(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００〜５００wt ppmの酸素を含有し，８０wtppm以下のＰｂ，１２０wtppm以下のＳｎ，さらにＡｇ， Ｚｎ，Ｃｄ， Ｉｎに関してはそれぞれ３５０wt ppm以下，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏに関してはそれぞれ５００ｗｔｐｐｍ以下の内の一種以上を，次式で定義したＴが１００〜４００になる範囲で含有し，
T
= 4.5[Pb]＋3.0[Sn]＋[Ag]＋[Zn]＋[Cd]＋[In]＋0.6[Fe]＋0.3[Ni]＋0.5[Co]
（ただし，[i]は元素iのwt ppm濃度）
残部Ｃｕおよび不純物からなり，不純物であるＳ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅ及びＴｅの合計量が３０ｗｔｐｐｍ以下であり，厚さが５〜５０μｍであり，１２０〜１５０℃の半軟化温度を有し，３０℃において継続して３００Ｎ／ｍｍ２以上の引っ張り強さを保持し優れた屈曲性と適度な軟化特性を有することを特徴とする，フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
【請求項２】
酸素が１００〜５００ｗｔｐｐｍで，８０ｗｔｐｐｍ以下のＰｂ，１２０ｗｔｐｐｍ以下のＳｎ，更にＡｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｉｎに関してはそれぞれ３５０ｗｔｐｐｍ以下，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏに関してはそれぞれ５００ｗｔｐｐｍ以下の内の一種以上を，次式で定義したＴが１００〜４００になる範囲で含有し，
T
= 4.5[Pb]＋3.0[Sn]＋[Ag]＋[Zn]＋[Cd]＋[In]＋0.6[Fe]＋0.3[Ni]＋0.5[Co]
（ただし，[i]は元素iのwt ppm濃度）
残部Ｃｕおよび不純物からなり，不純物であるＳ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅ及びＴｅの合計量が３０ｗｔｐｐｍ以下であり，厚さが５〜５０μｍであり，２００℃で３０分間の焼鈍後の圧延面のX線回折で求めた２００面の強度（Ｉ）が微粉末銅のＸ線回折で求めた２００面の強度（Ｉ０）に対しＩ／Ｉ０＞２０．０であり，１２０〜１５０℃の半軟化温度を有し，３０℃において継続して３００Ｎ／ｍｍ２以上の引っ張り強さを保持し，優れた屈曲性と適度な軟化特性を有することを特徴とする，フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に関わる圧延銅箔を，インゴットを熱間圧延した後，冷間圧延と焼鈍とを繰り返し，最後に冷間圧延で箔に仕上げるプロセスで製造し，最後の冷間圧延の直前の焼鈍をこの焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が２０μｍ以下になる条件下で行い，最後の冷間圧延の加工度を９０．０ ％を超える値とし，優れた屈曲性と適度な軟化特性を得ることを特徴とする，フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は優れた屈曲性および好適な製造性を有するフレキシブルプリント回路基板（Flexible printed circuit，以下FPCと表記する）等の可撓性配線部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
有機物を基材としたプリント配線基板は，ガラスエポキシおよび紙フェノール基板を構成材料とする硬質銅張積層板（リジット）と，ポリイミドおよびポリエステル基板を構成材料とする可撓性銅張積層基板（フレキシブル）とに大別され，プリント配線基板の導電材としては主として銅箔が使用されている。銅箔はその製造方法の違いにより電解銅箔と圧延銅箔に分類される。
【０００３】
