(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体と導体電極とを積層した積層体と、該積層体の外面に形成された入出力端子及びグランド端子とを備えた積層誘電体フィルタにおいて、
所定の間隔をあけて互いに平行に配置され、一端が前記グランド端子に短絡した第１帯状導体電極と、一端部が開放されていると共に他端部が前記第１帯状導体電極の他端部とビアホールを介して接続され且つ前記第１帯状導体電極と面が対向するように前記第１帯状導体電極とは異なる層に設けられている第２帯状導体電極とからなる複数の共振素子と、
前記共振素子の第２帯状導体電極に対して誘電体層を介して面が対向するように配置されていると共に長手方向の一端が開放され且つ他端が前記グランド電極に短絡した複数の波長短縮用電極とを備え、
前記波長短縮用電極は、長手方向の他端が前記グランド電極に短絡された帯状部と、該帯状部の一端に接続されていると共に前記帯状部よりも広い幅を有し且つ前記第２帯状導体電極との間で容量結合する幅広部とからなり、且つ全体の形状が前記共振素子の基本共振周波数の所定倍の高調波の周波数に共振するように設定されている
ことを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
【請求項２】
前記波長短縮用電極の形状が前記共振素子の基本共振周波数の３倍の周波数に共振するように設定されている
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型誘電体フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自動車電話や携帯型電話機等の携帯型無線通信機に用いられる積層型誘電体フィルタに関し、特に帯域通過型フィルタの遮断周波数帯における減衰量の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、携帯型電話機では、通信に用いている周波数帯域毎に帯域通過型フィルタを備えて通信周波数帯域以外の信号とを分離している。この種の帯域通過型フィルタとして、近年の電子機器の小型化に伴い、ストリップライン等の導体片によってフィルタ回路を構成した積層型誘電体フィルタが使用されるようになった。
【０００３】
（第１従来例）
この種の積層型誘電体フィルタとしては、例えば特許第２８０６７１０号公報に記載されているものが知られている。従来の積層型誘電体フィルタについて図１１及び図１２を参照して説明する。図１１は第１従来の積層型誘電体フィルタの外観斜視図、図１２は第１従来の積層型誘電体フィルタの積層構造を説明する図である。
【０００４】
図に示すように、この積層型誘電体フィルタ100は、誘電体と導体を積層してなる積層体101と、積層体101の両端部に付設した一対の入出力端子102と、積層体101の外面に形成したグランド端子103とを備えている。
【０００５】
また、積層体101は、所定パターンの電極を形成した複数の誘電体層111〜117を積層した構成になっている。
【０００６】
図中最上層の誘電体層111の上面には、全面に亘ってグランド電極121が形成されている。
【０００７】
誘電体層112には、端部がグランド端子103と接続する内層グランド電極122が形成されている。
【０００８】
誘電体層113には、後述する一対の共振素子124及び125の長手方向と直交し且つ端部がそれぞれ誘電体層103を挟んで共振素子124及び125の中間部に重なるように配置された結合調整電極123が形成されている。結合調整電極123は、端部に形成された結合部123aと、両結合部123aを結び該結合部123aよりも幅が狭い接続線部123bとからなる。
【０００９】
誘電体層114には、一端側がグランド端子103に短絡されたストリップライン型の２つの共振素子124,125が互いに間隔をおいて形成されている。共振素子124,125は入出力端子102を結ぶ方向と直交する方向に延びている。各共振素子124,125の開放端側には、端部がグランド端子103に接続する波長短縮用電極126,127が形成されている。
【００１０】
誘電体層115には、一端側が入出力端子102と接続し、他端側が誘電体層114を介して共振素子124又は共振素子125と重なるように配置された入出力電極128及び129が形成されている。
【００１１】
誘電体層116には、前記誘電体層112と同様に、端部がグランド端子103と接続する内層グランド電極130が形成されている。
【００１２】
誘電体層117の底面には、前記誘電体層111と同様にグランド電極（図示せず）が全面に亘って形成されている。
【００１３】
また、周知の携帯型電話機を含む携帯型通信機の通信周波数帯域としては、例えば、１．９ＧＨｚ帯域、２．４５ＧＨｚ（２．５ＧＨｚ）帯域などがあるため、これらを通過周波数帯域とした帯域通過型フィルタでは、それぞれの周波数帯域の周波数特性における遮断周波数において急峻な減衰特性をもつフィルタが要求されている。
【００１４】
