(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
融点が２２０℃以上の結晶性樹脂（A1)、及びガラス転移温度が１７０℃以上の非晶性樹脂(A2)からなる群より選ばれる少なくとも１種の耐熱性樹脂である熱可塑性樹脂（Ａ）６０〜８５質量％、体積抵抗率１０２〜１０１０Ω・ｃｍの炭素前駆体（Ｂ）１０〜２５質量％、及び体積抵抗率１０２Ω・ｃｍ未満の導電性充填材（Ｃ）３〜１５質量％を含有する熱可塑性樹脂組成物を成形して成る、（１）表面抵抗率が１０７〜１０１１Ω／□であって、（２）最大表面抵抗率(MAX)と最小表面抵抗率(MIN)との比(MAX／MIN）が１０以下であって、（３）荷重たわみ温度が２００℃以上であるＩＣソケット。
【請求項２】
結晶性樹脂(A1)が、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリアミド、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、全芳香族ポリエステル、またはフッ素樹脂である請求項１記載のＩＣソケット。
【請求項３】
非晶性樹脂(A2)が、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリフェニレンエーテル、またはポリアミドイミドである請求項１記載のＩＣソケット。
【請求項４】
炭素前駆体（Ｂ）が、有機物質を不活性雰囲気中で焼成して得られた炭素含有量が８０〜９７質量％の物質である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＩＣソケット。
【請求項５】
導電性充填材（Ｃ）が、炭素繊維である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のＩＣソケット。
【請求項６】
炭素繊維が、ポリアクリロニトリル系炭素繊維及びピッチ系炭素繊維からなる群より選ばれる少なくとも１種の炭素繊維である請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＩＣソケット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気・電子機器の分野において用いられる実装用または測定用のＩＣソケットに関し、さらに詳しくは、表面抵抗率が所望の水準に厳密にコントロールされ、電気絶縁性、機械的特性、耐熱性、耐薬品性、寸法安定性等に優れるＩＣソケットに関する。
【０００２】
本発明において、ＩＣソケットとは、エレクトロニクス実装技術分野において、コネクタの一種として半導体ディバイスを配線板に実装するのに用いられる実装用ソケット、及び半導体ディバイスの初期スクリーニングに用いられる電気的測定のための治具である測定用ソケットなどを意味している。また、本発明のＩＣソケットは、熱可塑性樹脂材料から形成されたものであるが、導通のためのピンなどの慣用の付属部品を備えることができる。
【背景技術】
【０００３】
一般電子機器内部において、実装用ＩＣソケットが用いられることが多い。例えば、ＬＳＩパッケージを配線板に実装するために、コネクタの一種としてソケットが用いられている。ソケットを用いてＬＳＩを配線板に実装し、配線板モジュールとしての検査を行なって、ＬＳＩに不良があれば、別のＬＳＩと交換することができる。また、既存のモジュールにおいて、ＬＳＩをソケットから外して、最新のＬＳＩと交換することができる。
【０００４】
実装用ＩＣソケットには、ＬＳＩパッケージに対応した形状と機能を有することが求められている。ソケットには、ＬＳＩパッケージの端子のピッチや形状に対応した仕様が必要となる。ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）は、端子が棒状であり、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）は、端子が球状であるため、ソケットのコンタクト部の形状や嵌合方式をそれぞれの端子に合わせなければならない。
【０００５】
最近、ＬＳＩ実装は、ＬＳＩパッケージを伴わないベアチップ実装やフリップチップ実装に向かっており、ソケットもこれらに対応する必要がある。実装用ＩＣソケットには、配線板などの他の実装部品と同様に、小型化、高信頼化、高密度化（狭ピッチ化）、伝送速度向上、低ノイズ化などの機能を有することが求められている。
【０００６】
一方、半導体製造工程において、バーンイン（ｂｕｒｎ−ｉｎ）試験などによる検査のために、測定用ＩＣソケットが用いられている。バーンイン試験は、半導体ディバイスの初期故障を取り除くスクリーニング手法の一つであって、ディバイスの動作条件よりも高温かつ高電圧の加速ストレスを印加し、故障の発生を加速して短時間で不良品を取り除く試験である。
