(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
その内部が薄膜形成室となっている処理容器と、
前記薄膜形成室内で基板を保持する基板保持手段と、
前記薄膜形成室内で前記基板保持手段に対向配置され、シートフィルムに形成される薄膜を前記基板に向けた状態で該シートフィルムを保持するフィルム保持手段と、
前記基板保持手段および前記フィルム保持手段のうち少なくとも一方を移動させることで、前記基板と前記シートフィルムとを相互に押し付けて前記薄膜を前記基板に転写する加重手段と、
前記薄膜形成室に連通されて前記薄膜形成室内を排気する排気部と、前記排気部と前記薄膜形成室との間に介挿されて前記薄膜形成室から前記排気部への単位時間当たりの排気量を調整可能な排気調整部と、前記基板と前記シートフィルムとを相互に押し付けることにより実行される前記基板への前記薄膜の転写前における単位時間当たりの排気量を前記基板への前記薄膜の転写中における単位時間当たりの排気量よりも少なくなるように前記排気調整部を制御して前記薄膜形成室内の圧力を調整する圧力調整部とを備える圧力制御手段と
を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記圧力制御手段は、前記薄膜形成室に連通されて前記薄膜形成室を排気する排気部と、前記排気部と前記薄膜形成室との間に介挿されて前記薄膜形成室から前記排気部への単位時間当たりの排気量を調整可能なバルブと、前記基板と前記シートフィルムとを相互に押し付けることにより実行される前記基板への前記薄膜の転写前における前記バルブの開度を前記薄膜形成室から前記排気部への単位時間当たりの排気量が前記排気部の最大排気量の約１０％となるように制御するとともに前記基板への前記薄膜の転写中は前記薄膜形成室から前記排気部への単位時間当たりの排気量が前記排気部の最大排気量の約１００％となるように前記バルブの開度を制御して前記薄膜形成室内の圧力を調整する圧力調整部とを備えている請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
前記圧力制御手段は、前記薄膜形成室に連通されて前記薄膜形成室内を排気する排気ポンプと、前記排気ポンプに電圧を印加して前記排気ポンプの単位時間当たりの排気量を制御するとともに、前記基板と前記シートフィルムとを相互に押し付けることにより実行される前記基板への前記薄膜の転写前において前記排気ポンプに印加する電圧を、前記基板への前記薄膜の転写中において前記排気ポンプに印加する電圧よりも低く制御して前記薄膜形成室内の圧力を調整する圧力調整部とを備えている請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項４】
薄膜形成室内で基板とシートフィルムとを相互に押し付けることにより前記シートフィルムの基板側主面に形成されている薄膜を前記基板に転写して薄膜を形成する薄膜形成装置において、
前記薄膜形成室を排気する排気手段と、
前記基板と前記シートフィルムとを相互に押し付けることにより実行される前記基板への前記薄膜の転写前における前記排気手段による前記薄膜形成室からの単位時間当たりの排気量を、前記基板への前記薄膜の転写中における前記排気手段による前記薄膜形成室からの単位時間当たりの排気量よりも少なくなるように調整し前記薄膜形成室内の圧力を制御する圧力制御手段と
を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項５】
薄膜形成室内で基板とシートフィルムとを相互に押し付けることにより前記シートフィルムの基板側主面に形成されている薄膜を前記基板に転写して薄膜を形成する薄膜形成方法において、
前記基板と前記シートフィルムとを相互に押し付けることにより実行される前記基板への前記薄膜の転写前における前記薄膜形成室からの単位時間当たりの排気量を、前記基板への前記薄膜の転写中における前記薄膜形成室からの単位時間当たりの排気量よりも少なくなるように調整することで前記薄膜形成室内の圧力を制御することを特徴とする薄膜形成方法。
