(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の柱状のｐ型熱電半導体とｎ型熱電半導体と、
隣り合った熱電半導体の間隙には絶縁体と、
上面および下面に位置し隣り合ったｐ型とｎ型の熱電半導体に接し、複数の熱電半導体を連続させる電極膜と、
連続した熱電半導体の最端部には引き出しパッドと、
電極膜と引き出しパッドに接する異方性導電シートと、
異方性導電シートに接し、引き出しパッドと相対する位置に接合電極を備えたヒートシンクとを有することを特徴とする熱電素子。
【請求項２】
複数の柱状のｐ型熱電半導体とｎ型熱電半導体と、
隣り合った熱電半導体の間隙には絶縁体と、
上面および下面に位置し隣り合ったｐ型とｎ型の熱電半導体に接し、複数の熱電半導体を連続させる電極膜と、
連続した熱電半導体の最端部には引き出しパッドと、
引き出しパッド以外の電極膜上には絶縁膜と、
引き出しパッド上には導電性接着剤と、
絶縁膜と導電性接着剤または半田材料に接する導電性のヒートシンクとを有することを特徴とする熱電素子。
【請求項３】
前記導電性のヒートシンクを介して外部回路へ接続することを特徴とする請求項２に記載の熱電素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱電対を多数内部に備えた熱電素子に関し、とくに微小な熱電素子において外部に対して安定に接触がとれる構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
熱電対はその両端に温度差を与えることにより電圧を発生し、反対に電極に電圧を与えると温度差を生じる性質をもち、この熱・電気変換特性を利用しようして作られているのが熱電素子である。
【０００３】
たとえば熱電素子は熱を電気エネルギーに変換できる方法として発電素子に、あるいは電気エネルギーで対象物を冷やしたりする冷却素子に応用される。
【０００４】
ところで熱電素子は構造やその動作が簡単なため、他の熱／電気変換システムに比べて微小化に有利なところから発電素子としては腕時計などの携帯用電子機器内部での発電、また冷却素子としてはＩＣなどの局所的な冷却などへの応用が広がっている。
【０００５】
熱電素子として発電あるいは冷却に使われている半導体材料の中でもっとも一般的なのはビスマス（Ｂｉ）とテルル（Ｔｅ）を主成分にしたいわゆるＢｉＴｅ合金である。
この材料は室温近辺で現在もっとも性能がよいため各所で多用されているが、大きな欠点として機械的強度が弱く非常にもろい材料であることがあげられる。
【０００６】
そのため微小な熱電素子を作製するためにいくつかの検討がなされているが、たとえば特開昭６３−２０８８０号公報に一つの作製方法が記載されている。
図２１にはこの公報に開示されている熱電素子の配線前の構造を示す。熱電素子は柱状のｎ型熱電半導体とｐ型熱電半導体と有機樹脂等の絶縁材から構成されている。絶縁材が用いられるのは、半導体材料を機械的に固定するためである。
【０００７】
そして、図２２に示すように、電極膜を配置してｐ型とｎ型の半導体を接続する。電極膜を形成する方法としては、真空蒸着法などの真空技術を用いて金属膜を形成し、その金属膜をフォトリソグラフィーの手法を用いてパターン化することで実現する。
【０００８】
この配線方法を利用する理由は、たとえば半導体材料の断面が１００μｍ角より小さく、その数が１０００以上にもなる微小な熱電素子内部の配線を確実に行うためである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで熱電素子は発電に用いる場合でも冷却素子として用いる場合においても外部の回路と接続しなくては当然ながらその機能を発することはできない。
そして同時に熱電対の温接点と冷接点の外部熱源や冷却対象物への熱的に良好な接触も備えなければならない。
【００１０】
確かに引用の公報の構造をとれば、脆い熱電半導体を用いても小さな熱電素子構造を実現することは出来る。しかし開示されているのは熱電半導体を配線するところまでであり、外部への接続および熱接触に関する確実な方法は示されていない。
たとえばこの熱電素子の温接点あるいは冷接点をなしている電極部分を冷却対象物に接触させると、電極自体は隠れてしまい外部への電気的な接触ができなくなるという問題が生じてしまう。
【００１１】
