(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内に配置されて処理される情報記録ディスク用基板を冷却する冷却機構であって、情報記録ディスク用基板の配置位置に接近させて設けられた冷却ブロックと、冷却ブロックの内部空間に冷媒を流通させる冷媒流通手段と、冷却ブロックと情報記録ディスク用基板との間の隙間に所定のガスを導入するガス導入手段とを備え、冷却ブロックの情報記録ディスク用基板に対向する表面は、細かい凹凸が多数形成された非平坦面となっており、この凹凸を形成する各面は、情報記録ディスク用基板の表面と非平行な面となっていることを特徴とする情報記録ディスク用基板の冷却機構。
【請求項２】
前記細かい凹凸の表面には、さらに細かい凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１記載の情報記録ディスク用基板の冷却機構。
【請求項３】
前記細かい凹凸は、断面Ｖ字状の溝又は角錐状の突起を間隔を開けることなく詰めて多数設けることで形成されていることを特徴とする請求項１記載の情報記録ディスク用基板の冷却機構。
【請求項４】
前記円錐状もしくは角錐状の突起又は断面Ｖ字状の溝は機械加工によって設けられており、さらに、円錐状もしくは角錐状の突起又は断面Ｖ字状の溝の表面はこの機械加工の後にブラスト処理されていることを特徴とする請求項３記載の情報記録ディスク用基板の冷却機構。
【請求項５】
前記冷却ブロックの情報記録ディスク用基板に対向する表面は、平坦な面である場合に比べて２倍以上の表面積を有していることを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の情報記録ディスク用基板の冷却機構。
【請求項６】
前記冷媒流通手段は冷媒として水を流通させるものであることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の情報記録ディスク用基板の水冷機構。
【請求項７】
情報記録ディスク用基板の表面に所定の成膜処理を施す基板処理装置であって、第一の成膜処理を行う第一の成膜処理室と、第一の成膜処理の後の成膜処理であって第一の成膜処理の際の温度より低い温度に基板を維持する第二の成膜処理を行う第二の成膜処理室とを備え、第一の成膜処理室と第二の成膜処理室との間には、冷却室が設けられており、この冷却室は、請求項１乃至６のいずれかの冷却機構を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
前記第一の成膜処理室は、磁性薄膜を記録層として作成するものであり、前記第二の成膜処理室は、スパッタカーボン膜を保護膜として作成するものであることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願の発明は、情報記録ディスクの製作に関するものであり、特に、情報記録ディスク用基板の冷却に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
情報記録ディスクは、ハードディスクやＣＤ−ＲＯＭ等として従来から良く知られている。このような情報記録ディスクは、金属製又は誘電体製の基板の表面に記録層を形成した構造であり、基板に対する表面処理を経て製作される。このような表面処理を、ハードディスクの製作を例にして説明する。
ハードディスクを製作する場合、一般的には、ＮｉＰコーティングされたアルミニウム製の基板を用いる。この基板の上に、まず、Ｃｒ等の金属の下地膜を作成し、その上に、ＣｏＣｒＴａ等の磁性薄膜を記録層として作成する。そして、記録層の上に保護膜を設けることでハードディスクが製作される。
【０００３】
保護膜は、記録再生ヘッドによる衝撃や摩耗から記録層を守るため及び耐候性を確保するために設けられるものであり、潤滑性のある強固な膜が必要とされている。保護膜には、一般的にはスパッタカーボン膜（スパッタリングにより作成されたカーボン膜）が採用されている。このスパッタカーボン膜の特性は、成膜温度に敏感であり、望ましい温度範囲は、１００〜１５０℃程度とされている。一方、記録層としての磁性薄膜は、保磁力がその重要な特性である。一般的には、成膜温度を高くすると保磁力の高い磁性薄膜が作成できる。従って、磁性薄膜を作成する際の成膜温度は、保護膜を作成する際の成膜温度より高く設定されることが多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このように、高い温度での処理の次に低い温度での処理を行う場合には、基板の冷却が必要になる。基板の冷却には、大きく分けて二つの方法がある。即ち、次の処理までの時間を長く取って自然放熱による冷却を行う方法と、冷媒を使用した強制冷却を行う方法である。
