(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子−光学変調器であって
（ａ）電子−光学基板と、
（ｂ）前記基板内の第１のトレンチと、
（ｃ）前記第１のトレンチと本質的に平行かつ第１のトレンチとの間にリッジを形成する第２のトレンチとを備え、前記リッジは側壁の少なくとも１方が凹角をなす２つのリッジ側壁を有し、
（ｄ）前記リッジ内に形成される導波路と、
（ｅ）前記リッジの表面上に形成された第１電極と、前記リッジの表面以外の前記基板の表面に形成される共通平面電極と、
を備えることを特徴とする電子−光学変調器。
【請求項２】
前記リッジ側壁の少なくとも１方がなす角度は垂直方向に対して、−５°以下であることを特徴とする請求項１記載の電子−光学変調器。
【請求項３】
前記電子−光学材料は、リチウムナイオバイトであることを特徴とする請求項１記載の電子−光学変調器。
【請求項４】
前記第１電極は、前記リッジ上でかつ前記リッジに沿って延びることを特徴とする請求項３記載の電子−光学変調器。
【請求項５】
前記リッジ側壁の両方は、凹角であることを特徴とする請求項４記載の電子−光学変調器。
【請求項６】
前記リッジの高さは、１−１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項５記載の電子−光学変調器。
【請求項７】
前記リッジの幅は、３−２０μｍの範囲であることを特徴とする請求項６記載の電子−光学変調器。
【請求項８】
前記導波路は、２つのマッハツェンダの導波路に分割され、そして１本の導波路に、再度結合されることを特徴とする請求項１記載の電子−光学変調器。
【請求項９】
前記マッハツェンダ導波路のそれぞれは、請求項１に記載したリッジを有することを特徴とする請求項８記載の電子−光学変調器。
【請求項１０】
（ａ）電子−光学基板と、
（ｂ）前記電子−光学基板内に埋め込まれた導波路とからなり、
前記導波路は、並んだ２本のマッハツェンダ部分を有し、
前記２個のマッハツェンダ部分は、１本の入力導波路部分と、１本の出力導波路部分とに結合され、
(ｃ)前記マッハツェンダ部分は、
(ｉ)前記基板に沿って延びる第１トレンチと、
(ii)２つの側壁と、表面とを有し、前記側壁の少なくとも一方が凹角を形成し、前記導波路の少なくとも一部を含むようなリッジと、
(iii)前記第１トレンチと平行に、前記基板に沿って延び、前記第１トレンチとの間に前記リッジを形成する第２のトレンチと、
(iv) 前記リッジの表面上に形成された第１電極と、前記リッジの表面以外の前記基板の表面に形成される共通平面電極と、
を備えることを特徴とする電子−光学変調器。
【請求項１１】
前記側壁の少なくとも一部がなす角度は垂直方向に対して、−５°〜−６０°の範囲であることを特徴とする請求項１０記載の電子−光学変調器。
【請求項１２】
前記電子−光学材料は、リチウムナイオバイトであることを特徴とする請求項１１記載の電子−光学変調器。
【請求項１３】
前記第１電極は、前記リッジ上でかつ前記リッジに沿って延びることを特徴とする請求項１２記載の電子−光学変調器。
【請求項１４】
前記側壁の両方は、凹角であることを特徴とする請求項１２記載の電子−光学変調器。
【請求項１５】
前記リッジの高さは、１−１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１２記載の電子−光学変調器。
【請求項１６】
前記リッジの幅は、３−２０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１５記載の電子−光学変調器。
【請求項１７】
電子−光学変調器の製造方法であって、
（ａ）電子−光学材料の材料製の基板内に、埋め込まれた導波路を形成するステップと、
（ｂ）前記埋め込まれた導波路の一部の上を覆うように、前記基板上に電極を形成し、前記基板の前記電極が形成される部分とは異なる前記基板の部分に、少なくとも一つの平面電極を形成するステップであって、前記埋め込まれた導波路の一部が、マッハツェンダ電子−光学変調器領域をしているようなステップと、
