(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極の一方の電極との接点を持つ半導体基板と該半導体基板に対峙させた他方の電極との間に電解液を満たして半導体基板の電解処理を行う電解処理装置において、
前記他方の電極と半導体基板の間に電解液含浸材を、この電解液含浸材と半導体基板表面とが全面に渡って接触しない状態に配置するとともに、前記他方の電極には電解液を電解液含浸材内に供給する電解液導通孔を設け、前記電解液導通孔の内部に管を挿入し、前記管を通して電解液含浸材内に供給した電解液を電解液含浸材の反対面から供給して前記接触していない電解液含浸材と半導体基板表面との全面間に形成される間隙に満たすことを特徴とする電解処理装置。
【請求項２】
前記電解液含浸材には、前記電解液導通孔に連続するように電解液通路部を設けたことを特徴とする請求項１記載の電解処理装置。
【請求項３】
陽極と陰極の一方の電極との接点を持つ半導体基板と該半導体基板に対峙させた他方の電極との間に電解液を満たして半導体基板の電解処理を行う電解処理装置において、
前記他方の電極と半導体基板の間に電解液含浸材を、この電解液含浸材と半導体基板表面とが全面に渡って接触しない状態に設置し、且つ前記電解液含浸材内に所定深さの電解液通路部を形成することで、前記他方の電極側から電解液通路部を通して電解液含浸材内に供給した電解液を電解液含浸材の反対面から供給して前記接触していない電解液含浸材と半導体基板表面との全面間に形成される間隙に満たすことを特徴とする電解処理装置。
【請求項４】
前記他方の電極と電解液含浸材との間に電解液を溜める液溜め部を設け、この液溜め部に溜めた電解液を前記電解液含浸材内に供給することを特徴とする請求項３記載の電解処理装置。
【請求項５】
前記電解液通路部は、電解液含浸材の電解液通路部となる部分の密度を周囲の部分に比べて低密度にすることで構成されるか、或いは孔からなる通路によって構成されていることを特徴とする請求項２又は３又は４記載の電解処理装置。
【請求項６】
陽極と陰極の一方の電極との接点を持つ被処理基板と該被処理基板に対峙させた他方の電極との間に電解液を満たして被処理基板の電解処理を行う電解処理装置において、
前記他方の電極と被処理基板の間に電解液含浸材を設置し、且つ前記電解液含浸材はその場所に応じて電解液含浸材を通過する電解液の通過抵抗が異なるように構成することで、前記他方の電極側から電解液含浸材内に供給した電解液を電解液含浸材の反対面からその場所に応じた供給量で供給して電解液含浸材と被処理基板間に満たすことを特徴とする電解処理装置。
【請求項７】
前記電解液含浸材は、少なくともその一部が保水性材料からなることを特徴とする請求項１又は３又は６記載の電解処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理基板の表面にめっきやエッチングなどを施す電解処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
電解処理、特に電解めっきは、金属膜の形成方法として広く利用されている。近年例えば銅の多層配線用の電解銅めっきや、バンプ形成用の電解金めっきなど、半導体産業などでもその有効性（安価、孔埋め特性など）が注目され利用されつつある。
【０００３】
ここで半導体基板上に銅めっきを施す方法としては、カップ式やディップ式のようにめっき槽に常時めっき液を張ってそこに基板を浸す方法と、めっき槽に基板が供給されたときのみめっき液を張る方法など、種々の方法がある。
【０００４】
