(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体に対して所定の処理を実施する少なくとも１つの処理室と；前記処理後に必要な後処理を実施する少なくとも１つの後処理室と；少なくとも１つのカセット室と；前記処理室と前記後処理室と前記カセット室とをゲートバルブを介して連通すると共に，少なくとも１つの前記被処理体の位置決め装置と少なくとも１つの前記被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室と；を備えたマルチチャンバ式処理装置において，処理中に停止した前記処理装置内の前記被処理体を回収するにあたり：
前記搬送装置が前記被処理体を保持している場合には，前記処理装置の停止前に記憶された前記被処理体の出所データを確認する工程と；
前記出所データが前記カセット室又は前記位置決め装置である場合には，前記被処理体を前記カセット室に回収する工程と；
から成ることを特徴とする，被処理体の回収方法。
【請求項２】
前記処理室と前記後処理室には，回収作業の際に前記処理室内又は前記後処理室内に存在する前記被処理体の搬送先が規定されていることを特徴とする，請求項１に記載の被処理体の回収方法。
【請求項３】
前記搬送先が前記カセット室と規定されている前記処理室を出所データとしてもつ前記被処理体は，前記カセット室に回収されることを特徴とする，請求項２に記載の被処理体の回収方法。
【請求項４】
さらに，前記処理室内と前記後処理室内との前記被処理体の存在の有無を確認する工程と；
前記後処理室内に前記被処理体が存在する場合には，前記後処理室内の前記被処理体に対して前記後処理を施した後，前記被処理体の搬送先情報に従い，前記被処理体を前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；
前記搬送先が前記後処理室と規定されている前記処理室内に前記被処理体が存在する場合には，前記被処理体を前記処理室内から前記後処理室内に搬送し，前記被処理体に対して前記後処理を施した後，前記被処理体を前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；
前記搬送先が前記カセット室と規定されている前記処理室内に前記被処理体が存在する場合には，前記被処理体を前記処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；
から成ることを特徴とする，請求項１，２又は３のいずれかに記載の被処理体の回収方法。
【請求項５】
被処理体に対して所定の処理を実施する少なくとも１つの処理室と；前記処理後に必要な後処理を実施する少なくとも１つの後処理室と；少なくとも１つのカセット室と；前記処理室と前記後処理室と前記カセット室とをゲートバルブを介して連通すると共に，少なくとも１つの前記被処理体の位置決め装置と少なくとも１つの前記被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室と；を備えたマルチチャンバ式処理装置において，処理中に停止した前記処理装置内の前記被処理体を回収するにあたり：
前記搬送装置が前記被処理体を保持している場合には，前記処理装置の停止前に記憶された前記被処理体の行先データを確認する工程と；
前記行先データが前記カセット室又は前記位置決め装置である場合には，前記被処理体を前記カセット室に回収する工程と；
から成ることを特徴とする，被処理体の回収方法。
【請求項６】
さらに，前記処理室内と前記後処理室内との前記被処理体の存在の有無を確認する工程と；
前記後処理室内に前記被処理体が存在する場合には，前記後処理室内の前記被処理体に対して前記後処理を施した後，前記被処理体の搬送先情報に従い，前記被処理体を前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；
前記搬送先が前記後処理室と規定されている前記処理室内に前記被処理体が存在する場合には，前記被処理体を前記処理室内から前記後処理室内に搬送し，前記被処理体に対して前記後処理を施した後，前記被処理体を前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；
前記搬送先が前記カセット室と規定されている前記処理室内に前記被処理体が存在する場合には，前記被処理体を前記処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；
から成ることを特徴とする，請求項５に記載の被処理体の回収方法。
【請求項７】
被処理体に対して所定の処理を実施する少なくとも１つの処理室と；前記処理後に必要な後処理を実施する少なくとも１つの後処理室と；少なくとも１つのカセット室と；前記処理室と前記後処理室と前記カセット室とをゲートバルブを介して連通すると共に，少なくとも１つの前記被処理体の位置決め装置と少なくとも１つの前記被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室と；を備えたマルチチャンバ式処理装置において，処理中に停止した前記処理装置内の前記被処理体を回収するにあたり：
前記搬送装置が前記被処理体を保持していない場合には，前記処理室内と前記後処理室内との前記被処理体の存在の有無を確認する工程と；
前記後処理室内に前記被処理体が存在する場合には，前記後処理室内の前記被処理体に対して前記後処理を施した後，前記被処理体の搬送先情報に従い，前記被処理体を前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；
