(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露出光に対して透明な基板と、
前記基板の全面に形成されたエッチストッパーとしてのＩＴＯ膜と、
所定の透過率及び位相差が得られるように組成比が制御されたＣｒ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３との固溶体よりなり、前記ＩＴＯ膜の所定領域を露出させるように前記ＩＴＯ膜上に形成された位相シフターパターンと、
を具備することを特徴とする位相シフトマスク。
【請求項２】
前記位相シフターパターンの所定領域上に遮光膜パターンを具備することを特徴とする請求項１に記載の位相シフトマスク。
【請求項３】
前記遮光膜パターンは、露出光に対して０〜３０％の透過率を有することを特徴とする請求項２に記載の位相シフトマスク。
【請求項４】
前記遮光膜パターンは、Ｃｒ、Ａｌ及びＭｏＳｉの中から選択される何れか１つで形成されていることを特徴とする請求項３に記載の位相シフトマスク。
【請求項５】
前記位相シフターパターンは、露出光に対して１〜３０％の透過率を有することを特徴とする請求項１に記載の位相シフトマスク。
【請求項６】
前記位相シフターパターンは、前記位相シフトパターンが形成された領域を透過した光と前記露出した基板領域を透過した光との間で９０°〜２７０°の位相差を生じさせることを特徴とする請求項５に記載の位相シフトマスク。
【請求項７】
前記位相シフターパターンは、前記位相差が約１８０°となるようにすることを特徴とする請求項６に記載の位相シフトマスク。
【請求項８】
露出光に対して透明な基板上にエッチストッパーとしてのＩＴＯ膜を形成する段階と、
前記ＩＴＯ膜上にスパッタリング法で、所定の透過率及び位相差が得られるように組成比が制御されたＣｒ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３との固溶体よりなる位相シフターを形成する段階と、
前記ＩＴＯ膜の所定領域を露出させるように前記位相シフターをパタニングして位相シフターパターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項９】
前記スパッタリング法では、ＣｒとＡｌとが機械的に混合された混合ターゲット、ＣｒとＡｌとに分離されたマルチ金属ターゲット、ＣｒとＡｌとの固溶体またはクロム酸化物とアルミナとの固溶体よりなる固溶体ターゲットの中から選択された何れかのターゲットを使用することを特徴とする請求項８に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１０】
露出光に対して透明な基板上にエッチストッパーとしてのＩＴＯ膜を形成する段階と、
前記ＩＴＯ膜上にスパッタリング法で、所定の透過率及び位相差が得られるように組成比が制御されたＣｒ２Ｏ３とＡｌ２Ｏ３との固溶体よりなる位相シフターを形成する段階と、
位相シフター上に物質層を形成する段階と、
前記ＩＴＯ膜の所定領域を露出させるように前記物質層及び位相シフターをパタニングして遮光膜及び位相シフターパターンを形成する段階と、
前記位相シフターパターンの所定領域が露出されるように前記位相シフターパターン上に形成された遮光膜の所定部分を除去して遮光膜パターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１１】
前記遮光膜及び位相シフターパターンを形成する段階は、同一のソース気体を使用して前記物質層及び位相シフターを順に異方性蝕刻する段階を含むことを特徴とする請求項１０に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１２】
前記遮光膜及び位相シフターパターンを形成する段階は、相異なるソース気体を使用して前記物質層及び位相シフターを順に異方性蝕刻する段階を含むことを特徴とする請求項１０に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１３】
前記スパッタリング法では、ＣｒとＡｌとが機械的に混合された混合ターゲット、ＣｒとＡｌとに分離されたマルチ金属ターゲット、ＣｒとＡｌとの固溶体またはクロム酸化物とアルミナとの固溶体よりなる固溶体ターゲットの中から選択された何れかのターゲットを使用することを特徴とする請求項１０に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項１４】
前記遮光膜パターンを形成する段階は、
前記遮光膜及び位相シフターパターンが形成された基板の全面に感光膜を形成する段階と、
