(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出コイルを含むＬＣ発振回路を具備した発振回路部と、ＬＣ発振回路の発振振幅を検波する検波回路部と、検波回路部の出力から被検知物体の接近によって発生するＬＣ発振回路の発振停止を検出し、被検知物体の存否を示す検出信号を発生する出力回路部とを備え、前記発振回路部は、ＬＣ発振回路に直流のバイアス電流を供給するバイアス回路と、ＬＣ発振回路の発振振幅に応じた電流を発生してＬＣ発振回路に帰還させる電流帰還回路とを備え、被検知物体の非検知時におけるバイアス電流を、外部より印加される高周波強電界の輻射ノイズによってＬＣ発振回路の発振が停止しないような電流レベルとし、被検知物体の検知時に、バイアス回路のバイアス電流を非検知時よりも低下させることによって回路全体の消費電流を低下させる消費電流切替回路を設けたことを特徴とする近接センサ。
【請求項２】
上記電流レベルは約４５０μＡ以上であることを特徴とする請求項１記載の近接センサ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＬＣ発振回路を構成する検出コイルを備え、被検知物体の接近に伴う検出コイルの実効抵抗値変化から被検知物体を検知する近接センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、金属体（導電体）や磁性体等からなる被検知物体を検知する近接センサとして高周波発振型のものが知られている。この種の近接センサは、ＬＣ発振回路を構成する検出コイルに金属体が接近すると、電磁誘導作用によって渦電流損が生じて検出コイルの実効抵抗値（インピーダンス）が変化することを利用したものであり、この変化を検出信号として取り出すものである。このような近接センサには、金属体の近接状態に応じて発振回路の発振振幅が跳躍的に変化して、発振又は発振停止するものがあり、発振振幅の変化から金属体の有無の判定を行うことができる（特開昭５５−３９１０９号公報参照）
図８は従来の近接センサの回路図を示し、この近接センサは、検出コイルＬ１とコンデンサＣ１とで構成されるＬＣ発振回路１１を有し、ＬＣ発振回路１１にはバイアス回路１２から一定のバイアス電流Ｉｂが供給される。ＬＣ発振回路１１に発生する電圧（発振振幅）ＶＴはレベルシフト回路１３により電圧レベルがシフトされて電圧Ｖ１となり、電圧−電流変換回路１４を構成するトランジスタＴｒ１のベースに印加される。ここで、バイアス回路１２は、トランジスタＴｒ４，Ｔｒ５と抵抗Ｒ１とで構成されるカレントミラー回路により構成され、レベルシフト回路１３は、ベース・コレクタ間が短絡されダイオードとして動作するＮＰＮ型トランジスタＴｒ６により構成される。
【０００３】
電圧−電流変換回路１４を構成するトランジスタＴｒ１のエミッタと回路のグランドとの間には帰還電流設定用の抵抗Ｒｅが接続されており、トランジスタＴｒ１のコレクタ電流は電流ミラー回路１５を構成するトランジスタＴｒ２に流れる。トランジスタＴｒ２のベース、エミッタには、トランジスタＴｒ３のベース、エミッタがそれぞれ接続され、トランジスタＴｒ３と共にカレントミラー回路を構成しており、トランジスタＴｒ３のコレクタ電流ＩfbがＬＣ発振回路１１に帰還される。ここに、ＬＣ発振回路１１とバイアス回路１２とレベルシフト回路１３と電圧−電流変換回路１４と電流ミラー回路１５とで発振回路１が構成される。
【０００４】
ここで、検出コイルＬ１に金属体が接近していない状態では、ＬＣ発振回路１１が発振しており、その発振振幅ＶＴは十分大きい値になっている。一方、検出コイルＬ１に金属体が接近すると、主として検出コイルＬ１の渦電流損の増大によって、ＬＣ発振回路１１の損失が増大し、発振振幅が小さくなって、発振動作を停止する。発振回路１の出力は外部回路（図示せず）に出力されており、外部回路では発振回路１の発振振幅の変化から、被検知物体の存否を検出する。
【０００５】
