(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性面に第１の内部接続用電極および第１の横ずれ確認用電極を有する第１の半導体チップと、活性面に上記第１の内部接続用電極に対応する第２の内部接続用電極および上記第１の横ずれ確認用電極に対応する第２の横ずれ確認用電極を有する第２の半導体チップとを、それぞれの上記活性面を対向させて接続してなる半導体装置であって、
上記第１の横ずれ確認用電極と上記第２の横ずれ確認用電極とが、上記第１の内部接続用電極と上記第２の内部接続用電極とが活性面内方向の所定の相対位置で接続されたときに互いに接続され、上記第１の内部接続用電極と上記第２の内部接続用電極とが互いの接続が保たれる範囲内で上記活性面内の所定の方向に一定の距離以上ずれたときに互いに接続されない位置に配されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記第１の横ずれ確認用電極と上記第２の横ずれ確認用電極とが複数組備えられており、少なくとも２組の上記第１の横ずれ確認用電極および上記第２の横ずれ確認用電極に関して、上記所定の方向が互いに異なっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
活性面から突出した複数の第１の内部接続用電極、第１の横ずれ確認用電極、および第１の基準高さ電極を有する第１の半導体チップと、活性面から突出し上記第１の内部接続用電極に対応する複数の第２の内部接続用電極、上記第１の横ずれ確認用電極に対応する第２の横ずれ確認用電極、および上記第１の基準高さ電極に対応する第２の基準高さ電極を有する第２の半導体チップとを、互いの活性面を対向させて接続してなる半導体装置であって、
接続前における上記第１の基準高さ電極の高さと上記第２の基準高さ電極の高さとの和が、接続前における上記第１の内部接続用電極の高さと、対応する上記第２の内部接続用電極の高さとの和のうち最も小さいものより小さく、
上記第１の横ずれ確認用電極と上記第２の横ずれ確認用電極とが、上記第１の内部接続用電極と上記第２の内部接続用電極とが活性面内方向の所定の相対位置で接続されたときに互いに接続され、上記第１の内部接続用電極と上記第２の内部接続用電極とが互いの接続が保たれる範囲内で上記活性面内の所定の方向に一定の距離以上ずれたときに互いに接続されない位置に配されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップの表面に他の半導体チップを重ね合わせて接続するチップオンチップ構造を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
複数の半導体チップを互いに接続して樹脂モールドしたマルチチップ型半導体装置の形態の１つとして、一対の半導体チップの活性面を対向させて接続したチップオンチップ構造がある。このような構造の半導体装置は、活性面に内部接続用電極が形成された一対の半導体チップが、それぞれの活性面を対向させられ、対応する内部接続用電極同士が接続（内部接続）されるように活性面内方向の位置合わせをして接合される。
【０００３】
内部接続用電極は、たとえば、活性面から突出した突起（バンプ）として形成されているが、複数の内部接続用電極の高さには、ばらつきがある。したがって、互いの半導体チップの活性面を平行にして対向させたとき、対応する各組の内部接続用電極の高さの和は一定ではない。このため、高さの和が大きい組の内部接続用電極は互いの間隔が狭く、高さの和が小さい組の内部接続用電極は互いの間隔が広くなる。内部接続用電極を相互接続するとき、高さの和が大きい組の内部接続用電極を加圧により押しつぶすことにより、高さの和が小さい組の内部接続用電極を含むすべての内部接続用電極が相互に接続（接合）される。
【０００４】
半導体チップの１つは外部取出用電極を備えており、この外部取出用電極はリードフレームなどの外部接続用部材に接続されている。この外部接続用部材を介して、この半導体装置を他の配線基板などに接続できる。内部接続が良好になされている場合、外部接続用部材を端子として所定の入出力特性が得られる。
各半導体チップには内部接続用電極が多数設けられており、対応する内部接続用電極のすべての相互接続が良好でないと、半導体装置として所定の入出力特性が得られず不良品となる。内部接続の状態の確認は、完成された半導体装置としてだけではなく、製造工程における中間検査としても行われる。中間検査においては、内部接続の良否を確認するために、外部取出用電極を介して電気特性が測定される。すなわち、外部取出用電極のすべてに電気特性測定用のプローブをあて、所期の入出力特性を有するか否かが調べられたり、特定の組の外部取出用電極の間の導通状態などを測定することが行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、すべての対応する内部接続用電極同士が電気的に接続されていても、内部接続用電極同士が所定の相対位置から活性面内方向にずれて接合されている場合がある。このような場合は、内部接続用電極同士が所定の相対位置で接合されている場合と比べて、接合面積は小さい。このため、このような接合部の機械的強度は低く、わずかな荷重がかかっても接合が破壊されるおそれがある。したがって、このような内部接続用電極同士の接合を有する半導体装置は、不良と判定されるべきものである。
【０００６】
しかしながら、このような場合でも、従来の電気的な方法による検査では、内部接続は良好と判定されることが多い。なぜなら、内部接続用電極同士の接合面積がよほど小さくならない限り、顕著な電気抵抗の上昇は認められないので、電気的な検査では接合面積の大小を判定することはできないからである。
また、活性面内方向の位置合わせが正確になされている場合でも、加圧などにより内部接続用電極同士を接合するとき、高さの和が小さい組の内部接続用電極に関しては、接合面積が小さくなる。接合面積が小さい内部接続用電極が多数存在すると、内部接続用電極を介した半導体チップ相互の接合は充分な強度でなされないことがある。このような場合にも、従来の検査方法では接合の良否を判定することができなかった。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、内部接続が充分大きな機械的強度でなされているか否かを判定することができる半導体装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の課題を解決するための請求項１記載の発明は、活性面（１ａ）に第１の内部接続用電極（３）および第１の横ずれ確認用電極（４）を有する第１の半導体チップ（１）と、活性面（２ａ）に上記第１の内部接続用電極に対応する第２の内部接続用電極（５）および上記第１の横ずれ確認用電極に対応する第２の横ずれ確認用電極（６）を有する第２の半導体チップ（２）とを、それぞれの上記活性面を対向させて接続してなる半導体装置であって、上記第１の横ずれ確認用電極と上記第２の横ずれ確認用電極とが、上記第１の内部接続用電極と上記第２の内部接続用電極とが活性面内方向の所定の相対位置で接続されたときに互いに接続され、上記第１の内部接続用電極と上記第２の内部接続用電極とが互いの接続が保たれる範囲内で上記活性面内の所定の方向（Ａ，Ｂ，Ｃ）に一定の距離以上ずれたときに互いに接続されない位置に配されていることを特徴とする半導体装置である。
