(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アセトンと、γ−ブチロラクトンと、エステル溶剤との混合物からなることを特徴とするフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項２】
前記エステル溶剤は、酢酸エステルより構成されることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項３】
前記エステル溶剤はｎ−ブチルアセテート、アミルアセテート、エチルアセトアセテート、イソプロピルアセテートおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群から選択される少なくとも一つの化合物であることを特徴とする請求項２に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項４】
前記混合物は、
前記混合物の総質量を基準として３〜３５質量％のアセトンと、
前記混合物の総質量を基準として２〜１３質量％のγ−ブチロラクトンと、
前記混合物の総質量を基準として５５〜９５質量％のエステル溶剤とからなることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項５】
前記混合物は、
前記混合物の総質量を基準として８〜１５質量部のアセトンと、
前記混合物の総質量を基準として４〜７質量部のγ−ブチロラクトンと、
前記混合物の総質量を基準として８０〜９０質量部のエステル溶剤とからなることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項６】
界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジストストリッパ組成物。
【請求項７】
（a）  基板からフォトレジストをストリップするために、前記基板を回転させながら、アセトン、γ−ブチロラクトン、およびエステル溶剤との混合物からなるフォトレジストストリッパ組成物を前記基板上に噴射する段階と、
（b）  前記基板を回転停止状態で維持する段階と、
（c）  前記基板をフォトレジストストリッパ組成物を前記基板上に噴射する前記(a)段階よりも速く回転させながら前記フォトレジストストリッパ組成物を前記基板上に噴射する段階と、
（d）  純水を使用して前記基板をリンスする段階とを含むことを特徴とするフォトレジストストリップ方法。
【請求項８】
前記段階（b）後に前記基板をスピンドライする段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。
【請求項９】
前記段階（c）後に前記基板をスピンドライする段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。
【請求項１０】
前記段階（a）では、前記基板は１２００〜１５００ｒｐｍで回転されることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。
【請求項１１】
前記段階（c）では、前記基板は２０００〜２５００ｒｐｍで回転されることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。
【請求項１２】
前記段階（a）は、１０〜２０秒間実施されることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。
【請求項１３】
前記段階（b）は、２０〜３０秒間実施されることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。
【請求項１４】
前記段階（c）は、１０〜２０秒間実施されることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。
【請求項１５】
前記フォトレジストストリッパ組成物は、
前記混合物の総質量を基準として３〜３５質量％のアセトンと、
前記混合物の総質量を基準として２〜１３質量％のγ−ブチロラクトンと、
前記混合物の総質量を基準として５５〜９５質量％のエステル溶剤とからなることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。
【請求項１６】
前記フォトレジストストリッパ組成物は界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。
【請求項１７】
