(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質の金属又は導電性化合物−炭素コンポジット膜からなり、非晶質炭素がｓｐ３結合成分とｓｐ２結合成分との比率により、それぞれダイヤモンド状炭素とグラファイト状炭素の優位的又は双方の性質を示す材料であることを特徴とする温度による電気抵抗の変化を利用した温度センサー。
【請求項２】
５０ｎｍ〜５０μｍの厚さを有するコンポジット膜であることを特徴とする請求項１記載の温度センサー。
【請求項３】
コンポジット膜中の金属又は導電性化合物の濃度が５〜５０ａｔ％であることを特徴とする請求項１又は２記載の温度センサー。
【請求項４】
Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｈｆ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｍｎ若しくはこれらの合金から選択した少なくとも１種類以上の金属又は窒化物等の導電性化合物であることを特徴とする請求項３記載の温度センサー。
【請求項５】
２０ａｔ．％以下のＨ，Ｓｉ，Ｎを含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の温度センサー。
【請求項６】
比電気抵抗が１０−４〜１０３Ω・ｃｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の温度センサー。
【請求項７】
温度センサー基板又は温度計測を行う機器に非晶質の金属又は導電性化合物−炭素のコンポジット膜を直接成膜して温度センサーとすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の温度センサー。
【請求項８】
温度センサー基板又は温度計測を行う機器に、予めダイヤモンド状炭素又はポリマー状炭素の非晶質炭素からなる絶縁性保護膜を形成し、該絶縁性保護膜は一層の均質膜であるか、特性が異なる多層膜であるか、又は金属−絶縁層による多層膜であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の温度センサー。
【請求項９】
金属又は導電性化合物が、コンポジット膜の厚さ方向又は長さ方向に、濃度がプラス又はマイナスに傾斜していることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の温度センサー。
【請求項１０】
コンポジット膜は、金属又は導電性化合物の種類又は濃度が一定若しくは異なる多層膜であるか、多層膜の少なくとも１層は金属又は導電性化合物の濃度がＭＩＴ点よりも下、近傍、上の何れかであるか、多層膜は一種類であるか又は繰返して積層された多層膜であるか、又は以上の多層膜の組み合わせであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の温度センサー。
【請求項１１】
センサーの上に、付加的な保護膜としてダイヤモンド状炭素又はポリマー状炭素の非晶質炭素からなる絶縁性保護膜を形成し、該絶縁性保護膜が一層の均質膜であるか、特性が異なる多層膜であるか、又は金属−絶縁層による多層膜とすることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の温度センサー。
【請求項１２】
コンポジット膜中の金属又は導電性化合物の濃度により、絶縁体域、導電−絶縁体遷移点（Metal-Insulator Transition （MIT））近傍域、導電域の３種の域に分けられ、それぞれの域で温度依存性電気抵抗の関数により温度を測定することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の温度センサーを用いた温度測定方法。
【請求項１３】
導体―絶縁体遷移（MIT）点より絶縁体側である金属濃度が低いとき、電気伝導度の一般的な温度依存性を、以下の式で表す。
【数１】
0003955473.tif 000010
（ T0，ｍ  はパラメーターであり、ｍ は０．２５〜１．００までの値をとる。ｍ が０．２５のときは範囲を変えられるホッピング導電率の典型であり、ｍ が１の時は移動度しきい値のキャリア活性のケースである。）
導体−絶縁体遷移状態よりも十分に金属が多い場合ではボルツマン導電率への量子補正を考慮に入れる。この場合の導電率を、以下の式で表す。
【数２】
