(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施す液処理方法であって、
上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給することを特徴とする液処理方法。
【請求項２】
被処理基板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施す液処理方法であって、
上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給して、処理を行い、
上記混合液の供給を停止する際、上記被処理体に与えるダメージの最も大きな処理液の供給を停止し、次に上記ダメージの少ない処理液を停止し、その後、上記最もダメージの少ない処理液を停止することを特徴とする液処理方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の液処理方法において、
上記供給される処理液の流れの状況を検出手段にて検出し、その検出信号に基いて以後の処理液の供給を開始することを特徴とする液処理方法。
【請求項４】
請求項２記載の液処理方法において、
上記供給される処理液の流れの状況を検出手段にて検出し、混合液を供給する際、その検出信号に基いて以後の処理液の供給を開始し、
上記混合液の供給を停止する際、上記検出信号に基いて以後の処理液の供給を停止することを特徴とする液処理方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の液処理方法において、
上記ダメージの最も少ない処理液が純水で、次にダメージが少ない処理液が過酸化水素水で、最もダメージの大きい処理液がアンモニア水であることを特徴とする液処理方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の液処理方法において、
上記混合液を供給する際、被処理基板を保持手段にて保持して回転する工程を有し、上記混合液による処理が終了した後、被処理基板に洗浄部材を接触又は近接させて被処理基板を処理する工程を有することを特徴とする液処理方法。
【請求項７】
請求項６記載の液処理方法において、
上記被処理基板に洗浄部材を接触又は近接させて被処理基板を処理した後に、上記被処理基板に洗浄液を供給する工程と、上記被処理基板を混合液による処理時より高速に回転して被処理基板表面に付着する洗浄液を除去する工程と、を有することを特徴とする液処理方法。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれかに記載の液処理方法において、
上記混合液を供給する際、被処理基板を保持手段にて保持して回転する工程を有し、上記混合液による処理の際に、被処理基板の表面に洗浄部材を接触又は近接させて被処理基板表面を処理する工程を有することを特徴とする液処理方法。
【請求項９】
請求項１ないし５のいずれかに記載の液処理方法において、
上記混合液を供給する際、被処理基板を保持手段にて保持して回転する工程を有し、上記混合液による処理が終了した後、被処理基板表面に洗浄液を噴射して被処理基板表面を処理する工程を有することを特徴とする液処理方法。
【請求項１０】
被処理基板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施す液処理装置であって、
上記被処理基板に混合液を供給する供給手段と、
上記各処理液の供給源と上記供給手段とを接続する供給管路と、
上記供給管路における上記各処理液供給源側にそれぞれ介設される開閉手段と、
上記処理液における被処理基板に与える最もダメージの少ない処理液の供給源側、次にダメージの少ない処理液の供給源側及び最もダメージの大きな処理液の供給源側の上記各開閉手段に開閉信号を送る制御手段と、を具備し、
上記制御手段からの開閉信号に基いて上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給するように形成してなることを特徴とする液処理装置。
【請求項１１】
被処理基板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施す液処理装置であって、
上記被処理基板に混合液を供給する供給手段と、
上記各処理液の供給源と上記供給手段とを接続する供給管路と、
上記供給管路における上記各処理液供給源側にそれぞれ介設される開閉手段と、
上記処理液における被処理基板に与える最もダメージの少ない処理液の供給源側、次にダメージの少ない処理液の供給源側及び最もダメージの大きな処理液の供給源側の上記各開閉手段に開閉信号を送る制御手段と、を具備し、
上記制御手段からの開閉信号に基いて上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給し、上記混合液の供給を停止する際、上記被処理体に与えるダメージの最も大きな処理液の供給を停止し、次に上記ダメージの少ない処理液を停止し、その後、上記最もダメージの少ない処理液を停止するように形成してなることを特徴とする液処理装置。
【請求項１２】
被処理基板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施す液処理装置であって、
上記被処理基板に混合液を供給する供給手段と、
上記各処理液の供給源と上記供給手段とを接続する供給管路と、
上記供給管路における上記各処理液供給源側にそれぞれ介設される開閉手段と、
上記処理液供給源と開閉手段との間を流れる処理液の状況を検出する検出手段と、
上記検出手段からの検出信号を受けて上記処理液における被処理基板に与える最もダメージの少ない処理液の供給源側、次にダメージの少ない処理液の供給源側及び最もダメージの大きな処理液の供給源側の上記各開閉手段に開閉信号を送る制御手段と、を具備し、
上記制御手段からの開閉信号に基いて上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給するように形成してなることを特徴とする液処理装置。
【請求項１３】
被処理基板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施す液処理装置であって、
上記被処理基板に混合液を供給する供給手段と、
上記各処理液の供給源と上記供給手段とを接続する供給管路と、
上記供給管路における上記各処理液供給源側にそれぞれ介設される開閉手段と、
上記処理液供給源と開閉手段との間を流れる処理液の状況を検出する検出手段と、
上記検出手段からの検出信号を受けて上記処理液における被処理基板に与える最もダメージの少ない処理液の供給源側、次にダメージの少ない処理液の供給源側及び最もダメージの大きな処理液の供給源側の上記各開閉手段に開閉信号を送る制御手段と、を具備し、
上記制御手段からの開閉信号に基いて上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給し、上記混合液の供給を停止する際、上記被処理体に与えるダメージの最も大きな処理液の供給を停止し、次に上記ダメージの少ない処理液を停止し、その後、上記最もダメージの少ない処理液を停止するように形成してなることを特徴とする液処理装置。
