(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記式(I) で表される１種類の化合物と、
ＭＬａＸｂ  … (I)
（式中、Ｍは、周期律表第IVB族の遷移金属であり、Ｌは遷移金属に配位するシクロペンタジエニル骨格を有する配位子であり、ａは１以上の整数であって、Ｌの個数を示し、Ｘは遷移金属に結合する、メチル基であり、ｂは１以上の整数であって、Ｘの個数を示す。但し、エチレンビス（インデニル）ジメチルジルコニウム、ビス（シクロペンタジエニル）ジメチルジルコニウム、rac‐ジメチルシリレン‐ビス{1-(2-メチル-4-i-プロピル-7-メチルインデニル)}ジルコニウムジメチル、及びrac‐ジメチルシリレン‐ビス{1-(2-メチル-4-フェニルインデニル)}ジルコニウムジメチルを除く。）
（Ｂ）前記第IVB族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物と、
（Ｃ）下記式(IX) で表される有機アルミニウム化合物とからなるオレフィン重合用触媒の存在下に、１００℃以上の重合温度で、エチレンを単独重合させるか、あるいはエチレンと炭素原子数が３以上のオレフィンとを共重合させて、極限粘度［η］が０．４０ｄｌ／ｇ以下であるエチレン（共）重合体を形成させることを特徴とするエチレン系ワックスの製造方法。
ＲａｍＡｌ（ＯＲｂ）ｎＨｐＸｑ    …  (IX)
（式中、ＲａおよびＲｂは、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が１〜１５の炭化水素基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ｍは０＜ｍ≦３、ｎは０≦ｎ＜３、ｐは０≦ｐ＜３、ｑは０≦ｑ＜３の数であり、かつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＝３である。）
【請求項２】
平均滞留時間が３時間以下である請求項１に記載のエチレン系ワックスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エチレン系ワックスの製造方法に関し、さらに詳しくは分子量分布の狭いエチレン系ワックスを高い生産性で製造するエチレン系ワックスの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ポリエチレンワックスなどのオレフィン系低分子量重合体は、たとえば顔料分散剤、樹脂加工助剤、印刷インキ用添加剤、塗料用添加剤、ゴム加工助剤、繊維処理剤などの用途に用いられている。また、オレフィン系低分子量重合体は、トナー用離型剤にも用いられている。近年、省エネルギー化の観点から低温定着トナーが求められており、低温での離型性のよいワックス、すなわち同一組成、同一分子量であっても、融点の低いワックスの出現が望まれている。
【０００３】
ところでこのようなオレフィン系低分子量重合体を製造する方法としては、従来から工業的には通常チタン系触媒が使用されている。しかし、この触媒系では触媒単位量当たりの低分子量重合体の収量は大きく、高活性であるという利点はあるが、重合系内の気相の水素分圧を大きく維持することが必要であり、その結果、アルカンの副生が多いという欠点があった。さらには、得られた低分子量重合体の分子量分布が広く、とくに分子量が１０００以下の低分子量重合体においては、ベタつきが大きいために、低分子量部を除去しなければ上記の用途には使用することが困難であった。
【０００４】
これらの欠点を改善する方法として、特開昭５９−２１０９０５号公報にはバナジウム系触媒による低分子量重合体を製造する方法が提案されている。この公報にはチタン系触媒に比べ、低水素分圧下で分子量分布の狭い低分子量重合体を製造できることが記載されているが、分子量分布などが必ずしも充分ではなかった。
【０００５】
また、本願出願人は、特開昭６０−７８４６２号において、(A) 周期律表のIVB族、VB族及びVIB族よりなる群から選ばれた遷移金属の化合物、(B) アルミノオキサンからなるメタロセン系触媒の存在下に、エチレンを重合させるかまたはエチレンとα−オレフィンとを重合させるエチレン系ワックスの製造方法を提案している。この方法によると、分子量分布の狭いエチレン系ワックスを製造することが可能であるが、さらに生産性に優れたエチレン系ワックスの製造方法が望まれている。
【０００６】
さらに、特開平１−２０３４１０号公報、特開平６−４９１２９号公報などには、メタロセンとアルミノキサンとからなるメタロセン系触媒を用いてエチレン系ワックスを製造することが記載されているが、これらの方法も生産性が必ずしも充分ではない。重合温度を高くすると、重合熱の除熱が容易になり、生産性を向上させることができるが、触媒単位重量当りの低分子量重合体の収量が低下するという問題があった。
【０００７】
また、本願出願人は、特開平８−２３９４１４号において、（Ａ）シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む第IVB族遷移金属化合物と、（Ｂ）前記（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物と、（Ｃ）有機アルミニウム化合物とからなるオレフィン重合用触媒の存在下にエチレンを（共）重合させるエチレン系ワックスの製造方法を提案している。この方法によると、分子量分布の狭いエチレン系ワックスを高い生産効率で製造することが可能であるが、重合系中における（Ａ）シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を含む第IVB族遷移金属化合物の濃度が高い範囲では、その生産効率、すなわち単位時間当り、遷移金属化合物１分子当りの重合活性は必ずしも充分ではなく、このような濃度範囲において、さらに生産性に優れたエチレン系ワックスの製造方法が望まれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、上記のような従来技術における問題点に鑑み鋭意検討した結果、特定の炭化水素基またはジエン含有遷移金属化合物の存在下にエチレンを単独重合させるか、あるいはエチレンと炭素原子数が３以上のオレフィンとを共重合させると、高い生産性で分子量分布の狭いエチレン系ワックスが得られることを見出した。また、１００℃以上の温度で上記（共）重合を行うとさらに高い生産性で分子量分布が狭く、融点が低いエチレン系ワックスが得られることを見出し本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、分子量分布の狭いエチレン系ワックスを得るとともに、このようなエチレン系ワックスを効率よく製造する方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【発明を解決するための手段】
本発明に係るエチレン系ワックスの製造方法は、（Ａ）シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を１個以上含む第IVB族遷移金属化合物であって、該第IVB族遷移金属と結合する炭素数１〜１０の炭化水素基、または炭素数１０以下の中性、共役または非共役ジエンを含むものと、（Ｂ）前記第IVB族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物と、また場合によっては（Ｃ）有機アルミニウム化合物とからなるオレフィン重合用触媒の存在下にエチレンを単独重合させるか、あるいはエチレンと炭素原子数が３以上のオレフィンとを共重合させて、極限粘度［η］が０．４０ｄｌ／ｇ以下であるエチレン（共）重合体を形成させることを特徴としている。
【００１０】
本発明では、前記重合または共重合における重合温度が１００℃以上であることが好ましい。また、前記重合または共重合における平均滞留時間が３時間以下であることが好ましい。本発明では、特に前記重合または共重合における重合温度が１００℃以上であり、かつ平均滞留時間が３時間以下であることが好ましい。
【００１１】
以下、本発明に係るエチレン系ワックスの製造方法について具体的に説明する。なお、本明細書において「重合」という語は、単独重合だけでなく、共重合をも包含した意味で用いられることがあり、「重合体」という語は、単独重合体だけでなく、共重合体をも包含した意味で用いられることがある。
【００１２】
まず、本発明で用いられるオレフィン重合用触媒を形成する各成分について説明する。オレフィン重合用触媒を形成する（Ａ）シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を１個以上含む第IVB族遷移金属化合物であって、該第IVB族遷移金属と結合する炭素数１〜１０の炭化水素基、または炭素数１０以下の中性、共役または非共役ジエンを含むものとしては、下記式（I）で表される化合物を例示することができる。
【００１３】
ＭＬaＸb… （I）
（式中、Ｍは、周期律表第IVB族の遷移金属であり、具体的には、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムであり、Ｌは、遷移金属に配位する配位子であり、ａは１以上の整数であって、Ｌの個数を示し、Ｘは遷移金属に結合する、炭素数が１〜１０の炭化水素基、あるいは炭素数が１０以下の中性、共役または非共役ジエンであり、ｂは１以上の整数であって、Ｘの個数を示す。）
【００１４】
上記一般式（I）において、Ｌは遷移金属に配位する配位子であり、そのうち少なくとも１つはシクロペンタジエニル骨格を有する配位子である。シクロペンタジエニル骨格を有する配位子としては、例えばシクロペンタジエニル基；メチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、トリメチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、メチルエチルシクロペンタジエニル基、プロピルシクロペンタジエニル基、メチルプロピルシクロペンタジエニル基、ブチルシクロペンタジエニル基、メチルブチルシクロペンタジエニル基、ヘキシルシクロペンタジエニル基などのアルキル置換シクロペンタジエニル基；インデニル基；4,5,6,7-テトラヒドロインデニル基；フルオレニル基などを例示することができる。これらの基はハロゲン原子、トリアルキルシリル基などが置換していてもよい。
【００１５】
