(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、
前記第１及び第２基板間に、平面的に見てそれらの周囲に沿ったシール領域で前記第１及び第２基板を相接着するシール材を備えており、
前記第１基板上に、平面的に見て前記シール領域で包囲された画像表示領域に配置された複数の画素電極と、前記第２基板上の対向電極と上下導通するための上下導通パッドとを備えており、
前記上下導通パッドは、前記画素電極下の層間絶縁膜と共に平坦化されて、前記対向電極と上下導通していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記上下導通パッドは、前記シール材に含まれる導電性材料を介して前記対向電極と上下導通することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記上下導通パッドは、前記層間絶縁膜下に配置された対向電極信号線に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記対向電極信号線下の層間絶縁膜は、平坦化されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記対向電極信号線は、画素電極に対応して設けられた薄膜トランジスタに接続されるデータ線と同一膜で形成されることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記第１基板上に第１層間絶縁膜を形成し、前記第１層間絶縁膜と前記上下導通パッドを形成し、前記第１層間絶縁膜と前記上下導通パッドの表面を共に平坦化する工程と、
前記第２基板上に前記対向電極を形成する工程と、
前記第１基板及び前記第２基板を前記シール材により相接着する工程とを含み、
前記前記上下導通パッドと前記対向電極とを導通させることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
光源と、
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置でなるライトバルブと、
前記光源から発生した光を前記ライトバルブに導光する導光部材と、
前記ライトバルブで変調された光を投射する投射光学部材とを備えることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像表示領域の周囲でシール材により貼り合わせられた一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、これらの基板における電気光学物質に面する側に設けられた一対の電極を備えた液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
一般にこの種の電気光学装置では、画素電極、これをスイッチング制御する薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と称す）及びこれに接続され画像信号や走査信号を供給するデータ線、走査線等の配線などが設けられたＴＦＴアレイ基板を備える。更に、このＴＦＴアレイ基板の配線等が配置された側に対向配置されており、カラーフィルタ、遮光膜等の他に、全面に対向電極が設けられた対向基板を備える。これらのＴＦＴアレイ基板及び対向基板は、画像表示領域の周囲に位置するシール領域において、シール材により貼り合わせられ、両基板間に液晶等の電気光学物質が挟持される。更に、シール領域の外側において両基板に夫々設けられた上下導通領域（即ち、上下導通パッドや対向基板の隅等の領域）間に、導電性の上下導通材が挟持される。この上下導通材により、ＴＦＴアレイ基板側に設けられた固定の又は一定周期で反転する対向電極電位を供給するための配線と対向電極とが、電気的に接続されている。そして、動作時には、画素電極に対応する画素毎に、画素電極及び対向電極間に駆動電圧を発生させて各電気光学物質部分を駆動する（例えば、液晶の配向状態を変化させる）ことにより、表示動作を行うように構成されている。
【０００３】
例えば、特開昭６２−８９０２４号公報、特開平１１−６４８７４号公報、特開平１１−２０２３６６号公報等では、基板の４辺に沿って液晶層を包囲するシール領域にシール材を設け、基板の４隅の上下導通領域に上下導通材を設ける技術を開示している。そして一般には、シール材は、導電性を持たない光硬化性樹脂等から構成され、上下導通材は導電性材料から構成されるが、これらの公報のうち特開昭６２−８９０２４号公報によれば、シール領域のシール材と上下導通領域に設ける上下導通材とを夫々、同一の導電性材料から形成する。これにより、シール材と上下導通材とを同一工程で形成でき、製造プロセスの簡略化を図れるとされている。
【０００４】
他方、この種の電気光学装置では、例えば対角２０ｃｍ程度以上の大型の画像表示領域を有する場合には、画像表示領域に配置される液晶等の電気光学物質内に両基板間のギャップを制御するためのビーズ状或いはファイバー状のギャップ材が散布される（即ち、ギャップ材は画像中で見えないので問題がない）。これに対し、例えば対角２ｃｍ程度以下の画像表示領域を有する小型の電気光学装置の場合には、シール材中に両基板間のギャップを制御するためのギャップ材が混合されるのが一般的である（即ち、ギャップ材が画像中で見えないようにしている）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上下導通領域を小さくすることにより基板の小型化或いは画像表示領域の大型化を図ろうとすれば、上下導通自体の信頼性が低下してしまう。或いは、この問題に対し、シール領域を小さくすることにより、基板の小型化或いは画像表示領域の大型化を図ろうとすれば、両基板の貼り合わせの信頼性や基板間のギャップ制御の信頼性が低下してしまう。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、一対の基板を貼り合わせるシール材に係る構成及び一対の基板間の上下導通に係る構成の簡略化を図ることが可能であり且つ該上下導通の信頼性を高めることが可能である電気光学装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の第１及び第２基板間に電気光学物質が挟持されてなり、前記第１及び第２基板間に、平面的に見てそれらの周囲に沿ったシール領域で前記第１及び第２基板を相接着するシール材を備えており、前記第１基板上に、平面的に見て前記シール領域で包囲された画像表示領域に配置された複数の画素電極と、前記第２基板上の対向電極と上下導通するための上下導通パッドとを備えており、前記上下導通パッドは、前記画素電極下の層間絶縁膜と共に平坦化されて、前記対向電極と上下導通していることを特徴とする。
