(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体に成膜を施す成膜装置の排気ガス系に設けられて、排気ガス中に含まれる反応副生成物を捕獲するトラップ装置において、ガス導入口とガス排出口を有して前記排気ガス系に介設される筐体と、この筐体内を複数の部屋に仕切る仕切板と、前記排気ガスが前記複数の部屋内を順に流れるように前記仕切板に形成されたガス流通口と、前記反応副生成物を捕獲するために前記各部屋内に収容されたトラップ機構とを備えたことを特徴とするトラップ装置。
【請求項２】
前記トラップ機構は、複数本の支柱と、これに所定のピッチで保持させたトラップ板よりなることを特徴とする請求項１記載のトラップ装置。
【請求項３】
前記トラップ板には、多数の通気孔が形成されていることを特徴とする請求項２記載のトラップ装置。
【請求項４】
前記通気孔は、前記排気ガスの流れ方向に沿ってちどり状に配列されていることを特徴とする請求項３記載のトラップ装置。
【請求項５】
前記通気孔の開口面積は、前記排気ガスの流れ方向に沿って次第に小さくなされていることを特徴とする請求項３又は４記載のトラップ装置。
【請求項６】
前記筐体には、前記トラップ機構を取り出すための取出開口部が形成されており、この取出開口部には着脱可能になされた蓋体が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５記載のトラップ装置。
【請求項７】
前記蓋体には、前記トラップ機構が一体的に取り付けられていることを特徴とする請求項６記載のトラップ装置。
【請求項８】
前記筐体には、前記部屋内を監視するための監視窓が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７記載のトラップ装置。
【請求項９】
前記筐体には、洗浄液を排出するために開閉可能になされたドレン口が設けられると共に、この筐体の内壁は前記ドレン口に向けて傾斜したテーパ面として形成されていることを特徴とする請求項１乃至８記載のトラップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、成膜装置の排気ガス中に含まれる反応副生成物を捕獲して除去するトラップ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＩＣなどの集積回路や論理素子を形成するためには、半導体ウエハ、ガラス基板、ＬＣＤ基板等の表面に、所望の薄い成膜を施す行程やこれを所望のパターンにエッチングする行程が繰り返して行なわれる。
ところで、成膜工程を例にとれば、この工程においては、所定の処理ガスを処理容器内にて反応させることによってシリコンの薄膜、シリコンの酸化物や窒化物の薄膜、或いは金属の薄膜、金属の酸化物や窒化物の薄膜等を被処理体の表面に形成するが、この成膜反応と同時に余分な反応副生成物が発生し、これが排気ガスと共に排出されてしまう。
【０００３】
この反応副生成物は、そのまま大気中に放出されると環境汚染等の原因になることから、これを防止するために一般的には処理容器から延びる排気ガス系にトラップ装置を介設し、これにより排気ガス中に含まれている反応副生成物を捕獲して除去するようになっている。
このトラップ装置の構成は、捕獲除去すべき反応副生成物の特性に応じて種々提案されているが、例えば常温で液化乃至固化して凝縮する反応副生成物を除去する場合には、このトラップ装置はその一例として排気ガスの導入口と排出口を有する筐体内に多数のフィンを設けて構成されている。そして、このフィンは、排気ガスの流れる方向に対して、相互に異なる角度を持たせて順次配列して排気コンダクタンスを持たせており、これらのフィン間を排気ガスが通過する時に排気ガス中の反応副生成物をフィン表面に付着させて捕獲するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来のトラップ装置にあっては、一般的には一室構造のトラップ装置であるために、排気ガスとフィンとが接触する時間が少なく、特に、成膜レートを上げるために処理ガスを多く流す時には、捕獲し切れなかった反応副生成物が下流側に流れてしまう場合があった。
