(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのスイッチング素子の直列接続体が一対、電源・アース間に接続され、それら直列接続体の２つのスイッチング素子の接続点相互間に接続されたモータコイルを、各スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ制御によって任意の方向から、任意のタイミングでＯＮ／ＯＦＦ通電制御可能で、かつ、前記スイッチング素子へのＯＮ／ＯＦＦ制御のデューティ比を変化させてモータ回転速度を制御可能なブラシレス直流１相モータのドライブ回路において、
前記デューティ比が１００％未満のときにＯＮからＯＦＦするアース側スイッチング素子のＯＦＦ期間における前記モータコイルからの電源電流を、前記一対の直列接続体の電源側の共通接続部よりも電源側にて電源・アース間に接続されたコンデンサに吸収させる電流還流用通電路を具備することを特徴とするブラシレス直流１相モータのドライブ回路。
【請求項２】
電流還流用通電路は、モータコイルの電源電流出力側コイル端と電源との間に接続され、電源側から前記モータコイルへの逆流を阻止するダイオードを備えることを特徴とする請求項１に記載のブラシレス直流１相モータのドライブ回路。
【請求項３】
電流還流用通電路は、モータコイルの電源電流出力側コイル端の最大ピーク電圧を設定するツェナダイオードを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のブラシレス直流１相モータのドライブ回路。
【請求項４】
一対の直列接続体を構成するスイッチング素子のうち、一対の電源側スイッチング素子は、各々寄生ダイオードを有するＦＥＴであって、その各電源側ＦＥＴと前記一対の直列接続体の電源側の共通接続部との間に、前記寄生ダイオードとは逆極性に向けられた逆流阻止用のダイオードが各別に介挿接続されることを特徴とする請求項１、２又は３に記載のブラシレス直流１相モータのドライブ回路。
【請求項５】
アース側のスイッチング素子とアースとの間に、逆接防止用のダイオードが介挿接続されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のブラシレス直流１相モータのドライブ回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器の筐体内で発生する熱を外部に排出するファンモータに好適なブラシレス直流１相モータに係り、特にそのドライブ回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
例えば、パーソナルコンピュータやコピー機等のＯＡ機器のように、多数の電子部品を比較的狭い筐体内に収容した電子機器においては、上記電子部品から発生する熱が筐体内にこもり、電子部品を熱破壊させる虞がある。
そこで、このような電子機器の筐体の壁面や天井面に通気口を設け、その通気口にファンモータを取り付けて筐体内の熱を外部に排出するようにしている。
【０００３】
この種のファンモータに、ブラシレス直流１相モータを用いることが少なくないが、このようなブラシレス直流１相モータの従来のドライブ回路を図３を参照しつつ説明する。
この図において、＋Ｂはブラシレス直流１相モータのコイル（モータコイル）Ｌ駆動用の直流電源を示す。
【０００４】
ドライブ回路は、４つのスイッチング素子、ここではＭＯＳ形パワーＦＥＴ（電界効果トランジスタ）Ｑ１〜Ｑ４、ダイオードＤ１及び電解コンデンサ群３１を備えて構成されている。
ＤＣ−ＤＣコンバータ３４は直流電源＋Ｂの電圧以下の直流電源をプリドライブ回路３５に供給する電圧変換回路である。
プリドライブ回路３５は、モータ回転位置検出器３６及びＰＷＭ（pulse width modulation）におけるデューティ比設定器３７から信号を受け、適宜設定されたデューティ比に応じたゲート信号ＧＳ１〜ＧＳ４をＦＥＴ  Ｑ１〜Ｑ４に供給し、それらをＯＮ／ＯＦＦ制御する回路である。なお、３２はヒューズ、３３はフィルタ回路である。
