(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の素子により構成された赤外線検知器と、高温の基準熱源と常温の基準熱源と、該高温と常温との基準熱源の温度を制御する基準熱源制御回路と、有効走査期間に目標物方向の赤外線を走査して前記赤外線検知器に入射し、無効走査期間に前記高温と常温との基準熱源からの赤外線を走査して前記赤外線検知器に入射する光学系と、前記無効走査期間に取込んだ前記高温の基準熱源による高温データと前記常温の基準熱源による常温データとを基に、前記素子対応の感度補正を行い、且つ前記赤外線検知器を構成する各素子の欠陥を判定し、欠陥素子による信号を正常素子による信号に置換する処理を行う信号処理回路とを備えた赤外線撮像装置に於いて、
前記基準熱源制御回路は、電源立上げ時／置換指令時に前記高温と常温との基準熱源の温度を所定フィールド数毎に２段階に切替え、通常動作時は所定の一定温度に制御する構成を有し、
前記信号処理回路は、前記無効走査期間に取込んだ前記高温データと前記常温データとを基に、感度補正係数算出と、感度補正と、Ｓ／Ｎ判定、ＤＣオフセット判定又はリニアリティ判定の少なくとも何れか一方の判定による素子判定と、欠陥素子の素子判定結果による置換アドレス生成・更新と、各判定による欠陥素子に対する置換処理を行う処理機能を有する
ことを特徴とする赤外線撮像装置。
【請求項２】
前記基準熱源制御回路は、前記電源立上げ時／置換指令時の最初は、前記常温の基準熱源の温度をＡ〔°Ｃ〕に、又前記高温の基準熱源の温度をＡ＋α〔°Ｃ〕に制御し、所定フィールド後に、前記常温の基準熱源の温度をＡ＋ΔＴ1 〔°Ｃ〕に、又前記高温の基準熱源の温度をＡ＋α＋ΔＴ2 〔°Ｃ〕に制御し、前記通常動作時に、前記常温と高温との基準熱源の温度を前記最初の状態に制御する構成を備え、
前記信号処理回路は、前記電源立上げ時／置換指令時と通常動作時とに於ける前記常温と高温との基準熱源の温度に対応して、無効走査期間に取込んだ前記常温データと高温データとを基に、Ｓ／Ｎ判定と、ＤＣオフセット判定と、全素子平均値に対する各素子の差によるリニアリティ判定との組合せを切替えて素子判定を行い、各判定による欠陥素子に対する置換アドレス生成・更新を行う処理機能を備えたことを特徴とする請求項１記載の赤外線撮像装置。
【請求項３】
複数の素子により構成された赤外線検知器と、高温の基準熱源と、常温の基準熱源と、有効走査期間に目標物方向の赤外線を走査して前記赤外線検知器に入射し、無効走査期間に前記高温と常温との基準熱源からの赤外線を走査して前記赤外線検知器に入射する光学系と、信号処理回路とを有し、前記赤外線検知器の出力の前記高温の基準熱源による高温データと前記常温の基準熱源による常温データとを基に、前記赤外線検知器の各素子を判定し、欠陥素子の信号を正常素子の信号に置換する欠陥素子補償方法に於いて、
電源立上げ時／置換指令時に、前記常温の基準熱源の温度をＡ〔°Ｃ〕に、又前記高温の基準熱源の温度をＡ＋α〔°Ｃ〕に制御して、無効走査期間に常温データと高温データとを取込み、Ｓ／Ｎ判定又はＤＣオフセット判定の何れか一方又は両方により欠陥素子か否かの素子判定後に感度補正係数算出を行い、
前記常温の基準熱源の温度をＡ±ΔＴ1 〔°Ｃ〕に、又前記高温の基準熱源の温度をＡ＋α±ΔＴ2 〔°Ｃ〕に制御して、無効走査期間に常温データと高温データとを取込み、全素子についての平均値に対する各素子毎の差を第１のリニアリティ判定として、閾値と比較し、該閾値を超える素子を欠陥素子と判定し、
通常動作時に、前記常温の基準熱源の温度をＡ〔°Ｃ〕に、又前記高温の基準熱源の温度をＡ＋α〔°Ｃ〕に制御して、感度補正後、無効走査期間に常温データと高温データとを取込み、Ｓ／Ｎ判定又はＤＣオフセット判定又は前記リニアリティ判定との少なくとも何れか一つの判定によって欠陥素子か否かの素子判定を行い、
各判定による判定結果の論理和を基に欠陥素子の置換処理を行う過程を含む
ことを特徴とする欠陥素子補償方法。
【請求項４】
複数の素子により構成された赤外線検知器と、高温の基準熱源と、常温の基準熱源と、有効走査期間に目標物方向の赤外線を走査して前記赤外線検知器に入射し、無効走査期間に前記高温と常温との基準熱源からの赤外線を走査して前記赤外線検知器に入射する光学系と、信号処理回路とを有し、前記高温の基準熱源による高温データと前記常温の基準熱源による常温データとを基に、前記赤外線検知器の各素子を判定し、欠陥素子の信号を正常素子の信号に置換する欠陥素子補償方法に於いて、
電源立上げ時／置換指令時に、前記常温の基準熱源の温度をＡ〔°Ｃ〕に、又前記高温の基準熱源の温度をＡ＋α〔°Ｃ〕に制御して、無効走査期間に常温データと高温データとを取込んで第１の感度補正係数を算出し、
次に前記常温の基準熱源の温度をＡ＋ΔＴ1 〔°Ｃ〕に、又前記高温の基準熱源の温度をＡ＋α＋ΔＴ2 〔°Ｃ〕に制御して、無効走査期間に常温データと高温データとを取込んで第２の感度補正係数を算出し、
前記第１と第２との感度補正係数の素子対応の差を第２のリニアリティ判定として閾値と比較し、該閾値を超える素子を欠陥素子と判定し、
通常動作時に、前記常温の基準熱源の温度をＡ〔°Ｃ〕に、又前記高温の基準熱源の温度をＡ＋α〔°Ｃ〕に制御して、無効走査期間に常温データと高温データとを取込み、Ｓ／Ｎ判定又はＤＣオフセット判定又はリニアリティ判定との少なくとも何れか一つの判定によって欠陥素子か否かの素子判定を行い、
各判定による判定結果の論理和を基に欠陥素子の置換処理を行う過程を含む
ことを特徴とする欠陥素子補償方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、赤外線撮像装置及びこの赤外線撮像装置に於ける素子欠陥補償方法に関する。
赤外線撮像装置は、赤外線の検知素子を用いて、光学的に、又は機械的に、又は電気的に目標物方向を走査し、目標物から放射される赤外線を検出し、その検出信号を処理して赤外線画像を表示するものであり、監視カメラ，暗視装置，サーモグラフィ，リモートセンシング，車両や航空機等に搭載する先方監視装置等の広範囲の分野で利用されている。
【０００２】
又赤外線の検出波長域により、例えば、３〜５μｍ帯と８〜１０μｍ帯とに区分されている場合が一般的であり、赤外線検出素子は、３〜５μｍ帯では、ＰｔＳｉ，ＩｎＳｎ，ＨｇＣｄＴｅ等の材料による構成が適用され、又８〜１０μｍ帯では、ＨｇＣｄＴｅによる構成が適用されている。又赤外線検知器は、素子構成として、単一素子，一次元配列素子，二次元配列素子の何れかの構成があり、一次元配列及び二次元配列の構成の場合、各素子の感度特性が完全に均一でないことから、ばらつきを補正する必要がある。又感度補正をかけても均一にならない素子が存在する場合、隣接する正常な画素と置き換える必要がある。本発明は、このような欠陥素子の置き換えを行う赤外線撮像装置及び素子欠陥補償方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】
図４８は従来例の赤外線撮像装置の説明図であり、４０１，４０２は光学系、４０３は赤外線の検知素子を例えば一次元配列とした赤外線検知器、４０４は増幅器、４０５はＡＤ変換器（Ａ／Ｄ）、４０６は感度補正等を行う信号処理回路、４０７はＤＡ変換器（Ｄ／Ａ）、４０８はブラウン管や液晶表示パネル等によるモニタ、４１０，４１１は基準熱源を示す。
【０００４】
基準熱源４１０，４１１はそれぞれ異なる基準温度に設定した熱源であり、目標物が放射する赤外線を走査検出する有効走査期間以外の期間、即ち、無効走査期間に於いて、光学系４０２を介して基準熱源４１０，４１１からの赤外線を赤外線検知器４０３に入射し、各検知素子の感度補正を信号処理回路４０６に於いて行い、目標物の赤外線画像をモニタ４０８に表示するものである。
【０００５】
図４９は光学系の説明図であり、図４８の光学系４０１，４０２の概要を示すもので、同一符号は同一部分を示す。図４９に於いて、４１２，４１３は光学系４０１を構成するレンズ、４１４，４１５は光学系４０２を構成するレンズ、４１６，４１８はレンズによる集光部、４１７，４１９は反射鏡を示す。
【０００６】
レンズ４１４，４１５による光学系４０２の後段に、一次元配列構成の赤外線検知器４０３を配置し、この赤外線検知器４０３を構成する検知素子の一次元配列方向と直交する方向に光学系４０２によって走査し、目標物を二次元走査するものである。光学系４０２の走査は、モニタ４０８に於ける表示の走査に対応して行う場合が一般的であるが、例えば、インタレース走査を行い、２フィールドで１フレームを構成する場合の第１フィールドは奇数番目のラインの走査を行い、第２フィールドは偶数番目のラインの走査を行い、このインタレース走査による赤外線検出出力信号を用い、特定の目標物の検出の為やモニタ４０８表示用に走査変換を信号処理回路４０６に於いて行うことになる。
【０００７】
又赤外線検知器４０３を一次元配列又は二次元配列の多素子構成とした場合、隣接素子による検出信号の相関が大きいことを利用して、感度特性が基準から大きくずれているような欠陥素子に対しては、隣接素子を代替えとする制御を行う手段が知られている。即ち、感度特性等が基準から大きくずれている欠陥素子の検出信号の代わりに、隣接する正常素子の検出信号を用いるように切替制御する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従来の赤外線検知器４０３を構成する各素子に対する判定は、Ｓ／ＮとＤＣオフセットとの何れか一方又は両方で行う場合が一般的である。そして、それらの値が基準値から外れている場合に、その素子は欠陥素子は判定し、この欠陥素子の検出出力信号を用いないで、隣接する正常素子の検出出力信号を用いる素子置換処理が行われる。
