(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された加工膜の周縁から、当該基板の周縁に沿って露出している下地面の露出幅を測定する基板周縁検査方法であって、
前記基板の周縁と前記加工膜の周縁とを含む当該基板の周縁部分に測定領域を設定し、当該測定領域の画像データを取り込む工程と、
前記画像データ内において前記基板の周縁に対して垂直な仮想線上に配列された各画素の輝度を検出し、当該輝度の変化が所定値よりも大きい２箇所を抽出する工程と、
前記抽出された２箇所の間隔を前記仮想線上における前記露出幅として求める工程とを行う
ことを特徴とする基板周縁検査方法。
【請求項２】
請求項１記載の基板周縁検査方法において、
前記画像データを取り込む工程では、前記加工膜部分の各画素の輝度と前記下地面部分の各画素の輝度との間、及び当該下地面部分の各画素の輝度と前記基板の外周部分の各画素の輝度との間に差が生じるように当該画像データ採取用の一次光源を調整する
ことを特徴とする基板周縁検査方法。
【請求項３】
請求項１記載の基板周縁検査方法において、
前記画像データを取り込む工程では、先ず前記基板の周縁において基点となる部分を探し出し、次いで当該基板の周縁に沿って当該基点から所定距離だけ離れた測定領域の画像データを取り込む
ことを特徴とする基板周縁検査方法。
【請求項４】
請求項３記載の基板周縁検査方法において、
前記測定領域は、前記基点から異なる距離だけ離れた複数箇所に設定される
ことを特徴とする基板周縁検査方法。
【請求項５】
請求項１記載の基板周縁検査方法において、
前記画像データ内に複数の前記仮想線を設定し、これらの各仮想線上で求めた複数の露出幅を統計的に処理して前記測定領域の露出幅とする
ことを特徴とする基板周縁検査方法。
【請求項６】
基板表面を覆う状態で加工膜を形成する工程と、
前記基板の周縁と前記加工膜の周縁とを含む当該基板の周縁部分に測定領域を設定し、当該測定領域の画像データを取り込む工程と、
前記画像データ内において前記基板の周縁に対して垂直な仮想線上に配列された各画素の輝度を検出し、当該輝度の変化が所定値よりも大きい２箇所を抽出する工程と、
前記抽出された２箇所の間隔を当該仮想線上における前記加工膜の下地面の露出幅として求める工程と、
前記露出幅が所期の目的幅と一致するように前記加工膜の形成条件を調整する工程とを行う
ことを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項７】
基板上に形成された加工膜の周縁から、当該基板の周縁に沿って露出している下地面の露出幅を測定するための基板周縁検査装置であって、
前記基板を載置するステージと、
前記ステージ上に載置された前記基板の周縁と前記加工膜の周縁とを含む当該基板の周縁部分に測定領域を設定してその画像データを取り込むカメラと、
前記カメラから取り込まれた前記画像データに基づいて、前記画像データ内において前記基板の周縁に対して垂直な仮想線上に配列された各画素の輝度を検出し、当該輝度の変化が所定値よりも大きい２箇所を抽出してこの間隔を当該仮想線上における前記露出幅として求める画像処理部とを備えた
ことを特徴とする基板周縁検査装置。
【請求項８】
請求項７記載の基板周縁検査装置において、
前記基板の周縁に設定された基点から当該基板の周縁に沿って所定距離だけ離れた測定領域の画像データが取り込まれるように前記ステージまたは前記カメラを移動させるコントローラを備えた
