(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の製造方法であってダイシングシ−ト上に貼着された半導体素子ウエハ−を縦、横、所望のチップサイズにフルダイシングを施し各半導体素子チップを形成する工程と、
前記フルダイシングされた各半導体素子チップが貼着されたダイシングシ−トを所望の大きさまでエキスパンドする工程と、
前記エキスパンドされたダイシングシ−ト上の各半導体素子チップの一方の電極部側を電極板に接着剤で接着し、該接着剤を硬化する工程と、
前記ダイシングシ−トを剥離し、該ダイシングシ−トが剥離された各半導体素子チップの他方の電極部側を他の電極板に同様に接着剤で接着し、該接着剤を硬化する工程と、
前記半導体素子チップ間に絶縁物を注入して半導体素子チップのフルダイシングされた面をコ−ティングし、硬化する工程と、
前記電極板及び前記注入された絶縁物の部分を縦横にスライシングして個々の半導体素子に分離する工程と、
を具備する事を特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子の製造方法に於いて更に、
前記電極板に接続の為のメッキ処理を施す工程を具備する
事を特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体素子の製造方法に於いて
前記エキスパンドされたダイシングシ−ト上の各半導体素子チップの一方の電極部側を電極板に接着剤で接着し、該接着剤を硬化した後、前記ダイシングシ−トを剥離し、前記電極板に測定電源の一方の端子を共通に接続し、前記ダイシングシ−トが剥離された各半導体素子チップの電極部に測定電源の他端を接続して測定電圧を印加して各半導体素子チップの特性を測定する
事を特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項４】
半導体素子の製造方法であってダイシングシ−ト上に貼着された半導体素子ウエハ−を縦、横、所望のチップサイズにフルダイシングを施し各半導体素子チップを形成する工程と、
前記フルダイシングされた各半導体素子チップが貼着されたダイシングシ−トを所望の大きさまでエキスパンドする工程と、
前記エキスパンドされたダイシングシ−ト上の各半導体素子チップの一方の電極部側を電極板に接着剤で接着し、該接着剤を硬化する工程と、
前記ダイシングシ−トを剥離し、該ダイシングシ−トが剥離された各半導体素子チップの他方の電極部側を他の電極板に同様に接着剤で接着し、該接着剤を硬化する工程と、
前記半導体素子チップ間に絶縁物を注入して半導体素子チップのフルダイシングされた面をコ−ティングし、硬化する工程と、
これを導電性ダイシングシ−トに貼着して前記電極板及び前記注入された絶縁物の部分を縦横にスライシングして個々の半導体素子に分離する工程と、
前記導電性ダイシングシ−トに測定電源の一方の端子を接続し、前記導電性ダイシングシートと非接続の各半導体素子の電極板に測定電源の他端を接続して測定電圧を印加して各半導体素子の特性を測定する工程と、
前記ダイシングシ−トを剥離して各半導体素子を形成する工程とを具備する
事を特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項５】
請求項３及び４の１つに記載の半導体素子の製造方法に於いて、更に上記各測定結果に従って選別を行う工程を具備する
事を特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記電極板は導電性接着剤によって各半導体素子チップの電極に接着され、該導電性接着剤は前記電極板に転写又はスクリ−ン印刷された導電性銀ペ−ストである
ことを特徴とする請求項１乃至５中の１つに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記電極板は導電性接着剤によって各半導体素子チップの電極部側に接着され、該導電性接着剤は前記電極板に転写又はスクリ−ン印刷された異方導電性接着剤である
ことを特徴とする請求項１乃至５中の１つに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記半導体素子は発光ダイオ−ドである
ことを特徴とする請求項１乃至５の中の１つに記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記半導体素子は端面発光型発光ダイオ−ドである
