(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の一表面に配線を形成する配線基板の製造方法において、
前記絶縁基板に対応する仮基板の表面に導電性薄膜を形成する工程と、
前記導電性薄膜上の配線を形成しない部分にレジスト（めっきレジスト）を形成した後、前記導電性薄膜上の配線を形成する部分に電気銅めっきにより所定のパターンの配線を形成する工程と、
前記仮基板の前記配線及び前記レジストが形成された面に接着剤を用いて前記絶縁基板を接着する工程と、
前記仮基板を剥がして、前記配線及び前記レジスト、ならびに前記導電性薄膜を前記絶縁基板に転写する工程と、
前記配線及び前記レジストの表面から前記導電性薄膜を除去する工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記仮基板を剥がす工程の前に、
前記仮基板と前記導電性薄膜の密着力または接着力が、前記絶縁基板と前記接着剤との接着力、前記配線及び前記レジストと前記接着剤との接着力よりも低くなるように加熱処理することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁基板を接着する工程は、前記接着剤として熱硬化性樹脂を用いて接着し、
前記熱硬化性樹脂を硬化させる際の加熱により、前記仮基板と前記導電性薄膜との密着力または接着力を低下させることを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁基板を接着する工程は、前記接着剤として熱可塑性樹脂を用いて接着し、
前記熱可塑性樹脂を軟化させ前記仮基板に貼り付ける際の加熱により、前記仮基板と前記導電性薄膜との密着力または接着力を低下させることを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記仮基板として、一方向に長尺なテープ状の絶縁基板を用い、
前記各工程は、リールに巻き取られた前記テープ状の絶縁基板を他のリールに巻き取る途中で行うことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁基板の一表面に、接着剤を介して配線を設け、前記配線の相互間にめっきレジストを設けてなる配線基板であって、
前記配線及び前記めっきレジストは、前記絶縁基板とは別に用意した仮基板の表面に設けた導電性薄膜上に設けたものを、前記絶縁基板の一表面に接着剤を介して転写したものであり、
前記絶縁基板と前記めっきレジストの間には、前記絶縁基板と前記配線の間に介在する接着剤と同一の接着剤が介在していることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板の製造方法及び配線基板に関し、特に、COF（Chip On Film）型の半導体装置などに用いられる、微細配線を形成する片面配線基板の製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、配線基板の製造方法において、絶縁基板の表面に所定のパターンの配線を形成する方法には、サブトラクティブ法（subtractive process）、フルアディティブ法（full additive process）、及びセミアディティブ法（semi-additive process）がある。
【０００３】
また、前記配線基板のうち、例えば、BGA（Ball Grid Array）やCSP（Chip Size Package）などの半導体装置で用いられるインターポーザ、言い換えると、半導体チップの外部電極とマザーボード上の端子の整合あるいはグリッド変換を行う配線基板では、前記半導体チップの小型化、高機能化により外部端子（ボンディングパッド）が高密度化しているため、それに対応して、微細ピッチであり、かつ、高密度の配線が要求されている。
【０００４】
特に、液晶ディスプレイのドライバICなどのように、COF型の半導体装置に用いる配線基板では、図１１に示すような、前記絶縁基板１の表面に設けられた配線１１において、隣り合う配線１１の中心線間の距離（導体ピッチ）ＣＰが、２０μｍから３０μｍ程度のものが要求されるようになりつつある。
【０００５】
前記導体ピッチＣＰの微細化、高密度化には、図１１に示したような、配線１１の幅（導体幅）ＣＷや、隣り合う配線１１の端部１１Ａ間の距離（導体間隙）ＣＳを狭くする必要があり、前記各配線形成方法に種々の改良が加えられている。
【０００６】
前記サブトラクティブ法は、図１２（ａ）に示すように、ポリイミドテープやガラス布基材エポキシ樹脂基板等の絶縁基板１の表面に、電解銅箔や圧延銅箔などの銅箔（導電性薄膜）１２を形成した銅張板を用い、図１２（ｂ）に示すように、前記銅箔１２の表面に、形成する配線パターンと対応したレジスト（エッチングレジスト）１３を形成した後、図１２（ｃ）に示すように、前記銅箔１２の不要な部分をエッチングで除去して前記配線１１を形成する方法である。
【０００７】
