(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハに形成された複数の半導体チップをへき開線に沿ってへき開し、半導体チップに分割するための半導体ウェハのへき開装置において、
前記半導体ウェハを半導体チップにへき開する領域を撮像する撮像手段と、
この撮像手段によって撮像された前記へき開領域内を、前記へき開線を横断する方向に順次走査線を走査し、各走査線における明度の総和を比較して最小値を得る走査線を選定し、この選定された走査線の明度データについて明度の変化する位置の情報を検出して所定のへき開線を求めるへき開線検出手段と、
このへき開線検出手段によって検出されたへき開線に沿ってへき開するへき開手段とを具備することを特徴とする半導体ウェハのへき開装置。
【請求項２】
前記へき開線検出手段は、前記半導体ウェハのへき開面の直線性、及び前記へき開面と次のへき開線とによって区分される半導体ウェハの面積を検出し、それぞれ予め設定された基準値と比較することによって、へき開による半導体チップの良否を判定することを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハのへき開装置。
【請求項３】
半導体ウェハをへき開線に沿ってへき開して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法において、
前記半導体ウェハのへき開領域を撮像し、
撮像された前記へき開領域内を、前記へき開線を横断する方向に走査線を走査し、各走査線における明度の総和を比較して最小値を得る走査線を選定し、
この選定された走査線の明度データについて明度の変化する位置の情報から所定のへき開線を特定し、
特定されたへき開線に沿ってへき開することを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項４】
半導体ウェハをへき開線に沿ってへき開して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法において、
前記半導体ウェハのへき開領域を撮像し、
撮像された前記へき開領域内を、前記へき開線を横断する方向に走査線を走査し、各走査線における明度の総和を比較して最小値を得る走査線を選定し、
この選定された走査線の明度データについて明度の変化する位置の情報から所定のへき開線を特定し、
特定されたへき開線に沿って前記半導体ウェハをへき開し、
前記半導体ウェハのへき開面の直線性、及び前記へき開面と次のへき開線とによって区分される半導体ウェハの面積を検出し、それぞれ予め設定された基準値と比較することによって、へき開による半導体チップの良否を判定することを特徴とする半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザダイオード等の発光素子を製造するのに好適な、バー状の半導体ウェハをへき開するへき開装置及び半導体チップの製造方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザダイオード等の発光素子は、精々１ｍｍ程度の幅のバー状の半導体ウェハを小さな単体の半導体チップに分離（へき（劈）開）することにより形成される。従って、形成された半導体チップの大きさは、最大でも外形が１ｍｍ四方以下の微小形状をなすものである。
【０００３】
また、バー状の半導体ウエハのへき開により形成されたレーザダイオード等のチップ状の発光素子は、その外形形状に基づきハウジング内に装着された後、例えばＤＶＤ装置等の中に組み込み搭載される。装置に組み込まれたレーザダイオードの光軸が、設計どおりの機能を満足するには、ハウジングへの組み込み精度は、±３０μｍ以内であることが要求されている。従って、この要求を満足するためには、チップ状の発光素子は少なくとも±１０μｍ以内という高い外形寸法精度を満たすことが必要とされている。
【０００４】
バー状のＧａＡｓ等の半導体ウェハのへき開に際しては、予め金メッキされ面の上にエッチングにより４０〜１００μｍからなる幅のへき開線が形成され、そのへき開線に沿って分離するよう、他方の面側からカッターが降下して切断される。
【０００５】
そこで、例えばバー状の半導体ウェハについて、約３００μｍの幅間隔で順次へき開してチップ状の発光素子が形成されるが、もしも半導体ウェハに微小な割れや欠け等の欠陥があった場合には、へき開工程を経てもそのまま割れや欠けなどを有し、不良品となることが多い。
