(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電素子と、第１の空洞層と、第１の封止層と、第２の空洞層と、第２の封止層とを含み、厚み縦３次高調波の振動モードを利用する圧電部品であって、
前記圧電素子は、圧電セラミック基板の厚み方向の表面及び裏面に、互いに対向する表電極及び裏電極を有しており、
前記第１の空洞層は、一面が前記圧電セラミック基板の表面に隣接し、前記表電極を含む振動部の周りに、第１の空洞を形成しており、
前記第１の封止層は、一面が前記第１の空洞層の他面に隣接し、前記第１の空洞を封止しており、
前記第２の空洞層は、一面が前記圧電セラミック基板の裏面に隣接し、前記裏電極を含む振動部の周りに第２の空洞を形成しており、
前記第２の封止層は、一面が前記第２の空洞層の他面に隣接し、前記第２の空洞を封止しており、
前記第１及び第２の空洞層の厚みｔ（μｍ）は、前記圧電素子の周波数共振特性上で見た共振周波数と反共振周波数との間において、前記圧電素子のリアクタンス分Ｘの絶対値を抵抗分Ｒで除して得られる電気的特性Ｑの最大値をＱｍａｘとしたとき、前記３次高調波に対する最大値Ｑｍａｘ（３ｒｄ）が、基本波に対する最大値Ｑｍａｘ（１ｓｔ）よりも高くなるように選定されており、
３次高調波の波長をλ（μｍ）として、ｔ＞０．１λを満たす、
圧電部品。
【請求項２】
請求項１に記載された圧電部品であって、３次高調波の波長をλ（μｍ）として、ｔ≧０．２１λを満たす圧電部品。
【請求項３】
請求項１乃至２のいずれかに記載された圧電部品であって、ｔ≦６０μｍを満たす圧電部品。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載された圧電部品であって、３次高調波の振動モードを利用する圧電部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、共振子または発振子等として使用される圧電部品に関する。この種の圧電部品は、携帯電話、ＣＤーＲＯＭドライブまたは車載電子装置のマイクロコントローラのクロック等に用いることができる。
【０００２】
【従来の技術】
この種の圧電部品としては、従来より種々のタイプのものが提案され、実用に供されてきた。例えば、特開２００１ー５３５７３号公報は、破綻を生じにくく、高度の気密性を有する振動空間を持つ圧電部品を開示している。
【０００３】
この種の圧電部品において、基本固有共振周波数は、圧電セラミック基板の厚みに反比例するから、共振周波数を高周波化しようとすると、圧電セラミック基板の厚みをそれに対応して薄くしなければならない。
【０００４】
この問題点を回避する手段として、基本波振動モードの代わりに、高次高調波、典型的には、３次高調波振動モードを利用する圧電部品が知られている。このタイプの圧電部品では、基本波を用いる場合に比較して、圧電セラミック基板の厚みを大きくでき、信頼性を確保して、容易に量産できるようになる。
【０００５】
しかし、近年は電子部品の小型化への要求が高まっており、圧電部品も例外ではあり得ない。圧電部品のサイズが小さくなり、かつ、発振周波数が高くなると、厚み縦３次高調波振動モードに対する基本波の影響をいかに抑圧するかが問題になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、利用しようとする厚み縦３次高調波振動モードに対する基本波振動モードの影響を極力小さく抑圧することができる圧電部品を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係る圧電部品は、圧電素子と、第１の空洞層と、第１の封止層と、第２の空洞層と、第２の封止層とを含み、厚み縦３次高調波の振動モードを利用する。
【０００８】
前記圧電素子は、圧電セラミック基板の厚み方向の表面及び裏面に、互いに対向する表電極及び裏電極を有する。
【０００９】
前記第１の空洞層は、一面が前記圧電セラミック基板の表面に隣接し、前記表電極を含む振動部の周りに、第１の空洞を形成している。
【００１０】
前記第１の封止層は、一面が前記第１の空洞層の他面に隣接し、前記第１の空洞を封止している。
【００１１】
前記第２の空洞層は、一面が前記圧電セラミック基板の裏面に隣接し、前記裏電極を含む振動部の周りに第２の空洞を形成している。
【００１２】
前記第２の封止層は、一面が前記第２の空洞層の他面に隣接し、前記第２の空洞を封止している。
