(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示面を有した第１基板と、
上記第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、電子を放出して上記画像表示面を励起する複数の電子源が設けられた第２基板と、
上記第１基板と第２基板との間に配設されているとともに、上記電子源から放出された電子が通過する複数の開孔を有した板状のグリッドと、
上記第１基板および第２基板間に配設され、第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、を備え、
上記グリッドは、上記第１基板に対向した第１表面、および上記第２基板に対向した第２表面を有し、上記第１表面および上記開孔の壁面に高抵抗被膜が形成され、上記開孔の周縁部に形成された高抵抗被膜の膜厚は、上記グリッドの他の領域に形成された高抵抗被膜の膜厚よりも薄く形成され、上記開孔の周縁部において高抵抗被膜が丸みを有していることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
上記グリッドの第２表面に高抵抗被膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
上記グリッドの高抵抗被膜は、１×１０７乃至１×１０１１Ω／□の抵抗値を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
上記グリッドの高抵抗被膜は、上記グリッド上に形成され抵抗値が１×１０１２乃至１×１０１５Ω／□の第１高抵抗被膜と、この第１高抵抗被膜上に積層され抵抗値が１×１０７乃至１×１０１１の第２高抵抗被膜とを含んでいることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
上記スペーサは、上記グリッドの第１表面上に立設され上記第１基板に当接した複数の柱状の第１スペーサと、上記グリッドの第２表面上に立設され上記第２基板に当接した複数の柱状の第２スペーサとを含み、
上記第１および第２スペーサの少なくとも一方は、上記グリッド表面の高抵抗膜層と一体に接合していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項６】
上記各第１スペーサは、上記開孔の間で上記グリッドの第１表面上に立設され、上記各第２スペーサは、上記開孔の間で上記グリッドの第２表面上に立設され、上記第１スペーサと整列していることを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、対向配置された一対の基板と、一方の基板に配設された複数の電子源と、を備えた画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、高品位放送用あるいはこれに伴う高解像度の画像表示装置が望まれており、そのスクリーン表示性能については一段と厳しい性能が要望されている。これら要望を達成するためにはスクリーン面の平坦化、高解像度化が必須であり、同時に軽量、薄型化も図らねばならない。
【０００３】
上記のような要望を満たす画像表示装置として、例えば、フィールドエミッションディスプレイ（以下ＦＥＤと称する）等の平面表示装置が注目されている。このＦＥＤは、所定の隙間を置いて対向配置された第１基板および第２基板を有し、これらの基板は、その周縁部同士が直接あるいは矩形枠状の側壁を介して互いに接合され真空外囲器を構成している。第１基板の内面には蛍光体層が形成され、第２基板の内面には、蛍光体層を励起して発光させる電子源として複数の電子放出素子が設けられている。
【０００４】
また、第１基板および第２基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これら基板の間には支持部材として複数のスペーサが配設されている。そして、このＦＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。
【０００５】
このようなＦＥＤでは、電子放出素子の大きさがマイクロメートルオーダーであり、第１基板と第２基板との間隔をミリメートルオーダーに設定することができる。このため、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）と比較して、画像表示装置の高解像度化、軽量化、薄型化を達成することが可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述のような画像表示装置において、実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数ｋＶ以上望ましくは１０ｋＶ以上に設定することが必要となる。しかし、第１基板と第２基板との間の隙間は、解像度や支持部材の特性、製造性などの観点からあまり大きくすることはできず、１〜２ｍｍ程度に設定する必要がある。したがって、第１基板と第２基板との間に強電界が形成されることは避けられず、両基板間に放電が生じる。
【０００７】
そして、放電が生じた場合、基板上に設けられた電子放出素子や蛍光体層が損傷あるいは劣化し表示品位が劣化する恐れがある。このような不良発生につながる放電は製品として望ましくない。そのため、第１基板あるいは第２基板に放電を防止する耐電圧構造、または放電経路を高インピーダンスとする放電電流低減構造を持たせる必要があるが、いずれも十分な効果が得られない上、表示性能の低下や製造コストの増加が避けられないという問題があった。