上記プリント配線基板のうち，フレキシブルプリント回路基板（FPC）は，樹脂基板に銅箔をラミネートし，接着剤あるいは加熱加圧により一体化して形成される。近年では高密度実装の有効な手段として，ビルドアップ基板と呼ばれる多層配線基板が多く用いられている。このFPCの構成部材となる銅箔には，主に圧延銅箔が用いられている。
【０００４】
FPCは，プリンターのヘッド部やハードディスク内の駆動部等の可動部分への配線が必要とされる場所に広く使用され，100万回以上の屈曲が繰り返される。近年の装置の小型化や高水準化に伴い，この屈曲性への要求はより高度化している。
【０００５】
FPCに使用される銅箔の素材には，主にタフピッチ銅（酸素含有量100〜500 wt ppm）が用いられる。このタフピッチ銅箔は，インゴットを熱間圧延した後，所定の厚さまで冷間圧延と焼鈍とを繰り返して製造される。その後，樹脂基板との接着性を向上させるため，銅箔には表面に粗化めっきが施される。粗化めっき後の銅箔は，裁断された後，樹脂基板と貼り合わせられる。銅箔と樹脂との貼りあわせには，例えばエポキシ等の熱硬化性樹脂からなる接着剤が用いられ，張り合わせ後130〜170℃の温度で1〜2時間加熱して硬化させる。つぎに，銅箔をエッチングして種々の配線パターンを形成する。
【０００６】
銅箔の屈曲性は再結晶焼鈍を行うことにより圧延上がりよりも著しく向上する。そこで銅箔は焼鈍状態でFPCの構成部材として使用されるが，この焼鈍は粗化めっきして裁断した後に加熱処理を行うか，銅箔を樹脂基板と接着する際の加熱で兼ねる。このように，焼鈍状態の銅箔を最初から用いず製造工程の中間で焼鈍を行う理由は，焼鈍後の軟質状態では裁断や樹脂基盤との貼りあわせの際に銅箔が変形したり，銅箔にしわが生じたりするためであり，圧延上がりの硬質の状態の方がFPCの製造容易性の点からは有利なためである。
【０００７】
FPCの屈曲性を高めるためには，その素材となる圧延銅箔の屈曲性を高めることが有効である。焼鈍後の銅箔の屈曲性は，立方体集合組織が発達するほど向上する。また，この立方体集合組織を発達させるためには，銅箔の製造プロセスにおいて，最終圧延での加工度を高くすること，および最終圧延直前の焼鈍での結晶粒径を小さくすることが効果的である（特願平10-101858）。
【０００８】
ところが，このようなプロセスで製造した銅箔は，圧延で蓄積される塑性歪みが増大するため軟化温度が著しく低下し，場合によっては，室温で保管していても保管期間が長期に及ぶと軟化することがある。上述したように，すでに軟化した銅箔を用いてFPCを製造すると，銅箔が変形する等の問題が生じ，FPCの製造容易性が著しく低下する。したがって，上記の製造プロセスを選択して銅箔の屈曲性を向上させる場合，同時に銅箔の軟化温度を適度に高くする必要がある。
【０００９】
圧延銅箔が室温で保管中に軟化する問題は特開平10-230303でも指摘されており，この問題を回避する手段として50〜90%と低い圧延加工度で銅箔を製造することが提唱されている。しかし，このような低い圧延加工度で銅箔を製造すると銅箔の屈曲性は著しく低下するため，屈曲性が優れた銅箔を製造する場合にこの手段を用いることはできない。そこで本発明では，従来のタフピッチ銅箔に合金元素を微量添加することにより軟化温度を適度な範囲まで高めることを目指した。なお，過去にFPC用として各種の元素を添加した種々の銅合金箔が提案されているが，例えば，▲１▼合金元素を添加する目的の一つが立方体集合組織（(100)方位）の発達を抑制することであり，しかもこの合金箔の軟化温度は異常に高い（特許番号第2505480号），▲２▼多量の合金元素を，屈曲性を改善する目的で銅に添加している（特開昭59-78592）等，いずれも本課題を解決するための参考にはならなかった。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は，高屈曲性圧延銅箔の軟化温度を適度に高めて保管中の軟化に伴うトラブルを解消することにより，優れた屈曲性と適度な軟化特性を併せ持つFPC用圧延銅箔を提供することである。
【００１１】
【課題を改善するための手段】
