(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスエポキシ樹脂よりなるプリント基板上に半導体を固着するためのダイパターンと、前記半導体の各電極を接続するためのリードパターンと、該リードパターンと連通する導電部とを形成し、前記ダイパターンに前記半導体を搭載し、前記リードパターンと前記半導体を接続すると共に、前記半導体と前記プリント基板上に実装された他の電子部品を組み合わせるものであって、その組み合わせ時の特性を一定の特性範囲幅に設定できる半導体と他の電子部品を有する半導体電子部品において、
前記プリント基板上に実装した半導体と他の電子部品を組み合わせた半導体電子部品特性値を一定の特性範囲幅に設定するための特性値調整用スルーホールを形成し、該スルーホール内に一対の電極を形成し、特性測定して必要な調整用選択端子と連なる前記一対の電極内に銀ペースト又は半田よりなる導電材を注入した後硬化させることにより、前記電極の一対をショートさせて所望の特性範囲幅に設定できることを特徴とする半導体電子部品。
【請求項２】
前記半導体、前記他の電子部品及び前記プリント基板上に形成された前記特性値調整用スルーホールを封止樹脂で覆ったことを特徴とする請求項１記載の半導体電子部品。
【請求項３】
ガラスエポキシ樹脂よりなるプリント基板上に半導体を固着するためのダイパターンと、前記半導体の各電極を接続するためのリードパターンと、該リードパターンと連通する導電部とを形成し、前記ダイパターンに前記半導体を搭載し、前記リードパターンと前記半導体を接続すると共に、前記半導体と前記プリント基板上に実装された他の電子部品を組み合わせるものであって、その組み合わせ時の特性を一定の特性範囲幅に設定できる半導体と他の電子部品を有する半導体電子部品の製造方法において、
ガラスエポキシ樹脂よりなる多数個取りする集合プリント基板上に複数列のスルーホール及び特性値調整用スルーホールを穴明けするスルーホール加工工程と、前記集合プリント基板の上面に複数個の半導体を実装するためのダイパターン、リードパターン、下面配線パターン及び分割により通常の端子となるスルーホール電極と前記特性値調整用スルーホール内に一対の電極を形成する電極パターン形成工程と、前記集合プリント基板上に複数個の半導体をダイボンド及びワイヤーボンドする実装工程と、前記半導体、前記他の電子部品、ワイヤー及び前記特性値調整用スルーホールをエポキシ樹脂よりなる封止樹脂で封止する樹脂封止工程と、前記集合プリント基板を直交するカットラインに沿ってダイシング又はスライシングにより単体の半導体電子部品に分割する切断工程と、前記半導体電子部品の特性測定を行い必要な調整用選択端子と連なる前記特性値調整用スルーホール内に銀ペースト又は半田よりなる導電材を注入し硬化させることにより前記特性値調整用スルーホール内の一対の電極をショートさせる特性値調整工程とよりなることを特徴とする半導体電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体を用いた電子部品であり、特に半導体と他の電子部品を組み合わせた複合電子部品に係わる半導体電子部品及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器等に用いられる半導体と他の電子部品を組み合わせた複合電子部品が開発されている。
【０００３】
一般的に半導体と電子部品を組み合わせその組み合わせ時の特性を一定の範囲内におさめる必要が有る場合は、それぞれの半導体と電子部品を一定の特性範囲幅に分類しておき、それらを組み合わせることで所望の特性を得る以外に、次の方法がある。その構造として、図６、図７及び図８は、従来のＩＣチップに特性調整機能を付加した半導体電子部品で、図６は、半導体に調整機能部を付加した半導体電子部品の平面図、図７は、図６のＡ−Ａ線断面図、図８は、半導体に調整用選択端子を備えた半導体電子部品の平面図である。
【０００４】
図６及び図７において、プリント基板１は略四角形でガラスエポキシ樹脂等よりなる上下両面に銅箔張りの樹脂基板で、該樹脂基板には図示しない複数のスルーホールが切削ドリル等の手段により加工される。前記スルーホールの壁面を含む基板面を洗浄した後、樹脂基板の全表面に無電解メッキ及び電解メッキにより銅メッキ層を形成し、前記スルーホール内まで施される。
【０００５】
更に、メッキレジストをラミネートし、露光現像してパターンマスクを形成した後、エッチング液を用いてパターンエッチングを行うことにより、上面側にはダイパターン２及びリードパターン３を、下面側には配線パターン４を形成する。次にソルダーレジスト処理を行い、所定の部分にリードパターン３を保護するようにレジスト膜が形成される。前記露呈したリードパターンの表面にはＮｉメッキ層を施し、更に前記Ｎｉメッキ層の上にＡｕメッキ層を施すＮｉ−Ａｕメッキ層を形成する。プリント基板１の端子５（スルーホール電極）及び下面には露出した配線パターン４が形成される。
【０００６】
