(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を用意する段階と、
前記基板上に感光材料の膜を形成する段階と、
前記感光材料のパターニングによって、異なる底面積の底部を有し、その底面積に応じて異なる高さを有しており、且つ底部が互いに連結された複数個のバンプであって、底面積が大きいものほど高さが高くなっている複数個のバンプを形成する段階と、
前記バンプにスムージング処理を実施して、傾斜角を有するバンプ構造を形成する段階とを含む、傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項２】
前記バンプにスムージング処理を実施する段階が、
加熱により前記バンプを溶融する工程と、
前記溶融されたバンプをリフローして傾斜角を有するバンプ構造を形成する工程とを含む、
請求項１に記載の傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項３】
前記感光材料のパターニング段階が、単一の露光工程および現像工程を含む、請求項１記載の傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項４】
基板を用意する段階と、
前記基板上に感光材料の膜を形成する段階と、
前記感光材料のパターニングを行ない、ｍ個（ｍは、ｍ≧１である正の整数）のグループのパターンを形成し、各グループが、異なる底面積の底部を有し、その底面積に応じて異なる高さを有しており、且つ底部が互いに連結された複数個のバンプであって、底面積が大きいものほど高さが高くなっている複数個のバンプを含むようにする段階と、
前記バンプにスムージング処理を実施して、傾斜角を有するバンプ構造を形成する段階とを含む、傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項５】
前記感光材料のパターニングを実施する段階が、前記感光材料の露光および現像を含む、請求項４に記載の傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項６】
前記感光材料を露光する段階が、単一の露光工程によって行われる、請求項５記載の傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項７】
前記感光材料を露光するためにフォトマスクが使用される、請求項５または６に記載の傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項８】
前記フォトマスクはｍ個（ｍは、ｍ≧１である正の整数）のグループのパターンを有し、各グループのパターンは、異なる幅を有する複数個の不透明バーを含んでおり、隣接する不透明バー間のスリット内には不透明ストリップが配置されている、請求項７に記載の傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項９】
各グループの前記連結されたバンプは、底面積の大きいものから底面積の小さいものへと順に並べられている請求項４に記載の傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項１０】
前記感光材料により形成されたｍ個のグループのパターンが規則的に配置されている、請求項４に記載の傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項１１】
前記感光材料により形成されたｍ個のグループのパターンがランダムに配置されている、請求項４に記載の傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項１２】
前記各グループのパターンが、ｎ個（ｎは、ｎ≧２である正の整数）のバンプを含む、請求項４に記載の傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項１３】
ｍ個のグループの傾斜角を有するバンプ構造がスムージング処理終了後に形成され、各グループはｎ個（ｎは、ｎ≧２である正の整数）のバンプを含む、請求項１２に記載の傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項１４】
