(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁フィルム表面に銅箔を接着し、該銅箔をエッチングして所望の配線パターンを形成した後、該エッチングにより形成されたリード部を除く配線パターンを覆うようにソルダーレジストを塗布した後、
前記配線パターンのリード部の表面に、メッキ処理にて金属をメッキするための電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法であって、
前記絶縁フィルムに設けられ表面側が銅箔で閉塞されている位置決めセンサー用のセンサー用非貫通孔に金属をメッキするために、
前記メッキ処理の際に、メッキ処理液に超音波をかけてメッキ処理することを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法。
【請求項２】
前記メッキ処理の前に、前記センサー用非貫通孔の開口部側からセンサー用非貫通孔に対してメッキ処理液を噴霧することを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法。
【請求項３】
前記メッキ処理の際の超音波の周波数が、１０〜６０ｋHzであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法。
【請求項４】
前記メッキ処理の際の超音波の周波数が、２５〜３５ｋHzであることを特徴とする請求項３に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法。
【請求項５】
前記メッキ処理の際に、３〜１２０秒の間、超音波をかけることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法。
【請求項６】
前記メッキ処理の際に、１０〜２０秒の間、超音波をかけることを特徴とする請求項５に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法。
【請求項７】
前記メッキ処理の際に、前記センサー用非貫通孔の開口部側からメッキ処理液に超音波をかけてメッキ処理することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法。
【請求項８】
絶縁フィルム表面に銅箔を接着し、該銅箔をエッチングして所望の配線パターンを形成した後、該エッチングにより形成されたリード部を除く配線パターンを覆うようにソルダーレジストを塗布した後、
前記配線パターンのリード部の表面に、メッキ処理にて金属をメッキするとともに、前記絶縁フィルムに設けられ表面側が銅箔で閉塞されている位置決めセンサー用のセンサー用非貫通孔に金属をメッキするためための電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置であって、
メッキ処理槽の外部よりメッキ処理槽全体を超音波振動させる超音波付与装置を備えることを特徴とする電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置。
【請求項９】
前記超音波付与装置が、前記メッキ処理槽の底壁外部に配設されていることを特徴とする請求項８に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置。
【請求項１０】
前記メッキ処理槽を、メッキ処理液回収槽内部に配設するとともに、前記超音波付与装置を回収したメッキ処理液から液密に保護する保護カバーを設けたことを特徴とする請求項８または９に記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置。
【請求項１１】
前記メッキ処理の前に、前記センサー用非貫通孔の開口部側からメッキ処理液を噴霧するメッキ処理液噴霧装置を備えることを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置。
【請求項１２】
前記メッキ処理槽を、合成樹脂で形成したことを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置。
【請求項１３】
