(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
仕切り壁部に囲まれ、かつ仕切られた１画素の領域と、
前記１画素内を複数の小領域に分割する絶縁層よりなる凸部と、
前記凸部上を含む前記仕切り壁部内に形成されたＥＬ層と、を有し、
前記複数の小領域で前記ＥＬ層を個別に発光させることにより前記１画素の領域内に複数の表示領域が形成されてなるＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記小領域は、前記１画素が均等に分割されて形成されていることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記小領域が、発光面積比に基づいて設定されていることを特徴とする請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記複数の小領域は、ＥＬ層と電極とのコンタクト領域からなる請求項１乃至請求項３の何れか１項記載のＥＬ表示装置。
【請求項５】
仕切り壁部で仕切られた１画素の領域と、
前記１画素内に形成された絶縁層よりなる凸部と、
前記凸部上を含む前記仕切り壁部内に形成されたＥＬ層と、を有し、
前記ＥＬ層と電極とのコンタクト領域が前記凸部により複数形成され、各コンタクト領域で前記ＥＬ層を発光させるようにしたＥＬ表示装置。
【請求項６】
インク吐出方式でＥＬ材料を１画素領域となる仕切り壁で囲まれた領域に吐出してなるＥＬ表示装置において、
前記１画素領域内を複数の小領域に分割する絶縁層よりなる凸部を設け、前記凸部上を含む前記仕切り壁内にＥＬ材料を吐出し、前記１画素領域内で前記ＥＬ材料と電極とのコンタクト領域を複数形成し、各コンタクト領域でこのＥＬ材料を発光させるように形成されてなるＥＬ表示装置。
【請求項７】
複数のコンタクト領域の面積が互いに異なるように形成されてなる請求項４乃至６のいずれか１項記載のＥＬ表示装置。
【請求項８】
前記複数のコンタクト領域の面積が、最小面積のコンタクト領域を基準として、その他のコンタクト領域の面積が２n（ｎは０又は正の整数）倍とされたことを特徴とする請求項７記載のＥＬ表示装置。
【請求項９】
前記複数のコンタクト領域に個別に通電できるスイッチング素子が設けられてなる、請求項４乃至請求項８の何れか１項記載のＥＬ表示装置。
【請求項１０】
前記コンタクト領域の形状が、ループ形状であることを特徴とする請求項４乃至請求項８の何れか１項記載のＥＬ表示装置。
【請求項１１】
前記コンタクト領域の形状が、多角形であることを特徴とする請求項４乃至請求項８の何れか１項記載のＥＬ表示装置。
【請求項１２】
前記コンタクト領域の形状が四角形である請求項１１記載のＥＬ表示装置。
【請求項１３】
前記１画素が、正六角形のコンタクト領域をハニカム状に複数集合させた構造をそなえてなる請求項４乃至請求項８の何れか１項記載のＥＬ表示装置。
【請求項１４】
前記コンタクト領域の形状が円形である請求項４乃至請求項８の何れか１項記載のＥＬ表示装置。
【請求項１５】
前記コンタクト領域の形状が波紋状に拡がる円形及びリング形状である請求項４乃至請求項８の何れか１項記載のＥＬ表示装置。
【請求項１６】
前記１画素、それぞれＲ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）の３色を発光するためのＥＬと電極とのコンタクト領域をそなえてなる請求項４乃至請求項８の何れか１項記載のＥＬ表示装置。
【請求項１７】
ＥＬ表示装置の製造方法であって、
複数のスイッチング素子を形成する工程と、
１画素領域に仕切るための凸状の仕切り壁部を形成する工程と、
前記１画素領域を複数の小領域に分割する絶縁層よりなる凸部を形成する工程と、
前記凸部上を含む前記仕切り壁部に囲まれて形成される１画素毎の凹部にＥＬ層を塗膜形成する工程と、
前記複数の小領域毎に前記スイッチング素子とのコンタクト領域を設ける工程と、
前記のＥＬ層に陰極を形成する工程と、からなることを特徴とするＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いてエレクトロルミナッサンス（ＥＬ）素子を発光させるＥＬ（エレクトロルミナッサンス）表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＥＬ素子の電気的特性は、ＥＬの厚さによって大きく変動するので、インク吐出方式（インクジェット方式やバブルジェット方式）のプリンタによってＥＬ層を形成する場合、仕切り壁に仕切られ、かつ囲まれた所定の大きさの凹部にＥＬ材料が入ることが重要である。したがって、凹部の大きさ（内径や底面積等）はインクジェットプロセス条件と密接に関わっている。
【０００３】
