(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＶＤ法により得られるβ型結晶からなるＣＶＤ−ＳｉＣ成形体であって、その表面部あるいは内部に厚さ２〜２０μｍの可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層が少なくとも１層形成されてなり、３００〜２５００ｎｍの波長域における光透過率が０．４％以下であることを特徴とするＳｉＣ成形体。
【請求項２】
ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の厚さが４００μｍ以上である、請求項１記載のＳｉＣ成形体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高純度で耐熱性や強度特性に優れ、特に光不透過性に優れ、例えば半導体製造用装置の熱処理装置用遮蔽体、均熱リング等の各種耐熱部材、あるいは半導体製造用装置の拡散炉装置、エッチング装置、ＣＶＤ装置などに用いられるダミーウエハやサセプター等の各種部材として好適に用いることのできるＳｉＣ成形体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＳｉＣは耐熱性、耐蝕性、強度特性等の材質特性が優れており、各種工業用の部材として有用されている。特に、ＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）を利用して作製したＳｉＣ成形体（ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体）は、緻密で高純度であるため半導体製造用の各種部材をはじめ高純度が要求される用途分野において好適に用いられている。
【０００３】
このＣＶＤ−ＳｉＣ成形体は、原料ガスを気相反応させて基体面上にＳｉＣの結晶粒を析出させ、結晶粒の成長により被膜を形成したのち基体を除去することにより得られるもので、材質的に緻密、高純度で組織の均質性が高いという特徴がある。
【０００４】
ＣＶＤ法によるＳｉＣ成形体として、例えば特開平６−２３９６０９号公報には、０．６３２８ミクロンにおいて約２０cm-1以下の減衰定数を有する化学蒸着で堆積した自立β−ＳｉＣ。３ミクロンにおいて約２０cm-1以下の減衰定数を有する化学蒸着で堆積した自立β−ＳｉＣが提案されている。このＣＶＤ法によるＳｉＣ成形体は、純度の高い程得られるＳｉＣの光透過性が高いことが知られており、１００％の理論密度であり、高純度、すなわち５ppm 以下の金属不純物、好ましくは約３．５ppm 以下の金属不純物であることが開示されている。
【０００５】
しかしながら、このように高純度なＣＶＤ法によるＳｉＣ成形体は光透過性を有しているためＳｉＣ成形体を半導体製造装置や熱処理装置等の各種部材として使用する場合には、用途分野によってはＳｉＣの物理的性質が問題となることがある。例えば、半導体の製造プロセスには急速熱アニーリング（rapid thermal annealing)、急速熱クリーニング（rapid thermal cleaning）、急速熱化学気相堆積（rapid thermal chemical vapor deposition)、急速熱酸化(rapid thermal oxidation）、急速熱窒化(rapid thermal nitridation）などの急速に熱処理する工程（ＲＴＰと呼ばれる）があり、特開平９−２３７７８９号公報ではウエハ基板が高速加熱によっても面内均一性に優れた性状を呈するように遮蔽体としてＳｉＣにより構成することが提案されており、輻射熱に対して不透明な材質性状が要求されている。
【０００６】
また、このＲＴＰではウエハ基板の精確な温度管理が必要となるが、パイロメーターにより測温する場合にはウエハ基板の処理面とは反対の面に黒体キャビティを形成するときにウエハ基板を支持する部材などの光の透過があると外乱光となって精確な温度管理が困難となる問題がある。そのため、特開平８−２５５８００号公報ではウエハ基板を支持する支持リングをシリコンや酸化珪素とし、支持リングを保持するシリンダはパイロメーターの周波数の範囲で不透明となるようシリコンをコートした石英製とすることが提案されている。
【０００７】
更に、特開平６−３４１９０５号公報では、加熱要素からもれた光が、反射キャビティに入るのを防止するために、隔壁やウエハを支持するガードリングがウエハに沿って配置されて、加熱要素からもれた光を吸収する黒色または灰色を有し、このガードリングはシリコンから作られることが提案されている。しかし、特開平６−３４１９０５号公報や特開平８−２５５８００号公報のシリコンやシリコンをコートしたものでは繰り返し使用するための酸洗浄に対する耐蝕性に劣り、コートしたシリコンの厚みが減少して光不透過性が減少する問題がある。
