(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性の基板の上に、磁気記録層、炭素系保護膜及びフルオロカーボン樹脂系潤滑膜が順次積層された磁気記録媒体において、
前記潤滑膜を形成した後に前記保護膜及び前記潤滑膜を酸化もしくは窒素化し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供したことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記酸化処理が、前記磁気記録媒体をオゾン雰囲気に暴露すること、前記磁気記録媒体に酸素の存在下で紫外線を照射すること、あるいは前記磁気記録媒体を酸素プラズマに暴露することによって行ったものであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記窒素化処理が、前記磁気記録媒体に窒素の存在下で紫外線を照射すること、あるいは前記磁気記録媒体を窒素プラズマに暴露することによって行ったものであることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
磁気記録媒体において情報の記録・再生を行う磁気ヘッドを備えた磁気記録装置であって、
前記磁気記録媒体が、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピュータの外部記憶装置として使用される磁気記録装置で用いられているハードディスク等の磁気記録媒体に関し、特に低摩擦性、耐磨耗性及び撥水性に優れ、信頼性を向上させた磁気記録媒体に関する。本発明はまた、かかる磁気記録媒体において特に有用な、保護膜表面に強固に付着させることとコンタミネーションが付着しがたいこととを両立させた潤滑膜とその製造方法に関する。本発明は、さらに、かかる磁気記録媒体を使用した磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータに使用されるディスクドライブ装置等の磁気記録装置において、記録情報の大容量化及び高密度化への要請が近年において急速に高まっている。また、かかる要請に対応するため、ディスクドライブ装置本体側の磁気ヘッドと、その内部に格納される磁気記録媒体としてのハードディスクとの間の磁気スペーシングを低減すること、すなわち可能な限り両者の間隔を狭くすることが必要である。
【０００３】
図１は、従来のディスクドライブ装置１００内の磁気ヘッド１２０と回転中のハードディスク１１０との関係を模式的に示した図であり、ハードディスク１１０の層構成と磁気スペーシングＳの様子が分かるように要部を拡大して示している。ハードディスク１１０は、基板１１１上に、下地膜１１３、磁性膜１１５が下から順に積層された基本構成を有しており、その上にカーボン系の保護膜として、例えばＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）の保護膜１１７を有している。
【０００４】
ところで、図示のディスクドライブ装置１００では、一般にハードディスク１１０の回転起動・停止時に磁気ヘッド１２０の浮上面１２０ａがハードディスク１１０の表面と接触・摺動するコンタクト・スタート・アンド・ストップ（ＣＳＳ）方式やロード・アンド・ロード方式が採用されている。例えば、ＣＳＳ方式ではハードディスク１１０と磁気ヘッド１２０が接触する領域としてＣＳＳ領域が設けられる。ハードディスク１１０の回転起動時、磁気ヘッド１２０がハードディスク１１０のＣＳＳ領域と接触して走行する。そして、ハードディスク１１０の回転により生じる空気流で磁気ヘッド１２０が浮上する。しかし、磁気ヘッド１２０が浮上中に予期せぬ接触障害が発生して、磁気ヘッド１２０がハードディスク１１０と接触してしまう場合がある。さらに、ハードディスク１１０の回転起動・停止時には、常に磁気ヘッド１２０がハードディスク１１０のＣＳＳ領域に接触する。したがって、ハードディスク１１０の表面を低摩擦性及び耐磨耗性がある状態に保持しておく必要がある。
【０００５】
このため、従来から、ハードディスク１１０表面の保護膜１１７の上にさらに潤滑剤を塗布して形成した潤滑膜１１９を設けることが行われている。潤滑膜１１９はハードディスク１１０の摩擦・磨耗特性を大きく左右するので、ディスクドライブ装置１００の信頼性を確保する上で重要な役割を担っている。さらに、潤滑膜１１９の役割は、摩擦・磨耗特性の改善のみに留まるものではない。もしもディスクドライブ装置１００が高温・高湿下で使用された場合には、雰囲気湿度の影響で結露や吸着水を生じハードディスク１１０あるいは磁気ヘッド１２０が腐食するおそれがある。よって、潤滑膜１１９は、撥水性を備えた潤滑剤をハードディスク１１０上に均一に塗布し、ハードディスク１１０あるいは磁気ヘッド１２０の腐食を防止し、さらには水や塵埃がハードディスク１１０の表面に付着しないように抑制するという重要な役割も担っている。
【０００６】
上述のような磁気記録装置の分野では、今後更なる低スペーシング化が進むと予測され、潤滑膜１１９によりハードディスク１１０上を長期間に亘り、低摩擦・耐磨耗性がありかつ撥水性を有するように保つことがより一層重要となる。しかし、一般にディスクドライブ装置１００の内部は高温となり、ハードディスク１１０は高速で回転される。そのため、潤滑膜１１９を形成する潤滑剤は、遠心力を受けて時間と共にハードディスク１１０の外周部側へ移動（マイグレーション）し、その後ハードディスク１１０から離脱してしまうものが多かった。したがって、ハードディスク１１０上の潤滑膜１１９は時間の経過と共に膜厚が低下する。このように、潤滑膜１１９の膜厚が低下すると、ハードディスク１１０の表面を低摩擦・耐磨耗性及び撥水性を備えた状態に保持するという潤滑膜の機能が失われる。
【０００７】
保護膜１１７上における潤滑膜１１９の膜厚の低下を防止するためには、ハードディスク１１０に対してより吸着力の強い潤滑剤を用いて潤滑膜１１９を形成する必要がある。ここで、ハードディスク１１０の保護膜１１７とその上に形成される潤滑膜１１９の関係について着目すると、潤滑膜１１９の中には保護膜１１７の表面に強固に結合したボンド層（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）と、保護膜表面との結合力が弱く遠心力等の外力を受けると離脱してしまうモービル層（Ｍｏｂｉｌｅ Ｌａｙｅｒ）が混在していることが分かっている。すなわち、ハードディスク１１０上の潤滑膜１１９の膜厚が低下するのは、モービル層がハードディスク１１０の外周部側へマイグレーションし、その後ハードディスク１１０から離脱することが主な原因であると考えられている。
【０００８】
