(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検出圧力に応じた電圧レベルの検出信号を発生する圧力センサ回路と、
この圧力センサ回路の温度に応じた電圧レベルの温度信号を発生する温度検出回路と、
前記被検出圧力及び圧力センサ回路の温度と無関係に一定の電圧レベルとなる基準信号を発生する基準電圧発生回路と、
前記検出信号、温度信号及び基準信号をデジタルデータに変換するためのＡ／Ｄ変換回路と、
前記検出信号、温度信号及び基準信号を選択的に通過させて前記Ａ／Ｄ変換回路に変換対象信号として与えるアナログマルチプレクサと、
前記圧力センサ回路に対する印加圧力をＰ、前記検出信号、温度信号及び基準信号を前記Ａ／Ｄ変換回路により変換した各デジタルデータをそれぞれ圧力情報Ｄ、温度情報Ｔ及び基準情報Ａ、また、圧力センサ回路の感度の温度係数をｃ、圧力センサ回路の室温感度をｄ、圧力検出値のオフセットの温度係数をｅ、圧力検出値の室温オフセット値をｆ、温度検出値の温度係数をａ、温度検出値の室温オフセット値をｂとした場合に、
Ｐ＝｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（−ｅ／ａ）＋Ｄ／Ａ−ｆ｝
／｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×ｃ／ａ＋ｄ｝
の演算処理を実行して印加圧力Ｐを算出する信号処理手段とを備え、
前記アナログマルチプレクサは、前記基準信号及び温度信号を前記検出信号に先立って通過させるように構成され、
前記信号処理手段は、前記Ａ／Ｄ変換回路により前記検出信号がデジタルデータに変換されるサンプリング時間中に、温度情報Ｔに基づく演算処理を行うと共に、前記基準信号及び温度信号に対応した基準情報Ａ及び温度情報Ｔに基づく演算処理を行った後に、その演算処理結果並びに前記検出信号に対応した圧力情報Ｄに基づく演算処理を行うことによって、印加圧力Ｐを算出するように構成されていることを特徴とする圧力センサ装置。
【請求項２】
前記アナログマルチプレクサは、前記基準信号、温度信号及び検出信号をこの順に通過させるように構成され、
前記信号処理手段は、前記基準信号に対応した基準情報Ａに基づく演算処理、その演算処理結果並びに前記温度信号に対応した温度情報Ｔに基づく演算処理、その演算処理結果並びに前記検出信号に対応した圧力情報Ｄに基づく演算処理を順次行うことによって、印加圧力Ｐを算出するように構成されていることを特徴とする請求項１記載の圧力センサ装置。
【請求項３】
前記Ａ／Ｄ変換回路は、反転動作時間が電源電圧に応じて変化する複数個の反転回路をリング状に連結して成るリングゲート遅延回路を含んで成り、前記検出信号、温度信号及び基準信号が上記リングゲート遅延回路に電源電圧として与えられた各状態で当該リングゲート遅延回路にパルス信号が入力されたときのパルス信号周回数に基づいて上記検出信号、温度信号及び基準信号をデジタルデータに変換する構成のものであることを特徴とする請求項１または２記載の圧力センサ装置。
【請求項４】
前記信号処理手段は、前記Ａ／Ｄ変換回路により前記温度信号がデジタルデータに変換されるサンプリング時間中に、前記基準情報Ａに基づく演算処理を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の圧力センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧力センサ回路からのアナログ量の検出信号をＡ／Ｄ変換回路によりデジタルデータに変換した後に信号処理することによって圧力を検出するようにした圧力センサ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、例えば半導体圧力センサ装置においては、半導体圧力センサより成る圧力センサ回路から出力された検出信号（電圧信号）をＡ／Ｄ変換回路によってデジタルデータに変換し、この変換後のデータをマイクロコンピュータにより演算処理することによって、圧力センサ回路による検出圧力に応じた検出値を得る構成が一般的になっている。
【０００３】
このようなデータ処理を行う場合には、圧力センサ回路の温度に応じたレベルの温度信号（電圧信号）を発生する温度検出回路を設け、マイクロコンピュータによる圧力検出値の演算処理時においては、上記温度信号をＡ／Ｄ変換回路によりデジタルデータに変換し、この変換データに基づいて上記圧力検出値を温度補正する構成としている。また、回路素子の温度特性のばらつきなどに起因した圧力検出精度の低下を防止するために、圧力センサ回路に作用する圧力及び温度と無関係に一定の電圧レベルとなる基準信号を発生する基準電圧発生回路を設け、マイクロコンピュータによる圧力検出値の演算処理時には、上記基準信号をＡ／Ｄ変換回路により変換したデジタルデータに基づいた補正演算処理を行う構成とすることも行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
