(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下から反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層、フリー磁性層、電流制限層の順、または、下から電流制限層、フリー磁性層、非磁性中間層、固定磁性層、反強磁性層の順に形成された多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れ、
前記電流制限層には、絶縁部と導電部とが混在しており、前記導電部は導電性粒子であり、前記導電性粒子は前記絶縁部となる絶縁性材料膜内に分散されており、
前記電流制限層は、Ｆｅを主成分とした前記導電部となる導電性粒子が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及び希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素Ｍと、ＯあるいはＮとの化合物を含む前記絶縁部となる非晶質の絶縁材料膜中に分散された膜構成であることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項２】
前記電流制限層は、ＦｅaＭbＯcの組成式を有し、組成比ａ、ｂ、ｃは原子％で、４０≦ａ≦５０、１０≦ｂ≦３０、２０≦ｃ≦４０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係を満たす請求項１記載の磁気検出素子。
【請求項３】
前記電流制限層は、ＦｅdＭeＮfの組成式を有し、組成比ｄ、ｅ、ｆは原子％で、６０≦ｄ≦７０、１０≦ｅ≦１５、１９≦ｆ≦２５であり、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満たす請求項１記載の磁気検出素子。
【請求項４】
下から反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層、フリー磁性層、電流制限層の順、または、下から電流制限層、フリー磁性層、非磁性中間層、固定磁性層、反強磁性層の順に形成された多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れ、
前記電流制限層には、絶縁部と導電部とが混在しており、前記導電部は導電性粒子であり、前記導電性粒子は前記絶縁部となる絶縁性材料膜内に分散されており、
前記絶縁材料膜は主としてＣｏが酸化された層であり、この絶縁材料膜内に、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ａｇのうちいずれか１種または２種以上の金属材料で形成された導電性粒子が分散していることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項５】
前記電流制限層の前記絶縁部は、少なくとも前記電流制限層の上面から下面にまで通じる複数の孔が設けられた絶縁材料膜であり、この孔内に前記導電部となる導電性粒子が埋め込まれている請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項６】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ａ）下から第１の電極層、反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層、およびフリー磁性層の順で多層膜を積層し、さらに前記フリー磁性層の上面に絶縁材料膜をスパッタ成膜し、このとき前記絶縁材料膜に、前記絶縁材料膜の上面から下面にまで通じる複数の孔を形成する工程と、
（ｂ）前記絶縁材料膜上に導電性材料膜をスパッタ成膜し、このとき前記絶縁材料膜に形成された孔内を前記導電性材料膜で埋める工程と、
（ｃ）前記絶縁材料膜と導電性材料膜とで構成された電流制限層上に第２の電極層を形成する工程。
【請求項７】
前記（ａ）工程で、前記絶縁材料膜をスパッタ成膜するとき、前記絶縁材料膜を前記フリー磁性層上で不連続体膜として形成する請求項６記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項８】
前記電流制限層を形成後、前記電流制限層の上面に、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料からなる保護層を形成する請求項６又は７に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項９】
前記電流制限層を形成後、前記電流制限層の上面に、Ｃｕからなる保護層を形成する請求項６又は７に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１０】
前記保護層を第２の電極層とする請求項８または９に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１１】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ｆ）第１の電極層の上面に絶縁材料膜をスパッタ成膜し、このとき前記絶縁材料膜に、前記絶縁材料膜の上面から下面にまで通じる複数の孔を形成する工程と、
（ｇ）前記絶縁材料膜上に導電性材料膜をスパッタ成膜し、このとき前記絶縁材料膜に形成された孔内を前記導電性材料膜で埋める工程と、
（ｈ）前記絶縁材料膜と導電性材料膜とで構成された電流制限層上に、下からフリー磁性層、非磁性中間層、固定磁性層および反強磁性層の順で多層膜を積層し、さらに前記反強磁性層上に第２の電極層を形成する工程。
【請求項１２】
前記（ｆ）工程で、前記絶縁材料膜をスパッタ成膜するとき、前記絶縁材料膜を前記第１の電極層上で不連続体膜として形成する請求項１１記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁材料膜を、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちいずれか１種または２種以上の酸化物からなる絶縁材料でスパッタ成膜する請求項７又は１２に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁材料膜を、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちいずれか１種または２種以上の窒化物からなる絶縁材料でスパッタ成膜する請求項７又は１２に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁材料膜を、まずＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｎｉ、希土類元素のうちいずれか１種または２種以上の金属元素からなる膜をスパッタで形成し、この金属元素からなる膜に下面から上面にまで通じる複数の孔あるいは膜面と平行な平面から見たときに連続して延びる溝が残された状態でスパッタを止め、その後、前記金属元素からなる膜を窒化して形成する請求項７又は１２に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１６】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ｄ）下から第１の電極層、反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層、およびフリー磁性層の順で多層膜を積層し、さらに前記フリー磁性層の上面に、ＦｅaＭbＯc（ただし元素ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及び希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）なる組成式を有し、組成比ａ、ｂ、ｃは原子％で、４０≦ａ≦５０、１０≦ｂ≦３０、２０≦ｃ≦４０で、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係を満たし、またＦｅを主成分とした微結晶粒が、元素ＭとＯとの化合物を含む非晶質中に分散された膜構成を有する、電流制限層をスパッタ成膜する工程と、
（ｅ）前記電流制限層上に第２の電極層を形成する工程。
【請求項１７】
前記（ｄ）工程のＦｅaＭbＯcに代えて、ＦｅdＭeＮf（ただし元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及び希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる組成式を有し、組成比ｄ、ｅ、ｆは原子％で、６０≦ｄ≦７０、１０≦ｅ≦１５、１９≦ｆ≦２５で、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満たし、またＦｅを主成分とした微結晶粒が、元素ＭとＮとの化合物を含む非晶質中に分散された膜構成を有する、電流制限層をスパッタ成膜する請求項１６記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１８】
前記（ｄ）工程のＦｅaＭbＯcに代えて、電流制限層を、Ｃｏと、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ａｇのうちいずれか１種または２種以上の金属元素を含む材料をスパッタ成膜した後、熱処理を施すことでＣｏを酸化して形成する請求項１６記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１９】
前記（ｄ）工程において、前記電流制限層を形成する前に、前記フリー磁性層の上面に貴金属材料からなる下地層を形成する請求項１６ないし１８のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項２０】
前記下地層をＲｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料で形成する請求項１９記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項２１】
前記（ｄ）工程において、前記電流制限層を形成する前に、前記フリー磁性層の上面にＣｕからなる下地層を形成する請求項１６ないし１８のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項２２】
前記電流制限層を形成後、前記電流制限層の上面に、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料からなる保護層を形成する請求項１６ないし２１のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項２３】
前記電流制限層を形成後、前記電流制限層の上面に、Ｃｕからなる保護層を形成する請求項１６ないし２１のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項２４】
前記保護層を第２の電極層とする請求項２２または２３に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項２５】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ｉ）第１の電極層の上面に、ＦｅaＭbＯc（ただし元素ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及び希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）なる組成式を有し、組成比ａ、ｂ、ｃは原子％で、４０≦ａ≦５０、１０≦ｂ≦３０、２０≦ｃ≦４０で、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係を満たし、またＦｅを主成分とした微結晶粒が、元素ＭとＯとの化合物を含む非晶質中に分散された膜構成を有する、電流制限層をスパッタ成膜する工程と、
（ｊ）  前記電流制限層上に、下からフリー磁性層、非磁性中間層、固定磁性層及び反強磁性層の順で多層膜を積層し、さらに前記反強磁性層上に第２の電極層を形成する工程。
【請求項２６】
前記（ｉ）工程のＦｅaＭbＯcに代えて、ＦｅdＭeＮf（ただし元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及び希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる組成式を有し、組成比ｄ、ｅ、ｆは原子％で、６０≦ｄ≦７０、１０≦ｅ≦１５、１９≦ｆ≦２５で、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満たし、またＦｅを主成分とした微結晶粒が、元素ＭとＮとの化合物を含む非晶質中に分散された膜構成を有する、電流制限層をスパッタ成膜する請求項２５に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項２７】
前記（ｉ）工程のＦｅaＭbＯcに代えて、電流制限層を、Ｃｏと、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ａｇのうちいずれか１種または２種以上の金属元素を含む材料をスパッタ成膜した後、熱処理を施すことでＣｏを酸化して形成する請求項２５記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項２８】
前記（ｉ）工程において、前記電流制限層を形成する前に、前記第１の電極層の上面に貴金属材料からなる下地層を形成する請求項２５ないし２７のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項２９】
前記下地層をＲｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料で形成する請求項２８記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項３０】
前記（ｉ）工程において、前記電流制限層を形成する前に、前記第１の電極層の上面にＣｕからなる下地層を形成する請求項２５ないし２７のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項３１】