【００１３】
前記第１及び第２の空洞層の厚みｔ（μｍ）は、前記圧電素子の周波数共振特性上で見た共振周波数と反共振周波数との間において、前記圧電素子のリアクタンス分Ｘの絶対値を抵抗分Ｒで除して得られる電気的特性Ｑの最大値をＱｍａｘとしたとき、前記３次高調波に対する最大値Ｑｍａｘ（３ｒｄ）が、基本波に対する最大値Ｑｍａｘ（１ｓｔ）よりも高くなるように選定されている。
【００１４】
上述したように、本発明に係る圧電部品において、圧電素子は、圧電セラミック基板の厚み方向の表面及び裏面に、互いに対向する表電極及び裏電極を有するから、表電極及び裏電極の励振による圧電振動特性が得られる。
【００１５】
第１の空洞層は、表電極を含む振動部の周りに、第１の空洞を形成する。第１の封止層は、第１の空洞層の上に備えられ第１の空洞を封止する。第２の空洞層は、裏電極を含む振動部の周りに、第２の空洞を形成する。第２の封止層は、第２の空洞層の上に備えられ第２の空洞を封止する。従って、圧電素子は、第１及び第２の空洞層の厚みｔによってほぼ定まり、かつ、第１の封止層及び第２の封止層によって封止された第１の空洞及び第２の空洞内で圧電振動を行うことになる。
【００１６】
更に、本発明に係る圧電部品では、３次高調波に対する最大値Ｑｍａｘ（３ｒｄ）が、基本波に対する最大値Ｑｍａｘ（１ｓｔ）よりも高くなるように選定されている。従って、基本波振動モードの場合よりも、３次高調波振動モードが優越的となり、３次高調波振動モード、具体的には３次高調波振動モードを利用する圧電部品が実現可能になる。
【００１７】
本発明において、基本波振動モードに対する３次高調波振動モードの優越性は、第１及び第２の空洞層の厚みｔ（μｍ）の選定によって得られる。即ち、第１及び第２の空洞層の厚みｔ（μｍ）の選定によって、基本波振動モードを抑え込む。このように、本発明では、第１及び第２の空洞層の厚みｔ（μｍ）の選定という比較的簡単な手段によって、基本波振動モードを抑え込むので、工業的量産が容易である。
【００１８】
発明者らの実験によれば、厚みｔ（μｍ）の範囲について、３次高調波の波長をλ（μｍ）とした場合、ｔ＞０．１λを満たすことにより、基本波振動モードを抑え込み、Ｑｍａｘ（３ｒｄ）＞Ｑｍａｘ（１ｓｔ）を満たし得ることが解った。
【００１９】
基本波振動モードの抑え込みという観点からは、厚みｔは厚くてもよいが、そうすると、圧電部品全体としての厚みが増大し、小型化の要請に反する。このような実際的要請に応えるためには、ｔ≦６０μｍを満たすことが好ましい。
【００２０】
本発明は、共振子または発振子等の他、例えばフィルタ等にも適用できる。本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単に、例示に過ぎない。
【００２１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る圧電部品の分解斜視図、図２は図１に示した圧電部品の組立状態を示す斜視図、図３は図２の３ー３線に沿った拡大断面図である。図示実施例は、共振子または発振子等として使用するのに適したエネルギ閉じ込め型であって、厚み縦振動モードで動作する圧電部品の例を示している。図示された圧電部品は、圧電素子１と、第１の空洞層２１と、第１の封止層２２と、第２の空洞層３１と、第２の封止層３２とを含む。
【００２２】
圧電素子１は、圧電セラミック基板１１と、表電極１２と、裏電極１３とを含む。圧電セラミック基板１１は、厚み方向に分極されている。表電極１２は、表リード電極１４を有し、圧電セラミック基板１１の表面に設けられる。表リード電極１４は、表電極１２に導通し、端部が圧電セラミック基板１１の側端縁に導出される。裏電極１３は、圧電セラミック基板１１の裏面に設けられ、表電極１２と対向する。表電極１２及び裏電極１３は振動部を構成する。
【００２３】
裏リード電極１５は、裏電極１３に導通し、端部が圧電セラミック基板１１の側端縁に導出される。圧電セラミック基板１１の構成材料は、従来より周知のものを用いることができる。表電極１２、裏電極１３、表リード電極１４及び裏リード電極１５は、スパッタリングまたは蒸着等の薄膜技術または厚膜技術の適用によって形成できる。
【００２４】
第１の空洞層２１は、圧電セラミック基板１１の表面に付着され、表電極１２の周りに第１の空洞６を形成している。第１の空洞層２１は、中央部に第１の孔を有しており、第１の孔が第１の空洞６を構成する。第１の空洞層２１としては、熱硬化性樹脂、具体的には、エポキシ樹脂を用いることができる。