近年では、半導体圧力装置を、所謂マイコンガスメータなどを利用した家庭用保安システムや携帯用機器に使用するニーズが増えてきており、この場合には電源として電池を利用することになる。このような電池駆動を行う場合、電力消費量を小さくして電池の消耗を抑制するためには、前記検出信号、温度信号及び基準信号のデジタル変換データを利用した演算処理の速度を高めることによって、応答時間（圧力検出値を出力するまでの時間）を短縮することが望ましいものである。
【０００５】
ところが、従来では、上記のような演算所要時間の短縮については深く考慮しておらず、これに起因した電池消耗については看過しているのが実情であった。尚、演算所要時間の短縮のためには、マイクロコンピュータのクロック周波数を高めることが考えられるが、これではコスト高になるという新たな問題点が出てくる。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、圧力検出値の高精度化を実現できると共に、その圧力検出値の演算に必要な時間をハードウエア構成の変更に起因したコストの上昇を伴うことなく短縮できるようになる圧力センサ装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために請求項１記載の手段を採用することができる。この手段によれば、アナログマルチプレクサは、基準電圧発生回路からの基準信号及び検出回路からの温度信号を通過させた後に、圧力センサ回路からの検出信号を通過させるようになる。このようにアナログマルチプレクサを通過した各信号は、Ａ／Ｄ変換回路によりデジタルデータに変換される。
【０００８】
信号処理手段は、上記のようにＡ／Ｄ変換回路により変換されたデジタルデータに基づいた演算処理を行うことにより前記検出信号に応じた圧力検出値を算出するものである。具体的には、圧力センサ回路に対する印加圧力をＰ、検出信号、温度信号及び基準信号をＡ／Ｄ変換回路により変換した各デジタルデータをそれぞれ圧力情報Ｄ、温度情報Ｔ及び基準情報Ａ、また、圧力センサ回路の感度の温度係数をｃ、圧力センサ回路の室温感度をｄ、圧力検出値のオフセットの温度係数をｅ、圧力検出値の室温オフセット値をｆ、温度検出値の温度係数をａ、温度検出値の室温オフセット値をｂとした場合に、
0003876483.tif 000002
の演算処理を実行して印加圧力Ｐ、つまり圧力検出値を算出する。
【０００９】
このような演算処理によれば、検出信号に応じた圧力情報Ｄが、温度信号に応じた温度情報Ｔ及び基準信号に応じた基準情報Ａにより補正されることになり、結果的に圧力検出値の高精度化を実現できるようになる。
【００１０】
この場合、信号処理手段は、上記のような印加圧力Ｐの算出時において、まず、検出信号に先立ってアナログマルチプレクサを通過する基準信号及び温度信号に対応したデジタルデータ（基準情報Ａ及び温度情報Ｔ）に基づく演算処理、つまり、｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（−ｅ／ａ）−ｆ｝の演算、並びに｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×ｃ／ａ＋ｄ｝の演算をそれぞれ行うことができる。そして、この後に、上記演算処理結果並びに前記検出信号に対応したデジタルデータ（圧力情報Ｄ）に基づく演算処理、つまり、
0003876483.tif 000003
の演算を行うことにより、前記印加圧力Ｐを算出することになる。
【００１１】
ここで、上記▲１▼式に基づいて印加圧力Ｐの演算処理を行う際には、圧力情報Ｄを使用した演算（Ｄ／Ａの演算、その演算結果の加算、並びに最後に行う割算）以外の演算、つまり演算回数が多くてその処理時間が比較的長くならざるを得ない演算処理であるところの、｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（−ｅ／ａ）−ｆ｝の演算と、｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×ｃ／ａ＋ｄ｝の演算については、先行して実行可能であることが分かる。
【００１２】