【請求項１４】
請求項１０ないし１３のいずれかに記載の液処理装置において、
上記被処理基板を回転可能に保持する保持手段と、上記保持手段を回転制御する回転制御手段と、上記被処理基板の表面に接触又は近接すると共に、被処理基板に対して接離及び平行移動可能な洗浄部材を更に具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の液処理装置において、
上記被処理基板の表面に付着するごみを除去すべく被処理基板表面に洗浄液を噴射すると共に、被処理基板に対して平行移動可能な洗浄液噴射手段を更に具備することを特徴とする液処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、液処理方法及び液処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板に複数の処理液の混合液を供給して洗浄等の処理をする液処理方法及び液処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス等の被処理基板（以下に基板という）の表面に形成される酸化膜を除去する場合、あるいは、基板表面に付着するパーティクル等のごみを除去する方法として基板を回転可能に保持して、基板表面に、処理液例えばアンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）と純水（Ｈ2Ｏ）との混合液、あるいは、フッ酸（ＨＦ）と純水（Ｈ2Ｏ）との混合液等を供給して洗浄処理を行う枚葉式の液処理方法が採用されている。
【０００３】
従来の上記枚葉式の液処理方法においては、複数の処理液を予めタンク内で混合させて所定の濃度にして、基板表面に供給する方法が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、処理液を予めタンク内で混合させて、基板表面に供給する方法においては、混合液を均一にするには大容量のタンクが必要となるため、コストが嵩む上、装置が大型化するという問題があった。また、各処理液をミキシングバルブを用いて混合して基板表面に供給する方法が考えられ、装置の小型化が図れるが、処理液が均一に混合されない状態で基板に供給される虞があり、例えば基板表面を過度に浸食するなど基板にダメージを与える処理液の濃度が高いまま基板に供給されると、基板がダメージを受け、製品歩留まりの低下を招くという問題がある。上記基板に与えるダメージとしては、例えばアンモニア過水（ＮＨ4ＯＨ−Ｈ2Ｏ2−Ｈ2Ｏ）での処理の場合、アンモニアの濃度が濃い｛過水（過酸化水素水）の混合量が少ない｝と、基板表面が粗れる現象が生じたり、また、フッ酸（ＨＦ）での処理の場合、ＨＦの濃度が変わると、エッチング量が不均一となって均一性がとれないなどの現象がある。この問題は、特に、混合液の供給初期時に生じ易い。
【０００５】
この発明は上記事情に鑑みなされたもので、装置の小型化が図れ、かつ、被処理基板にダメージを与えることなく、処理の安全性を図れるようにした液処理方法及び液処理装置を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１記載の液処理方法は、被処理基板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施す液処理方法であって、  上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給することを特徴とする。
【０００７】
請求項２記載の液処理方法は、被処理基板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施す液処理方法であって、  上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給して、処理を行い、  上記混合液の供給を停止する際、上記被処理体に与えるダメージの最も大きな処理液の供給を停止し、次に上記ダメージの少ない処理液を停止し、その後、上記最もダメージの少ない処理液を停止することを特徴とする。
【０００８】
上記請求項１又は２記載の液処理方法において、上記供給される処理液の流れの状況を検出手段にて検出し、その検出信号に基いて以後の処理液の供給を開始するようにしてもよい（請求項３）。また、上記供給される処理液の流れの状況を検出手段にて検出し、混合液を供給する際、その検出信号に基いて以後の処理液の供給を開始し、混合液の供給を停止する際、上記検出信号に基いて以後の処理液の供給を停止するようにしてもよい（請求項４）。
【０００９】
請求項５記載の液処理方法は、請求項１ないし４のいずれかに記載の液処理方法において、  上記ダメージの最も少ない処理液が純水で、次にダメージが少ない処理液が過酸化水素水で、最もダメージの大きい処理液がアンモニア水であることを特徴とする。
【００１０】
請求項６記載の液処理方法は、請求項１ないし５のいずれかに記載の液処理方法において、  上記混合液を供給する際、被処理基板を保持手段にて保持して回転する工程を有し、上記混合液による処理が終了した後、被処理基板に洗浄部材を接触又は近接させて被処理基板を処理する工程を有することを特徴とする。
【００１１】
請求項７記載の液処理方法は、請求項６記載の液処理方法において、  上記被処理基板に洗浄部材を接触又は近接させて被処理基板を処理した後に、上記被処理基板に洗浄液を供給する工程と、上記被処理基板を混合液による処理時より高速に回転して被処理基板表面に付着する洗浄液を除去する工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
請求項８記載の液処理方法は、請求項１ないし５のいずれかに記載の液処理方法において、  上記混合液を供給する際、被処理基板を保持手段にて保持して回転する工程を有し、上記混合液による処理の際に、被処理基板の表面に洗浄部材を接触又は近接させて被処理基板表面を処理する工程を有することを特徴とする。
【００１３】
請求項９記載の液処理方法は、請求項１ないし５のいずれかに記載の液処理方法において、  上記混合液を供給する際、被処理基板を保持手段にて保持して回転する工程を有し、上記混合液による処理が終了した後、被処理基板表面に洗浄液を噴射して被処理基板表面を処理する工程を有することを特徴とする。
【００１４】
請求項１０記載の液処理装置は、被処理基板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施す液処理装置であって、  上記被処理基板に混合液を供給する供給手段と、  上記各処理液の供給源と上記供給手段とを接続する供給管路と、  上記供給管路における上記各処理液供給源側にそれぞれ介設される開閉手段と、  上記処理液における被処理基板に与える最もダメージの少ない処理液の供給源側、次にダメージの少ない処理液の供給源側及び最もダメージの大きな処理液の供給源側の上記各開閉手段に開閉信号を送る制御手段と、を具備し、  上記制御手段からの開閉信号に基いて上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給するように形成してなることを特徴とする。