前記サブトラクティブ法では、前記銅箔１２をエッチングする際に、前記配線１１の側面部分もエッチングされる。このとき、前記配線１１の側面部分のエッチング量は、形成する配線１１の密度などによりばらつきがあり、図１３（ａ）に示すように、前記配線１１の端部１１Ａの直線性が悪くなり、所定の導体幅ＣＷよりも太くなったり細くなったりしやすい。また、前記銅箔１２中に格子欠陥などがあると、局所的にエッチング速度が速くなったり遅くなったりするため、配線１１に欠損ＮＣや突起ができやすい。そのため、配線１１の形状が不揃いになり、電気的特性が変化しやすくなる。
【０００８】
また、図１１に示したような配線１１の厚さ（導体厚さ）ＣＴが厚く、前記導体間隙ＣＳが狭い場合には、図１３（ｂ）に示すように、前記銅箔１２のエッチング残り１２Ａが生じやすくなる。
【０００９】
以上のようなことから、前記サブトラクティブ法は、例えば、導体ピッチＣＰが４０μｍ以下の配線基板の製造方法への適用が難しい。
【００１０】
また、前記フルアディティブ法は、絶縁基板１上に直接、無電解めっきだけで前記配線１１を形成する方法であり、図１４（ａ）に示すように、絶縁基板１の表面に接着剤１４を設け、前記接着剤１４上に、例えば、パラジウム（Pd）などの触媒１５を付与する。その後、図１４（ｂ）に示すように、前記接着剤１４上に、形成する配線パターン部分が開口したレジスト（めっきレジスト）４を形成し、無電解銅めっき膜１６による配線１１を形成する。このとき、前記めっきレジスト４は、一般に、そのままはんだ保護膜（永久マスク）として用いられる。
【００１１】
前記フルアディティブ法では、前記めっきレジスト４をそのまま永久マスクとして用いる場合、前記めっきレジスト４と前記絶縁基板１（接着剤１４）の間に前記触媒１５が残る。そのため、図１５に示すように、前記めっきレジスト４の下部の前記触媒１５を通してエレクトロマイグレーション１６’が発生しやすいので、隣り合う配線１１の間隔が狭くなると、前記隣り合う配線１１が短絡しやすくなる。ここで、図１５は、図１４（ｂ）と対応する断面図であるが、図をわかりやすくするために、前記めっきレジスト４のハッチングは省略して示している。
【００１２】
そのため、前記フルアディティブ法は、例えば、導体ピッチＣＰが４０μｍ以下の配線基板の製造方法への適用が難しい。
【００１３】
また、前記フルアディティブ法では、無電解めっきにより前記配線１１を形成するため、前記サブトラクティブ法のような導体の太りや細り、あるいは突起や欠損を防ぐことができるが、前記無電解銅めっき膜１６を形成するための処理が複雑で時間がかかるため、製造コストが上昇しやすい。
【００１４】
一方、前記セミアディティブ法は、図１６（ａ）に示すように、前記絶縁基板１の表面に、例えば、無電解めっきやスパッタリングにより、厚さが３μｍ程度の薄い導電性薄膜７を形成した後、図１６（ｂ）に示すように、前記導電性薄膜７上に、形成する配線パターン部分が開口するようなレジスト（めっきレジスト）４を形成し、前記導電性薄膜７を電極（下地）として、例えば、電気銅めっき膜１７を形成する。その後、前記めっきレジスト４を除去し、図１６（ｃ）に示すように、前記導電性薄膜７の露出した部分をエッチング処理により除去し、前記導電性薄膜７及び前記電気銅めっき膜１７からなる配線１１を形成する方法である。
【００１５】
前記セミアディティブ法の場合、前記導電性薄膜７の厚さが、前記電気銅めっき膜１７の厚さに比べて十分に薄く、短時間でエッチングできるため、前記サブトラクティブ法のような導体の太りや細り、突起や欠損を防ぐことができる。また、前記導電性薄膜７が薄く、エッチングによる除去が容易であるため、隣り合う配線１１を確実に分離でき、前記エッチング不良による隣り合う配線１１の短絡が起こりにくい。
【００１６】
またこのとき、前記導電性薄膜７を無電解めっきで形成しても、不要な前記導電性薄膜７を除去した後、不要な触媒を洗浄で除去できるため、前記フルアディティブ法のような、エレクトロマイグレーションによる隣り合う配線１１の短絡が起こりにくい。また、前記導電性薄膜７をスパッタリングで形成した場合は、触媒が不要であるため、エレクトロマイグレーションによる隣り合う配線の短絡が起こらない。
【００１７】
そのため、前記セミアディティブ法は、前記サブトラクティブ法及び前記フルアディティブ法に比べて、例えば、導体ピッチＣＰが４０μｍ以下の配線基板の製造方法に適用しやすい。
【００１８】
また、近年では、前記サブトラクティブ法、前記フルアディティブ法、及び前記セミアディティブ法による配線形成のほかに、例えば、ステンレス板などの金属板上に電気銅めっきで配線パターンを形成し、前記配線パターン上に絶縁基板を接着し、前記金属板を剥がして前記配線パターンを絶縁基板上に転写する方法（転写法）が提案されている。
【００１９】
前記転写法の場合、前記金属板上に直接配線を形成することができるため、前記サブトラクティブ法や前記セミアディティブ法のような、エッチング処理による不要な導体の除去、あるいは前記フルアディティブ法のような触媒が不要である。そのため、例えば、導体ピッチＣＰが４０μｍ以下の配線基板の製造方法に適用しやすい。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の技術のうち、前記セミアディティブ法で配線１１を形成する場合は、下地となる導電性薄膜７が前記電気銅めっき膜１７の厚さに比べて十分に薄いため、一般に、前記電気銅めっき膜１７をマスクとしてクイックエッチングを行うが、このとき、前記電気銅めっき膜１７の表面が若干エッチングされ、図１７（ａ）に示すように、配線１１の表面、すなわち前記電気銅めっき膜１７の表面１７Ａの平坦性が悪くなるという問題があった。また、前記電気銅めっき膜の表面１７Ａのエッチング量にばらつきが生じ、前記配線１１の厚さにばらつきが生じやすいという問題があった。
