(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体チップを、導電部を支持する基板上で前記導電部に電気的に接続させ、
（ｂ）バンプを、前記基板における前記半導体チップの外側の領域で、少なくとも前記半導体チップよりも高くなるように前記導電部に電気的に接続させ、
（ｃ）型によって前記基板及び前記バンプを挟むことで封止材の空間を形成し、
（ｄ）前記空間に前記封止材を充填することで、前記半導体チップを封止するとともに、前記バンプの前記型に接触する部分を前記封止材から露出させ、
前記（ｄ）工程後に、前記基板を剥がすことで、前記導電部を露出させることを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記半導体チップを電極が形成された面を前記基板とは反対側に向けて配置し、前記電極及び前記導電部をワイヤボンディングする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記半導体チップを電極が形成された面を前記基板に向けて配置する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、複数の前記半導体チップを、前記基板上で平面的に並べて配置し、
前記（ｄ）工程後に、前記基板を剥がすことで前記導電部を露出させた後に、
（ｅ）前記封止材を切断することで、それぞれの前記半導体チップを備える個片にすることをさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記導電部は、２以上の前記半導体チップに電気的に接続される共通の導電部を含み、
前記（ｅ）工程で、前記封止材を、前記バンプのうち前記共通の導電部に形成された共通のバンプごと切断する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記導電部は、複数のランドを含み、
前記（ｂ）工程で、それぞれの前記ランドに前記バンプを形成する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、複数の前記バンプを積み重ねられることで、少なくとも前記半導体チップよりも高くする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
高密度化を図るために三次元実装を実現した半導体装置が開発されている。例えば、半導体チップ同士を積み重ねる構造では、各半導体チップにワイヤボンディングすることで電気的な接続を図ることが多い。しかしながら、これによれば、電極を露出させるために半導体チップの外形が制限されるので、多数の半導体チップを積み重ねるには限界があった。
【０００３】
本発明は、上述した課題を解決するためのものであり、その目的は、三次元実装を実現できる半導体装置を簡単に製造することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、（ａ）半導体チップを、導電部を支持する基板上で前記導電部に電気的に接続させ、
（ｂ）バンプを、前記基板における前記半導体チップの外側の領域で、少なくとも前記半導体チップよりも高くなるように前記導電部に電気的に接続させ、
（ｃ）型によって前記基板及び前記バンプを挟むことで封止材の空間を形成し、
（ｄ）前記空間に前記封止材を充填することで、前記半導体チップを封止するとともに、前記バンプの前記型に接触する部分を前記封止材から露出させることを含む。
【０００５】
本発明によれば、型によって基板及びバンプを挟むことで形成した空間に封止材を充填する。バンプの型に接触する部分には封止材が設けられない。そのため、半導体チップを封止する封止部のうち、導電部とは反対の面からバンプを露出させることができる。したがって、封止部のうち、導電部の面とバンプの面との両方から簡単に電気的な導通を図ることが可能になる。
【０００６】
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記半導体チップを電極が形成された面を前記基板とは反対側に向けて配置し、前記電極及び前記導電部をワイヤボンディングしてもよい。
【０００７】
これによれば、半導体チップを基板にフェースアップ実装してもよい。
【０００８】
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記半導体チップを電極が形成された面を前記基板に向けて配置してもよい。
【０００９】
これによれば、半導体チップを基板にフェースダウン実装してもよい。
【００１０】
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程後に、前記基板を剥がすことで、前記導電部を露出させることをさらに含んでもよい。
【００１１】
これによれば、簡単に導電部を露出させることができる。
【００１２】
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、複数の前記半導体チップを、前記基板上で平面的に並べて配置し、
