(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬液が供給されていない槽内に洗浄物を搬送手段により支持台上に搬送する工程と、
前記槽内に薬液を供給して前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッチング処理を行うエッチング処理工程と、
前記エッチング処理工程完了後に純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供給して前記薬液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンスするリンス処理工程と、
前記リンス処理工程終了後に前記純水（ＤＩＷ）に代えて還元性添加純水を用いて前記洗浄物をリンスするリンス処理工程と、
前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で前記槽内に有機溶剤ミストを供給して有機溶剤ミストの雰囲気を形成すると共に前記純水（ＤＩＷ）の液面に有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を形成する工程と、
前記槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成する工程と、
前記洗浄物の表面上の還元性添加純水が前記有機溶剤ミストで生成された層で有機溶剤に置換された後、不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する工程とを有すること
を特徴とする洗浄物の乾燥方法。
【請求項２】
前記還元性添加純水に添加されるガスは、水素であることを特徴とする請求項１に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項３】
前記薬液は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）であることを特徴とする請求項１に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項４】
前記エッチング処理工程は、前記洗浄物を一定時間若しくは予め設定した時間薬液中に浸漬することを特徴とする請求項１に記載の洗浄物の乾燥方法。
【請求項５】
薬液が供給されていない槽内に洗浄物を支持台上に搬送する搬送手段と、前記槽内に薬液を供給して前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッチング処理を行い、前記エッチング処理完了後に純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供給して前記薬液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンス処理し、前記リンス処理終了後に前記純水（ＤＩＷ）に代えて還元性添加純水を用いて前記洗浄物をリンス処理し、前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で前記槽内に有機溶剤ミストを供給して有機溶剤ミストの雰囲気を形成すると共に前記純水（ＤＩＷ）の液面に有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を形成し、前記槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前記洗浄物の表面上の還元性添加純水が前記有機溶剤ミストで生成された層で有機溶剤に置換された後、不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥すること
を特徴とする洗浄物の乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
本発明は、洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置に関し、特に半導体ウエハ等の基板の洗浄、すすぎ、及び乾燥に適した洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、微細化したウエハ等の洗浄物の精密基板洗浄後の乾燥としては、トレンチに入り込んだ水分の除去が重要な要素であり、有機溶剤ベ一パー（蒸気）を用いた乾燥装置が使用されている。この有機溶剤ペーパーを用いた乾燥装置としては、図５に示す装置が知られている。
【０００３】