前記フォトレジストストリッパ組成物に含まれるエステル溶剤は、ｎ−ブチルアセテート、アミルアセテート、エチルアセトアセテート、イソプロピルアセテートおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群から選択される少なくとも一つの化合物であることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。
【請求項１８】
前記フォトレジストストリッパ組成物は、
前記混合物の総質量を基準として８〜１５質量部のアセトンと、
前記混合物の総質量を基準として４〜７質量部のγ−ブチロラクトンと、
前記混合物の総質量を基準として８０〜９０質量部のｎ−ブチルアセテートとよりなされることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジストストリップ方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウェーハのような基板からフォトレジストを除去するためのストリッパ組成物とこれを使用してフォトレジストを効果的にストリップする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ICまたはLSIなどの半導体素子または液晶パネル素子を製造する場合、コーティングマスクとしてフォトレジスト物質が広く使われる。フォトレジスト物質を用いたフォトリソグラフィー工程によって集積素子を製造する通常の工程では、板上に形成された導電性金属膜または絶縁膜上にフォトレジストを均一に塗布してフォトレジスト膜を形成する。その後、前記フォトレジスト膜内の溶剤を蒸発させて前記フォトレジスト膜を安定化させるためのソフトべーク工程を行なう。前記ソフトべーク工程を経たフォトレジスト膜に対してUV、eビーム、またはX線の波長を有する光源を照射して露光を行った後、現像処理によって前記基板上にフォトレジストパターンを形成し、このフォトレジストパターンをマスクとして前記導電性金属膜または絶縁膜を選択的にエッチングして微細回路パターンを形成した後、不要なフォトレジスト物質をストリッパを使用して除去する。
【０００３】
前記のようなフォトリソグラフィー工程で、前記ソフトべーク工程を経た後にはウェーハのエッジ部分やウェーハの裏面から不要に塗布されたフォトレジスト物質を除去する必要がある。このようにウェーハのエッジまたは裏面に不要に塗布されたフォトレジストは、後続のエッチング工程またはイオン注入工程時いろいろな不良を起こし、結果的に生産収率を低下させる恐れがある。このように不要なフォトレジストを除去するために通常は有機溶媒を含むストリッパを使用する。
【０００４】
また、フォトリソグラフィー工程で不良品として回収されるウェーハ、または工程管理のために任意に引き出したテスト用ウェーハをリサイクルするための再作業工程時、ストリッパを使用して前記ウェーハの表面にコーティングされているフォトレジストを除去すべき場合がある。
【０００５】
一方、前記現像処理後フォトレジストパターンが形成された基板に対する後続処理段階として、高温のPEB（post exposure bake）段階、イオン注入段階、およびDUV照射による硬化段階を経れば、前記フォトレジストパターンは通常の有機溶剤では容易に溶解されない程度に高度に架橋結合されたフォトレジスト物質に硬化される。
【０００６】
このように硬化されたフォトレジスト物質を除去するために、従来にはハロゲン化炭化水素およびフェノール系炭化水素よりなされる溶剤を使用した。このような種類の溶剤は危険な作業環境、廃棄物処理と関連した公害問題のためにその使用は好ましくない。
【０００７】
また、前記のように硬化されたフォトレジスト物質を除去するために酸性またはアルカリ性ストリッパを使用する場合もあるが、この場合には下地膜として金属膜、特にアルミニウム膜、または銅やタングステンのような金属の合金膜を含む基板では腐食を起こして超微細化された配線パターンを形成するのには使用できない。
【０００８】
通常の有機溶剤をフォトレジストのストリッパとして使用する場合に、リンス液としてイソプロピルアルコールのような有機溶剤を使用すべき必要があるためリンス工程が複雑になり、作業時安全性においても問題がある。
【０００９】
また、従来にフォトレジストストリッパとして使われた化学薬剤または溶剤中には、硬化されたフォトレジストに適用する場合、溶解速度が遅いあるいは溶解が不完全なもの、またはストリップ後基板上に残っている残留汚染物が後続工程まで完全に除去できずに残り素子の電気的信頼性に悪影響を及ぼすものがある。