（第２従来例）
このため本願出願人は、特願２０００−３０２３００号において、小型であり且つ良好な周波数特性を有する帯域通過型の積層型誘電体フィルタを提案した。この積層型誘電体フィルタの一例を図１３乃至図１８に示す。
【００１５】
図１３は第２従来例の積層型誘電体フィルタの外観斜視図、図１４は図１３におけるＡ−Ａ線矢視方向断面図、図１５は第２従来例の積層構造を説明する図、図１６は第２従来例の各層の電極形状を示す平面図、図１７及び図１８は第２従来例の減衰特性を示す図である。この第２従来例では、２．５ＧＨｚ帯を通過周波数帯域とする帯域通過型フィルタを構成している。
【００１６】
図に示すように、積層型誘電体フィルタ200は、複数の誘電体と複数の導体電極とを積層してなる直方体形状の積層体201と、積層体201の両端部に設けられた一対の入出力端子202a,202bと、積層体201の外面に形成されたグランド端子203a,203bとから構成されている。
【００１７】
積層体201は、導体電極が形成されていない誘電体層（図示せず）と所定パターンの導体電極を形成した複数の誘電体層211〜220を積層した一体構造をなし、各誘電体層211〜220は、例えばＢａＴｉＯ3系の誘電性を有するセラミック焼結体によって形成されている。
【００１８】
図１５において最上層となる誘電体層211には、積層体201が形成されてから付設される入出力電極202a,202bとグランド電極203a,203bの一部が形成されている。
【００１９】
誘電体層212には、入出力端子202a,202bの近傍を除く全領域に第１グランド電極221が形成されている。
【００２０】
誘電体層213には、一端がグランド端子203aに短絡した長方形をなす３つのの波長短縮用電極222,223,224が形成されている。
【００２１】
誘電体層214には、所定の間隔をあけて互いに平行に形成された線状の結合抑制電極225,226,227が形成されている。これらの結合抑制電極225,226,227は、誘電体層214の短手方向に延びている。すなわち、各結合抑制電極225,226,227は、一対の入出力端子を結ぶ方向と直交する方向に延びている。結合抑制電極225,226,227の一方の端部は誘電体層214の一方の長辺（グランド端子203a）の近傍に配置され、他方の端部は誘電体層214の中央部付近に配置されている。誘電体層214の長辺側における結合抑制電極225,226,227の端部にはビアホール251が形成されている。これらの結合抑制電極225,226,227は、後述する共振素子232,233,234の開放端部をなすと共に、第１グランド電極221と後述する結合用電極228とが容量性結合するのを抑制する機能を有している。
【００２２】
誘電体層215には、ビアホール接続用のランド229,230,231と結合用電極228が形成され、各ランド229,230,231の形成位置にはビアホール251が形成されている。これらのビアホール251によって、結合抑制電極225,226,227と後述する共振素子232.233.234とが導電接続される。
【００２３】
結合用電極228は、誘電体層215のほぼ中央付近において誘電体層215の長手方向に延ばして形成され、帯状の接続線部228aと、この接続線部228aの長さ方向の両端に連結され且つ接続線部228aよりも幅が大きい矩形の結合部228b,228cとから構成されている。一方の結合部228bは、共振素子232の中央部付近と誘電体層215を挟んで重なると共に、結合抑制電極225の中央部付近と誘電体層214を介して重なる位置に配置されている。また、他方の結合部228cは共振素子233の中央部付近と誘電体層215を挟んで重なると共に、結合抑制電極226の中央部付近と誘電体層214を介して重なる位置に配置されている。
【００２４】
誘電体層216には、ストリップライン型の３つの共振素子232,233,234が互いに平行となるように形成されている。各共振素子232,233,234は、誘電体層216の短手方向に延ばして配置されている。各共振素子232,233,234の開放端部は結合抑制電極225,226,227と誘電体層214,215を介して重なるように配置され、共振素子232,233,234の開放端部がビアホール251を介して結合抑制電極225,226,227に接続されている。また、各共振素子232,233,234の短絡端はグランド端子203bに接続されている。
【００２５】
さらに、両側の共振素子232,234は、入出力端子202a,202bと接続する入出力電極232a,234aが形成され、入出力端子202aと共振素子232との間がインダクタンスを介して結合され、入出力端子202bと共振素子234との間がインダクタンスを介して結合されている。
【００２６】
また、誘電体層216の上面において、共振素子232,233,234の短絡端側の２つのコーナー部にはＬ字形状の導電体235,236が設けられている。
【００２７】