したがって、ディスクドライブ装置１００が使用され時間が経過しても、潤滑膜１１９の膜厚を当初の厚さに近い状態に保持するためには、保護膜１１７との吸着力が強いボンド層の割合（ボンド率）を増加させればよく、そのために、従来からボンド率を増加させるための種々の試みがなされている。１つの試みは、ハードディスク１１０の保護膜１１７上に潤滑剤を塗布した後、塗布後の潤滑剤、すなわち、形成された潤滑膜１１９に対して紫外線照射又は熱処理を行って、ボンド率を増加させようとする試みである。しかしながら、ハードディスク１１０に潤滑剤１１９を塗布した後、ボンド率を上げるために大気圧下で長時間の紫外線照射を行うと、オゾンが発生して汚染物質、例えば有機酸を生成せる。有機酸は保護膜１１７や潤滑膜１１９自体も酸化させるので、ハードディスク１１０の表面の腐食を誘発することとなる。ハードディスク１１０の表面が腐食されると、潤滑膜表面の均一性が失われるので撥水性が低下し、摩擦抵抗も増加することになる。
【０００９】
また、潤滑剤を塗布した後の熱処理もボンド率の増加や撥水性の向上をもたらすが、紫外線照射をした場合ほどの撥水性、ボンド率の向上は得られず、その一方で、加熱により潤滑剤の揮発成分が揮発するために生ずる、いわゆる膜減りが発生するという欠点を有している。
【００１０】
さらに、上述のような従来試みられている技術は、保護膜の上に潤滑剤を塗布した後に、潤滑膜に対して紫外線照射又は熱処理を行うために、その処理のための設備を必要とし、追加の製造工程や時間が必要であり、製造コストも増加する。
【００１１】
別に、潤滑剤を塗布する前の保護膜表面を酸化もしくは窒素化することによって、保護膜に対して潤滑剤を強固に吸着させ、かつ潤滑剤分子が保護膜表面をよく濡らし、かつ濡れ広がるようにすることも試みられている。例えば、特開平５−２８４７８号公報には、磁気記録媒体の製造において、基材上に保護膜を形成した後であって潤滑膜を形成する前、保護膜の表面を紫外線照射処理、紫外線＋オゾン照射処理などを施す方法が開示されている。また、特開平７−２９６３７２号公報には、磁気記録媒体の製造において、基材上に保護膜を形成した後であって潤滑膜を形成する前、保護膜の表面をアンモニアガス含有雰囲気下でプラズマ処理を施す方法が開示されている。しかしながら、保護膜を酸化もしくは窒素化することは、潤滑剤分子が保護膜表面に付着しやすくなると同時に、コンタミネーションも付着しやすくなるという欠点を有している。ここで、コンタミネーションは、上記したようなオゾン由来の汚染物質であったり、潤滑剤の極性に基づく化学的な汚染物質であったりする。コンタミネーションが表面に付着したままの状態でハードディスクが磁気ヘッドに衝突した場合、記録再生を不能にするような障害が発生するおそれが大きい。また、磁気ヘッドに衝突しないほど小さいコンタミネーションでも、かき集めることによりハードディスクの浮上面を汚してしまうため、磁気ヘッドの浮上姿勢を変えてしまい好ましくない。以上のことから、潤滑剤を保護膜表面に強固に吸着させることと、コンタミネーションが付着し難いことを両立する潤滑膜が必要である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記のような従来の技術の問題点を解決することを目的とする。
【００１３】
本発明の目的は、特に低摩擦性、耐磨耗性及び撥水性に優れ、信頼性を向上させた磁気記録媒体を提供することにある。
【００１４】
本発明の目的は、また、磁気記録媒体に対して、特に低摩擦性、耐磨耗性及び撥水性ならびに高い信頼性を付与し得る磁気記録媒体用潤滑膜を提供することにある。
【００１５】
本発明の目的は、さらに、保護膜表面に強固に付着させることとコンタミネーションが付着しがたいこととを両立させた磁気記録媒体用潤滑膜を提供することにある。
【００１６】
さらにまた、本発明の目的は、本発明による優れた磁気記録媒体を格納した磁気記録装置を提供することにある。
【００１７】
本発明の上記したような目的やその他の目的は、以下の詳細な説明から容易に理解することができるであろう。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、その１つの面において、非磁性の基板の上に、磁気記録層、炭素系保護膜及び潤滑膜が順次積層された磁気記録媒体において、
前記潤滑膜を形成した後に前記保護膜及び前記潤滑膜を酸化もしくは窒素化し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供したこと、あるいは前記保護膜を形成した後にその保護膜を酸化もしくは窒素化し、引き続いて前記潤滑膜を形成し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供したこと、
を特徴とする磁気記録媒体にある。
【００１９】
また、本発明は、そのもう１つの面において、非磁性の基板の上に、磁気記録層、炭素系保護膜及び潤滑膜が順次積層された磁気記録媒体において用いられる潤滑膜であって、
前記潤滑膜を形成した後に前記保護膜及び前記潤滑膜を酸化もしくは窒素化し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供すること、あるいは
前記保護膜を形成した後にその保護膜を酸化もしくは窒素化し、引き続いて前記潤滑膜を形成し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供すること、
を特徴とする磁気記録媒体用潤滑膜にある。
【００２０】
また、この発明に関連して、本発明に従うと、非磁性の基板の上に、磁気記録層、炭素系保護膜及び潤滑膜が順次積層された磁気記録媒体において用いられる潤滑膜を製造する方法であって、
前記潤滑膜を形成した後に前記保護膜及び前記潤滑膜を酸化もしくは窒素化し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供すること、あるいは
前記保護膜を形成した後にその保護膜を酸化もしくは窒素化し、引き続いて前記潤滑膜を形成し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供すること、
を特徴とする潤滑膜の製造方法も提供される。
【００２１】
さらに、本発明は、そのもう１つの面において、磁気記録媒体において情報の記録・再生を行う磁気ヘッドを備えた磁気記録装置であって、
前記磁気記録媒体が、本発明の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録装置にある。
【００２２】
【発明の実施の形態】
本発明による磁気記録媒体は、炭素系保護膜上に形成される潤滑膜を上記しかつ以下において詳述するように改良した相違点を除いて、磁気記録媒体として一般的に知られ、かつ実施されているものと同様な層構成を有することができる。よって、以下、図２の基本構成を参照して本発明の磁気記録媒体を説明する。
【００２３】
図２の磁気記録媒体１０は、非磁性の基板１の上に、下地層３、磁気記録層５、炭素系保護膜７、そして潤滑膜９を順次形成している。磁気記録媒体１０は、本発明の範囲内において種々の変更や改良、例えば、磁気記録層５の多層化、炭素系保護膜７の２層化、任意の位置における中間層の追加などを行うことができ、さもなければ、含まれる層に任意の化学処理等を施すこともできる。実際、現用の磁気記録媒体の層構成は、図示したものよりも非常に複雑になっている。なお、磁気記録媒体は、通常、ディスクの形態で提供されるが、必要ならば、その他の形態であってもよい。
【００２４】
