(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが搭載される第１の内部リードと、上記半導体チップとワイヤを介して導通接続される第２の内部リードと、上記半導体チップ、ワイヤ、第１の内部リードおよび第２の内部リードを封入するようにして所定厚みを有する平面視略長矩形状の形態に形成され、上記第１の内部リードおよび上記第２の内部リードが長手方向に並ぶように封入され、かつ、短手方向に対向する第１および第２の側面、ならびに長手方向に対向し、上記第１の内部リード側に位置する第３の側面および上記第２の内部リード側に位置する第４の側面を有する樹脂パッケージと、上記第１の内部リードに連続するとともに上記樹脂パッケージの上記第１の側面側に形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リードに連続するとともに上記第１の側面側に形成された第２の外部リードと、上記第１の内部リードに連続し、かつ上記第２の側面側に形成された第３の外部リードと、上記第２の内部リードに連続し、かつ上記第２の側面側に形成された第４の外部リードと、を備えた半導体装置であって、
上記第１の外部リードおよび第２の外部リードは、上記第１の内部リードおよび上記第２の内部リードに対してそれぞれ狭小部を介して折り曲げられて、それらの基端部が上記第１の側面をその下方に向けて沿うようになされているとともに、上記第１の側面からさらに連続する部分がそれぞれ上記樹脂パッケージの底面に沿うようになされているとともに、
上記第３の外部リードおよび第４の外部リードは、上記第１の内部リードおよび上記第２の内部リードに対してそれぞれ狭小部を介して折り曲げられて、それらの基端部が上記第２の側面をその下方に向けて沿うようになされているとともに、上記第２の側面からさらに連続する部分がそれぞれ上記底面に沿うようになされており、かつ、
上記第１の外部リードおよび第３の外部リードの先端部は、上記底面から上記第３の側面側にまで連続して、この第３の側面における上記第１の側面および第２の側面に近接する部位を上方に向けて沿うようにしてそれぞれ形成されており、上記第２の外部リードおよび第４の外部リードの先端部は、上記底面から上記第４の側面側にまで連続して、この第４の側面における上記第１の側面および第２の側面に近接する部位を上方に向けて沿うようにしてそれぞれ形成されていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
上記半導体チップは、発光素子または受光素子である、請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、適宜の回路基板などに面実装可能とされた樹脂パッケージ型の半導体装置、とくに光センサの発光部または受光部として好適に使用される半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より採用されている樹脂パッケージ型の半導体装置の一例を図２７および図２８に示す。この半導体装置Ｙは、金属板を打ち抜き形成することによって得られるフレームから製造された、いわゆるフレームタイプの発光ダイオード（ＬＥＤ）として構成されたものである。具体的には、それぞれの一端部１ａ，２ａどうしが対峙するようにして一対のリード端子１，２が設けられており、一方のリード端子１の一端部１ａには半導体チップ３（発光素子）が実装されており、この発光素子３の上面３０と他方のリード端子２の一端部２ａとがワイヤＷを介して電気的に導通されている。そして、発光素子３およびワイヤＷを封入するようにして、かつ発光素子３の直上が半球状の凸レンズ４６となるようにしてエポキシ樹脂などによって透明な樹脂パッケージ４が形成されている。このような発光ダイオードＹでは、各リード端子１，２のうちの樹脂パッケージ４に封入された部位がそれぞれ内部リード１０，２０とされており、各端子リード１，２のうちの樹脂パッケージ４から延出する部位が外部リード１１，１２とされている。これらの外部リード１１，１２は、それぞれがクランプ状に屈曲されて、先端側が樹脂パッケージの底面４５と同等高さ位置において所定長さ水平に延びる水平部１１ａ，２１ａとされている。
【０００３】
このように構成された発光ダイオードＹは、適宜の回路基板５などに面実装されて各種の光源、たとえば光センサの発光部などとして使用される。上記発光ダイオードＹを回路基板５に実装する場合には、いわゆるハンダリフローの手法が一般的に採用されている。このハンダリフローの手法では、各外部リード１１，２１の水平部１１ａ，２１ａの裏面側または回路基板５の端子パッド５０にクリームハンダを予め塗布しておき、各水平部１１ａ，２１ａと上記端子パッド５０とを対応させて発光ダイオードＹを上記回路基板５に載置した状態でリフロー炉に搬入することによって発光ダイオードＹが回路基板５に実装される。このリフロー炉では、ハンダペーストが２００℃程度にまで加熱されて再溶融させられるが、発光ダイオードＹが実装された回路基板５をリフロー炉から搬出して溶融ハンダを固化させれば上記発光ダイオードＹが上記回路基板５に実装固定される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した発光ダイオードＹでは、これを回路基板５に実装する際の実装面が各外部リード１１，２１の水平部１１ａ，２１ｂのみであるため、実装状態における発光ダイオードＹから発せられる光の向きが一義的に定められてしまう。すなわち、上記発光素子３の上面３０が発光面とされている場合には、回路基板５の上方に向けて光を発するようにしか発光ダイオードＹを実装することができず、回路基板５と平行に光を発するように発光ダイオードＹを実装することはできない。したがって、回路基板５と平行に光を発するようにするためには、発光面が外部リード１１，２１の水平部１１ａ，２１ａ（回路基板５）に対して垂直状とされた別の発光ダイオードが必要となる。このように、従来の発光ダイオードＹにおいては、光を発すべき方向に応じて発光ダイオードを使い分ける必要があり不便である。このような不具合は、半導体チップ３として受光素子が採用されてフォトダイオードやフォトトランジスタとして構成された半導体装置においても同様に生じうる。
