(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に再生下ギャップ層を形成する工程と、前記再生下ギャップ層の上面にバイアス磁石膜および電気伝導膜からなるリード層を積層する工程と、前記リード層の上に所定形状を有する一対のレジストを形成する工程と、前記リード層及び前記一対のレジストに対してイオンミリング加工を施すことにより前記バイアス磁石膜および前記電気伝導膜からなる一対のリードを形成する工程と、前記一対のリード間に磁気抵抗効果素子を形成する工程と、前記素子の上に再生上ギャップ層を形成する工程とを含む磁気ヘッドの製造方法において、
前記一対のレジストを形成する工程が、
前記リード層の上面にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を露光及び現像して前記一対のレジストの一方を形成する工程と、
前記一方のレジストを硬化させる工程と、
前記リード層及び前記硬化された一方のレジストの上に新たなレジスト層を形成する工程と、
前記新たなレジスト層を露光及び現像して前記一対のレジストの他方を形成する工程と、
を含んだことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
基板上に再生下ギャップ層を形成する工程と、前記再生下ギャップ層の上面にバイアス磁石膜および電気伝導膜からなるリード層を積層する工程と、前記リード層の上に所定形状を有する一対のレジストを形成する工程と、前記リード層及び前記一対のレジストに対してイオンミリング加工を施すことにより前記バイアス磁石膜および前記電気伝導膜からなる一対のリードを形成する工程と、前記一対のリード間に磁気抵抗効果素子を形成する工程と、前記素子の上に再生上ギャップ層を形成する工程とを含む磁気ヘッドの製造方法において、
前記一対のレジストを形成する工程が、
前記リード層の上面にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を露光及び現像して前記一対のレジストの一方を形成する工程と、
前記一方のレジストを加熱溶融して同一方のレジストの膜厚を端部に向って次第に小さくなるように形成した後、さらにこの形状を保って硬化させる工程と、前記リード層及び前記硬化された一方のレジストの上に新たなレジスト層を形成する工程と、
前記新たなレジスト層を露光及び現像して前記一対のレジストの他方を形成する工程と、
前記他方のレジストを加熱溶融して同他方のレジストの膜厚を端部に向って次第に小さくなるように形成した後、さらにこの形状を保って硬化させる工程と、
を含んだことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記一対のレジストの一方を形成する工程にて前記レジスト層の露光及び現像により前記基板上の所定箇所に基準位置マークを形成し、
前記一対のレジストの他方を形成する工程にて前記新たなレジスト層の露光を行う際に、前記形成された基準位置マークを基準として露光位置を調整するようにしたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、極めて狭いトラック幅を有する磁気ヘッドの製造方法に係り、特に、バイアス磁石膜及び電気伝導膜からなる一対のリード間の距離を極めて狭く形成し得る磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＭＲ素子（又はＧＭＲ素子）を用いた再生ヘッドを有する磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドにおいては、素子にバイアス磁界を与えるとともに、素子の抵抗変化を検出するための一対のリードを素子の両端に設ける必要がある。かかるリードを有する再生ヘッドについて、出願人が既に提案している製造方法を図１３から図１６を参酌して説明すると、先ず、図１３（Ａ）に示したように、後にスライダを構成する基板５１上に絶縁膜５２を成膜し、この絶縁膜５２の上に下シールド（軟磁性膜）５３を堆積して素子の基板Ｂを形成する。その後、再生下ギャップ５４をなす絶縁膜をスパッタ等で堆積させ、更にバイアス磁石膜５５と電気伝導膜５６をスパッタ等により積層する。