【０００９】
又赤外線検知器４０３の各素子について、基準値の範囲内の場合に、感度のばらつきについては、各素子の検出信号について補正処理を行うものである。しかし、実際には、検出信号レベルと温度との関係は曲線となる場合が一般的であり、更に、この特性は素子間でばらつきがある。従って、感度補正のみでは、正確な赤外線画像を得ることが容易でなかった。
本発明は、赤外線検知器の各素子の特性を補正すると共に、リニアリティ特性を含めて基準値を外れた素子の置換の処理を行って、正確な赤外線画像を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の赤外線撮像装置は、（１）複数の素子により構成された赤外線検知器３と、高温の基準熱源１１と常温の基準熱源１０と、高温と常温との基準熱源の温度を制御する基準熱源制御回路１２と、有効走査期間に目標物方向の赤外線を走査して赤外線検知器３に入射し、無効走査期間に、高温と常温との基準熱源１１，１０からの赤外線を走査して赤外線検知器３に入射する光学系１，２と、無効走査期間に取込んだ高温の基準熱源１１による高温データと、常温の基準熱源１０による常温データとを基に、素子対応の感度補正を行い、且つ赤外線検知器を構成する各素子の欠陥を判定し、欠陥素子による信号を正常素子による信号に置換する処理を行う信号処理回路６とを備えた赤外線撮像装置であって、基準熱源制御回路１２は、電源立上げ時／置換指令時に、高温と常温との基準熱源１１，１０の温度を所定フィールド数毎に２段階に切替え、通常動作時は所定の一定温度に制御する構成を有し、信号処理回路６は、無効走査期間に取込んだ高温データと常温データとを基に、感度補正係数算出と、感度補正と、Ｓ／Ｎ判定、ＤＣオフセット判定又はリニアリティ判定の少なくとも何れか一方の判定による素子判定と、欠陥素子の素子判定結果による置換アドレス生成・更新と、各判定による欠陥素子に対する置換処理を行う処理機能を有するものである。
【００１１】
又（２）基準熱源制御回路１２は、電源立上げ時／置換指令時の最初は、常温の基準熱源１０の温度をシーンの平均温度のＡ〔°Ｃ〕に、又高温の基準熱源の温度をＡ＋α〔°Ｃ〕に制御し、所定フィールド後に、常温の基準熱源１０の温度をＡ＋ΔＴ1 〔°Ｃ〕に、又高温の基準熱源１１の温度をＡ＋α＋ΔＴ2 〔°Ｃ〕に制御し、通常動作時に、常温と高温との基準熱源１０，１１の温度を最初の状態に制御する構成を備え、又信号処理回路６は、電源立上げ時／置換指令時と通常動作時とに於ける常温と高温との基準熱源１０，１１の温度に対応して、無効走査期間に取込んだ常温データと高温データとを基に、Ｓ／Ｎ判定と、ＤＣオフセット判定と、全素子平均値に対する各素子の差によるリニアリティ判定との組合せを切替えて素子判定を行い、各判定による欠陥素子に対する置換アドレス生成・更新を行う処理機能を備えている。
【００１２】
又（３）欠陥素子補償方法は、複数の素子により構成された赤外線検知器３と、高温の基準熱源１１と、常温の基準熱源１０と、有効走査期間に目標物方向の赤外線を走査して赤外線検知器３に入射し、無効走査期間に高温と常温との基準熱源１１，１０からの赤外線を走査して赤外線検知器３に入射する光学系１，２と、信号処理回路６とを有し、赤外線検知器３の出力の高温の基準熱源１１による高温データと、常温の基準熱源１０による常温データとを基に、赤外線検知器３の各素子を判定し、欠陥素子の信号を正常素子の信号に置換する欠陥素子補償方法であって、電源立上げ時／置換指令時に、常温の基準熱源１０の温度をＡ〔°Ｃ〕に、又高温の基準熱源１１の温度をＡ＋α〔°Ｃ〕に制御して、無効走査期間に常温データと高温データとを取込み、Ｓ／Ｎ判定又はＤＣオフセット判定の何れか一方又は両方により欠陥素子か否かの素子判定後に、感度補正係数算出を行い、次に、常温の基準熱源１０の温度をＡ±ΔＴ1 〔°Ｃ〕に、又高温の基準熱源１１の温度をＡ＋α±ΔＴ2 〔°Ｃ〕に制御して、無効走査期間に常温データと高温データとを取込み、全素子についての平均値に対する各素子毎の差を第１のリニアリティ判定として、閾値と比較し、該閾値を超える素子を欠陥素子と判定し、次の通常動作時に、常温の基準熱源１０の温度をＡ〔°Ｃ〕に、又高温の基準熱源１１の温度をＡ＋α〔°Ｃ〕に制御して、無効走査期間に常温データと高温データとを取込み、Ｓ／Ｎ判定又はＤＣオフセット判定又はリニアリティ判定との少なくとも何れか一つの判定によって欠陥素子か否かの素子判定を行い、各判定による判定結果の論理和を基に欠陥素子の置換処理を行う過程を含むものである。
【００１３】
又（４）複数の素子により構成された赤外線検知器３と、高温の基準熱源１１と、常温の基準熱源１０と、有効走査期間に目標物方向の赤外線を走査して赤外線検知器３に入射し、無効走査期間に高温と常温との基準熱源１１，１０からの赤外線を走査して赤外線検知器３に入射する光学系１，２と、信号処理回路６とを有し、高温の基準熱源１１による高温データと常温の基準熱源１０による常温データとを基に、赤外線検知器３の各素子を判定し、欠陥素子の信号を正常素子の信号に置換する欠陥素子補償方法であって、電源立上げ時／置換指令時に、常温の基準熱源１０の温度をＡ〔°Ｃ〕に、又高温の基準熱源１１の温度をＡ＋α〔°Ｃ〕に制御して、無効走査期間に常温データと高温データとを取込んで第１の感度補正係数を算出し、次に常温の基準熱源１０の温度をＡ＋ΔＴ1 〔°Ｃ〕に、又高温の基準熱源１１の温度をＡ＋α＋ΔＴ2 〔°Ｃ〕に制御して、無効走査期間に常温データと高温データとを取込んで第２の感度補正係数を算出し、第１と第２との感度補正係数の素子対応の差を第２のリニアリティ判定として閾値と比較し、閾値を超える素子を欠陥素子と判定し、通常動作時に、常温の基準熱源１０の温度をＡ〔°Ｃ〕に、又高温の基準熱源１１の温度をＡ＋α〔°Ｃ〕に制御して、無効走査期間に常温データと高温データとを取込み、Ｓ／Ｎ判定又はＤＣオフセット判定又はリニアリティ判定との少なくとも何れか一つの判定によって欠陥素子か否かの素子判定を行い、各判定による判定結果の論理和を基に欠陥素子の置換処理を行う過程を含むものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態の説明図であり、１，２は光学系、３は赤外線検知器、４は増幅器、５はＡＤ変換器（Ａ／Ｄ）、６は信号処理回路、７は走査変換回路、８はＤＡ変換器（Ｄ／Ａ）、１０，１１は基準熱源、１２は基準熱源制御回路、１３は制御回路、２１，２２はディジタル・シグナル・プロセッサ（ＤＳＰ１，ＤＳＰ２）、２３〜２６はランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ１〜ＲＡＭ４）、２７，２８はリードオンリメモリ（ＲＯＭ１，ＲＯＭ２）を示す。以下２１，２２はＤＳＰ、２３〜２８はメモリと略称する。
【００１５】
目標物方向からの赤外線を入射する光学系１，２と、赤外線検知器３と、検出出力信号を増幅する増幅器４と、ＡＤ変換器５と、無効走査期間に赤外線検知器３に基準温度の赤外線を入射させる為の基準熱源１０，１１と、モニタ（図示を省略）にアナログ映像信号として入力する為のＤＡ変換器７とについては、従来例と同様の構成とすることができる。
【００１６】
又光学系２による走査に従って、常温の基準熱源１０と高温の基準熱源１１とからの赤外線を赤外線検知器３に入射させる為のそれぞれの走査先頭タイミングでトリガ信号１，２を制御回路１３に入力し、又有効走査期間の走査先頭タイミングでトリガ信号３を制御回路１３に入力し、制御回路１３はトリガ信号１，２，３を基に信号処理回路２１に各種の演算処理の開始やモード切替えを指示するものである。この制御回路１３は、前述のトリガ信号１，２，３と、運用中に欠陥素子の置換を行わせる為の置換指令が入力され、シーケンスコントローラとして動作して、タイミング信号を信号処理回路６に入力する機能を備えている。
【００１７】
又光学系２の走査効率を例えば８０％とし、１フィールド１／６０ｓとすると、有効走査期間は、（１／６０）×０．８＝１３．３３〔ｍｓ〕、無効走査期間は、（１／６０）×０．２＝３．３３〔ｍｓ〕となる。この無効走査期間に於いて、常温と高温との基準熱源１０，１１からの赤外線を赤外線検知器３に入射させ、有効走査期間に於いて、光学系１を介した目標物方向からの赤外線を光学系２による走査に従って赤外線検知器３に入射させる。
【００１８】
又信号処理回路６は、ＤＳＰ２１，２２と、メモリ２３〜２８とを含み、ＤＳＰ２１は、データ取込み、素子判定、置換アドレス生成及び更新、感度補正係数算出、感度補正等の処理を行い、ＤＳＰ２２は、感度補正を行う場合の構成を示す。又メモリ（ＲＡＭ１）２３は、感度補正係数及び素子判定データの格納用であり、メモリ（ＲＡＭ２）２４は感度補正係数格納用、メモリ（ＲＡＭ３）２５及びメモリ（ＲＡＭ４）２６は置換アドレス格納用である。又メモリ（ＲＯＭ１）２７及びメモリ（ＲＯＭ２）２８は、それぞれＤＳＰ２１，ＤＳＰ２２のファーム格納用である。
【００１９】
