(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測し、その計測値に基づいて良否判定を行うバンプ外観検査方法において、
（１）検査領域を、幅が主走査幅に対応し走査経路が該幅に直角な方向の矩形ブロックに分割し、
（２）複数の走査経路のうち、ブロック走査時間と、走査方向を変更するために必要な加減速に要する時間を含むブロック間走査時間との総和が、最小になる走査経路を探索し、
（３）該最小の走査経路に沿って走査しながら該検査対象物上に光を照射させその反射光を受光して該幾何学量を計測する、
ステップを有し、該ステップ（１）では、
（１Ａ）チップ領域にあるバンプ配列に対して、走査経路方向のバンプ間隔が所定値以内になり走査経路方向一端部が互いに重なり且つ走査経路方向が互いに直角な第１及び第２の方向の矩形ブロック候補を形成し、
（１Ｂ）該第１及び第２の方向の矩形ブロック候補のうち、該第１及び第２の方向の長さが大きい方の矩形ブロック候補を選択し、
該矩形ブロックが未だ選択されていない上記検査領域において、該ステップ（１Ａ）及び（１Ｂ）を繰り返し実行する、
ことを特徴とするバンプ外観検査方法。
【請求項２】
上記ステップ（２）では、サブ走査経路の走査時間を累積加算し、その累積加算値が前回までの走査時間最小値より大きくなった場合には、当該走査経路についての残りの走査時間計算を省略する、
ことを特徴とする請求項１に記載のバンプ外観検査方法。
【請求項３】
上記ステップ（２）では、予め定めた走査経路の走査時間を最初に計算することを特徴とする請求項２に記載のバンプ外観検査方法。
【請求項４】
上記ステップ（３）では、上記第１方向と上記第２方向の矩形ブロックの一方を走査した後他方を走査する前に、上記検査対象物を９０度回転させる、
ことを特徴とする請求項１に記載のバンプ外観検査方法。
【請求項５】
上記ステップ（３）では、上記走査経路に沿って副走査しながら主走査する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載のバンプ外観検査方法。
【請求項６】
基板上にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測し、その計測値に基づいて良否判定を行うバンプ外観検査装置において、
該バンプの配列情報が格納される記憶装置と、
該検査対象物を走査させるステージと、
該検査対象物に光を照射させ、その反射光を受光して該幾何学量を計測する計測装置と、
該バンプの配列情報を参照して検査領域を、幅が主走査幅に対応し走査経路が該幅に直角な方向の矩形ブロックに分割し、複数の走査経路のうち、ブロック走査時間と、走査方向を変更するために必要な加減速に要する時間を含むブロック間走査時間との総和が、最小になる走査経路を探索し、該最小の走査経路に沿って走査させる処理装置と、
を有し、該処理装置はさらに、該分割において、
（１Ａ）チップ領域にあるバンプ配列に対し、走査経路方向のバンプ間隔が所定値以内になり走査経路方向一端部が互いに重なり且つ走査経路方向が互いに直角な第１及び第２の方向の矩形ブロック候補を形成し、
（１Ｂ）該第１及び第２の方向の矩形ブロック候補のうち、該第１及び第２の方向の長さが大きい方の矩形ブロック候補を選択し、
該矩形ブロックが未だ選択されていない上記検査領域において、該ステップ（１Ａ）及び（１Ｂ）を繰り返し実行する、
ことを特徴とするバンプ外観検査装置。
【請求項７】
上記計測装置は、
上記検査対象物上に光を主走査させる光走査装置と、
該検査対象物からの反射光を受光して上記幾何学量を検出する幾何学量検出装置と、