【０００３】
次に、図１３（Ｂ）に示したように、電気伝導膜５６の上面に一対のレジストＲａ，Ｒｂを形成する。具体的には、図１６（Ａ）に示したように、レジストＲを電気伝導膜５６の上に所定の厚みになるよう塗布し、図１６（Ｂ）に示したように、レジストＲを露光・現像により所定の幅Ｗ（以下、この幅を「抜きパターン幅Ｗ」と称する。）を有するようにカットすることにより、一対のレジストＲａ，Ｒｂを形成する。この状態が図１３（Ｂ）にも示されている。一対のレジストＲａ，Ｒｂ間の空間を溝部５８と称する。
【０００４】
続いて、図１３（Ｃ）に示したように、一対のレジストＲａ，Ｒｂの対向する端面（溝部５８との境界面）上部の角部を溶融（レジストフロー）によりなだらかな形状にする。これにより、レジストＲａ，Ｒｂの対向面は電気伝導膜５６の上面に対して傾斜する。従って、レジストＲａ，Ｒｂの端部の膜厚は溝部５８の中央に向かうにつれて次第に小さくなるように形成される。
【０００５】
その後、図１４（Ａ）に示したように、全面（上面）にイオンミリングを行い、図１４（Ｂ）に示すような一対のリード５９ａ，５９ｂを形成する。上記のイオンミリングでは、レジストＲａ，Ｒｂ、電気伝導膜５６及びバイアス磁石膜５５を一括してエッチングするため、溝部５８が逆台形形状に保たれる。以上によって、一対のリード５９ａ，５９ｂが完成する。
【０００６】
その後、図１４（Ｃ）に示したようにＭＲ素子層６０を形成し、図１５（Ａ）に示したように、ＭＲ素子層６０の上にレジスト６１を塗布する。このとき、レジスト６１の形状を、形成すべきＭＲ素子のパターンに合致させておく。次いで、図１５（Ｂ）に示したように、イオンミリングによりＭＲ素子層６０の不要部分を除去して、矩形の平面形状を有するＭＲ素子６２を形成する。次に、図１５（Ｃ）に示したように、アルミナ等からなる絶縁膜を堆積させて再生上ギャップ６３を形成し、更に、下地メッキ層、上シールド兼下コア（いずれもパーマロイ等の軟磁性膜）等を成膜して再生ヘッドを完成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、磁気情報記録媒体の記録密度の増大に伴い、トラック幅を狭くする要求（例えば、０．６μｍ以下とする要求）が高まっている。再生トラック幅はＭＲ素子６２が溝部５８において下ギャップ５４と接触している部分の幅で決定されるので、上記の製造方法においては、一対のレジストＲａ，Ｒｂ間の距離、即ち、抜きパターン幅Ｗを狭く形成することが必要となる。
【０００８】
しかしながら、図１６（Ｂ）、（Ｃ）に示したように、抜きパターン幅Ｗが広い場合（図１６（Ｂ）及び（Ｃ）の抜きパターン幅Ｗは、それぞれ２μｍ、及び１μｍである。）にはレジストは問題なくカットされるが、図１６（Ｄ）に示したように、抜きパターン幅Ｗが０．５μｍと非常に狭くなると、レジストを露光させるための露光レンズの解像度、及びレジスト自身の解像度を越えるために解像不可能となり、レジストＲをカットすることができなくなる。このため、上記の方法によっては、要求される狭トラック幅の磁気ヘッドを得ることが困難であった。
【０００９】
また、図１７（Ａ）に示したように、一対のレジストＲａ，Ｒｂを溶融（レジストフロー）し、これらの対向する端面の上部角部に傾斜面を形成した後に上面からミリング加工を施して図１７（Ｂ）に示した一対のリード５９ａ，５９ｂを形成すると、ミリング加工前の抜きパターンの底面幅Ｗ０よりも、ミリング加工後の一対のリードＲａ，Ｒｂ間の距離Ｗ１のほうが大きくなる。例えば、底面幅Ｗ０が１．０μｍの場合には、距離Ｗ１は１．２μｍとなる。この幅Ｗ１の広がりは、狭トラック幅を有する磁気ヘッドの製造を一層困難なものにしている。
【００１０】
従って、本発明は記録密度の増大に対応するためになされたものであり、その目的は、露光解像度の制限を受けることのない新たな発想に基づく手法により一対のレジストを形成して、狭いトラック幅を有する磁気ヘッド（再生ヘッド）を製造することのできる方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段及びその作用・効果】
