(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶のシリコン基板（２）と、共振器（４）と、該共振器を振動させるメンテナンス回路及び周波数分割チェーンを含む発振器を有する集積回路（３）とをそなえており、該メンテナンス回路は該分割チェーンとともにＣＭＯＳ回路で構成されている集積化された電子装置（１）であって、
ここに前記共振器（４）は、前記基板（２）のうちの減少された厚みを有する所定範囲の区域（１４）内で切り出された前記基板の一部で形成された、集積化された共振器であり、該共振器（４）は、
減結合区域（９）によって前記基板（２）における前記所定範囲の区域（１４）に接続されるとともに、その各先端部に終端質量体（７，７′）が設けられた中央伸長部（６）をそなえ、かつ
前記中央伸長部（６）上にデポジットされた圧電材料の薄層（１０）と、前記の薄い圧電層（１０）上にデポジットされた薄い金属層（１１）とをそなえていることを特徴とする集積化された電子装置。
【請求項２】
該圧電材料の薄層（１０）は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で形成されている、請求項１に記載の集積化された電子装置。
【請求項３】
該装置（１）は更に、温度の関数として該共振器（４）の周波数の変動を補償するための集積化された温度測定回路（５）をそなえている、請求項１又は２に記載の集積化された電子装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は少なくとも完全に集積化されたタイムベース(time base) をそなえる電子装置に関し、より特定的には、ＣＭＯＳ技術を用いて集積回路に組込まれた発振器と共振器とをそなえ、計時装置に使用されうるタイムベースを、単一で同一の基板内に集積化した電子装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
計時装置のタイムベースは通常、水晶共振器と、いくらかでも安定した発振周波数を供給するように該共振器を振動させるメンテナンス回路とを有する発振器と、分割チェーン (division chain) と、恐らくは該分割チェーンの分割比を変更する周波数調整回路とをそなえている。該メンテナンス回路、該分割チェーンとともに該調整回路は通常ＣＭＯＳ技術を使用して形成され、単一の基板内に集積される。一方、該水晶共振器は該集積回路に特別に接続されなければならない外部素子であり、これによって特定のアセンブリ動作とこの動作に特有の特別のコストとが必要となる。このタイムベースを使用する回路と同一の基板内に完全に集積可能なタイムベースの問題は、このように容易に想像されうる。
【０００３】
基準電流によって電力供給される容量を用いて完全に電子的な発振器を実現することが既に提案された。１例は例えば“集積化された時間基準装置 (An integrated Time Reference) ”と題してＩＳＳＣＣコンファレンス１９９４において、 Robert A.Blauschildによって示された。かかる解決策はたとえそれが集積化されても、時計の用途で要求されるような条件、すなわち高精度と非常に少ない電力消費とを達成することはできない。
【０００４】
米国特許ＵＳ−Ａ−４，８９０，３７０には、シリコンウェーハ内に集積化された共振器を製造するための該シリコンウェーハを構成するプロセスが記載されている。しかしこの刊行物は、厚さモードで振動する薄い高周波の共振器（数１０MHz ）についてほんの少し述べているにすぎない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、集積化された共振器を伴なうタイムベースを少なくともそなえた電子装置を提供することによって、従来技術の上述した問題点に対する解決策を提供することにある。
本発明の他の目的は、低コストで製造が容易なこの種の装置を提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、同じ基板内に、タイムベース、その集積化された共振器、及び温度の関数としての周波数の調整手段をそなえた装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
かかる目的に対して本発明は、単結晶のシリコン基板と、共振器、該共振器を振動させるメンテナンス回路、及び周波数分割チェーンを含む発振器を有する集積回路とをそなえており、該メンテナンス回路は該分割チェーンとともにＣＭＯＳ回路で構成されている集積化された電子装置であって、該共振器は、該基板のうちの減少された厚みを有する所定範囲の表面部分内で切り出された本体と、該本体の少なくとも一部上にデポジットされた圧電材料の薄層と、電極を形成するように該圧電層上にデポジットされた薄い金属層とで形成された、集積化された共振器である。
