(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子ビームを基板面上に配列させて照射する照射手段と前記基板面上の前記複数の電子ビームを略同一の変位量だけ偏向させるビーム偏向手段とを用いて前記基板面を走査露光する電子ビーム露光方法において、
前記照射手段からの複数の電子ビームの前記基板面に相当する平面内での位置の実測値と設計上の座標値とに基づいて、前記複数の電子ビームのビーム座標系と設計上の座標系との関係を表す第１パラメータを決定する第１のパラメータ決定段階と、
前記照射手段からの複数の電子ビームを前記ビーム偏向手段によって偏向させた際の前記基板面に相当する平面内での前記複数の電子ビームの変位位置の実測値と設計上の座標値とに基づいて、前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系との関係を表す第２パラメータを決定する第２のパラメータ決定段階と、
前記第１パラメータおよび前記第２パラメータに基づいて前記ビーム座標系と前記偏向座標系とを一致させる段階とを有し、
前記一致させる段階は、前記照射手段および前記ビーム偏向手段を調整する調整段階を有することを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項２】
前記調整段階は、前記第１パラメータおよび前記第２パラメータに基づいて、前記ビーム偏向手段の補正係数を決定する段階を有することを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項３】
前記調整段階は、前記第１パラメータのうちの前記ビーム座標系と前記設計上の座標系間の回転量を表すパラメータと、前記第２パラメータのうちの前記偏向座標系と前記設計上の座標系間の回転量を表すパラメータとに基づいて、前記ビーム偏向手段の補正係数を決定する段階を有することを特徴とする請求項２に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項４】
前記照射手段は前記複数の電子ビームを基板上に投影する電子光学系を有し、前記調整段階は、前記第１パラメータのうちの前記ビーム座標系と前記設計上の座標系間の回転量を表すパラメータに基づいて、前記電子光学系の回転歪曲収差を調整する段階を有することを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項５】
前記第１パラメータは、前記ビーム座標系と前記設計上の座標系間の平行移動量、回転量、および線形伸縮量のそれぞれを表すパラメータを有することを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項６】
前記基板の移動を制御する移動制御手段を有し、前記一致させる段階は、前記第１パラメータに基づいて前記移動制御手段の補正係数を決定する段階を有することを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項７】
前記一致させる段階は、前記第１パラメータのうちの前記ビーム座標系と前記設計上の座標間の平行移動量を表すパラメータおよび前記ビーム座標系と前記設計上の座標間の回転量を表すパラメータに基づいて、前記移動制御手段の補正係数を決定する段階を有することを特徴とする請求項６に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項８】
前記照射手段は前記複数の電子ビームを基板上に投影する電子光学系を有し、前記調整段階は、前記第１パラメータのうちの前記ビーム座標系と前記設計上の座標間の線形伸縮量を表すパラメータに基づいて前記電子光学系の倍率を調整する段階を有することを特徴とする請求項６に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項９】
前記複数の電子ビームを少なくとも４つのグループに分け、各グループを代表する電子ビームを選択する段階を有し、選択された複数の電子ビームを用いて前記第１のパラメータ決定段階および第２のパラメータ決定段階を実行することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の電子ビーム露光方法。
【請求項１０】
前記照射手段は、前記複数の電子ビームを基板上に投影する電子光学系を有し、前記調整段階は、前記第１パラメータのうちの前記ビーム座標系と前記設計上の座標系間の回転量を表すパラメータに基づいて、前記電子光学系の回転歪曲収差を調整する段階を有することを特徴とする請求項６に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項１１】
複数の電子ビームを基板面上に配列させて照射する照射手段と前記基板面上の前記複数の電子ビームを略同一の変位量だけ偏向させるビーム偏向手段とを用いて前記基板を走査露光する電子ビーム露光方法において、
前記照射手段からの複数の電子ビームを前記ビーム偏向手段によって偏向させた際の前記基板面に相当する平面内での前記複数の電子ビームの変位位置を実測し、その変位位置の実測値と設計上の座標値に基づいて前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系との関係を表す第１パラメータを決定する段階と、
前記第１パラメータに基づいて、前記ビーム偏向手段の補正係数を決定する段階と、
前記補正係数で補正された前記ビーム偏向手段によって、前記複数の電子ビームのうちの前記複数の電子ビームの数より少ない数の予め決められた電子ビームを偏向させた際の前記基板面に相当する平面内での変位位置を実測し、その変位位置の実測値と前記設計上の座標値に基づいて前記ビーム偏向手段の偏向座標系と前記設計上の座標系との関係を表す第２パラメータを決定する段階と、
再度、前記ビーム偏向手段によって前記予め決められた電子ビームを偏向させた際の前記基板面に相当する平面での変位位置を実測することによって前記第２パラメータを決定する段階と、
前記第２パラメータの変化に基づいて前記ビーム偏向手段の補正係数を変更する段階とを有することを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項１２】