【請求項６】
薄膜形成室内で基板とシートフィルムとを相互に押し付けることにより前記シートフィルムの基板側主面に形成されている薄膜を前記基板に転写して薄膜を形成する薄膜形成方法において、
前記基板と前記シートフィルムとを相互に押し付けることにより実行される前記基板への前記薄膜の転写前における前記薄膜形成室からの単位時間当たりの排気量を制御する電圧を、前記基板への前記薄膜の転写中における前記薄膜形成室からの単位時間当たりの排気量を調整する電圧よりも低くなるように調整することで前記薄膜形成室内の圧力を制御することを特徴とする薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、薄膜形成室内で基板とシートフィルムとを相互に押し付けることによりシートフィルムに予め形成されている絶縁膜などの薄膜を基板に転写して薄膜を形成する薄膜形成装置および薄膜形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩの製造に用いるウエハの大口径化や液晶パネルなどの大面積化に伴い、大面積に適合した薄膜形成方法が必要となってきた。また、ＬＳＩ製造技術における多層配線技術の分野においては、多層配線を実現するために絶縁膜の表面を高い精度で平坦化する必要があり、大面積化に加えて、薄膜形成における表面の平坦化技術への要求も高まってきている。そこで、これらの要求を満足すべく、加圧転写方法によって基板に薄膜を形成する薄膜形成技術が提案されている。
【０００３】
この薄膜形成装置としては、例えば特開平１０−１８９５６６号公報に記載された装置がある。この装置では、処理容器の内部に形成される薄膜形成室内において、加熱ヒータを内蔵する試料台が設けられており、薄膜形成対象となる半導体ウエハや液晶パネル用ガラス基板など（以下、「基板」という）を保持可能となっている。また、薄膜形成室内には、試料台の下方に転写板が試料台と対向しながら配置されており、シートフィルムに形成される薄膜を試料台上の基板に対向させながら、該シートフィルムを保持している。なお、この転写板にも、試料台と同様に、加熱ヒータが設けられており、転写板に保持されたシートフィルムを加熱可能となっている。
【０００４】
また、この薄膜形成室には真空ポンプが連通されており、基板を試料台によって保持するとともに、シートフィルムを転写板に保持し、さらに薄膜形成室を密閉した後、真空ポンプによって薄膜形成室内を排気する。また、真空ポンプで薄膜形成室内を排気減圧しながら、基板を保持する試料台と、シートフィルムを保持する転写板とを相互に近接移動させることによって、基板とシートフィルムとを相互に押し付けてシートフィルム上の薄膜を基板に転写する。こうして、基板上に薄膜を形成すると、基板とシートフィルムとを元の位置に移動させた後、薄膜形成室内を大気圧に戻し、薄膜が形成された基板と、薄膜転写後のシートフィルムとを処理容器から搬出している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来の加圧転写方式の薄膜形成装置では、基板およびシートフィルムをそれぞれ試料台および転写板にセットした後、真空ポンプによる薄膜形成室の排気減圧を行いながら、基板への薄膜の転写を実行している。しかしながら、従来装置では、真空ポンプにより単に薄膜形成室を排気減圧しているのみで、転写開始前および転写中における薄膜形成室内の圧力（真空度）に関して、特段の配慮がなされておらず、薄膜形成を良好に行う上で改良の余地が残されている。例えば、薄膜を基板に良好に転写するためには薄膜がある程度の流動性を有している必要があるが、転写開始前に薄膜形成室内の圧力が大幅に減圧されてしまうと、その圧力低下によって薄膜材料の溶媒成分が大量に揮発し、その結果、転写開始時点ですでに薄膜の流動性が損なわれてしまい、基板への薄膜の転写を良好に行うことができない場合がある。逆に、転写中に薄膜形成室の減圧が十分に行われていないと、薄膜を基板に転写した際に基板に形成されているパターン、例えばコンタクトホール等と薄膜との間に空隙（ボイド）が残ってしまい、良好な転写が行われない場合があった。このように、薄膜形成室内の圧力に関しては、転写開始前と転写中とで相互に最適値が異なっており、良好な転写処理を実行するためには、薄膜形成室内の圧力を柔軟に、しかも精度良く制御することが重要となってくるが、従来装置ではかかる圧力制御が困難であった。