【０００５】
本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、回路基板などに半導体装置を実装する場合における半導体装置の実装向きの選択の自由度を高めることをその課題としている。
【０００６】
【発明の開示】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００７】
すなわち、本願発明により提供される半導体装置は、半導体チップが搭載される第１の内部リードと、上記半導体チップとワイヤを介して導通接続される第２の内部リードと、上記半導体チップ、ワイヤ、第１の内部リードおよび第２の内部リードを封入するようにして所定厚みを有する平面視略長矩形状の形態に形成され、上記第１の内部リードおよび上記第２の内部リードが長手方向に並ぶように封入され、かつ、短手方向に対向する第１および第２の側面、ならびに長手方向に対向し、上記第１の内部リード側に位置する第３の側面および上記第２の内部リード側に位置する第４の側面を有する樹脂パッケージと、上記第１の内部リードに連続するとともに上記樹脂パッケージの上記第１の側面側に形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リードに連続するとともに上記第１の側面側に形成された第２の外部リードと、上記第１の内部リードに連続し、かつ上記第２の側面側に形成された第３の外部リードと、上記第２の内部リードに連続し、かつ上記第２の側面側に形成された第４の外部リードと、を備えた半導体装置であって、上記第１の外部リードおよび第２の外部リードは、上記第１の内部リードおよび上記第２の内部リードに対してそれぞれ狭小部を介して折り曲げられて、それらの基端部が上記第１の側面をその下方に向けて沿うようになされているとともに、上記第１の側面からさらに連続する部分がそれぞれ上記樹脂パッケージの底面に沿うようになされているとともに、上記第３の外部リードおよび第４の外部リードは、上記第１の内部リードおよび上記第２の内部リードに対してそれぞれ狭小部を介して折り曲げられて、それらの基端部が上記第２の側面をその下方に向けて沿うようになされているとともに、上記第２の側面からさらに連続する部分がそれぞれ上記底面に沿うようになされており、かつ、上記第１の外部リードおよび第３の外部リードの先端部は、上記底面から上記第３の側面側にまで連続して、この第３の側面における上記第１の側面および第２の側面に近接する部位を上方に向けて沿うようにしてそれぞれ形成されており、上記第２の外部リードおよび第４の外部リードの先端部は、上記底面から上記第４の側面側にまで連続して、この第４の側面における上記第１の側面および第２の側面に近接する部位を上方に向けて沿うようにしてそれぞれ形成されていることを特徴としている。なお、半導体チップとしては、発光素子または受光素子などが好適に採用され、上記半導体装置が発光ダイオード、フォトダイオードあるいはフォトトランジスタなどとして構成される。
【０００８】
上記構成では、上記樹脂パッケージの第１の側面に、第１の外部リードおよび第２の外部リードのそれぞれの基端部が沿うようになされて、これらの基端部がそれぞれ面実装用の外部端子部とされている。第１の外部リードは、半導体チップが実装された第１の内部リードに連続するものであり、第２の外部リードは半導体チップとワイヤを介して導通接続される第２の内部リードに連続するものであるから、上記第１の側面にはアノード（陽極端子）およびカソード（陰極端子）がそれぞれ形成されていることになる。しかも、樹脂パッケージの底面にも第１の外部リードおよび第２の外部リードのそれぞれが形成されていることから、上記底面にもアノードおよびカソードがそれぞれ形成されていることになる。このように、上記構成の半導体装置では、アノードおよびカソードの対が上記樹脂パッケージの第１の側面および第２の側面にそれぞれ形成されている。このため、上記構成の半導体装置では、上記第１の側面を回路基板などの実装対象に対する実装面として上記半導体装置を実装することがでるとともに、底面をも実装面とすることができ、半導体装置を実装する際における実装向きの選択の自由度が高められている。したがって、半導体装置の種類や回路基板などにおける配置に応じて実装面を使い分けることができる。
【０００９】
