(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハを実装し、イオンビームが照射される領域内で、前記イオンビームでウェーハをスキャンニングするようにウェーハを動かすスキャンニング手段と、
前記スキャンニング手段の周辺に隣接して固定的に設置され、前記スキャンニング手段の外部にオーバースキャンニングされたイオンビームを検出するイオンビーム検出手段とを備えるイオン注入装置において、
前記イオンビーム検出手段は、前記スキャンニング手段に隣接する部分が前記スキャンニング手段に実装されたウェーハの表面より下方に配置されるように、表面が全体的に傾斜していることを特徴とするイオン注入装置。
【請求項２】
前記イオンビーム検出手段の表面傾斜角は、１０から３０°の範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項３】
前記イオンビーム検出手段は、アルミニウム板の表面にシリコンがコーティングされて形成されていることを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項４】
前記イオンビーム検出手段は、ガラス質グラファイトにより構成されていることを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項５】
前記スキャンニング手段は、複数のウェーハをマウンティングしたディスクであることを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項６】
前記スキャンニング手段は、一枚のウェーハを前記イオンビームが照射される領域内で往復させることを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項７】
一枚のウェーハを保持するシングルタイプイオン注入装置であることを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項８】
前記スキャンニング手段は、ウェーハホルダーを有することを特徴とする請求項７に記載のイオン注入装置。
【請求項９】
前記スキャンニング手段は、スキャンニング領域で前記イオンビーム照射方向に対し垂直な上下左右方向にスキャンニングすることを特徴とする請求項８に記載のイオン注入装置。
【請求項１０】
前記イオンビーム検出手段は、前記スキャンニング手段の外側に漏れた前記イオンビームが照射されるスピルオーバーカップを有することを特徴とする請求項７に記載のイオン注入装置。
【請求項１１】
前記スピルオーバーカップは、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項１０に記載のイオン注入装置。
【請求項１２】
前記スピルオーバーカップは、シリコンによりコーティングされている表面を有することを特徴とする請求項１０に記載のイオン注入装置。
【請求項１３】
前記スピルオーバーカップは、ガラス質グラファイトにより構成されていることを特徴とする請求項１０に記載のイオン注入装置。
【請求項１４】
前記スピルオーバーカップは、傾斜した表面を有することを特徴とする請求項１０に記載のイオン注入装置。
【請求項１５】
前記スピルオーバーカップの表面傾斜角は、１０から３０°であることを特徴とする請求項１４に記載のイオン注入装置。
【請求項１６】
前記イオンビーム検出手段は、前記スキャンニング手段に隣接し、照射されたイオンビームをサンプリングするサンプリングビームカップを有することを特徴とする請求項７に記載のイオン注入装置。
【請求項１７】
前記サンプリングビームカップは、傾斜した表面を有することを特徴とする請求項１６に記載のイオン注入装置。
【請求項１８】
前記サンプリングビームカップの表面傾斜角は、１０から３０°であることを特徴とする請求項１７に記載のイオン注入装置。
【請求項１９】
前記スキャンニング手段に複数のウェーハを保持するバッチタイプイオン注入装置であることを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項２０】
前記スキャンニング手段は、回転ディスクを有することを特徴とする請求項１９に記載のイオン注入装置。
【請求項２１】
前記イオンビーム検出手段は、前記スキャンニング手段の外側に漏れた前記イオンビームが照射されるスピルオーバーカップを有することを特徴とする請求項１９に記載のイオン注入装置。
【請求項２２】
前記スピルオーバーカップは、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項２１に記載のイオン注入装置。
【請求項２３】
前記スピルオーバーカップは、シリコンによりコーティングされている表面を有することを特徴とする請求項２１に記載のイオン注入装置。