前者の方法では、次の処理までのインターバルが長くなるので生産性が低下する問題があり、後者の方法が有利である。しかしながら、情報記録ディスク用基板を処理する装置にとって実用的な強制冷却の機構は未だ提供されておらず、その開発が望まれている。
本願の発明は、かかる課題を解決するためになされたものであり、実用的な情報記録ディスク用基板の冷却機構を提供するとともに、この冷却機構を使用することで基板処理装置の生産性を向上させることを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本願の請求項１記載の発明は、真空容器内に配置されて処理される情報記録ディスク用基板を冷却する冷却機構であって、情報記録ディスク用基板の配置位置に接近させて設けられた冷却ブロックと、冷却ブロックの内部空間に冷媒を流通させる冷媒流通手段と、冷却ブロックと情報記録ディスク用基板との間の隙間に所定のガスを導入するガス導入手段とを備え、冷却ブロックの情報記録ディスク用基板に対向する表面は、細かい凹凸が多数形成された非平坦面となっており、この凹凸を形成する各面は、情報記録ディスク用基板の表面と非平行な面となっているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発明は、上記請求項１の構成において、前記細かい凹凸の表面には、さらに細かい凹凸が形成されているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項３記載の発明は、上記請求項１の構成において、前記細かい凹凸は、断面Ｖ字状の溝又は角錐状の突起を間隔を開けることなく詰めて多数設けることで形成されているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項４記載の発明は、上記請求項３の構成において、前記円錐状もしくは角錐状の突起又は断面Ｖ字状の溝は機械加工によって設けられており、さらに、円錐状もしくは角錐状の突起又は断面Ｖ字状の溝の表面はこの機械加工の後にブラスト処理されているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項５記載の発明は、上記請求項１、２、３又は４の構成において、前記冷却ブロックの情報記録ディスク用基板に対向する表面は、平坦な面である場合に比べて２倍以上の表面積を有している。
また、上記課題を解決するため、請求項６記載の発明は、上記請求項１、２、３、４又は５の構成において、前記冷媒流通手段は冷媒として水を流通させるものであるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項７記載の発明は、情報記録ディスク用基板の表面に所定の成膜処理を施す基板処理装置であって、第一の成膜処理を行う第一の成膜処理室と、第一の成膜処理の後の成膜処理であって第一の成膜処理の際の温度より低い温度に基板を維持する第二の成膜処理を行う第二の成膜処理室とを備え、第一の成膜処理室と第二の成膜処理室との間には、冷却室が設けられており、この冷却室は、請求項１乃至６のいずれかの冷却機構を備えているという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項８記載の発明は、上記請求項７の構成において、前記第一の成膜処理室は、磁性薄膜を記録層として作成するものであり、前記第二の成膜処理室は、スパッタカーボン膜を保護膜として作成するものであるという構成を有する。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の実施の形態について説明する。
図１及び図２は、本願発明の実施形態に係る情報記録ディスク用基板の冷却機構の概略構成を示す図であり、図１はその平面図、図２はその正面図である。
本実施形態では、冷却する情報記録ディスク用基板（以下、単に基板と称す）としては、ハードディスク用の基板が想定されている。この基板１は、図２に示すように、円盤の中央に丸い穴を開けた形状である。