【０００９】
なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を示す。以下、この項において同じ。
内部接続用電極および横ずれ確認用電極は、活性面から突出した突起（バンプ）状のものであってもよい。
この発明によれば、対応する第１および第２の内部接続用電極がすべて電気的に接続されていた場合でも、これらが所定の相対位置から活性面内の所定の方向に所定の距離以上ずれて接合されていた場合は、第１および第２の横ずれ確認用電極が接続されない。したがって、第１および第２の横ずれ確認用電極の間に電気的導通が得られなかった場合は、第１および第２の内部接続用電極が、活性面内方向に関して所定の相対位置から相互に所定の距離以上ずれていると判定できる。
【００１０】
このような場合、対応する第１および第２の内部接続用電極は、接合されて電気的導通があったとしても、これらの接合面積は小さくなっており、接合部の機械的強度は低い。したがって、このような半導体装置は、第１および第２の横ずれ確認用電極の間の電気的導通の有無を調べることにより、内部接続が充分大きな機械的強度でなされているか否かを判定できる。
第１および第２の半導体チップには、第１および第２の横ずれ確認用電極が接続されることにより外部取出電極のうちの特定の一対（導通確認用電極対）の間が短絡されるような配線が設けられていてもよい。この場合、導通確認用電極対の間の電気的導通を調べることにより、第１および第２の横ずれ確認用電極が電気的に接続されているか否かを確認できる。
【００１１】
第１および第２の横ずれ確認用電極の大きさおよび形状は、上記の役割を果たす限り任意に定めることができる。たとえば、第１および第２の横ずれ確認用電極と第１および第２の内部接続用電極とは、大きさおよび形状がすべて同じであってもよい。この場合、第１および第２の内部接続用電極が所定の相対位置にあるとき、第１および第２の横ずれ確認用電極は、平面視において互いに位置がずれて重なるように配置されていてもよい。また、第１および第２の横ずれ確認用電極は、互いに異なる大きさおよび形状を有していてもよい。
【００１２】
第１および第２の横ずれ確認用電極の一方は、２つの電極を含む接続確認用電極対であってもよい。この場合、第１および第２の横ずれ確認用電極の他方は、この接続確認用電極対の間を電気的に短絡する短絡用配線であってもよい。接続確認用電極対を構成する２つの電極は、短絡用配線が接続されていないときに、電気的に絶縁状態にあるものとすることができる。
この場合、接続確認用電極対は、第１および第２の内部接続用電極が所定の相対位置で接続されたときに短絡用配線により短絡され、第１および第２の内部接続用電極が互いの接続が保たれる範囲内で活性面内の所定の方向に所定の距離以上ずれたときに短絡されないようにすることができる。この場合も同様に、接続確認用電極対の間の電気的導通の有無を調べることにより、活性面内方向のずれを知ることができ、第１および第２の内部接続用電極が充分な接合強度で接合されているか否かを判定することができる。
【００１３】
請求項２記載の発明は、上記第１の横ずれ確認用電極（４ａ〜４ｄ，４ｅ〜４ｈ）と上記第２の横ずれ確認用電極（６ａ〜６ｄ，６ｅ〜６ｈ）とが複数組備えられており、少なくとも２組の上記第１の横ずれ確認用電極および上記第２の横ずれ確認用電極に関して、上記所定の方向が互いに異なっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置である。
この発明によれば、第１および第２の内部接続用電極が、所定の相対位置から活性面内の所定の複数の方向に所定の距離以上ずれた場合に、いずれかの組の第１および第２の横ずれ確認用電極が接触しなくなる。すなわち、第１および第２の横ずれ確認用電極の間の電気的導通の有無を調べることにより、活性面内の複数の方向に関する第１および第２の内部接続用電極のずれを知ることができる。
【００１４】
第１および第２の横ずれ確認用電極は、たとえば、第１および第２の内部接続用電極が第１および第２の半導体チップの中心から見て９０°ずつの角度間隔にある４方向に関して所定の距離以上ずれた場合、それぞれ接続しなくなるような４組のものとすることができる。この場合、第１および第２の内部接続用電極は、活性面内のいずれの方向にずれた場合でも、第１および第２の横ずれ確認用電極の間の電気的導通の有無により、ずれがあることを知ることができる。
【００１５】
半導体装置は、活性面から突出した複数の第１の内部接続用電極および第１の基準高さ電極（１１）を有する第１の半導体チップと、活性面から突出し上記第１の内部接続用電極に対応する複数の第２の内部接続用電極および上記第１の基準高さ電極（１２）に対応する第２の基準高さ電極を有する第２の半導体チップとを、互いの活性面を対向させて接続してなるものであってもよく、この場合、接続前の上記第１の基準高さ電極の高さと上記第２の基準高さ電極の高さとの和が、接続前の上記第１の内部接続用電極の高さ（Ｈ３）と、対応する上記第２の内部接続用電極の高さ（Ｈ５）との和のうち最も小さいものより小さいものであってもよい。
【００１６】
この構成によれば、第１および第２の半導体チップが、互いの活性面を平行にして近接されたとき、まず、対応する第１および第２の内部接続用電極のうち、高さの和が最も大きいものが接触する。そして、たとえば、加圧により高さの和が大きい第１および第２の内部接続用電極がつぶされて、互いの活性面がさらに近接されていく。すると、各組の第１および第２の内部接続用電極は、それらの高さの和が大きい順に接合されていく。そして、高さの和が最も小さい第１および第２の内部接続用電極が接合された後、第１および第２の基準高さ電極が接合される（接触する）。
【００１７】
すなわち、第１および第２の基準高さ電極が接合されていれば（接触していれば）、すべての組の第１および第２の内部接続用電極が接合されていることになる。第１および第２の基準高さ電極の高さの和が充分小さい場合、第１および第２の基準高さ電極が接合（接触）するまで互いの活性面が近接されると、第１および第２の内部接続用電極のうち高さの和が最も小さいものが充分な機械的強度で接合される。
