(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空に引くことができ一つの辺が他の辺より長いプラズマ生成室と、正３ｍ角形をなすようにプラズマ生成室の長手方向に張られる３ｍ本（ｍ≧１）のフィラメントと、フィラメントとプラズマ生成室の間に設けられフィラメントを負にバイアスする直流のアーク電源と、プラズマ生成室に原料ガスを導入するガス導入口と、３相交流源と、３相交流源を所望の電圧の３相交流にするトランスとを含み、互いに１２０度をなす位置に設けられる３本のフィラメントは第ｋ群（ｋ＝１，…，ｍ）として一端で互いに一つに纏められ直流アーク電源の負電極に接続され他端で３相交流の３個の端子にそれぞれ接続され、電流によって加熱されたフィラメントから熱電子が発生し、フィラメントとプラズマ生成室との間にアーク放電をおこして原料ガスをプラズマにするようにしたことを特徴とする３相交流を用いたプラズマ発生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フィラメントを加熱することによって熱電子を放出する長尺、大容積のプラズマ発生装置、イオン源、イオンビーム処理装置、プラズマ処理装置に関する。プラズマ発生装置は原料ガスを何らかの手段によって励起してイオンと電子の集合であるプラズマにする装置である。同じチャンバ内にウエハ−などをおいてプラズマによる処理をする装置はプラズマ処理装置である。また一方に開口部を設け有孔電極を設置し電圧を掛けて外部にイオンビ−ムを引き出すようにしたものがイオン源である。プラズマ処理装置とイオン源、イオンビーム処理装置を包括してプラズマ発生装置とここでは表現する。
【０００２】
励起源はフィラメント加熱のほかに、マイクロ波励起、高周波励起、直流放電励起などがある。しかしここではフィラメントによって熱電子を発生するような励起方法に限定する。フィラメントに通電し加熱して熱電子を発生する方式のイオン源をバケット型イオン源という。フィラメント励起の場合、フィラメントに直流電源をつないで直流電流を流してフィラメントを加熱する。フィラメントはチャンバに対して負電圧になるようバイアスされる。フィラメントとチャンバの間にア−ク放電が起こるようになっている。フィラメントはコイル状に巻いたもの、リボン状のもの、ヘアピン状のもの、直線状のものがある。小さい装置の場合はコイルフィラメントが使われる。しかしここでは長尺のチャンバを対象にするので直線状フィラメントが最も適する。リボン状やヘアピン状、コイル状のフィラメントは立方体状のチャンバにこそ適するが長尺のチャンバでは複数個設けても熱電子放出が一様にならない。
【０００３】
電子はフィラメントで放出されアークとなってチャンバ壁に流れる。ア−ク放電によって原料ガス中の原子が電子を失いイオンとなる。イオンと自由電子と中性ラジカルの集合であるプラズマが生成される。アーク電源は当然に直流電源である。フィラメント加熱電源も直流である。フィラメント励起のものは二つの直流電源を使用していた。直流であるからフィラメントの各部分とチャンバ壁の間の電位の差は時間的に不変である。ために安定したプラズマ生成が可能である。小規模のプラズマ発生装置ならそれでよい。問題はない。
【０００４】
ここでは大容積、大面積のプラズマ発生装置を問題にする。大容積、大面積という事が重要である。表現の使い分けについて注意を述べる。内部でウエハを処理するプラズマ処理装置なら大容積という表現でよい。イオン源の場合はイオンビ−ムとして引き出し、外部でウエハに照射するから大面積のビームという表現をする。ビーム方向の投影が大面積であるためにはチャンバ自体大容積である。だからプラズマ発生装置自体はいずれにしても大容量なのである。特にある一方向に長い。長手方向をｘとして、それに直交する２方向をｙ、ｚとする。
【０００５】
【従来の技術】