ここで、従来、インクジェット方式でＥＬ材料を精度よくパターニングするための段差構造及びその製造方法が提案されている（一例として、特願平８−２４８０８７号公報（国際公開番号ＷＯ９８／１２６８９））。
【０００４】
ＥＬ素子で階調を表現しようとする場合、ＥＬに流れる電流を制御するアナログ方式と、ＥＬ素子をオン／オフ、すなわち全発光／全消灯のみの制御を行うディジタル方式とがある。
【０００５】
ディジタル方式では、１画素内に複数の発光領域を設け、その発光領域に独立して対応する回路を組み合わせることで、発光するＥＬ層の合計の面積を変化させることにより階調を表現するようにしている。これに上記従来技術等に記載のインクジェット方式を組み合わせると、１画素内に複数の発光領域を設けるためには、１画素内（すなわち、凹部）をさらに複数の仕切り壁によって仕切る必要がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
この場合、一般的には、インクジェットプロセスに適した大きさの段差凹部を形成しなければならない。但し、この段差凹部が画素内で占有する面積は大きくならざろう得ないために、階調数を増やそうとして段差部を多くすると、ＥＬの発光領域や回路部が占める面積が小さくなってしまう。
【０００７】
なお、階調表現という目的ではないが、１画素内に主たる発光領域と共に予備の発光領域を設けておき、主たる発光領域が劣化等の原因で使用できなくなった場合に予備の発光領域に切り替えたり、主と予備の発光領域を同時に使用することが考えらる。しかしながら、この場合でも、１画素内にさらに多くの発光領域を形成することは困難である。
【０００８】
そこで、この発明は、１画素内にさらに仕切り壁を形成することなく、１画素内において複数の発光領域を形成することができるＥＬ装置を提供することを目的とする。
【０００９】
さらに、本発明の目的は、ＥＬ層と電極とのコンタクト領域で発光領域を任意に形成できるＥＬ発光装置を提供することである。
【００１０】
本発明のさらに他の目的は、１画素内に複数の発光領域を設けたいとき有効なＥＬ装置の構造を提供することである。
【００１１】
本発明のさらに他の目的は、１画素内において、回路部が占める面積を従来どおりとし、かつ１画素内において独立してオン、オフ可能な複数の発光領域を備えることができるＥＬ表示装置の製造方法を得ることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、仕切り壁部に囲まれ、かつ仕切られた１画素の各領域にＥＬ層が形成されてなるＥＬ表示装置において、前記１画素内に複数の小領域があり、この各小領域で前記ＥＬ層を個別に発光させることにより前記１画素領域内に複数の表示領域が形成されてなることを特徴とする。
【００１３】
ここで、前記小領域は、前記１画素の全面積が均等に分割されて形成されていることを特徴としている。
【００１４】
また、前記小領域が、発光面積比に基づいて設定されていることを特徴としている。
【００１５】
さらに、前記複数の小領域は、ＥＬ層と電極とのコンタクト領域からなることを特徴とする。
【００１６】
第２の発明は、仕切り壁部に囲まれ、かつ仕切られた１画素内にＥＬ層が設けられてなるＥＬ表示装置において、前記１画素の領域内で前記ＥＬ層と電極とのコンタクト領域を複数形成し、各コンタクト領域で前記ＥＬ層を発光させるようにした。
【００１７】
また、第３の発明は、インク吐出方式でＥＬ材料を１画素となる領域毎にパターニングしてなるＥＬ表示装置において、この１画画素の領域内で前記ＥＬ材料と電極とのコンタクト領域を複数形成し、各コンタクト領域でこのＥＬ材料を発光させるように形成している。
【００１８】
ここで、複数のコンタクト領域の面積が互いに異なるように形成されている。
【００１９】
また、前記複数のコンタクト領域の面積が、最小面積のコンタクト領域を基準として、その他のコンタクト領域の面積が２ｎ（ｎは０又は正の整数）倍とされている。
【００２０】
前記複数のコンタクト領域に個別に通電できるスイッチング素子が設けられている。
【００２１】
また、前記コンタクト領域の形状が、ループ形状、多角形（四角形）、並びに正六角形のコンタクト領域をハニカム状に複数集合させた構造や、円形、波紋状に拡がる円形とリング形状であることを特徴としている。
【００２２】
前記１画素の領域が、３個の正三角形であり、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）の３色で１セットとされ、各三角形の１つの頂点が共通とされている、ことを特徴としている。
【００２３】
