(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧容器内部に処理品およびヒータを収納し得る底付き円筒形のケーシングと、このケーシングの外側に該ケーシングを覆うように底付き円筒形でかつガス流量調整用弁が設けられた断熱構造体と、この断熱構造体と前記高圧容器の内面とにより画成される空間に水冷却機構を有するヒートシンクとを備えるとともに、さらに処理品を収納する処理室空間の均熱化を促進するための圧力媒体ガス攪拌用のファンを前記ケーシング内部の下側に配置したことを特徴とする熱間等方圧プレス装置。
【請求項２】
ヒートシンク内面と断熱構造体外面とにより画成される空間のガスの対流を制御して冷却速度を向上させるための循環流促進用ファンをヒートシンクの内側かつ断熱構造体の外側に配置してなる請求項１に記載の熱間等方圧プレス装置。
【請求項３】
断熱構造体と高圧容器との空間に配置されるヒートシンクが、金属製の耐圧パイプ材を多数本並べて冷却水の流量を配分するためのヘッダ部材に結合された構造である請求項１または２に記載の熱間等方圧プレス装置。
【請求項４】
高圧容器または／および上蓋に水冷却機構を設けてなる請求項１乃至３の何れかに記載の熱間等方圧プレス装置。
【請求項５】
請求項１に記載の熱間等方圧プレス装置を用いて熱間等方圧プレス処理を行う過程における保持後の冷却工程で、処理室内部の所定部位の冷却速度が、あらかじめ設定された所定の冷却速度となるようにガス流量調整弁を制御するとともに、冷却工程における均熱性を確保すべく、処理室上部の温度値と処理室下部の温度値の差に応じて、圧力媒体ガス攪拌用ファンのガス循環流量を制御して均熱性を確保することを特徴とする熱間等方圧プレス方法。
【請求項６】
請求項２に記載の熱間等方圧プレス装置を用いて熱間等方圧プレス処理を行う過程における保持後の冷却工程で、処理室内部の所定部位の冷却速度が、あらかじめ設定された所定の冷却速度となるように制御するとともに、冷却工程における均熱性を確保すべく、処理室上部の温度値と処理室下部の温度値の差に応じて、圧力媒体ガス攪拌用ファンのガス循環流量を制御して均熱性を確保するとともに、少なくとも低温度域では循環流促進用ファンを駆動して当該低温度域での冷却速度をさらに向上させることを特徴とする熱間等方圧プレス方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱間等方圧プレス装置および熱間等方圧プレス方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
熱間等方圧プレス法（ＨＩＰ法）は、数１０〜数１００ＭＰａの高圧ガス雰囲気下で昇温することにより、鋳造製品中やセラミックス等の焼結製品中の残留気孔を消滅させる技術として、機械的特性の向上、特性のバラツキの低減、歩留まり向上などの効果が確認され、広く工業的に使用されるに至っている。
【０００３】
上記のような目的で使用される通常のＨＩＰ装置の構造は図７に示すように、高圧円筒体４１と上下の蓋４２、４３を備えてなる縦形円筒形の高圧容器内部に、底付き円筒形の断熱構造体４４と、この断熱構造体４４の内面に沿って配置された抵抗線加熱方式のヒータ４５とを備える、いわゆる抵抗線加熱方式の電気炉が収納された構造となっている。なお、上蓋４２には高圧ガス導入孔４６が設けられ、また下蓋４３はリング状蓋４７とその内側のプラグ状蓋４８とで構成されている。運転に際しては、処理品４９を収納した処理品収納ケース５０がプラグ状蓋４８の上に処理品台５１を介して置かれ、抵抗線加熱方式のヒータ４５の内側の処理室５２内に装入される。上述のようにかなりの高圧で運転されることから、内径が１ｍのような大きな装置で１００ＭＰａで運転される装置の場合、内圧により上下の蓋４２、４３に作用する荷重は８０００ｔｏｎにもなるため、この荷重を支持するため上下の蓋４２、４３は窓枠形状の鋼製のフレーム（図示せず）で支持される。