イオン源、プラズマ発生装置のサイズは目的によって様々である。小さいものは数ｃｍ立方程度の小さい容量のチャンバを使う。１０ｃｍ立方程度のプラズマ発生装置もある。現在でもっとも大きい寸法のプラズマ発生装置は、長さが３０ｃｍ〜５０ｃｍで、横幅と奥行きが２０〜３０ｃｍである。これで大型のイオン源、大型プラズマ処理装置と言える。このように装置が大きい場合、フィラメント励起（バケット型）とすると、大きいフィラメントを使う必要がある。大容積のチャンバで高密度プラズマを励起するために大フィラメントを使わなければならない。これは当然である。
【０００６】
３０ｃｍ〜５０ｃｍの大型バケット型イオン源の場合、現在フィラメント電源としてやはり直流電源が使われる。図１は直流電源をフィラメント電源として使うプラズマ発生装置の概略図である。チャンバ１の内部に直線状のフィラメント２が張られている。フィラメント２の端ＧＨには直流のフィラメント電源４がつながれる。これがフィラメントにＶｆの直流を流す。フィラメントはチャンバに対してア−ク電源３によって−Ｖａｃにバイアスされる。直線フィラメントであるから長手方向（ｘ方向）の電流不均一はない。電力はグラフに示すように時間的に一定である。熱電子放出は長手方向に一様、時間的にも一定である。均一性高いプラズマが発生する。しかし大型プラズマ発生装置の場合、フィラメントが大きくなるし、フィラメント電力も大きくならざるをえない。フィラメント電源は従来から直流電源であった。小電流の直流電源は比較的安価で問題ない。しかし、大電流の直流電源は大型であり高価である。
【０００７】
プラズマ発生装置への要求はますます多様化しつつある。長さが１００ｃｍ〜１５０ｃｍであって、横幅奥行きが３０ｃｍ〜５０ｃｍというような巨大なイオン源は初めて要求される。この要求自体が新規である。例えば広いＬＣＤ基板などにａ−Ｓｉ素子を作る場合不純物ドープする必要がある。不純物ドープするイオンビ−ム自体が大面積であればスループットが向上する。そのような理由で未曾有の大面積イオン源が要求される。プラズマ処理装置も大容積であれば処理能力が高揚する。
【０００８】
フィラメントをアークチャンバに対して負にバイアスするア−ク電源は直流電源でなければならない。これはやむを得ない事である。長さが１５０ｃｍのアークチャンバにプラズマを発生させるには、それにほぼ等しい長さのフィラメントを張って加熱し熱電子放出させなければならない。長いフィラメントであるから大電力が必要である。フィラメント電源を直流電源とすると、嵩高く重くて大きく高価な直流のフィラメント電源が必要である。
【０００９】
交流電源を流用したいものである。商用の５０Ｈｚ、６０Ｈｚをトランスによって直流的に分離し、二次側をバイアス用アーク電源に繋げば、フィラメントをチャンバに対して負にバイアスでき、フィラメントに交流を流し加熱できる。これならトランスがいるだけでことさら電源など不要である。フィラメント電源が極めて簡単になり軽量化される。なにより高価な大電流直流電源が不要でありコストを削減できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ところがフィラメントに交流を流すと、熱電子発生量が空間的に異なる、発生熱量が時間的に変動するという問題がある。図２に交流電源をフィラメント電源に使うプラズマ発生装置の概略を示す。チャンバ１が長いのでフィラメント２も長いものをチャンバ長手方向に張る。交流電源５によってこのフィラメントに交流を流す。アーク電源３のつながれた一端（Ｇ点とする）は電圧が−Ｖａｃに固定され、他端（Ｈ点とする）はこれに交流分ＥｓｉｎΩｔを加えたものになる。ここでは簡単のためチャンバ電位を０Ｖとして、アーク電源の電圧をＶａｃとしている。フィラメントは抵抗体であり長さに比例して電圧が下がる。フィラメントの長さをＬとして、アーク電源の繋がれた方（Ｇ点）からの距離をｘとすると、時刻ｔでその点の電圧をＵ（ｔ，ｘ）とすると、
【００１１】
Ｕ（ｔ，ｘ）＝−Ｖａｃ＋（ｘＥ／Ｌ）ｓｉｎΩｔ    （１）