【請求項２４】
前記スピルオーバーカップは、ガラス質グラファイトにより構成されていることを特徴とする請求項２１に記載のイオン注入装置。
【請求項２５】
前記スピルオーバーカップは、傾斜した表面を有することを特徴とする請求項２１に記載のイオン注入装置。
【請求項２６】
前記スピルオーバーカップの表面傾斜角は、１０から３０°であることを特徴とする請求項２５に記載のイオン注入装置。
【請求項２７】
前記イオンビーム検出手段は、前記スキャンニング手段に隣接し、照射されたイオンビームをサンプリングするサンプリングビームカップを有することを特徴とする請求項１９に記載のイオン注入装置。
【請求項２８】
前記サンプリングビームカップは、傾斜した表面を有することを特徴とする請求項２７に記載のイオン注入装置。
【請求項２９】
前記サンプリングビームカップの表面傾斜角は、１０から３０°であることを特徴とする請求項２８に記載のイオン注入装置。
【請求項３０】
前記スキャンニング手段は、複数のウェーハを保持する回転ディスクを有することを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項３１】
前記スキャンニング手段は、一枚のウェーハを保持するウェーハホルダーを有することを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項３２】
前記スキャンニング手段は、スキャンニング領域で前記イオンビーム照射方向に対し垂直な上下左右方向にスキャンニングすることを特徴とする請求項３１に記載のイオン注入装置。
【請求項３３】
前記イオンビーム検出手段は、前記スキャンニング手段の外側に漏れた前記イオンビームが照射されるスピルオーバーカップを有することを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項３４】
前記スピルオーバーカップは、傾斜した表面を有することを特徴とする請求項３３に記載のイオン注入装置。
【請求項３５】
前記スピルオーバーカップの表面傾斜角は、１０から３０°であることを特徴とする請求項３４に記載のイオン注入装置。
【請求項３６】
前記スピルオーバーカップは、アルミニウムを含むことを特徴とする請求項３３に記載のイオン注入装置。
【請求項３７】
前記スピルオーバーカップは、シリコンによりコーティングされている表面を有することを特徴とする請求項３６に記載のイオン注入装置。
【請求項３８】
前記スピルオーバーカップは、ガラス質グラファイトにより構成されていることを特徴とする請求項３３に記載のイオン注入装置。
【請求項３９】
前記イオンビーム検出手段は、前記スキャンニング手段に隣接し、照射されたイオンビームをサンプリングするサンプリングビームカップを有することを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項４０】
前記サンプリングビームカップは、傾斜した表面を有することを特徴とする請求項３９に記載のイオン注入装置。
【請求項４１】
前記サンプリングビームカップの表面傾斜角は、１０から３０°であることを特徴とする請求項４０に記載のイオン注入装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はイオン注入装置に関するものであり、より詳細には、イオン注入装置内のスパッタリングパーティクルを効果的に減少させることができるイオン注入装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近来、２５６Ｍ  ＤＲＡＭの場合には、０．１８μｍ級以下のデザインルールが要求され、パーティクル（ＰＡＲＴＩＣＬＥ）による問題が大きい不良原因として作用し、収率を低下させている。このようなパーティクル発生は、さらに次世代の１Ｇ  ＤＲＡＭおよび４Ｇ  ＤＲＡＭの製品開発に多くの困難と限界点として作用し、問題克服の大きな障害として作用する。
【０００３】
したがって、最近半導体製造業界では、半導体製造工程でパーティクル発生を抑制しパーティクルによる汚染を減少させるために、各単位工程ごとにパーティクル発生原因とその対処方案との追求に多くの時間と努力を投資している。
特に、イオン注入工程でのウェーハのパーティクル汚染は、半導体素子の電気的特性に大きい影響を及ぼす。
【０００４】
通常、イオン注入工程ではイオン注入装置内にウェーハを載置し、ウェーハの表面に加速されたイオンを衝突させ、ウェーハ表面内に所望のイオンを必要量、所定の深さに注入する。
このようなイオン注入装置で発生したパーティクルは、大きく機械的パーティクルと、電気的パーティクルとに分類できる。電気的パーティクルは、イオンビームの静電気力によるパーティクルの活性化、ならびにイオンビーム照射時、金属面へのイオンの高速衝突によるスパッタリングパーティクルが主汚染原因である。機械的パーティクルは回転装置や伝送システムの動きによる熱が主汚染原因である。