本発明の磁気記録媒体において、非磁性の基板は、この技術分野において常用のいろいろな材料から形成することができる。適当な非磁性の基板としては、以下に列挙するものに限定されるわけではないけれども、例えば、アルミニウム又はアルミニウム合金の基板、ガラス又は強化ガラスの基板、表面酸化膜（例えばシリコン酸化膜）を有するシリコン基板、ＳｉＣ基板、カーボン基板、プラスチック基板、セラミック基板などを挙げることができる。特に、アルミニウム又はアルミニウム合金の基板やガラス又は強化ガラスの基板を有利に使用することができる。
【００２５】
非磁性の基板の上には、必要に応じて、非磁性の金属の薄膜が硬化層として積層される。金属硬化層の存在によって、基板の機械的強度を高めることができるからである。通常、ＮｉＰのめっき層などが、硬化層として有利に使用される。また、かかる硬化層を備えた非磁性の基板は、この分野において非磁性の基体とも呼ばれている。
【００２６】
非磁性の基板あるいは非磁性の基体の表面には、通常、磁気記録媒体に対する磁気ヘッドの吸着を防ぐために、「テクスチャ」と呼ばれるミクロな凹凸(通常、０．０１μｍのオーダの凹凸)を加工するのが好ましい。テクスチャ加工は、研磨テープやスラリー（遊離砥粒）を用いて行うことができる。
【００２７】
非磁性の基板の上の下地層は、磁気記録媒体において常用の一般的な非磁性金属材料から形成することができ、好ましくは、クロムを主成分とする非磁性金属材料から形成することができる。下地層は、単層であっても２層もしくはそれ以上の多層構造であってもよい。多層構造の下地層の場合、それぞれの層の組成は任意に変更することができる。かかる下地層は、特に、クロムのみを主成分とする金属材料あるいはクロム及びモリブデンを主成分とする金属材料から有利に構成することができる。例えば、磁気記録媒体の磁気記録層に白金が含まれるような場合には、クロム及びモリブデンを主成分とする金属材料から下地層を構成するのが好ましい。すなわち、モリブデンの添加によって、格子面間隔を広げることができ、また、磁気記録層の組成、特に白金量によって広がる磁気記録層の格子面間隔に対して下地層の格子面間隔を近くしてやることにより、磁気記録層（ＣｏＣｒ系合金）のＣ軸の面内への優先配向を促すことができるからである。適当な下地層の材料の例として、例えば、Ｃｒ、ＣｒＷ、ＣｒＶ、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏなどを挙げることができる。このような下地層は、好ましくは、例えばマグネトロンスパッタ法などのスパッタ法により、常用の成膜条件により形成することができる。特に、保磁力を高めるため、ＤＣ負バイアスの印加下にスパッタ法を実施するのが好ましい。適当な成膜条件として、例えば、約１００〜３００℃の成膜温度、約１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、そして約１００〜３００ＶのＤＣ負バイアスを挙げることができる。また、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。かかる下地層の膜厚は、種々のファクタに応じて広い範囲で変更することができる。下地層の膜厚は、この範囲に限定されるものではないけれども、Ｓ／Ｎ比を高めるため、一般的には５〜６０ｎｍの範囲である。下地層の膜厚が５ｎｍを下回ると、磁気特性が十分に発現しないおそれがあり、また、反対に６０ｎｍを上回ると、ノイズが増大するおそれがある。
【００２８】
本発明の磁気記録媒体は、必要に応じて、非磁性の基板あるいは非磁性の基体とその上方の前記下地層との中間に、チタンを主成分とする金属材料からなる追加の下地層、好ましくはＴｉ薄膜を有していてもよい。このような中間層は、両者の結合関係をより向上させるであろう。
【００２９】
本発明の磁気記録媒体において、非磁性の下地層の上に形成されるべき磁気記録層は、下地層と同様に、常用の磁気記録媒体において一般的な磁気記録層から形成することができる。磁気記録層は、単層であってもよく、２層もしくはそれ以上の多層構造であってもよい。多層構造の磁気記録層の場合、それぞれの磁気記録層の組成は同一もしくは異なっていてもよく、また、必要に応じて、磁気記録層の間に中間層を介在させて、磁気記録特性の向上などを図ってもよい。
【００３０】
例えば、磁気記録層は、コバルト合金層から有利に形成することができる。例えば、磁気記録層は、コバルトを主成分として含有するとともに、１４〜２３ａｔ％のクロムと、１〜２０ａｔ％の白金を含むことができる。また、かかるコバルト合金に、タングステン、カーボンなどを添加して、四元系合金又は五元系合金としてもよい。
【００３１】
本発明の磁気記録媒体において、その磁気記録層は、単層構造及び２層構造にかかわりなく、３０〜１８０Ｇμm のｔＢｒ（磁気記録層の膜厚ｔと残留磁化密度Ｂｒの積）を有していることが好ましい。特に、単層構造の磁気記録層は、５０〜１８０Ｇμm のｔＢｒを有していることが好ましく、また、２層構造の磁気記録層は、３０〜１６０Ｇμm のｔＢｒを有していることが好ましい。本発明の磁気記録層は、従来の磁気記録層に比較して低Ｂｒに構成したことにより、特にＭＲヘッドをはじめとした磁気抵抗効果型ヘッド用として最適である。
【００３２】
非磁性基板上に下地層を介して設けられる磁気記録層は、好ましくは、スパッタ法により、特定の成膜条件下で有利に形成することができる。特に、保磁力を高めるため、ＤＣ負バイアスの印加下にスパッタ法を実施するのが好ましい。スパッタ法としては、上記した下地層の成膜と同様、例えばマグネトロンスパッタ法などを使用することができる。適当な成膜条件として、例えば、約１００〜３５０℃の成膜温度、好ましくは約２００〜３２０℃の温度、特に好ましくは２５０℃前後の温度、約１〜１０ｍＴｏｒｒのＡｒガス圧力、そして約８０〜４００ＶのＤＣ負バイアスを挙げることができる。ここで、約３５０℃を上回る成膜温度は、本来非磁性であるべき基板において磁性を発現する可能性があるので、その使用を避けることが望ましい。また、必要に応じて、スパッタ法に代えて、他の成膜法、例えば蒸着法、イオンビームスパッタ法等を使用してもよい。磁気記録層の形成の好ましい一例を示すと、非磁性基板がＮｉＰめっき付きのアルミニウム基板である場合、前記磁気記録層を、スパッタ法で、ＤＣ負バイアスの印加下に、約２２０〜３２０℃の成膜温度で、上記の合金から有利に形成することができる。
【００３３】
本発明の磁気記録媒体は、磁気記録層の上に、それを保護する炭素系保護膜を備える。炭素系保護膜は、通常、カーボンの単独から、あるいはカーボン化合物、例えばＷＣ、ＳｉＣ、Ｂ4 Ｃ、水素含有Ｃなどから、単層もしくは多層で形成される。場合によっては、かかるカーボンあるいはカーボン化合物中に、窒素などがドープされていてもよい。
【００３４】