【０００８】
また、プラズマエッチング処理においてウエハのエッチング条件を安定化させるために用いるダミーウエハやＣＶＤ処理においてウエハの条件を安定させるために用いられるダミーウエハには光透過性が小さいことが要求される。ウエハは搬送用ロボットで支持ボートに装着されるが、ウエハの認識はレーザー光を照射することにより行われるので、ウエハの光透過性が高いとロボットがウエハの位置を的確に認識することができず、反応装置内の所定の位置にウエハを装着することが困難となる。
【０００９】
従来、ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の結晶形態はβ型であり、高純度の場合には黄色を呈して光透過性を有するため、光透過性を低下させることが困難であった。例えば、光を表面で散乱させて光透過性を低下する手段として表面を粗面化する方法があるが、波長９００nmの光を照射した場合、表面粗さＲａを１０nm以下の鏡面性状としたものは４０〜６０％の透過率を呈し、表面粗さＲａを３００〜５００nmとしたものでは０．３〜０．８％の透過率を呈して光透過度が低下するが、幅広い波長域において満足すべき光不透過性を付与することは困難である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明者らはＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の性状と光特性との関係について研究した結果、ＳｉＣ成形体の材質組織として光を散乱・反射させる層が存在すると光透過性を低くできることを見出した。本発明はこの知見に基づいて開発されたものであり、その目的は高純度で耐熱性や強度特性に優れ、特に光不透過性に優れ、例えば遮蔽体やダミーウエハ等の半導体製造用の各種部材、あるいは熱処理装置用の各種耐熱部材等として好適に用いることのできる高純度でβ型結晶からなるＣＶＤ−ＳｉＣ成形体及びその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するための本発明によるＳｉＣ成形体は、ＣＶＤ法により得られるβ型結晶からなるＣＶＤ−ＳｉＣ成形体であって、その表面部あるいは内部に厚さ２〜２０μm の可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層が少なくとも１層形成されてなり、３００〜２５００nmの波長域における光透過率が０．４％以下であることを構成上の特徴とする。
【００１２】
本発明に係るＳｉＣ成形体の製造方法は、基体面にＣＶＤ反応によりＳｉＣ被膜を成膜したのち基体を除去するＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の製造方法において、ＳｉＣ被膜を成膜する過程でＣＶＤ反応条件を設定変更して可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を、ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の表面部あるいは内部に少なくとも１層形成することを構成上の特徴とする。
【００１３】
また、本発明のＳｉＣ成形体の他の製造方法は、基体面にＣＶＤ反応によりＳｉＣ被膜を成膜したのち基体を除去して得られたＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を基材とし、基材面にＳｉＣ被膜を成膜する過程でＣＶＤ反応条件を設定変更して可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を、ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の表面部あるいは内部に少なくとも１層形成することを構成上の特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明のＳｉＣ成形体は、例えば図１に例示した断面図に示すようにＳｉＣ成形体１はＣＶＤ−ＳｉＣ基材２の上層部に、可視光不透過性のＣＶＤ−ＳｉＣ層３、その上層に可視光透過性のＣＶＤ−ＳｉＣ層４が順次に積層形成された３層構造から構成されている。なお、図１は内部に可視光不透過性のＣＶＤ−ＳｉＣ層３を１層形成した例である。また、図２には内部に可視光不透過性のＣＶＤ−ＳｉＣ層３を２層形成したＳｉＣ成形体の断面図を例示した。
【００１５】
