(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において、バンプが形成してあるバンプ付きウェハの上面及び下面に膜を形成する第１の膜形成工程と、該上面及び下面に膜が形成されたバンプ付きウェハを複数のチップに切り出すべくダイシングを行なうダイシング工程と、ダイシングされて切り出されて並んでいる各チップの周側面に膜を形成する第２の膜形成工程とを有するヘッドＩＣチップの製造方法。
【請求項２】
搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において、ウェハにバンプが形成してあるバンプ付きウェハのバンプが形成されていない面にフィルムを接着する工程と、フィルムが接着されたバンプ付きウェハを、フィルムは切断せずに、ウェハを複数のチップに切り出すべくダイシングを行なうダイシング工程と、上記フィルムを、切り出されてフィルム上に並んでいる各チップ毎に、周囲の部分に限定して剥離させる剥離工程と、上記フィルムが、各チップ毎に、周囲の部分に限定して剥離されている状態で、各チップに膜を形成する膜形成工程とを有するヘッドＩＣチップの製造方法。
【請求項３】
搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において、フィルムを、バンプが形成してあるバンプ付きウェハの該バンプが形成してあるバンプ形成面を、切り出されてチップとなる部分を個別に覆うように、上記バンプ付きウェハに接着するフィルム接着工程と、該フィルムが接着されたバンプ付きウェハを複数のチップに切り出すべくダイシングを行なうダイシング工程と、ダイシングされて切り出されて並んでおり、バンプ形成面がフィルムで覆われている各チップに膜を形成する膜形成工程とを有するヘッドＩＣチップの製造方法。
【請求項４】
情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップを搭載する工程と、該搭載された該ヘッドＩＣチップのチップ本体を覆う膜を形成する膜形成工程とよりなるヘッドアセンブリの製造方法において、該膜形成工程を、表面張力がチップ本体に対する濡れ性より小さい樹脂を、ノズルよりチップ本体の上面に上記膜を形成するに必要な量より多く供給し、該ノズルを形成する膜の厚さに対応する高さまでチップ本体の上面に近づけ、チップ本体に対する濡れ性より小さい吸引力でもって余剰の樹脂を吸引して取り除くようにして行なうことを特徴とするヘッドアセンブリの製造方法。
【請求項５】
チップ本体の下面に集積回路及びバンプを有する半導体部品において、該チップ本体の下面にアンダーフィル層を有し、上記バンプの頭頂部が該アンダーフィル層の下面に露出しており、上記チップ本体の上面及び周囲の側面、及びアンダーフィル層の周囲の側面が膜によって覆われた構成としたことを特徴とする半導体部品。
【請求項６】
チップ本体の下面に集積回路及びバンプを有する半導体部品において、該チップ本体は下面のうち該集積回路の外側の位置にアライメントマークを有し、該チップ本体の下面にアンダーフィル層を有し、上記バンプの頭頂部が該アンダーフィル層の下面に露出しており、該アンダーフィル層のうち上記アライメントマークの位置に開口が形成してあり、上記チップ本体の上面及び周囲の側面、及びアンダーフィル層の周囲の側面が膜によって覆われた構成としたことを特徴とする半導体部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はヘッドＩＣチップの製造方法に関する。
ハードディスク装置は、図５に示すように、密封構造のハウジングの内部に、高速回転するハードディスク、アクチュエータで駆動されるアームの先端にヘッドアセンブリが組み込まれている構造である。ヘッドアセンブリは、サスペンションにヘッドスライダとヘッドＩＣチップとが搭載してある構成である。ヘッドスライダは、薄膜技術によって形成された磁気ヘッドを有する。この磁気ヘッドは、インダクティブヘッドと磁気抵抗ヘッドとを有する構成である。ヘッドスライダは高速回転するハードディスクよりサブミクロンオーダで浮上している。インダクティブヘッドがハードディスクへの情報の書き込みを行い、磁気抵抗ヘッドがハードディスクに記録されている情報の読み取りを行なう。ヘッドＩＣチップは、例えば、磁気抵抗ヘッドによって読み取られた微弱な信号を増幅する等磁気ヘッドを制御する役割を有する。
【０００２】
このハードディスク装置は、ヘッドスライダが高速回転するハードディスクよりサブミクロンオーダで浮上している関係上、塵埃をきらう。塵埃が所謂ヘッドクラッシュの原因となるからである。
よって、ヘッドアセンブリは、塵埃を発生しにくい構造であることが要求される。
【０００３】
【従来の技術】
図１は従来のヘッドアセンブリ１０を示す。このヘッドアセンブリ１０は、サスペンション１１の先端のジンバル部１２にヘッドスライダ２０が搭載してあり、サスペンション１１の中央のヘッドＩＣチップ搭載部１５にヘッドＩＣチップ３０がフェイスダウンの姿勢で搭載してある構成である。ヘッドＩＣチップ３０はベアであり、シリコン製のチップ本体３１が露出している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ヘッドＩＣチップのベース基板となるシリコンやＧａＡｓ（ガリウムヒ素）は結晶方位があり、弾性率が高い（硬い）ため、素材自体が割れ易い。従って、ウエハーからチップサイズに切り出すダイシング時や、チップ実装に伴うハンドリング時、チップ実装時の超音波接合ストレスにより、チップは外的な力を受け発埃する。後工程で洗浄を行なったとしても微小な塵埃、例えば１μｍ程度の塵埃までは除去することが出来ず、ヘッドＩＣチップ上に残存してしまう。また、洗浄工程で塵埃が発生することもある。この残存した塵埃が磁気ディスク装置の稼働に伴う振動や風により、ヘッドＩＣチップから飛散して微小な塵埃が発生し、場合によっては、ベアのヘッドＩＣチップ３０から発生した塵埃が原因でヘッドクラッシュを起こす虞れがあり、信頼性の点で問題があった。
【０００５】
そこで、本発明は、上記課題を解決したヘッドアセンブリ及びこれを備えたディスク装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において、バンプが形成してあるバンプ付きウェハの上面及び下面に膜を形成する第１の膜形成工程と、該上面及び下面に膜が形成されたバンプ付きウェハを複数のチップに切り出すべくダイシングを行なうダイシング工程と、ダイシングされて切り出されて並んでいる各チップの周側面に膜を形成する第２の膜形成工程とを有するようにしたものである。
【００１４】
チップ本体の上面、下面、及び周側面に膜を有するヘッドＩＣチップを、生産性良く製造することが可能となる。
請求項２の発明は、搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において、
ウェハにバンプが形成してあるバンプ付きウェハのバンプが形成されていない面にフィルムを接着する工程と、
フィルムが接着されたバンプ付きウェハを、フィルムは切断せずに、ウェハを複数のチップに切り出すべくダイシングを行なうダイシング工程と、
上記フィルムを、切り出されてフィルム上に並んでいる各チップ毎に、周囲の部分に限定して剥離させる剥離工程と、
上記フィルムが、各チップ毎に、周囲の部分に限定して剥離されている状態で、各チップに膜を形成する膜形成工程とを有するようにしたものである。
【００１５】
チップ本体の上面の中央部が膜によって覆われずに露出している構成のヘッドＩＣチップを、生産性良く製造することが可能となる。
請求項３の発明は、搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において、
フィルムを、バンプが形成してあるバンプ付きウェハの該バンプが形成してあるバンプ形成面を、切り出されてチップとなる部分を個別に覆うように、上記バンプ付きウェハに接着するフィルム接着工程と、
該フィルムが接着されたバンプ付きウェハを複数のチップに切り出すべくダイシングを行なうダイシング工程と、
ダイシングされて切り出されて並んでおり、バンプ形成面がフィルムで覆われている各チップに膜を形成する膜形成工程とを有するようにしたものである。
【００１６】
チップ本体の上面及び周側面に膜を有するヘッドＩＣチップを、生産性良く製造することが可能となる。
請求項４の発明は、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップを搭載する工程と、該搭載された該ヘッドＩＣチップのチップ本体を覆う膜を形成する膜形成工程とよりなるヘッドアセンブリの製造方法において、
該膜形成工程を、
表面張力がチップ本体に対する濡れ性より小さい樹脂を、ノズルよりチップ本体の上面に上記膜を形成するに必要な量より多く供給し、
該ノズルを形成する膜の厚さに対応する高さまでチップ本体の上面に近づけ、チップ本体に対する濡れ性より小さい吸引力でもって余剰の樹脂を吸引して取り除くようにして行なうようにしたものである。
【００１７】
ヘッドＩＣチップのチップ本体を覆う所定の厚さの膜を、樹脂を塗布することによって形成することが可能となる。
【００１９】
請求項５の発明は、チップ本体の下面に集積回路及びバンプを有する半導体部品において、
該チップ本体の下面にアンダーフィル層を有し、
上記バンプの頭頂部が該アンダーフィル層の下面に露出しており、
上記チップ本体の上面及び周囲の側面、及びアンダーフィル層の周囲の側面が膜によって覆われた構成としたものである。
【００２０】
集積回路がアンダーフィル層によって保護された構造を実現出来る。また、半導体部品をサスペンション上に搭載した後に、アンダーフィルを注入する工程が必要でなくなり、ヘッドアセンブリの製造が効率良く行なわれる。
請求項６の発明は、チップ本体の下面に集積回路及びバンプを有する半導体部品において、
該チップ本体は下面のうち該集積回路の外側の位置にアライメントマークを有し、
該チップ本体の下面にアンダーフィル層を有し、
上記バンプの頭頂部が該アンダーフィル層の下面に露出しており、
該アンダーフィル層のうち上記アライメントマークの位置に開口が形成してあり、
上記チップ本体の上面及び周囲の側面、及びアンダーフィル層の周囲の側面が膜によって覆われた構成としたものである。
【００２１】
アライメントマークを基準にして、アライメントされて、精度良く位置決めされて搭載させることが出来る。集積回路がアンダーフィル層によって保護された構造を実現出来る。また、半導体部品をサスペンション上に搭載した後に、アンダーフィルを注入する工程が必要でなくなり、ヘッドアセンブリの製造が効率良く行なわれる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
〔第１実施例〕
