(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
隔壁により仕切られた、軸方向に貫通する多数の流通孔を有するハニカム構造体であって、室温における格子定数が０．５４３０２〜０．５４３１１ｎｍに制御されたＳｉ相を含有することを特徴とするハニカム構造体。
【請求項２】
前記Ｓｉ相中のホウ素含有量が０．０２質量％以下である請求項１に記載のハニカム構造体。
【請求項３】
ハニカム構造体が、更に骨材となる耐火性粒子を含む請求項１又は２に記載のハニカム構造体。
【請求項４】
前記耐火性粒子がＳｉＣである請求項３に記載のハニカム構造体。
【請求項５】
ハニカム構造体が多孔質体である請求項１乃至４の何れか１項に記載のハニカム構造体。
【請求項６】
隔壁により仕切られた、軸方向に貫通する多数の流通孔を有するハニカム構造の前駆体を焼成する焼成工程を含むハニカム構造体の製造方法であって、前記前駆体がＳｉ相を含有し、かつ焼成工程が含ホウ素化合物を含有しない窯材を用いて行われることを特徴とするハニカム構造体の製造方法。
【請求項７】
隔壁により仕切られた、軸方向に貫通する多数の流通孔を有するハニカム構造の前駆体を焼成する焼成工程を含むハニカム構造体の製造方法であって、焼成工程前のＳｉ相中のＳｉ含有量に対する焼成工程後のＳｉ相中のＳｉ含有量の低下率を１０質量％以下に抑制することを特徴とするハニカム構造体の製造方法。
【請求項８】
焼成工程が炭素質材料を含まない窯材料を用いて行われる請求項７に記載のハニカム構造体の製造方法。
【請求項９】
窯材料が、アルミナ、炭化珪素、酸化物結合炭化珪素、窒化珪素結合炭化珪素及び二珪化モリブデンから選ばれた１種又は２種以上の成分を主成分とする材料からなる請求項６〜８の何れか１項に記載のハニカム構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、内燃機関、ボイラー等の排ガス中の微粒子捕集フィルターや触媒担体等に使用されるハニカム構造体及びその製造方法に関し、特に熱伝導特性に優れたハニカム構造体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
内燃機関、ボイラー等の排ガス中の微粒子、特にディーゼル微粒子の捕集フィルターや排ガス浄化用触媒担体等にハニカム構造体が用いられている。
【０００３】
例えばフィルター等の目的で使用されるハニカム構造体は、一般に、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、隔壁２により仕切られた、Ｘ軸方向に貫通する多数の流通孔３を有し、端面が市松模様状を呈するように、隣接する流通孔３が互いに反対側となる一方の端部で目封止された構造を有する。この様な構造を有するハニカム構造体において、例えば被処理流体は一の端面４２が目封止されていない流通孔３、すなわち他の端面４４で端部が目封止されている流通孔３に流入し、多孔質の隔壁２を通って隣の流通孔３、すなわち一の端面４２で端部が目封止され、他の端面４４が目封止されていない流通孔３から排出される。この際隔壁２がフィルターとなり、例えばディーゼルエンジンから排出されるスート（スス）などが隔壁に捕捉され隔壁上に堆積する。この様に使用されるハニカム構造体は、排気ガスの急激な温度変化や局所的な発熱によってハニカム構造体内の温度分布が不均一となり、ハニカム構造体内に熱応力が発生し、クラックを生ずる等の問題があった。特にディーゼルエンジンの排気中の粒子状物質を捕集するフィルター（以下ＤＰＦという）として用いられる場合には、溜まったカーボン微粒子を燃焼させて除去し再生することが必要であり、この際に局所的な高温化がおこり、再生温度の不均一化により大きな熱応力が発生し、クラックが発生しやすいという問題があった。
【０００４】
