(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理面の周辺部をマスク部材でマスクしてこの基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部に支持された基板の処理面を下方に向けた状態で当該処理面にメッキ液を接触させてこの処理面をメッキ処理するメッキ処理部とを有する基板メッキ装置において、
前記メッキ処理部でメッキ処理された基板を、前記基板支持部に支持された状態のまま洗浄手段に移送するように、前記基板支持部と前記洗浄手段とを相対的に移動させる移動手段を備え、
前記移動手段は、前記基板支持部に支持された基板の処理面を上方と下方とに切り換えて向けるように前記基板支持部を反転させる反転機構部を有し、
前記洗浄手段は、前記メッキ処理部の上方の位置に設けられ、
前記移動手段は、メッキ処理後に、前記基板支持部に支持された基板をメッキ液から離間させた反転位置で、前記基板支持部に支持された基板の処理面を上方に向けるように前記反転機構部により前記基板支持部を反転させ、
前記洗浄手段は、前記基板支持部に支持された基板の処理面とマスク部材とに洗浄液を供給して、基板の周辺部を前記マスク部材でマスクした状態のままで基板の処理面とマスク部材とを洗浄する
ことを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板メッキ装置において、
前記移動手段は、前記メッキ処理部でメッキ処理された基板を、前記基板支持部に支持された状態のまま前記洗浄手段に移送するように、前記基板支持部と前記洗浄手段とを相対的に上下方向に移動させる
ことを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板メッキ装置において、
前記移動手段は、
メッキ処理時と洗浄処理時の少なくとも一方において、前記基板支持部に支持された基板をこの基板の処理面の鉛直軸周りに回転させるようにこの基板支持部を回転させる基板回転機構部を
備えていることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記洗浄手段は、洗浄処理後に、基板の処理面上に洗浄液の液膜を残す程度に余剰液の振り切りを行うことを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項５】
請求項２から請求項４のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記移動手段は、
基板の処理面側を前記メッキ処理部と前記洗浄手段とに切り換えて装着するように上下方向に移動させる上下移動機構部
を備えていることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記洗浄手段は、洗浄液として純水を、前記基板支持部に支持された基板の処理面とマスク部材とに供給することを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記洗浄手段は、メッキ処理を受けた基板を洗浄するための洗浄カップを備えていることを特徴とする基板メッキ装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記移動手段は、前記洗浄手段での洗浄処理後の基板を、前記基板支持部に支持された状態のまま前記洗浄手段から下降させて基板の搬送位置に移動させることを特徴とする基板メッキ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板など（以下、単に基板と称する）に対してメッキ処理を施す基板メッキ装置に係り、特に、基板の処理面にメッキ液を供給した状態で給電して電解メッキ処理を施し、このメッキ処理後の基板などを洗浄する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来のメッキ処理としては、例えば、基板の表面（処理面）に銅配線を施すためのメッキ処理がある。このように、基板に銅配線を施すためのメッキ処理では、基板の裏面全体や、基板の処理面の周辺部にあたる所定範囲（例えば、数ミリの範囲）には、メッキによる成膜がされたり、メッキ液による汚染が生じたりすると、不都合となる部分が存在している。
【０００３】
このためメッキ処理を施す際には、処理面の周辺部分をメッキ液から遮断するためのリング状のマスク部材を基板に取り付け、このマスク部材とともに基板の処理面をメッキ液中に接触させたり、処理面に対してメッキ液を供給するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来例に係るメッキ処理の場合には、次のような問題がある。すなわち、メッキ処理を終えるためにメッキ液の供給を停止したり、基板をメッキ液中から引き上げても、マスク部材と基板の処理面とが近接している角部分にはメッキ液が残留したままとなっている。この残留メッキ液は、たとえ基板とマスク部材とを高速回転（例えば、２０００ｒｐｍ）させたとしても、角部分が回転中心位置よりも外周側に位置し、なおかつ、基板の処理面より突出している関係上、完全に除去することはできない。そして、このような残留メッキ液がある基板のマスク部材を外すと、残留メッキ液が基板の周辺部にも拡がってしまい、周辺部を汚染してしまうという問題がある。
