(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣソケット本体に取り付けられ、ＩＣパッケージの端子と外部電気的テスト回路とを電気的に接続し、３００℃以上の高温下での前記ＩＣパッケージの電気的テストに使用されるコンタクト装置において、
前記端子と前記外部電気的テスト回路との通電を可能とする弾性を有し、前記端子に弾性接触する導電性部材と、
この導電性部材が前記端子に圧接しうるように配設されると共に、前記導電性部材が前記端子に弾性接触するのを補強するように配設された弾性を有するセラミック補強部材と、
を備えたことを特徴とするコンタクト装置。
【請求項２】
ＩＣパッケージを載置する基台を有するＩＣソケット本体と、
前記請求項１に記載のコンタクト装置と、
前記ＩＣソケット本体に対して接離可能に取り付けられた可動部材と、を備え、
該可動部材を前記ＩＣソケット本体に近づける方向へ移動させると、前記導電性部材と前記端子との接触状態の補強作用を解除するセラミック補強部材の操作手段が、前記可動部材に配置され、
前記セラミック補強部材の操作手段の少なくとも操作面を含む一部が、絶縁性を有するセラミックで形成されたことを特徴とするＩＣソケット。
【請求項３】
ＩＣパッケージを着脱可能に収容するＩＣソケット本体と、
前記請求項１に記載のコンタクト装置と、
前記ＩＣソケット本体に対して開閉可能に取り付けられたカバーと、を備え、
該カバーを閉じると前記端子を前記導電性部材に押圧する端子押圧手段が、前記カバーに配置され、
前記端子押圧手段の少なくとも押圧面を含む一部が、絶縁性を有するセラミックで形成されたことを特徴とするＩＣソケット。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣパッケージの電気的テストを行うために、ＩＣパッケージの端子と外部電気的テスト回路とを接続する導電性部材を有するコンタクト装置及びこのコンタクト装置を備えたＩＣソケットに関し、特に、高温下でのＩＣパッケージの電気的テストに使用することができるコンタクト装置及びＩＣソケットに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＩＣパッケージのバーン・イン・テストに使用されるＩＣソケットは、通常１２０℃〜１５０℃の温度環境下で電気的テストが行われ、このような温度環境下で機能を発揮する材料で形成されている。即ち、ＩＣソケット本体が絶縁性を有する合成樹脂（例えば、ＰＥＩ（ポリエーテルアミド））で形成され、導電性部材としてのコンタクトピン（以下、単にコンタクトピンという）が導電性を有するベリリュウム銅で形成されている。
【０００３】
ここで、一般にＩＣパッケージのバーン・イン・テストは、ＩＣソケット本体に取り付けられたコンタクトピンにＩＣパッケージの端子を押圧し、ＩＣパッケージの端子と外部電気的テスト回路とを電気的に接続し、ＩＣパッケージに電圧又は信号を印加し、ＩＣパッケージの初期不良を検査するものである。
【０００４】
近年、このようなＩＣパッケージのバーン・イン・テストにおいては、更に高温下（３００℃以上）でのＩＣパッケージの電気的テストが行われる傾向にあり、このような高温下（３００℃以上）でのＩＣパッケージの電気的テストに使用することができるＩＣソケットの提供が望まれるようになってきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のＩＣソケットは、上記したように、ＩＣソケット本体がＰＥＩで形成され、コンタクトピンがベリリュウム銅で形成されているため、３００℃以上の高温下で繰り返し使用されると、ＩＣソケット本体が熱や繰り返し作用する荷重等により塑性変形したり、コンタクトピンが弾性を失い（へたりを生じて）、コンタクトピンとＩＣパッケージの端子との接触状態が不安定になり、コンタクトピンとＩＣパッケージの端子との接触圧が低くなったり、コンタクトピンとＩＣパッケージの端子との摩擦抵抗が増大する等の弊害を生じて、ＩＣパッケージの正確な電気的テストが困難になるという問題があった。
