(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを内部に収容した素子内蔵基板の製造方法であって、
前記半導体チップを収容するための凹所を、樹脂付き銅箔の樹脂形成面側に積層された絶縁基材に形成する工程と、
プリント配線板上の所定部位に能動面を上向きにして前記半導体チップを搭載し、前記能動面を前記凹所を介して前記樹脂形成面に密着させるとともに、前記プリント配線板を前記絶縁基材に積層する工程と、
前記樹脂付き銅箔の銅箔側から、前記凹所内に収容された半導体チップの能動面上の電極パッド部に向けて、ダイレクトレーザ加工法により層間接続用の連絡孔を形成する工程と、
前記連絡孔を介して前記銅箔と前記電極パッド部とを導通させる工程と、
前記銅箔を所定形状にパターニングする工程とを有する
ことを特徴とする素子内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
前記半導体チップを収容するための凹所を前記樹脂付き銅箔の樹脂形成面側に形成する工程が、前記樹脂付き銅箔の樹脂形成面側に前記絶縁基材として感光性の接着シートを接着した後、前記接着シートの所定部位に対し、露光および現像の各処理を行うことによって前記凹所を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の素子内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
前記半導体チップを収容するための凹所を前記樹脂付き銅箔の樹脂形成面側に形成する工程が、プレス加工によって前記凹所を形成した半硬化状態の熱硬化性樹脂シートを、前記絶縁基材として前記樹脂形成面に積層することによって行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の素子内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁基材に前記プリント配線板を積層する工程が、加熱加圧プレスによって行われる
ことを特徴とする請求項１に記載の素子内蔵基板の製造方法。
【請求項５】
前記銅箔と前記電極パッド部とを導通させる工程には、前記銅箔と前記プリント配線板上の回路パターンとを導通させる工程が含まれる
ことを特徴とする請求項１に記載の素子内蔵基板の製造方法。
【請求項６】
前記銅箔と前記電極パッド部とを導通させる工程が、前記連絡孔の内壁面にめっき金属を析出させる工程である
ことを特徴とする請求項１に記載の素子内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
前記銅箔と前記電極パッド部とを導通させる工程が、前記連絡孔に対して導電材料を充填する工程である
ことを特徴とする請求項１に記載の素子内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
絶縁層と、
前記絶縁層の一方の面に形成された導体層と、
前記絶縁層の他方の面に形成され、半導体チップを収容可能な凹所と、
前記絶縁層の他方の面に積層され、前記半導体チップをその能動面が前記凹所の底部に密着されるように搭載したプリント配線板と、
前記導体層と、前記能動面上の電極パッド部との間を導通させる層間接続部とを備え、
前記絶縁層が、
樹脂付き銅箔の樹脂層と、
前記樹脂層に積層され前記凹所が形成された絶縁基材とを含む
ことを特徴とする素子内蔵基板。
【請求項９】
前記絶縁基材が、熱硬化性樹脂からなる
ことを特徴とする請求項８に記載の素子内蔵基板。
【請求項１０】
前記絶縁基材が、感光性を有する接着シートからなる
ことを特徴とする請求項８に記載の素子内蔵基板。
【請求項１１】
前記凹所の底部が樹脂付き銅箔の樹脂層でなり、
前記半導体チップが前記凹所内において、前記樹脂層の構成樹脂によってモールドされている
ことを特徴とする請求項８に記載の素子内蔵基板。
【請求項１２】
前記電極パッド部上には、前記導体層および前記絶縁層を同時に穿孔するレーザビームの進行を妨げるためのバリア層が設けられている
ことを特徴とする請求項８に記載の素子内蔵基板。
【請求項１３】
前記バリア層が、ニッケル、金、パラジウム、白金の単層またはこれらの複合層からなる
ことを特徴とする請求項１２に記載の素子内蔵基板。
【請求項１４】
前記層間接続部が、前記導体層と前記電極パッド部との間を連絡する連絡孔の内部に充填された導電材料からなる
ことを特徴とする請求項８に記載の素子内蔵基板。
【請求項１５】
前記層間接続部が、前記導体層と前記電極パッド部との間を連絡する連絡孔の内壁面に形成された金属めっきである