前記搬送先が前記後処理室と規定されている前記処理室内に前記被処理体が存在する場合には，前記被処理体を前記処理室内から前記後処理室内に搬送し，前記被処理体に対して前記後処理を施した後，前記被処理体を前記後処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；
前記搬送先が前記カセット室と規定されている前記処理室内に前記被処理体が存在する場合には，前記被処理体を前記処理室内から前記カセット室に搬送する工程と；
から成ることを特徴とする，被処理体の回収方法。
【請求項８】
さらに，前記処理装置の停止時から再起動時までの経過時間を確認する工程と；
予め設定された所定時間よりも前記経過時間が長い場合には，後処理が必要な前記被処理体も前記後処理室内を介さずに前記カセット室に回収する工程と；
から成ることを特徴とする，請求項１，３，４，５，６又は７のいずれかに記載の被処理体の回収方法。
【請求項９】
さらに，前記被処理体を前記処理室から前記後処理室に搬送する前に，前記被処理体を保持していない前記搬送装置により，前記後処理室に処理中の前記被処理体が存在していないことを確認する工程から成ることを特徴とする，請求項４，６又は７のいずれかに記載の被処理体の回収方法。
【請求項１０】
前記被処理体は，前記カセット室のカセットの元スロットに回収されることを特徴とする，請求項１，３，４，５，６，７又は８のいずれかに記載の被処理体の回収方法。
【請求項１１】
前記被処理体は，前記カセット室のカセットの空スロットに回収されることを特徴とする，請求項１，３，４，５，６，７又は８のいずれかに記載の被処理体の回収方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，被処理体の回収方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より，半導体製造工程においては，共通移載室を中心として，その周囲に各種処理室やカセット室が接続された，いわゆるクラスタ装置化されたマルチチャンバ方式の処理装置が使用されている。かかる処理装置においては，まず共通移載室内に備えられた搬送装置，例えば搬送アームにより，カセット室内に収容されたカセット内の被処理体を共通移載室内に搬送する。次いで，共通移載室内に備えられた位置決め装置によって被処理体の位置決めを行った後，搬送アームによりその被処理体を所定の処理室内に搬送する。次いで，処理室内に搬送された被処理体に対して所定の処理，例えばエッチング処理を施す。さらに，搬送アームにより，その被処理体を共通移載室内を介して他の処理室内に搬送し，その被処理体に対して所定の処理，例えば成膜処理を施す。次いで，搬送アームにより，処理が施された被処理体を処理室内から共通移載室内を介して後処理室内，例えば冷却室内に搬送し，その被処理体に対して冷却処理（後処理）を施す。次いで，搬送アームの作動により，後処理が施された被処理体を後処理室内から共通移載室内を介して，再びカセット室内のカセット内に戻す構成となっている。
【０００３】
ところで，被処理体の処理中に，何らかの原因，例えば停電や強制的停止等によってその処理が停止した又は停止された場合，カセット室内のカセット内に収容されている被処理体を除いて，処理装置内の被処理体のカセット内への回収が問題となる。すなわち，上述した何らかの原因が解消した際に，例えばＣＶＤ装置により成膜処理が施された直後の被処理体を，通常の冷却処理（後処理）せずに，そのままカセット内に回収した場合には，その成膜処理によって被処理体に生じた熱により，カセットが変形したり，溶けてしまうことがある。そこで，当該装置において，上述のような処理の停止の後，再び該装置を始動させる場合には，例えば操作者の操作により，処理中や搬送中の被処理体を１枚ずつカセット内に回収していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，上述の如く操作者が装置内の被処理体（カセット内に収容されているものを除く。）の回収を行う場合，その操作者が例えば搬送アーム上の被処理体に対してどのような処理が施されていたのか，または処理が施されていなかったのかなどという，各被処理体の各処理履歴全てを把握することは非常に困難である場合が多い。従って，例えばＣＶＤ装置が上記処理装置に含まれている場合において，操作者が被処理体の処理履歴を把握することができない場合には，その成膜処理によって生じた熱の影響を勘案し，すなわち被処理体が冷却する時間を勘案して，被処理体の回収操作をする必要が生じるため，被処理体の回収を遅らせる原因となっていた。
【０００５】
また，仮に操作者が各被処理体の各処理履歴を把握できた場合でも，例えば処理室内や，後処理室内や，位置決め装置上や，搬送アーム上等に存在する各被処理体をどのようにして，またどのような順序でカセット内へ的確に，かつ迅速に回収するかは，非常に難しい問題であり，熟練した操作者の経験や勘に頼る部分が大きかった。
【０００６】
本発明は，従来の被処理体の回収方法が有する上記のような問題点に鑑みてなされたものであり，処理装置の停止後，再び始動させた際に，該装置の操作者の操作を一切必要とすることなく，処理室内や搬送アーム上等に存在する被処理体を，的確かつ迅速にカセット内に回収することが可能な，新規かつ改良された被処理体の回収方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は，被処理体に対して所定の処理を実施する少なくとも１つの処理室と，処理後に必要な後処理を実施する少なくとも１つの後処理室と，少なくとも１つのカセット室と，処理室と後処理室とカセット室とをゲートバルブを介して連通すると共に，少なくとも１つの被処理体の位置決め装置と少なくとも１つの被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室と，を備えたマルチチャンバ式処理装置に適用されるものである。