ことを特徴とする基板周縁検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板周縁検査方法、電子基板の製造方法および基板周縁検査装置に関し、特には高精度な成膜処理やエッチング処理が要求される電子基板の製造において、基板周縁部における加工膜からの下地面の露出幅を精度良く検知するための検査方法、この検査方法が適用される電子基板の製造方法およびこの検査方法を行うための基板周縁検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高集積化にともない、デバイス構造のさらなる複雑化が進行している。特に、ＤＲＡＭ混載ＬｏｇｉｃのようなシステムＬＳＩをシリコンからなる基板上に形成するためには、成膜、リソグラフィー、ドライエッチング等の工程が数多く行われ、数１００工程ものプロセスが複雑に絡み合っている。
【０００３】
ところで、複数の工程を経た後の基板の周縁部分は、例えば基板上に成膜された絶縁膜や導電膜等の加工膜の端部がめくれ上がっていたり、これらの加工膜の一部が離脱しかけていたりと非常に不安定な状態にあり、発塵源の一つとなっている。そこで、半導体ウエハ等の電子基板の製造においては、このような発塵源を除去するために、基板の周縁に沿って加工膜の周縁部分をエッチング除去する工程を行うことが考えられている。
【０００４】
また、半導体装置における素子構造の微細化が進行し、デザインルールが０．１３μｍ世代以降になると、半導体装置の高機能化を実現するためにＣｕ（銅）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｔａ（タンタル）等の異種金属の採用が予定されており、これらの金属による汚染が懸念されている。そのなかでも、特にＣｕによる汚染がデバイス特性に悪影響を与えることが知られており、Ｃｕの汚染濃度が１０15 ａｔｏｍｓ／ｃｍ3になると、接合リークの発生、ｎ+ゲート耐圧、サブスレッショルド・スイング値（いわゆるＳ値）さらにはしきい電圧の変動など、半導体装置の特性に劣化が生じる。
【０００５】
このため、Ｃｕ膜を成膜した後には、基板の裏面からＣｕを除去するための洗浄を加えたり、基板の周縁部分やベベル部分のＣｕ膜をウェットエッチングにより除去することが一般的に行われつつある。
【０００６】
以上説明したような加工膜の周縁部分のウェットエッチングによる除去は、多くの場合枚葉式のウェットエッチング装置を用いて実現されつつある。しかし、半導体装置の製造工程にこのようなプロセスを導入するにあたっては、歩留まりを確保するために基板の理収領域内（例えば半導体ウエハにおいてはチップ領域内）よりも外周にエッチングを留める必要があり、かつ確実に汚染源となる加工膜の周縁部分を除去するために基板の周縁から所定幅以上の加工膜を除去する必要があり、基板の全周に亘るエッチング除去幅の均一性、さらには複数のウエハに対するエッチング除去幅の均一性が求められる。
【０００７】
このため、本プロセスの評価においては、ウェットエッチングによって除去された加工膜の幅を基板の全周に亘って測定し、この測定値に基づいてプロセスの検討を行う必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら現状においては、このような基板周縁部における加工膜の除去幅等の下地面の露出幅を測定する技術はなく、例えばノギス等の測定治具を用いることによって、基板上において直接または顕微鏡写真上において手作業で測定を行っている。
【０００９】
このような手作業による測定では、下地面の露出幅の測定精度、さらには基板における測定位置精度を得ることが非常に困難であり、このよう測定結果からエッチング除去幅の均一性を議論することは難しい状況にある。しかも、手作業による測定であるため有る程度の時間を要し、基板の大口径化に伴い測定に要する時間が増大すると、この測定工程は非常に手間の掛かる作業工程となる。
【００１０】
