(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリに対して不溶性又は難溶性の状態から酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、酸発生剤、及び下式（Ｉ）
0003931484.tif 000004
（式中、ＸはＣＨ2又はＣ(＝Ｏ)を表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4のうち二つは炭素数１〜４の低級アルキルを、残りの二つは水素を表す）
で示される含窒素環状化合物を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項２】
該樹脂が、ポリビニルフェノール系樹脂のフェノール性水酸基を１−アルコキシアルキルで部分的に保護した樹脂を含有する請求項１記載の組成物。
【請求項３】
１−アルコキシアルキルが、１−エトキシエチル、１−プロポキシエチル、１−（２−メチルプロポキシ）エチル及び１−エトキシプロピルから選ばれる請求項２記載の組成物。
【請求項４】
該含窒素環状化合物が、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンである請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
該含窒素環状化合物が、５，５−ジメチルヒダントインである請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
さらにアミン化合物を含むクェンチャーを含有する請求項１〜５のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
該アミン化合物が３級アミンである請求項６記載の組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、遠紫外線（エキシマレーザ等を含む）、電子線、Ｘ線又は放射光のような高エネルギーの放射線によって作用し、半導体集積回路の製作に適したフォトレジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、集積回路の高集積化に伴い、サブミクロンのパターン形成が要求されるようになっている。こうした要求に対して、特に６４MDRAM 及び２５６MDRAM の製造を可能とすることから、エキシマレーザリソグラフィが注目されている。かかるエキシマレーザリソグラフィプロセスに適したレジストとして、酸触媒及び化学増幅効果を利用した、いわゆる化学増幅型レジストが採用されている。化学増幅型レジストは、放射線の照射部で酸発生剤から発生した酸を触媒とする反応により、照射部のアルカリ現像液に対する溶解性を変化させるものであり、これによってポジ型又はネガ型のパターンを与える。
【０００３】
化学増幅型ポジ型レジストは、放射線照射部で発生した酸が、その後の熱処理（post exposure bake：以下、ＰＥＢと略す）によって拡散し、照射部の現像液に対する溶解性を変化させるための触媒として作用するものであり、一般に、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂成分と、放射線の作用により酸を発生する酸発生剤を含有する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、エキシマレーザは高いコヒーレンシーを持つことから、高反射基板上のレジスト膜に照射すると、反射光と入射光との干渉によって膜中に定在波が生じるという欠点がある。例えば、定在波によってレジスト膜中での光強度が不均一になると、パターンの側面が波形になる、いわゆる定在波効果と呼ばれる現象が発生する。このような定在波効果が発生してパターン側面が波形になると、パターン線幅を一定に保つことが困難になる。定在波効果を抑制するためには、吸光成分をレジスト中に含有させて膜中での干渉を抑制するのが一般的である。しかしながら、このような吸光成分を用いた場合、レジスト膜底部において光エネルギーが弱くなってしまい、パターンの側面プロファイルが裾広がりのテーパ形状になり、解像度が低下するという欠点があった。さらには、上記のような光の干渉に伴い、例えば、マスク部もわずかな透過率を有するいわゆるハーフトーンマスクを介して露光した場合に、未露光部に、マスクにはない穴が開いてしまう現象（サイドローブと呼ばれる）が生じることがある。このようなサイドローブの発生は、半導体集積回路の製作にとって、大きな欠点となる。
【０００５】
また、一般にリソグラフィにおいては、放射線照射時の焦点が多少移動してもマスク原版に忠実なパターンを形成しうる、すなわち焦点深度の深い又はフォーカスマージンの広いフォトレジストが求められる。
【０００６】
本発明の目的は、感度、解像度、残膜率、塗布性、耐熱性などのレジスト諸性能に優れ、またプロファイル及び焦点深度にも優れ、特に定在波効果が発生しにくく、高反射基板上でも、パターン側面がほぼ垂直で平滑に解像される化学増幅型のポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。本発明者らは、かかる目的を達成すべく鋭意研究を行った結果、樹脂成分及び酸発生剤とともに、特定の化合物を含有させることにより、優れた性能を有するポジ型フォトレジスト組成物が得られることを見出し、本発明を完成した。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、アルカリに対して不溶性又は難溶性の状態から酸の作用でアルカリ可溶性となる樹脂、酸発生剤、及び下式（Ｉ）
【０００８】
0003931484.tif 000002
【０００９】
