(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
入口および出口が下面に設けられた複数の弁と、各弁が上方から着脱自在に一方向に並んで取り付けられている弁取付基部とを備えている遮断開放器において、弁取付基部が、弁の入口または出口に通じる通路のみを有する流入または流出路形成部材と、隣り合う弁の入口と出口とを連通する通路のみを有し、前記流入または流出路形成部材とは別個に形成された連通路形成部材とによって形成されており、前記弁の少なくとも一つは、前記流入または流出路形成部材の１または複数および前記連通路形成部材の１または複数に取り付けられていることを特徴とする遮断開放器。
【請求項２】
少なくとも１つの弁の入口と出口との間に、他の流体用の入口または出口となる副出入口が設けられ、弁取付基部が、この副出入口に通じる通路を有する１または複数の副通路形成部材をさらに備えていることを特徴とする請求項１の遮断開放器。
【請求項３】
副出入口が設けられている弁の弁本体には、入口から弁室に通じている流入通路と、副出入口から弁室に通じている副通路と、出口から弁室に通じている流出通路とが形成されており、副通路が弁体により遮断開放されるようになされており、流入通路と流出通路とは常時連通するようになされていることを特徴とする請求項２の遮断開放器。
【請求項４】
流入路形成部材、連通路形成部材、流出路形成部材および副通路形成部材の下面に、位置決め突起または位置決め凹所がそれぞれ少なくとも１つ設けられており、これらの位置決め突起または位置決め凹所に対応する位置決め凹所または位置決め突起が設けられた支持部材に、弁取付基部が固定されている請求項２の遮断開放器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体製造装置における流体制御装置等に用いられる遮断開放器に関し、特に、複数の弁を備えかつマスフローコントローラ等の流体制御器の入口側および出口側に設けられて複数種類の流体の通路を遮断開放する遮断開放器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造装置における流体制御装置では、マスフローコントローラの入口側および出口側には通常複数の弁が配置されるが、このさい、これらの弁同士をチューブにより接続しないで、複数の弁をブロック状の弁取付部材に上方から着脱自在に一方向に並んで取り付けることにより形成された遮断開放器を１つのユニットとして用いることが行われている（特開平６−２４１４００号公報参照）。各弁の入口および出口は下面に設けられ、弁取付部材には、これらの入口および出口位置に応じて、流入路および流出路が設けられる。弁を弁取付部材に上方から着脱自在に取り付けるのは、パネルに取り付けられた後の遮断開放器の各弁ごとの点検・交換を可能にするためである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
１つの流体制御装置には、多数の遮断開放器が設けられており、これらの遮断開放器には、弁の数が２つのものや４つのもの、弁同士の間隔したがって入口および出口の位置が異なるもの、少なくとも１つの弁の入口と出口との間に、他の流体用の入口または出口となる副出入口を追加するものなど、種々の仕様がありうる。従来の遮断開放器では、出口の位置が１つだけ異なる場合であっても新たに弁取付部材を作成しなければならず、仕様変更に対応しにくいという問題があった。
【０００４】
また、この種の遮断開放器では、パネルに取り付けられた後の遮断開放器のメンテナンスの点から、遮断開放器構成部材同士の接続部におけるシール性の確保が重要課題となっている。
【０００５】
この発明の目的は、弁の数の増減や弁取付位置の変更などの仕様変更に容易に対応でき、しかも、遮断開放器構成部材同士の接続部におけるシール性を確保することができる遮断開放器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