誘電体層217には、ビアホール接続用のランド238,239,240と結合用電極237が形成され、各ランド238,239,240の形成位置にはビアホール251が形成されている。これらのビアホール251によって、共振素子232.233.234と後述する結合抑制電極241,242,243とが導電接続される。
【００２８】
結合用電極237は、誘電体層217のほぼ中央付近において誘電体層217の長手方向に延ばして形成され、帯状の接続線部237aと、この接続線部237aの長さ方向の両端に連結され且つ接続線部237aよりも幅が大きい矩形の結合部237b,237cとから構成されている。一方の結合部237bは、共振素子233の中央部付近と誘電体層216を挟んで重なると共に、結合抑制電極242の中央部付近と誘電体層217を介して重なる位置に配置されている。また、他方の結合部237cは共振素子234の中央部付近と誘電体層216を挟んで重なると共に、結合抑制電極243の中央部付近と誘電体層217を介して重なる位置に配置されている。
【００２９】
誘電体層218には、互いに平行に形成された帯状導体からなる結合抑制電極241,242,243が形成されている。これらの結合抑制電極241,242,243は、誘電体層214に形成された結合抑制電極225,226,227と同様の形状になっている。この結合抑制電極241,242,243は、共振素子232,233,234の開放端部をなすと共に、後述する第２グランド電極247と結合用電極237とが容量性結合するのを抑制する機能を有する。
【００３０】
誘電体層220には、第２グランド電極247が形成されている。第２グランド電極247は、第１グランド電極221と同一の形状を有する。
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】
周知のように、一般的にλ／４共振器は、基本波、３倍波、５倍波…と、基本波の奇数倍の周波数にて共振するが、λ／４共振器の開放端に容量結合する接地導体を設けることによって波長短縮効果を生じ、λ／４共振器が共振する基本波と高調波との関係は奇数倍にならなくなる。例えば、第１従来例のように単純な波長短縮手法を用いた場合、共振素子124,125の高調波は高周波側にシフトするので、例えば通過周波数帯域が２．５ＧＨｚ帯の帯域通過型フィルタ（ＢＰＦ）を構成した場合、３倍波は７．５ＧＨｚよりも高い周波数にシフトするため、７．５ＧＨｚでの減衰量はある程度得ることができる。
【００３２】
しかし、前述した第２従来例では、図１７に示すように通過周波数帯域である２．５ＧＨｚ近辺が基本通過帯域であるが、形状を小型にするために各共振素子を、共振素子232,233,234と結合抑制電極225,226,227,241,242,243によって構成し、ビアホールを介して折り返した形状としているので、ビアホールのインダクタンス成分により、上記波長短縮効果によって高周波側にシフトした３倍波が低周波側にシフトしてしまい、その結果として、図１８に示すように２．５ＧＨｚを基本波とする共振素子232,233,234の３倍波が７．５ＧＨｚ付近に留まり、７．５ＧＨｚ帯において十分な減衰量を得られないという現象が生じた。
【００３３】
近年においては電波を利用する電子機器や通信システムなどが増加しているため周波数帯域の割り当て状態が密になり、使用されていない周波数帯域がなくなりつつある。このため、携帯型電話機や携帯型通信機を含む電波を用いて通信を行う電子機器においては、自己の使用周波数帯域以外の周波数帯域において十分な減衰量を有するフィルタを用いる必要に迫られている。従って、自己の使用周波数帯域の高調波となる周波数帯域において十分な減衰量を有するフィルタを用いない場合、他の電子機器における通信や動作を阻害したり或いは混信を生ずる恐れがある。
【００３４】
しかしながら、前述した本願出願人が提案している第２従来例の積層型誘電体フィルタにおいては、前述のように３倍波の周波数帯域において十分な減衰量を確保できていない。
【００３５】
本発明の目的は上記の問題点に鑑み、ビアホールを介して折り返された共振素子を有し且つ共振素子の高調波の周波数帯域において十分な減衰量を得られる積層型誘電体フィルタを提供することである。
【００３６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の目的を達成するために請求項１では、誘電体と導体電極とを積層した積層体と、該積層体の外面に形成された入出力端子及びグランド端子とを備えた積層誘電体フィルタにおいて、所定の間隔をあけて互いに平行に配置され、一端が前記グランド端子に短絡した第１帯状導体電極と、一端部が開放されていると共に他端部が前記第１帯状導体電極の他端部とビアホールを介して接続され且つ前記第１帯状導体電極と面が対向するように前記第１帯状導体電極とは異なる層に設けられている第２帯状導体電極とからなる複数の共振素子と、前記共振素子の第２帯状導体電極に対して誘電体層を介して面が対向するように配置されていると共に長手方向の一端が開放され且つ他端が前記グランド電極に短絡した複数の波長短縮用電極とを備え、前記波長短縮用電極は、長手方向の他端が前記グランド電極に短絡された帯状部と、該帯状部の一端に接続されていると共に前記帯状部よりも広い幅を有し且つ前記第２帯状導体電極との間で容量結合する幅広部とからなり、且つ全体の形状が前記共振素子の基本共振周波数の所定倍の高調波の周波数に共振するように設定されている積層型誘電体フィルタを提案する。