乾燥装置１０１は、図５に示すように、上部が開口して断面略コ字状の箱状からなる乾燥槽１０２と、この乾燥槽１０２の底面１０２ａに装着された加熱装置（ヒータ）１０３と、乾燥槽１０２の上部に設けられた冷却コイル１０４と、冷却コイル１０４の下部に設けられた溶液溜まり部１０５と、乾燥槽１０２内に配置され洗浄物であるウエハ１０６を載置するウエハ載置台１０７と、ウエハ載置台１０７の下部に配された溶液受部１０８とからなる。
【０００４】
乾燥装置１０１は、乾燥槽１０２内に注入された有機溶剤１０９をヒータ１０３により沸点まで加熱上昇させて上層に有機溶剤ベーパーを生成し、そのベーパー中に水等で洗浄、すすぎが行われたウエハ１０６を乾燥槽１０２内に挿入配置する。乾燥槽１０２内に挿入配置されたウエハ１０６は、ウエハ１０６の表面で有機溶剤の凝縮が起こり、ウエハ１０６の表面に付着していた水分は、より蒸発しやすい有機溶剤で置換されて乾燥が進行する。有機溶剤ベーパー中のウエハ１０６は、次第にベーパー温度（沸点）に達してミスト雰囲気外に取り出されることによって、付着された溶剤成分はその低い蒸発潜熱のため急速に蒸発して乾燥が終了する。
【０００５】
また、乾燥槽１０２の上部に配置されている冷却コイル１０４によって加熱されてベーパーとなった有機溶剤は、凝縮されて溶液溜まり部１０５に滴下して回収再利用が可能である。また、同様に、ウエハ１０６から滴下した水分を含む溶液も溶液受部１０８での回収が行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来の乾燥装置１０１は、有機溶剤をヒータ１０３により加熱するので火気に十分な注意が必要であり、また、加熱冷却を行うのでエネルギーの消費が大きい。また、ヒータ１０３によって加熱させてベーパー層を形成するまでの時間がかかり、蒸発による有機溶剤の消耗量が多く、また、洗浄物がミスト層に触れると、べーパー（気相）の熱が洗浄物に奪われて急激な相変化（気体-→液体）が起こりベーパー層が減少して洗浄物が大気に曝露され、汚染、乾燥不良等が起こりやすくなる。
【０００７】
また、従来の乾燥装置１０１では、例えば、シリコンウエハなどの基板を装置内に搬入する際に、装置内に大気が混入してＮ２などの不活性ガスを乾燥前に充填しても完全に大気中の酸素を置換することは困難であり、しかも基板表面が純水でぬれた状態から完全に乾燥が終了するまで、基板の表面に酸素が接触することを完全に防止することは難しい。その結果、基板表面と酸素の接触により基板表面が酸化されて基板表面にウォーターマークや自然酸化膜が形成されて、半導体デバイスのコンタクト抵抗の劣化を招くおそれがある。
【０００８】
本発明は、基板表面と酸素の接触により基板表面が酸化されて基板表面にウォーターマークや自然酸化膜が形成されて、半導体デバイスのコンタクト抵抗の劣化を招くおそれがなく、しかも短時間で洗浄物の乾燥を行うことが可能で、洗浄物の汚染のおそれがなく、エネルギー損失などのない洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置の提供を目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による洗浄物の乾燥方法は、薬液が供給されていない槽内に洗浄物を搬送手段により支持台上に搬送する工程と、前記槽内に薬液を供給して前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッチング処理を行うエッチング処理工程と、前記エッチング処理工程完了後に純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供給して前記薬液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンスするリンス処理工程と、前記リンス処理工程終了後に前記純水（ＤＩＷ）に代えて還元性添加純水を用いて前記洗浄物をリンスするリンス処理工程と、前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で前記槽内に有機溶剤ミストを供給して有機溶剤ミストの雰囲気を形成すると共に前記純水（ＤＩＷ）の液面に有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を形成する工程と、前記槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成する工程と、前記洗浄物の表面上の還元性添加純水が前記有機溶剤ミストで生成された層で有機溶剤に置換された後、不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥する工程とを有するものである。
【００１０】
また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前記還元性添加純水に添加されるガスは、水素である。
