(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持フィルム上に形成された無機粉体分散ペースト層を基板上に転写し、当該無機粉体分散ペースト層上に、式（１）または式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種のビイミダゾール系化合物を含有するレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体分散ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する無機粉体分散ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パターンを有するパネル材料を形成することを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの製造方法。
0003870536.tif 000005
〔式（１）において、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜９のアリール基を示し、Ａは−ＣＯＯ−Ｒ（但し、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜９のアリール基を示す。）を示し、ｍは１〜３の整数であり、ｎは１〜３の整数である。〕
0003870536.tif 000006
〔一般式（２）において、Ｘ1 、Ｘ2 およびＸ3 は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜９のアリール基を示す。但し、Ｘ1 、Ｘ2 、およびＸ3 の２個以上が同時に水素原子をとることはない。〕
【請求項２】
式（１）または式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種のビイミダゾール系化合物を含有するレジスト膜と、無機粉体分散ペースト層との積層膜を支持フィルム上に形成し、当該積層膜を基板上に転写し、当該積層膜を構成するレジスト膜を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体分散ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する無機粉体分散ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パターンを有するパネル材料を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
0003870536.tif 000007
〔式（１）において、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜９のアリール基を示し、Ａは−ＣＯＯ−Ｒ（但し、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜９のアリール基を示す。）を示し、ｍは１〜３の整数であり、ｎは１〜３の整数である。〕
0003870536.tif 000008
〔一般式（２）において、Ｘ1 、Ｘ2 およびＸ3 は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜９のアリール基を示す。但し、Ｘ1 、Ｘ2 、およびＸ3 の２個以上が同時に水素原子をとることはない。〕
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの各表示セルを構成する隔壁、電極、誘電体、抵抗体、蛍光体、カラーフィルターおよびブラックマトリックスの形成において、高精細パターンの形成が可能となり、また転写フィルムを使用することにより従来の方法に比べて実質的に作業性を向上させることができるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、大型パネルでありながら製造プロセスが容易であること、視野角が広いこと、自発光タイプで表示品位が高いこと等の理由から、フラットパネル表示技術の中で注目されており、特にカラープラズマディスプレイパネルは、２０インチ以上の壁掛けＴＶ用の表示デバイスとして将来主流になるものと期待されている。
カラーＰＤＰは、ガス放電により発生する紫外線を蛍光体に照射することによってカラー表示が可能になる。そして、一般に、カラーＰＤＰにおいては、赤色発光用の蛍光体部位、緑色発光用の蛍光体部位及び青色発光用の蛍光体部位が基板上に形成されることにより、各色の発光表示セルが全体に均一に混在した状態に構成されている。具体的には、ガラス等からなる基板の表面に、バリアリブと称される絶縁性材料からなる隔壁が設けられており、この隔壁によって多数の表示セルが区画され、当該表示セルの内部がプラズマ作用空間になる。そして、このプラズマ作用空間に螢光体部位が設けられるとともに、この螢光体部位にプラズマを作用させる電極が設けられることにより、各々の表示セルを表示単位とするプラズマディスプレイパネルが構成される。
【０００３】
ＡＣ型ＰＤＰの構造の一例を図１に示す。前面基板ガラスには、一対の維持電極をストライプ状に複数形成し、その上を誘電体層で覆い、さらにその上に保護膜であるＭｇＯ膜を蒸着する。
また、プラズマディスプレイパネルのコントラストを向上させるために、赤色、緑色、青色のカラーフィルターやブラックマトリックスを誘電体層の下に設ける場合がある。
一方背面基板ガラス上には、信号電極をストライプ状に複数形成し、信号電極間に隔壁を設け、この隔壁の側面および底面に蛍光体層を形成する。
前記前面基板の維持電極と背面基板の信号電極が垂直方向になるように張り合わせてシールし、内部にネオンとキセノンの混合ガスを導入する。
【０００４】
ＤＣ型ＰＤＰの構造の一例を図２に示す。前面基板ガラスには、陰極電極をストライプ状に複数形成する。
一方、背面基板ガラス上には、表示陽極と補助陽極の電極端子およびリードを形成し、さらに陽極端子と陽極リードの間、補助陽極端子と補助陽極リードの間には抵抗体を設ける。また、背面基板上の表示陽極端子と補助陽極端子の部分を除いて誘電体で絶縁する。次いで放電空間を区画するために隔壁を格子状に設け、この隔壁側面と陽極端子を除く底面には蛍光体層を形成する。
前記前面基板の陰極と背面基板の表示陽極、補助陽極が垂直方向になるように張り合わせてシールし、内部にネオンとキセノンの混合ガスを導入する。
【０００５】
このようなプラズマディスプレイパネルの各構成要素の製造方法としては、（１）非感光性の無機粉体分散ペースト組成物を基板上にスクリーン印刷してパターンを得、これを焼成するスクリーン印刷法、（２）感光性の無機粉体分散ペースト組成物の膜を基板上に形成し、この膜にフォトマスクを介して紫外線を照射した上で現像することにより基板上にパターンを残存させ、これを焼成するフォトリソグラフィー法などが知られている。
【０００６】
しかしながら、前記スクリーン印刷法では、パネルの大型化および高精細化に伴い、パターンの位置精度の要求が非常に厳しくなり、通常の印刷では対応できないという問題がある。
また、前記フォトリソグラフィー法では、一回の露光および現像の工程で１０〜１００μｍの膜厚を有するパターンを形成する際、無機粉体分散ペースト層の深さ方向に対する感度が不十分であり、必ずしもエッジがシャープな高精細パターンが得られるものとはならなかった。
【０００７】
上記のような問題を解決する手段として、本発明者らは、感光性レジスト組成物層と無機顔料ペースト層の積層体を基板上に形成し、当該積層膜を構成する感光性レジスト組成物層を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該感光性レジスト組成物層を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機顔料ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する無機顔料ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理して無機顔料パターンを形成する工程を含む方法によりカラーフィルターのパターンを形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法を提案している。（特開平９−１５５９６１号、特願平９―３４０５１４号明細書参照）
