(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行に長く延びる少なくとも一対のサイドフレームと，両サイドフレームを適宜間隔ごとに連結するセクションバーとを備え，
一方のサイドフレームには，他方のサイドフレームに向けて延びる第１リード端子が適宜間隔で多数本形成されており，各第１リード端子は自由端と基端部とを有しており，他方のサイドフレームには，前記第１リード端子と対を成す第２リード端子が形成されており，各第２リード端子は自由端と基端部とを有しており，これら第１及び第２のリード端子は，両サイドフレームをその長手方向にずらし移動させると両リード端子の自由端が重なり合うように配置されており，
更に，前記第１及び第２の両リード端子のうち少なくともいずれか一方のリード端子における自由端が，全体として細巾に形成されることにより弱化部をなしていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
請求項１において，
前記第１及び第２のリード端子のうち他方のリード端子における途中の部位に，部分的に細巾となったくびれ部が形成されており，このくびれ部の箇所が曲げ強度の小さい弱化部を弱化部となっていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
請求項１において，
前記第１及び第２のリード端子のうち他方のリード端子における途中の部位に，穴が空いた領域を有しており，この領域の箇所が曲げ強度の小さい弱化部を弱化部となっていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項４】
請求項１において，
前記第１及び第２のリード端子のうち他方のリード端子における自由端が，全体として細巾に形成されることにより弱化部をなしていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかにおいて，
１本の第１リード端子と少なくとも２本の第２リード端子とが対を成しており，前記少なくとも２本の第２リード端子は，平行に延びる基幹部と互いに接近する方向に延びる自由端とから成っている一方，前記第１リード端子は，両第２リード端子の外側に位置しており，この第１リード端子の自由端は，前記両サイドフレームをずらし移動させると各第２リード端子の自由端と重なり合う広巾部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載したリードフレームを使用して製造された半導体装置であって，重ねた第１リード端子と第２リード端子との先端間に半導体素子がボンディングされていると共に，前記半導体素子と各リード端子の自由端とはモールド部でパッケージされており，各リード端子がサイドフレームから切断されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は，ダイオードやトランジスター等の半導体装置を製造するために使用するリードフレーム，並びにこれを用いた半導体装置に関するものである。
背景技術
従来の半導体装置の一つのタイプとして，例えば以下の構成を有するものがある。すなわち，この装置は，互いに逆向きに延びるリード端子を部分的に重ね合わせて，このリード端子の重なり合った部分に半導体素子（チップ）を挟み固定し，更に半導体素子とその周囲を合成樹脂のモールド部でパッケージしている。本願出願人は，このタイプの半導体装置を製造するためのリードフレームを特公平6-36413号公報や特公平6-71015号公報に開示した。この従来のリードフレームを本願の添付の図10〜図12に示す。
上記従来のリードフレーム20は，平行に長く延びる少なくとも２本のサイドフレーム21,22と，両サイドフレーム21,22を適宜間隔ごとに連結するセクションバー23とを備えており，各セクションバー23の付け根箇所23ａを細巾に形成することにより，両サイドフレーム21,22がその長手方向に相対的にずれ移動することを許容している。また，両サイドフレーム21,22には，対を成す第１及び第２のリード端子24,25が多数本形成されている。これら第１及び第２のリード端子の先端は互いに近接させた状態に配置されている。更に，両サイドフレーム21,22には，係合穴26が所定間隔で穿設されており，これらの穴は，当該サイドフレーム21,22を長手方向に移送するスプロケット（図示せず）と係合する。
