(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板主表面に形成された、活性層を挟むｐｎ接合構造を有する発光層と、
前記発光層の発光面側に形成され、ＺｎもしくはＧｅを含む第１電極と、
前記半導体基板の裏面に形成された第２電極と、
前記第１電極の一部の下層に形成され、ＩｎＡｌＰからなる電流ブロック層と、
前記第１電極と前記電流ブロック層との間に前記第１電極及び前記電流ブロック層のそれぞれに接して形成され、前記第１電極とアロイ層を形成しうる中間層とを有し、
前記中間層が、Ｇａを含み、かつ、前記半導体基板、前記発光層もしくは前記電流ブロック層のいずれかの層で用いられる材料と共通する半導体材料を成分として含むことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記中間層が、ＧａＡｓ層である請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１電極が、ＺｎもしくはＧｅを含むＡｕである請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第１電極が、透明電極層を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１電極が、Ｚｎを含有する層と、前記透明電極層と、ボンディング用電極とを有することを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光素子に関し、特に外部に電流ブロック層を備えた半導体発光素子の電極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図７（ａ）および図７（ｂ）は、従来の外部狭窄型緑色半導体発光ダイオード（ＬＥＤ）の構造を示す装置平面図および切断線Ａ’−Ａ’における装置断面図である。
【０００３】
図７（ｂ）に示すように、ｎ型のＧａＡｓ基板１１０の上には、ＧａＡｓバッファ層１１１を介して、ｎ型クラッド層１１２ｎ、ノンドープ−活性層１１２ｉおよびｐ型クラッド層１１２ｐからなる発光層１１２が形成されている。
【０００４】
例えばｎ型クラッド層１１２ｎはＩｎ０．５Ａ１０．５Ｐ層を、ノンドープ活性層１１２ｉはＩｎ０．５（Ｇａ０．５５Ａ１０．４５）０．５Ｐ層を、そしてｐ型クラッド層１１２ｐはＩｎ０．５Ａ１０．５Ｐ層を用いている。
【０００５】
ＧａＡｓ基板１１０の裏面には下部電極（ｎ電極）１１９が全面に形成され、発光面となる半導体発光素子の表面には、部分的に上部電極（ｐ電極）１１８が形成されている。ｐ電極材としては、Ｚｎを含むＡｕ（ＡｕＺｎ）が用いられ、ｎ電極材としては、Ｇｅを含むＡｕ（ＡｕＧｅ）が用いられている。
【０００６】
図７（ａ）に示すように、上部電極１１８は遮光部となるため、発光面の全面を覆うことはできず、上部電極１１８は中央部と周縁部にのみ形成される。このうち中央部の電極は、ボンディングワイヤ１０１のボンディング用電極１１８ｂとして用いられる。周縁部の上部電極１１８ａは、対角線状に配置された４本の細線電極で中央部のボンディング用電極１１８ｂとつながっている。
【０００７】
上部電極１１８（１１８ａ、１１８ｂ）は、半導体発光素子表面の全面に形成されるものではないため、このまま直接発光層１１２上に上部電極を形成したのでは、電極近傍のみに電流が集中し、発光領域が偏ったものとなる虞れがある。
そこで、発光層１１２全体に均一に電流を流すため、通常、上部電極１１８と発光層１１２の間には、Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ層等からなる電流拡散層１１４が形成される。
【０００８】
また、電流拡散層１１４と上部電極１１８の間にはオーミックコンタクトをとるため、ＧａＡｓ層等からなるオーミックコンタクト層１１５が形成される。
【０００９】
