(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0003931995.tif 000025
（式中、Ｒは水素原子又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、Ｒがアルキル基の場合に二重結合はトランス配置であり、ｍは１〜１０の整数を表し、ｎは０又は１を表し、Ｗ、Ｘ及びＹは水素原子を表し、Ｚはフッ素原子、炭素原子数１〜１２のアルキル基又はアルコキシル基、炭素原子数３〜１２のアルケニル基又はアルケニルオキシ基を表すが、これらの基中に含まれる水素原子の１個又はそれ以上がフッ素原子に置換されていてもよい。）で表される化合物。
【請求項２】
一般式（Ｉ）において、ｍ＝２、ｎ＝０、且つＲが水素原子を表すところの請求項１記載の化合物。
【請求項３】
一般式（Ｉ）において、Ｚが炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表すところの請求項１又は２記載の化合物。
【請求項４】
一般式（Ｉ）において、Ｚが３−アルケニル基を表すところの請求項１又は２記載の化合物。
【請求項５】
一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子、又はトリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエトキシ基を表すところの請求項１又は２記載の化合物。
【請求項６】
請求項１、２、３、４又は５記載の化合物を含有する液晶組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は有機電子材料や医農薬、特に電気光学的液晶表示用ネマチック液晶材料として有用なアルケニルアジン類に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実用化されている。これらの表示方式や駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されており、このためこれまでにも非常に多くの液晶化合物が合成されている。
【０００３】
こうした液晶化合物の中で一般式（Ａ）
【０００４】
【化２】
0003931995.tif 000002
【０００５】
（式中、Ｒa及びＲbはアルキル基を表す。）で表されるアジン類は比較的古くから知られており、(i)液晶相上限温度が高い．(ii)化学的に比較的安定．(iii)安価に製造できる．等の特性を有する優れた液晶材料である。しかも、本発明者らの検討によると、現在汎用されている液晶組成物に添加することにより、その応答時間を非常に改善できる効果を有することが確認されている。
【０００６】
また、一般式（Ｂ）
【０００７】
【化３】
0003931995.tif 000003
【０００８】
（式中、Ｒaはアルキル基を表し、Ｒcはシアノ基、フッ素原子、トリフルオロメトキシ基等の電子吸引性の基を表す。）で表される誘電率異方性が負のいわゆるＰ型液晶では上記の特性に加えて、駆動電圧の低減も可能であることがやはり本発明者らにより確認されている。
【０００９】
しかしながら、これらのアジン類は現在汎用の液晶との相溶性においては必ずしも満足できるものではないという問題点が存在した。また、側鎖アルキル基の炭素原子数を大きくすると相溶性は幾分改善できるが、液晶相上限温度がやや低くなってしまうという問題点も存在する。
【００１０】
従って、粘性が低く高速応答が可能なアジン系の液晶化合物であって、従来液晶との相溶性により優れ、且つ液晶相上限温度がより高い化合物が求められている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、上記の目的に応じるため、アルケニルアジン類である新規液晶化合物を提供し、さらにこれを用いて温度範囲が広く、高速応答性で、必要に応じて低電圧駆動が可能な液晶組成物を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、
１．一般式（Ｉ）
【００１３】
【化４】
0003931995.tif 000004
【００１４】
（式中、Ｒは水素原子又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、Ｒがアルキル基の場合に二重結合はトランス配置であり、ｍは１〜１０の整数を表し、ｎは０又は１を表し、Ｗ、Ｘ及びＹはそれぞれ独立的にフッ素原子、塩素原子、メチル基、シアノ基又は水素原子を表し、Ｚはフッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１〜１２のアルキル基又はアルコキシル基、炭素原子数３〜１２のアルケニル基又はアルケニルオキシ基を表すが、これらの基中に含まれる水素原子の１個又はそれ以上がフッ素原子に置換されていてもよい。）で表される化合物。
２．一般式（Ｉ）において、ｍ＝２、ｎ＝０、且つＲが水素原子を表すところの上記１記載の化合物。
３．一般式（Ｉ）において、Ｚが炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基を表すところの上記１又は２記載の化合物。
４．一般式（Ｉ）において、Ｚが３−アルケニル基を表すところの上記１又は２記載の化合物。