【０００６】
また、エッチングにより形成されたへき開線幅は、上述のように４０〜１００μｍであるのに対し、発光素子としての機能するために要求される外形寸法精度は誤差が±１０μｍ以内という高精度が要求され、またへき開は、半導体ウェハの結晶方位そのものに依存することもあり、へき開線とカッターとの間に高精度の位置決めが必要とされる。
【０００７】
また、へき開により形成されるチップ状の発光素子が、もしも形状規格を満足しない場合には、良品と区別し除外することが必要となる。従来の半導体ウェハのへき開装置及びへき開方法では、チップ状の発光素子が正常にへき開され、形状規格を満足するか否かは、個々の半導体チップを作業員が顕微鏡を用いた目視検査によるものであった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、バー状の半導体ウェハの製造では、へき開線幅が４０〜１００μｍであるのに対し、カッターによるへき開は±１０μｍ以内の高精度であることが要求された。しかも、へき開線が描かれた半導体ウェハ面上では、わずかな汚れやごみの付着でも、へき開線を見誤らせるのに十分であり、従来の製造装置及び製造方法では、しばしば位置決め不良等等に起因した不適切なへき開作業により、寸法や形状不良のチップが製造された。
【０００９】
そこで、本発明は半導体ウェハのへき開操作を改善し、不良品の製造を軽減し、歩留まりを向上させることを目的とするものである。
【００１０】
また、へき開により製造されたチップ状の発光素子は、もしも形状規格を満足しない場合には、良品と区分する必要があるが、従来の半導体ウェハのへき開装置及び半導体チップの製造方法では、作業員の顕微鏡による目視検査によるものであったから、微小チップの形状良否の検査や判定は容易でなく、作業員にとっては大きな負担となった。とりわけ、顕微鏡による検査は、作業員の目の疲労を著しく促進させるので改善が要望されていた。
【００１１】
もっとも、半導体チップをＣＣＤカメラ等で撮像し、その画像処理により半導体チップの形状を検査することも考えられるが、画像処理を行うには、微小な半導体チップの位置決めを必要とする。よく知られているように、画像処理による位置決めは、対象物がプリント基板等の大きさであればともかく、μｍ単位の大きさのチップで、しかも位置や向きを特定できない対象物では、装置は複雑化しかつ位置決めや画像処理に相当の時間を要するので実現は困難であった。
【００１２】
そこでこの発明は、目視検査によらず、また複雑な構成を採用することなく、へき開が正常に行われたか否かを高精度で検査し得る半導体ウェハのへき開装置及びその装置を用いた半導体チップの製造方法を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明、上記従来の課題を解決するためになされたもので、第１の発明は、半導体ウェハに形成された複数の半導体チップをへき開線に沿ってへき開し、半導体チップに分割するための半導体ウェハのへき開装置において、前記半導体ウェハを半導体チップにへき開する領域を撮像する撮像手段と、この撮像手段によって撮像された前記へき開領域内を、前記へき開線を横断する方向に順次走査線を走査し、各走査線における明度の総和を比較して最小値を得る走査線を選定し、この選定された走査線の明度データについて明度の変化する位置の情報を検出して所定のへき開線を求めるへき開線検出手段と、このへき開線検出手段によって検出されたへき開線に沿ってへき開するへき開手段とを具備することを特徴とする。
【００１４】
上記のように、この第１の発明による半導体ウェハのへき開装置は、へき開線検出手段を有し、へき開線を横断する方向に順次走査線を走査し、各走査線における明度の総和を比較して最小値を得る走査線を選定し、この選定された走査線の明度データについて明度の変化する位置の情報を検出してへき開線を求めるので、へき開線上にたとえ部分的な汚れ等があったとしても、それを避けてより確かなへき開線を認識することができる。従って、仮に４０〜１００μｍという幅広のへき開線でも、より正確なへき開位置を設定することができ、不良品の発生を軽減することができる。
【００１５】
