(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板の表面を水素或いは重水素の少なくとも一方を含む雰囲気中で酸化してＳｉＯ2 膜を形成したのち、水素、重水素、及び、酸素を含まない雰囲気中で熱処理を行うことによって、前記Ｓｉ基板／ＳｉＯ2 膜界面にＰb 中心、Ｐb −Ｈ、及び、Ｐb −Ｄの内の少なくとも一つを含む界面欠陥を１０11ｃｍ-2以上導入すると同時に、前記ＳｉＯ2 膜中にＥ’中心、Ｅ’−Ｈ、及び、Ｅ’−Ｄの内の少なくとも一つを含む膜中欠陥を１０18ｃｍ-3以上導入したのち、前記Ｓｉ基板／ＳｉＯ2 膜界面及び前記ＳｉＯ2 膜を窒化する工程を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置に関するものであり、特に、ボロンや水素の拡散を防ぐためのゲート絶縁膜中および界面への窒素の導入に伴う電荷捕獲準位や界面準位の発生を抑制するための構成に特徴のある絶縁ゲート型半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、超高速ＣＭＯＳ−ＬＳＩにおいては、絶縁ゲート型トランジスタの微細化が進んだ結果、ゲート絶縁膜は、酸化膜厚換算で２．５ｎｍ以下程度と薄くなり、ゲート絶縁膜を介したボロン（Ｂ）、水素（Ｈ）などのシリコン基板側への拡散が問題になっている。
【０００３】
この様なＢやＨの拡散を防止するために、従来の高速ＣＭＯＳ−Ｌｏｇｉｃにおいては、ゲート側からチャネル側へのボロン、水素の進入を抑制することとホットキャリア耐性を上げる目的で、ゲート絶縁膜中に数％の窒素を含む酸窒化膜、或いは、窒素を基板界面のみに偏析させた酸窒化膜が使用されており、これらの酸窒化膜は、酸化膜をＮＯやＮ2 Ｏ等のガスを用いて窒化することにより形成されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の酸窒化膜の形成工程において、界面状態の良い酸化膜 /シリコン界面へ窒素導入した場合、界面準位が発生して界面特性が悪化するという問題がある。
【０００５】
また、上述の酸窒化膜の形成工程において、欠陥の少ない酸化膜を窒化すると、ボロン、水素などの拡散の抑制には役立つものの、新たな電荷捕獲準位が発生するという問題がある。
【０００６】
これらは、いずれも界面或いはゲート酸化膜中に導入された窒素が３つのシリコン原子と完全な結合を作れずに、酸素や水素と結合することが、電荷捕獲準位や界面準位の発生の原因として推測されている。
このため、新たな電荷捕獲準位や界面準位を発生させない窒素導入方法が要望されていた。
【０００７】
したがって、本発明は、ゲート絶縁膜中および界面へ導入された窒素がゲート絶縁膜中への電荷捕獲準位の発生及び界面準位の発生を抑制し、ホットキャリア耐性を向上することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
ここで、図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１（ａ）乃至（ｄ）参照
上述の目的を達成するため、本発明は、絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、Ｓｉ基板４の表面を水素或いは重水素の少なくとも一方を含む雰囲気中で酸化してＳｉＯ2 膜５を形成したのち、水素、重水素、及び、酸素を含まない雰囲気中で熱処理を行うことによって、Ｓｉ基板／ＳｉＯ2 膜界面１にＰb 中心、Ｐb −Ｈ、及び、Ｐb −Ｄの内の少なくとも一つを含む界面欠陥を１０11ｃｍ-2以上導入すると同時に、前記ＳｉＯ2 膜５中にＥ’中心、Ｅ’−Ｈ、及び、Ｅ’−Ｄの内の少なくとも一つを含む膜中欠陥を１０18ｃｍ-3以上導入したのち、Ｓｉ基板／ＳｉＯ2 膜界面１及びＳｉＯ2 膜５を窒化する工程を有することを特徴とする。
【０００９】