また、かかる炭素系保護膜は、ＳＰ３結合とＳＰ２結合が混在しており、ＳＰ２結合の量が、保護膜の表層部分においてＳＰ３結合の量よりも多量になるように、形成されているのが好ましい。これは、炭素系保護膜の優れた特性は、その膜中に含まれる炭素間結合に大きく由来していることが知られているからである。すなわち、炭素系保護膜の炭素間結合は、ダイヤモンド的であるＳＰ３結合とグラファイト的であるＳＰ２結合の両者が混在している状態であるが、ＳＰ２／ＳＰ３で表される存在量の比がより小さいほど、より高硬度となることが知られている。したがって、ＳＰ３結合性の高い保護膜を形成することは、その機械的強度、ひいては磁気ディスクの機械的強度を向上させる点で有効である。しかしながら、ＳＰ２／ＳＰ３比が小さい炭素系保護膜の場合、それに対する潤滑剤の付着が十分でないという問題をかかえている。これは、潤滑剤がその末端に各種の極性基を有しているので、表面安定な炭素系保護膜の上に乗りにくいからである。したがって、磁気ディスクを長期間にわたって使いつづけると、ディスクの回転に伴う遠心力により潤滑剤がディスクの円周部へ移行せしめられたり、飛散せしめられたりする。すなわち、炭素系保護膜から潤滑剤層が除かれた状態となるので、磁気記録層が損傷や破損を被ったり、磁気ヘッドがクラッシュを生じたりする。このような問題を避けるため、上記したように、ＳＰ２結合の量が、保護膜の表層部分においてＳＰ３結合の量よりも多量になるように、形成されているのが好ましいわけである。なお、多層構造の炭素系保護膜を形成する場合には、ＳＰ２結合の量が、上層で多く、下層で少なくなるように配慮することが好ましい。上層及び下層の保護膜は、通常、上記したようなカーボン又はカーボン化合物を任意に組み合わせて形成することができる。
【００３５】
炭素系保護膜は、それが単層構造あるいは多層構造のいずれであろうとも、磁気記録媒体に一般的に使用されているようないろいろな膜厚を有することができる。炭素系保護膜の膜厚は、通常、５０ｎｍ以下であり、好ましくは１〜２０ｎｍであり、さらに好ましくは５〜１０ｎｍである。なお、炭素系保護膜の膜厚が１ｎｍを下回ると、その特性が経時的に劣化したり、連続した膜が得られないといった問題が発生する。
【００３６】
本発明の炭素系保護膜は、任意の成膜法に従って形成することができる。適当な成膜法としては、例えば、下記のものに限定されるわけではないけれども、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンビーム堆積法、イオンビーム蒸着法などを挙げることができる。また、必要に応じて、最近開発された技術であるFiltered Cathodic Arc 法（ＦＣＡ法）を用いてもよい。高被覆性、高硬度の面から、ＣＶＤ法などを特に有利に使用することができる。
【００３７】
本発明の磁気記録媒体の場合、上記した炭素系保護膜の上にさらに潤滑膜が形成される。潤滑膜自体は、常法に従って適当な潤滑剤を薄く塗布及び含浸することによって形成することができる。適当な潤滑剤は、フルオロカーボン樹脂系の液体潤滑剤であり、例えば、フォンブリン（Fomblin）、クライトックス（Krytox）などという商品名で容易に入手可能である。また、フルオロカーボン樹脂系の液体潤滑剤に代えて、アミン塩系の液体潤滑剤やその他の潤滑剤を使用することもできる。例えば、アミン塩系の液体潤滑剤としては、パーフルオロポリエーテルの１種であるが、カルボキシル基を有するパーフルオロポリエーテル、例えばフォンブリンＤＩＡＣと直鎖アミンＣＨ３（ＣＨ２）ｎＮＨ２の中和反応生成物などがある。かかる潤滑剤は、磁気ヘッドと磁気記録媒体が接触して磁気記録データを破壊するヘッドクラッシュを防止し、しかもヘッドと媒体の摺動に伴う摩擦力を低減させ、媒体の寿命を延ばす働きがある。
【００３８】
上記したような潤滑膜は、ディップコート法、スピンコート法、スプレーコート法などの常用の塗工法を使用して、所望とする膜厚で形成することができる。また、必要ならば、溶剤を使用しないで、蒸着法などによって潤滑膜を形成してもよい。潤滑膜の膜厚は、通常、約０．１ｎｍ以上〜２．０ｎｍ以下、さらに好ましくは約０．５〜１．５ｎｍの範囲である。
【００３９】
本発明の磁気記録媒体では、この潤滑膜の形成及び処理が非常に重要であり、引き続いてこれについて説明する。
【００４０】
本発明では、磁気記録媒体の潤滑膜を製造する際に、潤滑膜に対して下記のような追加の処理を施すことが必要である。
【００４１】
第１の方法によると、図３に示すように、炭素系保護膜の上に潤滑膜を形成した後、それらの保護膜及び潤滑膜を同時に酸化処理に供し、さらに続けて磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供する。
【００４２】
ここで、炭素系保護膜の形成は、例えば、前記したように、カーボン又はその化合物をスパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンビーム堆積法、イオンビーム蒸着法、ＦＣＡ法などによって成膜することによって行うことができる。
【００４３】
炭素系保護膜の形成が完了した後、その上にさらに潤滑膜を形成する。潤滑膜は、例えば、前記したように、フルオロカーボン樹脂系の液体潤滑剤やアミン塩系の液体潤滑剤をディップコート法、スピンコート法、スプレーコート法などによって成膜することによって行うことができる。また、このような溶液を使用する方法に代えて、溶液を使わずに真空中で蒸着することによって潤滑膜を形成してもよい。
【００４４】
ディップコート法による潤滑膜の形成は、例えば、図４に模式的に示すようにして行うことができる。溶剤、好ましくはフッ素系の溶剤、例えばバートレルＸＦ（Ｃ５Ｈ２Ｆ１０、デュポン社製)にフッ素系潤滑剤を０．００１〜０．１容量％の濃度で溶解して得た溶液を浸漬浴２１に入れ、これに保護膜付き基板１を浸漬した後、引き上げ速度１〜４００ｍｍ／分でディップ塗布を行う。潤滑剤を乾燥させると、目的とする潤滑膜が得られる。
【００４５】
同様に、例えばバートレルＸＦにアミン塩系潤滑剤を０．００１〜０．１容量％の濃度で溶解して得た溶液を浸漬浴２１に入れ、これに保護膜付き基板１を浸漬した後、引き上げ速度１〜４００ｍｍ／分でディップ塗布を行っても、目的とする潤滑膜を得ることができる。
【００４６】
次いで、保護膜と潤滑膜を備えた基板を酸化処理する。本発明では、この酸化処理をいろいろな方法で行うことができるが、磁気記録媒体をオゾン雰囲気に暴露すること、磁気記録媒体に酸素の存在下で紫外線を照射すること、あるいは磁気記録媒体を酸素プラズマに暴露することによって行うことが好ましい。酸化処理の結果、保護膜の表面と潤滑膜が同時に酸化される。
【００４７】
例えば、磁気記録媒体をオゾン雰囲気に暴露する酸化処理方法は、例えば図５に模式的に示すように、オゾンを充満させた処理容器２２に保護膜と潤滑膜を備えた基板１を所定の時間にわたって滞留させることによって行うことができる。
【００４８】
また、磁気記録媒体に酸素の存在下で紫外線を照射する酸化方法は、例えば図６に模式的に示すように、酸素の存在下で、保護膜と潤滑膜を備えた基板１に対してＵＶ光照射装置２３からのＵＶ光を所定の強度でかつ所定の時間にわたって照射することによって行うことができる。ここで照射するＵＶ光は、１種類の波長であってもよく、２種類以上の波長の組み合わせであってもよい。後者の場合、例えば、２５４ｎｍの波長と１８５ｎｍの波長の組み合わせを有利に使用することができる。
【００４９】
さらに、磁気記録媒体を酸素プラズマに暴露する酸化方法は、例えば図７に模式的に示すように、保護膜と潤滑膜を備えた基板１を酸素プラズマ反応装置２４に収容した後、基板１を酸素プラズマに暴露することによって行うことができる。
