(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパターン配線がフィルム本体の表面上に被着され、これらパターン配線の各先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブであって、
前記フィルム本体の裏面にバネ層が被着され、該バネ層が前記フィルム本体の先端部から突出状態に配されていると共に、前記バネ層の突出部と前記コンタクトピンとの間にピン支持部が設けられ、
前記ピン支持部は、前記コンタクトピン側に位置する面にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝を有し、
前記溝の底面は、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜して形成され、
前記溝の側壁の高さは、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けて低くなるように形成されていることを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項２】
請求項１記載のコンタクトプローブにおいて、
前記ピン支持部の各溝内には、前記コンタクトピンが複数本ずつ配されることを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項３】
請求項１又は２記載のコンタクトプローブにおいて、
前記溝と前記コンタクトピンとの間には、弾性体層が設けられていることを特徴とするコンタクトプローブ。
【請求項４】
複数のパターン配線がフィルム本体の表面上に被着され、これらパターン配線の各先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの製造方法であって、
前記複数のパターン配線を前記フィルム本体の表面上に被着してこれらパターン配線の各先端部をコンタクトピンとするコンタクトピン形成工程と、
前記フィルム本体の裏面にバネ層を被着するバネ層被着工程と、
ピン支持部をフィルム本体の先端部から突出状態に配すると共に前記バネ層の突出部と前記コンタクトピンとの間に接着剤で被着した後に該接着剤を加熱硬化させるピン固定工程とを有し、
前記ピン支持部には、前記コンタクトピン側に位置する面に前記ピン固定工程の加熱硬化前にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝を形成しておくことと、
前記溝の底面を、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜させて形成しておくことと、
前記溝の側壁の高さを、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けて低くなるように形成しておくこととを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
前記溝を、前記コンタクトピン側に位置する面にマスクを施してマスクされていない部分にレーザ光を照射するレーザ加工で形成することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
前記溝を、ダイシングブレードによる機械加工で形成することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プローブピンやソケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト用ソケット等に組み込まれて半導体ＩＣチップや液晶デバイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコンタクトプローブとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の半導体チップ又はＬＣＤ（液晶表示体）の各端子に接触させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが用いられている。
近年、ＩＣチップ等の高集積化および微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化が要望されている。
しかしながら、コンタクトピンとして用いられていたタングステン針のコンタクトプローブでは、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへの対応が困難になっていた。
【０００３】
これに対して、例えば、特公平７−８２０２７号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に形成されこれらのパターン配線の各先端が樹脂フィルムから突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタクトプローブの技術が提案されている。
この技術例では、複数のパターン配線の先端部をコンタクトピンとすることによって、多ピン狭ピッチ化を図るとともに、複雑な多数の部品を不要とするものである。
【０００４】
