(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路装置における電気的接続構成体において、
第一導電層、
前記導電層の上側に設けられており上表面を具備する絶縁層、
前記絶縁層を貫通しており且つ前記導電層の１領域を露出されており側壁を具備する開口、
前記露出された導電層領域を被覆すると共に前記側壁の上部部分は被覆されないように前記側壁の一部のみを被覆するバリア物質からなる薄い層、
前記バリア物質の薄い層の上で前記絶縁層の上表面の下側のレベルで且つ前記薄い層の上表面の上側レベルまで前記開口を充填する第一導電性物質、
前記第一導電性物質及び前記露出されたバリア物質の上に設けられており前記絶縁層の上表面とほぼ同一面状の上表面を有する第二導電性物質からなる層、
を有することを特徴とする構成体。
【請求項２】
請求項１において、更に、前記第二導電物質層の上側に相互接続層が設けられていることを特徴とする構成体。
【請求項３】
請求項２において、更に、前記第二導電性物質層と前記相互接続層との間に薄い導電性キャップ層が設けられていることを特徴とする構成体。
【請求項４】
請求項１において、前記バリア物質の薄い層がチタン、又は窒化チタン、又はチタンの上に窒化チタンを設けた二重膜であることを特徴とする構成体。
【請求項５】
請求項１において、前記導電層が集積回路要素又はポリシリコンであることを特徴とする構成体。
【請求項６】
請求項１において、前記導電層が他の集積回路要素への相互接続層であることを特徴とする構成体。
【請求項７】
請求項１において、前記開口の横方向寸法が、１乃至４ミクロンの範囲内の厚さを有する絶縁層の場合に、約１ミクロンであることを特徴とする構成体。
【請求項８】
請求項１において、前記第二導電性物質層の厚さが１００Å乃至１０００Åの範囲内であることを特徴とする構成体。
【請求項９】
請求項１において、前記第二導電性物質がタングステンであることを特徴とする構成体。
【請求項１０】
請求項９において、前記第二導電性物質の層が比較的高いＨ2対ＷＦ6流れ比でＣＶＤによって形成したものであることを特徴とする構成体。
【請求項１１】
請求項１０において、前記Ｈ2対ＷＦ6流れ比が５乃至２０の範囲内であることを特徴とする構成体。
【請求項１２】
請求項１において、前記第一及び第二導電性物質が両方ともタングステンであることを特徴とする構成体。
【請求項１３】
請求項１において、前記第二導電性物質がアルミニウムであることを特徴とする構成体。
【請求項１４】
請求項１において、前記開口の側壁周りの前記第二導電性物質層の下側部分が前記第一導電性物質層の上表面の下側のレベルへ延在していることを特徴とする構成体。
【請求項１５】
集積回路装置において電気的接続構成体を製造する方法において、
導電層を形成し、
前記導電層の上側に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を貫通して側壁を具備する開口をエッチング形成し且つ前記導電層の１領域を露出させ、
第一導電性物質を付着形成する前に、前記側壁及び前記露出された導電層領域の上側にバリア金属からなる薄い層を付着形成し、前記開口を充填するために充分な厚さで前記バリア金属からなる薄い層の上に第一導電性物質を付着形成し、
付着形成した第一導電性物質を充分にエッチングして前記開口における第一凹所を形成し、
前記絶縁層の上表面から及び前記開口の側壁の上部部分から前記バリア金属をエッチングして前記第一凹所の底面下側に延在し前記第一導電性物質の上部周りに第二凹所を形成し、
前記第一凹所及び第二凹所内に第二導電性物質を選択的に付着形成させることによって前記第一及び第二凹所を充填させ且つ前記第二凹所の下側のバリア金属が爾後のエッチングステップから保護されるように前記開口の側壁と接触させる、
上記各ステップを有することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記第一及び第二凹所を充填するステップの後に、更に、
相互接続物質の一様付着によって前記第二導電性物質の上側に相互接続層を形成し、
