(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して一連の処理を行うための、清浄空気を天井部から下方にダウンフローさせているクリーンルーム内に設置される基板処理装置であって、
基板に塗布液を塗布する塗布処理部と、
基板を前記クリーンルームの天井部に近づけさせる第１駆動装置を有し、基板を前記クリーンルームの天井部に近づけることによって、前記塗布処理部において塗布液が塗布された基板に対して所定速度以上の流速の清浄空気を供給する乾燥促進処理部と、
前記乾燥促進処理部での処理を終えた基板に加熱処理を施すベーキング処理部と、
を備えた基板処理装置。
【請求項２】
前記乾燥促進処理部での処理を終えた基板に対して、前記ベーキング処理部において加熱処理を施す前に、端面付近の洗浄を施す端面洗浄処理部をさらに備えた、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記乾燥促進処理部は、基板載置面が全周にわたって基板よりも大きな外縁を有する基板載置台を有している、請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記乾燥促進処理部は、基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台の周囲を覆う下部カバーと、をさらに備え、
前記第１駆動装置は、前記基板載置台とともに前記下部カバーを前記クリーンルームの天井部に近づける、
請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記下部カバーに接続され、前記下部カバーを通過した空気を前記クリーンルームの外に排気するための伸縮自在な排気配管をさらに備えた、請求項４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト塗布液等の塗布液を基板に塗布する処理部を含む基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
基板、例えば液晶ディスプレイを製造するためのガラス基板に各種の処理を施す製造工程においては、ある一連の処理を行わせる基板処理装置が使用される。この装置の中に、レジスト塗布液等の塗布液を基板に塗布する工程を含む基板処理装置がある。
【０００３】
例えば、液晶ディスプレイ製造工程におけるフォトレジスト塗布工程を行う基板処理装置では、紫外光の感光樹脂材料を基板表面全体にわたり均一な厚さに塗布する。具体的には、基板上に滴下したレジスト液を基板を回転させて遠心力で広げ均一厚にするスピン塗布法や、ローラー表面の溝にいったん付着させたレジスト液を基板に転写するロール塗布法により塗布が行われる。ここでは、大きい面積にわたる均一塗布とその後のエッチング条件等に適した任意の厚さを得るため、また塗布方法の特性にも合わせて、溶媒量の制御により適切な粘度を持たせたレジスト液が選定される。
【０００４】
また、通常はフォトレジスト塗布工程の後に露光工程に移るが、この露光工程の前には残留溶媒を蒸発させるためのプリベーク（ベーキング）処理が行われる。さらに、場合によっては、パーティクル発生の防止や露光時における位置合わせの観点から、基板の端面付近の洗浄を行うエッジリンス処理が行われることもある。
【０００５】
そして、上記のような一連のフォトレジスト塗布工程を含む基板処理装置の中には、レジスト塗布直後に基板を減圧チャンバーに収容して溶媒の蒸発を促し、エッジリンス処理において塗布した液が端面に拡がらないように塗布した液をある程度乾燥させる減圧乾燥装置がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来、レジスト液塗布直後の減圧乾燥処理においては上記のように減圧チャンバーに基板を収容して減圧チャンバー内の雰囲気を吸引しているが、基板のサイズの大型化に伴って減圧チャンバーを大きくしなければならない。このような大型の減圧チャンバーは高価なものとなる。また、減圧チャンバー内を減圧すると、密閉シール部分からのある程度のパーティクルの巻き込みは避けられず、さらに、減圧下における帯電基板の自己静電破壊の問題も大きい。
【０００７】
本発明の課題は、減圧チャンバーを使うことなく、基板に塗布された液の乾燥を行うことのできる基板処理装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る基板処理装置は、基板に対して一連の処理を行うための装置であって、清浄空気を天井部から下方にダウンフローさせているクリーンルーム内に設置されるものである。この基板処理装置は、塗布処理部と、乾燥促進処理部と、ベーキング処理部とを備えている。塗布処理部は、基板に塗布液を塗布する。乾燥促進処理部は、第１駆動装置を有しており、この第１駆動装置によって基板をクリーンルームの天井部に近づけさせることで、塗布処理部において塗布液が塗布された基板に対して所定速度以上の流速の清浄空気を供給する。第１駆動装置は、基板をクリーンルームの天井部に近づけさせるための装置である。ベーキング処理部は、乾燥促進処理部での処理を終えた基板に加熱処理を施す。
【０００９】
塗布処理部において塗布液が塗布された基板に対してすぐに加熱処理を施すと、塗布直後の波打った表面状態のまま基板が乾燥してしまう等の不具合が発生する。
【００１０】
本発明では、塗布処理部と加熱処理を行うベーキング処理部との間に乾燥促進処理部を設け、基板に対して所定速度以上の流速の清浄空気を供給することによって、加熱処理を行う前にある程度基板を乾燥させている。このため、塗布直後に基板の加熱処理を行う場合の不具合を抑えることができる。また、清浄空気を供給しているため、パーティクル等が基板に付着することも殆どない。さらに、所定の流速で清浄空気を基板に供給するため、基板表面付近に蒸発した処理液ガスが滞留し難くなり、短時間に乾燥を行うことができるようになる。
【００１１】
このように、ここでは、減圧チャンバーを使うことなく、基板に塗布された液の乾燥を行うことができる。
【００１２】
また、ここでは、クリーンルーム内において天井部から下方にダウンフローしている清浄空気を利用することによって、乾燥促進処理部において基板に所定流速の清浄空気を供給する。但し、クリーンルームの天井部から離れていては所定流速の清浄空気を基板に供給することは困難であることから、基板を天井部に近づけさせることのできる第１駆動装置が設けられている。
