(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度変化に対して高い安定度を有する原基準電圧信号（Ｖref ）と所定の温度特性を有する電圧信号（ＶJ ）が同時に得られる基準電圧源回路（５ａ）と、
該基準電圧源回路（５ａ）の原基準電圧信号（Ｖref ）の発生ポイントに接続され、該原基準電圧信号（Ｖref ）から濾波基準電圧信号（ＶRO）を得るフィルタ回路（６ａ）と、
該フィルタ回路（６ａ）から該濾波基準電圧信号（ＶRO）の供給を受ける、制御機能を有する被保護回路（３）と、
該原基準電圧信号（Ｖref ）に相当する分圧基準電圧信号（ＶR1）を発生させる分圧回路（７ａ）と、
該分圧基準電圧信号（ＶR1）と該所定の温度特性を有する電圧信号（ＶJ ）の供給を受け、当該２つの電圧信号の相対的な大きさに応じて該被保護回路（３）の動作を停止させる過熱保護回路（４）と、
を具備する半導体装置であって、
該フィルタ回路（６ａ）が、 該基準電圧源回路（５ａ）と該被保護回路（３）との間に直列に接続された第１と第２の抵抗素子（Ｒ５、Ｒ９）による抵抗直列回路（７）と、
該第２の抵抗素子（Ｒ９）の一端とグランドとの間に接続された容量素子（Ｃ１）と、
その主電流路の一端が該容量素子（Ｃ１）と該第２の抵抗素子（Ｒ９）の共通接続点に接続され、その制御端子が該第１の抵抗素子（Ｒ５）と第２の抵抗素子（Ｒ９）の共通接続点に接続され、その主電流路の他端が装置の電源入力端子（１）に接続されたトランジスタ（Ｑ６）とを具備し、
該分圧回路（７ａ）が、 該第１と第２の抵抗素子（Ｒ５、Ｒ９）と、該第２の抵抗素子（Ｒ９）の一端とグランドとの間に直列に接続された第３と第４の抵抗素子（Ｒ３、Ｒ４）とを具備し、
該基準電圧源回路（５ａ）が、 差動アンプ（ＯＰ３）と、該差動アンプ（ＯＰ３）の各入力端子にそれぞれ接続された２つのダイオード機能素子（Ｑ４、Ｑ５）とを具備し、
該原基準電圧信号（Ｖref ）を該差動アンプ（ＯＰ３）の出力端子より得て、所定の温度特性を有する電圧信号（ＶJ ）を一方の該ダイオード機能素子（Ｑ５）より得るように構成されており、
ここで、該第１から第４の抵抗素子（Ｒ５、Ｒ９、Ｒ３、Ｒ４）は、該第２の抵抗素子（Ｒ９）の抵抗値、該原基準電圧信号（Ｖref ）の電圧値、および該第１と第２の抵抗素子（Ｒ５、Ｒ９）の合成抵抗値の逆数、の乗算値が該トランジスタ（Ｑ６）のしきい値電圧よりも大きくなり、尚且つ、該第２の抵抗素子（Ｒ９）の抵抗値、該原基準電圧信号（Ｖref ）の電圧値、および該第１乃至第４の抵抗素子（Ｒ５、Ｒ９、Ｒ３、Ｒ４）の合成抵抗値の逆数、の乗算値が該トランジスタ（Ｑ６）のしきい値電圧よりも小さくなるような抵抗値にそれぞれ設定されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ダイオード機能素子がサブストレート型バイポーラトランジスタにより形成されることを特徴とする、請求項１に記載した半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置がＣＭＯＳプロセスによって製造されるレギュレータであることを特徴とする、請求項２に記載した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の内部、具体的にはレギュレータの内部に設けられる基準電圧源回路とフィルタ回路の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置において何らかの変量を制御しようとする場合、その変量に応じた電圧信号と基準となる電圧信号が必要となり、制御動作は、その２つの信号の相対的な大きさに基づいて行われる。また、半導体装置において、予定された条件を満たした時に装置内の特定の機能回路に所定の動作を行わせる場合にも、条件（変量）に応じた電圧信号と基準となる電圧信号が必要となり、機能動作は、その２つの信号の相対的な大きさに基づいて開始される。
