(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
無電解金めっき表面の欠陥を検出する金めっき欠陥検査装置において、
（１）波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの光を出射する光源装置と、
（２）前記光源装置からの光が、検査対象物の表面に垂直な方向から１５°〜２５°の範囲の照射角度から検査対象物に照射されるようにする投光角度規制装置と、
（３）検査対象物を撮像するために、その表面に垂直な方向に設置された撮像装置と、
（４）前記撮像装置によって検査対象物を撮像することによって得られた撮像画像内の各画素の濃度が撮像画像の平均濃度を基準として設定された濃度範囲内に含まれない場合に当該画素を欠陥画素として２値化処理を行い、２値化処理後に１又は複数の各欠陥画素からラベリング処理によって欠陥領域候補を形成し、ラベリング処理によって得られた欠陥領域候補が予め設定された面積しきい値よりも大きい面積を有する場合に当該欠陥領域候補を欠陥領域であると判定する小欠陥検査部と、
（５）前記撮像画像によって検査対象物を撮像することによって得られた撮像画像をより解像度の低い低解像度画像に変換し、変換された低解像度画像内の各画素の濃度が低解像度画像の平均濃度を基準として設定された濃度範囲内に含まれない場合に当該画素を欠陥画素として２値化処理を行い、２値化処理後に１又は複数の各欠陥画素からラベリング処理によって欠陥領域候補を形成し、ラベリング処理によって得られた欠陥領域候補が予め設定された面積しきい値よりも大きい面積を有する場合に当該欠陥領域候補を欠陥領域であると判定する大欠陥検査部とを具備していることを特徴とする金めっき欠陥検査装置。
【請求項２】
前記大欠陥検査部が、
前記撮像装置によって検査対象物を撮像することによって得られた撮像画像内の各画素の濃度が撮像画像の平均濃度を基準として設定された濃度範囲内に含まれない場合に当該画素を欠陥画素として２値化処理を行う２値化部と、
２値化処理後にラベリング処理によって１又は複数の各欠陥画素から欠陥領域候補を形成するラベリング部と、
前記ラベリング部でのラベリング処理によって得られた複数の欠陥領域候補が互いに近接している場合には当該複数の欠陥領域候補を１つの欠陥領域候補に結合する結合処理部と、
前記結合処理部で結合された欠陥領域候補が予め設定された面積しきい値よりも大きい面積を有する場合に当該欠陥領域候補を欠陥領域であると判定する面積判定部とを具備していることを特徴とする請求項１に記載の金めっき欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無電解金めっき表面の欠陥を検出する金めっき欠陥検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プリント基板等の表面にできた傷、異物、打痕、汚れ等の欠陥を検出する装置として、検査対象物を撮像することによって得られた撮像画像を所定のしきい値で２値化し、２値化画像をラベリング処理した領域が所定の面積しきい値以上を有する場合にその領域を欠陥であると判定する技術が知られている。例えば、特開２０００−２５８３５３号公報には、
（１）撮像画像内の局所領域内の濃度データを取り出す。
（２）濃度データの平均濃度Ｄ（Ｘ、Ｙ）を算出する。
（３）局所領域内の各画素について、その濃度データｄ（ｘ、ｙ）が式（１）を満たさない場合は、その画素が欠陥画素であると判断し、欠陥画素を特定するための２値化処理に供する。ここで、ａ、ｂは、図１２に示すように、各局所領域における平均濃度Ｄ（Ｘ、Ｙ）を基準とする所定の濃度幅の設定に用いられる濃度しきい値（％）である。
（１−ａ／１００）×Ｄ（Ｘ、Ｙ）≦ｄ（ｘ、ｙ）≦（１＋ｂ／１００）×Ｄ（Ｘ、Ｙ）    式（１）