【０００７】
本実施形態の冷却機構は、真空容器２内に配置されて処理される情報記録ディスク用基板を冷却する機構になっている。真空容器２は、ゲートバルブ３を介して別の真空容器２に気密に接続されている。真空容器２には、内部を排気する排気系４が設けられている。排気系４は、ターボ分子ポンプ等の真空ポンプ４１と、主排気バルブ４２等から構成されている。
尚、基板１は、キャリア６によって垂直に保持されている。そして、キャリア６を移動させる不図示の移動機構によって水平方向に搬送されるようになっている。
【０００８】
図１及び図２に示す冷却機構は、情報記録ディスク用基板１の配置位置に接近させて設けられた冷却ブロック５１と、冷却ブロック５１の内部空間に冷媒を流通させる冷媒流通手段５２と、冷却ブロック５１と情報記録ディスク用基板１との間の隙間に所定のガスを導入するガス導入手段５３とを備えている。尚、図１に示すように、冷却機構は、基板１の両側に計二つ設けられており、両側から基板１を冷却できるようになっている。
【０００９】
各々の冷却機構は、二枚の基板１を同時に冷却できるようになっている。即ち、図１及び図２に示すように、二枚の基板１が同一平面上に所定間隔をおいて配置されており、冷却ブロック５１は、この平面方向における大きさが当該二枚の基板１を覆うことができる大きさになっている。
この冷却ブロック５１は、銅等の熱伝導性の高い材料で形成されている。また、冷却ブロック５１は、基板１に接近させて設けられる。後述するように、冷却ブロック５１の基板１に対向する表面は凹凸面であるが、凹凸の深さの中央から基板１までの距離は、４ｍｍ〜１０ｍｍ程度とすることが好ましい。
【００１０】
冷媒流通手段５２は、本実施形態では、水を冷媒として冷却ブロック５１内に流通させるようになっている。冷媒流通手段５２は、真空容器２の器壁を気密に貫通して冷却ブロック５１の冷媒流入口に接続された流入管５２１と、同じく真空容器２の器壁を気密に貫通して冷却ブロック５１の冷媒流出口に接続された流出管５２２と、冷媒を所定の温度に調整しながら流入管５２１に送る不図示のポンプ又はサーキュレータ等から構成されている。ポンプを用いる場合は、流出管５２２からの冷媒はそのまま廃水とされる。また、サーキュレータを用いる場合には、流出管５２２からの排水を再度冷却して所定の温度にし、所定の圧力で流入管５２１に送るよう構成される。
【００１１】
また、ガス導入手段５３は、不図示のガスボンベと真空容器２とを繋ぐ配管５３１と、配管５３１に設けた上流側バルブ５３２及び下流側バルブ５３３と、上流側バルブ５３２と下流側バルブ５３３との間に設けられたガス溜め器５３４とから主に構成されている。本実施形態では、ガスを真空容器２内に瞬間的に導入して均一に充満させることで、冷却ブロック５１と基板１との間の隙間にガスを導入するようになっている。尚、ガスの種類としては、本実施形態ではヘリウム又は水素が使用される。
【００１２】
このようにガスを導入するのは、冷却ブロック５１と基板１との間の熱交換を促進するためにである。即ち、本実施形態のように、基板１及び冷却ブロック５１が真空容器２内に配置されていて、大気圧に比べてかなり低い圧力である場合、熱伝達の作用を果たすガス分子の量が少ない。従って、対流による熱の伝達は殆ど期待できず、また、伝導による熱の伝達も少ない。そこで、水素やヘリウムのような熱伝導率が高く、化学的に安定なガスを導入して圧力を上げ、熱伝達効率を上昇させている。
【００１３】
さて、本実施形態の冷却機構の大きな特徴点は、冷却ブロック５１の基板１に対向する表面は、細かい凹凸が多数形成された非平坦面となっており、この凹凸を形成する各面は、基板１の表面と非平行な面となっている点である。この点を、図１及び図３を使用して説明する。図３は、冷却ブロック５１の表面の形状を説明する断面図である。
【００１４】
図３に示すように、冷却ブロック５１の基板１の表面と対向する表面５０は、鋸波状の断面形状となっている。具体的には、冷却ブロック５１の表面５０は、断面Ｖ字状の溝を間隔を開けることなく詰めて多数設けた形状になっている。このような形状は、機械加工により容易に形成できる。即ち、角錐状又は三角形の板状の切削具を一定の方向に所定間隔をおいて平行に直線移動させて切削することで形成できる。尚、本実施形態では、Ｖ字の溝の角度は６０度であり、溝の深さは１〜２ｍｍ程度である。
【００１５】
