(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ化物とアセトアセトアニリド系化合物をカップリングさせてなるジスアゾ顔料において、該アセトアセトアニリド系化合物が、アセトアセトアニリド８０〜９９モル％、下記式（１）で示される極性基含有アセトアセトアニリド化合物０．５〜１０モル％および下記式（２）で示されるアルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物０．５〜１０モル％からなることを特徴とするジスアゾ顔料。
式（１）
ＣＨ3ＣＯＣＨ2ＣＯＮＨ−Ｘ
（式中、Ｘはカルボン酸基、スルホン酸基およびこれらの金属塩からなる群から選ばれる同一又は異なる１〜４個の置換基を有するフェニル基（該フェニル基は、置換可能な位置がメチル基、メトキシ基、水酸基または塩素原子で置換されていてもよい。）を示す。）
式（２）
ＣＨ3ＣＯＣＨ2ＣＯＮＨ−Ｙ
（式中、Ｙは炭素数２〜４のアルコキシ基を有するフェニル基（該フェニル基は、置換可能な位置がメチル基、メトキシ基、水酸基または塩素原子で置換されていてもよい。）を示す。）
【請求項２】
アセトアセトアニリド、極性基含有アセトアセトアニリド化合物およびアルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物の混合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを反応させることを特徴とする請求項１記載のジスアゾ顔料の製造方法。
【請求項３】
同一容器内で、アセトアセトアニリドおよび極性基含有アセトアセトアニリド化合物の混合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを予め反応させた後、アルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを反応させることを特徴とする請求項１記載のジスアゾ顔料の製造方法。
【請求項４】
同一容器内で、アセトアセトアニリドおよび極性基含有アセトアセトアニリド化合物の混合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを予め反応させた後、アセトアセトアニリドおよびアルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物の混合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを反応させることを特徴とする請求項１記載のジスアゾ顔料の製造方法。
【請求項５】
反応が、弱酸性の緩衝溶液中に３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ溶液とアセトアセトアニリド系化合物のアルカリ性溶液とを連続的に添加する方法で行われる請求項２ないし４いずれか記載のジスアゾ顔料の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載のジスアゾ顔料がウェットケーキ状態で印刷インキビヒクルによりフラッシングされることを特徴とする印刷インキの製造方法。
【請求項７】
請求項１記載のジスアゾ顔料と印刷インキビヒクルとからなることを特徴とする印刷インキ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はジスアゾ顔料に関し、詳細には従来のジスアゾ顔料に比較して短時間でフラッシングが可能であり、得られた印刷インキの透明性、流動性に優れたジスアゾ顔料、およびこれを配合した印刷インキに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プロセスのオフセットインキはウェットケーキをフラッシングしてインキ化する方法とウェットケーキの乾燥物を３本ロール、サンドミル、ショットミルを用いて分散しインキ化する方法に大別されるが大量生産には前者の方法が優れている。
【０００３】
近年、インキの生産性向上がインキ単価の低減の中でクローズアップされてきた。生産性の向上のためにはウェットケーキをフラッシングする工程での時間の短縮、及びフラッシング後のインキ中の残存水分を完全に除去するための減圧・加熱工程での加熱温度の上昇による時間の短縮が必須条件である。さらにフラッシングする工程での時間の短縮はフラッシングの熱による品質劣化を防ぐ上でも重要である。