前記プリント基板１上のダイパターン３のＡｕメッキ層の上に上面側が露出した状態で調整機能部６ａを付加したＩＣチップ６を直接接着材を用いて固着する。該ＩＣチップ６の電極端子と前記外部接続用のリードパターン３とをワイヤー７によりワイヤーボンドした後、ＩＣチップ６及びワイヤー７を熱硬化性のエポキシ樹脂等からなる封止樹脂８でトラスファーモールド等により樹脂封止することにより、前記ＩＣチップ６の遮光と保護を行う。
【０００７】
ＩＣチップ６と電子部品を組み合わせその組み合わせ時の特性を一定の範囲内におさめる必要が有る場合、図６に示すように、ＩＣチップ６内に特性調整機能部６ａを付加して、組み合わせた後にそのＩＣチップ６の特性調整機能部６ａに補正データを記憶させたりする。
【０００８】
又は、図８に示すように、ＩＣチップ６に調整用選択端子３ａを用意しておき組み合わせ後にその端子に連なる配線部分９をレーザ等によりカットすることで補正データを半導体外部に設定する方法が用いられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述した半導体電子部品には次のような問題点がある。それぞれの半導体及び電子部品を一定の特性範囲幅で分類しておき、それを組み合わせて所望の特性を得る方法は、分類、組み合わせに工数、及び設備を必要とし、より狭いバラツキを必要とする場合は、分類も細かくなり組み合わせ相手がないと保留在庫を持つことになり不合理である。
【００１０】
また、ＩＣチップに調整機能部を付加することは、それだけＩＣチップが大きくなりコストアップとＩＣチップが大型化になる。半導体電子部品の小型化に逆行する。
【００１１】
また、半導体に調整用選択端子を設け選択切断することは、レーザ装置等の比較的高価な生産設備が必要となりコストアップになる。
【００１２】
本発明は上記従来の課題に鑑みなされたものであり、その目的は、半導体と電子部品を組み合わた複合電子部品を特に高価な設備を用いることなく製造できる半導体電子部品及びその製造方法を提供するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明における半導体電子部品は、ガラスエポキシ樹脂よりなるプリント基板上に半導体を固着するためのダイパターンと、前記半導体の各電極を接続するためのリードパターンと、該リードパターンと連通する導電部とを形成し、前記ダイパターンに前記半導体を搭載し、前記リードパターンと前記半導体を接続すると共に、前記半導体と前記プリント基板上に実装された他の電子部品を組み合わせるものであって、その組み合わせ時の特性を一定の特性範囲幅に設定できる半導体と他の電子部品を有する半導体電子部品において、前記プリント基板上に実装した半導体と他の電子部品を組み合わせた半導体電子部品特性値を一定の特性範囲幅に設定するための特性値調整用スルーホールを形成し、該スルーホール内に一対の電極を形成し、特性測定して必要な調整用選択端子と連なる前記一対の電極内に銀ペースト又は半田よりなる導電材を注入した後硬化させることにより、前記電極の一対をショートさせて所望の特性範囲幅に設定できることを特徴とするものである。
【００１４】
また、前記半導体、前記他の電子部品及び前記プリント基板上に形成された前記特性値調整用スルーホールを封止樹脂で覆ったことを特徴とするものである。
【００１５】
また、ガラスエポキシ樹脂よりなるプリント基板上に半導体を固着するためのダイパターンと、前記半導体の各電極を接続するためのリードパターンと、該リードパターンと連通する導電部とを形成し、前記ダイパターンに前記半導体を搭載し、前記リードパターンと前記半導体を接続すると共に、前記半導体と前記プリント基板上に実装された他の電子部品を組み合わせるものであって、その組み合わせ時の特性を一定の特性範囲幅に設定できる半導体と他の電子部品を有する半導体電子部品の製造方法において、ガラスエポキシ樹脂よりなる多数個取りする集合プリント基板上に複数列のスルーホール及び特性値調整用スルーホールを穴明けするスルーホール加工工程と、前記集合プリント基板の上面に複数個の半導体を実装するためのダイパターン、リードパターン、下面配線パターン及び分割により通常の端子となるスルーホール電極と前記特性値調整用スルーホール内に一対の電極を形成する電極パターン形成工程と、前記集合プリント基板上に複数個の半導体をダイボンド及びワイヤーボンドする実装工程と、前記半導体、前記他の電子部品、ワイヤー及び前記特性値調整用スルーホールをエポキシ樹脂よりなる封止樹脂で封止する樹脂封止工程と、前記集合プリント基板を直交するカットラインに沿ってダイシング又はスライシングにより単体の半導体電子部品に分割する切断工程と、前記半導体電子部品の特性測定を行い必要な調整用選択端子と連なる前記特性値調整用スルーホール内に銀ペースト又は半田よりなる導電材を注入し硬化させることにより前記特性値調整用スルーホール内の一対の電極をショートさせる特性値調整工程とよりなることを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下図面に基づいて本発明における半導体電子部品及びその製造方法について説明する。図１は本発明の実施の形態に係わる半導体電子部品の断面図である。図２は、電極パターン形成工程後の集合プリント基板の斜視図である。図３は、図２の矢印Ａ部（特性値調整用スルーホール）の斜視図である。図４（ａ）は、図３の矢印Ｂ側から見たスルーホール部のＢ−Ｂ線断面図、図４（ｂ）は、図３の矢印Ｃ側から見たスルーホール部のＣ−Ｃ線断面図、図４（ｃ）は、図４（ａ）のスルーホール内に銀ペースト又は半田等の導電材を注入・硬化させた状態を示す断面図である。図において、従来技術と同一部材は同一符号で示す。