従来、感光性レジスト組成物としては、カルボキシル基を含有するバインダーポリマーと、ペンタエリスリトールアクリレートなどの多官能アクリレートよりなるラジカル重合性物質と、光ラジカル発生剤とを含有してなるものが用いられており、光ラジカル発生剤としては、例えば１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどが用いられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の感光性レジスト組成物においては、塗膜中における光硬化用放射線の強度は、深さ方向に対して減衰するために、当該塗膜における感光性レジスト組成物の底部に接近するに従って小さくなる現象が生じ、硬化反応が十分に達成されない状態となり易い。そして、この場合には、ＰＤＰにおける各構成要素の製造工程における現像処理により当該底部がえぐられてしまい、得られるレジストパターンはいわゆるアンダーカットが生じたものとなり、極端な場合には現像処理において、感光性レジスト層が流れ去ってしまうという問題がある。そしてその結果、パターニングが不均一となり、パネルの歩留まりが極端に悪くなる。
以上の問題は、十分なエネルギー量で放射線照射処理を行うことにより解決することはできるが、この場合には、製造における効率が低いものとなる。
【０００９】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、現像処理においてアンダーカットを防ぎ、各構成要素のパターンを高い効率で確実に、高精細に製造することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、支持フィルム上に形成された無機粉体分散ペースト層を基板上に転写し、当該無機粉体分散ペースト層上に、下記式（１）または下記式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種のビイミダゾール系化合物を含有するレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体分散ペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する無機粉体分散ペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パターンを有するパネル材料を形成することを特徴とする。
【００１１】
【化１】
0003870536.tif 000002
【００１２】
〔式（１）において、Ｘは水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜９のアリール基を示し、Ａは−ＣＯＯ−Ｒ（但し、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜９のアリール基を示す。）を示し、ｍは１〜３の整数であり、ｎは１〜３の整数である。〕
【００１３】
【化２】
0003870536.tif 000003
【００１４】
〔一般式（２）において、Ｘ1 、Ｘ2 およびＸ3 は同一でも異なってもよく、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数６〜９のアリール基を示す。但し、Ｘ1 、Ｘ2 、およびＸ3 の２個以上が同時に水素原子をとることはない。〕
【００１５】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法においては、あらかじめ、レジスト膜と無機粉体ペースト層との積層膜を支持フィルム上に形成することによって、さらに好適にその効果を発揮する。
【００１６】
【作用】
本発明の製造方法において、無機粉体分散ペースト層は、無機粉体を分散させた無機粉体分散ペースト組成物を、剛性を有する基板上に直接塗布して形成されるのではなく、可撓性を有する支持フィルム上に塗布することにより形成される。このため、当該ペースト状組成物の塗布方法として、ロールコータなどによる塗布方法を採用することができ、これにより、膜厚が大きくて、かつ、膜厚の均一性に優れた無機粉体分散ペースト層（例えば１０μｍ±１μｍ）を支持フィルム上に形成することが可能となる。そして、このようにして形成された無機粉体分散ペースト層を基板の表面に対して一括転写するという簡単な操作により、当該無機粉体分散ペースト層を基板上に確実に形成することができる。なお、当該無機粉体ペースト層上に、特定の感光性レジスト組成物を塗布してパターニングを行うことにより、現像処理におけるアンダーカットを防ぎ、ＰＤＰにおける各構成要素のパターンを高い効率で確実に製造することができるとともに、形成されるパターンの品質の向上（高精細化）を図ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の製造方法について詳細に説明する。本発明の製造方法においては、〔１〕無機粉体分散ペースト層の転写工程、〔２〕レジスト膜の形成工程、〔３〕レジスト膜の露光工程、〔４〕レジスト膜の現像工程、〔５〕無機粉体分散ペースト層のエッチング工程、〔６〕無機粉体分散ペースト層パターンの焼成工程により、無機パターンを有するパネル材料を形成する。ここで、無機パターンを有するパネル材料とは、プラズマディスプレイパネルの構成部品であれば特に制限はなく、例えば、隔壁、電極、誘電体、抵抗体、蛍光体、カラーフィルター、ブラックマトリックスなどが挙げられる。
【００１８】
＜無機粉体分散ペースト層の転写工程＞
図３および図４は、本発明の製造方法における無機粉体分散ペースト層の形成工程の一例を示す概略断面図である。図３（イ）において、１１はガラス基板である。
【００１９】
本発明の製造方法においては、転写フィルムを使用し、当該転写フィルムを構成する無機粉体分散ペースト層を基板の表面に転写する点に特徴を有するものである。
ここに、転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フィルム上に形成された無機粉体分散ペースト層とを有してなり、当該無機粉体分散ペースト層の表面には保護フィルム層が設けられていてもよい。転写フィルムの具体的構成については後述する。
【００２０】
転写工程の一例を示せば以下のとおりである。必要に応じて使用される転写フィルムの保護フィルム層を剥離した後、図３（ロ）に示すように、ガラス基板１１の表面に、無機粉体分散ペースト層２１の表面が当接されるように転写フィルム２０を重ね合わせ、この転写フィルム２０を加熱ローラなどにより熱圧着した後、無機粉体分散ペースト層２１から支持フィルム２２を剥離除去する。これにより、図３（ハ）に示すように、ガラス基板１１の表面に無機粉体分散ペースト層２１が転写されて密着した状態となる。ここで、転写条件としては、例えば、加熱ローラの表面温度が８０〜１４０℃、加熱ローラによるロール圧が１〜５ｋｇ／ｃｍ2 、加熱ローラの移動速度が０．１〜１０．０ｍ／分を示すことができる。また、ガラス基板は予熱されていてもよく、予熱温度としては例えば４０〜１００℃とすることができる。
【００２１】
＜レジスト膜の形成工程＞
この工程においては、図３（ニ）に示すように、転写された無機粉体分散ペースト層２１の表面にレジスト膜３１を形成する。このレジスト膜３１を構成するレジストとしては、ポジ型レジストおよびネガ型レジストのいずれであってもよく、その具体的組成については後述する。
レジスト膜３１は、スクリーン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、流延塗布法等種々の方法によってレジストを塗布した後、塗膜を乾燥することにより形成することができる。
また、支持フィルム上に形成されたレジスト膜を無機粉体分散ペースト層２１の表面に転写することによって形成してもよい。このような形成方法によれば、レジスト膜の形成工程における工程改善（高効率化）を図ることができるとともに、形成される無機粉体パターンの膜厚均一性を図ることができる。
レジスト膜３１の膜厚としては、通常、０．１〜４０μｍ、好ましくは０．５〜２０μｍである。
【００２２】
〈レジスト膜の露光工程〉
この工程においては、図３（ホ）に示すように、無機粉体分散ペースト層２１上に形成されたレジスト膜３１の表面に、露光用マスクＭを介して、紫外線などの放射線を選択的照射（露光）して、レジストパターンの潜像を形成する。同図において、ＭＡおよびＭＢは、それぞれ、露光用マスクＭにおける光透過部および遮光部である。
ここに、放射線照射装置としては、前記フォトリソグラフィー法で使用されている紫外線照射装置、半導体および液晶表示装置を製造する際に使用されている露光装置など特に限定されるものではない。
【００２３】
〈レジスト膜の現像工程〉
この工程においては、露光されたレジスト膜を現像処理することにより、レジストパターン（潜像）を顕在化させる。
ここに、現像処理条件としては、レジスト膜３１の種類などに応じて、現像液の種類・組成・濃度、現像時間、現像温度、現像方法（例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法）、現像装置などを適宜選択することができる。