（４）２値化画像の各画素に対しラベリング処理を施し、予め設定した面積しきい値以上を有するラベル領域（欠陥領域候補）を欠陥領域であると判定する。通常、画素は数画素〜数１００画素のまとまりで欠陥となることが多いが、その同一の欠陥画素のまとまりに同一のラベルを付与し、上記欠陥画素のまとまり毎の判別ができるようにする処理がここでのラベリング処理である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
近年プリント基板などを製造するために電解金めっきに代わって行われるようになってきた無電解金めっきでは、小さい粒子で薄いめっき層が形成されるために、傷、汚れ、色むら等の欠陥部であるか正常部であるかにかかわらず、下地形状がめっき表面にそのまま現れやすい。そのため、無電解金めっき基板の表面には、下地基板の研磨傷に起因した微小な凹凸が存在することが多い。従って、無電解金めっき基板の画像を撮像すると、基板表面の微小な凹凸のために、電解金めっき基板と比較して、撮像画像の濃度に大きなばらつきが生じる。
【０００４】
電解金めっき基板の場合について、局所領域における撮像画像の濃度ヒストグラムを図示すると、図１３（ａ）のようになる。一方、無電解金めっき基板の場合について、局所領域における撮像画像の濃度ヒストグラムを図示すると、図１３（ｂ）のようになる。図１３（ａ）から明らかなように、電解金めっきでは濃度ばらつきが小さいため、濃度しきい値ａ、ｂを適切に設定すれば、欠陥信号のみ検出することが可能である。しかしながら、無電解金めっきでは、図１３（ｂ）から明らかなように、濃度のばらつきが大きいため、欠陥信号は正常部の濃度ばらつきの中にうずもれてしまい、正常部を過検出することなく欠陥信号のみを検出することは困難である。
【０００５】
金めっき表面の欠陥には、傷、汚れ、色むら、金未着、異物付着などの複数種類の欠陥部が存在する。これら複数種類の欠陥は、正常部との濃度差及び欠陥面積の観点から、大きく２種類に分けられる。すなわち、正常部との濃度差が大きく且つ欠陥面積が小さい傷、金未着などの欠陥（図１４（ａ）参照）と、正常部との濃度差が小さく且つ欠陥面積が大きい汚れ、色むらなどの変色欠陥（図１４（ｂ）参照）とである。
【０００６】
ここで、汚れや色むら等の変色欠陥は正常部との濃度差が小さいため、変色欠陥を検出するには、濃度しきい値を正常部の平均濃度に近づける必要がある。しかしながら、無電解金めっき基板では、正常部の濃度ばらつきが大きいため、過検出を増やさないように濃度しきい値を設定した場合、図１４（ｂ）に示すように、欠陥領域として検出されるべき領域が細切れ状態になる。このように検出領域が細切れになり個々の面積が小さくなると、面積しきい値を用いての欠陥判定によって変色欠陥を検出することができなくなるという問題がある。
【０００７】
以上のように、従来技術の検査装置にて、無電解金めっき基板を対象に検査した場合、
（１）基板表面の微小凹凸のため、正常部の濃度ばらつきが大きく、欠陥信号が正常部の濃度ばらつき内に埋もれてしまい、適切な濃度しきい値を設定することができない。
（２）特に、汚れや色むら等の変色欠陥は、正常部と濃度差が小さいため、（１）の問題が顕著となる。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、無電解金めっき基板の欠陥を、正常部を過検出することなく精度よく検出することができる金めっき欠陥検査装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１の金めっき欠陥検査装置は、（１）波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの光を出射する光源装置と、（２）前記光源装置からの光が、検査対象物の表面に垂直な方向から１５°〜２５°の範囲の照射角度から検査対象物に照射されるようにする投光角度規制装置と、（３）検査対象物を撮像するために、その表面に垂直な方向に設置された撮像装置と、（４）前記撮像装置によって検査対象物を撮像することによって得られた撮像画像内の各画素の濃度が撮像画像の平均濃度を基準として設定された濃度範囲内に含まれない場合に当該画素を欠陥画素として２値化処理を行い、２値化処理後に１又は複数の各欠陥画素からラベリング処理によって欠陥領域候補を形成し、ラベリング