【００１０】
本発明の電気光学装置の一態様は、前記上下導通パッドは、前記シール材に含まれる導電性材料を介して前記対向電極と上下導通することを特徴とする。
【００１１】
本発明の電気光学装置の一態様は、前記上下導通パッドは、前記層間絶縁膜下に配置された対向電極信号線に接続されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の電気光学装置の一態様は、前記対向電極信号線下の層間絶縁膜は、平坦化されていることを特徴とする。
【００１３】
本発明の電気光学装置の一態様は、前記対向電極信号線は、画素電極に対応して設けられた薄膜トランジスタに接続されるデータ線と同一膜で形成されることを特徴とする。
【００１４】
本発明の電気光学装置の製造方法は、前記第１基板上に第１層間絶縁膜を形成し、前記第１層間絶縁膜と前記上下導通パッドを形成し、前記第１層間絶縁膜と前記上下導通パッドの表面を共に平坦化する工程と、前記第２基板上に前記対向電極を形成する工程と、前記第１基板及び前記第２基板を前記シール材により相接着する工程とを含み、前記前記上下導通パッドと前記対向電極とを導通させることを特徴とする。
【００４８】
また、本発明の投射型表示装置は上記課題を解決するために、光源と、本発明の電気光学装置でなるライトバルブと、前記光源から発生した光を前記ライトバルブに導光する導光部材と、前記ライトバルブで変調された光を投射する投射光学部材とを備えることを特徴とする。
【００４９】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００５０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５１】
（電気光学装置の全体構成）
先ず、本発明の実施形態における電気光学装置の全体構成について、図１から図３を参照して説明する。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００５２】
図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。また、図３は、図１に示した各種構成部材のうち、ＴＦＴアレイ基板上に形成された上下導通パッド及びシール材を抽出して示す平面図である。
【００５３】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００５４】
本実施形態では特に、シール材５２は、先ずシール材本来の機能として両基板を貼り合わせるために、例えば熱硬化樹脂、熱及び光硬化樹脂、光硬化樹脂、紫外線硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、加熱、加熱及び光照射、光照射、紫外線照射等により硬化させられたものである。更に、シール材５２は、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるシール領域に設けられた上下導通パッド１０６と対向基板２０上に設けられた対向電極２１の縁部に位置する上下導通部２１ａとの間に挟持されることにより、上下導通材としても機能する。即ち、シール材５２により、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５５】
このようなシール材５２中には、両基板間の間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が混合されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。但し、当該電気光学装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてもよい。そして、本実施形態では特に、ギャップ材は、少なくとも上下導通パッド１０６と上下導通部２１ａとの間に配置されて上下導通材として機能するシール材５２の部分中においては、導電性微粒子からなる。より具体的には、例えばニッケル金メッキが施されたビーズ状或いはファイバー状のＳｉＯ２粒子からなる。このようなシール材５２並びに上下導通パッド１０６の構成及び作用効果については、後に図３から図５及び図７から図１３を参照して詳述する。
【００５６】
図１及び図２において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａを規定する遮光性の額縁５３が対向基板２０側に設けられている。額縁５３はＴＦＴアレイ基板１０側に設けても良いことは言うまでもない。画像表示領域の周辺に広がる周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側部分には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。
【００５７】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００５８】
本実施形態では、額縁５３下にあるＴＦＴアレイ基板１０上の領域に、サンプリング回路３０１が設けられている。サンプリング回路３０１は、画像信号線上の画像信号をデータ線駆動回路１０１から供給されるサンプリング回路駆動信号に応じてサンプリングしてデータ線に供給するように構成されている。
