(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビームを光情報記録媒体の記録面に集光して情報の記録又は再生を行なう光ピックアップ装置において、
ハウジングと、
前記ハウジングに固定されレーザビームを出射するレーザと、
前記レーザからのレーザビームを平行光束に変換するコリメートレンズと、
前記コリメートレンズを保持するレンズ取付孔を有し、前記ハウジングの線膨張係数とは異なる線膨張係数を有する材料で形成され、前記ハウジングに固定されているセルと、を具備し、
前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から遠い側の半周の一部又は全部で前記セルに接着され、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に近い側の半周の一部又は全部で前記セルに接着されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から最も遠い位置で、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に最も近い位置で、前記セルと最も近接するように取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は少なくとも前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から最も遠い位置で、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は少なくとも前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に最も近い位置で、前記セルと接着されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から最も遠い位置で、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に最も近い位置で、２０μｍ〜５０μｍ離間して前記セルと接着されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ピックアップ装置及び光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図９に従来の光ピックアップ装置１００の構成を示す。半導体レーザ１０１から出射された直線偏光のレーザビームは、コリメートレンズ１０２によって平行光束に変換され、ビームスプリッタ１０３と１／４波長板１０４とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円偏光に変換される。円偏光に変換された光は、対物レンズ１０５により集光されて光情報記録媒体である光ディスクＺの記録面Ｚ１に微小な光スポットの状態で照射される。光ディスクＺからの反射光は、照射時の逆の経路を辿り、対物レンズ１０５を通過し、１／４波長板１０４により偏光方向を９０°回転した直線偏光に変換された後、ビームスプリッタ１０３に到達する。この反射光は、照射時とは異なりビームスプリッタ１０３により反射され、第１の集光レンズ１０６方向に導かれ、第２の集光レンズ１０７により非点収差を与えられた形で集光され、受光素子１０８に入射される。
【０００３】
ここで、光ディスクＺには、レーザビームのトラッキング制御の為にランドとグルーブ（共に図示せず）とが形成されている。そして、光ディスクＺのアドレス情報等を示す為にグルーブが蛇行（以後、ウォブル）形成されている。
【０００４】
また、受光素子１０８は、受光領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ（図４と同様）を有する構造とされ、受光した検出ビームの状態に応じた出力に基づいた情報信号やサーボ信号等の検出信号が検出される。特に、ウォブル信号Ｗｂは、Ｗｂ＝（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｃ）により検出される。
【０００５】