従って、基板にコーティングされた硬化状態のフォトレジストを基板の損傷や汚染なしに迅速で完全に除去できるフォトレジストストリッパが必要である。
【００１０】
一方、半導体製造工程が複雑になり半導体素子の集積度が増加するにつれて微細なパターン形成が要求される。さらに、半導体素子の容量が１ギガビット級以上の素子において、デザインルールが０．２μm以下のパターンサイズが要求され、それにより既存のKrFエクサイマレーザー（２４８ｎｍ）を用いたレジスト材料を使用するのに限界がある。従って、新たなエネルギー露光源のArFエクサイマレーザー（１９３ｎｍ）を用いたリソグラフィー技術が登場した。
【００１１】
それによりi−ラインおよびG−ラインレジストのようにクレゾールノボラック樹脂を主成分とする従来のフォトレジストおよびエクサイマレーザー波長を露光源としたりDUVランプを用いる化学増幅型レジストを含む多様な種類のフォトレジストに対してその極性に関係なく共通的に使われることができ、優れた溶解度特性を発揮できるフォトレジストストリッパ組成物が必要である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は前記のような問題点を解決するためのものであって、本発明の目的は、基板上にコーティングされているフォトレジストをその種類および極性に関係なく基板から効果的に速くストリップできるフォトレジストストリッパ組成物を提供することである。
本発明の他の目的は、基板上にコーティングされた硬化状態または非硬化状態のフォトレジストをその下地膜を損傷および汚染せずに、安全で効率的に完全に除去できるフォトレジストストリッパ組成物を提供することである。
【００１３】
本発明のさらに他の目的は、基板のエッジリンス工程または基板の裏面リンス工程に適用した場合、十分に速くフォトレジストを除去でき、不良ウェーハまたはテスト用ウェーハをリサイクルするための再作業時、ウェーハからフォトレジストを効果的に速く除去できるフォトレジストストリッパ組成物を提供することである。
【００１４】
本発明のさらに他の目的は、フォトレジストストリップ工程後有機溶剤を用いたリンス工程なしに基板上のフォトレジストを効果的に除去できるフォトレジストストリップ方法を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明で提供されるフォトレジストストリッパ組成物は、アセトンと、γ−ブチロラクトンと、エステル溶剤との混合物からなる。
前記エステル溶剤は、酢酸エステルより構成される。望ましくは、前記エステル溶剤はｎ−ブチルアセテート、アミルアセテート、エチルアセトアセテート、イソプロピルアセテートおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群から選択される少なくとも一つの化合物よりなる。
【００１６】
望ましくは、本発明に係るフォトレジストストリッパ組成物は、前記混合物の総質量を基準として３〜３５質量％のアセトンと、前記混合物の総質量を基準として２〜１３質量％のγ−ブチロラクトンと、前記混合物の総質量を基準として５５〜９５質量％のエステル溶剤とからなる。
【００１７】
より望ましくは、本発明に係るフォトレジストストリッパ組成物は、前記混合物の総質量を基準として８〜１５質量部のアセトンと、前記混合物の総質量を基準として４〜７質量部のγ−ブチロラクトンと、前記混合物の総質量を基準として８０〜９０質量部のエステル溶剤とよりなされる。
本発明に係るフォトレジストストリッパ組成物は界面活性剤をさらに含むことができる。
【００１８】
前記他の目的を達成するために、本発明に係るフォトレジストストリップ方法では、先ず基板からフォトレジストをストリップするために、前記基板を比較的低速で回転させながらアセトンと、γ−ブチロラクトンと、エステル溶剤との混合物からなるフォトレジストストリッパ組成物を前記基板上に噴射する。
前記基板を回転停止状態で維持する。前記基板を比較的速く回転させながら前記フォトレジストストリッパ組成物を前記基板上に噴射する。純水を使用して前記基板をリンスする。
【００１９】
本発明に係るフォトレジストストリップ方法では、前記基板を回転停止状態で維持する段階後に前記基板をスピンドライする段階をさらに含むことができる。
また、本発明に係るフォトレジストストリップ方法では、前記基板を速く回転させながらフォトレジスト組成物を前記基板上に噴射する段階後に前記基板をスピンドライする段階をさらに含むことができる。
