(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶基板上に素子分離領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを順次形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコン単結晶基板を収納する成膜室に前記ゲート絶縁膜の形成の最初に還元溶剤を有するガスを供給して還元処理を行う還元処理工程を有し、該還元処理工程後に前記ゲート絶縁膜を形成する有機金属を有するガスと酸素反応ガスとを前記成膜室前で混合して前記還元溶剤のガスを有する前記成膜室に供給して化学気相成長法による成膜工程によって前記ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
シリコン単結晶基板上に素子分離領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを順次形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコン単結晶基板を収納する成膜室に前記ゲート絶縁膜の形成の最初にテトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン、オクタン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール及びブタノールの１種以上の還元溶剤を有するガスを供給して還元処理を行う還元処理工程を有し、該還元処理工程後に前記ゲート絶縁膜を形成する有機金属を有するガスと酸素反応ガスとを前記成膜室前で混合して前記還元溶剤のガスを有する前記成膜室に供給して化学気相成長法による成膜工程によって前記ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記有機金属がＴｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ａｌ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｎ（Ｌｎは希土類元素）の少なくとも１種類の金属からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な半導体装置とその製造方法に係わり、特にゲート絶縁膜を有するＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型トランジスタ素子を有する半導体装置とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＭＩＳ型トランジスタ素子の微細化は＜０．１μｍのゲート長まで目前に迫っている状況である。このような微細化に伴ってＭＩＳトランジスタ素子のゲート絶縁膜の材料として、比誘電率が３．９のＳｉＯ２に代って１１．７のＨｆＯ２、比誘電率が９．０のＡｌ２Ｏ３、比誘電率が２７のＴa２Ｏ３、８０のＴｉＯ２を用い、スパッタリング、ＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法、金属の陽極酸化法、プラズマ分解法によって形成することが特開昭５３−１０２８３号公報に開示されている。これらの材料は比誘電率が高いためにＳｉＯ２と同一のゲート絶縁膜容量を得るために物理膜厚を約３倍、２．３倍、７倍、２０倍程度厚くすることができる。このためにスケーリング則に従って素子を微細化した場合にも、ゲート絶縁膜中の直接トンネリングによるゲート／基板間のリーク電流を抑えられると考えられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、これらの高誘電体材料を通常の有機金属原料と酸素反応ガスによるＭＯＣＶＤ（Metalorganic Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成した場合に、どうしても酸素反応ガスによってＳｉ単結晶とゲート絶縁膜の間に低誘電体層のＳｉＯ２を形成しやすく、その結果ゲート絶縁膜全体の容量が低下する問題点があった。
【０００４】
また、低誘電体層のＳｉＯ２の形成を抑制するために有機金属原料の代りにハロゲン系の塩化物原料を用いた水反応ガスのＭＯＣＶＤ法により、ＳｉＯ２の形成を低減することは可能であるが、この場合にはゲート絶縁膜中に塩化物原料からの塩素の混入が避けられず、その結果リークの発生源になる問題点があった。
【０００５】
更に、Ｓｉ単結晶基板をフッ酸による水素終端処理を行ってＳｉダングリングボンドを抑制した場合においても、ゲート絶縁膜の成膜初期過程で容易に酸素反応ガスとＳｉ基板の最表面で酸化反応が進行して低誘電体層のＳｉＯ２を形成しやすい問題点があった。