この発明による遮断開放器は、入口および出口が下面に設けられた複数の弁と、各弁が上方から着脱自在に一方向に並んで取り付けられている弁取付基部とを備えている遮断開放器において、弁取付基部が、弁の入口または出口に通じる通路のみを有する流入または流出路形成部材と、隣り合う弁の入口と出口とを連通する通路のみを有し、前記流入または流出路形成部材とは別個に形成された連通路形成部材とによって形成されており、前記弁の少なくとも一つは、前記流入または流出路形成部材の１または複数および前記連通路形成部材の１または複数に取り付けられていることを特徴とするものである。
【０００７】
この明細書において、上下は図１の上下をいうものとするが、この上下は便宜的なものであり、遮断開放器は、図１の上下の状態で水平面に取り付けられるほか、上下が逆になって水平面に取り付けられたり、垂直面に取り付けられたりすることがある。
【０００８】
この発明の遮断開放器によると、弁の数を増減するときには、弁の数に応じて連通路形成部材を追加または除去すればよく、弁同士の間隔が異なるときには、流入路形成部材および流出路形成部材はそのままとして、連通路形成部材だけを変更したりするなどの対応が可能であり、仕様変更に対応しやすい。
【０００９】
しかも、各通路形成部材同士は、互いに直接に連通する通路を持っていないから、これらをシール部を介さないで結合することが可能であり、弁取付基部が複数の部材から構成されているにもかかわらず、シール性を確保することができる。
【００１０】
少なくとも１つの弁の入口と出口との間に、他の流体の入口または出口となる副出入口が設けられ、弁取付基部が、この副出入口に通じる通路を有する１または複数の副通路形成部材をさらに備えていることがある。このようにすると、複数の弁が、入口および出口を１つずつ有している２ポート弁と、副出入口をさらに有している３ポート弁とを含んでいる場合でも、仕様変更に対応しやすく、しかも、シール性を確保することができる。
【００１１】
副出入口が設けられている弁の弁本体には、入口から弁室に通じている流入通路と、副出入口から弁室に通じている副通路と、出口から弁室に通じている流出通路とが形成されており、副通路が弁体により遮断開放されるようになされており、流入通路と流出通路とは常時連通するようになされていることが好ましい。このようにすると、流体を弁取付基部の一端側から流入させて各弁の弁本体内を経て他端側から流出させる通路については、溜まり部になる通路が存在しないから、この通路に流体を流した場合、短時間でこの流体だけが流れるようになる。例えば、弁体により副通路を開放して、副通路からプロセスガスを流入した後、弁体により副通路を遮断すると、プロセスガスが流出通路内に残留することになるが、次いで、パージガスを弁取付基部の一端側から流入すると、パージガスは流出通路内に残っているプロセスガスを自身の圧力で弁取付基部の他端側から排出させ、これにより、遮断開放器内が素早く安全なパージガスに置換される。
【００１２】
また、流入路形成部材、連通路形成部材、流出路形成部材および副通路形成部材の下面に、位置決め突起または位置決め凹所が少なくとも１つ設けられており、これらの位置決め突起または位置決め凹所に対応する位置決め凹所または位置決め突起が設けられた支持部材に、弁取付基部が固定されていることがある。このようにすると、支持部材に対する弁取付基部の位置決めが確実に行われるから、弁取付基部に弁を取り付けていくさいに、弁取付基部のねじ孔と弁のボルト挿通孔との位置ずれや弁取付基部の通路と弁の通路との位置ずれが防止されるので、弁の取付けが容易になるとともに、通路の突き合わせ部分でのシール性も確保しやすい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態を、以下図面を参照して説明する。
【００１４】
以下の説明において、上下・左右については、図１の上下・左右をいうものとする。
【００１５】
図１から図３までは、この発明の遮断開放器(1)(2)の実施形態を示している。同図に示すように、この遮断開放器(1)(2)は、マスフローコントローラ(3) の左方および右方に設けられて、半導体製造装置等において用いられる流体制御装置(4) を構成している。
【００１６】