このような光ピックアップ装置１００の受光スポットサイズは、検出信号の周波数帯域やレイアウト上のスペース的な制約等からあまり大きくすることができない。また、調整のし易さや経時的なズレ等からあまり小さくすることもできない。一般的に受光スポットのサイズとしては、数１０μｍから１００μｍ程度の範囲のものが多く用いられている。
【０００６】
しかしながら、このサイズの受光スポットのプッシュプル信号によりサーボ信号、ウォブル信号を得ようとすると、光ピックアップ装置１００の各部の温度変化に伴う各部の変形により、受光スポットの位置ズレが生じることにより受光スポットのオフセットが生じてサーボ信号やウォブル信号等を検出することができないという問題が生じることがある。
【０００７】
この受光スポットの位置ズレには、光の往路又は復路に単一のミラーがある場合には、そのミラーの角度ズレが最も大きく影響する。この場合、そのミラーの角度ズレの度合いによっては、光ピックアップ装置１００が機能しなくなるような状況になってしまう。但し、ミラーが往路復路の共通光路上にある場合には、往復で角度誤差が相殺される為このような問題は発生しない。この問題に対応するには、図９に示すように、ビームスプリッタ１０３にビーム整形面１０３ａを形成してその影響を無くすとか、ビーム整形を行なわない場合でもミラーである光路分離面１０３ｂに対して略平行な平行反射面１０３ｃを設けて光源系と検出系との光軸の角度関係が、ミラーの角度ズレによって変化しない為の工夫が必要となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このようにして、受光スポット位置ズレを生じさせる原因の内ミラー角度ズレ分を除いたとき、次に影響するのが半導体レーザ１０１とコリメートレンズ１０２との光軸直交方向の位置ズレである。
【０００９】
ここで、半導体レーザ１０１及びコリメートレンズ１０２の取付構造について図１０及び図１１を参照して説明する。半導体レーザ１０１は、光ピックアップ装置１００のハウジング１０９にカシメにより固定されている。コリメートレンズ１０２は、セル１１０のレンズ取付孔１１１に対してクリアランスをもってすきま嵌めされた状態で接着剤Ｓによってレンズ取付孔１１１に接着保持されている。セル１１０は、その一部がハウジング１０９に固定されている。また、図１１に示すように、コリメートレンズ１０２は、セル１１０に対しての組み付け作業性を考慮してコリメートレンズ１０２全周においてレンズ取付孔１１１に均等３点接着されている。ここで、レンズ取付孔１１１とコリメートレンズ１０２とのクリアランスは、２０μｍ〜５０μｍ程度とされており、図１１では説明の為に誇張して示している。
【００１０】
ここで、温度変化に伴う各部の変形に起因する半導体レーザ１０１のレーザビーム出射軸１０１ａとコリメートレンズ１０２の中心軸１０２ａとの間に許容される相互間軸位置変動は、コリメートレンズの焦点距離や検出系の構成にもよるが、数μｍ程度とされている。コリメートレンズ１０２のレンズ取付孔１１１への２０μｍ〜５０μｍ程度のクリアランスをもったすきま嵌めにおいて、その取付変動を数μｍに管理することは容易ではなく、コリメートレンズ１０２のレンズ取付孔１１１への均等３点接着においては、３点のうち１点に偏った状態で接着されやすいという問題が生じる。
【００１１】
このような取付構造において、温度に変化があると、光ピックアップ装置１００の各部が熱膨張或いは熱収縮するが、一般にハウジング１０９の材料はアルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）等であり、セル１１０の材料は、光軸調整時の滑り等を考慮して例えば銅（Ｃｕ）やステンレス（ＳＵＳ）等の硬めの金属であり、ハウジング１０９とセル１１０との線膨張率の差により半導体レーザ１０１のレーザビーム出射軸１０１ａとコリメートレンズ１０２の中心軸１０２ａとの位置ズレが生じる。例えば、周囲温度が上昇した場合には、図１２に示すように、半導体レーザ１０１のレーザビーム出射軸１０１ａとコリメートレンズ１０２の中心軸１０２ａとにズレＸ１が生じる。これにより、半導体レーザ１０１から出射されるレーザビームの光軸１０１ｂにズレＹ１が生じてしまい、受光素子１０８等からなる検出系での受光スポットの位置ズレが生じて、受光スポットのプッシュプル信号にオフセットが生じてしまう。その結果、検出系において、検出信号を正確に検出することができないという問題が生じる。