【０００７】
バーンイン試験では、ベアチップやパッケージングされたディバイスをＩＣソケット内に配置し、高温槽中にて、外部から加速ストレスとなる電源電圧、入力信号を一定時間印加する。その後、ディバイスをソケットから取り出して、良品か不良品かの判定を行なう。
【０００８】
図１は、測定用ＩＣソケットの一例の断面図である。ベアチップ本体１１とバンプ１２を備えたベアチップ１をＩＣソケット２の搭載台に載せる。ＩＣソケット２は、ソケット本体２１、コンタクトプローブピン２２、蓋体２３などから構成されている。ピン２２としては、例えば、たわみピンや挟み込みピンなどが用いられ、バンプなどの端子と接触して導通できるようにしている。蓋体２３を閉じて、バーンイン試験を行う。バーンイン試験が終わって、良品であると判定されたベアチップは、基板へのマルチチップ実装がなされる。
【０００９】
図２に、ファインボールグリッドアレイ（ＦＢＧＡ）パッケージ用バーンインソケットの一例の上面図を示す。図３は、該ソケットの断面図である。ソケット３は、一定の配列ピッチで配置されたコンタクトピン３１、蓋体３２、バネ３３、本体（底部）３４などから構成されている。
【００１０】
図３には、試験装置へ導通する側のピン３１′が示されている。ＦＢＧＡパッケージ３５は、ピン３１と接触するように搭載台上に載置される。ピン３１は、ＦＢＧＡの多数の球状端子と接触できるように、形状、ピッチ、個数などが設計されている。
【００１１】
ＩＣソケットには、電気絶縁性、耐電圧、機械的特性、耐熱性、耐薬品性、寸法安定性等に優れることが要求されている。ＩＣソケットは、セラミックや表面に絶縁処理を施した金属から形成されたものもあるが、多くの場合、合成樹脂から形成されている。
【００１２】
合成樹脂製のＩＣソケットは、上述の電気絶縁性や耐熱性などの観点から、例えば、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリブチレンテレフタレートなどの高耐熱性の熱可塑性樹脂を用いて形成されている（特開平７−１７９７５８号公報、特開平８−１７６４４１号公報、特開平８−１７６４４２号公報、特開２０００−１５００９４号公報）。
【００１３】
合成樹脂製のＩＣソケットは、高度の絶縁抵抗が必要とされているため、一般に、その表面抵抗率が大きい。表面抵抗率が大きすぎるＩＣソケットは、その表面に静電気が蓄積しやすい。特に、半導体ディバイスの検査工程で、半導体ディバイスとＩＣソケットとが触れ合うと、摩擦帯電により、ＩＣソケットが帯電しやすい。
【００１４】
一方、半導体ディバイスの高密度実装に伴って、チップの入出力ピンの数が増大し、ピッチも狭くなっている。多ピンのＰＧＡやＢＧＡ、ベアチップなどをＩＣソケットに装着する際、ＩＣソケットの表面と接触すると、静電気によってこれらの半導体ディバイスが損傷を受けやすい。また、静電気により、空中に浮遊している塵埃がＩＣソケットの表面に吸着すると、これらの塵埃が半導体ディバイスを汚染する。
【００１５】
ＩＣソケットの表面抵抗率を下げるために、帯電防止剤を添加した合成樹脂を用いてＩＣソケットを成形する方法が考えられる。しかし、ＩＣソケットの表面に存在する帯電防止剤は、洗浄や摩擦によって容易に除去されるため、長期にわたる帯電防止効果を得ることが困難である。帯電防止効果を持続させるために、帯電防止剤を多量に添加すると、ＩＣソケットの表面に帯電防止剤がブリードして、塵埃の粘着を引き起こす。また、ブリードした帯電防止剤は、溶出や揮発により周囲の環境を汚染するおそれがある。
【００１６】
導電性充填材を配合した合成樹脂を用いてＩＣソケットを成形する方法によれば、表面抵抗率を下げることができる。しかし、合成樹脂に、導電性カーボンブラック、黒鉛、炭素繊維、金属繊維、金属粉末等の電気抵抗率が極めて小さい導電性充填材を配合した樹脂組成物は、導電性充填材の配合割合や分散状態の微妙な変動によって、電気抵抗率が急激に変化する。
【００１７】
その理由は、導電性充填材と合成樹脂との間の電気抵抗率が大きくかけ離れていること、導電性の発現が導電性充填材の分散状態に依拠し、合成樹脂中で個々の導電性充填材が連結した分散状態を取ると、急激に導電性が発現することなどが考えられる。
【００１８】
しかも、合成樹脂中での導電性充填材の分散状態は、場所によるバラツキがあるため、表面抵抗率が非常に小さな部分と大きな部分とが混在した成形物が得られやすい。そのため、このような導電性充填材を用いる方法では、電気絶縁性を維持しつつ、表面抵抗率を所望の程度にまで低減させたＩＣソケットを安定的に製造することが困難である。