ということになる。Ωは角周波数である。周波数（５０Ｈｚ、６０Ｈｚ）に２πを掛けたものである。プラズマの運動に比較すれば非常に遅い運動である。チャンバとの間の電圧（アーク電圧）が、フィラメントの位置ｘによって変わる。それだけでなくて、時刻によってもチャンバとフィラメント間の電圧が変動する。フィラメントからチャンバに流れるア−ク放電の電流が位置と時刻によって変わる。一般にフィラメントとチャンバの間のア−ク放電電流密度によってプラズマ密度が変動する。電圧変動が、放電密度変動を引き起こし、プラズマ密度の変化を引き起こす。つまり長手方向（ｘ方向）のプラズマ密度が一様でない。これは長い被処理物をプラズマ処理する場合は処理ムラを引き起こす。またイオン源とする場合は、ビームの断面位置によって電流密度が変動する。イオンドーピングに使う場合はウエハ−やＬＤＣ基板上でドーピングの不均一を引き起こす。これは困る。プラズマ密度は長手方向に常にいつでも一様でなければならない。
【００１２】
以上の問題はアーク電圧の揺らぎである。もっと深刻な問題がある。それはフィラメント電力Ｗの揺らぎである。フィラメント電流Ｉはフィラメントの全抵抗をＲとして、フィラメント電圧をＲで割ったものである。熱電子を発生するのであるからフィラメント電流（Ｕ／Ｒ）はかなり大きい。数十Ａ〜百Ａにもなる。フィラメント電力Ｗは
【００１３】
Ｗ＝（Ｅ2／Ｒ）ｓｉｎ2Ωｔ          （２）
である。図２の電力のグラフがこれを示す。ＷはΩｔがπｍ（ｍは整数）のときに０となる。発熱量が０になるから輻射によって急激に冷え、熱電子放射が一時的にほとんど停止する。プラズマ密度が一気に減少する。反対にΩｔがπ（ｍ＋０．５）のときは、発熱量が最大になり、熱電子放出も絶頂に達するからプラズマ密度が最高になる。
【００１４】
プラズマの生成消滅の時間尺度からみると商用周波数は極めて遅い動きである。フィラメントは細い金属線で熱容量は小さい。発熱量が０になるとすぐに輻射で冷える。フィラメント温度の変動に熱電子放出が大変敏感であるので、フィラメント電流Ｊの消長に応じてプラズマ密度が大きく変動してしまう。そのような時間的なプラズマ密度の変化があるのは困る。イオンビ−ムとして引き出す場合は電流が時間的に大きく変動することになるからである。
【００１５】
つまり、フィラメント電源として交流を使えば電源コストを低減できていいのであるが、実際にはできない。空間的、時間的にプラズマ密度が大きく変化するからである。空間的、時間的なプラズマ密度の揺らぎはプラズマ処理、イオンドーピングの不均一を招く。とても実際の装置に適用する事はできない。フィラメントからの熱電子放射が時間的、空間的に変動しないものが必要である。
【００１６】
このような問題を解決し、フィラメント電源を安価軽量小型化できる大容積長尺のプラズマ発生装置を提供することが本発明の第１の目的である。大容積長尺の空間でのプラズマ密度の空間的時間的な変動を少なくできるプラズマ発生装置を提供する事が本発明の第２の目的である。フィラメントの利用効率を高揚したプラズマ発生装置を提供する事が本発明の第３の目的である。ア−ク電源を省く事のできる大容積長尺のプラズマ発生装置を提供することが本発明の第４の目的である。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ発生装置は、真空に引く事ができ一つの辺が他の辺より長いプラズマ生成室（チャンバ）と、正３ｍ角形をなすようにプラズマ生成室の長手方向（ＧＨ）に張られる３ｍ本（ｍ≧１）のフィラメントと、フィラメントとプラズマ生成室の間に設けられフィラメントを負にバイアスする直流のアーク電源と、プラズマ生成室に原料ガスを導入するガス導入口と、３相交流源と、３相交流を所望の電圧の３相交流にするトランスとを含み、互いに１２０度をなす位置に設けられる３本のフィラメントは第ｋ群（ｋ＝１，…，ｍ）として一端で互いに一つに纏めて直流ア−ク電源に接続され他端で３相交流の３個の端子にそれぞれ接続され、電流によって加熱されたフィラメントから熱電子が発生し、フィラメントとプラズマ生成室との間にア−ク放電をおこして原料ガスをプラズマにする。
【００１８】
三相交流は商用電源として容易に利用できる。本発明は３相に限らず４相、５相、…、交流電源を利用することができる。しかし４相、５相、６相などの高次相の商用電源は現在存在しないから実際には三相しか適用できない。それで以下３相交流を電源にする場合だけを述べる。原理的には、４相、５相、６相などでも本発明を適用できる。３ｍ本のフィラメントを使うので、ｍ＝１だと３本、ｍ＝２だと６本、ｍ＝３だと９本のフィラメントを使用する。何れも長手方向に平行に張る。３本の場合は正三角形の頂点にフィラメントがくるように配置する。６本の場合は正六角形の頂点位置にフィラメントがあるようにする。９本（ｍ＝３）の場合は、正九角形の頂点位置にフィラメントがあるようにする。