前記メッキ処理槽の少なくとも前記超音波付与装置を配設する壁面を、合成樹脂で被覆した金属板で形成したことを特徴とする請求項８から１２いずれかに記載の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子部品実装用フィルムキャリアテープ（ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、Ｔ-ＢＧＡ(Tape Ball Grid Array)テープ、ＣＳＰ（Chip Size Package）テープ、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）テープなど）（以下、単に「電子部品実装用フィルムキャリアテープ」と言う。）の製造において、メッキ処理工程における電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法、およびそのための電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトロニクス産業の発達に伴い、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）などの電子部品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加しているが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望され、これら電子部品の実装方法として、最近ではＴＡＢテープ、Ｔ-ＢＧＡテープおよびＡＳＩＣテープなどを用いた実装方式が採用されており、特に、パーソナルコンピュータなどのように高精細化、薄型化、液晶画面の額縁面積の狭小化が要望されている液晶表示素子（ＬＣＤ）を使用する電子産業においてその重要性が高まっている。
【０００３】
従来より、このような電子部品実装用フィルムキャリアテープでは、例えば、ＴＡＢテープを製造する方法としては、下記のような行程を経て製造されている。
すなわち、先ず、ポリイミドフィルムのような基材となる絶縁フィルムをプレス機でパターン打ち抜きを行った後、この絶縁フィルムに接着剤を介して銅箔を熱圧着により貼着する。そして、この銅箔の上面にフォトレジストを全面に塗布して、このフォトレジストをフォトレジストマスクを使用して所望のパターン形状に紫外線により露光し、この露光されたフォトレジスト部分を現像液によって溶解除去する。このフォトレジストで覆われていない銅箔部分を、エッチング液である酸で化学的に溶解（エッチング処理）して除去するとともに、フォトレジストをアルカリ液にて溶解除去することによって絶縁フィルム上に残った銅箔により所望の配線パターンを形成する。
【０００４】
そして、実装時のゴミやウィスカー、マイグレーションによる短絡を防止し、配線間の保護並びに絶縁のために、配線パターンのうち、ＩＣなどのデバイス（電子部品）に接続されるインナーリードおよび液晶表示素子などに接続されるアウターリードなどのリード部分を除いて、絶縁樹脂であるソルダーレジストを、スクリーン印刷法によりスキージを用いて塗布パターンの形成されたスクリーンを介して塗布した後、乾燥、硬化させてソルダーレジスト被覆層を形成している。
【０００５】
また、銅表面に生成した酸化被膜と汚れを除去するため、酸洗い工程を実施することもある。これは、特に、いわゆる２色ソルダーレジスト品と呼ばれる、エポキシソルダーを塗布した後、ポリイミドソルダーを塗布する製品であるが、この場合に、ポリイミドソルダー塗布前に行われるのが通常である。
その後、露出したリード部分の酸化、変色を防止するとともに、リード部分に接続されるデバイスのバンプなどの接続部分との接着強度を確保するために、リード部分を、例えば、スズメッキ、金メッキ、スズ−鉛の共晶合金メッキなどを施すことにより製造されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このようなＴＡＢテープでは、最近では、ＩＣなどのデバイスを実装する際に、ＴＡＢテープを正確に位置決めするために、センサー用の非貫通孔が設けられている。
すなわち、図５に示したように、ＴＡＢテープ２００は、ポリイミドフィルムのような基材からなる絶縁フィルム層２０２と、この絶縁フィルム層２０２に接着剤層２０４を介して熱圧着により貼着され、エッチング処理により形成された配線パターンを形成する銅箔層２０６を備えている。この配線パターンのうち、ＩＣなどのデバイス（電子部品）に接続されるインナーリードおよび液晶表示素子などに接続されるアウターリードなどのリード部分２０１を除いて、絶縁樹脂であるソルダーレジスト被覆層２０９が銅箔層２０６に被覆形成されている。そして、絶縁フィルム層２０２が部分的に予め打ち抜かれて、位置決めセンサー用のセンサー用非貫通孔２０８が形成されている。なお、このセンサー用非貫通孔２０８は、その表面側が配線パターンを形成する銅箔層２０６で閉塞されている。
【０００７】
ところで、このようなＴＡＢテープ２００の製造方法では、前述したように、露出したリード部分２０１を、酸化、変色を防止するなどのために、例えば、スズメッキ、金メッキ、スズ−鉛の共晶合金メッキなどでメッキするが、この際、センサー用非貫通孔２０８内に露出する銅箔層部分２１１もメッキ処理する必要がある。
【０００８】
このために、従来では連続的に搬送されてくるＴＡＢテープ２００を、図６に示したように、例えば、スズメッキ処理液などのメッキ処理液２１０を収容したメッキ処理槽２１２内を通過させることによって、メッキ処理を施していた。