このような近接センサでは、バイアス回路１２によってＬＣ発振回路１１に数十〜２，３百μＡ（一般的には１００μＡ程度）のバイアス電流Ｉｂが供給されていた。バイアス回路１２から与えられる直流のバイアス電流Ｉｂは、電流ミラー回路１５の帰還動作（すなわち、発振周波数における動作）と無関係であるから、その大きさは特に考慮されておらず、回路全体の消費電流を最小限にするため、バイアス電流Ｉｂとしては必要最小限の値に設定されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記構成の近接センサは様々な環境で用いられ、例えば遊技球（所謂パチンコ玉）を検出するための近接センサのように外来ノイズの激しい環境下で使用されるものもある。検出コイルＬ１として例えば環状コイルを用い、環状コイルの環内を通過する遊技球を検出する遊技球検出用の近接センサでは、不正遊技者が高周波強電界の電波を故意に発生させたようなノイズ環境下においても誤動作することなく、遊技球の有無を検出することが望まれる。しかしながら、従来の近接センサでは、不正遊技者が高周波強電界の電波を近接センサに対して照射すると、遊技球が存在しなくてもＬＣ発振回路１１の発振が停止してしまい、遊技球が存在すると誤検出してしまう虞があった。
【０００７】
本発明は上記問題点に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、外来ノイズによる誤動作を防止した近接センサを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
ところで、近接センサに高周波強電界の輻射ノイズを実際に照射し、輻射ノイズに対する耐ノイズ性を評価する場合、近接センサに照射される輻射ノイズを正確に測定することができないため、耐ノイズ性を正確に評価できないという問題がある。近接センサに照射された輻射ノイズは環状コイルよりなる検出コイルＬ１から発振回路１内に侵入すると考えられるので、図８に点線で図示するように、ＬＣ発振回路１１とトランジスタＴｒ６の接続点にカップリングコンデンサＣ０を介して信号発生器ＳＧを接続し、近接センサに輻射ノイズを照射する代わりに信号発生器ＳＧからカップリングコンデンサＣ０を介して高周波の注入信号ｓｇを直接注入することにより耐ノイズ性の評価を行った。
【０００９】
図９は、バイアス電流ＩｂをＩｂ１，Ｉｂ２，Ｉｂ３（Ｉｂ１＜Ｉｂ２＜Ｉｂ３）とした場合のある周波数での注入信号レベルと発振振幅ＶＴとの関係を示しており、バイアス電流Ｉｂを一定とすると、注入信号レベルが小さい範囲では発振振幅ＶＴの変化はほとんどないが、注入信号レベルを高くする（つまり、輻射ノイズの電界強度を高める）と発振振幅ＶＴが急激に低下し、ついには発振停止に至る。ここで、注入信号レベルと発振振幅ＶＴの関係を示す曲線は注入信号の周波数によって変化し、発振停止に至る注入信号レベルも大きく異なる。しかしながら、信号発生器ＳＧから注入する注入信号の周波数を変化させて試験を行った結果、注入信号の周波数に関係無く、バイアス電流Ｉｂを増加させると（Ｉｂ１＜Ｉｂ２＜Ｉｂ３）、発振停止に至る注入信号レベルも増加する（Ｖｓ１＜Ｖｓ２＜Ｖｓ３）ことが判明した。また、実際に高周波強電界の輻射ノイズを近接センサに照射して試験を行っても、バイアス電流Ｉｂを増加させるほど、発振停止しにくくなることが確かめられた。
【００１０】
また、図１０はバイアス電流ＩｂをＩｂ１，Ｉｂ２，Ｉｂ３（Ｉｂ１＜Ｉｂ２＜Ｉｂ３）とした場合の検出コイルＬ１のコンダクタンスと発振振幅との関係を示しており、バイアス電流Ｉｂを複数に変化させた場合、検出コイルＬ１のコンダクタンスが小さい領域（すなわち被検知物体を検知していない状態）では発振振幅ＶＴの大きさが変化するものの、発振振幅ＶＴが急激に低下する際の検出コイルＬ１のコンダクタンスの値Ｇthは略同じであるから、検出距離などの近接センサの特性としては殆ど変化がないことが確かめられた。
【００１１】
