(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気光学物質を狭持し、画像表示領域及び該画像表示領域の周囲に額縁領域を有し、前記画像表示領域に対応した窓が形成された遮光性の外枠内に、一方の前記基板側から見て前記画像表示領域の外縁と前記窓の縁部分との間に平面的な間隙が形成されるように収容される電気光学装置であって、
一方の前記基板上に、
前記画像表示領域内に配置された表示用電極と、
該表示用電極に画素スイッチング用素子を介して又は直接接続されるとともに、前記額縁領域内に設けられた配線からなるパターン部と、
前記額縁領域において、前記パターン部の下方に該パターン部よりも低い光反射率をもつ低反射膜とを備え、
他方の前記基板上に、
前記額縁領域を規定する額縁遮光膜を備えており、
前記低反射膜は、前記画素スイッチング用素子の半導体層と同一層からなるポリシリコン膜からなり、一方の前記基板側から見て前記間隙を平面的に覆うと共に前記額縁遮光膜及び前記外枠の窓の縁部分と重なるように配置されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記外枠の窓は、一方の前記基板側に設けられる第１の窓及び他方の前記基板側に設けられる第２の窓からなり、
前記第２の窓の縁部分は、前記第１の窓の縁部分よりも前記画像表示領域側に位置しており、
前記額縁遮光膜は、前記第２の窓の縁部分と重なるように設けられており、
前記低反射膜は、前記第１の窓の縁部分及び前記第２の窓の縁部分と夫々重なるように設けられることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記低反射膜は、ベタに形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記パターン部は所定の平面パターンを有し、
前記低反射膜は、前記所定の平面パターンに対応する平面パターンを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
一方の前記基板と他方の前記基板とを前記額縁領域の周辺に位置する周辺領域において相接着するシール材とを更に備え、
前記低反射膜は、その外縁が前記シール材と離間して形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記シール材は、光硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記外枠を更に備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置からなるライトバルブと、
該ライトバルブに投射光を入射する光源と、
該ライトバルブから出射した前記投射光を投射する光学系と、
を備えたことを特徴とする投射型表示装置。
【請求項９】
一対の基板間に電気光学物質を狭持し、画像表示領域及び該画像表示領域の周囲に額縁領域を有し、一方の前記基板上に表示用電極及び該表示用電極に電気的に接続された画素スイッチング用素子と、前記表示用電極に画素スイッチング用素子を介して又は直接接続されるとともに、前記額縁領域内に設けられた配線からなるパターン部とを備え、他方の前記基板上に、前記額縁領域を規定する額縁遮光膜を備え、前記画像表示領域に対応した窓が形成された遮光性の外枠内に、一方の前記基板側から見て前記画像表示領域の外縁と前記窓の縁部分との間に平面的な間隙が形成されるように収容される電気光学装置の製造方法であって、
一方の前記基板上に、
前記画素スイッチング用素子の半導体層と前記間隙に対向配置される低反射膜を同時に前記パターン部よりも低い光反射率を有するポリシリコン膜によって形成する工程と、
前記低反射膜の上方に、前記パターン部を形成する工程とを含み、
前記低反射膜は、一方の前記基板側から見て前記間隙を平面的に覆うと共に前記額縁遮光膜及び前記外枠の窓の縁部分と重なるように形成されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記外枠の窓は、一方の前記基板側に設けられる第１の窓及び他方の前記基板側に設けられる第２の窓からなり、
前記第２の窓の縁部分は、前記第１の窓の縁部分よりも前記画像表示領域側に位置しており、
前記額縁遮光膜を、前記第２の窓の縁部分と重なるように形成し、
前記低反射膜を、前記第１の窓の縁部分及び前記第２の窓の縁部分と夫々重なるように形成することを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法並びに投射型表示装置の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
液晶等の電気光学物質を一対の基板で挟持した電気光学装置に対して、光源から発せられた光を投射し、該装置を透過した光によりスクリーン上に画像を投影する投射型表示装置（一般に、「液晶プロジェクタ」とも呼称される。）が知られている。この投射型液晶表示装置としては更に、上述の構成に加え、例えば、適当なレンズ系と前記電気光学装置を三つ用意することで、該レンズ系により前記光源からの光をＲ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）の三原色に分解し、これらの光を前記三つの電気光学装置に投射することで、カラー画像を得るもの（一般に、「複板式プロジェクタ」とも呼称される。）等も知られている。また、前記電気光学装置としては、例えば、画素電極及びこれに接続された画素スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下、適宜「ＴＦＴ」と称す。）や薄膜ダイオード（Thin Film Diode；以下、適宜「ＴＦＤ」と称す。）等を備えることで、いわゆるアクティブマトリクス駆動方式が可能な電気光学装置が広く使用されている。
【０００３】
ところで、このような投射型表示装置において、高品質・高品位な画像をスクリーン上で得るためには、特に、電気光学装置における「光の再反射」がないことが好ましい。ここに、「光の再反射」とは、電気光学装置における光出射側から反射した光が、画像表示領域外側に位置する、例えばアルミニウム配線等のパターン部で更に反射（再反射）することをいう。このような光の再反射が生じ、該光が電気光学装置外部へと至る（すなわち、光が漏れる）と、スクリーン上の画像では、その周囲に薄ぼんやりした光の縁が現れることになる。その結果、画像それ自体についての画質には大きな影響はないものの、その見栄えにとっては好ましくない影響を与える結果となる。
【０００４】
このような問題は、上述した複板式プロジェクタにおいて、一の電気光学装置から出射されて合成光学系を突き抜けてくる戻り光が、他の電気光学装置に対して入射する場合にも、同様に生じる。なぜなら、ここにいう「戻り光」は、上述した、基板の光出射側から反射した光と同じ効果をもたらすからである。
【０００５】
なお、投射型表示装置においては、一般に、入射光が強力であり、かつ斜め成分の光を大量に含むから、このような問題は特に深刻となる。
【０００６】
従来においては、上述のような光の再反射に基づく光漏れを防止するため、電気光学装置の光出射側、より具体的には、前記一対の基板の一方を構成するＴＦＴアレイ基板の光出射側に位置する面の外側に、画像表示領域に対応する窓が形成された黒塗りの外枠が取り付けられていた。これにより、再反射した光を吸収することが可能となり、画像周囲に光の縁が現れることを概ね防止することが可能となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した外枠を用いる場合にあっては、次のような問題があった。すなわち、該外枠における窓を規定する縁部分と画像表示領域（上述の画素電極及びＴＦＴ等が設けられる領域）の外縁との間には、一定の隙間を設ける必要があることにより、再反射した光を効果的に遮ることが不可能な点である。つまり、再反射した光は、該隙間を通じて外部に漏れ、光の縁の形成を防止することができないのである。