前記（ｄ）工程後に、
（ｅ）前記封止材を切断することで、それぞれの前記半導体チップを備える個片にすることをさらに含んでもよい。
【００１３】
これによれば、複数の半導体装置を同時に製造することができるので、生産性が向上する。
【００１４】
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記導電部は、２以上の前記半導体チップに電気的に接続される共通の導電部を含み、
前記（ｅ）工程で、前記封止材を、前記バンプのうち前記共通の導電部に形成された共通のバンプごと切断してもよい。
【００１５】
これによれば、製造工程中に形成した１つの導電部及びバンプから、平面的に複数の電気的な接続部を形成することができるので、生産性が向上する。
【００１６】
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記導電部は、複数のランドを含み、
前記（ｂ）工程で、それぞれの前記ランドに前記バンプを形成してもよい。
【００１７】
（８）この半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、複数の前記バンプを積み重ねられることで、少なくとも前記半導体チップよりも高くしてもよい。
【００１８】
これによれば、所望の高さのバンプを簡単に形成することができる。
【００１９】
（９）本発明に係る半導体装置は、上記方法によって製造されてなる。
【００２０】
（１０）本発明に係る半導体装置は、半導体チップと、
前記半導体チップの少なくとも一部を封止する封止部と、
前記封止部の第１の面のうち、前記半導体チップの外側の領域に露出してなり、前記封止部内でワイヤを介して前記半導体チップと電気的に接続されてなる導電部と、
前記封止部の前記第１の面とは反対の第２の面のうち、前記導電部の露出部と重なる領域に露出してなり、前記封止部内で前記導電部から突起してなるバンプと、
を含む。
【００２１】
本発明によれば、半導体チップを封止する封止部のうち、第１及び第２の面の両方から電気的な導通を図ることができる。
【００２２】
（１１）この半導体装置において、
前記導電部を支持し、前記半導体チップがフェースアップ実装された基板をさらに含み、
前記基板には、前記導電部を露出させる穴が形成されてもよい。
【００２３】
（１２）この半導体装置において、
前記穴には、導電材料が埋められてもよい。
【００２４】
これによれば、穴に導電材料が埋められているので、例えば複数の半導体装置を上下に電気的に接続しやすくなる。
【００２５】
（１３）この半導体装置において、
前記バンプ及び前記導電部は、前記封止部の側部に露出してもよい。
【００２６】
（１４）本発明に係る半導体装置は、上記半導体装置が積み重ねられている。
【００２７】
（１５）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が実装されている。
【００２８】
（１６）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００３０】
（第１の実施の形態）
図１〜図９は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す図である。
【００３１】
図１は、基板に複数の半導体チップが搭載された図であり、導電部及びワイヤは省略してある。図２は、図１の部分平面図である。図３は、図２のIII‐III線断面図である。
【００３２】
図１に示すように、基板１０に複数の半導体チップ２０を搭載する。基板１０は、複数の半導体チップ２０の搭載領域１２を有する。すなわち、本実施の形態では、複数の半導体装置を一括して製造する。複数の搭載領域１２は、図１に示すように複数行複数列（マトリクス状）に配置されてもよい。変形例として、基板１０は１つの半導体チップ２０の搭載領域１２を有し、１つの半導体装置を製造してもよい。
【００３３】
本実施の形態では、基板１０は、後工程で剥離されるものである。基板１０の材料は限定されないが、剥離できる程度の可撓性を有することが好ましい。例えば、基板１０は、テープであってもよい。また、基板１０は、エネルギー（例えば光（紫外線など））を加えることで保持力が低下する性質を有してもよい。例えば、基板１０は、紫外線硬化型の樹脂で形成してもよい。
【００３４】
基板１０として、半導体装置用基板（パッケージングに使用される基板）を使用することができる。基板１０は、有機系の材料（例えばポリイミドテープ）で形成してもよい。
【００３５】
図２に示すように、基板１０には、導電部１４が設けられている。導電部１４は、半導体チップ２０（又は搭載領域１２）の外側の領域に形成されている。図２に示す例では、導電部１４は、半導体チップ２０の外側の領域のみに形成されている。変形例として、導電部１４は、半導体チップ２０の外側の領域だけでなく、内側の領域（搭載領域１２）に至るように形成されてもよい。
【００３６】