そこで上記目的を達成するために、請求項１の発明では、検出コイルを含むＬＣ発振回路を具備した発振回路部と、ＬＣ発振回路の発振振幅を検波する検波回路部と、検波回路部の出力から被検知物体の接近によって発生するＬＣ発振回路の発振停止を検出し、被検知物体の存否を示す検出信号を発生する出力回路部とを備え、前記発振回路部は、ＬＣ発振回路に直流のバイアス電流を供給するバイアス回路と、ＬＣ発振回路の発振振幅に応じた電流を発生してＬＣ発振回路に帰還させる電流帰還回路とを備え、被検知物体の非検知時におけるバイアス電流を、外部より印加される高周波強電界の輻射ノイズによってＬＣ発振回路の発振が停止しないような電流レベルとし、被検知物体の検知時に、バイアス回路のバイアス電流を非検知時よりも低下させることによって回路全体の消費電流を低下させる消費電流切替回路を設けたことを特徴とし、被検知物体の非検知時においてバイアス回路は、外部より印加される高周波強電界の輻射ノイズによって発振停止しないような電流レベルのバイアス電流をＬＣ発振回路へ供給しているから、外部より印加される輻射ノイズによって近接センサが誤動作するのを防止できる。しかも被検知物体の検知時には外来ノイズによって検知状態となっても問題ないから、被検知物体の検知時において消費電流切替回路が消費電流を低下させた分だけ、回路全体の消費電流を低減できる。したがって被検知物体の検知時においてバイアス電流を低下させた分だけ、全体の消費電流を増やすことなく非検知時におけるバイアス電流を増加させることができ、外部より印加される輻射ノイズによって近接センサが誤動作するのを防止できる。
【００１２】
請求項２の発明では、請求項１の発明において、上記電流レベルは約４５０μＡ以上であることを特徴とし、請求項１の発明と同様の作用を奏する。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１６】
（基本構成）
本発明に係る近接センサの基本構成を図１及び図２を参照して説明する。この近接センサは、図２に示すように、検出コイルＬ１を含むＬＣ発振回路１１を具備した発振回路１と、ＬＣ発振回路１１の発振振幅を検波する検波回路２と、検波回路２の出力から被検知物体の接近によって発生するＬＣ発振回路１１の発振停止を検出し、被検知物体の存否を示す検出信号を発生する出力回路３と、発振回路１、検波回路２などに動作電圧Ｖccを供給する電源回路４とを備えている。
【００１７】
また、図１は発振回路１の回路図を示しており、検出コイルＬ１とコンデンサＣ１とで構成されるＬＣ発振回路１１と、ＬＣ発振回路１１に直流のバイアス電流Ｉｂを供給するバイアス回路１２と、ＬＣ発振回路１１に発生する電圧ＶＴの電圧レベルをシフトするレベルシフト回路１３と、レベルシフト回路１３の出力電圧Ｖ１に応じた電流を発生する電圧−電流変換回路１４と、電圧−電流変換回路１４の出力電流に応じた電流をＬＣ発振回路１１に帰還する電流ミラー回路１５とを備えている。ここに、レベルシフト回路１３と電圧−電流変換回路１４と電流ミラー回路１５とで、ＬＣ発振回路１１の発振振幅ＶＴに応じた電流を発生してＬＣ発振回路１１に帰還させる電流帰還回路が構成される。尚、発振回路１の回路構成は上述した従来の近接センサと同様であるので、同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００１８】
バイアス回路１２は、ベース同士、エミッタ同士がそれぞれ接続されたトランジスタＴｒ４，Ｔｒ５と、トランジスタＴｒ５のコレクタと回路のグランドとの間に接続されたバイアス電流設定用の抵抗Ｒ１とを備えたカレントミラー回路により構成される。トランジスタＴｒ４，Ｔｒ５のエミッタには電圧Ｖccが印加され、トランジスタＴｒ４のコレクタはトランジスタＴｒ６のコレクタに接続されている。また、トランジスタＴｒ５のコレクタ・ベース間は電気的に接続されている。ここで、バイアス回路１２からＬＣ発振回路１１に供給されるバイアス電流Ｉｂの電流値は抵抗Ｒ１の抵抗値によって設定される。
【００１９】
上述のようにバイアス回路１２のバイアス電流Ｉｂが大きいほど、外来ノイズに対する耐ノイズ性が向上することが判明しており、この近接センサではバイアス回路１２のバイアス電流Ｉｂを、外来ノイズによる誤動作が発生しないような電流レベルに設定している。例えば遊技球の検出に用いられる近接センサでは、不正遊技者が故意に発生させる高周波強電界のノイズ環境下においても誤動作しないことが要求され、実験の結果バイアス電流Ｉｂを約４５０μＡ以上に設定すれば、不正遊技者が発生し得る最大の電界強度のノイズを近接センサに照射した場合でも、近接センサが誤動作しないことが確認でき、本センサではバイアス回路１２のバイアス電流Ｉｂを約４５０〜５００μＡに設定している。尚、バイアス電流Ｉｂを必要以上に大きい値に設定すると、近接センサの消費電流が増加するため、バイアス電流Ｉｂの上限値は回路全体の消費電流を考慮して適宜設定すれば良い。