また、多数のフィンを等ピッチで配列した構造であるために、フィンに付着した反応副生成物により目詰まりがしばしば生じ、この場合にも捕獲し切れなかった反応副生成物が下流に流れてしまう問題があった。この点を解決するために、トラップ装置の容量を大きくすることも考えられるが、単に容量を大きくするだけではそれに見合った捕獲効率を上げることはできず、いたずらに占有スペースを拡大することになってしまう。
【０００５】
そこで、占有スペースをそれ程拡大することなく、目詰まりが生じ難くて反応副生成物の捕獲効率も高く、しかも、メンテナンスの良好なトラップ装置が求められているのが現状である。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、目詰まりも生ずることなく、効率的に反応副生成物を捕獲することができるトラップ装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記問題点を解決するために、被処理体に成膜を施す成膜装置の排気ガス系に設けられて、排気ガス中に含まれる反応副生成物を捕獲するトラップ装置において、ガス導入口とガス排出口を有して前記排気ガス系に介設される筐体と、この筐体内を複数の部屋に仕切る仕切板と、前記排気ガスが前記複数の部屋内を順に流れるように前記仕切板に形成されたガス流通口と、前記反応副生成物を捕獲するために前記各部屋内に収容されたトラップ機構とを備えるように構成したものである。
【０００７】
このように構成したので、筐体内に導入された排気ガスは、仕切板に形成されたガス流通口を介して各部屋を順に通過し、その間に、各部屋内に設けられているトラップ機構により排気ガス中に含まれる反応副生成物が捕獲されて除去される。従って、排気ガスは各部屋を順に通過することからガス流路が実質的に長くなり、その分、反応副生成物の捕獲効率を高めることができる。
また、トラップ機構は、複数本の支柱と、これに所定のピッチで保持させたトラップ板よりなり、このトラップ板に多数の通気孔を形成した構造となっているので、比較的目詰まりも発生し難くすることができる。
【０００８】
また、この通気孔を排気ガスの流れ方向に沿ってちどり状に配列することにより、排気ガスはジグザグ状、或いは蛇行状に流れることになり、その分、トラップ板と接触する機会が増えるので捕獲効率を高めることができる。
更には、上記通気孔の１つ当たりの開口面積を、排気ガスの流れ方向に沿って次第に小さくすることにより、捕獲量の多い排気ガス上流側の通気孔の開口面積を比較的大きく設定しておいてこの部分の目詰まりを防止すると共に、下流側の１つ当たりの開口面積は小さいので下流側に残留する反応副生成物を効率的に捕獲することが可能となる。
【０００９】
また、トラップ機構を筐体に設けた蓋体に一体的に取り付けることにより、メンテナンス時にはこの蓋体を取り外せばトラップ機構を一所に取り出すことができ、メンテナンスの作業性を向上させることが可能となる。
また、筐体の一面に、内部が見られるような監視窓を設けることにより、捕獲した反応副生成物の量を確認して、適切なメンテナンス時期を知ることが可能となる。
更には、筐体にドレン口を設けてこの内壁をドレン口に向けて傾斜したテーパ面として形成することにより、筐体内を洗浄した洗浄液をテーパ面に沿って流してこれを迅速にドレン口から排出させることが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係るトラップ装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明のトラップ装置を設けた成膜装置の排気ガスを示す図、図２は本発明のトラップ装置を示す構成図、図３は図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視断面図、図４は図２中のＩＶ−ＩＶ線矢視断面図、図５は図２中のＶ−Ｖ線矢視断面図、図６はトラップ機構を示す斜視図、図７はトラップ板を示す平面図、図８はトラップ板の通気孔の配列を説明するための図、図９はトラップ板の通気孔のサイズの変化を説明するための図である。