又走査変換回路７は、信号処理回路６に於いて補正処理された赤外線検知器３の検出出力信号を、モニタに表示する為の例えばＮＴＳＣ方式に従った走査方式に変換し、又メモリ２５，２６に格納された置換アドレスに従って欠陥素子の置換処理、即ち、欠陥素子の検出信号を正常素子の検出信号に置換えて出力するものである。
【００２０】
又基準熱源制御回路１２は、基準熱源１０，１１の温度を、ＡＤ変換器５によりディジタル信号に変換された赤外線検知器３からのデータを基に、一定に制御するものであり、更に、電源立上げ時／置換指令時に、シーン（赤外線画像）の温度の平均値をＡ°Ｃとすると、例えば、温度１として、基準熱源１０の温度をＡ〔°Ｃ〕、基準熱源１１の温度をＡ＋α〔°Ｃ〕とし、温度２として、基準熱源１０の温度をＡ±ΔＴ1 〔°Ｃ〕、基準熱源１１の温度をＡ＋α±ΔＴ2 に制御する。例えば、α＝１０、ΔＴ1 ＝−１０、ΔＴ2 ＝＋２０とすることができる。このような切替えのタイミングは、制御回路１３から指示される。
【００２１】
又赤外線撮像装置の電源を投入して動作を開始させる電源立上げ時又は欠陥素子の置換の指令が制御回路１３に入力された時の電源立上げ時／置換指令時のモードと、赤外線画像を撮像処理する通常動作時のモードとに切替え、電源立上げ時／置換指令時のモードでは、赤外線画像処理を中止し、素子の良否の判定等を行い、又通常動作時のモードでは、素子の良否の判定，欠陥素子の置換処理，感度補正処理等と共に、赤外線画像処理を行うものである。
【００２２】
図２及び図３は電源立上げ時／置換指令時の機能説明図であり、赤外線検知器３が１８０素子による一次元配列の場合の信号処理回路６の機能を示す。なお、素子判定として、電源立上げ時／置換指令時及び通常動作時に、リニアリティ（１）を用いた場合（第１のリニアリティ判定）の第１の実施の形態について説明する。
【００２３】
即ち、電源立上げ時／置換指令時のモードに於いて、常温の基準熱源１０の温度をシーンの平均値Ａとし、高温の基準熱源１１の温度をＡ＋α＝Ｂ〔°Ｃ〕として、無効走査期間に取込んだ基準熱源１０による常温データと基準熱源１１による高温データとを基に、従来例と同様にＳ／Ｎ，ＤＣオフセット判定により素子判定を行い、欠陥素子については置換アドレスの生成，更新を行い、再度、常温データと高温データとの取込みを行い、感度補正係数を算出後、基準熱源１０の温度をＡ±ΔＴ1 ＝Ｃ〔°Ｃ〕に、基準熱源１１の温度をＢ±ΔＴ2 ＝Ｄ〔°Ｃ〕にそれぞれ変更し、感度補正を行ってデータ取込みを行い、全素子の平均値を算出し、素子毎に全素子平均値との差分を求める第１のリニアリティ判定を行い、この差分が閾値を超える大きさの場合に欠陥素子と判定して、置換アドレスの生成，更新を行う。そして、基準熱源１０の温度をＡ〔°Ｃ〕、基準熱源１１の温度をＢ〔°Ｃ〕に変更し、通常動作時のモードに移行して、赤外線画像処理を行うと共に、Ｓ／Ｎ，ＤＣオフセット，リニアリティ判定の何れ一つ或いは複数の判定処理によって、置換アドレスの生成，更新を行い、フィールド間隔のリアルタイムで欠陥素子の置換えを行うものである。
【００２４】
図２に於いて、３０は取込み（高温）部、３１，３５は加算器、３２，３５，３７はメモリ（ＲＡＭ１）、３２，３６は除算器、４０は取込み（常温）・感度補正係数算出部４１，４５は加算器、４２，４４，４７はメモリ（ＲＡＭ１）、４３，４６は除算器を示し、それぞれ赤外線検知器３の第１素子対応の機能を示し、第２素子〜第１８０素子対応に同様の機能を有するものである。
【００２５】
又図３に於いて、５０は高温リニアリティ判定部、５１，５４は加算器、５２は除算器、５３はＢレジスタ、５５は絶対値算出回路、５６，５８はメモリ（ＲＡＭ１）、５７は比較器、６０は常温リニアリティ判定部、６１，６４は加算器、６２は除算器、６３はＢレジスタ、６５は絶対値算出回路、６６，６８はメモリ（ＲＡＭ１）、７０はリニアリティ（１）判定部、７１はオア回路（ＯＲ）、７２はメモリ（ＲＡＭ１）、８０は置換アドレス生成・更新部、８１は置換アドレス生成部、８２，８３はメモリ（ＲＡＭ３，ＲＡＭ４）、８４，８５は切替部を示す。
【００２６】
取込み（常温）・感度補正係数算出部４０は、無効走査期間に、常温の基準熱源１０からの赤外線を検出してＡＤ変換した常温データを取込み、又取込み（高温）部３０は、無効走査期間に、高温の基準熱源１１からの赤外線を検出してＡＤ変換した高温データを取り込むもので、例えば、３２ライン分について１６フィールドにわたって取り込む。例えは、赤外線検知器を１８０素子の一元配列構成とすると、１８０×３２×１６＝９２１６０のデータを取込むことになる。
【００２７】
そして、加算器３１，４１とメモリ３２，４２とを用いて、それぞれ１〜１６フィールド毎に、３２ライン分についての累算値を求め、除算器３３，４３により１／３２してライン平均値を算出し、メモリ３４，４４に格納し、加算器３５，４５により１６フィールド分の平均値を加算し、除算器３６，４６により１／１６の除算を行ってフィールド平均値、即ち、高温平均値と常温平均値とを算出し、メモリ３７，４７にその高温平均値と常温平均値とを格納する。なお、赤外線検知器３を構成する第１素子〜第１８０素子対応に、メモリ３７には高温平均値、メモリ４７には常温平均値をそれぞれ格納する。
【００２８】
高温リニアリティ判定部５０は、メモリ３７の第１素子〜第１８０素子対応の高温平均値を加算器５１により加算し、除算器５２により１／１８０の除算を行って第１素子〜第１８０素子の高温平均値をＢレジスタ５３に格納し、この全素子についての高温平均値と、各素子対応のメモリ３７に格納された高温平均値との差分を加算器５４に於いて求め、絶対値算出回路５５で正負の差分値の絶対値を求めてメモリ５６に高温リニア値として格納する。比較器５７は、この高温リニア値と閾値とを比較し、閾値を超える素子は欠陥素子（“１”）と判定し、閾値以内の場合は正常素子（“０”）と判定してメモリ５８に格納する。
【００２９】
又常温リニアリティ判定部６０は、高温リニアリティ判定部５０と同様に、加算器５１と除算器６２とにより全素子についての常温平均値を求めてＢレジスタ６３に格納し、この全素子平均値と各素子の平均値との差分を求め、その絶対値について比較器６７に於いて閾値と比較し、その閾値を超える素子は欠陥素子（“１”）と判定し、又閾値以内の場合は正常（“０”）と判定してメモリ６８に格納する。
【００３０】
リニアリティ（１）判定部７０は、メモリ５８，６８の格納された判定値をオア回路７１を介してメモリ７２に素子対応の判定値として格納する。即ち、高温リニアリティ判定と常温リニアリティ判定との何れか一方又は両方で欠陥素子（“１”）と判定した素子は、欠陥素子として、メモリ７２に格納される。即ち、決定結果の論理和をメモリ７２に格納することになる。従って、赤外線検知器３の各素子のリニアリティ特性が平均から大きくずれている場合、欠陥素子と判定して正常素子による置換が行われる。
【００３１】
又置換アドレス生成・更新部８０は、置換アドレス生成部８１に於いてメモリ７２に格納された素子判定値（正常＝“０”，欠陥＝“１”）を基に、正常素子は置換無し、欠陥素子は例えば隣接した次の素子に置換える。例えば、第１素子が欠陥素子の場合、この第１素子の検出信号を、この第１素子に隣接した正常な第２素子の検出信号に置換える。従って、第２素子による１画素対応の検出信号は２画素対応の検出信号として処理される。この置換を示すアドレスを生成して、メモリ８２，８３の何れかに格納する。このメモリ（ＲＡＭ３，ＲＡＭ４）８２，８３は二面構成の場合を示し、例えば、フィールド毎に、一方を更新している時に、他方から読出しを行う制御を行うことになる。
【００３２】
通常動作は、有効走査期間の赤外線検知器３の検出出力信号について、１フィールド間隔でリアルタイムに感度補正，置換アドレス生成・更新を行うものである。図３，図４及び図５は通常動作時の機能説明図であり、基準熱源１０，１１を、例えば、前述の温度１に固定する。図４は、取込み（高温）部３０と高温リニアリティ判定部５０との機能を示し、図２及び図３と同一符号は同一部分を示す。取込み（高温）部３０は、無効走査期間に於ける３２ライン分について１６フィールドにわたって、第１素子〜第１８０素子の全素子についての高温平均値を求め、高温リニアリティ判定部５０は、この高温平均値と各素子対応の高温平均値との差分が閾値を超えるか否かを比較器５７により判定し、閾値を超えた素子は、欠陥素子（“１”）と判定してメモリ（ＲＡＭ１）５８に格納する。
【００３３】
又図５は、取込み（常温）・感度補正係数算出部４０と常温リニアリティ判定部６０との機能を示し、図２及び図３と同一符号は同一部分を示す。取込み（常温）・感度補正係数算出部４０は、無効走査期間に於ける３２ライン分について１６フィールドにわたって、赤外線検知器の第１素子〜第１８０素子の全素子についての常温平均値を求め、常温リニアリティ判定部６０は、この常温平均値と各素子対応の常温平均値との差分が閾値を超えているか否かを比較器６７により判定し、閾値を超えた素子は、欠陥素子（“１”）と判定してメモリ（ＲＡＭ１）６８に格納する。
【００３４】
又図６は、リニアリティ判定部７０と、置換アドレス生成・更新部８０と、感度補正部９０と、感度補正係数算出部１００との機能を示し、リニアリティ判定部７０は、高温リニアリティ判定部５０からの素子判定値と、常温リニアリティ判定部６０からの素子判定値とをオア回路７１を介してメモリ７２に素子判定値として格納する。
【００３５】