【００５０】
基板の酸化処理が完了した後、ＣＦ４プラズマ処理工程に移行する前、酸化処理後の基板を高められた温度で熱処理（ベーク処理）してもよい。
【００５１】
ベーク処理は、例えば、酸化処理後の基板を恒温容器中に保持して、所定温度、例えば１２０℃程度で行うことができる。このベーク処理を潤滑膜に施すことで、さらに撥水性を向上させ、また残存する揮発性の汚染物資がある場合にはこれを除去できるので、磁気ディスク表面での汚染をより確実に防止することができる。なお、このベーク処理は通常３０分以内の短時間で完了するので、膜減りの問題は発生しない。
【００５２】
また、上記のようなベーク処理は、必要ならば、他の工程で行ってもよい。例えば、プラズマ処理後の基板を上記のようにして所定の温度でベーク処理してもよい。
【００５３】
上記のようにして酸化処理が完了した後、さらに続けて磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露して処理する。このＣＦ４プラズマ処理工程は、例えば図８模式的に示すように、酸化処理後の基板１をＣＦ４プラズマ反応装置２５に収容した後、基板１をＣＦ４プラズマに暴露することによって行うことができる。この場合のプラズマ処理条件は、例えば、放置時間：約１〜１０分、電圧：約１００〜１００００Ｗ、ＣＦ４流量：約１０〜１０００ｓｓｃｍである。
【００５４】
以上のような一連の処理工程を経て、所望の特性を備えた本発明の磁気記録媒体を得ることができる。
【００５５】
また、第２の方法によると、図９に示すように、炭素系保護膜の上に潤滑膜を形成した後、それらの保護膜及び潤滑膜を同時に窒素化処理に供し、さらに続けて磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供する。すなわち、この方法の場合、上記した第１の方法において、酸化処理に代えて窒素化処理を採用していることが特徴であり、基本的には、上記した方法と同様にして実施できる。なお、この方法の場合、アミン塩系の潤滑剤を有利に使用することができる。
【００５６】
酸化処理と同様に窒素化処理もいろいろな方法によって行うことができるが、磁気記録媒体に窒素の存在下で紫外線を照射すること、あるいは前記磁気記録媒体を窒素プラズマに暴露することによって行うことが好ましい。窒素化処理の結果、保護膜の表面と潤滑膜を同時に窒素化することができる。
【００５７】
例えば、磁気記録媒体に窒素の存在下で紫外線を照射する窒素化方法は、例えば先に図６を参照して説明した方法と同様に、窒素の存在下で、保護膜と潤滑膜を備えた基板に対してＵＶ光照射装置からのＵＶ光を所定の強度でかつ所定の時間にわたって照射することによって行うことができる。ここで照射するＵＶ光は、１種類の波長であってもよく、２種類以上の波長の組み合わせであってもよい。後者の場合、例えば、２５４ｎｍの波長と１８５ｎｍの波長の組み合わせを有利に使用することができる。
【００５８】
また、磁気記録媒体を窒素プラズマに暴露する窒素化方法は、例えば先に図７を参照して説明した方法と同様に、保護膜と潤滑膜を備えた基板を窒素プラズマ反応装置に収容した後、基板を窒素プラズマに暴露することによって行うことができる。
【００５９】
さらに、第３の方法によると、図１０に示すように、下地層の上に炭素系保護膜を形成した後にその保護膜を酸化処理に供し、引き続いて潤滑膜を形成し、さらに続けて磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供する。
【００６０】
この第３の方法は、酸化処理のタイミングを変更した違いを除いて、前記した第１の方法と同様にして実施できる。炭素系保護膜の酸化は、前記した酸化処理と同様に、保護膜付きの基板に対して酸素の存在下で１種もしくは２種類以上の波長のＵＶ光を混合して照射すること、あるいはそのような基板を酸素プラズマに曝露すること、あるいはそのような基板をオゾン中に曝露すること、などによって有利に実施できる。
【００６１】
さらにまた、第４の方法によると、図１１に示すように、下地層の上に炭素系保護膜を形成した後にその保護膜を窒素化処理に供し、引き続いて潤滑膜を形成し、さらに続けて磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供する。なお、この方法の場合、アミン塩系の潤滑剤を有利に使用することができる。
【００６２】
この第４の方法は、窒素化処理のタイミングを変更した違いを除いて、前記した第２の方法と同様にして実施できる。炭素系保護膜の窒素化は、例えば、前記した窒素化処理と同様に、保護膜付きの基板に対して窒素の存在下で１種もしくは２種類以上の波長のＵＶ光を混合して照射すること、あるいはそのような基板を窒素プラズマに曝露すること、などによって有利に実施できる。
【００６３】
本発明は、上記したような磁気記録媒体及び潤滑膜とそれらの製造方法の他に、本発明の磁気記録媒体を格納し、その記録媒体において情報の記録・再生を行う磁気ヘッドを備えた磁気記録装置、例えば磁気ディスク装置（ディスクドライブ装置ともいう）にある。本発明の磁気記録装置は、それに格納される磁気記録媒体が本発明の記録媒体であるという相違点を除いて、基本的には従来一般的に使用されている磁気記録装置と同様な構成を有することができる。
【００６４】
本発明の磁気記録装置において、その磁気ヘッドは、任意であるけれども、磁気記録装置に対して近年特に高密度化の要求が高まっていることを考慮して、従来の巻線型のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに代えて、磁界の強さに応じて電気抵抗が変化する磁気抵抗素子を使用した磁気抵抗効果型ヘッド、すなわち、ＭＲヘッドを使用することが推奨される。ＭＲヘッドは、磁性体の電気抵抗が外部磁界により変化する磁気抵抗効果を記録媒体上の信号の再生に応用したもので、従来のインダクティブ薄膜磁気ヘッドに較べて数倍も大きな再生出力幅が得られること、イングクタンスが小さいこと、大きなＳ／Ｎ比が期待できること、などを特徴としている。また、このＭＲヘッドとともに、異方性磁気抵抗効果を利用したＡＭＲヘッド、巨大磁気抵抗効果を利用したＧＭＲヘッド、そしてその実用タイプであるスピンバルブＧＭＲヘッドの使用も推奨される。なお、磁気ヘッドは、磁気記録媒体において情報の再生を行うための再生ヘッド部において用いられ、また、この再生ヘッド部に組み合わせて、磁気記録媒体において情報の記録を行うための記録ヘッド部が備えられる。記録ヘッド部は、通常、薄膜で形成された一対の磁極を有する誘導型の記録ヘッド部である。
【００６５】
本発明の磁気記録装置は、磁気ディスク装置を例にとって説明すると、例えばその記録ヘッド部及び再生ヘッド部を図１２及び図１３に示すような積層構造とすることができる。図１２は、本発明の磁気ディスク装置の原理図であり、図１３は、図１２の線分Ｂ−Ｂにそった断面図である。
【００６６】