【０００５】
モータコイルＬは、モータのステータ（図示せず）に備えられ、ＦＥＴ  Ｑ１〜Ｑ４によって所定のＯＮ／ＯＦＦタイミングで通電され、動的な磁界（回転磁界）を生成する。
モータのロータ（図示せず）には永久磁石が備えられており、このロータは永久磁石が上記磁界に追従して回転することにより回転する。
【０００６】
いま、モータコイルＬの図中左端から右端に向かって通電されたときに正転状態になると仮定して、上述従来回路の動作を説明する。
まず、モータコイルＬの図中左端から右端の方向に１００％のデューティ比で回転させるゲート信号ＧＳ１〜ＧＳ４がプリドライブ回路３５からＦＥＴ  Ｑ１〜Ｑ４（ゲートＧ１〜Ｇ４）に出力されているとする。この場合、ＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ４には高レベルのゲート信号ＧＳ１，ＧＳ４が、ＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ３には低レベルのゲート信号ＧＳ２，ＧＳ３が出力されている。
このとき、ＦＥＴ  Ｑ１への高レベルのゲート信号ＧＳ１は、直流電源＋Ｂの電圧を超える所定レベルまで昇圧されており、ＦＥＴ  Ｑ１をＯＮしている。ＦＥＴ  Ｑ４への高レベルのゲート信号ＧＳ４は、ＦＥＴ  Ｑ４をＯＮさせるに足りる程度の電圧レベルのまま、ＦＥＴ  Ｑ４に与えられ、ＦＥＴ  Ｑ４をＯＮしている。
一方、ＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ３には各々低レベルのゲート信号ＧＳ２，ＧＳ３が出力されているので、ＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ３は共にＯＦＦ状態にある。
【０００７】
したがって直流電源＋Ｂからの電流は、ＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ４へのゲート信号ＧＳ１，ＧＳ４の高レベル期間毎に、ダイオードＤ１→Ｑ１（ドレイン・ソース間）→モータコイルＬ→ＦＥＴ  Ｑ４（ドレイン・ソース間）→アースの経路で流れる（実線矢印Ｉ１参照）。ＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ４のゲート信号ＧＳ１，ＧＳ４の立上がり及び立下がりは、デューティ比が１００％の設定であれば常に同時であり、モータ（ロータ）は最速回転する。
【０００８】
次に、デューティ比を１００％未満、例えば５０％に下げて回転させる場合には、ＦＥＴ  Ｑ４へのゲート信号ＧＳ４の立下がりタイミングのみについて、上述１００％時に比べて１／２だけ早い時点とされる。
これによると、直流電源＋Ｂからの電流が、ダイオードＤ１→ＦＥＴ  Ｑ１→モータコイルＬ→ＦＥＴ  Ｑ４→アースの経路で流れる期間は上述１００％時の半分となり、モータは最速時の１／２の速度で回転することになる。
【０００９】
ＦＥＴ  Ｑ４のＯＮ期間を超えるＦＥＴ  Ｑ１のＯＮ期間、つまり、ＦＥＴ  Ｑ１のみがＯＮしていてＦＥＴ  Ｑ４がＯＦＦしている期間は、モータコイルＬからの電源電流Ｉ２はＦＥＴ  Ｑ２の寄生ダイオードを通って電解コンデンサ群３１（４つの電解コンデンサＥＣ）に吸収される（破線矢印Ｉ２参照）。電解コンデンサ群３１に吸収された電荷は、ＦＥＴ  Ｑ２のＯＮ時に放出される。
ダイオードＤ１は、この時、モータコイルＬからの電源電流が直流電源＋Ｂ側に流れようとするのを阻止（逆流阻止）する。
【００１０】
ＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ３に高レベルのゲート信号ＧＳ２，ＧＳ３、ＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ４に低レベルのゲート信号ＧＳ１，ＧＳ４が各々出力された場合には、ＦＥＴＱ２，Ｑ３がＯＮし、モータコイルＬへは図中右端から左端に向かって通電される。これによれば、ＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ３は、ゲート信号ＧＳ２，ＧＳ３に基づく所定のデューティ比でモータコイルＬに通電して、モータを回転（逆転）させる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながらこのような従来技術では、次のような問題点があった。
すなわち、上述したように、デューティ比が１００％未満に設定されていると、ＦＥＴ  Ｑ１（又はＱ２）のみがＯＮしていてＦＥＴ  Ｑ４（又はＱ３）がＯＦＦしている期間が生じる。この期間中、モータコイルＬからの電源電流Ｉ２は、ＦＥＴ  Ｑ２（又はＱ１）の寄生ダイオードを通って電解コンデンサ群３１に吸収されるが（破線矢印Ｉ２参照）、この際、ＦＥＴ  Ｑ２（又はＱ１）、特にその寄生ダイオードから高熱が発生するという問題点があった。
また、電解コンデンサ群３１が故障、例えばそのうちの１つの電解コンデンサＥＣが短絡すると、回路破壊を招くが、電解コンデンサ群３１を構成する各電解コンデンサＥＣは、他の構成部品と比較して寿命が短く、故障を起こしやすい。したがって、電解コンデンサ群３１が短寿命であることによりドライブ回路、ひいてはモータを短寿命化するという問題点もあった。
【００１２】
更に、電解コンデンサＥＣは他の構成部品と比較して、部品取付用のプリント基板（図示せず）上の占有空間が大きく、これを複数備える電解コンデンサ群３１に至っては、そのプリント基板上の占有空間が著しく大きくなるという問題点もあった。
また、プリント基板上に、このような占有空間の大きな電解コンデンサＥＣないし電解コンデンサ群３１を、大きさの制約されたプリント基板上にＦＥＴ  Ｑ１〜Ｑ４と共に取り付けると、ＦＥＴ  Ｑ１〜Ｑ４からの発生熱の放熱の妨げとなる。そこで、放熱効果を高めるために、例えば放熱板を設けなければならず、コストを上昇させることになった。
【００１３】
本発明は、上記従来技術の問題点を解消するためになされたもので、電源側のスイッチング素子の発生熱を低減でき、また、デューティ比が１００％未満に設定された際の電源側のスイッチング素子方向への還流電流の吸収を、モータの短寿命化に起因する電解コンデンサ群を使用することなく行うことができ、電解コンデンサ群の使用に起因した種々の問題点を解消できるブラシレス直流１相モータのドライブ回路を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、２つのスイッチング素子の直列接続体が一対、電源・アース間に接続され、それら直列接続体の２つのスイッチング素子の接続点相互間に接続されたモータコイルを、各スイッチング素子のＯＮ／ＯＦＦ制御によって任意の方向から、任意のタイミングでＯＮ／ＯＦＦ通電制御可能で、かつ、前記スイッチング素子へのＯＮ／ＯＦＦ制御のデューティ比を変化させてモータ回転速度を制御可能なブラシレス直流１相モータのドライブ回路において、前記デューティ比が１００％未満のときにＯＮからＯＦＦするアース側スイッチング素子のＯＦＦ期間における前記モータコイルからの電源電流を、前記一対の直列接続体の電源側の共通接続部よりも電源側にて電源・アース間に接続されたコンデンサに吸収させる電流還流用通電路を具備することを特徴とする。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、電流還流用通電路は、モータコイルの電源電流出力側コイル端と電源との間に接続され、電源側から前記モータコイルへの逆流を阻止するダイオードを備えることを特徴とする。
【００１６】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、電流還流用通電路は、モータコイルの電源電流出力側コイル端の最大ピーク電圧を設定するツェナダイオードを備えることを特徴とする。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、請求項１、２又は３に記載の発明において、一対の直列接続体を構成するスイッチング素子のうち、一対の電源側スイッチング素子は、各々寄生ダイオードを有するＦＥＴであって、その各電源側ＦＥＴと前記一対の直列接続体の電源側の共通接続部との間に、前記寄生ダイオードとは逆極性に向けられた逆流阻止用のダイオードが各別に介挿接続されることを特徴とする。