左方の遮断開放器(1) は、左方に配置された第１開閉弁(6) および右方に配置された第２開閉弁(7) と、第１開閉弁(6) および第２開閉弁(7) が取り付けられている第１弁取付基部(28)とを備えている。第１弁取付基部(28)は、後述するように複数の継手(31)(32)(33)により形成されており、基板（支持部材）(108) に各継手(31)(32)(33)を固定していくことにより組み立てられている。左方の遮断開放器(1) の左方には、第１逆止弁(5) が設けられている。
【００１７】
また、右方の遮断開放器(2) は、左方に配置された第３開閉弁(8) 、中間に配置された第４開閉弁(9) および右方に配置された第５開閉弁(10)と、第３開閉弁(8) 、第４開閉弁(9) および第５開閉弁(10)が取り付けられている第２弁取付基部(29)とを備えている。第２弁取付基部(29)は、後述するように複数の継手(34)(35)(36)(37)(38)(39)により形成されており、基板(108) に各継手(34)(35)(36)(37)(38)(39)を固定していくことにより組み立てられている。右方の遮断開放器(2) の右方には、第２逆止弁(11)が設けられている。
【００１８】
各開閉弁(6)(7)(8)(9)(10)は、それぞれ、弁本体(12)(14)(16)(18)(20)およびこれに上方から取り付けられて弁本体(12)(14)(16)(18)(20)内の流路を適宜遮断開放するアクチュエータ(13)(15)(17)(19)(21)よりなる。各開閉弁(6)(7)(8)(9)(10)の弁本体(12)(14)(16)(18)(20)の下端部には、上から見て方形のフランジ部(12a)(14a)(16a)(18a)(20a) が設けられており、このフランジ部(12a)(14a)(16a)(18a)(20a) が上方からねじ込まれたねじにより弁取付基部(28)(29)に結合されている。
【００１９】
各逆止弁(5)(11) は、それぞれ、下面に入口が設けられた左側弁本体(22)(25)と、左側弁本体(22)(25)とねじで接続された中央弁本体(23)(26)と、中央弁本体(23)(26)とねじで接続されかつ下面に出口が設けられた右側弁本体(24)(27)とを備えている。
【００２０】
マスフローコントローラ(3) の下端部左面には、下面に入口が設けられた直方体状左方張出部(49)が設けられ、同右面には、下面に出口が設けられた直方体状右方張出部(50)が設けられている。
【００２１】
図３に拡大して示すように、第１逆止弁(5) は、いずれも下向きに開口した流入通路(77a) および流出通路(77b) を有している。また、第１開閉弁(6) は、２ポート弁であり、弁本体(12)には、弁本体(12)の下面のほぼ中央に位置する入口(62)と、同右寄りに位置する出口(63)とが設けられており、弁本体(12)内に、入口(62)から弁室(66)に通じている流入通路(64)と、出口(63)から弁室(66)に通じている流出通路(65)とが形成されている。第１開閉弁(6) の弁アクチュエータ(13)は、ダイヤフラムの弁体(67)を作動させるもので、弁アクチュエータ(13)の操作により、流入通路(64)が弁体(67)により遮断開放されるようになされている。
【００２２】
また、第２開閉弁(7) は、３ポート弁であり、弁本体(14)には、弁本体(14)の下面の左寄りに位置する入口(68)と、同右寄りに位置する出口(69)と、同ほぼ中央に位置しており他の流体の入口または出口とされる副出入口(70)とが設けられており、弁本体(14)内に、入口(68)から弁室(74)に通じている流入通路(71)と、副出入口(70)から弁室(74)に通じている副通路(73)と、出口(69)から弁室(74)に通じている流出通路(72)とが形成されている。第２開閉弁(7) の弁アクチュエータ(15)は、ダイヤフラムの弁体(75)を作動させるもので、弁アクチュエータ(15)の操作により、副通路(73)が弁体(75)により遮断開放されるようになされている。一方、入口(68)に通じる流入通路(71)と出口(69)に通じる流出通路(72)とは、弁室(74)を介して常時連通するようになされている。
【００２３】
なお、第５開閉弁(10)は第１開閉弁(6) と同じ構成であり、第３開閉弁(8) および第４開閉弁(9) は第２開閉弁(7) と同じ構成とされている。
