(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学効果を有する基板上に、光導波路、バッファ層、金属装荷型の導波路型偏光子、及び変調用電極を具えた光導波路素子の形成方法であって、
該基板は、リチウムを構成元素種とする酸化物からなり、
前記基板に光導波路を形成する第１の工程と、
前記基板上にバッファ層を形成する第２の工程と、
前記バッファ層を非反応性ドライエッチングにより部分的に除去して第１の開口部を形成し、前記基板の主面における前記光導波路が形成された部分の少なくとも一部を露出させる第３の工程と、
前記第１の開口部内において、前記基板上に前記金属装荷型の導波路型偏光子を形成する第４の工程と、を含むことを特徴とする、光導波路素子の形成方法。
【請求項２】
前記非反応性ドライエッチングは、不活性ガスを用いて行うことを特徴とする、請求項１に記載の光導波路素子の形成方法。
【請求項３】
前記不活性ガスは、アルゴンガスであることを特徴とする、請求項２に記載の光導波路素子の形成方法。
【請求項４】
前記第３の工程は、反応性ドライエッチングにより前記バッファ層をその厚さ方向において部分的に除去した後、前記厚さ方向における残りのバッファ層を非反応性ドライエッチングにより除去して第１の開口部を形成する工程であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の光導波路素子の形成方法。
【請求項５】
前記反応性ドライエッチングは、フロン系ガスを用いて行うことを特徴とする、請求項４に記載の光導波路素子の形成方法。
【請求項６】
前記基板は、ニオブ酸リチウムからなることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一に記載の光導波路素子の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、長距離、大容量の光ファイバ通信システムや光計測器などに用いられる光導波路素子の形成方法に関し、特に入射偏波変動に対するデバイス特性の安定化を図る目的で搭載される金属装荷型導波路偏光子を有する光導波路素子の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ニオブ酸リチウム（ＬＮ）などの電気光学効果を有する基板上に光導波路やバッファ層、電極などを集積して構成した光導波路素子は、長距離、大容量の光ファイバ通信システムや光計測器などに広く用いられるようになってきた。
このような光導波路素子はＬＮなどの基板上にＴｉ熱拡散法などを用いて光導波路を形成した後、ＳｉＯ２などからなるバッファ層、導波光を制御するための変調用電極などを順次形成してウエハを作製する。その後、ダイサーなどを用いて前記ウエハを素子ごとに切り分け、各素子をケースにマウントした後、光ファイバを接続して作製される。
【０００３】
このようにして作製された光導波路素子に対しては、通常、基板の主面に対して垂直、あるいは水平方向にのみ振動する偏波成分を有する光波を用いる。このため、これら光導波路素子においてはその入射側に偏波保持ファイバを接続し、前記偏波成分を有するいわゆる直線偏光を入射させるようにしている。
しかしながら、前記偏波保持ファイバに外部から応力がかかったり、入射する光波が直線偏光でなかったりすると、前記光導波路素子の出射側において、前記光波の消光比が劣化するという問題が生じる。したがって、光導波路素子における信号のオン／オフを正確に行うことができなくなり、信号伝送におけるＳ／Ｎ比が劣化してしまうという問題が生じていた。
【０００４】
このような問題点を解決するため、特開平４−２８２６０８号公報及び特開昭６２−２９９９１３号公報においては、それぞれ光導波路の端面に薄い偏光子を貼り付けたり、あるいは光導波路近傍に遷移金属などを熱拡散したりすることにより、いわゆる導波路型偏光子を組み込む技術が開示されている。そして、この導波路型偏光子によって不要な偏波成分を除去し、入射偏波変動に対するデバイス特性の安定化を図っている。