一方、Ａ／Ｄ変換回路は、その変換データを出力するまでに一定のサンプリング時間が必要になるという性質があるため、圧力情報Ｄのサンプリング時間中において、これより先にデジタルデータに変換されている基準情報Ａ及び温度情報Ｔに基づく上記のような演算処理を先行して行うことが可能である。この場合、前記信号処理手段は、前記Ａ／Ｄ変換回路により前記検出信号がデジタルデータに変換されるサンプリング時間中（つまり、圧力情報Ｄのサンプリング時間中）に、温度情報Ｔに基づく演算処理を行う構成となっており、このような順序で演算処理を行った場合には、圧力検出値の演算に要する時間を短縮できるようになる。しかも、上記のように圧力検出値の演算所要時間の短縮を実現するために、演算プログラムを動かすためのクロック周波数を高めるなどのハードウエア構成の変更を伴うことがないから、コストの上昇を未然に防止できるようになる。
【００１３】
請求項２記載の手段によれば、アナログマルチプレクサは、前記基準信号、温度信号及び検出信号をこの順に通過させるようになり、このようにアナログマルチプレクサを通過した各信号は、Ａ／Ｄ変換回路によりデジタルデータに変換される。信号処理手段は、このようにＡ／Ｄ変換回路により変換されたデジタルデータに基づいて前記▲１▼式の演算を行うことにより圧力検出値を算出する。
【００１４】
この場合、デジタルデータの割算は加算器を利用して行うことが一般的となっており、Ｔ／Ａの演算並びにＤ／Ａの演算、つまり基準情報Ａを除数とした割算を加算器を利用して行う際には、当該基準情報Ａの補数を演算する必要がある。しかるに、信号処理手段には、まず基準情報Ａが与えられるから、その基準情報Ａの補数の演算を最初に行うことができる。この後に上記演算処理結果並びに温度信号に対応した温度情報Ｔに基づく演算処理、その演算処理結果並びに検出信号に対応した圧力情報Ｄに基づく演算処理を順次行うことができるものであり、これにより、圧力検出値の演算に要する時間をさらに短縮できるようになる。
【００１５】
請求項３記載の手段によれば、圧力センサ回路からの検出信号、温度検出回路からの温度信号、基準電圧発生回路からの基準信号を、Ａ／Ｄ変換回路内のリングゲート遅延回路に電源電圧として与えると、当該Ａ／Ｄ変換回路は、このように電源電圧が与えられた各状態でリングゲート遅延回路にパルス信号が入力されたときのパルス信号周回数に基づいて上記検出信号、温度信号及び基準信号をデジタルデータに変換するようになる。
このようなリングゲート遅延回路を利用したＡ／Ｄ変換回路にあっては、変換速度の大幅な向上を実現できるという利点があるため、圧力検出値の算出のために必要な時間の大幅な短縮を実現できるようになる。
【００１６】
請求項４記載の手段によれば、前記信号処理手段は、前記Ａ／Ｄ変換回路により前記検出信号がデジタルデータに変換されるサンプリング時間中（つまり、圧力情報Ｄのサンプリング時間中）に、前記基準情報Ａに基づく演算処理を行う構成となっている。この場合、前にも述べたように、Ａ／Ｄ変換回路は、その変換データを出力するまでに一定のサンプリング時間が必要になるという性質があるため、圧力情報Ｄのサンプリング時間中において、これより先にデジタルデータに変換されている基準情報Ａに基づく上記のような演算処理を先行して行うことが可能である。従って、このような順序で演算処理を行った場合には、圧力検出値の演算に要する時間を短縮できるようになる。しかも、上記のように圧力検出値の演算所要時間の短縮を実現するために、演算プログラムを動かすためのクロック周波数を高めるなどのハードウエア構成の変更を伴うことがないから、コストの上昇を未然に防止できるようになる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する。
全体の電気的構成を示す図１において、本実施例による半導体圧力センサ装置は、圧力検出用のセンサ部１と、このセンサ部１からの出力を処理するための信号処理部２とを備えた構成となっており、これらセンサ部１及び信号処理部２は、異なる半導体チップ上に分離した状態で形成されている。
【００１８】
センサ部１は、ピエゾ抵抗係数が大きな半導体チップ（例えばシリコン単結晶基板）を利用して形成されたもので、圧力検出用ブリッジ回路３（本発明でいう圧力センサ回路に相当）と、この圧力検出用ブリッジ回路３の温度を検出するための温度検出用ブリッジ回路４（本発明でいう温度検出回路に相当）とにより構成されている。
【００１９】
これらのうち、圧力検出用ブリッジ回路３は、半導体チップに設けたダイヤフラム上に拡散抵抗により形成した抵抗素子Ｒd1、Ｒd2、Ｒd3、Ｒd4を図示のようにフルブリッジ接続して成るもので、印加圧力の増大に応じて各抵抗素子Ｒd1、Ｒd2、Ｒd3、Ｒd4の抵抗値が図１に矢印で示す態様（上向きの矢印は抵抗値が増加することを示し、下向きの矢印は抵抗値が減少することを示す）で変化する構成となっている。また、圧力検出用ブリッジ回路３の入力端子Ｐ１及びＰ２間には、定電圧電源端子＋Ｖccから一定電圧が印加されるようになっている。