このような冷却ブロック５１の表面５０の形状は、基板１の冷却効率を高めるのに大きく貢献している。この点を、図３を使用して説明する。
周知のように、熱の伝達には、対流、伝導及び輻射の三つの方式がある。本実施形態の冷却機構は、ガス導入手段によってガスが導入されるものの、その圧力は５０〜５００Ｐａ程度である。このような圧力下では、対流による熱の伝達は期待できない。従って、冷却を可能にする熱伝達は、伝導及び輻射である。
【００１６】
まず、伝導による熱の伝達を考えてみると、伝導を役割を果たすのは、基板１と冷却ブロック５１の間に存在するガス分子である。ガス分子は、基板１の表面から熱をもらって冷却ブロック５１に到達して冷却ブロック５１に熱を与えることで基板１が冷却される。
ここで、冷却ブロック５１の表面５０が平坦面である場合、冷却ブロック５１に到達した際のガス分子の冷却ブロック５１の表面５０への衝突回数は、基本的に１回のみである。一方、図３に示すように表面５０に凹凸を設けると、ガス分子ｇが冷却ブロック５１に到達した際、その表面５０に複数回衝突する確率が高い。複数回衝突すると、その分だけガス分子ｇのエネルギーが多く冷却ブロック５１に与えられる。このようなことから、結果的に基板１から多くの熱を冷却ブロック５１が受け取れるようになり、冷却の効率が向上する。
【００１７】
また、輻射による冷却を考えてみると、基板１からの輻射線が冷却ブロック５１に照射され、冷却ブロック５１が加熱される。そして、冷却ブロック５１が受けた熱を冷媒が持ち去ることで冷却ブロック５１の昇温が抑えられ、冷却ブロック５１から基板１に戻る輻射熱も抑えられる。
ここで、上記のように表面５０が凹凸面であると、平坦面の場合に比べて同一の占有スペースにもかかわらず表面積が大きくなる。本実施形態では、前述したようにＶ字状の溝の角度は６０度であり、従って、平坦な表面５０の場合に比べて２倍の表面積になっている。冷却ブロック５１の表面積が大きくなると、冷却ブロック５１が基板１から受け取れる輻射線の量も多くなる。この結果、冷却の効率が向上する。発明者の研究によると、冷却ブロック５１の表面５０が平坦面に比べて２倍以上の表面積になると、このような冷却効率の向上が顕著となることが確認されている。
【００１８】
尚、本実施形態では、上記のように機械加工によって断面Ｖ字状の溝を多数詰めて表面５０を形成した後、ブラスト処理によってその表面５０を粗くしている。即ち、図３中に拡大して示すように、冷却ブロック５１のＶ字の溝の表面５０には、さらに細かい凹凸が形成されている。ブラスト処理は、直径１００μｍ程度の砂又はアルミナの粒を、２ｋｇ／ｃｍ2 程度の圧力で吹き付けることで行える。このような構成のため、本実施形態の冷却ブロック５１の表面５０は、平坦な面に比べて２倍以上の表面積となっており、さらに冷却の効率が向上している。
【００１９】
また、上述した冷却ブロック５１の表面５０の凹凸を構成する面は、情報記録ディスク用基板の表面と非平行な面となっている。即ち、図３に示すように、冷却ブロック５１の基板１に対向する表面５０は、Ｖ字状の溝の斜面で構成されており、基板１の表面に対して非平行となっている。この構成は、冷却ブロック５１の表面５０からの輻射熱を減少させて冷却効率を高めるのに貢献している。
【００２０】
即ち、冷却ブロック５１の表面５０が平坦であり、その表面５０が基板１と平行であると、冷却ブロック５１の表面５０からの輻射線が多く基板１に到達する。一方、図３に示すように表面５０がＶ字状の溝の斜面で形成されて非平行であると、冷却ブロック５１からの輻射線のうち直接基板１に到達する量が少なくなる。このため、冷却ブロック５１が受け取った熱が輻射の形で基板１に戻ってしまうのが抑制され、結果的に基板１の冷却効率が向上する。尚、本実施形態では、Ｖ字状の溝の斜面の表面がブラスト処理された粗い面となっているので、この効果がさらに向上している。
【００２１】
このような構成のため、本実施形態の冷却機構は、特別な冷媒を使用することなく、水を使用している。一方、平坦面の冷却ブロック５１のように冷却効率が悪くなると、氷点下の融点を有する特別な冷媒を使用しなければならず、コスト高となる。
【００２２】
冷却の手順について、以下に説明する。
基板１は、ゲートバルブ３を通して真空容器２内に搬入される。基板１の搬入後、ゲートバルブ３を閉じる。真空容器２内は予め１０-4Ｐａ程度まで排気されている。また、冷却ブロック５１には冷媒が予め流通している。そして、ガス導入手段５３を動作させ、下流側バルブ５３３を閉じた状態で上流側バルブ５３２を開け、ガス溜め器５３４に所定の量のガスを溜める。
