(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光素子と、該受光素子に所定の直流電圧を印加する／しないを切り替えるためのスイッチング素子とを各々有する複数のセルが直線状に配列されて成る受光アレイを挟んで、前記所定の直流電圧を発生する直流電圧発生回路、前記スイッチング素子の制御信号を発生する制御信号発生回路がそれぞれ前記所定の直流電圧を各セルに供給するための、前記直線と同方向に配置された共通のラインである第１のライン、前記制御信号を各セルに供給するための、前記直線と同方向に配置された共通のラインである第２のラインに対向するように配置されている画像読み取り装置において、
前記直流電圧発生回路から前記第１のラインに前記所定の電圧を供給するための専用のライン、及び、前記制御信号発生回路から前記第２のラインに前記制御信号を供給するための専用のラインを設け、前記所定の直流電圧、前記制御信号をそれぞれ前記第１のライン、前記第２のラインを介して全てのセルに供給するようにしたことを特徴とする画像読み取り装置。
【請求項２】
隣接する各２つのセルの間隔を均一にしたことを特徴とする請求項１に記載の画像読み取り装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ファクシミリ、複写機等に用いられる画像読み取り装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の画像読み取り装置の本発明に係わる部分の構成を図２を用いて説明する。この例では、Ｒ、Ｇ、Ｂの各３原色にそれぞれ対応した３つの受光アレイＡ１、Ａ２、Ａ３を有しており、各受光アレイＡ１、Ａ２、Ａ３は、受光素子であるフォトダイオード１及びスイッチング用のｐチャネルのＭＯＳ型ＦＥＴ（以下、単に「トランジスタ」と言う）２から各々成る複数のセルＳが主走査方向Ｈ１に直線状に配列された構成となっている。各受光アレイＡ１、Ａ２、Ａ３は副走査方向Ｈ２に平行に配列されている。
【０００３】
各セルの構成は以下の通りである。フォトダイオード１のアノードはグランドに接続されており、一方、カソードは同じセル内のトランジスタ２のドレインに接続されている。そして、各セルにおいて、トランジスタ２のソースにはバイアス発生回路１０が出力する正の直流電圧（以下、「バイアス」と言う）ＶBIASが印加されており、また、トランジスタ２のゲートにはゲートパルス発生回路２０が出力するゲート信号ＶGATEが与えられている。
【０００４】
以上の構成において、トランジスタ２のゲートに供給されるゲート信号ＶGATEがハイレベルからローレベルになってトランジスタ２がＯＦＦからＯＮに切り換わると、フォトダイオード１には逆方向にバイアスが印加され、所定量の電荷が蓄積される。これにより、フォトダイオード１が初期状態にリセットされることになる。
【０００５】
その後、トランジスタ２のゲートに供給されるゲート信号ＶGATEがローレベルからハイレベルになってトランジスタ２がＯＮからＯＦＦに切り換わると、フォトダイオード１には入射光に応じた電流が流れて、フォトダイオード１に蓄積された電荷が入射光に応じた量だけ放電するので、フォトダイオード１のカソード側は入射光に応じた電圧を示すことになる。
【０００６】
尚、受光アレイＡ１上には赤色光を透過させるフィルタが、受光アレイＡ２には緑色光を透過させるフィルタが、受光アレイＡ３には青色光を透過させるフィルタが、それぞれ設けられており、受光アレイＡ１内のフォトダイオード１は赤色に、受光アレイＡ２内のフォトダイオード１は緑色に、受光アレイＡ３内のフォトダイオード１は青色に、それぞれ反応する。
【０００７】
そして、受光アレイＡ１、Ａ２、Ａ３の順に全てのセル内のフォトダイオード１のカソード側の電圧が、不図示の例えばシフトレジスタなどにより、順次読み出された後、順次外部の画像処理装置に出力される。尚、１つの受光素子アレイからの読み出しが完了する毎に、既に読み出しを終了したフォトダイオードが一旦リセットされるようになっている。
【０００８】
このような画像読み取り装置においては、不図示の外部接続用の電極を上側に配置し、内部回路を下側に配置する必要性、及び、基準電位（グランド）を抵抗の小さいアルミニウム配線で行う必要性等から、図２に示すように、バイアス発生回路１０及びゲートパルス発生回路２０が受光アレイＡ１、Ａ２、及び、Ａ３の下側に、バイアスＶBIASをセルに供給するための共通のラインであるバイアス供給ラインＬ１、及び、ゲート信号をセルに供給するための共通のラインであるゲート信号供給ラインＬ２が受光アレイＡ１、Ａ２、及び、Ａ３の上側に、それぞれ配置されるというように、バイアス発生回路１０、ゲートパルス発生回路２０がそれぞれバイアス供給ラインＬ１、ゲート信号供給ラインＬ２に受光アレイＡ１、Ａ２、及び、Ａ３を挟んで対向するように配置していた。
【０００９】
このような場合には、従来は、レイアウト的な効率を優先するため、図２に示すように、バイアス発生回路１０から出力されるバイアスＶBIASを、他のセルにはバイアス供給ラインＬ１を介して供給するのに対して、バイアス発生回路１０からバイアス供給ラインＬ１にバイアスＶBIASを供給するための、ゲートと同じポリシリコンを用いたラインＬ１０の最も近くに配置されたセルには、バイアス供給ラインＬ１を介することなく、同ラインＬ１０から直接供給していた。
【００１０】
同様に、ゲートパルス発生回路２から出力されるゲート信号ＶGATEを、他のセルにはゲート信号供給ラインＬ２を介して供給するのに対して、ゲートパルス発生回路２からゲート信号供給ラインＬ２にゲート信号ＶGATEを供給するための、ゲートと同じポリシリコンを用いたラインＬ２０の最も近くに配置されたセルには、ゲートパルス供給ラインＬ２を介することなく、同ラインＬ２０から直接供給していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来は、バイアスを供給する配線のレイアウト、あるいは、ゲート信号を供給する配線のレイアウトが他のセルと異なるセルが存在しているとともに、ラインＬ１０及びＬ２０はアルミニウム配線に比べて抵抗が大きいので、その抵抗値及び時定数の変化により、各セル毎の暗出力レベルの均一性を悪化させていた。具体的には、図２において、バイアスがラインＬ１０から直接供給されるセル、及び、ゲート信号がラインＬ２０から直接供給されるセルの暗出力レベルが他のセルのものよりも数ｍＶ〜数１０ｍＶ大きくなってしまうとともに、それを増幅すると、さらに差が大きくなってしまっていた。