ことを特徴とする請求項１乃至５の中の１つに記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁物は透光性絶縁物であって、前記フルダイシングされた半導体素子チップの各面をコ−ティングする前記絶縁物の厚みは前記ダイシングシ−トのエキスパンドの量によって調整される
事を特徴とする請求項９記載の端面発光型発光ダイオ−ドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ＬＥＤ等半導体発光素子の半導体素子の製造方法および端面発光型発光ダイオ−ドの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
特開平６−２７５６８４、特開平６−３２６３６５及び、特開平７−２８３４３９はいずれも半導体ウエハ−状態で加工、製造し、それぞれ電極部を構成し、側面部に絶縁コ−ティングを施し、ダイシング分割して表面実装型（ＳＭＤ）部品に供する様工夫されたものである。特に、特開平６−２７５６８４、特開平７−２８３４３９はＰＮ接合部周辺に溝を設けたり、メサ形成を施した半導体装置であり、特開平６−３２６３６５はウエハ−素子切断面に溝を設けこれを絶縁コ−トすることにより、ＰＮ接合部の保護を施したことを特徴としている。しかしながらこれらの絶縁コ−トの形成法をみると特開平６−２７５６８４ではウエハ−上にメサ構造体の溝部に絶縁材料層を形成したものをダイシングして分離するという特殊な方法によるものであり、また特開平６−３２６３６５ではウエハ−を縦横にダイシングした後に側面方向から所定のマスクシ−トを介して絶縁樹脂を注入硬化させて保護層を形成するものであるがこの保護層の厚みは側面を一様に薄くコ−ティングするものであって所望の機械的強度と光取り出し効率のバランスした任意の厚さに調整するものではない。また特に加工中の特性の測定に関する記載は見当らない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
（１）本発明は絶縁物層の厚み、例えばＬＥＤの光取り出し面を保護するための透光性樹脂の厚みを光取り出し効率を最大にすると共に機械的に所要の強度を要するにのに最適な任意の量に調整可能にする半導体素子の製造方法を提供するものである。通常テ−プエキスパンダ−は半導体ウエハ−がチップに切断された状態からチップ間隔を広げるためにシ−トを外周から引き延ばす機構であり１個ずつリ−ドフレ−ムやパッケ−ジの所定の場所に装着する工程に備えるものであるが、現行のものは単にそれだけの間接的手段に止まり直接的に電極板の接着加工等に関与するものではなかった。  本発明はこのテ−プエキスパンダ−に保持されるエキスパンドされたダイシングシ−トをダイシングされたチップ群の一括電極ボンディング工程に直接に関与させ最終的に所望の厚みの絶縁物層を持った半導体素子の生産性の高い廉価な製造方法を提供するものである。
（２）ＬＥＤのような半導体発光素子ウエハ−の場合、性能上極めて重要な要素は発光の出力である輝度の特性がウエハ−状態で把握できることが望ましい。上記特許公開公報に開示された加工方法は何れもリアルサイズで加工製造するため、完成体になるまで測定することが極めて困難である。現状のＬＥＤウエハ−の電気的特性のチェックは、ウエハ−をハ−フダイシングし電極上面にプロ−バ−ピンを当てて特性をチェックし、不具合品はバッドマ−クをつけて後工程へ流す方法が一般的である。しかしながら特に端面発光型ＬＥＤ素子ウエハ−の場合は、上面電極部が閉ざされていることと、側面部から漏れる光で測定する場合でもチップ間隔が狭すぎるため反射光も出てこないので、現実的にこの型のＬＥＤ素子のウエハ−段階での測定は電気的特性に限られ、輝度、色調等の光学的特性の検査はウエハ−当たり数個程度のロット判定に委ねられ結局完成品後の最終検査の段階まで持ち越されるのが現状であった。しかしながらウエハ−の品質が完成品まで把握できないことは製造プロセス上問題であり、どうやって光を効率的に取り出すかが求められていた。  本発明は現行技術の製造ラインに於ける上記の問題点を解消するためになされたもので、テ−プエキスパンダ−に保持されるダイシングシ−トの特性を上記（１）の電極板接着加工の段階のみならずさらに特性測定の段階でも積極的に利用して光の取り出し効率を上げ半導体発光素子を個々の素子に分離される前の状態で測定可能にする方法を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