前記第１パラメータは、前記ビーム偏向手段の偏向座標系と前記設計上の座標系間の回転量を表すパラメータおよび前記ビーム偏向手段の偏向座標系と前記設計上の座標系間の線形伸縮量を表すパラメータを有することを特徴とする請求項１１に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項１３】
前記予め決められた電子ビームは一つの電子ビームであることを特徴とする請求項１１に記載の電子ビーム露光方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１つに記載の電子ビーム露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１５】
複数の電子ビームを基板面上に配列させて照射する照射手段と、前記基板面上の前記複数の電子ビームを略同一の変位量だけ偏向させるビーム偏向手段とを有し、前記照射手段および前記ビーム偏向手段を用いて前記基板を走査露光する電子ビーム露光装置において、
前記照射手段からの複数の電子ビームの前記基板面に相当する平面内での位置の実測値と設計上の座標値とに基づいて、前記複数の電子ビームのビーム座標系と設計上の座標系との関係を表す第１パラメータを決定する第１のパラメータ決定手段と、
前記照射手段からの複数の電子ビームを前記ビーム偏向手段によって偏向させた際の前記基板面に相当する平面内での変位位置の実測値と設計上の座標値に基づいて、前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系との関係を表す第２パラメータを決定する第２のパラメータ決定手段と、
前記第１パラメータおよび前記第２パラメータに基づいて前記ビーム座標系と前記偏向座標系とを一致させる手段とを有し、前記一致させる手段は、前記照射手段および前記ビーム偏向手段を調整する調整手段を有することを特徴とする電子ビーム露光装置。
【請求項１６】
複数の電子ビームを基板面上に配列させて照射する照射手段と、前記基板面上の前記複数の電子ビームを略同一の変位量だけ偏向させるビーム偏向手段とを有し、前記照射手段および前記ビーム偏向手段を用いて前記基板を走査露光する電子ビーム露光装置において、
前記照射手段からの複数の電子ビームを前記ビーム偏向手段によって偏向させた際の前記基板面に相当する平面内での変位位置を実測する第１測定手段と、
前記第１測定手段による変位位置の実測値と設計上の座標値に基づいて前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系との関係を表す第１パラメータを決定する第１パラメータ決定手段と、
前記第１パラメータに基づいて、前記ビーム偏向手段の補正係数を決定する補正係数決定手段と、
前記補正係数で補正された前記ビーム偏向手段によって、前記照射手段からの複数の電子ビームのうちの当該複数の電子ビームの数より少ない数の予め決められた電子ビームを偏向させた際の前記基板面に相当する平面内での変位位置を実測する第２測定手段と、
前記第２測定手段による変位位置の実測値と設計上の座標値に基づいて前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系との関係を表す第２パラメータを決定する第２パラメータ決定手段と、
再度前記ビーム偏向手段によって前記予め決められた電子ビームを偏向させた際の前記基板面上の変位位置を前記第２測定手段により実測することによって前記第２パラメータ決定手段により前記第２パラメータを決定したとき、前記第２パラメータの変化に基づいて前記ビーム偏向手段の補正係数を変更する補正係数変更手段とを有することを特徴とする電子ビーム露光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子ビーム露光方法に関し、特にウエハ直接描画またはマスク、レチクル露光の為に、複数の電子ビームを用いてパターン描画を行う電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子ビーム露光装置には、ビームをスポット状にして使用するポイントビーム型、サイズ可変の矩形断面にして使用する可変矩形ビーム型、ステンシルを使用して所望断面形状にするステンシルマスク型等の装置がある。
【０００３】
ポイントビーム型の電子ビーム露光装置ではスループットが低いので、研究開発用にしか使用されていない。可変矩形ビーム型の電子ビーム露光装置では、ポイント型と比べるとスループットが１〜２桁高いが、0.1μm程度の微細なパターンが高集積度で詰まったパターンを露光する場合などではやはりスループットの点で問題が多い。他方、ステンシルマスク型の電子ビーム露光装置は、可変矩形アパーチャに相当する部分に複数の繰り返しパターン透過孔を形成したステンシルマスクを用いる。従って、ステンシルマスク型の電子ビーム露光装置では繰り返しパターンを露光する場合のメリットが大きいが、１枚のステンシルマスクに納まらない多数の転写パターンが必要な半導体回路に対しては、複数枚のステンシルマスクを作成しておいてそれを１枚ずつ取り出して使用する必要があり、マスク交換の時間が必要になるため、著しくスループットが低下するという問題ある。
【０００４】
この問題点を解決する装置として、複数の電子ビームを設計上の座標に沿って試料面に照射し、設計上の座標に沿ってその複数の電子ビームを偏向させて試料面を走査させるとともに、描画するパターンに応じて複数の電子ビームを個別にon/offしてパターンを描画するマルチ電子ビーム型露光装置がある。マルチ電子ビーム型露光装置は、ステンシルマスクを用いずに任意の描画パターンを描画できるのでスループットがより改善できるという特徴がある。
【０００５】
図１５に、マルチビーム型露光装置の概要を示す。501a ,501ｂ,501cは、個別に電子ビームをon/offできる電子銃である。502は、電子銃501a ,501ｂ,501cからの複数の電子ビームをウエハ503上に縮小投影する縮小電子光学系で、504は、ウエハ503に縮小投影された複数の電子ビームを走査させる偏向器である。