前記遮光膜の所定領域を露出させるように前記感光膜をパタニングして感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターンを蝕刻マスクとして前記遮光膜を除去して遮光膜パターンを形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１０に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、位相シフトマスク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、半導体装置の高集積化が進み、そのパターンが微細化されることにより従来のフォトマスクでは所定の限界以下の線幅を有するパターンを実現することが難しくなってきた。よって、パターンの解像度が高く臨界線幅（critical dimension，CD）をさらに小さくし得る位相シフトマスク（phase shift mask，PSM）に関する研究が活発に行われている。
【０００３】
位相シフトマスクは、従来のフォトマスクとは異なり、位相シフタを具備したマスクのことをいう。位相シフトマスクを使用してパターンを形成する方法は、位相シフタが存在する部分と存在しない部分とを透過した光が互いに１８０°の位相差を有するように相殺干渉させる原理に基づく。
【０００４】
位相シフタが存在する部分と存在しない部分とを透過した光が、互いに位相差を生じることになる原理を簡単に説明すれば次の通りである。
【０００５】
真空状態を進行していた光が位相シフタを透過すると仮定する。この場合、位相シフタ内における波長λはλ０／ｎで示すことができる。ここで、λ０は真空状態を進行していた光の波長、ｎは位相シフタの屈折率を示す。従って、位相シフタ内では波長が短くなり、位相シフタを透過した光と透過しない光との間に位相差が発生することになる。この場合の位相差は（式１）で示すことができる。
δ＝２πｔ（ｎ−１）／λ０  ・・・（式１）
ここで、δは位相差、ｔは位相シフタの厚さ、ｎは位相シフタの屈折率、そしてλ０は真空状態を進行していた光の波長を示す。従って、位相シフトマスクにおいて位相シフタが存在する部分と存在しない部分とを透過した光の位相差は、位相シフタの厚さ、屈折率及び使用された光の波長により変わる。
【０００６】
位相シフトマスク中、特にハーフトーンシフトマスクは、製造方法が容易であり、ラインとスペースが高密度で繰り返されるパターン及び微細な大きさの開口部を有するコンタクトホールの形成に有用であるため活発な研究がなされている。
【０００７】
フォトリソグラフィー工程へのハーフトーン位相シフトマスクの適用は、ｉ線（波長：３６５ｎｍ）領域及び遠紫外線（deep UV、波長：２４８ｎｍ）領域の露出光に対して透過率が１〜３０％で半透明であり、位相を１８０°反転させ得る位相シフト物質を位相シフタとして使用することによりなされていた。
【０００８】
位相シフト物質が露出光に対して半透明性を有するべき理由は、位相シフト物質を透過した光が、感光膜を露光できる程度の強度を有してはならないからである。このような位相シフト物質の代表的な例として、MoSiON、MoSiO及びCr酸化物等を挙げられる。
【０００９】
一般的に、位相シフト物質のエネルギーバンドギャップ（Eg）が露出光のエネルギーより非常に大きい場合には、大半の光が位相シフト物質を透過するが、露出光のエネルギーが位相シフト物質のエネルギーバンドギャップ（Eg）以上の場合には、大半の光は位相シフト物質に吸収される。従って、露出光の波長が短いほど露出光の位相シフト物質に対する透過率は劣る。
【００１０】
よって、従来の位相シフト物質が適用された位相シフトマスクは、近年の半導体装置の高集積化に対応すべく開発及び製作されているArFエキシマレーザーの波長（１９３ｎｍ）を使用する露光設備においては使用できない。何故なら、１９３ｎｍの波長を有する光に対しては、従来のMoSiON、MoSiO及びCr酸化物等の位相シフト物質が不透明性を有するからである。
【００１１】
前述したように従来の技術によるハーフトーン位相シフトマスクでは、ArFエキシマレーザーの波長（１９３ｎｍ）を有する光を使用する露光設備においては、位相反転法を用いて微細な感光膜パターンを形成することができない。従って、ArFエクサイマーレーザーの波長（１９３ｎｍ）領域においても半透明性を有する位相シフト物質の開発が要求されている。
【００１２】
【発明が解決しょうとする課題】
本発明は、上記の背景に鑑みてなされたものであり、その目的は、ArFエキシマレーザーの波長（１９３ｎｍ）を有する露出光に対しても半透明性を有すると共に位相反転法を用いて微細パターンを形成し得る新規な位相シフタを具備した位相シフトマスクを提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、上記の位相反転マスクの製造に好適な製造方法を提供することにある。
【００１４】
【発明を解決するための手段】
前記目的を達成するための本発明に係る位相シフトマスクは、基板と前記基板の所定領域を露出させるように前記基板上に形成された位相シフターパターンを具備し、前記基板は露出光に対して透明であり、前記位相シフターパターンはCr2O3とAl2O3との混合物または固溶体よりなる。