前記電流制限層を熱処理する請求項１６ないし３０のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＰＰ（current  perpendicular  to  the  plane）型の磁気検出素子に係り、特に光学的な素子サイズは大きくても実効的な素子サイズを小さくでき、効果的にしかも容易に再生出力を向上させることが可能な磁気検出素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２３は従来における磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０００３】
図２３に示す符号１はＴａなどの下地層であり、その上にＰｔＭｎなどの反強磁性層２が形成されている。さらに前記反強磁性層２の上にはＮｉＦｅなどで形成された固定磁性層３が形成され、前記固定磁性層３の上にはＣｕなどで形成された非磁性中間層４が形成され、さらに前記非磁性中間層４の上にはＮｉＦｅなどで形成されたフリー磁性層５が形成されている。また前記フリー磁性層５の上にはＴａなどの保護層６が形成されている。前記下地層１から保護層６までで多層膜９が構成される。
【０００４】
前記固定磁性層３の磁化は、前記反強磁性層２との交換異方性磁界によって図示Ｙ方向に固定される。
【０００５】
また前記フリー磁性層５の磁化は、前記フリー磁性層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に形成されたハードバイアス層７、７からの縦バイアス磁界によって図示Ｘ方向に揃えられる。
【０００６】
図２３に示すように、前記ハードバイアス層７、７の上には電極層８、８が形成されている。なおトラック幅Ｔｗは前記フリー磁性層５の上面のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における長さで決定される。
【０００７】
図２３に示す磁気検出素子のセンス電流の流れの向きは、多層膜９の各膜面に対しほぼ平行な方向に流れるＣＩＰ（current  in  the  plane）型と呼ばれるものであり、その模式図は図２４に示されている。
【０００８】
図２４に示すように、反強磁性層からフリー磁性層までの各層で構成される多層膜のフリー磁性層の上面の幅はトラック幅Ｔｗであり、また前記多層膜の膜厚はＴ、前記多層膜のハイト方向（図示Ｙ方向）への長さはＭＲｈである。
【０００９】
ここで例えば電流密度（Ｊ＝Ｉ／（ＭＲｈ×Ｔ））と膜厚Ｔを一定とし、前記トラック幅Ｔｗとハイト長さＭＲｈを１／Ｓに縮小したとすると、前記多層膜の抵抗値Ｒは一定であり、よって抵抗変化量ΔＲも一定である。またセンス電流Ｉは１／Ｓ倍となる。したがって出力ΔＶ（＝ΔＲ×Ｉ）は１／Ｓ倍に小さくなってしまう。
【００１０】
一方、発熱量Ｐを一定として、前記トラック幅Ｔｗとハイト長さＭＲｈを１／Ｓに縮小したとすると、多層膜の抵抗値Ｒは一定であり、よって抵抗変化量ΔＲも一定であり、またセンス電流Ｉも一定であるから、出力ΔＶは一定値となる。
【００１１】
一方、多層膜の各膜面に対し垂直方向からセンス電流を流すＣＰＰ（current  perpendicular  to  the  plane）型の磁気検出素子の場合は、以下のように出力（ΔＶ）が変化する。
【００１２】
図２５はＣＰＰ型の磁気検出素子の模式図である。図２４と同様に、前記磁気検出素子の多層膜のフリー磁性層の上面の幅で決められるトラック幅はＴｗで示され、また前記多層膜の膜厚はＴ、前記多層膜のハイト方向（図示Ｙ方向）への長さはＭＲｈである。
【００１３】
ここで上記したＣＩＰ型の場合と同様に、電流密度（Ｊ＝Ｉ／（Ｔｗ×ＭＲｈ））と膜厚Ｔを一定とし、前記トラック幅Ｔｗとハイト長さＭＲｈを１／Ｓ倍に縮小したとすると、前記多層膜の抵抗値ＲはＳ2倍となり、よって抵抗変化量ΔＲもＳ2倍となる。またセンス電流Ｉは１／Ｓ2倍となる。したがって出力ΔＶ（＝ΔＲ×Ｉ）は一定である。
【００１４】
一方、発熱量Ｐを一定として、前記トラック幅Ｔｗとハイト長さＭＲｈを１／Ｓ倍に縮小したとすると、多層膜の抵抗値ＲはＳ2倍となり、よって抵抗変化量ΔＲもＳ2倍となる。またセンス電流Ｉは１／Ｓ倍となるから、出力ΔＶはＳ倍に大きくなる。
【００１５】
このように素子サイズの狭小化が進むと、ＣＩＰ型よりもＣＰＰ型にする方が再生出力ΔＶを大きくでき、ＣＰＰ型は、今後の高記録密度化に伴う素子サイズの狭小化に適切に対応できるものと期待された。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながらＣＰＰ型の磁気検出素子は、前記トラック幅Ｔｗ及びハイト方向への長さＭＲｈが０．１μｍ以下とならないと（すなわち素子面積が０．０１μｍ2以下とならないと）、ＣＩＰ型よりも効果的に高い再生出力を得られないことがわかった。
【００１７】
今後の高記録密度化に伴って素子サイズは徐々に小さくなっていくものと考えられるが、０．１μｍ角の素子面積を有する磁気検出素子を形成することは、現時点でのフォトリソグラフィー技術の精度では極めて困難であるとともに、あまり素子サイズを小さくしすぎても、記録媒体からの漏れ磁界を有効に前記磁気検出素子で検出することができなくなり、再生出力の低下や再生波形の安定性の低下を招くものと考えられる。
【００１８】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、光学的な素子サイズを小さくすることなく、実効的な素子サイズを小さくでき、効果的にしかも容易に再生出力を向上させることが可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気検出素子は、下から反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層、フリー磁性層、電流制限層の順、または、下から電流制限層、フリー磁性層、非磁性中間層、固定磁性層、反強磁性層の順に形成された多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れ、
前記電流制限層には、絶縁部と導電部とが混在しており、前記導電部は導電性粒子であり、前記導電性粒子は前記絶縁部となる絶縁性材料膜内に分散されており、
前記電流制限層は、Ｆｅを主成分とした前記導電部となる導電性粒子が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及び希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素Ｍと、ＯあるいはＮとの化合物を含む前記絶縁部となる非晶質の絶縁材料膜中に分散された膜構成であることを特徴とするものである。
【００２０】
本発明はＣＰＰ型の磁気検出素子であり、センス電流は、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に流れる。
【００２１】
従って前記センス電流は、前記電流制限層内を垂直に流れるが、本発明では、フリー磁性層の上面あるいは少なくとも一方に直接にあるいは他層を介して設けられた前記電流制限層を絶縁部と導電部とが混在する構成としているから、前記センス電流は前記導電部内のみに流れることになる。
【００２２】
このため電極層から前記電流制限層を介してフリー磁性層内に流れるセンス電流は、前記フリー磁性層内を前記導電部と対向する部分のみに局部的に流れる（この部分の電流密度が局所的に高くなることになる）。
【００２３】
したがって本発明によれば、膜面と平行な方向におけるフリー磁性層の素子面積（この素子面積を光学的な素子面積という）を従来と同程度に大きく形成しても実際に前記フリー磁性層内にセンス電流が流れて、磁気抵抗効果に関与する素子面積（この素子面積を実効的な素子面積という）を小さくでき、よって従来と同程度の精度を有するフォトリソグラフィー技術を用いて光学的な素子サイズが大きい前記磁気検出素子を形成しても、再生出力の高いＣＰＰ型の磁気検出素子を容易に形成することができる。
【００２４】
また素子サイズを従来と同程度に大きく形成できるから、記録媒体からの外部磁界を効果的に前記磁気検出素子で検出することが可能であり、再生出力の向上、再生波形の安定性の向上を図ることが可能である。
【００２５】
また本発明では、前記電流制限層の下面あるいは上面のどちらか一方あるいは両方に、貴金属材料層が形成されていることが好ましい。本発明では前記電流制限層は、これを縦断面（膜厚方向から切断した面）で見たときに、開口部（すなわちセンス電流の電流経路となる部分）と非開口部の導電率のコントラストが高いことが必要である。
【００２６】
図２６は、上記したコントラストが悪い例であり、図２６に示すように、ＧＭＲ膜上一面に凹凸のある絶縁膜（絶縁部）が形成されている。このような絶縁膜の形成は例えば酸化が必要以上に進んだ場合である。そしてこの絶縁膜の上に導電膜が形成され、この絶縁膜と導電膜とで電流制限層が構成されている。しかし図２６に示す例では、前記絶縁膜がＧＭＲ膜上の一面に形成されているので、この電流制限層内を通過する電流（矢印で示されている）が、膜厚の薄い絶縁膜の部分に流れやすくなるものの適切に電流経路を絞り込むことができず、コンタクト抵抗値が増大するだけで、見かけ上のΔＲ＊Ａ（抵抗変化量＊素子面積）は適切に改善されない。
【００２７】
一方、図２７は、上記したコントラストが良好な例であり、図２７に示すようにＧＭＲ膜上には、貴金属で形成された下地層の上に電流制限層が形成されている。
【００２８】
前記電流制限層を構成する絶縁膜（絶縁部）は前記下地層上に例えば島状に点在して形成され、前記絶縁膜間には、下面から上面にかけて複数の孔が形成され、この孔が開口部となる。そして導電膜（導電部）がこの孔内を埋めている。図２７に示す例では、開口部（孔）と非開口部（絶縁部）とのコントラストが良好で、前記電流制限層内を流れる電流（矢印で示されている）は、前記開口部に集中して流れ、適切に電流経路が絞り込まれている。よって図２６の例に比べて見かけ上のΔＲ＊Ａ（抵抗変化量＊素子面積）を向上させることができ、再生出力等の再生特性の向上を適切に図ることができる。
【００２９】
上記したコントラストを良好にするには図２７に示すように、貴金属の下地層を敷くことが好ましい。前記貴金属の下地層は、表面エネルギー（γｓ）が小さく、適切に前記下地層上に例えば島状の絶縁膜を成長させることができる。このように島状に膜成長することをＶoｌｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ（ＶＷ）型成長と呼ぶ。このＶＷ型成長の詳細については、日本応用磁気学会誌「薄膜成長プロセス概論」Ｖｏｌ．１４，Ｎｏ．３，１９９０（Ｐ５２７−Ｐ５３１）を参照されたい。
【００３０】
また前記貴金属の下地層を敷くことで、例えば前記下地層上に金属の薄い膜を島状に膜成長させ、この薄い膜を酸化したとき、この酸化が前記下地層の下に形成されているＧＭＲ膜にまで及ばない。ＧＭＲ膜にまで酸化が及ぶと図２６のようにコントラストが悪化するが、ＧＭＲ膜にまで酸化が及ばないから開口部と非開口部とのコントラストを良好に保つことができるのである。
【００３１】
また前記電流制限層の上に前記貴金属元素からなる層（保護層）を設けることで、前記電流制限層形成後、製造工程中に施される熱処理により前記電流制限層上に形成された層にまで酸素が拡散せず、依然として良好なコントラストを保つことができるのである。
【００３２】
本発明では、前記貴金属材料層は、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料で形成されていることが好ましい。あるいは前記貴金属材料層に代えてＣｕ層が形成されていてもよい。
【００３３】
また本発明では、少なくとも前記フリー磁性層の電流到達面側に、直接的にあるいは他層を介して前記電流制限層が設けられていることが好ましい。これにより適切にセンス電流の電流経路を絞り込み、実効的な素子面積を小さくできるので、再生出力の高いＣＰＰ型磁気検出素子を製造することが可能になる。
【００４１】
なお上記の場合、前記電流制限層は、ＦｅaＭbＯcの組成式を有し、組成比ａ、ｂ、ｃは原子％で、４０≦ａ≦５０、１０≦ｂ≦３０、２０≦ｃ≦４０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係を満たすことが好ましい。
【００４２】
また本発明では、前記電流制限層は、ＦｅdＭeＮfの組成式を有し、組成比ｄ、ｅ、ｆは原子％で、６０≦ｄ≦７０、１０≦ｅ≦１５、１９≦ｆ≦２５であり、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満たすことが好ましい。
【００４３】
また本発明の磁気検出素子は、下から反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層、フリー磁性層、電流制限層の順、または、下から電流制限層、フリー磁性層、非磁性中間層、固定磁性層、反強磁性層の順に形成された多層膜が設けられ、前記多層膜の各層の膜面と垂直方向に電流が流れ、
前記電流制限層には、絶縁部と導電部とが混在しており、前記導電部は導電性粒子であり、前記導電性粒子は前記絶縁部となる絶縁性材料膜内に分散されており、
前記絶縁材料膜は主としてＣｏが酸化された層であり、この絶縁材料膜内に、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ａｇのうちいずれか１種または２種以上の金属材料で形成された導電性粒子が分散していることを特徴とするものである。
【００４５】
上記した電流制限層では、いずれも適切に絶縁部と導電部とが混在する膜構成とすることができ、実効的な素子サイズの狭小化を適切に図ることが可能である。
【００４６】
また本発明における磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ａ）下から第１の電極層、反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層、およびフリー磁性層の順で多層膜を積層し、さらに前記フリー磁性層の上面に絶縁材料膜をスパッタ成膜し、このとき前記絶縁材料膜に、前記絶縁材料膜の上面から下面にまで通じる複数の孔を形成する工程と、
（ｂ）前記絶縁材料膜上に導電性材料膜をスパッタ成膜し、このとき前記絶縁材料膜に形成された孔内を前記導電性材料膜で埋める工程と、
（ｃ）前記絶縁材料膜と導電性材料膜とで構成された電流制限層上に第２の電極層を形成する工程。
【００４７】
上記の工程によって、フリー磁性層の上面に容易に、例えば下面から上面にまで通じる複数の孔が設けられた絶縁材料膜と、この孔内に埋め込まれた導電材料層とで構成される電流制限層を容易に形成することが可能である。
【００４８】
また本発明では、前記（ａ）工程で、貴金属元素からなる下地層を形成し、その後、前記下地層の上に前記絶縁材料膜を形成することが好ましい。このとき前記下地層をＲｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料で形成することが好ましい。