図２は本発明の第１実施例になるヘッドアセンブリ５０を示す。このヘッドアセンブリ５０は、サスペンション５１の先端（Ｘ１方向端）のジンバル部５２にヘッドスライダ７０が搭載してあり、サスペンション５１の中央のヘッドＩＣチップが搭載されるヘッドＩＣチップ搭載部５３にベアのヘッドＩＣチップ８０がフェイスダウンの姿勢で固定してあり、ベアのヘッドＩＣチップ８０が高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０によって覆われている構成である。ヘッドＩＣチップ８０がベアであるのは、サスペンション５１からの突出高さに制限があるからである。
【００２３】
サスペンション５１は、極薄いステンレス板５４の上面に複数本のＣｕの配線パターン５５が形成してある構成である。配線パターン５５は、ステンレス板５４を覆う絶縁層としてのポリイミド層５６の上面に形成してあり、絶縁層としてのポリイミド層５７によって覆われて保護されている。
ヘッドスライダ７０は、側端面７１に、磁気ヘッド７２、配線パターン（図示せず）と４つの電極７３が形成してあり、上面７４にレール７５が形成してある構成である。磁気ヘッド７２は薄膜技術によって形成されたものであり、インダクティブヘッドと磁気抵抗ヘッド（共に図示せず）とが重なっている構成である。このヘッドスライダ７０はジンバル部５２に接着してある。電極７３と配線パターン５５の端の電極７６とが熱圧着されたＡｕボール７７によって接続してある。
【００２４】
ヘッドＩＣチップ搭載部５３には、配線パターン５５の端の電極５８が配されている。電極５８は、図３（Ａ）に示すように、Ｃｕのベース部５９の上面に、Ｎｉ膜６０とＡｕ膜６１とが重なっており、表面にＡｕ膜６１が露出している構成である。
ヘッドＩＣチップ８０は、図３（Ａ）中、シリコン製のチップ本体８１の下面８１ａに集積回路８２が形成してあり、同じく下面８１ａのＡｌ製の電極８３上に、Ａｕ製のバンプ８４が形成してある構造である。
【００２５】
ヘッドＩＣチップ８０は、図３（Ｂ）に示すように、サスペンション５１をテーブル１１０の上に固定し、ヘッドＩＣチップ８０をフェイスダウンの姿勢で、各Ａｕバンプ８４を電極５８に合うように位置合わせして搭載し、常温下でヘッドＩＣチップ８０を加圧すると共に超音波を数秒間印加することによって、Ａｕ同士のＡｕバンプ８４と電極５８のＡｕ膜６１とが界面をすり合わされて、Ａｕバンプ８４が電極５８のＡｕ膜６１とＡｕ同士で超音波接合されている。
【００２６】
また、ヘッドＩＣチップ８０はその下面側の隙間内に注入されたアンダーフィル８５によって、サスペンション５１への接合の信頼性が図られ、且つ、集積回路８２が保護されている。
１１０は高分子ポリパラキシリレン（poly-p-xylylene)蒸着膜であり、チップ本体８１の上面８１ｂと全部の側面８１ｃと、アンダーフィル８５の周側面８５ａとを覆っている。この高分子ポリパラキシリレン膜１１０は後述するように化学蒸着（ＣＶＤ）によって形成されたものであり、非常に薄く、ヘッドＩＣチップ８０の高さが増えてもこれは極く僅かであり、ヘッドＩＣチップ８０の高さがヘッドスライダ７０の上面の高さを越えるようになることは起きない。また、高分子ポリパラキシリレン膜１１０は非常に薄いため、ヘッドＩＣチップ８０の重さの増加は無視出来る。更には、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は非常に薄いため、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０がヘッドＩＣチップ８０の周囲の部分にまで形成された場合にも、サスペンション５１のばね特性には少しも影響が及ばない。
【００２７】
なお、この高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０の形成方法については後述する。
高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は、以下の性質を有する。不純物の含有量が少なく、よって、ガスの発生が少ない。シリコンとの接着性が良好であり、洗浄に耐える膜強さを有する。
【００２８】
なお、上記のＡｕバンプ８４は、図４に示すように、ワイヤボンディングと同じく、ボンダのキャピラリ９０の先端よりＡｕワイヤ９１の端を突出し、この部分にＡｕボール９２を形成し、キャピラリ９０を降ろしてボール９２をヘッドＩＣチップ８０の電極８２に押し当て、超音波を加えて加熱させて、Ａｕボール９２を電極８２にボンディングさせ、ワイヤクランパ（図示せず）によってキャピラリ９０の上側に出ている部分のＡｕワイヤ９１をクランプし、キャピラリ９０を引上げ、Ａｕワイヤ９１を引っ張って切断し、この後、バンプ８４の尖っている部分８４ａをガラス平板９３によって潰すレベリングを行なうことによって形成される。
【００２９】
上記構成のヘッドアセンブリ５０は、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、ハードディスク装置１００に組み込まれている。
ハードディスク装置１００は、ハウジング１０１の内部に、回転する例えば２枚のハードディスク１０２と、コイル及び永久磁石を有し電磁駆動されるアクチュエータ１０３と、アクチュエータ１０３によって回動されるアーム１０４と、各アーム１０４の先端に取り付けてあるヘッドアセンブリ５０とが収容されている構成である。ヘッドアセンブリ５０は、サスペンション５１の基部側（Ｘ２方向端側）のスペーサ（図示せず）が固定してあり、このスペーサ（図示せず）がアーム１０４に固定してある。ハードディスク１０２が回転し、アクチュエータ１０３が駆動されアーム１０４が往復回動されヘッドアセンブリ５０がハードディスク１０３の半径方向に移動されて所定のトラックにアクセスされて、情報の書き込み及び読み出しが行われる。
【００３０】
チップ本体８１の上面８１ｂと全部の側面８１ｃとが高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０によって覆われているため、チップ本体８１から微小なシリコン異物が分離することが制限され、微小なシリコン異物の塵埃は発生しない。よって、ハードディスク装置１００は、ヘッドクラッシュを起こしにくいということに関して、従来に比べて高い信頼性を有する。
【００３１】
また、アンダーフィル８５の周側面８５ａも高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０によって覆われているため、アンダーフィル８５の周側面８５ａからの異物の塵埃も制限されている。よって、ハードディスク装置１００は、ヘッドクラッシュを起こしにくいということに関して、ベアのヘッドＩＣチップ８０だけを高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０によって覆った構成に比べて、高い信頼性を有する。
【００３２】
次に、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０をチップ本体８１とアンダーフィル８５の周側面８５ａとを覆うように形成する方法について、図６を参照して説明する。
図６に示すように、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は化学蒸着法（ＣＶＤ）によって形成される。化学蒸着法とは、金属ハロゲン化合物等を高温で熱分解するか又は水素還元することによって、金属、合金、炭化物等の金属化合物の皮膜を物体表面に形成する方法である。
【００３３】
化学蒸着設備１２０は、気化室１２１、熱分解室１２２、真空蒸着室１２３が順に並んでおり、真空蒸着室１２３に接続されて真空ポンプ１２４が設けてある構成である。気化室１２１内には、原料である高分子ポリパラキシリレン１２５が充填してある。
真空蒸着室１２３内のテーブル１２３ａ上には、完成直前のヘッドアセンブリ５０Ｘが置かれている。この完成直前のヘッドアセンブリ５０Ｘは、サスペンション５１上にヘッドスライダ７０とヘッドＩＣチップ８０とが搭載され、ヘッドＩＣチップ８０の部分を除いてマスク１３０によってマスキングされた状態にある。
【００３４】
気化室１２１内で気化された高分子ポリパラキシリレンの粒子１２６が、真空ポンプ１２４によって吸引されて、熱分解室１２２に移り、ここで、熱分解されてラジカルモノマ１２７となり、これが真空蒸着室１２３に移り、ヘッドアセンブリ５０Ｘの表面に堆積して高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０が形成される。
【００３５】
最後に、ヘッドアセンブリ５０Ｘを真空蒸着室１２３から取り出し、マスク１３０を除去することによって、図２に示すように、チップ本体８１の上面８１ｂと全部の側面８１ｃ、及びアンダーフィル８５の周側面８５ａが高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０によって覆われた、ヘッドアセンブリ５０が完成する。
〔第２実施例〕
図７は本発明の第２実施例になるヘッドアセンブリ５０Ａを示す。このヘッドアセンブリ５０Ａは、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０が形成されて部分を除いて、図３のヘッドアセンブリ５０と同じである。よって、図６中、図３に示す構成部分と同じ構成部分には、同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００３６】
図７中、拡大して示すように、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は、チップ本体８１の上面８１ｂ、全部の側面８１ｃ及び下面８１ａと、Ａｕ製のバンプ８４の周面とを覆っている。
特に、チップ本体８１の上面８１ｂと全部の側面８１ｃとが高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０によって覆われているため、ベアのヘッドＩＣチップ８０から微小なシリコン異物が分離することが制限され、微小なシリコン異物の塵埃は発生しない。
【００３７】
図８（Ａ）に示すように、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は、サスペンション５１上の搭載する前のヘッドＩＣチップ８０に対して形成してある。この高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は、ヘッドＩＣチップ８０を図６中の真空蒸着室１２３に収容することによって形成される。高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０で覆われたヘッドＩＣチップ８０Ａが、図８（Ｂ）に示すように、サスペンション５１上に超音波接合されて搭載される。高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０のうちバンプ８４の先端の部分の膜は、超音波接合の際に破壊されて除去され、Ａｕバンプ８４と電極５８のＡｕ膜６１との超音波接合は正常になされる。