この現像工程により、図４（ヘ）に示すように、レジスト残留部３５Ａと、レジスト除去部３５Ｂとから構成されるレジストパターン３５（露光用マスクＭに対応するパターン）が形成される。
このレジストパターン３５は、次工程（エッチング工程）におけるエッチングマスクとして作用するものであり、レジスト残留部３５Ａの構成材料（光硬化されたレジスト）は、無機粉体分散ペースト層２１の構成材料よりもエッチング液に対する溶解速度が小さいことが必要である。
【００２４】
〈無機粉体分散ペースト層のエッチング工程〉
この工程においては、無機粉体分散ペースト層をエッチング処理し、レジストパターンに対応する無機粉体分散ペースト層のパターンを形成する。
すなわち、図４（ト）に示すように、無機粉体分散ペースト層２１のうち、レジストパターン３５のレジスト除去部３５Ｂに対応する部分がエッチング液に溶解されて選択的に除去される。ここに、図４（ト）は、エッチング処理中の状態を示している。
そして、更にエッチング処理を継続すると、図４（チ）に示すように、無機粉体分散ペースト層２１におけるレジスト除去部に対応する部分でガラス基板表面が露出する。これにより、材料層残留部２５Ａと材料層除去部２５Ｂとから構成される無機粉体分散ペースト層パターン２５が形成される。
ここに、エッチング処理条件としては、無機粉体分散ペースト層２１の種類などにに応じて、エッチング液の種類・組成・濃度、処理時間、処理温度、処理方法（例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法）、処理装置などを適宜選択することができる。
なお、エッチング液として、現像工程で使用した現像液と同一の溶液を使用することができるよう、レジスト膜３１および無機粉体分散ペースト層２１の種類を選択することにより、現像工程と、エッチング工程とを連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることができる。
ここに、レジストパターン３５を構成するレジスト残留部３５Ａは、エッチング処理の際に徐々に溶解され、無機粉体分散ペースト層パターン２５が形成された段階（エッチング処理の終了時）で完全に除去されるものであることが好ましい。
なお、エッチング処理後にレジスト残留部３５Ａの一部または全部が残留していても、当該レジスト残留部３５Ａは、次の焼成工程で除去される。
【００２５】
＜無機粉体分散ペースト層パターンの焼成工程＞
この工程においては、無機粉体分散ペースト層パターン２５を焼成処理して電極、抵抗体、蛍光体、カラーフィルターまたはブラックマトリックスを形成する。これにより、材料層残留部中の有機物質が焼失して、金属層、蛍光体層などの無機物層が形成され、図４（リ）に示すような、ガラス基板の表面に電極、抵抗体、蛍光体、カラーフィルターまたはブラックマトリックスのパターン４０が形成されてなるパネル材料５０を得ることができる。
ここに、焼成処理の温度としては、材料層残留部２５Ａ中の有機物質が焼失される温度であることが必要であり、通常、４００〜６００℃とされる。また、焼成時間は、通常１０〜９０分間とされる。
【００２６】
＜好ましい実施形態＞
本発明の製造方法においては、エッチング液に対して溶解性が異なる複数の無機粉体分散ペースト層からなる積層体を基板上に転写形成することが好ましい。このような積層体をエッチング処理することにより、エッチングに対する深さ方向の異方性が生じるため、矩形状または矩形に近い好ましい断面形状を有する材料層残留部を形成することができる。
なお、無機粉体分散ペースト層の積層数は、通常１０以下とされ、好ましくは２〜５とされる。
ここに、ｎ層の無機粉体分散ペースト層からなる積層体を基板上に形成する方法としては、（１）支持フィルム上に形成された無機粉体分散ペースト層（一層）をｎ回にわたって転写する方法、（２）ｎ層の無機粉体分散ペースト層からなる積層体を一括転写する方法のいずれの方法であってもよいが、転写工程の簡略化の観点からは前記（２）の方法が好ましい。
【００２７】
＜無機粉体パターンを形成するための他の方法＞
本発明における無機粉体パターンの形成方法は、図３および図４に示したような方法に限定されるものではない。
ここに、無機粉体パターンを形成するための他の方法として、下記（１）〜（３）の工程による形成方法を挙げることができる。
（１）支持フィルム上にレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜上に無機粉体分散ペースト層を積層形成する。ここに、レジスト膜および無機粉体分散ペースト層を形成する際には、ロールコータなどを使用することができ、これにより、膜厚の均一性に優れた積層膜を支持フィルム上に形成することができる。
（２）支持フィルム上に形成されたレジスト膜と無機粉体分散ペースト層との積層膜を基板上に転写する。ここに、転写条件としては前記『無機粉体分散ペースト層の転写工程』における条件と同様でよい。
（３）前記『レジスト膜の露光工程』、『レジスト膜の現像工程』、『無機粉体分散ペースト層のエッチング工程』および『無機粉体分散ペースト層パターンの焼成工程』と同様の操作を行う。
以上のような方法によれば、無機粉体分散ペースト層とレジスト膜とが基板上に一括転写されるので、工程の簡略化による製造効率を更に向上させることができる。
【００２８】
以下に、前記の各工程に用いられる材料、各種条件などについて説明する。
＜基板＞
基板材料としては、例えばガラス、シリコン、ポリカーボネート、ポリエステル、芳香族アミド、ポリアミドイミド、ポリイミドなどの絶縁性材料からなる板状部材である。この板状部材の表面に対しては、必要に応じて、シランカップリング剤などによる薬品処理；プラズマ処理；イオンプレーティング法、スパッタリング法、気相反応法、真空蒸着法などによる薄膜形成処理のような適宜の前処理を施されていてもよい。
【００２９】
＜転写フィルム＞
本発明の製造方法に用いる転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フィルム上に形成された無機粉体分散ペースト層とを有してなり、当該無機粉体分散ペースト層の表面に保護フィルム層が設けられていてもよい。
【００３０】
（１）支持フィルム：
転写フィルムを構成する支持フィルムは、耐熱性および耐溶剤性を有すると共に可撓性を有する樹脂フィルムであることが好ましい。支持フィルムが可撓性を有することにより、ロールコータによってペースト状組成物を塗布することができ、無機粉体分散ペースト層をロール状に巻回した状態で保存し、供給することができる。支持フィルムを形成する樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフロロエチレンなどの含フッ素樹脂、ナイロン、セルロースなどを挙げることができる。支持フィルムの厚さとしては、例えば２０〜１００μｍとされる。
【００３１】
（２）無機粉体分散ペースト層：
転写フィルムを構成する無機粉体分散ペースト層は、無機粉体、結着樹脂および溶剤を必須成分として含有するペースト状の無機粉体分散ペースト組成物（例えば、隔壁形成用組成物、電極形成用組成物、誘電体形成用組成物、抵抗体形成用組成物、蛍光体形成用組成物、カラーフィルター形成用組成物、ブラックマトリックス形成用組成物）を前記支持フィルム上に塗布し、塗膜を乾燥して溶剤の一部又は全部を除去することにより形成することができる。
【００３２】
（３）無機粉体分散ペースト組成物
転写フィルムを作製するために使用される無機粉体分散ペースト組成物は、（ａ）無機粉体、（ｂ）バインダーおよび（ｃ）溶剤を含有してなるペースト状の組成物である。
【００３３】
（ａ）無機粉体
本発明の無機粉体分散ペースト組成物に使用される無機粉体は、形成材料の種類によって異なる。
例えば、隔壁形成材料および誘電体形成用材料に使用される無機粉体としては、ガラス粉体、好ましくは軟化点が４００〜６００℃のガラス粉体が挙げられる。
電極形成材料に使用される無機粉体としては、Ag、Au、Al、Ni、Ag-Pd合金、Cu、Crなどを挙げることができる。
抵抗体形成材料に使用される無機粉体としては、RuO2などを挙げることができる。
蛍光体形成材料に使用される無機粉体は、Y2O3:Eu3+ 、Y2SiO5:Eu3+、Y3Al5O12:Eu3+、YVO4:Eu3+、(Y,Gd)BO3:Eu3+、Zn3(PO4)2:Mnなどの赤色用蛍光体；Zn2SiO4:Mn、BaAl12O19:Mn、BaMgAl14O23:Mn、LaPO4:(Ce,Tb)、Y3(Al,Ga)5O12:Tbなどの緑色用蛍光体；Y2SiO5:Ce、BaMgAl10O17:Eu2+、BaMgAl14O23:Eu2+、(Ca,Sr,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu2+、(Zn,Cd)S:Agなどの青色用蛍光体を挙げることができる。カラーフィルター形成材料に使用される無機粉体は、Fe2O3、Pb3O4、CdS、CdSe、 PbCrO4、PbSO4、Fe(NO3)3などの赤色用顔料；Cr2O3、TiO2-CoO-NiO-ZnO、CoO-CrO-TiO2-Al2O3、Co3(PO4)2、CoO-ZnOなどの緑色用顔料；2(Al2Na2Si3O10）・Na2S4）、CoO-Al2O3などの青色用顔料の他、色補正用の無機顔料として、PbCrO4-PbSO4、PbCrO4、PbCrO4-PbO、CdS、TiO2-NiO-Sb2O3などの黄色顔料；Pb(Cr-Mo-S)O4などの橙色顔料；Co3(PO4)2などの紫色顔料を挙げることができる。
