(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素、オクタフルオロシクロペンテン及び窒素を含む混合ガスを活性化する工程と、前記活性化されたガスを導入して半導体基板もしくはこの半導体基板上に形成された被膜をエッチングする工程とを具備し、前記混合ガス中の窒素濃度は、２０ｖｏｌ％以下であることを特徴とするケミカルドライエッチング方法。
【請求項２】
前記被膜は、フォトレジスト膜、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載のケミカルドライエッチング方法。
【請求項３】
前記活性化された混合ガスは、シリコン窒化膜をエッチングすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のケミカルドライエッチング方法。
【請求項４】
前記混合ガス中のオクタフルオロシクロペンテン濃度は、２０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のケミカルドライエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に対するケミカルドライエッチング方法に係り、とくに排出ＰＦＣ（Per Fluoro Carbon)量を抑えたエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置の製造において、半導体基板や半導体基板上に形成された半導体膜、絶縁膜、導体膜などの成膜をエッチングするケミカルドライエッチング（ＣＤＥ;Chemical Dry Etching)法を利用することが知られている。例えば、半導体基板の拡散領域や下層配線層等の導電層に達する層間絶縁膜の接続孔内に接続用金属膜を埋め込み形成する場合、以下のような工程で形成される。まず、導電層を含む半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、次に、所定のパターンを有するフォトレジストなどのマスクを用いてこの層間絶縁膜をドライエッチング方法などによりエッチングして導電層に達する接続孔を形成する。その後、バリアメタルと呼ばれるチタン膜とチタン化合物膜の複合膜又はチタン化合物膜などをスパッタリングなどの方法により接続孔内及び層間絶縁膜上に成膜させる。さらにタングステン膜をＣＶＤ(Chemical Vapour Deposition)方法などにより接続孔内を埋め込むように層間絶縁膜上に成膜させる。そして、次に接続孔内以外のタングステン膜とバリアメタル膜を除去することによりバリアメタル層とタングステン層からなる金属膜を接続孔に埋め込むことができる。この場合、ケミカルドライエッチング法（以下、ＣＤＥ法という）により接続孔内以外のタングステン膜を除去し、その後ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）法により層間絶縁膜上のバリアメタル層をポリッシング除去している。
【０００３】
ＣＤＥ法は、放電部が離れているために荷電粒子の入射がほとんど無く、下地へのダメージが少ない。また等方的にエッチングされるため側壁のエッチング残りが生じることもない。この方法を用いタングステンをエッチバックして埋め込みタングステン配線を形成するなどが行われている。
ＣＤＥ法によるポリシリコンなどの半導体、シリコン酸化物、シリコン窒化物などのシリコン化合物、タングステンなどの導電体、フォトレジストなどの絶縁物のエッチングを実施する場合には、エッチングガスとして主にＣＦ4 などのＰＦＣが使用されている。しかし、現在使用されているＰＦＣは、大気寿命及びＧＷＰ（Global Warming Potential）が長く地球温暖化への効果が高いので排出量の削減が強く望まれているのが現状である。表１にこのケミカルドライエッチング法に使用される代表的なＰＦＣと本発明に用いるＣ5 Ｆ8 のＧＷＰ及び大気寿命（単位：年）を記載する。