第４の発明は、ＥＬ表示装置の製造方法であって、１画素に仕切るための凸状の仕切り壁部を形成する工程と、この仕切り壁部に囲まれて形成される１画素毎の凹部にＥＬ層を塗膜形成する工程と、このＥＬ層を複数の領域に分割し、これら複数の領域毎に前記スイッチング素子とのコンタクト領域を設ける工程と、前記のＥＬ層に陰極を形成する工程と、からなることを特徴としている。
【００２４】
本発明によれば、１画素を複数の分割したそれぞれの小領域を独立してオン・オフすることができるため、いわゆるデジタル駆動（オン・オフ制御）により、１画素の発光に階調を持たせることができる。また、例えば、デューティ制御と併用することにより、従来に対して分割数に対応する倍率で階調数を増加させることができる。
【００２５】
１画素の形状が円形で、波紋状に分割することで、各分割領域の発光個所に関わらず光軸が変化せず、違和感のない光源とすることができる。
【００２６】
多角形の場合、無駄のない配置が可能であり、小スペースに画素を増やすことができ、解像度アップにつながる。
【００２７】
例えば、１画素の領域が、正三角形であり、Ｒ（レッド）、Ｇ（グリーン）、Ｂ（ブルー）の３色で１セットとされ、各三角形の１つの頂点が共通とすると、ＲＧＢが均等に配置でき、色むらの発生を防止することができる。
【００２８】
また、前記コンタクト領域を１画素の全面積が均等に分割して形成した場合、例えば通常は一部を使用し、これが劣化したときに残りを使用することにより、実質的に寿命を延ばすことができる。
【００２９】
また、複数のコンタクト領域の最小面積のコンタクト領域を基準として、その他のコンタクト領域の面積を基準に対して２ｎ（ｎは０又は正の整数）倍とすれば、コンタクト領域の様々な組み合わせにより、分割した数以上の光量調整が可能となる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
（ＥＬ表示装置の１画素２分割構造）
図１には、本実施の形態に係るＥＬ表示装置１の回路図であって、この表示装置１は、透明の表示基板上に、複数の走査線１３１（１画素に対して１本）と、これら走査線に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２（１画素に対して２本）と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の共通給電線１３３と、がそれぞれ配線された構成を有すると共に、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素領域素１Ａ（図１の鎖線枠内）が設けられている。ここでの説明の便宜上、１画素内に二つの発光層（表示層）が存在するＥＬ表示装置が例示されている。
【００３１】
信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路３が設けられている。また、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路４が設けられている。
【００３２】
さらに、また、画素領域１Ａの各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ１４２と、このスイッチング薄膜トランジスタ１４２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、該保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ１４３と、このカレント薄膜トランジスタ１４３を介して共通給電線１３３に電気的に接続したときに共通給電線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極１４１と、この画素電極１４１と反射電極１５４との間に挟み込まれる発光素子１４０と、が設けられている。
【００３３】
かかる構成であれば、走査線１３１が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ１４２がオンとなると、その時の信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、カレント薄膜トランジスタ１４３のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ１４３のチャネルを介して、共通給電線１３３から画素電極１４１に電流が流れ、さらに発光素子１４０を通じて反射電極１５４に電流が流れるから、発光素子１４０は、これを流れる電流に応じて発光する。
【００３４】
ここで、各画素領域１Ａは、平面形状が長方形の画素電極（ＥＬ層）１４１配置領域の四辺が、信号線１３２、共通給電線１３３、走査線１３１及び図示しない他の画素電極用の走査線によって囲まれた配置となっている。なお、本実施の形態では、画素電極１４１自体が、長方形や正方形だけでなく、円形や多角形等が適用可能であるが（詳細後述）、ここでは、一般的な構造として長方形での説明とした。