１．上記目的を達成するために、本発明の半導体素子の製造方法は、ダイシングシ−ト上に貼着された半導体素子ウエハ−を縦、横、所望のチップサイズにフルダイシングを施し各半導体素子チップを形成する工程と、前記フルダイシングされた各半導体素子チップが貼着されたダイシングシ−トを所望の大きさまでエキスパンドする工程と、前記エキスパンドされたダイシングシ−ト上の各半導体素子チップの一方の電極部側を電極板に接着剤で接着し、該接着剤を硬化する工程と、前記ダイシングシ−トを剥離し、該ダイシングシ−トが剥離された各半導体素子チップの他方の電極部側を他の電極板に同様に接着剤で接着し、該接着剤を硬化する工程と、前記半導体素子チップ間に絶縁物を注入して半導体素子チップのフルダイシングされた面をコ−ティングし、硬化する工程と、前記電極板及び前記注入された絶縁物の部分を縦横にスライシングして個々の半導体素子に分離する工程と、を具備する事を特徴としている。
２．本発明の半導体素子の製造方法は上記の半導体素子の製造方法に於いて更に、前記電極板に接続の為のメッキ処理を施す工程を具備する事を特徴としている。
３．本発明の半導体素子の製造方法は上記の半導体素子の製造方法に於いて前記エキスパンドされたダイシングシ−ト上の各半導体素子チップの一方の電極部側を電極板に接着剤で接着し、該接着剤を硬化した後、前記ダイシングシ−トを剥離し、前記電極板に測定電源の一方の端子を共通に接続し、前記ダイシングシ−トが剥離された各半導体素子チップの電極部に測定電源の他端を接続して測定電圧を印加して各半導体素子チップの特性を測定する事を特徴としている。
４．更に本発明の半導体素子の製造方法はダイシングシ−ト上に貼着された半導体素子ウエハ−を縦、横、所望のチップサイズにフルダイシングを施し各半導体素子チップを形成する工程と、前記フルダイシングされた各半導体素子チップが貼着されたダイシングシ−トを所望の大きさまでエキスパンドする工程と、前記エキスパンドされたダイシングシ−ト上の各半導体素子チップの一方の電極部側を電極板に接着剤で接着し、該接着剤を硬化する工程と、前記ダイシングシ−トを剥離し、該ダイシングシ−トが剥離された各半導体素子チップの他方の電極部側を他の電極板に同様に接着剤で接着し、該接着剤を硬化する工程と、前記半導体素子チップ間に絶縁物を注入して半導体素子チップのフルダイシングされた面をコ−ティングし、硬化する工程と、これを導電性ダイシングシ−トに貼着して前記電極板及び前記注入された絶縁物の部分を縦横にスライシングして個々の半導体素子に分離する工程と、前記導電性ダイシングシ−トに測定電源の一方の端子を接続し、前記導電性ダイシングシートと非接続の各半導体素子の電極板に測定電源の他端を接続して測定電圧を印加して各半導体素子の特性を測定する工程と、前記ダイシングシ−トを剥離して各半導体素子を形成する工程とを具備する事を特徴としている。
５．本発明の半導体素子の製造方法は上記３及び４の１つに記載の半導体素子の製造方法に於いて、更に上記各測定結果に従って選別を行う工程を具備する事を特徴としている。
６．更に本発明の上記１乃至５記載の半導体素子の製造方法に於いて、前記電極板は導電性接着剤によって各半導体素子チップの電極に接着され、該導電性接着剤は前記電極板に転写又はスクリ−ン印刷された導電性銀ペ−ストであることを特徴としている。
７．更に本発明の上記１乃至５記載の半導体素子の製造方法に於いて、前記電極板は導電性接着剤によって各半導体素子チップの電極部側に接着され、該導電性接着剤は前記電極板に転写又はスクリ−ン印刷された異方導電性接着剤であることを特徴としている。
８．更に本発明の上記１乃至５記載の半導体素子の製造方法に於いて、前記半導体素子は発光ダイオ−ドであることを特徴としている。
９．更に本発明の上記１乃至５記載の半導体素子の製造方法に於いて、前記半導体素子は端面発光型発光ダイオ−ドであることを特徴としている。
１０．さらに本発明は上記９記載の端面発光型発光ダイオ−ドの製造方法に於いて、前記絶縁物は透光性絶縁物であって、前記フルダイシングされた半導体素子チップの各面をコ−ティングする前記絶縁物の厚みは前記ダイシングシ−トのエキスパンドの量によって調整される事を特徴としている。
【０００５】
【発明の実施の形態】
図１乃至図９は本発明に係る半導体発光素子の製造方法の第１実施例の各製造の状態を示す説明図、図１０乃至図１２は本発明の第２実施例の各製造の状態を示す説明図である。本発明の実施に先立って予めＬＥＤ素子を形成したＬＥＤ素子ウエハ−１と、ＬＥＤ素子の位置をマッピングしてある透明または半透明のプラスチック製ダイシングシ−ト２と完成品時のサイズに規定された微細プレス加工された一対の電極板５、７を準備する。電極板５、７としては例えば銅板のごとくＡｇペ−ストとなじみが良く、プレス加工やメッキ処理に適しているものが良い。準備が整った段階で以下の工程に入る。