【００１１】
まず、図１に基づいて成膜装置とその排気ガス系について説明する。図１に示すように成膜装置２は、例えばアルミニウム製の処理容器４を有している。この処理容器４内の底部には、被処理体として例えば半導体ウエハＷを載置するためのサセプタ６が設けられ、天井部には、処理容器４内に処理ガスを導入するためのシャワーヘッド８が設けられている。ここでは処理ガスとして、例えばＴｉＣｌ4 とＮＨ3 （アンモニア）を用いて、ＴｉＮ（チタンナイトライド）を成膜する場合を例にとって説明する。この時、反応副生成物としては、純度にもよるが、例えば常温で液体であり、しかも１５０℃で気化する塩化アンモニウム（ＮＨ4 Ｃｌ）が生成され、トラップ装置は、これを捕獲することになる。
【００１２】
そして、上記処理容器４の底部に設けた排気口１０には、排気ガス系１２が接続されて、処理容器４内を真空引き可能としている。具体的には、この排気ガス系１２は、上記排気口１０に接続された例えばステンレス製の排気通路１４を有し、この排気通路１４にその上流側より下流側に向けて、ゲートバルブ１６、ターボ分子ポンプ等のポンプ１８、第１開閉弁２０、本発明のトラップ装置２２、第２開閉弁２４及びドライポンプ２６等を順次介設している。尚、このトラップ装置２２等が介設された排気ガス系１２は、実際には成膜装置２の近傍にコンパクトに納められているが、図１では構造を判り易くするために展開して記載してある。また、トラップ装置２２の介設位置は、上記した位置に限定されない。
【００１３】
次に、トラップ装置２２について説明する。図２乃至図５に示すようにこのトラップ装置２２は、例えばアルミニウム等により一辺が略数１０ｃｍ程度の略方形状に成形された箱状の筐体２８を有している。この筐体２８内には、その高さ方向に沿って十字状に配置された仕切板３０Ａ〜３０Ｄが設けられて内部を仕切っており、例えば直方体状の第１〜第４の４つの部屋３２Ａ〜３２Ｄを形成している。
第１の部屋３２Ａの上部側壁にはガス導入口３４が形成されており、これにはフランジ３６を有する接続管３８が接続されている。このフランジ３６には、排気通路１４のフランジ１４Ａが図示しないシール部材等を介設してボルト４０により気密に接続され、排気ガスを導入するようになっている。
【００１４】
上記第１と第２の部屋３２Ａと３２Ｂとの間を仕切る仕切板３０Ａの底部には、比較的大面積の第１のガス流通口４２Ａが形成されており、上記ガス導入口３４より第１の部屋３２Ａ内に導入した排気ガスを下降させて、この第１のガス流通口４２を介して第２の部屋３２Ｂの底部へ導入するようになっている（図５参照）。
また、上記第２と第３の部屋３２Ｂと３２Ｃとの間を仕切る仕切板３０Ｂの上部には、比較的大面積の第２のガス流通口４２Ｂが形成されており、上記第１のガス流通口４２Ａより第２の部屋３２Ｂ内に導入した排気ガスを上昇させて、この第２のガス流通口４２Ｂを介して第３の部屋３２Ｃの上部へ導入するようになっている（図４参照）。
【００１５】
更に、上記第３と第４の部屋３２Ｃと３２Ｄとの間を仕切る仕切板３０Ｃの底部には、比較的大面積の第３のガス流通口４２Ｃが形成されており、上記第２のガス流通口４２Ｂより第３の部屋３２Ｃ内に導入した排気ガスを下降させてこの第３のガス流通口４２Ｃを介して第４の部屋３２Ｄの底部へ導入するようになっている（図５参照）。
また、図２に示すように第４の部屋３２Ｄの天井部にはガス排出口４４が形成されており、これにはフランジ４６を有する接続管４８が接続される。このフランジ４６には、排気通路１４のフランジ１４Ｂが図示しないシール部材等を介設してボルト５０により気密に接続され、筐体２８内の排気ガスを後流側へ排出するようになっている。尚、このガス排出口４４を第４の部屋３２Ｄの天井部ではなく、側壁の上部に設けるようにしてもよい。
【００１６】
