(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と;
前記基板上に形成されてチャネル、ゲート電極、ソース電極及びドレーン電極を有する薄膜トランジスタと;
前記薄膜トランジスタ上部に形成されて、前記ドレーン電極を露出させるための第１コンタクトホールを有する第１保護層と;
前記第１保護層上部に形成されて前記薄膜トランジスタを覆い、前記第１コンタクトホールに対応する開口部を有する反射板と;
前記反射板上部に形成されて前記開口部を貫通する第２コンタクトホールを有する第２保護層と;
前記第２保護層上部に形成されて、前記ソース電極とドレーン電極とを覆い、前記薄膜トランジスタのチャネル上にホールを有し、前記第１及び第２コンタクトホールを通して前記薄膜トランジスタのドレーン電極と連結される透明電極を含むことを特徴とする液晶表示装置用アレー基板。
【請求項２】
前記反射板と第１保護層は、各々第１及び第２透過ホールを含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレー基板。
【請求項３】
前記基板上部に前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置用アレー基板。
【請求項４】
前記第２保護層は、前記第１及び第２透過ホールに対応する第３透過ホールを有することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置用アレー基板。
【請求項５】
前記透明電極は、前記透過ホールを通して前記基板と接触することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置用アレー基板。
【請求項６】
前記反射板は、前記透明電極と電気的に分離されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレー基板。
【請求項７】
前記反射板は、アルミニウム又はアルミニウムとネオジム(ＡｌＮｄ）の合金からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレー基板。
【請求項８】
前記第１保護層は、ベンゾシクロブテン又はアクリル樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレー基板。
【請求項９】
交差して前記薄膜トランジスタのゲート電極及びドレーン電極に電気的に連結されているゲート配線とデータ配線をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレー基板。
【請求項１０】
第２保護層は、無機絶縁物質からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置用アレー基板。
【請求項１１】
基板上にゲート配線とゲート電極を形成する段階と;
前記ゲート配線とゲート電極上部にゲート絶縁膜を形成する段階と;
前記ゲート絶縁膜上にアクティブ層を形成する段階と;
前記アクティブ層上部にオーミックコンタクト層を形成する段階と;
前記オーミックコンタクト層上部にデータ配線、ソース及びドレーン電極を形成する段階と;
前記データ配線とソース及びドレーン電極上部に前記ドレーン電極を露出するための第１コンタクトホールを有する第１保護層を形成する段階と;
前記第１保護層上部に前記第１コンタクトホールに対応する開口部を有する反射板を形成する段階と;
前記反射板上部に前記開口部を貫通する第２コンタクトホールを有する第２保護層を形成する段階と;
前記第２保護層上部に前記第１及び第２コンタクトホールを通して前記ドレーン電極と連結され前記ソース電極とドレーン電極とを覆う透明電極を形成する段階とを含み、
前記ソース及びドレーン電極間のアクティブ層は、薄膜トランジスタのチャネルとなり、前記反射板は前記薄膜トランジスタのチャネルを覆い、前記透明電極は前記薄膜トランジスタのチャネル上部にホールを有することを特徴とする液晶表示装置用アレー基板の製造方法。
【請求項１２】
前記反射板と前記第１保護層は、各々第１及び第２透過ホールを有することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置用アレー基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２保護層は、前記第１及び第２透過ホールに対応する第３透過ホールを有することを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置用アレー基板の製造方法。
