(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを保持しているリードフレーム又は基板における前記半導体チップの保持領域を封止樹脂材により一体に封止する樹脂封止手段を備え、
前記樹脂封止手段は、前記リードフレーム又は基板を介して互いに対向するように配置され、前記リードフレーム又は基板を保持する第１の保持部材及び第２の保持部材からなり、
前記第１の保持部材及び第２の保持部材の少なくとも一方は、前記保持領域と対向するように設けられ前記封止樹脂材を収納可能な収納凹部を有し、
前記収納凹部の底面上には、前記封止樹脂材の厚さを規制する樹脂厚規制部材が着脱可能に設けられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項２】
前記樹脂厚規制部材は一の板状部材からなることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項３】
前記樹脂厚規制部材は複数の板状部材が分離可能に積層されてなる積層体であることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記リードフレーム又は基板は、複数の前記半導体チップを保持しており、
前記収納凹部及び樹脂厚規制部材は前記半導体チップごとに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項５】
前記リードフレーム又は基板は、複数の前記半導体チップを保持しており、
前記収納凹部は複数の前記半導体チップを収納可能に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置。
【請求項６】
半導体チップをリードフレーム又は基板の所定領域に保持するダイボンディング工程と、
封止樹脂材を収納可能な収納凹部を有する樹脂封止金型に、前記リードフレーム又は基板を前記半導体チップが前記収納凹部と対向するように保持した後、前記収納凹部に封止樹脂材を注入し、注入された封止樹脂材により前記半導体チップの封止を行なう樹脂封止工程とを備え、
前記樹脂封止工程は、前記収納凹部の底面上に、注入される封止樹脂材の厚さを規制するように着脱可能に設けられた樹脂厚規制部材を用いて樹脂封止を行なう工程を備えていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂封止工程よりも後に、
前記半導体チップを封止している封止樹脂材を硬化させた後、前記樹脂厚規制部材を前記収納凹部の開口部方向に移動させることにより、硬化した封止樹脂材を前記収納凹部から取り出す工程をさらに備えていることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂封止工程よりも後に、
前記半導体チップを封止している封止樹脂材を硬化させた後、硬化した封止樹脂材から露出する前記リードフレーム又は基板の不要部分に対して前記収納凹部の開口部方向に圧力を加え、硬化した封止樹脂材を前記収納凹部の開口部方向に移動させることにより、硬化した封止樹脂材を前記収納凹部から取り出す工程をさらに備えていることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記樹脂封止工程よりも後に、
前記半導体チップを封止している封止樹脂材を硬化させた後、硬化した封止樹脂材の不要部分に対して前記収納凹部の開口部方向に圧力を加え、硬化した封止樹脂材を前記収納凹部の開口部方向に移動させることにより、硬化した封止樹脂材を前記収納凹部から取り出す工程をさらに備えていることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記樹脂封止工程よりも後に、
前記半導体チップを封止している封止樹脂材を硬化させた後、硬化した封止樹脂材の不要部分を除去することにより、硬化した封止樹脂材の形状を整える成形工程をさらに備えていることを特徴とする請求項６に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記成形工程は、前記封止樹脂材の必要部分と不要部分との境界部をダイシングソーを用いて切断する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記成形工程は、前記封止樹脂材の必要部分と不要部分との境界部を金型パンチを用いて切断する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は、半導体チップを保持しているリードフレーム又は基板を封止樹脂材を用いて封止することにより樹脂封止型半導体装置を製造する樹脂封止型半導体装置の製造装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化に対応するために半導体部品の高密度実装がますます要求されてきており、これに伴って半導体装置の小型化及び薄型化が進展している。
【０００３】
以下、半導体チップをモールド樹脂材により気密に封止する従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【０００４】
図１０（ａ）〜（ｃ）及び図１１（ａ）〜（ｃ）は従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、図１０（ａ）〜（ｃ）はダイボンディング工程及びワイヤボンディング工程における半導体装置の断面構成を示し、図１１（ａ）〜（ｃ）は樹脂封止工程及び外部電極形成工程における半導体装置の断面構成を示している。
【０００５】
まず、図１０（ａ）に示すように、インナーリード部１０１ａとダイパッド部１０１ｂとを有するリードフレーム１０１を用意する。ここで、ダイパッド部１０１ｂは図示されない吊りリードで保持され、さらに、吊りリードにはディプレス部が設けられ、該ディプレス部により、ダイパッド部１０１ｂはインナーリード部１０１ａの上面よりも上方にアップセットされている。
【０００６】
次に、図１０（ｂ）のダイボンディング工程に示すように、リードフレーム１０１のダイパッド部１０１ｂと半導体チップ１０２とを接着材等を用いて接合する。
【０００７】
次に、図１０（ｃ）のワイヤボンディング工程に示すように、リードフレーム１０１におけるインナーリード部１０１ａと、ダイパッド部１０１ｂと接合された半導体チップ１０２とを金属細線１０３を用いて電気的に接続する。
【０００８】
次に、図１１（ａ）に示すような、半導体装置の製造装置における封止金型１３１にワイヤボンディングを施されたリードフレーム１０１及び半導体チップ１０２を保持する。
【０００９】
製造装置の封止金型１３１は、リードフレーム１０１におけるダイパッド部１０１ｂの底面側の樹脂材の形状を決定する上金型１３１ａと、リードフレーム１０１における半導体チップ１０２の上面側の樹脂材の形状を決定する複数のキャビティ１３１ｃが設けられた下金型１３１ｂとからなる。