【００５９】
本実施形態では特に、図１及び図３に抜粋して示すように、平面形状が対向基板２０に概ね等しい矩形であるシール材５２の四辺のうち液晶注入口１０８が形成された辺を除く三辺に対向するシール領域に、上下導通パッド１０６が設けられており、伝統的な上下導通パッドと比較して広い面積の上下導通パッドにより、より信頼性の高い上下導通をとることができる。但し、図４に示すように、上下導通パッド１０６’を液晶注入口１０８が形成された辺の両側の二辺に設けてもよいし、或いは、図５に示すように、上下導通パッド１０６”を液晶注入口１０８が形成された辺に対向する一辺に設けてもよい。
【００６０】
尚、このような上下導通パッドは、例えばＡｌ（アルミニウム）膜、Ｃｒ（クロム）等の低抵抗の金属から形成されるが、上下導通材としてのシール材５２と接触する面積が比較的広いため、Ａｌ膜よりも低抵抗の金属或いは非金属の導電性材料から形成することも可能である。
【００６１】
（電気光学装置の回路構成及び動作）
次に以上の如く構成された電気光学装置における回路構成及び動作について図６を参照して説明する。図６は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路と周辺回路とを示すブロック図である。
【００６２】
図６において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９aをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
【００６３】
画像表示領域１０ａ外である周辺領域には、データ線６ａの一端（図６中で下端）が、サンプリング回路３０１の例えばＴＦＴからなる各スイッチング素子のドレインに接続されている。他方、画像信号線１１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリング回路３０１のＴＦＴのソースに接続されている。データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４は、サンプリング回路３０１のＴＦＴのゲートに接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリング回路３０１によりサンプリングされて各データ線６ａに供給されるように構成されている。
【００６４】
このようにデータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００６５】
また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線３ａに並んで、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含むと共に定電位に固定された容量線３００が設けられている。
【００６６】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路３０１等に加えて、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６７】
（シール材及び上下導通パッドの詳細）
次に、図１から図５に示した上下導通材としても機能するシール材５２並びに上下導通パッド１０６の構成及び作用効果について、図７から図９を参照して更に説明を加える。ここに図７は、図２におけるＣ１部分を拡大して示す部分断面図であり、図８は、図２におけるＣ２部分を拡大して示す部分断面図であり、図９は、図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【００６８】
図７において、後述の如く画素部に形成される走査線３ａ、データ線６ａ、ＴＦＴ等を層間絶縁する下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜、第３層間絶縁膜４３及び第４層間絶縁膜４４は、ＴＦＴアレイ基板１０上に積層形成されており、第４層間絶縁膜４４上には、画素電極９ａ及び配向膜１６が形成されている。また第１層間絶縁膜４１上にサンプリング回路３０１（図６参照）が形成され、第２層間絶縁膜４２と第３層間絶縁膜４３との間には、データ線６ａと同一膜（例えば、Ａｌ膜）からなる引き出し配線１１６（図３参照）が形成されサンプリング回路３０１に接続される。他方、対向基板２０上には、額縁５３及び対向電極２１が形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０の最上層たる配向膜１６と対向基板２０の最下層たる配向膜２２との間には、ギャップ材２０１が樹脂２００中に混合されてなるシール材５２が配置されている。
【００６９】
これに対し図８において、ＴＦＴアレイ基板１０の最上層たる上下導通パッド１０６と対向基板２０の最下層たる対向電極２１の縁部からなる上下導通部２１ａとの間には、ギャップ材２０２が樹脂２００中に混合されてなるシール材５２が配置されている。ここで、図７で示したシール領域の場合と異なり、図８に示したシール領域の場合には、ギャップ材２０２が導電性を有し、シール材５２が上下導通材としても機能している。
【００７０】
他方、図７の場合には、ギャップ材２０１に導電性を持たせないことにより、ギャップ材２０１がその下方に積層形成されている引き出し配線１１６まで層間絶縁膜４４及び４３を突き抜けたとしても、これにより引き出し配線１１６等が断線したりショートしたりする可能性を低減できる。
【００７１】
図９に示すように、上下導通パッド１０６は、ＴＦＴアレイ基板１０上の一又は複数の個所で、対向電極２１に対し固定の又は所定周期で反転する対向電極電位信号を供給するための対向電極信号配線１１７（例えば、引き出し配線１１６の場合と同様に、低抵抗のＡｌ膜等からなる配線）に、コンタクトホール１１８を介して接続されている。そして好ましくは、上下導通パッド１０６は、図９に示したように、第４層間絶縁膜４４と共に平坦化されている。このような平坦化処理については、後に製造プロセスのところで更に説明する。