【００３８】
次に、図８のヘッドＩＣチップ８０Ａを製造する複数の方法について説明する。
各製造方法は、防塵のための膜の形成を、ウェハをダイシングして個片であるチップに切り出してから各チップに対して個々に行なうのではなくて、ウェハを個片に切り出す前の段階でウェハに対して行なう方法である。
【００３９】
図１６（Ａ）乃至（Ｅ）は、第１の製造方法を示す。
図１６（Ａ）中、１６０はバンプ付きウェハであり、ウェハ１６１と多数のバンプ８４とよりなる。ウェハ１６１は、その下側の面１６１ａに多数の集積回路８２がマトリクス状に並んで形成されており、且つ、多数のＡｕ製のバンプ８４が形成してある。また、このウェハ１６１の各電極８３上にＡｕ製のバンプ８４が形成してある。
【００４０】
先ず、第１の化学蒸着工程を行なう。図１６（Ａ）に示すように、このバンプ付きウェハ１６０を、バンプ８４が形成してある面１６１ａを下面として、トレイ１７０上に搭載し、化学蒸着をおこなって、同図（Ｂ）に示すように、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０を、ウェハ１６１の上側の面１６１ｂ、下側の面１６１ａ、各バンプ８４の表面に形成する。
【００４１】
次いで、同図（Ｃ）に示すように、バンプ付きウェハ１６０の上面１６１ｂにフィルム１７１を接着し、表裏反転して、ダイシングテーブル１７２上に搭載し、高速回転するダイシングソー１７３を使用して、ウェハ１６１をマトリクス状にダイシングして複数のチップ１６２に切り出す。同図（Ｄ）はダイシングしたのちの状態を示す。１６３はダイシングによって形成されたダイシング溝である。ダイシングは、フィルム１７１はハーフカットの状態となるように行なわれるよって、切り出された各チップ１６２は、飛散してばらばらにはならないで、フィルム１７１上に保たれており、整列している。
【００４２】
次いで、第２の化学蒸着工程を行なう。即ち、化学蒸着を再度行う。今回の化学蒸着は、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜をチップ１６２の全周の側面１６２ａに形成することを主眼において行なう。これによって、同図（Ｅ）に示すように、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０ａが、各チップ１６２の全周の側面１６２ａに効率的に形成され、且つ、既に形成されている高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０に重ねて形成される。
【００４３】
これによって、図８のヘッドＩＣチップ８０Ａが、多数個、フィルム１７１上に接着されてマトリクス状に並んだ状態のヘッドＩＣチップ集合体１６５が製造される。
このヘッドＩＣチップ集合体１６５は、次の工程へ送られ、或いは、搬送トレー等へ移載されて次の工程へ送られる。
【００４４】
上記の製造方法によれば以下の効果を有する。
▲１▼  高分子ポリパラキシリレン蒸着膜を付けるのを、ウェハを個片に切り出す前の段階でウェハに対して行なっているため、多数のチップに対する蒸着膜の形成が一括して行なわれる。よって、膜の形成を、ウェハをダイシングして個片であるチップに切り出してから各チップに対して個々に行なう方法に比較して、図８のヘッドＩＣチップ８０Ａを格段に生産性良く製造することが出来る。
【００４５】
図１７（Ａ）乃至（Ｇ）は、第２の製造方法を示す。
図１７（Ａ）乃至（Ｄ）に示す工程は夫々上記の図１６（Ａ）乃至（Ｄ）に示す工程と同じである。
次いで、同図（Ｅ）或いは同図（Ｆ）の工程を行なう。同図（Ｄ）のダイシング工程によって、膜のめくれが発生している虞れがあるので、これを除去するためである。
【００４６】
同図（Ｅ）では、レーザ１７４をダイシング済ウェハのダイシング溝１６３のい縁に照射し、この縁に沿って走査させる。これによって、レーザ１７４が膜めくれ部１６４に照射して、膜めくれ部１６４を加熱溶解させ、これによって膜めくれ部１６４が除去される。
同図（Ｆ）では、ダイシング済ウェハを塩酸１７５に浸漬させる。膜めくれ部１６４は化学的に溶解させて除去される。ここでは、膜めくれ部１６４のみが除去されるように、浸漬は時間を管理して行なう。この後、ウェハの洗浄を行なってウェハに付いている塩酸を除去する。
【００４７】
次いで、図１７（Ｇ）に示す化学蒸着工程を、前記の図１６（Ｅ）と同様に行なう。これによって、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０ａが、既に形成されている高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０に重ねて形成され、且つ、各チップ１６２の全周の側面１６２ａに形成される。これによって、図８のヘッドＩＣチップ８０Ａが、多数個、フィルム１７１上に接着されてマトリクス状に並んだ状態のヘッドＩＣチップ集合体１６５が製造される。
【００４８】
上記の製造方法によれば、前記の▲１▼に記載したと同じ効果に加えて、以下の効果を有する。
▲２▼  ダイシングを行なうことによって発生する膜めくれ部１６４が最後まで残ると、塵埃の原因となる場合がある。しかし、膜めくれ部１６４は除去されるため、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０、１００ａが高品質に形成され、ヘッドＩＣチップ８０Ａは、塵埃の発生が更に確実に防止される構造を有する。
【００４９】
図１８（Ａ）乃至（Ｆ）は、第３の製造方法を示す。
図１８（Ａ）及び（Ｂ）に示す工程は夫々上記の図１６（Ａ）及び（Ｂ）に示す工程と同じである。
次いで、図１８（Ｃ）に示すように、レーザ１８０及び１８１をウェハ１６１の面１６１ａ及び１６１ｂに照射し、ダイシングソー１７３がダイシングする経路に沿うようにマトリクス状に走査させ、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０のうちダイシングしろの部分を幅Ｗ１で加熱溶解させて除去する。高分子ポリパラキシリレン蒸着膜が除去された部分１６６の幅Ｗ１は、ダイシングしろＷ１より両側に幅Ｗ２だけ広い幅である。また、膜の除去は加熱溶解であるため、めくれ部は発生しない。
【００５０】
次いで、図１８（Ｄ）に示すように、ダイシングソー１７３によってウェハ１６１をダイシングして、同図（Ｅ）に示すように、ウェハ１６１はマトリクス状に複数のチップ１６２に切り出される。ダイシング溝１６３は、上記の膜が除去された部分１６６の中央に、蒸着膜１１０にかからない状態で形成される。即ち、図１８（Ｅ）に示すように、蒸着膜１１０の端は、ダイシング溝１６３より寸法Ｗ２後退しており、よって、蒸着膜１１０はダイシングソー１７３によってダイシングされてはいず、膜めくれ部は発生していない。
【００５１】
次いで、図１８（Ｆ）に示す化学蒸着工程を、前記の図１６（Ｅ）と同様に行なう。これによって、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０ａが、既に形成されている高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０に重ねて形成され、且つ、各チップ１６２の全周の側面１６２ａに形成される。これによって、図８のヘッドＩＣチップ８０Ａが、多数個、フィルム１７１上に接着されてマトリクス状に並んだ状態のヘッドＩＣチップ集合体１６５が製造される。
【００５２】
上記の製造方法によれば、上記▲１▼及び▲２▼にに記載した効果と同じ効果を有する。
図１９（Ａ）乃至（Ｆ）は、第４の製造方法を示す。
図１９（Ａ）に示すように、マトリクス状であり、幅がＷ１であるマスク１９０、１９１によって、バンプ付きウェハ１６０のウェハ１６１の面１６１ｂ，１６１ａをマスキングする。この状態で化学蒸着をおこなって、同図（Ｂ）に示すように、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０を、ウェハ１６１の上側の面１６１ｂ、下側の面１６１ａ、マスク１９０、１９１、各バンプ８４の表面に形成する。
【００５３】
次いで、マスク１９０、１９１を取り外す。これによって、図１９（Ｂ）に示すように、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０のうちダイシングしろの部分が幅Ｗ１で除去される。膜のめくれは発生しない。
これ以後は、上記の図１８（Ｄ），（Ｅ），（Ｆ）と同様に、図１９（Ｄ），（Ｅ），（Ｆ）に示すように、ウェハ１６１をダイシングし、化学蒸着を行なう。これによって、図１９（Ｆ）に示すように、ヘッドＩＣチップ８０Ａが、多数個、フィルム１７１上に接着されてマトリクス状に並んだ状態のヘッドＩＣチップ集合体１６５が製造される。
【００５４】
上記の製造方法によれば、上記▲１▼及び▲２▼にに記載した効果と同じ効果を有する。
次に、図７に示すヘッドアセンブリ５０Ａにおけるベアのチップ本体８１を覆う膜を形成する別の方法について説明する。
この方法は、チップ本体８１を覆う膜を塗布によって形成する方法である。ハードディスク装置の薄型化に伴ってヘッドＩＣチップのサスペンション５１からの突出高さが制限されており、チップ本体８１を覆う膜の厚さは例えば５０μｍより薄いことが必要とされる。膜を塗布によって形成する装置はこのことを考慮した構成となっている。
【００５５】
また、膜を塗布によって形成する方法を採用することにしたことによって、ヘッドアセンブリ５０Ａは、チップ実装→アンダーフィル→膜形成の順番で形成される。
図２０は膜形成装置２００を示す。この膜形成装置２００は、ステージ２０１と、ステージ２０１に立っている柱２０２にＺ１，Ｚ２方向に昇降可能に設けてある昇降機構２０３と、昇降機構２０３より延びている腕２０４に一体的に取り付けてあるレーザ変位計２０５及びノズル２０６と、紫外線照射機２１０と、昇降機構２０３及びレーザ変位計２０５と接続してある位置制御器２０７と、ノズル２０６と接続してあるポンプ２０８と、膜形成装置２００の動作を制御する制御回路２０９とを有する構成である。
【００５６】
上記の膜形成装置２００による膜形成は、図２１及び図２２に示すように行なわれる。
先ず、図２１（Ａ）に示すように、シリコン製のチップ本体８１がその下面８１ａのＡｕ製のバンプ８４を利用してサスペンション５１上に実装してあり、アンダーフィル８５がチップ本体８１の下面側の隙間内に注入されている構成の組立体２２０を用意する。Ａｕ製のバンプ８４は膜によって覆われていず、よって、チップ本体８１側のバンプ８４とサスペンション５１側の電極５８との接合は、膜の一部が介在するようなことを伴わずに、良好になされている。即ち、バンプ８４と電極５８とは高い信頼性で接合されている。