しかしながら、このようなセンサー用非貫通孔２０８は、その深さ、すなわち絶縁フィルム層２０２の厚さが、例えば、７５μｍで、しかも、その径が６００μｍφと小さい。また、メッキ処理液中には、液の濡れ性を向上するために、界面活性剤を含んでいるので、粘性を有するために、センサー用非貫通孔２０８内に浸透しにくく、また、図７に示したように、センサー用非貫通孔２０８内にエアー２２０をかみこんだ際に、メッキ処理液が膜を形成して（２１４）なかなかこのエアーが抜けない。
【０００９】
そのため、図８（Ａ）（Ｂ）に示したように、センサー用非貫通孔２０８内にに露出する銅箔層部分２１１には、部分的にメッキ層２１６が形成していない部分２１８が形成されてしまい、不良品となってしまう。
このような不良品は、ＴＡＢテープのサイズが、ＢＧＡ（Ball Grid Array）と呼ばれるアウターリードの代わりにＴＡＢテープの孔を介してＩＣなどをハンダボールで接続するデバイスホールの設けられていないＴＡＢテープ、ＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるＩＣのサイズとＴＡＢテープのパッケージのサイズとが同じであり、その接続方法が主にＢＧＡと同じであるＴＡＢテープのように、ますます小型化し、これにともないセンサー用非貫通孔２０８の孔のサイズも、例えば、４００μｍφ、１５０μｍφと小さくなっていくにつれて、ますます多くなっている。
【００１０】
従って、本発明の目的とするところは、電子部品実装用フィルムキャリアテープの製造において、メッキ処理工程において、センサー用非貫通孔内にメッキ処理液が浸透しやすく、センサー用非貫通孔内にエアーをかみこんだ際にも、メッキ処理液による膜が容易に壊れてエアーが抜け、センサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分を均一に全面にわたってメッキ層を形成することの可能な電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法、およびそのための電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前述したような従来技術における課題及び目的を達成するために発明なされたものであって、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法は、絶縁フィルム表面に銅箔を接着し、該銅箔をエッチングして所望の配線パターンを形成した後、該エッチングにより形成されたリード部を除く配線パターンを覆うようにソルダーレジストを塗布した後、
前記配線パターンのリード部の表面に、メッキ処理にて金属をメッキするための電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法であって、
前記絶縁フィルムに設けられ表面側が銅箔で閉塞されている位置決めセンサー用のセンサー用非貫通孔に金属をメッキするために、
前記メッキ処理の際に、メッキ処理液に超音波をかけてメッキ処理することを特徴とする。
【００１２】
これによって、メッキ処理液が超音波振動することになるので、センサー用非貫通孔内にメッキ処理液が浸透しやすくなり、しかも、センサー用非貫通孔内にエアーをかみこんだ際にも、この超音波振動の作用によって、メッキ処理液による膜が容易に壊れてエアーが抜けるため、センサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分を均一に全面にわたってメッキ層を形成することができる。
【００１３】
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法は、前記メッキ処理の前に、前記センサー用非貫通孔の開口部側からセンサー用非貫通孔に対してメッキ処理液を噴霧することを特徴とする。
このようにメッキ処理液を噴霧することによって、センサー用非貫通孔の開口部からセンサー用非貫通孔の内部、特に、センサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分にメッキ処理液が予め浸透して、この状態でメッキ処理液に浸漬されることになる。従って、センサー用非貫通孔内にエアーをかみこむことが少なくなり、センサー用非貫通孔内全体ににメッキ処理液が浸透するため、よりいっそうセンサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分を均一に全面にわたってメッキ層を形成することができる。
【００１４】
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法は、前記メッキ処理の際の超音波の周波数が、１０〜６０ｋHz、好ましくは、２５〜３５ｋHzとするのが望ましい。
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法は、前記メッキ処理の際に、３〜１２０秒の間、好ましくは、１０〜２０秒の間、超音波をかけることを特徴とする。
【００１５】
