(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
球状又は粒状のスペーサーを画素上に介在させることによって形成されたギャップ間に電気光学物質を保持して対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板のうちの一方の基板の他方の基板と対向する面側に形成され、前記一対の基板のうちの前記他方の基板側からの入射光を反射するとともに、前記一方の基板側からの入射光を透過する複数の透過窓を有する反射電極と、
前記反射電極の前記一方の基板側の前記透過窓に対応した領域を覆うように形成された透明電極と、
前記反射電極と前記透明電極の上層に形成された配向膜とを備えた電気光学装置であって、
前記透過窓の形状が、前記スペーサーの平均粒径以下の幅を有するスリット状であると共に、複数の前記透過窓は、当該透過窓の長手方向の両端が直線状に並ぶように並列されており、
前記配向膜が、前記スリット状の透過窓の長手方向にラビング処理を施されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記スリット状の透過窓の幅が、５μｍ以下である請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記スリット状の透過窓の総面積の、画素の面積に対して占める割合が、１０〜５０％である請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記反射電極が、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜から構成された請求項１〜３のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記透明電極が、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜から構成された請求項１〜４のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記透明電極の形成領域が、前記反射電極の形成領域よりも広い請求項１〜５のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記透明電極と前記反射電極とが、前記透過窓の縁端部において電気的に接続されてなる請求項１〜６のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記透明電極が、前記透過窓の外側で電位供給線と電気的に接続されてなる請求項１〜７のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記一方の基板と前記反射電極との間に、表面に凹凸を有する凹凸層が形成され、前記反射電極が前記凹凸層の凹凸に対応した表面の凹凸を有する請求項１〜８のいずれかに記載の電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置に関する。さらに詳しくは、携帯電話機、モバイルコンピュータ等に好適に用いられる、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れた電気光学装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電気光学装置（例えば、液晶表示装置、ＥＬ発光表示装置等）は、携帯電話機、モバイルコンピュータ等の各種機器の直視型の表示装置として広く用いられている。このような電気光学装置のうち、例えば、アクティブマトリクス型で、半透過・半反射型の液晶表示装置においては、対向配置されたＴＦＴアレイ基板と対向基板とがシール材で貼り合わされているとともに、基板間のシール材で区画された領域内に電気光学物質としての液晶が封入、保持されている。
【０００３】
また、ＴＦＴアレイ基板の表面に、対向基板の側から入射してきた外光を対向基板の方向に反射するための反射電極が形成されており、対向基板側から入射した光をＴＦＴアレイ基板の反射電極で反射し、対向基板側から出射した光によって画像を表示する（反射モード）。また、反射電極には光を透過する透過窓が形成され、この透過窓を覆うように、反射電極の下層側に透明電極が形成され、バックライトからの光のうち透過窓を透過した光によって画像を表示する（透過モード）。
【０００４】
このような液晶表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板１２０としては、例えば、図１５（Ａ）に示すように、画素１１０の一部に、後述する凹凸層（図示せず）と、この凹凸層上に形成された、外光を反射して画像を表示する反射電極１０８（反射電極１０８には、凹凸層の表面凹凸形状に対応した形状の反射用の凹凸１０９が形成されている）と、反射電極１０８を形成しない部分である透過窓１０７と、透過窓１０７に対応した領域を覆うように形成されたＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透明電極（図示せず）とを備えたものとし、透過窓１０７からバックライト（図示せず）からの光を透過させて画像を表示するものが用いられている。このようなＴＦＴアレイ基板１２０は、図１５（Ｂ）に示すように（図１５（Ｂ）は図１５（Ａ）におけるＣ−Ｃ’線で切断したときの断面図である）、基板１０１上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）等の下地保護膜１０２、ＩＴＯ等からなる透明電極１０３及びソース線（図示せず）、薄膜トランジスタ（図示せず）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の保護膜１０４（この保護膜１０４は形成しない場合がある）、反射電極１０８の表面に反射用の凹凸１０９を形成するためのアクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂の２層からなる凹凸形成層１０５及び凹凸層１０６、及びアルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜からなり、透過窓１０７を有する反射電極１０８等を積層して形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このような構成の反射板を用いた液晶表示装置は、外光の明るさに影響されず、視認性に優れた液晶表示装置を提供することを可能にしたが、一方、反射電極１０８の表面に反射用の凹凸１０９を形成するために用いられるアクリル樹脂等からなる凹凸形成層１０５及び凹凸層１０６の膜厚は、２層で最大５μｍにも達するほど大きいため、凹凸形成層１０５及び凹凸層１０６が存在しない透過窓１０７の部分においては、画素全体ではかなり薄い構造になる。このためポリイミド等の配向膜の形成（塗布）時、配向膜は、透過窓１０７の部分には形成（塗布）されないことになり、表示特性に悪影響を及ぼすことになる。例えば、ノーマリホワイトの場合、電位を加えても、透過窓１０７の部分だけ黒くならず、白く見えてしまうという問題があった。