導電部１４は、半導体装置の製造に使用される配線パターンと同一材料及び同一方法で形成してもよい。導電部１４の材料として、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）などのうち少なくともいずれか１つを使用してもよい。導電部１４の形成方法として、例えば、フォトリソグラフィ技術を適用した後にエッチングしてもよいし、スパッタリングを適用してもよいし、アディティブ法を適用してもよい。導電部１４は、接着材料（図示しない）を介して基板１０に貼り付けられて３層基板を構成してもよいし、接着材料なしで基板１０に形成して２層基板を構成してもよい。
【００３７】
本実施の形態では、後工程で導電部１４と基板１０とを剥離する。そのため、導電部１４の材料及び形成方法として、基板１０から剥離しやすい材料及び形成方法を選ぶことが好ましい。例えば、導電部１４を紫外線硬化型の接着材料によって基板１０に保持させておき、後工程で紫外線を照射して基板１０を剥離してもよい。
【００３８】
図２に示すように、導電部１４はランドであってもよい。図２に示す例では、１つの半導体チップ２０に対応して、複数のランドが設けられている。複数のランドは、半導体チップ２０の周囲（例えば半導体チップの対向する２辺の側）に複数行複数列（マトリクス状）に配置してもよい。こうすることで、導電部１４のピッチ変換が可能になる。したがって、半導体装置の電気的な接続部を一定の面として提供することができ、設計自由度が大幅に向上する。なお、変形例として、導電部１４は、所望の形状にパターニングされた配線パターンであってもよい。
【００３９】
ランドの平面形状は、円形、角形（例えば三角形又は四角形）又はそれらの組み合わせ形状のいずれであってもよい。ランドの大きさ（例えば幅）は、後工程で形成するバンプ３０の大きさ（例えば幅）を考慮して決定することができる。例えば、ランドの幅は、バンプ３０の幅とほぼ同一であってもよい。ランドを設けることで、バンプ３０（例えばハンダボール）が形成しやすくなる。
【００４０】
導電部１４の高さ（又は厚さ）は限定されない。図３に示すように、導電部１４の高さは、半導体チップ２０の高さよりも低くてもよい。変形例として、導電部１４の高さ（少なくともバンプ３０を設ける部分の高さ）は、半導体チップ２０の高さよりも高くてもよい。こうすることで、バンプ３０を小さくすることができるので、例えばバンプ３０をリフローするときにワイヤ２４との接触を確実に回避することができる。
【００４１】
導電部１４は、半導体チップ２０との電気的な接続部１６を有する。図２に示す例では、接続部１６には、ワイヤ２４が接続されている。図２に示すように、接続部１６は、半導体チップ２０の外側の領域に形成されてもよい。接続部１６は、ランドと接続されてもよいし、ランドの一部であってもよい。また、半導体チップ２０が基板１０にフェースダウン実装される場合には、接続部１６は、半導体チップ２０の内側の領域に形成される。
【００４２】
半導体チップ２０の形状は限定されないが、図１に示すように直方体（立方体を含む）をなすことが多い。半導体チップ２０は、図示しないトランジスタやメモリ素子などからなる集積回路が形成されている。図２及び図３に示すように、半導体チップ２０は、集積回路と電気的に接続した少なくとも１つ（多くの場合複数）の電極２２を有する。電極２２は、半導体チップ２０の面の端部に、外形の２辺又は４辺（図２では対向する２辺）に沿って配置されてもよいし、面の中央部に形成されてもよい。電極２２は、アルミニウム系又は銅系の金属で形成されてもよい。また、半導体チップ２０には、電極２２の中央部を避けて端部を覆って、パッシベーション膜（図示しない）が形成されている。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などで形成することができる。
【００４３】
図１に示すように、複数の半導体チップ２０を、基板１０に平面的に並べて搭載する。半導体チップ２０を、電極２２が形成された面を基板１０とは反対側に向けて配置してもよい。すなわち、半導体チップ２０を基板１０にフェースアップ実装してもよい。半導体チップ２０は、接着材料を介して基板１０に貼り付けてもよいし、基板１０自体が保持力（例えば接着力）を有する場合には基板１０に保持させてもよい。
【００４４】
図２及び図３に示すように、半導体チップ２０と導電部１４とを電気的に接続する。ワイヤ２４によって両者の電気的な接続を図ってもよい。その場合、ボールボンディング法を適用してもよい。すなわち、図示しないツール（例えばキャピラリ）の外部に引き出したワイヤ２４の先端部をボール状に溶融させ、その先端部を電極２２に熱圧着する（超音波振動も併用すると好ましい）ことで、ワイヤ２４を電極２２に電気的に接続してもよい。ワイヤ２４を、電極２２、導電部１４の順番にボンディングした場合、図３に示すように電極２２上にはバンプが形成される。なお、図２に示すように、ワイヤ２４は、導電部１４の上方を避けるようにループさせることが好ましい。
【００４５】
