(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と該活性層を挟み込むスペーサ層とからなる活性領域と、該活性領域を挟み込む反射層と、を備えてなり、各々基本横モードで発振する複数の面発光レーザが、
各面発光レーザの発光領域が近接するように並べられ、
発光パターンが途切れることがないように連続して配列され、
隣り合う面発光レーザが光学的に連結可能な間隔で近接配置されている
面発光レーザアレイ。
【請求項２】
各面発光レーザの位相が同一となるように、各面発光レーザが光学的に結合されていることを特徴とする請求項１記載の面発光レーザアレイ。
【請求項３】
各面発光レーザは、ＡｌＡｓもしくはＡｌＧａＡｓの一部を選択酸化してなる選択酸化層によって電流狭窄されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザアレイ。
【請求項４】
各面発光レーザは、不純物打ち込みよる高抵抗層によって電流狭窄されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の面発光レーザアレイ。
【請求項５】
各面発光レーザを、強度のばらつきを調整するように独立駆動することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の面発光レーザアレイ。
【請求項６】
隣り合う面発光レーザがメサを共有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載の面発光レーザアレイ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面発光レーザアレイに関し、詳しくは、高出力シングル横モードを有する垂共振器型面発光レーザ素子からなるリング状の面発光レーザアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】
垂共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）は、従来の端面発光型レーザに比べて、製造コストが低く、高歩留まりであり、２次元アレイ化が容易である等多くの利点を有し、これらの長所によって、多くの用途においてその利用が検討されている。例えば、Kenichi Iga, Fumio Koyama and Susumu Kinoshita, "Surface Emitting Semiconductor Lasers", IEEE Journal of Quantum Elecronics, 1988, 24, pp.1845-1855に、ＶＣＳＥＬの構造、レーザ特性、用途等が説明されているように、現在までにそのレーザ特性は大きく改善され、光通信などの分野では実用化に至っている。
【０００３】
しかし、ＶＣＳＥＬは、一般にシングル横モード光出力が１〜２ｍＷと小さく、高出力化が要求される用途では、その出力特性の改善が求められている。例えば、光記憶装置（Optical data storage）等の用途では、少なくとも５ｍＷ以上のシングル横モード（１つの横モード、単一横モード）光出力を要求している。
【０００４】
光出力を増大する最も単純な方法は、基本横モード（ガウシアン形状）で発振するＶＣＳＥＬの電流注入領域を大きし、基本横モードのまま光出力を増大する方法である。しかしながら、電流注入領域を大きくするに伴い高次モードとの競合が発生しやすくなり、安定してシングル横モード出力を得ることが難しい。実際、論文等に報告されている例でも、数ｍＷからせいぜい５ｍＷの出力しか得られていない。
【０００５】
このため、横モードを基本モードとするのではなく、高次モードではあるがシングル高次モードにすることにより、光記憶装置に用いることができる高出力ＶＣＳＥＬが得られることがP.R.Claisseらによって報告されている（"Single high order mode VCSEL", Electron. Lett., 1998,34,pp.681-682）。このＶＣＳＥＬのＮＦＰ（ニアフィールドバターン)はドーナッツ形状であるが、光学系を利用した超解像技術を用いることにより、このドーナッツ形状の出射ビームを光記憶装置等に使用するスポット形状に形成できることが知られており（YAMANAKA他、"High density recording by superresolution in an optical disk memory system", Appl. Opt., 1990,29,pp.3046-3051．）、P.R.Claisseらによって提案されたＶＣＳＥＬに、この超解像技術を適用すると、通常のガウシアン形状のＶＣＳＥＬを用いた場合より光スポットを微小に絞ることができ、高容量の光記憶装置に有利であると説明されている。
