(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0004022388.tif 000018
（式中、Ｒ1 は炭素原子数１〜１２のアルキル基を示し、Ｒ2 は炭素原子数１〜４のアルキル基を示し、ｐは４〜６の整数を示し、ｍ及びｎはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。）
で表される４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類に関する。詳しくは、シクロヘキシリデン基の４−位にヒドロキシフェニル置換シクロアルキル基を有する４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類に関する。
【０００２】
このような４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類は、液晶ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン等の合成樹脂原料、電子表示素子や半導体等のフォトレジスト原料等として有用である。
【０００３】
【従来の技術】
従来、４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類に関しては、例えば、特開平４−２８２３３４号公報には、アルキル置換シクロヘキサノンとフェノールとを酸触媒の存在下で反応させて、１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルシクロヘキサンと１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）−４−ｔ−ブチルシクロヘキサンを得ることが記載されている。また、特開平０２−１２９１５５号公報には、４−ｎ−プロピルシクロヘキサノンとフェノールを原料として、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−ｎ−プロピルシクロヘキサンを得ることが記載されている。更に、特開２０００−６３３０８公報には、４−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサノンとフェノールを原料として、１，４，４−トリス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンを得ることが記載されている。
【０００４】
このような４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類は、液晶性樹脂原料、ポリカーボネート等合成樹脂原料、電子表示素子や半導体等のフォトレジスト原料等の分野において有用である。しかし、これらの分野においては、４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類に要求される性能も益々多様化、高度化してきており、上述したように、従来より知られているものは、例えば、耐熱性、親油性等において十分でない。そこで、近年、特に、耐熱性等の改善された４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類が強く要望されている。
【０００５】
本発明者らは、上述した要望に応えるべく、鋭意、研究した結果、シクロヘキシリデンビスフェノール類のシクロヘキシル基の４−位にヒドロキシフェニル置換シクロアルキル基を導入することによって、耐熱性や親油性の改善が期待できる新規な４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類を得ることができることを見出して、本発明に至ったものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明は、シクロヘキシル基の４−位にヒドロキシフェニル置換シクロアルキル基を有する新規な４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明による新規な４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類は、一般式（Ｉ）
【０００８】
【化２】
0004022388.tif 000002
【０００９】
（式中、Ｒ1 は炭素原子数１〜１２のアルキル基を示し、Ｒ2 は炭素原子数１〜４のアルキル基を示し、ｐは４〜６の整数を示し、ｍ及びｎはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。）
で表される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明による新規な４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類は、上記一般式（Ｉ）で表される。ここに、ｐはシクロヘキシリデン基の４−位に結合している炭素原子と共にシクロアルキリデン基を形成するメチレン基の数であって、４〜６の整数であり、ｍ及びｎはそれぞれ独立して０〜３の整数である。ｐが４〜６の整数であるとき、上記シクロアルキリデン基は、シクロペンチリデン基、シクロヘキシリデン基又はシクロヘプチリデン基であり、好ましくは、ｐがそれぞれ４又は５であるシクロペンチリデン基又はシクロヘキシリデン基である。Ｒ1 は、このシクロアルキリデン基が有していてもよいアルキル基を示し、具体的には、鎖状のメチル基、エチル基、プロピル、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等であり、炭素原子数３以上のアルキル基は直鎖状でも分岐鎖状でもよい。しかし、好ましくは、Ｒ1 は炭素原子数１〜６、特に好ましくは、炭素原子数１〜４のアルキル基である。同様に、Ｒ2 は、シクロヘキシリデン基の１−位に結合しているヒドロキシフェニル基が有していてもよいアルキル基を示し、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基であり、プロピル基とブチル基は直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
【００１１】
