(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窓を備えた電子線管から放射される電子線量を測定する測定方法であって、
上記電子線管の窓の外側に、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした導電体、または、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした半導体からなる電流検出部を配置し、
前記検出部に流れる電流を測定することにより上記電子線管から放射される電子線量を測定する
ことを特徴とする電子線量の測定方法。
【請求項２】
窓を備えた電子線管と、該電子線管に電源を供給する電源部とから構成され、上記電子線管から放射される電子線を被処理物に照射して被処理物を処理する電子線照射処理装置であって、
上記電子線管の窓の外側に、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした導電体、または、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした半導体から構成された電流検出部と、該検出部に流れる電流を測定する電流測定部からなる電子線量測定器を配置し、
前記電流検出部に流れる電流信号に応じて、上記電源部を制御して上記電子線管から出力される電子線量を制御する
ことを特徴とする電子線照射処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等に塗布されたレジストの硬化や各種印刷物に塗布されたインクの乾燥等に使用される真空管型の電子線管から放射される電子線量を測定する電子線量測定方法、および、上記被処理物に電子線を照射して処理する電子線照射処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ等の塗布されたレジストの硬化、基板等に塗布された塗料、インキ、接着剤、保護用樹脂の乾燥や硬化のために、電子線照射を利用することが提案されてきている。
近年、特表平１０−５１２０９２に記載されたような、窓を有する電子線管が市販されるようになった。この電子線管の構成は、電子線を透過させる窓を有する真空容器内に、熱電子放出部と電子線加速部を設け、熱電子放出部から放出される熱電子を電子線加速部で加速して窓から放出する。
このような電子線管を用いると、窓から大気中に電子線を放出すことができる。従来、電子線照射処理装置は、被照射物が配置される雰囲気を減圧していたが、上記電子線管を用いれば、その必要がなく減圧のための真空ポンプや真空チャンバが不要となり、電子線照射処理装置の構成が簡単で取扱いも容易になる。
【０００３】
図７に、窓を有する直管型の電子線管（以下ＥＢ管という）とその電源回路の概略構造を示す。
ＥＢ管１は、内部にフィラメント１ａとグリッド１ｂを備えている。フィラメント１ａとグリッド１ｂには、端子１ｆを介して直流高電圧電源２から例えば３０〜７０ｋＶの高電圧が印加される。また、フィラメント１ａには端子１ｆを介してフィラメント電源３が接続され、フィラメント１ａは該電源３から供給される電流により加熱され、熱電子を放出する。放出された電子はグリッド１ｂによって生じる電界によってビーム形状に整えられる。また、グリッド１ｂには端子１ｆを介してグリッド電源４が接続され、グリッド１ｂに印加する電圧を制御することにより、ＥＢ管１からの電子放射を制御することができる。
整形された電子ビーム（以下、電子線という）は、フランジ１ｃに設けられた窓１ｄからＥＢ管１の外に出射される。ＥＢ管１から出射された電子線は、例えば図示しない半導体ウエハや各種印刷物等の被処理物に照射され、レジストの硬化やインクの乾燥等が行われる。
【０００４】
ＥＢ管１は、石英の管壁１ｅとフランジ１ｃおよび窓１ｄによって密閉構造になっている。内部の圧力は、発生した電子線が減衰しないように、１０-4〜１０-6Ｐａ（１０-6〜１０-8Ｔｏｒｒ）に減圧されている。
窓１ｄは、電子線を通過する時減衰しないような、厚さ数μｍ（例えば３μｍ）の、シリコンを含む特殊な材質よりなる膜である。