たとえば、発光ダイオード（ＬＥＤ）として構成された半導体装置では、上記半導体チップ（発光素子）の上面が発光面とされている場合を考えれば、樹脂パッケージの第１の側面を実装面とすれば発光面が回路基板などの実装対象に対して起立状とされ、回路基板などの表面に対して平行に光を発するようにすることができる。一方、上記樹脂パッケージの底面を実装面とすれば、発光面が回路基板などの実装対象の表面に対して平行となり、回路基板などの表面に対して垂直に光を発するようにすることができる。もちろん、フォトダイオードとして構成された半導体装置においては、実装面を適宜選択すれば、実装対象となる回路基板などに対して平行に進行してくる光を受光するようにも、回路基板などに向けて垂直に進行してくる光を受光するようにも構成することができる。
【００１０】
このように、上記半導体装置では、回路基板などの実装対象に平行となる光を発し、あるいは平行な光を受光できる半導体装置や、垂直光を発光でき、あるいは受光できる半導体装置を種類などに応じて使い分ける必要がなく、便利である。
【００１１】
【００１２】
さらに、上記構成では、上記樹脂パッケージの第２の側面に、第３および第４の外部リードがそれぞれ形成されている。第３の外部リードは、第１の内部リードに連続するものであり、第４の外部リードは、第２の内部リードに連続するものであるから、上記第２の側面にもアノードおよびカソードの対が形成されている。このため、上記構成では、上記第２の側面をも実装面とすることができ、半導体装置を回路基板などに実装する際の実装向きの選択の自由度がさらに高められる。
【００１３】
また、樹脂パッケージの底面においては、第１の内部リードと導通する第１および第３の外部リード、および第２の内部リードと導通する第２および第４の外部リードがそれぞれ形成され、計４個の外部リードが形成されている。このため、樹脂パッケージの底面を実装面とすれば、実装対象との接続箇所が４ヵ所となり、実装対象に対して良好に確実かつ良好に実装することができる。しかも、各外部リードを樹脂パッケージの底面における四隅部またはその近傍にそれぞれ離散的に形成すれば、上記半導体装置を実装する際に使用されハンダペーストの再溶融時におけるセルフアライメント効果を期待でき、上記半導体装置の実装精度を向上させることができる。
【００１４】
【００１５】
さらに、上記構成では、第１外部リードが上記樹脂パッケージの第１の側面、底面および第３の側面に連続して形成されているために、樹脂パッケージの底面側の角部が第１の外部リードによって囲まれており、同様にして、第２の外部リードないし第３の外部リードによって樹脂パッケージの底面側のその他の角部が囲まれている。このように、上記構成の半導体装置では、上記半導体装置の底面側の角部が各外部リードによって囲まれて補強されることになる。樹脂パッケージにおける角部は、半導体装置を取り扱う際に他の部材など干渉して欠けやすい部位であるが、このようにして樹脂パッケージの角部が補強されていれば、樹脂パッケージが欠けにくいといった利点が得られる。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
本願発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。図１は、本願発明の一実施形態に係る半導体装置の一例を表す全体斜視図、図２は、図１のII−II線に沿う断面図、図３は、図１の半導体装置の平面透視図、図４は、図１の半導体装置の底面図である。なお、これらの図において、従来例の半導体装置を説明するために参照した図面に表された部材および要素などと同等なものには同一の符号を付してある。
【００３０】
図１および図２に示すように、上記半導体装置Ｘは、金属板を打ち抜き形成するなどして得られるリードフレームから製造された、いわゆるフレームタイプの半導体装置Ｘとして構成されたものであり、本実施形態では発光ダイオードとして構成された半導体装置Ｘについて説明する。具体的には、上記半導体装置Ｘは、半導体チップとしての発光素子３が実装される第１リード端子１と、上記発光素子３の上面３０とワイヤＷを介して電気的に導通される第２のリード端子２と、上記発光素子３およびワイヤＷを封入するようにして直方体状に形成された樹脂パッケージ４と、を備えて大略構成されている。
【００３１】
図１ないし図４に良く表れているように、上記第１のリード端子１は、上記樹脂パッケージ４内に封入された第１の内部リード１０と、上記樹脂パッケージ４の外部において屈曲形成された第１および第３の外部リード１１，１２とを有している。
【００３２】
上記第１の内部リード１０は、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１と第２の側面４２の間において上記樹脂パッケージ４の底面４５に対して平行に延びる内部リード本体部１０ａを有しており、この内部リード本体部１０ａの中央部から上記樹脂パッケージ４の中心側に突出するようにして上記発光素子３が実装されるダイボンディングパッド１０ｂが形成されている。
【００３３】
上記第１および第３の外部リード１１，１２は、上記第１の内部リード１０の両端部からそれぞれ連続して形成されており、第１および第３の外部リード１１，１２の基端部は、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１および第２の側面４２にそれぞれ沿うようして下方に延びる第１外部端子部１１ａ，１２ａとされている。そして、さらに連続して上記樹脂パッケージ４の底面４５にまで上記第１および第３の外部リードが形成されてそれぞれ第２外部端子部１１ｂ，１２ｂとされており、第１および第３の外部リード１１，１２の先端部は、上記樹脂パッケージ４の第３の側面４３に沿うようにして上方に延びる第３外部端子部１１ｃ，１２ｃとされている。すなわち、上記第１および第３の外部リード１１，１２によって、上記樹脂パッケージ４の底面４５側の角部のうちの２つが囲まれた恰好とされている。