【０００６】
【第１実施例】
（１）図１（Ａ）（Ｂ）にＩに示すようにＬＥＤ素子を内部に形成したＬＥＤ素子ウエハ−１をダイシングシ−ト２上に貼り付ける。
（２）次に、図２（Ａ）（Ｂ）に示すようにダイシングシ−ト２上に貼り付けられたＬＥＤ素子ウエハ−１をストリ−ト３に沿って縦、横に所望のチップサイズにフルダイシングを施して各ＬＥＤ素子チップ４を形成する。図２（Ｂ）から分かるようにフルダイシングされたＬＥＤ素子チップ４はダイシングシ−ト２に貼り付けられたままである。
【０００７】
（３）次にこのフルダイシングされたＬＥＤ素子チップ４の貼り付けられたダイシングシ−ト２を図３（Ａ）（Ｂ）に示すように、完成時のサイズに規定された微細プレス加工された電極板５の１枡目より一回り小さめなＬＥＤ素子位置状態の処まで、エキスパンドする。  図２（Ａ）（Ｂ）から分かるようにダイシングシ−ト２は拡大されて２Ｅとなり各ＬＥＤ素子チップ４の間隔はその分だけ拡大される。
【０００８】
（４）次に、図４（Ａ）（Ｂ）に示すように前記エキスパンド完了後のダイシングシ−ト２Ｅ上に貼り付けられた各ＬＥＤ素子チップ４の電極部４ｅ０上に前記電極板５を一括してボンディングする。実際には電極板５上に予め転写又はスクリ−ン印刷された導電性Ａｇペ−スト又は異方導電性接着剤６によって電極板５を各ＬＥＤ素子チップ４の電極部４ｅ０に貼り付ける。
（５）その後前記接着剤６を硬化乾燥させ、電極板５を各ＬＥＤ素子チップ４に固着させる。
【０００９】
（６）次に、図５に示すように、前記ダイシングシ−ト２Ｅを剥離し、測定電源１２の一方の端子ｍ０を電極板５に接続し、測定電源１２の他方の端子ｍ１を各ＬＥＤ素子４の電極部４ｅ１に順次切替え接続して測定電圧を印加し、測定装置１３によってＬＥＤ素子４から放射される光の特性測定をおこなう。
（７）特性測定完了後図６（Ａ）（Ｂ）に示すように各ＬＥＤ素子チップ４の電極部４ｅ１上にもう一枚の電極板７を一括してボンディングする。電極板５と同様実際には電極板７上に予め転写又はスクリ−ン印刷された導電性Ａｇペ−スト又は異方導電性接着剤８によって電極板７を各ＬＥＤ素子チップ４の電極４ｅ１に貼り付ける。
（８）前記接着剤８を硬化乾燥させ、電極板７をＬＥＤ素子チップ４に固着させる。
【００１０】
（９）次に、図７に示すように、エポキシ樹脂又はガラス等の透光性絶縁物９を各ＬＥＤ素子チップ４間に流入して充填する。
（１０）充填した絶縁物９を硬化乾燥させる。
【００１１】
（１１）電極板５、７で挟まれ硬化された絶縁物９でモ−ルドされたＬＥＤ素子チップ４群を図８（Ａ）（Ｂ）に示すように、微細プレス加工された電極板５の枡目３０に沿って電極板５、７及び絶縁物９の部分を縦横にフルダイシングしてＳＭＤ型の電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０を形成する。
（１２）前記電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の前記電極板５、７の上下面及び側面部の表面に付着している酸化膜を酸洗いにより除去する（図示せず）。
（１３）さらに図９に示すように酸化膜を除去した前記電極面５、７上に半田メッキ又はＡｕメッキ１４、１５を施し、メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０を形成する。
【００１２】
（１４）上記工程後このメッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０を所定の順序に従って特性等測定システムに供給し両電極板間に所定の測定電圧を印加し各メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０の諸特性の測定選別を行い合格品のみ次の工程に送る（図示せず）。
【００１３】
（１５）前記メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０の特性測定終了後，このメッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０を構成要素とする例えばマルチ発光素子ユニット、フォトカプラ−等各種製品用途に対応するボンディング、パッケ−ジング、その他の最終仕上げ工程に送る（図示せず）。
【００１４】