変形例として、半導体チップ２０を基板１０にフェースダウン実装してもよい。半導体チップ２０と導電部１４との電気的な接続形態として、導電粒子を含有する異方性導電材料による接合、導電樹脂ペーストによる接合、Ａｕ−Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、ハンダなどによる金属接合、絶縁樹脂の収縮力による接合などの方法があり、そのいずれの方法を用いてもよい。
【００４６】
バンプ３０を導電部１４に電気的に接続する（図４参照）。バンプ３０の形成工程は、半導体チップ２０の搭載工程の前後のいずれに行ってもよく、ワイヤ２４のボンディング工程の前後のいずれに行ってもよい。バンプ３０は、それぞれのランド上に設ける。ランドは半導体チップ２０の外側の領域に設けられるので、バンプ３０を半導体チップ２０の外側の領域に設けることができる。バンプ３０は、半導体チップ２０の高さよりも高くなるように形成する。半導体チップ２０にワイヤ２４がボンディングされる場合には、バンプ３０は、ワイヤ２４のループの頂点よりも高くなるように形成する。
【００４７】
バンプ３０は、ボール状の導電部材（例えばハンダボール）を導電部１４に搭載することで形成してもよい。ハンダボールを搭載する場合には、その後、リフロー工程を行うことが好ましい。あるいは、バンプ３０は、メッキ法（電気メッキ法又は無電解メッキ法）を適用することで形成してもよい。例えば、無電解メッキ法を適用する場合、図示しないレジストの貫通穴内にメッキ材料を形成することで、少なくとも半導体チップ２０の高さよりも高いストレートバンプを形成することができる。
【００４８】
次に、図４に示すように、半導体チップ２０を封止する。詳しくは、型（上型５０及び下型５２）によって、基板１０及びバンプ３０を挟むことで空間（キャビティ）５４を形成し、空間５４内に封止材４０を充填する。詳しくは、上型５０をバンプ４０に接触させ、かつ、下型５２を基板１０に接触させる。上型５０は、それぞれのバンプ３０の一部を潰してもよい。こうすることで、確実にバンプ３０を封止材４０から露出させることができる。上型５０は、ワイヤ２４に非接触にすることが好ましい。なお、上型５０及び下型５２は、モールド工程に使用される金型を使用することができる。
【００４９】
上型５０及び下型５２で形成した空間５４に、封止材４０を充填する。封止材４０には、樹脂を使用すればよい。その場合、樹脂はモールド樹脂と呼ぶこともできる。本実施の形態では、複数の半導体チップ２０を一括封止するので、生産性を向上させることができる。
【００５０】
こうして、図５に示すように、基板１０上に封止部４２を形成する。封止部４２における基板１０とは反対側の面は、平坦な面であってもよい。バンプ３０は、型（上型５０）に接触する部分が封止部４２からの露出部となっている。
【００５１】
本実施の形態では、基板１０を封止部４２から剥がす。導電部１４は封止部４２によって支持されるので、基板１０を剥がすことで導電部１４を封止部４２の面から露出させることができる。また、半導体チップ２０をフェースアップ実装させた場合には、基板１０を剥がすことで半導体チップ２０の一部を露出させる。基板１０が紫外線硬化型の樹脂で形成される場合には、紫外線を照射することで基板１０における導電部１４の保持力を低下させてもよい。こうすることで、簡単に基板１０を剥がすことができる。
【００５２】
こうして、図６に示すように、半導体装置１を製造することができる。半導体装置１は、複数の半導体チップ２０と、封止部４２と、封止部４２の第１の面に露出する導電部１４と、封止部４２の第２の面に露出するバンプ３０と、を含む。バンプ３０の露出部は、導電部１４の露出部と重なる領域に設けられている。半導体装置１は、複数の個片の半導体装置３を製造するための中間製品である。
【００５３】
図６に示すように、半導体装置１を切断する。詳しくは、封止部４２を切断することで、それぞれの半導体チップ２０を備える個片を形成する。切断治具（例えばシリコンウェハの切断に使用されるブレード）５６によって切断してもよい。予め切断ライン（図６では２点鎖線に示すライン）が認識できれば、切断の位置決めが容易になる。
【００５４】
こうして、図７及び図８に示すように、半導体装置３を製造することができる。半導体装置３は、半導体チップ２０と、半導体チップ２０の少なくとも一部を封止する封止部４４と、封止部４４の各面に露出した導電部１４及びバンプ３０と、を含む。
【００５５】
導電部１４は、封止部４４の第１の面４６に露出している。詳しくは、半導体チップ２０の外側の領域に露出している。図８に示すように、導電部１４は、上述の基板１０に支持された面が封止部４４からの露出部となる。導電部１４の露出部には、金属皮膜（例えばメッキ皮膜）６０が形成されてもよい。バンプ３０は、導電部１４の露出部と重なる領域に露出する。バンプ３０の露出部には、金属皮膜（例えばメッキ皮膜）６２が形成されてもよい。図８に示すように、半導体チップ２０の一部（裏面）が露出してもよい。なお、半導体装置３は、スタックド型の半導体装置５を製造するための中間製品であってもよい。
【００５６】