【０００６】
図１６に上記構成により、ウエハ上を複数の電子ビームを走査した際の様子を示す。白丸は、各電子ビームが偏向器504により偏向を受けないときにウエハに入射するビーム基準位置(BS1,BS2,BS3)であって、各ビーム基準位置は設計上の直交座標系（Xs,Ys)に沿って配列される。一方、各電子ビームはビーム基準位置を基準としてこれも設計上の直交座標系（Xs,Ys)に沿って走査され、各電子ビーム毎の露光フィールド(EF1,EF2,EF3)を走査する。そして各電子ビームの露光フィールドが隣接してウエハを露光する。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】
しかしながら、複数のビーム基準位置が定めるビーム座標系(Xa,Ya)が設計上の直交座標系（Xs,Ys)と一致していても、偏向器が定める偏向座標系(Xd,Yd)が設計上の直交座標系（Xs,Ys)とずれていると各電子ビームの露光フィールドが隣接せず重なりあったり、離れたりして、所望のパターンが描画できない。図１７(A)に偏向座標系がビーム座標系に対して回転している場合の各露光フィールドを示す。図１７(B)に偏向座標系がビーム座標系に対して伸張している場合の各露光フィールドを示す。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の電子ビーム露光方法のある形態は、複数の電子ビームを基板面上に配列させて照射する照射手段と前記基板面上の前記複数の電子ビームを略同一の変位量だけ偏向させるビーム偏向手段とを用いて前記基板面を走査露光する電子ビーム露光方法において、前記照射手段からの複数の電子ビームの前記基板面に相当する平面内での位置の実測値と設計上の座標値とに基づいて、前記複数の電子ビームのビーム座標系と設計上の座標系との関係を表す第１パラメータを決定する第１のパラメータ決定段階と、前記照射手段からの複数の電子ビームを前記ビーム偏向手段によって偏向させた際の前記基板面に相当する平面内での前記複数の電子ビームの変位位置の実測値と設計上の座標値とに基づいて、前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系との関係を表す第２パラメータを決定する第２のパラメータ決定段階と、前記第１パラメータおよび前記第２パラメータに基づいて前記ビーム座標系と前記偏向座標系とを一致させる段階とを有し、前記一致させる段階は、前記照射手段および前記ビーム偏向手段を調整する調整段階を有することを特徴とする。
【０００９】
前記調整段階は、前記第１パラメータおよび前記第２パラメータに基づいて、前記ビーム偏向手段の補正係数を決定する段階を有することを特徴とする。
【００１０】
前記調整段階は、前記第１パラメータのうちの前記ビーム座標系と前記設計上の座標系間の回転量を表すパラメータと前記第２パラメータのうちの前記偏向座標系と前記設計上の座標系間の回転量を表すパラメータとに基づいて、前記ビーム偏向手段の補正係数を決定する段階を有することを特徴とする。
【００１１】
前記照射手段は前記複数の電子ビームを基板上に投影する電子光学系を有し、前記調整段階は、前記第１パラメータのうちの前記ビーム座標系と前記設計上の座標系間の回転量を表すパラメータに基づいて、前記電子光学系の回転歪曲収差を調整する段階を有することを特徴とする。
【００１２】
前記第１パラメータは、前記ビーム座標系と前記設計上の座標系間の平行移動量、回転量、および線形伸縮量のそれぞれを表すパラメータを有することを特徴とする。
【００１３】
前記基板の移動を制御する移動制御手段を有し、前記一致させる段階は、前記第１パラメータに基づいて前記移動制御手段の補正係数を決定する段階を有することを特徴とする。
【００１４】
前記一致させる段階は、前記第１パラメータのうちの前記ビーム座標系と前記設計上の座標系間の平行移動量を表すパラメータおよび前記ビーム座標系と前記設計上の座標系間の回転量を表すパラメータに基づいて前記移動制御手段の補正係数を決定する段階を有することを特徴とする。
【００１５】
前記照射手段は前記複数の電子ビームを基板上に投影する電子光学系を有し、前記調整段階は、前記第１パラメータのうちの前記ビーム座標系と前記設計上の座標系間の線形伸縮量を表すパラメータに基づいて前記電子光学系の倍率を調整する段階を有することを特徴とする。
【００１６】
前記複数の電子ビームを少なくとも４つのグループに分け、各グループを代表する電子ビームを選択する段階を有し、選択された複数の電子ビームを用いて前記第１のパラメータ決定段階および前記第２のパラメータ決定段階を実行することを特徴とする。
【００１７】
本発明の電子ビーム露光方法の他のある形態は、複数の電子ビームを基板面上に配列させて照射する照射手段と前記基板面上の前記複数の電子ビームを略同一の変位量だけ偏向させるビーム偏向手段とを用いて前記基板を走査露光する電子ビーム露光方法において、前記照射手段からの複数の電子ビームを前記ビーム偏向手段によって偏向させた際の前記基板面に相当する平面内での前記複数の電子ビームの変位位置を実測し、その変位位置の実測値と設計上の座標値に基づいて前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系との関係を表す第１パラメータを決定する段階と、前記第１パラメータに基づいて、前記ビーム偏向手段の補正係数を決定する段階と、前記補正係数で補正された前記ビーム偏向手段によって、前記複数の電子ビームのうちの前記複数の電子ビームの数より少ない数の予め決められた電子ビームを偏向させた際の前記基板面に相当する平面内での変位位置を実測し、その変位位置の実測値と設計上の座標値に基づいて前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系との関係を表す第２パラメータを決定する段階と、再度、前記ビーム偏向手段によって前記予め決められた電子ビームを偏向させた際の前記基板面に相当する平面での変位位置を実測することによって前記第２パラメータを決定する段階と、前記第２パラメータの変化に基づいて前記ビーム偏向手段の補正係数を変更する段階とを有することことを特徴とする。さらに、前記第１パラメータは、前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系間の回転量を表すパラメータおよび前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系間の線形伸縮量を表すパラメータを有することを特徴とする。さらに、前記予め決められた電子ビームは一つの電子ビームであることを特徴とする。