具体的に、半導体装置として過熱保護回路が設けられたシリーズレギュレータを想定すると、そのシリーズレギュレータでは、出力電圧の制御動作に基準電圧信号と出力電圧に応じた電圧信号が使用され、過熱保護動作に基準電圧信号と温度に応じた電圧信号が使用されている。
【０００３】
図２には従来のシリーズレギュレータの回路構成の一例を示した。
Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴからなるトランジスタＱ１のソース、ドレインをそれぞれ入力端子１と出力端子２に接続し、トランジスタＱ１のゲートをＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴからなるトランジスタＱ２のドレインに接続する。トランジスタＱ２のソースはグランドに接続し、ゲートは差動アンプＯＰ１の出力端子に接続する。出力端子２とグランドとの間に抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の直列回路を接続し、差動アンプＯＰ１の反転入力端子（−）を抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の共通接続点に接続する。一方、差動アンプＯＰ１の非反転入力端子（＋）は、抵抗Ｒ５を介して基準電圧源回路５ｂの基準電圧発生ポイントに接続し、また差動アンプＯＰ１の非反転入力端子（＋）は、コンデンサＣ１を介してグランドに接続する。
【０００４】
トランジスタＱ２のゲートはＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴからなるトランジスタＱ３のドレインに接続する。トランジスタＱ３のソースはグランドに接続し、ゲートは比較器ＯＰ２の出力端子に接続する。比較器ＯＰ２の反転入力端子（−）は温度検出回路８に接続し、非反転入力端子（＋）は抵抗Ｒ３の一端と抵抗Ｒ４の一端の共通接続点に接続する。なお、抵抗Ｒ３の他端は基準電圧源回路５ｂの基準電圧発生ポイントに接続し、抵抗Ｒ４の他端はグランドに接続する。ここで、トランジスタＱ１、Ｑ２、差動アンプＯＰ１、抵抗Ｒ１およびＲ２がレギュレータの基幹部分としての出力回路３を構成し、トランジスタＱ３、比較器ＯＰ２がレギュレータの安全装置としての過熱保護回路４を構成する。一方、抵抗Ｒ５とコンデンサＣ１はフィルタ回路６ｂを構成し、抵抗Ｒ３とＲ４は分圧回路７ｂを構成している。
【０００５】
このような構成とした図２の回路の概略の動作は以下の通りである。
図２の回路中の基準電圧源回路５ｂは温度変化に対して安定度の高い原基準電圧信号Ｖrefを生成する。ここで、原基準電圧信号Ｖrefには入力電圧や負荷状態の変化などによってノイズが重畳されることが有る。このため図２の回路は、フィルタ回路６ｂにおいて原基準電圧信号Ｖrefからノイズ成分を除去し、ノイズ成分の少ない濾波基準電圧信号ＶR0を得ている。
出力回路３の差動アンプＯＰ１は、この濾波基準電圧信号ＶR0と出力電圧に応じた電圧信号ＶO1を受信し、その相対的な大きさに応じてトランジスタＱ２のバイアス量を制御する。トランジスタＱ２のバイアス量を制御することは、結果的にトランジスタＱ１のバイアス量を制御することになる。これにより、トランジスタＱ１の主電流路を通過する電流は出力端子２の位置の出力電圧に応じて変化し、出力回路３は出力電圧を一定にするように動作する。
【０００６】