【００１９】
そして１２０度の中心角をなす３本のフィラメントを一群として纏め、一端で共通に直流アーク電源の負極に接続する。他端は三相交流端子に繋ぐ。プラズマ発生室（チャンバ）の電位より、フィラメント共通電位は−Ｖａｃ（アーク電圧）だけ低くする。そのために直流電源をフィラメント共通端子とチャンバの間に設け、フィラメントの直流電位を決める。トランスを使って商用三相交流源から電力を取るが、トランスを介するので直流的には１次側と分離される。
【００２０】
ｍ組のフィラメントを使うときは、正３ｍ角形状に並べるが、互いに１２０゜の中心角をなすフィラメントが一つの組になる。この組のフィラメントをａ、ｂ、ｃとすると、共通端子は−Ｖａｃであるが、反対側の端子の電圧は、Ｅｓｉｎ（Ωｔ）−Ｖａｃ、Ｅｓｉｎ（Ωｔ＋２π／３）−Ｖａｃ、Ｅｓｉｎ（Ωｔ＋４π／３）−Ｖａｃである。２π／３、４π／３は、ｂフィラメント、ｃフィラメントの、ａフィラメントに対する位相の進みを表す。フィラメントの長さをＬとし共通端子からの距離をｘとする。ｘ点でのａフィラメント、ｂフィラメント、ｃフィラメントの電圧Ｕａ、Ｕｂ、Ｕｃは
【００２１】
Ｕａ（ｔ，ｘ）＝−Ｖａｃ＋（ｘＥ／Ｌ）ｓｉｎ（Ωｔ）        （３）
Ｕｂ（ｔ，ｘ）＝−Ｖａｃ＋（ｘＥ／Ｌ）ｓｉｎ（Ωｔ＋２π／３）  （４）
Ｕｃ（ｔ，ｘ）＝−Ｖａｃ＋（ｘＥ／Ｌ）ｓｉｎ（Ωｔ＋４π／３）  （５）
【００２２】
のようになる。３本のフィラメントと、チャンバとの間の電圧によってア−ク放電の強さが変動する。電位差が大きいほどア−ク放電は強くなる。前述の単相交流の場合は、長手方向のフィラメント、チャンバ間電位差が変動するのを阻止することができなかった。しかし三相の場合は、フィラメントとチャンバの電位差はｘによらず一定である。ａ、ｂ、ｃフィラメントとチャンバの電位差の合計ははＵａ＋Ｕｂ＋Ｕｃである。ここで変数表示（ｔ，ｘ）を簡単のため省略している。
【００２３】
0003968874.tif 000002
位相差２π／３と４π／３があるので互いに打ち消しあうのである。つまり３つのフィラメントとチャンバ間の電位差の和は、時刻ｔや場所ｘがいかなるものであっても常に一定である。長手方向の位置ｘによらず、時刻ｔにもよらない。アーク電圧が一定であるからア−ク放電の強さはｘ，ｔによらず一定である。これは極めて重要である。
【００２４】
ここでは１組のフィラメントについて計算したが、ｍ組あってもそれぞれの組でア−ク電圧の合計が一定なのであるから全体としても、ｘやｔによらず一定である。
【００２５】
つぎにフィラメント電流を考える。フィラメントの抵抗をＲとすると、それぞれに流れる電流Ｊａ、Ｊｂ、Ｊｃは
Ｊａ（ｔ）＝（Ｅ／Ｒ）ｓｉｎ（Ωｔ）        （７）
【００２６】
Ｊｂ（ｔ）＝（Ｅ／Ｒ）ｓｉｎ（Ωｔ＋２π／３）  （８）
Ｊｃ（ｔ）＝（Ｅ／Ｒ）ｓｉｎ（Ωｔ＋４π／３）  （９）
である。バイアスのＶａｃは、左右の端子に共通であるから打ち消しあう。フィラメントのどこでも電流は変わらないから電流のｘ依存性はない。時間ｔの依存性があるだけである。ジュール熱発生量Ｑａ、Ｑｂ、Ｑｃがフィラメント温度を決め、それが熱電子の放出量を決める。これは、電流の二乗に抵抗Ｒを乗じたものである。これもｘ依存性はない。それで全体のジュール熱発生を考える。
【００２７】
Ｑａ（ｔ）＝（Ｅ2／Ｒ）ｓｉｎ2（Ωｔ）              （１０）
Ｑｂ（ｔ）＝（Ｅ2／Ｒ）ｓｉｎ2（Ωｔ＋２π／３）    （１１）
Ｑｃ（ｔ）＝（Ｅ2／Ｒ）ｓｉｎ2（Ωｔ＋４π／３）    （１２）
それぞれは時間依存性がある。しかし実際には３本フィラメントから同時に熱電子が出るから、発熱量の合計と熱電子放出が比例する。ジュール発熱量の合計は
【００２８】
Ｑａ＋Ｑｂ＋Ｑｃ＝（３Ｅ2／２Ｒ）              （１３）