そして従来のこの種のめっき装置には、めっき工程を行うユニットの他に、めっきに付帯する前処理工程を行うユニットや、めっき後の洗浄・乾燥工程を行うユニット等の複数のユニットと、これらの各ユニット間で基板の搬送を行う搬送ロボットが備えられていた。そして基板はこれらの各ユニット間を搬送されつつ、各ユニットで所定の処理が施されていく。
【０００５】
しかしながら上記従来のめっき装置にあっては、各工程毎にユニットが設けられ、各ユニットに基板が搬送されて処理されるため、装置としてかなり複雑で制御が困難になるばかりか、大きな占有面積を占め、製造コストもかなり高価になるという欠点があった。
【０００６】
そこで本願発明者は図８に示すような電解めっき装置を発明した。この電解めっき装置は、いわゆるフェイスアップ方式を採用した電解めっき装置であり、基板Ｗは上向きにして基板載置台３０上に載置され、基板Ｗ表面の周辺はリング状に形成されたリップシール３４の先端が当接することでシールされている。また基板Ｗ表面のリップシール３４の外方には、基板Ｗ表面の導電層に接触して基板Ｗに陰極電位を印加する接点３６が設置されている。基板Ｗの上方には所定の間隔を介して円板状の多孔体（保水性材料からなる電解液含浸材）４０と円板状の陽極３８とが保持部材３２に保持されて設置されている。ここで陽極３８には厚み方向に貫通する多数の細孔状のめっき液導通孔３９が設けられ、陽極３８の上には前記各めっき液導通孔３９にめっき液を分配して供給するめっき液導入管４１が設置されている。
【０００７】
そしてめっき液導入管４１から陽極３８のめっき液導通孔３９を通して多孔体４０表面に供給されためっき液１０は、多孔体４０内に浸透してその内部に含浸され、さらにその下面から供給して基板Ｗと多孔体４０の間であってリップシール３４によってシールされた内側空間に満たされる（以下基板Ｗ表面にめっき液１０を供給することを「液張り」という）。そして陽極３８と基板Ｗ間に所定の電圧を印加して直流電流を流すと、基板Ｗ表面に予め形成されている導電層の表面全体にめっきが行われていく。
【０００８】
一方前記基板Ｗを洗浄する際は、陽極３８などを取り付けた保持部材３２を基板Ｗの上から別の場所に移動し、リップシール３４内のめっき液１０を図示しないめっき液吸込手段によって吸い込んで排出し、基板Ｗを基板載置台３０とともに下降してリップシール３４及び接点３６から引き離し、この状態で洗浄液等を基板Ｗ上に供給することで洗浄する。基板Ｗの乾燥は基板Ｗを基板載置台３０によって回転させることで行う。なお基板Ｗを前処理する際も、めっき前に基板Ｗからリップシール３４及び接点３６を引き離した状態で基板Ｗ上に前処理液を供給すれば良い。このようにこの電解めっき装置によれば、一つのユニットでめっきのための各種工程が行えるので、装置が簡素化され、制御も容易となり、設置面積も小さくなって製造コストの低減化も図れる。
【０００９】
ところでこの電解めっき装置において多孔体４０を設置したのは以下の理由による。
▲１▼この電解めっき装置において、陽極３８と基板Ｗ間の距離（以下「極間距離」という）を極力短くすることによって、基板Ｗ１枚当りのめっき液使用量を極限まで少なくすることが望ましいが、極間距離を短くし、且つ多孔体４０を設置しないと基板Ｗ表面の各部のめっき膜厚が不均一になる恐れがある。これは陽極３８の外周近傍部分からめっき液１０を介して基板Ｗの外周近傍部分に至る電気回路においては陽極３８と接点３６間の抵抗値は、陽極３８と基板Ｗ間に介在するめっき液による抵抗値だけであるが、陽極３８の中央部からめっき液１０を介して基板Ｗの中央部に至る電気回路においては陽極３８と接点３６間の抵抗値は、陽極３８と基板Ｗ間に介在するめっき液による抵抗値と基板Ｗ表面に形成された薄い導電層による基板Ｗ中央から接点３６までの抵抗値とを足した値となり、両回路に流れる電流が異なってしまうからである。そこで陽極３８と基板Ｗの間に、めっき液１０を含浸して電気は通すがめっき液１０よりも高抵抗となっている多孔体４０を介在することで、前記両電気回路の抵抗値を同一値だけ大きくし、これによって両電気回路の全抵抗値の比を１に近づけ、基板Ｗ表面各部のめっき膜厚の均一化を図るようにしているのである。
