(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
超砥粒が金属結合相中に固着された砥粒層が台金に装着されてなる単層砥石において、前記砥粒層は略中央に研削液を吐出する開口が形成されてなる小砥粒層部が複数配列されて形成されており、前記小砥粒層部は、中央に断面円形の前記開口が形成されて前記台金上に所定間隔で隆起する円筒状のマウンド部の上面にリング状に、前記超砥粒が一層のみ配列されて形成されていることを特徴とする単層砥石。
【請求項２】
前記マウンド部以外の領域に排出路が形成されていることを特徴とする請求項１記載の単層砥石。
【請求項３】
前記小砥粒層部の開口はその径がφ０．５〜３．０ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項１または２記載の単層砥石。
【請求項４】
前記マウンド部の径は前記開口の径の２〜１０倍であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の単層砥石。
【請求項５】
前記台金に対するマウンド部の高さは０．１〜５．０ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の単層砥石。
【請求項６】
隣り合う前記マウンド部間の距離がマウンド部の平均的な径の１／３〜２倍の範囲であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の単層砥石。
【請求項７】
前記砥粒層は複数層のリング状または螺旋状で形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の単層砥石。
【請求項８】
径方向に間隔をおいて配設された前記砥粒層の間に排出路が形成されていることを特徴とする請求項７記載の単層砥石。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか記載の単層砥石の製造方法であって、前記台金の前記開口に連通する通水路を通して前記開口から空気または前記超砥粒を含むめっき液を吐出しながらめっきを行うことにより、前記マウンド部の上面に前記超砥粒を金属結合相で固着することを特徴とする単層砥石の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエーハ等の被研磨材の表面をＣＭＰ装置によって研磨する際に用いられる研磨用のパッドをコンディショニングするため等に用いられる単層砥石およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、シリコンインゴットから切り出した半導体ウエーハ（以下、単にウエーハという）の表面を化学的且つ機械的に研磨するＣＭＰ装置（ケミカルメカニカルポリッシングマシン）の一例として、図７に示すような装置がある。
ウエーハはデバイスの微細化に伴って高精度かつ無欠陥表面となるように鏡面研磨することが要求されている。ＣＭＰによる研磨のメカニズムは、微粒子シリカ等によるメカニカルな要素（遊離砥粒）とアルカリ液や酸性液等によるエッチング要素とを複合したメカノ・ケミカル研磨法に基づいている。
このＣＭＰ装置１は、図７に示すように中心軸２に取り付けられた円板状の回転テーブル３上に例えば硬質ウレタンからなるポリッシング用のパッド４が設けられ、このパッド４に対向して且つパッド４の中心軸２から偏心した位置に自転可能なウエーハキャリア５が配設されている。このウエーハキャリア５はパッド４よりも小径の円板形状とされてウエーハ６を保持するものであり、このウエーハ６がウエーハキャリア５とパッド４間に配置されてパッド４側の表面の研磨に供され鏡面仕上げされる。
【０００３】
研磨に際して、例えば上述した微粒子シリカ等からなる遊離砥粒が研磨剤として用いられ、更にエッチング用のアルカリ液等が混合されたものが液状のスラリｓとしてパッド４上に供給されているため、このスラリｓがウエーハキャリア５に保持されたウエーハ６とパッド４との間に流動して、ウエーハキャリア５でウエーハ６が自転し、同時にパッド４が中心軸２を中心として例えばＰ方向に回転するために、パッド４でウエーハ６の一面が研磨される。