窓１ｄは、面積が広いほど、発生した電子線をＥＢ管１外部に効率良く出射することができる。しかし、上記したように非常に薄い厚さ（数μｍ）で、ＥＢ管１の外部の大気圧とＥＢ管１内部の圧力（１０-4〜１０-6Ｐａ）を隔てなければならない。したがって破損の危険性があるので、１枚の面積を広くできない。そこで図８のように、現状では、１辺が１〜２ｍｍの小さい面積の窓を、電子ビームの形状に沿うように、フィラメントの長手方向に複数並べている。
【０００５】
ＥＢ管１から出射される電子線を用いて、被処理物（ワーク）を処理する場合、被処理物に、設定した所定の電子線量を照射する必要がある。所定の電子線量を被処理物に照射できなければ、照射量の不足や過剰により、処理不良の原因となる。
一定の電子線量を出射する方法として、次の２つが考えられる。いずれもＥＢ管１に供給する電力を一定にするための制御である。
▲１▼  管電流を検出し、該電流が一定になるように制御する方法。
図７に示すように、管電流（図７において、直流高電圧電源２からＥＢ管１に流れる電流、図中の点線矢印）を電流検出部５により検出し、フィラメント１ａに流れる電流を制御し、管電流が一定になるように制御する方法である。直流高圧電源２の電圧が一定であれば、管電流を一定に制御することによりＥＢ管１に供給される電力が一定になるように制御される。なお、この方法は、Ｘ線管において通常行われている。
【０００６】
▲２▼  フィラメントの入力電力を一定にする方法。
フィラメント１ａに流れる電流（およびフィラメント１ａの電圧）を制御し、フィラメント１ａの入力電力を一定に制御する方法である。フィラメント１ａの電力を一定に制御することにより、熱電子放射量、すなわち管電流が一定に制御され、ＥＢ管１に供給される電力が一定に制御される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
図７に示すように管電流を一定に制御し、ＥＢ管１にー定の電力を供給していても、ＥＢ管１から出力される電子線の量が変化することがある。これは、以下のような理由によるものと考えられる。
▲１▼  ＥＢ管１内部のフィラメント１ａやグリッド１ｂは、位置が変化しないように内部で固定されている。しかし、電子線出射時、加熱されたフィラメントは約１９００℃に達するため、フィラメントやその近傍にあるグリッドは熱膨張により形状が変化する。そのために電子ビームの形状や方向が変化する。
▲２▼  管壁内部が帯電し、帯電した静電気の影響等により電子ビームの形状や方向が変化する。
【０００８】
前記したように、電子線をＥＢ管１の外部に取出すための窓１ｄは、略幅１ｍｍのものがフィラメントの長手方向に並んだものである。このため、上記▲１▼，▲２▼の理由により、ＥＢ管１内部において、発生する電子ビームの形状や方向が変化すると、電子線ビームが窓１ｄ以外の部分にも照射されてしまい、そのような電子線は外部に取出されないので、結果として出射される電子線量が変化する。
したがって、ＥＢ管１に一定の電力を供給するように制御していても、ＥＢ管１から出力される電子線の量を一定にすることができない。
【０００９】
以上のように、ＥＢ管１に一定の電力を供給するように制御しても、ＥＢ管１から出力される電子線量を必ずしも一定に制御することができず、このため、ＥＢ管１から出射される電子線を用いてワークを処理する場合、ワークに設定した所定の電子線量を照射することができなかった。
なお、ＥＢ管１から出力される電子線量を測定し、測定された電子線量が一定になるようにＥＢ管１に供給する電力を制御すれば電子線量を一定に制御することができるが、従来においては、ＥＢ管１から出力される電子線量を精度よく測定する方法が知られていなかった。
特に、電子線を照射することにより、雰囲気気体がプラズマになり、被処理物、被処理物を載置するワークステージ、処理室の壁などから２次電子が放出される。このため、ＥＢ管１の窓１ｄの近傍に電子線量を検出するセンサ等を配置しても、上記２次電子による浮遊電荷の影響により、ＥＢ管１から出力される電子線量を精度よく安定に検出することができない場合がある。
【００１０】
本発明は上記した従来技術の問題点に鑑みなされたものであって、本発明の第１の目的は、電子線管から出力され被処理物に照射される電子線量を正確に測定することができる電子線量測定方法を提供することである。
本発明の第２の目的は、電子線管から出力される電子線の量を一定に制御し、被処理物に照射される電子線量を一定に制御することができる電子線照射処理装置を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、上記課題を次のようにして解決する。