【００１０】
▲２▼陽極３８表面の乾燥を防止するためである。
【００１１】
▲３▼陽極３８側から供給するめっき液１０を直接基板Ｗに吹き付けるようにすると、吹き付けた部分の基板Ｗ表面の導電層にダメージ（局所的に噴流を当てることによる導電層の減少）が生じるので、多孔体４０を介在することでこのダメージを軽減し、めっき膜厚の均一化を図るためである。
【００１２】
一方前述のようにめっき液使用量を少なくするため、極間距離を極力短くしているが、極間に空気の気泡が介在するとめっき膜厚の不均一を招くので、この電解めっき装置においては以下のようにしている。
【００１３】
即ち図９，図１０はこの電解めっき装置によって極間にめっき液を充填する状態を示す図であり、図９は概略側断面図、図１０は基板Ｗ上でのめっき液の拡散状態を示す概略平面図である。図１０に示すように陽極３８に設けためっき液導通孔３９は十字型に配列されており、その中心が基板Ｗの中心に一致するようにしている。そして図９に示すようにめっき液導入管４１から陽極３８の各めっき液導通孔３９に分配されその先端から供給されためっき液は、およそ５〜２０ｍｍ厚の多孔体４０内をわずかに拡散しながら基板Ｗ表面に達し、基板Ｗと多孔体４０の表面間（間隔約１ｍｍ）に円形の液柱Ｒをそれぞれのめっき液導通孔３９に対応する本数形成する。その後、これら複数の液柱Ｒは図１０に点線で示すように十字状に互いに結合しその線の厚みを拡大していくことで基板Ｗ上から空気を確実に排除しながらめっき液１０を満たしていく。多孔体４０内部でのめっき液の拡散は基板Ｗ表面にめっき液が到達したときの導電層に与えるダメージを前述のように軽減する。なお極間に気泡を残さずにめっき液を満たしていくためのめっき液導通孔３９の配列は、上記配列に限られず、例えば一本の直線状配列であっても良いし、何れか一箇所のみに１又は複数本のめっき液導通孔３９を配置することであっても良い。即ち要は気泡を残さない配列ならばどのような配列であっても良い。
【００１４】
しかしながら上記電解めっき装置にあっても以下のような改良すべき点があった。
▲１▼多孔体４０と接触しているめっき液導通孔３９の出口形状が、めっき工程を繰り返しているうちに経時変化によって図１１に示すように拡大してしまう（図１１のＥ部分）。そしてこのようになると、同図に示すように液張り時にめっき液が多孔体４０内部に大きく拡散しながら基板Ｗ表面に達することとなる。この結果、多孔体４０の当初定められていた位置に定められていた量の液柱Ｒができず、液柱Ｒの結合が乱れ、このとき空気を巻き込み、図１２に示すように気泡Ａが多孔体４０と基板Ｗの間に残って堆積し、理想的な液張りが阻害される。そしてこの状態でめっきを行うと、めっき膜厚の不均一を招いてしまう。
【００１５】
▲２▼多孔体４０の厚みが厚い場合や密度が高い（気孔率が低い）場合、液張り時のめっき液の多孔体４０通過抵抗が大きくなり、この結果多孔体４０の所定位置から所定量のめっき液が出ず、液柱の結合が乱れ、この時空気を巻き込み、この気泡が多孔体４０と基板Ｗの間に堆積し、理想的な液張りが阻害され、この状態でめっきを行うとめっき膜厚の不均一を招いてしまう。