【００１０】
封止金型１３１には、下金型１３１ｂの下方に設けられた上部エジェクタプレート１３２ａ及び下部エジェクタプレート１３２ｂからなるエジェクタプレート１３２と、下金型１３１ｂを上下方向に貫通すると共に、一方の端部がキャビティ１３１ｃの底面から露出し、他方の端部が上部エジェクタプレート１３２ａに固持され、側面が下金型１３１ｂと接しながら上下動する複数のエジェクタピン１３３と、下部エジェクタプレート１３２ｂの底面と接続され、エジェクタプレート１３２及びエジェクタピン１３３とをキャビティ１３１ｃの開口方向に移動させるエジェクタロッド１３４とが設けられている。
【００１１】
互いに隣接するキャビティ１３１ｃ同士の間には、ランナー１３１ｄが設けられ、該ランナー１３１ｄは各キャビティ１３１ｃごとに設けられた樹脂材の注入口であるゲート１３１ｅと接続されている。
【００１２】
溶融された樹脂材をランナー１３１ｄ及び各ゲート１３１ｅを通して各キャビティ１３１ｃに注入し、注入された樹脂材によってリードフレーム１０１のインナーリード部１０１ａ、ダイパッド部１０１ｂ及び半導体チップ１０２を一体に封止した後、所定の加熱処理を行なって樹脂材を硬化させる。
【００１３】
次に、下金型１３１ｂと上金型１３１ａとを分離した後、エジェクタロッド１３４を上方に移動させることにより、エジェクタロッド１３４と接続されたエジェクタプレート１３２及びエジェクタピン１３３を介して硬化した樹脂材からなる成形品を突き出す。
【００１４】
通常、エジェクタピン１３３は、一成形品当たり１本〜５本程度が設けられるが、このエジェクタピン１３３の本数とその配置位置とは、成形品の大きさ、特に、成形品内部の半導体チップ１０２に加わる突き出し時の応力が極力小さくするように決められる。
【００１５】
次に、図１１（ｂ）に示すように、封止樹脂部１０４におけるランナー１３１ｄの部分及びゲート１３１ｅの部分を切断する。ここでは、図面を簡単にするために複数の成形品のうちの１つのみを図示しているが、通常は、リードフレーム１０１は短冊状であり、複数の成形品が完成する。
【００１６】
次に、図１１（ｃ）に示すように、リードフレーム１０１のインナーリード部１０１ａにおける、封止樹脂部１０４から突出する突出部分を切断して除去することにより、インナーリード部１０１ａの端面と封止樹脂部１０４の側面とをほぼ同一面となるようにする。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の樹脂封止型半導体装置の製造装置及び製造方法は、図１１（ａ）に示すキャビティ１３１ｃの深さＡにより決定される封止樹脂部１０４の厚さが、例えば、ＱＦＰやＴＱＦＰのようにその形状が変わると、封止樹脂部１０４の厚さに対応した封止金型１３１を新たに作製しなければならず、封止金型１３１の作製に多大な時間やコストを要する。その結果、樹脂封止型半導体装置の封止樹脂部１０４の厚さを変更することは、量産までに多大な工数が必要となるという第１の問題がある。さらには、封止樹脂部１０４の厚さごとに封止金型１３１を揃えることは、該封止金型１３１の維持管理にも工数や管理スペースを必要とする。
【００１８】
また、樹脂封止された成形品は封止金型１３１に設けられたエジェクタピン１３３により突き出されるが、前述したように一成形品当たり１本〜５本のエジェクタピン１３３を用いているため、成形品のエジェクタピン１３３と接する部分に突き出し時の応力が集中するという第２の問題がある。このため、最悪の場合には、成形品内部の半導体チップに形成されている半導体素子が突き出し時の応力により破壊される事態も起こり得る。さらに、通常のエジェクタピン１３３は、キャビティ１３１ｃの底面から０.１ｍｍ〜０.２ｍｍ程度の高さに突き出しているため、樹脂封止を行なう際に、キャビティ１３１ｃにおけるエジェクタピン１３３の突出部によって、注入される樹脂材の流通が妨げられて流動抵抗となり、流動バランスも崩れやすくなる。また、成形後も、成形品にエジェクタピンの痕跡が残り、封止樹脂部１０４の表面における品番や密番をマークする領域が限定され、マーキングの自由度が小さくなる。
【００１９】
本発明は、前記従来の問題に鑑み、樹脂封止型半導体装置の樹脂封止部の厚さ、面状態又は面形状等の設計変更を行なう際に、設計変更に対して容易に且つ迅速に対応できるようにすることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するため、本発明は、樹脂封止金型に設けられる封止樹脂材の形状を決定する収納凹部（キャビティ）の底面上に樹脂厚規制部材を着脱可能に設ける構成とする。
【００２１】
具体的に、本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置は、半導体チップを保持しているリードフレーム又は基板における半導体チップの保持領域を封止樹脂材により一体に封止する樹脂封止手段を備え、樹脂封止手段は、リードフレーム又は基板を介して互いに対向するように配置され、リードフレーム又は基板を保持する第１の保持部材及び第２の保持部材からなり、第１の保持部材及び第２の保持部材の少なくとも一方は、保持領域と対向するように設けられ封止樹脂材を収納可能な収納凹部を有し、収納凹部の底面上には、封止樹脂材の厚さを規制する樹脂厚規制部材が着脱可能に設けられている。
【００２２】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置によると、互いに対向してリードフレーム又は基板を保持する第１の保持部材及び第２の保持部材の少なくとも一方が、リードフレーム又は基板の半導体チップ保持領域と対向するように設けられ、封止樹脂材を収納可能な収納凹部を有しており、該収納凹部の底面上には、封止樹脂材の厚さを規制する樹脂厚規制部材が着脱可能に設けられているため、封止樹脂材の厚さが変更された場合であっても、変更された封止樹脂材の厚さが得られるような樹脂厚規制部材を収納凹部に装着するだけで設計変更に容易に対処できる。
【００２３】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、樹脂厚規制部材が一の板状部材からなることが好ましい。このようにすると、あらかじめ、それぞれ厚さが異なる複数の樹脂厚規制部材を用意しておけば、一の樹脂厚規制部材を交換するだけで確実に且つ迅速に設計変更に対処できる。さらに、樹脂厚規制部材の収納凹部の底面と反対側の面は封止樹脂材と直接接触するため、封止樹脂材と接触する面の面状態又は面形状がそれぞれ異なる樹脂厚規制部材を複数個用意すれば、封止樹脂材の表面の面状態又は面形状をも容易に変更できる。