（１）電子線管の窓の外側に、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした導電体、または、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした半導体からなる電流検出部を配置し、該電流検出部に流れる電流を測定することにより電子線管から放射される電子線量を測定する。
（２）上記電子線量の測定方法を電子線照射処理装置に適用し、電子線管の窓の外側に、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした導電体、または、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした半導体から構成された電流検出部と、該検出部に流れる電流を測定する電流測定部からなる電子線量測定器を配置し、該電流検出部に流れる電流信号に応じて、電源部を制御して、被照射物に照射される電子線量を一定に制御する。
【００１２】
本発明においては、上記のように、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした導電体、または、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした半導体からなる電流検出部を配置し、該電流検出部に流れる電流を測定することにより、電子線管から放射される電子線量を測定するようにしたので、上記絶縁物がエネルギの障壁になり、浮遊電荷が上記導電体又は半導体に取りこまれて電流が発生することを防ぐことができる。このため、電子線管から出射される電子のみによる電流を検出することができ、電子線管から出力される電子線を正確に測定することができる。
また、上記電子線量の測定方法を電子線照射処理装置に適用し、電子管から出力される電子線量を制御するようにしたので、浮遊電荷による影響を受けることなく電子線管から出力される電子線量を制御することができるとともに、電子管内部において、電子ビームの形状や方向が変化しても、一定量の電子線を安定して出力することができる。
このため、被照射物に対して、設定された所定の電子線量を照射することができ、照射量の不足や過剰による処理不良の発生を防ぐことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施例を示す図である。前記図７と同様、ＥＢ管１は、内部にフィラメント１ａとグリッド１ｂを備えている。フィラメント１ａとグリッド１ｂには、直流高電圧電源２から例えば３０〜７０ｋＶの高電圧が印加される。また、フィラメント１ａには端子１ｆを介してフィラメント電源３が接続され、フィラメント１ａは該電源３から供給される電流により加熱され、熱電子を放出する。放出された電子はグリッド１ｂによって生じる電界によってビーム形状に整えられる。また、グリッド１ｂには端子１ｆを介してグリッド電源４が接続され、グリッド１ｂに印加する電圧を制御することにより、熱電子放射を制御することができる。整形された電子線は、フランジ１ｃに設けられた窓１ｄからＥＢ管１の外に出射する。
【００１４】
ＥＢ管１の窓１ｄの外側近傍（例えば窓からの距離５ｍｍ）に電流検出部１１ａを備えた電子線量測定器１１が設けられている。電流検出部１１ａは、導電体であるステンレス、銅、アルミニウム又は半導体であるシリコン、ゲルマニウム、化合物半導体などにより構成される。電流測定部１１ｂは、検出した電流を測定する電流計と電流電圧変換回路より構成される。
ＥＢ管１の窓１ｄから出射された電子線は、その一部の電子が電流検出部１１ａにキャッチされる。キャッチされた電子は導体又は半導体である電流検出部１１ａを移動し電流を発生させる。発生した電流は、電流測定部１１ｂで測定され、測定電流値を示す電圧信号に変換されて、制御部１２に送られる。
【００１５】
制御部１２は、上記測定電流値を、あらかじめ入力されている設定電流値と比較する。測定電流値が設定電流値よりも少なければ、フィラメント電源３を制御して、管電流を増加させＥＢ管１に供給する電力を増加させる。また、測定電流値が設定電流値よりも大きければ、管電流を減少させＥＢ管１に供給する電力を減少させる。