【００１５】
本発明に係る位相シフトマスクにおいて、前記位相シフターパターンの所定領域上に遮光膜パターンを具備することが望ましい。ここで、前記遮光膜パターンは、露出光に対して０〜３０％の透過率を有することが望ましく、Cr、Al及びMoSiの中から選択される何れか１つで形成することが望ましい。
【００１６】
本発明に係る位相シフトマスクにおいて、前記位相シフターパターンは、露出光に対して１〜３０％の透過率を有し、前記位相シフトパターンが形成された領域を透過した光と前記露出された基板領域を透過した光との間で９０°〜２７０°の位相差を生じさせることが望ましい。また、前記位相差は約１８０°であることがさらに望ましい。
【００１７】
本発明に係る位相シフトマスクにおいて、前記基板と前記位相シフターパターン間に挟まれるように前記基板の全面に形成されたエッチストッパーを具備することが望ましく、前記エッチストッパーはITO膜であることが望ましい。
【００１８】
前記他の目的を達成するための本発明に係る位相シフトマスクの製造方法は、露出光に対して透明な基板上にスパッタリング方でCr2O3とAl2O3との混合物または固溶体よりなる位相シフターを形成する段階と、前記基板の所定領域を露出させるように前記位相シフターをパタニングして位相シフターパターンを形成する段階とを含む。
【００１９】
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法において、前記スパッタリング法では、CrとAlとが機械的に混合された混合ターゲット、CrとAlとに分離されたマルチ金属ターゲット、CrとAlとの固溶体またはクロム酸化物（Cr2０3）とアルミナ（Al2０3）との固溶体よりなる固溶体ターゲットの中から選択された何れかのターゲットを使用することが望ましい。
【００２０】
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法において、前記位相シフターを形成する段階の前に、前記基板上にエッチストッパーを形成する段階を含むことが望ましい。ここで、前記位相シフターパターンを形成する段階は、前記エッチストッパーの所定領域を露出させるように前記位相シフターをパタニングして位相シフターパターンを形成することが望ましい。
【００２１】
前記他の目的を達成するための本発明に係る他の位相シフトマスクの製造方法は、露出光に対して透明な基板上にスパッタリング方法でCr2O3とAl2O3との混合物または固溶体よりなる位相シフターを形成する段階と、前記位相シフター上に物質層を形成する段階と、前記基板の所定領域を露出させるように前記物質層及び位相シフターをパタニングして遮光膜及び位相シフターパターンを形成する段階と、前記位相シフターパターンの所定領域が露出されるように前記位相シフターパターン上に形成された遮光膜の所定部分を除去して遮光膜パターンを形成する段階とを含む。
【００２２】
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法において、前記位相シフターを形成する段階前に、前記基板上にエッチストッパーを形成する段階を含むことが望ましい。ここで、前記遮光膜及び位相シフターパターンを形成する段階では、前記エッチストッパーの所定領域を露出させるように前記物質層及び位相シフターをパタニングして遮光膜及び位相シフターパターンを形成することが望ましい。
【００２３】
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法において、前記遮光膜及び位相シフターパターンを形成する段階では、同一のソース気体または相異なるソース気体を使用して前記物質層及び位相シフターを順次的に異方性蝕刻する段階を含むことが望ましい。
【００２４】
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法において、前記スパッタリング法では、CrとAlとが機械的に混合された混合ターゲット、CrとAlとに分離されたマルチ金属ターゲット、CrとAlとの固溶体またはクロム酸化物（Cr2０3）とアルミナ（Al2０3）との固溶体よりなる固溶体ターゲットの中から選択された何れかのターゲットを使用することが望ましい。
【００２５】
本発明に係る位相シフトマスクの製造方法において、前記遮光膜パターンを形成する段階は、前記遮光膜及び位相シフターパターンが形成された基板の全面に感光膜を形成する段階と、前記遮光膜の所定領域を露出させるように前記感光膜をパタニングして感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを蝕刻マスクとして前記遮光膜を除去して遮光膜パターンを形成する段階とを含むことが望ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００２７】