【００２０】
本発明に係るフォトレジストストリッパ組成物は、多様な種類のフォトレジストに対して室温で効果的に適用可能で、溶解速度が速く、容易に揮発されてウェーハの表面に残留しない。また、本発明に係るフォトレジストストリップ方法によれば、ウェーハ上の不要なフォトレジストを完全に除去でき、純水を使用したリンス工程だけでも十分で工程数を縮められる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例に対して詳細に説明する。
本実施例では有機溶剤を基本とするフォトレジストストリッパ組成物を提供する。本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物は、多様な種類のフォトレジストに対して室温（２０〜４０℃）で効果的に適用可能な組成物であって、アセトンと、γ−ブチロラクトンと、エステル溶剤の混合物とよりなされる。
【００２２】
本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物を構成する各成分は各々ストリッパとしての作用効果を有している。
γ−ブチロラクトンは合成樹脂の溶剤として知られており、発火点が高くて溶剤としては比較的安定的であり、皮膚接触および３ケ月間の摂取実験結果、人体に中毒現象が示されない程度に安全なものと証明された。γ−ブチロラクトンの物理的性質は比重が１．１２８、沸点が２０４℃、引火点が９８℃、発火点が４５７℃、２５℃での粘度が１．７０ｃＰ（１．７０×１０-3Ｎｓ／ｍ2）である。
【００２３】
アセトンはエーテルによく溶解され、樹脂、ゴム、プラスチック、塗料の溶剤、アセチレンの溶解剤として知られている。アセトンの物理的性質は比重が０．７９２、沸点が５６．５℃、引火点が−１５℃、発火点が４６５℃、２５℃での粘度が０．３３７ｃＰ（０．３３７×１０-3Ｎｓ／ｍ2）である。
【００２４】
本実施例に係るストリッパ組成物では、有機溶剤としては酢酸エステルを使用する。
上記の他に使用可能な前記エステル溶剤には、ｎ−ブチルアセテート、アミルアセテート、エチルアセトアセテート、イソプロピルアセテートおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートがある。
【００２５】
望ましくは、本実施例係るフォトレジストストリッパ組成物を構成する混合物は、前記混合物の総質量を基準として３〜３５質量％、より望ましくは８〜１５質量％のアセトンと、前記混合物の総質量を基準として２〜１３質量％、より望ましくは４〜７質量％のγ−ブチロラクトンと、前記混合物の総質量を基準として５５〜９５質量％、より望ましくは８０〜９０質量％のエステル溶剤とからなる。
【００２６】
本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物には、必要に応じて界面活性剤のような補助成分がさらに含まれる場合がある。
各々ストリッパとしての作用効果を有している前記成分の混合物からなるストリッパ組成物が、上昇効果によって全ての種類のフォトレジストを効果的にストリップするのに使われるだけでなく、その溶解速度が非常に速くて各種フォトレジストを速かに除去できるストリップ組成物を構成するということがわかる。
【００２７】
即ち、本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物は、多様な種類の有機重合体物質からなるフォトレジストを基板から効果的に除去できる。有機重合体物質からなるフォトレジストの代表的な種類には、ポジティブ型およびネガティブ型G−ライン、i−ラインおよびDUVレジスト、電子ビームレジスト、X線レジスト、イオンビームレジストが含まれる。本実施例に係るストリッパ組成物は、前記全ての種類のフォトレジスト中いかなる種類でも効果的にストリップできる。
【００２８】
また、前記有機重合体物質から選択される特定の種類のフォトレジストが上面にコーティングされている下地膜として、この技術分野で広く用いられる通常的な下地膜、例えばシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリシリコン膜、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金のような金属膜が用いられる場合にも、本実施例に係るストリッパ組成物を使用すれば前記下地膜を損傷させたり汚せずに前記フォトレジストを効果的にストリップできる。
【００２９】