0003955473.tif 000011
（ kF はフェルミ波数ベクトル、ｌ  は平均自由行程、L  は波動関数の位相緩和長さである。この金属の濃度域では、導電率の温度依存性は平均自由行程と相緩和長さの温度依存によって決まる。）
導電―絶縁体遷移点（MIT）の近傍における適当な温度で導電率は、パラメーターLφで決定される。このLφは非弾性相互作用によって位相の干渉が崩れたときに決まる長さである。MIT点近傍の導電率は、MIT点からそれる相関長さξによって特徴づけられる。この場合の導電率を、以下の式で表す。
【数３】
0003955473.tif 000012
（ a  と b  は適当な定数である。MIT点近傍の導電率は、温度依存性は位相干渉崩壊長さの温度依存性による。）
上記のそれぞれの域で、温度依存性電気抵抗の関数により、温度を測定することを特徴とする請求項１２に記載の温度測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、目的の温度範囲で分解能が高く、小型であり、応答が速く、高温域での磁場感受性が低く、温度センサーにより測定できる温度域が広いという多くの特性を有する温度センサーに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、温度センサーの持つ望ましい特性として、目的の温度範囲で分解能が高いこと、小型であること、応答が速いこと、使用温度域での磁場感受性が低いことなどが必要とされる。
しかし、従来の温度センサーは温度域が狭く、温度によって感度が大きく変わり、低温で磁場感受性が高く、雰囲気によっては劣化防止用として特別のハーメチックシールを必要とするなどの問題があった。
【０００３】
例えば、一般に広く使われている熱電対は、より高温での使用に耐えられるという特徴はあるが温度域が狭くなり、また磁場に反応しやすいといった欠点がある。
また、白金のような金属ベースの抵抗測温体は熱電対と同じような欠点があり、
さらに白金を用いた熱電対や測温体は使用環境によりシースなどが必要になり、コストが増大し、構造的にも複雑になるという問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、分解能が高く、小型であり、応答が速く、広い温度域での磁場感受性が低く、温度センサーにより測定できる温度域が広いという多くの特性を備えた温度センサーを提供することを課題とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、非晶質炭素に金属等を添加し、コンポジット膜（複合膜）とすることにより、従来の温度センサーの欠点を改良し、優れた性能をもつ温度センサーを得ることができるとの知見を得た。
本発明はこの知見に基づき、
１．非晶質の金属又は導電性化合物−炭素コンポジット膜からなることを特徴とする温度による電気抵抗の変化を利用した温度センサー
２．５０ｎｍ〜５０μｍの厚さを有するコンポジット膜であることを特徴とする上記１記載の温度センサー
３．コンポジット膜中の金属又は導電性化合物の濃度が５〜５０ａｔ％であることを特徴とする上記１又は２記載の温度センサー
４．Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｈｆ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｍｎ若しくはこれらの合金から選択した少なくとも１種類以上の金属又は窒化物等の導電性化合物であることを特徴とする上記３記載の温度センサー
５．非晶質炭素がｓｐ３結合成分とｓｐ２結合成分との比率により、それぞれダイヤモンド状炭素とグラファイト状炭素の優位的又は双方の性質を示す材料であることを特徴とする上記１〜４のそれぞれに記載の温度センサー
６．２０ａｔ％以下のＨ，Ｓｉ，Ｎを含有することを特徴とする上記１〜５のそれぞれに記載の温度センサー
【０００６】
７．比電気抵抗が１０−４〜１０３Ω・ｃｍであることを特徴とする上記１〜６のそれぞれに記載の温度センサー
８．温度センサー基板又は温度計測を行う機器に非晶質の金属又は導電性化合物−炭素のコンポジット膜を直接成膜して温度センサーとすることを特徴とする上記１〜７のそれぞれに記載の温度センサー
９．コンポジット膜中の金属又は導電性化合物の濃度により、絶縁体域、導電−絶縁体遷移点（Metal-Insulator Transition （MIT））近傍域、導電域の３種の域に分けられ、それぞれの域で温度依存性電気抵抗の関数により温度を測定することを特徴とする上記１〜８のそれぞれに記載の温度センサー。