【００２０】
従って、圧力検出用ブリッジ回路３の一方の出力端子Ｑ１（抵抗素子Ｒd1及びＲd2の共通接続点）の電位は印加圧力の増大に応じて上昇し、また、他方の出力端子Ｑ２（抵抗素子Ｒd3及びＲd4の共通接続点）の電位は印加圧力の増大に応じて低下するものであり、出力端子Ｑ１及びＱ２間からは、印加圧力に応じた電圧レベルの検出信号Ｓｄが出力されることになる。尚、上記検出信号Ｓｄは、圧力検出用ブリッジ回路３の温度にも依存して変動するものであり、斯様な温度ドリフト除去用のデータを得るために前記温度検出用ブリッジ回路４が設けられている。
【００２１】
この温度検出用ブリッジ回路４は、拡散抵抗（温度係数は１５００〜１７００ppm/℃程度）により形成された感温抵抗素子Ｒt1、Ｒt2と、温度係数が零に近い材料である例えばＣｒＳｉにより形成された抵抗素子Ｒc1、Ｒc2とを図示のようにフルブリッジ接続することにより構成されている。また、温度検出用ブリッジ回路４の入力端子Ｐ３及びＰ４間にも、定電圧電源端子＋Ｖccから一定電圧が印加されるようになっている。
【００２２】
従って、温度検出用ブリッジ回路４の一方の出力端子Ｑ３（感温抵抗素子Ｒt1及び抵抗素子Ｒc1の共通接続点）の電位は検出温度の上昇に応じて上昇し、また、他方の出力端子Ｑ４（感温抵抗素子Ｒt2及び抵抗素子Ｒc2の共通接続点）の電位は検出温度の低下に応じて低下するものであり、出力端子Ｑ３及びＱ４間からは、圧力検出用ブリッジ回路３の温度に応じた電圧レベルの温度信号Ｓｔが出力されることになる。
【００２３】
一方、前記信号処理部２は、半導体チップ上に以下に述べるような各回路要素を形成した構成となっている。
基準電圧発生回路５は、拡散抵抗により形成した抵抗素子Ｒa1及びＲa2を備えたもので、それら抵抗素子Ｒa1及びＲa2の直列回路を定電圧電源端子＋Ｖcc及びグランド端子間に接続した構成となっている。この場合、抵抗素子Ｒa1及びＲa2の温度係数は厳密に一致するものであり、従って、基準電圧発生回路５の出力端子Ｑ５（抵抗素子Ｒa1及びＲa2の共通接続点）からは、前記圧力検出用ブリッジ回路３に作用する圧力（被検出圧力）及び当該ブリッジ回路３の温度と無関係に一定の電圧レベルとなる基準信号Ｓａが出力されることになる。尚、この基準電圧発生回路５は、前記センサ部１側の半導体チップ上に形成することも可能である。
【００２４】
アナログマルチプレクサ６は、上記圧力検出用ブリッジ回路３からの検出信号Ｓｄ、温度検出用ブリッジ回路４からの温度信号Ｓｔ、基準電圧発生回路５からの基準信号Ｓａを、後述する制御ブロック７から与えられるセレクト信号に基づいて選択出力するためのものである。
【００２５】
高入力インピーダンス差動増幅回路８は、オペアンプ８ａ、８ｂ及び抵抗８ｃ、８ｄ、８ｅを組み合わせて成る周知構成のもので、前記アナログマルチプレクサ６から出力される信号を増幅してＡ／Ｄ変換回路９に与えるようになっている。尚、差動増幅回路８の電源は、前記定電圧電源端子＋Ｖccから与えられるようになっている。
【００２６】
上記Ａ／Ｄ変換回路９は、基本的には特開平５−２５９９０７号公報に記載されたＡ／Ｄ変換回路と同様構成のものであり、詳細には図示しないが、反転動作時間が電源電圧に応じて変化するＮＡＮＤゲート１０ａ（本発明でいう反転回路に相当）と、同じく反転動作時間が電源電圧に応じて変化する偶数個のインバータ１０ｂ（同じく本発明でいう反転回路に相当）とをリング状に連結して成るリングゲート遅延回路１０（以下の説明では、リングゲート遅延回路をＲＧＤ（Ring Gate Delay ）と略称する）、このＲＧＤ１０内でのパルス信号の周回数をカウントするための周回数カウンタ１１、この周回数カウンタ１１の計数値を上位ビットとし、且つＲＧＤ１０内の各インバータ１０ｂの出力を下位ビットとして格納するためのスタックメモリ１２などを含んで構成されている。
【００２７】
このような構成のＡ／Ｄ変換回路９による変換原理の大略は以下の通りである。即ち、ＲＧＤ１０内のＮＡＮＤゲート１０ａに対し、図２に示すようなパルス信号ＰＡを与えると、ＮＡＮＤゲート１０ａ及び各インバータ１０ｂがその電源電圧に応じた速度で逐次的に反転動作を開始して、そのパルス信号ＰＡの入力期間中は信号周回動作が継続して行われるものであり、斯様なパルス信号周回数を示す二進数のデジタルデータが、スタックメモリ１２に対しリアルタイムで与えられることになる。この後、図２に示すように、一定のサンプリング周期Δｔ（例えば〜１００μ秒）を得るためのパルス信号ＰＢの立上がり毎にスタックメモリ１２をラッチすれば、そのスタックメモリ１２内の各ラッチデータの差に基づいて、インバータ１０ｂに与えられている電源電圧を二進数のデジタルデータに変換した値が得られるようになる。