この様に、窒化処理の前に、Ｓｉ基板／ＳｉＯ2 膜界面１に、図１（ａ）に示すＳｉ原子のダングリングボンド２の典型的な形態であるＰb 中心、Ｐb 中心が水素原子で終端されたＰb −Ｈ、及び、Ｐb 中心が重水素原子で終端されたＰb −Ｄの内の少なくとも一つを含む界面欠陥を導入しておくことによって、導入された窒素原子６は、図１（ｂ）に示すようにＰb 中心を構成していたダングリングボンド２と結合して酸素原子８と結合している３つのＳｉ原子３と完全な結合を形成するため界面欠陥を低減することができる。
なお、導入する界面欠陥の面密度は、導入する窒素原子６の密度とほぼ同程度の０．１％以上、即ち、１０11ｃｍ-2以上である必要がある。
【００１０】
また、窒化処理の前に、ＳｉＯ2 膜５中に、図１（ｃ）に示す酸化物を構成するＳｉ原子３のダングリングボンド７の典型的な形態であるＥ’中心、Ｅ’中心が水素原子で終端されたＥ’−Ｈ、及び、Ｅ’中心が重水素原子で終端されたＥ’−Ｄの内の少なくとも一つを含む膜中欠陥を導入しておくことによって、導入された窒素原子６は、図１（ｄ）に示すようにＥ’中心を構成していたダングリングボンド７と結合して３つのＳｉ原子３と完全な結合を形成するため界面欠陥を低減することができる。
なお、挿入する膜中欠陥の原子密度は、導入する窒素原子６の密度とほぼ同程度の０．１％以上、即ち、１０18ｃｍ-3以上である必要がある。
【００１１】
また、界面欠陥と膜中欠陥を同時に導入するためには、水素或いは重水素の少なくとも一方を含む雰囲気中で酸化を行なって、Ｓｉ−Ｈ或いはＳｉ−Ｄを形成すれば良く、それによって、窒素の導入に伴う電子捕獲準位或いは界面準位を発生を抑制することができる。
【００１２】
また、酸化により形成したＳｉ−Ｈ或いはＳｉ−Ｄを水素、重水素、及び、酸素を含まない雰囲気中で熱処理することによって、Ｈ或いはＤを飛ばすことによってＰb 中心或いはＥ’中心を確実に形成することができる。
【００１３】
また、窒化工程の後に、窒素を含まない不活性ガス雰囲気中で１０５０℃以下で熱処理することが望ましく、それによって、膜中欠陥或いは膜中欠陥と窒素とを確実に置換することができ、それによって、電子捕獲準位或いは界面準位の発生を抑制することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
ここで、本発明の実施の形態を説明する前に、図２を参照してその前提となる参考例１の製造工程を説明するが、説明を簡単にするために、ゲート絶縁膜の製造工程のみを説明する。
図２（ａ）参照
まず、ｐ型シリコン基板１１の表面にプラズマＣＶＤ法によって、厚さが、例えば、１０ｎｍのゲート絶縁膜となるＳｉＯ2 膜１２を形成したのち、７７Ｋの基板温度において60Ｃｏをγ線源とするγ線１３を、例えば、１×１０7 Ｒ（レントゲン）の照射線量で照射することによって、ＳｉＯ2 膜１２中に、１０18ｃｍ-3以上の密度のＥ’中心１４を形成する。
【００１５】
この形成されたＥ’中心１４の一部は、プロセスガス中の水素によって終端されて、Ｅ’−Ｈとなる。
なお、このＥ’中心１４の密度は、ａｓ−ｇｒｏｗｎ状態、即ち、ＳｉＯ2 膜１２を形成した直後においては、約１０13ｃｍ-3である。
【００１６】
この場合のＥ’中心１４の密度はＥＳＲ（電子スピン共鳴）法によって測定することができ、また、Ｅ’−Ｈは、電気的測定であるＥＳＲ法では界面準位密度として直接検出されないが、赤外線吸収法では検出でき、また、熱処理によってダングリングボンドを終端している水素原子を離脱させたのちＥＳＲ法によって測定することできる。
【００１７】
図２（ｂ）参照
次いで、０．１〜１気圧のＮＨ3 ガス雰囲気中で、７００℃〜１２００℃の温度条件でｐ型シリコン基板１１を５〜６００秒間の急速熱窒化処理（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎ）を施すことによって、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面１５及びＳｉＯ2 膜１２を窒化して酸窒化膜１６を形成する。