【０００４】
【表１】
主なＰＦＣのＧＷＰと大気寿命（単位：年）
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半導体基板にケミカルドライエッチング法を実施する際において、ＰＦＣ排出量削減の方法として、プロセス条件の最適化、ＰＦＣの回収、リサイクル及び代替ガスの検討などを複合して実施しているのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
以上述べたように、ケミカルドライエッチング法による半導体、シリコン化合物、タングステン、フォトレジストなどのエッチングの際に、エッチングガスとして主に大気寿命及びＧＷＰが長く地球温暖化効果の高いＰＦＣが使用されているが、地球温暖化の観点からこれらの排出量の削減が強く望まれているのが現状である。
本発明は、このような事情によりなされたものであり、大気寿命及びＧＷＰの短いエッチングガスを使用することにより、エッチング時の排出ＰＦＣ量を削減し、地球温暖化への影響を少なくするケミカルドライエッチング方法を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、酸素（Ｏ2 ）、オクタフルオロシクロペンテン（Ｃ5 Ｆ8 ）及び必要に応じて窒素（Ｎ2 ）を含むガスを混合し、この混合されたガスを活性化した後、活性化したガスにより半導体基板あるいは半導体基板上に形成された被膜のケミカルドライエッチング法を行うことを特徴としている。
大気寿命及びＧＷＰの短いエッチングガスとしてＣ5 Ｆ8 を使用することにより、エッチング時の排出ＰＦＣ量を削減し、地球温暖化への影響を少なくすることができる。
本発明において代替ガスとして用いられる大気寿命及びＧＷＰの短いＣ5 Ｆ8 は、ＰＦＣガス削減を目的としたガス材料として期待されている。Ｃ5 Ｆ8 ガスの物性は、下記の表２に示された通りである。
【０００７】
【表２】
Ｃ5 Ｆ8 物性
0003963295.tif 000003
【０００８】
本発明のケミカルドライエッチング法においては、Ｃ5 Ｆ8 濃度を２０ｖｏｌ％以下とする。本発明では、半導体基板もしくは半導体基板に形成されたフォトレジスト膜、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜などの被膜をエッチングする場合には、Ｃ5 Ｆ8 ガスの濃度を２０ｖｏｌ％より多くしてもエッチングは、可能である（エッチングレートが十分高い）が、エッチング装置の放電管内部に堆積物が堆積し、使用不能になる可能性があるので、Ｃ5 Ｆ8 濃度を２０ｖｏｌ％以下に限定しなければならない。図３に示すように、本発明に係るエッチングを前記被膜に対して行う場合において、シリコン酸化物に対する選択比は十分認められる。また、エッチングの均一性も十分認められる。図３は、本発明の方法によりポリシリコン膜をエッチングする場合におけるエッチングレート（◆−◆）、表面均一性（■−■）及び対シリコン酸化物選択比（△−△）のエッチングガス中のＣ5 Ｆ8 濃度依存性を示す特性図である。
【０００９】
図３は、縦軸左側がポリシリコンエッチングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）を表わし、右側がポリシリコン膜表面の均一性（±（％））及びポリシリコン膜の対シリコン酸化物選択比（１／ＳｉＯ2 ）を表わしている。図３において、Ｃ5 Ｆ8 濃度が２０ｖｏｌ％を越えても高いエッチングレートを維持しているが、前述のように堆積物が堆積するのでこれ以上の濃度は不可である。また前記均一性は、この濃度が２０ｖｏｌ％の場合に最も高くこの前後で高い均一性が得られている。対シリコン酸化物選択比の曲線（△−△）は、この濃度が２０ｖｏｌ％のときにピークがあり、２０ｖｏｌ％以上でも高い選択比を有していることが分かる。
【００１０】