【００１８】
本発明のデバイス製造方法のある形態は、上記の電子ビーム露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴とする。
【００１９】
本発明の電子ビーム露光装置のある形態は、複数の電子ビームを基板面上に配列させて照射する照射手段と、前記基板面上の前記複数の電子ビームを略同一の変位量だけ偏向させるビーム偏向手段とを有し、前記照射手段および前記ビーム偏向手段を用いて前記基板を走査露光する電子ビーム露光装置において、前記照射手段からの複数の電子ビームの前記基板面に相当する平面内での位置の実測値と設計上の座標値とに基づいて、前記複数の電子ビームのビーム座標系と設計上の座標系との関係を表す第１パラメータを決定する第１のパラメータ決定手段と、前記照射手段からの複数の電子ビームを前記ビーム偏向手段によって偏向させた際の前記基板面に相当する平面内での変位位置の実測値と設計上の座標値に基づいて、前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系との関係を表す第２パラメータを決定する第２のパラメータ決定手段と、前記第１パラメータおよび前記第２パラメータに基づいて前記ビーム座標系と前記偏向座標系とを一致させる手段とを有し、前記一致させる手段は、前記照射手段および前記ビーム偏向手段を調整する調整手段を有することを特徴とする。
また、本発明の電子ビーム露光装置の他の形態は、複数の電子ビームを基板面上に配列させて照射する照射手段と、前記基板面上の前記複数の電子ビームを略同一の変位量だけ偏向させるビーム偏向手段とを有し、前記照射手段および前記ビーム偏向手段を用いて前記基板を走査露光する電子ビーム露光装置において、前記照射手段からの複数の電子ビームを前記ビーム偏向手段によって偏向させた際の前記基板面に相当する平面内での変位位置を実測する第１測定手段と、前記第１測定手段による変位位置の実測値と設計上の座標値に基づいて前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系との関係を表す第１パラメータを決定する第１パラメータ決定手段と、前記第１パラメータに基づいて、前記ビーム偏向手段の補正係数を決定する補正係数決定手段と、前記補正係数で補正された前記ビーム偏向手段によって、前記照射手段からの複数の電子ビームのうちで当該複数の電子ビームの数より少ない数の予め決められた電子ビームを偏向させた際の前記基板面に相当する平面内での変位位置を実測する第２測定手段と、前記第２測定手段による変位位置の実測値と設計上の座標値に基づいて前記ビーム偏向手段の偏向座標系と設計上の座標系との関係を表す第２パラメータを決定する第２パラメータ決定手段と、再度前記ビーム偏向手段によって前記予め決められた電子ビームを偏向させた際の前記基板面上の変位位置を前記第２測定手段により実測することによって前記第２パラメータ決定手段により前記第２パラメータを決定したとき、前記第２パラメータの変化に基づいて前記ビーム偏向手段の補正係数を変更する補正係数変更手段とを有することを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
（実施例１）
〔電子ビーム露光装置の構成要素説明〕
図１は本発明に係る電子ビーム露光装置の要部概略図である。
【００２１】
図１において、１は、カソード1ａ、グリッド1b、アノード1cよりなる電子銃であって、カソード1aから放射された電子はグリッド1b、アノード1cの間でクロスオーバ像を形成する（以下、これらのクロスオーバ像を光源と記す）。
【００２２】
この光源から放射される電子は、その前側焦点位置が前記光源位置にあるコンデンサーレンズ２によって略平行の電子ビームとなる。略平行な電子ビームは、要素電子光学系アレイ3に入射する。要素電子光学系アレイ3は、ブランキング電極と開口と電子レンズで構成される要素電子光学系が光軸AXに直交する方向に複数配列されて形成されたものである。要素電子光学系アレイ3の詳細については後述する。
【００２３】
要素電子光学系アレイ3は、光源の中間像を複数形成し、各中間像は後述する縮小電子光学系4によって縮小投影され、ウエハ5上に光源像を形成する。
【００２４】
その際、ウエハ5上の光源像の間隔が光源像の大きさの整数倍になるように、要素電子光学系アレイ3の各要素は設定されている。更に、要素電子光学系アレイ3は、各中間像の光軸方向の位置を縮小電子光学系4の像面湾曲に応じて異ならせるとともに、各中間像が縮小電子光学系4よってウエハ5に縮小投影される際に発生する収差を予め補正している。
【００２５】
縮小電子光学系4は、第１投影レンズ41(43)と第２投影レンズ42(44)とからなる対称磁気タブレットで構成される。第１投影レンズ41(43)の焦点距離をf1、第２投影レンズ42(44)の焦点距離をf2とすると、この２つのレンズ間距離はf1+f2になっている。光軸上AXの物点は第１投影レンズ41(43)の焦点位置にあり、その像点は第２投影レンズ42(44)の焦点に結ぶ。この像は-f2/f1に縮小される。また、２つのレンズ磁界が互いに逆方向に作用する様に決定されているので、理論上は、球面収差、等方性非点収差、等方性コマ収差、像面湾曲収差、軸上色収差の５つの収差を除いて他のザイデル収差および回転と倍率に関する色収差が打ち消される。
【００２６】
6は、要素電子光学系アレイ3からの複数の電子ビームを偏向させて、複数の光源像をウエハ5上でX,Y方向に略同一の変位量だけ変位させる偏向器である。偏向器6は、図示はされていないが、偏向幅が広い場合に用いられる主偏向器と偏向幅が狭い場合に用いられる副偏向器で構成されていて、主偏向器は電磁型偏向器で、副偏向器は静電型偏向器である。
