(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイアス電圧をガンダイオードに印加することによってＬＳＭ０１モードの電磁波を生成するＮＲＤガイドガン発振器であって、平行に隔てられた２枚の導体板と、前記導体板に挟まれた金属マウントと、前記金属マウント中に前記導体板と平行に格納されたガンダイオードと、前記金属マウントに張り付けられ、前記ガンダイオードにバイアス電圧を印加するバイアスチョークと、前記導体板に挟まれ、かつ前記金属マウントと平行に配置され、前記ガンダイオードからの出力を伝送する誘電体ストリップと、前記金属マウントと前記誘電体ストリップに対して垂直に、しかも前記誘電体ストリップの長手方向の中途の部分に配置し、かつガンダイオードの中心軸上に配置された金属ストリップ線路と、前記誘電体ストリップの延長線上に配置された方形共振器と、前記誘電体ストリップと前記方形共振器の延長線上に空隙を介して配置されて、前記誘電体ストリップの軸方向に使用周波数の４分の１波長の奇数倍の間隔で上下対称に凹凸を施された金属反射器で構成され、前記方形共振器と前記金属反射器との空隙長を変えて発振周波数を調整することを特徴とするＮＲＤガイドガン発振器。
【請求項２】
バイアス電圧をガンダイオードに印加することによってＬＳＭ０１モードの電磁波を生成するＮＲＤガイドガン発振器であって、平行に隔てられた２枚の導体板と、前記導体板に挟まれた金属マウントと、前記金属マウント中に前記導体板と平行に格納されたガンダイオードと、前記金属マウントに張り付けられ、前記ガンダイオードにバイアス電圧を印加するバイアスチョークと、前記導体板に挟まれ、かつ前記金属マウントと平行に配置され、前記ガンダイオードからの出力を伝送する誘電体ストリップと、前記金属マウントと前記誘電体ストリップに対して垂直に、しかも前記誘電体ストリップの長手方向の中途の部分に配置し、かつ前記ガンダイオードの中心軸上に配置された金属ストリップ線路と、前記誘電体ストリップの延長線上に配置された方形共振器と、前記方形共振器の前記誘電体ストリップと反対側の端部に、前記導体板と平行に、前記方形共振器の高さ方向の中心にスロットを設け、前記スロットと同じ厚みを有し、前記方形共振器と同じ幅を有する金属反射板と、前記金属反射板の両側面に前記導体板の間隔と同じ高さの金属側板を接続したＨ型金属反射器を前記スロットに挿入し、前記方形共振器の前記誘電体ストリップ側の端面から前記Ｈ型金属反射器までの長さを変えて発振周波数を調整することを特徴とするＮＲＤガイドガン発振器。
【請求項３】
前記誘電体ストリップの前記方形共振器側の端部から前記金属ストリップ線路設置位置までの長さを、前記誘電体ストリップの端部に前記金属ストリップ線路を配置し、前記方形共振器と前記金属反射器あるいは前記Ｈ型金属反射器を設置しない自走発振時の発振周波数における伝送波長の半波長にしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＮＲＤガイドガン発振器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、伝送線路にＮＲＤガイドを用いたＮＲＤガイドガン発振器、特に発振周波数の調整が容易なＮＲＤガイドガン発振器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＮＲＤガイド（非放射性誘電体線路、Ｎｏｎｒａｄｉａｔｉｖｅ  ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）とは、使用周波数の１／２波長以下の間隔で平行に隔てられた２枚の導体板の間に、矩形の誘電体ストリップを挿入して構成された伝送線路である。このＮＲＤガイドは、伝送路途中の不連続部分や、曲がり部分で不要な放射がないことや、マイクロストリップ線路では損失が大きくなるミリ波帯においても低損失性を保つことから、実用性の高い伝送線路としてここ最近注目されてきている。
【０００３】