即ち本発明は，上記の問題点を解決したものであり，１００〜５００ｗｔｐｐｍの酸素を含有し，８０ｗｔｐｐｍ以下のＰｂ，１２０ｗｔ ｐｐｍ以下のＳｎ，更に Ａｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｉｎに関してはそれぞれ３５０ｗｔｐｐｍ以下，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏに関してはそれぞれ５００ｗｔｐｐｍ以下の内の一種以上を，次式で定義したＴが１００〜４００になる範囲で含有し，
T
= 4.5[Pb]＋3.0[Sn]＋[Ag]＋[Zn]＋[Cd]＋[In]＋0.6[Fe]＋0.3[Ni]＋0.5[Co]
（ただし，[i]は元素iのwt ppm濃度）
残部Ｃｕおよび不純物からなり，不純物であるＡｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅ及びＴｅの合計量が３０ｗｔｐｐｍ以下であり，厚さが５〜５０μｍであり，１２０〜１５０℃の半軟化温度を有し，３０℃において継続して３００Ｎ／ｍｍ２以上の引っ張り強さを保持し優れた屈曲性と適度な軟化特性を有することを特徴とする，フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
【００１２】
（２）酸素が１００〜５００ｗｔｐｐｍで，８０ｗｔｐｐｍ以下のＰｂ， １２０ｗｔｐｐｍ以下のＳｎ ，更にＡｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｉｎに関してはそれぞれ３５０ｗｔ ｐｐｍ以下，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏに関してはそれぞれ５００ｗｔｐｐｍ以下の内の一種以上を，次式で定義したＴが１００〜４００になる範囲で含有し，
T
= 4.5[Pb]＋3.0[Sn]＋[Ag]＋[Zn]＋[Cd]＋[In]＋0.6[Fe]＋0.3[Ni]＋0.5[Co]
（ただし，[i]は元素iのwt ppm濃度）
残部Ｃｕおよび不純物からなり，不純物であるＳ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅ及びＴｅの合計量が３０ｗｔｐｐｍ以下であり，厚さが５〜５０μｍであり，２００℃で３０分間の焼鈍後の圧延面のX線回折で求めた２００面の強度（Ｉ）が微粉末銅のＸ線回折で求めた２００面の強度（Ｉ０）に対しＩ／Ｉ０＞２０．０であり，１２０〜１５０℃の半軟化温度を有し，３０℃において継続して３００Ｎ／ｍｍ２以上の引っ張り強さを保持し，優れた屈曲性と適度な軟化特性を有することを特徴とする，フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔。
【００１３】
（３）上記（１）又は（２）に関わる圧延銅箔を，インゴットを熱間圧延した後，冷間圧延と焼鈍とを繰り返し，最後に冷間圧延で箔に仕上げるプロセスで製造し，最後の冷間圧延の直前の焼鈍をこの焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が２０μｍ以下になる条件下で行い，最後の冷間圧延の加工度を９０．０％を超える値とし，優れた屈曲性と適度な軟化特性を得ることを特徴とする，フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔の製造方法に関するものである。
【００１４】
銅箔を高加工度または微細結晶粒のプロセスで製造して立方体集合組織を発達させれば，屈曲性は向上するが，軟化温度が低くなり過ぎる。しかし，素材の微量成分をコントロールすることにより軟化温度を高めると，適度な軟化温度を有する銅箔を得ることが可能となる。
【００１５】
ここでいう適度な軟化温度とは，
（１）銅箔の圧延上がりの引張り強さは400〜500 N/mm2であるが，室温（20〜35℃）で１年間放置しても300 N/mm2以上の引張り強さを保つこと，
（２）粗化めっきして裁断した後の熱処理または樹脂基板と接着する際の熱処理で，銅箔が軟化すること，
の２つの条件によって規定され，30分間焼鈍の際の半軟化温度（引張強さが焼鈍前と完全に軟化したときの中間の値になるときの焼鈍温度）でいえば，120〜150℃の範囲に相当する。
