(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体上に、感光層を有する電子写真感光体において、該感光層のバインダー樹脂として、化学式（Ａ）および一般式（Ｂ）で表される構造単位を有し、一般式（Ａ）の構造単位が全構造単位中10〜50mol ％であり、かつ極限粘度が0.30〜2.0dl/g であるポリカーボネートからなる樹脂を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
0004022704.tif 000006
【化２】
0004022704.tif 000007
（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は、それぞれ水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基又は炭素数７〜１７のアラルキル基である。なおこれらの基の炭素に、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素から選ばれる置換基を有する場合も含む。Ｘは、
【化３】
0004022704.tif 000008
であり、ここにＲ5 及びＲ6 は、それぞれ水素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を表すか、Ｒ5 及びＲ6 が一緒に結合して、炭素環または複素環を形成する基を表す。なおこれらの基の炭素に、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素から選ばれる置換基を有する場合も含む。a は０〜２０の整数を表す。）
【請求項２】
化学式（Ａ）の構造単位が全構成単位中10〜40mol ％で、かつ極限粘度が0.40〜1.5dl/g である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
一般式（Ｂ）の構造単位が2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパンおよび1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンよりなる群より誘導されてなる請求項１に記載の電子写真感光体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真感光体に関するものである。更に詳しくは、特定のポリカーボネート樹脂をバインダーとして使用した電子写真感光体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、電子写真技術は、その高速性、高画質である事等により、複写機、レーザープリンター、ファックス等に広く応用されている。  この電子写真技術における電子写真感光体としては、従来は、セレン、セレン／テルル合金、セレン／砒素合金、硫化カドミウム等の無機系光導電性物質が主に用いられてきた。しかし、毒性、安全性、価格、生産性、等の点から、最近では、有機系光導電性物質を使用した電子写真感光体が開発されている。
【０００３】
この有機系光導電性物質が低分子物質の場合、バインダー樹脂と混合して塗膜を形成する事が通常行われている。バインダー樹脂としてはポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等のビニル重合体、及びその共重合体、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルフォン、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の各種の熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が用いられてきている。これら各種樹脂の内、ポリカーボネート樹脂が比較的優れた特性を有しており、良く用いられている。バインダー樹脂として各種のポリカーボネート樹脂を用いる事が報告されており、例えば特開昭６０−１７２０４４には1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（通称：ビスフェノールＺ）からのポリカーボネート樹脂が、特開昭６３−１７０６４７にはビスフェノールＡからのポリカーボネート樹脂がそれぞれバインダー樹脂として使用する事が開示されている。
【０００４】
これらの公知有機系光導電性物質（ＯＰＣ）と各種バインダー樹脂とを使用する電子写真感光体（ＯＰＣ感光体）においては、感度等の点では無機系光導電性物質を使用した電子写真感光体に匹敵するものが得られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
これらＯＰＣ感光体は、キャスト製膜法により容易に薄膜とする事が可能で、大量生産に向いており、価格も比較的安価である。ＯＰＣ感光体はこのように優れた面がある反面、耐摩耗性が劣るとの問題があり、改善が要求されていた。
【０００６】
一方、特公昭４８−３８４３０にビス（4-ヒドロキシフェニル）スルホン（通称：ビスフェノールＳ）を含有するポリカーボネート樹脂を電子写真感光体のバインダーとしての使用も開示されているが、前述したバインダー樹脂に比べ耐摩耗性は必ずしも優れているものではなかった。
【０００７】