【００１８】
この窒化処理工程において、上記の図１（ｃ）及び（ｄ）において説明したように、Ｅ’中心１４或いはＥ’−Ｈを構成するダングリングボンドと導入された窒素原子のボンドとが置換して、窒素原子が３つのＳｉ原子と結合することによって酸窒化膜１６中のＥ’中心１４或いはＥ’−Ｈが消失するとともに、電子捕獲準位の発生が大幅に低減される。
【００１９】
図２（ｃ）参照
次いで、窒素を含まない雰囲気、例えば、１気圧のＡｒガス雰囲気中で、１０５０℃以下の温度、例えば、９００℃において５〜６００秒間のＲＴＡ（急速加熱処理）を施すことによって、Ｅ’中心１４或いはＥ’−Ｈ等の膜中欠陥と窒素原子との置換を確実に行う。
【００２０】
この様に、参考例１においては、窒化処理に先立ってγ線照射によりＳｉＯ2 膜１２中にＥ’中心１４或いはＥ’−Ｈ等の膜中欠陥を導入しているので、従来のように、酸窒化膜の形成に伴って、ゲート絶縁膜中における電子捕獲準位の発生が大幅に低減するので、所期のゲート電圧特性を得ることが可能になる。
【００２１】
次に、図３を参照して、本発明の前提となる参考例２の製造工程を説明するが、ここでも説明を簡単にするために、ゲート絶縁膜の製造工程のみを説明する。
図３（ａ）参照
まず、ｐ型シリコン基板１１の表面にプラズマＣＶＤ法によって、厚さが、例えば、１０ｎｍのゲート絶縁膜となるＳｉＯ2 膜１２を形成したのち、７７Ｋの基板温度において１００ｋｅＶのエネルギーのＸ線１７を照射することによって、ＳｉＯ2 膜１２中に、１０18ｃｍ-3以上の密度のＥ’中心１４を形成する。
この場合も、形成されたＥ’中心１４の一部は、プロセスガス中の水素によって終端されて、Ｅ’−Ｈとなる。
【００２２】
図３（ｂ）参照
次いで、上記の参考例１と同様に、０．１〜１気圧のＮＨ3 ガス雰囲気中で、７００℃〜１２００℃の温度条件でｐ型シリコン基板１１を５〜６００秒間の急速熱窒化処理を施すことによって、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面１５及びＳｉＯ2 膜１２を窒化して酸窒化膜１６を形成する。
【００２３】
この窒化処理工程において、上記の図１（ｃ）及び（ｄ）において説明したように、Ｅ’中心１４或いはＥ’−Ｈを構成するダングリングボンドと導入された窒素原子のボンドとが置換して、窒素原子が３つのＳｉ原子と結合することによって酸窒化膜１６中のＥ’中心１４或いはＥ’−Ｈが消失するとともに、電子捕獲準位の発生が大幅に低減される。
【００２４】
図３（ｃ）参照
次いで、上記の参考例１と同様に、窒素を含まない雰囲気、例えば、１気圧のＡｒガス雰囲気中で、１０５０℃以下の温度、例えば、９００℃において５〜６００秒間のＲＴＡ（急速加熱処理）を施すことによって、Ｅ’中心１４或いはＥ’−Ｈ等の膜中欠陥と窒素原子との置換を確実に行う。
【００２５】
この様に、参考例２においては、窒化処理に先立ってＸ線照射によりＳｉＯ2 膜１２中にＥ’中心１４或いはＥ’−Ｈ等の膜中欠陥を導入しているので、従来のように、酸窒化膜の形成に伴って、ゲート絶縁膜中における電子捕獲準位の発生が大幅に低減するので、所期のゲート電圧特性を得ることが可能になる。
【００２６】
次に、図４を参照して、本発明の前提となる参考例３の製造工程を説明するが、ここでも説明を簡単にするために、ゲート絶縁膜の製造工程のみを説明する。
図４（ａ）参照
まず、ｐ型シリコン基板１１の表面にプラズマＣＶＤ法によって、厚さが、例えば、１０ｎｍのゲート絶縁膜となるＳｉＯ2 膜１２を形成したのち、Ｓｉイオン１８をイオン注入することによって、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面１５に、１０11ｃｍ-2以上の面密度のＰb 中心１９を形成する。
【００２７】
この場合も、形成されたＰb 中心１９の一部は、プロセスガス中の水素によって終端されて、Ｐb −Ｈとなる。