【００２７】
7は偏向器6を作動させた際に発生する偏向収差により光源像のフォーカス位置のずれを補正するダイナミックフォーカスコイルであり、8は、ダイナミックフォーカスコイル7と同様に、偏向により発生する偏向収差の非点収差を補正するダイナミックスティグコイルである。
【００２８】
9は、要素電子光学系アレイ3からの電子ビームが、ウエハ5上に形成された位置合わせマークもしくはステージ基準板13上のマークを照射した際に生じる反射電子又は２次電子を検出する反射電子検出器である。
【００２９】
10は、Ｘ及びＹ方向にのびる２つのシングルナイフエッジを有するファラデーカップで要素電子光学系からの電子ビームが形成する光源像の電荷量を検出する。
【００３０】
11は、ウエハを載置し、光軸AX(Ｚ軸）方向とＺ軸回りの回転方向に移動可能なθ-Ｚステージであって、前述したステージ基準板13とファラデーカップ10が固設されている。
【００３１】
12は、θ-Ｚステージを載置し、光軸AX(Ｚ軸）と直交するＸＹ方向に移動可能なＸＹステージである。
【００３２】
次に、図２を用いて要素電子光学系アレイ3について説明する。
【００３３】
要素電子光学系アレイ3は、複数の要素電子光学系をグループ（サブアレイ）とし、そのサブアレイが複数形成されている。そして、本実施例では７つのサブアレイA〜Gが形成されている。各サブアレイは、複数の要素電子光学系が２次元的に配列されている。そして、本実施例の各サブアレイではD(1,1)〜D(5,5)のように２５個の要素電子光学系が形成されていて、各要素電子光学系は縮小電子光学系4を介してウエハ上にはX方向もY方向もピッチPb（μm)の間隔で配列する光源像を形成する。
【００３４】
各要素電子光学系の断面図を図３に示す。
【００３５】
図３において、301は一対の電極で構成され、偏向機能を有するブランキング電極であり、302は、透過する電子ビームの形状を規定する開口(AP)を有する基板で他の要素電子光学系と共通である。その上にブランキング電極301と電極をon/offするための配線(W)が形成されている。303は、３つの開口電極で構成され、上下の電極を加速電位V0と同じにし、中間の電極を別の電位V1またはV2に保った収斂機能を有するユニポテンシャルレンズ303a、303bの２つを用いた電子レンズである。
【００３６】
ユニポテンシャルレンズ303aの上、中、下の電極及びユニポテンシャルレンズ303bの上、下の電極の形状は図４(A)に示すような形状であり、ユニポテンシャルレンズ303a、303bの上下電極は、後述する焦点・非点制御回路１によって全ての要素電子光学系において共通の電位に設定している。
【００３７】
ユニポテンシャルレンズ303aの中間電極は、焦点・非点制御回路１によって要素電子光学系毎に電位が設定出来る為、ユニポテンシャルレンズ303aの焦点距離が要素電子光学系毎に設定できる。
【００３８】
また、ユニポテンシャルレンズ303bの中間電極は、図４(B)に示すような４つの電極で構成され、焦点・非点制御回路によって各電極の電位が個別に設定でき、要素電子光学系毎にも個別設定出来るため、ユニポテンシャルレンズ303bは直交する断面において焦点距離が異なるようにでき、かつ要素電子光学系毎にも個別に設定出来る。
【００３９】
その結果、要素電子光学系の中間電極の電位をそれぞれ制御することによって、要素電子光学系の電子光学特性（中間像形成位置、非点収差）を制御することができる。
【００４０】
コンデンサーレンズ２で略平行にされた電子ビームは、ブランキング電極３０１と開口（ＡＰ）を介し、電子レンズ３０３によって、光源の中間像を形成する。この時、ブランキング電極３０１の電極間に電界をかけていないと電子ビーム束３０５の様に偏向されない。一方、ブランキング電極３０１の電極間に電界をかけると電子ビーム束３０６の様に偏向される。すると、電子光束３０５と電子ビーム束３０６は、縮小電子光学系４の物体面で互いに異なる角度分布を有するので、縮小電子光学系４の瞳位置（図１のＰ面上）では電子ビーム束３０５と電子ビーム束３０６は互いに異なる領域に入射される。したがって、電子ビーム束３０５だけを透過させるブランキング開口ＢＡを縮小電子光学系の瞳位置（図１のＰ面上）に設けてある。
【００４１】
また、各要素電子光学系は、それぞれが形成する中間像が縮小電子光学系4によって被露光面に縮小投影される際に発生する像面湾曲・非点収差を補正するために、各要素電子光学系の２つの中間電極の電位を個別に設定して、各要素電子光学系の電子光学特性（中間像形成位置、非点収差）を異ならしめている。ただし、本実施例では、中間電極と焦点・非点制御回路１との配線を減らす為に同一サブアレイ内の要素電子光学系は同一の電子光学特性にしてあり、要素電子光学系の電子光学特性（中間像形成位置、非点収差）をサブアレイ毎に制御している。
【００４２】
さらに、複数の中間像が縮小電子光学系4によって被露光面に縮小投影される際に発生する歪曲収差を補正するために、縮小電子光学系4の歪曲特性を予め知り、それに基づいて、縮小電子光学系4の光軸と直交する方向の各要素電子光学系の位置を設定している。
【００４３】
次に本実施例のシステム構成図を図５に示す。
【００４４】
ブランキング制御回路14は、要素電子光学アレイ3の各要素電子光学系のブランキング電極のon/offを個別に制御する制御回路、焦点・非点制御回路１（15）は、要素電子光学アレイ3の各要素電子光学系の電子光学特性（中間像形成位置、非点収差）を個別に制御する制御回路である。
【００４５】
焦点・非点制御回路２（16）は、ダイナミックスティグコイル8及びダイナミックフォーカスコイル7を制御して縮小電子光学系4の焦点位置、非点収差を制御する制御回路で、偏向制御回路17は偏向器6を制御する制御回路、倍率調整回路18は、縮小電子光学系4の倍率を調整する制御回路、光学特性回路19は、縮小電子光学系4を構成する電磁レンズの励磁電流を変化させ回転収差や光軸を調整する制御回路である。
【００４６】
ステージ駆動制御回路20は、θ-Zステージを駆動制御し、かつＸＹステージ12の位置を検出するレーザ干渉計21と共同してＸＹステージ12を駆動制御する制御回路である。
【００４７】