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述の点に鑑みてなされたものでありその目的は、電解液を電解液含浸材（多孔体）内に供給して電解液液含浸材の反対側から供給することで電解液含浸材と被処理基板間に満たす構造の電解処理装置であっても、電解液含浸材と基板の間に気泡が巻き込まれて堆積することのない電解処理装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため本発明は、陽極と陰極の一方の電極との接点を持つ半導体基板と該半導体基板に対峙させた他方の電極との間に電解液を満たして半導体基板の電解処理を行う電解処理装置において、前記他方の電極と半導体基板の間に電解液含浸材を、この電解液含浸材と半導体基板表面とが全面に渡って接触しない状態に配置するとともに、前記他方の電極には電解液を電解液含浸材内に供給する電解液導通孔を設け、前記電解液導通孔の内部に管を挿入し、前記管を通して電解液含浸材内に供給した電解液を電解液含浸材の反対面から供給して前記接触していない電解液含浸材と半導体基板表面との全面間に形成される間隙に満たすことを特徴とする。管は電解液によって侵されない材質を選択するのが望ましい。従ってこの電解処理装置によって電解処理工程を繰り返しても、経時的に管の先端の内径が広がることはないので、製造当初の理想的な液張り状態が時間が経過しても同様に行え、従って空気が巻き込まれて気泡が電解液含浸材と半導体基板の間に堆積することはなく、常に所望の電解処理が得られる。
【００１８】
また本発明は、前記電解液含浸材に、前記電解液導入孔に連続するように電解液通路部を設けたことを特徴とする。そして電解液通路部の底面の位置を調整することで電解液通路部の底面から電解液含浸材の下面間の距離を所定寸法に調整し、これによって電解液含浸材をめっき液が通過する際の抵抗を所望の抵抗まで減らすことができる。従ってたとえ電解液含浸材として厚みの厚いものや密度の高い（気孔率が低い）ものを用いた場合でも、液張り時の電解液の電解液含浸材通過抵抗を小さくすることができ、電解液含浸材の所定位置から適量のめっき液を出せるようにでき、これによって空気が巻き込まれて気泡が電解液含浸材と被処理基板の間に堆積することはなく、常に所望の電解処理が得られる。
【００１９】
また本発明は、陽極と陰極の一方の電極との接点を持つ半導体基板と該半導体基板に対峙させた他方の電極との間に電解液を満たして半導体基板の電解処理を行う電解処理装置において、前記他方の電極と半導体基板の間に電解液含浸材を、この電解液含浸材と半導体基板表面とが全面に渡って接触しない状態に設置し、且つ前記電解液含浸材内に所定深さの電解液通路部を形成することで、前記他方の電極側から電解液通路部を通して電解液含浸材内に供給した電解液を電解液含浸材の反対面から供給して前記接触していない電解液含浸材と半導体基板表面との全面間に形成される間隙に満たすことを特徴とする。そしてこの電解処理工程を繰り返しても、経時的に電解液通路部の先端の内径が広がることはないので、製造当初の理想的な液張り状態が時間が経過しても同様に行え、従って空気が巻き込まれて気泡が電解液含浸材と半導体基板の間に堆積することはなく、常に所望の電解処理が得られる。
【００２０】
また本発明は、前記他方の電極と電解液含浸材との間に電解液を溜める液溜め部を設け、この液溜め部に溜めた電解液を前記電解液含浸材内に供給することを特徴とする。
【００２１】
また本発明は、前記電解液通路部を、電解液含浸材の電解液通路部となる部分の密度を周囲の部分に比べて低密度にすることで構成するか、或いは孔からなる通路によって構成することを特徴とする。
【００２２】
また本発明は、陽極と陰極の一方の電極との接点を持つ被処理基板と該被処理基板に対峙させた他方の電極との間に電解液を満たして被処理基板の電解処理を行う電解処理装置において、前記他方の電極と被処理基板の間に電解液含浸材を設置し、且つ前記電解液含浸材はその場所に応じて電解液含浸材を通過する電解液の通過抵抗が異なるように構成することで、前記他方の電極側から電解液含浸材内に供給した電解液を電解液含浸材の反対面からその場所に応じた供給量で供給して電解液含浸材と被処理基板間に満たすことを特徴とする。