【００５７】
図２１（Ａ）に示すように、この組立体２２０を膜形成装置２００のステージ２０１上にセットし、レーザ変位計２０５を使用して、ノズル２０６の先端とチップ本体８１の上面との間の距離を測定する。
次いで、図２１（Ｂ）に示すように、ノズル２０６から、アクリル系の紫外線硬化性樹脂２２１を所定量、チップ本体８１の上面に供給する。ここでの所定量は、最終的に必要な量以上の量である。また、紫外線硬化性樹脂２２１は、表面張力と、シリコン製のチップ本体８１に対する濡れ性とが、
表面張力＜濡れ性
の関係にある。
【００５８】
次いで、図２１（Ｃ）に示すように、ノズル２０６をチップ本体８１の上面に近づけ、ノズル２０６を横方向に適宜動かして、樹脂２２１をチップ本体８１の上面に拡げ、且つ、チップ本体８１の周側面にまで付着させる。この状態では、樹脂２２１は、表面張力によって、符号２２２に示すように、チップ本体８１の上面の中央部が膨らんだ形状となって、膜の厚さの制御ができていない。
【００５９】
そこで、次いで、図２２（Ａ）に示すように、ノズル２０６をチップ本体８１の上面の中央部に位置させ、ノズル２０６の高さを、その先端面とチップ本体８１の上面との間の寸法ａが５０μｍとなるように定める。この高さの設定は、前記の最初のレーザ変位計２０５を使用した距離の測定値を基準にして行なう。その後に、ポンプ２０８を駆動させる。これによって、余剰の樹脂を吸い取って除去する。
【００６０】
ここで、ノズル２０６による吸引力は、樹脂２２１のシリコン製のチップ本体８１に対する濡れ性より小さく定めてある。即ち、
吸引力＜濡れ性
である。
上記のように、吸引力＜濡れ性の関係にあるため、チップ本体８１の上面が露出してしまうことが起きず、チップ本体８１の上面には厚さｔが略５０μｍの樹脂膜２２３が形成される。
【００６１】
この後、図２２（Ｂ）に示すように、紫外線照射機２１０により紫外線２１１を照射して、樹脂膜２２３を硬化させる。これによって、チップ本体８１の上面及び周側面が、厚さｔが略５０μｍの硬化された樹脂膜２２４によって覆われた状態となる。
なお、表面張力と濡れ性とが、表面張力＞濡れ性の関係である場合には、樹脂が水玉のようにまとまってしまい、拡げることが困難となる。また、吸引力と濡れ性とが、吸引力＞濡れ性の関係である場合には、一旦濡れたチップ本体８１の上面が部分的に露出してしまい、よくない。
【００６２】
上記の膜形成方法のポイントは、以下の通りである。
▲１▼  アクリル系の紫外線硬化性樹脂２２１の供給量は、厚さｔが略５０μｍの樹脂膜を形成するに必要な量より多い量である。
▲２▼  樹脂の種類は、表面張力＜濡れ性  の関係にあることである。
▲３▼  ポンプ２０８の吸引力及び樹脂の種類は、吸引力＜濡れ性  の関係にあることである。
【００６３】
▲４▼  最終の膜厚ｔは、余剰分吸引の際のノズル２０６の高さを制御することによって設定可能であることである。
なお、前記のアクリル系の紫外線硬化性樹脂２２１に代えて、エポキシ樹脂を使用してもよい。この場合には、図２２（Ｂ）に示す樹脂の硬化は、熱を加えて行なう熱硬化によって行なわれる。
【００６４】
なお、ヘッドＩＣチップ８０Ａに代えて、図９に示すヘッドＩＣチップ８０Ｂを搭載してもよい。ヘッドＩＣチップ８０Ｂは、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０がバンプ８４の先端の部分については形成されていず、バンプ８４の先端の部分が露出している構成である。１４０はバンプ８４のうち露出している部分である。
【００６５】
このヘッドＩＣチップ８０Ｂを使用する場合には、サスペンション５１上に超音波接合されるときに高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０の一部を破壊して除去する必要がなく、よって、ヘッドＩＣチップ８０Ｂのサスペンション５１上への超音波接合は、上記のヘッドＩＣチップ８０Ａを使用する場合に比べてより確実になされる。
【００６６】
このヘッドＩＣチップ８０Ｂは、図１０（Ａ）乃至（Ｄ）に示す方法、図１１（Ａ）乃至（Ｄ）に示す方法、図２３（Ａ）乃至（Ｄ）に示す方法、図２４（Ａ）乃至（Ｄ）、図２５（Ａ）乃至（Ｄ）、図２６（Ａ）乃至（Ｄ）、及び図２７（Ａ）、（Ｂ）に示す方法によって製造される。
図１０（Ａ）乃至（Ｄ）に示す第１の製造方法では、容易に凹む軟質のシート１５０を使用する。先ず、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ヘッドＩＣチップ８０を軟質シート１５０上に置き、押し付けて、軟質シート１５０を変形させて、バンプ８４の先端部を軟質シート１５０に沈み込ませる。バンプ８４の先端部はマスキングされた状態となる。この状態で、図６中の真空蒸着室１２３に収容し、蒸着を行なう。高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は図１０（Ｃ）に示すように形成され、ヘッドＩＣチップ８０を軟質シート１５０から取り外すと、図１０（Ｄ）に示すヘッドＩＣチップ８０Ｂが得られる。
【００６７】
図１１（Ａ）乃至（Ｄ）に示す第２の製造方法では、粘着剤の層１５２がシート本体１５１に塗布されたシート１５３を使用する。先ず、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ヘッドＩＣチップ８０をシート１５３上に置き、押し付けて、バンプ８４の先端部を粘着剤の層１５２に沈み込ませる。バンプ８４の先端部はマスキングされた状態となる。この状態で、図６中の真空蒸着室１２３に収容し、蒸着を行なう。高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は図１１（Ｃ）に示すように形成され、ヘッドＩＣチップ８０をシート１５３から取り外すと、図１１（Ｄ）に示すヘッドＩＣチップ８０Ｂが得られる。
【００６８】
図２３（Ａ）乃至（Ｄ）に示す第３の製造方法では、くぼみ２４１を有するパレット２４０を使用する。くぼみ２４１の大きさは、ヘッドＩＣチップ８０より１０〜５０μｍ大きく、且つ、ヘッドＩＣチップ８０の約半分が収まる大きさである。
先ず、図２３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ヘッドＩＣチップ８０を、フェイスダウンの姿勢で、パレット２４０のくぼみ２４１内に収める。ヘッドＩＣチップ８０は、高さ方向上、約半分がくぼみ２４１内に収まり、且つ、ヘッドＩＣチップ８０の周側面とくぼみ２４１の内面との間の隙間ｇは１０〜５０μｍとなっている。次いで、図２３（Ｃ）に示すように、化学蒸着を行なって高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０を形成する。ヘッドＩＣチップ８０の周側面とくぼみ２４１の内面との間の隙間ｇが１０〜５０μｍと極く狭いため、図６中のラジカルモノマ１２７はくぼみ２４１の内部に侵入しにくい。よって、チップ本体８１の露出している上面及び周側面には、所望の厚さである２μｍの厚さの高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０が形成され、くぼみ２４１の内部に位置しているバンプ８４の表面に形成される高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０ｂは、厚さが２μｍより３０％程度薄い１．４μｍの厚さに抑えられる。図２３（Ｄ）に示すように、ヘッドＩＣチップ８０をパレット２４０のくぼみ２４１から取り出すと、ヘッドＩＣチップ８０Ｂが得られる。
【００６９】
バンプ８４の表面に厚さが２μｍの高分子ポリパラキシリレン蒸着膜が形成されているヘッドＩＣチップをヘッドアセンブリのサスペンション５１上に実装した場合のバンプ当たりのシェア強度は、２５ｇであった。本実施例のように、バンプ８４の表面に厚さが１．４μｍの高分子ポリパラキシリレン蒸着膜が形成されているヘッドＩＣチップをヘッドアセンブリのサスペンション５１上に実装した場合のバンプ当たりのシェア強度は、４０ｇであった。シェア強度は６０％以上も向上している。
【００７０】
図２４（Ａ）乃至（Ｄ）は、第４の製造方法を示す。
先ず、図２４（Ａ）に示すように、潰す前のバンプ８４を有するヘッドＩＣチップ８０を用意する。バンプ８４は尖っている部分８４ａを有する。このヘッドＩＣチップ８０を、フェイスダウンの姿勢で、ガラス平板２５０上に置く。この状態で、化学蒸着を行なって、同図（Ｂ）に示すように、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０を形成する。続いて、同図（Ｃ）に示すように、ヘッドＩＣチップ８０をプレス機械のラム２５１でヘッドＩＣチップ８０をガラス平板２５０上に押しつける。この押しつけによって、バンプ８４の尖っている部分８４ａが潰されて平らとされてレベリングが行なわれ、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０のうちバンプ８４の尖っている部分８４ａに付いている部分が押し退けられる。
【００７１】
ヘッドＩＣチップ８０をガラス平板２５０から取り外すと、図２４（Ｄ）に示すように、チップ本体８１及びバンプ８４が高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０で覆われ、バンプ８４の平坦とされた先端８４ｂは高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０で覆われていずバンプ８４自体の材料が露出しているヘッドＩＣチップ８０Ｂが得られる。
【００７２】
なお、最初の化学蒸着では、膜を目標とする厚さよりも薄く形成し、バンプ８４の尖っている部分８４ａを潰して平らとしてから、再度化学蒸着を行なって、膜を目標とする厚さとするようにしてもよい。
図２５（Ａ）乃至（Ｄ）は、第５の製造方法を示す。
先ず、図２５（Ａ）に示すように、離型剤であるパープルオロポリエーテル油２６１を塗布したステージ２６０を用意する。パープルオロポリエーテル油２６１は、高分子フッ素オイルの一種であり、真空蒸着装置の内部でも使用可能である。ヘッドＩＣチップ８０を、フェイスダウンの姿勢で、このステージ２６０上に置き、この後に離して、各バンプ８４の先端部にパープルオロポリエーテル油２６１ａを転写させる。
【００７３】