従って、本発明による４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の具体例としては、例えば、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（３−メチルシクロペンチル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（２−エチルシクロペンチル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（３−イソプロピルシクロペンチル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（３−イソブチルシクロペンチル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（２，４−ジメチルシクロペンチル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−エチルー４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−イソプロピルー４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（３−メチルシクロペンチル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（３−メチルシクロペンチル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（２−メチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（３−メチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−メチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（３−エチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−イソプロピルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−イソブチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−ペンチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−ヘキシルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−オクチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−ノニルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（２，４−ジメチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（３，３，５−トリメチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（２，３，５−トリメチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−イソプロピル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−イソブチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（４−メチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（２，４−ジメチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−エチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（２，３，５−トリメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（３−メチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（２，３，６−トリメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−メチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（２−エチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−イソプロピルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−ｎ−プロピル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−イソブチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３−イソブチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−イソプロピルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン、
１，１−ビス（３、５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）（４−エチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサン等を挙げることができる。
【００１２】
このような、本発明による４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類は、例えば、一般式（II）
【００１３】
【化３】
0004022388.tif 000003
【００１４】
（式中、Ｒ1、ｐ及びｍは前記と同じである。）
で表される置換シクロヘキサノン類と一般式（III）
【００１５】
【化４】
0004022388.tif 000004
【００１６】
（式中、Ｒ2 及びｎは前記と同じである。）
で表される（アルキル）フェノール類を反応溶媒中、酸触媒の存在下に脱水縮合反応させることによって得ることができる。
【００１７】
上記置換シクロヘキサノン類とその製造方法は、特開２００１−１９２３５２号公報に記載されている。
【００１８】
上記置換シクロヘキサノン類の具体例として、例えば、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルシクロペンタン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルシクロヘキサン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルシクロペンタン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルシクロヘキサン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルシクロヘキサン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−３―イソプロピルシクロペンタン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−３−イソブチルシクロペンタン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソブチルシクロヘキサン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，４−ジメチルシクロペンタン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，４―ジメチルシクロヘキサン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，４−ジエチルシクロヘキサン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−２，３，５−トリメチルシクロヘキサン、
