(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック基板と、前記プラスチック基板上の画素領域に設けられガラス転移温度が３０℃以上８０℃以下である第１の接着層と、前記プラスチック基板上の前記画素領域の周囲の周辺領域に設けられガラス転移温度が前記第１の接着層のガラス転移温度より１０℃以上高く、８０℃以上２００℃以下である第２の接着層と、前記第１の接着層及び前記第２の接着層上に１５０μｍ以下の厚さで設けられる薄ガラス層と、前記薄ガラス層上の前記画素領域に設けられるアクティブ素子と、前記薄ガラス層上の前記周辺領域に設けられ、前記アクティブ素子に接続された接続パット電極と、前記薄ガラス層上に設けられ前記アクティブ素子によって駆動され画素毎に表示可能な表示部と、前記表示部上に設けられる対向基板とを具備することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
基板面に垂直な方向から見て前記プラスチック基板が前記薄ガラス層より大きいことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
画素領域に設けられ線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以上３００ｐｐｍ／℃以下である第１のプラスチック基板と、前記画素領域の周囲の周辺領域に設けられ線膨張係数が前記第１のプラスチック基板の３分の２以下であり、１ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である第２のプラスチック基板と、前記第１のプラスチック基板及び前記第２のプラスチック基板上に設けられる接着層と、前記接着層上に１５０μｍ以下の厚さで設けられる薄ガラス層と、前記薄ガラス層上の前記画素領域に設けられるアクティブ素子と、前記薄ガラス層上の前記周辺領域に設けられ、前記アクティブ素子に接続された接続パット電極と、前記薄ガラス層上に設けられ前記アクティブ素子によって駆動され画素毎に表示可能な表示部と、前記表示部上に設けられる対向基板とを具備することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
表示面と、この表示面に対向する面とを除いた側面を保護層により覆うことを特徴とする請求項１または３記載の表示装置。
【請求項５】
前記薄ガラス層と前記対向基板との間の前記画素領域に接着樹脂を接着した接着樹脂領域を複数具備することを特徴とする請求項１または２記載の表示装置。
【請求項６】
画素領域に設けられ線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以上３００ｐｐｍ／℃以下である第１のプラスチック基板と、前記画素領域の周囲の周辺領域に設けられ線膨張係数が前記第１のプラスチック基板の３分の２以下であり、１ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である第２のプラスチック基板と、前記第１のプラスチック基板上の前記画素領域に設けられガラス転移温度が３０℃以上８０℃以下である第１の接着層と、前記第２のプラスチック基板上の前記周辺領域に設けられガラス転移温度が前記第１の接着層のガラス転移温度より１０℃以上高く、８０℃以上２００℃以下である第２の接着層と、前記第１の接着層及び前記第２の接着層上に１５０μｍ以下の厚さで設けられる薄ガラス層と、前記薄ガラス層上の前記画素領域に設けられるアクティブ素子と、前記薄ガラス層上の前記周辺領域に設けられ、前記アクティブ素子に接続された接続パット電極と、前記薄ガラス層上に設けられ前記アクティブ素子によって駆動され画素毎に表示可能な表示部と、前記表示部上に設けられる対向基板とを具備することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
前記第１のプラスチック基板の一部が前記第２のプラスチック基板を覆っていることを特徴とする請求項３または６記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
各画素に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のアクティブ素子を配置したアクティブマトリクス型表示装置は、高画質な平面型の表示装置を実現することができる。このアクティブマトリクス型表示装置の表示部としては、光のシャッタとなる液晶や自発光する有機ＥＬ、マイクロカプセルによって封じられた電気泳動素子等を用いることが出来る。また、これらのアクティブマトリクス型表示装置は、薄型、軽量に出来ることから、ノートパソコンやＰＤＡなどの持ち歩くことの出来る情報機器に最適である。
【０００３】
アクティブ素子として用いられるＴＦＴとしては、活性層にアモルファスシリコン、多結晶シリコン、結晶粒界で格子の連続性が得られている結晶性シリコン、もしくは単結晶シリコン等からなる半導体膜が用いられている。これらのＴＦＴを作製する際に、良好な半導体膜やゲート絶縁膜等の膜質を得る為には、アモルファスシリコンで２５０〜３５０℃程度、多結晶シリコン等の結晶性の良いシリコンでは４００〜６５０℃程度のプロセス温度を必要とする。そのため基板の材料が限定され、従来から無アルカリガラス等のガラス基板が用いられてきた。
【０００４】
携帯できる情報機器は、今後無線ネットワークの整備と共に広く用いられていくものと考えられる為、表示装置としては、より一層の薄型化、軽量化が求められる。この要求に対して、基板として、ガラス基板でなく、プラスチック基板を用いるアクティブマトリクス型表示装置が提案されている。
【０００５】
プラスチック基板を用いたアクティブマトリクス型表示装置の一例として、プラスチック基板の耐熱性を上げ、プロセス温度を出来るだけ低温としたＴＦＴを形成する報告がなされている。この方法では、プラスチック基板がガラス基板に比べて比重が１／２以下であることから軽量に出来ると共に、プラスチックがフレキシブルであるために、曲げることができ、耐衝撃性に強いなどの特性も得ることが出来る。
【０００６】
しかしながら、プラスチック基板は単に耐熱性が１００〜２００℃程度と低いだけでなく、吸湿することによる変形があり、また線膨張率が高く、線膨張係数がガラス基板より一桁程度大きい。特に表示装置で必要とされる透明なプラスチック基板ではこのような傾向が顕著である。これらから、プラスチック基板上にアクティブ素子等を形成した際には、剥離や断線等が生じ、また変形するプラスチック基板上に順次アクティブ素子の各層を積層していくことになることからマスク合せ精度が低下する。従って、プラスチック基板を用いた場合には、ガラス基板上にアクティブ素子等を形成するときのようには、高精度なパターンを形成することが出来ず、またＴＦＴを用いた表示部の画素スイッチや駆動回路等の性能が低くなってしまう問題があった。さらに、プラスチック基板を用いる際には、脆い金属や絶縁材料を用いるとクラックが入りやすいなど、使用できる材料系に制限が多くかかってしまっていた。
【０００７】
これに対して、プラスチック基板を用いたアクティブマトリクス型表示装置の別の例として、ガラス基板やシリコン基板の上に形成したＴＦＴをプラスチック基板に転写する方法が、特開２００１−７３４０号公報などで提案されている。この従来の転写方法を図３４（ａ）〜（ｅ）を用いて説明する。
【０００８】
まず図３４（ａ）に示すように、ガラス等からなる素子形成基板１３０１上にエッチングストッパーとなる絶縁膜等からなる分離層１３０２を形成し、その上に通常のプロセスを用いて、ＴＦＴ１３０８や電極１３０９等の素子１３０３を形成する。
【０００９】
次に図３４（ｂ）に示すように、中間基板１３０５上に接着性を有する接着・剥離層１３０４を形成し、素子形成基板１３０１上に形成された素子１３０３を、接着・剥離層１３０４を介して中間基板１３０５に接着する。
【００１０】
次に図３４（ｃ）に示すように、素子形成基板１３０１を、エッチングなどにより分離層１３０２が残るように除去する。
【００１１】
次に図３４（ｄ）に示すように、プラスチックからなる転写先基板１３０７に接着性を有する接着層１３０６を形成する。そして、分離層１３０２を接着層１３０６に接着する。
【００１２】
次に図３４（ｅ）に示すように、接着・剥離層１３０４を溶剤で溶かす等して、素子１３０３を中間基板１３０５から転写先基板１３０７に転写する。
【００１３】
図３４に示されるような転写方法では、素子形成基板１３０１の材料として耐熱性の良いガラス等を用いることが出来るため、高精度に性能の高いＴＦＴを形成できると考えられる。
【００１４】
しかしながら、この方法では、素子形成基板１３０１を完全に除去する為、残った分離層１３０２に穴があったり、分離層１３０２に薄すぎる領域があり素子形成基板１３０１と一緒にエッチングされてしまう場合などに、素子１３０３がダメージを受ける。特に大画面のアクティブマトリクス型表示装置では、そのようなダメージを受ける可能性が高いことから、歩留まりが低下する等の問題があった。
【００１５】
また、表示部として用いられる液晶や有機ＥＬ等にとって、転写先基板１３０７として用いられるプラスチックは水分や酸素を透過させやすい為、劣化が著しくなってしまう。従って、プラスチック基板上に無機のガスバリア層等を形成して、水分や酸素を出来るだけ遮断する必要があった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来は、軽量なプラスチック基板を用いて、歩留まり良くアクティブ素子を形成可能なアクティブマトリクス型表示装置を得ることが困難であった。
【００１７】