前記第二導電性物質の上側の相互接続層に対して選択性を有するエッチングで前記相互接続層をエッチングする、
上記各ステップを有することを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１６において、更に、前記第二導電性物質と前記相互接続層との間に薄い導電性キャップ層を設けることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１５において、前記第二導電性物質がタングステンであることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８において、前記凹所を充填するステップが、比較的高いＨ2対ＷＦ6流れ比でＣＶＤによってタングステンを選択的に付着形成させることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１９において、前記Ｈ2対ＷＦ6流れ比が５乃至２０の範囲内であることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１５において、前記第一及び第二導電性物質が両方ともタングステンであることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１５において、前記絶縁層の上表面からバリア金属をエッチングするステップの後に、前記第二凹所が、前記第一凹所よりも前記側壁の上部部分の周辺部周りにおいて僅かに一層深いものであることを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項１５において、前記選択的に付着形成した第二導電性物質の厚さが１００Å乃至１０００Åの範囲内であることを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大略、半導体装置及びその製造方法に関するものであって、更に詳細には、半導体装置のレベル間の電気的接続を形成する構成体及び方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路の製造において、集積回路の異なる要素を互いに接続させるために、付着形成させ且つエッチングすることが比較的容易であると共に高度に導電性のアルミニウムからなる相互接続層を使用することが一般的である。この層は、通常、絶縁層の上に乗っており、絶縁層は導電層の上に位置されている。金属相互接続を確立するために導電層表面を露出させるためにアルミニウムを付着形成させる前に絶縁層に開口を形成する。これらの導電層表面は単結晶シリコン表面（トランジスタのソース、ドレイン、コレクタ、ベース及びエミッタ）、多結晶シリコン要素（電界効果トランジスタのゲート）又は別の相互接続層の金属表面とすることが可能である。コンタクト開口は、最初に、例えばアルミニウム又はタングステン等の金属層で充填（即ちプラグ）させて下側に存在する導電層と上側に存在する相互接続アルミニウム層との間に堅実な電気的接続を形成する。
【０００３】
然しながら、後の処理ステップにおいてのアルミニウムの相互拡散のためにシリコン上のアルミウムコンタクトでは問題が発生し且つ時間と共に劣化する。アルミニウムは、更に、シリコン内においてスパイクを発生させる場合がある。スパイクを防止すると共にアルミウム相互接続金属とシリコン表面との間での合金化を防止するために、開口をアルミウムでプラグ即ち充填させる前に、コンタクト開口の露出したシリコン表面上に薄い「バリア」又は「シード」金属層を付着形成させる。最も有用で且つ実際的なバリア金属はチタン、又はチタン及びその上に設けた窒化チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ）二重膜であり、それはシリコン及び二酸化シリコン表面上に良好に付着形成し且つシリコン表面上のタングステンからなる金属プラグに対する接着剤として作用する。然しながら、ＴｉＮ／Ｔｉ方法は幾つかの欠点を有している。それは開口の垂直な側壁上に容易に且つ一様に付着形成するものではなく、且つ底部上の厚さはスパッタリング又は物理的蒸着を使用した場合には、コンタクト外側の表面上の厚さの僅かな一部である。