本発明者らは、従来の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定ポリカーボネート樹脂をバインダーとして用いた電子写真感光体は、良好な耐摩耗性を有することを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、導電性基体上に感光層を有する電子写真感光体において、該感光層のバインダー樹脂として化学式（Ａ）および一般式（Ｂ）で表される構造単位を有し、化学式（Ａ）の構造単位が全構造単位中10〜50mol ％で、かつ極限粘度が0.30〜2.0dl/g であるポリカーボネートからなる樹脂を含有してなる電子写真感光体を提供するものである。
【化４】
0004022704.tif 000002
【化５】
0004022704.tif 000003
（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 は、それぞれ水素、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基又は炭素数７〜１７のアラルキル基である。なおこれらの基の炭素に、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素から選ばれる置換基を有する場合も含む。Ｘは、
【化６】
0004022704.tif 000004
であり、ここにＲ5 及びＲ6 は、それぞれ水素、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を表すか、Ｒ5 及びＲ6 が一緒に結合して、炭素環または複素環を形成する基を表す。なおこれらの基の炭素に、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素から選ばれる置換基を有する場合も含む。a は０〜２０の整数を表す。）
【０００９】
本発明の電子写真感光体は導電性支持体上に単一層の光導電層を有するものでも、機能分離した積層型のものでも良い。最近は、露光により電荷を発生する電荷発生層と、電荷を輸送する電荷輸送層との二層からなる積層型の電子写真感光体が主流となっている。又、必要に応じて下引き層、保護層、接着層等を設けても良い。
【００１０】
前記化学式（Ａ）を誘導するジメチルビスフェノールＳは、純度が９９％以上に精製されたものが好ましい。純度が低いもの、特に異性体が多いものは、着色度が大きくなり、反応性も低下し重合の制御が困難となる。
【００１１】
本発明中のポリカーボネート樹脂の製造に使用される一般式（Ｂ）を誘導するビスフェノール類としては、具体的には4,4'−ビフェニルジオール、ビス（4-ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（4-ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルファイド、ビス（4-ヒドロキシフェニル）ケトン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）エタン、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノ−ルＡ；BPA ）、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）ブタン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（ビスフェノ−ルＺ；BPZ ）、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）-3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジブロモフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジクロロフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-ブロモフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-クロロフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-メチルフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-アリルフェニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジメチルフェニル）プロパン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）-1−フェニルエタン、ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、9,9-ビス（4-ヒドロキシフェニル）フルオレン、9,9-ビス（4-ヒドロキシ-3−メチルフェニル）フルオレン、4,4'-[1,4-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）] ビスフェノール、4,4'-[1,4-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）] ビス（2-メチルフェノール）、4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）] ビスフェノールなどが例示される。これらは、２種類以上併用して用いてもよい。また、これらの中でも特に2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンから選ばれることが好ましい。
