(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シール材を介して２枚の母基板を貼り合わせて大判パネルを構成し、その後に、前記大判パネルを構成する前記母基板を分割して中間パネルを形成する第１分割工程と、さらにその後に、前記中間パネルを構成する中間基板を分割する第２分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、
前記大判パネルを構成する前記母基板に、前記母基板を分割するための第１分割予定線上の一部に形成される第１傷痕と、前記中間パネルを構成する前記中間基板を分割するための第２分割予定線上の一部に形成される第２傷痕と、を前記母基板の平面内において前記第１分割予定線と前記第２分割予定線の交点上で交差するように形成し、
その後、前記第１分割工程及び前記第２分割工程を実施することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２分割工程においては、前記第２分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記中間パネルを構成する前記中間基板を割断することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１分割工程においては、前記第１分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記大判パネルを構成する前記母基板を割断することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１分割工程と前記第２分割工程の少なくとも一方の工程において、前記大判パネルを構成する２枚の前記母基板若しくは前記中間パネルを構成する２枚の前記中間基板に対して外面側から同時にレーザ光を照射して割断することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１分割工程と前記第２分割工程との間に、前記中間パネルに対して基板分割以外の他の処理を施す中間工程を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２傷痕を、前記母基板における前記第２分割予定線上の前記中間基板の端部相当部位に設けることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２傷痕を前記第２分割予定線上の前記中間基板の両端部相当部位にそれぞれ設けることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１傷痕を、前記母基板における前記第１分割予定線上の端部に設けることを特徴とする請求項２乃至請求項４、或いは、請求項６又は請求項７のいずれか１項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１傷痕を前記第１分割予定線上の両端部にそれぞれ設けることを特徴とする請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
シール材を介して貼り合わされた一対の基板を分割する第１分割工程と、前記分割された基板をさらに分割する第２分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、
一方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第１分割予定線上の一部に形成される第１傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第２分割予定線上の一部に形成される第２傷痕と、を前記母基板の平面内において前記第１分割予定線と前記第２分割予定線の交点上で交差するように形成する工程、を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
他方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第１分割予定線上の一部に形成される第１傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第２分割予定線上の一部に形成される第２傷痕と、を前記母基板の平面内において前記第１分割予定線と前記第２分割予定線の交点上で交差するように形成する工程、を具備することを特徴とする請求項１０に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶装置の製造方法に係り、特に、基板の分割工程に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶装置は、シール材を介して一対の基板を所定間隔となるように貼り合わせ、シール材の内側の基板間に液晶を封入してなる液晶パネルを備えている。ここで、比較的小型の液晶パネルを製造する場合には、大型の母基板同士をシール材により貼り合わせて大判パネルを形成し、この大判パネルを分割して複数の液晶パネルを形成するという多数個取りの製造方法を採用する場合が多い。
【０００３】
図１１及び図１２には、従来の多数個取りの製造方法を採用した液晶パネルの製造工程例の概略を示す。図１２に示すように、ガラス製の第１母基板１１と第２母基板１２には、それぞれ複数の液晶パネルに相当する電極や配線を構成する内面導電体パターン、硬質保護膜、配向膜等の表面構造が形成され、その後、配向膜に対してラビング処理が施される。さらに、第１母基板１１上の液晶パネルとなる領域毎に、ディスペンサによる塗布或いはスクリーン印刷等によって所定のパターンでシール材が配置される。一方、第２母基板１２の上記表面構造上にはパネルの基板間隔を規制するための微細なスペーサが散布される。
【０００４】
その後、第１母基板１１と第２母基板１２とは上記のシール材により相互に貼り合わされ、図１１（ａ）に示すように、両基板１１，１２が上記スペーサによって規制された基板間隔で相互に対向した構造を有する大判パネル１０が構成される。この大判パネル１０の一対の母基板１１，１２の外面上には、図示Ｘ方向に伸びるスクライブ溝１５が形成される（１次スクライブ）。次に、破断させようとする一方の母基板を図示しないゴムシートなどの弾性体上に接触させた状態で、他方の母基板に対して応力を加えることにより、一対の母基板１１，１２がスクライブ線１５に沿って順次破断される（１次ブレイク）。これによって大判パネル１０は図１１（ｂ）に示す複数の短冊パネル１３に分割される。
【０００５】
この短冊パネル１３は複数の液晶パネルに相当する部分が縦列配置されたものであり、図示Ｘ方向に伸びる端面部には、シール材の開口部位からなる複数の液晶注入口が配列されている。そして、上記液晶注入口から液晶が注入され、その後、液晶注入口は封止材によって封鎖される。
【０００６】
次に、短冊パネル１３を構成する一対の短冊基板の外面上にそれぞれ図示Ｙ方向に伸びるスクライブ溝１６が形成される（２次スクライブ）。そして、このスクライブ溝１６を利用して上記と同様に基板が破断され、これによって、短冊パネル１３から複数の液晶パネル１４が分割形成される（２次ブレイク）。その後、液晶パネル１４に対して、入力端子の封止、ＩＣチップの実装、フレキシブル配線基板の接続等の、適宜の仕上げ処理が施される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の製造工程においては、大判パネル１０の２枚の母基板１１，１２に対してそれぞれ１次スクライブを施し、１次ブレイクを行って一対の母基板をそれぞれ分割した後、再び短冊パネル１３の２枚の基板に対してそれぞれ２次スクライブを施し、２次ブレイクを行って一対の基板をそれぞれ分離するという、複雑かつ手間のかかる作業を行わなければならないので、この基板分割工程が液晶装置の製造コストの低減を図る上で大きな障害になっているという問題点がある。