【００２５】
第１の封止層２２は、熱硬化性樹脂であって、第１の空洞層２１の一面上に付着され、第１の空洞６を封止する。第１の封止層２２の層厚は、例えば、３μｍ〜５０μｍの範囲に設定する。さらに、第１の封止層２２は、樹脂製シートを用いることができる。
【００２６】
第２の空洞層３１は、圧電セラミック基板１１の裏面に付着され、裏電極１３の周りに第２の空洞７を形成している。第２の空洞層３１は、中央に第２の孔を有しており、この第２の孔が第２の空洞７を構成する。第２の空洞層３１としては、熱硬化性樹脂、具体的には、エポキシ樹脂を用いることができる。
【００２７】
第２の封止層３２は、第２の空洞層３１の上に備えられ、第２の空洞７を封止している。第２の封止層３２の層厚は、例えば、３μｍ〜５０μｍの範囲に設定する。第２の封止層３２も、熱硬化性樹脂を用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂である。
【００２８】
第１の空洞層２１、第１の封止層２２、第２の空洞層３１及び第２の封止層３２は、例えば、スクリーン印刷によって、熱硬化性樹脂を塗布することによって形成できる。
【００２９】
第１の空洞層２１及び第２の空洞層３１の厚みｔは、圧電素子１の周波数共振特性上で見た共振周波数ｆｒと反共振周波数ｆａとの間において、圧電素子のリアクタンス分Ｘの絶対値を抵抗分Ｒで除して得られる電気的特性Ｑ、
Ｑ＝｜Ｘ｜／Ｒ
の最大値をＱｍａｘとしたとき、利用される３次高調波に対する最大値Ｑｍａｘ（３ｒｄ）が、基本波に対する最大値Ｑｍａｘ（１ｓｔ）よりも高くなるように選定されている。第１の空洞層２１の厚みｔと、第２の空洞層３１の厚みｔとは、互いに等しくとも、あるいは、異なっていてもよい。
【００３０】
上述したように、第１の空洞層２１及び第２の空洞層３１の厚みｔを、３次高調波に対する最大値Ｑｍａｘ（３ｒｄ）が、基本波に対する最大値Ｑｍａｘ（１ｓｔ）よりも高くなるように選定されているから、基本波振動モードの場合よりも、３次高調波振動モードが優越的となる。
【００３１】
基本波振動モードに対する３次高調波振動モードの優越性は、第１及び第２の空洞層２１、３１の厚みｔ（μｍ）の選定によって得られる。即ち、第１及び第２の空洞層２１、３１の厚みｔ（μｍ）の選定によって、基本波振動モードを抑え込む。このように、本発明では、第１及び第２の空洞層２１、３１の厚みｔ（μｍ）の選定という比較的簡単な手段によって、基本波振動モードを抑え込むので、工業的量産の実施が容易である。
【００３２】
図４は本発明に係る圧電部品について、第１及び第２の空洞層２１、３１の厚みｔ（μｍ）と、電気的特性Ｑの最大値Ｑｍａｘとの関係を示すデータである。このデータは、図１〜図３に示した構造の圧電部品において、３次高調波の周波数を３３．８６ＭＨｚとしたとき得られたものである。図４において、横軸に厚みｔ（μｍ）をとり、縦軸にＱｍａｘをとってある。横軸の目盛りは、３次高調波の波長λを用いて示してある。特性ＣＨ１は基本波振動モードの特性を示し、特性ＣＨ３は３次高調波振動モードの特性を示している。
【００３３】
図４に示すように、厚みｔ（μｍ）が０．１λよりも大きい範囲では、３次高調波Ｆ３に対する最大値Ｑｍａｘ（３ｒｄ）が、基本波に対する最大値Ｑｍａｘ（１ｓｔ）よりも大きくなっている。これは、厚みｔが０．１λよりも大きくなる領域では、第１及び第２の空洞層２１、３１による基本波振動モードの抑え込み作用が、有効に働くためと推測される。厚みｔの特に好ましい範囲は、０．２１λ以上の領域である。図４のデータによれば、この領域では、この種の圧電部品で満たさなければならないＱｍａｘ≧３をクリアしている。
【００３４】
基本波振動モードの抑え込みという観点からは、厚みｔは、更に厚くてもよいが、そうすると、圧電部品全体としての厚みが増大し、小型化の要請に反する。このような実際的要請に応えるためには、ｔ≦６０μｍを満たすことが好ましい。
【００３５】
更に、図１〜図３の実施例において、表電極１２は、圧電セラミック基板１１の表面に設けられ、裏電極１３は、圧電セラミック基板１１の裏面に設けられ、表電極１２と対向する。表電極１２及び裏電極１３は振動部を構成する。従って、表電極１２及び裏電極１３による圧電振動特性が得られる。
【００３６】