第２の発明は、半導体ウェハをへき開線に沿ってへき開して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法において、前記半導体ウェハのへき開領域を撮像し、撮像された前記へき開領域内を、前記へき開線を横断する方向に走査線を走査し、各走査線における明度の総和を比較して最小値を得る走査線を選定し、この選定された走査線の明度データについて明度の変化する位置の情報から所定のへき開線を特定し、特定されたへき開線に沿ってへき開することを特徴とする。
【００１６】
このように、本発明方法によれば、へき開線を横断する方向に走査線を走査し、各走査線における明度の総和を比較して最小値を得る走査線を選定し、この選定された走査線の明度データについて明度の変化する位置の情報から所定のへき開線を検出し、検出されたへき開線に沿って半導体ウェハをへき開するので、より正確なへき開位置を設定することができ、不良品の発生を軽減することができる。
【００１７】
第３の発明は、同じく半導体ウェハをへき開線に沿ってへき開して半導体チップを製造する半導体チップの製造方法において、前記半導体ウェハのへき開領域を撮像し、撮像された前記へき開領域内を、前記へき開線を横断する方向に走査線を走査し、各走査線における明度の総和を比較して最小値を得る走査線を選定し、この選定された走査線の明度データについて明度の変化する位置の情報から所定のへき開線を特定し、特定されたへき開線に沿って前記半導体ウェハをへき開し、前記半導体ウェハのへき開面の直線性、及び前記へき開面と次のへき開線とによって区分される半導体ウェハの面積を検出し、それぞれ予め設定された基準値と比較することによって、へき開による半導体チップの良否を判定することを特徴とする。
【００１８】
このように、第３の発明では、へき開面の直線性、及び前記へき開面と次のへき開線とによって区分される半導体ウェハの面積を検出し、それぞれ予め設定された基準値と比較するので、へき開により形成される単体チップの良否をへき開装置上で判定することができ、簡単にかつ短時間に良不良の選別が可能となる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による半導体ウェハのへき開装置及び半導体チップの製造方法の一実施の形態を図１乃至図４を参照して説明する。図１は本発明による半導体ウェハのへき開装置の一実施の形態を示す構成図である。
【００２０】
図１において、厚さが５０μｍ程のＧａＡｓ等からなるバー状の半導体ウェハ１は、搬送機器２の搬送ガイドに沿い、チップ幅（約３００μｍ）間隔で順次定量送りされ、カッター３位置に搬送される。半導体ウェハ１がカッター３により、チップ状にへき開されるが、へき開操作に際して、ＣＣＤカメラ４で視野内にへき開領域を含んで撮像され、その画像情報はインターフェースボード５を介してパソコン６に供給される。
【００２１】
ＣＣＤカメラ４は、５１２×５１２画素からなる撮像素子で構成したので、１画素あたり約２μｍの分解能が得られ、前述したように誤差が±１０μｍ以内の外形寸法精度での画像処理が可能である。またパソコン６には、ＣＣＤカメラ４からの２５６階調からなる８ビットの入力画像情報を処理できる容量のフレームメモリを内蔵させた。
【００２２】
図２（ａ）は、半導体ウェハ１をＣＣＤカメラ４側から見た平面図であるが、ＣＣＤカメラ４側の面には金メッキあるいは半田メッキからなるメッキ層１ａが形成され、その面にエッチングによるへき開線１ｂが形成されている。この実施の形態では、半導体ウェハ１の幅が３００〜８００μｍで長さが５０ｍｍ、形成される１個の半導体チップ（発光素子）の幅が約３００μｍ、そして結晶方向に沿いエッチングにより形成された各へき開線１ｂの線幅Ｗを４０〜１００μｍとした。
【００２３】
なお、図１では説明上、搬送された半導体ウェハ１に対して、ＣＣＤカメラ４が上方に、またカッター３の位置が下方となるように描いたが、実際の装置では、図３に要部の正面図を示したように、半導体ウェハ１に対しＣＣＤカメラ４は下側に、またカッター３を上側に配置して構成した。従って、半導体ウェハ１はメッキ層１ａ側を下方にして順次搬送され、搬送機器２に連なるガラス基板２ａの上に固定して載置される。図２（ａ）に示したように、ＣＣＤカメラ４の撮像領域４ａは約１ｍｍ四方の大きさであるが、へき開線１ｂを検出する範囲、すなわちパソコン６での演算処理範囲は図示点線で示すように撮像領域４ａの中の一部の画像処理領域４ａａとし、処理時間の短縮化を図った。