【０００６】
また、基板間のギャップ（セルギャップ）を画定するためのスペーサー（ギャップ材）（例えば、積水ファインケミカル（株）製  商品名：ミクロパール）の直径は３〜５μｍと小さいため、比較的大きな透過窓１０７の部分に落下したものは、所望のセルギャップを形成することができず、液晶のコントラストを悪化させるという問題もあった。
【０００７】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであって、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れた電気光学装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の電気光学装置は、球状又は粒状のスペーサーを介在させることによって形成されたギャップ間に電気光学物質を保持して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板のうちの一方の基板の他方の基板と対向する面側に形成され、前記一対の基板のうちの前記他方の基板側からの入射光を反射するとともに、前記一方の基板側からの入射光を透過する複数の透過窓を有する反射電極と、前記反射電極の前記一方の基板側の前記透過窓に対応した領域を覆うように形成された透明電極と、前記反射電極の上層に形成された配向膜とを備えた電気光学装置であって、前記透過窓の形状が、前記スペーサーの平均粒径以下の幅を有するスリット状であると共に、複数の前記透過窓は、当該透過窓の長手方向の両端が直線状に並ぶように並列されており、前記配向膜が、前記スリット状の透過窓の長手方向にラビング処理を施されてなることを特徴とする。
【０００９】
この場合、前記スリット状の透過窓の幅（最短開口長さ）は、前記スペーサーの平均粒径以下であることが好ましい。ここで、最短開口長さとは、透過窓のスリット形状が例えば、細長い長方形もしくは平行四辺形の場合、長方形もしくは平行四辺形の少なくとも一辺の長さを、また、細長い台形の場合、台形の高さ部分の長さを意味する。
【００１０】
また、前記スリット状の透過窓の幅（最短開口長さ）は、５μｍ以下であることが好ましい。
【００１１】
また、前記スリット状の透過窓の総面積の、画素の面積に対して占める割合は、透過モード表示におけるコントラストを高めるために１０〜５０％であることが好ましく、１５〜３０％であることがさらに好ましい。
【００１２】
このように構成することによって、透過窓の部分にも配向膜を十分に形成（塗布）することが可能になり、また、透過窓の部分にスペーサー（ギャップ材）が落下することもなくなり、所望のセルギャップを形成することができることから、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れたに電気光学装置を提供することができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置は、前記配向膜が、前記スリット状の透過窓の長手方向にラビング処理を施されてなるものであることが好ましい。
【００１４】
このように構成することによって、前記配向膜のラビング処理を十分にかつ円滑に施すことができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置は、前記反射電極が、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜から構成されたものであることが好ましい。
【００１６】
このように構成することによって、光反射効率の高い電気光学装置を提供することができる。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置は、前記透明電極が、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜から構成されたものであることが好ましい。
【００１８】
このように構成することによって、透過モード表示におけるコントラストの高い電気光学装置を提供することができる。
【００１９】
また、本発明の電気光学装置は、前記透明電極の形成領域が、前記反射電極の形成領域よりも広いものであることが好ましい。
【００２０】
このように構成することによって、透過モード表示におけるコントラストの高い電気光学装置を提供することができる。
【００２１】
また、本発明の電気光学装置は、前記透明電極と前記反射電極とが、前記透過窓の縁端部において電気的に接続されてなるものであることが好ましい。
【００２２】
このように構成することによって、消費電力の低減を図った電気光学装置を提供することができる。
【００２３】
また、本発明の電気光学装置は、前記透明電極が、前記透過窓の外側で電位供給線と電気的に接続されてなるものであることが好ましい。
【００２４】
このように構成することによって、消費電力の低減を図った電気光学装置を提供することができる。
【００２５】
また、本発明の電気光学装置は、前記一方の基板と前記反射電極との間に、表面に凹凸を有する凹凸層が形成され、前記反射電極が前記凹凸層の凹凸に対応した表面の凹凸形状（反射用の凹凸）を有するものであることが好ましい。
【００２６】
このように構成することによって、反射電極の表面に、反射光を適度に散乱させる表面凹凸形状（反射用の凹凸）を備え、反射特性に優れた電気光学装置を提供することができる。
【００２７】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、球状又は粒状のスペーサーを介在させることによって形成したギャップ間に電気光学物質を封入、保持して対向配置した一対の基板のうちの、一方の基板の前記電気光学物質側に、透明電極を形成する工程と、前記透明電極の上層側に、前記一対の基板のうちの他方の基板側からの入射光を反射するとともに、背面光源からの光を透過する一以上の透過窓をその所定箇所に貫通して有する反射電極を形成する工程と、前記反射電極の上に配向膜を形成する工程とを含む電気光学装置の製造方法であって、前記透明電極を、前記反射電極の前記透過窓に対応した領域を覆うように形成するとともに、前記透過窓の開口形状を、一以上のスリット形状に形成することを特徴とする。
【００２８】
この場合、前記透過窓のスリット形状を、前記スペーサーの平均粒径以下の最短開口長さを有する形状に形成することが好ましい。ここで、最短開口長さとは、スリット形状が例えば、細長い長方形もしくは平行四辺形の場合、長方形もしくは平行四辺形の少なくとも一辺の長さを、また、細長い台形の場合、台形の高さ部分の長さを意味する。