【０００８】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、放電に対する耐電圧性に優れ画像品位の向上した画像表示装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、画像表示面を有した第１基板と、上記第１基板に隙間を置いて対向配置されているとともに、電子を放出して上記画像表示面を励起する複数の電子源が設けられた第２基板と、上記第１基板と第２基板との間に配設されているとともに、上記電子源から放出された電子が通過する複数の開孔を有した板状のグリッドと、上記第１基板および第２基板間に配設され、第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、を備え、上記グリッドは、上記第１基板に対向した第１表面、および上記第２基板に対向した第２表面を有し、上記第１表面および上記開孔の壁面に高抵抗被膜が形成され、上記開孔の周縁部に形成された高抵抗被膜の膜厚は、上記グリッドの他の領域に形成された高抵抗被膜の膜厚よりも薄く形成され、上記開孔の周縁部において高抵抗被膜が丸みを有している。
【００１１】
上記のように構成された画像表示装置によれば、グリッドの第１表面および各開孔の壁面に高抵抗被膜を設けることにより、放電が生じたとしても発生する放電電流を大幅に低減することができる。これにより、第１基板からの放電による電子源の放電破壊が低減し、放電に対する耐電圧性および画像品位の向上した画像表示装置を得ることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照しながら、この発明を、平面型の画像表示装置としてＦＥＤの一種である表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）に適用した実施の形態について詳細に説明する。
図１ないし図３に示すように、このＳＥＤは、透明な絶縁基板としてそれぞれ矩形状のガラスからなる第１基板１０および第２基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間を置いて対向配置されている。第２基板１２は、第１基板１０よりも僅かに大きな寸法に形成されている。そして、第１基板１０および第２基板１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１４を介して周縁部同志が接合され、偏平な矩形状の真空外囲器１５を構成している。
【００１３】
第１基板１０の内面には画像表示面として蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、電子の衝突で赤、青、緑に発光する蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および黒色着色層１１を並べて構成されている。これらの蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂはストライプ状あるいはドット状に形成されている。また、蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバック１７が形成されている。なお、第１基板１０と蛍光体スクリーンとの間に、例えばＩＴＯからなる透明導電膜あるいはカラーフィルタ膜を設けてもよい。
【００１４】
第２基板１２の内面には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層を励起する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、第２基板１２の内面には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器１５の外部に引出されている。
【００１５】
接合部材として機能する側壁１４は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、第１基板１０の周縁部および第２基板１２の周縁部に封着され、第１基板および第２基板同志を接合している。
【００１６】
また、図２および図３に示すように、ＳＥＤは、第１基板１０および第２基板１２間に配設されたスペーサアッセンブリ２２を備えている。本実施の形態において、スペーサアッセンブリ２２は、板状のグリッド２４と、グリッドの両面に一体的に立設された複数の柱状のスペーサと、を備えている。
【００１７】
詳細に述べると、図３および図４に示すように、グリッド２４は第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基板と平行に配置されている。そして、グリッド２４には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔２６が形成されている。この発明における開孔として機能する電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１８と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。電子ビーム通過孔２６は、例えば、０．１５〜０．２５ｍｍ×０．１５〜０．２５ｍｍの矩形状に形成されている。
【００１８】
