(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃによる各単分子膜をこの順に基材上に累積してなる複合材料の製造方法であって、該化合物Ｂと結合可能な官能基及び該基材と結合する基を有する該化合物Ａと該基材とを、該化合物Ａ及び該化合物Ｃと結合可能な官能基を有する該化合物Ｂと該化合物Ａとを、及び、該化合物Ｂと結合可能な官能基を少なくとも一つ有する該化合物Ｃと該化合物Ｂとを、結合させ、該化合物Ｂおよび該化合物Ｃの少なくとも一方が、ルテニウム元素を含む化合物およびフタロシアニン系色素から選択される化合物であることを特徴とする複合材料の製造方法。
【請求項２】
互いに異なる化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃによる各単分子膜をこの順に基材上に累積してなる複合材料の製造方法であって、該化合物Ｂと結合可能な官能基及び該基材と結合する基を有する該化合物Ａを該基材に結合させた後、該化合物Ａ及び該化合物Ｃと結合可能な官能基を有する該化合物Ｂと該化合物Ａとを結合させ、更に該化合物Ｂと結合可能な官能基を少なくとも一つ有する該化合物Ｃと該化合物Ｂとを結合させ、該化合物Ｂおよび該化合物Ｃの少なくとも一方が、ルテニウム元素を含む化合物およびフタロシアニン系色素から選択される化合物であることを特徴とする複合材料の製造方法。
【請求項３】
化合物Ａが、下記式（１）から（５）のいずれかで表される構造を有する請求項１又は２に記載の複合材料の製造方法。
式（１）  Ｒ１Ｍ１Ｙ１３
式（２）  Ｒ１Ｒ２Ｍ１Ｙ１２
式（３）  Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｍ１Ｙ１
式（４）  Ｒ１−ＳＨ
式（５）  Ｒ１ｍＺｎ
ただし、これらの式中、Ｒ１  は、化合物Ｂと結合可能な官能基を含む、炭素数１〜２０の飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は含複素環式基を表す。Ｒ２及びＲ３は、Ｒ１と同一の基又は炭素数１〜２０の飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基若しくは含複素環式基を表す。Ｍ１は、炭素を除く４価の元素を表す。Ｙ１は、加水分解性官能基であり、ハロゲン原子又はアルコキシ基を表す。Ｚは、−ＣＯＯＲ４、−ＣＯＸ１、−ＮＨ２、−ＯＨ又は−ＮＣＯを表す。Ｒ４は、水素原子及び炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。Ｘ１は、ハロゲン原子を表す。ｍ及びｎは、整数を表す。
【請求項４】
化合物Ａにおける化合物Ｂと結合可能な官能基が、ハロゲン基である請求項１から３のいずれかに記載の複合材料の製造方法。
【請求項５】
化合物Ａが、シラン化合物である請求項１から４のいずれかに記載の複合材料の製造方法。
【請求項６】
化合物Ｂが、該化合物Ｂにおける化合物Ａと結合可能な官能基として、アミノ基、カルボキシル基及び水酸基のいずれかを有する、脂肪族炭化水素化合物、芳香族炭化水素化合物及び含複素環式化合物から選択される請求項１から５のいずれかに記載の複合材料の製造方法。
【請求項７】
化合物Ｂが、該化合物Ｂにおける化合物Ｃと結合可能な官能基としてハロゲン基、アミノ基及びカルボキシル基を有する、脂肪族炭化水素化合物、芳香族炭化水素化合物及び含複素環式化合物から選択される請求項１から６のいずれかに記載の複合材料の製造方法。
【請求項８】
ルテニウム元素を含む化合物が、ルテニウム元素を少なくとも一つ有する、脂肪族炭化水素化合物、芳香族炭化水素化合物及び含複素環式化合物から選択される請求項１から７のいずれかに記載の複合材料の製造方法。
【請求項９】
化合物Ｃが、該化合物Ｃにおける化合物Ｂと結合可能な官能基としてシアノ基、アミノ基、カルボキシル基及び水酸基のいずれかを有する、脂肪族炭化水素化合物、芳香族炭化水素化合物及び含複素環式化合物から選択される請求項１から８のいずれかに記載の複合材料の製造方法。
【請求項１０】
化合物Ｂおよび化合物Ｃの少なくとも一方が、ルテニウム元素を含む化合物であることを特徴とする請求項１から９のいずれか１つに記載の複合材料の製造方法。
【請求項１１】
互いに異なる化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃによる各単分子膜を基材上にこの順に累積してなり、請求項１から１０のいずれかに記載の複合材料の製造方法により製造されることを特徴とする複合材料。
【請求項１２】
請求項１１に記載の複合材料における基材が半導体基材であることを特徴とする半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品等の保護膜、光導電性材料、触媒、光触媒、光電変換材料、光半導体、光学材料等の幅広い分野で利用可能な複合材料、及び該複合材料を効率よく製造し得る方法、並びに、耐久性、光導電性等に優れた半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、分子レベルの膜厚制御や分子配向の制御が可能な複合材料の製造方法として、ラングミュア−ブロジェット法（Ｌａｎｇｍｕｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法（以下「ＬＢ法」と称する））が知られている。前記ＬＢ法は、親水性の末端基を有する分子を気相−液相（水）界面上に展開し、展開した分子の占有面積を最小にした状態で単分子膜を形成し、この単分子膜を任意の基材上に移しとり、この操作を繰り返すことにより単分子膜を積み上げ、累積膜を形成することにより前記複合材料を製造する方法である。前記液相には、一般に水を用いるので、前記親水性の末端基を有する分子は、該末端基を液相（水）側に向けた状態で配向する。
前記ＬＢ法においては、分子の占有面積を最小にするため、バリアと呼ばれる治具を用いて気相−液相（水）界面の一端を押し、分子の占有面積を減少させ、分子密度を高くすることが行われる。この操作により、気相−液相（水）界面上に単分子膜を形成することができる。この単分子膜を基材に移しとり同様な操作を繰り返すことにより、分子配向が分子レベルで制御された前記累積膜を有する前記複合材料を製造することができる。
【０００３】
しかしながら、前記ＬＢ法の場合、分子制御の観点では優れた方法であるが、得られる複合材料における累積膜と基板、及び積層された分子間の結合力は極めて弱いので、該複合材料は、機械的強度に劣り、熱に弱く、耐久性に欠ける等の問題がある。その結果、分子配向が制御された機能性分子による累積膜を基材上に形成しても、その機能が十分に発揮されない。
【０００４】
前記ＬＢ法における問題を解決し、高機能の複合材料を製造する方法として、化学吸着法が提案されてきている。
前記化学吸着法としては、例えば、Ｊ．Ｓａｇｉｖらが提唱する、クロロシラン系等による化学吸着分子を用いた化学吸着法が知られている［Ｊ．Ｓａｇｉｖｅｔ  ａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０２，９２（１９８０）、Ｊ．Ｓａｇｉｖ  ｅｔ  ａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０５，６７４（１９８０）］。前記化学吸着法は、基材の表面に露出した反応基、例えば水酸基と、吸着分子の末端に設けられた加水分解性官能基との縮合反応を利用して、該基材上に単分子膜を形成することにより前記複合材料を製造する方法である。
【０００５】
前記化学吸着法によると、単分子膜の構成分子と基材とが化学反応して、−Ｓｉ−Ｏ−、−Ｇｅ−Ｏ−、−Ｔｉ−Ｏ−等の化学結合を形成するため、機械的強度が大きく、熱に強く、耐久性に優れる単分子膜を有する前記複合材料を製造することができる。
前記化学吸着法においては、前記加水分解性官能基の代わりに、チオール基、カルボキシル基、水酸基、イソシアナート基及びアミノ基を有する吸着分子や有機酸塩化物を用いることができ、この場合、単分子膜の構成分子と基板とが反応して、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、−ＮＨ−による共有結合を形成するため、シラン系、ゲルマニウム系、チタネート系等の吸着分子と同様、機械的強度が大きく、熱に強く、耐久性に優れる単分子膜を有する前記複合材料を製造することができる。
また、前記化学吸着法の場合、微粒子等の表面が平滑でない基材上にも薄膜を形成することができるので、広範な形態の前記複合材料を製造することができ、得られる前記複合材料の用途範囲も飛躍的に広げることができる。
【０００６】
近年、前記化学吸着法を利用して、累積膜を含む複合材料を製造する試みも行われている。Ｍｉｃｈａｅｌ  Ａ．Ａｎｓｅｌｌらは、アミノ基を有する吸着分子（例えば、γ−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ、γ−ａｍｉｎｏｐｒｏｐｙｌｔｒｉｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ等）で基材の表面を被覆した後、金属化合物とジシアノベンゼンを交互に吸着させることにより該累積膜を形成する試みを提案している［Ｍｉｃｈａｅｌ  Ａ．Ａｎｓｅｌｌ  ｅｔ  ａｌ，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．８，５９１（１９９６）］。また、ＤｅＱｕａｎ  Ｌｉらも、アミノ基や水酸基を有する吸着分子（Ｎ−［３−（ｔｒｉｍｅｔｈｏｘｙｓｉｌｙｌ）ｐｒｏｐｙｌ］ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅｔｒｉａｃｅｔａｔｅ）を用い、基材の表面に遷移金属［Ｒｕ（Ｈ2 Ｏ）6 ］を積層させる提案をしている［ＤｅＱｕａｎ  Ｌｉ  ｅｔ  ａｌ．，Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．４，１０４７（１９９２）］。
【０００７】
しかし、これらいずれの場合においても、吸着分子のアミノ基や水酸基と基材の表面の水酸基等とが水素結合を起こしてしまい、該アミノ基、水酸基の機能が低下してしまうため、前記金属分子等の機能性分子を少量しか反応させることができない。その結果、基材の表面に形成する薄膜の機能を十分に向上させることができないという問題がある。
【０００８】
また、特開平６−９３１１６公報においては、ハロゲン基を有する化学吸着膜をアルカリ金属置換又はＧｒｉｇｎａｒｄ化工程を行った後に、更に該化学吸着分子を累積化する試みが提案されている。
しかし、この場合、Ｇｒｉｇｎａｒｄ化する工程において水分等の反応条件を厳密に制御しななければ前記官能基の反応性が著しく失われるため、前記化学吸着分子を十分に導入できず、累積膜を形成できなくなるという問題がある。また、Ｇｒｉｇｎａｒｄ化する工程を経るため工数が増え、コストが増えるという問題もある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、
本発明は、機能性分子を高密度で導入及び累積し、該機能性分子が表面に露出するようにして配向させた累積膜を基材の表面に強固に結合させることにより、ぬれ性、接着性、表面エネルギー等の固体表面・界面の物性の制御、分散性、耐薬品性等の改善、汚染物質の付着防止、帯電防止、イオン交換特性、導電性、光導電性、ダイオード特性、熱伝導性等の機能の付与などの目的に好適で、塗料、化粧品、電子部品や機械部品の保護膜、液晶配向膜、センサー、磁性材料、光学素子材料、光導電性材料、触媒、光触媒、光電変換材料等の光半導体、フィラー分散型コンポジット建材、電子写真用部材の保護膜、電子写真用現像剤の外添剤やキャリアなどの幅広い分野で利用可能な複合材料、及び該複合材料を効率よく製造し得る方法、並びに、ダイオード特性、光導電性等の素子として要求される諸機能に優れた半導体素子、を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 互いに異なる化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃによる各単分子膜をこの順に基材上に累積してなる複合材料の製造方法であって、該化合物Ｂと結合可能な官能基及び該基材と結合する基を有する該化合物Ａと該基材とを、該化合物Ａ及び該化合物Ｃと結合可能な官能基を有する該化合物Ｂと該化合物Ａとを、及び、該化合物Ｂと結合可能な官能基を少なくとも一つ有する該化合物Ｃと該化合物Ｂとを、結合させ、該化合物Ｂおよび該化合物Ｃの少なくとも一方が、ルテニウム元素を含む化合物およびフタロシアニン系色素から選択される化合物であることを特徴とする複合材料の製造方法である。
＜２＞ 互いに異なる化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃによる各単分子膜をこの順に基材上に累積してなる複合材料の製造方法であって、該化合物Ｂと結合可能な官能基及び該基材と結合する基を有する該化合物Ａを該基材に結合させた後、該化合物Ａ及び該化合物Ｃと結合可能な官能基を有する該化合物Ｂと該化合物Ａとを結合させ、更に該化合物Ｂと結合可能な官能基を少なくとも一つ有する該化合物Ｃと該化合物Ｂとを結合させ、該化合物Ｂおよび該化合物Ｃの少なくとも一方が、ルテニウム元素を含む化合物およびフタロシアニン系色素から選択される化合物であることを特徴とする複合材料の製造方法。
＜３＞ 化合物Ａが、下記式（１）から（５）のいずれかで表される構造を有する前記＜１＞又は＜２＞に記載の複合材料の製造方法である。