【００２１】
前記電気銅めっき膜の表面１７Ａの平坦性が悪くなる、あるいは前記配線１１の厚さにばらつきが生じると、半導体チップを実装したときに、前記半導体チップの安定性が悪くなり、接続信頼性が低下するという問題があった。
【００２２】
また、前記サブトラクティブ法で配線を形成した場合ほどではないが、前記配線（電気銅めっき膜１７）の側面もエッチングされるため、前記配線１１の細りや欠損が生じる可能性があるという問題があった。
【００２３】
また、近年では、クイックエッチングの際に、前記電気銅めっき膜の表面１７Ａがエッチングされにくくするために、前記導電性薄膜７として、例えば、ニッケル銅合金やニッケルクロム合金などの、銅よりもエッチング速度の速い導体や、銅が溶けにくい溶液に溶ける導体を用いる方法があるが、その場合、前記導電性薄膜７を選択的にエッチングするため、図１７（ｂ）に示すように、前記導電性薄膜７にアンダーカット７Ａが生じやすくなる。
【００２４】
前記導電性薄膜７にアンダーカット７Ａが生じると、前記配線１１（電気銅めっき膜１７）と前記絶縁基板１の接触面が狭くなり、密着力が低下するため、例えば、前記配線１１のピール強度が低下し、前記配線１１が剥がれやすくなるという問題があった。そのため、前記配線１１の幅ＣＷを狭くしていくと、前記配線１１と前記絶縁基板１との密着信頼性の確保が難しくなるため、前記導体ピッチＣＰをさらに微細化するときに、前記セミアディティブ法の適用が難しくなるという問題があった。
【００２５】
また、前記転写法を適用した配線基板の製造方法の場合、前記金属板として、前記配線との密着力が低い材料を用いており、前記金属板に曲げなどの外部からの力が加わると、前記配線が剥がれやすい。また、前記配線の幅（導体幅）ＣＷが狭くなってくると、前記配線と前記金属板との密着力が小さくなり、前記配線が剥がれやすくなる。そのため、TCP（Tape Carrier Package）などの製造方法に用いられているリールツーリール（reel to reel）法で配線基板を形成する場合には、前記転写法の適用が難しいという問題があった。
【００２６】
また、前記転写法の場合、前記リールツーリール法の適用が難しいため、同一パターンの配線基板を一度に大量に生産することが難しく、配線基板の製造コストを低減しにくいという問題があった。
【００２７】
本発明の目的は、配線基板の製造方法において、配線ピッチを微細化したときの配線の形状不良を低減することが可能な技術を提供することにある。
【００２８】
本発明の他の目的は、配線基板の製造方法において、配線ピッチを微細化したときの配線の接着信頼性を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【００２９】
本発明の他の目的は、配線ピッチを微細化した配線基板を、一度に大量に生産することが可能な技術を提供することにある。
【００３０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【００３１】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明の概要を説明すれば、以下のとおりである。
【００３２】
（１）絶縁基板の一表面に配線を形成する配線基板の製造方法において、前記絶縁基板に対応する仮基板の表面に導電性薄膜を形成する工程と、前記導電性薄膜上の配線を形成しない部分にレジスト（めっきレジスト）を形成した後、前記導電性薄膜上の配線を形成する部分に電気銅めっきにより所定のパターンの配線を形成する工程と、前記仮基板の前記配線及び前記レジストが形成された面に接着剤を用いて前記絶縁基板を接着する工程と、前記仮基板を剥がして、前記配線及び前記レジスト、ならびに前記導電性薄膜を前記絶縁基板に転写する工程と、前記配線及び前記レジストの表面から前記導電性薄膜を除去する工程とを備える配線基板の製造方法である。
【００３３】
前記（１）の手段によれば、前記仮基板上に、セミアディティブ法を用いて配線を形成した後、前記配線及び前記レジスト（めっきレジスト）、ならびに前記導電性薄膜を前記絶縁基板に転写することにより、エッチング等で除去するべき導電性薄膜が表面に露出する。そのため、前記導電性薄膜の除去が容易になる。
【００３４】
また、前記導電性薄膜を、例えば、エッチングにより除去する場合、前記配線の側面に前記めっきレジストが密着しており、前記配線の側面、及び前記絶縁基板との接着界面はエッチングされない。そのため、前記配線の幅を狭くした場合でも、配線の形状のばらつきや、配線と絶縁基板との接着力の低下を防ぐことができる。
【００３５】