【００２３】
また本発明は、前記電解液含浸材の少なくともその一部が保水性材料からなることを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。
〔陽極（電極）３８の電解液導入孔（めっき液導入孔）３９内部に管４５を挿入した実施形態〕
図１は本発明の実施形態を用いた電解めっき装置の概略構成図である。即ちこの電解めっき装置（電解処理装置）は、前記図８に示す電解めっき装置と略同一構成である。即ちこの電解めっき装置もいわゆるフェイスアップ方式を採用した電解めっき装置であり、基板Ｗは上向きにして基板載置台３０上に載置され、基板Ｗ表面の周辺にはリング状に形成されたリップシール３４の先端が当接してシールされている。また基板Ｗ表面のリップシール３４の外方には、基板Ｗ表面の導電層に接触して基板Ｗに陰極電位を印加する接点３６が設置されている。基板Ｗの上方には所定の間隔を介して円板状の多孔体４０と円板状の陽極３８とが保持部材３２に保持されて設置されている。ここで陽極３８には厚み方向に貫通する多数のめっき液導通孔３９が設けられ、陽極３８の上にはめっき液を分配して供給するめっき液導入管４１が設置されている。
【００２５】
一方多孔体４０は多孔質セラミックス材や多孔質樹脂材によって構成されており、この例では例えば気孔率２０％、平均ポア径５０μｍのＳｉＣ製（もちろん他の各種材質によって構成しても良いが、ポア径２０〜３００μｍ、気孔率１０〜９５％のものが望ましい。）で、内部にめっき液１０を含有して自己保持することで、電気は導通するがめっき液１０よりも小さい電気伝導率となるように構成されている。また陽極３８は保持部材３２と多孔体４０によって完全に被覆された構造となっている。
【００２６】
そして本実施形態においては、めっき液導入管４１自体にこれと連通する管４５を設け、この管４５を陽極３８のめっき液導通孔３９内に挿入してその先端を多孔体４０表面に当接するようにしている。即ちこの実施形態においては、めっき液１０を陽極３８に全く触れることなく多孔体４０表面に供給できる。このめっき液導入管４１と管４５とはめっき液によって何ら影響を受けない材質の合成樹脂によって一体に形成されている。
【００２７】
そしてめっき液導入管４１から管４５を通して直接多孔体４０表面に供給されためっき液は、多孔体４０内をわずかに拡散しながら基板Ｗ表面に達し、基板Ｗと多孔体４０の表面間に円形の液柱Ｒを複数形成し、複数の液柱Ｒが前記図１０で説明したように基板Ｗ上で互いに結合し基板Ｗ上をめっき液で満たしていく。
【００２８】
そしてこのめっき工程を繰り返しても、経時的に管４５の先端の内径が広がることはないので、理想的な液柱Ｒが経時的に崩れることはなく、従って液柱Ｒの結合の乱れによる空気の巻き込みは生じず、気泡が多孔体４０と基板Ｗの間に堆積することはなく、めっき膜厚が不均一になることはない。
【００２９】
図２は本発明の他の実施形態を用いた電解めっき装置の概略構成図である。この電解めっき装置において前記図１に示す実施形態と相違する点は、めっき液導入管４１にこれと一体に管４５を形成する代わりに、陽極３８のめっき液導通孔３９内に別途作製した管４７を挿入した点である。この場合も管４７をめっき液によって何ら影響を受けない材質のもので構成し、その先端（下端）を多孔体４０の上面に当接するようにする。
【００３０】
このように構成しても図１に示す実施形態と同様に、めっき液は陽極３８に直接触れることはなく、たとえめっき工程を繰り返して行なっても、経時的に管４７の先端の内径が広がることはない。従って多孔体４０から供給される液柱Ｒが経時的に崩れることはなく、常に理想的な状態を保て、空気の巻き込みは生じない。
