(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、長方形の半導体チップを搭載する工程を含み、
前記基板は、長尺状をなし、前記半導体チップの搭載領域を有して配線パターンが形成された第１領域と、１つの接続部のみで前記第１領域と接続して前記接続部を除いて前記半導体チップの外形以上の大きさで前記基板のいずれの部分からも切断されてなる第２領域と、を含み、
前記第２領域は、前記基板の長手方向と同一方向に長く形成され、
前記基板の前記第１領域に前記半導体チップを、前記半導体チップの長手軸が前記基板の長手軸に直交するように搭載し、
前記基板の前記第２領域を、前記第２の領域の長手方向が前記基板の前記長手方向と直交するように前記接続部を斜めに折り曲げて、前記第１領域に接続させたままで、前記半導体チップと重なるように貼り付け、
前記配線パターンは、前記第１領域内において、前記半導体チップの前記搭載領域の内側から外側に延びて形成され、
前記２領域は、前記配線パターンを避けて複数形成され、
複数の前記第２領域の１つを、前記基板の前記半導体チップの搭載側であって前記半導体チップの面に貼り付け、他の１つを、前記第１領域における前記半導体チップの前記搭載領域の裏面に貼り付ける半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２領域は、前記半導体チップの外形以上の大きさの金属膜を有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップを搭載し、前記第２領域を前記半導体チップと重なるように貼り付けた後に、少なくとも前記第１領域の範囲で前記基板を打ち抜く工程をさらに含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【発明の背景】
半導体チップの集積回路形成面（能動面）に入射する光を遮断するために、半導体チップを搭載する基板の裏面に遮光用の接着テープを貼り付けて、半導体チップの誤動作を防止している。従来、遮光用の接着テープは、半導体装置が製品化された後に、改めて接着していた。しかし、製品化後に遮光用の接着テープを貼り付けることは煩雑であった。
【０００３】
本発明はこの問題点を解決するためのものであり、その目的は、製造プロセスにおいて半導体チップの遮光性を高めることができる半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）配線基板の製造方法は、
ベース基板に金属箔を形成し、前記金属箔上にレジスト層を形成し、前記金属箔の前記レジスト層からの露出部をエッチングする工程を含む配線基板の製造方法であって、
前記ベース基板の両面に前記金属箔を形成し、
前記ベース基板の両面の側から前記金属箔の露出部を同時にエッチングして、前記ベース基板の一方の面に配線パターンを形成し、他方の面に前記一方の面の半導体チップの搭載領域に対応して金属膜を形成する。
【０００５】
これによれば、ベース基板の両面に金属箔を形成し、各面の金属箔を同時にエッチングすることで、ベース基板に配線パターンと金属膜とを同時に形成する。１工程で配線パターンと金属膜を形成できるので、この点でコストの削減ができる。また、金属膜は、半導体チップの搭載領域に対応して形成することで、例えば半導体チップの遮光性を高めることができる。これによって、製造プロセスにおいて、改めて工程を追加することなく、遮光性を高めることができる配線基板を製造できる。
【０００６】
（２）この配線基板の製造方法は、前記金属膜は、前記半導体チップの外形以上の大きさで形成してもよい。
【０００７】
これによって、半導体チップの能動面に入射する光を確実に遮断することができる。
【０００８】
（３）本発明に係る半導体装置の製造方法は、
半導体チップの搭載領域を有して配線パターンが形成された第１領域と、前記第１領域との接続部を有し前記接続部を除いて前記半導体チップの外形以上の大きさで切断されてなる第２領域と、を含む基板に、前記半導体チップを搭載する工程を含み、
前記基板の前記第１領域に前記半導体チップを搭載し、
前記基板の前記第２領域を、前記第１領域に接続させたままで、前記半導体チップと重なるように貼り付ける。
【０００９】
本発明によれば、基板の第１領域に半導体チップを搭載し、第１領域に接続された第２領域を第１領域の半導体チップと重なるように貼り付ける。これにより、半導体チップに入射する光を第２領域によって遮断できる。また、第２領域は、第１領域と接続させたままで第１領域の半導体チップと重なるように貼り付けるので、その作業性に優れている。したがって、簡単な製造プロセスによって、半導体チップの遮光性を高めることができる。
【００１０】