【０００５】
また、残留メッキ液は、基板の周辺部を汚染するだけでなくマスク部材のカソード電極（陰極）にも拡がって付着するので、メッキ処理を施すために次なる基板が搬送されてくると、その基板の周辺部に残留メッキ液が転写されて汚染されるという二次汚染が生じるという問題もある。
【０００６】
さらに、洗浄処理のために、残留メッキ液で周辺部が汚染された基板を洗浄装置に搬送すると、搬送系などを汚染してしまうという問題がある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板やマスク部材にメッキ液が残留しないように洗浄除去でき、残留メッキ液による基板やマスク部材の汚染が防止できる基板メッキ装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の基板メッキ装置は、基板の処理面の周辺部をマスク部材でマスクしてこの基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部に支持された基板の処理面を下方に向けた状態で当該処理面にメッキ液を接触させてこの処理面をメッキ処理するメッキ処理部とを有する基板メッキ装置において、前記メッキ処理部でメッキ処理された基板を、前記基板支持部に支持された状態のまま洗浄手段に移送するように、前記基板支持部と前記洗浄手段とを相対的に移動させる移動手段を備え、前記移動手段は、前記基板支持部に支持された基板の処理面を上方と下方とに切り換えて向けるように前記基板支持部を反転させる反転機構部を有し、前記洗浄手段は、前記メッキ処理部の上方の位置に設けられ、前記移動手段は、メッキ処理後に、前記基板支持部に支持された基板をメッキ液から離間させた反転位置で、前記基板支持部に支持された基板の処理面を上方に向けるように前記反転機構部により前記基板支持部を反転させ、前記洗浄手段は、前記基板支持部に支持された基板の処理面とマスク部材とに洗浄液を供給して、基板の周辺部を前記マスク部材でマスクした状態のままで基板の処理面とマスク部材とを洗浄する
ことを特徴とするものである。
【０００９】
また、請求項２に記載の基板メッキ装置は、請求項１に記載の基板メッキ装置において、前記移動手段は、前記メッキ処理部でメッキ処理された基板を、前記基板支持部に支持された状態のまま前記洗浄手段に移送するように、前記基板支持部と前記洗浄手段とを相対的に上下方向に移動させることを特徴とするものである。
【００１０】
また、請求項３に記載の基板メッキ装置は、請求項１または請求項２に記載の基板メッキ装置において、前記移動手段は、メッキ処理時と洗浄処理時の少なくとも一方において、前記基板支持部に支持された基板をこの基板の処理面の鉛直軸周りに回転させるようにこの基板支持部を回転させる基板回転機構部を備えていることを特徴とするものである。
【００１１】
また、請求項４に記載の基板メッキ装置は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記洗浄手段は、洗浄処理後に、基板の処理面上に洗浄液の液膜を残す程度に余剰液の振り切りを行うことを特徴とするものである。
【００１２】
また、請求項５に記載の基板メッキ装置は、請求項２から請求項４のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記移動手段は、基板の処理面側を前記メッキ処理部と前記洗浄手段とに切り換えて装着するように上下方向に移動させる上下移動機構部を備えていることを特徴とするものである。
【００１３】
また、請求項６に記載の基板メッキ装置は、請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記洗浄手段は、洗浄液として純水を、前記基板支持部に支持された基板の処理面とマスク部材とに供給することを特徴とするものである。また、請求項７に記載の基板メッキ装置は、請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記洗浄手段は、メッキ処理を受けた基板を洗浄するための洗浄カップを備えていることを特徴とするものである。また、請求項８に記載の基板メッキ装置は、請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記移動手段は、前記洗浄手段での洗浄処理後の基板を、前記基板支持部に支持された状態のまま前記洗浄手段から下降させて基板の搬送位置に移動させることを特徴とするものである。
【００１４】
【作用】