制御系22は、描画パターンに関する情報が記憶されたメモリ23からのデータに基づく露光及び位置合わせの為に上記複数の制御回路および反射電子検出器9・ファラデーカップ10を同期して制御する。制御系22は、インターフェース24を介して電子ビーム露光装置全体をコントロールするCPU25によって制御されている。
【００４８】
〔動作の説明〕
図５を用いて本実施例の電子ビーム露光装置の動作について説明する。
【００４９】
露光装置のキャリブレーションの際、CPU25は、インターフェース24を介して制御系22に「キャリブレーションの実行」を命令すると、複数のビーム基準位置が定めるビーム座標系(Xa,Ya)と偏向器が定める偏向座標系(Xd,Yd)との関係を知り補正するために制御系22は下記のステップを実行する。
【００５０】
（ステップ１）
図２に示した要素電子光学系アレイ3の中心にある要素電子光学系D(3,3)からの電子ビームが偏向を受けないでウエハに照射する位置をビーム基準位置とすると、制御系22はステージ駆動制御回路20に命令して、ＸＹステージ12を移動させ、ファラデーカップを、ビーム基準位置近傍に位置づけさせる。
【００５１】
そして、制御系22はブランキング制御回路14に命令して、要素電子光学系D(3,3)の電子ビームだけがウエハ側に入射するように、要素電子光学系D(3,3)のブランキング電極だけをoffにし、その他をonに維持する。
【００５２】
そして、制御系２２は、ステージ駆動制御回路に命令し、図６（Ａ）に示すようにＸＹステージ１２をＸ方向（計測方向）に移動させてファラデーカップ１１のナイフエッジＮＦＸ（Ｘ方向計測用）が要素電子光学系Ｄ（３，３）からの電子ビームＢＥを横切らせる。その時にファラデーカップ１０で検出される電子量とレーザ干渉計２１で測定されるＸＹステージのＸ方向の位置を記憶する。その結果である電子量と位置に関する信号を図６（Ｂ）に示す。更にその信号を微分し、図６（Ｃ）に示すような信号を得る。この信号より従来より用いられているスライス法や相関法により電子ビームの位置Ｘｓを求める。ここで位置Ｘｓは、設計上の座標系とみなすステージ座標系での位置である。
【００５３】
（ステップ２）
制御系２２は、上記と同様にステージ駆動制御回路に命令し、ＸＹステージ１２をＹ方向（計測方向）に移動させてファラデーカップ１１のナイフエッジＮＦＹ（Ｙ方向計測用）が要素電子光学系Ｄ（３，３）からの電子ビームＢＥを横切らせ、電子ビームの位置Ｙｓを求める。ここで位置Ｙｓは、設計上の座標系とみなすステージ座標系での位置である。
【００５４】
（ステップ３）
制御系２２は、偏向制御回路１７に命令し、要素電子光学系Ｄ（３，３）からの電子ビームを偏向し、偏向範囲の四隅を含む８カ所の偏向位置での電子ビームの位置をステップ１、２と同様の方法で検出し、ビーム基準位置ＢＳ（Ｘｓ，Ｙｓ）に対する偏向位置Ｄ１（Ｘ１，Ｙ１）〜Ｄ８（Ｘ８，Ｙ８）を求める。
【００５５】
（ステップ４）
制御系２２は、Ｄ（３，３）からの電子ビームに関するステップ１〜３の実行に加え、要素電子光学系Ａ（３，３）、Ｂ（３，３）、Ｃ（３，３）、Ｆ（３，３）、Ｇ（３，３）、Ｈ（３，３）からの電子ビームに関してもステップ１〜３を実行し、これらの要素電子光学系毎に、ビーム基準位置およびこの基準位置に対する各偏向位置を得る。
【００５６】
（ステップ５）
図７（Ａ）に、ステップ１〜４によって得られた要素電子光学系毎の実際のビーム基準位置ＢＳ（Ｘｓ，Ｙｓ）を黒丸で示し、その設計上の位置を白丸で示す。また、図７（Ｂ）に、一つの要素電子光学系の実際の偏向位置を黒丸で示し、その設計上の位置を白丸で示す。図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、実際のビーム位置と設計上の位置は異なる。それは、複数のビーム基準位置が定めるビーム座標系（Ｘａ，Ｙａ）とステージ座標系（Ｘｓ，Ｙｓ）との不整合及び偏向器が定める偏向座標系（Ｘｄ，Ｙｄ）とステージ座標系（Ｘｓ，Ｙｓ）との不整合によるものである。
【００５７】
そこで、制御系22は、複数のビーム基準位置が定めるビーム座標系(Xa,Ya)とステージ座標系（Xs,Ys)の関係を下記のように仮定する。
【００５８】
Xa = Ox +(k*cosα）*Xs -（k*sinα)*Ys
Ya = Oy +(k*sinα）*Xs +（k*cosα)*Ys
ここで各係数は、
Ox ：ビーム座標系のＸ方向の平行移動量
Oy ：ビーム座標系のＹ方向の平行移動量
k：ビーム座標系の等方的線形伸縮量
α ：ビーム座標系の回転量
【００５９】
そして、ステップ１〜４によって得られた要素電子光学系毎の実際のビーム基準位置（Ｘｓ，Ｙｓ）とその設計上の位置（Ｘａ，Ｙａ）を用いて、上記各係数を最小２乗法より求め、ステージ座標系（Ｘｓ，Ｙｓ）におけるビーム座標系（Ｘａ，Ｙａ）を決定する。この時、係数は４つであるので少なくとも４つの要素電子光学系からのビーム基準位置を測定すればよい。
【００６０】
求められた係数kに基づいて制御系22はk=1になるように倍率制御回路18に命じて縮小電子光学系の倍率を調整する。その他の係数を用いてステージ制御回路20の補正系数を決定し下記に示す新たなステージ座標系（Xs',Ys')を設定する。
【００６１】
Xa =Xs'=(cosα）*Xs -（sinα)*Ys      （１）
Ya =Ys'=(sinα）*Xs +（cosα)*Ys      （２）
以上よりビーム座標系(Xa,Ya)とステージ座標系（Xs’,Ys’)とが一致する。
【００６２】
次に制御系22は、偏向器が定める偏向座標系(Xd,Yd)とステージ座標系（Xs,Ys)の関係を下記のように仮定する。
【００６３】
Xd = kx*cosβ*Xs - kx*sinβ*Ys        （３）
Yd = ky*sinβ*Xs + ky*cosβ*Ys        （４）
ここで各係数は、
kx ：偏向座標系のＸ方向の線形伸縮量
ky ：偏向座標系のＹ方向の線形伸縮量
β ：偏向座標系の回転量
【００６４】
そして、ステップ１〜４によって得られた全ての要素電子光学系におけるステージ座標系でのビーム基準位置に対する実際の偏向位置Ｄ１（Ｘ１，Ｙ１）〜Ｄ８（Ｘ８，Ｙ８）とその設計上の位置（Ｘｄ，Ｙｄ）を用いて、上記係数を最小２乗法より求め、ステージ座標系（Ｘｓ，Ｙｓ）における偏向座標系（Ｘｄ，Ｙｄ）を決定する。