そして，請求項１に記載の発明は，処理中に停止した処理装置内の被処理体を回収するにあたり，搬送装置が被処理体を保持している場合には，処理装置の停止前に記憶された被処理体の出所データを確認する工程と，出所データがカセット室又は位置決め装置である場合には，被処理体をカセット室に回収する工程と，から成ることを特徴としている。
なお，本明細書中において，出所データとは，被処理体が例えばカセット室や，位置決め装置や，処理室や，後処理室等のどこから搬送されてきたのかという情報をいうものとする。
【０００８】
また，請求項２に記載の発明は，処理室と後処理室には，回収作業の際に処理室内又は後処理室内に存在する被処理体の搬送先が規定されていることを特徴としている。
【０００９】
さらに，請求項３に記載の発明は，搬送先がカセット室と規定されている処理室を出所データとしてもつ被処理体は，カセット室に回収されることを特徴としている。
【００１０】
さらにまた，請求項４に記載の発明は，さらに，処理室内と後処理室内との被処理体の存在の有無を確認する工程と，後処理室内に被処理体が存在する場合には，後処理室内の被処理体に対して後処理を施した後，被処理体の搬送先情報に従い，被処理体を後処理室内からカセット室に搬送する工程と，搬送先が後処理室と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合には，被処理体を処理室内から後処理室内に搬送し，被処理体に対して後処理を施した後，被処理体を後処理室内からカセット室に搬送する工程と，搬送先がカセット室と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合には，被処理体を処理室内からカセット室に搬送する工程と，から成ることを特徴としている。
【００１１】
また，請求項５に記載の発明は，上述したマルチチャンバ式処理装置において，処理中に停止した処理装置内の被処理体を回収するにあたり，搬送装置が被処理体を保持している場合には，処理装置の停止前に記憶された被処理体の行先データを確認する工程と，行先データがカセット室又は位置決め装置である場合には，被処理体をカセット室に回収する工程と，から成ることを特徴としている。なお，本明細書中において，行先データとは，被処理体が例えば位置決め装置や，処理室や，後処理室や，カセット室等のどこへ搬送されるのかという情報をいうものとする。
【００１２】
さらに，請求項６に記載の発明は，さらに，処理室内と後処理室内との被処理体の存在の有無を確認する工程と，後処理室内に被処理体が存在する場合には，後処理室内の被処理体に対して後処理を施した後，被処理体の搬送先情報に従い，被処理体を後処理室内からカセット室に搬送する工程と，搬送先が後処理室と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合には，被処理体を処理室内から後処理室内に搬送し，被処理体に対して後処理を施した後，被処理体を後処理室内からカセット室に搬送する工程と，搬送先がカセット室と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合には，被処理体を処理室内からカセット室に搬送する工程と，から成ることを特徴としている。
【００１３】
また，請求項７に記載の発明は，上述したマルチチャンバ式処理装置において，処理中に停止した処理装置内の被処理体を回収するにあたり，搬送装置が被処理体を保持していない場合には，処理室内と後処理室内との被処理体の存在の有無を確認する工程と，後処理室内に被処理体が存在する場合には，後処理室内の被処理体に対して後処理を施した後，被処理体の搬送先情報に従い，被処理体を後処理室内からカセット室に搬送する工程と，搬送先が後処理室と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合には，被処理体を処理室内から後処理室内に搬送し，被処理体に対して後処理を施した後，被処理体を後処理室内からカセット室に搬送する工程と，搬送先がカセット室と規定されている処理室内に被処理体が存在する場合には，被処理体を処理室内からカセット室に搬送する工程と，から成ることを特徴としている。
【００１４】
さらに，請求項８に記載の発明は，さらに，処理装置の停止時から再起動時までの経過時間を確認する工程と，予め設定された所定時間よりも経過時間が長い場合には，後処理が必要な被処理体も後処理室内を介さずにカセット室に回収する工程と，から成ることを特徴としている。
【００１５】
さらにまた，請求項９に記載の発明は，さらに，被処理体を処理室から後処理室に搬送する前に，被処理体を保持していない搬送装置により，後処理室に処理中の被処理体が存在していないことを確認する工程から成ることを特徴としている。
【００１６】
また，請求項１１に記載の発明は，被処理体は，カセット室のカセットの元スロットに回収されることを特徴としている。
なお，本明細書において，元スロットとは，回収される被処理体が元々収容されていたカセット内のスロットをいうものとする。
【００１７】
さらに，請求項１２に記載の発明は，被処理体は，カセット室のカセットの空スロットに回収されることを特徴としている。