式（１） Ｒ1 Ｍ1 Ｙ13
式（２） Ｒ1 Ｒ2 Ｍ1 Ｙ12
式（３） Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｍ1 Ｙ1
式（４） Ｒ1 −ＳＨ
式（５） Ｒ1 m Ｚn
ただし、これらの式中、Ｒ1 は、化合物Ｂと結合可能な官能基を含む、炭素数１〜２０の飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は含複素環式基を表す。Ｒ2 及びＲ3 は、Ｒ1 と同一の基又は炭素数１〜２０の飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基若しくは含複素環式基を表す。Ｍ1 は、炭素を除く４価の元素を表す。Ｙ1 は、加水分解性官能基であり、ハロゲン原子又はアルコキシ基を表す。Ｚは、−ＣＯＯＲ4 、−ＣＯＸ1 、−ＮＨ2 、−ＯＨ又は−ＮＣＯを表す。Ｒ4 は、水素原子及び炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。Ｘ1 は、ハロゲン原子を表す。ｍ及びｎは、整数を表す。
＜４＞ 化合物Ａにおける化合物Ｂと結合可能な官能基が、ハロゲン基である前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の複合材料の製造方法である。
＜５＞ 化合物Ａが、シラン化合物である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の複合材料の製造方法である。
＜６＞ 化合物Ｂが、該化合物Ｂにおける化合物Ａと結合可能な官能基として、アミノ基、カルボキシル基及び水酸基のいずれかを有する、脂肪族炭化水素化合物、芳香族炭化水素化合物及び含複素環式化合物から選択される前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の複合材料の製造方法である。
＜７＞ 化合物Ｂが、該化合物Ｂにおける化合物Ｃと結合可能な官能基としてハロゲン基、アミノ基及びカルボキシル基を有する、脂肪族炭化水素化合物、芳香族炭化水素化合物及び含複素環式化合物から選択される前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の複合材料の製造方法である。
＜８＞ルテニウム元素を含む化合物が、ルテニウム元素を少なくとも一つ有する、脂肪族炭化水素化合物、芳香族炭化水素化合物及び含複素環式化合物から選択される請求項１から７のいずれかに記載の複合材料の製造方法である。
＜９＞ 化合物Ｃが、該化合物Ｃにおける化合物Ｂと結合可能な官能基としてシアノ基、アミノ基、カルボキシル基及び水酸基のいずれかを有する、脂肪族炭化水素化合物、芳香族炭化水素化合物及び含複素環式化合物から選択される前記＜１＞から＜８＞のいずれかに記載の複合材料の製造方法である。
＜１０＞化合物Ｂおよび化合物Ｃの少なくとも一方が、ルテニウム元素を含む化合物であることを特徴とする請求項１から９のいずれか１つに記載の複合材料の製造方法である。
＜１１＞ 互いに異なる化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃによる各単分子膜を基材上にこの順に累積してなり、前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の複合材料の製造方法により製造されることを特徴とする複合材料である。
＜１２＞ 前記＜１１＞に記載の複合材料において、基材が半導体基材であることを特徴とする半導体素子である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の複合材料は、互いに異なる化合物Ａ、化合物Ｂ、化合物Ｃによる各単分子膜をこの順に累積してなる累積膜を基材上に有してなり、本発明の複合材料の製造方法により製造される。以下、本発明の複合材料の製造方法について説明し、また、該説明を通じて本発明の複合材料の内容を明らかにする。
なお、本発明の半導体素子は、前記本発明の複合材料において、基材が半導体基材であることの外は該複合材料と同様であるので、前記本発明の複合材料の製造方法の説明を通じてその内容を内容を明らかにする。
【００１２】
本発明の複合材料の製造方法においては、基材に、化合物Ａを結合させる反応（以下「Ａ反応」と称することがある）と、化合物Ｂを結合させる反応（以下「Ｂ反応」と称することがある）と、更に化合物Ｃを結合させる反応（以下「Ｃ反応」と称することがある）を少なくとも行う。
本発明の複合材料の製造方法においては、前記Ａ反応、前記Ｂ反応は、前記Ｃ反応は、この順に行ってもよいし、同時に行ってもよい。また、Ａ反応後に前記Ｂ反応と前記Ｃ反応を交互に繰り返し行ってもよい。これらの中でも、前記Ａ反応と前記Ｂ反応と前記Ｃ反応とをこの順に行う態様が好ましい。
【００１３】
（基材）
前記基材としては、その素材、形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、複合材料の用途等に応じて適宜選択することができる。
前記基材の素材としては、一般的には、金属、セラミックス、ガラス、プラスチック、半導体などが挙げられる。これらの素材の中でも半導体が好適に挙げられ、その中でも元素半導体、酸化物半導体及び化合物半導体が好ましく、より具体的には、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ゲルマニウム、酸化スズ、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸カルシウム、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化タングステン、ニオブ酸ストロンチウム、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、硫化亜鉛、シリコン、ゲルマニウムなどが好ましい。本発明においては、酸化チタン、チタン酸ストロンチウム、酸化スズ、酸化ケイ素及び酸化ゲルマニウムのいずれかを少なくとも表面に含む基材を好適に用いることができる。
前記基材として特に半導体基材を用いた場合には、イオン交換特性、電子移動、ダイオード特性等の機能、効率、耐久性等の点で優れた本発明の半導体素子が得られる。
【００１４】
前記基材の形状は、一般的には板状等であるが、複合材料を分散等させて使用する場合には粒状であってもよく、あるいはその他任意の形状であってもよい。前記基材が板状等である場合、その厚みとしては特に制限はなく、前記基材が粒状等である場合、その平均粒径としては特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００１５】
（化合物Ａ）
前記化合物Ａは、化合物Ｂと結合可能な官能基を含む、好ましくは基材と結合した後において化合物Ｂと結合可能な官能基を含む、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基及び含複素環式基から選択される基を有する化合物である。本発明においては、これらの中でも、式（１）：Ｒ1 Ｍ1 Ｙ13、式（２）：Ｒ1 Ｒ2 Ｍ1 Ｙ12、式（３）：Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｍ1 Ｙ1 、及び、式（４）：Ｒ1 −ＳＨ、式（５）：Ｒ1 m Ｚn のいずれかで表される構造を有する化合物が好ましい。
【００１６】
前記Ｒ1 は、前記官能基を含む炭素数１〜２０の飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は含複素環式基を表す。前記Ｒ1 における前記官能基の数は、特に制限はないが、通常１〜３程度である。前記官能基の数が多い程、より多くの化合物Ｂと反応し、より多くの化合物Ｂを複合材料中に導入できる点で好ましい。
【００１７】
前記官能基の具体例としては、ハロゲン基（ハロゲン原子）、エポキシ基、エステル基などが挙げられる。これらの中でもハロゲン基（ハロゲン原子）、エポキシ基が好ましく、前記化合物Ａが基材と結合した後における安定性の点で特にハロゲン基（ハロゲン原子）が好ましい。
【００１８】
前記Ｍ1 は、炭素を除く４価の元素を表す。前記Ｍ1 の具体例としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒなどが挙げられる。これらの中でも、Ｓｉ及びＧｅが好ましく、Ｓｉが特に好ましい。
【００１９】
前記Ｙ1 は、加水分解性官能基であり、ハロゲン原子又はアルコキシ基を表す。前記ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などが挙げられる。これらの中でも、塩素、臭素及びヨウ素が好ましい。前記アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ノルマルプロポキシ基又はイソプロポキシ基などのアルコキシ基、イソシアノ基などが挙げられる。
【００２０】
前記Ｒ2 及びＲ3 は、Ｒ1 と同一の基又は炭素数１〜２０の飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基若しくは含複素環式基を表す。前記Ｒ2 及びＲ3 が前記Ｒ1 と同一の基である場合、即ち、前記官能基を含む炭素数１〜２０の飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基又は含複素環式基である場合、Ｒ2 及びＲ3 は、Ｒ1 と同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。また、前記Ｒ2 及びＲ3 は、互いに同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００２１】
Ｚは、−ＣＯＯＲ4 、−ＣＯＸ1 、−ＮＨ2 、−ＯＨ又は−ＮＣＯを表す。Ｒ4 は、水素原子及び炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を表す。Ｘ1 は、ハロゲン原子を表す。ｍ及びｎは、整数を表す。
【００２２】
本発明においては、前記式（１）〜（５）のいずれかで表される化合物の中でも、前記基材との反応性、前記基材と結合した後における安定性の点で特に、前記式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物、及び、前記式（５）で表される化合物の内でＺが、−ＣＯＯＲ4 、−ＣＯＸ1 又は−ＮＨ2 であるものが好ましい。
【００２３】
前記式（１）〜（５）で表される化合物の具体例としては、以下のものが挙げられる。即ち、
ｐ−ブロモフェニルトリクロロシラン［ｐ−ＢｒＰｈＳｉＣｌ3 ］、ｐ−ブロモフェニルトリメトキシシラン［ｐ−ＢｒＰｈＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、ｏ−ブロモフェニルトリクロロシラン［ｏ−ＢｒＰｈＳｉＣｌ3 ］、ｏ−ブロモフェニルトリメトキシシラン［ｏ−ＢｒＰｈＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、ｍ−ブロモフェニルトリクロロシラン［ｍ−ＢｒＰｈＳｉＣｌ3 ］、ｍ−ブロモフェニルトリメトキシシラン［ｍ−ＢｒＰｈＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、（ｐ−ブロモメチル）フェニルトリクロロシラン［ｐ−ＢｒＣＨ2 ＰｈＳｉＣｌ3 ］、（ｐ−ブロモメチル）フェニルトリメトキシシラン［ｐ−ＢｒＣＨ2 ＰｈＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、ブロモメチルトリクロロシラン［ＢｒＣＨ2 ＳｉＣｌ3 ］、ブロモメチルトリクロロゲルマン［ＢｒＣＨ2 ＧｅＣｌ3 ］、
【００２４】
ブロモメチルトリメトキシシラン［ＢｒＣＨ2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、ブロモメチルトリメトキシゲルマン［ＢｒＣＨ2 Ｇｅ（ＯＣＨ3 ）3 ］、ブロモメチルトリエトキシシラン［ＢｒＣＨ2 Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）3 ］、ブロモメチルジメチルクロロシラン［ＢｒＣＨ2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ］、ブロモメチルジメチルクロロゲルマン［ＢｒＣＨ2 Ｇｅ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ］、２−ブロモエチルトリクロロシラン［ＣＨ3 ＣＨＢｒＳｉＣｌ3 ］、２−ブロモエチルトリクロロゲルマン［ＣＨ3 ＣＨＢｒＧｅＣｌ3 ］、１．２−ジブロモエチルトリクロロシラン［ＢｒＣＨ2 ＣＨＢｒＳｉＣｌ3 ］、１．２−ジブロモエチルトリクロロゲルマン［ＢｒＣＨ2 ＣＨＢｒＧｅＣｌ3 ］、３−ブロモプロピルトリクロロゲルマン［Ｂｒ（ＣＨ2 ）3 ＧｅＣｌ3 ］、４−ブロモブチルジメチルクロロシラン［Ｂｒ（ＣＨ2 ）4 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ］、
【００２５】