【０００４】
上記抵抗線加熱方式のヒータ４５は、高圧容器内部の処理室５２を取り囲むように上下方向複数段に分割されて配置されている。これは、高圧のガスの激しい自然対流により、処理室５２内上部が高温で下部が低温という温度分布が発生しやすく、上下方向の均熱性を確保するための方策である。また、ガスの自然対流は処理室５２を加熱昇温するための熱が過度に放散される要因ともなるため、これを効率よく抑制するため、底付き円筒形状の断熱構造体４４で処理室５２とヒータ４５を取囲む構造が採用される。この断熱構造体４４を通過して高圧容器の高圧円筒体４１に伝達された熱は、その外周の水冷ジャケット部５３を流れる冷却水により除去される。なお、符号５４、５５は冷却水の入口と出口をそれぞれ示す。
【０００５】
上述のような通常のＨＩＰ法における温度圧力の操作は、処理前におけるＨＩＰ装置内部の空気の排出のための真空引き・ガス置換の後、図８に示すように、昇温・昇圧、温度・圧力保持、降温（冷却）・減圧という工程からなっている。図８から明らかなように、全体の処理時間が長いこと、とくに高価な高圧容器内での処理品の滞留時間の長いことが、処理コストの高揚を招く結果となっており、短サイクル化は工業生産上の大きな課題となってきた。これを改善するための一つの方法として、とくに冷却工程の占める時間が長いこと、すなわち冷却速度が緩慢であることが問題とされ、これを改善するために、いわゆるＨＩＰ法における急速冷却技術についての研究開発がなされてきている。
【０００６】
急速冷却をおこなうための方法として、初期には、圧力媒体として用いられる高圧のアルゴンガス等が、高温時と室温近傍の時とで密度に大きな差異ができることから、この密度差により発生する自然対流を利用する方法が、たとえば米国特許第４２１７０８７号公報に、同公報に示すような構造のＨＩＰ装置を用いることにより提案された。この提案の方法では、高圧容器の側面の円筒部とその内側に配置された断熱構造体との間の空間内の比較的低温のガスと、処理室部分の高温のガスとを、各空間を遮断するために配置された弁を開とすることにより連通させ、自然対流による大きな循環流を発生させる。類似の原理を利用した装置として、他に特公昭４８−８６８９号公報に提案されたものがある。
【０００７】
しかし、これら自然対流を利用する方法では、処理室部分と高圧容器内面のすぐ内側の空間との温度差が小さくなるにつれて冷却速度が低下する。そのため、これを改善して、高圧容器内部にファンやポンプを設置して前記自然対流に加えて強制的な対流を生じさせる方法が提案された。この例として、たとえば実公平３−３４６３８号公報、米国特許第４５３２９８４号公報などに提案されているＨＩＰ装置構造が上げられる。
【０００８】
しかし、上記のファンやポンプを用いて強制的な対流を生じさせて冷却速度を向上させる方法であっても、実公平３−３４６３８号公報に提案のＨＩＰ装置構造（同公報の第３図）では、断熱層を強制循環する循環ガスと炉室内を強制循環する循環ガスとの間で熱交換させる形式であるため、詳細を後記するように、ある温度領域までは冷却速度の改善が認められたものの、炉室（処理室）内部に上側が高温で下側が低温という大きな温度分布が以前として生じることが認識され、処理室内部の処理品の熱履歴が場所によって異なるという問題が認識されるようになった。
【０００９】
また、米国特許第４５３２９８４号公報に提案のＨＩＰ装置構造では、ポンプやファンによる強制循環ガスが断熱フードや内側円筒状ライナーのそれぞれの内外の空間を交流しながら流れ、更にポンプに近接させて管をコイル状にした熱交換器を設置しているので、上記実公平３−３４６３８号公報に提案のＨＩＰ装置構造よりも冷却速度を速めることができるものの、断熱フードの内外の空間を強制循環させるポンプが下蓋の一方に片寄って設置されているため均一な循環ガス流れとはならない上に、熱交換器もそのポンプの設置位置に対応して片寄って設置されているため均一な循環ガスの冷却が期待できないばかりか、これらの要因が相俟って、上記実公平３−３４６３８号公報に提案のＨＩＰ装置構造と同様、詳細を後記するように、ある温度領域までは冷却速度の改善が認められるものの、処理室内部の処理品の熱履歴が場所によって異なるという問題が想定される。