【００１９】
【発明の開示】
本発明の目的は、表面抵抗率が所望の水準に厳密にコントロールされ、しかも電気絶縁性、機械的特性、耐熱性、耐薬品性、寸法安定性等に優れる合成樹脂製のＩＣソケットを提供することにある。
【００２０】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究した結果、熱可塑性樹脂に、特定の体積抵抗率を有する炭素前駆体と導電性充填材とを組み合わせて配合した樹脂組成物から成るＩＣソケットに想到した。
【００２１】
炭素前駆体と導電性充填材とを組み合わせて用いることにより、表面抵抗率を適度に低減したＩＣソケットを安定して製造することができる。すなわち、導電性充填材を単独で用いた場合に比べて、炭素前駆体と導電性充填材とを組み合わせて用いることにより、表面抵抗率の場所によるバラツキが極めて小さなＩＣソケットを製造することができる。
【００２２】
炭素前駆体と導電性充填材の配合割合を調整することにより、電気絶縁性を維持しつつ、所望の程度にまで低減された表面抵抗率を有するＩＣソケットを得ることができる。
【００２３】
より具体的に、本発明によれば、ＩＣソケットの表面抵抗率を１０5〜１０13Ω／□の範囲内の所望の水準に厳密に制御することが可能であることが見出された。ＩＣソケットの表面抵抗率をこの範囲内に制御することによって、静電気に起因する半導体ディバイスの損傷や汚染の問題を克服することができる。
【００２４】
ＩＣソケットは、耐熱性の観点から、荷重たわみ温度が１７０℃以上であることが望ましいが、そのためには、耐熱性に優れた結晶性または非晶性の各種熱可塑性樹脂を用いることが好ましい。本発明は、これらの知見に基づいて完成するに至ったものである。
【００２５】
本発明によれば、融点が２２０℃以上の結晶性樹脂（A1)、及びガラス転移温度が１７０℃以上の非晶性樹脂(A2)からなる群より選ばれる少なくとも１種の耐熱性樹脂である熱可塑性樹脂（Ａ）６０〜８５質量％、体積抵抗率１０２〜１０１０Ω・ｃｍの炭素前駆体（Ｂ）１０〜２５質量％、及び体積抵抗率１０２Ω・ｃｍ未満の導電性充填材（Ｃ）３〜１５質量％を含有する熱可塑性樹脂組成物を成形して成る、（１）表面抵抗率が１０７〜１０１１Ω／□であって、（２）最大表面抵抗率(MAX)と最小表面抵抗率(MIN)との比(MAX／MIN）が１０以下であって、（３）荷重たわみ温度が２００℃以上であるＩＣソケットが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
１．熱可塑性樹脂
本発明で使用する熱可塑性樹脂としては、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリフェニレンエーテル、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィドケトン、ポリフェニレンスルフィドスルホン、ポリエーテルニトリル、全芳香族ポリエステル、液晶ポリエステル、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリアミノビスマレイミド、ポリメチルペンテン、フッ素樹脂などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２７】
これらの熱可塑性樹脂は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を混合して用いることができる。混合物としては、例えば、ポリブチレンテレフタレートとポリエチレンテレフタレートとのブレンド物、ポリフェニレンエーテルとポリアミドとのブレンド物、ポリフェニレンエーテルとポリブチレンテレフタレートとのブレンド物などが挙げられる。
【００２８】
これらの熱可塑性樹脂の中でも、融点が２２０℃以上の結晶性樹脂(A1)、及びガラス転移温度が１７０℃以上の非晶性樹脂(A2)からなる群より選ばれる少なくとも１種の耐熱性樹脂が好ましい。
【００２９】
融点が２２０℃以上の結晶性樹脂の好ましい具体例を融点（代表値）と共に例示すると、ポリブチレンテレフタレート（２２４〜２２８℃）、ポリエチレンテレフタレート（２４８〜２６０℃）、ナイロン６（２２０〜２２８℃）、ナイロン６６（２６０〜２６５℃）、ナイロン４６（２９０℃）、ポリフェニレンスルフィド（２８０〜２９５℃）、ポリエーテルエーテルケトン（３３４℃）、全芳香族ポリエステル（４５０℃以上）、ポリメチルペンテン（２３５℃）、ポリテトラフルオロエチレン（３２７℃）、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン／パーフルオロアルコキシビニルエーテル共重合体（２９０〜３００℃）、テトラフルオロエチレン／エチレン共重合体（２６０〜２７０℃）、ポリフッ化ビニル（２２７℃）、テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレン共重合体（２５３〜２８２℃）、テトラフルオロエチレン／パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（３０２〜３１０℃）などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３０】