【００２０】
（実施形態１）
本発明の実施形態１を図３及び図４を参照して説明する。基本構成で説明した近接センサでは電源回路４の消費電流を略一定としているが、本実施形態では回路全体の消費電流を増やすことなくバイアス電流Ｉｂをできるだけ増やすため、検波回路２の出力に応じて電源回路４の消費電流を切り替えている。また本回路では、ＬＣ発振回路１１に供給するバイアス電流Ｉｂを設定するバイアス電流設定回路５を設けている。尚、電源回路４及びバイアス電流設定回路５以外の構成は基本構成で説明した近接センサと同様であるので、同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００２１】
図４は電源回路４の具体回路図であり、この電源回路４は、入出力端子間に挿入したトランジスタＱccによる損失量を調節することによって、入力電圧Ｖinを降圧すると共に安定化して一定の動作電圧Ｖccを生成し、この動作電圧を発振回路１や検波回路２等に供給するものである。この電源回路４は、動作電圧Ｖccに比例した検出電圧Ｖrefを検出するための分圧抵抗Ｒ２，Ｒ３と、分圧抵抗Ｒ２，Ｒ３による検出電圧Ｖrefと基準電圧との差に比例してトランジスタＱccによる損失量を調節する帰還増幅手段と、帰還増幅手段に基準電圧を与える基準電圧発生手段とを備えており、この電源回路４では帰還増幅手段と基準電圧発生手段とをまとめて誤差増幅器ＥＡとしている。なお、本回路では分圧抵抗Ｒ２，Ｒ３により生成された検出電圧Ｖrefと動作電圧Ｖccとは、Ｖcc＝Ｖref×（Ｒ２＋Ｒ３）／Ｒ３の関係になる。
【００２２】
基本構成の近接センサで説明したように、外部より照射されるノイズによって近接センサが誤動作するのを防止するためには、ＬＣ発振回路１１に供給するバイアス電流Ｉｂを増加させれば良いが、近接センサ全体の消費電流には制約があるため、バイアス電流Ｉｂをできるだけ増やすためには発振回路１以外の回路部で消費電流を低減する必要がある。
【００２３】
ところで、被検知物体の検知時にはＬＣ発振回路１１の発振が停止しているか、又は、発振振幅が十分小さくなっている。発振回路１の電流ミラー回路１５を構成するトランジスタＴｒ２，Ｔｒ３にはＬＣ発振回路１１の発振振幅ＶＴに比例した電流が流れるので、被検知物体の検知時にはトランジスタＴｒ２，Ｔｒ３に電流が流れないか、又は、流れる電流が十分小さくなる。したがって、被検知物体の検知時には、電源回路４のトランジスタＱccのベース電流Ｉbccを少なくして、コレクタ電流を低下させても、動作電圧Ｖccは殆ど変化しない。一方、被検知物体の非検知時にはトランジスタＴｒ２，Ｔｒ３に大きな電流が流れるので、トランジスタＱccに十分大きなベース電流Ｉbccを与えないと、コレクタ電流が不足して、動作電圧Ｖccが大きく変動する。
【００２４】
そこで、本実施形態の近接センサでは、被検知物体の検知時において電源回路４の消費電流を非検知時に比べて低下させている。電源回路４はトランジスタＱccのベース電流Ｉbcc与える電流ミラー回路４ａを備えている。電流ミラー回路４ａはトランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２と、電流値設定用の抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の直列回路と、抵抗Ｒ１２に並列に接続されたトランジスタＱswとで構成され、トランジスタＱswは検波回路２の出力に応じてオン／オフする。ここで、検波回路２が被検知物体を検知すると、トランジスタＱswはオフになり、電流ミラー回路４ａの入力電流が小さくなるので、トランジスタＱccのベース電流Ｉbccが低下する。一方、検波回路２が被検知物体を検知していなければ、トランジスタＱswはオンになり、電流ミラー回路４ａの入力電流が大きくなるので、トランジスタＱccのベース電流Ｉbccが増加する。而して、被検知物体の検知時には電源回路４の消費電流が非検知時に比べて低下するから、回路全体の消費電流を低下させることができる。ここに、電流ミラー回路４ａから、被検知物体の検知時に回路全体の消費電流を低下させる消費電流切替回路が構成される。