ことを特徴とする請求項８に記載の素子内蔵基板。
【請求項１６】
前記導体層と前記プリント配線板上の回路パターンとが、互いに層間接続されている
ことを特徴とする請求項８に記載の素子内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＳＩ等の半導体チップをプリント配線板の内部に収容した素子内蔵基板の製造方法および素子内蔵基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の小型化、多機能化に伴い、プリント配線板の高密度実装化や実装部品の小型化に対する要求が厳しくなっている。プリント配線板においては、従来、配線ルールの縮小により基板面内における高密度化が図られていたが、近年では、ビルドアップ工法等を採用してプリント配線板を多層化し、三次元的に配線を引き回して実装効率の向上が図られている。
【０００３】
一方、このようなビルドアップ多層プリント配線板の開発に並行して、実装効率の更なる向上を目的として、抵抗やコンデンサ等の受動素子、ＬＳＩ等の能動素子を内蔵した素子内蔵基板の開発が進められている。
【０００４】
例えば特開平６−４５７６３号公報には、図５に示すような構成の素子内蔵基板１０１が記載されている。素子内蔵基板１０１は、半導体チップ１０２を収容するためのキャビティ１０３が形成された内層基板１０４の両面に、外層基板１０５，１０６をそれぞれ積層した構造を有している。キャビティ１０３内の半導体チップ１０２は、外層基板１０５上の導体パターン１０７に対し、バンプ１０８を介して電気的に接続されている。なお、外層基板１０５，１０６の外面側には、半導体パッケージ部品１０９，１１０がそれぞれ実装されている。
【０００５】
導体パターン１０７に対する半導体チップ１０２の電気的接続は、いわゆるフリップチップ実装によって行われている。すなわち、半導体チップ１０２の電極パッド部上に形成したバンプ１０８を外部電極として、導体パターン１０７に対し熱圧着等の公知の接合技術を用いて実装されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、内蔵される半導体チップ１０２を導体パターン１０７に対してフリップチップ実装するためには、導体パターン１０７のチップ接続ランド部をバンプ１０８に対応した配列ピッチで形成する必要がある。このため、半導体チップ１０２の電極パッド部の配列ピッチが例えば６０μｍというようにファイン化されると、導体パターン１０７の接続ランド部を上記のパッドピッチに対応して形成することが困難となる。すなわち、電極パッド部のファインピッチ化に、導体パターン１０７が対応できないという問題がある。
【０００７】
この問題を解消するために、例えば特開２０００−２２８４５７号公報には、図６に示すように、半導体チップ１１２の能動面に対し、電極パッド部の配置を再配列するための再配線層１１３を設けて、バンプ１１４の配列ピッチを変換する方法が知られている。この方法によれば、電極パッド部の配列ピッチが６０μｍの場合、例えば１２０μｍにまでバンプピッチを拡張することができる。
【０００８】
しかしながら、再配線層１１３を形成することは、内蔵される半導体部品の製造コストの増大を招き、その製造工程の複雑化によるリードタイムの長大化や、歩留まりの低下といった種々の問題を包含することになる。
【０００９】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、ファインピッチの電極パッド部を有する半導体チップをピッチ変換することなく、基板上の導体パターンに接続することができる素子内蔵基板の製造方法および素子内蔵基板を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するに当たり、本発明の素子内蔵基板の製造方法は、半導体チップを内部に収容した素子内蔵基板の製造方法であって、半導体チップを収容するための凹所を、樹脂付き銅箔の樹脂形成面側に積層された絶縁基材に形成する工程と、プリント配線板上の所定部位に能動面を上向きにして半導体チップを搭載し、上記能動面を凹所を介して樹脂形成面に密着させるとともに、プリント配線板を絶縁基材に積層する工程と、樹脂付き銅箔の銅箔側から、凹所内に収容された半導体チップの能動面上の電極パッド部に向けて、ダイレクトレーザ加工法により層間接続用の連絡孔を形成する工程と、連絡孔を介して銅箔と電極パッド部とを導通させる工程と、銅箔を所定形状にパターニングする工程とを有することを特徴としている。
【００１１】