１０．導体―絶縁体遷移（MIT）点より絶縁体側である金属濃度が低いとき、電気伝導度の一般的な温度依存性を、以下の式で表す。
【０００７】
【数４】
0003955473.tif 000002
（ T0，ｍ  はパラメーターであり、ｍ は０．２５〜１．００までの値をとる。ｍ が０．２５のときは範囲を変えられるホッピング導電率の典型であり、ｍ が1 の時は移動度しきい値のキャリア活性のケースである。）
導体―絶縁体遷移状態よりも十分に金属が多い場合ではボルツマン導電率への量子補正を考慮に入れる。この場合の導電率を、以下の式で表す。
【０００８】
【数５】
0003955473.tif 000003
（ kF はフェルミ波数ベクトル、ｌ  は平均自由行程、L  は波動関数の位相緩和長さである。この金属の濃度域では、導電率の温度依存性は平均自由行程と相緩和長さの温度依存によって決まる。）
導電―絶縁体遷移点（MIT）の近傍における適当な温度で導電率は、パラメーターLφで決定される。このLφは非弾性相互作用によって位相の干渉が崩れたときに決まる長さである。MIT点近傍の導電率は、MIT点からそれる相関長さξによって特徴づけられる。この場合の導電率を、以下の式で表す。
【０００９】
【数６】
0003955473.tif 000004
（ a  と b  は適当な定数である。MIT点近傍の導電率は、温度依存性は位相干渉崩壊長さの温度依存性による。）
上記のそれぞれの域で、温度依存性電気抵抗の関数により、温度を測定することを特徴とする上記９に記載の温度センサー
【００１０】
１１．温度センサー基板又は温度計測を行う機器に、予めダイヤモンド状炭素又はポリマー状炭素の非晶質炭素からなる絶縁性保護膜を形成し、該絶縁性保護膜は一層の均質膜であるか、特性が異なる多層膜であるか、又は金属−絶縁層による多層膜であることを特徴とする上記１〜９のそれぞれに記載の温度センサー
１２．金属又は導電性化合物が、コンポジット膜の厚さ方向又は長さ方向に、濃度がプラス又はマイナスに傾斜していることを特徴とする上記１〜１１のそれぞれに記載の温度センサー
１３．コンポジット膜は、金属又は導電性化合物の種類又は濃度が一定若しくは異なる多層膜であるか、多層膜の少なくとも１層は金属又は導電性化合物の濃度がＭＩＴ点よりも下、近傍、上の何れかであるか、多層膜は一種類であるか又は繰返して積層された多層膜であるか、又は以上の多層膜の組み合わせであることを特徴とする上記１〜１２のそれぞれに記載の温度センサー
１４．センサーの上に、付加的な保護膜としてダイヤモンド状炭素又はポリマー状炭素の非晶質炭素からなる絶縁性保護膜を形成し、該絶縁性保護膜が一層の均質膜であるか、特性が異なる多層膜であるか、又は金属−絶縁層による多層膜とすることを特徴とする上記１〜１３のそれぞれに記載の温度センサー
を提供する。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の温度センサーは、非晶質の金属又は導電性化合物−炭素コンポジット膜からなり、温度による電気抵抗の変化を利用して１Ｋ〜５００Ｋまでの広い温度域で安定して測定が可能である優れた特性を有する温度センサーである。
また、耐腐食性が極めて良く、生体適合性があり、耐摩耗性にも優れている。さらに、本発明の温度センサーは反応速度が速いので、a.化学工業、b.低温工学、c.医学、薬学、d.生体工学、e.自動車工業、f.重工業、g.電子工学等の工業用、研究用で使用する温度センサーとして利用できる。
温度センサーの代表的構造を図２に示す。図２のように、２端子あるいは４端子の温度センサーとして用いることができる。図２ａはフィルムの端に電極を設けた場合、図２ｂはフィルムの終端に電極を設けた場合の例を示す。図２において、符号１は接点、符号２は機能膜、符号３は隔離層、符号４は保護層、符号５は基板（対象物）を示す。
【００１２】
本発明の温度センサーは、例えば２．５０ｎｍ〜５０μｍの厚さを有するコンポジット膜とすることができる。コンポジット膜中の金属又は導電性化合物の濃度は５〜５０ａｔ．％とし、比電気抵抗１０−４〜１０３Ω・ｃｍの温度センサーとして利用できる。
