(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ベースフィルムに接着剤を塗布する工程と、
（ｂ）ボール搭載ホールを開孔する工程と、
（ｃ）銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、
（ｄ）フォトリソ工程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランドを形成する工程と、
（ｅ）ソルダーレジストを塗布し、前記インナーリードとランドにメッキ処理する工程と、
（ｆ）ＩＣチップと前記インナーリードを接合する工程と、
（ｇ）前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ボール搭載ホールに半田ペーストを印刷する工程と、
（ｈ）テープキャリアからテープ・ボール・グリッド・アレイを打ち抜く工程と、
（ｉ）スティフナーを接着剤でベースフィルムに貼り付ける工程と、
（ｊ）前記ランドに半田ボールを搭載し、熱を加えて前記ランドと半田ボールを密着させる工程とを施すことを特徴とするグリッドアレイの製造方法。
【請求項２】
（ａ）ベースフィルムに接着剤を塗布する工程と、
（ｂ）ボール搭載ホールを開孔する工程と、
（ｃ）銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、
（ｄ）フォトリソ工程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランドを形成する工程と、
（ｅ）ソルダーレジストを塗布し、前記インナーリードとランドにメッキ処理する工程と、
（ｆ）ＩＣチップと前記インナーリードを接合する工程と、
（ｇ）前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ボール搭載ホールに半田ペーストを印刷する工程と、
（ｈ）テープキャリアからテープ・ボール・グリッド・アレイを打ち抜くと同時に前記ランドを凹状に加工する工程と、
（ｉ）スティフナーを接着剤でベースフィルムに貼り付ける工程と、
（ｊ）前記凹状に加工されたランドに半田ボールを搭載し、熱を加えて前記ランドと半田ボールを密着させる工程とを施すことを特徴とするグリッドアレイの製造方法。
【請求項３】
（ａ）ベースフィルムに接着剤を塗布する工程と、
（ｂ）ランド形成ホールを開孔する工程と、
（ｃ）銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、
（ｄ）フォトリソ工程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランドを形成する工程と、
（ｅ）ソルダーレジストを塗布し、前記インナーリードとランドにメッキ処理する工程と、
（ｆ）ＩＣチップと前記インナーリードを接合する工程と、
（ｇ）前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ランド形成ホールに半田ペーストを印刷する工程と、
（ｈ）グリッドアレイを逆さまにしてテープキャリアからグリッドアレイを打ち抜くと同時にランドを凹状に加工する工程と、
（ｉ）グリッドアレイを元に戻してスティフナーを接着剤でベースフィルムに貼り付ける工程と、
（ｊ）前記凹状に加工されたランドを元に戻した状態の凸状に加工されたランドを外部電極端子とする工程とを施すことを特徴とするグリッドアレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＴＢＧＡ（テープ・ボール・グリッド・アレイ）又はランド・グリッド・アレイの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、このような分野の技術としては、以下に示すようなものがあった。
【０００３】
図１０は従来のＴＢＧＡの断面図である。
【０００４】
この図において、１０１はＬＳＩチップ、１０２はＬＳＩチップ１０１のアルミニウム電極（図示なし）上に形成されたバンプ電極、１０３はポリイミド等のベースフィルム、１０４はパターン形成された銅箔（ランド）、１０５は銅箔（ランド）１０４を貼り付けるための接着剤、１０６はＬＳＩチップ１０１上の電極とテープ上の電極を電気的に接続するインナーリード、１０７はＬＳＩチップ１０１表面を保護する樹脂、１０８はテープを平坦化するためのスティフナー、１０９はスティフナー１０８を貼り付ける接着剤、１１０は外部電極パッドとして使用する半田ボールである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来のＴＢＧＡの構造では、銅箔（ランド）１０４と半田ボール１１０の密着強度が弱く、信頼性試験において、銅箔（ランド）１０４と半田ボール１１０の界面で、剥がれ及びずれが発生するという問題点があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点を除去し、銅箔（ランド）と半田ボールの界面で発生する剥がれ及びずれのない外部電極端子を有する信頼性の高いグリッドアレイの製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕グリッドアレイの製造方法において、ベースフィルムに接着剤を塗布する工程と、ボール搭載ホールを開孔する工程と、銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、フォトリソ工程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランドを形成する工程と、ソルダーレジストを塗布し、前記インナーリードとランドにメッキ処理する工程と、ＩＣチップと前記インナーリードを接合する工程と、前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ボール搭載ホールに半田ペーストを印刷する工程と、テープキャリアからテープ・ボール・グリッド・アレイを打ち抜く工程と、スティフナーを接着剤でベースフィルムに貼り付ける工程と、前記ランドに半田ボールを搭載し、熱を加えて前記ランドと半田ボールを密着させる工程とを施すようにしたものである。