【第２実施例】
（１６）上記工程図１乃至図７は第１実施例と全く同じであるので説明は省く。第２実施例では図７に示す電極板５、７で挟まれ硬化された透光性絶縁物９でモ−ルドされたＬＥＤ素子チップ４群を図１０（Ａ）（Ｂ）に示すような導電性を有するダイシングシ−ト１１上に貼着し、その後図１１（Ａ）（Ｂ）に示すように、微細プレス加工された電極板５の枡目３０に沿って電極板５、７及び透光性絶縁物９の部分を縦横にフルダイシングしてＳＭＤ型の電極板付ＬＥＤ素子１０を形成する。
【００１５】
（１７）図１１（Ｂ）に示すように、このフルダイシングされた電極付絶縁封止ＬＥＤ素子チップ１０群の一方の電極板７側に導電性ダイシングシ−ト１１を介して測定電源１２の一方の端子ｍ０を共通接続すると同時に、電極付絶縁封止ＬＥＤ素子１０群の反対側の各々の電極板５に測定電源１２の他方の端子ｍ１を順次に接続して各電極付絶縁封止ＬＥＤ素子１０に所定の測定電圧を加えながらフルダイシングされた所定の隙間位置から測定装置１３によって各電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の輝度、色調、その他の特性の連続測定を行う。この電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の隙間は図１２に示すように必要に応じて前記導電性ダイシングシ−ト１１を引き伸ばすことによって十分な大きさに設定することができる。
【００１６】
（１８）特性測定完了後、個々の電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０を導電性ダイシングシ−ト１１から剥離し、この電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の電極板５、７の上下面及び側面部の表面に付着している酸化膜を酸洗い等により除去する（図示せず）。
（１９）さらに図９に示すように酸化膜を除去した前記電極面５、７上に半田メッキ又はＡｕメッキ１０、１１を施してメッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０を形成する。
【００１７】
（２０）上記工程後このメッキ処理されたメッキ電極付絶縁封止ＬＥＤ素子２０を所定の順序に従って特性等測定システムに供給し両電極板間に所定の測定電圧を印加し各メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０の最終的諸特性の連続測定選別を行い合格品のみ次の工程に送る（図示せず）。
【００１８】
（２１）前記メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０を構成要素とする例えばマルチ発光素子ユニット、フォトカプラ−等各種製品用途に対応するボンディング、パッケ−ジング、その他の最終仕上げ工程に送る（図示せず）。
【００１９】
上記実施例では半導体素子の最適実施例としてＬＥＤ素子を形成したＬＥＤ素子ウエハ−について説明したが、本発明はこれに限定されるもものではなく各種ダイオード、バリスタ、サ−ミスタ等の半導体２端子素子は勿論、トランジスタ等の半導体３端子素子であっても電極板を分割して両端から端子を取り出すようにすれば何端子素子であっても本発明の方法で製造可能であり、本発明の製造技術は極めて広範な応用範囲を具備するものである。このようなダイシングシ−トのエキスパンド特性を利用した製造方法は類例がなく本発明に独特のものでありその生産技術的効果は甚大である。
【００２０】
上記方法に依って製造された半導体素子、特に上記最適実施例として記載したメッキ電極板付きＬＥＤ素子２０（端面発光型ＬＥＤ素子）は立方体に近い機械的に安定した形状を具備すると共に、両電極板５、７を除く４面は透光性樹脂９によって封止（コ−ティング）されており、この透光性樹脂の厚みは機械的強度の許す範囲で光取り出し率が最大となるように前述のダイシングシ−トのエキスパンドの量を調整することによって最適量に設定することができる。従ってこの構造自体に測定を容易にする性質を具備しており本発明の測定方法と相まって測定機能を高めている。
【００２１】
【発明の効果】
（１）本発明は、テ−プエキスパンダ−に保持されるエキスパンドされたダイシングシ−ト２の特性をフルに活用しダイシングされたチップ群の一括電極形成工程に直接利用して最終的に任意の厚みを有する絶縁層を具備する半導体素子の製造方法を可能にした。