また、前記（１）の手段のように、前記導電性薄膜を表面に露出させることにより、配線ピッチの微細化の限界は、前記めっきレジストを形成する際の精度のみに依存する。そのため、例えば、配線ピッチが４０μｍ以下の配線基板の製造方法への適用が容易になる。
【００３６】
また、前記（１）の手段において、前記絶縁基板は接着剤を用いて接着し、前記仮基板を剥がす工程の前に、前記仮基板と前記導電性薄膜の密着力または接着力が、前記絶縁基板と前記配線及び前記レジスト（めっきレジスト）との接着力よりも低くなるように加熱処理することにより、前記仮基板上に配線を形成した後、前記絶縁基板を接着する工程を行うまでの搬送中などに、前記配線が剥がれるのを防ぐことができるとともに、前記絶縁基板を接着した後、前記仮基板を容易に剥がすことができる。
【００３７】
このとき、前記絶縁基板を接着する工程は、前記接着剤として熱硬化性樹脂を用い、前記熱硬化性樹脂を硬化させる際の加熱により、前記仮基板と前記導電性薄膜との密着力または接着力を低下させるのが好ましい。この場合、前記絶縁基板を接着する工程の直後に前記仮基板を剥がす工程を行え、前記仮基板を剥がす工程を別途設ける必要がない。
【００３８】
また、前記接着剤としては、前記熱硬化性樹脂に限らず、例えば、熱可塑性樹脂を用いてもよい。この場合も、前記絶縁基板を接着する際には、前記絶縁基板及び前記仮基板を加熱して前記熱可塑性樹脂を軟化させるため、加熱により前記仮基板と前記導電性薄膜との密着力または接着力が低下すれば、前記絶縁基板を接着する工程の直後に前記仮基板を剥がす工程を行え、前記仮基板を剥がす工程を別途設ける必要がない。
【００３９】
また、前記仮基板として絶縁性の基板を用い、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を用いて絶縁基板を接着し、接着する際の加熱により、前記仮基板と前記導電性薄膜との密着力または接着力を低下させることにより、前記絶縁基板を接着する工程の前に、前記仮基板に曲げ変形が加わったときでも前記配線は剥がれにくい。そのため、従来のTCPの製造方法などに適用されているリールツーリール方式、すなわち、前記仮基板として一方向に長尺なテープ状の絶縁基板を用い、前記各工程を、リールに巻き取られた前記テープ状の絶縁基板を他のリールに巻き取る途中で行うことができるため、同一パターンの配線基板を一度に大量に生産することができる。
【００４０】
また、前記絶縁基板を接着する工程では、前記接着剤として、前記熱硬化性樹脂や前記熱可塑性樹脂を用い、加熱処理を行う際に前記仮基板と前記導電性薄膜との密着力を低下させるほかにも、例えば、前記配線と前記絶縁基板との接着力、及び前記めっきレジストと前記絶縁基板との接着力が、前記仮基板と前記導電性薄膜との密着力または接着力よりも強い接着剤を用いて前記絶縁基板を接着してもよい。その場合は、前記加熱処理を行わなくても前記配線を転写することができる。
【００４１】
（２）絶縁基板の一表面に、接着剤を介して配線を設け、前記配線の相互間にめっきレジストを設けてなる配線基板であって、前記配線及び前記めっきレジストは、前記絶縁基板とは別に用意した仮基板の表面に設けた導電性薄膜上に設けたものを、前記絶縁基板の一表面に接着剤を介して転写したものであり、前記絶縁基板と前記めっきレジストの間には、前記絶縁基板と前記配線の間に介在する接着剤と同一の接着剤が介在していることを特徴とする配線基板。
【００４２】
前記（２）の手段によれば、前記仮基板上に設けた前記配線及び前記めっきレジストを、接着剤で前記絶縁基板に接着して前記絶縁基板上に転写することにより、配線形状のばらつき、形状不良が少なく、電気的特性の信頼性が高い配線基板を得ることができる。また、前記配線形状のばらつき、形状不良が少ないため、前記配線の微細化が容易になり、小型で高密度の配線基板を得ることができる。そのため、前記配線基板を用いた半導体装置の小型化、高機能化が容易になる。
【００４３】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００４４】
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号をつけ、その繰り返しの説明は省略する。
【００４５】
【発明の実施の形態】
本発明による実施例を説明する前に、まず、本発明にかかる配線基板の一例について説明する。
【００４６】
図１及び図２は、本発明にかかる配線基板の一例の概略構成を示す模式図であり、図１は配線基板の平面図、図２は図１に示した配線基板のＡ−Ａ’線での断面図である。
【００４７】
図１及び図２において、１は絶縁基板、１Ａは開口部（パーフォレーション穴）、２は接着剤、３は配線（電気銅めっき膜）、４はめっきレジスト（はんだ保護膜）、５は端子めっきである。
【００４８】
本発明にかかる配線基板の主たるものは、例えば、液晶ディスプレイのドライバIC等の、COF型の半導体装置に用いられる配線基板（インターポーザ）で、絶縁基板の片面のみに配線（導体パターン）が設けられた片面配線基板であり、図１及び図２に示すように、フィルム状の絶縁基板１の表面に、接着剤２を介して所定のパターンの配線３が設けられている。