このため、ハニカム構造体を複数に分割したセグメントを接合材により接合する方法が提案された。例えば、米国特許第４３３５７８３号公報には、多数のハニカム体を不連続な接合材で接合するハニカム構造体の製造方法が開示されている。また、特公昭６１−５１２４０号公報には、セラミック材料よりなるハニカム構造のマトリックスセグメントを押出成形し、焼成後その外周部を加工して平滑にした後、その接合部に焼成後の鉱物組成がマトリックスセグメントと実質的に同じで、かつ熱膨張率の差が８００℃において０．１％以下となるセラミック接合材を塗布し、焼成する耐熱衝撃性回転蓄熱式が提案されている。また、１９８６年のＳＡＥ論文８６０００８には、コージェライトのハニカムセグメントを同じくコージェライトセメントで接合したセラミックハニカム構造体が開示されている。更に特開平８−２８２４６号公報には、ハニカムセラミック部材を少なくとも三次元的に交錯する無機繊維、無機バインダー、有機バインダー及び無機粒子からなる弾性質シール材で接着したセラミックハニカム構造体が開示されている。
【０００５】
この様にセグメント化することにより、熱応力によるクラックはある程度抑制できるが、ハニカム構造体の材質自体の熱伝導率を向上させることができれば局所的な高熱化が抑制され、セグメント数を削減し又はセグメント化せずに実用的な耐熱衝撃性を得ることができる。
【０００６】
一方、材料面からは特公平８−１３７０６号公報に、Ｓｉ−ＳｉＣ系材料のＤＰＦへの使用が提案されており、この材料が耐熱性、耐熱衝撃性、耐酸化性に優れた特性を持つ材料であることが開示されている。しかし、この材料の熱伝導性の問題については何ら示されていない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところはハニカム構造体の熱伝導率を向上させることにより、耐熱衝撃性に優れたハニカム構造体を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は第１に、隔壁により仕切られた、軸方向に貫通する多数の流通孔を有するハニカム構造体であって、室温における格子定数が０．５４３０２〜０．５４３１１ｎｍに制御されたＳｉ相を含有することを特徴とするハニカム構造体を提供するものである（第１の発明）。
【０００９】
本発明において、前記Ｓｉ相中のホウ素含有量が０．０２質量％以下であることが好ましい。また、ハニカム構造体が、更に骨材となる耐火性粒子を含むことが好ましく、前記耐火性粒子がＳｉＣであることが更に好ましい。また、ハニカム構造体が多孔質体であることが好ましい。
【００１０】
本発明は第２に、隔壁により仕切られた、軸方向に貫通する多数の流通孔を有するハニカム構造の前駆体を焼成する焼成工程を含むハニカム構造体の製造方法であって、前記前駆体がＳｉ相を含有し、かつ焼成工程が含ホウ素化合物を含有しない窯材を用いて行われることを特徴とするハニカム構造体の製造方法を提供するものである（第２の発明）。
【００１１】
本発明は第３に、隔壁により仕切られた、軸方向に貫通する多数の流通孔を有するハニカム構造の前駆体を焼成する焼成工程を含むハニカム構造体の製造方法であって、焼成工程前のＳｉ相中のＳｉ含有量に対する、焼成工程後のＳｉ相中のＳｉ含有量の低下率を１０質量％以下に抑制することを特徴とするハニカム構造体の製造方法を提供するものである（第３の発明）。
【００１２】
第３の発明において、焼成工程が炭素質材料を含まない窯材料を用いて行われることが好ましい。また、第２又は第３の発明において、窯材料が、アルミナ、炭化珪素、酸化物結合炭化珪素、窒化珪素結合炭化珪素及び二珪化モリブデンから選ばれた１種又は２種以上の成分を主成分とする材料からなることが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のハニカム構造体及びハニカム構造体の製造方法を詳細に説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。なお、以下において断面とは、特に断りのない限り流通孔の長手方向（Ｘ軸方向）に対する垂直の断面を意味する。
【００１４】
第１の発明のハニカム構造体は、例えば図１に示すように、隔壁２により仕切られた、Ｘ軸方向に貫通する多数の流通孔３を有するハニカム構造体１である。本発明の重要な特徴は、ハニカム構造体が、室温における格子定数が０．５４３０２〜０．５４３１１ｎｍに制御されたＳｉ相を含有することである。Ｓｉ相の格子定数をこの範囲に制御したハニカム構造体とすることにより、高い熱伝導率を安定的に発現させることができ、ＤＰＦとしての使用に際しては高いスート限界量を発現することが可能になる。