この技術に関して本出願人は、図１２及び図１３に示すように、コンタクトピン５が荷重によって変形したり損傷したりすることを防止するために、ピン支持部８を介してコンタクトピン５を弾性支持するバネ層６を有したコンタクトプローブ１を提案している。
このコンタクトプローブ１は、ピン支持部８としてシリコンゴムの弾性体層９とセラミックスの非弾性体層１０とを有し、弾性体層９で荷重を吸収すると共に、非弾性体層１０で各コンタクトピン５に一定の荷重を加えることができる点で優れている。
【０００５】
なお、このコンタクトプローブ１は、フィルム本体２の片面にＮｉ（ニッケル）またはＮｉ合金で形成されるパターン配線３を張り付けた構造となっており、パターン配線３の先端部がコンタクトピン５とされている。そして、フィルム本体２は、ポリイミド樹脂フィルム層２Ａ上にＣｕ（銅）、Ｎｉ等の金属フィルム層２Ｂがグラウンドとして積層されて構成されている。また、バネ層６は、接着剤７によってフィルム本体２に固定されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記ピン支持部を有するバネ層を備えたコンタクトプローブでは、バネ層とフィルム本体とを接着する際に、高温で圧縮加熱を行って接着剤を硬化させて固定しているが、セラミックスの非弾性体層とフィルム本体との熱膨張係数の違いにより固定後に、図１４に示すように、コンタクトピン間のピッチにずれが生じてしまう不都合があった。
【０００７】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、コンタクトピン間のピッチずれを防ぐことができるコンタクトプローブ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のコンタクトプローブは、複数のパターン配線がフィルム本体の表面上に被着され、これらパターン配線の各先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブであって、前記フィルム本体の裏面にバネ層が被着され、該バネ層が前記フィルム本体の先端部から突出状態に配されていると共に、前記バネ層の突出部と前記コンタクトピンとの間にピン支持部が設けられ、前記ピン支持部は、前記コンタクトピン側に位置する面にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝を有し、前記溝の底面は、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜して形成され、前記溝の側壁の高さは、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けて低くなるように形成されていることを特徴とする。
【０００９】
このコンタクトプローブでは、ピン支持部が、コンタクトピン側に位置する面にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝を有するので、熱膨張差などによりコンタクトピン間のピッチが変化しようとしても、コンタクトピンが溝内に拘束されてピッチが広がってずれることを防ぐことができる。
【００１０】
本発明のコンタクトプローブの製造方法は、複数のパターン配線がフィルム本体の表面上に被着され、これらパターン配線の各先端部がコンタクトピンとされるコンタクトプローブの製造方法であって、前記複数のパターン配線を前記フィルム本体の表面上に被着してこれらパターン配線の各先端部をコンタクトピンとするコンタクトピン形成工程と、前記フィルム本体の裏面にバネ層を被着するバネ層被着工程と、ピン支持部をフィルム本体の先端部から突出状態に配すると共に前記バネ層の突出部と前記コンタクトピンとの間に接着剤で被着した後に該接着剤を加熱硬化させるピン固定工程とを有し、前記ピン支持部には、前記コンタクトピン側に位置する面に前記ピン固定工程の加熱硬化前にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝を形成しておくことと、前記溝の底面を、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜させて形成しておくことと、前記溝の側壁の高さを、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けて低くなるように形成しておくこととを特徴とする。
【００１１】
このコンタクトプローブの製造方法では、ピン支持部のコンタクトピン側に位置する面に、ピン固定工程の加熱硬化前にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝を形成しておくので、ピン固定工程において、加熱によるピン支持部とフィルム本体との熱膨張差が生じても、コンタクトピンが溝内に規制された状態で固定される。したがって、ピン支持部固定時にピン間のピッチずれが生じることを防ぐことができる。
【００１２】