【００４９】
あるいは前記（ａ）工程で、Ｃｕからなる下地層を形成し、その後、前記下地層の上に前記絶縁材料膜を形成してもよい。
【００５０】
また本発明では、前記（ａ）工程で、前記絶縁材料膜をスパッタ成膜するとき、前記絶縁材料膜を前記フリー磁性層上あるいは下地層上で不連続体膜として形成することが好ましい。これにより、前記絶縁材料膜に例えば下面から上面にまで通じる複数の孔を形成することが容易になる。前記絶縁材料膜を不連続体膜とするには、材料の選定とスパッタ条件が重要である。スパッタ条件とは、基板温度やＡｒガス圧、基板とターゲット間の距離などである。
【００５１】
また上記したように、前記貴金属元素からなる下地層を敷いておくと、前記絶縁材料膜を特に不連続体膜として形成しやすくなる。その理由は前記下地層の表面エネルギーはＧＭＲ膜表面に比べて低く、元素が凝集して核を形成しやすいからである。
【００５２】
また本発明では、前記絶縁材料膜を、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちいずれか１種または２種以上の酸化物からなる絶縁材料でスパッタ成膜し、このとき前記絶縁材料膜に下面から上面にまで通じる複数の孔あるいは膜面と平行な平面から見たときに連続して延びる溝が残された状態でスパッタを止めることが好ましい。
【００５３】
また本発明では、前記（ａ）工程の絶縁材料膜の形成時において、まずＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｎｉ、希土類元素のうちいずれか１種または２種以上の金属元素をスパッタで形成し、この金属元素からなる膜に下面から上面にまで通じる複数の孔あるいは膜面と平行な平面から見たときに連続して延びる溝が残された状態でスパッタを止め、その後、前記金属元素からなる膜を酸化し、この酸化膜を絶縁材料膜とすることが好ましい。
【００５４】
上記したように、酸化工程が必要な場合、特に前記電流制限層の下には貴金属元素で形成された下地層を敷いておくことで、前記下地層の下に形成されたＧＭＲ膜まで前記酸化が及ぶのを適切に回避することができ、前記電流制限層の開口部と非開口部とのコントラストを良好に保つことができる。
【００５５】
また本発明では、前記絶縁材料膜を、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちいずれか１種または２種以上の窒化物からなる絶縁材料でスパッタ成膜し、このとき前記絶縁材料膜に下面から上面にまで通じる複数の孔あるいは膜面と平行な平面から見たときに連続して延びる溝が残された状態でスパッタを止めることが好ましい。
【００５６】
あるいは本発明では、前記（ａ）工程の絶縁材料膜の形成時において、まずＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｎｉ、希土類元素のうちいずれか１種または２種以上の金属元素をスパッタで形成し、この金属元素からなる膜に下面から上面にまで通じる複数の孔あるいは膜面と平行な平面から見たときに連続して延びる溝が残された状態でスパッタを止め、その後、前記金属元素からなる膜を窒化し、この窒化膜を絶縁材料膜とすることが好ましい。
【００５７】
また本発明における磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
（ｄ）下から第１の電極層、反強磁性層、固定磁性層、非磁性中間層、およびフリー磁性層の順で多層膜を積層し、さらに前記フリー磁性層の上面に、ＦｅaＭbＯc（ただし元素ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及び希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）なる組成式を有し、組成比ａ、ｂ、ｃは原子％で、４０≦ａ≦５０、１０≦ｂ≦３０、２０≦ｃ≦４０で、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係を満たし、またＦｅを主成分とした微結晶粒が、元素ＭとＯとの化合物を含む非晶質中に分散された膜構成を有する、電流制限層をスパッタ成膜する工程と、
（ｅ）前記電流制限層上に第２の電極層を形成する工程。
【００５８】
本発明では、上記した電流制限層を熱処理し、この熱処理によって膜内の酸化されやすい元素の酸化を促進させて、前記電流制限層の開口部の割合（比率）を調整することが好ましい。前記開口部の割合は全体の１０％〜３０％程度であることが好ましい。
【００５９】
あるいは本発明では、前記（ｄ）工程のＦｅaＭbＯcに代えて、ＦｅdＭeＮf（ただし元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及び希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる組成式を有し、組成比ｄ、ｅ、ｆは原子％で、６０≦ｄ≦７０、１０≦ｅ≦１５、１９≦ｆ≦２５で、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満たし、またＦｅを主成分とした微結晶粒が、元素ＭとＮとの化合物を含む非晶質中に分散された膜構成を有する、電流制限層をスパッタ成膜してもよい。
【００６０】
上記の製造方法では、フリー磁性層の上面に、Ｆｅを主成分とした微結晶粒が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及び希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素Ｍと、ＯあるいはＮとの化合物を含む非晶質中に分散された電流制限層を容易に形成することができる。
【００６１】
また本発明では、前記（ｄ）工程のＦｅaＭbＯcに代えて、電流制限層を、Ｃｏと、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ａｇのうちいずれか１種または２種以上の金属元素を含む材料をスパッタ成膜した後、熱処理を施すことでＣｏを酸化して形成してもよい。
【００６２】
また本発明では、前記（ｄ）工程において、前記電流制限層を形成する前に、前記フリー磁性層の上面に貴金属材料からなる下地層を形成することが好ましい。
【００６３】
特に上記したように電流制限層に対し熱処理を施して酸化層の割合を進行させる製造工程を用いる場合には、前記電流制限層の下に貴金属元素からなる下地層を設けることで、前記下地層の下に形成されたＧＭＲ膜にまで酸化が及ばないようにすることが可能である。
【００６４】
なお前記下地層をＲｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料で形成することが好ましい。あるいは前記（ｄ）工程において、前記電流制限層を形成する前に、前記フリー磁性層の上面にＣｕからなる下地層を形成することが好ましい。
【００６５】
また本発明では、前記電流制限層を形成後、前記電流制限層の上面に、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料からなる保護層を形成することが好ましい。あるいは電流制限層を形成後、前記電流制限層の上面に、Ｃｕからなる保護層を形成することが好ましい
磁気検出素子の製造工程において、前記電流制限層を形成した後、熱処理を施す場合があるが、前記貴金属元素からなる保護層を設けたことで、前記電流制限層上に形成された層への酸素の拡散を適切に防止することが可能である。なおかかる場合、前記保護層を第２の電極層とすることができる。
【００６６】
また本発明では、下から、第１の電極層、電流制限層、フリー磁性層、非磁性中間層、固定磁性層及び反強磁性層の順で多層膜を積層するものであってもよい。
【００６７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の第１実施形態の磁気検出素子（シングルスピンバルブ型磁気抵抗効果素子）の全体構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。なお、図１ではＸ方向に延びる素子の中央部分のみを破断して示している。
【００６８】
図１に示す磁気検出素子の上下には、ギャップ層（図示せず）を介してシールド層（図示せず）が設けられており、前記磁気検出素子、ギャップ層及びシールド層を合わせてＭＲヘッドと呼ばれる。
【００６９】
なお図１に示す電極層２０、３３が前記ギャップ層を兼ねていてもよいし、あるいは前記電極層２０、３３が磁性材料で形成されるときは、シールド層を兼ねていてもよい。
【００７０】
前記ＭＲヘッドは、記録媒体に記録された外部信号を再生するためのものである。また本発明では、前記ＭＲヘッドの上に記録用のインダクティブヘッドが積層されていてもよい。前記磁気検出素子の上側に形成されたシールド層（上部シールド層）は、前記インダクティブヘッドの下部コア層として兼用されてもよい。
【００７１】
また前記ＭＲヘッドは、例えばアルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）で形成されたスライダのトレーリング端面上に形成される。前記スライダは、記録媒体との対向面と逆面側で、ステンレス材などによる弾性変形可能な支持部材と接合され、磁気ヘッド装置が構成される。
【００７２】
図１に示す符号２０は、第１の電極層である。前記第１の電極層２０は、例えばα−Ｔａ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ（銅）やＷ（タングステン）などで形成されている。
【００７３】
前記第１の電極層２０の上面中央には、下地層２１が形成される。前記下地層２１は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも１種以上で形成されることが好ましい。前記下地層２１は５０Å以下程度の膜厚で形成される。なおこの下地層２１は形成されていなくても良い。
【００７４】
次に前記下地層２１の上にはシードレイヤ２２が形成される。前記シードレイヤ２２は、主として面心立方晶から成り、次に説明する反強磁性層２３との界面と平行な方向に（１１１）面が優先配向されている。前記シードレイヤ２２は、ＮｉＦｅ合金、あるいはＮｉ−Ｆｅ−Ｙ合金（ただしＹは、Ｃｒ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉから選ばれる少なくとも１種以上）で形成されることが好ましい。これらの材質で形成されたシードレイヤ２２はＴａ等で形成された下地層２１上に形成されることにより反強磁性層２３との界面と平行な方向に（１１１）面が優先配向しやすくなる。前記シードレイヤ２２は、例えば３０Å程度で形成される。
【００７５】
なお本発明における磁気検出素子は各層の膜面と垂直方向にセンス電流が流れるＣＰＰ型であるため、前記シードレイヤ２２にも適切にセンス電流が流れる必要性がある。よって前記シードレイヤ２２は比抵抗の高い材質でないことが好ましい。すなわちＣＰＰ型では前記シードレイヤ２２はＮｉＦｅ合金などの比抵抗の低い材質で形成されることが好ましい。なお前記シードレイヤ２２は形成されなくても良い。
【００７６】
次に前記シードレイヤ２２上には反強磁性層２３が形成される。前記反強磁性層２３は、元素Ｘ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうち１種または２種以上の元素である）とＭｎとを含有する反強磁性材料で形成されることが好ましい。あるいは前記反強磁性層２３は、元素Ｘと元素Ｘ′（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）とＭｎを含有する反強磁性材料により形成されることが好ましい。
【００７７】
これらの反強磁性材料は、耐食性に優れしかもブロッキング温度も高く次に説明する固定磁性層２４との界面で大きな交換異方性磁界を発生し得る。また前記反強磁性層２３は８０Å以上で３００Å以下の膜厚で形成されることが好ましい。
【００７８】
次に前記反強磁性層２３の上には固定磁性層２４が形成されている。この実施形態では前記固定磁性層２４は３層構造で形成されている。
【００７９】
前記固定磁性層２４を構成する符号５１及び５３の層は磁性層であり、例えばＣｏ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉなどで形成される。前記磁性層５１，５３間にはＲｕなどで形成された中間層５２が介在し、この構成により、前記磁性層５１と前記磁性層５３の磁化方向は互いに反平行状態にされる。これはいわゆる人工フェリ構造と呼ばれる。
【００８０】
前記反強磁性層２３と、前記固定磁性層２４の前記反強磁性層２３に接する磁性層５１との間には磁場中熱処理によって交換異方性磁界が発生し、例えば前記磁性層５１の磁化がハイト方向（図示Ｙ方向）に固定された場合、もう一方の磁性層５３はＲＫＫＹ相互作用により、ハイト方向とは逆方向（図示Ｙ方向と逆方向）に磁化され固定される。この構成により前記固定磁性層２４の磁化を安定した状態にでき、また前記固定磁性層２４と前記反強磁性層２３との界面で発生する交換異方性磁界を見かけ上大きくすることができる。
【００８１】
なお例えば、前記磁性層５１，５３の膜厚はそれぞれ１０〜７０Å程度で形成される。また中間層５２の膜厚は３Å〜１０Å程度で形成される。
【００８２】
また前記磁性層５１、５３はそれぞれ単位面積当たりの磁気モーメントが異なるように、前記磁性層５１、５３の材質や膜厚がそれぞれ異なっている。前記磁気モーメントは飽和磁化Ｍｓ×膜厚ｔで設定され、例えば前記磁性層５１、５３を共に同じ材質で同じ組成の材料で形成するとき、前記磁性層５１、５３の膜厚を異ならせることで、前記磁性層５１、５３の磁気モーメントを異ならせることができる。これによって適切に前記磁性層５１、５３を人工フェリ構造にすることが可能である。
【００８３】
なお本発明では前記固定磁性層２４はフェリ構造ではなくＮｉＦｅ合金、ＮｉＦｅＣｏ合金、あるいはＣｏＦｅ合金などの単層膜あるいは積層膜で形成されていても良い。
【００８４】
前記固定磁性層２４の上には非磁性中間層２５が形成されている。前記非磁性中間層２５は例えばＣｕなどの電気抵抗の低い導電性材料によって形成される。前記非磁性中間層２５は例えば２５Å程度の膜厚で形成される。
【００８５】
次に前記非磁性中間層２５の上にはフリー磁性層２６が形成される。前記フリー磁性層２６は２層構造で形成され、前記非磁性中間層２５と対向する側にＣｏ膜５４が形成されていることが好ましい。これにより前記非磁性中間層２５との界面での金属元素等の拡散を防止でき、抵抗変化率（ΔＧＭＲ）を大きくすることができる。また前記Ｃｏ膜５４上には、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＮｉＦｅ合金などにより形成された磁性層５５が形成されることが好ましい。また前記フリー磁性層２６の全体の膜厚は、２０Å以上で１００Å以下程度の膜厚で形成されることが好ましい。