【００１６】
本発明者らは，優れた屈曲性が得られるプロセスで製造したタフピッチ銅箔の軟化温度を目標の範囲に収めるために，インゴット溶製の際に添加する元素として，Pb，Sn，Ag，Zn，Cd，In，Fe，NiまたはCoが適当であることを見出した。これは以下の理由による。
【００１７】
（１）活性な元素は溶湯に添加する際に酸化するため，その濃度を安定してコントロールすることが困難である。一方，Pb，Sn，Ag，Zn，Cd，In，Fe，NiおよびCoはそれほど活性でないため，濃度のコントロールが容易である。
【００１８】
（２）Cu中に添加させた元素は，析出状態よりも固溶状態の方が軟化抑制効果が著しい。例えばSのような固体Cu中への溶解度が低く，その溶解度が温度に対して大きく変化する元素の場合，焼鈍の際に添加元素の固溶／析出反応が生じ，この反応が軟化特性に大きな影響を及ぼす。そこで，軟化温度を制御するためには，元素の添加量だけではなく，固溶／析出反応をも制御しなければならない。一方，Pb，Sn，Ag，Zn，Cd，In，Fe，NiおよびCoはCu中の溶解度が比較的高く，数100 ppm添加してもCu中で固溶状態で存在するため，添加量だけを制御すれば軟化温度を制御できる。
【００１９】
以上のように，本発明は，従来のタフピッチ銅にPb，Sn，Ag，Zn，Cd，In，Fe，NiまたはCoを添加し，箔に加工後の軟化温度を適度な範囲にコントロールすることを主旨とするが，この場合，タフピッチ銅中に含有される不純物を所定のレベル以下に規制した方が，より正確に軟化温度をコントロールできる。
【００２０】
本発明に関わる圧延銅箔の限定理由を以下に示す。
本発明では，圧延銅箔を室温において継続して300 N/mm2以上の引張り強さを保持することを目標とした。より望ましくは30℃において1年間保管した場合であっても300 N/mm2以上の引張り強さを保持できることである。
【００２１】
ここで，30℃とは日本国内の年間平均気温を超える温度に相当し，銅箔がFPCに加工されるまでの保管期間は継続してとは，継続して保管されることとが多く，更に長くても１年間である。また，引張り強さが300 N/mm2以上であれば，銅箔を加工中にしわが生じる等のトラブルは発生しない。したがって，30℃で１年間放置しても300 N/mm2以上の引張り強さを保持できれば実用上問題はない。このような軟化特性は，30分間焼鈍したときの半軟化温度に換算すると，120℃以上の温度に相当する。
【００２２】
一方，30分間焼鈍したときの半軟化温度が150℃を超えると， 粗化めっきして裁断した後の熱処理または樹脂基板と接着する際の熱処理で銅箔が軟化しないことがある。そこで，30分間焼鈍したときの半軟化温度を120〜150℃に規定した。
【００２３】
FPCの屈曲性を高めるためには，銅箔の屈曲性を高める必要がある。銅箔は再結晶状態でFPC中に組み込まれるが，純Cuの再結晶集合組織である立方体集合組織を発達させれば，銅箔の屈曲性は向上する。満足できる屈曲性が得られるときの立方体集合組織の発達度は，X線回折で求めた200面の強度が微粉末銅のX線回折で求めた200面の強度（I0）に対し I／I0＞20.0の関係であることで規定され，より好ましくI／I0＞40.0の関係で規定される。ここで，200℃で30分間の焼鈍は，X線強度の測定に際し，銅箔を再結晶させるために行うものである。
【００２４】
Pb，Sn，Ag，Zn，Cd，In，Fe，NiおよびCoは，半軟化温度を高める目的で添加するが，それぞれの元素で軟化温度上昇への寄与率が異なるため，元素による重み付けを行う必要がある。そこで，軟化温度上昇指数（T）を次式で定義した。
T = 4.5[Pb]＋3.0[Sn]＋[Ag]＋[Zn]＋[Cd]＋[In]＋0.6[Fe]＋0.3[Ni]＋0.5[Co]
ここで，[i]は元素iのwt ppm濃度である。
このTが100〜400の範囲になるように，上記元素を添加すれば，高屈曲が得られるプロセスで製造した銅箔の半軟化温度を120〜150℃の範囲に収めることができる。一方，Tが100より小さくなると半軟化温度が120℃より低くなり，Tが400を超えると半軟化温度が150℃より高くなる。