一方、上部電極１１８が形成されている領域は遮光部となるため、上部電極１１８直下で発光する光は外部に射出できない。この部分を流れる電流は無駄に消費され、実質的な発光効率を低くする。そこで、最近の半導体発光素子では、図７（ｂ）に示すように、特に中央部のボンディング用電極１１８ｂの直下に電流の流れを遮断する電流ブロック層１１６が設けられている。この電流ブロック層１１６としては、例えば電流拡散層１１４と逆の導電型を持つＩｎＡｌＰ層等が用いられる。電流拡散層１１４と電流ブロック層１１６とが、逆方向のＰＮ接合を形成するため、接合抵抗により電流が遮断される。
【００１０】
電流ブロック層１１６は、このように電流拡散層１１４の上層に形成されるものばかりでなく、発光層上に直接形成され、電流拡散層がその上に形成されるものもある。前者は「外部狭窄型発光素子」、後者は「内部狭窄型発光素子」と一般に呼ばれている。外部狭窄型発光素子は、パターニングを必要とする電流ブロック層１１６が半導体積層構造の最表面に形成されるため、半導体積層を全て同一チャンバー内で連続に積層形成した後に電流ブロック層のパターニングができる。よって、プロセス上の負担も少なく、各半導体積層の良好なエピタキシャル成長を確保できる。
【００１１】
図８（ａ）、図８（ｂ）は、透明電極を上部電極に用いた従来の半導体発光素子の平面図と切断線Ｂ’−Ｂ’での断面図である。この場合は、半導体発光素子の発光面側表面全面に透明電極１２０が形成される。しかし、透明電極１２０上には直接ワイヤボンディングをすることができないため、透明電極上にＡｕ等からなるボンディング用電極１１８を形成する。このボンディング用電極１１８については遮光部となるため、下層には、図７（ａ）、図７（ｂ）と同様に、電流ブロック層１１６が形成される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
電流ブロック層１１６は、電流を遮断することが目的であるから、ボンディング用電極１１８ｂとオーミックコンタクトをとる必要はない。よって、これまでは電流ブロック層１１６上に直接ボンディング用電極１１８ｂが形成されていた。
【００１３】
しかし、ボンディング用電極１１８ｂは、ボンディングの際に大きな引っ張りの力がかかる。このため、従来電流ブロック層１１６上に形成されたボンディング用電極１１８ｂが剥がれてしまうという問題が生じており、素子の歩留まりを悪化させる要因となっていた。上部電極（ボンディング用電極）の剥がれの問題は、上部電極として透明電極を用いた場合も同様に発生する。
【００１４】
そこで、上記課題に鑑み、本発明の目的は、電流ブロック層上に形成される上部電極が剥がれにくい外部狭窄型発光素子を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体発光素子の第１の特徴は、半導体基板と、半導体基板主表面に形成された、活性層を挟むｐｎ接合構造を有する発光層と、発光層の発光面側に形成された第１電極と、半導体基板の裏面に形成された第２電極と、第１電極の一部の下層に形成され、ＩｎＡｌＰからなる電流ブロック層と、第１電極と電流ブロック層との間に第１電極と電流ブロック層に接して形成された、第１電極材料とアロイ層を形成しうる中間層とを有することである。
【００１６】
上記第１の特徴によれば、中間層が第１電極材料との界面でアロイ層を形成するため、中間層を介して第１電極と電流ブロック層の接着力が強化される。
【００１７】
なお、上記構成において、発光層と第１電極の間に電流拡散層を含んでいてもよい。
【００１８】
本発明の半導体発光素子の第２の特徴は、上述する第１の特徴を有する半導体発光素子において、前記第１電極が、ＺｎもしくはＧｅを含み、前記中間層が、少なくともＧａを含むことである。
【００１９】
上記第２の特徴によれば、第１電極に含まれるＺｎもしくはＧｅと中間層に含まれるＧａが、互いに置換し易いため、第１電極と中間層の界面にアロイ層を形成する。よって、より確実に、中間層を介して第１電極と電流ブロック層との接着力が強化される。
【００２０】
本発明の半導体発光素子の第３の特徴は、上述する第２の特徴を有する半導体発光素子において、前記中間層が、前記半導体基板、前記発光層もしくは前記電流ブロック層のいずれかの層で用いられる材料と共通する半導体材料を成分として含むことである。