このように従来例においては微小な熱電素子の外部接続においては有効な手法は開示されていない。
【００１２】
そこで、簡単に考えられる外部への接触の方法としては、リード線を用いそれを半田などで電極へ接続することが考えられる。
しかし、半田付けをすると半田によって電極表面より盛り上がった部分ができてしまい、今度は外部への良好な熱的な接触が難しくなる。
【００１３】
さらには、リードをつけたままその後の実装作業をしなければならないため、リードが切れたり、半田がはずれたりという問題も懸念される。
【００１４】
〔発明の目的〕
そこで本発明の目的は上記の問題を解決し、外部への良好な熱接触をとりつつ安定した電気的接続を有する微小な熱電素子を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため本発明の熱電素子では、複数の柱状のｐ型熱電半導体とｎ型熱電半導体と、隣り合った熱電半導体の間隙には絶縁体と、上面および下面に位置し隣り合ったｐ型とｎ型の熱電半導体に接し、複数の熱電半導体を連続させる電極膜と、連続した熱電半導体の最端部には引き出しパッドと、電極膜と引き出しパッドに接する異方性導電シートと、異方性導電シートに接し、引き出しパッドと相対する位置に接合電極を備えたヒートシンクとを有することを特徴とする。
【００１６】
あるいは本発明の熱電素子においては、複数の柱状のｐ型熱電半導体とｎ型熱電半導体と、隣り合った熱電半導体の間隙には絶縁体と、上面および下面に位置し隣り合ったｐ型とｎ型の熱電半導体に接し、複数の熱電半導体を連続させる電極膜と、連続した熱電半導体の最端部には引き出しパッドと、引き出しパッド以外の電極膜上には絶縁膜と、引き出しパッド上には導電性接着剤と、絶縁膜と導電性接着剤に接する導電性のヒートシンクとを有することを特徴とする。
【００１７】
（作用）
本発明の第１手段によれば、厚さ方向のみに導通がある異方性導電シートを用いることで、引き出しパッドと対向している接合電極のみが電気的に接続され、他の部分は絶縁され良好な電気接触が得られる。
そして同様に異方性導電シートは厚さ方向は熱伝導も良好なため、温接点および冷接点とヒートシンクとの熱接触は良好に保たれる。
【００１８】
さらに本発明の第２の手段によれば、ヒートシンクが同時に外部接触部をかねており、引き出しパッドとの電気接触は導電性接着剤で良好に保たれる。
そして、熱接触も薄い接着層を介しているのみであるから、良好に保つことができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下図面を用いて本発明の熱電素子の構造における最適な実施形態について説明する。
【００２０】
（第１の実施の形態）
はじめに図１〜図８を用いて第１の実施の形態における熱電素子の構造について説明する。まず図１は本発明の熱電素子の全体的な構成を示す断面図である。
熱電素子は大きく分けて熱電素子ブロック５３と異方性導電シート６０とヒートシンク６２とからなっている。
【００２１】
熱電素子ブロック５３は柱状のＢｉＴｅＳｂの焼結体からなるｐ型熱電半導体５１とＢｉＴｅからなるｎ型熱電半導体５２の複数を一定の間隔を持って規則的に配置し、その間隙を埋める形で絶縁体５０を充填する。
絶縁体５０はエポキシ系の樹脂から構成しており、熱電半導体間の絶縁を確保するとともに脆い熱電半導体を強固に固定し、機械的な強度を保つ役割もしている。
【００２２】
この熱電素子ブロック５３の上面５５の構成は図２に示す。柱状の熱電半導体の形状は５０μｍ×８０μｍ×２０００μｍであり、約４ｍｍ角の中に１０００対の熱電対となる半導体が含まれる。
【００２３】
熱電素子ブロック５３の上面５５および下面５６には、電極膜５８を配する。電極膜５８は約１００ｎｍのＣｒ（クロム）膜と約９００ｎｍのＡｕ（金）膜の２層膜からなる。
【００２４】
電極膜５８の上面５５における平面的な配置および下面５６における平面的な配置を図３および図４に示す。電極膜５８は上面と下面において隣り合ったｐ型熱電半導体５１とｎ型熱電半導体５２の端部を交互に接続し、複数の熱電半導体を直列化する構成となっている。
つまり電極膜５８によってｐ型熱電半導体５１とｎ型熱電半導体は複数の連続した熱電対となり、電極膜５８は熱電対の温接点あるいは冷接点をなすことになる。
【００２５】
また電極膜５８と同じ面上には引き出しパッド５９を配置する。引き出しパッド５９は図３に見られるように連続した熱電半導体の最端部に位置している。