３−ブロモプロピルトリクロロシラン［Ｂｒ（ＣＨ2 ）3 ＳｉＣｌ3 ］、３−ブロモプロピルトリメトキシシラン［Ｂｒ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、３−ブロモプロピルトリエトキシシラン［Ｂｒ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）3 ］、８−ブロモオクチルトリクロロシラン［Ｂｒ（ＣＨ2 ）8 ＳｉＣｌ3 ］、８−ブロモオクチルトリメトキシシラン［Ｂｒ（ＣＨ2 ）8 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、８−ブロモオクチルトリエトキシシラン［Ｂｒ（ＣＨ2 ）8 Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）3 ］、８−ブロモオクチルジメチルクロロシラン［Ｂｒ（ＣＨ2 ）8 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ］、１１−ブロモウンデシルトリクロロシラン［Ｂｒ（ＣＨ2 ）11ＳｉＣｌ3 ］、１１−ブロモウンデシルトリメトキシシラン［Ｂｒ（ＣＨ2 ）11Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、１１−ブロモウンデシルトリエトキシシラン
［Ｂｒ（ＣＨ2 ）11Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）3 ］、３−ブロモプロピルトリクロロゲルマン［Ｂｒ（ＣＨ2 ）3 ＧｅＣｌ3 ］、ブロモメチルトリブロモゲルマン［ＢｒＣＨ2 ＧｅＢｒ3 ］、
【００２６】
ｐ−クロロフェニルトリクロロシラン［ｐ−ＣｌＰｈＳｉＣｌ3 ］、ｐ−クロロフェニルトリメトキシシラン［ｐ−ＣｌＰｈＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、ｍ−クロロフェニルトリクロロシラン［ｍ−ＣｌＰｈＳｉＣｌ3 ］、ｏ−クロロフェニルトリメトキシシラン［ｏ−ＣｌＰｈＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、（ｐ−クロロメチル）フェニルトリクロロシラン［ｐ−ＣｌＣＨ2 ＰｈＳｉＣｌ3 ］、（ｐ−クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン［ｐ−ＣｌＣＨ2 ＰｈＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、（ｐ−クロロメチル）フェニルメチルジクロロシラン［ｐ−ＣｌＣＨ2 ＰｈＳｉ（ＣＨ3 ）Ｃｌ2 ］、（ｐ−クロロメチル）フェニルジメチルクロロシラン［ｐ−ＣｌＣＨ2 ＰｈＳｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ］、（ｐ−クロロメチル）フェニルトリｎ−プロポキシシラン［ｐ−ＣｌＣＨ2 ＰｈＳｉ（Ｏ−ｎ−Ｃ3 Ｈ7)3 ］、
【００２７】
（（ｐ−クロロメチル）フェニルエチル）トリクロロシラン［ｐ−ＣｌＣＨ2 Ｐｈ（ＣＨ2 ）2 ＳｉＣｌ3 ］、（（ｐ−クロロメチル）フェニルエチル）メチルジクロロシラン［ｐ−ＣｌＣＨ2 Ｐｈ（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｃｌ2 ］、（（ｐ−クロロメチル）フェニルエチル）ジメチルクロロシラン［ｐ−ＣｌＣＨ2 Ｐｈ（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ］、（（ｐ−クロロメチル）フェニルエチル）トリメトキシシラン［ｐ−ＣｌＣＨ2 Ｐｈ（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、（（ｍ−クロロメチル）フェニルエチル）トリクロロシラン［ｍ−ＣｌＣＨ2 Ｐｈ（ＣＨ2 ）2 ＳｉＣｌ3 ］、（（ｍ−クロロメチル）フェニルエチル）メチルジクロロシラン［ｍ−ＣｌＣＨ2 Ｐｈ（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｃｌ2 ］、（（ｍ−クロロメチル）フェニルエチル）ジメチルクロロシラン［ｍ−ＣｌＣＨ2 Ｐｈ（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ］、
【００２８】
（（ｍ−クロロメチル）フェニルエチル）トリメトキシシラン［ｍ−ＣｌＣＨ2 Ｐｈ（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、（（ｏ−クロロメチル）フェニルエチル）トリクロロシラン［ｏ−ＣｌＣＨ2 Ｐｈ（ＣＨ2 ）2 ＳｉＣｌ3 ］、（（ｏ−クロロメチル）フェニルエチル）メチルジクロロシラン［ｏ−ＣｌＣＨ2 Ｐｈ（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｃｌ2 ］、（（ｏ−クロロメチル）フェニルエチル）ジメチルクロロシラン［ｏ−ＣｌＣＨ2 Ｐｈ（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ］、（（ｏ−クロロメチル）フェニルエチル）トリメトキシシラン［ｏ−ＣｌＣＨ2 Ｐｈ（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、トリクロロメチルトリクロロシラン［Ｃｌ3 ＣＳｉＣｌ3 ］、クロロメチルトリクロロシラン［ＣｌＣＨ2 ＳｉＣｌ3 ］、
【００２９】
クロロメチルトリクロロゲルマン［ＣｌＣＨ2 ＧｅＣｌ3 ］、クロロメチルトリメトキシシラン［ＣｌＣＨ2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、クロロメチルトリエトキシシラン［ＣｌＣＨ2 Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）3 ］、クロロメチルトリメトキシゲルマン［ＣｌＣＨ2 Ｇｅ（ＯＣＨ3 ）3 ］、クロロメチルジメチルクロロシラン［ＣｌＣＨ2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ］、クロロメチルメチルジクロロシラン［ＣｌＣＨ2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｃｌ2 ］、クロロメチルメチルジエトキシシラン［ＣｌＣＨ2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）2 ］、クロロメチルメチルジイソプロポキシシラン［ＣｌＣＨ2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）（ＯＣＨ（ＣＨ3 ）2 ）2 ］、ビス（クロロメチル）ジクロロシラン［（ＣｌＣＨ2 ）2 ＳｉＣｌ2 ］、ビス（クロロメチル）メチルクロロシラン［（ＣｌＣＨ2 ）2 ＳｉＣＨ3 Ｃｌ］、１−クロロエチルトリクロロシラン［ＣｌＣＨＣＨ3 ＳｉＣｌ3 ］、
【００３０】
１，２−ジクロロエチルトリクロロシラン［ＣＨ2 ＣｌＣＨＣｌＳｉＣｌ3 ］、（ジクロロメチル）トリクロロシラン［ＣＨＣｌ2 ＳｉＣｌ3 ］、（ジクロロメチル）メチルジクロロシラン［ＣＨＣｌ2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｃｌ2 ］、（ジクロロメチル）ジメチルクロロシラン［ＣＨＣｌ2 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ］、
２−クロロエチルトリクロロシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）2 ＳｉＣｌ3 ］、２−クロロエチルトリエトキシシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）3 ］、２−クロロエチルメチルジクロロシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）2 ＳｉＣｌ2 ＣＨ3 ］、２−クロロエチルメチルジメトキシシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）2 ＣＨ3 ］、２−（クロロメチル）アリルトリクロロシラン［ＣＨ2＝Ｃ（ＣＨ2 Ｃｌ）ＳｉＣｌ3 ］、１−（クロロメチル）アリルトリクロロシラン［ＣＨ（ＣＨ2 Ｃｌ）＝ＣＨ2 ＳｉＣｌ3 ］、
【００３１】
３−クロロプロピルトリクロロシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 ＳｉＣｌ3 ］、３−クロロプロピルトリクロロゲルマン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 ＧｅＣｌ3 ］、３−クロロプロピルジメチルクロロシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ］、３−クロロプロピルジメチルクロロゲルマン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 Ｇｅ（ＣＨ3 ）2 Ｃｌ］、３−クロロプロピルメチルジクロロシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＣＨ3 ）Ｃｌ2 ］、３−クロロプロピルフェニルジクロロシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 ＳｉＰｈＣｌ2 ］、３−クロロプロピルジメチルメトキシシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＣＨ3 ）2 （ＯＣＨ3 ）］、３−クロロプロピルトリメトキシシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、３−クロロプロピルトリエトキシシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）3 ］、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 ＳｉＣＨ3 （ＯＣＨ3 ）2 ］、
【００３２】
３−クロロプロピルメチルジエトキシシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 ＳｉＣＨ3 （ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）2 ］、４−クロロブチルジメチルクロロシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）4 ＳｉＣｌ（ＣＨ3 ）2 ］、８−クロロオクチルトリクロロシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）8 ＳｉＣｌ3 ］、８−クロロオクチルトリメトキシシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）8 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、８−クロロオクチルトリエトキシシラン［Ｃｌ（ＣＨ2 ）8 Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）3 ］、ｐ−ヨードフェニルトリクロロシラン［ｐ−ＩＰｈＳｉＣｌ3 ］、ｐ−ヨードフェニルトリメトキシシラン［ｐ−ＩＰｈＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、（ｐ−ヨードメチル）フェニルトリクロロシラン［ｐ−ＩＣＨ2 ＰｈＳｉＣｌ3 ］、（ｐ−ヨードメチル）フェニルトリメトキシシラン［ｐ−ＩＣＨ2 ＰｈＳｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、ヨードメチルトリクロロシラン［ＩＣＨ2 ＳｉＣｌ3 ］、
【００３３】
ヨードメチルトリメトキシシラン［ＩＣＨ2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、ヨードメチルトリエトキシシラン［ＩＣＨ2 Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）3 ］、３−ヨードプロピルトリクロロシラン［Ｉ（ＣＨ2 ）3 ＳｉＣｌ3 ］、３−ヨードプロピルトリメトキシシラン［Ｉ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、３−ヨードプロピルトリエトキシシラン［Ｉ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）3 ］、８−ヨードオクチルトリクロロシラン［Ｉ（ＣＨ2 ）8 ＳｉＣｌ3 ］、８−ヨードオクチルトリメトキシシラン［Ｉ（ＣＨ2 ）8 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、８−ヨードオクチルトリエトキシシラン［Ｉ（ＣＨ2 ）8 Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）3 ］、（３−グリシドキシプロピル）トリメトキシシラン［ＣＨ2 ＯＣＨＣＨ2 −Ｏ−（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、
【００３４】