【０００８】
また、スクライブ溝の形成後ブレイク作業が開始される以前に、基板がスクライブ溝に沿って自然に割れてしまう場合があり、この場合には、破断方向が規制されずに分割不良となったり、通常のパネル形状とは異なることによりその後の製造工程に適合しなくなったりすることとなり、製品の歩留まりを著しく阻害するという問題点がある。
【０００９】
さらに、上記短冊パネル１３に対する２次スクライブにおいて、スクライブ線１６の形成を開始する度に短冊パネル１３の角部に刃が衝突することにより、当該角部に衝撃クラックが形成されるため、この衝撃クラックから基板が割れやすくなることにより液晶パネル１４のパネル強度が低下し、例えば、腕時計や携帯電話等の機器に液晶パネル１４が組み込まれた状態で、機器の落下等により衝撃を受けた際に、液晶パネル１４に破損が生じやすくなるという問題点がある。
【００１０】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、製造工程を簡略化することができる新たな製造方法を提供することにある。また、本発明の別の課題は、製造工程を簡略化しても、製品の歩留まりを低下させることのない製造方法を提供することにある。さらに、本発明の異なる課題は、液晶パネルのパネル強度の低下を防止することのできる製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本願の請求項に係る液晶装置の製造方法の一つは、シール材を介して２枚の母基板を貼り合わせて大判パネルを構成し、その後に、前記大判パネルを構成する前記母基板を分割して中間パネルを形成する第１分割工程と、さらにその後に、前記中間パネルを構成する中間基板を分割する第２分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、前記大判パネルを構成する前記母基板に、前記母基板を分割するための第１分割予定線上の一部に形成される第１傷痕と、前記中間パネルを構成する前記中間基板を分割するための第２分割予定線上の一部に形成される第２傷痕と、を前記母基板の平面内において前記第１分割予定線と前記第２分割予定線の交点上で交差するように形成し、その後、前記第１分割工程及び前記第２分割工程を実施することを特徴とする。
上記の液晶装置の製造方法の一つにおける前記第２分割工程においては、前記第２分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記中間パネルを構成する前記中間基板を割断することが好ましい。
上記の液晶装置の製造方法の一つにおける前記第１分割工程においては、前記第１分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記大判パネルを構成する前記母基板を割断することが好ましい。
上記の液晶装置の製造方法の一つにおける前記第１分割工程と前記第２分割工程の少なくとも一方の工程において、前記大判パネルを構成する２枚の前記母基板若しくは前記中間パネルを構成する２枚の前記中間基板に対して外面側から同時にレーザ光を照射して割断することをしてもよい。
上記の液晶装置の製造方法の一つにおいて、前記第１分割工程と前記第２分割工程との間に、前記中間パネルに対して基板分割以外の他の処理を施す中間工程を有してもよい。
上記の液晶装置の製造方法の一つにおいて、前記第２傷痕を、前記母基板における前記第２分割予定線上の前記中間基板の端部相当部位に設けるようにしてもよい。
また、上記の液晶装置の製造方法の一つにおいて、前記第２傷痕を前記第２分割予定線上の前記中間基板の両端部相当部位にそれぞれ設けるようにしてもよい。
上記の液晶装置の製造方法の一つにおいて、前記第１傷痕を、前記母基板における前記第１分割予定線上の端部に設けるようにしてもよい。
また、上記の液晶装置の製造方法の一つにおいて、前記第１傷痕を前記第１分割予定線上の両端部にそれぞれ設けるようにしてもよい。
上記課題を解決するために本願の請求項に係る他の液晶装置の製造方法の一つは、シール材を介して貼り合わされた一対の基板を分割する第１分割工程と、前記分割された基板をさらに分割する第２分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、一方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第１分割予定線上の一部に形成される第１傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第２分割予定線上の一部に形成される第２傷痕と、を前記母基板の平面内において前記第１分割予定線と前記第２分割予定線の交点上で交差するように形成する工程、を具備することを特徴とする。
また、上記他の液晶装置の製造方法の一つにおいて、他方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第１分割予定線上の一部に形成される第１傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第２分割予定線上の一部に形成される第２傷痕と、を前記母基板の平面内において前記第１分割予定線と前記第２分割予定線の交点上で交差するように形成する工程、を具備することが好ましい。
上記課題を解決するために液晶装置の製造方法の一つは、シール材を介して２枚の母基板を貼り合わせて大判パネルを構成し、その後に、前記大判パネルを構成する前記母基板を分割して中間パネルを形成する第１分割工程と、さらにその後に、前記中間パネルを構成する中間基板を分割する第２分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、前記大判パネルを構成する前記母基板に、前記母基板を分割するための第１分割予定線上に位置する第１傷痕と、前記中間パネルを構成する前記中間基板を分割するための第２分割予定線上に位置する第２傷痕とを形成し、その後、前記第１分割工程及び前記第２分割工程を実施することを特徴とする。
本発明において、シール材を介して２枚の母基板を貼り合わせて大判パネルを構成し、その後に、前記大判パネルを構成する前記母基板を分割して中間パネルを形成する第１分割工程と、さらにその後に、前記中間パネルを構成する中間基板を分割する第２分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、前記大判パネルを構成する前記母基板に、前記母基板を分割するための第１分割予定線上に位置する第１傷痕と、前記中間パネルを構成する前記中間基板を分割するための第２分割予定線上に位置する第２傷痕と、を前記母基板の平面内において交差するように形成し、その後、前記第１分割工程及び前記第２分割工程を実施することを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、大判パネルを構成する母基板に予め第１傷痕と第２傷痕とを形成しておき、その後の第１分割工程において第１傷痕によって前記母基板を分割し、さらにその後の第２分割工程において第２傷痕によって前記中間基板を分割するようにしたので、第１傷痕と第２傷痕とをまとめて形成することができることから、工程数及び加工の作業量を低減することができ、製造コストを削減することが可能になる。
