(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン、金属またはプラスチックからなる型の成形面上に金属材を電鋳させることにより、（孔の長さ）／（孔径）で表されるアスペクト比が０．９１〜３．３である複数の孔が設けられてなる金属部品を製造する方法であり、
前記型は、板状の基体部と該基体部の一面から突出する複数の柱状の孔形成部とを備え、前記成形面が、少なくとも前記基体の前記一面と前記複数の孔形成部の側面とにより構成され、かつ、前記孔形成部の側面が前記基体部の一面に対して垂直とされてなり、
前記型の前記一面及び前記側面の全面にレジスト膜を電着法またはスプレー法によって成膜してから、前記一面上にある該レジスト膜上のみに電鋳用導電膜を成膜する型形成工程と、
前記型を金属電鋳浴中に投入して前記電鋳用導電膜に通電することにより、前記導電膜上に金属材を析出させて、前記金属材に前記孔形成部に対応する複数の孔を形成する電鋳工程と、
前記レジスト膜が可溶な溶媒によって前記レジスト膜を溶解除去することにより、前記金属材を前記型から剥離して金属部品とする剥離工程と
を具備してなり、
前記電鋳工程及び前記剥離工程において、前記金属材の厚さを前記孔形成部の高さ以下とすることにより、前記孔形成部の側面に成膜する前記レジスト膜を前記孔形成部の上面側に露出させ、該露出部から前記溶媒をしみこませることを特徴とする金属部品の製造方法。
【請求項２】
前記型の前記複数の柱状の孔形成部の周囲に、前記剥離工程において前記孔形成部の破損を防止するための柱状の型損傷防止用孔形成部を形成し、前記型形成工程において、前記レジスト膜を前記一面及び前記側面の全面に成膜するとともに前記型損傷防止用孔形成部の側面にも形成し、前記電鋳用導電膜を前記一面に成膜することを特徴とする請求項１に記載の金属部品の製造方法。
【請求項３】
前記柱状の孔形成部の平面視形状が、略円形状または略十字形状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金属部品の製造方法。
【請求項４】
前記型形成工程において、前記成形面上に導電性下地膜を成膜した後に前記レジスト膜を成膜することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の金属部品の製造方法。
【請求項５】
前記レジスト膜の成膜後に前記型を流水洗浄することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の金属部品の製造方法。
【請求項６】
前記剥離工程において、前記レジスト膜を可溶な溶媒中に前記型及び前記金属材を投入することにより、前記溶媒により前記レジスト膜を溶解除去することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の金属部品の製造方法。
【請求項７】
前記溶媒が、アセトン、キシレン、過酸化水素−アンモニア混合液のうちから選択されるいずれか一種であることを特徴とする請求項６に記載の金属部品の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載された金属部品の製造方法によって製造された金属部品であり、前記孔形成部に対応する（孔の長さ）／（孔径）で表されるアスペクト比が０．９１〜３．３の複数の孔を具備してなることを特徴とする金属部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、金属部品の製造方法及びその金属部品に関するものであり、特に、高アスペクト比で微小径な孔を有する金属部品の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、紡糸用ノズル、インクジェットノズル等の各種噴射ノズルは、金属材料等の基材に、孔径が数十μｍ程度で高アスペクト比の貫通孔が１ないし複数設けられて構成されており、これらの孔から紡糸用原料やインク等を噴射できるようになっている。また、半導体形成用のフォトマスク等の各種光学部品にも同様に、基材に高アスペクト比の孔が１ないし複数設けられて構成されており、この孔を通して各種の放射光や電子線等を照射できるようになっている。
ここで、アスペクト比とは、孔の深さ（孔の長さ）寸法を孔径で除した値であり、高アスペクト比の孔とは、深さ（長さ）が深く（長く）て孔径が小さい形状の孔を意味する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記の孔の形成には、例えば、フォトファブリケーション技術を利用したエッチング法が採用されている。しかしこの方法では、基材となる金属材料自体の密度の微妙なばらつきによって、エッチング速度に分布が生じ、孔同士の間で孔径のばらつきが発生するという課題があった。
【０００４】
また、他の方法として、ドリル加工法、放電加工法、レーザー加工法、電子ビーム照射加工法等も提案されている。しかし、これらの方法では、通常、１つの加工工程で１つの孔を形成するので、複数の孔を形成するには加工工程を複数回繰り返す必要があり、工程が煩雑になるとともに、孔の相対位置のズレ等が生じるおそれもあった。また、これらの方法では、目的とする高アスペクト比の微細孔の形成が困難であるという問題もあった。
【０００５】
そこで最近では、例えば特開平７−８９０７８号のように、複数の凸部を備えた成形用の型を用意し、この型を金属浴等に浸漬させた上で型の表面に金属を電鋳させて金属部品を形成し、この金属部品を型から剥離することにより、凸部に対応した孔を有する金属部品の製造方法が提案されている。
【０００６】
上記の従来法においては、型の凸部をテーパー形状とすることで金属部品を型から剥離しやすくしているが、その反面、凸部のテーパー形状が金属部品の孔の形状に反映されてしまい、一定な孔径を有する孔の形成が困難であった。
また、型と金属部品が直に接しているため、剥離の際に型の表面を損傷させてしまうことがあり、型の再利用が困難となる場合があった。
更に、型の製造工程が複雑なために型の製造に労力を要するという問題もあった。