【００４９】
また、前記各配線３の間は、図２に示すように、めっきレジスト（はんだ保護膜）４で絶縁されており、前記各配線３の表面には端子めっき５が設けられている。前記端子めっき５には、例えば、ニッケルめっき膜を下地とした金めっき膜や、錫めっき膜などが用いられる。
【００５０】
また、前記絶縁基板１は、例えば、ポリイミドテープのような一方向に長尺なテープ材料であり、長手方向の端部に沿って、位置合わせ用の開口部（パーフォレーション穴）１Ａが設けられている。
【００５１】
また、前記配線基板を用いて半導体装置を形成するときには、前記配線基板上のチップ搭載領域Ｌ１のそれぞれに半導体チップを実装し、封止樹脂で前記配線３と半導体チップの外部端子（ボンディングパッド）との接続部を封止した後、個片化領域Ｌ２を切断する。
【００５２】
前記配線基板を用いた半導体装置は、小型化、高密度化が進んでおり、前記図１１に示したような、前記配線３のピッチ（導体ピッチ）は２０μｍから３０μｍ程度になりつつある。そのため、電気的信頼性の低下を防ぎながら、前記配線３の幅（導体幅）及び隣り合う配線の端部間の距離（導体間隙）を狭くしていく必要がある。
【００５３】
以下、前記導体幅及び前記導体間隙を狭くしたときの電気的信頼性の低下を防ぎ、配線パターンの微細化を可能にする配線基板の製造方法の実施例について説明する。
【００５４】
（実施例）
図３乃至図６は、本発明による一実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）、及び図３（ｄ）は仮基板上に配線を形成する工程の断面図、図４（ａ）、図４（ｂ）、及び図５は前記配線を絶縁基板に転写する工程の断面図、図６は導電性薄膜を除去する工程の断面図である。
【００５５】
図３乃至図６において、６は仮基板、７は導電性薄膜、８は加熱炉、９は剥離用ローラーである。
【００５６】
以下、図３乃至図６に沿って、本実施例の配線基板の製造方法について説明する。
【００５７】
まず、図３（ａ）に示すように、絶縁性の仮基板６上に導電性薄膜７を形成する。前記仮基板６には、例えば、ポリイミドテープを用い、前記導電性薄膜７として、スパッタリング等で、前記仮基板６の表面に、銅や、ニッケル銅合金、ニッケルクロム合金などの蒸着膜を形成する。このとき、前記仮基板６と前記導電性薄膜７との接着強度（密着力）は、前記仮基板６と前記導電性薄膜７の組み合わせによるが、およそ１００gf/cmから５００gf/cmである。
【００５８】
またこのとき、前記仮基板６には、例えば、TCPの製造に用いられるような、一方向に長尺な基板を用い、前記導電性薄膜７を形成する工程、及び以下の工程はそれぞれ、リールツーリール方式、すなわち、リールに巻き取られた前記仮基板６を他のリールに巻き取る途中で行われるものとする。
【００５９】
次に、図３（ｂ）に示すように、前記導電性薄膜７の表面の、前記配線３を形成しない部分にレジスト（めっきレジスト）４を形成した後、前記導電性薄膜７を陰極とした電気銅めっきにより、図３（ｃ）に示したように、配線（電気銅めっき膜）３を形成する。
【００６０】
本実施例の配線基板のように、微細配線パターンを形成する場合、前記めっきレジスト４は、感光性レジストを用いた写真法で形成するのが一般的である。そのため、前記配線３の幅（導体幅）ＣＷ及び間隔（導体間隙）ＣＳは、前記めっきレジスト４を形成する際の露光精度により決まる。このとき、前記めっきレジスト４として、ポリメチルメタクリレート（PMMA）などのポジ型のレジストを用いた場合には、形成するパターンの精度を確保できる露光限界が５μｍ程度であるため、配線３の幅ＣＷ及び間隔ＣＳはそれぞれ、５μｍ程度まで狭くすることが可能となる。
【００６１】
また、前記めっきレジスト４として、ネガ型のドライフィルムを用いた場合でも、形成するパターンの精度を確保できる露光限界が１５μｍ程度であるため、配線３の幅ＣＷ及び配線３の間隔ＣＳはそれぞれ、１５μｍ程度まで狭くすることができる。
【００６２】
また、前記電気銅めっきで配線３を形成する場合は、無電解銅めっきで配線を形成するフルアディティブ法に比べ、短時間で配線３を形成できる。
【００６３】
またこのとき、前記配線３の成長面３Ａは、使用するめっき浴中に含まれる添加物の組成などにより、図３（ｃ）に示したような凸状になったり、図示は省略するが凹状になったりする場合がある。そのため、必要に応じて、図３（ｄ）に示すように、前記配線３の成長面３Ａを研磨して表面を平坦化する。
【００６４】
次に、図４（ａ）に示すように、前記配線３及び前記めっきレジスト４が形成された面に、接着剤２を用いて絶縁基板１を接着した後、図４（ｂ）に示すように、前記仮基板６を前記導電性薄膜７から引き剥がし、前記配線３及び前記めっきレジスト４、ならびに前記導電性薄膜７を前記絶縁基板１に転写する。
【００６５】
