(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出素子を用いた画像形成装置、プラズマディスプレイパネル、プラズマアドレス液晶ディスプレイの絶縁膜に用いられ、基板上に形成され、さらに上部に電極を形成して用いられる絶縁膜であって、厚みが０．５〜５μｍで、かつ表面粗さＲａが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする絶縁膜。
【請求項２】
ソーダガラスからなる基板と電極の間に設けられたパッシベーション膜（保護膜）または電極と電極の間に設けられた層間絶縁膜である請求項１に記載の絶縁膜。
【請求項３】
ガラス転移点４００〜５５０℃、軟化点４５０〜６００℃のガラスからなることを特徴とする請求項１または２に記載の絶縁膜。
【請求項４】
酸化物換算表記で、
酸化ビスマス          ２０〜７０重量％
酸化珪素                ３〜３０重量％
酸化ホウ素            １０〜３０重量％
酸化亜鉛              １０〜４０重量％
酸化ジルコニウム        ３〜１０重量％
の範囲の組成からなるガラスを８０重量％以上含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁膜。
【請求項５】
酸化物換算表記で、
酸化鉛                ６０〜７０重量％
酸化珪素              １２〜１７重量％
酸化ホウ素              ８〜１５重量％
酸化亜鉛                ５〜１２重量％
酸化アルミニウム      ０．１〜５重量％
の範囲の組成からなるガラスを８０重量％以上含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁膜。
【請求項６】
実質的にアルカリ金属を含有しないことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の絶縁膜。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子放出素子を用いた表示装置や露光装置などの画像形成装置、プラズマディスプレイパネル、またはプラズマアドレス液晶ディスプレイの部材に形成される絶縁膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
大きく重いブラウン管に代わる画像形成装置として、軽く、薄型のいわゆるフラットディスプレイが注目されている。フラットディスプレイとして液晶ディスプレイが盛んに開発されているが、これには画像が暗い、視野角が狭いといった課題が残っている。この液晶ディスプレイに代わるものとして自発光型の放電型ディスプレイであるプラズマディスプレイパネルや電子放出素子を用いた画像形成装置は、液晶ディスプレイに比べて明るい画像が得られると共に、視野角が広い、さらに大画面化、高精細化の要求に応えうることから、そのニーズが高まりつつある。
【０００３】
プラズマディスプレイパネルの場合、それぞれの機能を付与した前面ガラス基板と背面ガラス基板との間に設けられた放電空間内で、電極間にプラズマ放電を生じさせ、放電空間内に封入されたガスから発生した紫外線を、放電空間内に設けた蛍光体にあてることにより表示を行う。
【０００４】
プラズマディスプレイパネルの前面ガラス基板と背面ガラス基板にはそれぞれ電極が形成されているが、これらを被覆する形で絶縁膜が全面に形成されている。その絶縁膜には、ガラス組成物が用いられるが、例えば、特開平８−１１９６６５号公報においては、基板の反りが少なく、残留歪みが小さいため割れが生じにくく、さらに電気的特性に優れているガラス組成物として酸化鉛系ガラス組成物の使用が提案されている。
【０００５】
一方、電子放出素子としては、大別して熱放出素子と冷陰極電子放出素子の２種類が知られており、冷陰極電子放出素子には電界放出型（ＦＥ型と称す）、金属／絶縁層／金属型（ＭＩＭ型と称す）や表面伝導型電子放出素子などがある。冷陰極電子放出素子を用いた画像形成装置は、それぞれのタイプの電子放出素子から放出される電子ビームを蛍光体に照射して蛍光を発生させることで画像を表示するものである。
【０００６】