図１２及び図１３において、参照番号１１は磁気ディスクへの情報の記録を行う誘導型の記録ヘッド部、１２は情報の読み出しを行う磁気抵抗効果型の再生ヘッド部である。記録ヘッド部１１は、ＮｉＦｅ等からなる下部磁極（上部シールド層）１３と、一定間隔をもって下部磁極１３と対向したＮｉＦｅ等からなる上部磁極１４と、これらの磁極１３及び１４を励磁し、記録ギャップ部分にて、磁気ディスクに情報の記録を行わせるコイル１５等から構成される。
【００６７】
再生ヘッド部１２は、好ましくはＡＭＲヘッドやＧＭＲヘッド等でもって構成されるものであり、その磁気抵抗効果素子部１２Ａ上には、磁気抵抗効果素子部１２Ａにセンス電流を供給するための一対の導体層１６が記録トラック幅に相応する間隔をもって設けられている。ここで、導体層１６の膜厚は、磁気抵抗効果素子部１２Ａの近傍部分１６Ａが薄く形成され、他の部分１６Ｂは厚く形成されている。
【００６８】
上記した磁気ヘッドは、セラミック製のヘッド基板上に薄膜形成技術を用いて多数形成される。その後、ヘッド基板をヘッドごとに切り出し所定の形状に加工することにより、図１４に示す磁気ヘッド付きのスライダが得られる。図１４において、スライダ４０の磁気ディスクに対向する面には、その磁気ディスクの回転によって生じる空気流の方向にそった浮上力発生用レール４１及び４２が設けられている。これらのレール４１及び４２の浮上面の空気流入側部分には、それぞれ、傾斜面４１ａ及び４２ａが形成されている。また、レール４１及び４２には、図示されるように、突起４６が形成されている。突起４６は、ＤＬＣ製であり、その高さは約３０〜４０ｎｍである。これらの突起４６は、磁気ヘッドが磁気ディスクに吸着されるのを有効に防止することができる。そして、スライダ４０におけるレール４２の後端面に、磁気ヘッド（ここではＧＭＲヘッド）４５が形成されている。
【００６９】
スライダ４０に対して上記したような構成を導入することによって、吸着を防止するために磁気ディスクの表面にレーザ加工で突起を形成することが不要になり、また、磁気ヘッドと磁気ディスクの突起部との摺動により塵埃が発生することも防止される。また、磁気ヘッドの誤動作などがあってそのヘッドが磁気ディスクに不用意に接触するようなことがあっても、吸着によるヘッドのダメージが発生することがなく、信頼性の高い磁気ディスク装置を実現することができる。
【００７０】
本発明による磁気ディスク装置の一例は、図１５及び図１６に示す通りである。なお、図１５は、図１４に示した磁気ヘッド付きのスライダを備えた磁気ディスク装置の平面図（カバーを除いた状態）であり、図１６は、図１５の線分Ａ−Ａにそった断面図である。
【００７１】
これらの図において、参照番号５０は、ベースプレート５１上に設けられたスピンドルモータ５２によって回転駆動される複数枚（図示の態様では３枚）の磁気ディスクを示している。また、５３は、ベースプレート５１上に回転可能に設けられたアクチュエータである。このアクチュエータ５３の一方の回転端部には、磁気ディスク５０の記録面方向に延出する複数のヘッドアーム５４が形成されている。このヘッドアーム５４の回転端部には、スプリングアーム５５が取り付けられ、更に、このスプリングアーム５５のフレクシャー部に前述のスライダ４０が図示しない絶縁膜を介して傾動可能に取り付けられている。一方、アクチュエータ５３の他方の回転端部には、コイル５７が設けられている。
【００７２】
ベースプレート５１上には、マグネット及びヨークで構成された磁気回路５８が設けられ、この磁気回路５８の磁気ギャップ内に、上記コイル５７が配置されている。そして、磁気回路５８とコイル５７とでムービングコイル型のリニアモータ（ＶＣＭ：ボイスコイルモータ）が構成されている。そして、これらベースプレート５１の上部はカバー５９で覆われている。
【００７３】
【実施例】
引き続いて、本発明をその実施例を参照して説明する。なお、本発明は、これらの実施例によって限定されるものでないことは言うまでもない。
実施例１
下記の層構成を有する磁気ディスクを製造した。
【００７４】
0003904143.tif 000002
ドーナッツ状のアルミニウム（Ａｌ）基板の上にＮｉＰをめっきしてＮｉＰめっき層を形成した後、その表面を良く洗浄し、さらにテクスチャ処理を施した。テクスチャ処理は、回転している基板の表面に研磨テープを押し当てることで実施した。円周方向に、微細なテクスチャ溝が形成された。
【００７５】
次いで、得られたＮｉＰ／Ａｌ基板に、ＤＣマグネトロンスパッタ装置により、ＣｒＭｏ１０（ａｔ％）下地層、そしてＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ系磁気記録層を順次積層した。まず、下地層の成膜前にスパッタ室内を３×１０-7Ｔｏｒｒ以下に排気し、基板温度を２８０℃に高め、Ａｒガスを導入してスパッタ室内を５ｍＴｏｒｒに保持し、−２００Ｖのバイアスを印加しながら、下地層としてのＣｒＭｏを３０ｎｍ厚に成膜した。さらに、下地層の成膜に続けて、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ膜をそのＢｒｔが１００Ｇμｍ（２７ｎｍ厚）となるように成膜した。成膜に使用したターゲットは、ＣｏＣｒターゲットにＰｔ、Ｔａ、Ｎｂチップを配置した複合ターゲットであった。
【００７６】
上記のようにして磁気記録層を形成した後、その上に炭素系保護膜を次のような手法に従って形成した。
【００７７】
下層の炭素系保護膜をＣＶＤ法で形成した。まず、ＲＦプラズマＣＶＤ装置に原料ガスを導入した。本例で使用した原料ガスは、炭化水素（メタン）と放電ガス（アルゴン）の１：１の混合物である。放電出力７００Ｗ、成膜室内圧力３ｍТоｒｒの条件でＣＶＤ法を実施したところ、ＤＬＣ膜が膜厚７ｎｍで得られた。
【００７８】
次いで、上層の炭素系保護膜をスパッタリング法で形成した。グラファイト焼結体をターゲットに、アルゴン及び水素を放電ガスとして使用した。放電出力３ｋＷ、成膜室内圧力２ｍТоｒｒの条件でスパッタリング法を実施したところ、ＤＬＣ膜が膜厚３nmで得られた。したがって、炭素系保護膜の膜厚は、合計して１０ｎｍであった。
【００７９】
引き続いて、上記のようにして形成した炭素系保護膜の表面に潤滑剤を塗布し、潤滑剤膜を形成した。本例では、イタリア・アウジモンド社製の「フォンブリンＡＭ３００１」（商品名）を潤滑剤として使用した。この潤滑剤を溶剤、バートレルＸＦ(デュポン社製)に０．０２容量％の濃度で溶解した後、得られた潤滑剤溶液を用いて、浸漬時間３０秒、引き上げ速度４００ｍｍ／分でディップコートを行った。潤滑膜が膜厚１．０ｎｍで得られた。
【００８０】
次いで、基板上の保護膜の表面と潤滑膜を同時に酸化処理した。酸素の存在下で、基板の表面に対してＵＶ光照射装置からのＵＶ光を照射した。ここで使用したＵＶ光は、波長２５４ｎｍのＵＶ光と波長１８５ｎｍのＵＶ光の混合光であった。
【００８１】
さらに続けて、酸化処理後の基板をＣＦ４プラズマで処理した。このＣＦ４プラズマ処理のため、酸化処理後の基板をＣＦ４プラズマ反応装置収容した後、放置時間：約５分、電圧：約１０００Ｗ、ＣＦ４流量：約１００ｓｓｃｍで処理した。
実施例２
前記実施例１の手法を繰り返したが、本例では、潤滑剤として、フッ素系潤滑剤に代えてアミン塩系潤滑剤を使用し、炭素系保護膜を形成した後であって潤滑膜を形成する前に、酸化処理に代えた窒素化処理を行い、また、潤滑膜を形成した後であってＣＦ４プラズマ処理を行う前、潤滑膜付きの基板をベーク処理した。