置換アドレス生成・更新部８０は、置換アドレス生成部８１と、メモリ８２，８３，８６，８７と、切替部８４，８５と、オア回路８８（ＯＲ）とを含み、電源立上げ時に求めた素子判定値をメモリ８６に格納する。又メモリ８７は、メモリ８６に格納された素子判定値と、リニアリティ判定部７０のメモリ７２に格納された素子判定値との論理和の素子判定値を格納する。即ち、電源立上げ時に求めた素子判定値に、通常動作時に得られた素子判定値を加えることになり、置換アドレス生成部８１は、メモリ８７に格納された欠陥素子（“１”）を示す素子判定値に従って置換アドレスを生成し、フィールド毎に切替部８４，８５の切替制御を行って、メモリ８２，８３の何れかに格納する。
【００３６】
感度補正部９０は、加算器９１と、乗算器９２とを含み、又感度補正係数算出部１００は、加算器１０１と除算器１０２とメモリ（ＲＡＭ１）１０３とを含む機能を有し、メモリ３７（図４参照）からの高温平均値と、メモリ４７（図５参照）からの常温平均値との差を加算器１０１により求め、除算器１０２により逆数を求め、感度補正係数としてメモリ１０３に格納する。
【００３７】
感度補正部９０は、加算器９１に於いて、有効走査期間に得られた画像データから常温平均値を減算し、乗算器９２に於いて、メモリ１０３からの感度補正係数を乗算し、走査変換回路７に画像データとして入力し、置換アドレス生成・更新部８０からの置換アドレスに従って、欠陥素子をそれに隣接する正常な素子に置換えた状態の画像データとし、ＤＡ変換器８によりアナログ信号に変換してモニタ９に加えて赤外線画像を表示させる。従って、温度分布等を正確に表す赤外線画像を表示できる。前述の図２〜図６に示す機能は、電源立上げ時／置換指令時と通常動作時とに於いて、第１のリニアリティ判定により欠陥素子か否かを判定し、欠陥素子の置換処理を行う場合を示す。
【００３８】
図７及び図８は動作シーケンス説明図であり、電源立上げ時又は置換指令時のフィールドと、光学系動作と、動作シーケンスと、ＤＳＰ１，ＤＳＰ２（図１に於けるＤＳＰ２１，２２）の動作とを示す。フィールドＮに於ける光学系動作の走査期間中の無効期間（以下、無効走査期間及び有効走査期間を、簡略化して無効期間及び有効期間と表現する）では、ＤＳＰ１によりデータを取込み、前述のように、常温の基準熱源１０は、シーンの平均値をＡとして、Ｌ＝Ａ〔°Ｃ〕に設定し、高温の基準熱源１１は、α＝１０として、Ｈ＝Ａ＋１０〔°Ｃ〕に設定する。この場合の取込みデータ数は、各フィールドに於いて、高温データ及び常温データは、１８０（素子）×３２（ライン）＝５７６０となる。
【００３９】
そして、フィールドＮ＋１５に於いて、１６フィールド間で取り込んだ高温データと低温データとについて、全素子に対する平均値を求めて、この平均値との差分により素子判定，置換アドレス生成更新，欠陥素子の置換を行う。次のフィールドＮ＋１６〜Ｎ＋３１に於いては、フィールドＮ〜Ｎ＋１５と同様に、高温データ及び常温データを取込み、平均値を求めることにより、各素子対応の感度補正係数を算出する。そして、熱源温度変更を行う。例えば、高温の基準熱源１１は、ΔＴ2 ＝＋２０として、Ｈ＝Ａ＋２０〔°Ｃ〕、常温の基準熱源１０は、ΔＴ1 ＝−１０として、Ｌ＝Ａ−１０〔°Ｃ〕に設定する。この熱源温度変更に要するフィールドをａとする。
【００４０】
従って、次のフィールドＮ＋３２＋ａ〜Ｎ＋４８＋ａに於いて、ＤＳＰ２により感度補正処理を行い、又ＤＳＰ１により感度補正されたデータを基に、リニアリティ特性による素子判定、欠陥素子についての置換アドレスの生成，更新を行い、次に熱源温度変更を行う。即ち、最初のように、常温の基準熱源１０は、シーンの平均値をＡとして、Ｌ＝Ａ〔°Ｃ〕に設定し、高温の基準熱源１１は、Ｈ＝Ａ＋１０〔°Ｃ〕に設定する。そして、撮像画像信号を処理する通常動作に移行する。
【００４１】
図９は通常動作に移行した後の動作シーケンスを示し、フィールドＮ〜Ｎ＋３の場合のみを示すが、それ以降のフィールドに於いても同様な動作を行うものである。又フィールドＮ＋２，Ｎ＋３について、前のフィールドＮ，Ｎ＋１と同一の処理内容の説明の図示を省略している。通常動作時は、有効期間に於いて画像データを処理すると共に、無効期間に於いて高温データと常温データとをＤＳＰ１により取込み、リニアリティ特性（第１のリニアリティ判定）による素子判定，置換アドレス生成更新，感度補正係数算出，感度補正処理を行う。感度補正処理はＤＳＰ２が担当する。
【００４２】
前述のように、Ａ〔°Ｃ〕とした常温の基準熱源１０とＡ＋１０〔°Ｃ〕とした高温の基準熱源１１とに対応する常温データと高温データとを取込んで、Ｓ／ＮとＤＣオフセットとの判定により、素子の正常／欠陥の判定を行い、次に、常温データと高温データとを取込んで、感度補正係数を算出し、その後、基準熱源１０の温度をＡ−１０〔°Ｃ〕、基準熱源１１の温度をＡ＋２０〔°Ｃ〕に変更し、感度補正を行ったデータについて、全素子の平均値を算出し、素子毎に全素子平均値との差を求め、予め設定した閾値と比較して、閾値を超える値の素子をリニアリティ判定による欠陥素子とし、Ｓ／Ｎ，ＤＣオフセットの判定に於ける欠陥素子との論理和による欠陥素子について置換処理を行うものである。
【００４３】
図１０，図１１はＤＳＰの動作フローチャートを示し、図７，図８に於けるフィールドＮ〜Ｎ＋４８＋ａについて、図１に示すＤＳＰ（ＤＳＰ１）２１と、ＤＳＰ（ＤＳＰ２）２２との動作を示す。即ち、ＤＳＰ１，ＤＳＰ２の初期値設定を行い、ＤＳＰ１は無効期間に於ける高温データと低温データとのデータ取込みを行い、フィールドＮ＋１５では、フィールドＮ〜Ｎ＋１５間に於いて取得したデータを基に、従来例と同様なＳ／Ｎ，ＤＣオフセットについての素子判定を行い、欠陥素子についての置換アドレスを生成し、メモリ（ＲＡＭ３）２５に格納する。
【００４４】
次のフィールドＮ＋１６〜Ｎ＋３１間に取得したデータを基に、フィールドＮ＋３１に於いて感度補正係数を算出する。そして、熱源温度変更を行う。即ち、基準熱源１０をＡ〔°Ｃ〕からＣ〔°Ｃ〕に変更し、基準熱源１１をＢ〔°Ｃ〕からＤ〔°Ｃ〕に変更する。この基準熱源の温度変更に要するフィールドをａとする。
【００４５】
そして、フィールドＮ＋３２＋ａでは、ＤＳＰ２は、フィールドＮ＋３２＋ａ〜Ｎ＋３７＋ａに於いて、それぞれ前のフィールドＮ＋３１に於いて算出された感度補正係数を用いて感度補正処理を行う。又ＤＳＰ１は、フィールドＮ＋３２＋ａ〜Ｎ＋４８＋ａに於いて取込んだ高温データと常温データとを基にリニアリティ判定を行い、欠陥素子についての置換アドレスを生成し、メモリ（ＲＡＭ３）２５に格納する。そして、熱源温度変更を行う。この熱源温度変更は、常温の基準熱源１０と高温の基準熱源１１との温度を、それぞれ最初のＡ〔°Ｃ〕とＢ〔°Ｃ〕とに戻すものである。
【００４６】
図１２，図１３はＤＳＰの動作フローチャートであり、フィールドＮ，Ｎ＋１，Ｎ＋２に於けるＤＳＰ１，ＤＳＰ２の詳細な処理を示す。即ち、初期値設定後、フィールドＮに於いては、ＤＳＰ２は、前フィールドＮ−１に於いて算出された感度補正係数を用いて感度補正処理を行い、ＤＳＰ１は、無効期間に高温データと常温データとのデータ取込みを行い、有効期間に、このフィールドＮに於いて取得した３２ライン分のデータと、過去の１６フィールドに於ける３２ライン分のデータとを用いて、感度補正係数を算出し、素子判定を行い、欠陥素子に対する置換アドレスを生成する。
【００４７】
次のフィールドＮ＋１，Ｎ＋２に於いても、無効期間に於いて、ＤＳＰ１は、高温データと常温データとの取込みを行い、有効期間に於いて、ＤＳＰ１は、感度補正係数算出と、素子判定と、置換アドレス生成・更新を行う。又ＤＳＰ２は、前のフィールドＮ，Ｎ＋２に於いて算出された感度補正係数を用いて感度補正処理を行う。
【００４８】
図１４はデータ取込みのフローチャートであり、赤外線検知器を１８０素子の一次元配列構成とした場合について示し、基準熱源１１による高温データと基準熱源１０による常温データとの取込み時のＤＳＰ１の処理フローを示す。又赤外線画像の１画面は、例えば、図１５に示すように、１８０×４８０（画素）構成となる。即ち、１８０素子の一次元配列構成の赤外線検知器を矢印の走査方向に走査して、４８０ラインで１画面を構成した場合を示す。
【００４９】
又図１６はＲＡＭ１（図１のメモリ２３）の説明図であり、赤外線検知器３の１８０素子対応に１７ビット構成のデータを格納する領域▲１▼〜▲８▼と、１６フィールド分の高温データを格納する領域Ｈ１〜Ｈ１６と、１６フィールド分の常温データを格納する領域Ｌ１〜Ｌ１６とを形成した場合を示し、それぞれ図示のデータが格納されることになる。
【００５０】
又ＤＳＰ１，ＤＳＰ２は、演算回路とＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄレジスタ等の複数のレジスタとを含む構成を有するもので、ＤＳＰ１は、図１４に示すように、バスラインからＡレジスタに高温データを書込み、このＡレジスタからメモリ２３（ＲＡＭ１）に転送して格納する。これを１８０素子について１ライン分行う。この場合、ＤＳＰの１サイクルを４０ｎｓとすると、この処理時間は、４０（ｎｓ）×１８０（素子）×２（サイクル）＝１４４００（ｎｓ）となる。
【００５１】
又バスラインからＡレジスタに高温データを書込み、メモリ２３（ＲＡＭ１）からＢレジスタに書込み、ＡレジスタのデータとＢレジスタのデータとを加算してＡレジスタに格納する。これを３１ライン分について行う。従って、処理時間は、４０（ｎｓ）×１８０（素子）×３１（ライン）×４（サイクル）＝８９２８００（ｎｓ）となる。次にＡレジスタのデータを１／３２の除算を行ってＡレジスタへ格納し、Ａレジスタからメモリ２３（ＲＡＭ１）のフィールド対応の領域Ｈ１〜Ｈ１６に格納する。この場合、１４．４μｓとなる。従って、高温データのライン平均値算出処理時間は、９２１．６μｓとなる。