一方、図２の回路中の温度検出回路８は所定の温度特性を有する電圧信号ＶＪを生成する。ちなみに近年の温度検出回路では、この所定の温度特性を有する電圧信号ＶＪを負の温度特性を有するバイポーラトランジスタのベース、エミッタ間電圧に基づいて生成するものが主流となっている。
ここで、図２の回路の温度がレギュレータが安全に動作を継続できるとされる所定の温度を越え、これにより電圧信号ＶＪの電圧値が分圧基準電圧信号ＶR1の電圧値よりも低くなったと仮定する。なお、分圧基準電圧信号ＶR1は原基準電圧信号Ｖrefを抵抗Ｒ３とＲ４の直列回路において分圧して得たものであり、原基準電圧信号Ｖrefと同様に温度変化に対して安定度の高い電圧信号である。
【０００７】
すると比較器ＯＰ２は、２つの入力端子にそれぞれ供給される分圧基準電圧信号ＶR1と電圧信号ＶＪの相対的な大きさに応じて出力端子の電圧を高くする。トランジスタＱ３は比較器ＯＰ２の出力端子の電圧が高くなるとオン状態となり、トランジスタＱ２のゲート、ソース間を短絡する。その結果、トランジスタＱ２およびトランジスタＱ１はオフ状態となる。電圧信号ＶＪの電圧値が分圧基準電圧信号ＶＲ１の電圧値よりも低い状態が続く間、トランジスタＱ１はオフ状態を維持する。トランジスタＱ１がオフ状態となることで、出力電圧がほぼ一定になるように制御するための出力回路３の動作は停止することになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
図２に示す回路において、濾波基準電圧信号ＶR0に含まれるノイズ成分が大きいと、そのノイズ成分は差動アンプＯＰ１において増幅され、出力回路３における出力電圧の制御動作に悪影響を及ぼす恐れが出てくる。そこで通常は、フィルタ回路６ｂ内の抵抗Ｒ５の抵抗値とコンデンサＣ１の静電容量値を大きくし、濾波基準電圧信号ＶR0に含まれるノイズ成分をできるだけ除去するという対策が取られる。しかし、抵抗Ｒ５の抵抗値やコンデンサＣ１の静電容量値を大きくすると、回路の時定数が大きくなり、コンデンサＣ１の充電に要する時間が長くなる。その結果、図２に示す回路の起動時間が長くなり、通常の運転状態になるまで時間が掛かるという問題が有った。
【０００９】
また図２の回路では、過熱保護回路４に供給される２つの電圧信号、すなわち分圧基準電圧信号ＶR1と所定の温度特性を有する電圧信号ＶＪ、は、それぞれ独立して構成された回路（すなわち、分圧回路７ｂを含めた基準電圧源回路５ｂと温度検出回路８）から得る構成となっている。このため、図２に示すような回路構成としたレギュレータを含む半導体装置では、装置の構成に必要な回路素子の数が増加し、装置形状が大きくなるという問題があった。
そこで本発明は、装置の起動時間を短くすることができ、なおかつ装置形状を小さくすることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明は、温度変化に対して高い安定度を有する基準電圧信号と所定の温度特性を有する電圧信号が同時に得られる基準電圧源回路と、容量素子とその容量素子に対して装置の起動時に充電電流を供給するトランジスタとを有し、基準電圧源回路の基準電圧信号の発生ポイントに接続されたフィルタ回路と、フィルタ回路を介して基準電圧源回路から基準電圧信号の供給を受ける、制御機能を有する被保護回路と、基準電圧信号に相当する電圧信号の供給を受けると共に所定の温度特性を有する電圧信号の供給を受け、当該２つの電圧信号の相対的な大きさに応じて被保護回路の動作を停止させる過熱保護回路と、を具備することを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