【００３７】
該積層型誘電体フィルタによれば、前記共振素子のそれぞれが互いに異なる層に設けられた前記第１帯状導体電極と第２帯状導体電極とから構成され、これら第１及び第２帯状導体電極がビアホールによって接続されて折り返された形状をなしているので、積層型誘電体フィルタの形状が小型になる。さらに、前記波長短縮用電極を設けたことによって、前記共振素子を小型にすることができる。
【００３８】
また、前記帯状部と、前記帯状部よりも広い幅を有し且つ前記第２帯状導体電極との間で容量結合する幅広部とから前記波長短縮用電極を構成し、且つ前記波長短縮用電極全体の形状を前記共振素子の基本共振周波数の所定倍の高調波の周波数に共振するように設定したので、該設定されている高調波の周波数成分に対しては前記共振素子が短絡状態となり、前記設定されている高調波の周波数帯において信号の減衰量が増大される。
【００３９】
また、請求項２では、請求項１に記載の積層型誘電体フィルタにおいて、前記波長短縮用電極の形状が前記共振素子の基本共振周波数の３倍の周波数に共振するように設定されている積層型誘電体フィルタを提案する。
【００４０】
該積層型誘電体フィルタによれば、高調波成分の中でも比較的信号強度の大きい前記共振素子の基本共振周波数の３倍の周波数帯において信号の減衰量が増大される。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて、本発明の一実施形態を説明する。
【００４２】
本実施形態では、本発明の一具体例として、２．５ＧＨｚ帯を通過周波数帯域とする帯域通過型フィルタを構成した積層型誘電体フィルタであり、前述した第２実施例を改良したもので、波長短縮用電極の形状を変えて７．５ＧＨｚに共振する形状としたものである。以下に、その詳細を説明する。
【００４３】
図１は、本発明の一実施形態における積層型誘電体フィルタの外観斜視図、図２は図１におけるＢ−Ｂ線矢視方向断面図、図３は本発明の一実施形態における積層構造を説明する図、図４は本発明の一実施形態における各層の電極形状を示す図、図５は本発明の一実施形態における波長短縮用電極を説明する図、図６は本発明の一実施形態における積層型誘電体フィルタの等価回路を示す図である。
【００４４】
図において、300は積層型誘電体フィルタで、複数の誘電体と複数の導体電極とを積層してなる直方体形状の積層体301と、積層体301の両端部に設けられた一対の入出力端子302a,302bと、積層体301の外面に形成されたグランド端子303a,303bとから構成されている。
【００４５】
積層体301は、導体電極が形成されていない誘電体層（図示せず）と所定パターンの導体電極を形成した複数の誘電体層311〜320を積層した一体構造をなし、各誘電体層311〜320は、例えばＢａＴｉＯ3系の誘電性を有するセラミック焼結体によって形成されている。
【００４６】
図３において最上層となる誘電体層311には、積層体301が形成されてから付設される入出力電極302a,302bとグランド電極303a,303bの一部が形成されている。
【００４７】
誘電体層312には、入出力端子302a,302bの近傍を除く全領域に第１グランド電極321が形成されている。
【００４８】
誘電体層313には、一端がグランド端子303aに短絡した３つの波長短縮用電極322,323,324が形成されている。波長短縮用電極322,323,324のそれぞれは、互いに幅の異なる２つの帯状電極から構成され、後述する共振素子を小型にする波長短縮効果を有し且つこれらの共振素子の基本共振周波数（２．５ＧＨｚ）の３倍の周波数（７．５ＧＨｚ）に共振する形状を有している。即ち、図５に示すように、波長短縮用電極322は長手方向の一端がグランド端子303aに短絡した幅がＷ１で、長さがＬ１の帯状部322aと、この帯状部322aの他端に対して長手方向の一端が接続された幅広部322bとからなり、幅広部322bは帯状部322aの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２と長さＬ２を有している。波長短縮用電極323は長手方向の一端がグランド端子303aに短絡した幅がＷ１で、長さがＬ１の帯状部323aと、この帯状部323aの他端に対して長手方向の一端が接続された幅広部323bとからなり、幅広部323bは帯状部323aの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２と長さＬ２を有している。波長短縮用電極324は長手方向の一端がグランド端子303aに短絡した幅がＷ１で、長さがＬ１の帯状部324aと、この帯状部324aの他端に対して長手方向の一端が接続された幅広部324bとからなり、幅広部324bは帯状部324aの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２と長さＬ２を有している。