本発明の素子内蔵基板の製造方法では、樹脂付き銅箔とプリント配線板との間の絶縁基材に内蔵された半導体チップの電極パッド部を樹脂付き銅箔の表面銅箔と電気的に接続するために、樹脂付き銅箔の表面銅箔と樹脂層とを同時に穿孔できるダイレクトレーザ加工法を採用している。そして、形成された連絡孔を介して、表面銅箔と電極パッド部とを導通させるようにしている。これにより、ファインピッチに形成された半導体チップ能動面上の電極パッド部をピッチ変換することなく、樹脂付き銅箔の銅箔層に接続することができる。
【００１２】
さらに、本発明の素子内蔵基板は、絶縁層と、絶縁層の一方の面に形成された導体層と、絶縁層の他方の面に形成され、半導体チップを収容可能な凹所と、絶縁層の他方の面に積層され、半導体チップをその能動面が凹所の底部に密着されるように搭載したプリント配線板と、導体層と能動面上の電極パッド部との間を導通させる層間接続部とを備え、絶縁層が、樹脂付き銅箔の樹脂層と、この樹脂層に積層され上記凹所が形成された絶縁基材とを含むことを特徴とする。
【００１３】
本発明の素子内蔵基板においては、絶縁層を介して対向する導体層と半導体チップの電極パッド部とが直接層間接続されている。これにより、電極パッド部のパッド配列を再配列することなく半導体チップを基板上の導体層へ接続することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００１５】
図１は、本発明の実施の形態による素子内蔵基板を示している。本実施の形態の素子内蔵基板１は、半導体チップ２を搭載したプリント配線板３の上に絶縁層４が設けられ、更に絶縁層４の上に所定形状の導体パターン５が設けられている。半導体チップ２の能動面１４に配列された複数の電極パッド部６およびプリント配線板３の回路パターン（ランド）７はそれぞれ、導体パターン５に対して層間接続部８，９を介して導通されている。
【００１６】
半導体チップ２は、電極パッド部６が形成された能動面１４を上向きにして、プリント配線板３の回路形成面の所定部位に例えば接着剤（図示略）を介して搭載されている。半導体チップ２としては、例えばＤＲＡＭ等の半導体メモリやこれにロジック回路が混載されたシステムＬＳＩ、あるいはＭＰＵ、各種ハードウェアシステムを駆動するドライバ回路、電源回路、高周波信号処理回路等がそれぞれ組み込まれた、公知の半導体ベアチップ部品が適用される。
【００１７】
プリント配線板３は、本実施の形態では片面銅張積層板で構成され、絶縁基板１５と、この上に形成された所定形状の回路パターン７とで構成されている。絶縁基板１５の材質は特に限定されず、セラミック系材料あるいは有機系材料などの公知の材料が用いられる。セラミック系材料であれば、アルミナあるいはサファイア等が適用され、有機系材料であれば、ガラスエポキシ樹脂やポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等が適用可能である。
【００１８】
プリント配線板３と絶縁層４との間には、絶縁性の接着シート１０が介装されている。接着シート１０は本発明の「絶縁基材」に対応し、本実施の形態では、熱硬化性樹脂に感光性を持たせたシート材で構成され、その厚さは半導体チップ２の厚さと同等もしくは、半導体チップ２の厚さよりも若干小さく形成されている。接着シート１０には、半導体チップ２を収容するための開口１１が形成されている。
【００１９】
絶縁層４および導体パターン５は、本実施の形態では、いわゆるＲＣＣ(Resin-Coated Copper) の呼称で知られる樹脂付き銅箔で構成されている。すなわち、絶縁層４および導体パターン５はそれぞれ、樹脂付き銅箔の合成樹脂層および表面銅箔に対応する。この樹脂付き銅箔の樹脂形成面側に接着シート１０を介してプリント配線板３が積層されている。
【００２０】
これら絶縁層４と接着シート１０の開口１１とによって、半導体チップ２が収容される凹所１２が形成されている。半導体チップ２は、その能動面１４が凹所１２の底部１３である絶縁層下面（樹脂形成面）に密着され、電極パッド部６が絶縁層４に没入している。
【００２１】
ここで、本実施の形態では、半導体チップ２の電極パッド部６はアルミニウムで構成されるが、その上にニッケルめっきおよび金めっきの複合層からなるバリア層１６が形成されている。このバリア層１６は、後述するように、層間接続部８を形成する際に適用されるレーザービームから、電極パッド部６を保護するために設けられている。バリア層１６は、ニッケル、金、パラジウム、白金等の金属めっきの単層またはこれらの複合層で構成することができる。なお、以下の説明では、特に断らない限り、電極パッド部６をバリア層１６も含む意味で用いるものとする。