【０００６】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板への薄膜の転写を良好に行うことができる薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
すでに「発明が解決しようとする課題」の項で説明したように、基板への薄膜の転写開始前と転写中においては、良好な転写処理を実行するために要望される圧力値（真空度）が相違しているが、この発明では、それぞれにおいて薄膜形成室内の圧力を各々に適した値に制御している。
【０００８】
この発明にかかる薄膜形成装置は、上記目的を達成するため、その内部が薄膜形成室となっている処理容器と、薄膜形成室内で基板を保持する基板保持手段と、薄膜形成室内で基板保持手段に対向配置され、シートフィルムに形成される薄膜を基板に向けた状態で該シートフィルムを保持するフィルム保持手段と、基板保持手段およびフィルム保持手段のうち少なくとも一方を移動させることで、基板とシートフィルムとを相互に押し付けて薄膜を基板に転写する加重手段と、薄膜形成室に連通されて該薄膜形成室を排気する排気部と、排気部と薄膜形成室との間に介挿されて薄膜形成室から排気部への単位時間当たりの排気量を調整可能な排気調整部と、基板とシートフィルムとを相互に押し付けることにより実行される基板への薄膜の転写前における単位時間当たりの排気量を基板への薄膜の転写中における単位時間当たりの排気量よりも少なくなるように排気調整部を制御して薄膜形成室内の圧力を調整する圧力調整部とを備える圧力制御手段とを備えている。
【０００９】
このように構成された装置では、加重手段により基板とシートフィルムとを相互に押し付けることで基板への薄膜の転写を実行するとともに、薄膜形成室内を排気する排気部および該排気部による単位時間当たりの排気量を調整する排気調整部により薄膜形成室内の圧力を制御する。また、排気量調整部は、加重手段により基板とシートフィルムとが相互に押し付けられて基板への薄膜の転写が開始される前における排気量を、基板への薄膜の転写が開始された後における排気量よりも少なく調整する。これにより、転写が開始される前は、シートフィルムに形成された薄膜の流動性が損なわれることを防止するとともに、転写が開始された後は、薄膜形成室内が十分に減圧されるため空隙（ボイド）の発生を防止することができる。したがって良好な転写が可能となる。
【００１０】
また、この発明にかかる薄膜形成装置および方法は、基板とシートフィルムとを相互に押し付けて基板への薄膜の転写が開始される前における排気量を、基板への薄膜の転写が開始された後における排気量よりも少なく調整する。
【００１１】
このように構成された発明では、転写が開始される前は、シートフィルムに形成された薄膜の流動性が損なわれることを防止するとともに、転写が開始された後は、薄膜形成室内が十分に減圧されるため空隙（ボイド）の発生を防止することができる。したがって良好な転写が可能となる。
【００１２】
なお、この明細書において、「転写処理」とは薄膜形成室に搬送されてきた基板およびシートフィルムを相互に近接移動させることで両者を相互に当接させ、さらに両者を相互に押し付けてシートフィルムに形成された薄膜を基板に転写するまでの一連の処理を意味している。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明にかかる薄膜形成装置の一実施形態を示す図である。また、図２は図１の薄膜形成装置の部分拡大断面図である。この薄膜形成装置は、その内部が後述するようにして転写処理を行う薄膜形成室１１となっている処理容器１を有している。また、この処理容器１の側面底部には、排気口１２が設けられており、この排気口１２に薄膜形成室１１の圧力を調整する圧力制御ユニット２が接続されている。