等を挙げることができる。
【００１９】
また、上記（アルキル）フェノール類の具体例として、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、２，３−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，６−トリメチルフェノール、３−メチル−６−ｔ−ブチル−フェノール、２−エチルフェノール、２−イソプロピルフェノール、２−ｔ−ブチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール等を挙げることができる。
【００２０】
上記置換シクロヘキサノン類は、例えば、一般式（IV）
【００２１】
【化５】
0004022388.tif 000005
【００２２】
（式中、Ｒ1、ｐ及びｍは前記と同じである。）
で表されるビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロアルカン類を反応溶媒中、パラジウム触媒の存在下に選択的水素化することによって得ることができる。
【００２３】
上記置換シクロヘキサノン類と（アルキル）フェノール類との反応において、（アルキル）フェノール類は、置換シクロヘキサノン１モル部に対して、通常、４〜２０モル部の範囲で用いられる。
【００２４】
上記置換シクロヘキサノン類と（アルキル）フェノール類との反応において、反応溶媒は用いてもよく、また、用いなくてもよい。反応溶媒を用いる場合、例えば、脂肪族アルコール、芳香族炭化水素又はこれらの混合溶媒が用いられる。アルコールとしては、用いる反応原料、得られる生成物の溶解度、反応条件、反応の経済性等を考慮して、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等を挙げることができる。また、芳香族炭化水素溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、クメン等を挙げることができる。このような溶媒は、通常、用いる置換シクロヘキサノン１００重量部に対して、１００〜５００重量部の範囲で用いられるが、これに限定されるものではない。
【００２５】
上記酸触媒としては、塩酸又は乾燥塩化水素ガスが好ましく用いられる。しかし、これに限定されるものではなく、例えば、硫酸、無水硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、シュウ酸、ギ酸、リン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等も用いられる。更に、本発明によれば、反応を促進するために、メルカプタン等（例えば、オクチルメルカプタン）の助触媒を用いることができる。
【００２６】
反応は、通常、２０℃から８０℃、好ましくは、２０〜５０℃にて、反応器中の反応混合物に塩酸を添加するか、又は乾燥塩化水素ガスを吹き込みながら、撹拌下に、２〜４８時間程度、通常、６〜２４時間程度行えばよい。
【００２７】
反応終了後、通常、得られた反応混合物にアルカリを加えて、酸触媒を中和した後、油層に適宣の晶析溶剤を加えるか、又は水層を分離除去し、必要に応じて、得られた有機層を常圧又は減圧下に蒸留した後、これに適宣の晶析溶剤を加えるかして、粗結晶を析出させ、次いで、この粗結晶を濾取し、これを更に適宣の晶析溶媒から晶析させることによって、目的とする４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類の高純度品を得ることができる。
【００２８】
上記晶析溶媒としては、具体的には、晶析条件、精製効果、経済性等を考慮して、適宣に選ばれるが、芳香族炭化水素としては、例えば、トルエン、キシレン、クメン等が用いられる。また、脂肪族アルコールとしては、メタノール、エタノール等、脂肪族ケトンとしては、例えば、アセトン、メチルイソプロピルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソプロピルケトン等、環状エーテルとしては、テトラヒドロフラン、ジオキサン等が用いられる。
【００２９】
本発明による新規な４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類は、分子中に３つの芳香環を有し、また、分子中にシクロヘキサン環とシクロアルキル置換基を有するので、高い耐熱性、親油性及び溶媒親和性を有することが期待される。更に、本発明による４−置換シクロヘキシリデンビスフェノール類は、これを原料として、種々の反応、例えば、フェノール性芳香環に対する置換反応や、水添反応、フェノール性水酸基に対する反応等を行うことによって、種々の誘導体とすることができる。
【００３０】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。以下において、本発明の目的物である反応生成物の純度は液体クロマトグラフィーによる面積百分率の値である。
【００３１】
実施例１
（１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサンの製造）
温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた２Ｌ容量四つ口フラスコにフェノール２８．０ｇ（０．３モル）と３５％塩酸５６．５ｇを仕込み、反応容器内を窒素置換した後、常圧下、温度４０℃に昇温した。
【００３２】
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン４０．０ｇ（０．１５モル、ガスクロマトグラフィーによる純度９８．１％）をフェノール８５．０ｇ（０．９モル）に加えて、スラリーを調製した。上記フラスコ内に攪拌下、４０℃を保ちながら、このスラリーを２時間かけて滴下した。滴下終了後、温度を５０℃に昇温して、更に、２１時間、撹拌下に反応を行った。
【００３３】
反応終了後、得られたスラリー状の反応混合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液とメチルイソブチルケトンを加えて、反応混合物を中和すると共に、反応生成物を溶解させた。このように中和した後の反応混合物から水層を分液除去し、油層を得た。次いで、この油層から減圧下にメチルイソブチルケトンを一部留去して、濃縮残留物を得、これを冷却して、析出した結晶を濾別、乾燥して、目的とする１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサンの粗結晶４１．４ｇ（純度９４．４％）を得た。
【００３４】