ブラックマトリックス形成材料に使用される無機粉体としては、Mn、Fe、Crなどを挙げることができる。
【００３４】
（ｂ）バインダー
本発明の無機粉体分散ペースト組成物に使用されるバインダーとしては、種々の樹脂を用いることができるが、アルカリ可溶性樹脂を３０〜１００重量％の割合で含有するバインダーを用いることが特に好ましい。
ここに、「アルカリ可溶性」とは、後述するアルカリ性のエッチング液によって溶解し、目的とするエッチング処理が遂行される程度に溶解性を有する性質をいう。
かかるアルカリ可溶性樹脂の具体例としては、例えば（メタ）アクリル系樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹脂、ポリエステル樹脂などを挙げることができる。
このようなアルカリ可溶性樹脂のうち、特に好ましいものとしては、下記のモノマー（イ）とモノマー（ロ）との共重合体、又はモノマー（イ）と、モノマー（ロ）とモノマー（ハ）との共重合体を挙げることができる。
【００３５】
モノマー（イ）：
アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸などのカルボキシル基含有モノマー類；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピルなどの水酸基含有モノマー類；ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレンなどのフェノール性水酸基含有モノマー類などに代表されるアルカリ可溶性官能基含有モノマー類。
モノマー（ロ）：
（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ベンジル、グリシジル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートなどのモノマー（イ）以外の（メタ）アクリル酸エステル類；スチレン、α−メチルスチレンなどの芳香族ビニル系モノマー類；ブタジエン、イソプレンなどの共役ジエン類などに代表されるモノマー（イ）と共重合可能なモノマー類。
モノマー（ハ）：
ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリル酸メチル、ポリ（メタ）アクリル酸エチル、ポリ（メタ）アクリル酸ベンジル等のポリマー鎖の一方の末端に、（メタ）アクリロイル基などの重合性不飽和基を有するマクロモノマーなどに代表されるマクロモノマー類：
【００３６】
無機粉体分散ペースト組成物におけるバインダーの含有割合としては、無機粉体１００重量部に対して、通常１〜５０重量部とされ、好ましくは１〜４０重量部とされる。
【００３７】
（ｃ）溶剤
無機粉体分散ペースト組成物を構成する溶剤は、当該無機粉体分散ペースト組成物に、適当な流動性または可塑性、良好な膜形成性を付与するために含有される。
無機粉体分散ペースト組成物を構成する溶剤としては、特に制限されるものではなく、例えばエーテル類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクトン類、スルホキシド類、スルホン類、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類などを挙げることができる。
かかる溶剤の具体例としては、テトラヒドロフラン、アニソール、ジオキサン、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、プロピオン酸エステル類、ヒドロキシプロピオン酸エステル類、アルコキシプロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、アルコキシ酢酸エステル類、環式ケトン類、非環式ケトン類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセトアミド類、Ｎ−アルキルピロリドン類、γ−ラクトン類、ジアルキルスルホキシド類、ジアルキルスルホン類、ターピネオール、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどを挙げることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
無機粉体分散ペースト組成物における溶剤の含有割合としては、良好な膜形成性（流動性または可塑性）が得られる範囲内において適宜選択することができる。
【００３８】
無機粉体分散ペースト組成物には、任意成分として、可塑剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、低融点ガラス等の各種添加剤が含有されていてもよい。
【００３９】
無機粉体分散ペースト組成物を支持フィルム上に塗布する方法としては、膜厚の均一性に優れた膜厚の大きい（例えば１０μｍ以上）塗膜を効率よく形成することができるものであることが必要とされ、具体的には、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレードによる塗布方法、カーテンコーターによる塗布方法、ワイヤーコーターによる塗布方法などを好ましいものとして挙げることができる。
なお、無機粉体分散ペースト組成物が塗布される支持フィルムの表面には離型処理が施されていることが好ましい。これにより、後述する転写工程において、支持フィルムの剥離操作を容易に行うことができる。
【００４０】
塗膜の乾燥条件としては、例えば、５０〜１５０℃で０．５〜３０分間程度とされ、乾燥後における溶剤の残存割合（無機粉体分散ペースト層中の含有率）は、通常２重量％以内とされる。
【００４１】
上記のようにして支持フィルム上に形成される無機粉体分散ペースト層の厚さとしては、無機粉末の含有率、部材の種類やサイズなどによっても異なるが、例えば１０〜１００μｍとされる。
なお、無機粉体分散ペースト層の表面に設けられることのある保護フィルム層としては、ポリエチレンフィルム、ポリビニルアルコール系フィルムなどを挙げることができる。
【００４２】
＜レジスト膜（レジスト組成物）＞
本発明の製造方法においては、基板上に転写された無機粉体分散ペースト層上にレジスト膜が形成され、当該レジスト膜に露光処理および現像処理を施すことにより、前記無機粉体分散ペースト層上にレジストパターンが形成される。
本発明の製造方法において用いられるレジスト膜は、上記式（１）または上記式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種のビイミダゾール系化合物を含有する点に特徴を有する。
当該レジスト膜を形成するために用いられるレジスト組成物は、（Ａ）バインダーポリマー、（Ｂ）多官能性モノマー、および（Ｃ）上記式（１）または上記式（２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種のビイミダゾール系化合物からなる光ラジカル発生剤、を必須成分として含有する。
【００４３】
（Ａ）バインダーポリマー
レジスト組成物に用いられるバインダーポリマー（Ａ）は、分子中に少なくとも１個以上のカルボキシル基を有するエチレン不飽和性のカルボキシル基含有単量体（Ａ−１）と、このカルボキシル基含有単量体（Ａ−１）と共重合可能な共重合性単量体（Ａ−２）とよりなる単量体組成物を重合することにより得られるカルボキシル基含有共重合体であることが好ましい。
【００４４】
カルボキシル基含有単量体（Ａ−１）の具体例としては、（イ）アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などの不飽和モノカルボン酸、（ロ）イタコン酸、マレイン酸、フマル酸などの不飽和ジカルボン酸、および（ハ）その他の不飽和カルボン酸が挙げられる。これらは単独で若しくは２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４５】