【００２３】
この状態で、基板１が図１に示す位置に配置されると、排気系４の主排気バルブ４２を閉じて排気を停止する。そして、ガス導入手段５３の下流側バルブ５３３を開ける。ガス溜め器５３４に溜められていたガスは、一瞬のうちに真空容器２内に拡散して充満し、真空容器２内は均一な圧力となる。この結果、冷却ブロック５１と基板１との間の圧力も上昇する。尚、ガス溜め器５３４の容積は、真空容器１の圧力が所定の圧力になるように予め決められる。
【００２４】
上述したように、冷却ブロック５１と基板１との間の熱交換が行われ、基板１が冷却される。所定時間この状態を保持した後、下流側バルブ５３３を閉めた状態で主排気バルブ４２を開け、真空容器２内を所定圧力まで排気する。そして、ゲートバルブ３を開け、冷却された基板１を別の真空容器２に搬出する。
【００２５】
冷却の一例について説明する。基板１が外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ０．８ｍｍのアルミニウム製であり、１６５℃程度に加熱されて図１に示す位置に搬入されるとする。冷媒の温度を２０℃に設定し、５リットル程度の流量で冷却ブロック５１内に流通させる。冷却ブロック５１の凹凸の凸部の先端から基板１までの距離を６ｍｍ、ガス導入後の圧力を２００Ｐａとすると、４．６秒程度の後に基板１を１２０℃程度まで冷却できる。
尚、同様の構成で表面が平坦である通常の冷却ブロック５１を使用して同様の条件で実験してみたところ、１６５℃から１２０℃までに冷却するのに６．６秒程度時間を要した。従って、本実施形態の構成は、生産性の向上に大きく貢献する実用的なものであることが確認された。
【００２６】
尚、前述した実施形態では、冷却ブロック５１の表面５０のＶ字の溝の角度は６０度であったが、４５度等のさらに急峻な角度にしてもよい。この方が、さらに表面積が大きくなり、冷却効率がさらに向上する。
また、凹凸の形状としては、Ｖ字の溝に限らず、半円状、半楕円状、Ｕ字状等の溝でもよい。また、角錐状に限らず、円錐状や半球状等であってもよい。
さらに、表面５０を粗くする方法としては、ブラスト処理に限らず、他の物理的な方法や化学的方法でも可能である。物理的な方法としては、細かい粒状材料を溶射して表面５０を粗くする方法がある。また、化学的な方法としては、冷却ブロック５１が銅製である場合、硝酸等の薬品を使用して表面５０を溶出させることで粗くする方法がある。
【００２７】
上述した実施形態では、冷却ブロック５１の表面５０は、断面Ｖ字状の溝を詰めて形成した構成であったが、角錐状の突起を間隔を開けることなく詰めて多数設けた形状でもよい。この形状は、四角錐状又は三角形の板状の刃を有する切削機によって表面を削り出し加工することで得られる。即ち、この刃を第一の方向に直線移動させて切削し、所定間隔をおいて同じ方向に直線移動させて切削し、これを繰り返す。次に、第一の方向に垂直な第二の方向に刃を直線移動させ、同様に所定間隔をおいて平行に切削していく。こうすると、四角錐状の突起を多数設けた形状が得られる。このような四角錐状の突起を多数詰めて設けた形状の表面であると、表面積がさらに大きくなり、冷却効率がさらに向上する。
また、ガス導入手段５３が導入するガスの種類としては、ヘリウムの他、水素等でもよい。水素は、ヘリウムと同程度の熱伝導性を有するので好適である。
【００２８】
次に、本実施形態の冷却機構が好適に使用される基板処理装置の発明の実施形態について説明する。図４は、実施形態の冷却機構を備えた基板処理装置の発明の実施形態を説明する平面概略図である。
本実施形態の基板処理装置は、インライン式装置と呼ばれる装置である。即ち、複数の真空容器２を処理室として直線状の搬送ライン上に縦設した構成である。この実施形態では、搬送ラインは方形であり、複数の真空容器２は方形を成すように設けられている。そして、方形の四辺のうちの三つの辺に設けられた真空容器２が処理室２３１，２３２，２３３，２３４，２３５，２３６，２３７，２３８であり、残りの一辺に設けられた真空容器２が仕込室２１及び回収室２２になっている。
【００２９】