【０００６】
このドーナッツ形状ＶＣＳＥＬは、以下の方法により作製されている。すなわち、図８にその断面構造を示すように、ｎ+型ＧａＡｓ基板１１０上に、Ａｌ0.95Ｇａ0.05ＡｓとＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓを４０周期積層したｎ型ＤＢＲ層１１２、１０ｎｍのＡｌ0.1Ｇａ0.9Ａｓ量子井戸層１１４と１０ｎｍのＡｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓバリア層１１６で構成された活性領域１１８を含むスペーサ層１２０と、Ａｌ0.95Ｇａ0.05ＡｓとＡｌ0.25Ｇａ0.75Ａｓを２５周期積層したｐ型ＤＢＲ層１２２とを、順次積層する。次に、この積層体１００はメサ形状にエッチングされる。さらに、出射口中心部を反射率を低減するためにエッチングしてエッチング領域１２４を形成する。
【０００７】
このＶＣＳＥＬにおいて、メサ径を５０μｍ、反射率低減のためエッチングしたエッチング領域１２４の径を３０μｍとした時、図９に示すようにリング状のＮＦＰが得られる。また、電流−光出力曲線は、図１０に示すようになる。図１０において、実線で示すのがこのＶＣＳＥＬの連続駆動時の電流−光出力曲線である。なお、破線で示すのはパルス駆動時の電流−光出力曲線である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図８に示すＶＣＳＥＬは、以下の理由から、超解像技術により光記憶装置用の高出力ビームを得るための光源には適していない。
【０００９】
まず、光記憶装置用ＶＣＳＥＬは常にあるモードに固定されていること、すなわちシングルモードであることが重要である。ところが、（上記報告では、このＶＣＳＥＬのモードはシングルであるとしているが、）このＶＣＳＥＬは、色々な使用状況下で常にシングルモードを保つことは困難である。なぜなら、このＶＣＳＥＬはその導波路構造において、特にある一つの横モードを選択する構造をもっていないからである。このように大面積の導波路構造を持つＶＣＳＥＬでは、多くのモードが競合しており、発振しているモードはたまたま選ばれているに過ぎないことは自明である。特に、光記憶装置等の装置内の温度環境は常に変化し、それにより導波路特性は変化し選択されるモードは変化する。またＶＣＳＥＬ特性自身も経時変化するため、選択性の強くない導波路構造では、モードを固定し続けることは難しい。
【００１０】
次に、上記のP.R.Claisseらによる報告では、このＶＣＳＥＬは高光出力を有しているとしているが、図１０の電流−光出力曲線から読み取れるように、連続発振時にはせいぜい５〜６ｍＷの光出力を得ているに過ぎない。このＶＣＳＥＬの電流注入領域は、少なくともメサ内部、すなわち５０μｍ径内全域であるが、そのうち３０μｍ径内は導波路の反射率を低減させており、電流注入しても発光に寄与せず、逆に無効電流となり、発熱等高出力に対して不利な電流注入構造を有しているためである。
【００１１】
以上の通り、P.R.Claisseらの提案によるＶＣＳＥＬは、ＶＣＳＥＬの横モードは安定してシングルではなく、光出力も光記憶装置等に用いるには不十分であり、超解像技術により光記憶装置用の高出力ビームを得るための光源には適しておらず、ＶＣＳＥＬを用いた高出力シングル横モードの光源は得られていないのが現状である。
【００１２】
従って、本発明の目的は、安定な高出力シングル横モードを有する垂共振器型面発光レーザ素子からなるリング状の面発光レーザアレイを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
発明者は、鋭意検討の結果、下記手段により上記課題が解決されることを見出した。
【００１４】
すなわち、請求項１に記載の面発光レーザアレイは、活性層と該活性層を挟み込むスペーサ層とからなる活性領域と、該活性領域を挟み込む反射層と、を備えてなり、各々基本横モードで発振する複数の面発光レーザが、各面発光レーザの発光領域が近接するように並べられ、発光パターンが途切れることがないように連続して配列され、隣り合う面発光レーザが光学的に連結可能な間隔で近接配置されていることを特徴とする。