【００２４】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、樹脂厚規制部材は複数の板状部材が分離可能に積層されてなる積層体であることが好ましい。このようにすると、封止樹脂材の厚さが変更された場合であっても、変更された封止樹脂材の厚さが得られるように樹脂厚規制部材の厚さ又は枚数を変えるだけで設計変更に対処できる。さらに、複数の板状部材のうち封止樹脂材と直接接触しない板状部材を着脱することによって樹脂厚規制部材の厚さを変更すると、封止樹脂材と直接接触する板状部材は常に同一の部材となるため、厚さを変更しても封止樹脂材の表面の面状態又は面形状は変更されないので、封止樹脂材の面状態又は面形状を常に同一の状態に維持できる。
【００２５】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、リードフレーム又は基板が複数の半導体チップを保持しており、収納凹部及び樹脂厚規制部材が半導体チップごとに設けられていることが好ましい。
【００２６】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、リードフレーム又は基板が複数の半導体チップを保持しており、収納凹部が複数の半導体チップを収納可能に設けられていることが好ましい。
【００２７】
本発明に係る第１の脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体チップをリードフレーム又は基板の所定領域に保持するダイボンディング工程と、封止樹脂材を収納可能な収納凹部を有する樹脂封止金型に、リードフレーム又は基板を半導体チップが収納凹部と対向するように保持した後、収納凹部に封止樹脂材を注入し、注入された封止樹脂材により半導体チップの封止を行なう樹脂封止工程とを備え、樹脂封止工程は、収納凹部の底面上に、注入される封止樹脂材の厚さを規制するように着脱可能に設けられた樹脂厚規制部材を用いて樹脂封止を行なう工程を備えている。
【００２８】
第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、樹脂封止工程が、樹脂封止金型の収納凹部の底面上に、注入された封止樹脂材の厚さを規制するように着脱可能に設けられた樹脂厚規制部材を用いて樹脂封止を行なう工程を備えているため、封止樹脂材の厚さを変更する場合であっても、変更した封止樹脂材の厚さが得られる樹脂厚規制部材を用いることにより、設計変更に容易に対処できる。
【００２９】
第１の脂封止型半導体装置の製造方法において、樹脂封止工程が、樹脂厚規制部材における、注入される封止樹脂材と接する面の面状態を規制する工程を含むことが好ましい。このようにすると、樹脂厚規制部材を収納凹部の底面に着脱可能に設けているため、設計変更や機種の変更を行なう場合であっても、封止樹脂材の面状態を容易に変更できる。
【００３０】
第１の脂封止型半導体装置の製造方法において、樹脂封止工程が、樹脂厚規制部材における、注入される封止樹脂材と接する面の面形状を規制する工程を含むことが好ましい。このようにすると、樹脂厚規制部材を収納凹部の底面に着脱可能に設けているため、設計変更や機種の変更を行なう場合であっても、封止樹脂材の面形状を容易に変更できる。
【００３１】
第１の脂封止型半導体装置の製造方法が、樹脂封止工程よりも後に、半導体チップを封止している封止樹脂材を硬化させた後、硬化した樹脂厚規制部材を収納凹部の開口部方向に移動させることにより、硬化した封止樹脂材を収納凹部から取り出す工程をさらに備えていることが好ましい。このようにすると、硬化した封止樹脂材を樹脂封止金型から取り出す（離型）する際に、樹脂厚規制部材を収納凹部の開口部方向に移動させるため、硬化した樹脂材が樹脂厚規制部材と面接触しているので、樹脂材に対して部分的な応力が加わらなくなる。また、エジェクタピンを用いることなく離型できるため、封止樹脂材の表面にピンの跡が残らない。
【００３２】
第１の脂封止型半導体装置の製造方法が、樹脂封止工程よりも後に、半導体チップを封止している封止樹脂材を硬化させた後、硬化した封止樹脂材から露出するリードフレーム又は基板の不要部分に対して収納凹部の開口部方向に圧力を加え、硬化した封止樹脂材を収納凹部の開口部方向に移動させることにより、硬化した封止樹脂材を収納凹部から取り出す工程をさらに備えていることが好ましい。このようにすると、硬化した封止樹脂材を樹脂封止金型から取り出す際に、硬化した封止樹脂材から露出するリードフレーム又は基板の不要部分に対して圧力を加えるため、封止樹脂材に封止された半導体チップの近傍に応力が加わらなくなる。また、リードフレーム又は基板の不要部分を除去すれば、該樹脂材の表面にピンの跡が残らない。
【００３３】
第１の脂封止型半導体装置の製造方法が、樹脂封止工程よりも後に、半導体チップを封止している封止樹脂材を硬化させた後、硬化した封止樹脂材の不要部分に対して収納凹部の開口部方向に圧力を加え、硬化した封止樹脂材を収納凹部の開口部方向に移動させることにより、硬化した封止樹脂材を収納凹部から取り出す工程をさらに備えていることが好ましい。このようにすると、硬化した封止樹脂材を樹脂封止金型から取り出す際に、硬化した封止樹脂材の不要部分に対して圧力を加えるため、封止樹脂材に封止された半導体チップの近傍に応力が加わらなくなる。また、樹脂封止材の圧力が印加される部分を除去すれば、該樹脂材の表面にピンの跡が残らない。
【００３４】
第１の脂封止型半導体装置の製造方法が、樹脂封止工程よりも後に、半導体チップを封止している封止樹脂材を硬化させた後、硬化した封止樹脂材の不要部分を除去することにより、硬化した封止樹脂材の形状を整える成形工程をさらに備えていることが好ましい。このようにすると、厚さ又は形状が異なる多様な樹脂厚規制部材を用いて樹脂封止を行なう際に、封止金型における収納凹部の底面の隅部に隙間が生じ、この隅部の隙間に溶融状態の封止樹脂材が充填された結果、硬化した樹脂材の周縁部にバリが生じるおそれがある。しかしながら、硬化した封止樹脂材の不要部分を切断して整形するため、多様な形状の樹脂厚規制部材を用いても半導体装置本体にはなんら不具合が生じない。
【００３５】
この場合に、成形工程が封止樹脂材の必要部分と不要部分との境界部をダイシングソーを用いて切断する工程を含むことが好ましい。
【００３６】
または、成形工程が封止樹脂材の必要部分と不要部分とを金型パンチを用いて切断する工程を含むことが好ましい。
【００３７】
本発明に係る第２の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体チップをリードフレーム又は基板の所定領域に保持するダイボンディング工程と、封止樹脂材を収納可能な収納凹部を有する樹脂封止金型に、リードフレーム又は基板を半導体チップが収納凹部と対向するように保持した後、収納凹部に封止樹脂材を注入し、注入された封止樹脂材により半導体チップの封止を行なう樹脂封止工程と、半導体チップを封止している封止樹脂材を硬化させた後、硬化した封止樹脂材から露出するリードフレーム又は基板の不要部分に対して収納凹部の開口部方向に圧力を加え、硬化した封止樹脂材を収納凹部の開口部方向に移動させることにより、硬化した封止樹脂材を収納凹部から取り出す工程とを備えている。