【００５２】
同様に、常温データについても、バスラインからＡレジスタに常温データを書込み、このＡレジスタからメモリ２３（ＲＡＭ１）に転送して格納する。なお、（ＡレジスタからＲＡＭ１（領域（ＬＢ１〜ＬＢ３２））への格納）は、後述の実施の形態に於いて通常動作時のみ行う処理ステップを示す。これを１８０素子について１ライン分行い、又バスラインからＡレジスタに高温データを書込み、メモリ２３（ＲＡＭ１）からＢレジスタに書込む。この場合も、（ＡレジスタからＲＡＭ１（領域（ＬＢ１〜ＬＢ３２））への格納）は、後述の実施の形態に於いて通常動作時のみ行う処理ステップを示す。
【００５３】
そして、ＡレジスタのデータとＢレジスタのデータとを加算してＡレジスタに書込み、これを３１ライン分について行う。次にＡレジスタのデータを１／３２の除算を行ってＡレジスタへ格納し、除算結果の常温平均値をＡレジスタからメモリ２３（ＲＡＭ１）のフィールド対応の領域Ｌ１〜Ｌ１６に格納する。
【００５４】
図１７は感度補正係数算出のフローチャートであり、ＲＡＭ１の領域Ｈ１〜Ｈ１６から高温データの平均値をＡレジスタに書込み、このＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲１▼（図１６参照）へ格納する。そして、ＲＡＭ１の領域Ｈ１〜Ｈ１６から高温データの平均値を読出してＡレジスタに書込み、又ＲＡＭ１の領域Ｌ１〜Ｌ１６から常温データの平均値を読出してＢレジスタに書込み、ＡレジスタのデータとＢレジスタのデータとを加算してＡレジスタに書込み、このＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲１▼へ加算結果を格納する。これを１５フィールドにわたって行い、次にＡレジスタのデータを１／１６の除算を行ってＡレジスタに格納し、ＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲１▼へ除算結果を格納する。それにより、高温データのフィールド平均値が得られる。
【００５５】
又常温データについても同様に処理して、常温データのフィールド平均値を求め、ＲＡＭ１の領域▲２▼へ格納する。そして、ＲＡＭ１の領域▲１▼から高温データのフィールド平均値をＡレジスタへ、ＲＡＭ１の領域▲２▼から常温データのフィールド平均値をＢレジスタへそれぞれ書込み、ＡレジスタとＢレジスタとのデータの差分の逆数を求めてＡレジスタに書込み、このＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲３▼へ算出結果を感度補正係数として格納する。
【００５６】
図１８は感度補正処理のフローチャートであり、ＲＡＭ１の領域▲３▼に格納された感度補正係数をＡレジスタへ書込み、このＡレジスタからＲＡＭ２（図１のメモリ２４参照）の領域▲２▼へ感度補正係数値として書込む。このＲＡＭ２は、例えば、１８０素子対応の１６ビット構成の領域▲１▼，▲２▼を有するものである。そして、ＲＡＭ１の領域▲２▼からＡレジスタへフィールド平均値を書込み、このＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲１▼へオフセット補正係数値として書込む。
【００５７】
次に、バスラインからＡレジスタに画像データを書込み、ＲＡＭ１の領域▲３▼からＢレジスタへ感度補正係数値として書込み、ＲＡＭ１の領域▲２▼からＣレジスタへオフセット補正係数値として書込み、ＡレジスタのデータとＣレジスタのデータとの差分にＢレジスタのデータを乗算してＡレジスタに格納し、Ａレジスタから感度補正したデータをバスラインに送出する。この感度補正に要する時間は、例えば、１０．４０ｍｓとなる。
【００５８】
図１９，図２０，図２１は素子判定のフローチャートであり、ＲＡＭ１の領域Ｈ１〜Ｈ１６から高温データをＡレジスタへ書込み、ＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲１▼へ格納し、次に、１５フィールド分について、ＲＡＭ１の領域Ｈ１〜Ｈ１６から高温データをＡレジスタに書込み、ＲＡＭ１の領域▲１▼からＢレジスタへ平均値を書込み、ＡレジスタのデータとＢレジスタのデータとを加算してＡレジスタに書込み、ＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲１▼へ加算結果を格納する。
【００５９】
又１５フィールドについての加算結果のＡレジスタのデータを１／１６の除算を行ってＡレジスタに格納し、このＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲１▼へ除算結果を格納する。即ち、高温データのフィールド平均値を求める。
【００６０】
又ＲＡＭ１の領域Ｌ１〜Ｌ１６から常温データをＡレジスタへ書込み、前述の高温データの場合と同様に、除算結果の常温データのフィールド平均値をＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲２▼に格納する。
【００６１】
そして、Ｂレジスタの内容を０とし（図２０参照）、ＲＡＭ１の領域▲１▼から高温データのフィールド平均値をＡレジスタに書込み、ＡレジスタのデータとＢレジスタのデータとを加算してＡレジスタに格納する。これを１８０素子について行い、Ｂレジスタの加算結果を１／１８０として、高温データの全素子平均値をＢレジスタに格納する。
【００６２】
次に、ＲＡＭ１の領域▲１▼から高温データのフィールド平均値をＡレジスタに書込み、ＡレジスタのデータとＢレジスタのデータとの差分をＡレジスタに書込み、Ａレジスタのデータの絶対値を求めてＡレジスタに格納し、このＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲５▼へ格納する。即ち、素子対応の平均値に対する差分をＲＡＭ１の領域▲５▼に格納する。
【００６３】
このＲＡＭ１の領域▲５▼から差分値をＡレジスタへ書込み、判定値（閾値）と比較し、判定値を差分値が超えてない場合は、正常素子と判定して、Ａレジスタに“０”を書込み、又判定値を差分値が超えて大きい場合、欠陥素子（異常素子）と判定して、Ａレジスタに“１”を書込む。そして、ＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲７▼に判定結果を書込む。即ち、１８０素子対応にそれぞれ判定結果をＲＡＭ１に書込むことになる。
【００６４】
又Ｂレジスタの内容を０とし、ＲＡＭ１の領域▲２▼から高温データのフィールド平均値をＡレジスタに書込み、ＡレジスタのデータとＢレジスタのデータとの加算結果をＢレジスタに格納し、このＢレジスタの１８０素子についての加算結果に対して１／１８０の除算を行い、除算結果をＢレジスタに格納する。又ＲＡＭ１の領域▲１▼からＡレジスタにデータを書込み、ＡレジスタのデータとＢレジスタのデータとの差分をＡレジスタに格納し、Ａレジスタのデータの絶対値を求めてＡレジスタに格納し、このＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲５▼へ格納する。従って、領域▲５▼には１８０素子についての高温データの差分の絶対値が格納される。
【００６５】
又ＲＡＭ１の領域▲５▼からＡレジスタへ差分の絶対値を書込み、判定値（閾値）とＡレジスタのデータとを比較し、差分の絶対値が判定値を超えて大きい場合、欠陥素子（異常素子）と判定して、Ａレジスタに“１”を書込み、又それ以外は正常素子と判定して、Ａレジスタに“０”を書込む。そして、ＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲７▼に判定結果を書込む。従って、１８０素子対応に高温データについての判定結果が領域▲７▼に書込まれる。
【００６６】
又ＲＡＭ１の領域▲２▼から常温データのフィールド平均値をＡレジスタに書込み、Ｂレジスタを用いて１８０素子についての加算を行い、加算結果のＢレジスタの内容を１／１８０にしてＢレジスタに格納し、ＲＡＭ１の領域▲２▼から常温データのフィールド平均値をＡレジスタに書込み、ＡレジスタのデータとＢレジスタのデータとの差分を求め、その差分の絶対値をＡレジスタに格納し、このＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲６▼へ、１８０素子についての常温データの差分の絶対値を格納する。
【００６７】
このＲＡＭ１の領域▲６▼からＡレジスタへ絶対値を書込み、判定値（閾値）と比較して素子判定を行う。前述のように、判定値を超えている場合は欠陥素子（異常素子）として“１”、又超えていない場合は正常素子として“０”を、それぞれＡレジスタを介してＲＡＭ１の領域▲８▼に格納する。
【００６８】
そして、ＲＡＭ１の領域▲７▼からＡレジスタに高温データのリニアリティ判定結果と、ＲＡＭ１の領域▲８▼からＡレジスタに常温データのリニアリティ判定結果との論理和を、ＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲４▼にリニアリティ（１）の判定結果（第１のリニアリティ判定）として格納する。