底部及び側壁被覆は、アルミニウム原子のコンタクト開口内への表面拡散を簡単化させ且つ高いアルミウム付着温度に起因するスパイク発生のより大きな傾向に耐えるために、特に、「ホットアルミニウムプラグ」処理において重要である。このようなアルミニウムプラグに対してコンタクト開口の底部及び側壁上にバリア膜の適切なる付着形成を確保するために、米国特許第４，５９２，８０２号及び第５，２３１，０５１号に示されるように以前においてはコンタクト開口をステップダウンすることが必要であった。然しながら、このようなコンタクト開口のステップはシリコン構成体の貴重なレイアウト空間を使用してしまうこととなる。
【０００４】
この問題は、米国特許第４，５９２，８０２号及び５，２３１，０５１号に記載されており且つ当該技術分野において公知なプロセスであるＣＶＤタングステンエッチバックプラグを使用することによって部分的に解決される。このプロセスにおいては、コンタクト開口を絶縁層より上側のレベルへタングステンで充填して開口を完全に充填させることを確保する。次いで、絶縁層が露出されるまで付着形成したタングステンをマスクなしでエッチバックする。タングステンのＣＶＤは、通常、コンフォーマルであるから、即ち垂直表面上の付着速度が水平表面上の付着速度とほぼ等しいものであるから、この方法は開口内に完全なプラグを形成する。この方法を使用することによって、アルミニウムプラグとシリコンとの間でのスパイク発生の問題を防止するためにもはやバリア金属層は必要ではなくなる。
【０００５】
然しながら、タングステンプラグを使用することによってスパイク発生を防止することが可能であるが、コンタクト開口の底部において尚且つバリア金属層を設けることが望ましい。タングステンプラグの下側に位置したバリア層は、アルミウムの場合におけるようにスパイク発生問題のために望ましいものではなく、「タングステンエンクローチメント（侵入）」又は「ウォームフォーリング（虫の孔開け）」として知られている異なる現象のためである。タングステンとシリコンとは５００℃より低い典型的なメタリゼーション温度において容易に反応するものではない。然しながら、タングステンのＣＶＤはＷＦ6 を使用して行なわれ、且つＷＦ6 における弗素が反応において触媒として作用するタングステンの存在下においてシリコンと反応する。このタングステンエンクローチ問題は当該技術分野において公知であり且つ業界の文献において広く報告されている。例えばＴｉＮ等のバリア金属層は弗素がシリコン表面と接触することを防止することによってこの問題を解決する。
【０００６】
タングステンエンクローチ問題を防止するためにはバリア金属をコンタクト開口の底部において必要とされるに過ぎないが、バリア金属をコンタクト開口の側壁上にも付着形成させることが尚且つ必要であるか又は少なくとも望ましいものである。何故ならば、ＣＶＤタングステンは例えばＳｉＯ2 等の絶縁層上に容易に付着形成するものではなく又は接着するものではないからである。コンタクト開口の側壁は絶縁層の一部であるから、側壁上の連続的なバリア金属層がコンタクト開口内に完全なプラグを形成するために必要とされるタングステンのコンフォーマル付着形成を確保するために有用である。
【０００７】
従って、接続プラグとしてどの金属（アルミニウム又はタングステン）を使用するかに拘らず、現在高度の集積回路に対し約３．５：１乃至高々５：１の大きなアスペクト比を有するコンタクト開口において特にそうであるように、側壁上に連続的なバリア金属層を設けることの必要性が存在している。このために、業界ではコンタクト開口内においてバリア金属をコンフォーマル付着形成させる多大な努力が払われている。この目的のために、集積回路製造業界では最近ＴｉＮのＣＶＤプロセスを開発し、それは、コンタクト開口の良好なる側壁カバレッジ（被覆）を与え、殆どの製造業者がＴｉＮのＣＶＤへ移行している。
【０００８】
然しながら、全ての表面に対して良好な接着を与え且つコンタクト開口の底部におけるエンクローチメント（侵入）を防止するコンタクト開口内の良好な一貫性のあるバリア膜は新たな困難性を提起している。ある場合においては、マスク不整合及びその他の処理変動のために、コンタクト開口内の金属タングステンプラグ上の金属相互接続層はその開口の全ての部分を完全に被覆するものではない場合がある。そのような場合には、金属相互接続層のエッチング期間中に、エッチング化学物質に露呈されるバリア金属もエッチングされ、その結果ボイドが形成されたり又はコンタクト開口の側壁に沿ってスパイクが発生したりする。