上記一般式（I）において、ａは１以上の整数であり、Ｌの個数を示す。上記一般式（I）において、Ｍはジルコニウム、チタンまたはハフニウムである。Ｘは、遷移金属に結合する、炭素数が１〜１０の炭化水素基、あるいは炭素数が１０以下の中性、共役または非共役ジエンである。ここで、中性、共役または非共役ジエンとは、非環状構造を有し、遷移金属とη4−結合するものであり、上記のシクロペンタジエニル骨格を有する配位子とは明確に区別される。炭素数が１〜１０の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などを例示することができる。また、炭素数が１０以下の中性、共役または非共役ジエンの具体例としては、s-シス-またはs-トランス-η4-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-3-メチル-1,3-ペンタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ジベンジル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-2,4-ヘキサジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,3-ペンタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ジトリル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ビス（トリメチルシリル）-1,3-ブタジエン等が挙げられる。上記一般式（I）において、ｂは１以上の整数であり、Ｘの個数を示す。
【００１６】
上記一般式（I）で表される化合物が、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を２個以上含む場合、そのうち２個のシクロペンタジエニル骨格を有する配位子は、エチレン、プロピレンなどのアルキレン基；ジフェニルメチレンなどの置換アルキレン基；イソプロピリデンなどのアルキリデン基；シリレン基；ジメチルシリレン基、ジフェニルシリレン基、メチルフェニルシリレン基などの置換シリレン基などを介して結合されていてもよい。また、２個以上のシクロペンタジエニル骨格を有する配位子は、同一であっても異なっていてもよい。
【００１７】
上記一般式（I）で表される化合物は、例えば遷移金属の原子価が４である場合、より具体的には下記一般式（II）で表される。
【００１８】
Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｒ4 Ｍ … （II）
（式中、Ｍは、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムであり、Ｒ1 は、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子であり、Ｒ2 およびＲ3は、互いに同一でも異なっていてもよく、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子、あるいは炭素数が１〜１０の炭化水素基であり、Ｒ4は、炭素数が１〜１０の炭化水素基である。）
【００１９】
上記一般式（II）において、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子としては、例えばシクロペンタジエニル基；メチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、トリメチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、メチルエチルシクロペンタジエニル基、プロピルシクロペンタジエニル基、メチルプロピルシクロペンタジエニル基、ブチルシクロペンタジエニル基、メチルブチルシクロペンタジエニル基、ヘキシルシクロペンタジエニル基などのアルキル置換シクロペンタジエニル基；インデニル基；4,5,6,7-テトラヒドロインデニル基；フルオレニル基などを例示することができる。これらの基はハロゲン原子、トリアルキルシリル基などが置換していてもよい。
【００２０】
上記一般式（II）において、Ｍは、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムである。炭素数が１〜１０の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などを例示することができる。
【００２１】
本発明では、上記一般式（II）において、Ｒ2 およびＲ3のうち１個がシクロペンタジエニル骨格を有する配位子である遷移金属化合物、例えばＲ1 およびＲ2がシクロペンタジエニル骨格を有する配位子である遷移金属化合物が好ましく用いられる。この場合、これらのシクロペンタジエニル骨格を有する基は、アルキレン基、置換アルキレン基、アルキリデン基、シリレン基、置換シリレン基などを介して結合されていてもよい。またこのとき、Ｒ3およびＲ4は、炭素数が１〜１０の炭化水素基である。
【００２２】
また、上記一般式（I）で表される化合物は、例えば遷移金属の原子価が２である場合、より具体的には下記一般式（II'）で表される。
【００２３】
Ｒ1 Ｒ2 Ｒ5  Ｍ … （II'）
（式中、Ｍは、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムであり、Ｒ1 は、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子であり、Ｒ2 は、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子、あるいは炭素数が１〜１０の炭化水素基であり、Ｒ5は、炭素数が１０以下の中性、共役または非共役ジエンである。）
【００２４】
上記一般式（II'）において、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子としては、例えばシクロペンタジエニル基；メチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、トリメチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、メチルエチルシクロペンタジエニル基、プロピルシクロペンタジエニル基、メチルプロピルシクロペンタジエニル基、ブチルシクロペンタジエニル基、メチルブチルシクロペンタジエニル基、ヘキシルシクロペンタジエニル基などのアルキル置換シクロペンタジエニル基；インデニル基；4,5,6,7-テトラヒドロインデニル基；フルオレニル基などを例示することができる。これらの基はハロゲン原子、トリアルキルシリル基などが置換していてもよい。
【００２５】
上記一般式（II'）において、Ｍは、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムである。炭素数が１〜１０の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などを例示することができる。また、中性、共役または非共役ジエンは、非環状構造を有し、遷移金属とη4−結合するものであり、上記のシクロペンタジエニル骨格を有する配位子とは明確に区別される。炭素数が１０以下の中性、共役または非共役ジエンの具体例としては、s-シス-またはs-トランス-η4-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-3-メチル-1,3-ペンタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ジベンジル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-2,4-ヘキサジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,3-ペンタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ジトリル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ビス（トリメチルシリル）-1,3-ブタジエン等が挙げられる。
【００２６】
本発明では、上記一般式（II'）において、Ｒ2がシクロペンタジエニル骨格を有する配位子である遷移金属化合物が好ましく用いられる。このとき、これらのシクロペンタジエニル骨格を有する基は、アルキレン基、置換アルキレン基、アルキリデン基、シリレン基、置換シリレン基などを介して結合されていてもよい。
【００２７】
上記一般式（II）または（II'）で表される化合物は、上記一般式（II）または（II'）におけるＲ1およびＲ2が、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子である場合、より具体的には下記一般式（III）または（III'）で表される。
【００２８】
【化１】
0003986345.tif 000002
【００２９】
（式中、Ｍは、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムであり、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15は水素、炭化水素基、ケイ素含有炭化水素基から選ばれ、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ6からＲ15までの隣接した置換基は互いに結合して環を形成していてもよく、Xは、炭素数が１〜１０の炭化水素基、または炭素数が１０以下の中性、共役または非共役ジエンであり、それぞれ同一でも異なっていてもよく、ｎは１または２であり、Xの個数を示す。）
【００３０】
【化２】
0003986345.tif 000003
【００３１】
（式中、Ｍは、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムであり、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15は水素、炭化水素基、ケイ素含有炭化水素基から選ばれ、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ6からＲ13までの隣接した置換基は互いに結合して環を形成していてもよく、Xは、炭素数が１〜１０の炭化水素基、または炭素数が１０以下の中性、共役または非共役ジエンであり、それぞれ同一でも異なっていてもよく、ｎは１または２であって、Ｘの個数を示し、Qは、炭素、ケイ素またはゲルマニウムから選ばれ、Y1およびY2は水素、炭化水素基、ケイ素含有炭化水素基から選ばれ、それぞれ同一でも異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。）
【００３２】