【００３８】
本発明に係る第３の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、半導体チップをリードフレーム又は基板の所定領域に保持するダイボンディング工程と、封止樹脂材を収納可能な収納凹部を有する樹脂封止金型に、リードフレーム又は基板を半導体チップが収納凹部と対向するように保持した後、収納凹部に封止樹脂材を注入し、注入された封止樹脂材により半導体チップの封止を行なう樹脂封止工程と、半導体チップを封止している封止樹脂材を硬化させた後、硬化した封止樹脂材の不要部分に対して収納凹部の開口部方向に圧力を加え、硬化した封止樹脂材を収納凹部の開口部方向に移動させることにより、硬化した封止樹脂材を収納凹部から取り出す工程とを備えている。
【００３９】
【発明の実施の形態】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４０】
図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型であって、図１（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ異なる厚さの樹脂厚規制部材が設けられた状態の断面構成を示している。
【００４１】
図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止手段封としての封止金型３１は、リードフレーム１１におけるダイパッド部１１ｂの底面側の樹脂材の形状を決定する第１の保持部材としての上金型３１ａと、リードフレーム１１における半導体チップ１２の上面側の樹脂材の形状を決定する収納凹部である複数のキャビティ３１ｃが設けられた第２の保持部材としての下金型３１ｂと、下金型３１ｂのキャビティ３１ｃの底面と密着し且つ着脱可能に設けられた樹脂厚規制部材としての着脱ブロック３２Ａとから構成されている。
【００４２】
封止金型３１には、下金型３１ｂの下方に設けられた上部エジェクタプレート３３ａ及び下部エジェクタプレート３３ｂからなるエジェクタプレート３３と、下金型３１ｂを上下方向に貫通すると共に、一方の端部が着脱ブロック３２Ａの底部と接続され、他方の端部が上部エジェクタプレート３３に固持され、側面が下金型３１ｂと接しながら上下動する複数のブロックエジェクタ３４Ａと、下金型３１ｂの底部を貫通すると共に、一方の端部がランナー３１ｄの底部に位置し、他方の端部が上部エジェクタプレート３３に固持され、下金型３１ｂと接しながら上下動するエジェクタピン３４Ｂと、下部エジェクタプレート３３ｂの底面と接続され、エジェクタプレート３３、ブロックエジェクタ３４Ａ及びエジェクタピン３４Ｂをキャビティ３１ｃの開口方向に移動させるエジェクタロッド３５とが設けられている。
【００４３】
互いに隣接するキャビティ３１ｃ同士の間には、溶融した樹脂材を収納するポット（図示せず）と接続されたランナー３１ｄが設けられ、該ランナー３１ｄは各キャビティ３１ｃごとに設けられた樹脂材の注入口であるゲート３１ｅと接続されている。
【００４４】
図１（ａ）の樹脂封止工程に示すように、複数のインナーリード部１１ａと複数のダイパッド部１１ｂとを有数するリードフレーム１１における各ダイパッド部１１ｂと接合された複数の半導体チップ１２と各インナーリード部１１ａとが、金属細線１３によりそれぞれ電気的に接続されている。このようなダイボンディング後の状態のリードフレーム１１が、上金型３１ａと下金型３１ｂとの間で且つダイバッド部１１ｂがキャビティ３１ｃに含まれるように保持されている。
【００４５】
図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す着脱ブロック３２Ａの厚さＢ１よりも大きい厚さＢ２を有する着脱ブロック３２Ｂを用いる場合を示し、図１（ｃ）は、着脱ブロック３２Ａの厚さＢ１よりも小さい厚さＢ３を有する着脱ブロック３２Ｃを用いる場合を示している。ここで、図１（ｂ）及び図１（ｃ）において、図１（ａ）に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００４６】
このように、本実施形態によると、リードフレーム１１及び半導体チップ１２を樹脂封止する際に、封止樹脂材における半導体チップ１２側の領域の形状を決定するキャビティ３１ｃの深さを、該キャビティ３１ｃの底面と密着し且つ着脱可能に設けられた着脱ブロック３２Ａ、３２Ｂ又は３２Ｃ等により、任意に変更できる。
【００４７】
例えば、図１（ｂ）に示す着脱ブロック３２Ｂの厚さＢ２は、図１（ａ）に示す着脱ブロック３２Ａの厚さＢ１よりも大きいため、図１（ｂ）に示すキャビティ３１ｃの実質的な深さＡ２は、図１（ａ）に示すキャビティ３１ｃの実質的な深さＡ１よりも小さくなり、逆に、図１（ｃ）に示すキャビティ３１ｃの実質的な深さＡ３は、図１に示すキャビティ３１ｃの実質的な深さＡ１よりも大きくなる。従って、封止樹脂材の厚さを変更するような設計変更に対して、膜厚が異なる複数の着脱ブロック３２Ａ、３２Ｂ又は３２Ｃ等を用意するだけで、新たな封止金型３１を作製する必要がなくなる。これにより、樹脂封止型半導体装置の性能と品質とを従来並みに維持しながら、設計変更に対して容易に且つ迅速に対応できるようなるため、設計変更に伴って封止金型３１を更新する際の時間及びコストを大幅に削減できるので、半導体装置の製造コストを下げることができる。
【００４８】
なお、本実施形態においては、キャビティ３１ｃを下金型３１ｂにのみ設けた片面封止について説明したが、上金型３１ａにもキャビティを設けると、ＱＦＰのような両面封止にも対応できることはいうまでもない。
【００４９】
図２は本実施形態に係る封止金型３１のキャビティ３１ｃに封止樹脂材を注入し、封止樹脂材が硬化してなる成形品２１Ａをキャビティ３１ｃから取り出す離型工程を示している。図２に示す符号１４は半導体装置における、硬化した封止樹脂材からなる封止樹脂部１４である。なお、図２において、図１（ａ）に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００５０】
図２に示すように、まず、封止金型３１の上金型３１を下金型３１ｂから取り外し、その後、エジェクタロッド３５をキャビティ３１ｃの開口方向に移動させることにより、着脱ブロック３２Ａがブロックエジェクタ３４Ａを介してキャビティ３１ｃの開口方向に突き出され、その結果、成形品２１Ａがキャビティ３１ｃから取り出される。
【００５１】
このように、離型時に成形品２１Ａ本体を突き出すエジェクタピンを用いないため、従来のような、成形品２１Ａ本体におけるエジェクタピンが接する領域に離型時の圧力が働かなくなる。このため、封止樹脂部１４内部の半導体チップ１２に形成されている半導体素子に応力が印加されなくなるので、該半導体素子に対する損傷を防止できる。