（４）この半導体装置の製造方法において、前記第２領域は、前記半導体チップの外形以上の大きさの金属膜を有してもよい。
【００１１】
これによれば、半導体チップの面に入射する光を遮断する遮光部材として、第２領域に金属膜が形成されている。これによって、半導体チップの遮光性を高めることができる。
【００１２】
（５）この半導体装置の製造方法において、前記配線パターンは、前記第１領域内において、前記半導体チップの前記搭載領域の内側から外側に延びて形成され、
前記第２領域は、前記配線パターンを避けて複数形成され、
前記半導体チップの搭載後に、
複数の前記第２領域の１つを、前記基板の前記半導体チップの搭載側であって前記半導体チップの面に貼り付け、他の１つを、前記第１領域における前記半導体チップの前記搭載領域の裏面に貼り付けてもよい。
【００１３】
これによれば、第２領域の１つを基板の半導体チップの搭載側であって半導体チップの面に貼り付け、他の１つを搭載領域の裏面に貼り付ける。これにより、半導体チップの両側から入射する光を遮断することができる。
【００１４】
（６）この半導体装置の製造方法において、前記第２領域は、前記配線パターンの延びる方向と同一方向に長く形成され、
前記第２領域における前記第１領域との前記接続部を、前記第２領域が前記半導体チップと重なるように斜めに折り曲げて、
前記第２領域を、前記配線パターンの延びる方向と交差する方向が長くなるようにして貼り付けてもよい。
【００１５】
これによって、基板の限られた面積を有効に利用して、第２領域を第１領域と接続させたままで、半導体チップと重なるように貼り付けることができる。
【００１６】
（７）この半導体装置の製造方法において、前記基板は、長尺のテープ状をなし、
前記半導体チップを搭載し、前記第２領域を前記半導体チップと重なるように貼り付けた後に、少なくとも前記第１領域の範囲で前記基板を打ち抜く工程をさらに含んでもよい。
【００１７】
（８）半導体装置は、上記半導体装置の製造方法によって製造されてなる。
【００１８】
（９）半導体装置は、
電極が形成された半導体チップと、
配線パターンが形成され、前記半導体チップが搭載された第１の基板と、
前記半導体チップと重なるように貼り付けられ、前記第１の基板と同じ材料からなる第２の基板と、
を含み、
前記第１の基板の端部と前記第２の基板の端部とは、屈曲した状態で接続され、
前記第２の基板は、前記半導体チップの外形以上の大きさの金属膜を有する。
【００１９】
これによれば、第１の基板に半導体チップが搭載され、第２の基板は第１の基板の半導体チップと重なるように貼り付けられている。これにより、半導体チップに入射する光を第２の基板によって遮断できる。また、第２の基板は、第１の基板と接続されたままで第１の基板の半導体チップと重なるように貼り付けられているので、その作業性に優れている。
【００２０】
（１０）この半導体装置において、前記第２の基板は複数形成され、
前記第２の基板の１つは、前記半導体チップの前記第１の基板を向く面とは反対側の面に貼り付けられ、前記第２の基板の他の１つは、前記第１の基板における前記半導体チップの搭載領域の裏面に貼り付けられてもよい。
【００２１】
これによれば、第２の基板の１つは第１の基板の半導体チップの搭載側であって半導体チップの面に貼り付けられ、他の１つは第１の基板の半導体チップの搭載領域の裏面に貼り付けられている。これにより、半導体チップの両側から入射する光を遮断することができる。
【００２２】
（１１）回路基板は、上記半導体装置が電気的に接続されている。
【００２３】
（１２）電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではない。
【００２５】
（参考例）
図１〜図４は、参考例に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。参考例に係る配線基板の製造方法は、例えば、ＣＯＦ（Chip On Film）用基板や、ＣＯＢ（Chip On Board）用基板の製造方法として適用するものであってもよい。
【００２６】
図１に示すように、ベース基板１０の両面に金属箔１２を形成する。ここで、ベース基板１０は、有機系の材料から形成されたものであってもよい。有機系の材料から形成されたベース基板１０として、例えばポリイミド樹脂等からなるフレキシブル基板が挙げられる。ベース基板１０は、フレキシブル基板のような遮光性の低い性質を有するものに特に効果的である。また、ベース基板１０は、上述とは別に、無機系の材料を含むものであってもよく、例えばセラミック基板、ガラス基板、又はガラスエポキシ基板などであってもよい。
【００２７】