なお、「リング状」とは、発光領域が途切れることなく、連続して円状に配列されているという意味であり、配列の形状は、円状、楕円状、四角形状、多角形状等いずれの形状でもよい。
【００１５】
請求項２に記載の面発光レーザアレイは、請求項１記載の発明において、各面発光レーザの位相が同一となるように、各面発光レーザが光学的に結合されていることを特徴とする。
【００１６】
上記の面発光レーザアレイは、各面発光レーザは、基本横モードで発振することを特徴とする。
【００１７】
請求項３に記載の面発光レーザアレイは、請求項１又は２に記載の発明において、各面発光レーザは、ＡｌＡｓもしくはＡｌＧａＡｓの一部を選択酸化してなる選択酸化層によって電流狭窄されていることを特徴とする。
【００１８】
請求項４に記載の面発光レーザアレイは、請求項１から３までのいずれかに記載の発明において、各面発光レーザは、不純物打ち込みよる高抵抗層によって電流狭窄されていることを特徴とする。
【００１９】
本発明のＶＣＳＥＬアレイは、基本横モードのＶＣＳＥＬ素子複数個をリング状に連結させ、隣り合うＶＣＳＥＬを光学的に連結させることで、位相の揃った一つのレーザ光源となるよう構成されている。例えば、図１（ａ）に示すように、Ｖａ、Ｖｂ、・・・、Ｖｘで表示した基本モードで発振する構造のＶＣＳＥＬ素子を複数個、近接させて環状に配置した場合、ＶＣＳＥＬアレイとしての発光パターンはリング状となる。また、隣り合うＶＣＳＥＬ素子を光学的に連結することができ、その結果、全ＶＣＳＥＬ素子の位相は同一となる。さらに、各ＶＣＳＥＬ素子は基本モードで発振するように設計されているため、各々の光出力は小さいが、全体では各素子の光出力の総和となるので、大きな光出力を得ることができる。
【００２０】
すでに述べたように、本発明のＶＣＳＥＬアレイは、超解像を用いて光スポットを絞り、光記憶装置等に利用できるようにするため、構成要素である全ＶＣＳＥＬ素子の位相が揃っている必要がある。そこで、本発明のＶＣＳＥＬアレイを構成する各素子の位相が、揃っている理由を簡単に説明する。
【００２１】
端面発光型レーザにおいて、複数の導波路を形成し、その導波路間の位相を同期させる構成を持つレーザアレイを、フェーズアレイと呼んでいる。このフェーズアレイでは、「半導体レーザ」伊藤良一・中村道治共編（培風館）pp.188-192等に説明されているように、端面発光型レーザの導波路を近接して複数配置すると、導波路間の光学的結合が発生するため、光電解位相が同期した高出力レーザが実現できる。
【００２２】
本発明は、個々独立に機能する複数のＶＣＳＥＬを近接配置した場合にも同様の現象が起きるという新規な知見に基づくものであり、ＶＣＳＥＬフェーズアレイと言えるものである。
【００２３】
以上説明してきたように、本発明のＶＣＳＥＬアレイは、基本横モードのＶＣＳＥＬを光学的に連結させたフェーズアレイ構造を持っているため、本発明によれば、安定したシングルモードを持ちながら、高光出力を得ることができるレーザ光源を提供できる。
【００２４】
また、本発明によるＶＣＳＥＬアレイは、各素子を、再現性が高く、容易な工程を用いて作製できるため、シングル横モードレーザ光を高出力で発射するＶＣＳＥＬアレイを高歩留まりで、あるいは安価に提供することが可能となる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施の形態に基づいて詳細に説明する。
【００２６】
（第１の実施形態）
図１（ａ）に、本発明の第１の実施形態に係るＶＣＳＥＬアレイのＶＣＳＥＬ素子の配置を示す。図１（ａ）に示すように、本実施形態では、Ｖａ、Ｖｂ、・・・、Ｖｘで表示した複数個のＶＣＳＥＬ素子が光学的に連結可能な間隔でリング状に配置されている。このＶＣＳＥＬアレイは、以下の方法により製造される。
【００２７】
まず、図２（ａ）に示すように、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により、ｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3膜厚０．２μｍ程度のｎ型ＧａＡｓバッファ層２２を積層し、その上に、Ａｌ0.9Ｇａ0.1ＡｓとＡｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓとをそれぞれの膜厚が媒質内波長の１／４となるように交互に４０．