この場合のＰb 中心１９の密度はＥＳＲ法によって測定することができ、また、Ｐb −Ｈは、電気的測定であるＥＳＲ法では界面準位密度として直接検出されないが、赤外線吸収法や、熱処理によってダングリングボンドを終端している水素原子を離脱させたのちＥＳＲ法によって測定することできる。
【００２８】
なお、ａｓ−ｇｒｏｗｎ状態、即ち、ＳｉＯ2 膜１２を形成した直後においては、界面準位密度は５×１０10ｃｍ-2程度であり、その内、Ｐb 中心１９の密度は１０分の１以下の５×１０9 ｃｍ-2以下であるが、原子状水素雰囲気中に２分間晒した場合には、２×１０10ｃｍ-2程度のＰb 中心１９が形成される。
【００２９】
図４（ｂ）参照
次いで、上記の参考例１と同様に、０．１〜１気圧のＮＨ3 ガス雰囲気中で、７００℃〜１２００℃の温度条件でｐ型シリコン基板１１を５〜６００秒間の急速熱窒化処理を施すことによって、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面１５及びＳｉＯ2 膜１２を窒化して酸窒化膜１６を形成する。
【００３０】
この窒化処理工程において、上記の図１（ａ）及び（ｂ）において説明したように、Ｐb 中心１９或いはＰb −Ｈを構成するダングリングボンドと導入された窒素原子のボンドとが置換して、窒素原子が３つのＳｉ原子と結合することによってＳｉ／ＳｉＯ2 界面１５のＰb 中心１９或いはＰb −Ｈが消失するとともに、界面準位の発生が大幅に低減される。
【００３１】
図４（ｃ）参照
次いで、上記の参考例１と同様に、窒素を含まない雰囲気、例えば、１気圧のＡｒガス雰囲気中で、１０５０℃以下の温度、例えば、９００℃において５〜６００秒間のＲＴＡ（急速加熱処理）を施すことによって、Ｐb 中心１９或いはＰb −Ｈ等の界面欠陥と窒素原子との置換を確実に行う。
【００３２】
この様に、参考例３においては、窒化処理に先立ってイオン注入によってＳｉ／ＳｉＯ2 界面１５にＰb 中心１９或いはＰb −Ｈ等を界面欠陥を導入しているので、従来のように、酸窒化膜の形成に伴って、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面１５おける界面準位の発生が大幅に低減するので、所期のゲート電圧特性を得ることが可能になる。
【００３３】
次に、図５を参照して、本発明の前提となる参考例４の製造工程を説明するが、ここでも説明を簡単にするために、ゲート絶縁膜の製造工程のみを説明する。
図５（ａ）参照
まず、ｐ型シリコン基板１１の表面にプラズマＣＶＤ法によって、厚さが、例えば、１０ｎｍのゲート絶縁膜となるＳｉＯ2 膜１２を形成したのち、水素プラズマ２０中に１分以上晒すことによって、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面１５に、１０11ｃｍ-2以上の面密度のＰb 中心１９を形成する。
この場合も、形成されたＰb 中心１９の一部は、プロセスガス中の水素によって終端されて、Ｐb −Ｈとなる。
【００３４】
図５（ｂ）参照
次いで、上記の参考例１と同様に、０．１〜１気圧のＮＨ3 ガス雰囲気中で、７００℃〜１２００℃の温度条件でｐ型シリコン基板１１を５〜６００秒間の急速熱窒化処理を施すことによって、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面１５及びＳｉＯ2 膜１２を窒化して酸窒化膜１６を形成する。
【００３５】
この窒化処理工程において、Ｐb 中心１９或いはＰb −Ｈを構成するダングリングボンドと導入された窒素原子のボンドとが置換して、窒素原子が３つのＳｉ原子と結合することによってＳｉ／ＳｉＯ2 界面１５のＰb 中心１９或いはＰb −Ｈが消失するとともに、界面準位の発生が大幅に低減される。
【００３６】
図５（ｃ）参照
次いで、上記の参考例１と同様に、窒素を含まない雰囲気、例えば、１気圧のＡｒガス雰囲気中で、１０５０℃以下の温度、例えば、９００℃において５〜６００秒間のＲＴＡ（急速加熱処理）を施すことによって、Ｐb 中心１９或いはＰb −Ｈ等の界面欠陥と窒素原子との置換を確実に行う。
