(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法において、複数のバンプ高さ補正用電極が形成されたバンプ高さ補正用電極基板の該バンプ高さ補正用電極の電極面積を、前記はんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さく形成し、前記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプを形成した後、前記バンプ高さ補正用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極基板とを、相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させて、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃えることを特徴とするはんだバンプ形成方法。
【請求項２】
はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するはんだバンプ形成装置において、複数のバンプ高さ補正用電極が形成されたバンプ高さ補正用電極基板の該バンプ高さ補正用電極の電極面積を、前記はんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さく形成して、前記バンプ高さ補正用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプの形成された前記はんだバンプ形成用電極基板とを、相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させて、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃えることを特徴とするはんだバンプ形成装置。
【請求項３】
はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法において、複数のバンプ高さ補正用電極が形成されたバンプ高さ補正用電極基板の該バンプ高さ補正用電極の電極面積を、前記はんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さく形成するとともに、前記バンプ高さ補正用電極の電極面積を徐々に小さくし、前記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプを形成した後、前記バンプ高さ補正用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極基板とを、相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させて、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃えることを特徴とするはんだバンプ形成方法。
【請求項４】
はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するはんだバンプ形成装置において、複数のバンプ高さ補正用電極が形成されたバンプ高さ補正用電極基板の前記バンプ高さ補正用電極の電極面積を、前記はんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さく形成するとともに、当該バンプ高さ補正用電極の電極面積を徐々に小さくして、前記バンプ高さ補正用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプの形成された前記はんだバンプ形成用電極基板とを、相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させて、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃えることを特徴とするはんだバンプ形成装置。
【請求項５】
前記はんだバンプ形成方法は、前記バンプ高さ補正用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極基板との間隔を徐々に狭めて、前記はんだバンプ形成用電極上の過剰な量のはんだを前記はんだバンプ高さ補正用電極に転写させることを特徴とする請求項１または請求項３に記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項６】
前記はんだバンプ形成装置は、前記バンプ高さ補正用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極基板との間隔を徐々に狭めて、前記はんだバンプ形成用電極上の過剰な量のはんだを前記はんだバンプ高さ補正用電極に転写させることを特徴とする請求項２または請求項４に記載のはんだバンプ形成装置。
【請求項７】
はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法において、前記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプを形成した後、前記はんだバンプ形成用電極基板と対向する位置に設けた、複数のバンプ高さ補正用電極が表面に形成されたロール状のバンプ高さ補正用電極基板を、所定方向に回転させつつ、前記はんだバンプ形成用電極基板との相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させて、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃えることを特徴とするはんだバンプ形成方法。
【請求項８】
はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するはんだバンプ形成装置において、前記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプを形成して、前記はんだバンプ形成用電極基板と対向する位置に設けた、複数のバンプ高さ補正用電極が表面に形成されたロール状のバンプ高さ補正用電極基板を、所定方向に回転させつつ、前記はんだバンプ形成用電極基板との相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させて、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃えることを特徴とするはんだバンプ形成装置。