更にまた、型の凸部の形成に放電加工法を用いるために、凸部の径を小さくするには限界があり、これにより高アスペクト比の微細孔の形成が困難であるという問題もあった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、孔径が均一で高アスペクト比の微細孔を同時に複数形成することが可能な金属部品の製造方法及び金属部品を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の金属部品の製造方法は、シリコン、金属またはプラスチックからなる型の成形面上に金属材を電鋳させることにより、（孔の長さ）／（孔径）で表されるアスペクト比が０．９１〜３．３の複数の微細な孔が設けられてなる金属部品を製造する方法であり、前記型は、板状の基体部と該基体部の一面から突出する複数の柱状の孔形成部とを備え、前記成形面が、少なくとも前記基体の前記一面と前記複数の孔形成部の側面とにより構成され、かつ、前記孔形成部の側面が前記基体部の一面に対して垂直とされてなり、前記型の前記一面及び前記側面の全面にレジスト膜を電着法またはスプレー法によって成膜してから、前記一面上にある該レジスト膜上のみに電鋳用導電膜を成膜する型形成工程と、前記型を金属電鋳浴中に投入して前記電鋳用導電膜に通電することにより、前記導電膜上に金属材を析出させて、前記金属材に前記孔形成部に対応する複数の孔を形成する電鋳工程と、前記レジスト膜が可溶な溶媒によって前記レジスト膜を溶解除去することにより、前記金属材を前記型から剥離して金属部品とする剥離工程とを具備してなり、前記電鋳工程及び前記剥離工程において、前記金属材の厚さを前記孔形成部の高さ以下とすることにより、前記孔形成部の側面に成膜する前記レジスト膜を前記孔形成部の上面側に露出させ、該露出部から前記溶媒をしみこませることを特徴とする。
【０００９】
係る金属部品の製造方法によれば、剥離工程において、型と金属材との間に位置するレジスト膜を除去することにより、型と金属材とを容易に剥離することができるので、型の成形面及び金属部品を傷つけることがない。従って、型の再利用が可能になるとともに、高品質の金属部品を製造することが可能になる。
またレジスト膜上に電鋳用導電膜を成膜するので、電鋳による金属材の析出を容易に行うことが可能になる。
また、レジスト膜を前記一面及び前記側面の全面に成膜するので、型と金属材との間にレジスト膜を必ず介在させることができ、このレジスト膜を除去することで型と金属材とを容易に剥離することが可能になる。従って、従来のように柱状の孔形成部にテーパー面を設ける必要がなく、孔径が深さ方向（長さ方向）に沿って一定であり、かつ高アスペクト比の孔を形成することが可能になる。
更に、電鋳用導電膜を前記一面のみに成膜するので、電鋳工程における金属材の成長方向を、型の一面の鉛直方向にほぼ一致させることができ、これにより厚さがほぼ一定な板状の金属部品を形成することが可能になる。
また、金属材に前記孔形成部に対応する複数の孔を形成するので、孔形成部の形状及び形成位置を変えることで、金属材に設ける孔の孔径、アスペクト比、孔の形成位置等を任意に変更することが可能になる。
更に、レジスト膜を電着法またはスプレー法により成膜するので、型の成形面が複雑な形状であってもレジスト膜の膜厚を均一にすることができ、型の成形面に忠実に対応する金属部品を形成することが可能になる。
更にまた、孔形成部の側面に成膜するレジスト膜を上面側に露出させるので、前記の溶媒を素早くレジスト膜にしみこませることができ、レジスト膜の溶解をより迅速に行うことができる。
【００１２】
また、本発明の金属部品の製造方法は、先に記載の金属部品の製造方法であって、前記型の前記複数の柱状の孔形成部の周囲に、前記剥離工程において前記孔形成部の破損を防止するための柱状の型損傷防止用孔形成部を形成し、前記型形成工程において、前記レジスト膜を前記一面及び前記側面の全面に成膜するとともに前記型損傷防止用孔形成部の側面にも形成し、前記電鋳用導電膜を前記一面に成膜することを特徴とする。
【００１３】
係る金属部品の製造方法によれば、複数の柱状の孔形成部の周囲に柱状の型損傷防止用孔形成部を形成することにより、金属材を型から剥離する際に型の一部が破損した場合でも、破損箇所が型損傷防止用孔形成部のみに限定されるので、孔形成部が破損するおそれがなく、型を繰り返し再利用することができる。
【００１６】
更に、本発明の金属部品の製造方法は、先に記載の金属部品の製造方法であって、前記柱状の孔形成部の平面視形状が、略円形状または略十字形状であることを特徴とする。
係る金属部品の製造方法によれば、平面視円形、または平面視十字形の孔を形成することができる。特に、十字形の孔を備えた金属部品は、紡糸用のノズルとして好適に用いることができる。
【００１９】
更に、本発明の金属部品の製造方法は、先に記載の金属部品の製造方法であって、前記型形成工程において、前記成形面上に導電性下地膜を成膜した後に前記レジスト膜を成膜することを特徴とする。
【００２０】
係る金属部品の製造方法によれば、電着法でレジスト膜を形成する前に予め導電性下地膜を成膜するので、型が高抵抗材料から構成される場合でも、型の成型面にレジスト膜を容易に成膜することが可能にある。
尚、導電性下地膜は、型の比抵抗値が例えば２０Ω・ｃｍ以上、好ましくは１５Ω・ｃｍ以上、更に好ましくは１０Ω・ｃｍ以上のときに成膜するとよい。
【００２３】
また、本発明の金属部品の製造方法は、先に記載の金属部品の製造方法であって、前記レジスト膜の成膜後に前記型を流水洗浄することを特徴とする。
係る金属部品の製造方法によれば、前記レジスト膜の成膜後に前記型を流水洗浄するので、未硬化の余分なレジスト液を除去することができ、孔形成部の形状を精密に反映した金属部品を得ることができる。
【００２４】
更にまた、本発明の金属部品の製造方法は、先に記載の金属部品の製造方法であって、前記剥離工程において、前記レジスト膜を可溶な溶媒中に前記型及び前記金属材を投入することにより、前記溶媒により前記レジスト膜を溶解除去することを特徴とする。
【００２５】
係る金属部品の製造方法によれば、溶媒中に前記型及び前記金属材ごと投入してレジスト膜を溶解除去するので、レジスト膜の除去を容易に行うことが可能になる。
【００２６】
更にまた、本発明の金属部品の製造方法は、先に記載の金属部品の製造方法であって、前記溶媒が、アセトン、キシレン、過酸化水素−アンモニア混合液のうちから選択されるいずれか一種であることを特徴とする。
係る金属部品の製造方法によれば、上記の溶媒を用いることで、レジスト膜の溶解を迅速に行うことができる。特に、過酸化水素−アンモニア混合液が最も迅速にレジスト膜を溶解できる。
【００２８】
次に、本発明の金属部品は、先のいずれかに記載された金属部品の製造方法によって製造された金属部品であり、前記孔形成部に対応する（孔の長さ）／（孔径）で表されるアスペクト比が０．９１〜３．３の複数の孔を具備してなることを特徴とする。
【００２９】
係る金属部品によれば、型と金属材との間に位置するレジスト膜を除去することにより、金属材を型から剥離して得られるので、金属部品を傷つけることがない。