第１の空洞層２１は、表電極１２を含む振動部の周りに、第１の空洞６を形成する。第１の封止層２２は、第１の空洞層２１の上に備えられ第１の空洞６を封止する。第２の空洞層３１は、裏電極１３を含む振動部の周りに、第２の空洞７を形成する。第２の封止層３２は、第２の空洞層３１の上に備えられ第２の空洞７を封止する。従って、圧電素子１は、第１及び第２の空洞層の厚みｔによって定まり、かつ、第１の封止層１２及び第２の封止層２２によって封止された第１の空洞６及び第２の空洞７の内部で圧電振動を行うことになる。
【００３７】
第１の空洞層２１は、層厚方向に同一幅で貫通する第１の孔を有し、表電極１２の周りに、第１の孔による第１の空洞６を形成する。第１の空洞６を構成する第１の孔は、第１の空洞層２１の層厚方向に同一幅で貫通するから、第１の空洞６を形成するために通常用いられるレジスト樹脂を完全に除去することができる。このため、レジスト樹脂の残滓による特性不良を回避することができる。
【００３８】
実施例において、第１の封止層２２は、熱硬化性樹脂であって、第１の空洞層２１の一面上に形成され、第１の空洞６を封止する。このような第１の封止層２２は、第１の空洞層２１の一面に対して、形成すればよいので第１の空洞層２１に対する第１の封止層２２の位置合わせが不要になる。このため、位置ずれによる気密性の破綻等を生じることがない。
【００３９】
しかも、第１の封止層２２は、第１の空洞層２１の一面に対して、平面的に形成すればよいので、高度の気密性を有する振動空間を形成できる。また第１の空洞層２１に対する第１の封止層２２の平面的に形成することにより、十分な形成面積が確保されるので、気密性に破綻を生じにくい振動空間が得られる。
【００４０】
第１の封止層２２は、シート状樹脂を付着することもできる。この場合も、第１の封止層２２は、第１の空洞層２１の一面に対して、平面的に付着すればよいので、従来必須であった第１の空洞層２１に対する第１の封止層２２の位置合わせが不要になる。このため、位置ずれによる気密性の破綻等を生じることがない。
【００４１】
更に、第１の空洞６の内容積は、第１の空洞層２１に設けられた第１の孔の平面積、及び、第１の空洞層２１の層厚によって定める一定の空間容積に設定される。このため、一定の特性を確保することができる。
【００４２】
実施例では、更に、天板２３と、ベース基板４とを含む。天板２３は熱圧着によって、第１の封止層２２の上に接着してある。天板２３はセラミックシート、または、アラミドシートによって構成することができる。
【００４３】
ベース基板４は、基体４０と、第１の端子電極４１と、第２の端子電極４２とを含む。実施例では、第３の端子電極４３も図示されている。このベース基板４は、基体４０の一面側で、圧電素子１、第１の空洞層２１、第１の封止層２２、第２の空洞層３１、及び、第２の封止層３２を支持する。これにより、ベース基板４による補強作用が得られ、機械的強度の高い圧電部品が得られる。
【００４４】
第１の端子電極４１は、表リード電極１４の導出された側端面に形成され、第２の端子電極４２は、裏リード電極１５の導出された側端面に形成される。ベース基板４を構成する基体４０はセラミックによって構成することができる。
【００４５】
実施例において、第１の端子電極４１〜第３の端子電極４３は、互いに間隔を隔てて、組立体の周りに帯状に形成されており、天板側の帯状電極は中央部で分離されていても良い。第１の端子電極４１〜第３の端子電極４３は、基体４０と接する最下層及び最上層は焼き付けによる銀層とし、これらの銀層は薄膜で導通している。さらに、その上にニッケルメッキ層を設けて、銀層の半田食われ防止層とし、ニッケル層の上に、錫メッキ層または半田メッキ層を設け、半田付け性を改善した複合メッキ膜構造を採用することができる。
【００４６】
図５〜図１７は図１〜図３に示した圧電部品であって、３３．８６ＭＨｚの圧電部品の製造工程を示している。まず、図５、図６に示すように、大板のウエハ状圧電セラミック基板１１の表面及び裏面に、表電極１２及び裏電極１３を、所定のパターンで、多数個形成する。表電極１２及び裏電極１３は、薄膜法で、マスキングによりパターンを形成する。または、フォトリソグラフィを用いた高精度パターン形成技術によって形成することもできるし、スクリーン印刷等によっても形成することもできる。表電極１２及び裏電極１３は表リード電極１４及び裏リード電極１５を有するパターンとして形成する。