アセトキシエチルトリクロロシラン［ＣＨ3 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 ＳｉＣｌ3 ］、アセトキシエチルトリエトキシシラン［ＣＨ3 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 Ｓｉ（ＯＣＨ2 ＣＨ3 ）3 ］、アセトキシエチルトリメトキシシラン［ＣＨ3 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ2 Ｓｉ（ＯＣＨ3 ）3 ］、３−ブロモプロピルチオール［Ｂｒ（ＣＨ2 ）3 ＳＨ］、８−ブロモオクチルチオール［Ｂｒ（ＣＨ2 ）8 ＳＨ］、１１−ブロモウンデシルチオール［Ｂｒ（ＣＨ2 ）11ＳＨ］、ｐ−ブロモフェニルチオール［ｐ−ＢｒＰｈＳＨ］、ｏ−ブロモフェニルチオール［ｏ−ＢｒＰｈＳＨ］、ｍ−ブロモフェニルチオール［ｍ−ＢｒＰｈＳＨ］、（ｐ−ブロモメチル）フェニルチオール［ｐ−ＢｒＣＨ2 ＰｈＳＨ］、３−クロロプロピルチオール［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 ＳＨ］、８−クロロオクチルチオール［Ｃｌ（ＣＨ2 ）8 ＳＨ］、ｐ−クロロフェニルチオール［ｐ−ＣｌＰｈＳＨ］、
【００３５】
ｏ−クロロフェニルチオール［ｏ−ＣｌＰｈＳＨ］、ｍ−クロロフェニルチオール［ｍ−ＣｌＰｈＳＨ］、（ｐ−クロロメチル）フェニルチオール［ｐ−ＣｌＣＨ2 ＰｈＳＨ］、３−ヨードプロピルチオール［Ｉ（ＣＨ2 ）3 ＳＨ］、８−ヨードオクチルチオール［Ｉ（ＣＨ2 ）8 ＳＨ］、ｐ−ヨードフェニルチオール［ｐ−ＩＰｈＳＨ］、ｍ−ヨードフェニルチオール［ｍ−ＩＰｈＳＨ］、（ｐ−ヨードメチル）フェニルチオール［ｐ−ＩＣＨ2 ＰｈＳＨ］、ブロモ酢酸［ＢｒＣＨ2 ＣＯＯＨ］、ｏ−ブロモ安息香酸[ ｏ−ＢｒＰｈＣＯＯＨ] 、ｍ−ブロモ安息香酸[ ｍ−ＢｒＰｈＣＯＯＨ] 、ｐ−ブロモ安息香酸[ ｐ−ＢｒＰｈＣＯＯＨ] 、３−ブロモプロピオン酸[ Ｂｒ（ＣＨ2 ）2 ＣＯＯＨ] 、α−ブロモ−ｐ−トルイル酸［ＢｒＣＨ2 ＰｈＣＯＯＨ］、１１−ブロモウンデカン酸［Ｂｒ（ＣＨ2 ）10ＣＯＯＨ］、
【００３６】
４−( ブロモメチル) 安息香酸[ ４−ＢｒＣＨ2 ＰｈＣＯＯＨ] 、６−ブロモヘキサン酸［６−Ｂｒ（ＣＨ2 ）5 ＣＯＯＨ］、ｏ−クロロ安息香酸[ ｏ−ＣｌＰｈＣＯＯＨ] 、ｍ−クロロ安息香酸[ ｍ−ＣｌＰｈＣＯＯＨ] 、ｐ−クロロ安息香酸[ ｐ−ＣｌＰｈＣＯＯＨ] 、４−ブロモ-n- 酪酸[ ４−Ｂｒ（ＣＨ2 ）3 ＣＯＯＨ] ，４−クロロ酪酸［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 ＣＯＯＨ］、３−ヨードプロピオン酸［Ｉ（ＣＨ2 ）2 ＣＯＯＨ］、ｏ−ヨード安息香酸[ ｏ−ＩＰｈＣＯＯＨ] 、ｍ−ヨード安息香酸[ ｍ−ＩＰｈＣＯＯＨ] 、ｐ−ヨード安息香酸[ ｐ−ＩＰｈＣＯＯＨ] 、４−ブロモイソフタル酸［４―ＢｒＰｈ（ＣＯＯＨ）2 ］、４−ブロモブチリルクロライド［Ｂｒ（ＣＨ2 ）3 ＣＯＣｌ］、２−ブロモアセチルブロミド［ＢｒＣＨ2 ＣＯＢｒ］、６−ブロモヘキサノイルクロリド[ Ｂｒ（ＣＨ2 ）5 ＣＯＣｌ] 、
【００３７】
５−ブロモワレノイリルクロライド[ Ｂｒ（ＣＨ2 ）4 ＣＯＣｌ] 、塩化クロロアセチル［ＣｌＣＨ2 ＣＯＣｌ］、ｏ−クロロベンゾイルクロライド[ ｏ−ＣｌＰｈＣＯＣｌ] 、ｍ−クロロベンゾイルクロライド[ ｍ−ＣｌＰｈＣＯＣｌ] 、ｐ−クロロベンゾイルクロライド[ ｐ−ＣｌＰｈＣＯＣｌ] 、ｐ−ブロモベンゾイルクロライド［p −ＢｒＰｈＣＯＣｌ］、２−ブロモベンゾイルクロライド［２−ＢｒＰｈＣＯＣｌ］、３−ブロモベンゾイルクロライド［３−ＢｒＰｈＣＯＣｌ］、塩化４−クロロブチリル［Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 ＣＯＣｌ］、３―クロロプロピオニルクロライド［Ｃｌ（ＣＨ2 ）2 ＣＯＣｌ］、ｏ−ヨードベンゾイルクロライド[ ｏ−ＩＰｈＣＯＣｌ] 、ｍ−ヨードベンゾイルクロライド[ ｍ−ＩＰｈＣＯＣｌ] 、ｐ−ヨードベンゾイルクロライド[ ｐ−ＩＰｈＣＯＣｌ] 、４−ブロモベンジルアルコール［４−ＢｒＰｈＣＨ2 ＯＨ］、
【００３８】
２―ブロモエタノール［２−Ｂｒ（ＣＨ2 ）2 ＯＨ］、１２−ブロモ−１−ドデカノール［Ｂｒ( ＣＨ2 ) 12ＯＨ］、４―ブロモフェネチルアルコール［ＢｒＰｈ（ＣＨ2 ）2 ＯＨ］、１１−ブロモ−１−ウンデカノール［Ｂｒ( ＣＨ2 ) 11ＯＨ］、ｐ−クロロベンジルアルコール［ｐ−ＣｌＰｈＣＨ2 ＯＨ］、４−クロロ−１−ブタノール［Ｃｌ（ＣＨ2 ）4 ＯＨ］、４―クロロフェネチルアルコール［ＣｌＰｈ（ＣＨ2 ）2 ＯＨ］、ｐ−クロロフェノール［ｐ−ＣｌＰｈＯＨ］、イソシアン酸２−クロロエチル［Ｃｌ（ＣＨ2 ) 2 ＮＣＯ］、イソシアン酸２−クロロフェニル［２−ＣｌＰｈＮＣＯ］、イソシアン酸３−クロロフェニル［３−ＣｌＰｈＮＣＯ］、イソシアン酸４−クロロフェニル［４−ＣｌＰｈＮＣＯ］、
【００３９】
イソシアン酸２，３−ジクロロフェニル［２，３−ＣｌＣｌＰｈＮＣＯ］、イソシアン酸４−ブロモフェニル［４−ＢｒＰｈＮＣＯ］、イソシアン酸２−ブロモフェニル［２−ＢｒＰｈＮＣＯ］、ｐ−クロロアニリン［ｐ−ＣｌＰｈＮＨ2 ］、ｏ−クロロアニリン［ｏ−ＣｌＰｈＮＨ2 ］、ｍ−クロロアニリン［ｍ−ＣｌＰｈＮＨ2 ］、ｐ−ブロモアニリン［ｐ−ＢｒＰｈＮＨ2 ］、ｏ−ブロモアニリン［ｏ−ＢｒＰｈＮＨ2 ］、ｍ−ブロモアニリン［ｍ−ＢｒＰｈＮＨ2 ］、ｐ―クロロベンジルアミン［ｐ−ＣｌＰｈＣＨ2 ＮＨ2 ］などが挙げられる。
なお、これらの式中、「Ｐｈ」はフェニル基を表す。
【００４０】
上述の化合物の中でも、合成が容易で、強度が強く、種類が豊富である点でシラン化合物が好ましい。
また、上述の化合物の中でも、前記式（１）に該当するものの場合は３つのＹ1 が、前記式（２）に該当しかつＲ2 がＲ1 と同じであるものの場合は２つのＹ1 とＲ2 とが、及び、前記（３）に該当しかつＲ2 及びＲ3 がＲ1 と同じであるものの場合はＹ1 とＲ2 とＲ3 とが、それぞれ前記基材の表面における水酸基等と結合し得るので、前記化合物Ａの１分子当たりの前記基材との結合力がより強固にすることができるという利点がある。
【００４１】
また、上述の化合物の中でも、前記式（２）に該当しかつＲ2 が炭素数１〜２０の飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基若しくは含複素環式基であるものの場合は２つのＹ1 が、及び、前記（３）に該当しかつＲ2 及びＲ3 が炭素数１〜２０の飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基若しくは含複素環式基であるものの場合はＹ1 のみが、それぞれ前記基材の表面における水酸基等と結合し得るので、前記化合物Ａの１分子当たりの前記基材との結合の数を少なくすることことができ、より多くの前記化合物Ａを前記基材表面に導入することができ、より多様な機能を有する複合材料とすることができる利点がある。
【００４２】
前記化合物Ａは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。前の場合は複合材料の機能の安定化、均一化を図る点で有利であり、後の場合は複合材料を多機能化できる点で有利である。
【００４３】
（化合物Ｂ）
前記化合物Ｂとしては、前記化合物Ａと結合可能な官能基及び前記化合物Ｃと結合可能な官能基を少なくとも一つづつ有する機能性分子であれば特に制限はなく、複合材料の用途等に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記化合物Ａと結合可能な官能基のアミノ基を有し、前記化合物Ｃと結合可能な官能基のハロゲン基を有する飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素又は含複素環式の化合物、前記化合物Ａと結合可能な官能基のカルボキシル基を有し、前記化合物Ｃと結合可能な官能基のハロゲン基を有する飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素又は含複素環式の化合物、前記化合物Ａと結合可能な官能基の水酸基を有し、前記化合物Ｃと結合可能な官能基のハロゲン基、アミノ基及びカルボキシル基を有する飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素又は含複素環式の化合物、などが挙げられる。
また、本発明においては、これらの中でも、金属元素を少なくとも一つ有する、特にルテニウム元素を有する飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素又は含複素環式の化合物を用いると、導電性、光導電性、熱伝導性、光導電性材料、触媒、光触媒、光−光変換材料や光電変換材料等のエネルギー変換材料として多くの機能を有する点で優れており、複合材料を多機能化できる点で有利である。
【００４４】
前記化合物Ｂの具体例としては、以下の者が挙げられる。即ち、
シス−ジブロモビス（２，２−ビピリジル−４，４' ジ−４，４' ジカルボキシレート）ルテニウム(II)、シス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４' ジ−４，４' ジカルボキシレート）ルテニウム(II)、シス−ジヨードビス（２，２−ビピリジル−４，４' ジ−４，４' ジカルボキシレート）ルテニウム(II)等のルテニウム元素を含む化合物、シス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４' ジ−４，４' ジカルボキシレート）オスニウム(II)、シス−ジヨードビス（２，２−ビピリジル−４，４' ジ−４，４' ジカルボキシレート）オスニウムルテニウム(II)等のオスニウム元素を含む化合物、
【００４５】
（テトラアミノフタロシアナト) コバルト（II) 、（テトラアミノフタロシアナト) 銅（II) 、（テトラアミノフタロシアナト) ニッケル（II) 、（テトラカルボキシフタロシアナト）コバルト（II) 、（テトラカルボキシフタロシアナト）銅（II) 、（テトラカルボキシフタロシアナト）鉄（II) 、（テトラカルボキシフタロシアナト）ニッケル（II) 、テトラカルボキシフタロシアナト）オキソバナウム（IV）等のフタロシアニン系色素、５，１０，１５，２０−テトラキス（４アミノフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン、５，１０，１５，２０−テトラキス（４−カルボキシルフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン等のポルフィリン系色素、４−アミノ安息香酸、テレフタル酸、ｐ−フェニレンジアミン、エチレンジアミン、１，５−ジアミノナフタレン、１，８−ジアミノナフタレン、２，７−ジアミノフルオレン、などが挙げられる。
【００４６】
（化合物Ｃ）
前記化合物Ｃとしては、前記化合物Ｂにおける前記官能基と結合可能な官能基を少なくとも一つ有する機能性分子であれば特に制限はなく、複合材料の用途等に応じて適宜選択することができるが、例えば、シアノ基を有する飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素又は含複素環式の化合物、アミノ基を有する飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素又は含複素環式の化合物、カルボキシル基を有する飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素又は含複素環式のアルカリ金属化合物、水酸基を有する飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素又は含複素環式の化合物、ホスフィン化合物などが挙げられる。
【００４７】
また、本発明においては、これらの中でも、金属元素を少なくとも一つ有する、特にルテニウム元素を有する飽和若しくは不飽和の、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素又は含複素環式の化合物を用いると、導電性、光導電性、熱伝導性、光導電性材料、触媒、光触媒、光−光変換材料や光電変換材料等のエネルギー変換材料として多くの機能を有する点で優れており、複合材料を多機能化できる点で有利である。
【００４８】
前記化合物Ｃの具体例としては、以下のものが挙げらる。即ち、
トリス（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート) ルテニウム（II）、トリス（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジアミノ) ルテニウム（II）、ルテニウム（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジ−４，４’−ジカルボキシレート) 2 ( μ−（シアノ) ルテニウム（シアノ）（２，２’−ビピリジル) 2 ) 2 、シス- ジ（チオシアネ- ト) ビス（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジ−４，４’−ジカルボキシレート) ルテニウム（II）、ルテニウム（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジ−４，４’−ジアミノ) 2 （μ−（シアノ) ルテニウム（シアノ）（２，２’−ビピリジル) 2 ) 2 、シス−ジ（チオシアネート) ビス（２，２’−ビピリジルー４，４’−ジ−４，４’−ジカルボキシレート) ルテニウム（II）、
【００４９】
