(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相成長の際に半導体基板を支持するサセプタにおいて、
半導体基板を当該サセプタに位置決めさせるための周壁部、前記周壁部の内側で半導体基板の外周縁部を支持する外周側部分、及び、前記外周側部分の内側で当該外周側部分よりも窪んだ状態に形成され、前記外周側部分による半導体基板の支持状態で当該半導体基板の主裏面に臨む座ぐり底面をなす内周側部分、を有する座ぐりと、
前記周壁部及び前記外周側部分に前記内周側部分と当該サセプタ外周端面とを結ぶ溝部を形成することにより構成され、前記支持状態で前記内周側部分と半導体基板との隙間の雰囲気を、当該サセプタ外周の雰囲気に連通させる連通部と、
を備えることを特徴とするサセプタ。
【請求項２】
前記座ぐりは、前記外周側部分と、前記内周側部分とを有する二段構成をなすことを特徴とする請求項１に記載のサセプタ。
【請求項３】
気相成長の際に半導体基板を支持するサセプタにおいて、
半導体基板の主裏面に臨む面との間に間隔を設けて当該半導体基板の外周縁部を支持する支持部、及び、前記支持部の外周側から半導体基板を当該支持部上に位置決めさせるための壁部、を有する複数の外周側部分と、
前記外周側部分の内側で当該外周側部分よりも窪んだ状態に形成され、前記外周側部分による半導体基板の支持状態で前記主裏面に臨む前記面をなす内周側部分と、
前記内周側部分と当該サセプタ外周の雰囲気とを結ぶことにより、前記支持状態で前記内周側部分と半導体基板との隙間の雰囲気を、当該サセプタ外周の雰囲気に連通させる連通部とを備え、
前記連通部は、前記外周側部分どうしの間隔により構成されていることを特徴とするサセプタ。
【請求項４】
半導体基板の主表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造するためのエピタキシャルウェーハの製造装置において、請求項１〜３の何れかに記載のサセプタを備えることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装置。
【請求項５】
請求項１〜３の何れかに記載のサセプタにより支持させた半導体基板の主表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置および製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体基板（以下、基板と略称することがある。）の主表面上へのエピタキシャル層（例えばシリコンエピタキシャル層）の気相成長は、反応容器内にサセプタを配し、このサセプタ上に基板を配置した状態で、基板を加熱装置により所望の成長温度に加熱するとともに、ガス供給装置により基板の主表面上に原料ガスを供給することによって行うようにしている。
ところで、例えば、ｐ+型のボロン（Ｂ）ドープ基板上にｐ-型のシリコンエピタキシャル層を気相成長させる場合などのように、ドーパント濃度が高い（従って低抵抗率の）基板上に低濃度（従って高抵抗率）のエピタキシャル層を気相成長させる場合には、基板内より気相中に一旦放出されたドーパントがエピタキシャル層にドーピングされる現象（以下、オートドープという。）が発生する。このオートドープは、加熱により基板内から外方拡散するドーパント、ならびに、基板の表面が気相エッチングされることにより基板内から放出されるドーパントに起因して発生する。オートドープが発生すると、気相成長後のエピタキシャル層のドーパント濃度が、中心から周縁部に向かうにつれて高くなってしまうという問題がある（逆に、抵抗率は、ｐ-／ｐ+型あるいはｎ-／ｎ+型の場合、中心から周縁部に向かうにつれて小さくなる）。
従来は、このようなオートドープが発生してしまうのを防止するため、基板の主裏面に予めシリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜、以下単に酸化膜という。）を形成しておいてから、該酸化膜により基板内からのドーパントの放出を防止しつつ気相成長を行うことにより、抵抗率（およびドーパント濃度）の面内均一化を図っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように、基板の主裏面に予め酸化膜を形成しておいてから気相成長を行う場合、酸化膜を形成するための工程が必要となり生産性が悪い。