この様な画像形成装置においても、前面ガラス基板と背面ガラス基板にそれぞれの機能を付与して用いるが、背面ガラス基板には、複数の電子放出素子とそれらの素子を接続するためのマトリックス状の配線が設けられている。これらの配線はＸ方向およびＹ方向に設置され電子放出素子の電極の部分で交差するが、この交差部において両者を絶縁するためにパターン状の絶縁膜を必須としている。絶縁膜のパターン形状については、種々の考案が行われている。このような層間絶縁膜は、例えば酸化鉛を主成分とするガラスを用いて、膜厚１０〜１００μｍ、好ましくは２０〜５０μｍで形成される。
【０００７】
特開平１０−１２１４０号公報によれば、電子放出素子の作製において、素子電極を絶縁するために真空蒸着法、印刷法、スパッタ法などで形成された酸化珪素などの絶縁性材料で構成された絶縁膜が用いられる。その膜厚は、絶縁膜の製法および素子電極間に印加される電圧を考慮して設定されるが、数十ｎｍ〜数μｍの範囲が好ましい。
【０００８】
また、特開平９−２８３０６０号公報は、表面伝導型電子放出素子を用いる電界放射型表示装置に関するものであり、下配線を形成した後、それに直交する形で帯状の絶縁膜を設置し、その絶縁膜の上に上配線を形成している。この時、上配線を形成する際のアライメントに対する余裕を取るため、交差部では下配線を部分的にカバーする突出部を有する形状として用いる方法が提案されている。
【０００９】
このように電子放出素子を有する画像形成装置においても、比較的に薄膜の絶縁膜と厚膜の絶縁膜が形成される。
【００１０】
特に薄膜の絶縁膜は、電気的絶縁性の発揮やパッシベーション膜（保護膜）としての遮蔽効果の発現などの機能を有するものであると共に、その上部表面が平滑であり、その上部に形成される電極配線、隔壁あるいは蛍光体層などのパターン精度、それぞれの層との密着性よく形成するための効果を発揮することが期待される。さらに、画像形成装置に適用するものとして、光学的に透明性の高いことが望ましい。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら上記した従来の方法で得られた絶縁膜は、薄膜下において、遮蔽効果や均一かつ表面の平滑性、透明性の点で十分満足できるものでなかった。
【００１２】
そこで本発明は、平滑な表面を有し、その上部に設置または構成される部材の形成における精度を高く保持することが可能な薄膜絶縁膜を提供することをその第１の目的とするものであり、光学的に透明な絶縁膜を提供することを第２の目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の絶縁膜は次の構成からなる。
【００１４】
すなわち、電子放出素子を用いた画像形成装置、プラズマディスプレイパネル、プラズマアドレス液晶ディスプレイの絶縁膜に用いられ、基板上に形成され、さらに上部に電極を形成して用いられる絶縁膜であって、厚みが０．５〜５μｍで、かつ表面粗さＲａが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする絶縁膜である。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の絶縁膜は、プラズマディスプレイパネルや電子放出素子を用いた画像形成装置（以下電界放射型表示装置と称す）、プラズマアドレス液晶ディスプレイ等に好ましく用いられるものである。
【００１７】
上記した装置のガラス基板として、通常、青板ガラス（ソーダガラス）が使用される。これらの用途において、ガラス基板のナトリウムなどの不純物を低減する処理が予め行われているが、それでも尚これらの成分が電極や配線に悪影響を与えることを抑止するため、パッシベーション膜を形成することが好ましいが、本発明の絶縁膜は、これらの目的にも適用できるものである。
【００１８】
本発明の絶縁膜は、厚みが０．５〜５μｍで、かつ表面粗さＲａが０．０１〜０．５μｍである必要がある。好ましくは、厚みが０．５〜２μｍ、かつ表面粗さＲａが０．０１〜０．１μｍであり、さらに好ましい表面粗さＲａは０．０１〜０．０４μｍである。
【００１９】
