(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレート上にウエハを真空吸着し感光液を塗布しベーキングする半導体製造装置において、
前記プレート上にウエハが設置されたか否かを感知し前記プレートにウエハを吸着固定する真空圧の供給および遮断を行う電子バルブ調節部と、
前記ウエハが吸着されると前記電子バルブ調節部から動作電源が供給され所定時間経過後にウエハの吸着状態を示すハイレベルの信号を出力する時間遅延部と、
前記時間遅延部により出力される信号を受信しウエハに感光液を塗布しベーキングする制御信号を供給し装置全体を制御する制御部とを設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体製造装置において、
前記電子バルブ調節部は、電子バルブ調節部から電圧が逆流することを防止するために電子バルブ調節部と並列に接続された逆流防止用ダイオードを設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体製造装置において、
前記時間遅延部は、電子バルブ調節部から動作電源が供給され、ほぼ２〜３秒後にウエハの吸着状態を示すハイレベルの信号を出力することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体製造装置において、
前記時間遅延部は、前記電子バルブ調節部が真空圧の供給を遮断しオフすると同時にオフされることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体製造装置において、
前記時間遅延部は、前記電子バルブ調節部と並列に連結され２４Ｖの動作電源でタイムリレのような動作を実行することを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造装置に係り、より詳細には、ウエハを感知し真空吸着させ感光液を塗布しベーキングするための半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体製造工程において、半導体ウエハの基板上に感光膜を塗布し、この感光液をベーキングすることでフォトレジストなどの薄膜を形成する工程が実行されている。このような工程では、回転式真空チャックを使用しプレート上に半導体ウエハを固定し処理している。
【０００３】
図２は、従来の半導体製造装置の主要部を示す構成図である。図２に示すように、従来の半導体製造装置は、所定の工程を経たウエハ４０上に感光液を塗布しベーキングするためウエハ４０を載置し固定するプレート２０と、このプレート２０上にウエハ４０が設置されたか否かを感知し真空圧の供給および遮断を行う電バルブ調整部１４と、この電子バルブ調節部１４の真空圧により動作するディアフレーム（ｄｉａｆｒａｍｅ）を有し所定時間にウエハ４０の設置状態を示す信号を出力する感知部１６と、この感知部１６と電子バルブ調節部１４とにより出力される信号を受信しウエハ４０上に感光液を塗布しベーキングする制御信号を供給し装置全体を制御する制御部１０とにより構成されている。
【０００４】
プレート２０は、ウエハ４０を上部に設置し吸着するため断面が凹状の吸着部２１が設けられている。この吸着部２１の底面には、真空圧を供給する供給管２２が装着されている。また供給管２２には、真空圧を検出する検出部２４が備えられている。
プレート２０の供給管２２には、真空圧を供給管２２に供給する電子バルブ調節部１４が接続されている。
【０００５】
電子バルブ調節部１４は、所定の工程を経たウエハ４０がプレート２０の吸着部２１上に設置されたか否かを感知し供給管２２に真空圧を供給させウエハ４０を吸着部２１上に吸着させる構造を有している。また電子バルブ調節部１４は、電子バルブ調節部１４から電圧が逆流することを遮断するために電子バルブ調節部１４と並列に接続された逆流防止用ダイオードＤ１を具備している。
電子バルブ調節部１４は、プレート２０の吸着部２１上にウエハ４０が設置されたか否かを感知することでウエハ４０を吸着する真空圧を供給管２２に供給するとともに所定時間が経過すると真空圧を遮断するようになっている。
【０００６】
感知部１６は、プレート２０の吸着部２１上にウエハ４０が設置されたか否かを真空圧により感知することで所定時間にウエハ４０の設置状態を示すハイレベルの信号を出力する構造を有している。
感知部１６の内部には、プレート２０の検出部２４で検出された真空圧により動作するディアフレーム１６ａが具備されている。
【０００７】
このディアフレーム１６ａは、ウエハ４０を設置し検出部２４で検出された真空圧により動作し屈曲するとともにプレート２０の吸着部２１上にウエハ４０が吸着されていることを示すハイレベルの信号を出力する。
また、ディアフレーム１６ａは、復元力を有しており屈曲した状態から元の状態に回復する特性を持っている。これによりディアフレーム１６ａが元の状態に回復するとウエハ４０のプレート２０上に吸着されていないことを示すハイレベルの信号を出力する。
