(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された金属層と、
前記金属層上に形成された記録層とを具備し、前記記録層側から照射されたレーザー光を反射する光ディスクであって、
前記記録層は、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するポリシラン化合物部分と、下記一般式（ＩＩ）で示される繰り返し単位を有するポリシロキサン化合物部分とが同一平面上に配列されてなる珪素化合物層が複数積層されてなり、かつ前記ポリシラン化合物部分が前記複数の珪素化合物層の積層方向に連なって形成されている第１領域、前記ポリシラン化合物部分と前記ポリシロキサン化合物部分とが前記複数の珪素化合物層の積層方向に連なって形成されている第２領域、及び前記シロキサン化合物部分が前記複数の珪素化合物層の積層方向に連なって形成されている第３領域があり、前記レーザー光が照射された際に前記第１、第２及び第３領域からのレーザー光の反射量が互いに異なることを特徴とする光ディスク。
【化１】
0003986590.tif 000013
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
【化２】
0003986590.tif 000014
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
【請求項２】
前記珪素化合物層の各々は、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するポリシラン化合物層に対し一部露光によるパターンニングを施し、前記ポリシロキサン化合物部分を形成することを特徴とする請求項１記載の光ディスク。
【化３】
0003986590.tif 000015
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
【請求項３】
基板と、
前記基板上に形成された金属層と、
前記金属層上に形成された珪素化合物層とを具備し、前記珪素化合物層側から照射されたレーザー光を反射する光ディスクであって、
前記珪素化合物層は、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するポリシラン化合物部分と、下記一般式（ＩＩ）で示される繰り返し単位を有しかつ第１の着色顔料を含む第１ポリシロキサン化合物部分と、下記一般式（ＩＩ）で示される繰り返し単位を有しかつ前記第１の着色顔料とは異なる第２の着色顔料を含む第２ポリシロキサン化合物部分とが同一平面上に配列されてなり、前記ポリシラン化合物部分、第１ポリシロキサン化合物部分及び前記第２ポリシロキサン化合物部分からのレーザー光の反射量が互いに異なることを特徴とする光ディスク。
【化４】
0003986590.tif 000016
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
【化５】
0003986590.tif 000017
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
【請求項４】
前記珪素化合物層は、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するポリシラン化合物層に対し一部露光によるパターンニングを施した後、着色顔料にて着色して前記第１及び第２ポリシロキサン化合物部分を形成することにより作成されることを特徴とする請求項３記載の光ディスク。
【化６】
0003986590.tif 000018
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はコンパクトディスクをはじめとする光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０に従来のコンパクトディスクの断面概略図を示す。コンパクトディスクは、図１０に示す如くの３層構造を有している。プラスチック基板１表面のアルミニウム反射層２の片面にはピット３が形成されている。アルミニウム反射板２の逆側の面には保護層４が設けられている。
【０００３】
コンパクトディスクから記録の読み出しを行う場合、まず、レーザーダイオードから出た赤色領域のレーザー光がコンパクトディスク上で焦点を結ぶように対物レンズで集光され、プラスチック基板１側からコンパクトディスクに照射される。プラスチック基板１を通じてピット３がない部分に当たったレーザー光はそのまま反射して対物レンズに戻り、ピット３がある部分に当たったレーザー光は回折されて一部しか戻らない。このときの反射光の強弱を読みとり、これを電気信号に変換することにより記録の読み出しを行っている。
【０００４】