【００１５】
請求項１１記載の液処理装置は、被処理基板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施す液処理装置であって、  上記被処理基板に混合液を供給する供給手段と、  上記各処理液の供給源と上記供給手段とを接続する供給管路と、  上記供給管路における上記各処理液供給源側にそれぞれ介設される開閉手段と、  上記処理液における被処理基板に与える最もダメージの少ない処理液の供給源側、次にダメージの少ない処理液の供給源側及び最もダメージの大きな処理液の供給源側の上記各開閉手段に開閉信号を送る制御手段と、を具備し、  上記制御手段からの開閉信号に基いて上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給し、上記混合液の供給を停止する際、上記被処理体に与えるダメージの最も大きな処理液の供給を停止し、次に上記ダメージの少ない処理液を停止し、その後、上記最もダメージの少ない処理液を停止するように形成してなることを特徴とする。
【００１６】
請求項１２記載の液処理装置は、被処理基板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施す液処理装置であって、  上記被処理基板に混合液を供給する供給手段と、  上記各処理液の供給源と上記供給手段とを接続する供給管路と、  上記供給管路における上記各処理液供給源側にそれぞれ介設される開閉手段と、  上記処理液供給源と開閉手段との間を流れる処理液の状況を検出する検出手段と、  上記検出手段からの検出信号を受けて上記処理液における被処理基板に与える最もダメージの少ない処理液の供給源側、次にダメージの少ない処理液の供給源側及び最もダメージの大きな処理液の供給源側の上記各開閉手段に開閉信号を送る制御手段と、を具備し、  上記制御手段からの開閉信号に基いて上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給するように形成してなることを特徴とする。
【００１７】
請求項１３記載の液処理装置は、被処理基板に複数の処理液を供給途中で混合した混合液を供給して処理を施す液処理装置であって、  上記被処理基板に混合液を供給する供給手段と、  上記各処理液の供給源と上記供給手段とを接続する供給管路と、  上記供給管路における上記各処理液供給源側にそれぞれ介設される開閉手段と、  上記処理液供給源と開閉手段との間を流れる処理液の状況を検出する検出手段と、  上記検出手段からの検出信号を受けて上記処理液における被処理基板に与える最もダメージの少ない処理液の供給源側、次にダメージの少ない処理液の供給源側及び最もダメージの大きな処理液の供給源側の上記各開閉手段に開閉信号を送る制御手段と、を具備し、  上記制御手段からの開閉信号に基いて上記混合液を供給する際、上記被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給し、上記混合液の供給を停止する際、上記被処理体に与えるダメージの最も大きな処理液の供給を停止し、次に上記ダメージの少ない処理液を停止し、その後、上記最もダメージの少ない処理液を停止するように形成してなることを特徴とする。
【００１８】
上記請求項１０ないし１３のいずれかに記載の液処理装置において、上記被処理基板を回転可能に保持する保持手段と、上記保持手段を回転制御する回転制御手段と、上記被処理基板の表面に接触又は近接すると共に、被処理基板に対して接離及び平行移動可能な洗浄部材を更に具備するか（請求項１４）、あるいは、上記被処理基板の表面に付着するごみを除去すべく被処理基板表面に洗浄液を噴射すると共に、被処理基板に対して平行移動可能な洗浄液噴射手段を更に具備する方が好ましい（請求項１５）。
【００１９】
請求項１，３，１０又は１２記載の発明によれば、被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給することにより、混合液供給の初期時における被処理基板のダメージを抑制することができる。したがって、製品歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることができる。また、各処理液を順次供給するので、処理液を予めタンク内で混合させて供給する装置に比べて装置を小型にすることができる。
【００２０】
請求項２，４，１１又は１３記載の発明によれば、被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給し、混合液の供給を停止する際、被処理基板に与える最も大きな処理液の供給を停止し、次に上記ダメージの少ない処理液を停止し、その後、上記最もダメージの少ない処理液を停止することにより、混合液供給初期時及び混合液供給停止時の被処理基板のダメージを抑制することができる。したがって、更に製品歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることができる。また、各処理液を順次供給すると共に、供給を順次停止するので、処理液を予めタンク内で混合させて供給・停止する装置に比べて装置を小型にすることができる。
【００２１】
請求項６又は１４記載の発明によれば、枚葉処理される被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給することにより、混合液供給の初期時における被処理基板のダメージを抑制することができる。したがって、製品歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることができる。また、各処理液を順次供給するので、処理液を予めタンク内で混合させて供給する装置に比べて装置を小型にすることができる。また、混合液の供給を停止する際、被処理基板に与えるダメージの最も大きな処理液の供給を停止し、次に上記ダメージの少ない処理液を停止し、その後、上記最もダメージの少ない処理液を停止することにより、混合液供給初期時及び混合液供給停止時の被処理基板のダメージを抑制することができる。したがって、更に製品歩留まりの向上を図ることができる。また、各処理液を順次供給すると共に、供給を順次停止するので、処理液を予めタンク内で混合させて供給・停止する装置に比べて装置を小型にすることができる。
【００２２】
また、処理液の供給の供給を停止した後、被処理基板表面に洗浄部材を接触又は近接させて被処理基板表面に付着するごみを除去することができる。
【００２３】
請求項７記載の発明によれば、混合液によって処理された被処理基板表面に洗浄部材を接触又は近接させて被処理基板表面に付着するごみを除去した後、被処理基板に洗浄液を供給して被処理基板を洗浄し、更に、被処理基板を高速回転して被処理基板表面に付着する洗浄液を除去することができる。したがって、混合液による処理、洗浄処理及び乾燥処理を連続して行うことができる。
【００２４】