【００１８】
実際には、個々の第１および第２の半導体チップのすべてについて、すべての第１および第２の内部接続用電極の高さを測定し、それらの測定値に基づいて基準高さ電極の高さを上記の条件が満たされるように調整することは不可能である。そこで、第１および第２の基準高さ電極の高さを、たとえば、予め測定されたいくつかの第１および第２の内部接続用電極の高さのデータに基づく一定の値とすることができる。
【００１９】
ここで、予め測定された第１および第２の内部接続用電極の高さの平均値がａ１，ａ２で、その標準偏差がσ１，σ２であるとする。そして、第１および第２の内部接続用電極を互いに接合する際の加重が、±３σ１，±３σ２の高さばらつきを有する第１および第２の内部接続用電極のすべてが接続される大きさであるとする。第１および第２の基準高さ電極は、たとえば、ａ１−３σ１，ａ２−３σ２とすることができる。
【００２０】
この場合、第１の基準高さ電極の高さは、第１の内部接続用電極のうち最も高さが低いものより充分低くなることが多い。また、第２の基準高さ電極の高さは、第２の内部接続用電極のうち最も高さが低いものより充分低くなることが多い。ただし、内部接続用電極の数は、充分少ないものとする。したがって、ほとんどの場合、１つの半導体装置において、第１および第２の基準高さ電極の和は、対応する第１および第２の内部接続用電極の高さの和のうち最も小さいものより、充分小さくなる。これにより、ほとんどの場合、第１および第２の基準高さ電極が相互に接触していれば、第１および第２の内部接続用電極間の接合状態は良好となる。
【００２１】
第１および第２の内部接続用電極や第１および第２の基準高さ電極は、たとえば、めっきにより形成できる。その際、たとえば、第１および第２の内部接続用電極のみをそれぞれ３σ１，３σ２の高さだけ成長させる。その後、第１の内部接続用電極と第１の基準高さ電極とを同時にａ１−３σ１の高さ成長させ、第２の内部接続用電極と第２の基準高さ電極とを同時にａ２−３σ２の高さ成長させる。これにより、第１および第２の内部接続用電極の高さは、それぞれａ１，ａ２となり、第１および第２の基準高さ電極の高さは、それぞれａ１−３σ１，ａ２−３σ２となる。
【００２２】
第１および第２の基準高さ電極は、正確に所定の高さにされていなければならないので、めっきなどによる形成後、エッチングなどにより微調整することとしてもよい。
請求項３記載の発明は、活性面から突出した複数の第１の内部接続用電極、第１の横ずれ確認用電極、および第１の基準高さ電極を有する第１の半導体チップと、活性面から突出し上記第１の内部接続用電極に対応する複数の第２の内部接続用電極、上記第１の横ずれ確認用電極に対応する第２の横ずれ確認用電極、および上記第１の基準高さ電極に対応する第２の基準高さ電極を有する第２の半導体チップとを、互いの活性面を対向させて接続してなる半導体装置であって、接続前の上記第１の基準高さ電極の高さと上記第２の基準高さ電極の高さとの和が、接続前の上記第１の内部接続用電極の高さと、対応する上記第２の内部接続用電極の高さとの和のうち最も小さいものより小さく、上記第１の横ずれ確認用電極と上記第２の横ずれ確認用電極とが、上記第１の内部接続用電極と上記第２の内部接続用電極とが活性面内方向の所定の相対位置で接続されたときに互いに接続され、上記第１の内部接続用電極と上記第２の内部接続用電極とが互いの接続が保たれる範囲内で上記活性面内の所定の方向に一定の距離以上ずれたときに互いに接続されない位置に配されていることを特徴とする半導体装置である。
【００２３】
この発明によれば、請求項１記載の発明の効果を奏することができるとともに、基準高さ電極による上記の効果を奏することができる。第１および第２の半導体チップにそれぞれ備えられて組をなす電極が、第１および第２の横ずれ確認用電極と第１および第２の基準高さ電極との両方の役割を兼ねていてもよい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下では、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の図解的な断面図である。この半導体装置は、第１の半導体チップとしての親チップ１と、第２の半導体チップとしての子チップ２とを、重ね合わせて接合した、いわゆるチップオンチップ(Chip-On-Chip)構造を有している。子チップ２は、親チップ１より小さく、親チップ１のほぼ中央部に配されている。
【００２５】
親チップ１および子チップ２の互いに対向する表面は、それぞれ、機能素子や配線などが形成された活性面１ａ，２ａとなっている。親チップ１の活性面１ａには、内部接続用電極３および横ずれ確認用電極４が設けられている。内部接続用電極３および横ずれ確認用電極４は、活性面１ａから突出したバンプ（突起）として形成されている。活性面１ａの周縁部近傍で、活性面２ａが対向していない部分には、外部取出用電極１７が設けられている。
【００２６】
子チップ２の活性面２ａには、内部接続用電極３に対応する位置に内部接続用電極５が設けられており、横ずれ確認用電極４にほぼ対応する位置に横ずれ確認用電極６が設けられている。内部接続用電極５および横ずれ確認用電極６は、活性面２ａから突出したバンプとして形成されている。内部接続用電極３と内部接続用電極５とが接合され、横ずれ確認用電極４と横ずれ確認用電極６とが接合されている。
【００２７】
親チップ１の側方には、親チップ１と間隔をあけて、側方へ延びるリードフレーム９が配されている。外部取出用電極１７とリードフレーム９とは、ボンディングワイヤ８により接続されている。親チップ１、子チップ２、ボンディングワイヤ８、およびボンディングワイヤ８とリードフレーム９との接続部を含む領域は、封止用樹脂１０で封止されて保護されている。
図２は、内部接続用電極３，５および横ずれ確認用電極４，６の配置を示す図解的な平面図である。図２（ａ）には、子チップ２における内部接続用電極５および横ずれ確認用電極６の配置を示しており、図２（ｂ）には、親チップ１における内部接続用電極３および横ずれ確認用電極４の配置を示している。
【００２８】
親チップ１および子チップ２は、平面視において矩形（ほぼ正方形）の形状を有している。内部接続用電極５は、子チップ２の周縁部近傍に、子チップ２の４辺に沿って配されている。横ずれ確認用電極６は、４つの横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄを含んでおり、それぞれが子チップ２の４つの角部近傍に配されている。すなわち、横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄは、互いに離間して配置されている。横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄは、内部接続用電極５に比して、子チップ２のより周縁部側に配置されている。横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄは、それぞれ隣接した内部接続用電極５ａ〜５ｄと接続されている。