すなわち、このような周波数の超音波で、このような時間超音波をかけるのであれば、電子部品実装用フィルムキャリアテープのデバイスホール内に突設するインナーリードが、超音波振動によって折曲することなく、ショートを起こすこともなく、機械的強度も低下せず、ＩＣなどを実装する際に接触不良などを起こすこともない。また、ソルダーレジストが、配線パターンから剥離することがないので、配線間の保護、絶縁が十分確保されることになる。
【００１６】
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理方法は、前記メッキ処理の際に、前記センサー用非貫通孔の開口部側からメッキ処理液に超音波をかけてメッキ処理することを特徴とする。
これにより、超音波振動によって、センサー用非貫通孔の開口部内にメッキ処理液が浸透することになるので、センサー用非貫通孔内にエアーをかみこむことが少なくなり、センサー用非貫通孔内全体ににメッキ処理液が浸透するため、よりいっそうセンサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分を均一に全面にわたってメッキ層を形成することができる。
【００１７】
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置は、絶縁フィルム表面に銅箔を接着し、該銅箔をエッチングして所望の配線パターンを形成した後、該エッチングにより形成されたリード部を除く配線パターンを覆うようにソルダーレジストを塗布した後、
前記配線パターンのリード部の表面に、メッキ処理にて金属をメッキするとともに、前記絶縁フィルムに設けられ表面側が銅箔で閉塞されている位置決めセンサー用のセンサー用非貫通孔に金属をメッキするためための電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置であって、
メッキ処理槽の外部よりメッキ処理槽全体を超音波振動させる超音波付与装置を備えることを特徴とする。
【００１８】
これによって、超音波付与装置により、メッキ処理槽全体が超音波振動して、メッキ処理液が超音波振動することになるので、センサー用非貫通孔内にメッキ処理液が浸透しやすくなり、しかも、センサー用非貫通孔内にエアーをかみこんだ際にも、この超音波振動の作用によって、メッキ処理液による膜が容易に壊れてエアーが抜けるため、センサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分を均一に全面にわたってメッキ層を形成することができる。
【００１９】
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置は、前記超音波付与装置が、前記メッキ処理槽の底壁外部に配設されていることを特徴とする。
これにより、メッキ処理槽の底壁から超音波振動するので、センサー用非貫通孔の開口部内にメッキ処理液が浸透することになり、センサー用非貫通孔内にエアーをかみこむことが少なくなり、センサー用非貫通孔内全体ににメッキ処理液が浸透するため、よりいっそうセンサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分を均一に全面にわたってメッキ層を形成することができる。
【００２０】
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置は、前記メッキ処理槽を、メッキ処理液回収槽内部に配設するとともに、前記超音波付与装置を回収したメッキ処理液から液密に保護する保護カバーを設けたことを特徴とする。
このように構成することによって、メッキ処理槽から溢れたメッキ処理液を回収して、再び使用できるとともに、超音波付与装置が、保護カバーで液密に保護されているので、超音波付与装置がメッキ処理液で腐食されることもなく、しかも装置全体をコンパクトにすることができる。
【００２１】
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置は、前記メッキ処理の前に、前記センサー用非貫通孔の開口部側からメッキ処理液を噴霧するメッキ処理液噴霧装置を備えることを特徴とする。
このようにメッキ処理液噴霧装置によって、メッキ処理液を噴霧することによって、センサー用非貫通孔の開口部からセンサー用非貫通孔の内部、特に、センサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分にメッキ処理液が予め浸透して、この状態でメッキ処理液に浸漬されることになる。従って、センサー用非貫通孔内にエアーをかみこむことが少なくなり、センサー用非貫通孔内全体ににメッキ処理液が浸透するため、よりいっそうセンサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分を均一に全面にわたってメッキ層を形成することができる。
【００２２】