【００１２】
このプッシュプル信号のオフセットを補正する手段として、ＤＰＰ（Differential Push-Pull＝差動プッシュプル）法がよく知られている。これは、図９に示すように、往路光路中にグレーティング１１２を配して、レーザビームを０次のメインビームと±１次のサブビームに分け、メインビームをグルーブ（或いはランド）、サブビームは隣接するランド（或いはグルーブ）に集光させる。これにより、メインとサブとで逆相のプッシュプルを発生させ、ｋを係数として（メインプッシュプル）−ｋ（サブプッシュプル）によりプッシュプル成分を実質的に足し合わせ、スポットズレ分を同相成分として取り除こうというものである。
【００１３】
このＤＰＰ法は、トラッキング信号の補正方法としては優れた方法ではあるが、ウォブル信号のオフセット補正には適用できない。なぜなら、この方法によりウォブル信号を得てウォブル信号の補正を行なおうとしようとする場合、ウォブルは、周波数が高い為に、光ディスクＺの異なる位置にあるメインスポットとサブスポットとが各々まちまちのウォブル成分を拾ってしまい、うまくウォブル以外の同相成分だけ除去することができないためである。
【００１４】
本発明の目的は、部品の温度変化に起因するレーザとコリメートレンズとのズレを抑制することである。
【００１５】
本発明の目的は、部品の温度変化に起因するレーザとコリメートレンズとのズレを抑制することにより特にウォブル信号のオフセットの発生を抑制することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、
レーザビームを光情報記録媒体の記録面に集光して情報の記録又は再生を行なう光ピックアップ装置において、
ハウジングと、
前記ハウジングに固定されレーザビームを出射するレーザと、
前記レーザからのレーザビームを平行光束に変換するコリメートレンズと、
前記コリメートレンズを保持するレンズ取付孔を有し、前記ハウジングの線膨張係数とは異なる線膨張係数を有する材料で形成され、前記ハウジングに固定されているセルと、を具備し、
前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から遠い側の半周の一部又は全部で前記セルに接着され、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に近い側の半周の一部又は全部で前記セルに接着されていることを特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１に記載の光ピックアップ装置において、前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から最も遠い位置で、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に最も近い位置で、前記セルと最も近接するように取り付けられていることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の光ピックアップ装置において、前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は少なくとも前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から最も遠い位置で、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は少なくとも前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に最も近い位置で、前記セルと接着されていることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光ピックアップ装置において、前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より高い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部から最も遠い位置で、または前記コリメートレンズは、前記ハウジングの線膨張係数が前記セルの線膨張係数より低い値である場合は前記レンズ取付孔の前記セルと前記ハウジングの当接部に最も近い位置で、２０μｍ〜５０μｍ離間して前記セルと接着されていることを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の第一の実施の形態を図１ないし図７に基づいて説明する。本実施の形態の光ピックアップ装置は、光情報記録媒体の記録再生等を行なう光ディスク装置に用いられる光ピックアップ装置に適用されている。