このように、ＥＢ管１の窓１ｄから出射される電子線を電流値として検出し、該電流値に基づいてＥＢ管１に供給する電力値を制御することにより、ＥＢ管１から出力される電子線の量を一定かつ安定に制御することができる。なお、図１では電子線量測定器１１の出力によりフィラメント電源３を制御する場合を示しているが、後述するようにグリッド１ｂに印加する電圧をＰＷＭ制御して、ＥＢ管１から出力される電子線量を制御するようにしてもよい。
【００１６】
図２は上記電流検出部の配置例を示す図である。同図に示すように、電流検出部１１ａは、複数の導体又は半導体からなる線で構成し、ＥＢ管１の各窓１ｄの近傍に、各線が長手方向（窓１ｄの並び方向）に対して略直交する方向に配置するのが好ましい。このように配置すれば、電流検出部１１ａの位置が多少ずれても、その影響を小さくすることができ、また電子線照射を妨げることもない。
図２に示す電流検出部１１ａに電子が取り込まれると、電子は電流検出部１１ａの導体又は半導体を通って流れ、この電流の大きさは電流検出部１１ａに取り込まれる電子の量に比例した値となる。電子が取り込まれることにより生ずる電流なので、電流の方向は同図に示すような方向になる。
【００１７】
ここで、電流検出部１１ａにより検出される電流値を安定するために、以下のことを考慮する必要がある。
電流検出部１１ａはＥＢ管１の窓１ｄから出力される電子線のみをキャッチしする必要がある。しかし、電流検出部１１ａ近傍には、電子線照射により電荷が生じ浮遊しており、電流検出部１１ａはこの電荷も取り込む。
上記電荷は次のような原因により生じるものと考えられる。
▲１▼  電子線照射により、雰囲気気体がプラズマになっている。
▲２▼  電子線照射により、電子線量測定器１１や、図示しない被処理物を載置するためのワークステージ、ワークステージが配置される処理室の壁などから、２次電子が放出される。
【００１８】
これらの電流検出部１１ａ近傍の浮遊電荷は、被処理物が近くにない場合、電流検出部１１ａに取りこまれて電流を発生する。また、被処理物が接近すると被処理物に吸い寄せられ、電流検出部１１ａに取りこまれなくなる。すなわち、被処理物の有無によって、電流測定部１１ｂによって測定される電流値が大きく変化することとなる。
以上のことから、上記浮遊電荷の影響を受けないように電子線量を測定しなければ、ＥＢ管１から出力される電子線量を精度よく測定することができず、ＥＢ管１から出力される電子線量を安定に制御することができない。
【００１９】
通常、ＥＢ管１から出力される電子線のエネルギーは数十ｋｅＶであり、浮遊電荷のエネルギーは数十ｅＶである。しかし、エネルギーの大きさにかかわらず、電子がキャッチされたときに電流検出部１１ａに生ずる電流は同じなので、上記浮遊電荷量が多ければ、電流検出部１１ａに流れる電流は大きくなる。
そこで、本発明においては、上記ＥＢ管１から出力される電子線のエネルギーと浮遊電荷のエネルギーの大きさの違いを利用して、ＥＢ管から出力されるエネルギーの大きな電子のみが、電子線量測定器１１の電流検出部１１ａにキャッチされるようにした。
具体的には、電流検出部１１ａの導体又は半導体表面に絶縁物をコーティングする。コーティングする絶縁物の種類や厚さは、数十ｅＶの電荷は通過しないが、数十ｋｅＶの電子は通過するエネルギの障壁になるように選択する。絶縁物としては、例えば、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、シリカ（ＳｉＯ2 ）等を用いることができる。
【００２０】
電子線量測定器１１の電流検出部１１ａとしてステンレス線を用い、該ステンレス線にセラミック膜（Ａｌ2 Ｏ3 ・厚さ１５μｍ）をコーティングした場合と、コーティングしない場合とで、各々電流値を測定した。
図３に実験回路を示す。同図に示すように、ＥＢ管１の窓１ｄから５ｍｍ離れた位置に電子線量測定器１１の電流検出部１１ａを配置し、また、ＥＢ管１の窓１ｄの下方にワークＷ（ウエハを使用した）を配置し、ＥＢ管１とワークＷとの距離を変えて、電流検出部１１ａに流れる電流を電流測定部１１ｂにより測定した。ワークＷは、ワークステージＷＳ上に載置されている。ワークステージＷＳは、導電体で構成されており、アースされている。
ＥＢ管１に供給した電力は５０ｋＶ・２００μＡであり、雰囲気は常圧・大気中である。
【００２１】
上記結果を図４に示す。横軸はＥＢ管の窓からワークＷであるウエハの表面までの距離（ｍｍ）、縦軸は電流検出部１１ａによって検出される電流値（μＡ）であり、同図中の丸印は電流検出部１１ａとして被覆されていないステンレス線を用いた場合、四角印は電流検出部として前記した厚さ１５μｍのセラミック膜で被覆されたステンレス線を用いた場合を示している。