本発明の絶縁膜の厚みは、それが覆うべき下部の配線、電極などの厚み、あるいは遮蔽効果を十分に発揮する能力に応じて決められる。例えば、電子放出素子の電極の膜厚は１００オングストローム〜１μｍの範囲である。また、パッシベーション膜としては遮蔽効果や保護効果が有効な範囲で薄い方が好ましい。さらにプラズマディスプレイパネルの前面ガラス基板や背面ガラス基板に形成された電極の厚みは、電極形成の手法にもよるが、２０ｎｍ〜５μｍであるのが好ましい。特に蒸着法、スパッタリング法あるいはスピンコータ法で電極膜を形成する場合には、厚い膜を形成するのに時間が掛かるため２０ｎｍ〜１μｍの範囲が好ましい。この点から、本発明の絶縁膜の厚みは、０．５〜５μｍとする必要がある。
【００２０】
さらに電子放出素子を配列したものを電子源として画像形成装置を作製する場合、それらを接続する配線は導電性金属で構成されるが、配線を被覆する場合の膜厚は厚い方が電気抵抗を低減できるので有利であり、厚膜印刷法で形成する場合には、厚い膜が得られるため、２〜５μｍが好ましい。
【００２１】
０．５μｍ未満の場合は、膜が薄くなり過ぎて電極上に形成した場合に、電極表面の凹凸の影響を受けて、パッシベーション膜や層間絶縁膜の機能が発揮できない。また、ソーダガラス基板上からのアルカリ金属成分のマイグレーションを回避ができない。５μｍを超えると焼成後に緻密な膜を均一に形成することができない。また、膜が厚くなり、全光線透過率や正規透過率が低下する。
【００２２】
また、本発明の絶縁膜は、上記の範囲の厚みを有すると同時に、表面粗さＲａが０．０１〜０．５μｍであることを特徴としている。
【００２３】
本発明において、表面粗さＲａは中心線平均粗さを意味し、その定義はＪＩＳＢ０６０１に準拠するものであり、粗さ曲線を基にして得られる物性値である。粗さ曲線は、対象面に直角な平面で対象面を切断した時にその切り口に現れる輪郭から、表面のうねり成分を除去した曲線のことである。また、中心線は、この粗さ曲線の平均線に平行に直線を引いた時に、この直線と粗さ曲線で囲まれた面積が、この直線の両側で等しくなる直線のことである。中心線平均粗さは、粗さ曲線と中心線とで囲まれた面積を測定長さで除した値をμｍ単位で表したもので、測定範囲内の表面の凹凸の程度を表している。測定には、触針式粗さ計（例：(株）小坂研究所製  粗さ測定器ＳＥ−３３００）を用いた。
【００２４】
絶縁膜の表面粗さＲａが０．０１〜０．５μｍであることが、絶縁膜上に設置または構成される機能部材の寸法精度や位置精度に支障を与えない点で必要である。０．０１〜０．１μｍの範囲が好ましく、０．０１〜０．０４μｍであることがさらに好ましい。
【００２５】
０．０１μｍ未満では、電極や絶縁膜を積層した場合に、密着力が低下する。
０．５μｍを超えると、表面粗さの影響を受けて光線透過率や正規透過率が低下する。特に、電極の上に積層した場合は、光線透過率、正規透過率の低下が顕著になる。
【００２６】
本発明の絶縁膜は、上記の厚みおよび表面粗さＲａの特徴に加えて、光学的に透明なことが好ましく、全光線透過率が９６％以上、また正規透過率が９７％以上であることが好ましい。全光線透過率の測定は、分光光度計（島津製作所製  ＵＶ−３１０１ＰＣ）を用いて行った。測定条件は次の通りである。
【００２７】
0003948124.tif 000002
このような条件で全光線透過率（Ｔ１とする）を測定した後、積分球の直進光を測定する部分（白板：出口窓にとりつける部分）を取り外し、直進光を検出しないようにして拡散透過率Ｔ２（散乱などによって直進せずに透過した光の割合）を測定した。そして、次式に従って、正規透過率（直進透過率ともいう）Ｔ３を計算により求めた。
【００２８】
Ｔ３＝（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１
全光線透過率を９６％以上、正規透過率を９７％以上にするには、絶縁膜を構成するガラス成分が均一に溶融して組成の分布や気泡の発生などがないことが重要である。組成の分布が起こると、屈折率が異なる部分が存在することになり、散乱などの原因となり、全光線透過率が減少すると共に、正規透過率も低下する。気泡の存在も同様の影響を与える。そのため、絶縁膜を構成するガラスペースト塗布膜を焼成する際に、用いるガラス基板が熱変形を起こさない温度範囲において、ガラスペーストに用いられている有機成分を完全に除去すると共に、ガラス成分が溶融することが必要である。
【００２９】