また、本発明のコンタクトプローブは、前記ピン支持部の各溝内に、前記コンタクトピンが複数本ずつ配される技術が採用される。すなわち、このコンタクトプローブでは、ピン支持部の各溝内にコンタクトピンが複数本ずつ配されることにより、ピン一つ配する場合の溝よりも溝幅を広げることができ、溝の加工がし易いと共に、組み立て作業性が向上する。なお、溝は、このように複数本のピンが配される溝幅であっても、コンタクトピン間のピッチに応じて形成されていればよい。
【００１３】
また、本発明のコンタクトプローブは、前記溝の底面が、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜させて形成されている技術が採用される。また、本発明のコンタクトプローブの製造方法は、前記溝の底面を、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜させて形成しておく技術が採用される。
また、本発明のコンタクトプローブは、前記溝の側壁の高さが、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けて低くなるように形成されている技術が採用される。また、本発明のコンタクトプローブの製造方法は、前記溝の側壁の高さを、前記コンタクトピンの基端側から先端側に向けて低くなるように形成しておく技術が採用される。
【００１４】
すなわち、これらのコンタクトプローブ及びコンタクトプローブの製造方法では、溝の底面がコンタクトピンの基端側から先端側に向けてコンタクトピン側に傾斜して形成されることにより、底面が傾斜面となって溝内に配されたコンタクトピンの先端が外側に向けて折り曲げられる。これによって、コンタクトピンの電極への接触角をより大きく設定することができる。
【００１５】
また、本発明のコンタクトプローブは、前記溝と前記コンタクトピンとの間に弾性体層が設けられていることが好ましい。すなわち、このコンタクトプローブでは、溝とコンタクトピンとの間に弾性体層が設けられているので、弾性体層によりコンタクトピンに加わる荷重を吸収することができる。
【００１６】
また、本発明のコンタクトプローブの製造方法は、前記溝を、前記コンタクトピン側に位置する面にマスクを施してマスクされていない部分にレーザ光を照射するレーザ加工で形成する技術が採用される。すなわち、このコンタクトプローブの製造方法では、コンタクトピン側に位置する面にマスクを施してマスクされていない部分にレーザ光を照射するレーザ加工で溝を形成することにより、複数の溝を同時に加工できると共に、より高精度なかつ微細な溝加工を行うことができる。
【００１７】
また、本発明のコンタクトプローブの製造方法は、前記溝を、ダイシングブレードによる機械加工で形成する技術が採用される。すなわち、このコンタクトプローブの製造方法では、ダイシングブレードによる機械加工で溝を形成するので、溝及び底面が傾斜面になっている溝の加工において、より高精度かつ微細な溝加工を行うことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るコンタクトプローブとその製造方法の第１実施形態を、図１から図４を参照しながら説明する。
これらの図にあって、符号１１はコンタクトプローブ、１２はフィルム本体、１３はパターン配線を示している。
【００１９】
本実施形態のコンタクトプローブは、ＩＣ用プローブとして所定形状に切り出したもので、そのコンタクトピンが下方に向けて傾斜させられてプローブ装置に支持されるタイプである。
このコンタクトプローブ１１は、図１および図２に示すように、例えば、ポリイミド等の樹脂フィルム層１２ＡとＣｕ（銅）等の金属フィルム層１２Ｂとの２層構造とされて、略ホームベース形状をなすフィルム本体１２において、そのフィルム本体１２の表面（樹脂フィルム層１２Ａ側であって、図１及び図２におけるフィルム本体１２の下面）に、Ｎｉ基合金等からなる複数のパターン配線１３が接着剤１４により被着されていて、それら各パターン配線１３の先端がコンタクトピン１５とされている。
【００２０】
そして、フィルム本体１２の裏面（図１及び図２におけるフィルム本体１２の上面）には、バネ層１６が被着されていて、このバネ層１６はコンタクトピン１５の裏面と対向する位置まで突出させられている。また、バネ層１６は、例えばＪＩＳ  Ｇ  ４８０１に規定されるＳＵＰ材等のようなバネ鋼よりなる薄板（例えば、約２００μｍ程度の厚さ）で構成され、図２に示すように、フィルム本体１２の裏面側に位置する金属フィルム層１２Ｂに、液状もしくはシート状の接着剤１７によって被着されることにより、その先端の突出部１６Ａがフィルム本体１２の先端部からコンタクトピン１５の裏面と対向する位置まで突出した状態となっている。この場合、本実施形態におけるコンタクトピン１５は、例えば、厚さ及び幅が約５０μｍ程度の大きさであって、フィルム本体１２の先端部からコンタクトピン１５の先端までの長さが約５５０μｍ程度とされ、バネ層１６の突出部１６Ａもそれに対応した長さとされている。
【００２１】
また、バネ層１６とコンタクトピン１５の裏面との間に位置する空間にはピン支持部１８が介設されていて、このピン支持部１８は、図１及び図２に示すように、バネ層１６の突出部１６Ａとコンタクトピン１５との間に介設されて収縮可能な弾性体層としてのシリコンゴム１９と、そのシリコンゴム１９中に埋設された非弾性体層としてのセラミックス部材２０とからなる構成とされている。なお、この非弾性体層を構成するセラミックス部材２０は、窒化ケイ素あるいは窒化アルミ等からなるものである。