【００２６】
さらに上面５５と下面５６には異方性導電シート６０を配置し、その上には絶縁膜（図示せず）で覆われた銅板からなるヒートシンク６２を配置する。
ただし、上面５５に位置しているヒートシンク６２には接合電極６１が備えられている。
【００２７】
接合電極６１が備えられたヒートシンク６２の平面図を図５に示すが、接合電極６１は前述の引き出しパッド５９と相対する位置になるよう構成しており、異方性導電シート６０を介して両者は電気的に接続する形となっている。
【００２８】
異方性導電シート６０はその厚さ方向には電気伝導性および熱伝導性が確保されているが、面方向には絶縁性である。
ゆえに、本発明の熱電素子は熱電素子ブロック５３の外部への電気的取り出しとヒートシンク６２への熱的な接触が同時に可能な構造になっている。
【００２９】
ところで上記の配線の構成では引き出しパッド５９は上面のみに位置することになる。これは、ｐ型およびｎ型の熱電半導体の１対ごとが基本構成となり、全体で熱電半導体は偶数存在するからである。
【００３０】
これに対して必要に応じては直列化するｐ型とｎ型の熱電半導体の数を奇数個にすることにより最終端に位置する引き出しパッド５９を上面５５と下面５６の両方の面に一つずつ位置する様にも構成できる。
このときの電極膜５８のパターンは図６および図７に示す。
【００３１】
このように上面５５と下面５６に一つずつの引き出しパッド５９が配置されている熱電素子ブロック５３に対しては、ヒートシンク６２も一つの接合電極６１を有したものを上下一個ずつ配置することとなる。
そのときの熱電素子の構成は図８に示すようになる。
【００３２】
第１の実施の形態における熱電素子の構造は上述の如くであるが、参考までにその製造方法について記しておく。
【００３３】
図９に示すようにｐ型熱電半導体ブロック１とｎ型熱電半導体ブロック２とを用意する。
ｐ型熱電半導体ブロック１およびｎ型熱電半導体ブロック２は、加工後にそれぞれ柱状のｐ型熱電半導体およびｎ型熱電半導体となる半導体ブロックである。本例ではｐ型熱電半導体ブロック１としてｐ型のＢｉＴｅＳｂの焼結体、ｎ型熱電半導体ブロック２としてｎ型のＢｉＴｅの焼結体を用いる。
【００３４】
つづいて図１０に示す工程では、ｐ型熱電半導体ブロック１に縦溝２６を形成し、縦隔壁２７を残してｐ型溝入ブロック２１とする。同様に、ｎ型熱電半導体ブロック２からｎ型溝入ブロック２２を形成するが、この時、ｐ型溝入ブロック２１とｎ型溝入ブロック２２とで、縦溝のピッチを同一にし、かつ、一方のブロックの縦溝幅が他方のブロックの縦隔壁幅よりも大きくなるようにする。
【００３５】
縦溝２６の加工は、ワイヤーソーによる研磨加工により行い、それぞれのブロックには深さ３ｍｍ（外形の４ｍｍを厚さ方向とする）、ピッチ１２０μｍ、幅７０μｍの縦溝２６を形成する。
【００３６】
図１１の工程では、図１０に示したｐ型溝入ブロック２１とｎ型溝入ブロック２２で、互いに縦溝２６に相手の縦隔壁２７を挿入し合って組み合わせて一体化する。
組み合わせた２つのブロックは嵌合部に接着層４０を設けて固着することで一体化ブロック３とする。
【００３７】
接着層４０に用いる接着剤としては低粘度の常温硬化型のエポキシ系の接着剤を用い、毛管現象により接着剤を縦溝２６と縦隔壁２７との隙間に充填することで、両ブロック固着とともに絶縁性も確保できる。
【００３８】
さて、このように図１１において完成した一体化ブロック３は、次に図１２で示した再度の溝加工工程により横溝４６を形成し、溝入一体化ブロック４３にする。横溝４６の加工は図１０での縦溝２６の工程と同様に実施し、残った部分が横隔壁４７となる。
【００３９】
すなわちワイヤーソーによる研磨加工により横溝４６を形成し、本例ではピッチ１２０μｍ、幅４０μｍ、深さ３ｍｍの横溝４６を形成する。なお、溝幅４０μｍはワイヤーソー加工での細幅としてのほぼ限界値である。
【００４０】
図１２の工程に続いて、図１３に示すように横溝４６にエポキシ系の絶縁性樹脂を充填し硬化して絶縁樹脂層５４を形成する。絶縁樹脂層５４で固めた溝入一体化ブロック４３は、その上下面を研削で除去し、独立した柱状のｐ型熱電半導体とｎ型熱電半体となるように仕上げ、図１４に示す熱電素子ブロック５３を形成する。前記図１１に示した接着層４０と図１３に示した絶縁樹脂層５４は、電気的な絶縁を得るという同じ機能を持つ層なので、図１４以降では両者あわせて絶縁体５０とする。