【００２８】
この場合、ＲＧＤ１０内のＮＡＮＤゲート１０ａ及びインバータ１０ｂには、前記差動増幅回路８から電源電圧が与えられる構成となっている。従って、Ａ／Ｄ変換回路９にあっては、差動増幅回路８からの出力信号、つまり、アナログマルチプレクサ６を通じて選択出力される検出信号Ｓｄ、温度信号Ｓｔ及び基準信号Ｓａをデジタルデータに変換することになる。
【００２９】
尚、以下においては、Ａ／Ｄ変換回路９による変換データのうち、検出信号Ｓｄに対応したデジタルデータを圧力情報Ｄ、温度信号Ｓｔに対応したデジタルデータを温度情報Ｔ、基準信号Ｓａに対応したデジタルデータを基準情報Ａと呼ぶことにする。
【００３０】
ここで、圧力情報Ｄと圧力検出用ブリッジ回路３に対する印加圧力Ｐとの間には次式▲２▼のような関係がある。
Ｄ＝｛（ｃｔ＋ｄ）×Ｐ＋ｅｔ＋ｆ｝×β（ｔ）        ……▲２▼
但し、ｔ：圧力検出用ブリッジ回路３の温度
ｃ：圧力検出用ブリッジ回路３の感度の温度係数
ｄ：圧力検出用ブリッジ回路３の室温感度
ｅ：圧力検出値のオフセットの温度係数
ｆ：圧力検出値の室温オフセット値
また、β（ｔ）は、差動増幅回路８の温度特性やＲＧＤ１０の遅延時間の温度特性などに依存した非線形項であり、これが圧力検出値の精度劣化の要因となるものである。
【００３１】
上記▲２▼式からＰの解を得るためには、ｔが必要であり、また、非線形の係数であるβ（ｔ）を除去する必要がある。このため、温度検出用ブリッジ回路４を通じて温度情報Ｔを得ると共に、基準電圧発生回路５を通じて基準情報Ａを得るようにしている。
【００３２】
この場合、温度情報Ｔと圧力検出用ブリッジ回路３の温度ｔとの間には次式▲３▼のような関係が存在するものである。
Ｔ＝（ａｔ＋ｂ）×β（ｔ）        ……▲３▼
但し、ａ：温度検出値の温度係数
ｂ：温度検出値の室温オフセット値
【００３３】
また、基準情報Ａは、圧力検出用ブリッジ回路３に作用する圧力及び温度と無関係に一定の電圧レベルとなる基準信号Ｓａを、差動増幅回路８により増幅し且つＡ／Ｄ変換回路９によりデジタル変換したデータであるから、次式▲４▼が成立することになる。
【００３４】
Ａ＝β（ｔ）        ……▲４▼
【００３５】
上記▲３▼、▲４▼の式を用いてＰについて解くと、非線形項β（ｔ）が削除された状態の次式▲１▼が得られる。
0003876483.tif 000004
【００３６】
ＥＰＲＯＭ１３には、▲１▼式に基づいた圧力Ｐの演算に必要な係数ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆが補正係数として予め記憶されている。
【００３７】
補正演算回路１４（本発明でいう信号処理手段に相当）は、上記▲１▼式を利用した圧力Ｐの演算を、制御ブロック７からの指令を受けて行うものであり、その演算時には、スタックメモリ１２から読み出した圧力情報Ｄ、温度情報Ｔ及び基準情報Ａ、並びにＥＰＲＯＭ１３から読み出した補正係数（ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ）を使用する構成となっている。そして、補正演算回路１４による演算結果は、センサ部１による検出圧力を示す圧力データとしてＩ／Ｏブロック１５から出力される。
【００３８】
上記▲１▼式の演算において重要なことは、非線形項β（ｔ）が消去されている点であるが、このような非線形項β（ｔ）の消去は、前記▲２▼〜▲４▼式中の各非線形項β（ｔ）が同じであるという条件が成立して初めて可能になるものである。このような消去条件が成立するためには、圧力情報Ｄ、温度情報Ｔ及び基準情報Ａの動作点を同じ状態にする必要がある。
【００３９】
しかしながら、実際の回路構成上においては、圧力情報Ｄ、温度情報Ｔ及び基準情報Ａの発生源である圧力検出用ブリッジ回路３、温度検出用ブリッジ回路４及び基準電圧発生回路５内における抵抗値のばらつきなどに起因したオフセットが避けられないため、それら圧力情報Ｄ、温度情報Ｔ及び基準情報Ａが、要求される設計値と異なってくるという事情がある。このため、上記のような非線形項β（ｔ）の消去条件が成立しなくなる場合があり、このような場合には、▲１▼式の演算で得られる圧力データ中に非線形成分による誤差が残ることになって、圧力検出精度が劣化するという問題点が出てくる。
【００４０】
このような問題点を解決するために、本実施例では、信号処理部２内に補正回路１６を設ける構成としている。
この補正回路１６において、ＥＰＲＯＭ１７、１８及び１９には、圧力センサ装置の製造工程上における調整段階で以下に述べるような補正用の電圧データが記憶されるようになっている。
【００４１】
