７の量が多くなるに従って増加することから、スルーホール１０の開口部を塞ぐ場合のように封止部材１７の量が多くなると、必然的に、空間８内に入り込む上記ガス量が多くなり、空間８の真空状態を悪化させる。
【００２９】
この実施形態例では、上記の如く、貫通孔１８の小径開口部１８ａはスルーホール１０よりも小径に形成され、その小径開口部１８ａを塞ぐのに要する封止部材１７の量は非常に少なくて済むので、封止部材１７を溶融したときに発生するガス量は非常に少なく、空間８内に入り込むガスは殆どなく、封止部材１７から発生したガスによって空間８の真空状態を悪化させるのをほぼ防止することができる。
【００３０】
また、図３に示すように、表蓋基板体３のスルーホール１０の開口上端縁に封止部材１７を接合する場合には、スルーホール１０の開口部は径が大きいことから、表蓋基板体３と封止部材１７の接合面積は広く、また、表蓋基板体３と封止部材１７の熱膨張係数が異なることから、上記のように、封止部材１７を溶融させるために表蓋基板体３および封止部材１７を加熱したときに、上記熱膨張係数の違いに起因して封止部材１７との結合領域に近い表蓋基板体３の部分にクラック等が生じるという問題が発生する場合があり、そのクラック等の発生確率は封止部材１７との結合面積が広くなるに従って高くなる。この実施形態例では、上記の如く、素子形成基板体２の小径開口部１８ａは小径で、素子形成基板体２と封止部材１７の接合面積は非常に狭いので、上記素子形成基板体２のクラック等の発生をほぼ抑制することができ、素子形成基板体２の破損の問題をほぼ回避することができる。
【００３１】
なお、この発明は上記実施形態例に限定されるものではなく、様々な実施の形態を採り得る。例えば、上記実施形態例では、封止部材１７は低融点金属により構成されていたが、封止部材１７は低融点ガラス等の低融点金属以外の材料により構成してもよい。
【００３２】
また、上記実施形態例では、封止部材１７の接合強度を高めるための封止強化膜２１を設けたが、空間８の気密性を高めるのに十分な接合強度でもって素子形成基板体２に接合することができる材料により封止部材１７を構成した場合には、封止部材１７は素子形成基板体２に、つまり、貫通孔１８の小径開口上端縁１８ｂに強固に接合することができることから、封止強化膜２１を設けなくてもよい。
【００３３】
さらに、上記実施形態例では、貫通孔１８の小径開口部１８ａを封止部材１７で塞いでから、素子形成基板体２等を加熱することで封止部材１７を加熱して溶融させ、封止部材１７を封止強化膜２１に反応接合させていたが、例えば、溶融してガス抜きした溶融状態の封止部材１７を封止強化膜２１に押し付け反応接合させて貫通孔１８の小径開口部１８ａを塞ぐようにしてもよい。この場合には、予め溶融してガス抜きした封止部材１７により上記小径開口部１８ａを塞ぐので、封止部材１７から発生したガスが空間８内に入り込んで、空間８内の真空状態を悪化させるという問題を完璧に回避することができる。
【００３４】
さらに、上記実施形態例では、裏蓋基板体１と素子形成基板体２と表蓋基板体３はそれぞれ１枚の基板により構成されていたが、それらは複数の基板を積層して一体化した積層基板体により構成してもよい。さらに、上記裏蓋基板体１と表蓋基板体３はそれぞれガラス基板により構成されていたが、それらはガラス以外の絶縁材料により構成された基板で構成してもよい。さらに、上記素子形成基板体２はシリコン基板により構成されていたが、素子４を形成することが可能なものであれば、素子形成基板体２はシリコン以外の材料により構成してもよい。
【００３５】
さらに、上記実施形態例では、素子４は振動素子である例を示したが、本発明は、振動素子以外のコンデンサ素子や赤外線検出素子等の素子を封止することができる。さらにまた、振動素子を封止する場合には、空気のダンピングの悪影響を取り除き振動素子の動作特性を向上させるために空間８内を真空状態に封止したが、例えば、素子４を通常の大気圧力よりも高い気圧状態に封止する必要がある場合には、上記実施形態例と同様の封止形態で、空間８内を大気圧よりも高い所望の気圧状態に封止してもよい。また、素子４を予め定めた乾燥状態の雰囲気中に封止する必要がある場合には、上記実施形態例と同様の封止形態で、空間８内を予め定めた乾燥状態に封止してもよい。上記のように、真空状態以外にも、上記実施形態例と同様の封止形態により素子４の特性を向上させることが可能な予め定めた状態に空間８内を封止することができ、その空間８の封止の信頼性は上記の如く高く、空間８の気密性は優れていることから、素子４の特性を格段に向上させることができる。