処理によって得られた欠陥領域候補が予め設定された面積しきい値よりも大きい面積を有する場合に当該欠陥領域候補を欠陥領域であると判定する小欠陥検査部と、（５）前記撮像装置によって検査対象物を撮像することによって得られた撮像画像をより解像度の低い低解像度画像に変換し、変換された低解像度画像内の各画素の濃度が低解像度画像の平均濃度を基準として設定された濃度範囲内に含まれない場合に当該画素を欠陥画素として２値化処理を行い、２値化処理後に１又は複数の各欠陥画素からラベリング処理によって欠陥領域候補を形成し、ラベリング処理によって得られた欠陥領域候補が予め設定された面積しきい値よりも大きい面積を有する場合に当該欠陥領域候補を欠陥領域であると判定する大欠陥検査部とを具備している。
【００１０】
請求項１によると、光源装置から出射される光の波長が４００ｎｍ〜６００ｎｍの波長域に限定されているために、欠陥濃度レベルと良品濃度レベルとのＳ／Ｎを向上させることが可能となる。また、投光角度規制装置によって光の照射角度が検査対象物の表面に垂直な方向から１５°〜２５°の範囲に限定されているために、良品濃度のばらつきを低減することが可能になる。また、傷、金未着などの欠陥を小欠陥検査部によって検出可能であると共に、撮像画像をより解像度の低い低解像度画像に変換することによって欠陥領域として検出されるべき欠陥領域候補が細切れ状態になることを防止しつつ欠陥検出を行う大欠陥検査部によって、正常部を過検出することなく、汚れ、色むらなどの変色欠陥を高い信頼性で検出可能となる。
【００１１】
また、請求項２の金めっき欠陥検査装置は、前記撮像装置によって検査対象物を撮像することによって得られた撮像画像内の各画素の濃度が撮像画像の平均濃度を基準として設定された濃度範囲内に含まれない場合に当該画素を欠陥画素として２値化処理を行う２値化部と、２値化処理後にラベリング処理によって１又は複数の各欠陥画素から欠陥領域候補を形成するラベリング部と、前記ラベリング部でのラベリング処理によって得られた複数の欠陥領域候補が互いに近接している場合には当該複数の欠陥領域候補を１つの欠陥領域候補に結合する結合処理部と、前記結合処理部で結合された欠陥領域候補が予め設定された面積しきい値よりも大きい面積を有する場合に当該欠陥領域候補を欠陥領域であると判定する面積判定部とを具備していることを特徴としている。
【００１２】
請求項２によると、正常部との濃度差が小さい変色欠陥が細切れに複数の小さな欠陥領域候補としてラベリングされた場合であっても、それらの欠陥領域候補は互いに近接しているために１つの欠陥領域候補に結合させられるので、正常部を過検出することなく、変色欠陥を高い信頼性で検出することが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な一実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１４】
図１に、本実施の形態による金めっき欠陥検査装置のブロック図を示す。図１に示す金めっき欠陥検査装置１は、光を出射する光源装置２と、光源装置２で出射された光の検査対象物６への投光角度を規制する投光角度規制装置３と、検査対象物６を撮像するための撮像装置４と、撮像装置４によって得られた撮像画像に基づいて検査対象物６の欠陥を検出するための欠陥検査部５とを有している。以下、これら各部について順次説明する。
【００１５】
（光源装置）
光源装置２は、波長４００〜６００ｎｍの光を出射する。光源装置２としてハロゲン光源などの白色光源を用いた場合、特に汚れや色むらなどの変色欠陥は正常部とのＳ／Ｎが低くなる。図２に示すように、実験によると、汚れや色むらなどの変色欠陥での反射率は、赤色領域である６００ｎｍ〜７００ｎｍ波長域に対しては正常部とほぼ同じであるが、緑や青にかけての４００ｎｍ〜６００ｎｍ波長域に対しては金めっき正常部よりも低下する。従って、この波長域の光を出射する光源装置２を用いることにより、白色光源を用いる場合と比較してＳ／Ｎが向上する。
【００１６】