上述した構造のＮＲＤガイドは、誘電体ストリップがないところでは平行に隔てられた導体板の遮断効果により電磁波は伝送することができないため、電磁波は誘電体ストリップに沿ってのみ伝送が可能となる。これまでに、このＮＲＤガイドと発振素子としてガンダイオードを用いたＮＲＤガイドガン発振器が試作されており、導波管を用いて構成した場合と同程度の発振出力が得られている。
【０００４】
ところでＮＲＤガイドガン発振器を、実際の通信機器に利用する場合には、十分な出力が得られることもさることながら、発振周波数を容易に調整できることも重要である。これまでは、誘電体共振器を発振器中の伝送線路に結合させると、自走発振周波数が誘電体共振器の引き込み範囲内にある場合には、発振周波数の安定性が向上すると共に共振器の共振周波数で発振するという、いわゆる自己注入同期とよばれる現象を利用して、まず金属ストリップ線路の長さを変えて発振周波数が誘電体共振器の引き込み範囲内に入るように粗調整し、その後、使用周波数で共振する誘電体共振器を誘電体ストリップ側面に配置して発振周波数を使用周波数に合わせていた。
【０００５】
図５は従来のＮＲＤガイドガン発振器の斜視図である。図５において１ａと１ｂは使用周波数の半波長以下の間隔で平行に隔てられた導体板であり、２は導体板１ａ，１ｂ間に挿入された金属マウントである。３はガンダイオードであり、金属マウント２に格納されている。４は誘電体基板上に作成されたバイアスチョークであり、５は誘電体基板上に作成された金属ストリップ線路である。６は導体板１ａ，１ｂの間隔と同じ高さをもつ誘電体ストリップであり、７は誘電体ストリップ６の側面に配置された誘電体共振器である。金属マウント２，誘電体ストリップ６，及び誘電体共振器７は、導体板１ａ，１ｂで挟まれ機械的に固定されている。
【０００６】
以上のように構成されたＮＲＤガイドガン発振器について、以下その動作を説明する。ガンダイオード３の発振動作に必要なバイアス電圧は、バイアスチョーク４を介してガンダイオード３のアノード端子へ印加される。ガンダイオード３からの発振出力は、まずＴＥＭ波として金属ストリップ線路５へ導かれ、その後誘電体ストリップ６へ導かれる。誘電体ストリップ６では、金属ストリップ線路５を伝送するＴＥＭ波と磁界が極めて類似しているＬＳＭ（Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ  Ｓｅｃｔｉｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ）０１モードに変換されて伝送する。誘電体ストリップ６を伝送するＬＳＭ０１モードの電磁波は、そのまま出力される電力と誘電体共振器７に結合する電力とに分かれる。誘電体共振器７に結合した電力は再び誘電体ストリップ６に戻るが、その一部の電力は誘電体ストリップ６と金属ストリップ線路５を伝送して、ガンダイオード３に注入される。
【０００７】
このようにして、誘電体共振器７により自己注入同期が実現され、ガンダイオードは誘電体共振器７の共振周波数で発振する。従って、共振周波数が使用周波数と一致している誘電体共振器を用いることで、発振周波数を使用周波数に合わせることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述したように従来のＮＲＤガイドガン発振器では、誘電体共振器の共振周波数を使用周波数に合わせなければならないが、この誘電体共振器の共振周波数はわずかな寸法の違いで大きく共振周波数が変化してしまうにもかかわらず、誘電体共振器の物理的な寸法を変えて、調整を行なわなければならないために、共振周波数の変化は不連続となり、共振周波数を使用周波数に合わせるのはかなり困難である、すなわち発振周波数を使用周波数に合わせるのはかなり困難であるという問題点を有していた。
【０００９】
また使用周波数を変更する場合には、誘電体共振器を加工あるいは交換するために一度導体板を開かなければならないという問題も有していた。
【００１０】