図１乃至図６は、本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクを説明するための図面である。
【００２８】
図１において、部材番号１１０は露出光に対して透明な基板、例えば石英（Quartz）、１２０ａは基板１１０上に形成され、基板１１０の所定領域を露出させる位相シフターパターンを示す。
【００２９】
ここで、位相シフターパターン１２０ａは、Cr2O3とAl2O3との混合物または固溶体で形成する。また、位相シフターパターン１２０ａは、露出光に対して０〜３０％の透過率を有し、位相シフターパターン１２０ａが形成された領域を透過した光と、露出した基板領域を透過した光との間に９０°〜２７０°の位相差を生じさせる。勿論、位相差は１８０°の場合が最も望ましい。
【００３０】
図２は、Cr2O3−Al2O3系の状態図である。Cr2O3とAl2O3は全率固溶体（complete solid solution）を成す。即ち、全組成においてα相を有するので組成変化と関係なく均一な膜が得られる。従って、Cr2O3とAl2O3の組成比を制御することにより容易に透過率及び位相差を調整することができる。
【００３１】
具体的に説明すれば、１９３nmの波長を有する露出光に対してCr2O3は不透明であり、一方Al2O3は透明なので、Al2O3の組成比が増加するほど露出光の透過率は増加する。また、１９３nmの波長を有する露出光に対して、Cr2O3は２．３の屈折率を有し、一方Al2O3は１．８の屈折率を有するので、Cr2O3の量が増加するほど固溶体の屈折率が増加して、（式１）により位相差が増加することになる。
【００３２】
図３は、図１に示す位相シフトマスクにエッチストッパを設けた位相シフトマスクを説明するための断面図である。ここで、図１の部材番号と同一の部材番号を付した部分は同一部材を示し、また、部材番号１１５は基板１１０と位相シフターパターン１２０ａとの間に挟まれるように基板１１０の全面に形成されたエッチストッパーを示す。
【００３３】
エッチストッパー１１５は、位相シフターパターン１２０ａの形成時に基板１１０を保護する役割をする。従って、エッチストッパー１１５は、位相シフターパターン１２０ａに対する蝕刻選択比が大きいことが好ましい。また、露出光に対するエッチストッパー１１５の透過率は大きいことが好ましい。何故なら、位相シフターパターン１２０ａの開口によりエッチストッパー１１５が露出した領域を透過した光は、感光膜を露光できる程度の強度を有する必要があるからである。以上の２つの要求を考慮すると、エッチストッパー１１５はＩＴＯで形成することが望ましい。
【００３４】
図４は、図１に示す位相シフトマスクの位相シフターの所定領域上に遮光膜パターンを設けた位相シフトマスクを説明するための断面図である。ここで、図１の部材番号と同一の部材番号付した部分は同一部材を示し、また、部材番号１３０ｂは位相シフターパターン１２０ａの所定領域上に形成された遮光膜パターンを示す。
【００３５】
遮光膜パターン１３０ｂが形成された部分が露出光を遮断するようにするため、遮光膜パターン１３０ｂは、露出光に対して０〜３０％の透過率を有するようにCr、Al及びMoSiの中から選択された何れかで形成する。
【００３６】
遮光膜パターン１３０ｂが完全に不透明でなくても良い理由は、露出光の少量が遮光膜パターン１３０ｂを透過したとしても、更にその透過された光の中の少量のみが位相シフターパターン１２０ａを透過するからである。従って、位相シフターパターン１２０ａのみが形成された部分よりも遮光膜パターン１３０ｂが形成された部分の透過率が非常に低くなる。
【００３７】
図５は、図４に示す位相シフトマスクを透過した光の強度を説明するためのグラフである。符号Ｃは遮光膜パターン１３０ｂが形成されておらず位相シフターパターン１２０ａのみ形成された領域、Ｄは位相シフターパターン１２０ａの開口部により露出された基板領域、Ｅは遮光膜パターン１３０ｂが形成された領域を示す。
【００３８】
露出した基板領域Ｄを透過した光は、感光膜を露光するのに十分な強度を有するが、位相シフターパターン１２０ａのみが形成された領域Ｃを透過した光は、該領域の透過率が１〜３０％であるため、感光膜を露光するために十分な強度を有しない。また、遮光膜パターン１３０ｂが形成された領域Ｅにおいても、該領域は露出光に対して不透明なのため、感光膜は露光されない。
【００３９】
位相シフターパターン１２０ａのみが形成された領域Ｃは、透過率は小さいが光が透過する。よって、この部分に対応する感光膜が段差を有している場合には、その部分で乱反射を起こし感光膜の特定部位に光がフォーカシングされ、その結果、意図しないにも拘わらず当該部位が露光され得る。
【００４０】
また、ウェーハに対して位相シフトマスクの位置を相対的に変位させて、ウェーハ上に繰り返しパターンを形成する場合に、位相シフトマスクのエッジ部に対応する感光膜部分が重なることがあり得る。この場合、たとえ位相シフトマスクのエッジ部に位相シフターパターンが形成されていてもこの部分を透過した光が繰返して感光膜に照射されるために露光すべきでない部分の感光膜が露光され得ることになる。