５．一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子、又はトリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエトキシ基を表すところの上記１又は２記載の化合物。
６．上記１、２、３、４又は５記載の化合物を含有する液晶組成物。
を前記解決手段とした。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一例について説明する。
上記一般式（Ｉ）において、Ｒは水素原子又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表すが、水素原子又は炭素原子数１〜３の直鎖状アルキル基が好ましく、特に水素原子が好ましい。また、Ｒがアルキル基の場合には隣接する二重結合はトランス配置である。ｍは１〜１０の整数を表すが、２〜６が好ましく、特に２が好ましい。ｎは０又は１を表すが、０が好ましい。Ｗ、Ｘ及びＹはそれぞれ独立的にフッ素原子、塩素原子、メチル基、シアノ基又は水素原子を表すが、フッ素原子又は水素原子が好ましく、また、少なくとも１個は水素原子であることがさらに好ましい。Ｚはフッ素原子、塩素原子、シアノ基、炭素原子数１〜１２のアルキル基又はアルコキシル基、炭素原子数３〜１２のアルケニル基又はアルケニルオキシ基を表し、これらの基中に含まれる水素原子の１個又はそれ以上がフッ素原子に置換されていてもよいが、フッ素原子、炭素原子数１〜７の直鎖状アルキル基、炭素原子数４〜７の直鎖状アルケニル基、トリフルオロメトキシ基、トリフルオロメチル基、ジフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエトキシ基が好ましく、炭素原子数１〜７の直鎖状のアルキル基又は炭素原子数４〜７の直鎖状３−アルケニル基がさらに好ましい。
【００１６】
一般式（Ｉ）の化合物は以下のようにして製造することができる。
即ち、一般式（ＩＩ）
【００１７】
【化５】
0003931995.tif 000005
【００１８】
（式中、Ｒ、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）で表されるヒドラゾンと一般式（ＩＩＩ）
【００１９】
【化６】
0003931995.tif 000006
【００２０】
（式中、Ｗ、Ｘ、Ｙ及びＺは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）で表されるベンズアルデヒド誘導体とを反応させることにより容易に得ることができる。この際に、式（ＩＶ）や式（Ｖ）等の対称系のアジン
【００２１】
【化７】
0003931995.tif 000007
【００２２】
0003931995.tif 000008
【００２３】
の生成を抑止するためにアミン類の存在下に反応させることが好ましい。  アミン類としては２級アミンあるいは３級アミンが好ましく、３級アミンが特に好ましい。さらに３級アミンとしてはトリエチルアミン、トリメチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、N,N-ジメチルアニリン、N,N-ジエチルアニリン等の芳香族アミン、ピリジン等の環状アミン類等が用いられるが、トリエチルアミン等のトリアルキルアミンが特に好ましい。
【００２４】
アミンの使用量は一般式（ＩＩ）のヒドラゾンに対して0.1〜20モル量が好ましく、0.5〜10モル量がさらに好ましい。
これらアミン類は一般式（ＩＩ）のヒドラゾンと一般式（ＩＩＩ）のベンズアルデヒドとを反応させる際に系内に添加してもよいが、一般式（ＩＩ）のヒドラゾンを調製する際に、後処理の工程で加えておくことによりアミンを含んだヒドラゾンと一般式（ＩＩＩ）のベンズアルデヒドを反応させても良い。即ち、一般式（ＶＩ）
【００２５】
【化８】
0003931995.tif 000009
【００２６】
（式中、Ｒ、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表されるベンズアルデヒド誘導体をエタノールやジクロロメタン等の溶媒中で大過剰のヒドラジンと反応させて一般式（ＩＩ）のヒドラゾンを調製し、反応終了後アミンを加え、ジクロロメタン等の水に不溶の溶媒中で水洗を繰り返して過剰のヒドラジンを除去する。必要に応じてアミンを追加し、エタノールやジクロロメタン等の溶媒中で一般式（ＩＩＩ）のベンズアルデヒドを加え反応させる。この反応は冷却下に、あるいは加熱下に行ってもよいが、通常は室温付近で実施することが好ましい。反応終了後は同様にジクロロメタン等の水に不溶の溶媒中で水洗を繰り返した後、溶媒を溜去し、メタノール等の溶媒から再結晶して精製する。また、必要に応じて塩基性アルミナによるカラムクロマトグラフィーを用いて精製することも好ましい。
【００２７】
また、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は一般式（ＩＩ）のヒドラゾンに換えて、一般式（ＶＩＩ）
【００２８】
【化９】
0003931995.tif 000010
【００２９】
（式中、Ｗ、Ｘ、Ｙ及びＺは一般式（Ｉ）におけるとおなじ意味を表す。）のヒドラゾンを用い、これを一般式（ＩＩＩ）のベンズアルデヒドと同様に反応させても得ることができる。
【００３０】
また、前述の一般式（ＩＶ）の対称アジンも本発明の一般式（Ｉ）に含まれる化合物であり同様に優れた特性を有するが、この化合物の場合には（ＶＩ）のベンズアルデヒド誘導体とヒドラジンとを溶媒中で攪拌するだけで得ることができる。
【００３１】