（ｃ）電子−光学材料のリッジを形成するために、前記マッハツェンダ電子−光学変調器領域内に、前記埋め込まれた導波路の、各側に沿って、前記基板内にトレンチをエッチングするステップであって、前記導波路が、前記リッジ内に、少なくとも一部が含まれ、前記電子−光学材料のリッジは、少なくとも１つの凹角側壁を有しているステップとを含む、ことを特徴とする電子−光学変調器の製造方法。
【請求項１８】
前記エッチングステップの前に、イオン注入ステップが行われ、前記トレンチに対応する基板の一部が、前記イオン注入ステップにより損傷され、この損傷は、台形を形成して、前記凹角側壁を形成することを特徴とする請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記電極を、イオン注入ステップの間、注入マスクとして用いることを特徴とする請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記イオン注入ステップは、
第１角で、前記基板上にイオンビームを照射するステップを備え、
前記第１角は、前記凹角側壁の角度にほぼ対応し、そして前記基板内に第１損傷領域を形成しており、該イオン注入ステップはさらに、
前記基板内に、第２損傷領域を形成するために、第２角で、前記基板にイオンビームを照射するステップと、
凹角側壁を有するリッジを形成するために、前記第１と第２の損傷領域をエッチングで除去するステップとを備え前記第２角は、前記第１角と反対向きで、ほぼ同じであることを特徴とする請求項１９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子−光学変調器とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子−光学変調器、通常はリチウムナイオバイト製変調器は、大部分の光波システムの主要な構成要素である。最新の商業用のシステムにおいては、これらのデバイスは、デジタルであり、最大１０Ｇビットでの伝送レートを有する。開発中のシステムにおいては、４０Ｇビット以上のデータ速度に達するものも期待されている。しかし、ビットレートが増加すると、駆動電圧もまた同じく増加する。現在のところ、過大な駆動電圧は、超高速のビットレートの変調器を実現する際の制約となっている。駆動電圧を下げた新たなデバイスの設計は、これらの変調器の開発および大量の商業用のアプリケーションに対し、必要不可欠なものとなっている。
【０００３】
マッハツェンダ電子−光学変調器において、駆動電圧を下げる様々な提案の中では、光学場と電界との間の相互作用領域を最適化することである。これらの技術は、リチウムナイオバイト製の結晶以内にリッジをエッチングし、そして導波路を電子−光学材料のエッジ内に配置することである。これにより電界の貫通（field penetration）が改善され、駆動電圧が低下する。この構造はまた、相互作用領域におけるＲＦラインのキャパシタンスもまた低下させる。しかし、このデバイス構造における、光学場と電界のプロファイルは、全く異なったものであり、これにより得られる相互作用領域に対する、光学的な相互作用が制限されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、光学場と電界が最大となるような、光学場のプロファイルにより多くマッチした電界のプロファイルを有する、リチウムナイオバイト製の電子−光学変調器を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のリチウムナイオバイト製基板は、リッジ変調器構造における、リッジの形状を整えて、電界のプロファイルを成形することにより得られる。この成形は、凹角（逆テーパ状）の側壁を具備する導波路用のリッジを作り出すことである。この手段により、電界プロファイルの最大値がリッジの表面の真下で、光学場の最大値に近い位置で得られる。これらのプロファイルの最大値をマッチングさせることにより、デバイス内のＲＦ場と光学場のオーバーラップが高められ、これにより必要な駆動電圧を低減させることができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