【０００８】
また、感知部１６と電子バルブ調節部１４とには、制御部１０が接続されており吸着部２１上のウエハ４０の吸着状態を示すハイレベルの信号を出力するようになっている。制御部１０は、感知部１６と電子バルブ調節部１４とにより出力されるハイレベルの信号を受信しウエハ４０に感光液を塗布しベーキングを施すための制御信号を供給し装置全体を制御している。
【０００９】
次に、図２を参照し従来の半導体製造装置を使用しウエハ４０上に感光液を塗布しベーキングする動作を説明する。
【００１０】
図２に示すように、ウエハ４０に感光液を塗布しベーキングするためウエハ４０を搬送手段（図示せず）により把持させプレート２０の吸着部２１上に設置させる。
ウエハ４０が吸着部２１上に設置されると、電子バルブ調節部１４がウエハ４０を感知し真空圧を供給することで真空圧がプレート２０の供給管２２を介し吸着部２１に供給されウエハ４０が吸着される。
【００１１】
ウエハ４０が吸着されると、プレート２０の検出部２４で検出された真空圧により感知部１６のディアフレーム１６ａが屈曲しプレート２０の吸着部２１上にウエハ４０が吸着されていることを示す信号が制御部１０に出力される。
ウエハ４０が吸着され所定時間が経過し処理が終了すると、電子バルブ調節部１４が吸着部２１上にウエハ４０を吸着させるための真空圧を遮断しオフされる。これにより、感知部１６のディアフレーム１６ａが復元力により元の状態に復元されオフされるとともに、ウエハ４０が吸着されていないことを示す信号を制御部１０に出力するようになる。
【００１２】
この制御部１０に感知部１６と電子バルブ調節部１４とにより出力される信号は、ウエハ４０に感光液を塗布しベーキングを施すための制御信号として使用されるとともに、次の工程を実行するための制御信号としても使用され装置全体を制御している。
【００１３】
このように、従来の半導体製造装置は、ウエハ４０のベーキングおよび感光膜を塗布する半導体製造工程において、ウエハ４０がプレート上に吸着された状態をディアフレームの屈曲および回復により制御部に信号を送信することで装置全体が制御されていた。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、感知部１６のディアフレーム１６ａは、制御条件の変化または真空の漏出（ｌｅａｋａｇｅ）などにより真空圧の検出感度が変化してしまうとともに、使用状況により回復力の特性も変化してしまう。これにより半導体製造装置に真空エラが発生してしまう不具合があった。
また、半導体製造装置の真空エラの発生は、感知部１６を周期的に交替するこにより防止することが可能である。しかし、感知部１６の交替により発生する部品費および人件費とが増加するとともに生産の効率を低下させてしまう不具合があった。
本発明は上述した問題点を解決するために、ウエハを真空吸着するための検出部に特性変化および感度変化などによる真空エラの発生を防止することができる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述の課題を解決するために、感光液を塗布しベーキングするためウエハを真空吸着するプレート上にウエハが設置されたか否かを感知しこのプレートにウエハを吸着固定する真空圧の供給および遮断を行う電子バルブ調節部を設け、このウエハが吸着されると電子バルブ調節部から動作電源が供給され所定時間経過後にウエハの吸着状態を示すハイレベルの信号を出力する時間遅延部を備え、この時間遅延部により出力される信号を受信しウエハに感光液を塗布しベーキングする制御信号を供給し装置全体を制御する制御部とを設ける。
【００１６】
ここで、電子バルブ調節部は電圧が逆流することを防止するために電子バルブ調節部と並列に接続された逆流防止用ダイオードを設け、時間遅延部に電子バルブ調節部から動作電源が供給され、ほぼ２〜３秒後にウエハの吸着状態を示すハイレベルの信号を出力するようにする。また、時間遅延部は電子バルブ調節部が真空圧の供給を遮断しオフすると同時にオフするとともに、電子バルブ調節部と並列に連結され２４Ｖの動作電源でタイムリレのような動作を実行させる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明による半導体製造装置の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明によるの半導体製造装置の実施の形態の主要部を示す構成図である。図２において図１に示す半導体製造装置と同じ構成要素には同一符号を記している。
【００１８】
図１に示すように、本発明による半導体製造装置は、所定の工程を経たウエハ４０上に感光液を塗布しベーキングするためウエハ４０を載置し固定するプレート２０と、このプレート２０上にウエハ４０が設置されたか否かを感知し真空圧の供給および遮断を行う電子バルブ調整部１４と、この電子バルブ調節部１４から動作電源が供給され所定時間にウエハ４０の設置状態を示す信号を出力する時間遅延部３０と、この時間遅延部３０と電子バルブ調節部１４とにより出力される信号を受信しウエハ４０上に感光液を塗布しベーキングする制御信号を供給し装置全体を制御する制御部１０とにより構成されている。