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、発振周波数を容易に使用周波数に合わせることができ、また使用周波数の変更にも容易に対応できるＮＲＤガイドガン発振器を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明は、バイアス電圧をガンダイオードに印加することによってＬＳＭ０１モードの電磁波を生成するＮＲＤガイドガン発振器であって、平行に隔てられた２枚の導体板と、前記導体板に挟まれた金属マウントと、前記金属マウント中に前記導体板と平行に格納されたガンダイオードと、前記金属マウントに張り付けられ、前記ガンダイオードにバイアス電圧を印加するバイアスチョークと、前記導体板に挟まれ、かつ前記金属マウントと平行に配置され、前記ガンダイオードからの出力を伝送する誘電体ストリップと、前記金属マウントと前記誘電体ストリップに対して垂直に、しかも前記誘電体ストリップの長手方向の中途の部分に配置し、かつガンダイオードの中心軸上に配置された金属ストリップ線路と、前記誘電体ストリップの延長線上に配置された方形共振器と、前記誘電体ストリップと前記方形共振器の延長線上に空隙を介して配置されて、前記誘電体ストリップの軸方向に使用周波数の４分の１波長の奇数倍の間隔で上下対称に凹凸を施された金属反射器で構成され、前記方形共振器と前記金属反射器との空隙長を変えて発振周波数を調整するようにした。
【００１２】
この構成により、発振周波数を容易に使用周波数に合わせることができ、また使用周波数の変更にも容易に対応できるＮＲＤガイドガン発振器を実現できる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
請求項１に記載の発明は、バイアス電圧をガンダイオードに印加することによってＬＳＭ０１モードの電磁波を生成するＮＲＤガイドガン発振器であって、平行に隔てられた２枚の導体板と、前記導体板に挟まれた金属マウントと、前記金属マウント中に前記導体板と平行に格納されたガンダイオードと、前記金属マウントに張り付けられ、前記ガンダイオードにバイアス電圧を印加するバイアスチョークと、前記導体板に挟まれ、かつ前記金属マウントと平行に配置され、前記ガンダイオードからの出力を伝送する誘電体ストリップと、前記金属マウントと前記誘電体ストリップに対して垂直に、かつガンダイオードの中心軸上に配置された金属ストリップ線路と、前記誘電体ストリップの延長線上に配置された方形共振器と、前記誘電体ストリップと前記方形共振器の延長線上に空隙を介して配置されて、前記誘電体ストリップの軸方向に使用周波数の４分の１波長の奇数倍の間隔で上下対称に凹凸を施された金属反射器で構成され、前記方形共振器と前記金属反射器との空隙長を変えて発振周波数を調整するようにした。
【００１４】
この構成により、方形共振器と金属反射器との空隙長を変えると、方形共振器の金属マウント側の端面での定在波分布が変わるために、方形共振器の電気長を等価的に変えることができ、方形共振器の共振周波数を変えることができる。すなわち方形共振器と、金属反射器との空隙長を変えることにより、ガン発振器の発振周波数を調整できる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、バイアス電圧をガンダイオードに印加することによってＬＳＭ０１モードの電磁波を生成するＮＲＤガイドガン発振器であって、平行に隔てられた２枚の導体板と、前記導体板に挟まれた金属マウントと、前記金属マウント中に前記導体板と平行に格納されたガンダイオードと、前記金属マウントに張り付けられ、前記ガンダイオードにバイアス電圧を印加するバイアスチョークと、前記導体板に挟まれ、かつ前記金属マウントと平行に配置され、前記ガンダイオードからの出力を伝送する誘電体ストリップと、前記金属マウントと前記誘電体ストリップに対して垂直に、しかも前記誘電体ストリップの長手方向の中途の部分に配置し、かつ前記ガンダイオードの中心軸上に配置された金属ストリップ線路と、前記誘電体ストリップの延長線上に配置された方形共振器と、前記方形共振器の前記誘電体ストリップと反対側の端部に、前記導体板と平行に、前記方形共振器の高さ方向の中心にスロットを設け、前記スロットと同じ厚みを有し、前記方形共振器と同じ幅を有する金属反射板と、前記金属反射板の両側面に前記導体板の間隔と同じ高さの金属側板を接続したＨ型金属反射器を前記スロットに挿入し、前記方形共振器の前記誘電体ストリップ側の端面から前記Ｈ型金属反射器までの長さを変えて発振周波数を調整するようにしたものである。