【００１３】
ここで、第１分割予定線と、第２分割予定線とは大判パネルのパネル面上において相互にほぼ直交する直線である場合がある。
【００１４】
本発明において、前記第２分割工程においては、前記第２分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記中間パネルを構成する前記中間基板を割断することが好ましい。特に、第１分割工程よりも後に行われる第２分割工程においてレーザ割断を用いることによって、第２傷痕の長さを短くし、その深さを浅くしても基板分割を確実に行うことができるので、工程途中における基板割れを低減することができる。
【００１５】
本発明において、前記第１分割工程においては、前記第１分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記大判パネルを構成する前記母基板を割断することが好ましい。
【００１６】
基板分割方法としてレーザ割断を用いることにより、平滑な破断面を得ることができ、従来の機械的応力を加える方法に較べて破断面近傍のマイクロクラックの発生量を抑制することができる。
【００１７】
本発明において、前記第１分割工程と前記第２分割工程の少なくとも一方の工程において、前記大判パネルを構成する２枚の前記母基板若しくは前記中間パネルを構成する２枚の前記中間基板に対して外面側から同時にレーザ光を照射して割断することが好ましい。大判パネル若しくは中間パネル自体を分割する場合にはパネルを構成する２枚の母基板若しくは中間基板の双方を共に分割しなければならないが、この発明によれば、２枚の母基板若しくは中間基板に同時にレーザ光を照射し、外面側から同時に割断を実施するので、短時間にパネル分割を行うことができることはもとより、レーザ光照射により発生する内部応力に起因するパネル歪を低減でき、さらに、２枚の母基板若しくは中間基板のそれぞれを、他方の基板から割断を妨げる抵抗を受けることなく破断させることができるので、確実かつ容易にパネル分割を行うことができる。
【００１８】
本発明において、前記第２傷痕は、前記第２分割予定線に沿って伸びるスクライブ溝であることが好ましい。
【００１９】
本発明において、前記第１傷痕は、前記第１分割予定線に沿って伸びるスクライブ溝であることが好ましい。
【００２０】
傷痕としてスクライブ溝を形成することによって、基板分割をより確実に、より精度良く実施できる。特に、基板分割方法としてレーザ割断を用いる場合には、スクライブ溝を形成することによって分割予定線に沿った正確な破断面を得ることができる。
【００２１】
本発明において、前記第１分割工程と前記第２分割工程との間に、前記中間パネルに対して基板分割以外の他の処理を施す中間工程を有する場合がある。このように第１分割工程と第２分割工程との間に他の中間工程を有する場合には、当該中間工程において第２傷痕に起因する基板割れが発生する可能性がある。この場合には、基板分割方法としてレーザ割断を用いることによって第２傷痕の長さや深さを低減することが可能になるので、基板割れの発生確率を低減できる。また、一般に傷痕としてスクライブ溝を形成すると基板割れが発生しやすくなるが、この場合でも、後述するようにスクライブ溝の溝深さを低減することにより、基板割れを防止できる。
【００２２】
上記中間工程を設ける場合の具体例としては、上記の第１分割工程後に中間パネルに対して液晶の注入及び封止を行い、その後、上記の第２分割工程を実施する場合がある。
【００２３】
次に、第２発明の液晶装置の製造方法は、シール材を介して貼り合わせられた一対の基板に対して前記基板を分割する工程を有し、前記シール材の内側に液晶が封入されてなる液晶装置の製造方法であって、前記基板の外面上にスクライブ溝を形成する工程と、前記スクライブ溝に沿ってレーザ光を照射することにより前記基板を分割する工程と、を有することを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、スクライブ溝を形成した上でレーザ割断を行うことによって、レーザ割断の方向性を安定させることができるので、破断面位置を高精度に形成することができる。また、レーザ割断を可能にするためのスクライブ溝の溝深さはきわめて小さくて足りるので、単に割断開始位置にクラックを形成する場合に比べて溝深さをクラックの深さよりも小さくでき、それによってスクライブ溝の形成に起因するマイクロクラックの形成量を低減することができるため、パネル強度を低下を抑制することができる。
【００２５】
本発明において、前記スクライブ溝の溝深さを５０μｍ以下とすることが好ましい。スクライブ溝の溝深さを５０μｍ以下とすることによって、スクライブ溝の形成に起因するマイクロクラックの発生量を低減し、パネル強度の向上を図ることができるとともに、不所望のタイミングで基板割れを生ずる可能性を低減できるため、製造工程の歩留まりを高めることができる。
【００２６】
本発明において、前記スクライブ溝の溝深さＤｓ［μｍ］を約（２００／３）ｔ＋７０／３（ｔ［ｍｍ］は基板厚）以下とすることが好ましい。この場合には、基板厚ｔの関数である上記式の値以下の溝深さＤｓを有するスクライブ溝を形成することにより、パネル強度の向上及び基板割れの低減をより確実に実現することができる。
【００２７】
本発明において、前記第２傷痕を、前記母基板における前記第２分割予定線上の前記中間基板の端部相当部位に設けることが好ましい。この手段によれば、第２傷痕を前記中間基板の端部相当部位（すなわち、中間基板の端部に相当する母基板上の部位）に設けることによって、レーザ割断を可能にしながら、第２分割工程前の不所望の基板割れの発生をより低減できる。
【００２８】
本発明において、前記第２傷痕を前記第２分割予定線上の前記中間基板の両端部相当部位にそれぞれ設けることが好ましい。第２傷痕を中間基板の両端部に相当する部位にそれぞれ設けることにより、レーザ割断の開始位置近傍および終了位置近傍において生ずる割断方向の不安定性を低減できる。
【００２９】
本発明において、前記第１傷痕を、前記母基板における前記第１分割予定線上の端部に設けることが好ましい。
【００３０】
本発明において、前記第１傷痕を前記第１分割予定線上の両端部にそれぞれ設けることが好ましい。
【００３１】
次に、第３発明の液晶装置の製造方法は、シール材を介して貼り合わされた一対の基板を分割する第１分割工程と、前記分割された基板をさらに分割する第２分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、一方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第１分割予定線上に位置する第１傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第２分割予定線上に位置する第２傷痕と、を形成する工程、を具備することを特徴とする。
本発明において、シール材を介して貼り合わされた一対の基板を分割する第１分割工程と、前記分割された基板をさらに分割する第２分割工程とを有する液晶装置の製造方法において、一方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第１分割予定線上に位置する第１傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第２分割予定線上に位置する第２傷痕と、を前記母基板の平面内において交差するように形成する工程、を具備することを特徴とする。