【００２５】
尚、電源回路４は検波回路２の検知信号に応じて消費電流を切り替えているが、出力回路３の出力信号に応じて消費電流を切り替えるようにしても良く、また被検知物体の検知時において消費電流を低下させるのであれば、電源回路４以外の回路部の消費電流を低下させるようにしても良い。
【００２６】
ところで、本実施形態の電源回路４では被検知物体の検知時に、トランジスタＱccのベース電流Ｉbccを低下させることによって電源回路４の消費電流を低下させているが、図５に示すように、動作電圧Ｖccを低下させることによって電源回路４から電源供給される回路部での消費電流を低下させるようにしても良い。この電源回路４は、図４の電源回路４において、分圧抵抗Ｒ３を２つの抵抗Ｒ３ａ，Ｒ３ｂに分割し、抵抗Ｒ３ｂと並列にトランジスタＱswのベース・エミッタ間を接続し、検波回路２の出力に応じてトランジスタＱswをオン／オフさせている。ここに、抵抗Ｒ３ａ，Ｒ３ｂとトランジスタＱswとで、被検知物体の検知時に回路全体の消費電流を低下させる消費電流切替回路が構成される。
【００２７】
ここで、被検知物体の検知時にはトランジスタＱswがオフ状態となるので、分圧比が大きくなり、検出電圧Ｖrefの電圧値が非検知時に比べて増加する。したがって、誤差増幅器ＥＡの出力が増加し、トランジスタＱccによる損失量が増加するので、動作電圧Ｖccが低下する。一方、被検知物体の非検知時にはトランジスタＱswがオン状態となるので、分圧比が小さくなり、検出電圧Ｖrefの電圧値が検知時に比べて低下する。したがって、誤差増幅器ＥＡの出力が低下し、トランジスタＱccによる損失量が低下するので、動作電圧Ｖccが増加する。
【００２８】
このように、本回路では被検知物体の検知時において、電源回路４の動作電圧Ｖccを非検知時に比べて低下させており、動作電圧Ｖccを低下させると電源回路４から給電される発振回路１や検波回路２などの回路部での消費電流を低減させることができるから、近接センサ全体として消費電流を低下させることができる。尚、電源回路４から給電される発振回路１や検波回路２などの回路部では、電源回路４が動作電圧Ｖccを低下させた場合でも、回路の動作特性が変動しないように動作電圧Ｖccの許容範囲を十分大きい値に設計している。また、動作電圧Ｖccの変動範囲は、電源回路４から給電される発振回路１や検波回路２などの動作特性が変化しないような電圧範囲に設定されている。
【００２９】
（実施形態２）
本発明の実施形態２を図６及び図７を参照して説明する。本実施形態の近接センサでは、検波回路２の出力に応じてバイアス回路１２のバイアス電流Ｉｂを直接切り替えている。すなわち、本実施形態では、基本構成で説明した近接センサにおいて、バイアス電流設定用抵抗Ｒ１を２つの抵抗Ｒ１ａ，Ｒ１ｂに分割し、一方の抵抗Ｒ１ｂと並列に検波回路２の出力信号に応じてオン／オフされるトランジスタＱswを接続している。ここに、抵抗Ｒ１ａ，Ｒ１ｂ及びトランジスタＱswからバイアス電流設定回路５が構成される。尚、近接センサの基本的な構成は基本構成で説明した近接センサと同様であるので、同一の構成要素には同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００３０】
この近接センサでは、ＬＣ発振回路１１を構成する検出コイルＬ１に金属体が接近すると、電磁誘導作用によって渦電流損が生じて検出コイルＬ１の実効抵抗値が変化して、ＬＣ発振回路１１の発振が停止する。すなわち、被検知物体の検知時にはもともとＬＣ発振回路１１が発振停止しているので、不正遊技者が照射する電波によってＬＣ発振回路１１が発振停止するのを防止するために、ＬＣ発振回路１１に供給するバイアス電流Ｉｂを増加させる必要がなく、被検知物体の非検知時のみバイアス電流Ｉｂを増加させれば良い。
【００３１】