請求項８記載の発明によれば、混合液による処理と同時に洗浄部材によって被処理基板表面に付着するごみを除去することができる。したがって、処理時間の短縮化を図ることができると共に、スループットの向上及び製品歩留まりの向上を図ることができる。この場合、例えばアンモニア水と過酸化水素水及び純水の混合液を供給しながら洗浄部材を被処理基板表面に接触又は近接させることにより、被処理基板表面へのごみの再付着を防止することができる。
【００２５】
請求項９又は１５記載の発明によれば、被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給し、混合液の供給を停止する際、被処理基板に与えるダメージの最も大きな処理液の供給を停止し、次に上記ダメージの少ない処理液を停止し、その後、上記最もダメージの少ない処理液を停止した後、被処理基板表面に洗浄液を噴射して被処理基板表面に付着するごみを除去することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。この実施形態では半導体ウエハの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について説明する。
【００２７】
◎第一実施形態
図１は、この発明に係る液処理装置の第一実施形態を示す概略構成図、図２は、上記液処理装置の要部を示す断面図である。
【００２８】
上記液処理装置は、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を回転可能に保持する保持手段であるスピンチャック１と、このスピンチャック１を回転駆動する回転駆動手段であるモータ２と、スピンチャック１及びスピンチャック１によって保持されたウエハＷの周囲及び下部を包囲するカップ３と、スピンチャック１によって保持されたウエハＷの表面及び裏面に複数の処理液の混合液の供給手段である上部ノズル４及び下部ノズル５と、上部ノズル４をウエハＷの上方で水平移動するノズル移動手段６と、上部及び下部ノズル４，５に供給管路７を介して接続する複数の処理液供給源１１，１２，１３と、処理液を供給するタイミングと処理液の供給を停止するタイミングを制御すると共に、モータ２及びノズル移動手段６を制御する制御手段８とで主要部が構成されている。なお、上記スピンチャック１及びカップ３はケーシング９内に配設されている。
【００２９】
ここでいう処理液とは、例えばアンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）等の薬液や純水等をいい、これら複数の処理液の混合液によってウエハＷの表面（具体的には表裏面）に付着するパーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーションを除去することができる。
【００３０】
上記スピンチャック１は、水平回転自在な回転テーブル２０と、この回転テーブル２０の周縁の等間隔の複数例えば３箇所に配設される遠心力により保持可能な保持爪２１とを具備している。そして、回転テーブル２０の回転による遠心力によって保持爪２１がウエハＷを保持することにより、回転テーブル２０と一体となってウエハＷを回転するように構成されている。
【００３１】
また、回転テーブル２０の下面は、回転筒体２２によって支持されており、この回転筒体２２の下方には、回転筒体２２の中空部と連通する中空部を有する回転体２３が連結されている。この回転体２３には、従動プーリ２４が装着されており、この従動プーリ２４と、上記モータ２の駆動軸に装着された駆動プーリ２５との間にタイミングベルト２６が掛け渡され、モータ２の駆動によって駆動プーリ２５、回転体２３及び回転筒体２２を介して回転テーブル２０が目的に応じた回転数例えば低速、中速及び高速に回転し得るように構成されている。なお、回転筒体２２の下部には、この回転筒体２２の下部及び下方の回転体２３の周囲を囲繞する円筒状のカバー２７が取り付けられている。
【００３２】
また、回転筒体２２及び回転体２３の中空部内には中空状の支持軸２８が貫通しており、この支持軸２８の上端に下部ノズル５が装着されている。この下部ノズル５は、支持軸２８の上端に固着されている円柱部材５ａと、この円柱部材５ａに被着されるフランジ部材５ｂと、フランジ部材５ｂの上端に取り付けられる中空円盤部材５ｃとで主要部が構成されており、中空円盤部材５ｃの上部面に多数のノズル孔５ｄが穿設されている（図３参照）。このように構成される下部ノズル５は、静止した状態で、回転テーブル２０と一体となって回転するウエハＷの裏面に混合液を供給するようになっている。
【００３３】
また、図３に示すように、回転テーブル２０の中心部側上面には、起立円筒３０が設けられ、フランジ部材５ｂの外周下面には、起立円筒３０の外周との間に僅かな隙間を残して起立円筒３０を被う円筒垂下片３１が設けられており、これら起立円筒３０と円筒垂下片３１とで形成される迂回通路３２によって処理に供された混合液が回転筒体２２の中空部内に侵入するのを阻止し得るように構成されている。一方、カバー２７の上端の中心部側上面には、隆起円筒部３３が設けられ、回転テーブル２０の中心側下面には、隆起円筒部３３の外周との間に僅かな隙間を残して隆起円筒部３３を被うフランジ付き円筒部材３４がねじ３５によって固着されており、これら隆起円筒部３３とフランジ付き円筒部材３４とで構成される迂回通路３６によって処理に供された混合液がカバー２７内に侵入するのを阻止し得るように構成されている。なお、図３に示すように、隆起円筒部３３の頂部に、環状溝３７が設けられると共に、回転テーブル２０の中心側下面に、上記環状溝３７内に向かって突入する補助円筒垂下片３４Ａが設けられている。また、環状溝３７には、適宜間隔をおいて複数の気体導入口３８が設けられており、この気体導入口３８に不活性ガス例えば窒素（Ｎ2）ガスの供給源（図示せず）が接続されており、このＮ2ガス供給源から気体導入口３８内に供給されるＮ2ガスによって環状溝３７内に突入する補助円筒垂下片３４Ａの左右側が隔離されるようになっている。したがって、万一、隆起円筒部３３とフランジ付き円筒部材３４とで構成される迂回通路３６を通過する混合液があっても、回転円筒体２２側へは流れずに、カバー２７の外側へ排出することができる。
【００３４】
また、上記カップ３は、円筒状の胴部３ａと、この胴部３ａの上端から上方に延在する縮径部３ｂと、排気及び排液口３ｆを有する底部３ｃとからなり、底部３ｃの内周縁には、カバー２７の外周面に非接触な液受けリング３ｄが装着され、上下移動手段４０によってスピンチャック１に対して上下移動可能に構成されている。この場合、カップ３の胴部３ａの外周面の複数例えば対向する２箇所にブラケット４１が延在されており、これらブラケット４１にそれぞれ移動棒４２が垂下固定され、両移動棒４２の下端に支持部材４３が連結されている。また、支持部材４３が、上下移動手段であるシリンダ４０のピストンロッド４４に連結されており、シリンダ４０の伸縮動作によって移動棒４２を介してカップ３が上下移動し得るように構成されている。
【００３５】