となって時刻ｔによらない。ジュール熱が一定ということは、いつでも熱電子発生は一定不変だという事である。中心角１２０゜をなす３本一組のフィラメント群についてパワーが一定であり熱電子放出が一定であるから、ｍ組のフィラメントであってもパワーは一定であり熱電子放出は一定である。長手方向に熱電子発生量は一定だということになる。イオン源とする場合は長手方向にイオンビ−ム密度が一定だということである。まことに好ましい性質である。このようなことは単相交流ではありえないことである。図２の電力波形は単相交流の電力が振動することを示すが、この振動を１２０゜、２４０゜ずらせたものを相加すると変動が全くなくなる。（１３）はそういうことを言っているのである。
【００２９】
３本のフィラメントに三相交流を流すことによって合計のジュール熱発生を常に一定に保つ事ができる。ジュール熱発生は熱電子の発生量を支配するのであるから、これは熱電子の発生量が常に一定である。時刻による変動がなく一定であるということを意味するのである。ｘによる揺らぎはないから、ｘにもｔにもよらず一定であるということである。広い面積を持つフィラメント型のイオン源であるから均一にプラズマを発生させるのが難しいのであるが、本発明によれば軸方向にも時間的にも一様な熱電子発生が実現する。
【００３０】
【発明の実施の形態】
本発明は長尺の大面積のイオン源において、長手方向に均一に放電を起こさせることができる。三相交流を用いて、３ｍ個のフィラメントに電流を流すことによってこれらがなされる。ｍは任意の自然数である。つまりｍ＝１、２、３、…である。つぎにｍ＝２の場合の例を示す。図３は６本の平行なフィラメントをチャンバ内に設けた例である。同等のフィラメントａ、ｂ、ｃ、ｐ、ｑ、ｒをＧ側からＨ側に平行に張っている。フィラメントａ、ｂ、ｃは正三角形の頂点の位置にある。フィラメントｐ、ｑ、ｒも正三角形の頂点にある。中心をＯとすると、ａとｐは反対側に、ｂとｑが反対側に、ｃとｒが反対側にある。Ｇ側からみると、フィラメントａｒｂｐｃｑが左回り正六角形をなす。フィラメントａ、ｂ、ｃが一組になっている。ａ、ｂ、ｃはＨ側で一纏めになってア−ク電源３の負極−Ｖａｃに接続される。ここでチャンバ１の壁面電位を基準にとっている。フィラメントｐ、ｑ、ｒがもう一つの組になっている。これらはＧ側で纏められア−ク電源の負極−Ｖａｃに接続される。
【００３１】
三相交流電源６は３つのトランスをもち、その二次側から電力をとるようになっている。ここでは二次側のコイルＶａ、Ｖｂ、Ｖｃだけを図示している。一時側は商用の三相交流である。トランスによって直流的に大地電位と離隔させる。
【００３２】
トランス結合するから、大地電位と切り放されるし、また任意の電圧を得る事もできる。Ｇ側でフィラメントａ、ｂ、ｃは三相交流Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃに接続する。Ｈ側でフィラメントｐ、ｑ、ｒは三相交流Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃに接続する。３つのコイルには１２０゜位相が異なる電圧が生ずる。中心接点ｇは自然に−Ｖａｃになる。もちろんｇを−Ｖａｃに接続しておいても良い。Ｇ側からＨ側にｘ座標をとると、フィラメントのｘでの電圧Ｕａ、Ｕｂ、Ｕｃ、Ｕｐ、Ｕｑ、Ｕｒは、
Ｕａ＝−Ｖａｃ＋｛（Ｌ−ｘ）Ｅ／Ｌ｝ｓｉｎ（Ωｔ）      （１４）
Ｕｂ＝−Ｖａｃ＋｛（Ｌ−ｘ）Ｅ／Ｌ｝ｓｉｎ（Ωｔ＋２π／３）  （１５）
Ｕｃ＝−Ｖａｃ＋｛（Ｌ−ｘ）Ｅ／Ｌ｝ｓｉｎ（Ωｔ＋４π／３）  （１６）
Ｕｐ＝−Ｖａｃ＋（ｘＥ／Ｌ）ｓｉｎ（Ωｔ）      （１７）
Ｕｑ＝−Ｖａｃ＋（ｘＥ／Ｌ）ｓｉｎ（Ωｔ＋２π／３）  （１８）
Ｕｒ＝−Ｖａｃ＋（ｘＥ／Ｌ）ｓｉｎ（Ωｔ＋４π／３）  （１９）
というようになる。ある位置ｘでの６本にフィラメントの平均の電圧Ｖａｖはこれら６つの電圧を加えて６で割れば求められるが、これは
【００３３】
Ｖａｖ＝−Ｖａｃ                    （２０）