【０００８】
ここで、「一定の隙間を設ける必要がある」のは、画像そのものに対する影響を排除するためである。すなわち、もし画像表示領域に接するように、あるいは該領域内に至るように、やや大きめの外枠を設置すること、すなわち前記窓の縁部分と画像表示領域の外縁とが平面的にみて接するか、あるいは重なり合うように外枠を設置することによれば、スクリーン上の画像の内縁（つまり、画像内）に、いわゆる「けられ」とも呼称される、暗部を生じさせることになるのである。要するに、やや大きめの外枠を設置すれば、たしかに上述した光の縁の形成を防止することが可能になるかもしれないが、そのためにかえって、画像そのものの画質を劣化させることになり、より深刻な事態を招来する結果になってしまうのである。
【０００９】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、高画質・高品位な画像を表示することが可能であるとともに、該画像の周囲に光の縁等が現れることのない、見栄えのよい画像を表示することが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質を狭持し、画像表示領域及び該画像表示領域の周囲に額縁領域を有し、前記画像表示領域に対応した窓が形成された遮光性の外枠内に、一方の前記基板側から見て前記画像表示領域の外縁と前記窓の縁部分との間に平面的な間隙が形成されるように収容される電気光学装置であって、一方の前記基板上に、前記画像表示領域内に配置された表示用電極と、該表示用電極に画素スイッチング用素子を介して又は直接接続されるとともに、前記額縁領域内に設けられた配線からなるパターン部と、前記額縁領域において、前記パターン部の下方に該パターン部よりも低い光反射率をもつ低反射膜とを備え、他方の前記基板上に、前記額縁領域を規定する額縁遮光膜を備えており、前記低反射膜は、前記画素スイッチング用素子の半導体層と同一層からなるポリシリコン膜からなり、一方の前記基板側から見て前記間隙を平面的に覆うと共に前記額縁遮光膜及び前記外枠の窓の縁部分と重なるように配置される。
また、前記外枠の窓は、一方の前記基板側に設けられる第１の窓及び他方の前記基板側に設けられる第２の窓からなり、前記第２の窓の縁部分は、前記第１の窓の縁部分よりも前記画像表示領域側に位置しており、前記額縁遮光膜は、前記第２の窓の縁部分と重なるように設けられており、前記低反射膜は、前記第１の窓の縁部分及び前記第２の窓の縁部分と夫々重なるように設けられる。
【００１１】
本発明の電気光学装置によれば、例えばデータ線、走査線等の配線が画像表示領域から引き出されて額縁領域内に配置される。あるいは、これに代えて又は加えて、引き出された配線に接続された周辺回路の少なくとも一部を構成するトランジスタ、あるいはＴＦＴやＴＦＤ等の回路素子が額縁領域内に配置される。そしてこのように額縁領域内に設けられた配線や回路素子を介して画像信号等を、画素電極、あるいはストライプ状電極等の表示用電極に、ＴＦＴ等の画素スイッチング用素子を介して又は直接供給することにより、アクティブマトリクス駆動やパッシブマトリクス駆動等が可能となる。
【００１２】
この際特に、プロジェクタ用途等のように入射光が強力であり、かつ斜め成分の光を大量に含む場合に、例えばＡｌ（アルミニウム）膜等の導電膜がパターニングされてなるパターン部の反射率に応じて、その表面で入射光が反射（再反射）したり、入射光がパターン部の隙間を通過する。
【００１３】
ここで特に、本発明においては、基板上に、当該電気光学装置が収容される外枠における、前記画像表示領域に対応した窓を規定する縁部分と、前記画像表示領域の外縁との間隙に対向配置された低反射膜が存在することにより、当該電気光学装置に入射した光は、基板の光出射側から反射した後、本発明に係る低反射膜の一の面によって、その進行を遮られることになる。言い換えれば、本発明では、前記パターン部に殆ど光を至らしめず、パターン部における「光の再反射」を未然に防止するのである。その結果、入射光や戻り光は、直接又は内面反射を経た後にパターン部で反射される場合と比べて、パターン部よりも低い反射率をもつ低反射膜により反射されることで、最終的に額縁付近で出射光に混ざるパターン部による再反射光を低減できる。あるいはこれに加えて、低反射膜を透過することで光強度が低下した後の光がパターン部で再反射されることで、最終的に額縁付近で出射光に混ざるパターン部による再反射光を低減できる。また、パターン部の隙間を通過した入射光も、本発明に係る低反射膜の他の面により、上述と同様な作用を得ることが可能となる。
【００１４】
また、本発明において、当該電気光学装置を外枠に収容すれば、外枠よる遮光作用は、従前と同様に発揮される。すなわち、上述のような低反射膜の存在にもかかわらず、これを透過する等の理由により、パターン部へと達した光はそこで再反射することになるが、この再反射した光は、外枠の窓を規定する縁部分及び該縁部分周辺に存在する外枠を構成する部位等によって、遮光されることになる。
【００１５】
以上のような結果、本発明においては、基板の外側の光学部品等で反射した光が、当該電気光学装置外部へと至ることが殆どなくなる。したがって、例えば、本発明に係る電気光学装置を投射型表示装置を構成するものとして利用する形態を仮に想定すると、スクリーン上の画像の周囲に薄ぼんやりした光の縁を現出させる可能性が殆どなくなることになる。よって、本発明によれば、高画質・高品位な画像を表示することが可能であるとともに、見栄えのよい画像を表示することができる。
【００１６】
なお、本発明における「低い光反射率」という用語は、「高い光吸収率」と解釈し得るものであり、基板の外側の光学部品等で反射した光は、本発明に係る低反射膜において、パターン部におけるよりも吸収される結果、より効果的な「遮光」が達成されるともいいうる。
【００１８】
また、比較的簡単に低反射作用、すなわち光吸収作用に優れた光吸収膜を形成することが可能となり、基板製造工程において、低反射膜を基板上に形成した後、高温プロセスを経なければならないような場合に、該低反射膜において熱変形等の不都合が生じる懸念がない。
【００３１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記低反射膜は、ベタに形成されている。
【００３２】
この態様によれば、低反射膜はベタに形成されているから、より強い遮光作用の発揮が期待できる。すなわち、該低反射膜の存在にもかかわらず、これを透過する等して当該電気光学装置外部へ至ろうとする光の存在を完全に否定することはできないが、該低反射膜をベタに形成することによれば、そのような透過等の現象を、極力抑止することが可能となる。
【００３３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記パターン部は所定の平面パターンを有し、前記低反射膜は、前記所定の平面パターンに対応する平面パターンを有する。
【００３４】
この態様によれば、低反射膜とパターン部とは相対応する所定の平面パターンを有することになるから、少なくとも最小限必要となるような遮光作用を得ること、換言すれば効率的な遮光作用を得ることが可能となる。すなわち、例えば、前記平面パターンが帯状であるような場合を想定すれば、光出射側から反射した光は該帯状に設けられた低反射膜に遮られ、その背後に位置する、同様に帯状に設けられたパターン部には殆ど届かないことになる。その一方、低反射膜における各帯間においては、光出射側から反射した光は該帯間を通り抜け、その背後へと至る結果となるが、そこにはパターン部が存在しないため、強い反射（再反射）は生じず、画像に大きな影響を及ぼさない。
【００３５】
また、本態様によれば、例えば、低反射膜を単にベタに形成する場合に比べて、該低反射膜の存在による応力の発生を緩和することが可能となり、製造歩留まりや装置信頼性の向上を図ることができる。