即ち、ＥＰＲＯＭ１７には、圧力検出用ブリッジ回路３に対して標準的な圧力を加えたときに出力される検出信号Ｓｄを差動増幅回路８により増幅した後の電圧レベルと、予め設定された圧力検出用標準電圧レベルとの差に対応した補正電圧データＶｄが量子化された状態で記憶されている。また、ＥＰＲＯＭ１８には、温度検出用ブリッジ回路４に対して標準的な温度を加えたときに出力される温度信号Ｓｔを差動増幅回路８により増幅した後の電圧レベルと、予め設定された温度検出用標準電圧レベルとの差に対応した補正電圧データＶｔが量子化された状態で記憶されている。さらに、ＥＰＲＯＭ１９には、基準電圧発生回路から出力される基準信号Ｓａを差動増幅回路８により増幅した後の電圧レベルと、予め設定された標準的な基準電圧レベルとの差に対応した補正電圧データＶａが量子化された状態で記憶されている。
【００４２】
補正回路１６において、セレクタ２０は、上記ＥＰＲＯＭ１７、１８及び１９の記憶データを、制御ブロック７からのセレクト信号に基づいて選択的に出力するために設けられており、また、Ｄ／Ａ変換回路２１は、このセレクタ２０を通じて出力される補正電圧データをアナログ値の電圧信号に変換するために設けられている。そして、Ｄ／Ａ変換回路２１からの電圧信号は、インピーダンス整合用のバッファ２２及び抵抗２３を介して前記差動増幅回路８の出力信号に重畳される構成となっている。
【００４３】
さて、図３には、制御ブロック７による制御内容が概略的に示されており、以下これについて図２も参照しながら説明する。尚、図２は、アナログマルチプレクサ６からの信号出力タイミング、前記パルス信号ＰＡ及びＰＢの出力タイミング、補正演算回路１４での演算タイミング及び演算内容（これは符号（１）〜（10）で表されている）を示すものである。
【００４４】
即ち、制御ブロック７は、まず、アナログマルチプレクサ６に対して、基準電圧発生回路５からの基準信号Ｓａを選択するためのセレクト信号を出力すると共に、補正回路１６内のセレクタ２０に対して、ＥＰＲＯＭ１９に記憶された補正電圧データＶａを選択するためのセレクト信号を出力する（ステップＳ１、Ｓ２）。
【００４５】
すると、差動増幅回路８から上記基準信号Ｓａを増幅した電圧信号が出力されると共に、Ｄ／Ａ変換回路２１から上記補正電圧データＶａをアナログ変換した電圧信号が出力されて上記差動増幅回路８からの電圧信号に重畳されるようになり、このように補正電圧データＶａの成分が重畳された状態の電圧信号が、Ａ／Ｄ変換回路９内のＲＧＤ１０に対しＡ／Ｄ変換対象信号として印加されるようになる。
【００４６】
この後、制御ブロック７は、パルス信号ＰＡ及びＰＢの出力制御ルーチンＳ３を実行する。このルーチンＳ３では、図２に示す時刻ｔ１〜ｔ２の期間中においてパルス信号ＰＡを出力すると共に、その時刻ｔ１後においてパルス信号ＰＢを図２に示すようなタイミング（具体的には、時刻ｔ１〜ｔ２の期間において４回立ち上がる状態）で出力する。
【００４７】
これにより、パルス信号ＰＡの出力期間中において、ＲＧＤ１０内で信号周回動作が継続して行われると共に、パルス信号ＰＢの立上がり毎にスタックメモリ１２がラッチされるものであり、そのラッチデータの差（例えば３回目の立ち上がりと４回目の立ち上がりにおける各ラッチデータの差）に基づいて、差動増幅回路８からの電圧信号（基準信号Ｓａを増幅した電圧信号に対し補正電圧データＶａの成分が重畳された状態の電圧信号）に応じたデジタルデータが基準情報Ａとして得られるようになる。
【００４８】
制御ブロック７は、上記出力制御ルーチンＳ３の実行に応じて基準情報Ａを取り込んだ後には、当該基準情報Ａの補数を得るための演算（１）を補正演算回路１４により実行させる（ルーチンＳ４）。ここで、前記▲１▼式中の「Ｔ／Ａ」の演算、つまり二進数の基準情報Ａを除数とした演算を、例えば加算器を用いた割り算により実行する場合にはＡについての２の補数を得る必要があるものであり、このために上記演算ルーチンＳ４においては、Ａの各桁の１と０を入れ替えることにより１の補数を得ると共に、この１の補数に１を加えてＡについての２の補数を得る演算を行うようにしている。
【００４９】
制御ブロック７は、上記演算ルーチンＳ４の実行後には、アナログマルチプレクサ６に対して、基準電圧発生回路５からの温度信号Ｓｔを選択するためのセレクト信号を出力すると共に、補正回路１６内のセレクタ２０に対して、ＥＰＲＯＭ１８に記憶された補正電圧データＶｔを選択するためのセレクト信号を出力する（ステップＳ５、Ｓ６）。
【００５０】
すると、差動増幅回路８から上記温度信号Ｓｔを増幅した電圧信号が出力されると共に、Ｄ／Ａ変換回路２１から上記補正電圧データＶｔをアナログ変換した電圧信号が出力されて上記差動増幅回路８からの電圧信号に重畳されるようになり、このように補正電圧データＶｔの成分が重畳された状態の電圧信号が、Ａ／Ｄ変換回路９内のＲＧＤ１０に対しＡ／Ｄ変換対象信号として印加されるようになる。