【００１２】
一方、炭酸エステル形成性化合物としては、例えばホスゲンや、ジフェニルカーボネート、ジ−ｐ−トリルカーボネート、フェニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェニルカーボネート、ジナフチルカーボネートなどのビスアリルカーボネートが挙げられる。これらの化合物は２種類以上併用して使用することも可能である。
【００１３】
本発明のポリカーボネートは、ビスフェノールＡと炭酸エステル形成化合物からポリカーボネートを製造する際に用いられている公知の方法、例えばビスフェノール類とホスゲンとの直接反応（ホスゲン法）、あるいはビスフェノール類とビスアリールカーボネートとのエステル交換反応（エステル交換法）などの方法を採用することができる。
【００１４】
しかし、ホスゲン法とエステル交換法では、化学式（Ａ）構造を誘導するビス（4-ヒドロキシ−3-メチルフェニル）スルホン（以下、ジメチルビスフェノールＳと略称）の反応性を考慮した場合、ホスゲン法の方が好ましい。また、ジメチルビスフェノールＳの反応性と物性の観点から、化学式（Ａ）の構造単位が全構造単位中10〜50mol ％が好ましく、さらに10〜40mol%が好ましい。
【００１５】
ホスゲン法においては、通常酸結合剤および溶媒の存在下において、前記ビスフェノール類とジメチルビスフェノールＳとホスゲンを反応させる。酸結合剤としては、例えばピリジンや、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物などが用いられ、また溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが用いられる。さらに、縮重合反応を促進するために、トリエチルアミンのような第三級アミンまたは第四級アンモニウム塩などの触媒を、また重合度調節には、フェノール、p-t-ブチルフェノール、p-クミルフェノール、長鎖アルキル置換フェノール等一官能基化合物を分子量調節剤として加えることが好ましい。また、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイドロサルファイトなどの酸化防止剤や、フロログルシン、イサチンビスフェノールなど分岐化剤を小量添加してもよい。
【００１６】
反応は通常０〜１５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲とするのが適当である。反応時間は反応温度によって左右されるが、通常０．５分〜１０時間、好ましくは１分〜２時間である。また、反応中は、反応系のpHを１０以上に保持することが望ましい。
【００１７】
一方、エステル交換法においては、前記ビスフェノール類とジメチルビスフェノールＳとビスアリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温において反応させる。反応は通常１５０〜３５０℃、好ましくは２００〜３００℃の範囲の温度において行われ、また減圧度は最終で好ましくは１mmHg以下にして、エステル交換反応により生成した該ビスアリールカーボネートから由来するフェノール類を系外へ留去させる。反応時間は反応温度や減圧度などによって左右されるが、通常１〜４時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく。また、所望に応じ、分子量調節剤、酸化防止剤や分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
【００１８】
これらの反応で合成されたポリカーボネート樹脂は、湿式成形で成形された電子写真感光体が十分な膜強度を得るためには極限粘度が0.30〜2.0dl/g であることが好ましく、さらに成膜性と膜強度を重視した場合、0.40〜1.5dl/g であることが好ましい。
【００１９】
本発明の導電性支持体とは、アルミニウム、ステンレス鋼、ニッケル等の金属材料や、又、表面にアルミニウム、パラジウム、酸化スズ、酸化インジウム等の導電性層を設けたポリエステルフィルム、フェノール樹脂、紙等が使用される。
【００２０】
本発明の電荷発生層は公知の方法により、導電性支持体上に形成される。電荷発生物質としては、例えば、アゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、ベンズイミダゾール系、多環式キノリン系、インジゴイド系、キナクリドン系、フタロシアニン系、ペリレン系、メチン系等の有機顔料が使用できる。これらの電荷発生物質は、その微粒子をポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、各種セルロース等のバインダー樹脂に分散させた形で使用される。
【００２１】