なお，本明細書中において，空スロットとは，カセット内の上記元スロット以外の被処理体が収容されていないスロットをいうものとする。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明に係る被処理体の回収方法をクラスタツール化されたマルチチャンバ式処理装置に適用した実施の一形態について詳細に説明する。
図１には，本実施の形態を適用可能な処理装置１００が図示されている。この処理装置１００は，被処理体，例えば半導体ウェハ（以下，「ウェハ」と称する。）Ｗに対して所定の処理を連続的に施すための装置の集合体で，例えば共通移載室１０２を中心として，エッチング装置１０４と，第１ＣＶＤ（成膜）装置１０６と，第２ＣＶＤ装置１０８と，冷却装置（後処理装置）１１０と，第１カセット室１１２と，第２カセット室１１４とが，その共通移載室１０２の周囲に順次配置されている。また，それらエッチング装置１０４の処理室１０４ａ内と，第１ＣＶＤ装置１０６の処理室１０６ａ内と，第２ＣＶＤ装置１０８の処理室１０８ａ内と，冷却装置１１０の冷却室（後処理室）１１０ａ内と，第１カセット室１１２内と，第２カセット室１１４内とは，それぞれに対応するゲートバルブＧ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，Ｇ６を介して，各々共通移載室１０２内に連通するように接続される構成となっている。
【００１９】
また，第１及び第２カセット室１１２，１１４は，その内部にそれぞれ複数のウェハＷを同時に載置可能なカセット１１６（１１６ａ，１１６ｂ）を収容可能なように構成されている。また，カセット１１６は，その内部に複数のスロットが形成されており，それら各スロット内の各々に１枚ずつ，合計で例えば２５枚のウェハＷを収容可能なように構成されている。また，第１及び第２カセット室１１２，１１４のカセット１１６の搬入出経路側には，それぞれに対応するドアバルブＤ１，Ｄ２が設けられている。
【００２０】
また，共通移載室１０２内には，例えば多関節アームから成る搬送アーム１１８が設けられている。この搬送アーム１１８は，ウェハＷを共通移載室１０２内を介して，第１カセット室１１２内と，第２カセット室１１４内と，エッチング装置１０４の処理室１０４ａ内と，第１ＣＶＤ装置１０６の処理室１０６ａ内と，第２ＣＶＤ装置１０８の処理室１０８ａ内と，冷却装置１１０の冷却室１１０ａ内との間で，適宜搬送可能な位置に配置されている。また，搬送アーム１１８には，不図示の駆動機構が接続されており，この駆動機構の作動によって搬送アーム１１８が適宜所定の動作を行うように構成されている。
【００２１】
さらに，共通移載室１０２内のゲートバルブＧ５とゲートバルブＧ６との間の所定の位置には，ウェハＷの位置決め装置１２０が配置される構成となっている。この位置決め装置１２０は，検出部１２０ａと回転部１２０ｂとから構成され，回転部１２０ｂ上に固定されたウェハＷを回転させた後，検出部１２０ａによって検出された情報に基づいてその回転を停止させることにより，ウェハＷを搬送アーム１１８上に所望の配置で載置させることができるように構成されている。
【００２２】
また，各処理室（後処理室を含む。）ごと，すなわち処理室１０４ａと処理室１０６ａと処理室１０８ａと冷却室１１０ａとには，それぞれウェハＷを搬送する搬送先が規定されている。この搬送先情報は，後述するウェハＷの回収作業時，すなわち処理装置１００の再起動時に，それら処理室１０４ａ内や処理室１０６ａ内や処理室１０８ａ内や冷却室１１０ａ内からウェハＷを所定の搬送先に搬送するために規定されている。さらに，ウェハＷその搬送先情報に従って所定の搬送先に搬送した後，最終的には処理装置１００内の全てのウェハＷを第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４内のカセット１１６に回収する構成となっている。
【００２３】
ここで，処理室１０４ａと処理室１０６ａと処理室１０８ａと冷却室１１０ａとに対する搬送先の規定について説明すると，例えば第１ＣＶＤ装置１０６の処理室１０６ａと第２ＣＶＤ装置１０８の処理室１０８ａとの搬送先は，冷却室１１０ａと規定され，またエッチング装置１０４の処理室１０４ａの搬送先は，ウェハＷを回収可能な第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４のいずれか一方と規定されている。
【００２４】
従って，ウェハＷの回収作業時には，処理室１０４ａ内のウェハＷは，例えば高温状態となっていないため，特に後処理である冷却処理を施すことなく迅速にカセット１１６に回収され，処理室１０６ａ内のウェハＷと処理室１０８ａ内のウェハＷとは，例えば非常に高温となっているため，後処理である冷却処理を施された後，カセット１１６に回収される構成となっている。その結果，例えば非常に高温のウェハＷが直接カセット１１６内に回収されることがないため，そのカセット１１６が変形や破損するなどの悪影響を防止することができる。
【００２５】
また，処理装置１００の再起動時に，冷却装置１１０の冷却室１１０ａ内にウェハＷが存在していた場合には，冷却室１１０ａ内のウェハＷに対して冷却処理を施した後，そのウェハＷをカセット１１６に回収する構成となっている。従って，後処理である冷却処理が施されていない，または冷却処理が不完全なウェハＷが，そのままカセット１１６内に回収されることを防止することができる。
【００２６】
次に，図２を参照しながら，処理装置１００における通常の処理工程の一実施例について説明する。
（１）  まず，搬送アーム１１８の作動により，第１カセット室１１２内のカセット１１６ａ内に収容されているウェハＷ（α１）を，共通移載室１０２内に配置された位置決め装置１２０の回転部１２０ａ上に載置した後，所定の位置決めを行う。