【０００８】
〔２〕グリッドアレイの製造方法において、ベースフィルムに接着剤を塗布する工程と、ボール搭載ホールを開孔する工程と、銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、フォトリソ工程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランドを形成する工程と、ソルダーレジストを塗布し、前記インナーリードとランドにメッキ処理する工程と、ＩＣチップと前記インナーリードを接合する工程と、前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ボール搭載ホールに半田ペーストを印刷する工程と、テープキャリアからグリッドアレイを打ち抜くと同時に前記ランドを凹状に加工する工程と、スティフナーを接着剤でベースフィルムに貼り付ける工程と、前記凹状に加工されたランドに半田ボールを搭載し、熱を加えて前記ランドと半田ボールを密着させる工程とを施すようにしたものである。
【０００９】
〔３〕グリッドアレイの製造方法において、ベースフィルムに接着剤を塗布する工程と、ランド形成ホールを開孔する工程と、銅箔を接着剤に貼り付ける工程と、フォトリソ工程で銅箔のパターンを形成し、インナーリードとランドを形成する工程と、ソルダーレジストを塗布し、前記インナーリードとランドにメッキ処理する工程と、ＩＣチップと前記インナーリードを接合する工程と、前記ＩＣチップ表面に樹脂を塗布し、前記ランド形成ホールに半田ペーストを印刷する工程と、グリッドアレイを逆さまにしてテープキャリアからグリッドアレイを打ち抜くと同時にランドを凹状に加工する工程と、グリッドアレイを元に戻してスティフナーを接着剤でベースフィルムに貼り付ける工程と、前記凹状に加工されたランドを元に戻して凸状に加工されたランドを外部電極端子とする工程とを施すようにしたものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
図１は本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの断面図である。
【００１２】
この図において、１はＬＳＩチップ、２はＬＳＩチップ１のアルミニウム電極（図示なし）上に形成されたバンプ電極、３はポリイミド等のベースフィルム、１５はパターン形成された銅箔（ランド）であり、中央部が開孔している。
【００１３】
更に、５は銅箔を貼り付けるための接着剤、６はＬＳＩチップ１上の電極とテープ上の電極を電気的に接続するインナーリード、７はＬＳＩチップ１表面を保護する樹脂、８はテープを平坦化するためのスティフナー、９はスティフナー８を貼り付ける接着剤、２０はスクリーン印刷した半田ペースト、１０は外部電極パッドとして使用する半田ボールである。
【００１４】
図２は本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その１）、図３はそのＴＢＧＡの製造工程断面図（その２）である。
【００１５】
（１）まず、図２（ａ）に示すように、ポリイミド等のベースフィルム３に接着剤５を塗布する。
【００１６】
（２）次いで、図２（ｂ）に示すように、デバイスホール１１、パーフォレーションホール１２、ボール搭載ホール１３を金型等により開孔する。
【００１７】
（３）次に、図２（ｃ）に示すように、銅箔１４を接着剤５に貼り合わせる。
【００１８】
（４）次に、図２（ｄ）に示すように、フォトレジスト（図示なし）を塗布し、露光、現像、エッチングして銅箔１４のパターンニングを行い、インナーリード６、及び銅箔（ランド）１５等を形成する。
【００１９】
（５）次いで、図２（ｅ）に示すように、ソルダーレジスト１６を塗布し、その後、インナーリード６及び銅箔（ランド）１５の表面にメッキ（錫、半田、金等）１７を施す。
【００２０】
（６）次に、図２（ｆ）に示すように、ＬＳＩチップ１上のバンプ電極２とインナーリード６を位置合わせし、インナーリード６をボンディングする。
【００２１】
（７）次に、図２（ｇ）に示すように、ＬＳＩチップ１の表面に樹脂７を塗布する。ここで、１８はテープキャリアである。
【００２２】
（８）次に、図３（ａ）に示すように、ボール搭載ホール１３に半田ペースト２０をスクリーン印刷法等で印刷する。
【００２３】
（９）次に、図３（ｂ）に示すように、必要な部分をテープキャリア１８から打ち抜く。
【００２４】
（１０）次いで、図３（ｃ）に示すように、接着剤９を用いてスティフナー８をベースフィルム３に貼り付ける。
【００２５】
（１１）次いで、図３（ｄ）に示すように、銅箔（ランド）１５に半田ボール１０を搭載する。
【００２６】
（１２）次に、図３（ｅ）に示すように、ＴＢＧＡ全体に熱を加え、半田ボール１０と銅箔（ランド）１５と半田ペースト２０を密着させる。