したがって、本回路ではバイアス電流設定用の抵抗Ｒ１ｂと並列にトランジスタＱswを接続し、検波回路２の出力信号に応じてトランジスタＱswをオン／オフさせており、被検知物体の非検知時にはトランジスタＱswがオン状態になるので、バイアス電流ＩｂはＶcc／Ｒ１ｂとなる。この時のバイアス電流Ｉｂは、基本構成で説明した近接センサと同様に、約４５０〜５００μＡに設定されており、不正遊技者の発生する高周波強電界の輻射ノイズが照射されたとしてもＬＣ発振回路１１が発振停止することはない。
【００３２】
一方、被検知物体の検知時にはトランジスタＱswがオフ状態になるので、バイアス電流ＩｂはＶcc／（Ｒ１ａ＋Ｒ１ｂ）となり、被検知物体の非検知時に比べて低下するから、回路全体の消費電流を低減することができる。したがって、回路全体の消費電流が制限されている場合でも、被検知物体の検知時におけるバイアス電流Ｉｂを低下させることにより、非検知時におけるバイアス電流を相対的に増加させることができ、外部より照射される輻射ノイズによって近接センサが誤動作するのを防止できる。
【００３３】
【発明の効果】
上述のように、請求項１の発明は、検出コイルを含むＬＣ発振回路を具備した発振回路部と、ＬＣ発振回路の発振振幅を検波する検波回路部と、検波回路部の出力から被検知物体の接近によって発生するＬＣ発振回路の発振停止を検出し、被検知物体の存否を示す検出信号を発生する出力回路部とを備え、前記発振回路部は、ＬＣ発振回路に直流のバイアス電流を供給するバイアス回路と、ＬＣ発振回路の発振振幅に応じた電流を発生してＬＣ発振回路に帰還させる電流帰還回路とを備え、被検知物体の非検知時におけるバイアス電流を、外部より印加される高周波強電界の輻射ノイズによってＬＣ発振回路の発振が停止しないような電流レベルとし、被検知物体の検知時に、バイアス回路のバイアス電流を非検知時よりも低下させることによって回路全体の消費電流を低下させる消費電流切替回路を設けたことを特徴とし、被検知物体の非検知時においてバイアス回路は、外部より印加される高周波強電界の輻射ノイズによって発振停止しないような電流レベルのバイアス電流をＬＣ発振回路へ供給しているから、外部より印加される輻射ノイズによって近接センサが誤動作するのを防止できるという効果がある。しかも被検知物体の検知時には外来ノイズによって検知状態となっても問題ないから、被検知物体の検知時において消費電流切替回路が消費電流を低下させた分だけ、回路全体の消費電流を低減できる。したがって被検知物体の検知時においてバイアス電流を低下させた分だけ、全体の消費電流を増やすことなく非検知時におけるバイアス電流を増加させることができ、外部より印加される輻射ノイズによって近接センサが誤動作するのを防止できるという効果がある。
【００３４】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、上記電流レベルは約４５０μＡ以上であることを特徴とし、請求項１の発明と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る近接センサの基本構成を示す要部回路図である。
【図２】  同上のブロック図である。
【図３】  実施形態１の近接センサのブロック図である。
【図４】  同上の要部回路図である。
【図５】  同上の別の近接センサの要部回路図である。
【図６】  実施形態２の近接センサのブロック図である。
【図７】  同上の要部回路図である。
【図８】  従来の近接センサの回路図である。
【図９】  同上の発振回路に外部より注入する注入信号の信号レベルと発振振幅との関係を示す図である。
【図１０】  同上の検出コイルのコンダクタンスと発振振幅との関係を示す図である。
【符号の説明】
１  発振回路
１１  ＬＣ発振回路
１２  バイアス回路
１３  レベルシフト回路
１４  電圧−電流変換回路
１５  電流ミラー回路
Ｉｂ  バイアス電流
Ｌ１  検出コイル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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