を有することを特徴とする請求項６に記載のバンプ外観検査装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フリップチップ等のバンプの高さ、直径又は体積等の幾何学量を計測して良否判定するバンプ外観検査方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩチップの表面にバンプを配列接合したフリップチップでは、そのバンプ頂部を基板上に接合することにより、高密度実装が可能である。バンプの高さに差があると、基板に接合したときに接合不足や未接合の不良が生じ、バンプの直径が大き過ぎると、隣り合うバンプとショートする不良が生ずる。これらの不良は、フリップチップを基板に実装した後に電気試験で検出することができるが、実装前に外観検査で検出した方が好ましい。
【０００３】
そこで、検査対象をステージ上に搭載してジグザグ走査しながら検査対象にレーザ光を照射し、その反射光をセンサで受け、三角測量等の原理でバンプの高さ、直径又は体積等のうち１つあるいは複数を計測し、良否判定を行う外観検査装置が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、チップ上にはバンプが数千個配列されているので、チップ形成時間に対するバンプ外観検査時間の割合が大きい。バンプ配列はチップの種類により異なるが、従来ではバンプ配列を考慮せずに検査対象をステージでジグザグ走査していたので、走査時間が長くなる原因となっていた。
【０００５】
本発明の目的は、走査時間をより短くして検査を高速化することが可能なバンプ外観検査方法及び装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段及びその作用効果】
本発明の第１態様では、基板上にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測し、その計測値に基づいて良否判定を行うバンプ外観検査方法において、例えば図３に示す如く、
（１）検査領域を、幅が主走査幅に対応し走査経路が該幅に直角な方向の矩形ブロックに分割し、
（２）複数の走査経路のうち、ブロック走査時間と、走査方向を変更するために必要な加減速に要する時間を含むブロック間走査時間との総和が、最小になる走査経路を探索し、
（４）該最小の走査経路に沿って走査しながら該検査対象物上に光を照射させその反射光を受光して該幾何学量を計測する。
【０００７】
このバンプ外観検査方法によれば、このブロック形成により走査時間が最小になる経路の探索が容易になり、また、探索した該経路に沿って走査するので走査時間をより短くして検査を高速化することが可能になるという効果を奏する。
【０００８】
また、このバンプ外観検査方法によれば、ブロック内に加減速を含ませる場合と含ませない場合とに分けて走査時間を計算する必要がないので、検査領域内の全走査時間の計算が簡単化され、これにより、走査時間が最小になる経路を容易迅速に求めることができるという効果を奏する。
本発明の第２態様のバンプ外観検査方法では、第１態様において例えば図４に示す如く、上記ステップ（２）では、サブ走査経路の走査時間を累積加算し、その累積加算値が前回までの走査時間最小値より大きくなった場合には、当該走査経路についての残りの走査時間計算を省略する。
【０００９】
このバンプ外観検査方法によれば、この走査時間計算省略により、処理時間が短縮されるという効果を奏する。
本発明の第３態様のバンプ外観検査方法では、第２態様において例えば図４に示す如く、上記ステップ（２）では、予め定めた走査経路の走査時間を最初に計算する。
このバンプ外観検査方法によれば、この計算をしない場合よりも走査時間計算が省略される確率が一般に高くなり、上記短縮効果が高められる。
【００１０】
本発明の第４態様のバンプ外観検査方法では、第１〜３態様のいずれか１つにおいて例えば図１１に示す如く、上記ステップ（１）では、走査経路方向のバンプ間隔が所定値以内になるように上記矩形ブロックを形成する。
このバンプ外観検査方法によれば、走査経路候補数が効果的に低減されるという効果を奏する。
【００１１】
本発明の第５態様のバンプ外観検査方法では、第４態様において例えば図１４〜図１８に示す如く、上記ステップ（１）では、
（１Ａ）矩形ブロックの一端部が重なるように、チップ領域にあるバンプ配列に対して、走査経路方向が互いに直角な第１及び第２の方向の矩形ブロック候補を形成し、