また、第１及び第４の部屋３２Ａ、３２Ｄの各側壁には、その高さ方向に沿って設けられた例えばガラスよりなる監視窓５２、５４が形成されており、内部の状況を監視し得るようになっている。尚、これらの監視窓５２、５４を、第２及び第３の部屋３２Ｂ、３２Ｃの側壁にも設けるようにしてもよい。
更に、この筐体２８の底部には、複数のキャスタ５６が設けられており、この装置全体の搬送を容易に行ない得るようになっている。
また、第１〜第３の部屋３２Ａ〜３２Ｃの天井部及び第４の部屋３２Ｄの底部には、後述するトラップ機構を挿脱し得る大きさの取出開口部６０Ａ〜６０Ｄが形成されており、各開口部６０Ａ〜６０Ｄは蓋体６２Ａ〜６２Ｄにより気密に閉塞されて、ボルト６４により着脱可能に取り付けられている。尚、これらの蓋体６２Ａ〜６２Ｄは筐体の側壁に設けるようにしてもよい。そして、各蓋体６２Ａ〜６２Ｄには、把手６６が設けられており、この着脱を容易化している。
【００１７】
一方、上記第１〜第４の各部屋３２Ａ〜３２Ｄ内には、図３及び図６に示すようなトラップ機構５８が収容されており、これにより排気ガス中に含まれる反応副生成物を捕獲して除去するようになっている。各トラップ機構５８は、後述するように通気孔の面積或いは直径が相異する点を除き、全く同様に形成されているので、図６では第１の部屋３２Ａ内に収容されるトラップ機構を示して他のトラップ機構についての説明を省略する。
【００１８】
具体的には、このトラップ機構５８は、上記蓋体６２Ａに上端が接続固定された４本の支柱６８と、これに所定のピッチ、例えば１０ｍｍ〜２０ｍｍ程度の間隔で取り付け固定された矩形状の多数の、例えば２０枚程度のトラップ板７０とにより構成されている。尚、支柱６８の数は４本に限定されない。各トラップ板７０には、図７にも示すように排気ガスを通過させるために直径が約１０ｍｍ程度の多数の通気孔７２が形成されている。また、図８に示すように上段に位置するトラップ板７０と下段に位置するトラップ板７０の相互の通気孔７２の位置関係は、排気ガスの流れ方向に沿ってちどり状に位置されており、排気ガスをジグザグ状、或いは蛇行状に流してある程度の排気コンダクタンスを持たせるようになっている。これにより、反応副生成物の捕獲効率を高めるようになっている。
【００１９】
また、各トラップ板７０に設けた通気孔７２の面積、具体的にはその内径は、全て同一になされているのではなく、図９に示すようにガス流の上流側は大きく、下流側は小さくなるようにガス流れ方向に行くに従って次第に小さくなされている。尚、１つ当たりの通気孔７２のサイズが小さくなってもトラップ板１枚当たりのこの総面積はサイズが大きい通気孔の総面積と同じになるように設定されている。これにより、反応副生成物量の多いガス流上流側における目詰まりを防止すると共に、反応副生成物量の少ないガス流下流側においても効率的に反応副生成物を捕獲し得るようになっている。この通気孔７２の直径は、連続的、或いはステップ状に段階的に小さくするようにする。
【００２０】
また、この通気孔７２の直径の縮小構造は、１つの部屋間のトラップ機構のトラップ板間においても採用するし、部屋間のトラップ機構のトラップ板間においても採用する。従って、例えば第１の部屋３２Ａ内の最下流側のトラップ板の通気孔７２の直径は、第２の部屋３２Ｂの最上流側のトラップ板の通気孔７２の直径と同等か、それ以下に形成されている。従って、第４の部屋３２Ｄの最下流側のトラップ板の通気孔７２の直径が一番小さくなるように設定されている。また、第２及び第４の部屋３２Ｂ、３２Ｄ内の通気孔７２の直径は、下から上に向かって、すなわちガスの流れ方向に沿って次第に小さくなる。
【００２１】
そして、図３に示すように筐体２８内の仕切板３０Ａ（３０Ｃ）のガス流通孔４２Ａ（４２Ｃ）に対応する底部部分にはドレン口７６が設けられており、ここにはドレン開閉弁７８が配置されている。そして、底部内壁７４は、上記ドレン口７６に向けて僅かな角度だけ下向き傾斜されてテーパ面として形成されており、メンテナンス時における内部の洗浄液を容易に排出し得るようになっている。このドレン口は、図示されてないが、第３と第４の部屋３２Ｃ、３２Ｄの仕切板３０Ｃの下方にも設けられている。尚、図１中の破線で示す８０は、排気孔１０からトラップ装置２２までの排気通路１４に設けたヒータであり、これを例えば１５０℃程度まで加熱することによって内部を流れる反応副生成物のベーパ状態を保持している。