【００２７】
ここで、図１は本実施の形態の光ピックアップ装置を示す概略平面図、図２は半導体レーザとコリメートレンズとの取付構造を示す縦断側面図、図３はコリメートレンズのセルへの接着構造を誇張して示し、（ａ）は１点接着を示す正面図、（ｂ）は２点接着を示す正面図、（ｃ）は３点接着を示す正面図、（ｄ）は半周接着を示す正面図、図４は受光素子の分割パターンを示す説明図である。
【００２８】
本実施の形態の光ピックアップ装置１は、レーザビームを出射するレーザである半導体レーザ２と、ガラス製のコリメートレンズ３と、レーザビームをメインビームと２つのサブビームとに分けるグレーティング４と、ビームスプリッタ５と、偏向プリズム６と、１／４波長板７と、対物レンズ８と、検出系９等とから構成されている。ここで、本実施の形態の検出系９におけるフォーカスエラー信号検出には非点収差法が採用され、トラックエラー信号検出にはＤＰＰ（Differential Push-Pull＝差動プッシュプル）法が採用されている。
【００２９】
また、本実施の形態の光情報記録媒体としては、ランドとグルーブとが形成されて、グルーブが蛇行（ウォブル）形成されている光ディスクＺが適用されている。この光ディスクは、図示しない回転駆動系によって回転する。
【００３０】
半導体レーザ２及びコリメートレンズ３の取付構造について図２及び図３を参照して説明する。光ピックアップ装置１は、ハウジング１０を備えている。このハウジング１０は、底壁１１の一端で垂直壁１２が底壁１１の一面１３側に延出しているＬ字形形状に形成されている。垂直壁１２には、半導体レーザ２を保持するレーザ取付孔１４が形成されている。そして、底壁１１の一面１３には、コリメートレンズ３を保持するレンズ取付孔１５を有する円筒形状のセル１６がレンズ取付孔１５の中心軸１５ａに対向する一端１６ａをハウジング１０の一面１３に押し付けられた状態で図示しないビスによりビス止めされている。本実施の形態のハウジング１０の材料は、例えばアルミニウム（Ａｌ）であり、セル１６はハウジング１０への取付時などの中心軸調整における滑り等を考慮して例えば銅（Ｃｕ）等の硬めの金属とされている。ここで、アルミニウム（Ａｌ）の線膨張係数よりも銅（Ｃｕ）の線膨張係数の方が低い値である。
【００３１】
半導体レーザ２は、垂直壁１２のレーザ取付孔１４にカシメにより固定されている。
【００３２】
コリメートレンズ３は、セル１６のレンズ取付孔１５に対してクリアランスをもってすきま嵌めされた状態でレンズ取付孔１５に接着されて取り付けられている。このとき、コリメートレンズ３は、ハウジング１０とセル１６との温度変化に伴う相対変位の際に、レンズ取付孔１５の中心軸１５ａに対するレーザ２のレーザビーム出射軸２ａの相対移動方向へレンズ取付孔１５の中心軸１５ａに対して相対的に移動するようにレンズ取付孔１５に対して接着されて取り付けられている。詳しくは、コリメートレンズ３は、図３（ａ）に示すように、セル１６とのクリアランスを利用してレンズ取付孔１５のセル１６の一端１６ａ側とは反対側である他端１６ｂ側に寄せられてそこで接着剤Ｓにより１箇所接着されている。このときコリメートレンズ３の中心軸は、半導体レーザ２の中心軸と一致している。ここで、レンズ取付孔１５とコリメートレンズ３とのクリアランスは、２０μｍ〜５０μｍ程度とされており、図３では説明の為に誇張して示している。そして、半導体レーザ２とコリメートレンズ３との相対変位によりウォブル信号オフセットが発生する方向Ｗ１（図２参照）は、セル１６の一端１６ａ側と他端１６ｂ側との対向方向とされている。
【００３３】