【００３８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、一方の前記基板と他方の前記基板とを前記額縁領域の周辺に位置する周辺領域において相接着するシール材とを更に備え、前記低反射膜は、その外縁が前記シール材と離間して形成される。
【００３９】
この態様によれば、低反射膜の外縁が、基板及び他の基板を相接着するシール材と離間して形成されることから、該シール材が、例えば、光硬化性樹脂を含む場合等にあっては、本態様に係る電気光学装置の製造工程中、とりわけシール材の硬化工程において、低反射膜が邪魔になるようなことがない。すなわち、光硬化性樹脂を含むシール材の硬化は、一般に、所定の波長となる光を、基板の裏面から入射し、該基板内で透過させ、最終的にシール材に到達させることによって行われるが、このとき例えば、シール材中に低反射膜の一部が存在する（つまり、相互に離間していない）状態となっていると、該シール材に前記所定の波長となる光が到達することが困難となり、その硬化を十分に行うことができないのである。本態様では、既に述べたように、低反射膜及びシール材は離間して形成されるので、上述のような不都合が生じない。
【００４０】
この態様では特に、前記シール材は、光硬化性樹脂を含むようにするとよい。
【００４１】
このような構成によれば、上述したことからも明らかな通り、シール材の硬化を十分に達成することができる。
【００４２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記外枠を更に備える。
【００４３】
この態様によれば、動作時には、低反射膜を介してパターン部へと達し、再反射した光は、外枠の窓を規定する縁部分及び該縁部分周辺に存在する外枠を構成する部位等によって、遮光される。そして、製造後の運搬や出荷時における当該電気光学装置の機械的強度を、外枠の存在によって高め得る。
【００４４】
本発明の投射型表示装置は、上記課題を解決するために、上述した本発明に係る電気光学装置（ただし、その各種態様も含む。）からなるライトバルブと、該ライトバルブに投射光を入射する光源と、該ライトバルブから出射した前記投射光を投射する光学系とを備える。
【００４５】
本発明の投射型表示装置によれば、上述した本発明の電気光学装置（その各種態様も含む。）をライトバルブとして備えているので、高品位の画像表示が可能となる。
【００４６】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、一対の基板間に電気光学物質を狭持し、画像表示領域及び該画像表示領域の周囲に額縁領域を有し、一方の前記基板上に表示用電極及び該表示用電極に電気的に接続された画素スイッチング用素子と、前記表示用電極に画素スイッチング用素子を介して又は直接接続されるとともに、前記額縁領域内に設けられた配線からなるパターン部とを備え、他方の前記基板上に、前記額縁領域を規定する額縁遮光膜を備え、前記画像表示領域に対応した窓が形成された遮光性の外枠内に、一方の前記基板側から見て前記画像表示領域の外縁と前記窓の縁部分との間に平面的な間隙が形成されるように収容される電気光学装置の製造方法であって、一方の前記基板上に、前記画素スイッチング用素子の半導体層と前記間隙に対向配置される低反射膜を同時に前記パターン部よりも低い光反射率を有するポリシリコン膜によって形成する工程と、前記低反射膜の上方に、前記パターン部を形成する工程とを含み、前記低反射膜は、一方の前記基板側から見て前記間隙を平面的に覆うと共に前記額縁遮光膜及び前記外枠の窓の縁部分と重なるように形成される。
【００４７】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置であって、画素スイッチング用素子を構成する半導体層と低反射膜とが同一膜からなるものを、比較的容易に製造することが可能となる。
【００５０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００５１】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５２】
（電気光学装置の全体構成）
まず、本発明の実施形態における電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板２０の側からみた平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ´断面図である。なお、ここでは、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００５３】
図１及び図２において、液晶装置は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられている。シール材５２は、両基板を貼り合わせるため、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、紫外線、加熱等により硬化させられたものである。また、このシール材５２中には、本実施形態における液晶装置がプロジェクタ用途のように小型で拡大表示を行う液晶装置であれば、両基板間の距離（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ、あるいはガラスビーズ等のギャップ材（スペーサ）が散布されている。あるいは、当該液晶装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてよい。
【００５４】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。ただし、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられていてもよい。
【００５５】
シール材５２の外側の領域には、後述するデータ線（図３等における符号６ａ参照）に画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査線３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することにより、走査線３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する二辺に沿って設けられている。
【００５６】
走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査線駆動回路１０４は片側だけでもよいことは言うまでもない。また、周辺回路駆動回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。
【００５７】
さらに、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも一箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図２に示すように、図１に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００５８】
本実施形態では特に、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号をサンプリングするサンプリング回路３０１が、額縁領域内に配置されている。すなわち、サンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ等の回路素子が額縁領域内に配置されている。更に、額縁領域内には、（１）画像表示領域１０ａ内に配線されたデータ線からサンプリング回路３０１に至る配線部分、（２）データ線駆動回路１０１からサンプリング回路３０１に至る配線部分、（３）画像表示領域１０ａ内に配線された走査線から走査線駆動回路１０４に至る配線部分等の各種配線部分も配置されている。
