(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも中間層、磁気記録層、保護層および液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、
前記磁気記録層が希土類−遷移金属合金非晶質膜により構成されており、該希土類−遷移合金非晶質材料が少なくともＴｂを含む希土類元素と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類の遷移金属を含み、
前記中間層が、７０ａｔ％以上のＭｎを含み、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下（５ｎｍを除く）の膜厚を有する非磁性膜である
ことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性基板と前記中間層との間に軟磁性裏打ち層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記非磁性基板と前記軟磁性裏打ち層との間に、１層あるいは複数層の下地層ならびに磁区制御層を有することを特徴とする請求項２に記載の垂直磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、種々の磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関するものであり、さらに詳しくは、高記録密度においても、書き込まれた信号がシフトしたり消滅したりすることなく、かつ生産性に優れた垂直磁気記録媒体と、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気ディスク記録装置の大容量化に伴って、磁気記録媒体の高記録密度化の要求が高まっている。従来の磁気記録方式では、長手磁気記録方式が主流であったが、最近になって、磁気記録の高記録密度化を実現する技術として、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
【０００３】
この垂直磁気記録媒体は、硬質磁性材料の磁気記録層と、この記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を記録層へ集中させる役割を担う軟磁性材料で形成される裏打ち層とを、構成要素に含んでいる。
【０００４】
垂直磁気記録媒体用の磁気記録層材料としては、現在、主にＣｏＣｒ系合金結晶質膜が使用されている。このＣｏＣｒ系合金結晶膜の他にさらに有望な垂直磁気記録層材料を検討した場合、現状においては、光磁気記録材料として使用されている希土類−遷移金属合金非晶質膜が、大きな垂直磁気異方性定数Ｋｕを有しているので、非常に有望であると思われる。ところが、従来用いられている光磁気記録材料は、光磁気記録に適するように、補償点近傍の組成が使用されている。この補償点近傍の組成域のＨｃは、垂直磁気記録用の材料として要求されるＨｃよりもかなり大きく、そのままでは垂直磁気記録媒体用の材料としては使用することは難しい。
【０００５】
これに対し、磁気記録層材料に希土類−遷移金属非晶質膜を用いた垂直磁気記録媒体が、特開２００１−７６３３２号公報および特開平７−１７６０２７号公報において提案されている。
【０００６】
特開２００１−７６３３２号公報に提案されている垂直磁気記録媒体の構成は、『基板と、該基板上に設けられ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅ、およびＳｍの希土類元素のうち少なくとも一元素を含み、かつＣｏおよびＦｅの遷移元素のうち少なくとも一元素を含む希土類−遷移金属非晶質膜からなる第１の磁性層、およびＰｔおよびＰｄのうち少なくとも一元素を含む中間層を、複数回積層させた積層膜とを備えた』構成である。この公報の開示では、前記構成によって、熱攪乱の影響が少なく、かつ従来の磁気記録材料の記録密度の限界を越えることが可能になったとしている。
【０００７】
また、特開平７−１７６０２７号公報には、磁性膜が、『Ｃｏを主成分とし、これにＣｒ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｖ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｂ、Ｉｒ、ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、ＣｏＯおよび希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種類以上の元素または化合物を含んでなる材料から』構成され、非磁性中間層が、『Ｃｏ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂから選ばれた少なくとも１種類を含む材料、またはこれを含む合金材料』から構成された垂直磁気記録媒体が、提案されている。この公報の開示では、前記構成によって、再生ノイズが小さく高密度磁気記録に好適な垂直磁気記録媒体を提供できるとしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