【００２４】
マスフローコントローラ(3) の左方にある各弁本体(22)(23)(24)(12)(14)の下面およびマスフローコントローラ(3) の左方張出部(49)の下面は、すべて面一となされており、マスフローコントローラ(3) の右方張出部(50)およびマスフローコントローラ(3) の右方にある各弁本体(16)(18)(20)(25)(26)(27)の下面も、すべて面一となされている。
【００２５】
第１逆止弁(5) の左側弁本体(22)の入口には、直方体状本体ブロック(40)およびこれに保持されたＬ型通路形成部材(41)よりなり、パージガス導入ラインに接続されているパージガス導入用継手(80)が設けられている。。
【００２６】
第１逆止弁(5) の右側弁本体(24)の出口と第１開閉弁(6) の弁本体(12)の入口とは、左方の遮断開放器(1) に流体を導入する第１流入路形成用継手(30)により接続されている。第１流入通路形成用継手(30)は、２つの直方体状本体ブロック(42)(44)およびこれらに保持されたＵ字状連通路形成部材(46)よりなる。また、Ｕ字状連通路形成部材(46)は、２つのＬ型通路形成部材(43)(45)同士が接合されることにより形成されている。
【００２７】
第１開閉弁(6) の弁本体(12)の右寄り部分下面と第２開閉弁(7) の弁本体(14)の左寄り部分下面とにまたがって、第１開閉弁(6) の出口と第２開閉弁(7) の入口とを連通するＶ字状通路(31a) を有する直方体状第１連通路形成用ブロック継手(31)が設けられている。
【００２８】
第２開閉弁(7) の弁本体(14)の副出入口には、直方体状ブロック(47)およびこれに保持されたＩ型通路形成部材(48)よりなる第１副通路形成用継手(32)が設けられている。第１副通路形成用継手(32)の下端部には、プロセスガス導入ラインに接続されている公知のＬ型継手(78)が接合されている。
【００２９】
第２開閉弁(7) の弁本体(14)の右寄り部分下面とマスフローコントローラ(3) の左方張出部(49)下面とにまたがって、第２開閉弁(7) の出口から流体を排出してマスフローコントローラ(3) に送り込むＶ字状通路(33a) を有する直方体状第１流出通路形成用ブロック継手(33)が設けられている。
【００３０】
マスフローコントローラ(3) の左方にある第１流入通路形成用継手(30)、第１連通路形成用ブロック継手(31)、第１副通路形成用継手(32)および第１流出通路形成用ブロック継手(33)により、左方の遮断開放器(1) の第１弁取付基部(28)が形成されている。したがって、左方の遮断開放器(1) には、逆止弁(5) を経て導入されたパージガスが、第１流入通路形成用継手(30)、第１開閉弁(6) の弁本体(12)、第１連通路形成用ブロック継手(31)、第２開閉弁(7) の弁本体(14)および第１流出通路形成用ブロック継手(33)を通って排出されるパージガス用通路と、第１副通路形成用継手(32)の下面より導入されたプロセスガスが、第１副通路形成用継手(32)、第２開閉弁(7) の弁本体(14)および第１流出通路形成用ブロック継手(33)を通って排出されるプロセスガス用通路とが形成されている。
【００３１】
マスフローコントローラ(3) の右方張出部(50)下面と第３開閉弁(8) の弁本体(16)の左寄り部分下面とにまたがって、マスフローコントローラ(3) から排出された流体を右方の遮断開放器(2) に導入するＶ字状通路(34a) を有する直方体状第２流入通路形成用ブロック継手(34)が設けられている。
【００３２】
第３開閉弁(8) の弁本体(16)の副出入口には、直方体状本体ブロック(51)およびこれに保持されたＬ型通路形成部材(52)よりなり、真空引きラインに接続されている第２副通路形成用継手(35)が設けられている。
【００３３】
第３開閉弁(8) の弁本体(16)の右寄り部分下面と第４開閉弁(9) の弁本体(18)の左寄り部分下面とにまたがって、第３開閉弁(8) の出口と第４開閉弁(9) の入口とを連通するＶ字状通路(36a) を有する直方体状第２連通路形成用ブロック継手(36)が設けられている。