グリッド２４は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ０．１〜０．２５ｍｍに形成されている。そして、グリッド２４の第１および第２表面２４ａ、２４ｂ、並びに、各電子ビーム通過孔２６の壁面は、放電電流制限効果を有する高抵抗被膜４０により被覆されている。この高抵抗被膜４０は、グリッド２４の第１および第２表面２４ａ、２４ｂ、並びに、各電子ビーム通過孔２６の壁面に形成された第１高抵抗被膜４２と、この第１高抵抗被膜に積層形成された第２高抵抗被膜４４とを含んでいる。
【００１９】
第１高抵抗被膜４２は、例えば、低融点ガラス、セラミック等の高抵抗物質で形成され、１×１０１２〜１×１０１５Ω／□の抵抗値を有している。また、第２高抵抗被膜４４は、例えば酸化錫、酸化アンチモン等の金属酸化物により形成され、１×１０７〜１×１０１１Ω／□の抵抗値を有している。
【００２０】
また、高抵抗被膜４０は、形成条件を調整することにより、各電子ビーム通過孔２６の周縁部２７における膜厚が他の領域における膜厚よりも薄くなるように形成され、平均膜厚は１０ないし２０μｍとなっている。ここで、電子ビーム通過孔２６の周縁部とは、電子ビーム通過孔の内、グリッド２４の第１表面２４ａ側の開孔周縁部２７および第２表面２４ｂ側の開孔周縁部２７を示している。そして、高抵抗被膜４０を上記の厚さ分布とすることにより、各電子ビーム通過孔２６の各周縁部２７において、高抵抗被膜に丸みを持たせることができ、帯電が生じ易い角部を無くすことができる。
【００２１】
グリッド２４の第１表面２４ａ上には、複数の第１スペーサ３０ａが一体的に立設され、その延出端は、メタルバック１７および蛍光体スクリーン１６の黒色着色層１１を介して第１基板１０に当接している。本実施の形態において、各第１スペーサ３０ａの延出端は、高さ緩和層３１として機能するインジウム層を介してメタルバック１７に当接している。高さ緩和層３１は、電子ビームの軌道に何ら影響を与えるものではなく、スペーサの高さばらつきの緩和効果がある適当な硬度を持つものであれば、金属に限定されるものではない。
【００２２】
また、グリッド２４の第２表面２４ｂ上には、複数の第２スペーサ３０ｂが一体的に立設され、その延出端は、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１に当接している。
【００２３】
第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの各々は、グリッド２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。例えば、各第１スペーサ３０ａはグリッド２４側に位置した基端の径が約０．４ｍｍ、延出端の径が約０．３ｍｍ、高さが約０．６ｍｍに形成されている。また、各第２スペーサ３０ｂはグリッド２４側に位置した基端の径が約０．４ｍｍ、延出端の径が約０．２５ｍｍ、高さが約０．８ｍｍに形成されている。このように、第１スペーサ３０ａの高さは、第２スペーサ３０ｂの高さよりも低く形成され、第２スペーサの高さは、第１スペーサの高さに対し約４／３倍以上に設定されている。
【００２４】
また、第１スペーサ３０ａ及び第２スペーサ３０ｂの表面抵抗は５×１０13Ω以上となっている。第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂはそれぞれ隣合う２つの電子ビーム通過孔２６間に設けられ互いに整列して延びている。これにより、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、グリッド２４を両面から挟み込んだ状態でグリッド２４と一体に形成されている。
【００２５】
上記のように構成されたスペーサアッセンブリ２２は第１基板１０および第２基板１２間に配設されている。そして、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、第１基板１０および第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
【００２６】
図２に示すように、ＳＥＤは、グリッド２４および第１基板１０のメタルバック１７に電圧を印加する電圧供給部５０を備えている。この電圧供給部５０は、グリッド２４およびメタルバック１７にそれぞれ接続され、例えば、グリッド２４に１２ｋＶ、メタルバック１７に１０ｋＶの電圧を印加する。すなわち、グリッド２４に印加する電圧は、第１基板１０に印加する電圧よりも高く設定され、例えば、１．２５以内に設定されている。
【００２７】
そして、このＳＥＤでは、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７にアノード電圧を印加し、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン１６へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。
【００２８】
次に、以上のように構成されたＳＥＤの製造方法について説明する。スペーサアッセンブリ２２を製造する際、まず、所定寸法のグリッド２４を用意する。この場合、Ｆｅ−５０％Ｎｉからなる板厚０．１２ｍｍの薄板を脱脂・洗浄・乾燥した後、エッチングにより多数の電子ビーム通過孔２６を形成しグリッド２４とする。
【００２９】
その後、グリッド２４の第１表面２４ａを上向きに設置した状態で、上方から低融点ガラスを主成分としたコート液を第１表面に２流体ノズルを用いて塗布し、乾燥する。また、第２表面２４ｂ側も同様に、低融点ガラスを主成分としたコート液を２流体ノズルを用いて塗布し、乾燥する。この時、塗布条件を調整し、電子ビーム通過孔２６の周縁部２７の膜厚が他の領域の膜厚よりも薄くなるようコート液を塗布する。そして、コート液が乾燥した後、焼成することにより、グリッド２４の第１および第２表面２４ａ、２４ｂ、並びに、各電子ビーム通過孔２６の壁面に第１高抵抗被膜４２が形成される。