コンポジット膜に添加（ドーピング）する金属又は導電性化合物として、Ｗ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｈｆ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｃｏ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｍｎ若しくはこれらの合金から選択した少なくとも１種類以上の金属又は窒化物（ＴｉＮ）等の導電性化合物を使用する。
【００１３】
成膜方法としては、以下に述べる方法の一つもしくは２つ又はそれ以上の組み合わせを使用する。
１．直流マグネトロンスパッタ
２．高周波マグネトロンスパッタ
３．プラズマ化学気相合成法
４．イオンビーム合成法
５．アーク放電合成法
６．電子ビーム合成法
適当なエネルギー（100〜1000eV）で成膜された非晶質炭素は、sp1,sp2,sp3といった異なる炭素間の結合により様々な網目構造を形成して混在し、不規則性を有している。これらの構造は、成膜条件や成膜方法、圧力などによって決定することができる。
本発明の温度センサーは、非晶質炭素がｓｐ３結合成分とｓｐ２結合成分との比率により、それぞれダイヤモンド状炭素とグラファイト状炭素の優位的又は双方の性質を示す材料から構成される。
本発明の温度センサーは、さらに２０ａｔ．％以下の微量のＨ，Ｓｉ，Ｎを含有させることができる。これらの添加により密着性を改良し、ポリマー的性質を持たせることができる。
【００１４】
コンポジット膜中の金属又は導電性化合物の濃度により、絶縁体域、導電−絶縁体遷移点（Metal-Insulator Transition （MIT））近傍域、導電域の３種の域に分けられる。
すなわち、金属濃度が低いときには、非晶質絶縁体となり、金属等の濃度を大きくしていくと、導電−絶縁体遷移（ＭＩＴ）点が見られ、金属濃度がこれを超え（１２〜２０ａｔ．％）ると、薄膜の特性は非晶質金属としての性質を持つようになる。
【００１５】
この場合、導体―絶縁体遷移（ＭＩＴ）点より絶縁体側である金属濃度が低いとき、電気伝導度の一般的な温度依存性を、以下の式で表すことができる。
【００１６】
【数７】
0003955473.tif 000005
（ T0，ｍ  はパラメーターであり、ｍ は０．２５〜１．００までの値をとる。ｍ が０．２５のときは範囲を変えられるホッピング導電率の典型であり、ｍ が１ の時は移動度しきい値のキャリア活性のケースである。）
また、導体―絶縁体遷移状態よりも十分に金属が多い場合ではボルツマン導電率への量子補正を考慮に入れる。この場合の導電率を、以下の式で表すことができる。
【００１７】
【数８】
0003955473.tif 000006
（ kF はフェルミ波数ベクトル、ｌ  は平均自由行程、L  は波動関数の位相緩和長さである。この金属の濃度域では、導電率の温度依存性は平均自由行程と相緩和長さの温度依存によって決まる。）
さらに、導電―絶縁体遷移点（ＭＩＴ）の近傍における適当な温度で導電率は、パラメーターLφで決定される。このLφは非弾性相互作用によって位相の干渉が崩れたときに決まる長さである。ＭＩＴ点近傍の導電率は、ＭＩＴ点からそれる相関長さξによって特徴づけられる。この場合の導電率を、以下の式で表すことができる。
【００１８】
【数９】
0003955473.tif 000007
（ a  と b  は適当な定数である。MIT点近傍の導電率は、温度依存性は位相干渉崩壊長さの温度依存性による。）
温度センサーは、上記のそれぞれの域で、温度依存性電気抵抗の関数により、温度を測定する。
【００１９】
上記ＭＩＴ点近より金属側の、機能的に均質な金属を含む炭素のナノコンポジット非晶質膜のＲ（Ｔ）の温度依存性の代表的な例を図１に示す。すなわち、図１は温度Ｔによる抵抗Ｒの変化を示し、３００Ｋを基準にした比抵抗の模式図である。
曲線は負の値をとるα＝dR(T)/dTと、以下に表される伝導率の温度依存性によって特徴づけられる。
【００２０】
【数１０】
0003955473.tif 000008
（ R＝1/σであり、A、n、σ０は成膜条件（エネルギー、基板温度、原料）や添加金属の種類や濃度などによって定まるパラメーターである。）
【００２１】
本発明の温度センサーは、温度センサー基板又は温度計測を行う機器に非晶質の金属又は導電性化合物−炭素のコンポジット膜を直接成膜して温度センサーとすることができる。
この場合、下地が導体である場合には、温度センサー基板又は温度計測を行う機器に、予めダイヤモンド状炭素又はポリマー状炭素の非晶質炭素からなる絶縁性保護膜を形成することができる。ポリマー状炭素は、水素を含有させることにより、膜の硬度を低下させ軟らかい有機的な性質の膜を形成するものである。