【００２９】
また、前記透過窓のスリット形状の最短開口長さを、５μｍ以下に形成することが好ましい。
【００３０】
また、前記透過窓のスリット形状の総面積の、画素の面積に対して占める割合を、１０〜５０％とすることが好ましい。
【００３１】
このように構成することによって、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れたに電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供することができる。
【００３２】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記配向膜に、前記透過窓の開口形状（スリット形状）の長手方向にラビング処理を施こすことが好ましい。
【００３３】
このように構成することによって、ラビング処理が十分にかつ円滑に施された配向膜を形成することができる。
【００３４】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記反射電極を、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜から構成することが好ましい。
【００３５】
このように構成することによって、光反射効率の高い電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供することができる。
【００３６】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記透明電極を、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜から構成することが好ましい。
【００３７】
このように構成することによって、透過モード表示におけるコントラストの高い電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供することができる。
【００３８】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記透明電極の形成領域を、前記反射電極の形成領域よりも広く形成することが好ましい。
【００３９】
このように構成することによって、透過モード表示におけるコントラストの高い電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供することができる。
【００４０】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記透明電極と前記反射電極とを、前記透過窓の縁端部において電気的に接続することが好ましい。
【００４１】
このように構成することによって、消費電力の低減を図った電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供することができる。
【００４２】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記透明電極を、前記透過窓の外側で電位供給線と電気的に接続することが好ましい。
【００４３】
このように構成することによって、このように構成することによって、消費電力の低減を図った電気光学装置を効率よくかつ低コストで提供することができる。
【００４４】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、前記一方の基板と前記反射電極との間に、表面に凹凸を有する凹凸層を形成し、前記反射電極に前記凹凸層の凹凸に対応した反射光を散乱させる表面凹凸形状を形成することが好ましい。
【００４５】
このように構成することによって、反射電極の表面に、反射光を適度に散乱させる表面凹凸形状（反射用の凹凸）を備え、反射特性に優れた電気光学装置を簡易にかつ低コストで提供することができる。
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の電気光学装置及びその製造方法の実施の形態を図面を参照しつつ、具体的に説明する。
【００４７】
（電気光学装置の基本的な構成）
図１は、本発明の電気光学装置の一の実施の形態である液晶表示装置を、各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１におけるＨ−Ｈ’線で切断したときの断面図である。図３は、電気光学装置（液晶表示装置）の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。なお、本形態の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００４８】
図１及び図２において、本実施の形態の電気光学装置（液晶表示装置）１００は、ＴＦＴアレイ基板１０（第１の基板）と対向基板２０（第２の基板）とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域（液晶封入領域）内には、電気光学物質としての液晶５０が封入、保持されている。シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１、及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられており、さらに、周辺見切り５３の下側等を利用して、プリチャージ回路や検査回路が設けられることもある。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００４９】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（テープ  オートメイテッド  ボンディング）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、電気光学装置１００おいては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略している。
【００５０】
また、電気光学装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００５１】
このような構造を有する電気光学装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、この順に線順次で（線番号の順番で）供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・Ｇｍをこの順に線順次で（線番号の順番で）印加するように構成されている。反射電極９及び透明電極８は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして反射電極９及び透明電極８を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００５２】
