(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
板部材に切り込みを形成することにより、前記板部材のキャビティが形成される位置に、その周囲の一部が接続部により前記板部材と接続されるフィルム保持部を形成する工程と、
前記切り込みの側壁を含む板部材の全面に導電膜を形成する工程と、
前記板部材の前記キャビティが形成される位置の導電膜を保護するためのフィルムを、前記板部材の両面に設ける工程と、
前記フィルムをマスクにして、前記導電膜のエッチングを行なう工程と、
前記フィルムを除去する工程と、
前記接続部を切断することで、前記板部材から前記フィルム保持部を除去する工程とを備えた、半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記フィルムを設ける工程は、前記板部材に感光性フィルムを配置し、露光および現像を行なう工程を含む、請求項１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記フィルム保持部が除去された板部材に他の板部材を接合する工程をさらに備えた、請求項１または２に記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体パッケージの製造方法に関し、特に半導体チップを搭載するためのキャビティを有する半導体パッケージの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、半導体チップを搭載するためのキャビティを有する半導体パッケージが知られている。パッケージに搭載される半導体チップが大きいと、キャビティも大きくする必要がある。
【０００３】
半導体パッケージの表面と裏面との導通を図るため、キャビティの内壁（側壁）には銅めっき（導電膜）が形成される。エッチング時にこの銅めっきを保護するため、キャビティにはドライフィルムで蓋が形成される。
【０００４】
図１１は、パッケージの原料となるキャビティＣ１〜Ｃ４が形成された板部材１００の斜視図であり、図１２は、図１１のパッケージのキャビティ部分にドライフィルムＦ１〜Ｆ４が形成された状態を示す図である。
【０００５】
なお、図１１および１２において板部材に形成されるビアホールは記載が省略されている。
【０００６】
以下に具体的な半導体パッケージの製造工程について順を追って説明する。
図１３は、板部材１００のキャビティが形成される部分における断面図である。
【０００７】
図１３に示されるように、板部材１００の所定の位置に、板部材１００の表面と裏面との導通を図るためのビアホールＶ１，Ｖ２が形成される。
【０００８】
次に、図１４に示されるように、板部材１００の所定の位置にキャビティＣが形成される。
【０００９】
次に、図１５に示されるように板部材１００に銅めっきＰが施される。
次に、図１６に示されるように、板部材１００の表面と裏面とにドライフィルム１０３ａ，１０３ｂが貼付けられる。露光により、ドライフィルム１０３ａ，１０３ｂには硬化した部分（斜線で示される部分）が形成される。
【００１０】
次に、図１７に示されるように、現像によりドライフィルムの未硬化部が除去され、銅めっきを保護するためのドライフィルムＦが形成される（図１２の状態）。
【００１１】
次に、図１８に示されるように、板部材１００のエッチングが行なわれることで、銅めっきの一部が除去される。
【００１２】
次に、図１９に示されるようにフィルムＦが取除かれる。そして、図１９の板部材が他の板部材と接合されることにより、半導体パッケージが形成される。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の半導体パッケージの製造方法によると、キャビティの側壁に形成される銅めっきが除去されてしまい、板部材の表面と裏面との導通がなくなってしまうおそれがあった。
【００１４】
これは、図２０に示されるように、板部材１００に液体をかける工程である現像またはエッチングの段階で、フィルムＦが破れたり剥がれたりすることで、キャビティ内にエッチング液が浸入し、キャビティ内の銅めっき（導電膜）が溶けてしまうことがあるためである。
【００１５】
このような現象は、キャビティが大きくなるにつれ、頻繁に起こるようになる。
【００１６】
この発明は上述の課題を解決するためになされたものであり、導電膜を保護することができる半導体パッケージの製造方法を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するためこの発明のある局面に従うと、半導体パッケージの製造方法は、板部材に切り込みを形成することにより、板部材のキャビティが形成される位置に、その周囲の一部が接続部により板部材と接続されるフィルム保持部を形成する工程と、切り込みの側壁を含む板部材の全面に導電膜を形成する工程と、板部材のキャビティが形成される位置の導電膜を保護するためのフィルムを、板部材の両面に設ける工程と、フィルムをマスクにして、導電膜のエッチングを行なう工程と、フィルムを除去する工程と、接続部を切断することで、板部材からフィルム保持部を除去する工程とを備える。
【００１８】
好ましくはフィルムを設ける工程は、板部材に感光性フィルムを配置し、露光および現像を行なう工程を含む。
【００１９】
さらに好ましくは、半導体パッケージの製造方法は、フィルム保持部が除去された板部材に他の板部材を接合する工程をさらに備える。
【００２０】
これらの発明に従うと、キャビティが形成される位置に、その周囲の一部が接続部により板部材と接続されるフィルム保持部が形成されるため、フィルムが破れたり剥がれたりすることを防ぐことができ、導電膜を保護することができる半導体パッケージの製造方法を提供することが可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施の形態の１つにおける半導体パッケージの材料となる板部材の斜視図である。