【０００４】
この発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、基板の主裏面に予め酸化膜を形成せずに、エピタキシャル層のドーパント濃度および抵抗率の面内均一化を容易に実現し得るサセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置および製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明のサセプタは、気相成長の際に半導体基板を支持するサセプタにおいて、半導体基板を当該サセプタに位置決めさせるための周壁部、前記周壁部の内側で半導体基板の外周縁部を支持する外周側部分、及び、前記外周側部分の内側で当該外周側部分よりも窪んだ状態に形成され、前記外周側部分による半導体基板の支持状態で当該半導体基板の主裏面に臨む座ぐり底面をなす内周側部分、を有する座ぐりと、前記周壁部及び前記外周側部分に前記内周側部分と当該サセプタ外周端面とを結ぶ溝部を形成することにより構成され、前記支持状態で前記内周側部分と半導体基板との隙間の雰囲気を、当該サセプタ外周の雰囲気に連通させる連通部と、を備えることを特徴としている。
本発明の座ぐりは、例えば、半導体基板を支持する外周側部分と、該外周側部分の内側に該外周側部分よりも窪んだ状態に形成された内周側部分とを有する二段構成をなすことが好ましい。
或いは、本発明のサセプタは、気相成長の際に半導体基板を支持するサセプタにおいて、半導体基板の主裏面に臨む面との間に間隔を設けて当該半導体基板の外周縁部を支持する支持部、及び、前記支持部の外周側から半導体基板を当該支持部上に位置決めさせるための壁部、を有する複数の外周側部分と、前記外周側部分の内側で当該外周側部分よりも窪んだ状態に形成され、前記外周側部分による半導体基板の支持状態で前記主裏面に臨む前記面をなす内周側部分と、前記内周側部分と当該サセプタ外周の雰囲気とを結ぶことにより、前記支持状態で前記内周側部分と半導体基板との隙間の雰囲気を、当該サセプタ外周の雰囲気に連通させる連通部とを備え、前記連通部は、前記外周側部分どうしの間隔により構成されていることを特徴としている。
【０００６】
本発明のサセプタによれば、半導体基板を支持した状態で、該半導体基板の主裏面に臨む面と半導体基板との間の雰囲気を、当該サセプタ外周の雰囲気に連通させる連通部を備えるので、気相成長時の加熱によって半導体基板から外方拡散するドーパント、或いは、気相エッチングにより半導体基板内から放出されるドーパントを、連通部を介してサセプタ外周へと好適に放出できる。よって、これらドーパントが基板の主表面側に回り込んでしまうことを好適に抑制できる。このため、基板の裏面にオートドープ防止用の酸化膜を形成しなくてもオートドープの発生を大幅に抑制でき、結果、ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化が図れる。つまり、ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化を、特別な工程を要しないで容易に実現できる。
【０００７】
また、本発明のエピタキシャルウェーハの製造装置は、半導体基板の主表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造するためのエピタキシャルウェーハの製造装置において、本発明のサセプタを備えることを特徴とする。
また、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法は、本発明のサセプタにより支持させた半導体基板の主表面上にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造することを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施の形態について説明する。
【０００９】
〔第１の実施の形態〕
先ず、図３および図４を参照して、本発明に係るエピタキシャルウェーハ製造装置の一例としての枚葉式のエピタキシャルウェーハ製造装置１０について説明する。