【００２９】
内部接続用電極３および横ずれ確認用電極４は、親チップ１において、それぞれ内部接続用電極５および横ずれ確認用電極６に対応する位置に配置されている。横ずれ確認用電極４は、横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄにそれぞれ対応する４つの横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄを含んでいる。内部接続用電極３は、親チップ１の周縁部からほぼ等しい距離だけ内方に向かった位置に、互いにほぼ等しい間隔で配列している。
【００３０】
内部接続用電極３，５および横ずれ確認用電極４，６は、すべて同じ形状（平面視においてほぼ正方形）および大きさを有している。
子チップ２が親チップ１の所定の位置（図２（ｂ）に２点鎖線で示す。）に配されているとき、内部接続用電極３と内部接続用電極５とは、平面視においてほぼ完全に位置が重なる。一方、このとき、横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄは、図２（ｂ）に２点鎖線で示すように、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄとは、位置がずれて重なる。横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄは、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄに対して、接続が保たれる範囲内で子チップ２のより周縁部側に配置されている。横ずれ確認用４ａ〜４ｄ，６ａ〜６ｄの幅（一辺の長さ）をＬｂとすると、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄと横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄとは、一対の辺に沿う方向およびこれに直交する他の対の辺に沿う方向に、それぞれＬｂ／３だけ重なるようにずれている。すなわち、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄと横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄとは、それぞれの面積のおよそ９分の１の面積で重なっている。
【００３１】
横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄと、内部接続用電極５ａ〜５ｄに対応する内部接続用電極３ａ〜３ｄとは、それぞれ親チップ１の周縁部近傍に配置された導通確認用電極対７ａ〜７ｄと接続されている。すなわち、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄは、導通確認用電極対７ａ〜７ｄを構成する電極の一方と接続されており、内部接続用電極３ａ〜３ｄは、導通確認用電極対７ａ〜７ｄを構成する電極の他方と接続されている。
【００３２】
以上のような構成により、子チップ２が親チップ１上の所定の位置に配されていた場合、導通確認用電極対７ａ〜７ｄの一方から、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄ、横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄ、内部接続用電極５ａ〜５ｄ、および内部接続用電極３ａ〜３ｄを介して導通確認用電極対７ａ〜７ｄの他方に至る回路が形成される。すなわち、導通確認用電極対７ａ〜７ｄをそれぞれ構成する２つの電極の間は、短絡状態となる。したがって、導通確認用電極対７ａ〜７ｄの間の電気的導通の有無を調べることにより、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄと横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄとが接触しているか否かを知ることができる。
【００３３】
導通確認用電極対７ａ〜７ｄのうち、横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄと接続されている電極は、中間検査における電気的導通確認のためにのみ使用し、リードフレーム９と接続されないものとすることができる。この場合、最終的な形態の半導体装置において、導通確認用電極対７ａ〜７ｄを構成する２つの電極を含む回路は形成されない。したがって、内部接続用電極３ａ〜３ｄや内部接続用電極５ａ〜５ｄは、通常の内部接続用電極３，５として使用できる。また、導通確認用電極対７ａ〜７ｄのうち、内部接続用電極３ａ〜３ｄと接続されている電極は、外部取出用電極１７として使用できる。
【００３４】
図３は、親チップ１と子チップ２との接続状態を示す図解的な側面図である。図３は、親チップ１と子チップ２とを、横ずれ確認用電極４ｃ，４ｄ，６ｃ，６ｄが配置されている側から見たものであり、横ずれ確認用電極４ｃ，６ｃの近傍を示している。
図３（ａ）は、子チップ２が親チップ１に対して所定の適正位置に配置された状態を示している。このとき、内部接続用電極３，５は、活性面１ａ，２ａの面内方向に関して互いに位置が揃っており、横ずれ確認用電極４ｃ，６ｃは、互いに位置がずれている。内部接続用電極３と内部接続用電極５との接合部の幅は、バンプとして形成された内部接続用電極３，５および横ずれ確認用電極４，６の幅Ｌｂ（以下、「電極幅Ｌｂ」という。）にほぼ等しい。横ずれ確認用電極４ｃと横ずれ確認用電極６ｃとの接合部の幅は、電極幅Ｌｂのおよそ３分の１である。電極幅は、たとえば、２０μｍとすることができる。
【００３５】
図３（ｂ）は、子チップ２が、親チップ１に対して電極幅Ｌｂのおよそ２分の１の距離、子チップ２の中心から見て横ずれ確認用電極６ｂ，６ｃが配置されている方向（矢印Ａの方向）にずれた状態を示す。
内部接続用電極３と内部接続用電極５との接合部の幅は、電極幅Ｌｂのおよそ２分の１であり、横ずれ確認用電極４ｃと横ずれ確認用電極６ｃとは、接触していない。したがって、このような場合、導通確認用電極対７ｃの間に電気的導通は得られない。
【００３６】