【００８６】
なお前記フリー磁性層２６は上記したいずれかの磁性材料を使用した１層構造で形成されていても良い。
【００８７】
前記フリー磁性層２６の上には電流制限層２７が形成されている。前記電流制限層２７の膜構造等に関しては、後から詳しく説明する。
【００８８】
本発明では、前記下地層２１から前記電流制限層２７までの多層膜２８のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側端面２８ａ、２８ａは、連続した傾斜面となっており、前記多層膜２８は略台形状となっている。
【００８９】
図１に示すように、前記多層膜２８のトラック幅方向の両側領域には、絶縁層２９が形成されている。前記絶縁層２９は例えばＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2など一般的な絶縁材料で形成される。
【００９０】
前記絶縁層２９の上面２９ａは、前記フリー磁性層２６の下面よりも図示下側（図示Ｚ方向とは逆方向）に形成されていることが好ましい。
【００９１】
前記絶縁層２９の上には、バイアス下地層３０が形成されている。また前記バイアス下地層３０の上にはハードバイアス層３１が形成されている。前記ハードバイアス層３１は、前記フリー磁性層２６の両側に対向する位置に形成される。前記ハードバイアス層３１は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）に磁化されており、前記ハードバイアス層３１からの縦バイアス磁界によって、前記フリー磁性層２６の磁化は図示Ｘ方向に揃えられる。
【００９２】
前記バイアス下地層３０は前記ハードバイアス層３１の特性（保磁力Ｈｃ、角形比Ｓ）を向上させるために設けられたものである。
【００９３】
本発明では、前記バイアス下地層３０は、結晶構造が体心立方構造（ｂｃｃ構造）の金属膜で形成されることが好ましい。なおこのとき前記バイアス下地層３０の結晶配向は（１００）面が優先配向するのが好ましい。
【００９４】
また前記ハードバイアス層３１は、ＣｏＰｔ合金やＣｏＰｔＣｒ合金などで形成される。これら合金の結晶構造は、稠密六方構造（ｈｃｐ）単相あるいは面心立方構造（ｆｃｃ）と稠密六方構造（ｈｃｐ）の混相となっている。
【００９５】
ここで上記の金属膜で形成されたバイアス下地層３０とハードバイアス層３１を構成するＣｏＰｔ系合金のｈｃｐ構造の格子定数は近い値となるために、ＣｏＰｔ系合金はｆｃｃ構造を形成しづらくｈｃｐ構造で形成されやすくなる。このときｈｃｐ構造のｃ軸はＣｏＰｔ系合金とバイアス下地層の境界面内に優先配向される。前記ｈｃｐ構造はｆｃｃ構造に比べてｃ軸方向に大きな磁気異方性を生じるため、ハードバイアス層３１に磁界を与えたときの保磁力Ｈｃは大きくなるのである。さらにｈｃｐのｃ軸はＣｏＰｔ系合金とバイアス下地層との境界面内で優先配向となっているため、残留磁化が増大し、残留磁化／飽和磁束密度で求められる角形比Ｓは大きくなる。その結果、前記ハードバイアス層３１の特性を向上させることができ、前記ハードバイアス層３１から発生するバイアス磁界を増大させることができる。
【００９６】
本発明では、結晶構造が体心立方構造（ｂｃｃ構造）の金属膜は、Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１種または２種以上の元素で形成されることが好ましい。
【００９７】
また本発明では前記バイアス下地層３０はハードバイアス層３１の下側にのみ形成されていることが好ましいが、前記多層膜２８の両側端面２８ａとハードバイアス層３１間にも若干、介在してもよい。前記多層膜２８の両側端面２８ａに形成されるバイアス下地層３０のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における膜厚は１ｎｍ以下であることが好ましい。
【００９８】
これにより前記ハードバイアス層３１とフリー磁性層２６とを磁気的に連続体にできるから、前記フリー磁性層２６の端部が反磁界の影響を受けるバックリング現象などの問題も発生せず、前記フリー磁性層２６の磁区制御を容易にできる。
【００９９】
また図１に示すように、前記ハードバイアス層３１の上には絶縁層３２が形成されている。前記絶縁層３２は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの一般的な絶縁材料で形成される。
【０１００】
なおこの実施形態では、前記絶縁層３２の上面と電流制限層２７の上面とが同一面上で平坦化されているが、前記絶縁層３２の上面と前記電流制限層２７の上面とが同一面上である必要はない。
【０１０１】
そして前記絶縁層３２上から電流制限層２７上にかけて第２の電極層３３が形成される。前記第２の電極層３３は前記第１の電極層２０と同様に、例えばα−Ｔａ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ（銅）やＷ（タングステン）などで形成されている。
【０１０２】
この実施形態では、前記第２の電極層３３から第１の電極層２０に向けてセンス電流が流れるが、第１の電極層２０から第２の電極層３３に向けて前記センス電流が流れても良い。従って前記センス電流は、多層膜２８内の各層を膜面と垂直方向に流れ、このようなセンス電流の流れ方向はＣＰＰ型と呼ばれる。
【０１０３】
この磁気検出素子では、固定磁性層２４、非磁性中間層２５及びフリー磁性層２６に検出電流（センス電流）が与えられ、ハードディスクなどの記録媒体の走行方向はＺ方向であり、記録媒体からの洩れ磁界がＹ方向に与えられると、フリー磁性層２６の磁化が図示Ｘ方向の一方向からＹ方向へ向けて変化する。このフリー磁性層２６内での磁化の方向の変動と、固定磁性層２４の固定磁化方向との関係で電気抵抗が変化し（これを磁気抵抗効果という）、この電気抵抗値の変化に基づく電圧変化により、記録媒体からの洩れ磁界が検出される。
【０１０４】
ところで本発明では図１に示すように、前記フリー磁性層２６と第２の電極層３３との間に電流制限層２７が形成されている。
【０１０５】
本発明における電流制限層２７は例えば図９に示す膜構成である。図９は、反強磁性層２３、固定磁性層２４、非磁性中間層２５、フリー磁性層２６及び電流制限層２７の部分模式図である。
【０１０６】
図９に示すように前記電流制限層２７は、複数の孔５６が形成された絶縁材料膜（絶縁部）５７が母材となっている。前記孔５６のうち少なくとも一部の孔５６は、前記絶縁材料膜５７を下面から上面にまで貫通している。
【０１０７】
図９に示すように、前記絶縁材料膜５７上には導電性材料膜（導電部）５８が形成されている。前記導電性材料膜５８は前記絶縁材料膜５７に形成された孔５６内にも形成されており、前記孔５６は前記導電性材料膜５８によって埋められた状態になっている。なお図９では、図面上の記載を簡潔にするため、一部の孔のみに「孔５６」及び「導電性材料膜５８」なる文言を記入している。
【０１０８】
ここで前記絶縁材料膜５７は、酸化膜あるいは窒化膜で形成されることが好ましい。また前記酸化膜は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｎｉ、希土類元素のうちいずれか１種または２種以上の酸化物からなる絶縁材料で形成されることが好ましい。また窒化膜は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｎｉ、希土類元素のうちいずれか１種または２種以上の窒化物からなる絶縁材料で形成されることが好ましい。
【０１０９】
これら酸化膜及び窒化膜は、前記フリー磁性層２６上で薄く成膜されると、スパッタ成膜の際に凝集して不連続体膜になりやすい材質である。前記不連続体膜になると前記絶縁材料膜５７には図９に示すような上面から下面にまで貫通する孔５６が形成されやすくなる。
【０１１０】
また前記不連続体膜となるか否かは材質の選定のみならず、スパッタ条件も重要な要素である。前記絶縁材料膜５７を不連続体膜とするためのスパッタ条件は、基板温度を２０℃〜２００℃程度に低くしたり、Ａｒガス圧を１０〜５０ｍＴｏｒｒ（１．３〜６．７Ｐａ）程度に高くしたり、また基板とターゲット間の距離を２００〜３００ｍｍ程度に離したりすること等である。
【０１１１】
なお上記したスパッタ成膜では、例えば、ＲＦスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、ＤＣマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、コリメーションスパッタ法のいずれか、またはそれらを組み合せたスパッタ法などを使用できる。
【０１１２】
次に導電性材料膜５８は、一般的な導電性材料を使用することができ、例えば電極層２０、３３と同様にα−Ｔａ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ（銅）やＷ（タングステン）などで形成することもできるが、前記導電性材料膜５８はＲｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属元素から形成されていることが好ましい。なおＣｕが添加されていてもよい。
【０１１３】
貴金属元素はそれ自体、酸化されにくい材質であり、絶縁材料膜５７上及び孔５６内に前記貴金属元素から形成された導電性材料膜５８を形成することで、熱処理などによって酸素の拡散を抑制でき、図９に示す開口部（孔）と非開口部（絶縁材料層）とのコントラストを良好に保つことができる。
【０１１４】
以上のように本発明ではフリー磁性層２６上に絶縁部と導電部とが混在した電流制限層２７を設けることで、次のような効果を期待することができる。
【０１１５】
すなわち本発明のようにＣＰＰ型の磁気検出素子では、第２の電極層３３から流れるセンス電流は、前記電流制限層２７内を膜面と垂直方向に流れるが、本発明では、前記電流制限層２７を絶縁材料膜（絶縁部）５７に形成された孔５６内に導電性材料膜（導電部）５８を埋め込んだ構造としているから、前記センス電流は前記導電性材料膜５８内のみに流れることになる。
【０１１６】
このため第２の電極層３３から前記電流制限層２７を介してフリー磁性層２６内に流れるセンス電流は、前記フリー磁性層２６内を前記導電性材料膜５８と対向する部分のみに局部的に流れる（この部分の電流密度が局所的に高くなることになる）。
【０１１７】
したがって本発明によれば、膜面と平行な方向におけるフリー磁性層２６の素子面積（この素子面積を光学的な素子面積という）を従来と同程度に大きく形成しても実際に前記フリー磁性層２６内にセンス電流が流れて、磁気抵抗効果に関与する素子面積（この素子面積を実効的な素子面積という）を小さくでき、よって従来と同程度の精度を有するフォトリソグラフィー技術を用いて光学的な素子サイズが大きい前記磁気検出素子を形成しても、再生出力の高いＣＰＰ型の磁気検出素子を容易に形成することができる。
【０１１８】
なお本発明では、上記のように従来と同程度の素子面積で磁気検出素子を形成でき、具体的には図９に示すトラック幅Ｔｗを０．１５〜０．３μｍに形成でき、またハイト方向の長さＭＲｈを０．１５〜０．３μｍに形成でき、よって光学的な素子面積を０．０２〜０．０９μｍ2に大きく形成できる。
【０１１９】
また本発明では、前記実効的な素子面積は、０．０１μｍ2以下であることが好ましい。実効的な素子面積の求め方としては、例えば光学的な素子面積（Ｔｗ×ＭＲｈ）に、孔５６の開口率をかけて求めることができる。これは、ＧＭＲ膜単独の抵抗値と、電極を含んだ素子全体の抵抗値との差から概略で求めることができる。
【０１２０】
また前記電流制限層２７を膜面と平行な平面から見たときに、前記開口部（孔５６）の割合は１０％〜３０％程度であることが好ましい。
【０１２１】
また本発明では、光学的な素子面積は従来と同程度であるから、記録媒体からの外部磁界を有効に前記磁気検出素子で検出することができ、感度の良い再生特性に優れたＣＰＰ型磁気検出素子を製造することができる。
【０１２２】
また本発明では前記電流制限層２７の膜構成は図９のようなものに限らず、例えば他に図１０のような膜構成を提示できる。
【０１２３】
図１０に示す電流制限層２７の前記絶縁材料膜５７には、前記電流制限層を膜面と平行な方向から見たときに、連続して延びる溝６８が形成され、この溝６８は前記電流制限層２７の上面から下面にまで通じて形成されている。前記溝６８の平面形状は細長の曲線であったり、途中で枝別れしているが、形状はどのようなものであってもよい。そして前記溝６８内及び絶縁材料層５７上に導電材料膜５８が形成されている。この図９と図１０との絶縁材料膜５７の形状の違いは薄膜の核成長の違いによるものである。薄膜（絶縁材料膜５７あるいは絶縁材料膜５７の基になる層）は、フリー磁性層２６上でまず島状に成長していき、さらに成長させると、これら島どうしがくっつきはじめ、図１０のような連続して延びる溝６８を形成する。
【０１２４】
すなわち薄膜の成長をどの段階で止めるかによって、前記電流制限層２７の平面形状は変化していく。ここで重要なのは、前記電流制限層２７を構成する絶縁材料膜５７に下面から上面にかけて貫通する孔５６あるいは溝６８が適切に形成されていることである。このような孔５６あるいは溝６８が貫通して形成されていると、この孔５６あるいは溝６８内に埋め込まれた導電性材料膜５８がフリー磁性層２６まで電流を流す経路となり、適切に電流経路を絞り込むことができる。これは既に図２６及び図２７のところで説明した通りであり、本発明では図２７のように絶縁材料膜がフリー磁性層上を完全に覆っているのではなく、所々に貫通する孔や溝が設けられ、この孔や溝内に導電性材料層が埋め込まれている。
【０１２５】
なお図２７は前記電流制限層２７の下に貴金属元素からなる下地層が設けられた例であるが、この実施例については後で図面を参照して詳述する。
【０１２６】
また図１０のように、前記電流制限層２７の絶縁材料膜５７には、前記電流制限層２７の上面から下面にまで通じる孔５６と、膜面と平行な平面から見たときに連続して延び、前記電流制限層２７の上面から下面にまで通じる溝６８とが混在していてもよい。
【０１２７】
次に図９に示す電流制限層２７は、複数の孔５６が形成された絶縁材料膜５７と、この孔５６を埋める導電性材料膜５８とで構成されているが、本発明では、以下の膜構成を有する電流制限層２７でも良い。
【０１２８】
本発明では、例えば絶縁材料のターゲットと導電性材料のターゲットを用意し、これら２つのターゲットを同時にスパッタすることで、前記フリー磁性層２６上には絶縁材料の粒子と導電性材料の粒子とが混在した電流制限層２７を形成することができる。
【０１２９】