次いで、図２５（Ｂ）に示すように、ヘッドＩＣチップ８０をフェイスダウンの姿勢でステージ２６２上に置いて、化学蒸着を行なって高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０を形成する。バンプ８４の先端部では、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０はパープルオロポリエーテル油２６１ａを覆って形成してあり、バンプ８４の先端部の高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０の付着力は一般的な粘着テープで容易に剥がせるほどに弱い。
【００７４】
次いで、図２５（Ｃ）に示すように、ヘッドＩＣチップ８０をそのチップ本体８１を粘着テープ２６３に接着して保持し、別の粘着テープ２６４をバンプ８４の先端部に接着させる。
最後に、図２５（Ｄ）に示すように、粘着テープ２６４を剥がす。この操作によって、バンプ８４の先端側の高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０が、パープルオロポリエーテル油２６１ａと共に剥がし取られ、バンプ８４の先端側が露出して、ヘッドＩＣチップ８０Ｂが得られる。
【００７５】
図２６（Ａ）乃至（Ｄ）は、第６の製造方法を示す。
先ず、図２６（Ａ）に示すように、固型樹脂である松やに（ロジン）をイソプロピルアルコール等の溶剤で溶解させた溶解松やに２７１を塗布したステージ２７０を用意する。溶解松やに２７１は洗浄することによって除去される。ヘッドＩＣチップ８０を、フェイスダウンの姿勢で、このステージ２７０上に置き、この後に離して、各バンプ８４の先端部分に溶解松やに２７１ａを転写させる。
【００７６】
次いで、図２６（Ｂ）に示すように、ヘッドＩＣチップ８０をフェイスダウンの姿勢でステージ２７２上に置いて、化学蒸着を行なって高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０を形成する。
ヘッドＩＣチップ８０をステージ２７２から取り外すと、図２６（Ｃ）に示すようになる。バンプ８４の部分では、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は溶解松やに２７１ａを覆っており、且つ、バンプ８４の先端部では、溶解松やに２７１ａが露出している。
【００７７】
最後に、ヘッドＩＣチップ８０を上向きとしてアルコールで洗浄する。この洗浄によって、図２６（Ｄ）に示すように、溶解松やに２７１ａが溶解して除去され、バンプ８４の先端部分が露出し、ヘッドＩＣチップ８０Ｂが得られる。
図２７（Ａ）、（Ｂ）は、第７の製造方法を示す。
図２７（Ａ）は、前記の図１６（Ｅ）に続く工程である。レベリングガラス板２８０をヘッドＩＣチップ集合体１６５のバンプ８４側に押し付ける。この押しつけによって、各バンプ８４の尖っている部分８４ａが潰され、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０のうちバンプ８４の尖っている部分８４ａに付いている部分が押し退けられる。
【００７８】
レベリングガラス板２８０を上げると、図２７（Ｄ）に示すように、バンプ８４の平坦とされた先端８４ｂが高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０で覆われていずバンプ８４自体の材料が露出しているヘッドＩＣチップ８０Ｂが並んでいるヘッドＩＣチップ集合体１６６が得られる。
図２８（Ａ）乃至（Ｄ）は、ヘッドアセンブリを製造する別の方法を示す。
【００７９】
Ａｕ製のバンプ８４Ａは、チップ本体ではなく、サスペンション５１側に設けてある。
図２８（Ｃ）に示すように、バンプ８４Ａは、サスペンション５１の電極５８上に形成してある。バンプ８４Ａは、上端に尖った端部８４Ａａを有する。
図２８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ヘッドＩＣチップ８０Ｅは、シリコン製のチップ本体８１の下面８１ａに集積回路８２及びＡｌ製の電極８３が形成してあり、全体が高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０で覆われている構成である。
【００８０】
図２８（Ｄ）に示すように、ヘッドＩＣチップ８０Ｅは、超音波を加えることによって、バンプ８４Ａの尖った端部８４Ａａが潰され、電極８３がバンプ８４Ａと接合されて実装される。超音波実装の過程で、電極８３を覆っていた高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は除去される。ここで、バンプ８４Ａの上端が尖っているため、この高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０の除去はより効果的になされる。
【００８１】
また、図７に示すヘッドＩＣチップ８０Ａに代えて、図１２に示すヘッドＩＣチップ８０Ｄを搭載してもよい。ヘッドＩＣチップ８０Ｄは、バンプ形成面である下面８１ａに対して背面、即ち、上面８１ｂの高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０が一部除去されており、チップ本体８１の上面８１ｂの一部が露出している構成である。１４５はチップ本体８１の上面８１ｂのうち露出している部分である。露出している部分１４５は、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０をチップ本体８１の全体に形成した後に、チップ本体８１の上面８１ｂの部分に例えばプラズマ処理することによって形成することが出来る。ヘッドＩＣチップ８０Ｄが動作して熱が発生したときに、チップ本体８１の上面８１ｂの露出している部分については、チップ本体８１から直接に空気中に熱が逃がされる。よって、図７に示すヘッドＩＣチップ８０Ａのようにバンプ形成部分だけを除いて高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０を形成した構成に比べて、良好な放熱特性を有する。高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は樹脂材料であり、一般的に熱伝導性が良くないためである。
【００８２】
なお、発塵は主にチップ本体８１のコーナ部の欠けによって発生する。よって、チップ本体８１の上面８１ｂの中央部に蒸着膜１１０が存在していなくても、発塵の問題は起きない。また、チップ本体８１の上面８１ｂの露出している部分に、極く薄いヒートシンクを搭載することも可能である。
図２９（Ａ）乃至（Ｅ）は、上記の図１２に示すヘッドＩＣチップ８０Ｄを製造する方法を示す。
【００８３】
図２９（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、バンプ付きウェハ１６０のバンプ８４が形成されていない面にフィルム１７１を接着する。次いで、同図（Ｃ）に示すように、フィルム１７１が接着されたバンプ付きウェハ１６０を、バンプ８４が上側となる向きで、ダイシングテーブル１７２上に搭載し、高速回転するダイシングソー１７３を使用して、ウェハ１６１をマトリクス状にダイシングして複数のチップ１６２に切り出す。切り出された各チップ１６２は、飛散してばらばらにはならないで、フィルム１７１上に接着されたまま保たれており、整列している。
【００８４】
次いで、ダイシングされたウェハを、化学蒸着装置の内部に設けてあるフィルム吸引装置２９０に固定して、ポンプ２９１で吸引を行なう。
フィルム吸引装置２９０は、支持板部材２９２を有する。支持板部材２９２は、複数の吸引孔２９２ａと円柱形の支持凸部２９２ｂとを有する。支持凸部２９２ｂは、マトリクス状にダイシングされた複数のチップ１６２の夫々の中央を支持するように配置してある。
【００８５】
ダイシングされたウェハをフィルム吸引装置２９０に固定して、ポンプ２９１で吸引を行なうと、図２９（Ｄ）に示すように、フィルム１７１のうち支持凸部２９２ｂで押さえられている個所の間の部分が、チップ１６２より剥離される。即ち、上方から見ると、フィルム１７１のうち、個々のチップ１６２の四角の面１６２ｂの中央に接着されている部分は剥離されずに接着されたままの状態にあり、四角の面１６２ｂの周囲の部分に接着されている部分が剥離される。よって、面１６２ｂのうち周囲の部分に空間２９３が形成される。この空間２９３はダイシング溝１６３とつながっている。
【００８６】
この状態で化学蒸着を行なう。気体は、ダイシング溝１６３を通って上記空間２９３の内部にまで入り込む。よって、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０が図２９（Ｅ）に示すように形成される。チップ１６２の面１６２ｂについてみると、蒸着膜１１０は上記の空間２９３に対応する周囲の部分には形成され、フィルム１７１が接着されている中央の部分には形成されない。これによって、ヘッドＩＣチップ８０Ｄが製造される。
【００８７】
また、図７に示すヘッドＩＣチップ８０Ａに代えて、図３０に示すヘッドＩＣチップ８０Ｅを搭載してもよい。ヘッドＩＣチップ８０Ｅは、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０が上面８１ｂと周囲の側面８１ｃに形成されており、下面８１ａ及びバンプ８４の表面には形成されていない構成である。
図３１（Ａ）乃至（Ｅ）は、図３０のＩＣチップ８０Ｅの製造方法を示す。図３１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、バンプ付きウェハ１６０のバンプ８４が形成されているバンプ形成面に、フィルム３００を接着する。フィルム３００は、凹凸の状態とされており、バンプ８４を覆って、且つ、ダイシングソーの切りしろに沿って接着してある。即ち、フィルム３００は、切り出されてチップとなる各部分の全周囲に沿って接着してあり、各部分を個別に覆っている。３０１は接着してある部分である。切り出された場合に一つのチップ１６２となる部分についてみると、フィルム３００は、図３１（Ｂ）に示すように、チップ１６２となる部分の周囲に沿って接着してある。また、フィルム３００は、別の平らなフィルム３０２の上に接着してある。
【００８８】
次いで、ダイシングソーを使用して、ウェハ１６１及びフィルム３００をマトリクス状にダイシングして複数のチップ１６２に切り出す。切り出された各チップ１６２は、ばらばらにはならないで、フィルム３０２上に保たれている。また、各チップ１６２の下面８１ａは、フィルム３００によって覆われている。
この状態で化学蒸着を行なう。高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０が図３１（Ｄ）に示すように形成される。高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は、上面８１ｂと周囲の側面８１ｃに形成され、下面８１ａには形成されない。
【００８９】