なお、コリメートレンズ３のセル１６への接着構造としては、上述したような１箇所接着に限られるものではなく、ハウジング１０とセル１６との温度変化に伴う相対変位の際に、レンズ取付孔１５の中心軸１５ａに対するレーザ２のレーザビーム出射軸２ａの相対移動方向へレンズ取付孔１５の中心軸１５ａに対して相対的に移動するようにレンズ取付孔１５に対して接着されて取り付けられていれば良い。例えば、図３（ｂ）に示すように、レンズ取付孔１５におけるセル１６の他端１６ｂ側の半周内において接着剤Ｓによる均等２箇所接着、図３（ｃ）に示すように、レンズ取付孔１５におけるセル１６の他端１６ｂ側の半周内において接着剤Ｓによる均等３箇所接着、或いは均等３箇所以上であってよい。さらには、図３（ｄ）に示すようなレンズ取付孔１５におけるセル１６の他端１６ｂ側の半周内において全範囲を接着剤Ｓにより接着する半周接着であって良い。これらは、対衝撃性や強度並びに必要精度とのからみで適宜選択すれば良い。
【００３４】
ビームスプリッタ５は、図１に示すように、ビーム整形面としての機能を有するレーザビームの入射面５ａと内部反射面５ｂとを備えている。この内部反射面５ｂとレーザビームの往路及び復路を分離する光路分離面５ｃとは、略平行に設定されており、温度変化などによるビームスプリッタ５の角度変化によって検出系９におけるプッシュプル信号にオフセットが生じないようにされている。
【００３５】
検出系９は、第１の集光レンズ１７と、非点収差発生機能を有する第２の集光レンズ１８と、８分割の受光領域を持つ受光素子１９等とから構成されている。
【００３６】
受光素子１９は、図４に示すように、メインビームに関する反射光成分を受光するための４分割された受光領域Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄと、一方のサブビームに関する反射光成分を受光する為の２分割された受光領域Ｅ，Ｆと、他方のサブビームに関する反射光成分を受光する為の２分割された受光領域Ｇ，Ｈとを有している。受光素子１９は、受光したレーザビームを電気信号として検出するものであって、情報信号、サーボ信号であるフォーカスエラー信号ＦＥやトラッキングエラー信号ＴＥ、ウォブル信号Ｗｂ等の検出信号を検出する。
【００３７】
ここで、フォーカスエラー信号ＦＥは、
ＦＥ＝（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ）
とされる。
【００３８】
トラッキングエラー信号ＴＥは、定数をｋとすると
ＴＥ＝｛（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｃ）｝−ｋ｛（Ｆ＋Ｈ）−（Ｅ＋Ｇ）｝
とされる。
【００３９】
ウォブル信号Ｗｂは、
Ｗｂ＝（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｃ）
とされる。ここで、図４のＷ２は、ウォブル信号Ｗｂのオフセット方向を示す。
【００４０】
このような構成において、半導体レーザ２から出射された直線偏光のレーザビームは、コリメートレンズ３によって平行光束に変換され、ビームスプリッタ５と１／４波長板７とで構成される光アイソレータにおいて直線偏光から円偏光に変換される。円偏光に変換された光は、対物レンズ８により集光されて光ディスクＺの記録面Ｚ１に微小な光スポットの状態で照射される。光ディスクＺからの反射光は、照射時の逆の経路を辿り、対物レンズ８を通過し、１／４波長板７により偏光方向を９０°回転した直線偏光に変換された後、ビームスプリッタ５に到達する。この反射光は、照射時とは異なりビームスプリッタ５により反射され、集光レンズ１７方向に導かれ、集光レンズ１８により非点収差を与えられた形で集光され、受光素子１９に入射される。そして、受光素子１９によって、情報信号、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、ウォブル信号が検出される。
【００４１】
ここで、温度が上昇して、ハウジング１０とセル１６とが熱膨張して変形した際の半導体レーザ２とコリメートレンズ３との相対位置関係について図５を参照して説明する。
【００４２】
温度上昇によってハウジング１０とセル１６とが熱膨張した場合には、ハウジング１０の線膨張率の方がセル１６の線膨張率よりも高いので、セル１６よりもハウジング１０の方がより膨張する。これにより、レーザ取付孔１４とレンズ取付孔１５とに相対的な変位が生じる。この際に、半導体レーザ２は、ハウジング１０に対してカシメにより取り付けられているので、レーザ取付孔１４とともに変位する。これにより、レーザビーム出射軸２ａがレンズ取付孔１５に対して相対的に変位して、半導体レーザ２のレーザビーム出射軸２ａは、セル１６のレンズ取付孔１５の中心軸１５ａからレンズ取付孔１５におけるハウジング１０に固定されているセル１６の他端１６ｂ側方向へ位置することになる。