【００１３】
請求項２に係る基板処理装置は、請求項１に記載の基板処理装置であって、端面洗浄処理部をさらに備えている。端面洗浄処理部は、乾燥促進処理部での処理を終えた基板に対して、ベーキング処理部において加熱処理を施す前に、端面付近の洗浄を施す。
【００１４】
塗布液が塗布された基板を一定の膜厚以下にすると塗布液の流動性が殆どなくなる。従来は、塗布された塗布液が端面洗浄処理部において流動して不具合を発生させることを抑えるために、塗布直後に基板を減圧下に置くことで一定の膜厚以下にしている。しかしながら、減圧することでパーティクルを巻き込み基板にパーティクルが付着するという不具合が存在する。一方、減圧せずに乾燥させようとすると、基板表面付近に蒸発した処理液ガスが滞留するため、蒸発が妨げられて処理時間が長くなる。
【００１５】
これに対して本発明では、乾燥促進処理部において、基板表面に滞留しがちな処理液ガスを清浄空気の所定流速以上の流れによって吹き流し、短時間で乾燥を行わせている。このため、端面洗浄処理部においては、基板表面の塗布された処理液は殆ど流動せず、基板の端面付近の洗浄処理が行われても塗布された処理液の塗布状態は良好に保たれる。
【００１６】
請求項３に係る基板処理装置は、請求項１又は２に記載の基板処理装置であって、乾燥促進処理部は、基板載置台を有している。この基板載置台は、基板載置面が全周にわたって基板よりも大きな外縁を有するものである。
【００１７】
ここでは、基板載置面が全周にわたって基板よりも大きな外縁を有する基板載置台に基板を載置した状態で、基板に対して清浄空気を供給する。このため、基板に塗布された塗布液の表面にむらが生じることが抑えられる。すなわち、基板載置台が基板の大きさよりも小さいものであれば、基板の周辺部において基板の内側から外側へ向かう基板表面に沿ったほぼ一方向への清浄空気の流れが生じ、基板に塗布された塗布液の表面にはその流れ方向に沿っていわゆる風紋ができてむらになってしまうおそれがある。これに対して本請求項に記載の装置では、基板載置台に載置される基板の上面全体においては清浄空気の一部が停滞して渦状の弱い乱流が生じ、この乱流の不規則さゆえに、基板に塗布された塗布液の表面にむらが生じることが少なくなる。
【００１８】
なお、基板が載っていない基板載置台の周辺部において上述した外側へ向かうほぼ一定な清浄空気の流れが生じるが、これが基板に塗布された塗布液の表面状態に対して悪影響を与えることは殆どない。
【００１９】
請求項４に係る基板処理装置は、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置であって、乾燥促進処理部は、基板を載置する基板載置台と、基板載置台の周囲を覆う下部カバーと、をさらに備え、第１駆動装置は、基板載置台とともに下部カバーをクリーンルームの天井部に近づける。
【００２０】
請求項５に係る基板処理装置は、請求項４に記載の基板処理装置であって、下部カバーに接続され、下部カバーを通過した空気をクリーンルームの外に排気するための伸縮自在な排気配管をさらに備えている。
【００２１】
【発明の実施の形態】
［第１参考例］
（構成）
本発明の基板処理装置の第１参考例を図１に示す。この基板処理装置は、矩形のガラス基板（以下、基板という。）に対して、複数の処理ユニットを接続して一貫した処理を可能にしたレジスト塗布のための装置であり、露光機や現像処理装置等と接続させることもできる。
【００２２】
この基板処理装置は、枚葉式の装置であって、搬入部１、スピンコータ部（塗布処理部）２、乾燥促進処理部３、エッジリンス部（端面洗浄処理部）４、載置部５、及びベーク部（ベーキング処理部）６から構成されている。この基板処理装置は、例えば前工程の装置である基板洗浄装置１１と後工程の装置である露光機１２との間に配置され、搬入部１に基板洗浄装置１１からコンベア等の搬送手段によって基板を搬入し、ベーク部６から露光機１２へと搬送ロボット等によって基板を搬出する。搬入部１から載置部５までは、複数のハンドを持ち基板を隣接する処理部へ順送りしてゆくいわゆる間歇移送スライダー７ａ〜７ｂによって基板が搬送される。
【００２３】
なお、この基板処理装置は、図２に示すようなクリーンルーム１０内に設置される。クリーンルーム１０は、ＨＥＰＡフィルター（high efficiency particulate air filter) １０ｂで構成される天井の全面から空気が室内に流入し対向床全面から流出するようになっている空間で、垂直に一方向流が流れる形式のクリーンルームである。クリーンルーム１０の下部には、フリーアクセス空間をその下部に形成する鋼製あるいはステンレス製のすのこ状の床パネルであるグレーティングパネル１０ａが設置されている。グレーティングパネル１０ａには吸い込み口が多数開けられている。また、エアーフローはブロワー１０ｃによって生成されている。
【００２４】
次に、乾燥促進処理部３の構成について説明する。乾燥促進処理部３は、図３に示すように、主として、基板を載置する基板載置台２１と、基板に清浄空気を緩やかに吹き出すエアー供給装置３０とから構成される。基板載置台２１は、矩形の基板Ｗを水平状態に載置させるための台であって、基板Ｗの大きさと略同じ矩形形状を有し、上面に基板支持ピン２１ａが複数設けられている。エアー供給装置３０は、ＨＥＰＡフィルター３１と、ブロワー（送風機）３３と、ＨＥＰＡフィルター３１とブロワー３３とをつなぐ供給配管（供給経路）３２とから構成されている。ＨＥＰＡフィルター３１は、定格風量で粒径が０．３μｍの粒子に対して９９．９７％以上の粒子捕集率を有し、かつ初期圧力損失が一般に３００Ｐａ以下の性能を持つエアーフィルターである。なお、ここではＨＥＰＡフィルター３１を採用しているが、必要に応じてＵＬＰＡフィルターを使用しても良い。ブロワーは、ＨＥＰＡフィルター３１にエアーを供給する送風機であり、クリーンルーム１０内に設置してもよいし、基板Ｗの直上にＨＥＰＡフィルター３１を配しているためクリーンルーム１０の外に設置することもできる。なお、ブロワー３３をクリーンルーム内に設置したときには、クリーンルーム１０内のＨＥＰＡフィルター１０ｂを通った清浄な空気をＨＥＰＡフィルター３１に送ることができ、さらにＨＥＰＡフィルター３１の設置を省略することも可能である。但し、クリーンルーム１０内にブロワー３３を設置するとパーティクルの発生の恐れがある場合には、ブロワー３３はクリーンルーム１０の外に設置することが望ましい。また、ブロワー３３を出たエアーは、ブロワー３３と供給配管３２との間に配置されているヒーター３４によって加熱される。すなわち、エアー供給装置３０は、このヒーター３４を作動させることによって、ＨＥＰＡフィルター３１から吹き出す清浄空気の温度を調整することができる。