【００３４】
第４開閉弁(9) の弁本体(18)の副出入口には、直方体状本体ブロック(53)およびこれに保持されたＬ型通路形成部材(54)よりなり、プロセスガス送り込みラインに接続されている第３副通路形成用継手(37)が設けられている。
【００３５】
第４開閉弁(9) の弁本体(18)の出口と第５開閉弁(10)の弁本体(20)の入口とは、２つの直方体状本体ブロック(55)(57)およびこれらに保持された連通路形成部材(59)よりなる第３連通路形成用継手(38)により連通されている。連通路形成部材(59)は、２つのＬ型通路形成部材(56)(58)同士が接合されることにより形成されている。
【００３６】
第５開閉弁(10)の弁本体(20)の右寄り部分下面と第２逆止弁(11)の左側弁本体(25)の下面とにまたがって、第５開閉弁(10)の出口と第２逆止弁(11)の入口とを連通するＶ字状通路(39a) を有する直方体状第２流出通路形成用ブロック継手(39)が設けられている。
【００３７】
第２逆止弁(11)の右側弁本体(27)の出口には、直方体状本体ブロック(60)およびこれに保持されたＬ型通路形成部材(61)よりなり、パージガス排出ラインに接続されているパージガス排出用継手(79)が設けられている。
【００３８】
マスフローコントローラ(3) の右方にある第２流入通路形成用ブロック継手(34)、第２副通路形成用継手(35)、第２連通路形成用ブロック継手(36)、第３副通路形成用継手(37)、第３連通路形成用継手(38)および第２流出通路形成用ブロック継手(39)により、右方の遮断開放器(2) の弁取付基部(29)が形成されている。したがって、右方の遮断開放器(2) には、マスフローコントローラ(3) を経て導入されたパージガスが、第２流入通路形成用ブロック継手(34)、第２連通路形成用ブロック継手(36)、第３連通路形成用継手(38)および第２流出通路形成用ブロック継手(39)を通って排出されるパージガス用通路と、マスフローコントローラ(3) を経て導入されたプロセスガスが、第２流入通路形成用ブロック継手(34)、第２連通路形成用ブロック継手(36)および第３副通路形成用継手(37)を通ってプロセスチャンバーに送り込まれるプロセスガス通路と、これらの通路内のガスが第２副通路形成用継手(35)から抜き出される真空引き用通路とが形成されている。
【００３９】
第２逆止弁(11)の右側弁本体(27)の出口には、直方体状本体ブロック(60)およびこれに保持されたＬ型通路形成部材(61)よりなり、パージガス排出ラインに接続されているパージガス排出用継手(79)が設けられている。
【００４０】
第１逆止弁(5) の左側弁本体(22)と本体ブロック(40)とは、左側弁本体(22)の上方からねじ込まれたねじにより接続され、同右側弁本体(24)と本体ブロック(42)とは、右側弁本体(24)の上方からねじ込まれたねじにより接続されている。したがって、これらのねじを外すことにより、第１逆止弁(5) は上方に取り外すことができる。第２逆止弁(11)も同様であり上方に取り外すことができる。
【００４１】
なお、各弁本体(22)(23)(24)(12)(14)(16)(18)(20)(25)(26)(27)とこれらに突き合わされている各部材(41)(30)(31)(32)(33)(34)(35)(36)(37)(38)(39)(61)との間には、図３に示すようなシール部(76)がそれぞれ設けられている。
【００４２】
この流体制御装置(4) によると、第１開閉弁(6) を閉、第２開閉弁(7) を開、第３開閉弁(8) を閉、第４開閉弁(9) を開、第５開閉弁(10)を閉として、左方の遮断開放器(1) の第１副通路形成用継手(32)にプロセスガスを導入すると、プロセスガスは、第２開閉弁(7) の弁本体(14)および第１流出通路形成用ブロック継手(33)を通ってマスフローコントローラ(3) に至り、ここでその流量を調整されて、右方の遮断開放器(2) に導入される。そして、第２流入通路形成用ブロック継手(34)、第３開閉弁(8) の弁本体(16)、第２連通路形成用ブロック継手(36)、第４開閉弁(9) の弁本体(18)および第３副通路形成用継手(37)を通ってプロセスチャンバーに送り込まれる。