【請求項９】
前記はんだバンプ形成方法は、前記ロール状のバンプ高さ補正用電極基板の前記バンプ高さ補正用電極の形成されている面に、フラックスを塗布して、当該バンプ高さ補正用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極基板とを接近させることを特徴とする請求項７に記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項１０】
前記はんだバンプ形成装置は、前記ロール状のバンプ高さ補正用電極基板の前記バンプ高さ補正用電極の形成されている面に、フラックスを塗布して、当該バンプ高さ補正用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極基板とを接近させることを特徴とする請求項８に記載のはんだバンプ形成装置。
【請求項１１】
前記はんだバンプ形成方法は、少なくとも前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写する期間は、前記バンプ形成用電極基板を、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの溶融温度まで加熱し、前記バンプ高さ補正用電極を、１００℃以上であって、当該バンプ高さ補正用電極に前記フラックスが塗布されているときには、当該フラックスが活性力を維持する温度範囲に予備加熱することを特徴とする請求項７または請求項９に記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項１２】
前記はんだバンプ形成装置は、少なくとも前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写する期間は、前記バンプ形成用電極基板を、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの溶融温度まで加熱し、前記バンプ高さ補正用電極を、１００℃以上であって、当該バンプ高さ補正用電極に前記フラックスが塗布されているときには、当該フラックスが活性力を維持する温度範囲に予備加熱することを特徴とする請求項８または請求項１０に記載のはんだバンプ形成装置。
【請求項１３】
はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法において、前記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプを形成した後、前記はんだバンプ形成用電極基板と対向する位置に設けた、複数のバンプ高さ補正用電極が表面に形成されたローラ状のバンプ高さ補正用電極基板を、所定方向に回転させつつ、前記はんだバンプ形成用電極基板との相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させて、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃えることを特徴とするはんだバンプ形成方法。
【請求項１４】
はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するはんだバンプ形成装置において、前記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプを形成して、前記はんだバンプ形成用電極基板と対向する位置に設けた、複数のバンプ高さ補正用電極が表面に形成されたローラ状のバンプ高さ補正用電極基板を、所定方向に回転させつつ、前記はんだバンプ形成用電極基板との相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させて、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃えることを特徴とするはんだバンプ形成装置。
【請求項１５】
前記はんだバンプ形成方法は、前記ローラ状のバンプ高さ補正用電極基板の回転に伴って、当該ローラ状のバンプ高さ補正用電極基板の前記バンプ高さ補正用電極の形成されている面へのフラックスの塗布、前記はんだバンプ形成用電極から前記はんだ高さ補正用電極に転写されたはんだの除去及び当該はんだの除去された前記はんだ高さ補正用電極の洗浄、を当該バンプ高さ補正用電極基板の近傍であって、前記回転方向に沿って順次配設されたフラックス塗布手段、除去手段及び洗浄手段で順次処理することを特徴とする請求項１３記載のはんだバンプ形成方法。
【請求項１６】
前記はんだバンプ形成装置は、前記ローラ状のバンプ高さ補正用電極基板の回転に伴って、当該ローラ状のバンプ高さ補正用電極基板の前記バンプ高さ補正用電極の形成されている面へのフラックスの塗布、前記はんだバンプ形成用電極から前記はんだ高さ補正用電極に転写されたはんだの除去及び当該はんだの除去された前記はんだ高さ補正用電極の洗浄、を当該バンプ高さ補正用電極基板の近傍であって、前記回転方向に沿って順次配設されたフラックス塗布手段、除去手段及び洗浄手段で順次処理することを特徴とする請求項１４記載のはんだバンプ形成装置。
【請求項１７】
はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法において、前記はんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さい電極面積のはんだ供給用電極が多数形成されたはんだ供給用電極基板の当該はんだ供給用電極上に供給用はんだを予め形成し、当該はんだ供給用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極基板との間隔を所定間隔に管理して、前記はんだ供給用電極基板の前記はんだ供給用電極の電極面積を、徐々に小さくして、前記はんだ供給用電極上の前記供給用はんだを前記はんだバンプ形成用電極に転写供給し、前記はんだバンプ形成用電極上に前記はんだバンプを形成することを特徴とするはんだバンプ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、はんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置に関し、詳細には、はんだバンプ形成用電極上に簡単かつ高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体素子の電極は、一般に、ＡｌあるいはＡｌを主体とする合金からなっている。これらのＡｌを用いた電極表面には、非常に安定な自然酸化膜が形成されており、この酸化膜は、溶接ハンダとの濡れ性が悪いため、酸化膜が形成されている状態では、バンプ形成を行うことができない。