（１Ｂ）走査経路方向が長いほうの該矩形ブロック候補を選択し、
該矩形ブロックが未だ選択されていない上記検査領域において、該ステップ（１Ａ）及び（１Ｂ）を繰り返し実行する。
【００１２】
このバンプ外観検査方法によれば、走査経路方向が１方向のみの場合よりも走査経路候補が多くなって、走査時間がより短い経路を探索することが可能になるという効果を奏する。
本発明の第６態様のバンプ外観検査方法では、第５態様において例えば図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）に示す如く、上記ステップ（３）では、上記第１方向と上記第２方向の矩形ブロックの一方を走査した後他方を走査する前に、上記検査対象物を９０度回転させる。
【００１３】
本発明の第７態様のバンプ外観検査方法では、第１〜６態様のいずれか１つにおいて、上記ステップ（３）では、上記走査経路に沿って副走査しながら主走査する。
本発明の第８態様では、基板上にバンプが配列された検査対象物の該バンプの幾何学量を計測し、その計測値に基づいて良否判定を行うバンプ外観検査装置において例えば図１及び図３に示す如く、
該バンプの配列情報が格納される記憶装置と、
該検査対象物を走査させるステージと、
該検査対象物に光を照射させ、その反射光を受光して該幾何学量を計測する計測装置と、
該バンプの配列情報を参照して検査領域を、幅が主走査幅に対応し走査経路が該幅に直角な方向の矩形ブロックに分割し、複数の走査経路のうち、ブロック走査時間と、走査方向を変更するために必要な加減速に要する時間を含むブロック間走査時間との総和が、最小になる走査経路を探索し、該最小の走査経路に沿って走査させる処理装置とを有する。
【００１４】
本発明の第９態様のバンプ外観検査装置では、第８態様において例えば図１及び図２に示す如く、上記計測装置は、
上記検査対象物上に光を主走査させる光走査装置と、
該検査対象物からの反射光を受光して上記幾何学量を検出する幾何学量検出装置とを有する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。
［第１実施形態］
図１は、バンプ外観検査装置の概略構成を示す。
検査対象物としてのウェーハ１０は、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ２０上にθステージ２１を介して搭載されている。ウェーハ１０には多数のチップ領域が形成され、各チップ領域上にバンプ１２が配列形成されている。ウェーハ１０の上方には、光走査装置３０及び高さ検出装置４０が配置され、これらは使用時に固定されている。
【００１６】
光走査装置３０では、レーザ３１から放射された光ビームがＡＯＤ（音響光学偏向器）３２で紙面垂直方向に走査され、リレーレンズ３３、３４及び対物レンズ３５を通ってウェーハ１０上で紙面垂直方向に走査される。すなわち、図２に示す如く、ＡＯＤ３２でレーザ光が方向ＣＷに走査され、光路Ｌ１からＬ２へ、光路Ｌ２からＬ３へと変化して、ウェーハ１０上で光スポットが図示Ｘ方向に走査される。
【００１７】
高さ検出装置４０では、ウェーハ１０上で反射された光束が対物レンズ４１及び結像レンズ４２を通ってＰＳＤ（光位置検出器）４３の受光面に拡大結像される。
ＰＳＤ４３の一端及び他端から出力される電流Ｉ１及びＩ２はそれぞれ、増幅器５０及び５１により電圧に変換され且つ増幅される。増幅器５０及び５１の出力はそれぞれ、Ａ／Ｄ変換器５２及び５３でデジタル値Ｄ１及びＤ２に変換されて、高さ・明るさ演算回路５４に供給される。高さ・明るさ演算回路５４は、ウェーハ１０上の光スポットの明るさＢ＝（Ｄ１＋Ｄ２）及び規格化された高さＨ＝（Ｄ１−Ｄ２）／（Ｄ１＋Ｄ２）を演算する。
【００１８】
ここで、処理装置５５は、ステージ駆動回路５６を介してＸ−Ｙ−Ｚステージ２０を駆動し、ＡＯＤ駆動回路５７を介してＡＯＤ３２を駆動する。ＡＯＤ３２を駆動したときの光スポットの主走査方向は、図１の紙面に垂直な方向である。Ｘ−Ｙ−Ｚステージ２０の位置及びＡＯＤ駆動回路５７の出力信号に含まれる光走査位置情報がそれぞれ、ステージ駆動回路５６及びＡＯＤ駆動回路５７からアドレス計算回路５８へ供給される。アドレス計算回路５８はこれらの値に基づき高さＨの格納アドレスを算出して、メモリ５９をアドレス指定する。このアドレスに、高さ・明るさ演算回路５４からの高さＨが書き込まれる。