この絶縁性保護膜は、一層の均質膜若しくは特性が異なる多層膜又は金属−絶縁層による多層膜とすることができる。この中間層は、基板とセンサーとの熱応力を緩和させることもできる。
【００２２】
本発明の温度センサーの構造は、必要とされる応答性によって決められるもので、均質構造あるいは不均質構造をとることができる。不均質構造の場合はこの層自体でなく、濃度が一定と見なせる層での温度特性により温度センサーとして働く。この多層膜温度センサーは、層の間の近接効果を考えるのではなく、以下のように導電率を考えることができる。
【００２３】
【数１１】
0003955473.tif 000009
（ σi (T) は金属濃度が一定の層の導電率である。）
中間層の影響を避けるため、絶縁体の層（図６、図７）で各層を隔離しても良い。
【００２４】
本発明の温度センサーにおいて、金属又は導電性化合物は、コンポジット膜の厚さ方向又は長さ方向に、濃度がプラス又はマイナスに傾斜させることができる。
また、本発明の温度センサーのコンポジット膜は、金属又は導電性化合物の種類又は濃度が一定若しくは異なる多層膜であるか、多層膜の少なくとも１層は金属又は導電性化合物の濃度がＭＩＴ点よりも下、近傍、上の何れかであるか、多層膜は一種類であるか又は繰返して積層された多層膜であるか、又は以上の多層膜の組み合わせである膜とすることができる。
【００２５】
非晶質の金属又は導電性化合物−炭素コンポジットからなる多層膜の構造の例を以下に説明する。金属又は導電性化合物については、代表的な金属をもって説明する。したがって、下記の例は導電性化合物にも同様に適用できるものである。
図３は、均一な金属の濃度Ｎ（Ｍｅ）の、単一コンポジット膜の例を示す。符号Ｌは厚さ、符号Ｎは濃度を示す。図４はコンポジット膜の厚さＬ方向に、濃度Ｎをプラス（１）又はマイナス（２）に傾斜させた例を示す。図５はコンポジット膜の厚さＬ方向に不規則に濃度Ｎを変化させた例を示す。
図６〜図１０は多層構造の膜の例であり、図６は同一種の金属の濃度Ｎ（Ｍｅ）が変化した層であり、かつＭＩＴ点の上又は下にある例を示し、図７は同一種の金属の濃度Ｎ（Ｍｅ）が異なる２層が交互に繰返された例であり、図７ａはそれがＭＩＴ点の上にあり、図７ｂはＭＩＴ点の上と下に交互に繰返された例を示す。
【００２６】
図８〜図１０は異なる金属のコンポジット膜の例であり、図８は金属（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５）が異なり、濃度Ｎも異なる場合であり、図９ａは２種類の金属（Ｍ１，Ｍ２）からなり２種の濃度Ｎの膜が繰返して積層された場合で、それらがＭＩＴ点の上にあり、図９ｂはＭＩＴ点の上と下に交互に繰返された例を示す。図１０は複数種の金属（Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５）からなり、かつ２種の濃度の膜が交互に積層された例であり、図１０ａはそれがＭＩＴ点の上にあり、図１０ｂはＭＩＴ点の上と下に交互に繰返された例を示す。
さらに、図１１は底面に絶縁膜を形成したものであり、必要とされる誘電特性、機械的特性に応じて、図１１ａ：均質な底面絶縁膜、図１１ｂ：不均質な多層絶縁膜とすることができる。
多層膜の不均質性は非晶質炭素膜の性質を決める、例えば、硬さ、エネルギーギャップ、内部応力、水素含有量、金属濃度、特性の傾斜、又は特性の異なる膜を組み合わせた多層膜等の要因によって決めることができる。この絶縁層は高分子的な軟質膜から硬質のダイヤモンド状（ＤＬＣ）非晶質炭素膜まで得ることができ、絶縁特性と機械的特性によって決め得る。
【００２７】
本発明の温度センサーの上に、付加的な保護膜としてダイヤモンド状炭素又はポリマー状炭素の非晶質炭素からなる絶縁性保護膜を形成することができる。
この絶縁性保護膜は一層の均質膜であるか、特性が異なる多層膜であるか、又は金属−絶縁層による多層膜とすることができる。
図１２は表面保護膜を形成した例であり、要求される誘電特性、機械的性質に応じてミクロ的又はマクロ的構造を持たせることができる。
図１２ａ：均質膜を形成した例を示し、図１２ｂ：多層膜（不均質膜）を形成した例を示す。これらは、特性の傾斜又は特性の異なる膜を組み合わせた多層膜とすることができる。
【００２８】
【発明の効果】