ガラス転移温度が１７０℃以上の非晶性樹脂の好ましい具体例をガラス転移温度（代表値）と共に例示すると、ポリフェニレンエーテル（２２０℃）、ポリアリレート（１９３℃）、ポリスルホン（１９０℃）、ポリエーテルスルホン（２２５〜２３０℃）、ポリエーテルイミド（２１７℃）、ポリアミドイミド（２８０〜２８５℃）などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３１】
熱可塑性ポリイミド（Ｔｇ＝２５０℃）は、結晶性樹脂であるが、通常の成形条件では非晶性であり、成形後の熱処理によって結晶化するが、これも非晶性樹脂として用いることができる。また、結晶性樹脂と非晶性樹脂とのブレンド物も使用することができる。
【００３２】
これらの熱可塑性樹脂の中でも、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリエーテルイミドなどの非晶性樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトンなどの結晶性樹脂が特に好ましい。
【００３３】
熱可塑性樹脂の配合割合は、熱可塑性樹脂組成物の全量基準で、４０〜９４質量％である。熱可塑性樹脂の配合割合が多すぎると、ＩＣソケットの表面抵抗率が高くなり、所望の表面抵抗率を有するＩＣソケットを得ることが困難となる。熱可塑性樹脂組成物の配合割合が少なすぎると、ＩＣソケットの表面抵抗率が低くなりすぎ、また、電気絶縁性が低下しすぎる。熱可塑性樹脂の配合割合は、好ましくは５０〜９０質量％、より好ましくは６０〜８５質量％である。本発明では、熱可塑性樹脂の配合割合は、６０〜８５質量％である。
【００３４】
２．炭素前駆体
本発明で使用する体積抵抗率が１０2〜１０10Ω・ｃｍの範囲にある炭素前駆体は、例えば、有機物質を不活性雰囲気中で、４００〜９００℃の温度で焼成することにより得ることができる。
【００３５】
より具体的に、炭素前駆体は、例えば、(1)石油タール、石油ピッチ、石炭タール、石炭ピッチ等のタール、またはピッチを加熱し、芳香族化と重縮合を行い、必要に応じて、酸化雰囲気中において酸化・不融化した後、さらに、不活性雰囲気中において加熱・焼成する方法、(2)ポリアクリルニトリル、ポリ塩化ビニル等の熱可塑性樹脂を酸化雰囲気中において不融化し、さらに、不活性雰囲気中で加熱・焼成する方法、(3)フェノール樹脂、フラン樹脂等の熱硬化性樹脂を加熱硬化後、不活性雰囲気中で加熱・焼成する方法などにより製造することができる。
【００３６】
炭素前駆体とは、このような焼成処理によって得られる炭素の含有量が９７質量％以下の完全には炭素化していない物質を意味する。有機物質を不活性雰囲気中で焼成すると、焼成温度が上昇するにつれて、得られる焼成体の炭素含有率が上昇傾向を示す。炭素前駆体の炭素含有量は、焼成温度を適性に設定することによって、容易に制御することができる。
【００３７】
本発明で使用する体積抵抗率が１０２〜１０１０Ω・ｃｍの炭素前駆体の炭素含有量は、好ましくは８０〜９７質量％である。炭素前駆体の炭素含有量が少なすぎると、体積抵抗率が大きくなり過ぎて、得られるＩＣソケットの表面抵抗率を１０１３Ω／□以下にすることが困難となる。炭素前駆体の炭素含有量が多すぎると、体積抵抗率が小さくなり、得られるＩＣソケットの表面抵抗率が小さくなりすぎ、しかも炭素前駆体の配合量のわずかな変化でもＩＣソケットの表面抵抗率が急激に変化する。したがって、体積抵抗率が前記範囲外の炭素前駆体を用いると、所望の表面抵抗率を有するＩＣソケットを安定して再現性良く製造することが困難となる。炭素前駆体の体積抵抗率は、好ましくは１０２〜１０１０Ω・ｃｍ、より好ましくは１０４〜１０９Ω・ｃｍである。
【００３８】
炭素前駆体は、通常、粒子または繊維の形状で使用される。本発明で用いる炭素前駆体は、粒子の場合、その平均粒子径は、１ｍｍ以下であることが好ましい。炭素前駆体粒子の平均粒子径が大きすぎると、良好な外観のＩＣソケットを成形することが難しくなる。炭素前駆体粒子の平均粒子径は、好ましくは０．１μｍ〜１ｍｍ、より好ましくは０．５〜５００μｍ、さらに好ましくは１〜１００μｍである。多くの場合、５〜５０μｍ程度の平均粒子径の炭素前駆体粒子を使用することにより、良好な結果を得ることができる。