図４は、本発明の方法によりシリコン窒化膜をエッチングする場合におけるエッチングレート（◆−◆）、表面均一性（■−■）及び対シリコン酸化物選択比（△−△）のエッチングガス中のＣ5 Ｆ8 濃度依存性を示す特性図である。図４は、縦軸左側がシリコン窒化膜エッチングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）を表わし、右側がシリコン窒化膜膜表面の均一性（±（％））及びシリコン窒化膜の対シリコン酸化物選択比（１／ＳｉＯ2 ）を表わしている。この図において、Ｃ5 Ｆ8 濃度が２０ｖｏｌ％以下の範囲（図示の範囲は約８ｖｏｌ％〜１２ｖｏｌ％）において高いエッチングレートを維持している。また、前記均一性は、この濃度が２０ｖｏｌ％以下の範囲（図示の範囲は約８ｖｏｌ％〜１２ｖｏｌ％）において高い値（４％以下）が与えられている。対シリコン酸化物選択比の曲線（△−△）は、この濃度が２０ｖｏｌ％以下（図示の範囲は約９．４ｖｏｌ％〜１９ｖｏｌ％）のときにほぼ均一な高い値が得られる。
【００１１】
図５は、本発明の方法によりフォトレジスト膜をアッシングする場合におけるアッシングレート（◆−◆）及び表面均一性（■−■）のアッシングガス中のＣ5 Ｆ8 濃度依存性を示す特性図である。図５は、縦軸左側がフォトレジスト膜アッシングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）を表わし、右側がフォトレジスト膜表面の均一性（±（％））を表わしている。この図において、Ｃ5 Ｆ8 濃度が２０ｖｏｌ％の範囲において高いアッシングレートを維持している。とくに約３ｖｏｌ％〜３．６ｖｏｌ％の低濃度の範囲で高いアッシングレートを維持している。また、前記均一性は、この濃度が２０ｖｏｌ％以下の範囲において高い値が与えられている。とくに約３ｖｏｌ％〜４ｖｏｌ％の範囲で１０％以下になっている。
図６は、本発明の方法によりシリコン窒化膜をエッチングする場合におけるエッチングレート（◆−◆）及び表面均一性（■−■）のエッチングガス中のＮ2 濃度依存性を示す特性図である。図６は、縦軸左側がシリコン窒化膜エッチングレート（ｎｍ／ｍｉｎ）を表わし、右側がシリコン窒化膜表面の均一性（±（％））を表わしている。この図において、Ｎ2 濃度が２０ｖｏｌ％を越えても高いエッチングレートを維持している。また、前記均一性及びエッチングレートは、約１０ｖｏｌ％〜２０ｖｏｌ％の範囲で高い均一性及びエッチングレートが得られている。
【００１２】
すなわち、本発明のケミカルドライエッチング方法は、酸素、オクタフルオロシクロペンテン及び窒素を含む混合ガスを活性化する工程と、前記活性化されたガスを導入して半導体基板もしくはこの半導体基板上に形成された被膜をエッチングする工程とを具備し、前記混合ガス中の窒素濃度は、２０ｖｏｌ％以下であることを特徴としている。前記被膜は、フォトレジスト膜、ポリシリコン膜、シリコン窒化膜のいずれかであるようにしても良い。前記活性化された混合ガスは、シリコン窒化膜をエッチングするようにしても良い。前記混合ガス中のオクタフルオロシクロペンテン濃度は、２０ｖｏｌ％以下であるようにしても良い。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明を実施するために使用されるダウンフロータイプの放電分離型ケミカルドライエッチング装置（以下、ＣＤＥ装置という）の概略断面図である。ＣＤＥ装置は、反応容器（エッチング室）５を有しており、シリコンウェハなどの被処理基体９は、反応容器５内に収納された試料台６上に載置されている。試料台６は、温度制御が可能であり、被処理基体９を所定の温度に調節できるようになっている。酸素ガス、Ｃ5 Ｆ8 ガス及び必要に応じて含まれる窒素ガスを含む混合ガスは、放電管上流のガス導入口１より導入される。放電管３の中央部分にはマイクロ波導波管２が設けられている。ガス導入口１より導入された混合ガスは、マイクロ波導波管２により照射されるマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）により励起される。励起されたガスは、ガス輸送管４を通り、ガス輸送管４下流の励起ガス供給口７から反応容器５内に導入される。励起された混合ガスは、ラジカル及び中性ガスとなり反応容器内５に導入されるようになっている。また、マイクロ波のパワ−及び反応容器５内の圧力は所定の設定値に自動制御されるように構成されている。