【００３０】
続いて、酸化錫、酸化アンチモン等の金属酸化物を含有した塗布液を、第１高抵抗被膜４２上に塗布し、乾燥した後に焼成する。これにより、第１高抵抗被膜４２に重ねて第２高抵抗被膜４４を形成し、表面の抵抗値が１×１０７〜１×１０１１Ω／□となった高抵抗被膜４０とする。なお、第１高抵抗被膜４２は、グリッド２４を酸化処理して得られた酸化膜からなる絶縁膜であってもよい。
【００３１】
次に、グリッド２４とほぼ同一の寸法を有した図示しない矩形板状の第１および第２金型を用意する。これら第１および第２金型は、それぞれスペーサ成形用の多数の透孔を有している。そして、第１金型及び第２金型の少なくともスペーサ成形用の多数の透孔の表面には熱処理により熱分解する樹脂が塗布されている。第１金型を、各透孔がグリッド２４の所定位置と対向するように位置決めした状態でグリッドの第１表面２４ａに密着させる。同様に、第２金型を、各透孔がグリッド２４の所定位置と対向するように位置決めした状態でグリッドの第２表面２４ｂに密着させる。そして、これら第１金型、グリッド２４、および第２金型を図示しないクランパ等を用いて互いに固定する。
【００３２】
その後、例えば、第１金型の外面側からペースト状のスペーサ形成材料を供給し、第１金型の透孔、グリッド２４のスペーサ開孔２８、および第２金型の透孔にスペーサ形成材料を充填する。スペーサ形成材料としては、少なくとも紫外線硬化型のバインダ（有機成分）およびガラスフィラーを含有したガラスペーストを用いる。
【００３３】
続いて、充填されたスペーサ形成材料に対し、第１および第２金型の外面側から放射線として紫外線（ＵＶ）を照射し、スペーサ形成材料をＵＶ硬化させる。この後、必要に応じて熱硬化を行なってもよい。次に、熱処理により第１および第２金型の各透孔に塗布された樹脂を熱分解し、スペーサ形成材料と金型の間にすき間を作り、第１および第２金型をグリッド２４から剥離する。
【００３４】
続いて、スペーサ形成材料が充填されたグリッド２４を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約５００〜５５０℃で３０分〜１時間、スペーサ形成材料を本焼成する。これにより、グリッド２４上に第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂが作り込まれたスペーサアッセンブリ２２が完成する。この際、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、グリッド２４表面上の高抵抗被膜４０と融合し、高抵抗被膜と一体となってグリッド２４に接合されている。
【００３５】
一方、予め、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７が形成された第１基板１０と、電子放出素子１８および配線２１が設けられているとともに側壁１４が接合された第２基板１２と、を用意しておく。
【００３６】
次に、上記のように構成されたスペーサアッセンブリ２２を第２基板１２上に位置決め配置する。この際、第２スペーサ３０ｂの延出端がそれぞれ配線２１上に位置するようにスペーサアッセンブリ２２を位置決めする。この状態で、第１基板１０、第２基板１２、およびスペーサアッセンブリ２２を真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を真空排気した後、側壁１４を介して第１基板を第２基板に接合する。同時に、第１スペーサ３０ａの延出端に配置されたインジウム粉末を溶融させ、第１基板１０で押しつぶし高さを補正する。これにより、スペーサアッセンブリ２２を備えたＳＥＤが製造される。
【００３７】
以上のように構成されたＳＥＤによれば、第１および第２基板１０、１２間にグリッド２４を設け、このグリッドに印加する電圧を第１基板に印加する電圧よりも高くすることにより、放電が生じた場合でも、この放電はグリッド２４と第２基板１２との間で発生し、第１基板１０と第２基板１２との間で直接放電する事はない。しかも、グリッド２４の表面は高抵抗被膜４０で被覆されているため、放電が生じたとしても、発生する放電電流を大幅に低減することができる。したがって、第１基板１０からの放電に起因する電子放出素子１８の放電破壊が低減し、放電に対する耐電圧性および画像品位の向上したＳＥＤを得ることができる。同時に、電子源に対する耐電圧構造または放電電流低減構造を不要又は簡略することができ、製造コストの低減を図ることが可能となる。
【００３８】
本発明者等は、高抵抗被膜４０の抵抗値を種々変更して、電子放出素子の放電破壊の発生率を測定した。その結果を下記の表１に示す。この表から分かるように、高抵抗被膜４０の抵抗値を１×１０７〜１×１０１１Ω／□とした場合、高抵抗被膜を設けない場合に比較して放電破壊の発生率が５０％低減した。また、高抵抗被膜４０の抵抗値が１×１０７Ω／□より低い場合、放電破壊の発生率が３０％しか改善されなかった。
【００３９】
【表１】
0004021694.tif 000002
【００４０】
一方、高抵抗被膜４０の抵抗値が１×１０１１Ω／□より高い場合、グリッド２４が帯電と放電を繰り返し、表示の輝度が安定しなかった。これは、グリッド２４に高抵抗被膜４０を形成することにより放電抑制効果が得られる反面、その抵抗値を高くし過ぎるとグリッドが帯電し、その結果、電子ビームがグリッドに吸い付けられ電子ビーム通過孔２６を通過しない場合が生じるためと考えられる。
【００４１】