【０００３】
そこで、従来、転写用キャリア基板に一回目のはんだ層を形成して、ＬＤの電極と位置合わせし、はんだを溶接して電極上にはんだバンプを形成する。さらに二回目のはんだ層を形成した第二の転写用キャリア基板を用いて、一回目のはんだバンプにはんだ層を位置合わせして溶融し、所望の大きさの第二のはんだバンプを得るはんだバンプの接続方法が提案されている（特開平１０−２４２１４９号公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報記載の技術にあっては、はんだ濡れ性に劣る転写用キャリア基板上にはんだ層を形成し、そのはんだ層を溶融転写する工程を複数回行うことでばらつきの小さいはんだバンプ高さを得ていたため、複数回はんだ層を形成する必要があり、多くのバンプ形成工数を必要とし、作業性が悪いという問題があった。
【０００５】
また、はんだ濡れ性の劣る転写用キャリア基板上に、はんだ層を形成する方法としては、真空蒸着法等ドライプロセスにより形成する必要があるため、転写キャリアへのはんだ層形成コストが高くなるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成することのできるはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明のはんだバンプ形成方法は、はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するはんだバンプ形成方法において、複数のバンプ高さ補正用電極が形成されたバンプ高さ補正用電極基板の該バンプ高さ補正用電極の電極面積を前記はんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さく形成し、前記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプを形成した後、前記バンプ高さ補正用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極基板とを、相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させて、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃えることにより、上記目的を達成している。
【００１８】
上記構成によれば、はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するに際して、複数のバンプ高さ補正用電極が形成されたバンプ高さ補正用電極基板の該バンプ高さ補正用電極の電極面積をはんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さく形成し、はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプを形成した後、バンプ高さ補正用電極基板とはんだバンプ形成用電極基板とを、相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだをバンプ高さ補正用電極に転写させて、複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃えているので、簡単かつ容易に複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さ、すなわち、バンダ量のバラツキを調整することができ、更に、はんだバンプ形成用電極からバンプ高さ補正用電極に転写されるはんだの転写量をより一層細かく制御し、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成することができる。
【００１９】
請求項２記載の発明のはんだバンプ形成装置は、はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するはんだバンプ形成装置において、複数のバンプ高さ補正用電極が形成されたバンプ高さ補正用電極基板の該バンプ高さ補正用電極の電極面積を前記はんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さく形成して、前記バンプ高さ補正用電極基板と前記はんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプの形成された前記はんだバンプ形成用電極基板とを、相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、前記はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだを前記バンプ高さ補正用電極に転写させて、前記複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃えることにより、上記目的を達成している。
【００２０】
上記構成によれば、はんだバンプ形成用電極基板に複数形成されているはんだバンプ形成用電極上に、所定高さのはんだバンプを形成するに際して、複数のバンプ高さ補正用電極が形成されたバンプ高さ補正用電極基板の該バンプ高さ補正用電極の電極面積をはんだバンプ形成用電極の電極面積よりも小さく形成して、バンプ高さ補正用電極基板とはんだバンプ形成用電極上に予めはんだバンプの形成されたはんだバンプ形成用電極とを、相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、はんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの過剰な量のはんだをバンプ高さ補正用電極に転写させて、複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さを揃えているので、簡単かつ容易に複数のはんだバンプ形成用電極上のはんだバンプの高さ、すなわち、バンダ量のバラツキを調整することができ、更に、はんだバンプ形成用電極からバンプ高さ補正用電極に転写されるはんだの転写量をより一層細かく制御し、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成することができる