上記のカルボキシル基含有単量体（Ａ−１）に由来する構成単位を含有する共重合体は、アルカリ溶解性を有し、特に上記の割合で単量体（Ａ−１）を用いることにより得られる共重合体は、アルカリ現像液に対して優れた溶解性を有するものとなり、従って、これを（Ａ）成分として用いた感光性レジスト組成物は、アルカリ現像液に対する未溶解物の生成が本質的に少ないものとなり、現像処理において基板のレジストパターン形成部以外の個所における地汚れ、膜残りなどが発生しにくいものである。
また、この共重合体を（Ａ）成分とする場合に得られるレジストパターンは、アルカリ現像液に過剰に溶解することがなく、無機粉体ペースト層に対して優れた密着性を有するため、無機粉体ペースト層から脱落しにくいものである。
【００４６】
共重合性単量体（Ａ−２）の具体例としては、（イ）スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエンなどの芳香族ビニル化合物類、（ロ）メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレートなどの不飽和カルボン酸アルキルエステル類、（ハ）アミノエチルアクリレートなどの不飽和カルボン酸アミノアルキルエステル類、（ニ）グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどの不飽和カルボン酸グリシジルエステル類、（ホ）酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのカルボン酸ビニルエステル類、（ヘ）アクリロニトリル、メタクリロニトリル、α−クロルアクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物類、（ト）１，３−ブタジエン、イソプレンなどの脂肪族共役ジエン類、（チ）それぞれ末端にアクリロイル基またはメタクリロイル基を有するポリスチレン、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリシリコーンなどのマクロモノマー類などが挙げられる。これらは、単独で若しくは２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４７】
上記カルボキシル基含有単量体（Ａ−１）と共重合性単量体（Ａ−２）とを共重合して得られるバインダーポリマー（Ａ）の好ましい具体例としては、メタクリル酸／ベンジルメタクリレート／スチレン共重合体、メタクリル酸／メチルメタクリレート／スチレン共重合体、メタクリル酸／ベンジルメタクリレート／ポリスチレンマクロモノマー共重合体、メタクリル酸／メチルメタクリレート／ポリスチレンマクロモノマー共重合体などが挙げられる。
【００４８】
バインダーポリマー（Ａ）におけるカルボキシル基含有単量体（Ａ−１）の共重合割合は、単量体全量に対して５〜５０重量％、特に、１０〜４０重量％であることが好ましい。カルボキシル基含有単量体（Ａ−１）の共重合割合が５重量％未満の場合には、得られるレジスト組成物は、アルカリ現像液に対する溶解性が低くなる傾向がある。一方、カルボキシル基含単量体（Ａ−１）の共重合割合が５０重量％を超える場合には、現像時にレジストパターンが無機粉体ペースト層から脱落する傾向がある。
【００４９】
このようなバインダーポリマー（Ａ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ、キャリアー：テトラヒドロフラン）で測定されるポリスチレン換算重量平均分子量（以下、単に「重量平均分子量」という。）が、３０００〜３０００００、特に５０００〜２０００００であることが好ましい。
このような分子量を有するバインダーポリマーを用いることによって、現像性の高いレジスト組成物が得られ、これにより、シャープなパターンエッジを有するレジストパターンを形成することができると共に、均一なパターンを有するカラーフィルターを形成できる。
【００５０】
（Ｂ）多官能性モノマー
多官能性モノマー（Ｂ）の好ましい具体例としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリスアクリロイルオキシエチルフォスフェート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどの３官能以上の多官能アクリレート類、およびこれらのオリゴマーが挙げられる。
これらの中で、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートまたはペンタエリスリトールトリアクリレートが、レジストパターンの強度が高く、パターン形成部以外での地汚れまたは膜残りが発生しにくい点で特に好ましい。
【００５１】
多官能性モノマー（Ｂ）の使用割合は、バインダーポリマー（Ａ）１００重量部に対して、通常、５〜５００重量部、好ましくは２０〜３００重量部である。この割合が５重量部未満である場合には、レジストパターン強度が不十分なものとなりやすい傾向がある。一方、この割合が５００重量部を超える場合には、アルカリ解像性が低下したり、レジストパターン形成部以外の地汚れ、膜残りなどが発生したりする傾向がある。
【００５２】
（Ｃ）光ラジカル発生剤
上記レジスト組成物に使用される光ラジカル発生剤は、上記式（１）で表される化合物（以下、「ビイミダゾール系化合物（１）」という）または上記式（２）で表される化合物（以下、「ビイミダゾール系化合物（２）」という）から選ばれる少なくとも１種のビイミダゾール系化合物を必須成分として含むものである。上記式（１）および上記式（２）は、２個のイミダゾール単位が１位または２位で相互に結合した構造を一般的に表している。したがって、ビイミダゾール系化合物（１）およびビイミダゾール系化合物（２）は、それらの主要骨格が下記式（３）〜（５）に相当する化合物の単独あるいは２種以上の混合物である。
【００５３】
【化３】
0003870536.tif 000004
上記式（１）において、Ｘのハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子、よう素原子等を挙げることができ、炭素数１〜４のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ―プロピル基、ｉ―プロピル基、ｎ―ブチル基、ｉ―ブチル基、ｔ―ブチル基等を挙げることができ、炭素数６〜９のアリール基としては、例えばフェニル基、ｏ―トリル基、ｍ―トリル基、ｐ―トリル基等を挙げることができる。
またＡで表される−ＣＯＯ−ＲにおけるＲとしては、Ｘについて例示した炭素数１〜４のアルキル基および炭素数６〜９のアリール基を挙げることができる。ビイミダゾール系化合物（１）およびビイミダゾール系化合物（２）の具体例を示すと、次のとおりである。
【００５４】
ビイミダゾール系化合物（１）としては、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４―エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−フェノキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−フェノキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−フェノキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−シアノフェニル）−４，４’，５．５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−シアノフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−フェノキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−メチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−メトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−メチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−メチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−フェノキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−エチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−メトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−エチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−エチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−フェノキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−フェニルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−メトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−フェニルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−フェニルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−フェノキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール等を挙げることができる。