そこで本発明は、高精度でかつ高速に基板の周縁に沿った加工膜下地面の露出幅を測定することが可能な基板周縁検査方法を提供し、またこの基板周縁検査方法を用いることで基板の周縁における加工膜下地面の露出幅を精度良く均一化できる電子基板製造方法を提供し、さらにはこの基板周縁検査方法を実現する基板周縁検査装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するための本発明の基板周縁検査方法は、基板上に形成された加工膜の周縁から、当該基板の周縁に沿って露出している下地面の露出幅を測定する基板周縁検査方法であり、次のように行うことを特徴としている。先ず、基板の周縁と加工膜の周縁とを含む基板の周縁部分に測定領域を設定し、この測定領域の画像データを取り込む。次に、この画像データ内において基板の周縁に対して垂直な仮想線上に配列された各画素の輝度を検出し、当該輝度の変化が所定値よりも大きい２箇所を抽出する。そして、これらの２箇所の間隔を仮想線上における下地面の露出幅として求める。
【００１２】
このような基板周縁検査方法では、基板の周縁を含む測定領域の画像データを取り込むが、この画像データにおいては、表面材料の相違によって各画素の輝度に差を生じさせることができる。このため、この仮想線上に配列された画素間の輝度変化が所定値よりも大きい２箇所を抽出することで、基板の外周と下地面との境界部及び下地面と加工膜との境界部とが抽出されることになり、下地面の露出幅を得ることができる。また、画像データ上において、基板の周縁に垂直な仮想線状において上記の２箇所を抽出していることから、基板の周縁に沿って露出している下地面の幅方向にこの仮想線が設定され、常に一定の方向での測定が行われることになる。したがって、画像データの処理によって基板の周縁に沿った下地面の露出幅が高精度に求められるようになるのである。
【００１３】
またこの検査方法では、先ず、基板の周縁において基点となる部分を探し出し、次いでこの周縁に沿って当該基点から所定距離だけ離れた測定領域の画像データを取り込むようにしても良い。このようにすることによって、常に一定の位置において加工膜下地面の露出幅が求められるようになり、基板間における測定位置精度を得ることができる。
【００１４】
また、本発明の電子基板の製造方法は、基板表面を覆う状態で加工膜を形成した後、上述の検査方法によって加工膜下地面の露出幅を求め、次いでこの露出幅が所期の目的幅と一致するように加工膜の形成条件を調整することを特徴としている。
【００１５】
このような製造方法では、上述の検査方法と同様にして加工膜下地面の露出幅を求め、この露出幅を所期の目的幅に一致させるように加工膜の形成条件を調整していることから、精度の高い測定結果に基づいて加工膜の形成条件が調整されることになる。したがって、加工膜下地面の露出幅を目的幅に一致させるような加工膜の形成条件をより的確に得ることが可能になる。
【００１６】
さらに本発明の基板周縁検査装置は、基板上に形成された加工膜の周縁から、当該基板の周縁に沿って露出している下地面の露出幅を測定するための基板周縁検査装置であり、基板を載置するステージと、このステージ上に載置された基板の周縁と加工膜の周縁とを含む当該基板の主演部分に測定領域を設定してその画像データを取り込むカメラと、このカメラから取り込まれた画像データを処理する画像処理部とを備えている。画像処理部は、取り込まれた画像データにおいて基板の周縁に対して垂直な仮想線上に配列された各画素の輝度を検出し、当該輝度変化が所定値よりも大きい２箇所を抽出してこの間隔を露出幅として求める。またさらに、基板の周縁部に設定された基点から当該基板の周縁に沿って所定距離だけ離れた測定領域の画像データが取り込まれるようにステージまたはカメラを移動させるコントローラを備えている。
【００１７】
このような基板周縁検査装置では、カメラから取り込まれた画像データに基づいて、上述した基板周縁検査方法と同様の手順で加工膜下地の露出幅を求める画像処理部を備えたことによって、基板周縁部における加工膜下地の露出幅の測定を高精度にかつ自動的に行うことができる。しかも、コントローラによって、所定の測定領域の画像データが取り込まれるようにステージまたはカメラが移動するため、測定位置精度を得ることが可能になる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