【０００９】
アルミニウム又はチタンに対してタングステンの選択的エッチングは容易に行なうことが可能である。例えば、タングステンは、チタン、窒化チタン、アルミニウムと比較して弗素イオンで選択的にエッチングされる。更に、チタン、窒化チタン、アルミニウムは、タングステンと比較して、塩素イオンで選択的にエッチングされる。この選択的エッチングのために、コンタクト開口内のタングステンプラグは、エッチストップとして、窒化チタン、バリア金属を使用して、非常に一様に且つ完全にエッチバックすることが可能である。次いで、例えば、アルミニウム相互接続層の形成期間中に、タングステンプラグをアルミニウムに対するエッチストップとして使用する。このアルミニウムエッチプロセスは地形的なステップ上での残存アルミニウム及び窒化チタンを除去する必要性のために比較的長いものであり、それらはエッチングすることがより困難なものである。
【００１０】
本発明者によって判明された問題は、アルミニウムをエッチングするのに好適な塩素エッチングは例えばチタン又は窒化チタン等のバリア金属もエッチングするということである。その結果、アルミニウムをエッチングする場合に、側壁とタングステンプラグとの間のバリア金属もエッチングされる。アルミニウム金属に対するエッチング期間及びオーバーエッチ期間は比較的長いので、側壁上のバリア金属はコンタクト開口の底部に向かっても部分的に侵食される場合がある。このことは、タングステンプラグの下側に位置しているトランジスタのソース又はドレイン等の下側に存在する導電性領域を破壊する場合がある。
【００１１】
この問題を防止する１つの方法は、プラグの上においてアルミニウムの相互接続層を充分に長いものとさせ、それがタングステンプラグを完全に被覆し且つ包囲するようにさせることである。最小のエンクロジャ（包囲）はマスク不整合及びその他の処理変動を補償するために相互接続層へ付加されねばならないエキストラな表面積を定義する。プラグ上での幅広とされた部分は、典型的に、小型の幾何学的形状のデバイス（装置）に対する相互接続層の幅の約２倍である場合がある。この拡大された区域は、相互接続層上において中心位置決めされるように設計されるが、それは片側に偏る場合があり、且つマスク不整合及びその他の処理変動を補償するために充分に大きなものとされる場合がある。例えば、相互接続層が１ミクロンの幅を有する場合、コンタクト開口の上側に存在する領域の幅は、タングステンプラグ及びチタン側壁の完全なるカバレッジ（被覆）及びエンクロジャ（包囲）を確保するために２．０ミクロンとする場合がある。コンタクトの上側に幅広の相互接続層又は拡大した領域を設けることは明らかに不利益であり、特に、回路要素及び相互接続層が以前のものよりもより密接して集積化されている今日の集積回路装置においては特にそうである。例えば、今日の０．３５ミクロン技術装置においては、相互接続層は０．４乃至０．５ミクロンの幅であるに過ぎず３乃至５レベル（層）に積層されている場合がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は、上述した如き従来技術の欠点を解消し、相互接続層を形成する期間中に侵食されることのないコンタクト開口を与える技術を提供することを目的とする。更に、開口内の金属プラグの付着がコンフォーマルであるように側壁上に付着形成されるバリア金属の殆どを維持するような態様でこのような開口を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の原理によれば、コンタクト開口の上側に存在する相互接続層を形成する期間中にコンタクト開口内におけるバリア金属層を保護するための電気的接続構成体及び方法が提供される。
【００１４】