【００２７】
このように、第１実施例によれば、半田ペースト２０を印刷する工程を一工程だけ増やすことにより、半田ボール１０を搭載し、熱を加えて半田ボール１０と銅箔（ランド）１５を密着させる際、半田ペースト２０も一緒に密着するため、銅箔（ランド）１５と半田ボール１０との密着強度が大きくなり、半田ボール１０が銅箔（ランド）１５の界面から剥がれる恐れがなくなる。
【００２８】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００２９】
図４は本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの断面図である。なお、第１実施例と同様の部分については、同一符号を付すことにする。
【００３０】
この図において、１はＬＳＩチップ、２はＬＳＩチップ１のアルミニウム電極（図示なし）上に形成されたバンプ電極、３はポリイミド等のベースフィルム、２１はパターン形成された銅箔（ランド）であり、中央部が凹状に加工されている。５は銅箔を貼り付けるための接着剤、６はＬＳＩチップ１上の電極とテープ上の電極を電気的に接続するインナーリード、７はＬＳＩチップ１表面を保護する樹脂、８はテープを平坦化するためのスティフナー、９はスティフナー８を貼り付ける接着剤、１０は外部電極パッドとして使用する半田ボールである。
【００３１】
次に、本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの製造方法について説明する。
【００３２】
図５は本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その１）、図６はそのＴＢＧＡの製造工程断面図（その２）である。
【００３３】
（１）まず、図５（ａ）に示すように、ポリイミド等のベースフィルム３に接着剤５を塗布する。
【００３４】
（２）次いで、図５（ｂ）に示すように、デバイスホール１１、パーフォレーションホール１２、ボール搭載ホール１３を金型等により開孔する。
【００３５】
（３）次に、図５（ｃ）に示すように、銅箔１４を接着剤５に貼り合わせる。
【００３６】
（４）次に、図５（ｄ）に示すように、フォトレジスト（図示なし）を塗布し、露光、現像、エッチングして銅箔１４のパターンニングを行い、インナーリード６、及び銅箔（ランド）２１を形成する。
【００３７】
（５）次いで、図５（ｅ）に示すように、ソルダーレジスト１６を塗布し、その後、インナーリード６及び銅箔（ランド）２１の表面にメッキ（錫、半田、金等）１７を施す。
【００３８】
（６）次に、図５（ｆ）に示すように、ＬＳＩチップ１上のバンプ電極２とインナーリード６を位置合わせし、インナーリード６をボンディングする。
【００３９】
（７）次に、図５（ｇ）に示すように、ＬＳＩチップ１の表面に樹脂７を塗布する。ここで、１８はテープキャリアである。
【００４０】
（８）次に、図６（ａ）に示すように、図５（ｇ）に示すＴＢＧＡを下金型３１と上金型３２で挟み、その上金型３２内を上下動可能であり、銅箔（ランド）２１の中央部に凹状を加工する、突起３４を有するパンチ３３を配置する。
【００４１】
（９）次に、図６（ｂ）に示すように、必要な部分をテープキャリア１８から打ち抜く際に、銅箔（ランド）２１に凹状の加工を施す。
【００４２】
（１０）次いで、図６（ｃ）に示すように、接着剤９を用いてスティフナー８をベースフィルム３に貼り付ける。
【００４３】
（１１）次に、図６（ｄ）に示すように、銅箔（ランド）２１に半田ボール１０を搭載し、ＴＢＧＡ全体に熱を加え半田ボール１０と銅箔（ランド）２１とを密着させる。
【００４４】
このように、第２実施例によれば、工程数を増やすこと無く、銅箔（ランド）２１に凹状の加工を施すことができ、半田ボール１０を搭載する際に半田ボール１０が左右方向へずれる恐れがなくなる。
【００４５】
次に、本発明の第３実施例について説明する。
【００４６】
図７は本発明の第３実施例を示すグリットアレイの断面図である。なお、第１実施例と同様の部分については、同一符号を付すことにする。
【００４７】
この図に示すように、１はＬＳＩチップ、２はＬＳＩチップ１のアルミニウム電極（図示なし）上に形成されたバンプ電極、３はポリイミド等のベースフィルム、２２はパターン形成された銅箔（ランド）であり、中央部が凸状に加工されている。５は銅箔を貼り付けるための接着剤、６はＬＳＩチップ１上の電極とテープ上の電極を電気的に接続するインナーリード、７はＬＳＩチップ１表面を保護する樹脂、８はテープを平坦化するためのスティフナー、９はスティフナー８を貼り付ける接着剤、２３は銅箔（ランド）２２の表面に施された半田メッキまたは錫メッキである。
【００４８】
次に、本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの製造方法について説明する。
【００４９】
図８は本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの製造工程断面図（その１）、図９はそのグリッドアレイの製造工程断面図（その２）である。
【００５０】
（１）まず、図８（ａ）に示すように、ポリイミド等のベースフィルム３に接着剤５を塗布する。
【００５１】
（２）次いで、図８（ｂ）に示すように、デバイスホール１１、パーフォレーションホール１２、ランド形成ホール５１を金型等により開孔する。
【００５２】
（３）次に、図８（ｃ）に示すように、銅箔１４を接着剤５に貼り合わせる。