エピタキシャルウェーハ製造装置１０は、サセプタ２０（詳細後述）と、該サセプタ２０が内部に配される反応容器１１と、サセプタ２０を支持して回転駆動及び昇降動作させるサセプタ支持部材１２と、サセプタ２０を表裏に貫通するとともに該サセプタ２０に対し昇降動作可能に設けられ、基板Ｗを支持した状態で昇降動作するのに伴わせてサセプタ２０上に着脱するためのリフトピン１３と、気相成長の際に基板Ｗを所望の成長温度に加熱するための加熱装置１４ａ、１４ｂ（具体的には、例えばハロゲンランプ）と、原料ガス（具体的には、例えばトリクロロシラン等）およびキャリアガス（具体的には、例えば水素等）を含む気相成長用ガスを反応容器１１内のサセプタ２０上側の領域に導入して該サセプタ２０上の基板Ｗの主表面上に供給する気相成長用ガス導入管１５と、反応容器１１に対しこの気相成長用ガス導入管１５と同じ側に設けられパージガス（具体的には、例えば水素等）を反応容器１１内のサセプタ２０下側の領域に導入するパージガス導入管１６と、これらパージガス導入管１６および気相成長用ガス導入管１５と反応容器１１に対し反対側に設けられ該反応容器１１からガス（気相成長用ガスおよびパージガス）を排気する排気管１７とを備えて概略構成されている。
【００１０】
このうち、サセプタ２０は、気相成長の際に半導体基板Ｗ（以下、基板Ｗと略称することがある。）を支持するものであり、例えば炭化珪素で被覆されたグラファイトにより構成されている。
このサセプタ２０は、図１に示すように、例えば略円盤状に構成され、その主表面には、該主表面上に基板Ｗを位置決めするための座ぐり２１（平面視円形の凹部）が形成されている。
この座ぐり２１は、例えば図１（ｂ）に示すような状態で基板Ｗの外周縁部を支持する円環状（図１（ａ）参照）の外周側部分（支持部分）２１ａと、該外周側部分２１ａの内側に該外周側部分２１ａよりも下側に窪んだ状態に形成された平面視円形の内周側部分（非支持部分）２１ｂとを有する二段構成を成している。なお、このうち外周側部分２１ａは例えば略平面に形成され、内周側部分２１ｂは凹曲面形状に形成されている。
【００１１】
このサセプタ２０は、図１（ｂ）に示すように基板Ｗを支持した状態で、該基板Ｗの主裏面に臨む面、つまり、座ぐり２１の内周側部分２１ｂと基板Ｗとの隙間の雰囲気を、当該サセプタ２０外周の雰囲気に連通させる連通部２２を備える。
すなわち、サセプタ２０は、基板Ｗを当該サセプタ２０に位置決めさせるための座ぐり２１を有し、連通部２２は、基板Ｗの支持状態で該基板Ｗの主裏面に臨む座ぐり２１の底面と基板Ｗとの隙間の雰囲気を、当該サセプタ２０外周の雰囲気に連通させる。
この連通部２２は、具体的には、例えば、図１（ａ）、図２等に示すように、座ぐり２１の内周側部分２１ｂとサセプタ２０の外周端面２４とを結ぶように溝部２５を形成することにより構成されている。
この溝部２５は、例えば、座ぐり２１と中心の等しい放射状に、多数形成されている。
【００１２】
また、図１に示すように、サセプタ２０の座ぐり２１の内周側部分２１ｂには、サセプタ２０の裏面に貫通した状態に形成され、リフトピン１３が貫通されるリフトピン貫通用孔部２３が形成されている。
このリフトピン貫通用孔部２３は、例えば、座ぐり２１と中心を等しくする円周上に、等角度間隔で三箇所に配設されている。
【００１３】
ここで、例えば図３に示すように、リフトピン１３は、例えば丸棒状に構成された胴体部１３ａと、該胴体部１３ａの上端部に形成され、基板Ｗを下面側から支持する頭部１３ｂと、を備えている。このうち頭部１３ｂは、基板Ｗを支持しやすいように胴体部１３ａに比べて拡径されている。そして、リフトピン１３は、その下端部から、リフトピン貫通用孔部２３に挿入された結果、該リフトピン貫通用孔部２３の縁部により頭部１３ｂが下方に抜け止めされて、サセプタ１０により支持されるとともに、その胴体部１３ａを該リフトピン貫通用孔部２３より垂下させた状態となっている。なお、リフトピン１３の胴体部１３ａは、サセプタ支持部材１２の支持アーム１２ａに設けられた貫通孔１２ｂも貫通している。
【００１４】
また、サセプタ支持部材１２は、複数の支持アーム１２ａ（図３等）を放射状に備え、これら支持アーム１２ａにより、サセプタ２０を下面側から支持している。これにより、サセプタ２０は、その上面が略水平状態に保たれている。