【００２５】
エアー供給装置３０は、ＨＥＰＡフィルター３１の下部から、図３の１点鎖線の矢印に示すように、基板Ｗに向かって下向きにエアーを吹き出す。このエアーは、ＨＥＰＡフィルター３１を通過しているため、清浄な空気である。基板Ｗの表面付近でのエアーの流速は、０．２５〜２．００ｍ／ｓまで可変であるが、通常０．５０ｍ／ｓに設定される。この流速は、ＨＥＰＡフィルター３１から基板Ｗまでの距離とブロワーの出力とによって決定される。
【００２６】
（基板処理）
この基板処理装置では、まず間歇移送スライダー７ａによって基板が搬入部１からスピンコータ部２に運ばれて、基板に対してレジスト（塗布液）の塗布が行われる。スピンコータ部２は、レジスト供給系、スピンモータ、カップ等により構成されており、水平に載置された基板上にレジストを滴下し基板を回転させることによって基板上に均一なレジスト膜を形成させる。レジスト膜が形成された基板は、乾燥促進処理部３に運ばれて、ある程度まで乾燥させられる。ここでの処理については、後述する。この後、基板はエッジリンス部４に移される。エッジリンス部４では、基板端面のレジスト膜が剥がれて発塵してしまうことを防止するために、基板表面の周辺や端面部分のレジストを溶剤により取り除く処理が行われる。これらのレジスト塗布に関する各処理を終えた基板は、図示しないロボットによって載置部５からベーク部６に移される。ベーク部６では、基板上のレジスト膜中の残留溶剤の蒸発と基板の密着性強化を目的として、熱処理が行われる。このベーク部６は複数の加熱部及び冷却部を有しており、基板はこれらに対して順番に搬入及び搬出される。こうして加熱及び冷却処理が施された基板は、露光機１２に搬出されていく。
【００２７】
次に、乾燥促進処理部３の基板処理及び特徴について説明する。ここでは、スピンコータ部２から送られてきた基板Ｗが基板載置台２１上に載せられると、エアー供給装置３０から基板Ｗに向けて下向きに清浄空気が吹き出される。この清浄空気の流れは、ＨＥＰＡフィルター３１を通ることによって整流されたものとなっている。このような整流された清浄空気が緩やかな速度で基板Ｗに当たるため、基板Ｗの表面上のレジストは、その表面形状がレベリングされながら乾燥していく。
【００２８】
スピンコータ部においてレジストが塗布された基板に対してすぐに加熱処理を施すと、塗布直後の波打った表面状態のまま基板が乾燥してしまう等の不具合が発生するが、本基板処理装置ではスピンコータ部２とベーク部６との間に乾燥促進処理部３を設けている。そして、乾燥促進処理部３において、ある程度基板を乾燥させている。このため、塗布直後に基板の加熱処理を行う場合に発生する上記の不具合が抑えられる。また、清浄空気を基板Ｗに吹き出しているため、パーティクル等が基板Ｗに付着する心配もない。さらに、所定の流速で清浄空気を基板Ｗに当てているため、基板Ｗの表面付近に蒸発したレジストの溶媒ガスが滞留し難くなり、乾燥が促進されている。
【００２９】
また、レジストが塗布された基板を一定の膜厚以下にするとレジストの流動性が殆どなくなるため、従来は、塗布されたレジストがエッジリンス部において流動することを抑えるために、レジスト塗布直後に基板を減圧下に置くことで一定の膜厚以下にしている。しかしながら、減圧することでパーティクルを巻き込み基板にパーティクルが付着するという不具合が存在する。一方、減圧せずに乾燥させようとすると、基板表面付近に蒸発した処理液ガスが滞留するため、蒸発が妨げられて処理時間が長くなる。これに対し本基板処理装置では、乾燥促進処理部３において、エアーのダウンフローによって基板Ｗの表面に滞留しがちな溶媒ガスを吹き流すことで、短時間での乾燥を実現している。このため、エッジリンス部４においては、基板Ｗ上のレジストは殆ど流動せず、基板Ｗの端面付近の洗浄処理が行われてもレジストの塗布状態は良好に保たれる。
【００３０】
また、乾燥促進処理部３においては、エアー供給装置３０によって清浄空気の所定速度以上の流れを生成している。クリーンルーム１０内のダウンフローをそのまま使って基板Ｗを乾燥させることも可能であるが、より短時間で乾燥を行わせるために、ここでは別途エアー供給装置３０を設けている。
【００３１】
また、エアー供給装置３０にはヒーター３４が装備されているため、スピンコータ部２において基板Ｗに塗布されるレジストの種類に応じて基板Ｗに供給する洗浄空気の温度を調整することができる。これにより、乾燥促進処理部３における基板Ｗの乾燥状態を最適なものにすることが可能となる。
【００３２】
［第２参考例］
上記第１参考例のエアー供給装置３０に風量調整機能や湿度調整機能を持たせることも可能である。
【００３３】
エアー供給装置３０に基板Ｗに供給する洗浄空気の量を調整する風量調整機能を持たせた場合、スピンコータ部２において基板Ｗに塗布されるレジストの種類によって基板Ｗに供給する風量を調整することができ、基板Ｗの乾燥状態を最適なものにすることが可能となる。具体的には、ブロワー３３の出力調整の他、供給配管３２にダンパーを設けたり、ＨＥＰＡフィルター３１から基板Ｗまでの距離を調整したりする方法がある。
【００３４】
また、エアー供給装置３０に基板Ｗに供給する洗浄空気の湿度を調整する湿度調整機能を持たせた場合、スピンコータ部２において基板Ｗに塗布されるレジストの種類によって基板Ｗに供給する洗浄空気の湿度を調整することができ、基板Ｗの乾燥状態を最適なものにすることが可能となる。具体的には、除湿装置をブロアー３３の吸い込み側あるいは吹き出し側に設ける方法がある。
【００３５】
［第３参考例］
上記第１参考例のエアー供給装置３０に化学吸着フィルターを装備させることもできる。この場合、基板Ｗに当たる洗浄空気に含まれる溶剤の含有率が低下するため、乾燥促進処理部３において、より短時間で乾燥を行えるようになる。
【００３６】
［第４参考例］
本参考例では、上記第１参考例のエアー供給装置３０に代えて、図４に示すエアー供給装置４０を用いている。
【００３７】