【００４９】
誘電体層314には、所定の間隔をあけて互いに平行に形成された帯状の結合抑制電極325,326,327（第２帯状導体電極）が形成されている。これらの結合抑制電極325,326,327は、誘電体層314の短手方向に延ばして配置されている。すなわち、各結合抑制電極325,326,327は、一対の入出力端子を結ぶ方向と直交する方向に延びている。結合抑制電極325,326,327の一方の端部は誘電体層314の一方の長辺（グランド端子303a）の近傍に配置され、他方の端部は誘電体層314の中央部付近に配置されている。誘電体層314の長辺側における結合抑制電極325,326,327の端部にはビアホール351が形成されている。これらの結合抑制電極325,326,327は、後述する共振素子片電極332,333,334の開放端部をなすと共に、第１グランド電極321と後述する結合用電極328とが容量性結合するのを抑制する機能を有するものである。
【００５０】
誘電体層315には、ビアホール接続用のランド329,330,331と結合用電極328が形成され、各ランド329,330,331の形成位置にはビアホール351（図示せず）が形成されている。これらのビアホール351によって、結合抑制電極325,326,327と後述する共振素子片電極332.333.334とが導電接続される。
【００５１】
結合用電極328は、誘電体層315のほぼ中央付近において誘電体層315の長手方向に延ばして形成され、帯状の接続線部328aと、この接続線部328aの長さ方向の両端に連結され且つ接続線部328aよりも幅が大きい矩形の結合部328b,328cとから構成されている。一方の結合部328bは、共振素子片電極332の中央部付近と誘電体層315を挟んで重なると共に、結合抑制電極325の中央部付近と誘電体層314を介して重なる位置に配置されている。また、他方の結合部328cは共振素子片電極333の中央部付近と誘電体層315を挟んで重なると共に、結合抑制電極326の中央部付近と誘電体層314を介して重なる位置に配置されている。
【００５２】
誘電体層316には、ストリップライン型の３つの共振素子片電極332,333,334（第１帯状導体電極）が互いに平行となるように形成されている。各共振素子片電極332,333,334は、誘電体層316の短手方向に延ばして配置されている。各共振素子片電極332,333,334の開放端部は結合抑制電極325,326,327と誘電体層314,315を介して重なるように配置され、共振素子片電極332,333,334の開放端部がビアホール351を介して上層側の結合抑制電極325,326,327と下層側の結合抑制電極341,342,343に接続されている。また、各共振素子片電極332,333,334の短絡端はグランド端子303bに接続されている。
【００５３】
さらに、両側の共振素子片電極332,334には、入出力端子302a,302bと接続する入出力電極332a,334aが設けられ、入出力端子302aに接続する入出力電極332aと共振素子片電極332との間がＬ字型の帯状導電体からなる接続線部332bによって接続され、入出力端子302bに接続する入出力電極334aと共振素子片電極334との間がＬ字型の帯状導電体からなる接続線部334bによって接続されている。これにより、接続線部332b,334bがインダクタンスを有するので、入出力端子302aと共振素子片電極332との間がインダクタンスを介して結合され、入出力端子302aと共振素子片電極334との間がインダクタンスを介して結合されることになる。
【００５４】
また、誘電体層316の上面において、共振素子片電極332,333,334の短絡端側の２つのコーナー部にはＬ字形状の結合抑制電極335,336が設けられている。これらの結合抑制電極335,336は、共振素子片電極332,334とグランド端子303bの回り込み部との容量結合を抑制する。各結合抑制電極335,336は、誘電体層316において共振素子片電極332,333,334が短絡しているグランド端子303bの主部と回り込み部が隣接する角部に形成され、グランド端子303bの主部及び回り込み部に接続している。
【００５５】
誘電体層317には、ビアホール接続用のランド338,339,340と結合用電極337が形成され、各ランド338,339,340の形成位置にはビアホール351が形成されている。これらのビアホール351によって、共振素子片電極332.333.334と後述する結合抑制電極341,342,343とが導電接続される。
【００５６】