【００５９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、周辺回路等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１のほか、最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマテッィク液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００６０】
そして、本実施形態では特に、上述したＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を、その内部に収容する遮光性の外枠８００が設けられている。これは、例えば適当なプラスチック、ないし高分子材料等で構成すればよい。また、この外枠８００における遮光性は、具体的には例えば、黒色の塗料によって該外枠８００全体を塗装しておく等の手段により得られる。ただし、場合により、外枠８００をそもそも遮光性の材料で構成する結果、遮光性が得られるような構成としてもよい。
【００６１】
この外枠８００では特に、図２に示すように、液晶層５０を通過する光の進行（光の入射又は出射）の妨げとならならないように、画像表示領域１０ａに対応して窓８０１及び８０２が設けられている（後に言及する図４も参照）。ここに、窓８０１は、図中上面、すなわち対向基板２０側に位置するものであり、窓８０２は、図中下面、すなわちＴＦＴアレイ基板１０側に位置するものである。
【００６２】
そして、この外枠８００は、少なくとも窓８０２の縁部分８０２ａについて、該縁部分８０２ａと画像表示領域１０ａの外縁との間に、所定の距離だけ間隙が形成されるようにして設置されている。ここに、「少なくとも」とは、場合によっては、窓８０１の縁部分についても、画像表示領域１０ａの外縁との間に所定の距離となる間隙を形成してもよいことを意味する。これは、既に述べたように、縁部分８０２ａと画像表示領域１０ａとが平面的に見て重なり合うような構成とすることで発生する、画像の内縁における「けられ」ないし暗部の発生を避けるためである。図４においては、この間隙の距離を、“Ｗ１”だけとっていることが表されている。
【００６３】
他方、本実施形態では、図２に示すように、低反射膜５０１が、上記した窓８０２の縁部分８０２ａと画像表示領域１０ａの外縁との間に形成された間隙Ｗ１に対向配置されるように、ＴＦＴアレイ基板１０上において形成されている。この低反射膜５０１の構成及び遮光作用については、後に詳述する。
【００６４】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらの周辺回路駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６５】
次に、以上の如く構成された電気光学装置の回路構成及び動作について、図３を参照して説明する。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路と周辺回路とを示すブロック図である。
【００６６】
図３において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。
【００６７】
画像表示領域１０ａ外である周辺領域には、データ線６ａの一端（図３中で下端）が、サンプリング回路３０１を構成する、スイッチング用の回路素子の一例たる、例えばＣＭＯＳ型等のＴＦＴ２０２のドレインに接続されている。他方、画像信号線１１５は、引き出し配線１１６を介してサンプリング回路３０１のＴＦＴ２０２のソースに接続されている。データ線駆動回路１０１に接続されたサンプリング回路駆動信号線１１４は、サンプリング回路３０１のＴＦＴ２０２のゲートに接続されている。そして、画像信号線１１５上の画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、データ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号線１１４を介してサンプリング回路駆動信号が供給されるのに応じて、サンプリング回路３０１によりサンプリングされて、各データ線６ａに供給されるように構成されている。
【００６８】
このようにデータ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給してもかまわないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００６９】
また、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、走査線駆動回路１０４により、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００７０】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００７１】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線３ａに並んで、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量線３００が設けられている。
【００７２】
次に、図１から図３に示した額縁遮光膜５３の設けられた額縁領域及び周辺領域における電気光学装置装置の詳細構成について、額縁領域に設けられた低反射膜の構成及び遮光作用を中心として、第１乃至第３実施形態として、図４から図８を参照して説明する。
【００７３】
まず、第１実施形態について図４から図６を参照して説明する。ここに図４は、図２におけるＣＲ部分付近を拡大して示す部分断面図であり、図５は、比較例におけるＣＲ部分付近に対応する箇所を拡大して示す部分断面図である。また、図６は、図２に示す矢印Ａ方向から臨んだ電気光学装置の平面図であって、特に、第１実施形態に関係する低反射膜５０１及び外枠８００の配置関係を明らかにするため、これら両者のみを図示した平面図である。なお、図４及び図５においては、ＴＦＴアレイ基板１０上に別の層が形成されているように示されているが、これは、後述する下地絶縁膜１２等の各種層間絶縁膜、ＴＦＴ３０、蓄積容量７０等の各種構造が積層されて形成されているもの（後述の図１０参照）を、簡略化して示したものである。
【００７４】
図４に示すように、第１実施形態では、額縁遮光膜５３下にある額縁領域には、パターン部の一例として、データ線の引き出し配線２０６等の各種配線やサンプリング回路３０１を構成するＴＦＴ等の各種回路素子が配置されている。そして、このように額縁領域内に設けられた引出し配線２０６等の下側には、低反射膜５０１が設けられている。より詳しくは、低反射膜５０１は、外枠８００における窓８０２を規定する縁部分８０２ｂと画像表示領域１０ａの外縁との間隙Ｗ１に対向配置されるように、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成されている。一方、比較例においては、図５に示すように、このような低反射膜５０１が設けられていない。
【００７５】
なお、第１実施形態に係る低反射膜５０１は、図４に示すように、該低反射膜５０１の外縁部分が外枠８００における窓８０２を規定する縁部分８０２ａと、平面的に見て重なり合うように形成されている（図４中符号Δｗ参照）。
【００７６】
また、第１実施形態に係る低反射膜５０１は、図６に示すように、外枠８００の窓８０２を規定する縁部分８０２ｂと画像表示領域１０ａの外縁との間隙Ｗ１の位置に対応した、基板１０上の位置においてベタに形成されている。なお、図６に示すように、上述した「間隙」とは、一般に、基板１０の横方向における間隙（図中符号Ｗ１）と縦方向における間隙（図中符号Ｗ２）とが異なり得るが、第１実施形態においては、そのように間隙の具体値が異なっているとしても、「間隙に対向配置」されるように低反射膜５０１が形成されることに変わりはない。換言すれば、第１実施形態に係る低反射膜５０１は、窓８０２を規定する縁部分８０２ｂを外周とし、画像表示領域１０ａの外縁を内周として規定される図形の全面が埋め尽くされるように形成されるのである。