【００１５】
エピタキシャルウェーハ製造装置１０は、以上のように構成されている。
そして、このエピタキシャルウェーハ製造装置１０を用いて、以下の要領で気相成長を行うことにより、基板Ｗの主表面上にシリコンエピタキシャル層を形成してシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【００１６】
先ず、基板Ｗを反応容器１１内のサセプタ２０により支持させる。
このためには、先ず、リフトピン１３上に基板Ｗを受け渡すために、各リフトピン１３を、互いに略等量だけサセプタ２０上面より上方に突出するように該サセプタ２０に対し相対的に上昇させる。このためには、サセプタ支持部材１２を下降させるのに伴わせてサセプタ２０を下降させる。この下降の過程で、リフトピン１３の下端部が、例えば反応容器１１の内部底面に到達して以後は、リフトピン１３はそれ以上に下降できないが、サセプタ２０はさらに下降する。このため、サセプタ２０に対し相対的にリフトピン１３が上昇し、やがて、図４において、基板Ｗが無い状態となる。
次に、図示しないハンドラにより基板Ｗを反応容器１１内に搬送し、上記上昇動作後の各リフトピン１３の頭部１３ｂにより、主表面を上にして基板Ｗを支持させる。
次に、基板Ｗをサセプタ２０により支持させるために、各リフトピン１３をサセプタ２０に対し相対的に下降させる。このためには、ハンドラを待避させる一方で、サセプタ支持部材１２を上昇させるのに伴わせて、サセプタ２０を上昇させる。この上昇の過程で、座ぐり２１の外周側部分２１ａが基板Ｗの主裏面に到達すると、それまでリフトピン１３の頭部１３ｂ上に支持されていた基板Ｗが、座ぐり２１の外周側部分２１ａにより支持された状態へと移行する。さらに、リフトピン貫通用孔部２３の縁部がリフトピン１３の頭部１３ｂに到達すると、それまで反応容器１１の内部底面により支持された状態であったリフトピン１３は、サセプタ２０により支持された状態へと移行する。
【００１７】
このようにサセプタ２０により基板Ｗを支持させたら、気相成長を行う。
すなわち、サセプタ支持部材１２を鉛直軸周りに回転駆動することによりサセプタ２０を回転させるのに伴わせて基板Ｗを回転させるとともに、該サセプタ２０上の基板Ｗを加熱装置１４により所望の成長温度に加熱しながら、気相成長用ガス導入管１５を介して基板Ｗの主表面上に気相成長用ガスを略水平に供給する一方で、パージガス導入管１６を介してサセプタ２０の下側にパージガスを略水平に導入する。従って、気相成長中、サセプタ２０の上側には、気相成長用ガス流が、下側には、パージガス流が、それぞれサセプタ２０および基板Ｗと略平行に形成される。
このように気相成長を行うことにより、基板Ｗの主表面上にエピタキシャル層を形成して、エピタキシャルウェーハを製造することができる。
【００１８】
このようにエピタキシャルウェーハを製造したら、該製造後のエピタキシャル
ウェーハを、反応容器１１外に搬出する。
すなわち、予めサセプタ２０の回転を止めた後に、サセプタ支持部材１２を下降させて、図４に示すように、各リフトピン１３を互いに略等量だけサセプタ２０上方に突出動作させ、この突出動作に伴わせて基板Ｗをサセプタ２０の座ぐり２１上方に上昇させる。そして、図示しないハンドラにより基板Ｗを搬出する。
【００１９】
ここで、気相成長中は、基板Ｗを加熱するため、この加熱により基板Ｗに含まれるドーパントが基板Ｗ外に外方拡散して気相中に放出される。
また、気相成長の直前には、例えば塩化水素ガスを基板Ｗ表面に流すことにより気相エッチングを行って該表面の自然酸化膜を除去したりするため、基板Ｗは僅かにエッチングされてガス化する。さらに、気相成長用ガス中には、原料ガスの他に、キャリアガスとして例えば水素を含んでいる上、上記パージガスとしても例えば水素を用いるため、この水素によっても基板Ｗは僅かにエッチングされてガス化する。従って、これらの理由によっても、基板Ｗに含まれるドーパントが気相中に放出される。
つまり、これらいくつかの理由により、気相成長の際には基板Ｗ内から気相中にドーパントが放出されることになる。
【００２０】