ＣＶＤ法によりＳｉＣが析出し基体面にＳｉＣ被膜が形成される過程は、まず原料ガスが気相反応して基体面上にＳｉＣの核が生成し、このＳｉＣ核が成長してアモルファス質ＳｉＣになり、更に微細な多結晶質ＳｉＣ粒を経て柱状組織の結晶組織へ成長を続けてＳｉＣ被膜が形成される。したがって、ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の強度特性、熱的特性、光特性等の性状は基体面上に析出して形成されたＳｉＣ被膜の粒子性状により異なったものとなる。
【００１６】
例えば、粒子径が大きいＳｉＣ層から粒子径が小さいＳｉＣ層へ光が通過する場合、界面において複雑な光の散乱、屈折、反射等が起こって光が閉じ込められ光透過性が低下する。また、粒子径が小さいＳｉＣ層から粒子径が大きいＳｉＣ層へ光が通過する場合も同様に光透過性が低下する。本発明のＳｉＣ成形体は、粒子性状としてサブミクロンオーダの微小粒子からなる可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を、ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の表面部あるいは内部に少なくとも１層形成することにより光の散乱、屈折、反射等の光特性を変化させて低光透過率としたものである。すなわち、異なる粒子性状の可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を設けることにより結晶組織に乱れが生じ、光透過率の低下が図られるのである。
【００１７】
可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層は可視光線の波長範囲である３８０〜７８０nmの波長域の光透過度の減衰効果が大きいばかりでなく、７８０nmを越える近赤外光から赤外光の波長域における光透過度の減衰効果も大きい。その結果具体的には、３００〜２５００nmの波長域における光透過率が０．４％以下という、可視光から赤外光の波長域における光透過率が小さいＳｉＣ成形体を提供することができる。なお、この可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層３を２層以上形成すると３００〜２５００nmの波長域における光透過率をより低減させることが可能となり、例えば少なくとも２層形成することにより０．２％以下の低透過率のＳｉＣ成形体とすることができる。
【００１８】
この可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層の厚さは、１層の厚さが２〜２０μm の範囲に設定される。１層の厚さが２μm 未満では光透過度を低下させる効果が小さいためであり、一方、１層の厚さが厚くなると熱衝撃による剥離が生じ易くなるために２０μm 以下の厚さに設定される。また、ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の厚さは、ＣＶＤ−ＳｉＣ自立成形体として強度、物性安定性を保持させる上で４００μm 以上であることが好ましい。
【００１９】
本発明のＳｉＣ成形体は、基体面にＣＶＤ反応によりＳｉＣ被膜を成膜したのち基体を除去するＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の製造方法において、ＳｉＣ被膜を成膜する過程でＣＶＤ反応条件を設定変更して可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を、ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の表面部あるいは内部に少なくとも１層形成することにより製造することができる。
【００２０】
この製造方法は図３に例示した工程図のように、除去可能な基体面にＣＶＤ反応によりＳｉＣを気相析出させてＳｉＣ被膜を成膜する過程で、ＣＶＤ反応条件を適宜に設定変更してＳｉＣ被膜中にサブミクロン級の微小粒子からなる可視光不透過性のＣＶＤ−ＳｉＣ層を少なくとも１層形成した後、基体を除去するものである。
【００２１】
除去可能な基体としては、炭素系材料、シリコン等の金属系材料、石英等が用いられるが、加工性が良好で、空気中で熱処理することにより容易に燃焼除去可能な炭素系、特に黒鉛材が好適に用いられる。なお、黒鉛材は可及的に不純物が少ない高純度のものが好ましい。ＳｉＣ被膜を成膜後、基体を除去する方法は、切削除去、研磨除去、空気中で加熱する燃焼除去、あるいはこれらを適宜に組み合わせて行うことができる。
【００２２】