【００３１】
〔多孔体４０内に電解液通路部を設けた実施形態〕
図３は本発明の実施形態を用いた電解めっき装置の概略構成図である。この電解めっき装置においては、図１に示すめっき液導入管４１は設けず、保持部材３２によって陽極３８と多孔体４０（４０−１，４０−２）とを保持している。そして陽極３８と多孔体４０の間に液溜め部５０を設けている。即ち陽極３８には図１に示すような複数本の細いめっき液導通孔３９は設けず、その中央に１つの太いめっき液供給部５５を設けている。
【００３２】
一方多孔体４０はその上下二つの部材（上部多孔体４０−１と下部多孔体４０−２）を重ね合わせることによって構成されている。そして上部多孔体４０−１には、複数本の細い上下面に至る電解液通路部５７が設けられている。この電解液通路部５７は、電解液通路部５７となる部分を低密度（気孔率が高い）の気孔構造のもので構成し、それ以外の部分全体を高密度の気孔構造のもので構成することで形成されている。また下部多孔体４０−２は、その全体を低密度の気孔構造のもので構成している。
【００３３】
このように構成して陽極３８のめっき液供給部５５からめっき液を供給すると、めっき液１０はまず液溜め部５０に充満された後、主として抵抗の少ない電解液通路部５７を通って下部多孔体４０−２の表面に至り、さらに下部多孔体４０−２の内部を拡散しながら基板Ｗ表面に達し、基板Ｗと下部多孔体４０−２の表面間に円形の液柱Ｒを複数形成し、複数の液柱Ｒが前記図１０で説明したように互いに結合して基板Ｗ上で結合し空気を排除しながら基板Ｗ上をめっき液で満たしていく。
【００３４】
そしてこのめっき工程を繰り返して行なっても、経時的に電解液通路部５７の先端の内径が広がることはないので、理想的な液柱Ｒが経時的に崩れることはなく、従って液柱Ｒの結合の乱れによる空気の巻き込みは生じず、気泡が下部多孔体４０−２と基板Ｗの間に堆積してめっき膜厚が不均一になることはない。
【００３５】
図４は本発明の他の実施形態にかかる電解めっき装置の概略構成図である。この電解めっき装置において前記図３に示す実施形態と相違する点は、多孔体４０の構造のみである。即ちこの多孔体４０においては、その内部に孔からなる電解液通路部５９を設けている。この電解液通路部５９は、多孔体４０の上面中央に設けた主通路６１から多数本枝分かれして形成されている。各電解液通路部５９の先端は多孔体４０の内部で終了している。
【００３６】
そして陽極３８のめっき液供給部５５からめっき液を供給すると、めっき液１０はまず液溜め部５０に充満された後、多孔体４０の主通路６１から各電解液通路部５９に導入され、その下端から多孔体４０の内部を拡散しながら基板Ｗ表面に達し、基板Ｗと多孔体４０の表面間に円形の液柱Ｒを複数形成し、複数の液柱Ｒが前記図１０で説明したように互いに結合して基板Ｗ上で結合し基板Ｗ上をめっき液で満たしていく。
【００３７】
そしてこのめっき工程を繰り返して行なっても、経時的に電解液通路部５９の先端の内径が広がることはないので、理想的な液柱Ｒが経時的に崩れていくことはなく、従って液柱Ｒの結合の乱れによる空気の巻き込みは生じず、気泡が多孔体４０と基板Ｗの間に堆積してめっき膜厚が不均一になることはない。
【００３８】
また電解液通路部５９の先端（底面）の位置を調整することで電解液通路部５９の先端から多孔体４０の下面までの距離を短くすることができ、これによって多孔体４０をめっき液が通過する際の抵抗を減らすことができ、従ってたとえ多孔体４０として厚みの厚いものや密度の高い（気孔率が低い）ものを用いた場合でも、液張り時のめっき液の多孔体４０通過抵抗を小さくすることができ、この結果多孔体４０の所定位置から適量のめっき液を出せる。従ってこの点からも液柱Ｒの結合の乱れによる空気の巻き込みは生じず、気泡が多孔体４０と基板Ｗの間に堆積してめっき膜厚が不均一になることはない。