【００７７】
そして、このような構成となる電気光学装置が、例えば、液晶プロジェクタを構成するものとして利用される場合には、図４及び図５に併せて示すように、図中上側から強力で、かつ、斜め成分を大量に含むような入射光Ｌ１が入射することになる。そして、図４及び図５の双方に示すように、この入射光Ｌ１は、ＴＦＴアレイ基板１０の外側の光学部品等で反射することになる。
【００７８】
ここで、図４に示す第１実施形態に係る電気光学装置においては、入射光Ｌ１がＴＦＴアレイ基板１０の外側の光学部品等で反射した後、例えばＡｌ膜等の導電膜がパターニングされてなる、引き出し配線２０６等の反射率に応じて反射（再反射）することが殆どない。なぜなら、入射光Ｌ１がそこに至る前に、低反射膜５０１の図４中下面によって、その進行が遮られるからである。つまり、第１実施形態によれば、引き出し配線２０６等による光の再反射は、未然に防止されることになる。また、引き出し配線２０６等を通過する入射光（不図示）も考えられるが、第１実施形態に係る電気光学装置においては、低反射膜５０１の図中上面において、該光が電気光学装置外部へと至ることも未然に防止されることになる。したがって、額縁領域付近すなわち、画像表示領域１０ａの縁付近において、引き出し配線２０６等で反射（再反射）したり、引き出し配線２０６等の隙間を透過した入射光のうち内面反射を経た後、あるいは直接に、表示用の出射光Ｌｏｕｔに最終的に混ざる光の光量は、低反射膜５０１で吸収又は反射される分だけ顕著に減少する。
【００７９】
この点、図５の比較例を参照するとわかるように、上述した低反射膜５０１が形成されていない電気光学装置においては、入射光Ｌ１は、基板１０の外側の光学部品等で反射した後、引き出し配線２０６等で容易に再反射し、最終的に、電気光学装置の外部へと至ってしまう。また、引き出し配線２０６等の隙間を通過した入射光についても、低反射膜５０１が存在しないことで、電気光学装置外部へと至ってしまう。結局のところ、表示用の出射光Ｌｏｕｔに最終的に混ざる光量は、低反射膜５０１のある場合に比べて、顕著に増加する。
【００８０】
また、第１実施形態においては、図４中の符号Δｗを参照して説明したように、低反射膜５０１の外縁部分が外枠８００における窓８０２を規定する縁部分８０２ａと平面的に見て重なり合うように形成されている。すなわち両者の間には、平面的に見て「隙間がない」ことになるから、従来問題であった隙間から通り抜けてくる光の発生する余地は殆どなくなる。したがって、第１実施形態においては、より効果的な遮光作用を発揮させることが可能となる。
【００８１】
さらに、第１実施形態に係る低反射膜５０１は、図６を参照して説明したように、ベタに形成されていることから、より強い遮光作用の発揮が期待できる。すなわち、該低反射膜５０１の存在にもかかわらず、これを透過する等して当該電気光学装置外部へ至ろうとする光の存在を完全に否定することはできないが、該低反射膜５０１をベタに形成することによれば、そのような透過等の現象を、極力抑止することが可能となる。
【００８２】
このように、第１実施形態における電気光学装置においては、これを例えば、投射型表示装置に適用する場合には、スクリーン上の画像の周囲に光の縁が形成されることがなくなり、見栄えのよい画像を投影することが可能となる。
【００８３】
なお、上述した第１実施形態に係る低反射膜５０１は、好ましくは、引き出し配線２０６等よりも低い光反射率をもつように構成するとよい。このように構成すれば、低反射膜５０１が何ら存在しない場合（図５参照）等に比べて、基板１０の外側の光学部品等で反射した光をより効果的に遮ることが可能となる。つまり、従前では、引き出し配線２０６等において再反射した光が電気光学装置外部へと至っていたところ、本構成では、仮に低反射膜５０１において「再反射」する光があり、これが電気光学装置装置外部へと至る結果となったとしても、前者に比べて後者の方がより光の強さは小さくなる。
【００８４】
また、上述したような材料としては、具体的には例えば、高融点金属等を挙げることができ、この場合更に具体的には、低反射膜５０１は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等のうち少なくとも一つを含む金属単体、あるいは合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成するとよい。
【００８５】
さらに、前記材料としては、上記に加えて、ポリシリコンを採用することも好ましい。この場合においては特に、第１実施形態に係る低反射膜５０１とＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａ（後に言及する図１０参照）とを同一膜からなる構成とすると更に好適である。というのも、このような構成を採ると、低反射膜５０１及び半導体層１ａの両者は、同一製造工程により同時に形成することが可能となるからである。したがって、製造コストを、相応分、削減することが可能となる。
【００８６】
加えて、第１実施形態に係る低反射膜５０１は、好適には、導電膜からなるように構成してもよい。これによれば、第１実施形態に係る低反射膜５０１は、遮光作用が期待されるのは勿論のこと、それのみならず、配線等としても利用可能となる。さらに、低反射膜が配置される箇所における引き出し配線２０６等や回路素子との相対的な位置関係に応じて、低反射膜の電位を適当に設定することも可能となる。この場合特に、前記低反射膜は、少なくとも部分的に固定電位に落とされているようにすると尚よい。これにより、額縁領域内において引き出し配線２０６等や回路素子に対して、低反射膜５０１の電位変動が悪影響を及ぼす事態を未然に防止することができる。
【００８７】
（第２実施形態）
以下では、本発明の第２の実施形態について、図７を参照して説明する。図７は、図２に示す矢印Ａ方向から臨んだ電気光学装置に対応する平面図であって、特に、第２実施形態に関係する低反射膜５０２及び外枠８００等の配置関係を明らかにするために、これら両者のみを図示した平面図である。
【００８８】
第２実施形態に係る低反射膜５０２は、好適には、引き出し配線２０６等が有する平面パターンに対応した平面パターンを有するように形成されている。すなわち、引き出し配線２０６等は、図３を見てもわかるように、複数本平行に設けられるデータ線６ａのそれぞれに対応して設けられること等からして、一般に、帯状のパターンを有するもの等として想定することができるが、このような場合において、第２実施形態では、低反射膜５０２もこれに対応した帯状のパターンを有するように形成されているのである。なお、図７においては、このような趣旨が把握しやすいように、図に示される電気光学装置全体の縮尺とは異なった縮尺により、当該帯状のパターンを概念的に描いている。
【００８９】
このようにすると、ＴＦＴアレイ基板１０の外側の光学部品等で反射した光は該帯状に設けられた低反射膜５０２に遮られ、その背後に位置する、同様に帯状に設けられた引き出し配線２０６等には届かないことになる。その一方、低反射膜５０１における各帯間においては、基板１０の外側の光学部品等で反射した光は該帯間を通り抜け、その背後へと至る結果となるが、そこには引き出し配線２０６等が存在しないため、強い反射（再反射）は生じず、画像に大きな影響を及ぼさない。これによれば、少なくとも最小限必要となるような遮光作用を得ること、換言すれば効率的な遮光作用を得ることが可能となる。
【００９０】
（第３実施形態）
以下では、本発明の第３の実施形態について、図８を参照して説明する。図８は、図４と同趣旨の図であって、その構成の一部に変更が加えられた部分断面図である。
【００９１】