である。空間的にも時間的にも６つのフィラメントの平均電圧は不変だということである。フィラメントからア−クチャンバに向かう熱電子は電圧差に比例し、これが−Ｖａｃだということであるから、あたかも図１のようにフィラメントに直流電源をつないでいるのと同じ安定性がある。三相交流電源は電源とも言えないぐらい簡単であるのに、高価で重く嵩高い直流電源と同じ均一性がある。
【００３４】
全ジュール熱Ｑはこれら電圧の二乗を抵抗Ｒで割ったものの総和である。
Ｑ＝３Ｅ2／２Ｒ                （２１）
簡単であるから計算は示さない。これも空間ｘ、時間ｔの依存性が全くない。図１の直流電源を６つ使っているのとほぼ同じ程度のジュール熱発生の安定性である。
【００３５】
このように空間的時間的な熱電子放射分布の均一性安定性は本発明の優れた特徴である。三相交流の相補的な変化を巧みに利用して動的な安定性を確保している。電源は商用の三相交流をトランス結合して殆どそのまま用いる事ができる。安価な電源を使って直流電源と同等の均一性を得ている。本発明の巧みな点である。これらはフィラメント・チャンバ間のア−ク放電が相補的に働いて熱電子放出が均一化されるというものである。
【００３６】
さらに複数の直線状のフィラメントを用いることからそれ以上の効果がある。これは従来のフィラメントイオン源、フィラメントプラズマ装置にはない望外の効果である。それはフィラメント・フィラメント間の熱電子放射ということである。フィラメントが複数存在し電位差ができるからフィラメント同士の間で熱電子の放射を促進するという全く新規な作用が現れる。もう一つは複数フィラメント磁場によるプラズマの閉じ込め効果である。いずれも単独フィラメントやリボン状、コイル状のフィラメントでは起こり得ない現象である。しかし理解しやすいものでないから図面と式によって原理を詳しく説明する。
【００３７】
［Ａ．フィラメント間での熱電子放出促進］
図６、図７、図８はフィラメントの中間点ｘ＝Ｌ／２における、熱電子の動きを示す。図６はＶａが、Ｖｂ、Ｖｃより大きい場合を示す。図７はＶｂが、Ｖｃ、Ｖａより大きい場合を示す。図８はＶｃがＶａやＶｃより大きい場合である。ＶａはｓｉｎΩｔ、Ｖｂはｓｉｎ（Ωｔ＋２π／３）、Ｖｃはｓｉｎ（Ωｔ＋４π／３）で表現されるから、Ｖａが他の二者より大きいと言う事はΩｔがπ／３〜２π／３の間にある、ということである。つまり３つの場合は次のように分類できる。
【００３８】
（１）Ｖａ＞Ｖｂ、Ｖｃ  π／６≦Ωｔ＜５π／６（図６）
中間点の電位は（１４）〜（１９）において、ｘ＝Ｌ／２として
Ｕａ＝−Ｖａｃ＋（Ｅ／２）ｓｉｎ（Ωｔ）      （２２）
Ｕｂ＝−Ｖａｃ＋（Ｅ／２）ｓｉｎ（Ωｔ＋２π／３）  （２３）
Ｕｃ＝−Ｖａｃ＋（Ｅ／２）ｓｉｎ（Ωｔ＋４π／３）  （２４）
Ｕｐ＝−Ｖａｃ＋（Ｅ／２）ｓｉｎ（Ωｔ）      （２５）
Ｕｑ＝−Ｖａｃ＋（Ｅ／２）ｓｉｎ（Ωｔ＋２π／３）  （２６）
Ｕｒ＝−Ｖａｃ＋（ｘＥ／Ｌ）ｓｉｎ（Ωｔ＋４π／３）  （２７）
である。中間点だからＵｐ＝Ｕａ、Ｕｑ＝Ｕｂ、Ｕｒ＝Ｕｃである。差を計算すると、
【００３９】
Ｕａ−Ｕｂ＝Ｅｓｉｎ（π／３）ｃｏｓ｛Ωｔ−（２π／３）｝  （２８）
Ｕｂ−Ｕｃ＝Ｅｓｉｎ（π／３）ｃｏｓ｛Ωｔ｝                （２９）
Ｕｃ−Ｕａ＝Ｅｓｉｎ（π／３）ｃｏｓ｛Ωｔ＋（２π／３）｝  （３０）
【００４０】
ａ、ｐの電位が、ｂ、ｃ、ｑ、ｒより高い。強い負電位のフィラメントから熱電子が盛んに出るから、フィラメントｂ、ｃ、ｑ、ｒからチャンバ壁に向けて熱電子が出る。二重矢印で示す。チャンバ壁はフィラメントに対して正電圧だから熱電子を強く引き寄せる。熱電子はフィラメントが高温であるから仕事関数の影響が下がって表面から出るのであるがバイアスが掛かっている方がより盛んに出る。それだけでなく、フィラメントｂ、ｃ、ｑ、ｒからフィラメントａ、ｐに向かっても熱電子がでる。
【００４１】
（２）Ｖｂ＞Ｖｃ、Ｖａ  ０≦Ωｔ＜π／６、３π／２≦Ωｔ＜２π（図７）
フィラメントａ、ｒ、ｐ、ｃから熱電子がチャンバ壁に向けて出る。フィラメントａ、ｒ、ｐ、ｃから、フィラメントｂ、ｑに対しても熱電子が出る。
【００４２】
（３）Ｖｃ＞Ｖａ、Ｖｂ  ５π／６≦Ωｔ＜３π／２  （図８）