ウエーハ６の研磨を行う硬質ウレタン製などのパッド４上にはスラリｓを保持する微細な発泡層が多数設けられており、これらの発泡層内に保持されたスラリｓでウエーハ６の研磨が行われる。
ところが、ウエーハ６の研磨を繰り返すことでパッド４の研磨面の平坦度が低下したり目詰まりするためにウエーハ６の研磨精度と研磨効率が低下するという問題が生じる。
【０００４】
そのため、従来からＣＭＰ装置１には図７に示すようにパッドコンディショナ８が設けられ、パッド４の表面を再研削（コンディショニング）するようになっている。
このパッドコンディショナ８は、回転テーブル３の外部に設けられた旋回軸兼回転軸９にアーム１０を介してホイール１１が設けられ、回転軸９によってホイール１１をパッド４と同一方向に回転させることで、回転するパッド４上においてパッド４の表面を研磨してパッド４の表面の平坦度等を回復または維持し目詰まりを解消するようになっている。またホイール１１に回転運動に加えて揺動運動を行わせても良い。
このホイール１１は、図８（Ａ）及び（Ｂ）に示すように円形板状の台金１２上に上面が平面状をなしていて一定幅でリング状の砥粒層１３が形成されており、この砥粒層１３は例えば図９に示すように台金１２上に電気めっきや活性ろう付けなどによりダイヤモンドやｃＢＮなどの超砥粒１４を金属結合相１５で分散固定して構成されている。この金属結合相１５は例えばニッケルめっきなどで構成されている。
尚、砥粒層１３の表面には例えば４５°等の所定間隔で径方向に凹溝１７が形成されており、スラリｓや切削屑をこの凹溝１７を通して外部に排出することになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このようなホイール１１を用いてパッド４の研削を行う場合、ホイール１１は安定した研削性能が要求され、特に経時安定性が必要であるが、コンディショナとしてのホイール１１は次のような問題点を有する。
コンディショニングの際にパッド４に残留するシリコンウエーハの配線金属やシリコンからなる研削屑がホイール１１の超砥粒１４…の間に固着し、最終的にはスラリｓと共に固化して固着屑となって超砥粒１４がこの固着屑に埋没してパッド４に対する研削能力が低下する。
また超砥粒１４がパッド４の研削や各種の研削屑との接触で摩耗摩滅し切れ味が低下する。
【０００６】
本発明は、このような実情に鑑みて、超砥粒間に各種研削屑やスラリｓの固化物等が沈着滞留するのを抑制して効果的に排出できるようにした単層砥石およびその製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る単層砥石は、超砥粒が金属結合相中に固着された砥粒層が台金に装着されてなる単層砥石において、砥粒層は略中央に研削液を吐出する開口が形成されてなる小砥粒層部が複数配列されて形成されており、前記小砥粒層部は、中央に断面円形の前記開口が形成されて前記台金上に所定間隔で隆起する円筒状のマウンド部の上面にリング状に、前記超砥粒が一層のみ配列されて形成されていることを特徴とする。小砥粒層部の略中央に、研削液をその周囲の超砥粒に供給する開口を設けたことで、超砥粒による研削ポイントに直接研削液を供給できて各種研削屑を超砥粒間に沈着滞積させることなく排出でき、研削屑の混合による研削液の粘性を低下させて排出がスムーズであり、超砥粒の冷却を促進してダメージを抑えることもできる。尚、単層砥石とは、金属結合相の厚み方向に超砥粒が一層のみ固着された砥石をいい、電着砥石やメタルボンド砥石等のいずれも含む。
【０００８】
また小砥粒層部は台金上に所定間隔で隆起するマウンド部上に形成されており、こうして台金上に隆起するマウンド上に小砥粒層部を形成することで、被削材がＣＭＰ装置のパッドのような軟質のものであってもベタ当たりすることなく小砥粒層部の超砥粒だけで接触して研削するために研削圧が高くて切れ味が良く研削屑の排出性もよい。なお、マウンド部以外の領域に排出路が形成されていてもよい。研削液の供給源と排出路が小砥粒層部の研削ポイントを挟んで両側に配設されることになって、両者の距離を極力短くできて研削ポイントに研削液が十分行き渡り超砥粒に研削屑が滞積するのを防いでスムーズに洗い流すことができる。
【０００９】
また小砥粒層部の開口はその径がφ０．５〜３．０ｍｍの範囲であってもよい。