この粗結晶に更にメチルイソブチルケトンを加え、晶析濾過し、乾燥して、純度９７．７％の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシル〕シクロヘキサンの精製物２４．６ｇを白色結晶として得た。１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンに対する収率は３７．６モル％であった。
【００３５】
融点（示差熱分析法）：２７６℃
分子量（質量分析法、Ｍ+）：４４２
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）：
水酸基：３２４４．０ｃｍ-1
ベンゼン環：１６１２．４〜１５１１．１ｃｍ-1
シクロヘキサン環：１４４６．５ｃｍ-1
プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）：
【００３６】
【化６】
0004022388.tif 000006
【００３７】
【表１】
0004022388.tif 000007
【００３８】
実施例２
（１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘキサンの製造）
温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた１Ｌ容量の四つ口フラスコにフェノール２２．０ｇ（０．２３モル）と３５％塩酸４３．７ｇを仕込み、反応容器内を窒素置換した後、常圧下、温度４０℃に昇温した。
【００３９】
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン３０．０ｇ（０．１２モル、ガスクロマトグラフィーによる純度１００．０％）をフェノール６５．５ｇ（０．７モル）に加えて、スラリーを調製した。上記フラスコ内に攪拌下、４０℃を保ちながら、このスラリーを２時間かけて滴下した。滴下終了後、更に、温度４０℃において２１時間撹拌下に反応を行った。
【００４０】
反応終了後、得られたスラリー状の反応混合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液とメチルイソブチルケトンを加えて、反応混合物を中和すると共に、反応生成物を溶解させた。このように中和した後の反応混合物から水層を分液除去し、油層を得た。次いで、この油層から減圧下にメチルイソブチルケトンを一部留去して、濃縮残留物を得、これを冷却して、析出した結晶を濾別、乾燥して、目的とする１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘキサンの粗結晶３７．２ｇ（純度９４．９％）を得た。
【００４１】
この粗結晶に更にメタノールと水との混合溶液を加え、晶析濾過し、得られた晶析物を乾燥して、純度９７．８％の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンチル〕シクロヘキサンの精製物１９．１ｇを白色結晶として得た。１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタンに対する収率は３７．５モル％であった。
【００４２】
融点（示差熱分析法）：２４１℃
分子量（質量分析法、Ｍ+）：４２８
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）：
水酸基：３２４４．０ｃｍ-1
ベンゼン環：１６１３．３〜１５１１．１ｃｍ-1
シクロヘキサン環：１４４４．６ｃｍ-1
プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）：
【００４３】
【化７】
0004022388.tif 000008
【００４４】
【表２】
0004022388.tif 000009
【００４５】
参考例１
（１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４’−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサンの製造）
４，４’−（４−イソプロピルシクロヘキシリデン）ビスフェノール１００ｇ（０．３１８モル）、２−ブタノール１５０ｇ及びナトリウム１〜１．５重量％とパラジウム５重量％をカーボン粉末に担持させてなるナトリウム含有パラジウム／カーボン触媒３ｇ（含水触媒の乾燥重量換算量）を１Ｌ容量のガラス製オートクレーブに仕込み、系内を９５℃まで昇温した後、内圧（ゲージ圧）を開放して、圧力を０ＭＰａとした。オートクレーブを密閉し、内温を１３０℃まで昇温した後、オートクレーブ内に水素を０．４ＭＰａまで導入し、その後、水素圧力をこの圧力に保つように水素を適宣、系内に補充しながら、４，４’−（４−イソプロピルシクロヘキシリデン）ビスフェノールの水素化を行い、系内での水素の吸収が止んだ時点（反応の開始から２．４時間、理論水素吸収量の９６％）で反応を終了した。その結果、原料の転化率は９５．２％、目的物の選択率は８９．６％であった。
【００４６】
反応終了後、系内を７０℃まで降温し、窒素ガス置換した後、ジメチルスルホキシド２５０ｇを加えて、触媒を濾別した。濾液を室温まで冷却し、析出した結晶を濾取し、乾燥して１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４’−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン７０．１ｇ（純度９９．１％）を得た。４，４’−（４−イソプロピルシクロヘキシリデン）ビスフェノールに対する収率は６８．６％であった。
【００４７】
融点（光透過法）：２０２．０℃
分子量（質量分析法）：３１４（Ｍ+）
赤外線吸収スペクトル分析（ｃｍ-1）：
３４２３、１６９８、１５１６、１２１９
プロトン核磁気共鳴スペクトル分析（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）
【００４８】
【化８】
0004022388.tif 000010
【００４９】
【表３】
0004022388.tif 000011
【００５０】
実施例３
（１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（４−イソプロピルシクロヘキシル）〕シクロヘキサンの製造）
温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた２Ｌ容量の四つ口フラスコにフェノール３５．９ｇ（０．３８モル）と３５％塩酸７１．７ｇを仕込み、反応容器内を窒素置換した後、常圧下、温度４０℃に昇温した。
【００５１】
１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）―４−イソプロピルシクロヘキサン６０ｇ（０．１９モル、ガスクロマトグラフィー二より純度９８．１％）をフェノール１０７．７ｇ（１．１５モル）に加えて、スラリーを調製した。上記フラスコ内に攪拌下、４０℃を保ちながら、このスラリーを２時間かけて滴下した。滴下終了後、温度を６０℃に昇温して、更に、２２時間、撹拌下に反応を行った。
【００５２】