【００２２】
プリント配線板３の回路形成面は、半導体チップ２の能動面１４を凹所１２の底部１３に密着させた状態で、接着シート１０に積層されている。また、半導体チップ２の側面と接着シート１０の開口１１との間の隙間には、プリント配線板３を積層する際に適用される加熱加圧プレスによって絶縁層４の構成樹脂が流入しており、これにより半導体チップ２が凹所１２内においてモールドされている。
【００２３】
半導体チップ２の各電極パッド部６およびプリント配線板３の回路パターン７の間は、層間接続部８，９および表層の導体パターン５を介して電気的に接続されている。層間接続部８，９は、後に詳述するように、例えば直径３０μｍの連絡孔に設けた導電材料で構成されている。
【００２４】
本実施の形態の素子内蔵基板１は、以上のようにして構成されている。本実施の形態の素子内蔵基板１によれば、絶縁層４を介して対向する導体パターン５と半導体チップ２の電極パッド部６とが直接、層間接続部８，９を介して導通されているので、電極パッド部６のパッド配列を再配列することなく半導体チップ２を導体パターン５へ接続することができる。
【００２５】
次に、以上のように構成される本実施の形態の素子内蔵基板の製造方法について、図２および図３を参照して説明する。
【００２６】
まず、図２（ａ）に示すように、銅箔（導体層）５Ａの厚さが３μｍ、絶縁層（樹脂層）４の厚さが２０μｍの樹脂付き銅箔２０を準備する。本実施の形態では、樹脂付き銅箔２０として、日立化成株式会社製の樹脂付き銅箔（Ｆ６０００Ｅ）が用いられる。
【００２７】
次に、図２（ｂ）に示すように、絶縁層４の下面に、接着シート１０を接着することによって、樹脂付き銅箔２０と接着シート１０との積層体２５を作製する。
【００２８】
接着シート１０は、本実施の形態では未硬化（半硬化状態）のエポキシ系熱硬化性樹脂に感光性を付与したシート材が用いられ、その厚さは、約３０μｍとした。なお、接着シート１０の厚さは、内蔵される半導体チップ２の厚さよりもやや小さくされるものとする。本実施の形態では、接着シート１０として、住友ベークライト株式会社製の感光性接着シート（ＣＦＰ２０３５）が用いられる。
【００２９】
続いて、図２（ｃ）に示すように、樹脂付き銅箔２０に積層した接着シート１０に対し、半導体チップ２を収容するための開口１１を形成する。これにより、樹脂付き銅箔２０の樹脂形成面側（絶縁層４側）に凹所１２が形成される。開口１１（凹所１２）は、接着シート１０の所定部位に対し、露光および現像の各処理を行うことによって形成される。開口１１は、内蔵すべき半導体チップ２の外形よりもやや大きく形成される。
【００３０】
ここで、接着シート１０がポジ型の感光性シートであれば、露光光が照射された領域が現像液中に溶解し、ネガ型の感光性シートであれば、露光光が照射されなかった領域が現像液中に溶解することによって開口１１が形成されるが、本発明では、何れのタイプの感光性シートでも用いることができる。
【００３１】
なお、以上の工程では、接着シート１０を絶縁層４に積層した後、接着シート１０の層のみ加工して開口１１（凹所１２）を形成するようにしたが、これに代えて、開口１１を形成した後に、接着シート１０を絶縁層４に積層するようにしてもよい。
【００３２】
なおまた、上記の工程では、フォトリソグラフィ技術を用いて開口１１を形成できる素材として感光性のある接着シート１０を用いたが、例えばプリプレグ等の未硬化の熱硬化性樹脂シートを上記接着シートとして適用し、これにプレス加工等を施して開口（凹所）を形成した後に絶縁層４へ積層するようにしてもよい。
【００３３】
さて、次に、図２（ｄ）に示すように、内蔵すべき半導体チップ２をフェイスアップ方式で（能動面１４を上方に向けて）搭載したプリント配線板３と、上述した樹脂付き銅箔２０および接着シート１０の積層体２５とを、互いに位置合わせする。
【００３４】
プリント配線板３には、あらかじめ回路パターン７が形成されている。本実施の形態では、回路パターン７の厚さは約２５μｍとされる。プリント配線板３と半導体チップ２の裏面（非能動面）との間は、例えば接着剤等によって接着されている。また、半導体チップ２の電極パッド部６のピッチは約６０μｍで、アルミニウムパッドの上に、厚さ１０μｍの無電解ニッケルめっきと、更にその上に形成される厚さ０．１μｍの無電解金めっきからなるバリア層１６が形成されている。
【００３５】
そして、図２（ｅ）に示すように、プリント配線板３と積層体２５とを真空中での加熱加圧プレスによって積層する。このとき、半導体チップ２の能動面１４が積層体２５の凹所１２の底部１３に密着されると同時に、プリント配線板３の回路形成面が積層体２５の接着シート１０に積層される。