ここでは、半導体ウエハのような電子基板の製造において、基板表面を覆う状態で成膜された加工膜の周縁部を所定の目的幅で除去する工程に本発明の電子基板の製造方法と基板周縁検査方法を適用した実施の形態を説明する。尚、本発明は、半導体ウエハ（半導体装置基板）の製造への適用に限定されるものではなく、磁性体基板、誘電体基板、金属基板、プラスチック基板等の様々な基板を用い、その表面の加工を行うことによって得られる電子基板の製造（例えば液晶基板の製造など）に広く適用されることは言うまでもない。
【００１９】
先ず、図１に示すように、基板１の表面側に例えばＣＶＤ法のような成膜法によって加工膜２を成膜する。ここでは例えばシリコンからなる基板１の表面に、熱酸化法によって酸化シリコンからなる加工膜２を成膜する。
【００２０】
次いで、基板１の周縁に沿って加工膜２の周縁部分を所定の目的幅で除去する、すなわち基板１の周縁に沿って加工膜２の下地面１ａ（ここではシリコン面）を所期の目的幅Ｄで露出させるのである。
【００２１】
ここでは例えば、図２に示すように、加工膜２が成膜された面（表面側）を下方に向け、裏面側を上方に向けた状態で基板１を回転保持し、基板１の表面の中心位置に対して窒素ガスなどの不活性ガス３を吹き付けながら、基板１の裏面の中心位置にエッチング液４としてフッ酸（ＨＦ）を供給する。これによって、基板１の表面側を不活性ガス３で保護しつつ、裏面側をエッチング液４で覆うと共に基板１の表面側の周縁部にエッチング液４を回り込ませ、基板１の周縁部における加工膜２をエッチング除去する。この際、エッチング液４の供給量、基板１の回転数、不活性ガス３の供給量等のエッチング条件を調整することで、加工膜２の除去幅、すなわち加工膜２の下地面１ａの露出幅ｄを目的幅Ｄに一致させるようにする。
【００２２】
次に、このようにして加工膜２の周縁部分が除去された基板１において、加工膜２の下地面１ａの露出幅ｄを測定する。図３は、この露出幅ｄの測定方法、すなわち基板周縁検査方法の一例を示すフローチャートであり、図４はこの方法をさらに詳しく説明するための図である。以下に、これら図に基づいて基板周縁検査方法の手順の一例を説明する。
【００２３】
先ず、ステップＳ１１では、基板１の周縁において基点５となる部分をサーチする。ここでは、例えば基板１に形成されたノッチを基点５とする。尚、この基点５は、各基板１に共通の位置を示すものであればノッチに限定されることはなく、基板１にオリフラが設けられている場合には、このオリフラの一端部または中央部等を基点としても良い。
【００２４】
次に、ステップＳ１２では、基板１の周縁に沿って、この基点５から所定距離だけ離れた周縁部分に第１測定領域Ａ１を設定する。ここでは、半導体ウエハを基板１としているため、例えば、基点５と基板１の中心Ｏとを結ぶ直線Ｌ０を右回りに所定角度θ１だけ回転させた仮想線Ｌ１を設定する。そして、この仮想線Ｌ１上における基板１の周縁上の点を第１測定点Ｐ１とし、この第１測定点Ｐ１およびこの周辺の加工膜２の周縁を含む領域を第１測定領域Ａ１として設定する。
【００２５】
次に、ステップＳ１３では、第１測定領域Ａ１の画像データを取り込む。この際、画像データを取り込む領域（すなわち第１測定領域Ａ１）は、例えば基板１が直径２００ｍｍのウエハ基板である場合、水平方向１４．７ｍｍ×垂直方向１１．０ｍｍに設定する。
【００２６】
また、画像データを構成する各画素の輝度が、加工膜２部分と下地面１ａ部分との間、及び下地面１ａ部分と基板１の外周部分との間で有意的な差が生じるように、画像データを得るための一次光源を調整することとする。
【００２７】
具体的には、加工膜２とその下地面１ａ部分との材質によって、画像データを構成する各画素の輝度に差が生じやすいように、またはその差が大きくなりすぎることのないように、画像データが光学画像であれば一次光源として同軸照明、遮光照明を選択してその光量を調整し、また画像データが二次電子像や反射電子像であれば一時光源である電子線の絞りを調整することとする。