表１は、本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物に含まれる成分の各々に対していろいろな種類のフォトレジストに対する溶解力を評価した結果を示している。
【００３０】
【表１】
0003946428.tif 000002
【００３１】
表１で、本実施例に係るストリッパ組成物の有効成分のγ−ブチロラクトンとアセトン各々に対しレジストに対する溶解力を評価するために、i−ラインレジストとして製品名SS８８０A７（日本、Sumitomo Co．製品）を使用し、DUVレジストとして製品名UVＩＩＩ（日本、Shipley Company Inc．製品）、製品名SEPR−４０２（日本、ShinEtsu Co．製品）および製品名SEPR−４３０S（日本、ShinEtsu Co．製品）を使用した。また、本実施例に係るストリッパ組成物に混合できる代表的な有機溶剤のｎ−ブチルアセテートに対しても同じ評価をした。
【００３２】
表１の評価のために、前記レジストを各々シリコンウェーハ上に十分に厚くコーティング（ウェーハ回転速度：２０００ｒｐｍ（約毎秒３０回転）、コーティング時間：３０秒）して試料を製造し、各試料を１６０℃の温度で３分間ソフトべークした後、溶解速度測定装置としてDRM（Dissolution Rate Meter）を使用して２５℃の恒温条件下でそれぞれの試料に対してγ−ブチロラクトン、アセトンおよびｎ−ブチルアセテートを適用した時の溶解速度を測定した。
【００３３】
表１の結果でわかるように、評価されたそれぞれの成分は使われた全てのレジストに対して溶解力を有することがわかる。しかし、評価されたそれぞれの成分はi−ラインレジストに対しては比較的優れた溶解速度を示すが、DUVレジストに対しては相対的に低い溶解速度を示した。
【００３４】
前記のように各種レジストに対して溶解力を有しているそれぞれの成分を混合して得られる本実施例に係るストリッパ組成物では、それぞれの成分から得られる効果がさらに向上する上昇効果を期待できる。このような事実は、次の表２の評価結果から確認できる。
【００３５】
表２は、本実施例に係る特定のストリッパ組成物に対していろいろな種類のフォトレジストに対する溶解力を評価した結果を示す。ここで使われたストリッパ組成物として５質量％のγ−ブチロラクトン、１０質量％のアセトンおよび８５質量％のｎ−ブチルアセテートの混合物を使用した。ここで、前記表示された質量％は全て前記混合物の総質量を基準としている。
【００３６】
【表２】
0003946428.tif 000003
【００３７】
表２では、本実施例に係るストリッパ組成物のレジストに対する溶解力を評価するために、DUVレジストとして製品名SEPR−４０２（日本、ShinEtsu Co．製）、製品名SEPR−４３０（日本、ShinEtsu Co．製）、および製品名UVＩＩＩ（日本、Shipley Company Inc．製）を使用し、i−ラインレジストとして製品名ip−２６８０（日本、Tokyo Ohka Kogyo Co．製）、製品名ip−３３００（日本、Tokyo Ohka Kogyo Co．製）、製品名i−７０１０（日本、Mitsubishi Denki株式会社製）、および製品名i−９００（韓国、ドングジン化成工業株式会社製）を使用した。
【００３８】
表２の評価のために、前記レジストを各々シリコンウェーハ上に十分に厚くコーティング（ウェーハ回転速度：２０００ｒｐｍ（毎秒約３０回転）、コーティング時間：３０秒）して試料を製造し、各試料を１６０℃の温度で３分間ソフトべークした後、２５℃の恒温条件下で本実施例に係るストリッパ組成物をノズル噴射方式によって前記ウェーハ上に噴射してレジストの溶解速度を測定した。この際、溶解速度測定装置としてDRMを使用した。
【００３９】
表２の結果でわかるように、評価された全ての場合において、シリコンウェーハ上にコーティングされたレジストが種類に関係なく１秒以内に完全に溶解された。
従って、本実施例に係るストリッパ組成物を使用すれば、上昇効果によってそれぞれの成分から得られる効果がさらに向上することが確認できた。
【００４０】
本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物は、半導体素子製造のための写真蝕刻工程で不良品として回収されるウェーハ、または工程管理のために任意に引き出したテスト用ウェーハからその表面にコーティングまたは付着されているフォトレジストを除去することによって前記ウェーハを再使用できる。
【００４１】