【００３５】
図２（Ａ）乃至（Ｄ）並びに図３（Ａ）乃至（Ｃ）は、画素領域１Ａの製造過程を順次示す断面図であり、製造工程順に示している。
【００３６】
まず、図２（Ａ）に示すように、透明の表示基板１２１に対して、必要に応じて、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により厚さが約２０００〜５０００オングストロームのシリコン酸化膜からなる下地保護膜１２１Ａを形成する。次いで、表示基板１２１の温度を約３５０℃に設定して、下地保護膜１２１Ａの表面にプラズマＣＶＤ法により厚さが約３００〜７００オングストロームのアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜２００を形成する。
【００３７】
次にアモルファスのシリコン膜からなる半導体膜２００に対して、レーザアニール又は固相成長法などの結晶化工程を行い、半導体膜２００をポリシリコン膜に結晶化する。
【００３８】
レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザビームの長寸が４００mmのラインビームを用い、その出力強度はたとえば２００ｍＪ／ｃｍ２である。ラインビームについてはその短寸方向におけるレーザ強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。
【００３９】
次いで、図２（Ｂ）に示すように、半等体膜２００をパターニングして島状の半導体膜２１０とし、その表面に対して、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなとを原料ガスとしてプラズマＣＶＤ法により厚さが約６００〜１５００オングストロームのシリコン酸化膜または窒素膜からなるゲート絶縁膜２２０を形成する（図２（Ｃ）参照）。
【００４０】
次いで、図２（Ｃ）に示すように、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属膜からなる導電膜をスパッタ法により形成した後、パターニングし、ゲート電極１４３Ａを形成する。この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、シリコン薄膜２１０に、ゲート電極１４３Ａに対して自己整合的にソース・ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂを形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなる。
【００４１】
次いで、図２（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜２３０を形成した後、ソース又はドレイン領域へのコンタクトホール２３２、２３４を形成し、それらコンタクトホール２３２、２３４内に中継電極２３６、２３８を埋め込む（図３（Ａ）参照）。
【００４２】
そして、図３（Ｂ）に示される如く、各配線の上面をも覆うように、層間絶縁膜２４０を形成し、中継電極２３６に対応する位置にコンタクトホール２４２を形成し、そのコンタクトホール２４２内にも埋め込まれるようにＩＴＯ膜２３７を敷設し、そのＩＴＯ膜２３７をパターニングして、画素電極１４１を形成する。
【００４３】
ここで、絶縁層（アモルファスシリコン）２３９を１画素の中央に凸部が形成されるように形成し、かつその上層をポリイミド２５１によって１画素を仕切る仕切り壁部１１１を形成する。
【００４４】
次いで、図３（Ｃ）に示すように、表示基板１２１の上面を上に向けた状態で、インクジェット方式により、発光素子１４０の上層部分に当たる有機半導体膜を形成するための液状（溶媒に溶かされた溶液状）の光学材料（ＥＬ）１１４を吐出し、これを仕切り壁部１１１で囲まれた領域内（所定位置）に選択的に塗布する。インクジェット方式の具体的な内容は、例えば、特開昭５６−１３１８４号公報や特開平２−１６７７５１号合公報に記載されている。
【００４５】
この後、熱処理を行うと、仕切部材に囲まれた１画素の領域の底面に層状のＥＬ発光層１１４が形成される。画素中央領域にはＥＬ層が電極１４１と接触するのとを防ぐ段差２３９が存在している。したがって、この実施形態では、１画素内にＥＬ層と電極とのコンタクト領域が互いに離れて２カ所形成されている。この段差部の数や形状（パターン）が適宜変更されることにより、このコンタクト領域の数や形状を後述のように所定のものに変更可能である。各コンタクト領域に対するスイッチング素子（ＴＦＴ）を設けることにより、各コンタクト領域に個別に通電することができる。なお、バブルジェット方式によってインクを吐出する方式がインクジェット方式に代えて、ここでの製造工程に適用可能である。