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置は、前記メッキ処理槽を、合成樹脂で形成したことを特徴とする。
このようにメッキ処理槽を合成樹脂で形成することによって、メッキ処理槽がメッキ処理液によって腐食されることがない。
また、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置は、前記メッキ処理槽の少なくとも前記超音波付与装置を配設する壁面を、合成樹脂で被覆した金属板で形成したことを特徴とする。
【００２３】
このように構成することによって、超音波付与装置を配設する壁面合成樹脂で被覆した金属板で形成されているので、超音波付与装置によって超音波振動が効率よく伝播することになり、よりいっそうセンサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分を均一に全面にわたってメッキ層を形成することができる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態（実施例）について説明する。
図１は、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置全体の側面図、図２は、図１のメッキ処理装置のメッキ処理槽部分の上面図、図３は、図２のメッキ処理槽部分の側面図である。
【００２５】
図１には、全体で、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置１０（以下、単に「メッキ処理装置」と言う。）を示している。
メッキ処理装置１０では、予め前工程であるエッチング工程で、ＴＡＢテープフィルムのフォトレジストで覆われていない銅箔部分がエッチング液により除去され、絶縁フィルム上に残った銅箔により配線パターンが形成され、インナーリード、アウターリードなどのリード部分を除いて、配線パターン部分を絶縁樹脂であるソルダーレジストで被覆したＴＡＢテープフィルムＴ（以下、「フィルムＴ」と言う。）が、送り出しロール（図示せず）から、メッキ処理装置１０のメッキ処理槽１２に連続的に送給されるようになっている。
【００２６】
そして、メッキ処理槽１２内にて、例えば、スズメッキ処理液などのメッキ処理液１４によって、酸化、変色を防止するなどのために、露出したリード部分２０１と、センサー用非貫通孔２０８内に露出する銅箔層部分２１１がスズなどの金属でメッキされるようになっている。
そして、メッキ処理装置１０のメッキ処理槽１２を通過したフィルムＴは、図示しない巻き取りロールにスペーサを介して巻き取られ、最終的にＴＡＢテープが製造されるようになっている。
【００２７】
図１に示したように、メッキ処理装置１０には、連続的に送給されるフィルムＴに、センサー用非貫通孔２０８の開口部側からセンサー用非貫通孔２０８に対してメッキ処理液を噴霧するメッキ処理液噴霧装置１６を備えている。
このメッキ処理液噴霧装置１６は、センサー用非貫通孔２０８に対してメッキ処理液を噴霧することによって、センサー用非貫通孔２０８の開口部からセンサー用非貫通孔の内部、特に、センサー用非貫通孔２０８内に露出する銅箔層部分２１１にメッキ処理液を予め浸透させるためのものである。そして、この状態で、メッキ処理槽１２内にて、メッキ処理液に浸漬されることになり、センサー用非貫通孔内にエアーをかみこむことが少なくなり、センサー用非貫通孔内全体ににメッキ処理液が浸透するため、よりいっそうセンサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分を均一に全面にわたってメッキ層を形成することができるようにするためのものである。
【００２８】
この場合、メッキ処理液噴霧装置１６からのメッキ処理液の噴霧は、一定の噴霧圧力で噴出されるように構成され、その噴霧圧力としては、メッキ処理液がセンサー用非貫通孔２０８内に露出する銅箔層部分２１１にまで浸透するようにするためには、１〜３kgf/cm2の範囲、噴出量が５〜１５l/minとなるように設定するのが望ましい。メッキ処理液のセンサー用非貫通孔は、噴霧圧力や噴出量が多い方が好ましいが、製品搬送の際の安定性及びそれを保ちうるためのコストを最小限に押さえるためには、前記したような範囲で設定するのが望ましい。
【００２９】
また、図１〜図３に示したように、メッキ処理液噴霧装置１６の下流側には、メッキ処理槽１２が配設されている。
このメッキ処理槽１２は、箱形状のメッキ処理槽本体１８を備えており、メッキ処理槽本体１８は、隔壁２１によって、２つのメッキ槽２０、２２に区画されている。なお、このように２つのメッキ槽２０、２２を設けたのは、２本のフィルムＴを同時に処理するためである。
【００３０】
なお、メッキ処理液噴霧装置１６と、メッキ処理槽１２との間の距離は、特に限定されるものではない。
これらのメッキ槽２０、２２の底部壁２４、２６には、超音波付与装置２８が設けられている。この超音波付与装置２８は、メッキ槽２０、２２の底部壁２４、２６に付設されたフィルムＴの搬送方向に二列の合計８個の超音波振動子３０、３２を備えている。