【００４３】
一方、コリメートレンズ３は、セル１６の他端１６ｂ側に寄せられてそこで１箇所接着されていて、また、ガラスの線膨張率は金属の線膨張率よりも低いのでレンズ取付孔１５が膨張する際に、レンズ取付孔１５に対してその接着部位、即ちレンズ取付孔１５におけるセル１６の他端１６ｂ側に偏った状態で位置することとなる。即ち、レンズ取付孔１５の中心軸１５ａよりもコリメートレンズ３の中心軸３ａの方がレーザ取付孔１４に保持されている半導体レーザ２のレーザビーム出射軸２ａに対して近くに位置していることになる。これにより、温度変化によるハウジング１０とセル１６との線膨張係数の差に起因する半導体レーザ２とコリメートレンズ３との相対位置関係のズレＸ２を小さく抑えることができるので、半導体レーザ２から出射されるレーザビームの光軸２ｂのズレＹ２を小さくすることができ、その結果、検出系９での受光スポットの位置ズレを抑制することができる。よって、検出系９において、サーボ信号や特にＤＰＰ法においても補正できないウォブル信号のオフセットの発生を抑制することができる光ピックアップ装置１ないしはこのような光ピックアップ装置１を搭載した光ディスク装置を提供することができる。
【００４４】
なお、本実施の形態では、ハウジング１０の材料をアルミニウム（Ａｌ）、セル１６の材料を銅（Ｃｕ）として説明したがこれに限るものではなく、セルの材料の線膨張率がハウジングの材料の線膨張率以下であれば良い。
【００４５】
次に、図示しないが、変形例について説明する。前記実施の形態では、セル１６の材料の線膨張率がハウジング１０の材料の線膨張率以下である場合の例を説明したが、この例は、セル１６の材料の線膨張率がハウジング１０の材料の線膨張率以上である場合の例である。この場合は、光ピックアップ装置１の構成は基本的に同じである。前記実施の形態との相違点は、コリメートレンズ３のセル１６のレンズ取付孔１５への取付構造である。具体的には、コリメートレンズ３は、レンズ取付孔１５における一端１６ａ側の半周内において、コリメートレンズ３がレンズ取付孔１５に接着されて取り付けられている。なお、接着点数は、前記実施の形態と同様である。
【００４６】
温度上昇によってハウジング１０とセル１６とが熱膨張した場合には、セル１６の線膨張率の方がハウジング１０の線膨張率よりも高いので、ハウジング１０よりもセル１６の方がより膨張する。これにより、レーザ取付孔１４とレンズ取付孔１５とに相対的な変位が生じる。この際に、半導体レーザ２は、ハウジング１０に対してカシメにより取り付けられているので、レーザ取付孔１４とともに変位する。これにより、レーザビーム出射軸２ａがレンズ取付孔１５に対して相対的に変位して、半導体レーザ２のレーザビーム出射軸２ａは、セル１６のレンズ取付孔１５の中心軸１５ａからレンズ取付孔１５におけるハウジング１０に固定されているセル１６の一端１６ａ側方向へ位置することになる。
【００４７】
一方、コリメートレンズ３は、セル１６の一端１６ａ側に寄せられてそこで１箇所接着されていて、また、ガラスの線膨張率は金属の線膨張率よりも低いのでレンズ取付孔１５が膨張する際に、レンズ取付孔１５に対してその接着部位、即ちレンズ取付孔１５におけるセル１６の一端１６ａ側に偏った状態で位置することとなる。即ち、レンズ取付孔１５の中心軸１５ａよりもコリメートレンズ３の中心軸３ａの方がレーザ取付孔１４に保持されている半導体レーザ２のレーザビーム出射軸２ａに対して近くに位置していることになる。これにより、温度変化によるハウジング１０とセル１６との線膨張係数の差に起因する半導体レーザ２とコリメートレンズ３との相対位置関係のズレを小さく抑えることができるので、半導体レーザ２から出射されるレーザビームの光軸２ｂのズレを小さくすることができ、その結果、検出系９での受光スポットの位置ズレを抑制することができる。よって、検出系９において、サーボ信号や特にＤＰＰ法においても補正できないウォブル信号のオフセットの発生を抑制することができる光ピックアップ装置１ないしはこのような光ピックアップ装置１を搭載した光ディスク装置を提供することができる。