（式中、ＸはＣＨ2 又はＣ(＝Ｏ)を表し、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 のうち二つは低級アルキルを、残りの二つは水素を表す）
で示される含窒素環状化合物を含有してなるポジ型フォトレジスト組成物を提供するものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
フォトレジスト組成物の主体となる樹脂は、それ自体ではアルカリに対して不溶性又は難溶性であるが、酸の作用により化学変化を起こしてアルカリ可溶性となるものである。例えば、フェノール骨格を有するアルカリ可溶性樹脂のフェノール性水酸基の少なくとも一部を、アルカリ現像液に対して溶解抑止能を持ち、酸に対しては不安定な基で保護した樹脂が用いられる。
【００１１】
ベースとなるアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、ポリイソプロペニルフェノール樹脂、ビニルフェノールと他のビニル単量体との共重合体、イソプロペニルフェノールと他のビニル単量体との共重合体などが挙げられる。ここで、ビニルフェノール又はイソプロペニルフェノールと共重合可能な他のビニル単量体には、アクリル酸又はメタクリル酸のメチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル又はシクロヘキシルエステルのような（メタ）アクリル酸エステル、アクリロニトリル、スチレンなどが包含される。ビニルフェノール及びイソプロペニルフェノールにおける水酸基とビニル基又はイソプロペニル基との位置関係は特に限定されないが、一般にはｐ−ビニルフェノール又はｐ−イソプロペニルフェノールが適当である。これらの樹脂は、透明性を向上させるために部分的に水素添加されていてもよい。また、アルカリに可溶である範囲において、上記樹脂のフェノール核にアルキルやアルコキシなどが導入されていてもよい。これらのアルカリ可溶性樹脂のなかでも、ポリビニルフェノール系樹脂、すなわちビニルフェノールの単独重合体又はビニルフェノールと他の単量体との共重合体が好ましく用いられる。
【００１２】
アルカリ可溶性樹脂に導入される、アルカリ現像液に対して溶解抑止能を持つが、酸に対して不安定な基は、公知の各種保護基であることができる。例えば、tert−ブトキシカルボニル、tert−ブトキシカルボニルメチル、テトラヒドロ−２−ピラニル、テトラヒドロ−２−フリル、メトキシメチル、１−エトキシエチル、１−プロポキシエチル、１−（２−メチルプロポキシ）エチル、１−エトキシプロピルなどが挙げられ、これらの基がフェノール性水酸基の水素に置換することになる。これらの保護基のなかでも、本発明においては特に１−アルコキシアルキルが好ましい。具体的に好ましい１−アルコキシアルキルの例としては、１−エトキシエチル、１−プロポキシエチル、１−（２−メチルプロポキシ）エチル、１−エトキシプロピルなどが挙げられる。これらの１−アルコキシアルキルの１種又は２種以上でフェノール性水酸基の少なくとも一部が保護された樹脂を用いることができる。フェノール骨格を有するアルカリ可溶性樹脂のフェノール性水酸基にこのような保護基を導入する場合、アルカリ可溶性樹脂中のフェノール性水酸基のうち、保護基で置換されたものの割合（保護基導入率）は、一般には１０〜５０％程度の範囲にあるのが好ましい。本発明においては特に、樹脂成分の全部又は一部として、前記したポリビニルフェノール系樹脂のフェノール性水酸基を、上記した１−アルコキシアルキルの１種又は２種以上で部分的に保護した樹脂が好ましく用いられる。
【００１３】
フォトレジスト組成物を構成する酸発生剤は、その物質自体に、又はその物質を含むレジスト組成物に、放射線を照射することによって、酸を発生する各種の化合物であることができ、もちろん、２種以上の化合物の混合物として用いることもできる。具体的には、オニウム塩（例えば、スルホニウム塩やヨードニウム塩）、有機ハロゲン化合物（特に、ハロアルキル−ｓ−トリアジン化合物）、ジアゾメタンジスルホニル骨格を有する化合物、芳香族基を有するジスルホン系化合物、スルホン系化合物、オルトキノンジアジド化合物、スルホン酸エステル系化合物（例えば、芳香族基を有する化合物のスルホン酸エステルや、Ｎ−ヒドロキシイミドのスルホン酸エステル）などが挙げられる。これらのなかでも、本発明で用いるのに適当な酸発生剤として、例えば、次のような化合物を挙げることができる。
【００１４】
(a) ジアゾメタンジスルホニル骨格を有する化合物
ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（４−クロロフェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（ｐ−トリルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（４−tert−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（２，４−キシリルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、
ビス（tert−ブチルスルホニル）ジアゾメタンなど。
【００１５】
(b) オニウム塩
トリフェニルスルホニウム  トシレート、
（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウム  トシレート、
（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウム  トリフレート、
（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウム  パーフルオロブタンスルホネート、
（４−メチルフェニル）ジフェニルスルホニウム  パーフルオロオクタンスルホネート、