図４に示すエアー供給装置４０は、ＨＥＰＡフィルター４１と、ブロワー４２とから構成されている。ＨＥＰＡフィルター４１は基板載置台２１に載置される基板Ｗの上方に配置され、ブロワー４２はそのＨＥＰＡフィルター４１の上方に配置される。ＨＥＰＡフィルター４１はＨＥＰＡフィルター３１と同様のエアーフィルターであり、ブロワー４２はブロワー３３と同様の送風機である。このエアー供給装置４０は、ＨＥＰＡフィルター４１の下部から、図４の１点鎖線の矢印に示すように、基板Ｗに向かって下向きにエアーを吹き出す。このエアーは、ブロワー４２の作動によってクリーンルーム１０のＨＥＰＡフィルター１０ｂからダウンフローしている清浄空気が更にＨＥＰＡフィルター４１を通過したものであり、清浄な空気である。
【００３８】
ここでは、ＨＥＰＡフィルター４１に加え、ブロワー４２も基板Ｗの上方に配置されており、クリーンルーム１０内の基板Ｗよりも上方にあるＨＥＰＡフィルター１０ｂを出たばかりの清浄な空気をＨＥＰＡフィルター４１を介して基板Ｗに吹き出すことができる。
【００３９】
［第５参考例］
本参考例では、上記第１参考例のエアー供給装置３０に代えて、図５に示すエアー供給装置５０を用いている。
【００４０】
図５に示すエアー供給装置５０は、ＨＥＰＡフィルター５１と、図示しないブロワーと、ＨＥＰＡフィルター５１とブロワーとをつなぐ供給配管５２と、上部カバー５３とから構成されている。ＨＥＰＡフィルター５１はＨＥＰＡフィルター３１と同様のエアーフィルターであり、ブロワーはブロワー３３と同様の送風機である。上部カバー５３は、図５に示すように、上部から下部に向かって内部の水平面積が大きくなる形状のもので、基板載置台２１及び基板Ｗを上部から覆っている。
【００４１】
エアー供給装置５０は、ＨＥＰＡフィルター５１の下部から、図５の１点鎖線の矢印に示すように、基板Ｗに向かって下向きにエアーを吹き出す。このとき、上部カバー５３は、基板Ｗに向かって下向きに吹き出したエアーが隣接するスピンコータ部２やエッジリンス部４へと流れないように、エアーの流れを下方に誘導する。したがって、ここでは、エアー供給装置５０により基板Ｗに供給した洗浄空気が隣接するスピンコータ部２やエッジリンス部４に流れて、その流れによってスピンコータ部２やエッジリンス部４における処理に悪影響を与えることがなくなる。
【００４２】
［第６参考例］
本参考例では、上記第１参考例のエアー供給装置３０に代えて図６に示すエアー供給装置５０を用いるとともに、乾燥促進処理部３に下部カバー組立体６０を設けている。
【００４３】
図６に示すエアー供給装置５０は、上記第５参考例のエアー供給装置５０と同様のものである。下部カバー組立体６０は、下部カバー６３と孔あき板６１とから構成されている。下部カバー６３は、その上部が、基板載置台２１及び基板Ｗの外側であって上部カバー５３の下部よりも内側の空間に入り込むものである。この下部カバー６３の下端には、複数の孔が形成された孔あき板６１が装着されている。この孔あき板６１は、下部カバー６３の内側にダウンフローしてきたエアーを下方に通す。
【００４４】
エアー供給装置５０は、ＨＥＰＡフィルター５１の下部から、図６の１点鎖線の矢印に示すように、基板Ｗに向かって下向きにエアーを吹き出す。このとき、上部カバー５３は、基板Ｗに向かって下向きに吹き出したエアーが隣接するスピンコータ部２やエッジリンス部４へと流れないように、エアーの流れを下方に誘導する。一方、下部カバー６３は、エアー供給装置５０から基板Ｗに吹き出されたエアーが基板Ｗの下方部分から舞い上がらないように、エアーの流れを孔あき板６１から下部カバー組立体６０の下方へと誘導する。
【００４５】
ここでは、エアーの流れを下方に誘導する下部カバー組立体６０を設けているため、エアー供給装置５０から基板Ｗに供給された清浄空気が基板載置台２１や基板載置台２１を支持している部材等に当たって上方に舞い上がって基板Ｗの表面にパーティクルが付着する現象を回避させることができる。特に、基板Ｗの搬送の高さレベルよりも下方に基板処理装置の駆動部分が配置されている場合には、パーティクルの舞い上げを回避させることのできる下部カバー組立体６０の設置は有効である。
【００４６】
また、図６に示すように、エアー供給装置５０の上部カバー５３は、その下端が下部カバー６３の上部を覆うようになっている。また、上部カバー５３の下端の高さ位置は、下部カバー６３の上端の高さ位置よりも低い。このため、エアー供給装置５０から基板Ｗにダウンフローする清浄空気は、上部カバー５３と下部カバー６３との隙間から下部カバー組立体６０の外側の空間に出た場合、下方に向かって流れるため、この流れがパーティクル等を舞い上げる恐れが少なくなっている。
【００４７】
［第７参考例］
本参考例では、上記第１参考例のエアー供給装置３０に代えて図７に示すエアー供給装置７０を用いるとともに、乾燥促進処理部３に下部カバー組立体７６を設けている。
【００４８】
図７に示すエアー供給装置７０は、ＨＥＰＡフィルター７１と、図示しないブロワーと、ＨＥＰＡフィルター７１とブロワーとをつなぐ供給配管７２と、上部カバー７３とから構成されている。ＨＥＰＡフィルター７１はＨＥＰＡフィルター３１と同様のエアーフィルターであり、ブロワーはブロワー３３と同様の送風機である。上部カバー７３は、図７に示すように、上部から下部に向かって内部の水平面積が大きくなる形状のもので、基板載置台２１及び基板Ｗを上部から覆っている。下部カバー組立体７６は、下部カバー７７と孔あき板７８とから構成されている。下部カバー７７は、その上端の形状が上部カバー７３の下端の形状に対応している。また、下部カバー７７の上端面には、上部カバー７３の下端面と下部カバー７７の上端面とに挟持されるシールリング（シール部材）７５が装着されている。また、この下部カバー７７の下端には、複数の孔が形成された孔あき板７８が装着されている。この孔あき板７８は、下部カバー７７の内側にダウンフローしてきたエアーを下方に通す。この下部カバー組立体７６は、固定部材７９によってクリーンルーム１０の床面に固定されている。
【００４９】
また、孔あき板７８を通って下方に流れ出たエアーは、排気配管（排気経路）７８ａを通ってクリーンルーム１０の外に排気される。
【００５０】
なお、エアー供給装置７０のＨＥＰＡフィルター７１及び上部カバー７３は、図示しない駆動装置により垂直移動が可能である。すなわち、ＨＥＰＡフィルター７１及び上部カバー７３は、図７に示す状態から、基板載置台２１及び下部カバー組立体７６から離れて上方に移動することができる。