上記一般式（III）または（III'）において、Ｒn（ｎ；６〜１５の整数）またはＹn（ｎ；１〜２の整数）が炭化水素基である場合、炭化水素基としては、好ましくは炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数７〜２０のアリールアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、または炭素数７〜２０のアルキルアリール基であり、１つ以上の環構造を含んでいてもよい。その具体例としては、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、2-メチルプロピル、1,1-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、1,1-ジエチルプロピル、1-エチル-1-メチルプロピル、1,1,2,2-テトラメチルプロピル、sec-ブチル、tert-ブチル、1,1-ジメチルブチル、1,1,3-トリメチルブチル、ネオペンチル、シクロヘキシルメチル、シクロヘキシル、1-メチル-1-シクロヘキシル、1-アダマンチル、2-アダマンチル、2-メチル-2-アダマンチル、メンチル、ノルボルニル、ベンジル、2-フェニルエチル、1-テトラヒドロナフチル、1-メチル-1-テトラヒドロナフチル、フェニル、ナフチル、トリル等が挙げられる。
【００３３】
上記一般式（III）または（III'）において、ケイ素含有炭化水素基としては、好ましくはケイ素数１〜４、炭素数３〜２０のアルキルまたはアリールシリル基であり、その具体例としては、トリメチルシリル、tert-ブチルジメチルシリル、トリフェニルシリル等が挙げられる。
【００３４】
本発明において、上記一般式（III）のＲ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15は水素、炭化水素基、ケイ素含有炭化水素基から選ばれ、それぞれ同一でも異なっていてもよい。好ましい炭化水素基、ケイ素含有炭化水素基の具体例としては、上記と同様のものを挙げることができる。また、上記一般式（III'）のＲ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13は水素、炭化水素基、ケイ素含有炭化水素基から選ばれ、それぞれ同一でも異なっていてもよい。好ましい炭化水素基、ケイ素含有炭化水素基の具体例としては、上記と同様のものを挙げることができる。
【００３５】
上記一般式（III）のシクロペンタジエニル環上のＲ6からＲ15までの隣接した置換基は、互いに結合して環を形成してもよい。そのような置換シクロペンタジエニル基として、インデニル、2-メチルインデニル、テトラヒドロインデニル、2-メチルテトラヒドロインデニル、2,4,4-トリメチルテトラヒドロインデニル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、ジベンゾフルオレニル、オクタヒドロジベンゾフルオレニル、オクタメチルオクタヒドロジベンゾフルオレニル等を挙げることができる。また、上記一般式（III'）のシクロペンタジエニル環上のＲ6からＲ13までの隣接した置換基は、互いに結合して環を形成してもよい。そのような置換シクロペンタジエニル基として、インデニル、2-メチルインデニル、テトラヒドロインデニル、2-メチルテトラヒドロインデニル、2,4,4-トリメチルテトラヒドロインデニル、フルオレニル、ベンゾフルオレニル、ジベンゾフルオレニル、オクタヒドロジベンゾフルオレニル、オクタメチルオクタヒドロジベンゾフルオレニル等を挙げることができる。
【００３６】
本発明において、一般式（III）または（III'）のＭは、ジルコニウム、チタンまたはハフニウムである。Ｘは、炭素数が１〜１０の炭化水素基、または炭素数が１０以下の中性、共役または非共役ジエンから同一または異なる組み合わせで選ばれる。炭化水素基の具体例としては、メチル、エチル、n-プロピル、イソプロピル、2-メチルプロピル、1,1-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、1,1-ジエチルプロピル、1-エチル-1-メチルプロピル、1,1,2,2-テトラメチルプロピル、sec-ブチル、tert-ブチル、1,1-ジメチルブチル、1,1,3-トリメチルブチル、ネオペンチル、シクロヘキシルメチル、シクロヘキシル、1-メチル-1-シクロヘキシル等が挙げられる。炭素数が１０以下の中性、共役または非共役ジエンの具体例としては、s-シス-またはs-トランス-η4-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ジフェニル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-3-メチル-1,3-ペンタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ジベンジル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-2,4-ヘキサジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,3-ペンタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ジトリル-1,3-ブタジエン、s-シス-またはs-トランス-η4-1,4-ビス（トリメチルシリル）-1,3-ブタジエン等が挙げられる。
【００３７】
以下に、上記一般式（III）で表される第IVB族遷移金属化合物の具体例を示すが、特にこれによって本発明の範囲が限定されるものではない。一般式（III）に示す第IVB族遷移金属化合物のMXn（金属部分）を除いたリガンド構造を、表記上、Cp（シクロペンタジエニル骨格を有する配位子部分）とし、その構造の具体例、およびそれらの組み合わせによるリガンド構造の具体例を以下の表に示す。
【００３８】
【表１】
0003986345.tif 000004
【００３９】
【表２】
0003986345.tif 000005
【００４０】
【表３】
0003986345.tif 000006
【００４１】
【表４】
0003986345.tif 000007
【００４２】
【表５】
0003986345.tif 000008
【００４３】
【表６】
0003986345.tif 000009
【００４４】
【表７】
0003986345.tif 000010
【００４５】
【表８】
0003986345.tif 000011
【００４６】
上記の表に従えば、No. 166のリガンド構造はa6-a6の組み合わせを意味し、金属部分のMXnがZrMe2の場合は、下記メタロセン化合物（化３）を例示したことになる。
【００４７】
【化３】
0003986345.tif 000012
【００４８】
上記一般式（III）のMXnの具体例としては、ZrMe2、ZrEt2、Zr(n-Pr)2、ZrMeEt、Zr(s-trans-η4-1,3-butadiene)、Zr(s-trans-η4-1,4-Ph2-1,3-butadiene)、Zr(s-trans-η4-3-Me-1,3-pentadiene)、Zr(s-trans-η4-1,4-(CH2Ph)2-1,3-butadiene)、Zr(s-trans-η4-2,4-hexadiene)、Zr(s-trans-η4-1,3-pentadiene)、Zr(s-trans-η4-1,4-(p-tol)2-1,3-butadiene)、Zr(s-trans-η4-1,4-(SiMe3)2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-1,4-Ph2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-3-Me-1,3-pentadiene)、Zr(s-cis-η4-1,4-(CH2Ph)2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-2,4-hexadiene)、Zr(s-cis-η4-1,3-pentadiene)、Zr(s-cis-η4-1,4-(p-tol)2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-1,4-(SiMe3)2-1,3-butadiene)、およびこれら遷移金属を、ジルコニウムからチタンまたはハフニウムに替えたものなどを挙げることができる。
【００４９】
また、以下に、上記一般式（III'）で表される第IVB族遷移金属化合物の具体例を示すが、特にこれによって本発明の範囲が限定されるものではない。一般式（III'）に示す第IVB族遷移金属化合物のMXn（金属部分）を除いたリガンド構造を、表記上、Cp（シクロペンタジエニル骨格を有する配位子部分）、およびBridge（架橋部分）の２つに分け、それぞれの部分構造の具体例、およびそれらの組み合わせによるリガンド構造の具体例を以下の表に示す。尚、CpおよびBridgeの具体例において、黒丸（●）で示した点は、それぞれBridgeおよびCpとの結合点を表す。
【００５０】
【表９】
0003986345.tif 000013
【００５１】
【表１０】
0003986345.tif 000014
【００５２】
【表１１】
0003986345.tif 000015
【００５３】
【表１２】
0003986345.tif 000016
【００５４】
【表１３】
0003986345.tif 000017
【００５５】
【表１４】
0003986345.tif 000018
【００５６】
【表１５】
0003986345.tif 000019
【００５７】
【表１６】
0003986345.tif 000020
【００５８】
【表１７】
0003986345.tif 000021
【００５９】
【表１８】
0003986345.tif 000022
【００６０】
【表１９】
0003986345.tif 000023
【００６１】
【表２０】
0003986345.tif 000024
【００６２】
【表２１】
0003986345.tif 000025
【００６３】
【表２２】
0003986345.tif 000026
【００６４】
【表２３】
0003986345.tif 000027
【００６５】
【表２４】
0003986345.tif 000028
【００６６】
【表２５】
0003986345.tif 000029
【００６７】
【表２６】
0003986345.tif 000030
【００６８】
【表２７】
0003986345.tif 000031
【００６９】
【表２８】
0003986345.tif 000032
【００７０】
【表２９】
0003986345.tif 000033
【００７１】
【表３０】
0003986345.tif 000034
【００７２】
【表３１】
0003986345.tif 000035
【００７３】
【表３２】
0003986345.tif 000036
【００７４】
【表３３】
0003986345.tif 000037
【００７５】
【表３４】
0003986345.tif 000038