【００２４】
ＣＣＤカメラ４からの画像情報は２５６階調の明度情報であり、その画像情報からなる撮像領域４ａの映像をパソコン６で処理し、へき開線１ｂを検出する。そこで、このへき開装置は、ＣＣＤカメラ４からの映像情報を導入し、パソコン６がへき開線１ｂ位置を演算検出し、パソコン６はそのへき開線１ｂ位置をカッター３の位置にほぼ一致するようインターフェースボード５を介して搬送機器２を制御する。なお、パソコン６は、インターフェースボード５を介して、モニタ映像機器７にも接続されていて、ＣＣＤカメラ４による半導体ウェハ２の画像は、パソコン６上はもとより、モニタ映像機器７でも作業員により確認することができる。
【００２５】
この実施の形態では、図３に示したように、ＣＣＤカメラ４によって半導体ウェハ１を撮像するための光９は、レンズ機構８の赤色フィルタ８ａを経てハーフミラ８ｂに導かれ、ハーフミラ８ｂで反射した光が、同軸状に構成された２つの円筒状の鏡筒８ｃによって形成された外側の筒状空間を介して半導体ウェハ１面を照射するよう構成配置した。従って、半導体ウェハ１面のへき開線１ｂを含む画像処理領域４ａａは、図３に示すように、レンズ機構８のレンズ８ｄ、８ｅ及びハーフミラ８ｂを介して、ＣＣＤカメラ４で撮像される。
【００２６】
ところで、へき開線１ｂの線幅Ｗは、精々４０〜１００μｍの狭さであるから、このへき開線１ｂにごみの付着等があると、真のへき開線１ｂの識別が容易でなくなり、適正な半導体チップの製造を困難とした。４０〜１００μｍという狭い線幅Ｗのへき開線１ｂをいかにして検出するかであるが、ＣＣＤカメラ４で撮像される半導体ウェハ１面は、赤色フィルタ８ａの存在により、メッキ層１ａは白色に、エッチングによるへき開線１ｂ部は黒色あるいは青色に写し出されるから、両領域が画面上で明瞭な明度の差をなし、相互の識別が可能である。
【００２７】
そこで、この実施の形態では、ＣＣＤカメラ４及びパソコン６によるへき開検出手段により、その明暗の差異を利用して画像処理領域４ａａを処理し、ごみ等の付着部分を回避して、真のへき開線１ｂ位置を検出し、そのへき開線１ｂがカッター３の位置と一致するよう搬送機器２を制御するものである。
【００２８】
図２（ｂ）は、ＣＣＤカメラ４に撮像された画像処理領域４ａａを、図２（ａ）に示すように、矢印Ｘ線方向に走査線を走査して得られるへき開１ｂ領域の明度情報、すなわち濃淡レベルを示した図である。
【００２９】
ＣＣＤカメラ４による映像情報は、図２（ｂ）に示すように、メッキ層１ａは比較的明るい階調の色と、へき開線１ｂの黒色の暗い階調の色との差異から、へき開線１ｂの線幅Ｗを明瞭に識別することができる。もっとも、この明るさの差異のレベルは、半導体ウェハ１の種類によっても相違する性質がある。
【００３０】
そこで、この実施の形態では、４０〜１００μｍの幅で長さが３００〜８００μｍの黒色のへき開１ｂ領域全てを、ごみや汚れで覆われているという特殊な場合を除き、このへき開線１ｂ領域内に、少なくとも真のエッジを有するへき開線１ｂが存在するという事実に着目し、そのエッジの位置を検出して、予め固定されたカッター３に位置合わせしようとするものである。
【００３１】
半導体ウェハ１は、搬送機器２により１チップ分（約３００μｍ）の長さづつ順次定量送りされるから、その定量送りに同期して都度、ＣＣＤカメラ４は、少なくとも一個のへき開線１ｂの領域の画像情報をパソコン６に供給する。
【００３２】
上記構成によるへき開装置により、具体的に半導体ウェハ１をへき開するための位置決め方法と、へき開して得られたチップ（発光素子）の寸法及び形状検査による良不良の判別手段について以下説明する。
【００３３】
すなわち、まずパソコン６は、画像処理領域４ａａ内での真のへき開線１ｂを検出するために、図２（ａ）に示すように、画像処理領域４ａａを横断する方向（矢印Ｘ方向）に、かつ半導体ウェハ１の幅方向に順次走査し、下記（１）項から（８）項に示した手順で演算を行う。なお、矢印Ｘによる走査線の長さと走査線の本数は、半導体ウェハ１の幅の長さと、へき開線１ｂ幅の長さ等に応じて設定した。
【００３４】
すなわち、（１）各走査線毎に横（矢印Ｘ）方向の長さに、ＣＣＤカメラ４における画素の内、数十画素単位で区分し、ブロック化を行う。
【００３５】
（２）各走査線の各ブロック毎に、各画素のデジタル明度データを加算する。
（３）各走査線毎に、各ブロックについて加算された明度データの総和を得る。