【００６９】
図２２は置換アドレス生成・更新のフローチャートであり、電源立上げ時／置換指令時に於ける動作を示し、Ｄレジスタ及びＡレジスタをそれぞれ０とし、次にＡレジスタが１８０素子に対応した値１８０であるか否かを判定し、１８０でない場合は、ＲＡＭ１の領域▲４▼からＢレジスタへリニアリティ判定データを書込み、“１”か否かを判定し、“１”の場合、欠陥素子を示すから、Ａレジスタが０か否かを判定し、０の場合はＣレジスタを１とし、Ｄレジスタが偶数か否かを判定し、偶数の場合、ＣレジスタからＲＡＭ３（図１のメモリ２５）の領域▲１▼へ正常，欠陥の判定結果を書込み、Ａレジスタの内容を＋１する。
【００７０】
又Ｂレジスタが“１”でない場合、正常素子であるから、Ａレジスタの内容をＣレジスタに書込む。又Ａレジスタが０でない場合、Ａレジスタの内容を−１してＣレジスタに書込む。そして、前述のＤレジスタが偶数か否かを判定する。Ｄレジスタが偶数の場合、ＣレジスタからＲＡＭ４（図１のメモリ２６）の領域▲１▼へ正常，欠陥の判定結果を書込み、Ａレジスタの内容を＋１する。これを１８０素子について行うことにより、Ａレジスタの内容が１８０となる。そして、Ｄレジスタの内容を＋１する。このＤレジスタの内容が偶数か否かを判定した時、奇数であると、ＲＡＭ３からＲＡＭ４に切替えて、ＣレジスタからこのＲＡＭ４の領域▲１▼にデータを書込むことになる。
【００７１】
図２３は置換アドレス生成・更新のフローチャートであり、通常動作に於ける場合を示し、１８０素子分について順次ＲＡＭ１からＡレジスタにデータを書込み、ＲＡＭ１の領域▲４▼からＢレジスタにリニアリティ判定結果を書込み、ＡレジスタとＢレジスタとの論理和をＡレジスタに書込む。そして、ＤレジスタとＡレジスタとを０とし、Ａレジスタの内容か１８０か否かを判定する。このステップ以降は図２２の対応するステップと同一であり、重複する説明は省略する。
【００７２】
図２４は電源立上げ時／置換指令時のタイムチャートであり、走査系の同期信号によるトリガ信号１〜３と、ＤＳＰ動作と、ＤＳＰインストラクションとを示す。トリガ信号１〜３は、前述のように、光学系の走査に同期した信号であり、無効走査期間の走査先頭タイミング（高温データ取込み先頭タイミング）と、常温データ取込み先頭タイミングと、有効走査期間の走査先頭タイミングとを示すものである。そして、１／６０の周期の各フィールドの無効走査期間を３．３３ｍｓ、有効走査期間を１３．３３ｍｓとすると、トリガ信号１の立上りにより、無効走査期間の半分の１．６５ｍｓのＤＳＰインストラクションＩＮＳＴ１に従って、ＤＳＰは３２ラインについての高温データの取込みが開始される。
【００７３】
又無効走査期間の中間のトリガ信号２の立上りにより、ＤＳＰインストラクションＩＮＳＴ２に従って、ＤＳＰは３２ラインについての常温データを取込む。この場合、高温データの取込みに９２１．６μｓ、常温データの取込みに１．１５２０ｍｓを要する場合を示す。そして、フィールドＮ〜Ｎ＋１５にわたる高温データと常温データとの取込みにより、フィールドＮ＋１５のトリガ信号３の立上りによる有効走査期間に於いて、ＤＳＰインストラクションＩＮＳＴ８に従って、Ｓ／Ｎ判定とＤＣオフセット判定とによる素子判定を行い、それによる置換アドレス生成・更新を行うものである。この場合、素子判定に５．９１ｍｓ、置換アドレス生成・更新に１６６μｓを要する場合を示す。
【００７４】
又同様な動作を繰り返すことにより、図示を省略しているが、次のフィールドＮ＋１６からフィールドＮ＋３１に於いても同様な処理により、高温データと常温データとを取込み、フィールドＮ＋３１の有効走査期間に於いて感度補正係数計算を行う。そして、基準熱源の温度を変更し、その時のフィールド数をａとして、フィールドＮ＋３２＋ａ〜Ｎ＋４８＋ａに於いて高温データと常温データとを取込み、フィールドＮ＋４８＋ａの有効走査期間に於いてリニアリティ判定による素子判定を行い、置換アドレス生成・更新を行い、次に基準熱源の温度を最初の状態に戻して通常動作に移行する。
【００７５】
図２５は通常動作時のタイムチャートであり、トリガ信号１〜３と、ＤＳＰ１動作とＤＳＰ１インストラクションと、ＤＳＰ２動作とＤＳＰ２インストラクションとを示す。無効走査期間に於いては、ＤＳＰ１インストラクションＩＮＳＴ１，ＩＮＳＴ２に従って、基準熱源の温度を一定として、高温データと常温データとを取込み、有効走査期間に於いては、ＤＳＰ１インストラクションＩＮＳＴ７に従って、感度補正係数計算と素子判定と置換アドレス生成・更新のＤＳＰ１動作となる。又ＤＳＰ２インストラクションにより感度補正のＤＳＰ２動作となる。
【００７６】
この場合の感度補正係数計算に２．３９ｍｓ、素子判定に７．０９ｍｓ、置換アドレス生成・更新に１９５μｓを有する場合を示す。又ＤＳＰ２は、無効走査期間では動作しないが、有効走査期間では、ＤＳＰ２インストラクションＩＮＳＴ４に従って感度補正処理を行う。この場合、例えば、９０素子、４８０ラインについての場合、１０．４０ｍｓを要することになる。
【００７７】
図２６は図１に於けるメモリ２４〜２６（ＲＡＭ２〜ＲＡＭ４）の説明図であり、ＲＡＭ２は前述のように領域▲１▼，▲２▼を有し、１６ビット構成のデータを格納する１８０素子に対応するアドレス０〜１８０の領域▲１▼にオフセット補正係数、アドレス１８１〜３６０の領域▲２▼に感度補正係数が格納される。又ＲＡＭ３，ＲＡＭ４はそれぞれ１６ビット構成の置換アドレスデータを格納するアドレス０〜１８０の領域▲１▼をそれぞれ有するものである。
【００７８】
又前述の第１の実施の形態は、電源立上げ時／置換指令時及び通常動作時に、リニアリティ（１）（第１のリニアリティ判定）による素子判定を用いた場合を示すが、第２の実施の形態として、電源立上げ時／置換指令時は、リニアリティ（１）による素子判定を行い、通常動作時は、このリニアリティ（１）による素子判定と、Ｓ／Ｎによる素子判定と、ＤＣオフセットによる素子判定との判定結果の論理和による素子判定結果を用いることできる。この場合、電源立上げ時／置換指令時の動作は、前述の第１の実施の形態の場合と同様であるから、重複した説明は省略する。
【００７９】
図２７，図２８，図２９は第２の実施の形態に於ける通常動作時の機能説明図であり、通常動作時に、感度補正とＳ／Ｎにる素子判定及び置換を行う場合の機能を示すのであって、図２７に於いて、１８０は取込み（高温）部、１１０は感度補正係数算出部、１８１，１８５，１１１は加算器、１８２，１８４，１８７，１１３はメモリ（ＲＡＭ１）、１８３，１８６は除算器、１１２は逆数部を示す。
【００８０】
又図２８に於いて、１２０は取込み（常温）・感度補正係数算出部、１３０は雑音値算出判定部、１２１，１２５，１３５は加算器、１２２，１２４，１２７，１３１，１３３，１３６，１３８はメモリ（ＲＡＭ１）、１２３，１２６は除算器、１３２，１２４，１３７は比較器を示す。
【００８１】
又図２９に於いて、１４０は差信号判定部、１５０は素子判定部、１６０は置換アドレス生成・更新部、１７０は感度補正部、１４１，１４３，１５２，１６２，１６３はメモリ（ＲＡＭ１）、１４２は比較器、１５１，１６１はオア回路（ＯＲ）、１６４は置換アドレス生成部、１６５，１６６はメモリ（ＲＡＭ３，ＲＡＭ４）、１６７，１６８は切替部、１７１は加算器、１７２は乗算器、７は走査変換回路、８はＤＡ変換器（Ｄ／Ａ）、９はモニタを示す。
【００８２】
図２７の取込み（高温）部１８０及び感度補正係数算出部１１０は、図４に於ける取込み（高温）部３０及び図６に於ける感度補正係数算出部１００と同一の機能を有し、又図２８の取込み（常温）・感度補正係数算出部１２０は、図５に於ける取込み（常温）・感度補正整数算出部４０と同一の機能を有し、又図２９の置換アドレス生成・更新部１６０及び感度補正部１７０は、図６に於ける置換アドレス生成・更新部８０及び感度補正部９０と同一の機能を有するもので、重複した説明は省略する。
【００８３】
又図３０，図３１はＳ／Ｎによる素子判定時のＲＡＭ１の説明図であり、１７×１６３８０の領域を用いた場合を示し、右側のそれぞれのデータが格納される。又図３２はＤＣオフセットによる素子判定時のＲＡＭ１の説明図であり、１７×７２００の領域を用いた場合を示し、右側のそれぞれのデータが格納される。又ＲＡＭ１についてはそれぞれの処理過程で同一又は異なる領域が使用される。又ＲＡＭ３，ＲＡＭ４については、図２６に示す前述の実施の形態の場合と同様の構成とすることができる。
【００８４】
図２８に於ける雑音値算出判定部１３０は、メモリ１３１（図３１の領域ＬＢ１〜ＬＢ３２）に１６フィールド対応に３２ライン分の高温データを格納し、比較器１３２により最大値を抽出してメモリ１３３（ＲＡＭ１の領域▲６▼）にＤＣ値の最大値として格納し、又比較器１３４により最小値を抽出してメモリ１３４（ＲＡＭ１の領域▲７▼にＤＣ値の最小値として格納する。そして、加算器１３３に於いて、（ＤＣ値の最大値）−（ＤＣ値の最小値）の演算により、雑音値を算出し、メモリ１３６（ＲＡＭ１の領域▲８▼）に格納する。比較器１３７は、雑音値と閾値とを比較し、閾値を超える雑音値の素子は異常（欠陥）素子（“１”）とし、閾値を超えない雑音値の素子は正常（“０”）としてメモリ１３８（ＲＡＭ１の領域▲９▼）に格納する。
【００８５】