基板を用意する段階と、
前記基板上に感光材料の膜を形成する段階と、
前記感光材料のパターニングを行ない、異なる底面積の底部を有し、その底面積に応じて異なる高さを有しており、且つ底部が互いに連結されている複数個のバンプであって、底面積が大きいものほど高さが高くなっている複数個のバンプを形成する段階と、
前記バンプにスムージング処理を実施して、傾斜角を有するバンプ構造を形成する段階と、
前記基板上に反射金属膜を形成して、前記傾斜角を有するバンプ構造をこの反射金属膜で覆う段階とを含む、バンプ構造を有する傾斜リフレクタの製造方法。
【請求項１５】
前記感光材料のパターニングを実施する段階が、前記感光材料の露光および現像を含む、請求項１４に記載のバンプ構造を有する傾斜リフレクタの製造方法。
【請求項１６】
前記バンプにスムージング処理を実施する段階が、
加熱によりバンプを溶融する工程と、
前記溶融されたバンプをリフローして、傾斜角を有するバンプ構造を形成する工程とを含む、請求項１４に記載のバンプ構造を有する傾斜リフレクタの製造方法。
【請求項１７】
前記バンプ構造を有する傾斜リフレクタが反射型液晶ディスプレイ（LCD）に適用されるものである、請求項１４に記載のバンプ構造を有する傾斜リフレクタの製造方法。
【請求項１８】
基板上に感光材料の膜を形成する段階と、
多スリット構造を有する透明領域である第１領域と、不透明領域である第２領域とを有するフォトマスクを通して、前記感光材料を露光する段階と、
前記感光材料を現像して、前記フォトマスクの第１領域に対応する前記感光材料の膜の第１部分と、前記フォトマスクの第２領域に対応し、前記第１部分に結合される前記感光材料の膜の第２部分とを形成させ、かつ、前記第１部分に凹面部を形成させる段階と、
前記感光材料にスムージング処理を実施して、所定の傾斜角を有する連続不定形構造を形成する段階とを含む、傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【請求項１９】
基板上に、感光材料の膜を形成する段階と、
多スリット構造を有する透明領域である第１領域と、不透明領域である第２領域とを有するフォトマスクを通して、前記感光材料の膜を露光する段階と、
前記感光材料を現像して、前記第１領域に対応する前記感光材料の膜の第１部分と、前記第２領域に対応し、前記第１部分に結合される前記感光材料の膜の第２部分とを形成する段階と、
前記感光材料にスムージング処理を実施して、所定の傾斜角を有する連続不定形構造を形成する段階とを含む、傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、２００１年８月３１日出願の台湾出願第９０１２１７０９号を参照として含む。
本発明は、バンプ構造を有する傾斜リフレクタの製造方法および傾斜リフレクタのバンプ構造製造方法に関し、さらに詳細には、反射型液晶ディスプレイ（LCD）に適用されるバンプ構造を有する傾斜リフレクタの製造方法および傾斜リフレクタのためのバンプ構造の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
最近、市場において、反射型液晶ディスプレイ（LCD）の輝度のみならず視野角までもが要求されるようになってきた。高輝度と広視野角を有する反射型LCDの開発方法は、製造者および研究者にとってきわめて重要な課題である。
図１は、従来のリフレクタの反射率分布を示す図である。反射率は、光検知システムにより測定されている。リフレクタは水平に設置され、その表面はスムーズである。リフレクタの表面に達する入射光の入射角は２０度とする。光学理論によれば、反射光の反射角度は−２０度である。したがって、図１に示すように、−２０度の視野角において最大反射率R1が生じ、ほとんど−２０度付近の領域に集まり、反射率分布曲線がきわめて狭くなる。
【０００３】
しかしながら、理想的なLCDは、０度の視野角で最大反射率を示すとともに、広範囲の視野角で反射光を分散すべきである。