本発明によれば、半導体基板の上に集積回路要素の導電層領域を形成する。これらの導電性領域の上に絶縁層を付着形成する。その絶縁層を貫通してコンタクト開口をエッチング形成し、下側に存在する導電層の一部を露出させる。接続プラグを形成するために、絶縁層の上にバリア金属からなる薄い層を付着形成する。それは、下側に存在する導電層の露出区域及びコンタクト開口の側壁上にバリア金属を付着形成させる。開口内の薄いバリア金属層の上に、例えばタングステン等の導電性物質を開口を充填するのに充分な厚さに付着形成させる。次いで、絶縁層上のバリア金属が露出されるまで、マスクなしで付着形成させた導電性物質をエッチバックする。その後の制限した期間の間、付着形成させた導電性物質を更にエッチバックしてコンタクト開口の下側に僅かな凹所を形成する。これは、開口の側壁上の薄いバリア金属層の上部部分を露出させる。次のステップは、絶縁層上のバリア金属の薄い層及び開口内の露出されたバリア金属をエッチングすることである。このステップは、導電性物質の上部近くの側壁及び導電性物質の間のバリア金属層を僅かに侵食させる場合がある。凹所内で且つ露出されたバリア金属層上に、導電性物質を選択的に付着形成させる。この導電性物質の選択的付着形成によってコンタクト開口が被覆され且つコンタクト開口の底部表面及び側壁上のバリア金属の薄い層を爾後のエッチングステップから保護する。例えば、選択的に付着形成したタングステンの上にアルミニウムの相互接続層を形成する期間中に、タングステンと比較してアルミニウムが選択的にエッチングされ、その場合にタングステンはエッチストップとして作用する。バリア金属層が選択的に付着形成したタングステンによって被覆されているので、アルミニウムエッチャントはバリア金属層と接触することはなく、従ってそれはエッチングされることはない。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明者によって認識された問題を示している。相互接続層６をパターン形成するために使用したホトレジスト２６は下側に存在する接続区域と不整合状態となる場合がある。例えばアルミニウム等の相互接続層６のエッチング期間中に、例えばタングステン等の付着形成させた金属プラグ４がエッチストップとして使用される。ホトレジスト２６は金属プラグ４と不整合であるので、露出されたバリア金属２はアルミニウム６と共にエッチングされる。バリア金属層２は図示したコンタクト開口の側壁に沿って侵食される。このことは、相互接続層６と下側に存在する導電層領域１０との間に劣悪な電気的接触を発生させる。残留アルミニウム及びバリア金属を除去するための必要性からアルミニウムエッチングプロセス期間中にオーバーエッチ即ち過剰なエッチングをすることは当該技術分野において一般的である。従って、最悪の場合において、バリア金属２の侵食は、側壁にわたって継続して行なわれ導電層１０の一部に到達し、関連する電気的回路を破壊する場合がある。今日の集積回路チップ内には１００万を超える電気的回路が存在しているので、当業者にとって明らかなように、例え１個の欠陥性の回路であっても集積回路チップ全体を使用不可能なものとさせる場合がある。エッチングが層１０に到達するまでチタンを除去するものではないとしても、側壁から充分なるエッチングが行なわれてプラグ４を開口内において移動させ且つ電気的な問題を発生させる場合がある。
【００１６】
図２は上述したエンクロジャ（包囲）基準を使用することによって側部侵食問題を防止するためにコンタクト開口３０の上側に形成した従来の相互接続層６の概略平面図を示している。相互接続層６の幅広とさせた部分はコンタクト開口３０の上において中心位置決めされている。第二相互接続層１２が第一相互接続層６に沿って走行している。この相互接続層の幅はｗであるに過ぎないが、コンタクト開口３０の両側における最大の不整合ｅに対する補償として層６の両側にエキストラな幅ｅを付加せねばならない。このことは、コンタクト開口のレベルにおいての相互接続層６，１２の間のピッチｐ（相互接続層ｉの幅＋間隔ｓ）を増加させ、その結果貴重なレイアウト空間を浪費することとなる。
【００１７】
図３は、図２の線３−３に沿ってとった従来の相互接続層６の概略断面図である。理解されるように、エンクロジャ（包囲）条件が絶縁層８の上に形成することの可能な相互接続層６，１２の密度を減少させる。何故ならば、各層は幅広とした区域を具備する部分を有しているからである。