また、レジスト膜を除去することで型と金属材とを容易に剥離することが可能なので、従来のように孔形成部にテーパー面を設ける必要がなく、金属部品に設けられた孔の孔径を深さ方向（長さ方向）に沿って一定とし、かつアスペクト比を高くすることが可能になる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
本発明の金属部品の製造方法は、型の成形面上にレジスト膜を成膜すると共にこのレジスト膜上に電鋳用導電膜を成膜する型形成工程と、型を金属電鋳浴中に投入して電鋳用導電膜に通電することにより、該導電膜上に金属材を析出させる電鋳工程と、レジスト膜を除去して金属材を型から剥離して金属部品とする剥離工程とから構成されている。
上記の各工程を、図面を参照して説明する。図１〜図１０は、金属部品の製造方法の各工程図である。
【００３１】
まず型形成工程において、図１に示すように、板状の基材１の上面に、遮蔽膜２…をパターニングする。パターニングは、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ等の薄膜を上面１ａの全面にスパッタ法等により形成し、マスク層形成、先に形成した薄膜のエッチング、マスク層除去といった手段により行う。また、遮蔽膜２…としてＳｉＯ2膜やレジスト膜等をパターニングしたものを用いても良い。各遮蔽膜２…の形状は、例えば平面視略円形が好ましい。
また、基材１の材質としては、シリコン、金属、プラスチック、レジスト材料等を用いることができる。特にシリコンとしては、Ｐ、Ｂ等をドープさせて抵抗率を例えば０．３３１〜０．４６Ω・ｃｍ程度にしたものが、後述する導電性下地膜の形成を省略できる点で好ましい。尚、シリコンの抵抗率は、前記の範囲に限るものではなく、０．４６Ω・ｃｍより大きいものや、０．３３１Ω・ｃｍより小さいものでも良い。シリコンの抵抗率は、後述するように導電性下地膜の形成をするか否かの判断基準となる。
【００３２】
次に、図２に示すように、遮蔽膜２…の形成領域以外の部分に対して異方性エッチングを行う。
エッチングは例えば、エッチングガスとしてＣＦ4及びＯ2を用いる高周波誘導結合プラズマ-反応性イオンエッチング法(ICP-RIE法)により行うことが好ましい。
上記のエッチングガスの組合せによれば、遮蔽膜２…をエッチングすることなく、遮蔽膜２の形成領域以外の部分に露出する基材１に対して異方性エッチングを行うことができる。
また、他のエッチングの手段として、平行平板を電極とする反応性イオンエッチングを用いることができる。
これらのエッチング手段によれば、図２中矢印で示すように、エッチング粒子を遮蔽膜２上面の垂直方向から入射させることができ、サイドエッチング等が起きることがなく、異方性エッチングを行うことができる。
【００３３】
エッチングの結果、遮蔽膜２…の形成領域以外の基材１がエッチングされ、図２に示すような複数の円柱状（柱状）の孔形成部１ａ…が形成される。各孔形成部１ａ…同士の間隔、配置、形状は、遮光膜２…の形成位置及びパターン形状に対応したものとなる。また、孔形成部１ａ…の高さは、最終的に得られる金属部品の厚さ寸法より大きくすることが好ましく、例えば１０〜２００μｍ程度の高さにすることが好ましい。尚、金属部品に穴を設ける場合には、孔形成部１ａ…の高さを、金属部品の厚さ寸法より小さくすることが好ましい。孔形成部１ａ…の高さは、エッチング時間を調整することで制御することができる。
【００３４】
次に、図３に示すように、酸処理、あるいは溶剤に浸積する等して遮蔽膜２…を除去する。このようにして、略板状の基体部１ｂと、この基体部１ｂの一面１ｃから同一方向（一面１ｃの垂直方向）に突出する複数の孔形成部１ａ…を具備してなる図３及び図１１に示すような型１１が得られる。孔形成部１ａ…は、異方性エッチングにより形成されるため、その側面１ｄは、従来の様なテーパー面ではなく、基体部１ｂ上面１ｃに対する垂直面になっている。
この基体部１ｂの上面１ｃと孔形成部１ａの側面１ｄにより、型１１の成形面１１ａが構成される。
このように、型の形成を、従来のような放電加工法ではなく、エッチング法により形成するので、従来より微細な孔形成部１ａ…を備えた型１１を得ることができる。
【００３５】
次に図４に示すように、少なくとも基体部１ｂの一面１ｃと孔形成部１ａの側面１ｄ（成形面１１ａ）に、導電性下地膜３を成膜する。尚、図４の場合は、導電性下地膜３が孔形成部１ａの上面１ｅにも成膜される。
導電性下地膜３としては、Ｃｒ膜とＣｕ膜の積層膜が好ましく、Ｃｒ膜とＡｇ膜の積層膜でも良い。導電性下地膜３は図４に示すように、スパッタ蒸着法、真空蒸着法等の手段により成膜することが好ましく、特に蒸着粒子の入射方向が不均一となる条件で行うことが、孔形成部１ａ…の側面１ｄに導電性下地膜３を均一に成膜できるため好ましい。
また導電性下地膜３の膜厚は、０．１〜１μｍの範囲とすることが好ましい。膜厚が０．１μｍ未満だと側面１ｄへの導電性の付与が不十分となるので好ましくなく、膜厚が１μｍを越えると孔形成部１ａの直径が大きくなるので好ましくない。
【００３６】
導電性下地膜３は後述するように、レジスト膜を電着法により成膜する際に、成形面１１ａに導電性を付与してレジスト膜の成長を促進させるものである。
従って、型１１自体に導電性がある場合には、導電性下地膜３の形成は不要である。導電性下地膜３の形成を行うか否かは、型１１自体の抵抗率を判断基準にすることができ、例えば型１１（基材１）がシリコンからなる場合に導電性下地膜３の成膜が必要になるのは、型１１の抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上、より好ましくは１２．５Ω・ｃｍ以上、更に好ましくは１５Ω・ｃｍ以上、最も好ましくは２０Ω・ｃｍ以上の場合である。これ以外の場合は、導電性下地膜３の形成は必要ない。
【００３７】
次に、図５に示すように、導電性下地膜３上に、レジスト膜４を形成する。
レジスト膜４としては、例えば、ポジ型あるいはネガ型のレジスト膜を用いることが好ましい。またレジスト膜４の膜厚としては、３〜５μｍの範囲が好ましい。膜厚が２μｍ未満だと、レジスト膜４を均一な膜厚で成膜できないので好ましくなく、膜厚が７μｍを越えると、精密に孔形成部１ａの形状を転写できないので好ましくない。
【００３８】
レジスト膜４の形成には、電着法、スプレー法、ＣＶＤ蒸着法等の手段を用いることができ、これらの成膜手段を用いることで、凹凸が激しい型１１の成形面１１ａの全面に、レジスト膜４を均一な膜厚で成膜することができる。
次に電着法によるレジスト膜４の成膜方法を説明する。