具体的には、前記電流制限層２７の導電部は導電性粒子であり、前記導電性粒子は絶縁部となる絶縁材料膜内に分散されている膜構成を提供することができる。
【０１３０】
上記膜構成を有する電流制限層２７を例示すると、前記電流制限層２７は、Ｆｅを主成分とした導電部となる微結晶粒が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及び希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素Ｍと、ＯあるいはＮとの化合物を含む絶縁部となる非晶質中に分散された膜構成である。
【０１３１】
この電流制限層２７では、ＦｅaＭbＯcの組成式を有し、組成比ａ、ｂ、ｃは原子％で、４０≦ａ≦５０、１０≦ｂ≦３０、２０≦ｃ≦４０であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係を満たすことが好ましい。
【０１３２】
あるいは前記電流制限層２７では、ＦｅdＭeＮfの組成式を有し、組成比ｄ、ｅ、ｆは原子％で、６０≦ｄ≦７０、１０≦ｅ≦１５、１９≦ｆ≦２５であり、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満たすことが好ましい。
【０１３３】
上記の電流制限層２７の形成は、例えばＦｅのターゲットと、ＨｆＯ2のターゲットの２つを用意し、これら２つのターゲットをスパッタする。これにより、非晶質相のマトリックスの内部にｂｃｃＦｅを主成分とした微結晶粒が多数析出された前記電流制限層２７を形成することができる。
【０１３４】
なお上記したスパッタ成膜では、例えば、ＲＦスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法、ＤＣマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、コリメーションスパッタ法のいずれか、またはそれらを組み合せたスパッタ法などを使用できる。
【０１３５】
あるいは本発明では、前記電流制限層２７を構成する絶縁材料膜は主としてＣｏが酸化された層であり、この絶縁材料膜内に、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ａｇのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料で形成された導電性粒子が分散している、電流制限層２７を形成することができる。
【０１３６】
あるいは、前記電流制限層２７の絶縁部は絶縁性粒子であり、前記絶縁性粒子は、導電部となる導電性材料膜内に分散されている膜構成であってもよい。
【０１３７】
なお上記した導電性粒子にはＣｕなどの一般的な導電性材料を使用でき、絶縁性粒子には、Ａｌ2Ｏ3などの一般的な絶縁性材料を使用することもできる。
【０１３８】
また上記したように導電性粒子を混在させたいわゆるグラニュラー膜で電流制限層２７を形成するときは、前記導電性粒子の粒径より前記電流制限層２７の膜厚が薄くないと、前記導電性粒子がセンス電流の電流経路として適切に機能せず、再生出力等の再生特性の悪化を招く。
【０１３９】
次に本発明における磁気検出素子の膜厚について以下に説明する。
【０１４０】
本発明では、前記固定磁性層２４（但し図１の場合は実質的に磁気抵抗効果に寄与する磁性層５３）、非磁性中間層２５及びフリー磁性層２６の総合膜厚Ｔ２（図１を参照のこと）は６０Å以上で３００Å以下であることが好ましい。例えば前記固定磁性層２４の膜厚は２０Å程度、非磁性中間層２５の膜厚は２０Å程度、フリー磁性層２６の膜厚は３０Å程度である。
【０１４１】
前記固定磁性層２４からフリー磁性層２６までの総合膜厚Ｔ２が６０Å以上で３００Å以下であると、前記総合膜厚Ｔ２は伝導電子の平均自由行程と同じくらいか、あるいはそれよりもやや小さい程度になる。このため前記伝導電子は、前記フリー磁性層２６内を散乱されることなしに自由に通過することが可能であり、磁気検出素子の抵抗変化率（ΔＭＲ）の向上を図ることが可能である。なお前記総合膜厚Ｔ２が６０Å以下の膜厚であると、再生出力が低下し好ましくない。
【０１４２】
また図１に示す磁気検出素子ではセンス電流は第２の電極層３３から第１の電極層２０に向かって流れ（逆でもよい）、前記電流制限層２７は前記フリー磁性層２６の前記センス電流の到達面側（図１において、センス電流が第２の電極層３３から第１の電極層２０に向かって流れているときフリー磁性層２６の上面がセンス電流の伝導電子の到達面側、下面がセンス電流の伝導電子の通過面側である）に形成されている。これにより前記センス電流は前記電流制限層２７の部分で効果的に絞り込まれて実効的な素子面積を小さくでき、再生出力の高いＣＰＰ型磁気検出素子を製造することができる。
【０１４３】
次に図１に示す磁気検出素子の膜構造の特徴点について以下に説明する。
図１に示す磁気検出素子では、前記フリー磁性層２６のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側にハードバイアス層３１が設けられているが、その上下は絶縁層２９、３２で囲まれている。
【０１４４】
このため前記第１の電極層２０と第２の電極層３３間を流れるセンス電流は、下地層２１から電流制限層２７までの多層膜２８の両側領域には分流しずらくなり、したがって前記センス電流は適切に前記多層膜２８内を流れて、高い再生出力を得ることが可能である。
【０１４５】
また前記総合膜厚Ｔ２が伝導電子の平均自由行程より小さい場合は、伝導電子は、その方向を変えることなしに直接、垂直方向に流れて他の電極層に達する。この場合は、絶縁層２９と３２のうちどちらか一方を省略してもよい。
【０１４６】
以下、図１に示す磁気検出素子以外の膜構成について説明する。
図２は本発明における第２実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。なお図１と同じ符号が付けられた層は、図１と同じ層と示している。
【０１４７】
図２に示す実施形態では、前記第１の電極層２０の中央上面に、下から電流制限層２７、フリー磁性層２６、非磁性中間層２５、固定磁性層２４及び反強磁性層２３の順で積層された多層膜３４が形成されている。
【０１４８】
前記多層膜３４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側端面３４ａ、３４ａは連続した傾斜面となっており、略台形状となっている。
【０１４９】
前記多層膜３４の両側領域には、下から絶縁層３５、バイアス下地層３０、ハードバイアス層３１、および絶縁層３６の順で積層されている。
【０１５０】
そして前記絶縁層３６上から前記反強磁性層２３上にかけて第２の電極層３３が形成されている。
【０１５１】
図２に示す実施形態の多層膜３４の積層順序は、図１に示す実施形態の多層膜２８の積層順序とは逆となっている。
【０１５２】
この実施形態においても前記電流制限層２７は絶縁部と導電部とが混在した構造である。
【０１５３】
すなわち前記電流制限層２７の前記絶縁部は、少なくとも前記電流制限層２７の上面から下面にまで通じる複数の孔５６が設けられた絶縁材料膜５７であり、この孔５６内に前記導電部となる導電性材料膜５８が埋め込まれた膜構成である（図９を参照のこと）。あるいは前記電流制限層２７の前記絶縁部は、膜面と平行な平面から見たときに連続して延びる溝６８を有し、この溝６８は前記電流制限層の下面から上面にまで通じて形成され、この溝６８内に前記導電部となる導電性材料膜５８が埋め込まれた膜構成である（図１０を参照のこと）。
【０１５４】
あるいは前記電流制限層２７の前記導電部は導電性粒子であり、前記導電粒子は前記絶縁部となる絶縁性材料層内に分散されている膜構成である。
【０１５５】
または前記電流制限層２７の前記絶縁部は絶縁性粒子であり、前記絶縁性粒子は、前記導電部となる導電性材料膜内に分散されている膜構成である。
【０１５６】
またこの実施形態でも、前記多層膜３４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側領域に形成されたハードバイアス層３１の上下には絶縁層３５、３６が形成されており、前記第１の電極層２０と第２の電極層３３間を流れるセンス電流が前記両側領域に分流するのを防ぎ、前記多層膜３４に主にセンス電流が流れるようになるので、再生出力の向上を図ることが可能である。
【０１５７】
なおこの図２に示す実施形態では、前記センス電流は第１の電極層２０から第２の電極層３３に向けて流れ（あるいは逆でもよい）、したがって前記電流制限層２７は前記フリー磁性層２６の前記センス電流の到達面側に直接、設けられている。
【０１５８】
次に図３は本発明における第３実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。なお図１と同じ符号が付けられている層は、図１と同じ層を示している。またセンス電流は第２の電極層３３から第１の電極層２０に向けて流れる（あるいは逆でもよい）。
【０１５９】
この実施形態では、前記第１の電極層２０と第２の電極層３３間に形成される多層膜２８の膜構成は図１と同じである。
【０１６０】
この実施形態では、前記第１の電極層２０上から前記多層膜２８のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側端面２８ａ、２８ａにかけてスペキュラー膜（鏡面反射層とも言う）３７、３７が形成されている。
【０１６１】
前記スペキュラー膜３７は、Ｆｅ−Ｏ、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＣｏＦｅＯ、ＣｏＦｅＮｉＯ、Ａｌ−Ｏ、Ａｌ−Ｑ−Ｏ（ここでＱはＢ、Ｓｉ、Ｎ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される１種以上）、Ｒ−Ｏ（ここでＲはＣｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される１種以上）等の酸化物、Ａｌ−Ｎ、Ａｌ−Ｑ−Ｎ（ここでＱはＢ、Ｓｉ、Ｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選択される１種以上）、Ｒ−Ｎ（ここでＲはＣｕ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗから選択される１種以上）等の窒化物、ＮｉＭｎＳｂ、ＰｔＭｎＳｂなどの半金属ホイッスラー金属等で形成できる。
【０１６２】
前記スペキュラー膜３７の上には絶縁層２９、バイアス下地層３０、ハードバイアス層３１、および絶縁層３２が積層形成されている。そして前記絶縁層３２上から電流制限層２７上にかけて第２の電極層３３が形成されている。
【０１６３】
この実施形態では、前記多層膜２８の両側端面２８ａにスペキュラー膜３７が形成されたことで、前記多層膜２８の光学的な素子面積（Ｔｗ×ＭＲｈ）が小さくなっても伝導電子を前記スペキュラー膜３７で鏡面反射させることができ、前記両側端面２８ａで前記伝導電子が散乱するのを抑制することができる。このため前記伝導電子の平均自由行程（スピン拡散長）を伸ばすことができ、抵抗変化率の向上をよりいっそう図ることが可能である。
【０１６４】
図４は本発明における第４実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。なお図１と同じ符号が付けられている層は、図１と同じ層を示している。またセンス電流は第２の電極層３３から第１の電極層２０に向けて流れる（あるいは逆でも良い）。
【０１６５】
図４に示す実施形態では、前記フリー磁性層２６の上に中間層３８を介してハードバイアス層３９が設けられている。そして前記ハードバイアス層３９の上に前記電流制限層２７が設けられている。
【０１６６】
この実施形態では、前記フリー磁性層２６上に中間層３８を介して形成されたハードバイアス層３９の両側端部から前記フリー磁性層２６に向けて縦バイアス磁界が供給されて（矢印で示す）、前記フリー磁性層２６の磁化が図示Ｘ方向に向けられるようになっている。
【０１６７】
前記中間層３８は、非磁性導電材料で形成されることが好ましい。具体的には、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｃｕのうち１種あるいは２種以上の合金で形成されていることが好ましい。また前記中間層３８が本発明における電流制限層を兼ねることもできる。その実施形態は図５である。
【０１６８】
図５に示す実施形態では前記フリー磁性層２６上に電流制限層２７が形成されている。前記電流制限層２７の膜構成や材質などについては図１で説明したものと同じなのでそちらを参照されたい。
【０１６９】
そして前記電流制限層２７の上にハードバイアス層３９が形成されている。この実施形態では、図４のように中間層３８と電流制限層２７とを別々に形成する必要がないから製造工程を容易にできる。
【０１７０】
ただし、図５において、前記ハードバイアス層３９と第２の電極層３３間に電流制限層２７が設けられていてもよい。
【０１７１】
また図４において、前記中間層３８は、例えばＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの絶縁材料で形成されてもよいが、かかる場合、前記中間層３８を薄く形成して、前記第１の電極層２０と第２の電極層３３間に流れるセンス電流が、前記中間層３８の部分で遮断されないようにすることが必要である。前記中間層３８の膜厚は２０〜１００Åで形成されることが好ましい。
【０１７２】
またこの実施形態のように、前記電流制限層２７は、前記フリー磁性層２６のセンス電流の到達面側（上面側）に直接設けられていなくても、他層を介して設けられていてもよい。
【０１７３】
なお前記電流制限層２７は、前記フリー磁性層２６と中間層３８間に形成されて、前記フリー磁性層２６のセンス電流の到達面側に直接的に形成されていてもよい。
【０１７４】
また図２に示す実施形態のように、フリー磁性層２６が、前記反強磁性層２３よりも下側に形成された場合には、前記第１の電極層２０上に電流制限層２７、ハードバイアス層３９、中間層３８及びフリー磁性層２６の順に積層形成する。
【０１７５】
あるいは第１の電極層２０上にハードバイアス層３９、電流制限層２７、フリー磁性層２６の順に積層形成する。なおかかる場合には、センス電流は第１の電極層２０から第２の電極層３３に向けて流れ、前記フリー磁性層２６の下面側がセンス電流の伝導電子の到達面側になる。なお前記センス電流の伝導電子は、第２の電極層３３から第１の電極層２０に向けて流れても良い。
【０１７６】