【００３１】
これらの超音波振動子３０、３２は、好ましくは、図２に示したように、メッキ槽２０、２２の横方向に（すなわちフィルムＴの搬送方向に対して垂直な方向に）位置をずらして配置することにより、フィルムＴの幅方向全体にわたって、超音波振動を付与するように配置するのが望ましい。
なお、このような超音波振動子の数は、特に限定されるものではなく、メッキ槽２０、２２の大きさに応じて、適宜設定すればよい。
【００３２】
これらの超音波振動子３０、３２は、メッキ槽２０、２２の底部壁２４、２６に、図示しないネジなどの締結部材で取付けられた保護カバー３４で保護されている。また、これらの超音波振動子３０、３２を振動させるための電気配線３６が、保護カバー３４の配線用開口３８を介して、保護カバーの外部に配設されている。これらの配線用開口３８と、保護カバー３４のメッキ槽２０、２２の底部壁２４、２６への取付け部には、図示しないシール材が取付けられており、メッキ処理槽本体１８が配置されるメッキ処理液回収槽８２内に回収されたメッキ液４０から超音波振動子３０、３２を液密に保護して、腐食されないようになっている。
【００３３】
また、メッキ槽２０、２２の前方壁４２、４４には、送給されてくるフィルムＴを導入する導入口４６、４８が形成されており、この導入口４６、４８には、メッキ槽２０、２２内に収容したメッキ処理液１４が、メッキ槽２０、２２からある程度漏れないようにするために、上下に配設した導入口ローラ５０、５２が設けられている。同様に、メッキ槽２０、２２の後方壁５４、５６には、メッキ槽２０、２２内でメッキ処理されたフィルムＴを外部に送出する送出口５８、６０が形成されており、この送出口５８、６０には、導入口ローラ５０、５２と同様な送出口ローラ６２、６４が設けられている。
【００３４】
さらに、メッキ槽２０、２２の底部壁２４、２６には、メッキ槽２０、２２内へ、図示しないメッキ処理液貯留タンクから供給配管６６、６８を介して、メッキ処理液１４を供給するための、メッキ処理液供給口７０、７２が設けられている。
また、メッキ処理槽１２は、その側壁７４、７６に設けられたフランジ７８、８０を介して、メッキ処理液回収槽８２の側壁８３に設けられたフランジ８４、８６にネジなどの締結部材で連結され、メッキ処理液回収槽８２内に位置するように配設されている。メッキ処理液回収槽８２に貯まった回収処理液は、回収口８５から回収配管８６を介して、図示しない回収装置に送られるようになっている。
【００３５】
この場合、図示しないが、これらのフランジ７８、８０とフランジ８４、８６との間には、超音波付与装置２８によるメッキ処理槽１２の超音波振動を阻害しないように、図示しないが、ゴムなどの緩衝材を介装するのが望ましい。
なお、メッキ槽２０、２２、およびメッキ処理液回収槽８２は、内部に収容されるメッキ処理液１４に浸食されないように、例えば、塩化ビニル樹脂などの合成樹脂で作製するのが望ましい。
【００３６】
また、図示しないが、メッキ槽２０、２２の超音波振動子３０、３２が付設される底部壁２４、２６を、例えば、ステンレスなどの金属板で作製し、その内面側を上記の合成樹脂で被覆するようにすれば、超音波振動子３０、３２によるメッキ処理槽１２の超音波振動が促進されるためには望ましい。
さらに、超音波付与装置２８の超音波振動子３０、３２によるメッキ槽２０、２２への超音波の周波数としては、１０〜６０ｋHz、好ましくは、２５〜３５ｋHzとするのが望ましい。また、この際に、メッキ槽２０、２２内をフィルムＴが通過する時間、すなわち、超音波をフィルムＴにかける時間としては、３〜１２０秒の間、好ましくは、１０〜２０秒の間、超音波をかけるのが望ましい。
【００３７】
すなわち、のような周波数の超音波で、このような時間超音波をかけるのであれば、電子部品実装用フィルムキャリアテープのデバイスホール内に突設するインナーリードが、超音波振動によって折曲することなく、ショートを起こすこともなく、機械的強度も低下せず、ＩＣなどを実装する際に接触不良などを起こすこともない。また、ソルダーレジストが、配線パターンから剥離することがないので、配線間の保護、絶縁が十分確保されることになるからである。
【００３８】
このように構成される本発明のメッキ処理装置１０では、連続的に送給されるフィルムＴが、先ず、メッキ処理液噴霧装置１６を通過することによって、センサー用非貫通孔２０８に対してメッキ処理液を噴霧して、センサー用非貫通孔２０８の開口部からセンサー用非貫通孔の内部、特に、センサー用非貫通孔２０８内に露出する銅箔層部分２１１にメッキ処理液を予め浸透させる。
【００３９】
この状態で、メッキ槽２０、２２の前方壁４２、４４の導入口４６、４８から、メッキ槽２０、２２内に収容されたメッキ処理液１４内に浸漬され、リード部分２０１センサー用非貫通孔２０８内に露出する銅箔層部分２１１がメッキされることになる。