このため本発明の絶縁膜は、ガラス転移点４００〜５５０℃、軟化点４５０〜６００℃のガラスで構成されていることが好ましい。ガラス転移点が４００℃より低く、軟化点が４５０℃より低い場合には、絶縁膜を形成した後に、その絶縁膜を伴う部材または部品が経由する後工程においての加熱条件で変形、変質などの変化を起こす可能性があるので好ましくない。また、ガラス転移点が５５０℃より高く、軟化点が６００℃より高い場合には、焼成工程において基板ガラスの熱変形が起こる可能性がある。
【００３０】
上記のような熱特性を有し、焼成後に得られる絶縁膜が高い光線透過率を示すガラス成分として、酸化ビスマスを含有する組成物および酸化鉛を含有する組成物が好ましく挙げられる。
【００３１】
酸化ビスマスを含有するガラス組成物として、酸化物換算表記で
酸化ビスマス            ２０〜７０重量％
酸化珪素                  ３〜３０重量％
酸化ホウ素              １０〜３０重量％
酸化亜鉛                １０〜４０重量％
酸化ジルコニウム          ３〜１０重量％
の組成からなるガラスを８０重量％以上含有するものが好ましい。
【００３２】
上記組成において、ガラス成分中の酸化ビスマスは、２０〜７０重量％の範囲で配合される。２０重量％未満では、焼成温度や軟化点を制御するのに効果が少ない。７０重量％を超えるとガラスの耐熱温度が低くなりすぎてガラス基板上への焼き付けが難しくなる。酸化ビスマスは比重が高いので、その含有比率が大きなガラスは密度が大になり、従って屈折率が大きくなるので、この点からも７０重量％以下が好ましい。
【００３３】
酸化珪素は、３〜３０重量％の範囲で配合される。３重量％未満の場合は、ガラス層の緻密性、強度や安定性が低下し、またガラス基板と熱膨張係数のミスマッチが起こり所望の値から外れる。３０重量％を超えると、軟化点やガラス転移点が上昇し、耐熱温度が増加する。このため６００℃以下でガラス基板上に緻密に焼き付けることが難しくなり、気泡が残留し、電気絶縁性が低下する傾向がある。また、酸化珪素は屈折率が低い成分であり、この割合が高いガラスは屈折率が低くなり、この点からも３０重量％以下が好ましい。
【００３４】
酸化ホウ素は、１０〜３０重量％の範囲で配合されることによって、電気絶縁性、強度、熱膨張係数、緻密性などの電気、機械および熱的特性を向上することができる。３０重量％を超えるとガラスの安定性が低下する。
【００３５】
酸化亜鉛は、１０〜４０重量％の範囲で配合される。１０重量％未満では緻密性向上の効果が無く、４０重量％を超えると、焼き付け温度が低くなり過ぎて制御しにくくなり、また絶縁抵抗が低くなるので好ましくない。
【００３６】
酸化ジルコニウムは３〜１０重量％の範囲で配合される。酸化ジルコニウムはガラスの耐酸性を向上する。すなわち、ペーストを構成する有機成分と反応してゲル化することを抑制する効果がある。３重量％未満ではゲル化を抑制する効果が少ない。１０重量％を超えるとガラスの耐熱温度が高くなり過ぎてガラス基板上への焼き付けが難しくなる。
【００３７】
同様の熱特性を有する酸化鉛を含有するガラス組成物として、酸化物換算表記で、
酸化鉛              ６０〜７０重量％
酸化珪素            １２〜１７重量％
酸化ホウ素            ８〜１５重量％
酸化亜鉛              ５〜１２重量％
酸化アルミニウム    ０．１〜５重量％
の組成範囲からなるガラスを８０重量％以上含有するものが好ましい。
【００３８】
上記組成において、酸化鉛が６０重量％未満では、軟化点が高く流動性が悪く焼成不足となり、緻密性が損なわれる傾向がある。また、７０重量％を超えると、熱膨張係数が大きくなり過ぎて、ガラス基板の反りの原因となることがあるので好ましくない。
【００３９】
酸化珪素の配合量が１２重量％未満では、軟化点が低くなり過ぎ耐熱性は低下し、後工程において支障を生じる懸念がある。また、１７重量％を超えると軟化点が高くなり過ぎてガラス基板への焼き付けが難しくなる。
【００４０】
酸化ホウ素の配合量が８重量％未満では焼き付け不良となり、１５重量％を超えると化学的耐久性が悪くなるので好ましくない。
【００４１】
酸化亜鉛の配合量が５重量％未満ではガラスの融解性が悪く、１２重量％を超えると化学的耐久性が悪くなる傾向がある。
【００４２】
酸化アルミニウムは、ガラスの化学的耐久性の向上のため使用する。０．１重量％未満では効果がなく、５重量％を超えるとガラスの軟化点が高くなり過ぎるのでガラス基板への焼き付けが難しくなる。
【００４３】