【００３６】
【発明の効果】
この発明によれば、素子が形成された素子形成基板体を表蓋基板体と裏蓋基板体により挟み込んでサンドイッチ状に接合し、表蓋基板体と裏蓋基板体により上記素子を収容する空間を形成し、上記表蓋基板体に形成された穴部により囲まれた素子形成基板体の表面領域内に前記穴部よりも小径の小径開口部を形成し該小径開口部から素子を収容している空間に連通させ、上記小径開口部を封止部材により塞いで素子の収容空間を封止する構成としたので、上記小径開口部を封止膜ではなく封止部材により塞いでいることから、封止部材は小径開口部を隙間なく塞ぐことができ、素子の収容空間を気密性高く封止することができる。このことから、素子の封止の信頼性を格段に向上させることができる。このことにより、上記空間内に封止される素子の特性を向上させることができる。
【００３７】
特に、上記小径開口部を封止部材により塞ぐと共に、その封止部材を小径開口上端縁に接合させた場合には、封止部材と小径開口上端縁をより一層確実に隙間なく接合させることができるので、素子の収容空間の気密性を大幅に向上させることができ、素子の封止の信頼性をより高めることができる。
【００３８】
また、上記の如く、穴部よりも小径の小径開口部を封止部材により塞ぐ構成であることから、上記小径開口部を塞ぐのに必要な封止部材の量は例えば穴部の開口部を塞ぐ場合に比べて非常に少なくて済む。例えば、封止部材を溶融して上記小径開口部分に上記封止部材を結合させて上記小径開口部を塞ぐ場合には、封止部材を溶融させたときにその溶融状態の封止部材からガスが発生することがあり、この発生ガスの一部が連通孔を通って上記素子を収容している空間内に入り込む虞があるが、上記封止部材の量が少なくなるに従って上記封止部材から発生するガス量は減少することから、この発明のように、封止部材の使用量を非常に少なく押さえることができることによって、溶融状態の封止部材から発生するガス量を格段に少なくすることができ、上記封止部材から発生するガスが上記素子の収容空間に入り込むガス量を殆どなくすことができ、上記発生ガスに起因した素子の収容空間の状態悪化の問題をほぼ回避することができる。
【００３９】
さらに、上記の如く穴部よりも小径の小径開口部を封止部材により塞ぐ構成であるので、例えば穴部の開口部を封止部材により塞ぐ場合の封止部材と表蓋基板体との接合（接触）面積に比べて、封止部材と素子形成基板体との接合面積は格段に狭い。封止部材と素子形成基板体の熱膨張係数が異なっているときには、上記封止部材と素子形成基板体との接合面積が広くなるに従って、封止部材および素子形成基板体を加熱したときに、上記熱膨張係数の違いに起因して大きな熱応力が素子形成基板体に生じてクラックが素子形成基板体に発生し易くなるが、この発明では、上記の如く、封止部材と素子形成基板体の接合面積を狭く押さえることが可能であることから、上記クラック発生をほぼ回避することができる。
【００４０】
封止部材は錫系の金属により構成され、連通孔の小径開口上端縁には上記封止部材と拡散反応を起こして金属結合することができる封止強化膜が設けられ、この封止強化膜の上側に封止部材が接合されているものにあっては、封止強化膜によって封止部材の接合強度がより高まるので、封止部材が取れてしまうという問題発生を確実に防止することができ、素子の封止の信頼性をより一層向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る実施形態例を断面により示すモデル図である。
【図２】この実施形態例に示す素子の収容空間を封止する前の状態を示すモデル図である。
【図３】封止部材をスルーホールの開口部に設けた場合にそのスルーホールの開口部分を抜き出して示すモデル図である。
【図４】従来例を示すモデル図である。
【符号の説明】
１  裏蓋基板体
２  素子形成基板体
３  表蓋基板体
４  素子
８  空間
１０  スルーホール
１６  連通孔
１８  貫通孔
１８ａ  小径開口部
１８ｂ  小径開口上端縁
２０  連通通路
２１  封止強化膜
【図１】
0003928259.tif 000002
【図２】
0003928259.tif 000003
【図３】
0003928259.tif 000004
【図４】
0003928259.tif 000005