図４のように、フリー磁性層２６に中間層３８を介してハードバイアス層３９を設ける構造であると、あるいは図５のように前記フリー磁性層２６に電流制限層２７を介してハードバイアス層３９を設ける構造であると、前記フリー磁性層２６の両側にハードバイアス層を設ける場合に比べて、前記フリー磁性層２６が強固に磁化されることがなく前記フリー磁性層２６の磁区制御を適正化でき、前記フリー磁性層２６の外部磁界に対する磁化変動を良好にすることが可能である。
【０１７７】
また図４及び図５に示す実施形態では、前記下地層２１から前記電流制限層２７まで（図５ではハードバイアス層３９まで）の多層膜４１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側領域には絶縁層４０のみが形成されている。
【０１７８】
したがって図４及び図５に示す実施形態では、第１の電極層２０と第２の電極層３３間に流れるセンス電流は、効果的に多層膜４１内のみを流れ、前記センス電流の分流ロスを低減させることが可能である。
【０１７９】
図６は本発明における第６実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１８０】
図６に示す実施形態では、前記フリー磁性層２６が３層の人工フェリ構造となっている。
【０１８１】
前記フリー磁性層２６を構成する符号６５及び６７の層は磁性層であり、例えばＣｏ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉなどで形成される。前記磁性層６５，６７間にはＲｕなどで形成された中間層６６が介在し、この構成により、前記磁性層６５と前記磁性層６７の磁化方向はＲＫＫＹ相互作用により互いに反平行状態にされる。これはいわゆる人工フェリ状態と呼ばれる。
【０１８２】
前記磁性層６５，６７の膜厚はそれぞれ１０〜７０Å程度で形成される。また中間層６６の膜厚は３Å〜１０Å程度で形成される。
【０１８３】
なお前記磁性層６５、６７はそれぞれ単位面積当たりの磁気モーメントが異なるように、前記磁性層６５、６７の材質や膜厚はそれぞれ異なっている。前記磁気モーメントは飽和磁化Ｍｓ×膜厚ｔで設定され、例えば前記磁性層６５、６７を共に同じ材質で同じ組成の材料で形成するとき、前記磁性層６５、６７の膜厚を異ならせることで、前記磁性層６５、６７の磁気モーメントを異ならせることができる。これによって適切に前記磁性層６５、６７を人工フェリ構造にすることが可能である。
【０１８４】
図６のように前記フリー磁性層２６を人工フェリ構造とすることで、前記フリー磁性層２６を適切に単磁区化でき、バルクハウゼンノイズが少なく、再生出力の高い磁気検出素子を製造することが可能である。なお前記フリー磁性層２６の磁性層６５、６７のうち、磁気抵抗効果に関与する層は、非磁性中間層２５に接する磁性層６５である。
【０１８５】
図６に示すように、前記下地層２１から前記電流制限層２７までの多層膜４２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には絶縁層２９が形成されているが、前記絶縁層２９の上面は、前記フリー磁性層２６の中間層６６の上面と同程度の位置まで形成してもよい。すなわち前記絶縁層２９の上にバイアス下地層３０を介して形成されるハードバイアス層３１を、前記フリー磁性層２６を構成する一方の磁性層６７の両側のみに接合させてもよい。
【０１８６】
前記ハードバイアス層３１からの縦バイアス磁界を受けた前記磁性層６７は図示Ｘ方向に磁化されると、磁性層６５は、前記磁性層６７間でのＲＫＫＹ相互作用によって、前記磁性層６７の磁化方向と反平行に磁化される。
【０１８７】
なお図６に示す３層フェリ構造のフリー磁性層２６は、図２ないし図５の各実施形態に適用可能なものである。
【０１８８】
また図３のように、多層膜の両側にスペキュラー膜３７を形成する構造、および図４のように、フリー磁性層２６の非磁性中間層２５と接する面と反対側の面に中間層３８を介してハードバイアス層３９を形成する構造、および図５のようにフリー磁性層２６の非磁性中間層２５と接する面と反対側の面に電流制限層２７を介してハードバイアス層３９を形成する構造は、いずれも図６の実施形態に適用できるものである。
【０１８９】
図７は本発明における第７実施形態の磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０１９０】
図７に示す磁気検出素子は、いわゆるデュアル型のスピンバルブ型薄膜素子である。なお図１と同じ符号が付けられた層は図１と同じ層を示している。
【０１９１】
第１の電極層２０の中央上面には、下から下地層２１、シードレイヤ２２、反強磁性層２３、３層フェリ構造の固定磁性層２４、非磁性中間層２５及びフリー磁性層２６が形成されている。ここまでの積層構造は図１と同じである。
【０１９２】
さらにこの実施形態では、前記フリー磁性層２６の上面にＣｏ膜５４が形成されて、その上に非磁性中間層５９、磁性層６０と６２とその間に形成されたＲｕなどの中間層６１からなる３層フェリ構造の固定磁性層６３、反強磁性層６４、および電流制限層２７が順次積層されている。
【０１９３】
図７に示す構造のデュアルスピンバルブ型薄膜素子の場合、フリー磁性層２６よりも下側に形成された固定磁性層２４のうち磁気抵抗効果に関与する磁性層５３が、例えばハイト方向（図示Ｙ方向）に固定されていた場合、前記フリー磁性層２６よりも上側に形成された固定磁性層６３のうち磁気抵抗効果に関与する磁性層６０も、ハイト方向（図示Ｙ方向）に固定される。
【０１９４】
またこの実施形態では、前記フリー磁性層２６が図６に示す３層のフェリ構造であってもよく、かかる場合、フリー磁性層２６よりも下側で、磁気抵抗効果に寄与する固定磁性層２４の磁性層５３が図示Ｙ方向に磁化されているとき、フリー磁性層２６よりも上側で、磁気抵抗効果に寄与する固定磁性層６３の磁性層６０は、図示Ｙ方向とは逆方向に磁化される。
【０１９５】
図７に示すように、前記下地層２１から電流制限層２７までの多層膜４３のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における両側領域には、絶縁層２９、バイアス下地層３０、ハードバイアス層３１、絶縁層３２が順次積層形成されている。
【０１９６】
この実施形態でも、図３のようにスペキュラー膜３７を用いる形態を使用することができる。
【０１９７】
またこの実施形態ではセンス電流は、第２の電極層３３から第１の電極層２０に向けて流れ（あるいは逆でも良い）、前記フリー磁性層２６の上面側が前記センス電流の到達面側となっている。そして前記電流制限層２７がフリー磁性層２６よりも上側に形成された反強磁性層６４の上面に形成されているが、前記電流制限層２７は、フリー磁性層２６と非磁性中間層５９間に形成され、前記電流制限層２７が前記フリー磁性層２６のセンス電流の到達面（上面）に直接的に設けられていてもよい。
【０１９８】
以上図２ないし図７に示す実施形態においても図１と同様にフリー磁性層２６上に絶縁部と導電部とが混在した電流制限層２７を設けることで、次のような効果を期待することができる。
【０１９９】
すなわち本発明のようにＣＰＰ型の磁気検出素子では、第２の電極層３３から第１の電極層２０に向けて流れるセンス電流（図２の場合は第１の電極層２０から第２の電極層３３に向けて流れるセンス電流）は、前記電流制限層２７内を膜面と垂直方向に流れるが、本発明では、前記電流制限層２７を絶縁材料膜（絶縁部）５７に形成された孔５６内に導電性材料膜（導電部）５８を埋め込んだ構造としているから、前記センス電流は前記導電性材料膜５８内のみに流れることになる。
【０２００】
このため第２の電極層３３から前記電流制限層２７を介してフリー磁性層２６内に流れるセンス電流は、前記フリー磁性層２６内を前記導電性材料膜５８と対向する部分のみに局部的に流れる（この部分の電流密度が局所的に高くなることになる）。
【０２０１】
したがって本発明によれば、膜面と平行な方向におけるフリー磁性層２６の素子面積（この素子面積を光学的な素子面積という）を従来と同程度に大きく形成しても実際に前記フリー磁性層２６内にセンス電流が流れて、磁気抵抗効果に関与する素子面積（この素子面積を実効的な素子面積という）を小さくでき、よって従来と同程度の精度を有するフォトリソグラフィー技術を用いて光学的な素子サイズが大きい前記磁気検出素子を形成しても、再生出力の高いＣＰＰ型の磁気検出素子を容易に形成することができる。
【０２０２】
また本発明では、光学的な素子面積は従来と同程度であるから、記録媒体からの外部磁界を有効に前記磁気検出素子で検出することができ、感度の良い再生特性に優れたＣＰＰ型の磁気検出素子を製造することができる。
【０２０３】
なお図１ないし図７に示すいずれの実施形態においても前記電流制限層２７は、フリー磁性層２６のセンス電流の到達面側に形成されているが、前記フリー磁性層２６のセンス電流の到達面側と逆面側に直接にあるいは他層を介して前記電流制限層２７が設けられていてもよい。ただし実質的に磁気抵抗効果を発生させる部分であるＴ２（図１を参照のこと）により近い側に前記電流制限層２７を設ける方が、センス電流の電流経路をより適切に絞り込むことができ、よって実効的な素子面積の狭小化を図り再生出力の高いＣＰＰ型磁気検出素子を製造できる。
【０２０４】
なお前記電流制限層２７は、前記フリー磁性層２６の上下双方に直接にあるいは他層を介して設けられていてもよい。
【０２０５】
図８は本発明の第８の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図である。
【０２０６】
図８は、図１ないし図７の磁気検出素子よりも好ましい膜構成となっている。図８では前記フリー磁性層２６上に貴金属元素からなる下地層７０が形成され、この下地層７０の上に電流制限層２７が形成されている。前記電流制限層２７の上には貴金属元素からなる保護層７１が形成されている。
【０２０７】
図２７で説明したように、本発明では前記電流制限層２７に形成された開口部（孔）と非開口部（絶縁材料膜）との導電率のコントラストが高いことが重要である。そうでないと電極層から流れるセンス電流が適切に開口部で絞り込められず、見かけ上のΔＲ＊Ａ（抵抗変化量＊素子面積）の向上を図れないからである。
【０２０８】
すなわち前記電流制限層２７を構成する絶縁材料膜を形成する際に、この絶縁材料膜が例えば島状のように凝集して形成されるようにする必要があるのである。上記した開口部は微細なサイズでランダムに且つ均一に混在していることが必要であるが、このような制御を行うのに重要な一つの要素は、既に図１のところで説明した材質やスパッタ条件であり、もう一つが前記電流制限層２７の下に形成される下地の表面エネルギー（γｓ）である。
【０２０９】
前記下地の表面エネルギーが高いと、薄膜の成長モードは完全濡れモードになりやすく、単層成長（ＦＭモード）しやすくなる。日本応用磁気学会誌「薄膜成長プロセス概論」Ｖｏｌ．１４，Ｎｏ．３，１９９０の第５２８頁には「γｓ＞γｆｓ＋γｆ」（ここでγｆｓは、基板と薄膜の界面エネルギー、γｆは、薄膜の表面エネルギー）の関係式が成り立つと、完全濡れモードになり単層成長することが記載されている。
【０２１０】
このため単層成長しにくくし、すなわち基板上に形成される薄膜が島状のように点在して形成されるようにするには、前記基板エネルギー（γｓ）を低下させることが必要である。
【０２１１】
本発明では、この点に鑑み、前記電流制限層２７の下に表面エネルギーが低い貴金属元素からなる下地層７０を敷くことにしたのである。前記下地層７０の表面エネルギーはその下に形成された磁気検出素子表面の表面エネルギーよりも低いことが必要である。
【０２１２】
前記下地層７０上に前記電流制限層２７を形成すると、前記電流制限層２７を構成する絶縁材料膜（あるいは絶縁材料膜となるべき層）は前記下地層７０上で島状のように凝集して成長していく。この成長モードをＶｏｌｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ（ＶＷ）型成長と呼ぶ。
【０２１３】
また貴金属元素からなる下地層７０を敷くことで、例えば前記下地層７０上に金属膜を島状に凝集させ、この金属膜を酸化して酸化物の絶縁材料膜を形成する際に、酸化の影響が前記下地層７０の部分で食い止められ、それより下の層に前記酸化の影響が及ばない。
【０２１４】
このため前記電流制限層２７を構成する絶縁材料膜は適切に例えば島状形状のまま保たれ、開口部と非開口部とのコントラストを高く保つことが可能である。
【０２１５】
また前記電流制限層２７上に貴金属元素からなる保護層７１が形成されているが、前記保護層７１を設けることで、前記電流制限層２７を形成後、熱処理する段階において、前記熱処理を施しても前記電流制限層２７上の層に酸素の拡散が起こらず、前記電流制限層２７の開口部と非開口部とのコントラストを高く保つことができる。
【０２１６】
このように図８に示す実施形態によれば、前記電流制限層２７の上下を貴金属元素からなる層でサンドイッチすることで、前記電流制限層２７の開口部と非開口部とのコントラストを高く保つことができ、よってΔＲ＊Ａを向上させることができ再生出力の高い再生特性に優れた磁気検出素子を製造することが可能になるのである。
【０２１７】
なお前記電流制限層２７の上下に形成される下地層７０あるいは保護層７１はどちらか一方にのみ形成されていてもよい。
【０２１８】
また図８に示す実施形態では、前記電流制限層２７上に形成される貴金属元素からなる保護層７１を第２の電極層３３として機能させることも可能であり、係る場合、図８に示す第２の電極層３３を形成しなくてもよい。
【０２１９】
なお本発明では、前記下地層７０及び／または保護層７１は、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料で形成されていることが好ましい。あるいは下地層７０及び／または保護層７１はＣｕで形成されていてもよい。
【０２２０】
また前記下地層７０及び保護層７１の存在は、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）で見ることが可能である。
【０２２１】
次に図１に示す磁気検出素子の製造方法について、図１１ないし図２２に示す製造工程を参照しながら以下に説明する。なお図１１及び図２２は、製造中の磁気検出素子を記録媒体との対向面から見た部分断面図であり、図１２ないし図２１は、フリー磁性層上に電流制限層を形成する際の前記フリー磁性層上面の状態等を示す部分模式図である。
【０２２２】
図１１に示す工程では、第１の電極層２０上に、Ｔａなどで形成された下地層２１、ＮｉＦｅＣｒなどで形成されたシードレイヤ２２、ＰｔＭｎなどで形成された反強磁性層２３、Ｃｏなどで形成された磁性層５１と５３と、前記磁性層５１、５３間にＲｕなどの中間層５２が形成された３層フェリ構造の固定磁性層２４、Ｃｕなどで形成された非磁性中間層２５、Ｃｏ膜５４とＮｉＦｅなどの磁性層５５で形成されたフリー磁性層２６、絶縁部と導電部とが混在した電流制限層２７を順次積層する。