【０００６】
尚、図４に示すように、コンタクトピン６０の接触部６１とＩＣパッケージ６２の端子６３との接触圧を増大させるために、コンタクトピン６０の接触部６１にバネ力を作用させる補強用ピン６４を形成するように構成されたものが知られている（実開平６−７７２５４号公報参照）。しかしながら、この従来例は、補強用ピン６４がコンタクトピン６０と同一の材料で形成されたものであるため、上記したような３００℃以上の高温下で使用されると、補強用ピン６４もへたりを生じ、その補強用ピン６４が本来の機能を発揮することができず、ＩＣパッケージ６２の正確な電気的テストを行うことが困難になり、上記のような問題点を解消し得るものではなかった。
【０００７】
又、図５に示すように、コンタクトピン６５の基部６６と接触部６７との間にバイパス片６８を配置するように構成されたものが知られている（特開平３−１７９７９号公報参照）。しかしながら、この従来例は、高周波特性を向上させるために、コンタクトピン６５の基部６６と接触部６７とをバイパス片６８で短絡させ、通電用のバイパス路を形成するものであり、バイパス片６８がコンタクトピン６５と同様の材料で形成されているため、上記したような３００℃以上の高温下で使用されると、バイパス片６８がコンタクトピン６５と同様にへたりを生じ、ＩＣパッケージ（図示せず）の正確な電気的テストが困難になり、上記のような問題点を解消することができない。
【０００８】
そこで、本発明は、３００℃以上の高温下においてもＩＣパッケージの電気的テストを正確に行うことができるコンタクト装置及びこのコンタクト装置を備えたＩＣソケットを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、ＩＣソケット本体に取り付けられ、ＩＣパッケージの端子と外部電気的テスト回路とを電気的に接続し、３００℃以上の高温下での前記ＩＣパッケージの電気的テストに使用されるコンタクト装置において、前記端子と前記外部電気的テスト回路との通電を可能とする弾性を有し、前記端子に弾性接触する導電性部材と、この導電性部材が前記端子に圧接しうるように配設されると共に、前記導電性部材が前記端子に弾性接触するのを補強するように配設された弾性を有するセラミック補強部材と、を備えたことを特徴とするコンタクト装置である。
【００１２】
請求項２の発明は、ＩＣパッケージを載置する基台を有するＩＣソケット本体と、前記請求項１の発明のコンタクト装置と、前記ＩＣソケット本体に対して接離可能に取り付けられた可動部材と、を備えたＩＣソケットである。そして、本発明は、前記可動部材を前記ＩＣソケット本体に近づける方向へ移動させると、前記導電性部材と前記端子との接触状態の補強作用を解除するセラミック補強部材の操作手段が、前記可動部材に配置されている。又、本発明は、前記セラミック補強部材の操作手段の少なくとも操作面を含む一部が、絶縁性を有するセラミックで形成されたことを特徴としている。
【００１３】
請求項３の発明は、ＩＣパッケージを着脱可能に収容するＩＣソケット本体と、前記請求項１の発明のコンタクト装置と、前記ＩＣソケット本体に対して開閉可能に取り付けられたカバーと、を備えたＩＣソケットである。そして、本発明は、前記カバーを閉じると前記端子を前記導電性部材に押圧する端子押圧手段が、前記カバーに配置されている。又、本発明は、前記端子押圧手段の少なくとも押圧面を含む一部が、絶縁性を有するセラミックで形成されたことを特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき詳述する。
【００１５】
［第１の実施の形態］
図１〜図２は、本発明の第１の実施の形態を示す図である。このうち、図１は、オープントップタイプのＩＣソケット１の断面図である。又、図２は、コンタクト装置２とＩＣパッケージ３との関係を示す斜視図である。
【００１６】