【００５２】
なお、本実施形態においては、図１（ａ）に示すように、ランナー３１ｄを突き出すためのエジェクタピン３４Ｂをエジェクタプレート３３に設けているが、成形品２１Ａにおける半導体チップ１２側の面積が比較的大きい場合には、着脱ブロック３２Ａのみにより成形品２１Ａを下金型３１ｂから取り出すことができる。
【００５３】
さらに、成形品２１Ａ本体に、エジェクタピンと接してできる痕跡が残らないため、封止樹脂部１４の表面に対して行なうマーキングのエリアが限定されないので、マーキングの自由度が大きくなる。
【００５４】
図３（ａ）及び（ｂ）は本実施形態に係る成型品２１Ａに対して封止樹脂部１４の不要部分を除去する成形工程であって、（ａ）は切断用の治具としてダイシングソー４２を用いる工程を示し、（ａ）は切断用の治具として金型パンチを用いる工程を示している。図３（ａ）に示すように、封止金型３１から取り出された成型品２１ＡをＵＶシート４１上に載置する。続いて、半導体チップのカッティングに用いるダイシングソー４２を用いて、成形品２１Ａの不要部分を切断することにより、複数の半導体チップ１２を含む成形品２１Ａから個々の半導体装置２１Ｂを形成する。切断用の治具にダイシングソー４２を用いると、ダイシングソー４２のブレードの材質、切削回転数、送り速度又は切り込み量等の種々の切断条件を組み合わせることができ、その結果、切断条件を最適化できるため、高品質な半導体装置２１Ｂを確実に製造できる。
【００５５】
このように、本実施形態に係る樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム１１のインナーリード部１１ａが封止樹脂部１４の底面から露出しており、インナーリード部１１ａ自体が外部端子を兼ねる構成である。
【００５６】
また、図３（ｂ）に示すように、打ち抜き部が設けられた上金型パンチ４３ａ及び該打ち抜き部と対向する位置に該打ち抜き部と嵌合する開口部が設けられた下金型パンチ４３ｂからなる金型パンチ４３を用いてもよい。すなわち、成形品２１Ａを下金型パンチ４３ｂ上に、上金型パンチ４３ａの打ち抜き部と成形品２１Ａの不要部分とが互いに対向するように載置する。続いて、上金型パンチ４３ａと下金型パンチ４３ｂとが接触するように上下方向から加圧して成形品２１Ａの不要部分を切断することにより、複数の半導体チップ１２を含む成形品２１Ａから個々の半導体装置２１Ｂを切り出す。このようにすると、複数の半導体チップ１２を含む成形品２１Ａから、一の半導体チップ１２を含む半導体装置２１Ｂの分割処理を一度の切断処理で行なえるため、リードタイムを短縮できるので、製造コストをさらに低減できる。
【００５７】
ここで、図３（ａ）及び（ｂ）に示す成形品２１Ａは、例えば、図１（ｂ）に示す最も厚さが大きい着脱ブロック３２Ｂを用いた場合を示している。従って、下金型３１ｂにおけるキャビティ３１ｃの隅部の形状に起因して、封止樹脂部１４の側部にバリが形成されるようなことがあっても、このバリは封止樹脂部１４の不要部分に相当し、成形品２１Ａから半導体装置２１Ｂを切り出す際に除去されるため、品質に支障を来たすことはない。
【００５８】
また、本実施形態に係る成形工程は、複数の半導体チップ１２が封止された成形品２１Ａを対象としているため、一の半導体チップ１２を有する半導体装置２１Ｂに分割する分割工程と兼ねており、新たな工程を設ける必要がない。
（第１の実施形態の第１変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の第１変形例について図面を参照しながら説明する。
【００５９】
図４は第１の実施形態の第１変形例に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型の断面構成を示している。図４において、図１（ａ）に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００６０】
図４に示す部分拡大図は、着脱ブロック３２Ａにおけるキャビティ３１ｃに露出する面の一部分を拡大し、その面状態を模式的に表わしている。着脱ブロック３２Ａの面状態は、封止工程において、キャビティ３１ｃに注入される封止樹脂材にそのまま転写される。封止樹脂材に転写された面状態は、半導体装置の品番や密番をマークする際のマーキング条件を大きく左右する。
【００６１】
また、一般的に、面粗度を粗くすると、離型時におけるキャビティ３１ｃの成形品に対する抵抗が下がることが知られている。
【００６２】
従って、マーキング条件又は離型条件を最適化するには、従来は、封止金型３１のキャビティ３１ｃの底面の面状態を調整しなければならない。これに比べて、本変形例に係る着脱ブロック３２Ａは着脱可能であるため、キャビティ３１ｃに固定する前に着脱ブロック３２Ａの面状態を最適化する作業を行なえるので、キャビティ３１ｃの底面の面状態を調整するのと比べて極めて容易に行なえる。また、キャビティ３１ｃが形成される下金型３１ｂの材料と着脱ブロック３２Ａの材料とは必ずしも同一の材料とする必要はなく、面状態の調整が容易で且つ樹脂封止工程に耐えられる材料を下金型３１ｂとは独立に選択できる。その結果、高品質な樹脂封止型半導体装置を低コストで実現できる。
（第１の実施形態の第２変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の第２変形例について図面を参照しながら説明する。
【００６３】
図５は第１の実施形態の第２変形例に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型の断面構成を示している。図５において、図１（ａ）に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００６４】
図５に示すように、本変形例に係る着脱ブロック３２Ｄには、一のキャビティ３１ｃに含まれる半導体チップ１２同士を区画する位置に凸部３２ａが形成されていることを特徴とする。
【００６５】
このようにすると、図３（ａ）又は（ｂ）に示した整形（分割）工程において、切断して除去する封止樹脂材の量を削減できるため、切断時間を短縮できると共に、ダイシングソー４２のブレードの摩耗量又は金型パンチの打ち抜き部の摩耗量を低減できる。
【００６６】
その上、樹脂封止工程において、着脱ブロック３２Ａの凸部３２ａにおいて、キャビティ３１ｃの深さが小さくなるため、溶融した樹脂材はキャビティ３１ｃの深さが大きい半導体チップ１２の近傍において流れやすくなる。これにより、注入される樹脂材が細部にまで充分に充填されないような未充填障害等が生じにくくなり、その結果、高品質な樹脂封止型半導体装置を製造できる。
【００６７】