【００１２】
そこで、本発明は、各セル毎の暗出力レベルの均一性を向上させた画像読み取り装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明では、受光素子と、該受光素子に所定の直流電圧を印加する／しないを切り替えるためのスイッチング素子とを各々有する複数のセルが直線状に配列されて成る受光アレイを挟んで、前記所定の直流電圧を発生する直流電圧発生回路、前記スイッチング素子の制御信号を発生する制御信号発生回路がそれぞれ前記所定の直流電圧を各セルに供給するための、前記直線と同方向に配置された共通のラインである第１のライン、前記制御信号を各セルに供給するための、前記直線と同方向に配置された共通のラインである第２のラインに対向するように配置されている画像読み取り装置において、前記直流電圧発生回路から前記第１のラインに前記所定の電圧を供給するための専用のライン、及び、前記制御信号発生回路から前記第２のラインに前記制御信号を供給するための専用のラインを設け、前記所定の直流電圧、前記制御信号をそれぞれ前記第１のライン、前記第２のラインを介して全てのセルに供給するようにしている。
【００１４】
この構成により、前記スイッチング素子に前記所定の電圧を供給する配線のレイアウト、及び、前記スイッチング素子に制御信号を供給する配線のレイアウトが全てのセルにおいて等しくなる。
【００１５】
尚、上記構成において、さらに、隣接する各２つのセルの間隔を均一にしておく方がさらに良い。このようにすれば、画像の読み取り間隔を均一にした上で、上記作用を得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。本発明の一実施形態である画像読み取り装置の要部の構成を図１に示す。尚、従来技術として示した図２と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【００１７】
本実施形態の画像読み取り装置では、バイアス発生回路１０から出力されるバイアスをバイアス供給ラインＬ１に供給するための専用のラインＬ３が、ある２つのセルの間に設けられている。また、ゲートパルス発生回路２０から出力されるゲート信号をゲート信号供給ラインＬ２に供給するための専用のラインＬ４が、ある２つのセルの間に設けられている。そして、バイアス、ゲート信号がそれぞれバイアス電圧供給ラインＬ１、ゲート信号供給ラインＬ２を介して全てのセルに供給されている。尚、ラインＬ３及びＬ４の材質はアルミニウムでもポリシリコンでも構わないが、ポリシリコンを用いた方が配線効率が良くなる。
【００１８】
以上より、トランジスタ２にバイアスを供給する配線のレイアウト、及び、トランジスタ２のゲートにゲート信号を供給する配線のレイアウトが、同じ受光アレイ内の全てのセルにおいて、金属配線Ｌ１、Ｌ２の配線抵抗分以外は等しくなるので、各セル毎の暗出力レベルをより均一なものとすることができる。
【００１９】
尚、上記実施形態において、バイアス発生回路１０からバイアス供給ラインＬ１にバイアスを供給するための専用のラインＬ３、及び、ゲートパルス発生回路２０からゲート信号供給ラインＬ２にゲート信号を供給するための専用のラインＬ４を設けているが、これらのラインとしてアルミニウム配線を用いたような場合には、セル間の間隔を従来よりも大きくしなければならないので、これに合わせて、他のセル間の間隔を大きくすることによって、隣接する各２つのセルの間隔を均一にしておくことが望ましい。このようにすることによって、画像の読み取り間隔が均一となるので、画像を精度良く読み取ることができるようにした上で、各セル毎の暗出力レベルをより均一にすることができるという効果を得ることができる。
【００２０】
また、図１では、ラインＬ３及びＬ４を、１つのセルの両側に配置した例を示しているが、ピッチを一定にさえできるのであれば、同じセル間に配置してもよい、もっと離れたセル間に配置してもよい。その他、図１では、フォトダイオードのアノードがグランドに接続された構成になっているが、フォトダイオードのカソードを電源電圧に接続した構成であっても同様な効果が得られる。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１に記載の発明によれば、バイアス発生回路、ゲートパルス発生回路がそれぞれバイアス供給ライン、ゲート信号供給ラインに受光アレイを挟んで対向した形で配置された画像読み取り装置において、スイッチング素子に前記所定の電圧を供給する配線のレイアウト、及び、前記スイッチング素子に制御信号を供給する配線のレイアウトが全てのセルにおいて等しくなるので、各セル毎の暗出力レベルをより均一なものとすることができる。これに加えて、請求項２に記載の発明によれば、画像の読み取り間隔が均一となるので、画像を精度良く読み取ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施形態である画像読み取り装置の要部の構成を示す図である。
【図２】  従来の画像読み取り装置の要部の構成を示す図である。
【符号の説明】
１    フォトダイオード
２    スイッチング用のＭＯＳＦＥＴ
１０    バイアス供給ライン
２０    ゲート信号供給ライン
Ａ１、Ａ２、Ａ３    受光アレイ
Ｓ    セル
【図１】
0003885861.tif 000002
【図２】
0003885861.tif 000003