請求項１に記載の発明の作用は次のとおりである。
基板支持部は、基板の処理面の周辺部をマスク部材でマスクしてこの基板を支持する。メッキ処理部は、基板支持部に支持された基板の処理面を下方に向けた状態で当該処理面にメッキ液を接触させて基板の処理面をメッキ処理する。移動手段は、メッキ処理部でメッキ処理された基板を、基板支持部に支持された状態のまま、メッキ液から離間させた反転位置で、基板支持部に支持された基板の処理面を上方に向けるように反転機構部により基板支持部を反転させ、メッキ処理部の上方の位置の洗浄手段に移送するように、基板支持部と洗浄手段とを相対的に移動させる。洗浄手段は、基板支持部に支持された基板の処理面とマスク部材とに洗浄液を供給して、基板の周辺部をマスク部材でマスクした状態のままで基板の処理面とマスク部材とを洗浄する。したがって、基板やマスク部材にメッキ液が残留しないように洗浄除去され、残留メッキ液による基板やマスク部材の汚染が防止される。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明によれば、洗浄手段は、メッキ処理部の上方あるいは下方の位置に設けられている。移動手段は、メッキ処理部でメッキ処理された基板を、基板支持部に支持された状態のまま洗浄手段に移送するように、基板支持部と洗浄手段とを相対的に上下方向に移動させる。したがって、基板洗浄を行う洗浄手段の設置スペース、特に、平面視したときの設置スペースが縮小される。
【００１６】
また、請求項３に記載の発明によれば、移動手段は、メッキ処理時と洗浄処理時の少なくとも一方において、基板支持部に支持された基板をこの基板の処理面の鉛直軸周りに回転させるようにこの基板支持部を回転させる基板回転機構部を備えている。したがって、メッキ処理時に基板支持部を基板の処理面の鉛直軸周りに回転させることで、メッキ処理の均一性が高められ、洗浄処理時に基板支持部を基板の処理面の鉛直軸周りに回転させると清浄度が高められる。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明によれば、洗浄手段は、洗浄処理後に、基板の処理面上に洗浄液の液膜を残す程度に余剰液の振り切りを行う。したがって、基板の処理面上には、液膜を残す程度に洗浄液を残存させており、基板の処理面が大気に直接に曝露されないようにしており、基板の処理面が大気に直接に曝されて乾燥することに起因する基板の処理面の変質が防止される。
【００１８】
また、請求項５に記載の発明によれば、移動手段は、基板支持部に支持された基板の処理面を上方と下方とに切り換えて向けれるようにこの基板支持部を反転させる反転機構部と、基板の処理面側をメッキ処理部と洗浄手段とに切り換えて装着するように上下方向に移動させる上下移動機構部とを備えている。したがって、基板支持部に支持された基板の処理面が、上下に配置されたメッキ処理部と洗浄手段とに適切に切り換えて装着される。
【００１９】
また、請求項６に記載の発明によれば、洗浄手段は、洗浄液として純水を、基板支持部に支持された基板の処理面とマスク部材とに供給する。したがって、基板やマスク部材にメッキ液が残留しないように純水によって洗浄除去され、残留メッキ液による基板やマスク部材の汚染が防止される。また、請求項７に記載の発明によれば、洗浄手段は、メッキ処理を受けた基板を洗浄するための洗浄カップを備えている。また、請求項８に記載の発明によれば、移動手段は、洗浄手段での洗浄処理後の基板を、基板支持部に支持された状態のまま洗浄手段から下降させて基板の搬送位置に移動させる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。本実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示す図である。本実施例に係る基板メッキ装置は、メッキ処理部２９で基板Ｗの処理面Ｗｓにメッキ処理を施し、メッキ処理部２９とは分離されて近接配置された洗浄カップ３９でこのメッキ処理後の基板Ｗなどを洗浄液（例えば、純水）によって洗浄するものである。
【００２１】
メッキ処理を受ける被対象物としての基板Ｗは、メッキ処理を施すための処理面Ｗｓを上向きにした状態でメカチャック１に水平姿勢で支持される。メカチャック１は、基板Ｗの下面周辺部と端縁の複数箇所に当接して基板Ｗを支持する。このメカチャック１は、スピンベース３に配設されている支柱５（例えば、３本）の内側面に取り付けられている。図２に示すように、基板Ｗは、基板搬送機構（図示省略）によって、隣接する支柱５の間からスピンベース３の内側に水平姿勢で搬送される。図２は、基板の搬入時の状態を示す斜視図である。なお、図２では、図示の都合上、メカチャック１と後述するサセプタ２３とを省略してある。
【００２２】