本発明の電荷輸送層は、電荷発生層上に公知の方法により、本発明のポリカーボネート樹脂をバインダー樹脂として、電荷輸送物質を分散させる事により形成される。電荷輸送物質としては、例えば、ポリテトラシアノエチレン；２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン系化合物；ジニトロアントラセン等のニトロ化合物；無水コハク酸；無水マレイン酸；ジブロモ無水マレイン酸；トリフェニルメタン系化合物；２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン等のスチリル系化合物；ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等のカルバゾール系化合物；１−フェニル−３−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリン等のピラゾリン系化合物；４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のアミン誘導体；１、１ービス（４−ジエチルアミノフェニル）−４，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン等の共役不飽和化合物；４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン系化合物；インドール系化合物、オキサゾール系化合物、イソオキサゾール系化合物、チアゾール系化合物、チアジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物、ピラゾール系化合物、ピラゾリン系化合物、トリアゾール系化合物等の含窒素環式化合物；縮合多環式化合物等が挙げられる。上記電荷輸送物質は単独で使用しても、複数種併用しても良い。
【００２２】
電荷発生層及び電荷輸送層は、上記の電荷発生物質、又は、電荷輸送物質を、それぞれバインダー樹脂と、適当な溶媒に溶解させ、その溶液を浸漬塗布法やスプレー法等により塗布し、乾燥させる事により形成できる。この溶媒としては、ハロゲン系有機溶媒と非ハロゲン系溶媒の２種類に大別できるが、一般的に可燃性が少ないハロゲン系溶媒が多用される。近年は、安全性や環境保全の観点から、非ハロゲン系溶媒が使用される比率が大きくなっており、本発明で用いられるポリカーボネート樹脂も非ハロゲン系溶媒の多くに良溶である。
【００２３】
非ハロゲン系溶媒ではベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、エチルセロソルブ等のエステル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒、その他ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムアミド等が挙げられる。またハロゲン系溶媒としては塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、塩化エチレン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン等が挙げられ、これらの溶媒は非ハロゲン、ハロゲンを問わず単独で使用しても良く、又は、２種以上を併用し混合用溶媒として使用しても良い。
【００２４】
電荷発生物質とバインダー樹脂の混合比は、１０：１〜１：２０の範囲内が好ましい。この電荷発生層の厚さは、０．０１〜２０μｍ、好ましくは０．１〜２μｍが好適である。
【００２５】
電荷輸送物質とバインダー樹脂との混合比は、１０：１〜１：１０の範囲内が好ましい。この電荷輸送層の厚さは、２〜１００μｍ、好ましくは５〜３０μｍが好適である。
【００２６】
電子写真感光体の製造は、溶液流延法、キャスト法、スプレー法、浸漬塗布法（ディップ法）等の公知湿式成形で容易に成形可能である。
【００２７】
以下、実施例及び比較例によって具体的に説明するが、本願発明を限定するものではない。
【００２８】
【実施例】
実施例１
8.8w/v％の水酸化ナトリウム水溶液６２０ｍｌに1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン（以下、ＢＰＺと略称）６４．３ｇ（0.24mol ）、ビス（4-ヒドロキシ−3-メチルフェニル）スルホン（以下、ＤＭＳと略称）４４．５ｇ（0.16mol ）、ハイドロサルファイト０．１ｇ、トリエチルアンモニウムベンジルクロライド０．０５ｇを溶解した。これにメチレンクロライド４００ｍｌを加えて撹拌しつつ、１５℃に保ちながら、ついでホスゲン５０ｇを５０分で吹き込んだ。
【００２９】
ホスゲン吹き込み終了後、p-t-ブチルフェノール（以下、ＰＴＢＰと略称）０．８ｇを加え激しく撹拌して、反応液を乳化させ、乳化後、０．２ｍｌのトリエチルアミンを加え、２０〜２５℃にて約１時間撹拌し、重合させた。重合終了後、反応液を水相と有機相に分離し、有機相をリン酸で中和し、洗液（水相）の導電率が１０μＳ以下になるまで水洗を繰り返した。得られた重合体溶液を、４５℃に保った温水に滴下し、溶媒を蒸発除去して白色粉末状沈殿物を得た。得られた沈殿物を濾過し、１０５℃、２４時間乾燥して、重合体粉末を得た。
【００３０】
この重合体の塩化メチレンを溶媒とする濃度0.5g/dl の溶液の２０℃における極限粘度は0.72dl/gであった。得られた重合体を赤外線吸収スペクトルにより分析した結果、1770cm-1付近の位置にカルボニル基による吸収、1240cm-1付近の位置にエーテル結合による吸収が認められ、カーボネート結合を有するポリカーボネート樹脂であることが確認された。