【００２２】
図を参照して、板部材２００は、キャビティが形成される位置２０１ａ〜２０１ｄを４つ有している。キャビティが形成される位置２０１ａ〜２０１ｄのそれぞれには、ドライフィルムを保持するためのフィルム保持部２０３ａ〜２０３ｄが形成されている。板部材２００は、最終的には縦横に切断され、４つのパッケージとされる。
【００２３】
図２は、キャビティが形成される位置２０１ａ〜２０１ｄの１つの平面図である。図に示されるように、フィルム保持部２０３は、元は１枚の板であった板部材２００に切込み２０５ａ〜２０５ｄを形成することにより作られる部分である。
【００２４】
フィルム保持部２０３は、切込み２０５ａ〜２０５ｄ同士が近接する部分である接続部２０７ａ〜２０７ｄにより板部材２００に接続される。接続部２０７ａ〜２０７ｄも元は板部材２００の部分である。
【００２５】
なお、この実施の形態においてはフィルム保持部２０３の角を接続部２０７ａ〜２０７ｄにより板部材２００に接続することとしたが、図３〜図６のいずれかに示されるようにして、フィルム保持部２０３を板部材２００に接続してもよい。
【００２６】
図３〜図６において、板部材２００に切込み２０５が形成されることにより、フィルム保持部２０３は接続部２０７により板部材２００に接続されている。
【００２７】
図７〜図９は、本実施の形態における半導体パッケージの製造方法を示す断面図であり、図１６〜図１８に対応する図である。
【００２８】
図１に示される板部材２００に銅めっきが行なわれた後、図７に示されるように銅めっき（導電膜）Ｐの保護のためのドライフィルム（感光性フィルム）１０３ａ，１０３ｂがその表面と裏面とに貼られる。
【００２９】
その後、ドライフィルム１０３ａ，１０３ｂの露光および現像を行なうことで、図８に示される構造が得られる。これはビアホールＶ１，Ｖ２とキャビティが形成される部分とにおける導電膜を保護するフィルムＦを形成するものである。
【００３０】
次に、図９に示されるように、エッチングが行なわれることで導電膜Ｐの一部が除去される。その後、図１０に示されるように、フィルムＦが取除かれる。
【００３１】
次に、接続部２０７ａ〜２０７ｄが切断されることで、板部材２００からフィルム保持部２０３が除去される。これにより、図１９に示される構成と同じ構成を有する板部材を形成することが可能となる。フィルム保持部２０３が除去された板部材２００に対して他の板部材が接続されることで、半導体パッケージが形成される。
【００３２】
以上のように、従来技術と比較して、本実施の形態においては、板部材にフィルム保持部２０３が形成されるため、現像やエッチングの工程においてフィルムが破れたり剥がれたりすることを防ぐことができる。これにより、導電膜を保護することが可能となる。
【００３３】
特に、従来技術においてはフィルムの厚さが５０μｍのとき、キャビティの一辺の長さが１５ｍｍ以上になると、フィルムの破れや剥がれが発生しやすくなるが、本発明を実施することによりフィルムの破れや剥がれを防ぐことができる。
【００３４】
なお、フィルム保持部２０３の形状として、図２〜図６に示される形状を例に挙げたが、エッチング工程終了までキャビティが形成される部分においてフィルムを支えることができるのであれば、どのような形状のフィルム保持部２０３を用いてもよい。
【００３５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の１つにおける半導体パッケージの材料となる板部材の斜視図である。
【図２】図１の板部材のキャビティが形成される位置２０１ａ〜２０１ｄの１つの平面図である。
【図３】図２の第１の変形例を示す図である。
【図４】図２の第２の変形例を示す図である。
【図５】図２の第３の変形例を示す図である。
【図６】図２の第４の変形例を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態の１つにおける半導体パッケージの製造方法の第１の工程を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態の１つにおける半導体パッケージの製造方法の第２の工程を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態の１つにおける半導体パッケージの製造方法の第３の工程を示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態の１つにおける半導体パッケージの製造方法の第４の工程を示す図である。
【図１１】従来の半導体パッケージの原料となる板部材の斜視図である。
【図１２】図１１の板部材に導電膜保護のためのドライフィルムＦ１〜Ｆ４が形成された状態を示す図である。
【図１３】従来の半導体パッケージの製造方法の第１の工程を示す図である。
【図１４】従来の半導体パッケージの製造方法の第２の工程を示す図である。
【図１５】従来の半導体パッケージの製造方法の第３の工程を示す図である。
【図１６】従来の半導体パッケージの製造方法の第４の工程を示す図である。
【図１７】従来の半導体パッケージの製造方法の第５の工程を示す図である。
【図１８】従来の半導体パッケージの製造方法の第６の工程を示す図である。
【図１９】従来の半導体パッケージの製造方法の第７の工程を示す図である。
【図２０】従来技術の問題点を説明するための図である。
【符号の説明】
２００  板部材
２０１ａ〜２０１ｄ  キャビティが形成される位置
２０３ａ〜２０３ｄ  フィルム保持部
２０７ａ〜２０７ｄ  接続部
Ｐ  導電膜
Ｆ  フィルム
Ｃ  キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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