これらの図において、ＩＣソケット本体４は、ＩＣパッケージ３を載置する基台５を備えている。この基台５上には、ＳＯＩやＤＩＰのＩＣパッケージ３が載置されるようになっている。そして、この基台５の両側面には、ＩＣパッケージ３の端子６を支持する端子支持面７が形成されている。
【００１７】
又、基台５の両側面には、コンタクト装置２が取り付けられるようになっている。このコンタクト装置２は、ＩＣパッケージ３の端子６と図示しない外部電気的テスト回路との通電を可能とする導電性部材８と、この導電性部材８をＩＣパッケージ３の端子６に押圧する弾性及び絶縁性を有するセラミック補強部材１０とからなっている。
【００１８】
このうち、セラミック補強部材１０は、基台５の側面にネジ１１で固定される基部１２と、この基部１２から前記端子６に対応するように櫛歯状に分岐して延出するバネ部１３と、このバネ部１３から突出して前記導電性部材８を押圧する押圧部１４と、バネ部１３から分岐して斜め上方へ延出する作用部１５とを備えている。
【００１９】
導電性部材８は、ベリリュウム銅の表面に金メッキが施されたものであって、薄板状に形成されており、ＩＣパッケージ３の端子６に対応して複数配置され、前記端子６に弾性接触すると共に前記押圧部１４に係合する円弧状の接触部１６が形成されている。そして、この導電性部材８は、ＩＣソケット本体４に形成された取付溝１７に挿入固定されている。
【００２０】
又、ＩＣソケット本体４の上方には、可動部材１８が図示しないガイド機構を介して上下動できるように取り付けられている。この可動部材１８は、バネ（図示せず）で上方へ付勢されており、このバネのバネ力に抗して押し下げられるとＩＣソケット本体４に接近し、押し下げ力を解除するとＩＣソケット本体４から離間する。
【００２１】
可動部材１８の下面には、セラミック補強部材１０の作用部１５に係合する円弧状斜面２０を備えた突起部（セラミック補強部材の操作手段）２１が形成されている。又、可動部材１８には、ＩＣパッケージ３の通過を許容する開口部２２が形成されている。そのため、ＩＣソケット本体４の基台５上にＩＣパッケージ３を載置したり、基台５上からＩＣパッケージ３を取り外すことが可能になる。
【００２２】
このような構成の本実施の形態は、可動部材１８を押し下げると、可動部材１８の突起部２１の円弧状斜面２０がセラミック補強部材１０の作用部１５を押圧する。その結果、セラミック補強部材１０のバネ部１３が撓み変形し、押圧部１４がＩＣパッケージ３の端子６から離間すると共に、導電性部材８の押圧力が弱められる。これで、検査済みのＩＣパッケージ３を基台５上から取り外し、新たなＩＣパッケージ３を基台５上に載置することが可能になる。
【００２３】
一方、可動部材１８に作用させていた押し下げ力を解除すると、可動部材１８が前記した図示しないバネで上方へ付勢され、可動部材１８がＩＣソケット本体４から離間する方向へ移動する。その結果、セラミック補強部材１０の作用部１５に作用していた押圧力が解除され、セラミック補強部材１０は、そのバネ部１３の弾性力で押圧部１４を介し、導電性部材８の弾性力と共に接触部１６をＩＣパッケージ３の端子６に押圧する。これによって、ＩＣパッケージ３の端子６と導電性部材８とが好ましい接触圧で接触し、ＩＣパッケージ３の正確な電気的テストが可能になる。
【００２４】
ここで、上記ＩＣパッケージ３の電気的テストが３００℃以上の高温下で行われると、ベリリュウム銅で形成された導電性部材８の弾性力が弱まるか、場合によりなくなるが、本実施の形態は、弾性を有するセラミック補強部材１０によってバネ力を生じさせるように構成されているため、高温下の電気的テストにおいてもセラミック製のバネ部１３がへたりを生じることがなく、導電性部材８と端子６とを適正な接触圧で接触させることができる。
【００２５】