【００２２】
さらに、セラミックス部材２０は、図３及び図４に示すように、コンタクトピン１５側に位置する面に各コンタクトピン１５が配される複数の溝２０ａを有している。すなわち、コンタクトピン１５間のピッチＰに合わせて溝２０ａが形成されており、各コンタクトピン１５が溝２０ａ内にはめ込まれた状態で固定されている。
【００２３】
また、本実施形態においては、例えば、バネ層１６の突出部１６Ａとコンタクトピン１５の裏面とは、約１６５〜２００μｍ程度の距離を介して位置し、そのバネ層１６の突出部１６Ａとコンタクトピン１５の裏面との間の空間に充填されたシリコンゴム１９中に、約１３０〜１４０μｍ程度の厚さのセラミックス部材２０が埋設されている。
【００２４】
しかも、セラミックス部材２０とバネ層１６とが、約２５ミクロン程度の距離を介して離間すると共に、セラミックス部材２０とコンタクトピン１５の裏面とが、約１０〜２０μｍ程度の距離を介して離間しており、これらコンタクトピン１５とセラミックス部材２０との間の隙間、及びセラミックス部材２０とバネ層１６の突出部１６Ａとの間の隙間には、シリコンゴム１９が充填されている。なお、セラミックス部材２０とフィルム本体１２の先端面との間には、図２に示すように、例えば、約５０μｍ程度の隙間を介して離間していると共に、同じくシリコンゴム１９が充填されている。
【００２５】
つまり、シリコンゴム１９は、図２及び図３に示すように、コンタクトピン１５の裏面とセラミックス部材２０との間に配置される第１層１９Ａ（コンタクトピン１５側に位置する弾性体層）と、セラミックス部材２０とバネ層１６の突出部１６Ａとの間に配置される第２層１９Ｂ（バネ層１６の突出部１６Ａ側に位置する弾性体層）との間に位置する連通部１９Ｃによって、第１層１９Ａと第２層１９Ｂとが連通させられている。すなわち、セラミックス部材２０がシリコンゴム１９の第１層１９Ａと第２層１９Ｂとの間に挟まれるように配置されており、セラミックス部材２０とフィルム本体１２との間に位置するシリコンゴム１９の連通部１９Ｃによって組立誤差を吸収し得るようにしている。
【００２６】
また、ピン支持部１８を構成するシリコンゴム１９とセラミックス部材２０は、コンタクトプローブ１１による電気的テストに際し、コンタクトピン１５と半導体チップ等のパッド（又はバンプ）との接続を確認するための装置から、コンタクトピン１５周辺に向けて光が照射されるが、その光を吸収し得るように黒色に彩色されていることが好ましい。
【００２７】
このコンタクトプローブ１１は、例えば図５に示すように、マウンティングベース５０５やトップクランプ５０６、ボトムクランプ５０７等のメカニカルパーツに組み込まれることにより、プリント基板５０８に位置決めされて取り付けられてプローブ装置とされる。そして、この取付状態においてコンタクトプローブ１１は、図６に示すように、その先端の上記コンタクトピン１５が下方に向くように傾斜させられて支持されており、各コンタクトピン１５の先端が例えば半導体チップ５０９の上面周辺部に設けられた電極端子としてのパッド（またはバンプ）５０９ａにそれぞれ接触させられることにより、上記パターン配線１３およびプリント基板５０８の配線を介してこの半導体チップ５０９等の電気的テストが行われる。
【００２８】
次に、本実施形態のコンタクトプローブ１１の製造方法について、以下に説明する。
【００２９】
〔溝形成工程〕
まず、上記セラミックス部材２０のコンタクトピン１５側に位置する面に、図４に示すように、後述するピン固定工程の加熱硬化前に各コンタクトピン１５が配される複数の溝２０ａを予め形成しておく。
この際、ピン支持部１８のコンタクトピン１５側に位置する面に細溝加工機（ダイサー等）のダイシングブレードで機械加工を施して溝２０ａを形成する方法や、コンタクトピン１５側に位置する面にマスクを施してマスクされていない部分にレーザ光を照射するレーザ加工を施して溝２０ａを形成する方法などを用いる。なお、上記レーザ加工によれば、複数の溝を同時に加工できると共に、高精度かつ微細な加工が可能である。また、上記ダイシングブレードによる機械加工によれば、溝及び底面が傾斜面になっている溝の加工において、レーザ加工等に比べてより高精度かつ微細な溝加工を行うことができる。
【００３０】
〔コンタクトピン形成工程〕
一方、マスク技術を用いてメッキ処理により支持金属板上に形成された複数のパターン配線１３を、フィルム本体１２の表面上に接着剤１４で被着する。このとき、パターン配線１３の各先端部をフィルム本体１２から突出させてコンタクトピン１５となるように被着しておく。その後、支持金属板からパターン配線１３をフィルム本体１２と共に剥離させて、パターン配線１３とフィルム本体１２とからなる構成としておく。
【００３１】
〔バネ層被着工程及びピン固定工程〕
次に、図７に示すように、コンタクトピン１５の裏面側に、シリコンゴム１９を塗布するとともに、そのシリコンゴム１９中にセラミックス部材２０を埋設させ、さらにそのセラミックス部材２０の上部にもシリコンゴム１９を塗布して、シリコンゴム１９及びフィルム本体１２の裏面にバネ層１６を被着させることにより、コンタクトピン１５の裏面とバネ層１６の突出部１６Ａとの間にシリコンゴム１９及びセラミックス部材２０を介設する。そして、この状態でシリコンゴム１９を加熱硬化させると、そのシリコンゴム１９がコンタクトピン１５の裏面に接着されると共に、バネ層１６の突出部１６Ａとも接着される。