【００７２】
図７から図９に示したように、本実施形態では、シール領域において両基板を相接着するシール材５２のうち、導電性のギャップ材２０２を含むことで導電性材料からなる部分が、上下導通パッド１０６及び上下導通部２１ａ間に配置されて、これらの間における上下導通材として機能する。従って、シール領域中に上下導通領域を含めることができる分だけ、ＴＦＴアレイ基板１０を小型化でき、或いはＴＦＴアレイ基板に対して画像表示領域を大型化できる。逆に、上下導通領域をシール領域とは別に用意する必要がない分だけ、シール領域を大きく確保できる。このため、非常に信頼性高く両基板を貼り合わせられる。更に、シール材５２の少なくとも一部を上下導通材としても機能させることにより、装置構成及びその製造プロセスの簡略化を図れる。
【００７３】
次に、上述した実施形態の各種変形形態について図１０から図１３を参照して説明する。ここに、図１０は、上述した実施形態におけるシール領域のうち上下導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成されていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子を示した図式的断面図であり、図１１から図１３は夫々、変形形態におけるシール領域のうち上下導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成されていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子を示した図式的断面図である。
【００７４】
先ず図１０に示すように、上述した実施形態の場合には、境界領域を挟んで、上下導通パッド１０６が形成された側では、樹脂２００中に導電性のギャップ材２０２が混合されることにより、シール材５２が導電性とされており、上下導通パッド１０６が形成されていない側では、樹脂２００中に電気絶縁性のギャップ材２０１が混合されることにより、シール材５２が電気絶縁性とされている。そして、上下導通パッド１０６は、平坦化されており、これらのギャップ材２０１及び２０２の径は実質的に同一とされている。これらの結果、上述した実施形態によれば、シール材５２に、シール材本来の機能に加えて上下導通材としての機能も与えることができ、同時に基板間ギャップの制御を精度良く行える。
【００７５】
図１１に示した変形形態の場合には、境界領域を挟んで、上下導通パッド１０６が形成された側では、樹脂２００中に導電性のギャップ材２０２が混合されることに加えて、導電性の銀粉２０３が混合されている。これらにより、シール材５２に対し、より良好な導電性を与えることができる。その他の構成については図１から図９に示した実施形態と同様である。
【００７６】
図１２に示した変形形態の場合には、上下導通パッド１０６が平坦化されていないため、シール領域のうち上下導通パッド１０６が形成された領域が、上下導通パッド１０６が形成されていない領域よりも高くされている。従って、仮に同一径のギャップ材をこの境界の両側に混合すると、上下導通パッド１０６上だけでギャップ材が機能する結果となるので、ギャップ制御が不正確になってしまう。しかるに、図１２に示した変形形態の場合には、相対的に高くなっている上下導通パッド１０６上には、小径であり且つ導電性のギャップ材２０２Ｓが混合され、相対的に低くなっている上下導通パッド１０６がないシール領域には、大径であり且つ電気絶縁性のギャップ材２０１Ｌが混合されている。そして好ましくは、小径のギャップ材２０２Ｓの径Ｄ１を、大径のギャップ材２０１Ｌの径Ｄ２よりも、上下導通パッド１０６の高さｈ１の分だけ小さく設定する（即ち、Ｄ１＝Ｄ２−ｈ１に設定する）。これらの結果、図１２に示した変形形態によれば、上下導通パッド１０６に対し平坦化処理を施さなくても、基板間ギャップの制御を精度良く行える。その他の構成については図１から図９に示した実施形態と同様である。
【００７７】
図１３に示した変形形態の場合には、上下導通パッド１０６が平坦化されていないため、シール領域のうち上下導通パッド１０６が形成された領域が、上下導通パッド１０６が形成されていない領域よりも低くされている。従って、仮に同一径のギャップ材をこの境界の両側に混合すると、上下導通パッド１０６が形成されていない領域だけでギャップ材が機能する結果となるので、ギャップ制御の信頼性が低下してしまう。しかるに、図１３に示した変形形態の場合には、相対的に低くなっている上下導通パッド１０６上には、大径であり且つ導電性のギャップ材２０２Ｌが混合され、相対的に高くなっている上下導通パッド１０６が形成されていないシール領域には、小径であり且つ電気絶縁性のギャップ材２０１Ｓが混合されている。そして好ましくは、大径のギャップ材２０２Ｌの径Ｄ３を、小径のギャップ材２０１Ｓの径Ｄ４よりも、上下導通パッド１０６の高さｈ２の分だけ大きく設定する（即ち、Ｄ３＝Ｄ４＋ｈ２に設定する）。これらの結果、図１３に示した変形形態によれば、上下導通パッド１０６に対し平坦化処理を施さなくても、基板間ギャップの制御を精度良く行える。更に図１３に示した変形形態では、基板間ギャップが変化する境界領域には、小径のギャップ材２０１Ｓが混合されたシール材５２が配置されるように構成されており、図１３でも、基板間ギャップが広い上下導通パッド１０６上に、電気絶縁性の小径のギャップ材２０１Ｓが入り込んでいる。このように構成すれば、基板間ギャップが変化する境界領域において、大径のギャップ材２０２Ｌが、基板間ギャップが狭い側に入り込む可能性を低減できる。即ち、大径のギャップ材２０２Ｌが、狭ギャップ個所で局所的に当接することによって、その下の配線が断線又はショートする可能性を低減できる。その他の構成については図１から図９に示した実施形態と同様である。
【００７８】