現状、主に使用されているＣｏＣｒ系合金結晶質磁気記録材料の場合、今後の記録の高密度化に対し、磁気記録層の薄膜化、ＣｏＣｒ系結晶粒径の微細化ならびに粒界偏析の促進等の方法により磁気記録媒体の低ノイズ化の検討が行なわれている。しかしながら、上記方法は、記録された信号の熱安定性を劣化させる方向であり、場合によっては記録された信号が消えてしまうという、いわゆる熱揺らぎの問題が急浮上してくる。
【０００９】
一方、従来、光磁気記録材料として用いられていた希土類−遷移金属合金非晶質膜を使用すると、この希土類−遷移金属合金材料は、非晶質であるために、ＣｏＣｒ系結晶質膜に見られるような、いわゆる結晶粒界というものが存在しないので、書き込まれた信号をその場所にとどめておくための核となるものが存在せず、信号がシフトしたり、消えたりしてしまうことがある。特に、この現象は、高い周波数での記録時に発生し易く、高記録密度化を目指す垂直磁気記録材料としてはそのまま用いることはできない。
【００１０】
そこで、本発明は、磁気記録層として希土類−遷移金属合金非晶質膜を用いる構成を有し、高記録密度においても書込まれた信号のシフトや消滅がなく、かつ生産性に優れた垂直磁気記録媒体の提供を目的とし、この目的を、前記二つの公報に開示の構成とは独立した構成により実現することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本願発明者らは、前記課題を解決するために、鋭意、実験、検討を重ねたところ、磁気記録層を希土類−遷移金属合金非晶質膜から構成することとし、該希土類−遷移合金非晶質材料として、少なくともＴｂを含む希土類元素と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類の遷移金属とを含ませることにより、良好な垂直磁気記録媒体を得ることができることを、知るに至った。
【００１２】
すなわち、本発明は、かかる知見に基づいてなされたもので、本発明によれば、非磁性基板上に少なくとも中間層、磁気記録層、保護層および液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層が希土類−遷移金属合金非晶質膜により構成されており、該希土類−遷移合金非晶質材料が少なくともＴｂを含む希土類元素と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類の遷移金属を含むことにより、良好な特性を示す垂直磁気記録媒体を作製することができる。
【００１３】
また、本発明では、前記中間層がＭｎを主成分とする非磁性膜により構成され、該Ｍｎ中間層の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とし、さらに該中間層に含まれるＭｎの組成を７０ａｔ％以上とすることが、好ましい。
【００１４】
また、本発明では、非磁性基板と中間層との間に軟磁性裏打ち層を付与することにより、磁気ヘッドが発生する磁束を集中させることができ、磁気記録層に急峻な磁場勾配を形成することが出来る。これにより、さらに良好な特性を得ることが可能である。
【００１５】
また、本発明では、非磁性基板と軟磁性裏打ち層の間に、１層あるいは複数層の下地層ならびに軟磁性裏打ち層の磁区制御を目的とした反強磁性層を付与することにより、軟磁性層の磁壁形成に起因するスパイクノイズを完全に抑制する事が出来、垂直磁気記録媒体の実用化にあたって非常に好ましい。
【００１６】
さらに、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、既存の製造装置を用いて行なうことが出来るため、大容量磁気記録媒体の大量生産にも適する方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図１〜図３を参照しつつ説明する。
【００１８】
図１に断面構成を示した磁気記録媒体では、非磁性基板１上に少なくとも中間層５、磁気記録層６および保護層７が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑剤層８が形成されている。
【００１９】
また、図２に断面構成を示した磁気記録媒体では、非磁性基板１上に少なくとも軟磁性裏打ち層４、中間層５、磁気記録層６および保護層７が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑剤層８が形成されている。
【００２０】
さらに、図３に断面構成を示した磁気記録媒体では、非磁性基板１上に少なくとも、１層あるいは複数層の下地層２、磁区制御層３、軟磁性裏打ち層４、中間層５、磁気記録層６、および保護層７が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑剤層８が形成されている。
【００２１】