【００３４】
図１ないし図４に良く表れているように、上記第２の端子リード２は、上記樹脂パッケージ４内に封入された第２の内部リード２０と、上記樹脂パッケージ４の外部において屈曲形成された第２および第４の外部リード２１，２２とを有している。
【００３５】
上記第２の内部リード２０は、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１および第２の側面４２間において上記樹脂パッケージ４の底面４５に対して平行に延びるようにして形成されている。上記したように、上記第２の内部リード２０の中央部は、ワイヤＷを介して上記発光素子３の上面３０と繋げられている。このワイヤＷは、たとえば金などによって構成されている。
【００３６】
上記第２および第４の外部リード２１，２２は、上記第２の内部リード２０の両端部から連続して形成されており、第２および第４の外部リード２１，２２の基端部は、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１および第２の側面４２にそれぞれ沿うようして下方に延びる第１外部端子部２１ａ，２２ａとされている。そして、さらに連続して上記樹脂パッケージ４の底面４５および第３の側面４３に沿うようにして第２外部端子部２１ｂ，２２ｂおよび第３外部端子部２１ｃ，２２ｃがそれぞれ形成されている。このように、上記第２および第４の外部リード２１，２２によって、上記樹脂パッケージ４の底面側の角部のうちの残りの２つが囲まれた恰好とされており、結局、上記各外部リード１１，…によって上記樹脂パッケージ４における底面４５側の各角部が実質的に保護されている。
【００３７】
上記樹脂パッケージ４は、後述する金型成形などによって形成されており、上方に突出する半球状の集光レンズ部４６を有しているが、全体形状としては直方体状とされている。上記集光レンズ部４６は、発光素子３から発せられた光が四方に拡散しないようにするために設けられたものである。
【００３８】
このように構成された半導体装置Ｘでは、図１に良く表れているように、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１には、第１の内部リード１０に導通する第１の外部リード１１の第１外部端子部１１ａが形成されているとともに、第２の内部リード２０に導通する第２の外部リード２１の第１外部端子部２１ａが形成されている。すなわち、上記第１の側面４１には、アノードおよびカソードの対が形成されており、第１の側面を回路基板などの実装対象に対する実装面とすることができる。また、図３および図４に良く表れているように、上記樹脂パッケージ４の第２の側面４２にも、第１および第２の内部リード１０，２０のそれぞれと導通する第３の外部リード１２の第１外部端子部１２ａおよび第４の外部リード２２の第１外部端子部２２ａがそれぞれ形成されているため、第２の側面を実装面とすることができる。さらに、図４に良く表れているように、上記樹脂パッケージ４の底面４５には、上記第１および第３の外部リード１１，１２の第２外部端子部１１ｂ，１２ｂがそれぞれ形成されているとともに、上記第２および第４の外部リード２１，２２の第２外部端子部２１ｂ，２２ｂがそれぞれ形成されているため、底面４５をも実装面とすることができる。
【００３９】
次に、上記構成の半導体装置Ｘの製造方法について図５ないし図１１を参照しつつ簡単に説明するが、便宜上、この製造方法に使用されるリードフレーム６について図５を参照しつつ先に説明する。なお、図５は、上記半導体装置の製造に用いられるリードフレームの平面図、図６は、ワイヤボンディング工程を説明するための図、図７は、樹脂パッケージング工程を説明するための断面図、図８は、上記半導体装置の外部リードをフォーミングしていない中間品の状態を表す全体斜視図、図９ないし図１１は、外部リードのフォーミング工程を説明するための図である。
【００４０】
上記リードフレーム６は、銅や鉄などの金属板を打ち抜くなどして得られるものであり、図５に示すように平行に延びる一対のサイドフレーム６０，６０を有している。これらのサイドフレーム６０，６０を掛け渡すようにして２つのクロスフレーム６１ａ，６１ｂからなるクロスフレーム対６１が等間隔毎に形成されており、各クロスフレーム対６１を構成するクロスフレーム６１ａ，６１ｂは上記各サイドフレーム６０，６０よりの部位においてサポートフレーム６２，６２によって連結されている。また、各クロスフレーム対６１の一方のクロスフレーム６１ａは、隣合うクロスフレーム対６１の他方のクロスフレーム６１ｂと２つのタイバー６３，６３によってそれぞれ連結されている。上記クロスフレーム対６１および上記各サポートフレーム６２，６２によって囲まれる矩形領域には、一方のクロスフレーム６１ａ側から他方のクロスフレーム６１ｂ側に突出するようにして上記半導体装置Ｘの構成部分となるべきダイボンディングパッド１０ｂが打ち抜き形成されている。
【００４１】
このように構成されたリードフレーム６においては、まず、図５において上記ダイボンディングパッド１０ｂにおける２点鎖線で囲んだ領域Ｈに半導体チップ３が実装される。上記したように上記半導体装置Ｘが発光ダイオードとして構成される場合には、半導体チップ３としては発光ダイオードチップなどの発光素子が使用されるが、上記半導体装置Ｘがフォトダイオードとして構成される場合には上記半導体チップ３としてはフォトダイオードチップなどの受光素子などが使用される。もちろん、用途に応じて例示した以外の半導体チップを適宜実装してもよい。