【００１５】
例えば、Ｓｉ−ＳｉＣ系材料からなるハニカム構造体は、耐熱性、耐熱衝撃性、耐酸化性を初め、酸やアルカリなどに対する耐蝕性に優れた特性を示すが、熱伝導率は純粋な金属珪素と炭化珪素から計算された値よりも大幅に低いものであった。この原因を詳細に検討した結果、従来のＳｉ相を含む材料、例えばＳｉ−ＳｉＣ系材料中におけるＳｉ相の格子定数が純粋な金属珪素の文献値よりも低いことを見出し、更にこの格子定数を０．５４３０２〜０．５４３１１ｎｍに制御することにより非常に高い熱伝導率が得られることを見出した。ここでＳｉ相とは、主としてＳｉからなる相を意味し、例えば金属珪素の相等が該当する。
【００１６】
Ｓｉ相の格子定数を上記範囲に制御するために、Ｓｉ相中のホウ素（Ｂ）含有量を０．０２質量％以下とすることが好ましい。
従来、Ｓｉ相を含む材料、例えばＳｉ−ＳｉＣ系材料からなるハニカム構造体は、金属珪素と炭化珪素とを含む原料をハニカム構造の成形体に成形した後、所定の温度で焼成することにより作成していたが、得られたハニカム構造体におけるＳｉ相中にはホウ素が含まれていたことが見出された。
【００１７】
従来、金属珪素を含む材料を焼成する場合、金属珪素との反応が抑制されることが知られている窒化ホウ素（ＢＮ）、炭化ホウ素（Ｂ4Ｃ）及び炭素質材料を各々１質量％程度含むＳｉＣ材料、又は窒化ホウ素のコーティングを反応防止層として施した炭素質材料を匣鉢（サヤ）又は炉壁の材料として用いた窯により焼成していたが、ＢＮ等のホウ素含有物質中のホウ素が焼成中にＳｉ相内に入りこむために、得られたハニカム構造体中にホウ素が含まれるものと思われ、ホウ素の含有がＳｉ相の格子定数を低下させる原因の１つであることを見出した。更に、Ｓｉ相中のホウ素含有量を０．０２質量％以下にすることにより、格子定数の低下を効果的に抑制し、高い熱伝導率が得られることを見出した。この理由は、Ｓｉにおける熱伝導においては、フォノンが中心と考えられ、ホウ素含有量が０．０２質量％を超過する場合、ホウ素がＳｉ相中に固溶化し、その格子振動の非調和性により熱伝導率が低下するためと推測される。
【００１８】
第１の発明のハニカム構造体はＳｉ相の他、耐火性粒子を含むことが好ましく、Ｓｉ又はＳｉ−耐火性粒子複合材料を主成分とすることが好ましい。ここで主成分とはハニカム構造体の５０質量％以上を構成することをいう。好ましい耐火性粒子としては、酸化物系ではＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、炭化物系ではＳｉＣ、窒化物系ではＳｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、その他ムライト等の粒子が挙げられるが、高い熱伝導率や耐熱衝撃性を確保するためにＳｉＣが好ましい。即ち、ハニカム構造体が、Ｓｉ−ＳｉＣ系材料を主成分とすることが好ましい。
【００１９】
第１の発明のハニカム構造体は多孔質体であることがフィルターや触媒担体等に好適に用いることができる点で好ましい。気孔率は、大きすぎると強度が不足し小さすぎると、特にフィルターとして用いる場合に圧力損失が大きくなり好ましくない。気孔率の範囲は、３０〜９０体積％であることが好ましい。また、多孔質体となるためには、Ｓｉ相が結合材として耐火性粒子同士を結合している形態であることが好ましい。
【００２０】
ハニカム構造体がＳｉ−ＳｉＣ系複合材料を主成分とする場合、Ｓｉ／（Ｓｉ＋ＳｉＣ）で規定されるＳｉ含有量が少なすぎると結合材が不足するために隣接するＳｉＣ粒子同士のＳｉ相による結合が不十分となり、熱伝導率が低下するだけでなく、ハニカム構造のような薄壁の構造体を維持し得る強度を得ることが困難となる。逆にＳｉ含有量が多すぎると、適切にＳｉＣ粒子同士を結合し得る以上に金属珪素が存在することに起因して、ハニカム構造体が焼成により過度に収縮してしまい、気孔率低下、平均細孔径縮小などの弊害が併発してくる点において好ましくない。したがってＳｉ含有量は、５〜５０質量％であることが好ましく、１０〜４０質量％であることが更に好ましい。
【００２１】