その具体的な実現方法として、撮像装置４の撮像素子として、４００〜６００ｎｍ波長域において受光感度が高いものを用いる（図３（ａ）参照）と共に、光源装置２として、白色光源にブルー透過フィルタとグリーン透過フィルタを装着したもの、または、白色光源にシアンフィルタ（図３（ｂ）参照）を装着したもの、または、白色光源にレッド反射フィルタを装着したものを用いる。なお、撮像装置４のカメラのレンズにフィルタを装着しても良い。
【００１７】
（投光角度規制装置）
本実施の形態の金めっき欠陥検査装置１では、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、検査対象物６の表面に垂直な方向からの照明入射角度をθとしたとき、光ファイバを介して光源装置２と接続された投光角度規制装置３が、θ＝１５°〜２５°に限定した照明光を鉛直軸回り３６０度から検査対象物６に照射する。図５は、サンプル１からサンプル５までの５つのサンプルについて、横軸を入射角度θ、縦軸を撮像画像内における金めっき正常部の濃度ばらつきとした実験結果を示している（検査対象物の表面に垂直な方向に撮像装置を配置して波長４００ｎｍ〜６００ｎｍの光を照射した）。ここで、濃度ばらつきは、
濃度ばらつき＝３×σ／ｍ×１００  [ ％ ]
（σ：局所領域内の濃度分布の分散値、ｍ：局所領域内の平均濃度）
で表される。図５に示すように入射角度θが１５度から２５度のときに濃度ばらつきが小さくなることが判る。
【００１８】
投光角度規制装置３としては、図６（ａ）に示すように、上記した所定の入射角度になるように出射角度や設置高さが調整されたリング照明（例えば、多数の光ファイバをその各端面が検査対象物６の方向を向くようにリング状に配列したもの、この場合、光ファイバの各端面がいわば点光源として検査対象物６に光を出射する）１１を用いてもよいし、或いは、図６（ｂ）に示すように、上記した所定の入射角度になるように出射角度や設置高さが調整された１または複数のスポット照明（例えば、それぞれが１または複数の光ファイバの束）１２を用いてもよい。なお、光源装置２と投光角度規制装置３とは必ずしも図１に示したようなものである必要はなく、例えば投光角度規制装置が光源装置を支えるような構造となっており、投光角度規制装置によって、光源装置が、検査対象物の表面に垂直な方向から１５°〜２５°の範囲の照射角度から検査対象物に光を照射するように支持されていてもよい。
【００１９】
（撮像装置）
検査対象物６の表面に垂直な方向（鉛直軸）には、ＣＣＤイメージセンサなどの撮像素子を備えたエリアカメラもしくはラインカメラである撮像装置４が設置されている。投光角度規制装置３で規制された角度にて検査対象物６に光源装置２からの光を照射した状態で、撮像装置４によって検査対象物６を撮像して画像を取得する。撮像装置４がラインカメラの場合は、その撮像素子の配列方向と直交方向に検査対象物６を搬送しつつ連続撮像することにより２次元画像を得ることができる。
【００２０】
（欠陥検査部）
図７は、欠陥検査部５のブロック図である。図７に示すように、撮像装置４で検査対象物６を撮像することによって得られた画像（濃淡画像）は、欠陥検査部５の小欠陥検査部５１及び大欠陥検査部５２にそれぞれ供給される。
【００２１】
小欠陥検査部５１は、上述した特開２０００−２５８３５３号公報に記載されているのと同様に、撮像装置４で得られた高解像度画像をそのまま用い、高解像度画像を構成する各画素が濃度しきい値で設定された所定の濃度範囲内にあるかどうかを判定してから２値化処理を行い、ラベリング処理によって複数の画素の集合である欠陥領域候補を形成し、欠陥領域候補の面積が所定の面積しきい値よりも大きい場合にその欠陥領域候補を欠陥領域であると判断する。小欠陥検査部５１では、比較的面積が小さく、正常部との濃度差が大きい欠陥（傷、金未着などの欠陥）を高い精度で検出することを目的として検査を実施するので、あらかじめ、面積が小さく、正常部との濃度差が大きい欠陥に適した濃度しきい値及び面積しきい値が設定されている。
【００２２】