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
【００４０】
図１〜図３は、本発明のはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置の第１の実施の形態を示す図であり、図１は、本発明の第１の実施の形態のはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置の適用されるはんだバンプ形成用電極基板の正面図、図２は、図１のはんだバンプ形成用電極基板上のはんだバンプの高さのバラツキをバンプ高さ補正用電極基板で補正している状態の正面図である。
【００４１】
本実施の形態のはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置は、図１に示すように、まず、はんだバンプ形成用電極基板１０の各はんだ形成用電極１１上に、安価なはんだバンプ形成方法ではんだバンプ１２を形成した後、このはんだバンプ１２の高さのバラツキを、図２に示すように、バンプ高さ補正用電極基板２０を使用して、補正する。
【００４２】
すなわち、まず、図１に示すように、はんだバンプ形成用電極基板１０のはんだ形成用電極１１上に、はんだボール搭載工法またははんだメッキ工法等の安価なはんだバンプ形成方法で、はんだバンプ１２を形成する。
【００４３】
このように安価なはんだバンプ形成方法ではんだバンプ１２を形成すると、図１に示すように、はんだ形成用電極１１上に形成されるはんだバンプ１２は、その高さにバラツキが発生し、高精度なはんだバンプを形成することができない。
【００４４】
そこで、本実施の形態のはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置は、図２に示すように、はんだバンプ１２の高さのバラツキを、バンプ高さ補正用電極基板２０を使用して、補正する。
【００４５】
すなわち、バンプ高さ補正用電極基板２０には、図２に示すように、複数のバンプ高さ補正用電極２１が形成されており、このバンプ高さ補正用電極２１は、その面積が、はんだ形成用電極基板１０に形成されているはんだ形成用電極１１の面積よりも所定量小さく形成されている。
【００４６】
そして、上記はんだバンプ形成用電極基板１０の各はんだバンプ形成用電極１１上に形成されたはんだバンプ１２を溶融状態とし、バンプ高さ補正用電極２１とはんだバンプ１２とのギャップ（間隔）を管理した状態で、バンプ高さ補正用電極基板２０をはんだバンプ形成用電極基板１０に所定間隔まで近づける。
【００４７】
このとき、はんだバンプ高さの高いはんだバンプ１２とバンプ高さ補正用電極２１との距離がはんだバンプ高さの低いはんだバンプ１２とバンプ高さ補正用電極２１との距離よりも短いため、はんだバンプ高さの高いはんだバンプ１２の過剰なはんだ３０のみが、バンプ高さ補正用電極２１に接触し、当該はんだバンプ高さの高いはんだバンプ１２のはんだ３０が、バンプ高さ補正電極２１に濡れるとともにはんだバンプ高さの高いはんだバンプ１２の過剰なはんだ３０がバンプ高さ補正電極２１に転写される。
【００４８】
この場合、はんだバンプ１２の高さ補正は、はんだの酸化を防止するために、窒素雰囲気中にて実施することが望ましい。
【００４９】
そして、バンプ高さ補正用電極２１の面積をはんだバンプ形成用電極１１の面積よりも小さくしているので、バンプ高さ補正用電極２１へのはんだの転写量を少なくし、はんだバンプ高さの制御を精度よく行うことができる。
【００５０】
例えば、はんだバンプ形成用電極１１の面積が１００μｍφである場合、バンプ高さ補正用電極２１の面積も１００μｍφとすると、必要以上にはんだの転写が発生しやすく、はんだバンプ高さが低くなりすぎるおそれがある。
【００５１】
ところが、はんだバンプ形成用電極１１の面積が１００μｍφである場合、バンプ高さ補正用電極２１の面積を５０μｍφとすると、はんだの転写量が、バンプ高さ補正用電極２１の電極面積により制限され、安定して精度よくはんだの転写除去を行うことができる。
【００５２】
そして、この場合、バンプ高さ補正電極２１の面積を小さくすると、はんだ転写量を少なく抑えることができ、バンプ高さ補正用電極２１の面積を徐々に小さくすることにより、転写効率の向上とはんだバンプの高精度な形状制御を行うことができる。
【００５３】
また、はんだバンプ形成用電極１１とバンプ高さ補正用電極２１とのギャップを徐々に狭くすると、はんだバンプ高さのばらつきを補正することができるとともに、バンダバンプ１２のバンプ高さを所定のバンプ高さに形成することができる。
【００５４】
このように、本実施の形態においては、はんだバンプ形成用電極基板１０に複数形成されているはんだバンプ形成用電極１１上に、所定高さのはんだバンプ１２を形成するに際して、はんだバンプ形成用電極１１上に予めはんだバンプ１２を形成した後、複数のバンプ高さ補正用電極２１の形成されたバンプ高さ補正用電極基板２０とはんだバンプ形成用電極基板１０とを、相対的な間隔（ギャップ）を管理した状態で、所定間隔に接近させて、はんだバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の過剰な量のはんだ３０をバンプ高さ補正用電極２１に転写させて、複数のはんだバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の高さを揃えている。
【００５５】
したがって、簡単かつ容易に複数のはんだバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の高さ、すなわち、バンダ量のバラツキを調整することができ、安価かつ高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成することができる。