【００２１】
上記第３の特徴によれば、中間層をも発光層や電流ブロック層と連続して、ＭＯＣＶＤ法等を用いて同一チャンバー内で形成できるため、プロセス上の負担が少ない。例えば、基板と同じＧａＡｓ層や発光層と共通するＩｎＡｌＰを主成分とする中間層を形成することができる。
【００２２】
例えば、上述する特徴を有する中間層として、ＧａＡs層を用いてもよい。また、第１電極として、ＺｎあるいはＧｅを含むＡｕ電極を用いてもよい。
【００２３】
なお、第１電極が、透明電極層を含んでいてもよい。さらに、第１電極が、Ｚｎを含有する層と、透明電極層と、ボンディング用電極とを有していてもよい。この場合は、透明電極層中にＺｎがドープされるため、中間層と透明電極中のＺｎが界面間で置換し、アロイ層を形成し、中間層を介して透明電極層と電流ブロック層の接着力を改善する。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２５】
第１〜第３の本発明の実施の形態は、いずれも電流ブロック層上に上部電極（ボンディング用電極）を備えた外部狭窄型半導体発光素子において、電流ブロック層と上部電極間に中間層としてＧａＡｓ層を備えることで、電流ブロック層と上部電極との密着性を改善させたものである。
【００２６】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）と図１（ｂ）は、第１の実施の形態にかかる緑色発光の半導体発光素子の構造を示す装置平面図および切断線Ａ−Ａでの装置断面図である。基本的な構造は従来の外部狭窄型半導体発光素子と共通する。
【００２７】
図１（ｂ）に示すように、ｎ型のＧａＡｓ基板１０の上には、バッファ層１１を挟んで、ｎ型クラッド層１２ｎ、ノンドープ活性層１２ｉおよびｐ型クラッド層１２ｐからなる発光層１２が形成されている。また、ＧａＡｓ基板１０の裏面には、ＡｕＧｅからなる下部電極（ｎ電極）１９が形成されている。
【００２８】
例えば、発光層１２は、ｎ型クラッド層１２ｎとしてＩｎ０．５Ａ１０．５Ｐ層を、ノンドープ活性層１２ｉとしてＩｎ０．５（Ｇａ０．５５Ａ１０．４５）０．５Ｐ層を、そしてｐ型クラッド層１２ｐとしてＩｎ０．５Ａ１０．５Ｐ層を用いる。
【００２９】
発光層１２の表面には、ｐ型のＡｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ層等からなる電流拡散層１４が形成されており、電流拡散層１４上には上部電極（ｐ電極）１８とのオーミック接続を可能とするため、ｐ型のＧａＡｓ層からなるオーミックコンタクト層１５が形成されている。素子周縁部の上部電極１８ａは、オーミックコンタクト層１５の上に直接形成される。
【００３０】
一方、半導体発光素子中央部には、ボンディングを行う領域に、ｎ型のＩｎＡｌＰよりなる電流ブロック層１６が形成されており、この電流ブロック層１６上にＧａＡｓ層からなる中間層１７を形成している。ボンディング用電極１８ｂおよび素子周縁部の上部電極１８ａは、ＡｕＺｎを用いている。
【００３１】
図２は、中間層１７であるＧａＡｓ層とＡｕＺｎからなるボンディング用電極１８ｂとの界面状態を示すものである。半導体発光素子の作製の過程では、アニール処理が加わるが、このとき、ＧａとＺｎが界面間で相互に動き、結晶格子中の互いのサイトに置換しあい、合金（アロイ）層５を形成する。同図中に示すように、電子顕微鏡を用いて観察すると、このアロイ層は界面に均一に形成されるのではなく、ところどころに偏在するかたちで、逆メサ型の形状で成長する。このように偏在的に成長したアロイ層は、第１電極１８と中間層１７を強固に接着する。
【００３２】
図３は、ボンディング工程における歩留まりを従来の半導体発光素子と第１の実施の形態における半導体発光素子との間で比較したものである。従来の半導体発光素子では、約１０％のものがボンディング工程で、上部電極の剥がれを生じていたのに対し、第１の実施の形態にかかる半導体発光素子ではボンディング用電極の剥がれがほぼ完全に阻止でき、１００％の歩留まりを得ることができる。