【００３７】
この様に、参考例４においては、窒化処理に先立って水素プラズマ処理によってＳｉ／ＳｉＯ2 界面１５にＰb 中心１９或いはＰb −Ｈ等を界面欠陥を導入しているので、従来のように、酸窒化膜の形成に伴って、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面１５おける界面準位の発生が大幅に低減するので、所期のゲート電圧特性を得ることが可能になる。
【００３８】
以上を前提として、次に、図６を参照して、本発明の第１の実施の形態の製造工程を説明するが、ここでも説明を簡単にするために、ゲート絶縁膜の製造工程のみを説明する。  図６（ａ）参照
まず、ｐ型シリコン基板１１を水素分圧が、例えば、０．５気圧の酸化性雰囲気２１中において、例えば、８００℃において酸化処理することによって、ｐ型シリコン基板１１の表面に、厚さが、例えば、１０ｎｍのゲート絶縁膜となるＳｉＯ2 膜２２を形成する。
【００３９】
この酸化処理工程において、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面２３及びＳｉＯ2 膜２２中にＳｉ−Ｈ２４が形成されるが、後述するＥ’中心１４及びＰb 中心１９の総計の密度が、面密度換算で１０11ｃｍ-2になるように酸化処理時間を調整する。
【００４０】
図６（ｂ）参照
次いで、Ｈ，Ｄ，Ｏを含まないＮ2 ガス雰囲気２５中で、４５０℃〜６００℃の温度条件で熱処理を施すことによって、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面２３及びＳｉＯ2 膜２２中のＳｉ−Ｈ２４の水素原子を飛ばして、Ｅ’中心１４及びＰb 中心１９を形成する。
【００４１】
図６（ｃ）参照
次いで、上記の参考例１と同様に、０．１〜１気圧のＮＨ3 ガス雰囲気中で、７００℃〜１２００℃の温度条件でｐ型シリコン基板１１を５〜６００秒間の急速熱窒化処理を施すことによって、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面２３及びＳｉＯ2 膜２２を窒化して酸窒化膜２６を形成する。
【００４２】
この窒化処理工程において、Ｐb 中心１９或いはＰb −Ｈを構成するダングリングボンド或いはＥ’中心１４或いはＥ’−Ｈを構成するダングリングボンドと導入された窒素原子のボンドとが置換して、窒素原子が３つのＳｉ原子と結合することによってＳｉ／ＳｉＯ2 界面２３のＰb 中心１９或いはＰb −Ｈ及び酸窒化膜２６中のＥ’中心１４或いはＥ’−Ｈが消失するとともに、界面準位及び電子捕獲中心の発生が大幅に低減される。
【００４３】
図６（ｄ）参照
次いで、上記の参考例１と同様に、窒素を含まない雰囲気、例えば、１気圧のＡｒガス雰囲気中で、１０５０℃以下の温度、例えば、９００℃において５〜６００秒間のＲＴＡ（急速加熱処理）を施すことによって、Ｐb 中心１９或いはＰb −Ｈ等の界面欠陥及びＥ’中心１４或いはＥ’−Ｈ等の膜中欠陥と窒素原子との置換を確実に行う。
【００４４】
この様に、本発明の第１の実施の形態においては、窒化処理に先立って水素含有酸化性雰囲気中で酸化処理しているので、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面２３にＰb 中心１９或いはＰb −Ｈ等を界面欠陥を導入するとともにＳｉＯ2 膜２２中にＥ’中心１４或いはＥ’−Ｈ等の膜中欠陥を導入しているので、従来のように、酸窒化膜の形成に伴って、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面２３おける界面準位の発生やゲート絶縁膜における電子捕獲準位の発生が大幅に低減するので、所期のゲート電圧特性を得ることが可能になる。
【００４５】