ベース基板１０は、図１に示すように、既に個片切断されたものを使用してもよい。この場合にベース基板１０の形状及び大きさは限定されない。あるいは、ベース基板１０は長尺状のものを使用してもよい。長尺状のベース基板１０は、両端部がリール（図示しない）に巻き取られて半導体装置の製造工程を行うリール・トゥ・リールの工程に使用するものであってもよい。なお、配線基板の製造方法は、リール・トゥ・リールの工程において行ってもよい。
【００２８】
金属箔１２は、図１に示すように単一層であってもよく、あるいは複数層から形成されてもよい。金属箔１２は、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のいずれか一つ又は複数の材料によって形成されてもよい。金属箔１２は、ベース基板１０の各面において、同一材料からなるものを使用してもよく、あるいは別の材料からなるものを使用してもよい。また、金属箔１２は、ベース基板１０の各面において、同一の厚さで形成してもよく、あるいは異なる厚さで形成してもよい。
【００２９】
金属箔１２は、ベース基板１０に接着剤等で貼り付けてもよい。あるいは、スパッタリング等によって、ベース基板１０上に膜を被着させて、金属箔１２を形成してもよい。もしくは、ベース基板１０に無電解メッキ等で金属箔１２を設けてもよい。また、図１に示すように、金属箔１２は、ベース基板１０の面に全体に形成してもよいが、後の工程で金属箔１２をエッチングして残す部分のあたりに部分的に形成してもよい。
【００３０】
図２に示すように、ベース基板１０の金属箔１２にレジスト層２０を形成する。詳しくは、レジスト層２０を金属箔１２上でパターニングする。レジスト層２０は、ベース基板１０の一方の面の金属箔１２において配線パターン１４の形状に対応して形成し、他方の面の金属箔１２において金属膜１６の形状に対応して形成する。言い換えると、レジスト層２０は、ベース基板１０の一方の面において、配線パターン１４として残す金属箔１２の一部を覆って形成し、他方の面において、半導体チップ３０の搭載領域に対応する領域を覆って形成する。この場合に、ベース基板１０の金属膜１６を形成する面では、ベース基板１０の平面視において、半導体チップ３０の外形以上の大きさで、その搭載領域にレジスト層２０を形成してもよい。これにより、半導体チップ３０の外形以上の大きさの金属膜１６を形成できる。なお、レジスト層２０のパターニングは、金属箔１２に対して、ベース基板１０の両面を同時に行ってもよい。
【００３１】
レジスト層２０のパターニング方法として、例えば、レジスト層２０をベース基板１０の金属箔１２の両面の全体に設け、その後にフォトリソグラフィ技術等を適用してパターニングしてもよい。すなわち、図示しないマスクを介して感光性のレジスト層２０にエネルギーを照射、現像して形成してもよい。このときに、レジスト層２０はポジ型及びネガ型レジストであることを問わない。あるいは、非感光性のレジスト層２０をエッチングして形成してもよい。
【００３２】
あるいは、レジスト層２０のパターニング方法として、インクジェット方式又は印刷方式を使用してもよい。例えば、インクジェット方式によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することで、高速かつインクを無駄なく経済的に充填することが可能である。インクジェットヘッド（図示しない）は、例えばインクジェットプリンタ用に実用化されたもので、圧電素子を用いたピエゾジェットタイプ、あるいはエネルギー発生素子として電気熱変換体を用いたバブルジェットタイプ等が使用可能であり、吐出面積及び吐出パターンは任意に設定することができる。
【００３３】
あるいは、ベース基板１０の金属膜１６を形成する面では、金属箔１２上に、レジスト層２０を金属膜１６の形状に合わせて転写させることで、レジスト層２０を形成してもよい。金属膜１６は、配線パターン１４の形状に比べて微細な精度を必要としないので、転写によって容易にレジスト層２０を形成できる。
【００３４】
こうして、金属箔１２上にレジスト層２０をパターニングして形成することによって、金属箔１２のレジスト層２０からの露出部を形成する。次に、金属箔１２のレジスト層２０からの露出部をエッチングする。この場合に、ベース基板１０の両面の側から、金属箔１２の露出部を同時にエッチングする。例えば、ベース基板１０の側部を図示しない冶具によって支持しておき、ベース基板１０の両面の側から図示しないノズルによって、エッチング液２２を噴射させて、ベース基板１０の両面の金属箔１２を同時にエッチングしてもよい。これによって、１工程で、ベース基板１０の両面の金属箔１２を同時にエッチングすることができる。なお、エッチング方式は、上述のようにエッチング液２２などを用いたウェットエッチング方式を使用してもよく、ベース基板１０の両方の側から同時にエッチングできれば、エッチングガスなどを用いたドライエッチング方式を使用してもよい。