また，Pb，Sn，Ag，Zn，FeおよびNiの添加量に上限を設けた理由は，これら元素が上限の濃度を超えると，粒界に偏析する，介在物を形成する等により，熱間圧延で割れが発生したり，熱間圧延後に箔まで冷間圧延する過程で割れやピンホールが発生するためである。なお，このような弊害が生じるそれぞれの成分の濃度の上限値は各元素で異なり，Pbは80 wt ppm，Snは120 wt ppm，Ag，Zn，CdおよびInは350 wt ppm，Fe，NiおよびCoは500 wt ppmであることが，実験の結果明らかになった。
【００２５】
S，As，Sb，Bi，SeおよびTeは，通常のタフピッチ銅中に含れている不純物であり，半軟化温度への影響が比較的大きい。したがって， Pb，Sn，Ag，Zn，Cd，In，Fe，NiおよびCoの添加で半軟化温度をコントロールする場合，これら不純物の濃度を低レベルに抑えた方が，半軟化温度のコントロールが容易になる。これら元素は主として，タフピッチ銅箔の原料として用いられる電気銅から混入するため，その濃度を調整するためには，用いる電気銅の不純物量を管理する必要がある。
【００２６】
S，As，Sb，Bi，SeおよびTeは，その各成分の内一種以上の合計で30 wt ppm以下にすることが望ましく，30 wt ppmを超えると，上述した軟化温度上昇指数Tが同じでも半軟化温度に大きなばらつきが生じたり，Tの値によっては半軟化温度が150℃を超えたりする。
【００２７】
通常純度の無酸素銅は，酸素濃度が低い影響として，タフピッチ銅よりも軟化温度が著しく高いことが知られている。また，タフピッチ銅中に過剰に含有された酸素は，Cu2Oの介在物を形成する。酸素濃度を100〜500 wt ppmに規定した理由は，酸素濃度が100 wt ppm未満の状態で Pb，Sn，Ag，Zn，Cd，In，Fe，NiまたはCoを添加すると半軟化温度が150℃を超え，酸素濃度が500 wt ppmを超えるとCu2O介在物が増大し屈曲性が低下するためである。
【００２８】
銅箔の厚みについては，薄いほど曲げ部の外周に生じる歪みが減少するため，屈曲性が向上する。銅箔の厚さが50μmを超えると，立方体集合組織を発達させても所望の屈曲性は得られない。一方，銅箔の厚さを5μm未満にすると，箔の強度が低くなり過ぎ，破断などにより箔の取り扱いが困難となる。そこで銅箔の厚みを5〜50μmとした。
【００２９】
次に，本発明に関わる銅箔は，平均粒径が20μm以下になる条件で再結晶焼鈍を行なった後，90.0 %を超える加工度の冷間圧延を行うことによって箔に仕上げられるが，圧延前の焼鈍での平均粒径が20μmを超える場合または加工度が90.0 %以下の場合には，I／I0＜20.0となって良好な屈曲性が得られない。なお，最終冷間圧延前の焼鈍を熱間圧延で兼ねることもできるが，この場合も熱間圧延上がりの結晶粒径を20μm以下に調整することが望ましい。
【００３０】
【実施例】
以下，本発明の様態を実施例により説明する。
表１に示す成分の厚さ200 mm，幅600 mmの銅インゴットを製造し，熱間圧延により10 mmまで圧延した。
【００３１】
【表１】
0003986707.tif 000002
【００３２】
つぎに，焼鈍と冷間圧延を繰り返し，厚さt0 mmの圧延上がりの板を得た。この板を焼鈍して再結晶させ，酸化スケールを除去した後，所定の厚みt mmまで冷間圧延した。ここで，最後の冷間圧延での加工度はRは，
【数１】
R = (t0−t) / t0 × 100 (%)
で与えられる。また，最終冷間圧延前の焼鈍では，焼鈍後の結晶粒径を圧延方向に直角な断面において切断法で測定した。
【００３３】
このように種々の中間焼鈍条件および最終圧延加工度で製造した銅箔試料について以下の特性を評価した。
（１）立方体集合組織
試料を200℃で30分間加熱した後，圧延面のX線回折で求めた(200)面強度の積分値（I）求めた。この値をあらかじめ測定しておいた微粉末銅の(200)面強度の積分値（I0）で割り，I／I0の値を計算した。なお，ピーク強度の積分値の測定は，Co管球を用い，2θ＝57〜63°（θは回折角度）の範囲で行った。