スピンベース３は、下部の回転軸７が中空に形成されており、この回転軸７の外周側に配備された回転駆動機構部９によって、図１に矢印ａで示すように鉛直軸周りに回転可能に構成されている。また、このスピンベース３は、矢印ａで示す鉛直軸周りに回転自在な状態で反転ベース１１に支持されており、この反転ベース１１を反転駆動機構部１３によって、図１に矢印ｂで示すように水平軸周りに回転させることで、基板Ｗの処理面Ｗｓが上方あるいは下方に向くように反転可能に構成されている。さらに、このスピンベース３は、反転ベース１１を昇降駆動機構部１５によって、図１に矢印ｃで示す昇降方向に昇降させることで、昇降可能に構成されている。
【００２３】
なお、上述した回転駆動機構部９と反転駆動機構部１３と昇降駆動機構部１５とが本発明の移動手段に相当し、これらの具体的な構成については後述する。
【００２４】
続いて、スピンベース３の３本の支柱５の上部には、平面視環状のカソードリング１７が配設されている。このカソードリング１７の要部構成について、図３を用いて説明する。図３は、カソードリングの要部構成を示す概略断面図である。図３に示すように、このカソードリング１７は、その内周側に、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺にあたる周辺部に当接する当接部１７ａを備えている。この当接部１７ａは、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部にメッキ液が浸入することを防止するとともに、スピンベース３の回転軸７を介して供給された負電圧を基板Ｗの処理面Ｗｓに対して印加する。具体的には、この当接部１７ａには、シール部材１９を設けることで、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部へのメッキ液の浸入を防止しており、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部に接触するようにカソード電極（陰極）２１を設けることで、負電圧を基板Ｗの処理面Ｗｓに対して印加している。
【００２５】
なお、上述したカソードリング１７の当接部１７ａが本発明のマスク部材に相当する。
【００２６】
図１に戻って、スピンベース３の内部には、回転軸７に沿って昇降可能に構成されたサセプタ２３が配備されている。このサセプタ２３の下部側には、伝達部材２５が取り付けられ、この伝達部材２５と反転ベース１１との間にはエアシリンダ２７が配設されている。このようにすることで、エアシリンダ２７のピストンによる直線方向ｄの運動（伸縮運動）がサセプタ２３に伝達され、このサセプタ２３がメカチャック１とカソードリング１７との間で昇降するようになっている。
【００２７】
また、このサセプタ２３の上部側には、メカチャック１とカソードリング１７との間で基板Ｗを昇降させる際に基板Ｗを載置する載置部２３ａが形成されている。ここでは、この載置部２３ａとしては、基板Ｗの裏面を面支持するものを採用しているが、基板Ｗの裏面の所定の複数箇所をピン支持するものなど、種々のタイプのものを採用しても良い。この載置部２３ａは、メカチャック１の下方に待機しており、所要時にはその位置とカソードリング１７との間で昇降移動する。例えば、サセプタ２３の載置部２３ａに基板Ｗが載置されると、サセプタ２３は、カソードリング１７の当接部１７ａに基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部を当接させるように上昇する。この状態では、基板Ｗは、カソードリング１７の当接部１７ａとサセプタ２３の載置部２３ａとによって挟持されている状態となっている。なお、回転駆動機構部９によって、スピンベース３が図１に矢印ａで示す鉛直軸周りに回転するときには、サセプタ２３も一緒に同一方向に回転することになるが、サセプタ２３の回転運動は伝達部材２５には伝達されないので、伝達部材２５が図１に矢印ａで示すように鉛直軸周りに回転することはない。
【００２８】
なお、上述したカソードリング１７とサセプタ２３が本発明の基板支持部に相当する。
【００２９】
続いて、スピンベース３の下方位置には、基板Ｗの処理面Ｗｓにメッキ処理を施すためのメッキ処理部２９が備えられている。このメッキ処理部２９には、メッキ液供給源（図示省略）からメッキ液が供給され、そのメッキ液を上部開口部３１ａから溢れ出させる方式のメッキ液供給カップ３１が備えられている。このメッキ液供給カップ３１は、基板Ｗの処理面Ｗｓにメッキ液を接触させるように、スピンベース３に支持された基板Ｗの処理面Ｗｓが上部開口部３１ａに近接されて、なおかつ、スピンベース３を図１に矢印ａで示す鉛直軸周りに回転させることで基板Ｗを回転させて、この基板Ｗの処理面Ｗｓをメッキする。そして、このメッキ液供給カップ３１の周囲には、メッキ液供給カップ３１の上部開口部３１ａから溢れ出たメッキ液を回収するためのメッキ液回収カップ３３が備えられている。また、このメッキ液回収カップ３３の周囲には、メッキ処理時に生じるミストを好適に回収するためのミスト回収カップ３５が備えられている。このように、メッキ処理部２９は、メッキ液供給カップ３１、メッキ液回収カップ３３、ミスト回収カップ３５が中心からその順に配設された三重筒構造となっている。メッキ液供給カップ３１の上部開口部３１ａに基板Ｗの処理面Ｗｓを近接させるので、メッキ液回収カップ３３およびミスト回収カップ３５の上部には、少なくとも基板Ｗなどが出し入れできる程度の大きさの開口部を有している。また、このメッキ液供給カップ３１には、正電圧を印加するためのアノード電極（陽極）３７が配設されている。