【００３９】
本発明で使用する炭素前駆体は、繊維である場合、その平均直径は、０．１ｍｍ以下であることが好ましい。炭素前駆体繊維の平均直径が０．１ｍｍを超えると、良好な外観を有するＩＣソケットを成形することが難しくなる。炭素前駆体繊維は、長繊維であっても、熱可塑性樹脂との混練時に切断されて短繊維化して分散するが、短繊維であることが分散性の観点から好ましい。
【００４０】
炭素前駆体の配合割合は、熱可塑性樹脂組成物の全量基準で、５〜３０質量％である。炭素前駆体の配合割合が大きすぎると、ＩＣソケットの表面抵抗率が低くなりすぎて、表面抵抗率を所望の水準、好ましくは１０５〜１０１３Ω／□の範囲内に制御することが困難となる。一方、炭素前駆体の配合割合が小さすぎると、ＩＣソケットの表面抵抗率を十分に下げることが困難になる。
【００４１】
炭素前駆体の配合割合は、好ましくは６〜２８質量％、より好ましくは１０〜２５質量％である。本発明では、炭素前駆体の配合割合は、１０〜２５質量％である。炭素前駆体を導電性充填材と併用することにより、ＩＣソケットの表面抵抗率を所望の水準に低減すると共に、場所による表面抵抗率のバラツキを効果的に抑制することができる。
【００４２】
３．導電性充填材
本発明で使用する体積抵抗率が１０２Ω・ｃｍ未満の導電性充填材としては、特に制限はなく、例えば、炭素繊維、黒鉛、導電性カーボンブラック、金属粉末などが挙げられる。これらの中でも、表面抵抗率の制御性や再現性などの観点から、炭素繊維、黒鉛、導電性カーボンブラック、及びこれらの混合物などの導電性炭素材料が好ましい。このような導電性炭素材料は、粒状（粉末状や鱗片状を含む）や繊維状である。
【００４３】
本発明で使用する炭素繊維には、特に制限はなく、セルロース系炭素繊維、ポリアクリロニトリル（ＰＡＮ）系炭素繊維、リグニン系炭素繊維、ピッチ系（石炭ピッチ系、石油ピッチ系）炭素繊維等の種々の炭素繊維を使用することができる。炭素繊維は、平均直径０．１ｍｍ以下のものが好ましい。炭素繊維の平均直径が０．１ｍｍを超えると、良好な外観を有するＩＣソケットを成形することが難しくなる。炭素繊維は、平均繊維長が５０μｍ以上の短繊維であることが好ましい。平均繊維長が５０μｍ以下の炭素繊維を用いると、クリープ特性、弾性率、強度等の機械的性質の改善効果が小さい。
【００４４】
本発明で使用する導電性カーボンブラックは、導電性を有するものであれば特に制限はなく、例えば、アセチレンブラック、オイルファーネスブラック、サーマルブラック、チャンネルブラック等を挙げることができる。これらは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００４５】
本発明で使用する黒鉛は、特に制限はなく、コークス、タール、ピッチなどを高温で黒鉛化処理した人造黒鉛、鱗片状黒鉛、鱗状黒鉛、及び土状黒鉛等の天然黒鉛を用いることができる。
【００４６】
本発明で使用する導電性充填材の体積抵抗率は、１０２Ω・ｃｍ未満であり、その下限は、通常、金属粉末や金属繊維等の金属材料の体積抵抗率である。
【００４７】
導電性充填材の配合割合は、熱可塑性樹脂組成物の全量基準で、１〜３０質量％である。導電性充填材の配合割合が大き過ぎると、ＩＣソケットの表面抵抗率が低くなりすぎて、所望の水準の表面抵抗率、好ましくは１０５〜１０１３Ω／□の範囲内に制御することが困難となる。導電性充填材の配合割合が小さ過ぎると、ＩＣソケットの表面抵抗率を十分に下げることが困難となる。
【００４８】
導電性充填材の配合割合は、好ましくは２〜２８質量％、より好ましくは３〜１５質量％である。本発明では、導電性充填材の配合割合は、３〜１５質量％である。導電性充填材単独では、表面抵抗率を所望の水準に厳密に制御することが困難であり、また、場所による表面抵抗率のバラツキが大きくなる。導電性充填材を前記配合割合で、炭素前駆体と併用することにより、所望の表面抵抗率を有し、バラツキの少ないＩＣソケットを安定して製造することができる。
【００４９】
４．その他の充填材
本発明のＩＣソケットには、さらに機械的強度や耐熱性を上げることを目的に、その他の各種充填材を配合することができる。繊維状充填材としては、例えば、ガラス繊維、アスベスト繊維、シリカ繊維、アルミナ繊維、ジルコニア繊維、窒化硼素繊維、窒化珪素繊維、硼素繊維、チタン酸カリ繊維等の無機繊維状物；ステンレス、アルミニウム、チタン、鋼、真鍮等の金属繊維状物；ポリアミド、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等の高融点有機質繊維状物質；等が挙げられる。電気絶縁性の観点からは、ガラス繊維などの導電性を持たない繊維状充填材が好ましい。