【００３３】
このように、中間層１７として、ボンディング用電極１８ｂとの間でアロイ層を形成しうる材料を用いれば、上部電極１８、特にボンディング用電極１８ｂ部の剥がれによる歩留まりの劣化を防止できる。
【００３４】
上部電極１８中にＺｎを含む場合は、このＺｎと置換しやすいＧａを含む材料はアロイ層の形成に好ましい。よって、ＧａＡｓ膜に限らず、Ｇａを含む種々の膜を中間層１７として用いることができる。また、中間層１７としては、ＧａＡｓ膜のように、ＭＯＣＶＤ法を用いて電流ブロック層１６と連続して、同一チャンバー内で形成できる半導体膜を用いれば、プロセス上の負担を少なくできるので好ましい。中間層１７の導電型は特に限定されない。
【００３５】
また、中間層の膜厚は、少なくとも例えば１０ｎｍ程度あれば、上部電極層との間でアロイ層を形成できるので中間層としての機能を十分果たしうる。
【００３６】
次に、図４（ａ）〜図４（ｃ）を参照しながら、上述した第１の実施の形態にかかる半導体発光素子の作製方法について説明する。
【００３７】
まず、図４（ａ）に示すように、厚み約２５０μｍのＧａＡｓ基板１０の上に、ＭＯＣＶＤ法を用いて発光層１２を含む半導体積層膜（１１〜１７）を同一チャンバーを用いて、連続に積層形成する。即ち、まず、バッファ層２０となる厚み約０．５μｍのｎ型ＧａＡｓ層１１を形成し、続けて発光層１２を構成するｎ型クラッド層１２ｎである厚み０．６μｍのＩｎ０．５Ａ１０．５Ｐ、ノンドープ活性層１２ｉとなる厚み約１．０μｍのＩｎ０．５（Ｇａ０．５５Ａ１０．４５）０。５Ｐと、ｐ型クラッド層１２ｐとなる厚み約１．０μｍの（Ｉｎ０．５Ａ１０．５Ｐ）を形成する。
【００３８】
さらに、同一チャンバー内で、続けて電流拡散層１４である厚さ約１μｍのｐ型Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ層とオーミックコンタクト層１５である厚さ約０．１μｍのｐ型ＧａＡｓ層、電流ブロック層１６である厚さ約０．２μｍのｎ型Ｉｎ０．５Ａｌ０．５Ｐ層、そして中間層１７である約０．１μｍのｎ型ＧａＡｓ層を形成する。
【００３９】
以上の半導体積層の形成に用いるＭＯＣＶＤ法では、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）やトリメチルインジウム（ＴＭＩ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）等の有機ガス材料やアルシン（ＡｓＨ３）やホスフィン（ＰＨ３）等の水素系ガスを用い、さらにドーピング材としてシラン（ＳｉＨ４）やジメチル亜鉛（ＤＭＺ）等をガス源として用い、基板温度７００℃程度で膜形成を行えばよい。
【００４０】
なお、成膜方法は、ＭＯＣＶＤに限らず、ＭＢＥ法を用いてもよい。
【００４１】
次に、図４（ｂ）に示すように、通常のフォトリソグラフィ工程を用いて、中間層１７と電流ブロック層１６をパターニングし、素子中央にのみ残るパターンを形成する。その後、半導体発光素子全面に、上部電極（ｐ電極）１８となるＡｕＺｎをスパッタ蒸着する。この後、この上部電極１８をフォトリソグラフィ工程を用いてパターニングし、ボンディング用電極１８ｂと周縁の上部電極１８ａを形成する。
【００４２】
図４（ｃ）に示すように、ＧａＡｓ基板１０の裏面を研磨し、当初の厚みが２５０μｍであったものを１００μｍ厚にまで薄くする。その後、ＧａＡｓ基板１０の裏面にＧｅを含むＡｕ（ＡｕＧｅ）を蒸着し、下部電極（ｎ電極）１９を形成する。この後、Ａｒ雰囲気中で約４５０℃の温度にて１５分間アニール処理を行い、上部電極１８および下部電極１９に必要なオーミックコンタクトを形成する。またこのとき同時に、中間層１７とボンディング用電極１８ｂ間の界面にアロイ層が形成される。
【００４３】
この後、ウエハのスクライビングを行い、チップごとに切断分離する。切断分離した各チップは、リードフレームに導電性接着材を用いてダイボンディングする。その後、ボンディング用電極１８ａ上にＡｕワイヤのボンディングを行う。この後、エポキシ樹脂を用いてチップを砲弾状の樹脂封止体中に封止すれば、半導体発光素子が完成する。