ここで、液晶５０は、印加される電圧レベルによって分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリホワイトモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が低下し、ノーマリブラックモードであれば、印加された電圧に応じて入射光がこの液晶５０の部分を通過する光量が増大する。その結果、全体として電気光学装置１００からは画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎに応じたコントラストを持つ光が出射される。
【００５３】
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、・・・Ｓｎがリークするのを防ぐために、反射電極９と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０（図３参照）を付加することがある。例えば、反射電極９及び透明電極８の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い電気光学装置１００を実現することができる。なお、蓄積容量６０を形成する方法としては、図３に示すように、蓄積容量６０を形成するための配線である容量線３ｂとの間に形成する場合、及び前段の走査線３ａとの間に形成する場合のいずれであってもよい。
【００５４】
（ＴＦＴアレイ基板の構成）
図４は、本実施の形態に用いたＴＦＴアレイ基板の相互に隣接する複数の画素群の平面図である。図５は、図４に示す電気光学装置の画素の一部を図４におけるＡ−Ａ’線で切断したときの断面図である。
【００５５】
図４において、ＴＦＴアレイ基板上には、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜から構成された反射電極９がマトリクス状に形成されており（図４においては一画素を示す）、これら各反射電極９に対して、画素スイッチング用のＴＦＴ３０がそれぞれ透明電極８を介して電気的に接続している。また、反射電極９を形成する領域の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａ、及び容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０は、データ線６ａ及び走査線３ａに対して接続している。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ａに電気的に接続し、透明電極８は、コンタクトホールを介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｄに電気的に接続している。また、ＴＦＴ３０のチャネル形成用領域１ａ’に対向するように走査線３ａが延びている。なお、蓄積容量６０（蓄積容量素子）は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０を形成するための半導体膜１の延設部分１ｆを導電化したものを下電極とし、この下電極１ｆに、走査線３ｂと同層の容量線３ｂが上電極として重なった構造になっている。
【００５６】
図４に示すように、このように構成した各画素１００ａにおいては、反射電極９が形成されている領域のうち、透過窓１４が形成された領域は、後述する凹凸形成層及び反射電極９は形成されていないが、透明電極８によって透過窓１４に対応する領域が覆われた、透過モードで画像表示を行う透過領域であり、その他の領域は、後述する凹凸形成層（図示せず）、凹凸層（図示せず）及び反射電極９を備えた反射領域であり、ここでは反射モードで画像表示を行う。
【００５７】
この場合、透過窓１４は、４つの長方形状のスリット１４ａから形成され、それぞれの短辺の長さは、４μｍに設定している。このため、平均粒径が、５μｍのスペーサー（例えば、積水ファインケミカル（株）製  商品名：ミクロパール）が透過窓１４の中に落下することを有効に防止することができる。なお、透過窓１４の外側には、後述する凹凸層７の開口１４ｂが形成されている。
【００５８】
図５に示すように、この反射領域のＡ−Ａ’線で切断したときの断面は、ＴＦＴアレイ基板１０の基体としての透明な基板１０’の表面に、厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１１が形成され、この下地保護膜１１の表面には、厚さが３０ｎｍ〜１００ｎｍの島状の半導体膜１が形成されている。半導体膜１の表面には、厚さが約５０〜１５０ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜２が形成され、このゲート絶縁膜２の表面に、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍの走査線３ａがゲート電極として通っている。半導体膜１のうち、走査線３ａに対してゲート絶縁膜２を介して対向する領域がチャネル形成用領域１ａ’になっている。このチャネル形成用領域１ａ’に対して一方側には、低濃度ソース領域１ｂ及び高濃度ソース領域１ａを備えるソース領域が形成され、他方側には低濃度ドレイン領域１ｃ及び高濃度ドレイン領域１ｄを備えるドレイン領域が形成されている。
【００５９】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）の表面側には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４、及び厚さが１００ｎｍ〜８００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５（表面保護膜）が形成されている（この第２層間絶縁膜５（表面保護膜）は形成しなくてもよい）。第１層間絶縁膜４の表面には、厚さが３００ｎｍ〜８００ｎｍのデータ線６ａが形成され、このデータ線６ａは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ソース領域１ａに電気的に接続している。第１層間絶縁膜４の表面にはデータ線６ａと同時形成されたドレイン電極６ｂが形成され、このドレイン電極６ｂは、第１層間絶縁膜４に形成されたコンタクトホールを介して高濃度ドレイン領域１ｄに電気的に接続している。
【００６０】
第２層間絶縁膜（表面保護膜）５の上層には、透明電極８が形成され、透明電極８の上層には、有機系樹脂等の感光性樹脂からなる凹凸形成層１３及び凹凸層７がこの順に形成され、凹凸層７の表面には、アルミニウム膜等からなる反射電極９が形成されている。反射電極９の表面には、凹凸層７の表面凹凸形状に対応した凹凸パターン９ｇが形成されている。
【００６１】