【００５１】
エアー供給装置７０は、図７に示すようにシールリング７５によって上部カバー７３と下部カバー７７との隙間がシールされた状態において、ＨＥＰＡフィルター７１の下部から、図７の１点鎖線の矢印に示すように、基板Ｗに向かって下向きにエアーを吹き出す。このとき、上部カバー７３及び下部カバー７７によって基板Ｗが覆われており、かつシールリング７５によって隙間がシールされているため、基板Ｗに向かって下向きに吹き出されたエアーは、隣接するスピンコータ部２やエッジリンス部４に流れず、孔あき板７８を通って下方へと排気される。
【００５２】
このように、ここでは、基板Ｗに供給されるエアーが両カバー７３，７７の隙間から外側に漏れ出すことが抑えられる。これにより、基板Ｗが存在する両カバー７３，７７の内部空間への周囲からの空気の吸い込みによる気流によって乾燥中の基板Ｗに乾燥のムラやパーティクル付着といった不具合が出ることが抑えられている。また、隣接するスピンコータ部２やエッジリンス部４にエアーが流れ出てレジストの塗布処理やエッジリンス処理に悪影響を与えることを抑えられている。
【００５３】
また、本基板処理装置の乾燥促進処理部３での処理においては、排気配管７８ａを通って排気されるエアーの排気量よりもエアー供給装置７０が基板Ｗに吹き出すエアーの量のほうが少なくなるように制御が行われ、エアー供給装置７０，下部カバー組立体７６，及び排気配管７８ａで囲まれた空間の圧力を若干の負圧状態として基板Ｗの乾燥処理が行われる。このように基板Ｗの周囲を負圧状態とすることで、乾燥処理の促進が図られている。
【００５４】
さらに上記のような制御に伴って、エアー供給装置７０，下部カバー組立体７６，及び排気配管７８ａで囲まれた空間の圧力を、基板Ｗの乾燥処理が終わってこの空間の密閉状態を解除する直前に、周囲の圧力とほぼ等しくさせる制御が行われる。これは、空間の密閉状態を解除する前に、排気配管７８ａによるエアーの排気量を絞ることによって行われる。このように制御することにより、負圧状態の空間をいきなり周囲に開放した場合のパーティクルの巻き込み及び基板へのパーティクルの付着を回避することができる。
【００５５】
［第８参考例］
本参考例では、上記第１参考例のエアー供給装置３０に代えて図８に示すエアー供給装置８０を用いるとともに、乾燥促進処理部３に下部カバー組立体８６を設けている。以下に記述するように、上記第７参考例においてはエアー供給装置７０のＨＥＰＡフィルター７１及び上部カバー７３が垂直移動するのに対し、本参考例では下部カバー組立体８６及び基板載置台２１が垂直移動する。
【００５６】
図８に示すエアー供給装置８０は、ＨＥＰＡフィルター８１と、図示しないブロワーと、ＨＥＰＡフィルター８１とブロワーとをつなぐ供給配管８２と、上部カバー８３とから構成されている。ＨＥＰＡフィルター８１はＨＥＰＡフィルター３１と同様のエアーフィルターであり、ブロワーはブロワー３３と同様の送風機である。上部カバー８３は、図８に示すように、上部から下部に向かって内部の水平面積が大きくなる形状のもので、基板載置台２１及び基板Ｗを上部から覆っている。下部カバー組立体８６は、下部カバー８７と孔あき板８８とから構成されている。下部カバー８７は、その上端の形状が上部カバー８３の下端の形状に対応している。また、下部カバー８７の上端面には、上部カバー８３の下端面と下部カバー８７の上端面とに挟持されるシールリング（シール部材）８５が装着されている。また、この下部カバー８７の下端には、複数の孔が形成された孔あき板８８が装着されている。この孔あき板８８は、下部カバー８７の内側にダウンフローしてきたエアーを下方に通す。なお、この下部カバー組立体８６と基板載置台２１とは、相対移動できないように一体化されている。
【００５７】
この下部カバー組立体８６及び基板載置台２１は、電動ボールねじシリンダー８９によってクリーンルーム１０の床面に固定されており、電動ボールねじシリンダー８９を作動させることによって、図８に示す状態から上方に移動してシールリング８５が上部カバー８３及び下部カバー８７によって挟持される状態となる。一方、エアー供給装置８０の高さレベルは固定されている。
【００５８】
エアー供給装置８０は、シールリング８５によって上部カバー８３と下部カバー８７との隙間がシールされた状態において、ＨＥＰＡフィルター８１の下部から基板Ｗに向かって下向きにエアーを吹き出す。このとき、上部カバー８３及び下部カバー８７によって基板Ｗが覆われており、かつシールリング８５によって隙間がシールされているため、基板Ｗに向かって下向きに吹き出されたエアーは、隣接するスピンコータ部２やエッジリンス部４に流れず、孔あき板７８を通って下方へと排気される。
【００５９】
このように、ここでは、基板Ｗに供給されるエアーが両カバー８３，８７の隙間から外側に漏れ出すことが抑えられる。これにより、基板Ｗが存在する両カバー８３，８７の内部空間への周囲からの空気の吸い込みによる気流によって乾燥中の基板Ｗに乾燥のムラやパーティクル付着といった不具合が出ることが抑えられている。
【００６０】
［第１実施形態］
本実施形態では、上記第１参考例のエアー供給装置３０に代えて図９に示すエアー供給装置９０を用いるとともに、乾燥促進処理部３に下部カバー組立体９５を設けている。ここでは、下部カバー組立体９５及び基板載置台２１が上下に移動する。
【００６１】
図９に示すエアー供給装置９０は、ＨＥＰＡフィルター９１と、ブロワー９２と、上部カバー９３とから構成されている。ＨＥＰＡフィルター９１は基板載置台２１に載置される基板Ｗの上方に配置され、ブロワー９２はそのＨＥＰＡフィルター９１の上方に配置される。ＨＥＰＡフィルター９１はＨＥＰＡフィルター３１と同様のエアーフィルターであり、ブロワー９２はブロワー３３と同様の送風機である。上部カバー９３は、図９に示すように、上部から下部に向かって内部の水平面積が大きくなる形状のもので、上方に移動した状態の基板載置台２１及び基板Ｗ（図９において点線で示すもの）を上部から覆う。下部カバー組立体９５は、下部カバー９７と孔あき板９８とから構成されている。下部カバー９７は、下部カバー組立体９５及び基板載置台２１が上方に位置するときに、その上部が、基板載置台２１及び基板Ｗの外側であって上部カバー９３の下部よりも内側の空間に入り込む。この下部カバー９７の下端には、複数の孔が形成された孔あき板９８が装着されている。この孔あき板９８は、下部カバー９７の内側にダウンフローしてきたエアーを下方に通す。なお、この下部カバー組立体９５と基板載置台２１とは、相対移動できないように一体化されている。