【００１７】
図１〜図４において、従来技術で説明した半導体電子部品と異なるところは、ガラスエポキシ樹脂等よりなる多数個取りする集合プリント基板１Ａに複数列のスルーホール１０（分割により端子となる通常のスルーホール）以外に特性値調整用スルーホール１１を穴明けし、特性値調整用スルーホール１１の壁面のＩＣ実装面側に一対の電極１１ａ、１１ｂを形成しておき、プリント基板１をベース材としてＩＣチップ６及びその他の電子部品を実装、樹脂封止、分割後に特性測定して必要な調整用選択端子と連なる特性値調整用スルーホール１１内に銀ペースト又は半田等の導電材１２を注入し硬化させることにより、穴内の一対の電極１１ａ、１１ｂをショートされる。以上により半導体と電子部品を組み合わせ所望の特性を得ることができる。
【００１８】
次に、半導体電子部品の製造方法について説明する。図１〜図４において、ガラスエポキシ樹脂等よりなる多数個取りする集合プリント基板１Ａに分割により端子となる通常の複数列のスルーホール１０及び本発明による特性値調整用スルーホール１１を穴明けするスルーホール加工工程と、前記集合プリント基板１Ａの上面に複数個の半導体を実装するためのダイパターン２、リードパターン３、下面に配線パターン４及びスルーホール電極（端子）５と特性値調整用スルーホール１１内に一対の電極１１ａ、１１ｂ等を形成する電極パターン形成工程を行う。
【００１９】
図５に示すように、前記集合プリント基板１Ａ上に複数個の半導体６及び図示しない電子部品をダイボンド及びワイヤーボンドする実装工程と、前記半導体６、電子部品、ワイヤー７及び特性値調整用スルーホールをエポキシ樹脂等の封止樹脂８で封止する樹脂封止工程を行う。
【００２０】
次に、図２及び図５に示すように、分割工程で、集合プリント基板１Ａを直交するカットラインＸ、Ｙに沿ってダイシング又はスライシングにより単体の半導体電子部品に分割する。
【００２１】
次に、図４（ｃ）に示すように、特性値調整工程で半導体電子部品の特性測定を行い必要な調整用選択端子と連なる特性値調整用スルーホール１１内に銀ペースト又は半田等の導電材１２を注入し硬化させることにより穴内の一対の電極をショートさせる。以上の工程により半導体電子部品が完成する。
【００２２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、特性値調整用スルーホール加工及び穴内の一対の電極形成は、通常の工程と同時に行うことができる。所望の特性を得るのに従来のように、分類組み合わせに工数をかけることなく、分類により保留在庫を持つこともない。また、半導体内に調整機能部を付加しＩＣの大型化することもない。また、調整用選択端子を設け端子に連なる配線部分をレーザ等で選択切断するように高価な設備も必要としない。また、多数個取りが可能で製造コストは極めて安価である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係わる半導体電子部品の断面図である。
【図２】本発明の集合プリント基板の斜視図である。
【図３】図２の矢印Ａ部の特性値調整用スルーホールの斜視図である。
【図４】図４（ａ）は、図３のＢ−Ｂ線断面図、図４（ｂ）は、図３のＣ−Ｃ線断面図、図４（ｃ）は、スルーホール内に銀ペースト又は半田等の導電材を注入・硬化させた状態を示す断面図である。
【図５】図２の集合プリント基板上にＩＣ実装、樹脂封止した状態の断面図である。
【図６】従来の半導体に調整機能部を付加した半導体電子部品の平面図である。
【図７】図６の半導体電子部品のＡ−Ａ線断面図である。
【図８】従来の半導体に調整用選択端子を付加した半導体電子部品の平面図である。
【符号の説明】
１  プリント基板
１Ａ  集合プリント基板
２  ダイパターン
３  リードパターン
４  配線パターン
５  端子
６  ＩＣチップ
６ａ  調整機能部
７  ワイヤー
８  封止樹脂
９  調整用選択端子
１０  通常のスルーホール
１１  特性値調整用スルーホール
１１ａ、１１ｂ  一対の電極
１２  銀ペースト又は半田等の導電材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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