【００１１】
また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前記薬液は、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）である。
【００１２】
また、本発明による洗浄物の乾燥方法の前記エッチング処理工程は、前記洗浄物を一定時間若しくは予め設定した時間薬液中に浸漬するものである。
【００１３】
また、本発明による洗浄物の乾燥装置は、薬液が供給されていない槽内に洗浄物を支持台上に搬送する搬送手段と、前記槽内に薬液を供給して前記洗浄物を薬液中に浸漬してエッチング処理を行い、前記エッチング処理完了後に純水（ＤＩＷ）を前記槽内に供給して前記薬液を徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンス処理し、前記リンス処理終了後に前記純水（ＤＩＷ）に代えて還元性添加純水を用いて前記洗浄物をリンス処理し、前記槽内の純水（ＤＩＷ）に洗浄物が浸漬された状態で前記槽内に有機溶剤ミストを供給して有機溶剤ミストの雰囲気を形成すると共に前記純水（ＤＩＷ）の液面に有機溶剤ミストで生成された十分な厚さの層を形成し、前記槽内に不活性ガスを供給して密閉空間内に不活性ガス雰囲気を形成し、前記洗浄物の表面上の還元性添加純水が前記有機溶剤ミストで生成された層で有機溶剤に置換された後、不活性ガスを供給して前記有機溶剤を気化し乾燥するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下図面を参照して、本発明による洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置の実施の形態について説明する。図１は、本発明による実施の形態である乾燥装置の構成を示す図である。
【００１５】
図１に示すように、乾燥装置１０は、純水槽２０と、純水槽２０と接続される給排システム３０とを有する。
【００１６】
純水槽２０は、液供給弁２１から純水（ＤＩＷ）を供給し、純水槽２０内の純水が一定量に達すると、それ以上は排水弁２２ｂの経路を経由してオーバーフローする。したがって、純水槽２０内の上部には気相部２３が形成されている。この気相部２３には、窒素ガス供給口２４、外気に連通する排気弁２５が設けられており、また、有機溶剤、すなわち、本実施の形態ではＩＰＡ（Ｉｓｏ−ｐｒｏｐｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）の有機溶剤ミストを形成して先端から放射するスプレー式ノズル２６（以下、ノズルと称する）が設けられている。また、純水槽２０の上部には、洗浄物の出し入れを行うための完全密閉型の開閉蓋２７が設けられ、これによって密閉空間が形成される。また、純水槽２０の内部には、半導体ウエハ等の基板からなる洗浄物５０を複数支持することが可能な支持台２８が備えられており、支持台２８は、通常、半導体ウエハであれば、例えば、直径が８インチのウエハを１００枚載置可能であるが、径又は枚数は適宜選定可能である。
【００１７】
また、純水槽２０内の下部中央には、排水弁２２ａが設けられており、この排水弁２２ａを経由して排水される。そして、純水槽２０内には、更に液面センサー２９が設けられている。この液面センサー２９は、液面の下降速度が２〜４ｍｍ／ｓｅｃ前後で下降し、この液面の下降速度を１ｍｍ／ｓｅｃ前後に切り替えるためのセンサーである。なお、液供給弁２１の給液の速度並びに排水弁２２ａ，２２ｂの制御は、弁の開閉をコンピュータなどからなる制御手段（図示せず）により制御する構成となっている。
【００１８】
次に、純水槽２０と接続される給排システム３０について説明する。給排システム３０は、(1)窒素ガス供給口２４に窒素ガス（Ｎ２）を供給する経路、(2)ノズル２６にＩＰＡの有機溶剤ミストを供給する経路、(3)純水槽２０から排水する経路とを有する。
【００１９】
(1)まず、窒素ガス供給口２４に窒素ガス（Ｎ２）を供給する経路は、窒素ガス（Ｎ２）を加温するためのヒータ４１，温度制御のための温調器４２，弁４３、フィルタ４４とからなる。弁４３は、図示せぬ制御手段によって開閉制御可能となっており、弁４３の開閉によって窒素ガス供給口２４から窒素ガス（Ｎ２）が純水槽２０内に適宜供給される。
【００２０】
(2)次に、ノズル２６にＩＰＡの有機溶剤ミストを供給する経路は、ＩＰＡを貯留するＩＰＡタンク４５、このＩＰＡタンク４５、ポンプ４６、フィルタ４７、弁４８とでＩＰＡを循環する回路が構成される。そして、弁４９が開状態で弁４８が閉状態の場合には、ＩＰＡは循環されず、ＩＰＡタンク４５から供給される常温のＩＰＡがフィルタ４７，５１を通してノズル２６に供給される。そして、同時に、ノズル２６には、フィルタ５２を介して常温の窒素ガス（Ｎ２）が供給されるようになっている。したがって、ノズル２６からは、ＩＰＡの有機溶剤ミストが放射される。なお、弁４９が閉状態で、弁４８が開状態の場合には、ＩＰＡタンク４５にＩＰＡが循環されるようになっており、また、弁４８，弁４９の開閉制御は、図示せぬ制御手段により制御されるようになっている。