【００５６】
また、本実施の形態においては、バンプ高さ補正用電極２１の電極面積を、はんだバンプ形成用電極１１の電極面積よりも小さく形成している。
【００５７】
したがって、はんだバンプ形成用電極１１からバンプ高さ補正用電極２１に転写されるはんだ３０の転写量を細かく制御することができ、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成することができる。
【００５８】
さらに、本実施の形態においては、バンプ高さ補正用電極２１の電極面積を、はんだバンプ形成用電極１１の電極面積よりも小さく形成するとともに、当該バンプ高さ補正用電極２１の電極面積を徐々に小さくして、はんだバンプ形成用電極１１上の過剰な量のはんだ３０を当該徐々に小さくなるはんだバンプ高さ補正用電極２１に転写させている。
【００５９】
したがって、はんだバンプ形成用電極１１からバンプ高さ補正用電極２１に転写されるはんだ３０の転写量をより一層細かく制御することができ、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成することができる。
【００６０】
また、本実施の形態においては、バンプ高さ補正用電極基板２０とはんだバンプ形成用電極基板１０との間隔を徐々に狭めて、はんだバンプ形成用電極１１上の過剰な量のはんだ３０をはんだバンプ高さ補正用電極２１に転写させている。
【００６１】
したがって、はんだバンプ形成用電極１１からバンプ高さ補正用電極２１に転写されるはんだの転写量をより一層細かく制御することができ、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成することができる。
【００６２】
そして、本実施の形態の場合、バンプ高さ補正用電極基板２０のバンプ高さ補正用電極２１の形成面に、図３に示すように、フラックス４０を供給してもよい。
【００６３】
すなわち、図３に示すように、はんだ３０の転写前に、バンプ高さ補正用電極基板２０のバンプ高さ補正用電極２１の形成されている面に、フラックス４０を供給する。このようにすると、バンプ高さ補正用電極２１へのはんだ濡れ性を向上させることができる。
【００６４】
例えば、はんだバンプ形成用電極１１にフラックスを供給した後、バンプ高さ補正用電極２１を接触させると、はんだバンプ形成用電極１１上の表面張力が低下するため、バンプ高さ補正用電極２１へはんだバンプのほとんどが転写されてしまう現象が発生する。
【００６５】
一方、バンプ高さ補正用電極基板２０のバンプ高さ補正用電極２１の形成されている面に、フラックス４０を供給すると、はんだバンプ１２へのフラックス供給を必要最低限に抑えることができ、はんだバンプ形成用電極１１上の表面張力低下を防止することができる。
【００６６】
このフラックス４０をバンプ高さ補正用電極基板２０に供給する方式としては、フラックス４０の塗布量を少なく抑える上で、スプレーフラクサ方式が望ましい。
【００６７】
このようにすると、バンプ高さ補正用電極２１へのはんだ濡れ性を向上させることができるとともに、はんだバンプ形成用電極１１側のはんだ表面張力の低減を抑えることができ、安定してはんだバンプ１２の形成を制御して、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成することができる。
【００６８】
図４は、本発明のはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置の第２の実施の形態の適用されたはんだバンプ形成装置５０の正面概略構成図である。
【００６９】
なお、本実施の形態の説明においては、上記第１の実施の形態と同様の構成部分には、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００７０】
図４において、はんだバンプ形成装置５０は、バンプ形成用電極加熱装置５１、バンプ高さ補正用電極５２が多数形成されたバンプ高さ補正用電極ロール板５３、バンプ高さ補正用電極ロール板５３を送り出す送り出しローラ５４、バンプ高さ補正用電極ロール板５３を巻き取る巻き取りローラ５５、バンプ高さ補正用電極ロール板５３を予備加熱するバンプ高さ補正用電極予備加熱装置５６及びバンプ高さ補正用電極ロール板５３にフラックス５７を供給するフラックス供給装置５８等を備えている。
【００７１】
バンプ形成用電極加熱装置５１上には、上記第１の実施の形態と同様のはんだバンプ形成用電極基板１０が載置され、はんだバンプ形成用電極基板１０のはんだバンプ形成用電極１１上には、安価なはんだバンプ形成方法ではんだバンプ１２が形成されている。
【００７２】
バンプ形成用電極加熱装置５１は、はんだバンプ形成用電極基板１０のはんだバンプ形成用電極１１上に形成されているはんだバンプ１２を常時当該はんだバンプ１２が溶融する温度まで加熱し、はんだ転写を容易なものとする。
【００７３】
バンプ高さ補正用電極ロール板５３は、ロール状に送り出しローラ５４に巻き付けられており、この送り出しローラ５４からバンプ形成用電極加熱装置５１上のはんだバンプ形成用電極基板１０の上部を通って、所定のテンションがかけられた状態で、巻き取りローラ５５に巻き取られる。
【００７４】
フラックス供給装置５８は、送り出しローラ５４の近傍に配設されており、送り出しローラ５４から巻き取りローラ５５に送り出されるバンプ高さ補正用電極ロール板５３のバンプ高さ補正用電極５２の形成面にフラックス５７を供給して、はんだの濡れ性及び適度なはんだボールの酸化防止を行う。
【００７５】
バンプ高さ補正用電極予備加熱装置５６は、送り出しローラ５４から巻き取りローラ５５に巻き取られるバンプ高さ補正用電極ロール板５３のはんだバンプ形成用電極基板１０とは反対側の面に配設されており、１００℃以上であって、バンプ高さ補正用電極ロール板５３に供給されたフラックス５７が活性力を失わない程度の温度にバンプ高さ補正用電極ロール板５３を予備加熱する。
【００７６】
このはんだバンプ形成装置５０は、バンプ形成用電極加熱装置５１の上面に、そのバンプ形成用電極１１上にはんだバンプ１２の形成されたはんだバンプ形成用電極基板１０が載置され、このはんだバンプ１２は、上述のように、その高さにバラツキが発生している。
【００７７】