【０００５】
また、Suematsu et. al: Appl. Phys. Lett.,Vol.21,No.6 (1972)には、光導波路上に金属層を装荷し、この金属層による各偏波の電界成分吸収差を利用して偏光作用を持たせる金属装荷型の導波路型偏光子が記載されている。具体的には、基板の主面に対して水平方向に振動する偏波（TEモード光と呼ぶ）を透過し、垂直方向に振動する偏波（TMモード光と呼ぶ）を吸収する。この金属装荷型の導波路型偏光子は、構造が簡単な割に比較的高い消光比が得られることを特徴とする。
【０００６】
そして、上記金属装荷型の導波路型偏光子は以下のようにして形成する。すなわち、光導波路が形成されたＬＮ基板上へフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィにより偏光子パターンを形成する。次いで、偏光子として作用させるための金属層、例えばＡｌ層を蒸着法などにより前記偏光子パターン上に成膜する。その後、前記レジスト上の余分なＡｌ層を有機溶剤中で除去することにより、前記光導波路上にＡｌ装荷の導波路型偏光子を形成する。
【０００７】
一方、基板と光導波路中を導波する光波を変調するための変調用電極との間に、速度整合を向上させるなどの目的からＳｉＯ２などからなるバッファ層を形成する場合がある。また、金属装荷型の導波路型偏光子は、上述のように光導波路に接触するようにして形成する必要がある。したがって、上記のようなバッファ層を形成する場合、このバッファ層に開口部を形成して基板の主面を露出させ、前記開口部内に導波路型偏光子を形成することによって、前記導波路型偏光子と光導波路とが接触するようにしていた。
また前記開口部は、バッファ層に主として用いられる上記ＳｉＯ２のエッチングレートが高いという理由から、ＣＦ４、ＣＨＦ３などのフロン系ガスプラズマを用いた反応性ドライエッチングにより形成していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のようなドライエッチング法を用いて開口部を形成する場合においては、バッファ層厚のばらつきや、エッチングバッチ間でのエッチングレートのばらつきなどにより、バッファ層がオーバエッチングされ、基板の主面までもがエッチングされる場合があった。
そして、このようなオーバエッチングによって形成された開口部内に、前述したようなＡｌ装荷の導波路型偏光子を形成した場合、導波路型偏光子の偏光特性にばらつきが生じ、光導波路素子自体の消光比が著しく劣化してしまう場合があった。
【０００９】
このため本発明者らは、上記開口部の形成工程においてマススペクトル分析や発光分析などを利用したプロセスモニターを行うことによってエッチング終点を検出し、これによりオーバエッチングを防止することを試みた。しかしながら、これらの技術を用いることにっても基板のオーバエッチングを完全に防止することはできずにいた。
【００１０】
本発明は、金属装荷型の導波路型偏光子を具える光導波路素子において、前記導波路型偏光子の偏光特性の変動を防止し、高い消光比を安定して得ることが可能な前記光導波路素子の形成方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の光導波路素子の形成方法は、電気光学効果を有する基板上に、光導波路、バッファ層、金属装荷型の導波路型偏光子、及び変調用電極を具えた光導波路素子の形成方法であって、該基板は、リチウムを構成元素種とする酸化物からなり、前記基板に光導波路を形成する第１の工程と、前記基板上にバッファ層を形成する第２の工程と、前記バッファ層を非反応性ドライエッチングにより部分的に除去して第１の開口部を形成し、前記基板の主面における前記光導波路が形成された部分の少なくとも一部を露出させる第３の工程と、前記第１の開口部内において、前記基板上に前記金属装荷型の導波路型偏光子を形成する第４の工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明者らは、バッファ層がオーバエッチングされることにより形成された開口部内に金属装荷型の導波路型偏光子を形成した場合における、導波路型偏光子の偏光特性が変動する原因について、ＬＮ基板を用いて詳細な検討を行った。