内部接続用電極３と内部接続用電極５とは、接合しているのでこれらの間には電気的導通が得られる。しかも、接合部の幅は、電極幅Ｌｂに対して極端に（たとえば、桁違いに）狭くはなっていないため、内部接続用電極３と内部接続用電極５との接合部を含む部分の電気抵抗は、適正な接合が行われた場合（図３（ａ））と比べて、大きな差はない。このため、従来の電気的方法による検査では、内部接続用電極３と内部接続用電極５とは、正常に接合されているものと判定される。
【００３７】
ところが、図３（ｂ）のような状態の場合、電気的には正常に接続されていても、内部接続用電極３と内部接続用電極５との接合面積が小さいため、機械的強度が充分ではない。このため、わずかな荷重がかかっても、これらの接合が破壊されるおそれがある。したがって、このような状態の半導体装置は、不良と判定すべきである。
本実施形態の半導体装置では、横ずれ確認用電極４ｃと横ずれ確認用電極６ｃとの間の電気的導通の有無を調べることにより、内部接続用電極３と内部接続用電極５とが、電気的に接続されているか否かに加えて、充分な強度で機械的に接合されているか否かを判定できる。すなわち、横ずれ確認用電極４ｃ，６ｃの間に導通が得られた場合は、内部接続用電極５は内部接続用電極３に対して、矢印Ａの方向に関して電極幅Ｌｂの３分の１以上の距離はずれていないことがわかる。したがって、内部接続用電極５は、矢印Ａ方向のずれによる内部接続用電極３との接合強度不良および電気的接続不良は生じていないものと（内部接続は良好であると）判定される。
【００３８】
一方、横ずれ確認用電極４ｃ，６ｃの間に導通が得られなかった場合は、内部接続用電極５は内部接続用電極３に対して、矢印Ａの方向に関して電極幅Ｌｂの３分の１以上の距離ずれていることがわかる。この場合、内部接続用電極５は、矢印Ａの方向のずれによる内部接続用電極３との接合強度不良が生じているか、または電気的接続不良（接合もされていない状態）が生じているものと判定される。いずれの不良が生じていた場合でも半導体装置としては不良品なので、両者を区別する必要はない。
【００３９】
以上は、子チップ２が親チップ１に対して矢印Ａの方向にずれた場合（図３（ｂ））であり、このとき、横ずれ確認用電極４ｂと横ずれ確認用電極６ｂとの間についても、同様に電気的導通が得られない。子チップ２が親チップ１に対して矢印Ａと反対の方向に電極幅Ｌｂの３分の１以上の距離ずれた場合は、横ずれ確認用電極４ａ，４ｄと横ずれ確認用電極６ａ，６ｄとの間の電気的導通が得られない。
【００４０】
同様に、子チップ２が、親チップ１に対して、紙面垂直方向手前側に電極幅Ｌｂの３分の１以上の距離ずれた場合は、横ずれ確認用電極４ｃ，４ｄと横ずれ確認用電極６ｃ，６ｄとの間の導通が得られなくなる。子チップ２が、親チップ１に対して、紙面垂直方向奥側にずれると横ずれ確認用電極４ａ，４ｂと横ずれ確認用電極６ａ，６ｂとの間の導通が得られなくなる。
また、子チップ２が親チップ１上の所定の適正位置から平行移動するようにずれた場合の他、子チップ２が活性面２ａの面内で回転するようにずれた場合も、いずれかの組の横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄ，６ａ〜６ｄの間の導通が得られなくなる。すなわち、子チップ２が、親チップ１に対して活性面１ａ，２ａの面内でどのようにずれた場合でも、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄ，６ａ〜６ｄの間の電気的導通を調べることにより、内部接続が良好であるか否かを判定できる。また、電気的導通の有無を調べる横ずれ確認用電極４，６は４組なので、簡易に検査をすることができる。
【００４１】
内部接続用電極３と内部接続用電極５とのずれが大きくなるほど、これらの接合面積が小さくなり機械的強度が低下する。ずれがどの程度のときに、機械的強度が許容レベル以下になるかにより、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄと横ずれ確認用電極６ａ〜６ｄとの相対的な位置関係を任意に設定することができる。たとえば、内部接続用電極３，５が相互にわずかにずれて接合されても、これらの接合部の強度が許容レベル以下になる場合は、横ずれ確認用電極４ａ〜４ｄ，６ａ〜６ｄが相互にわずかにずれても接触しないように配置することができる。
【００４２】
図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置における、内部接続用電極および横ずれ確認用電極の配置を示す図解的な平面図である。図２に示す構成要素と同じ構成要素の部分は、同じ参照符号を付して説明を省略する。図４（ａ）には、子チップ２における内部接続用電極５および横ずれ確認用６の配置を示しており、図４（ｂ）には、親チップ１における内部接続用電極３および横ずれ確認用電極４の配置を示している。
【００４３】
横ずれ確認用電極６は４つの短絡用配線６ｅ〜６ｈを含んでおり、短絡用配線６ｅ〜６ｈは、子チップ２の４つの角部近傍にそれぞれ配置されている。すなわち、短絡用配線６ｅ〜６ｈは、互いに離間して配されている。短絡用配線６ｅ〜６ｈは、平面視において長方形の形状を有しており、一対の辺の長さが電極幅Ｌｂに等しく、他の一対の辺の長さが電極幅Ｌｂより長くなっている。
親チップ１には、横ずれ確認用電極４が形成されている。横ずれ確認用電極４は、横ずれ確認用電極６ｅ〜６ｈに対応する４対の接続確認用電極対４ｅ〜４ｈを含んでいる。それぞれの接続確認用電極対４ｅ〜４ｈは、互いに近接した２つの電極を含んでいる。これらの２つの電極は、対応する短絡用配線６ｅ〜６ｈの長手方向に沿って配列している。
【００４４】
接続確認用電極対４ｅを構成する電極と接続確認用電極対４ｇを構成する電極とは、親チップ１の一対の対辺に沿う方向に配列している。接続確認用電極対４ｆを構成する電極と接続確認用電極対４ｈを構成する電極とは、親チップ１の他の一対の対辺に沿う方向に配列している。
子チップ２が親チップ１の所定の適正位置（図４（ｂ）に２点鎖線で示す。）に配されているとき、接続確認用電極対４ｅ〜４ｈは、それぞれ短絡用配線６ｅ〜６ｈ（図４（ｂ）に２点鎖線で示す。）により短絡されている。それぞれの接続確認用電極対４ｅ〜４ｈを構成する２つの電極は、短絡用配線６ｅ〜６ｈが接合（接触）されていないときは、互いに電気的に絶縁した状態にある。
【００４５】
接続確認用電極対４ｅ〜４ｈは、親チップ１の周縁部近傍に配された導通確認用電極対７ｅ〜７ｈとそれぞれ接続されている。
図５は、図４に示す親チップ１と子チップ２との接続状態を示す図解的な側面図である。図５は、親チップ１と子チップ２とを、接続確認用電極４ｇ，４ｈおよび短絡用配線６ｇ，６ｈが配されている側から見たものであり、接続確認用電極対４ｇおよび短絡用配線６ｇの近傍を示している。
【００４６】