【００１９】
処理装置５５は、高さ・明るさ演算回路５４からの明るさＢが所定値になるようにレーザ３１の光出力を制御する。処理装置５５は、明るさＢが所定範囲内の高さデータのみ処理対象とする。明るさＢが所定範囲外の高さＨをメモリ５９に書き込まないようにしてもよい。
メモリ５９は、例えば記憶領域ＭＡとＭＢとに分けられ、両領域の一方へ高さＨがＤＭＡ転送され、これと並列して両領域の他方のデータが処理装置５５で処理され、該一方と該他方とが交互に切り換えられる。
【００２０】
記憶装置６０には、バンプ情報ファイル６１及び検査情報ファイル６２が格納されている。バンプ情報ファイル６１は、ＣＡＤデータから抽出されたバンプ配列の情報を含んでいる。処理装置５５は、バンプ情報ファイル６１からバンプ配列情報を読み込み、これに基づいてステージ駆動回路５６及びＡＯＤ駆動回路５７を駆動する。検査結果は、検査情報ファイル６２に格納される。
【００２１】
処理装置５５はコンピュータを備えており、これには、キーボードやマウス等の入力装置と、表示装置とからなるコンソール６３が接続されている。
次に、図３を参照してバンプ外観検査手順を説明する。以下、括弧内は図中のステップ識別符号である。
（Ｓ２０）バンプ情報ファイル６１から、検査対象のチップに対応した走査経路決定済フラグＦＬＧを読み込む。
【００２２】
図５に示す如く、バンプ情報ファイル６１内には、チップ識別コード、図５ではＣＨＩＰ０１及びＣＨＩＰ０２と、バンプ配列情報と、このバンプ配列に対する決定済走査経路の情報と、この走査経路情報の有無を示す走査経路決定済フラグＦＬＧ、図５ではＦＬＧ０１及びＦＬＧ０２とが関係付けられて格納されている。フラグＦＬＧはその‘１’／‘０’がそれぞれ決定済走査経路情報の有／無を示している。
【００２３】
（Ｓ２１）フラグＦＬＧが‘０’であればステップＳ２２へ進み、‘１’であればステップＳ２６へ進む。
（Ｓ２２）バンプ情報ファイル６１から、検査対象のチップ識別コードに対応したバンプ配列情報を読み込む。
（Ｓ２３）バンプの検査領域、例えばチップ上の全バンプの領域をブロックに分割する。ブロックへの分割は、走査時間が最小になる経路の探索を容易化するためのものであり、以下にこれを説明する。
【００２４】
図６に示す如く、Ｌは、ＡＯＤ３２を非動作状態にしてＸ−Ｙ−Ｚステージ２０を駆動したときの走査軌跡である。Ｌと直角なＸは、ＡＯＤ３２を駆動したときの主走査軌跡である。点Ｐ１からＰ２まで及び点Ｐ３からＰ４までの間は、副走査速度がほぼ一定の所定値にされる。副走査方向のバンプ間距離が所定値以上の点Ｐ２からＰ３までの走査速度は、該所定値と同一であってもよいが、検査の高速化のために、該所定値よりも高くされる。したがって、点Ｐ２からＰ３までの走査速度には加速と減速含まれ、この点で点Ｐ１からＰ２まで及び点Ｐ３からＰ４までと異なる。
【００２５】
図７に示す如く、幅が主走査幅に略等しく副走査方向の点Ｐ１からＰ２まで及び点Ｐ３からＰ４までの矩形をそれぞれブロックＢＬＫ１及びＢＬＫ２とする。ブロックＢＬＫ１及びＢＬＫ２の隣についても同様にそれぞれブロックＢＬＫ３及びＢＬＫ４とする。バンプがチップ領域１１Ａ上に図１１に示す如く配列されている場合には、ブロック内で図示Ｙ方向のバンプ間距離が所定値以下になるように、このバンプ配列をブロックＢＬＫ１１〜ＢＬＫ１９に分割する。
【００２６】
（Ｓ２４）ブロック走査時間及びブロック間走査時間を算出する。
ブロック走査時間は予め与えられており、図７のブロック走査時間を時間Ｔａとすると、例えば図１１のブロックＢＬＫ１１及びＢＬＫ１２での走査時間はそれぞれ８Ｔａ及び５Ｔａである。