図１２には、電着法によりレジスト膜４を形成する際に用いる電着装置を示す。この電着装置３０は、電着レジスト溶液３１が満たされた電着漕３２と、白金、ステンレス等からなる陰極電極３３と、型１１の成形面１１ａを陰極電極３３側に向けて型１１を保持する絶縁性支持体３４と、型１１の導電性下地膜３に接続された陽極端子３５と、陰極電極３３及び陽極端子３５に接続された直流電源３６とを主体として構成されている。導電性下地膜３は、陽極端子３５を介して直流電源３６の陽極に接続されており、陰極電極３３に対応する陽極電極として機能するように構成されている。
【００３９】
電着レジスト溶液としては、例えば、（Ａ）重合体１ｋｇあたりカルボキシル基を０.５〜１０当量含有し且つ場合により、さらにヒドロキシフエニル基を１当量以上含有していてもよい重合体、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個以上のビニルエーテル基を含有する化合物、（Ｃ）可視光線照射により酸を発生する化合物、及び（Ｄ）増感色素を含む組成物を塩基性化合物で中和し、水性媒体中に溶解又は分散してなるものを例示できる。
【００４０】
上記の重合体（Ａ）としては、例えば、カルボキシル基を含有する重合性不飽和単量体の単独重合体；該カルボキシル基含有単量体と他の共重合可能な単量体との共重合体；分子鎖中又は分子末端にカルボキシル基を有するポリエステル系、ポリウレタン系、ポリアミド系などの樹脂等が挙げられる。また、カルボキシル基とヒドロキシフェニル基の両者を含有する重合体としては、例えば、ｐ−ヒドロキシスチレンのようなヒドロキシスチレンと、カルボキシル基を含有する重合性不飽和単量体との共重合体；ヒドロキシスチレン及び該カルボキシル基含有単量体と他の共重合可能な単量体との共重合体等が挙げられる。
【００４１】
また、上記の化合物（Ｂ）としては、１分子中に、式 −Ｒ′−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ2［ここで、Ｒ′はエチレン、プロピレン、ブチレンなどの炭素数１〜６の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキレン基を表わす］で示されるビニルエーテル基を少なくとも２個、好ましくは２〜４個含有する低分子量又は高分子量の化合物であり、例えば、ビスフエノールＡ、ビスフエノールＦ、ビスフエノールＳ、フエノール樹脂などのポリフエノール化合物や、エチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、ペンタエリスリトールなどのポリオール類とクロロエチルビニルエーテルなどのハロゲン化アルキルビニルエーテルとの縮合物；トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどのポリイソシアネート化合物とヒドロキシエチルビニルエーテルのようなヒドロキシアルキルビニルエーテルとの反応物等が挙げられる。
【００４２】
更に上記の化合物（Ｃ）としては、可視光線の照射により分解して、前記重合体（Ａ）或いは重合体（Ａ′）及び／又は（Ａ″）と化合物（Ｂ）との間で形成される架橋構造を切断するのに十分な強度の酸を発生する光酸発生化合物であり、ナフタルイミジスルホネート化合物を挙げることができる。
更にまた上記の増感色素（Ｄ）は、４００〜７００ｎｍの波長領域の光（可視光）を吸収することにより励起され、前記した重合体（Ａ）又は重合体（Ａ′）、（Ａ″）、化合物（Ｂ）及び／又は光酸発生化合物（Ｃ）と相互作用性を有する化合物であり、シアニン系色素、メロシアニン系色素及びクマリン系色素を挙げることができる。
【００４３】
上記の電着レジスト溶液は、上記の重合体（Ａ）、化合物（Ｂ）、光酸発生化合物（Ｃ）及び増感色素（Ｄ）の４成分を必須成分として含有し、そして該重合体（Ａ）中のカルボキシル基を塩基性化合物で中和し、水性媒体中に溶解又は分散したものであり、該組成物中のこれら成分の配合割合は、該組成物の用途等に応じて広い範囲にわたつて変えることができるが、化合物（Ｂ）は、重合体（Ａ）１００重量部に対して一般に０.１〜１５０重量部、特に１０〜１００重量部、さらに特に３〜８０重量部の範囲内で使用することが好しく、また、光酸発生化合物（Ｃ）は、重合体（Ａ）と化合物（Ｂ）の合計量１００重量部に対して一般に０.１〜４０重量部、特に０.２〜２０重量部、さらに特に０.５〜１５重量部の範囲内で用いるのが適当である。さらに、増感色素（Ｄ）は、重合体（Ａ）と化合物（Ｂ）の合計量１００重量部に対して一般に０.１〜１０重量部、好ましくは０.５〜５重量部、より好ましくは０.５〜３重量部の範囲内で使用することができる。
そして上記の電着レジスト溶液は、上記の各成分（Ａ）〜（Ｄ）を、そのまま又は必要に応じて溶剤中で混合し、ついで塩基性化合物で中和し、水性媒体中に溶解又は分散することにより調製することができる。その際に使用しうる溶剤は、該組成物の各成分を溶解することができ、常温で水に１０重量％以上溶解するものが好ましく、例えば、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；メタノール、エタノール、プロパノール等の炭素数１〜１０の脂肪族アルコール類；エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類；これらのグリコール類とメタノール、エタノール、ブタノール等のモノもしくはジエーテル又は当該モノエーテルのエステル類等のグリコールエーテル類；ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル類等を挙げることができる。これらの溶剤は必要に応じて単独又は２種類以上を混合して用いることができる。
これらの溶剤は通常、各成分（Ａ）〜（Ｄ）の合計量１００重量部に対して６０重量部以下、特に４０重量部以下で使用することが好ましい。
【００４４】
電着法によるレジスト膜４の形成は、例えば、以下に述べるようにして行なうことができる。
まず、上記の電着レジスト溶液３１に、型１１の導電性下地膜３を陽極として浸漬させ、陰極電極３３との間に直流電源３６を繋ぎ、導電性下地膜３に対して通電を行う。通電は一定電圧を印加する定電圧法、一定電流密度を印加する定電流法又はそれらを組み合わせた様式の通電方式で行なうことができる。また、通電初期に徐々に電圧ないしは電流密度を上昇させて所定値にいたらしめる方法を組み合わせてもよい。
定電圧法の場合は、通常、５〜２５０Ｖの電圧を１０秒から５分印加することにより、定電流法の場合は、通常、５〜１００ｍＡ／ｄｍ2の電流密度で５秒から５分印加することにより所定の膜厚のレジスト膜４を成膜せしめることができる。
【００４５】
このようにしてレジスト膜４を電着法により成膜すると、型１１の成形面１１ａが複雑な形状であっても成形面１１ａの全面にレジスト膜を均一な膜厚で成膜することができ、型１１の成形面１１ａに忠実に対応する金属部品１２を形成することが可能になる。