【００１８】
図４Ａ乃至４Ｉは、コンタクト開口３０の上側に存在する相互接続層６を形成する期間中にライナー物質層２を保護する現在好適な方法を示している。半導体基板１４は電気的コンタクトを設けることが所望される導電層領域１０を有している（図４Ａ）。一方、層１４はポリシリコン又は金属のいずれかからなる相互接続層自身とすることが可能である。二酸化シリコンからなる絶縁層８が基板１４の上に設けられている。絶縁層８を貫通してコンタクト開口３０を形成する。絶縁層８の上及び開口３０内にバリア金属からなる薄い層２を付着形成させる。コンタクト開口３０の内側に付着形成されるライナー物質２は、好適には、例えばチタン、窒化チタン、又はチタンの上に窒化チタンを設けた二重膜等のバリア金属である。一方、下側の層に対し改善した付着（接着）及び保護を与える所望の機能を達成するその他の合金又は化合物をライナー層２に対して使用することが可能である。別の実施例においては、例えばＴｉ／ＴｉＮ／Ｔｉ等のバリア金属／バリア金属化合物／バリア金属からなるサンドイッチ構造を使用することも可能である。然しながら、接続プラグ物質２２と比較して選択的にエッチングすることの可能な金属又は半金属等の任意の物質を使用することが可能である。付着形成は、バリア金属２をスパッタリングさせるか、又はＣＶＤ方法はバリア金属を窒化チタンの選択に制限させるが、比較的新しいプロセスであるバリア金属ＣＶＤによって行なうことが可能である。このバリア金属層２は設計条件に依存して約１００Åから３０００Å以上の範囲の厚さを有することが可能である。バリア金属２の上に、好適にはＣＶＤによってコンフォーマル導電性物質２０を付着形成させる（図４Ｂ）。一実施例においては、コンフォーマル導電性物質２０はタングステンである。別の実施例においては、コンフォーマル導電性物質２０はアルミニウムか、又はコンフォーマル付着を行なうことの可能なその他の高度に導電性の物質である。次いで、付着形成した導電性物質２０をマスクなしでエッチバックする。このエッチングは、絶縁層８上のバリア金属層２が露出されるまで継続して行なう。次いで、制御した時間の間、コンタクト開口３０内の物質２０を更にエッチングして開口３０下側の所望のレベルの凹所３１を形成する（図４Ｃ）。この凹所の深さは、好適には以下に説明する理由により５０Å乃至１０００Åの範囲内である。
【００１９】
所望の凹所レベルが形成されると、エッチングを終了し且つバリア金属層２をエッチングする。このバリア金属をエッチングするための多くの使用可能な技術が公知であり、１つの使用可能な技術としては、絶縁層８が露出されるまで塩素イオンを使用してエッチングを行なうプラズマエッチングである（図４Ｄ）。タングステンプラグと比較してバリア金属に対して選択性のあるエッチングが好適である。このエッチングプロセスにおいて、開口３０の側壁上のバリア金属層２の僅かな凹所３３を図４Ｄに示した如くに形成することが可能であるが、このことは必ずしも必要なものではない。
【００２０】
次いで、選択的タングステン付着形成を行なって、コンタクト開口３０内の凹所３１及び存在している場合には凹所３３を充填する（図４Ｅ）。この選択的タングステン付着形成はマスクなしで行なう。この場合の付着反応は、タングステンがプラグ２０の上には選択的に付着形成されるが絶縁層８の上には付着形成されないように選択される。タングステン又は例えばアルミニウム等のその他の物質の上にタングステンの選択的付着形成を行なうための付着反応は当該技術において公知であり刊行されている文献に記載されている。１つの好適なプロセスはＣＶＤプロセスであって、その場合に、比較的高いＨ2 対ＷＦ6 流れ比でＷＦ6 及びＨ2 を導入させてタングステン上にタングステンを付着形成させる。好適には、この流れ比は１０乃至２０の範囲内においてＨ2 がＷＦ6 よりも一層多い。この環境の下において他の表面上に付着形成される前に露出されているタングステン表面２０の上に最大で１０００Åまでのタングステン２２が選択的に付着形成される。このタングステン２２のエッチストップ層２２は下側に存在する側壁上のバリア金属層２及び導電層領域１０を保護し、且つ後にアルミニウム相互接続層６をエッチングするために使用される塩素イオンに対し完全なるエッチストップとして作用する。凹所３１の深さは、保護用タングステン層が形成されるのに充分に深いものであるが、タングステンの上にのみ選択的に付着形成を行なうことが容易に行なえない程度に深いものでないように選択する。従って、今日の技術に基づいた場合には、５０Å乃至１０００Åの範囲が好適である。マスク及びエッチングステップは不要であり、従ってプロセスが簡単化されている。