【００１４】
この圧力制御ユニット２では、バタフライバルブ２１を介して真空ポンプ２２が薄膜形成室１１と連通されており、バタフライバルブ２１を開いた状態で、装置全体を制御する制御部３からの動作信号に応じて真空ポンプ２２が作動すると、薄膜形成室１１内が排気減圧される。また、圧力制御ユニット２には、バタフライバルブ２１の開度をコントロールするバルブコントローラ２３が設けられており、制御部３からの開度信号に応じてバルブコントローラ２３がバタフライバルブ２１の開閉、さらには開度を調整することで薄膜形成室１１からの単位時間当たりの排気量を調整し、薄膜形成室１１内の圧力（真空度）を制御可能となっている。このように、この実施形態では、バタフライバルブ２１、真空ポンプ２２およびバルブコントローラ２３がそれぞれ本発明の「排気調整部」、「排気部」および「圧力調整部」として機能し、薄膜形成室１１内の圧力を調整可能となっている。なお、この実施形態では、薄膜形成室１１内の圧力を精度良く制御するために、薄膜形成室１１内の圧力を測定する圧力計３１を設け、この圧力計３１の測定結果を制御部３に出力し、この測定結果に基づくフィードバック制御を実行している。
【００１５】
また、この処理容器１の上面周縁部には、導入口１３が設けられており、この導入口１３を介して一定流量の窒素ガスが薄膜形成室１１内に供給されている。すなわち、この導入口１３はマスフローコントローラ１４を介して窒素ガス供給源（図示省略）と接続されており、制御部３から与えられるガス供給信号に基づきマスフローコントローラ１４が導入口１３を介して薄膜形成室１１に供給される窒素ガスの流入量をコントロールしている。なお、この実施形態では、後で説明する転写処理を良好に行うために窒素ガスを供給しているが、薄膜形成室１１に供給するガス種はこれに限定されるものではなく、転写処理に適したガスを供給すればよい。
【００１６】
こうして圧力調整の対象となっている薄膜形成室１１には、第１、第２のプレート４，５が上下に対向して収容されている。これらのプレートのうち、第１のプレート４は、第２のプレート５と対向する下面に薄膜形成対象である基板Ｗを保持可能となっており、本発明の「基板保持手段」として機能している。ここで、薄膜形成対象となる基板Ｗとしては、例えば円板状に形成された半導体ウエハと、この半導体ウエハ上に電極配線としてＡｌ配線をパターニング形成した構造を有するものがあり、以下においては、この基板Ｗのパターニング形成面側に後述する絶縁膜（薄膜）を転写する場合について説明する。
【００１７】
この第１のプレート４の下面には、平坦性を確保するために研磨された石英板４１が設けられており、この石英板４１に基板Ｗが装着される。このように基板Ｗと直接接触する板材４１として石英を用いた理由は、石英が基板Ｗを汚染する物質を含まないこと、および加工性がよく、必要とする平坦性が容易に得られることなどからである。
【００１８】
また、第１のプレート４には、加熱手段として加熱ヒータ６が内蔵されている。この加熱ヒータ６は制御部３から与えられる基板温度信号に基づきヒータコントローラ６１によって制御され、２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱制御される。そして、第１のプレート４は処理容器１内に吊設され、加重モータ７１によって昇降されるように構成されている。
【００１９】