【００４８】
次に、本発明の第二の実施の形態を図６に基づいて説明する。図６は本実施の形態のコリメートレンズのセルへの接着構造を誇張して示し、（ａ）は６点接着を示す正面図、（ｂ）は全周接着を示す正面図である。なお、第一の実施の形態において説明した部分と同一部分は同一符号で示し、説明も省略する（以下の実施の形態でも同じ）。本実施の形態の基本的な構造は、第一の実施の形態のと同じであり、第一の実施の形態との相違点は、セル２１の材料の線膨張率がハウジング１０の材料の線膨張率と同じか又はそれに近いものである点である。具体的には、セルの材料は例えばアルミニウム（Ａｌ）等である。この相違点により、コリメートレンズ３のセル２１への取付構造も第一の実施の形態とは異なる。
【００４９】
コリメートレンズ３のセル２１への取付構造について説明する。図６（ａ）に示すように、コリメートレンズ３は、セル２１のレンズ取付孔１５に対して均一のクリアランスを持ってレンズ取付孔１５中心に配置されて、接着剤Ｓによりその全周において均等６箇所で接着固定されている。このとき、コリメートレンズ３の中心軸は、半導体レーザ２の中心軸と一致している。なお、接着構造としては、均等６箇所接着としたがこれに限られるものではなく、均等６箇所以上であればよい。さらには、図７（ｂ）に示すようなレンズ取付孔１５に対して全周接着であって良い。従来の均等３点接着では、コリメートレンズ３とセル２１との間にコリメートレンズ３全周で均等にクリアランスを持って接着することが難しく３点のうち１点に偏った状態で接着され易かったが、上述した均等６箇所接着や全周接着は、均等３点接着に比べ、接着箇所が多いので、均等性が優れ、コリメートレンズ３とセル２１とのクリアランスがコリメートレンズ３全周でより均等になる。
【００５０】
このような構成において、温度が上昇して、ハウジング１０とセル２１とが熱膨張して変形した際には、ハウジング１０とセル２１との線膨張係数が同じか又は近いので、カシメにより取り付けられていることによりレーザ取付孔１４とともに変位する半導体レーザ２のレーザビーム出射軸２ａと、セル２１のレンズ取付孔１５の中心軸１５ａとは、相対的に移動しないか又は移動したとしてもごく僅かな距離となる。そして、コリメートレンズ３がその全周に均等にセル２１に対してクリアランスがある状態でレンズ取付孔１５中心に取り付けられているので、セル２１が熱膨張して変形した場合にもセル２１のレンズ取付孔１５の中心軸１５ａとコリメートレンズ３との位置関係が変わらないか又は変わったとしても僅かである。これにより、温度変化による半導体レーザ２とコリメートレンズ３との相対位置関係のズレを無くすか若しくは小さく抑えることができ、半導体レーザ２から出射されるレーザビームの光軸のズレを無くすか抑えることができるので、検出系９での受光スポットの位置ズレを抑制することができる。これにより、検出系９において、サーボ信号や特にＤＰＰ法においても補正できないウォブル信号のオフセットの発生を抑制することができる光ピックアップ装置ないしはこのような光ピックアップ装置を搭載した光ディスク装置を提供することができる。
【００５１】
次に、本発明の第三の実施の形態を図７及び図８に基づいて説明する。図７は本実施の形態の半導体レーザとコリメートレンズとの取付構造を示す側面図、図８はコリメートレンズの取付構造を示す分解斜視図である。本実施の形態の基本的な構造は、第一の実施の形態と同じであり、第一の実施の形態との相違点は、セル３１及びハウジング３２の形状、セル３１のハウジング３２への取付構造が異なる点である。
【００５２】
セル３１には、レンズ取付孔１５の中心軸１５ａを含む面若しくはその近傍面に沿って形成されてた取付面３３ａを有する取付部３３が両側部にそれぞれ形成されている。
【００５３】
ハウジング３２には、レーザ取付孔１４に保持されている半導体レーザ２のレーザビーム出射軸２ａを含む平面若しくはその近傍面に沿って形成された保持面３４ａを有する一対の保持部３４が底壁１１の一面１３から延出して形成されている。この保持部３４は、ハウジング３２の材料の線膨張率と同じか若しくは近似した値の線膨張係数を有する材料で形成されている。
【００５４】