なお、本変形例においては、着脱ブロック３２Ａに凸部３２ａを設けたが、これに限らず、用途に応じて他の形状としてもよく、例えば、凹部形状を設けてもよい。
【００６８】
本実施形態、各変形例及び後述する各実施形態においては、封止金型３１及び着脱ブロック３２Ａ〜３２Ｆの材料として、例えば、ＳＫＤ相当の粉末系冷間金型用合金工具鋼材、又はＳＫＨ相当の粉末系高速度工具鋼材を用いている。また、エジェクタプレート３３にはステンレス系鋼材を用いており、エジェクタピン３４Ｂ等にはＳＫＨ５１を用いている。
【００６９】
従って、着脱ブロック３２Ａ〜３２Ｆの加工法は、第１の方法として、着脱ブロック３２Ａ〜３２Ｆの形成材に対して、型彫り放電加工を行なった後にガラスビーズによるブラスト加工を行なうか、又は第２の方法として、切削加工を行なった後にシボ加工を行なえばよい。
【００７０】
具体的には、着脱ブロック３２Ａ〜３２Ｆの面状態の調整及び変更は、第１の方法の場合には、放電加工時における電気スパークの強度、放電時間又は電極自体の表面状態を調整するか、ブラスト加工時におけるビーズの粒径、ビーズの吹き付け圧力又は吹き付け時間を調整することにより行なえる。また、第２の方法の場合には、切削加工時における工具の回転数、送り速度又は切り込み量を調整するか、シボ加工時におけるエッチング時間、エッチング溶液の濃度又は溶液の吹き付け圧力を調整することにより行なえる。
【００７１】
さらに、着脱ブロック３２Ｄの凸部３２ａを形成するには、第１の方法の場合には、電気スパーク用の電極に凸部３２ａと対応する凹形状を形成しておき、この凹形状を有する電極により型彫り放電加工を行なえばよく、また、第２の方法の場合には、削り出し加工を行なえばよい。
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００７２】
図６は本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型の断面構成を示している。図６おいて、図１（ａ）に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００７３】
本実施形態係る樹脂封止金型３１の下金型３１ｂには、２つの板状部材が分離可能に積層された積層体からなる樹脂厚規制部材が設けられていることを特徴とする。
【００７４】
具体的には、図６に示すように、樹脂封止金型３１における下金型３１ｂのキャビティ３１ｃの底面上には、連結ボルト３６により互いに固着され、底面側から第１の着脱ブロック３２Ｅ及び第２の着脱ブロック３２Ｆが順次設けられている。
【００７５】
本実施形態においても、半導体装置の封止樹脂部の厚さを変更する際には、図６に示すキャビティ３１ｃの実質的な深さＡを変更する。このとき、封止樹脂材と直接接触しない着脱ブロック、すなわち、第２の着脱ブロック３２Ｆに対して半導体チップ１２と反対側に位置する第１の着脱ブロック３２Ｅを、変更された封止樹脂材の厚さと一致する厚さとなるように交換する。
【００７６】
このようにすると、封止樹脂部の厚さの設計変更のたびに第１の着脱ブロック３２Ｅを交換したとしても、封止樹脂材と接する第２の着脱ブロック３２Ｆは交換されないため、封止後の成形品における第２の着脱ブロック３２Ｆと接する表面の面状態が変わらない。その結果、互いに異なる機種の製造を行なったとしても、互いに異なる機種同士の封止樹脂部の表面の面状態を統一的に管理できる。
【００７７】
また、第１の着脱ブロック３２Ｅは、ブロックの厚さのみを管理すればよく、ブロックの面状態を管理する必要がないため、樹脂封止型半導体装置の製造コストをさらに低減できる。
【００７８】
なお、本実施形態においては、着脱ブロックを２層構造としたが３層以上の積層構造としてもよい。
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００７９】
図７は本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型の断面構成を示している。図７において、図６に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００８０】
本実施形態係る樹脂封止金型３１の下金型３１ｂには、リードフレーム１１と接合される半導体チップ１２の数と対応する数のキャビティ３１ｃと、キャビティ３１ｃごとに、複数の部材が分離可能に積層された積層体からなる樹脂厚規制部材とが設けられていることを特徴とする。
【００８１】
このようにすると、一のキャビティ３１ｃにおける第１の着脱ブロック３２Ｅと他のキャビティ３１ｃにおける第１の着脱ブロック３２Ｅとのそれぞれの厚さを変えると、一の封止金型３１によって、互いに厚さが異なる封止樹脂部を持つ複数の半導体装置を製造できる。その結果、それぞれキャビティ３１ｃの深さが異なる封止金型３１を複数容易する必要がなくなるため、製造コストが安価で且つリードタイムが短い樹脂封止型半導体装置を製造できる。
【００８２】
本実施形態においては、キャビティ３１ｃごとに厚さが異なる第１の着脱ブロック３２Ｅを用いる場合を説明したが、これに限らず、キャビティ３１ｃ間で第１の着脱ブロック３２Ｅ及び第２の着脱ブロック３２Ｆの厚さを同一とすれば、複数の第１の着脱ブロック３２Ｅのすべての厚さを統一して変更するだけで、複数の半導体装置の封止樹脂部の厚さを一括して調整できる。
【００８３】
また、キャビティ３１ｃごとに厚さが異なる第２の着脱ブロック３２Ｆを用いれば、すべて同一の厚さの第１の着脱ブロック３２Ｅを用いても、一の封止金型３１によって、互いに厚さが異なる封止樹脂部を持つ複数の半導体装置を製造できることはいうまでもない。
【００８４】
また、第１の実施形態、その変形例、第２の実施形態及び第３の実施形態並びにこれらを組み合わせた樹脂封止型半導体装置の製造装置は、半導体装置の生産量や製造装置の封止金型への投資額等を勘案し、最も効率的な組合せを選択すればよい。
（第４の実施形態）
以下、本発明の第４の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００８５】
図８は第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型の断面構成を示している。図８において、図１（ａ）に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００８６】
図８に示すように、本実施形態に係る封止金型３１の下金型３１ｂには、着脱ブロック３２Ａが下金型３１ｂに固定ボルト３７により固持されていると共に、リードフレーム１１におけるインナーリード部１１ａの不要部分と接するフレームエジェクタピン３８が設けられている。
【００８７】