第３実施形態に係る低反射膜５０３は、図８に示すように、その外縁がシール材５２と離間するように形成されている（図８中符号Δｘ参照）。これにより、例えば、シール材５２が光硬化性樹脂を含む場合等にあっては、第３実施形態に係る電気光学装置の製造工程中、とりわけシール材５２の硬化工程において、低反射膜５０３が邪魔になるようなことがない。すなわち、シール材５２の硬化は、一般に、基板１０の裏面から入射した所定の波長となる光を、該基板１０内で透過させ、最終的にシール材５２に到達させることによって行われるが、このとき例えば、シール材５２中に低反射膜５０３の一部が存在する（つまり、相互に離間していない）状態となっていると、該シール材５２に前記所定の波長となる光が到達することが困難となり、その硬化を十分に行うことができないのである。本実施形態において、既に述べたように、低反射膜５０３及びシール材５２は離間して形成すれば、上述のような不都合が生じなくなるのである。
【００９２】
なお、以上述べた各実施形態においては、周辺回路駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には、それぞれ、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertically Aligned）モード、ＰＤＬＣ（Polymer Dispersed Liquid Crystal）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード・ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏向フィルム、位相差フィルム、偏向板等が所定の方向で配置される。
【００９３】
（画像表示領域における構成）
次に、本発明の実施形態の電気光学装置の画像表示領域における構成について、図９及び図１０を参照して説明する。図９は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図１０は、図９のＡ−Ａ´断面図である。なお、図１０においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００９４】
図９において、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ´により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００９５】
走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００９６】
ＴＦＴ３０は、図１０に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００９７】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図１０に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００９８】
一方、図９及び図１０に示すように、蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００９９】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、後に詳述する容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【０１００】
中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、ＴＦＴ３０における半導体層１ａのうち高濃度ドレイン領域１ｅと画素電極９ａとの接続を中継する機能を果たす。
【０１０１】
このように中継層７１を利用すれば、層間距離が例えば２０００ｎｍ程度と長くても、両者間を一つのコンタクトホールで接続する技術的困難性を回避しつつ、比較的小径の二つ以上の直列なコンタクトホールで両者間を良好に接続することができ、画素開口率を高めることが可能となる。また、コンタクトホール開孔時におけるエッチングの突き抜け防止にも役立つ。
【０１０２】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図９に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。
【０１０３】
このような容量線３００は、好ましくは高融点金属を含む導電性遮光膜からなり、蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能のほか、ＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能をもつ。また、容量線３００は、好ましくは、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされる。このような定電位源としては、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位でも構わない。
【０１０４】
誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【０１０５】
図９及び図１０においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。また、開口領域の規定は、図１１中縦方向に延びるデータ線６ａと図１１中横方向に延びる容量線３００とが相交差して形成されることによっても、なされている。
【０１０６】
なお、下側遮光膜１１ａについても、前述の容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続するとよい。
【０１０７】
また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【０１０８】
走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【０１０９】
第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１、中継層７２及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄ中継層７２へ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。
【０１１０】
なお、本実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【０１１１】
第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。
【０１１２】
第３層間絶縁膜４３の表面は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等により平坦化されており、その下方に存在する各種配線や素子等による段差に起因する液晶層５０の配向不良を低減する。
【０１１３】
ただし、このように第３層間絶縁膜４３に平坦化処理を施すのに代えて、又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、データ線６ａ等の配線やＴＦＴ３０等を埋め込むことにより、平坦化処理を行ってもよい。
【０１１４】
更にこの他、図９及び図１０において、電気光学装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【０１１５】
図１０に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電性膜からなる。また、配向膜１６は、例えばポリイミド膜等の有機膜からなる。
【０１１６】
他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、例えばＩＴＯ膜等の透明導電成膜からなる。また、配向膜２２は、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【０１１７】
（製造方法）