５周期積層したキャリア濃度１×１０18ｃｍ-3となる下側ｎ型ＤＢＲ層２３、アンドープ下部Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓスぺーサー層とアンドープ量子井戸活性層（膜厚９０ｎｍＡｌ0.11Ｇａ0.89Ａｓ量子井戸層３層と膜厚５０ｎｍＡｌ0.3Ｇａ0.1Ａｓ障壁層４層とで構成されている）とアンドープ上部Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓスぺーサー層とで構成された膜厚が媒質内波長となる活性層領域２４、その上に、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3膜厚が媒質内波長の１／４となるｐ型ＡｌＡｓ層２５、その上にＡｌ0.9Ｇａ0.1ＡｓとＡｌ0.3Ｇａ07Ａｓとをそれぞれの膜厚が媒質内波長の１／４となるように交互に１９．５周期積層したキャリア濃度１×１０18ｃｍ-3総膜厚が約２μｍとなる上側ｐ型ＤＢＲ層２６、キャリア濃度１×１０19ｃｍ-3となる膜厚１０ｎｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層２７を順次積層する。
【００２８】
ここで、詳しくは述べないが、ＤＢＲ層の電気的抵抗を下げるためにＡｌ0.9Ｇａ0.1ＡｓとＡｌ0.3Ｇａ0.1Ａｓの界面に、ＡｌＡｓ組成を９０％から３０％に段階的に変化させた膜厚が９ｎｍ程度の領域を設けることも可能である。
【００２９】
原料ガスとしては、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、アルシン、ドーパント材料としてはｐ型用にシクロペンタジニウムマグネシウム、ｎ型用にシランを用い、成長時の基板温度は７５０℃とし、真空を破ることなく、原料ガスを順次変化し、連続して成膜をおこなった。
【００３０】
次に、上記積層膜を、下部ｎ型ＤＢＲ層２３の途中までエッチングを行い、メサ５０を形成し、ＡｌＡｓ層２５側面を露出させる。メサ形状を加工するには、フォトリソグラフィーにより結晶成長層上にレジストマスクＲを形成し、四塩化炭素をエッチングガスとしてもちいた反応性イオンエッチングを用いた。
【００３１】
その後、図２（ｃ）に示すように、約４００℃の炉中で水蒸気によりＡｌＡｓ層２５だけを側方から酸化し、その径が約３μｍの非酸化領域２５ａを残して高抵抗化させ、酸化領域３０を形成する。非酸化領域２５ａが電流注入領域となる。その電流注入領域は上面から見ると、図１（ｂ）に示すように配置される。斜線領域で示したのが電流注入領域である。その後、ＳｉＮ絶縁膜３２をメサ５０の上面を除いて蒸着し、ｐ側電極３３として出射口４０を除いて表面一面にＴｉ／Ａｕを形成する。基板２１の裏面一面にはｎ側電極３４としてＡｕ／Ｇｅを蒸着する。なお、ｐ側電極３３は各電流注入領域ごとに、別々に（独立して）引出し線を設けて形成し、独立駆動することもできる。各素子の光出力強度は、同様に作製しても微妙に強度がばらついている。独立駆動することにより各素子間のばらつきを調整することができる。
【００３２】
このように作製した各ＶＣＳＥＬ素子を、導電性の保持基板の上に、図１（ａ）に示すようにリング状に配置して、本実施形態に係るＶＣＳＥＬアレイが完成する。
【００３３】
本実施形態では、ＶＣＳＥＬアレイを構成する各ＶＣＳＥＬ素子は、共通したｐ側電極３３とｎ側電極３４とにより電流注入され、それぞれ基本横モードで発振する。各ＶＣＳＥＬ素子間の距離は、光学的に連結する程度に近づいているので、光電界位相が揃って発振する。更に、個々の光出力は１ｍＷ程度であるが、素子は２０個以上有り、その総和は２０ｍＷを超える。
【００３４】
（第２の実施形態）
図３（ａ）に、本発明の第２の実施形態に係るＶＣＳＥＬアレイを上から見た図を示す。図３（ａ）に示すように、本実施形態のＶＣＳＥＬアレイは、複数個のＶＣＳＥＬ素子が隣接する素子同士がメサを共有するようにリング状に連結されている。このＶＣＳＥＬアレイは、以下の方法により製造される。
【００３５】
第１の実施形態と同様の方法で、ｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２２、下側ｎ型ＤＢＲ層２３、活性層領域２４、ｐ型ＡｌＡｓ層２５、上側ｐ型ＤＢＲ層２６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２７を順次積層する。
【００３６】
次に、フォトリソグラフィーにより積層体上にレジストマスクを形成し、反応性イオンエッチングにより上記積層膜を下部ｎ型ＤＢＲ層２３の途中まで除去し、図３（ａ）に示すような、幅を周期的に変化させたリング状のメサを形成して、ＡｌＡｓ層２５側面を露出させた。図３（ｂ）は、本実施形態の各素子部分の拡大図である。