シス−ジシアノビス（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジ−４，４’−ジカルボキシレート) ルテニウム（II）、シス−ジシアノビス（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジ−４，４’−ジアミノ) ルテニウム（II）、シス−ジブロモビス（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジ−４，４’−ジカルボキシレート) ルテニウム（II）、シス−ジクロロビス（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジ−４，４’−ジカルボキシレート) ルテニウム（II）、シス−ジヨードビス（２，２’−ビピリジル−４，４’−ジ−４，４’−ジカルボキシレート) ルテニウム（II）等のルテニウム元素を含む化合物、（テトラアミノフタロシアナト) コバルト（II）、（テトラアミノフタロシアナト) 銅（II）、（テトラアミノフタロシアナト) ニッケル（II）、
【００５０】
（テトラカルボキシフタロシアナト）コバルト（II）、（テトラカルボキシフタロシアナト）銅（II）、（テトラカルボキシフタロシアナト）鉄（II）、（テトラカルボキシフタロシアナト）ニッケル（II）等のフタロシアニン系色素、５，１０，１５，２０−テトラキス（４アミノフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン、５，１０，１５，２０−テトラキス（４−ピリジルフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン、５，１０，１５，２０−テトラキス（４−カルボキシルフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン、オキソ［５，１０，１５，２０−テトラ（４−ピリジル）ポリフィリナート］チタニウム（IV）等のポルフィリン系色素、フルオレセイン、4 ’，５’−ジブロモフルオレセイン、2 ’，７’−ジブロモフルオレセイン、
【００５１】
2 ’，４’，５’，７’−テトラブロモフルオレセイン、4 ’，５’−ジクロロフルオレセイン、2 ’，７’−ジクロロフルオレセイン、2 ’，４’，５’，７’−テトラクロロフルオレセイン、4 ’，５’−ジヨードフルオレセイン、2 ’，７’−ジヨードフルオレセイン、2 ’，４’，５’，７’−テトラヨードフルオレセイン、４−カルボキシフルオレセイン、５−カルボキシフルオレセイン、4 ’，５’−ジヨードフルオレセイン、4 ’，５’−ジニトロフルオレセイン、４−アミノフルオレセイン、５−アミノフルオレセイン、４，５，６，７−テトラクロロフルオレセイン、４−（ヨードアセトアミド) フルオレセイン、４−カルボキシ−２’，４’，５’，７’−テトラヨードフルオレセイン、９−（２−メトキシカルボニルフェニル）−６−ヒドロキシ−３Ｈ−キサンテイン−３−エン、
【００５２】
２，４，５，７−テトラヨード−９−（２−メトキシカルボニルフェニル）−６−ヒドロキシ−３Ｈ−キサンテイン−３−エン、２，４，５，７−テトラブロモ−９−（２−メトキシカルボニルフェニル）−６−ヒドロキシ−３Ｈ−キサンテイン−３−エン等のキサンテイン系色素、ローダミンＢ、ロ−ダミン１２３等のローダミン系色素、１，４−ジシアノベンゼン、２，３−ジシアノナフタレン、３−シアノチオフェン、４−シアノ−４’−ニトロビフェニル、４−シアノ−４’−アミノビフェニル、４−シアノアニリン、２−シアノ−４−ニトロアニリン、ｐ−フェニレンジアミン、エチレンジアミン、１，５−ジアミノナフタレン、１−アミノアントラキノン、２−アミノアントラキノンなどが挙げられる。
以上に化合物Ｂおよび化合物Ｃについて説明したが、本発明においては、化合物Ｂおよび化合物Ｃの少なくとも一方が、ルテニウム元素を含む化合物およびフタロシアニン系色素から選択される化合物であることが必要である。
【００５３】
（Ａ反応）
前記Ａ反応は、前記化合物Ａの少なくとも１種を含有する溶媒と前記基材とを接触させることにより行うことができる。
前記Ａ反応の結果、前記基材の表面に前記化合物Ａが結合し、前記化合物Ａによる単分子薄膜が前記基材上に形成される。なお、前記結合とは、共有結合、イオン結合等の化学結合のことを示す。例えば、前記化合物Ａに式（１）：Ｒ1 Ｍ1 Ｙ13、式（２）：Ｒ1 Ｒ2 Ｍ1 Ｙ12、式（３）：Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｍ1 Ｙ1 、及び、式（４）：Ｒ1 −ＳＨを用いた場合、前記結合は、−Ｍ1 −Ｏ−、−Ｓ−等の共有結合である。式（５）：Ｒ1 m Ｚn を用いた場合であって、Ｚが−ＣＯＯＲ4 又は−ＣＯＸ1 である場合は、−ＣＯＯ−の共有結合であり、Ｚが−ＮＨ2 である場合は、−ＮＨ−の共有結合であり、Ｚが−ＯＨである場合は、−Ｏ−の共有結合であり、Ｚが−ＮＣＯである場合は、−ＯＯＣＮＨ−の共有結合である。そのため、前記基材と前記化合物Ａとは強固に結合しており、前記化合物Ａによる薄膜は、容易には前記基材から剥離しない。
【００５４】
なお、このとき、前記化合物Ａにおける、前記基材と結合する基は、前記化合物Ｂと結合可能な官能基を含む、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基及び含複素環式基から選択される基を除く基であり、つまり前記式（１）〜（４）では、Ｒ1 ではなく、Ｙ1 、−ＳＨ、−ＣＯＯＲ4 、−ＣＯＸ1 、−ＮＨ2 、−ＯＨ又は−ＮＣＯである。前記化合物Ｂと結合可能な官能基を含む、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基及び含複素環式基から選択される基は、前記基材との相互作用が前記化合物Ａにおける他の基に比べて弱いので、前記基材とはほとんど反応せず、前記Ｂ反応において、該官能基が前記化合物Ｂと反応する。
【００５５】
前記溶媒としては、有機溶媒、例えば、炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒等や、水、又はこれらの混合溶媒などが挙げられる。
【００５６】
前記炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、ベンゼン、キシレン、ヘキサン、オクタン、ヘキサデカン、シクロヘキサンなどが挙げられる。
前記エステル系溶媒としては、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミルなどが挙げられる。
前記エーテル系溶媒としては、例えば、ジブチルエーテル、ジベンジルエーテルなどが挙げられる。
【００５７】
前記ハロゲン系溶媒としては、例えば、１，１−ジクロロ，１−フルオロエタン、１，１−ジクロロ，２，２，２−トリフルオロエタン、１，１−ジクロロ，２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン、クロロホルム、ジクロロエタン、四塩化炭素などが挙げられる。
前記アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノール、ｉ−プロピルアルコールなどが挙げられる。
【００５８】
なお、前記Ａ反応を促進させ、効率よく進行させるには、前記接触の際に、３０〜２００℃程度での加熱を行ったり、ジシクロヘキシルカルボジイミド、トリエチルアミン等の触媒を加えたり、超音波を印加するのが効果的である。
【００５９】
これらの溶媒の中でも、後述の実施例において使用しているものが好ましく、トルエン、ヘキサン、ヘキサデカン等は処理の効率がよく、きれいな薄膜を前記基材上に形成することができる点で好ましい。
【００６０】
前記化合物Ａの少なくとも１種を含有する溶媒中における前記化合物Ａの含有量としては、例えば、通常１．０〜１０００００×１０-4ｍｏｌ／ｌ程度であり、１．０〜１００×１０-4ｍｏｌ／ｌが好ましい。
前記含有量が、１．０×１０-4ｍｏｌ／ｌ未満であると、前記基材を浸漬させる処理に長時間を要する点で好ましくなく、１０００００×１０-4ｍｏｌ／ｌを超えると、化合物Ａ同士が反応してしまうことがあり、きれいな薄膜を前記基材上に形成することができないことがある。
【００６１】
前記接触は、例えば、前記化合物Ａの少なくとも１種を含有する前記溶媒（以下「Ａ溶液」と称することがある）中に前記基材を浸漬させたり、前記Ａ溶液を前記基材上にスプレーなどで噴霧したり、前記Ａ溶液をキャステング法により前記基材上に塗布したりすることにより行うことができる。
これらの中でも、操作の効率、簡便性等の点で、前記Ａ溶液中に前記基材を浸漬させることにより、前記接触を行うのが好ましい。
【００６２】
前記Ａ溶液と前記基材とを接触させる時間としては、通常、数分〜１週間程度であり、３０分〜１日間が好ましい。
前記時間が、数分未満であると、処理が不十分になり、前記基材上への前記化合物Ａの導入が十分でないことがある一方、１週間を超えてもそれに見合う効果がなく、処理の効率が悪い点で、いずれの場合も好ましくない。
【００６３】
なお、前記Ａ反応を促進させ、効率よく進行させるには、前記接触の際に、３０〜１２０℃程度での加熱を行ったり、超音波を印加するのが効果的である。また、前記接触の前に、前記基材を洗浄したり、前記基材にプラズマ処理やコロナ放電処理などを行うのも効果的である。
また、前記化合物Ａのみを気化させ、前記基材と接触させることにより行うこともできる。前記化合物Ａの蒸気とキャリアガス（例えば、窒素、アルゴン等）とを混合させ、前記基材と接触させてもよい。
【００６４】
前記基材の洗浄は、例えば、メタノール、エタノール、ｉ−プロピルアルコール等の有機溶媒による洗浄、ＨＦ、ＨＣｌ等の酸の水溶液による洗浄、ＮＨ4ＯＨ等のアルカリの水溶液による洗浄、ＵＶ／Ｏ3 洗浄、これら組合せなどのいずれであってもよい。
【００６５】
前記Ａ反応の後においては、未反応の前記化合物Ａを除去するため、ｎ−ヘキサデカン、デカン、トルエン、アセトン、メタノール、エタノールなどの有機溶媒で前記基材を洗浄してもよいし、また、前記化合物Ａと前記基材との結合をより強固にするため、換言すれば前記化合物Ａと前記基材との反応を十分に完結させるため、前記基材を加熱してもよい。
【００６６】
（Ｂ反応）
前記Ｂ反応は、例えば、前記化合物Ａが表面に結合した前記基材と、前記化合物Ｂの少なくとも１種を含有する溶媒（以下「Ｂ溶液」と称することがある）とを接触させることにより好適に行うことができる。ただし、場合によっては、例えば前記Ａ溶液と前記Ｂ溶液とを接触させた後でこれらと前記基材とを接触させたり、前記Ａ溶液と前記Ｂ溶液と前記基材とを同時に接触させたりしてもよい。
【００６７】
前記Ｂ反応により、前記化合物Ｂにおける、化合物Ａにおける前記官能基と結合可能な官能基と、前記化合物Ａにおける前記官能基を含む、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基及び含複素環式基から選択される基の該官能基とが相互作用し、前記化合物Ａにおける該官能基が結合していた位置に前記化合物Ｂにおける前記官能基が結合し、結果として、前記化合物Ａに前記化合物Ｂが結合し、前記基材上に形成された前記化合物Ａによる単分子薄膜上に前記化合物Ｂの少なくとも１種による単分子薄膜が累積される。
【００６８】
前記溶媒は、前記Ａ反応における溶媒と同様である。前記接触も、前記Ａ反応と同様である。
前記Ｂ溶液と前記基材とを接触させる時間としては、通常、数分〜１週間程度であり、３０分〜１日間が好ましい。
前記時間が、数分未満であると、処理が不十分になり、前記基材上への前記化合物Ｂの導入が十分でないことがある一方、１週間を超えてもそれに見合う効果がなく、処理の効率が悪い点で、いずれの場合も好ましくない。
【００６９】
なお、前記Ｂ反応を促進させ、効率よく進行させるには、前記接触の際に、３０〜２００℃程度での加熱を行ったり、塩化カルシウム、ジシクロヘキシルカルボジイミド、トリエチルアミン等の触媒を加えたり、超音波を印加するのが効果的である。また、前記Ｂ反応の後において、未反応の化合物Ｂを除去するため、例えば、前記基材を、アセトン、メタノール、エタノール等の有機溶媒で洗浄したり、アルゴンや窒素等の不活性ガス中で乾燥させることができる。また、前記化合物Ｂを気化させ、前記基材と接触させることにより行うこともできる。
【００７０】
（Ｃ反応）
前記Ｃ反応は、例えば、前記化合物Ａと結合した前記化合物Ｂが表面に結合した前記基材と、前記化合物Ｃの少なくとも１種を含有する溶媒（以下「Ｃ溶液」と称することがある）とを接触させることにより好適に行うことができる。ただし、場合によっては、例えば前記Ａ溶液と前記Ｂ溶液と前記Ｃ溶液とを接触させた後でこれらと前記基材とを接触させたり、前記Ａ溶液、前記Ｂ溶液、前記Ｃ溶液、及び、前記基材を同時に接触させたりしてもよい。
【００７１】
前記Ｃ反応により、前記化合物Ｃにおける、化合物Ｂにおける前記官能基と結合可能な官能基と、前記化合物Ｂにおける前記官能基を含む、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基及び含複素環式基から選択される基の該官能基とが相互作用し、前記化合物Ｂにおける該官能基が結合していた位置に前記化合物Ｃにおける前記官能基が結合し、結果として、前記化合物Ｂに前記化合物Ｃが結合し、前記基材上に形成された前記化合物Ａによる単分子薄膜、及び該単分子薄膜上に累積された前記化合物Ｂによる単分子薄膜上に、更に前記化合物Ｃの少なくとも１種による単分子薄膜が累積される。
【００７２】