開口の径（ｄ）が０．５ｍｍより小さいと研削液を研削ポイントに十分供給できず、３．０ｍｍを越えると小砥粒層部存在比率が低下し研削能力が低下するので好ましくない。
またマウンド部の径（Ｄ）は開口の径（ｄ）の２〜１０倍であってもよい。
開口の径（ｄ）の２〜１０倍の範囲内であれば研削ポイントでの研削屑の滞積を防いでスムーズに洗い流すことが可能である。
台金に対するマウンド部の高さは０．１〜５．０ｍｍの範囲であってもよい。
この範囲であれば研削ポイントと台金上である排出路との間で研削液や研削屑を容易に流して排出できる。
【００１０】
隣り合うマウンド部間の距離（Ｌ）がマウンド部の平均的な径（Ｄ）の１／３〜２倍の範囲であってもよい。
この範囲であれば小砥粒層部の間隔を適切に設定できて超砥粒の研削圧を高く維持できる上に各種研削屑をこの間隙を通して研削液によってスムーズに排出できる。
砥粒層は複数層のリング状または螺旋状で形成されていてもよい。
これによって被削材の相対移動方向に略平行な方向の各砥粒層の研削長さの和を被削材の移動方向に略直交する方向の任意位置でほぼ均一にすることができる。また砥粒層を３層以上の複数層で構成すれば、被削材の相対移動方向に略平行な方向に略直交する任意位置での砥粒層領域の面積の和を容易に均一にできる。
径方向に間隔をおいて配設された複数層の砥粒層の間に排出路が形成されていてもよい。
この場合、排出路は各砥粒層内の隣り合う小砥粒層部の間に形成された副排出路とリング状または螺旋状をなしていて径方向に隣り合う複数層の砥粒層の間の主排出路とからなっていてもよい。小砥粒層部での研削で生じた各種の研削屑は小砥粒層部の開口から供給された研削液と共に洗い出されて副排出路を流れ、更に主排出路を通して外部に排出され、研削屑を容易に排出できて超砥粒の間に沈着滞積するのを抑制できる。
またこの単層砥石はＣＭＰ装置のパッドコンディショナとして特に好適である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面により説明するが、上述の従来技術と同一の部分には同一の符号を用いてその説明を省略する。図１乃至図４は第一の実施の形態に関するものであって、図１はホイールの砥粒層を装着した面の平面図、図２は図１に示すホイールの砥粒層の真ん中の層の部分拡大図、図３は図２で示す砥粒層のＢ−Ｂ線縦断面図、図４（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は実施の形態によるホイールの製造工程を示す図である。
図１に示す実施の形態によるホイール２０（単層砥石）は、図２及び図３で示すように円板形の台金２２の略円形をなす一面２２ａの外周側に同心円（同心円でなくてもよい）のリング状をなす複数層（図では３層）からなる砥粒層２４が設けられて構成されている。砥粒層２４は最も外周側に最大径（例えば台金２２と同一径）をなす第一砥粒層２４Ａが形成され、その内側に間隔をおいて第二砥粒層２４Ｂが形成され、最も内側に間隔をおいて最小径をなす第三砥粒層２４Ｃが形成されている。第三砥粒層２４Ｃの内側には砥粒層は形成されていない。
【００１２】
台金２２の一面２２ａにおいて第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃのリング状の領域はその他の領域よりも厚み方向に一段高さが大きく設定されており（例えば図３に示す高さＨの段差）、これを第一台金部２２Ａ，第二台金部２２Ｂ，第三台金部２２Ｃとする。
そして図２及び図３に示す第二台金部２２Ｂ上には、略円筒状のマウンド部２５が所定間隔で複数形成され、その中央に断面円形の開口２６が形成されている。そしてマウンド部２５の上面に略リング状の小砥粒層部２８が形成され、この小砥粒層部２８はＮｉまたはＮｉ合金の金属結合相（金属めっき相）１５中にダイヤモンドやＣＢＮ等の超砥粒１４が分散配置されて固着されている。この小砥粒層部２８では超砥粒１４がその厚み方向に一層のみ配列されており、例えば電気めっきによって製作されている。図２で一部の超砥粒１４は省略されている。
尚、第一台金部２２Ａ，第三台金部２２Ｃ上にも同一構成の多数の小砥粒層部２８が設けられている。
【００１３】