【００３７】
その後、図３（ｃ）に示すように、約４００℃の炉中で水蒸気によりＡｌＡｓ層２５だけを側方から酸化し、その径が約３μｍの非酸化領域２５ａを残して高抵抗化させ、酸化領域３０を形成する。非酸化領域２５ａが電流注入領域となる。その電流注入領域は上面から見ると、図３（ａ）に示すように配置される。斜線領域で示したのが電流注入領域である。その後、ＳｉＮ絶縁膜３２をメサ５０の上面を除いて蒸着し、ｐ側電極３３として出射口４０を除いてＴｉ／Ａｕを形成する。基板２１の裏面にはｎ側電極３４としてＡｕ／Ｇｅを蒸着して、本実施形態に係るＶＣＳＥＬアレイが完成する。
【００３８】
本実施形態に示すＶＣＳＥＬアレイを構成する各ＶＣＳＥＬ素子は、共通した、あるいは電気的に絶縁された独立のｐ側電極３３とｎ側電極３４とにより電流注入され、それぞれ基本横モードで発振する。各ＶＣＳＥＬ素子の活性層及びスペーサ層は平面内で繋がっており、素子間の距離も光学的に連結する程度に近づいているので、光電界位相が揃って発振する。更に、個々の光出力は１ｍＷ程度であるが、素子は２０個以上有り、その総和は２０ｍＷを超える。
【００３９】
従って、本実施形態のＶＣＳＥＬアレイは位相の揃ったレーザ光を出射し、基本横モードレーザの集合であるので、モードもシングルであり、かつ光出力も大きい。超解像を用いることにより、光スポットを絞ることができ、光記憶装置等の用途に利用できる。シングルモードでの電流−光出力特性は、図４に示すものとなり、従来に対して大幅に改善できた。
【００４０】
尚、本実施形態では、電流注入領域が円形となるようにメサ形状を形成しているが、多角形になるようにメサ形状を形成しても良い。
【００４１】
（第３の実施形態）
図５に、本発明の第３の実施形態に係るＶＣＳＥＬアレイを上から見た上面図を示す。図５に示すように、本実施形態のＶＣＳＥＬアレイは、酸化により高抵抗化された領域に囲まれた複数の電流注入領域が所定の間隔で設けられ、リング状に並べられている。このＶＣＳＥＬアレイは、以下の方法により製造される。
【００４２】
第１の実施形態と同様の方法で、ｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２２、下側ｎ型ＤＢＲ層２３、活性層領域２４、ｐ型ＡｌＡｓ層２５、上側ｐ型ＤＢＲ層２６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２７を順次積層する。
【００４３】
図６（ａ）に示すように、直径２μｍの酸化用細孔６０をドライエッチングによりＡｌＡｓ酸化層２５より下まで形成した後、約４００℃の炉中で水蒸気によりＡｌＡｓ層２５だけを側方から酸化し、非酸化領域２５ａを残して高抵抗化させ、酸化領域３０を形成する。非酸化領域２５ａが電流注入領域となる。その個々の電流注入領域を上から見ると、図６（ｂ）に示す形をしており、図５に示すように配置される。斜線領域で示したのが電流注入領域である。ｐ側電極３３として出射口４０を除いてＴｉ／Ａｕを形成し、基板の裏面にはｎ側電極３４としてＡｕ／Ｇｅを蒸着して、本実施形態に係るＶＣＳＥＬアレイが完成する。
【００４４】
このように、作製されたＶＣＳＥＬアレイは第１の実施形態と同様に位相の揃ったレーザ光を出射し、基本横モードレーザの集合であるので、モードもシングルであり、かつ光出力も大きい。従って、超解像を用いることにより、光スポットを絞ることができ、光記憶装置等の用途に利用できる。
【００４５】
尚、本実施形態では、電流注入領域が略円形となるように酸化用細孔を配置したが、多角形になるように酸化用細孔を配置しても良い。
【００４６】
（第４の実施形態）
図７に、本発明の第４の実施形態に係るＶＣＳＥＬアレイを上から見た上面図を示す。図７に示すように、本実施形態のＶＣＳＥＬアレイは、プロトン打ち込みにより高抵抗化された領域に囲まれた複数の電流注入領域が所定の間隔で設けられ、複数の電流注入領域がリング状に並べられている。このＶＣＳＥＬアレイは、以下の方法により製造される。
【００４７】
第１の実施形態と同様の方法で、ｎ型ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２２、下側ｎ型ＤＢＲ層２３、活性層領域２４、ｐ型ＡｌＡｓ層２５、上側ｐ型ＤＢＲ層２６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２７を順次積層する。
【００４８】