本発明の複合材料においては、最表面に形成された前記化合物Ｃによる単分子薄膜上に（換言すれば、前記化合物Ａによる単分子薄膜、前記化合物Ｂによる単分子薄膜、及び前記化合物Ｃによる単分子薄膜からなる累積膜上に）、更にこれらの化合物Ａ〜Ｃと同一若しくは異なる化合物による単分子薄膜を１又は２以上累積させてもよい。
【００７３】
本発明の複合材料においては、前記化合物Ｂによる単分子薄膜上に前記化合物Ｃによる単分子薄膜を累積させることにより、前記基材上に前記化合物Ａによる単分子薄膜及び前記化合物Ｂによる単分子薄膜を累積させた複合材料に比べて、累積膜の耐久性を向上させることができる。即ち、前記化合物Ａによる単分子薄膜及び前記化合物Ｂによる単分子薄膜からなる累積膜に、更に前記化合物Ｃによる単分子薄膜を少なくとも累積させることにより、該累積膜全体の耐久性、耐傷性、強度を向上させることができる。また、累積膜中に前記化合物Ｃを導入した分、より広い範囲の波長の光に感応可能にすることができる。更に、イオン交換特性、電子移動、ダイオード特性等の機能の向上を図ることができる。その結果、該複合材料を長寿命化、高機能化させることができる。
【００７４】
前記溶媒は、前記Ｂ反応における溶媒と同様である。前記接触も、前記Ｂ反応と同様である。
前記Ｃ溶液と前記基材とを接触させる時間としては、通常、数分〜１週間程度であり、３０分〜１日間が好ましい。
前記時間が、数分未満であると、処理が不十分になり、前記基材上への前記化合物Ｃの導入が十分でないことがある一方、１週間を超えてもそれに見合う効果がなく、処理の効率が悪い点で、いずれの場合も好ましくない。
【００７５】
なお、前記Ｃ反応を促進させ、効率よく進行させるには、前記接触の際に、３０〜２００℃程度での加熱を行ったり、塩化カルシウム、ジシクロヘキシルカルボジイミド、トリエチルアミン等の触媒を加えたり、超音波を印加するのが効果的である。また、前記Ｃ反応の後において、未反応の化合物Ｃを除去するため、例えば、前記基材を、アセトン、メタノール、エタノール等の有機溶媒で洗浄したり、アルゴンや窒素等の不活性ガス中で乾燥させることができる。また、前記化合物Ｃを気化させ、前記基材と接触させることにより行うこともできる。
【００７６】
以上のＡ反応、Ｂ反応及びＣ反応により、前記化合物Ａによる単分子薄膜が前記基材上に累積され、該単分子薄膜の表面に機能性分子である前記化合物Ｂによる単分子薄膜及び化合物Ｃによる単分子薄膜がこの順に効率よく累積される。
【００７７】
本発明の複合材料は、機能性分子を高密度で導入し、該機能性分子が表面に露出するようにして配向させた単分子薄膜による累積膜を基材の表面に強固に結合させてなるので、ぬれ性、接着性、表面エネルギー等の固体表面・界面の物性の制御、分散性、耐薬品性等の改善、汚染物質の付着防止、帯電防止、イオン交換特性、導電性、光導電性、ダイオード特性、熱伝導性等の機能の付与などの目的に好適に用いることができる。本発明の複合材料は、塗料、化粧品、電子部品や機械部品の保護膜、液晶配向膜、センサー、磁性材料、光学素子材料、光導電性材料、触媒、光触媒、光電変換材料等の光半導体、フィラー分散型コンポジット建材、電子写真用部材の保護膜及び電子写真用トナーの外添剤やキャリアなどの幅広い分野で利用可能である。また、本発明の半導体素子は、耐久性、導電性、光導電性等の素子として要求される諸機能に優れる。
【００７８】
【実施例】
以下、本発明の複合材料及びその製造方法についての実施例について説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
（実施例１）
n-ヘキサデカンと四塩化炭素とを４：１の割合（容量比）で混合した混合溶媒をミクロフィルターでろ過した後に、化合物Ａである８−ブロモオクチルトリクロロシラン［８−Ｂｒ（ＣＨ2 ）8 ＳｉＣｌ3 ］をこの混合溶媒に溶解した。そして、前記８−ブロモオクチルトリクロロシランの含有量が、１０-3ｍｏｌ／ｌである溶液を調製した。これをＡ溶液とした。
【００７９】
基材は、Ｓｉ（１００）単結晶基材（住友シチック製、板状、ｐ型、抵抗５．０〜３０．０Ωｃｍ）を用い、使用前に、アセトン、ｉ−プロピルアルコール、エチルアルコールで超音波洗浄を行った。この基材を、前記Ａ溶液中に２時間浸漬させた。
【００８０】
次に、基材を、ｎ−ヘキサデカン、アセトンを用いて洗浄を行い、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた後、８０℃で３０分間加熱した。前記８−ブロモオクチルトリクロロシランが基材の表面に結合したか否かを確認するため、フーリエ変換赤外吸収スペクトル測定（以下「ＦＴ−ＩＲ測定」と称することがある。Ｐｅｒｋｉｎ  Ｅｌｍｅｒ社製：Ｓｙｓｔｅｍ２００）と、Ｘ線光電子分光測定（以下「ＸＰＳ測定」と称することがある。ＶＧ社製：ＥＳＣＡＬＡＢ−２２０ｉ）とを行った。
【００８１】
前記ＦＴ−ＩＲ測定の結果、図１のスペクトルデータが示すように、２８４０〜２９３０ｃｍ-1に−ＣＨ2 −基の対称伸縮振動及び反対称伸縮振動のシグナルを、１２４０ｃｍ-1付近にＳｉ−Ｃ基の伸縮振動を、１０８０ｃｍ-1付近にＳｉ−０−Ｓｉ基の骨格振動を、それぞれ観測した。ＸＰＳ測定の結果、図２のスペクトルデータが示すように、７０ｅＶ付近に３ｄ、１８０ｅＶ付近に３ｐ、２５６ｅＶ付近に３ｓのＢｒ原子からのシグナルを観測した。同時にＣｌ原子からのシグナルは観測されず、脱塩酸反応が起きていることも確認した。以上より、８−ブロモオクチルトリクロロシランが基材に結合していることを確認した。
【００８２】
この基材を、化合物Ｂとしてのシス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）を、ジメチルホルムアミドに５×１０-4ｍｏｌ／ｌの濃度になるように調整し、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において４８時間、９２℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで超音波洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。前記基材上に形成された薄膜のＸＰＳ測定を行ったところ、図３のスペクトルデータが示すように、Ｂｒ原子からの３ｄ、３ｐ、３ｓシグナルが無くなり、２８０ｅＶ、４６２ｅＶ、４８４ｅＶ付近にＲｕ原子の３ｄシグナル、３ｐ３／２シグナル、３ｐ１／２シグナル、４００ｅＶ付近にＮ原子の１ｓシグナル及び２００ｅＶ付近にＣｌ原子の２ｐシグナルを観測した。また、ＦＴ−ＩＲ測定を行い１７２０ｃｍ-1付近にシス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）の＞Ｃ＝Ｏ基の対称伸縮振動のシグナルとピリジン環のシグナルを観測した。
【００８３】
更に、化合物Ｃとしてのシス−ジシアノビス（２，２−ビピリジル）ルテニウム（II）を、ジメチルホルムアミドに５×１０-5ｍｏｌ／ｌの濃度になるように調整し、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において４８時間、１５０℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。形成された薄膜のＸＰＳ測定を行ったところ、図４のスペクトルデータが示すように、Ｃｌ原子からのシグナルが消滅した。また、ＦＴ−ＩＲ測定を行いピリジン環のシグナルが増加することを観測した。ＦＴ−ＩＲスペクトルを図５に示した。
【００８４】
また、これら一連の操作を基板をＳｉ（１００）から石英平板基板に変えて行い複合材料を作製した。この複合材料の紫外可視吸収スペクトルを図６に示す。以上より、基材に、シス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）及びシス−ジシアノビス（２，２−ビピリジル）ルテニウム（II）が固定化されていることを確認した。
【００８５】
図７は、実施例１の複合材料におけるシス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）分子とシス−ジシアノビス（２，２−ビピリジル）ルテニウム（II）分子とを固定化した薄膜とＳｉ（１００）単結晶基材との結合状態を分子レベルで示した概念図である。
【００８６】
この複合材料について、１５０℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における累積膜には剥離が生じず、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、良好な耐熱性、耐久性を有していた。
また、図６の紫外可視吸収スペクトルが示すように、前記化合物Ｃによる単分子膜を最表面に結合させた該複合材料は、広い範囲の波長の光に対して、感応を示した。
【００８７】
（実施例２）
実施例１において、以下の点を変更した外は、実施例１と同様にして複合材料を製造した。実施例１のＡ溶液において、化合物Ａを３−ブロモプロピルトリメトキシシラン［３−Ｂｒ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＭｅ）3 ］に代えて行なった。そして、実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行い、３−ブロモプロピルトリメトキシシランがＳＩ（１００）単結晶基材に結合していることを確認した。
【００８８】
次に、反応Ｂで実施例１のＢ溶液において、化合物Ｂをシス−ジヨードビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）に代えて行なった。実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定では１７２０ｃｍ-1付近に＞Ｃ＝Ｏ基の対称伸縮振動のシグナルを観測し、及びＸＰＳ測定では６２０ｅＶ、６３０ｅＶ付近にＩ原子の３ｄ５／２、３ｄ３／２シグナルを観測し、シス−ジヨードビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）が固定化されていることを確認した。
【００８９】
更に、反応Ｃで実施例１のＣ溶液において、化合物Ｃを（テトラカルボキシフタロシアナト）コバルト（II）に代えて、ジメチルホルムアミドに５×１０-5ｍｏｌ／ｌの濃度になるように調整し、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において１００時間、９０℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで超音波洗浄し、窒素雰囲気下において30分間自然乾燥させた。形成された薄膜のＸＰＳ測定を行ったところ、Ｉ原子からのシグナルが消滅し、７８０ｅＶ付近にＣｏ元素の２ｐ３／２スペクトルを得た。以上より、基材に、シス−ジヨードビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）及び（テトラカルボキシフタロシアナト）コバルト（II）が固定化されていることを確認した。
【００９０】
この複合材料について、１５０℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における累積膜には剥離が生じず、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、良好な耐熱性、耐久性を有していた。
また、該複合材料の紫外可視吸収スペクトルを調べたところ、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、広い範囲の波長の光に対して、感応を示した。
【００９１】
（実施例３）
実施例１において、以下の点を変更した外は、実施例１と同様にして複合材料を製造した。実施例１のＡ溶液において、化合物Ａを３−ヨードプロピルトリメトキシシラン［３−Ｉ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＭｅ）3 ］に代え、基材を酸化チタン（００１）単結晶（以下「ＴｉＯ2 」と称することがある。秩父小野田製、ルチル型、板状、抵抗２０〜５０Ωｃｍ）に代えて行なった。そして、実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行い、３−ヨードプロピルトリメトキシシランがＴｉＯ2 （００１）単結晶基材に結合していることを確認した。
【００９２】
次に、反応Ｂで実施例１のＢ溶液において、前記混合溶媒をトルエンに代え、化合物Ｂをシス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）に代えて行なった。実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行い、シス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）が固定化されていることを確認した。
【００９３】
更に、化合物Ｃを（４−アミノフェニル）ビス（４’−メチルフェニル）アミンに代えて、ジメチルホルムアミドに５×１０-5ｍｏｌ／ｌの濃度になるように調整し、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において１００時間、９０℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。そして、この基材を、実施例１と同様にＸＰＳ測定とＦＴ−ＩＲ測定を行った。ＸＰＳ測定では、Ｃｌ原子からのシグナルが消滅した。以上より、基材に、シス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）及び（４−アミノフェニル）ビス（４’−メチルフェニル）アミンが固定化されていることを確認した。