子チップ２が親チップ１に対して所定の適正位置に配置されたとき（図５（ａ））、内部接続用電極３と内部接続用電極５とは、活性面１ａ，２ａの面内方向に関して位置が揃う。接続確認用電極対４ｇを構成する２つの電極は、いずれも短絡用配線６ｇと接触（接合）して、これらの間が電気的に短絡される。短絡用配線６ｇの幅は、接続確認用電極対４ｇを構成する２つの電極の間の距離よりわずかに大きい。接続確認用電極対４ｇを構成する２つの電極は、それぞれ、短絡用配線６ｇと電極幅Ｌｂの３分の１程度の幅で接触して（接合されて）いる。
【００４７】
図５（ｂ）は、子チップ２が、親チップ１に対して電極幅Ｌｂのおよそ２分の１の距離、親チップ１の中心から見て短絡用配線６ｆ，６ｇが配置されている方向（矢印Ｂの方向）にずれた状態を示す。
内部接続用電極３と内部接続用電極５との接合部の幅は、電極幅Ｌｂのおよそ２分の１である。短絡用配線６ｇは、接続確認用電極対４ｇを構成する一方（親チップ１の側方側）の電極とは接続しているが、接続確認用電極対４ｇを構成する他方（親チップ１の内方側）の電極とは接触していない。したがって、このような場合、導通確認用電極対７ｇの間に電気的導通は得られない。
【００４８】
図５（ｃ）は、子チップ２が、親チップ１に対して電極幅Ｌｂのおよそ２分の１の距離、親チップ１の中心から見て短絡用配線６ｅ，６ｈが配置されている方向（矢印Ｃの方向）にずれた状態を示す。
内部接続用電極３と内部接続用電極５との接合部の幅は、電極幅Ｌｂのおよそ２分の１である。短絡用配線６ｇは、接続確認用電極対４ｇを構成する一方（親チップ１の内方側）の電極とは接続しているが、接続確認用電極対４ｇを構成する他方（親チップ１の側方側）の電極とは接触していない。したがって、このような場合も、導通確認用電極対７ｇの間に電気的導通は得られない。
【００４９】
このように、この実施形態においては、１組の短絡用配線６ｇおよび接続確認用電極対４ｇで、互いに逆の方向（矢印Ｂの方向および矢印Ｃの方向）のずれによる、内部接続の不良を知ることができる。
子チップ２が、矢印Ｂの方向または矢印Ｃの方向にずれた場合、接続確認用電極対４ｅと短絡用配線６ｅとの間（導通確認用電極対７ｅの間）の導通も得られなくなる。子チップ２が、紙面に垂直な方向（手前方向または奥方向）にずれた場合、接続確認用電極対４ｆ，４ｈと短絡用配線６ｆ，６ｈとの間（導通確認用電極対７ｆ，７ｈの間）の導通も得られなくなる。また、子チップ２が親チップ１上の所定の適正位置から平行移動するようにずれた場合の他、子チップ２が活性面２ａ内で回転するようにずれた場合も、いずれかの接続確認用電極対４ｅ〜４ｈと短絡用配線６ｅ〜６ｈとの間の導通が得られなくなる。
【００５０】
したがって、この実施形態においても、子チップ２が、親チップ１に対して活性面１ａ，２ａの面内方向に関してどのようにずれていても、接続確認用電極対４ｅ〜４ｈと短絡用配線６ｅ〜６ｈとの間の電気的導通を調べることにより、内部接続の不良が生じていることを知ることができる。
横ずれ確認用電極４，６の数は、１組の親チップ１および子チップ２に対して４組でなくともよく、３組以下または５組以上であってもよい。たとえば、第１の実施形態の半導体装置において、横ずれ確認用電極４，６は、一対の対角近傍に設けられた横ずれ確認用電極４ａ，４ｃおよび横ずれ確認用電極６ａ，６ｃのみであってもよい。この場合でも、活性面１ａ，２ａの面内のどのような方向のずれによる内部接続の不良も知ることができる。
【００５１】
また、活性面１ａ，２ａ内のすべての方向のずれに対する内部接続状態の不良を知る必要がない場合は、たとえば、横ずれ確認用電極４，６の数は１組であってもよい。このように、目的や必要な判定精度に応じて、横ずれ確認用電極４，６の数を任意に定めることができる。
横ずれ確認用電極６は、子チップ２の角部近傍に配置されていなくてもよく、たとえば、子チップ２の辺の中央部に対向する位置に配置されていてもよい。横ずれ確認用電極６の位置に応じて、横ずれ確認用電極４を親チップ１上の適当な位置に配置することができる。
【００５２】
図６は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置における電極の配置を示す図解的な平面図である。図６（ａ）には、子チップ２における電極の配置を示しており、図６（ｂ）には、親チップ１における電極の配置を示している。図２に示す構成要素と同じ構成要素の部分は、同じ参照符号を付して説明を省略する。子チップ２には、内部接続用電極５および基準高さ電極１２が配されている。基準高さ電極１２は４つの基準高さ電極１２ａ〜１２ｄを含んでおり、基準高さ電極１２ａ〜１２ｄは、子チップ２の４つの角部近傍にそれぞれ配置されている。
【００５３】
親チップ１には、内部接続用電極５および基準高さ電極１２にそれぞれ対応するように、内部接続用電極３および基準高さ電極１１が配置されている。基準高さ電極１１は、基準高さ電極１２ａ〜１２ｄに対応する互いに離間した４対の基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄを含んでいる。それぞれの基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄは、互いに近接した２つの電極を含んでいる。
内部接続用電極３，５が互いに所定の相対位置（適正位置）で接続されたとき、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄは、平面視において基準高さ電極１２ａ〜１２ｄの分布領域内に位置する。基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄは、親チップ１の周縁部に配された導通確認用電極対７ａ〜７ｄとそれぞれ接続されている。
【００５４】
図７は、図６の親チップ１と子チップ２との接続状態を示す図解的な側面図である。図７は、親チップ１と子チップ２とを、基準高さ電極対１１ｃ，１１ｄおよび基準高さ電極１２ｃ，１２ｄが配置されている側から見たものであり、基準高さ電極対１１ｃおよび基準高さ電極１２ｃの近傍を示している。
内部接続用電極３および内部接続用電極５は、それぞれ活性面１ａ，２ａから突出したバンプとして形成されている。内部接続用電極３，５の高さは、一定しておらずばらつきを有している。基準高さ電極１１（基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄ）も活性面１ａから突出したバンプとして形成されている。基準高さ電極１１の高さは、内部接続用電極３のうち最も高さが低いものより低くなるように設定されている。
【００５５】