【００１４】
励起された混合ガスにより被処理基体９がドライエッチングされた後、混合ガスは排ガスとなって排気管８から外部へ排出される。排気管８から排出される排ガスはポンプ１０によって排ガス除害装置１１に送られ、排ガス排出口１３から外部へ排出される。排ガス中のＰＦＣの分析は、ポンプ１０と排ガス除害装置１１間に設けられたガスクロマト測定器１２で測定することによって行われる。
次に、以上のように構成されたＣＤＥ装置を用いて行われるポリシリコン膜のケミカルドライエッチング方法について説明する。
反応容器内に設置された試料台の温度を２５℃に設定し、試料台に設置されたシリコンウェハ上に形成されたポリシリコン膜の温度調節をする。反応容器内の圧力を４０Ｐａ一定にし、Ｃ5 Ｆ8 とＯ2 の流量がそれぞれ１００ｓｃｃｍと４００ｓｃｃｍとなる混合ガスを放電管上流より流し、７００Ｗのマイクロ波を導波管より放電管に照射して混合ガスを励起して、輸送管から反応容器内に混合ガスラジカルを導入する。
【００１５】
このような条件でポリシリコン膜をエッチングしたところ、エッチング速度が３０７ｎｍ／ｍｉｎ、被処理表面の均一性が±２．６％、対シリコン酸化物の選択比が３９となり、従来使用していたＣＦ4 ガスプロセス（７００Ｗ、４０Ｐａ一定、Ｏ2 ／ＣＦ4 ＝６０／１５０ｓｃｃｍにおいて、エッチング速度が３５６ｎｍ／ｍｉｎ、被処理表面の均一性が±２．２％、対シリコン酸化物の選択比が３７）と同程度のエッチング特性を得ることができた。表３にＣ5 Ｆ8 プロセスとＣＦ4 プロセスのポリシシコン膜のエッチング特性をまとめる。また、Ｃ5 Ｆ8 流量を全体のガス流量の２０ｖｏｌ％以下にすることにより放電管及び輸送管へのＣ5 Ｆ8 と酸素との中間生成物の発生を抑えることができた。ガスクロマト測定器によるＣ5 Ｆ8 プロセスとＣＦ4 プロセス時の排ガス中の温暖化ガス発生量の測定結果を表４にまとめた。Ｃ5 Ｆ8 プロセス中には、Ｃ2 Ｆ6 やＣ3 Ｆ8 などのＣＦ4 以外の温暖化ガスの発生は見られなかった。Ｃ5 Ｆ8 ガスを使用することによりＣＦ4 ガスプロセスと比較してウエーハ１枚当たりの温暖化効果の測定結果（ＰＦＣ排出量×ＧＷＰ＝温暖化効果値とする）は、９３％以上削減することができた。
【００１６】
【表３】
Ｃ5 Ｆ8 プロセスとＣＦ4 プロセスのポリシリコン膜のエッチング特性
0003963295.tif 000004
【００１７】
同じ様にＣＤＥ装置を用いてシリコン窒化膜及びフォトレジスト膜をケミカルドライエッチングした場合のＣ5 Ｆ8 ガスの効果について説明する。
まず、反応容器内に設置された試料台の温度を２５℃に設定し、シリコンウェハに形成されたシリコン窒化膜を温度調節する。反応容器内の圧力は９０Ｐａ一定にし、Ｃ5 Ｆ8 とＯ2 とＮ2 の流量がそれぞれ１３０ｓｃｃｍと９４５ｓｃｃｍと１４５ｓｃｃｍとなる混合ガスを放電管に流し、さらに、７００Ｗのマイクロ波を導波管から放電管へ照射して混合ガスを励起する。そして、励起された混合ガスのラジカルを反応容器内へ導入する。
【００１８】
【表４】
Ｃ5 Ｆ8 プロセスとＣＦ4 プロセスによるポリシリコン膜エッチング時の温暖化ガス発生量
0003963295.tif 000005
【００１９】
同じ様にＣＤＥ装置を用いてシリコン窒化膜及びフォトレジスト膜をケミカルドライエッチングした場合のＣ5 Ｆ8 ガスの効果について説明する。