【００８２】
本例では、したがって、炭素系保護膜の窒素化のため、保護膜付きの基板を窒素プラズマ反応装置に収容した後、その基板を窒素プラズマに暴露した。この窒素プラズマ処理の条件は、放置時間：約５分、電圧：約１０００Ｗ、Ｎ２流量：約１００ｓｓｃｍであった。
【００８３】
また、窒素化保護膜の上に潤滑膜を形成するため、バートレルＸＦ(デュポン社製)にアミン塩系潤滑剤を０．１容量％の濃度で溶解して得た溶液に保護膜付き基板を浸漬した。ここで使用したアミン塩系潤滑剤は、フォンブリンＤＩＡＣと直鎖アミンＣＨ３（ＣＨ２）ｎＮＨ２の中和反応生成物であった。その後、基板引き上げ速度４００ｍｍ／分で潤滑剤のディップ塗布を行い、さらにその後、１２０℃で６０分間にわたって加熱し、ベークした。
【００８４】
ベーク処理後のＣＦ４プラズマ処理は、前記実施例１と同様にして実施した。比較例１〜５
前記実施例１の手法を繰り返したが、本例では、比較のため、下記のように、本発明で必須の酸化処理、窒素化処理又はＣＦ４プラズマ処理のいずれか１つを少なくとも省略した。
比較例１：酸化処理、窒素化処理及びＣＦ４プラズマ処理のいずれも含まず。
比較例２：ＣＦ４プラズマ処理のみを含む。
比較例３：酸化処理（ＵＶ処理）のみを含む。
比較例４：酸化処理、窒素化処理及びＣＦ４プラズマ処理のいずれも含まず。ただし、潤滑剤の塗布後に１２０℃で６０分間にわたって加熱し、ベークした。
比較例５：潤滑膜の形成前、炭素系保護膜付きの基板を窒素プラズマで処理して窒素化した。次いで、潤滑剤を塗布し、１２０℃で６０分間にわたって加熱し、ベークした。ＣＦ４プラズマ処理は、省略した。
〔評価試験〕
前記実施例１及び２ならびに比較例１〜５のそれぞれにおいて製造した磁気ディスクを次の２項目に関して評価試験した。
（１）含Ｓｉ接着剤暴露試験
本試験は、接着剤成分であるＳｉが媒体表面に付着するのを防止する性能を評価するためのものである。
【００８５】
まず、７．０ｇの市販のシリコーン系接着剤（東レ・ダウコーニング社製の「ＳＥ４４５０（商品名）」）をアルミニウム箔上に均一に伸ばした後、約１００℃で焼き固めた。このアルミニウム箔を各例で製造した磁気ディスクと一緒にデシケータに入れ、約６５℃で２０時間放置した。次いで、デシケータから磁気ディスクを取り出し、その表面に付着している接着剤の量をＳｉ＋量に関して測定した。この測定のため、Ｇａ＋を一次イオンとして照射し、出てくる二次イオン（ここでは、Ｓｉ＋）を調べるＴОＦ−ＳＩＭＳ（Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy）法を採用した。
【００８６】
図１７及び図１８は、この試験によって得られた測定結果（強度のカウント数）をプロットしたものであり、図中、１は実施例１、２は実施例２、Ｃ１〜Ｃ５は、それぞれ、比較例１〜比較例５である。これらの測定結果から、比較例に比べて、ＣＦ４プラズマ処理を加えた本発明の実施例では、媒体表面に対するＳｉ付着量を減少させることができたことがわかる。
（２）ヘッド浮上時でのヘッド−媒体相互作用のＡＥ信号の測定試験
本試験は、コンタミネーションが媒体表面に付着するのを防止する性能を評価するためのものである。
【００８７】
各例で製造した磁気ディスクを磁気ディスク検査装置（日立電子エンジニアリング社製の「ＲＱ７０００（商品名）」）に搭載し、ヘッドを浮上させたときのヘッドと媒体の相互作用により生じるＡＥ信号の出力(Output)を測定した。
【００８８】
図１９〜図２５は、それぞれ、比較例１〜比較例５ならびに実施例１及び２の磁気ディスクの測定結果を順次プロットしたものである。これらの測定結果から理解されるように、比較例（潤滑剤の塗布後にＵＶ処理、窒素化、ＤＬＣ保護膜への潤滑剤塗布とベーク）のように相互作用を減少させる効果は、本発明の実施例でも損なわれることはない。したがって、本発明では、潤滑剤を炭素系保護膜表面に強固に吸着させることと、コンタミネーションが付着し難いことを両立させることが可能となる。
【００８９】
最後に、本発明のさらなる理解のため、本発明の好ましい実施形態を整理すると、次の通りである。
（付記１）非磁性の基板の上に、磁気記録層、炭素系保護膜及び潤滑膜が順次積層された磁気記録媒体において、
前記潤滑膜を形成した後に前記保護膜及び前記潤滑膜を酸化もしくは窒素化し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供したこと、あるいは
前記保護膜を形成した後にその保護膜を酸化もしくは窒素化し、引き続いて前記潤滑膜を形成し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供したこと、
を特徴とする磁気記録媒体。
（付記２）前記酸化処理が、前記磁気記録媒体をオゾン雰囲気に暴露すること、前記磁気記録媒体に酸素の存在下で紫外線を照射すること、あるいは前記磁気記録媒体を酸素プラズマに暴露することによって行ったものであることを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。
（付記３）前記窒素化処理が、前記磁気記録媒体に窒素の存在下で紫外線を照射すること、あるいは前記磁気記録媒体を窒素プラズマに暴露することによって行ったものであることを特徴とする付記１に記載の磁気記録媒体。
（付記４）前記潤滑膜が０．１〜２．０ｎｍの膜厚を有していることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（付記５）前記炭素系保護膜が、カーボン又はその化合物からなり、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンビーム堆積法、イオンビーム蒸着法又はＦＣＡ法によって成膜されたものであることを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（付記６）前記潤滑膜が、フルオロカーボン樹脂系の液体潤滑剤又はアミン塩系の液体潤滑剤からなり、ディップコート法、スピンコート法もしくはスプレーコート法あるいは蒸着法によって形成されたものであることを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（付記７）非磁性の基板と、その上に順次積層された、クロム系下地層、コバルト合金からなる磁気記録層、炭素系保護膜、そして潤滑膜とを含んでなることを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
（付記８）非磁性の基板の上に、磁気記録層、炭素系保護膜及び潤滑膜が順次積層された磁気記録媒体において用いられる潤滑膜であって、
前記潤滑膜を形成した後に前記保護膜及び前記潤滑膜を酸化もしくは窒素化し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供すること、あるいは
前記保護膜を形成した後にその保護膜を酸化もしくは窒素化し、引き続いて前記潤滑膜を形成し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供すること、