図１に拡散導波路１２を具備した電子−光学基板１１が示されている。この電子−光学基板１１は、通常リチウムナイオバイト製である。しかし、他の電子−光学材料も利用できる。拡散導波路１２はチタンの拡散により、好ましくは公知の二重拡散プロセスにより形成される。導波路の形成の詳細な説明は、割愛する。リチウムナイオバイト材料、あるいは他の材料内に適宜の導波路を形成する技術は、従来公知である。図１の拡散導波路１２は、２つに分割され、２つの活性相互作用領域を結成する。
【０００７】
ストリップ電極１３が、この相互作用電子−光学領域の上に形成されている。この２本のストリップ電極１３に逆極性の電圧をかけることにより（図１の２つのＲＦ入力により）、マッハツェンダの２本のアームのそれぞれの連続並光学入力は、この２本のアームが再結合したときに同位相（phase matched）、あるいは異なる位相（phase unmatched）となるようにされる。このそれぞれの光学信号が再結合すると、強めあったり打ち消しあったりしてＲＦ入力信号により決定される周波数を有するパルス光学出力を形成する。マッハツェンダ型の電子−光学変調器は、従来公知であり、これに関しては、Ivan P. Kaminlow とThomas L. Koch 著の Optical Fiber Telecommunications IIIB, San Diago, CA:Academic Press, 1997, ch. 9  を参照のこと。
【０００８】
図１のデバイスの活性領域の断面、すなわち電界と光学場のオーバーラップした領域を図２に示す。この図２は、図１の線２−２に沿った断面図である。サブ表面にある拡散導波路１２は、リチウムナイオバイト結晶である電子−光学基板１１内に形成されている。駆動電極は、ストリップ電極１３、１４で示されている。二酸化シリコン製のバリア層がバッファ層１５で示されている。駆動電極（ストリップライン）の寸法は、次のとおりである。
厚さ：５−２０μｍ
幅：５−２０μｍ
バリア層の厚さ：０．５−２．０μｍ
【０００９】
２本の導波路を分離する距離は、導波路の交差角を最小にし、かつ全体の構成面積を小さくするように制御されている。駆動電極材料は、好ましくは金であるが、他の材料も使用可能である。バッファ層１５はＳｉＯ2製である。
【００１０】
図２に示したマッハツェンダ型の変調器のＲＦ場と光学場のプロファイルを図３に示す。同図は、変調器の活性領域の間のオーバーラップと、ＲＦ場と光学場の強度の変化を場強度：距離（ｚ方向）をプロットして示したものである。ＲＦ場のカーブのデータポイントを黒い四角で表し、光学場プロファイルのデータポイントを黒丸で示す。ＲＦ場のピークは表面にあるが、埋設導波路の光学場のピークは表面から２−３μｍの深さのところにあることが図３から分かる。
【００１１】
電子−光学の相互作用の効果は、ＲＦプロファイルのピークが光学プロファイルのピークにきわめてマッチしたときに改善される。
【００１２】
ＲＦピークを、光学ピークに近づける１つのアプローチは、リッジまたはメサ構造を具備する導波路を形成し、ＲＦ／光学場のオーバーラップを改善することである。この様なデバイス構造を図４に示す。同図において、リチウムナイオバイト製基板４１は、導波路４２がメサ内に埋設されるようにメサを形成するようパターン化することである。図４は、実際の寸法どおりには描いていない。図４の酸化物製バッファ層４５は、薄い堆積層である。好ましい構造においては、導波路がリッジ内に全部あるいは少なくとも一部が埋設されるようにすることである。
【００１３】
図４は、リチウムナイオバイト製基板の導波路領域をマスキングし、その表面をエッチングすることにより容易に形成できる。このデバイスのフィールドプロファイルを図５に示し、同図においては、ＲＦ場と光学場との間のオーバーラップが改善されていることを示す。しかし、２つのプロファイルの最大値は、図２、３のデバイスと同様、依然として分離している。