【００６５】
更に式（１）〜（４）より
Xd = kx*cos(β-α）*Xa - kx*sin(β-α）*Ya
Yd = ky*sin(β-α）*Xa + ky*cos(β-α）*Ya
を得、ビーム座標系(Xa,Ya)と偏向座標系(Xd,Yd)との関係を決定する。そして制御系22は、係数α、β、kx、kyを用いて偏向制御回路17の補正系数を決定する。よってビーム座標系(Xa,Ya)と偏向座標系(Xd,Yd)とが一致する。
【００６６】
以上より、ビーム座標系(Xa,Ya)と偏向座標系(Xd,Yd)とステージ座標系（Xs’,Ys’)とが一致し、キャリブレーションが完了する。
【００６７】
次に、CPU25は、インターフェース24を介して制御系22に「露光の実行」を命令すると、制御系22は下記のステップを実行する。
【００６８】
（ステップ１）
制御系22は、偏向制御回路17に命じ、偏向器6の副偏向器によって、要素電子光学系アレイからの複数の電子ビーム偏向させるとともに、ブランキング制御回路14に命じ各要素電子光学系のブランキング電極をウエハ5に露光すべきパターンに応じてon/offさせる。この時ＸＹステージ12はＸ方向に連続移動しており、偏向制御回路17は、ＸＹステージ12の移動量も含めて電子ビームの偏向位置を制御している。
【００６９】
その結果、一つの要素電子光学系からの電子ビームは、図８に示すようにウエハ5上の露光フィールド（EF)を黒四角を起点として走査し露光する。また、図９に示すように、サブアレイ内の複数の要素電子光学系の露光フィールド（EF)は、隣接するように設定されていて、その結果、ウエハ5上において、複数の露光領域（EF)で構成されるサブアレイ露光フィールド(SEF)を露光される。同時に、ウエハ5上において、図１０に示すようなサブアレイAからGのそれぞれが形成するサブアレイ露光フィールド(SEF)で構成されるサブフィールドが露光される。
【００７０】
（ステップ２）
制御系22は、図１１に示すサブフィールド▲１▼を露光後、サブフィールド▲２▼を露光する為に、偏向制御回路17に命じ、偏向器6の主偏向器によって、要素電子光学系アレイからの複数の電子ビーム偏向させる。この時、制御系22は、焦点・非点制御回路2に命じ、予め求めた動的焦点補正データに基づいてダイナミックフォーカスコイル7を制御して縮小電子光学系4の焦点位置を補正するとともに、予め求めた動的非点補正データに基づいてダイナミックスティグコイル8を制御して、縮小電子光学系の非点収差を補正する。そして、ステップ１の動作を行い、サブフィールド▲２▼を露光する。
【００７１】
以上のステップ１、２を繰り返して、図１１に示すようにサブフィールド▲３▼▲４▼というようにサブフィールドを順次露光してウエハ全面を露光する。
【００７２】
（実施例２）
偏向器6は、経時変化によりその偏向座標系が変化するので、露光毎に実施例１のように偏向座標系を求め偏向制御回路17の補正系数を更新することは必要であるがスループットを大きく低下する。
【００７３】
特に、実施例１では、７つの要素電子光学系におけるステージ座標系でのビーム基準位置に対する実際の偏向位置（Xds,Yds)とその設計上の位置（Xd,Yd）を用いて、ビーム座標系(Xa,Ya)（ステージ座標系（Xs’,Ys’)）と偏向座標系(Xd,Yd)との関係の係数を最小２乗法より求め、偏向制御回路17の補正系数を決定していた。
【００７４】
そこで、実施例２においては、一度、実施例１と同じ方法でキャリブレーションを完了させた後は、７つの要素電子光学系のうちであって、それより少ない数の要素電子光学系好ましくは一つの要素電子光学系からの電子ビームに関して、そのビーム基準位置、偏向位置を検出して、キャリブレーションを行っている。
【００７５】
その具体的方法を以下に説明する。
【００７６】
（ステップ１）
実施例１のキャリブレーション直後、すなわち、決定された補正係数によって偏向制御回路17、ステージ駆動制御回路20が補正された後、要素電子光学系D(3,3)からの電子ビームのビーム基準位置と偏向位置、総計９カ所の位置を実施例１と同様に検出する。その時の設計上の位置（Xb,Yb)、その実測値を（Xs,Ys)としその関係を下記のように仮定する。
【００７７】
Xb = Obx +(kbx*cosγ）*Xs -（kbx*sinγ)*Ys
Yb = Oby +(kby*sinγ）*Xs +（kby*cosγ)*Ys
ここで各係数は、
Obx ：要素電子光学系D(3,3)のビーム座標系のＸ方向の平行移動量
Oby ：要素電子光学系D(3,3)のビーム座標系のＹ方向の平行移動量
kbx ：要素電子光学系D(3,3)のビーム座標系のＸ方向の線形伸縮量
kby ：要素電子光学系D(3,3)のビーム座標系のＹ方向の線形伸縮量
γ  ：要素電子光学系D(3,3)のビーム座標系の回転量
【００７８】
そして、電子ビームのビーム基準位置と偏向位置とそれに対応する設計上の位置を用いて、上記係数を最小２乗法より求め、制御系22はその係数を記憶する。
【００７９】
（ステップ２）
露光する前に、ステップ１と同様に要素電子光学系D(3,3)からの電子ビームのビーム基準位置と偏向位置、総計９カ所の位置を検出して、上記係数を求め、その時の係数(Obx'、Oby',kbx',kby',γ')として、ステップ１で求められた係数からの変化量を得る。そして下式のように、その変化量を用いてビーム座標系(Xa,Ya)（ステージ座標系（Xs’,Ys’)）と偏向座標系(Xd,Yd)との関係の係数を決定し、偏向制御回路17の補正係数を変更する。
【００８０】
Xd = (kx+△kbx)*cos(β-α+△γ）*Xa - (kx+△kbx)*sin(β-α+△γ）*Ya
Yd = (ky+△kby)*sin(β-α+△γ）*Xa + (ky+△kby)*cos(β-α+△γ）*Ya
ただし、α、β、kx、kyはステップ１(実施例１のキャリブレーション)で決定された補正係数、△kbx＝kbx'-kbx、△kby＝kby'-kby、△γ=γ'-γ  である。
【００８１】