【０００４】
しかしながら加熱温度の上昇は品質面で透明性、濃度の著しい劣化の原因になる。従って現実的な対応としてインキ化時の熱による劣化を考慮してウェットケーキをより透明で高濃度にしなくてはならない。
【０００５】
ジスアゾ顔料の透明性、濃度を向上させる方法として、特公昭５５−１０６３０号公報には、２つのカップリング成分すなわちアセトアセトアニリドとその極性基含有アセトアセトアニリドとの混合カップリングが開示されている。この方法によれば、透明性、濃度に優れた黄インキを製造することができるが、極性基を有するカップリング成分を使用したために顔料表面が親水性になってしまいフラッシングする工程での時間の短縮には不利である。
【０００６】
また特開昭６３−７２７６２号公報、特開昭６３−１７８１６９号公報及び特開２０００−７９３１号公報等には、非対称型ジスアゾ顔料化合物を同一反応容器中で効率良く、対称型よりも多くの割合で製造する方法が示されている。この方法によれば、極性のカップリング成分と非極性のカップリング成分を用いることにより、従来のジスアゾ顔料より透明で流動性に優れた顔料がえられるが、極性のカップリング成分を多量に含有するためフラッシング工程での時間の短縮には不利である。さらに極性のカップリング成分は汎用で商業ベースで使用されている非極性のカップリング成分と比較して高価であるため、顔料のコストアップをもたらし、インキの生産性向上によるインキ単価の低減には逆行する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、従来のジスアゾ顔料に比較して短時間でフラッシングが完了でき、さらに透明で且つ流動性に優れた印刷インキを提供することを目的とする。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
すなわち本発明は、３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ化物とアセトアセトアニリド系化合物をカップリングさせてなるジスアゾ顔料において、該アセトアセトアニリド系化合物が、アセトアセトアニリド８０〜９９モル％、式（１）で示される極性基含有アセトアセトアニリド化合物０．５〜１０モル％および式（２）で示されるアルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物０．５〜１０モル％からなることを特徴とするジスアゾ顔料に関する。
【０００９】
式（１）
ＣＨ3ＣＯＣＨ2ＣＯＮＨ−Ｘ
（式中、Ｘはカルボン酸基、スルホン酸基およびこれらの金属塩からなる群から選ばれる同一又は異なる１〜４個の置換基を有するフェニル基（該フェニル基は、置換可能な位置がメチル基、メトキシ基、水酸基または塩素原子で置換されていてもよい。）を示す。）
式（２）
ＣＨ3ＣＯＣＨ2ＣＯＮＨ−Ｙ
（式中、Ｙは炭素数２〜４のアルコキシ基（該フェニル基は、置換可能な位置がメチル基、メトキシ、水酸基または塩素原子で置換されていてもよい。）を示す。）
更に本発明は、アセトアセトアニリド、極性基含有アセトアセトアニリド化合物およびアルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物の混合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを反応させることを特徴とする上記ジスアゾ顔料の製造方法に関する。
【００１０】
更に本発明は、同一容器内で、アセトアセトアニリドおよび極性基含有アセトアセトアニリド化合物の混合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを予め反応させた後、アルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを反応させることを特徴とする上記ジスアゾ顔料の製造方法に関する。
【００１１】