【００３５】
図３及び図４は、配線基板１に半導体チップ３０を搭載した図である。配線基板の製造方法によって、図３に示すように、ベース基板１０の一方の面に配線パターン１４を形成し、それと同時に他方の面に金属膜１６を形成することができる。ここで、配線パターン１４の形態は特に限定されない。例えば、配線パターン１４は、図４に示すように、半導体チップ３０の電極３２等の電気的接続部である接合部１５と、その接合部につながる配線とを有してもよい。この場合に、図示するように接合部１５は、配線よりも面積の広い、いわゆるランド部となっていてもよい。また、各配線は、例えば半導体チップ３０の搭載領域の内側から外側に至るように形成されてもよく、その形態は限定されない。
【００３６】
金属膜１６は、半導体チップ３０の搭載領域に対応して形成する。図３及び図４に示すように、金属膜１６は、半導体チップ３０の外形を含むように、その外形以上の大きさで形成してもよい。これによって、配線基板１に半導体チップ３０を搭載したときに、半導体チップ３０の面に、あらゆる方向から入射する光をほぼ確実に遮断することができる。
【００３７】
配線基板の製造方法によって製造された配線基板１に半導体チップ３０を搭載することで、半導体チップ３０の遮光性を高めることができる。ここで、半導体チップ３０は、複数の電極３２を有する。電極３２は、半導体チップ３０の内部に形成された集積回路の端子である。半導体チップ３０の電極３２の形成された側の面には、各電極３２の少なくとも一部を避けて、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ポリイミド樹脂などからなるパッシベーション膜（図示しない）が形成されている。また、電極３２上にバンプ３４が形成されていてもよい。
【００３８】
半導体チップ３０は、電極３２に形成された側の面を対向させて、配線基板１に搭載する。すなわち、半導体チップ３０を、配線基板１にフェースダウンボンディングする。この場合の電気的接続として、異方性導電膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）等の異方性導電材料を使用して、導電粒子をバンプ３４と配線パターン１４との間に介在させてもよい。あるいは、Ａｕ−Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、ハンダなどによる金属接合や、絶縁樹脂の収縮力によって、バンプ３４と配線パターン１４とを電気的に接続させてもよい。
【００３９】
配線基板１には、半導体チップ３０の搭載側とは反対側に金属膜１６が形成されているので、金属膜１６によって、配線基板１を向く半導体チップ３０の能動面に入射する光を遮断できる。これによって、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００４０】
配線基板の製造方法によれば、ベース基板１０の両面に金属箔１２を形成し、各面の金属箔１２を同時にエッチングすることで、ベース基板１０に配線パターン１４と金属膜１６とを同時に形成する。１工程で配線パターン１と金属膜１６を形成できるので、この点で製造時の手間をなくし、コストの削減ができる。また、金属膜１６は、半導体チップ３０の搭載領域に対応して形成することで、例えば半導体チップ３０の遮光性を高めることができる。これによって、製造プロセスにおいて、改めて工程を追加することなく、遮光性を高めることができる配線基板を製造できる。
【００４１】
（実施の形態）
図５及び図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。なお、本実施の形態でも、参考例で説明した内容を可能な限り適用することができる。
【００４２】
図５は、本実施の形態に係る基板４０に、半導体チップ３０を搭載した図である。本実施の形態に係る基板４０は、ベース基板４２に配線パターン５２が形成されてなるものである。図５に示すように、ベース基板４２は、長尺状をなすものであってもよい。ベース基板４２はフレキシブル性を有する。ベース基板４２は、リール・トゥ・リールの工程に使用されるものであってもよい。ベース基板４２には、幅方向の両側端部であって、長さ方向に並ぶ複数のスプロケットホール４４が形成されてもよい。スプロケットホール４４に、図示しないスプロケットを噛み合わせることで、ベース基板４２を長手方向に搬送することができる。なお、ベース基板４２のその他の形態は、上述の参考例と同様であってもよい。
【００４３】