上記課題を解決するための本発明の第１の特徴は、イオンミリングのマスクとして使用する一対のレジストを、一つずつ個別に形成するようにしたことにある。即ち、本発明は、再生下ギャップ層に積層されたリード層の上に所定形状を有する一対のレジストを形成する工程が、前記リード層の上面にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層を露光及び現像して一対のレジストの一方を形成する工程と、この一方のレジストを硬化させる工程と、前記リード層及び前記硬化された一方のレジストの上に新たなレジスト層を形成する工程と、この新たなレジスト層を露光及び現像して前記一対のレジストの他方を形成する工程とを含むことを特徴としている。
【００１２】
この特徴によれば、先ず、一対のレジストの一方を露光・現像により形成する。即ち、レジスト層を必要部分と不要部分に所定の境界線によって区別して露光・現像し、その不要部分を除去する。こうして形成されるレジストパターン（端面位置）の精度は露光位置精度にのみ依存する。
【００１３】
次に、形成された一方のレジストを硬化した後、このレジスト及び露呈しているリード層の上に新たなレジスト層を重ねて形成する。最後に、この新たなレジスト層を必要部分と不要部分に所定の境界線によって区別して露光・現像し、その不要部分を除去する。この場合においても、新たに形成されるレジストパターン（端面位置）の精度は露光位置精度にのみ依存する。露光位置の精度は数十ｎｍであるので、新たに形成される（除去されずに残された）レジストの端部は、狙いとした位置から数十ｎｍ程度しかずれない。従って、先に形成した一方のレジストの端部に極めて近い位置に新たに形成する他方のレジストの端部を配置することが可能となる。これにより、一対のレジストの端部間距離を極めて小さくすることができるので、結果として狭いトラック幅を有する磁気ヘッドを製造することが可能となる。なお、本発明においては、新たなレジスト層の露光・現像が、既に形成した一方のレジストの形状に影響を及さないように、一方のレジストを新たなレジスト層の露光・現像前に（次のレジストカットの前に）予め硬化しておくようにしている。
【００１４】
本発明の第２の特徴は、第１の特徴に加えて、各レジストを加熱溶融してレジスト端部の膜厚を次第に低下させるようにしたことにある。具体的には、一対のレジストを形成する工程が、レジスト層を露光及び現像して前記一対のレジストの一方を形成する工程と、この一方のレジストを加熱溶融して同一方のレジストの膜厚を端部に向って次第に小さくなるように形成した後、さらにこの形状を保って硬化させる工程と、前記リード層及び前記硬化された一方のレジストの上に新たなレジスト層を形成する工程と、この新たなレジスト層を露光及び現像して前記一対のレジストの他方を形成する工程と、この他方のレジストを加熱溶融して同他方のレジストの膜厚を端部に向って次第に小さくなるように形成した後、さらにこの形状を保って硬化させる工程と、を含んだことを特徴としている。
【００１５】
この特徴によれば、一対のレジストの対向する端面が傾斜し、露出したリード層の上面とレジストの両端面とが逆台形形状の空間を形成する。この場合、第１の特徴と同様に、一対のレジストの端面間の距離を任意の（狭さを有する）幅に形成することができる。そして、このレジストが形成された状態にてイオンミリングを施すと一対のレジストがマスクしていない部分の下方（リードの下方）に位置していた再生下ギャップが露呈し、端面が傾斜した一対のリードが形成される。更に、イオンミリングを継続すると、リード間の距離は次第に広がって行く（再生下ギャップの露呈幅が広がる）。即ち、イオンミリングのミリング量（ミリング時間）を管理すれば、任意の狭トラック幅を形成する一対のリード（傾斜面を有するリード）を形成することが可能となる。
【００１６】