尚、本実施の形態では、少なくともＩＣパッケージ３を支持する基台５を備えたＩＣソケット本体４の荷重のかかる部分、及びセラミック補強部材１０の作用部１５と係合する可動部材１８をセラミックで形成しておけば、導電性部材１８を端子６に押圧するセラミック補強部材１０のバネ部１３が弾性を有するセラミックで形成されているため、３００℃以上の高温下でＩＣパッケージ３の電気的テストを行った場合でも、ＩＣソケット本体４や可動部材１８の突起部２１などの要部が温度で軟化したり変形することがなく、又、コンタクト装置２のバネ部１３の弾性力が極端に低下することがない。
【００２６】
したがって、本実施の形態によれば、３００℃以上の高温下のＩＣパッケージ３の電気的テストにおいても、ＩＣパッケージ３の端子６と導電性部材８との接触状態を良好な状態に維持することができ、ＩＣパッケージ３の端子６と導電性部材８との接触圧を良好な状態に維持することができるため、ＩＣパッケージ３の正確な電気的テストが可能になる。
【００２７】
又、本実施の形態は、コンタクト装置２の作用部１５に係合する可動部材１８の係合部分をセラミックで形成しておけば、３００℃以上の高温下で繰り返しＩＣパッケージ３の電気的テストが行われても、可動部材１８によってコンタクト装置２と端子６の接合・離間を操作することができ、ＩＣパッケージ３の基台５への載置又は取り外しを円滑に行うことが可能になる。
【００２９】
又、上記実施の形態は、突起部２１を可動部材１８に一体的に形成する態様を示したが、これに限られず、可動部材１８と別に形成した絶縁性セラミックの突起部２１を接着等で可動部材１８の下面に固定するようにしてもよい。
【００３０】
又、上記実施の形態は、突起部２１に円弧状斜面２０を形成する態様を示したが、直線状斜面でもよい。
【００３１】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の第２の実施の形態を図３に基づき詳述する。
【００３２】
この図３は、クラムシェルタイプのＩＣソケット３０の断面図である。この図３において、ＩＣソケット本体３１のコンタクトピン取付部３２には、ＩＣパッケージ３３の端子３４に対応してコンタクト装置３５が複数取り付けられている。又、コンタクトピン取付部３２の下側の本体３１には、図示しないが、セラミック製の枕木状の当て部材を配接しておくとよい。
【００３３】
ここで、コンタクト装置３５は、ＩＣパッケージ３３の端子３４と外部電気的テスト回路との通電を可能にする導電性部材３６と、この導電性部材３６をＩＣパッケージ３３の端子３４に押圧する弾性を有するセラミック補強部材３７と、で構成されている。
【００３４】
このうち、導電性部材３６は、ベリリュウム銅に金メッキされたものであり、薄板状に形成されている。そして、導電性部材３６は、ＩＣソケット本体３１のコンタクトピン取付部３２の溝に係合される取付基部３８と、この取付基部３８から上方へ湾曲して延びる梁部４０と、この梁部４０から上方へ突出して端子３４を支持する接触部４１と、取付基部３８から図中下方へ延出して外部電気的テスト回路に接続されるピン部４２と、を備えている。
【００３５】
セラミック補強部材３７は、略Ｕ字状又は略Ｖ字状を呈しており、導電性部材３６の取付基部３８と梁部４０との間に装着され、導電性部材３６の接触部４１をＩＣパッケージ３３の端子３４側へ付勢するようになっている。
【００３６】
ＩＣソケット本体３１の上部には、カバー４３が開閉（回動）できるように取り付けられている。このカバー４３は、その一端側がＩＣソケット本体３１の右側面側に形成されたカバー取付部４４に支軸４５を介して取り付けられている。そして、このカバー４３の下面には、カバー４３が閉じられた際に、ＩＣパッケージ３３の端子３４をコンタクト装置の接触部４１側へ向かって押圧する突起部（端子押圧手段）４６が形成されている。この突起部４６は、カバー４３とは別体の絶縁性セラミックの突起部材として、カバー４３の下面に接着等で容易に固定しておくとよい。
【００３７】