なお、移動棒４２とケーシング９の底部９ａとの間には、外部シール機構４５が介設されている。この外部シール機構４５は、図４に示すように、底部９ａに設けられた貫通孔９ｂ内に嵌合固定される外部筒部４６と、移動棒４２を遊嵌する内部筒部４７と、これら外部筒部４６と内部筒部４７の下端部を連結する底部４８とからなる固定二重筒体４９と、ブラケット４１の下面から移動棒４２を包囲するように垂下されると共に、固定二重筒体４９の外部筒部４６と内部筒部４７との間に挿入される可動筒体５０と、固定二重筒体４９と可動筒体５０との間に貯留されるシール媒体としての水５１とで構成されている。このように外部シール機構４５を構成することにより、ケーシング内の雰囲気が外部に漏れることなく、あるいは、外部の雰囲気がケーシング９内に侵入することなくカップ３をケーシング９の外側に配設されたシリンダ４０によって上下移動することができる。
【００３６】
一方、上記処理液供給源１１，１２，１３のうちの１つである純水供給源１１は、上記供給管路７に第１の開閉バルブＶ1を介して上部ノズル４及び下部ノズル５に接続されている。また、供給管路７には第２の開閉バルブＶ2介設する第１の分岐管路１４をを介して過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）供給源１２が接続され、供給管路７における第１の分岐管路１４より純水供給源１１側には、第３の開閉バルブＶ3を介設する第２の分岐管路１５を介してアンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）供給源１３が接続されている。
【００３７】
また、第１の開閉バルブＶ1と純水供給源１１との間に、純水の流れの状況を検出する検出手段例えば第１の圧力スイッチＰＳ1が介設されている。また、第１及び第２の分岐管路１４，１５における第２、第３の開閉バルブＶ2，Ｖ3と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）供給源１２又はアンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）供給源１３との間には、それぞれ第２の圧力スイッチＰＳ2，第３の圧力スイッチＰＳ3が介設されて、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）又はアンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）の流れの状況が検出できるようになっている。上記圧力スイッチＰＳ1，ＰＳ2，ＰＳ3によって検出された検出信号は制御手段例えば中央演算処理装置８（以下にＣＰＵ８という）に伝達され、ＣＰＵ８からの制御信号が上記第１，第２，第３の開閉バルブＶ1，Ｖ2，Ｖ3に伝達され、処理液（純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨ）を供給するタイミングと処理液（純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨ）の供給を停止するタイミングを制御し得るように構成されている。
【００３８】
この場合、まず、ウエハＷに対して最もダメージの少ない純水が供給されると、第１の圧力スイッチＰＳ1が純水の流れを検出してＯＮ状態となり、その検出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの制御信号によって第２の開閉バルブＶ2が開放され、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）供給源１２からウエハＷに対して純水の次にダメージの少ないＨ2Ｏ2が供給管路７を介してノズル４，５に供給される。このとき、第２の圧力スイッチＰＳ2がＨ2Ｏ2の流れを検出してＯＮ状態となり、その検出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの制御信号によって第３の開閉バルブＶ3が開放され、アンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）供給源１３からウエハＷに対して最もダメージの大きいＮＨ4ＯＨが供給管路７を介してノズル４，５に供給される。以後、純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨの混合液がノズル４，５に供給されて、ウエハＷの表裏面に適宜処理が施される。したがって、ウエハＷに混合液を供給する際、ウエハＷに与えるダメージの少ない処理液順、すなわち純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨの順に供給するので、混合液供給初期時のウエハＷのダメージを抑制することができ、歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることができる。
【００３９】
また、所定時間処理を行った後、混合液の供給を停止する場合は、上記とは逆に、まず、ＣＰＵ８からの制御信号によって第３の開閉バルブＶ3が閉じてウエハＷに対して最もダメージの大きいＮＨ4ＯＨの供給が停止される。このとき、第３の圧力スイッチＰＳ3がＯＦＦ状態となり、その検出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの制御信号によって第２の開閉バルブＶ2が閉じて、ＮＨ4ＯＨの次にウエハＷに与えるダメージが大きなＨ2Ｏ2の供給が停止される。このとき、第２の圧力スイッチＰＳ2がＯＦＦ状態となり、その検出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの制御信号によって第１の開閉バルブＶ1が閉じて、ウエハＷに与えるダメージが最も少ない純水の供給が停止される。したがって、ウエハＷへの混合液の供給を停止する際、ウエハＷに与えるダメージの大きな処理液順、すなわちＮＨ4ＯＨ，Ｈ2Ｏ2，純水の順に供給を停止するので、更にウエハＷのダメージを抑制することができ、歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることができる。
【００４０】
なお、ＣＰＵ８からの制御信号によって上記モータ２の始動、停止及び回転数が制御されると共に、上部ノズル４のノズル移動手段６が制御されるようになっている。
【００４１】
次に、第一実施形態の液処理装置を用いた液処理方法について、図１、図５及び図６を参照して説明する。
【００４２】
まず、シリンダ４０が収縮動作してカップ３を下方に移動する。この状態で、図示しない搬送手段によってウエハＷをスピンチャック１上に搬送し、ウエハＷをスピンチャック１にて保持する。次に、ノズル移動手段６の駆動により上部ノズル４をウエハＷの中心部上方に移動した後、シリンダ４０を伸長動作してカップ３を上方に移動する。そして、モータ２の駆動によりスピンチャック１及びウエハＷを低速回転例えば３００ｒｐｍの回転数で回転すると、遠心力によって保持爪２１がウエハＷを確実に保持した状態となり、スピンチャック１とウエハＷが一体となって回転する。この状態で、まず、ウエハＷに与えるダメージの最も少ない純水がノズル４，５に供給される。すると、第１の圧力スイッチＰＳ1が純水の流れを検出してＯＮ状態となり、その検出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの制御信号によって第２の開閉バルブＶ2が開放され、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）供給源１２からウエハＷに対して純水の次にダメージの少ないＨ2Ｏ2が供給される。このとき、第２の圧力スイッチＰＳ2がＨ2Ｏ2の流れを検出してＯＮ状態となり、その検出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの制御信号によって第３の開閉バルブＶ3が開放され、アンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）供給源１３からウエハＷに対して最もダメージの大きいＮＨ4ＯＨが供給される。