このとき、前記接着剤２として、例えば、エポキシ樹脂、あるいはポリイミド系樹脂等の熱硬化性樹脂を用いると、前記接着剤２を硬化させるための加熱処理において、前記仮基板６と前記導電性薄膜７との密着力が低下し、例えば、５０gf/cmから２００gf/cm程度になる。一方、前記接着剤２を硬化させた後の、前記配線３及び前記めっきレジスト４と前記接着剤２との接着強度、及び前記接着剤２と絶縁基板１との接着強度は１０００gf/cm程度である。そのため、例えば、図５に示すように、加熱炉８の出口に剥離用ローラー９を設けておき、前記加熱炉８による加熱処理で前記接着剤２を完全硬化させた直後に、前記剥離用ローラー９で前記仮基板６に曲げ変形を加えると、前記仮基板６を容易に引き剥がすことができる。
【００６６】
前記仮基板６を引き剥がした絶縁基板１、すなわち、前記配線３及び前記めっきレジスト４、ならびに前記導電性薄膜７が転写された絶縁基板１は、図示は省略するが、リールに巻き取られて、次の工程へ搬送される。一方、引き剥がした前記仮基板６は、別のリールに巻き取られ、信頼性などの検査をした後、再利用される。
【００６７】
次に、図６に示すように、前記導電性薄膜７をエッチング処理により除去し、前記配線３及び前記めっきレジスト４を露出させた後、例えば、前記配線３の露出面に端子めっき５を形成すると、図１及び図２に示したような配線基板が得られる。
【００６８】
このとき、エッチングにより除去すべき前記導電性薄膜７が表面にあるため、従来のセミアディティブ法で配線を形成したときのように、前記導電性薄膜７をエッチングする際に前記配線３の表面の平坦性が悪くなるのを防げるとともに、前記配線３の厚さのばらつきを低減することができる。そのため、半導体チップを実装したときの安定性がよくなり、接続信頼性の低下を防げる。
【００６９】
また、前記配線３の側面が、前記めっきレジスト４と密着しているため、前記導電性薄膜７をエッチングするときに、エッチング液が前記配線３と前記絶縁基板１との接着界面に進入することがなく、前記配線３と前記絶縁基板１の接着強度の低下による配線３の剥がれを防げる。そのため、従来のセミアディティブ法で配線を形成する場合に比べ、配線３の幅ＣＷを狭くすることが容易になり、例えば、導体ピッチＣＰが４０μｍ以下の配線基板の製造方法への適用が容易になる。
【００７０】
またこのとき、前記配線３の側面は、前記めっきレジスト４と密着しているため、エッチング液で前記配線３の側面がエッチングされるのを防げ、従来のサブトラクティブ法で配線を形成したときのように、配線の細りや欠損ができるのを防げる。そのため、配線３の幅を狭くして配線パターンを微細化したときの、前記配線３の形状のばらつきを低減することができ、高周波特性や抵抗値などの電気的特性の信頼性が低下することを防げる。
【００７１】
また、前記サブトラクティブ法で配線を形成したときのように、前記配線にアンダーカットができないため、配線の上幅が細くならない。そのため、半導体チップの外部電極との接続信頼性の低下を防げる。
【００７２】
以上説明したように、本実施例の配線基板の製造方法によれば、絶縁性の仮基板６上に、セミアディティブ法を用いて配線３を形成した後、前記仮基板６上の導電性薄膜７、配線３、およびめっきレジスト４を絶縁基板１に接着、転写することにより、エッチングにより除去すべき前記導電性薄膜７が表面に来る。そのため、従来のセミアディティブ法で配線を形成したときのように、前記導電性薄膜７をエッチングする際に前記配線３の表面の平坦性が悪くなるのを防げるとともに、前記配線３の厚さのばらつきを低減することができ、半導体チップを実装したときの安定性がよくなり、接続信頼性の低下を防げる。
【００７３】
また、前記配線３の側面は、前記めっきレジスト４と密着しているため、前記導電性薄膜７をエッチングするときに、エッチング液が前記配線３と前記絶縁基板１との接着界面に進入することがなく、前記配線３と前記絶縁基板１の接着強度の低下による配線３の剥がれを防げる。そのため、従来のセミアディティブ法で配線を形成する場合に比べ、配線３の幅ＣＷを狭くすることが容易になり、例えば、導体ピッチＣＰが４０μｍ以下の配線基板の製造方法への適用が容易になる。
【００７４】
またこのとき、前記配線３の側面は、前記めっきレジスト４と密着しているため、エッチング液で前記配線３の側面がエッチングされるのを防げ、従来のサブトラクティブ法で配線を形成したときのように、配線の細りや欠損ができるのを防げる。そのため、配線３の幅を狭くして配線パターンを微細化したときの、前記配線３の形状のばらつきを低減することができ、電気的信頼性の低下を防げる。
【００７５】
また、前記サブトラクティブ法で配線を形成したときのように、前記配線にアンダーカットができないため、配線の上幅が細くならない。そのため、半導体チップの外部電極との接続信頼性の低下を防げる。
【００７６】
また、前記配線３を電気銅めっきで形成することにより、従来のフルアディティブ法、すなわち無電解銅めっきで配線を形成する場合に比べ、短時間で簡単に前記配線３を形成することができる。そのため、従来のフルアディティブ法で配線を形成する場合に比べ、配線基板の製造コストを低減することができる。
【００７７】
また、前記導電性薄膜７をスパッタリングで形成する場合、無電解銅めっきのように触媒を利用しないため、エレクトロマイグレーションによる絶縁不良や短絡（ショート）が起きない。また、前記導電性薄膜７を無電解めっきで形成した場合でも、不要な導電性薄膜７を除去したあと、不要な触媒を洗浄で除去することができるため、エレクトロマイグレーションによる絶縁不良や短絡が起きにくい。そのため、従来のフルアディティブ法で配線を形成した場合に比べ、配線３の間隙ＣＳを狭くしたときの電気的信頼性の低下を防ぐことができ、導体ピッチの微細化が容易になる。