第１の発明のハニカム構造体において隔壁の厚さに特に制限はないが、隔壁が厚すぎると多孔質の隔壁を被処理流体が透過する際の圧力損失が大きくなりすぎ、隔壁が薄すぎると強度が不足し各々好ましくない。隔壁の厚さは、好ましくは３０〜２０００μｍ、更に好ましくは４０〜１０００μｍ、最も好ましくは５０〜５００μｍの範囲である。セル密度（単位断面積当たりの流通孔の数）にも特に制限はないが、セル密度が小さすぎると、フィルターとしての強度及び有効ＧＳＡ（幾何学的表面積）が不足し、セル密度が大きすぎると、被処理流体が流れる場合の圧力損失が大きくなる。セル密度は、好ましくは、６〜２０００セル／平方インチ（０．９〜３１１セル／ｃｍ2）、更に好ましくは５０〜１０００セル／平方インチ（７．８〜１５５セル／ｃｍ2）、最も好ましくは１００〜４００セル／平方インチ（１５．５〜６２．０セル／ｃｍ2）の範囲である。また、流通孔の断面形状（セル形状）に特に制限はないが、製作上の観点から、三角形、四角形、六角形及びコルゲート形状のうちのいずれかであることが好ましい。ハニカム構造体の断面形状も特に制限はなく、例えば図１に示すような円形状の他、楕円形状、レーストラック形状、長円形状、三角、略三角、四角、略四角形状などの多角形状や異形形状とすることができる。
【００２２】
第１の発明のハニカム構造体は、特にＤＰＦとして用いる場合には、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、所定の流通孔３の開口部が一の端面４２において封止され、残余の所定の流通孔３における開口部が他の端面４４において封止されていることが好ましい。特に、総ての流通孔が何れかの端面において封止されていることが好ましく、更に、端面４２及び４４が市松模様状を呈するように、隣接する流通孔３が互いに反対側となる一方の端部で封止されていることが好ましい。この様に封止することにより、例えば一の端面４２から流入した被処理流体は隔壁２を通って、他の端面４４から流出し、被処理流体が隔壁２を通る際に多孔質の隔壁２がフィルターの役目をはたし、目的物を除去することができる。封止に用いる材料としては、ハニカム構造体の好ましい主成分として挙げたものの中から選択された１種又は２種以上の材料を好適に用いることができる。
【００２３】
第１の発明において、図３（ａ）及び（ｂ）に示すようにハニカム構造体１を複数のセグメント１２に分割し、これを接合した構成とすることも、耐熱衝撃性を更に改良できる点で好ましい。この場合のセグメントの大きさに制限はないが、各セグメントが大きすぎると、耐熱衝撃性改良の効果が少なくなり、小さすぎると各セグメントの製造や接合による一体化が煩雑となり好ましくない。好ましいハニカムセグメントの大きさは、断面積が９００〜１００００ｍｍ2、更に好ましくは９００〜５０００ｍｍ2、最も好ましくは９００〜３６００ｍｍ2であり、ハニカム構造体の７０容量％以上が、この大きさのハニカムセグメントから構成されていることが好ましい。各セグメントの形状に特に制限はないが、例えば、図３（ｂ）に示すように、断面形状が四角形状、すなわちハニカムセグメント１２が四角柱状であるものを基本形状として一体化した場合のハニカム構造体の形状に合わせて外周側のハニカムセグメントの形状を適宜選択することができる。
【００２４】
第１の発明のハニカム構造体を、触媒担体として内燃機関等の熱機関若しくはボイラー等の燃焼装置の排気ガスの浄化、又は液体燃料若しくは気体燃料の改質に用いようとする場合、触媒、例えば触媒能を有する金属を担持させることが好ましい。触媒能を有する金属の代表的なものとしては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種をハニカム構造体に担持させることが好ましい。
【００２５】
次に第２の発明であるハニカム構造体の製造方法を説明する。
第２の発明の主な特徴は、ＢＮ等の含ホウ素化合物を含有しない窯材料を用いて、Ｓｉ相を含有するハニカム構造の前駆体を焼成することにある。これにより、Ｓｉ相とホウ素との接触を防止することができるため、ホウ素の固溶を防止し、格子定数を所定の範囲に制御することができ、ハニカム構造体の熱伝導率の低下を防止することができる。