【００４４】
（第２の実施の形態）
図５（ａ）と図５（ｂ）は、第２の実施の形態にかかる緑色発光の半導体発光素子の構造を示す装置平面図および切断線Ｂ-Ｂにおける装置断面図である。基本的な構造は上述する第１の実施の形態にかかる外部狭窄型半導体発光素子と共通するが、第２の実施の形態にかかる半導体発光素子は、第１の実施の形態にかかるものと半導体発光層の導電型の配列が異なっている。
【００４５】
図５（ｂ）に示すように、ｐ型のＧａＡｓ基板２０の上に、バッファ層となる０．５μｍのｐ型ＧａＡｓを介して、発光層２２が形成されている。発光層は、下から０．６μｍのｐ型クラッド層２２ｐ（Ｉｎ０．５Ａ１０．５Ｐ）、１．０μｍのノンドープ活性層２２ｉ（Ｉｎ０．５（Ｇａ０．５５Ａ１０．４５）０．５Ｐ）、１．０μｍのｎ型クラッド層２２ｎ（Ｉｎ０．５Ａ１０．５Ｐ）の順に積層形成されている。
【００４６】
ＧａＡｓ基板２０は、研磨により約１００μｍ厚に加工され、その裏面には、ＡｕＺｎからなる下部電極（ｐ電極）２９が形成されている。
【００４７】
発光層２２の表面には、１μｍ厚のｎ型のＡｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ層等からなる電流拡散層２４が形成されており、電流拡散層２４上には上部電極２８とのオーミック接続を可能とするため、０．１μｍ厚のｎ型のＧａＡｓ層からなるオーミックコンタクト層２５が形成されている。素子周縁部のＡｕＧｅからなる上部電極２８ａは、オーミックコンタクト層２５の上に直接形成されている。
【００４８】
一方、半導体発光素子中央部には、厚み約０．２μｍのｐ型の電流ブロック層２６（Ｉｎ０．５Ａ１０．５Ｐ層）が形成されており、この電流ブロック層２６上に厚み０．１μｍのｐ型のＧａＡｓ層からなる中間層２７が形成され、ＡｕＧｅからなるボンディング用電極２８ｂはこの中間層２７上に形成されている。ボンディング用電極２８ｂと周縁部の上部電極２８ｂは４本の細線電極によりつながっている。
【００４９】
上述する第２の実施の形態にかかる半導体発光素子も第１の実施の形態にかかるものとほぼ同じ製造方法で作製することができる。即ち、バッファ層２１から中間層２７までは、ＭＯＣＶＤ法により同一チャンバー内で、ガス源を操作することで、連続的に積層形成する。その後、チャンバーより取りだし、電流ブロック層２６と中間層２７に必要なパターニングを行い、ボンディング電極形成領域を画定した後、スパッタ法や蒸着法等を用いて上部電極層の形成を行う。続けてパターニングにより周縁部の上部電極２８ａとボンディング用電極２８ｂを形成する。この後、ＧａＡｓ基板２０を研磨して薄くした後、基板裏面に下部電極２９を形成し、必要な熱処理を行う。スクライビングから実装までの工程も第１の実施の形態と同じ工程で行うことができる。
【００５０】
第２の実施の形態にかかる半導体発光素子では、第１の実施の形態の場合と導電型の配列が異なるため、中間層２７はｐ型のＧａＡｓ層からなり、ボンディング用電極２８ｂはＡｕＧｅからなる。しかし、この場合も第１の実施の形態と同様に、中間層２７とボンディング用電極２８ｂとの界面では、ＧａとＧｅとの置換作用が起こり、アロイ層が形成される。その結果、両者の層の接着力が高まり、ボンディング工程における引っ張りに対して、電極剥がれを確実に防止できる。
【００５１】
（第３の実施の形態）
図６（ａ）と図６（ｂ）は、第３の実施の形態にかかる緑色発光の半導体発光素子の構造を示す装置平面図および切断線Ｃ-Ｃにおける装置断面図である。基本的な構造は上述する第１の実施の形態にかかる外部狭窄型半導体発光素子と共通するが、第３の実施の形態にかかる半導体発光素子は、上部電極として透明電極を用いる点が異なる。
【００５２】
ＧａＡｓ基板３０、ＧａＡｓ基板３０の裏面に形成する下部電極３９、バッファ層３１、発光層３２（３２ｐ、３２ｉ、３２ｎ）、電流拡散層３４、オーミックコンタクト層３５、電流ブロック層３６および中間層３７の構成は、第１の実施の形態にかかる半導体発光素子と各層の材料、膜厚等の構成と同じである。