【００１９】
プレート２０は、ウエハ４０を上部に設置し吸着するため断面が凹状の吸着部２１が設けられている。この吸着部２１の底面には、真空圧を供給する供給管２６が装着されている。プレート２０の供給管２６には、真空圧を供給管２６に供給する電子バルブ調節部１４が接続されている。
【００２０】
電子バルブ調節部１４は、所定の工程を経たウエハ４０がプレート２０の吸着部２１上に設置されたか否かを感知し供給管２６に真空圧を供給させ、ウエハ４０を吸着部２１上に吸着させる構造を有している。また電子バルブ調節部１４は、電子バルブ調節部１４から電圧が逆流し装備に損傷を与えることを防止するために電子バルブ調節部１４と並列に接続された逆流防止用ダイオードＤ１を具備している。
電子バルブ調節部１４は、プレート２０の吸着部２１上にウエハ４０が設置されたか否かを感知することでウエハ４０を吸着する真空圧を供給管２６に供給するとともに所定時間が経過すると真空圧を遮断しオフする。
また、電子バルブ調節部１４には、電子バルブ調節部１４と並列に接続され、電子バルブ調節部１４から動作電源が供給され動作する時間遅延部３０が接続されている。
【００２１】
この時間遅延部３０は、電子バルブ調節部１４から供給される動作電源によって約２〜３秒後に自動的に吸着部２１上にウエハ４０が吸着されていることを示すハイレベルの信号を出力する。
また時間遅延部３０は、電子バルブ調節部１４が真空圧を遮断しオフされると同時にオフされ、ウエハ４０がプレート２０上に吸着されていないことを示すハイレベルの信号を出力するようになっている。
このように時間遅延部３０は、電子バルブ調節部１４と並列に接続され約２４Ｖの動作電源によりタイムリレのように動作する。
【００２２】
また、時間遅延部３０と電子バルブ調節部１４とには、制御部１０が接続されており、吸着部２１上のウエハ４０の吸着状態を示すハイレベルの信号を出力できるようになっている。制御部１０は、時間遅延部３０と電子バルブ調節部１４とにより出力されるハイレベルの信号を受信しウエハ４０に感光液を塗布しベーキングを施すための制御信号を供給し装置全体を制御している。
【００２３】
次に、図２を参照し本発明による半導体製造装置の実施の形態を使用しウエハ４０に感光液を塗布しベーキングする動作を詳細に説明する。
【００２４】
図２に示すように、半導体製造工程においては、ウエハ４０上に感光液を塗布しベーキングするため所定の工程を経たウエハ４０を搬送装置（図示せず）により把持しプレート２０上まで搬送し設置する。
そして、ウエハ４０が吸着部２１上に設置されると、これに伴い電子バルブ調節部１４がウエハ４０を感知しプレート２０の供給管２６に真空圧を供給することで真空圧が吸着部２１に供給されウエハ４０が吸着される。
【００２５】
ウエハ４０が吸着部２１上に吸着されると、電子バルブ調節部１４と並列に接続された時間遅延部３０に電子バルブ調節部１４が２４Ｖの動作電源を供給することで時間遅延部３０を動作させる。
電子バルブ調節部１４から約２４Ｖの動作電源が供給されると、時間遅延部３０が動作し２〜３秒後に吸着部２１にウエハ４０が吸着されていることを示す信号を制御部１０に出力するようになる。
【００２６】
ウエハ４０が吸着され所定時間が経過し処理が終了すると、電子バルブ調節部１４が吸着部２１上にウエハ４０を吸着させるための真空圧を遮断しオフされる。これにより、時間遅延部３０がオフされるとともにウエハ４０が吸着されていないことを示す信号を制御部１０に出力するようになる。
【００２７】
時間遅延部３０と電子バルブ調節部１４とにより出力される信号は、制御部１０が受信しウエハ４０に感光液を塗布しベーキングを施すための制御信号として使用されるとともに、次の工程を実行するための制御信号としても使用され装置全体を制御している。
【００２８】
【発明の効果】
このように本発明の半導体製造装置によれば、特性変化と感度変化とが頻繁に発生する従来の感知部１６を時間遅延部１２に替えることにより真空エラを防止することができる。
また、真空エラにより周期的に交換しなければならない従来の感知部１６を使用しないので、交換する場合に必要な部品費と人件費とを節減することができるとともに、特性変化と感度変化とにより真空エラが発生し生産性を低下させることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるの半導体製造装置の実施の形態の主要部を示す構成図。
【図２】従来の半導体製造装置の主要部を示す構成図。
【符号の説明】
１０  制御部
１４  電子バルブ調節部
２０  プレート
２１  吸着部
２６  供給管
３０  時間遅延部
４０  ウエハ
【図１】
0003979701.tif 000002
【図２】
0003979701.tif 000003