【００５５】
また、ビイミダゾール系化合物（２）としては、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジシアノフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリシアノフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリメチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジエチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリエチルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジフェニルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリフェニルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール等を挙げることができる。
【００５６】
これらのうち、ビイミダゾール系化合物（１）としては、特に２，２’−ビス（２−クロルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾールおよび２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾールが好ましく、またビイミダゾール系化合物（２）としては、特に２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾールおよび２，２’−ビス（２，４，６−トリブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾールが好ましい。
【００５７】
ビイミダゾール系化合物（１）およびビイミダゾール系化合物（２）は、溶剤に対する溶解性に優れ、未溶解物、析出物等の異物を生じることがなく、しかも感度が高く、少ないエネルギー量の放射線照射により硬化反応を十分進行させるとともに、コントラストが高く、放射線未照射部で硬化反応が生じることがないため、放射線照射後の塗膜は、現像液に対して不溶性の硬化部分と、現像液に対して高い溶解性を有する未硬化部分とに明確に区分され、パターンの欠落、欠損やアンダーカットのない優れたカラーフィルタを形成することができるものである。
本発明において、ビイミダゾール系化合物（１）およびビイミダゾール系化合物（２）は、それぞれ単独でまたは２種以上を混合して使用することができ、またビイミダゾール系化合物（１）とビイミダゾール系化合物（２）とを併用することができる。
本発明におけるビイミダゾール系化合物（１）とビイミダゾール系化合物（２）との合計の使用割合は、多官能性モノマー（Ｂ）１００重量部に対して、通常、０．０１〜２００重量部、好ましくは１〜１２０重量部、特に好ましくは１〜５０重量部である。この場合、これらの化合物の合計の使用割合が０．０１重量部未満では、放射線照射による硬化が不十分となり、パターンに欠落、欠損やアンダーカットを生じるおそれがあり、一方２００重量部を超えると、形成されたパターンが現像時に基板から脱落しやすくなる。
【００５８】
また、本発明においては、ビイミダゾール系化合物（１）および／またはビイミダゾール系化合物（２）とともに、他の光ラジカル発生剤、増感剤、硬化促進剤等や、高分子化合物からなる光架橋剤あるいは光増感剤（以下、「高分子光架橋・増感剤」という。）の１種以上を併用することもできる。
他の光ラジカル発生剤としては、例えば２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−メチル−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノ−１−プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタン−１−オン、ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，４−ジエチルチオキサントン、３，３−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、４−アジドベンズアルデヒド、４−アジドアセトフェノン、４−アジドベンザルアセトフェノン、アジドピレン、４−ジアゾジフェニルアミン、４−ジアゾ−４’−メトキシジフェニルアミン、４−ジアゾ−３−メトキシジフェニルアミン、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイド、ジベンゾイル、ベンゾインイソブチルエーテル、Ｎ−フェニルチオアクリドン、トリフェニルピリリウムパークロレート等を挙げることができる。これらの他の光ラジカル発生剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
前記増感剤としては、例えば４−ジエチルアミノアセトフェノン、４−ジメチルアミノプロピオフェノン、エチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、２−エチルヘキシル−１，４−ジメチルアミノベンゾエート、２，５−ビス（４’−ジエチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、７−ジエチルアミノ−３−（４−ジエチルアミノベンゾイル）クマリン、４−（ジエチルアミノ）カルコン等を挙げることができる。これらの増感剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
前記硬化促進剤としては、例えば２−メルカプトベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾール、２−メルカプト−４，６−ジメチルアミノピリジン等の連鎖移動剤を挙げることができる。これらの硬化促進剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００５９】
これらの他の光ラジカル発生剤、増感剤および硬化促進剤のうち、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノ−１−プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタン−１−オン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノンおよび２−メルカプトベンゾチアゾールが、形成された画素が現像時に基板から脱落し難く、画素強度および感度も高い点で好ましい。本発明においては、（Ｄ）光重合開始剤として、特に、ビイミダゾール系化合物（１）および／またはビイミダゾール系化合物（２）と、ベンゾフェノン系の他の光ラジカル発生剤および／またはチアゾール系の硬化促進剤とを組み合わせて使用することが好ましい。