ブロック間走査時間については、図７の場合、点Ｐ２からＰ３まで、点Ｐ２からＰ７まで、点Ｐ２からＰ６まで及び点Ｐ２からＰ５までの走査時間Ｔｂ、Ｔｃ、Ｔｄ及びＴｅを算出する。図７中の矢印付実線は、ブロック間の始端と終端とを直線で結んだ簡略化した走査経路であって、詳細な走査経路ではない。実際には加減速が含まれるので、例えば点Ｐ２からＰ６までの走査経路は点線で示す如くなり、点Ｐ２から点ＰＡまではＹ方向の速度ＶＹが減速されＸ方向の速度ＶＸが加速され、点ＰＢから点Ｐ６まではＶＹが加速されＶＸが減速される。点Ｐ２からＰ５までの走査経路は点線で示す如くなり、点Ｐ２から点ＰＡ、ＰＣ、ＰＤ及びＰＣを通って点Ｐ５に至る。図７に示す経路のＶＸ及びＶＹをそれぞれ図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示す。
【００２７】
ブロック間走査時間は、Ｘ方向走査時間とＹ方向走査時間とを独立に計算し、長い方を選択することにより、容易に算出することができる。Ｘ方向及びＹ方向の走査時間はいずれも、加減速走査時間と定速走査時間の和となる。
ブロック間走査経路は、その長さが予め与えられた範囲内のものに限定する。（Ｓ２５）検査領域内でブロック間を連結した経路を作り、ステップＳ２４で算出したブロック走査時間及びブロック間走査時間を加算してこの経路の全走査時間を求めるという処理を繰り返し、全走査時間が最小になる経路を探索する。
【００２８】
ステップＳ２４とＳ２５との処理を分離することにより、ステップＳ２４で算出した結果を多くの経路で共通に使用することができ、全体の処理時間を短縮することができる。
図６のバンプ配列に対しては、例えば図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示す如ような走査経路の時間を計算する。図９（Ａ）及び図９（Ｂ）中の走査時間Ｔｅｘ及びＴｃｘはそれぞれ図７中のＴｅ及びＴｃと同様にして求められる。
【００２９】
ステップＳ２５では、図４に示す処理が行われる。
（Ｓ２５０）基本的な走査経路、例えば図１０に示すようなジグザグ状の走査経路の累積走査時間Ｔを算出し、これを初期値として最小全走査時間Ｔminに代入する。
（Ｓ２５１）検査領域内でブロック間を連結した経路を作成する。ブロック間は、その長さが予め与えられた範囲内のものに限定する。累積走査時間Ｔに初期値０を代入する。
【００３０】
（Ｓ２５２）サブ経路、例えば１０個のブロックの間を連結した経路の走査時間ΔＴを算出する。
（Ｓ２５３）ＴにΔＴを加算したものをＴに代入する。
（Ｓ２５４）Ｔ＜ＴminであればステップＳ２５５へ進み、Ｔ≧Ｔminであれば走査時間が最小の経路でないのでステップＳ２５２〜Ｓ２５５のループを抜け出て、ステップＳ２５８へ進む。
【００３１】
（Ｓ２５５）未計算の残りブロックが有ればステップＳ２５２へ進み、無ければステップＳ２５６へ進む。
（Ｓ２５６）累積走査時間Ｔを最小全走査時間Ｔminに代入する。
（Ｓ２５７）この経路を、バンプ情報ファイル６１内に格納されている同一チップ識別コードの走査経路に対し上書きする。
【００３２】
（Ｓ２５８）走査経路候補が他に考えられればステップＳ２５１へ戻り、無ければ経路探索処理を終了する。
このようにして、検査領域内の全走査時間が最小になる走査経路がバンプ情報ファイル６１に格納される。
ステップＳ２５４でＴ≧Ｔminと判定されれば残りの走査経路の時間計算が省略されるので、処理時間が短縮される。さらに、ステップＳ２５０で基本経路の走査時間を算出しこれを最小全走査時間Ｔminの初期値としているので、このＴminを用いない場合よりもステップＳ２５４でＴ≧Ｔminと判定される率が高くなり、この短縮効果が高められる。
【００３３】
次にステップＳ２７へ進む。
（Ｓ２６）ステップＳ２５で探索された走査経路をバンプ情報ファイル６１からロードし、ステップＳ２７へ進む。
（Ｓ２７）探索した経路に沿ってＸ−Ｙ−Ｚステージ２０で走査し、ブロック内ではこれと並行してＡＯＤ３２で主走査することによりバンプ高さを測定し、チップ内に所定範囲外のバンプ高さが存在すればそのチップが不良であると判定する。
【００３４】