【００２８】
次いで、ステップＳ１４では、第１測定領域Ａ１の画像データにおいて、基板１の周縁に対して垂直な仮想線（すなわち基点５と基板１の中心Ｏとを結ぶ直線Ｌ０を右回りに所定角度θ１だけ回転させた仮想線）Ｌ１上に配列された各画素の輝度を検出し、この輝度から仮想線Ｌ１上の各画素における輝度変化が所定値よりも大きい２箇所を抽出する。
【００２９】
ここで、図５には、基板１周縁部分における仮想線Ｌ１部分での断面図を示す。この断面図に示すように、基板１の周縁に沿ってエッチング除去された加工膜２の周縁部分は、その膜厚が徐々に薄くなっている。また基板１の周縁部分は、周縁に向かって丸みを持ったベベル面として形成されている。
【００３０】
図６のグラフには、このような基板１の外周部分から中心に向かっての、仮想線Ｌ１上における各画素の輝度の一例を示す。このグラフに示すように、基板１の外周と、基板１すなわち下地面１ａ上と、加工膜２上とでは各画素の輝度に差が生じ、これらの材料の境界部分においては輝度が有意差を持って変化する。これは、ステップＳ１３で画像データを取り込む際、基板１の外周部分と下地面１ａ部分との間、及び下地面１ａ部分と加工膜２部分との間で有意的な差が生じるように、画像データを得るための一次光源を調整しているためである。そこで、輝度変化が所定値よりも大きい２箇所の変化点ｐ１１，ｐ１２を抽出することで、これらの境界部分を探し出す。
【００３１】
ただし、図５に示したように、基板１の周縁部分の傾斜や加工膜２の周縁部分の傾斜が緩やかである等の理由で、この輝度変化も緩やかである場合もあるため、予め閾値ｔｈ１，ｔｈ２を設定し、この閾値ｔｈ１，ｔｈ２に達した点を変化点ｐ１１，ｐ１２としても良い。
【００３２】
また、この際、各画素の輝度をデジタル処理する方法として、例えば８ビットのグレイ・コードを用いた処理を行うこととする。そして、変化点ｐ１１，ｐ１２の抽出は、基板１の中心側または外周側から行う。またこの抽出を高速化するために、仮想線Ｌ１の両端側から輝度の変化点をサーチしても良い。これによって、この変化点ｐ１１，ｐ１２の抽出速度が１／２程度に削減される。
【００３３】
以上の後、図３に示すステップＳ１５では、抽出された２箇所の変化点ｐ１１，ｐ１２の間隔を、第１測定点Ｐ１を通る仮想線Ｌ１上における下地面１ａの露出幅ｄとして求める。この際、例えば、変化点ｐ１１，ｐ１２間の画素数と画素サイズとからこの露出幅ｄを求めることとする。
【００３４】
以上、ステップＳ１４、Ｓ１５においては、仮想線Ｌ１上においてのみ露出幅ｄを求めるようにした。しかし、第１測定領域Ａ１の画像データ内において、仮想線Ｌ１に対して微少なずれを持った複数の仮想線Ｌを想定し、これらの仮想線Ｌ上においても上述と同様にして露出幅をそれぞれ求めても良い。
【００３５】
以上の後、ステップＳ１６では、次の測定が有るか否かの判断を行う。そして、次の測定が有ると判断された場合にはステップＳ１２に戻り、基板１の周縁に沿って、この基点５から所定距離だけ離れた周縁部分に第２測定領域Ａ２を設定する。ここでは、基点５と基板１の中心Ｏとを結ぶ直線Ｌ０を右回りに所定角度θ２だけ回転させた直線を仮想線Ｌ２として設定し、この仮想線Ｌ２上における基板１の周縁上の点を第２測定点Ｐ２とし、この第２測定点Ｐ２およびこの周辺の加工膜２の周縁を含む領域を第２測定領域Ａ２として設定する。
【００３６】
以降、上述したと同様にステップＳ１３〜ステップＳ１６を繰り返し行い、基板１の周縁に沿った複数の測定領域Ａ１〜Ａｎにおいて、露出幅ｄの測定を行い、測定が全て終了した場合に一連のプロセスを終了させる。
【００３７】