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明は実施の形態に記載した構成に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の実施の形態においては、窒化処理をＮＨ3 を含むＮＨ3 雰囲気中で行っているが、ＮＨ3 雰囲気に限られるものではなく、ＮＯを含むＮＯ雰囲気或いはＮ2 Ｏを含むＮ2 Ｏ雰囲気を用いても良いものである。
【００４６】
また、上記の実施の形態においては水素含有酸化性雰囲気中で酸化処理を行っているが、例えば、重水素分圧が０．５気圧の重水素含有酸化性雰囲気中で酸化処理を行っても良く、その場合には、Ｐb 中心とともに、Ｐb −Ｄが形成される。
【００４７】
ここで、再び図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
図１（ａ）乃至（ｄ）参照
（付記１）  Ｓｉ基板の表面を水素或いは重水素の少なくとも一方を含む雰囲気中で酸化してＳｉＯ2 膜を形成したのち、水素、重水素、及び、酸素を含まない雰囲気中で熱処理を行うことによって、前記Ｓｉ基板／ＳｉＯ2 膜界面にＰb 中心、Ｐb −Ｈ、及び、Ｐb −Ｄの内の少なくとも一つを含む界面欠陥を１０11ｃｍ-2以上導入すると同時に、前記ＳｉＯ2 膜中にＥ’中心、Ｅ’−Ｈ、及び、Ｅ’−Ｄの内の少なくとも一つを含む膜中欠陥を１０18ｃｍ-3以上導入したのち、前記Ｓｉ基板／ＳｉＯ2 膜界面及び前記ＳｉＯ2 膜を窒化する工程を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
（付記２）  上記窒化工程の後に、窒素を含まない不活性ガス雰囲気中で１０５０℃以下で熱処理する工程を有することを特徴とする付記１記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
（付記３）  付記１または２に記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
【００４８】
【発明の効果】
本発明によれば、窒化処理に先立ってＳｉ／ＳｉＯ2 界面及びＳｉＯ2 膜中に欠陥を導入して欠陥の多い界面及びＳｉＯ2 膜としているので、窒化後の界面準位密度、膜中電荷捕獲準位密度はそれぞれ、１０分の１程度に改善され、それによって、ゲート酸窒化膜のボロン、水素抜け耐性とホットキャリア耐性を確保しつつ、界面準位密度、膜中電荷捕獲準位密度の少ないゲート酸窒化膜が実現され、ひいては、超高集積度絶縁ゲート型半導体装置の信頼性の向上に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】  本発明の前提となる参考例１の製造工程の説明図である。
【図３】  本発明の前提となる参考例２の製造工程の説明図である。
【図４】  本発明の前提となる参考例３の製造工程の説明図である。
【図５】  本発明の前提となる参考例４の製造工程の説明図である。
【図６】  本発明の第１の実施の形態の製造工程の説明図である。
【符号の説明】
１  Ｓｉ基板／ＳｉＯ2 膜界面
２  ダングリングボンド
３  Ｓｉ原子
４  Ｓｉ基板
５  ＳｉＯ2 膜
６  窒素原子
７  ダングリングボンド
８  酸素原子
１１  ｐ型シリコン基板
１２  ＳｉＯ2 膜
１３  γ線
１４  Ｅ’中心
１５  Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面
１６  酸窒化膜
１７  Ｘ線
１８  Ｓｉイオン
１９  Ｐb 中心
２０  水素プラズマ
２１  酸化性雰囲気
２２  ＳｉＯ2 膜
２３  Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面
２４  Ｓｉ−Ｈ
２５  Ｎ2 ガス雰囲気
２６  酸窒化膜
【図１】
0003876411.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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