【００１６】
この構成により、ＮＲＤガイドガン発振器の伝送モードであるＬＳＭ０１モードは主要な電界成分が前記導体板と平行、すなわち金属反射板と平行であるため、方形共振器中では、金属反射板でＬＳＭ０１モードの電磁波は反射される。従って、方形共振器に設けたスロットへのＨ型金属反射器の挿入長を変えることにより、方形共振器の電気長を等価的に変えることができ、方形共振器の共振周波数を変えることができる。すなわち、Ｈ型金属反射器をスロットに挿入し、方形共振器の前記誘電体ストリップ側の端面からＨ型金属反射器までの長さを変えることにより、ガン発振器の発振周波数を調整できるという作用を有する。なお、Ｈ型金属反射器を構成する金属側板は、ＬＳＭ０１モードの反射へは直接は寄与しないが、金属反射板によるＬＳＭ０１モードからＴＥ０２モードへの不要なモード変換を防ぐために必要なものである。
【００１７】
請求項３に記載の発明は、前記誘電体ストリップの前記方形共振器側の端部から前記金属ストリップ線路設置位置までの長さを、前記誘電体ストリップの端部に前記金属ストリップ線路を配置し、前記方形共振器と前記金属反射器あるいは前記Ｈ型金属反射器がない、いわゆる自走発振時の発振周波数の半波長にしたものである。
【００１８】
この構成により、ガンダイオードから外部回路をみたインピーダンスは、金属ストリップ線路を誘電体ストリップの端部に設置した場合と、誘電体ストリップの端部から半波長ずらした位置に設置した場合とで同じになるため、金属ストリップ線路を誘電体ストリップの途中に配置したことが発振出力の減少に与える影響はなく、発振出力の減少は前記方形共振器からの反射波が、ガンダイオードに再び戻る電力だけに抑えられるＮＲＤガイドガン発振器が得られる。
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施の形態によるＮＲＤガイドガン発振器の斜視図を示すものである。図２は同方形共振器上の電圧定在波分布図であって、図１中の方形共振器８を比誘電率が２．０４のテフロンで作成し、その断面寸法を幅２．５ｍｍ、高さ２．２５ｍｍとした場合の、方形共振器８上の電圧定在波分布を示しており、図２（ａ）は金属反射器９が方共振器８上の電界が届かない十分離れた位置にある場合であり、図２（ｂ）は方形共振器８の端面に金属反射器９が接している場合を示している。
【００２０】
図３は本発明の一実施の形態によるＮＲＤガイドガン発振器の斜視図であって、方形共振器８に設けたスロットにＨ型金属反射器１１を挿入したＮＲＤガイドガン発振器を示すものである。図４は同方形共振器上の電圧定在波分布図であって、方形共振器８を比誘電率が２．０４のテフロンで作成し、その断面寸法を幅２．５ｍｍ、高さ２．２５ｍｍとしたときの、図３における方形共振器８上の電圧定在波分布を示すものである。なお、図５に示す従来の技術と同一要素には同一符号を付している。
【００２１】
図１において、８は方形共振器であり、９は伝送軸方向に使用周波数の４分の１波長の奇数倍の長さで凹凸が設けられた金属反射器であり、方形共振器８は誘電体ストリップ６の延長線上に設置している。金属反射器９に設けている凹凸は、金属反射器９と導体板１ａ，１ｂとの間に隙間が生じた場合でも、その隙間を電磁波が漏れていくのを防ぐためのものである。６は従来の技術と同様の誘電体ストリップであり、５は金属ストリップ線路であるが、金属ストリップ線路５は誘電体ストリップ６の端面から、方形共振器８と金属反射器９がなく、金属ストリップ線路５を誘電体ストリップ６の端面に設置したときときの発振周波数、いわゆる自走発振周波数における伝送波長の半波長の長さだけずらした位置に設置している。
【００２２】
一般に、方形共振器８の誘電体ストリップ６側での反射係数の位相をθ０（°）とし、方形共振器８の金属反射器９側での反射係数の位相をθ１（°）とし、方形共振器８の物理的な長さをｄとし、方形共振器内での伝送波長をλｇとし、Ｎを整数とすると、λｇが（数１）を満たす周波数で方形共振器８は共振する。
【００２３】
【数１】
0004008142.tif 000002
【００２４】
ここで、方形共振器内での伝送波長をλｇとし、Ｎを整数とすると、λｇが（数１）を満たす周波数で方形共振器８は共振する。