【００５０】
粒状充填材としては、例えば、マイカ、シリカ、タルク、アルミナ、カオリン、硫酸カルシウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、フェライト、クレー、ガラス粉、酸化亜鉛、炭酸ニッケル、酸化鉄、石英粉末、炭酸マグネシウム、硫酸バリウム等を挙げることができる。
【００５１】
これらの充填材は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。また、充填材は、必要に応じて、集束剤または表面処理剤により処理されていてもよい。集束剤または表面処理剤としては、例えば、エポキシ系化合物、イソシアネート系化合物、シラン系化合物、チタネート系化合物の官能性化合物が挙げられる。これらの化合物は、充填材に対して予め表面処理または収束処理を施して用いるか、あるいは組成物の調整の際に同時に添加してもよい。
【００５２】
５．添加剤
本発明のＩＣソケットには、各種添加剤を含有させることができる。添加剤としては、例えば、エポキシ基含有αオレフィン共重合体のような衝撃改質剤、エチレングリシジルメタクリレートのような樹脂改質剤、炭酸亜鉛、炭酸ニッケルのような金型腐蝕防止剤、ペンタエリスリトールテトラステアレートのような滑剤、熱硬化性樹脂、酸化防止剤、紫外線吸収剤、ボロンナイトライドのような核剤、難燃剤、染料や顔料等の着色剤等を挙げることができる。これらの添加剤は、必要に応じて適宜適量を添加することができる。
【００５３】
６．熱可塑性樹脂組成物
本発明の熱可塑性樹脂組成物は、一般に熱可塑性樹脂組成物の調製に用いられる設備と方法により調製することができる。例えば、各原料成分をヘンシェルミキサー、タンブラーミキサー等により予備混合し、必要があればガラス繊維等の充填材を加えてさらに混合した後、１軸または２軸の押出機を使用して混練し、押し出して成形用ペレットとすることができる。必要成分の一部をマスターバッチとしてから残りの成分と混合する方法、また、各成分の分散性を高めるために、使用する原料の一部を粉砕し、粒子径を揃えて混合し溶融押出することも可能である。
【００５４】
７．ＩＣソケット
ＩＣソケットは、一般に、熱可塑性樹脂組成物を射出成形することによって製造することができるが、形状に応じて、押出成形などの他の成形法を採用してもよい。ＩＣソケットは、実装用ＩＣソケット及び測定用ＩＣソケットを含む。実装用ＩＣソケットは、一般電子機器内部に使用される一般仕様のコネクタ型ＩＣソケットが主流である。測定用ＩＣソケットは、半導体メーカーが半導体製造工程設備の一部として使用する特殊仕様のＩＣソケットが多い。
【００５５】
これらのＩＣソケットは、いずれも広範な種類のものが市販されており、その形状、大きさなどは特に限定されない。ＩＣソケットは、本体（底部）と蓋体とを組み合わせた構造のものを含む。また、本発明のＩＣソケットは、コンタクトピンなどの慣用の部品を備えたものを包含する。このようなＩＣソケットの具体例は、図１〜３に示されているが、これらに限定されない。
【００５６】
本発明の熱可塑性樹脂組成物からなるＩＣソケットの例としては、バーンインソケット、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）ソケット、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）ソケット、デュアルインラインパッケージ（ＤＩＰ）ソケット、ベアチップ実装用ソケット、フリップチップ実装用ソケット、クワッドフラットパッケージ（ＱＦＰ）ソケット、スモールアウトラインパッケージ（ＳＯＰ）ソケット、高密度実装用シュリンクピッチソケット等が挙げられる。
【００５７】
バーンインソケットには、スプリングプローブタイプ、ファンアウトターミナルタイプ、クレイムシェルタイプ、オープントップタイプなどの各種形状のものが知られている。
【００５８】
ＩＣソケットの表面抵抗率は、好ましくは１０５〜１０１３Ω／□、より好ましくは１０６〜１０１２Ω／□、さらに好ましくは１０７〜１０１１Ω／□である。本発明のＩＣソケットの表面抵抗率は、１０７〜１０１１Ω／□である。ＩＣソケットの表面抵抗率が大きすぎると、その表面に静電気が蓄積しやすい。特に、半導体ディバイスの検査工程で、半導体ディバイスとＩＣソケットとが触れ合うと、摩擦帯電により、ＩＣソケットが帯電しやすくなる。ＩＣソケットの表面抵抗率が低すぎると、ＩＣソケット自体の電気絶縁性が低下するおそれが生じる。