そして，次の工程を経て半導体装置Ｄが製造される。すなわち，
１.第１リード端子24の先端24ａに半導体素子Ｔをダイボンディングし，
２.両サイドフレーム21,22の送り速度を変えることにより，第２リード端子25の先端25ａを，第１リード端子24にダイボンディングされた半導体素子Ｔに重ね合わせ，
３.半田や導電性接着剤，或いは圧接等の適当な手段で第２リード端子25の先端25ａを半導体素子Ｔにダイボンディングし，
４.先端24a,25aを重ね合わせた両リード端子24,25を合成成樹脂の成形装置に移送して，図29に一点鎖線で示すように，半導体素子Ｔ及びその周囲を合成樹脂のモールド部Ｍでパッケージし，
５.導通検査等の後，各リード端子24,25をその付け根箇所で切断する，
と言う工程である。
この先行技術によると，１本のリードフレーム20によって複数の半導体装置Ｄを製造できるため，半導体装置Ｄの製造能率を格段に向上できる。
ところで，この従来技術では，セクションバー23を変形させて両サイドフレーム21,22をその長手方向にずらし移動させるに際して，セクションバー23の付け根箇所23ａは完全には塑性変形せずにある程度は弾性変形している。このため，セクションバー23のスプリングバックによって，サイドフレーム21,22をずらし移動する前の状態に戻そうとする復元力が作用し，リード端子24,25が僅かながら曲がり変形する。その際の弾性復元力が，リード端子24,25と半導体素子Ｔとを引き離すように作用する。その結果，リード端子24,25から半導体素子Ｔが外れてしまったり，導通不良になったりして不良品になってしまうことがあった。
上記の問題に対処する方法としては，スプロケットと係合穴26との間の遊びを完全になくして，両サイドフレーム21,22を移送することが考えられる。このようにすれば，セクションバー23のスプリングバックを完全に回避しうるからである。しかしながら，スプロケットと係合穴26との間の遊びを完全になくすのは現実には困難であり，このため従来は，セクションバー23のスプリングバックに起因して接合不良が生じることを確実に防止することはできなかった。
上記の問題は，（１本の第１リード端子に対応して）複数本の第２リード端子を半導体素子に設ける場合にさらに深刻となる。すなわち，第１リード端子にダイボンディングした半導体素子に複数本の第２リード端子をダイボンディングする形態のリードフレームの場合には，リード端子全体の剛性が高くなるため，リード端子と半導体素子との接合箇所には引き剥がし外力がより強く作用する。そのために，リード端子から半導体素子が外れて不良品になる率が高かった。
発明の開示
本発明は，上述した問題を解消することを目的とする。
本発明の第１の側面によれば，平行に長く延びる少なくとも一対のサイドフレームと，両サイドフレームを適宜間隔ごとに連結するセクションバーとを備えたリードフレームが提供される。一方のサイドフレームには，他方のサイドフレームに向けて延び且つ自由端と基端部とを有する第１リード端子が適宜間隔で多数本形成されており，他方のサイドフレームには，前記第１リード端子と対を成し且つ自由端と基端部とを有する第２リード端子が形成されている。これら第１及び第２のリード端子は，両サイドフレームをその長手方向にずらし移動させると両リード端子の自由端が重なり合うように配置されている。前記第１及び第２の両リード端子のうち少なくともいずれか一方の自由端が，全体として細巾に形成されることにより曲げ強度の小さい弱化部をなしている。
第１及び第２のリード端子は１本ずつが対応するようにしても良いし，１本のリード端子に対して複数本の第２リード端子を対応させて，例えば３本以上のリード端子がセットなるように組み合わせても良い。また，サイドフレームの本数は２本には限らず，例えば前記特公平6-36413号公報の第10図に記載されているように，サイドフレームを３本以上並設して，各サイドフレームにリード端子を形成した形態でも良い。