【００５１】
この後、制御ブロック７は、パルス信号ＰＡ及びＰＢの出力制御ルーチンＳ７を実行する。このルーチンＳ７では、図２に示す時刻ｔ３〜ｔ４の期間中においてパルス信号ＰＡを出力すると共に、その時刻ｔ３後においてパルス信号ＰＢを図２に示すようなタイミングで出力する。
【００５２】
これにより、パルス信号ＰＡの出力期間中において、ＲＧＤ１０内で信号周回動作が継続して行われると共に、パルス信号ＰＢの立上がり毎にスタックメモリ１２がラッチされるものであり、そのラッチデータの差に基づいて、差動増幅回路８からの電圧信号（温度信号Ｓｔを増幅した電圧信号に対し補正電圧データＶｔの成分が重畳された状態の電圧信号）に応じたデジタルデータが温度情報Ｔとして得られるようになる。
【００５３】
制御ブロック７は、上記出力制御ルーチンＳ７の実行に応じて温度情報Ｔを取り込んだ後には、前記▲１▼式中の演算項目のうち、圧力情報Ｄが不必要な下記の演算（２）〜（７）を補正演算回路１４に実行させる（ルーチンＳ８）。尚、この演算時には、上記温度情報Ｔの他に、前記演算ルーチンＳ４で演算した基準情報Ａの補数並びにＥＰＲＯＭ１３から読み出した補正係数（ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ）が使用される。
【００５４】
演算（２）…Ｔ／Ａ＝δ１
演算（３）…Ｔ／Ａ−ｂ＝δ１−ｂ＝δ２
演算（４）…（Ｔ／Ａ−ｂ）×（−ｅ／ａ）＝δ２×（−ｅ／ａ）＝δ３
演算（５）…（Ｔ／Ａ−ｂ）×（−ｅ／ａ）−ｆ＝δ３−ｆ＝δ４
演算（６）…（Ｔ／Ａ−ｂ）×ｃ／ａ＝δ２×ｃ／ａ＝δ５
演算（７）…（Ｔ／Ａ−ｂ）×ｃ／ａ＋ｄ＝δ５＋ｄ＝δ６
【００５５】
制御ブロック７は、上記演算ルーチンＳ８の実行後には、アナログマルチプレクサ６に対して、基準電圧発生回路５からの検出信号Ｓｄを選択するためのセレクト信号を出力すると共に、補正回路１６内のセレクタ２０に対して、ＥＰＲＯＭ１７に記憶された補正電圧データＶｄを選択するためのセレクト信号を出力する（ステップＳ９、Ｓ１０）。
【００５６】
すると、差動増幅回路８から上記検出信号Ｓｄを増幅した電圧信号が出力されると共に、Ｄ／Ａ変換回路２１から上記補正電圧データＶｄをアナログ変換した電圧信号が出力されて上記差動増幅回路８からの電圧信号に重畳されるようになり、このように補正電圧データＶｄの成分が重畳された状態の電圧信号が、Ａ／Ｄ変換回路９内のＲＧＤ１０に対しＡ／Ｄ変換対象信号として印加されるようになる。
【００５７】
この後、制御ブロック７は、パルス信号ＰＡ及びＰＢの出力制御ルーチンＳ１１を実行する。このルーチンＳ１１では、図２に示す時刻ｔ５〜ｔ６の期間中においてパルス信号ＰＡを出力すると共に、その時刻ｔ５後においてパルス信号ＰＢを図２に示すようなタイミングで出力する。
【００５８】
これにより、パルス信号ＰＡの出力期間中において、ＲＧＤ１０内で信号周回動作が継続して行われると共に、パルス信号ＰＢの立上がり毎にスタックメモリ１２がラッチされるものであり、そのラッチデータの差に基づいて、差動増幅回路８からの電圧信号（検出信号Ｓｄを増幅した電圧信号に対し補正電圧データＶｄの成分が重畳された状態の電圧信号）に応じたデジタルデータが圧力情報Ｄとして得られるようになる。
【００５９】
尚、本実施例の場合、上述した出力制御ルーチンＳ３、Ｓ７、Ｓ１１の実行時において、スタックメモリ１２からラッチデータの差に基づいたデジタルデータを３回取り込むことができるから、それらを平均化した値をデジタルデータ（基準情報Ａ、温度情報Ｔ及び圧力情報Ｄ）として得る構成とすることもできる。
【００６０】
制御ブロック７は、上記出力制御ルーチンＳ１１の実行に応じて圧力情報Ｄを取り込んだ後には、下記の演算（８）〜（10）を補正演算回路１４に実行させる（ルーチンＳ１２）。尚、この演算時には、上記圧力情報Ｄの他に、前記演算ルーチンＳ４及びＳ８での演算結果が使用されるものであり、特に、演算（10）は、前記▲１▼式に基づいて印加圧力Ｐを得るための演算である。
【００６１】
0003876483.tif 000005
【００６２】
制御ブロック７は、上記演算ルーチンＳ１２の実行後には、最終的な演算結果（つまり印加圧力Ｐを示す情報）を、センサ部１による検出圧力を示す圧力データとしてＩ／Ｏブロック１５から出力するようになる。
【００６３】
この後、制御ブロック７は、所定の待機時間が経過するまで待機し（ステップＳ１４）、当該待機時間が経過したときにステップＳ１へ戻るようになる。従って、一連の圧力検出動作（Ｓ１〜Ｓ１３）は、上記待機時間が経過する毎に周期的に行われることになる。