【００２１】
また、ＩＰＡタンク４５には、ＩＰＡ供給路から常時必要な量のＩＰＡが供給されると共に、窒素ガス（Ｎ２）が供給される。この窒素ガス（Ｎ２）は、安全性を担保するためのものである。
【００２２】
(3)また、純水槽２０から排水する経路は、(a)オーバーフロー用の排水弁２２ｂ、(b)排水用の排水弁２２ａ、ポンプ５３の経路（ＤＲＡＩＮ）と、(c)排気経路（ＥＸＨ）とからなる。なお、液供給弁２１及び排水弁２２ａを液供給排出手段と称する。
【００２３】
しかして、本発明による乾燥方法及び乾燥装置は、次のような点に特徴を有するものである。すなわち、純水（ＤＩＷ）によるリンス処理工程終了後の乾燥工程において、 純水（ＤＩＷ）に代えて、還元性を示す水素添加純水を用いてリンス処理するものである。すなわち、シリコンウエハなどの基板を乾燥する際に気層空間や純水中に極微量含まれる酸素によって基板表面が酸化されてウォーターマークや自然酸化膜が生成されるが、水素ガスを純水中に飽和近くまで溶解させてあるため、水素添加純水は還元性を示し、その結果、酸化の抑制作用を有する。
【００２４】
つまり、純水中に含まれる溶存酸素がウォーターマークや自然酸化膜の生成原因である場合（シリコンウエハが純水中に浸漬している場合）、水素添加純水は還元性を示して基板表面の酸化を抑制する。特に、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）等のエッチング液の処理後のリンス・乾燥工程に用いると、水素添加純水自信は還元性を示してシリコンウエハの基板表面の酸化抑制作用があると同時に、水素添加純水中に水素原子を通常の純水と比較して非常に多く持っており、シリコンウエハの基板表面が水素でターミネート、すなわちＳｉＨの形態となり、水素終端と呼ばれる安定な表面状態を形成することが可能となる。
【００２５】
また、シリコンウエハが気層空間に露出している場合、気層、液層、基板表面の３つの界面が共存する場所の気層側近傍には、極微量の水素添加純水の極小水滴又は極薄い水膜として基板表面に存在するが、この水滴や水膜には水素が飽和近くまで溶存されているため、気層空間中に極わずか存在する酸素分子はこの中にはとけ込めない。また、水素ガスを含んだ水滴や水膜が蒸発する際には基板表面には還元性のある水素ガス分子と水分子で基板表面近傍を覆うので、酸素原子はシリコンウエハ表面を直接アタックすることが出来ない。その結果、基板表面の局部的酸化が防止できる。したがって、基板表面にウォーターマークや自然酸化膜成長抑制が可能で半導体デバイスのコンタクト抵抗に代表される特性の向上を図ることができる。
【００２６】
また、基板表面や水素添加純水から揮発してくる水素ガス濃度は、水素添加純水に含まれる溶存水素ガス濃度も数ＰＰＭ以下と非常に薄いので気層空間に充満しているＮ２やアルゴン等に代表される不活性ガス又はＩＰＡなどの親水性ガスとＮ２やアルゴン等に代表される不活性ガスの混合ガス中には、極微量の水素しか混合しないので、安全性にも全く影響を及ぼさない。
【００２７】
以上のような構成からなる本発明による実施の形態である洗浄物の乾燥装置を用いた乾燥方法について以下に説明する。
【００２８】
まず、図１に示す乾燥装置１０を始動する前に乾燥のための準備を行う。すなわち、有機溶剤（ＩＰＡ）がＩＰＡ供給路からＩＰＡタンク４５内に所定量供給される。次に、純水槽２０の蓋２７を開けて洗浄若しくはすすぎ（リンス）が完了したウエハなどの洗浄物５０を図示せぬ搬送手段により支持台２８に収納して載置支持させる。なお、蓋２７は、洗浄物５０が純水槽２０内にロード若しくはアンロードされるときには、自動若しくは手動により開閉可能な構成である。
【００２９】
次に、本発明による乾燥方法について、図２乃至図４を参照して説明する。図２は、本発明による乾燥方法の工程を示すフローチャート、図３（ａ）乃至（ｅ）は、ＤＨＦ洗浄の工程を示す図、図４（ｆ）乃至（ｊ）は、本発明による乾燥方法の乾燥工程を説明する図である。
【００３０】
図２及び図３（ａ）に示すように、図１に示す純水槽２０内に洗浄物である半導体ウエハ等の洗浄物５０を搬送して支持台２８上に収納載置する（ステップＳ１）。
【００３１】
次に、洗浄処理工程（ステップＳ２）は、図３（ｂ）に示すように、液供給排出手段としての液供給弁２１から予め調合されたＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）を純水槽２０内に十分な量を供給して洗浄処理する。この場合の純水槽２０は、薬液槽としての作用をなす槽となっているが、純水槽としての呼称を使用している。したがって、単に槽とも称する。
