(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイアス回路を有する高周波回路を搭載した高周波モジュールにおいて、
前記バイアス回路は、
半導体基板上に形成されたコンデンサと、
該コンデンサ上に形成されたインダクタと
を具備し、
前記高周波回路の配線層は、
前記バイアス回路上に配設され、
前記バイアス回路と前記高周波回路の配線層との間の少なくとも前記コンデンサ及び前記インダクタ上に、前記高周波回路の配線層を前記バイアス回路から電磁気的に分離する磁性体薄膜を形成した
ことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記コンデンサは、
前記半導体基板上に異種材料の薄膜を積層して形成される
ことを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記インダクタは、
前記磁性体薄膜により磁束が閉じ込められる磁性体薄膜装荷型インダクタとして機能する
ことを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波モジュールに関し、特に、小型化を図ることが可能な高周波モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話機やＰＤＡ（Personal Digital Assistant）など、様々な移動体携帯通信端末が我々の日常生活に欠かせないものとなっている。
【０００３】
そして、このような端末には、多機能、小型化、低消費電力化などが求められており、また、このような要求に対応するため、これらの端末の主要部品であるパワーアンプなどの高周波モジュールに対しても、さらなる高周波化、小型化、低消費電力化、低価格化などが求められている。
【０００４】
ところで、このような高周波モジュールは、従来、アルミナや樹脂基板上に様々な部品を実装して構成されていた。
【０００５】
これに対して近年、従来は、基板上に実装していた部品を半導体基板に組み込み、高周波モジュールを構成するといったアプローチが試みられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、基板上に実装していた各部品を素子や回路として半導体基板に組み込む方法では、各部品を実装した高周波モジュールに比べて小型化が図れるものの、バイアス回路や高周波回路の配線、素子など、半導体基板に並列に配設されるため、半導体基板の面積を縮小するには限界があった。
【０００７】
また、バイアス回路上に高周波回路の配線や素子などを積層して形成することにより、半導体基板の面積を抑える構成も考えられているが、この構成の場合、バイアス回路のインダクタやコンデンサから生じる電界や磁界が高周波回路の配線に影響を与え、特性の劣化が生じるという問題があった。
【０００８】
このため、バイアス回路と配線層との間に、このような影響を防止するに十分な距離を設ける必要があり、これが高周波モジュールの小型化を妨げていた。
【０００９】
そこで本発明では、高周波回路の面積及び厚みを抑え、小型化を図ることが可能な高周波モジュールを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る高周波モジュールは、バイアス回路を有する高周波回路を搭載した高周波モジュールにおいて、バイアス回路は、半導体基板上に形成されたコンデンサと、該コンデンサ上に形成されたインダクタとを具備し、高周波回路の配線層は、バイアス回路上に配設され、バイアス回路と高周波回路の配線層との間の少なくとも前記コンデンサ及び前記インダクタ上に、高周波回路の配線層をバイアス回路から電磁気的に分離する磁性体薄膜を設ける。
【００１１】
この構成では、バイアス回路を構成するインダクタやコンデンサから生じる電界や磁界が、バイアス回路上に配設されている高周波回路の配線等に与える影響を妨げ、特性の劣化防止を図ることができる。
【００１２】
また、コンデンサは、半導体基板上に異種材料の薄膜を積層して形成される。
【００１３】
また、インダクタは、磁性体薄膜により磁束が閉じ込められる磁性体薄膜装荷型インダクタとして機能することにより、チョークコイルの磁束を閉じ込め、インダクタのインダクタンス値を上昇させることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係わる高周波モジュールの実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明に係わる高周波モジュールの一実施の形態の構成を概念的に示した図である。