図１の曲線を左方向へ変位させるために、他の従来の方法によれば、リフレクタを傾斜させて光路を変更する。たとえば、リフレクタの表面とレベルとの間の角度が１０度になるまでリフレクタを傾斜させると、入射角２０度の元来の入射光は図２に示したように０度の角度で反射させることができる。図２は、他の従来のリフレクタの反射率分布を示す図である。このリフレクタはある傾斜角（１０度）を成すようにセットされ、その表面はスムーズである。最大反射率R1は０度の視野角で生じるが、反射率分布曲線は依然として狭く、ほとんど０度付近の領域にある。広視野角を有する反射型LCDという目的は、達成されていない。
【０００４】
反射率がある角度に過度に集中するという問題を解決するための他の従来方法は、傾斜リフレクタ上に多数のバンプを形成することであった。
図３は、さらに他の従来のリフレクタの反射率分布を示す図である。このリフレクタは傾斜角（１０度）を成すようにセットされ、その表面上に多数のバンプが形成されている。傾斜リフレクタであるために、０度の角度の付近に高反射率が検知される。また、バンプの各点における垂線が平行でないため、反射光は広範囲の視野角において検知される。図３の最大反射率R2は図２の最大反射率R1よりも低いが、図３の反射率分布は図２の反射率分布よりも広い。したがって、バンプ構造を有する傾斜リフレクタを採用したLCDは、高輝度と広視野角という２つの優れた特徴を有する。
【０００５】
バンプ構造を有する傾斜リフレクタを製造するための従来の方法において、単一のスリットを有するフォトマスクが使用され、多段階露光が実施される。第１に、基板上のフォトレジストを強度L1のUV（紫外）光に時間ｔ1の間、露光し、露光部分Aを形成する。第２に、フォトマスクを変位させ、フォトレジストを強度L2のUV（紫外）光に時間ｔ2の間、露光し、露光部分Bを形成する。次に、フォトマスクを変位させ、上記のように露光を行なう。この工程を繰り返す。露光時間を同一にして光強度をL1＞L2＞‥とするか、または光強度を同一にして露光時間をｔ1＞ｔ2＞‥とすることにより、露光部分の大きさはA>B>‥の順に調整される。次に、フォトレジストを現像して、ハシゴ状の外観を形成する。その後、ハシゴ状のフォトレジストを加熱してリフローさせ、バンプの表面をスムーズにする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、バンプ構造を有する傾斜リフレクタを製造するための従来の方法には、欠点がある。たとえば、フォトマスクを何度も変位させねばならない。また、フォトマスクを変位させながら、フォトマスクの位置、UV光の強度および露光時間を調整しなければならない。これはきわめて時間のかかる作業であり、したがって製造コストが高くなる。さらに、傾斜角を有するバンプを形成するには、  フォトマスクを移動して何度も露光しなければならない。実際に適用する場合には、傾斜リフレクタの表面を粗くして光分散効果を高めるために、多数のバンプが必要である。したがって、従来の方法は、大量生産規模には適さない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の目的は、光分散効果を改良したバンプ構造を有する傾斜リフレクタの製造方法および傾斜リフレクタのためのバンプ構造の製造方法を提供することである。本発明のバンプ構造を有する傾斜リフレクタを採用した反射型リフレクタは、高輝度および広視野という利点を有する。
本発明によれば、バンプ構造を有する傾斜リフレクタの製造方法が提供される。この方法は、少なくとも、基板を用意する段階と、基板上に感光材料の膜を形成する段階と、感光材料のパターニングを行ない、異なる底面積の底部を有しており且つ底部が互いに連結され、底面積が大きいものほど高さが高くなっている複数個のバンプを形成する段階と、バンプにスムージング処理を実施して、傾斜角を有するバンプ構造を形成する段階とを含む。
【０００８】
前記感光材料をパターニングする段階は、感光材料の露光と現像とを含む。感光材料の膜を露光するためのフォトマスクは、ｍ個（ｍは、ｍ≧１である正の整数）のグループのパターンを有している。各グループのパターンは、異なる幅を有する複数個の不透明バーを含み、隣接する不透明バー間のスリット内には、不透明ストリップが配置されている。露光および現像を実施した後、バンプの底部は互いに連結され、バンプは底面積の大きいものから小さいものへ順に配置される。バンプを加熱することによりスムージング処理を実施し、それによってバンプをリフローし傾斜角を有するバンプ構造を形成する。各バンプ構造は、高いものから低いものへ、大きいものから小さいものへと並べられた複数個の連続するバンプを含む。基板上に多数のバンプのグループをランダムに、または規則的に形成することができる。