【００２２】
次に、以上のように構成された本実施例の作用について説明する。
まず、図１に示すように成膜装置２の処理容器４内にてウエハＷに対して所定の成膜処理を行なうと、排気ガス中には反応副生成物が含まれ、これが排気ガス系１２内を流れてくる。例えば処理ガスとしてＴｉＣｌ4 とＮＨ3 ガスを用いてウエハＷにチタンナイトライド膜を成膜する場合には、塩化アンモニウムが反応副生成物として生成される。
【００２３】
この反応副生成物は、トラップ装置２２までの排気通路１４はヒータ８０により気化温度、例えば１５０℃以上に加熱されているので、凝固することなくトラップ装置２２内に排気ガスとともに流入する。図１０は、トラップ装置２２内の排気ガスの流れを模式的に示す模式図であり、ガス導入口３４より第１の部屋３２Ａ内の上部に流入した排気ガスはこの部屋３２Ａを流下して第１のガス流通口４２Ａを介して第２の部屋３２Ｂの底部に流れ込む。この排気ガスは、この部屋３２Ｂ内を上昇して第２のガス流通口４２Ｂより第３の部屋３２Ｃ内の上部に流れ込み、この部屋３２Ｃ内を流下する。そして、この排気ガスは、第３の流通口４２Ｃを介して第４の部屋３２Ｄの底部に流れ込み、この部屋３２Ｄ内を上昇した後、天井部のガス排出口４４から筐体２８の外へ排出されることになる。
【００２４】
ここで、各部屋３２Ａ〜３２Ｄ内には、トラップ機構５８が設けられているので、排気ガス中の反応副生成物は効率的に捕獲されて除去される。
すなわち、排気ガスは図６乃至図９に示すように各トラップ板７０の通気孔７２を通過しながらガス流れ方向に流れて行くが、この時、常温のトラップ板７０と接触した反応副生成物が凝縮してこの表面に付着し、捕獲されることになる。この場合、図８に示すように通気孔７２は、ガス流れ方向に沿ってちどり状に配列されているので、排気ガスはストレートに流れることなくジグザグ状、或いは蛇行状に流れ、このため反応副生成物がトラップ板７０と接触する確率が増え、この捕獲効率をその分、向上させることができる。この場合、通気孔７２を図８において上下方向にちどり状に配列するだけでなく、図面垂直方向に対してもちどり状に配列すれば、一層捕獲効率を向上させることができる。
【００２５】
特に、本実施例では、排気ガスは第１の部屋３２Ａから第４の部屋３２Ｄまで順次流れることからその経路が非常に長くなり、その分、捕獲効率を大幅に向上させることができる。また、１つの筐体２８内を４つの部屋に仕切った構成なので、占有スペースをそれ程増大させるものではない。
また、図９に示すようにガス流の上流側の通気孔７２のサイズを大きく設定し、下流に行く程、順次或いは段階的にそのサイズを小さく設定しているので、多量の反応副生成物を捕獲する傾向にある上流側のトラップ板７０に多量の反応副生成物が付着しても、この通気孔７２のサイズが大きいことから目詰まりが発生することを抑制することができる。
【００２６】
また、下流側のトラップ板７０に付着する反応副生成物は少なくなる傾向にあるが、その分、通気孔７２のサイズを小さくしているので、サイズが大きい場合と比較してこの部分で捕獲する確率を高く維持することができる。従って、全体的な目詰まりの発生を抑制しつつ反応副生成物の捕獲効率を高く維持することが可能となる。
また、トラップ板７０に付着した反応副生成物の量は、筐体２８の側面に設けた監視窓５２、５４から中を監視することにより確認することができ、反応副生成物が多量に捕獲されたならば、このトラップ装置２２を取り外して洗浄するなどのメンテナンス作業を行なう。
【００２７】
トラップ装置２２の取り外しは、まず、成膜処理が完了した後、第１及び第２開閉弁２０、２４（図１参照）を閉じてトラップ装置２２を孤立させ、両接続管３８、４８のフランジ３６、４６を固定しているボルト４０、５０を抜いて、トラップ装置２２を排気通路１４から取り外す。