本発明は、軽量なプラスチック基板を用いて、歩留まり良くアクティブ素子を形成可能なアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は、プラスチック基板と、プラスチック基板上の画素領域に設けられガラス転移温度が３０℃以上８０℃以下である第１の接着層と、プラスチック基板上の画素領域の周囲の周辺領域に設けられガラス転移温度が第１の接着層のガラス転移温度より１０℃以上高く、８０℃以上２００℃以下である第２の接着層と、第１の接着層及び第２の接着層上に１５０μｍ以下の厚さで設けられる薄ガラス層と、薄ガラス層上の前記画素領域に設けられるアクティブ素子と、前記薄ガラス層上の前記周辺領域に設けられ、前記アクティブ素子に接続された接続パット電極と、薄ガラス層上に設けられアクティブ素子によって駆動され画素毎に表示可能な表示部と、表示部上に設けられる対向基板とを具備することを特徴とする表示装置を提供する。
【００１９】
本発明においては、基板面に垂直な方向から見てプラスチック基板が薄ガラス層より大きくても良い。
【００２０】
また本発明は、画素領域に設けられ線膨張係数が３０ｐｐｍ／℃以上３００ｐｐｍ／℃以下である第１のプラスチック基板と、画素領域の周囲の周辺領域に設けられ線膨張係数が第１のプラスチック基板の３分の２以下であり、１ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である第２のプラスチック基板と、第１のプラスチック基板及び第２のプラスチック基板上に設けられる接着層と、接着層上に１５０μｍ以下の厚さで設けられる薄ガラス層と、薄ガラス層上の前記画素領域に設けられるアクティブ素子と、前記薄ガラス層上の前記周辺領域に設けられ、前記アクティブ素子に接続された接続パット電極と、薄ガラス層上に設けられアクティブ素子によって駆動され画素毎に表示可能な表示部と、表示部上に設けられる対向基板とを具備することを特徴とする表示装置を提供する。
【００２１】
本発明においては、表示面と、この表示面に対向する面とを除いた側面を保護層により覆っても良い。
【００２２】
また本発明においては、薄ガラス層と対向基板との間の画素領域に接着樹脂を接着した接着樹脂領域を複数具備しても良い。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態を図面を参照しつつ詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００２６】
まず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。図２〜図１２は本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置の工程を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。図１３は本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置の素子構成を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。本実施形態では、基板上の領域を画素領域と周辺領域とに分けているが、画素領域にはＴＦＴ等のアクティブ素子とそれに接続される画素電極とがアレイ状に形成されている。また、周辺領域には、基板面内の配線と基板面外に引出される配線とを接続する接続パッド電極が形成されている。また、走査線駆動回路や信号線駆動回路等が形成された領域は、本実施形態では画素領域としているが、これらを周辺領域に形成しても良く、図１３（ａ）の点線では、これらの駆動回路を周辺領域に形成した場合を示している。
【００２７】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置は、図１に示すように、第１のプラスチック基板１０４と、第１のプラスチック基板１０４上の画素領域に設けられガラス転移温度が３０℃以上８０℃以下である画素領域の接着層１００２及び第１のプラスチック基板１０４上の画素領域の周囲の周辺領域に設けられガラス転移温度が画素領域の接着層１００２のガラス転移温度より１０℃以上高く、８０℃以上２００℃以下である周辺領域の接着層１００１を有する第１の接着層１０３と、第１の接着層１０３上に１５０μｍ以下の厚さで設けられる第１の薄ガラス層１０１とを有する。また、第１の薄ガラス層１０１上に設けられるアクティブ素子回路領域１０２と、第１の薄ガラス層１０１上に設けられアクティブ素子回路領域１０２に接続する接続パッド電極１１０と、第１の薄ガラス層１０１上に設けられアクティブ素子回路領域１０２によって駆動され画素毎に表示可能な液晶層１０９（表示部）とを有する。また、液晶層１０９上に１５０μｍ以下の厚さで設けられる第２の薄ガラス層１０５と、第２の薄ガラス層１０５上の画素領域に設けられガラス転移温度が３０℃以上８０℃以下である画素領域の接着層１００２及び第２の薄ガラス層１０５上の画素領域の周囲の周辺領域に設けられガラス転移温度が画素領域の接着層１００２のガラス転移温度より１０℃以上高く、８０℃以上２００℃以下である周辺領域の接着層１００１を有する第２の接着層１０６と、第２の接着層１０６上の第２のプラスチック基板１０７と、第２の薄ガラス層１０５上に液晶層１０９に面して設けられる対向電極２０５とを有する。接続パッド電極１１０は、第１の薄ガラス層１０１の周辺領域に接着されている。
【００２８】
本実施形態では、画素領域においてはプラスチック基板と薄ガラス層との間の接着層（画素領域の接着層１００２）のガラス転移温度を低くして、画素領域の周囲の周辺領域においては接着層（周辺領域の接着層１００１）のガラス転移温度を高くする。そして、画素領域ではガラス転移温度が低いことから、室温より少し高い程度の温度でガラス転移温度となりやすい。そして、ガラス転移温度以上の温度になると接着層が軟らかくなり、曲げなどで生じた薄ガラス層とプラスチック基板の間のずれを許容できるようになる。これにより薄ガラス層への応力が低減され、破壊等の問題を防止することができる。ガラス転移温度以下の状態でも、接着層が軟らかいことから変形しやすく耐衝撃性が向上する。また、周辺領域ではガラス転移温度が高いことから、プラスチック基板の変形を抑えて端部での薄ガラス層の割れを防ぐことが可能となる。また、周辺領域に設けられる接続パッド電極に、２００℃程度の温度で異方性導電層を介してフレキシブル基板を接続する際に、熱応力を防ぐこともできる。
【００２９】
次に、本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を、図２〜図１２を用いて説明する。
【００３０】
図２に示すように、厚さ約０．７ｍｍの第１の無アルカリガラス基板２０１上に、低温ポリシリコンを活性層として用いたＴＦＴアレイ及び周辺ドライバ回路を有するアクティブ素子回路領域１０２を画素領域に形成する。また、基板内外の配線の接続を行う接続パッド電極１１０を周辺領域に形成する。
【００３１】
図３に示すように、画素領域を囲むようにシール１０８を形成する。シール１０８は、エポキシ系接着剤を用いてディスペンサで描画する。接続パッド電極１１０はシール１０８の外まで延伸されている。シール１０８には、液晶を注入するための注入口２０４を設けても良い。液晶は注入以外の方法で入れてもよい。
【００３２】
図４に示すように、厚さ約０．７ｍｍの第２の無アルカリガラス基板２０２に、スパッタ法等によってＩＴＯ等の透明導電膜からなる対向電極２０５を形成する。そしてこの第２の無アルカリガラス基板２０２と、アクティブ素子回路領域１０２及び接続パッド電極１１０を形成した第１の無アルカリガラス基板２０１とを組み合わせてシール１０８を硬化させて接着する。その際、対向電極２０５とアクティブ素子回路領域１０２とが対向するようにする。シール１０８は熱硬化型接着剤を用いる場合は、１８０〜２２０℃程度で硬化させるが、耐熱性のあるガラス基板を用いているので特に問題はない。シール１０８として、紫外線硬化型のメインシール用接着剤を用いてもよい。
【００３３】
次に、２枚の無アルカリガラス基板を研磨して薄膜化する。本実施形態ではまず、図５に示すように、アクティブ素子回路領域１０２を形成した第１の無アルカリガラス基板２０１から研磨する。研磨は弗酸系エッチャントによる化学エッチングを用いた。第２の無アルカリガラス基板２０２側および側面を耐薬品性のあるシート（図示せず）等で保護してエッチングする。なお、機械研磨による薄層化により行ってもよく、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）でもよい。
【００３４】
ガラスの研磨を行う際の、周囲の保護としてはシートによるカバーである必要はない。例えば、ガラスや硬質プラスチック、金属、セラミックなどの材質からなる適当な板状などの治具に仮着してガラス研磨をし、その後治具から剥離してもよい。治具に固定した状態で研磨した面の接着を行えば薄膜化したガラスに機械的な力をかけないようにでき、歩留りが向上する効果がある。
【００３５】
第１の無アルカリガラス基板２０１は、薄膜化して約５０μｍの厚さの第１の薄ガラス層１０１とする。第１の無アルカリガラス基板２０１を完全に除去せずにガラス層を残すことで、アクティブ素子回路領域１０２には第１の無アルカリガラス基板２０１の除去によるダメージが起こらず、機械強度を保つことが出来る。薄膜化したガラスの厚さは研磨精度、機械強度、アクティブ素子形成の内部応力等の条件から、約１５０μm以下とすることが好ましい。約１５０μm以上とすると、ガラスが曲げに対して柔軟性がなくなり割れやすくなってしまう。ガラスの厚さを薄くしすぎると、プラスチック基板を通ってきた水分等の浸入を防止できずに信頼性が低下することから、約１μｍ以上の厚さであることが好ましい。
【００３６】