【００１４】
本発明によれば、ＲＦ場のプロファイルのピークは、リチウムナイオバイト製基板の表面の下にシフトしている。これは、参考例である図６に示した構造により達成できる。このデバイス構造での重要、かつ新規な特徴点は、導波路５２を含むメサ上に、凹角側壁５５を形成していることである。この構造においては、電極５３、５４に形成された、ＲＦ場のピークは、光学プロファイルのピークの近くにシフトし、電子−光学相互作用の有効性を改善し、オーバーラップを最適にしている。
【００１５】
この新規な利点が得られるメカニズムを次に説明する。
【００１６】
ＲＦ／光学場のオーバーラップは、速度がマッチしたデバイスの機能（velocity matched device）を損なうことなく、ＲＦ場の強度のピークを光学場の強度のピークに一致させるように、ＲＦ場の分布を変えることにより改善できる。これを達成する１つの方法は、結晶の無線周波数における誘電率（radio-frequencyrelative permittivity）を変えて、光学導波路の相対的誘電率（relative dielectric constant）が、最大のＲＦ場の強度が必要とされる点で最小の値をとるようにすることである。この様にして、より大きなＲＦ場が、光学導波路の領域に形成される。これは、次のたとえにより、より明確となる。
【００１７】
キャパシタギャップ内に、２つの誘電材料（ａ）（ｂ）で形成された、並列のプレートのキャパシタを考えてみて、材料（ａ）は、材料（ｂ）よりもはるかに低い誘電率（dielectric constant）を有するものとする。さらにまた、この２つの材料を、サンドイッチ構造にして、キャパシタギャップ内に配置し、その結果材料（ａ）は、ギャップ領域の中心にあり、材料（ｂ）は、材料（ａ）の側のギャップの残りの部分を満たすようにする。場の分布は、低誘電率材料（ａ）内で、はるかに大きな場が得られるようにする。言い換えると、２つのキャパシタプレート間の電圧ドロップの大部分が、低誘電率材料で発生するようにする。このたとえを、図６に示した光学変調器に適応する。変調器の誘電率は、光学導波路領域でのみ低下する場合には、より大きなＲＦ場、それゆえにより大きなＲＦ／光学のオーバーラップがデバイス内で達成できる。
【００１８】
しかし、結晶の変調領域の大きな電子−光学係数を維持しながら、リチウムナイオバイトの誘電率を変化させる技術は、未だ開発されていない。そのため、本発明者らは、リチウムナイオバイト結晶の材料特性を変化させることなく、導波路リッチの形状を変化させることで、導波路の「有効誘電率」を変化させる方法を提案している。
【００１９】
リッジの有効誘電率は、リッジの幅に依存している。リッジの上部に対する底部で、リッジの幅を減らすことにより、たとえば図６に示すようなリッジをアンダーカットすることにより、有効誘電率はリッジの表面下の点で最低となる。この光学導波路においては、ＲＦ場は、導波路の光学モードの中心近傍で最大値を有する。、光学場が最大となる場所で、導波路の有効誘電率が最小となる場合には、ＲＦ場のプロファイルと、光学場のプロファイルの形状がきわめてよくマッチする。
【００２０】
図６に示したデバイス構造においては、電極５４は、リッジ構造に起因してｚ方向にオフセットしている。すなわち、へこんでいる。本発明の凹角側壁効果に起因する等価の性能を具備するデバイスを、共通平面電極でもって形成できる。以下に説明することから明らかなように、共通平面電極を具備する構造体は、製造し、パッケージしやすい。共通平面電極を具備する構造体は、リッジの中に含まれる導波路ではなく、「トレンチ」で規定される導波路を有すると説明される傾向がある。このような場合における凹角側壁は、トレンチ側壁となる。本明細書においては、これらの２つの場合は、等価とみなされている。
【００２１】