以上のようにして各測定領域Ａｘ（ｘ＝１〜ｎ）における露出幅ｄを求めた後、１枚の基板１に対する情報として、これらの露出幅ｄの測定値を各仮想線Ｌｘ（ｘ＝１〜ｎ）位置、すなわち基点５と中心Ｏとを結ぶ直線Ｌ０とのなす角度θｘ（ｘ＝１〜ｎ）に対して１：１で対応させたＣＳＶ形式（Comma Separates Value format）でデータ保存しておく。そして、基板１の全周に亘る露出幅ｄの均一性などの統計処理を行う。
【００３８】
また、各測定領域Ａｘにおいて、各画像データＡ１内において、仮想線測定Ｌ１に対して微少なずれを持った複数の仮想線Ｌを想定し、これらの仮想線Ｌ上においても同様にして露出幅をそれぞれ求めた場合には、これらの値も同様にデータ保存しておく。そして、各測定領域Ａｘについて求められた複数の露出幅ｄを統計的に処理して、各測定領域Ａｘに対して１つの露出幅ｄを得る。例えば、ある測定領域Ａｘについて求めた複数の露出幅のうち、最大値と最小値を外して平均値を算出し、この平均値をその測定領域Ａｘにおける露出幅ｄとする。このようにすることで、ノイズや飛び値をリジェクトすることが可能になり、各測定領域Ａｘに対して得られる露出幅ｄの信頼性を向上させることができる。
【００３９】
図７には、以上の手順にて、角度θｘを１５°ずつ変化させた各測定領域Ａｘで測定した露出幅ｄのグラフを示す。測定精度は±５０μｍであり、画像処理においては１つの測定領域Ａｘに関して０．５秒の処理時間で露出幅ｄが得られた。
【００４０】
次に、このように統計処理されたデータに基づき、図２を用いて説明した加工膜の周縁部分の除去工程において、基板１の全周に亘って加工膜２の除去幅（すなわち下地面１ａの露出幅ｄ）が目的幅Ｄと一致するように、不活性ガス３の供給量、エッチング液４の供給量、基板１の回転数等のエッチング条件を再調整する。その後、再調整されたエッチング条件によって加工膜２の周縁部分のエッチングを行う。
【００４１】
以上説明した電子基板の製造方法では、基板周縁における下地面の露出幅ｄを測定する検査において、画像データの画像処理によってこの露出幅ｄが求められる。この際、この画像データ上において、基板１の周縁に垂直な仮想線Ｌｘを設定していることから、基板１の周縁に沿って露出している下地面１ａの幅方向にこの仮想線Ｌｘが設定されることになる。このため、画像データの処理によって、基板１の周縁に沿った下地面１ａの露出幅ｄを高精度にかつ自動的に求めることが可能になる。
【００４２】
そして、このような検査方法によって得られた露出幅ｄを所期の目的幅Ｄに一致させるように加工膜の形成条件を調整していることから、精度の高い測定結果に基づいて加工膜２の形成条件（例えばエッチング条件）が調整されることになる。このため、加工膜１の下地面１ａの露出幅ｄを目的幅Ｄに一致させるような加工膜１の形成条件をより的確に得ることが可能になる。したがって、例えば基板１の周縁に沿った加工膜２の除去幅を高精度に制御したエッチングを行うことが可能になり、基板１の理収領域内（例えば半導体ウエハにおいてはチップ領域内）にエッチングが及ぶことを防止しつつも、確実に汚染源となる加工膜１の端縁部分を除去することが可能になる。この結果、半導体装置の歩留まりの向上を図ることが可能になる。
【００４３】
尚、上述した実施の形態においては、図３のフローチャートに示すように、各測定領域Ａｘを設定する（ステップＳ１２）毎に、画像データの取り込み（ステップＳ１３）〜露出幅ｄを得る工程（ステップＳ１５）までを行い、これを繰り返す手順を説明した。しかし、本発明の基板周縁検査方法は、図８のフローチャートに示すように、基板の周縁において基点（例えばノッチ）のサーチを行い（ステップＳ２１）、次いで全ての測定領域Ａｘに関して測定領域Ａｘの設定（ステップＳ２２）と画像データの取り込み（ステップＳ２３）を行った後、各画像データにおいて２箇所の輝度の変化点を抽出し（ステップＳ２５）、さらに各露出幅ｄを得る工程（ステップＳ２６）を行うようにしても良い。
【００４４】