基板４０は、第１領域５０と、第２領域６０と、を含む。第１領域５０は、配線パターン５２が形成されてなり、半導体チップ３０の搭載領域を有する。図５に示す例では、第１領域５０の範囲は、２点鎖線で囲まれた範囲であるがその形態はこれに限定されない。基板４０には、その長手方向に第１領域５０が複数並んで形成されてもよい。あるいは、基板４０の長手方向と幅方向との両方に、いわゆるマトリクス状に第１領域５０が複数並んで形成されてもよい。
【００４４】
第１領域５０は、基板４０の幅方向のほぼ中央部に形成されてもよい。すなわち、配線パターン５２は、基板４０の幅方向のほぼ中央部に形成されてもよい。第１領域５０の配線パターン５２は、図５に示す例では、半導体チップ３０の内側から外側に至るように、基板４０の長手方向に延びて形成されている。あるいは、配線パターン５２は、基板４０の幅方向に延びて形成されてもよい。なお、配線パターン５２の形状は特に限定されない。
【００４５】
第２領域６０は、第１領域５０の隣に形成されている。第２領域６０は、１つの第１領域５０に対して、１つ又は複数形成されている。図５に示す例では、２つの第２領域６０が、基板４０の幅方向における第１領域５０の両側に形成されているが、その形態はこれに限定されない。
【００４６】
第２領域６０は、金属膜６２を有する。金属膜６２は、第１領域５０の配線パターン５２が形成された側と同じ側の面に形成されてもよい。また、金属膜６２は、配線パターン５２と同一材料から形成されてもよい。すなわち、金属膜６２は、配線パターン５２の形成工程と同時に形成されたものであってもよい。なお、金属膜６２の形態はこれに限定されず、基板４０の配線パターン５２が形成された側とは反対側に形成されてもよく、あるいは配線パターン５２とは異なる材料で形成されてもよい。
【００４７】
第２領域６０は、第２領域６０の端部と第１領域５０の端部とを接続する接続部６４を有し、接続部６４を除いて半導体チップ３０の外形以上の大きさで切断されている。これによって、第２領域６０を、第１領域５０に接続させたままで、半導体チップ３０と重なるように貼り付けることができる。なお、第２領域６０に形成される金属膜６２は、第１領域５０に搭載する半導体チップ３０の外形以上の大きさで形成されてもよい。これによって、後述するように半導体チップ３０に入射する光をほぼ確実に遮断することができる。
【００４８】
図５に示す例では、金属膜６２は切断されてなる第２領域６０の内側に形成されている。あるいは、これとは別に金属膜６２は、予め、第２領域６０が切断される境界部分をはみ出して形成され、切断によって第２領域６０の外形と同じ大きさで打ち抜かれて形成されてもよい。
【００４９】
図５に示すように、第２領域６０は、配線パターン５２の延びる方向と同一方向に長く形成されてもよい。図５に示す例では、配線パターン５２は、半導体チップ３０の内側から外側に基板４０の長手方向に延びて形成され、第２領域６０は、第１領域５０の配線パターン５２を避けて基板４０の幅方向に形成されている。ここで、例えば、半導体チップ３０が基板４０の幅方向に沿って長い形状を有して搭載される場合は、第２領域６０は、半導体チップ３０の形状に合わせて長い形状を有するように形成する。ところで、図５に示すように、長尺状の基板４０の幅が十分に広くない場合は、第２領域６０を基板４０の幅方向に長くして確保できない場合がある。そこで、図５に示すように、第２領域６０を、配線パターン５２の隣に、その延びる方向と同一方向に長く形成してもよい。このような第２領域６０の形態は、第２領域６０を複数形成する場合に特に効果的である。なお、この場合の第２領域６０を半導体チップ３０と重なるように貼り付ける形態は後述する。
【００５０】
基板４０の第１領域５０に、半導体チップ３０を搭載する。半導体チップ３０は、電極（図示しない）を有する面を基板４０に対向させて搭載する。この場合に、半導体チップ３０の電極と第１領域５０の配線パターン５２とを電気的に接続する形態は上述と同様であってもよい。
【００５１】
半導体チップ３０の平面形状は一般には矩形であり、図５に示すように、長方形であってもよく、あるいは正方形であってもよい。また、電極は半導体チップ３０の端部に形成されても、中央部に形成されても構わない。半導体チップ３０の外形が長方形である場合には、半導体チップ３０の長手方向に電極が配列されてもよいし、短手方向に電極が配列されてもよい。また、図５に示すように、長方形の半導体チップ３０の長手軸を、基板４０の長手軸に直交させて、半導体チップ３０を第１領域５０に搭載してもよい。
【００５２】