【００５３】
第３の実施の形態における半導体発光素子では、上部電極として透明電極（ＩＴＯ）４１を使用する場合は、遮光部とならないため発光側の素子表面全面に形成される。さらに、この透明電極４１下には透光性を阻害しない薄いＺｎを含むＡｕ（ＡｕＺｎ）膜４２を形成している。また、透明電極４１はボンディング用電極として用いることはできないので、半導体発光素子中央上には、Ａｕ電極を形成し、これをボンディング用電極３８として用いている。なお、透明電極４１下に形成されたＡｕＺｎ膜４２は、アニール処理より、オーミックコンタクト層３５と透明電極４１とのオーミック性を確保する。
【００５４】
第３の実施の形態においても、ＧａＡｓ層からなる中間層３７と上部電極である透明電極４１との界面では、ＡｕＺｎ層４２中のＺｎと中間層のＧａとが相互の結晶格子サイトで置換しあい界面にアロイ層を形成し、透明電極４１と電流ブロック層３６間の接着性を改善する。
【００５５】
第３の実施の形態にかかる半導体発光素子も、透明電極４１とＡｕＺｎ層４２を除く部分については、第１の実施の形態とほぼ同じ製造工程で形成することができる。透明電極４１は約０．１μｍ、ＡｕＺｎ層４２は約１〜４ｎｍ程度の厚みを、それぞれスパッタ等を用いて形成すればよい。
【００５６】
以上、本発明の半導体発光素子について、実施の形態に沿って説明したが、本発明は、これらの実施の形態の記載に限定されるものではなく、種々の材料の置換や改変が可能であることは明らかである。
【００５７】
例えば、上述する半導体発光素子は、緑色発光素子の例を上げているが、発光色はこれに限られない。よって、発光層の組成は、発光する色によって、種々の組成のものを使用することができる。
【００５８】
また、同様に電流ブロック層とその上に形成する上部電極構造を有する面発光タイプの半導体レーザにおいても上述する構成を応用できる。
【００５９】
【発明の効果】
上述するように、本発明の半導体発光素子は、半導体基板と、発光層の発光面側に形成された第１電極と電流ブロック層との間に第１電極とアロイ層を形成しうる中間層を備えることにより、中間層を介して第１電極と電流ブロック層の接着性が強化できる。よって、電流ブロック層上の第１電極にワイヤボンディングする際にも、第１電極の剥がれを防止し、半導体発光素子のプロセス上の歩留まりを上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる外部狭窄型半導体発光素子の平面図および断面図である。
【図２】第１の実施の形態にかかる半導体発光素子における中間層とボンディング用電極との界面の様子を示す図である。
【図３】第１の実施の形態にかかる半導体発光素子におけるボンディング工程での歩留まりを従来のものと比較したグラフである。
【図４】第２の実施の形態にかかる外部狭窄型半導体発光素子の平面図および断面図である。
【図５】第２の実施の形態にかかる外部狭窄型半導体発光素子の製造方法を説明するための各工程における装置断面図である。
【図６】第３の実施の形態にかかる外部狭窄型半導体発光素子の平面図および断面図である。
【図７】従来の外部狭窄型半導体発光素子の平面図および断面図である。
【図８】従来の透明電極を用いた外部狭窄型半導体発光素子の平面図および断面図である。
【符号の説明】
１、２、３   ボンディングワイヤ
１０、２０、３０  半導体基板
１１、２１、３１  バッファ層
１２、２２、３２  発光層
１４、２４、３４  電流拡散層
１５、２５、３５  オーミックコンタクト層
１６、２６、３６  電流ブロック層
１７、２７、３７  中間層
１８、２８、３８  上部電極
１９、２９、３９  下部電極
４１  透明電極層
４２  ＡｕＺｎ層
【図１】
0004028152.tif 000002
【図２】
0004028152.tif 000003
【図３】
0004028152.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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