本発明において、非磁性基板１としては、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。これらガラス材料は、通常の磁気記録媒体用に用いられるものである。
【００２２】
また、磁区制御層３の構成材料としては、Ｍｎを含む合金系からなるＰｔＭｎ、ＩｒＭｎなどの反強磁性膜、あるいは非磁性基板１の半径方向に磁化を配向させたＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ膜などの硬質磁性膜を用いることができる。この磁区制御層３の膜厚としては５〜３００ｎｍ程度であることが好ましい。
【００２３】
多層下地層２としては、磁区制御層３としてＭｎ合金系の反強磁性膜を用いる場合には、面心立方構造を有するＣｕ、Ｉｒなどの非磁性単金属、あるいはＮｉＦｅＣｒなどの非磁性合金等を用いることが望ましい。その場合、その下層に、さらに、前記非磁性単金属膜あるいは非磁性合金膜の微細構造を制御するために、さらに下地層を設けてもよい。このさらに設ける下地層としては、３〜３０ｎｍの膜厚を有するＴａ、Ｚｒ、Ｎｂ膜などが適当である。
【００２４】
また、磁区制御層３として硬質磁性膜を用いた場合には、多層下地層２としては、ＣｒＭｏ、 ＣｒＷなどのＣｒ合金などを用いることが出来る。この場合にも、さらにその下層に、前記Ｃｒ合金膜の微細構造を制御するために前記と同様に下地層を設けてもよい。
【００２５】
軟磁性裏打ち層４としては、ＮｉＦｅ合金、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金等を用いることができるが、非晶質のＣｏ合金、例えばＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＴａＺｒなどを用いることにより良好な電磁変換特性を得ることができきる。軟磁性裏打ち層４の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが、生産性との兼ね合いから望ましい。
【００２６】
中間層５は、磁気記録層６の磁気特性ならびに電磁変換特性を制御するために用いられる。さらに、軟磁性裏打ち層４を用いた場合には、軟磁性裏打ち層４と磁気記録層６を磁気的に分離する作用もある。本発明の一形態では、中間層５は、Ｍｎを主成分とする非磁性膜により構成するが、その場合、Ｍｎの組成が７０ａｔ％以上であることが好ましい。Ｍｎ中間層を用いることにより、磁気記録層である希土類−遷移金属合金非晶質膜中の磁壁が固定され、高記録密度においても書き込まれた信号のシフトや消滅がなくなる。
【００２８】
この中間層５を成膜する際には、成膜時に使用するガス圧を２ｍＴｏｒｒ以上１００ｍＴｏｒｒ以下に調整して行なう。このガス圧を適当に制御することにより、中間層の表面形態が変化し、希土類−遷移金属合金非晶質膜の構造ならびに磁気特性を制御することが出来る。
【００２９】
中間層５の膜厚は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが好ましい。軟磁性裏打ち層４を用いる場合、中間層５の膜厚が５ｎｍよりも薄いと、軟磁性裏打ち層４と磁気記録層６の磁気的な分離が不十分であるために、電磁変換特性が劣化する。３０ｎｍよりも厚くした場合、磁気記録ヘッドと軟磁性裏打ち層４の距離が離れてしまうため、やはり電磁変換特性が劣化する。一方、軟磁性裏打ち層がない場合には、中間層５の膜厚が５ｎｍよりも薄い場合には、膜厚が薄すぎて中間層としての特性が現れず、また、３０ｎｍよりも厚い場合には、表面粗さが粗くなり過ぎ、垂直磁気記録媒体としての特性が劣化する。
【００３０】
磁気記録層６は、希土類−遷移金属合金非晶質膜からなり、該希土類−遷移合金非晶質材料が少なくともＴｂを含む希土類元素と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類の遷移金属を含むことが良好な垂直磁気記録媒体とするためには重要である。この希土類元素全部の濃度を１０ａｔｍ％以上３５ａｔｍ％以下とすれば、良好な垂直磁気記録媒体を得ることができる。
【００３１】
また、希土類−遷移金属合金非晶質材料としては、ＴｂＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＧｄＣｏ等が挙げられるが、これらに限定されない。
【００３２】
この磁気記録層６を成膜する際には、成膜時に使用するガスの圧力を１０ｍＴｏｒｒ以上２００ｍＴｏｒｒ以下にすることが望ましい。さらに、膜厚は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３３】
保護層７は、従来より使用されている保護膜を用いることができる。例えば、カーボンを主体とする保護膜を用いることができる。保護層７の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
【００３４】
また、液体潤滑剤層８も従来より使用されている材料を用いることができる。例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤をもちいることができる。液体潤滑剤層８の膜厚等の条件は、通常の磁気記録媒体で用いられる諸条件をそのまま用いることができる。