その結果、バッファ層を形成することなく、基板上に直接金属装荷型の導波路型偏光子を形成した場合において、この導波路型偏光子を構成する金属層には腐食が全く見られなかったのに対し、上記開口部内に金属装荷型の導波路型偏光子を形成した場合においては、この導波路型偏光子を構成する金属層が腐食していることを発見した。
【００１３】
そして、かかる腐食の原因をさらに探求したところ、開口部内に露出した基板の主面における過剰な遊離酸素が原因であることを突き止めた。
そして、このような過剰な遊離酸素の発生が開口部を形成する際のオーバエッチングと対応していることから、本発明者らは以下のような過剰酸素発生のメカニズムを想定した。すなわち、フロン系ガスのプラズマを用いた化学的な作用を主体とする反応性ドライエッチングにより、エッチング種であるフッ素ラジカルがＬＮ基板を構成しているリチウム原子と選択的に反応し、フッ化物として前記基板から排出されることにより、基板表面近傍において酸素が過剰に存在するというメカニズムを想定した。
【００１４】
このようなメカニズムに基づき、本発明者らは、アルゴンガスプラズマを用い、物理的にエッチングを行う非反応性ドライエッチングにより、バッファ層を部分的に除去して開口部を形成した。そして、この開口部に金属装荷型の導波路型偏光子を形成したところ、この導波路型偏光子を構成する金属層には全く腐食は見られず、前記導波路型偏光子の偏光特性は変動しないことを見出した。その結果、高い消光比を有する光導波路素子を安定的に得ることが可能であることを見出した。
本発明は、本発明者らによるこのような膨大な研究探索の結果としてなされてものである。
【００１５】
本発明によれば、バッファ層を部分的にドライエッチングして開口部を形成する際に、オーバエッチングによって基板の主面がエッチングされた場合においても、前記基板の主面における表層部分に過剰な遊離酸素が存在することがない。このため、前記開口部内に金属装荷型の導波路型偏光子を形成した場合においても、導波路型偏光子を構成する金属層が酸化されて腐食されることがない。
したがって、導波路型偏光子の偏光特性が安定し、高い消光比を有する光導波路素子を安定的に得ることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を発明の実施の形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の光導波路素子の形成方法により作製した光導波路素子の一例を示す斜視図である。なお、図１では、本発明の特徴を明確にすべく詳細な部分については記載を省略している。
以下、図１を参照しながら本発明の形成方法について説明する。
【００１７】
図１に示す光導波路素子１０は、電気光学効果を有する基板１と、この基板１に形成された光導波路２と、変調用電極を構成する信号電極５及び接地電極６とを具えている。さらに、基板１と信号電極５及び接地電極６との間には、バッファ層３が形成されている。また、基板１の左端には、基板１の主面１Ａと接触するようにして金属装荷型の導波路型偏光子４が形成されている。さらに、基板１の右端には、基板１の主面１Ａ上と接触するようにしてＤＣ電極７が形成されている。
このＤＣ電極７は、光導波路素子１０の動作点を制御するために、光導波路２に所定のバイアス電圧を印加するためのものである。
【００１８】
光波は図中に示す矢印の方向から光導波路素子１０の光導波路２に入射され、金属装荷型の導波路型偏光子４によって基板１の主面１Ａと平行な偏波成分のみが選択される。そして、信号電極５及び接地電極６に印加された所定の変調信号による変調を受けることによって、前記光波が消光及び非消光され、電気信号が光のオン／オフに置き換えられるものである。
【００１９】