大欠陥検査部５２は、撮像装置４で得られた高解像度画像を低解像度画像に変換する低解像度変換部５２ａと、低解像度変換部５２ａで得られた低解像度画像を用いて小欠陥検査部５１と同様のステップを経て欠陥を検出する低解像度画像検査部５２ｂとを含んでいる。大欠陥検査部５２では、比較的面積が大きく、正常部との濃度差が小さい欠陥（汚れ、色むらなどの変色欠陥）を検出することを目的として検査を実施するので、あらかじめ、面積が大きく、正常部との濃度差が小さい欠陥に適した濃度しきい値及び面積しきい値が設定されている。
【００２３】
低解像度変換部５２ａは、撮像画像に平滑化フィルタやローパスフィルタを適用し、低解像度画像を作成する。この低解像度変換により、図８（ａ）に示すような濃度ばらつきの大きい画像が、図８（ｂ）に示すような濃度ばらつきの小さい画像となる。低解像度変換部５２ａは撮像画像よりも画像データサイズが小さい低解像度画像を形成するので、次の処理である低解像度画像検査部５２ｂでの処理時間が短縮されるという利点がある。
【００２４】
低解像度画像検査部５２ｂは、低解像度変換部５２ａで作成された低解像度画像を用いて、小欠陥検査部５１と同様のステップを経て欠陥を検出する。低解像度画像検査部５２ｂで検査される画像は低解像度変換を施された低解像度画像であるため、図８（ｂ）に示すように、高周波の濃度ばらつきが低減されたものとなって、正常部と欠陥部とが濃度に応じて分離されたものとなる。従って、濃度しきい値ａ、ｂを適切に設定することによって、汚れや色むらなどの変色欠陥に対しても欠陥領域候補が細切れ状態になることなく大きな欠陥部として検出が可能であって、正常部を過検出することなく、汚れ、色むらなどの変色欠陥を高い信頼性で検出可能となる。
【００２５】
次に、本発明の第２の実施の形態による金めっき欠陥検査装置について、図９〜図１１をさらに参照して説明する。なお、本実施の形態の金めっき欠陥検査装置は、欠陥検査部のみが第１の実施の形態のものと相違するものであるため、ここでは光源装置などについての説明を省略し、欠陥検査部について説明する。図９は、本実施の形態による金めっき欠陥検査装置に含まれる欠陥検査部８のブロック図である。図９に示すように、撮像装置４で検査対象物６を撮像することによって得られた画像（濃淡画像）は、欠陥検査部８の小欠陥検査部８１及び大欠陥検査部８２にそれぞれ供給される。
【００２６】
小欠陥検査部８１は、上述した第１の実施の形態の小欠陥検査部５１と同様に、撮像装置４で得られた高解像度画像をそのまま用い、高解像度画像を構成する各画素が濃度しきい値で設定された所定の濃度範囲内にあるかどうかを判定してから２値化処理を行い、ラベリング処理によって複数の画素の集合である欠陥領域候補を形成し、欠陥領域候補の面積が所定の面積しきい値よりも大きい場合にその欠陥領域候補を欠陥領域であると判断することによって、傷、金未着などの欠陥を高い精度で検出するものである。
【００２７】
大欠陥検査部８２は、撮像装置４によって検査対象物６を撮像することによって得られた撮像画像内の各画素の濃度が撮像画像の平均濃度を基準として設定された濃度範囲内に含まれない場合に当該画素を欠陥画素として２値化処理を行う２値化部８２ａと、２値化処理後にラベリング処理によって１又は複数の各欠陥画素から欠陥領域候補を形成するラベリング部８２ｂと、ラベリング部８２ｂでのラベリング処理によって得られた複数の欠陥領域候補が互いに近接している場合には当該複数の欠陥領域候補を１つの欠陥領域候補に結合する結合処理部８２ｃと、結合処理部８２ｃで結合された欠陥領域候補が予め設定された面積しきい値よりも大きい面積を有する場合に当該欠陥領域候補を欠陥領域であると判定する面積判定部８２ｄとを有している。
【００２８】
大欠陥検査部８２に含まれる各部８２ａ〜８２ｄのうち、２値化部８２ａ及びラベリング部８２ｂは、上述の小欠陥検査部８１の対応部分と同様の処理を行う。結合処理部８２ｃは、ラベリングによって得られた領域（欠陥領域候補）群のうち互いの距離が近いものを同じ領域として１つの領域にまとめる処理を行う。結合処理の具体例として、以下の３例を説明する。
【００２９】
◎結合処理例その１