そして、はんだバンプ形成装置５０は、バンプ高さ補正用電極ロール板５３とバンプ形成用電極基板１０とのギャップ、具体的には、バンプ高さ補正用電極ロール板５３上のバンプ高さ補正用電極５２とバンプ形成用電極基板１０のバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２とのギャップを高精度に管理しつつ、バンプ高さ補正用電極ロール板５３をバンプ高さ補正用電極予備加熱装置５６で予備加熱した状態で、バンプ高さ補正用電極板５３を送り出しローラ５４から巻き取りローラ５５に巻き取って、所定速度でバンプ形成用電極基板１０上を移動させる。
【００７８】
このとき、バンプ高さ補正用電極ロール板５３のバンプ高さ補正用電極５２の形成されている面に、フラックス５７を供給して、はんだの濡れ性及び適度なはんだボールの酸化防止を行う。
【００７９】
このようにして、バンプ高さ補正用電極ロール板５３をバンプ形成用電極基板１０と所定のギャップを管理しつつ移動させると、バンプ形成用電極基板１０のバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の過剰はんだが、バンプ高さ補正用電極ロール板５３のバンプ高さ補正用電極５２に転写され、バンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２が精度よく均一な高さに補正される。
【００８０】
そして、このとき、バンプ高さ補正用電極予備加熱装置５６でバンプ高さ補正用電極ロール板５３をバンプ高さ補正用電極ロール板５３に供給されたフラックス５７が活性力を失わない程度の温度にバンプ高さ補正用電極ロール板５３を予備加熱しているため、バンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の過剰はんだを、効率よくバンプ高さ補正用電極ロール板５３のバンプ高さ補正用電極５２に転写することができる。
【００８１】
すなわち、バンプ高さ補正用電極ロール板５３を予備加熱しないと、はんだ濡れまでに時間がかかり、フラックス５７がバンプ形成用基板１０の過熱により活性力が落ちてくるため、バンプ高さ補正用電極５２上にツララ状のはんだが形成されてしまう。
【００８２】
一方、バンプ高さ補正用電極ロール板５３の予備加熱温度が高すぎると、フラックス５７の活性力がなくなり、はんだ濡れ性が低下するとともに、ツララ状のはんだが形成されてしまう。
【００８３】
ところが、本実施の形態では、バンプ高さ補正用電極予備加熱装置５６でバンプ高さ補正用電極ロール板５３をバンプ高さ補正用電極ロール板５３に供給されたフラックス５７が活性力を失わない程度の温度にバンプ高さ補正用電極ロール板５３を予備加熱しているため、バンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の過剰はんだを、効率よくバンプ高さ補正用電極ロール板５３のバンプ高さ補正用電極５２に転写することができる。そして、この予備加熱温度としては、１００℃〜１７０℃が望ましい。
【００８４】
このように、本実施の形態においては、バンプ高さ補正用電極基板をロール状のバンプ高さ補正用電極ロール板５３とし、バンプ高さ補正用電極ロール板５３の表面にバンプ高さ補正用電極５２を複数形成して、当該バンプ高さ補正用電極ロール板５３を、所定方向に回転させつつ、はんだバンプ形成用電極基板１０との相対的な間隔を管理した状態で、所定間隔に接近させて、はんだバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の過剰な量のはんだをバンプ高さ補正用電極５２に転写させている。
【００８５】
したがって、はんだバンプ形成用電極１１からバンプ高さ補正用電極５２により簡単にかつ連続的に過剰な量のはんだを転写させることができ、より一層安価かつ高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成することができる。
【００８６】
また、本実施の形態においては、バンプ高さ補正用電極ルール板５３のバンプ高さ補正用電極５２の形成されている面に、フラックス５７を塗布して、当該バンプ高さ補正用電極基板５３とはんだバンプ形成用電極基板１０とを接近させている。
【００８７】
したがって、バンプ高さ補正用電極５２へのはんだ濡れ性を向上させることができるとともに、はんだバンプ形成用電極１１側のはんだ表面張力の低減を抑えることができ、安定してはんだバンプ１２の形成を制御して、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成することができる。
【００８８】
さらに、本実施の形態においては、少なくともはんだバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の過剰な量のはんだをバンプ高さ補正用電極５２に転写する期間は、バンプ形成用電極基板１０を、はんだバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の溶融温度までバンプ形成用電極加熱装置５１で加熱し、バンプ高さ補正用電極ロール板５３を、１００℃以上であって、当該バンプ高さ補正用電極５２に塗布されているフラックス５７が活性力を維持する温度範囲に、バンプ高さ補正用電極予備加熱装置５６で予備加熱している。
【００８９】
したがって、はんだバンプ形成用電極１１からバンプ高さ補正用電極５２へのはんだの転写性を向上させることができるとともに、バンプ高さ補正用電極５２上にツララ状のはんだが形成されることを防止することができ、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成することができる。
【００９０】
図５は、本発明のはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置の第３の実施の形態の適用されたはんだバンプ形成装置６０の正面概略構成図である。
【００９１】
なお、本実施の形態の説明においては、上記第１の実施の形態と同様の構成部分には、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００９２】