【００３９】
なおこの多孔体４０に孔からなる電解液通路部５９を形成することは困難なので、多孔体４０を図４に示すＡ，Ｂ線で上下に三つの部分に分割したものを作製し、これを接合固定することで一体化して構成しても良い。
【００４０】
〔陽極３８のめっき液導入孔（電解液導入孔）３９内部に管を挿入するとともに多孔体４０内に電解液通路部５９を設けた実施形態〕
図５は本発明の実施形態を用いた電解めっき装置の概略構成図である。この電解めっき装置においては、図１に示す実施形態と同様に合成樹脂製（めっき液によって侵されない材質製）のめっき液導入管４１自体にこれと連通する管４５を設け、この管４５を陽極３８のめっき液導通孔３９内に挿入してその先端を多孔体４０表面に当接するとともに、多孔体４０の管４５が当接する部分に貫通しない細穴からなる電解液通路部５９を設けている。
【００４１】
そしてめっき液導入管４１から管４５を通して直接多孔体４０の電解液通路部５９内に供給されためっき液は、電解液通路部５９の底面から多孔体４０内にわずかに拡散しながら浸透して基板Ｗ表面に達し、基板Ｗと多孔体４０の表面間に円形の液柱Ｒを複数形成し、複数の液柱Ｒが前記図１０で説明したように互いに基板Ｗ上で結合し基板Ｗ上から空気を押し出しながらめっき液で満たしていく。
【００４２】
そしてこのめっき工程を繰り返して行なっても、経時的に管４５の先端の内径と電解液通路部５９の底面の内径とが広がることはないので、理想的な液柱Ｒが経時的に崩れることはなく、従って液柱Ｒの結合の乱れによる空気の巻き込みは生じず、気泡が多孔体４０と基板Ｗの間に堆積してめっき膜厚が不均一になることはない。
【００４３】
同時に電解液通路部５９を設けた長さ分だけ多孔体４０内をめっき液が通過する際の通過抵抗が減るので、たとえ多孔体４０として厚みの厚いものや密度の高い（気孔率が低い）ものを用いた場合でも、液張り時には多孔体４０の所定位置から適量のめっき液を出すことができ、この点からも液柱Ｒの結合の乱れによる空気の巻き込みは生じず、気泡が多孔体４０と基板Ｗの間に堆積してめっき膜厚が不均一になることはない。
【００４４】
図６は本発明の他の実施形態を用いた電解めっき装置の概略構成図である。この電解めっき装置において前記図５に示す実施形態と相違する点は、めっき液導入管４１にこれと一体に管４５を設ける代わりに、陽極３８のめっき液導通孔３９と多孔体４０に設けた電解液通路部５９内に別途作製した管４７を挿入した点である。この場合も管４７をめっき液によって何ら影響を受けない材質で構成する。
【００４５】
このように構成しても図５に示す実施形態と同様に、たとえめっき工程を繰り返して行っても、経時的に管４７の先端の内径が広がることはなく、理想的な液柱Ｒが経時的に崩れることはなく、従って液柱Ｒの結合の乱れによる空気の巻き込みは生じず、気泡が多孔体４０と基板Ｗの間に堆積してめっき膜厚が不均一になることはない。同時に管４７が多孔体４０内に突入しているので、多孔体４０をめっき液が通過する際の抵抗が減り、たとえ多孔体４０として厚みの厚いものや密度の高い（気孔率が低い）ものを用いた場合でも、多孔体４０の所定位置から適量のめっき液が供給されて、液柱Ｒの結合の乱れによる空気の巻き込みは生じず、気泡が多孔体４０と基板Ｗの間に堆積してめっき膜厚が不均一になることはない。
【００４６】
〔多孔体４０の場所に応じてめっき液が多孔体４０を通過する通過抵抗を異ならせる実施形態〕