この際、超音波付与装置２８の超音波振動子３０、３２によって、メッキ槽２０、２２の底部壁２４、２６を介して、メッキ槽２０、２２全体が超音波振動して、その内部に収容されたメッキ処理液１４も超音波振動することになる。
【００４０】
従って、図４に示したように、メッキ処理液１４が超音波振動することになるので、センサー用非貫通孔２０８内にメッキ処理液１４が浸透しやすくなり、しかも、センサー用非貫通孔２０８内にエアー２２０をかみこんだ際にも、この超音波振動の作用によって、メッキ処理液による膜２１４が容易に壊れてエアーが抜けるため、センサー用非貫通孔２０８内に露出する銅箔層部分２１１を均一に全面にわたってメッキ層を形成することができる。
【００４１】
そして、メッキ槽２０、２２の後方壁５４、５６に設けられた送出口５８、６０を介して、メッキ処理装置１０のメッキ処理槽１２から送り出されたフィルムＴは、図示しない巻き取りロールにスペーサを介して巻き取られ最終的にＴＡＢテープが製造されるようになっている。
なお、上記実施例では、メッキ槽２０、２２の底部壁２４、２６超音波振動子３０、３２を付設したが、メッキ槽２０、２２の側壁７４、７６に設けることも勿論可能である。この場合には、フィルムＴを鉛直方向に、メッキ処理槽１２に供給するのが望ましい。
【００４２】
【実施例】
【００４３】
【実施例１】
厚さ７５μｍのポリイミドフィルムに、パンチングにより、デバイスホール、スプロケットホール、ならびに２００μｍφのセンサー用孔を形成した。次いで、このポリイミドフィルム表面に、エポキシ系接着剤を塗布し、厚さ１８μｍの銅箔を貼着した。
【００４４】
さらに、この銅箔上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを露光し、さらにエッチングすることにより銅箔に配線パターンを形成した。
次いで、インナーリードおよびアウターリードの先端部がマスキングされたシルクスクリーン（目開き２００メッシュ）にスキージにてエポキシ樹脂からなるソルダーレジストを乾燥厚さが１５μｍになるように、塗布した。
【００４５】
このようにしてソルダーレジスト層を形成した後、このフィルムを、センサー用非貫通孔の開口部側から、メッキ処理液噴霧装置を用いて、噴霧圧力1.0kgf／cm2で、無電解スズメッキ液（スズメッキ液の組成はＳn（II価）で３０g／リットルの無電解スズメッキ市販液）を噴霧した。
【００４６】
その後、このフィルムを、超音波振動付与装置を備えた無電解スズメッキ槽（スズメッキ液の組成は同じくＳn（II価）で３０g／リットルの無電解スズメッキ市販液）に浸漬して、ソルダーレジストが塗工されていない配線パターン表面、ならびにセンサー用非貫通孔の銅箔部分に０．４μｍの厚さでスズメッキ層を形成した。
【００４７】
この際、周波数１０、２５、３５、６０ｋHzの超音波を、３、１０、２０、１２０秒の間かけて行い、実体顕微鏡で、インナーリードの曲がり、センサー用非貫通孔の銅箔部分のメッキの程度を観察した。
また、メッキ処理液噴霧装置を用いないで、無電解スズメッキ槽浸漬して、スズメッキ層を形成したフィルムについても同様に、インナーリードの曲がり、センサー用非貫通孔の銅箔部分のメッキの程度を観察した。
【００４８】
さらに、比較として、メッキ処理液噴霧装置によるメッキ液の噴霧、ならびに超音波振動を与えないでメッキ処理した従来のメッキ処理の結果も、同様に観察した。
この結果、表１の結果から明らかなように、本発明の何れの場合にも、インナーリードの曲がりがなく、センサー用非貫通孔の銅箔部分にメッキ層が均一に全体に形成される割合が高かった。なお、メッキ処理液噴霧装置を用いないで、メッキ処理を行ったよりも、メッキ処理液噴霧装置を用いた後に、メッキ処理を行った方が、不良率は極めて少なかった。
【００４９】
これに対して、従来のメッキ処理センサー用非貫通孔の銅箔部分にメッキ層が不均一に全体には形成されず、不良率が高かった。
【００５０】
【表１】
0003958910.tif 000002
【００５１】
【実施例２】
上記実施例と同様に形成したフィルムを、センサー用非貫通孔の開口部側から、メッキ処理液噴霧装置を用いて、噴霧圧力１．0kgf／cm2で、無電解スズメッキ液（スズメッキ液の組成はＳｎ（II価）で３０g／リットルの無電解スズメッキ市販液）を噴霧した。
【００５２】
その後、このフィルムを、超音波振動付与装置を備えた無電解スズメッキ槽（スズメッキ液の組成は同じくＳｎ（II価）で３０g／リットルの無電解スズメッキ市販液）に浸漬して、ソルダーレジストが塗工されていない配線パターン表面、ならびにセンサー用非貫通孔の銅箔部分に０．４μｍの厚さでスズメッキ層を形成した。
【００５３】
この際、超音波を、下記の表２のように、周波数、時間を変更してかけて行い、実体顕微鏡で、インナーリードの曲がり、センサー用非貫通孔の銅箔部分のメッキの程度を観察した。