図９には、複数の個片の半導体装置が積み重ねられたスタックド型の半導体装置が示されている。半導体装置５は、回路基板８０に実装されている。回路基板８０には、所望の配線パターン８２が形成され、配線パターン８２と半導体装置５の外部端子７０とが電気的に接続される。外部端子７０は、最下段の半導体装置３の電気的な接続部（図９では導電部１４）に設けられる。半導体装置５と回路基板８０との間には、樹脂などの封止材（アンダーフィル材）８４を設けることが好ましい。なお、半導体装置５の電気的な接続部（例えば最上段の半導体装置３の電気的な接続部（図９ではバンプ３０））は、絶縁材料（例えば絶縁テープ）８６で覆うことが好ましい。
【００５７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、型（例えば上型５０及び下型５２）によって基板１０及びバンプ３０を挟むことで形成した空間５４に封止材４０を充填する。バンプ３０の型（例えば上型５０）に接触する部分には封止材４０が設けられない。そのため、半導体チップ２０を封止する封止部４４のうち、導電部１４とは反対の面からバンプ３０を露出させることができる。したがって、封止部４４のうち、導電部１４の面とバンプ３０の面との両方から簡単に電気的な導通を図ることが可能になる。
【００５８】
本実施の形態に係る半導体装置は、上述の製造方法から選択したいずれかの特定事項から導かれる構成を含み、その効果は上述の効果を備える。本実施の形態に係る半導体装置は、上述の製造方法によって製造されるものを含む。
【００５９】
本発明は、この実施の形態に限定されるものではなく、様々な形態に適用可能である。以下の実施の形態の説明では、他の実施の形態と共通する事項（構成、作用、機能及び効果）は省略する。なお、本発明は、複数の実施の形態を組み合わせることで達成される事項も含む。
【００６０】
（第２の実施の形態）
図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、基板１１を剥離せずに封止部４４に残す。
【００６１】
基板１１は、上述の基板１０が個片に切断されたもので、半導体装置のインターポーザと呼ぶことができる。基板１１には、導電部１４を露出させる穴１８が形成されている。穴１８には、導電材料（例えばメッキなどの金属皮膜６０）が埋められてもよい。その場合、穴１８は、スルーホールと呼ばれる。導電材料を設けることで、複数の半導体装置を積み重ねる場合に、上下の半導体装置の電気的な接続を確実に達成することができる。
【００６２】
（第３の実施の形態）
図１１は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、複数のバンプ３２を積み重ねることで封止部４４の面から露出させる。
【００６３】
バンプ３２は、ワイヤボンディング技術を適用したボールバンプ（例えば金バンプ）であってもよい。すなわち、図示しないツール（例えばキャピラリ）の外部に引き出したワイヤの先端部をボール状に溶融させ、その先端部を導電部１４に熱圧着する（超音波振動も併用すると好ましい）ことで、ワイヤの一部を導電部１４に接合させる。そして、ワイヤの一部を導電部１４に残して、ワイヤを切断する。こうして、導電部１４にバンプ３２を設けることができる。必要があれば、バンプ３２をフラットニングする工程を行ってもよい。バンプ３２の上端面は、平坦な面であることが好ましい。こうすることで、複数のバンプ３２を積み重ねやすくすることができる。
【００６４】
以上の工程を繰り返し行い、導電部１４に複数（図１１では３つ）のバンプ３２を積み重ねる。複数のバンプ３２の積層体の高さは、ワイヤ２４のループの頂点よりも高くなるようにする。これによれば、所望の高さのバンプを簡単に形成することができる。
【００６５】
（第４の実施の形態）
図１２〜図１７は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す図である。本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、第１の実施の形態で説明したように基板１０に複数の半導体チップ２０を搭載した後、２以上の半導体チップ２０を共通の導電部１１４に電気的に接続する。
【００６６】
図１２は、切断工程前の複数の半導体チップを有する半導体装置を示す図であり、基板がすでに剥離されている。本実施の形態では、導電部１１４に２以上の半導体チップ２０を電気的に接続させる。言い換えれば、半導体装置１０１は、２以上の半導体チップ２０に電気的に接続された共通の導電部１１４を含む。例えば、複数の半導体チップ２０が複数行複数列に並ぶ場合に、導電部１１４は、各行又は各列の隣同士の半導体チップ２０に電気的に接続されてもよい。なお、封止部４２に支持される複数の導電部のうち、全部が２以上の半導体チップ２０に電気的に接続されてもよいし（図１５及び図１６参照）、あるいは一部が２以上の半導体チップ２０に電気的に接続されてもよい。
【００６７】
