(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルキルアミン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少なくともいずれかと水とＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンとを主成分とすることを特徴とするレジスト剥離剤組成物。
【請求項２】
Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンの添加量が１．０〜２０．０重量％である請求項１記載のレジスト剥離剤組成物。
【請求項３】
半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形成する場合に生成するレジスト残渣を、請求項１又は２記載のレジスト剥離剤組成物を用いて剥離・除去することを特徴とするレジスト剥離剤組成物の使用方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路、液晶パネルの半導体素子回路等の製造の過程で用いられるフォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法、詳しくは、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形成するときに生成するレジスト残渣の除去性能を向上させるフォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
剥離剤組成物は、半導体集積回路、液晶パネルの半導体素子回路等の製造に用いられるフォトレジストを剥離する際に用いられる。
半導体素子回路又は付随する電極部の製造は、例えば、以下のように行われる。まず、シリコン、ガラス等の基板上に金属膜をＣＶＤやスパッタ等の方法で積層させる。その上面にフォトレジストを膜付けし、それを露光、現像等の処理でパターン形成する。パターン形成されたフォトレジストをマスクとして金属膜をエッチングする。その後、不要となったフォトレジストを剥離剤組成物を用いて剥離・除去する。その操作を繰り返すことで素子の形成が行われる。
【０００３】
従来、剥離剤組成物としては、有機アルカリ、無機アルカリ、有機酸、無機酸、極性溶剤等の単一溶剤、これらの混合溶液、又はこれらの水溶液が用いられている。
また、半導体素子回路等の製造工程における配線形成時に生成するレジスト残渣を除去するために、アルキルアミン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少なくともいずれかと、有機溶剤と、水とを主成分とするレジスト剥離剤組成物も良く知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
現在、良く使用されているモノエタノールアミン（ＭＥＡ）と、極性有機溶剤であるジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）又はＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）と、水とを主成分とするレジスト剥離剤組成物は、半導体素子回路等の製造工程における配線形成時に生成するレジスト残渣の除去性能が良くないという問題点を有している。
【０００５】
これらの点に鑑み、本発明者は種々の実験を重ねた結果、ＭＥＡ等のアルキルアミン又は／及びアルキルアンモニウム水酸化物と水とＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンとを主成分とするレジスト剥離剤組成物が、配線形成時に生成するレジスト残渣を高い性能で除去することを見出した。
【０００６】
本発明は、上記の知見に基づいてなされたもので、本発明の目的は、半導体素子回路等の製造工程における配線形成時に生成するレジスト残渣を高性能で除去するレジスト剥離剤組成物及びその使用方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のレジスト剥離剤組成物は、アルキルアミン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少なくともいずれかと水と一般式化１で表わされるＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンとを主成分とするように構成されている。
【０００８】
【化１】
0003932150.tif 000002
【０００９】
本発明のレジスト剥離剤組成物は、例えば、アルキルアミン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少なくともいずれかと水とを主成分とする剥離剤にＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンを添加して調製される。しかし、調製方法はこの方法に限らず、アルキルアミン及びアルキルアンモニウム水酸化物の少なくともいずれか、水、及びＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミン等を同時に混合してもよい。要は、剥離剤組成物中にＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンが含まれるように調製すれば良く、添加順序は適宜選択される。
【００１０】
上記のレジスト剥離剤組成物において、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンの添加量は１．０〜２０．０重量％である。
Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンの添加量が下限未満の場合は、レジスト残渣除去性能が低下するという不都合があり、一方、上限を超える場合は、剥離剤組成物の粘度が高くなるため、レジスト残渣除去性能が低下するという不都合がある。
【００１１】
アルキルアミンとしては、モノメチルアミン、モノエチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルオキシプロピルアミン、２−エトキシプロピルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、３−ジエチルアミノプロピルアミン、ジ−２−エチルヘキシルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、メチルアミノプロピルアミン、ジメチルアミノプロピルアミン、メチルイミノビスプロピルアミン、３−メトキシプロピルアミン、アリルアミン、ジアリルアミン、トリアリルアミン、イソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、イミノプロピルアミン、イミノビスプロピルアミン、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール等を用いることができる。
【００１２】
また、アルキルアンモニウム水酸化物としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドやコリン等を用いることができる。
【００１３】
本発明のレジスト剥離剤組成物の使用方法は、半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に配線を形成する場合に生成するレジスト残渣を、上記の本発明のレジスト剥離剤組成物を用いて剥離・除去することを特徴としている。
【００１４】
【実施例】
以下に実施例及び比較例を示し、本発明の特徴とするところをより一層明確にする。
実施例１〜８、比較例１〜５
シリコン酸化膜上にＴｉ／ＴｉＮ／Ａｌ−Ｃｕ／ＴｉＮ／Ｔｉの順でスパッタにより膜付けした基板を、パターニングされたレジストをマスクとしてＣｌ2 とＢＣｌ3 を用いてドライエッチングし、続いて酸素と水を用いてアッシングした時に配線側壁又は上部に生成するレジスト残渣を剥離対象物とした。
この剥離対象物を下記の剥離条件で処理した。すなわち、この剥離対象物を表１に示す組成に調製された剥離剤組成物中に６０℃で１０分間浸漬した後、イソプロパノール中に２４℃で５分間浸漬し、さらにイソプロパノール中に２４℃で５分間浸漬し、その後、純水中に２４℃で１分間浸漬して洗浄し、最後に純水をＮ2 ガスを用いてエアーガンで吹き飛ばした。
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて残渣除去の程度を観察し、残渣除去性を比較した。結果を表１に示す。表１において、◎印は「残渣なし」、○印は「ほぼ残渣なし」、×印は「処理前の残渣の状態と同じ」を示している。
【００１５】
【表１】
0003932150.tif 000003
【００１６】
表１において、化合物１はＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンを示し、ＤＭＳＯはジメチルスルホキシドを示し、ＴＭＡＨはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを示し、ＮＭＰはＮ−メチルピロリドンを示している。また、カテコール（１，２−ジヒドロキシベンゼン）は防食剤として添加されている。また、ヒドロキシルアミンは残渣除去性能を向上させるために添加されている。
表１から、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンを含まない剥離剤組成物（比較例１、３〜５）、及びＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンを２５wt％含む剥離剤組成物（比較例２）は、残渣除去性が劣るが、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンを１〜２０wt％含む剥離剤組成物（実施例１〜８）は、残渣除去性能が優れていることがわかる。
【００１７】
つぎに、本発明の剥離剤組成物の使用方法の一例について説明する。
半導体基板上又は液晶用ガラス基板上に金属薄膜をＣＶＤやスパッタ等により形成させる。その上面にフォトレジストを膜付けした後、露光、現像等の処理でパターン形成する。パターン形成されたフォトレジストをマスクとして金属薄膜をエッチングする。その後、不要となったフォトレジストを本発明の剥離剤組成物を用いて剥離・除去して配線等が形成された半導体素子が製造される。
【００１８】
【発明の効果】
本発明は上記のように構成されているので、つぎのような効果を奏する。
（１）  剥離剤にＮ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）シクロヘキシルアミンを含ませることにより、半導体素子回路等の製造工程における配線形成時に生成するレジスト残渣を高性能で除去することができる。