【００７６】
【表３５】
0003986345.tif 000039
【００７７】
【表３６】
0003986345.tif 000040
【００７８】
【表３７】
0003986345.tif 000041
【００７９】
【表３８】
0003986345.tif 000042
【００８０】
【表３９】
0003986345.tif 000043
【００８１】
【表４０】
0003986345.tif 000044
【００８２】
【表４１】
0003986345.tif 000045
【００８３】
【表４２】
0003986345.tif 000046
【００８４】
【表４３】
0003986345.tif 000047
【００８５】
【表４４】
0003986345.tif 000048
【００８６】
【表４５】
0003986345.tif 000049
【００８７】
【表４６】
0003986345.tif 000050
【００８８】
【表４７】
0003986345.tif 000051
【００８９】
【表４８】
0003986345.tif 000052
【００９０】
【表４９】
0003986345.tif 000053
【００９１】
【表５０】
0003986345.tif 000054
【００９２】
【表５１】
0003986345.tif 000055
【００９３】
【表５２】
0003986345.tif 000056
【００９４】
【表５３】
0003986345.tif 000057
【００９５】
【表５４】
0003986345.tif 000058
【００９６】
【表５５】
0003986345.tif 000059
【００９７】
【表５６】
0003986345.tif 000060
【００９８】
【表５７】
0003986345.tif 000061
【００９９】
【表５８】
0003986345.tif 000062
【０１００】
【表５９】
0003986345.tif 000063
【０１０１】
【表６０】
0003986345.tif 000064
【０１０２】
【表６１】
0003986345.tif 000065
【０１０３】
【表６２】
0003986345.tif 000066
【０１０４】
【表６３】
0003986345.tif 000067
【０１０５】
【表６４】
0003986345.tif 000068
【０１０６】
【表６５】
0003986345.tif 000069
【０１０７】
【表６６】
0003986345.tif 000070
【０１０８】
【表６７】
0003986345.tif 000071
【０１０９】
【表６８】
0003986345.tif 000072
【０１１０】
【表６９】
0003986345.tif 000073
【０１１１】
【表７０】
0003986345.tif 000074
【０１１２】
【表７１】
0003986345.tif 000075
【０１１３】
【表７２】
0003986345.tif 000076
【０１１４】
【表７３】
0003986345.tif 000077
【０１１５】
【表７４】
0003986345.tif 000078
【０１１６】
【表７５】
0003986345.tif 000079
【０１１７】
【表７６】
0003986345.tif 000080
【０１１８】
【表７７】
0003986345.tif 000081
【０１１９】
【表７８】
0003986345.tif 000082
【０１２０】
【表７９】
0003986345.tif 000083
【０１２１】
【表８０】
0003986345.tif 000084
【０１２２】
【表８１】
0003986345.tif 000085
【０１２３】
【表８２】
0003986345.tif 000086
【０１２４】
【表８３】
0003986345.tif 000087
【０１２５】
【表８４】
0003986345.tif 000088
【０１２６】
【表８５】
0003986345.tif 000089
【０１２７】
【表８６】
0003986345.tif 000090
【０１２８】
【表８７】
0003986345.tif 000091
【０１２９】
【表８８】
0003986345.tif 000092
【０１３０】
【表８９】
0003986345.tif 000093
【０１３１】
【表９０】
0003986345.tif 000094
【０１３２】
【表９１】
0003986345.tif 000095
【０１３３】
【表９２】
0003986345.tif 000096
【０１３４】
上記の表に従えば、No. 7127のリガンド構造はa1-b4-a57の組み合わせを意味し、金属部分のMXnがZrMe2の場合は、下記メタロセン化合物（化４）を例示したことになる。
【０１３５】
【化４】
0003986345.tif 000097
【０１３６】
上記一般式（III'）のMXnの具体例としては、ZrMe2、ZrEt2、Zr(n-Pr)2、ZrMeEt、Zr(s-trans-η4-1,3-butadiene)、Zr(s-trans-η4-1,4-Ph2-1,3-butadiene)、Zr(s-trans-η4-3-Me-1,3-pentadiene)、Zr(s-trans-η4-1,4-(CH2Ph)2-1,3-butadiene)、Zr(s-trans-η4-2,4-hexadiene)、Zr(s-trans-η4-1,3-pentadiene)、Zr(s-trans-η4-1,4-(p-tol)2-1,3-butadiene)、Zr(s-trans-η4-1,4-(SiMe3)2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-1,4-Ph2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-3-Me-1,3-pentadiene)、Zr(s-cis-η4-1,4-(CH2Ph)2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-2,4-hexadiene)、Zr(s-cis-η4-1,3-pentadiene)、Zr(s-cis-η4-1,4-(p-tol)2-1,3-butadiene)、Zr(s-cis-η4-1,4-(SiMe3)2-1,3-butadiene)、およびこれら遷移金属を、ジルコニウムからチタンまたはハフニウムに替えたものなどを挙げることができる。
【０１３７】
本発明においては、上記したような第IVB族遷移金属化合物のうち、シクロペンタジエニル骨格を有する配位子を２個有するものが好ましく、さらに好ましくはシクロペンタジエニル骨格を有する配位子を２個有し、且つ炭素数が１〜１０の炭化水素基を２個有するものが用いられる。また、上記したような第IVB族遷移金属化合物は、２種以上組み合わせて用いることもできる。
【０１３８】
前記第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物としては、特開平１−５０１９５０号公報、特開平１−５０２０３６号公報、特開平３−１７９００５号公報、特開平３−１７９００６号公報、特開平３−２０７７０３号公報、特開平３−２０７７０４号公報、ＵＳＰ−５３２１１０６号などに記載されたルイス酸、イオン性化合物、ボラン化合物およびカルボラン化合物などを挙げることができる。
【０１３９】
具体的には、ルイス酸としては、ＢＲ3 （Ｒは、フッ素、メチル基、トリフルオロメチル基などの置換基を有していてもよいフェニル基またはフッ素である。）で示される化合物が挙げられ、たとえば  トリフルオロボロン、トリフェニルボロン、トリス(4-フルオロフェニル)ボロン、トリス(3,5-ジフルオロフェニル)ボロン、トリス(4-フルオロメチルフェニル)ボロン、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボロン、トリス(p-トリル)ボロン、トリス(o-トリル)ボロン、トリス(3,5-ジメチルフェニル)ボロン、トリメチルボロン、トリイソブチルボロンなどが挙げられる。
【０１４０】
イオン性化合物としては、たとえば下記一般式（IV）で表される化合物が挙げられる。
【０１４１】
【化５】
0003986345.tif 000098
【０１４２】
式中、Ｒe+としては、Ｈ+、カルベニウムカチオン、オキソニウムカチオン、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、シクロヘプチルトリエニルカチオン、遷移金属を有するフェロセニウムカチオンなどが挙げられる。Ｒf〜Ｒiは、互いに同一でも異なっていてもよく、有機基、好ましくはアリール基または置換アリール基である。
【０１４３】
前記カルベニウムカチオンとして具体的には、トリフェニルカルベニウムカチオン、トリス(メチルフェニル)カルベニウムカチオン、トリス(ジメチルフェニル)カルベニウムカチオンなどの三置換カルベニウムカチオンなどが挙げられる。
【０１４４】
前記アンモニウムカチオンとして具体的には、トリメチルアンモニウムカチオン、トリエチルアンモニウムカチオン、トリ(n-プロピル)アンモニウムカチオン、トリイソプロピルアンモニウムカチオン、トリ(n-ブチル)アンモニウムカチオン、トリイソブチルアンモニウムカチオンなどのトリアルキルアンモニウムカチオン、N,N-ジメチルアニリニウムカチオン、N,N-ジエチルアニリニウムカチオン、N,N,2,4,6-ペンタメチルアニリニウムカチオンなどのN,N-ジアルキルアニリニウムカチオン、ジイソプロピルアンモニウムカチオン、ジシクロヘキシルアンモニウムカチオンなどのジアルキルアンモニウムカチオンなどが挙げられる。
【０１４５】
前記ホスホニウムカチオンとして具体的には、トリフェニルホスホニウムカチオン、トリス(メチルフェニル)ホスホニウムカチオン、トリス(ジメチルフェニル)ホスホニウムカチオンなどのトリアリールホスホニウムカチオンなどが挙げられる。
【０１４６】
上記のうち、Ｒe+としては、カルベニウムカチオン、アンモニウムカチオンなどが好ましく、特にトリフェニルカルベニウムカチオン、N,N-ジメチルアニリニウムカチオン、N,N-ジエチルアニリニウムカチオンが好ましい。
【０１４７】
カルベニウム塩として具体的には、トリフェニルカルベニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルカルベニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリフェニルカルベニウムテトラキス(3,5-ジトリフルオロメチルフェニル)ボレート、トリス(4-メチルフェニル)カルベニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリス(3,5-ジメチルフェニル)カルベニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートなどを挙げることができる。