本第１実施形態では、走査時間が最小になる走査経路を探索し、これに基づいて走査するので、走査時間が従来よりも短縮され、高速走査が可能となる。また、走査速度が一定であるブロックを形成し、加減速をブロック間の走査に含ませているでの、検査領域内の全走査時間の計算が簡単化され、これにより、走査時間が最小になる経路を容易迅速に求めることができる。
【００３５】
［第２実施形態］
上記第１実施形態では、ブロック走査方向がＹ方向のみである場合について説明したが、ブロック走査方向がＸ方向とＹ方向の両方を含む場合を考えれば、図３のステップＳ２５での走査経路候補が多くなり、第１実施形態の場合よりも走査時間が短い経路を探索することが可能となる。ブロック走査方向をＸ方向にすることは、例えば図１のθステージ２１を９０度回転させることにより可能である。
【００３６】
例えば図１２は、矩形のバンプ配列に対しブロック走査方向がＹ方向のみである場合のブロックとジグザク走査経路とを示している。図１３（Ａ）及び図１３（Ｂ）は、このバンプ配列に対し、ブロック走査方向がＸ方向とＹ方向の両方を含む場合を示している。この例では、バンプ配列がブロックＢＬＫ２１〜ＢＬＫ２４に分割され、点Ｐ２１からＰ２２、Ｐ２３及びＰ２４を通って点Ｐ２５に到達する。点Ｐ２５でこの点を中心としてθステージ２１を矢印方向へ９０度回転させることにより、図１３（Ｂ）に示す状態になり、点Ｐ２５からＰ２６及びＰ２７を通って点Ｐ２８に到達する。
【００３７】
ブロック間走査時間には、θステージ２１の回転時間も含まれる。ブロック間をＸ−Ｙ−Ｚステージ２０で走査しながらθステージ２１を回転させることにより、ブロック間走査時間を短縮してもよい。
このようなブロック走査方向がＸ方向とＹ方向の両方を含む場合のブロック化のアルゴリズムを、図１４に示す。図１４の処理は、図３のステップＳ２３において行われる。
【００３８】
（Ｓ２３０）Ｘの値が小さいほうから、ブロック選択候補としてＹ方向ブロックを１つ形成する。ブロックの長さは、上記第１実施形態の場合と同様に、Ｙ方向のバンプ間距離が同一ブロック内で所定値以下でなければならないという制限により定まる。
例えば図１５に示すようなバンプ配列のチップ領域１１Ｂについては、図１６（Ａ）に示すブロックＢＬＫ３１Ｙを形成する。
【００３９】
（Ｓ２３１）このブロックの長さをＬＹに代入する。
（Ｓ２３２）ステップＳ２３０で形成したブロックの始端を共通にするＸ方向ブロックをブロック選択候補として１つ形成する。ブロックの長さは上記同様に、Ｘ方向のバンプ間距離が同一ブロック内で所定値以下でなければならないという制限により定まる。
【００４０】
（Ｓ２３３）このブロックの長さをＬＸに代入する。
（Ｓ２３４〜Ｓ２３６）ＬＸ≦ＬＹであれば、ステップＳ２３０で形成したブロックを選択し、ＬＸ＞ＬＹであればステップＳ２３２で形成したブロックを選択する。
図１６（Ａ）の場合、ブロックＢＬＫ３１Ｙを選択し、ブロックＢＬＫ３１Ｘを取り消す。
【００４１】
（Ｓ２３７）ブロック化されていない領域が残っていればステップＳ２３０へ戻り、残っていなければブロック化処理を終了する。
２回目のループでは、図１６（Ｂ）においてブロックＢＬＫ３２ＹとＢＬＫ３２Ｘの候補が形成され、ブロックＢＬＫ３２Ｘが選択される。３回目のループでは、図１７（Ａ）においてブロックＢＬＫ３３ＹとＢＬＫ３３Ｘの候補が形成され、ブロックＢＬＫ３３Ｘが選択される。４回目のループでは、図１７（Ｂ）においてブロックＢＬＫ３４ＹとＢＬＫ３４Ｘの候補が形成され、ブロックＢＬＫ３４Ｙが選択される。５回目のループでは、図１８（Ａ）においてブロックＢＬＫ３５ＹとＢＬＫ３５Ｘの候補が形成され、ブロックＢＬＫ３５Ｙが選択される。
【００４２】
このような処理により、図１５のバンプ配列に対し、結果として図１８（Ｂ）に示すようなブロックが容易に形成される。
なお、本発明には外にも種々の変形例が含まれる。