図６に示すように、半導体チップ３０を搭載した後に、第２領域６０を、第１領域５０に接続させたままで、半導体チップ３０と重なるように貼り付ける。詳しくは、平面視において第２領域６０を半導体チップ３０と重なるようにする。複数の第２領域６０が第１領域５０に接続されて形成されている場合は、そのうちの１つを、半導体チップ３０の搭載側であって半導体チップ３０の面に貼り付け、他の１つを、第１領域５０における半導体チップ３０の搭載領域の裏面に貼り付ける。すなわち、複数の第２領域６０によって、第１領域５０及び半導体チップ３０を、基板４０の両面の側から挟む。これにより、半導体チップ３０の両側から入射する光を遮断することができる。
【００５３】
また、図６に示す例とは異なり、１つの第２領域６０が第１領域５０に接続された場合は、第２領域６０を、第１領域５０における半導体チップ３０の搭載領域の裏面に貼り付けてもよい。これによって、第２領域６０を第１領域５０に接続させたままで、作業性に優れる工程によって、半導体チップ３０の能動面への光の入射を遮断できる。あるいは、これとは別に第２領域６０を、第１領域５０における半導体チップ３０の搭載側であって半導体チップ３０の面に貼り付けてもよい。
【００５４】
半導体チップ３０を基板４０の幅方向に沿って長い形状を有するように、第１領域５０に搭載した場合であって、第２領域６０を配線パターン５２の延びる方向と同一方向に長く形成したときは、第２領域６０を配線パターン５２の延びる方向と交差する方向が長くなるようにして貼り付けてもよい。すなわち、第２領域６０における第１領域５０との接続部６４を、第２領域６０が半導体チップ３０の外形を覆うようにして斜めに折り曲げる。例えば、図６に示すように、長い形状を有する第２領域６０のそれ自体の長手軸が、基板４０の長手軸と直交するように、接続部６４において斜めに折り曲げてもよい。これによって、基板４０の限られた幅を有効に利用して、第２領域６０を第１領域５０と接続させたままで、半導体チップ３０と重なるように貼り付けることができる。
【００５５】
基板４０が長尺状をなす場合は、上述の各工程をリール・トゥ・リールの工程で行ってもよい。第１領域５０は基板４０を搬送する部分に接続されており、第２領域６０は第１領域５０に接続されたままで折り曲げることが可能であるので、既存のリール・トゥ・リールの工程によって、効率良く半導体装置を製造することが可能である。なお、第２領域６０を半導体チップ３０と重なるように貼り付けた後に、少なくとも第１領域５０の範囲に沿って、図示しない金型によって基板４０を打ち抜いてもよい。基板４０を打ち抜く範囲は、例えば図６に示す２点鎖線の範囲であってもよい。あるいは、第１領域５０を含む範囲で、その範囲からはみ出した第２領域６０の接続部６４を取り除くようにして基板４０を打ち抜いても構わない。
【００５６】
本実施の形態によれば、基板４０の第１領域５０に半導体チップ３０を搭載し、第１領域５０に接続された第２領域６０を第１領域５０の半導体チップ３０と重なるように貼り付ける。これにより、半導体チップ３０に入射する光を第２領域６０によって遮断できる。また、第２領域６０は、第１領域５０と接続させたままで第１領域５０の半導体チップ３０と重なるように貼り付けるので、その作業性に優れている。したがって、簡単な製造プロセスによって、半導体チップ３０の遮光性を高めることができる。
【００５７】
以上に、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明したが、次に半導体装置について説明する。図７は、本実施の形態に係る半導体装置を説明するための図であり、詳しくは半導体装置を電気的に接続させた回路基板を示す図である。なお、以下の説明では、上述の製造方法での記載と重複する部分は省略する。
【００５８】
本実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ３０と、第１領域（第１の基板）５０と、第２領域（第２の基板）６０と、を含む。なお、本実施の形態に係る半導体装置は、上述の製造方法によって製造された半導体装置２（図７参照）であってもよい。あるいは、上述とは異なる製造方法によって製造されてもよい。
【００５９】
第１領域（第１の基板）５０は、配線パターン５２が形成され、半導体チップ３０の搭載領域を有する。図７に示すように、配線パターン５２は、半導体チップ３０の搭載領域の内側から外側に至って形成されてもよく、あるいは半導体チップ３０の搭載領域の内側のみに形成されてもよい。なお、第１領域（第１の基板）５０の外形は、半導体チップ３０の外形よりも大きくてもよく、あるいは半導体チップ３０の外形とほぼ同じ大きさであってもよい。
【００６０】