ＣＶＤ反応は、反応炉内に例えば黒鉛基体をセットし、系内の空気を排気したのち所定の温度に加熱保持し、次いで水素ガスを送入して常圧水素ガス雰囲気に置換した後、水素ガスをキャリアガスとして、トリクロロメチルシラン、トリクロロフェニルシラン、ジクロロメチルシラン、ジクロロジメチルシラン等のハロゲン化有機珪素化合物を原料ガスとして送入し、気相熱分解反応させることによりＳｉＣを析出させて黒鉛基体面にＳｉＣ被膜を被着する方法で行われる。気相熱分解させる反応温度はＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の強度及び熱伝導率等を高く維持するために１０００〜１４５０℃の温度範囲に設定することが望ましい。
【００２３】
ＳｉＣ被膜の成膜過程は、原料ガスの気相熱分解反応により先ず基体面にＳｉＣの核が生成し、このＳｉＣの核は成長してアモルファス質ＳｉＣとなり、次第に微細な多結晶質ＳｉＣ粒に成長する。更にＣＶＤ反応を継続すると微細多結晶質ＳｉＣ粒は柱状組織の結晶組織へと成長を続けてＳｉＣ膜が形成される。この成膜過程において、可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層は、例えば原料ガスであるハロゲン化有機珪素化合物と還元剤である水素ガスとの混合割合、混合ガスの流量、ＣＶＤ反応温度や反応時間、ＣＶＤ反応装置の圧力等のＣＶＤ反応条件を適宜に設定変更することにより、粒子性状の異なるＳｉＣ粒子からなるＳｉＣ層を形成することができる。
【００２４】
具体的には、例えば、原料ガスであるハロゲン化有機珪素化合物と還元剤である水素ガスとの混合割合を変化させる方法として、反応炉内の水素ガスの分圧を１０〜３００mmHg／分の割合で漸次減少または増加する方法、ＣＶＤ反応温度を変化させる方法として、基体の温度を１〜２０℃／分の割合で昇温あるいは降温する方法、ＣＶＤ反応装置の圧力を変化させる方法として、反応炉内の全圧力を１０〜５０mmHg／分の割合で漸次増加する方法、等を単独または組み合わせて行うことにより、可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成することができる。
【００２５】
次いで、原料ガスであるハロゲン化有機珪素化合物と還元剤である水素ガスとの混合割合、混合ガスの流量、ＣＶＤ反応温度や反応時間、ＣＶＤ反応装置の圧力等のＣＶＤ反応条件を一定に保持すると、ＳｉＣ被膜の組織はＳｉＣ粒子が柱状組織の結晶であり、可視光透過性のＣＶＤ−ＳｉＣ層が形成される。
【００２６】
したがって、可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層と可視光透過性のＣＶＤ−ＳｉＣ層の形成を交互に、更に繰り返し行えば、ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の表面部あるいは内部に、所望層数の可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成することが可能となる。
【００２７】
このようにして、基体面に可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を少なくとも１層形成したＳｉＣ被膜を成膜したのち、基体は切削除去、研磨除去、空気中で加熱する燃焼除去、あるいはこれらを適宜に組み合わせた方法により除去され、本発明のＳｉＣ成形体が製造される。
【００２８】
また、本発明のＳｉＣ成形体は、基体面にＣＶＤ反応によりＳｉＣ被膜を成膜したのち基体を除去して得られたＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を基材として、基材面にＳｉＣ被膜を成膜する過程でＣＶＤ反応条件を設定変更して可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を、ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の表面部あるいは内部に少なくとも１層形成する方法により製造することもできる。
【００２９】
この製造方法は図４に例示した工程図のように、除去可能な黒鉛等の基体面にＣＶＤ反応によりＳｉＣを気相析出させてＳｉＣ被膜を成膜し、次いで基体を除去して得られたＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を基材として、その上にＣＶＤ反応条件を適宜に設定変更して、粒子性状の異なるＳｉＣ粒子からなる可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を、ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の表面部あるいは内部に少なくとも１層形成するものである。
【００３０】