【００１６】
図１において、高周波モジュール１は、半導体基板(Ｓi基板)２をプラットフォームとして、その上に異種材料の薄膜を利用したバイアス回路３を有し、さらに、バイアス回路３上に高周波回路の配線層４が積層されている。
【００１７】
また、バイアス回路３と配線層４との間には、ナノグラニュラ磁性体薄膜など、高周波磁性体膜である磁性体薄膜５が設けられている。
【００１８】
そして、バイアス回路３には、高周波大容量コンデンサ６、及び高周波チョークコイル７が設けられている。
【００１９】
ここで、高周波大容量コンデンサ６は、後に詳述するように、金属、容量絶縁膜、金属、例えば、Ｐt／ＳrＴiＯ3／Ｐtの多層構造からなるＭＩＭキャパシタとして形成され、高周波チョークコイル７は、インダクタ配線である。
【００２０】
また、配線層４には、ＧＮＤ電極８、及び高周波回路の配線９が設けられている。
【００２１】
このように、本実施の形態における高周波モジュールは、バイアス回路と配線層との間に、ナノグラニュラなど、数ＧＨｚまで対応可能な高周波磁性体材料からなる磁性体薄膜が設けられている。
【００２２】
このため、高周波回路の配線等に電磁界的な影響を及ぼし特性を劣化させるバイアス回路のインダクタやコンデンサから生じる電界や磁界を遮断することが可能で、バイアス回路の上に形成する配線等のレイアウトに制約がなくなると同時に、回路特性の向上や高周波モジュールの小型化ができる。
【００２３】
さらに、この磁性体膜は、通常、導電性を有するため、チョークコイルの磁束を閉じ込め、インダクタのインダクタンス値を上昇させることができる。
【００２４】
次に、本発明に係る高周波モジュールの製造方法の一例を図２を参照して説明する。
【００２５】
まず、Ｓｉなどの半導体からなる半導体基板２上に、図示しないＳiＯ2膜を成膜する。
【００２６】
そして、ＳiＯ2膜上に、下部電極となるＰｔ電極膜を形成し、このＰｔ電極膜上に、強誘電体材料であるＳrＴiＯ3膜をゾルゲル法、スパッタ法、ＣＶＤ法等によって形成し、その上に上部電極となるＰｔ電極膜を形成して、図２（ａ）に示すように、Ｐｔ電極膜／ＳrＴiＯ3膜／Ｐｔ電極膜の多層構造からなる大容量ＭＩＭキャパシタをコンデンサ６として形成する。
【００２７】
また、ＳiＯ2膜及びコンデンサ６上に絶縁性材料であるポリイミドを塗布して第１の層間絶縁膜１０を形成し、さらに、第１の層間絶縁膜１０上に、チョークコイル７をパターニングして、図３（ｂ）に示すように、コンデンサ６及びチョークコイル７からなるバイアス回路３を形成する。
【００２８】
次に、チョークコイル７上にポリイミドを塗布して第２の層間絶縁膜１１を成膜し、図３（ｃ）に示すように、この第２の層間絶縁膜状の全面にナノグラニュラ磁性体材料からなる磁性体薄膜５を形成する。
【００２９】
また、磁性体薄膜５上に、ポリイミドを塗布して第３の層間絶縁膜１２を形成し、この第３の層間絶縁膜１２上に、図３（ｄ）に示すように、Ａｌからなる高周波回路のＧＮＤ配線８を形成する。
【００３０】
そして、ＧＮＤ配線８上にポリイミドを塗布して第４の層間絶縁層１３を形成し、この第４の層間絶縁膜１３上に高周波回路の配線９及び図示しない高周波回路の素子を形成して、図３（ｅ）に示すように、ＧＮＤ配線８及び配線９からなる高周波回路の配線層４を形成する。
【００３１】
なお、第２の層間絶縁膜は、バイアス回路と磁性体薄膜との距離が最適となる厚みを有し、また、第３の層間絶縁膜は、ＧＮＤ配線と磁性体薄膜、及びＧＮＤ配線とバイアス回路との距離が適切となる厚みを有する。
【００３２】
また、第２の層間絶縁膜上の少なくともバイアス回路に対応する領域、好ましくは、第２の層間絶縁膜上の全面に磁性体薄膜を形成し、バイアス回路を遮蔽することにより、バイアス回路のインダクタ及びコンデンサと配線層とを電磁的に分離して、バイアス回路から生じる電界や磁界による高周波回路の配線等への影響を防止する。
【００３３】
【発明の効果】
本発明では、搭載する高周波回路の面積及び厚みを抑えた高周波モジュールを作成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係わる高周波モジュールの構成を概念的に示す断面図
【図２】  本発明に係わる高周波モジュールの製造方法を示す断面図
【符号の説明】
１…高周波モジュール
２…半導体基板
３…バイアス回路
４…配線層
５…磁性体薄膜
６…コンデンサ
７…チョークコイル
８…ＧＮＤ電極
９…配線
１０…第１の層間絶縁膜
１１…第２の層間絶縁膜
１２…第３の層間絶縁膜
１３…第４の層間絶縁層
【図１】
0003936619.tif 000002
【図２】
0003936619.tif 000003