【００５３】
（４）次に、図８（ｄ）に示すように、フォトレジスト（図示なし）を塗布し、露光、現像、エッチングして銅箔１４のパターンニングを行い、インナーリード６、及び銅箔（ランド）２２等を形成する。
【００５４】
（５）次いで、図８（ｅ）に示すように、ソルダーレジスト１６を塗布し、その後、インナーリード６及び銅箔（ランド）２２の表面にメッキ（錫、半田、金等）１７を施す。
【００５５】
（６）次に、図８（ｆ）に示すように、ＬＳＩチップ１上のバンプ電極２とインナーリード６を位置合わせし、インナーリード６をボンディングする。
【００５６】
（７）次に、図８（ｇ）に示すように、ＬＳＩチップ１の表面に樹脂７を塗布する。ここで、１８はテープキャリアである。ここまでは、図５と同様である。
【００５７】
（８）次に、図９（ａ）に示すように、図５（ｇ）に示すグリッドアレイを逆さまにして、下金型４１と上金型４２で挟み、その上金型４２内を上下動可能な銅箔（ランド）２２の中央部に凸部を加工する高い突起４４及びＬＳＩチップ１を避ける凹部４５を有するパンチ４３を配置する。
【００５８】
（９）そこで、図９（ｂ）に示すように、必要な部分をテープキャリア１８から打ち抜く際に、銅箔（ランド）２２に凸状の加工を施す。なお、凸状は樹脂７より高く加工する。その後、銅箔（ランド）の表面に半田メッキ２３を施す。
【００５９】
（１０）次に、図９（ｃ）に示すように、グリッドアレイを元に戻して、接着剤９を用いてスティフナー８をベースフィルム３に貼り付ける。
【００６０】
このように、第３実施例によれば、銅箔（ランド）２２を凸状に加工し、表面に半田メッキ２３を施すようにしたので、半田ボールを搭載する必要がなくなり材料コストの低減を図ることができる。
【００６１】
また、一工程減らすことができ、半田ボールも不要となるので、安価な製造工程を提供することが可能となる。
【００６２】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【００６３】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【００６４】
（１）請求項１記載の発明によれば、半田ペーストを印刷する工程を一工程だけ増やすだけで、半田ボールを搭載し、熱を加えて半田ボールと銅箔（ランド）を密着させる際、半田ペーストも一緒に密着するため、銅箔（ランド）と半田ボールとの密着強度が大きくなり、半田ボールが銅箔（ランド）の界面から剥がれる恐れがなくなる。
【００６５】
（２）請求項２記載の発明によれば、工程数を増やすこと無く、銅箔（ランド）に凹状の加工を施すことができ、半田ボールを搭載する際に半田ボールが左右方向へずれる恐れがなくなる。
【００６６】
（３）請求項３記載の発明によれば、一工程減らすことができ、半田ボールも不要となるので、コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの断面図である。
【図２】  本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その１）である。
【図３】  本発明の第１実施例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その２）である。
【図４】  本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの断面図である。
【図５】  本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その１）である。
【図６】  本発明の第２実施例を示すＴＢＧＡの製造工程断面図（その２）である。
【図７】  本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの断面図である。
【図８】  本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの製造工程断面図（その１）である。
【図９】  本発明の第３実施例を示すグリッドアレイの製造工程断面図（その２）である。
【図１０】  従来のＴＢＧＡの断面図である。
【符号の説明】
１    ＬＳＩチップ
２    バンプ電極
３    ベースフィルム
５，９    接着剤
６    インナーリード
７    樹脂
８    スティフナー
１０    半田ボール
１１    デバイスホール
１２    パーフォレーションホール
１３    ボール搭載ホール
１４    銅箔
１５，２１，２２    銅箔（ランド）
１６    ソルダーレジスト
１７，２３    メッキ
１８    テープキャリア
２０    半田ペースト
３１，４１    下金型
３２，４２    上金型
３３，４３    パンチ
３４    突起
４４    高い突起
４５    ＬＳＩチップ１を避ける凹部
５１    ランド形成ホール
【図１】
0003936060.tif 000002
【図２】
0003936060.tif 000003
【図３】
0003936060.tif 000004
【図４】
0003936060.tif 000005
【図５】
0003936060.tif 000006
【図６】
0003936060.tif 000007
【図７】
0003936060.tif 000008
【図８】
0003936060.tif 000009
【図９】
0003936060.tif 000010
【図１０】
0003936060.tif 000011