【００３６】
この加熱加圧プレスにより、半導体チップ２の電極パッド部６は絶縁層４に没入するとともに、溶融した絶縁層４の構成樹脂が、開口１１（凹所１２）と半導体チップ２との間の隙間に流入する。冷却後、半導体チップ２はその流入した樹脂材料によってモールドされ、凹所１２内に保持される。
【００３７】
図３（ｆ）および（ｇ）は、表層の銅箔５Ａと、半導体チップ２の電極パッド部６およびプリント配線板３の回路パターン７との間の層間接続工程を示している。この工程は、銅箔５Ａの所定部位に対して紫外線レーザ（以下、ＵＶレーザという）Ｌを照射して、電極パッド部６および回路パターン７に到達する連絡孔１８，１９をそれぞれ形成する工程（図３（ｆ））と、これらの連絡孔１８，１９に導電性をもたせる工程（図３（ｇ））とを有する。
【００３８】
連絡孔１８，１９の形成は、ダイレクトレーザ加工法によって行われる。このダイレクトレーザ加工法は、銅箔５Ａおよび絶縁層４をＵＶレーザＬの照射によって一時に穿孔するレーザ加工法の一種である。このダイレクトレーザ加工法を用いることにより、表面の銅箔と絶縁層とを別々な工程で穿孔する方法に比べて、微細な孔を形成することができる。
【００３９】
すなわち、従来の樹脂付き銅箔の穿孔方法として、表面銅箔に孔径と同径のウィンド（窓）を形成した後、孔径よりも５０〜１００μｍ大きいＣＯ2 レーザで絶縁層を穿孔するコンフォーマルマスク法や、表面銅箔に孔径よりも約１００μｍ大きなウィンドを形成した後、絶縁層をＣＯ2 レーザで穿孔するラージウィンド法が用いられていた。これは、光沢のある銅表面のレーザビームの吸収率が絶縁層よりも低いため、前もって表面の銅箔をエッチングにより除去し、開口した銅箔を介して絶縁層をレーザ加工する必要があったからである。このため、従来のレーザ加工では、ファインピッチな孔を形成することが非常に困難で、かつ、工程が複雑であった。
【００４０】
一方、ダイレクトレーザ加工は、表面銅箔のレーザ吸収率を絶縁層の分解エネルギに近づけることによって、表面銅箔を絶縁層とともにレーザで同時に穿孔できるようにしたものである。本実施の形態では、このダイレクトレーザ加工に適した樹脂付き銅箔２０を採用しているために、微細孔をファインピッチで容易に形成することができる。本実施の形態では、層厚が最大５０μｍの絶縁層（４，１０）を紫外線レーザＬによって、３０μｍ程度の孔径の連絡孔１８，１９を形成している。
【００４１】
ＵＶレーザＬは、積層体２５を突き抜け、半導体チップ２の電極パッド部６に到達するが、バリア層１６によってＵＶレーザＬの進行が規制され、電極パッド部６に対する必要以上の加工が防止される。また、プリント配線板３上の回路パターン（ランド）７に到達したＵＶレーザＬも同様に、厚い銅箔層によって必要以上の加工が制限される。以上のようにして、電極パッド部６および回路パターン（ランド）７が開口される。
【００４２】
一方、連絡孔１８，１９に導電性をもたせる工程は、無電解めっき法と電解めっき法を併用して連絡孔１８，１９内に例えば銅めっきを析出させるか、あるいは、スクリーン印刷法等によって連絡孔１８，１９内に導電材料を充填することによって行われる。これにより、図３（ｇ）に示すように、半導体チップ２の電極パッド部６およびプリント配線板３の回路パターン７と、表面の銅箔５Ａとを電気的に接続する層間接続部８，９が形成される。
【００４３】
なお、上述のように、連絡孔１８，１９に対して導電材料を充填することによって層間接続部８，９を形成する場合には、導電材料として、φ３μｍの銀粒子を導電粒子とする導電ペーストを用いることによって、φ３０μｍという微細な連絡孔１８，１９に対して容易に導電ペーストを充填することができる。
【００４４】
次に、図３（ｈ）に示すように、銅箔５Ａを所定形状にパターニングすることによって導体パターン５を形成する。本実施の形態では、プリント配線板３の回路パターン７に対して半導体チップ２を電気的に接続するようにしている。
【００４５】
導体パターン５は、銅箔５Ａ上にフォトレジストを形成し、これに露光マスクを介して所定部位を感光させ、現像処理を施してレジストパターンを形成した後、エッチングによってレジストが形成されていない領域を除去することによって形成することができる。
【００４６】
以上のようにして、本実施の形態の素子内蔵基板１が製造される。本実施の形態によれば、ファインピッチに形成された電極パッド部６をピッチ変換することなく、導体パターン５に接続することができる。
【００４７】