更に本発明は、同一容器内で、アセトアセトアニリドおよび極性基含有アセトアセトアニリド化合物の混合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを予め反応させた後、アセトアセトアニリドおよびアルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物の混合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを反応させることを特徴とする上記ジスアゾ顔料の製造方法に関する。
【００１２】
更に本発明は、反応が、弱酸性の緩衝溶液中に３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ溶液とアセトアセトアニリド系化合物のアルカリ性溶液とを連続的に添加する方法で行われる上記ジスアゾ顔料の製造方法に関する。
【００１３】
更に本発明は、上記ジスアゾ顔料がウェットケーキ状態で印刷インキビヒクルによりフラッシングされることを特徴とする印刷インキの製造方法に関する。
【００１４】
更に本発明は、上記ジスアゾ顔料と印刷インキビヒクルとからなることを特徴とする印刷インキに関する。
【００１５】
式（１）で示される極性基含有アセトアセトアニリド化合物の具体例としては、カルボン酸基を持つものとして２−アセトアセチルアミノ安息香酸、４−アセトアセチルアミノ安息香酸、４−アセトアセチルアミノ−２−クロロ安息香酸、４−アセトアセチルアミノ−２ーメチル安息香酸、４−アセアセチルアミノ−２−安息香酸、５−アセトアセチルアミノ−２−ヒドロキシ安息香酸等が、またスルホン酸基としては４−アセトアセチルアミノベンゼンスルホン酸等がある。
【００１６】
これらの極性基含有アセトアセトアニリドにおける極性基の金属塩を構成する金属としては、ナトリウム、カリウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、マンガン、亜鉛、マグネシウム、アルミニウム等がある。
【００１７】
式（２）で示されるアルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物のアルコキシ基は、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基およびその異性体、ｎ−ブトキシ基およびその異性体等であって、具体例としては、アセトアセト−２−フェネチジド、アセトアセト−４−フェネチジド、アセトアセト−２−ヒドロキシ−４−フェネチジド、 アセトアセト−２−メチル−４−フェネチジド、アセトアセト−２−クロロ−４−フェネチジド、アセトアセト−２−メトキシ−４−フェネチジド、アセトアセト−４−プロポキシアニリド、アセトアセト−３−イソプロポキシアニリド、アセトアセト−４−ブトキシアニリドがある。
【００１８】
本発明のジスアゾ顔料におけるアセトアセトアニリド系化合物成分相互の割合は、アセトアセトアニリドが９９〜８０モル％、極性基含有アセトアセトアニリド化合物が１０〜０．５モル％、好ましくは１〜５モル％、アルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物が１０．０〜０．５モル％、好ましくは１〜５モル％である。極性基含有アセトアセトアニリド化合物の配合量の下限値は、透明性と濃度により制限を受け、上限値はフラッシング工程の時間短縮において制限を受ける。アルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物の配合量の下限値はフラッシング工程の時間短縮において制限を受け、上限値は透明性過剰による流動性の低下、コストにおいて制限を受ける。
【００１９】
本発明において３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とカップリング成分とのカップリング反応は特に制限されないが、常法により酢酸酸性下、すなわち、ｐＨ６〜３の範囲、温度１０℃〜３０℃、時間３０分〜６０分の間で行う方法がある。また、予め酢酸と苛性ソーダを用いてｐＨを約４．５前後に調整した酸性緩衝溶液を作製し、カップリング成分を苛性ソーダで溶解したカップラー溶液とテトラゾ溶液を同時に等しい反応量で添加する方法であってもよく、この方法によれば、カップリング成分を析出させることなく反応させることができるので好ましい。
【００２０】