【００６２】
この下部カバー組立体９５及び基板載置台２１は、電動ボールねじシリンダー９９によってクリーンルーム１０の床面に固定されており、電動ボールねじシリンダー９９を作動させることによって、図９の実線で示す状態から上方に移動して、図９の点線で示す状態となる。一方、エアー供給装置９０の高さレベルは固定されている。
【００６３】
エアー供給装置９０は、ＨＥＰＡフィルター９１の下部から基板Ｗに向かって下向きにエアーを吹き出す。このとき、上部カバー９３は、基板Ｗに向かって下向きに吹き出したエアーが隣接するスピンコータ部２やエッジリンス部４へと流れないように、エアーの流れを下方に誘導する。一方、下部カバー９７は、エアー供給装置９０から基板Ｗに吹き出されたエアーが基板Ｗの下方部分から舞い上がらないように、エアーの流れを孔あき板９８から下部カバー組立体９５の下方へと誘導する。
【００６４】
ここでは、図９に示すように、基板Ｗとエアー供給装置９０とが電動ボールねじシリンダー９９の作動によって相対的に移動する。したがって、乾燥促進処理部３での基板Ｗの乾燥処理時においては両者Ｗ，９０を近づけさせて基板Ｗに当たるエアーの流速を確保し、基板Ｗの基板載置台２１に対する搬入／搬出時においては干渉を避けるように両者を遠ざけさせることができる。
【００６５】
また、電動ボールねじシリンダー９９によって基板Ｗとエアー供給装置９０との距離を制御させれば、スピンコータ部２において基板Ｗに塗布されるレジストの種類によって、基板Ｗに当てる洗浄空気の流速を変えることが可能である。これにより、レジストの種類に応じた適切な基板Ｗ上のレジストの乾燥処理を行うことができる。さらには、乾燥処理中に時間の進行に応じて基板Ｗとエアー供給装置９０とを相対的に近づけさせることにより、乾燥度合いに応じた洗浄空気の基板Ｗ付近での流速を確保することができる。
【００６６】
［第９参考例］
本参考例では、上記第１参考例のエアー供給装置３０に代えて図１０に示すエアー供給装置１００を用いるとともに、乾燥促進処理部３に下部カバー組立体１０５を設けている。
【００６７】
図１０に示すエアー供給装置１００は、ＨＥＰＡフィルター１０１と、ブロワー１０４と、ＨＥＰＡフィルター１０１とブロワー１０４とをつなぐ供給配管１０２と、上部カバー１０３とから構成されている。ここでは、ＨＥＰＡフィルター１０１を基板Ｗの上方に位置させて基板Ｗの近傍から基板Ｗに向けて清浄空気を吹き出させるとともに、供給配管１０２を設けることによってブロワー１０４をクリーンルーム１０の外に配置している。ＨＥＰＡフィルター１０１はＨＥＰＡフィルター３１と同様のエアーフィルターであり、ブロワー１０４はブロワー３３と同様の送風機である。上部カバー１０３は、図１０に示すように、上部から下部に向かって内部の水平面積が大きくなる形状のもので、基板Ｗを上部から覆う。下部カバー組立体１０５は、下部カバー１０７と孔あき板１０６とから構成されている。下部カバー１０７は、その上部が、基板Ｗの外側であって上部カバー１０３の下部よりも内側の空間に入り込むものである。この下部カバー１０７の下端には、複数の孔が形成された孔あき板１０６が装着されている。この孔あき板１０６は、下部カバー１０７の内側にダウンフローしてきたエアーを下方に通す。
【００６８】
また、孔あき板１０６を通って下方に流れ出たエアーは、排気配管１０８を通ってクリーンルーム１０の外に排気される。この排気配管１０８には、排気ダンパー１０９が組み込まれている。
【００６９】
エアー供給装置１００は、ＨＥＰＡフィルター１０１の下部から基板Ｗに向かって下向きにエアーを吹き出す。このとき、上部カバー１０３は、基板Ｗに向かって下向きに吹き出したエアーが隣接するスピンコータ部２やエッジリンス部４へと流れないように、エアーの流れを下方に誘導する。一方、下部カバー１０７は、エアー供給装置１００から基板Ｗに吹き出されたエアーが基板Ｗの下方部分から舞い上がらないように、エアーの流れを孔あき板１０６から排気配管１０８へと誘導する。
【００７０】
ここでは、下部カバー組立体１０５により誘導されたエアーを排気配管１０８によってクリーンルーム１０の外に排気させている。このようにすることによって、スピンコータ部２やエッジリンス部４への悪影響やパーティクルの舞い上げ等の不具合を抑えている。
【００７１】
また、ここでは、排気ダンパー１０９の開度の調整によって排気配管１０８によるエアーの量を調整し、エアー供給装置１００からの清浄空気の吹き出し量を排気配管１０８から排気されるエアーの量よりも多くする制御が行われている。これにより、基板Ｗ付近の空間を周囲よりも陽圧に保ち、周囲からの空気の吸い込みによる乾燥中の基板Ｗに対する乾燥ムラやパーティクル付着といった不具合を抑えている。
【００７２】
［第１０参考例］
上記第９参考例では、下部カバー組立体１０５の孔あき板１０６を通って下方に流れ出たエアーを排気配管１０８によってクリーンルーム１０の外に排気しているが、本参考例では、図１１に示すように、下部カバー組立体１０５の孔あき板１０６を通って下方に流れ出たエアーを排気配管１１０によってクリーンルーム１０のグレーティングパネル１０ａの下方の空間に排気する。
【００７３】
ここでは、エアー供給装置１００から基板Ｗに吹き出されたエアーはグレーティングパネル１０ａの下方の空間に導かれる。そして、この空間に導かれたエアーは、クリーンルーム１０内にダウンフローが存在するため、舞い上がることなくクリーンルーム１０のダウンフローに合流する。このように排気配管１１０を配置することにより、基板Ｗに供給された洗浄空気によって基板Ｗの近傍にパーティクルが舞い上がる不具合が抑えられる。
【００７４】
［第１１参考例］
本参考例では、上記第１参考例のエアー供給装置３０に代えて図１２に示すエアー供給装置１２０を用いるとともに、乾燥促進処理部３に下部カバー組立体１２５を設けている。
【００７５】