【００３５】
【実施例】
以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説明する。なお、以下の実施例は、本発明を好適に説明する代表例に過ぎず、本発明をなんら限定するものではない。
【００３６】
（実施例１）
図１に示す断面構成において、非磁性基板１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基板）を用い、これを洗浄後、スパッタ装置内に導入し、Ｍｎターゲットを用い、中間層５を成膜し、連続して、ＴｂＣｏターゲットを用いて磁気記録層６の成膜を行なった。Ｍｎ中間層５の膜厚は、２ｎｍから５０ｎｍ（サンプル（ｉ）〜（ｖ））まで変化させた。磁気記録層６の膜厚は３０ｎｍ一定とした。最後に、カーボンからなる保護層７を５ｎｍ厚に成膜後、真空装置から取り出した。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層８を２ｎｍ厚にディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【００３７】
得られた垂直磁気記録媒体の磁気特性は、磁化曲線を振動試料型磁力計にて測定し算出した。
【００３８】
（比較例１）
実施例１において、中間層５を成膜せずに、非磁性基板１に直接ＴｂＣｏ磁気記録層６を成膜した以外は、実施例１に示した方法と同様にして垂直磁気記録媒体を作製した。
【００３９】
実施例１のＭｎ中間層５の膜厚を変化させて作製した垂直磁気記録媒体の保磁力ならびに保磁力角型比の値を表１にまとめた。ここで、保磁力角型比は磁化曲線の傾き具合を評価するための指標となり、値が小さいほど磁化曲線が傾いていることに対応し、磁化反転がより磁壁移動型から磁化回転型に近付いていることになる。比較例１の結果も同じ表１中に合わせて示した。
【００４０】
【表１】
0003952379.tif 000002
【００４１】
表１から明らかなように、中間層５を用いない場合には、保磁力は、１８１０Ｏｅ程度の小さな値を示し、保磁力角型比も０．９９と完全に磁壁移動型の磁化反転であることわかる。これに対し、Ｍｎ中間層５を用いることにより、Ｈｃは増加し、保磁力角型比は低下する。保磁力が３０００Ｏｅ以上の良好な値を示す中間層の膜厚は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。膜厚が３０ｎｍ以上となると、Ｍｎ中間層の表面形状が凸凹になってしまい、保磁力は低下してしまう。
【００４２】
（実施例２）
図１の構成において、磁気記録層６の材料をＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＧｄＣｏに替えた以外は、実施例１と同様に垂直磁気記録媒体を作製した。Ｍｎ中間層５の膜厚は１０ｎｍに固定した。
【００４３】
磁気記録層６の材料を変えて作製した垂直磁気記録媒体の保磁力ならびに保磁力角型比の値を表２にまとめた。比較のために、実施例１に示したＴｂＣｏの場合の結果も同じ表２中に示してある。磁気記録層材料を変更しても、保磁力ならびに保磁力角型比はほぼ同じ値を示し、磁気記録材料である希土類−遷移合金非晶質膜が少なくともＴｂを含む希土類元素と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類の遷移金属を含んでいれば、良好な磁気特性が得られることが分かる。
【００４４】
【表２】
0003952379.tif 000003
【００４５】
（実施例３）
図１の構成において、中間層５の構成材料のＭｎの組成を変更した以外は、実施例１と同様に垂直磁気記録媒体を作製した。中間層５の膜厚は１０ｎｍに固定した。
【００４６】
中間層５の組成において、Ｍｎに他の元素を添加した場合の一例として、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗを添加した場合の保磁力の値を表３にまとめた。比較のために、実施例１に示した添加を行なっていないＭｎを用いた場合の結果も同じ表３中に示した。
【００４７】
【表３】
0003952379.tif 000004
【００４８】
表３から明らかなように、Ｍｎ中間層に他の元素の添加を行なってない場合に比較して、他の元素を添加した場合は、いずれにおいても、保磁力は低下する。さらに、他の元素の添加量の増加に伴い、媒体の保磁力の値は単調に減少し、中間層５中のＭｎの割合が７０ａｔ％よりも少なくなると、保磁力は３０００ Ｏｅ以下の小さな値となってしまう。したがって、中間層５にＭｎ合金材料をもちいる場合には、Ｍｎの組成が７０ａｔ％以上であることが重要であることが分かる。
【００４９】
（実施例４）