【請求項１４】
前記透明電極は、前記透過ホールを通して前記基板と接触することを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置用アレー基板の製造方法。
【請求項１５】
前記反射板は、前記透明電極と電気的で分離されていることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置用アレー基板の製造方法。
【請求項１６】
前記反射板は、アルミニウム又はアルミニウムとネオジム(ＡｌＮｄ）の合金で形成することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置用アレー基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１保護層は、ベンゾシクロブテン又はアクリル樹脂で形成することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置用アレー基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に関し、特に反射モードと透過モードを選択的に用いることができる反射透過型液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は自ら光を発しないので別途光源が必要である。したがって、一般的に液晶パネル後面にバックライトを配置してバックライトから出る光を液晶パネルに入射させ、液晶分子の配列により光の量を調節することで画像を表示する。このとき、液晶表示装置の電界生成電極は透明導電物質で形成されていなければならず、二基板も透明基板でならなければならない。
【０００３】
このような液晶表示装置を透過型液晶表示装置という。透過型液晶表示装置はバックライトのような人為的な背面光源を用いるので暗い外部環境でも明るい画像を具現できるが、バックライトによる電力消費が大きいという短所がある。
【０００４】
このような短所を補完するために反射型液晶表示装置が提案された。反射型液晶表示装置は外部の自然光や人造光を反射、液晶分子の配列によって光の透過率を調節する形態であるため、透過型液晶表示装置に比べて電力消費が少ない。
【０００５】
前記アレー基板に形成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアクティブチャネルに関しても考慮が必要である。
【０００６】
すなわち、前記アクティブチャネルを構成するアクティブ層は、一般的に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ:Ｈ）で形成され、前記アクティブチャネルに直接光が入射すると、光によってシリコン表面に位置する水素とシリコンの結合が切れながら自由電子が発生し、このような電子の流れは即漏れ電流になる。
【０００７】
このように自然に発生した前記漏れ電流は、薄膜トランジスタの作動不良を誘発する。
【０００８】
したがって、前記薄膜トランジスタのアクティブチャネルを遮る必要がある。
【０００９】
一般的に、前記アクティブチャネルを遮る手段として、前記アクティブチャネルに対応する上部基板にブラックマトリックスを構成する構造が一般的である。
【００１０】
しかし、このような構成は、ブラックマトリックスとこれに対応するアクティブチャネルの整列誤差を勘案して薄膜トランジスタ領域の全体をカバーする形状で構成する。
【００１１】
このような構成は、画素領域の開口率を落とす問題がある。
【００１２】
したがって、過去には前記開口率を減少させずに薄膜トランジスタに漏れ電流が発生しないようにする方法が複数提案された。
【００１３】
以下、図１は従来の第１例による反射型液晶表示装置用アレー基板の一部を概略的に示した断面図である。
【００１４】
図示したように、絶縁基板１の上部にゲート電極４とアクティブ層８とソース電極１２及びドレーン電極１４で構成された薄膜トランジスタが配設される。
【００１５】
薄膜トランジスタの上部には、ベンゾシクロブテン(ＢＣＢ)とアクリル系樹脂等を含む透明な有機絶縁物質グループと、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含む有機絶縁物質グループのいずれかを塗布または蒸着して形成した保護膜１６が構成される。
【００１６】
前記保護膜１６には、エッチングされて下部に配設されたドレーン電極１４の一部を露出するためのコンタクトホール１８が構成される。
【００１７】
前記保護膜１６の上部には、前記コンタクトホール１８を通して前記ドレーン電極１４と接触する反射電極２０が配設される。