現在アルミニウム反射層に形成されるピットを微細化し密度を高めることにより、コンパクトディスクの記録密度を向上させる方法が模索されている。
しかしながら、アルミニウム反射層に形成されるピットを微細化すると、読み出し側で問題が生じる。すなわち記録を読み出すために使用するレーザー光を短波長化すること、あるいは反射光を高密度で絞り込む超解像技術が必要となる。しかし現在ではそのような技術は未だ確立されておらずコンパクトディスクの高密度化には限界があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、コンパクトディスクとして適用したときも現在用いられている赤色発振レーザー光を用いることができ、かつ記録密度の高い光ディスクを提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の光ディスクは、基板と、前記基板上に形成された金属層と、前記金属層上に形成された記録層とを具備し、前記記録層側から照射されたレーザー光を反射する光ディスクであって、
前記記録層は、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するポリシラン化合物部分と、下記一般式（ＩＩ）で示される繰り返し単位を有するシロキサン化合物部分とが同一平面上に配列されてなる珪素化合物層が複数積層されてなり、かつ前記ポリシラン化合物部分が前記複数の珪素化合物層の積層方向に連なって形成されている第１領域、前記ポリシラン化合物部分と前記シロキサン化合物部分とが前記複数の珪素化合物層の積層方向に連なって形成されている第２領域、及び前記シロキサン化合物部分が前記複数の珪素化合物層の積層方向に連なって形成されている第３領域があり、前記レーザー光が照射された際に前記第１、第２、及び第３領域からのレーザー光の反射量が互いに異なることを特徴とする光ディスクである。
【０００７】
【化７】
0003986590.tif 000002
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
【０００８】
【化８】
0003986590.tif 000003
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
前記第１の光ディスクにおいて、前記珪素化合物層の各々は、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するポリシラン化合物層に対し一部露光によるパターンニングを施し、前記ポリシロキサン化合物部分を形成することが望ましい。
【０００９】
【化９】
0003986590.tif 000004
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
また、本発明の第２の光ディスクは、基板と、前記基板上に形成された金属層と、前記金属層上に形成された珪素化合物層とを具備し、前記珪素化合物層側から照射されたレーザー光を反射する光ディスクであって、前記珪素化合物層は、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するポリシラン化合物部分と、下記一般式（ＩＩ）で示される繰り返し単位を有しかつ第１の着色顔料を含む第１ポリシロキサン化合物部分と、下記一般式（ＩＩ）で示される繰り返し単位を有しかつ前記第１の着色顔料とは異なる第２の着色顔料を含む第２ポリシロキサン化合物部分とが同一平面上に配列されてなり、前記ポリシラン化合物部分、第１ポリシロキサン化合物部分及び前記第２ポリシロキサン化合物部分からのレーザー光の反射量が互いに異なることを特徴とする光ディスクである。
【００１０】
【化１０】
0003986590.tif 000005
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
【００１１】
【化１１】
0003986590.tif 000006
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
前記第２の光ディスクにおいて、
前記珪素化合物層は、下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有するポリシラン化合物層に対し一部露光によるパターンニングを施した後、着色顔料にて着色して前記第１及び第２ポリシロキサン化合物部分を形成することにより作成されることが望ましい。
【００１２】
【化１２】
0003986590.tif 000007
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下に図を用いて請求項１、請求項２に記載された本発明の第１の光ディスクについて説明する。図１は本発明の第１の光ディスクの一例を示す断面概略図である。
【００１４】