【００４２】
次いで、上記半導体チップ３の上面３０と他方のクロスフレーム６１ｂとをワイヤＷによって接続する。このワイヤＷによる接続は、上記半導体チップ３の上面３０について行われるファーストボンディングと他方のクロスフレーム６１ｂについて行われるセカンドボンディングとからなる。
【００４３】
図６に示すように、ファーストボンディングは、キャピラリ７の先端部からワイヤＷの先端部を突出させておき、この部位を溶融させてボール状とし、これを上記半導体チップ３の上面３０に圧着することによって行われる。セカンドボンディングは、上記キャピラリ７の先端部からワイヤＷを引き出しつつ他方のクロスフレーム６１ｂの所定領域（ワイヤボンディング領域）にまで上記キャピラリ７を移動させ、ワイヤＷを圧着することによって行われる。なお、ワイヤボンディングを行うのに際して、上記リードフレーム６を支持台８などによって加熱してもよく、また超音波を供給しつつワイヤボンディングを行ってもよい。
【００４４】
続いて、所定の金型を用いて図５に示した上記リードフレーム６における仮想線で囲まれた領域Ｐに樹脂パッケージ４を形成する、この工程はたとえば以下のようにして行われる。すなわち、図７に示すように、まず、上下の各金型９Ａ，９Ｂによって形成されるキャビティ空間９０内に上記半導体チップ３を収容した状態で上記リードフレーム６の所定領域を挟持するようにして金型の型締めする。そして、上記キャビティ空間９０に溶融したエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を注入し、注入樹脂が硬化した後に金型９Ａ，９Ｂを型開きすることによって樹脂パッケージ４が形成される。このとき、集光レンズ部４６も同時に形成される。
【００４５】
上記半導体装置Ｘが発光ダイオードとして構成される場合には、上記樹脂パッケージ４を形成する材料としては透明性の高い樹脂、たとえばエポキシ樹脂などが好適に採用される。もちろん、半導体チップ３としてフォトダイオードチップやフォトトランジスタチップなどの受光素子を採用する場合にも、上記樹脂パッケージ４を形成する材料としては、透明性の高いエポキシ樹脂などが好適に採用されるが、発光や受光を行う半導体装置Ｘとは異なる半導体装置として構成する場合には、必ずしも透明性の高い樹脂によって上記樹脂パッケージ４を形成する必要はなく、上記集光レンズ部４６を設ける必要もない。また、受光素子３として赤外光を選択的に受光するように構成されたものを使用する場合には、上記樹脂パッケージ４としては透明のものでもよいが、他の波長の光（ノイズ）による影響を排除して受光感度を高めるべく赤外光を選択的を透過させる黒色の樹脂を使用するのが好ましい。
【００４６】
このようにして樹脂パッケージ４が形成された後に、リードフレーム６における一点鎖線で示したラインに沿って切断することによって、図８に示すような半導体装置の中間品Ｘ′が得られる。この中間品Ｘ′は、上記樹脂パッケージ４の第１の側面４１および第２の側面４２から外部リード１１，１２，２１，２２となるべき部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２ＡがそれぞれＬ字状に突出したような形状をなしており、上記各Ｌ字状の部位１１Ａ，…が折り曲げられて図１に示したような半導体装置Ｘとされる。
【００４７】
具体的には、まず、図９に示すように、上記各Ｌ字状の部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａを下方に折り曲げて、これらの各部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａの基端部が上記樹脂パッケージ４の第１および第２の側面４１，４２に沿うようにする。これにより、各外部リード１１，１２，２１，２２の第１外部端子部１１ａ，１２ａ，２１ａ，２２ａが形成される。
【００４８】
次に、図１０に示すように、上記各部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａを上記樹脂パッケージ４の底面４５に沿うようにしてさらに折り曲げて、各外部リード１１，１２，２１，２２の第２外部端子部１１ｂ，１２ｂ，２１ｂ，２２ｂを形成する。このとき、各部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａの先端部は、平面視において上記樹脂パッケージ４の側方にはみ出したような恰好とされている。
【００４９】
続いて、図１１に示すように、上記樹脂パッケージ４からはみ出した各部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａの先端部を上方に向けて折り曲げて上記第３または第４の側面４３，４４に沿うようにする。これにより、上記各部位１１Ａ，１２Ａ，２１Ａ，２２Ａの先端部が上記各外部リード１１，１２，２１，２２の第３外部端子部１１ｂ，１２ｃ，２１ｃ，２２ｃとされ、図１に示したような半導体装置Ｘとされる。
【００５０】