本発明においては、最初に電気光学効果を有する基板１に光導波路２を形成する。光導波路２は、Ｔｉ熱拡散法、プロトン交換法、エピタキシャル成長法、及びイオン注入法などいずれの方法をも用いることができる。
【００２０】
次いで、本発明においては、基板１上にバッファ層３を形成する。バッファ層３は、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などの公知の製膜法により、バッファ層３を構成する材料の種類に応じて任意に選択することができる。
また、バッファ層３は、光導波路を導波する光波と信号電極等に印加される変調信号であるマイクロ波との速度整合を図る目的、及び前記光波の前記変調用電極による吸収損失を防止する目的などから、好ましくは０．２〜２．０μｍの厚さに形成する。
【００２１】
次いで、本発明においては、バッファ層３を非反応性ドライエッチングにより部分的に除去して第１の開口部８を形成する。
非反応性ドライエッチングは、例えば、以下のようにして実施する。
最初に、バッファ層３上にクロムマスクを蒸着法などにより、バッファ層よりも若干厚く、例えば、厚さ０．３〜２．１μｍに形成する。そして、前記クロムマスク上にフォトレジストを厚さ０．７〜１．０μｍに形成した後、フォトリソグラフィによって前記フォトレジストをパターニングする。次いで、前記クロムマスクの第１の開口部８に相当する部分をケミカルエッチングによって除去する。残ったフォトレジストは、有機溶剤により除去する。
【００２２】
その後、例えば、ＥＣＲプラズマ源を用いたドライエッチング装置内に前記のようにして得られたウエハを設置し、バッファ層３をドライエッチングする。すると、バッファ層３の、前記クロムマスクの形成されていない第１の開口部８に相当する部分のみがエッチング除去され、第１の開口部８が形成される。残ったクロムマスクはケミカルエッチングなどによって除去する。
【００２３】
非反応性ドライエッチングに用いることのできるエッチングガスは、非反応性のプラズマイオン種を形成するものであれば特には限定されない。しかしながら、エッチングレートが比較的高いこと、及び化学的に安定で取り扱い易いことから、不活性ガスを用いることが好ましい。特に入手しやすく価格が安いこと、エッチングレートの制御が容易であるとの観点から、アルゴンガスを用いることが好ましい。
【００２４】
また、バッファ層３を１．０μｍ以上と比較的厚く形成する場合においては、反応性ドライエッチングと非反応性ドライエッチングとを併用して第１の開口部８を形成することが好ましい。
すなわち、最初に反応性ドライエッチングによってバッファ層３をエッチングする。そして、エッチングが進行して基板１の主面１Ａが露出する直前に反応性ドライエッチングから非反応性ドライエッチングに切り替えるものである。
【００２５】
反応性ドライエッチングはバッファ層を主に化学的な作用によりエッチングするため、高いエッチングレートを得ることができる。したがって、第１の開口部８の形成時間を短縮化することができる。さらには、クロムマスクなどとの選択比は比較的高いため、バッファ層を厚く形成した場合においても、クロムマスクなどを厚く形成する必要がない。このため、マスク材料の節約にもつながる。
そして、基板１の主面１Ａが露出する直前に非反応性ドライエッチングに切り替えることにより、基板１の主面１Ａをオーバエッチングしても、基板１の主面における表層部分に過剰の遊離酸素は発生しない。
【００２６】
上記反応性ドライエッチングには、フロン系ガスを用いることが好ましい。フロン系ガスは、バッファ層の主材料であるＳｉＯ２のエッチング種であるフッ素ラジカルの生成に優れるため、上述したようなエッチングレートの向上などには極めて有効である。
フロン系ガスとしては、前述したようなＣＦ４、ＣＨＦ３ガスなどの他に、Ｃ２Ｆ６及びＣ３Ｆ８を例示することができる。
【００２７】
次いで、本発明においては、第１の開口部８内における基板１の主面１Ａ上に金属装荷型の導波路型偏光子４を形成する。