【００３２】
この工程において上記加熱硬化を行う前に、セラミックス部材２０の溝２０ａ内に各コンタクトピン１５が配されるように位置を調整し、この状態で、シリコンゴム１９を硬化させてバネ層１６とピン支持部１８とコンタクトピン１５とを互いに固定する。この際、加熱によってセラミックス部材２０とフィルム本体１２との間に熱膨張差が生じても、コンタクトピン１５が溝２０ａに拘束されているので、シリコンゴム１９が硬化しても、コンタクトピン１５間のピッチがずれることを防ぐことができる。
【００３３】
なお、フィルム本体１２の金属フィルム層１２Ｂとバネ層１６との間は、例えば、液状もしくはシート状の接着剤１７の厚さを変更することによってその厚さが適宜調整される。
また、シリコンゴム１９が流動性をもっているので、コンタクトピン１５の裏面側から各コンタクトピン１５同士の隙間にも入り込むが、その入り込んだシリコンゴム１９の不要な部分をレーザ加工等によって除去することにより、シリコンゴム１９の第１層１９Ａの下面側を揃えておく。
【００３４】
このように、コンタクトピン１５の裏面側にセラミックス部材２０を埋設したシリコンゴム１９を塗布し、さらに、その上にバネ層１６を被着すると、コンタクトピン１５の裏面とバネ層１６の突出部１６Ａとの間にセラミックス部材２０を埋設したシリコンゴム１９が接着されることとなり、コンタクトプローブ１１が作製される。
【００３５】
本実施形態では、ピン支持部１８のセラミックス部材２０が、コンタクトピン１５側に位置する面に各コンタクトピン１５が配される複数の溝２０ａを有するので、熱膨張差などによりコンタクトピン１５間のピッチが変化しようとしても、コンタクトピン１５が溝２０ａ内に拘束されてピッチが広がってずれることを防ぐことができる。
【００３６】
また、ピン支持部１８は、シリコンゴム１９中にセラミックス部材２０が埋設された構成とされているので、単にシリコンゴム１９のみを介設しただけの場合と異なり、コンタクトピン１５に作用した荷重をセラミックス部材２０を介してバネ層１６の突出部１６Ａに確実に伝えることができるとともに、コンタクトピン１５に一定の荷重をかけることができるので、バネ層１６のコンタクトピン１５に対する押さえを確実に行うことでき、コンタクト性を良好に維持できる。
しかも、バネ層１６が弾性変形し、かつピン支持部１８が収縮することにより、コンタクトピン１５をパッド（またはバンプ）により強く押し付けて針圧を高めることができるので、コンタクトピン１５だけで針圧を与える場合よりも安定したコンタクト性を確保できるという利点も得ることができる。
【００３７】
次に、本発明に係るコンタクトプローブとその製造方法の第２実施形態を、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００３８】
第２実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では一つの溝２０ａ内に一本のコンタクトピン１５が配されているのに対し、第２実施形態では、図８及び図９に示すように、ピン支持部１１８のセラミックス部材１２０に形成された各溝１２０ａ内に、コンタクトピン１５が複数本ずつ配される点である。なお、本実施形態では、コンタクトピン１５が２本ずつ溝１２０ａ内に配されている。
すなわち、本実施形態では、セラミックス部材１２０の各溝１２０ａ内にコンタクトピン１５が複数本ずつ配されることにより、ピン一つ配する場合の溝よりも溝幅を広げることができ、溝の加工がし易いと共に、組み立て作業性が向上する。
【００３９】
次に、本発明に係るコンタクトプローブとその製造方法の第３実施形態を、図１０を参照しながら説明する。
【００４０】
第３実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、溝２０ａの底面がパターン配線１３と平行な面とされているのに対し、第３実施形態では、図１０に示すように、ピン支持部２１８のセラミックス部材２２０に形成された溝２２０ａの底面は、コンタクトピン１５の基端側から先端側に向けてコンタクトピン１５側に傾斜して形成されている点である。
【００４１】
すなわち、本実施形態では、溝２２０ａの底面がコンタクトピン１５の基端側から先端側に向けてコンタクトピン１５側に傾斜し、パターン配線１３に対して傾斜した面とされていることにより、底面が傾斜面となって溝２２０ａ内に配されたコンタクトピン１５の先端が外側に向けて折り曲げられる。これによって、コンタクトピン１５の電極（パッド又はバンプ）への接触角をより大きく設定することができる。
【００４２】
次に、本発明に係るコンタクトプローブとその製造方法の第４実施形態を、図１１を参照しながら説明する。
【００４３】