反射電極９は、透過窓１４を介して透過窓１４の端部において透明電極８と電気的に接続し、さらに透明電極８を介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。
【００６２】
反射電極９の表面側にはポリイミド膜からなる配向膜１２が形成されている。この配向膜１２には、透過窓１４の開口形状（スリット形状）の長手方向にラビング処理が施されている。
【００６３】
また、高濃度ドレイン領域１ｄからの延設部分１ｆ（下電極）に対しては、ゲート絶縁膜２と同時形成された絶縁膜（誘電体膜）を介して、走査線３ａと同層の容量線３ｂが上電極として対向することにより、蓄積容量６０（図３参照）が構成されている。
【００６４】
ここで、透過窓１４の開口形状は、図４に示すような長方形状であってもよく、図６に示すような、平行四辺形、台形であってもよく、又はこれらの組み合せであってもよい。
【００６５】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは上述のようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ、及び低濃度ドレイン領域１ｃに相当する領域に不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を有していてもよい。また、ＴＦＴ３０は、ゲート電極（走査線３ａの一部）をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度のソース及びドレイン領域を形成したセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００６６】
また、本実施の形態では、ＴＦＴ３０のゲート電極（走査線３ａ）をソース−ドレイン領域の間に２個配置したデュアルゲート（ダブルゲート）構造としたが、１個配置したシングルゲート構造であってもよく、また、これらの間に３個以上のゲート電極を配置したトリプルゲート以上の構造であってもよい。複数個配置した場合、各々のゲート電極には同一の信号が印加されるようにする。このようにデュアルゲート（ダブルゲート）、又はトリプルゲート以上でＴＦＴ３０を構成すれば、チャネルとソース−ドレイン領域の接合部でのリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。これらのゲート電極の少なくとも１個をＬＤＤ構造又はオフセット構造にすれば、さらに、オフ電流を低減でき、安定したスイッチング素子を得ることができる。
【００６７】
図４〜図５において、ＴＦＴアレイ基板１０では、各画素１００ａの反射領域には、反射電極９の表面のうち、ＴＦＴ３０の形成領域及び透過窓１４から外れた領域（反射電極形成領域）には、前述のように凹凸パターン９ｇが形成されている。
【００６８】
このような凹凸パターン９ｇを構成するにあたって、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板１０では、反射電極９の下層側のうち、反射電極９と平面的に重なる領域には、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂からなる凹凸形成層１３が第２層間絶縁膜５の表面に１〜３μｍの厚さで例えば、スピンコートによって形成され、この凹凸形成層１３の上層には、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂等のような流動性材料から形成された絶縁膜からなる凹凸層７が１〜２μｍの厚さで例えば、スピンコートによって積層されている。
【００６９】
凹凸形成層１３には、多数の凹凸が形成されている。このため、図５に示すように、反射電極９の表面には、凹凸層７の表面凹凸形状に対応する凹凸パターン９ｇが形成され、この凹凸パターン９ｇでは、凹凸層７によって、凹凸形成層１３のエッジ等が現れないようになっている。なお、凹凸層７を形成せずに、凹凸形成層１３を形成した後、ベーク工程を行うことにより、凹凸形成層１３の凹凸の縁を滑らかにしてもよい。
【００７０】
（対向基板の構成）
図５において、対向基板２０では、ＴＦＴアレイ基板１０に形成されている反射電極９の縦横の境界領域と対向する領域にブラックマトリクス、又はブラックストライプ等と称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側には、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成される。なお、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５０が、保持、封入されている。
【００７１】
（本形態の電気光学装置の作用）
このように構成した電気光学装置１００（図１参照）では、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜からなる反射電極９が形成されているため、対向基板２０側から入射した光をＴＦＴアレイ基板１０側で反射し、対向基板２０側から出射することができるので、この間に液晶５０によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、外光を利用して所望の画像を表示することができる（反射モード）。
【００７２】
また、電気光学装置１００においては、図４において、反射電極９に設けられた透過窓１４を覆うように透明電極８が形成されているため、透過型の液晶表示装置としても機能する。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０の側に配置されたバックライト装置（図示せず）から出射された光は、ＴＦＴアレイ基板１０の側に入射した後、各画素１００ａ（図３参照）において反射電極９が形成されている領域のうち、反射電極９が形成されていない透過領域（透明電極８によって覆われた透過窓１４）を経由して対向基板２０側に透過する。このため、液晶５０によって各画素１００ａ毎で光変調を行えば、バックライト装置から出射された光を利用して所望の画像を表示することができる（透過モード）。
【００７３】
また、本実施の形態では、反射電極９の下層側のうち、反射電極９と平面的に重なる領域に凹凸形成層１３を形成し、この凹凸形成層１３の凹凸を利用して、反射電極９の表面に光散乱用の凹凸パターン９ｇを形成している。また、凹凸パターン９ｇでは、凹凸層７によって、凹凸形成層１３のエッジ等が現れないようになっている。従って、反射モードで画像を表示したとき、散乱反射光で画像を表示するため、視野角依存性が小さい。
【００７４】