本発明のジスアゾ顔料の製造方法は、アセトアセトアニライド系化合物を３成分を混合したものを３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液と反応させる方法であってもよいし、アセトアセトアニリドおよび極性基含有アセトアセトアニリド化合物の混合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを最初に反応させた後、第二段の反応として、アルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを反応させるか、アセトアセトアニリドおよびアルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物の混合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ液とを反応させる方法であってもい。このような二段階のカップリング工程とすることにより、ジスアゾ顔料粒子の表面に疎水性のアルコキシル基含有ジスアゾ化合物が多く生成するので、透明性、流動性を損なうことなくフラッシング工程の時間が短縮化されたジスアゾ顔料が得られる。
【００２１】
又、本発明のジスアゾ顔料は、アセトアセトアニリドおよび極性基含有アセトアセトアニリド化合物の混合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ化物とから得られるジスアゾ顔料と、アセトアセトアニライドライドおよびアルコキシ基含有アセトアセトアニリド化合物の混合物と３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ化物とから得られるジスアゾ顔料との混合したものであってもよい。
【００２２】
本発明により得られたジスアゾ顔料の水スラリーはｐＨ９〜１４のアルカリ側に調整後、ロジンのアルカリ塩溶液（添加量は顔料に対して３〜１０重量％）、顔料スラリーを撹拌し均一化し、塩酸を加えてｐＨ６〜４程度の酸性にして顔料表面にロジンを析出させ、その後９０℃まで加熱し、３０分保持してから、濾過、水洗、顔料分２８〜３２％になるように圧搾することによってフラッシング工程に供するジスアゾ顔料のウェットケーキが得られる。
【００２３】
フラッシングは顔料のウェットケーキ８０重量部（乾燥換算）に対してオフセット用印刷インキビヒクル１８０〜２２０重量部を添加しフラッシャーを用いて行われる。
【００２４】
本発明のジスアゾ顔料はプロセス用オフセットインキとして使用される。オフセットインキの組成物は本発明のジスアゾ顔料３〜３５重量％とオフセット用インキビヒクル９７〜４５重量％、その他補助剤（ドライヤー、レベリング改良剤、増粘剤）や体質顔料０〜２０重量％からなる。オフセット用インキビヒクルはロジン変性フェノール樹脂、石油樹脂、アルキッド樹脂、またはこれらの乾性油変性樹脂等の樹脂２０〜５０重量％、アマニ油、桐油、大豆油等の植物油０〜３０重量％、ｎ−パラフィン、イソパラフィン、α−オレフィン等の溶剤１０〜６０重量％からなるものである。
【００２５】
【実施例】
以下実施例をあげて本発明を具体的に説明する。実施例において「部」は全て重量部を示す。
【００２６】
【実施例１】
水４００部に３，３’−ジクロロベンジジン２５．３部と３５％塩酸１６．５部を加えた。この溶液を０℃に冷却後２０％亜硝酸ソーダ溶液を７０部加え、１時間撹拌した。少量のスルファミン酸を加え過剰の亜硝酸ソーダを消失させて、３，３’−ジクロロベンジジンのテトラゾ溶液とした。一方、水４００部にアセトアセトアニリド３４．０部と５−アセトアセチルアミノ−２−ヒドロキシ安息香酸０．９部とアセトアセト−４−フェネチジド０．９部及び苛性ソーダ２０部を加えて溶解した。この溶液に８０％酢酸４５部を少しずつ加えて懸濁液とし、これに前記テトラゾ溶液を約３０分要して加えた。この間の反応温度は約１５℃に保持した。得られたジスアゾ顔料のスラリーを苛性ソーダでｐＨ１０．５に調整後、ロジンの１０％アルカリ塩溶液を６０部添加した。このスラリーを１０分間撹拌後、塩酸を加えてｐＨ５．０に調整して顔料表面にロジンを析出させた。その後９０℃まで加熱し、３０分保持してから、濾過、水洗、圧搾して顔料分３０．０％のウェットケーキを得た。
【００２７】