【００６４】
要するに上記した本実施例によれば、補正演算回路１４は、印加圧力Ｐの算出時において、まず、検出信号Ｓｄ及び温度信号Ｓｔに先立ってアナログマルチプレクサ６を通過する基準信号Ｓａに対応したデジタルデータ（基準情報Ａ）についての補数の演算（１）を行った後に、検出信号Ｓｄに先立ってアナログマルチプレクサ６を通過する温度信号Ｓｔに対応したデジタルデータ（温度情報Ｔ）に基づく演算（２）〜（７）、つまり、｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（−ｅ／ａ）−ｆ｝の演算、並びに｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×ｃ／ａ＋ｄ｝の演算をそれぞれ行うものである。そして、この後に、上記演算処理結果並びに前記検出信号Ｓｄに対応したデジタルデータ（圧力情報Ｄ）に基づく演算（８）〜（10）、つまり、
0003876483.tif 000006
の演算を行うことにより、前記印加圧力Ｐを算出するものである。
【００６５】
ここで、上記のように印加圧力Ｐの演算処理を行う際には、圧力情報Ｄを使用した演算（Ｄ／Ａの演算、その演算結果の加算、並びに最後に行う割算）以外の演算、つまり演算回数が多くてその処理時間が比較的長くならざるを得ない演算処理である｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×（−ｅ／ａ）−ｆ｝の演算、並びに｛（Ｔ／Ａ−ｂ）×ｃ／ａ＋ｄ｝の演算については、先行して実行可能である。一方、Ａ／Ｄ変換回路９は、その変換データを出力するまでにある程度のサンプリング時間（〜１００μ秒）が必要になるという性質があるため、圧力情報Ｄのサンプリング時間中（Ａ／Ｄ変換回路９により前記検出信号Ｓｄがデジタルデータに変換されるサンプリング時間中）において、これより先にデジタルデータに変換されている基準情報Ａに基づく演算（１）、及び温度情報Ｔに基づく演算（２）〜（７）をこの順で先行して行った後に、圧力情報Ｄが必要な演算（７）〜（10）を行うことが可能であり、このような順序で演算処理を行うことにより、印加圧力Ｐ（圧力検出値）の演算に要する時間を短縮できるようになる。
【００６６】
従って、演算処理時間が長引くことに起因した消費電力の増大を未然に防止できるようになり、特に、電池駆動とする場合には、その電池の消耗を抑制できることになる。また、圧力検出値の演算所要時間の短縮を実現するために、演算プログラムを動かすためのクロック周波数を高めるなどのハードウエア構成の変更を伴うことがないから、コストの上昇も未然に防止できるようになる。
【００６７】
しかも、上記のような演算処理によれば、検出信号Ｓｄに応じた圧力情報Ｄが、温度信号Ｓｔに応じた温度情報Ｔ及び基準信号Ｓａに応じた基準情報Ａにより補正されることになり、結果的に斯様な演算処理により得られる圧力検出値の高精度化を実現できるようになる。
【００６８】
本実施例のように、ＲＧＤ１０を利用したＡ／Ｄ変換回路９にあっては、変換速度の大幅な向上（つまりサンプリング時間の大幅な短縮）を実現できるという利点があるため、圧力検出値の算出に必要な時間をさらに短縮できるようになり、この面からも消費電力を抑制できるようになる。
【００６９】
尚、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
差動増幅回路８は必要に応じて設ければ良い。但し、差動増幅回路８を設けない場合には、これに代わるインピーダンス変換回路を設けることが望ましい。Ａ／Ｄ変換回路９内のＲＧＤ１０は、基本的な構成例を示したものであり、これと異なる構成のＲＧＤを設けることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す全体の電気的構成図
【図２】作用説明用のタイミングチャート
【図３】制御ブロックによる制御内容を示すフローチャート
【符号の説明】
１はセンサ部、２は信号処理部、３は圧力検出用ブリッジ回路（圧力センサ回路）、４は温度検出用ブリッジ回路（温度検出回路）、５は基準電圧発生回路、６はアナログマルチプレクサ、７は制御ブロック、８は差動増幅回路、９はＡ／Ｄ変換回路、１０はリングゲート遅延回路、１０ａはＮＡＮＤゲート（反転回路）、１０ｂはインバータ（反転回路）、１１は周回数カウンタ、１２はスタックメモリ、１４は補正演算回路（信号処理手段）、１６は補正回路、１７、１８、１９はＥＰＲＯＭ、２０はセレクタ、２１はＤ／Ａ変換回路を示す。
【図１】
0003876483.tif 000007
【図２】
0003876483.tif 000008
【図３】
0003876483.tif 000009