従って、上記のように高抵抗被膜４０の抵抗値を１×１０７〜１×１０１１Ω／□の範囲に調整することにより、放電破壊の抑制および輝度劣化防止を図ることができる。なお、グリッド２４の表面上に高抵抗被膜を形成した場合、高抵抗被膜の抵抗値はグリッドを構成する金属の抵抗値に影響され、所望の抵抗値とすることが難しい。しかしながら、本実施の形態によれば、グリッド２４の表面上に抵抗値の高い第１高抵抗被膜４２を形成し、その上に所望の抵抗値を有した第２高抵抗被膜４４を積層形成することにより、高抵抗被膜４０の抵抗値を上述した範囲に確実に設定することができる。
【００４２】
また、本実施の形態に係るＳＥＤによれば、電子ビーム通過孔２６の開孔周縁部２７における高抵抗被膜４０の膜厚をグリッド２４の他の領域における高抵抗被膜の膜厚よりも薄くすることにより、開孔周縁部２７が帯電し難い構成とすることができる。電子ビーム通過孔の開孔周縁部が帯電した場合、レンズ効果によって電子ビームの軌道が変動するが、上記ＳＥＤによれば、開孔周縁部の帯電を防止し、一層の輝度向上を図ることが可能となる。高抵抗被膜４０の膜厚をグリッド２４の全面に渡って均一にしたＳＥＤとを比較したところ、本実施の形態に係るＳＥＤは、輝度が５％向上した。
【００４３】
更に、本実施の形態によれば、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、グリッド２４表面上の高抵抗被膜４０と融合し、高抵抗被膜と一体となってグリッド２４に接合されている。そのため、第１および第２スペーサの水平方向および垂直方向の強度が増加し、その結果、真空外囲器１５全体の加圧強度を向上することができる。グリッドの高抵抗膜とスペーサとが一体となっていないＳＥＤと比較したところ、本実施の形態に係るＳＥＤは加圧強度が８０％向上した。
【００４４】
なお、この発明は上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。例えば、図５に示すように、グリッド２４に複数のスペーサ開孔２８を設け、このスペーサ開孔に重ねて第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂを設ける構成としてもよい。より詳細に述べると、スペーサ開孔２８は、それぞれ電子ビーム通過孔２６間に位置し所定のピッチで配列されている。そして、高抵抗被膜４０は、グリッド２４の第１、第２表面２４ａ、２４ｂ、電子ビーム通過孔２６の壁面、およびスペーサ開孔２８の壁面に形成されている。
【００４５】
第１スペーサ３０ａは、スペーサ開孔２８に重ねてグリッド２４の第１表面２４ａ上に一体的に立設され、また、第２スペーサ３０ｂは、スペーサ開孔２８に重ねてグリッド２４の第２表面２４ｂ上に一体的に立設されている。これにより、各スペーサ開孔２８、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは互いに整列して位置し、第１および第２スペーサはこのスペーサ開孔２８を介して互いに連結されている。従って、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、グリッド２４を両面から挟み込んだ状態でグリッド２４と一体に形成されている。
【００４６】
他の構成は前述した実施の形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。そして、図６に示す実施の形態によれば、前述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができるとともに、スペーサおよび真空外囲器全体の加圧強度を一層向上することが可能となる。
【００４７】
その他、この発明において、スペーサの径や高さ、その他の構成要素の寸法、材質等は必要に応じて適宜選択可能である。また、電子源は、表面導電型の電子放出素子に限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等、種々選択可能であり、またこの発明は、ＳＥＤに限定されることなく、他のＦＥＤにも適用可能である。
【００４８】
上述した実施の形態において、高抵抗被膜は、グリッドの第１表面、第２表面、および各電子ビーム通過孔の壁面に形成する構成としたが、少なくともグリッドの第１表面および各電子ビーム通過孔の壁面に形成されていれば上述した実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明によれば、放電に対する耐電圧性に優れ画像品位の向上した画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態に係るＳＥＤを示す斜視図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿って破断した上記ＳＥＤの斜視図。
【図３】上記ＳＥＤを示す断面図。
【図４】上記ＳＥＤにおけるグリッドおよびスペーサ部分を拡大して示す断面図。
【図５】この発明の他の実施の形態に係るＳＥＤの要部を拡大して示す断面図。
【符号の説明】
１０…第１基板
１２…第２基板
１４…側壁
１５…真空外囲器
１６…蛍光体スクリーン
１８…電子放出素子
２２…スペーサアッセンブリ
２４…グリッド
２６…電子ビーム通過孔
３０ａ…第１スペーサ
３０ｂ…第２スペーサ
４０…高抵抗被膜
４２…第１高抵抗被膜
４４…第２高抵抗被膜
５０…電圧供給部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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