まず、反応容器内に設置された試料台の温度を２５℃に設定し、シリコンウェハに形成されたシリコン窒化膜を温度調節する。反応容器内の圧力は９０Ｐａ一定にし、Ｃ5 Ｆ8 とＯ2 とＮ2 の流量がそれぞれ１３０ｓｃｃｍと９４５ｓｃｃｍと１４５ｓｃｃｍとなる混合ガスを放電管に流し、さらに、７００Ｗのマイクロ波を導波管から放電管へ照射して混合ガスを励起する。そして、励起された混合ガスのラジカルを反応容器内へ導入する。
このような条件でシリコン窒化膜をケミカルドライエッチングしたところ、エッチング速度が１３５ｎｍ／ｍｉｎ、被処理膜表面の均一性が±１．５％、対シリコン酸化物の選択比が１１となり、従来使用されていたＣＦ4 プロセス（７００Ｗ、９０Ｐａ、Ｏ2 ／ＣＦ4 ／Ｎ2 ＝３２０／４００／８０ｓｃｃｍにおいて、エッチング速度が９６ｎｍ／ｍｉｎ、被処理膜表面の均一性が±２．９％、対シリコン酸化物の選択比が１０）と同程度のエッチング特性が得られた。表５にＣ5 Ｆ8 プロセスとＣＦ4 プロセスのエッチング特性を記載する。そして、表６にガスクロマト測定器によるＣ5 Ｆ8 プロセスとＣＦ4 プロセス時の排ガス中の温暖化ガス発生量の測定結果を記載する。Ｃ5 Ｆ8 プロセス中には、Ｃ3 Ｆ6 やＣ3 Ｆ8 などのＣＦ4 以外の温暖化ガスの発生は見られなかった。そして、Ｃ5 Ｆ8 ガス流量を全体のガス流量の約１１ｖｏｌ％にすることによりＣＦ4 ガスプロセスと比較してウエーハ１枚当たりの温暖化効果（ＰＦＣ排出量×ＧＷＰ＝温暖化効果値とする）は、９７．９％以上削減することが出来た。
【００２０】
【表５】
Ｃ5 Ｆ8 プロセスとＣＦ4 プロセスのシリコン窒化膜のエッチング特性
0003963295.tif 000006
【００２１】
【表６】
Ｃ5 Ｆ8 プロセスとＣＦ4 プロセスによるシリコン窒化膜エッチング時の温暖化ガス発生量
0003963295.tif 000007
【００２２】
次に、反応容器内に設置された試料台の温度を７０℃に設定し、シリコンウェハに形成されたフォトレジスト膜を温度調節する。反応容器内の圧力は５０Ｐａ一定にし、Ｃ5 Ｆ8 とＯ2 の流量がそれぞれ２０ｓｃｃｍと５３０ｓｃｃｍとなる混合ガスを放電管に流し、さらに、７００Ｗのマイクロ波を導波管から放電管へ照射して混合ガスを励起する。そして、励起された混合ガスのラジカルを反応容器内へ導入する。
このような条件でフォトレジスト膜をケミカルドライエッチングしたところ、エッチング速度が２１２９ｎｍ／ｍｉｎ、被処理膜表面の均一性が±２．９％となり、従来使用していたＣＦ4 ガスプロセス（７００Ｗ、３０Ｐａ、Ｏ2 ／ＣＦ4 ＝３００／５０ｓｃｃｍにおいて、エッチング速度が１７００ｎｍ／ｍｉｎ、被処理膜表面の均一性が±１．８％）と同程度のエッチング特性が得られる。表７にＣ5 Ｆ8 プロセスとＣＦ4 プロセスのフォトレジスト膜のエッチング特性を記載する。そして、ガスクロマト測定器によるＣ5 Ｆ8 ガスプロセスとＣＦ4 ガスプロセス時の排ガス中の温暖化ガス発生量の測定結果を表８に記載する。Ｃ5 Ｆ8 ガスプロセス中には、Ｃ2 Ｆ6 やＣ3 Ｆ8 などのＣＦ4 以外の温暖化ガスの発生は見られなかった。Ｃ5 Ｆ8 ガス流量を全体のガス流量の約４ｖｏｌ％にすることによりＣＦ4 ガスプロセスと比較してウェハ１枚当たりの温暖化効果（ＰＦＣ排出量×ＧＷＰ＝温暖化効果値とする）は９８．１％以上削減することができる。
【００２３】
【表７】
Ｃ5 Ｆ8 プロセスとＣＦ4 プロセスのフォトレジスト膜のエッチング特性
0003963295.tif 000008
【００２４】
【表８】
Ｃ5 Ｆ8 プロセスとＣＦ4 プロセスによるフォトレジスト膜エッチング時の温暖化ガス発生量
0003963295.tif 000009
【００２５】
次に、半導体基板上に形成されたタングステン膜などの金属膜をケミカルドライエッチングする方法を説明する。