基準電圧源回路の内部に２つのダイオード機能素子を設け、各ダイオード機能素子において得られる所定の温度特性を有する信号を差動アンプに供給し、温度変化に対して安定度の高い基準電圧信号を得る。この基準電圧信号は、フィルタ回路を介して被保護回路に供給し、フィルタ回路と分圧回路を介して過熱保護回路に供給する。さらに過熱保護回路には、基準電圧源回路の一方のダイオードの機能素子において得られる所定の温度特性を有する信号を供給する。基準電圧源回路から温度変化に対して安定度の高い基準電圧信号と所定の温度特性を有する信号を同時に得ることで、装置を構成するのに必要な回路素子数を少なくし、装置形状の小型化を図る。
【００１２】
ここでフィルタ回路は、複数個の抵抗素子からなる抵抗直列回路、容量素子およびトランジスタにより構成する。抵抗直列回路は基準電圧源回路の差動アンプの出力端子と被保護回路との間に接続し、容量素子は抵抗直列回路の一端とグランドとの間に接続する。トランジスタは、その主電流路を容量素子と抵抗直列回路の接続点と装置の電源入力端子との間に接続し、その制御端子を装置の起動時においてしきい値電圧以上の電位差が得られる抵抗直列回路の所定位置に接続する。これにより、装置の起動時にはトランジスタを介して容量素子に充電電流を供給し、起動時間の短縮を図る。
また、分圧回路はフィルタ回路内の抵抗直列回路を介して基準電圧源回路に接続する。これにより、分圧回路を構成する抵抗素子の形状を小さくし、さらなる装置形状の小型化を図る。
【００１３】
【実施例】
図１には、装置の起動時間を短くすることができ、なおかつ装置形状を小さくすることができる本発明による半導体装置の実施例の回路を示した。
Ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴからなるトランジスタＱ１のソース、ドレインを、それぞれ入力端子１と出力端子２に接続し、トランジスタＱ１のゲートをＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴからなるトランジスタＱ２のドレインに接続する。トランジスタＱ２のソースはグランドに接続し、ゲートは差動アンプＯＰ１の出力端子に接続する。出力端子２とグランドとの間に抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の直列回路を接続し、差動アンプＯＰ１の反転入力端子（−）を抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の共通接続点に接続する。このトランジスタＱ１、Ｑ２、差動アンプＯＰ１、抵抗Ｒ１およびＲ２によりレギュレータの基幹部分としての出力回路３を構成する。
【００１４】
コレクタ、ベース間が短絡されたＰＮＰ型バイポーラトランジスタからなる２つのトランジスタＱ４とＱ５を設け、各トランジスタＱ４、Ｑ５の各コレクタをグランドに接続する。トランジスタＱ４のエミッタは抵抗Ｒ６を介して電流源ＣＳの出力側端子に接続し、トランジスタＱ５のエミッタは抵抗Ｒ８とＲ７の直列回路を介して電流源ＣＳの出力側端子に接続する。抵抗Ｒ６とトランジスタＱ４のエミッタの接続点を差動アンプＯＰ３の非反転入力端子（＋）に接続し、抵抗Ｒ７とＲ８の共通接続点を差動アンプＯＰ３の反転入力端子（−）に接続する。差動アンプＯＰ３の出力端子は電流源ＣＳの出力側端子に接続し、電流源ＣＳの入力側端子は装置の入力端子１に接続する。このトランジスタＱ４、Ｑ５、抵抗Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、電流源ＣＳおよび差動アンプＯＰ３により基準電圧源回路５ａを構成する。
【００１５】