また、電着法でレジスト膜４を形成する前に予め導電性下地膜３を成膜するので、型１１が高抵抗な材料から構成される場合でも、型１１の成型面１１ａにレジスト膜４を容易に成膜することができる。
【００４６】
形成されたレジスト膜４は、例えば６５℃以下、好ましくは約６０〜６５℃の温度で約１〜約３０分間加熱して架橋硬化させることが好ましい。
【００４７】
また上述したように、レジスト膜４をスプレー法により成膜してもよい。
図１３には、スプレー法によりレジスト膜を形成する工程の斜視図を示す。
図１３において、符号４１は霧状のレジスト液を型１１の成形面１１ａ上に噴射するスプレーヘッドである。このスプレーヘッド４１は、図示略の駆動手段に接続されていて、型１１と所定の間隔を開けて図示Ｘ方向またはＹ方向に自在に移動できるように構成されている。
図１４にはスプレーヘッド４１の先端の拡大断面図を示す。スプレーヘッド４１の先端は、噴霧孔４２を有するエアーキャップ４３と、エアーキャップ４３の内側に収納された先端が先細りの管状のノズルシート４４と、ノズルシート４４の内側に挿入されたニードル弁４５とから構成されている。エアーキャップ４３の内径がノズルシート４４の外径より大とされていて、エアーキャップ４３とノズルシート４４との隙間がガス流路４６とされている。また、ノズルシート４４の内径がニードル弁４５の外径より大とされていて、ノズルシート４４とニードル弁４５との隙間がレジスト液流路４７とされている。
また、ニードル弁４５はノズルシート４４のノズル４４ａ内に挿入され、ニードル弁４５を上下させることによりノズル４４ａを開閉できるように構成されている。
【００４８】
霧状のレジスト液を噴霧させるには、ニードル弁４５によりノズル４４ａを閉じた状態で、レジスト液流路４７にレジスト液を加圧供給するとともに、空気またはアルゴン、窒素等の不活性ガスをガス流路４６に加圧供給する。この状態でニードル弁４５を上げてノズル４４ａを開くと、ノズルシート４４の外側から加圧供給された空気等によるベンチュリー効果によって、レジスト液がノズル４４ａから引き出され、レジスト液と空気等が混合されて霧状となり、この霧状のレジスト液が噴射口４２から噴霧される。
この霧状のレジスト液が型１１の成形面１１ａ上に噴霧されてレジスト液の溶剤が蒸発することにより、均一な膜厚のレジスト膜４が成膜される。
尚、ここで用いるレジスト液は、公知のポジ型またはネガ型のフォトレジストをアセトン等の溶剤に溶解させたものでよい。
このように、レジスト膜４をスプレー法により成膜すれば、たとえ型１１の成形面１１ａが複雑な形状であっても、霧状のレジスト液が成形面１１ａの隅々まで回り込んでレジスト膜４の膜厚を均一にすることができ、型１１の成形面１１ａに忠実に対応する金属部品１２を形成することができる。
【００４９】
次に図６に示すように、基体部１ｂの一面１ｃにあるレジスト膜４上に、電鋳用導電膜５（５ａ）を成膜する。尚、図６の場合は、電鋳用導電膜５（５ｂ）が孔形成部１ａの上面１ｅにあるレジスト膜４にも成膜される。ただし、上面１ｅ上の電鋳用導電膜５ｂと、基体部上面１ｃ上に形成される電鋳用導電膜５ａとは、相互に連続しないことが好ましい。
電鋳用導電膜５ａは後述するように、金属材を析出させる電鋳工程において負極電極として機能する。
【００５０】
電鋳用導電膜５としては、Ｃｕ膜またはＡｇ膜が好ましい。電鋳用導電膜５は図６に示すように、スパッタ蒸着法、真空蒸着法等の手段により成膜することが好ましい。特に、蒸着粒子が一面１ｃに対して垂直方向から入射させることが、電鋳用導電膜５を一面１ｃ上にのみ成膜させ、孔形成部１ａの側面１ｄへの成膜を防止できる点で好ましい。電鋳用導電膜５が側面１ｄに成膜されると、後述する電鋳工程において、金属材が一面１ｃに加えて側面１ｄからも析出し、形成する金属材の厚さが不均一になるおそれがあるので好ましくない。また、孔形成部１ａの側面１ｄに電鋳用導電膜５が成膜されることにより、孔形成部上面１ｅ及び基体部一面１ｃ上の電鋳用導電膜５が連続すると、後述する電鋳工程において、孔形成部上面１ｅに金属材が析出してしまうので好ましくない。
【００５１】
また電鋳用導電膜５の膜厚は、０．０５〜０．１μｍの範囲とすることが好ましい。膜厚が０．０５μｍ未満だと電鋳時に断線するおそれがあるので好ましくなく、膜厚が０．１μｍを越えると、孔形成部１ａの側面１ｄにも導電膜が形成されるおそれがあるので好ましくない。
【００５２】
次に、図７に示すように、電鋳工程において、電鋳用導電膜５上に金属材１２を析出させる。
金属材１２の材質としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ-Ｃｒ合金、Ｎｉ-Ｆｅ合金、Ｎｉ-Ｗ合金等を例示できる。金属材１２の厚さとしては、孔形成部１ａの高さより小さいことが好ましく、具体的には５〜１９５μｍの範囲が好ましい。金属材１２の厚さが５μｍ未満だと、金属材１２の強度が極端に低下し、後述する剥離工程にて金属部品が破損してしまうおそれがあるので好ましくなく、厚さが１９５μｍを越えると、孔形成部１ａを越えて金属材１２が形成されてしまい、孔形成部１ａに対応する孔の内部形状がいびつな形状になるおそれがあるので好ましくない。
【００５３】
金属材１２の形成には電鋳法を用いることができ、この手段を用いることで均一な厚さの金属材１２を形成することができる。
図１５には、電鋳法により金属材１２を形成する際に用いる電鋳装置を示す。この電鋳装置５０は、金属電鋳浴液５１が満たされた電鋳漕５２と、デポライズドニッケル、カーボナイズドニッケル等からなる陽極電極５３と、型１１の一面１ｃ側を陽極電極５３側に向けて保持する絶縁性支持体５４と、型１１の電鋳用導電膜５ａに接続された陰極端子５５と、陽極電極５３及び陰極端子５５に接続された直流電源５６とを主体として構成されている。電鋳用導電膜５ａは、陰極端子５５を介して直流電源５６の陰極に接続されており、陽極電極５３に対応する陰極電極として機能するように構成されている。
尚、孔形成部１ａの上面１ｅ上に成膜された導電性下地膜５ｂは、一面１ｃ上の導電性下地膜５ａと電気的に絶縁されているので、陰極電極としては機能しない。
【００５４】
金属電鋳浴液としては、例えばＮｉの金属材を析出させる場合、スルファミン酸ニッケル、塩化ニッケル及びホウ酸の混合水溶液（ｐＨ３．５〜４．５、液温６０〜７０℃）を用いることができ、またＮｉ-Ｃｏ合金の金属材を析出させる場合、スルファミン酸ニッケル、スルファミン酸コバルト、塩化ニッケル及びホウ酸の混合水溶液（ｐＨ３．５〜４．５、液温４０〜６０℃）を用いることができ、更にＮｉ-Ｆｅ合金の金属材を析出させる場合、スルファミン酸ニッケル、スルファミン酸第一鉄、酢酸ナトリウム及び塩化ニッケルの混合水溶液（ｐＨ２．５〜３．５、液温２５〜３５℃）を用いることができる。