図７は本発明の実施形態を用いた電解めっき装置の概略構成図である。この電解めっき装置は、図１に示す実施形態と同様に合成樹脂製のめっき液導入管４１自体にこれと連通する管４５を設けるが、図１と相違して陽極３８と多孔体４０の接合面中央において陽極３８側を突出し、多孔体４０側を凹ませた形状にしている。このように構成すれば、中央付近の管４５から供給されるめっき液は少ない通過抵抗で多孔体４０の下面から供給されるのでその供給量が他の部分に比べて多くなる。つまり場所に応じて所望のめっき液が出ないような場合は、その部分の多孔体４０のめっき液の通過抵抗を小さくしてその部分からも所望のめっき液が出るようにし（めっき液の適量は、多孔体４０の場所によって異なる場合もある）、これによって液柱Ｒの結合の乱れを防止して空気の巻き込みを防止し、気泡が多孔体４０と基板Ｗの間に堆積してめっき膜厚が不均一になることを防止する。
【００４７】
このような調整は、例えば図５や図６に示す電解液通路部５９の底部の位置をそれぞれの電解液通路部５９において異ならせることによっても達成できる。即ち場所に応じてめっき液が多孔体４０を通過する通過抵抗を異ならせることで、多孔体４０の各部から供給されるめっき液の供給量を変更でき、最適なめっき液の液張り状態を選択できる。
【００４８】
以上本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。なお直接明細書及び図面に記載がない何れの形状や材質であっても、本願発明の作用・効果を奏する以上、本願発明の技術的思想の範囲内である。
【００４９】
上記各実施形態では本発明を電解めっき装置に適用した例を示したが、その代わりに基板を陽極にして行う電解エッチング装置に適用しても良い。
【００５０】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように本発明によれば、電解液を電解液含浸材内に供給して電解液含浸材の反対側から供給することで電解液含浸材と被処理基板間に満たす構造の電解処理装置であっても、電解液含浸材と被処理基板の間に気泡が巻き込まれて堆積することはなく、理想的な液張りが行われて所望の電解処理が得られるという優れた効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる電解めっき装置の概略構成図である。
【図２】本発明にかかる電解めっき装置の概略構成図である。
【図３】本発明にかかる電解めっき装置の概略構成図である。
【図４】本発明にかかる電解めっき装置の概略構成図である。
【図５】本発明にかかる電解めっき装置の概略構成図である。
【図６】本発明にかかる電解めっき装置の概略構成図である。
【図７】本発明にかかる電解めっき装置の概略構成図である。
【図８】本発明の基礎となる電解めっき装置の概略構成図である。
【図９】電解めっき装置によって極間にめっき液を充填する状態を示す電解めっき装置の概略構成図である。
【図１０】電解めっき装置によって極間にめっき液を充填して拡散する状態を示す概略平面図である。
【図１１】不揃いな液柱が生成された例を示す図である。
【図１２】気泡が巻き込まれた状態を示す図である。
【符号の説明】
Ｗ  基板（被処理基板）
１０  めっき液（電解液）
３０  基板載置台
３２  保持部材
３４  リップシール
３６  接点
３８  陽極（電極部材）
３９  めっき液導通孔（電解液導通孔）
４０  多孔体（電解液含浸材）
４１  めっき液導入管（電解液供給手段）
４５  管
４７  管
５０  液溜め部
５５  めっき液供給部
４０−１  上部多孔体
４０−２  下部多孔体
５７  電解液通路部
５９  電解液通路部
６１  主通路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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