又図２９に於ける差信号判定部１４０は、感度補正係数算出部１１０の加算器１１１の出力の高温平均値と常温平均値との差分をメモリ１４１に格納し、比較器１４２により閾値と比較し、閾値を超えるものは欠陥素子（“１”）とし、超えないのは正常素子（“０”）としてメモリ４３に差信号による素子判定値を格納する。素子判定部１５０は、雑音値算出判定部１３０のメモリ１３８からの雑音による素子判定値と、差信号判定部１４０のメモリ１４３からの差信号による素子判定値との論理和をメモリ１５２（ＲＡＭ１の領域▲９▼）に、Ｓ／Ｎによる素子判定値として格納する。
【００８６】
図３３〜図３６は素子判定のフローチャートであり、図３３〜図３５はＳ／Ｎによる素子判定、図３６はＤＣオフセットによる素子判定を示す。なお、図３３の高温のフィールド平均値算出のフローと、常温のフィールド平均値算出のフローとは、図１７示すフローと同様であり、重複した説明は省略する。
【００８７】
図３４に於いては、差信号算出として、高温のフィールド平均値と常温のフィールド平均値との差分を求め、素子判定として、差信号を判定値（閾値）と比較する。差信号が小さいことは、高温データと常温データとの差が小さいことであるから、判定値より小さい場合に異常素子と判定して“１”とし、判定値より大きい場合は正常素子と判定して“０”とする。これを信号Ｓの判定値としてＲＡＭ１に格納する。
【００８８】
次に雑音値の算出を行う。即ち、ＲＡＭ１の領域ＬＢ１（図３１参照）からＡレジスタに常温データを書込み、この常温データをＲＡＭ１の領域▲６▼，▲７▼に格納する。１８０素子について終了すると、次に３１ライン分について、ＡレジスタとＢレジスタとＣレジスタとを用いて順次大小比較することにより、ＲＡＭ１の領域▲６▼にＤＣ最大値を格納し、ＲＡＭ１の領域▲７▼にＤＣ最小値を格納する。そして、図３５に示すように、最大値と最小値との差分を雑音値として、ＡレジスタからＲＡＭ１の領域ＰＰ１〜ＰＰ１６（図３１参照）に格納する。即ち、１８０素子対応に１６フィールドについての雑音値がそれぞれ格納される。
【００８９】
そして、ＲＡＭ１の領域ＰＰ１からＡレジスタにデータを書込み、ＲＡＭ１の領域ＰＰ２〜ＰＰ１６から順次データをＢレジスタに書込んで、ＡレジスタとＢレジスタとの比較を行い、Ａ＜Ｂの場合は、ＲＡＭ１１の領域▲８▼に雑音値を格納し、Ａ＜Ｂでない場合は次のステップに移行する。
【００９０】
次にＲＡＭ１の領域▲８▼からＡレジスタへデータを書込み、判定値（閾値）と比較する。この判定値をＡレジスタのデータが超えている場合は異常素子として“１”をＡレジスタに書込み、又超えていない場合は正常素子として“０”をＡレジスタに書込み、このＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲９▼へ、“１”，“０”の雑音Ｎについての判定値を格納する。そして、信号Ｓの判定値と雑音Ｎの判定値との論理和をＲＡＭ１の領域▲９▼に、Ｓ／Ｎ判定による素子判定結果として格納する。
【００９１】
図３６に於いては、図３２に示すＲＡＭ１の領域Ｌ１〜Ｌ１６と、Ａ，Ｂレジスタとを用いて、常温データの１５フィールド分の平均値を算出し、平均値をＲＡＭ１の領域▲６▼へ格納する。次に、ｍフィールド目に於ける平均値と、（ｍ−１）フィールド目までの平均値との差分を求めて、その絶対値をＤＣ判定値として、ＲＡＭ１の領域▲７▼に格納し、予め設定した判定値（閾値）と比較する。この判定値より大きい場合は、異常素子として“１”、大きくない場合は、正常素子として“０”を、Ａレジスタを介してＲＡＭ１の領域▲８▼にＤＣオフセット判定値として格納する。
【００９２】
前述の第１の実施の形態は、電源立上げ時／置換指令時と通常動作時とに於いてリニアリティ（１）（第１のリニアリティ判定）による素子判定を用い、又第２の実施の形態は、電源立上げ時／置換指令時にリニアリティ（１）による素子判定を行い、通常動作時に、リニアリティ（１）による素子判定と、Ｓ／Ｎによる素子判定と、ＤＣオフセットによる素子判定とを行う場合であり、第３の実施の形態として、電源立上げ時／置換指令時には、リニアリティ（２）（第２のリニアリティ判定）による素子判定、通常動作時にはリニアリティ（１）（第１のリニアリティ判定）による素子判定を行うものである。
【００９３】
このリニアリティ（２）（第２のリニアリティ判定）の素子判定は、常温の基準熱源１０の温度をＡ〔°Ｃ〕とし、高温の基準熱源１１の温度をＡ＋１０〔°Ｃ〕（α＝１０）として、それぞれの基準熱源１０，１１による常温データと高温データとを用いて感度補正係数を算出して係数１とする。次に基準熱源１０の温度をＡ−１０〔°Ｃ〕（ΔＴ1 ＝−１０）とし、基準熱源１１の温度をＡ＋２０〔°Ｃ〕（ΔＴ2 ＝＋２０）に変更して、それぞれの基準熱源１０，１１による常温データと高温データとを用いて感度補正係数を算出して係数２とする。これらの係数１，２の差分を算出し、その差分と閾値とを比較し、閾値を超える素子を欠陥素子と判定する。
【００９４】
図３７，図３８は電源立上げ時／置換指令時の機能説明図であり、図３７に於いて、２００は取込み（高温）部、２１０は取込み（常温）部、２０１，２０５，２１１，２１５は加算器、２０２，２０４，２０７，２１２，２１４，２１７はメモリ（ＲＡＭ１）、２０３，２０６，２１３，２１６は除算器を示す。
【００９５】
又図３８に於いて、２２０，２３０は感度補正係数算出部（感度）部、２４０はリニアリティ（２）判定部、２５０は置換アドレス生成・更新部、７は走査変換回路、８はＤＡ変換器（Ｄ／Ａ）、９はモニタ、２２１，２３１，２４１は加算器、２２２，２３２は逆数部、２２３，２３３，２４２，２４４はメモリ（ＲＡＭ１）、２４３は比較器、２５１は置換アドレス生成部、２５２，２５３はメモリ（ＲＡＭ３，ＲＡＭ４）、２５４，２５５は切替部である。
【００９６】
取込み（高温）部２００と取込み（常温）部２１０は、図２に於ける取込み（高温）部３０と取込み（常温）・感度補正係数算出部４０と同様な機能を備えており、高温平均値の算出処理及び常温平均値の算出処理については同様な処理であるから、重複した説明は省略する。
【００９７】
又メモリ（ＲＡＭ１）は、例えば、図３９に示すように、１７×６８４０の領域を使用し、右側に示すようなデータを格納するものである。又図３８に於ける感度補正係数算出（感度）部２２０は、基準熱源１０，１１の温度を、Ａ〔°Ｃ〕とＢ〔°Ｃ〕とした場合の常温平均値と高温平均値との差分を求め、この差分値の逆数を逆数部２２２により求めて、感度補正係数としてメモリ２２３（図３９に示すＲＡＭ１の領域▲３▼）に格納する。これを係数１とする。
【００９８】
又感度補正係数算出（感度）部２３０は、基準熱源１０，１１の温度をＣ〔°Ｃ〕とＤ〔°Ｃ〕とした場合の常温平均値と高温平均値との差分を求め、この差分値の逆数を逆数部２３２により求めて、感度補正係数としてメモリ２３３（図３９に示すＲＡＭ１の領域▲５▼）に格納する。これを係数２とする。
【００９９】
リニアリティ（２）判定部２４０は、係数１と係数２との差分を求め、係数の差としてメモリ２４２（ＲＡＭ１の領域▲６▼）に格納し、比較器２４３により閾値と比較し、閾値を超えているものは異常素子と判定し、閾値を超えないものは正常素子と判定し、メモリ２４４（ＲＡＭ１の領域▲４▼）に異常素子は“１”、正常素子は“０”とした判定値を格納する。
【０１００】
置換アドレス生成部２５１は、メモリ２４４からの判定値を基に、赤外線検知器の素子の置換アドレスを生成し、メモリ２５２，２５３に格納し、走査変換回路７に於いて画像データに対する置換処理を行う。
【０１０１】
図４０，図４１はＤＳＰの動作フローチャートであり、ＤＳＰ１，ＤＳＰ２（図１参照）は初期値設定を行い、ＤＳＰ１は無効期間に於いて高温データと常温データとを取込み、有効期間は動作しない。フィールドＮ＋１５に於いて、高温データと常温データとをそれぞれ３２ライン分取得し、次の有効期間に於いて感度補正係数（１）を算出し、これを前述のように係数１とし、次に熱源温度を変更して、同様の処理によってフィールドＮ＋３１＋ａの有効期間に於いて感度補正係数（２）を算出し、これを係数２とする。
【０１０２】
次のフィールドＮ＋３２＋ａに於いて、図４１に示すように、係数１と係数２とを用いてリニアリティ（２）判定による素子判定を行い、判定結果に従った置換アドレス生成・更新を行い、置換アドレスをメモリ２５２（ＲＡＭ３）に格納し、次フィールドに於ける置換アドレスとして走査変換回路７に入力される。
【０１０３】
図４２はリニアリティ（２）判定のフローチャートであり、ＲＡＭ１（図３９参照）の領域▲３▼から感度補正係数、即ち、係数１をＡレジスタに書込み、ＲＡＭ１の領域▲５▼からＢレジスタへ感度補正係数、即ち係数２をＢレジスタに書込み、Ａ，Ｂレジスタ間の差分を求め、ＲＡＭ１の領域▲６▼へ係数の差として格納する。そして、この領域▲６▼の係数の差をＡレジスタに書込み、判定値（閾値）と比較する。判定値（閾値）よりＡレジスタのデータが大きい場合は、異常素子として“１”、大きくない場合は正常素子として“０”を、ＡレジスタからＲＡＭ１の領域▲４▼へリニアリティ（２）判定値として格納する。
【０１０４】
図４３，図４４は動作シーケンス説明図であり、フィールドと、光学系動作と、動作シーケンスと、ＤＳＰ１動作と、ＤＳＰ２動作とを示し、図４３に於けるフィールドＮ〜Ｎ＋１５では、基準熱源の温度をＨ＝Ｌ＋１０〔°Ｃ〕（Ａ＝Ｌ，α＝１０）、Ｌ＝シーンの平均値（Ａ）として、ＤＳＰ１は無効期間に於いてデータ取込み、有効期間に於いて感度補正係数算出を行い、熱源温度変更を行い、次に図４４に示すように、Ｈ＝Ｌ＋２０〔°Ｃ〕（Ｌ＝Ａ，ΔＴ2 ＝＋２０）、Ｌ＝シーンの平均値−１０〔°Ｃ〕（ΔＴ1 ＝−１０）として、フィールドＮ＋１６＋ａ〜Ｎ＋３１＋ａに於いて同様にデータの取込みと感度補正係数算出とを行い、フィールドＮ＋３２＋ａの有効期間に於いて、リニアリティ（２）判定による素子判定、置換アドレス生成・更新、置換の処理を行う。