【００４１】
以上の観点から、露出光に対して不透明な領域を形成するための遮光膜パターン１３０ｂが有用であると言える。
【００４２】
図６は、図４に示す位相シフトマスクにエッチストッパーを設けた位相シフトマスクを説明するための断面図である。ここで、図４の部材番号と同一の部材番号を付した部分は同一部材を示し、また、部材番号１１５は、基板１１０と位相シフターパターン１２０ａとの間に挟まれるように、基板１１０の全面に形成されたエッチストッパーを示す。
【００４３】
エッチストッパー１１５は、位相シフターパターン１２０ａの形成時に基板１１０を保護する役割をする。従って、図３を参照して説明したように、エッチストッパー１１５はＩＴＯで形成することが望ましい。
【００４４】
次いで、本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスク等を製造するために好適な製造方法を説明する。
【００４５】
図７乃至図１０は、本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法に関する実施の形態を説明するための断面図である。
【００４６】
図７及び図８は、図１に示す位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【００４７】
図７は、基板１１０及び位相シフター１２０を形成する工程を説明するための断面図である。この工程では、露出光に対して透明な基板１１０上にCr2O3とAl2O3との混合物または固溶体よりなる位相シフター１２０を形成する。ここで、位相シフター１２０は、例えばスパッタリング法で形成する。
【００４８】
このスパッタリング法では、CrとAlとが機械的に混合された混合ターゲット、CrとAlとに分離されたマルチ金属ターゲット、CrとAlとの固溶体またはクロム酸化物（Cr2０3）とアルミナ（Al2０3）との固溶体よりなる固溶体ターゲットの中から選択された何れかのターゲットを使用する。ここで、混合ターゲットまたはマルチ金属ターゲットを使用してスパッタリングを行う場合には、酸素の十分な雰囲気中でスパッタリング工程を実行することが好ましい。
【００４９】
図８は、位相シフターパターン１２０ａを形成する工程を説明するための断面図である。この工程では、基板１１０の所定領域が露出されるように位相シフター１２０をパタニングして位相シフターパターン１２０ａを形成する。
【００５０】
図９及び図１０は、図３に示す位相シフトマスクを製造する方法を説明するための断面図である。
【００５１】
図９は、基板１１０、エッチストッパー１１５及び位相シフター１２０を形成する工程を説明するための断面図である。この工程では、先ず、露出光に対して透明な基板１１０上に、エッチストッパー１１５、例えばＩＴＯ膜を形成する。次いで、図７を参照して説明した方法と同一の方法で、エッチストッパー１１５上に位相シフター１２０を形成する。
【００５２】
図１０は、位相シフターパターン１２０ａを形成する工程を説明するための断面図である。この工程では、エッチストッパー１１５の所定領域が露出されるように位相シフター１２０をパタニングして位相シフターパターン１２０ａを形成する。
【００５３】
ここで、エッチストッパー１１５は、位相シフター１２０をパタニングする工程において基板１１０が損傷されないように、該基板を保護する役割をする。このように基板１１０を保護する層を設ける理由は、基板１１０が損傷された場合には、その部分により透過光の位相差が変わるからである。
【００５４】
図１１乃至図１８は、本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法に関する他の実施の形態を説明するための断面図である。
【００５５】
図１１乃至図１４は、図４に示す相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【００５６】
図１１は、位相シフター１２０及び物質層を形成する工程を説明するための断面図である。この工程では、先ず、露出光に対して透明な基板１１０上に、図７を参照して説明した方法と同一の方法で位相シフター１２０を形成する。次いで、位相シフター１２０上に、露出光に対する透過率が０〜３０％となるように、Cr、Al及びMoSiの中から選択された何れかで物質層１３０を形成する。
【００５７】
図１２は、遮光膜１３０ａ及び位相シフターパターン１２０ａを形成する工程を説明するための断面図である。この工程では、基板１２０の所定領域を露出させるように、物質層１３０及び位相シフター１２０をパタニングして遮光膜１３０ａ及び位相シフターパターン１２０ａを形成する。
【００５８】