最後に、図３１（Ｄ）に示すように、フィルム３０２を剥離する。このとき、フィルム３００はチップ１６２の下面８１ａから剥離されて除去される。これによって、ヘッドＩＣチップ８０Ｅが製造される。
また、図７に示すヘッドＩＣチップ８０Ａに代えて、図３２に示すヘッドＩＣチップ８０Ｆを搭載してもよい。ヘッドＩＣチップ８０Ｆは、チップ本体８１の下面８１ａにアンダーフィル層３１０を有し、バンプ８４の平坦化されている頭頂部８４ｂがアンダーフィル層３１０の平坦な下面３１０ａに露出しており、且つ、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０がチップ本体８１の上面８１ｂと周囲の側面８１ｃ及びアンダーフィル層３１０の周囲の側面３１０ｂに形成されている構成である。
【００９０】
このヘッドＩＣチップ８０Ｆは、集積回路８２がアンダーフィル層３１０によって保護されている。また、このヘッドＩＣチップ８０Ｆを使用すれば、サスペンション５１上に搭載した後に、アンダーフィルを注入する工程が必要でなくなり、ヘッドアセンブリの製造が効率良く行なわれる。
図３３（Ａ）乃至（Ｆ）は、図３２のＩＣチップ８０Ｆの製造方法を示す。図３３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、バンプ付きウェハ１６０のバンプ８４が形成されている面に、Ｂステージ型の樹脂製のアンダーフィル材をスピンコート法によって塗布し、仮硬化（Ｂステージ化）させて、バンプ８４を完全に覆う厚さのアンダーフィル層３１１を形成する。この仮硬化は、この後の加工を容易にするために必要である。仮硬化は、アンダーフィル材が熱硬化型の樹脂である場合には、所定の熱を加えることによって行なわれ、アンダーフィル材が光硬化型の樹脂である場合には、所定の光を照射することによって行なわれる。アンダーフィル材が溶剤に融解させた熱可塑性の樹脂である場合には、溶剤を揮発させることによって、固体化される。
【００９１】
次いで、図３３（Ｃ）に示すように、ウェハ１６０を反転させて、仮硬化されたアンダーフィル層３１１側を下向きとしてダイシングテーブル１７２上に搭載し、高速回転するダイシングソー１７３を使用して、ウェハ１６１をマトリクス状にダイシングして複数のチップ１６２に切り出す。ダイシングは、仮硬化されたアンダーフィル層３１１の厚さの途中まで行なう。これは、ダイシングソー１７３がダイシングテーブル１７２と当たって欠けることが起きないようにするため、及び、切り出された各チップ１６２がばらばらにはなって飛散しないようにするためである。３１２は仮硬化されたアンダーフィル層３１１に形成された溝である。
【００９２】
次いで、図３３（Ｄ）に示すように、ダイシングされたウェハ１６０をダイシングテーブル１７２ごと蒸着槽に入れて、化学蒸着を行ない、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０を形成する。蒸着膜１１０は各チップ１６２の上面及び周囲の側面、及び仮硬化されたアンダーフィル層３１１のダイシングされた溝の内面、及び仮硬化されたアンダーフィル層３１１の周囲の側面に形成される。
【００９３】
次いで、図３３（Ｅ）に示すように、蒸着膜が形成されたウェハ１６０全体を反転させて、研磨機の研磨テーブル３１３上に搭載する。各チップ１６２は仮硬化されたアンダーフィル層３１１によってつなっがっているため、全部のチップ１６２が一括して反転される。また、ウェハ１６０は研磨テーブル３１３の吸引孔３１３ａによって吸引されており、研磨テーブル３１３上に真空吸着される。
【００９４】
最後に、図３３（Ｄ）に示すように、研削砥石３１４を使用し、必要に応じて純水で洗浄を行いつつ、仮硬化されたアンダーフィル層３１１を研磨する。研磨は、上記溝３１２の底に到る深さであって、且つ、バンプ８４が露出する深さまで行なう。これによって、図３２に示すヘッドＩＣチップ８０Ｆが製造される。なお、研磨テーブル３１３の吸引孔３１３ａは、各チップ１６２に対応して形成されており、各チップ１６２が研磨テーブル３１３上に真空吸着され、個片となったチップ１６２が飛散することが防止される。
【００９５】
また、図７に示すヘッドＩＣチップ８０Ａに代えて、図３４に示すヘッドＩＣチップ８０Ｇを搭載してもよい。ヘッドＩＣチップ８０Ｇは、図１２に示すヘッドＩＣチップ８０Ｄと、図３２に示すヘッドＩＣチップ８０Ｆとを組み合わせた構造である。ヘッドＩＣチップ８０Ｇは、チップ本体８１の下面８１ａにアンダーフィル層３１０を有し、バンプ８４の平坦化されている頭頂部８４ｂがアンダーフィル層３１０の平坦な下面３１０ａに露出しており、且つ、高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０がチップ本体８１の上面８１ｂのうち周囲の部分と周囲の側面８１ｃ及びアンダーフィル層３１０の周囲の側面３１０ｂに形成されている構成である。チップ本体８１の上面８１ｂのうち中央の部分１４５は露出している。
【００９６】
ヘッドＩＣチップ８０Ｇが動作して熱が発生したときに、チップ本体８１の上面８１ｂの露出している部分については、チップ本体８１から直接に空気中に熱が逃がされる。よって、図３２に示すヘッドＩＣチップ８０Ｈのようにバンプ形成部分だけを除いて高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０を形成した構成に比べて、良好な放熱特性を有する。高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は樹脂材料であり、一般的に熱伝導性が良くないためである。
【００９７】
なお、発塵は主にチップ本体８１のコーナ部の欠けによって発生する。よって、チップ本体８１の上面８１ｂの中央部に蒸着膜１１０が存在していなくても、発塵の問題は起きない。
図３５（Ａ）乃至（Ｆ）は、図３４のＩＣチップ８０Ｇの製造方法を示す。この製造方法は、化学蒸着を行なう工程以外は、前記の図３３（Ａ）乃至（Ｆ）に示すＩＣチップ８０Ｆの製造方法と同じである。化学蒸着は、図３５（Ｄ）に示すように、押さえ治具３２０をダイシングされたウェハ１６０上に押し付けた状態で行なう。押さえ治具３２０の各凸部３２１が各チップ１６２の上面の中央部に密着した状態となって、各チップ１６２の上面の中央部には高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０は形成されない。化学蒸着を行なった後に、押さえ治具３２０を取り外す。
【００９８】
アンダーフィル層３１１が存在するため、押さえ治具３２０で押し付けても、バンプ８４の損傷は起きない。
また、図７に示すヘッドＩＣチップ８０Ａに代えて、図３６に示すヘッドＩＣチップ８０Ｈを搭載してもよい。ヘッドＩＣチップ８０Ｈは、図３４に示すヘッドＩＣチップ８０Ｇのチップ本体８１の上面８１ｂのうち露出している中央の部分１４５に、熱伝導性の良い金属製の放熱部材３３０が、樹脂の中に無機フィラー或いは金属フィラーを分散させた熱伝導性の良い接着剤３３１によって接着されている構造である。
【００９９】
このヘッドＩＣチップ８０Ｈは、図３４に示すヘッドＩＣチップ８０Ｇより高い放熱効率を有する。
また、図７に示すヘッドＩＣチップ８０Ａに代えて、図３７に示すヘッドＩＣチップ８０Ｉを搭載してもよい。ヘッドＩＣチップ８０Ｉは、図３２に示すヘッドＩＣチップ８０Ｆの変形例である。チップ本体８１の下面８１ａには、集積回路８２の対角線上であって集積回路８２の外側の部分に、アライメントマーク３４０、３４１が形成してある。チップ本体８１の下面８１ａのアンダーフィル層３１０には、アライメントマーク３４０、３４１に対応する部位に覗き用の開口３４２、３４３が形成してある。開口３４２、３４３はアンダーフィル層３１０を形成する際に例えばマスキングをすることによって形成される。
【０１００】
ヘッドＩＣチップ８０Ｉをチップ本体８１の下面８１ａ側からみた場合に、開口３４２内にアライメントマーク３４０が見え、開口３４３内にアライメントマーク３４１が見える。
ヘッドＩＣチップ８０Ｉは、このアライメントマーク３４０、３４１を基準にして、アライメントされてサスペンション５１上に精度良く位置決めされて搭載される。
【０１０１】
また、アライメントについては、アンダーフィル層３１０自体にアライメントマークを有する構成とすることも出来る。また、Ｘ線撮像を利用して、アライメントを行なうこともできる。
なお、図３８は、バンプ付きウェハ１６０をダイシングするときに、個片とされたヘッドＩＣチップ８１が飛散しないようにする構成を示す。
【０１０２】
図３８（Ａ）中、３５０は接着フィルムであり、フィルム本体３５１とこの上面の接着層３５２及び下面の接着層３５４とよりなる。フィルム本体３５１には、バンプ付きウェハ１６０の各バンプ８４に対応した配置で凹部３５３が形成してある。凹部３５３はバンプ８４より少し大きいサイズであり、内面には接着層３５２は形成されていない。
【０１０３】
バンプ付きウェハ１６０は、図３８（Ｂ）に示すように、各バンプ８４が対応する凹部３５３内に収容され、ウェハ１６１の下面を接着フィルム３５０に接着された状態とされる。各バンプ８４が凹部３５３内に収容されていることによって、バンプ８４が邪魔とならず、ウェハ１６１の下面が接着フィルム３５０にしっかりと接着される。接着フィルム３５０はステージ３６０上に接着されている。
【０１０４】
この状態で、ダイシングソー１７３を使用して、ウェハ１６１がマトリクス状にダイシングされ、バンプ付きウェハ１６０は個片のヘッドＩＣチップ８１とされる。個片のヘッドＩＣチップ８１には、ダイシングするときに作用する応力によって、飛散させるような力が作用する。
しかし、個片とされたヘッドＩＣチップ８１は、接着フィルム３５０にしっかりと接着されているため、接着フィルム３５０に接着された状態に保たれ、飛散することは発生しない。
【０１０５】
ダイシング終了後の実装のときに、ヘッドＩＣチップ８１が一つづ接着フィルム３５０から剥離される。バンプ８４は接着されていないため、ヘッドＩＣチップ８１を接着フィルム３５０から剥離するときに、バンプ８４が取れてしまう事故は起きない。
なお、ダイシング装置を、ダイシング時に切り出されたチップを上から押さえるチップ押さえ部を有する構成とし、チップ押さえ部が切り出されたチップを上から押さえながらダイシングを行なうことによって、ダイシング時に切り出されたチップが飛散されないように出来る。
【０１０６】
〔第３実施例〕
図１３は本発明の第２実施例になるヘッドアセンブリ５０Ｂを示す。このヘッドアセンブリ５０Ｂは、ヘッドＩＣチップ８０Ｃのチップ本体８１Ｃが図１４に示すようにその四角形の上面８１Ｃｂの周囲が面取りされており、上面８１Ｃｂと全部の側面８１Ｃｃとの間に斜面８１Ｃｄが形成されている形状であり、図３中の高分子ポリパラキシリレン蒸着膜１１０の代わりに、低粘度ＵＶ硬化性樹脂塗布膜１６０が形成されていることを除いて、図３のヘッドアセンブリ５０と同じである。よって、図１３中、図３に示す構成部分と同じ構成部分には、同じ符号を付し、その説明は省略する。