【００１８】
前記反射電極２０は、電極と反射板の役割を同時にする。
【００１９】
図示したように、従来の第１例は、前記反射電極２０を前記薄膜トランジスタの上部まで延ばして構成することを特徴とする。
【００２０】
前記薄膜トランジスタＴの上部に延びた反射電極２０は、入射した光から前記ソース電極１２とドレーン電極１４間に露出したアクティブチャネルＣＨを遮蔽すると同時に、薄膜トランジスタの上部まで反射領域を広げるために開口率を増やすことにより、輝度を高めることができる。
【００２１】
しかし、このような構成により、前記反射電極２０に電圧が印加される際に前記反射電極２０がもう一つのゲート電極のように作動するために、二重ゲート現像が発生して薄膜トランジスタが誤動作する。
【００２２】
このような問題を解決するための構造が米国特許第５５００７５０号に開示された。
【００２３】
以下、図２は従来技術による第２例による反射型液晶表示装置用アレー基板の一部を概略的に示した断面図である。ここで、図１と同一な構成要素には図１と同一な番号を用いる。
【００２４】
図示したように、前記米国特許に開示された従来技術による第２例の構造は、薄膜トランジスタのチャネルＣＨを光から遮蔽するために、反射電極２０とは別に電気的で独立的なアイランド状の金属層２２を前記薄膜トランジスタの上部に配設する。
【００２５】
しかし、前述したような従来技術による第２例の場合、現在の露光技術では、前記ドレーン電極１４と接触する反射電極２０と、前記光からアクティブチャネルＣＨを遮蔽する金属層２２との離隔距離は最小４μｍ以上になる。
【００２６】
したがって、アクティブチャネルＣＨを遮る最小限の必要領域の周囲に４μｍ幅の領域を駆動させることができなくなるので、開口率が減る問題がある。
【００２７】
一方、このような反射型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置に比べて電力消耗が少ない反面、外部光を利用するために場所と天気に制約がある。すなわち、暗い環境では使用が難しいという問題がある。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】
前述したような問題を解決するために、本発明は、前記反射電極を電気的にフローティングさせて反射板で用い、別の透明電極により画素領域を駆動する反射透過型液晶表示装置用アレー基板の構造を提案する。
【００２９】
このような構成で、本発明は漏れ電流によるスイッチング素子の作動不良を防止し、開口率を改善して液晶パネルの効率を改善することを目的にする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するため、本発明による液晶表示装置用アレー基板は、基板と;前記基板上に形成されてチャネル、ゲート電極、ソース及びドレーン電極を有する薄膜トランジスタと;前記薄膜トランジスタ上部に形成されて前記ドレーン電極を露出するための第１コンタクトホールを有する第１保護層と;前記第１保護層上部に形成されて前記薄膜トランジスタを覆い、前記第１コンタクトホールに対応する開口部を有する反射板と;前記反射板上部に形成されて前記開口部を貫通する第２コンタクトホールを有する第２保護層と;前記第２保護層上部に形成されて、前記ソース電極とドレーン電極とを覆い、前記薄膜トランジスタ上にホールを有して前記第１及び第２コンタクトホールを通して前記薄膜トランジスタのドレーン電極と連結される透明電極を含む。
【００３１】
一方、本発明による液晶表示装置用アレー基板の製造方法は、基板上にゲート配線とゲート電極を形成する段階と;前記ゲート配線とゲート電極上部にゲート絶縁膜を形成する段階と;前記ゲート絶縁膜上にアクティブ層を形成する段階と;前記アクティブ層上部にオーミックコンタクト層を形成する段階と;前記オーミックコンタクト層上部にデータ配線、ソース及びドレーン電極を形成する段階と;前記データ配線とソース及びドレーン電極上部に前記ドレーン電極を露出するための第１コンタクトホールを有する第１保護層を形成する段階と;前記第１保護層上部に前記第１コンタクトホールに対応する開口部を有する反射板を形成する段階と;前記反射板上部に前記開口部を貫通する第２コンタクトホールを有する第２保護層を形成する段階と;前記第２保護層上部に前記第１及び第２コンタクトホールを通して前記ドレーン電極と連結され前記ソース電極とドレーン電極とを覆う透明電極を形成する段階を含み、ここで前記ソース及びドレーン電極間のアクティブ層は薄膜トランジスタのチャネルとなり、前記反射板は前記薄膜トランジスタのチャネルを覆い、前記透明電極は前記薄膜トランジスタのチャネル上部にホールを有する。