電鋳条件としては、例えば、電流密度１０〜５００Ａ／ｍ２、通電時間３０〜９０分の範囲とすることができる。特に電鋳条件を２段階とし、電鋳開始直後の電流密度を１０〜２０Ａ／ｍ２とし、通電時間を３０〜９０分とすることが好ましく、更にある程度電解が進んだ段階で、電流密度を２００〜５００Ａ／ｍ２とし、通電時間を３０〜９０分とすることが好ましい。電鋳開始直後の条件を上記の範囲とすることにより、電鋳用導電膜５に印加する電流量を制限して電鋳用導電膜５の破損を防止することができ、また次の条件を上記の範囲とすることで金属材１２の析出時間を短縮することができる。
【００５５】
上記の条件で電鋳を行うことにより、金属材１２が、電鋳用導電膜５ａから上面１ｃの垂直方向に向けて徐々に成長する。金属材１２が、孔形成部１ａ…の形成領域を除いて上面１ｃの垂直方向に向けて成長することにより、金属材１２には孔形成部１ａ…に対応する孔１２ａ…が形成される。形成される孔１２ａ…の内径は、孔形成部１ａの外径に、導電性下地膜３及びレジスト膜４の膜厚の２倍の値を加えたものにほぼ等しくなる。
尚、孔形成部１ａの上面１ｅ上に成膜された導電性下地膜５ｂは、一面１ｃ上の導電性下地膜５ａと電気的に絶縁されているので、この導電性下地膜５ｂに金属材が析出することがない。
また、孔形成部１ａの側面１ｄではレジスト膜４のみが露出しているので、金属材１２とレジスト膜４とが接触した状態になる。
【００５６】
このとき、図７に示すように、金属材１２の厚さを孔形成部１ａ…の高さとほぼ同等かそれ以下とすることが好ましい。これにより、孔形成部１ａ…の側面ｄに成膜されているレジスト膜４が、孔形成部１ｂの上面１ｅ側で露出することになる。このように、レジスト膜４の露出部４ａを形成することで、後述の剥離工程において溶媒がレジスト膜４に浸透しやすくなる。
【００５７】
次に、剥離工程では、図８に示すように、レジスト膜４を溶解除去して金属材１２を型１１から剥離させる。
レジスト膜４を溶解する溶剤としては、レジスト膜４のみを溶解し、型１１及び金属材１２を溶解しないものが好ましく、例えば、アセトン、キシレン、過酸化水素−アンモニア混合液等を用いることができる。特に、過酸化水素−アンモニア混合液は、レジスト膜４に対する浸透性が高いので、短時間でレジスト膜４を溶解することができる。
具体的に金属材１２を型１１から剥離するには、例えば前記の溶剤を満たした容器に金属材１２を型１１ごと投入し、数分から数時間浸積してレジスト膜４を溶解させることで、型１１から金属材１２を容易に剥離できる。溶剤は、図７に示したレジスト膜４の露出部４ａからレジスト膜４内に浸透し、やがてレジスト膜４全体に溶剤が行き渡ってレジスト膜４が溶解される。
尚、過酸化水素−アンモニア混合液を用いる場合は、室温以上４５℃以下の範囲で加熱することでレジスト膜４の溶解をより早めることができる。ただし加熱温度が４５℃を超えると、混合液の突沸が起きる可能性があるので好ましくない。
更に、過酸化水素−アンモニア混合液を用いた場合、電鋳用導電膜５ａも同時に溶解除去される。
【００５８】
尚、レジスト膜４が溶解除去されることで、剥離後の金属材１２には基体部１ｂの上面１ｃに成膜した電鋳用導電膜５ａが付着し、一方、型１１には導電性下地膜３が付着した状態になる。
また孔形成部１ａの上面１ｅに成膜された電鋳用導電膜５ｂは、レジスト膜４の除去により型１１から剥離される。
また、型１１に付着したままの導電性下地膜３は、酸処理等の手段により型１１から除去される。型１１は洗浄等を行った後、型形成工程に回送され、繰り返し金属部品の製造に使用される。
【００５９】
そして、図９に示すように、アセトン等で剥離した場合には電鋳用導電膜５ａが一部に付着した金属材１２が得られ、この電鋳用導電膜５ａを、過酸化水素−アンモニア混合液等で溶解除去することにより、図１０及び図１６に示す所望の金属部品１３が得られる。
このように、型１１と金属材１２との間に位置するレジスト膜４を除去することにより、金属材１２を型１１から容易に剥離することができ、金属材１２を傷つけることがない。
また、レジスト膜４を除去することで型１１と金属材１２とを容易に剥離することができ、従来のように孔形成部にテーパー面を設ける必要がなく、金属部品１３に設けられた孔１２ａの孔径を深さ方向（長さ方向）に沿って一定とすることができ、アスペクト比を高くすることができる。
【００６０】
得られた金属部品１３には、例えば、孔径１５〜４５μｍ、長さ２０〜５０μｍ、アスペクト比０．９１〜３．３の微細な孔１２ａが多数設けられている。
孔１２ａの内部形状は、孔形成部１ａに対応した形状であり、孔の長さ方向に沿って孔径が変化することがなく、高いアスペクト比を示すものである。
【００６１】
上記の金属部品の製造方法によれば、剥離工程において、型１１と金属材１２との間に位置するレジスト膜４を除去することにより、型１１と金属材１２とを容易に剥離することができるので、型１１の成形面１１ａ及び金属部品１３を傷つけることがない。従って、型１１の再利用が可能になるとともに、高品質の金属部品１３を製造することができる。
またレジスト膜４上に電鋳用導電膜５を成膜するので、電鋳による金属材の析出を容易に行うことができる。
【００６２】
また、上記の金属部品の製造方法によれば、レジスト膜４を成形面１１ａの全面に成膜するので、型１１と金属材１２との間にレジスト膜４を必ず介在させることができ、このレジスト膜４を除去することで型１１と金属材１２とを容易に剥離できる。従って、従来のように柱状の孔形成部にテーパー面を設ける必要がなく、孔径が深さ方向（長さ方向）に沿って一定であり、かつ高アスペクト比の孔を形成することができる。
更に、電鋳用導電膜５を一面１ｃのみに成膜するので、電鋳工程における金属材１２の成長方向を、型１１の一面１ｃの鉛直方向にほぼ一致させることができ、これにより厚さがほぼ一定な板状の金属部品１３を形成することができる。
【００６３】
また上記の金属部品によれば、型１１と金属材１２との間に位置するレジスト膜４を除去することにより金属材１２を型１１から剥離して得られるので、金属部品１３を傷つけることがない。
また、レジスト膜４を除去することで型１１と金属材１２とを容易に剥離することが可能なので、従来のように孔形成部にテーパー面を設ける必要がなく、金属部品１３に設けられた孔１２ａの孔径を深さ方向（長さ方向）に沿って一定とし、かつアスペクト比を高くすることができる。
【００６４】