図２は、半導体基板上に形成された本発明の方法によりエッチング処理する半導体基板に形成された金属膜の構成を示す断面図である。絶縁膜１０２を介して下層配線１０１が形成されたシリコン半導体基板１００上には層間絶縁膜としてのシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）２０を形成する。このシリコン酸化膜２０をフォトレジスト（図示せず）で被覆し、これをパターニングンし、パターニングされたフォトレジストをマスクとしてシリコン酸化膜２０をドライエッチングして下層配線１０１に接する接続孔２４を形成する。接続孔２４内部には下層配線１０１が露出している。次に、シリコン酸化膜２０上及びその接続孔２４内にチタン（Ｔｉ）膜２１と窒化チタン（ＴｉＮ）膜２２とを順次スパッタリング法又はＣＶＤ法などで形成する。その後、タングステン（Ｗ）膜２３をＣＶＤ法を用いて接続孔２４内を埋め込むように形成する。このときタングステン膜２３が接続孔２４以外のバリアメタル膜２１、２２上にも形成される。
【００２６】
次に、図１に示すＣＤＥ装置を用いて半導体基板１００に形成された金属膜を構成するタングステン膜２３とチタン膜２１及び窒化チタン膜２１のバリアメタル膜をケミカルドライエッチングする。そして、側壁にバリアメタル膜が形成された接続孔２４内部に接続配線となるタングステン膜２３が埋め込まれ、接続孔２４以外のタングステン膜は、エッチング除去される。
使用する反応性ガスとしてＣ5 Ｆ8 ガス、Ｏ2 ガス、Ｃ１2 ガスを用いて、Ｃ5 Ｆ8 ガスとＯ2 ガスの総ガス量を２１０ｓｃｃｍ、Ｃ１2 ガスの流量を４０ｓｃｃｍ、マイクロ波パワーを７００Ｗ、圧力を３０Ｐａとした条件でエッチングを行う。フラットな表面を持つ接続配線が得られる。
以上、本発明の方法において、ケミカルドライエッチング法における排出ＰＦＣ削減を目的としたＣ5 Ｆ8 ガスを利用したケミカルドライエッチングは、前記被処理基体及びエッチングガスに限定されるものではなくＰＦＣを使用しているエッチングの代替材料となることができる。
【００２７】
【発明の効果】
本発明によれば、ケミカルドライエッチングに用いるガスに酸素とＣ5 Ｆ8 とを混合することにより、ＣＦ4 ガスを使用する時と同程度のエッチング特性が得られるとともにＰＦＣ排出量を大きく削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のケミカルドライエッチングを実施するＣＤＥ装置の概略断面図。
【図２】本発明のケミカルドライエッチングを説明する半導体基板の断面図。
【図３】本発明の方法によりポリシリコン膜をエッチングする場合におけるエッチングレート、表面均一性及び対シリコン酸化物選択比のエッチングガス中のＣ5 Ｆ8 濃度依存性を示す特性図。
【図４】本発明の方法によりシリコン窒化膜をエッチングする場合におけるエッチングレート、表面均一性及び対シリコン酸化物選択比のエッチングガス中のＣ5 Ｆ8 濃度依存性を示す特性図。
【図５】本発明の方法によりフォトレジスト膜をアッシングする場合におけるアッシングレート及び表面均一性のアッシングガス中のＣ5 Ｆ8 濃度依存性を説明する特性図。
【図６】本発明の方法によりシリコン窒化膜をエッチングする場合におけるエッチングレート及び表面均一性のエッチングガス中のＣ5 Ｆ8 濃度依存性を説明する特性図。
【符号の説明】
１・・・ガス導入口、    ２・・・マイクロ波導波管、  ３・・・放電管、
４・・・ガス輸送管、    ５・・・反応容器（エッチング室）、
６・・・試料台、    ７・・・励起ガス供給口、    ８・・・排気管、
９・・・被処理基体（ウェハ）、    １０・・・ポンプ、
１１・・・排ガス除害装置、    １２・・・ガスクロマト測定器、
１３・・・排ガス排出口、    ２０・・・シリコン酸化膜、
２１・・・チタン膜（バリアメタル膜）、
２２・・・窒化チタン膜（バリアメタル膜）、２３・・・タングステン膜、
２４・・・接続孔、    １００・・・半導体基板、
１０１・・・下層配線、    １０２・・・絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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