図５において、はんだバンプ形成装置６０は、バンプ形成用電極加熱装置６１、バンプ高さ補正用電極６２が多数形成されているバンプ高さ補正用電極ローラ６３、バンプ高さ補正用電極ローラ６３にフラックス６４を供給するフラックス供給装置（フラックス塗布手段）６５、はんだ除去装置（除去手段）６６、電極ローラ洗浄機（洗浄手段）６７等を備えている。
【００９３】
バンプ形成用電極加熱装置６１上には、上記第１の実施の形態と同様のはんだバンプ形成用電極基板１０が載置され、はんだバンプ形成用電極基板１０のはんだバンプ形成用電極１１上には、安価なはんだバンプ形成方法ではんだバンプ１２が形成されている。
【００９４】
バンプ形成用電極加熱装置６１は、はんだバンプ形成用電極基板１０のはんだバンプ形成用電極１１上に形成されているはんだバンプ１２を常時当該はんだバンプ１２が溶融する温度まで、加熱し、はんだの転写を容易なものとする。
【００９５】
はんだ高さ補正用電極ローラ６３は、ローラ状に形成されており、表面の基板にバンプ高さ補正用電極６２が多数形成されている。はんだ高さ補正用電極ローラ６３は、バンプ形成用電極加熱装置６１上のはんだバンプ形成用電極基板１０の上部に配設されており、図５に矢印で示す反時計方向に回転される。
【００９６】
このはんだ高さ補正用電極ローラ６３のはんだ高さ補正用電極６２は、その電極面積が、はんだバンプ形成用電極基板１０のはんだバンプ形成用電極１１の電極面積よりも小さく形成されている。
【００９７】
フラックス供給装置６５は、はんだ高さ補正用電極ローラ６３の近傍であって、バンプ形成用電極加熱装置６１上のはんだバンプ形成用電極基板１０よりもはんだ高さ補正用電極ローラ６３の回転方向に手前側に配設されており、当該はんだ高さ補正用電極ローラ６３の表面にフラックス６４を供給して、はんだの濡れ性及び適度なはんだボールの酸化防止を行う。
【００９８】
はんだ除去装置６６は、はんだ高さ補正用電極ローラ６３のはんだ高さ補正用電極６２上のはんだ７０を除去する。このはんだ除去装置６６によるはんだ高さ補正用電極６２上からのはんだの除去方法は、例えば、はんだ形成用電極１１上からはんだ高さ補正用電極ローラ６３のはんだ高さ補正用電極６２に転写されたはんだ７０を、回転研磨により機械的に除去する方法、はんだ濡れ性の良い細線ワイヤを加熱した状態で接触させて除去する方法または加熱溶融状態ではんだ７０を吸い取って除去する方法等を用いることができるが、これらの方法に限るものではない。
【００９９】
電極ローラ洗浄機６７は、溶剤を含浸させた研磨テープ６８と当該研磨テープ６８をはんだ高さ補正用電極ローラ６３に押しつけるローラ６９等を備えており、ローラ６９により研磨テープ６８をはんだ高さ補正用電極ローラ６３に押しつけて、フラックス残さ等を除去する。
【０１００】
このはんだバンプ形成装置６０は、バンプ形成用電極加熱装置６１の上面に、そのバンプ形成用電極１１上にはんだバンプ１２の形成されたはんだバンプ形成用電極基板１０が載置され、このはんだバンプ１２は、上述のように、その高さにバラツキが発生している。
【０１０１】
そして、はんだバンプ形成装置６０は、バンプ高さ補正用電極ローラ６３とバンプ形成用電極基板１０とのギャップ（間隔）、具体的には、バンプ高さ補正用電極ローラ６３上のバンプ高さ補正用電極６２とバンプ形成用電極基板１０のバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２とのギャップを高精度に管理しつつ、バンプ高さ補正用電極ローラ６３を図５の矢印で示す反時計方向に回転させながら、例えば、図５に矢印で示す方向に、所定速度でバンプ形成用電極基板１０上を、そのはんだ高さ補正用電極６２を移動させる。
【０１０２】
このとき、バンプ高さ補正用電極ローラ６３のバンプ高さ補正用電極６２の形成されている表面に、フラックス供給装置６４からフラックス６４を供給して、はんだの濡れ性及び適度なはんだボールの酸化防止を行う。
【０１０３】
このようにして、バンプ高さ補正用電極ローラ６３をバンプ形成用電極基板１０と所定のギャップを管理しつつ回転させると、バンプ形成用電極基板１０のバンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２の過剰はんだが、バンプ高さ補正用電極ローラ６３のバンプ高さ補正用電極６２に転写され、バンプ形成用電極１１上のはんだバンプ１２が精度よく均一な高さに補正される。
【０１０４】
このように、本実施の形態によれば、バンプ高さ補正用電極ローラ６３の回転に伴って、当該バンプ高さ補正用電極ローラ６３のバンプ高さ補正用電極６２の形成されている面へのフラックス６４の塗布、はんだバンプ形成用電極１１からはんだ高さ補正用電極６２に転写されたはんだ７０の除去及び当該はんだ７０の除去されたはんだ高さ補正用電極６２の洗浄、を当該バンプ高さ補正用電極ローラ６３の近傍であって、回転方向に沿って順次配設されたフラックス供給装置６５、はんだ除去装置６６及び電極ローラ洗浄機６７で順次処理している。
【０１０５】
したがって、フラックス６４の塗布処理、はんだ高さ補正用電極６２上のはんだ７０の除去処理及びはんだ高さ補正用電極６２の洗浄処理を連続的に行って、より一位層効率的にかつコンパクトにはんだバンプ１２の高さ調整処理を行うことができ、より一層安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプ１２を形成することができる。
【０１０６】
図６は、本発明のはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置の第４の実施の形態の適用されたはんだバンプ形成用電極基板８０とはんだ供給用基板９０の概略正面図である。
【０１０７】
図６において、はんだバンプ形成用電極基板８０の表面には、はんだバンプ形成用電極８１が多数形成されており、このはんだバンプ形成用電極８１上に、はんだ供給用基板９０を用いて、はんだバンプ８２が形成される。
【０１０８】
はんだ供給用基板９０の表面には、多数のはんだ供給用電極９１が形成されており、はんだ供給用電極９１は、その電極面積がはんだバンプ形成用電極８１上の電極面積に比較して、相対的に小さく形成されている。
【０１０９】
はんだ供給用基板９０は、はんだ供給用電極９１上に供給された供給用はんだ９２をはんだバンプ形成用電極基板８０のはんだバンプ形成用電極８１上に供給し、はんだバンプ形成用電極８１上にはんだバンプ８２を形成する。
【０１１０】