また、本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物は、フォトレジストがコーティングされたウェーハに対してソフトべーク工程を経た後、前記ウェーハのエッジ部やウェーハの裏面から無駄に塗布されたフォトレジスト物質を除去するのに効果的に使われる。
【００４２】
また、フォトリソグラフィー工程によって下地膜をパタニングするために、エッチングマスクとして使われた後高度に硬化された状態で基板上に残っているフォトレジストパターンを除去するためのストリップ工程で、本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物が効果的に使われられる。
【００４３】
次に、本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物を用いたフォトレジストストリップ方法の具体的な実施例に対して添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本実施例に係るフォトレジストストリップ方法を適用するのに使われるノズル噴射方式のストリップユニット１００の要部構成を概略的に示す断面図である。
【００４４】
図１を参照すれば、ストリップユニット１００はドレインカップ１０を具備している。前記ドレインカップ１０内部にはウェーハＷを水平に支持するスピンチャック１２が設けられており、このスピンチャック１２はモータ１４により回転可能である。
【００４５】
前記スピンチャック１２の上方の概略中央部にはノズル２２が配置されており、前記ノズル２２から噴射されるフォトレジストストリッパ組成物が前記スピンチャック１２上に支持されているウェーハＷ上に供給される。
また、前記ストリップユニット１００は、前記ウェーハＷのエッジリンス用溶液を前記ウェーハＷ上に供給するためのエッジリンス用ノズル２４と、前記ウェーハＷの裏面リンス用溶液を前記ウェーハＷに供給するための裏面リンス用ノズル２６を具備する。
【００４６】
図２は、図１に示したようなストリップユニットを使用して本実施例によって基板上の不要なフォトレジストをストリップする方法を説明するためのフローチャートである。本実施例で説明するストリップ方法は、ウェーハ上で所定の下部膜質をパタニングするためのフォトリソグラフィー工程でエッチングマスクとして使われたフォトレジストマスクを除去するのに効果的に適用できる。また、本実施例でのストリップ方法は、フォトリソグラフィー工程で不良品として回収されるウェーハ、またはテスト用ウェーハをリサイクルするための再作業工程として適用できる。
【００４７】
本実施例に係るフォトレジストストリップ方法は、低速回転ストリップ段階１１０、高速回転ストリップ段階１２０およびリンス段階Ｓ６より構成される。これに対して詳細に説明すれば次の通りである。
【００４８】
低速回転ストリップ段階１１０では、図１に示したようなストリップユニット１００のスピンチャック１２上にフォトレジストがコーティングされている基板、例えばシリコンウェーハＷを載置し、前記ウェーハＷを比較的低速、例えば約１２００〜１５００ｒｐｍ（毎秒約２０から２５回転）で回転させながら前記ノズル２２を通じてフォトレジストストリッパ組成物を前記ウェーハＷ上に約１０〜２０秒間噴射する（段階Ｓ１）。この際、前記ウェーハＷが前記スピンチャック１２によって回転しているので、遠心力によってストリッパ組成物が前記ウェーハＷ上に均一に供給される。
【００４９】
前記フォトレジストストリッパ組成物として、前述したような本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物を使用できる。本実施例ではストリッパ組成物として、室温で維持されるγ−ブチロラクトン、アセトンおよびｎ−ブチルアセテートの混合物を供給する。例えば、前記ストリッパ組成物は、前記混合物の総質量を基準として５質量％のγ−ブチロラクトン、前記混合物の総質量を基準として１０質量％のアセトン、前記混合物の総質量を基準として８５質量％のｎ−ブチルアセテートを含む。
【００５０】
次いで、前記スピンチャック１２の回転を止めて前記ウェーハが停止した状態で約２０〜３０秒間維持する（段階Ｓ２）。この際、前記ウェーハ上のフォトレジストがストリッパ組成物によって溶解される。
その後、前記スピンチャック１２の高速回転によって前記ウェーハをスピンドライする（段階Ｓ３）。
【００５１】