【００５９】
本発明のＩＣソケットの最大表面抵抗率(MAX)と最小表面抵抗率(MIN)との比(MAX／MIN）は、１０以下である。この比が大きすぎると、場所による表面抵抗率のバラツキが大きくなりすぎて、摩擦帯電や静電気の蓄積を厳密に制御することが困難になる。
【００６０】
本発明のＩＣソケットは、荷重たわみ温度が１７０℃以上であることが好ましい。半導体ディバイスの使用環境や、バーンイン試験の条件などを考慮すると、ＩＣソケットにも高度の耐熱性が必要とされる。荷重たわみ温度は、ＩＣソケットの耐熱性を表す実用基準として採用することができる。荷重たわみ温度は、好ましくは１９０℃以上、より好ましくは２００℃以上である。本発明では、荷重たわみ温度は、２００℃以上である。荷重たわみ温度の上限は、熱可塑性樹脂組成物を構成する成分や組成割合にもよるが、約３５０℃である。
【００６１】
ＩＣソケットの荷重たわみ温度を向上させるには、熱可塑性樹脂として、融点が２２０℃以上の結晶性樹脂、及びガラス転移温度が１７０℃以上の非晶性樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の耐熱性樹脂を用いることが好ましい。このような耐熱性樹脂を用いることにより、電気絶縁性、機械的特性、耐熱性、耐薬品性、寸法安定性等にも優れるＩＣソケットを容易に得ることができる。
【実施例】
【００６２】
以下に、参考例、実施例、及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。物性の測定方法は、以下に示すとおりである。
【００６３】
（１）体積抵抗率
体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍ以上の場合は、ＪＩＳ  Ｋ−６９１１に準拠し、印加電圧１００Ｖで測定した。体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍ未満の場合は、ＪＩＳ  Ｋ−７１９４（導電性プラスチックスの４探針法による抵抗率測定試験法）に準拠して測定した。
【００６４】
（２）荷重たわみ温度
ＡＳＴＭ  Ｄ−６４８（１．８２ＭＰａ）に準拠して、荷重たわみ温度を測定した。
【００６５】
（３）ＩＣソケットの表面抵抗率
成形したＩＣソケットの表面抵抗率（Ω／□）は、三菱化学社製ハイレスターＵＰ及び微小サンプル用プローブ（ガード電極直径１０ｍｍ：ＵＲ−ＳＳプローブ）を用いて、印加電圧１００Ｖで測定した。
【００６６】
測定は、成形物上の任意の５点について行なった。測定用平板については、平均値を示した。また、ＩＣソケットについては、５点の測定を行って、その最大値（MAX）及び最小値（MIN）を測定し、そして、最大値／最小値（MAX/MIN）の比を算出した。
【００６７】
［参考例１］炭素前駆体の製造
軟化点２１０℃、キノリン不溶分１質量％、Ｈ／Ｃ原子比０．６３の石油系ピッチ６８ｋｇとナフタレン３２ｋｇとを、攪拌翼のついた内容積３００Ｌの耐圧容器に仕込み、１９０℃に加熱し溶解混合した後、８０〜９０℃に冷却して押し出し、直径が約５００μｍの紐状成形体を得た。
【００６８】
次いで、この紐状成形体を直径と長さの比が約１．５になるように粉砕し、得られた粉砕物を９３℃に加熱した０．５３質量％のポリビニールアルコール（ケン化度８８％）水溶液中に投下し、攪拌分散し、冷却して球状ピッチ成形体を得た。さらに、濾過を行い、水分を除去し、球状ピッチ成形体の約６倍量のｎ−ヘキサンでピッチ成形体中のナフタレンを抽出除去した。
【００６９】
このようにして得られた球状ピッチ成形体を、加熱空気を通じながら、２６０℃で１時間保持して酸化処理を行い、酸化ピッチを得た。この酸化ピッチを窒素気流中で５８０℃で１時間熱処理した後、粉砕し、平均粒子径が約２５μｍの炭素前駆体粒子とした。この炭素前駆体粒子の炭素含有量は、９１．０質量％であった。
【００７０】
炭素前駆体の体積抵抗率を調べるために、以下の方法により測定用試料を作成した。酸化ピッチを粉砕し、さらに、目開き約１００μｍのメッシュでふるい、１００μｍ以上の粒子を除去した。この粉砕酸化ピッチ粉末１３ｇを断面積８０ｃｍ２の円筒金型に充填し、圧力１９６ＭＰａで成形して成形体を得た。この成形体を窒素気流中で上述の炭素前駆体粒子の製造方法における熱処理温度と同一温度である５８０℃で１時間熱処理して、炭素前駆体の体積抵抗率測定用試料を得た。ＪＩＳ  Ｋ−７１９４に準拠して、この試料の体積抵抗率を測定したところ、３×１０７Ω・ｃｍであった。
【００７１】
［実施例１〜５、及び比較例１〜４］