ここで原料として用いる一般式（ＶＩ）のベンズアルデヒド誘導体は、一般式（ＶＩＩＩ）
【００３２】
【化１０】
0003931995.tif 000011
【００３３】
（式中、Ｒ、ｍ及びｎは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Halは塩素、臭素又はヨウ素原子を表す。）で表されるハロゲン化ベンゼン誘導体をグリニヤール反応剤又は有機リチウム反応剤のような有機金属反応剤へ導き、次いでＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等のホルミル化剤と反応させることにより容易に得ることができる。  また、一般式（ＩＩＩ）のベンズアルデヒドは一部は市販されており容易に入手可能であるが、市販されていない誘導体も必要とあれば一般式（ＶＩＩＩ）の場合と同様に対応するハロゲン化ベンゼン誘導体等から容易に得ることができる。あるいは場合によっては対応する安息香酸誘導体を酸クロリドとした後に還元することによっても得ることができる。
【００３４】
斯くして製造された一般式（Ｉ）で表されるアジン誘導体の例をその相転移温度とともに第１表に掲げる。
【００３５】
【表１】
0003931995.tif 000012
【００３６】
（表中、Ｃｒは結晶相を、 Ｎはネマチック相を、またＩは等方性液体相をそれぞれ表し、相転移温度は「℃」である。）
第１表からわかるように、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は高いネマチック相上限温度（ＴN-I）を示す。
【００３７】
これに対し、例えば（Ｉ−１）、（Ｉ−２）及び（Ｉ−３）の化合物と側鎖アルキル基の炭素原子数の等しい一般式（Ａ）の化合物である（Ａ−１）、（Ａ−２）及び（Ａ−３）の化合物の相転移温度は以下の通りである。
【００３８】
【化１１】
0003931995.tif 000013
0003931995.tif 000014
0003931995.tif 000015
【００３９】
これらを比較すると明らかなように、本発明の一般式（Ｉ）の化合物のネマチック相上限温度は、対応する一般式（Ａ）の化合物に比べても充分高いことがわかる。即ち、（Ｉ−１）及び（Ｉ−３）では約１５℃、（Ｉ−２）では約３０℃も高くなっており、１個の二重結合の導入につき約１５°のＴN-Iの上昇効果が得られている。
【００４０】
さらに、一般式（Ｉ）の化合物を従来の液晶組成物に添加することにより得られる優れた効果は以下のように明らかである。
ネマチック相上限温度が高く、粘性が小さいホスト液晶（Ｈ）
【００４１】
【化１２】
0003931995.tif 000016
【００４２】
（式中、「％」は『重量％』を表す。）を調製した。このホスト液晶（Ｈ）は１１６．７℃以下でネマチック相を示し、その融点は１１℃である。これを厚さ６．０μｍのＴＮセルに封入して液晶素子を作製しその応答時間を測定したところ、３２．５ｍ秒であった。ここで応答時間は立ち上がり時間と立ち下がり時間が等しくなる電界印加時の測定値である。また、この素子の閾値電圧を測定したところ２．１４Ｖであった。  次に、ホスト液晶（Ｈ）８０重量％及び第１表の（Ｉ−１）
【００４３】
【化１３】
0003931995.tif 000017
【００４４】
の化合物２０重量％からなる液晶組成物（Ｍ−１）を調製した。この（Ｍ−１）のネマチック相上限温度（ＴN-I）は１１８℃とわずかではあるか、ホスト液晶（Ｈ）より上昇した。次に、この組成物を０℃で２４時間放置したが、結晶の析出等は観察できなかった。さらに−２０℃で放置して固化させ、昇温して再び均一なネマチック相となる温度（Ｔ-N）を測定したところ−１２℃と低温であった。この組成物を用いて同様にして素子を作製し、その応答時間を測定したところ、３０．１ｍ秒と高速化することができた。また、その閾値電圧を測定したところ、２．６９Ｖであった。
【００４５】
次に、ホスト液晶（Ｈ）８０重量％及び第１表の（Ｉ−２）
【００４６】
【化１４】
0003931995.tif 000018
【００４７】
の化合物２０重量％からなる液晶組成物（Ｍ−２）を調製した。この（Ｍ−２）のネマチック相上限温度（ＴN-I）は１１９℃で（Ｍ−１）よりさらに上昇した。また、この組成物を０℃で２４時間放置したが、結晶の析出等は観察できなかった。（Ｍ−１）と同様にして固化させ、そのＴ-Nを測定したところ５℃であった。次に、これを用いて同様にして素子を作製し、その応答時間を測定したところ、２９．７ｍ秒とさらに高速化することができた。また、その閾値電圧は、２．６７Ｖであった。
【００４８】
これに対して、前述の一般式（Ａ）で表されるアルキルアジン誘導体であり、（Ｉ−２）と側鎖の炭素原子数の等しい（Ａ−２）の化合物２０重量％及びホスト液晶（Ｈ）８０重量％からなる液晶組成物（Ｍ−Ａ）を調製した。この（Ｍ−Ａ）のネマチック相上限温度（ＴN-I）は１１０．６℃であり、（Ｍ−２）と比較すると９°近く低下した。さらに、この組成物を同様にして固化させ、そのＴ-Nを測定したところ約１５℃であり、（Ｍ−１）や（Ｍ−２）よりかなり高くなった。以上から、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は従来液晶との相溶性にも優れ、これを用いることにより、一般式（Ａ）の化合物を用いるよりも、より温度範囲の広い液晶組成物を調製することができることがわかる。次に、同様にして液晶素子を作製しその応答時間を測定したところ３１．１ｍ秒であり、（Ｍ−１）や（Ｍ−２）には及ばなかった。また、この素子の閾値電圧を測定したところ、２．５３Ｖであった。