又、上述の公報には、ＣＶＤ法についての具体的な記載は全く無い。
【０００６】
本発明の目的は、低誘電体層のＳｉＯ２膜の低減とゲート絶縁膜中への塩素の混入を無くすことができ、その結果ゲート絶縁膜の高容量化とリークの発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、シリコン単結晶基板を母材としたＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）型トランジスタ素子において、ゲート絶縁膜を還元溶剤ガスを利用して形成することにある。これにより、同時に供給する酸素反応ガスで有機金属の分解反応に寄与しなかった余剰酸素を還元溶剤ガスで消費させるため、ゲート絶縁膜とＳｉ基板の間に低誘電体層のＳｉＯ２の形成を抑制できる。したがって、高容量でかつリーク電流を抑えた微細化されたＭＩＳ型トランジスタ素子を有する半導体装置を得ることができる。
【０００８】
又、本発明は、ゲート絶縁膜を還元溶剤ガスを利用して形成することで低誘電体層のＳｉＯ２の低減と有機金属原料を用いることでゲート絶縁膜中への塩素を除去することができ、その結果ゲート絶縁膜の高容量化とリークの発生等を抑制できる。
【０００９】
即ち、本発明は、シリコン単結晶基板上に素子分離領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを順次形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコン単結晶基板を収納する成膜室に前記ゲート絶縁膜は、ＴｉＯ２，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌｎ２Ｏ３（Ｌｎは希土類元素）の少なくとも１種からなり、その形成の最初に還元溶剤を有するガスを供給して還元処理を行う還元処理工程を有し、該還元処理工程後に前記ゲート絶縁膜を形成する有機金属を有するガスと酸素反応ガスとを前記成膜室前で混合して前記還元溶剤のガスを有する前記成膜室に供給して化学気相成長法による成膜工程によって余剰酸素を還元溶剤によって消費させることにより、前記シリコン単結晶基板とゲート絶縁膜との間に実質的にＳｉＯ２が形成されないように前記ゲート絶縁膜を形成するものである。
【００１１】
又、本発明は、シリコン単結晶基板上に素子分離領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを順次形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコン単結晶基板を収納する成膜室に前記ゲート絶縁膜の形成の最初に、以下に示す還元溶剤を有するガスを供給して還元処理する還元処理工程を有し、該還元処理工程後に前記ゲート絶縁膜を形成する有機金属を有するガスと酸素反応ガスとを前記成膜室前で混合して前記還元溶剤のガスを有する前記成膜室に供給して化学気相成長法による成膜工程によって前記ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする。
【００１２】
前記還元溶剤として、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン、オクタン、メタノール、イソプロピルアルコール及びブタノールの１種以上を用い、特に有機金属原料の溶解度の大きいテトラヒドロフランが好ましい。又、有機金属として、Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ａｌ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌｎ（Ｌnは希土類元素）の少なくとも１種類の金属を用い、前述の酸化物を形成することが好ましい。
【００１３】
又、ゲート絶縁膜はＴｉＯ２（ε：８０），ＨｆＯ２（ε：１５〜４０），ＺｒＯ２（ε：２５），Ａｌ２Ｏ３（ε：１０），Ｔａ２Ｏ５（ε：２２），Ｓｃ２Ｏ３（ε：１２），Ｙ２Ｏ３（ε：１２〜１６），Ｌｎ２Ｏ３（ε：８〜２７）（Ｌｎ：Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ）のうち少なくとも１種類以上からなる材料でＳｉＯ２に比べて比誘電率が高いために高容量を得られる特徴がある。
【００１４】
還元溶剤に有機金属を溶解させて出発原料とした液体搬送気化有機金属化学気相成長法により、同時に供給する酸素反応ガスで有機金属の分解反応に寄与しなかった余剰酸素を還元溶剤ガスで消費させるため、その結果ゲート絶縁膜の高容量化とリークの発生等を抑制できる特徴がある。