また、上述した実施の形態においては、電子基板の製造において、基板１の周縁に沿って所定幅で加工膜２をエッチング除去する工程に本発明を適用した方法を説明した。しかし、本発明の電子基板の製造方法および基板周縁検査方法は、ＣＶＤ法やＰＶＤ法さらには回転塗布法やその他の成膜方法によって基板１上に加工膜２を成膜する工程にも適用可能であり、このような成膜方法によって形成された加工膜２の周縁における下地の露出幅を測定し、この測定結果に基づいて成膜条件を調整することもできる。
【００４５】
次に、上述した基板周縁検査方法に用いる基板周縁検査装置の構成を説明する。図９は、基板周縁検査装置の一例を示す構成図である。この図に示す基板周縁検査装置は、基板１を載置するステージ２１と、ステージ２１上に載置された基板１の測定領域Ａｘ（ｘ＝１〜ｎ）の画像データを取り込むカメラ２３と、カメラから取り込まれた画像データを処理する画像処理部２５と、ステージ２１を駆動するテーブルコントローラ２７とを備えている。
【００４６】
ステージ２１は、上部に載置された基板１の表面を水平に保持した状態で回転及びＸ−Ｙ方向への移動が自在であり、テーブルコントローラ２７によってその移動が制御される。
【００４７】
カメラ２３は、ステージ２１の上方にステージ２１側に向けて固定して設けられている。このカメラ２３は、図１０に示すように、例えば光学系レンズを備えたＣＣＤカメラ（プログレッシブスキャンカメラ）２３からなり、被写体とＣＣＤカメラ２３との間に同軸照明３１と暗視野照明３３とが照明用の一次光源として配置され、明視野と暗視野との両方での画像の取り込みが行われるように構成されている。
【００４８】
そして、画像処理部２５は、カメラ２３から取り込まれた画像データに関して、上述した基板周縁検査方法において、図３のフローチャートのステップＳ１４及びステップＳ１５を用いて説明した処理、または図８のフローチャートのステップＳ２５及びステップＳ２６を用いて説明した処理を行う。
【００４９】
また、テーブルコントローラ２７は、固定されたカメラ２３の視野内に、上述した基板周縁検査方法における測定領域が納まるように、ステージ２１を駆動する。この場合、ステージ２１上には、ステージ２１の回転中心と基板１の中心とが一致するような所定状態で基板１が載置されることとする。そして、基板１の周縁の基点５（ノッチ）をカメラ２３の視野の中心付近に入れた状態から、ステージ２１の駆動をスタートさせることとする。
【００５０】
ここで、基板１が半導体ウエハのような円形基板である場合には、基点５をカメラ２３の視野の中心付近に入れた状態からステージ２１を所定の角度だけ回転させて、測定領域Ａｘがカメラ２３の視野と一致するかまたは視野内に入るようにする。ただし、円形の基板の周縁にオリフラのような直線部分が有る場合、この直線部分においてはステージ２１をＸ−Ｙ方向に所定距離だけ移動させることとする。
【００５１】
さらに、基板が矩形基板である場合には、基点をカメラ２３の視野の中心付近に入れた状態からステージ２１をＸ−Ｙ方向に所定距離だけ移動させて、測定領域がカメラ２３の視野内に入るようにする。
【００５２】
また、テーブルコントローラ２７とカメラ２３とは連動しており、ステージコントローラ２７によって所定の測定領域がカメラ２３の視野内に納まる位置にステージ２１が駆動された状態で、カメラ２３による画像データの取り込みが行われ、また画像データの取り込みが終了した後に次の測定領域がカメラ２３の視野内に納まるようにステージ２１が駆動されるように構成されていることとする。
【００５３】
このように構成された基板周縁検査装置では、カメラ２３から取り込まれた画像データに基づいて上述した基板周縁検査方法と同様の手順で加工膜の下地の露出幅を求める画像処理部を備えているため、基板１の周縁部における加工膜２の下地露出幅ｄの測定を高精度にかつ自動的に行うことが可能になる。しかも、基板１を載置するステージ２１を駆動するためのステージコントローラ２７が設けられているため、基板１における複数の所定位置で画像データの取り込みを行うことが可能になり、測定位置精度の向上を図ることが可能になる。