【００４９】
以上から、本発明の化合物が従来液晶との相溶性とその応答時間の改善効果に優れており、温度範囲が広く且つ高速応答性の液晶組成物を調製するうえにおいて、非常に有効であることがわかる。さらに、Ｐ型の誘導体においてはこれまでのＰ型アジン誘導体と比較して閾値電圧の低減においてより効果があり、低電圧駆動の組成物を得るうえにおいてもより有効である。
【００５０】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５１】
化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認し、相転移温度の測定は温度調節ステージを備えた偏光顕微鏡と示差走査熱量計（ＤＳＣ）を併用して行った。また、組成物における「％」は『重量％』を表す。
（実施例１）  １−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン（Ｉ−１）の合成
【００５２】
【化１５】
0003931995.tif 000019
【００５３】
ヒドラジン１水和物１５．６ｇに４−（３−ブテニル）ベンズアルデヒド５．０ｇ（この化合物は１−（３−ブテニル）−４−ブロモベンゼンをマグネシウムと反応させてグリニヤール反応剤とし、ついでＤＭＦと反応させることにより合成した。）をエタノール２０ｍＬに溶解して加えた。室温で３０分間攪拌した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２０ｍＬを加えた。ジクロロメタン１０ｍＬを加えた後、１０ｍＬの飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で２回洗滌した。有機層にトリエチルアミン３．５ｍＬを加え、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。減圧下に溶媒を溜去し、トリエチルアミン３．５ｍＬを追加し、エタノール２０ｍＬ及び４−メチルベンズアルデヒド３．７５ｇを加え、室温でさらに３時間攪拌した。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液２０ｍＬを加えた後、ジクロロメタン１０ｍＬを加え、次いで１０ｍＬの飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗滌後、減圧下に溶媒を溜去した。残渣をアルミナ（塩基性）カラムクロマトグラフィー（ジクロロメタン）を用いて精製し、さらにメタノールから再結晶させて、１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン７．０ｇを得た。この化合物の融点は８２℃であり、１０３℃までネマチック相を示した。
【００５４】
上記において４−メチルベンズアルデヒドに換えて、４−エチルベンズアルデヒド、４−プロピルベンズアルデヒド、４−ブチルベンズアルデヒド、４−ペンチルベンズアルデヒド、４−ヘプチルベンズアルデヒド、２，４−ジメチルベンズアルデヒド、４−メトキシベンズアルデヒド、２，３−ジフルオロ−４−エトキシベンズアルデヒド、４−フルオロベンズアルデヒド、３，４−ジフルオロベンズアルデヒド、３，４，５−トリフルオロベンズアルデヒド、４−クロロベンズアルデヒド、４−トリフルオロメトキシベンズアルデヒド、及び４−シアノベンズアルデヒドを用いることにより、以下の化合物を得た。
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（２，４−ジメチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（４−フルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（３，４−ジフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（３，４，５−トリフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（４−クロロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］−２−（４−シアノベンジリデン）ヒドラジン
さらに上記において、４−（３−ブテニル）ベンズアルデヒドに換えて、４−（トランス−３−ペンテニル）ベンズアルデヒド、４−（４−ペンテニル）ベンズアルデヒド、４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンズアルデヒド、４−（５−ヘキセニル）ベンズアルデヒド、４−アリルオキシベンズアルデヒド、及び４−アリルベンズアルデヒドを用いることにより以下の化合物を得た。
【００５５】