【００３１】
次に、アルミニウムを厚さ約５０ｎｍ蒸着したポリエチレンテレフタレートフィルム上に、τ型銅フタロシアニン１０部とフェノキシ樹脂５部、ポリビニルブチラール樹脂５部、ジメトキシエタン１００部とを混合し、サンドグラインドミルにて粉砕分散処理を行った塗布液を用いて塗布し、乾燥し、厚さ約０．５μｍの電荷発生層を設けた。次に、４−（Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾンを５０部、上記合成重合により得られたポリカーボネート樹脂を５０部、テトラヒドロフランを３５０部、使用した塗布液を作製し、上記電荷発生層上に塗布し、風乾後１００℃、８時間乾燥し、厚さ約２０μｍの電荷輸送層を設けて、積層型電子写真感光体を作製した。
【００３２】
この電子写真感光体の評価を、（株）川口電気製作所製ＥＰＡ−８１００静電気帯電試験装置にて、帯電特性を調べた。また耐摩耗性については、スガ試験機株式会社製テーバ摩耗試験機を用いて削れ量を測定した。
【００３３】
実施例２
ＢＰＺを９６．５ｇ（0.36mol ）、ＤＭＳを１１．１ｇ（0.04mol ）に変更した以外は実施例１と同様に合成を行った。得られたポリカーボネート樹脂の極限粘度は0.80dl/gであった。また、電子写真感光体成形および物性評価も実施例１と同様に行った。
【００３４】
実施例３
ＢＰＺの代わりに、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン（以下、ＢＰＡと略称）５４．７ｇ（0.24mol ）に変更した以外は、実施例１と同様に行った。得られたポリカーボネート樹脂の極限粘度は0.82l/g であった。
【００３５】
実施例４
ＢＰＺの代わりにＢＰＡを８２．１ｇ（0.36mol ）、ＤＭＳを１１．１ｇ（0.04mol ）用いた以外は、実施例１と同様に合成を行った。得られたポリカーボネート樹脂の極限粘度は0.86dl/gであった。また、電子写真感光体成形および物性評価も実施例１と同様に行った。
【００３６】
実施例５
ＢＰＺを５３．６ｇ（0.2mol）、ＤＭＳを５５．６ｇ（0.2mol）に変更した以外は実施例１と同様に合成を行った。得られたポリカーボネート樹脂の極限粘度は0.70dl/gであった。また、電子写真感光体成形および物性評価も実施例１と同様に行った。
【００３７】
実施例６
ＢＰＺの代わりにＢＰＡを６８．４ｇ（0.3mol）、ＤＭＳを２７．８ｇ（0.1mol）、ＰＴＢＰを０．４ｇに変更した以外は実施例１と同様に行った。得られたポリカーボネート樹脂の極限粘度は1.29dl/gであった。また、電子写真感光体成形および物性評価も実施例１と同様に行った。
【００３８】
実施例７
ＰＴＢＰを１．８ｇに変更した以外は実施例１と同様に行った。得られたポリカーボネート樹脂の極限粘度は0.40dl/gであった。また、電子写真感光体成形および物性評価も実施例１と同様に行った。
【００３９】
比較例１
実施例１のポリカーボネート樹脂の代わりに、市販のＢＰＺ型ホモポリカーボネート樹脂（三菱ガス化学（株）製ユーピロンＰＣＺ、極限粘度0.78dl/g）を用いて、実施例１と同様の評価試験を行った。
【００４０】
比較例２
実施例１のポリカーボネート樹脂の代わりに、市販のＢＰＡ型ホモポリカーボネート樹脂（三菱ガス化学（株）製ユーピロンＥ−１０００、極限粘度0.61dl/g）を用いて、実施例１と同様の評価試験を行った。
【００４１】
比較例３
ＤＭＳの代わりに、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルホン（以下、ＢＰＳと略称）を用いた以外は、実施例１と同様に合成を行った。得られた樹脂の極限粘度は0.74dl/gであった。このポリカーボネート樹脂を用いて実施例１と同様の評価試験を行った。
【００４２】
比較例４
ＤＭＳの代わりに、ＢＰＳを用いた以外は、実施例３と同様に合成を行った。得られた樹脂の極限粘度は0.85dl/gであった。このポリカーボネート樹脂を用いて実施例１と同様の評価試験を行った。
【００４３】
【表１】
0004022704.tif 000005
【００４４】
〔表１の略記の説明〕
ＤＭＳ  ：ビス（4-ヒドロキシ−3-メチルフェニル）スルホン
ＢＰＳ  ：ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルホン
ＢＰＺ  ：1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン
ＢＰＡ  ：2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン
極限粘度：20℃、0.5%ジクロロメタン溶液、ハギンズ定数0.45で測定
初期電位：DC帯電器ニテ50μＡ電流が流入スルヨウ調整したときの初期帯電量（-V）
残留電位：露光（除電１０Ｌｕｘ）後、４秒後の残留電位（-V）
摩耗量  ：荷重300g、CS-17 輪、1000回往復運動後のテーバ摩耗試験を行った際の摩耗量(mg)
【００４５】
【発明の効果】
本発明の電子写真感光体は、ジメチルビスフェノールＳより誘導されたコポリカーボネート樹脂をバインダーに使用することにより、電子写真感光体の帯電特性を維持したまま耐摩耗性が向上する。そのため電子写真画像の安定化や感光体寿命延長効果が期待される。