基板１１上にはレーザー光１５の反射層となる金属層１２が形成されている。金属層１２上には珪素化合物層１３，１４が形成されている。珪素化合物層１３，１４は、ポリシラン化合物からなる部分１６とポリシロキサン化合物からなる部分１７がそれぞれ同一平面上に形成されており、この両者の部分の大きさ及び配列によって情報が記録されている。
【００１５】
ポリシラン化合物は下記一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物である。また、ポリシロキサン化合物は下記一般式（ＩＩ）で示される化合物である。
【００１６】
【化１３】
0003986590.tif 000008
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
【００１７】
【化１４】
0003986590.tif 000009
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
光ディスクにレーザー光１５が照射された際には、上記ポリシラン化合物とシロキサン化合物とはレーザー光の屈折率が異なるため（ポリシラン化合物は約１．９、ポリシロキサン化合物は約１．４）、金属板１２から反射されたレーザー光はポリシランからなる部分１６では回折されて一部しか戻らないが、ポリシロキサンからなる部分１７では回折は小さくポリシラン化合物からなる部分１６より多量に戻ることになる。この光の強弱を信号として検出することにより、情報を読み出すことができる。
【００１８】
なお、本発明にかかるポリシラン化合物を使用すると珪素化合物層１３、１４層には、従来のコンパクトディスクにおけるピットと同程度の微細パターンを形成することができる。さらに、珪素化合物層は複数層になっているため、本発明を適用したコンパクトディスクにおいては収納できる情報量は従来に比べて増大できる。  例えば珪素化合物層が２層である場合、例えば、図２に示すようにポリシロキサン化合物からなる部分１７が２層にわたって形成されている領域（２２）、ポリシロキサン化合物からなる部分１７が１層のみに形成されている領域（２１）、ポリシロキサン化合物からなる部分がどの層にも形成されていない領域（２３）とでそれぞれ反射されたレーザー光の量は異なるからそれぞれの光の量に応じて「０」，「１」，「２」の３種類の信号として検出することができる。このため珪素化合物層を複数層とした上記構造とすることにより、コンパクトディスクに収納できる情報量を高密度化することができる。
【００１９】
本発明において、珪素化合物層の積層数は多ければ多いほど高密度化が可能であるが、光ディスクからの反射レーザー光のＳ／Ｎ比を十分確保するため、あるいは位置合わせを容易に行うために５層以内とすることが望ましい。
【００２０】
本発明に係るポリシロキサン化合物からなる部分は、本発明に係るポリシラン化合物からなる薄膜を波長２５０ｎｍ〜３６０ｎｍの紫外光で露光することにより得ることができる。したがって、本発明の第１の光ディスクを得るには、まず、基板上に金属層を形成し、その上に、スピンコート法などで溶媒で溶解したポリシラン化合物からなる層を形成し、乾燥後、ポリシラン化合物からなる層にマスクなどを使用して所定パターンを露光することにより、ポリシラン化合物からなる部分と、ポリシロキサン化合物からなる部分とが同一平面上に配列されてなる珪素化合物層を形成することができる。さらにポリシラン化合物からなる層形成〜所定パターンを露光するまでの工程を繰り返すことにより、この層を複数層形成することができ、本発明の第１の光ディスクが得られる。
【００２１】
さらに図３に示すように、本発明の第１の光ディスクの外表面に半透明ミラー１８を形成することにより、光ディスクからの反射レーザー光のＳ／Ｎ比を増加させることができ、信号の検出が容易となり好ましい。
【００２２】
次に請求項３、請求項４に記載された本発明の第２の光ディスクについて図４を用いて説明する。図４は本発明の第２の光ディスクの一例を示す断面概略図である。
【００２３】
基板１１上には金属層１２が形成されている。金属層上には珪素化合物層３１が形成されている。珪素化合物層３１には、ポリシラン化合物からなる部分３５とポリシロキサン化合物からなる部分３２，３３，３４がそれぞれ同一平面上に形成されており、さらにポリシロキサン部分３２，３３，３４はそれぞれ異なる色を有する着色顔料を含有している。これらの各部分の大きさ及び配列によって情報が記録されている。
【００２４】
光ディスクにレーザー光が照射された際には、金属板から反射された反射光はポリシラン化合物からなる部分３５には着色顔料は添加されておらず、ポリシロキサン化合物からなる部分３２，３３，３４にはそれぞれ異なる色の着色顔料が添加されているためそれぞれレーザー光の透過率が異なる。したがって、３２，３３，３４および３５を透過した光はその強さが異なり、これらの光の強弱を信号例えば「０」，「１」，「２」，「３」として検出することにより、情報を読み出すことができる。このため上記構造とすることにより、信号の種類が増加し、本発明を適用したコンパクトディスクにおいては収納できる情報量を高密度化することができる。