【００１０】
上記各公報に提案されているような冷却速度の改善方法を用いることによって、保持温度、たとえば１２００℃から３００℃程度までの冷却速度はおおいに改善された。一方、処理品を取出してハンドリグするには、火傷による災害を防止するなど安全の観点から、１００℃以下まで冷却することが好ましいが、上述した方法を持ってしてもヒートシンク（降温装置）としての高圧容器などの温度の制約（実質的に表面温度が１００〜１５０℃となる）から、１００℃以下まで冷却するという点では、必ずしも十分な機能を有していないのが実状である。
【００１１】
さらに近年、ＨＩＰ処理と同時に、クエンチ（Quench）処理を行うという考え方が提案されており、この場合には超急速での冷却と処理室内部の均熱性が要求されている。この要求に対応するには、処理品および断熱構造体を含む処理室の持つ熱を短時間で抜熱するためのヒートシンクが必要であり、従来の高圧容器をヒートシンクとして用いるという考え方のみでは、十分な抜熱効果が得られないことが認識されるようになった。とくに、処理室の直径が１ｍを超えるような大型のＨＩＰ装置で、このような要請が強くなりつつある。
【００１２】
上記に述べた従来技術では、この新たな要請には必ずしも対応ができず、本発明は、このような従来技術の問題点を解消すべくなされたものであって、その目的は、クエンチ処理を行ったり、人間が処理品を安全にハンドリングできる１００℃以下の温度域まで効率よく冷却し得る熱間等方圧プレス装置（ＨＩＰ装置）および熱間等方圧プレス方法（ＨＩＰ方法）を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明（請求項１）に係る熱間等方圧プレス装置は、高圧容器内部に処理品およびヒータを収納し得る底付き円筒形のケーシングと、このケーシングの外側に該ケーシングを覆うように底付き円筒形でかつガス流量調整用弁が設けられた断熱構造体と、この断熱構造体と前記高圧容器の内面とにより画成される空間に水冷却機構を有するヒートシンクとを備えるとともに、さらに処理品を収納する処理室空間の均熱化を促進するための圧力媒体ガス攪拌用のファンを前記ケーシング内部の下側に配置してなるものである。
【００１４】
上記の構成では、断熱構造体の内側にケーシングを設置し、そのケーシングの内側に処理室を画成することで、処理室内部のガス流れと外部のガス流れを区分して熱交換させるようにした。また、断熱構造体にガス流量調整用弁を設け、その弁を開とすることで、断熱構造体と高圧容器の内面とにより画成される空間と前記処理室外部とを連通させ、断熱構造体の内外でガスを循環させるようにした。また、断熱構造体と高圧容器の内面とにより画成される空間に水冷却機構を有するヒートシンク（降温装置）を設けることで、当該空間を循環するガスを効率的に且つ均一に冷却するようにした。また、前記ケーシング内部の下側に圧力媒体ガス攪拌用のファンを設置し、このファンにより処理品を収納する処理室空間内の圧力媒体ガスを攪拌し均熱化を促進するようにした。
【００１５】
従って、上記のことにより、ＨＩＰ処理後の冷却の際、ケーシングの外側では、断熱構造体と高圧容器の内面とにより画成される空間内ではヒートシンクにより圧力媒体ガスが強制冷却されて下降し、ケーシングと断熱構造体の間の空間ではケーシングを介して熱交換された圧力媒体ガスが昇温されて上昇し、圧力媒体ガスの循環と共に急速冷却が行われる。また、ケーシングの内側では、圧力媒体ガス攪拌用のファンにより処理品を収納する処理室空間内の圧力媒体ガスが攪拌され均熱化が促進されると同時にケーシングを介して熱交換されて急速冷却され、処理品及び処理室内はもとよりケーシング、断熱構造体の冷却が効率的に行える。