この基板処理装置では、キャリア６に基板１を搭載して搬送するようになっている。仕込室２１では、キャリア６に基板１を搭載する搭載用ロボット２１１が設けられている。また、回収室２２では、キャリア６から基板１を回収する回収用ロボット２２１が設けられている。尚、方形の四つの角に設けられた真空容器２内には、キャリア６の進行方向を直角に曲げる機構が設けられている。また、各処理室２３１，２３２，２３３，２３４，２３５，２３６，２３７，２３８には、処理手段７が設けられている。
【００３０】
ハードディスクの製作の場合を例に採り、処理室２３１，２３２，２３３，２３４，２３５，２３６，２３７，２３８の構成について説明する。まず、搬送ラインの一番手前側に位置する処理室２３１，２３２は、基板１を所定温度まで加熱するよう構成される。即ち、処理室２３１，２３２の処理手段７は、ヒータ等によって構成されている。基板１は、処理室２３１，２３２を経て２３０℃程度まで加熱される。
【００３１】
搬送ライン上のその次の処理室２３３は、下地膜としてのＣｒ膜を作成する成膜処理室となるよう構成される。処理室２３３の処理手段７は、Ｃｒよりなるターゲットをスパッタして基板１の表面に所定の厚さでＣｒ膜が作成できるよう構成される。尚、この成膜の間、基板１の温度は２３０℃程度に維持される。
【００３２】
また、搬送ライン上のその次の処理室２３４，２３５では、記録層としてのＣｏＣｒＴａ膜を作成する成膜処理室となるよう構成される。処理室２３４，２３５の処理手段７は、ＣｏＣｒＴａよりなるターゲットをスパッタして基板１の表面に所定の厚さでＣｏＣｒＴａ膜が作成できるよう構成される。尚、処理室２３３を出た後に基板１は自然放熱して温度が低下し、この処理室２３４，２３５での成膜の間、基板１は２００℃程度の温度である。
【００３３】
そして、搬送ライン上のその次の処理室２３６が、基板１を所定温度に冷却する冷却室となるよう構成される。即ち、処理室２３６の処理手段５は、図１〜３に示す冷却機構と同様の構成となっている。具体的には、処理室２３６に搬入される際の基板１の温度は１８０℃程度であり、６秒程度の冷却の後、基板１の温度が１２０℃程度になるよう構成される。
【００３４】
そしてさらに、搬送ライン上のその次の処理室２３７、２３８が、記録層としてのカーボン膜を作成する成膜処理室となるよう構成される。処理室２３７，２３８の処理手段７は、カーボンよりなるターゲットをスパッタして基板１の表面に所定の厚さでカーボン膜が作成できるよう構成される。基板１は前述の通り冷却されており、処理室２３７，２３８での成膜の際には、基板１の温度は１２０℃程度である。
【００３５】
尚、本実施形態の装置では、成膜処理室とは別に冷却室を設けたが、成膜処理室内に冷却機構を設けるようにしてもよい。例えば、基板１の片側にターゲットを設け、別の片側に図１に示す一つの冷却機構を設けるようにしてもよい。そして、両面の成膜が必要な場合には、ターゲットと冷却機構とを入れ替えた配置の別のターゲットと冷却機構の組を設けて、片面ずつ冷却と成膜とを行う構成にしてもよい。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明した通り、本願の請求項１乃至６記載の情報記録ディスク用基板の冷却機構は、冷却ブロックの情報記録ディスク用基板に対向する表面が細かい凹凸が多数形成された非平坦面となっており、この凹凸を形成する各面が情報記録ディスク用基板の表面と非平行な面となっているので、冷却効率が飛躍的に高くなる。
また、請求項７又は８記載の基板処理装置によれば、上記効果を有する冷却機構を備えているので、生産性が飛躍的に向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の実施形態に係る情報記録ディスク用基板の冷却機構の概略構成を示す平面図である。
【図２】本願発明の実施形態に係る情報記録ディスク用基板の冷却機構の概略構成を示す正面図である。
【図３】冷却ブロック５１の表面の形状を説明する断面図である。
【図４】実施形態の冷却機構を備えた基板処理装置の発明の実施形態の構成を説明する平面概略図である。
【符号の説明】
１  基板
２  真空容器
３  ゲートバルブ
４  排気系
５１  冷却ブロック
５２  冷媒流通手段
５３  ガス導入手段
【図１】
0003909944.tif 000002
【図２】
0003909944.tif 000003
【図３】
0003909944.tif 000004
【図４】
0003909944.tif 000005