図６のデバイスのＲＦと光学場のプロファイルを図７に示す。ＲＦ場のプロファイルの最大値は、光学場のプロファイルのピークがある点まで、リッジの表面の下に移動する。
【００２２】
図６のデバイスの重要な特徴は、リッジの側壁に形成された負の傾斜である。本明細書においては、この構造体は、凹角側壁と称する。すなわち内側に向かった側壁を有する。リッジ型導波路を具備する、通常のデバイスにおいては、リッジの側壁は外側に向かって傾斜している。すなわち、理想的な異方性エッチングが用いられた場合には、垂直形状をしている。以下に説明するような、特別なプロセスステップを用いて、凹角側壁を得る。凹角角、すなわち垂直方向に対し、側壁の形成する角度は、少なくとも−５°、好ましくは−１０°であり、より大きな負の数が所定の条件に適合するものである。
【００２３】
好ましい実施例においては、側壁は均一に傾斜している。しかし、均一でない傾斜もまた、リッジの底部における電極ギャップの平均幅が、リッジの上部における平均幅よりも大きい限り有効である。この条件は、連続的な傾斜、あるいはステップ状の傾斜と適合するものである。いずれにしても側壁は、凹角、すなわち内側に傾斜しているとみなされる。この実施例ではリッジの上で、かつそれに沿って延びる電極をさらに設けることができる。
【００２４】
コンピュータによるモデル化を、ＲＦ／光学オーバーラップにおける様々な凹角側壁形状の影響を決定するために、図６の基本的構造を具備してデバイスで実行した。その結果を、図８−１３に示す。図８は、リッジがない状態のデバイス、すなわちリッジの高さが０であり、オーバーラップが１に正規化された状態のデバイスのアンダーカット量と、有効オーバーラップ量を示している。このカーブは、図９−１３のベースラインに含まれている。図８−１３のデバイスのリッジの上部におけるリッジ幅は、１０μｍで、電極の厚さは、１５μｍで、電極間のギャップ距離は、１５μｍである。
【００２５】
図９は、１μｍのリッジを有するデバイスのデータを示す。５％のオーバーラップの改善が、垂直側壁を有するリッジに対し得られた。正の傾斜を有する側壁に対しては、オーバーラップが悪くなった。このオーバーラップの改善は、凹角のアンダーカットを有する場合得られ、アンダーカットが２μｍの場合、１０％の改善が得られた。図８−１３の単位μｍにおけるアンダーカットは、側ごとであり、すなわち−２μｍで示されたデータ点の全アンダーカット量は、４μｍで、このことは、リッジはひっくりがえった台形をしていることを意味し、広い方が１０μｍで、狭い方が６μｍの反転した台形の形状を有していることを意味している。
【００２６】
図１０は、リッジの高さが３μｍのデータポイントを表す。変調の改良の特性は、小さなアンダーカットを有し、このアンダーカットが増加するにつれて導波路が変動して、有効オーバーラップ長が減少することを示す。図１１は、リッジ高さが４μｍのデータを示し、これらのモデルに対し選択された形状のデバイスで、最適の性能を与えている。同図から分かるように、２μｍのアンダーカットでもって、オーバーラップが４４％改善している。これは、アンダーカットがない場合のリッジの高さが４μｍのデバイスで、２７％の改善とは対照的であり、その結果、６０％以上の改善結果が得られる。
【００２７】
図１２、１３に示されたデータから明らかなように、より深いリッジを有する対応するアンダーカットは、オーバーラップの改善の観点からは収穫低減（diminishing returns）の法則が示される。図１２でモデル化されたデバイスのリッジ高さは５μｍで、図１３のデバイスのリッジ高さは６μｍである。しかし、オーバーラップの改善は、１−１０μｍのリッジ高さとリッジ幅が３−２０μｍの様々なデバイスで期待できる。凹角の角度の範囲は、導波路のリッジと、サイズと、場所の初期形状に依存しているが、通常−５°から−６０°の範囲内である。
【００２８】
凹角の側壁を生成する方法を、図１４−２４を用いて説明する。
【００２９】