【００２５】
本発明に係るポリシラン化合物は露光部が着色顔料により良く着色し着色安定性に優れている。
ポリシロキサン化合物からなる部分に含有される色数は、１色以上であれば良いが、多くすればするほど光ディスクに収納できる情報量を多くすることができる。
【００２６】
本発明の第２の光ディスクを得るには、基板上に金属層を形成し、その上に、スピンコート法などで溶媒で溶解したポリシラン化合物からなる層を形成し、乾燥する。その後、ポリシラン化合物からなる層にマスクなどを使用して所定パターンを露光することにより、ポリシラン化合物からなる部分と、ポリシロキサン化合物からなる部分とが同一平面上に配列されてなる珪素化合物層を形成することができる。さらに、赤色ならアンスラキノンレッド、ベーシック・レッド、ベーシックレッド２７、ソルベント・レッド１２５、ソルベント・レッド１３２、ソルベント・レッド８３、ソルベント・レッド１０９、ディスパース・レッド６０、ディスパース・レッド７２、ピグメント・レッド２２０、ピグメント・レッド５３：１等、青色ならフタロシアニンブルー、ベーシック・ブルー２６、ベーッシック・ブルー７７、ソルベント・ブルー２５、ディスパース・ブルー５６、ディスパース・ブルー６０、ピグメント・ブルー１５：３、ピグメント・ブルー６０等、緑色ならフタロシアニングリーン、ベーッシック・グリーン、ピグメント・グリーン７等の着色顔料を使用し、各着色顔料を溶解した溶液に基板上の珪素化合物層を浸漬することにより着色させ、その後乾燥する。さらに順次別色を着色するために露光〜着色工程を繰り返すことにより本発明の第２の光ディスクを得ることができる。
【００２７】
本発明の第１および第２の光ディスクにおいて、基板としては、耐久性の観点から、ガラス、プラスチックを使用することが望ましい。プラスチックとしてはポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラート、ポリエステル、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリアレート等が挙げられる。特に望ましくは、融点、ガラス転位温度の高いポリアレート、ポリカーボネートなどが好ましい。厚みは０．５〜１ｍｍであると望ましい。厚すぎると携帯性に劣り、薄すぎると破損が生じやすくなるからであるからである。
【００２８】
本発明の第１および第２の光ディスクにおいて、金属層１２としてはレーザー光の反射率が大きいものが望ましく、例えばアルムニウム、銅、金、銀等が挙げられる。これらの金属層は蒸着などの手段で基板上に形成することができる。コストや蒸着の容易さを考慮するとアルミニウムを使用することが望ましい。
本発明の第１および第２の光ディスクに係るポリシラン化合物は下記一般式（Ｉ）で表される化合物である。
【００２９】
【化１５】
0003986590.tif 000010
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
特にＲ１、Ｒ２としてそれぞれフェニル基、メチル基を使用したポリメチルフェニルシランあるいは、Ｒ１、Ｒ２としてそれぞれフェニル基、−Ｈを使用したポリフェニルヒドロシランが水銀ランプで効率よく露光でき、本発明の光ディスクを製造するに適している。また、ポリシラン化合物の分子量は、１０００〜２０００００の範囲であることが望ましい。コストの点を考慮すれば１３００〜１７００程度であることが望ましい。本発明の第１および第２の光ディスクに係るポリシロキサン化合物は下記一般式（ＩＩ）で表される化合物である。
【００３０】
【化１６】
0003986590.tif 000011
（式中、Ｒ１は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基、又は水素を示す。
また、Ｒ２は、置換もしくは非置換のアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基を示す。
但し、Ｒ１が水素である場合、Ｒ２はフェニル基である。）
特にＲ１、Ｒ２としてそれぞれフェニル基、メチル基を使用したポリメチルフェニルシロキサンあるいは、Ｒ１、Ｒ２としてそれぞれフェニル基、−Ｈを使用したポリフェニルヒドロシロキサンが水銀ランプで効率よく露光でき、本発明の第１および第２の光ディスクを製造するに適している。また、ポリシラン化合物の分子量は、１０００〜２０００００の範囲であることが望ましい。コストの点を考慮すれば１３００〜１７００程度でもよい。
【００３１】
本発明の第１および第２の光ディスクにおいて珪素化合物層の厚さは、単層の厚さが０．２〜０．５μｍの範囲であると製造上積層が容易であり好ましい。