【００３２】
本発明において、他方の前記基板の外側面に、前記基板を分割するための第１分割予定線上に位置する第１傷痕と、前記分割された基板をさらに分割するための第２分割予定線上に位置する第２傷痕と、をそれぞれ形成する工程、を具備することが好ましい。
【００３３】
本発明において、前記第２分割工程においては、前記第２分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記分割された基板をさらに割断することが好ましい。
【００３４】
本発明において、前記第１分割工程においては、前記第１分割予定線に沿ってレーザ光を照射することにより前記基板を割断することが好ましい。
【００３５】
本発明において、前記第１分割工程と前記第２分割工程の少なくとも一方の工程において、前記基板若しくは前記分割された基板に対して、前記基板の両方の外面側からレーザ光を照射して割断することが好ましい。
【００３６】
本発明において、前記第１傷痕若しくは前記第２傷痕が前記第１分割予定線若しくは前記第２分割予定線に沿って伸びるスクライブ溝である場合がある。
【００３７】
この場合、前記スクライブ溝を、５０μｍ若しくは（２００／３）ｔ＋７０／３（ｔ［ｍｍ］は基板厚）以下の溝深さを有するように形成することが好ましい。スクライブ溝が上記のように浅い溝で構成されていることにより、このスクライブ溝に沿って基板を分割する工程前に不所望の基板割れが生ずる可能性を低減できる。特に、後の分割において用いられる第２分割予定線に沿って伸びるスクライブ溝の場合には、第１分割予定線に沿った分割工程の後に行われる中間工程等の際に基板割れが発生する可能性を低減できる。
【００３８】
本発明において、前記スクライブ溝における分割時に両端部となる領域のうち、少なくともいずれか一方の端部と、前記両端部以外の部分とで溝深さが異なるように前記スクライブ溝を形成することが好ましい。この手段によれば、スクライブ溝の一方の端部と上記部分との溝深さが異なるように形成されていることにより、不所望の基板割れを防止しつつ、基板分割を確実、高精度に、しかも基板強度を低下させることなく行うことが可能になる。
【００３９】
本発明において、前記端部の溝深さが深く、前記部分の溝深さが浅くなるように前記スクライブ溝を形成することが好ましい。端部の溝深さを深くしたことにより、基板分割を確実かつ高精度に行うことができるとともに、上記部分の溝深さが浅くなることでマイクロクラックの発生量を抑制することができ、分割後の基板強度をさらに向上させることができる。特に、レーザ割断を行う場合には、スクライブ溝の端部が深く形成されていることによってスクライブ溝に沿った位置で基板分割を確実に行うことが可能になる。
【００４０】
本発明において、前記スクライブ溝の両端部の溝深さがいずれも深く、前記部分の溝深さが浅くなるように前記スクライブ溝を形成することが好ましい。スクライブ溝の両端部がいずれも深く形成されていることにより、基板分割をより高い位置精度で行うことができる。特に、レーザ割断を用いる場合には両端部において破断線の位置が不安定になる傾向があるため、この手段によって割断位置を安定させることができる。
【００４１】
本発明において、前記端部が５０μｍ若しくは（２００／３）ｔ＋７０／３（ｔ［ｍｍ］は基板厚）を越える溝深さを有することが好ましい。スクライブ溝の端部を上記のように深く形成することにより、より安定的に、かつ、高い位置精度で基板分割を行うことができる。特に、レーザ割断を用いる場合には、端部においてスクライブ溝の位置によって優先的に破断面位置が決定されるので、分割位置及び分割方向を安定させることができる。
【００４２】
本発明において、前記部分が５０μｍ若しくは（２００／３）ｔ＋７０／３（ｔ［ｍｍ］は基板厚）以下の溝深さを有するように前記スクライブ溝を形成することが好ましい。上記のようにスクライブ溝の上記部分を浅くすることによって不所望の基板割れを防止できるとともに、マイクロクラックの発生を抑制して分割後の基板強度を向上させることができる。特に、レーザ割断を用いる場合には、端部において定まった分割位置及び分割方向によって上記のような浅い溝深さでも充分に分割方向を安定させることができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る液晶装置の製造方法の実施形態について詳細に説明する。図１乃至図５は、本実施形態の液晶装置の製造方法の主要部分を示すものである。ここで、図１は製造工程中におけるパネル形状の変遷の概略を示す斜視図（ａ）〜（ｄ）であり、図２はスクライブ作業を行うためのスクライブ装置の概略を模式的に示す概略構成図であり、図３はスクライブ時のカッタ近傍の拡大説明図であり、図４は、レーザ光によるパネルの分割を行うためのレーザ割断装置の概略構成図であり、図５は製造工程の手順を示す概略フローチャートである。
【００４４】
本実施形態においては、まず、図１（ａ）に示すように、複数の液晶パネルを包含し得る大判の第１母基板１１と第２母基板１２をシール材によって貼り合わせ、大判パネル１０を形成する。第１母基板１１及び第２母基板１２の内面上に形成する表面構造は従来と同様である。また、第１母基板１１及び第２母基板１２に対するそれぞれの処理は従来と同様に図５に示されている。
【００４５】
次に、図１（ｂ）に示すように、大判パネル１０を構成する第１母基板１１及び第２母基板１２の外面上に、それぞれ図示Ｘ方向に伸びるスクライブ溝１７及び図示Ｙ方向に伸びるスクライブ溝１８を形成する。
【００４６】
スクライブ溝１７，１８の形成は、図２に模式的に示すスクライブ装置２０を用いて行う。このスクライブ装置２０は、回転可能に構成された基台２１と、基台２１の上方に配置された直動機構２２と、直動機構２２によって図示左右に移動可能に構成されたスクライブヘッド２３とを備えている。スクライブヘッド２３には回転自在に取り付けられた回転刃状のスクライブカッタ２５が設けられている。このスクライブカッタ２５は、その最下位置が所定高さに制限されているとともに、下方へ向けて常時所定の圧力が加えられた状態となっている。
【００４７】
大判パネル１０は上記基台２１の上に載置され、真空吸着等の適宜の方法で固定される。そして、上記直動機構２２によってスクライブヘッド２３は例えば図示左端から図示右側へ移動を開始し、スクライブカッタ２５が基台２１上の大判パネル１０上に乗り上げ、大判パネル１０の上側にある母基板の外面上にスクライブ溝を形成しながら図示右端まで移動していく。
【００４８】
図３は、上記スクライブ時の状態を拡大して示すものである。スクライブカッタ２５には、スクライブヘッド２３内の機械的構造によって押し込み量Ｄａ及び押し込み圧Ｆａが付与されている。すなわち、スクライブカッタ２５の刃先２５ａの最下位置は、基台２１上に固定された大判パネル１０の上側の基板上面位置よりも押し込み量Ｄａだけ下方の位置まで降下可能に構成され、また、スクライブカッタ２５は、常時下方へ押し込み圧Ｆａで押し下げられている。したがって、スクライブカッタ２５は最下位置が大判パネル１０の基板上面よりも押し込み量Ｄａだけ下がった状態で大判パネル１０の角部に衝突し、そのまま大判パネル１０の基板上面上に乗り上げ、刃先２５ａによって大判パネル１０の上面にスクライブ溝１７，１８を形成しながら移動していく。上記押し込み量Ｄａは、スクライブ加工時においてスクライブカッタ２５が大判パネルの湾曲等の原因によりその基板上面から離れることを防止するためのマージンであり、上記押し込み圧Ｆａは、スクライブカッタ２５の刃先２５ａにより大判パネル１０の基板表面に既定の溝深さＤｓを有するスクライブ溝１７，１８を形成するための加工圧である。