【００２５】
図１において、金属反射器９が方形共振器８上の電界が達しない十分離れた位置にある場合には、方形共振器８の端面での反射係数の位相は、方形共振器８で用いている誘電体材料の比誘電率とその断面寸法により定まり、例えば比誘電率が２．０４のテフロンを用い、断面寸法が幅２．５ｍｍ、高さ２．２５ｍｍの場合では約９０度となるため、方形共振器８では図２（ａ）の１０に示すような電圧定在波分布となる。この場合、方形共振器８は、λｇが（数２）を満たす周波数で共振する。
【００２６】
【数２】
0004008142.tif 000003
【００２７】
この場合、方形共振器８はλｇが（数２）を満たす周波数で共振する。
【００２８】
なお図２（ａ）ではＮが１の場合を図示している。一方、金属反射器９が方形共振器８に密着した状態では、θ１が図２（ｂ）に示すように１８０°となるため、λｇが（数３）を満たす周波数で共振する。
【００２９】
【数３】
0004008142.tif 000004
【００３０】
ここで、金属反射器９が方形共振器８に密着した状態では、θ１が図２（ｂ）に示すように１８０゜となるため、λｇが（数３）を満たす周波数で共振するものである。
【００３１】
なお図２（ｂ）ではＮが１の場合を図示している。このように、金属反射器９を方形共振器８から十分に離した位置から密着させた位置まで変えることにより、方形共振器８の金属反射器９側の端面での反射係数の位相θ１を変化させることができるため、方形共振器８の共振周波数を連続的に変えることができる。従って、方形共振器８と金属反射器９との間隔を変えることにより、発振器の発振周波数を連続的に変えることが可能となり、また発振周波数を変更する際にも、方形共振器８と金属反射器９の間隔を変えることで容易に対応でき、さらに金属反射器９の位置を変更するだけであれば、導体板１ａを開ける必要はないため作業効率の改善も図ることができる。
【００３２】
ところで、金属ストリップ線路５を誘電体ストリップ６の端面に設置した状態で、方形共振器８と金属反射器９を配置する構造も考えられれるが、金属ストリップ線路５を伝送する電磁波が直接、方形共振器８と結合し、そのことが方形共振器８の共振周波数の見積もりを難しくすると予想される。これを避けるためには、誘電体ストリップ６の途中に金属ストリップ線路５を設置することが望ましいが、金属ストリップ線路５の設置位置を適当に選ぶと、ガンダイオード３から外部回路をみたインピーダンスが変化し、発振周波数が著しく低下することが予想される。
【００３３】
そこで、図１に示すように、金属ストリップ線路５を誘電体ストリップ６の端面から、方形共振器８と金属反射器９がなく、金属ストリップ線路５を誘電体ストリップ６の端面に設置したとき、すなわち図５に示す従来のＮＲＤガイドガン発振器から誘電体共振器７を省いた、いわゆる自走発振時の発振周波数における伝送波長の半波長の長さだけずらした位置に設置している。ガンダイオード３から外部回路をみたインピーダンスは、金属ストリップ線路５を誘電体ストリップ６の端部に設置した場合と、誘電体ストリップ６の端部から自走発振時の伝送波長の半波長ずらした位置に設置した場合とで同じになるため、金属ストリップ線路５を誘電体ストリップ６の途中に配置したことが発振出力の減少に与える影響はほとんどなく、発振出力の減少は方形共振器８からの反射波が、ガンダイオード３に再び戻る電力だけとなる。
【００３４】
図５に示す従来のＮＲＤガイドガン発振器でも、出力の減少は誘電体共振器６からの反射波が再びガンダイオード３に戻る電力であるため、金属ストリップ線路５の設置位置を上記のように設定することにより、従来のＮＲＤガイドガン発振器と同等の出力が得られながら、なおかつ周波数調整の容易なＮＲＤガイドガン発振器が得られる。
【００３５】
図３において８は図１と同様の方形共振器であり誘電体ストリップ６とは反対側の端面において、高さ方向の中心に導体板１ａ，１ｂと平行にスロットを設けてある。１１はＨ型金属反射器であり、１２は金属反射板であり方形共振器８に設けたスロットと同じ厚みを有しており、１３は金属側板であり導体板１ａ，１ｂの間隔と同じ高さを有しており、金属側板１３の高さ方向の中心に導体板１ａ，１ｂと平行に金属反射板１２を設置してＨ型金属反射器１１を構成している。図４は方形共振器８の材料に比誘電率が２．０４のテフロンを用い、またその断面寸法を幅２．５ｍｍ、高さ２．２５ｍｍとした場合の、方形共振器８上での電圧定在波分布を示したものであり、誘電体共振器８とＨ型金属反射器１１近傍の断面を示している。