図２の断面構成の磁気記録媒体において、非磁性基板１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、ＣｏＺｒＮｂターゲットを用い、軟磁性裏打ち層４を２００ｎｍ成膜し、引き続き、Ｍｎターゲットを用い中間層５を成膜して、さらに、連続してＴｂＣｏターゲットを用いて磁気記録層６の成膜を行なった。Ｍｎ中間層５の膜厚は２ｎｍ〜５０ｎｍまで変化させた。磁気記録層６の膜厚は３０ｎｍ一定とした。最後に、カーボンからなる保護層７を５ｎｍ厚に成膜後、真空装置から取り出し、その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層８を２ｎｍ厚にディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【００５０】
得られた媒体の電磁変換特性は、スピンスタンドテスターを用いＧＭＲ素子を有する単磁極ヘッドにより測定を行なった。
【００５１】
（比較例２）
実施例４において、軟磁性裏打ち層４を成膜後、中間層５を成膜せずに、ＴｂＣｏ磁気記録層６を成膜した以外は、実施例１に示した方法と同様にして、垂直磁気記録媒体を作製した。
【００５２】
表４に、前記実施例４および比較例２において作成した磁気記録媒体の線記録密度３５０ｋＦＣＩにおけるＳＮＲ（電磁変換特性での信号とノイズの比）を示した。
【００５３】
【表４】
0003952379.tif 000005
【００５４】
表４から明らかなように、比較例２の方法にて作製したＭｎ中間層５がない垂直媒体においては、ＳＮＲは４．２ｄＢのかなり低い値であった。これに対し、Ｍｎ中間層５の膜厚を５ｎｍ以上とすることにより、ＳＮＲ値は急激に増加し、１５ｄＢ以上の良好な値を示した。これは、書込まれた信号が、Ｍｎ中間層５の効果により、その場所に安定に固定されているためである。しかしながら、Ｍｎ中間層５の膜厚が３０ｎｍよりも厚くなると、Ｍｎ中間層５の表面形状が凸凹になるために、特性は劣化してしまう。したがって、Ｍｎ中間層５の膜厚は５ｎｍ以上３０ｎｍ以下にする必要がある。
【００５５】
（実施例５）
磁気記録層６の材料をＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＦｅ、ＴｂＧｄＣｏに変えた以外は、実施例４と同様に垂直磁気記録媒体を作製した。Ｍｎ中間層５の膜厚は１０ｎｍに固定した。
【００５６】
磁気記録層６の材料を変えて作製した垂直磁気記録媒体のＳＮＲ値を表５にまとめた。比較のために、実施例４に示したＴｂＣｏの場合の結果も同じ表中に示した。磁気記録層６の材料を変更しても、ＳＮＲはほぼ同じ値を示し、磁気記録材料である希土類−遷移合金非晶質膜が少なくともＴｂを含む希土類元素と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類の遷移金属を含んでいれば、良好な磁気特性が得られることが分かる。
【００５７】
【表５】
0003952379.tif 000006
【００５８】
（実施例６）
図３に示す断面構成において、非磁性基板１を用い、洗浄後スパッタ装置内に導入し、軟磁性裏打ち層４を成膜する前に、第１下地層としてＴａ膜を５ｎｍ厚に、第２下地層としてＮｉＦｅＣｒを５ｎｍ厚に、磁区制御層３としてＩｒＭｎを１０ｎｍ厚に成膜した以外は、実施例４と同様にして、磁気記録媒体を作製した。Ｍｎ中間層５の膜厚は１０ｎｍに固定した。
【００５９】
得られた垂直磁気記録媒体の磁気特性は、カー効果測定装置を用いてカーループを測定し、算出した。電磁変換特性は、スピンスタンドテスターを用いＧＭＲ素子を有する単磁極ヘッドにより測定を行なった。
【００６０】
実施例６の方法にて作製した垂直磁気記録媒体と実施例４の方法にて作製した垂直磁気記録媒体において、磁気特性ならびににＳＮＲ関しては、特に差異は認められなかった。
【００６１】
この実施例６に示した垂直磁気記録媒体（図３の構成）のスピンスタンドテスターによる１周分の出力波形と、この実施例６とは異なり配向制御層（多層下地層）２ならびに磁区制御層３を付与していない図２の構成の実施例４に示した垂直磁気記録媒体の出力波形とを、図４に、一緒に示した。配向制御層（多層下地層）２ならびに磁区制御層３がない場合（実施例４）には、全周に渡り不均一にスパイクノイズが発生しているこれに対し、本実施例６では、配向制御ならびに磁区制御層を付与することにより、全くスパイクノイズは発生していないことが分かる。これは、配向制御層２ならびに磁区制御層３を付与することにより、軟磁性裏打ち層４に磁壁が形成されないためである。
【００６２】
（参考例７）
図２に示す構成において、非磁性基板１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基板)を用い、これを、洗浄後、スパッタ装置内に導入し、ＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層４を２００ｎｍ厚に成膜後、中間層５を、各種材料を用い、膜厚を２ｎｍ〜５０ｎｍまで変化させて成膜した。連続して、ＴｂＣｏターゲットを用い、２０ｍＴｏｒｒのガス圧にて磁気記録層６の成膜を行なった。磁気記録層６の膜厚は３０ｎｍ一定とした。最後にカーボンからなる保護層７を５ｎｍ厚に成膜後、真空装置から取り出した。中間層５と磁気記録層６以外の成膜は、すべてガス圧５ｍＴｏｒｒ下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑剤層８を２ｎｍ厚にディップ法により形成し、垂直磁気記録媒体とした。