尚、図１０から図１３に示したように、シール材５２を境界付近で変えることなく、シール材５２をシール領域の全てに渡って同一材料（即ち、同一の導電性のギャップ材、同一の樹脂或いは同一の導電性樹脂等）から形成してもよい。このように構成すれば、シール材５２全体を上下導通材としても機能させることにより、装置構成及びその製造プロセスを簡略化できる。
【００７９】
（電気光学装置の画像表示領域における構成）
次に、本発明の実施形態の電気光学装置の画像表示領域における構成について、図１４及び図１５を参照して説明する。図１４は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図１５は、図１４のＡ−Ａ’断面図である。尚、図１４においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００８０】
図１４において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００８１】
また、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する（特に、本実施形態では、走査線３ａは、当該ゲート電極となる部分において幅広に形成されている）。このように、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａがゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００８２】
図１４及び図１５に示すように、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ（及び画素電極９ａ）に接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。
【００８３】
容量線３００は平面的に見て、走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重なる個所が図１４中上下に突出している。このような容量線３００は好ましくは、膜厚５０ｎｍ程度の導電性のポリシリコン膜等からなる第１膜と、膜厚１５０ｎｍ程度の高融点金属を含む金属シリサイド膜等からなる第２膜とが積層された多層構造を持つように構成される。このように構成すれば、第２膜は、容量線３００或いは蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能の他、ＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能を持つ。
【００８４】
他方、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｂ（鉛）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。
【００８５】
そして、図１４中縦方向に夫々伸びるデータ線６ａと図１４中横方向に夫々伸びる容量線３００とが相交差して形成されること及び格子状に形成された下側遮光膜１１ａにより、各画素の開口領域を規定している。
【００８６】
図１４及び図１５に示すように、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。尚、上述した中継層７１と同一膜からなる中継層を形成して、当該中継層及び２つのコンタクトホールを介してデータ線６ａと高濃度ソース領域１ｄとを電気的に接続してもよい。
【００８７】
また容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域からその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、ＴＦＴ３０を駆動するための走査信号を走査線３ａに供給するための走査線駆動回路や画像信号をデータ線６ａに供給するサンプリング回路を制御するデータ線駆動回路（図１、図３及び図６参照）に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。更に、ＴＦＴ３０の下側に設けられる下側遮光膜１１ａについても、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、容量線３００と同様に、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【００８８】
画素電極９ａは、中継層７１を中継することにより、コンタクトホール８３及び８５を介して半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００８９】
図１４及び図１５において、電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００９０】
図１５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜１６は例えば、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００９１】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電性膜からなる。また配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。
【００９２】
対向基板２０には、格子状又はストライプ状の遮光膜（額縁５３と同じ或いは異なる遮光膜）を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、前述の如く遮光領域を構成する容量線３００及びデータ線６ａと共に当該対向基板２０上の遮光膜により、対向基板２０側からの入射光がチャネル領域１ａ’や低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに侵入するのを、より確実に阻止できる。更に、このような対向基板２０上の遮光膜は、少なくとも入射光が照射される面を高反射な膜で形成することにより、電気光学装置の温度上昇を防ぐ働きをする。