図６に示すように、第１の薄ガラス層１０１と厚さ０．１ｍｍのＰＥＳからなる第１のプラスチック基板１０４とを第１の接着層１０３を介して接着する。ここで、第１の接着層１０３は、シール１０８の外側、特に最外周と接続パッド電極１１０が設けられる領域である周辺領域の接着層１００１と、画素領域の接着層１００２とで特性が異なるものを用いる。本実施形態では画素領域の接着層１００２としてガラス転移温度が約４７℃であるアリル系紫外線硬化接着剤の積水化学社製フォトレック７２０、あるいはガラス転移温度が約６０℃のアクリル系紫外線硬化接着剤のスリーボンド社製TB3042を用い、周辺領域の接着層１００１としてガラス転移温度が約１０９℃である三井化学社製ストラクトボンドUCシリーズ、あるいはガラス転移温度が約１４０℃のスリーボンド社製3025Gを用いる。第１の接着層１０３の厚さは10〜50μｍ程度とする。第１の接着層１０３は室温でプラスチック基板を通して紫外線を照射し硬化させる。
【００３７】
画素領域の接着層１００２は、ガラス転移温度を約３０℃以上８０℃以下とし、例えばアクリル系紫外線硬化接着剤、アリル系紫外線硬化型接着剤、熱硬化型アクリル系接着剤、熱硬化型アリル系接着剤等を用いることが出来る。また、周辺領域の接着層１００１は、ガラス転移温度を画素領域の接着層１００２のガラス転移温度より約１０℃以上高く、約８０℃以上２００℃以下とし、例えばアリル系紫外線硬化接着剤、エポキシ系紫外線硬化接着剤、熱硬化型エポキシ系接着剤等を用いることが出来る。周辺領域の接着剤１００１も画素領域の接着剤１００２も、光硬化型の方が接着時の変形が小さく好ましい。しかしながら、２液性の接着剤や熱硬化型、ホットメルト型も、材料や条件を選択することで使用可能である。また、周辺領域は画素がない領域であるため、周辺領域の接着層１００１は不透明となっても良く、フィラー等を混ぜてガラス転移温度を上げても良い。画素領域の接着層１００２よりも周辺領域の接着層１００１の方がガラス転移温度が約１０℃以上高いことが好ましい。なお、周辺領域は、画素領域を完全に囲むのではなく、少なくとも接続パッド電極がある辺で画素領域を囲み、画素領域の周囲の二辺もしくは三辺を囲むようにしてもよい。
【００３８】
第１のプラスチック基板１０４としては、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、シクロオレフィンポリマー等のポリオレフィン系樹脂、アクリル樹脂、液晶ポリマー、無機材料を混合した強化プラスチック、ポリイミド等を用いることが出来る。熱可塑性樹脂や熱硬化樹脂、結晶性樹脂、非結晶樹脂などを適宜選択することが出来る。透明のプラスチックもしくは不透明のプラスチックであっても良い。ＰＥＳやポリオレフィン系樹脂のJSR社製アートン等は光学異方性が小さく、複屈折が小さいため液晶には適当である。また、非結晶性透明樹脂は等方性が良く、柔軟性が高いため好ましい。なお、プラスチック基板に樹脂あるいは無機膜によるコーティングを行ってもよい。
【００３９】
図７に示すように、第２の無アルカリガラス基板２０２を研磨して薄膜化し、第２の薄ガラス層１０５とする。第１のプラスチック基板１０４の裏面及び第１の接着層１０３、第１の薄ガラス層１０１を含む側面を、耐薬品性のあるシート（図示せず）等で保護してから、第１の無アルカリガラス基板２０１と同様な方法で化学エッチングする。研磨方法は、機械研磨やＣＭＰにより行っても良い。第２の薄ガラス層１０５の厚さも第１の薄ガラス層１０１と同程度とすることが好ましく、本実施形態では約５０μｍとする。
【００４０】
図８に示すように、第２の薄ガラス層１０５の上に、第２の接着層１０６を介して第２のプラスチック基板１０７を接着する。第２の接着層１０６も、第１の接着層１０３と同様な性質を有する、周辺領域の接着層１００１及び画素領域の接着層１００２を用いる。シール１０８の外側の、第２の薄ガラス層１０５の最外周は、少なくとも周辺領域の接着層１０６により接着されている。本実施形態では、周辺領域の接着層１００１として三井化学社製ストラクトボンドUCシリーズを用い、画素領域の接着層１００２としてスリーボンド社製TB3042を用い、接着層１０６の厚さを１０〜５０μｍとする。第２のプラスチック基板１０７としては、厚さ０．１ｍｍのＰＥＳを用いる。
【００４１】
図９（ａ）の点線及び図９（ｂ）の矢印で示す位置で、第１の薄ガラス層１０１から第１のプラスチック基板１０４までと、第２の薄ガラス層１０５から第２のプラスチック基板１０７までを切断して、図１０のような表示装置となる部分を取り出す。切断にはレーザーを用いて、薄ガラス層もプラスチック層も同時に切断する。大きな無アルカリガラス基板やプラスチック基板を用いて、一度に多数の表示装置を形成してから、この工程で複数に切り分けても良い。切断には、ＣＯ2や２次〜４次高調波のＵＶ−ＹＡＧ等のレーザーを用いることで、切断時の端面が滑らかになり、また、端面から薄ガラス層のクラックが発生するのを抑えることが出来る。必要に応じて、端面をさらに磨き、よりきれいな面を出しても良い。さらに、プラスチック基板と薄ガラス層を同時に切断せずに、別々に適当なレーザー照射条件や切断方法を選択して切断してもよい。
【００４２】
図１１に示すように、液晶を注入して封止する。真空槽中にセルおよび液晶溜めを設置して排気し（図示せず）、十分真空にした後に液晶溜めに注入口２０４を接触させて徐々に大気圧に戻すことで液晶１０９を注入する。このような真空注入の他、注入口及び吸引口を形成して吸引注入を行ってもよい。液晶はネマチック液晶、コレステリック液晶、強誘電性液晶、ポリマー分散液晶、などを用いることが出来る。注入口２０４には、紫外線硬化性の樹脂２０３等をつけて固め、封止してセルを完成させる。
【００４３】
液晶１０９としてＴＮ液晶を用い、透過型の表示装置とする場合には、図１２に示すように第１のプラスチック基板１０４及び第２のプラスチック基板１０７の外側の面にそれぞれ偏光板２０６を形成する。例えば第２のプラスチック基板１０７側を表示を見る側とし、その側の偏光板に位相差板を加えて視野角を拡大したりすることは従来通り行うことが出来る。また、反射型の表示装置として、液晶セル内に反射板を置く場合には、第２のプラスチック基板１０７側のみに偏光板・位相差板２０６を設けてもよく、液晶が散乱性、干渉性表示モードの場合は偏光板を省略してもよい。
【００４４】
本実施形態では、薄ガラス層にプラスチック基板を接着してセルを形成してから液晶を注入している。しかしながら、これに限らず第１の無アルカリガラス基板及び第２の無アルカリガラス基板を薄膜化して第１及び第２の薄ガラス層として、これらに夫々第１及び第２のプラスチック基板を接着した後に、紫外線硬化型接着剤によるシール部を形成し、液晶をシール部の内側に垂らして両基板を対向させて、シール部を硬化させて接着する液晶セルの組立て方法を用いてもよい。この方法では、注入口２０４はなく、図１は注入口のない構成を示している。
【００４５】
次に、本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置で用いることが出来る素子構成の例を図１３を用いて説明する。図１３では、２つの画素のみを有する表示装置としているが、実際は、表示面から見て多数の画素が縦横に設けられたマトリクス状とする。
【００４６】
図１３の構成について、図１とは異なる、第１の薄ガラス層１０１より上から第２の薄ガラス層１０５より下までを説明する。
【００４７】
図１３に示すように、第１の薄ガラス層１０１上には、第１のアンダーコート絶縁膜及び第２のアンダーコート絶縁膜が積層され、活性層３０２及びソース・ドレイン領域３０３からなるポリシリコン膜が画素毎に設けられる。その上にはゲート絶縁膜３０４が全面に設けられ、ゲート絶縁膜３０４上の活性層３０２に対応する領域にはゲート電極３０５が設けられる。ゲート電極３０５上には層間絶縁膜３０６が全面に設けられ、その上に、コンタクトホールを介してソース・ドレイン領域３０３と接続するソース電極３０７及びドレイン電極３０８が設けられる。ソース電極３０７及びドレイン電極３０８と同層に走査線・信号線３２０等の配線が設けられる。その上には、パッシベーション膜３２１が全面に設けられ、パッシベーション膜３２１上の各画素に対応する領域にカラーフィルタ層３０９が設けられる。カラーフィルタ層３０９の上には、コンタクトホールを介してドレイン電極３０８と接続する画素電極３１０が設けられる。これらが設けられた画素領域はシール１０８によって覆われ、第２の薄ガラス層１０５表面に形成された対向電極２０５との間には液晶層１０９が設けられる。なお、表示に関与しない領域の、カラーフィルタ層３０９と対向電極２０５との間には、数画素ごとに柱３１１が設けられている。柱３１１は、曲げなどの外的な応力が加わった際に、力を吸収する役割を有し、ファイバー状のものやパール状のものを用いることが出来るが、これに限定されるものではない。
【００４８】
また、画素領域の周囲の周辺領域には、走査線・信号線３２０等の配線と同層に、電極３１２が設けられ、トランスファー３１３を介して対向電極２０５に接続している。トランスファー３１３の周囲は保護樹脂３１４で覆われている。同様に、周辺領域に走査線・信号線３２０等の配線と同層に設けられた接続パッド電極１１０上には異方性導電シート３１９が形成され、それを介して、フレキシブル基板３１７表面に形成された配線３１８が接続されている。
【００４９】
このような構成の素子の製造方法を説明する。
【００５０】
まず、第１の無アルカリガラス基板２０１上に、第１のアンダーコート絶縁膜３１５及び第２のアンダーコート絶縁膜３１６を形成する。第１のアンダーコート絶縁膜３１５はシリコン窒化膜を用いて膜厚を約５００ｎｍとし、第２のアンダーコート絶縁膜３１６はシリコン酸化膜を用いて膜厚を約１００ｎｍとする。これらのアンダーコート絶縁膜は単層としても良く、別の材料を用いても良い。膜厚は約１００〜５００ｎｍとすることが好ましい。