【００４１】
図１４に示す熱電素子ブロック５３の上面５５、下面５６においてｐ型熱電半導体５１とｎ型熱電半導体５２の配線を行う。ニッケルからなる金属板に開口部を設け、開口部と、上面５５におけるｐ型熱電半導体５１とｎ型熱電半導体５２とが重なるように位置合わせを行い、熱電素子ブロック５３の上面５５に金属板を密着させる。
【００４２】
この配線は蒸着法により膜を形成して行う。蒸着膜にはＣｒとＡｕの２層膜を用いる。これにより、熱電素子ブロック５３の上面５５には、電極膜５８により図３の配線パターンが形成される。
また、蒸着の際２つの引き出しパッド５９も形成する。
【００４３】
熱電素子ブロック５３の下面５６においては、前述とは異なる開口部を有した金属板を用てい、下面５６に金属板を密着させて固定し、金属板をマスクとしてＣｒとＡｕの膜を蒸着により形成する。これにより、熱電素子ブロック５３の下面５６には、電極膜５８により図４の配線パターンが形成される。
【００４４】
つづいて図１５に示すように、上面５５および下面５６には異方性導電シート６０を貼り付ける。
貼り付ける際には約１００℃に加熱することで密着がとれる。異方性導電シート６０は接着力のある樹脂の中に金属微粒子を分散してシート状に成型したものであるが、そのままの状態では含まれる金属微粒子はそれぞれがほとんど接していないように作られているため、シートとしては絶縁性を維持している。
【００４５】
ここに、図１に示すようにヒートシンク６２を約１０ｋｇ／ｃｍ２の力で異方性導電シート６０が多少つぶれるように上下から圧着する。ただし、上面５５に位置したヒートシンクにはあらかじめ接合電極６１を設けてある。
このときさらに１５０℃の温度をかけることで、異方性導電シート６０は変形したまま固着し、さらにはヒートシンク６２も接着される。
【００４６】
ここでヒートシンク６２への接合電極６１形成方法を述べる。表面がＳｉＯ2 などの絶縁膜により覆われた銅板を所定の形状に加工し、さらにＡｕを密着層にＣｒを介して蒸着し、さらにはフォトリソグラフィーの手法を用いてＡｕおよびＣｒをエッチング加工する。
【００４７】
あるいは、銅板を覆っている絶縁膜をフォトリソグラフィーの手法を用いて接合電極６１となる形状にエッチング除去することで、接合電極６１の形状をした穴をあけヒートシンク６２全体を電極とすることもできる。
ただし、この場合は一つのヒートシンク６２に２カ所電極をもうけると両者がショートしてしまうため、１個の接合電極６１のみを形成する時に用いる。
【００４８】
前述したように異方性導電シート６０には金属微粒子が含まれているが、このように上下から押さえつけられつぶれることで金属微粒子は厚さ方向に接触することができる。
そこで、このとき異方性導電シート６０は厚さ方向には導電性および熱伝導性を有することになる。
【００４９】
しかしながら、面方向はあまり変形しないため金属微粒子は初期の分散状態とあまり変わらず、絶縁性を維持したままである。つまり異方性導電シート６０が接している電極膜５８は互いにショートすることはなく、熱電対を連続するのみに働く。
【００５０】
接合電極６１はヒートシンク６２を異方性導電シート６０に圧着する際には、配線面の引き出しパッド５９に対向するような位置にあらかじめ合わせておく。つまり、接合電極６１は引き出しパッド５９の上のみに存在し、他の電極膜５８上には絶縁膜（図示せず）が位置しているため、異方性導電シート６０は引き出しパッド５９と接合電極６１のみを電気的に接続し、熱電素子の出力が外部に取り出せるよう構成されている。
【００５１】
しかし、ほかの電極膜５８は、電気的にはヒートシンク６２側と直接は繋がっていないが、異方性導電シート６０により熱は良好に伝達される構成にもなっている。
【００５２】
（第２の実施の形態）
図１６は本発明の第２の熱電素子の全体的な構成を示すものである。この熱電素子は熱電素子ブロック５３と接着層とヒートシンク６２から構成してなる。熱電素子ブロック５３はｐ型熱電半導体５１とｎ型熱電半導体５２と絶縁体５０と電極膜５８と引き出しパッド５９で構成し、基本的に第１の実施の形態で述べた熱電素子ブロック５３と同じである。
ただしここで、引き出しパッド５９は上面５５と下面５６に一つずつ分けた構成をとっている。
【００５３】