【０００５】
機械的パーティクルは原因把握が容易であり、発生時に不良が相当に微弱な程度に示されるので、電気的パーティクルに比べて相対的にパーティクルトレースが容易であり、高難易度な技術を必要としない。
しかし、電気的パーティクルの場合は、正イオンによるイオンビームによって静電気の力は小さく、微細なパーティクルを活性化させ、スパッタリングを誘発させることにより、不良の程度が激しく、また技術的にもトレースが困難な高いレベルの技術を必要とする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、イオン注入装置でパーティクルの汚染源を分析し、特にスパッタリングパーティクルの発生を抑制することができるように部品の構造改善を通じて、パーティクル不良を減少させることができるイオン注入装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するための本発明のイオン注入装置は、ウェーハを実装し、イオンビームが照射される領域内で、イオンビームでウェーハをスキャンニングするようにウェーハを動かすスキャンニング手段と、スキャンニング手段の周辺に固定的に設置され、スキャンニング手段の外部にオーバースキャンニングされたイオンビームを検出するイオンビーム検出手段とを備えるイオン注入装置において、イオンビーム検出手段は、スキャンニング手段に隣接する部分がスキャンニング手段に実装されたウェーハの表面より下方に配置されるように、その表面が全体的に傾斜していることを特徴とする。
【０００８】
本発明で、イオンビーム検出手段の表面傾斜角は１０から３０°の範囲内に限定する。１０°以内にする場合には、傾斜角が小さく、飛散するパーティクルがスキャンニング手段のウェーハ上に飛散することを防止する効果が十分でなく、３０°以上にする場合には、傾斜角が大きく、スパッタリングにより発生した２次電子のファラデーカップによる抑制の制御が困難になる。
【０００９】
本発明で、スキャンニング手段は、バッチ型イオン注入装置の回転ディスクやシングル型イオン注入装置のスキャンニングウェーハホルダーを含む。
本発明でイオンビーム検出手段は、スキャンニング手段に隣接して設けられ、スキャンニング手段のエッジを超えたイオンビームを検出するスピルオーバーカップやサンプルビームカップなどを含む。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。
図１は、一般的なバッチ型イオン注入装置の構造を示す。
バッチ型とは、ウェーハホルダーに一枚のウェーハをホールディングするシングル型とは異なり、回転型ホルダーに約１３枚から２５枚のウェーハをホールディングするマルチ型を意味する。
【００１１】
図１のバッチ型イオン注入装置は、大きくターミナルモジュール１００とエンドステーションモジュール２００を加速器３００に連結した構成を有する。
ターミナルモジュール１００はイオンソース１１０および質量分析器１２０を含む。ターミナルモジュール１００ではイオンソース１１０からソース物質をイオン化させ、質量分析器１２０でイオンのうち不必要であイオンを分離する。加速器３００では、質量分析器１２０で分離された必要であるイオンを数ＫｅＶから数ＭｅＶに加速させ、イオンビーム４００を形成してエンドステーションモジュール２００に供給する。
【００１２】
エンドステーションモジュール２００は、高真空チャンバ２１０内にスキャンニング手段２２０およびウェーハ移送手段２３０を含む。ウェーハ移送手段２３０は、イオン注入前に、ウェーハステーション２４０に載置されたウェーハキャリア２５０からウェーハＷをスキャンニング手段２２０にローディングし、イオン注入後には、スキャンニング手段２２０からウェーハキャリア２５０にウェーハＷをアンローディングする。高真空チャンバ２１０は、イオン注入の間は高真空に維持される。
【００１３】
図２は、図１のエンドステーションモジュールの側断面構造を示す。図２のスキャンニング手段２２０は、Ｚ軸方向へ照射されるイオンビーム４００に対してＸ軸およびＹ軸の２次元平面内でイオンビーム４００をスキャンニングする。
スキャンニング手段２２０は、ディスク２２１、ディスク駆動部材２２３、スキャンニングアーム２２４、Ｙ軸駆動部材２２５、ディスク駆動ハウジング２２６、パイプ２２７およびイオンビーム検出手段２２８を含む。ディスク２２１はディスク駆動部材２２３により回転軸を中心に回転する。ディスク２２１の周辺部には多数のウェーハホルダー部２２２が形成され、各ウェーハホルダー部２２２にウェーハＷがホールディングされる。
【００１４】