この後、第１開閉弁(6) を開、第２開閉弁(7) を閉、第３開閉弁(8) を閉、第４開閉弁(9) を閉、第５開閉弁(10)を開として、第１逆止弁(5) からパージガスを導入すると、パージガスは、第１流入通路形成用継手(30)、第１開閉弁(6) の弁本体(12)、第１連通路形成用ブロック継手(31)、第２開閉弁(7) の弁本体(14)および第１流出通路形成用ブロック継手(33)を通ってマスフローコントローラ(3) に至り、さらに、第２流入通路形成用ブロック継手(34)、第３開閉弁(8) の弁本体(16)、第２連通路形成用ブロック継手(36)、第４開閉弁(9) の弁本体(18)、第３連通路形成用継手(38)、第５開閉弁(10)の弁本体(20)、第２流出通路形成用ブロック継手(39)および第２逆止弁(11)を流れて排出される。このとき、パージガスは、自身の圧力によって第２開閉弁(7) の弁本体(14)、第１流出路形成用ブロック継手(33)、第２流入通路形成用継手(34)および第２連通路形成用ブロック継手(36)に残っているプロセスガスを追い出し、これにより、短時間でパージガスだけが流れるようになる。この流体制御装置において、パージガスのラインとプロセスガスのラインとは、逆にしてもよい。この場合は、プロセスガスを流したとき、これがパージガスに素早く置き換わることになる。
【００４３】
上記の左方および右方の遮断開放器(1)(2)において、第１流入通路形成用継手(30)および第３連通路形成用継手(38)が共通の部材とされ、また、第１連通路形成用ブロック継手(31)、第１流出通路形成用ブロック継手(33)、第２流入通路形成用ブロック継手(34)、第２連通路形成用ブロック継手(36)および第２流出通路形成用ブロック継手(39)が共通の部材とされ、各副通路形成用継手(32)(35)(37)も共通の部材とされている。すなわち、左方の遮断開放器(1) に３ポートの開閉弁を１つ付加するとともに、その弁取付基部(28)に、第１連通路形成用ブロック継手(31)および第１副通路形成用継手(32)と同じものを付加するだけで、右方の遮断開放器(2) が得られている。ここで、付加する開閉弁が２ポートのものであるときは、右方の遮断開放器(2) の第４開閉弁(9) を２ポートの弁に置き換えるとともに、その取付基部(29)から第３副通路形成用継手(37)を除去すればよい。また、これに伴って、弁同士の間隔が広くなる場合は、第３連通路形成用継手(38)を形成するチューブ(59)の長さだけを変更することによって対応できる。このように、上記の左方および右方の遮断開放器(1)(2)は、種々の仕様変更に対応しやすいものとなっている。
【００４４】
しかも、各通路形成用継手(30)(31)(32)(33)(34)(35)(36)(37)(38)(39)同士は、互いに直接に連通する通路を持っていないから、これらをシール部を介さないで結合することが可能であり、第１および第２弁取付基部(28)(29)が複数の部材から構成されているにもかかわらず、シール性を確保することができる。
【００４５】
なお、第１流入通路形成用継手(30)および第３連通路形成用継手(38)をＶ字状通路を有する直方体状ブロック継手で形成してもよく、逆に、第１連通路形成用ブロック継手(31)等を２つの本体ブロックおよびこれらに保持されたＵ字状連通路形成部材によって形成してもよい。上記の流体制御装置(4) は、プロセスガスが通る第１流出通路形成用ブロック継手(33)、第２流入通路形成用ブロック継手(34)および第２連通路形成用ブロック継手(36)をＶ字状通路(33a)(34a)(36a) を有する直方体状部材で形成することにより、これらの部材(33)(34)(36)を両側からヒーターで挟んで加熱することができ、プロセスガスを加熱しやすいという利点を有している。
【００４６】
なお、左方の遮断開放器(1) は、２つの開閉弁(6)(7)を有し、右方の遮断開放器(2) は、３つの開閉弁(8)(9)(10)を有しているが、これらの開閉弁の数は適宜変更可能である。そして、適当な数の開閉弁を有する遮断開放器がマスフローコントローラの左方および右方に設けられるとともに、これがさらに並列状に配置されて、半導体製造装置用の流体制御装置が構成される。