表１に示す各成分をタンブラーミキサーで均一にドライブレンドし、４５ｍｍφの２軸混練押出機（池貝鉄鋼社製ＰＣＭ−４５）へ供給し、溶融押出を行ってペレットを調製した。得られたペレットを乾燥した後、射出成型機（東芝機械社製ＩＳ−７５）により、表面抵抗率測定用の平板及び荷重たわみ温度測定用の試験片を作成し、表面抵抗率及び荷重たわみ温度を測定した。
【００７２】
さらに、このペレットを用いて、射出成形し、縦３３ｍｍ×横３３ｍｍのＦＢＧＡパッケージ用オープントップタイプバーンインソケット（図２〜３）を作成した。このソケットについても、５点の表面抵抗率を測定し、最小値と最大値の表面抵抗率を測定し、最大値／最小値の比を算出した。
【００７３】
結果を表１に示す。なお、表１中、表面抵抗率が例えば１×１０９Ω／□の場合、１Ｅ＋０９Ω／□で表した。
【００７４】
【表１】
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【００７５】
脚注：
（１）ＰＥＳ：ポリエーテルスルホン；住友化学社製、商品名スミカエクセルＰＥＳ３６００Ｇ（Ｔｇ＝２２５℃）
（２）ＰＥＩ：ポリエーテルイミド；ＧＥプラスチックス社製、商品名ウルテム１０１０（Ｔｇ＝２１７℃）
（３）ＰＥＥＫ：ポリエーテルエーテルケトン；ビクトレックスＭＣ社製、商品名ＰＥＥＫ１５０Ｐ（融点＝３３４℃）
（４）ＰＰＳ：ポリフェニレンスルフィド；呉羽化学工業社製、商品名フォートロンＫＰＳ  Ｗ２１４（融点＝２８８℃）
（５）ＰＡＮ系炭素繊維：東邦レーヨン社製、商品名ベスファイトＨＴＡ３０００（体積抵抗率＝１０２Ω・ｃｍ未満）
（６）ピッチ系炭素繊維：三菱化学産業社製、商品名ダイアリードＫ２２３ＱＹ（体積抵抗率＝１０２Ω・ｃｍ未満）
（７）導電性カーボンブラック：三菱化学社製、商品名ＭＡ６００Ｂ（体積抵抗率＝１０２Ω・ｃｍ未満）
【００７６】
考察：
(1)実施例１
ＰＥＳに炭素前駆体及びピッチ系炭素繊維を配合した熱可塑性樹脂組成物から成る平板の表面抵抗率は、１Ｅ＋０９（＝１×１０９）Ω／□であり、ＩＣソケットの表面抵抗率は、（８Ｅ＋０９）〜（３Ｅ＋１０）Ω／□の範囲のバラツキの小さい安定した半導電性領域の表面抵抗率を示した。また、このＩＣソケットの荷重たわみ温度は、２２０℃であり、十分な耐熱性を示した。
【００７７】
(2)実施例２、３、５
炭素前駆体及びＰＡＮ系炭素繊維をＰＥＳ、ＰＥＩ、ＰＰＳにそれぞれ配合した熱可塑性樹脂組成物から成る平板の表面抵抗率は、（２Ｅ＋０８）〜（２Ｅ＋０９）Ω／□の安定した半導電性領域の表面抵抗率を示し、ＩＣソケットの表面抵抗率でも、（１Ｅ＋０９）〜（１Ｅ＋１０）Ω／□の範囲のバラツキの小さい安定した半導電性領域の表面抵抗率を示した。いずれの樹脂組成物の荷重たわみ温度も２００℃以上であり、十分な耐熱性を示した。
【００７８】
(3)実施例４
炭素前駆体、ＰＡＮ系炭素繊維、及びピッチ系炭素繊維をＰＥＥＫに配合した熱可塑性樹脂組成物から成る平板の表面抵抗率は、５Ｅ＋０９Ω／□であり、ＩＣソケットの表面抵抗率は、（２Ｅ＋１０）〜（７Ｅ＋１０）Ω／□の範囲のバラツキのない安定した半導電性領域の表面抵抗率を示した。荷重たわみ温度も３０５℃であり、十分な耐熱性を示した。
【００７９】
(4)比較例１〜２
ピッチ系炭素繊維のみをＰＥＳに配合した場合、ピッチ系炭素繊維充填量の僅かの差で表面抵抗率が大きく変動し、安定して表面抵抗率を所望の範囲内に低減することは困難である。また、ＩＣソケットの表面抵抗率に大きなバラツキが見られ、実用上問題がある。
【００８０】
(5)比較例３〜４：
導電性カーボンブラックのみをＰＥＳに配合した場合、導電性カーボンブラック充填量の僅かの差で表面抵抗率が変動し、安定して表面抵抗率を所望の範囲内に低減することが困難である。また、ＩＣソケットの表面抵抗率に大きなバラツキが見られ、実用上問題がある。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明によれば、表面抵抗率が所望の水準に厳密にコントロールされ、しかも電気絶縁性、機械的特性、耐熱性、耐薬品性、寸法安定性等に優れる合成樹脂製のＩＣソケットが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】  図１は、バーンイン試験に用いられるＩＣソケットの一例の使用例を示す断面図である。
【図２】  図２は、オープントップタイプのバーンイン試験用ＩＣソケットの一例を示す上面図である。
【図３】  図３は、図２に示したＩＣソケットの側面の断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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