さらに、透過窓１４の部分にも配向膜１２を十分に形成（塗布）することが可能になり、また、透過窓１４の部分にスペーサー（図示せず）が落下することもなくなり、所望のセルギャップを形成することができることから、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れたに電気光学装置を提供することができる。
【００７５】
［ＴＦＴの製造方法］
このような構成のＴＦＴアレイ基板１０を製造する方法を、図７〜図１１を参照しつつ、具体的に説明する。
【００７６】
図７〜図１１はいずれも、本実施の形態のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【００７７】
まず、図７（Ａ）に示すように、超音波洗浄等により清浄化したガラス製等の基板１０’を準備した後、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、基板１０’の全面に、シリコン酸化膜からなる下地保護膜１１をプラズマＣＶＤ法により１００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、例えば、モノシランと笑気ガス（一酸化二窒素）との混合ガスやＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン：Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４）と酸素、又はジシランとアンモニアを用いることができる。
【００７８】
次に、基板温度が１５０℃〜４５０℃の温度条件下で、基板１０’の全面に、非晶質シリコン膜からなる半導体膜１をプラズマＣＶＤ法により３０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスとしては、例えば、ジシランやモノシランを用いることができる。次に、半導体膜１に対してレーザ光を照射してレーザアニールを施す。その結果、アモルファスの半導体膜１は、一度溶融し、冷却固化過程を経て結晶化する。この際には、各領域へのレーザ光の照射時間が非常に短時間であり、かつ、照射領域も基板全体に対して局所的であるため、基板全体が同時に高温に熱せられることがない。それゆえ、基板１０’としてガラス基板等を用いても熱による変形や割れ等が生じない。
【００７９】
次に、半導体膜１の表面にフォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５１を介して半導体膜１をエッチングすることにより、図７（Ｂ）に示すように、島状の半導体膜１（能動層）を形成するための半導体膜を各々分離した状態に形成する。
【００８０】
次に、３５０℃以下の温度条件下で、基板１０’の全面に、ＣＶＤ法等により半導体膜１の表面に、シリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜２を５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。ここで形成するゲート絶縁膜２は、シリコン酸化膜に代えてシリコン窒化膜であってもよい。
【００８１】
次に、図示を省略するが、所定のレジストマスクを介して半導体膜１の延設部分１ｆに不純物イオンを打ち込んで、容量線３ｂとの間に蓄積容量６０を構成するための下電極を形成する（図４及び図５参照）。
【００８２】
次に、図７（Ｃ）に示すように、スパッタ法等により、基板１０’の全面に、走査線３ａ等を形成するためのアルミニウム、タンタル、モリブデン等からなる金属膜、又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜からなる導電膜３を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５２を形成する。
【００８３】
次に、レジストマスクを介して導電膜３をドライエッチングし、図７（Ｄ）に示すように、走査線３ａ（ゲート電極）、容量線３ｂ等を形成する。
【００８４】
次に、画素ＴＦＴ部及び駆動回路のＮチャネルＴＦＴ部（図示せず）の側には、走査線３ａやゲート電極をマスクとして、約０．１×１０１３／ｃｍ２〜約１０×１０１３／ｃｍ２のドーズ量で低濃度の不純物イオン（リンイオン）を打ち込んで、走査線３ａに対して自己整合的に低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成する。ここで、走査線３ａの真下に位置しているため、不純物イオンが導入されなかった部分は半導体膜１のままのチャネル形成用領域１ａ’となる。
【００８５】
次に、図８（Ａ）に示すように、画素ＴＦＴ部では、走査線３ａ（ゲート電極）より幅の広いレジストマスク５５３を形成して高濃度の不純物イオン（リンイオン）を約０．１×１０１５／ｃｍ２〜約１０×１０１５／ｃｍ２のドーズ量で打ち込み、高濃度ソース領域１ａ及びドレイン領域１ｄを形成する。
【００８６】
これらの不純物導入工程に代えて、低濃度の不純物の打ち込みを行わずにゲート電極より幅の広いレジストマスクを形成した状態で高濃度の不純物（リンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよい。また、走査線３ａをマスクにして高濃度の不純物を打ち込んで、セルフアライン構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよい。
【００８７】
なお、図示を省略するが、このような工程によって、周辺駆動回路部のＮチャネルＴＦＴ部を形成するが、この際には、ＰチャネルＴＦＴ部をマスクで覆っておく。また、周辺駆動回路のＰチャネルＴＦＴ部を形成する際には、画素部及びＮチャネルＴＦＴ部をレジストで被覆保護して、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０１５／ｃｍ２〜約１０×１０１５／ｃｍ２のドーズ量でボロンイオンを打ち込むことにより、自己整合的にＰチャネルのソース・ドレイン領域を形成する。
【００８８】
この際、ＮチャネルＴＦＴ部の形成時と同様、ゲート電極をマスクとして、約０．１×１０１３／ｃｍ２〜約１０×１０１３／ｃｍ２のドーズ量で低濃度の不純物（ボロンイオン）を導入して、ポリシリコン膜に低濃度領域を形成した後、ゲート電極より幅の広いマスクを形成して高濃度の不純物（ボロンイオン）を約０．１×１０１５／ｃｍ２〜約１０×１０１５／ｃｍ２のドーズ量で打ち込んで、ＬＤＤ構造（ライトリー・ドープト・ドレイン構造）のソース領域及びドレイン領域を形成してもよい。また、低濃度の不純物の打ち込みを行わずに、ゲート電極より幅の広いマスクを形成した状態で高濃度の不純物（ボロンイオン）を打ち込み、オフセット構造のソース領域及びドレイン領域を形成してもよい。これらのイオン打ち込み工程によって、ＣＭＯＳ化（相補型化：Ｃｏｍｐｌｉｍｅｎｔａｒｙ  ＭＯＳ化）が可能になり、周辺駆動回路の同一基板内への内蔵が可能になる。
【００８９】