そして台金２２の内部には図３に示すように第一乃至第三砥粒層部２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃの領域に亘って通水路３０が形成されている。この通水路３０は第一乃至第三砥粒層２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃの各小砥粒層部２８の中央に形成された開口２６に連通しており、図示しない供給源から研削液として例えば純水が供給されて通水路３０内を循環して各開口２６から外部に吐出されるようになっている。
ここで、開口２６の内径ｄは例えば０．５〜３ｍｍの範囲に設定され、またマウンド部２５の直径Ｄは２ｄ〜１０ｄの範囲とされている。またマウンド部２５の各台金部２２Ａ，Ｂ，Ｃからの高さｈは０．１〜５ｍｍの範囲に設定されている。更に隣り合う二つのマウンド部２５，２５の離間距離Ｌはマウンド部２５の直径Ｄの１／３〜２倍の範囲とされている。
【００１４】
そして各台金部２２Ａ，Ｂ，Ｃにおいて隣り合うマウンド部２５，２５の間は例えば網目状をなす副排出路３２を構成し、この副排出路３２には砥粒層は形成されておらず、パッド４の研削屑やスラリｓの固化物等を研削液によって排出することになる。更に第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃ間の隙間には略リング状の主排出路３４が形成されている。主排出路３４，３４は副排出路３２より幅広で深さも台金部２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃの段差Ｈと同一距離だけ深く形成されている。
また第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃには所定間隔、例えば４５°間隔で径方向にスラリｓや研削屑等を排出するための凹溝１７が形成されている。この凹溝１７は図１では第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃに対して直線をなすように一列に形成され、その底面は主排出路３４とほぼ同一深さ位置に設定されている。
尚、凹溝１７は必ずしも一列に形成されている必要はなく第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃで周方向に異なる位置にずらせて径方向に向けて配設されていてもよい。また内側の層に対して外側の層の凹溝１７を多くしても良い。このように形成すれば、第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃ間で冷却効率と研削屑の排出性が良い。
【００１５】
本実施の形態によるホイール２０は上述のように構成されており、次にホイール２０の製造方法について図４により説明する。
図４（Ａ）において、例えばＳＵＳ３０４等からなる円板形状の台金２２の一面２２ａをエッチング等で部分的に除去してリング状に複数層の隆起部を残して第一台金部２２Ａ，第二台金部２２Ｂ，第三台金部２２Ｃとする。エッチングで除去された部分のうち各台金部２２Ａ，Ｂ，Ｃの間の領域は主排出路３４をなす。このようにして台金２２の一面２２ａを形成する。尚、エッチングに代えて型成形等で一面２２ａを形成してもよい。
尚、台金２２の内部には第一乃至第三台金部２２Ａ，Ｂ，Ｃに対向する領域に中空の通水路３０が形成され、この通水路３０は第一乃至第三台金部２２Ａ，Ｂ，Ｃにそれぞれ所定間隔で穿孔された開口２６に連通している。
【００１６】
次に図４（Ａ）において通水路３０に連通する第一乃至第三台金部２２Ａ，Ｂ，Ｃ上の各開口２６の周囲のマウンド部２５に相当する領域を残してマスキングし、ＮｉまたはＮｉ基合金めっきによって開口２６の周囲を囲うように略円筒状にめっきを析出させて図４（Ｂ）に示すマウンド部２５…を所定間隔でそれぞれ多数形成する。尚、めっきに代えてエッチングや放電加工等でマウンド部２５…を形成するようにしてもよい。
尚、各台金部２２Ａ，Ｂ，Ｃでマウンド部２５…を除いた領域は副排出路３２を構成する。
そして砥粒電着に当たって、図４（Ｂ）でマウンド部２５…を除く主副排出路３４，３２等を樹脂マスキングして、通水路３０から各開口２６を通して空気を吐出しながらめっきを行う。これによって図４（Ｃ）に示すように通水路３０を除く各マウンド部２５の上面に超砥粒１４がＮｉ等の金属結合相１５で固着される。尚、通水路３０を通して各開口２６から超砥粒１４を含むめっき液を吐出させてマウンド部２５上にめっきを行うようにしてもよい。この場合、通水路３０にめっきが析出するが超砥粒１４は固着されない。