また、もう一方のプレート、つまり第２のプレート５は、第１のプレート４の下方に軸線を一致させて配設され、その上面でシートフィルム８を保持可能となっており、本発明の「フィルム保持手段」として機能している。すなわち、この第２のプレート５は、プレート本体５１と、そのプレート本体５１の上面側でシートフィルム８を保持可能な石英製のステージ５２と、シートフィルム８を加熱する加熱ランプ５３とで構成されている。このシートフィルム８は基板Ｗより大きい円形に形成され、表面には薄膜となる絶縁膜８１が形成されている。本実施形態においては、シートフィルム８として熱可塑性樹脂フィルム８２を用いている。薄膜としてはＳＯＧ材料の絶縁膜形成用塗布液を用い、これをシートフィルム８上に塗布することにより１μｍ以上の厚さで絶縁膜８１が形成されている。
【００２０】
このプレート本体５１の上面側には、基板Ｗの平面サイズよりも若干大きな平面サイズで、しかも図２に示すように第１のプレート４を望むように凹部５１１が形成されている。この凹部５１１内には４本の加熱ランプ５３が埋設されるとともに、さらに凹部５１１の開口位置に石英製ステージ５２が配置されている。そして、石英製ステージ５２の上面に、シートフィルム８に形成された絶縁膜８１を上記のように第１のプレート４に保持された基板Ｗに向けた状態で、シートフィルム８が載置可能となっている。
【００２１】
また、プレート本体５１の周縁部には、フィルム保持・緊張部９が配置されており、石英製ステージ５２に載置されたシートフィルム８を絶縁膜８１の転写時に保持するとともに、後で詳述するタイミングでシートフィルム８を緊張させる。
【００２２】
また、加熱ランプ５３は、図１に示すように、ランプコントローラ５４と電気的に接続されており、制御部３から与えられるランプ制御信号に基づきランプコントローラ５４が加熱ランプ５３を点灯／消灯制御する。このため、例えば制御部３から加熱ランプ５３を点灯させる旨のランプ制御信号がランプコントローラ５４に与えられると、加熱ランプ５３が点灯し、加熱ランプ５３から放射される熱線が石英製ステージ５２を通過してシートフィルム８に照射される。これによって、シートフィルム８が２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱される。
【００２３】
さらに、第２のプレート５は、支え板７２上において複数の圧縮コイルばね７３によって弾性支持されて配設されることにより、基板Ｗとシートフィルム８を押し付けたとき加重圧力が均一になるようにしている。また、支え板７２は、支柱７４によって上下動自在に保持され、加重モータ７５によって昇降されるように構成されている。このように、この実施形態では、加重モータ７１，７５によって２つのプレート４，５を互いに逆方向に昇降移動させることで次に説明する薄膜形成手順（転写処理）を行っており、加重モータ７１，７５が本発明の「加重手段」として機能している。
【００２４】
次に、上記した薄膜形成装置を使用した薄膜形成手順について説明する。本実施形態においては、第１のプレート４の下面に基板Ｗがパターニング形成面（電極配線を形成した面）を下に向けて装着される。また、第２のプレート５のステージ５２の上方には、図２の１点鎖線で示したシートフィルム８が絶縁膜８１を上に向けて供給され、外周縁部がフィルム保持・緊張部９によって保持される。なお、この段階では、フィルム保持・緊張部９によるシートフィルム８の緊張は行われていない。
【００２５】
こうして、基板Ｗおよびシートフィルム８の搬入および装着が完了する（時刻ｔ1）と、制御部３が予めメモリ（図示省略）に記憶されている転写プログラムにしたがって装置各部を制御し、次に説明する転写処理を実行して絶縁膜８１を基板Ｗに転写する。以下、図３を参照しつつ転写処理について詳述する。なお、同図中のグラフは薄膜形成室１１内の圧力を示すグラフであり、同図中の太実線が本実施形態におけるバタフライバルブ２１の開度状態を示しており、開度が大きくなるにしたがって単位時間当たりの排気量が多くなる。
【００２６】