例えば、θステージ２１を用いないで光走査装置３０と高さ検出装置４０とを２組備え、一方の組でＸ方向への主走査を行い、他方の組でＹ方向への主走査を行うことにより、Ｘ方向とＹ方向の一方から他方への走査を高速に切り替える構成であってもよい。また、光走査装置３０をウェーハ１０に対し垂直に配置し、斜め方向への反射光を高さ検出装置４０で受光する構成であってもよい。この場合、Ｘ方向とＹ方向のいずれにも走査可能なＡＯＤ３２を用れば、θステージ２１を用いないで光走査装置３０と高さ検出装置４０とを１組備えればよい。
【００４３】
ＰＳＤ４３の代わりに２次元イメージセンサを用いてもよい。この場合、光走査装置３０にシリンドリカルレンズ又はフラットケーブル形の光ファイバ束を用いてライン形の光をチップに照射する構成であってもよい。また、２次元イメージセンサの代わりに１次元イメージセンサとガルバノミラーとを用いて、２次元イメージセンサを用いた場合と同様になるように構成してもよい。
【００４４】
また、バンプの高さを測定する代わりに、明るさＢを２値化したものをメモリ５９に書き込んでバンプの明暗像を取得し、この像のバンプ直径を測定してもよい。バンプの高さと直径の両方を測定して、いずれかが所定範囲外であれば不良であると判定してもよい。
最小走査時間の経路は、チップ上の全バンプを走査する経路である必要はなく、一部を走査する経路であってもよい。例えば、不良が存在する確率が高いと推定される検査領域のみを走査する経路であってもよい。また、バンプ配列に対称性がある場合には、互いに対称な一方のみのバンプ配列を走査する経路であってもよい。
【００４５】
検査対象は、フリップチップ領域が形成されたウェーハに限定されず、ウェーハから切り離された個々のフリップチップであってもよい。
図３のステップＳ２２〜Ｓ２５の処理は、図１の処理装置５５とは別のコンピュータで行ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態のバンプ外観検査装置概略構成を示す図である。
【図２】図１中の光走査装置の光路説明図である。
【図３】外観検査手順を示す概略フローチャートである。
【図４】図３のステップＳ２５の詳細フローチャートである。
【図５】図３の処理で用いられるバンプ情報ファイルの内容説明図である。
【図６】バンプ配列に対する走査説明図である。
【図７】図３のステップＳ２３及びＳ２４の説明図である。
【図８】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ図７の経路のＹ方向及びＸ方向の走査速度を示す線図である。
【図９】（Ａ）及び（Ｂ）は図３のステップＳ２５の説明図である。
【図１０】図４のステップＳ２５０の説明図である。
【図１１】図３のステップＳ２３の説明図である。
【図１２】矩形のパンプ配列に対する１方向ブロック化及び走査経路を示す図である。
【図１３】（Ａ）及び（Ｂ）は図１２と同一のバンプ配列に対する２方向ブロック化及走査経路を示す図である。
【図１４】本発明の第２実施形態の２方向ブロック化アルゴリズムを示すフローチャートである。
【図１５】図１４の処理が適用されるバンプ配列の例を示す図である。
【図１６】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ図１４の第１回及び第２回のループ処理説明図である。
【図１７】（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ図１４の第３回及び第４回のループ処理説明図である。
【図１８】（Ａ）及び（Ｂ）はいずれも図１４の第５回ループ処理説明図である。
【符号の説明】
１０  ウェーハ
１１、１１Ａ、１１Ｂ  チップ領域
１２、１２１〜１２３  バンプ
２０  Ｘ−Ｙ−Ｚステージ
２１  θステージ
３０  光走査装置
３２  ＡＯＤ
４０  高さ検出装置
ＦＬＧ  走査経路決定済フラグ
ＢＬＫ１〜ＢＬＫ４、ＢＬＫ１１〜ＢＬＫ１９、ＢＬＫ２１〜ＢＬＫ２４、ＢＬＫ３１Ｘ〜ＢＬＫ３５Ｘ、ＢＬＫ３１Ｙ〜ＢＬＫ３４Ｙ  ブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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