金属装荷型の導波路型偏光子４は、第１の開口部８内に所定のフォトレジストパターンを形成した後、このパターン上に例えば蒸着法などによって金属を堆積させ、所定の金属層を形成することによって作製する。金属装荷型の導波路型偏光子４の装荷長Ｌは、一般に０．５〜５．０ｍｍである。
【００２８】
次いで、本発明の好ましい態様である図１に示す光導波路素子１０においては、バッファ層３上に変調用電極である信号電極５及び接地電極６を形成する。これらの電極は、蒸着法とメッキ法を用いて形成する。
【００２９】
また、図１に示す光導波路素子１０においては、基板１の右端にＤＣ電極７を形成している。このＤＣ電極７においては速度整合などの問題が無いこと、及び駆動電圧を低減することができるという理由から、一般には、図１に示すように基板１の主面１Ａ上に直接形成することが好ましい。したがって、本発明においては、金属装荷型の導波路型偏光子４の場合と同様にしてバッファ層３をエッチング除去して第２の開口部９を形成し、この第２の開口部９内にＤＣ電極７を形成する。
【００３０】
そして、第２の開口部９の形成は、工程数を減らして製造コストを低減するなどの目的から、一般には第１の開口部８の形成と同時に行うことが好ましい。そして本発明において、第１の開口部８の形成は非反応性ドライエッチングを用いて行う。このため、非反応性ドライエッチングの条件及びオーバエッチングの程度によっては、基板１の主面１Ａにおける表層部分の酸素が逆に欠乏してしまう場合がある。
このように酸素が欠乏した状態の基板上にＤＣ電極を形成すると、基板の表層部分の酸素欠陥に起因して、基板内にキャリアが発生する場合がある。このため、ＤＣ電極において大きなＤＣドリフトが発生する場合がある。
【００３１】
したがって、上記のようにＤＣ電極を形成する場合においては、ドライエッチング加工後に、基板を酸素含有雰囲気中でアニーリングすることが好ましい。
具体的には、図１において第１の開口部８及び第２の開口部９を形成した後、基板１を管状炉などの電気炉内に設置し、酸素含有雰囲気中、１００〜９００℃において１〜２０時間加熱処理を行うことにより実施する。
ここで酸素含有雰囲気とは、酸素ガス雰囲気の他、合成空気や大気中など所定量の酸素を含む雰囲気をいう。
【００３２】
酸素含有雰囲気中でのアニーリングは、第１の開口部８及び第２の開口部９を形成した後であって、金属装荷型の導波路型偏光子４を構成する金属層の酸化を防止すべく、金属装荷型の導波路型偏光子４を形成する以前に行うことが好ましい。
【００３３】
また、バッファ層３が厚い場合においては、第１の開口部８の場合と同様に、第２の開口部９についても反応性ドライエッチングと非反応性ドライエッチングとを併用して形成することもできる。
【００３４】
なお、図１においては、第２の開口部９内にＤＣ電極のみを形成している。しかしながら、ＤＣ電極を形成しない場合において、第２の開口部を変調用電極が設けられている部分に形成し、変調用電極を第２の開口部内における基板の主面上に直接形成することもできる。これによって、より低い駆動電圧で光導波路素子を駆動させることができる。
さらに、第２の開口部は、基板の主面を露出させることなく、バッファ層の一部を膜厚方向に残存させて単に凹部状に形成することもできる。しかしながら、この凹部内にＤＣ電極を形成するような場合は、ＤＣ電極は基板の主面上に直接形成することが好ましいことから、前記凹部は開口部として形成することが好ましい。
なお、凹部内に変調用電極を形成する場合、変調用電極を構成する信号電極のみを前記凹部内に形成することが好ましい。これによって、前記駆動電圧の低減と、光導波路中を導波する光波と変調用電極に印加されている変調信号との速度整合の向上、及び前記光波の電極による吸収の抑制を達成することができる。
【００３５】
また、第２の開口部とは別に上記凹部を形成し、前記第２の開口部内に上述したようにしてＤＣ電極を形成し、前記凹部内に上述したようにして変調用電極を形成することもできる。これにより、上述したようなＤＣ電極形成の効果と、変調用電極を基板の主面に直接形成した効果とを同時に得ることができる。
なお、この場合においても、凹部を基板の主面が露出するようにして形成し、開口部（以下、「第３の開口部」という）として構成することもできる。