【００９４】
この複合材料について、１５０℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における累積膜には剥離が生じず、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、良好な耐熱性、耐久性を有していた。
また、該複合材料の紫外可視吸収スペクトルを調べたところ、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、広い範囲の波長の光に対して、感応を示した。
【００９５】
（実施例４）
実施例１において、以下の点を変更した外は、実施例１と同様にして複合材料を製造した。
実施例１のＡ溶液において、化合物Ａを3-クロロプロピルトリエトキシシラン［３−Ｃｌ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＥｔ）3 ］に代えた。基材を、シリカ（日本アエロジル社製、ＡＥＲＯＳＩＬ１３０、比表面積１３０ｍ2 ／ｇ）を１００℃で８時間加熱したものに代えた。このシリカ２５ｇを該Ａ溶液と一緒に丸底フラスコに入れ、乾燥窒素雰囲気下、６０℃で１０時間還流させた。そして、フィルターでろ過し、シリカだけを取り除いた。次に、トルエンで超音波洗浄した後、ろ過し、更にエタノールでも超音波洗浄し、ろ過した。得られたシリカを真空下（約１０-2Ｔｏｒｒ）において８０℃で加熱し、乾燥させた。
【００９６】
実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行ったところ、３−クロロプロピルトリエトキシシランがシリカと結合しているのを確認した。
次に、反応Ｂで実施例１のＢ溶液において、化合物Ｂをシス−ジブロモビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）に代えて行なった。実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行い、シス−ジブロモビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）が固定化されていることを確認した。
【００９７】
更に、化合物Ｃを（テトラカルボキシフタロシアナト）コバルト（II）に代えて、ジメチルホルムアミドに５×１０-5ｍｏｌ／ｌの濃度になるように調整し、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において１００時間、９０℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。形成された複合材料をペレット状にしてＸＰＳ測定を行ったところ、Ｂｒ原子からのシグナルが消滅し、７８０ｅＶ付近にＣｏ元素の２Ｐ３／２スペクトルを得た。また、石英基板上に塗布し、紫外可視吸収スペクトルを測定した。その結果を図８に示した。
【００９８】
以上より、基材に、シス−ジブロモビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）及び（テトラカルボキシフタロシアナト）コバルト（II）が固定化されていることを確認した。
この複合材料について、１５０℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における累積膜には剥離が生じず、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、良好な耐熱性、耐久性を有していた。
また、該複合材料の紫外可視吸収スペクトルを調べたところ、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、広い範囲の波長の光に対して、感応を示した。
【００９９】
（実施例５）
実施例１において、以下の点を変更した外は、実施例１と同様にして複合材料を製造した。実施例１のＡ溶液において、化合物Ａを3-ブロモプロピルトリクロロシラン［３−Ｂｒ（ＣＨ2 ）3 ＳｉＣｌ3 ］に代えて行なった。そして、実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行い、３−ブロモプロピルトリクロロシランがＳｉ（１００）単結晶基材に結合していることを確認した。
【０１００】
次に、反応Ｂで実施例１のＢ溶液において、化合物Ｂをシス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジアミノ）ルテニウム（II）に代えて行なった。実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行い、シス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジアミノ）ルテニウム（II）が固定化されていることを確認した。
【０１０１】
更に、反応Ｃで実施例１のＣ溶液において、化合物Ｃを（テトラカルボキシフタロシアナト）コバルト（II）に代えて、ジメチルホルムアミドに５×１０-5ｍｏｌ／ｌの濃度になるように調整し、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において１００時間、９０℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで超音波洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。形成された薄膜のＸＰＳ測定を行ったところ、Ｃｌ原子からのシグナルが消滅し、７８０ｅＶ付近にＣｏ元素の２ｐ３／２スペクトルを得た。以上より、基材に、シス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジアミノ）ルテニウム（II）及び（テトラカルボキシフタロシアナト）コバルト（II）が固定化されていることを確認した。
【０１０２】
この複合材料について、１５０℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における累積膜には剥離が生じず、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、良好な耐熱性、耐久性を有していた。
また、該複合材料の紫外可視吸収スペクトルを調べたところ、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、広い範囲の波長の光に対して、感応を示した。
【０１０３】
（実施例６）
実施例１において、以下の点を変更した外は、実施例１と同様にして複合材料を製造した。
実施例１のＡ溶液において、ｎ−ヘキサデカンをトルエンに代え、化合物Ａを８−ブロモオクチルチオール［８−Ｂｒ（ＣＨ2 ）8 ＳＨ］に代えた。また、基材をＡｕ（１１１）単結晶基板に代えた。Ａ溶液に浸漬後の基材の洗浄を、ｎ−ヘキサデカン及びアセトンに代えてトルエン及びアセトンを用いて行った。そして、窒素雰囲気下において30分間自然乾燥させた。
【０１０４】
実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行った。ＦＴ−ＩＲ測定では、２８４０〜２９３０ｃｍ-1に−ＣＨ2 −基の対称伸縮振動及び反対称伸縮振動のシグナルを観測した。ＸＰＳ測定では、７０ｅＶ付近に３ｄ、１８０ｅＶ付近に３Ｐ、２５６ｅＶ付近に３ｓのＢｒ原子からのシグナルが観られることを観測した。
【０１０５】
この基材を、化合物Ｂとしてのシス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）を、ジメチルホルムアミドに５×１０-4ｍｏｌ／ｌの濃度になるように調整し、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において４８時間、９２℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで超音波洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。前記基材上に形成された薄膜のＸＰＳ測定を行ったところ、Ｂｒ原子からの３ｄ、３ｐ、３ｓシグナルが無くなり、２８０ｅＶ、４６２ｅＶ、４８４ｅＶ付近にＲｕ原子の３ｄシグナル、３ｐ３／２シグナル、３ｐ１／２シグナル、４００ｅＶ付近にＮ原子の１ｓシグナル及び２００ｅＶ付近にＣｌ原子の２ｐシグナルを観測した。また、ＦＴ−ＩＲ測定を行い１７２０ｃｍ-1付近にシス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）の＞Ｃ＝Ｏ基の対称伸縮振動のシグナルとピリジン環のシグナルを観測した。
【０１０６】
更に、化合物Ｃとしてのシス−ジシアノビス（２，２−ビピリジル）ルテニウム（II）を、ジメチルホルムアミドに５×１０-5ｍｏｌ／ｌの濃度になるように調整し、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において４８時間、１５０℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。形成された薄膜のＸＰＳ測定を行ったところ、Ｃｌ原子からのシグナルが消滅した。また、ＦＴ−ＩＲ測定を行いピリジン環のシグナルが増加することを観測した。以上より、基材に、シス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）及びシス−ジシアノビス（２，２−ビピリジル）ルテニウム（II）が固定化されていることを確認した。
【０１０７】
この複合材料について、１００℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における累積膜には剥離が生じず、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、良好な耐熱性、耐久性を有していた。
また、該複合材料の紫外可視吸収スペクトルを調べたところ、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、広い範囲の波長の光に対して、感応を示した。
【０１０８】
（実施例７）
実施例１において、以下の点を変更した外は、実施例１と同様にして複合材料を製造した。
実施例１のＡ溶液において、化合物Ａを４−ブロモブチリルクロライド［Ｂｒ（ＣＨ2 ）3 ＣＯＣｌ］に代え、ｎ−ヘキサデカンと四塩化炭素との混合溶媒を、トリエチルアミンを少量加えたトルエンに代えた。
実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行い、４−ブロモブチリルクロライドが、Ｓｉ（１００）単結晶基材に結合していることを確認した。
【０１０９】
次に、実施例１のＢ溶液において、化合物Ｂを（テトラカルボキシフタロシアナト）コバルト（II）に代え、ジメチルホルムアミドに対して５×１０-5ｍｏｌ／ｌの濃度になるようにし、このＢ溶液に、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において１００時間、９０℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで超音波洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。
形成された薄膜のＸＰＳ測定を行ったところ、Ｂｒ原子からのシグナルが消滅し、７８０ｅＶ付近にＣｏ元素の２ｐ３／２スペクトルを得た。
【０１１０】
更に、化合物Ｃを（４−アミノフェニル）ビス（４’−メチルフェニル）アミンに代え、トルエンに対して５×１０-5ｍｏｌ／ｌの濃度になるようにし、さらにジシクロヘキシルカルボジイミドとピリジンとを加え、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において１２時間、９０℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。
この基材を、実施例１と同様にＸＰＳ測定とＦＴ−ＩＲ測定とを行った。ＸＰＳ測定では、Ｎ原子からのシグナルが増加した。
以上より、基材に、テトラカルボキシフタロシアナト）コバルト（II）及び（４−アミノフェニル）ビス（４’−メチルフェニル）アミンが固定化されていることを確認した。
【０１１１】
この複合材料について、１５０℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における累積膜には剥離が生じず、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、良好な耐熱性、耐久性を有していた。
【０１１２】
（実施例８）
実施例１において、以下の点を変更した外は、実施例１と同様にして複合材料を製造した。
実施例１のＡ溶液において、化合物Ａを４−ブロモ−ｎ−酪酸［Ｂｒ（ＣＨ2 ）4 ＣＯＯＨ］に代え、  n-ヘキサデカンと四塩化炭素との混合溶媒をエタノールに代えた。また、基材をシリカに代えた。このシリカ２５ｇを、該Ａ溶液と一緒に丸底フラスコに入れ、乾燥窒素雰囲気下、６０℃で１０時間還流させた。そして、フィルターでろ過し、シリカだけを取り除いた。次に、エタノールで超音波洗浄し、ろ過、乾燥させた。