（１）まず、時刻ｔ1で制御部３からバルブコントローラ２３に、バタフライバルブ２１を１０％開く旨の開度信号が出力される。この信号を受けてバルブコントローラ２３は完全に閉じられたバタフライバルブ２１を一部開いて作動させて真空ポンプ２２による最大排気量の約１０％で薄膜形成室１１の排気減圧を開始する。すると、図３の上段グラフ中の実線（ＡＰＣ有り）に示すように、薄膜形成室１１の圧力は徐々に低下していく。また、時刻ｔ1において、制御部３はマスフローコントローラ１４にガス供給信号を発する。これにより、マスフローコントローラ１４は薄膜形成室１１内の圧力にかかわらず、導入口１３から供給される窒素ガスの流量を一定量に維持する。
【００２７】
（２）そして、所望の圧力まで減圧されると、ヒータコントローラ６１からの制御信号によって加熱ヒータ６に通電して第１のプレート４を約２００°Ｃ程度に加熱し、基板Ｗを所望の温度に加熱する。また、シートフィルム８側についても、加熱ランプ５３を点灯させることで第２のプレート５を約１００°Ｃ程度に加熱するとともに、制御部３より加重モータ７５に信号が送られ、プレート５の昇降移動を開始する。これによって第２のプレート５がシートフィルム８の位置まで上昇してステージ５２をシートフィルム８に接触させる。これによって、シートフィルム８は加熱されて伸張し波状の弛みが発生する。そこで、この実施形態では、フィルム保持・緊張部９によってシートフィルム８を緊張させて熱膨張による波状の弛みを取り除いている。
【００２８】
（３）また、シートフィルム８の緊張とともに、加重モータ７１の駆動によって第１のプレート４を下降させて基板Ｗをシートフィルム８に押し付けて基板Ｗへの絶縁膜８１の転写を開始するとともに、バタフライバルブ２１を１００％開く旨の開度信号を受けてバルブコントローラ２３がバタフライバルブ２１を完全に開いて真空ポンプ２２による最大排気量で薄膜形成室１１を排気減圧する（時刻ｔ2）。こうすることで、図３の上段グラフ中の実線（ＡＰＣ有り）に示すように、薄膜形成室１１の圧力は急激に低下しながら、同時に基板Ｗへの絶縁膜８１の転写が実行される。この転写中（時刻ｔ2以降）においては、バタフライバルブ２１を全開させた状態のまま、基板Ｗとシートフィルム８とは所定の加重で一定時間加圧される。その間も基板Ｗとシートフィルム８は所定の温度となるように加熱されている。
【００２９】
（４）そして、一連の加重操作が終了して転写処理が完了すると、加重の状態が零となるように制御部３から加重モータ７１，７５に信号を送り、第１、第２のプレート４，５を元の初期位置に復帰させる。また、両プレート４，５が初期位置に戻った後、バタフライバルブ２１を閉じるとともに、真空ポンプ２２を停止させる。
【００３０】
（５）次に、薄膜形成室１１の圧力が大気圧に戻るのを待って、制御部からマスフローコントローラ１４にガス供給の停止信号を発する。これにより、薄膜形成室１１への窒素ガスの供給は停止する。また、絶縁膜８１を挟んでシートフィルム８と一体となった状態の基板Ｗを薄膜形成室１１から取り出し、シートフィルム８を剥離することによって絶縁膜８１が形成された基板Ｗを得る。
【００３１】
以上のように、この実施形態によれば、圧力制御ユニット２を設け、上記した動作（１）から（３）からなる転写処理を行っている間、単位時間当たりの排気量を制御して薄膜形成室１１内の圧力を調整しているため、絶縁膜８１を基板Ｗのパターニング形成面に良好に転写することができる。その理由を従来装置と対比して説明する。
【００３２】
従来装置では、転写処理を実行している間、薄膜形成室１１内の圧力を図３の２点鎖線で示すように制御している。すなわち、時刻ｔ1で直ちに真空ポンプ２２の最大排気量で薄膜形成室１１を排気減圧しているため、時刻ｔ1から薄膜形成室１１内の圧力が急速に低下し、その減圧状態（高真空度状態）のまま基板Ｗおよびシートフィルム８の加熱、ならびにシートフィルム８の緊張を行っているため、絶縁膜８１の乾燥が進行して絶縁膜８１の流動性が大きく損なわれてしまい、その後、時刻ｔ2で基板Ｗをシートフィルム８に押し付けて基板Ｗへの絶縁膜８１の転写を開始した際に絶縁膜８１が基板Ｗのパターニング形成面に沿って密着されないことがある。
【００３３】