【００６３】
得られた媒体の磁気特性は、磁化曲線をＫｅｒｒ効果測定装置を用いて測定し、算出した。この実施例に示した方法にて全層成膜した垂直磁気記録媒体の電磁変換特性は、スピンスタンドテスターを用いＧＭＲヘッドにより測定を行なった。
【００８０】
（実施例１０）
図３に示す構成において、非磁性基板１を用い、洗浄後スパッタ装置内に導入し、軟磁性層裏打ち層４を成膜する前に、第１下地層としてＴａ膜を５ｎｍ厚に、第２下地層としてＮｉＦｅＣｒを５ｎｍ厚に、磁区制御層３としてＩｒＭｎを１０ｎｍ厚に成膜した以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。
【００８１】
実施例１０の方法にて作製した垂直磁気記録媒体と参考例７の垂直磁気記録媒体において、磁気特性ならびにＳＮＲに関しては、特に差異は認められなかった。
【００８２】
実施例１０に示した垂直磁気記録媒体のスピンスタンドテスターによる１周分の出力波形を図５に示した。比較のために、下地層２ならびに磁区制御層３を付与していない参考例７の垂直磁気記録媒体の出力波形も図中に一緒に示した。下地層２ならびに磁区制御層３がない場合には、全周に渡り不均一にスパイクノイズが発生している。これに対し、下地層２ならびに磁区制御層３を付与することにより、全くスパイクノイズは発生していないことが分かる。これは、下地層２ならびに磁区制御層３を付与することにより、軟磁性裏打ち層４に磁壁が形成されないためである。
【００８３】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、非磁性基板上に少なくとも中間層、磁気記録層、保護層および液体潤滑剤層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層が希土類−遷移金属合金非晶質膜により構成されており、該希土類−遷移合金非晶質材料が少なくともＴｂを含む希土類元素と、Ｆｅ、Ｃｏのうち少なくとも１種類の遷移金属を含むことにより、良好な特性を示す垂直磁気記録媒体を作製することが出来る。
【００８４】
また、本発明では、前記中間層がＭｎを主成分とする非磁性膜により構成され、該Ｍｎ中間層の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とし、さらに該中間層に含まれるＭｎの組成を７０ａｔ％以上とすることが、好ましい。
【００８５】
また、本発明では、非磁性基板と中間層との間に軟磁性裏打ち層を付与することにより、磁気ヘッドが発生する磁束を集中させることができ、磁気記録層に急峻な磁場勾配を形成することが出来る。これにより、さらに良好な特性を得ることが可能である。
【００８６】
また、本発明では、非磁性基板と軟磁性裏打ち層の間に、１層あるいは複数層の下地層ならびに軟磁性裏打ち層の磁区制御を目的とした反強磁性層を付与することにより、軟磁性層の磁壁形成に起因するスパイクノイズを完全に抑制する事が出来、垂直磁気記録媒体の実用化にあたって非常に好ましい。
【００８７】
さらに、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法は、既存の製造装置を用いて行なうことが出来るため、大容量磁気記録媒体の大量生産にも適する方法である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１による磁気記録媒体の構成を示す断面模式図である。
【図２】  本発明の実施例２による磁気記録媒体の構成を示す断面模式図である。
【図３】本発明の実施例３および１０による磁気記録媒体の構成を示す断面模式図である。
【図４】本発明の実施例を説明するためのもので、実施例６において作製した垂直磁気記録媒体と実施例４において作製した垂直磁気記録媒体のスピンスタンドテスターによる１周分の出力波形を示す図である。
【図５】  本発明の実施例を説明するためのもので、実施例１０において作製した垂直磁気記録媒体と参考例７において作製した垂直磁気記録媒体のスピンスタンドテスターによる１周分の出力波形を示した図である。
【符号の説明】
１    非磁性基板
２    多層下地層
３    磁区制御層
４    軟磁性裏打ち層
５    中間層
６    磁気記録層
７    保護層
８    液体潤滑剤層
【図１】
0003952379.tif 000007
【図２】
0003952379.tif 000008
【図３】
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【図４】
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【図５】
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