熱電素子ブロック５３の上面５５と下面５６には、接着層として導電性接着剤６５および絶縁膜６６を配する。導電性接着剤６５は金属微粒子を多く含んだエポキシ樹脂系の接着剤であり、絶縁膜６６はアルミナや窒化硼素のような絶縁性微粒子を多く含んだエポキシ系の接着剤である。
【００５４】
そして導電性接着剤６５は引き出しパッド５９の上にのみ配置し、絶縁膜６６は引き出しパッド５９以外の電極膜５８上の全面に配置する。
この２種の接着剤を挟んで熱電素子ブロック５３の上面５５と下面５６には銅板からなるヒートシンク６２を配する。
【００５５】
導体であるヒートシンク６２は導電性接着剤６５により電気的に接続され、熱電素子の出力は外部に容易に出せる構成となる。他の電極膜５８とヒートシンク６２との間には絶縁膜６６が介在するため、電極膜５８同士がショートすることはない。さらに、両接着剤ともに良熱伝導粒子を含んでいるため熱電素子ブロック５３の上面５５，下面５６との熱接触も良好に保てる。
【００５６】
さらに引き出しパッド５９を上面５５のみに２つ配する熱電素子ブロック５３で構成する場合には、図１７に示すように、引き出しパッド５９側のヒートシンク６２は２分割して構成することもできる。
【００５７】
また、上記においては絶縁膜６６として熱伝導性接着剤を用いているが、あらかじめ引き出しパッド５９をのぞく電極膜５８全面にＳｉＯ2 等の絶縁膜６６をコーティングしておけば、導電性接着剤６５は引き出しパッド５９と電気的接触がとれればとくに範囲を選ぶこと無く配置してもよい。
【００５８】
また、導電性接着剤６５には熱電素子ブロック５３の耐熱性に問題がない範囲であれば、半田材料なども用いて構成してもよい。
【００５９】
以上が第２の実施の形態における熱電素子の構成であるが、参考までに製造方法も述べておく。
【００６０】
第２の実施の形態においても、図９から図１４に至る熱電半導体ブロックのワイヤーソー縦溝加工、組み合わせ、接着剤の固着による一体化ブロック４３の形成、ワイヤー横溝加工、絶縁性樹脂の充填、上面と下面の研削による熱電素子ブロック５３の形成、図３から図７に示す蒸着による配線等は第１の実施の形態と同様である。
【００６１】
これに続いて図１８に示すように、引き出しパッド５９の上にのみ導電性接着剤６５をスクリーン印刷法によりコーティングする。さらには引き出しパッド以外の電極膜５８上全面には熱伝導性絶縁接着剤を同様にスクリーン印刷法によりコーティングし、絶縁膜６６を形成する。
【００６２】
さらに図１６に示すように２種の接着剤をコーティングした上には銅板からなるヒートシンク６２を圧着する。このとき同時に約１００℃の温度をかけ接着材を硬化させ、ヒートシンク６２を完全に接着する。
【００６３】
このように構成された熱電素子を発電あるいは冷却を目的として利用する場合の構成を図１９および図２０に示す。本発明の熱電素子は、図のように外部の低温物体７１および高温物体７２にヒートシンクを介して直接接することができることがよくわかる。
【００６４】
またヒートシンク６２に設けた接続電極６１あるいはヒートシンク６２本体から外部回路へ引き出し線７３を用いて接続することができる。
【００６５】
上記２つの実施の形態において熱電半導体にはＢｉＴｅ系の材料を用いているが、ＰｂＴｅ系、ＦｅＳｉ系、Ｉｒ2 Ｓｂ3 系などに代表されるたの熱電材料も用いることができる。
【００６６】
絶縁体にはエポキシ樹脂を用いているが、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂など液状から個体に変化させられるものなら、他の樹脂も用いることができる。
【００６７】
電極膜、引き出しパッド、接合電極はＣｒとＡｕの２層膜を用いているが、他の金属膜、たとえばＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｐｔ、などを１層あるいは２層で用いてもよい。
【００６８】
ヒートシンクには銅板を用いているが、他の材料の鉄あるいはその合金板、アルミ板、真鍮板、Ｔｉ板、Ｓｉ板、セラミック板なども用いることができる。
【００６９】
【発明の効果】
上記の内容から明らかなように、第１の実施の形態によれば、多数のｐ型とｎ型熱電半導体の間隙を絶縁体で満たし、端面を電極膜で配線している微小な熱電素子に対して、厚さ方向のみに導通がある異方性導電シートを用いることで、引き出しパッドと対向している接合電極のみが電気的に接続され、他の部分は絶縁され良好な電気接触が得られる。