【００５１】
第２のアンダーコート絶縁膜３１６の上には、後に活性層３０２及びソース・ドレイン領域３０３となるアモルファスシリコンを成膜し、エキシマレーザーアニールによって結晶化させポリシリコン層としてからパターニングする。単純なレーザー照射の他、レーザー照射強度分布を形成して面内に結晶成長させて大粒径化する技術や、レーザーを使わずに昇温で結晶化する方法でもよい。昇温結晶化ではＮｉなどの金属を用いて結晶化させる方法を用いることも出来る。結晶粒径は約０．１μｍから１０μｍ以上などの比較的小さいものから単結晶に近い大きいものでもよく、結晶粒界で格子が連続的に繋がっているものなどでもよい。ソース・ドレイン領域３０３の形成は、イオンドーピング、質量分離したイオン注入などでｎ型及びｐ型の不純物を導入して形成する。後述するゲート電極を形成した後に、ゲート電極をマスクとしたセルフアライン構造を適用しても良く、また、高濃度不純物のソース・ドレイン領域３０３と活性層３０２との間に低濃度のドーピング領域を挟んだＬＤＤ構造を適用しても良い。
【００５２】
次に、ゲート絶縁膜３０４を全面に、シリコン酸化膜をプラズマＣＶＤ法等により成膜する。
【００５３】
次に、ゲート電極３０５を活性層３０２に対応した領域にＭｏ、ＭｏＷ、ＭｏＴａ、ＡｌやＡｌ−Ｃｕ等の金属や合金、または高濃度ドープしたシリコン等を用いて形成する。
【００５４】
ゲート電極３０５上には、全面にシリコン酸化膜等を用いて３００ｎｍ〜１μｍ程度の膜厚の層間絶縁膜３０６を形成する。層間絶縁膜３０６として、ポリイミドなどの有機樹脂を用いることもできる。
【００５５】
層間絶縁膜３０６の上には、ゲート絶縁膜３０４及び層間絶縁膜３０６にスルーホールを設けソース・ドレイン領域３０２と夫々接続する、ソース電極３０７及びドレイン電極３０８を、 Ｍｏ、ＭｏＷ、ＭｏＴａ、ＡｌやＡｌ−Ｃｕ等の金属や合金、または高濃度ドープしたシリコン等を用いて形成する。
【００５６】
また、ソース電極３０７、ドレイン電極３０８と同層には、接続パッド電極１１０や走査線・信号線３２０等の配線、対向電極２０５に電位を与える電極３１２を、上述したのと同様な導体材料を用いて形成する。
【００５７】
これらの電極や配線を形成した上に、パッシベーション膜３２１を、シリコン窒化膜等を用いてプラズマＣＶＤ法などにより形成する。また、パッシベーション膜３２１上には、パッシベーション膜３２１とほぼ同じパターンで配線間の絶縁性向上や寄生容量低減のために透明有機絶縁膜を約１〜４μｍの膜厚で形成しても良い。
【００５８】
パッシベーション膜３２１上には、画素毎に感光性有機樹脂によるカラーフィルタ層３０９を形成してColor filter on array（ＣＯＡ）構造とする。
【００５９】
カラーフィルタ層３０９上には、カラーフィルタ層３０９及びパッシベーション膜３２１に形成されるスルーホールを介してドレイン電極３０８と接続する、画素電極３１０が設けられる。画素電極３１０は、ＣＯＡ構造を取る場合や透過型とする場合は、ＩＴＯ等の透明導電膜を用いればよい。また、反射型とする場合には、ＡｌやＡｇなどの高反射率の金属を用いることが出来る。
【００６０】
画素電極３１０を形成した後の表面は、液晶に接する面であることから、配向膜を形成して（図示せず）、ラビング処理を行う。第２の無アルカリガラス基板２０２上のＩＴＯ等の透明導電膜からなる対向電極２０５表面にも、配向膜を形成して（図示せず）、ラビング処理を行う。表示モードによっては、対向電極２０５が不要であったり、配向膜のラビング処理が不要であったりする可能性もある。また、カラーフィルタもＣＯＡ構造とせずに第２の無アルカリガラス基板２０２と対向電極２０５との間に形成したり、カラーフィルタ層上にオーバコート層を形成する等の構成としても良い。
【００６１】
これらの素子構造は、画素を形成する領域のみならず、信号線駆動回路、走査線駆動回路等の制御回路のトランジスタを画素領域に一体化して形成することが可能であり、この場合には、制御回路をもガラス転移温度の低い画素領域の接着層１００２によって接着する。
【００６２】
周辺領域に形成される接続パッド電極１１０上には、異方性導電シート（ＡＣＦ）を介して、銅等の金属による配線３１８の形成された、ポリイミドやＰＥＴ等からなるフレキシブル基板３１７を配置して熱圧着又は熱硬化し、電気的接続を行う。本実施形態では、周辺領域の接着層１００１として、ガラス転移温度の高いものを用いている為、このように熱圧着を行った場合でも割れなどが生じ難い。この接続は、熱圧着に限らず、機械的な接続方法やワイヤボンディング等により行っても良い。
【００６３】
また、対向電極２０５に電位を印加する電極３１２は、対向電極２０５と導電ペースト等からなるトランスファー３１３を介して、セルを形成する際に接続する。その際に、トランスファー３１３の周囲に保護樹脂３１４を設け、対向電極２０５と電極３１２との接続を強化し、表示装置の使用時に曲げなどが生じた際の接続不良の発生を抑える。保護樹脂３１４としては、アクリル系、エポキシ系及びアリル系等の紫外線硬化樹脂等を用いればよい。第１及び第２の無アルカリガラス基板の薄膜化、第1及び第２のプラスチック基板との接着は、セルを形成したり、その後液晶を注入した後に行ってもよい。その際には、保護樹脂３１４による接続の強化はより重要となる。保護樹脂３１４は、トランスファー３１３の周囲のみならず、接続パッド電極１１０の周囲に形成しても良い。
【００６４】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置では、無アルカリガラス基板等の熱に強い基板に素子回路領域を形成してから、基板を薄膜化し、軽量なプラスチック基板に接着している。そして、その際の接着層を、画素領域の接着層のガラス転移温度を約３０℃以上８０℃以下として、周辺領域の接着層のガラス転移温度を画素領域の接着層のガラス転移温度より約１０℃以上高く、約８０℃以上２００℃以下としている。すると、画素領域の接着層はガラス転移温度が低い為、やわらかい接着剤となり、表示装置の曲げなどによってプラスチック基板が伸縮した際に、その伸縮の力を直接薄ガラス層に伝えずに緩和することが出来る。画素領域の接着層のガラス転移温度を約３０℃以下とすると、室温などで使用する際に、常にガラス転移温度以上となってしまい、接着性を得られない可能性がある。また、約８０℃以上では、ガラス転移温度が高すぎて硬い接着層となってしまう。また、周辺領域の接着層はガラス転移温度が高い為、硬い接着剤となり、薄ガラス層の最外周の割れが生じやすい領域を強固に接着することが出来る。また、画素領域との電気的接続を取る為のフレキシブル基板等との接着は熱圧着等によって周辺領域で行われるが、その際に硬い周辺領域の接着剤が、熱によるプラスチック基板の伸縮を抑え、また接着時の圧力等での薄ガラス層の割れを抑制する。周辺領域の接着層のガラス転移温度を約８０℃以下とすると、使用時でも条件によってはやわらかい接着層となってしまう可能性があり好ましくない。また、約２００℃以上では、ガラス転移温度が高すぎて、プラスチック基板との接着の際にプラスチック基板に変形などが生じるおそれがある。画素領域の接着層と周辺領域の接着層のガラス転移温度の差は約１０℃以上とすることにより、より高い温度まで周辺領域の接着層１００１の硬さを保つことが出来、割れやすい薄ガラス層１０５の端部を割れなどから守ることが出来る。従って、図１４に示すように、曲率半径Ｒが約５０〜１５０ｍｍとなるような曲面となるように表示装置を曲げたとしても、画素領域にも周辺領域にも割れが生じない。接着層を介したプラスチック基板と薄ガラス層との厚みは０．１ｍｍ程度で軽量とすることが可能である。そして、薄ガラス層が残っていることからアクティブ素子回路領域はダメージが少なく、水分や酸素等のガス浸入を防止でき、良好な素子特性が得られる。
【００６５】
また、曲げたときに凸側表面には引っ張り応力が生じ、凹側表面には圧縮応力が生じ、中間に応力が０となる面が出来る。本実施形態では、第１のプラスチック基板と第２のプラスチック基板との間に、薄膜化した第１の薄ガラス層及び第２の薄ガラス層が設けられる構造となることから、応力０の面をほぼ第１の薄ガラス層から第２の薄ガラス層の付近にすることが出来るため、ディスプレイの曲げ強度を向上させることができる。
【００６６】
なお、１画素が１つのスイッチングトランジスタと画素電極、補助容量などで構成されるアクティブマトリクス以外にも、画素ごとにメモリ回路（フリップフロップ；SRAM型、蓄積容量とドライバトランジスタ：DRAM型）を設けて低消費電力化を図ったものでもよい。また、制御回路として走査線、信号線のドライバー回路の他に制御回路やCPU、メモリなどを一体形成してもよい。これらの回路および表示用電極等を含めてアクティブ素子回路領域１０２と考えることができる。これらの回路では微細加工が必須となるが、無アルカリガラス基板上に形成しているので基板の変形が少なく、加工精度が高く高性能で高集積度の回路でも適用できる。
【００６７】
次に、第２の実施形態について図１５を用いて説明する。図１５（ａ）は第２の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。本実施形態については、第１の実施形態と異なる点のみ説明し、同様の部分は省略する。
【００６８】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置は、接着層を一種類の材料から一様に形成し、第１のプラスチック基板１０４及び第２のプラスチック基板１０７の双方において、プラスチック基板を、線膨張係数が約３０ｐｐｍ／℃以上３００ｐｐｍ／℃以下である画素領域のプラスチック基板１１０２とその周囲に設けられ線膨張係数が画素領域のプラスチック基板１１０２の約３分の２以下であり、約１ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である周辺領域のプラスチック基板１１０１とに分離した点が第１の実施形態と異なる。画素領域のプラスチック基板１１０２とその周囲の周辺領域のプラスチック基板１１０１との間には、若干間隔を設けて延びに対するマージンとしても良い。