（１）ラベリングによって得られた欠陥領域候補群をＮ回（Ｎは自然数）膨張させる。ここで、膨張とは、ある２値化された画像内のオフ画素の隣接画素にオン画素がある場合に、当該オフ画素をオン画素に変換することを意味するものとする。
（２）Ｎ回の膨張によって、複数の欠陥領域候補が１つになれば、それら複数の欠陥領域候補を互いの距離が近い１つの領域であると判断する。そして、膨張後の１つになった領域を、結合された新たな欠陥領域候補とする。本例は、検査対象物の実体との整合性が高い検査結果が得られるという点で優れている。
【００３０】
◎結合処理例その２
（１）ラベリングによって得られた欠陥領域候補群の重心ｇ（ｘ、ｙ）を計算する。
（２）欠陥領域候補から任意の２つの領域（領域ｉと領域ｊ）を選び、以下の式（２）に基づいて、領域ｉの重心ｇ（Ｘｉ、Ｙｉ）と、領域ｊの重心ｇ（Ｘｊ、Ｙｊ）の重心間距離Ｌｉｊを計算する。
Ｌｉｊ＝√（（Ｘｉ−Ｘｊ）×（Ｘｉ−Ｘｊ）＋（Ｙｉ−Ｙｊ）×（Ｙｉ−Ｙｊ））  式（２）
（３）重心間距離Ｌｉｊが所定のしきい値Ｎを超えない場合は、領域ｉと領域ｊを互いの距離が近い１つの領域であると判断する。重心間距離Ｌｉｊが、しきい値Ｎを超える場合は、領域ｉと領域ｊを１つの領域とは判断しない。そして、これら複数の領域を結合し、結合された領域を新たな欠陥領域候補とする。本例は、計算量が少なくて済み、処理時間が短くなるという点で優れている。
【００３１】
◎結合処理例その３
（１）図１０（ａ）に示すように、検査対象物の検査領域を予め多数の局所領域２１に分割しておく。
（２）ラベリングによって得られた欠陥領域候補２２のうち、同じ局所領域２１内にあるものを結合し、図１０（ｂ）に示すように、結合された領域を新たな欠陥領域候補２３、２４とする。本例は、欠陥領域候補２２間の距離を考慮していないため、厳密な欠陥検査にはならないものの、局所領域２１を小さくすれば、ある程度許容できる検査結果が得られる。結合処理例その３は、結合処理例その１や結合処理例その２に比べて計算量が少ないので、高速化が図れるという利点がある。
【００３２】
面積判定部８２ｄは、まず、結合処理部８２ｃで１つの領域に結合された新たな欠陥領域候補の面積を計算する。そして、予め設定した面積しきい値を超えた面積を有する欠陥領域候補を欠陥領域と判定する一方、面積しきい値を超えていない領域は、欠陥と判定しない。このように、本実施の形態によると、正常部との濃度差が小さい変色欠陥が細切れに複数の小さな欠陥領域候補としてラベリングされた場合であっても、それらの欠陥領域候補が互いに近接しているために１つの欠陥領域候補に結合させられるので、正常部を過検出することなく、汚れ、色むらなどの変色欠陥を高い信頼性で検出することが可能である。
【００３３】
次に、大欠陥検査部８２で変色欠陥部を検査した場合とそれ以外の部分を検査した場合との具体的な検出結果の相違について、図１１に基づいて説明する。検査対象物６の変色欠陥部以外の部分（具体的には、傷、金未着などの欠陥部）を大欠陥検査部８２で検査した場合、図１１（ａ）に示すように、欠陥領域候補３１どうしが比較的離散して存在しているために、図１１（ｂ）に示すように、結合処理部８２ｃによってこれらが結合されることがない。従って、大欠陥検査部８２では正常部に点在する傷、金未着などの欠陥部が検出されることはない。
【００３４】
一方、検査対象物６の汚れ、色むらなどの変色欠陥部を大欠陥検査部８２で検査した場合、図１１（ｃ）に示すように、欠陥領域候補３２どうしが比較的近距離に存在しているために、図１１（ｄ）に示すように、結合処理部８２ｃによってこれらが結合され、面積が大きい新たな欠陥領域候補３３が形成される。従って、大欠陥検査部８２では傷、金未着などの欠陥部以外の変色欠陥を高い精度で検出することができる。
【００３５】