このようにして製造された半導体装置Ｘは、回路基板などに実装されて使用されるが、上記半導体チップ３として発光素子が採用された半導体装置Ｘでは、この半導体装置Ｘを各種の光源、たとえば光センサの発光部として使用することができる。上記半導体チップでは、適宜の実装面（本実施形態では、樹脂パッケージ４の第１の側面４１、第２の側面４２、および底面４５のいずれか）を選択することによって、回路基板などの実装対象に垂直に光を発するような実装状態と、実装対象に対して平行に光を発するような実装状態とを選択することができるようになる。たとえば、発光ダイオードとして構成された半導体装置Ｘにおいて、発光素子３の上面３０が発光面となされている場合には、図１２に示すように、上記樹脂パッケージ４の底面４５を実装面とすれば、実装対象５に垂直に光を発するように構成することができ、第１または第２の側面４１，４２を実装面とすれば実装対象に対して平行に光を発するように構成することができる。なお、上記半導体チップ３として受光素子を用いた場合には、光センサの受光部などとして使用することができる。
【００５１】
なお、上記半導体装置Ｘの実装には、たとえばハンダリフローの手法が好適に採用される。このハンダリフローの手法では、予め上記半導体装置Ｘの各外部リード１１，…の表面に、あるいは回路基板などの実装対象５に形成された端子パッド５０，５０の表面にクリームハンダを塗布しておき、上記外部リード１１，１２，２１，２２と上記端子パッド５０，５０とを対応させて半導体装置Ｘを上記回路基板５に載置した状態でリフロー炉に搬入することによって発光ダイオードＸが回路基板５に実装される。このリフロー炉では、ハンダペーストが２００℃程度にまで加熱されて再溶融させられるが、発光ダイオードＸが実装された回路基板５をリフロー炉から搬出して溶融ハンダを固化させれば上記発光ダイオードＸが上記回路基板５に実装固定される。
【００５２】
次に、本願発明の参考例に係る半導体装置について図１３ないし図１５を参照しつつ説明する。なお、図１３は上記半導体装置の全体斜視図、図１４は上記半導体装置を実装対象物（回路基板など）に実装した状態を表す側面図、図１５は図１４のXV−XV線に沿う断面図である。また、これらの図において、本願発明の実施形態に係る半導体装置を説明するために参照した図面に表されていた部材および要素などと同等なものには同一の符号を付してあり、実施形態と共通な構成についての詳細な説明はここでは省略するものとする。
【００５３】
この半導体装置Ｘ１の基本的な構成は、図１３に示すように上述した実施形態の半導体装置Ｘと略同様である。この半導体装置Ｘ１が上記の実施形態の半導体装置Ｘと大きく異なる点は、第１ないし第４の外部リード１１，１２，２１，２２の構成である。すなわち、各外部リード１１，１２，２１，２２が、２つの先端部を有する分岐状とされている。そして、各外部リード１１，１２，２１，２２の一方の先端部の折り曲げられてそれぞれが樹脂パッケージ４の底面４５に沿うようになされて第２外部端子部１１ｂ，１２ｂ，２１ｂ，２２ｂとされている。一方、それぞれの他方の先端部は折り曲げられていない。第１および第３の外部リード１１，２１の他方の先端部は、第１の側面４１と略同一平面において広がるとともに、それぞれ第１の側面４１の両側縁から突出しており、第２および第４の外部リード１２，２２の他方の先端部は、第２の側面４２と略同一平面において広がるとともに、それぞれ第２の側面４２の両側縁から突出している。
【００５４】
このように構成された半導体装置Ｘ１では、第１の側面４１および第２の側面４２のそれぞれに陽極端子（アノード）および陰極端子（カソード）の対が１組形成されており、底面４５にはアノードおよびカソードの対が２組形成されている。したがって、上記半導体装置Ｘ１では、第１の側面４１、第２の側面４２および底面４５のそれぞれを実装面として回路基板などの実装対象物に実装することができる。
【００５５】
第１または第２の側面４１，４２を実装面として回路基板に実装した例を図１４に示すが、この場合には、第１および第２の外部リード１１，２１、または第３および第４の外部リード１２，２２のそれぞれの第１外部端子部１１ａ，２１ａ（１２ａ，２２ａ）が回路基板５と接続される。これらの第１外部端子部１１ａ，２１ａ，１２ａ，２２ａは、それぞれ第１または第２の側面４１，４２の側縁から突出して設けられていることから、これによって樹脂パッケージ４の全長よりも半導体装置Ｘ１の全長のほうが長くなされている。したがって、樹脂パッケージ４の側面４１，…や底面４５に沿うようにして外部リード１１，…が形成された上記の実施形態の半導体装置Ｘと比較すれば、樹脂パッケージ４から各外部リード１１，…の他方の先端部が突出して形成されている場合のほうがより安定して回路基板５などに実装されることになる。
【００５６】
回路基板５への半導体装置Ｘ１の実装には、ハンダリフローの手法が一般的に採用される。この方法では、たとえば回路基板の接続用端子部５０にクリームハンダを予め塗布した状態で半導体装置Ｘ１を載置し、ハンダを再溶融・固化させることによって半導体装置Ｘ１が実装される。このため、外部リード４１，…における接続領域の一部が樹脂パッケージ４から突出状とされた構成では、図１５に示したように突出した部分の上面にまで再溶融したハンダＨａが乗り上げる。そして、この状態でハンダＨａが固化して半導体装置Ｘ１が回路基板５などに実装されるため、より強固な接続状態を達成することができる。また、上記構成の半導体装置Ｘ１では、各外部リード１１，…の第２外部端子部１１ａ，…が底面の四隅部に離散的に形成されているために、底面４５を実装面とする場合には回路基板５との接続箇所が４ヵ所となるためにより安定した状態で半導体装置Ｘ１を実装でき、またセルフアライメント効果を発揮させて精度良く半導体装置Ｘ１を実装することができる。