図１４において、リチウムナイオバイト製基板６０のマッハツェンダデバイスは、電極６１と導波路６２を具備する。注入マスクとして電極パターンを用いて、図１５の第１イオン注入６３が、基板に対しある角度で傾斜して行われる。この角度は図６のアンダーカット構造に対しては、所望の凹角角である。このイオン注入を用いて、リチウムナイオバイト結晶に対し、選択的に損傷を与え、これによりこの損傷された部分が、基板の残りの部分に対し、選択的にエッチングされる。酸素イオンの注入同図量は、５×１０14／ｃｍ3以上が好ましい。Ｈｅのような、他のイオンも用いることができる。このイオン注入は、酸化物バッファ層を介して行われるが、このバッファ層の除去は、必要な注入エネルギーを減らすために好ましい。
【００３０】
注入ステップを行った結果、図１６に示すような損傷領域６５が形成される。その後、反対側から同様な角度で行う注入が、図１７の第２イオン注入６７により行われる。この第２イオン注入６７の結果により、図１８に示すように、損傷領域６８が形成される。これらの損傷領域６５、６８が組み合わされて、台形状の損傷領域が形成される。その後、この損傷領域を、水酸化アンモニウムと、過酸化水素と、水（通常、ＲＣＡ溶液と称する）、あるいは、５％ＨＦを有する水、あるいはＨＮＯ３とＨＦが２：１の混合液からなるウェットエッチング材を用いて選択的にエッチングされる。損傷した領域を除去することにより、図１９に示すような所望の凹角側壁７１を有するリッジが形成される。電極パターンを、注入マスクとして用いた結果、自己整合構造が得られ、さらに、導波路のエッジに対して凹角の側壁を正確に配置できるようになる。
【００３１】
複数のマスクを用いたフォトマスク技術も用いることができる。この技術の一実施例を、図２０−２４に示す。図２０において、第１マスク８１が基板に形成され、導波路領域をマスクして、リッジ領域を規定する。このマスク材料は、金、またはタングステン、あるいは他の適宜の材料で、標準のリソグラフ技術を用いてパターン化される。
【００３２】
別報として、光で規定可能なポリマの厚い層、たとえば標準のフォトレジストを用いると、プロセスが幾分単純化される。導波路の上のマスクの部分の幅は、図２０に示した導波路よりも広く形成される。第１回の注入ステップを、図２１に示すよう実行し、その際の注入ビーム８５のエネルギーは、浅い８４が、導波路の深さ以下となる深さになるよう調整される。この構造体に、その後、マスク８８で再度マスクする。導波路領域の上のマスク８８の部分は、第１マスク８１の対応する特徴物よりも狭い。
【００３３】
より高い注入エネルギーを有する、第２回目の注入エネルギー８７をマスク８８を用いてその後実行して、図２３に示すような注入領域８９を規定する。イオン注入のエネルギーは、構造の形状に依存し、たとえばエネルギーと深さの関係は公知である。２回目の注入の深さは、導波路の深さ以上が好ましい。損傷領域が図２４に示されるように、選択的にエッチングで除去されると、凹角側壁９１が形成される。この凹角側壁９１は、段階上であるが、トレンチの底部における電極のギャップ幅は、底部上のトレンチの幅よりも大きいために有効である。注入ステップのシーケンスは、逆にしてもよく、そして逆にしても同一の結果が得られる。凹角側壁の形成を完了した後、デバイスは、バッファ層を堆積し、電極を形成して完成する。平面構造を得るために、トレンチを充填するのが好ましい。トレンチを充填する技術は公知で、トレンチ絶縁の様々な形態、およびＭＯＳデバイスのトレンチキャパシタで用いられている。
【００３４】
リチウムナイオバイト製の光学集積回路（optical integrated circuits：ＯＩＣｓ）の処理技術は、従来公知のもので、本発明を実行するために、特別に説明する必要はない。たとえば、ＳｉＯ2製のバリア層を堆積し、エッチングする方法、および導波路を拡散する方法、および電極層を堆積し、リソグラフ技術でパターン化する技術は、上記の本発明の一部ではないが、本発明のステップの説明を行うために、一般的な処理である。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般的な表面形状を有する、リチウムナイオバイト製の変調器を表す斜視図。