これに対し、本実施の形態のサセプタ２０は、基板Ｗを支持した状態で、該基板Ｗの主裏面に臨む面（つまり、座ぐり２１の内周側部分２１ｂ）と基板Ｗとの間の雰囲気を、当該サセプタ２０の外周の雰囲気に連通させる連通部２２を備えるので、該連通部２２を介してガスが流通可能である。従って、気相成長時の加熱によって基板Ｗから外方拡散するドーパント、或いは、気相エッチングにより基板Ｗ内から放出されるドーパントを、連通部２２を介してサセプタ２０の外周へと好適に放出できる。よって、これらドーパントが基板Ｗの主表面側に回り込んでしまうことを好適に抑制できる。このため、基板Ｗの裏面にオートドープ防止用の酸化膜を形成しなくてもオートドープの発生を大幅に抑制でき、結果、ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化が図れる。つまり、ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化を特別な工程を要しないで容易に実現できる。
【００２１】
ここで、本実施の形態のサセプタ２０を用いて、直径３００ｍｍ、抵抗率０．０１Ω・ｃｍ〜０．０２Ω・ｃｍ、ｐ+型のシリコン単結晶基板（主裏面に酸化膜を有しない；以下、単に基板という。）の主表面上に、厚さ約６μｍのｐ-型のシリコンエピタキシャル層を気相成長することにより製造したシリコンエピタキシャルウェーハと、連通部２２を有しない点でサセプタ２０と異なり、その他の点ではサセプタ２０と同様のサセプタ（以下、比較対照サセプタという；図示略）を用いて、同様に製造したシリコンエピタキシャルウェーハとの抵抗率（単位：Ω・ｃｍ）の面内分布（エピタキシャルウェーハ外周端から中心まで）を図５に示す。
図５に示すように、サセプタ２０を用いて製造したエピタキシャルウェーハの抵抗率は、比較対照サセプタを用いて製造したエピタキシャルウェーハの抵抗率と比べて、面内で均一となっている。
つまり、連通部２２を有するサセプタ２０を用いて気相成長を行うと、連通部２２を有しない第１比較対照サセプタを用いて気相成長を行う場合よりもオートドープを抑制できることが分かる。
【００２２】
以上のような実施の形態によれば、サセプタ２０は、基板Ｗを支持した状態で基板Ｗの主裏面に臨む面と基板Ｗとの隙間の雰囲気を、当該サセプタ２０外周の雰囲気に連通させる連通部２２を備えるので、ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化を、特別な工程の必要なく容易に実現できる。
【００２３】
なお、上記の実施の形態では、ｐ+型のシリコン単結晶基板上にｐ-型のシリコンエピタキシャル層を気相成長させる例についてのみ説明したが、本発明はこれに限らず、例えばｎ+型のシリコン単結晶基板上にｎ-型のシリコンエピタキシャル層を気相成長させる場合、ｎ+型のシリコン単結晶基板上にｐ-型のシリコンエピタキシャル層を気相成長させる場合およびｐ+型のシリコン単結晶基板上にｎ-型のシリコンエピタキシャル層を気相成長させる場合等に、本発明のサセプタ、気相成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法を適用しても良く、この場合にも、抵抗率（ドーパント濃度）の面内均一化が図れる。
サセプタ２０の座ぐり２１が、外周側部分２１ａと内周側部分２１ｂとからなる二段構成をなしている例を説明したが、これに限らず、座ぐり２１は１段であっても良い。この場合も、連通部２２は、座ぐり２１と当該サセプタ２０の外周端面とを結ぶ溝部を形成することにより構成されていることが好ましい。
さらに、サセプタ２０がリフトピン貫通用孔部２３を備える例について説明したが、本発明はこれに限らず、サセプタ２０がリフトピン貫通用孔部２３を備えていなくても良い。
【００２４】
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態では、図６および図７を参照して、上記の第１の実施の形態とは態様の異なる連通部２２を備えるサセプタ３０について説明する。なお、図６にはサセプタ３０のみを示し、図７には、サセプタ３０により基板Ｗを支持した状態を示す。
サセプタ３０は、図６に示すように、基板Ｗを支持するための台状の支持部３１を複数（例えば３つ）備えている。これら支持部３１により基板Ｗを支持した状態では、図７に示すように、基板Ｗの主裏面と、この主裏面に臨む面３２との間に間隔が設けられるようになっている。