捕獲した反応副生成物がそれ程多くない場合には、この筐体２８内に溶媒として、例えば洗浄水を満たし、その後、筐体全体を振動するなどしてトラップ板７０に付着した反応副生成物を溶解させ、除去する。
捕獲した反応副生成物がかなり多く、このような簡易な洗浄操作では簡単には除去できないような場合には、各部屋３２Ａ〜３２Ｄの天井部或いは底部に設けた蓋体６２Ａ〜６２Ｄを、これらを固定するボルト６４を緩めることによって取り外し、これと同時にこれらの蓋体６２Ａ〜６２Ｄに一体的に連結されているトラップ機構５８を筐体２８の外へ取り出す。尚、蓋体６２Ａ〜６２Ｄとトラップ機構５８とが一体的に連結されていない場合は、各蓋体６２Ａ〜６２Ｄを取り外した後、各部屋内に収容されているトラップ機構５８を手で取り出せばよい。
【００２８】
このようにトラップ機構５８を筐体２８内から取り出したならば、各トラップ機構５８を洗浄水に浸漬するなどしてこれにより捕獲した反応副生成物を洗い流すようにする。また、同時に、筐体２８の内壁等に付着している反応副生成物を洗浄水により洗い流すようにする。
上記筐体２８内から洗浄水を排出する時は、ほとんどの洗浄水は接続管３８、４８や、蓋体を外している場合には、取出開口部６０Ａ〜６０Ｄから排出させることができるが、筐体２８内に残留する洗浄水を迅速に完全に排除するのは難しい。ところが、本実施例においては、図３に示すように筐体２８内の底部内壁７４、７４は、テーパ面として形成してあるので、内部に残留する洗浄水は、このテーパ面に沿って流下し、ドレン口７６に流れ込むことになるので、ドレン開閉弁７８を開状態にしておけば、これより残留洗浄水を容易に排出することが可能となる。
【００２９】
このようにトラップ装置内の排気ガスの流路長が長くなっても各トラップ機構５８を容易に筐体２８内から取り出すことができ、メンテナンス作業を比較的容易に行なうことができる。
また、トラップ板７０の枚数やピッチ或いはこれに設けた通気孔７２のサイズ等は、捕獲すべき反応副生成物の量や性質等を考慮して適切に設定する。
ここでは、トラップ機構５８としてはトラップ板７０に円形の通気孔７２を形成したものを用いたが、これに限定されず、例えば図１１に示すようにトラップ板７０にコ字状の切り込みを入れて、この切り込み部分を所定の角度だけ排ガス流れ方向へ折り曲げるなどして矩形状の通気孔８２とフィン８４を設けるように構成してもよい。この場合、排気ガス流れ方向に沿って通気孔８２をちどり状に配列するのは勿論のこと、フィン８４の傾斜方向もガス流れ方向に沿って相互に逆になるようにすれば、反応副生成物の捕獲効率を高く維持することができる。また、トラップ機構として従来の内部構造に採用していたもの、例えば多数のフィンを配列したものも採用することができる。
【００３０】
また、ここでは反応副生成物の付着状態をオペレータが監視窓から監視することによって認識して洗浄の時期を決定していたが、これを自動的に行なうようにしたもよい。例えば図１２に示すようにトラップ装置２２の上流側か、下流側の排気通路１４に流量計８６を設け（図示例では上流側に設けている）、ここで検知した流量値をマイクロコンピュータ等の判断部８８にて所定のスレシホールド値と比較することにより、メンテナンスの要否を判断する。例えば、反応副生成物が一定量以上捕獲されると、排気コンダクタンスが大きくなって排気ガスの流量が低下するので、これがスレシホールド値以下になったならば、警報器９０を作動させるなどして、オペレータにメンテナンスの必要性を知らせるようにする。また、流量計８６に替えて圧力計を設けるようにしてもよく、トラップ装置２２の上流側に圧力計を設定した場合には、反応副生成物が一定量以上捕獲されると圧力が上昇するので、これをスレシホールドによって検知すればよいし、下流側に設置した場合には、これと逆の現象が生ずるので圧力の低下を検知すればよい。
【００３１】
尚、上記実施例では筐体内を縦方向に仕切って４つの部屋を設けたが、この部屋数は４つには限定されず、また、筐体内を横方向に仕切ってもよい。
更に、上記実施例においては、トラップ板を常温状態にして反応副生成物を捕獲することとしているが、このトラップ板に冷媒を流す冷媒管等を配設してこれを冷却し、ベーパ状態の反応副生成物の凝縮を促進させるようにしてこれをトラップしてもよい。