【００６９】
具体的な構成として、画素領域のプラスチック基板１１０２としては、ＰＥＳ、ポリカーボネート、ポリオレフィン系樹脂（シクロオレフィンポリマーの日本ゼオン製ゼオノアなど）、アクリル樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリエチレン等を用いることが出来、約１０〜２００μｍの膜厚とすることが出来る。また、周辺領域のプラスチック基板１１０１としては、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリエチレンテレフタレート（PET）、ポリイミド、フィラー入りのエポキシ樹脂、ポリエーテルエーテルケトン（PEEK）、ポリサルフォン（PSF）、ポリエーテルイミド（PEI）等を用いることが出来、約５０〜２００μｍの膜厚とすることが出来る。線膨張係数の高い材料を用いても、シリカやアルミナ等のフィラーを混ぜることにより、線膨張係数が低くなり、周辺領域のプラスチック基板１１０１として用いることができる。周辺領域のプラスチック基板１１０１は、表示に関与しないことから、不透明なものを用いることが出来る。画素領域のプラスチック基板１１０２の膜厚と、周辺領域のプラスチック基板１１０１の膜厚とは同じとしても良いし、周辺領域のプラスチック基板１１０１の方を厚くしても良い。周辺領域のプラスチック基板１１０１を厚くすることにより、周辺領域は曲がり難くなり、周辺領域の薄ガラス層１０５への応力集中が起こらずに割れにくくなるという効果がある。本実施形態においては、画素領域のプラスチック基板１１０２として線膨張係数が約４６ｐｐｍ／℃であるＰＥＳフィルムを、周辺領域のプラスチック基板１１０１として線膨張係数が約１１ｐｐｍ／℃であるＰＥＮフィルムを用いる。
【００７０】
本実施形態においては、無アルカリガラス基板等の熱に強い基板に素子回路領域を形成してから、基板を薄膜化し、軽量なプラスチック基板に接着している。そして、その際のプラスチック基板を、画素領域のプラスチック基板の線膨張係数を３０ｐｐｍ／℃以上３００ｐｐｍ／℃以下と大きくして、周辺領域のプラスチック基板の線膨張係数を画素領域のプラスチック基板の３分の２以下であり、１ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下小さくしている。画素領域のプラスチック基板の線膨張係数が約３０ｐｐｍ／℃以下であると、線膨張係数が小さすぎて、表示装置をフレキシブルに曲げることが出来ない。また、約３００ｐｐｍ／℃以上では、薄ガラス層との線膨張係数の差が大きすぎて、温度変化により薄ガラス層に応力がかかってしまう。周辺領域のプラスチック基板の線膨張係数が約１ｐｐｍ／℃以下では、薄ガラス層にかかる応力を緩和出来ずに、周辺領域のプラスチック基板まで割れてしまう可能性がある。また、約３０ｐｐｍ以上では、薄ガラス層との線膨張係数の差が大きく、接続パッド電極などの接着時に、急激に熱が加わることにより割れやすくなる。なお、周辺領域のプラスチック基板の線膨張係数は、画素領域のプラスチック基板の線膨張係数の約３分の２以下とすることで、上述した効果を得ることが可能となる。
【００７１】
画素領域のプラスチック基板は透明性が必要であり、その結果有機樹脂の性質上、無機ガラスのような線膨張係数の小さいものを得ることは困難であり、線膨張係数が上記のように高いことが好ましい。そして、画素領域のプラスチック基板に比べて周辺領域のプラスチック基板の線膨張係数が上記のように約３分の２以下と小さいので、周辺領域ではプラスチック基板と薄ガラス層との線膨張係数が近い。そして、使用時の温度の変化等による伸縮の度合いが薄ガラス層に近く、薄ガラス層に応力を与えないことから、強度を上げることが出来る。また、接続パッド電極１１０を熱圧着する際等に、一時的に昇温した際にも、伸縮し難い。
【００７２】
次に、第３の実施形態について図１６を用いて説明する。図１６（ａ）は第３の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。本実施形態については、上述した実施形態と異なる点のみ説明し、同様の部分は省略する。
【００７３】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置は、第１の実施形態及び第２の実施形態の特徴を兼ね備えたものである。つまり、プラスチック基板と薄ガラス層との間の接着層を、画素領域の接着層１００２のガラス転移温度を約３０℃以上８０℃以下と、周辺領域の接着層１００１のガラス転移温度を画素領域の接着層１００２のガラス転移温度より１０℃以上高く、８０℃以上２００℃以下とに分離している。また、プラスチック基板を、線膨張係数が約３０ｐｐｍ／℃以上３００ｐｐｍ／℃以下である画素領域のプラスチック基板１１０２とその周囲に設けられ線膨張係数が画素領域のプラスチック基板１１０２の約３分の２以下であり、約１ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である周辺領域のプラスチック基板１１０１とに分離している。画素領域のプラスチック基板１１０２と周辺領域のプラスチック基板１１０１とは若干間隔を設けている。
【００７４】
このような構成とすることによって、第１の実施形態及び第２の実施形態の夫々の効果を得ることが出来る。さらに、接着層とプラスチック基板の両方の材料及び特性を、画素領域及び周辺領域で独立に選択することが出来るので、素子の特性をより好ましく保つことが出来、また薄ガラス層の強度も保つことが可能となる。
【００７５】
次に、第４の実施形態について図１７を用いて説明する。図１７は第４の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の断面図である。本実施形態については、上述した実施形態と異なる点のみ説明し、同様の部分は省略する。
【００７６】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置は、第２の実施形態において周辺領域のプラスチック基板１１０３の一部が画素領域のプラスチック基板１１０４の上を覆い、両者が重なりを持つものである。ここで、画素領域のプラスチック基板は線膨張係数が約３０ｐｐｍ／℃以上３００ｐｐｍ／℃以下であり、周辺領域のプラスチック基板は線膨張係数が画素領域のプラスチック基板の線膨張係数の約３分の２以下であり、約１ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である。
【００７７】
本実施形態においても、第２の実施形態の効果を得ることが出来る。また、本実施形態では、画素領域のプラスチック基板１１０４と周辺領域のプラスチック基板１１０３との間に隙間がないことから、薄ガラス層を全体にわたって補強することが出来る。
【００７８】
次に、第５の実施形態について図１８を用いて説明する。図１８は第５の実施態に係るアクティブマトリクス型表示装置の断面図である。本実施形態については、上述した実施形態と異なる点のみ説明し、同様の部分は省略する。
【００７９】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置は、第１の実施形態及び第４の実施形態の特徴を兼ね備えたものである。つまり、プラスチック基板と薄ガラス層との間の接着層を、画素領域の接着層１００２のガラス転移温度を約３０℃以上８０℃以下と、周辺領域の接着層１００１のガラス転移温度を画素領域の接着層のガラス転移温度より約１０℃以上高く、約８０℃以上２００℃以下とに分離している。また、プラスチック基板を、線膨張係数が約３０ｐｐｍ／℃以上３００ｐｐｍ／℃以下である画素領域のプラスチック基板１１０２とその周囲に設けられ線膨張係数が画素領域のプラスチック基板の線膨張係数の約３分の２以下であり、約１ｐｐｍ／℃以上３０ｐｐｍ／℃以下である周辺領域のプラスチック基板１１０１とに分離している。周辺領域のプラスチック基板１１０３の一部が画素領域のプラスチック基板１１０４の上を覆い、両者が重なりを持っている。
【００８０】
このような構成とすることによって、第１の実施形態及び第４の実施形態の夫々の効果を得ることが出来る。さらに、接着層とプラスチック基板の両方の材料及び特性を、画素領域及び周辺領域で独立に選択することが出来るので、素子の特性をより好ましく保つことが出来、また薄ガラス層の強度も保つことが可能となる。
【００８１】
次に、第６の実施形態について説明する。図１９は本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。図２０〜図２８は本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置の工程を示す図であり、図２０〜図２２は断面図、図２３〜図２８において（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【００８２】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置は、図１９に示すように、対向電極２０５を形成した基板が薄ガラス層を具備せずに、プラスチック基板５０１のみである点が第１の実施例と異なる。
【００８３】
本実施形態では、対向電極２０５を設けた基板が薄ガラス層を具備せずプラスチック基板５０１のみであるために、第１の実施形態の効果に加えて製造工程を減少させることが出来、かつ割れの生じやすい領域を少なくすることが出来るという効果を有する。