次に、図８（Ｂ）に示すように、走査線３ａの表面側にＣＶＤ法等により、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜４を３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成する。このときの原料ガスは、例えば、ＴＥＯＳと酸素ガスとの混合ガスを用いることができる。
【００９０】
次に、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５４を形成する。
【００９１】
次に、レジストマスク５５４を介して層間絶縁膜４にドライエッチングを行い、図８（Ｃ）に示すように、層間絶縁膜４においてソース領域及びドレイン領域に対応する部分等にコンタクトホールをそれぞれ形成する。
【００９２】
次に、図８（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜４の表面側に、データ線６ａ（ソース電極）等を構成するためのアルミニウム膜、チタン膜、窒化チタン膜、タンタル膜、モリブデン膜、又はこれらの金属のいずれかを主成分とする合金膜又は積層膜からなる導電膜６をスパッタ法等で３００ｎｍ〜８００ｎｍの厚さに形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストマスク５５５を形成する。
【００９３】
次に、レジストマスク５５５を介して導電膜６にドライエッチングを行い、図９（Ａ）に示すように、データ線６ａ、及びドレイン電極６ｂを形成する。
【００９４】
次に、図９（Ｂ）に示すように、シリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜５を、データ線６ａ、及びドレイン電極６ｂの表面側にＣＶＤ法等により、１００ｎｍ〜８００ｎｍの膜厚に形成する。次に、エッチング技術を用いて、第２層間絶縁膜５にコンタクト孔１５を形成する。
【００９５】
次に、図９（Ｃ）に示すように、ＩＴＯからなる金属膜８ａを約５０〜２００ｎｍの厚さで、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。
【００９６】
次に、図９（Ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、所定のパターンの透明電極８を形成する。この場合、後述する透過窓１４の形成領域を覆うように、また、反射電極９の形成領域よりも広く形成することが好ましい。
【００９７】
次に、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示すように、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂１３ａを１〜３μｍの厚さにスピンコートで塗布した後、感光性樹脂１３ａをフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることによって、後述する反射電極９の下層側に、厚さが１μｍ〜３μｍの凹凸形成層１３を形成する。次いで、角をとるためベーク工程を行ってもよい。
【００９８】
このようなフォトリソグラフィ技術を利用して凹凸形成層１３を形成する際、感光性樹脂１３ａとしてはネガタイプ及びポジタイプのいずれを用いてもよいが、図１０（Ａ）には、感光性樹脂１３ａとしてポジタイプの場合を例示してあり、感光性樹脂１３ａを除去したい部分に対して、所定の露光マスクの透光部分を介して紫外線を照射する。
【００９９】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、透明電極８及び凹凸形成層１３の表面側に、アクリル樹脂等の有機系の感光性樹脂７ａをスピンコートで１μｍ〜２μｍの厚さに塗布する。
【０１００】
次に、図１０（Ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用して、感光性樹脂７ａを透明電極８の表面に達するまで貫通、開口させて、後述する反射電極９の透過窓１４を形成することができるように開口１４ｂを形成するとともに、この開口１４ｂを備えた厚さが１μｍ〜２μｍの凹凸層７を形成する。
【０１０１】
ここで、凹凸層７は、流動性を有する材料を塗布したものから形成されるため、凹凸層７の表面には、凹凸形成層１３の凹凸を適度に打ち消して、エッジのない、滑らかな形状の凹凸パターンが形成される。
【０１０２】
なお、凹凸層７を形成せずに、滑らかな形状の凹凸パターンを形成する場合には、図１０（Ｂ）に示す状態でベーク工程を行って、凹凸形成層１３の縁を滑らかな形状にしてもよい。
【０１０３】
次に、図１１（Ａ）に示すように、スパッタリング法等によって、凹凸層７及び開口１４ｂの表面に、５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚さの、アルミニウムや銀、もしくはこれらの合金、又はこれらのチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜のような反射性を備えた金属膜９ａを形成する。
【０１０４】
次に、図１１（Ｂ）に示すように、微細加工法を用いて透過窓１４となる部分及び隣接する画素との間を選択的に除去して、透過窓１４を備えた反射電極９を形成する。このようにして形成した反射電極９は、透明電極８と、透過窓１４の縁端部において電気的に接続している。この場合、透過窓１４の形状は、短辺が５μｍの長方形のスリットとし、スリットの総面積等を考慮して必要な個数を開口させている（スリットであれば長方形でなくてもよい）。スリットの長手方向の向きは、後述する配向膜１２のラビング方向と一致させている。また、反射電極９の表面には、凹凸形成層１３及び凹凸層７からなる凹凸によって５００ｎｍ以上、さらには８００ｎｍ以上の凹凸パターン９ｇが形成され、かつ、この凹凸パターン９ｇは、凹凸層７によって、エッジのない、滑らかな形状になっている。
【０１０５】
その後、反射電極９の表面側に配向膜（ポリイミド膜）１２を形成する。それには、ブチルセロソルブやｎ−メチルピロリドン等の溶媒に５〜１０重量％のポリイミドやポリアミド酸を溶解させたポリイミド・ワニスをフレキソ印刷した後、加熱・硬化（焼成）する。そして、ポリイミド膜を形成した基板をレーヨン系繊維からなるパフ布で一定方向に擦り、ポリイミド分子を表面近傍で一定方向に配列させる（ラビング処理を施す）。その結果、後で充填した液晶分子とポリイミド分子との相互作用により液晶分子が一定方向に配列する。このラビング処理の方向は、前述のように、スリットの長手方向の向きと一致させることが好ましい。
【０１０６】
以上のようにして、ＴＦＴアレイ基板１０が完成する。
【０１０７】