第４実施形態と第１実施形態との異なる点は、第１実施形態では、ピン支持部１８がバネ層１６と別体に設けられているのに対し、第４実施形態では、図１１に示すように、ピン支持部４１８がバネ層４１６の突出部４１６Ａに一体に予め形成されている点である。すなわち、本実施形態では、セラミックス部材を用いず、バネ層４１６の突出部４１６Ａ自体に溝４１６Ｂを形成しておき、この溝４１６Ｂ内にコンタクトピン１５を配している。したがって、本実施形態では、部品点数の削減及び組立作業の簡略化を図ることができる。
【００４４】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、第１から第３実施形態では、ピン支持部として、シリコンゴムとセラミックス部材とで構成された例を示したが、シリコンゴムに代えて収縮可能な他の弾性体層であってもよく、またセラミックス部材に代えて他の非弾性体層であってもよい。
また、弾性体層である第１層１９Ａは、必ずしも設ける必要はないが、溝とコンタクトピンとの間に上記第１層のような弾性体層を設けておけば、弾性体層によりコンタクトピンに加わる荷重を吸収することができる。
【００４５】
また、上記各実施形態においては、ＩＣ用コンタクトプローブの製造方法に適用したが、他のものに採用しても構わない。例えば、ＩＣチップを内側に保持して保護し、ＩＣチップのバーンインテスト用装置等に搭載されるＩＣチップテスト用ソケットに用いるコンタクトプローブやＬＣＤのテスト用プローブ装置用のコンタクトプローブに適用してもよい。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明のコンタクトプローブ及びコンタクトプローブの製造方法によれば、ピン支持部のコンタクトピン側に位置する面にコンタクトピンのピッチに応じた複数の溝が形成されるので、熱膨張差などによりコンタクトピン間のピッチが変化しようとしても、コンタクトピンが溝内に拘束されてピッチが広がってずれることを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第１実施形態において、コンタクトプローブを示す要部斜視図である。
【図２】  図１のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図３】  本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第１実施形態において、コンタクトプローブを示すパターン配線側から見た要部平面図である。
【図４】  本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第１実施形態において、セラミックス部材を示す要部斜視図である。
【図５】  本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第１実施形態において、コンタクトプローブが装着されるプローブ装置の分解斜視図である。
【図６】  本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第１実施形態において、コンタクトプローブをメカニカルパーツに組み込んだ状態を示す要部断面図である。
【図７】  本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第１実施形態において、バネ層被着工程におけるバネ層の突出部、ピン支持部及びコンタクトピン等を示す要部断面図である。
【図８】  本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第２実施形態において、コンタクトプローブを示すパターン配線側から見た要部平面図である。
【図９】  本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第２実施形態において、セラミックス部材を示す要部斜視図である。
【図１０】  本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第３実施形態において、コンタクトプローブを示す要部断面図である。
【図１１】  本発明に係るコンタクトプローブ及びその製造方法の第４実施形態において、コンタクトプローブを示す要部断面図である。
【図１２】  本発明に係る従来例のコンタクトプローブを示す要部斜視図である。
【図１３】  図１２のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図１４】  本発明に係る従来例のコンタクトプローブを示すバネ層固定後のパターン配線側から見た要部平面図である。
【符号の説明】
１１  コンタクトプローブ
１２  フィルム本体
１２Ａ  樹脂フィルム層
１２Ｂ  金属フィルム層
１３  パターン配線
１５  コンタクトピン
１６  バネ層
１６Ａ  突出部
１７  接着剤
１８  ピン支持部
１９  シリコンゴム
２０  セラミックス
２０ａ  溝
【図１】
0003962264.tif 000002
【図２】
0003962264.tif 000003
【図３】
0003962264.tif 000004
【図４】
0003962264.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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