【０００９】
本発明の他の目的、特徴および利点は、本発明の好ましい実施形態についての下記の説明より明らかであろう。なおこれらの実施形態は本発明を限定するものではない。説明は添付図面を参照して行なわれる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明において、多数のスリットを備えたパターンを有するフォトマスクが、感光材料を光回折により露光および現像するために使用される。したがって、感光材料上に、多数のグループのパターンが形成される。各パターングループは多数のバンプを有しており、それらのバンプの底部は互いに連結されており、バンプは高いものから低いものへ、大きいものから小さいものへと配置されている。
【００１１】
次に、ベーキングおよびリフローによってバンプを溶融するなどのスムージング処理段階がバンプに適用され、ある傾斜角を有する、連続的でスムーズなバンプ構造が形成される。
本発明のバンプ構造を有する傾斜リフレクタは、反射型液晶ディスプレイ（LCD）に適用できる。基板上の傾斜角を有するバンプ構造は、光を反射するためにさらに金属膜で覆ってもよい。反射金属膜は、その下のバンプ構造と同じ輪郭を有するため、反射型LCDに入射する光はその金属膜により種々の角度に反射される。したがって、高輝度、高視野角など、反射型LCDにとって好ましい特徴が得られる。
【００１２】
本発明によるバンプ構造を有する傾斜リフレクタおよびその製造方法を下記に説明する。ここに開示した主要な概念から逸脱しなければ、実施形態の図面およびその説明を少々変更してもよい。また、本発明を曖昧にしないために、本発明に直接関連しない公知の部材は図示せず、説明を省く。したがって、本明細書および図面は、発明を説明するものであって、限定するものではない。
第１実施形態
本発明の第１実施形態においては、本発明のバンプ構造を有する傾斜リフレクタを製造するために、多数のスリットを備えたフォトマスクが使用される。このフォトマスクは、ｍ個（ｍは、ｍ≧１である正の整数）のグループのパターンを有しており、パターンの各グループは、異なる幅のｎ個（ｎ≧２である正の整数）のバーを含む。さらに、隣接バー間のスリットには、少なくとも１個のストリップが設けられている。
【００１３】
図４は、本発明第１実施形態のフォトマスクを示す部分平面図である。フォトマスク４００は、ｍ個のグループのパターンを含む。パターンの各グループはｎ個のバーを含み、それらは、（４０１）1、（４０１）2、（４０１）3、……、（４０１）n で表され、それらの幅は、それぞれW1，W2，W3，……，Wnである。図示されているように、隣接するバー間のスリット内には、それぞれ１個のストリップが設けられている。バー間のスリットの幅はそれぞれｄ1，ｄ2，ｄ3，……，ｄnであり、ストリップの幅はそれぞれｓ1，ｓ2，ｓ3，……，ｓnである。ｍ個のグループのパターンが次々に配置されている。
【００１４】
次に、パターン転写の過程が図４のフォトマスク４００を介して実施される。下記の記載において、説明を明確にするために、ｎ＝４、ｄ1＝ｄ2＝ｄ3……＝ｄn＝ｄ、ｓ1＝ｓ2＝ｓ3……＝ｓn＝ｓとする。
図５(A)〜５(C)は、本発明第１実施形態による、バンプ構造を有する傾斜リフレクタの製造方法を示す図である。
基板５０２は、例えばフォトレジスト５０４のような感光材料によりコーティングされ、このフォトレジスト５０４は次にUV（紫外線）に露光され、現像される。フォトレジスト５０４は、現像液に溶解するポジティブなフォトレジストである。フォトマスク４００の斜線で示した部分は、不透明領域である。フォトマスク４００の不透明領域は、幅がそれぞれW1，W2，W3，W4であるバー（４０１）1、（４０１）2、（４０１）3、（４０１）4だけでなく、隣接バー間のスリットに設けられたストリップ４０５も含む。たとえば、スリットの幅は約４μｍであり、ストリップ４０５の幅は約１μｍである。したがって、ストリップ４０５とそれに最も近いバーとの距離は、約１．５μｍ（（４−１）/２）である。フォトレジスト５０４の不透明バー（４０１）1、（４０１）2、（４０１）3、（４０１）4によって保護された部分は、UVを照射されないため、現像液に溶解しない。反対に、フォトレジスト５０４のフォトマスク４０５のスリット下部分は、フォトリソグラフィ後に現像液に溶解するようにUV照射を受ける。