結合用電極337は、誘電体層317のほぼ中央付近において誘電体層317の長手方向に延ばして形成され、帯状の接続線部337aと、この接続線部337aの長さ方向の両端に連結され且つ接続線部337aよりも幅が大きい矩形の結合部337b,337cとから構成されている。一方の結合部337bは、共振素子片電極333の中央部付近と誘電体層316を挟んで重なると共に、結合抑制電極342の中央部付近と誘電体層317を介して重なる位置に配置されている。また、他方の結合部337cは共振素子片電極334の中央部付近と誘電体層316を挟んで重なると共に、結合抑制電極343の中央部付近と誘電体層317を介して重なる位置に配置されている。
【００５７】
誘電体層318には、互いに平行に形成された帯状導体からなる結合抑制電極341,342,343（第２帯状導体電極）が形成されている。これらの結合抑制電極341,342,343は、誘電体層314に形成された結合抑制電極325,326,327と同様の形状になっている。この結合抑制電極341,342,343は、共振素子片電極332,333,334の開放端部をなすと共に、後述する第２グランド電極347と結合用電極337とが容量性結合するのを抑制する機能を有するものである。
【００５８】
誘電体層319には、一端がグランド端子303aに短絡した３つの波長短縮用電極344,345,464が形成されている。波長短縮用電極344,345,346のそれぞれは、上記の波長短縮用電極322,323,324と同様に、互いに幅の異なる２つの帯状電極から構成され、後述する共振素子を小型にする波長短縮効果を有し且つこれらの共振素子の基本共振周波数（２．５ＧＨｚ）の３倍の周波数（７．５ＧＨｚ）に共振する形状を有している。即ち、図５に示すように、波長短縮用電極344は長手方向の一端がグランド端子303aに短絡した幅Ｗ１、長さがＬ１の帯状部344aと、この帯状部344aの他端に対して長手方向の一端が接続された幅広部344bとからなり、幅広部344bは帯状部344aの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２と長さＬ２を有している。波長短縮用電極345は長手方向の一端がグランド端子303aに短絡した幅Ｗ１、長さがＬ１の帯状部345aと、この帯状部345aの他端に対して長手方向の一端が接続された幅広部345bとからなり、幅広部345bは帯状部345aの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２と長さＬ２を有している。波長短縮用電極346は長手方向の一端がグランド端子303aに短絡した幅Ｗ１、長さがＬ１の帯状部346aと、この帯状部346aの他端に対して長手方向の一端が接続された幅広部346bとからなり、幅広部346bは帯状部346aの幅Ｗ１よりも大きい幅Ｗ２と長さＬ２を有している。
【００５９】
誘電体層320には、第２グランド電極347が形成されている。第２グランド電極347は、第１グランド電極321と同一の形状を有する。
【００６０】
上記構成においては、各共振素子片電極332,333,334に対して、結合抑制電極325,326,327と結合抑制電極341,342,343が並列に接続した回路が直列に接続して２．５ＧＨｚを基本共振周波数としたλ／４共振器となる共振素子を構成する。即ち、共振素子片電極332に対して、結合抑制電極325,と結合抑制電極341が並列に接続した回路が直列に接続して１つの共振素子を構成する。また、共振素子片電極333に対して、結合抑制電極326と結合抑制電極342が並列に接続した回路が直列に接続して共振素子を構成する。さらに、共振素子片電極334に対して、結合抑制電極327と結合抑制電極343が並列に接続した回路が直列に接続して共振素子を構成する。
【００６１】
図６に示す積層型誘電体フィルタ300の等価回路において、インダクタ361,362は、それぞれ入出力電極332a,334aの接続線部332b,334bによるインダクタ成分である。
【００６２】
キャパシタ363は、結合抑制電極325と第１グランド電極321及び波長短縮用電極322の幅広部322bとの間に生じるキャパシタ成分である。キャパシタ364は、結合抑制電極341と第２グランド電極347及び波長短縮用電極344の幅広部344bとの間に生じるキャパシタ成分である。キャパシタ365は、結合抑制電極326と第１グランド電極321及び波長短縮用電極323の幅広部323bとの間に生じるキャパシタ成分である。キャパシタ366は、結合抑制電極342と第２グランド電極347及び波長短縮用電極345の幅広部345bとの間に生じるキャパシタ成分である。キャパシタ367は、結合抑制電極327と第１グランド電極321及び波長短縮用電極324の幅広部324bとの間に生じるキャパシタ成分である。キャパシタ368は、結合抑制電極343と第２グランド電極347及び波長短縮用電極346の幅広部346bとの間に生じるキャパシタ成分である。
【００６３】
キャパシタ369は、結合用電極328の他方の結合部328bと共振素子片電極332及び結合抑制電極325との間に生じる合成キャパシタ成分である。インダクタ370は、結合用電極328の接続線部328aにより生じるインダクタ成分である。キャパシタ371は、結合用電極328の一方の結合部328cと共振素子片電極333及び結合抑制電極326との間に生じる合成キャパシタ成分である。
