(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金型の空隙部に成形用樹脂材を射出し、可動側金型と固定側金型との接触により型締め力を発生させて樹脂材を加圧し、所定の形状に成形した光ディスク基板を取り出す光ディスク基板の成形方法であって、
成形開始位置を前ショットで成形された光ディスク基板を取り出した時の可動側金型の位置とし、該成形開始位置から、前記可動側金型を型締め力が発生しない所定の位置まで閉じ、樹脂材を金型内に射出してその射出途中から、前記可動側金型を型閉じ位置まで閉じて型締め力を発生させ、加圧、成形した後、その光ディスク基板を取り出す工程を繰り返して行うことを特徴とする光ディスク基板の成形方法。
【請求項２】
樹脂材射出時の金型開き量を０．０１ｍｍ以上、１．００ｍｍ以下とすることを特徴とする請求項１記載の光ディスク基板の成形方法。
【請求項３】
前記成形する光ディスク基板の厚みは０．６ｍｍであることを特徴とする請求項２記載の光ディスク基板の成形方法。
【請求項４】
型締め機構と、型締め位置検出手段と、型締め力検出手段とを有し、可動側金型と固定側金型とによって型締め力が発生する金型の位置を予め求めることのできる構成であり、請求項１記載の光ディスク基板の成形方法を実施するための光ディスク基板の成形装置であって、
前ショットで成形された光ディスク基板を取り出した時の可動側金型の位置を成形開始位置とし、その成形開始位置から、可動側金型を型締め力が発生しない所定の位置まで閉じ、樹脂材を金型内に射出してその射出途中から、可動側金型を型閉じ位置まで閉じて型締め力を発生させ、加圧、成形した後、その光ディスク基板を取り出す一連の繰り返し動作を制御する制御装置を備えていることを特徴とする光ディスク基板の成形装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク基板の成形方法及び光ディスク基板の成形装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、特開２０００−１１７７９４号公報に開示され、図３に示したように、前ショットの成形が終了し、成形体を取り出してから、次ショットの射出が行われる際、まず、可動側金型を型締め方向に移動させ、可動側金型と固定側金型との間で型締め力を発生させる（Ｓ１）。その後、樹脂材を金型内に射出しながら（Ｓ２）可動側金型を型開き方向に移動させる（Ｓ３）。そして、可動側金型を型閉じ位置まで閉じて型締め力を発生させ、加圧し（Ｓ４）、所定の形状に成形した（Ｓ５）成形体を金型を開いて（Ｓ６）、取り出す（Ｓ７）。
【０００３】
あるいは、図４に示したように、可動側金型と固定側金型との間で型締め力を発生させた（Ｓ１）後、可動側金型を型開き方向に移動させ（Ｓ３）、その後、樹脂材の射出（Ｓ２）を行う（（Ｓ４）以降は図３に示す例と同じ）、という方法が採られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような従来の方法では、樹脂材を射出しながら型開き動作をした場合、射出開始時の樹脂の流動幅が狭いため、樹脂の流動性が悪く、品質が低下するという問題があった。
【０００５】
また、可動側金型を型締め方向に移動させ、可動側金型と固定側金型との間で型締め力を発生させた後、型開きを行うのでは、時間のロスが発生し、成形タクトが長くなるという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、樹脂材の流動を良化させるとともに型開閉動作を短縮させることにより、品質の向上及び成形タクトの短縮ができる光ディスク基板の成形方法及び成形装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の光ディスク基板の成形方法は、金型の空隙部に成形用樹脂材を射出し、可動側金型と固定側金型との接触により型締め力を発生させて樹脂材を加圧し、所定の形状に成形した光ディスク基板を取り出す光ディスク基板の成形方法であって、成形開始位置を前ショットで成形された光ディスク基板を取り出した時の可動側金型の位置とし、該成形開始位置から、前記可動側金型を型締め力が発生しない所定の位置まで閉じ、樹脂材を金型内に射出してその射出途中から、前記可動側金型を型閉じ位置まで閉じて型締め力を発生させ、加圧、成形した後、その光ディスク基板を取り出す工程を繰り返して行うことを特徴とする。
【０００９】
樹脂材射出時の金型開き量は、０．０１ｍｍ以上、１．００ｍｍ以下とすることが好ましく、成形する光ディスク基板の厚みは０．６ｍｍである。
【００１１】