【０２２３】
ここで前記電流制限層２７の製造方法について、図１２ないし図１４を参照しながら説明する。
【０２２４】
前記電流制限層２７を形成するには、まずＡｌ2Ｏ3やＳｉＯ2などの酸化膜やＡｌＮなどの窒化膜を前記フリー磁性層２６上にスパッタ成膜する。本発明では前記酸化膜としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちいずれか１種または２種以上の酸化物からなる絶縁材料を用いることが好ましい。
【０２２５】
また窒化膜としては、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちいずれか１種または２種以上の窒化物からなる絶縁材料を用いることが好ましい。
【０２２６】
これら酸化膜や窒化膜は、成膜条件によっては、前記フリー磁性層２６上で連続体膜となりにくく、すなわち不連続体膜となりやすくすることができる絶縁材料である。不連続体膜になりやすいとは、図１２に示すように、前記フリー磁性層２６で絶縁材料の粒子が凝集しやすく、核を形成しやすいことを意味する。
【０２２７】
またより凝集性を高めるには、前記絶縁材料のスパッタ成膜時におけるスパッタ条件を適切に調整することが重要である。
【０２２８】
まず基板温度を２０〜２００℃程度に低温にする。また基板とターゲット間の距離を２００〜３００ｍｍ程度に離す。またＡｒガスのガス圧を１０〜５０ｍＴｏｒｒ（１．３〜６．７Ｐａ）程度に高くする。
【０２２９】
上記したスパッタ条件であると、前記絶縁材料の原子は、前記フリー磁性層２６で、表面移動が不十分となり凝集して核を形成しやすくなるのである。
【０２３０】
前記核が成長した状態は図１３に示されており、このように前記フリー磁性層２６上に形成された絶縁材料膜には、前記絶縁材料膜の上面から下面にまで通じる複数の孔が形成される。なお前記絶縁材料膜には図１０に示すような膜面と平行な平面から見たときに、連続して延びる溝が形成されていてもよい。
【０２３１】
次に図１４に示す工程では、前記絶縁材料膜上から前記孔内にかけて、導電性材料をスパッタ成膜する。これにより前記絶縁材料膜上から孔内には導電材料層が形成され、前記孔は前記導電材料層により埋められた状態になる。
【０２３２】
なお前記導電性材料には、α−Ｔａ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｃｕ（銅）やＷ（タングステン）などを使用できるが、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料を用いる方が好ましい。あるいはＣｕを用いてもよい。貴金属材料を用いると、前記貴金属材料はそれ自体、酸化されにくい材質であるから、熱処理などによって酸素の拡散が生じないようにする保護層としても機能させることができ、前記電流制限層の開口部（孔）と非開口部（絶縁膜）とのコントラストを高く保つことが可能である。
【０２３３】
なお前記導電性材料のスパッタ条件では、例えば基板温度を２０〜１００℃程度にする。また基板とターゲット間の距離を４０〜１００ｍｍ程度にする。またＡｒガスのガス圧を０．５〜１０ｍＴｏｒｒ（０．０７〜１．３Ｐａ）程度にする。
【０２３４】
上記の製造方法によって電流制限層２７を形成することが可能である。
【０２３５】
あるいは本発明では、まずＡｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｎｉ、希土類元素のうちいずれか１種または２種以上の金属元素からなる膜をスパッタで形成し、このとき、前記金属膜に下面から上面にまで通じる複数の孔あるいは膜面と平行な平面から見たときに連続して延びる溝が適切に残されている状態でスパッタを止める。次に、この金属膜を酸化する。酸化には自然酸化、プラズマ酸化、ラジカル酸化や陽極酸化を用いることができる。
【０２３６】
この酸化工程によって、前記金属膜は酸化され絶縁材料膜になる。そして図１４工程で、前記絶縁材料膜上から前記孔内にかけて、導電性材料をスパッタ成膜する。これにより前記絶縁材料膜上から孔内には導電材料層が形成され、前記孔は前記導電材料層により埋められた状態になる。
【０２３７】
ただし、上記した酸化工程によって、前記電流制限層下の層までも酸化の影響を受けやすい。そして上記の酸化工程によって例えば前記フリー磁性層が酸化されてしまうと、膜面方向の全体に酸化膜が形成された状態となり図２６で説明したのと同様のコントラストの悪化の問題を生じ好ましくない。
【０２３８】
また図１２に示す凝集した核形成は、その下に形成されている層（図１２ではフリー磁性層）の表面エネルギーが高いと、完全濡れモードとなりやすく、単層成長（ＦＭモード）しやすくなる。このため表面エネルギーが低く且つ酸化されにくい材質の下地層を前記電流制限層２７を形成する前に敷いておくことが好ましい。
【０２３９】
その製造方法を示したのが図１５ないし図１７に示す工程である。図１５に示すようにまずフリー磁性層の上に貴金属元素からなる下地層をスパッタ形成する。
【０２４０】
このとき前記下地層をＲｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料で形成することが好ましい。あるいはＣｕで下地層を形成してもよい。前記貴金属元素で形成された下地層は表面エネルギーがフリー磁性層表面のエネルギーよりも低く、また酸化されにくい材質である。
【０２４１】
次に図１５に示すように、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｎｉ、希土類元素のうちいずれか１種または２種以上の金属元素をスパッタで形成する。前記金属元素は、貴金属元素からなる下地層表面に凝集して核を形成しやすく、図１６に示すように例えば島状に凝集して形成され、前記金属膜には下面から上面にまで通じる複数の孔が設けられる。
【０２４２】
次に図１６のように前記金属膜を酸化する。酸化には自然酸化、プラズマ酸化、ラジカル酸化や陽極酸化などの既存の方法を使うことができる。これにより前記金属膜を酸化物の絶縁材料膜に変化させる。このとき、前記金属膜の下には酸化されにくい貴金属元素からなる下地層が形成されているから酸化は前記下地層の位置で食い止められ、前記下地層以下の層に酸化が及ばない。
【０２４３】
そして図１７に示す工程で、前記絶縁材料膜上から孔にかけて金属元素からなる導電膜をスパッタ成膜する。このとき前記金属元素を、前記下地層と同じ貴金属元素とすることが好ましい。すなわち図１７に示す導電層をＲｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料で形成することが好ましい。あるいは導電層をＣｕで形成してもよい。
【０２４４】
前記貴金属元素以外の元素で導電層の形成を行うと、その後に施される熱処理等により、絶縁材料膜から酸素が第２の電極層などに移動し、酸素の分布がぼやけて開口部と非開口部とのコントラストが悪化するからである。
【０２４５】
あるいは本発明では、絶縁材料で形成されたターゲットと導電性材料で形成されたターゲットを用意し、これら２つのターゲットをスパッタする。これにより前記フリー磁性層２６上には、絶縁材料の粒子と導電性材料の粒子とが混在した電流制限層２７を形成することができる。前記絶縁材料及び導電性材料には上記した材質を使用してもよいが、本発明では以下の材料によって、絶縁材料膜に導電性粒子が分散された膜構成の電流制限層２７を形成することができる。
【０２４６】
具体的には本発明では、前記フリー磁性層２６の上面に、ＦｅaＭbＯc（ただし元素ＭはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及び希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）なる組成式を有し、組成比ａ、ｂ、ｃは原子％で、４０≦ａ≦５０、１０≦ｂ≦３０、２０≦ｃ≦４０で、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００なる関係を満たし、また膜構造は、Ｆｅを主成分とした微結晶粒が、元素ＭとＯとの化合物を含む非晶質中に分散された膜構成を有する、電流制限層２７をスパッタ成膜する。
【０２４７】
あるいは前記フリー磁性層２６の上面に、ＦｅdＭeＮf（ただし元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及び希土類元素から選ばれる１種または２種以上の元素）からなる組成式を有し、組成比ｄ、ｅ、ｆは原子％で、６０≦ｄ≦７０、１０≦ｅ≦１５、１９≦ｆ≦２５で、ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係を満たし、また膜構造は、Ｆｅを主成分とした微結晶粒が、元素ＭとＮとの化合物を含む非晶質中に分散された膜構成を有する、電流制限層２７をスパッタ成膜してもよい。
【０２４８】
これらＦｅＭＯやＦｅＭＮ合金を成膜するには、例えばＦｅのターゲットとＭＯやＭＮからなるターゲットを用意しておき、これら２つのターゲットをスパッタすることで、上記した組成比及び膜構造を有する電流制限層２７を形成することができる。
【０２４９】
あるいは本発明では、電流制限層２７を、Ｃｏと、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ａｇのうちいずれか１種または２種以上の金属材料をスパッタ成膜した後、熱処理を施すことでＣｏを酸化して形成してもよい。
【０２５０】
ただし、上記したＣｏと貴金属元素との混合からなる電流制限層２７の形成、及びＦｅＭＯやＦｅＭＮ合金の形成時のときにでも、熱処理を施して酸化を促進させる工程があるため、この熱処理によって電流制限層２７下の層にまで酸化が及ぶ可能性がある。
【０２５１】
従ってＣｏと貴金属元素との混合からなる電流制限層２７やＦｅＭＯやＦｅＭＮ合金からなる電流制限層２７、いわゆるこれらグラニュラー膜からなる電流制限層２７の形成の場合でも図１８に示す工程以降のように、まずフリー磁性層２７の上に貴金属元素からなる下地層を形成しておくことが好ましい。前記下地層をＲｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅのうちいずれか１種または２種以上の貴金属材料で形成することが好ましい。あるいは前記下地層をＣｕで形成してもよい。ただし貴金属を用いる方が好ましい。
【０２５２】
図１８に示す工程では前記貴金属元素からなる下地層の上にＦｅＭＯやＦｅＭＮ合金からなる電流制限層２７をスパッタ成膜する。さらに前記電流制限層２７の上に、下地層と同じく貴金属元素からなる保護層を形成することが好ましい。下地層、電流制限層及び保護層を成膜後、熱処理を施すと前記電流制限層のグラニュラーの相分離が進み、酸化されている部分とされていない部分とのコントラストが高まる。このとき、前記電流制限層の上下は貴金属元素からなる層に挟まれているから酸化は前記電流制限層の上下の層にまで及ばない。
【０２５３】
図１９に示す工程ではフリー磁性層上に貴金属元素からなる下地層をスパッタ成膜し、その上にＣｏと、Ｒｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ａｇのうちいずれか１種または２種以上の金属材料とを混合した材料をスパッタ成膜する。その後、アニールをして相分離を促進させる。図２０に示す工程では自然酸化、プラズマ酸化、ラジカル酸化等を施して卑な物質よりなる主としてＣｏの部分を酸化する。一方、Ａｕなどで形成された貴金属粒子は酸化されず、導電性粒子そしてそのまま残される。
【０２５４】
この熱処理及び酸化のときでも前記電流制限層の下には貴金属元素からなる下地層が設けられているので、酸化は前記電流制限層の下の層にまでは及ばない。
【０２５５】
図２１に示す工程では前記電流制限層の上に貴金属元素からなる保護層をスパッタ成膜する。このように前記電流制限層の上も貴金属元素からなる保護層でキャップしてしまうことで、その後に熱処理等が行なわれても前記電流制限層の上に形成された層にまで酸素が拡散せず、前記電流制限層の酸化された部分と酸化されていない部分とのコントラストを良好に保つことができる。
【０２５６】
なお図１８及び図１９に示す工程時の双方に言えることは、前記電流制限層の膜厚をその中に含まれる導電性粒子の粒径よりも小さくすることである。そうしないと前記電流制限層の上面から下面にかけてセンス電流が流れる電流通路が適切に形成されず、良好にセンス電流の電流経路を絞り込み再生出力の向上を図ることができないからである。
【０２５７】
また図１８や図２１に示す工程のように前記電流制限層の上に貴金属元素からなる保護層を設けると、この保護層自体を第２の電極層として機能させることもでき、その後の工程において前記第２の電極層の形成が必要なくなり製造工程の簡略化を図ることができる。
【０２５８】
なお図１５ないし図２１に示す工程では、酸化工程を施して酸化物からなる絶縁材料膜を形成したが、窒化してもよい。
【０２５９】
次に図１１に示す工程では、前記電流制限層２７の上にレジスト層４４を形成する。なお前記レジスト層４４はリフトオフ用のレジスト層であってもよい。
【０２６０】
前記レジスト層４４の下面４４ａの面積は、磁気検出素子の光学的な素子面積と同程度かあるいはそれよりも若干小さく形成する。本発明ではフリー磁性層２６の上面のトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法で決まるトラック幅Ｔｗを０．１５〜０．３μｍに、ハイト方向（図示Ｙ方向）への長さＭＲｈを０．１５〜０．３μｍにでき、したがって光学的な素子面積を０．０２〜０．０９μｍ2に大きく形成することができる。
【０２６１】
上記の光学的な素子面積は従来と同程度であり、本発明では従来と同等の精度を有するフォトリソグラフィー技術を用いて磁気検出素子の製造が可能になっている。
【０２６２】
次に図１１に示すように、前記レジスト層４４に覆われていない、下地層２１から電流制限層２７までの多層膜２８を、矢印Ｆ方向からのイオンミリングなどで除去する（図１１に示す点線部分）。これにより前記第１の電極層２０の上面中央には、下地層２１から電流制限層２７までで構成される多層膜２８が略台形状となって残される。なお前記イオンミリング後、前記多層膜２８の両側端面にはミリングで除去された物質の一部が再付着するので、前記再付着物をサイドミリングで除去することが好ましい。
【０２６３】
次に図２２に示す工程では、前記第１の電極層２０上から前記多層膜２８の両側端面２８ａ上にかけて、Ａｌ2Ｏ3などで形成された絶縁層２９、Ｃｒなどで形成されたバイアス下地層３０、ＣｏＰｔＣｒなどで形成されたハードバイアス層３１及びＡｌ2Ｏ3などで形成された絶縁層３２をスパッタ成膜する。
【０２６４】