既に述べたように，サイドフレームをずらし移動させてから第１及び第２のリード端子に半導体素子をダイボンディングする。このとき，セクションバーのスプリングバック等によってリード端子に曲げ力が作用する。しかしながら，リードフレームを本発明の構成にすると，その曲げ力の大部分を弱化部の変形によって吸収できる。従って，リード端子と半導体素子との接合箇所に大きな引き剥がし外力が作用することを抑制できる。その結果，リード端子から半導体素子が外れたり導通不良になったりする不良品の発生率を著しく低減できる。
本発明の第２の側面によれば，上記のリードフレームを使用して製造された半導体装置が提供される。この構造の半導体装置は，リード端子と半導体素子との導通状態を的確に保持して，品質を向上できる利点を有する。
本発明の種々の特徴及び利点は，添付図面に基づいて行う以下の好適な実施形態の説明から容易に理解できるであろう。
【図面の簡単な説明】
図１は第１実施形態の平面図である。
図２は第１実施形態の要部の平面図であり，ずらし操作の後の状態を示す。
図３は図２のIII-III視図である。
図４第２実施形態の平面図である。
図５は第３実施形態の平面図である。
図６は第４実施形態の平面図である。
図７は第５実施形態の平面図である。
図８は第６実施形態の平面図である。
図９は第７実施形態の平面図である。
図10は従来例のリードフレームの平面図である。
図11は図10の要部拡大図である。
図12は従来例のリードフレームの要部平面図であり，ずらし操作の後の状態を示す。
発明を実施するための最良の形態
次に，本発明の実施形態を図面に基づいて説明する
(1)．第１実施形態（図１〜図３）
図１〜図３は第１実施形態を示しており，リードフレーム１は，銅板のような導電性金属板をプレス加工することによって製造される。図１に示すように，リードフフレーム１は，平行に長く延びる第１及び第２の２本のサイドフレーム2,3と，両サイドフレーム2,3を適宜間隔ごとに連結する多数本のセクションバー４とを備えている。両サイドフレーム2,3には，送り用のスプロケット（図示せず）に嵌まる角形の係合穴５を適宜間隔で多数空けている。
両サイドフレーム2,3を長手方向にずらし移動することが許容されるように，各セクションバー４の一対の付け根部4aを細巾に形成している。各セクションバー４は，サイドフレーム2,3と直交する線に対して若干の角度で傾斜しており，サイドフレーム2,3をずらし移動させると，図２に示すように，各セクションバー４は両サイドフレーム2,3と直交した姿勢になる。
第１サイドフレーム２のうち隣合ったセクションバー４の間の各箇所には，第２サイドフレーム３に向けて途中まで延びる第１リード端子６を一体に設けている。第１リード端子６は，基幹部6aに広巾状先端部6bを設けた形態であり，広巾状先端部6bに半導体素子Ｔがダイボンディングされる。第１リード端子６は，一方のセクションバー４の側に片寄った状態に配置されている。
第２サイドフレーム３のうち隣合ったセクションバー４の間の各箇所には，第１サイドフレーム２の方向に延びる２本の第２リード端子７が一体に設けられている。両第２リード端子７は，互いに平行に延びる基幹部7aと，互いに接近するように傾斜状に延びる自由端7bとを備えており，両自由端7bの最先端7cは，若干の隙間を隔てた状態で直線状に延びている。そして，自由端7b（最先端7cを含む）の全体を基幹部7aよりも巾狭の細巾に形成することにより，自由端7bの全体を基幹部7aよりも曲げ強度の小さい弱化部となしている。
両第２リード端子７の最先端7cは，サイドフレーム2,3と長手方向に沿って第１リード端子６の広巾状先端部6bと並ぶように配置されており，また，第１リード端子６は両第２リード端子７の外側に位置している。更に，第１リード端子６の広巾部6bは，両第２リード端子７の最先端7cに重なり得る巾寸法である。