【００４９】
このスクライブ加工においては、大判パネル１０を図２に示すように基台２１上に固定して、例えば第２母基板１２の外面上に、図１（ｂ）に示すＸ方向に伸びる複数本のスクライブ溝１７を形成した後、基台２１を９０度回転させて、図１（ｂ）に示すＹ方向に伸びる複数本のスクライブ溝１８を形成する。次に、大判パネル１０の表裏を反転させて第１母基板１１を上にした姿勢で基台２１上に固定し、第１母基板１１の外面に対して上記と同様にスクライブ溝１７の形成、基台２１の回転、スクライブ溝１８の形成を順次行う。このスクライブ加工が図５に示すＸＹスクライブの工程である。
【００５０】
次に、上記のようにして形成したスクライブ溝１７に沿って大判パネル１０を分割し、図１（ｃ）に示す短冊パネル１３を形成する。この大判パネル１０の分割工程は、図５に示す１次ブレイクの工程である。この工程では、図４に示すレーザ割断装置３０を用いる。
【００５１】
図４に示すように、レーザ割断装置３０は、一対のレーザ発振器３１，３２と、このレーザ発振器３１，３２から放出されるレーザ光を加工対象に導き、集光するための照射光学系３３，３４と、加工対象を保持するための保持板３５と、保持板３５を支持する支持体３６と、支持体３６を駆動して加工対象の位置及び姿勢を調整するための駆動機構３７と、上記レーザ発振器３１，３２、照射光学系３３，３４、及び、駆動機構３７を制御するための制御部３８とを備えている。
【００５２】
レーザ発振器３１，３２としては、ＣＯ２レーザ等の気体レーザ、ＹＡＧレーザ等の固体レーザ、或いは、半導体レーザその他の各種レーザ発振器を用いることができるが、加工対象の光吸収特性を勘案して、加工対象が有効に吸収しうる帯域の発振波長を備えたものを選定する必要がある。例えば、液晶パネルの基板材料として一般的に用いられるソーダガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス等のガラス材料（シリカガラス）を加工対象とする場合には、ＣＯ２レーザを用いることができる。このレーザ発振器３１，３２は、その発振出力（光パワー）を外部から制御できるように構成されている。
【００５３】
照射光学系３３，３４としては、通常、図示の反射ミラー及び集光レンズを備えたものがあるが、導光経路や照射スポット径に応じて適宜の光学的構成を設計することができる。この照射光学系３３，３４は、その導光経路及び照射スポット径（集光特性）を外部から制御できるようになっている。
【００５４】
保持板３５は、大判パネル１０を載置可能（好ましくは固定可能）に構成されている。保持板３５は、大判パネル１０を載置又は固定する面とは反対側から（図示下方から）光を照射できるように、例えば、上記スクライブ溝１７に沿ってスリット状に形成された光学窓３５ａを備えている。この光学窓３５ａは開口部であっても、或いは、レーザ光を透過可能な素材で構成されていてもよい。保持板３５は加工対象の大きさ、スクライブ溝の位置や方向によって取付姿勢を変えることができるように構成されていることが好ましい。また、異なる形状の保持板を交換することができるように支持体３６に取り付けられていることが好ましい。
【００５５】
支持体３６は、保持板３５に接続されているとともに、駆動機構３７によって水平方向及び垂直方向に移動可能に構成されている。支持体３６を駆動する駆動機構３７は、支持体３６を水平方向及び垂直方向に移動できるように構成されている。
【００５６】
制御部３８は、上記レーザ発振器３１，３２の発振出力、照射光学系３３，３４の導光経路及び集光特性、並びに、駆動機構３７の駆動の有無及び位置をそれぞれ調整可能に構成されている。また、レーザ発振器３１，３２が発振波長を切り換え可能に構成されている場合には、制御部３８は発振波長の切り換えも可能に構成されていることが好ましい。さらに、レーザ光の照射スポットをパネル上で走査する場合、パネルの所定部位における照射エネルギー量（密度）はレーザ出力に比例し、照射スポットの走査速度に反比例する。一方、基板の割断作用はレーザ光の照射エネルギー量（密度）に正の相関を有するので、割断作用を良好な状態に維持するために、レーザ出力と照射スポットの走査速度とを制御部３８にて制御し、照射エネルギー量（密度）が所定範囲内に収まるようにすることが好ましい。
【００５７】
本実施形態においては、上記のレーザ割断装置３０を用いることにより、大判パネル１０の表裏の第１母基板１１と第２母基板１２とを、それぞれに形成されたスクライブ溝１７に沿って同時に破断させる。このようにスクライブ線が形成されている場合には、レーザ光を照射することによって基板の照射領域が加熱され、膨張することによって一時的に圧縮応力が生ずるが、その後、照射領域の温度が低下するとともに基板素材が収縮し、スクライブ線の両側へ基板素材を引き離そうとする引張応力が生ずることにより、スクライブ線に沿って基板が割断される。したがって、レーザ光をスクライブ線に沿って走査していくことにより、レーザ光の照射スポットが通過した後の部位に引張応力が生じるので、レーザ光照射にやや遅れてスクライブ溝１７に沿った破断が進行していく。
【００５８】
ここで、上記引張応力の発生を助長するために、レーザ光の照射スポットよりもやや走査方向後方位置に気流の吹き付けなどで冷却を行うことも可能である。
【００５９】
上記の大判パネル１０その他の液晶パネルに対してレーザ光による基板の割断を行う場合には、図１３に示すように局所的な応力が発生する。例えば、図１３（ａ）に示すように、２枚の基板５１，５２をシール材５３によって貼り合わせてなるパネル５０を考える。この場合、基板５１にスクライブ溝又はクラック５１ａを形成し、このスクライブ溝又はクラック５１ａの近傍にレーザ光を照射すると、上記圧縮応力及び引張応力はスクライブ溝又はクラック５１ａを中心に発生し、例えば引張応力はスクライブ溝又はクラック５１ａを引き離そうとする。この応力は、基板５１を破断させる応力となるが、パネル５０においてはシール材５３を介してもう一方の基板５２が存在するため、シール材５３を介して基板５２にも応力が伝達されるとともに、基板５１における破断作用がシール材５３と基板５２とによって妨げられる。
【００６０】
したがって、図１３（ｂ）に示すように、一枚の基板５１のみをレーザ割断する場合に較べて、図１３（ｃ）に示すようにパネル５０を構成する基板５１のレーザ割断は一般に困難になる。例えば、０．４ｍｍ、０．７ｍｍの厚さの基板を用いて図１３（ｂ）に示す単一の基板５１にレーザ光を照射すると、いずれの基板厚の場合においても良好に割断が行われるが、同様の条件で図１３（ｃ）に示すパネル５０を構成する基板５１に対してレーザ光を照射すると、０．７ｍｍ厚の場合には割断不能となり、０．４ｍｍ厚の場合にも割断ができない場合が生じた。さらに、図１３（ｄ）に示すように、基板５１に対向する基板５２の外面にもスクライブ溝５２ａを形成した場合には、０．４ｍｍ厚の基板では割断可能であるが、０．７ｍｍ厚の基板では割断ができない場合が生じた。また、図１３（ｅ）に示すように、基板５２を破断面５２ｂにて破断させた状態で、基板５１にレーザ光を照射すると、いずれの厚さでも良好に割断を行うことができた。
【００６１】
上記のように、パネルの一方の基板に対してレーザ割断を行う場合には、シール材を介して他方の基板によって割断作用が妨げられるので、本実施形態のように、大判パネル１０の表裏両側から同時にレーザ光を照射して割断を行うことが割断不良を防止する上で好ましい。また、この場合には、他方の基板応力による影響を低減できるので、良好な破断面を得ることができるという効果もある。
【００６２】