ＩＣソケット本体３１の左側面側に形成されたレバー取付部４７には、ロックレバー４８が回動できるように支軸５０を介して取り付けられている。そして、このロックレバー４８のアーム５１の先端側には、突起５２が形成されている。このロックレバー４８の突起５２は、カバー４３が閉じられた状態において、カバー４３の他端側に形成された係合溝５３に係合するようになっている。その結果、カバー４３とＩＣソケット本体３１がロックレバー４８によってロックされる。尚、ソケット本体３１，カバー取付部，レバー取付部４７は、一体に形成してもよい。
【００３８】
このような構成の本実施の形態によれば、導電性部材３６の接触部４１をＩＣパッケージ３３の端子３４側へ付勢するセラミック補強部材３７が弾性（バネとしての機能）を失うことがないため、端子３４と導電性部材３６との接触圧を良好な状態に維持することができ、ＩＣパッケージ３３の電気的テストを正確に行うことができる。
【００３９】
尚、本実施の形態は、セラミック補強部材３７として略Ｕ字状又は略Ｖ字状のものを例示したが、これに限られず、導電性部材３６の接触部４１を端子３４側へ付勢することができるものであればよく、その形状等を適宜変更して使用することができる。
【００４１】
又、上述実施の形態は、セラミック補強部材を櫛歯状に分岐して延出するバネ部として説明したが、これに限られず一体或いは適宜分割されたものとしてもよい。
【００４２】
【発明の効果】
以上のように請求項１の発明に係るコンタクト装置は、端子と外部電気的テスト回路との通電を可能とする導電性部材を、弾性を有するセラミック補強部材で端子に押圧するようになっているため、３００℃以上の高温下でＩＣパッケージの電気的テストを行っても、セラミック補強部材が弾性を失うことがなく、端子と導電性部材を所望の接触圧で接触させることができ、ＩＣパッケージの電気的テストを正確に行うことが可能になる。
【００４４】
又、請求項２の発明に係るＩＣソケットは、ＩＣパッケージを支持する基台を備えたＩＣソケット本体の一部がセラミックで形成されると共に、セラミック補強部材に係合する可動部材の一部がセラミックで形成され、しかも導電性部材を端子に押圧するコンタクト装置のバネ部が弾性を有するセラミックで形成されているため、３００℃以上の高温下のＩＣパッケージの電気的テストにおいても、ＩＣパッケージの端子とコンタクト装置の導電性部材との接触状態を良好な状態に維持することができる。その結果、３００℃以上の高温下においても、ＩＣパッケージの正確な電気的テストが可能になる。
【００４５】
更に、請求項３の発明に係るＩＣソケットは、３００℃以上の高温下で繰り返しＩＣパッケージの電気的テストを行っても、カバーを閉じた場合、絶縁性を有するセラミックで形成された端子押圧手段の要部が、ＩＣパッケージの端子を確実に導電性部材に押圧することができる。更に、この発明によれば、導電性部材をＩＣパッケージの端子側へ付勢するセラミック補強部材が弾性（バネとしての機能）を失うことがないため、端子と導電性部材との接触圧を良好な状態に維持することができる。その結果、この発明によれば、ＩＣパッケージの電気的テストを正確に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態を示すオープントップタイプのＩＣソケットの断面図である。
【図２】  同ＩＣソケットの一部を断面して示す部分斜視図である。
【図３】  本発明の第２の実施の形態を示すクラムシェルタイプのＩＣソケットの断面図である。
【図４】  第１の従来例を示すコンタクトピンの作動状態を示す図である。
【図５】  第２の従来例を示すコンタクトピンの正面図である。
【符号の説明】
１，３０……ＩＣソケット、２，３５……コンタクト装置、３，３３……ＩＣパッケージ、４，３１……ＩＣソケット本体、５……基台、６，３４……端子、８，３６……導電性部材、１０，３７……セラミック部材、１８……可動部材、２１……突起部（セラミック補強部材の操作手段）、４３……カバー、４６……突起部（端子押圧手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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