なお、この製造方法においても、図３の工程図に例示した方法に適用されるＣＶＤ反応条件の設定変更をはじめ、その他の製造条件はそのまま適用することができ、上述した製造方法、製造条件によりＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の表面部あるいは内部に可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を少なくとも１層形成することができる。すなわち、図４に例示した製造方法は、基体にＳｉＣ被膜を成膜したのち基体を除去して得られたＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を基材として、その表面にＳｉＣ被膜を成膜する過程でＣＶＤ反応条件を設定変更して、可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成するものであり、図３に例示した製造方法は、基体にＳｉＣ被膜を成膜する過程で可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成し、その後基体を除去するものであり、ＣＶＤ反応条件を設定変更して可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成する方法、条件に関しては同一の手段が適用される。
【００３１】
本発明のＳｉＣ成形体の光不透過層及び光透過層の測定は、ＳｉＣ成形体を積層面方向に対して直角にダイヤモンドカッター等により切断し、厚さ0.1 〜0.15mmに研削及び研磨して鏡面性状として試料とし、この試料をタングステンフィラメントを用いた白色光源により透過光を観察する方法で行う。
【００３２】
また、ＳｉＣ成形体の透過率は、厚さ５mmの金属アルミニウム板を標準試料として、島津製作所製自記分光光度計を用いて光透過率を測定し、次式により算出する。
Ｔ＝Ｂ−Ａ
ここで、Ｔ；ＳｉＣ成形体の透過率
Ａ；金属アルミニウム板の光透過率測定値
Ｂ；ＳｉＣ成形体の光透過率測定値
【００３３】
このようにして製造したＳｉＣ成形体は、結晶形態が全てβ型からなり、密度が３．２ g/cm3以上、熱伝導率が２２０W/mK以上、熱膨張係数が３．９〜４．５×10-8/K（室温〜1000℃）等の性状を示し、高エネルギーの照射光を受けても安定であり、また金属不純物の含有量も極めて少なく、グロー放電質量分析において不純物量１ ppm以下、全反射蛍光Ｘ線による分析値でも１×1010atom/cm2以下である。したがって、高純度で耐熱性や強度特性に優れるとともに光透過性が非常に小さいＳｉＣ成形体を得ることができる。
【００３４】
【実施例】
以下、本発明の実施例を比較例と対比して具体的に説明する。
【００３５】
比較例
嵩密度１．８ g/cm3、熱膨張係数４．３×１０-6／Ｋ、灰分２０ ppm以下の等方性黒鉛材を直径２０２mm、厚さ５mmに加工して基体を作製した。この黒鉛基体をＣＶＤ反応装置の石英反応管内にセットして、系内を水素ガスで置換後、原料ガスにトリクロロメチルシランを、キャリアガスに水素ガスを用いて、混合ガス中のトリクロロメチルシランの濃度を７．５ vol％、混合ガスを１９０l/min の流量で反応管内に送入した。ＣＶＤ反応温度を１４００℃、反応時間を３０時間に設定してＣＶＤ反応を行ってＳｉＣ被膜を黒鉛基体面に成膜した。次いで、空気中で加熱して黒鉛基体を燃焼除去したのち、研磨加工して平滑化し、直径２００mm、厚さ０．５mmの円板状のＳｉＣ成形体を製造した。このＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の密度は３．２１ g/cm3、熱伝導率は２５０W/mK、熱膨張係数は４．６×１０-6／Ｋ（室温〜1000℃）であった。
【００３６】
実施例１
比較例のＳｉＣ被膜を成膜する過程において、ＣＶＤ反応温度を１４００℃から１２００℃に６℃／分の割合で降温させて１２００℃の温度に１時間保持し、次いで６℃／分の割合で１４００℃に昇温させた。この操作を連続して２回繰り返して行い、合計３０時間ＣＶＤ反応を行った。このようにしてＣＶＤ反応条件を設定変更することにより、内部に厚さ２０μm の可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層が２層形成されたＳｉＣ被膜を成膜した。その後、比較例と同一の方法により黒鉛基体を除去し、研磨加工して直径２００mm、厚さ０．５mmの円板状ＳｉＣ成形体を製造した。このＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の密度は３．２１ g/cm3、熱伝導率は２３０W/mK、熱膨張係数は４．２×１０-6／Ｋ（室温〜1000℃）であった。
【００３７】
実施例２