（４−tert−ブチルフェニル）ジフェニルスルホニウム  トシレート、
トリス（４−メチルフェニル）スルホニウム  トシレート、
ビス（４−メチルフェニル）ヨードニウム  トシレート、
ビス（４−メチルフェニル）ヨードニウム  １０−カンファースルホネートなど。
【００１６】
(c) その他
Ｎ−（メチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（プロピルスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（ブチルスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（フェニルスルホニルオキシ）スクシンイミド、
Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）スクシンイミド、
ジフェニルジスルホン、
２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、
α−フェニルスルホニルアセトフェノン、
α−メチルスルホニルアセトフェノンなど。
【００１７】
以上説明したような樹脂及び酸発生剤に加えて、本発明のフォトレジスト組成物は、前記式（Ｉ）で示される含窒素環状化合物を含有する。式（Ｉ）で示される含窒素環状化合物は、２個の窒素原子と３個の炭素原子を環原子とするものであり、それら炭素原子のうち１個又は２個がカルボニルとなっている。この式において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 のうち二つは低級アルキルであり、残りの二つは水素である。ここでいう低級アルキルは、メチル、エチル、プロピル及びブチルのような炭素数１〜４程度のものであることができるが、なかでもメチル又はエチル、とりわけメチルが有利である。このような含窒素環状化合物を含有させることにより、特にパターン側面が波形になるのが抑制され、平滑な側面を有するパターンが得られる。かかる含窒素環状化合物としては、公知のものや市販のものを使用することができ、具体的には、式（Ｉ）中のＸがＣＨ2 、Ｒ1 及びＲ2 がそれぞれメチル、そしてＲ3 及びＲ4 がそれぞれ水素である１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンや、同式中のＸがＣ(＝Ｏ)、Ｒ1 及びＲ2 がそれぞれ水素、そしてＲ3 及びＲ4 がそれぞれメチルである５，５−ジメチルヒダントインなどが挙げられる。式（Ｉ）の含窒素環状化合物は、それぞれ単独で用いることもできるし、もちろん２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００１８】
また、化学増幅型のレジスト組成物においては一般に、放射線照射からＰＥＢまでの放置時間によって、環境雰囲気中に微量存在するアンモニアやアミン類などにより、レジスト中で発生した酸が失活するために性能が変化する、いわゆるタイム・ディレイ（time delay）効果があることが知られており、このような酸の失活を防ぐために、塩基性有機化合物、具体的にはアミン化合物をクェンチャーとして配合することが知られている。本発明のフォトレジスト組成物も、このようなアミン化合物をクェンチャーとして含有するのが好ましい。かかるクェンチャーとしては、特に３級アミノ基を有する化合物、すなわち３級アミンが好ましい。クェンチャーとして用いるアミン化合物は、基板上に形成されたレジスト膜のプリベーク後も、このレジスト膜中に残存して効果を発揮するために、プリベークの温度で蒸発しないものであるのが好ましく、一般には１５０℃以上の沸点を有するものが用いられる。
【００１９】
本発明で用いるのに適当なアミン化合物、特に３級アミンとしては、例えば、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリオクチルアミン、トリス（２−エチルヘキシル）アミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−メチルジオクチルアミン、Ｎ−メチルジシクロヘキシルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミンなどが挙げられる。さらには、アミン化合物とともに、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイドのような有機４級アンモニウム塩を併用するのも有効である。
【００２０】
ポジ型フォトレジスト組成物の好ましい組成比は、この組成物中の全固形分量を基準に、樹脂が５０〜９９重量％程度の範囲、酸発生剤が０.０５〜２０重量％程度の範囲、そして式（Ｉ）の含窒素環状化合物が０.０１〜２０重量％程度の範囲である。アミン化合物や有機４級アンモニウム塩をクェンチャーとして用いる場合は、同じく組成物中の全固形分量を基準に、０.００１〜１０重量％程度の範囲で配合される。本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、必要に応じてさらに他の成分、例えば、溶解抑止剤、増感剤、染料、接着性改良剤、電子供与体など、この分野で慣用されている各種の添加物を含有することもできる。
【００２１】
このポジ型フォトレジスト組成物は通常、全固形分濃度が１０〜５０重量％程度となるように、上記各成分を溶剤に混合してレジスト溶液とされ、シリコンウェハなどの基体上に、常法に従ってスピンコーティングなどにより塗布される。ここで用いる溶剤は、各成分を溶解するものであればよく、この分野で通常用いられているものであることができる。例えば、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートのようなグリコールエーテルエステル類、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル及びジエチレングリコールジメチルエーテルのようなグリコールモノ又はジエーテル類、乳酸エチル、酢酸ブチル及びピルビン酸エチルのようなエステル類、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンのようなケトン類、キシレンのような芳香族炭化水素類などが挙げられる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００２２】