本発明の第３の特徴は、上記特徴を有する磁気ヘッドの製造方法において、一対のレジストの一方を形成する際の露光及び現像により前記基板上に基準位置マークを形成しておき、新たなレジスト層の露光を行う際に、この形成された基準位置マークを基準として露光位置を調整するようにしたことにある。
【００１７】
この特徴によれば、直前の工程（直近の工程において形成された基準位置マーク）に基づいて新たなレジスト層の露光位置の基準が決定されるので、いわゆるアライメント崩れと呼ばれる位置ずれを抑制することが可能となる。従って、一方のレジストに対する他方のレジストの位置精度の低下を最小限にすることができるため、一層精度の良い狭トラック幅を得ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る磁気ヘッド（磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド）の製造方法の一実施形態について、図面を参酌しつつ説明する。なお、図４〜図９は、磁気ヘッドを製造するための各工程におけるウエハの状態を斜視図にて示している。図１０は、完成した磁気ヘッド斜視図である。図１〜図３は、図４（Ｂ）に示した状態から図５（Ａ）に示した状態に到る間に実施されるレジスト及びリードの形成工程を示している。
【００１９】
先ず、図４（Ａ）に示したように、後にスライダとなるアルチック（Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ）等の基板１０上にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の絶縁膜である保護層１１を成膜し、保護層１１の上に下シールド層（パーマロイ等の軟磁性膜）１２を堆積して素子の基板Ｂを形成する。その後、再生下ギャップ１３（再生下ギャップ層）をなすアルミナ又は窒化アルミニウム等の絶縁膜をスパッタ等により堆積する。
【００２０】
次に、図４（Ｂ）に示したように、再生下ギャップ１３の上面にＣｏＣｒＰｔ等のバイアス磁石膜１４とＷ，Ｔａ，Ｎｂ等の高電気伝導膜１５をスパッタ、蒸着あるいは電気メッキにより積層してリード層１６を形成する。なお、バイアス磁石膜１４をスパッタで形成した場合にあっても、同磁石膜１４は平面をなす再生下ギャップ１３の上面に形成されるため、その結晶配向が乱されない。従って、保磁力Ｈｃ、角形比などの点で優れた磁気特性を有するバイアス磁石膜１４を得ることができる。
【００２１】
次いで、図４（Ｃ）に示したように、後にＭＲ素子１７ａが形成される部位の上方に抜きパターン（溝部Ｍ）を有する一対のレジストＲａ，Ｒｂを形成する。次いで、レジストフロー、イオンミリングなどの工程を経て、図５（Ａ）に示した、一対のリード１６ａ，１６ｂを形成する。
【００２２】
ここで、図４（Ｂ）に示した状態から図５（Ａ）に示した状態に到るまでの工程について、図１〜図３、及び図１１を参酌しつつより詳細に説明する。なお、図１〜図３は、製造される磁気ヘッドのウエハの各工程における正面図である。図１１は、所定の状態にあるウエハを上方から見た様子を示す図である。
【００２３】
図１（Ａ）は図４（Ｂ）の状態にあるウエハを示し、このウエハは再生下ギャップ１３の上にリード層１６が形成されている。最初の工程においては、図１（Ｂ）に示したように、リード層１６の上にレジストＲｏを所定の厚さに塗布する。次いで、図１（Ｃ）に示したように、レジストＲｏを露光・現像して不要部分を除去することによりレジストＲａを形成する。このレジストの除去工程を「パターンカット」と呼ぶ。
また、図１１（Ａ）に示したように、上記露光・現像により基準位置マーク（アライメントマーク）３０を形成しておく。実際には、図１１（Ｂ）に示したように、ウエハ上（ウエハのリード層１６の上面）に多数のレジストＲａが形成されるとともに、各レジストＲａに対応した多数の基準位置マーク３０が、後に素子が形成される位置とは重ならない所定の位置に形成される。
【００２４】