又、本発明の光ディスク基板の成形装置は、型締め機構と、型締め位置検出手段と、型締め力検出手段とを有し、可動側金型と固定側金型とによって型締め力が発生する金型の位置を予め求めることのできる構成であり、請求項１記載の光ディスク基板の成形方法を実施するための光ディスク基板の成形装置であって、前ショットで成形された光ディスク基板を取り出した時の可動側金型の位置を成形開始位置とし、その成形開始位置から、可動側金型を型締め力が発生しない所定の位置まで閉じ、樹脂材を金型内に射出してその射出途中から、可動側金型を型閉じ位置まで閉じて型締め力を発生させ、加圧、成形した後、その光ディスク基板を取り出す一連の繰り返し動作を制御する制御装置を備えていることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお各図において同じ構成部分については同じ符号を付して詳しい説明は省略する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施の形態における成形方法の工程フロー図を示したもので、前ショットで成形された成形体を取り出した（Ｓ７）時の可動側金型の位置を成形開始位置とし、その成形開始位置から、まず、可動側金型を型締め力が発生しない位置まで閉じる。このときはまだ型開き状態である（Ｓ３）。この型開き位置で射出を開始し（Ｓ２）、その射出途中から、可動側金型を型閉じ位置まで閉じて型締め力を発生させ（Ｓ４）、成形を行う（Ｓ５）。
【００１４】
このように、射出開始までの可動側金型を、成形体取り出し位置から、タッチ位置を経由せずに、型締め力が発生しない所定の位置まで閉じる動作をさせることで、射出開始までの時間ロスを減らし、結果的に成形タクトを短縮することができる。また、射出開始までの時間ロスが減ることで、金型表面の温度低下を減少させることができ、転写性が向上する。
【００１５】
また、型開き状態で樹脂が射出されるため、樹脂の流動幅が広くなり、樹脂の流動性が良化すること及びスキン層の影響が低減されることで、一般的に射出時間が短縮されることになり、タクトが短縮するとともに、基板の品質、特に光学特性が向上する。
【００１６】
具体的には、光ディスクの場合、樹脂の流動幅が広がることで、スキン層の影響を小さくすることができ、その結果、複屈折が減少する。射出時の型開き量は、光ディスクの、特に０．６ｍｍ厚基板の成形体の場合、型開き量が大きすぎると成形後の外周部のバリが大きくなること、及び射出時に型締め力を発生して加圧する際に表面が既に固化して転写が悪化することから、型開き量は０．０１ｍｍから１．００ｍｍが最も複屈折は良化する。
【００１７】
上記方法により得られた光ディスク成形基板は、複屈折の良化及び転写性の向上による品質の向上、及び品質の向上による歩留まりの向上と成形タクト短縮による生産能力の向上が達成できる。
【００１８】
図２は、上記金型動作をさせる成形装置を示したもので、１はサーボモータ、２はタイバー、３は歪センサ、４はベルト、５はクランク機構、６はトグル機構、７は型開閉エジェクト機構、８は制御装置、９は可動側金型１０ａを保持する可動プラテン、１１は固定側金型１０ｂを保持する固定プラテンである。
【００１９】
上記構成において、サーボモータ１の回転によりクランク機構５が移動し、トグル機構６部が屈曲することにより可動プラテン９が下がり、可動側金型１０ａが開くように動作する。
【００２０】
そこで、前ショットで成形された成形体を取り出した時の可動側金型の位置を成形開始位置とし、その成形開始位置から、可動側金型１０ａを型締め力が発生しない所定の位置まで閉じ、樹脂材を金型内に射出してその射出途中から、可動側金型１０ａを型閉じ位置まで閉じて型締め力を発生させ、加圧、成形する。成形後は、可動側金型１０ａを更に開き、成形体を取り出す。この一連の動作は制御装置８に予め設定したプログラムに従って行われる。このようにして、光ディスク成形体を得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、成形開始位置を前ショットで成形された光ディスク基板を取り出した時の可動側金型の位置とし、この状態から射出を行うことで、射出時の樹脂流動幅を拡大し、樹脂の流動性を良化するとともにスキン層の影響を小さくし、かつ、当該成形ないし取り出し工程を繰り返し行うことにより、型開閉動作時間を短縮できる。これにより、品質の向上及び成形タクトの短縮を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態における成形方法の工程フロー図
【図２】本発明の一実施形態における成形装置の構成図
【図３】従来の成形方法の工程フロー図
【図４】従来の他の成形方法の工程フロー図
【符号の説明】
１  サーボモータ
２  タイバー
３  歪センサ
４  ベルト
５  クランク機構
６  トグル機構
７  型開閉エジェクト機構
８  制御装置
９  可動プラテン
１０ａ  可動側金型
１０ｂ  固定側金型
１１  固定プラテン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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