【００１８】
請求項５に記載の発明は、請求項１から４のいずれかに記載の発明において、アース側のスイッチング素子とアースとの間に、逆接防止用のダイオードが介挿接続されることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
図１は、本発明によるブラシレス直流１相モータのドライブ回路の一実施形態を示す図である。
この図において、＋Ｂはブラシレス直流１相モータのコイル（モータコイル）Ｌ駆動用の直流電源を示す。
ドライブ回路は、４つのスイッチング素子、ここではＭＯＳ形パワーＦＥＴ（電界効果トランジスタ）Ｑ１〜Ｑ４、逆流阻止用のダイオードＤ１,Ｄ４，Ｄ５、逆接（電源逆極性接続）防止用のダイオードＤ６及び電流還流用通電路３８，３９を備えて構成されている。
【００２０】
この場合、ＭＯＳ形パワーＦＥＴ（以下、ＦＥＴと略記する。）  Ｑ１〜Ｑ４は、２組のスイッチング素子直列接続体（ＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ３による第１直列接続体とＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ４による第２直列接続体）に分けられ、各々直流電源＋Ｂ及びアース間に順方向に接続されている。駆動対象であるモータコイルＬは、第１直列接続体を構成するＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ３の接続点と、第２直列接続体を構成するＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ４の接続点との間に接続されている。各ＦＥＴ  Ｑ１〜Ｑ４は、それらのゲートＧ１〜Ｇ４に供給される後述プリドライブ回路からのゲート信号（パルス信号）ＧＳ１〜ＧＳ４によりＯＮ／ＯＦＦ制御される。
【００２１】
ダイオードＤ１は、直流電源＋Ｂと上記第１，第２直列接続体Ｑ１，Ｑ３；Ｑ２，Ｑ４との間に、直流電源＋Ｂに対して順方向に接続されている。ダイオードＤ４はダイオードＤ１とＦＥＴＱ１との間に、ダイオードＤ５はダイオードＤ１とＦＥＴＱ２との間に、各々ＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ２の寄生ダイオードとは逆極性（直流電源＋Ｂに対しては順方向）に接続されている。ダイオードＤ６は、上記第１，第２直列接続体Ｑ１，Ｑ３；Ｑ２，Ｑ４とアースとの間に、直流電源＋Ｂに対して順方向に接続されている。なお、本発明回路においては、ダイオードＤ１はこれと同極性のダイオードＤ４，Ｄ５の存在により省略可能である。
【００２２】
電流還流用通電路３８は、モータコイルＬ端から直流電源＋Ｂ側を見たとき、順方向のダイオードＤ２と逆方向のツェナダイオードＺＤ１，ＺＤ２の直列体とからなる直列接続回路を備えてなる。この電流還流用通電路３８は、アース間に適宜のコンデンサ、ここでは後述フィルタ回路を構成するコンデンサが接続された直流電源＋Ｂ（ヒューズ３２等を介して直流電源＋Ｂと導通する箇所、例えば図中イ点を含む。）と、ＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ３及びモータコイルＬの接続点との間に接続される。
【００２３】
また電流還流用通電路３９は、モータコイルＬ端から直流電源＋Ｂ側を見たとき、順方向のダイオードＤ３と、逆方向のツェナダイオードＺＤ３，ＺＤ４の直列体とからなる直列接続回路を備えてなる。この電流還流用通電路３９は、アース間に適宜のコンデンサ、ここでは後述フィルタ回路を構成するコンデンサが接続された直流電源＋Ｂ（ヒューズ３２等を介して直流電源＋Ｂと導通する箇所、例えば図中イ点を含む。）と、ＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ４及びモータコイルＬの接続点との間に接続される。