【００４７】
次いで、図４および図５を参照して、左方の遮断開放器(1) を組み立てる手順について説明する。
【００４８】
図４は、左方の遮断開放器(1) のうちの第１連通路形成用ブロック継手(31)、第１流出通路形成用ブロック継手(33)および両ブロック継手(31)(33)間にある副通路形成用継手(32)を示している。同図に示すように、各ブロック継手(31)(33)上面には、Ｖ字状通路(31a)(33a)の両端の通路開口部(114) が左右に並んで露出しており、左右の通路開口部(114) をそれぞれ挟むようにして開閉弁(7) 等を取り付けるための前後一対ずつのねじ孔(106) が設けられている。各ブロック継手(31)(33)には、さらに、これらのブロック継手(31)(33)を基板(108) に固定する継手固定ボルト(110) を挿通するためのボルト挿通孔(107) があけられている。このボルト挿通孔(107) は、左右の通路開口部(114) と前側のねじ孔(106) とに囲まれる位置と左右の通路開口部(114) と後側のねじ孔(106) とに囲まれる位置とにそれぞれ１つずつ設けられている。副通路形成用継手(32)上面には、副通路の通路開口部(114) が露出しており、この通路開口部(114) を挟むようにして開閉弁(7) を取り付けるための前後一対のねじ孔(106) が設けられている。副通路形成用継手(32)には、さらに、この継手(32)を基板(108) に固定する継手固定ボルト(110) を挿通するためのボルト挿通孔(107) があけられている。このボルト挿通孔(107) は、通路開口部(114) と前側のねじ孔(106) との間に１つだけ設けられている。各継手(31)(32)(33)の前側のねじ孔(106) 、前側のボルト挿通孔(107) 、通路開口部(114) 、後側のボルト挿通孔(107) および後側のねじ孔(106) は、それぞれ左右に一直線状に並べられ、ねじ孔(106) は隣り合う継手(31)(32)(33)同士で方形の頂点となるように配されている。また、各継手(31)(32)(33)間には、継手(31)(32)(33)取付け時に左右移動可能なように若干の隙間があけられている。
【００４９】
さらに、各継手(31)(32)(33)の下面に、位置決め凹所(115) がボルト挿通孔(107) 近くに設けられており、基板(108) には、これらの位置決め凹所(115) に対応する位置決め突起(116) が設けられている。
【００５０】
そして、図５に示すように、上記継手(31)(32)(33)の下面に設けられた位置決め凹所(115) を基板(108) の位置決め突起(116) に嵌め合わせるとともに、各継手(31)(32)(33)をねじ孔(109) が設けられた基板(108) に継手固定ボルト(110) により固定した後、各継手(31)(32)(33)を連結するように開閉弁(7) が取り付けられる。
【００５１】
図５において、各継手(31)(32)(33)のボルト挿通孔(107) は、継手固定ボルト(110) のボルト頭部(110a)の径より大きい径を有する大径部(107a)と、これに段部(107c)を介して連なりかつボルト頭部(110a)の径とボルト軸部(110b)の径との中間の径を有する小径部(107b)とよりなる。ボルト挿通孔(107) の小径部(107b)に、上端が大径部(107a)内にある円筒状スペーサ(111) が嵌め入れられており、スペーサ(111) 下端が基板(108) に受け止められている。スペーサ(111) は、ボルト軸部(110b)の径より大きい内径を有しかつボルト頭部(110a)の径よりも小さい外径を有している。このスペーサ(111) に、継手固定ボルト(110) の軸部(110b)が嵌め入れられ、ボルト頭部(110a)がスペーサ(111) の上端面で受け止められている。スペーサ(111) は、継手固定ボルト(110) の締付量を規定するもので、継手固定ボルト(110) をボルト挿通孔(107) に挿通して基板(108) のねじ孔(109) にねじ込んでいくと、スペーサ(111) が頭部(110a)と基板(108) との間に突っ張らせられ、それ以上の締付けができないようになっている。