【００２１】
図４Ｆを参照して説明すると、選択的に付着形成したタングステン２２の上にアルミニウム相互接続層６を形成する期間中に、アルミニウム６は絶縁層８の上にブランケット即ち一様に付着形成される。次いで、選択したアルミニウム領域の上にホトレジストパターン２２を形成する（図４Ｇ）。ホトレジスト２６によって被覆されていない付着形成されたアルミニウムの領域はエッチストップとして作用するタングステン２２の上において選択的にエッチングされる（図４Ｈ）。図示した如く、ホトレジストパターン２６は不整合状態である場合がある。バリア金属層２は選択的に付着形成されたタングステン２２によって被覆されているので、アルミニウムエッチャントはバリア金属層２と接触することはない。
【００２２】
相互接続層６がアルミニウムである場合には、エッチストップ層２２はアルミニウムではない。エッチストップ層２２の物質は相互接続層６のエッチングに対しエッチストップとなるように選択されている。従って、一実施例においては、プラグ２０はタングステンから形成し、キャップ層２２はタングステンであり、且つ相互接続層６はアルミニウムである。別の実施例においては、プラグ２０がアルミニウムであり、エッチストップ層２２がタングステンであって、相互接続層６がアルミニウムである。
【００２３】
導電層１０がプラグ物質２０と互換性のある別の実施例においては、ライナー層２は使用しない。例えば、導電層２０がアルミニウムであり且つプラグ２０がアルミニウムであり、従ってライナー層２は必要ではない。この実施例においては、相互接続層６もアルミニウムである。従って、エッチストップ層２２は例えばタングステン等のアルミニウムエッチングに対するエッチストップ物質を使用して前述した如くに形成する。
【００２４】
次に、図５を参照して説明すると、一実施例においては、相互接続層６と接続構成体２，２０，２２との間に導電性キャップ層２４がオプションとして配置されている。このキャップ層２４は、図４Ｇに示した如く層６の一様付着の前に一様に付着させる。次いで、キャップ層２４の上にアルミニウムを一様に付着させ、且つ単一のマスクを使用して両方の層をエッチングする。キャップ層２４はコンタクトレベルにおける界面化学的性質を改善するために使用する。このことは、界面における電気抵抗を低下させ、且つ相互接続層６と接続構成体２，２０，２２との間に良好なる接着を与えることを包含している。キャップ層２４の所望の特性はバリア金属のものと類似しているので、上述したいずれのバリア金属もキャップ層２４として適切なものである。
【００２５】
図６を参照して説明すると、１つの不整合状態にある相互接続層６がコンタクト開口３０の上側に存在している。このことは従来技術においては主要な関心事であったが、本発明に基づく接続構成体２，２０，２２ではこのタイプの不整合を許容することが可能である。何故ならば、開口３０の側壁に沿ってのバリア金属２は相互接続層６をパターン形成するために使用するエッチング化学物質から完全に保護されているからである。接続構成体２，２０，２２の上において相互接続層６の幅広とした部分は存在していないので、第二相互接続層１０を図２に示したものと比較して第一相互接続層６へ一層近付けて配置させることが可能である。理解されるように、図６におけるピッチｐ′は図２におけるピッチｐよりも著しく小さく、そのことは、電気的回路及び相互接続層６，１０を従来可能であったものよりも一層緊密に集積化させることを可能としている。
【００２６】