【００４６】
本実施の形態における特徴的構成
図４には、製品として仕上がったＥＬ表示装置１の１画素の断面図が示されている。ＥＬ発光層１１４には、陰極であるアルミニウム電極が積層されている。この１画素は、複数の発光部（コンタクト領域）３００を備えて構成されている。ＥＬ層と透明電極とのコンタクト領域を複数形成する上で、既述の段差２３９を利用することが好適である。１画素内にある複数の電極が互いに離間していれば、画素内にＥＬ層を積層したときに、電極に接しない領域をＥＬ層に形成することは可能である。しかしながら、段差を設けることにより、この部分でＥＬ層が電極からある程度の距離をもって離れることになるために、電極に接しない領域のＥＬ層が発光してしまうのを防止することができる。したがって、段差部の幅及び高さの好適な数値範囲は、次のとおりである。
【００４７】
従来技術で説明したように、インクジェット方式でＥＬ材料を１画素内に吐出するときの画素の大きさ、すなわち、画素周りの土手のサイズには自ずと制限があるのに対して、この実施形態のように、１画素内で透明電極をパターニングし、このパターンにＥＬ層を積層する場合には、このような制限はなく、１画素内に所望のサイズや形状や数のコンタクト領域すなわちＥＬの表示領域を形成することができる。
【００４８】
複数の発光部３００は、ＥＬ層１４１が１０００オングストロームと非常に薄いため、１つのコンタクト領域に電流が流れると、そのコンタクト領域のみで電荷の注入及び再結合が発生し、独立して発光することができる。
【００４９】
第２の実施の形態
以下、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００５０】
第２の実施の形態の特徴は、図５に示される如く、１画素内において２個の凸部３０２を形成した点にある。この結果、３個の発光部３００が存在する。この場合、中央に位置する発光部３００は、図５では両サイドに位置するスイッチング素子（ＩＴＯ膜２３７が導通されるべき中継電極を含む）が図示されていないが、別の切断面において両サイドのスイッチング素子と同等の構成が形成されている。従って、３個の発光部３００をそれぞれ独立して発光させることができる。
【００５１】
上記第１の実施の形態によれば、１画素を２個の発光部３００に分割することが可能であり、さらに第２の実施の形態によれば、３個の発光部３００に分割することが可能であるため、従来技術において１画素内の発光部３００を所望の数に分割することができる。
【００５２】
第１の実施例
図６には、ＥＬ表示装置の１画素の平面図（図６（Ａ））と一部断面図（図６（Ｂ）が示されている。画素電極が同心円形であり、かつ画素電極間の凸部３０２が画素電極と同様に同心円形状に形成されている結果、中心部の円形の発光部３００ＣＩＲＣＬＥ（１個）と、ドーナツ状の複数の発光部３００ＲＩＮＧ（４個）とに分割されている。すなわち、発光部３００ＣＩＲＣＬＥ、３００ＲＩＮＧの中央から順番に発光エリアＡ乃至Ｅが存在する。
【００５３】
凸部３０２は、発光エリアＡ乃至Ｅの面積ＳＡ乃至ＳＥの比が２ｎに比例するように、形成されている。
【００５４】
ＳＡ：ＳＢ：ＳＣ：ＳＤ：ＳＥ＝１：２：４：８：１６…（１）
ここで、それぞれの発光部３００ＣＩＲＣＬＥ、３００ＲＩＮＧが独立にオン・オフ（デューティ１００％）することができるため、それぞれが２通り（オン・オフ）かつ面積がすべて異なるので、２５通り（６４通り）の階調を表現することができる。また、円形の場合、角部が存在しないため、エッジの影響が少なく、シェーディングも起こり難く、また、中心の周りに均等に発光するため、光の偏りも少ない。
【００５５】
図７（Ａ）に示される如く、コンタクト領域の面積比を（１）式にするべく、従来の矩形の１画素をマトリクス状に３１分割した１つを１単位とし、この１単位を占める発光部３００、２単位を占める発光部３００、４単位を占める発光部３００、８単位を占める発光部３００、及び１６単位を占める発光部３００に分割するようにしてもよい。この図７（Ａ）に示すような分割形状であれば、各発光部３００は必ず１画素の周縁に直接接しているため、配線が容易となる。
【００５６】
円形画素の配列は、マトリクス状でなくてもよく、例えば、図８に示されるような千鳥状に配列するようにしてもよい。また、画素電極１４１の分割数は上記５分割に限らず、２以上の分割数の何れであってもよい。例えば、図７（Ｂ）に示すように、４分割で面積比が（１）式に相当する関係とすることもできる。なお、この場合、面積比は、小さい面積から順に１：２：４：８となる。
【００５７】
この図７（Ｂ）の分割形態は、図７（Ａ）の変形であり、各発光部３００が１画素の周縁に直接接していることを条件としているため、各発光部３００への配線も簡単である。