【００３０】
さらに、スピンベース３の上方位置には、メッキ処理を受けた基板Ｗを洗浄するためのドーナツ状の洗浄カップ３９が備えられている。この洗浄カップ３９の下側には、メッキ処理を受けた基板Ｗをスピンベース３で支持したままの状態で基板Ｗの処理面Ｗｓを洗浄カップ３９の内部に向けた状態で装着可能な下部開口部３９ａを有している。この洗浄カップ３９は、下部開口部３９ａから外側下方に向かって傾斜する傾斜面４１ａが形成された排水回収路４１を備えている。また、この洗浄カップ３９の上部側方には、洗浄液（例えば、純水）を吐出するための洗浄ノズル４３が配備されている。なお、この洗浄カップ３９には、基板Ｗに純水を吐出して行われる洗浄処理に起因するミストが外部に飛散するのを防止するために、飛散防止カバー４５が備えられている。洗浄動作時には、回転駆動機構部９によって、スピンベース３を図１に矢印ａで示す鉛直軸周りに回転させ、回転中の基板Ｗに洗浄ノズル４３からの純水を吐出している。基板Ｗに吐出された洗浄液は、基板Ｗの遠心力により、傾斜面４１ａ並びに排水回収路４１の方に好適に飛ばされて案内され、洗浄カップ３９とカソードリング１７との間から漏れ落ちるようなことはない。
【００３１】
なお、上述した洗浄カップ３９が本発明の洗浄手段に相当する。
【００３２】
回転駆動機構部９は、スピンベース３に支持された基板Ｗを、この基板Ｗの処理面Ｗｓの鉛直軸周り（矢印ａの方向）に回転させるように、このスピンベース３を回転させる。この回転駆動機構部９は、例えば、反転ベース１１に配設された第１電動モータ４７と、この第１電動モータ４７の回転軸に嵌入された第１外歯車４９と、スピンベース３の回転軸７の外周に設けられた第２外歯車５１と、この第１電動モータ４７の回転を伝動するために第１外歯車４９と第２外歯車５１とにかけられた輪状の第１タイミングベルト５３とを備えている。
【００３３】
なお、上述した回転駆動機構部９が本発明の基板回転機構部に相当する。
【００３４】
反転駆動機構部１３は、スピンベース３に支持された基板Ｗの処理面Ｗｓを上方と下方とに切り換えて向けれるように、矢印ｂの方向にスピンベース３などを反転させる。この反転駆動機構部１３は、例えば、上下ベース５５に配設された第２電動モータ５７と、この第２電動モータ５７の回転軸に嵌入された第３外歯車５９と、上下ベース５５の所定箇所に軸芯が嵌入されて回転自在に支持された第４外歯車６１と、この第２電動モータ５７の回転を伝動するために第３外歯車５９と第４外歯車６１とにかけられた輪状の第２タイミングベルト６３とを備えている。そして、この第４外歯車６１の一方の平面（上下ベース５５から遠い方の平面）には、反転ベース１１の一端が装着されている。なおここでは、反転駆動機構部１３を、上述したように第２電動モータ５７と第３，第４外歯車５９，６１と第２タイミングベルト６３とで構成しているが、上下ベース５５に配設された第２電動モータ５７の回転軸を反転ベース１１の一端に装着して、第２電動モータ５７の回転を反転ベース１１に直接に伝動させて反転ベース１１を直接に回転させるようにしても良い。
【００３５】
昇降駆動機構部１５は、基板Ｗの処理面Ｗｓ側をメッキ処理部２９と洗浄カップ３９とに切り換えて装着するようにスピンベース３などを矢印ｃで示す上下方向に移動させる。この昇降駆動機構部１５は、例えば、位置が固定である基台６５に回転軸が上下方向に向くようにして配設された第３電動モータ６７と、この第３電動モータ６７の回転軸に嵌合されて上下方向に向くようにしたボールネジ６９と、上下ベース５５に固着されてボールネジ６９が螺入されたナット部７１とを備えている。ボールネジ６９の回転動作は、ナット部７１によって、上下ベース５５を矢印ｃで示す上下方向に移動させる直線運動に変換される。
【００３６】
なお、上述した反転駆動機構部１３が本発明の反転機構部に相当し、上述した昇降駆動機構部１５が本発明の上下移動機構部に相当する。
【００３７】
次に、上記のように構成されている基板メッキ装置の動作について詳細に説明する。
【００３８】
（１）メッキ準備動作
〔Ｓ１〕基板Ｗの搬入（図２及び図４参照）
まず、基板搬送機構（図示省略）により、基板Ｗが、この基板Ｗの処理面Ｗｓを上向きにした水平姿勢の状態で、隣接する支柱５の間からスピンベース３の内側に搬入され、処理面Ｗｓを上向きにした水平姿勢の状態でメカチャック１に支持される。このとき、サセプタ２３の載置部２３ａは、メカチャック１の下方に待機している。
【００３９】
〔Ｓ２〕基板Ｗの支持（図５及び図３参照）