具体的には、内部接続用電極３の高さの平均値がａ１であり、その標準偏差がσ１である場合、基準高さ電極１１の高さはａ１−３σ１に調整されている。ここで、平均値ａ１および標準偏差σ１は、個々の親チップ１ごとに求められたものではなく、予めいくつかの親チップ１について測定されたデータに基づいて定められたものである。この値は、すべての親チップ１について一律に採用される。
【００５６】
同様に、基準高さ電極１２も活性面２ａから突出したバンプとして形成されており、その高さは内部接続用電極５の高さの平均値ａ２および標準偏差σ２に基づき、ａ２−３σ２に調整されている。図７には、内部接続用電極５ｅ，５ｆおよび基準高さ電極１２ｃは、すべて同じ高さで示している。
基準高さ電極１１の高さをこのように定めると、内部接続用電極３の数が充分少ない場合、ほとんどの親チップ１において、基準高さ電極１１の高さはすべての内部接続用電極３の高さより低くなる。また、基準高さ電極１２の高さをこのように定めると、内部接続用電極５の数が充分少ない場合、ほとんどの子チップ２において、基準高さ電極１２の高さはすべての内部接続用電極５の高さより低くなる。これにより、基準高さ電極１１の高さと基準高さ電極１２の高さとの和は、ほとんどの場合、対応する組の内部接続用電極３の高さと内部接続用電極５の高さの和のうち最も小さいものより小さくなる。
【００５７】
内部接続用電極３，５および基準高さ電極１１，１２は、たとえば、めっきなどの方法により形成することができる。このとき、内部接続用電極３，５の各々は、成長（形成）速度の差などにより高さのばらつきが生じる。ばらつきの大きさは、たとえば、６σ１や６σ２で２μｍ程度である。
内部接続用電極３，５は、たとえば、基準高さ電極１１，１２より長時間成長させることにより、基準高さ電極１１，１２より高く形成することができる。すなわち、最初に、内部接続用電極３，５のみを、平均高さがそれぞれ３σ１，３σ２になるまで成長させる。このとき、活性面１ａ，２ａ上において基準高さ電極１１，１２を形成する部分には、たとえば、マスクを形成しておき、基準高さ電極１１，１２が成長しないようにする。その後、マスクは除去する。次に、内部接続用電極３と基準高さ電極１１とを同時に、平均高さがａ１−３σ１だけ成長させ、内部接続用電極５と基準高さ電極１２とを同時に、平均高さがａ２−３σ２だけ成長させる。これにより、内部接続用電極３，５の高さの平均は、それぞれａ１，ａ２となり、基準高さ電極１１，１２の高さは、それぞれａ１−３σ１，ａ２−３σ２となる。
【００５８】
また、基準高さ電極１１，１２が形成される部分の活性面１ａ，２ａは、内部接続用電極３，５が形成される部分の活性面１ａ，２ａより低く（たとえば、平坦な活性面１ａ，２ａに設けられた凹所として）形成されていてもよい。この場合、内部接続用電極３と基準高さ電極１１とを同時に成長させることにより、基準高さ電極１１は内部接続用電極３より低くなる。また、内部接続用電極５と基準高さ電極１２とを同時に成長させることにより、基準高さ電極１２は内部接続用電極５より低くなる。
【００５９】
基準高さ電極１１および基準高さ電極１２は、正確に所定の高さにされていなければならないので、めっきなどの方法による形成後、エッチングなどにより微調整することとしてもよい。
半導体装置の製造工程において、内部接続用電極３，５を相互に接続する際、まず、親チップ１と子チップ２とが、活性面１ａ，２ａが互いに平行になるように対向させられる。そして、内部接続用電極３，５が、それぞれ対応するもの同士が所定の相対位置になるように、活性面１ａ，２ａの面内方向の位置合わせがされる（図７（ａ））。このとき、内部接続用電極３，５相互の間隔は、内部接続用電極３の高さＨ３と内部接続用電極５の高さＨ５の和Ｈ３＋Ｈ５が大きい組では狭く、高さＨ３と高さＨ５との和Ｈ３＋Ｈ５が小さい組では広くなっている。
【００６０】
続いて、活性面１ａと活性面２ａとが近接され、まず、高さＨ３と高さＨ５との和Ｈ３＋Ｈ５が、最も大きい組の内部接続用電極３ｅ，５ｅが相互に接触する（図７（ｂ））。さらに、加圧により活性面１ａと活性面２ａとを近接させると、内部接続用電極３ｅ，５ｅは押しつぶされて接合し、各内部接続用電極３，５の組は、高さＨ３と高さＨ５との和Ｈ３＋Ｈ５が大きい順に接触し、接合されていく。そして、高さＨ３と高さＨ５との和Ｈ３＋Ｈ５が最も小さい組の内部接続用電極３ｆ，５ｆが相互に接触し、押しつぶされて接合される（図７（ｃ））。
【００６１】
さらに、加圧により活性面１ａと活性面２ａとを近接させると、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄと基準高さ電極１２ａ〜１２ｄとが接触する（図７（ｄ））。加圧の力の大きさが、±３σ１，３σ２の高さばらつきを有する内部接続用電極３，５を接合（接触）させるために必要な大きさに設定されているとき、この状態で接合は終了する。
したがって、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄと基準高さ電極１２ａ〜１２ｄとがそれぞれ接触していることが確認されれば、すべての組の内部接続用電極３，５が接合していると判定することができる。基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄと基準高さ電極１２ａ〜１２ｄとがそれぞれ接触しているか否かは、導通確認用電極対７ａ〜７ｄの間に電気的導通があるか否かを調べることにより知ることができる。
【００６２】
導通確認用電極対７ａ〜７ｄの間に電気的導通がある状態では、すべての組の内部接続用電極３，５は電気的に接続されている。また、基準高さ電極１１，１２の高さの和が、内部接続用電極３ｆ，５ｆの高さの和と比べて、充分小さい場合は、内部接続用電極３ｆ，５ｆは相互に充分大きな機械的強度で接合されている。内部接続用電極３，５の数が少ないとき、基準高さ電極１１，１２の高さの和は、内部接続用電極３ｆ，５ｆの高さの和（高さの和Ｈ３＋Ｈ５が最も小さいもの）と比べて充分小さくなる確率が高い。このとき、他の内部接続用電極３，５は、当然に相互に充分大きな機械的強度で接合されている。したがって、このような半導体装置は良品と判定することができる。
【００６３】
基準高さ電極１１，１２の高さの和が、内部接続用電極３ｆ，５ｆの高さの和と比べて、わずかに小さいにすぎない場合は、内部接続用電極３ｆ，５ｆを含む少数の組の内部接続用電極３，５の接合強度は、充分大きくない可能性がある。上記の判定方法では、この場合でも半導体装置は良品と判定される。しかし、大多数の組の内部接続用電極３，５の接合について、機械的強度が充分高ければ、全体として機械的強度は充分大きいので、半導体装置としては良品と判定して差し支えない。
【００６４】