これにより、着脱ブロック３２Ａを上下動可能とする構成が不要となる。さらに、封止後の整形（分割）工程において除去される不要部分を突き出すフレームエジェクタピン３８及びランナー部分を突き出すエジェクタピン３４Ｂを備えているため、離型時に半導体チップ１２内の半導体素子に対して応力がかからない。このため、成形品の取り出し工程における半導体素子の損傷を防止できる。
【００８８】
また、リードフレーム１１におけるエジェクタピン３４Ｂとの接触部分に傷が生じたり、接触部分の近傍において封止樹脂材がリードフレーム１１と剥離するようなことがあっても、この接触部分は後の整形（分割）工程において除去されるため、半導体装置には不具合が生じない
その上、半導体装置の樹脂封止部には、エジェクタピンの痕跡が残らないため、封止樹脂部の表面に対して行なうマーキングのエリアが限定されず、マーキングの自由度が大きくなる。その結果、高品質な樹脂型半導体装置を低コストで製造できる。
【００８９】
なお、着脱ブロック３２Ａを設けないキャビティ３１ｃのみの構成で樹脂封止を行なってもよく、この場合でも、エジェクタピンを半導体装置本体に直接接触させないことによる効果を得ることができる。
【００９０】
また、リードフレーム１１の代わりに基板を用いる場合には、フレームエジェクタピン３８の上金型３１側の端部を基板の不要部分と接するようにすればよい。
（第５の実施形態）
以下、本発明の第５の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００９１】
図９は第５の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型の断面構成を示している。図９において、図８に示す構成部材と同一の構成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【００９２】
図９に示すように、本実施形態に係る封止金型３１の下金型３１ｂには、着脱ブロック３２Ａが下金型３１ｂに固定ボルト３７により固持されていると共に、キャビティ３１ｃに注入された封止樹脂材の不要部分と接する不要樹脂部エジェクタピン３９が設けられている。
【００９３】
このように、封止樹脂材における、封止後の整形（分割）工程において除去される不要部分を突き出す不要樹脂部エジェクタピン３９及びランナー部分を突き出すエジェクタピン３４Ｂを備えているため、整形後の半導体装置の樹脂封止部には、エジェクタピンの痕跡が残らない。従って、封止樹脂部の表面に対して行なうマーキングのエリアが限定されず、マーキングの自由度が大きくなる。その結果、高品質な樹脂型半導体装置を低コストで製造できる。
【００９４】
なお、着脱ブロック３２Ａを設けないキャビティ３１ｃのみの構成で樹脂封止を行なってもよく、この場合でも、エジェクタピンを半導体装置本体に直接接触させないことによる効果を得ることができる。
【００９５】
以上、第１の実施形態及びその変形例〜第５の実施形態において、半導体チップ１２を保持する部材としてリードフレーム１１を用いたが、半導体チップ１２の保持部材として基板を用いても同様の効果を得ることができる。
【００９６】
【発明の効果】
本発明に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置によると、樹脂封止手段の第１の保持部材及び第２の保持部材の少なくとも一方に設けられた収納凹部の底面上には、樹脂厚規制部材が着脱可能に設けられているため、封止樹脂材の厚さが変更された場合であっても、変更された封止樹脂材の厚さが得られるような樹脂厚規制部材を収納凹部装着するだけで、設計変更に対して容易に且つ迅速に対処できるようになる。
【００９７】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、樹脂厚規制部材が一の板状部材からなると、あらかじめ、それぞれ厚さが異なる複数の樹脂厚規制部材を用意しておけば、一の樹脂厚規制部材を交換するだけで確実且つ迅速に設計変更に対処できる。さらに、封止樹脂材と接触する面の面状態又は面形状がそれぞれ異なる樹脂厚規制部材を複数個用意すれば、封止樹脂材の表面の面状態又は面形状をも容易に変更できる。
【００９８】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、樹脂厚規制部材は複数の板状部材が分離可能に積層されてなる積層体であると、封止樹脂材の厚さが変更された場合であっても、変更された封止樹脂材の厚さが得られるように樹脂厚規制部材の厚さ又は枚数を変えるだけで設計変更に対処できる。さらに、複数の板状部材のうち封止樹脂材と直接接触しない部材を着脱することによって樹脂厚規制部材の厚さを変更すると、封止樹脂材と接する板状部材は残されるため、該板状部材により製造される複数の半導体装置間の封止樹脂材の面状態又は面形状をいずれも同一の状態として製造できる。
【００９９】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、リードフレーム又は基板が複数の半導体チップを保持しており、収納凹部及び樹脂厚規制部材が半導体チップごとに設けられていると、複数の半導体チップごとのそれぞれに対して封止樹脂材の厚さを変更できる。
【０１００】
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、リードフレーム又は基板が複数の半導体チップを保持しており、収納凹部が複数の半導体チップを収納可能に設けられていると、複数の半導体チップに対して封止樹脂材の厚さを一括して変更できる。
【０１０１】
本発明に係る第１の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、封止樹脂材の厚さを変更する場合であっても、変更した封止樹脂材の厚さが得られる樹脂厚規制部材を用いて樹脂封止を行なうため、設計変更に対して容易に且つ迅速に対処できるようになる。
【０１０２】
第１の脂封止型半導体装置の製造方法において、樹脂封止工程が、樹脂厚規制部材における、注入される封止樹脂材と接する面の面状態を規制する工程を含むと、樹脂厚規制部材を樹脂封止金型における収納凹部の底面に着脱可能に設けているため、離型条件又はマーキング条件を大きく左右する封止樹脂材の面状態を容易に最適化できる。
【０１０３】
第１の脂封止型半導体装置の製造方法において、樹脂封止工程が、樹脂厚規制部材における、注入される封止樹脂材と接する面の面形状を規制する工程を含むと、樹脂厚規制部材を収納凹部の底面上に着脱可能に設けているため、封止樹脂材の面形状を容易に変更できる。従って、製造対象である半導体装置の機種変更を行なう際にも迅速に対応できる。さらに、封止樹脂材の不要部分となる樹脂量を少なくする形状とすれば、分割工程又は成形工程に要する時間を低減できると共に、分割等の治具の摩耗量を低減できる。
【０１０４】