この結果、表２の結果から明らかなように、超音波の周波数が、１０〜６０ｋHz、好ましくは２５〜３５ｋHzの間で、超音波をかける時間が、３〜１２０秒の間、好ましくは、１０〜２０秒の間において、、インナーリードの曲がりがなく、センサー用非貫通孔の銅箔部分にメッキ層が均一に全体に形成され、不良率も少なかった。
【００５４】
【表２】
0003958910.tif 000003
【００５５】
【発明の効果】
本発明によれば、メッキ処理液が超音波振動することになるので、センサー用非貫通孔内にメッキ処理液が浸透しやすくなり、しかも、センサー用非貫通孔内にエアーをかみこんだ際にも、この超音波振動の作用によって、メッキ処理液による膜が容易に壊れてエアーが抜けるため、センサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分を均一に全面にわたってメッキ層を形成することができる。
【００５６】
また、本発明によれば、メッキ処理液を噴霧することによって、センサー用非貫通孔の開口部からセンサー用非貫通孔の内部、特に、センサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分にメッキ処理液が予め浸透して、この状態でメッキ処理液に浸漬されることになる。従って、センサー用非貫通孔内にエアーをかみこむことが少なくなり、センサー用非貫通孔内全体ににメッキ処理液が浸透するため、よりいっそうセンサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分を均一に全面にわたってメッキ層を形成することができる。
【００５７】
また、本発明によれば、電子部品実装用フィルムキャリアテープのデバイスホール内に突設するインナーリードが、超音波振動によって折曲することなく、ショートを起こすこともなく、機械的強度も低下せず、ＩＣなどを実装する際に接触不良などを起こすこともない。また、ソルダーレジストが、配線パターンから剥離することがないので、配線間の保護、絶縁が十分確保されることになる。
【００５８】
また、本発明によれば、メッキ処理槽から溢れたメッキ処理液を回収して、再び再生使用できるとともに、超音波付与装置が、保護カバーで液密に保護されているので、超音波付与装置がメッキ処理液で腐食されることもなく、しかも装置全体をコンパクトにすることができる。
また、本発明によれば、メッキ処理槽を合成樹脂で形成することによって、メッキ処理槽がメッキ処理液によって腐食されることがない。
【００５９】
さらに、本発明によれば、超音波付与装置を配設する壁面合成樹脂で被覆した金属板で形成されているので、超音波付与装置によって超音波振動が効率よく伝播することになり、よりいっそうセンサー用非貫通孔内に露出する銅箔層部分を均一に全面にわたってメッキ層を形成することができるなど幾多の顕著で特有な作用効果を奏する極めて優れた発明である。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の電子部品実装用フィルムキャリアテープのメッキ処理装置全体の側面図である。
【図２】図２は、図１のメッキ処理装置のメッキ処理槽部分の上面図である。
【図３】図３は、図２のメッキ処理槽部分の側面図である。
【図４】図４は、本発明のメッキ処理装置におけるフィルムのメッキ処理の状態を模式的に説明する概略図である。
【図５】図５は、センサー用非貫通孔を備えたＴＡＢテープの部分拡大断面図である。
【図６】図６は、従来のメッキ処理装置の概略図である。
【図７】図７は、従来のメッキ処理装置でメッキ処理の状態を模式的に説明する概略図である。
【図８】図８は、従来のメッキ処理装置でメッキ処理した非貫通孔の状態を模式的に説明する概略図である。
【符号の説明】
１０ メッキ処理装置
１２ メッキ処理槽
１４ メッキ処理液
１６ メッキ処理液噴霧装置
１８ メッキ処理槽本体
２０ メッキ槽
２１ 隔壁
２４ 底部壁
２８ 超音波付与装置
３０ 超音波振動子
３４ 保護カバー
３６ 電気配線
３８ 配線用開口
４０ メッキ液
４２ 前方壁
４６ 導入口
５０ 導入口ローラ
５４ 後方壁
５８ 送出口
６２ 送出口ローラ
６６ 供給配管
７０ メッキ処理液供給口
７４ 側壁
７８ フランジ
８２ メッキ処理液回収槽
８３ 側壁
８４ フランジ
８５ 回収口
８６ 回収配管
２００      テープ
２０１      リード部分
２０２      絶縁フィルム層
２０４      接着剤層
２０６      銅箔層
２０８      センサー用非貫通孔
２０９      ソルダーレジスト被覆層
２１０      メッキ処理液
２１１      銅箔層部分
２１２      メッキ処理槽
２１４      膜
２１６      メッキ層
２１８      部分
２２０    エアー
Ｔ   フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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