【０１４８】
アンモニウム塩としては、トリアルキル置換アンモニウム塩、N,N-ジアルキルアニリニウム塩、ジアルキルアンモニウム塩などを挙げることができる。
【０１４９】
トリアルキル置換アンモニウム塩として具体的には、たとえばトリエチルアンモニウムテトラフェニルボレート、トリプロピルアンモニウムテトラフェニルボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムテトラフェニルボレート、トリメチルアンモニウムテトラキス(p-トリル)ボレート、トリメチルアンモニウムテトラキス(o-トリル)ボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリエチルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリプロピルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリプロピルアンモニウムテトラキス(2,4-ジメチルフェニル)ボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムテトラキス(3,5-ジメチルフェニル)ボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムテトラキス(4-トリフルオロメチルフェニル)ボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムテトラキス(3,5-ジトリフルオロメチルフェニル)ボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムテトラキス(o-トリル)ボレート、ジオクタデシルメチルアンモニウムテトラフェニルボレート、ジオクタデシルメチルアンモニウムテトラキス(p-トリル)ボレート、ジオクタデシルメチルアンモニウムテトラキス(o-トリル)ボレート、ジオクタデシルメチルアンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ジオクタデシルメチルアンモニウムテトラキス(2,4-ジメチルフェニル)ボレート、ジオクタデシルメチルアンモニウムテトラキス(3,5-ジメチルフェニル)ボレート、ジオクタデシルメチルアンモニウムテトラキス(4-トリフルオロメチルフェニル)ボレート、ジオクタデシルメチルアンモニウムテトラキス(3,5-ジトリフルオロメチルフェニル)ボレート、ジオクタデシルメチルアンモニウムテトラキス(4-トリフルオロメチルフェニル)ボレートなどが挙げられる。
【０１５０】
N,N-ジアルキルアニリニウム塩として具体的には、たとえばN,N-ジメチルアニリニウムテトラフェニルボレート、 N,N-ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、 N,N-ジメチルアニリニウムテトラキス(3,5-ジトリフルオロメチルフェニル)ボレート、N,N-ジエチルアニリニウムテトラフェニルボレート、 N,N-ジエチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、 N,N-ジエチルアニリニウムテトラキス(3,5-ジトリフルオロメチルフェニル)ボレート、N,N-2,4,6-ペンタメチルアニリニウムテトラフェニルボレート、N,N-2,4,6-ペンタメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレートなどが挙げられる。
【０１５１】
ジアルキルアンモニウム塩として具体的には、たとえばジ(1-プロピル)アンモニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラフェニルボレートなどが挙げられる。
【０１５２】
さらに、フェロセニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、トリフェニルカルベニウムペンタフェニルシクロペンタジエニル錯体、N,N-ジエチルアニリニウムペンタフェニルシクロペンタジエニル錯体、あるいは下記式（V）または（VI）で表されるボレート化合物、または下記式（VII）で表される活性水素を含むボレート化合物、または下記式（VIII）で表されるシリル基を含むボレート化合物などを挙げることもできる。
【０１５３】
【化６】
0003986345.tif 000099
【０１５４】
（式中、Ｅｔはエチル基を示す。）
【０１５５】
【化７】
0003986345.tif 000100
【０１５６】
活性水素を含むボレート化合物：
【０１５７】
【化８】
0003986345.tif 000101
【０１５８】
ここで、Ｂはホウ素を表す。Ｇは多結合性ヒドロカーボンラジカルを表し、好ましい多結合性ヒドロカーボンとしては炭素数１〜２０を含むアルキレン、アリレン、エチレン、アルカリレンラジカルであり、Ｇの好ましい例としては、フェニレン、ビスフェニレン、ナフタレン、メチレン、エチレン、プロピレン、1,4-ブタジエン、p-フェニレンメチレンがあげられる。多結合性ラジカルＧはｒ＋１の結合、すなわち一つの結合はボレートアニオンと結合し、Ｇのその他の結合ｒは（Ｔ−Ｈ）基と結合する。Ａ+はカチオンである。
【０１５９】
上記一般式中のＴはＯ、Ｓ、ＮＲj、またはＰＲjを表し、Ｒjはヒドロカルバニルラジカル、トリヒドロカルバニルシリルラジカル、トリヒドロカルバニルゲルマニウムラジカル、またはハイドライドを表す。ｑは１以上の整数で好ましくは１である。Ｔ−Ｈグループとしては、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＲＨ、または−ＰＲjＨが挙げられ、ここでＲjは炭素数１〜１８好ましくは炭素数１〜１０のヒドロカルビニルラジカルまたは水素である。好ましいＲjグループはアルキル、シクロアルキル、アリル、アリルアルキルまたは炭素数１〜１８を有するアルキルアリルである。−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＲjＨまたは−ＰＲjＨは、例えば、−Ｃ（Ｏ）−ＯＨ、−Ｃ（Ｓ）−ＳＨ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲjＨ、及びＣ（Ｏ）−ＰＲjＨでもかまわない。最も好ましい活性水素を有する基は−ＯＨ基である。Ｑは、ハイドライド、ジヒドロカルビルアミド、好ましくはジアルキルアミド、ハライド、ヒドロカルビルオキシド、アルコキシド、アリルオキシド、ハイドロカルビル、置換ハイドロカルビルラジカルなどである。ここでｎ＋ｚは４である。
【０１６０】
上記一般式の［Ｂ−Ｑｎ（Ｇｑ（Ｔ−Ｈ）ｒ）ｚ］として、例えば、トリフェニル(ヒドロキシフェニル)ボレート、ジフェニルージ(ヒドロキシフェニル)ボレート、トリフェニル(2,4-ジヒドロキシフェニル)ボレート、トリ(p-トリル)(ヒドロキシフェニル)ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(ヒドロキシフェニル)ボレート、トリス(2,4-ジメチルフェニル)(ヒドロキシフェニル)ボレート、トリス(3,5-ジメチルフェニル)(ヒドロキシフェニル)ボレート、トリス〔3,5-ジ(トリフルオロメチル)フェニル〕(ヒドロキシフェニル)ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(2-ヒドロキシエチル)ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(4-ヒドロキシブチル)ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(4-ヒドロキシシクロヘキシル)ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)〔4-(4-ヒドロキシフェニル)フェニル〕ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(6-ヒドロキシ-2-ナフチル)ボレートなどが挙げられ、最も好ましくはトリス(ペンタフルオロフェニル)(4-ヒドキシフェニル)ボレートである。さらに上記ボレート化合物の−ＯＨ基を−ＮＨＲj（ここで、Ｒjはメチル、エチル、ｔーブチル）で置換したものも好ましい。
【０１６１】
ボレート化合物の対カチオンであるＡ+としては、カルボニウムカチオン、トロピルリウムカチオン、アンモニウムカチオン、オキソニウムカチオン、スルホニウムカチオン、ホスホニウムカチオンなどが挙げられる。またそれ自信が還元されやすい金属の陽イオンや有機金属の陽イオンも挙げられる。これらカチオンの具体例としては、トリフェニルカルボニウムイオン、ジフェニルカルボニウムイオン、シクロヘプタトリニウム、インデニウム、トリエチルアンモニウム、トリプロピルアンモニウム、トリブチルアンモニウム、ジメチルアンモニウム、ジプロピルアンモニウム、ジシクロヘキシルアンモニウム、トリオクチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ−ジメチルアンモニウム、ジエチルアンモニウム、２，４，６-ペンタメチルアンモニウム、Ｎ，Ｎ−ジメチルフェニルアンモニウム、ジ−(i-プロピル)アンモニウム、ジシクロヘキシルアンモニウム、トリフェニルホスホニウム、トリホスホニウム、トリジメチルフェニルホスホニウム、トリ(メチルフェニル)ホスホニウム、トリフェニルホスホニウムイオン、トリフェニルオキソニウムイオン、トリエチルオキソニウムイオン、ピリニウム、銀イオン、金イオン、白金イオン、銅イオン、パラジュウムイオン、水銀イオン、フェロセニウムイオンなどが挙げられる。なかでも特にアンモニウムイオンが好ましい。
【０１６２】
シリル基を含むボレート化合物：
【０１６３】
【化９】
0003986345.tif 000102
【０１６４】
ここで、Ｂはホウ素を表す。Ｇは多結合性ヒドロカーボンラジカルを表し、好ましい多結合性ヒドロカーボンとしては炭素数１〜２０を含むアルキレン、アリレン、エチレン、アルカリレンラジカルであり、Ｇの好ましい例としては、フェニレン、ビスフェニレン、ナフタレン、メチレン、エチレン、プロピレン、1,4-ブタジエン、ｐ-フェニレンメチレンがあげられる。多結合性ラジカルＧはｒ＋１の結合、すなわち一つの結合はボレートアニオンと結合し、Ｇのその他の結合ｒは（ＳｉＲkＲlＲm）基と結合する。Ａ+はカチオンである。
【０１６５】