【００６４】
キャパシタ372は、結合用電極337の他方の結合部337bと共振素子片電極333及び結合抑制電極342との間に生じる合成キャパシタ成分である。インダクタ373は、結合用電極337の接続線部337aにより生じるインダクタ成分である。キャパシタ374は、結合用電極337の一方の結合部337cと共振素子片電極334及び結合抑制電極343との間に生じる合成キャパシタ成分である。
【００６５】
インダクタ375は、波長短縮用電極322の帯状部322aによって生じるインダクタである。インダクタ376は、波長短縮用電極344の帯状部344aによって生じるインダクタである。インダクタ377は、波長短縮用電極323の帯状部323aによって生じるインダクタである。インダクタ378は、波長短縮用電極345の帯状部345aによって生じるインダクタである。インダクタ379は、波長短縮用電極324の帯状部324aによって生じるインダクタである。インダクタ380は、波長短縮用電極346の帯状部346aによって生じるインダクタである。
【００６６】
また、この積層型誘電体フィルタ300では、この等価回路に示すように、各共振素子片電極332,333,334に対して、結合抑制電極325,326,327と結合抑制電極341,342,343が並列に接続した回路が直列に接続して共振素子を構成する等価回路となる。
【００６７】
前述した積層型誘電体フィルタ300では、３つの共振素子のそれぞれを、共振素子片電極332,333,334と結合抑制電極325,326,327,341,342,343とから構成し、折り返した形状としているので、部品寸法を小型にすることができる。また、波長短縮用電極322,323,324,344,345,346の波長短縮効果によって、各共振素子を小型化することができるので部品寸法のさらなる小型化を図ることができる。
【００６８】
さらに、波長短縮用電極322,323,324,344,345,346による波長短縮効果に加えて、図６の等価回路から明らかなように、結合抑制電極325,326,327,341,342,343とグランド電極321,347との間に形成されたキャパシタ363〜368によっても波長短縮効果を得ることができる。すなわち、共振素子の開放端側が結合抑制電極325,326,327，341,342,343とグランド電極321,347との間に生じる容量を介してグランド端子303a,303bに短絡されているので、共振素子の共振周波数が低くなる。したがって、所望の共振周波数に対して、共振素子を小型化することができるので部品寸法の小型化を図ることができる。
【００６９】
また、結合抑制電極325,326,327により結合用電極328と第１グランド電極321とが容量性結合することを抑制することができる。同様に、結合抑制電極341,342,343により結合用電極337と第２グランド電極347とが容量性結合することを抑制することができる。これにより、結合用電極及びグランド電極間に生じるキャパシタを原因とした周波数特性の劣化を軽減することができる。
【００７０】
さらに、上記積層型誘電体フィルタ300では、波長短縮用電極322,323,324,344,345,346を、幅Ｗ１の帯状部322a,323a,324a,344a,345a,346aと幅Ｗ２（＞Ｗ１）の幅広部322b,323b,324b,344b,345b,346bとから構成し、共振素子の基本共振周波数（２．５ＧＨｚ）の３倍の周波数（７．５ＧＨｚ）に共振する形状としたので、７．５ＧＨｚ帯における十分な減衰量を得ることができる。
【００７１】
即ち、上記積層型誘電体フィルタ300の通過周波数帯域である共振素子の基本共振周波数帯（２．５ＧＨｚ帯）では、図６に示すように各波長短縮用電極322,323,324,344,345,346の等価回路はキャパシタンスとインダクタンスとの直列回路となり、キャパシタンスの一端が共振素子の開放端に接続され、他端がインダクタンスを介して接地された状態になる。従ってキャパシタンス363〜368は、波長短縮用電極322,323,324,344,345,346の幅広部322b,323b,324b,344b,345b,346bによって主に形成され、インダクタンス375〜380は帯状部322a,323a,324a,344a,345a,346aによって形成される。
【００７２】
また、共振素子の基本共振周波数（２．５ＧＨｚ）の３倍の周波数帯（７．５ＧＨｚ帯）では、各波長短縮用電極322,323,324,344,345,346が共振するので、図７に示すように、各共振素子は波長短縮用電極322,323,324,344,345,346と電磁界結合した状態となり、７．５ＧＨｚ帯の信号はグランド端子303aに短絡されるので、７．５ＧＨｚ帯における減衰量が増大される。
【００７３】