そして、本実施形態では、これら支持部３１どうしの間隔により、連通部２２が構成されており、サセプタ３０の本体（内周側部分）３５と当該サセプタ３０外周の雰囲気とを結ぶことにより、基板Ｗの支持状態で本体３５と基板Ｗとの隙間の雰囲気を、当該サセプタ３０外周の雰囲気に連通させるようになっている。
なお、支持部３１は、例えば、サセプタ３０の盤状の本体３５よりも外周方向に突出し、かつ、上方に突出するように形成された突出部３３（外周側部分）により構成されている。
また、この突出部３３において、支持部３１よりも外周側部分には、該支持部３１よりも上方に突出し、基板Ｗをこれら支持部３１上に位置決めするための位置決め部（壁部）３４が設けられている。
本実施の形態のサセプタ３０、このサセプタ３０を備えるエピタキシャルウェーハ製造装置（図示略）およびサセプタ３０を用いて行うエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、上記の第１の実施の形態と比べて、連通部２２が拡大しているため、より一層好適にオートドープを抑制することができる。
【００２５】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体基板を支持した状態で、該半導体基板の主裏面に臨む面と半導体基板との間の雰囲気を、当該サセプタ外周の雰囲気に連通させる連通部をサセプタが備えるので、気相成長時の加熱によって半導体基板から外方拡散するドーパント、或いは、気相エッチングにより半導体基板内から放出されるドーパントを、連通部を介してサセプタ外周へと好適に放出できる。よって、これらドーパントが基板の主表面側に回り込んでしまうことを好適に抑制できる。このため、基板の裏面にオートドープ防止用の酸化膜を形成しなくてもオートドープの発生を大幅に抑制でき、結果、ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化が図れる。つまり、ドーパント濃度および抵抗率の面内均一化を、特別な工程を要しないで容易に実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るサセプタの一例を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は基板を支持した状態の（ａ）のＡ−Ａ矢視断面、（ｃ）は基板を支持した状態の（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図２】連通部（溝部）を示す要部拡大斜視図であり、このうち（ａ）はサセプタの外周側から見た図、（ｂ）はサセプタの内周側から見た図である。
【図３】本発明にかかるエピタキシャルウェーハ製造装置の好適な一例を示す模式的な正面断面図であり、特に、気相成長中の状態を示す。
【図４】本発明にかかるエピタキシャルウェーハ製造装置の好適な一例を示す模式的な正面断面図であり、特に、リフトピンにより基板をサセプタ上方に支持した状態を示す。
【図５】シリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率の面内分布を示す図である。
【図６】サセプタの他の例を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図７】図６のサセプタにより基板を支持した状態を示す図であり、このうち（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ矢視断面図である。
【符号の説明】
１０      エピタキシャルウェーハの製造装置
２０      サセプタ
２２      連通部
２４      外周端面
２５      溝部
２１      座ぐり
２１ａ    外周側部分
２１ｂ    内周側部分（基板の支持状態で基板の主裏面に臨む面）
３０      サセプタ
３１      支持部
３２      面（基板の支持状態で基板の主裏面に臨む面）
Ｗ        シリコン単結晶基板（半導体基板）
【図１】
0003972710.tif 000002
【図２】
0003972710.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0003972710.tif 000008