【００１５】
ストリップ４０５が存在するために、もとのスリットは２個に分割される。UV光は、２個の調節自在のスリットを有するフォトマスク４００を介して回折される。光波はスリットから拡がるので、それらは交差し、その結果２つの光波間に干渉が起こる。この光干渉現象は、ダブルスリット回折として知られている。したがって、フォトレジスト５０４のスリットに対応する部分は、露光される。図５Bに示されているように、フォトレジスト５０４の現像後の輪郭は台形に近い形であり、台形のフォトレジスト５０５、５０６、５０７、５０８が形成される。また、台形状のフォトレジストの底部は互いに連結されている。
【００１６】
さらに、より広い底面積を有するフォトレジストは、露光および現像後、より高い台形のフォトレジストブロックを有する。たとえば、最初の幅が１４μｍであったフォトレジストは露光および現像後、幅が７μｍのフォトレジストよりも高さが大である。すなわち、この実施形態におけるフォトマスク上のバーの幅は、W1＞W2＞W3＞W4を満たし、よって露光および現像後のフォトレジストの底面積は、５０５＞５０６＞５０７＞５０８であり、フォトレジストの高さは、ｈ1＞ｈ2＞ｈ3＞ｈ4である。
【００１７】
次に、これらの台形のフォトレジスト５０５、５０６、５０７、５０８の溶融段階が実施され、その後、スムージング処理段階が続く。フォトレジストは、樹脂と、光活性を有する感光剤と、適切な溶剤とから製造され得る。したがって、現像後のフォトレジストにベーキングなどの加熱処理が実施されると、フォトレジストの溶剤は蒸発・減少し、含有率が低くなる。フォトレジストの溶剤含有率が低くなると、フォトレジストの基板に対する接着力が高まるという利点がある。次に、加熱温度がフォトレジストのガラス転移温度にまで高められ、フォトレジストは溶融ガラスのように軟化し、その表面はリフローによってスムーズになっていく。台形のフォトレジスト５０５、５０６、５０７、５０８（図５(B)）の底部は互いに連結されているので、スムージング処理工程を実施した後には、連続したバンプ（図５(C)）５０５′、５０６′、５０７′、５０８′が形成される。さらに、図５(B)の台形フォトレジスト５０５、５０６、５０７、５０８は、高い物から低い物まで並んでおり、リフローされたフォトレジスト５０５′、５０６′、５０７′、５０８′は、図５(C)に示されているように傾斜角θを有する傾斜した輪郭を形成する。この好ましい実施形態においては、複数個の台形フォトレジストは、２００〜２３０℃で約１時間加熱される。しかしながら、本発明はこれに限定されない。実際の応用例では、加熱温度と加熱時間とはフォトレジストの特性によって決まる。
【００１８】
図６は、本発明第１実施形態による、バンプ構造を有する傾斜リフレクタの立体断面図である。フォトマスク４００は、２つのグループのパターンを含む（ｍ＝２）。図５(A)〜５(C)の製造方法によれば、傾斜角θを有する２つのグループのバンプ構造が形成され、各グループのバンプ構造は、高い物から低いものへ、大きいものから小さいものへと並べられた４個の連続するバンプ（n＝４）を含む。
【００１９】
本発明のバンプ構造を有する傾斜リフレクタは、反射型LCDに適用できる。図５Cの製造工程の後に、金属膜を基板上にさらに配置して、フォトレジスト５０５′、５０６′、５０７′、５０８′（図５(C)および図６）の表面を覆う。反射金属膜は、その下のバンプ構造と同様に起伏のある輪郭を有するため、反射型LCDに入射した光は、金属膜により種々の角度に反射され得る。したがって、反射型LCDは、高輝度や広視野角など、商業市場において有利な特徴を有する。
【００２０】
上記説明によれば、第１実施形態の傾斜バンプ構造は、複数（ｍ×ｎ）個のバンプを含む、ｍ個のグループのバンプ構造を有しており、バンプ構造の各グループはｎ個のバンプを含んでおり、これらｎ個のバンプは、高いものから低いものへ、大きいものから小さいものへと並べられてある傾斜角を有する連続したバンプ構造を形成している。