また、ここでは反応副生成物として塩化アンモニウムを除去する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、室温以下で凝縮するような反応副生成物ならば全てのものに適用することができる。
更には、ここでは半導体ウエハに成膜する場合について説明したが、これに限定されず、ＬＣＤ基板、ガラス基板等にも適用可能である。
【００３２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のトラップ装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
１つの筐体内を複数の部屋に仕切って各部屋にトラップ機構を配置し、排気ガスを各部屋に渡って順に流すようにしたので、装置のコンパクト化を維持しつつ流路長を拡大することができ、排気ガス中の反応副生成物を効率的に除去することができる。
また、トラップ機構として、通気孔を設けたトラップ板を所定のピッチで配列した構成としたので、構造が簡単になり、目詰まり等の発生を抑制することができる。
更に、排気ガスの流れ方向に沿って、通気孔をちどり状に配列することにより、排気ガスがジグザグ或いは蛇行状に流れるので排気がトラップ板と接触する確率が高くなり、その分、反応副生成物を効率的に捕獲することができる。
【００３３】
また、通気孔の開口面積を排気ガスの流れ方向に沿って次第に小さくすることにより、目詰まりの発生を更に抑制できると共に、反応副生成物の捕獲効率を更に向上させることができる。
更に、トラップ機構を蓋体と一体的に成形することにより、トラップ機構の着脱が容易となり、メンテナンス性を向上させることができる。
また、筐体に監視窓を設けることにより、メンテナンス時期を適確に把握することができる。
更に、筐体にドレン口を設けてその内壁をこのドレン口に向かうテーパ面とすることにより、洗浄水等の排出が容易となり、その分、メンテナンス作業を効率的に行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のトラップ装置を設けた成膜装置の排気ガスを示す図である。
【図２】本発明のトラップ装置を示す構成図である。
【図３】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線矢視断面図である。
【図４】図２中のＩＶ−ＩＶ線矢視断面図である。
【図５】図２中のＶ−Ｖ線矢視断面図である。
【図６】トラップ機構を示す斜視図である。
【図７】トラップ板を示す平面図である。
【図８】トラップ板の通気孔の配列を説明するための図である。
【図９】トラップ板の通気孔のサイズの変化を説明するための図である。
【図１０】トラップ装置内を流れる排気ガスの流れを示す図である。
【図１１】トラップ板の変形例を示す斜視図である。
【図１２】トラップ装置のメンテナンス時期を自動的に知らせるための実施例を示す図である。
【符号の説明】
２  成膜装置
４  処理容器
１２  排気ガス系
１４  排気通路
２２トラップ装置
２８  筐体
３０Ａ〜３０Ｄ  仕切板
３２Ａ〜３２Ｄ  部屋
３４  ガス導入口
４２Ａ〜４２Ｃ  ガス流通口
４４  ガス排出口
５２、５４  監視窓
５８  トラップ機構
６０Ａ〜６０Ｄ  取出開口部
６２Ａ〜６２Ｄ  蓋体
６８  支柱
７０  トラップ板
７２  通気孔
７６  ドレン口
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
0003991375.tif 000002
【図２】
0003991375.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003991375.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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