スキャンニングアーム２２４の自由端には、ディスク駆動ハウジング２２６が設けられ、このディスク駆動ハウジング２２６内にＹ軸駆動部材２２５が装着される。スキャンニングアーム２２４の固定端はＹ軸駆動部材２２５に固定され、Ｙ軸駆動部材２２５によりＹ軸方向、すなわち上下方向へ移送可能であるように設けられる。
【００１５】
ディスク駆動ハウジング２２６の上側外周縁には、パイプ２２７が前方に延びて設けられ、パイプ２２７の縦端にはイオンビーム検出手段２２８、すなわちスピルオーバーカップ（ｓｐｉｌｌｏｖｅｒ  ｃｕｐ）が装着される。
イオンビーム検出手段２２８は、イオンビームの効率的な利用のために、ディスク２２１のエッジを超えたイオンビームを検出する。
【００１６】
加速器３００を通じて照射されたイオンビーム４００は、ディスク２２１の上端のウェーハホルダー部２２２にホールディングされたウェーハＷにイオンビームが照射されるように導入される。上端のウェーハホルダー部２２２の前方には、一定間隔に離隔されイオンビーム電流を測定するためのファラデーカップ（ｆａｒａｄａｙ  ｃｕｐ）２６０が設けられる。
【００１７】
このように構成されたバッチ型イオン注入装置は、ウェーハローディング時にはスキャンニングアーム２２４が回転し、ディスク２２１が殆ど水平に配置され、ディスク２２１の上端部位がウェーハ移送手段２３０に近接することになる。ウェーハ移送手段２３０により各ウェーハホルダー部２２２に一枚ずつウェーハＷが置かれてホールディングされると、ディスク２２１は一定の角度に回転し、次のウェーハホルダー部２２２がウェーハ移送手段２３０に近接した位置に置かれる。
【００１８】
このような方法により、ディスク２２１上の全てのウェーハホルダー部２２２にウェーハＷがローディングされると、スキャンニングアーム２２４が逆方向へ回転し、ディスク２２１を垂直に配置する。垂直位置では、ウェーハホルダー部２２２がファラデーカップ２６０に近接するように配置され、イオンビーム４００がウェーハＷに照射可能になる。
【００１９】
続いて、ディスク２２１を回転させ、イオンビーム４００を照射すると、ウェーハを均一にイオンビームでスキャンニングできる。
本発明の出願人は、このようなイオン注入装置でのパーティクル汚染原因を究明し、次のように汚染原因とその対応方式を整理した。
【００２０】
１．機械的パーティクル
１）真空性パーティクル：ロードロック（ｌｏｒｄ  ｌｏｃｋ）ラフィング（ｒｏｕｇｈｉｎｇ）時に、圧力変化による温度急降下によりウェーハに湿気が沈積し、このような湿気沈積はパーティクルを吸引する要因として作用する。対応方式としては、湿気が生じない程度に真空ポンピングをゆっくりと行い、窒素ガスなどでパージングした後にラフィングを始めると、湿気沈積を防止することができる。
【００２１】
２）磨耗性パーティクル：イオンビーム進行路上のファラデーカップなどの開口部アライン不良により、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃなどのパーティクルが発生するが、エネルギーが微弱であり、また単純塗布性である。対応方式としては、周期的にアラインを点検する。
【００２２】
３）予防メンテナンスパーティクル：単位部品の予防性メンテナンス（ｐｒｅｖｅｎｔｉｖｅ  ｍａｉｎｔｅｎａｎｃｅ）不良により、部品の隙間に流入した湿気が減少される時期に、急激にＨ2Ｏ2、酸化アルミニウムなどのパーティクルが発生する。対応方式としては、予防メンテナンスの改善および標準化で防止することができる。
【００２３】
２．電気的パーティクル
１）アーク性パーティクル：Ａｌ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＳＵＳ（ステンレス鋼）などのパーティクルがウェーハ全面に長い尾形状を形成することで、パーティクルのエネルギーが相当に強い。対応方式としては、プロセス全面の２次電子発生を抑制し、またはバイアス形成を禁止する対策を講ずる。
【００２４】
２）静電気性パーティクル：負電荷印加時にＣ（黒鉛）などのパーティクルが活性化され示される。静電気性パーティクルは電気陰性度が強く、単純塗布性である。対応方式としては、黒鉛パーティクル発生を抑制し、真空チャンバ内を周期的にクリーニングする。
【００２５】
３）スパッタリングパーティクル：イオンビームの衝突によりＣ、ＡＬ、Ｆｅ、Ｔｉなどのパーティクルが発生し、主にウェーハのエッジ部位に集中的に発生する。対応方式としてはアライン、およびイオンビームにより秒当りに単位面積に加えられるストレスを最少化する方案を講ずる。
【００２６】
本出願人は、このようなイオン注入装置でのパーティクルの汚染原因を分析し、特に、金属性スパッタリングパーティクルの発生原因であるスピルオーバーカップの表面でのスパッタリングパーティクルに注目した。