次に、非高抵抗化領域２５ｂ以外の領域にプロトンを活性層直上まで打ち込む。プロトンを打ち込まない領域（非高抵抗化領域２５ｂ）が電流注入領域となるが、その径は約８μｍである。電流注入領域は上面から見ると図７に示すように配置される。斜線領域で示したのが電流注入領域である。ｐ側電極３３として出射口４０を除いてＴｉ／Ａｕを形成し、基板２１の裏面にはｎ側電極３４としてＡｕ／Ｇｅを蒸着して、本実施形態に係るＶＣＳＥＬアレイが完成する。
【００４９】
このように作製されたＶＣＳＥＬアレイは、第１の実施形態と同様に位相の揃ったレーザ光を出射し、基本横モードレーザの集合であるので、モードもシングルであり、かつ光出力も大きい。従って、超解像を用いることにより、光スポットを絞ることができ、光記憶装置等の用途に利用できる。
【００５０】
尚、本実施形態では、電流注入領域が円形となるようにプロトン打ち込み領域を設けた例を図示したが、電流注入領域が多角形となるようにプロトン打ち込み領域を設けても良い。
【００５１】
第1から第４の実施形態では、活性層にＡｌＧａＡｓを用いた例を説明したが、ＧａＡｓもしくはＩｎＧａＡｓを用いた近赤外用、ＩｎＧａＰもしくはＡｌＧａＩｎＰを用いた赤色用の面発光レーザにも適用できる。更には、ＧａＮ系やＺｎＳｅ系等の青色もしくは紫外線面発光レーザ、ＩｎＧａＡｓＰ系等の１．３〜１．５μｍ帯面発光レーザにも利用できることはもちろんである。
【００５２】
また、ＤＢＲ層として半導体材料に限定されることなく、絶縁膜を用いることも可能である。
【００５３】
【発明の効果】
本発明の面発光レーザアレイは、高出力で、安定したシングルモードを有するという効果を奏するものであり、光記憶装置をはじめ、プリンタ装置、光磁気ディスク装置等、高出力シングルモードの光源が必要な装置に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る面発光レーザアレイの平面図であり、（ｂ）は、その電流注入領域の配置を表す概略図である。
【図２】（ａ）から（ｆ）は、本発明の第１の実施形態に係る面発光レーザアレイの作製工程を順に表す概略断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る面発光レーザアレイの電流注入領域の配置を表す平面図である。（ｂ）は、その素子部分の拡大図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る面発光レーザアレイの電流−光出力特性を表すグラフである。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る面発光レーザアレイの平面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る面発光レーザアレイの断面図である。（ｂ）は、その電流注入領域の形状を表す部分拡大図である。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る面発光レーザアレイの平面図である。
【図８】従来の面発光レーザの構造を示す断面図である。
【図９】従来の面発光レーザのＮＦＰ示す図である。
【図１０】従来の面発光レーザの電流−光出力特性を表すグラフである。
【符号の説明】
Ｖ      面発光レーザ
２１    ｎ型ＧａＡｓ基板
２２    ｎ型ＧａＡｓバッファ層
２３    下側ｎ型ＤＢＲ層
２４    活性層領域
２５    ｐ型ＡｌＡｓ層
２５ａ  非酸化領域
２５ｂ  非高抵抗化領域
２６    上側ｐ型ＤＢＲ層
２７    ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
３０    酸化領域
３２    ＳｉＮ絶縁膜
３３    ｐ側電極
３４    ｎ側電極
４０    出射口
５０    メサ
Ｒ      レジストマスク
【図１】
0003968910.tif 000002
【図２】
0003968910.tif 000003
【図３】
0003968910.tif 000004
【図４】
0003968910.tif 000005
【図５】
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【図６】
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【図７】
0003968910.tif 000008
【図８】
0003968910.tif 000009
【図９】
0003968910.tif 000010
【図１０】
0003968910.tif 000011