【０１０７】
図１３中、拡大して示すように、低粘度ＵＶ硬化性樹脂塗布膜１６０は、後述するようにディスペンスして形成してあり、チップ本体８１Ｃの上面８１Ｃｂ、全部の斜面８１Ｃｄ及び全部の側面８１Ｃｃと、アンダーフィル８５の周側面８５ａとを覆っている。低粘度ＵＶ硬化性樹脂塗布膜１６０のチップ本体８１Ａの上面８１Ａｂ上の厚さｔは５０μｍより薄く、低粘度ＵＶ硬化性樹脂塗布膜１６０の表面の高さＨ１は、ヘッドスライダ７０の上面の高さＨ２より低い位置に位置している。よって、ヘッドアセンブリ５０Ｂは、ヘッドＩＣチップ８０Ｃがハードディスクに当たる虞れなくハードディスク装置に適用される。
【０１０８】
このチップ本体８１Ｃの上面８１Ｃｂと全部の斜面８１Ｃｄと全部の側面８１Ｃｃと低粘度ＵＶ硬化性樹脂塗布膜１６０によって覆われているため、チップ本体８１Ａから微小なシリコン異物が分離することが制限され、微小なシリコン異物の塵埃は発生しない。
低粘度ＵＶ硬化性樹脂塗布膜１６０を形成する低粘度ＵＶ硬化性樹脂は、以下の性質を有する。▲１▼粘度が７００ｃｐｓ（centipoise) と低い。▲２▼シリコンとは相性が良く、ステンレスとは相性が悪い。即ち、シリコンとのは濡れ性が良好であり、形成された膜は洗浄に耐える膜強さを有し、ステンレスとは濡れ性が良くない。▲３▼純度が高い。即ち、不純物の含有量が少なく、よって、ガスの発生が少ない。
【０１０９】
具体的には、上記の低粘度ＵＶ硬化性樹脂は、ウレタン  アクリレート（urethane acrylate)又はメタクリレート（ｍethacrylate)等のアクリル系樹脂である。
この低粘度ＵＶ硬化性樹脂塗布膜１６０を形成するには、先ずは、図１５に示すように、精密ディスペンサ１７０を使用して、例えば粘度が７００ｃｐｓと低いＵＶ硬化性樹脂を精密に制御された量、サスペンション５１上に搭載してあるヘッドＩＣチップ８０Ｃの中央上に滴下する。この滴下されたＵＶ硬化性樹脂は、粘度が７００ｃｐｓと低いため、矢印１７１に示すようにチップ本体８１Ｃの上面８１Ｃｂに拡がり、斜面８１Ｃｄを矢印１７２に示すように流れて、側面８１Ｃｃにまで拡がって、チップ本体８１Ｃの上面８１Ｃｂ、斜面８１Ｃｄ及び側面８１Ｃｃを覆い、更には、アンダーフィル８５の周側面８５ａを覆う状態となる。上記斜面８１Ｃｄが存在するため、ＵＶ硬化性樹脂は流れ易くなっている。この後に、紫外線を照射して、樹脂塗布膜を硬化させる。よって、ヘッドＩＣチップ８０Ｃからの発塵を抑制する塗布膜が簡単に形成される。
【０１１０】
上記の図７のヘッドアセンブリ５０Ａも図１３のヘッドアセンブリ５０Ｂも、図２のヘッドアセンブリ５０と同じく、図５に示すようにハードディスク装置内に組み込まれる。
上記のＵＶ硬化性樹脂以外に熱硬化樹脂も使用可能である。使用できる具体的な熱硬化樹脂としては、エポキシ系樹脂がある。
【０１１１】
また、上記ヘッドＩＣチップ８０、８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃのチップ本体８１、８１Ａ、８１Ｂ、８１Ｃが、シリコンの他、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）であっても、本発明は適用可能である。
なお、本発明は以下の内容を有する。
（１）図１７に示すヘッドＩＣチップの製造方法。
【０１１２】
即ち、搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において、
バンプが形成してあるバンプ付きウェハの上面及び下面に膜を形成する第１の膜形成工程と、
該上面及び下面に膜が形成されたバンプ付きウェハを複数のチップに切り出すべくダイシングを行なうダイシング工程と、
ダイシングによって発生した膜めくれ部をレーザ又は化学処理によって溶解させて除去する工程と、
ダイシングされて切り出されて並んでいる各チップの周側面に膜を形成する第２の膜形成工程とを有するヘッドＩＣチップの製造方法。
【０１１３】
このヘッドＩＣチップの製造方法によれば、膜めくれ部を除去してから膜を形成するため、チップの周側面について高品質の膜が形成される。
（２）図１８に示すヘッドＩＣチップの製造方法。
即ち、搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において、
バンプが形成してあるバンプ付きウェハの上面及び下面に膜を形成する第１の膜形成工程と、
レーザを照射して上記上面及び下面に形成された膜をダイシングしろより広い幅で除去する工程と、
膜がダイシングしろより広い幅で除去されたバンプ付きウェハを複数のチップに切り出すべくダイシングを行なうダイシング工程と、
ダイシングされて切り出されて並んでいる各チップの周側面に膜を形成する第２の膜形成工程とを有するヘッドＩＣチップの製造方法。
【０１１４】
このヘッドＩＣチップの製造方法によれば、ダイシングに伴う膜めくれ部が発生しない。よって、チップの周側面について高品質の膜が形成される。
（３）図１９に示すヘッドＩＣチップの製造方法。
即ち、搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において、
バンプが形成してあるバンプ付きウェハの上面及び下面に、ダイシングしろより広い幅でマスクによってマスキングを行なう工程と、
マスキングされたバンプ付きウェハの上面及び下面に膜を形成する第１の膜形成工程と、
上記マスクを取り外して、上記上面及び下面に形成された膜をダイシングしろより広い幅で除去する工程と、
膜がダイシングしろより広い幅で除去されたバンプ付きウェハを複数のチップに切り出すべくダイシングを行なうダイシング工程と、
ダイシングされて切り出されて並んでいる各チップの周側面に膜を形成する第２の膜形成工程とを有するヘッドＩＣチップの製造方法。
【０１１５】
このヘッドＩＣチップの製造方法によれば、ダイシングに伴う膜めくれ部が発生しない。よって、チップの周側面について高品質の膜が形成される。
（４）  バンプが形成してあるバンプ付きウェハをダイシングするダイシング装置において、
ダイシング時に切り出されたチップを上から押さえるチップ押さえ部を有する構成とし、チップ押さえ部が切り出されたチップを上から押さえながらダイシングを行なうことによって、ダイシング時に切り出されたチップが飛散されないようにした構成のダイシング装置。
【０１１６】
（５）  図３８に示すバンプ付きウェハのダイシング方法。
即ち、バンプが形成してあるバンプ付きウェハをダイシングする方法において、
バンプに対応した配置でバンプに対応した大きさの凹部が形成してあり、該凹部の内面は接着層を有しない構成の接着フィルムを使用し、
上記バンプ付きウェハを、各バンプが対応する凹部内に収容され、ウェハの下面を接着フィルムに接着された状態で、ダイシングするダイシング方法。
【０１１７】
このダイシング方法によれば、個片とされたヘッドＩＣチップは、接着フィルムにしっかりと接着されているため、接着フィルムに接着された状態に保たれ、飛散することは発生しない。
（６）図３４に示す半導体部品。
即ち、チップ本体の下面に集積回路及びバンプを有する半導体部品において、
該チップ本体の下面にアンダーフィル層を有し、
上記バンプの頭頂部が該アンダーフィル層の下面に露出しており、
上記チップ本体の上面のうちの周囲の部分及び周囲の側面、及びアンダーフィル層の周囲の側面が膜によって覆われ、
上記チップ本体の上面のうちの中央部はチップ本体が露出している構成としたことを特徴とする半導体部品。
【０１１８】
この半導体部品は、チップ本体の上面の全面が膜によって覆われている構成に比べて、放熱性が良い。
（７）図３６に示す半導体部品。
即ち、チップ本体の下面に集積回路及びバンプを有する半導体部品において、
該チップ本体の下面にアンダーフィル層を有し、
上記バンプの頭頂部が該アンダーフィル層の下面に露出しており、
上記チップ本体の上面のうちの周囲の部分及び周囲の側面、及びアンダーフィル層の周囲の側面が膜によって覆われ、
上記チップ本体の上面のうちチップ本体が露出して中央部に、放熱部材が設けてある構成としたことを特徴とする半導体部品。
【０１１９】
この半導体部品は、チップ本体の上面の中央部が膜によって覆われていず、チップ本体の上面が露出している構成に比べて、放熱性が良い。
（８）図２３に示すヘッドＩＣチップの製造方法。
即ち、搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において、
ヘッドＩＣチップの大きさに対応する大きさのくぼみを有するパレットを使用し、
バンプを有するヘッドＩＣチップを、フェイスダウンの姿勢で、上記パレットのくぼみ内に収め、
この状態で蒸着を行なって膜を形成するヘッドＩＣチップの製造方法。
【０１２０】
このヘッドＩＣチップの製造方法によれば、ラジカルモノマはくぼみの内部に侵入しにくく、バンプの表面に形成される膜の厚さを薄く出来る。
（８）図２６に示すヘッドＩＣチップの製造方法。
即ち、搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において、
バンプを有するヘッドＩＣチップのバンプの先端部に溶解が可能である溶解可能剤を付着させ、
この後に、蒸着を行なって、ヘッドＩＣチップの全体に膜を形成し、
この後に、上記バンプの先端部の溶解可能剤を溶解させて除去してバンプの先端部を露出させるようにしたことを特徴とするヘッドＩＣチップの製造方法。
【０１２１】
このヘッドＩＣチップの製造方法によれば、チップ本体は膜を有し、バンプの先端に膜を有しないヘッドＩＣチップを簡単に製造することが出来る。
（９）図２８に示すヘッドアセンブリの製造方法。
即ち、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップが搭載してあるヘッドアセンブリの製造方法において、
バンプをサスペンション側に設け、
チップ本体の下面に集積回路及び電極が形成してあり、全体が膜で覆われている構成ヘッドＩＣチップを、超音波を加えて、上記電極をサスペンション上のバンプと接合させて実装するヘッドアセンブリの製造方法。
【０１２２】
このヘッドアセンブリの製造方法によれば、接合部分から膜が排除された状態で、ヘッドＩＣチップをサスペンションに搭載することが出来る。
【０１２３】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１の発明の発明は、搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において；バンプが形成してあるバンプ付きウェハの上面及び下面に膜を形成する第１の膜形成工程と；該上面及び下面に膜が形成されたバンプ付きウェハを複数のチップに切り出すべくダイシングを行なうダイシング工程と；ダイシングされて切り出されて並んでいる各チップの周側面に膜を形成する第２の膜形成工程とを有するようにしたものであるため、チップ本体の上面、下面、及び周側面に膜を有するヘッドＩＣチップを、生産性良く製造することが出来る。