以下では、上述した第１実施形態に係る電気光学装置の製造方法を、図１１から図１３を参照して説明する。ここに図１１は、第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程をその順に沿って示したフローチャートであり、図１２は、ＴＦＴ３０の半導体層形成工程（図１１におけるステップＳ１４）後、ＴＦＴアレイ基板上に形成されるパターン配置の様子を示す平面図、図１３は、シール材硬化工程（図１１におけるステップＳ８１）実施中の様子を示す説明図である。
【０１１８】
まず、石英基板、ハードガラス、シリコン基板等のＴＦＴアレイ基板１０を用意する。ここで、好ましくはＮ２（窒素）等の不活性ガス雰囲気で約９００〜１３００℃の高温でアニール処理し、後に実施される高温プロセスでＴＦＴアレイ基板１０に生じる歪が少なくなるように前処理しておく（ステップＳ１１）。
【０１１９】
続いて、このように処理されたＴＦＴアレイ基板１０の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の金属や金属シリサイド等の金属合金膜を、スパッタリングにより、１００〜５００ｎｍ程度の膜厚、好ましくは２００ｎｍの膜厚の遮光膜を形成する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、平面形状が格子状の下側遮光膜１１ａを形成する（ステップＳ１２）。
【０１２０】
次に、下側遮光膜１１ａ上に、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる下地絶縁膜１２を形成する（ステップＳ１３）。この下地絶縁膜１２の膜厚は、例えば約５００〜２０００ｎｍ程度とする。
【０１２１】
続いて、下地絶縁膜１２上に、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、流量約４００〜６００ｃｃ／ｍｉｎのモノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ（例えば、圧力約２０〜４０ＰａのＣＶＤ）により、アモルファスシリコン膜を形成する。その後、窒素雰囲気中で、約６００〜７００℃にて約１〜１０時間、好ましくは４〜６時間のアニール処理を施すことにより、ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜を約５０〜２００ｎｍの厚さ、好ましくは約１００ｎｍの厚さとなるまで固相成長させる。固相成長させる方法としては、ＲＴＡを使ったアニール処理でもよいし、エキシマレーザ等を用いたレーザアニールでもよい。この際、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を、ｎチャネル型とするかｐチャネル型とするかに応じて、Ｖ族元素やＩＩＩ族元素のドーパントを僅かにイオン注入等によりドープしてもよい。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、所定パターンを有する半導体層１ａを形成する（ステップＳ１４）。
【０１２２】
本実施形態においては特に、この半導体層１ａが、上述のようにポリシリコン膜を含み得ることにより、第１実施形態に係る低反射膜５０１をポリシリコン膜を含む構成とするのであれば、該低反射膜５０１を、半導体層１ａと同一膜として、すなわち同一製造工程により同時に成膜することが可能である。より詳しくは、半導体層１ａは、図９あるいは図１２に示すような所定パターンを有するように、下地絶縁膜１２（図１０参照）上で、フォトリソグラフィ及びエッチング工程等を経て形成されるが、低反射膜５０１もまた、当該フォトリソグラフィ及びエッチング工程等によって同時に形成することができるのである。
【０１２３】
ただし、本発明は、上述のように、低反射膜５０１がＴＦＴ３０の半導体層１ａと同一膜として形成される形態のみに限定されるわけではない。例えば、ＴＦＴアレイ基板１０の直上に、これを設けるような形態としてもよい。この場合、低反射膜５０１を形成した後、上述の下側遮光膜１１ａ、下地絶縁膜１２等が形成されることになる。もちろん、低反射膜５０１と下側遮光膜１１ａとを同時に形成する形態等も考えられる（すなわち、図１１のステップＳ１２を実施中に、低反射膜もまた、同時に形成する。）。
【０１２４】
また、本発明に係る低反射膜を高融点金属又はポリシリコン膜を含むものとして構成する場合には、場合によっては、後述する走査線３ａ、データ線６ａ、あるいは容量線３００、中継層７１等（図１０参照）と同一膜として形成する形態も考えられる。これらのような形態によれば、本発明に係る低反射膜と別の構成要素とが同一の製造工程で同時に形成されることになるから、上述の半導体層１ａと同時に形成する場合と略同様な効果が奏されることが明らかである。
【０１２５】
ただ一般的には、図４等で説明したように、本発明に係る低反射膜は、引き出し配線２０６等のパターン部に光が至らないようにすることを主たる作用としてもつものであるから、可能な限り基板上のより下層側、本実施形態に関して言うならば、ＴＦＴアレイ基板１０上のより下層側において、低反射膜を設ける形態が好ましくはある。
【０１２６】
続いて、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを約９００〜１３００℃の温度、好ましくは約１０００℃の温度により熱酸化して下層ゲート絶縁膜を形成し、場合により、これに続けて減圧ＣＶＤ法等により上層ゲート絶縁膜を形成することにより、一層又は多層の高温酸化シリコン膜（ＨＴＯ膜）や窒化シリコン膜からなる（ゲート絶縁膜を含む）絶縁膜２を形成する（ステップＳ１５）。この結果、半導体層１ａは、約３０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３５〜５０ｎｍの厚さとなり、絶縁膜２の厚さは、約２０〜１５０ｎｍの厚さ、好ましくは約３０〜１００ｎｍの厚さとなる。
【０１２７】
続いて、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のスレッシュホールド電圧Ｖｔｈを制御するために、半導体層１ａのうちｎチャネル領域あるいはｐチャネル領域に、ボロン等のドーパントを予め設定された所定量だけイオン注入等によりドープする。
【０１２８】
なお、上記第１実施形態で述べたように、低反射膜５０１を導電膜を含む構成とする場合には、例えば、この時点で、該低反射膜５０１に対しても同時にイオン注入等を実施すればよい。
【０１２９】
次に、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜を堆積し、更にリン（Ｐ）を熱拡散して、このポリシリコン膜を導電化する。この熱拡散に代えて、Ｐイオンをポリシリコン膜の成膜と同時に導入したドープドシリコン膜を用いてもよい。このポリシリコン膜の膜厚は、約１００〜５００ｎｍの厚さ、好ましくは約３５０ｎｍ程度である。そして、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、ＴＦＴ３０のゲート電極部を含めて所定のパターンの走査線３ａを形成する（ステップＳ１６）。
【０１３０】
次に、前記半導体層１ａについて、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するため、あるいは高濃度ソース領域１３ｄ及び高濃度ドレイン領域１３ｅを形成する（ステップＳ１７）。
【０１３１】