絶縁膜を構成するガラスの好ましい組成は上記の通り、酸化ビスマス含有系の配合組成を有するものおよび酸化鉛含有系の配合組成を有するものであるが、さらにこれらのガラスは、実質的にアルカリ金属を含有しないことが好ましい。実質的に含有しないとは、含有しても０．５重量％以下、好ましくは０．１重量％以下であることを意味する。
【００４４】
次に本発明の絶縁膜の好ましい製造方法について説明する。
【００４５】
本発明の絶縁膜は、例えば、上記の熱特性および酸化物換算表記のガラス類を用いて構成したペーストを塗布し、これを焼成して形成される。この場合、ガラスの粒度とその分布が絶縁膜を形成する上で重要であり、ペースト中でのガラスの充填性、分散性、ペーストの塗布性、ペーストから得られる塗布膜の緻密性、気泡の含有量などに影響を与える。
【００４６】
このためペーストに用いられるガラスの平均粒子径が０．３〜１．５μｍ、最大粒子径が１０μｍ以下であることが好ましい。さらに１０体積％粒子径が０．２〜０．８μｍ、９０体積％粒子径が２．５μｍ以下であることが好ましい。ガラス微粒子の平均粒子径が０．３μｍより小さい場合には、ガラス微粒子の凝集が起こりやすく、１．５μｍより大きいと焼成時に十分流動して緻密な絶縁膜を形成することが難しい。さらに、膜中に気泡（ボイド）を生じやすくなるので好ましくない。
【００４７】
絶縁膜の形成は、ガラスを混合・分散して構成したペーストを必要箇所に塗布した後、焼成して行われる。なおペーストとしては、例えば、セルロース樹脂、アクリル樹脂等の有機バインダーに上記ガラス微粒子を分散させたものが挙げられ、塗布方法に応じて有機溶媒で粘度を調整し、ガラス基板上に塗布される。
【００４８】
絶縁膜がガラス基板全面に形成される場合には、ペーストを既存の塗布方法のいずれかを用いて塗布し、乾燥後、焼成して形成する。一方、絶縁膜をパターン状に形成する場合には、スクリーン印刷法、フォトレジスト膜を用いてパターン化した後エッチングする方法（フォトリソ法）およびペースト自体に感光性の機能を付与してパターン化を行う感光性ペースト法などが用いられる。本発明の絶縁膜は、これらいずれの方法によって形成されたものであってもよい。
【００４９】
なお、絶縁膜の厚み調整については、ペーストの粘度・チキソトロピー性・レベリング性、印刷条件、すなわち印刷速度、スキージの角度、スクリーンのメッシュなどを適宜選定することによってなされる。また、表面粗さの調整は、上述のガラス粉末の粒子サイズ・熱特性を厳密に制御することによって達成される。
【００５０】
本発明の絶縁膜は、表面が平滑で、その上部に形成される部材を精度よく形成でき、電子放出素子を用いた画像形成装置、プラズマディスプレイパネルおよびプラズマアドレス液晶ディスプレイの絶縁膜として好ましく用いることができる。
【００５１】
【実施例】
以下に本発明を実施例を用いて具体的に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。なお、実施例中の濃度は断りのない場合は重量％である。
【００５２】
実施例１
ガラス微粒子として、以下の酸化ビスマス含有系ガラスを用意した。
【００５３】
ガラス微粒子：酸化ビスマス２８％、酸化珪素２０％、酸化ホウ素２０％、酸化亜鉛１５％、酸化ジルコニウム７％、酸価バリウム５％、酸化アルミニウム５％。ガラス転移点５００℃、軟化点５３９℃、平均粒子径１．２μｍ、最大粒子径８μｍ。
【００５４】
エチルセルロース５％含有のテルピネオール溶液３０ｇに、上記酸化ビスマス含有系ガラス微粒子７０ｇを混合し、三本ロールで混練して絶縁膜ペーストを得た。
【００５５】
ソーダガラス基板に、得られた絶縁膜ペーストを塗布し、乾燥後、５６０℃で焼成してパッシベーション膜として作用する絶縁膜を形成した。
【００５６】
このようにして得られた絶縁膜の膜厚は２．５μｍで、そのＲａは０．３μｍであった。また、絶縁膜の全光線透過率と正規透過率はそれぞれ９６％と９７％であった。その上に、Ｔｉ（厚み５ｎｍ）下引きＰｔ（厚み３０ｎｍ）からなる素子電極（Ｐｔ／Ｔｉ）を形成した。すなわち、フォトレジストパターンを有機溶剤で溶解し、Ｐｔ／Ｔｉ堆積膜をリフトオフして作製して、素子電極間隔（Ｌ）が１０μｍ、電極幅（Ｗ）１００μｍの素子電極を形成した。次に５００℃でアニーリングしたところ、電極膜の光沢の変化やしわ発生もなく良好な高密着力のある電極が得られた。
【００５７】
実施例２