【００９３】
このように構成された、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、シール材５２（図１から図５参照）により囲まれた空間に電気光学物質の一例である液晶が封入され、液晶層５０が形成される。
【００９４】
更に、画素スイッチング用のＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の変化を防止する機能を有する。
【００９５】
図１５において、画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ並びに高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００９６】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００９７】
第１層間絶縁膜４１上には中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が各々開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【００９８】
第２層間絶縁膜４２上にはデータ線６ａが形成されており、これらの上には、中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された平坦化した第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【００９９】
第３層間絶縁膜４３上には、シール領域に上下導通パッド１０６を作り込むための第４層間絶縁膜４４が形成されており、画素電極９ａは、このように構成された第４層間絶縁膜４４の上面に設けられている。
【０１００】
本実施形態では、第３層間絶縁膜４３及び第４層間絶縁膜４４のうち少なくとも一方の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械研磨）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子による段差に起因する液晶層５０における液晶の配向不良を低減する。
【０１０１】
以上説明した実施形態では、図１５に示したように多数の導電層を積層することにより、画素電極９ａの下地面（即ち、第３層間絶縁膜４３の表面）におけるデータ線６ａや走査線３ａに沿った領域に段差が生じるのを、第３層間絶縁膜４３の表面を平坦化することで緩和しているが、これに代えて或いは加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２或いは第３層間絶縁膜４３に溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより平坦化処理を行ってもよいし、第２層間絶縁膜４２の上面の段差をＣＭＰ処理等で研磨することにより、或いは有機ＳＯＧ（Spin On Glass）を用いて平らに形成することにより、当該平坦化処理を行ってもよい。
【０１０２】
尚、以上説明した実施形態では、画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、好ましくは図１５に示したようにＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また本実施形態では、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。
【０１０３】
この画素スイッチング用のＴＦＴ３０と同一工程により、図３におけるデータ線駆動回路１０１、サンプリング回路３０１や走査線駆動回路１０４を構成するＴＦＴを形成することができる。
【０１０４】
（製造プロセス）
次に図１６を参照して、上述した電気光学装置を製造する製造プロセスのうち、上下導通パッドの形成工程及びシール材による貼り合わせ工程を中心として説明を加える。ここに図１６は、図９と同じく図１のＢ−Ｂ’断面に対応する個所の各工程における断面構造を順次示す工程図である。
【０１０５】
先ず図１６の工程（１）では、ＴＦＴアレイ基板１０上に、画像表示領域内で図１４及び図１５に示した如き下側遮光膜１１ａ、半導体層１ａ、走査線３ａ、容量線３００、データ線６ａ等を順次積層形成するのに並行して、これらと同一の導電膜を利用して或いは専用の導電膜から、シール領域におけるＴＦＴアレイ基板１０上に、対向電極信号配線１１７を形成する。より具体的には、ここでは、データ線６ａと同一膜（即ち、例えばＡｌ膜）から対向電極信号配線１１７を形成するものとする（この際、図７に示したシール領域下の引き出し配線１１６も同時に形成可能である）。このような対向電極信号配線１１７（並びにデータ線６ａ及び引き出し配線１１６）の形成は例えば、スパッタリングにより第２層間絶縁膜４２の全面にＡｌ膜を形成後、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によりパターニングすることで行えばよい。他方、第２層間絶縁膜４２や第３層間絶縁膜４３を含む各層間絶縁膜については、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等から形成すればよい。
【０１０６】
次に工程（２）では、第３層間絶縁膜４３に対向電極信号配線１１７と上下導通パッド１０６とを電気的に接続するためのコンタクトホール１１８を、ドライエッチング又はウエットエッチング若しくはこれらの組み合わせにより開孔する。その後、第３層間絶縁膜４３の全面にＡｌ膜等を形成後、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によりパターニングすることで、上下導通パッド１０６を形成する。
【０１０７】
次に工程（３）では、上下導通パッド１０６を含めた第３層間絶縁膜４３の全面に、第２層間絶縁膜４２や第３層間絶縁膜４３と同じく、例えば常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等から第４層間絶縁膜４４の元となる絶縁膜を形成する。特にこの絶縁膜の膜厚は、上下導通パッド１０６よりも厚く設定される。