【０００８】
好ましくは、該集積化された共振器は、２つの各終端部と結合された伸長された中央部分をそなえており、これによって２つの終端質量体がバーの両端に一体に形成される。圧電層は該中央部分上にデポジットされる。該共振器はバーの中央部に接続されたアームからなる中間体によって基板に取付けられる。この共振器は縦（長さ方向の）振動モード(length extensional mode) で振動するようにされており、これによって高い圧電結合（圧電カップリング）がえられる。
【０００９】
該共振器のこの特定の構成は、製造プロセスでの後処理、すなわち、該共振器の製造プロセスが本発明による電子装置のＣＭＯＳ製造プロセスと両立することを可能とし、またわずかの補足工程を必要とするにすぎない。更に、該共振器の特定の形態と、選択された振動モードとは、高い品質ファクターを得ることを可能にし、またその各寸法は、僅かな電力消費によって所望の周波数が、わずかなスペースを用いるのみでえられるように適応されうる。
【００１０】
有利には、本発明の装置は、温度の関数として共振器の周波数の振動を補償するための温度測定用集積回路を組込むことによって、非常に安定した周波数を提供することを可能とする。
以下添付図面を参照して、本発明の１実施例が記載される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明による集積化された電子装置１を概略的に示す。該装置１は、単結晶シリコンの基板２をそなえる。集積回路３は該基板２内に形成されていて、メンテナンス回路とタイムベースの分割チェーンとをそなえる。集積回路３は共振器なしでタイムベースのいくつかの異なる素子によって事実上構成される。このような集積回路は、該基板２の頂部表面区域１２内に、この集積回路３のいくつかの素子を形成するために、ＣＭＯＳ製造プロセスによって該基板内に製造される。これは当業者にとって周知の態様でなされるので、ここでは詳細には説明しない。集積回路３はメンテナンス回路をそなえ、例えば計時器（タイムピース）（図示されない）のディスプレイの制御回路に電力供給するようにされた出力周波数を供給するように構成される。
【００１２】
このために該集積回路３は、発振器によって供給される周波数を分割するための分割チェーンを、周知の態様で更にそなえる。有利には、正確な周波数を得るとともに温度補償をするために、調整回路例えば禁止回路 (inhibition circuit) が設けられる。かかる回路も当業者にとって周知であるので、これ以上詳細には説明しない。メンテナンス回路は集積回路３と同じ基板２内に製造された集積化された共振器４と結合される。
【００１３】
図２は集積化された共振器４の形状を概略的に示す。共振器４は基板２のより薄い部分に形成される。このより薄い部分は範囲を定められた区域１４内でウェーハをエッチングすることによってえられる。このより薄い部分の残余の厚さは約５０マイクロメータであるが、この値は臨界的なものではない。好適には、共振器４は中央の伸長された部分（中央伸長部）６がバーの形状に形成され、その各先端部に終端質量体 (masses) ７，７′が設けられる。これらの終端質量体７，７′は共振器４の周波数を低下させるために設けられる。該バーすなわち中央伸長部６は、上記の薄い（すなわち減少された厚みを有する）所定範囲の区域１４内で切り出された上記基板２の一部で形成され、減結合（デカップリング）区域９によって残りの基板（基板本体）２に上記区域１４内で接続される。なお図中、符号１５は上記の切り出し部分を示す。更に区域８が設けられるが、該区域８の機能は該共振器の全体的な対称性（釣り合い）を確保することにある。
【００１４】
図３を参照すると、共振器４が該共振器４の中央伸長部６上にのみデポジットされた圧電材料の薄層（圧電層）１０をそなえていることが示されている。薄い金属層１１が電極を形成するために圧電層１０上にデポジットされ、第２の電極は該共振器のシリコンがドープされた本体によって形成される。圧電カップリングは該圧電層の全体の表面によってのみ決定されるので、このデポジションの形状は臨界的なものではない。
【００１５】
いくつかの異なる圧電材料の中での材料の選択は特に共振器の電力消費を決定する。更に該材料は発振器の周波数にあまり影響を与えないように安定していなければならない。更にこの材料は典型的なＣＭＯＳ製造プロセスと両立するような態様で該共振器上にデポジットされうるものでなければならない。