このはんだ供給用電極９１上への供給用はんだ９２の供給は、例えば、はんだメッキやはんだペースト印刷等で行うことができる。
【０１１１】
このはんだ供給用電極基板９０を用いてはんだバンプ形成用電極基板８０のはんだバンプ形成用電極８１上にはんだバンプ８２を形成するには、まず、はんだバンプ形成用電極８１上に、例えば、はんだメッキやはんだペースト印刷等の方法で供給用はんだ９２を供給し、はんだバンプ形成用電極基板８０とはんだ供給用電極基板９０とのギャップ（間隔）、具体的には、はんだバンプ形成用電極基板８０のはんだバンプ形成用電極８１とはんだ供給用電極基板９０のはんだ供給用電極９１とのギャップを精度よく管理して近づけ、はんだ供給用電極９１上の供給用はんだ９２をはんだバンプ形成用電極８１上に転写する。
【０１１２】
このとき、はんだ供給用電極９１の電極面積が、はんだバンプ形成用電極８１よりも小さく形成されているため、はんだ供給用電極９１上への供給用はんだ９２の供給量にばらつきがあっても、はんだバンプ形成電極８１に転写されて、はんだバンプ８２となる際には、そのばらつきが相対的に小さくなる。
【０１１３】
そして、はんだ供給用電極９１からはんだバンプ形成用電極８１へのはんだ供給量を高精度に制御するためには、例えば、はんだバンプ形成用電極基板８０とはんだ供給用基板９０を所定方向に相対移動させて、当該相対移動方向に対して、はんだ供給用電極９１の電極面積を徐々に小さくすると、供給用はんだ９２のはんだバンプ形成用電極８１への転写供給効率を向上させることができるとともに、はんだバンプの形状精度を向上させることができる。
【０１１４】
このように、本実施の形態のはんだバンプ形成方法は、はんだバンプ形成用電極基板８０に複数形成されているはんだバンプ形成用電極８１上に、所定高さのはんだバンプ８２を形成するに際して、はんだバンプ形成用電極８１の電極面積よりも小さい電極面積のはんだ供給用電極９１が多数形成されたはんだ供給用電極基板９０の当該はんだ供給用電極９１上に供給用はんだ９２を予め形成し、当該はんだ供給用電極基板９０とはんだバンプ形成用電極基板８０との間隔を所定間隔（ギャップ）に管理して、はんだ供給用電極９１上の供給用はんだ９２をはんだバンプ形成用電極８１に転写供給し、はんだバンプ形成用電極８１上にはんだバンプ８２を形成している。
【０１１５】
したがって、簡易な方法ではんだ供給用電極９１上に形成した供給用はんだ９２を表面張力を利用してはんだバンプ形成用電極８１上に転写することができ、安価かつ高精度に高さの揃ったはんだバンプ８２を形成することができる。
【０１１６】
また、本実施の形態においては、はんだ供給用電極基板９０のはんだ供給用電極９１の電極面積を、徐々に小さくして、供給用はんだ９２をはんだバンプ形成用電極８１に転写供給して、はんだバンプ形成用電極８１上にはんだバンプ８２を形成している。
【０１１７】
したがって、簡易な方法ではんだ供給用電極９１上に形成した供給用はんだ９２を表面張力を利用してはんだバンプ形成用電極８１上により精度よく転写することができ、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプ８２を形成することができる。
【０１１８】
以上、本発明者によってなされた発明を好適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記のものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１１９】
【発明の効果】
上記したように本発明に係るはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置によれば、安価かつより一層高精度に高さの揃ったはんだバンプを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置の第１の実施の形態のはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置の適用されるはんだバンプ形成用電極基板の正面図。
【図２】図１のはんだバンプ形成用電極基板上のはんだバンプの高さのバラツキをバンプ高さ補正用電極基板で補正している状態の正面図。
【図３】図２のバンプ高さ補正用電極基板のバンプ高さ補正用電極の形成面にフラックスを供給した状態の正面図。
【図４】本発明のはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置の第２の実施の形態の適用されたはんだバンプ形成装置の正面概略構成図。
【図５】本発明のはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置の第３の実施の形態の適用されたはんだバンプ形成装置の正面概略構成図。
【図６】本発明のはんだバンプ形成方法及びはんだバンプ形成装置の第４の実施の形態の適用されたはんだバンプ形成用電極基板とはんだ供給用基板の概略正面図。
【符号の説明】
１０  はんだバンプ形成用電極基板
１１  はんだ形成用電極
１２  はんだバンプ
２０  バンプ高さ補正用電極基板
２１  バンプ高さ補正用電極
３０  はんだ
４０  フラックス
５０  はんだバンプ形成装置
５１  バンプ形成用電極加熱装置
５２  バンプ高さ補正用電極
５３  バンプ高さ補正用電極ロール板
５４  送り出しローラ
５５  巻き取りローラ
５６  バンプ高さ補正用電極予備加熱装置
５７  フラックス
５８  フラックス供給装置
６０  はんだバンプ形成装置
６１  バンプ形成用電極加熱装置
６２  バンプ高さ補正用電極
６３  バンプ高さ補正用電極ローラ
６４  フラックス
６５  フラックス供給装置
６６  はんだ除去装置
６７  電極ローラ洗浄機
６８  研磨テープ
６９  ローラ
７０  はんだ
８０  はんだバンプ形成用電極基板
８１  はんだバンプ形成用電極
８２  はんだバンプ
９０  はんだ供給用基板
９１  はんだ供給用電極
９２  供給用はんだ
【図１】
0003886405.tif 000002
【図２】
0003886405.tif 000003
【図３】
0003886405.tif 000004
【図４】
0003886405.tif 000005
【図５】
0003886405.tif 000006
【図６】
0003886405.tif 000007