【００７８】
また、前記仮基板６は、前記配線３及び前記めっきレジスト４、ならびに前記導電性薄膜７を前記絶縁基板１に転写したあと、回収して再び配線基板の製造に用いることができるため、配線基板の製造コストの上昇を抑えることができる。
【００７９】
また、本実施例の配線基板の製造方法では、前記絶縁性の仮基板６上に導電性薄膜７を接着し、セミアディティブ法で配線３を形成した後、熱硬化性樹脂を用いて絶縁基板１を接着する工程で、前記導電性薄膜７と前記仮基板６の接着力を低下させるため、前記絶縁基板１を接着する前の段階では、前記仮基板６と前記導電性薄膜７の接着力が大きい。そのため、従来の金属板を用いた転写法に比べ、前記仮基板６に曲げ変形が加わっても、前記導電性薄膜７が剥がれ難いので、リールツーリール法による配線基板の製造方法に適用することができ、同一パターンの配線基板を一度に大量に生産することができる。
【００８０】
また、本実施例の配線基板の製造方法では、前記接着剤２として、熱硬化性樹脂を用いたが、これに限らず、例えば、熱可塑性樹脂を用いてもよい。この場合、前記接着剤２として、例えば、熱可塑性ポリイミド樹脂を用いると、前記絶縁基板１を前記配線３が形成された仮基板６に接着する際に、前記絶縁基板１及び前記仮基板６を約３００度に加熱して前記熱可塑性樹脂を軟化させるため、加熱により前記仮基板６と前記導電性薄膜７との密着力が低下する。そのため、前記絶縁基板１を接着する工程の後、前記仮基板を容易に剥がすことができる。
【００８１】
また、前記接着剤２は、前記熱硬化性樹脂や前記熱可塑性樹脂に限らず、例えば、前記接着剤２として、前記配線３と前記接着剤２の接着強度、及び前記めっきレジスト４と前記接着剤２との接着強度が、前記仮基板６と前記導電性薄膜７との密着力あるいは接着力よりも強い材料を用いることもできる。このとき、前記接着剤２としては、前記めっきレジスト４との接着強度が高い材料が好ましく、例えば、エポキシ系接着剤が考えられる。またこのとき、前記エポキシ系接着剤は、熱硬化性あるいは熱可塑性である必要はなく、例えば、紫外線等の光を照射することで硬化する光硬化性樹脂や、常温で硬化する接着剤であってもよい。その場合、前記加熱処理を行わなくても前記絶縁基板１を接着することができるとともに、前記仮基板６を容易に剥がすことができる。
【００８２】
図７乃至図９は、前記実施例で説明した配線基板の製造方法の応用例を説明するための模式図であり、図７は配線基板の平面図、図８及び図９は図７に示した配線基板の製造方法を説明するための平面図である。
【００８３】
前記実施例で説明したような配線基板は、主に液晶ディスプレイのドライバICなどに適用されているCOF型の半導体装置に用いる配線基板（インターポーザ）であり、前記配線３の微細化とともに、前記絶縁基板１の薄型化も進んでいるため、前記絶縁基板１のたわみや、テープ切れを防ぐために、図７に示すように、前記絶縁基板１の長手方向の端部、言い換えると、前記スプロケットホール１Ａが設けられた領域に補強導体１０を設けている場合が多い。
【００８４】
そのような場合には、前記実施例で説明した製造方法に沿って、前記仮基板６上に前記配線３を形成する際に、あわせて前記補強導体１０を形成しておき、前記配線３と共に前記絶縁基板１に転写すればよい。
【００８５】
このとき、前記絶縁基板１は、例えば、図８に示すように、実際に配線基板として用いる領域１０１の外側に、配線基板を形成する際の位置決め用の開口部１Ｂが設けられた耳部１０２のある幅の広い基板を用い、ＣＣＤカメラ等を用いて位置合わせをして接着し、前記配線３及び前記補強導体１０を前記絶縁基板１に転写した後、図９に示すように、前記補強導体１０上の所定位置を、例えば、金型で打ち抜いて開口部１Ａを形成した後、前記絶縁基板１の耳部１０２を切断することで、図７に示したような配線基板を得ることができる。
【００８６】
図１０は、前記実施例の配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式図である。
【００８７】
前記実施例では、前記仮基板６として、ポリイミドテープ等の絶縁性の基板を用い、前記仮基板６上に導電性薄膜７の形成した後、加熱処理で前記仮基板６と前記導電性薄膜７の密着力を低下させて引き剥がしているが、これに限らず、前記仮基板６として、例えば、図１０（ａ）に示したような、ステンレス鋼やチタンなどの金属基板６’を用いてもよい。
【００８８】
前記ステンレス鋼やチタンは、銅との密着力が低く、電解銅箔を形成する際の基材として用いられる材料であるため、図１０（ｂ）に示したように、前記金属基板６’上に直接電気銅めっきをして前記配線３を形成することができる。
【００８９】
その後、前記実施例で説明したように、接着剤２を用いて前記絶縁基板１を接着し、前記金属基板６’を引き剥がして、前記配線３及び前記めっきレジスト４を前記絶縁基板１に転写する。