基準電圧源回路５ａ内の差動アンプＯＰ３の出力端子と出力回路３内の差動アンプＯＰ１の非反転入力端子（＋）の間に、抵抗Ｒ５と抵抗Ｒ９の抵抗直列回路を接続する。抵抗Ｒ９と差動アンプＯＰ１の非反転入力端子（＋）の接続点とグランドとの間にコンデンサＣ１を接続する。そして、ソースをコンデンサＣ１と抵抗Ｒ９の接続点に接続し、ゲートを抵抗Ｒ５と抵抗Ｒ９の接続点に接続し、ドレインを入力端子１に接続した、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴからなるトランジスタＱ６を設ける。このトランジスタＱ６、抵抗Ｒ５、Ｒ９およびコンデンサＣ１によりフィルタ回路６ａを構成する。
【００１６】
フィルタ回路６ａ内の抵抗Ｒ９とコンデンサＣ１の接続点とグランドとの間に抵抗Ｒ３と抵抗Ｒ４の直列回路を接続する。この抵抗Ｒ３、Ｒ４と、抵抗直列回路を構成する抵抗Ｒ５、Ｒ９により、分圧回路７ａを構成する。
そして、比較器ＯＰ２を設け、その非反転入力端子（＋）を抵抗Ｒ３とＲ４の共通接続点に接続する。比較器ＯＰ２の反転入力端子（−）は基準電圧源回路５ａのトランジスタＱ５のエミッタに接続し、比較器ＯＰ２の出力端子はＮチャネル型ＭＯＳＦＥＴからなるトランジスタＱ３のゲートに接続する。トランジスタＱ３のドレインは出力回路３のトランジスタＱ２のゲートに接続し、トランジスタＱ３のソースはグランドに接続する。このトランジスタＱ３と比較器ＯＰ２により過熱保護回路４を構成する。
【００１７】
以上のような構成とした図１の回路において、分圧回路７ａを構成する抵抗Ｒ５、Ｒ９、Ｒ３、Ｒ４の各抵抗値は、次の（１）式、（２）式を満足するように設定されているとする。
【００１８】
【数１】
0004008674.tif 000002
【００１９】
【数２】
0004008674.tif 000003
【００２０】
ここで、ＶTH6はトランジスタＱ６のしきい値電圧を表わし、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ９は、それぞれ抵抗Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ９の各抵抗値を表わしている。またＶrefは基準電圧源回路５a内の差動アンプＯＰ３の出力端子の位置に現れる原基準電圧信号Ｖrefの電圧値を表わしている。
【００２１】
入力端子１に外部から電源が供給されると、先ず基準電圧源回路５ａが動作を開始し、差動アンプＯＰ３の出力端子の位置に原基準電圧信号Ｖrefが現れる。基準電圧源回路５ａが動作を開始した直後においては、フィルタ回路６ａのコンデンサＣ１は未充電状態であり、その端子間電圧はほぼゼロに等しい。このため回路は（１）式に示される状態となる。この時、抵抗Ｒ９の端子間電圧がトランジスタＱ６のしきい値電圧ＶTH6よりも高くなることから、トランジスタＱ６は導通する。するとコンデンサＣ１には、基準電圧源回路５ａから抵抗Ｒ５、Ｒ９を介して供給される充電電流の他に、入力端子１からトランジスタＱ６を介して直接的に供給される充電電流も流入し、その結果、コンデンサＣ１は急速に充電される。
【００２２】
充電の進行によってコンデンサＣ１の端子間電圧が高くなると、やがて抵抗Ｒ９の端子間電圧はトランジスタＱ６のしきい値電圧ＶTH6以下となり、トランジスタＱ６はオフ状態となる。トランジスタＱ６がオフ状態となった時には既にコンデンサＣ１の充電は相当に進行しており、抵抗Ｒ９とコンデンサＣ１の接続点に現れる濾波基準電圧信号ＶR0の電圧値は運転中の正規の値に近い大きさになっている。このため図１の回路は、トランジスタＱ６がオフ状態となった後すぐに通常の運転状態となる。なお、通常の運転状態にある時、回路は（２）式に示される状態となり、トランジスタＱ６はオフ状態を維持する。このため、運転中に入力電圧の変動などが生じても、それがトランジスタＱ６を介して濾波基準電圧信号ＶR0に悪影響を及ぼすということは無い。
【００２３】