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照しながら本発明による実施例を説明する。
【００３３】
最近、反射モードと透過モードを必要によって適切に選択して用いることができる装置として、反射及び透過兼用液晶表示装置が提案された。このような反射透過型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置と反射型液晶表示装置の機能を同時に有したものであって、バックライトと外部の自然光源または人造光源をすべて利用することができるため、周辺環境の制約を受けないで電力消費を減らすことができるという長所がある。
【００３４】
以下、添付の図面を参照しながら本発明による反射透過型液晶表示装置用アレー基板について詳細に説明する。
【００３５】
まず、図３は本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置用アレー基板の一部を概略的に示した平面図であり、図４は図３のＩＶ−ＩＶに沿って切断した断面図である。
【００３６】
図３と図４に示したように、基板１００上にゲート電極１０２とゲート配線１０４が形成されている。ゲート配線１０４は横方向に延びており、ゲート電極１０２はゲート配線１０４に連結されている。ゲート絶縁膜１０６がゲート電極１０２とゲート配線１０４を覆っており、アクティブ層１０８がゲート絶縁膜１０６上に形成されている。アクティブ層１０８上にはドーピングされた非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層１１０が形成されている。次に、ソース電極１１２とドレーン電極１１４がオーミックコンタクト層１１０上に形成されている。ソース電極１１２はデータ配線１１６と連結されており、データ配線１１６は縦方向に延びてゲート配線１０４と交差し、画素領域Ｐを定義する。ここで、オーミックコンタクト層１１０はアクティブ層１０８とソース及びドレーン電極１１２、１１４間の接触抵抗を低める役割をする。一方、ゲート電極１０２とソース電極１１２、そしてドレーン電極１１４は薄膜トランジスタＴをなし、ソース及びドレーン電極１１２、１１４間に露出したアクティブ層１０８は薄膜トランジスタＴのチャネルＣＨになる。
【００３７】
続いて、第１保護層１１８がソース電極１１２とドレーン電極１１４及びデータ配線１１６を覆っている。第１保護層１１８はゲート絶縁膜１０６と一緒に基板１００の一部を露出させための第１透過ホール１２２を有する。第１透過ホール１２２は透過モードと反射モードの輝度を同一にするためのものであって、第１保護層１１８にのみ形成されうる。ここで、第１保護層１１８はベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ:ＢＣＢ）やアクリル系樹脂から形成することができる。
【００３８】
次に、反射板１２６が第１保護層１１８上に形成されている。反射板１２６は薄膜トランジスタＴを覆っており、ドレーン電極１１４上部の開口部１２６ｂと第１透過ホール１２２に対応する第２透過ホール１２６ａを有する。反射板１２６はアルミニウム(Ａｌ)のように光をよく反射する物質で形成される。次に、反射板１２６上には第２保護層１２８が形成されている。第２保護層１２８はドレーン電極１１４を露出させるための開口部１２６ｂを貫通するコンタクトホール１２８ａを有する。続いて、透明電極１３０が第２保護層１２８上部の画素領域Ｐに形成されており、透明電極１３０はコンタクトホール１２８ａを通してドレーン電極１１４と連結される。ここで、透明電極１３０は薄膜トランジスタＴ上部にホール１３０ａを有しており、薄膜トランジスタＴを覆わない。特に、透明電極１３０は薄膜トランジスタＴのチャネル領域ＣＨを覆わない。このとき、反射板１２６は透明電極１３０と連結されていないために、反射板１２６にはいかなる電荷も生成されない。
【００３９】
透明電極１３０が薄膜トランジスタＴを覆う場合、透明電極１３０に電圧が印加されると透明電極１３０と薄膜トランジスタＴ間には電界が形成される。このような場合に形成された電界を図５に示した。
【００４０】
図示したように、ドレーン電極１１４と接触してドレーン電圧が直接印加される透明電極１３０が前記電気的にフローティングされた反射板１２６の上部に形成されるならば、前記透明電極１３０に印加された電圧によって前記反射板１２６の表面に電荷が誘導され、その結果前記透明電極１３０と反射板１２６間、そして前記反射板１２６とその下部のドレーン電極１１４間には電界Ｅ、Ｆが各々形成される。したがって、このような電界Ｅ、Ｆによってゲート電極１０２に電圧が印加されなくても、前記ソース及びドレーン電極１１２、１１４間にチャネルＣＨが形成されて漏れ電流が発生する。