【００１６】
また、上記請求項１に記載の熱間等方圧プレス装置においては、ヒートシンク内面と断熱構造体外面とにより画成される空間のガスの対流を制御して冷却速度を向上させるための循環流促進用ファンをヒートシンクの内側かつ断熱構造体の外側に配置されてあってもよい（請求項２）。このような循環流促進用ファンを配置することで、ケーシングの外側での圧力媒体ガスの循環が、ヒートシンクの冷却による強制循環に加えてさらに強制的に循環され、上述の作用効果がより効果的に得られる。
【００１７】
また、上記請求項１または２の何れかに記載の熱間等方圧プレス装置においては、断熱構造体と高圧円筒体との空間に配置されるヒートシンクが、金属製の耐圧パイプ材を多数本並べて冷却水の流量を配分するためのヘッダ部材に結合された構造であってもよい（請求項３）。このようなヒートシンクを用いることで、ケーシングの外側での圧力媒体ガスの循環が、ヒートシンクの冷却による強制循環に加えてさらに強制的に循環され、上述の作用効果がより効果的に得られる。特に請求項２の構成と併合した場合には、冷却速度を大きく向上させることができる。
【００１８】
また、上記請求項１乃至３の何れかに記載の熱間等方圧プレス装置においては、高圧容器または／および上蓋に水冷却機構を設けてもよい（請求項４）。このような水冷却機構を設けることで、高圧容器および上蓋もヒートシンクとしての機能を発揮し、上述の作用効果がより効果的に得られる。
【００１９】
またさらに、上記の目的を達成するため、本発明（請求項５）に係る熱間等方圧プレス方法は、上記請求項１に記載の熱間等方圧プレス装置を用いて熱間等方圧プレス処理を行う過程における保持後の冷却工程で、処理室内部の所定部位の冷却速度が、あらかじめ設定された所定の冷却速度となるように制御するとともに、冷却工程における均熱性を確保すべく、処理室上部の温度値と処理室下部の温度値の差に応じて、圧力媒体ガス攪拌用ファンのガス循環流量を制御して均熱性を確保するものである。これにより、ＨＩＰ処理後の冷却において、冷却速度と均熱性を確保しつつ効率的な冷却処理が行える。
【００２０】
また、本発明（請求項６）に係る熱間等方圧プレス方法は、上記請求項２に記載の熱間等方圧プレス装置を用いて熱間等方圧プレス処理を行う過程における保持後の冷却工程で、処理室内部の所定部位の冷却速度が、あらかじめ設定された所定の冷却速度となるように制御するとともに、冷却工程における均熱性を確保すべく、処理室上部の温度値と処理室下部の温度値の差に応じて、圧力媒体ガス攪拌用ファンのガス循環流量を制御して均熱性を確保するとともに、少なくとも低温度域では循環流促進用ファンを駆動して当該低温度域での冷却速度をさらに向上させるものである。これにより、ＨＩＰ処理後の冷却において、低温領域まで優れた均熱性を保持しつつ急速冷却が行える。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態の図面を参照しつつ本発明について詳細に説明する。図１は、本発明に係るＨＩＰ装置の断面説明図である。高圧円筒体１、上蓋２、下蓋３からなる高圧容器の内側に、底付き円筒形状のケーシング６が配置され、その内部に処理室７が形成されている。処理室７にはガスの流動が容易になるような穴１９が形成された処理品ケース８が配置され、処理品９が配置される。処理品ケース８は、ガス流通のための穴２０が形成された処理品台１０の上に載置されている。その処理品台１０の内部には、加熱用のヒータ１１や圧力媒体ガス攪拌用のファン１２、さらには圧力媒体ガス攪拌用のファン１２を駆動するモータ１３への熱の伝達を遮断するための遮熱板１４等が収納されている。