上述した処理ステップ及び構造は集積回路全体を製造するための全てのステップの完全なる処理の流れを構成するものではない。本発明は当該技術分野において現在使用されている集積回路製造技術に関連して実施することが可能であり、従って、本発明の重要な特徴をより良く理解するのに必要な処理ステップについて重点的に説明している。又、添付の図面は縮尺通りに描いたものではなく、本発明の重要な特徴をより良く示すために適宜拡縮して示してある。
【００２７】
本明細書において説明した接続プラグ構成体の製造方法は、下側に存在するシリコン基板の導電性領域へのコンタクトを形成するものとして説明してある。当業者にとって明らかな如く、同一の技術を上側の相互接続層と下側の多結晶シリコン相互接続体との間、又は２つの金属相互接続層の間における接続構成体を製造するために使用することが可能であることは勿論である。
【００２８】
以上、本発明の具体的実施の態様について詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱することなしに種々の変形が可能であることは勿論である。例えば、制限した数のバリア金属のタイプについて記載するに過ぎないが、例えばタンタル又はモリブデン等のその他の任意の導電性金属を使用することも可能である。選択的に付着形成した層２２は好適にはタングステン又はタングステン合金であるが、相互接続層６と相対的に選択的にエッチストップとすることの可能なその他の任意の導電性物質を使用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  相互接続層によって被覆されていないコンタクト開口及びバリア金属の侵食の危険性を示した概略断面図。
【図２】  コンタクト開口の上側に形成した従来の相互接続層を示した概略平面図。
【図３】  図２の線３−３に沿ってとった従来の装置の概略断面図。
【図４Ａ】  本発明の原理に基づく一実施例に基づいて接続構成体を製造する一段階における状態を示した概略断面図。
【図４Ｂ】  本発明の原理に基づく一実施例に基づいて接続構成体を製造する一段階における状態を示した概略断面図。
【図４Ｃ】  本発明の原理に基づく一実施例に基づいて接続構成体を製造する一段階における状態を示した概略断面図。
【図４Ｄ】  本発明の原理に基づく一実施例に基づいて接続構成体を製造する一段階における状態を示した概略断面図。
【図４Ｅ】  本発明の原理に基づく一実施例に基づいて接続構成体を製造する一段階における状態を示した概略断面図。
【図４Ｆ】  本発明の原理に基づく一実施例に基づいて接続構成体を製造する一段階における状態を示した概略断面図。
【図４Ｇ】  本発明の原理に基づく一実施例に基づいて接続構成体を製造する一段階における状態を示した概略断面図。
【図４Ｈ】  本発明の原理に基づく一実施例に基づいて接続構成体を製造する一段階における状態を示した概略断面図。
【図４Ｉ】  本発明の原理に基づく一実施例に基づいて接続構成体を製造する一段階における状態を示した概略断面図。
【図５】  オプションとしてのキャップ層を有する接続構成体を示した概略断面図。
【図６】  接続構成体の上に形成した相互接続層を示した概略平面図。
【符号の説明】
２  ライナー物質層
６  アルミニウム
８  絶縁層
１０  導電層領域
１４  半導体基板
２０  導電性物質
２２  エッチストップ層（タングステン）
２４  キャップ層
２６  ホトレジストパターン
３０  コンタクト開口
３１  凹所
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
0003955644.tif 000006
【図４Ｃ】
0003955644.tif 000007
【図４Ｄ】
0003955644.tif 000008
【図４Ｅ】
0003955644.tif 000009
【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図４Ｉ】
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【図５】
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【図６】
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