【００４３】
以後、純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨの混合液がノズル４，５に供給されて、ウエハＷの表裏面に適宜処理が施される。
【００４４】
上記処理を所定時間行った後、混合液の供給を停止する場合は、まず、ＣＰＵ８からの制御信号によって第３の開閉バルブＶ3が閉じてウエハＷに対して最もダメージの大きいＮＨ4ＯＨの供給が停止される。このとき、第３の圧力スイッチＰＳ3がＯＦＦ状態となり、その検出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの制御信号によって第２の開閉バルブＶ2が閉じて、ＮＨ4ＯＨの次にウエハＷに与えるダメージが大きなＨ2Ｏ2の供給が停止される。このとき、第２の圧力スイッチＰＳ2がＯＦＦ状態となり、その検出信号をＣＰＵ８に伝達し、ＣＰＵ８からの制御信号によって第１の開閉バルブＶ1が閉じて、ウエハＷに与えるダメージが最も少ない純水の供給が停止されて、処理が終了する。
【００４５】
上記のようにしてウエハＷの液処理が完了した後、モータ２の駆動が停止され、ウエハＷの回転が停止される。次に、シリンダ４０が収縮動作してカップ３を下方に移動する。すると、図示しない搬送手段がスピンチャック１上に移動してきて、保持爪２１による保持が解除された状態のスピンチャック１上のウエハＷを受け取り、液処理装置からウエハＷを搬出する。
【００４６】
上記説明では、ウエハＷに純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨの混合液を供給して処理を施す場合のみについて説明したが、上記処理と共に、洗浄処理と乾燥処理を行うようにする方が好ましい。すなわち、図７に示すように、上記混合液の供給を停止する際、ＮＨ4ＯＨ，Ｈ2Ｏ2の順に供給を停止した後、純水のみを供給してウエハＷの表裏面を洗浄し、その後、純水の供給を停止した後、スピンチャック１及びウエハＷを高速回転例えば１２００ｒｐｍの回転数で回転して、ウエハＷの表裏面に付着する純水を飛散（除去）させてウエハＷの乾燥処理を行うようにする方が好ましい。
【００４７】
◎第二実施形態
図８は、この発明に係る液処理装置の第二実施形態を示す概略構成図、図９は、上記液処理装置の要部平面図、図１０は、上記液処理装置におけるウエハの保持状態を示す要部側面図、図１１は、ウエハの保持解除状態を示す要部側面図である。なお、第二実施形態における処理液の供給系は、上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００４８】
第二実施形態は、この発明に係る液処理装置をスクラバに適用した場合である。この場合、スクラバ６０は、ウエハＷを回転可能に保持する保持手段であるスピンチャック１Ａと、このスピンチャック１Ａを回転駆動する回転駆動手段であるモータ２Ａと、スピンチャック１Ａ及びスピンチャック１Ａによって保持されたウエハＷの周囲及び下部を包囲するカップ３Ａと、スピンチャック１Ａによって保持されたウエハＷの上面（裏面）に複数の処理液の混合液の供給手段を兼用する洗浄液噴射手段であるメガソニックノズル７０と、メガソニックノズル７０をウエハＷの上方で平行（水平）移動するノズル移動手段６Ａと、ウエハＷの上面（裏面）に接触してウエハＷ表面に付着するごみを除去する洗浄部材である洗浄ブラシ８０と、洗浄ブラシ８０をウエハＷに対して接離及び平行（水平）移動するブラシ移動手段９０と、メガソニックノズル７０に供給管路７を介して接続する複数の処理液供給源１１，１２，１３と、処理液を供給するタイミングと処理液の供給を停止するタイミングを制御すると共に、モータ２Ａ及びメガソニックノズル７０の移動手段６Ａを制御する制御手段８Ａとで主要部が構成されている。なお、上記スピンチャック１Ａ及びカップ３Ａはケーシング９Ａ内に配設されている。
【００４９】
上記スピンチャック１Ａは、水平回転自在な回転テーブル２０と、この回転テーブル２０の周縁の等間隔の複数例えば３箇所に配設されるメカニカルチャックからなる保持機構２００とを具備している。
【００５０】
また、回転テーブル２０の下面は、上端にフランジ部１０１を有する回転軸１００に取り付けられており、回転軸１００に連結されるモータ２Ａによって所定の回転数に制御されるようになっている。
【００５１】
上記保持機構２００は、フランジ部１０１から半径方向に等間隔に延在される複数個例えば３個のアーム１０２に枢軸１０７をもって垂直方向に起倒可能に枢着される略Ｌ字状のリンク部材１０３と、このリンク部材１０３の上側の先端部に突設される保持爪２１Ａと、リンク部材１０３を常時起立方向（図１０における時計方向）に回転すべく付勢するばね部材１０４と、回転軸１００の外周に取り付けられる円弧状の支持部材１０５と、この支持部材１０５の上面の３箇所に取り付けられて上下方向に伸縮動作するエアーシリンダ１０６とで主に構成されている。
【００５２】
上記のように構成される保持機構２００において、ウエハＷを保持する場合は、図１０に示すように、エアーシリンダ１０６が収縮動作すると、ばね部材１０４の付勢力により、リンク部材１０３が図１０に矢印で示すように時計方向に回転され、リンク部材１０３の先端側の保持爪２１ＡがウエハＷの周縁を上側から押圧して保持することができる。また、ウエハＷの保持を解除する場合は、図１１に示すように、エアーシリンダ１０６が伸長動作すると、リンク部材１０３がばね部材１０４の弾性力に抗して反時計方向に回転され、リンク部材１０３の上側先端の保持爪２１ＡがウエハＷの周縁から離間され、ウエハＷの保持が解除される。
【００５３】
上記洗浄ブラシ８０は、水平方向に回転可能に形成されると共に、ブラシ移動手段９０によってスピンチャック１Ａ上のウエハＷに対して接離（上下）移動及び平行（水平）移動可能に形成されている。
【００５４】
また、メガソニックノズル７０は、ノズル移動手段６ＡによってウエハＷの半径方向に平行（水平）移動可能に形成されている。
【００５５】
上記ブラシ移動手段９０とノズル移動手段６Ａは、ＣＰＵ８によって移動のタイミングが制御されるようになっている。
【００５６】
なお、上記カップ３Ａは、上記第一実施形態と同様に図示しない上下移動手段例えばシリンダによって上下移動し得るように構成されている。また、ケーシング９の側壁には、ウエハＷの搬送手段の出入口１０が設けられている。
【００５７】
第二実施形態において、その他の部分は、上記第一実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００５８】