（４）各走査線における総和明度データを相互に比較し、総和明度データの最も小さい走査線を検出し、その総和明度データの最も小さい走査線における最も明度データの低い、即ち暗いブロックを、その半導体ウェハ１のへき開線１ｂラインの候補とする。
【００３６】
（５）上記（１）項乃至（４）項の手順を、そのへき開線１ｂについて任意の回数行う。１回限りの場合は、（４）項で得たへき開線１ｂラインの候補を、その画像処理領域４ａａのへき開線１ｂ検出エリアとする。もしも、仮に複数回行い、へき開線１ｂラインの異なる位置の候補（ブロック）が複数得られた場合は、平均のブロック位置をその画像処理領域４ａａでのへき開線１ｂ検出エリアと決定する。
【００３７】
（６）上記（５）項で、へき開線１ｂ検出エリアと決定した走査線に関し、明度データについて、走査方向に微分処理を行い、隣接する２つの変曲点、すなわちメッキ層１ａとの境界となる左右のエッジを検出し、その線幅Ｗを算出する。
（７）上記（６）項で算出されたへき開線１ｂの幅が、予めエッチング上設定された幅（４０〜１００μｍの中の値）に近い場合は、それが「真のへき開線１ｂ」と見なし、エッジ候補とする。この走査線上で得られた左右のエッジ候補を平均してへき開線中心位置Ｐを求め、パソコン６は半導体ウェハ１のへき開線中心位置Ｐがカッター３の位置に一致するよう、カッター３までの送り量（距離差）を算出し、搬送機器２を駆動制御する。
（８）搬送機器２による駆動制御後の、へき開線１ｂの確認を行った後、カッター３を降下させ切断する。
【００３８】
以上により、半導体ウェハ１における微小な幅の真のへき開線１ｂが検出され、カッター３によるそのへき開線１ｂ上でのへき開が実行される。
【００３９】
チップ化される半導体ウェハ１は最大でも１ｍｍ四方のごく小さい形状であるが、それ以上にへき開線幅Ｗは４０〜１００μｍという極めて狭い領域に形成されているから、ウェハ表面にごみの付着等があった場合は、従来の装置や方法では、真のへき開線から外れて切断される可能性があった。しかし、この実施の形態によれば、仮にへき開線１ｂ上に汚れやごみ等が付着し、真のへき開線中心位置Ｐが分かりにくい場合でも、半導体ウェハ１の幅方向に走査し、明度データを手掛かりに演算処理し、汚れ等のない走査線を見出だすことによって、より確かなへき開線中心位置Ｐを得ることができる。
【００４０】
次に、一旦へき開により、チップ化される発光素子が、上述のように、厳しい外形寸法精度を満足するか否かが重要である。仮に一つのへき開線１ｂが真のへき開線であったとしても、カッター３でのへき開が結晶方向に依存するだけに、形成されたチップの形状が、全て結果として規定値を満足するとは限らない。
【００４１】
そこで、この実施の形態では、半導体ウェハ１の既にへき開された面、及びつぎのチップ化のためのへき開線１ｂの双方をパソコン６の画像処理領域４ａａとし、半導体ウェハ１の既にへき開された部分の直線性の良否を判定し、また次のへき開線１ｂでの３値化処理及びエッジ検出処理により得られる形状検査により、半導体チップの良否判定を行うものである。
【００４２】
すなわち、図４（ａ）は、へき開により分割された１個の半導体チップ１Ａと残った半導体ウェハ１との位置関係を示した図である。また図４（ｂ）は、図４（ａ）に示した半導体ウェハ１について、へき開線１ｂ部分の画像処理領域４ａａ内の濃淡分布を示した図である。
【００４３】
なお、図４（ａ）に示すように、へき開線１ｂの中には、半導体チップ１Ａに残った部分１ｂａと半導体ウェハ１側に残された部分１ｂｂとに分かれ、この双方の幅方向（Ｘ方向）の長さの比、いわゆる分離比は図４（ｂ）に示すように、この実施の形態での場合は１：１、すなわち幅の長さがＷ／２であるが、この分離比は半導体ウェハ１の種類により異なる性質がある。
【００４４】
また、この実施の形態では、半導体ウェハ１に残された部分のへき開線１ｂｂの切断面での直線性を検出し適正な範囲（±１０μｍ以内）にあるか否かを判定するとともに、その切断面の端部から次の予定へき開線１ｂまでの距離ｌに基づいて計算された例えば面積を測定することによって、既にへき開によって生成された半導体チップ１Ａの良否を判定する方法を採用した。
【００４５】
つまり、切断された面での直線性が満足するものであっても、残された部分の面積が、規定値に対する許容値から外れている場合は、既にへき開された半導体チップ１Ａはもとより、半導体ウェハ１の次のへき開によって形成される半導体チップも外形形状は不良となる。