【００９０】
このとき、前記配線３及び前記めっきレジスト４は、前記金属基板６’上に直接形成しているため、前記実施例の配線基板の製造方法で説明した、前記導電性薄膜７を形成する工程及びエッチングする工程を省くことができ、配線基板の製造コストを低減することができる。
【００９１】
なお、前記金属基板６’を用いる場合には、前記めっきレジスト４と前記金属基板６’が剥離しやすくするために、前記金属基板６’の、前記配線３を形成する面６Ａ’は鏡面加工にしておく。
【００９２】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることはもちろんである。
【００９３】
例えば、前記実施例及び応用例、ならびに変形例では、COF型の半導体装置に用いるような、片面配線基板を例にあげて説明したが、これに限らず、両面配線基板や、多層配線基板の材料の形成に適用してもよい。
【００９４】
また、製造方法も、前記実施例で説明した、リールツーリール方式に限らず、平板状、あるいは短冊状の仮基板を用いた枚葉式の製造方法に適用することもできる。
【００９５】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００９６】
（１）配線基板の製造方法において、配線ピッチを微細化したときの配線の形状不良を低減することができる。
【００９７】
（２）配線基板の製造方法において、配線ピッチを微細化したときの配線の接着信頼性を向上させることができる。
【００９８】
（３）配線ピッチを微細化した配線基板を、一度に大量に生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる配線基板の一例の概略構成を示す模式図であり、配線基板の平面図である。
【図２】本発明にかかる配線基板の一例の概略構成を示す模式図であり、図１に示した配線基板のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図３】本発明による一実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）、及び図３（ｄ）は仮基板上に配線を形成する工程の断面図である。
【図４】本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、図４（ａ）及び図４（ｂ）は前記配線を絶縁基板に転写する工程の断面図である。
【図５】本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、前記配線を絶縁基板に転写する工程の断面図である。
【図６】本実施例の配線基板の製造方法を説明するための模式図であり、導電性薄膜を除去する工程の断面図である。
【図７】前記実施例の配線基板の製造方法の応用例を説明するための模式図であり、配線基板の平面図である。
【図８】前記実施例の配線基板の製造方法の応用例を説明するための模式図であり、図７に示した配線基板の製造方法を説明するための平面図である。
【図９】前記実施例の配線基板の製造方法の応用例を説明するための模式図であり、図７に示した配線基板の製造方法を説明するための平面図である。
【図１０】前記実施例の配線基板の製造方法の変形例を説明するための模式図であり、図１０（ａ）は仮基板の断面図、図１０（ｂ）は配線を形成する工程の断面図である。
【図１１】配線パターンを微細化する際のパラメータを説明するための模式図である。
【図１２】従来のサブトラクティブ法による配線の形成方法を説明するための模式断面図である。
【図１３】従来のサブトラクティブ法の課題を説明するための模式図である。
【図１４】従来のフルアディティブ法による配線の形成方法を説明するための模式断面図である。
【図１５】従来のフルアディティブ法の課題を説明するための模式図である。
【図１６】従来のセミアディティブ法による配線の形成方法を説明するための模式断面図である。
【図１７】従来のセミアディティブ法の課題を説明するための模式図である。
【符号の説明】
１…絶縁基板、１Ａ，１Ｂ…開口部（パーフォレーション穴）、１０１…配線基板として用いる領域、１０２…耳部、２…接着剤、３…配線（電気銅めっき膜）、４…レジスト（めっきレジスト）、５…端子めっき、６…仮基板、６’…金属基板、７…導電性薄膜、８…加熱炉、９…剥離用ローラー、１０…補強導体、１１…配線、１１Ａ…配線の端部、１２…銅箔（導電性薄膜）、１２Ａ…エッチング残り、１３…レジスト（エッチングレジスト）、１４…接着剤、１５…触媒、１６…無電解銅めっき膜、１６’…エレクトロマイグレーション、１７…電気銅めっき膜、ＣＷ…配線の幅（導体幅）、ＣＳ…配線の間隙（導体間隙）、ＣＰ…配線のピッチ（導体ピッチ）、ＣＴ…配線の厚さ（導体厚さ）。
【図１】
0003879516.tif 000002
【図２】
0003879516.tif 000003
【図３】
0003879516.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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