次に、パターンカットしたレジストＲａを加熱溶融（レジストフロー）して、図１（Ｄ）に示したように、同レジストＲａの端面の上部角部にＲ形状を付与してレジストＲａの端部の膜厚を次第に小さくし、その形状を保ってレジストＲａを硬化させる。なお、レジストを加熱するとレジストは比較的早期に溶融し、その後時間経過に伴って除々に効果するので、溶融と硬化が同一工程内にて行われることになる。この硬化したレジストＲａは、後の工程において現像液に溶解せず、また再加熱しても溶融しない。
【００２５】
続いて、図２（Ａ）に示したように、レジストＲｏが除去されて露呈しているリード層１６及びレジストＲａの上面に、新たなレジストＲｎを所定厚さに塗布する。次いで、図２（Ｂ）に示したように、新たなレジストＲｎの不要部分を露光・現像により除去（パターンカット）し、レジストＲａに対向するようにレジストＲｂを形成する。このときの露光・現像の位置決めは、図１１（Ａ）に示した基準位置マーク３０を基準として行う。
【００２６】
なお、図１１（Ｃ）はレジストＲａに加えてレジストＲｂが形成されたウエハ上の個々の素子状態を示し、図１１（Ｄ）はそのウエハの一部を示している。このように、一つのウエハ上に複数個の素子（一対のレジスト）が、同一方向、等間隔、且つマトリクス状に形成され、基準位置マーク３０は各素子の間の適所に形成される。また、このウエハは、図１１（Ｂ）及び図１１（Ｄ）に示したラインＬに沿って後の工程にて切断されてスライダロー（複数の素子を一列に配置したもの）とされ、そのスライダローに対して更に他の加工が施される。
【００２７】
次に、図２（Ｃ）に示したように、レジストＲｂを加熱溶融（レジストフロー）して、レジストＲｂのレジストＲａに対向する端面の上部角部にＲ形状を付与するとともに、レジストＲｂの端部の膜厚を次第に小さくし、その形状を保ってレジストＲｂを硬化させる。以上により、レジストＲａ，Ｒｂの対向面はリード層１６の上面に対して傾斜し、レジストＲａ，Ｒｂの膜厚は、各端部に向って次第に小さくなる。即ち、レジストＲａ，Ｒｂは溝部Ｍの中央に向うにつれて次第に薄くなるように形成されるため、溝部Ｍは逆台形形状となる。この状態が、図４（Ｃ）に示した状態である。
【００２８】
次に、図３（Ａ）に示したように、一対のレジストＲａ，Ｒｂ及び溝部Ｍに露呈しているリード層１６の上面（ウエハの全面）にプラズマ化したアルゴンイオンを照射するイオンミリング加工（プラズマエッチング加工）を施して、図３（Ｂ）に示した状態を得て、その後残っているレジストＲａ，Ｒｂを除去する。この結果、図３（Ｃ）及び図５（Ａ）に示したように、逆台形形状を有する溝部Ｍを挟んて対向する一対のリード１６ａ，１６ｂが形成される。
【００２９】
次に、ＭＲ素子を形成する工程に移る。即ち、図５（Ｂ）に示したように、ＣｏＺｒＭ（Ｎｂ，Ｍｏ）等の軟磁性膜であるＳＡＬ、Ｔｉ等からなるスペーサ、及びニッケル―鉄合金等からなるＭＲ膜をウエハの全面に対して積層してＭＲ素子層１７を形成する。
【００３０】
続いて、図５（Ｃ）に示したように、ＭＲ素子層１７上にレジストＲｃを塗布する。このとき、レジストＲｃの形状を、形成すべきＭＲ素子１７ａのパターンに合致させておく。即ち、形成すべきＭＲ素子１７ａの直上位置にのみレジストＲｃを塗布する。この結果、レジストＲｃは溝部Ｍ内であって略正方形状をなし、対向する一組の辺の端部が溝部Ｍの傾斜面途中に位置するように塗布される。
【００３１】
次に、図６（Ａ）に示したように、イオンミリングによりＭＲ素子層１７の不要部分を除去して、矩形の略平面形状を有するＭＲ素子１７ａを形成する。これにより、ＭＲ素子１７ａはその左右両端部がリード１６ａ，１６ｂの傾斜面の途中でカットされた状態に形成される。続いて、図６（Ｂ）に示したように、ＭＲ素子１７ａ、左右のリード１６ａ，１６ｂ、及びその周囲に露出している再生下ギャップ１３の上にアルミナ又は窒化アルミニウム等からなる絶縁膜を堆積させて再生上ギャップ（再生上ギャップ層）１８を形成する。
【００３２】
次に、図６（Ｃ）に示したように、再生上ギャップ１８の上に軟磁性膜（ニッケル−鉄合金の８１パーマロイ等）を堆積して下地メッキ層１９ａを形成する。この後、図７（Ａ）に示したように、下地メッキ層１９ａと同等のニッケル−鉄合金からなる軟磁性膜を電気メッキ等により所定の厚さに堆積して上シールド兼下コア（上シールド層）１９を形成する。次いで、図７（Ｂ）に示したように、上シールド兼下コア１９の上面を研磨して、上シールド兼下コア１９の上面を平坦化する。