【００４１】
これを防止するために、反射板１２６は、アクティブ層を覆いながら前記透明電極１３０が前記アクティブ層１０８の上部には無いようにする。そうすると、開口率が改善され、同時に漏れ電流による薄膜トランジスタの作動不良が発生しない反射透過型液晶表示装置用アレー基板を製作することができる。
【００４２】
以下、図６Ａないし図６Ｄを参照しながら本発明による反射透過型液晶表示装置用アレー基板の製造工程を説明する。
【００４３】
まず、図６Ａに示したように、基板１００上にゲート電極１０２と、前記ゲート電極１０２と電気的に連結されたゲート配線１０４を形成する。ゲート電極１０２とゲート配線１０４は、アルミニウム、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）等の単一金属や、アルミニウム／クロム（またはモリブデン）等の二重金属層構造とすることができる。このようなゲート電極１０２物質は液晶表示装置の作動に重要であるため、ＲＣディレイを小さくするために抵抗が小さなアルミニウムが主流であるが、純粹アルミニウムは化学的に耐蝕性が弱く、後続の高温工程でヒロック形成による配線欠陥問題を引き起こすので、アルミニウム配線の場合は前述したように合金の形態で使用されるか、積層構造が適用される。
【００４４】
次に、前記ゲート配線１０４とゲート電極１０２が形成された基板１００上に窒化シリコン（ＳｉＮＸ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）等を含む無機絶縁物質または場合によってはベンゾシクロブテンとアクリル系樹脂等が含まれた有機絶縁物質のいずれかを蒸着または塗布してゲート絶縁膜１０６を形成する。
【００４５】
続いて、前記ゲート絶縁膜１０６上に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ:Ｈ）で形成されたアクティブ層１０８と不純物が含まれた非晶質シリコン（ｎ＋ａ−Ｓｉ:Ｈ）で形成された不純物半導体層１１０ａを順に形成する。
【００４６】
次に、図６Ｂに示したように、不純物半導体層（図６Ａの１１０ａ）上にソース電極１１２とドレーン電極１１４そしてデータ配線１１６を形成し、あらわれた不純物半導体層（図６Ａの１１０ａ）をエッチングしてオーミックコンタクト層１１０を完成する。ここで、データ配線１１６はゲート配線１０４と交差して画素領域Ｐを定義し、ソース電極１１２はデータ配線１１６に連結される。ソース及びドレーン電極１１２、１１４とデータ配線１１６は、ゲート電極１０２と同一物質で形成することができる。ソース及びドレーン電極１１２、１１４間に露出したアクティブ層１０８は、薄膜トランジスタＴのチャネルＣＨになる。続いて、前記データ配線１１６とソース及びドレーン電極１１２、１１４上に第１保護層１１８を形成する。第１保護層１１８は前記ドレーン電極１１４を露出する第１コンタクトホール１１８ａを有し、またゲート絶縁膜１０６にも開口して基板１００を露出させる第１透過ホール１２２を有する。第１透過ホール１２２は反射領域と透過領域における液晶層の厚さを同一にすることによって、液晶表示装置の輝度を均一にする。第１保護層１１８はＢＣＢとアクリル樹脂などの有機物質で形成することができ、またはシリコン窒化膜やシリコン酸化膜のような無機物質で形成することもできる。
【００４７】
次に、図６Ｃに示したように、第１保護層１１８上部に反射板１２６を形成する。反射板１２６はアルミニウムやアルミニウム合金のように反射率が優れた物質を利用することが望ましい。反射板１２６はドレーン電極１１４上部に開口部１２６ｂを有し、第１透過ホール１２２に対応する第２透過ホール１２６ａを有する。前記反射板１２６は前記アクティブチャネルＣＨを覆う構造で形成する。
【００４８】
次に、図６Ｄに示したように、前記反射板１２６上部に有機絶縁物質または無機絶縁物質を塗布するか蒸着して第２保護層１２８を形成し、その上に透明電極１３０を形成する。第２保護層１２８は開口部１２６ｂを通してドレーン電極を露出させる第２コンタクトホール１２８ａを有するが、コンタクトホール１２０、１２８ａは、第２コンタクトホール１２８ａ形成時に一緒に形成することができる。透明電極１３０は、薄膜トランジスタＴ上、特に、チャネルＣＨ上には形成されない。透明電極１３０はインジウム−スズ−オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ:ＩＴＯ）やインジウム−酸化亜鉛（ｉｎｄｉｕｍ−ｚｉｎｃ−ｏｘｉｄｅ:ＩＺＯ）のような透明導電物質で形成される。このとき、反射板１２６は透明電極１３０と電気的に分離されている。