【００１７】
ところで、径方向に所定間隔を開けた第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃでは、その幅Ｗａ，Ｗｂ，Ｗｃは最も内側の砥粒層２４Ｃで最大であり外側の層に向かって漸次幅が狭くなるように設定されている。そのため、Ｗａ＜Ｗｂ＜Ｗｃとされている。尚、第一乃至第三の各砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃの各幅はそれぞれ一定幅となる。
このように設定したのは、図１において、パッド４の回転方向Ｐに略直交する方向の任意位置の仮想線ａ，ｂ，ｃ，ｄを各砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃに内接させた場合に径の大きい外側の砥粒層に交差する研削長さ（例えば仮想線ｄの研削長さＬｄ１）が内側の径の小さい砥粒層に交差する研削長さより大きくなり研削時の仕事量（研削長さ）がより大きくなるために、より内側の砥粒層の幅を大きくして各砥粒層の研削長さ（仕事量）をより均一にするためである。
【００１８】
例えば、図１において第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃに対してパッド４の回転方向Ｐに略平行な方向に延びる仮想線を、この方向に略直交する方向にずらせて任意の位置に仮想線ａ，ｂ，ｃ，ｄとして引き、例えば仮想線ａ，ｂは第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃに交差し、仮想線ｃは第三砥粒層２４Ｃに外接して第一及び第二砥粒層２４Ａ，Ｂに交差し、仮想線ｄは第一砥粒層２４Ａに内接して交差するものとする。そして各仮想線ａ，ｂ，ｃ，ｄが交差する第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃの領域の研削長さを次のように設定する。
ホイール２０の中心Ｏに最も近い仮想線ａで交差する第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃの研削長さ（面積）をＬａ１，Ｌａ２，Ｌａ３とし、回転中心Ｏに次に近い仮想線ｂで交差する第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃの研削長さ（面積）をＬｂ１，Ｌｂ２，Ｌｂ３とし、回転中心Ｏに次に近い仮想線ｃで交差する第一及び第二砥粒層２４Ａ，Ｂの研削長さ（面積）をＬｃ１，Ｌｃ２とし、回転中心Ｏから最も遠い外側の仮想線ｄで交差する第一砥粒層２４Ａの研削長さ（面積）をＬｄ１とすると、
２×(La1＋La2＋La3)≒２×(Lb1＋Lb2＋Lb3)≒２×(Lc1＋Lc2）≒２×(Ld1）
となるように第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃの幅Ｗａ，Ｗｂ，Ｗｃを設定する。これによって、Ｗａ＜Ｗｂ＜Ｗｃとなる。
【００１９】
本実施の形態によるホイール２０は上述の構成を備えており、パッド４のコンディショニングを行うに際して、パッド４を回転させつつホイール２０を回転させてパッド４の起毛を研削してその平坦度を回復または維持させる。
研削に際して砥粒層２４の第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃの各小砥粒層部２８では、通水路３０を通してその中央に形成された開口２６から超砥粒１４によるパッド４との研削ポイントに研削液、例えば純水を供給しつつ研削を行う。
これによって小砥粒層部２８の超砥粒１４…による研削で生じたパッド４の研削屑やパッド４に残留するシリコンウエーハの配線金属やシリコンの研削屑などが超砥粒１４…間に付着して固着するのを抑制し、これら研削屑を含んだ研削液の粘性を低下させて副排出路３２を通して主排出路３４への排出を促進させる。しかも研削液によって超砥粒１４の冷却を促進して超砥粒１４のダメージを防ぎ、各種研削屑が超砥粒１４，１４間に沈着滞積するのを抑制することができる。