また、図１３（ａ）に示す状況でレーザ割断を行う場合には、レーザ光による加熱によって基板５１に生ずる圧縮応力及び冷却によって生ずる引張応力の双方によってパネル５０に歪みが発生する可能性がある。一方、本実施形態のように両側の基板に同時にレーザ光を照射する方法を採用することによって、両側の基板が同時に膨張又は収縮するので、パネルに発生する歪みを低減することができるという効果がある。
【００６３】
上記レーザ割断によって大判パネル１０のスクライブ溝１７に沿った分割が完了すると、図１（ｃ）に示す短冊パネル１３が形成される。この短冊パネル１３には、それぞれ図示しないシール材にて囲まれた液晶封入領域が複数形成されており、各液晶封入領域の液晶注入口がパネル端面に開口している。そして、公知の方法によりこれらの液晶注入口から液晶を注入し、封止する。
【００６４】
次に、短冊パネル１３を構成する短冊基板の外面に予め形成されているスクライブ溝１８に沿ってパネルを分割する。これは、図５に示す２次ブレイクの工程である。この分割工程においても、上記のレーザ割断装置３０を用い、短冊パネル１３の表裏両側の短冊基板に対して同時にレーザ光を照射して、短冊パネル１３を個々の液晶パネル１４に分離させる。
【００６５】
図９及び図１０は、上述のようにして形成された液晶パネル１４の概略構造を示すものである。液晶パネル１４は、基板１４１と１４２とがシール材１４３によって貼り合わせられ、シール材１４３の内側であって基板１４１，１４２の間に液晶１４４が封入されている。ここで、液晶注入口１４３ａは封止材１４５によって封鎖されている。
【００６６】
基板１４１の内面上には透明電極１４６及び配向膜１４７が形成され、透明電極１４６はシール材１４３の外側へ出て基板張出部１４１ａ上に引き出された配線となっている。また、基板１４２の内面上には透明電極１４８及び配向膜１４９が形成され、透明電極１４８は図示しない上下導通部（例えば異方性導電体として形成されたシール材１４３の一部によって構成される。）を介して基板張出部１４１ａ上の配線に接続されている。
【００６７】
基板張出部１４１ａの表面上には、図５に示す仕上げ工程において液晶駆動回路を構成した半導体チップ１５０が実装される。半導体チップ１５０は、上記の透明電極１４６，１４８に導通した基板張出部１４１ａ上の配線と、基板張出部１４１ａの端部に形成された入力端子１５１とに導電接続された状態となっている。図５に示す仕上げ工程においては、フレキシブル配線基板を入力端子１５１に導電接続したり、基板張出部１４１ａの表面をシリコーン樹脂等の封止剤によって封止したりするなどの処理が行われる。
【００６８】
上記の製造工程においては、２度のブレイク加工に対応するスクライブ加工を一度に行っていることにより、加工工程数を削減することができ、実際の加工作業を大幅に低減できる。例えば、従来の製造工程においては、１次スクライブとして、大判パネルの一方の母基板に対してスクライブ溝を形成した後に、大判パネルを反転させて他方の母基板に対してスクライブ溝を形成し、その後１次ブレイクを行った後、また、２次スクライブとして、短冊パネルの一方の基板に対してスクライブ溝を形成した後に、短冊パネルを反転させて他方の基板に対してスクライブ溝を形成し、その後、２次ブレイクを行っている。これに対して、本実施形態では、スクライブ加工を一つの工程にて行うことができ、特に大判パネルの一方の母基板に対してＸＹ両方向のスクライブを実施した後に、大判パネルを反転させて他方の母基板に対して再びＸＹ両方向のスクライブを実施するので、効率的にスクライブ加工を行うことができる。
【００６９】
また、大判パネルの状態でスクライブ溝１８を形成してしまうので、個々の短冊パネル１３に対してスクライブ加工を行う従来方法に比べて、図３に示すようにスクライブカッタ２５がパネルに乗り上げる際に刃先２５ａが衝突することによって生ずる衝撃クラックが液晶パネル１４の角部に残りにくくなり、その結果、パネル強度を向上させることが可能になる。衝撃クラックは基板破損の原因となるからである。
【００７０】
さらに、レーザ割断を用いてブレイクを行っていることによって、チッピングなどが生じなくなり、また、破断面がきわめて平滑となり、破断面にマイクロクラックが形成されにくくなるので、この点からもパネル強度を向上させることが可能になる。特に、パネルの表裏の基板に対して同時にレーザ割断を行うことによって、上述のように破断作用を確実かつ良好に生起させることができるとともに割断時に生ずるパネルの歪みを低減できる。
【００７１】
次に、本実施形態のスクライブ加工と、レーザ割断方法との関連性について詳細に説明する。上記のスクライブ加工は、基板表面に微細なスクライブ溝１７，１８を形成することによってレーザ割断時の破断作用を生起させるとともに、その破断方向を規制するために行われるものである。一方、従来のレーザ割断は、レーザ光による基板の局所加熱と冷却とによって生ずる内部応力で、クラックを起因として破断部位が基板の厚さ方向及び板面方向に進むようにさせるものである。本実施形態では、スクライブ加工を施した上でレーザ割断を実施することにより、上記内部応力で基板の厚さ方向に破断部位が進むようにしながらレーザ照射位置を走査していくことにより、スクライブ溝に沿って基板を破断させることが可能となっている。したがって、本実施形態の方法では、破断方向をスクライブ溝によって正確に規制することができる。
【００７２】
本実施形態において、スクライブ加工によって形成するスクライブ溝の溝深さＤｓは、従来の機械的応力を与えるいわゆるスクライブ・ブレイク法による割断方法を行う場合よりもきわめて小さくて足りる。
【００７３】
図６は、ガラス基板に対して従来のスクライブ・ブレイク法を実施する場合に要求されるスクライブ溝の溝深さと、本実施形態のスクライブ・レーザ割断を実施する場合に要求されるスクライブ溝の溝深さとを示すグラフである。縦軸はスクライブ溝の溝深さＤｓ［μｍ］であり、横軸は基板厚ｔ［ｍｍ］である。従来のスクライブ・ブレイク法では、スクライブ溝の溝深さＤｓが図示の点線Ａ上の値以上でなければ良好なブレイクができず、破断不良が発生していた。したがって、従来のスクライブ・ブレイク法で液晶パネルのガラス基板を分割する場合には、０．４ｍｍ厚の基板を採用した場合には溝深さＤｓを約８０〜１２０μｍ、０．７ｍｍ厚の基板を採用した場合には約１２０〜１８０μｍ程度にしていた。
【００７４】
しかしながら、このようにスクライブ溝の溝深さＤｓを大きくすると、スクライブ溝の形成時に生ずるマイクロクラックが多くかつ大きくなり、パネル強度が低下してしまう。このパネル強度の低下を低減するという観点からみると、図６に示す一点鎖線Ｃ上の値以下に溝深さＤｓを抑制する必要がある。
【００７５】
また、従来のスクライブ・ブレイク法を用いる場合に上記実施形態のようにＸＹスクライブを実施しようとすると、２次ブレイク以前において基板が破断してしまい、以後の製造工程を実施することが不可能になってしまう。このような未然の基板割れを防止するには、図６に示す実線Ｂ（Ｄｓ＝（２００／３）ｔ＋７０／３）上の値以下に溝深さＤｓを抑制する必要がある。実線Ｂ以下の溝深さであれば、途中工程において基板割れはほとんど発生しない。
【００７６】
本実施形態のレーザ割断によれば、図６の実線Ｂ以下の溝深さＤｓであっても、スクライブ溝が存在する限り、全く問題なく割断を行うことができる。また、基板厚ｔが０．２〜１．２ｍｍ程度の液晶パネル用の基板であれば、基板厚ｔに拘わらず、約５０μｍ以下の溝深さＤｓであればパネル強度の低下や工程途中の基板割れを実質的に回避することができる。この観点から見た溝深さＤｓの下限は存在しないが、スクライブ加工時に安定してスクライブ溝を形成するためには溝深さＤｓは５μｍ以上であることが好ましく、特に１０μｍ以上であることが望ましい。