【００４６】
図４（ｂ）に示すように、画像処理領域４ａａ内の半導体ウェハ１に残された部分の一つの走査線における明度の濃淡分布において、濃い（暗い）階調から淡い（明るい）階調へ、順次背景レベルＮ1 、半導体ウェハ１のへき開線レベルＮ2 及びメッキ層レベルＮ3 と３つの段階に識別される。そこで、この画像処理領域４ａａ内における濃淡分布の特徴から、この実施の形態では、へき開を経て既にチップ化された発光素子（１Ａ）、及び次にチップ化される半導体ウェハ１について、次の（イ）（ロ）の２つの条件を共に満足した場合、はじめて適性なチップと判定した。
【００４７】
（イ）カッター３によるへき開後の半導体ウェハ１の切断面を、ＣＣＤカメラ４の撮像画面から、パソコン６により直線性を演算検出し、切断面の直線性の誤差が±１０μｍ以内の場合にのみ、既に切断されて得られた半導体チップ１Ａは良品、またこれからへき開される半導体ウェハ１についても、一方の切断面は良品と判定する。従って、これ以外は、連続する２つの半導体チップの形状は、基準を満足せず不良品と判定できる。
【００４８】
（ロ）、次に、仮に上記（イ）の条件を満足しても、例えばごみの存在等によりノイズが生じ、装置によるへき開線の検出に誤りがあった場合には、正しいへき開線の位置から外れてへき開されるから、結果的に規定の外形仕様を満足しない場合が発生する。そこで、既にへき開された面と、いま上記（１）項から（７）項までの工程により既に「正しいへき開線」と見なされたへき開線１ｂとによって囲まれた例えば面積が、良品としての予め設定された面積の許容値内にある場合には、いまへき開されようとしている部分のチップは良品であると判断するものである。
【００４９】
但し、「正しいへき開線」と見なされたへき開線１ｂとは、厳密にはへき開線１ｂの左右のエッジまでの長さの中央、すなわち図４（ａ）（ｂ）にそれぞれ示すへき開線中心位置Ｐである。
【００５０】
このようにして、この実施の形態によるへき開装置によれば、ＣＣＤカメラ４及びパソコン６によるへき開線検出手段により、自動的に上記（イ）（ロ）両方の条件を満足してはじめて良品として判別される。
【００５１】
以上のように、この発明による半導体ウェハのへき開装置及び半導体チップの製造方法によれば、従来のように作業員による目視検査によることなく、またチップ化された後の形状検査という複雑な作業構成を採用することもなく、簡単な構成でより短時間にかつしかもより的確に発光素子等の半導体素子を製造することができるので、半導体チップの製造の簡易化及び歩留まり向上が可能となる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明装置及び方法によれば、簡単な画像処理により、高精度なへき開線検出および形状検査が可能となるもので、従来１個ずつ作業員が目視検査していたような負担をなくし、かつ安定した品質の半導体製品の提供が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体ウェハのへき開装置の一実施の形態を示す構成図である。
【図２】図２（ａ）は図１に示す装置で撮像領域と半導体ウェハとの関係を示す平面図、図２（ｂ）は図１に示す装置で画像処理領域の信号波形図である。
【図３】図１に示す装置の、特に搬送機器によって搬送された半導体ウェハがＣＣＤカメラによって撮像される様子を示す拡大正面図である。
【図４】図４（ａ）は図１に示す装置で撮像領域と半導体チップ及び残された半導体ウェハとの関係を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）における画像処理領域の信号波形図である。
【符号の説明】
１  半導体ウェハ
１ａ  メッキ層
１ｂ  へき開線
１ｂａ  半導体チップのへき開線
１ｂｂ  チップ化により残された半導体ウェハ側のへき開線
２  搬送機器
２ａ  ガラス基板
３  カッター
４  ＣＣＤカメラ
４ａ  撮像領域
４ａａ  画像処理領域
５  インターフェースボード
６  パソコン
７  モニタ映像機器
８  光学機器
【図１】
0004028023.tif 000002
【図２】
0004028023.tif 000003
【図３】
0004028023.tif 000004
【図４】
0004028023.tif 000005