【０１０８】
次に工程（４）では、上記工程（３）で形成した絶縁膜をＣＭＰ処理により研磨して、上下導通パッド１０６を露出させることにより、上下導通パッド１０６を含めたシール領域の平坦化を行う。より具体的には、例えば研磨プレート上に固定された研磨パッド上に、シリカ粒を含んだ液状のスリラー（化学研磨液）を流しつつ、スピンドルに固定した基板表面を、回転接触させることにより、絶縁膜の表面を研磨する。そして、上下導通パッド１０６が露出した時点で当該ＣＭＰ処理を停止する。例えば、時間管理によりＣＭＰ処理をストップ（停止）する。或いは、例えば上下導通パッド１０６と同様の積層構造を有する適当なストッパ層をＴＦＴアレイ基板１０上の所定位置に形成しておくことによりＣＭＰ処理をストップ（停止）する。尚、ストッパ層の表面の検出は、例えばストッパ層が露出した際の摩擦係数の変化を検出する摩擦検出式、ストッパ層が露出した際に発生する振動を検出する振動検出式、ストッパ層が露出した際の反射光量の変化を検出する光学式により行えばよい。
【０１０９】
次に工程（５）では、ＴＦＴアレイ基板１０については、その画像表示領域に図１４及び図１５に示した如き画素電極９ａ及び配向膜１６が形成される。他方、対向基板２０については、遮光膜５３、対向電極２１、配向膜２２が順次積層形成される。
【０１１０】
そして、上述のように各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材（図１から図５参照）により貼り合わされる。この貼り合わせ直前に、どちらかの基板上にディスペンサにより、硬化前のシール材５２（即ち、ギャップ材２０１又はギャップ材２０２を含む硬化前の樹脂２００）で上下導通パッドを含むシール領域を描いておく。
【０１１１】
この際特に、電気絶縁性のギャップ材２０１を含む硬化前の樹脂２００を出力するディスペンサと、導電性のギャップ材２０２を含む硬化前の樹脂２００を出力するディスペンサとを別々に用意しておき、前者により上下導通パッド１０６を除くシール領域を描き、後者により上下導通パッド１０６を含むシール領域を描くようにすれば、シール材５２のうち上下導通材として機能すべき部分のみに導電性を持たせる構成（図７から図１３参照）が比較的簡単に得られる。
【０１１２】
更に、小径のギャップ材２０１Ｓ又は２０２Ｓを含む硬化前の樹脂２００を出力するディスペンサと、大径のギャップ材２０１Ｌ又は２０２Ｌを含む硬化前の樹脂２００を出力するディスペンサとを別々に用意しておき、前者によりシール領域のうち基板間ギャップが狭い領域を描き、後者によりシール領域のうち基板間ギャップが広い領域を描くようにすれば、上下導通パッド１０６の存在により、シール領域に段差がある場合にも、基板間ギャップを精度良く行える構成（図１２及び図１３参照）が比較的簡単に得られる。
【０１１３】
続いて、シール材５２で両基板を貼り合わせた状態で、（熱硬化性樹脂若しくは熱及び光硬化性樹脂からなる樹脂２００を含んでなる）シール材５２を、熱照射或いは光照射により硬化させる。本実施形態では、上下導通パッド１０６が存在するためＴＦＴアレイ基板１０側から光照射は行い難いため、シール材５２として光硬化性樹脂或いは紫外線硬化性樹脂等を利用すると、対向基板２０側から光照射を行う必要がある。このため、熱硬化性若しくは熱及び光硬化性樹脂からなるシール材５２を用いる方が、上下導通パッド５２の存在によらずに、シール材５２を良好に硬化させることができ観点から有利である（但し、画像表示領域をマスクして光照射することにより、光照射による電気光学物質等の劣化を避けつつ、片側からの十分な光照射により、光硬化性樹脂を硬化させることは可能である）。
【０１１４】
続いて、液晶注入口１０８（図１等参照）を介しての真空吸引等により、両基板間の空間に、例えば複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層が形成される。
【０１１５】
以上説明した本発明の製造プロセスによれば、上述した本発明による電気光学装置を比較的容易に製造できる。この際特に、図１６の工程（５）において、上下導通パッド１０６が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と、上下導通部２１ａを有する対向電極２１が形成された対向基板２０とを、シール材５２により相接着するのと同時に、シール材５２のうち導電性材料からなる部分から、上下導通パッド１０６及び上下導通部２１ａを上下導通する上下導通材を形成できる。しかも、図１６の工程（４）において、シール領域の平坦化を行うので、シール材５２中に混合されたギャップ材２０１及び２０２により基板間ギャップを精度良く制御できる。
【０１１６】
尚、シール領域の平坦化は、上述したＣＭＰ処理に代えて又は加えて、上下導通パッド１０６を、ＴＦＴアレイ基板１０或いは第１から第３層間絶縁膜のいずれかに掘った溝内に埋め込むことにより、行ってもよい。
【０１１７】
尚、図３から図５に示した各種形態における上下導通パッドは、図１６の工程（２）におけるパターニングに若干の変更を加えるだけで形成できるので（即ち他の工程に変更を加えなくても形成できるので）、便利である。
【０１１８】
以上図１から図１６を参照して説明した実施形態では、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated bonding)基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮモード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【０１１９】
（電気光学装置の応用例）