【００３４】
（２）屈曲性
試料を200℃で30分間加熱して再結晶させた後，図１に示す装置により，屈曲疲労寿命の測定を行った。この装置は，発振駆動体４に振動伝達部材３を結合した構造になっており，被試験銅箔１は，矢印で示したねじ２の部分と振動伝達部材３の先端部の計4点で装置に固定される。振動伝達部材３が上下に駆動すると，銅箔１の中間部は，所定の曲率半径rでヘアピン状に屈曲される。本試験では，以下の条件下で屈曲を繰り返したときの破断までの回数を求めた。
【００３５】
試験片幅12.7 mm，試験片長さ：200 mm，試験片採取方向：試験片の長さ方向が圧延方向と平行になるように採取，曲率半径r：2.5 mm，振動ストローク：25 mm，振動速度：1500回／分
なお，屈曲疲労寿命が3万回以上の場合に，優れた屈曲性を有していると判断した。また，この試験は加速試験であり，実際にFPCが使用させる条件よりも厳しい条件下で行っている。
【００３６】
（３）半軟化温度
種々の温度で30分間の焼鈍を行なった後の引張り強さを測定した。そして，焼鈍後の引張り強さが，圧延上がりの引張り強さと300℃で30分間焼鈍し完全に軟化させた後の引張り強さとの中間の値になるときの焼鈍温度を求めた。半軟化温度が120〜150℃の範囲であれば，適正な軟化特性を有していると判断した。
【００３７】
（４）室温での軟化挙動
圧延上がりの材料を30℃に調整した恒温槽中に保管し，保管開始から1ヶ月毎に引張り強さを測定し，引張り強さが300 N/mm2以下の値になるまでの期間を求めた。この評価は12ヶ月間まで継続した。
【００３８】
表２に銅箔の加工履歴と特性を示す。本発明に関わる圧延銅箔は，焼鈍を行うと立方体集合組織が発達して200面のI/I0が20.0を超え，その結果として3万回以上の優れた屈曲寿命を示している。また，軟化温度は，目標の120〜150℃の範囲内であり，室温（30℃）で1年間保管しても引張強さが300 N/mm2以上の値を保っている。
【００３９】
【表２】
0003986707.tif 000003
【００４０】
一方，比較例のNo.3は軟化温度上昇指数（T）が100より小さいため，半軟化温度が120℃よりも低く，30℃の保管で1年以内に引張強さが300 N/mm2以下に低下している。
比較例のNo.4はTが400を超えるため，比較例のNo.6は不純物であるS，As，Sb，Bi，SeおよびTeの合計量が30 wt ppmを超えているため，比較例のNo.1は酸素濃度が100 wt ppmより低いため，半軟化温度が150℃を超えており，FPCの製造段階で再結晶しない危険性が高い。
【００４１】
比較例のNo.2は酸素濃度が500 wt ppmを超えているため，Cu2O介在物が増大し，立方体集合組織が発達しているにもかかわらず，屈曲回数が3万回未満の低い値を示している。
比較例のNo.5はPb濃度が80 wt ppmを超えたため，インゴットを熱間圧延する際に割れが発生し箔に加工できなかった。同様に他の添加元素が規定濃度を超えた場合にも，製造歩留が低下した。
比較例のNo.8は圧延前の結晶粒径が20μmを超えているため，比較例のNo.9は圧延加工度が90.0 %以下であるため，200面のI/I0が20.0未満であり，屈曲回数が3万回に満たず，圧延で蓄積された塑性歪み少ないため半軟化温度が150℃を超えている。
比較例のNo.7は厚さが50μmを超えているため，立方体集合組織が発達しているにもかかわらず，屈曲回数が3万回未満である。
【００４２】
【発明の効果】
本発明のフレキシブルプリント回路用圧延銅箔は優れた屈曲性を有する。また，適度な軟化温度を有し，保管中に軟化するあるいは焼鈍を行っても軟化しないといったトラブルが生じないため，フレキシブルプリント回路基板としての好ましい製造性を有する。もちろんこの銅箔は，リチウムイオン電池の電極等のフレキシブルプリント回路以外の用途にも好適である。
【００４３】
【図面の簡単な説明】
【図１】屈曲疲労寿命の測定を行うために使用した屈曲試験装置の説明図である。
【符号の説明】
１ 銅箔
２ ねじ
３ 振動伝達部材
４ 発振駆動体
【図１】
0003986707.tif 000004