【００４７】
圧電セラミック基板１１は、予め、周知の技術に従って、厚み方向に分極されており、表電極１２及び裏電極１３は分極された領域上に形成される。表電極１２及び裏電極１３は表リード電極１４及び裏リード電極１５の形成に当っては、例えば、下地膜として、１０ｎｍのＣｒ膜、その上に、１．２μｍのＡｇ膜をスパッタリングまたは蒸着する。表電極１２及び裏電極１３は、例えば、０．５×０．４ｍｍの短形状である。但し、前記形状は、円や、長円またはＲ付短形でもよい。
【００４８】
電極形成に先立つ分極処理に当っては、圧電セラミック基板１１を、０．３５ｍｍとなるように一次研摩した後、圧電基板１１の両面に、片面あたり、１μｍのＣｕ分極電極膜を蒸着した。この後、圧電セラミック基板１１をシリコンオイル中に入れ、Ｃｕ分極電極膜に９ｋＶ／ｍｍの分極電圧を印加し、１５０℃の温度条件で、１０００秒間の分極処理を行った。
【００４９】
次に、図７、図８に示すように、表電極１２及び裏電極１３を、その外径よりも大きい範囲で覆うレジスト樹脂６０、７０を塗布し、乾燥させた。レジスト樹脂６０、７０としては、水、アルカリあるいは有機溶剤により、容易に溶解除去できるものを用いる。
【００５０】
次に、図９、図１０に示すように、ウエハ状圧電セラミック基板１１の表面及び裏面に、レジスト樹脂６０、７０のない領域を埋めるように、樹脂２１、３１を塗布し、乾燥させ、定着させた。
【００５１】
樹脂２１、３１は第１及び第２の空洞層２１、３１（図１〜図３参照）を構成する。樹脂２１、３１は、図４に示したデータの教示に従い、乾燥後の厚みｔが０．１λよりも大きくなるように、更に好ましくは、０．２１λ以上となるように形成する。但し、薄型化の要請に応えるために、６０μｍ以下となるように形成する。第１及び第２の空洞層２１、３２としては、熱硬化性樹脂、具体的には、例えば、１５０℃、３０分程度で本硬化するエポキシ樹脂を用いることができる。
【００５２】
次に、図１１、図１２に示すように、レジスト樹脂６０、７０を除去する。レジスト樹脂６０、７０は、上述したように、水、アルカリあるいは有機溶剤により、容易に溶解除去できる。レジスト樹脂６０、７０の除去された後には、第１の空洞部及び第２の空洞部となるスペース６、７が生じる。第１の空洞６を構成する第１の孔、及び、第２の空洞７を構成する第２の孔は、第１の空洞層２１及び第２の空洞層３１の層厚方向に同一幅で貫通するから、レジスト樹脂６０、７０を、第１の空洞層２１及び第２の空洞層３１の面方向に排出して完全に除去することができる。このため、レジスト樹脂６０、７０の残滓による特性不良を回避することができる。
【００５３】
次に、図１３、図１４に示すように、第１の封止層２２及び第２の封止層３２を積層する。積層手段としては、スクリーン印刷またはシート貼りつけ等の手段を用いることができる。これにより、ウエハ状圧電セラミック基板１１、第１の封止層２２及び第２の封止層３２を含む組立体が得られる。第１及び第２の封止層２２、３２は、熱硬化性樹脂を用いることができる。具体的には、例えば、８０℃、６０分程度で本硬化するエポキシ樹脂である。
【００５４】
この場合、第１及び第２の封止層２２、３２は、第１及び第２の空洞層２１、３１の一面に対して、平面的に形成すればよいので、第１及び第２の空洞層２１、３１に対する第１及び第２の封止層２２、３２の位置合わせが不要になる。このため、位置ずれによる気密性の破綻等を生じることがない。
【００５５】
しかも、第１及び第２の封止層２２、３２は、第１及び第２の空洞層２１、３１の一面に対して、平面的に形成すればよいので、高度の気密性を有する振動空間を形成できる。また、第１及び第２の空洞層２１、３１に対する第１及び第２の封止層２２、３２の平面的積層により、十分な積層面積が確保されるので、気密性に破綻を生じにくい振動空間が得られる。
【００５６】
更に、第１及び第２の空洞６、７の内容積は、第１及び第２の空洞層２１、３１に設けられた第１及び第２の孔の平面積と、第１及び第２の空洞層２１、３１の層厚によって定める一定の空間容積に設定される。このため、一定の特性を確保することができる。
【００５７】
次に、図１５、図１６に図示するように、第２の封止層３２にベース基板４を接着し、第１の封止層２２に天板２３を接着する。ベース基板４及び天板２３の接着に当たっては、第２の封止層３２及び第１の封止層２２の接着力を利用するか、または、第２の封止層３２及び第１の封止層２２の表面に付与された接着層の接着力を利用することができる。