導電部１１４は、複数（図１２では２つ）の電気的な接続部１１６を有してもよい。図１２に示す例では、接続部１１６にはワイヤ２４が接続される。なお、導電部１１４及び接続部１１６の形態は、上述の第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００６８】
図１２に示すように、導電部１１４にバンプ１３０を設ける。バンプ１３０は、２以上の半導体チップ２０と電気的に接続する共通のバンプとなる。なお、第３の実施の形態で説明したように、複数のバンプを積み重ねてもよい。
【００６９】
切断工程では、封止部４２を、共通の導電部１１４及びバンプ１３０ごと切断する。すなわち、封止部４２の切断ライン（図１２では２点鎖線で示すライン）は、導電部１１４及びバンプ１３０のほぼ中心を通る。これによれば、製造工程中に形成した１つの導電部１１４及びバンプ１３０から、平面的に複数の電気的な接続部（例えば２つの導電部１１５及びバンプ１３１）を形成することができるので、生産性が向上する。
【００７０】
こうして、図１３に示すように、半導体装置１０３を製造することができる。図１４は、図１２に示すXIV‐XIV線断面と同一面の側面図であり、図１５及び図１６はこの半導体装置の上面及び下面を示す平面図である。
【００７１】
図１３及び図１４に示すように、半導体装置１０３では、導電部１１５及びバンプ１３１が封止部４４の側部から露出している。なお、導電部１１５及びバンプ１３１には、それぞれ金属皮膜６０、６２が設けられてもよい。
【００７２】
図１５に示すように、封止部４４の一方の面（第２の面）には、バンプ１３１が露出している。そして、図１６に示すように、封止部４４の他方の面（第１の面）には、導電部１１５が露出している。バンプ１３１の露出部は、導電部１１５の露出部と重なる領域に設けられている。
【００７３】
図１７には、複数の個片の半導体装置が積み重ねられたスタックド型の半導体装置が示されている。半導体装置１０５は、回路基板８０に実装されている。これらの形態は、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。なお、半導体装置１０５の電気的な接続部（例えば複数の半導体装置１０３の側部及び最上段の半導体装置１０３のバンプ１３１）は、絶縁材料８６で覆うことが好ましい。
【００７４】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法によれば、導電部１１４及びバンプ１１５を切断するので、小型の半導体装置を製造することができる。
【００７５】
本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図１８にはノート型パーソナルコンピュータ１０００が示され、図１９には携帯電話２０００が示されている。
【００７６】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図３】図３は、図２のIII−III線断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図８】図８は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図９】図９は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１６】図１６は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１９】図１９は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０  基板
１１  基板
１４  導電部
１８  穴
２０  半導体チップ
２４  ワイヤ
３０  バンプ
３２  バンプ
４０  封止材
４２  封止部
４４  封止部
４６  第１の面
４８  第２の面
５０  上型
５２  下型
５４  空間
１１４  導電部
１１５  導電部
１３０  バンプ
１３１  バンプ
【図１】
0003972182.tif 000002
【図２】
0003972182.tif 000003
【図３】
0003972182.tif 000004
【図４】
0003972182.tif 000005
【図５】
0003972182.tif 000006
【図６】
0003972182.tif 000007
【図７】
0003972182.tif 000008
【図８】
0003972182.tif 000009
【図９】
0003972182.tif 000010
【図１０】
0003972182.tif 000011
【図１１】
0003972182.tif 000012
【図１２】
0003972182.tif 000013
【図１３】
0003972182.tif 000014
【図１４】
0003972182.tif 000015
【図１５】
0003972182.tif 000016
【図１６】
0003972182.tif 000017
【図１７】
0003972182.tif 000018
【図１８】
0003972182.tif 000019
【図１９】
0003972182.tif 000020