比較例のＳｉＣ被膜を成膜する過程において、ＣＶＤ反応温度を１２００℃に設定し、水素ガスの分圧を１０mmHg／分の割合で７４０mmHgから６８０mmHgに減少させ、その状態に０．５時間保持したのち、再び１０mmHg／分の割合で増大して７４０mmHgに戻した。このようにしてＣＶＤ反応条件の設定変更を行って、合計３０時間ＣＶＤ反応を行い、内部に厚さ２０μm の可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を１層形成したＳｉＣ被膜を成膜したのち、比較例と同一の方法により黒鉛基体を除去し、研磨加工して直径２００mm、厚さ０．５mmの円板状ＳｉＣ成形体を製造した。このＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の密度は３．２１ g/cm3、熱伝導率は２２０W/mK、熱膨張係数は４．２×１０-6／Ｋ（室温〜1000℃）であった。
【００３８】
実施例３
比較例のＳｉＣ被膜を成膜する過程において、ＣＶＤ反応条件として反応温度を１２００℃に設定し、ＣＶＤ反応管内の全圧力を３１０mmHgから３０mmHg／分の割合で増加させながら７６０mmHgに増圧し、その状態に０．５時間保持したのち３０mmHg／分の割合で減圧して３１０mmHgに戻す操作を２回行った。このようにしてＣＶＤ反応条件の設定変更を行って、合計３０時間ＣＶＤ反応を行い、内部に厚さ２０μm の可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を２層形成したＳｉＣ被膜を成膜したのち、比較例と同一の方法により黒鉛基体を除去し、研磨加工して直径２００mm、厚さ０．５mmの円板状ＳｉＣ成形体を製造した。このＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の密度は３．２３ g/cm3、熱伝導率は２４０W/mK、熱膨張係数は４．３×１０-6／Ｋ（室温〜1000℃）であった。
【００３９】
このようにして製造したＳｉＣ成形体について、島津製作所製自記分光光度計を用いて光透過率を測定し、得られた結果を表１に示した。
【００４０】
【表１】
0003932154.tif 000002
【００４１】
表１の結果から、ＣＶＤ法によりＳｉＣ被膜を成膜する際にＣＶＤ反応条件を設定変更することにより、粒子性状の異なるＳｉＣ粒子からなり、可視光線を透過しないＳｉＣ層をＳｉＣ成形体の内部に１層または２層形成した実施例のＳｉＣ成形体は、比較例のＳｉＣ成形体に比べて、３００〜２５００nmの波長域における光透過率が０．１５〜０．３％程度以下と小さく、可視光から赤外光の波長域における光不透過性に優れていることが判る。
【００４２】
【発明の効果】
以上のとおり、本発明によればＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の表面部あるいは内部に厚さ２〜２０μm の可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層が少なくとも１層形成されているので、３００〜２５００nmの可視光から赤外光の波長域における光不透過性に優れ、また緻密、高純度のＳｉＣ成形体が提供される。また、その製造方法によればＣＶＤ反応によりＳｉＣ被膜を成膜する過程において、ＣＶＤ反応条件を設定変更することにより可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を形成することができる。したがって、遮蔽体やダミーウエハ等の半導体製造用の各種部材をはじめ熱処理装置用の各種耐熱部材等として好適に用いることのできるＳｉＣ成形体及びその製造方法として極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【図１】可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を１層形成した本発明のＳｉＣ成形体を例示した断面図である。
【図２】可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層を２層形成した本発明のＳｉＣ成形体を例示した断面図である。
【図３】本発明のＳｉＣ成形体の製造プロセスを示したフローチャートである。
【図４】本発明のＳｉＣ成形体の他の製造プロセスを示したフローチャートである。
【符号の説明】
１  ＳｉＣ成形体
２  ＣＶＤ−ＳｉＣ基材
３  可視光不透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層
４  可視光透過性ＣＶＤ−ＳｉＣ層
【図１】
0003932154.tif 000003
【図２】
0003932154.tif 000004
【図３】
0003932154.tif 000005
【図４】
0003932154.tif 000006