前記特に好ましい組み合わせの具体例としては、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール／４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール／４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン／２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタン−１−オン、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール／４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン／１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール／４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン／１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン／２−メルカプトベンゾチアゾール、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール／４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，２’−ビス（２，４−ジブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール／４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン／２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタン−１−オン、２，２’−ビス（２，４−ジブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール／４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン／１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、および２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニルビイミダゾール／４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン／１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン／２−メルカプトベンゾチアゾールを挙げることができる。
【００６０】
本発明における他の光ラジカル発生剤の使用割合は、光ラジカル発生剤全体の８０重量％以下であることが好ましく、また増感剤および／または硬化促進剤の使用割合は、光ラジカル発生剤全体の８０重量％以下であることが好ましい。
【００６１】
さらに、前記高分子光架橋・増感剤等は、光架橋剤および／または光増感剤として機能しうる官能基を主鎖および／または側鎖中に有する高分子化合物であり、その例としては、４−アジドベンズアルデヒドとポリビニルアルコールとの縮合物、４−アジドベンズアルデヒドとフェノールノボラック樹脂との縮合物、４−アクリロイルフェニルシンナモイルエステルの単独重合体あるいは共重合体、１，４−ポリブタジエン、１，２−ポリブタジエン等を挙げることができる。これらの高分子光架橋・増感剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００６２】
本発明における高分子光架橋・増感剤の使用割合は、ビイミダゾール系化合物（１）および／またはビイミダゾール系化合物（２）１００重量部に対して、通常、２００重量部以下、好ましくは０．０１〜２００重量部、さらに好ましくは５０〜１８０重量部である。
【００６３】
（Ｄ）溶剤
本発明で用いられるレジスト組成物には、当該感光性レジスト組成物に適当な流動性または可塑性、良好な膜形成性を付与するために、通常、溶剤が含有される。
レジスト組成物に含有される溶剤としては、特に制限されるものではなく、例えば、エーテル類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクトン類、スルホキシド類、スルホン類、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類などを挙げることができる。かかる溶剤の具体例としては、テトラヒドロフラン、アニソール、ジオキサン、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、プロピオン酸エステル類、ヒドロキシプロピオン酸エステル類、アルコキシプロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、アルコキシ酢酸エステル類、環式ケトン類、非環式ケトン類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホルムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセトアミド類、Ｎ−アルキルピロリドン類、γ−ラクトン類、ジアルキルスルホキシド類、ジアルキルスルホン類、ターピネオール、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどを挙げることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
当該レジスト組成物における溶剤の含有割合としては、良好な膜形成性（流動性または可塑性）が得られる範囲内において適宜選択することができる。
【００６４】
本発明で用いられるレジスト組成物には、任意成分として、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、蛍光体、顔料、染料などの各種添加剤が含有されていてもよい。
【００６５】
＜露光用マスク＞
レジスト膜の露光工程において使用される露光用マスクＭの露光パターンとしては、材料によって異なるが、一般的に１０〜５００μｍ幅のストライプである。
【００６６】
＜現像液＞
本発明において、レジスト膜の現像工程にはアルカリ現像液が使用される。
アルカリ現像液の有効成分としては、例えば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素カリウム、リン酸二水素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、アンモニアなどの無機アルカリ性化合物；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、エタノールアミンなどの有機アルカリ性化合物などを挙げることができる。
レジスト膜の現像工程に使用されるアルカリ現像液は、前記アルカリ性化合物の１種または２種以上を水などに溶解させることにより調整することができる。ここに、アルカリ性現像液におけるアルカリ性化合物の濃度は、通常０．００１〜１０重量％とされ、好ましくは０．０１〜５重量％とされる。なお、アルカリ現像液による現像処理がなされた後は、通常、水洗処理が施される。
【００６７】
＜エッチング液＞
無機粉体分散ペースト層のエッチング工程で使用されるエッチング液としては、アルカリ性溶液であることが好ましい。これにより、無機粉体分散ペースト層に含有されるアルカリ可溶性樹脂を容易に溶解除去することができる。
なお、無機粉体分散ペースト層に含有される無機粉体は、アルカリ可溶性樹脂により均一に分散されているため、アルカリ性溶液でバインダーであるアルカリ可溶性樹脂を溶解させ、洗浄することにより、無機粉体も同時に除去される。
ここに、エッチング液として使用されるアルカリ性溶液としては、現像液と同一組成の溶液を挙げることができる。
そして、エッチング液が、現像工程で使用するアルカリ現像液と同一の溶液である場合には、現像工程と、エッチング工程とを連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることができる。
なお、アルカリ性溶液によるエッチング処理がなされた後は、通常、水洗処理が施される。
【００６８】
また、エッチング液として、無機粉体分散ペースト層のバインダーを溶解することのできる有機溶剤を使用することもできる。かかる有機溶剤としては、無機粉体分散ペースト組成物を構成するものとして例示した溶剤を挙げることができる。
なお、有機溶剤によるエッチング処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒によるリンス処理が施される。
【００６９】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。なお、以下において、「部」および「％」は、それぞれ「重量部」および「重量％」を示す。
また、重量平均分子量（Ｍｗ）は、東ソー株式会社製ゲルパーミィエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）（商品名ＨＬＣ−８０２Ａ）により測定したポリスチレン換算の平均分子量である。
【００７０】
＜実施例１＞
（１）無機粉体分散ペースト組成物（カラーフィルター形成用組成物）の調製：赤色無機顔料粉末として、Ｆｅ2 Ｏ3 ２０部、結着樹脂として、ブチルメタクリレート（５０重量％）とメチルメタクリレート（３０重量％）とメタクリル酸（２０重量％）を共重合させて得られたアクリル樹脂（ＧＰＣによるポリスチレン換算の重量平均分子量：１００，０００）２０部、低融点ガラスとしてＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ系ガラス８０部、および溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテル１５部を分散機を用いて混練することにより、粘度が５，０００ｃｐである、カラーフィルター形成用途の、赤色用無機粉体分散ペースト組成物を調製した(以下、ペースト（Ｒ）とする)。