上記一般式中のＲk、Ｒl、Ｒmはヒドロカルバニルラジカル、トリヒドロカルバニルシリルラジカル、トリヒドロカルバニルゲルマニウムラジカル、水素ラジカル、アルコキシラジカル、ヒドロキシラジカルまたはハロゲン化合物ラジカル、を表す。Ｒk、Ｒl、Ｒmは同一でも独立でも良い。Ｑは、ハイドライド、ジヒドロカルビルアミド、好ましくはジアルキルアミド、ハライド、ヒドロカルビルオキシド、アルコキシド、アリルオキシド、ハイドロカルビル、置換ハイドロカルビルラジカルなどであり、さらに好ましくはペンタフルオロベンジルラジカルである。ここでｎ＋ｚは４である。
【０１６６】
上記一般式の［Ｂ−Ｑｎ（Ｇｑ（ＳｉＲkＲlＲm）ｒ）ｚ］として、例えば、トリフェニル(４−ジメチルクロロシリルフェニル)ボレート、ジフェニルージ(４−ジメチルクロロシリルフェニル)ボレート、トリフェニル(４−ジメチルメトキシシリルフェニル)ボレート、トリ(ｐ−トリル)(４−トリエトキシシリルフェニル)ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(４−ジメチルクロロシリルフェニル)ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(４−ジメチルメトキシシリルフェニル)ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(４−トリメトキシシリルフェニル)ボレート、トリス(ペンタフルオロフェニル)(６−ジメチルクロロシリル−２ナフチル)ボレートなどが挙げられる。
【０１６７】
ボレート化合物の対カチオンであるＡ+は 上記式（VII）中の Ａ+と同じものが挙げられる。
【０１６８】
ボラン化合物として具体的には、たとえばデカボラン（１４）、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウム〕ノナボレート、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウム〕デカボレート、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウム〕ウンデカボレート、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウム〕ドデカボレート、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウム〕デカクロロデカボレート、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウム〕ドデカクロロドデカボレートなどのアニオンの塩、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ドデカハイドライドドデカボレート)コバルト酸塩(III)、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウム〕ビス(ドデカハイドライドドデカボレート)ニッケル酸塩(III)などの金属ボランアニオンの塩などが挙げられる。
【０１６９】
カルボラン化合物として具体的には、たとえば4-カルバノナボラン（１４）、1,3-ジカルバノナボラン（１３）、6,9-ジカルバデカボラン（１４）、ドデカハイドライド-1-フェニル-1,3-ジカルバノナボラン、ドデカハイドライド-1-メチル-1,3-ジカルバノナボラン、ウンデカハイドライド-1,3-ジメチル-1,3-ジカルバノナボラン、7,8-ジカルバウンデカボラン（１３）、2,7-ジカルバウンデカボラン（１３）、ウンデカハイドライド-7,8-ジメチル-7,8-ジカルバウンデカボラン、ドデカハイドライド-11-メチル-2,7-ジカルバウンデカボラン、トリ(n-ブチル)アンモニウム1-カルバデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウム1-カルバウンデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウム1-カルバドデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウム1-トリメチルシリル-1-カルバデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムブロモ-1-カルバドデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウム6-カルバデカボレート（１４）、トリ(n-ブチル)アンモニウム6-カルバデカボレート（１２）、トリ(n-ブチル)アンモニウム7-カルバウンデカボレート（１３）、トリ(n-ブチル)アンモニウム7,8-ジカルバウンデカボレート（１２）、トリ(n-ブチル)アンモニウム2,9-ジカルバウンデカボレート（１２）、トリ(n-ブチル)アンモニウムドデカハイドライド-8-メチル-7,9-ジカルバウンデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムウンデカハイドライド-8-エチル-7,9-ジカルバウンデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムウンデカハイドライド-8-ブチル-7,9-ジカルバウンデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムウンデカハイドライド-8-アリル-7,9-ジカルバウンデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムウンデカハイドライド-9-トリメチルシリル-7,8-ジカルバウンデカボレート、トリ(n-ブチル)アンモニウムウンデカハイドライド-4,6-ジブロモ-7-カルバウンデカボレートなどのアニオンの塩；トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ノナハイドライド-1,3-ジカルバノナボレート)コバルト酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート)鉄酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート)コバルト酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート)ニッケル酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート)銅酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ウンデカハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート)金酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ノナハイドライド-7,8-ジメチル-7,8-ジカルバウンデカボレート)鉄酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(ノナハイドライド-7,8-ジメチル-7,8-ジカルバウンデカボレート)クロム酸塩(III)、トリ(n-ブチル)アンモニウムビス(トリブロモオクタハイドライド-7,8-ジカルバウンデカボレート)コバルト酸塩(III)、トリス〔トリ（n-ブチル）アンモニウム〕ビス(ウンデカハイドライド-7-カルバウンデカボレート)クロム酸塩(III)、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウム〕ビス(ウンデカハイドライド-7-カルバウンデカボレート)マンガン酸塩(IV)、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウム〕ビス(ウンデカハイドライド-7-カルバウンデカボレート)コバルト酸塩(III)、ビス〔トリ(n-ブチル)アンモニウム〕ビス(ウンデカハイド���イド-7-カルバウンデカボレート)ニッケル酸塩(IV)などの金属カルボランアニオンの塩などが挙げられる。
【０１７０】
尚、上記のような前記第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物（Ｂ）は、２種以上混合して用いることができる。
【０１７１】
オレフィン重合用触媒を形成する（Ｃ）有機アルミニウム化合物としては、例えば下記一般式（IX）で表される有機アルミニウム化合物、下記一般式（X）で表されるI族金属とアルミニウムとの錯アルキル化物、または有機アルミニウムオキシ化合物などを挙げることができる。
【０１７２】
Ｒam Ａｌ（ＯＲb)n Ｈp Ｘq  …（IX）
（式中、Ｒa およびＲb は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が１〜１５、好ましくは１〜４の炭化水素基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ｍは０＜ｍ≦３、ｎは０≦ｎ＜３、ｐは０≦ｐ＜３、ｑは０≦ｑ＜３の数であり、かつｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＝３である。）
【０１７３】
Ｍ2 ＡｌＲa4  …（X）
（式中、Ｍ2 はＬｉ、ＮａまたはＫを示し、Ｒa は炭素原子数が１〜１５、好ましくは１〜４の炭化水素基を示す。）
上記一般式（IX）で表される有機アルミニウム化合物としては、例えば下記一般式（XI）、（XII）、（XIII）、または（XIV）で表される化合物などを例示できる。
【０１７４】
Ｒam Ａｌ（ＯＲb)3-m  …（XI）
（式中、Ｒa およびＲb は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が１〜１５、好ましくは１〜４の炭化水素基を示し、ｍは好ましくは１．５≦ｍ≦３の数である。）
【０１７５】
Ｒam ＡｌＸ3-m  …（XII）
（式中、Ｒa は炭素原子数が１〜１５、好ましくは１〜４の炭化水素基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ｍは好ましくは０＜ｍ＜３である。）
【０１７６】
Ｒam ＡｌＨ3-m  …（XIII）
（式中、Ｒa は炭素原子数が１〜１５、好ましくは１〜４の炭化水素基を示し、ｍは好ましくは２≦ｍ＜３である。）
【０１７７】
Ｒam Ａｌ（ＯＲb)n Ｘq  …（XIV）
（式中、Ｒa およびＲb は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素原子数が１〜１５、好ましくは１〜４の炭化水素基を示し、Ｘはハロゲン原子を示し、ｍは０＜ｍ≦３、ｎは０≦ｎ＜３、ｑは０≦ｑ＜３の数であり、かつｍ＋ｎ＋ｑ＝３である。）
【０１７８】