これに対し、本実施形態によれば、基板Ｗへの絶縁膜８１の転写を開始する前（時刻ｔ1〜ｔ2）においては、バタフライバルブ２１の開度を小さくすることで真空度の上昇を抑えて絶縁膜８１の溶媒成分の揮発を抑制し、転写開始時点（時刻ｔ2）での絶縁膜８１の流動性を確保しているので、上記問題を解消することができる。しかも、転写開始時点からバタフライバルブ２１を全開して薄膜形成室１１の圧力を急激に低下させているので、基板Ｗへの絶縁膜８１の転写は常に低圧状態（高真空度）で実行することができ、良好な転写を行うことができる。また、本実施形態によれば、マスフローコントローラ１４を介して薄膜形成室１１内に窒素ガスを供給しつつ排気口１２から薄膜形成室１１内の雰囲気を排出している。このため,薄膜形成室１１内に浮遊している汚染物質や、不要な溶媒の蒸気を該薄膜形成室１１から排出することができ、良好な転写を行うことができる。
【００３４】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、時刻ｔ1から時刻ｔ2までの間、バタフライバルブ２１の開度を１０％に設定し、時刻ｔ2以降において１００％に設定しているが、各開度値はこれに限定されるものではなく、少なくとも基板Ｗへの絶縁膜８１の転写前における単位時間当たりの排気量が基板Ｗへの絶縁膜８１の転写中における単位時間当たりの排気量よりも少なくなるように設定することで同様の作用効果が得られる。ただし、同一圧力下において絶縁膜８１の材料によって溶媒の揮発度合いが相違することがあるため、絶縁膜８１の材料に応じてバタフライバルブ２１の開度値を設定するのが望ましい。
【００３５】
また、上記実施形態では、転写開始前（時刻ｔ1から時刻ｔ2までの間）においてバタフライバルブ２１の開度を１０％に固定しているが、バタフライバルブ２１の開度を連続的に、あるいはステップ的に変化させるようにしてもよい。
【００３６】
また、上記実施形態では、排気調整部としてバタフライバルブ２１を用いて薄膜形成室１１内の圧力を調整制御しているが、薄膜形成室１１から真空ポンプ２２への排気量を調整可能な調圧機構であれば、この調圧機構をバタフライバルブ２１の代わりに排気調整部として用いることができる。
【００３７】
また、上記実施形態では、排気部として真空ポンプ２２を用いているが、薄膜形成室内を排気することができる排気機構であれば、この排気機構を真空ポンプ２２の代わりに排気部として用いることができる。
【００３８】
また、上記実施形態では、バルブコントローラ２３によりバタフライバルブ２１を制御することで単位時間当たりの排気量を制御しているが、図４および図５に示すように真空ポンプ２２に印加する電圧を制御することで単位時間当たりの排気量を制御するようにしてもよい。
【００３９】
図４は、この発明にかかる薄膜形成装置の他の実施形態を示す図である。この実施形態が図１の実施形態と大きく相違する点は、バタフライバルブ２１およびバルブコントローラ２３の代わりに駆動電圧コントローラ２４を設けている点である。なお、その他の構成は同一である。この薄膜形成装置では、図５に示すように、真空ポンプ２２に印加する駆動電圧を制御することで真空ポンプ２２の排気能力を変化させている。すなわち、基板Ｗへの絶縁膜８１の転写を開始する前（時刻ｔ1〜ｔ2）においては、真空ポンプ２２に印加する駆動電圧を低く設定することで単位時間当たりの排気量を抑制し、真空度の上昇を抑えている。これによって絶縁膜８１の溶媒成分の揮発を抑制し、転写開始時点（時刻ｔ2）での絶縁膜８１の流動性を確保している。一方、転写開始時点から真空ポンプ２２に印加する駆動電圧を最大印加電圧Ｖmaxまで増大させて単位時間当たりの排気量を高めている。これによって、薄膜形成室１１の圧力は急激に低下し、基板Ｗへの絶縁膜８１の転写は常に低圧状態（高真空度）で実行することができ、良好な転写を行うことができる。
【００４０】