（２）本発明は更に、導電性を有するダイシングシ−ト１１の特性を利用して半導体素子、特に半導体発光素子（ＬＥＤ等）の製造プロセスに於いて完成品が形成され分離される前工程で素子の電気的及び光学的特性の測定を行うことを可能にし、良、不良を最終仕上げ工程前に選別し、製造ラインの流れを潤滑化し、生産性を著しく向上させた。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＬＥＤ素子ウエハ−１をダイシングシ−ト２に貼り付ける状態を示す説明図でＡはその平面図、ＢはそのＩＢ−ＩＢ矢視部分断面図である。
【図２】ＬＥＤ素子ウエハ−１をダイシングシ−ト２に貼り付けてフルダイシングしてＬＥＤ素子チップ４に分離する状態を示す説明図でＡはその平面図，ＢはそのＩＩＢ−ＩＩＢ矢視部分断面図である。
【図３】フルダイシングして形成した半導体素子チップ４を貼り付けてダイシングシ−ト２をエキスパンド２Ｅする状態を示す説明図でＡはその平面図，ＢはそのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ矢視部分断面図である。
【図４】エキスパンドされたダイシングシ−ト２Ｅに貼り付けられたＬＥＤ素子チップ４の一方の電極側を電極板５に導電性接着剤６を用いて一括ダイボンディングする状態を示す説明図でＡはその平面図，ＢはそのＩＶＢ−ＩＶＢ矢視部分断面図である。
【図５】エキスパンドされたダイシングシ−ト２Ｅを剥離して測定電圧を印加してＬＥＤ素子チップ４の特性測定を行う状態を示す説明図である。
【図６】図３（Ｂ）の剥離された各ＬＥＤ素子チップ４の電極側にもう一枚の電極板７を導電性接着剤８を用いて一括ダイボンディングする状態を示す説明図でＡはその平面図，ＢはそのＶＩＢ−ＶＩＢ矢視部分断面図である。
【図７】透光性樹脂等絶縁物９を注入する状態を示す説明図である。
【図８】電極板５、７で挟まれ絶縁物９でモ−ルドされたＬＥＤ素子チップ４群（図７）を微細プレス加工された電極板５の枡目３０に沿って縦横にフルダイシングして電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０を形成する状態を示す説明図で、Ａはその平面図，ＢはそのＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ矢視部分断面図である。
【図９】上記本発明の工程によって形成された電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の電極５、７上にメッキ１４、１５を施して形成したメッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子２０の外観斜視図である。
【図１０】電極板５、７で挟まれ絶縁物９でモ−ルドされたＬＥＤ素子チップ４群（図７）を導電性ダイシングシ−ト１１上に貼着する状態を示す説明図でＡはその平面図，ＢはそのＸＢ−ＸＢ矢視部分断面図である。
【図１１】導電性ダイシングシ−ト１１上に貼着した電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子チップ４群（図７）をフルダイシングして個々の電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子１０を形成する状態を示す説明図で、Ａはその平面図，ＢはそのＸＩＢ−ＸＩＢ矢視部分断面図であり、測定電圧を導電性ダイシングシ−トと各々の電極板間に印加して特性測定を行う状態を表している。
【図１２】図１１に於いて導電性ダイシングシ−ト１１を引き伸ばして各電極付絶縁封止ＬＥＤ素子１０の間隔を広げて測定を容易にした状態を示す説明図である。
【符号の説明】
１  ＬＥＤ素子ウエハ−
２  ダイシングシ−ト
２Ｅ  エキスパンドされたダイシングシ−ト
３  ストリ−ト
４  ＬＥＤ素子チップ
５、７  電極板
６、８  導電性接着剤
９  注入された透光性絶縁物
１０  電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子
１１  導電性ダイシングシ−ト
１１Ｅ  エキスパンドされた導電性ダイシングシ−ト
１２  測定電源
１３  測定装置
１４、１５  半田またはＡｕメッキ
２０  メッキ電極板付絶縁封止ＬＥＤ素子
３０  枡目
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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