【００５８】
ベース基板４は、圧電素子１と、第１の封止構造体２と、第２の封止構造体３とを含む組立体を製造する工程とは別工程で製造しておく。このベース基板４は、好ましくは、その底面に、第１の端子電極４１、第２の端子電極４２及び第３の端子電極４３を、帯状に形成しておく。隣り合う圧電素子間では、第１の端子電極４１と第２の端子電極４２とは、一体に形成される。
【００５９】
次に、図１７に示すように、ベース基板４、ウエハ状圧電セラミック基板１１、第１の空洞層２１、第１の封止層２２、第２の空洞層３１、第２の封止層３２及び天板２３を含む組立体を、Ｘ１ーＸ１線、Ｘ２ーＸ２線及び（Ｙ１ーＹ１線）〜（Ｙ３ーＹ３線）に沿って切断する。切断手段としては、ダイシングソーを用いることができる。この切断工程を経ることにより、圧電部品の単体が得られる。
【００６０】
この後、組立体の側面に、第１の端子電極４１、第２の端子電極４２及び第３の端子電極４３を形成する（図１〜図３参照）。これによって、第１の端子電極４１の端部を表リード電極１４の端部に導通させ、第２の端子電極４２の端部を裏リード電極１５の端部に導通させる（図１〜図３参照）。第１の端子電極４１〜第３の端子電極４３は、蒸着またはスパッタリング等の薄膜形成手段によって薄膜を形成した後、めっきを施すことによって形成することができる。
【００６１】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、利用しようとする３次高調波振動モードに対する基本波振動モードの影響を極力小さく抑え込むことができる圧電部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る圧電部品の分解斜視図である。
【図２】本発明に係る圧電部品の斜視図である。
【図３】図２の３ー３線に沿った拡大断面図である。
【図４】本発明に係る圧電部品について、第１及び第２の空洞層の厚みｔ（μｍ）と、電気的特性Ｑの最大値Ｑｍａｘとの関係を示すデータである。
【図５】本発明に係る圧電部品の製造工程を示す斜視図である。
【図６】図５に示した工程を拡大して示す断面図である。
【図７】図５及び図６に示した工程の後の製造工程を示す斜視図である。
【図８】図７に示した工程を拡大して示す断面図である。
【図９】図７、図８に示した工程の後の製造工程を示す斜視図である。
【図１０】図９に示した工程を拡大して示す断面図である。
【図１１】図９、図１０に示した工程の後の製造工程を示す斜視図である。
【図１２】図１１に示した工程を拡大して示す断面図である。
【図１３】図１１、図１２に示した工程の後の製造工程を示す斜視図である。
【図１４】図１３に示した工程を拡大して示す断面図である。
【図１５】図１３、図１４に示した工程の後の製造工程を示す斜視図である。
【図１６】図１５に示した工程を拡大して示す断面図である。
【図１７】図１５、図１６に示した工程の後の製造工程を示す斜視図である。
【符号の説明】
１                      圧電素子
１１                      圧電セラミック基板
２１                      第１の空洞層
２２                      第１の封止層
３１                      第２の空洞層
３２                      第２の封止層
【図１】
0003909663.tif 000002
【図２】
0003909663.tif 000003
【図３】
0003909663.tif 000004
【図４】
0003909663.tif 000005
【図５】
0003909663.tif 000006
【図６】
0003909663.tif 000007
【図７】
0003909663.tif 000008
【図８】
0003909663.tif 000009
【図９】
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【図１０】
0003909663.tif 000011
【図１１】
0003909663.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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