【００２４】
ヒューズ３２は回路を高電流から保護するために設けられ、フィルタ回路３３は伝導ノイズ、放射ノイズ等の電気的ノイズを除去するために設けられている。この場合、フィルタ回路３３は、コンデンサＣ１，Ｃ２及びコイルＬ１，Ｌ２を備えて構成され、入力端が上記ヒューズ３２を介して直流電源＋Ｂに、出力端が上記ダイオードＤ１のアノードに接続されている。
ＤＣ−ＤＣコンバータ３４は直流電源＋Ｂの電圧以下の直流電源をプリドライブ回路３５に供給する電圧変換回路である。
【００２５】
プリドライブ回路３５は、モータ回転位置検出器３６及びＰＷＭ（pulse width modulation）におけるデューティ比設定器３７から信号を受け、デューティ比設定器３７で設定されたデューティ比に応じたゲート信号ＧＳ１〜ＧＳ４を上記ＦＥＴ  Ｑ１〜Ｑ４に供給し、ＦＥＴＱ１〜Ｑ４をＯＮ／ＯＦＦ制御する回路である。なお、プリドライブ回路３５及びＦＥＴ  Ｑ１〜Ｑ４の各ゲートＧ１〜Ｇ４間には適宜ゲート抵抗（図示せず）が挿入されている。
【００２６】
上記モータコイルＬは、モータのステータ（図示せず）に備えられ、ＦＥＴ  Ｑ１〜Ｑ４によって、上記デューティ比に応じた所定のＯＮ／ＯＦＦタイミングで通電され、動的な磁界（回転磁界）を生成する。
モータのロータ（図示せず）には永久磁石が備えられており、このロータは永久磁石が上記磁界に追従して回転することにより回転する。
【００２７】
いま、モータコイルＬの図中左端から右端に向かって通電されたときに正転状態（本モータがファンモータに適用された場合には送風状態）になると仮定して、上述従来回路の動作を説明する。
まず、モータコイルＬの図中左端から右端の方向に１００％のデューティ比、換言すれば最速設定で回転させるゲート信号ＧＳ１〜ＧＳ４がプリドライブ回路３５からＦＥＴ  Ｑ１〜Ｑ４（ゲートＧ１〜Ｇ４）に出力されているとする。この場合は、ＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ４に高レベルのゲート信号ＧＳ１，ＧＳ４、ＦＥＴＱ２，Ｑ３に低レベルのゲート信号ＧＳ２，ＧＳ３が各々出力されていることになる。
このとき、ＦＥＴ  Ｑ１への高レベルのゲート信号ＧＳ１は、直流電源＋Ｂの電圧を超える所定レベルまで昇圧されており、ＦＥＴ  Ｑ１をＯＮしている。ＦＥＴ  Ｑ４への高レベルのゲート信号ＧＳ４は、直流電源＋Ｂの電圧以下であって、ＦＥＴ  Ｑ４をＯＮさせるに足りる程度の電圧レベルのまま、ＦＥＴ  Ｑ４に与えられ、ＦＥＴ  Ｑ４をＯＮしている。
一方、ＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ３には各々低レベルのゲート信号ＧＳ２，ＧＳ３が出力されているので、ＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ３は共にＯＦＦ状態にある。
【００２８】
したがって直流電源＋Ｂからの電流は、ＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ４へのゲート信号ＧＳ１，ＧＳ４の高レベル期間毎に、ダイオードＤ１→Ｑ１（ドレイン・ソース間）→モータコイルＬ→ＦＥＴ  Ｑ４（ドレイン・ソース間）→アースの経路で流れる（実線矢印Ｉ１参照）。ＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ４のゲート信号ＧＳ１，ＧＳ４の立上がり及び立下がりは、デューティ比が１００％の設定であれば常に同時であり、モータ（ロータ）は最速回転する。本モータがファンモータに適用されている場合には最大量の送風が行われ、取り付けられた電子機器の筐体内の熱を最大能力にて外部に排出する。