電流検出部１１ａがコーティングしないステンレス線である場合、ウエハ（ワークＷ）をＥＢ管１に接近させるほど、検出される電流値が減少している。これは前記したように、ウエハが接近するにつれて、電子線量測定器の近傍に浮遊している電荷が、ウエハにキャッチされるためと考えられる。
【００２２】
一方、電流検出部１１ａが厚さ１５μｍのセラミックでコーティングされている場合、ウエハの接近によっても、検出される電流値はほとんど変化しない。
厚さ１５μｍのＡｌ2 Ｏ3 のセラミックコーティング膜は、約３０ｋｅＶのエネルギの障壁に相当する。したがって、浮遊している数十ｅＶの電荷は、該セラミックコーティング膜を通過することができず、ステンレス線にキャッチされない。このため、電流検出部１１ａは、電流検出部１１ａの近傍に浮遊している電荷の影響を受けることなく、ＥＢ管１から出射される３０ｋｅＶ以上のエネルギを有する電子のみによる電流を検出することができる。
以上の実験から、電流検出部１１ａの導体又は半導体を厚さが１５μｍのセラミックでコーティングすれば、浮遊電荷に影響されることなく電子線量を精度良く測定できることがわかった。なお、セラミック膜の厚さは１５μｍより薄くてもよいと考えられる。すなわち、前述したように浮遊電荷は数十ｅＶであり、数十ｅＶの浮遊電荷が通過出来ない程度の厚さにセラミック膜をコーティングすればよい。
【００２３】
以上のように、電子線量測定器１１を設けて電子線量を測定し、ＥＢ管１の電力を制御することにより、上記したように浮遊電荷の影響を受けることなく電子線量を制御することができるが、これに加え、前記したように、フィラメントの加熱による熱膨張の影響や、管壁内部の帯電の影響によりＥＢ管１の出力が変動するのを防止することもできる。ＥＢ管１から出力される電子線量を一定に保つことができる。
図５は図１に示したように電子線量測定器１１により電子線量を測定しＥＢ管１の電力を制御した場合と、前記図７に示すように管電流を検出してＥＢ管１の電力を制御した場合のＥＢ管１の出力を示す図である。
【００２４】
同図は、ワークとして導体を用い、ワークにＥＢ管から電子線を照射した場合にワークに流れる電流を測定した結果を示しており、同図の横軸はＥＢ管点灯後の経過時間（分）、横軸はＥＢ管点灯開始時のＥＢ管の出力を１としたときのパーセントを示している。また、丸印は管電流一定制御の場合であり、三角印は電子線量測定器１１を設けてＥＢ管１の電力を制御した場合である。
同図に示すように、管電流を一定に制御した場合（同図の丸印）、ＥＢ管点灯後、ＥＢ管からの出力は低下し、略１４分後に１００％に達する。これは、前述したように、ＥＢ管点灯後、フィラメントが加熱することにより、フィラメントやその近傍にあるグリッドの形状が熱膨張により変化し、電子ビームの形状や方向が変化したり、帯電の影響によるものと考えられる。
これに対し、電子線量測定器１１を設けてＥＢ管の電力を制御した場合（同図の三角印）、同図に示すようにＥＢ管の出力は略一定に保たれた。
以上のように、電子線量測定器１１を設けてＥＢ管の電力を制御することにより、ＥＢ管点灯後、直ちにＥＢ管から出力される電子線量が一定になるので、待ち時間なく電子線照射処理を行うことができ、スループットを向上させることができる。
【００２５】
ところで、ＥＢ管の直径は数ｃｍ程度であり、大きなワークを処理する場合には、複数本のＥＢ管を平面状に並べて配置してワークに処理する必要がある。
図６は上記のように複数本のＥＢ管を用いた場合の制御系の構成例を示す図である。直流高圧電源２、グリッド電源４から各ＥＢ管１−１〜１−ｎに電圧を供給するとともに、各ＥＢ管１のそれぞれにフィラメント電源３−１〜３−ｎを設ける。
そして、図６に示すように、複数本の各ＥＢ管に前述した電子線量測定器１１を設け、その出力を各制御部１２−１〜１２−ｎに送る。
各制御部１２−１〜１２−ｎは、上記電子線量測定器１１から送られてくる測定電流値と、あらかじめ入力されている設定電流値とを比較し、測定電流値が設定電流値よりも少なければ、フィラメント電源３−１〜３−ｎを制御して、フィラメント電流を増加させる。また、測定電流値が設定電流値よりも大きければ、フィラメント電流を減少させる。これにより、各ＥＢ管１から出力される電子線量を一定に制御することができる。