【００２７】
（２）  次いで，搬送アーム１１８により，所望の状態に位置決めされたウェハＷ（α１）を，エッチング装置１０４の処理室１０４ａ内に搬送する。
（３）  次いで，その処理室１０４ａ内で，ウェハＷ（α１）に対して所定のエッチング処理，例えばウェハＷ（α１）の被処理面を所望の状態に整えるためのいわゆるライトエッチング処理を施す。この際，すなわちウェハＷ（α１）に対してエッチング処理を施している間に，搬送アーム１１８により，第２カセット室１１４内のカセット１１６ｂ内に収容されているウェハＷ（β１）を位置決め装置１２０に搬送し，上述した如くそのウェハＷ（β１）の位置決めを行う。
【００２８】
（４）  次いで，搬送アーム１１８により，エッチング処理が施されたウェハＷ（α１）を，処理室１０４ａ内から共通移載室１０２内を介して，第１ＣＶＤ装置１０６の処理室１０６ａ内に搬送する。
（５）  次いで，その処理室１０６ａ内で，ウェハＷ（α１）に対して所定の成膜処理を施す。さらに，このウェハＷ（α１）に対して成膜処理を施している間に，搬送アーム１１８により，位置決めされたウェハＷ（β１）をエッチング装置１０４の処理室１０４ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β１）に対して所定のエッチング処理を施す。
【００２９】
（６）  次いで，ウェハＷ（α１），（β１）に対して各々所定の処理が施されている間に，搬送アーム１１８により，カセット１１６ａ内のウェハＷ（α２）を位置決め装置１２０に搬送し，そのウェハＷ（α２）の位置決めを行う。
（７）  次いで，搬送アーム１１８により，エッチング処理が施されたウェハＷ（β１）を，処理室１０４ａ内から共通移載室１０２内を介して，第２ＣＶＤ装置１０８の処理室１０８ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β１）に対して所定の成膜処理を施す。
【００３０】
（８）  次いで，搬送アーム１１８により，位置決めされたウェハＷ（α２）をエッチング装置１０４の処理室１０４ａ内に搬送し，そのウェハＷ（α２）に対して所定のエッチング処理を施す。
（９）  次いで，搬送アーム１１８により，成膜処理が施されたウェハＷ（α１）を，処理室１０６ａ内から共通移載室１０２内を介して，冷却装置（後処理装置）１１０の冷却室（後処理室）１１０ａ内に搬送し，所定時間，そのウェハＷ（α１）の後処理，すなわち冷却（放冷）を行う。この冷却処理により，成膜処理によって高温，例えば８００℃〜１０００℃にまで加熱されていたウェハＷ（α１）の温度を，所定の温度，例えば室温（２５℃）にまで下げることができる。従って，成膜処理が施されたウェハＷ（α１）をカセット１１６ａ内に収容した際に，成膜処理によってウェハＷ（α１）に生じた熱により，カセット１１６ａが溶けたり，変形したりすることを防止することができる。
【００３１】
（１０）  次いで，ウェハＷ（α１）に対して冷却処理が施され，ウェハＷ（β１）に対して成膜処理が施されている間に，搬送アーム１１８により，カセット室１１４内のカセット１１６ｂ内のウェハＷ（β２）を，位置決め装置１２０に搬送し，そのウェハＷ（β２）の位置決めを行う。
（１１）  次いで，搬送アーム１１８により，冷却処理が施されたウェハＷ（α１）を，冷却室１１０ａ内から共通移載室１０２内を介して，再びカセット１１６ａ内の所定のスロット内に搬送する。
【００３２】
（１２）  次いで，搬送アーム１１８により，エッチング処理が施されたウェハＷ（α２）を，処理室１０４ａ内から共通移載室１０２内を介して，第１ＣＶＤ装置１０６の処理室１０６ａ内に搬送し，そのウェハＷ（α２）に対して所定の成膜処理を施す。
（１３）  次いで，搬送アーム１１８により，位置決めされたウェハＷ（β２）をエッチング装置１０４の処理室１０４ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β２）に対して所定のエッチング処理を施す。
【００３３】
（１４）  次いで，搬送アーム１１８により，成膜処理が施されたウェハＷ（β１）を，処理室１０８ａ内から共通移載室１０２内を介して冷却装置１１０の冷却室１１０ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β１）に対して冷却処理を施す。
（１５）  次いで，搬送アーム１１８により，エッチング処理が施されたウェハＷ（β２）を，処理室１０４ａ内から共通移載室１０２内を介して，第２ＣＶＤ装置１０８の処理室１０８ａ内に搬送し，そのウェハＷ（β２）に対して所定の成膜処理を施す。
【００３４】
（１６）  次いで，搬送アーム１１８により，冷却処理が施されたウェハＷ（β１）が，再びカセット１１６ｂの所定のスロット内に搬送される。
（１７）以後，カセット１１６内に収容されている未処理の各ウェハＷは，上述の如く搬送アーム１１８により，共通移載室１０２内を介して，順次処理室１０４ａ内，処理室１０６ａ内又は処理室１０８ａ内，冷却室１１０ａ内に搬送され，所定の処理が施された後，再びカセット１１６内の所定のスロット内に搬送される構成となっている。なお，上述したウェハＷの搬送順序は，本発明の理解を容易にするための一実施例を挙げて説明したものであり，本発明は上記構成に限定されることなく，いかなる搬送順序であっても本発明は適用可能であることは言うまでもない。
【００３５】