【０１３１】
請求項２の発明は、搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において；ウェハにバンプが形成してあるバンプ付きウェハのバンプが形成されていない面にフィルムを接着する工程と；フィルムが接着されたバンプ付きウェハを、フィルムは切断せずに、ウェハを複数のチップに切り出すべくダイシングを行なうダイシング工程と；上記フィルムを、切り出されてフィルム上に並んでいる各チップ毎に、周囲の部分に限定して剥離させる剥離工程と；上記フィルムが、各チップ毎に、周囲の部分に限定して剥離されている状態で、各チップに膜を形成する膜形成工程とを有するようにしたものであるため、チップ本体の上面の中央部が膜によって覆われずに露出している構成のヘッドＩＣチップを、生産性良く製造することが出来る。
【０１３２】
請求項３の発明は、搭載されてヘッドアセンブリの一部を構成し、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップの製造方法において；フィルムを、バンプが形成してあるバンプ付きウェハの該バンプが形成してあるバンプ形成面を、切り出されてチップとなる部分を個別に覆うように、上記バンプ付きウェハに接着するフィルム接着工程と；該フィルムが接着されたバンプ付きウェハを複数のチップに切り出すべくダイシングを行なうダイシング工程と；ダイシングされて切り出されて並んでおり、バンプ形成面がフィルムで覆われている各チップに膜を形成する膜形成工程とを有するようにしたものであるため、チップ本体の上面及び周側面に膜を有するヘッドＩＣチップを、生産性良く製造することが出来る。
【０１３３】
請求項４の発明は、情報が記録された記録媒体から読み取った読取信号、或いは当該記録媒体への書込信号を処理するヘッドＩＣチップを搭載する工程と、該搭載された該ヘッドＩＣチップのチップ本体を覆う膜を形成する膜形成工程とよりなるヘッドアセンブリの製造方法において；該膜形成工程を；表面張力がチップ本体に対する濡れ性より小さい樹脂を、ノズルよりチップ本体の上面に上記膜を形成するに必要な量より多く供給し；該ノズルを形成する膜の厚さに対応する高さまでチップ本体の上面に近づけ；チップ本体に対する濡れ性より小さい吸引力でもって余剰の樹脂を吸引して取り除くようにして行なうようにしたものであるため、ヘッドＩＣチップのチップ本体を覆う所定の厚さの膜を、樹脂を塗布することによって形成することが出来る。
【０１３６】
請求項５の発明は、チップ本体の下面に集積回路及びバンプを有する半導体部品において；該チップ本体の下面にアンダーフィル層を有し；上記バンプの頭頂部が該アンダーフィル層の下面に露出しており；上記チップ本体の上面及び周囲の側面、及びアンダーフィル層の周囲の側面が膜によって覆われた構成としたものであるため、集積回路がアンダーフィル層によって保護された構造を実現出来る。また、半導体部品をサスペンション上に搭載した後に、アンダーフィルを注入する工程が必要でなくなり、ヘッドアセンブリの製造を効率良く行なうことが出来る。
【０１３７】
請求項６の発明は、チップ本体の下面に集積回路及びバンプを有する半導体部品において；該チップ本体は下面のうち該集積回路の外側の位置にアライメントマークを有し；該チップ本体の下面にアンダーフィル層を有し；上記バンプの頭頂部が該アンダーフィル層の下面に露出しており；該アンダーフィル層のうち上記アライメントマークの位置に開口が形成してあり；上記チップ本体の上面及び周囲の側面、及びアンダーフィル層の周囲の側面が膜によって覆われた構成としたものであるため、アライメントマークを基準にして、アライメントされて、精度良く位置決めされて搭載させることが出来る。集積回路がアンダーフィル層によって保護された構造を実現出来る。また、半導体部品をサスペンション上に搭載した後に、アンダーフィルを注入する工程が必要でなくなり、ヘッドアセンブリの製造を効率良く行なうことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のヘッドアセンブリを示す図である。
【図２】本発明の第１実施例になるヘッドアセンブリを示す図である。
【図３】ヘッドＩＣチップの搭載を説明する図である。
【図４】Ａｕバンプの形成を説明する図である。
【図５】図２のヘッドアセンブリが適用されたハードディスク装置を示す図である。
【図６】図２のヘッドアセンブリ中の高分子ポリパラキシリレン蒸着膜を形成する設備を示す図である。
【図７】本発明の第２実施例になるヘッドアセンブリを示す図である。
【図８】ヘッドＩＣチップの搭載を説明する図である。
【図９】ヘッドＩＣチップの第２の実施例を示す図である。
【図１０】図９のヘッドＩＣチップを製造する第１の方法を示す図である。
【図１１】図９のヘッドＩＣチップを製造する第２の方法を示す図である。
【図１２】ヘッドＩＣチップの第３の実施例を示す図である。
【図１３】本発明の第３実施例になるヘッドアセンブリを示す図である。
【図１４】図１３中のヘッドＩＣチップの斜視図である。
【図１５】図１３中の低粘度ＵＶ硬化性樹脂塗布膜の形成方法を説明する図である。
【図１６】図８のヘッドＩＣチップを製造する第１の方法を示す図である。
【図１７】図８のヘッドＩＣチップを製造する第２の方法を示す図である。
【図１８】図８のヘッドＩＣチップを製造する第３の方法を示す図である。
【図１９】図８のヘッドＩＣチップを製造する第４の方法を示す図である。
【図２０】膜形成装置を示す図である。
【図２１】図２０の膜形成装置による膜形成を説明する図である。
【図２２】図２１に続く膜形成を説明する図である。
【図２３】図９のヘッドＩＣチップを製造する第３の方法を示す図である。
【図２４】図９のヘッドＩＣチップを製造する第４の方法を示す図である。
【図２５】図９のヘッドＩＣチップを製造する第５の方法を示す図である。
【図２６】図９のヘッドＩＣチップを製造する第６の方法を示す図である。
【図２７】図９のヘッドＩＣチップを製造する第７の方法を示す図である。
【図２８】図７のヘッドアセンブリを製造する別の方法を示す図である。
【図２９】図１２のヘッドＩＣチップの製造方法を示す図である。
【図３０】ヘッドＩＣチップの第４の実施例を示す図である。
【図３１】図３０のヘッドＩＣチップの製造方法を示す図である。
【図３２】ヘッドＩＣチップの第５の実施例を示す図である。
【図３３】図３２のヘッドＩＣチップの製造方法を示す図である。
【図３４】ヘッドＩＣチップの第６の実施例を示す図である。
【図３５】図３４のヘッドＩＣチップの製造方法を示す図である。
【図３６】ヘッドＩＣチップの第７の実施例を示す図である。
【図３７】ヘッドＩＣチップの第８の実施例を示す図である。
【図３８】バンプ付きウェハをダイシングするときの状態を示す図である。
【符号の説明】
５０，５０Ａ，５０Ｂ  ヘッドアセンブリ
５１  サスペンション
５２  ジンバル部
５３  ヘッドＩＣチップ搭載部
５４  極薄いステンレス板
５５  配線パターン
５６、５７  ポリイミド層
５８  電極
５９  Ｃｕのベース部
６０  Ｎｉ膜
６１  Ａｕ膜
７０  ヘッドスライダ
７２  磁気ヘッド
８０、８０Ａ，８０Ｂ，８０Ｃ  ヘッドＩＣチップ
８１，８１Ｃ  シリコン製チップ本体
８１Ｃｄ  斜面
８２  集積回路
８３  Ａｌ製の電極
８４  Ａｕ製のバンプ
１００  ハードディスク装置
１０１  ハウジング
１０２  ハードディスク
１０３  アクチュエータ
１０４  アーム
１１０、１１０ａ  高分子ポリパラキシリレン蒸着膜
１６０  低粘度ＵＶ硬化性樹脂塗布膜
１６２  チップ
１６３  ダイシング溝
１６５  ヘッドＩＣチップ集合体
１６４  膜めくれ部
１６６  蒸着膜が除去された部分
１７１  フィルム
１７２  ダイシングテーブル
１７３  ダイシングソー
１７４、１８０、１８１  レーザ
１７５  塩酸
２００  膜形成装置
２０５  レーザ変位計
２０６  ノズル
２１０  紫外線照射機
２０８  ポンプ
２２１  アクリル系の紫外線硬化性樹脂
２２３  樹脂膜
２２４  硬化された樹脂膜
２４０  パレット
２４１  くぼみ
２６１  パープルオロポリエーテル油
２６４  粘着テープ
２７１  溶解松やに
２９０  フィルム吸引装置
２９１  ポンプ
２９２  支持板部材
２９２ａ  吸引孔
２９２ｂ  円柱形の支持凸部
２９３  空間
３００  フィルム
３０１  接着してある部分
３１１  仮硬化されたアンダーフィル層
３１４  研削砥石
３４０、３４１  アライメントマーク
３４２、３４３  開口
３５０  接着フィルム
３５１  フィルム本体
３５２、３５４  接着層
３５３  凹部
【図１】
0003883094.tif 000002
【図２】
0003883094.tif 000003
【図３】
0003883094.tif 000004
【図４】
0003883094.tif 000005
【図５】
0003883094.tif 000006
【図６】
0003883094.tif 000007
【図７】
0003883094.tif 000008
【図８】
0003883094.tif 000009
【図９】
0003883094.tif 000010
【図１０】
0003883094.tif 000011
【図１１】
0003883094.tif 000012
【図１２】
0003883094.tif 000013
【図１３】
0003883094.tif 000014
【図１４】
0003883094.tif 000015
【図１５】
0003883094.tif 000016
【図１６】
0003883094.tif 000017
【図１７】
0003883094.tif 000018
【図１８】
0003883094.tif 000019
【図１９】
0003883094.tif 000020
【図２０】
0003883094.tif 000021
【図２１】
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【図２２】
0003883094.tif 000023
【図２３】
0003883094.tif 000024
【図２４】
0003883094.tif 000025
【図２５】
0003883094.tif 000026
【図２６】
0003883094.tif 000027
【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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