【００５７】
なお、この参考例では、各外部リード１１，…が２つの先端部を有する分岐状とされ、それぞれの外部リード１１，…の他方の先端部が折り曲げられずに第１または第２の側面４１，４２の側縁から突出した形態の半導体装置Ｘ１について説明したが、各外部リード１１，…の他方の先端部が折り曲げられた構成とすることもできる。すなわち、図１６に示したように各外部リード１１，…が分岐状とされた構成において、他方の先端部が折り曲げられて第３または第４の側面４３，４４に沿うようになされた構成であってもよい。この構成では、樹脂パッケージ４の底面４５における四隅部が各外部リード１１，…によって囲まれて補強されるといった効果が得られる。
【００５８】
次に、本願発明の他の参考例に係る半導体装置について図１７および図１８を参照しつつ説明する。なお、図１７は、上記半導体装置の全体斜視図、図１８は、上記半導体装置の透視平面図である。また、これらの図においては、本願発明の上記した実施形態に係る半導体装置を説明するために参照した図面に表されていた部材および要素などと同等なものには同一の符号を付してあり、上記の実施形態と共通な構成ついての詳細な説明はここでは省略するものとする。
【００５９】
この半導体装置Ｘ２は、外部リード１１，１２が２つとされている点において上述した実施形態および参考例とは異なっている。各外部リード１１，２１は、第１および第２の内部リード１０，２０からそれぞれ連続して樹脂パッケージ４の第１の側面４１側に形成されている。そして、各外部リード１１，２１のそれぞれの基端部が第１の側面４１および底面４５に沿うようになされている。すなわち、各外部リード１１，２１における第１の側面４１に沿う部分がそれぞれ第１外部端子部１１ａ，２１ａとされているとともに、底面４５に沿う部分がそれぞれ第２外部端子部１１ｂ，２１ｂとされている。第１の外部リード１１の先端部はさらに折り曲げられて第３の側面に沿うようになされて第３外部端子部１１ｃとされ、第２の外部リード２１の先端部もさらに折り曲げられて第４の側面４４に沿うようになされて第３外部端子部２１ｃとされている。
【００６０】
このような構成では、第１の側面４１および底面４５のそれぞれにアノードおよびカソードの対が形成されているために、第１の側面および底面４５のそれぞれを実装面とすることができる。また、各外部リード１１，２１の先端部がそれぞれ第３または第４の側面４３，４４に沿うようになされており、これによって樹脂パッケージ４の底面４５における２つの角部が囲まれるような恰好とされて補強されている。
【００６１】
もちろん、外部リード１１，２１が２つとされた半導体装置Ｘ２において、各外部リード１１，２１が２つの先端部を有する分岐状としてもよい。すなわち、図１９に示したように、各外部リード１１，２１の一方の先端部のそれぞれが折り曲げられて底面４５に沿うようになされ、他方の先端部のそれぞれが折り曲げられずに第１の側面４１の両側縁から突出したような構成であってもよい。また、図２０に示したように、各外部リード１１，２１の他方の先端部も折り曲げられ、それぞれが第３または第４の側面４３，４４に沿うようになされた構成であってもよい。
【００６２】
次に、本願発明のさらに他の参考例に係る半導体装置について図２１および図２２を参照しつつ説明する。なお、図２１は、上記半導体装置の全体斜視図、図２２は、上記半導体装置の平面透視図である。また、これらの図においては、本願発明の上記した実施形態に係る半導体装置を説明するために参照した図面に表されていた部材および要素などと同等なものには同一の符号を付してあり、上記の実施形態と共通な構成ついての詳細な説明はここでは省略するものとする。
【００６３】
この半導体装置Ｘ３は、コの字状に形成された第１の内部リード１０に連続する２つの外部リード１１，１２が樹脂パッケージ４の第１の側面４１側に形成され、同じくコの字状とされた第２の内部リード２０に連続する２つの外部リード２１，２２が第２の側面４２側に形成されている点において上述した実施形態および参考例とは異なっている。第１および第３の外部リード１１，１２のそれぞれの基端部は、第１の側面４１および底面４５に沿うようになされており、第１の外部リード１１の先端部は折り曲げられて第３の側面４３に沿うようになされ、第３の外部リード１２の先端部も折り曲げられて第４の側面４４に沿うようになされている。一方、第２および第４の外部リード２１，２２は、第２の側面４２および底面４５に沿うようになされており、第２の外部リード２１の先端部は折り曲げられて第３の側面４３に沿うようになされ、第４の外部リード２２の先端部も折り曲げられて第４の側面４４に沿うようになされている。
【００６４】
このような構成では、樹脂パッケージ４の底面４５にアノードおよびカソードの対が２組形成され、第３および第４の側面４３，４４にはアノードおよびカソードの対が１組ずつ形成されている。このため、この半導体装置Ｘ３では、樹脂パッケージ４の底面４５、および第３および第４の側面４３，４４を実装面とすることができる。しかも、各外部リード１１，…によって樹脂パッケージ４の底面４５における四隅部がそれぞれ囲まれた恰好とされおり、これによって上記四隅部が補強されている。
【００６５】