【００３３】
続いて、図７（Ｃ）に示したように、上シールド兼下コア１９の上にアルミナ等からなる絶縁膜をスパッタ等で堆積して書込みギャップ２１を形成する。次いで、図８（Ａ）に示したように、書込みギャップ２１の上面であって、ＭＲ素子１７ａの直上位置にニッケル−鉄合金（８１パーマロイ）等の高透磁率材料からなる書込み上ポール２２を形成する。
【００３４】
次に、図８（Ｂ）に示したように、イオンミリングを行い（プラズマ化したアルゴンイオンを上方から照射する）、書込み下ポール２０を形成する。即ち、このイオンミリング時には書込み上ポール２２がマスクとなるため、書込み上ポール２２の直下部の上シールド兼下コア１９が残されて書込み下ポール２０となり、上シールド兼下コア１９の他の部分は削られる。この結果、書込み上ポール２２の幅と略等しい幅を有する断面が矩形の突起部（書込み下ポール２０）が形成され、上シールド兼下コア１９の上面は、書込み下ポール２０の根元から遠ざかるにつれて僅かに下方に傾斜した傾斜面１９ｂとなる。
【００３５】
続いて、図９（Ａ）に示したように、全面にアルミナ等からなる絶縁膜２７をスパッタ等で堆積させて、書込み上ポール２２を埋設する。次に、図９（Ｂ）に示したように、堆積された絶縁膜２７を書込み上ポール２２の先端部の上面まで研磨して、絶縁膜２７の上面を平坦化する。これにより、書込み上ポール２７の周囲は絶縁膜２７で包囲される。その後、図１０に示したように、絶縁膜２７の上に絶縁層２４及びコイル２５を形成した後、絶縁層２４及びコイル２５を跨ぐようにして上コア２３を形成する。最後に、図示しない保護膜を被せてシールド型磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッドを形成する。
【００３６】
以上説明したように、この実施形態においては、一対のリード１６ａ，１６ｂを形成するための一対のレジストＲａ，Ｒｂを個別に形成するようにした。一般に、ある境界線を境としてレジストを露光・現像により除去するパターン加工においては、その境界線（残されたレジストの端面）の位置は露光位置精度に依存する。この露光位置は、現状、数十ｎｍ（例えば、３σで６５ｎｍの精度）という極めて高い精度をもって調整され得る。従って、上記本発明の実施形態によれば、一方のレジストＲａの端面に極めて接近した位置に他方のレジストＲｂの端面を配置することが可能であり、図２に示した溝部Ｍの距離（レジストＲａとＲｂとの距離＝レジストカット幅）を極めて小さくすることができるので、結果として極めて狭いトラック幅を達成する一対のリード１６ａ，１６ｂを形成することが可能となった。なお、実験したところ、レジストカット幅を０．０８μｍとすることができ、このときのトラック幅は０．２６μｍになった。
【００３７】
また、上記の実施形態においては、レジストＲｏからレジストＲａを形成する露光・現像と同時にウエハの所定位置に基準位置マーク（アライメント）を形成し、レジストＲｂの露光・現像の位置合わせをこの基準位置マークを基準として行うようにした。このため、レジストカット幅の精度を一層向上することが可能となった。例えば、位置合せ精度が３σで６５ｎｍのステッパを使用した場合であって、当初から形成しておいた基準位置マークを用いてレジストＲｂの露光・現像の位置合せを行った場合は、レジストカット幅のバラツキは３σで１１６ｎｍであった。これに対し、本発明の実施形態のように、レジストＲａの露光・現像時に形成した基準位置マークを用いてレジストＲｂの露光・現像の位置合せを行ったところ、その位置ずれは３σで７２ｎｍとなった。
【００３８】
更に、上記の実施形態においては、一対のリード１６ａ，１６ｂの端面を傾斜させるため、一対のレジストＲａ，Ｒｂの端面を溶融により傾斜面とした。この場合、後のイオンミリングにより形成される一対のリード１６ａ，１６ｂの下端部間の距離（即ち、溝部Ｍの底部の幅＝トラック幅）は一対のレジストＲａ，Ｒｂ間の当初の距離よりもよりも広がることになる。しかしながら、本実施形態においては一対のレジストＲａ，Ｒｂ間の当初の距離を極めて小さくすることが可能であるので、係る傾斜面を有するリード１６ａ，１６ｂを有する磁気ヘッドに対しても十分狭いトラック幅を与えることが可能となった。