本発明は、従来のサーミスタと比べると、より広い温度域、より速い応答速度を得ることができる。また、分解能を細かくとりたいときは金属含有量を１０ａｔ．％より少なくすることにより達成することができ、サーミスタと同程度の温度分解能を得ることができる。
本発明は、特別なシースを必要としないこと点でも優れている。従来品と本発明を比べたとき、最も優れている点は著しい柔軟性にある。最も良い性能を引き出せるように使用環境に応じてセンサーを調整でき、広い温度領域で使用できる。
センサーのミクロ・マクロ構造を制御することにより広い温度範囲での応答性を高めるとともに温度分解能が増すという特徴を有する。
さらに、次のような利点がある。非晶質金属-炭素ナノコンポジット膜が高温でも優れた安定性を示すので計測できる温度範囲が拡大する。温度計測が必要な部分に直接センサーを成膜できるので精度が増す。絶縁層の機械的特性を制御することによりセンサーに及ぼす応力の影響を低減できるので精度が増す。測定精度が高い（再現性が良い）。非磁性金属を用いる場合は、炭素基地の不規則性が高いので磁場感受性が低い（磁場の影響を受けにくい）。異なる構造の非晶質炭素保護膜を用いるので環境からの腐食、磨耗による劣化を受けにくく、長期にわたる安定性が高い。機械的特性の向上し、高硬度で耐磨耗性が大きい。温度センサー上面の摩擦係数が低い。使用環境や磨耗に対する安定性を増すために、底面にも上記と同様な絶縁保護層を設けることができ、要求される機能に応じて構造を変えることができる。
以上に示す通り、現在用いられている一般のセンサーよりも、安価で温度計測範囲が広く、汎用性及び柔軟性に富むという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】温度Ｔによる抵抗Ｒの変化を示し、３００Ｋを基準にした比抵抗の模式図である。
【図２】温度センサーの代表的構造を示す断面図である。図２ａはフィルムの端に電極を設けた場合、図２ｂはフィルムの終端に電極を設けた場合の例を示す。
【図３】均一な金属の濃度の、単一コンポジット膜の例を示す図である。
【図４】コンポジット膜の厚さ方向に、濃度をプラス（１）又はマイナス（２）に傾斜させた例を示す図である。
【図５】コンポジット膜の厚さ方向に不規則に濃度を変化させた例を示す図である。
【図６】同一種の金属の濃度が変化した層であり、かつＭＩＴ点の上又は下にある例を示す図である。
【図７】同一種の金属の濃度が異なる２層が交互に繰返された例であり、図７ａはそれがＭＩＴ点の上にあり、図７ｂはＭＩＴ点の上と下に交互に繰返された例を示す図である。
【図８】異なる金属のコンポジット膜の例であり、金属が異なり、濃度も異なる場合の例を示す図である。
【図９】異なる金属のコンポジット膜の例であり、図９ａは２種類の金属からなり２種の濃度の膜が繰返して積層された場合で、それらがＭＩＴ点の上にあり、図９ｂはＭＩＴ点の上と下に交互に繰返された例を示す図である。
【図１０】複数種の金属からなり、２種の濃度の膜が交互に積層された例であり、図１０ａはそれがＭＩＴ点の上にあり、図１０ｂはＭＩＴ点の上と下に交互に繰返された例を示す図である。
【図１１】底面に絶縁膜を形成したものであり、図１１ａは均質な底面絶縁膜を形成した例、図１１ｂは不均質な多層絶縁膜とした例を示す図である。
【図１２】表面保護膜を形成した例であり、図１２ａは均質膜を形成した例を示し、図１２ｂは多層膜（不均質膜）を形成した例を示す図である。
【符号の説明】
１：  接点
２：  機能膜
３：  隔離層
４：  保護層
５：  基板（対象物）
Ｎ（Ｍｅ）：  金属の濃度
Ｌ：  厚さ
Ｎ：  濃度
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４，Ｍ５：  複数種の金属
【図１】
0003955473.tif 000013
【図２】
0003955473.tif 000014
【図３】
0003955473.tif 000015
【図４】
0003955473.tif 000016
【図５】
0003955473.tif 000017
【図６】
0003955473.tif 000018
【図７】
0003955473.tif 000019
【図８】
0003955473.tif 000020
【図９】
0003955473.tif 000021
【図１０】
0003955473.tif 000022
【図１１】
0003955473.tif 000023
【図１２】
0003955473.tif 000024