以上の構成のリードフレームを用いることにより，半導体装置Ｄが以下の工程を経て製造される。具体的にはこの工程には，リードフレーム１をその長手方向に移送しつつ，第１リード端子６の広巾状先端部部6bに半導体素子Ｔをダイボンディングする工程，リード端子6,7をずらし重ねる工程，パッケージ工程，検査工程，リード端子6,7を両サイドフレーム2,3から切り離す工程，等の各工程が含まれる。本実施例では，２本の第２リード端子７に対応した２個の半導体素子Ｔを備えた構成であるが，１個の半導体素子Ｔに２本の第２リード端子７をダイボンディングしても良い。
一般には，半導体素子Ｔのダイボンディング工程に先立って，図３に示すように第１リード端子６を変形し，自由端を下向きの段違い状に曲げるか，第２リード端子７を変形し，自由端7bを上向きの段違い状に曲げるか，或いは，両リード端子6,7を変形し先端部をそれぞれ上下逆方向の段違い状に曲げるかしておく。このような構成により，半導体素子Ｔに接続した後に，各リード端子6,7の基幹部6a,7aを同じに高さに揃えることができる。但し，各リード端子6,7の高さが異なっても差し支えなければ，リード端子6,7の曲げ加工は必要ない。
一般に，両リード端子6,7に半導体素子Ｔをダイボンディングした後は，セクションバー４のスプリングバックによって両リード端子6,7に曲げ力が作用し得る。しかしながら，本発明によれば，その曲げ力は第２リード端子７の自由端7bの変形によって吸収される。このため，両リード端子6,7と半導体素子Ｔとの接合箇所に大きな引き剥がし外力が作用することはなく，その結果，両リード端子6,7と半導体素子Ｔとを接合した状態が的確に保持されて，不良品発生率を著しく低減できる。
(2)．第２実施形態（図４）
図４に示す第２実施形態では，第２リード端子７を第１実施形態と同様に形成する一方，第１リード端子６のうち基幹部6aと広巾状先端部6bとの連接箇所（以下，首下部と言う）にくびれ部８（換言すると部分的な細巾部）を形成して，このくびれ部８の箇所を弱化部となしている。この実施形態では，第１リード端子６もくびれ部８の箇所で簡単に変形するため，リード端子6,7が半導体素子Ｔから外れる事故をより一層低減して，不良品の発生率を一層低減できる利点がある。
図４では，くびれ部８は，第１リード端子６の両側縁を矩形に切り欠くことによって形成しているが，リード端子6,7の一方の側縁のみを切欠くことによって形成しても良い。また，リード端子6,7の側縁を半円状に切欠いたり，三角形又は台形状に切欠くなど，くびれ部８の形成手段は自由に選択できる。また，１本のリード端子6,7に複数のくびれ部８を形成しても良い。
(3)．第３実施形態（図５）
図５に示す第３実施形態は，第２リード端子７の自由端7bを全体に細巾状に形成する一方，第１リード端子６における基幹部6aと広巾状先端部6bとの連接箇所に角形の穴９を空けて，この穴９の箇所を弱化部となしたものである。なお，穴９の形状は角形には限らず，円形や楕円形，三角形などでも良い。また，１本のリード端子6,7に複数個の穴９を空けても良い。
この実施形態も第２実施形態と同様の利点がある。
(4)．第４〜第７実施形態（図６〜図９）
図６〜図９では，第２リード端子７の自由端7bの別形態を示している。このうち図６に示す第４実施形態では，全体が細巾状の自由端7bを単なる傾斜状に形成しており，図７に示す第５実施形態では，全体が細巾状の自由端7bを円弧状に形成しており，更に図８に示す第６実施形態では，全体が細巾状の自由端7bを階段状に屈曲させている。
他方，図９に示す第７実施形態では，第１リード端子６と第２リード端子７とが１本ずつで１セットになっている場合において，第２リード端子７の自由端7bを横向きに延びるように形成して，この横向き自由端7bの全体を細巾の弱化部となしている。
また，第１リード端子６における自由端の全体を細巾に形成しても良い。
以上において本発明の好適な実施例を説明したが，当該実施例を様々に変形しうることは明らかである。このような変形例は，本発明の権利範囲から逸れるものではなく，当業者にとって容易な変形は，以下の請求の範囲に含まれるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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