【００７７】
上記実施形態では、スクライブ溝を形成し、その後、レーザ割断、特に両基板に対する同時レーザ割断、を行う場合について説明した。しかしながら、本発明の製造方法においては、スクライブ溝を基板表面の全体に亘り形成する必要は必ずしもなく、基板表面の一部にのみ部分的に傷痕（スクライブ溝、クラック等の所定方向に伸びる表面傷）を形成しても構わない。
【００７８】
例えば、上記実施形態においては、ＸＹスクライブを行う場合、図７（ａ）に示すようにスクライブ溝１７，１８を分割予定線の全長に亘って形成している。しかしながら、レーザ割断では、傷痕が分割予定線の全長に亘り伸びるように形成されている必要はなく、一部においてのみ形成されていれば、レーザ光の照射スポットを分割予定線に沿って走査していくだけで、分割予定線に沿って破断部位を進行させていくことができる。また、スクライブ溝を分割予定線の全長に亘って形成すると、スクライブ溝の形成によって生ずるマイクロクラックがパネル強度を僅かであっても低下させるので、傷痕を部分的に形成することによってパネル強度をさらに高めることができるという利点がある。
【００７９】
図７（ｂ）〜（ｄ）は、上記のように傷痕を分割予定線の一部にのみ部分的に形成した例を示すものである。図７（ｂ）に示す方法においては、基板表面にＸ方向に伸びるスクライブ溝１７を形成するとともに、Ｙ方向に伸びる短い傷痕４１，４２を形成する。傷痕４１は、母基板における２次ブレイク時の分割予定線（すなわちＹ方向に伸びる分割予定線）上のＹ方向の両端部にそれぞれ所定長さ４１Ｌとなるように形成される。また、傷痕４２は、母基板における２次ブレイク時の分割予定線（Ｙ方向に伸びる分割予定線）と１次ブレイク時の分割予定線（Ｘ方向に伸びる分割予定線、すなわちスクライブ溝１７）との交点を含む前後にそれぞれ所定長さ４２Ｌに亘りＹ方向に伸びるように形成される。この交点位置は、将来１次ブレイク後において短冊パネルの短冊基板の端部となる部位である。傷痕４１，４２のいずれも、その上記所定長さ４１Ｌ，４２Ｌは２〜１５ｍｍの範囲内であることが好ましく、特に、３〜１０ｍｍであることが望ましい。なお、上記傷痕４１，４２は、図２に示すスクライブ装置２０を用いて、傷痕を形成する領域においてのみスクライブカッタ２５が通常どおりに基板表面上を走行し、他の領域においてはスクライブカッタ２５が上方へ引き上げられた状態となるように動作させることにより、容易に形成することができる。
【００８０】
上記のようにＹ方向に伸びる分割予定線に沿って傷痕４１，４２を設けた理由は、短冊パネル１３を形成した場合に、短冊パネル１３を液晶パネル１４に分割するための分割予定線の両端に傷痕４１，４２が残るようにするためである。短冊パネル１３をレーザ割断する場合には、レーザ割断を開始する端部とレーザ割断を終了する端部との双方に傷痕４１，４２がそれぞれ形成されていることにより、割断方向のずれを防止することができる。
【００８１】
レーザ割断を開始する端部に傷痕（クラック）が分割予定線に沿った方向に伸びるように或る程度の長さに亘り形成されていれば、分割予定線にほぼ沿った方向にレーザ割断を行うことは可能である。しかし、レーザ割断の開始部分と終了部分においては割断方向が不安定になり、レーザ割断の方向がしばしば分割予定線から外れてしまう場合がある。そこで、図７（ｂ）に示す例においては、短冊パネル１３の分割予定線の分割開始部分と分割終了部分にそれぞれ所定長さの傷痕が残るように構成している。これによって、分割予定線の全長に亘り安定したレーザ割断を行うことができ、破断面を分割予定線に精度良く一致するように形成することができる。また、この例においては、短冊パネル１３の両端部にのみ傷痕が残るように構成されているので、スクライブ溝１８を分割予定線全長に亘って形成する場合にくらべてマイクロクラックの発生が低減され、パネル強度を向上させることができる。
【００８２】
図７（ｃ）に示す例は、上記の図７（ｂ）に示す例と同様にＹ方向に伸びる分割予定線に沿って傷痕４１，４２を形成するとともに、Ｘ方向に伸びる分割予定線に沿って、上記スクライブ溝１７の代わりに傷痕４３，４４を形成したものである。ここで、傷痕４３，４４の長さ４３Ｌ，４４Ｌは上記傷痕４１，４２の長さ４１Ｌ，４２Ｌと同様の長さである。この場合、傷痕４３は母基板の両端部にそれぞれ形成され、母基板をレーザ割断する場合に上述の２次ブレイクにおける傷痕４１，４２と同様の役割を果たすものである。また、傷痕４４は、Ｘ方向に伸びる分割予定線に沿ってレーザ割断を行う場合にその割断方向を規制し、特にＹ方向に伸びる傷痕４２によって割断方向が分割予定線から外れてしまうことを防止するために設けられたものである。
【００８３】
図７（ｄ）に示す例は、上記の図７（ｃ）と同様にＸ方向及びＹ方向のいずれの方向に伸びる分割予定線に沿っても傷痕を形成している点で同様であるが、Ｙ方向に沿って伸びる分割予定線に沿って、図７（ｃ）に示す傷痕４２のように分割予定線の交点の前後両側に伸びるように構成するのではなく、当該交点の片側にのみ伸びるように構成された傷痕４５を形成している点で異なる。この場合には、母基板が分割されて短冊パネルが形成された後、この短冊パネルの基板表面には、Ｙ方向に伸びる分割予定線上の両端部のうち一方の端部にのみ傷痕４１，４５が残る。このようにしても、短冊パネルの一方の端部にのみ残された傷痕４１，４５の形成位置からレーザ割断を開始することによって、短冊パネルの分割を行うことができる。ここで、傷痕４５の長さ４５Ｌは上記４１Ｌ，４２Ｌと同様の長さである。
【００８４】
図８には、本発明のさらに異なるスクライブ方法を説明するための大判パネル２５０の平面図（ａ）及び短冊パネル２６０の平面図（ｂ）を示す。このスクライブ方法においては、第１母基板２５１，第２母基板２５２のそれぞれの表面上に図示Ｘ方向に伸びるスクライブ溝２５３と、図示Ｙ方向に伸びるスクライブ溝２５４を上記実施形態と同様の方法で形成する。ただし、スクライブ溝２５３，２５４は、その長さ方向に見て溝深さが５０μｍ若しくは（２００／３）ｔ＋７０／３）（ｔは基板厚）を越え、好ましくは８０μｍを越えるように形成された深溝部２５３Ａ，２５４Ａと、溝深さが５０μｍ若しくは（２００／３）ｔ＋７０／３）（ｔは基板厚）以下であるように形成された浅溝部２５３Ｂ，２５４Ｂとを有している点で、上記実施形態とは異なるものである。深溝部２５３Ａ，２５４Ａと浅溝部２５３Ｂ，２５４Ｂとは、図２及び図３に示す上記実施形態のスクライブ装置を用いてそれぞれのスクライブ溝２５３，２５４を刻設していく際に、途中で押し込み圧Ｆａを変化させることによって形成される。押し込み圧Ｆａを大きくすると溝深さが大きくなり、押し込み圧Ｆａを小さくすると溝深さは小さくなる。
【００８５】
図８（ａ）に示すように、スクライブ溝２５３の深溝部２５３Ａは、スクライブ溝２５３の両端部（母基板のＸ方向の端部に形成された部分）にそれぞれ形成されている。また、浅溝部２５３Ｂは、スクライブ溝２５３の両端部を除く全ての部分を構成している。一方、スクライブ溝２５４の深溝部２５４Ａは、スクライブ溝２５４の両端部（母基板のＹ方向の端部に形成された部分）にそれぞれ形成されているとともに、スクライブ溝２５３とスクライブ溝２５４との交点を含み、その前後いずれか（図示例では前後両方）に伸びた部分にも形成されている。また、浅溝部２５４Ｂは、上記深溝部２５４Ａが形成されていない全ての部分を構成している。
【００８６】