【００２０】
そのため各砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃに設けた小砥粒層部２８の超砥粒１４…で生成されたパッド４の研削屑やその他の各種研削屑等は開口２６から吐出される研削液によって洗い流され、超砥粒１４…の間に詰まることなく小砥粒層部２８の周囲の副排出路３２を通して排出され、更に主排出路３４、ガイド溝１７を通して外部に排出されることになる。
しかも各小砥粒層部２８の超砥粒１４…による研削ポイントは隣接する開口２６から供給される研削液が十分行き渡り、超砥粒１４…間に研削屑が滞積しないで洗い流される程度の大きさＤであり、更に研削ポイントと副排出路３２との段差ｈは研削液や研削屑を容易に排出できる程度に設定されている。
【００２１】
更に砥粒層２４の第一乃至第三砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃにおいて、パッド４の回転方向Ｐに略直交する方向にホイール２０の中心Ｏからずらせて配列した複数の任意位置の仮想線ａ，ｂ，ｃ，ｄについていえば、各仮想線上の研削長さの和（面積の和）２×（La1＋La2＋La3）、２×（Lb1＋Lb2＋Lb3）、２×（Lc1＋Lc2）、２×（Ld1）が互いにぼほ同一となるから、図５に示すように砥粒層２４のＰ方向に略直交する揺動方向の全領域に亘ってほぼ均一な仕事量で研削加工が行える。
そのために、パッド４のコンディショニングにおいてホイール２０をパッド４上に載置して回転させるだけで揺動運動が必ずしも必要がなくなり、効率的で平坦度のより高いパッド４の研削加工が行える。
【００２２】
上述のように本実施の形態によれば、パッド４の研削屑やスラリｓの固化物、シリコンウエハの配線金属やシリコンの研削屑等の各種研削屑を研削ポイントである小砥粒層部２８の超砥粒１４…から、これに隣接する開口２６の研削液で容易に副排出路３２に流出させて超砥粒１４…間に詰まるのを確実に抑制できる。しかもこの研削液によって各種研削屑で超砥粒１４が摩耗したり摩滅するのを抑制でき、超砥粒１４の冷却を促進できて超砥粒１４のダメージを抑制できる。
しかもパッド４の回転方向Ｐに略平行な方向の砥粒層２４の各研削長さの和（面積の和）がほぼ等しいために平坦度のより高い研磨加工が行える。
【００２３】
次に本発明の第二の実施の形態を図６により説明するが、上述の第一の実施の形態と同一または同様な部材には同一の符号を用いてその説明を省略する。図６はホイールの要部平面図である。
図６に示すホイール４０は第一の実施の形態によるホイール２０と基本構成を同じくしており、相違点は砥粒層４２が１層の連続する螺旋状を形成しており、少なくとも砥粒層４２が径方向に間隔をおいて３層以上巻回されていることが好ましい（図６では３層に形成されている）。
この実施の形態においても、砥粒層４２は径方向外側から内側に向けての３層として見れば最外周の第一砥粒層４２Ａ，第二砥粒層４２Ｂ、最も内側の第三砥粒層４２Ｃを順次形成するように螺旋状に連続して形成されている。そして各砥粒層４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃの間に螺旋状の主排出路３４が形成され、各砥粒層４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃは小砥粒層部２８…が所定間隔Ｌをおいて多数設けられており、その隙間に副排出路３２が形成されている。
本実施の形態においても第一の実施の形態と同一の作用効果が得られる。
【００２４】
また本発明の単層砥石はＣＭＰ装置に用いるコンディショナ以外にも研磨研削装置に採用できることはいうまでもない。
【００２５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係る単層砥石では、砥粒層は略中央に研削液を吐出する開口が形成されてなる小砥粒層部が複数配列されて形成されてなるから、超砥粒による研削ポイントに直接研削液を供給できて各種研削屑を超砥粒間に沈着滞積させることなく排出でき、研削液の粘性を低下させて排出がスムーズであり、超砥粒の冷却を促進することもできる。
【００２６】