次いで、前記ウェーハ上に残っているフォトレジスト残留物を除去するために、高速回転ストリップ段階１２０で、前記ウェーハを比較的高速、例えば約２０００〜２５００ｒｐｍ（毎秒約３０から４５回転）で回転させながら前記ストリッパノズル２２を通じて本実施例のフォトレジストストリッパ組成物を前記ウェーハ上に約１０〜２０秒間噴射することによって、前記ウェーハ上に前記ストリッパ組成物を均一に供給する（段階Ｓ４）。
その後、前記スピンチャック１２の高速回転によって前記ウェーハをスピンドライする（段階Ｓ５）。
【００５２】
次いで、前記ウェーハ上に有機物質が残留しないように前記ウェーハを純水を使用してリンスする（Ｓ６）。
その後、再び前記スピンチャック１２の高速回転によって前記ウェーハをスピンドライしてウェーハ上に残っている純水を完全に除去する（段階Ｓ７）。
前記全ての段階Ｓ１〜Ｓ７は室温で実施することができる。
【００５３】
本実施例に係るフォトレジストストリップ方法によれば、低速回転ストリップ段階１１０および高速回転ストリップ段階１２０からなる２回のストリップ段階を経るので、ウェーハ上の不要なフォトレジストを完全に除去でき、本実施例で提供されるフォトレジストストリッパ組成物は、フォトレジストを除去した後、容易に揮発されてウェーハの表面に残留しない。従って、フォトレジストのストリップ工程後、従来のようにウェーハ上に残留する有機物質を除去するためにIPA（isopropyl alcohol）のような有機溶剤を用いたリンス段階を経る必要がなく、純水を使用したリンス工程だけでも十分である。従って、リンス工程が簡単である。
【００５４】
本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物は、図１に示したようなストリップユニット１００のエッジリンス用ノズル２４を使用してウェーハのエッジリンス工程にも適用できる。
この場合には、前記エッジリンス用ノズル２４を使用して本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物をウェーハのエッジ部分に噴射する。その結果、前記エッジリンス用ノズル２４から供給されるストリッパ組成物が着くウェーハのエッジ部分で残留するフォトレジストが均一に除去され、ストリッパ組成物によるウェーハ上の処理面が滑らかな状態になる。
【００５５】
また、本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物は、図１に示したようなストリップユニット１００の裏面リンス用ノズル２６を使用してウェーハの裏面リンス工程に適用する場合もある。
この場合にも同じように、ウェーハの裏面でフォトレジスト残留物が均一に除去されてウェーハ上で有機溶剤が残留しない滑らかな処理面を得られる。
【００５６】
前記のように、本実施例に係るフォトレジストストリッパ組成物は、多様な種類のフォトレジストに対して室温で効果的に適用可能で、溶解速度が速くて容易に揮発されてウェーハの表面に残留しない。
また、ウェーハ上のフォトレジストマスク除去工程、再作業工程、ウェーハエッジリンス工程、ウェーハ裏面リンス工程に効果的に使われる。
【００５７】
【発明の効果】
本発明に係るフォトレジストストリップ方法によれば、低速回転ストリップ段階と高速回転ストリップ段階とからなる２段階ストリップ工程によってウェーハ上の不要なフォトレジストが完全に除去され、有機溶剤を用いたリンス段階を経る必要がなく、純水を使用したリンス工程だけでも十分である。従って、有機溶剤を用いたリンス工程を含む従来のストリップ方法に比べて工程数を縮められる。
【００５８】
以上、本発明を望ましい実施例を挙げて詳細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本発明の技術的思想範囲内で当分野で通常の知識を有する者によっていろいろ変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のノズル噴射方式のストリップユニットの要部構成を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るフォトレジストストリップ方法を説明するためのフローチャートを示す図である。
【符号の説明】
１０    ドレインカップ
１２    スピンチャック
１４    モータ
２２    ノズル
２４    エッジリンス用ノズル
２６    裏面リンス用ノズル
１００    ストリップユニット
Ｗ    ウェーハ
【図１】
0003946428.tif 000004
【図２】
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