【００２６】
第２の発明において、窯材料とは前駆体が置かれる焼成窯内空間と接する面を構成する材料を意味し、これらの面を構成する材料が実質的にホウ素を含有しなければよい。具体的には窯の内壁面の他、前駆体を並べるためのサヤ、ヒーター等の焼成窯内空間に配置されるものの表面を構成する材料が実質的にホウ素を含有しないことを意味する。この面に含ホウ素化合物が含まれていなければ、ホウ素がＳｉ相中に入る量を抑制することができ本発明の効果を奏することができる。
【００２７】
次に第３の発明であるハニカム構造体の製造方法を説明する。
第３の発明の主な特徴は、焼成工程において、焼成工程前のＳｉ相中のＳｉ含有量１００質量％に対する焼成工程後のＳｉ相中のＳｉ含有量の低下率を１０質量％以下、好ましくは５質量％以下、更に好ましくは２質量％以下に抑制することである。Ｓｉ相が熱の伝導パスを担っているハニカム構造体においては、Ｓｉが揮発すると伝導パスが減少する効果により熱伝導率が低下する。よって上記構成によりＳｉの揮発を抑制することで、略配合どおりのＳｉ量を確保することができ、熱伝導率の低下を抑制することが可能になる。
【００２８】
Ｓｉ含有量の低下を抑制するためには、炭素質材料を含まない窯材料を用いて焼成工程を行うことが好ましい。第１の発明の説明において述べたように、従来窯材料として炭素質材料が用いられていたが、特に１０００℃以上の高温の焼成過程において、窯材料の炭素質材料が焼成物より揮発するＳｉと反応して炭化珪素化する反応が起こることにより焼成物からのＳｉの揮発が加速的に生じていた。従って、焼成物からのＳｉの揮発が加速的に生じることのなきよう、炭素材料を含まない窯材料を用いることにより、Ｓｉの揮発を抑制することができる。
【００２９】
ここで窯材料は第２の発明において説明したように、前駆体が置かれる焼成窯内空間と接する面を構成する材料を意味する。また、炭素質材料とは、グラファイト等の主としてＣ−Ｃ結合により構成される材料を意味し、主として炭素と他の元素との結合により構成される材料例えば炭化珪素などは炭素質材料には含まれない。
【００３０】
第２又は第３の発明において、好ましい窯材料は、耐熱性等の観点からアルミナ、炭化珪素、酸化物結合炭化珪素、窒化珪素結合炭化珪素、及び二珪化モリブデンから選ばれた１種又は２種以上の成分を主成分とする材料である。具体的には、窯内壁又はサヤには、アルミナファイバー、炭化珪素、酸化物結合炭化珪素、窒化珪素結合炭化珪素等の材料が好ましく、ヒーターには炭化珪素、二珪化モリブデンなどの材料が好ましい。ここで、酸化物結合炭化珪素とは、炭化珪素粒子に粘土などの酸化物を結合材として焼結させた材料である。
【００３１】
第２又は第３の発明において、Ｓｉ相を含有するハニカム構造の前駆体を形成する方法に特に制限はないが、例えば以下の方法で形成することができる。
原料粉末として、例えば金属珪素と炭化珪素粉末を使用し、これにバインダー、例えばメチルセルロース及びヒドロキシプロポキシルメチルセルロースを添加し、更に界面活性剤及び水を添加し、可塑性の坏土を作製する。この坏土を押出成形することにより、隔壁により仕切られた、軸方向に貫通する多数の流通孔を有するハニカム構造の成形体を得る。好ましくは、得られた成形体を、例えばマイクロ波及び／又は熱風等で乾燥後、例えばＮ2雰囲気中で加熱脱脂してＳｉ相を含有する前駆体を得ることができる。
【００３２】
この様な前駆体を、上述の窯を用いて、不活性雰囲気中、例えばアルゴン雰囲気中で所定の焼成温度、例えば１４００〜１８００℃で焼成することによりハニカム構造体を製造することができる。焼成温度が低すぎるとＳｉ相が溶融し耐火性粒子同士を結合することが困難となり、温度が高すぎると第３の発明によってもＳｉの揮発を防止することが困難となる。
【００３３】
第２又は第３の発明において、ハニカム構造体に触媒を担持させても良い。この方法は、当業者が通常行う方法で良く、例えば触媒スラリーをウォッシュコートして乾燥、焼成することにより触媒を担持させることができる。この工程は、成形体の形成後で有ればどの時点で行っても良い。また、流通孔の目封止を行ってもよく、例えば目封止をしない流通孔をマスキングし、原料をスラリー状として、ハニカムセグメントの開口端面に施与し、乾燥後焼成することにより行うことができる。用いる目封止材の材料は特に制限はないが、前駆体の形成に用いる原料と同様な材質の原料を用いることが好ましい。