そして同様に異方性導電シートは厚さ方向は熱伝導も良好なため、温接点および冷接点とヒートシンクとの熱接触は良好に保たれる。
【００７０】
さらに第２の実施の形態によれば、ヒートシンクが同時に外部接触部をかねており、引き出しパッドとの電気接触は導電性接着剤で良好に保たれる。
そして、熱接触も熱伝導性接着剤あるいは薄い絶縁層を介しているのみであるから、良好に保つことができる。さらに第２の実施の形態ではヒートシンクを接着する場合の位置あわせがほとんど必要ない。
【００７１】
以上のように本発明では、多数のｐ型とｎ型熱電半導体の間隙を絶縁体で満たし、端面を電極膜で配線している微小な熱電素子へのヒートシンクの接着と電気的な外部接続が簡単な構成で、確実に行うことができる。
【００７２】
このように構成された熱電素子は発電あるいは冷却を目的として、熱源にヒートシンクを介して直接接することができ、またヒートシンクの一部あるいは全体から容易に外部回路へ引き出し線で接続することができ、つまりは一般的な電子部品と同様な扱いが可能な素子となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態における熱電素子の全体構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態における熱電素子の一部の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の実施の形態における熱電素子の一部の構成を示す平面図である。
【図４】本発明の実施の形態における熱電素子の一部の構成を示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態における熱電素子の一部の構成を示す平面図である。
【図６】本発明の実施の形態における熱電素子の一部の構成を示す平面図である。
【図７】本発明の実施の形態における熱電素子の一部の構成を示す平面図である。
【図８】本発明の実施の形態における熱電素子の全体構成を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す斜視図である。
【図１０】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す斜視図である。
【図１１】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す斜視図である。
【図１２】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す斜視図である。
【図１３】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す斜視図である。
【図１４】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す斜視図である。
【図１５】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態における熱電素子の全体構成を示す断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態における熱電素子の全体構成を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態における熱電素子の製造方法を示す断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態における熱電素子の使用方法を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態における熱電素子の使用方法を示す断面図である。
【図２１】従来の熱電素子の構成を示す斜視図である。
【図２２】従来の熱電素子の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
５０  絶縁体
５１  ｐ型熱電半導体
５２  ｎ型熱電半導体
５８  電極膜
５９  引き出しパッド
６０  異方性導電シート
６１  接続電極
６２  ヒートシンク
６５  導電性接着剤
６６  絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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