なお図２２に示すように、前記絶縁層２９から前記絶縁層３２までの各層のスパッタ成膜の際におけるスパッタ粒子照射角度は基板に対しほぼ垂直方向Ｇとすることが好ましい。
【０２６５】
また図２２に示すように、前記レジスト層４４の上にも絶縁層２９ｂ、バイアス下地材料層３０ａ、バイアス材料層３１ａ及び絶縁材料膜３２ａが積層形成される。
【０２６６】
前記多層膜２８の両側領域に絶縁層２９から絶縁層３２までの各層を積層した後、前記レジスト層４４を除去するが、前記レジスト層４４の表面全体が、上記した絶縁層２９ｂなどで覆われているときは、前記レジスト層４４の除去を適切に行うことができないため、例えばスクラブ洗浄、具体的にはドライアイスの粒子などを前記レジスト層４４表面を覆う絶縁層２９ｂなどの各層に衝突させて一部を除去し、前記レジスト層４４の表面を一部露出させた後、前記レジスト層４４を溶剤に浸して、前記レジスト層４４を溶して除去する方法などが考えられる。
【０２６７】
なお前記レジスト層４４を除去した後、前記絶縁層３２から電流制限層２７の上面には、前記絶縁層２９ｂなどの不要なバリが残ることがあるので、前記絶縁層３２上から前記電流制限層２７上を例えばスクラブ洗浄して、前記バリを除去しきれいな面に加工することが好ましい。なお前記スクラブ洗浄には、例えばドライアイスの粒子を前記バリに衝突させる方法などが考えられる。
【０２６８】
その後、前記絶縁層３２上から前記電流制限層２７上にかけて第２の電極層３３をスパッタ成膜する（図１を参照のこと）。
【０２６９】
他の磁気検出素子の製造方法について簡単に説明する。図２に示す磁気検出素子では、第１の電極層２０上に、電流制限層２７、フリー磁性層２６、非磁性中間層２５、固定磁性層２４、反強磁性層２３をスパッタ成膜した後、図１１に示す工程と同様に、前記反強磁性層２３にレジスト層４４を形成し、さらに前記レジスト層４４に覆われていない多層膜３４をイオンミリングで削る。次に前記第１の電極層２０上から前記多層膜３４の両側端面３４ａにかけて、絶縁層３５、バイアス下地層３０、ハードバイアス層３１、絶縁層３６をスパッタ成膜し、前記レジスト層４４を除去する。そして前記絶縁層３６上から前記反強磁性層２３上にかけて第２の電極層３３を形成する。
【０２７０】
図３に示す磁気検出素子では、第１の電極層２０上に、下地層２１、シードレイヤ２２、反強磁性層２３、固定磁性層２４、非磁性中間層２５、フリー磁性層２６、および電流制限層２７を成膜した後、前記電流制限層２７の上に、図１１と同じレジスト層４４を形成し、前記レジスト層４４に覆われていない前記多層膜２８をイオンミリングで除去する。次に前記イオンミリングで前記多層膜２８の両側端面２８ａに付着した再付着物をサイドミリングで削り取る。
【０２７１】
次に、前記第１の電極層２０上から前記多層膜２８の両側端面２８ａにかけて、スペキュラー膜３７をスパッタ成膜する。なお前記スペキュラー膜３７のスパッタ成膜は、基板に対し斜め方向から行う。前記スパッタ時のスパッタ粒子照射角度は、基板表面に対する垂直方向から２０〜７０°程度、傾けることが好ましい。
【０２７２】
次に前記スペキュラー膜３７上に、絶縁層２９、バイアス下地層３０、ハードバイアス層３１、絶縁層３２をスパッタ成膜した後、前記レジスト層４４を除去し、さらに前記絶縁層３２上から前記電流制限層２７上にかけて第２の電極層３３を形成する。
【０２７３】
図４に示す磁気検出素子の製造方法は、まず第１の電極層２０上に、下地層２１、シードレイヤ２２、反強磁性層２３、固定磁性層２４、非磁性中間層２５、フリー磁性層２６、中間層３８、ハードバイアス層３９、及び電流制限層２７を連続スパッタ成膜した後、図８に示すレジスト層４４を用いて、前記レジスト層４４に覆われていない前記多層膜４１をイオンミリングで除去する。次に前記イオンミリングで前記多層膜４１の両側端面４１ａに付着した再付着物をサイドミリングで削り取る。
【０２７４】
次に、前記第１の電極層２０上から前記多層膜４１の両側端面４１ａにかけて、スペキュラー膜３７をスパッタ成膜する。なお前記スペキュラー膜３７のスパッタ成膜は、基板に対し斜め方向から行う。前記スパッタ時のイオン照射角度は、基板表面に対する垂直方向から２０〜７０°程度、傾けることが好ましい。
【０２７５】
次に前記スペキュラー膜３７上に、絶縁層４０をスパッタ成膜した後、前記レジスト層４４を除去し、さらに前記絶縁層４０上から前記電流制限層２７上にかけて第２の電極層３３を形成する。
【０２７６】
図５に示す磁気検出素子の製造方法は、まず第１の電極層２０上に、下地層２１、シードレイヤ２２、反強磁性層２３、固定磁性層２４、非磁性中間層２５、フリー磁性層２６、電流制限層２７及びハードバイアス層３９を連続スパッタ成膜した後、図１１に示すレジスト層４４を用いて、前記レジスト層４４に覆われていない前記多層膜４１をイオンミリングで除去する。
【０２７７】
次に、前記第１の電極層２０上から前記多層膜４１の両側端面４１ａにかけて、スペキュラー膜３７をスパッタ成膜する。そして前記スペキュラー膜３７上に、絶縁層４０をスパッタ成膜した後、前記レジスト層４４を除去し、さらに前記絶縁層４０上からハードバイアス層３９上にかけて第２の電極層３３を形成する。
【０２７８】
図６に示す磁気検出素子の製造方法は、まず第１の電極層２０上に、下地層２１、シードレイヤ２２、反強磁性層２３、固定磁性層２４、非磁性中間層２５、３層フェリ構造のフリー磁性層２６、及び電流制限層２７を連続スパッタ成膜した後、図１１に示すレジスト層４４を用いて、前記レジスト層４４に覆われていない前記多層膜４２をイオンミリングで除去する。
【０２７９】
次に前記第１の電極層２０上から前記多層膜４２の両側端面４２ａ上にかけて、絶縁層２９、バイアス下地層３０、ハードバイアス層３１、絶縁層３２を連続スパッタ成膜した後、前記レジスト層４４を除去し、さらに前記絶縁層３２上から前記電流制限層２７上にかけて第２の電極層３３を形成する。
【０２８０】
図７に示す磁気検出素子の製造方法は、まず第１の電極層２０上に、下地層２１、シードレイヤ２２、反強磁性層２３、固定磁性層２４、非磁性中間層２５、フリー磁性層２６、非磁性中間層５９、固定磁性層６３、反強磁性層６４及び電流制限層２７を連続スパッタ成膜した後、図１１に示すレジスト層４４を用いて、前記レジスト層４４に覆われていない前記多層膜４３をイオンミリングで除去する。
【０２８１】
次に前記第１の電極層２０上から前記多層膜４３の両側端面上にかけて、絶縁層２９、バイアス下地層３０、ハードバイアス層３１、絶縁層３２を連続スパッタ成膜した後、前記レジスト層４４を除去し、さらに前記絶縁層３２上から前記電流制限層２７上にかけて第２の電極層３３を形成する。
【０２８２】
図８に示す磁気検出素子の製造方法は、まず第１の電極層２０上に、下地層２１、シードレイヤ２２、反強磁性層２３、固定磁性層２４、非磁性中間層２５、フリー磁性層２６、貴金属元素からなる下地層７０、電流制限層２７、貴金属元素からなる保護層７１を連続スパッタ成膜した後、図１１に示すレジスト層４４を用いて、前記レジスト層４４に覆われていない前記多層膜４１をイオンミリングで除去する。下地層７０、電流制限層２７、貴金属元素からなる保護層７１の形成方法については、図１５ないし図２１で詳しく説明したのでそちらを参照されたい。
【０２８３】
次に前記第１の電極層２０上から前記多層膜４３の両側端面上にかけて、絶縁層２９、バイアス下地層３０、ハードバイアス層３１、絶縁層３２を連続スパッタ成膜した後、前記レジスト層４４を除去し、さらに前記絶縁層３２上から前記保護層７１上にかけて第２の電極層３３を形成する。
【０２８４】
以上に説明した本発明における磁気検出素子の製造方法では、電流制限層２７を容易に形成することができ、効果的に実効的な素子サイズの狭小化を図ることができ、再生出力の向上を図ることが可能な磁気検出素子を製造することができる。特に前記電流制限層２７の下に貴金属元素からなる下地層を設けることで、核をより凝集して形成できるので、絶縁材料膜の開口部と非開口部とのコントラストを高めることができると同時に、熱処理などによる酸化工程を施しても酸化が前記下地層で食い止められ、その下の層にまで酸化の影響が及ぶのを防止できる。また前記電流制限層２７の上にも貴金属元素からなる保護層を設けると、前記電流制限層の上の層にまで酸化の影響が及ぶのを防止できて好ましい。
【０２８５】
また本発明の製造方法では、前記磁気検出素子のトラック幅Ｔｗやハイト方向への長さＭＲｈを従来と同様にすることができるから、従来と同程度の精度を有するフォトリソグラフィー技術を用いて、実効的な素子サイズが小さくなる磁気検出素子を容易に形成することが可能である。
【０２８６】
なお本発明における磁気検出素子は、ハードディスク装置に搭載される薄膜磁気ヘッドにのみ使用可能なものではなく、テープ用磁気ヘッドや磁気センサなどにも使用可能なものである。
【０２８７】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、少なくともフリー磁性層のセンス電流の到達面側に、直接的にあるいは他層を介して絶縁部と導電部とが混在した電流制限層が設けられている。
【０２８８】
従って前記センス電流は、前記電流制限層内を垂直に流れるが、本発明では、フリー磁性層の前記センス電流の到達面側に直接的にあるいは他層を介して設けられた前記電流制限層を絶縁部と導電部とが混在する構成としているから、前記センス電流は前記導電部内のみに流れることになる。
【０２８９】
このため電極層から前記電流制限層を介してフリー磁性層内に流れるセンス電流は、前記フリー磁性層内を前記導電部と対向する部分のみに局部的に流れる（この部分の電流密度が局所的に高くなることになる）。
【０２９０】
したがって本発明によれば、膜面と平行な方向におけるフリー磁性層の素子面積（この素子面積を光学的な素子面積という）を従来と同程度に大きく形成しても実際に前記フリー磁性層内にセンス電流が流れて、磁気抵抗効果に関与する素子面積（この素子面積を実効的な素子面積という）を小さくでき、よって従来と同程度の精度を有するフォトリソグラフィー技術を用いて光学的な素子サイズが大きい前記磁気検出素子を形成しても、再生出力の高いＣＰＰ型の磁気検出素子を容易に形成することができる。
【０２９１】
また素子サイズを従来と同程度に大きく形成できるから、記録媒体からの外部磁界を効果的に前記磁気検出素子で検出することが可能であり、再生出力の向上、再生波形の安定性の向上を図ることが可能である。
【０２９２】
また本発明では、前記電流制限層の下に貴金属元素からなる下地層を設けることで、核をより凝集して形成できるので、絶縁材料膜の開口部と非開口部とのコントラストを高めることができると同時に、熱処理などの工程を施しても酸化が前記下地層で食い止められ、その下の層にまで酸化の影響が及ぶのを防止できる。また前記電流制限層の上にも貴金属元素からなる保護層を設けると、前記電流制限層の上の層にまで酸化の影響が及ぶのを防止できて好ましい。
【０２９３】
このように電流制限層の開口部と非開口部とのコントラストを高めることができるので、適切に前記電流制限層によってセンス電流の電流経路を絞り込むことができ、効果的に再生出力の大きな磁気検出素子を製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における第１の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図２】本発明における第２の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図３】本発明における第３の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図４】本発明における第４の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図５】本発明における第５の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図６】本発明における第６の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図７】本発明における第７の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図８】本発明における第８の実施形態の磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図９】本発明における多層膜及び電流制限層の膜構成を示す部分模式図、
【図１０】本発明における別の多層膜及び電流制限層の膜構成を示す部分模式図、
【図１１】図１に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図１２】フリー磁性層に電極制限層を形成する際の前記フリー磁性層上面の状態を示す模式図、
【図１３】図１２の次の状態を示す部分模式図、
【図１４】図１３の次の状態を示す部分模式図、
【図１５】フリー磁性層に下地層を形成し、前記下地層上に電極制限層を形成する際の前記フリー磁性層上面の状態を示す模式図、
【図１６】図１５の次の状態を示す部分模式図、
【図１７】図１６の次の状態を示す部分模式図、
【図１８】フリー磁性層に下地層を形成し、前記下地層上に電流制限層（グラニュラー膜）を形成し、さらに前記電流制限層上に保護層を形成する際の前記フリー磁性層上面の状態を示す模式図、
【図１９】フリー磁性層に下地層を形成し、前記下地層上に電流制限層（グラニュラー膜）を形成し、さらに前記電流制限層上に保護層を形成する際の前記フリー磁性層上面の状態を示す模式図、
【図２０】図１９の次の状態を示す部分模式図、
【図２１】図２０の次の状態を示す部分模式図、
【図２２】図１１工程の次に行われる一工程図、
【図２３】従来における磁気検出素子を記録媒体との対向面側から見た部分断面図、
【図２４】ＣＩＰ型磁気検出素子の部分模式図、
【図２５】ＣＰＰ型磁気検出素子の部分模式図、
【図２６】電流制限層の開口部と非開口部とのコントラストが悪い例を示す部分模式図、
【図２７】電流制限層の開口部と非開口部とのコントラストが良い例を示す部分模式図、
【符号の説明】
２０  第１の電極層
２１  下地層
２２  シードレイヤ
２３  反強磁性層
２４、６３  固定磁性層
２５  非磁性中間層
２６  フリー磁性層
２７  電流制限層
２８、３４、４１、４２、４３  多層膜
２９、３２、４０  絶縁層
３１、３９  ハードバイアス層
３３  第２の電極層
３７  スペキュラー膜
３８  中間層
４４  レジスト層
５６  孔
５７  絶縁材料膜
５８  導電性材料膜
６８  溝
７０  下地層
７１  保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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