図８（ａ）に示すようにスクライブ溝２５３，２５４が形成された母基板２５１，２５２に対して、スクライブ溝２５３に沿って上記実施形態に示す方法と同じ方法で第１母基板２５１，第２母基板２５２を分割すると、図８（ｂ）に示す短冊パネル２６０が形成される。この短冊パネル２６０の短冊基板２６１，２６２の表面上には、図示のように、上記スクライブ溝２５４の一部がそのまま残り、そのスクライブ溝の一方の端部（図示例では両端部）は深溝部２５４Ａとなり、当該端部以外（図示例では両端部以外）の中央部分は浅溝部２５４Ｂとなる。そして、これらの短冊基板２６１，２６２に残されたスクライブ溝に沿って上記と同様に短冊基板２６１，２６２を分割し、上記の液晶パネル１４を形成することができる。
【００８７】
このスクライブ方法においては、基板の端部に深溝部２５３Ａ，２５４Ａが形成されているので、特にレーザ割断を行う場合に、その割断位置が深溝部２５３Ａ，２５４Ａの位置によって規制されることから、基板の分割位置を高精度に得ることができる。また、スクライブ溝の一部にのみ溝深さの深い部分が設けられているに過ぎないので、全体としてはスクライブに伴うマイクロクラックの発生量を低減することができ、したがって分割後の基板強度の低下を抑えることができる。
【００８８】
さらに、一部にのみ深溝部２５３Ａ，２５４Ａを形成していることによって、基板が不所望に割れてしまうことが防止されるので、製品の歩留まりの低下を抑制できる。特に、上記スクライブ溝２５４において深溝部２５４Ａ以外は浅溝部２５４Ｂとなっているので、大判パネル２５０から短冊パネル２６０を形成した後に、液晶注入・封止工程等の中間工程において基板割れが発生する恐れを低減できる。
【００８９】
また、レーザ割断を用いて基板分割を行う場合には、レーザ光の走査を開始する部分及び走査を終了する部分（すなわち基板の両端部）において破断位置が分割予定線からずれる傾向にある。これは、レーザ光の照射によって生ずる加熱領域の温度分布及び進行方向が走査開始時及び走査終了時において不安定になることに起因する。しかし、上記のスクライブ方法においては、基板の端部、特に基板の両端部において深溝部２５３Ａ，２５４Ａが形成されているので、当該部分においてスクライブ溝によって破断位置が決定されることから、分割予定線からの破断位置のずれを防止し、精度良く基板を分割することができる。
【００９０】
尚、本発明の液晶装置の製造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００９１】
例えば、上記実施形態では、液晶パネルをパッシブマトリクス型の液晶パネルであるものとして説明をしているが、本発明はこのような液晶パネルに限らず、アクティブマトリクス型パネル、セグメント型パネル等のように種々の液晶パネルの製造方法に適用できるものである。
【００９２】
また、上記実施形態では、レーザ割断の方法として、パネルの表裏両側から同時にレーザ光を照射し、パネルを構成する２枚の基板に対して同時にレーザ割断を行っているが、表裏の基板に対して順次にレーザ割断を実施してもよい。なお、パネル自体を分割するのではなく、パネルを構成する一方の基板のみを分割する場合には、当該基板のみをレーザ割断すればよい。
【００９３】
さらに、上記実施形態では、傷痕を形成する場合にスクライブ加工と同様の加工を行っているが、短い傷痕は、砥粒やピンの先端で基板表面を擦過するなどの方法で形成することもできる。
【００９４】
また、上記実施形態では、大判パネルを複数の短冊パネル（すなわち中間パネル）に分割した後に、個々の短冊パネル（中間パネル）をさらに液晶パネルに分割するときに２次ブレイクを行っているが、本発明はこのような場合に限らず、例えば大判パネルを複数の短冊パネルに分割するのではなく、１次ブレイク工程として大判パネルの一方の母基板のみを部分的に除去するための母基板の分割を行い、大判パネルのサイズを有してはいるが構造の異なる中間パネルとし、この中間パネルに対して、さらに個々の液晶パネルに分割するための２次ブレイク工程を実施する場合にも適用できる。また、例えば、前のブレイク工程において大判パネル又は短冊パネルからサイズとしては上記の液晶パネルと同等の複数の中間パネルに分割した後、後のブレイク工程において個々の中間パネルの一方の基板を部分的に割断させる場合、より具体的には一方の基板の端部を分割して図９及び図１０に示す基板１４２のように他方の基板１４１よりもサイズを小さくして基板張出部１４１ａを露出させる場合、に適用させることも可能である。
【００９５】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によれば、製造工程を簡略化して製造コストを低減することができる。また、レーザ割断を用いることによって高精度かつ高品位の基板分割を行うことができ、パネル強度を向上できる。さらに、スクライブ溝を浅くすることにより不所望の基板割れを防止できるとともにパネル強度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る液晶装置の製造方法の実施形態におけるパネル形状の変遷を示す概略斜視図（ａ）〜（ｄ）である。
【図２】同実施形態に用いるスクライブ装置の概略構成を示す概略構成図である。
【図３】同実施形態に用いるスクライブ装置においてスクライブを行う際のパネルの様子を示す拡大断面図である。
【図４】同実施形態に用いるレーザ割断装置の概略構成を示す概略構成図である。
【図５】同実施形態における工程手順を示す概略フローチャートである。
【図６】基板厚ｔ及びスクライブ溝の溝深さＤｓと、基板割れやブレイク不良等との関係を説明するためのグラフである。
【図７】同実施形態の基板表面の傷痕形成例を示す平面図（ａ）、及び、他の傷痕形成例を示す平面図（ｂ）〜（ｄ）である。
【図８】他のスクライブ形成方法を示す大判パネルの平面図（ａ）、及び、短冊パネルの平面図（ｂ）である。
【図９】同実施形態により形成された液晶パネルの透視平面図である。
【図１０】同実施形態により形成された液晶パネルの概略断面図である。
【図１１】従来の液晶装置の製造方法におけるパネル形状の変遷を示す斜視図（ａ）〜（ｄ）である。
【図１２】従来の液晶装置の製造方法の工程手順を示す概略フローチャートである。
【図１３】レーザ割断によってパネルを分割する場合の説明図（ａ）〜（ｅ）である。
【符号の説明】
１０，２５０  大判パネル
１１，２５１  第１母基板
１２，２５２  第２母基板
１３，２６０  短冊パネル
１４  液晶パネル
１５，１６，１７，１８，２５３，２５４  スクライブ溝
２０  スクライブ装置
３０  レーザ割断装置
４１，４２，４３，４４，４５  傷痕
４１Ｌ，４３Ｌ，４５Ｌ  傷痕の長さ
４２Ｌ，４４Ｌ  傷痕の長さの半分
２５３Ａ，２５４Ａ  深溝部
２５３Ｂ，２５４Ｂ  浅溝部
Ｄｓ  スクライブ溝の溝深さ
ｔ  基板厚
【図１】
0003870696.tif 000002
【図２】
0003870696.tif 000003
【図３】
0003870696.tif 000004
【図４】
0003870696.tif 000005
【図５】
0003870696.tif 000006
【図６】
0003870696.tif 000007
【図７】
0003870696.tif 000008
【図８】
0003870696.tif 000009
【図９】
0003870696.tif 000010
【図１０】
0003870696.tif 000011
【図１１】
0003870696.tif 000012
【図１２】
0003870696.tif 000013
【図１３】
0003870696.tif 000014