【００３２】
槽としての純水槽２０内へのＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）の供給が完了すると、図３（ｃ）に示すように、ウエハなどの洗浄物５０がＤＨＦに浸漬されてエッチング処理が行われる。この浸漬処理、すなわち洗浄処理は、例えば一定時間行われる。なお、本実施の形態では、ＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）によるエッチング処理を洗浄処理の名称で説明している。
【００３３】
図３（ｃ）のエッチング処理が完了すると、図３（ｄ）に示すように、液供給排出手段としての液供給弁２１から常温の純水（ＤＩＷ）を一定量以上の量まで供給してオーバーフローさせ、純水槽２０内のＤＨＦを徐々に純水（ＤＩＷ）に置換してリンスする（図２に示すステップＳ３）。
【００３４】
以上のように、図３（ａ）乃至（ｄ）に示す洗浄処理工程及びすすぎ水（常温）供給によるリンス処理工程が完了する。
【００３５】
更に、本発明による実施の形態による乾燥方法及び乾燥装置は、図３（ｄ）で示す純水（ＤＩＷ）によるリンス処理工程終了後の乾燥工程において、図３（ｅ）に示すように、 純水（ＤＩＷ）に代えて、還元性を示す水素添加純水を用いるものである（ステップＳ４）。すなわち、シリコンウエハなどの基板を乾燥する際に気層空間や純水中に極微量含まれる酸素によって基板表面が酸化されてウォーターマークや自然酸化膜が生成されるが、水素ガスを純水中に飽和近くまで溶解させてあるため、水素添加純水は還元性を示し、その結果、酸化の抑制作用を有する。つまり、純水中に含まれる溶存酸素がウォーターマークや自然酸化膜の生成原因である場合（シリコンウエハが純水中に浸漬している場合）、水素添加純水は還元性を示して基板表面の酸化を抑制する。特に、図３（ｃ）で示すＤＨＦ（ＨＦ／Ｈ2Ｏ）（希釈フッ酸）等のエッチング液の処理後のリンス・乾燥工程に用いると、水素添加純水自信は還元性を示してシリコンウエハの基板表面の酸化抑制作用があると同時に、水素添加純水中に水素原子を通常の純水と比較して非常に多く持っており、シリコンウエハの基板表面が水素でターミネート、すなわちＳｉＨの形態となり、水素終端と呼ばれる安定な表面状態を形成することが可能となる。
【００３６】
次に、図２及び図４（ｆ）に示すように、弁４９を開けてＩＰＡタンク４５から常温の有機溶剤（ＩＰＡ）がノズル２６に供給されて有機溶剤ミストが純水槽２０内に供給されると同時にフィルタ５２を介して常温の窒素ガス（Ｎ２）もノズル２６に供給される。常温の有機溶剤（ＩＰＡ）と常温の窒素ガス（Ｎ２）によってノズル２６から有機溶剤ミストが形成される。それによって、有機溶剤ミストの雰囲気が形成されて、純水（ＤＩＷ）の液面に有機溶剤ミストで生成される層、すなわち、ＩＰＡ層の液膜が形成される（ステップＳ５）。
【００３７】
次に、図２及び図４（ｇ）に示すように、有機溶剤ミストの雰囲気下にある純水槽２０内への有機溶剤ミストの供給を停止（図２のステップＳ６のＡ１）すると同時にヒータ４１を作動させず、温調器４２、弁４３、フィルタ４４から供給される常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）を窒素ガス供給口２４から純水槽２０内に供給して純水（ＤＩＷ）の液面上に十分な厚さのＩＰＡ層を形成すると共に窒素ガス（Ｎ２）の雰囲気を形成する（図２のステップＳ６のＡ２）。そして、排気弁２５を作動して常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）雰囲気にする。この排気弁２５による排気は、ステップＳ８の工程が終了するまで行われている。
【００３８】
なお、本発明による実施の形態によれば、有機溶剤ミストの発生は、スプレー式によるものであるが、これに限らず、超音波を発生して生成するものや超音波シャワー式の装置などを用いて噴霧して生成するものであってもよい。また、本実施の形態による有機溶剤ミストのミスト粒径は、１００μｍ以下のものがよく、また、有機溶剤ミストの供給の停止と窒素ガス（Ｎ２）の供給は、同時制御ではなく、有機溶剤ミストの供給の停止の後、一定時間おいてから窒素ガス（Ｎ２）の供給を行うようにしてもよい。
【００３９】
次に、図２及び図４（ｈ）に示すように、液供給排出手段としての排水弁２２ａ及びポンプ５３を作動して純水槽２０内の純水（ＤＩＷ）をハイスピードで排出すると同時に窒素ガス（Ｎ２）の供給をし続けて純水（ＤＩＷ）の液面上に形成されたＩＰＡ層の液膜を均一に保持しながら純水（ＤＩＷ）を排出する（図２に示すステップＳ７）。なお、本実施の形態によれば、ポンプ５３を制御することによって図示せぬコントローラ側でハイ(high)スピード及びロウ(low)スピードの切り替えができるようになっている。