【００３４】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００３５】
（ハニカムセグメントの作製）
原料として、平均径が５０．０μｍのＳｉＣ粉７５質量％、及び平均径が４μｍの金属Ｓｉ粉２５質量％の合計１００質量部に対して、造孔材として平均径１２μｍのポリメタクリル酸メチルを５質量部の割合で混合し、これにメチルセルロース及びヒドロキシプロポキシルメチルセルロース、界面活性剤及び水を添加して、可塑性の坏土を作製した。この坏土を押出成形し、マイクロ波及び熱風で乾燥して隔壁の厚さが３８０μｍ、セル密度が約３１．０セル／ｃｍ2（２００セル／平方インチ）、断面が一辺３５ｍｍの正方形、長さが１５２ｍｍのハニカム構造の成形体を得た。これを、端面が市松模様状を呈するように、隣接する前記流通孔が互いに反対側となる一方の端部でハニカム構造体の製造に用いた材料と同様の材料で目封止して、乾燥した後、約４００℃で脱脂を行い、前駆体を得た。
【００３６】
表１に示す仕様の、サヤ材、窯内壁材及びヒーター材を用いて、得られた前駆体を不活性雰囲気で１４５０℃−２時間の条件で焼成してハニカム構造体を得た。得られたハニカム構造体中のＳｉ相である金属珪素の格子定数を、Ｘ線回折により得た回折プロファイルから、ＷＰＰＤ法にて算出した。またＳｉ相中のホウ素含有量は、溶液処理により金属珪素のみ抽出した後、ＩＣＰ法により算出し、更に焼成後のＳｉ含有量は検量線作成の上、蛍光Ｘ線法により測定、更には焼成前後での変化率を計算により求め、Ｓｉ相中のＳｉ含有量の低下率とした。また熱伝導率はレーザーフラッシュ法により測定した。これらの結果を表１に示した。また表には示していないが、得られたハニカム構造体の気孔率は、アルキメデス法の測定により、いずれも４４〜４６％の範囲内の値であった。
【００３７】
【表１】
0003927038.tif 000002
【００３８】
表１に示すように、実施例７〜９の窯材料を用いて焼成したサンプルは、比較例１又は２の窯材料を用いて焼成したサンプルと組成が同じにも関わらず、Ｓｉ相の格子定数が第１の発明の範囲内となり、第１の発明の範囲外となった比較例１又は２のサンプルと比較すると熱伝導率がいずれも高くなった。また、実施例４〜６の窯材料を用いて焼成したサンプルは、Ｓｉ含有量低下率が抑制されているため、比較例１又は２のサンプルと比較すると熱伝導率がいずれも高くなった。更に、実施例１〜３のサンプルは、格子定数及びＳｉ含有量低下率が各々本発明の範囲内であり、熱伝導率が３０Ｗ／ｍＫ以上と非常に高い値を示し、特にＤＰＦの基材に用いるハニカム構造体として好ましいことがわかる。
【００３９】
【発明の効果】
以上述べてきたように第１の発明のハニカム構造体は、Ｓｉ相の格子定数が０．５４３０２〜０．５４３１１ｎｍの範囲にあるため、熱伝導率が非常に大きく、耐熱衝撃性に強いハニカム構造体となった。また、第２又は第３の発明により熱伝導率の大きなハニカム構造体を製造することができた。なお、本発明のハニカム構造体はＤＰＦに特に好適に用いられるが、本発明の効果は、熱伝導率を向上させることにより過度の温度上昇を抑え、構造体内の温度分布を均一にすることにあり、その用途はＤＰＦだけには限られない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ハニカム構造体の一形態を示す模式的な斜視図である。
【図２】  （ａ）は、ハニカム構造体の別の形態を示す模式的な斜視図、（ｂ）は（ａ）のｂ部分を示す模式的な平面拡大図である。
【図３】  （ａ）は、ハニカム構造体の別の実施形態を示す模式的な斜視図、（ｂ）はハニカムセグメントの模式的な斜視図である。
【符号の説明】
１…ハニカム構造体、２…隔壁、３…流通孔、１２…ハニカムセグメント、４２、４４…端面。
【図１】
0003927038.tif 000003
【図２】
0003927038.tif 000004
【図３】
0003927038.tif 000005