次に，本実施の形態に係る処理装置１００に適用されるウェハＷの回収方法について詳細に説明する。かかる処理装置１００においては，通常上述した如く，ウェハＷに対して順次処理が施される構成となっている。しかしながら，何らかの原因，例えば停電や操作者の停止操作等により，処理中に処理装置１００が停止する場合がある。そして，再び処理装置１００を始動させる場合には，ウェハＷの回収，特に上述の如く成膜処理によって非常に高温となっているウェハＷのカセット内への回収が問題となる。そこで，処理装置１００にかかるウェハＷの回収方法を適用し，以下に詳細に述べる如くウェハＷをカセット１１６内に回収することにより，カセット１１６が溶けたり，変形することなく，的確かつ迅速にウェハＷを回収することができる。
【００３６】
ここで，本実施の形態に適用可能なウェハＷの回収方法について，図３及び図４に示したフローチャートを参照しながら詳細に説明する。
（１）  まず，上述の如く何らかの原因により処理装置１００が停止した後，再び処理装置１００が始動すると，かかるウェハＷの回収方法に従ってウェハＷのカセット１１６内への回収が開始される（ステップＳ２００）。なお，搬送アーム１１８上のウェハＷの出所データ及び行先データは，不図示の演算記憶装置によって常時記憶される構成となっている。
【００３７】
（２）  次いで，ウェハＷの回収先となる第１カセット室１１２内及び第２カセット室１１４内のカセット１１６内の各スロット内全てに，ウェハＷが収容されているか確認する（ステップＳ２０２）。この各スロット内のウェハＷの有無の確認は，次のようにして行われる構成となっている。すなわち，例えばカセット１１６内のスロット挟んで対向配置された不図示の光学センサを第１カセット室１１２内及び第２カセット室１１４内の所定の位置に配置する。そして，その光学センサを上下方向（各スロット全てについて検出可能な方向。）に移動させて，光学センサの発光部からスロット内を介して光受容部に到達する光の有無（スロット内にウェハＷがある場合には，光はスロット内を透過しない。）により，ウェハＷの存在の有無を検出する構成となっている。
【００３８】
（３）  次いで，ステップＳ２０２において，カセット１１６内の各スロット内全てに，ウェハＷが収容されていることが確認された場合には，ウェハＷの回収を行うことができないことを例えば操作者や観察者等（以下，「操作者等」とする。）に知らせ（ステップＳ２０４），ウェハＷの回収を中止する（ステップＳ２０６）。
（４）  また，ステップＳ２０２において，カセット１１６内にウェハＷが収容されていないスロットがあることが確認された場合には，さらに搬送アーム１１８上にウェハＷが存在するかどうかを，演算記憶装置に記憶された出所データ及び行先データより判断，または搬送アーム１１８上のウェハＷの有無を検出可能な不図示のセンサ，例えば光学センサより検出する（ステップＳ２０８）。
【００３９】
（５）  次いで，ステップＳ２０８において，搬送アーム１１８上にウェハＷが載置されていないと判断された場合には，さらに位置決め装置１２０上にウェハＷが存在するかを，位置決め装置１２０の検出部１２０ａを構成するセンサ，例えば光学センサにより検出して判断する（ステップＳ２１０）。
（６）  次いで，ステップＳ２１０において，位置決め装置１２０上にウェハＷが存在すると判断された場合には，位置決め装置１２０上のウェハＷをカセット１１６内の元スロット内又は空スロット内に回収し（ステップＳ２１２），後述するステップＳ２３０を行う。
（７）  また，ステップＳ２１０において，位置決め装置１２０上にウェハＷが存在しないと判断された場合には，次いで後述するステップＳ２３０を行う。
【００４０】
（８）  一方，ステップＳ２０８において，搬送アーム１１８上にウェハＷが載置されていると判断された場合には，さらに演算記憶装置により，そのウェハＷの出所データが第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４又は位置決め装置１２０であるかを確認する（ステップＳ２１６）。
（９）  次いで，ステップＳ２１６において，搬送アーム１１８上のウェハＷの出所データが，第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４又は位置決め装置１２０であると判断された場合には，そのウェハＷを第１カセット室１１２内又は第２カセット室１１４内のカセット１１６内の元スロット内又は空スロット内に回収する（ステップＳ２１８）。
（１０）  次いで，上述したステップＳ２１０，さらに必要に応じて上記ステップＳ２１２を行った後，後述するステップＳ２３０を行う。
【００４１】
（１１）  また，ステップＳ２１６において，搬送アーム１１８上のウェハＷの出所データが，第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４又は位置決め装置１２０ではないと判断された場合，すなわちその出所データが処理室１０４ａ又は処理室１０６ａ又は処理室１０８ａ又は冷却室１１０ａのいずれかであると判断された場合には，上述した如く規定されている回収作業時のウェハＷの搬送先が第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４であるか，すなわちエッチング装置１０４の処理室１０４ａ又は冷却装置１１０の処理室１１０ａで規定された搬送先であるかを確認する（ステップＳ２１９）。
（１２）  次いで，ステップＳ２１９において，ウェハＷの搬送先が第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４であると判断された場合には，上述したステップＳ２１８を行い，搬送アーム１１８上のウェハＷを第１カセット室１１２内又は第２カセット室１１４内のカセット１１６内の元スロット内又は空スロット内に回収する。