上記一般式（XI）、（XII）、（XIII）、または（XIV）で表されるアルミニウム化合物として、より具体的には、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリn-ブチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリペンチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム、トリデシルアルミニウムなどのトリn-アルキルアルミニウム；トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、トリsec-ブチルアルミニウム、トリ tert-ブチルアルミニウム、トリ2-メチルブチルアルミニウム、トリ3-メチルブチルアルミニウム、トリ2-メチルペンチルアルミニウム、トリ3-メチルペンチルアルミニウム、トリ4-メチルペンチルアルミニウム、トリ2-メチルヘキシルアルミニウム、トリ3-メチルヘキシルアルミニウム、トリ2-エチルヘキシルアルミニウムなどのトリ分岐鎖アルキルアルミニウム；トリシクロヘキシルアルミニウム、トリシクロオクチルアルミニウムなどのトリシクロアルキルアルミニウム；トリフェニルアルミニウム、トリトリルアルミニウムなどのトリアリールアルミニウム；ジイソプロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライドなどのジアルキルアルミニウムハイドライド；一般式(i-Ｃ4 Ｈ9)x Ａｌy(Ｃ5 Ｈ10)z （式中、ｘ、ｙ、ｚは正の数であり、ｚ≧２ｘである。）などで表されるイソプレニルアルミニウムなどのアルケニルアルミニウム；イソブチルアルミニウムメトキシド、イソブチルアルミニウムエトキシド、イソブチルアルミニウムイソプロポキシドなどのアルキルアルミニウムアルコキシド；ジメチルアルミニウムメトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジブチルアルミニウムブトキシドなどのジアルキルアルミニウムアルコキシド；エチルアルミニウムセスキエトキシド、ブチルアルミニウムセスキブトキシドなどのアルキルアルミニウムセスキアルコキシド；一般式Ｒa2.5 Ａｌ(ＯＲb)0.5  などで表される平均組成を有する部分的にアルコキシ化されたアルキルアルミニウム；ジエチルアルミニウムフェノキシド、ジエチルアルミニウム(2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノキシド)、エチルアルミニウムビス(2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノキシド)、ジイソブチルアルミニウム(2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノキシド)、イソブチルアルミニウムビス(2,6-ジ-t-ブチル-4-メチルフェノキシド)などのアルキルアルミニウムアリーロキシド；ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジブチルアルミニウムクロリド、ジエチルアルミニウムブロミド、ジイソブチルアルミニウムクロリドなどのジアルキルアルミニウムハライド；エチルアルミニウムセスキクロリド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミニウムセスキブロミドなどのアルキルアルミニウムセスキハライド；エチルアルミニウムジクロリド、プロピルアルミニウムジクロリド、ブチルアルミニウムジブロミドなどのアルキルアルミニウムジハライドなどの部分的にハロゲン化されたアルキルアルミニウム；ジエチルアルミニウムヒドリド、ジブチルアルミニウムヒドリドなどのジアルキルアルミニウムヒドリド；エチルアルミニウムジヒドリド、プロピルアルミニウムジヒドリドなどのアルキルアルミニウムジヒドリドなどその他の部分的に水素化��れたアルキルアルミニウム；エチルアルミニウムエトキシクロリド、ブチルアルミニウムブトキシクロリド、エチルアルミニウムエトキシブロミドなどの部分的にアルコキシ化およびハロゲン化されたアルキルアルミニウムなどを挙げることができる。
【０１７９】
また、上記一般式（IX）で表される化合物に類似する化合物も使用することができ、例えば窒素原子を介して２以上のアルミニウム化合物が結合した有機アルミニウム化合物を挙げることができる。このような化合物として具体的には、(Ｃ2 Ｈ5 )2 ＡｌＮ(Ｃ2 Ｈ5 )Ａｌ(Ｃ2 Ｈ5 )2などを挙げることができる。
【０１８０】
上記一般式（X）で表される化合物としては、例えば、ＬｉＡｌ(Ｃ2 Ｈ5 )4、ＬｉＡｌ(Ｃ7 Ｈ15)4 などを挙げることができる。
【０１８１】
また重合系内で上記有機アルミニウム化合物が形成されるような化合物、たとえばハロゲン化アルミニウムとアルキルリチウムとの組み合わせ、またはハロゲン化アルミニウムとアルキルマグネシウムとの組み合わせなどを使用することもできる。
これらのうち、有機アルミニウム化合物が好ましい。
【０１８２】
上記一般式（IX）で表される有機アルミニウム化合物、または上記一般式（X）で表されるI族金属とアルミニウムとの錯アルキル化物は、１種単独でまたは２種以上組み合わせて用いられる。
【０１８３】
本発明で用いられる有機アルミニウムオキシ化合物は、従来公知のアルミノキサンであってもよく、また特開平２−７８６８７号公報に例示されているようなベンゼン不溶性の有機アルミニウムオキシ化合物であってもよい。
【０１８４】
従来公知のアルミノキサンは、たとえば下記のような方法によって製造することができ、通常、炭化水素溶媒の溶液として得られる。
（１）吸着水を含有する化合物または結晶水を含有する塩類、たとえば塩化マグネシウム水和物、硫酸銅水和物、硫酸アルミニウム水和物、硫酸ニッケル水和物、塩化第１セリウム水和物などの炭化水素媒体懸濁液に、トリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物を添加して、吸着水または結晶水と有機アルミニウム化合物とを反応させる方法。
（２）ベンゼン、トルエン、エチルエーテル、テトラヒドロフランなどの媒体中で、トリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物に直接水、氷または水蒸気を作用させる方法。
（３）デカン、ベンゼン、トルエンなどの媒体中でトリアルキルアルミニウムなどの有機アルミニウム化合物に、ジメチルスズオキシド、ジブチルスズオキシドなどの有機スズ酸化物を反応させる方法。
【０１８５】
なお該アルミノキサンは、少量の有機金属成分を含有してもよい。また回収された上記のアルミノキサンの溶液から溶媒または未反応有機アルミニウム化合物を蒸留して除去した後、溶媒に再溶解またはアルミノキサンの貧溶媒に懸濁させてもよい。
【０１８６】
アルミノキサンを調製する際に用いられる有機アルミニウム化合物として具体的には、上記一般式（XI）で表される有機アルミニウム化合物として例示したものと同様の有機アルミニウム化合物を挙げることができる。
【０１８７】
これらのうち、トリアルキルアルミニウム、トリシクロアルキルアルミニウムが好ましく、トリメチルアルミニウムが特に好ましい。
【０１８８】
上記のような有機アルミニウム化合物は、１種単独でまたは２種以上組み合わせて用いられる。なお、トリメチルアルミニウムから調製されるアルミノキサンは、メチルアルミノキサンあるいはＭＡＯと呼ばれ、特によく用いられる化合物である。
【０１８９】
アルミノキサンの調製に用いられる溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クメン、シメンなどの芳香族炭化水素、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、ヘキサデカン、オクタデカンなどの脂肪族炭化水素、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロオクタン、メチルシクロペンタンなどの脂環族炭化水素、ガソリン、灯油、軽油などの石油留分または上記芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素、脂環族炭化水素のハロゲン化物とりわけ、塩素化物、臭素化物などの炭化水素溶媒が挙げられる。さらにエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類を用いることもできる。これらの溶媒のうち特に芳香族炭化水素または脂肪族炭化水素が好ましい。
【０１９０】
また本発明で用いられるベンゼン不溶性の有機アルミニウムオキシ化合物は、６０℃のベンゼンに溶解するＡｌ成分がＡｌ原子換算で通常１０％以下、好ましくは５％以下、特に好ましくは２％以下であり、ベンゼンに対して不溶性または難溶性である。
【０１９１】
本発明で用いられる有機アルミニウムオキシ化合物としては、下記一般式（XV）で表されるボロンを含んだ有機アルミニウムオキシ化合物を挙げることもできる。
【０１９２】
【化１０】
0003986345.tif 000103
【０１９３】
（式中、Ｒcは炭素原子数が１〜１０の炭化水素基を示す。Ｒdは、互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数が１〜１０の炭化水素基を示す。）
【０１９４】
上記一般式（XV）で表されるボロンを含んだ有機アルミニウムオキシ化合物は、下記一般式（XVI）で表されるアルキルボロン酸と有機アルミニウム化合物とを、不活性ガス雰囲気下に不活性溶媒中で、−８０℃〜室温の温度で１分〜２４時間反応させることにより製造できる。
【０１９５】
ＲcＢ（ＯＨ）2   …（XVI）
（式中、Ｒcは前記と同じ基を示す。）
【０１９６】
上記一般式（XVI）で表されるアルキルボロン酸の具体的なものとしては、メチルボロン酸、エチルボロン酸、イソプロピルボロン酸、n-プロピルボロン酸、n-ブチルボロン酸、イソブチルボロン酸、n-ヘキシルボロン酸、シクロヘキシルボロン酸、フェニルボロン酸、3,5-ジフルオロフェニルボロン酸、ペンタフルオロフェニルボロン酸、3,5-ビス（トリフルオロメチル）フェニルボロン酸などが挙げられる。これらの中では、メチルボロン酸、n-ブチルボロン酸、イソブチルボロン酸、3,5-ジフルオロフェニルボロン酸、ペンタフルオロフェニルボロン酸が好ましい。これらは１種単独でまたは２種以上組み合わせて用いられる。
【０１９７】
このようなアルキルボロン酸と反応させる有機アルミニウム化合物として具体的には、上記一般式（IX）または（X）で表される有機アルミニウム化合物として例示したものと同様の有機アルミニウム化合物を挙げることができる。
【０１９８】
これらのうち、トリアルキルアルミニウム、トリシクロアルキルアルミニウムが好ましく、特にトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムが好ましい。これらは１種単独でまたは２種以上組み合わせて用いられる。
【０１９９】