【００１５】
酸化物の形成に、酸素反応ガスを用いて記述したが、有機金属原料を分解できる他の反応ガスを用いてもよく、例えばＨ２，ＣＯ，ＣＯ２、Ｈ２Ｏ，Ｏ３，Ｎ２Ｏ，ＮＯがある。
【００１６】
本発明は、前述のように、前記ゲート絶縁膜の形成の最初に、還元溶剤ガスを成膜室に供給して還元処理する還元処理工程と、該還元処理工程後に有機金属原料を有するガスと酸素反応ガスとを前記成膜室前で混合して前記還元溶剤のガスを有する前記成膜室に供給して化学気相成長法による成膜工程を組合せることで、Ｓｉ基板の最表面のＳｉダングリングボンドの発生を還元溶剤ガスの還元処理によって抑制できるために低誘電体層のＳｉＯ２を低減でき、その結果ゲート絶縁膜の高容量化とリークの発生等を抑制できる特徴がある。
【００１７】
本発明の望ましい実施態様としては、次のものがあげられる。
一般的なＴｉＯ２ゲート絶縁膜の形成では、Ｔｉ（ＯＣ３Ｈ７）４（Ｔｅｔｒａ−ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ−ｔｉｔａｎａｔｅ）有機金属原料ガスと酸素反応ガスを供給してＳｉ単結晶基板上に約４００℃で約２０ｎｍの厚さに堆積する。このＴｉＯ２生成反応は次の（１）式で表されるが、分解反応に寄与しなかった余剰酸素は（２）式に示すようにＳｉ基板表面でＳｉＯ２生成に働く。
Ｔｉ（ＯＣ３Ｈ７）４＋ Ｏ２ →ＴｉＯ２ ＋Ｏ２↑                  （１）
Ｏ２↑ ＋ Ｓｉ →ＳｉＯ２                                        （２）
上記（１）式で発生する余剰酸素は（３）式に示すように還元溶剤であるＣ４Ｈ８Ｏ（テトラヒドロフラン）によって、
Ｃ４Ｈ８Ｏ ＋ ５Ｏ２ → ４ＣＯ２ ＋ ２Ｈ２Ｏ ＋ ２Ｈ２           （３）
の反応に利用されるためにＳｉ基板の最表面での酸化反応を抑制することができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
（実験例１）
図１は、本実験例に係るＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型トランジスタの製造工程を示す断面図である。Ｓｉ単結晶基板１０１はｐ−ｔｙｐｅで（１００）面方位、抵抗率１０〜１５Ω・ｃｍの基板である図１（a）。素子分離領域１０２はＳｉ単結晶基板１０１に深さ約０．４μｍの溝を形成した後にＣＶＤ−ＳｉＯ２膜を全面成膜し、次にＣＭＰで平坦化させて作製した図１（ｂ）。
【００１９】
次に、ゲート絶縁膜１０３となるＺｒＯ２膜を作製するために、Ｚｒ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４（Ｔｅｔｒａｔｅｒｔｉａｒｙｂｕｔｏｘｙ ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ）有機金属をＣ４Ｈ８Ｏ（テトラヒドロフラン）還元溶剤に０．０５〜０．２５ｍｏｌ／ｌの濃度で調合してＣＶＤ原料とした。ＣＶＤ原料は液体マスフローコントローラーを用いて０．１〜３ｓｃｃｍの速度で供給した。気化器の温度を１００〜２００℃に設定してＣＶＤ原料を一気に液体からガスにした後、Ａｒガス１９８〜５００ｓｃｃｍで搬送した。次にＣＶＤ原料／Ａｒガスと酸素反応ガス２〜８００ｓｃｃｍを混合した後、反応容器に導入した。反応容器の圧力を０．０１〜５０ｔｏｒｒとし、成膜温度を３００℃〜４５０℃として１〜２０ｍｉｎ成膜して、膜厚１０〜３０ｎｍを得た図１（ｃ）。
【００２０】
還元溶剤には、テトラヒドロフランを用いたが、他に、トルエン、ヘキサン、オクタンまたはメタノール、イソプロピルアルコール、エタノール、ブタノールでも溶解度の許容範囲内で有機金属を溶解させて用いることができる。また、有機金属の種類として、Ｚｒ（ｉ−ＯＣ３Ｈ７）４（Ｔｅｔｒａｉｓｏｐｒｏｐｏｘｙ ｚｉｒcｏｎｉｕｍ）、Ｚｒ（ｎ−ＯＣ４Ｈ９）４（Ｔｅｔｒａｎｏｒｍａｌｂｕｔｏｘｙ ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ）、Ｚｒ［Ｎ（ＣＨ３）２］４（Ｔｅｔｒａｋｉｓｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ）、Ｚｒ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４（Ｔｅｔｒａｋｉｓｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ ｚｉｒｃｏｎｉｕｍ）を用いてもＺｒＯ２膜を形成することが可能である。特に室温で液体であるＺｒ（ｎ−ＯＣ４Ｈ９）４及びＺｒ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］４は装置ハンドリングの観点から好ましい。