（１３）  また，ステップＳ２１９において，ウェハＷの搬送先が第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４ではないと判断された場合には，さらに演算制御器により，そのウェハＷの行先データが第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４又は位置決め装置１２０であるかどうかを確認する（ステップＳ２２０）。
（１４）  次いで，ステップＳ２２０において，搬送アーム１１８上のウェハＷの行先データが第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４又は位置決め装置１２０あることが確認された場合には，上述したステップＳ２１８，ステップＳ２１０，さらに必要に応じてステップＳ２１２を行った後，後述するステップＳ２３０を行う。
【００４２】
（１５）  また，ステップＳ２２０において，搬送アーム１１８上のウェハＷの行先データが第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４又は位置決め装置１２０でないことが確認された場合，すなわち行先データが処理室１０４ａ又は処理室１０６ａ又は処理室１０８ａ又は冷却室１１０ａのいずれかである場合には，行先データの示す処理室１０４ａ内又は処理室１０６ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内にウェハＷが存在するかを確認する（ステップＳ２２２）。
このウェハＷの有無の確認は，例えば当該装置１００の停止前に記憶されていた行先データの示す処理室内のウェハＷの有無情報に基づいて行われる構成となっている。なお，搬送アーム１１８に検出手段，例えばセンサを取り付け，そのセンサによってウェハＷの有無を確認する構成としても良いことは言うまでもない。
（１６）  次いで，ステップＳ２２２において，行先データの示す処理室１０４ａ内又は処理室１０６ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内にウェハＷが存在することが確認された場合には，搬送アーム１１８上のウェハＷをそれら処理室１０４ａ内又は処理室１０６ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内に搬送できないことを操作者等に知らせた後（ステップＳ２２４），ウェハＷの回収を中止する（ステップＳ２２６）。
【００４３】
（１７）  また，ステップＳ２２２において，行先データの示す処理室１０４ａ内又は処理室１０６ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内にウェハＷが存在しないことが確認された場合には，搬送アーム１１８上のウェハＷを搬送先である処理室１０４ａ内又は処理室１０６ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内に搬送する（ステップＳ２２８）。
（１８）  次いで，各処理室内，すなわち処理室１０４ａ内と，処理室１０６ａ内と，処理室１０８ａ内と，冷却室１１０ａ内とのウェハＷの有無を確認し，ウェハＷが存在する処理室１０４ａ，処理室１０６ａ，処理室１０８ａ，冷却室１１０ａで，そのウェハＷに対して所定の処理を行う（ステップＳ２３０）。
（１９）  次いで，冷却室１１０ａ内にウェハＷが存在する場合には，優先的にその冷却室１１０ａ内のウェハＷを搬送先である第１カセット室１１２内又は第２カセット室１１４内のカセット１１２に回収した後，ウェハＷが存在する処理室１０４ａや処理室１０６ａや処理室１０８ａからのウェハＷの回収作業を行う（ステップＳ２３２）。
このウェハＷの回収作業は，上述した如く各処理室（後処理室を含む。）ごと，すなわち処理室１０４ａと処理室１０６ａと処理室１０８ａと冷却室１１０ａとのそれぞれに規定されているウェハＷの搬送先情報に基づいて行われる構成となっている。そして，それら処理室１０４ａ内又は処理室１０６ａ内又は処理室１０８ａ内又は冷却室１１０ａ内のウェハＷは，搬送アーム１１８の作動によって所定の搬送先に搬送された後，最終的には処理装置１００内の全てのウェハＷが第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４内のカセット１１６に回収される構成となっている。なお，処理室１０４ａ又は処理室１０６ａ又は処理室１０８ａからウェハＷを回収する際には，後処理としてさらに除電処理をウェハＷに施す構成としても良いことは言うまでもない。
【００４４】
（２０）  次いで，処理装置１００内のウェハＷが第１カセット室１１２又は第２カセット室１１４内のカセット１１６に回収されるまで，上述したステップＳ２３０とステップＳ２３２とを順次繰り返し（ステップＳ２３４），処理装置１００内のウェハＷがカセット１１６内に全て回収されると，ウェハＷの回収作業を終了する（ステップＳ２３６）。
【００４５】
本実施の形態に係る処理装置１００に適用されるウェハＷの回収方法は，以上のように構成されている。従って，処理中に処理装置１００が停止し，再び処理装置を始動させた場合でも，カセット１１６内のウェハＷを除く処理装置１００内の処理中及び搬送中の各ウェハＷを所望の状態でカセット１１６内に回収することができる。特に，第１ＣＶＤ装置１０６又は第２ＣＶＤ装置１０８で成膜処理が施され，非常に高温となっているウェハＷ，および搬送アーム１１８上の成膜処理直後の非常に高温となっているウェハＷをカセット１１６内に回収する場合でも，上述の如く必ず所定の冷却処理されたのち，カセット１１６内に搬送される構成となっている。従って，それら非常に高温となっているウェハＷをカセット１１６内に回収する場合でも，そのカセット１１６が変形したり，溶けたりすることがない。