【００２２】
ケーシング６は下端部に均圧孔２１が設けられ、その外側には、上部に冷却を促進するためのガス流量調整弁１５が配置された底付き円筒形状の断熱構造体１６が配置されている。この断熱構造体１６と高圧円筒体１との間の空間には水冷却機構を有するヒートシンク１７が配置されている。このヒートシンク１７の上部の上蓋２との結合部分は冷却水を円筒部２２に分配するためのヘッダ２３となっている。このヘッダ２３と断熱構造体１６の上面との空間には、必要であれば循環流促進用ファン１８が配置でき、配置した場合には、ＨＩＰ処理後の冷却過程での低温域（例えば５００℃以下）になった時点での冷却速度をより向上させることができる。
【００２３】
下蓋３は、リング状の蓋４とその内側のプラグ状蓋５とで構成され、本例ではプラグ状蓋５に埋設するようにして圧力媒体ガス攪拌用ファン１２が設けられるとともに、処理品９、処理品ケース８、処理品台１０の出し入れはプラグ状蓋５のみを昇降させることにより行われる。ケーシング６および断熱構造体１６はリング状蓋４の上に載置されている。また、ヒートシンク１７はヘッダ２３と円筒部２２とで構成され、ヘッダ２３を上にして上蓋２から懸垂された形態で保持されている。なお、符号２４は上蓋３に形成された圧力媒体となる高圧ガスの導入孔、２５は上蓋３に設けられたガス流量調整弁１５と循環流促進用ファン１８の駆動機構部、２６は処理品台１０の下部に形成されたガス流通孔をそれぞれ示す。
【００２４】
次に、上記構成のＨＩＰ装置によるＨＩＰ処理について説明する。
図２は、比較のために示すもので、本発明で必須としている圧力媒体ガス攪拌用ファン１２を用いないで、ヒートシンク１７とガス流量調整弁１５を用いて急速冷却を行ったときの、処理室７の上部と下部の冷却速度を模式的に示したグラフ図である。この例のように、圧力媒体ガス攪拌用ファン１２を用いないと、処理室７の下部は冷却されたガスが下降するため急速に冷却されるものの、上部はかなり高温のままという状態となる。このような上下方向の温度分布は、ＨＩＰ処理後の処理品９の取出しが結局、上部の温度が十分に下がるまで行えず、実質的な処理時間の短縮の効果が得られない問題を有し、また、熱処理という観点では、処理室７内の上部の処理品９と下部の処理品９で異なった熱履歴をもつこととなり、品質の管理面での問題も生じることとなる。なお、図において、急冷（Ａ）は高圧ガスの強制対流を利用しての急冷、急冷（Ｂ）は高圧ガスを高圧容器外に放出して減圧するときの、ガスの断熱膨張による冷却効果による急冷を行ったものである。
【００２５】
これに対して、圧力媒体ガス攪拌用ファン１２を用いた本発明によれば、このような問題は発生しない。すなわち、本発明では、圧力容器内の圧力媒体ガスの流れは、図３に示すように、ケーシング６の外側では、上記比較例と同じで、断熱構造体１６と高圧円筒体１の内面とにより画成される空間内ではヒートシンク１７により冷却されて下降する流れ、ケーシング６と断熱構造体１７の間の空間ではケーシング６を介して熱交換された昇温されて上昇する流れとなって循環し、実線矢印Ａで示す循環流れとなるが、ケーシング６の内側では、圧力媒体ガス攪拌用ファン１２により、処理品９を収納する処理品ケース８内及びヒータ１１を収納する処理品台１０内では攪拌を伴う上昇する流れ、処理品ケース８及び処理品台１０とケーシング６の間ではケーシング６の内面に沿う下降する流れとなって循環し、破線矢印Ｂで示す圧力媒体ガス攪拌用ファン１２による強制循環流れとなる。
【００２６】
図４は、上記本発明で必須とする圧力媒体ガス攪拌用ファン１２を用いた場合の、処理室７の上部と下部の冷却速度を模式的に示したグラフ図である。この図４より明らかなように、圧力媒体ガス攪拌用ファン１２を用いることにより、ケーシング６の内側の圧力媒体ガスは、ケーシング６を介しての熱交換が積極的になされ、急速冷却と同時に均熱化が図られている。なお、図において、急冷（Ａ）は高圧ガスの強制対流を利用しての急冷、急冷（Ｂ）は高圧ガスを高圧容器外に放出して減圧するときの、ガスの断熱膨張による冷却効果による急冷を行ったものである。