実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行ったところ、４−ブロモ−ｎ−酪酸がシリカと結合しているのを確認した。
【０１１３】
次に、実施例１のＢ溶液において、化合物Ｂを（テトラカルボキシフタロシアナト）銅（II）に代え、ジメチルホルムアミドに５×１０-5ｍｏｌ／ｌの濃度になるようにし、このＢ溶液に前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において１００時間、９０℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで超音波洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。
形成された薄膜のＸＰＳ測定を行ったところ、Ｂｒ原子からのシグナルが消滅し、４００ｅＶ付近にＮ元素の１ｓシグナル、９３３ｅＶ付近に３ｄ３／２、９５３ｅＶ付近に３ｐ１／２のＣｕ元素のスペクトルを得た。
【０１１４】
更に、化合物Ｃを（４−アミノフェニル）ビス（４’−メチルフェニル）アミンに代え、トルエンに５×１０-5ｍｏｌ／ｌの濃度になるようにし、さらにジシクロヘキシルカルボジイミドとピリジンとを加え、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において１２時間、９０℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。
実施例１と同様にＸＰＳ測定及びＦＴ−ＩＲ測定を行った。ＸＰＳ測定では、Ｎ原子からのシグナルが増加した。以上より、基材に、（テトラカルボキシフタロシアナト）銅（II）及び（４−アミノフェニル）ビス（４’−メチルフェニル）アミンが固定化されていることを確認した。
【０１１５】
この複合材料について、１００℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における累積膜には剥離が生じず、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、良好な耐熱性、耐久性を有していた。
【０１１６】
（実施例９）
実施例１において、以下の点を変更した外は、実施例１と同様にして複合材料を製造した。
実施例１のＡ溶液において、化合物Ａをｐ−クロロメチルフェニルトリクロロシラン［ｐ−ＣｌＣＨ2 ＰｈＳｉＣｌ3 ］に代えた。
実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行い、ｐ−クロロメチルフェニルトリクロロシランがＳｉ（１００）単結晶基材に結合していることを確認した。
【０１１７】
実施例１のＢ溶液において、化合物Ｂを（テトラカルボキシフタロシアナト）銅（II）に代えた。
実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行い、（テトラカルボキシフタロシアナト）銅（II）が固定化されていることを確認した。
【０１１８】
更に、化合物Ｃを（４−アミノフェニル）ビス（４’−メチルフェニル）アミンに代え、トルエンに５×１０-5ｍｏｌ／ｌの濃度になるようにし、さらにジシクロヘキシルカルボジイミドとピリジンとを加え、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において１２時間、９０℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。
実施例１と同様にＸＰＳ測定及びＦＴ−ＩＲ測定を行った。ＸＰＳ測定では、Ｎ原子からのシグナルが増加した。以上より、基材に、（テトラカルボキシフタロシアナト）銅（II）及び（４−アミノフェニル）ビス（４’−メチルフェニル）アミンが固定化されていることを確認した。
【０１１９】
この複合材料について、１５０℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における累積膜には剥離が生じず、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、良好な耐熱性、耐久性を有していた。
【０１２０】
（実施例１０）
実施例１において、以下の点を変更した外は、実施例１と同様にして複合材料を製造した。
実施例１のＡ溶液において、化合物Ａを３−ブロモプロピルトリクロロシラン［３−Ｂｒ（ＣＨ2 ）3 ＳｉＣｌ3 ］に代えた。そして、実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行い、３−ブロモプロピルトリクロロシランがＳｉ（１００）単結晶基材に結合していることを確認した。
次に、反応Ｂで実施例１のＢ溶液において、化合物Ｂを（テトラアミノフタロシアナト）コバルト（II）に代えた。実施例１と同様にＦＴ−ＩＲ測定及びＸＰＳ測定を行い、（テトラアミノフタロシアナト）コバルト（II）が固定化されていることを確認した。
【０１２１】
更に、化合物Ｃをシス−ジ（チオシアネート）ビス（２，２−ビピリジル−４，４' ジ−４，４' ジカルボキシレート）ルテニウム(II)に代え、トルエンに５×１０-5ｍｏｌ／ｌの濃度になるようにし、さらにジシクロヘキシルカルボジイミドとピリジンを加え、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において２４時間、９２℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。
この基材を、実施例１と同様にＸＰＳ測定及びＦＴ−ＩＲ測定を行った。ＸＰＳ測定では、Ｎ原子からのシグナルが増加し、Ｃｏ原子及びＲｕ原子からのシグナルを観測した。以上より、基材に、（テトラアミノフタロシアナト）コバルト（II）及びシス−ジ（チオシアネート）ビス（２，２−ビピリジル−４，４' ジ−４，４' ジカルボキシレート）ルテニウム(II)が固定化されていることを確認した。
【０１２２】
この複合材料について、１５０℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における累積膜には剥離が生じず、前記化合物Ｃを結合させた該複合材料は、良好な耐熱性、耐久性を有していた。
【０１２３】
（比較例１）
実施例１において、化合物Ｃを結合させず、かつ以下の点を変更した外は、実施例１と同様にして複合材料を製造した。
実施例１のＡ溶液において、化合物Ａをγ−アミノプロピルトリエトキシシラン［Ｈ2 Ｎ（ＣＨ2 ）3 Ｓｉ（ＯＥｔ）3 ］に代え、該化合物ＡのＡ溶液中における含有量を１０ｗｔ％に代えた。Ｓｉ（１００）単結晶基材をＡ溶液に１１０℃、１２時間還流させた。その後、この基材を、トルエンで洗浄し、真空下において８０℃で３０分間乾燥させた。次に、化合物Ｂとしてのシス−ジクロロビス（２，２−ビピリジル−４，４’−ジカルボキシレート）ルテニウム（II）を、ジメチルホルムアミドに５×１０-4ｍｏｌ／ｌの濃度になるように調整し、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において４８時間、９２℃で反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで超音波洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。
【０１２４】
実施例１と同様にしてＸＰＳ測定を行ったところ、２８０ｅＶ、４６２ｅＶ、４８４ｅＶ付近におけるＲｕ原子の３ｄシグナル、３ｐ３／２シグナル、３ｐ１／２シグナルと４００ｅＶ付近におけるＮ原子の１ｓシグナルとは、わずかにしか観測することができなかった。
【０１２５】
この結果、化合物Ａにおける化合物Ｂと結合可能な官能基がハロゲン基である場合の方が、ハロゲン基でない場合よりも、該化合物Ａと該化合物Ｂとが結合し易いことがわかった。
【０１２６】
この複合材料について、１００℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における薄膜はわずかに剥離が生じ、該複合材料は、前記化合物Ｃを結合させた複合材料に比べて、耐熱性に劣っていた。
また、前記化合物Ｃを結合させなかった該複合材料の紫外可視吸収スペクトルを調べたところ、ある一定の範囲の波長の光に対してしか感応せず、前記化合物Ｃを結合させた複合材料の方が、より広い範囲の波長の光に対して、感応することがわかった。
【０１２７】
（比較例２）
実施例１において、化合物Ｃを結合させず、かつ以下の点を変更した外は、実施例１と同様にして複合材料を製造した。
実施例１のＡ溶液において、化合物Ａをγ−アミノプロピルトリエトキシシランに代え、該化合物ＡのＡ溶液中における含有量を１０ｗｔ％に代えた。Ｓｉ（１００）単結晶基材をＡ溶液に１１０℃、１２時間還流させた。その後、この基材を、トルエンで洗浄し、真空下において８０℃で３０分間乾燥させた。次に、反応Ｂで実施例１のＢ溶液において、化合物Ｂをジクロロコバルト（II）に代え、溶媒をエタノールに代えて、１×１０-3ｍｏｌ／ｌの濃度になるように調整し、前記基材を浸漬し、乾燥窒素雰囲気下において１２時間反応させた。その後、この基材を、エチルアルコールで超音波洗浄し、窒素雰囲気下において３０分間自然乾燥させた。
【０１２８】
実施例１と同様にしてＸＰＳ測定を行ったところ、７８０ｅＶ、７９０ｅＶ付近にＣｏ原子の２ｐ３／２シグナル、２ｐ１／２シグナルは、僅かにしか観測することができなかった。
【０１２９】
この結果、化合物Ａにおける化合物Ｂと結合可能な官能基がハロゲン基である場合の方が、ハロゲン基でない場合よりも、該化合物Ａと該化合物Ｂとが結合し易いことがわかった。
この複合材料について、１００℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における薄膜はわずかに剥離が生じ、該複合材料は、前記化合物Ｃを結合させた複合材料に比べて、耐熱性に劣っていた。
【０１３０】
（比較例３）
実施例１において、化合物Ｃを結合させなかった外は、実施例１と同様にして複合材料を製造した。
基板に、化合物Ａ及び化合物Ｂからなる薄膜を結合させた該複合材料について、１００℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における累積膜に僅かに剥離が生じ、該複合材料は、前記化合物Ｃによる単分子膜を導入した複合材料に比べて、耐熱性、耐久性に劣っていた。
また、この比較例３の複合材料の紫外可視吸収スペクトルを調べたところ、ある一定の範囲の波長の光に対してしか、感応せず、前記化合物Ｃによる単分子膜を導入した複合材料の方が、より広い範囲の波長の光に対して、感応することがわかった。
【０１３１】
（比較例４）
実施例６において、化合物Ｃを結合させなかった外は、実施例６と同様にして複合材料を製造した。
基板に、化合物Ａ及び化合物Ｂからなる薄膜を結合させた該複合材料について、１００℃で１２時間加熱したところ、該複合材料における累積膜に僅かに剥離が生じ、該複合材料は、前記化合物Ｃによる単分子膜を導入した複合材料に比べて、耐熱性、耐久性に劣っていた。
また、この比較例４の複合材料の紫外可視吸収スペクトルを調べたところ、ある一定の範囲の波長の光に対してしか、感応せず、前記化合物Ｃを結合させた複合材料の方が、より広い範囲の波長の光に対して、感応することがわかった。
【０１３２】
【発明の効果】
本発明によると、前記従来の問題を解決することができる。本発明によると、機能性分子を高密度で導入し、該機能性分子が表面に露出するようにして配向させた薄膜を基材の表面に強固に結合させてなる複合材料であって、ぬれ性、接着性、表面エネルギー等の固体表面・界面の物性の制御、分散性、耐薬品性等の改善、汚染物質の付着防止、帯電防止、イオン交換特性、導電性、光導電性、ダイオード特性、熱伝導性等の機能の付与などの目的に好適で、塗料、化粧品、電子部品や機械部品の保護膜、液晶配向膜、光学素子材料、光導電性材料、触媒、光触媒、光電変換材料等の半導体、センサー、磁性材料、フィラー分散型コンポジット建材、電子写真用部材の保護膜、電子写真用トナーの外添剤やキャリアなどの幅広い分野で利用可能な複合材料、及び該複合材料を効率よく製造し得る方法、並びに、耐久性、導電性、ダイオード特性、光導電性等の素子として要求される諸機能に優れた半導体素子、を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、実施例１の複合材料における薄膜についてのフーリエ変換赤外吸収スペクトルのデータを示す図である。
【図２】図２は、実施例２の複合材料における薄膜についてのＸ−線光電子分光スペクトルのデータを示す図である。
【図３】図３は、実施例１の複合材料における薄膜についてのＸ−線光電子分光スペクトルのデータを示す図である
【図４】図４は、実施例１の複合材料における薄膜についてのＸ−線光電子分光スペクトルのデータを示す図である。
【図５】図５は、実施例１の複合材料における薄膜についてのフーリエ変換赤外吸収スペクトルのデータを示す図である。
【図６】図６は、実施例１の複合材料における薄膜についての紫外可視吸収スペクトルのデータを示す図である。
【図７】図７は、実施例１の複合材料における分子を累積固定化した薄膜とＳｉ（１００）単結晶基材との結合状態を分子レベルで示した概念図である。
【図８】図８は、実施例４の複合材料における薄膜についての紫外可視吸収スペクトルのデータを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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