スピルオーバーカップは、スキャンニング手段であるディスクのエッジに固定され、イオン注入工程の間に持続的にイオンビームによる衝撃を受ける。したがって、スピルオーバーカップの表面は、ディスク表面に比べて相対的に持続的なイオンビームの衝撃により表面がスパッタリングされる。
【００２７】
図３は、ウェーハの水平面に対するスピルオーバーカップの表面高さによるパーティクル発生推移を示す。
ディスクにホールディングされたウェーハの表面高さを基準にして、スピルオーバーカップの表面高さのスパッタリングパーティクルへの影響を実験した結果、図３に示したように、スピルオーバーカップの表面高さがウェーハの表面高さより高くなるほど、ウェーハのエッジ部位のスパッタリングパーティクルによる汚染程度が増加することが分かる。
【００２８】
したがって、従来には、アルミニウム材質のスピルオーバーカップの表面にシリコンをコーティングし、スパッタリングパーティクルの発生を減少しようとした。しかしながら、その手段では、スピルオーバーカップの表面磨耗程度を減少させる効果はあったが、スパッタリングパーティクルの発生を抑制しなかった。
【００２９】
ウェーハの表面よりスピルオーバーカップの表面高さをさらに低くセッティングする場合には、パーティクルによる汚染度を低下させることができるが、前方に設けられたファラデーカップと遠ざかるので、２次電子の抑制制御が困難になり、したがって、スピルオーバーカップの表面高さをウェーハの表面高さより低く設定することができない。
【００３０】
図４は、時間当りのイオンビーム電流量に対するスピルオーバーカップの使用周期を示し、図５は、イオンビーム電流量に対するスピルオーバーカップの腐食率を示す。
図４および図５に示すように、イオンビーム電流量の上昇は、すぐにビームパワーが増加することであるので、低い電流量（１０μＡ〜１ｍＡ）に比べて高い電流量（１ｍＡ〜２０ｍＡ）を使用するほど、ターゲット領域に加えられる衝突が強くなって腐食率が増加し、パーティクル発生が増加することになる。
【００３１】
それゆえ、高電流イオン注入装置では、このようなスパッタリングパーティクルによるウェーハの汚染はウェーハ周辺部のダイに致命的な電気的特性変化を起こすので、素子の電気的特性不良による収率低下の主要因にチェックされている。
図６に示すように、既存のスピルオーバーカップ２２８の表面は平坦な構造になっているため、ディスク２２１上にホールディングされるウェーハＷの水平面とミスアラインによりさらに高い位置にセッティングされる場合に、スパッタリングパーティクルによる汚染程度が増加する。
【００３２】
すなわち、スピルオーバーカップ２２８の表面がイオンビームの照射方向に対して垂直に位置するので、イオンビームの衝突時に表面で発生するスパッタリングパーティクルの飛散角度が十分に大きく、隣接するウェーハ上に落ちることになる。
【００３３】
スピルオーバーカップ２２８はディスク駆動ハウジング２２６に固定されたパイプ２２７の縦端に固定的に設置されるために、ウェーハＷの表面と一致する高さで正確にアラインすることが困難である。万一、高さをアラインさせるとしても、ディスクの回転時に振動または熱膨張などによりねじれて、スピルオーバーカップ２２８の表面がウェーハＷの表面より高くなる場合が頻繁に発生する。
【００３４】
また、一定の時間使用後には、表面磨耗により部品を交換する場合に、交換された部品の高さをウェーハＷの水平面高さに正確にアラインさせるということがオペレーターには相当に困難な作業である。
したがって、本出願人はこのような従来技術の問題点を解決するために、スピルオーバーカップの表面が図７に示すように傾斜するように、スピルオーバーカップ２２９を構成した。
【００３５】
本発明の一実施例で、スピルオーバーカップ２２９はアルミニウム材質でその表面をシリコンでコーティングして構成し、またはガラス質グラファイト（ｖｉｔｒｅｕｓ  ｇｒａｐｈｉｔｅ）により構成する。
本実施例で、スピルオーバーカップ２２９の表面傾斜度は、約１０度から３０度の範囲内にする。１０度から３０度の範囲内に傾斜するようにする場合、イオンビームが表面に衝突するときに垂直方向ではないので、衝突エネルギーが分散され減少されるだけでなく、衝突により発生したパーティクルの飛散角度が大きく減少されるので、飛散したパーティクルがディスク２２１のエッジを超えずに、ディスク２２１側面に衝突して消滅し、ディスク２２１上にホールディングされたウェーハＷに落ちるパーティクルの量が大幅に減少することになる。
【００３６】
すなわち、入射するイオンビームはスピルオーバーカップ２２９の表面傾斜角によって、衝突時に基準線を越えない反発力のみを有するので、結果的に、スパッタリングパーティクルはディスク２２１のエッジにぶつけられ消滅する。