【００２１】
次に、ゲート電極１０４となる多結晶Ｓｉ膜を３００ｎｍ成膜し図１（ｄ）、ｎチャンネル領域にはリンを、ｐチャンネル領域にはボロンをそれぞれ注入し、８００℃、１０〜３０ｍｉｎの窒素雰囲気中熱処理して活性化した。ゲート電極１０４は多結晶Ｓｉ膜を通常のホトリソグラフィー法を用いてパターニングし、セルフアラインにてＲＩＥによりエッチングして形成した図１（e）。また同様にゲート絶縁膜１０３もＺｒＯ２を加工して形成した図１（ｆ）。次にゲート電極１０４をマスクして１０５ソース/ドレイン領域に周期率表の第５族の原子（Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ）或いは第３族の原子（Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）のイオン注入を行い、８００℃、３０ｓｅｃのＡｒ中熱処理を施す事により低抵抗の拡散域を形成した。次にＣＶＤ法によりＳｉＯ２保護膜１０６を形成した図１（ｇ）。さらにソース・ドレイン１０５上にスルーホールを作製した後、ＣＶＤ法によりＷ−プラグ電極１０７を作製した図１（ｈ）。最後にＡｌ配線１０８をＷ−プラグ電極１０７上に作製してＭＩＳ型トランジスタ素子を作製した図１（i）。片方のＡｌ配線１０８をアースにして、ゲート電極１０４に−２〜２Ｖ変化させた場合のＣ−Ｖ特性よりＥＯＴ(Equivalent of Oxide Thickness)（ＳｉＯ２換算膜厚:ＳｉＯ２膜の厚さに換算した厚さ）を算出した。
【００２２】
その結果を図２に実線と○印で示す。１０〜３０ｎｍ膜厚間でＺｒＯ２データの最小２乗法から求めた勾配は誘電率を意味し、約２０であった。また物理膜厚がゼロの場合にＥＯＴが約ゼロを示す事より、ゲート絶縁膜１０３であるＺｒＯ２とＳｉ単結晶基板１０１の界面に低誘電率なＳｉＯ２層の形成を抑制できたことが分かる。比較例として、バブリング法により８０℃に保温したＺｒ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４有機金属原料気化ガスをＡｒキャリアガス１９８〜５００ｓｃｃｍで供給して、成膜室前で酸素反応ガス２〜８００ｓｃｃｍと混合した。反応容器の圧力を０．０１〜５０ｔｏｒｒとし、成膜温度を３００℃以上４５０℃以下として１〜２０ｍｉｎ成膜して、膜厚１０〜３０ｎｍを得た。
【００２３】
図２は、ＥＯＴ（ＳｉＯ２換算膜厚）と比較例として作製したＺｒＯ２物理膜厚との関係を破線と□印で示したものである。データの勾配から求めた誘電率は約２０であり、物理膜厚ゼロにおけるＥＯＴが約２．０ｎｍであった。この２．０ｎｍは低誘電率なＳｉＯ２膜がゲート絶縁膜１０３であるＺｒＯ２とＳｉ単結晶基板１０１の界面に形成していることを示している。
【００２４】
また、本実験例ではゲート絶縁膜としてＺｒＯ２を用いたがＴｉＯ２，ＨｆＯ２，ＺｒＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，Ｌｎ２Ｏ３（Ｌｎ：Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕ）のうち少なくとも１種類以上からなる誘電体材料でも可能である。またゲート電極として多結晶Ｓｉを用いているが、上記誘電体材料と反応しない金属、例えばＷ，Ｍｏ，ＴｉＮ，ＴｉＳｉ２等を用いてもよい。さらに、多結晶Ｓｉにリンをドープしてもよい。Ａｌ配線を説明したが、低抵抗な金属材料ならよく、例えばＣｕ材料を用いてもよい。
【００２５】
以上の本実験例によれば、酸素反応ガスを用いて成膜する場合でもＳｉ単結晶とゲート絶縁膜の間に低誘電体層のＳｉＯ２膜を実質的にその形成を抑制でき、その結果ゲート絶縁膜全体の容量を低下させることなく作製できるために、＜０．１μｍのＭＩＳトランジスタ素子を得ることができた。
【００２６】
また、還元溶剤による還元処理工程と有機金属原料による成膜工程を組合せることでもＳｉ単結晶とゲート絶縁膜の間に低誘電体層のＳｉＯ２膜形成を抑制でき、その結果ゲート絶縁膜全体の容量を低下させることなく作製できるために、＜０．１μｍのＭＩＳトランジスタ素子を得ることができた。
【００２７】
（実施例１）
実験例１と同様に素子分離領域１０２はＳｉ単結晶基板１０１に深さ約０．４μｍの溝を形成した後にＣＶＤ−ＳｉＯ２膜を全面成膜し、次にＣＭＰで平坦化させて作製した。
【００２８】