圧電材料として窒化アルミニウムＡｌＮを使用することは、実験上特に好適であると認められた。事実、これは半導体材料であるけれども、その電気抵抗率は作動温度範囲内で十分に高い。更に、マイクロエレクトロニクスで典型的な材料と両立するこの材料は、本発明による装置１を得るために意図されたＣＭＯＳ製造プロセスと両立する温度でスパッタリングプロセスによるデポジションを可能にする。
【００１６】
上述したような共振器の幾何学的構造は、基板２に対する非常に良好な減結合性（デカップリング）と、高い品質ファクターＱをうることを可能にする。該品質ファクターは、１振動周期間にこの共振器によって失なわれるエネルギーに対する、該共振器の内部エネルギー（運動エネルギーと位置（ポテンシャル）エネルギーとの和）の比率の２π倍に等しいことをここに記しておく。有利には、この減結合性は、終端質量体７，７′の対称軸とこれらの質量体を接続する中央伸長部６との間をわずかにずらす（不整列とする）ことによって更に最適化されうる。共振器４の各寸法の例は以下のとおりである。すなわち長さは約２．１mm、幅は約０．７mm、そして厚さは数１０マイクロメータ（１０-6ｍ）である。
【００１７】
集積化された共振器４の機能は次のとおりである。金属層１１と基板２との間に交流電圧を印加することによって、圧電層１０は共振器４の中央伸長部６の振動を生じさせる。
２20Hz（＝１．０５MHz ）の周波数が本発明による共振器用に選択された。圧電層１０は該共振器が平面に沿って基本的縦振動モード(fundamental length extensional mode) で振動するような態様で励起される。中央伸長部６はその平面に沿って終端質量体７に向って、また終端質量体７′に向って交互に伸長する。
【００１８】
かかるシリコン共振器の温度係数は約−３０ppm ／℃であることが実験上認められた。これによって、タイムベースの周波数調整回路を制御することによってこの振動を補償するために使用されうる出力信号を有する温度測定回路を、同じ基板２内に結合させることが高く推奨される。
このために本発明による電子装置１は有利には更に集積化された温度測定回路５をそなえる。該測定回路５は温度の関数として共振器４の周波数の振動を補償するように配設された垂直のバイポーラトランジスタで形成されうる。かかる測定回路の例は、“センサ及びアクチュエータ (Sensors and Actuators)”、Ａ２１−Ａ２３（１９９０）、第６３６〜第６３８頁の、 P.Krumenacher及び H.Ogueyによる論文“ＣＭＯＳ技術によるスマートな温度センサ (Smart Temperature Sensor in CMOS Technology)”に記載されている。
【００１９】
共振器４の製造プロセスの１例が以下に記載される。基板２の背面が、減少された厚みを有する、範囲を定められた区域１４を規定するために化学的にエッチングされうる。これにつづいて、その前面のエッチングが共振器４の幾何学的構造を規定するために実行されうる。このあとで、単一の補足マスクを用いて圧電層１０をデポジットし更に該圧電層をメタライズする。
【００２０】
その特定の形状ばかりでなくその特殊の構造によって、該共振器は集積化されたタイムベースを形成するように集積回路３をそなえたタイムベース内に容易に結合されうる。またこの共振器は、その電力消費に関する限り、ＣＭＯＳ技術によりえられた集積回路３と両立する。更にかかる共振器を構成するこの集積化されたタイムベースは、公知の集積化された各タイムベースに比してより安定しており、またより正確である。
【００２１】
本発明装置の好適な１実施例について上述したけれども、本発明は、本発明の単なる１例として示されるこの特定の実施例のみに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による集積化された電子装置を概略的に示す図である。
【図２】図１の装置に用いられる集積化された共振器の形状を概略的に示す図である。
【図３】集積化された共振器の構造を示す図２の線IIａ−IIａに沿う概略的な横断面図である。
【符号の説明】
２…基板
３…集積回路（タイムベース）
４…集積化された共振器
５…集積化された温度測定回路
６…共振器の中央部分
７，７′…共振器の終端質量体
８…共振器の対称性を確保する区域
９…共振器の減結合（デカップリング）区域
１０…圧電層
１１…金属層
【図１】
0004008526.tif 000002
【図２】
0004008526.tif 000003
【図３】
0004008526.tif 000004