この実施形態においてはｎ個のバンプを有する各グループのバンプ構造が示されているが、本発明はこれに限定されるものではない。各グループのバンプ構造は、異なる数のバンプを有してもよい。たとえば、第１グループは５個のバンプを有し、第２グループは６個のバンプを有し、第３グループは４個のバンプを有するなどである。
第２実施形態
本発明のバンプ構造を有する傾斜リフレクタを製造するために、多数のスリットを有する他のフォトマスクが使用される。傾斜リフレクタ製造後は、バンプのフォトレジストに対する結合度が増している。したがって、この実施例のバンプ構造を有する傾斜リフレクタを反射型LCDに適用すると、光分散効果が増す。
【００２１】
このフォトマスクは、ｍ個（ｍ≧１である正の整数）のグループのパターンを有しており、パターンの各グループは、異なる幅を有するｎ個（ｎは、ｎ≧２である正の整数）のバーを含み、これらのバーは、幅の広いものから狭いものへと並べられている。同様に、隣接バー間のスリットに設けられた１個のストリップも示されている。ｍ個のグループのパターンは、フォトマスク上にランダムに配置してもよく、また、たとえばｍ′個のグループを長手方向に、ｎ′個のグループを幅方向に（ｍ＝ｍ′×ｎ′）配置して格子を形成するなど、規則的に配置してもよい。下記の説明においては、たとえば、４グループのパターンがランダムに配置され、各グループは３個のバーを含むものとする（ｍ＝４、ｎ＝３）。
【００２２】
図７は、本発明第２実施形態のフォトマスクの部分平面図である。フォトマスク７００上に４グループ（ｍ＝４）のパターンが配置されており、各グループのパターンは、幅の広いものから狭いものへと並べられた３個（ｎ＝３）のバーを含む。また、隣接するバー間にストリップが設けられている。
次に、図７のフォトマスク７００を介してパターン転写が実施される。第２実施例の製造方法は、フォトマスク４００の代わりにフォトマスク７００を使用する以外、第一実施例と同様である。図５(A)〜５(C)に示されているように、フォトレジストに露光、現像、スムージング処理の３段階を実施する。また、このフォトレジストは現像液に溶解するポジティブフォトレジストで、フォトマスク（７００）の斜線部分は不透明領域である。また各グループのパターン間の距離は、図７に記号ｄ1′，ｄ2′，ｄ3′，ｄ4′，ｄ5′で表されているように調整されている。溶融およびリフローの後、各グループのフォトレジストは互いに連結可能であって、基板上に連続したバンプ構造を形成する。
【００２３】
図８は、本発明第２実施形態による、バンプ構造を有する傾斜リフレクタの立体断面図である。同じ製造段階において、フォトマスク７００を使用すると、フォトマスク４００を使用するよりも多くのバンプを形成でき、且つ表面の粗いフォトレジストを形成する。ｍ個のグループのパターンを、フォトマスク上にｍ′個のグループを長手方向に、ｎ′個のグループを幅方向に（ｍ＝ｍ′×ｎ′）、格子状に規則的に配置すると、図８のようなバンプ構造が形成できる。
【００２４】
上記の実施形態においては、説明のためにフォトマスク４００および７００のパターンを取り上げたが、本発明はこれらに限定されない。たとえば、ｍ個のグループのパターンをフォトマスク上にランダムに配置してもよく、その場合、各グループは幅の広いものから狭いものへ並べられた複数個の不透明バーを含む。または、ｍ個のパターンをフォトマスクの上に格子状に配置してもよい。各グループの不透明バーの数は、同じでも異なってもよい。また、フォトマスクは図４のダブルスリットパターンに限定されない。たとえば、図９(A)に示したように、２個のストリップS11およびS12をバー（９０１）1および（９０１）2の間に平行に設けてもよい。図９(A)のストリップS11およびS12は、図９(B)に示したように縁をジグザグ形にしてもよい。さらに、図１０に示したように、スリット（１０２）1と（１０２）2とに、不連続ストリップSを形成してもよい。本発明のバンプ構造は、多数のスリットを備えたこれらのデザインのフォトマスクにより、良好に実現される。
【００２５】