基体上に塗布されたレジスト膜からは、その後通常、プリベーク、パターニング露光、ＰＥＢ及びアルカリ現像液による現像の各工程を経て、ポジ型パターンが形成される。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性化合物の水溶液であることができるが、一般には、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムハイドロキサイド（通称コリン）の水溶液が用いられることが多い。
【００２３】
【実施例】
次に実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。例中にある部は、特記ないかぎり重量基準である。また重量平均分子量は、ポリスチレンを標準品として、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定した値である。
【００２４】
参考例（樹脂の保護化）
窒素置換された５００mlの四つ口フラスコに、重量平均分子量（Mw）23,900、多分散度（Mw／Mn）１.１２のポリ（ｐ−ビニルフェノール）〔日本曹達(株)製“VP-15000”〕２５ｇ（ｐ−ビニルフェノール単位として２０８ミリモル）、及びｐ−トルエンスルホン酸０.０２１ｇ（０.１０９ミリモル）を入れ、１，４−ジオキサン２５０ｇに溶解した。この溶液に、エチルビニルエーテル８.５６ｇ（１１８ミリモル）を滴下し、その後２５℃で５時間反応させた。この反応溶液をイオン交換水１,５００mlに滴下し、次に濾別して、白色のウェットケーキを得た。このウェットケーキを再度１，４−ジオキサン２００ｇに溶解し、次にイオン交換水１,５００mlに滴下し、濾別した。得られたケーキを６００ｇのイオン交換水中で攪拌して洗浄し、濾過してウェットケーキを取り出し、さらにこのイオン交換水による洗浄操作を２回繰り返した。得られた白色のウェットケーキを減圧乾燥して、ポリ（ｐ−ビニルフェノール）の水酸基が部分的に１−エトキシエチルエーテル化された樹脂を得た。この樹脂を 1Ｈ−ＮＭＲで分析したところ、水酸基の３８％が１−エトキシエチルエーテル化されていた。この樹脂の重量平均分子量は 31,200 、多分散度は１.１７であった。
【００２５】
実施例１
以下の組成で各成分を混合し、さらに孔径０.１μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過して、レジスト液を調製した。
【００２６】
樹脂    ：参考例で合成した樹脂                      13.5 部
酸発生剤：ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン                  0.42 部
(4-メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート  0.08 部
クェンチャー  ：N-メチルジシクロヘキシルアミン                          0.012 部
添加物  ：1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン                    1.0 部
溶剤    ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート               70 部
【００２７】
常法により洗浄したシリコンウェハに、スピンコータを用いて、上記のレジスト液を乾燥後の膜厚が０.７μmとなるように塗布した。次いでこのシリコンウェハを、ホットプレート上にて９０℃で６０秒間プリベークした。プリベーク後の塗膜に、ホールパターンを有するクロムマスクを介して、２４８nmの露光波長を有するＫｒＦエキシマレーザステッパ〔（株）ニコン製“NSR-2205 EX12B”、NA＝O.55〕を用い、露光量を段階的に変化させて露光した。露光後、ホットプレート上にて１０５℃で６０秒間加熱してＰＥＢを行い、露光部の脱保護基反応を行った。これをテトラメチルアンモニウムハイドロキサイドの２.３８重量％水溶液で現像して、ポジ型パターンを得た。形成されたパターンを電子顕微鏡で観察し、感度、焦点深度、及びパターン側面の荒れを以下のようにして評価し、結果を表１に示した。
【００２８】
０.２０μm感度：  直径０.２０μmの微細ホールパターンを解像する最少露光量で表示した。
０.２０μm焦点深度：  焦点の位置を上下に移動させて０.２０μm感度の露光量で露光し、ＰＥＢ及び現像を行ったときに、直径０.２０μmのホールパターンをマスク寸法どおり解像する焦点の範囲で表示した。
側面の荒れ：  パターン断面の電子顕微鏡写真から、サイドウォールにできている定在波（波形の凹凸）の深さを測定し、当該凹凸の深さで表示した。
【００２９】
実施例２
レジスト組成を以下のように変えて、実施例１と同様の方法でレジスト液を調製し、さらに同様の方法で評価した。その結果を併せて表１に示した。
【００３０】
樹脂    ：参考例で合成した樹脂                      13.5 部
酸発生剤：ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン                  0.4 部