なお、本発明においてレーザー光としては、赤色ダイオードレーザー光等を使用することができる。
【００３２】
【実施例】
（実施例１）
本実施例を図５を用いて説明する。図５は本実施例に使用した試料を示す断面概略図である。
まず、下記化１７に示す繰り返し単位を有する分子量３０００のポリフェニルメチルシランを用意した。
【００３３】
【化１７】
0003986590.tif 000012
【００３４】
上記ポリフェニルメチルシランをトルエンに３ｗｔ％の濃度で溶解し、３０００ｒｐｍの回転数のスピンコートで厚さ０．７ｍｍのガラス基板４１上に約０．２±０．０３μｍの厚さで塗布し、珪素化合物層４２を製膜した。乾燥後、一部を３６５ｎｍの紫外光で２分間露光した。すると露光部４３にポリフェニルメチルシロキサンが形成された。図６に露光部４３と未露光部の波長４００ｎｍから８００ｎｍの光に対する光透過率を示した。図６において露光部分の透過率は実線、未露光部分の透過率は破線で示されている。図６から明らかなように露光部分と未露光部分の透過率にかなりの差異が観測され、当該材料が光ディスクの材料として利用可能なことを確認した。
【００３５】
また、本材料は０．５μｍ、１．０μｍのラインアンドスペースの形成が可能であり、従来のコンパクトディスクと同程度の微細パターンの形成が可能であることを確認した。
【００３６】
（実施例２）
本実施例を図７を用いて説明する。図７は本実施例の光ディスクの製造工程を示す断面概略図である。
【００３７】
まず、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上５１に蒸着によって厚さ１．１μｍのアルミニウム層５２を形成した。次に実施例１と同様のポリフェニルメチルシランをトルエンに３ｗｔ％の濃度で溶解し、３０００ｒｐｍの回転数のスピンコートでアルミニウム層５２の上に０．３２μｍの厚さで塗布し、珪素化合物層５３を製膜した。乾燥後、マスク５８を用いて３６５ｎｍの紫外光で２分間露光した（工程ａ）。すると露光部５７にポリフェニルメチルシロキサンが形成された。未露光部５６はポリフェニルメチルシランのままであった。得られたパターンは幅０．５μｍ、長さ１．０μｍのラインアンドスペースであった（工程ｂ）。さらに、工程ａを繰り返し、同様の珪素化合物層５４を重ねて成膜し、同様に露光し、パターンを形成することにより光ディスクを得た（工程ｃ）
この光ディスクに対し、珪素化合物層側からＨｅ−Ｎｅレーザーの６３２．８ｎｍの波長のレーザー光を照射することにより動作確認を行った。未露光ポリシランからの干渉強度：一層露光部分からの干渉強度：二層露光部分からの干渉強度＝１．０：０．３７：０．０３でありコンパクトディスクとしてのレーザー光のＳ／Ｎ比は十分達成されていることがわかった。さらに、従来のコンパクトディスクと同程度の微細パターンが複数層に亘って形成されるため、従来のコンパクトディスクより高密度化できることがわかった。
【００３８】
（実施例３）
本実施例を図８を用いて説明する。図８は本実施例に使用した試料を示す概略図である。
【００３９】
まず、実施例１と同様のポリフェニルメチルシランをトルエンに溶解し、３ｗｔ％の濃度の溶液を作成し、スピンコート法でガラス基板上（図示せず）に塗布した後乾燥して、膜厚約０．３μｍの珪素化合物層４２を形成した。得られた珪素化合物層にマスクを重ね、波長が２４８ｎｍのＫｒＦレーザーを用いて露光し、０．３μｍ径のスポットを形成した。
【００４０】
続いて着色染料としてフタロシアニンブルー（ピグメントブルー１５−６；リオノールブルーＦＧ７３３０  東洋インク製）１０ｗｔ％、Ｎ−ビニル−５−メチルピロリドン、１−ブテン共重合体（分子量７０００）１０ｗｔ％、水８０ｗｔ％を混合しボールミル中で分散処理を行ったフタロシアニンブルー分散液を２．５ｇ、アセトニトリル５４ｗｔ％水溶液を５．０ｇ、ケイ素のアルコキシドおよびその分解生成物からなるゾル溶液を２．０ｇを含有する着色液に、珪素化合物層をガラス基板ごと２５℃で１０分間浸積した。ケイ素のゾル溶液は正珪酸エチル５．６ｇ、メチルトリエトキシシラン２．８ｇ、イソプロパノール２３．２ｇ、水８．３５ｇからなる溶液に硝酸０．０６ｇを加えて６０℃で３０分加熱し、冷却後イソプロパノールを加えることによりあらかじめ調整しておいたものである。水洗後１２０℃で１０分間加熱乾燥したところ、露光部分４４が青色に着色した。
【００４１】
次にこの珪素化合物層に対して青色に着色された露光部分４４が覆われるように位置をずらしてマスクを重ね、波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザーを照射し、０．３μｍ径のスポットを形成した。続いて顔料分散液としてアンスラキノンレド（ピグメントレッド１７７）１０ｗｔ％、Ｎ−ビニル−５−エチルピロリドン、１−ブテン共重合体（分子量８０００）１０ｗｔ％、水８０ｗｔ％を混合しペイントシェーカーにて分散処理を行ったアンスラキノンレッド分散液を２．０ｇ、アセトニトリル５０ｗｔ％水溶液を４．０ｇ、ケイ素のアルコキシドおよびその分解生成物からなるゾル溶液を３．０ｇ含有する着色液に、ポリシラン薄膜を２５℃で３０分間浸漬した。水洗後、１２０℃で１０分間加熱乾燥して露光領域４６を赤色に着色させた。