次に、第二実施形態のスクラバ６０の液処理方法について、図１２，図１３を参照して説明する。
【００５９】
図１２に示す液処理方法は、上記第一実施形態と同様な手順で、混合液供給工程→処理工程→混合液供給停止工程を行った後、洗浄ブラシ８０を用いてウエハＷの表面に付着するごみを除去すると共に、ウエハＷを洗浄し、その後、乾燥する液処理方法である。
【００６０】
上記スクラバ６０を用いて液処理を行う場合には、まず、カップ３Ａを下方に移動した状態で、ウエハＷが搬送手段によってケーシング９の出入口１０から装置内に搬入され、ウエハＷの周縁がスピンチャック１Ａの保持爪２１Ａにより保持されるようにスピンチャック１ＡにウエハＷを受け渡し、保持機構２００の保持爪２１ＡにてウエハＷを保持した後、カップ３Ａが上方へ移動する。この状態で、上記第一実施形態と同様の手順で、混合液供給工程→処理工程→混合液供給停止工程を行う。
【００６１】
上記液処理が終了した後、洗浄ブラシ８０がウエハＷの中心部上方に移動し、下降してウエハＷの表面に接触又は近接する。そして、ウエハＷを回転すると共に、洗浄ブラシ８０を水平方向に回転させながら回転するウエハＷの半径方向に移動させて、ウエハＷの表面に付着するごみを除去する。この洗浄ブラシ８０による処理中には純水は供給されている。洗浄ブラシ８０によってウエハＷに付着するごみを除去した後、洗浄ブラシ８０をウエハＷから後退させる一方、メガソニックノズル７０をウエハＷの中心側上方に移動し、メガソニックノズル７０を回転するウエハＷの半径方向に移動させながら第１の開閉バルブＶ1のみを開放してメガソニックノズル７０から純水を噴射してウエハＷの洗浄を行った後、純水の供給を停止する（洗浄工程）。その後、上記第一実施形態と同様に、スピンチャック１Ａ及びウエハＷを高速回転して、ウエハＷの表面に付着する純水を飛散（除去）する（乾燥工程）。
【００６２】
上記説明では、洗浄ブラシ８０によってウエハＷの表面のごみを除去した後に、メガソニックノズル７０から純水を噴射してウエハＷを洗浄する場合について説明したが、逆の処理手順としてもよい。すなわち、メガソニックノズル７０から純水を噴射してウエハＷを洗浄した後、ウエハ表面に洗浄ブラシ８０を接触又は近接すると共に、純水を供給してブラシ洗浄してもよい。あるいは、図１２に想像線で示すように、洗浄ブラシ８０によるブラシ洗浄と共に、メガソニックノズル７０から純水を噴射してブラシ洗浄と純水による洗浄とを同時に行い、その後、純水のみの供給によってウエハＷを洗浄するようにしてもよい。
【００６３】
また、図１３に示す液処理方法は、混合液供給後の処理工程の際に、ブラシ洗浄を同時に行うようにした場合である。すなわち、上記第一実施形態と同様に、ウエハＷに与えるダメージの少ない処理液順、すなわち純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨの順に供給した後、洗浄ブラシ８０をウエハＷの表面に接触又は近接し、ウエハＷを回転すると共に、洗浄ブラシ８０を水平方向に回転させながら回転するウエハＷの半径方向に移動させると共に、第１〜第３の開閉バルブＶ1〜Ｖ3を開放してメガソニックノズル７０から混合液を供給して、ブラシ洗浄（第１洗浄）と同時に液処理を行うようにした場合である。このようにして、処理工程（第１洗浄工程）を行った後、上述と同様に、ウエハＷに与えるダメージの大きい処理液順、すなわちＮＨ4ＯＨ，Ｈ2Ｏ2の順に供給を停止する（混合液停止工程）。その後、第１の開閉バルブＶ1のみ開放し純水の供給を続行して、ウエハＷの洗浄を行った後、純水の供給を停止する（第２洗浄工程）。第２洗浄工程が終了した後、ウエハＷを高速回転してウエハＷに付着する純水を遠心力によって飛散させてウエハＷを乾燥する（乾燥工程）。
【００６４】
◎第三実施形態
図１４は、この発明に係る液処理装置の第三実施形態を示す概略構成図、図１５は、第三実施形態における液処理装置を用いた液処理方法の工程を示すフロー図（説明図）である。
【００６５】
第三実施形態は、この発明に係る液処理装置をスクラバに適用した別の形態の場合である。この場合、スクラバ６０Ａは、上記第二実施形態のスクラバ６０とほぼ同様に構成されており、第二実施形態の洗浄ブラシ８０と、ブラシ移動手段９０を除いた構造となっている。すなわち、スクラバ６０Ａは、ウエハＷを回転可能に保持する保持手段であるスピンチャック１Ａと、このスピンチャック１Ａを回転駆動する回転駆動手段であるモータ２Ａと、スピンチャック１Ａ及びスピンチャック１Ａによって保持されたウエハＷの周囲及び下部を包囲するカップ３Ａと、スピンチャック１Ａによって保持されたウエハＷの上面に複数の処理液の混合液の供給手段を兼用する洗浄液噴射手段であるメガソニックノズル７０と、メガソニックノズル７０をウエハＷの上方で水平移動するノズル移動手段６Ａと、メガソニックノズル４，５に供給管路７を介して接続する複数の処理液供給源１１，１２，１３と、処理液を供給するタイミングと処理液の供給を停止するタイミングを制御すると共に、モータ２Ａ及びメガソニックノズル７０の移動手段６Ａを制御する制御手段であるＣＰＵ８とで主要部が構成されている。なお、第三実施形態において、その他の部分は、上記第一実施形態及び第二実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００６６】
次に、第三実施形態のスクラバ６０Ａを用いた液処理方法の工程について、図１５を参照して説明する。
【００６７】
図１５に示す液処理方法は、上記第一実施形態及び第二実施形態（図１２に示す液処理方法）と同様に、混合液供給工程→処理工程→混合液供給停止工程を行った後、メガソニックノズル７０をウエハＷの中心側上方に移動し、メガソニックノズル７０を回転するウエハＷの半径方向に移動させながら第１の開閉バルブＶ1のみを開放してメガソニックノズル７０から純水を噴射してウエハＷの表面に付着するごみを除去した後、純水の供給を停止する（洗浄工程）。その後、上記第一、第二実施形態と同様に、スピンチャック１Ａ及びウエハＷを高速回転して、ウエハＷの表面に付着する純水を飛散（除去）する（乾燥工程）。
【００６８】
◎その他の実施形態
（１）上記実施形態では、混合液が、純水，Ｈ2Ｏ2，ＮＨ4ＯＨの３種類の混合液である場合について説明したが、混合液は、純水を含む複数の処理液の混合であれば、２種類であってもよく、例えば、フッ酸（ＨＦ）と純水（Ｈ2Ｏ）との混合液により液処理方法にも適用できるものである。
【００６９】
（２）上記実施形態では、処理液の流れの状況を検出する手段が圧力スイッチＰＳ1，ＰＳ2，ＰＳ3である場合について説明したが、圧力スイッチに代えてセンサ付きのフローメータを用いることも可能である。
【００７０】
（３）上記第二実施形態及び第三実施形態においてはメガソニックノズル７０を用いた場合について説明したが、メガソニックノズルに代えてジェットノズルを用いてもよい。
【００７１】
（４）上記実施形態では、この発明に係る液処理方法及び液処理装置を半導体ウエハの液処理システムに適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬＣＤ用ガラス基板等にも適用できることは勿論である。
【００７２】
【発明の効果】