そして、エアシリンダ２７のピストンを縮めることでサセプタ２３をカソードリング１７の方に近づけ、すなわち、サセプタ２３を上昇させて、このサセプタ２３の載置部２３ａ上に基板Ｗを載置して、さらに、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部をカソードリング１７の当接部１７ａに当接させる。このとき、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部は、図３に示すように、カソードリング１７のシール部材１９とカソード電極２１とに押圧されている。
【００４０】
〔Ｓ３〕基板Ｗの反転（図６参照）
反転駆動機構部１３により反転ベース１１を矢印ｂの方向に反転させることで、基板Ｗの処理面Ｗｓが下向きとなるように、スピンベース３を反転させる。
【００４１】
（２）メッキ処理動作
〔Ｓ４〕基板Ｗの下降（図７参照）
昇降駆動機構部１５により、基板Ｗの処理面Ｗｓをメッキ液供給カップ３１の上部開口部３１ａに近接させるように、メッキ処理高さまでスピンベース３などを下降させる。
【００４２】
〔Ｓ５〕基板Ｗのメッキ処理（図７参照）
メッキ液供給カップ３１へのメッキ液の供給を開始して、メッキ液供給カップ３１の上部開口部３１ａからメッキ液を溢れ出させるようにして、基板Ｗの処理面Ｗｓにメッキ液を接触させるようにする。回転駆動機構部９により、スピンベース３の回転軸７を矢印ａの方向に回転させることで、基板Ｗをゆっくり回転させる。そして、基板Ｗがゆっくり回転している状態で、メッキ液供給カップ３１のアノード電極（陽極）３７と、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部に接触させているカソード電極２１との間に所定電圧を印加する。このように基板Ｗをメッキ処理高さで矢印ａ方向にゆっくり回転させながら、メッキ液流を基板Ｗの処理面Ｗｓにあてて通電し、所定時間だけ電解メッキ処理する。
【００４３】
〔Ｓ６〕基板Ｗのメッキ処理終了（図８参照）
メッキ処理の所定時間が経過した後、通電を停止するとともに、メッキ液供給カップ３１に対するメッキ液の供給を停止し、昇降駆動機構部１５により、基板Ｗの処理面Ｗｓをメッキ液から離間させたメッキ液振り切り高さまでスピンベース３を上昇させる。そして、回転駆動機構部９により、スピンベース３の回転軸７の回転速度を所定の振り切り速度まで上げて、基板Ｗの処理面Ｗｓやカソードリング１７に付着しているメッキ液を遠心力で振り切る。しかしながら、遠心力が加わる方向の関係上、カソードリング１７と基板Ｗの処理面Ｗｓとが近接している角部分には、メッキ液が付着して残留する。なお、この振り切り後に、スピンベース３の回転軸７の回転速度を所定の回転速度まで下げる。
【００４４】
（３）水洗準備動作
〔Ｓ７〕基板Ｗの上昇と反転（図９参照）
振り切りを行った後、昇降駆動機構部１５により、スピンベース３を反転位置高さまで上昇させる。そして、この反転位置高さにおいて、反転駆動機構部１３により反転ベース１１を矢印ｂの方向に反転させることで、基板Ｗの処理面Ｗｓが上向きとなるように、スピンベース３を反転させる。
【００４５】
〔Ｓ８〕基板Ｗの洗浄カップ３９への装着（図１０参照）
昇降駆動機構部１５により、スピンベース３を水洗高さまで上昇させて、洗浄カップ３９の下部開口部３９ａに、メッキ処理を受けた基板Ｗをスピンベース３で支持したままの状態で基板Ｗの処理面Ｗｓを洗浄カップ３９の内部に向けるようにして装着する。
【００４６】
（４）水洗動作
〔Ｓ９〕基板Ｗの水洗（図１０参照）
基板Ｗを矢印ａ方向にゆっくり回転させながら、洗浄ノズル４３から基板Ｗに純水を所定時間だけ吐出する。基板Ｗに吐出された純水は、基板Ｗの処理面Ｗｓを流れ、カソードリング１７と処理面Ｗｓとが近接している角部分に付着している残留メッキ液を洗い流しつつ、傾斜面４１ａ並びに排水回収路４１を流れて排水される。
【００４７】
〔Ｓ１０〕基板Ｗの水洗終了（図１１参照）
所定時間が経過した後、純水の基板Ｗへの供給を停止して、回転駆動機構部９により、スピンベース３の回転軸７の回転速度を所定の余剰液振り切り速度まで上げて、基板Ｗの処理面Ｗｓやカソードリング１７に付着している純水を遠心力でそこそこに振り切る。具体的には、基板Ｗの処理面Ｗｓ上に純水の水膜を残す程度に余剰液の振り切りを行っている。
【００４８】
（５）処理完了動作
〔Ｓ１１〕基板Ｗの下降（図１２参照）
昇降駆動機構部１５により、スピンベース３を搬送高さまで下降させる。
【００４９】
〔Ｓ１２〕基板Ｗの支持解除（図１２参照）
エアシリンダ２７のピストンを伸ばすことでサセプタ２３をカソードリング１７から遠ざけ、すなわち、サセプタ２３を下降させて、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部をカソードリング１７の当接部１７ａから離間させて、基板Ｗの処理面Ｗｓの周辺部に対するカソードリング１７のシール部材１９とカソード電極２１との押圧を解除する。さらに、サセプタ２３の載置部２３ａ上に載置されている基板Ｗがメカチャック１に支持されるように、このサセプタ２３をメカチャック１の下方にまで下降させる。