第２領域（第２の基板）６０は、半導体チップ３０と重なるように貼り付けられている。第２領域（第２の基板）６０は、第１領域（第１の基板）５０に対して、図７に示すように複数であってもよく、あるいは１つであってもよい。第２領域（第２の基板）６０が複数の場合は、そのうちの１つは、半導体チップ３０の搭載側であって半導体チップ３０の面に貼り付けられている。一方、複数の第２領域（第２の基板）６０の他の１つは、第１領域（第１の基板）５０における半導体チップ３０の搭載領域の裏面に貼り付けられている。これとは別に、第２領域（第２の基板）６０が１つからなる場合は、上述の半導体チップ３０の搭載側、又はそれとは反対側のいずれの側に貼り付けられてもよい。
【００６１】
第２領域（第２の基板）６０は、半導体チップ３０の外形以上の大きさの金属膜６２を有する（図５参照）。金属膜６２は、配線パターン５２と同一材料から形成されてもよく、別材料から形成されてもよい。金属膜６２は、半導体チップ３０に重なるように貼り付けられた第２領域（第２の基板）６０におけるいずれの面に形成されてもよい。
【００６２】
第１領域（第１の基板）５０の端部と第２領域（第２の基板）６０の端部とは、屈曲した状態で接続されている。この接続部６４は、１つの第２領域（第２の基板）６０において図７の例に示すように１つであってもよく、あるいは複数位置で複数形成されてもよい。
【００６３】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、第１領域（第１の基板）５０に半導体チップ３０が搭載され、第２領域（第２の基板）６０は第１領域（第１の基板）５０の半導体チップ３０と重なるように貼り付けられている。これにより、半導体チップ３０に入射する光を第２領域（第２の基板）６０によって遮断できる。また、第２領域（第２の基板）６０は、第１領域（第１の基板）５０と接続されたままで第１領域（第１の基板）５０の半導体チップ３０と重なるように貼り付けられているので、その作業性に優れている。
【００６４】
また、第２領域（第２の基板）６０の１つは第１領域（第１の基板）５０の半導体チップ３０の搭載側であって半導体チップ３０の面に貼り付けられ、他の１つは第１領域（第１の基板）５０の半導体チップ３０の搭載領域の裏面に貼り付けられている。これにより、半導体チップ３０の両側から入射する光を遮断することができる。
【００６５】
図７は、本発明を適用した本実施の形態に係る回路基板を示す図である。図７に示すように、回路基板９０には、上述した半導体装置２が電気的に接続されている。回路基板９０は、例えば液晶パネルであってもよい。
【００６６】
図７に示すように、半導体装置２は、屈曲させて設けてもよい。例えば、回路基板９０の端部の回りに半導体装置２を屈曲させてもよい。
【００６７】
本発明を適用した半導体装置を有する電子機器として、図８には、本発明を適用した半導体装置（図示せず）を有するノート型パーソナルコンピュータ１００が示されている。図９には、携帯電話１１０が示されている。この携帯電話１１０は、本発明を適用した回路基板９０（液晶パネル）も有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、参考例に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図２】  図２は、参考例に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図３】  図３は、参考例に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図４】  図４は、参考例に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図５】  図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】  図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】  図７は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が電気的に接続された回路基板を示す図である。
【図８】  図８は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図９】  図９は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０  ベース基板
１２  金属箔
１４  配線パターン
１６  金属膜
２０  レジスト層
３０  半導体チップ
４０  基板
４２  ベース基板
５０  第１領域（第１の基板）
５２  配線パターン
６０  第２領域（第２の基板）
６２  金属膜
６４  接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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