【００３６】
第３の開口部の形成は、工程数を減らして製造コストを低減するなどの目的から、前記第１の開口部及び前記第２の開口部の形成と同時に行うことが好ましい。
したがって、この場合において、第３の開口部の形成は、第１の開口部及び第２の開口部の場合と同様にして非反応性ドライエッチングによって行う。また、反応性ドライエッチングを併用することもできる。
そして、非反応性ドライエッチングで第３の開口部を形成した場合においても、前述したように、基板を酸素含有雰囲気中でアニーリングする。アニーリングの条件は、第１の開口部及び第２の開口部を形成する場合と同様である。
【００３７】
また、第１の開口部８又は第２の開口部９を形成する際において、信号電極５と接地電極６との間に位置するバッファ層部分をも、ドライエッチングによって同時に除去することができる。このようにしてバッファ層部分を除去することにより、信号電極５に印加される変調信号がバッファ層側に漏洩する割合が減少する。したがって、変調信号が光導波路に集中するようになり、光導波路素子の変調効率が向上する。
【００３８】
本発明の形成方法は、特にリチウムを含有した強誘電性材料からなる基板に対してその効果を顕著に発現する。すなわち、フロン系ガスを用いた従来の反応性ドライエッチングにおいては、上述したようにフッ素ラジカルが基板のリチウムと反応してフッ化物を形成し、基板から排出されることにより、基板の主面の表層部分における酸素過剰が顕著になる。
これに対し本発明の形成方法においては、上記のようなフッ化物を形成することがないため、基板の主面の表層部分において酸素が過剰になることがない。このため、開口部内における基板の主面に金属装荷型の導波路型偏光子を形成した場合に、その腐食の程度の差は、従来法と本発明の方法との間において、リチウムを含有した強誘電体性材料からなる基板を用いた場合に顕著になる。
【００３９】
リチウムを含有した強誘電体材料としては、上述したニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）の他に、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）を例示することができる。特に、高品位の結晶が比較的安価で入手でき、Ｔｉ熱拡散法などによる光導波路の作製が容易であるなどの理由から、一般的にはニオブ酸リチウムが基板材料として用いられる。
【００４０】
【実施例】
以下実施例により、本発明を具体的に説明する。
（実施例１）
本実施例においては、本発明の形成方法を用いることにより、図１に示すような光導波路素子１０を形成した。但し、本実施例では、第２の開口部９及びＤＣ電極７については形成しなかった。
基板１には、ニオブ酸リチウム単結晶のＸカット板を用いた。次いで、基板１内にＴｉ熱拡散法により光導波路２を形成した。次いで、基板１上に、蒸着法によってＳｉＯ２からなるバッファ層３を厚さ０．５μｍに形成した。次いで、バッファ層の機械的強度の向上や、酸欠部分への酸素補給の目的からバッファ層３が形成された基板１を酸素雰囲気中、６００℃で５時間アニーリングした。
【００４１】
次いで、ＥＣＲプラズマ源を具えるドライエッチング装置を用いるとともに、エッチングガスとしてアルゴンガスを用い、「発明の実施の形態」で述べた手順にしたがって第１の開口部８を形成した。
次いで、同じく「発明の実施の形態」で述べた手順にしたがって第１の開口部８内に装荷長が５ｍｍであり、厚さが１０００ÅのＡｌ層からなる金属装荷型の導波路型偏光子４を形成した。
その後、バッファ層３上に下地層としてＴｉ層及びＡｕ層を蒸着法により形成した後、電極層としてＡｕ層をメッキ法によって厚く形成した。さらに前記Ｔｉ層及びＡｕ層にケミカルエッチングを行うことによって分離し、信号電極５及び接地電極６を厚さ２０μｍに形成した。
【００４２】
このようにして得られた光導波路素子１０に光ファイバを接続し、その偏波消光比を調べた。その結果、約２１ｄＢという高い偏波消光比が得られた。