以上に説明したように、この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００７３】
１）請求項１，３，１０又は１２記載の発明によれば、被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給することにより、混合液供給の初期時における被処理基板のダメージを抑制することができる。したがって、製品歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることができる。また、各処理液を順次供給するので、処理液を予めタンク内で混合させて供給する装置に比べて装置を小型にすることができる。
【００７４】
２）請求項２，４，１１又は１３記載の発明によれば、被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給し、混合液の供給を停止する際、被処理基板に与えるダメージの最も大きな処理液の供給を停止し、次に上記ダメージの少ない処理液を停止し、その後、上記最もダメージの少ない処理液を停止することにより、混合液供給初期時及び混合液供給停止時の被処理基板のダメージを抑制することができる。したがって、上記１）に加えて更に製品歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることができる。また、各処理液を順次供給すると共に、供給を順次停止するので、処理液を予めタンク内で混合させて供給・停止する装置に比べて装置を小型にすることができる。
【００７５】
３）請求項６又は１４記載の発明によれば、枚葉処理される被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給することにより、混合液供給の初期時における被処理基板のダメージを抑制することができると共に、製品歩留まりの向上及び処理の安全性を図ることができる。また、各処理液を順次供給するので、処理液を予めタンク内で混合させて供給する装置に比べて装置を小型にすることができる。また、混合液の供給を停止する際、被処理基板に与えるダメージの最も大きな処理液の供給を停止し、次に上記ダメージの少ない処理液を停止し、その後、上記最もダメージの少ない処理液を停止することにより、混合液供給初期時及び混合液供給停止時の被処理基板のダメージを抑制することができる。したがって、更に製品歩留まりの向上を図ることができる。また、各処理液を順次供給すると共に、供給を順次停止するので、処理液を予めタンク内で混合させて供給・停止する装置に比べて装置を小型にすることができる。
【００７６】
４）また、処理液の供給を停止した後、被処理基板表面に洗浄部材を接触又は近接させて被処理基板表面に付着するごみを除去することができるので、更に製品歩留まりの向上を図ることができる。
【００７７】
５）請求項７記載の発明によれば、混合液によって処理された被処理基板表面に洗浄部材を接触又は近接させて被処理基板表面に付着するごみを除去した後、被処理基板に洗浄液を供給して被処理基板を洗浄し、更に、被処理基板を高速回転して被処理基板表面に付着する洗浄液を除去することができる。したがって、上記３）に加えて混合液による処理、洗浄処理及び乾燥処理を連続して行うことができる。
【００７８】
６）請求項８記載の発明によれば、混合液による処理と同時に洗浄部材によって被処理基板表面に付着するごみを除去することができる。したがって、上記３）に加えて処理時間の短縮化を図ることができると共に、スループットの向上及び製品歩留まりの向上を図ることができる。この場合、例えばアンモニア水と過酸化水素水及び純水の混合液を供給しながら洗浄部材を被処理基板表面に接触又は近接させることにより、被処理基板表面へのごみの再付着を防止することができる。
【００７９】
７）請求項９又は１５記載の発明によれば、被処理基板に複数の処理液の混合液を供給する際、被処理基板に与えるダメージの最も少ない処理液を供給し、次にダメージの少ない処理液を供給し、その後、最もダメージの大きい処理液を供給し、混合液の供給を停止する際、被処理基板に与えるダメージの最も大きな処理液の供給を停止し、次に上記ダメージの少ない処理液を停止し、その後、上記最もダメージの少ない処理液を停止した後、被処理基板表面に洗浄液を噴射して被処理基板表面に付着するごみを除去することができる。したがって、上記３）に加えて更に製品歩留まりの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明に係る液処理装置の第一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】  上記液処理装置の要部を示す断面図である。
【図３】  上記液処理装置における回転テーブルのシール構造を示す断面図である。
【図４】  上記液処理装置におけるカップの上下移動部のシール構造を示す断面図である。
【図５】  上記液処理装置を用いた液処理方法の工程を示す説明図である。
【図６】  上記液処理方法の手順を示すフローチャートである。
【図７】  上記この発明に係る液処理方法の別の工程を示す説明図である。
【図８】  この発明に係る液処理装置の第二実施形態を示す概略構成図である。
【図９】  上記液処理装置の要部を示す平面図である。
【図１０】  上記液処理装置における被処理基板の保持状態を示す要部側面図である。
【図１１】  上記液処理装置における被処理基板の保持解除状態を示す要部側面図である。
【図１２】  第二実施形態の液処理装置を用いた液処理方法の工程を示す説明図である。
【図１３】  第二実施形態の液処理装置を用いた液処理方法の別の工程を示す説明図である。
【図１４】  この発明に係る液処理装置の第三実施形態を示す概略構成図である。
【図１５】  第三実施形態の液処理装置を用いた液処理方法の工程を示す説明図である。
【符号の説明】
Ｗ  半導体ウエハ（被処理基板）
Ｖ1  第１の開閉バルブ（開閉手段）
Ｖ2  第２の開閉バルブ（開閉手段）
Ｖ3  第３の開閉バルブ（開閉手段）
ＰＳ1  第１の圧力スイッチ（検出手段）
ＰＳ2  第２の圧力スイッチ（検出手段）
ＰＳ3  第３の圧力スイッチ（検出手段）
１，１Ａ  スピンチャック（保持手段）
２，２Ａ  モータ
４  上部ノズル（供給手段）
５  下部ノズル（供給手段）
６，６Ａ  ノズル移動手段
７  供給管路
８  ＣＰＵ（制御手段）
１１  純水供給源（処理液供給源）
１２  過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）供給源（処理液供給源）
１３  アンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）供給源（処理液供給源）
１４  第１の分岐管路
１５  第２の分岐管路
７０  メガソニックノズル（供給手段・洗浄液噴射手段）
８０  洗浄ブラシ（洗浄部材）
９０  ブラシ移動手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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