ここでは、ＴＦＴ３０をＬＤＤ構造をもつｎチャネル型のＴＦＴとする場合を説明すると、具体的にまず、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成するために、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして、Ｐ等のＶ族元素のドーパンを低濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１３ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。これにより走査線３ａ下の半導体層１ａはチャネル領域１ａ´となる。このとき走査線３ａがマスクの役割を果たすことによって、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃは自己整合的に形成されることになる。次に、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、走査線３ａよりも幅の広い平面パターンを有するレジスト層を走査線３ａ上に形成する。その後、Ｐ等のＶ続元素のドーパントを高濃度で（例えば、Ｐイオンを１〜３×１０１５／ｃｍ２のドーズ量にて）ドープする。
【０１３２】
なお、このように低濃度と高濃度の２段階に分けて、ドープを行わなくてもよい。例えば、低濃度のドープを行わずに、オフセット構造のＴＦＴとしてもよく、走査線３ａ（ゲート電極）をマスクとして、Ｐイオン・Ｂイオン等を用いたイオン注入技術によりセルフアライン型のＴＦＴとしてもよい。この不純物のドープにより、走査線３ａは更に低抵抗化される。
【０１３３】
以上のようにして、不純物打ち込み工程が完了すると、本実施形態におけるＴＦＴ３０は完成することになる（図１１参照）。なお、このＴＦＴ３０の完成と同時に、図１、あるいは図３等に示した走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路３０１等も同時に形成されることになる（図１１において不図示）。
【０１３４】
後は、図１１のステップＳ１８にあるように、図１０に示す蓄積容量７０（下から順に、中継層７１、誘電体膜７５及び容量線３００）や各種層間絶縁膜４１、４２及び４３、データ線６ａ等のその他の構成要素を、上述したように形成されたＴＦＴ３０の上に、順次積層・形成していけばよい。なお、これら各構成要素のうち、図１０に示すデータ線６ａの形成と同時に、図３及び図４等に示した引き出し配線２０６等も形成されることになる（図１１において不図示）。そして最後に、画素電極９ａ及び配向膜１６を形成する（ステップＳ１９）ことによって、ＴＦＴアレイ基板１０側の製造は完了する。
【０１３５】
他方、対向基板２０については、ガラス基板等がまず用意され（ステップＳ５１）、額縁としての遮光膜５３が、例えば金属クロムをスパッタした後、フォトリソグラフィ及びエッチングを経て形成される（ステップＳ５２）。なお、この額縁遮光膜５３は、導電性である必要はなく、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ等の金属材料のほか、カーボンやＴｉをフォトレジストに分散した樹脂ブラック等の材料から形成してもよい。
【０１３６】
その後、対向基板２０の全面にスパッタ処理等により、ＩＴＯ等の透明導電性膜を、約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積することにより、対向電極２１を形成する（ステップＳ５３）。さらに、対向電極２１の全面にポリイミド系の配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角をもつように、かつ所定方向でラビング処理を施すこと等により、配向膜２２が形成される（ステップＳ５４）。
【０１３７】
最後に、上述のように、各層が形成されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、配向膜１６及び２２が対面するようにシール材により貼り合わされる（ステップＳ８１）。
【０１３８】
なお、この際、上述した第３実施形態のように、低反射膜５０３の外縁とシール材５２とが離間するように形成されている場合であって、該シール材５２が光硬化性樹脂からなる場合には、図１３に示すように、シール材５２の硬化工程、すなわち所定の波長となる光Ｌｈを、ＴＦＴアレイ基板１０側から入射するとともに、該基板１０内を透過させてシール材５２に到達させ、該シール材５２を硬化させる工程において、低反射膜５０３が、当該光Ｌｈの進行の妨げとなるようなことがないから、該シール材５２の硬化は、何ら支障なく実現されることになる。
【０１３９】
続いて、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間の空間に、真空吸引等により、例えば複数種のネマテッィク液晶を混合してなる液晶が吸引されて、所定層厚の液晶層５０が形成される（ステップＳ８２）。そして最終的には、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０を収容するようにして、外枠８００が設置される（図２参照）。
【０１４０】
以上のようにして、電気光学装置の製造は完了する。
【０１４１】
（電子機器の実施形態）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１４は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１４２】
図１４において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１４３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素とともに対向基板の側からみた平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を、周辺回路とともに示すブロック図である。
【図４】図２におけるＣＲ部分付近を拡大して示す部分拡大図である。
【図５】比較例におけるＣＲ部分付近に対応する箇所を拡大して示す部分断面図である。
【図６】図２の矢印Ａ方向から臨んだ平面図であって、第１実施形態に関係する低反射膜及び外枠の配置関係を明らかにするため、これら両者のみを図示する平面図である。
【図７】図２の矢印Ａ方向から臨んだ平面図に対応する平面図であって、第２実施形態に関係する低反射膜及び外枠の配置関係を明らかにするため、これら両者のみを図示する平面図である。
【図８】図４と同趣旨の図であって、その構成の一部に変更が加えられた部分断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図１０】図９のＥ−Ｅ´断面図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の製造工程をその順に沿って示したフローチャートである。
【図１２】図１１に示すステップＳ１４、半導体層形成工程の後に基板上に形成されるパターン配置の様子を示す平面図である。
【図１３】シール材硬化工程実施中の様子を示す説明図である。
【図１４】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
１ａ…半導体層
１ａ´…チャネル領域
１ｂ…低濃度ソース領域
１ｃ…低濃度ドレイン領域
１ｄ…高濃度ソース領域
１ｅ…高濃度ドレイン領域
２…絶縁膜
３ａ…走査線
６ａ…周辺回路
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
１１ａ…下側遮光膜
１６…配向膜
２０…対向基板
２１…対向電極
２２…配向膜
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
７０…蓄積容量
８１、８２、８３、８５…コンタクトホール
１０１…周辺回路駆動回路
１０２…外部回路接続端子
１０４…走査線駆動回路
１１４…サンプリング回路駆動信号線
１１５…画像信号線
１１６…引き出し配線
２０２…ＴＦＴ
２０６…引き出し配線
３０１…サンプリング回路
５０１、５０２及び５０３…低反射膜
８００…外枠
８０１、８０２…窓
８０２ａ…（窓の）縁部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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