フラッシングによるインキ化は１Ｌフラッシャーを用いて行った。すなわち上記ウェットケーキを乾燥重量として８０部と予め１００℃に温めたオフセット用インキビヒクル１９０部をフラッシャー中に同時に投入し、フラッシングを行った（オープンフラッシング工程：トータル時間１５分）。次にフラッシングで出てきた水を除去後、減圧（１〜８×１０3Ｐａ）及び混練物の内部温度が１００℃になるまで加熱（熱媒温度１３０℃） を３０分間行い混練物中の水を完全に除去した（バキュームフラッシング工程）。この混練物にオフセット用インキビヒクル３９０部と溶剤４４部を徐々に加えた後フラッシャーから取り出した。その後３本ロールを用いてロール温度６０℃、１０Ｂａrｒの圧力をかけて練肉し粗大粒子を除去し、ベースインキを得た。このベースインキ６２部にオフセット用インキビヒクル２５部、溶剤１０部、補助剤３部加えてタック５．８〜６．０に調整して最終インキを得た。
【００２８】
【実施例２】
テトラゾ溶液の製造法は実施例１と同様に行った。一方、水２００部にアセトアセトアニリド３４．０部と５−アセトアセチルアミノ−２−ヒドロキシ安息香酸０．９部とアセトアセト−４−フェネチジド０．９部及び苛性ソーダ１４部を加え溶解したカップラー溶液を作製した。また８０％酢酸２０部、苛性ソーダ５部のｐＨ４．５に調整した緩衝溶液６００部を作製した。この緩衝溶液に、テトラゾ溶液及びカップラー溶液を同時に、テトラゾが反応中に遊離しないように両溶液の流速を調整しながら約３０分要して加えた。カップリング反応温度は約１５℃に保持した。得られたジスアゾ顔料スラリーは実施例１と同様の操作を行い顔料分３０．０％のウェットケーキを得た。インキ化の方法は実施例１と同様に行い最終インキを得た。
【００２９】
【実施例３】
テトラゾ溶液の製造法は実施例１と同様に行った。一方、水３５０部にアセトアセトアニリド３４．０部と５−アセトアセチルアミノ−２−ヒドロキシ安息香酸０．９部及び苛性ソーダ１９．６部を加えて溶解した。この溶液に８０％酢酸４５部を少しずつ加えて懸濁液とし、これに前記テトラゾ溶液を約３０分要して加えた。この間の反応温度は約１５℃に保持した。得られたジスアゾ顔料のスラリーに、水５０部にアセトアセト−４−フェネチジド０．９部と苛性ソーダ０．４部で溶解した溶液とテトラゾ溶液を同時に、テトラゾが反応中に遊離しないように両溶液の流速を調整しながら、約１０分要して加えた。この間の反応温度も約１５℃に保持した。 得られたジスアゾ顔料スラリーは実施例１と同様の操作を行い顔料分３０．０％のウェットケーキを得た。インキ化の方法は実施例１と同様に行い最終インキを得た。
【００３０】
【実施例４】
テトラゾ溶液の製造法は実施例１と同様に行った。一方、水２００部にアセトアセトアニリド１７．０部と５−アセトアセチルアミノ−２−ヒドロキシ安息香酸０．９部及び苛性ソーダ１０部を加えて溶解した。この溶液に８０％酢酸４５部を少しずつ加えて懸濁液とし、これに前記テトラゾ溶液を約２０分要して加えた。この間の反応温度は約１５℃に保持した。得られたジスアゾ顔料のスラリーに、水２００部にアセトアセトアニリド１７．０部とアセトアセト−４−フェネチジド０．９部及び苛性ソーダ１０部で溶解した溶液とテトラゾ溶液を同時に、テトラゾが反応中に遊離しないように両溶液の流速を調整しながら、約２０分要して加えた。この間の反応温度も約１５℃に保持した。 得られたジスアゾ顔料スラリーは実施例１と同様の操作を行い顔料分３０．０％のウェットケーキを得た。インキ化の方法は実施例１と同様に行い最終インキを得た。
【００３１】
【実施例５】
テトラゾ溶液の製造法は実施例１と同様に行った。一方、水３５０部にアセトアセトアニリド３４．０部と２−アセトアセチルアミノ安息香酸０．９部及び苛性ソーダ１９．６部を加えて溶解した。この溶液に８０％酢酸４５部を少しずつ加えて懸濁液とし、これに前記テトラゾ溶液を約３０分要して加えた。この間の反応温度は約１５℃に保持した。得られたジスアゾ顔料のスラリーに、水５０部にアセトアセト−２−フェネチジド１．８部及び苛性ソーダ０．４部で溶解した溶液とテトラゾ溶液を同時に、テトラゾが反応中に遊離しないように両溶液の流速を調整しながら約１０分要して加えた。この間の反応温度も約１５℃に保持した。 得られたジスアゾ顔料スラリーは実施例１と同様の操作を行い顔料分３０．０％のウェットケーキを得た。インキ化の方法は実施例１と同様に行い最終インキを得た。