【００４６】
なお，処理装置１００の停止時から再起動時までの経過時間が予め設定された所定時間よりも長い場合には，処理室１０６ａ内，処理室１０８ａ内のウェハＷは，上述した後処理である冷却処理が施されることなく，直接第１カセット室１１２内又は第２カセット室１１４内のカセット１１６に回収される構成となっている。すなわち，処理装置１００が所定時間よりも長く停止していた場合には，処理室１０６ａ内や処理室１０８ａ内のウェハＷの温度が低下するため，そのウェハＷに対して後処理である冷却処理を施す必要がない。従って，処理装置１００の停止時から再起動時までの経過時間を，例えば不図示の記憶装置により記憶しておき，その経過時間が所定の時間を経過していた場合には，上述のような後処理をウェハＷに施す工程を経ることなく，ウェハＷをカセット１１６に回収する構成となっている。
【００４７】
以上，本発明の好適な実施の一形態について，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかかる構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００４８】
例えば，上記実施の形態において，ウェハの回収時に成膜処理によって非常に高温となったウェハを冷却処理（後処理）した後，カセット内の元スロット内又は空スロット内に回収した例を挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではない。すなわち，本発明は，処理装置の停止後，再び該装置を始動した際に，その装置内に存在する被処理体に対して後処理室にて後処理を施した後でなければ，その被処理体をカセット室内に回収できない場合全てに適用することができる。また，本発明は，例えば人体に有害なガスや大気汚染の原因ガス等を使用して，被処理体に対して所定の処理を施す処理装置を含むマルチチャンバ式処理装置に対しても適用することができる。
【００４９】
また，上記実施の形態において，共通移載室に２つのカセット室，エッチング装置の処理室，２つのＣＶＤ装置の処理室，冷却装置の冷却室を接続したマルチチャンバ式処理装置を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，少なくとも１つの処理室と，少なくとも１つの後処理室と，少なくとも１つのカセット室と，少なくとも１つの位置決め装置と少なくとも１つの被処理体の搬送装置とを備えた共通移載室とを備えたマルチチャンバ式処理装置であれば，いかなる装置であっても本発明を適用することができる。
【００５０】
さらに，上記実施の形態において，ウェハに対して順次エッチング処理，成膜処理，冷却処理（後処理）を施す例を挙げて説明したが，本発明はかかる構成に限定されるものではなく，被処理体としては例えばＬＣＤ用ガラス基板を使用することができ，また少なくとも被処理体に対して後処理が必要となる所定の処理を施した後，所定の後処理を施す処理工程を有する処理装置であれば，本発明を適用することができる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明によれば，マルチチャンバ式処理装置において処理中に停止した該装置を再び始動させた場合に，後処理が必要な被処理体は，所定の後処理を施した後カセット室内のカセット内に回収し，後処理の必要がない被処理体は，後処理を施すことなくそのままカセット内に回収することができる。その結果，後処理が必要な被処理体に対して確実に後処理が施された後，その被処理体がカセット内に回収されるため，例えばカセットに悪影響が及ぶことがない。また，後処理が不要な被処理体は，そのままカセット内に回収することができるため，かかる装置内の各被処理体の回収を迅速に行うことができる。さらに，処理中の被処理体の出所データと行先データとが常時記憶されているため，正確な被処理体の回収を行うことができる。さらにまた，被処理体は，カセットの元スロット内のみ成らず，空スロット内にも回収されるため，被処理体の回収をさらに迅速に行うことができ，短時間で通常の処理工程に復帰することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用可能なマルチチャンバ式処理装置を示した概略的な説明図である。
【図２】図１に示した処理装置における通常の処理工程を説明するための概略的な説明図である。
【図３】図１に示した処理装置におけるウェハの回収方法を説明するための概略的な説明図である。
【図４】図１に示した処理装置におけるウェハの回収方法を説明するための概略的な説明図である。
【符号の説明】
１００      処理装置
１０２      共通移載室
１０４      エッチング装置
１０６      第１ＣＶＤ装置
１０８      第２ＣＶＤ装置
１１０      冷却装置
１１２      第１カセット室
１１４      第２カセット室
１１６      カセット
１１８      搬送アーム
１２０      位置決め装置
Ｇ１〜Ｇ６      ゲートバルブ
Ｗ        ウェハ
【図１】
0003936030.tif 000002
【図２】
0003936030.tif 000003
【図３】
0003936030.tif 000004
【図４】
0003936030.tif 000005