【００５８】
図９には、本実施の形態に係る他の実施例が示されている。この実施例における特徴は、画素電極１４１を正三角形としている点と、フルカラー対応の光源として三画素で構成される１セットが、均等配列されている点にある。
【００５９】
すなわち、三個の画素電極１４１が共通の頂点を持ち、互いにこの頂点周りに均等に（１２０°間隔）に配置されている。各画素電極１４１は、それぞれがＲＧＢの各色に対応している。
【００６０】
画素電極１４１は、前記共通する頂点に対する底辺が平行に複数あり、この底辺が凸部３０２を形成し、この結果、複数の発光部３００が設けられる。従って、この発光部３００は、頂点に最も近い領域が正三角形の発光部３００ＴＡ（１個）であり、その他が台形の発光部３００ＴＰ（２個）となっている。なお、この第２実施例では、発光部３００ＴＡ、３００ＴＰの共通の頂点から順番に発光エリアＡ乃至Ｃになる。
【００６１】
前記凸部３０２は、前記発光エリアＡ乃至Ｅの面積ＳＡ乃至ＳＣの比が２ｎに比例するように、作られている。
【００６２】
ＳＡ：ＳＢ：ＳＣ＝１：２：４…（２ｎ）
ここで、それぞれの発光部３００ＴＡ、３００ＴＰが独立にオン・オフ（デューティ１００％）できるため、それぞれが２通り（オン・オフ）かつ面積がすべて異なるので、２３通り（８通り）の階調を表現することができる。
【００６３】
図１０に示される如く、画素電極１４１が市松模様と同等の配置をもったＥＬ発光素子光源が提供される。このような配列により、各画素電極１４１の３つの頂点がそれぞれ異なる組み合わせにおける共通の頂点となり得るため、３色が均等に振り分けられ、各頂点を擬似的な画素中心とすることができ、解像度を向上することができる。
【００６４】
なお、上記第１及び第２の実施例は、画素電極１４１の形状の凡例を示したものであり、４角形以上の多角形であってもよいし、楕円形であってもよい。図１１（Ａ）乃至（Ｅ）にその一例を示す。図１１（Ａ）は円形の画素電極１４１を均等に３分割した場合、（Ｂ）は円形の画素電極１４１を面積比で２ｎに比例するように分割した場合、（Ｃ）は円形の画素電極１４１の中に円形の複数の発光部３００を設けた場合、（Ｄ）は正方形の画素電極１４１を均等に４分割（各発光部３００が三角形）した場合、（Ｅ）は正六角形の画素電極１４１を均等に６分割（発光部が３００が正三角形）した場合を示している。また、発光部の分割数も限定されるものではなく、配線領域との兼ね合いで２分割以上であれば従来の階調よりも多く表現するという、本発明の目的を達成することができる。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明した如く本発明に係るＥＬ発光表示装置及びその製造方法によれば、１画素内複数の表示領域を持つＥＬ表示装置を提供することができる。
【００６６】
１画素内でＥＬ材料と電極とのコンタクト領域を任意に設定することにより、１画素内で複数の表示領域を形成できるとともに、表示領域のパターンを任意に形成することが可能となる。
【００６７】
本発明によれば、１画素内に複数の発光領域を形成したために面積階調表示が可能なＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係るＥＬ表示装置の一部を示す回路図である。
【図２】製造工程の流れを示す断面図（その１）である。
【図３】製造工程の流れを示す断面図（その２）である。
【図４】本発明の特徴である画素領域が２分割された構造を示す断面図である。
【図５】本発明の特徴である画素領域が３分割された構造を示す断面図である。
【図６】（Ａ）は第１の実施例に係る画素形状（円形）の平面図、（Ｂ）は図７（Ａ）の断面図である。
【図７】（Ａ）及び（Ｂ）は第１の実施例の変形例に係る画素形状（矩形）の平面図である。
【図８】図６で説明した円形及びリング形状画素の配列形態を示す平面図である。
【図９】第２の実施例に係る画素形状（三角形）の平面図である。
【図１０】図９で示した画素の配列形態を示す平面図である。
【図１１】本実施の形態に係るＥＬ表示装置の画素電極の変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
１Ａ    画素領域
１    ＥＬ表示装置
３    データ側動回路
４    走査側駆動回路
１１１    段差部
１１４    ＥＬ
１２１    表示基板
１４０    発光素子
３００    発光部
３０２    凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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