次にゲート絶縁膜１０３となるＺｒＯ２膜を作製するために、Ｚｒ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４有機金属とＣ４Ｈ８Ｏ還元溶剤の２系統の供給系を用いた。先ず、ゲート絶縁膜１０３の形成の最初に、Ｃ４Ｈ８Ｏ還元溶剤を液体マスフローコントローラーを用いて０．１〜３ｓｃｃｍの速度でＳｉ単結晶基板１０１を収納する成膜室に供給した。気化器の温度を４０〜２００℃に設定してＣ４Ｈ８Ｏ還元溶剤を一気に液体からガスにした後、Ａｒガス１９８〜５００ｓｃｃｍで成膜室に搬送した。１０〜３０ｓｅｃ間、素子分離領域１０２を含むＳｉ単結晶基板１０１を還元溶剤ガスで還元処理した。
【００２９】
次にバブリング法により８０℃に保温したＺｒ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４有機金属原料気化ガスをＡｒキャリアガス１９８〜５００ｓｃｃｍで供給して、成膜室前で酸素反応ガス２〜８００ｓｃｃｍと混合した。反応容器の圧力を０．０１〜５０ｔｏｒｒとし、成膜温度を３００℃以上４５０℃以下として１ｍｉｎ成膜して、膜厚５ｎｍを得た。
【００３０】
以上のゲート絶縁膜１０３の形成の最初に、Ｃ４Ｈ８Ｏ還元溶剤を用いて還元処理する還元処理工程と、その還元処理工程後にその還元溶剤を有する成膜室にＺｒ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４有機金属と酸素反応ガスとを成膜室前で混合して供給して成膜する成膜工程とを逐次繰り返す事でＺｒＯ２膜厚１０〜３０ｎｍを作製した。片方のＡｌ配線１０８をアースにして、ゲート電極１０４に−２〜２Ｖ変化させた場合のＣ−Ｖ特性よりＥＯＴ（ＳｉＯ２換算膜厚）を算出した。
【００３１】
図３は、ＥＯＴ（ＳｉＯ２換算膜厚）とＺｒＯ２物理膜厚との関係を示す線図である。１０〜３０ｎｍ膜厚間でＺｒＯ２データの最小２乗法から求めた勾配は誘電率を意味し、約２０であった。また物理膜厚がゼロの場合にＥＯＴが約ゼロを示す事より、ゲート絶縁膜１０３であるＺｒＯ２とＳｉ単結晶基板１０１の界面に低誘電率なＳｉＯ２層の形成を抑制できたことが分かる。
【００３２】
Ｚｒ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４有機金属原料ガスの供給方法はバブリング法も用いて行ったが、還元溶剤に溶解させた原料溶液を用いた液体搬送気化方法でもよい。また、この場合でも還元溶剤は、テトラヒドロフランに限られることはなく、トルエン、ヘキサン、オクタンまたはメタノール、イソプロピルアルコール、エタノール、ブタノールでもよい。さらに、Ｃ４Ｈ８Ｏ還元溶剤の還元処理工程とＺｒ（ｔ−ＯＣ４Ｈ９）４有機金属による成膜工程を逐次繰り返す作製方法を用いたが、最初のみ還元処理工程を行えば、その後は有機金属による成膜工程のみを行ってもよい。
【００３３】
以上の本実施例においても、前述の実験例１と同様に、図１（ａ）〜（ｉ）に示す工程によってＭＩＳ型トランジスタ素子を製作したものである。
【００３４】
以上の本実施例によれば、ゲート絶縁膜１０３の形成の最初に、還元溶剤の成膜室への供給による還元処理工程と、還元処理工程後の還元剤を有する成膜室への有機金属原料と酸素反応ガスとの供給による成膜工程とを組合せることでもＳｉ単結晶とゲート絶縁膜の間に低誘電体層のＳｉＯ２膜形成を抑制でき、その結果ゲート絶縁膜全体の容量を低下させることなく作製できるために、＜０．１μｍのＭＩＳトランジスタ素子を得ることができた。
【００３５】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、Ｓｉ単結晶基板を収納する成膜室への還元溶剤の供給による還元処理工程と、還元処理工程後の還元溶剤を有する成膜室への有機金属原料と酸素反応ガスとの供給による成膜工程とを組合せることで、Ｓｉ単結晶とゲート絶縁膜の間に低誘電体層のＳｉＯ２膜形成を抑制でき、その結果ゲート絶縁膜全体の容量を低下させることなく作製できるために、＜０．１μｍのＭＩＳトランジスタ素子を提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実験例に係るＭＩＳトランジスタ素子の製造工程を示す断面図である。
【図２】  実験例のＺｒＯ２物理膜厚とＥＯＴ膜厚との関係を示す線図である。
【図３】  本発明のＺｒＯ２物理膜厚とＥＯＴ膜厚との関係を示す線図である。
【符号の説明】
１０１…Ｓｉ単結晶基板、１０２…素子分離領域、１０３…ゲート絶縁膜、１０４…ゲート電極、１０５…ソース・ドレイン領域、１０６…ＳｉＯ２保護膜、１０７…プラグ電極、１０８…Ａｌ配線。
【図１】
0003931647.tif 000002
【図２】
0003931647.tif 000003
【図３】
0003931647.tif 000004