以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な設計変更が可能なものである。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１によると、光源装置から出射される光の波長が４００ｎｍ〜６００ｎｍの波長域に限定されているために、欠陥濃度レベルと良品濃度レベルとのＳ／Ｎを向上させることが可能となる。また、投光角度規制装置によって光の照射角度が検査対象物の表面に垂直な方向から１５°〜２５°の範囲に限定されているために、良品濃度のばらつきを低減することが可能になる。また、傷、金未着などの欠陥を小欠陥検査部によって検出可能であると共に、撮像画像をより解像度の低い低解像度画像に変換することによって欠陥領域として検出されるべき欠陥領域候補が細切れ状態になることを防止しつつ欠陥検出を行う大欠陥検査部によって、正常部を過検出することなく、汚れ、色むらなどの変色欠陥を高い信頼性で検出可能となる。
【００３７】
請求項２によると、正常部との濃度差が小さい変色欠陥が細切れに複数の小さな欠陥領域候補としてラベリングされた場合であっても、それらの欠陥領域候補は互いに近接しているために１つの欠陥領域候補に結合させられるので、正常部を過検出することなく、変色欠陥を高い信頼性で検出することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による金めっき欠陥検査装置のブロック図である。
【図２】光源波長と変色欠陥及び正常部での反射率との関係を描いたグラフである。
【図３】波長に対する撮像素子の受光感度の関係及び波長に対するフィルタ透過率の関係を描いたグラフである。
【図４】検査対象物と投光角度規制装置との位置関係を説明するための図である。
【図５】光の入射角度に対する金めっき正常部の濃度ばらつきを描いたグラフである。
【図６】投光角度規制装置の例としてのリング照明及びスポット照明を説明するための模式図である。
【図７】図１に示された金めっき欠陥検査装置に含まれる欠陥検査部のブロック図である。
【図８】図７の大欠陥検査部で行われる低解像度変換による効果を説明するためのグラフである。
【図９】本発明の第２の実施の形態による金めっき欠陥検査装置に含まれる欠陥検査部のブロック図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態において、結合処理部で行われる結合処理の一例を説明するための模式図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態において、大欠陥検査部で変色欠陥部を検査した場合とそれ以外の部分を検査した場合との相違について説明するための模式図である。
【図１２】特開２０００−２５８３５３号公報による欠陥検査技術を説明するための濃度ヒストグラムである。
【図１３】電解金めっき基板及び無電解金めっき基板についての濃度ヒストグラムである。
【図１４】傷、金未着などの欠陥及び汚れ、色むらなどの変色欠陥の特性を説明するためのグラフである。
【符号の説明】
１      金めっき欠陥検査装置
２      光源装置
３      投光角度規制装置
４      撮像装置
５      欠陥検査部
６      検査対象物
１１      リング照明
１２      スポット照明
５１      小欠陥検査部
５２      大欠陥検査部
５２ａ    低解像度変換部
５２ｂ    低解像度画像検査部
【図１】
0004015436.tif 000002
【図２】
0004015436.tif 000003
【図３】
0004015436.tif 000004
【図４】
0004015436.tif 000005
【図５】
0004015436.tif 000006
【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１４】
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【図８】
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【図１２】
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【図１３】
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