図１２に示すエアー供給装置１２０は、整流板１２１と、ブロワー１２４と、整流板１２１とブロワー１２４とをつなぐ供給配管１２２と、上部カバー１２３とから構成されている。整流板１２１は、鋼製あるいはステンレス製のパネルに千鳥格子状に多数の孔が開けられたものであって、基板Ｗに吹き出すエアーを整流する。ブロワー１２４は、ブロワー３３と同様の送風機のエアー吐出側にＨＥＰＡフィルター１２４ａが装着されたものである。上部カバー１２３は、図１２に示すように、上部から下部に向かって内部の水平面積が大きくなる形状のもので、基板Ｗを上部から覆う。下部カバー組立体１２５は、下部カバー１２７と孔あき板１２６とから構成されている。下部カバー１２７は、その上部が、基板Ｗの外側であって上部カバー１２３の下部よりも内側の空間に入り込むものである。この下部カバー１２７の下端には、複数の孔が形成された孔あき板１２６が装着されている。この孔あき板１２６は、下部カバー１２７の内側にダウンフローしてきたエアーを下方に通す。
【００７６】
また、孔あき板１２６を通って下方に流れ出たエアーは、排気配管１２８によってクリーンルーム１０のグレーティングパネル１０ａの下方の空間に排気される。この排気配管１２８には、排気ダンパー１２９が組み込まれている。
【００７７】
エアー供給装置１２０は、整流板１２１の下部から基板Ｗに向かって下向きにエアーを吹き出す。
【００７８】
ここでは、ＨＥＰＡフィルター１２４ａにより清浄空気を生成するとともに、整流板１２１を設置することにより基板Ｗ上のレジストの乾燥状態の均一化を図っている。
【００７９】
［第１２参考例］
本参考例では、上記第９参考例においてＨＥＰＡフィルター１０１とブロワー１０４とを結んでいる供給配管１０２の代わりに、図１３に示すように、放出配管１３５が接続された供給配管１３２によってＨＥＰＡフィルター１０１とブロワー１０４とを結んでいる。
【００８０】
供給配管１３２には放出配管１３５が接続されており、放出配管１３５の他端はクリーンルーム１０の外において大気開放されている。これらの配管１３２，１３５には、それぞれ自動制御ダンパー（切替手段）１３２ａ，１３５ａが組み込まれており、図示しない制御コンピュータからの指令によって開度が変わる。自動制御ダンパー１３２ａを閉めて自動制御ダンパー１３５ａを開ければ、ブロワー１０４から吐出されたエアーは全てＨＥＰＡフィルター１０１へ送られ、自動制御ダンパー１３２ａの開度を大きくし自動制御ダンパー１３５ａの開度を小さくすれば、ブロワー１０４から吐出されたエアーの一部あるいは全部が放出配管１３５から大気放出される。
【００８１】
ここでは、自動制御ダンパー１３２ａ，１３５ａの開度を制御することによって、ブロワー１０４の作動を止めることなく、基板Ｗへの清浄空気の供給を一時的に止めたり絞ったりすることができる。このため、乾燥促進処理部３への基板Ｗの搬送時や乾燥促進処理部３からの基板Ｗの搬出時にブロワー１０４の作動を止める必要がなく、また、必要に応じて基板Ｗへの清浄空気の供給量を調整することができる。
【００８２】
［第２実施形態］
上記第１参考例では乾燥促進処理部３を図３に示すような構成としているが、本実施形態においては、乾燥促進処理部３を図１４に示す構成としている。
【００８３】
乾燥促進処理部３は、主として、基板を載置する基板載置台２１と、基板載置台２１の周囲を覆う下部カバー組立体１４０と、基板載置台２１及び下部カバー組立体１４０を上下に移動させる電動ボールねじシリンダー１４９とから構成されている。基板載置台２１は、基板Ｗを水平状態に載置させるための台である。下部カバー組立体１４０は、下部カバー１４７と孔あき板１４８とから構成されている。下部カバー１４７は、内部に基板載置台２１を収容する筒状の部材である。この下部カバー１４７の下端には、複数の孔が形成された孔あき板１４８が装着されている。この孔あき板１４８は、下部カバー１４７の内側にダウンフローしてきたエアーを下方に通す。また、孔あき板１４８を通って下方に流れ出たエアーは、伸縮自在の排気配管１４８ａを通ってクリーンルームの外に排気される。なお、下部カバー組立体１４０と基板載置台２１とは、相対移動できないように一体化されている。
【００８４】
この下部カバー組立体１４０及び基板載置台２１は、電動ボールねじシリンダー１４９によってクリーンルーム１０の床面に固定されており、電動ボールねじシリンダー１４９を作動させることによって、図１４の実線で示す状態から上方に移動して、図１４の点線で示す状態となる。
【００８５】
次に、本実施形態の乾燥促進処理部３の基板処理及び特徴について説明する。
【００８６】
ここでは、スピンコータ部２から送られてきた基板Ｗが基板載置台２１上に載せられると、電送ボールねじシリンダー１４９を作動させて、基板載置台２１を図１４の実線で示す位置から図１４の点線で示す位置まで上昇させる。すると、ＨＥＰＡフィルター１０ｂから下向きに吹き出されている清浄空気が基板Ｗに当たる。この清浄空気の流れは、ＨＥＰＡフィルター１０ｂを通ることによって整流されたものとなっている。このような整流された清浄空気が緩やかな速度で基板Ｗに当たるため、スピンコータ部２で塗布された基板Ｗの表面上のレジストは、その表面形状がレベリングされながら乾燥していく。なお、このときに下部カバー１４７は、基板Ｗの下方に流れていったエアーが舞い上がらないように、エアーの流れを孔あき板１４８から排気配管１４８ａへと誘導する。
【００８７】
ここでは、図１４に示すように、電動ボールねじシリンダー１４９の作動によって基板ＷをＨＥＰＡフィルター１０ｂに近づけさせることができ、乾燥促進処理部３での基板Ｗの乾燥処理時においては基板ＷをＨＥＰＡフィルター１０ｂに近づけて基板Ｗに当たるエアーの流速を確保している。また、基板Ｗの基板載置台２１に対する搬入／搬出時においては干渉を避けるように基板Ｗを元の位置（図１４において実線で示す位置）に戻している。このように、本実施形態においては、クリーンルームのＨＥＰＡフィルター１０ｂからの清浄空気のダウンフローをそのまま利用して基板Ｗの乾燥を行っており、別途エアー供給装置のようなものを設ける必要がない。
【００８８】
なお、クリーンルーム１０のＨＥＰＡフィルター１０ｂから吹き出されダウンフローする清浄空気の流速は、ＨＥＰＡフィルター１０ｂの出口付近において０．２５〜０．５０ｍ／ｓとなっている。したがって、基板Ｗの乾燥促進のためにはＨＥＰＡフィルター１０ｂにできるだけ基板Ｗを近づけることが望ましく、ここでは両者の距離が１００〜３００ｍｍ位まで近づけている。
【００８９】
［第１３参考例］
本参考例では、上記第１参考例の図３に示す基板載置台２１に代えて図１５に示す基板載置台２２１を用いている。
【００９０】
図１５に示す基板載置台２２１は、矩形の基板Ｗの対角よりも十分に大きな円盤形状であって、その上面である基板載置面２２１ｂの中央部等に基板Ｗを載置するための複数の基板支持ピン２２１ａが設けられている。