次に緑色用無機顔料としてＣｒ2 Ｏ3 を使用した以外は、赤色用無機粉体ペースト組成物と同様に緑色用無機粉体分散ペースト組成物を調製した。粘度は６，０００ｃｐであった。(以下、ペースト（Ｇ）とする)
次に青色用無機顔料としてＣｏＯ−Ａｌ2 Ｏ3 を使用した以外は、赤色用無機粉体ペースト組成物と同様に青色用無機粉体分散ペースト組成物を調製した。粘度は５，５００ｃｐであった。(以下、ペースト（Ｂ）とする)
【００７１】
（２）レジスト組成物の調製：
（Ａ）成分としてメタクリル酸／ベンジルメタクリレート／スチレン共重合体（重量組成比：２５／６５／１０，重量平均分子量：４００００）５０重量部、（Ｂ）成分としてトリメチロールプロパントリアクリレート４０重量部、（Ｃ）成分として２，２’−ビス（２−クロルフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）ビイミダゾール２４重量部、（Ｄ）成分としてエチルセロソルブアセテート７９０重量部を用いて、感光性レジスト組成物▲１▼を製造した。
【００７２】
（３）転写フィルムの製造：
下記（イ）〜（ロ）の操作により、無機粉体分散ペースト層と、感光性レジスト層との積層膜が支持フィルム上に形成されてなる転写フィルムを作製した。
（イ）レジスト組成物▲１▼を、予め離型処理したＰＥＴフィルムよりなる支持フィルム（幅２００ｍｍ、長さ３０ｍ、厚さ３８μｍ）上にロールコータを用いて塗布し、塗膜を１００℃で５分間乾燥して溶剤を完全に除去し、厚さ５μｍのレジスト膜を支持フィルム上に形成した。
（ロ）ペースト（Ａ）をレジスト膜上にロールコータを用いて塗布し、塗膜を１００℃で５分間乾燥して溶剤を完全に除去し、厚さ２０μｍの無機粉体分散ペースト層をレジスト膜上に形成し、転写フィルム（以下、「転写フィルム（Ｒ）」ともいう）を得た。
ペースト（Ｇ）およびペースト（Ｂ）についても上記（イ）〜（ロ）と同様の操作を行い、転写フィルム（Ｇ）および転写フィルム（Ｂ）を作製した。
【００７３】
（４）積層膜の転写工程：
６インチパネル用のガラス基板の表面に、無機粉体分散ペースト層の表面が当接されるよう転写フィルム（Ｒ）を重ね合わせ、加熱ローラで熱圧着した。ここで、圧着条件としては、加熱ローラの表面温度を１２０℃、ロール圧を４ｋｇ／ｃｍ2 、加熱ローラの移動速度を０．５ｍ／分とした。熱圧着処理の終了後、積層膜〔レジスト膜の表面〕から支持フィルムを剥離除去した。これにより、ガラス基板の表面に積層膜が転写されて密着した状態となった。この積層膜〔無機粉体分散ペースト層とレジスト膜との積層膜〕について膜厚を測定したところ、２５μｍ±１μｍの範囲にあった。
【００７４】
（５）レジスト膜の露光工程・現像工程：
無機粉体分散ペースト層上に形成されたレジスト膜に対して、露光用マスク（３００μｍ幅のストライプパターン）を介して、超高圧水銀灯により、ｉ線（波長３６５ｎｍの紫外線）を照射した。ここに、照射量は１００ｍＪ／ｃｍ2とした。
次いで、露光処理されたレジスト膜に対して、０．２重量％の水酸化カリウム水溶液（２５℃）を現像液とするシャワー法による現像処理を２０秒かけて行った。次いで超純水による水洗処理を行い、これにより、紫外線が照射されていない未硬化のレジストを除去し、レジストパターンを形成した。
【００７５】
（６）無機粉体分散ペースト層のエッチング工程：
上記の工程に連続して、０．２重量％の水酸化カリウム水溶液（２５℃）をエッチング液とするシャワー法によるエッチング処理を１分かけて行った。
次いで、超純水による水洗処理および乾燥処理を行った。これにより、材料層残留部と、材料層除去部とから構成される無機粉体分散ペースト層のパターンを形成した。その後、オーブン中で２００℃で３０分間ポストベークを行った。
【００７６】
（７）緑色および青色の積層工程
（６）で形成された赤色用無機粉体分散ペースト層のパターン上に、転写フィルム（Ｇ）および転写フィルム（Ｂ）を用いて、前記（４）〜（６）の操作を同様に行い、赤、緑、青色カラーフィルター用無機粉体分散ペースト層からなるストライプパターンを形成した。
【００７７】
（８）無機粉体分散ペースト層の焼成工程：
赤、緑、青色カラーフィルター用無機粉体分散ペースト層のパターンが形成されたガラス基板を、焼成炉内で５２０℃の温度雰囲気下で３０分間にわたり焼成処理を行った。これにより、ガラス基板の表面にカラーフィルターパターンが形成されてなるパネル材料が得られた。
上記の処理操作後、光学顕微鏡によって基板およびパターン表面を観察したところ、基板上に未溶解物の残存は認められなかった。また、形成されたカラーフィルターのパターンエッジはシャープであり、パターン幅は、３００μｍ±３μｍと良好であった。
【００７８】
〔比較例１〕
（１）レジスト組成物の調製：
（Ａ）成分としてメタクリル酸／ベンジルメタクリレート／スチレン共重合体（重量組成比：２５／６５／１０，重量平均分子量：４００００）５０重量部、（Ｂ）成分としてトリメチロールプロパントリアクリレート４０重量部、光開始剤として１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル２４重量部、（Ｄ）成分としてエチルセロソルブアセテート７９０重量部を用いて、感光性レジスト組成物▲２▼を製造した。
【００７９】
次いで、感光性レジスト組成物▲１▼の代わりに感光性レジスト組成物▲２▼を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてカラーフィルターを形成した。
上記の処理操作後において、光学顕微鏡によって観察したところ、パターンのエッジに剥がれが認められた。
【００８０】
【発明の効果】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法によれば、用いられるレジスト組成物に特定の化合物よりなる光ラジカル発生剤（Ｃ）が含有されていることにより、少ない照射エネルギー量の放射線照射処理によって硬化反応が十分に達成されるので、パターンのかけがなく現像処理を容易に行うことができると共に、高精細のパターンを高い効率で確実に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的なＡＣ型ＰＤＰを示す説明用断面図である。
【図２】一般的なＤＣ型ＰＤＰを示す説明用断面図である。
【図３】本発明の一実施例に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法を工程順に示す説明用断面図である。
【図４】本発明の一実施例に係る製造方法の、図３の工程に続く工程を順に示す説明用断面図である。
【符号の説明】
１      前面基板                    ２      背面基板
３      誘電体                      ３Ａ    ＭｇＯ層
３Ｂ    カラーフィルター・ブラックマトリクス層
４      蛍光体                      ５      障壁
６Ａ    維持電極                    ６Ｂ    信号電極
６ａ    陰極                        ６ｂ    表示陽極
６ｂ’  表示陽極リード              ６ｃ    補助陽極
６ｃ’  補助陽極リード              ７      抵抗
８      表示セル                    ９      補助セル
１０    バスライン                  １１    基板
２０    転写フィルム                ２１    無機粉体分散ペースト層
２２    支持フィルム
２５    無機粉体分散ペースト層パターン
２５Ａ  材料層残留部                ２５Ｂ  材料層除去部
３１    レジスト膜                  Ｍ      露光用マスク
ＭＡ    光透過部（露光用マスク）    ＭＢ    遮光部（露光用マスク）
３５    レジストパターン            ３５Ａ  レジスト残留部
３５Ｂ  レジスト除去部              ４０    無機パターン
５０    パネル材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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