また、電極パッド部６を半導体チップ２の能動面１４上でピッチ変換することなく、プリント配線板３の回路パターン７に接続することができるので、プリント配線板３上の回路パターン７を電極パッド部６の配列ピッチに対応して微細に形成せずとも、半導体チップ２と電気的に接続することができる。
【００４８】
また、以上の実施の形態によれば、ダイレクトレーザ加工が適用可能な樹脂付き銅箔２０を用いているので、製造工程を複雑化することなく低コストで高密度実装が可能な素子内蔵基板１を製造することができる。
【００４９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００５０】
例えば以上の実施の形態では、層間接続用の連絡孔１８，１９をダイレクトレーザ加工法により形成するにあたって、ＵＶレーザＬを用いたが、勿論、これに限らない。すなわち、電極パッド部６のピッチに一定の余裕度があるならば、ＣＯ2 レーザやＹＡＧレーザ等の他のレーザ光源を用いることも可能である。
【００５１】
また、以上の実施の形態では、プリント配線板３として片面銅張積層板を用いたが、図４に示すように、これを両面銅張り積層板で構成するとともに、外面側の導体層５Ｂをベタ箔状態とすることによって、電磁ノイズの低減に寄与することができる。また、当該ベタ箔層５Ｂを接地回路へ接続すれば、静電放電（ＥＳＤ）対策にもなり得る。なお、図４において上述の実施の形態と対応する部分については同一の符号を付している。
【００５２】
さらに、上述の実施の形態において製造した素子内蔵基板１に対して、更にその上層または下層に他のプリント配線板を積層してビルドアップ化を図ることも可能である。この場合の各導体パターン間の層間接続を、上述のダイレクトレーザ加工法で行うようにすれば、ファインピッチな層間接続部を備えた多層プリント配線板を容易に製造することができる。
【００５３】
また、以上の実施の形態では、半導体チップ２を内蔵した素子内蔵基板１について説明したが、勿論、この半導体チップ２のみに限らず、他のＬＳＩを初めとする能動素子や、抵抗またはコンデンサ等の受動素子も内蔵されていてもよい。
【００５４】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の素子内蔵基板の製造方法によれば、ファインピッチに形成された半導体チップ能動面上の電極パッド部をピッチ変換することなく導体層に接続することができる。
【００５５】
また、ダイレクトレーザ加工が適用できる樹脂付き銅箔を用いて層間接続用の連絡孔を形成する本発明の素子内蔵基板の製造方法によれば、複雑な工程を要することなく容易に層間接続部を形成することができる。
【００５６】
上記銅箔と半導体チップの電極パッド部とを導通させる工程に、上記銅箔とプリント配線板の回路パターンとを導通させる工程を含めた本発明の素子内蔵基板の製造方法によれば、ファインピッチに形成された電極パッド部を半導体チップの能動面上で再配列することなく、プリント配線板上の回路パターンに接続することができる。
【００５７】
さらに、本発明の素子内蔵基板によれば、絶縁層を介して対向する導体層と半導体チップの電極パッド部とが直接、層間接続部を介して導通されているので、電極パッド部のパッド配列を再配列することなく半導体チップを導体層へ接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態による素子内蔵基板の構成を示す断面図である。
【図２】  （ａ）〜（ｅ）ともに、本発明の実施の形態による素子内蔵基板の製造方法を説明する工程断面図である。
【図３】  （ｆ）〜（ｈ）ともに、本発明の実施の形態による素子内蔵基板の製造工程を説明する図２に続く工程断面図である。
【図４】  本発明の実施の形態による素子内蔵基板の構成の変形例を示す断面図である。
【図５】  従来の素子内蔵基板の構成を示す断面図である。
【図６】  電極パッド部の再配線層１１３を能動面上に備えた従来の半導体部品の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１…素子内蔵基板、２…半導体チップ、３…プリント配線板、４…絶縁層、５…導体パターン、５Ａ…銅箔（導体層）、６…電極パッド部、７…回路パターン、８，９…層間接続部、１０…接着シート（絶縁基材）、１１…開口、１２…凹所、１３…凹所の底部、１４…半導体チップの能動面、１６…バリア層、１８，１９…連絡孔、２０…樹脂付き銅箔、Ｌ…ＵＶレーザ。
【図１】
0003870778.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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