以上より、実施例１に比べ数少ない測定で補正係数の経時変化を補正できる。
【００８２】
（実施例３）
実施例１では、ステージ座標系(Xs,Ys)とビーム座標系(Xa,Ya)との関係を表す係数（α）を用いて、ステージ制御回路20の補正系数を決定し新たなステージ座標系（Xs',Ys')を設定したが、本実施例では、ビーム座標系の回転量αに基づいて、制御系22は、光学特性調整回路19に命じ、縮小電子光学系4に回転歪曲収差を発生させ、ビーム座標系(Xa,Ya)を回転させる。本実施例では不図示の縮小電子光学系4に設けられた回転レンズにより回転歪曲収差を発生させている。
【００８３】
その時のビーム座標系(Xa,Ya)と偏向座標系(Xd,Yd)との関係は下式のようになる。
【００８４】
Xd = kx*cosβ*Xa - kx*sinβ*Ya
Yd = ky*sinβ*Xa + ky*cosβ*Ya
【００８５】
そして制御系22は、係数、β、kx、kyを用いて偏向制御回路17の補正系数を決定する。よってビーム座標系(Xa,Ya)と偏向座標系(Xd,Yd)とが一致する。
【００８６】
（実施例４）
実施例１では、電子ビームのビーム基準位置と偏向位置をファラデーカップ11を用いて測定していた。
【００８７】
本実施例では、図１２に示すように、ステージ基準板上に形成されている電子ビームのビーム基準位置と偏向位置に対応したマークを用いて実際のビーム基準位置と偏向位置を測定する。
【００８８】
具体的には、制御系２２はステージ駆動制御回路２０に命令して、ＸＹステージ１２を移動させ、ステージ基準板１３上に形成されている電子ビームのビーム基準位置に対応するマークＳを、ビーム基準位置近傍に位置づけさせる。
【００８９】
そして、制御系22はブランキング制御回路14に命令して、要素電子光学系D(3,3)の電子ビームだけがウエハ側に入射するように、要素電子光学系D(3,3)のブランキング電極だけをoffにし、その他をonに維持する。
【００９０】
次に、制御系２２は、ステージ駆動制御回路に命令し、ＸＹステージ１２をＸ方向（計測方向）に移動させて、マークＳに要素電子光学系Ｄ（３，３）からの電子ビームＢＥを横切らせる。その時にマークＳから発生する反射電子・２次電子を反射電子検出器で検出し、検出される電子量とレーザ干渉計２１で測定されるＸＹステージのＸ方向の位置を記憶する。その結果である電子量と位置に関する信号より従来より用いられているスライス法や相関法により電子ビームのビーム基準位置を求める。更に、制御系２２は、偏向制御回路１７の命令し、要素電子光学系Ｄ（３，３）からの電子ビームを偏向し、偏向範囲の四隅を含む８カ所の偏向位置での電子ビームの位置をそれに対応するマークｄ１〜ｄ８を用いて上記と同様の方法で検出し、ビーム偏向位置を求める。
【００９１】
次に上記説明した電子ビーム露光装置及び露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
【００９２】
図１３は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（露光制御データ作成）では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００９３】
図１４は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００９４】
本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができる。
【００９５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、マルチビーム型電子ビーム露光装置において、複数のビーム基準位置が定めるビーム座標系(Xa,Ya)と偏向器が定める偏向座標系(Xd,Yd)とを高精度に一致させるとともに座標間のずれの経時変化を短時間で補正して露光することを可能にした電子ビーム露光方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電子ビーム露光装置の要部概略を示す図。
【図２】要素電子光学系アレイ3について説明する図。
【図３】要素電子光学系を説明する図。
【図４】要素電子光学系の電極を説明する図。
【図５】本発明に係るシステム構成を説明する図。
【図６】ファラデーカップによる測定を説明する図。
【図７】実際にのビーム位置と設計上のビーム位置を説明する図。
【図８】露光フィールド（EF)を説明する図。
【図９】サブアレイ露光フィールド（SEF)を説明する図。
【図１０】サブフィールドを説明する図。
【図１１】ウエハ走査露光を説明する図。
【図１２】実施例４のステージ基準板上のマークを説明する図。
【図１３】微小デバイスの製造フローを説明する図。
【図１４】ウエハプロセスを説明する図。
【図１５】従来のマルチビーム型電子ビーム露光装置を説明する図。
【図１６】設計上の露光フィールドを説明する図。
【図１７】実際の露光フィールドを説明する図。
【符号の説明】
１  電子銃
２  コンデンサーレンズ
３  要素電子光学系アレイ
４  縮小電子光学系
５  ウエハ
６  偏向器
７  ダイナミックフォーカスコイル
８  ダイナミックスティグコイル
９  反射電子検出器
１０  ファラデーカップ
１１  θ−Ｚステージ
１２  ＸＹステージ
１３  ステージ基準板
１４  ブランキング制御回路
１５  焦点・非点制御回路１
１６  焦点・非点制御回路２
１７  偏向制御回路
１８  倍率調整回路
１９  光学特性回路
２０  ステージ駆動制御回路
２１  レーザ干渉計
２２  制御系
２３  メモリ
２４  インターフェース
２５  ＣＰＵ
【図１】
0003927620.tif 000002
【図２】
0003927620.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
0003927620.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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