この参考例のように第１の外部リード１１および第２の外部リード２１が互いに対向する第１の側面４１および第２の側面４２のそれぞれの側に形成された構成の半導体装置Ｘ３においても、種々に設計変更可能である。すなわち、図２３に示したように第１ないし第４の外部リード１１，…を、それぞれ２つの先端部を有する分岐状に構成し、各先端部を側面４１，…または底面４５に沿うようにしてもよい。また、図２４および図２５に示したように、２つの外部リード１１，２１を有し、各外部リード１１，２１が互いに対向する第１の側面４１側および第２の側面４２側にそれぞれ形成された構成としてもよいし、また図２６に示したように、２つの外部リード１１，２１を有する半導体装置Ｘ３において、各外部リード１１，２１が２つの先端部を有する分岐状としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本願発明の一実施形態に係る半導体装置の一例を表す全体斜視図である。
【図２】  図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】  上記半導体装置の平面透視図である。
【図４】  上記半導体装置の底面図である。
【図５】  上記半導体装置の製造に用いられるリードフレームの平面図である。
【図６】  ワイヤボンディング工程を説明するための図である。
【図７】  樹脂パッケージング工程を説明するための断面図である。
【図８】  上記半導体装置の外部リードをフォーミングしていない中間品の状態を表す全体斜視図である。
【図９】  図８の半導体装置の外部リードとなるべき部位を下方に折り曲げた状態を表す全体斜視図である。
【図１０】  図９の半導体装置の外部リードとなるべき部位をさらにもう一度折り曲げた状態を表す全体斜視図である。
【図１１】  図１０の半導体装置の外部リードとなるべきをさらにもう一度折り曲げた状態を表す全体斜視図である。
【図１２】  図１の半導体装置を回路基板に実装した状態を表す側面図である。
【図１３】  本願発明の参考例に係る半導体装置の一例を表す全体斜視図である。
【図１４】  図１３の半導体装置を実装対象物（回路基板など）に実装した状態を表す側面図である。
【図１５】  図１４のXV−XV線に沿う断面図である。
【図１６】  図１３の半導体装置の変形例を表す全体斜視図である。
【図１７】  本願発明の他の参考例に係る半導体装置の一例を表す全体斜視図である。
【図１８】  図１７の半導体装置の平面透視図である。
【図１９】  図１７の半導体装置の変形例を表す全体斜視図である。
【図２０】  図１７の半導体装置の他の変形例を表す全体斜視図である。
【図２１】  本願発明のさらに他の参考例に係る半導体装置の一例を表す全体斜視図である。
【図２２】  図２１の半導体装置の平面透視図である。
【図２３】  図２１の半導体装置の変形例を表す全体斜視図である。
【図２４】  図２１の半導体装置の他の変形例を表す全体斜視図である。
【図２５】  図２４の半導体装置の透視平面図である。
【図２６】  図２１の半導体装置のさらに他の変形例を表す全体斜視図である。
【図２７】  従来の半導体装置の一例を表す全体斜視図である。
【図２８】  従来例の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
Ｘ，Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３  半導体装置
３  半導体チップ（発光素子）
４  樹脂パッケージ
１０  第１の内部リード
１１  第１の外部リード
１２  第３の外部リード
２０  第２の内部リード
２１  第２の外部リード
２２  第４の外部リード
４１  第１の側面（樹脂パッケージの）
４２  第２の側面（樹脂パッケージの）
４３  第３の側面（樹脂パッケージの）
４４  第４の側面（樹脂パッケージの）
４５  底面（樹脂パッケージの）
Ｗ  ワイヤ
【図１】
0004028101.tif 000002
【図２】
0004028101.tif 000003
【図３】
0004028101.tif 000004
【図４】
0004028101.tif 000005
【図５】
0004028101.tif 000006
【図６】
0004028101.tif 000007
【図７】
0004028101.tif 000008
【図８】
0004028101.tif 000009
【図９】
0004028101.tif 000010
【図１０】
0004028101.tif 000011
【図１１】
0004028101.tif 000012
【図１２】
0004028101.tif 000013
【図１３】
0004028101.tif 000014
【図１４】
0004028101.tif 000015
【図１５】
0004028101.tif 000016
【図１６】
0004028101.tif 000017
【図１７】
0004028101.tif 000018
【図１８】
0004028101.tif 000019
【図１９】
0004028101.tif 000020
【図２０】
0004028101.tif 000021
【図２１】
0004028101.tif 000022
【図２２】
0004028101.tif 000023
【図２３】
0004028101.tif 000024
【図２４】
0004028101.tif 000025
【図２５】
0004028101.tif 000026
【図２６】
0004028101.tif 000027
【図２７】
0004028101.tif 000028
【図２８】
0004028101.tif 000029