また、前記の型１１に代えて、複数の柱状の孔形成部の周囲に、前記剥離工程において前記孔形成部の破損を防止するための柱状の型損傷防止用孔形成部を配置してなる型を用いることもできる。この別の例の型を図１７に示す。図１７に示す型２１は、略板状の基体部１ｂと、この基体部１ｂの一面１ｃから同一方向（一面１ｃの垂直方向）に突出する複数の孔形成部１ａ…と、孔形成部１ａ…の周囲に形成された型損傷防止用孔形成部６１ａ…とを具備して構成されている。孔形成部１ａは、縦横４列ずつの計１６本が形成されている。型損傷防止用孔形成部６１ａは、略四角柱状のもので、孔形成部１ａの列に合わせて孔形成部１ａを取り囲むように形成されている。図１７では、孔形成部１ａを型損傷防止用孔形成部６１ａが一重で囲んでいるが、本発明はこれに限らず、二重、三重で取り囲むようにしても良い。
【００６５】
図１８〜図２１には、図１７に示した型２１を型を用いて金属部品を製造する工程図を示す。
図１８には、型２１に対して、導電性下地膜３、レジスト膜４並びに電鋳用導電膜５を形成し、更に電鋳用導電膜５上に金属材６２を析出させた状態を示している。これらの導電性下地膜３、レジスト膜４並びに電鋳用導電膜５は、図４〜図６において説明した場合と同様な方法、同様な膜厚にて成膜される。
尚、導電性下地膜３は、基体部１ｂの一面１ｃと孔形成部１ａの側面１ｄ及び上面１ｅに成膜され、更に型損傷防止用孔形成部６１ａの側面６１ｄ及び上面６１ｅにも成膜される。
また、レジスト膜４は、導電性下地膜３の全面に成膜される。
更に、電鋳用導電膜５（５ａ）は、基体部１ｂの一面１ｃにあるレジスト膜４上に成膜される。また、電鋳用導電膜５（５ｂ）が孔形成部１ａの上面１ｅ及び型損傷防止用孔形成部６１ａの上面６１ｅ上にも成膜される。尚、上面１ｅ、６１ｅ上の電鋳用導電膜５ｂと、基体部上面１ｃ上に形成される電鋳用導電膜５ａとは、相互に連続しないことが好ましい。
そして、図７の場合と同様にして、電鋳用導電膜５上に金属材２２を析出させる。
【００６６】
次に、図１９に示すように、レジスト膜４を溶解除去して金属材２２を型２１から剥離する。レジスト膜４を溶解する溶剤としては、図８の場合と同様に、アセトン、キシレン、過酸化水素−アンモニア混合液等を用いることができ、特に、過酸化水素−アンモニア混合液がレジスト膜４に対する浸透性が高い点で好ましい。
金属材２２を型２１から剥離するには、前記の溶剤を満たした容器に金属材２２を型２１ごと投入し、数分間から数時間浸積してレジスト膜４を溶解させる。このようにして型２１から金属材２２を容易に剥離できる。
【００６７】
尚、レジスト膜４が溶解除去されることで、剥離後の金属材２２には基体部１ｂの上面１ｃに成膜した電鋳用導電膜５ａが付着し、一方、型２１には導電性下地膜３が付着した状態になる。尚、過酸化水素−アンモニア混合液を用いた場合、電鋳用導電膜５ａも同時に溶解除去される。
また孔形成部１ａの上面１ｅ及び型損傷防止用孔形成部６１ａの上面６１ｅに成膜された電鋳用導電膜５ｂは、レジスト膜４の除去により型２１から剥離される。
また、型２１に付着したままの導電性下地膜３は、酸処理等の手段により型２１から除去される。型２１は洗浄等を行った後、型形成工程に回送され、繰り返し金属部品の製造に使用される。
【００６８】
そして、図２０に示すように、剥離により金属材２２が得られる。この場合の金属材２２には、孔形成部１ａに対応する孔２２ａと、型損傷防止用孔形成部６１ａに対応する型損傷防止用孔６２ａが形成される。尚、金属材２２の剥離の際には、金属材２２の周辺部分並びにこの周辺部分に対応する型２１の型損傷防止用孔形成部６１ａが非常に破損しやすい。このため図２０に示すように、型損傷防止用孔６２ａ内面には破損により生じた損傷部６２ｂが生じる場合がある。
そこで、図２０の一点鎖線に沿って金属材２２を切断する。これにより、図２１に示すように、損傷部６２ｂが取り除かれ、孔２２ａのみを有する金属部品２３が得られる。
【００６９】
この金属部品の製造方法によれば、柱状の孔形成部１ａの周囲に柱状の型損傷防止用孔形成部６１ａを形成することにより、金属材２２を型２１から剥離する際に型２１の一部が破損した場合でも、破損箇所が型損傷防止用孔形成部６１ａ及び型損傷防止用孔６２ａに限定されるので、孔形成部１ａ及び孔２２ａが破損するおそれがなく、型２１の繰り返し再利用が可能になるとともに、破損個所のない金属部品２３を得ることができる。
【００７０】
また、孔形成部として、図２２に示すような平面視略十字形状の孔形成部７１ａを利用することもできる。この孔形成部７１ａを備えた型により形成された金属部品には、平面視略十字形状の孔が設けられる。このような金属部品は、例えば、紡糸用のノズルとして好適に使用できる。
また、図２２に示す形状の孔形成部７１ａを用いて金属部品を製造する際には、レジスト膜の成膜後に前記型を流水洗浄することが好ましい。これにより、未硬化の余分なレジスト液を除去することができ、孔形成部７１ａの複雑な形状を精密に反映した金属部品を得ることができる。
【００７１】
【実施例】
（実施例１）
まず、シリコンウェハーをICP-RIE法によりエッチング加工することで、直径２０μｍ、高さ８０μｍの円柱状の孔形成部を備えた型を製作した。
すなわち、シリコンウェハー(ホウ素をドープして抵抗率を１０〜２０Ω・ｃｍに調整したもの)の上に、直径２０μｍの円形のアルミニウム薄膜からなるマスクを形成し、反応ガスをＣＦ4及びＯ2とするICP-RIE法で８０μｍの深さまでエッチングすることにより、図１１に示すような型を製作した。
つぎに，型の成形面上に、真空蒸着法を用いてＣｒ及びＣｕの積層膜からなる導電性下地膜を０．１μｍ（Cr：０．００５μｍ、Cu：０．０９５μｍ）の厚さで成膜した。つぎに、電着レジスト液に型を浸漬し、電流密度４Ａ／ｍ2、液温２３℃の条件下で２０秒間電着を行い、膜厚２μｍのレジスト膜を成膜した。更に、レジスト膜上に、膜厚０．１μｍのＣｕ膜からなる電鋳用導電膜を真空蒸着法により成膜した。
【００７２】
つぎに，型をスルファミン酸ニッケル浴（スルファミン酸ニッケル：６００ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：１５ｇ／Ｌ、ホウ酸：３０ｇ／Ｌ）に浸漬し，電鋳用導電膜上に電流密度５００Ａ／ｍ2、ｐＨ４．０、浴温５５℃の条件下で１１０分間の通電を行い、型上に厚さ２０μｍの金属材を形成した。
最後に、金属材がついたままの状態で、型をアセトンに浸漬してレジスト膜を除去することにより、型と金属材とを剥離した。その結果、何ら傷等を付けることなく、図１６に示すような金属部品を剥離できた。
得られた金属部品は厚さ２０μｍであり、孔の径は２２μｍであり、アスペクト比は０．９１であった。また、型の成形面及び金属部品の剥離面をFE‐SEMで観察したところ，傷は一切認められなかった。
【００７３】
（実施例２）