また小砥粒層部は台金上に所定間隔で隆起するマウンド部上に形成されているから、被削材がＣＭＰ装置のパッドのような軟質のものであってもベタ当たりすることなく小砥粒層部だけで被削材に接触して研削するために研削圧が高くて切れ味が良く研削屑の排出性もよい。
また、マウンド部以外の領域に排出路が形成されているから、研削液の供給源と排出路が小砥粒層部の研削ポイントを挟んで両側に配設されることになって、両者の距離を極力短くできて研削ポイントに研削液が十分行き渡り研削屑の滞積を防いでスムーズに洗い流すことができる。
また小砥粒層部の開口はその径がφ０．５〜３．０ｍｍの範囲であるから、研削屑を超砥粒の間に沈着滞積させることなくスムーズに排出でき、開口の内径が０．５ｍｍより小さいと研削液を研削ポイントに十分供給できず、３．０ｍｍを越えると小砥粒層部存在比率が低下し研削能力が低下するので好ましくない。
またマウンド部の径は開口の径の２〜１０倍であるので、研削ポイントでの研削屑の滞積を防いで効率的に洗い流すことが可能である。
台金に対するマウンド部の高さは０．１〜５．０ｍｍの範囲であるので、研削ポイントと台金上の排出路との間で研削液や研削屑を容易に排出できる。
【００２７】
隣り合うマウンド部間の距離がマウンド部の平均的な径の１／３〜２倍の範囲であるから、小砥粒層部の間隔を適切に設定できて超砥粒の研削圧を高く維持できる上に各種研削屑を研削液によってスムーズに排出できる。
砥粒層は複数層のリング状または螺旋状で形成されているから、被削材の相対移動方向に略平行な方向の砥粒層領域の研削長さの和を被削材の移動方向に略直交する方向の任意位置でほぼ均一にすることができる。
径方向に間隔をおいて配設された砥粒層の間に排出路が形成されているから、小砥粒層部での研削で生じた各種の研削屑は小砥粒層部の開口から供給された研削液と共に洗い出されて小砥粒層部の間の排出路を流れ、更に砥粒層の間の排出路を通して外部に排出され、研削屑を容易に排出できて超砥粒の間に沈着滞積するのを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第一の実施の形態によるホイールの砥粒層を装着した面の平面図である。
【図２】  図１に示すホイールの第二砥粒層の部分拡大図である。
【図３】  図２に示すホイールのＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】  （Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は第一の実施の形態によるホイールの製造工程を示す図である。
【図５】  図１に示すホイールの一点鎖線で仕切る半円部分についてパッドの回転方向における砥粒層位置と仕事量との関係を示す図である。
【図６】  第二の実施の形態によるホイールの平面図である。
【図７】  従来のＣＭＰ装置の要部斜視図である。
【図８】  図７に示すＣＭＰ装置で用いられる従来のホイールを示すもので（Ａ）はホイールの半円状部分平面図、（Ｂ）は（Ａ）で示すホイールのＡ−Ａ′線縦断面図である。
【図９】  図８に示すホイールの砥粒層を示す要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１４  超砥粒
２０，４０  ホイール
２２  台金
２４，４２  砥粒層
２４Ａ，４２Ａ  第一砥粒層
２４Ｂ，４２Ｂ  第二砥粒層
２４Ｃ，４２Ｃ  第三砥粒層
２５  マウンド部
２６  開口
２８  小砥粒層部
３０  通水路
３２  副排出路
３４  主排出路
【図１】
0003968924.tif 000002
【図２】
0003968924.tif 000003
【図３】
0003968924.tif 000004
【図４】
0003968924.tif 000005
【図５】
0003968924.tif 000006
【図６】
0003968924.tif 000007
【図７】
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【図８】
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【図９】
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