【００４９】
図４では、透明電極１３０が基板１００と接触するように第１透過ホール１２２を形成したが、図７に示したように、本発明の第２実施例ではこれと異なるように形成する。すなわち、本発明の第２実施例では、第２保護層１２８を透明電極１３０と基板１００間に配置することにより、透明電極１３０が基板１００と接触しない。また、第２保護層１２８と基板１００間にはゲート絶縁膜１０６を配置する場合もある。
【００５０】
一方、上述の第１及び第２実施例では反射透過型液晶表示装置用アレー基板について説明したが、このような構造は反射型液晶表示装置にも適用することができる。図８と図９に示したように、本発明の第３実施例では薄膜トランジスタＴと距離を置いて配設された第１透過ホールと第２透過ホールが除去されている。すなわち、反射板２２６を基板２００全面に形成し、その上に形成された透明電極２３０によって液晶分子（図示せず）が作動する。このとき、反射板２２６は薄膜トランジスタＴのチャネルＣＨを覆って光漏れ電流の発生を防止し、透明電極２３０は薄膜トランジスタＴ上にホール２３０ａを有しており、寄生容量が発生することを防止できる。ここで、反射板２２６と透明電極２３０は電気的に分離されている。
【００５１】
【発明の効果】
したがって、本発明により反射透過型液晶表示装置用アレー基板を製作すると、前記薄膜トランジスタ領域を反射領域で構成することができるので、開口率をさらに確保することができる。
【００５２】
また前記アクティブチャネルに漏れ電流が発生しないので、薄膜トランジスタの作動不良を防止でき、それにより液晶パネルの収率を改善することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来技術の第１例による反射透過型液晶表示装置用アレー基板の一部を示した断面図である。
【図２】従来技術の第２例による反射透過型液晶表示装置用アレー基板の一部を示した断面図である。
【図３】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置用アレー基板の一部を示した平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶに沿って切った断面図である。
【図５】透明電極が薄膜トランジスタを覆う場合に生成した電界を示す。
【図６Ａ】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置用アレー基板を製造する過程を示した断面図である。
【図６Ｂ】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置用アレー基板を製造する過程を示した断面図である。
【図６Ｃ】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置用アレー基板を製造する過程を示した断面図である。
【図６Ｄ】本発明の第１実施例による反射透過型液晶表示装置用アレー基板を製造する過程を示した断面図である。
【図７】本発明の第２実施例による反射透過型液晶表示装置用アレー基板の断面図である。
【図８】本発明の第３実施例による液晶表示装置用アレー基板の平面図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ線に沿って切った断面図である。
【符号の説明】
１００:  絶縁基板
１０２:  ゲート電極
１０８:  アクティブ層
１１０:  オーミックコンタクト層
１１２:  ソース電極
１１４:  ドレーン電極
１１８:  第１保護層
１２８ａ:  第２コンタクトホール
１２２:  第１透過ホール
１２６:  反射板
１２８:  第２保護層
１３０:  透明電極
【図１】
0003952389.tif 000002
【図２】
0003952389.tif 000003
【図３】
0003952389.tif 000004
【図４】
0003952389.tif 000005
【図５】
0003952389.tif 000006
【図６Ａ】
0003952389.tif 000007
【図６Ｂ】
0003952389.tif 000008
【図６Ｃ】
0003952389.tif 000009
【図６Ｄ】
0003952389.tif 000010
【図７】
0003952389.tif 000011
【図８】
0003952389.tif 000012
【図９】
0003952389.tif 000013