【００２７】
また、上記ケーシング６の外側の循環流れと内側の強制循環流れにより、処理品９及び処理室７内はもとよりケーシング６、断熱構造体１６の冷却が効率的に行え、これにより、クエンチ処理を行ったり、人間が処理品を安全にハンドリングできる１００℃以下の温度域まで効率よく冷却し得る。
【００２８】
なお、冷却時の均熱性については、図３に示すように、処理室７の上部と下部のそれぞれにたとえば熱電対などの温度センサ２７、２８を設置し、当該温度センサ２７、２８の温度指示値が所定の値、たとえば±５℃となるように、圧力媒体ガス攪拌用ファン１２のガス循環量（ファンの回転数）を制御することにより行うことができる。
【００２９】
また、冷却速度については、循環流促進用ファン１８を設けていない場合には、ガス流量調整弁１５をオンオフ開閉・または開度を制御して断熱構造体１６の内外の自然対流によるガスの循環量を制御する。他方、循環流促進用ファン１８を設けた場合には、処理室７の内部が７００〜８００℃のように高温時にはガス流量調整弁１５のオンオフ開閉・または開度制御で冷却速度を制御し、該弁１５をほぼ全開としても十分な冷却速度が得られなくなったとき、すなわち５００℃以下の温度域に成ったときに循環流促進用ファン１８を駆動するとよい。これにより、上述したケーシング６の外側の循環流れと内側の強制循環流れがより効率よく行えることから、処理品９及び処理室７内はもとよりケーシング６、断熱構造体１６の冷却が効率的に行えるとともに、クエンチ処理を行ったり、人間が処理品を安全にハンドリングできる１００℃以下の温度域までより効率よく冷却し得る。
【００３０】
ここで、たとえばアルミ合金鋳物のＨＩＰ処理を例として考えると、処理温度と圧力は４５０〜５３０℃、１００ＭＰａで、保持時間は処理物の大きさに依存するが、１〜３時間である。保持後、処理品をＨＩＰ装置から取出してハンドリングするには、好ましくは１００℃以下まで冷却することが推奨されるが、従来はこの１００℃以下にするには、装置の大きさ、処理品の量に依存するが、処理室径３０ｍｍ以上のＨＩＰでは５〜２０時間かかる。これに対し、本発明によれば、１〜２時間の冷却および減圧時間で十分に、１００℃以下の温度での処理品の取出し・ハンドリングが可能となる。
【００３１】
なお、上記例のＨＩＰ装置において、冷却速度を最大限に発揮させるには、伝熱面積が大きくかつ熱吸収量の大きなヒートシンク１７が必要である。そこで、本発明では、熱源に近いところ、すなわち高圧容器の内部にヒートシンク１７を配置することとし、大きな表面積すなわち伝熱面積を実現するために高圧円筒の内側の空間にまで水路を備える金属製（すなわち十分な強度と大きな熱伝導率をもつ材料）の水冷却構造体（熱交換器）を使用することとした。具体的なヒートシンク１７の例を図５に示す。
【００３２】
図５に示すヒートシンク１７は、円盤状の上部ヘッダ３２とリング状の下部ヘッダ３３との間に多数の金属パイプ２９を設けて構成されている。上部ヘッダ３２は、その上面には冷却水の導入口３０と排水口３１が設けられ、中央部にはガス流量調整弁１５の弁駆動用軸を挿通するための孔３４が上下方向に貫通して設けられている。金属パイプ２９は、一端を上部ヘッダ３２の周辺部に他端を下部ヘッダ３３にそれぞれ溶接により結合されており、隣合う１本づつあるいは複数本づつを数本を単位として導入口３０から下方へ向かう水路と、再び上方へ向かって排水口３１に至る水路とに形成されている。これにより、高圧容器の外部より導入された冷却水は、導入口３０より金属パイプ２９内を流下し、下部ヘッダ３３内を経て隣合う金属パイプ２９内を上昇し、排水口を経て高圧容器外へと排水される。