【０１０５】
又通常動作時は、第１の実施の形態と同様に、リニアリティ（１）判定により素子判定を行い、欠陥素子についてリアルタイムで正常素子の検出信号を利用する置換処理を行うものであり、重複する説明は省略する。
【０１０６】
又第４の実施の形態として、電源立上げ時／置換指令時は、リニアリティ（２）判定（第２のリニアリティ判定）を行い、通常動作時はリニアリティ（１）判定（第１のリニアリティ判定）とＳ／Ｎ判定とＤＣオフセット判定とを行う。即ち、電源立上げ時／置換指令時には、図３７〜図４４について説明したように、基準熱源の温度を変更してそれぞの感度補正係数を求め、その感度補正係数の差分を基にリニアリティ（２）判定を行い、通常動作時には、図１〜図２６について説明したように、リニアリティ（１）判定を行うものである。
【０１０７】
又電源立上げ時／置換指令時は、リニアリティ（２）判定を行い、通常動作時は、感度補正とＤＣオフセット判定とを行う実施の形態の機能を、図４５〜図４７に示す。この図４５に於いて、３００は取込み（高温）部、３０１，３０５は加算器、３０２，３０４，３０７はメモリ（ＲＡＭ１）、３０３，３０６は除算器を示す。
【０１０８】
又図４６に於いて、３１０は取込み（常温）・感度補正係数算出部、３２０はＤＣオフセット値算出部、３１１，３１５，３２１，３２５は加算器、３１２，３１４，３１７，３２２，３２４，３２７，３２９はメモリ（ＲＡＭ１）、３１３，３１６，３２３は除算器、３２６は絶対値回路、３２８は比較器を示す。
【０１０９】
又図４７に於いて、３３０は感度補正係数算出（感度）部、３４０は感度補正部、３５０は置換アドレス生成・更新部、３３１，３４１は加算器、３３２は逆数部、３３３，３５２，３５３はメモリ（ＲＡＭ１）、３４２は乗算器、３５１はオア回路（ＯＲ）、３５４は置換アドレス生成部、３５５，３５６はメモリ（ＲＡＭ３，ＲＡＭ４）、３５７，３５８は切替部、７は走査変換回路、８はＤＡ変換器（Ｄ／Ａ）、９はモニタを示す。
【０１１０】
取込み（高温）部３００と取込み（常温）・感度補正係数算出部３１０は、例えば、図２に於ける取込み（高温）部３０と取込み（高温）・感度補正係数算出部４０と同一の機能を備えており、前述のように、メモリ３７の各素子対応の領域に高温平均値が格納され、又メモリ４７の各素子対応の領域に常温平均値が格納されるもので、重複した説明は省略する。
【０１１１】
ＤＣオフセット値算出部３２０は、メモリ３１４に格納された１〜１５フィールドのライン常温平均値を加算してメモリ３２２に格納し、除算器３２３により１／１５の乗算によりフィールド常温平均値をメモリ３２４に格納し、このフィールド常温平均値と、ライン常温平均値との差分を加算器３２５に於いて求め、絶対値回路３２６により差分の絶対値を求め、メモリ３２７にＤＣオフセット値として格納し、比較器３２８に於いて閾値と比較し、この閾値を超えたＤＣオフセット値の素子を異常素子と判定し、判定値の“１”をメモ３２９に格納し、又閾値を超えないＤＣオフセット値の素子を正常素子と判定し、判定値の“０”をメモリ３２９に格納する。
【０１１２】
感度補正係数算出（感度）部３３０は、メモリ３０７からの高温平均値と、メモリ３１７の常温平均値との差分の逆数を感度補正係数としてメモリ３３３に格納し、この感度補正係数を感度補正部３４０の乗算器３４２に入力する。この感度補正部３４０は、メモリ３１７からの常温平均値を画像データから減算し、乗算器３４２に於いてメモリ３３３からの感度補正係数を乗算して、赤外線検知器の各素子の感度を補正する。
【０１１３】
又置換アドレス生成・更新部３５０は、メモリ３２９からの素子判定値と、メモリ３５２からの電源立上げ時に求めた素子判定値との論理和を求めて、新たな素子判定値としてメモリ３５３に格納する。置換アドレス生成部３５４は、素子判定値を基に置換アドレスを生成し、メモリ３５５又は３５６に格納する。この置換アドレスが走査変換回路７に入力され、素子判定値が“１”の欠陥素子を、素子判定値が“０”の正常素子によって置換した状態の信号処理を行う。
【０１１４】
本発明は、前述の各実施の形態にのみ限定されるものではなく、例えば、赤外線検知器３の素子数は１８０以外の数とすることも可能であり、又無効走査期間に於ける常温データと高温データとの取込みのライン数とフィールド数とは、走査効率やＤＳＰの演算能力等に対応して任意に選択可能である。又第１のリニアリティ判定と、第２のリニアリティ判定と、Ｓ／Ｎ判定等の他の判定との種々の組合せを適用することも可能である。又電源立上げ時には、第１のリニアリティ判定又は第２のリニアリティ判定により欠陥素子か正常素子かの判定を含めるものであり、従って、通常動作に移行した場合に、少なくとも、リニアリティ特性がほぼ均一な素子による赤外線画像を得ることができる。そして、この通常動作を所定時間経過した時に、自動的に置換指令による動作を行わせて、リニアリティ判定を行わせることも可能である。
【０１１５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、赤外線検知器３の各素子の判定手段として、従来例のＳ／Ｎ判定やＤＣオフセット判定に、リニアリティ判定を付加したものであり、このリニアリティ判定による素子判定によって、複数素子から構成された赤外線検知器３の各素子の特性の均一化を保証することが可能となり、又周囲温度の変化等による特性変化に対しても対応することができる。従って、モニタに表示する赤外線画像の精度を著しく向上することができる利点がある。更に、通常動作時に於いても、Ｓ／Ｎ判定，ＤＣオフセット判定等と共にリニアリティ判定を含めて、リアルタイムで欠陥素子の有無の判定と、欠陥素子の置換処理とを行うことが可能となり、赤外線撮像装置の信頼性を向上することができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の説明図である。
【図２】電源立上げ時／置換指令時の機能説明図である。
【図３】電源立上げ時／置換指令時の機能説明図である。
【図４】通常動作時の機能説明図である。
【図５】通常動作時の機能説明図である。
【図６】通常動作時の機能説明図である。
【図７】動作シーケンス説明図である。
【図８】動作シーケンス説明図である。
【図９】動作シーケンス説明図である。
【図１０】ＤＳＰの動作フローチャートである。
【図１１】ＤＳＰの動作フローチャートである。
【図１２】ＤＳＰの動作フローチャートである。
【図１３】ＤＳＰの動作フローチャートである。
【図１４】データ取込みのフローチャートである。
【図１５】画面構成説明図である。
【図１６】ＲＡＭ１の説明図である。
【図１７】感度補正係数算出のフローチャートである。
【図１８】感度補正処理のフローチャートである。
【図１９】素子判定のフローチャートである。
【図２０】素子判定のフローチャートである。
【図２１】素子判定のフローチャートである。
【図２２】置換アドレス生成・更新のフローチャートである。
【図２３】置換アドレス生成・更新のフローチャートである。
【図２４】電源立上げ時／置換指令時のタイムチャートである。
【図２５】通常動作時のタイムチャートである。
【図２６】ＲＡＭ２〜ＲＡＭ４の説明図である。
【図２７】通常動作時の機能説明図である。
【図２８】通常動作時の機能説明図である。
【図２９】通常動作時の機能説明図である。
【図３０】Ｓ／Ｎによる素子判定時のＲＡＭ１の説明図である。
【図３１】Ｓ／Ｎによる素子判定時のＲＡＭ１の説明図である。
【図３２】ＤＣオフセットによる素子判定時のＲＡＭ１の説明図である。
【図３３】素子判定のフローチャートである。
【図３４】素子判定のフローチャートである。
【図３５】素子判定のフローチャートである。
【図３６】素子判定のフローチャートである。
【図３７】電源立上げ時／置換指令時の機能説明図である。
【図３８】電源立上げ時／置換指令時の機能説明図である。
【図３９】ＲＡＭ１の説明図である。
【図４０】ＤＳＰの動作フローチャートである。
【図４１】ＤＳＰの動作フローチャートである。
【図４２】リニアリティ（２）判定のフローチャートである。
【図４３】動作シーケンス説明図である。
【図４４】動作シーケンス説明図である。
【図４５】通常動作時の機能説明図である。
【図４６】通常動作時の機能説明図である。
【図４７】通常動作時の機能説明図である。
【図４８】従来例の赤外線撮像装置の説明図である。
【図４９】光学系の説明図である。
【符号の説明】
１，２  光学系
３  赤外線検知器
４  増幅器
５  ＡＤ変換器（Ａ／Ｄ）
６  信号処理回路
７  走査変換回路
８  ＤＡ変換器（Ｄ／Ａ）
１０，１１  基準熱源
１２  基準熱源制御回路
１３  制御回路
２１，２２  ＤＳＰ１，ＤＳＰ２
２３〜２６  メモリ（ＲＡＭ１〜ＲＡＭ４）
２７，２８  メモリ（ＲＯＭ１，ＲＯＭ２）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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