第１の脂封止型半導体装置の製造方法が、樹脂封止工程よりも後に、半導体チップを封止している封止樹脂材を硬化させた後、樹脂厚規制部材を収納凹部の開口部方向に移動させることにより、硬化した封止樹脂材を収納凹部から取り出す工程をさらに備えていると、硬化した封止樹脂材を樹脂封止金型から取り出す際に、硬化した樹脂材が樹脂厚規制部材と面接触しているため、樹脂材に対して部分的な応力が加わらなくなるので、半導体チップの素子に損傷を与えるおそれがなくなる。また、離型時にエジェクタピンを用いないため、樹脂材の表面にピンの跡が残らないので、樹脂材に対して行なうマーキングの自由度が向上する。
【０１０５】
第１の脂封止型半導体装置の製造方法が、樹脂封止工程よりも後に、半導体チップを封止している封止樹脂材を硬化させた後、硬化した封止樹脂材から露出するリードフレーム若しくは基板の不要部分又は硬化した封止樹脂材の不要部分に対して収納凹部の開口部方向に圧力を加え、硬化した封止樹脂材を収納凹部の開口部方向に移動させることにより、硬化した封止樹脂材を収納凹部から取り出す工程をさらに備えていると、硬化した封止樹脂材を樹脂封止金型から取り出す際に、樹脂材に封止された半導体チップの近傍に応力が加わらなくなるため、半導体チップの素子に損傷を与えるおそれがなくなる。また、リードフレーム又は基板の不要部分を除去すれば、樹脂材の表面にピンの跡が残らないため、樹脂材に対して行なうマーキングの自由度が向上する。
【０１０６】
第１の脂封止型半導体装置の製造方法が、樹脂封止工程よりも後に、半導体チップが封止された封止樹脂材を硬化させた後、硬化した封止樹脂材の不要部分を除去することにより、硬化した封止樹脂材の形状を整える成形工程をさらに備えていると、厚さ又は形状が異なる多様な樹脂厚規制部材を用いて樹脂封止を行なう場合に、硬化した封止樹脂材の周縁部にバリが生じるようなことがあっても、製造される樹脂封止型半導体装置に不具合が生じない。
【０１０７】
この場合に、成形工程が封止樹脂材の必要部分と不要部分との境界部をダイシングソーを用いて切断する工程を含むと、ダイシングソーのブレードの材質、切削回転数、送り速度又は切り込み量等の種々の切断条件をそれぞれ最適化できるため、半導体装置の品質を向上できる。
【０１０８】
又は、成形工程が封止樹脂材の必要部分と不要部分とを金型パンチを用いて切断する工程を含むと、複数の半導体装置を一度に分割できるため、リードタイムを短縮できる。
【０１０９】
本発明に係る第２又は第３の樹脂封止型半導体装置の製造方法によると、硬化した封止樹脂材を樹脂封止金型から取り出す際に、樹脂材に封止された半導体チップの近傍に応力が加わらないため、半導体チップに形成された素子に対して損傷を与えるおそれがなくなる。また、リードフレーム又は基板の不要部分を除去すれば、樹脂材の表面にピンの跡が残らないため、樹脂材に対して行なうマーキングの自由度が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型を示し、それぞれ異なる厚さを有する樹脂厚規制部材が設けられた状態を示す構成断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置の取り出し（離型）工程における樹脂封止金型を示す構成断面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置を用いて製造された成形工程における半導体装置を示す構成断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の第１変形例に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型を示す構成断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の第２変形例に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型を示す構成断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型を示す構成断面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型を示す構成断面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型を示す構成断面図である。
【図９】本発明の第５の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造装置における樹脂封止金型を示す構成断面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程順の断面構成図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法を示す工程順の断面構成図である。
【符号の説明】
１１    リードフレーム
１１ａ  インナーリード部
１１ｂ  ダイパッド部
１２    半導体チップ
１３    金属細線
１４    封止樹脂部
３１    封止金型（樹脂封止手段）
３１ａ  上金型（第１の保持部材）
３１ｂ  下金型（第２の保持部材）
３１ｃ  キャビティ（収納凹部）
３１ｄ  ランナー
３１ｅ  ゲート
３２Ａ  着脱ブロック（樹脂厚規制部材）
３２Ｂ  着脱ブロック（樹脂厚規制部材）
３２Ｃ  着脱ブロック（樹脂厚規制部材）
３２Ｄ  着脱ブロック（樹脂厚規制部材）
３２Ｅ  第１の着脱ブロック（樹脂厚規制部材）
３２Ｆ  第２の着脱ブロック（樹脂厚規制部材）
３２ａ  凸部
３３    エジェクタプレート
３３ａ  上部エジェクタプレート
３３ｂ  下部エジェクタプレート
３４Ａ  ブロックエジェクタ
３４Ｂ  エジェクタピン
３５    エジェクタロッド
３６    連結ボルト
３７    固定ボルト
３８    フレームエジェクタピン
３９    不要樹脂部エジェクタピン
Ａ１    キャビティの深さ
Ａ２    キャビティの深さ
Ａ３    キャビティの深さ
Ｂ１    着脱ブロックの厚さ
Ｂ２    着脱ブロックの厚さ
Ｂ３    着脱ブロックの厚さ
２１Ａ  成形品
２１Ｂ  半導体装置
４１    ＵＶシート
４２    ダイシングソー
４３    金型パンチ
４３ａ  上金型パンチ
４３ｂ  下金型パンチ
【図１】
0003897478.tif 000002
【図２】
0003897478.tif 000003
【図３】
0003897478.tif 000004
【図４】
0003897478.tif 000005
【図５】
0003897478.tif 000006
【図６】
0003897478.tif 000007
【図７】
0003897478.tif 000008
【図８】
0003897478.tif 000009
【図９】
0003897478.tif 000010
【図１０】
0003897478.tif 000011
【図１１】
0003897478.tif 000012