フィラメントａ、ｂ、ｐ、ｑからチャンバ壁に向けて熱電子が出る。同時にフィラメントａ、ｂ、ｐ、ｑから、フィラメントｃ、ｒに向けて熱電子が出る。
このように（１）〜（３）の場合の何れにおいても、フィラメント間で熱電子を引き出し放射することができる。ということはア−ク電源がなくてもフィラメントだけでア−ク放電が起こり熱電子が発生すると言うことである。ア−ク電源をなくし、その間を短縮するとフィラメントとチャンバ間のア−ク放電がなくなるが、フィラメント間のア−ク放電は依然として起こる。
【００４３】
［Ｂ．閉じ込め磁場の発生］
これはフィラメントによってミラー磁場ができて荷電粒子をチャンバ内に閉じ込め壁面に当たらないようにする作用が発生するということである。しかもミラー磁場が回転する。電流Ｊａ、Ｊｂ、Ｊｃ、Ｊｐ、Ｊｑ、Ｊｒは６つのフィラメントについて、（７）〜（９）から
【００４４】
Ｊａ（ｔ）＝（Ｅ／Ｒ）ｓｉｎ（Ωｔ）        （３１）
Ｊｒ（ｔ）＝（Ｅ／Ｒ）ｓｉｎ（Ωｔ＋π／３）  （３２）
Ｊｂ（ｔ）＝（Ｅ／Ｒ）ｓｉｎ（Ωｔ＋２π／３）  （３３）
【００４５】
Ｊｐ（ｔ）＝（Ｅ／Ｒ）ｓｉｎ（Ωｔ＋π）        （３４）
Ｊｃ（ｔ）＝（Ｅ／Ｒ）ｓｉｎ（Ωｔ＋４π／３）  （３５）
Ｊｑ（ｔ）＝（Ｅ／Ｒ）ｓｉｎ（Ωｔ＋５π／３）  （３６）
というようになる。これは図９〜図１１において左回りにフィラメントを辿った順に式を書いている。ＪｐはＪａのマイナスであるから、Ｊａのｓｉｎの中にπを加えることによって得られる。Ｊｑ、Ｊｒも同様に、Ｊｂ、Ｊｃのマイナスであり、ｓｉｎにπを加えれば良い。フィラメント電流の式（３１）〜（３６）を良くみれば、６つのフィラメント電流は位相が６０゜ずつずれたものである。順にずれているから、連続する３つのフィラメントは正の電流（ｘ方向）がながれ、他の連続する３つのフィラメントには負の電流（−ｘ方向）が流れるのである。そしてその正負が回転して変化して行く。
【００４６】
（１）  図９はフィラメントｑ、ａ、ｒが正の電流、フィラメントｂ、ｐ、ｃが負の電流を流している場合を示す。π／３≦Ωｔ＜２π／３の場合と言っても良い。
フィラメントｑ、ａ、ｒを廻る時計廻り磁場が生ずる。フィラメントｂ、ｐ、ｃを廻る反時計廻り磁場が生ずる。つまり２４０゜の方向へ向かうミラー磁場ができていることになる。この磁場配位は両端が中央よりも強くなっているミラー磁場であるため電子は両端で跳ねかえされ、電子を良く閉じ込めることができる。これは複数の直線状のフィラメントが存在することの利点である。電子、イオンの閉じ込めがより完全になるからプラズマ損失が減ってより電力が有効に利用される。
【００４７】
（２）  図１０はフィラメントａ、ｒ、ｂが正の電流、フィラメントｐ、ｃ、ｑが負の電流を流している場合を示す。０≦Ωｔ＜π／３の場合である。やはり径方向にミラー磁場ができて、荷電粒子を閉じ込める作用がある。ミラー磁場の方向は３００゜の方向である。電子はその磁力線周りにサイクロトロン運動する。もしも磁力線が静止していれば螺旋運動の末、いつかはチャンバ壁に当たる。電子エネルギーがその分失われる。ところがミラー磁場自体が廻るので、サイクロトロン運動の方向も時間と共に回転する。それで電子がチャンバ壁に衝突する確率も減少する。このようにして径方向のプラズマの均一性も向上させることができるため回転ミラー磁場の電荷閉じこめは静止磁場より有効である。
【００４８】
（３）  図１１はフィラメントｒ、ｂ、ｐが正の電流、フィラメントｃ、ｑ、ａが負の電流を流している場合を示す。−π／３≦Ωｔ＜０の場合である。やはり平行なミラー磁場ができて、荷電粒子を閉じ込める作用がある。ミラー磁場の方向は０゜の方向である。
【００４９】
そのほかにこれら３つの場合を裏返したような３つの場合がある。しかしこれらは容易に分かるので図示しない。６つのフィラメントに正逆方向に三相交流を流すと、このように電流は時間と共に回転するミラー磁場を作り出す。これによって荷電粒子、特に電子を有効に閉じ込める事ができる。そのようなことは単数フィラメント、コイルフィラメント、リボンフィラメント、ヘヤピンフィラメントなどではとても望みがたい事である。