【００９１】
かかる基板載置台２２１を用いると、基板表面に形成されているレジスト膜にむらが生じることがない。すなわち、基板載置台が例えば基板Ｗの大きさよりも小さいものであれば、図１６（ａ）に示すように、基板の中央部においては渦状の弱い乱流Ｆ１が生じるが、基板の周辺部においては基板の内側から外側へ向かう気流Ｆ２が生じる。この気流Ｆ２は図１６（ｂ）の拡大平面図に示すように基板表面に沿ったほぼ一方向への流れとなる傾向があり、乾燥されるレジスト膜にはその気流の流れ方向に沿っていわゆる風紋ができてむらになってしまうおそれがある。しかるにこの参考例の基板載置台２２１では、乾燥時にその中央部に載置される基板Ｗの上面全体においてエアー供給装置３０から送られる清浄空気の一部が停滞して渦状の弱い乱流を生じる（図１５（ｂ）参照）。そして、そこに生じる乱流の不規則さゆえに、基板表面に形成されているレジスト膜の乾燥時にむらが生じることがない。
【００９２】
なお、この参考例では、基板載置台２２１の周辺部において上述した外側へ向かう一定な気流が生じるが、基板上のレジスト膜に悪影響を与えることはない。すなわちこの基板載置台２２１の大きさは、基板Ｗに当たった清浄空気が基板表面において外側への流れを作らず、基板載置台上で外側への流れを作る程度の大きさであればよい。なお、装置を無用に大型化することなくむらの発生を有効に抑制し得る大きさとして、本参考例では、基板Ｗから基板載置台２２１の外縁までの距離が約３〜５ｃｍとなるようにしている。すなわち本参考例では、基板Ｗの角部から基板載置台２２１の外縁までの距離が約３〜５ｃｍの大きさに形成されている。
【００９３】
また、基板載置台の形状は、円盤状に限らず、例えば基板Ｗと相似形の矩形状の基板載置台をもつものであってもよく、具体的には基板載置台の外縁が基板Ｗの各辺よりも約３〜５ｃｍだけ外側に張り出した大きさであればよい。
【００９４】
［第１４参考例］
本参考例では、上記第１参考例の図３に示すエアー供給装置３０に代えて図１７に示すエアー供給装置４３０を用いている。
【００９５】
図１７に示すエアー供給装置４３０は、十分な風量を得るために、基板Ｗの面積よりも十分に大きな吹き出し面積を有するＨＥＰＡフィルター４３１を備えるとともに、かかるＨＥＰＡフィルター４３１からの清浄空気を基板Ｗに案内する上部案内部材（案内部材）４３２を設けてある。この上部案内部材４３２は、図１７に示すように、上部がＨＥＰＡフィルター４３１の吹き出し面積とほぼ同等の水平面積を有するとともに、基板位置近傍の下部において水平面積が上部よりも小さく且つ基板Ｗよりもやや大きな面積となるように絞られた形状となっている。すなわち、上部案内部材４３２は、清浄空気の流路の断面積が基板Ｗ側に向かって小さくなるように構成されている。かかる上部案内部材４３２を設けることによって、例えば０．３ｍ／ｓの速度で清浄空気を吹き出すＨＥＰＡフィルター４３１を用いる場合であってもその風量を多くすることができ、基板Ｗの近傍でその流路を狭くすることで例えば１ｍ／ｓの流速を得ることができる。これによって、基板上のレジストはより早く、より良好に乾燥される。
【００９６】
【発明の効果】
本発明では、塗布処理の後に乾燥促進処理を施し、基板に対して所定速度以上の流速の清浄空気を供給することによって基板を乾燥させている。このため、塗布直後に基板の加熱処理を行う場合の不具合を抑えることができ、高価な減圧チャンバーを使うことなく基板に塗布された液の乾燥を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における基板処理装置の概略構成図。
【図２】クリーンルームの概略図。
【図３】乾燥促進処理部の概略図。
【図４】第４参考例の乾燥促進処理部の概略図。
【図５】第５参考例の乾燥促進処理部の概略図。
【図６】第６参考例の乾燥促進処理部の概略図。
【図７】第７参考例の乾燥促進処理部の概略図。
【図８】第８参考例の乾燥促進処理部の概略図。
【図９】第１実施形態の乾燥促進処理部の概略図。
【図１０】第９参考例の乾燥促進処理部の概略図。
【図１１】第１０参考例の乾燥促進処理部の概略図。
【図１２】第１１参考例の乾燥促進処理部の概略図。
【図１３】第１２参考例の乾燥促進処理部の概略図。
【図１４】第２実施形態の乾燥促進処理部の概略図。
【図１５】第１３参考例の乾燥促進処理部の概略図。
【図１６】乾燥促進処理部の比較概略図。
【図１７】第１４参考例の乾燥促進処理部の概略図。
【符号の説明】
２  スピンコータ部（塗布処理部）
３  乾燥促進処理部
４  エッジリンス部（端面洗浄処理部）
６  ベーク部（ベーキング処理部）
１０  クリーンルーム
１０ａ  ＨＥＰＡフィルター（天井部）
３０，４０，５０，７０，８０，９０，１００，１２０  エアー供給装置
３１，４１，５１，７１，８１，９１，１０１，１２４ａ  ＨＥＰＡフィルター（エアーフィルター／エアー吐出口）
３２，５２，７２，８２，１０２，１２２，１３２  供給配管（供給経路）
３３，４２，９２，１０４，１２４  ブロワー（送風機）
５３，７３，８３，９３，１０３，１２３  上部カバー
７５，８５  シールリング（シール部材）
７７，８７，９７，１０７，１２７  下部カバー
７８ａ，１０８，１１０，１２８  排気配管（排気経路）
９９  電動ボールねじシリンダー（第２駆動装置）
１０９，１２９  排気ダンパー
１２１  整流板（整流板／エアー吐出口）
１３２ａ，１３５ａ  自動制御ダンパー（切替手段）
１３５  放出配管（放出経路）
１４９  電動ボールねじシリンダー（第１駆動装置）
２２１  基板載置台
２２１ｂ  基板載置面
４３２  上部案内部材（案内部材）
Ｗ  基板
【図１】
0004022315.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0004022315.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0004022315.tif 000011
【図１１】
0004022315.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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