(4-メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート  0.1 部
クェンチャー  ：N-メチルジシクロヘキシルアミン                          0.008 部
テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド                    0.004 部
添加物  ：1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン                    1.0 部
溶剤    ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート               70 部
【００３１】
実施例３
レジスト組成を以下のように変えて、実施例１と同様の方法でレジスト液を調製し、さらに同様の方法で評価した。その結果を併せて表１に示した。
【００３２】
樹脂    ：参考例で合成した樹脂                      13.5 部
酸発生剤：ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン                  0.42 部
(4-メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート  0.08 部
クェンチャー  ：N-メチルジシクロヘキシルアミン                          0.012 部
添加物  ：5,5-ジメチルヒダントイン                           0.5 部
溶剤    ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート               70 部
【００３３】
比較例
添加物としての１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン又は５，５−ジメチルヒダントインを配合しない以外は実施例１又は実施例３と同様の組成である以下の各成分を混合し、実施例１と同様の方法でレジスト液を調製し、さらに同様の方法で評価した。その結果を併せて表１に示した。
【００３４】
樹脂    ：参考例で合成した樹脂                      13.5 部
酸発生剤：ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン                  0.42 部
(4-メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート  0.08 部
クェンチャー  ：N-メチルジシクロヘキシルアミン                          0.012 部
溶剤    ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート               70 部
【００３５】
【表１】
0003931484.tif 000003
【００３６】
表１からわかるように、本発明に従って含窒素環状化合物を配合した実施例の組成物は、定在波効果による側面凹凸（波形）の少ないパターンを与えており、電子顕微鏡で観察したパターン側面がほぼ平滑であった。また、焦点深度も拡大されている。
【００３７】
実施例４
以下の組成で各成分を混合し、さらに孔径０.１μmのフッ素樹脂製フィルタで濾過して、レジスト液を調製した。
【００３８】
樹脂    ：参考例で合成した樹脂                      13.5 部
酸発生剤：ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン                  0.42 部
(4-メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム パーフルオロオクタンスルホネート  0.08 部
クェンチャー  ：N-メチルジシクロヘキシルアミン                          0.008 部
テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド                    0.004 部
添加物  ：5,5-ジメチルヒダントイン                           0.5 部
溶剤    ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート               70 部
【００３９】
このレジスト液を用いて実施例１と同様の方法で塗膜を形成し、次にパターンを有するハーフトーンマスク（マスク部の透過率６％）を介して、実施例１で用いたのと同じＫｒＦエキシマレーザステッパで露光量を段階的に変化させて露光し、さらに実施例１と同様の方法でＰＥＢ及び現像を行った。形成されたパターンを電子顕微鏡で観察したところ、６２mJ／cm2 の露光量で０.２２μmの微細ホールパターンをプロファイルよく解像していた。また、この露光量での焦点深度は１.０μmであった。さらに、パターンの側面は平滑であり、サイドローブ（未露光のホールパターン間に、マスクにはない穴が開いてしまう現象）も認められなかった。
【００４０】
【発明の効果】
本発明により特定の含窒素環状化合物を配合したポジ型フォトレジスト組成物は、高反射基板上でもパターン側面が滑らかで、良好なプロファイルを与え、またフォーカスマージンも広く、感度や解像度も良好である。したがって、この組成物を用いることにより、高精度で微細なフォトレジストパターンを形成することができる。