【図２】従来技術にかかる通常の表面変調器の、ＲＦ駆動電極と埋め込み型光学導波炉を表す断面図。
【図３】図２のリチウムナイオバイト製変調器の活性領域内にあるＲＦと、光学場強度の変化を表す場強度対距離（ｚ方向）の関係を表すグラフ。
【図４】従来技術にかかるリッジ変調器を表す図２に類似する断面図。
【図５】図４のリチウムナイオバイト製変調器の活性領域内にあるＲＦと、光学場強度の変化を表す場強度対距離（ｚ方向）の関係を表すグラフ。
【図６】本発明により変更したリッジ変調器を表す図２、４に類似した断面図。
【図７】図６のリチウムナイオバイト製変調器の活性領域内にあるＲＦと、光学場強度の変化を表す場強度対距離（ｚ方向）の関係を表すグラフ。
【図８】有効ＲＦ／光学オーバーラップ上のリッジ高さと、アンダーカットの影響を比較するための、凹角ウォールのアンダーカット量と、ＲＦ／光学オーバーラップとの関係を表すグラフ。
【図９】有効ＲＦ／光学オーバーラップ上のリッジ高さと、アンダーカットの影響を比較するための、凹角ウォールのアンダーカット量と、ＲＦ／光学オーバーラップとの関係を表すグラフ。
【図１０】有効ＲＦ／光学オーバーラップ上のリッジ高さと、アンダーカットの影響を比較するための、凹角ウォールのアンダーカット量と、ＲＦ／光学オーバーラップとの関係を表すグラフ。
【図１１】有効ＲＦ／光学オーバーラップ上のリッジ高さと、アンダーカットの影響を比較するための、凹角ウォールのアンダーカット量と、ＲＦ／光学オーバーラップとの関係を表すグラフ。
【図１２】有効ＲＦ／光学オーバーラップ上のリッジ高さと、アンダーカットの影響を比較するための、凹角ウォールのアンダーカット量と、ＲＦ／光学オーバーラップとの関係を表すグラフ。
【図１３】有効ＲＦ／光学オーバーラップ上のリッジ高さと、アンダーカットの影響を比較するための、凹角ウォールのアンダーカット量と、ＲＦ／光学オーバーラップとの関係を表すグラフ。
【図１４】本発明により変更した、リッジ変調器の製造プロセスの第１実施例の各ステップを表す図。
【図１５】本発明により変更した、リッジ変調器の製造プロセスの第１実施例の各ステップを表す図。
【図１６】本発明により変更した、リッジ変調器の製造プロセスの第１実施例の各ステップを表す図。
【図１７】本発明により変更した、リッジ変調器の製造プロセスの第１実施例の各ステップを表す図。
【図１８】本発明により変更した、リッジ変調器の製造プロセスの第１実施例の各ステップを表す図。
【図１９】本発明により変更した、リッジ変調器の製造プロセスの第１実施例の各ステップを表す図。
【図２０】本発明により変更した、リッジ変調器の製造プロセスの第２実施例の各ステップを表す図。
【図２１】本発明により変更した、リッジ変調器の製造プロセスの第２実施例の各ステップを表す図。
【図２２】本発明により変更した、リッジ変調器の製造プロセスの第２実施例の各ステップを表す図。
【図２３】本発明により変更した、リッジ変調器の製造プロセスの第２実施例の各ステップを表す図。
【図２４】本発明により変更した、リッジ変調器の製造プロセスの第２実施例の各ステップを表す図。
【符号の説明】
１１  電子−光学基板
１２  拡散導波路
１３、１４  ストリップ電極
１５  バッファ層
４１  リチウムナイオバイト製基板
４２  導波路
４３、４４
４５  酸化物製バッファ層
５２  導波路
５３、５４  電極
５５  凹角側壁
６０  リチウムナイオバイト製基板
６１  電極
６２  導波路
６３  第１イオン注入
６５、６８  損傷領域
６７  第２イオン注入
７１  凹角側壁
８１  第１マスク
８４  浅い注入領域
８５  注入ビーム
８７  注入エネルギー
８８  マスク
８９  注入領域
９１  凹角側壁
【図１】
0003980250.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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