【００３９】
また、本実施形態によれば、原理的には限りなく“０”に近いトラック幅を有する磁気ヘッドを製造することも可能である。即ち、図１２（Ａ）に示したように、先ず一対のレジストＲａ，Ｒｂの端部を隙間がないように形成する。本実施形態においては、露光解像度による制約を受けないため、このようなレジストパターンを形成することが可能である。
【００４０】
次いで、イオンミリングを開始すると、図１２（Ｂ）に示したように、端面が傾斜した一対のリードが形成され始める。ミリングを継続すると、図１２（Ｃ）に示したように実質的に“０”の幅Ｗ２だけ再生下ギャップ層１３が露出する。この段階でミリングを停止すれば、限りなく“０”に近いトラック幅を達成する一対のリード１６ａ，１６ｂが形成できる。即ち、本実施形態は、イオンミリングのミリング量（ミリング時間）を管理することにより、任意の狭トラック幅を形成する一対のリードを形成することを可能とするものである。
【００４１】
以上、本発明の一実施形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されず、本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例えば、一対のリードの端面を傾斜させる必要がない（対向する各端面が再生下ギャップ層に対して直立している）ようなリードを形成するには、上記レジストの加熱溶融による傾斜面の付与工程（端部の膜厚を次第に小さくする工程）を、レジストを硬化させるだけの工程と置換えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のリードを形成する工程を示した図である。
【図２】  本発明のリードを形成する工程を示した図である。
【図３】  本発明のリードを形成する工程を示した図である。
【図４】  本発明の磁気ヘッドの製造工程を示した図である。
【図５】  本発明の磁気ヘッドの製造工程を示した図である。
【図６】  本発明の磁気ヘッドの製造工程を示した図である。
【図７】  本発明の磁気ヘッドの製造工程を示した図である。
【図８】  本発明の磁気ヘッドの製造工程を示した図である。
【図９】  本発明の磁気ヘッドの製造工程を示した図である。
【図１０】  本発明の完成した磁気ヘッドの斜視図である。
【図１１】  レジスト形成時に使用する基準位置マークを示す図である。
【図１２】  本発明のリードを形成する工程を示した図である。
【図１３】  出願人が提案した磁気ヘッドの製造工程を示した図である。
【図１４】  出願人が提案した磁気ヘッドの製造工程を示した図である。
【図１５】  出願人が提案した磁気ヘッドの製造工程を示した図である。
【図１６】  出願人が提案したリードを形成する工程を示した図である。
【図１７】  出願人が提案したリードを形成する工程を示した図である。
【符号の説明】
１０…基板、１１…保護層（絶縁膜）、１２…下シールド層、１３…再生下ギャップ、１４…バイアス磁石膜、１５…電気伝導膜、１６…リード層、１６ａ，１６ｂ…一対のリード、１７…ＭＲ素子層、１７ａ…ＭＲ素子、１８…再生上ギャップ、１９…上シールド兼下コア（上シールド層）、２０…書込み下ポール、２１…書込みギャップ、２２…書込み上ポール、２３…上コア、２５…コイル、Ｂ…素子の基板、Ｒａ，Ｒｂ…一対のレジスト、Ｒｏ…塗布されたレジスト、Ｒｎ…新たに塗布されたレジスト。
【図１】
0003936085.tif 000002
【図２】
0003936085.tif 000003
【図３】
0003936085.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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