【００８４】
次に、本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法を、図２０〜図２８を用いて説明する。
【００８５】
第１の実施形態と同様にして第１の無アルカリガラス基板２０１上に素子回路領域１０２及び接続パッド電極１１０を形成した後、これらを形成した第１の無アルカリガラス基板２０１を、図２０に示すように、ガラスやプラスチック等からなる中間基板６０２に、仮着層６０１を介して接着する。仮着層６０１としては、水溶性の光硬化接着剤や、加熱や冷却などによりやわらかくなるワックスやホットメルト接着剤等を用いることが出来る。また、仮着層６０１は粘着剤でも良く、フィルム基材の両面に粘着剤を塗布したものであっても良い。ＰＥＴなどのフィルムを中間基板６０２とし、粘着剤を塗布した粘着テープを仮着層６０１としても良い。中間基板６０２としては、第１の実施形態と同様な材料、膜厚のものを用いることが可能である。本実施形態では、ガラス基板を中間基板６０２として、紫外線硬化型粘着剤を仮着層６０１とする。
【００８６】
図２１に示すように、第１の無アルカリガラス基板２０１を機械研磨、化学研磨、機械的化学的研磨等の方法で研磨して、第１の薄ガラス層１０１とする。第１の薄ガラス層１０１の膜厚は約５〜３０μｍとすることが好ましい。
【００８７】
図２２に示すように、第１の薄ガラス層１０１を、第１の接着層１０３を介して第１のプラスチック基板１０４に接着する。ここで、第１の接着層１０３は、シール１０８の外側、特に最外周と接続パッド電極１１０が設けられる領域である周辺領域の接着層１００１と、画素領域の接着層１００２とで特性が異なるものを用いる。本実施形態でも第１の実施形態と同様に、画素領域の接着層１００２はガラス転移温度を約３０℃以上８０℃以下とし、周辺領域の接着剤１００１はガラス転移温度を画素領域の接着層１００２のガラス転移温度より約１０℃以上高く、約８０℃以上２００℃以下とする。
【００８８】
図２３に示すように、中間基板６０２側から紫外線を照射して、仮着層６０１の接着性を低下してから剥離する。これで、第１のプラスチック基板１０４、第１のプラスチック基板１０４上の第１の接着層１０３（周辺領域の接着層１００１及び画素領域の接着層１００２からなる）、第１の接着層１０３上の第１の薄ガラス層１０１、第１の薄ガラス層１０１上のアクティブ素子回路領域１０２、第１の薄ガラス層１０１上の接続パッド電極１１０の構成となる。
【００８９】
次に図２３（ａ）の点線及び図２３（ｂ）の矢印で示した位置で、第１の薄ガラス層１０１から第１のプラスチック基板１０４までを切断して、図２４のような表示装置となる部分を取り出す。
【００９０】
図２５に示すように、画素の存在する領域の周囲を囲うように、ディスペンサーなどでシール５０２を塗布する。このとき、液晶の注入口２０４を形成しておく。シール５０２は、紫外線硬化接着剤や熱硬化接着剤等を用いることが出来る。低温で硬化できるものが好ましい。
【００９１】
図２６に示すように、対向電極２０５を形成したプラスチック基板５０１と、アクティブ素子回路領域１０２及び接続パッド電極１１０を形成した第１の無アルカリガラス基板２０１とを組み合わせてシール５０２を硬化させて接着する。その際、対向電極２０５とアクティブ素子回路領域１０２とが対向するようにする。第１のプラスチック基板１０４とプラスチック基板５０１とは同じ材料であることが好ましいが、異なる材料としても良い。プラスチック基板５０１の膜厚は、約１０〜２００μｍであることが好ましい。プラスチック基板５０１の材料としては、シリコン酸化膜などの無機膜やエポキシ系樹脂等の有機コート膜等を用いることが出来、コーティングされているものが好ましい。コーティングされていることにより、水分や酸素等のガスバリアの効果がある。プラスチック基板５０１にコーティングする際には、両面に施しても良いし、片面でも良い。本実施形態では、プラスチック基板５０１としてＰＥＳを用い、対向電極２０５側の面に約５０〜５００ｎｍのシリコン酸化膜をコートしたものを用いる。
【００９２】
図２７に示すように、液晶層１０９を注入して、図２８に示すように樹脂２０３で封止する。図２８には偏光板２０６を第１のプラスチック基板１０４及びプラスチック基板５０１に貼り付けた構成としているが、直接これらの基板に貼り付けなくとも良い。
【００９３】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置では、第１の実施形態と同様な効果を得ることが出来る。また、対向電極２０５のみを形成し、高温プロセスを経ない側の基板としてプラスチック基板５０１を用いることにより、より強度が増すことによりより小さな曲率半径での曲げが可能となる。また、プラスチック基板５０１は、ガラス基板を薄膜化してから接着するなどの工程なしに、直接形成できるので、工程数の減少も可能となる。
【００９４】
次に、第７の実施形態について図２９を用いて説明する。図２９（ａ）は第７の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。本実施形態については、第１の実施形態と異なる点のみ説明し、同様の部分は省略する。
【００９５】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置は、アクティブ素子回路領域１０２と対向電極２０５との間に、接着性を有する接着樹脂領域７０１を複数有する点が第１の実施形態とは異なる。接着樹脂領域７０１は、アクティブ素子回路領域１０２を形成した第１のプラスチック基板１０４と、対向電極２０５を形成した第２のプラスチック基板１０７とを基板周囲だけでなく、基板面内でも接着することを目的としている。接着樹脂領域７０１は、画素領域に一定間隔に点在するように配置する。
【００９６】
具体的な構成としては、アクティブ素子回路領域１０２を形成した第１のプラスチック基板１０４と、対向電極２０５を形成した第２のプラスチック基板１０７とを組み合わせる前に、アクティブ素子回路領域１０２上の適当な位置に複数設ける。接着樹脂領域７０１として熱可塑性樹脂を用いてアクティブ素子回路領域１０２上に形成した場合には、両基板を組み合わせる際に、昇温、圧着することで、アクティブ素子回路領域１０２と対向電極２０５とが接着される。第１の実施形態において設けられる、柱３１１は両基板間の厚みを保つ目的により設けられており、柱３１１と接着樹脂領域７０１とは独立に設けることが出来る。柱３１１と接着樹脂領域７０１の双方を設けることにより、接着樹脂領域７０１の熱圧着時に高さが一定に保たれるので好ましい。接着樹脂領域７０１は単一の材料を用いる必要はなく、変形し難いスペーサとなる樹脂の上下に接着層を形成し、上下をアクティブ素子回路領域１０２および対向電極２０５に接着しても良い。接着樹脂領域７０１の形状は、約３〜２０μｍ径の柱状や、楕円状、表示面にストライプ状に設けたリブ構造としても良い。接着樹脂領域７０１のピッチ（間隔）は、１画素毎としても良いが、約１０画素毎としても良い。また、接着樹脂領域７０１の材料としては、アクリル樹脂、ポリエチレン、ポリカーボネート、またいわゆるホットメルト型樹脂等を用いることが出来る。
【００９７】
本実施形態においては、第１のプラスチック基板と第２のプラスチック基板とが基板周囲だけでなく、基板面内においても接着されて固定される為、表示装置が曲げにより伸縮した際に、その応力を、接着樹脂領域を通じて対向する基板に逃がす効果があり、薄ガラス層が破損し難くなる。
【００９８】
次に、第８の実施形態について図３０を用いて説明する。図３０（ａ）は第８の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。本実施形態については、第１の実施形態と異なる点のみ説明し、同様の部分は省略する。
【００９９】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置は、基板面に垂直な方向から見て第１の薄ガラス層１０１よりも第１のプラスチック基板１０４の方が大きい点が第１の実施形態とは異なる。第１のプラスチック基板１０４はアクティブ素子回路領域１０２が形成されている第１の薄ガラス層１０１の大きさよりも外側まで設けてあり、各辺において約１〜１０ｍｍずつ広げるとよい。これにより第１の薄ガラス層１０１に対する各辺方向からの衝撃を防ぐことができる。接続パッド電極１１０のある辺（図３０の左側）では端部に第２の薄ガラス層１０５が存在しない領域があって、表示装置に曲げの力が生じた際に第１の薄ガラス層１０１に対して局所的な力が掛かりやすいので特に有効である。また、コーナ部８０２の第１の薄ガラス層１０１をカットする、もしくはコーナ部８０２に丸みを持たせることで角の曲げに対する割れを防ぐことができる。
【０１００】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法としては、第１の無アルカリガラス基板を機械研磨などで薄くして第１の薄ガラス層１０１としてから、周辺領域の接着層１００１および画素領域の接着層１００２を含む接着層１０３で、第１の薄ガラス層１０１よりも大きな面積のプラスチック基板１０４と貼り付けることで形成できる。また、第１の薄ガラス層１０１と第１のプラスチック基板１０４とを大きめの面積となるようにカットした後、第１の薄ガラス層１０１側からレーザーやダイヤモンドカッターなどで第１の薄ガラス層１０１のみをカットして形成することもできる。
【０１０１】
第２のプラスチック基板１０５側でも、基板面に垂直な方向から見て第２の薄ガラス層１０５よりも第２のプラスチック基板１０７の方が大きい構造としても良い。また、基板面に垂直な方向から見た際に、全ての辺でプラスチック層の方が大きい構成とせずに、例えば接続パッド電極１１０のある辺のみ大きくしてもよい。