【００４２】
さらに、この珪素化合物層に対して青色、および赤色に着色された部分が覆われるように位置をずらしてマスクを重ね、波長２４８のＫｒＦレーザーを照射し、０．３μｍ径のスポットを形成した。続いて、顔料分散液としてフタロシアニングリーン（ピグメントグリーン３６；ビナモングリーン６Ｙ−ＦＷ  ＩＣＩ製）１０ｗｔ％、Ｎ−ビニルピロリドン、１−ブテン共重合体（分子量約８０００）１０ｗｔ％、水８０％を混合しペイントシェーカーにて分散処理を行ったフタロシアニングリーン分散液を２．５ｇ、アセトニトリル５０ｗｔ％水溶液を２．５ｇ含有する着色液に２５℃で２０分間浸漬し、水洗した後１２０℃で１０分間加熱乾燥して露光領域４５を緑色に着色させた。
【００４３】
この結果所定の領域がそれぞれ青、赤、緑に着色された珪素化合物層を得た。
図９に上記珪素化合物層の赤色領域、青色領域と緑色領域の光の透過率の結果を示した。各透過率にかなりの差異が観測され、コンパクトディスクの記録材料として利用可能なことを確認した。
【００４４】
ついで上記珪素化合物層の着色部分についてトルエン、エタノール、ジメチルアセトアミドおよびブチロラクトンに対する耐薬品性を調べることでその耐久性を評価したところ、これらの有機溶媒に浸漬しても色素は溶出せず、かつ着色層が基板から剥離することなく、十分に固定されていることが分かった。
【００４５】
（実施例４）
アルミニウムを０．０５μｍの厚さで蒸着した厚さ０．７ｍｍのガラス基板に対し、アルミニウム層上に実施例３と同様にして青、赤、緑に着色された領域を有する珪素化合物層を形成することにより光ディスクを得た。
【００４６】
このコンパクトディスクに対し、Ｈｅ−Ｎｅレーザーの６３２．８ｎｍの波長のレーザー光を照射することにより動作確認を行った。未露光ポリシランからの干渉強度：赤色領域からの干渉強度：緑色領域からの干渉強度：青色領域からの干渉強度＝１．０：０．５７：０．３９：０．０１でありコンパクトディスクとしてのレーザー光のＳ／Ｎ比は十分達成されていることがわかった。本実施例の光ディスクによれば従来のコンパクトディスクと同程度の微細パターンが形成され、かつ４種の信号が読み出せるため、従来のコンパクトディスクに比べて信号の種類が増加し、コンパクトディスクに収納できる情報量を高密度化することができることがわかった。
【００４７】
【発明の効果】
以上述べた如く、本発明によれば、現在用いられている赤色発振レーザー光を用いることができ、かつ記録密度を増加させることのできる光ディスクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の光ディスクの一例を示す断面概略図。
【図２】  本発明の第１の光ディスクの一例を示す断面概略図。
【図３】  本発明の第１の光ディスクの一例を示す断面概略図。
【図４】  本発明の第２の光ディスクの一例を示す断面概略図。
【図５】  実施例１に使用した試料を示す断面概略図。
【図６】  実施例１に使用した試料の光透過性を示す特性図。
【図７】  実施例２の光ディスクの製造工程を示す概略図。
【図８】  実施例３に使用した試料を示す概略図。
【図９】  実施例３に使用した試料の光透過性を示す特性図。
【図１０】  従来のコンパクトディスクを示す断面概略図。
【符号の説明】
１…プラスチック基板
２…アルミニウム反射層
３…ピット
４…保護層
１１…基板１１
１２…金属層
１３，１４…珪素化合物層
１５…レーザー光
１６…ポリシラン化合物からなる部分
１７…ポリシロキサン化合物からなる部分
１８…半透明ミラー
２１…ポリシロキサン化合物からなる部分が１層のみに形成されている領域
２２…ポリシロキサン化合物からなる部分が２層にわたって形成されている領域
２３…ポリシロキサン化合物からなる部分がどの層にも形成されていない領域
３１…珪素化合物層
３２…ポリシロキサン化合物からなる部分
３３…ポリシロキサン化合物からなる部分
３４…ポリシロキサン化合物からなる部分
３５…ポリシラン化合物からなる部分
４１…ガラス基板
４２…珪素化合物層
４３…露光部
４４…露光部分
４５…露光部分
４６…露光部分
５１…ガラス基板
５２…アルミニウム層
５３…珪素化合物層
５４…珪素化合物層
５６…未露光部
５７…露光部
５８…マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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