図１の回路が通常の運転状態にある時、過熱保護回路４内の比較器ＯＰ２の各入力端子には、分圧基準電圧信号ＶR1と温度に応じて変化する電圧信号ＶＪが入力される。ここで、分圧基準電圧信号ＶR1は原基準電圧信号Ｖrefを抵抗Ｒ５、Ｒ９、Ｒ３、Ｒ４の直列回路で分圧して得た電圧であり、原基準電圧信号Ｖrefと同様に高い安定度を有する。一方、電圧信号ＶＪはトランジスタＱ５のベース、エミッタ間電圧ＶBE5より得た電圧である。周知のようにバイポーラトランジスタのベース、エミッタ間電圧は温度に応じて変化し、その温度特性は負性となる。従って、トランジスタＱ５のベース、エミッタ間電圧ＶBE5より得た電圧信号ＶＪは電圧ＶBE5と同様に負の温度特性を有することになる。
【００２４】
図１の回路の温度が上昇するにつれ、分圧基準電圧信号ＶR1の電圧値はほぼ一定であるのに対し、電圧信号ＶＪの電圧値は低下する。レギュレータが安全に動作を継続できるとされる所定の温度を越えると、電圧信号ＶＪの電圧値は分圧基準電圧信号ＶR1の電圧値よりも低くなる。すると比較器ＯＰ２は、供給された各信号の相対的な大きさ（ＶR1＞ＶＪ）に応じて出力端子の電圧を高くする。トランジスタＱ３は比較器ＯＰ２の出力端子の電圧が高くなることでオン状態となり、トランジスタＱ２のゲート、ソース間を短絡する。その結果、トランジスタＱ２およびトランジスタＱ１はオフ状態となり、出力回路３の動作は停止する。そして、回路のこれ以上の温度上昇が防止される。
【００２５】
このように図１のような構成の回路によれば、装置の起動時においてフィルタ回路６a内のトランジスタＱ６が導通し、コンデンサＣ１は急速に充電される。このため、原基準電圧信号Ｖrefに含まれるノイズ成分を極力除去するためにコンデンサＣ１の静電容量値や抵抗Ｒ５、Ｒ９の各抵抗値を大きくしても、装置の起動時間を短くすることができる。また図１の回路では、一つの基準電圧源回路５ａから温度変化に対して安定度の高い原基準電圧信号Ｖrefと、温度に応じて変化する電圧信号ＶＪの２つの電圧信号が同時に得られる。このため、独立した温度検出回路を設ける必要が無く、装置を構成するための回路素子の数を少なくすることができる。さらに図１の回路では、抵抗Ｒ５、Ｒ９がフィルタ回路６aと分圧回路７aで共用されている。これにより抵抗Ｒ３、Ｒ４を小さくすることができ、装置形状の小型化が図れる。
【００２６】
ところで、基準電圧源回路の例としては、図３に示すような回路構成を有し、半導体のバンドギャップを利用して安定度の高い基準電圧を得るバンドギャップリファレンス回路（以下、ＢＧＲ回路とする）も存在する。このＢＧＲ回路は、トランジスタＱ９とＱ１０の共通接続されたベースから原基準電圧信号Ｖrefが得られ、トランジスタＱ１０のコレクタと抵抗Ｒ１１の接続点から温度に応じて変化する電圧信号ＶＪが得られる。そこで、図１の基準電圧源回路５ａに代えて、図３に示す構成のＢＧＲ回路を使用しても構わない。
【００２７】
ただし、図１に示すような回路の主要部分のトランジスタがＣＭＯＳトランジスタで構成される半導体装置を製造する場合には、当然、ＣＭＯＳプロセスが使用される。このＣＭＯＳプロセスではバイポーラプロセスにおけるベース拡散処理工程のような工程が存在しない。このためＣＭＯＳプロセスでは、半導体基板をコレクタとし、半導体基板中のウェル層をベースとしたＰＮＰ型、あるいは半導体基板をエミッタとし、半導体基板中のウェル層をベースとしたＮＰＮ型のどちらか一方のサブストレート型バイポーラトランジスタしか、主たるＣＭＯＳトランジスタと一緒に形成できない。
【００２８】
従って、ＰＮＰ型とＮＰＮ型の双方のバイポーラトランジスタの同時形成が必要である図３のＢＧＲ回路は、ＣＭＯＳプロセスで製造される半導体装置に対しては適用できない。もし、図３のＢＧＲ回路を使用する場合には、図１の回路の主要部分を構成する各トランジスタはバイポーラトランジスタで構成し、その半導体装置をバイポーラプロセスで製造することになる。