ここで、物質層１３０をCrまたはAlで形成した場合は、物質層１３０と位相シフター１２０とが類似した成分を有することになるため、物質層１３０の蝕刻時に使用したソース気体を変更せずに同一のソース気体を使用して物質層１３０と位相シフター１２０とを連続的に異方性蝕刻することにより、遮光膜１３０ａ及び位相シフターパターン１２０ａを形成することができる。この場合、工程を単純化することができる。勿論、物質層１３０の成分に関係なく他のソース気体を使用して異方性蝕刻をすることもできる。
【００５９】
図１３は、感光膜パターン１４０を形成する工程を説明するための断面図である。この工程では、先ず、遮光膜１３０ａ及び位相シフターパターン１２０ａが形成された基板の全面に感光膜を形成する。次いで、遮光膜１３０ａの所定領域を露出させるように、当該感光膜をパタニングして感光膜パターン１４０を形成する。
【００６０】
図１４は、遮光膜パターン１３０ｂを形成する工程を説明するための断面図である。この工程では、感光膜パターン１４０を蝕刻マスクとして遮光膜１３０ａを異方性蝕刻することにより遮光膜パターン１３０ｂを形成する。
【００６１】
図１５乃至図１８は、図６に示す位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【００６２】
図１５は、エッチストッパー１１５、位相シフター１２０及び物質層１３０を形成する工程を説明するための断面図である。この工程では、先ず、露出光に対して透明な基板１１０上に、エッチストッパー１１５、例えばＩＴＯ膜を形成する。次いで、エッチストッパー１１５上に、図１１を参照して説明した方法と同一の方法で、位相シフター１２０及び物質層１３０を順に形成する。
【００６３】
図１６は、遮光膜１３０ａ及び位相シフターパターン１２０ａを形成する工程を説明するための断面図である。この工程では、エッチストッパー１１５の所定領域を露出させるように物質層１３０及び前記位相シフター１２０をパタニングして遮光膜１３０ａ及び位相シフターパターン１２０ａを形成する。
【００６４】
ここでは、図１２を参照して説明したように、同一のソース気体または異なるソース気体を使用して前記物質層１３０及び位相シフター１２０を異方性蝕刻することにより遮光膜１３０ａ及び位相シフターパターン１２０ａを形成する。
【００６５】
図１７は、感光膜パターン１４０ａを形成する工程を説明するための断面図である。この工程では、先ず、遮光膜１３０ａ及び位相シフターパターン１２０ａが形成された基板の全面に感光膜を形成する。次いで、遮光膜１３０ａの所定領域を露出させるように、当該感光膜をパタニングして感光膜パターン１４０ａを形成する。
【００６６】
図１８は、遮光膜パターン１３０ｂを形成する工程を説明するための断面図である。この工程では、感光膜パターン１４０を蝕刻マスクとして遮光膜１３０ａを異方性蝕刻することにより遮光膜パターン１３０ｂを形成する。
【００６７】
以上、種々の実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定されず、本発明の技術的思想の範囲内において、様々な変形が可能である。
【００６８】
【発明の効果】
本発明に拠れば、位相シフターパターンをCr2O3とAl2O3との混合物または固溶体で形成することにより、ArFエキシマレーザーの波長（１９３nm）を有する露出光を使用した場合においても、位相反転法を用いて微細パターンを形成することが可能である。
【００６９】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクを説明するための図である。
【図２】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクを説明するための図である。
【図３】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクを説明するための図である。
【図４】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクを説明するための図である。
【図５】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクを説明するための図である。
【図６】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクを説明するための図である。
【図７】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
１１０  基板
１１５  エッチストッパー
１２０  位相シフター
１２０ａ  位相シフターパターン
１３０  物質層
１３０ａ  遮光膜
１３０ｂ  遮光膜パターン
１４０  感光膜パターン
１４０ａ  感光膜パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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