を特徴とする磁気記録媒体用潤滑膜。
（付記９）前記酸化処理が、前記磁気記録媒体をオゾン雰囲気に暴露すること、前記磁気記録媒体に酸素の存在下で紫外線を照射すること、あるいは前記磁気記録媒体を酸素プラズマに暴露することによって行ったものであることを特徴とする付記８に記載の磁気記録媒体用潤滑膜。
（付記１０）前記窒素化処理が、前記磁気記録媒体に窒素の存在下で紫外線を照射すること、あるいは前記磁気記録媒体を窒素プラズマに暴露することによって行ったものであることを特徴とする付記８に記載の磁気記録媒体用潤滑膜。
（付記１１）０．１〜２．０ｎｍの膜厚を有していることを特徴とする付記８〜１０のいずれか１項に記載の磁気記録媒体用潤滑膜。
（付記１２）非磁性の基板の上に、磁気記録層、炭素系保護膜及び潤滑膜が順次積層された磁気記録媒体において用いられる潤滑膜を製造する方法であって、
前記潤滑膜を形成した後に前記保護膜及び前記潤滑膜を酸化もしくは窒素化し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供すること、あるいは
前記保護膜を形成した後にその保護膜を酸化もしくは窒素化し、引き続いて前記潤滑膜を形成し、さらに続けて前記磁気記録媒体をＣＦ４プラズマに暴露する処理に供すること、
を特徴とする潤滑膜の製造方法。
（付記１３）前記酸化処理が、前記磁気記録媒体をオゾン雰囲気に暴露すること、前記磁気記録媒体に酸素の存在下で紫外線を照射すること、あるいは前記磁気記録媒体を酸素プラズマに暴露することからなることを特徴とする付記１２に記載の潤滑膜の製造方法。
（付記１４）前記窒素化処理が、前記磁気記録媒体に窒素の存在下で紫外線を照射すること、あるいは前記磁気記録媒体を窒素プラズマに暴露することからなることを特徴とする付記１２に記載の潤滑膜の製造方法。
（付記１５）前記潤滑膜を０．１〜２．０ｎｍの膜厚で形成することを特徴とする付記１２〜１４のいずれか１項に記載の潤滑膜の製造方法。
（付記１６）磁気記録媒体において情報の記録・再生を行う磁気ヘッドを備えた磁気記録装置であって、
前記磁気記録媒体が、付記１〜７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録装置。
（付記１７）前記磁気ヘッドが、そのスライダーレール面に突起を備えていることを特徴とする付記１６に記載の磁気記録装置。
（付記１８）前記磁気ヘッドが磁気抵抗効果型ヘッドであることを特徴とする付記１６又は１７に記載の磁気記録装置。
【００９０】
【発明の効果】
以上に詳細に説明したように、本発明によれば、炭素系保護膜の表面を酸化あるいは窒素化するため、保護膜に対する潤滑剤の付着性を向上させて、磁気ヘッドとの相互作用を減少させることができると同時に、コンタミネーションが付着し難い潤滑膜が得られ、磁気記録媒体に優れた耐久性を付与することができる。
【００９１】
また、本発明の磁気記録媒体を磁気記録装置に格納して使用した場合、磁気ヘッドとの相互作用に原因するトラブルの発生などを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のディスクドライブ装置内の磁気ヘッドと回転中のハードディスクとの関係を模式的に示した断面図である。
【図２】本発明による磁気記録媒体の一例を模式的に示した断面図である。
【図３】本発明による磁気記録媒体の製造方法における好ましい１工程（部分）を示したフローチャートである。
【図４】図３の製造方法における潤滑膜形成工程の１方法を示した断面図である。
【図５】図３の製造方法における酸化処理工程の１方法を示した断面図である。
【図６】図３の製造方法における酸化処理工程のもう１つの方法を示した断面図である。
【図７】図３の製造方法における酸化処理工程のさらにもう１つの方法を示した断面図である。
【図８】図３の製造方法におけるＣＦ４プラズマ処理工程の１方法を示した断面図である。
【図９】本発明による磁気記録媒体の製造方法におけるもう１つの好ましい工程（部分）を示したフローチャートである。
【図１０】本発明による磁気記録媒体の製造方法におけるもう１つの好ましい工程（部分）を示したフローチャートである。
【図１１】本発明による磁気記録媒体の製造方法におけるもう１つの好ましい工程（部分）を示したフローチャートである。
【図１２】本発明による磁気記録装置の原理を示す断面図である。
【図１３】図１２の磁気記録装置の線分Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図１４】磁気ヘッド付きのスライダを示す斜視図である。
【図１５】本発明による磁気記録装置の好ましい１例を示す平面図である。
【図１６】図１５の磁気記録装置の線分Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図１７】種々の磁気記録媒体の表面においてシリコン（Ｓｉ）付着量を測定した結果を示すグラフである。
【図１８】種々の磁気記録媒体の表面においてシリコン（Ｓｉ）付着量を測定した結果を示すグラフである。
【図１９】従来の磁気記録媒体においてヘッド−媒体間相互作用の出力（ＡＥ信号）を測定した結果を示すグラフである。
【図２０】従来の磁気記録媒体においてヘッド−媒体間相互作用の出力（ＡＥ信号）を測定した結果を示すグラフである。
【図２１】従来の磁気記録媒体においてヘッド−媒体間相互作用の出力（ＡＥ信号）を測定した結果を示すグラフである。
【図２２】従来の磁気記録媒体においてヘッド−媒体間相互作用の出力（ＡＥ信号）を測定した結果を示すグラフである。
【図２３】従来の磁気記録媒体においてヘッド−媒体間相互作用の出力（ＡＥ信号）を測定した結果を示すグラフである。
【図２４】本発明による磁気記録媒体においてヘッド−媒体間相互作用の出力（ＡＥ信号）を測定した結果を示すグラフである。
【図２５】本発明による磁気記録媒体においてヘッド−媒体間相互作用の出力（ＡＥ信号）を測定した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１…基板
３…下地層
５…磁気記録層
７…炭素系保護膜
９…潤滑膜
１０…磁気記録媒体
【図１】
0003904143.tif 000003
【図２】
0003904143.tif 000004
【図３】
0003904143.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
0003904143.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
0003904143.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
0003904143.tif 000018
【図１７】
0003904143.tif 000019
【図１８】
0003904143.tif 000020
【図１９】
0003904143.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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