上記のいずれの形態も、画素スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例に説明したが、画素スイッチング素子としてＴＦＤを用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置、又はパッシブマトリクス型の液晶表示装置、さらには液晶以外の電気光学物質（例えば、ＥＬ発光素子）を用いた電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【０１０８】
［電気光学装置の電子機器への応用］
このように構成した半反射・半透過型の電気光学装置１００は、各種の電子機器の表示部として用いることができるが、その一例を、図１２〜図１４を参照しつつ具体的に説明する。
【０１０９】
図１２は、本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【０１１０】
図１３において、電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、及び液晶表示装置７４を有する。また、液晶表示装置７４は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液晶装置７４としては、前述した電気光学装置１００を用いることができる。
【０１１１】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等のようなメモリ、各種ディスク等のようなストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等のような表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【０１１２】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等のような周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【０１１３】
図１３は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータ８０は、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電気光学装置１００を含んで構成される。
【０１１４】
図１４は、他の電子機器である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、前述した電気光学装置１００からなる表示部とを有している。
【０１１５】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明によって、携帯電話機、モバイルコンピュータ等に好適に用いられる、画素内の透過モード表示におけるコントラストに優れるとともに、反射特性にも優れた電気光学装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電気光学装置の一の実施の形態を対向基板の側から見たときの平面図である。
【図２】図１におけるＨ−Ｈ’線で切断したときの断面図である。
【図３】本発明の電気光学装置の一の実施の形態において、マトリクス状に配置された複数の画素に形成された各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】本発明の電気光学装置の一の実施の形態において、ＴＦＴアレイ基板に形成された各画素の構成を示す平面図である。
【図５】図４におけるＡ−Ａ’線で切断したときの画素の断面図である。
【図６】本発明の電気光学装置の一の実施の形態において、透過窓の形状（スリット形状）を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の電気光学装置の製造方法の一の実施の形態において、ＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図８】図７に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図９】図８に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１０】図９に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１１】図１０に示す工程以降のＴＦＴアレイ基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１２】本発明に係る電気光学装置を表示装置として用いた電子機器の回路構成を示すブロック図である。
【図１３】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図１４】本発明の電気光学装置を用いた電子機器の他の例としての携帯電話機の説明図である。
【図１５】従来の電気光学装置における画素の一部を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１…半導体膜
１ａ…高濃度ソース領域
１ａ’…チャネル形成用領域
１ｂ…低濃度ソース領域
１ｃ…低濃度ドレイン領域
１ｄ…高濃度ドレイン領域
１ｆ…半導体膜の延設部分
２…ゲート絶縁膜
３ａ…走査線
３ｂ…容量線
４…第１層間絶縁膜
５…第２層間絶縁膜（表面保護膜）
６…導電膜
６ａ…データ線
６ｂ…ドレイン電極
７…凹凸層
７ａ…凹凸層を形成するための感光性樹脂
８…透明電極
８ａ…金属膜
９…反射電極
９ａ…金属膜
９ｇ…凹凸パターン（表面凹凸形状）
１０…ＴＦＴアレイ基板
１０’…基板
１１…下地保護膜
１２…配向膜
１３…凹凸形成層
１３ａ…凹凸形成層を形成するための感光性樹脂
１４…透過窓
１４ａ…スリット形状の透過窓
１４ｂ…凹凸層の開口
１５…コンタクト孔
２０…対向基板
２０’…基板
２１…対向電極
２２…配向膜
３０…画素スイッチング用のＴＦＴ
５０…液晶
５２…シール材
５３…周辺見切り
６０…蓄積容量
７０…表示情報出力源
７１…表示情報処理回路
７２…電源回路
７３…タイミングジェネレータ
７４…液晶表示装置
７５…液晶表示パネル
７６…駆動回路
８０…パーソナルコンピュータ
８１…キーボード
８２…本体部
８３…液晶表示ユニット
９０…携帯電話機
９１…操作ボタン
１００…電気光学装置
１００ａ…画素
１０１…基板
１０２…下地保護膜
１０３…透明電極
１０４…保護膜
１０５…凹凸形成層
１０６…凹凸層
１０７…透過窓
１０８…反射電極
１０９…反射用の凹凸
１１０…画素
１２０…ＴＦＴアレイ基板
２０１…データ線駆動回路
２０２…実装端子
２０４…走査線駆動回路
２０５…配線
２０６…基板間導通材
【図１】
0003932844.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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