抵抗率が０．３３１〜０．４６０Ω・ｃｍのシリコンウエハーで型を形成すると共に、導電性下地膜を成膜せず、型の形成面に対して電流密度６．７Ａ／ｍ2、浴温２３℃の条件下で15秒間電着を行うことによりレジスト層を形成したこと以外は、上記実施例１と同様にして金属部品を形成した。
得られた金属部品は、厚さ５０μｍであり、孔の径は１５μｍであり、アスペクト比は３．３であった。また型の成形面及び金属部品の剥離面には傷が認められなかった。
【００７４】
（実施例３）
実験例１と同様にして、シリコンウェハーをICP-RIE法によりエッチング加工することで、直径２０μｍ及び高さ６０μｍと、直径４０μｍ及び高さ６０μｍの２組の円柱状の孔形成部をそれぞれ１４４本備えた型を製作した。孔形成部は、各直径を４本ずつを一組とし、６×６列の同一形状の３６組を行列状に配置した。そして、この型を用いること以外は実験例１と同様にして、厚さ５６μｍの金属部品を得た。
２組の孔形成部の直径の平均値、並びに、各組の孔形成部に対応する孔の内径を調査した。結果を下記に示す。
【００７５】
尚、本実施例では、過酸化水素−アンモニア混合液（１：１）をレジスト膜の溶解に用いたところ、４５℃で８時間の浸積により、金属部品を容易に剥がすことができた。
【００７６】
その結果、設計値で直径２０μｍの孔形成部は、実際の直径が実測値平均で１９．８μｍ、真円度０．９μｍであり、これに対応する金属部品の孔は直径２０．９μｍ、真円度１．２μｍであった。
また、設計値で直径４０μｍの孔形成部は、実際の直径が実測値平均で３９．６μｍ、真円度１．２μｍであり、これに対応する金属部品の孔は直径４０．３μｍ、真円度０．８μｍであった。
従って、いずれの大きさの孔形成部においても、真円度は１．５μｍ以下となり、極めて高精度な平面視円形の孔を形成することができる。
【００７７】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の金属部品の製造方法によれば、剥離工程において、型と金属材との間に位置するレジスト膜を除去することにより、型と金属材とを容易に剥離することができるので、型の成形面及び金属部品を傷つけることがない。従って、型の再利用が可能になるとともに、高品質の金属部品を製造することができる。
またレジスト膜上に電鋳用導電膜を成膜するので、電鋳による金属材の析出を容易に行うことができる。
【００７８】
また本発明の金属部品によれば、型と金属材との間に位置するレジスト膜を除去することにより、金属材を型から剥離して得られるので、金属部品の表面を傷つけることがない。
また、レジスト膜を除去することで型と金属材とを容易に剥離することが可能なので、従来のように孔形成部にテーパー面を設ける必要がなく、金属部品に設けられた孔の孔径を深さ方向（長さ方向）に沿って一定とし、かつアスペクト比を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法を説明するための工程図である。
【図２】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法を説明するための工程図である。
【図３】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法を説明するための工程図である。
【図５】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法を説明するための工程図である。
【図７】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法を説明するための工程図である。
【図１１】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法に用いる型の斜視図である。
【図１２】   電着法により型にレジスト膜を成膜させる際に用いる電着装置を示す模式図である。
【図１３】   スプレー法により型にレジスト膜を成膜させる工程を示す斜視図である。
【図１４】   スプレー法により型にレジスト膜を成膜させる際に用いるスプレーヘッドの先端の断面模式図である。
【図１５】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法における電鋳工程を示す模式図である。
【図１６】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法により得られた金属部品を示す斜視図である。
【図１７】   本発明の実施形態である金属部品の製造方法で使用する型の別の例を示す斜視図である。
【図１８】   図１７に示す型を用いた金属部品の製造方法を説明する工程図である。
【図１９】   図１７に示す型を用いた金属部品の製造方法を説明する工程図である。
【図２０】   図１７に示す型を用いた金属部品の製造方法を説明する工程図である。
【図２１】   図１７に示す型を用いた金属部品の製造方法を説明する工程図である。
【図２２】   平面視十字形状の孔形成部を示す斜視図。
【符号の説明】
１ａ  孔形成部
１ｂ  基体部
１ｃ  一面（基体部の一面）
１ｄ  側面（孔形成部の側面）
１ｅ  上面（孔形成部の上面）
２  遮蔽膜
３  導電性下地膜
４  レジスト膜
５  電鋳用導電膜
１１  型
１１ａ  成形面
１２  金属材
１２ａ  孔
１３  金属部品
【図１】
0003928024.tif 000002
【図２】
0003928024.tif 000003
【図３】
0003928024.tif 000004
【図４】
0003928024.tif 000005
【図５】
0003928024.tif 000006
【図６】
0003928024.tif 000007
【図７】
0003928024.tif 000008
【図８】
0003928024.tif 000009
【図９】
0003928024.tif 000010
【図１０】
0003928024.tif 000011
【図１１】
0003928024.tif 000012
【図１２】
0003928024.tif 000013
【図１３】
0003928024.tif 000014
【図１４】
0003928024.tif 000015
【図１５】
0003928024.tif 000016
【図１６】
0003928024.tif 000017
【図１７】
0003928024.tif 000018
【図１８】
0003928024.tif 000019
【図１９】
0003928024.tif 000020
【図２０】
0003928024.tif 000021
【図２１】
0003928024.tif 000022
【図２２】
0003928024.tif 000023