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（２，４−ジメチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−フルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（３，４−ジフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（３，４，５−トリフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−クロロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−シアノベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（２，４−ジメチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−フルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（３，４−ジフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（３，４，５−トリフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−クロロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］−２−（４−シアノベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（２，４−ジメチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−フルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（３，４−ジフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（３，４，５−トリフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−クロロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−シアノベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（２，４−ジメチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−フルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（３，４−ジフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（３，４，５−トリフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−クロロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］−２−（４−シアノベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（２，４−ジメチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（４−フルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（３，４−ジフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（３，４，５−トリフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（４−クロロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルオキシベンジリデン］−２−（４−シアノベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（４−メチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（４−エチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（４−プロピルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（４−ブチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（４−ペンチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（４−ヘプチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（２，４−ジメチルベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（４−メトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（４−フルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（３，４−ジフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（３，４，５−トリフルオロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（４−クロロベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（４−トリフルオロメトキシベンジリデン）ヒドラジン
１−［４−アリルベンジリデン］−２−（４−シアノベンジリデン）ヒドラジン
（実施例２）  １，２−ビス［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］ヒドラジン（Ｉ−２）の合成
【００５６】
【化１６】
0003931995.tif 000020
【００５７】
ヒドラジン１水和物８．４ｇ及び４−（３−ブテニル）ベンズアルデヒド４５ｇをメタノール１８０ｍＬに溶解し、室温で２時間攪拌した。ジクロロメタン１５０ｍＬを加え、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で２回洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥させた。溶媒を溜去して得られた粗生成物を塩基性アルミナカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、次いでメタノールから再結晶させて、１，２−ビス［４−（３−ブテニル）ベンジリデン］ヒドラジン４２ｇを得た。この化合物の融点は５７℃で１１６℃までネマチック相を示した。
【００５８】
同様にして以下の化合物を得た。
１，２−ビス［４−（トランス−３−ペンテニル）ベンジリデン］ヒドラジン
１，２−ビス［４−（４−ペンテニル）ベンジリデン］ヒドラジン
１，２−ビス［４−（トランス−３−ヘキセニル）ベンジリデン］ヒドラジン
１，２−ビス［４−（５−ヘキセニル）ベンジリデン］ヒドラジン
１，２−ビス（４−アリルオキシベンジリデン）ヒドラジン
１，２−ビス（４−アリルベンジリデン）ヒドラジン
（実施例３）  液晶組成物の調製（１）
低粘性で液晶相温度範囲の広いホスト液晶（Ｈ）
【００５９】
【化１７】
0003931995.tif 000021
【００６０】
は１１６．７℃以下でネマチック相を示し、その融点は１１℃である。これを厚さ６．０μｍのＴＮセルに充填して液晶素子を作製し、測定した応答時間は３２．５ｍ秒であった（立ち下がり時間と立ち上がり時間が等しくなる電圧印加時）。また、この素子の閾値電圧は２．１４Ｖであった。
【００６１】
このホスト液晶（Ｈ）８０％及び実施例１で得た式（Ｉ−１）
【００６２】
【化１８】
0003931995.tif 000022
【００６３】
の化合物２０％からなる組成物（Ｍ−１）を調製したところ、ネマチック相上限温度（ＴN-I）は１１８℃であり、わずかではあるがホスト液晶（Ｈ）より上昇した。次に、この組成物を０℃で２４時間以上放置したが、結晶の析出等は観察できなかった。さらに−２０℃で長時間放置して固化させ、次いで昇温して再び均一なネマチック相となる温度（Ｔ-N）を測定したところ、−１２℃と低温であった。また、この組成物を用いてホスト液晶（Ｈ）の場合と同様にして素子を作製し、その応答時間を測定したところ、３０．１ｍ秒と高速化することができた。また、その閾値電圧を測定したところ、２．６９Ｖであった。
【００６４】
従って、式（Ｉ−１）の化合物を添加することにより、ホスト液晶のネマチック相温度範囲を拡大し、同時にその応答時間を低減することができる。
（実施例４）  液晶組成物の調製（２）
次に、ホスト液晶（Ｈ）８０％及び実施例２で得た式（Ｉ−２）
【００６５】
【化１９】
0003931995.tif 000023
【００６６】
の化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−２）を調製した。この（Ｍ−２）のネマチック相上限温度（ＴN-I）は１１９℃で（Ｍ−１）よりさらに上昇した。この組成物も０℃で２４時間以上放置したが、結晶の析出等は観察できなかった。（Ｍ−１）と同様にして固化させ、そのＴ-Nを測定したところ５℃であった。
【００６７】
また、これを用いて同様にして素子を作製し、その応答時間を測定したところ、２９．７ｍ秒とさらに高速化することができた。次に、その閾値電圧を測定したところ、２．６７Ｖであった。
（比較例）
ホスト液晶（Ｈ）８０％及び一般式（Ａ）で表されるアルキルアジン誘導体であり、（Ｉ−２）と側鎖炭素原子数の等しい式（Ａ−２）
【００６８】
【化２０】
0003931995.tif 000024
【００６９】
の化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−Ａ）を調製した。
（Ｍ−Ａ）のネマチック相上限温度（ＴN-I）は１１０．６℃であり、（Ｍ−２）と比較すると９°近く低下した。さらに、この組成物を同様にして固化させ、そのＴ-Nを測定したところ約１５℃とであり、（Ｍ−１）や（Ｍ−２）よりかなり高くなった。
【００７０】
次に、同様にして液晶素子を作製しその応答時間を測定したところ、３１．１ｍ秒と（Ｍ−１）や（Ｍ−２）には及ばなかった。また、この素子の閾値電圧を測定したところ、２．５３Ｖであった。
【００７１】
以上から、本発明の化合物が従来液晶との相溶性とその応答時間の改善効果に優れており、温度範囲が広く且つ高速応答性の液晶組成物を調製するうえにおいて、非常に有効であることがわかる。
【００７２】
【発明の効果】
本発明により提供される、一般式（Ｉ）で表されるアルケニルアジン類である新規液晶化合物は、熱、光等に対し化学的に安定であり、液晶性に優れ、しかも工業的にも容易に製造することができる。また、得られた一般式（Ｉ）の化合物は、従来の液晶化合物あるいは液晶組成物との相溶性に優れ、この添加により液晶組成物の応答時間を大幅に改善することができる。従って、温度範囲が広く高速応答が可能な液晶表示素子用の液晶材料の構成成分として非常に実用的である。