【００３６】
方形共振器８上の電界は、Ｈ型金属反射器１１により反射係数の位相がほぼ１８０°で反射され、また方形共振器８の誘電体ストリップ６側の端面における反射係数の位相は約９０°で固定されるため、方形共振器８上では図４の１４に示したような電圧定在波分布が生じる。このとき、方形共振器８は前記（数３）を満たす周波数で共振する。方形共振器８の誘電体ストリップ６側の端面からＨ型金属反射器１１間での長さを変えることは、前記（数３）中のｄを変えることに相当するため、Ｈ型金属反射器１１を移動することで方形共振器８の共振周波数を連続的に変えることができ、発振周波数を連続的に調整することができる。また図１の場合と同様に、発振周波数を変更する際にも、Ｈ型金属反射器１１を移動することで容易に対応でき、さらにＨ型金属反射器１１を移動するだけであれば、導体板１ａを開ける必要はないため作業効率の改善も図ることができる。
【００３７】
図３においても図１の場合と同様に、金属ストリップ線路５を伝送する電磁波が直接方形共振器８と結合するのを防ぐためには、誘電体ストリップ６の途中に設置した方がよいため、金属ストリップ線路５は誘電体ストリップ６の端面から、方形共振器８とＨ型金属反射器１１がなく、金属ストリップ線路５を誘電体ストリップ６の端面に設置したとき、すなわち図５に示す従来のＮＲＤガイドガン発振器から誘電体共振器７を省いた、いわゆる自走発振時の発振周波数における伝送波長の半波長だけずらした位置に設置している。ガンダイオードから外部回路をみたインピーダンスは、金属ストリップ線路５を誘電体ストリップ６の端部に設置した場合と、誘電体ストリップ６の端部から自走発振時の伝送波長の半波長ずらした位置に設置した場合とで同じになるため、金属ストリップ線路５を誘電体ストリップ６の途中に配置したことが発振出力の減少に与える影響はほとんどなく、発振出力の減少は方形共振器８からの反射波が、ガンダイオード３に再び戻る電力だけとなる。
【００３８】
図５に示すＮＲＤガイドガン発振器でも、出力の減少は誘電体共振器７からの反射波が再びガンダイオード３に戻る電力であるため、金属ストリップ線路５の設置位置を上記のように設定することにより、従来のＮＲＤガイドガン発振器と同等の出力が得られながら、なおかつ周波数調整の容易なＮＲＤガイドガン発振器が得られる。
【００３９】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、従来のＮＲＤガイドガン発振器と同等の出力が得られながら、発振周波数を連続的に変えることができ、また発振周波数の変更にも容易に対応でき、また導体板を開ずに発振周波数の調整や変更ができるＮＲＤガイドガン発振器が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態によるＮＲＤガイドガン発振器の斜視図
【図２】本発明の一実施の形態によるＮＲＤガイドガン発振器の方形共振器上の電圧定在波分布図
【図３】本発明の一実施の形態によるＮＲＤガイドガン発振器の斜視図
【図４】本発明の一実施の形態によるＮＲＤガイドガン発振器の方形共振器上の電圧定在波分布図
【図５】従来のＮＲＤガイドガン発振器の斜視図
【符号の説明】
１ａ，１ｂ  導体板
２  金属マウント
３  ガンダイオード
４  バイアスチョーク
５  金属ストリップ線路
６  誘電体ストリップ
８  方形共振器
９  金属反射器
１０  電圧定在波分布
１１  Ｈ型金属反射器
１２  金属反射板
１３  金属側板
１４  電圧定在波分布
【図１】
0004008142.tif 000005
【図２】
0004008142.tif 000006
【図３】
0004008142.tif 000007
【図４】
0004008142.tif 000008
【図５】
0004008142.tif 000009