【０１０２】
次に、第９の実施形態について図３１を用いて説明する。図３１（ａ）は第９の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。本実施形態については、第１の実施形態と異なる点のみ説明し、同様の部分は省略する。
【０１０３】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置は、トランスファー３１３の周囲のみならず、少なくとも第１の接着層１０３から第２の接着層１０６までを含む第１のプラスチック基板１０４から第２のプラスチック基板１０７の周囲やフレキシブル基板３１７表面なども保護層９０１により保護した点が第１の実施形態とは異なる。本実施形態では、液晶を注入しセルを封止した後に、アクリル系、アリル系、エポキシ系等の紫外線効果樹脂等を塗布して保護層９０１とし、硬化する。また、保護層９０１としては、ゴム系、シリコーン系等の弾性樹脂を用いても良い。保護層９０１で覆われる領域は表示装置の側面であり表示に関与しないことから透明である必要がなく、保護層９０１としてフィラーを入れた樹脂を用いても良い。図３１では、表示面に垂直な方向から見て第１のプラスチック基板１０４を第１の薄ガラス層１０１よりも大きい構成としているが、両者を同じ大きさとしても良い。
【０１０４】
第１の薄ガラス層１０１および第２の薄ガラス層１０５の、夫々第１のプラスチック層１０４および第２のプラスチック層１０７と接着されている側の面は、接着されていることにより強度が向上している。しかしながら、第１の薄ガラス層１０１および第２の薄ガラス層１０５は、液晶層１０９に面している側での強度がやや弱い。本実施形態では、保護層９０１が、シール１０８の外側の領域で第１の薄ガラス層１０１および第２の薄ガラス層１０５の表面および側面を覆って固めることにより、周辺領域の強度が向上する。このとき、シール１０８から第１の薄ガラス層１０１および第２の薄ガラス層１０５の端部までの距離が約１〜１０ｍｍであっても、割れが防止され強度が向上する。また、保護層９０１がない場合に比べて、曲げに対する強度が２倍以上に向上する。例えば第１の薄ガラス層１０１の膜厚を約５０μｍとして、保護層９０１がない場合には曲率半径が約１００ｍｍとなるまで安定して表示装置を曲げられ、アリル系接着剤を保護層９０１として形成することで曲率半径を約５０ｍｍとした表示装置の曲げまでが可能になった。
【０１０５】
次に、第１０の実施形態について図３２を用いて説明する。図３２は第１０の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の断面図である。本実施形態については、第９の実施形態と異なる点のみ説明し、同様の部分は省略する。
【０１０６】
本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置は、保護層９０１のみならず、プラスチックフィルム９０２を用いて周辺領域を保護した点が第９の実施形態と異なる。特に、接続パッド電極１１０やフレキシブル基板３１７を設けた領域における第１の薄ガラス層１０１上は、ＰＥＳもしくはＰＥＮ等のプラスチックフィルム９０２を接着剤によって貼り付けると良い。プラスチックフィルム９０２の材料としてはこの他にもアクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることが出来、またこのプラスチックフィルム９０２を貼り付ける方法として、材料自身の溶融接着等を用いることができる。
【０１０７】
本実施形態では、このようにプラスチックフィルム９０２でさらに保護することにより、保護層９０１のみでは強度が不十分であったりコストがかかりすぎる場合などでも、第１の薄ガラス層上の周辺領域の強度を高めることが出来る。
【０１０８】
次に、第１１の実施形態について図３３を用いて説明する。図３３（ａ）は第１１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。本実施形態については、第１の実施形態と異なる点のみ説明し、同様の部分は省略する。図３３では、２つの画素のみを有する表示装置の素子構造を示しているが、実際は、表示面から見て多数の画素が縦横に設けられたマトリクス状とする。
【０１０９】
上述した第１の実施形態から第１０の実施形態は、表示部として液晶を用いた例を示したが、表示部としてはこれに限られるものではなく、本実施形態では表示部として有機ＥＬを用いたものを示す。有機ＥＬを用いた場合には、電流駆動型の周辺ドライバー回路や、画素内に２〜６トランジスタによる選択用スイッチと電流供給用駆動トランジスタおよびトランジスタ特性ばらつき補正回路などを用いた構成等が好ましいが、これらの回路構成は従来用いられている回路を用いればよく、回路の詳細は省略する。表示部は他にも、電気泳動素子を用いたものや、液晶を用いた場合でも、対向電極をなくして素子回路領域側に櫛型の一対の画素電極を設け表示面方向に電界を印加して液晶を駆動する方法を適用しても良い。
【０１１０】
図３３の構成について、図１３とは異なるパッシベーション膜３２１より上の構造のみ説明する。
【０１１１】
図３３に示すように、パッシベーション膜３２１上には、パッシベーション膜３２１に形成されたスルーホールを介してドレイン電極３０８に接続する画素電極３１０が設けられ、画素の設けられる領域全体の上に絶縁層１２０２が設けられる。絶縁層１２０２の画素電極３１０に対応する領域に形成された穴に、ホール輸送層１２０３、発光層１２０４、電子注入層１２０５がこの順に積層され、この上に全面にコモン電極１２０６が設けられる。コモン電極１２０６は、各画素の電子注入層１２０５と電気的に接続し、電極３１２とも電気的に接続している。コモン電極１２０６上の間隙１２０７の上に第２の薄ガラス層１０５が設けられ、絶縁層１２０２と第２の薄ガラス層１０５との間にはスペーサ１２０７が設けられて基板間の距離を保つ。
【０１１２】
次に、本実施形態のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法のうち、パッシベーション膜より上の構造について説明する。
【０１１３】
パッシベーション膜３２１にスルーホールを形成し、このスルーホールを介してドレイン電極３０８と接続する画素電極をＩＴＯ等の透明導電膜により形成する。この上に全面にアクリル系感光性樹脂を膜厚が約２〜８μｍとなるよう形成し絶縁層１２０２とする。この絶縁層１２０２に光を照射して画素電極３１０に対応する領域に穴を形成する。この穴の中に、インクジェット法等によりホール輸送層１２０３、発光層１２０４および電子注入層１２０５の液滴を順次滴下する。ホール輸送層１２０３、発光層１２０４および電子注入層１２０５が上述した穴の中に積層されることから、絶縁層１２０２の厚みを大きくしておくことが好ましい。発光層１２０４としては、例えばポリパラフェニレンビニレン、ポリアリーレン系、ポリフルオレン系の発光材料をを用いることが出来る。また、ホール輸送層１２０３としてはポリエチレン・ジオキシチオフェン・ポリスチレン・スルフォン酸塩（PEDT/PSS）等を、電子注入層１２０５としてはオキサジアゾール誘導体Oxadiazoles(OXD)、PBD、Triazoles(TAZ)、Phenyl-quinoxaline、Alq等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
【０１１４】
次に、各画素の電子注入層１２０５と電気的に接続するようなコモン電極１２０６を全面に形成する。コモン電極は電極３１２と電気的に接続し、この電極３１２の電圧を電子注入層１２０５に印加する。コモン電極１２０６としては、仕事関数の低い金属や合金を配線用の金属や合金で覆ったもの、Al-Ca、Al-Li、ITO等を用いることが出来る。なお、電子注入層とホール輸送層の向きを逆にして、下から電子注入層、発光層、ホール輸送層の順にしてもよく、また、コモン電極を透明にして上面発光としてもよい。
【０１１５】
画素領域の周囲にシール１０８を設け、コモン電極１２０６までを形成したアレイ側の基板（第１の薄ガラス層１０１に第１のプラスチック基板１０４を接着したもの）と、対向側の基板（第２の薄ガラス層１０５に第２のプラスチック基板１０７を接着したもの）とを接着する。シール１０８は、ガス透過率を低減した無機フィラーを混合した紫外線硬化樹脂等を用いることが出来、両基板を組み合わせた後に紫外線照射により硬化、接着する。両基板の間隙１２０１は、乾燥窒素などのガスを封入しても良く、さらに乾燥剤や酸素吸着剤等の水分や酸素のゲッター剤を第２の薄ガラス層１２０１表面ないし一部に形成してもよく、高純度のグリス、有機液体を封入してもよい。
【０１１６】
有機ＥＬを用いた表示装置では、電極や発光層１２０４等への水分や酸素等、大気からの影響を受けて劣化することのないよう、全面においてシールする必要があるが、本実施形態では、第１の薄ガラス層１０１および第２の薄ガラス層１０５があることにより、基板面からの水分や酸素等の浸入を防ぐことが出来る。薄ガラス層は無アルカリガラスであることが好ましい。約１μｍ〜１５０μｍの膜厚の薄ガラス層により、ガスの浸入を防ぐことが出来る。なお、スペーサ１２０７を感光性の有機樹脂などにより絶縁層１２０２上などに形成しておくことにより、両基板間の距離を一定に保つことが出来る。また、第１の実施形態と同様に接着層を画素領域と周辺領域とで特性が異なるものとしているので、第１の実施形態と同様な効果も得ることが出来る。
【０１１７】