なお、ＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ４へのゲート信号ＧＳ１，ＧＳ４の立上がり及び立下がりタイミングは、モータ回転位置検出器３６で検出されたモータ（ロータ；永久磁石）の回転位置信号に従う。
【００２９】
次に、デューティ比を１００％未満、例えば５０％に下げて回転させる場合には、ＦＥＴ  Ｑ４へのゲート信号ＧＳ４の立下がりタイミングのみについて、上述１００％時に比べて１／２だけ早い時点とされる。すなわち、ＦＥＴ  Ｑ１へのゲート信号ＧＳ１の高レベル期間は変えることなく、ＦＥＴ  Ｑ４へのゲート信号ＧＳ４の高レベル期間を半減させる。
これによると、直流電源＋Ｂからの電流が、ダイオードＤ１→ＦＥＴ  Ｑ１→モータコイルＬ→ＦＥＴ  Ｑ４→アースの経路で流れる期間は上述１００％時の半分となり、モータは最速時の１／２の速度で回転することになる。
【００３０】
ＦＥＴ  Ｑ４のＯＮ期間を超えるＦＥＴ  Ｑ１のＯＮ期間、つまり、ＦＥＴ  Ｑ１のみがＯＮしていてＦＥＴ  Ｑ４がＯＦＦしている期間は、モータコイルＬからの電源電流Ｉ３は電流還流用通電路３９を通って直流電源＋Ｂ側のコンデンサ、ここではフィルタ回路３３を構成するコンデンサＣ１に吸収される。
【００３１】
すなわち、本発明回路においては、デューティ比が１００％未満のときにＯＮからＯＦＦするアース側スイッチング素子、ここではＦＥＴ  Ｑ４のＯＦＦ期間の、モータコイルＬからの電源電流を、ＦＥＴ  Ｑ２の寄生ダイオードを通して還流するものではない。これによれば、上記ＯＦＦ期間の上記寄生ダイオードへの通電により同寄生ダイオードから高熱が発生するという問題点が解消され、したがって、放熱効果を高めるためのコストの上昇が抑えられる等、寄生ダイオードからの高熱発生に起因する問題点の解消される。
【００３２】
また、本発明回路においては、従来回路における電解コンデンサ群３１（図３参照）を用いることがなく、したがって、同電解コンデンサ群３１の使用に起因した問題点も解消でき、次のような効果を発揮できる。すなわち、ドライブ回路ひいてはそれにより駆動されるモータの短寿命化を防止でき、また、部品取付用のプリント基板（図示せず）上の部品占有空間を大きくすることや、ＦＥＴ  Ｑ１〜Ｑ４からの発生熱の放熱を妨げること等を防止できる。
【００３３】
図示例では、電流還流用通電路３９は、モータコイルＬ端から直流電源＋Ｂ側を見たとき順方向のダイオードＤ３を備えているので、電源側、すなわち図中イ点からモータコイルＬへ電流が逆流すること（モータコイルＬへの直流電源＋Ｂの直接の流込み）を阻止できる。これによれば、図示電流還流用通電路３９の付加による上記ＦＥＴ  Ｑ４のＯＦＦ期間の電源電流の還流を簡単な構成にて支障なく実現させ得る。
また電流還流用通電路３９は、モータコイルＬの電源電流出力側コイル端（図中、左端）直流電源＋Ｂ側を見たとき逆方向のツェナダイオードＺＤ３，ＺＤ４を備えているので、同電源電流出力側コイル端の最大ピーク電圧の設定が可能となる。これによれば、ダイオードＤ３やコンデンサＣ１等を過電流から保護できる。なお、上記最大ピーク電圧の設定は、ツェナダイオードの直列接続個数等により増減可能である。
【００３４】
更に図示例では、ダイオードＤ５がダイオードＤ１とＦＥＴＱ２との間に、ＦＥＴ  Ｑ２の寄生ダイオードとは逆極性（直流電源＋Ｂに対しては順方向）に接続されている。したがって、本来、電流還流用通電路３９を通ってコンデンサＣ１に吸収されるべき電流がＦＥＴ  Ｑ２の寄生ダイオードを通ってＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ２の直流電源＋Ｂ側へ回り込むことを防止できる。
また図示例では、第１，第２直列接続体Ｑ１，Ｑ３；Ｑ２，Ｑ４とアースとの間に、直流電源＋Ｂに対して順方向にダイオードＤ６が接続され、直流電源＋Ｂの逆接防止が図られている。したがって、直流電源＋Ｂの逆接による回路素子の損傷、破壊等が防止でき、信頼性を増す。
【００３５】
ＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ３に高レベルのゲート信号ＧＳ２，ＧＳ３、ＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ４に低レベルのゲート信号ＧＳ１，ＧＳ４が各々出力された場合には、ＦＥＴＱ１，Ｑ４がＯＦＦし、それに代わってＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ３がＯＮし、モータコイルＬへは図中右端から左端に向かって通電される。これによれば、ＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ３は、正転時のＦＥＴ  Ｑ１，Ｑ４と同様に動作し、ＦＥＴ  Ｑ２，Ｑ３へのゲート信号ＧＳ２，ＧＳ３に基づく所定のデューティ比でモータコイルＬに通電して、モータを回転（逆転）させる。
ここで、ダイオードＤ２、ツェナダイオードＺＤ１，ＺＤ２及びダイオードＤ４は、各々ダイオードＤ３、ツェナダイオードＺＤ３，ＺＤ４及びダイオードＤ５に相当する。したがって、上述モータ逆転時においても、モータ正転時におけるダイオードＤ３、ツェナダイオードＺＤ３，ＺＤ４及びダイオードＤ５による作用、効果と同様の作用、効果が得られる。
【００３６】
なお、図１中のフィルタ回路３３は省略してもよく、この場合は、図２に示すように、ノイズ除去兼用のコンデンサＣ３に還流電流の吸収を行わせる。コンデンサＣ１，Ｃ３の容量は、電流Ｉ３の値や図示回路中の直流電源＋Ｂのラインやこれと導通するライン、例えば直流電源＋Ｂを供給する電源回路（図示せず）の電源ライン及びアース間に接続されるコンデンサ（図示せず）の容量等によって適宜設定される。
なお、上掲各図において、同一符号は同一又は相当部分を示す。
【００３７】
【発明の効果】
以上述べたように請求項１に記載の発明によれば、デューティ比が１００％未満に設定された際の還流電流の吸収を、電源側スイッチング素子に高熱を発生させることなく行うことができる。
また、上記還流電流の吸収を、電解コンデンサ群を使用することなく行うことができ、電解コンデンサ群の使用に起因した種々の問題点を解消できる。すなわち、ドライブ回路ひいてはそれにより駆動されるモータの短寿命化や、部品取付用のプリント基板上の部品占有空間が大きくなること等を防止でき、また、電解コンデンサ群が放熱を妨害することにより付加される放熱板の除去が可能となる等の利点があり、コストの低減が図れる。
【００３８】
請求項２に記載の発明によれば、電流還流用通電路の付加による電源側からモータコイル電流が逆流することを簡単な構成で阻止でき、請求項１の発明を低コストにて実現できる。
【００３９】
請求項３に記載の発明によれば、モータコイルの電源電流出力側コイル端の最大ピーク電圧の設定が可能となり、回路中のコンデンサやダイオード等を過電流から保護できる。
【００４０】
請求項４に記載の発明によれば、スイッチング素子が寄生ダイオードを有するＦＥＴである場合に、電流還流用通電路を通ってコンデンサに吸収されるべき電流が寄生ダイオードを通って電源側へ回り込むことを防止できる。
【００４１】
請求項５に記載の発明によれば、回路への直流電源の逆接（逆極性接続）が防止され、電源逆接による回路素子の損傷、破壊等が防止でき、信頼性を増す。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明回路の一実施形態を示す図である。
【図２】同じく他の実施形態を示す図である。
【図３】従来回路を示す図である。
【符号の説明】
Ｑ１，Ｑ２  ＭＯＳ形パワーＦＥＴ（電源側スイッチング素子）
Ｑ３，Ｑ４  ＭＯＳ形パワーＦＥＴ（アース側スイッチング素子）
＋Ｂ  直流電源
Ｌ  モータコイル
Ｃ１  コンデンサ
３８，３９  電流還流用通電路
【図１】
0003932409.tif 000002
【図２】
0003932409.tif 000003
【図３】
0003932409.tif 000004