【００５０】
〔Ｓ１３〕基板Ｗの搬出（図１２参照）
基板搬送機構（図示省略）により、上述した一連の処理を受けた基板Ｗが、この基板Ｗの処理面Ｗｓを上向きにした水平姿勢の状態で、スピンベース３の内側から隣接する支柱５の間を介して搬出される。このようにして、基板Ｗの処理面Ｗｓに対するメッキ処理、並びに、基板Ｗやカソードリング１７に残留するメッキ液の洗浄除去処理が行われて次工程に搬出される。
【００５１】
したがって、メッキ処理部２９でメッキ処理された基板Ｗは、スピンベース３に支持された状態のまま洗浄カップ３９に移送され、洗浄カップ３９は、スピンベース３に支持された基板Ｗの処理面Ｗｓとカソードリング１７とに洗浄液（純水）を供給して、基板Ｗの周辺部をカソードリング１７でマスクした状態のままで基板Ｗの処理面Ｗｓとカソードリング１７とを洗浄するので、基板Ｗやカソードリング１７にメッキ液が残留しないように洗浄除去でき、残留メッキ液による基板Ｗやカソードリング１７の汚染が防止できる。また、残留メッキ液によって汚染されているカソードリング１７に次の基板Ｗが取り付けられることでこの基板Ｗに残留メッキ液が転写されて汚染されるという二次汚染も防止できる。
【００５２】
また、洗浄カップ３９はメッキ処理部２９の上方位置に設けられ、メッキ処理部２９でメッキ処理された基板Ｗを、スピンベース３に支持された状態のまま、メッキ処理部２９の上方位置にある洗浄カップ３９に移送するので、洗浄カップ３９の設置スペース、特に、平面視したときの設置スペースを縮小することができる。また、基板Ｗの大型化に伴い洗浄カップ３９が大きくなっても、平面視した状態の設置スペースは拡大しないので、大型の基板Ｗを扱う基板メッキ装置であっても、全体として装置をコンパクトに構成することも可能である。
【００５３】
また、メッキ処理時及び洗浄処理時に、スピンベース３に支持された基板Ｗをこの基板Ｗの処理面Ｗｓの鉛直軸周りに回転させるようにこのスピンベース３を回転させる回転駆動機構部９を備えているので、メッキ処理時にスピンベース３を基板Ｗの処理面Ｗｓの鉛直軸周りに回転させることで、メッキ処理の均一性を高めることができ、洗浄処理時にスピンベース３を基板Ｗの処理面Ｗｓの鉛直軸周りに回転させることで清浄度を高めることができる。
【００５４】
また、洗浄処理後に、基板Ｗの処理面Ｗｓ上に純水の水膜を残す程度に余剰液の振り切りを行っているので、基板Ｗの処理面Ｗｓを大気に直接に曝露させないようにでき、基板Ｗの処理面Ｗｓが大気に直接に曝されて乾燥することに起因する基板Ｗの処理面Ｗｓの酸化等の変質を防止できる。
【００５５】
また、基板Ｗ上に残ったメッキ液による好ましくないエッチング反応（例えば、銅を溶かす等の反応）をその場で純水洗浄により停止させることができるので、メッキ処理終了から上記エッチング反応の停止までの時間を、常に同じ時間間隔に保つことができ、搬送系のタイミング等に影響されない再現性の良い処理が実現でき、品質のバラツキが少ない高品質な基板Ｗを得ることができる。また、本実施例装置に基板Ｗを搬送するための搬送系や、本実施例装置外の次工程の処理部にメッキ液を持ち出さないので、前記の搬送系や次工程の処理部に耐薬液性の負担を強いることがない。
【００５６】
なお、本発明は以下のように変形実施することも可能である。
【００５７】
（１）上述した実施例では、洗浄液として純水を用いているが、酸、アルカリ、及びオゾンを純水に溶解したオゾン水等に例示されるように、通常の基板洗浄で用いられる洗浄液を用いても構わない。
【００５８】
（２）上述した実施例では、メッキ処理部２９でメッキ処理された基板Ｗを、スピンベース３に支持された状態のまま洗浄カップ３９に移送するように、スピンベース３を移動させているが、スピンベース３に替えて洗浄カップ３９を移動させたり、スピンベース３と洗浄カップ３９の両方を移動させたりしても良い。
【００５９】
（３）上述した実施例では、回転駆動機構部９によって、メッキ処理時と洗浄処理時の両方の場合において、スピンベース３に支持された基板Ｗをこの基板Ｗの処理面Ｗｓの鉛直軸周りに回転させるようにこのスピンベース３を回転させているが、メッキ処理時または洗浄処理時の一方において必要がある場合のみスピンベース３を回転させても良い。
【００６０】
（４）上述した実施例では、洗浄カップ３９は、メッキ処理部２９の上方位置に設けられているが、メッキ処理部２９の下方位置に設けるようにしても良い。この場合は、洗浄カップ３９は、スピンベース３に支持された基板Ｗがこのカップ内に挿入されるように上部に開口部を有し、メッキ処理部２９は、フェイスアップの状態で基板Ｗを回転させながら通電してメッキするものを採用することで実現できる。
【００６１】