スペーサ(111) の上端部には、継手固定ボルト(110) の頭部(110a)の径とほぼ等しい外径の円環状のゴムワッシャ(112) が嵌め被せられている。ゴムワッシャ(112) は、継手固定ボルト(110) の頭部(110a)とボルト挿通孔(107) の段部(107c)とにより挟まれている。ゴムワッシャ(112) の上下方向の長さは、図５に示す締付完了状態において、ゴムワッシャ(112) に圧縮力がかかるように設定されている。したがって、各継手(31)(32)(33)はゴムワッシャ(112) によって基板(108) 方向に付勢されている。ゴムワッシャ(112) は弾性を有しているので、これをさらに圧縮変形させることが可能であり、各継手(31)(32)(33)を基板(108) から離れる方向に動かすことができる。したがって、各継手(31)(32)(33)の上面が面一になっていない状態であっても、これらの継手(31)(32)(33)に開閉弁(7) を継手固定ボルト(110) で取り付けていくと、継手(31)(32)(33)が開閉弁(7) に接近していくので、継手固定ボルト(110) の締付けを簡単に行うことができる。これにより、すべてのシール部(76)に適正な押圧力を掛けることができ、シール性が確保される。さらに、各継手(31)(32)(33)の下面に設けられた位置決め凹所(115) が基板(108) の位置決め突起(116) に嵌め合わせられるから、基板(108) に対する弁取付基部(28)(29)の位置決めが確実に行われ、弁取付基部(28)(29)に各弁本体(12)(14)(16)(18)(20)を取り付けていくさいに、弁取付基部(28)(29)のねじ孔(106) と弁本体(12)(14)(16)(18)(20)のボルト挿通孔との位置ずれや弁取付基部(28)(29)の通路と弁体(12)(14)(16)(18)(20)の通路との位置ずれが防止されるので、弁本体(12)(14)(16)(18)(20)の取付けが容易になるとともに、通路の突き合わせ部分でのシール性も確保しやすい。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による遮断開放器を使用した流体制御装置を示す正面図である。
【図２】同分解斜視図であり、一部はその断面を示している。
【図３】遮断開放器の拡大斜視図であり、一部はその断面を示している。
【図４】遮断開放器を構成する複数の継手の拡大斜視図である。
【図５】複数の継手を基板に固定した状態を示す正面図である。
【符号の説明】
(1)(2)                遮断開放器
(3)                   マスフローコントローラ
(6)(7)(8)(9)(10)      弁
(12)(14)(16)(18)(20)  弁本体
(28)(29)              弁取付基部
(30)(34)              流入通路形成用継手（部材）
(31)(36)(38)          連通路形成用継手（部材）
(32)(35)(37)          副通路形成用継手（部材）
(33)(39)              流出通路形成用継手（部材）
(68)                  入口
(69)                  出口
(70)                  副出入口
(71)                  流入通路
(72)                  流出通路
(73)                  副通路
(74)                  弁室
(75)                  弁体
(108)                 基板（支持部材）
(115)                 位置決め凹所
(116)                 位置決め突起
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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