反応終了後、得られたスラリー状の反応混合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液とメチルイソブチルケトンを加えて、反応混合物を中和すると共に、反応生成物を溶解させた。このように中和した後の反応混合物から水層を分液除去し、油層を得た。次いで、この油層から減圧下にメチルイソブチルケトンを一部留去して、濃縮残留物を得、これを冷却して、析出した結晶を濾別、乾燥して、目的とする１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−イソプロピルシクロヘキシル）〕シクロヘキサンの粗結晶４８．４ｇ（純度９８．５％）を得た。
【００５３】
この粗結晶に更にメタノールを加え、晶析濾過し、得られた晶析物を乾燥して、純度９９．５％の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（４−イソプロピルシクロヘキシル）〕シクロヘキサンの精製物３３．８ｇを白色結晶として得た。１−（４−オキソシクロヘキシル）−（４−ヒドロキシフェニル）―４―イソプロピルシクロヘキサンに対する収率は３７．１モル％であった。
【００５４】
融点（示差熱分析法）：２６３℃
分子量（質量分析法、Ｍ+）：４８４
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）：
水酸基：３２６４．３ｃｍ-1
ベンゼン環：１６１３．３〜１５１１．１ｃｍ-1
シクロヘキサン環：１４４８．４ｃｍ-1
プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）：
【００５５】
【化９】
0004022388.tif 000012
【００５６】
【表４】
0004022388.tif 000013
【００５７】
参考例２
（１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４’−ヒドロキシフェニル）−４−エチルシクロヘキサンの製造
４，４’−（４−エチルシクロヘキシリデン）ビスフェノール１００ｇ（０．３３３モル）、酢酸エチル１５０ｇ及びナトリウム１〜１．５重量％とパラジウム５重量％とをカーボン粉末に担持させてなるナトリウム含有パラジウム／カーボン触媒３ｇ（含水触媒の乾燥重量換算量）を１Ｌ容量のガラス製オートクレーブに仕込み、系内を９５℃まで昇温した後、内圧（ゲージ圧）を開放して、圧力を０ＭＰａとした。
【００５８】
オートクレーブを密閉し、内温を１３０℃まで昇温した後、オートクレーブ内に水素を０．４ＭＰａまで導入し、その後、水素圧力をこの圧力に保つように水素を適宣、系内に補充しながら、４，４’−（４−エチルシクロヘキシリデン）ビスフェノールの水素化を行い、系内での水素の吸収が止んだ時点（反応の開始から４時間、理論水素吸収量の９８％）で反応を終了した。その結果、原料の転化率は９６．７％、目的物の選択率は８５．８％であった。
【００５９】
反応終了後、系内を７０℃まで降温し、窒素ガス置換した後、ジメチルスルホキシド１００ｇを加えて、触媒を濾別した。濾液を室温まで冷却し、析出した結晶を濾取し、乾燥して１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４’−ヒドロキシフェニル）−４−エチルシクロヘキサン６１．０ｇ（純度９７．９％）を得た。４，４’−（４−エチルシクロヘキシリデン）ビスフェノールに対する収率５８．９％であった。
【００６０】
融点（光透過法）：１５６．３℃
分子量（質量分析法）：３００（Ｍ+）
赤外線吸収スペクトル分析（ｃｍ-1）：
３４４９、１６９３、１５１５、１２７０
プロトン核磁気共鳴スペクトル分析（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ6 ）
【００６１】
【化１０】
0004022388.tif 000014
【００６２】
【表５】
0004022388.tif 000015
【００６３】
実施例４
（１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（４−エチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサンの製造）
温度計、滴下漏斗、還流冷却管及び攪拌機を備えた２Ｌ容量の四つ口フラスコに２，６−ジメチルフェノール３６．６ｇ（０．３モル）を仕込み、反応容器内を窒素置換した後、常圧下、温度５０℃に昇温した。これに乾燥塩化水素ガスを吹き込みながら、１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−４−エチルシクロヘキサン４５．０ｇ（０．１５モル、ガスクロマトグラフィーによる純度９７．９％）を２，６−ジメチルフェノール１０９．８ｇ（０．９モル）に加えて調製したスラリーを上記フラスコ内に攪拌下、５０℃を保ちながら、２時間かけて滴下した。滴下終了後、温度４０℃において、更に、２０時間、撹拌下に反応を行った。
【００６４】
反応終了後、得られたスラリー状の反応混合物に１６％水酸化ナトリウム水溶液とメチルイソブチルケトンを加えて、反応混合物を中和すると共に、反応生成物を溶解させた。このように中和した後の反応混合物から水層を分液除去し、油層を得た。次いで、この油層から減圧下にメチルイソブチルケトンと２，６−ジメチルフェノールとを留去して、蒸留残留物を得た。これにメタノールと酢酸ブチルとの混合溶液を加えて、溶解させ、得られた溶液を冷却し、晶析濾過し得られた晶析物を濾取、乾燥して、目的とする１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−（４−エチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサンの粗結晶３０．６ｇ（純度９１．３％）を得た。
【００６５】
この粗結晶に更にメタノールと酢酸ブチルとの混合溶液を加え、晶析濾過し、得られた晶析物を乾燥して、純度９７．７％の１，１−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−〔１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−エチルシクロヘキシル）〕シクロヘキサンの精製物１８．２ｇを白色結晶として得た。１−（４−オキソシクロヘキシル）−１−（４−ヒドロキシフェニル）−４―エチルシクロヘキサンに対する収率は２３．０モル％であった。
【００６６】
融点（示差熱分析法）：２４４℃、２６１℃
分子量（質量分析法、Ｍ+）：５２６
赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒ法）：
水酸基：３５７７．７ｃｍ-1
ベンゼン環：１６１４．３〜１５１５．０ｃｍ-1
シクロヘキサン環：１４４７．５ｃｍ-1
プロトンＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒ＤＭＳＯ−ｄ）：
【００６７】
【化１１】
0004022388.tif 000016
【００６８】
【表６】
0004022388.tif 000017