【００４０】
また、図２に示すステップＳ７によるハイスピード排水が所定時間行われて図４（ｉ）に示すような状態となると、液面センサ２９が液面を検知してロースピードの排水工程に切り替わり、完全に排出する。なお、これらの排水工程中も窒素ガス供給口２４から常温の不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）が供給されることによって純水槽２０内を不活性ガス雰囲気に保ち、ウエハ、例えばシリコン（Ｓｉ）表面の再酸化の防止を図ることが可能である。
【００４１】
次に、図２及び図４（ｊ）に示すように、ヒータ４１を作動させて窒素ガス供給口２４から加温された不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）を純水槽２０内に供給してウエハの表面上の有機溶剤（ＩＰＡ）を急速に気化させて乾燥する（図２に示すステップＳ８）。以上のような工程が完了すると、図１に示す純水槽２０内の洗浄物である半導体ウエハ等の洗浄物５０が支持台２８上から搬出される（ステップＳ９）。
【００４２】
以上のように、本発明による乾燥装置を備えた洗浄乾燥装置の実施の形態によれば、純水槽２０で構成された１槽式の洗浄乾燥装置である。このような構成からなる１槽式の洗浄乾燥装置は、省スペース化を図ることができる。
【００４３】
また、本発明による乾燥装置を備えた洗浄乾燥装置は、キャリアガスとしての窒素ガス（Ｎ２）と純水（ＤＩＷ）との間に十分な厚さのＩＰＡ層が形成されるから、純水（ＤＩＷ）が排水される状態であってもＩＰＡ層による液膜が形成されるためマランゴニ力が発生せず、パーティクルの転写がおきないという効果を有する。
【００４４】
また、本発明による乾燥方法では、不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）は、常温のガスを使用する（図２のステップＳ６）。常温の雰囲気を維持するためである。しかして、有機溶剤（ＩＰＡ）を気化させて乾燥する不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）は、加温したものを使用する（図２のステップＳ８）。急速な乾燥を行うことができるからである。この加温する温度は、実験例によれば２０℃〜１００℃の範囲がよい。しかし、加温せずに常温のものも洗浄物によって使用してもよい。また、不活性ガスとして窒素ガス（Ｎ２）を用いているが、その他のガスとしては、アルゴンガスを用いてもよい。また、本発明によれば、酸化膜及びパターン付きウエハからのパーティクルの付着を抑制し、かつシリコン（Ｓｉ）表面の再酸化を防止することが可能である。
【００４５】
また、本発明による乾燥装置を備えた洗浄乾燥装置は、１槽式に限らず、２槽式、３槽式の洗浄乾燥装置としても構成することが可能である。
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、純水（ＤＩＷ）によるリンス処理工程終了後の乾燥工程において、 純水（ＤＩＷ）に代えて、還元性を示す水素添加純水を用いるものであるから酸化の抑制作用を有する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による実施の形態である乾燥装置の一部断面を含む図である。
【図２】本発明による乾燥方法の工程を示すフローチャートである。
【図３】（ａ）乃至（ｅ）は、ＤＨＦ洗浄の工程を示す図である。
【図４】（ｆ）乃至（ｊ）は、本発明による乾燥方法の乾燥工程を説明する図である。
【図５】従来の乾燥装置を示す図である。
【符号の説明】
１０    乾燥装置
２０    純水槽
２１    液供給弁
２２ａ，２２ｂ    排水弁
２３    気相部
２４    窒素ガス供給口
２５    排気弁
２６    ノズル
２７    開閉蓋
２８    支持台
２９    液面センサ
３０    給排システム
４１    ヒータ
４２    温調器
４３    弁
４４    フィルタ
４５    ＩＰＡタンク
４６    ポンプ
４７    フィルタ
４８，４９  弁
５０    洗浄物
５１，５２  フィルタ
５３    ポンプ
【図１】
0003980296.tif 000002
【図２】
0003980296.tif 000003
【図３】
0003980296.tif 000004
【図４】
0003980296.tif 000005
【図５】
0003980296.tif 000006