なお、ここでは、時刻ｔ1から時刻ｔ2までの間、真空ポンプ２２への印加電圧を最大印加電圧Ｖmaxの１０％に設定し、時刻ｔ2以降において最大印加電圧Ｖmaxに設定しているが、各印加電圧はこれに限定されるものではなく、少なくとも基板Ｗへの絶縁膜８１の転写前における単位時間当たりの排気量が基板Ｗへの絶縁膜８１の転写中における単位時間当たりの排気量よりも少なくなるように設定することで同様の作用効果が得られる。ただし、同一圧力下において絶縁膜８１の材料によって溶媒の揮発度合いが相違することがあるため、絶縁膜８１の材料に応じて印加電圧を設定するのが望ましい。また、印加電圧を連続的に、あるいはステップ的に変化させるようにしてもよい。
【００４１】
また、上記実施形態では、第１のプレート４を基板保持手段として機能させるとともに、第２のプレート５をフィルム保持手段として機能させているが、第２のプレート５を基板保持手段として機能させるとともに、第１のプレート４をフィルム保持手段として機能させるように構成してもよい。
【００４２】
また、上記実施形態では、シートフィルム８を円板状に形成し、一枚ずつ第１、第２のプレート４，５間に供給し、シートフィルム８を押圧するようにした薄膜形成装置に適用したが、ロール状のシートフィルムを用いた薄膜形成装置にもそのまま適用することができる。また、上記した実施形態では、第１のプレート４と第２のプレート５を加重モータ７１，７５によって昇降させるようにしたが、いずれか一方のみが昇降する構成とすることも可能である。また、加重機構としてモータ７１，７５を用いて加重するようにしているが、これに限らず、第１、第２のプレート４，５を加圧する機構であれば他の手段であってもよい。
【００４３】
また、上記実施形態では、熱可塑性合成樹脂フィルムによるシートフィルム８を用いたが、これに限らず、金属系フィルムなどでもよいことはいうまでもない。
【００４４】
さらに、上記実施形態では、シートフィルム８に絶縁膜を形成するようにしたが、シートフィルム上に形成可能な薄膜であれば絶縁膜に限るものではなく、他の薄膜、例えば金属系の薄膜を形成してもよい。さらに、上記した実施形態では、半導体基板に薄膜を形成する例を示したが、これに限らず、電子部品材料関係であればマルチチップモジュール等の実装関係の基板や液晶関係の基板にも適用できることはいうまでもない。
【００４５】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、加重手段により基板とシートフィルムとを相互に押し付けることで基板への薄膜の転写を実行するとともに、薄膜形成室内を排気する排気部および該排気部による単位時間当たりの排気量を調整する排気調整部により薄膜形成室内の圧力を制御する。また、排気量調整部は、加重手段により基板とシートフィルムとが相互に押し付けられて基板への薄膜の転写が開始される前における排気量を、基板への薄膜の転写が開始された後における排気量よりも少なく調整する。これにより、転写が開始される前は、シートフィルムに形成された薄膜の流動性が損なわれることを防止するとともに、転写が開始された後は、薄膜形成室内が十分に減圧されるため空隙（ボイド）の発生を防止することができる。したがって良好な転写が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明にかかる薄膜形成装置の一実施形態を示す図である。
【図２】図１の薄膜形成装置の部分拡大断面図である。
【図３】図１の薄膜形成装置の動作を示す図である。
【図４】この発明にかかる薄膜形成装置の他の実施形態を示す図である。
【図５】図４の薄膜形成装置の動作を示す図である。
【符号の説明】
１…処理容器
２…圧力制御ユニット
３…制御部
４…第１のプレート（基板保持手段）
５…第２のプレート（フィルム保持手段）
８…シートフィルム
１１…薄膜形成室
１２…排気口
２１…バタフライバルブ（排気調整部）
２２…真空ポンプ（排気部）
２３…バルブコントローラ（圧力調整部）
７１，７５…加重モータ（加重手段）
８１…絶縁膜（薄膜）
８２…熱可塑性樹脂フィルム
Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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