（５）上述した実施例では、洗浄カップ３９は、メッキ処理部２９の上方位置に設けられているが、メッキ処理部２９の側方位置に設けるようにしても良い。この場合は、平面視したときの洗浄カップ３９の設置スペースを縮小することはできないが、基板Ｗやカソードリング１７にメッキ液が残留しないように洗浄除去でき、残留メッキ液による基板Ｗやカソードリング１７の汚染が防止できる。
【００６２】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項１に記載の発明によれば、基板の処理面の周辺部をマスク部材でマスクしてこの基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部に支持された基板の処理面にメッキ液を接触させてこの処理面をメッキ処理するメッキ処理部とを有する基板メッキ装置において、メッキ処理部でメッキ処理された基板を、基板支持部に支持された状態のまま洗浄手段に移送するように、基板支持部と洗浄手段とを相対的に移動させる移動手段を備え、洗浄手段は、基板支持部に支持された基板の処理面とマスク部材とに洗浄液を供給して、基板の周辺部をマスク部材でマスクした状態のままで基板の処理面とマスク部材とを洗浄するので、基板やマスク部材にメッキ液が残留しないように洗浄除去でき、残留メッキ液による基板やマスク部材の汚染が防止できる。
【００６３】
また、請求項２に記載の発明によれば、洗浄手段は、メッキ処理部の上方あるいは下方の位置に設けられ、移動手段は、メッキ処理部でメッキ処理された基板を、基板支持部に支持された状態のまま洗浄手段に移送するように、基板支持部と洗浄手段とを相対的に上下方向に移動させるので、基板洗浄を行う洗浄手段の設置スペース、特に、平面視したときの設置スペースを縮小することができる。また、基板の大型化に伴い洗浄手段が大きくなっても、平面視した状態の設置スペースは拡大しないので、大型の基板を扱う基板メッキ装置であっても、全体として装置をコンパクトに構成することも可能である。
【００６４】
また、請求項３に記載の発明によれば、移動手段は、メッキ処理時と洗浄処理時の少なくとも一方において、基板支持部に支持された基板をこの基板の処理面の鉛直軸周りに回転させるようにこの基板支持部を回転させる基板回転機構部を備えているので、メッキ処理時に基板支持部を基板の処理面の鉛直軸周りに回転させることで、メッキ処理の均一性を高めることができ、洗浄処理時に基板支持部を基板の処理面の鉛直軸周りに回転させると清浄度を高めることができる。
【００６５】
また、請求項４に記載の発明によれば、洗浄処理後に、基板の処理面上に洗浄液の液膜を残す程度に余剰液の振り切りを行う洗浄手段を備えているので、基板の処理面を大気に直接に曝露させないようにでき、基板の処理面が大気に直接に曝されて乾燥することに起因する基板の処理面の変質を防止できる。
【００６６】
また、請求項５に記載の発明によれば、移動手段は、基板支持部に支持された基板の処理面を上方と下方とに切り換えて向けれるようにこの基板支持部を反転させる反転機構部と、基板の処理面側をメッキ処理部と洗浄手段とに切り換えて装着するように上下方向に移動させる上下移動機構部とを備えているので、基板支持部に支持された基板の処理面を、上下に配置されたメッキ処理部と洗浄手段とに適切に切り換えて装着することができ、上下に配置されたメッキ処理部と洗浄手段とから良好にメッキ処理と洗浄処理とが受けられ、なおかつ、平面視したときの設置スペースが縮小された構成を実現することができる。
【００６７】
また、請求項６に記載の発明によれば、洗浄手段は、洗浄液として純水を、基板支持部に支持された基板の処理面とマスク部材とに供給するので、基板やマスク部材にメッキ液が残留しないように純水によって洗浄除去でき、残留メッキ液による基板やマスク部材の汚染が防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示す図である。
【図２】基板の搬入時の状態を示す斜視図である。
【図３】カソードリングの要部構成を示す概略断面図である。
【図４】基板の搬入時の状態を示す図である。
【図５】メッキ処理の説明に供する図である。
【図６】メッキ処理の説明に供する図である。
【図７】メッキ処理の説明に供する図である。
【図８】メッキ処理の説明に供する図である。
【図９】洗浄処理の説明に供する図である。
【図１０】洗浄処理の説明に供する図である。
【図１１】洗浄処理の説明に供する図である。
【図１２】基板の搬出時の状態を示す図である。
【符号の説明】
３  …  スピンベース
９  …  回転駆動機構部
１３  …  反転駆動機構部
１５  …  昇降駆動機構部
１７  …  カソードリング
１７ａ…  当接部
２３  …  サセプタ
２３ａ…  載置部
２９  …  メッキ処理部
３９  …  洗浄カップ
Ｗ  …  基板
Ｗｓ…  処理面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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