【００５４】
尚、本実施形態の基板周縁検査装置では、テーブルコントローラ２７を設けたことで、固定されたカメラ２３に対してステージ２１を移動させる構成とした。しかし、基板１の周縁に沿った複数の測定領域Ａｘをカメラ２３の視野内に順次入れることが可能であれば、固定したステージ２１に対してカメラ２３を移動させるコントローラを設けた構成、ステージ２１及びカメラ２の両方を駆動させるコントローラを設けた構成であっても良い。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の基板周縁検査方法によれば、画像データの処理によって異なる材料の境界部を抽出して基板周縁に沿った下地の露出幅を求めるようにしたことで、高精度でかつ高速に基板の周縁に沿った下地面の露出幅を求めることが可能になる。また、常に一定の位置において加工膜下地面の露出幅を求めることができるため、基板間における測定位置精度の向上を図ることができる。
【００５６】
そして、このような基板検査方法を行う本発明の電子基板の製造方法によれば、上述のようにして高精度に求めた露出幅を所期の目的幅に一致させるように加工膜の形成条件を調整するため、加工膜下地面の露出幅を目的幅に一致させるような加工膜の形成条件をより的確に得ることが可能になる。したがって、基板の周縁における加工膜下地面の露出幅を精度良く均一化させることが可能になる。この結果、例えば基板１の理収領域内（例えば半導体ウエハにおいてはチップ領域内）を加工膜で確実に覆った状態で、汚染源となる加工膜１の端縁部分を除去することが可能になる等、電子基板の歩留まりの向上を図ることが可能になる。
【００５７】
さらに、本発明の基板周縁検査装置によれば、カメラから取り込まれた画像データに基づいて上述した基板周縁検査方法と同様の手順で加工膜下地の露出幅を求める画像処理部を備えたことによって、この露出幅の測定を高精度にかつ自動的に行うことが可能になる。しかも、コントローラによって、所定の測定領域の画像データが取り込まれるようにステージまたはカメラを移動させることができるため、測定位置精度を確保しつつ複数の画像データの取り込みの高速化を図ることが可能になる。したがって、上述した本発明の基板周縁検査方法の高速化と自動化を実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】加工膜の周縁部をエッチング除去してなる電子基板の平面図である。
【図２】電子基板の製造におけるエッチング工程の一例を説明する図である。
【図３】本発明の電子基板の製造における基板周縁検査方法を示すフローチャートである。
【図４】基板周縁検査方法を詳細に説明するための図である。
【図５】基板周縁検査方法を詳細に説明するための基板の要部断面図である。
【図６】  基板周縁検査方法を詳細に説明するための仮想線上画素位置と輝度との関係を示すグラフである。
【図７】基板周縁部における下地面の露出幅を示すグラフである。
【図８】本発明の電子基板の製造における基板周縁検査方法の他の一例を示すフローチャートである。
【図９】本発明の基板周縁検査方法を行うための基板周縁検査装置の構成図である。
【図１０】図９の基板周縁検査装置に用いるカメラの構成図である。
【符号の説明】
１…基板、１ａ…下地面、２…加工膜、５…基点、２１…ステージ、２３…カメラ、２５…画像処理部、２７…テーブルコントローラ、３１…同軸照明（一次光源）、３３…斜光照明（一次光源）、ｄ…露出幅、Ａｘ（ｘ＝１〜ｎ）…測定領域、Ｌ，Ｌｘ（ｘ＝１〜ｎ）…仮想線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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