【００４３】
（実施例２）
本実施例においても、本発明の形成方法を用いることにより、図１に示すような光導波路素子１０を形成した。
バッファ層３を形成した後のアニーリングまでは、実施例１と同様にして実施した。但し、実施例１と異なり、本実施例においてはバッファ層３の厚さを１．０μｍにした。
次いで、ＥＣＲプラズマ源を具えるドライエッチング装置を用い、「発明の実施の形態」で述べた手順にしたがって第１の開口部８及び第２の開口部９を形成した。但し、開口部の形成に当たっては、最初にＣＦ４ガスを用いた反応性ドライエッチングにより、バッファ層３を厚さ方向に約０．９μｍ除去した後、実施例１と同様にして残り約０．１μｍを除去することによって形成した。
【００４４】
次いで、基板１を酸素気流中において、６００℃、５時間アニーリングした後、実施例１と同様にして金属装荷型の導波路型偏光子４を形成した。
次いで、実施例１と同様にして信号電極５及び接地電極６を形成するとともに、この信号電極５などと同時に所定のマスクを用いることによってＤＣ電極７を形成した。
【００４５】
このようにして得られた光導波路素子１０に光ファイバを接続し、その偏波消光比を調べた。その結果、約２０ｄＢという高い偏波消光比が得られた。
また、光導波路素子１０のＤＣドリフトを調べた結果、図２の（ａ）に示すような曲線が得られた。そして、この場合におけるＤＣバイアスのドリフト値は約１．５Ｖであることが判明した。
【００４６】
（比較例１）
実施例１において、第１の開口部８をＣＦ４ガスを用いた反応性ドライエッチングにより形成した以外は、実施例１と同様にして光導波路素子を形成した。この光導波路素子１０の偏波消光比を実施例１と同様にして測定したところ、約２ｄＢであった。
【００４７】
（比較例２）
実施例２において、第１の開口部８及び第２の開口部９を形成した後の、酸素含有雰囲気中でのアニーリングを行わなかった以外は、実施例２と同様にして実施した。
得られた光導波路素子の偏波消光比を実施例１と同様にして調べたところ、約１８ｄＢという値が得られた。
また、この光導波路素子のＤＣドリフトを調べたところ、図２の（ｂ）に示すような曲線が得られた。そして、この場合における電圧のドリフト値は約１０．５Ｖであることが判明した。
【００４８】
実施例１、２及び比較例２と比較例１とから明らかなように、本発明にしたがって非反応性ドライエッチングによって開口部を形成し、この開口部内に金属装荷型の導波路型偏光子を形成した場合においては、高い消光比を有する光導波路素子が得られることが分かる。
また、実施例２と比較例２とから明らかなように、本発明にしたがって、ＤＣ電極を形成する以前に基板を酸素含有雰囲気中でアニーリングした場合においては、ＤＣドリフトが極めて小さいことが分かる。
【００４９】
以上、具体例を挙げながら発明の実施の形態に基づいて本発明を説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変更や変形が可能である。
【００５０】
【発明の効果】
本発明の形成方法によれば、基板上に形成されたバッファ層をドライエッチングして開口部を形成した場合においても、この開口部内に露出した基板の主面の表層部分が酸素過剰の状態になることがない。したがって、前記基板の主面に金属装荷型の導波路型偏光子を形成した場合においても、前記導波路型偏光子の腐食を防止することができ、高い消光比を有する光導波路素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の光導波路素子の形成方法により作製した光導波路素子の一例を示す斜視図である。
【図２】  光導波路素子のＤＣドリフト曲線を示す図である。
【符号の説明】
１  基板
２  光導波路
３  バッファ層
４  金属装荷型の導波路型偏光子
５  信号電極
６  接地電極
７  ＤＣ電極
８  第１の開口部
９  第２の開口部
１０  光導波路素子
【図１】
0003932242.tif 000002
【図２】
0003932242.tif 000003