酸化鉛６２％、酸化珪素１５％、酸化ホウ素９％、酸化亜鉛９．５％、酸化アルミニウム４．５％の組成を有する酸化鉛含有ガラス微粒子を用いた以外は、実施例１を繰り返した。この酸化鉛含有ガラス微粒子の平均粒子径は０．８μｍ、最大粒子径は６μｍであった。この絶縁膜の厚みは１．５μｍ、Ｒａは０．２８μｍ、全光線透過率９８％、正規透過率９７％であった。次に、実施例１と同じように絶縁膜上に電極を形成し、アニーリングしたところ、電極の光沢の変化やしわ発生もなく良好な素子電極が形成できた。
【００５８】
参考例１
実施例１で用いた酸化ビスマス含有系ガラス微粒子７０重量部、感光性ポリマ（Ｘ−４００７）１５重量部、感光性モノマ（ＭＧＰ４００）１５重量部、光重合開始剤（ＩＣ３６９）２．４重量部、増感剤（ＤＥＴＸ−Ｓ）２．４重量部を配合し、γ−ブチロラクトンの添加量で粘度を調整して感光性絶縁膜ペーストを作製した。
【００５９】
電界放射型表示装置の基板となる電子放出素子を有する電子源基板を得るために、青板ガラス上に真空蒸着法を用いてＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ（３００Ａ／７０００Ａ／３００Ａ）からなる下部配線を形成した後、感光性絶縁膜ペーストを乾燥厚み３μｍになるようにブレードコーターで塗布した。モデルとして２００μｍ×１５０μｍの開口部を有するパターンがＸ方向とＹ方向にそれぞれ５００μｍピッチで配置されたフォトマスクを介して塗布膜にパターン露光し、アルカリ水溶液で現像してパターン化した。これを５６０℃で焼成して、厚さ２μｍの絶縁膜パターンを形成した。
【００６０】
ここで得られた絶縁膜のＲａは０．２μｍ、全光線透過率９８％、正規透過率９８％あった。
【００６１】
参考例２
絶縁膜ペーストのガラス成分を、実施例２で用いた酸化鉛含有系ガラス微粒子とし、スクリーン印刷法で上下配線間のパターン化された層間絶縁膜を参考例１と同様に形成した。形成された絶縁膜の特性は、実施例２の場合と同様であった。
【００６２】
実施例３
実施例２と同じガラス組成であるが、平均粒子径は０．６μｍ、最大粒子径は４．５μｍの粉末を用い、実施例１を繰り返した。この絶縁膜の厚みは１．２μｍ、Ｒａは０．０８μｍ、全光線透過率９９％、正規透過率９８％であった。
【００６３】
次に、実施例１と同じように絶縁膜上に電極を形成し、アニーリングしたところ、電極の光沢の変化やしわ発生もなく良好な素子電極が形成できた。
【００６４】
比較例１
実施例１と同じガラス組成であるが、平均粒子径は２．２μｍ、最大粒子径は１１μｍの粉末を用いた以外は、実施例１を繰り返した。この絶縁膜の厚みは３．２μｍ、Ｒａは０．８μｍ、全光線透過率９４％、正規透過率９０％であった。次に、実施例１と同じように絶縁膜上に電極を形成し、アニーリングしたところ、電極にしわが発生し、光沢がなくなり、電極と絶縁膜から剥がれた。
【００６５】
比較例２
実施例２と同じガラス組成であるが、平均粒子径は２．６μｍ、最大粒子径は２２μｍの粉末を用いた以外は、実施例１を繰り返した。この絶縁膜の厚みは５．２μｍ、Ｒａは１．２μｍ、全光線透過率９０％、正規透過率８５％であった。次に、実施例１と同じように絶縁膜上に電極を形成し、アニーリングしたところ、電極にしわが発生し、光沢がなくなり、電極と絶縁膜から剥がれた。
【００６６】
略記号の説明
Ｘ−４００７：
４０％メタクリル酸、３０％メチルメタクリレート、３０％スチレンからなる共重合体のカルボキシル基に対して０．４当量のグリシジルメタクリレートを付加反応した重量平均分子量４３，０００，酸価９５の側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有するポリマ。
【００６７】
0003948124.tif 000003
【００６８】
【発明の効果】
本発明の絶縁膜は、基板上に形成された絶縁膜であって、厚みが０．５〜５μｍで、かつ表面粗さＲａが０．０１〜０．５μｍであるため、表面平滑性・密着性が高く、その上部に設置または構成される部材の形成を精度よく行うことができ、電子放出素子を有する画像形成装置における薄膜絶縁膜やプラズマディスプレイパネルの基板ガラスに対するパッシベーション膜として好ましく利用できる。特に、全光線透過率を９６％以上、正規透過率を９７％以上とすることにより、画像表示装置に適した光学的透明性を有する絶縁膜となる。