【００３３】
上記のように、ヒートシンク１７の円筒部２２を、金属パイプ２９を用いて構成することにより、単に内外二重の円筒体を区画して水路を構成した円筒部２２に比較して伝熱面積を例えば１．５〜３倍に大きくでき、冷却効率を高めることができる。
【００３４】
なお、伝熱面積という観点では、高圧容器の高圧円筒体１および上蓋２の内面は放熱部材として有効に作用することは従来のＨＩＰ装置と同様であるので、これらを併用することも、当然推奨される。たとえば図６はその例を示すものであって、高圧円筒体１の外周に水冷ジャケット３５を設け、高圧円筒体１との間に冷却水の流路３６を形成し、高圧円筒体１を放熱部材として構成するものである。このような構成をも採り入れることにより、より冷却速度を向上させることができ、処理品９の急速冷却ができる。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、従来のＨＩＰ処理の問題点とされてきた 、（１）長時間の処理サイクル、とくに冷却時間の問題、それと、（２）冷却過程における処理室内の上部と下部での温度分布の発生の問題、が解消され、短時間で、処理品をＨＩＰ装置から取出すことが可能となる。この結果、ＨＩＰ処理のコストの大幅な低減を期待することが可能となり、これまで、ＨＩＰ処理コストが高いことが障壁となってＨＩＰ処理の技術的効果が確認されていても、ＨＩＰ処理が適用できなかった多くのアルミ合金鋳造品などへの適用も可能となるなど、工業生産へのＨＩＰ法の適用分野が拡大でき、産業の発達に資するところ極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るＨＩＰ装置の断面説明図である。
【図２】本発明のＨＩＰ装置において、圧力媒体ガス攪拌用ファンを用いない場合の、時間経過に伴う装置内の温度と圧力の変化を示す比較例としての模式的グラフ図である。
【図３】本発明に係るＨＩＰ装置における、冷却時の圧力媒体ガスの流れを併記する断面説明図である。
【図４】本発明に係るＨＩＰ装置における、時間経過に伴う装置内の温度と圧力の変化を示す模式的グラフ図である。
【図５】本発明に係るヒートシンクの斜視図である。
【図６】本発明に係る別の例のＨＩＰ装置の断面説明図である。
【図７】従来のＨＩＰ装置の断面説明図である。
【図８】図７に示す従来のＨＩＰ装置における、時間経過に伴う装置内の温度と圧力の変化を示す模式的グラフ図である。
【符号の説明】
１：高圧円筒体          ２：上蓋                ３：下蓋
４：リング状蓋          ５：プラグ状蓋          ６：ケーシング
７：処理室              ８：処理品ケース        ９：処理品
１０：処理品台          １１：加熱用ヒータ
１２：圧力媒体ガス攪拌用ファン                  １３：モータ
１４：遮熱板            １５：ガス流量調整弁    １６：断熱構造体
１７：ヒートシンク      １８：循環流促進用ファン
１９、２０：穴          ２１：均圧孔            ２２：円筒部
２３：ヘッダ            ２４：高圧ガス導入孔    ２５：駆動機構部
２６：ガス流通孔        ２７、２８：温度センサ  ２９：金属パイプ
３０：冷却水導入口      ３１：冷却水排水口      ３２：上部ヘッダ
３３：下部ヘッダ        ３４：孔                ３５：水冷ジャケット
３６：冷却水の流路
Ａ、Ｂ：圧力媒体ガスの循環流れ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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