【００２６】
以上説明した実施例では、電子線量測定器１１の出力に基づき、フィラメント電源３を制御して、ＥＢ管１から出力される電子線量を制御する場合について説明したが、ＥＢ管１のグリッド１ｂに印加する電圧を制御して、ＥＢ管１から出力される電子線量をＰＷＭ制御するようにしてもよい。
すなわち、ＥＢ管１はグリッド１ｂに印加する電圧を制御することにより、電子線の出力をオン／オフ制御することができるので、電子線量測定器１１で測定された電流値をＰＷＭ制御器に送り、ＰＷＭ制御器から、測定電流値が設定電流値に一致するようなパルス幅変調信号（ＰＷＭ信号）を出力し、この出力によりＥＢ管１のグリッド１ｂに印可する電圧を制御する。これにより、ＥＢ管１から出力される電子線量がＰＷＭ制御され、前記実施例と同様、ＥＢ管１から出力される電子線量を平均値として一定に制御することができる。
【００２７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明においては以下の効果を得ることができる。
（１）電子線管の窓の外側に、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした導電体、または、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした半導体からなる電流検出部を配置し、該電流検出部に流れる電流を測定することにより，電子線管から放射される電子線量を測定するようにしたので、上記絶縁物がエネルギの障壁になり、浮遊電荷が上記導電体に取りこまれて電流が発生することを防ぐことができる。  このため、電子線管から出射される電子のみによる電流を安定して検出することができ、電子線管から出力される電子線を正確に測定することができる。
【００２８】
（２）電子線管の窓の外側に、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした導電体、または、表面に絶縁物を、通過する電子のエネルギーの障壁になるようにコーティングした半導体から構成された電流検出部と、該検出部に流れる電流を測定する電流測定部からなる電子線量測定器を配置し、上記電流検出部に流れる電流信号に応じて、電子線管から出力される電子線量を制御するようにしたので、浮遊電荷による影響を受けることなく、電子線管から出力される電子線量を制御することができる。また、電子線管から出力される電子線量を検出して制御しているため、電子管内部において、電子ビームの形状や方向が変化しても、一定量の電子線を安定して出力することができる。
このため、被照射物に対して、設定された所定の電子線量を照射することができ、照射量の不足や過剰による処理不良の発生を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の電子線管の制御装置の構成を示す図である。
【図２】電流検出部の配置例を示す図である。
【図３】実験回路の構成を示す図である。
【図４】ステンレス線にセラミック膜をコーティングした場合とコーティングしない場合との各々において測定される電流を示す図である。
【図５】電子線量測定器により電子線量を測定しＥＢ管の電力を制御した場合と管電流を検出してＥＢ管の電力を制御した場合の出力を示す図である。
【図６】複数本のＥＢ管を用いた場合の制御系の構成例を示す図である。
【図７】窓を有するＥＢ管とその電源回路の概略構造を示す図である。
【図８】ＥＢ管の窓の配置を説明する図である。
【符号の説明】
１      ＥＢ管（電子線管）
１ａ    フィラメント
１ｂ    グリッド
１ｃ    フランジ
１ｄ    窓
１ｅ    管壁
２      直流高電圧電源
３      フィラメント電源
４      グリッド電源
１１    電子線量測定器
１１ａ  電流検出部
１２    制御部
【図１】
0003904380.tif 000002
【図２】
0003904380.tif 000003
【図３】
0003904380.tif 000004
【図４】
0003904380.tif 000005
【図５】
0003904380.tif 000006
【図６】
0003904380.tif 000007
【図７】
0003904380.tif 000008
【図８】
0003904380.tif 000009