【００３２】
【実施例６】
テトラゾ溶液の製造法は実施例１と同様に行った。一方、水３５０部にアセトアセトアニリド３３．６部と４−アセトアセチルアミノベンゼンスルホン酸１．０部及び苛性ソーダ１９．６部を加えて溶解した。この溶液に８０％酢酸４５部を少しずつ加えて懸濁液とし、これに前記テトラゾ溶液を約３０分要して加えた。この間の反応温度は約１５℃に保持した。得られたジスアゾ顔料のスラリーに、水５０部にアセトアセト−４−プロポキシアニリド１．４部及び苛性ソーダ０．４部で溶解した溶液とテトラゾ溶液を同時に、テトラゾが反応中に遊離しないように両溶液の流速を調整しながら約１０分要して加えた。この間の反応温度も約１５℃に保持した。 得られたジスアゾ顔料スラリーは実施例１と同様の操作を行い顔料分３０．０％のウェットケーキを得た。インキ化の方法は実施例１と同様に行い最終インキを得た。
【００３３】
【実施例７】
テトラゾ溶液の製造法は実施例１と同様に行った。一方、水３５０部にアセトアセトアニリド３４．０部と４−アセトアセチルアミノベンゼンスルホン酸１．１部及び苛性ソーダ１９．６部を加えて溶解した。この溶液に８０％酢酸４５部を少しずつ加えて懸濁液とし、これに前記テトラゾ溶液を約３０分要して加えた。この間の反応温度は約１５℃に保持した。得られたジスアゾ顔料のスラリーに、水５０部にアセトアセト−４−ブチキシアニリド１．０部及び苛性ソーダ０．４部で溶解した溶液とテトラゾ溶液を同時に、テトラゾが反応中に遊離しないように両溶液の流速を調整しながら約１０分要して加えた。この間の反応温度も約１５℃に保持した。 得られたジスアゾ顔料スラリーは実施例１と同様の操作を行い顔料分３０．０％のウェットケーキを得た。インキ化の方法は実施例１と同様に行い最終インキを得た。
【００３４】
【実施例８】
テトラゾ溶液の製造法は実施例１と同様に行った。一方、水３５０部にアセトアセトアニリド３１．９部と４−アセトアセチルアミノ−２ーメチル安息香酸２．４部及び苛性ソーダ１９．６部を加えて溶解した。この溶液に８０％酢酸４５部を少しずつ加えて懸濁液とし、これに前記テトラゾ溶液を約３０分要して加えた。この間の反応温度は約１５℃に保持した。得られたジスアゾ顔料のスラリーに、水５０部にアセトアセト−２−クロロ−４−フェネチジド２．５部及び苛性ソーダ０．４部で溶解した溶液とテトラゾ溶液を同時に、テトラゾが反応中に遊離しないように両溶液の流速を調整しながら、約１０分要して加えた。この間の反応温度も約１５℃に保持した。 得られたジスアゾ顔料スラリーは実施例１と同様の操作を行い顔料分３０．０％のウェットケーキを得た。インキ化の方法は実施例１と同様に行い最終インキを得た。
【００３５】
【比較例１】
テトラゾ溶液の製造法は実施例１と同様に行った。一方、水４００部にアセトアセトアニリド３５．４部を苛性ソーダ２０部を加えて溶解した。この溶液に８０％酢酸４５部を少しずつ加えて懸濁液とし、これに前記テトラゾ溶液を約３０分要して加えた。この間の反応温度は約１５℃に保持した。 得られたジスアゾ顔料スラリーは実施例１と同様の操作を行い顔料分３０．０％のウェットケーキを得た。インキ化の方法は実施例１と同様に行い最終インキを得た。
【００３６】
【比較例２】
テトラゾ溶液の製造法は実施例１と同様に行った。一方、水４００部にアセトアセトアニリド３４．０部と５−アセトアセチルアミノ−２−ヒドロキシ安息香酸１．８部及び苛性ソーダ２０部を加えて溶解した。この溶液に８０％酢酸４５部を少しずつ加えて懸濁液とし、これに前記テトラゾ溶液を約３０分要して加えた。この間の反応温度は約１５℃に保持した。 得られたジスアゾ顔料スラリーは実施例１と同様の操作を行い顔料分３０．０％のウェットケーキを得た。インキ化の方法は実施例１と同様に行い最終インキを得た。
【００３７】
以上の結果を表１にまとめた。L* はインキの透明性を示しその値が小の方が透明性大、濃度はコーサー値（反射率濃度）で示しその値が大の方が濃度大、流動性はスプレッドメーター測定器での６０秒値（ｍｍ）で示しその値が大の方が流動性大である。水切れ時間はオープンフラッシング工程で水が出てくる時の時間を示しこの値が小さい方がフラッシング性は良好である。
【００３８】
0004016624.tif 000002