一方、図１の基準電圧源回路５aはＰＮＰ型とＮＰＮ型のバイポーラトランジスタを同時に必要としない。このため、図１に示すような構成の基準電圧源回路５ａを適用すれば、バイポーラプロセスはもとより、ＣＭＯＳプロセスでも半導体装置を製造することができるという利点がある。
【００２９】
以上の説明では本発明を適用する半導体装置としてシリーズレギュレータを想定した。しかし本発明は、シリーズレギュレータのみならず、被保護回路と基準電圧源回路と過熱保護回路とを有する半導体装置に広く適用することができる。また、基準電圧源回路５ａ内のトランジスタＱ４、Ｑ５はコレクタ、ベース間を短絡したＰＮＰ型バイポーラトランジスタとなっている。このトランジスタＱ４、Ｑ５はコレクタ、ベース間を短絡したＮＰＮ型バイポーラトランジスタでも良く、一つ以上のＰＮ接合を有するダイオード機能素子であれば様々な形態の素子をＰＮＰ型バイポーラトランジスタに代えて使用することができる。
さらに、抵抗直列回路としての抵抗Ｒ５と抵抗Ｒ９には、抵抗として機能するようにしたトランジスタ素子を使用しても構わない。
【００３０】
【発明の効果】
以上に説明したように本発明による半導体装置は、他の回路と素子の一部を共用し、起動時にトランジスタを介してコンデンサに充電電流を供給するように構成したフィルタ回路と、安定度の高い基準電圧信号と温度に応じて変化する電圧信号を同時に得るように構成した基準電圧源回路を組み合わせることを特徴としている。
このような構成とした半導体装置では、基準電圧信号に含まれるノイズ成分を除去するためにフィルタ回路内の各素子の特性値を大きくした場合でも、装置の起動時間を短くすることができる。また、一つの基準電圧源回路から２つの電圧信号が得られることから、独立した温度検出回路を設ける必要が無く、装置形状を小さくすることが出来る。
【００３１】
さらに抵抗素子を複数の機能回路で共用するようにしているため、１つ当たりの抵抗素子の形状を小さくすることができ、装置形状の小型化に寄与する。
そして付帯的には、図１のような構成の基準電圧源回路を使用すれば、ＰＮＰ型とＮＰＮ型のバイポーラトランジスタを同時に必要としないため、ＣＭＯＳプロセスで製造できるという効果も得られる。
従って、本発明によれば、装置の起動時間を短くすることができ、装置形状を小さくすることができ、さらにＣＭＯＳプロセスによって製造するのに有利な半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による半導体装置（シリーズレギュレータ）の実施例の回路図。
【図２】  従来のシリーズレギュレータの一例の回路図。
【図３】  半導体のバンドギャップ電圧を利用した基準電圧源回路の回路図
【符号の説明】
１：入力端子      ２：出力端子      ３：出力回路      ４：過熱保護回路
５ａ：基準電圧源回路      ６ａ：フィルタ回路      ７a：分圧回路
８：温度検出回路      Ｃ１：コンデンサ      ＣＳ：電流源      ＯＰ１、ＯＰ３：差動アンプ      ＯＰ２：比較器      Ｑ１〜Ｑ３：トランジスタ
Ｑ４、Ｑ５：ダイオード機能素子としてのトランジスタ      Ｑ６：トランジスタ      Ｒ５、Ｒ９：抵抗直列回路を構成する抵抗素子      ＶＪ：温度に応じて変化する電圧信号      Ｖref：原基準電圧信号      ＶR0：濾波基準電圧信号      ＶR1：分圧基準電圧信号
【図１】
0004008674.tif 000004
【図２】
0004008674.tif 000005
【図３】
0004008674.tif 000006