そして、セル３１は、その取付面３３ａをハウジング３２の保持面３４ａに当接させた状態で取付部３３がハウジング３２の保持部３４にネジ３５によってネジ止めされて、ハウジング３２に固定されている。このとき、ハウジング１０とセル１６との材料の線膨張率は同じであっても良いし、異なっていてもどちらでも良い。
【００５５】
コリメートレンズ３は、第２の実施の形態で説明したような、セル３１に対して均等６点接着以上、或いは全周接着とされている。このとき、コリメートレンズ３の中心軸は、半導体レーザ２の中心軸と一致している。
【００５６】
このような構成において、温度が上昇して、ハウジング３２とセル３１とが熱膨張して変形した際には、ハウジング３２の保持面３４ａは、レーザ取付孔１４に保持されている半導体レーザ２のレーザビーム出射軸２ａと同じように変位するので、レーザ取付孔１４に保持されている半導体レーザ２のレーザビーム出射軸２ａと保持面３４ａの相対的な位置関係に変化はない。これにより、セル３１のレンズ取付孔１５の中心軸１５ａもレーザ取付孔１４に保持されている半導体レーザ２のレーザビーム出射軸２ａに対して相対的な位置関係に変化がない。よって、半導体レーザ２レーザビーム出射軸２ａとコリメートレンズ３の中心軸３ａとの位置関係が相対的に変わらない。これにより、部品の温度変化による半導体レーザ２とコリメートレンズ３との相対位置関係のズレの発生を抑えることができ、半導体レーザ２から出射されるレーザビームの光軸のズレの発生を抑えることができるので、検出系９での受光スポットの位置ズレを抑制することができる。よって、検出系９において、サーボ信号や特にＤＰＰ法においても補正できないウォブル信号のオフセットの発生を抑制することができる光ピックアップ装置ないしはこのような光ピックアップ装置を搭載した光ディスク装置を提供することができる。
【００５７】
【発明の効果】
本発明によれば、レンズ取付孔に対してコリメートレンズ周囲を均等に接着されて取り付けられている従来の光ピックアップ装置に比べて部品の温度変化に起因するレーザとコリメートレンズとのズレを抑制することができる。これにより、ウォブル信号のオフセットの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一の実施の形態の光ピックアップ装置を示す概略平面図である。
【図２】半導体レーザとコリメートレンズとの取付構造を示す縦断側面図である。
【図３】コリメートレンズのセルへの接着構造を誇張して示し、（ａ）は１点接着を示す正面図、（ｂ）は２点接着を示す正面図、（ｃ）は３点接着を示す正面図、（ｄ）は半周接着を示す正面図である。
【図４】受光素子の分割パターンを示す説明図である。
【図５】ハウジングとセルとの熱膨張変形による半導体レーザとコリメートレンズとの位置ズレ関係を模式的に示す縦断側面図である。
【図６】本発明の第二の実施の形態のコリメートレンズのセルへの接着構造を誇張して示し、（ａ）は６点接着を示す正面図、（ｂ）は全周接着を示す正面図である。
【図７】本発明の第三の実施の形態の半導体レーザとコリメートレンズとの取付構造を示す側面図である。
【図８】コリメートレンズの取付構造を示す分解斜視図である。
【図９】従来の光ピックアップ装置を示す概略平面図である。
【図１０】半導体レーザとコリメートレンズとの取付構造を示す縦断側面図である。
【図１１】コリメートレンズのセルへの接着構造を誇張して示す正面図である。
【図１２】ハウジングとセルとの熱膨張変形による半導体レーザとコリメートレンズとの位置ズレ関係を模式的に示す縦断側面図である。
【符号の説明】
１          光ピックアップ装置
２          レーザ（半導体レーザ）
２ａ        レーザビーム出射軸
３          コリメートレンズ
１０，３２  ハウジング
１５        レンズ取付孔
１５ａ      中心軸
１６，２１，３１    セル
３３ａ      取付面
３４        セル保持部
３４ａ      保持面
Ｚ          光情報記録媒体（光ディスク）
Ｚ１        記録面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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