本発明で用いられる有機アルミニウムオキシ化合物は、１種単独でまたは２種以上組み合わせて用いられる。
【０２００】
本発明で用いられるオレフィン重合用触媒は、上記のような第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）、前記第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物（Ｂ）、また、場合によっては有機アルミニウム化合物（Ｃ）とから形成される。このようなオレフィン重合用触媒は、高い重合活性で分子量分布の狭いエチレン（共）重合体を製造することができる。また、重合活性が高いため滞留時間を短くすることができる。
【０２０１】
（図１）に本発明で用いられるオレフィン重合用触媒の調製工程を示す。本発明では、上記のようなオレフィン重合用触媒の存在下にエチレンを単独重合させるか、あるいはエチレンと炭素原子数が３以上のオレフィンとを共重合させて低分子量エチレン（共）重合体であるエチレン系ワックスを製造する。
【０２０２】
ここで炭素原子数が３以上のオレフィンとしては、プロピレン、1-ブテン、1-ペンテン、1-ヘキセン、4-メチル-1-ペンテン、3-メチル-1-ペンテン、1-オクテン、1-ノネン、1-デセン、1-ウンデセン、1-ドデセン、1-テトラデセン、1-ヘキサデセン、1-オクタデセン、1-エイコセンなどの炭素原子数が３〜２０のα−オレフィンを挙げることができる。これらの炭素原子数が３以上のオレフィンは２種以上用いることもできる。
【０２０３】
重合反応における重合原料オレフィン中のエチレン含有量は、通常６０〜１００モル％、好ましくは７０〜１００モル％の範囲であり、炭素原子数が３以上のオレフィンの含有量は、通常０〜４０モル％、好ましくは０〜３０モル％の範囲である。
【０２０４】
本発明では、重合反応は炭化水素媒体中で実施される。このような炭化水素媒体として具体的には、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、灯油などの脂肪族炭化水素、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタンなどの脂環族炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、エチレンクロリド、クロルベンゼン、ジクロロメタンなどのハロゲン化炭化水素、ガソリン、灯油、軽油などの石油留分などを挙げることができる。さらに、重合に用いるオレフィンを用いることもできる。
【０２０５】
本発明では、上記のようなオレフィン重合用触媒の存在下に重合を行うが、この際には、上記第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）は、重合反応系内の遷移金属原子の濃度として通常、１０-9〜１０-3グラム原子／リットル、好ましくは１０-8〜１０-4グラム原子／リットルの範囲の量で用いられる。
【０２０６】
前記第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物（Ｂ）は、第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）中の遷移金属原子１モルに対して、通常、約１〜５０モル、好ましくは１〜２０モルとなるような量で用いられる。
【０２０７】
また、場合によって用いられる、有機アルミニウム化合物（Ｃ）は、第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物（Ｂ）１モルに対して、通常、約１〜５００モル、好ましくは約１〜３００モルとなるような量で用いられる。
さらに、重合時のポリマー濃度〔ポリマー／(ポリマー + 溶媒)〕は、通常、５重量％以上、好ましくは１０重量％以上、特に好ましくは１５重量％以上である。
【０２０８】
本発明では、エチレンの重合、またはエチレンと炭素原子数が３以上のオレフィンとの共重合は、通常１００℃以上、好ましくは１００〜２５０℃、より好ましくは１２０〜２５０℃、特に好ましくは１３０〜２００℃の範囲で行われる。
【０２０９】
重合温度を上記のような範囲内にすると、重合系の除熱が容易であり、除熱装置を小型化することができる。また、同一の除熱装置では、除熱効率が上がるので生産性を向上させることができる。さらに、高温で重合を行うためポリマー濃度を高くしても、溶液粘度があまり高くならず攪拌動力も低減でき、高濃度で重合することができるため生産性が向上する。
【０２１０】
通常エチレンを（共）重合する場合には、重合温度を安定させるために溶媒などを循環して除熱が行われている。ここで用いられる除熱装置では、一般に除熱量が同じであれは重合温度が高い程伝熱面積を小さくすることができ、その効果は、冷却媒体等の条件の選択によって変化するが、たとえば冷却水を用いて単純な向流型の熱交換器を用いたときに、重合温度が１００℃である場合には、重合温度が７０℃である場合に比べて、必要伝熱面積を約２分の１にすることも可能となる。このように重合温度を高くすると、必要伝熱面積を小さくすることができ、除熱装置を小型化することができるため、設備費を削減することができる。
【０２１１】
平均滞留時間（重合時間）は、３時間以下、好ましくは２時間以下、より好ましくは１時間以下である。重合圧力は、通常大気圧〜１００ｋｇ／ｃｍ2 、好ましくは大気圧〜５０ｋｇ／ｃｍ2 、より好ましくは大気圧〜４０ｋｇ／ｃｍ2 の範囲である。
【０２１２】
得られるエチレン系ワックスの分子量は、重合反応系に供給する水素量および／または重合温度により調節することができる。重合反応系に供給される水素量は、エチレンに対する水素のモル比として、通常０〜２、好ましくは０．０１〜１の範囲である。
【０２１３】
本発明では、重合反応が終了した重合反応混合物を、常法によって処理することによりエチレン系ワックスが得られる。このようにして得られるエチレン系ワックスは、エチレンの単独重合体、またはエチレンとオレフィンとの共重合体であり、その１３５℃デカリン中で測定した極限粘度［η］は、０．４０ｄｌ／ｇ以下、好ましくは０．００５〜０．４０ｄｌ／ｇ、より好ましくは０．００５〜０．３５ｄｌ／ｇ、特に好ましくは０．０１〜０．３０ｄｌ／ｇの範囲である。この、エチレン系ワックス中の、エチレン成分単位の含有率は、８０〜１００モル％、好ましくは８５〜１００モル％、より好ましくは９０〜１００モル％の範囲であり、炭素原子数が３以上のオレフィン成分単位の含有率は、０〜２０モル％、好ましくは０〜１５モル％、より好ましくは０〜１０モル％の範囲である。
【０２１４】
また、エチレン系ワックスのゲルパーミエイションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定した分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常３以下、好ましくは２．５以下であり、融点は、１３２℃以下、好ましくは１３０〜４０℃、より好ましくは１２８〜５０℃の範囲である。
【０２１５】
【実施例】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【０２１６】
〔実施例１〕
充分に窒素置換した内容積２リットルのステンレス製オートクレーブにヘキサン１リットルを装入し、系内の温度を１４５℃に昇温した後、水素を０．２ＭＰａ-G となるまで導入した。その後、エチレンのみを連続的に供給することにより全圧を３ＭＰａ-Gに保ち、トリイソブチルアルミニウム０．３ミリモル、N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．００２ミリモルおよびビス（n-ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジメチル０．０００２ミリモルを窒素で圧入することにより重合を開始した。１５０℃で３０分間重合を行った。少量のエタノールを系内に添加することにより重合を停止した後、未反応のエチレンをパージした。得られたポリマー溶液を、８０℃で減圧下で一晩乾燥した。その結果、極限粘度[η]が０．２０ｄｌ／ｇのエチレン重合体６４．５ｇを得た。結果を（第1表）に示す。
【０２１７】
〔実施例２〜４〕
第IVＢ族遷移金属化合物〔成分（Ａ）〕、第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物〔成分（Ｂ）〕および有機アルミニウム化合物〔成分（Ｃ）〕の量を（第1表）に示すようにした以外は実施例１と同様にしてエチレン重合体を製造した。結果を（第1表）に示す。
【０２１８】
【表９３】
0003986345.tif 000104
【０２１９】
〔比較例１〕
充分に窒素置換した内容積２リットルのステンレス製オートクレーブにヘキサン１リットルを装入し、系内の温度を１４５℃に昇温した後、水素を０．２ＭＰａ-G となるまで導入した。その後、エチレンのみを連続的に供給することにより全圧を３ＭＰａ-Gに保ち、トリイソブチルアルミニウム０．３ミリモル、N,N−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート０．００２ミリモルおよびビス（n-ブチルシクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド０．０００２ミリモルを窒素で圧入することにより重合を開始した。１５０℃で３０分間重合を行った。少量のエタノールを系内に添加することにより重合を停止した後、未反応のエチレンをパージした。得られたポリマー溶液を、８０℃で減圧下で一晩乾燥した。その結果、極限粘度[η]が０．０９ｄｌ／ｇのエチレン重合体４３．２ｇを得た。結果を（第２表）に示す。
【０２２０】
〔比較例２〜４〕
第IVＢ族遷移金属化合物〔成分（Ａ）〕、第IVＢ族遷移金属化合物（Ａ）と反応してイオン対を形成する化合物〔成分（Ｂ）〕および有機アルミニウム化合物〔成分（Ｃ）〕の量を（第２表）に示すようにした以外は比較例１と同様にしてエチレン重合体を製造した。結果を（第２表）に示す。
【０２２１】
【表９４】
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【０２２２】
【発明の効果】
本発明は、分子量分布が狭いエチレン系ワックスを高い生産効率で製造することができる。また、重合温度を１００℃以上にすると、分子量分布が狭く、融点が低いエチレン系ワックスを高い生産効率で製造することができる。さらに、除熱装置を小型化することができ、設備費を削減できるとともに、滞留時間を短くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で用いられるオレフィン重合触媒の調製工程を示す説明図である。
【図１】
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