以上説明した各実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用できる。上述した電気光学装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１７は、このプロジェクタの構成を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離されて、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。ここで、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した実施形態に係る電気光学装置と同様であり、画像信号を入力する処理回路（図示省略）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。また、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３および出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。
【０１２０】
さて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム１１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン１１２０には、投射レンズ１１１４によってカラー画像が投射されることとなる。
【０１２１】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、上述したようにカラーフィルタを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像はダイクロイックミラー１１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる表示像を、ライトバルブ１００Ｇによる表示像に対して左右反転させる構成となっている。
【０１２２】
尚、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【０１２３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びその製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】図１に示した各種構成部材のうち、ＴＦＴアレイ基板上に形成された上下導通パッド及びシール材を抽出して示す平面図である。
【図４】本実施形態で採用可能な上下導通パッド及びシール材の他の具体例を図３と同様に示す平面図である。
【図５】本実施形態で採用可能な上下導通パッド及びシール材の他の具体例を図３と同様に示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路及び周辺回路のブロック図である。
【図７】図２のＣ１部分を拡大して示す部分断面図である。
【図８】図２のＣ２部分を拡大して示す部分断面図である。
【図９】図１のＢ−Ｂ’断面図である。
【図１０】本実施形態におけるシール領域のうち上下導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成されていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子を示した図式的断面図である。
【図１１】一の変形形態におけるシール領域のうち上下導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成されていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子を示した図式的断面図である。
【図１２】他の変形形態におけるシール領域のうち上下導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成されていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子を示した図式的断面図である。
【図１３】他の変形形態におけるシール領域のうち上下導通パッドが形成された領域と上下導通パッドが形成されていない領域との境界付近におけるギャップ材の様子を示した図式的断面図である。
【図１４】実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ’断面図である。
【図１６】本実施形態に係る製造プロセスを示す工程図である。
【図１７】プロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
１ａ’…チャネル領域
１ｂ…低濃度ソース領域
１ｃ…低濃度ドレイン領域
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
２…絶縁膜
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…下側遮光膜
１２…下地絶縁膜
１６…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２１ａ…上下導通部
２２…配向膜
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
５２…シール材
７０…蓄積容量
７１…中継層
８１、８３、８５…コンタクトホール
１０１…データ線駆動回路
１０４…走査線駆動回路
１０６、１０６’、１０６”…上下導通パッド
１０８…液晶注入口
１１４…サンプリング回路駆動信号線
１１５…画像信号線
１１６…引き出し配線
１１７…対向電極信号配線
１１８…コンタクトホール
２００…樹脂
２０１、２０１Ｓ、２０１Ｌ…ギャップ材
２０２、２０２Ｓ、２０２Ｌ…ギャップ材
２０３…銀粉
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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