一方、導通確認用電極対７ａ〜７ｄの間に電気的導通がなく、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄと基準高さ電極１２ａ〜１２ｄとがそれぞれ接触していないことが確認されれば、図７（ｂ）のように、いずれかの組の内部接続用電極３，５が接合されていない可能性がある。また、図７（ｃ）のように、すべての組の内部接続用電極３，５について電気的に接続されていても、接合強度が充分大きくない組の内部接続用電極３，５（内部接続用電極３ｆ，５ｆなど）が多数存在する可能性もある。これらの場合、半導体装置は不良品と判定される。
【００６５】
活性面１ａと活性面１ｂとが平行でない場合など、いずれかの組の基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄおよび基準高さ電極１２ａ〜１２ｄの間のみ接触（接合）しない場合が生じうる。この場合は、いずれかの導通確認用電極対７ａ〜７ｄの間にのみ電気的導通が得られない。このとき、接触していない組の基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄおよび基準高さ電極１２ａ〜１２ｄの近傍の内部接続用電極３，５のうち、高さの和Ｈ３＋Ｈ５が小さいものについては、接合されていない（接触していない）可能性が高い。このような場合、半導体装置としては不良品と判定することができる。
【００６６】
以上のように、このような半導体装置は、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄと基準高さ電極１２ａ〜１２ｄとの電気的導通の有無を調べることにより、内部接続用電極３，５の間が電気的に接続されており、かつ、全体として充分高い機械的強度で接合されているか否かを判定することができる。しかも、判定にあたって、電気的導通の有無を調べる基準高さ電極１１，１２の数は４組なので、検査が簡易である。
【００６７】
内部接続用電極３，５の数が多い場合（たとえば、１０００ピンを越える場合）、１つの半導体装置において、高さの和が基準高さ電極１１，１２の高さの和より小さい内部接続用電極３，５の組が存在する確率が高くなる。この場合は、基準高さ電極１１，１２の高さを、たとえば、ａ１−４σ１，ａ２−４σ２とするなど、より低くすればよい。
基準高さ電極１１，１２の数は少なくとも３組とし、それぞれが互いに離間して配置されていることが好ましい。この場合、内部接続の不良が、活性面１ａと活性面１ｂとが平行になっていないことにより生じていても、不良が生じていることを知ることができる。すなわち、このような場合、活性面１ａと活性面１ｂとの間隔が広い部分（内部接続用電極３，５の接続不良が生じやすい部分）に、いずれかの組の基準高さ電極１１，１２が存在する確率が高い。したがって、いずれかの組の基準高さ電極１１、１２に接続不良が生じる確率が高い。
【００６８】
しかし、本発明において、基準高さ電極１１，１２の数や配置は、これらに限定されるものではなく、内部接続用電極３，５および基準高さ電極１１，１２の高さの精度やこれらの接合工程の再現性などにより任意に定めることができる。
１つの半導体装置に、横ずれ確認用電極４，６および基準高さ電極１１，１２の双方が備えられていてもよい。この場合、一組の電極が、横ずれ確認用電極４，６および基準高さ電極１１，１２の双方の役割を兼ねていてもよい。たとえば、基準高さ電極１２ａ〜１２ｄが、図４および図５に示す短絡用配線６ｅ〜６ｈのように、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄを構成する２つの電極間の間隔より、わずかに広い幅を有して基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄの間を短絡するものであってもよい。
【００６９】
この場合、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄと基準高さ電極１２ａ〜１２ｄとは、内部接続用電極３，５が、高さ方向に充分近接して接合されていないものを含んでいる場合、または（および）活性面１ａ，１ｂの面内方向にずれて接合されている場合に、接合（接触）しなくなる。したがって、基準高さ電極対１１ａ〜１１ｄと基準高さ電極１２ａ〜１２ｄとの電気的導通の有無を調べることにより、このような２つの態様の内部接続不良の少なくともいずれかが生じていることを知ることができる。
【００７０】
内部接続用電極５は、子チップ２の周縁部近傍に配置されていなくてもよく、たとえば、活性面２ａのほぼ全面にわたって格子状に配列されていてもよい。内部接続用電極３は、内部接続用電極５の配置に応じて、親チップ１上の適当な位置に配置することができる。
内部接続用電極３，５、横ずれ確認用電極４，６、および基準高さ電極１１，１２は、半田などのいわゆる軟ろうで形成されていてもよい。この場合、内部接続用電極３，５の相互の接合は溶融／凝固によるものとすることができる。横ずれ確認用電極４，６の相互のずれ幅や基準高さ電極１１，１２の高さは、内部接続用電極３，５の溶融／凝固による体積膨張／収縮や、融液の流動性などを勘案して決めることができる。
【００７１】
以上の実施形態は、いずれも１つの親チップ１の上に１つの子チップ２が接続された場合であるが、１つの親チップ１の上に複数の子チップ２が接続されていてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の図解的な断面図である。
【図２】図１の半導体装置における、内部接続用電極および横ずれ確認用電極の配置を示す図解的な平面図である。
【図３】図１の半導体装置の親チップと子チップとの接続状態を示す図解的な側面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置における、内部接続用電極および横ずれ確認用電極の配置を示す図解的な平面図である。
【図５】図４の親チップと子チップとの接続状態を示す図解的な側面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置における電極の配置を示す図解的な平面図である。
【図７】図６の親チップと子チップとの接続状態を示す図解的な側面図である。
【符号の説明】
１    親チップ
２    子チップ
１ａ，２ａ    活性面
３，５    内部接続用電極
４，６    横ずれ確認用電極
１１，１２    基準高さ電極
【図１】
0003870067.tif 000002
【図２】
0003870067.tif 000003
【図３】
0003870067.tif 000004
【図４】
0003870067.tif 000005
【図５】
0003870067.tif 000006
【図６】
0003870067.tif 000007
【図７】
0003870067.tif 000008