【００５０】
これらの二つの追加的効果Ａ、Ｂはフィラメントが６つの時だけの特別な現象か？というとそうではない。ミラー磁場Ｂは９本、１２本、…のフィラメントでも生成できる。より精緻なミラー磁場となる。３本ではミラー磁場はできない。フィラメント間放電Ａもフィラメントが３本、９本…でも起こり得る。フィラメント間の間隔が狭い方が放電は盛んであるから、本数がある程度多い方がよい。
【００５１】
【発明の効果】
長さが１０００ｍｍ〜１５００ｍｍであるような長尺のプラズマ発生装置においてフィラメント加熱に三相交流をそのまま使うからフィラメント電源回路が簡単になる。電源回路が軽量、小型、安価になる。
【００５２】
複数の平行直線フィラメントを使い位相が互いに補い合うように電圧を掛けるから長手方向に一様で時間的に安定した熱電子発生を起こさせることができる。プラズマ発生も長手方向に均一になり時間的にも不変である。イオン源とする場合は長手方向に一様密度で時間的にも一定量のイオンビ−ムを引き出すことができる。プラズマ処理装置とするときは長手方向に一様な処理を施す事ができる。プラズマ密度やイオンビ−ムの空間的、時間的安定性は高価な直流電源の場合に比べ遜色がない。
【００５３】
複数のフィラメント間でも熱電子放出を促し合うからア−ク電源を除去する事も可能である。直流電源であるア−ク電源を省略できればなお一層コストを下げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】フィラメント加熱のために直流電源を用いる従来例にかかるプラズマ発生装置の概略図（ａ）と、電力の時間変動を示すグラフ（ｂ）。
【図２】フィラメント加熱のために交流電源を用いたとする仮想のプラズマ発生装置の概略図（ａ）と、電力の時間変動を示すグラフ（ｂ）。
【図３】６本の直線状フィラメントと三相交流を用いた本発明の実施例にかかるプラズマ発生装置の概略正面図。
【図４】図３の装置の一端（Ｇ側）での左側面図。
【図５】図３の装置の他端（Ｈ側）での左側面図。
【図６】
三相交流の電圧Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃが、Ｖａ＞Ｖｂ、Ｖｃである時のフィラメント、チャンバ間で熱電子が放射される方向を示すチャンバの左側面図。
【図７】三相交流の電圧Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃが、Ｖｂ＞Ｖｃ、Ｖａである時のフィラメント、チャンバ間で熱電子が放射される方向を示すチャンバの左側面図。
【図８】三相交流の電圧Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃが、Ｖｃ＞Ｖａ、Ｖｂである時のフィラメント、チャンバ間で熱電子が放射される方向を示すチャンバの左側面図。
【図９】三相交流の電圧Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃが、Ｖａ＞０、Ｖｂ＜０、Ｖｃ＜０であるときフィラメントによって中間点ｘ＝Ｌ／２に作られる磁場を示すチャンバの左側面図。
【図１０】三相交流の電圧Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃが、Ｖａ＞０、Ｖｂ＞０、Ｖｃ＜０であるときフィラメントによって中間点ｘ＝Ｌ／２に作られる磁場を示すチャンバの左側面図。
【図１１】三相交流の電圧Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃが、Ｖａ＜０、Ｖｂ＞０、Ｖｃ＜０であるときフィラメントによって中間点ｘ＝Ｌ／２に作られる磁場を示すチャンバの左側面図。
【符号の説明】
１  チャンバ
２  フィラメント
３  ア−ク電源
４  フィラメント電源
５  交流電源
６  三相交流電源
ａ〜ｃ  フィラメント
ｐ〜ｒ  フィラメント
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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