傾斜度が１０度以内と小さい場合には、その傾斜度が微々でスパッタリングパーティクルがウェーハＷ上に飛散し、ウェーハＷのエッジ部位を汚染する程度が大きく改善されない。傾斜度を３０度以上に大きくする場合には、パーティクルがウェーハ上に飛散しないが、衝突時に発生した２次電子がディスク２２１前方に設けられたファラデーカップ２６０に到達しないので、ファラデーカップ２６０を通じた２次電子の抑制制御が困難になる。すなわち、ファラデーカップ２６０から遠ざかると、磁場コントロールが困難であるために、２次電子の抑制制御が困難になる。
【００３７】
したがって、本実施例では１０から３０度の範囲で、スピルオーバーカップ２２９の傾斜度を維持することにより、ウェーハＷのスパッタリングパーティクルが飛散することを防止し、ファラデーカップ２６０との距離間隔を維持して、発生した２次電子を効果的に抑制することができる。
【００３８】
図８は、シングルタイプイオン注入装置において、サンプリングビームカップに本発明を適用した他の実施例を示す。
シングルタイプはバッチタイプとは異なり、スキャンニングウェーハホルダー５００に一枚のウェーハＷをホールディングし、イオンビーム照射領域内を上下、または左右にスキャンニングする。シングルタイプでもウェーハＷに照射されるイオンビームをサンプリングするために、スキャンニングウェーハホルダー５００に隣接した位置にサンプリングビームカップ６００を設けている。
【００３９】
本実施例では、サンプリングビームカップの表面を上述したバッチタイプのスピルオーバーカップの表面と類似にする方法により、傾斜するように構成することで、サンプリングビームカップ６００の表面から発生するスパッタリングパーティクルがウェーハＷに飛散することを防止することができる。
以上、本発明の実施例を詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、上述の実施例を修正または変更できるであろう。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によると、パーティクルの発生問題を改善し、０．１８μｍ級および０．１６μｍ級製品の生産の高収率を確保することができる。特に、固定されたスピルオーバーカップが使用中に発生する可能性のある微細な動き（振動、熱膨張）によりスピンディスクから突出したとしても、傾斜した表面によりパーティクル汚染原因として作用しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的なバッチ型イオン注入装置を示す平面図である。
【図２】図１のバッチ型イオン注入装置のエンドステーションモジュールを示す側面図である。
【図３】ウェーハの表面を基準としたスピルオーバーカップの高さ変化によるパーティクル発生推移を示す図である。
【図４】時間当りのイオンビーム電流量に対するスピルオーバーカップの使用周期を示す図である。
【図５】イオンビーム電流量に対するスピルオーバーカップの腐食率を示すグラフである。
【図６】一般的なイオン注入装置において、表面が平坦なスピルオーバーカップのスパッタリングパーティクルの飛散過程を示す模式図である。
【図７】本発明の一実施例によるバッチタイプイオン注入装置において、表面が傾斜したサンプリングビームカップのスパッタリングパーティクルの飛散過程を示す模式図である。
【図８】本発明の他の一実施例によるシングルタイプイオン注入装置のサンプリングビームカップの構成を示す模式図である。
【符号の説明】
１００    ターミナルモジュール
１１０    イオンソース
１２０    質量分析器
２００    エンドステーションモジュール
２１０    高真空チャンバ
２２０    スキャンニング手段
２２１    ディスク
２２２    ウェーハホルダー部
２２３    ディスク駆動部材
２２４    スキャンニングアーム
２２５    Ｙ軸駆動部材
２２６    ディスク駆動ハウジング
２２７    パイプ
２２８    表面が平坦なスピルオーバーカップ
２２９    表面が傾斜したスピルオーバーカップ
２３０    ウェーハ移送手段
２５０    ウェーハキャリア
３００    加速器
４００    イオンビーム
５００    スキャンニングウェーハホルダー
６００    サンプリングビームカップ
Ｗ    ウェーハ
【図１】
0003883059.tif 000002
【図２】
0003883059.tif 000003
【図３】
0003883059.tif 000004
【図４】
0003883059.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003883059.tif 000007
【図７】
0003883059.tif 000008
【図８】
0003883059.tif 000009