なお、上述した第６の実施形態から第１１の実施形態は、第１の実施形態の変形例として説明を行ったが、これに限定されるものではない。つまり、第６の実施形態から第１１の実施形態を、プラスチック基板を画素領域と周辺領域とで性質が異なるものとする第２の実施形態の変形例としても良いし、接着層とプラスチック基板の両方を画素領域と周辺領域とで性質が異なるものとする第３の実施形態の変形例としても良いし、プラスチック基板を画素領域と周辺領域とで性質が異なり２つの領域のプラスチック基板が重なりを有するものとする第４の実施形態の変形例としても良いし、接着層とプラスチック基板の両方を画素領域と周辺領域とで性質が異なり２つの領域のプラスチック基板が重なりを有するものとする第５の実施形態の変形例としても良い。また、各実施形態の表示装置の製造方法としても、第１の実施形態のように第１の無アルカリガラス基板と第２の無アルカリガラス基板とを組み合わせてから薄膜化して薄ガラス層としても良いし、第６の実施形態のように素子回路領域等を形成した第１の無アルカリガラス基板を仮着層で中間基板に接着し、薄膜化して第１の薄ガラス層としてから第１のプラスチック基板に接着し、仮着層を剥離する方法により行っても良い。
【０１１８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明によれば、軽量なプラスチック基板を用いて、歩留まり良くアクティブ素子を形成可能なアクティブマトリクス型表示装置を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図２】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図３】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図４】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図５】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図６】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図７】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図８】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図９】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図１０】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図１１】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図１２】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図１３】  （ａ）は本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の素子構成を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図１４】  本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の特性を説明する図である。
【図１５】  （ａ）は本発明の第２の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図１６】  本発明の第３の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図１７】  本発明の第４の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図１８】  本発明の第５の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図１９】  （ａ）は本発明の第６の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図２０】  本発明の第６の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図２１】  本発明の第６の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図２２】  本発明の第６の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す断面図である。
【図２３】  （ａ）は本発明の第６の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図２４】  （ａ）は本発明の第６の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図２５】  （ａ）は本発明の第６の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図２６】  （ａ）は本発明の第６の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図２７】  （ａ）は本発明の第６の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図２８】  （ａ）は本発明の第６の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図２９】  （ａ）は本発明の第７の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図３０】  （ａ）は本発明の第８の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図３１】  （ａ）は本発明の第９の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図３２】  本発明の第１０の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置を示す断面図である。
【図３３】  （ａ）は本発明の第１１の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の素子構成を示す平面図であり、（ｂ）はＡ−Ａ’間の断面図である。
【図３４】  （ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）とも、従来のアクティブマトリクス型表示装置の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１…第１の薄ガラス層
１０２…アクティブ素子回路領域
１０３…第１の接着層
１０４…第１のプラスチック基板
１０５…第２の薄ガラス層
１０６…第２の接着層
１０７…第２のプラスチック基板
１０８、５０２…シール
１０９…液晶層
１１０…接続パッド電極
２０１…第１の無アルカリガラス基板
２０２…第２の無アルカリガラス基板
２０３…樹脂
２０４…注入口
２０５…対向電極
２０６…偏光板
３０１…薄膜トランジスタ
３０２…活性層
３０３…ソース・ドレイン領域
３０４…ゲート絶縁膜
３０５…ゲート電極
３０６…層間絶縁膜
３０７…ソース電極
３０８…ドレイン電極
３０９…カラーフィルタ層
３１０…画素電極
３１１…柱
３１２…電極
３１３…トランスファー
３１４…保護樹脂
３１５…第１のアンダーコート絶縁膜
３１６…第２のアンダーコート絶縁膜
３１７…フレキシブル基板
３１８…配線
３１９…異方性導電シート
３２０…走査線・信号線
３２１…パッシベーション膜
５０１、８０１…プラスチック基板
６０１…仮着層
６０２、１３０５…中間基板
７０１…接着樹脂領域
８０２…コーナ部
９０１…保護層
９０２…プラスチックフィルム
１００１…周辺領域の接着層
１００２…画素領域の接着層
１１０１、１１０３…周辺領域のプラスチック基板
１１０２、１１０４…画素領域のプラスチック基板
１２０１…間隙
１２０２…絶縁層
１２０３…ホール輸送層
１２０４…発光層
１２０５…電子注入層
１２０６…コモン電極
１２０７…スペーサ
１３０１…素子形成基板
１３０２…分離層
１３０３…素子
１３０４…接着・剥離層
１３０６…接着層
１３０７…転写先基板
１３０８…ＴＦＴ
１３０９…電極
【図１】
0003875130.tif 000002
【図２】
0003875130.tif 000003
【図３】
0003875130.tif 000004
【図４】
0003875130.tif 000005
【図５】
0003875130.tif 000006
【図６】
0003875130.tif 000007
【図７】
0003875130.tif 000008
【図８】
0003875130.tif 000009
【図９】
0003875130.tif 000010
【図１０】
0003875130.tif 000011
【図１１】
0003875130.tif 000012
【図１２】
0003875130.tif 000013
【図１３】
0003875130.tif 000014
【図１４】
0003875130.tif 000015
【図１５】
0003875130.tif 000016
【図１６】
0003875130.tif 000017
【図１７】
0003875130.tif 000018
【図１８】
0003875130.tif 000019
【図１９】
0003875130.tif 000020
【図２０】
0003875130.tif 000021
【図２１】
0003875130.tif 000022
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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