抵抗が弱まり回路接触が弱まる事を防ぐために、露出すべき部分上のフォトレジストは全体として除去する必要がある。すべての基板が通常の強さのUV光に露光されると、多数のスリットを有するフォトマスクを通過するUV光は回折され、これはダブルスリット回折として知られている。これにより、フォトレジストに到達したUV光の量は減少するが、これは露光下の状態と同様である。現像した後、フォトレジストの底部は互いに連結される。したがって、溶融後に、傾斜角を有する連続したバンプ構造が形成される。さらに、TFT LCDの一般的な製造方法において、基板には、露出しなければならないいくつかの部分があり、すなわち回路に接触するためのコンタクトホールを形成しなければならない部分がある。基板の露出部分として、完全に露光するためにすべてのUV光が通るように、対応する開口部分がフォトマスク上に形成される。簡単にいうと、本発明のバンプ構造を有する傾斜リフレクタの形成と、基板の露出すべき部分上のフォトレジストの除去とは、通常の強度のUV光を使用することにより同時に実施できる。
【００２６】
他の実施形態において、本発明のバンプ構造を有する傾斜リフレクタの製造方法は、基板上のフォトレジストを露光するために第１領域と第２領域とを有するフォトマスクを使用する。フォトマスクの第１領域は多数のスリットを備えた透明領域であって、フォトレジストの第１部分は露光されて凹面部を形成する。フォトマスクの第２部分は、不透明領域であり、したがってフォトレジストの第２部分は、UV光から遮蔽されている。現像後、フォトレジストの第２部分は、フォトレジストの第１部分に連結される。フォトレジストをスムージング処理した後、所定の傾斜角を有する連続不定形構造が形成される。
【００２７】
上記の説明によれば、本発明は、多数のスリットを有するフォトマスクと、露光、現像、スムージング処理段階を含む単純な方法とを用いて、多数のグループのバンプ構造を有する、光分散効果の大きい傾斜リフレクタを形成する。本発明のバンプ構造を有する傾斜リフレクタを反射型LCDに採用すると、高輝度および広視野角が達成できる。さらに、フォトマスク上のパターンのグループが多数になればなるほど、バンプが高度に一体化され、光分散が良好になる。ここに記載した好ましい実施形態における本発明のバンプ構造を有する傾斜リフレクタおよびその製造方法の利点は、次のように要約される。
【００２８】
１．本発明のバンプ構造を有する傾斜リフレクタは、従来のリフレクタよりも高いバンプ一体化度を有し、且つ、より良好な光分散効果を有する。したがって、本発明のバンプ構造を有する傾斜リフレクタを採用した反射型LCDは、高輝度および広視野角を有する。
２．バンプ構造を有する傾斜リフレクタの製造において、単一の露光工程のみが必要である。製造工程は単純化され、製造コストおよび製造時間が節約され、
大量生産にきわめて適している。
【００２９】
３．通常の強度の露光によって、バンプ構造を有する傾斜リフレクタの形成と、基板上の露出すべき部分上のフォトレジストの除去とを同時に実施できる。この時間が短縮された製造工程は、経済的利益が大きい。
上記に本発明を例および実施形態を介して説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。逆に、本発明は種々の変形例および類似の構成および工程を含むものであり、したがって、添付請求の範囲は、これらの変形例、類似の構成および工程を包含するように、最も広く解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のリフレクタの反射率分布を示す図である。
【図２】他の従来のリフレクタの反射率分布を示す図である。
【図３】さらに他の従来のリフレクタの反射率分布を示す図である。
【図４】本発明第１実施形態によるフォトマスクの部分平面図である。
【図５】図５(A)〜(C)は、本発明第１実施形態による、バンプ構造を有する傾斜リフレクタの製造方法を示す図である。
【図６】本発明第１実施形態による、バンプ構造を有する傾斜リフレクタの立体断面図である。
【図７】本発明第２実施形態によるフォトマスクの部分平面図である。
【図８】本発明第２実施形態による、バンプ構造を有する傾斜リフレクタの立体断面図である。
【図９】図９(A)は、本発明第３実施形態によるフォトマスクの部分平面図である。図９(B)は、本発明第４実施形態によるフォトマスクの部分平面図である。
【図１０】本発明第５実施形態によるフォトマスクの部分平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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