これにより、上記積層型誘電体フィルタ300では、図８乃至図１０に示す減衰特性を得ることができた。図８は減衰特性を表す図で、横軸は周波数を表し、縦軸は減衰量を表しており、１．０ＧＨｚ〜９．０ＧＨｚの周波数における減衰量特性を表している。また、図９は図８における減衰量特性の２．５ＧＨｚ帯を拡大した減衰量特性を表す図であり、図１０は図８における減衰量特性の７．５ＧＨｚ帯を拡大した減衰量特性を表す図である。
【００７４】
このように、上記積層型誘電体フィルタ300では、２．４〜２．５ＧＨｚは通過帯域であり、１．５〜２．１ＧＨｚの周波数帯域においては−５０ｄＢ以上の減衰量が得られ、さらに７．５ＧＨｚの周波数帯域では７．２〜７．５ＧＨｚにおいて約−３０ｄＢの減衰量が得られた。
【００７５】
従って、上記積層型誘電体フィルタ300は、自己の使用周波数帯域（２．５ＧＨｚ帯）の高調波となる７．５ＧＨｚ帯の周波数帯域において十分な減衰量を有するので、他の電子機器における通信や動作を阻害したり或いは混信を生ずることがない。
【００７６】
尚、本実施形態では、２．５ＧＨｚ帯を通過周波数帯域とする帯域通過型フィルタを構成したが、２．５ＧＨｚ帯以外の他の周波数帯域を通過周波数帯域とする帯域通過型フィルタを構成することも可能であり、この場合も上記同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００７７】
また、波長短縮用電極322,323,324,344,345,346を構成する帯状部322a,323a,324a,344a,345a,346aと幅広部322b,323b,324b,344b,345b,346bの幅Ｗ１，Ｗ２や長さＬ１，Ｌ２の組合せを変えることにより減衰特性を変えることも可能である。
【００７８】
また、本実施形態では、波長短縮用電極322,323,324,344,345,346の形状を、基本共振周波数（２．５ＧＨｚ）の３倍の周波数（７．５ＧＨｚ）に共振するように設定したが、５倍、７倍の周波数に設定すれば、この周波数における減衰量を増大させることができることは言うまでもない。
【００７９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の請求項１に記載の積層型誘電体フィルタによれば、波長短縮用電極全体の形状を共振素子の基本共振周波数の所定倍の高調波の周波数に共振するように設定したので、該設定されている高調波の周波数成分に対しては前記共振素子が短絡状態となり、前記設定されている高調波の周波数帯において信号の減衰量が増大されるため、該高調波による他の電子機器の通信及び動作の阻害や混信を生ずることがない。
【００８０】
また、請求項２に記載の積層型誘電体フィルタによれば、上記の効果に加えて、高調波成分の中でも比較的信号強度の大きい前記共振素子の基本共振周波数の３倍の周波数帯において信号の減衰量を増大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態における積層型誘電体フィルタの外観斜視図
【図２】図１におけるＢ−Ｂ線矢視方向断面図
【図３】本発明の一実施形態における積層構造を説明する図
【図４】本発明の一実施形態における各層の電極形状を示す図
【図５】本発明の一実施形態における波長短縮用電極を説明する図
【図６】本発明の一実施形態における積層型誘電体フィルタの等価回路を示す図
【図７】本発明の一実施形態における積層型誘電体フィルタの７．５ＧＨｚ帯の等価回路を示す図
【図８】本発明の一実施形態における積層型誘電体フィルタの減衰量特性を示す図
【図９】本発明の一実施形態における積層型誘電体フィルタの減衰量特性を示す図
【図１０】本発明の一実施形態における積層型誘電体フィルタの減衰量特性を示す図
【図１１】第１従来例の積層型誘電体フィルタの外観斜視図
【図１２】第１従来の積層型誘電体フィルタの積層構造を説明する図
【図１３】第２従来例の積層型誘電体フィルタの外観斜視図
【図１４】図１３におけるＡ−Ａ線矢視方向断面図
【図１５】第２従来例の積層構造を説明する図
【図１６】第２従来例の各層の電極形状を示す平面図
【図１７】第２従来例の減衰量特性を示す図
【図１８】第２従来例の減衰量特性を示す図
【符号の説明】
300…積層型誘電体フィルタ、301…積層体、302a,302b…入出力端子、303a,303b…グランド端子、311〜320…誘電体層、321…第１グランド電極、322,323,324,344,345,345…波長短縮用電極、322a,323a,324a,344a,345a,345a…帯状部、322b,323b,324b,344b,345b,345b…幅広部、325,326,327,341,342,343…結合抑制電極（第２帯状導体電極）、328,337…結合電極、332,333,334…共振素子片電極（第１帯状導体電極）、347…第２グランド電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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