(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コントロール端子に加えられる電圧の大きさに応じて周波数が変化する方形波信号を発生する方形波発生回路と、
前記方形波信号に基づいてオンオフされ且つ錘が設けられた着信報知用の振動素子を駆動するドライブ波形信号を発生するスイッチング素子と、
前記方形波信号の１周期の前周期に前記ドライブ波形信号に重畳された振動素子の振動波形信号を蓄積するコンデンサと、前記コンデンサに蓄積された信号と前記方形波信号の１周期の残りの後周期に前記ドライブ波形信号に重畳される振動素子の振動波形信号のレベルを比較するオペアンプとを備える周波数ずれ検出回路とよりなり、
前記振動素子の振動波形信号とドライブ波形信号の周波数ずれを、前記オペアンプにて前記方形波信号の１周期の前周期に前記コンデンサに蓄積された信号のレベルと前記方形波信号の１周期の残りの後周期に前記ドライブ波形信号に重畳された振動素子の振動波形信号のレベルとを比較し検出し、検出された検出信号を前記方形波発生回路のコントロール端子に加え方形波信号の発生周波数を調整することを特徴とするバイブレータ制御用回路。
【請求項２】
前記スイッチング素子はＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１記載のバイブレータ制御用回路。
【請求項３】
前記周波数ずれ検出回路は
前記方形波信号の１周期の前周期にオンされる第１スイッチ素子と、
前記方形波信号の１周期の残りの後周期をオンされる第２スイッチ素子と、
前記第１スイッチ素子を介して前記ドライブ波形信号に重畳された振動素子の振動波形信号が印加され且つ、第１のコンデンサが接続された第１の入力端子と、前記ドライブ波形信号に重畳された振動素子の振動波形信号が直接印加される第２の入力端子とを有するオペアンプと、
前記方形波発生回路のコントロール端子に接続され、前記オペアンプの出力信号が第２スイッチ素子を介して加えられる第２のコンデンサとよりなり、
第１スイッチ素子がオンしている前周期間に第１のコンデンサに蓄積され前記オペアンプの第１の入力端子に加えられるドライブ波形信号に重畳された振動素子の振動波形信号の信号レベルと、第１スイッチ素子がオフされた後周期に前記オペアンプの第２の入力端子に直接加えられるドライブ波形信号に重畳された振動素子の振動波形信号の信号レベルとを比較し、比較し得られた前記オペアンプの出力端子の出力信号を第２スイッチ素子を介して第２のコンデンサに蓄積し、前記方形波発生回路のコントロール端子に加えられる電圧を制御することを特徴とする請求項１記載のバイブレータ制御用回路。
【請求項４】
前記方形波発生回路より発生される方形波信号はデユーテイを４０％とし、第１スイッチ素子がオンしている前記前周期を０−４０％とし、前記第１スイッチ素子がオフしている後周期を４０−１００％としたことを特徴とする請求項３記載のバイブレータ制御用回路。
【請求項５】
前記振動子の振動波形信号は振動素子の共振周波数が前記ドライブ波形信号のドライブ周波数より高いとき時間の経過と共に減少する台形の波形となり、前記共振周波数が前記ドライブ波形信号のドライブ周波数より低いとき時間の経過と共に増加する台形の波形となるようにし、
前記周波数ずれ検出回路で、振動素子の共振周波数が前記ドライブ波形信号のドライブ周波数より高いとき第１スイッチ素子がオンしている前周期に第１のコンデンサに蓄積されオペアンプの第１の入力端子に加えられた信号のレベルが第１スイッチ素子がオフされた後周期にオペアンプの第２の入力端子に加えられるドライブ波形信号に重畳された振動素子の振動波形信号のレベルより大きく前記オペアンプの出力信号はＬレベルとなり、オンされている第２スイッチ素子を介して前記オペアンプの出力端子の出力信号を第２のコンデンサに供給し、該第２のコンデンサを低電位側ヘシフトし、コントロール端子ＣＴＬの電位が低くされ前記方形波発生回路より発生される方形波信号を低い周波数ヘシフトし、
振動素子の共振周波数が前記ドライブ波形信号のドライブ周波数より低いとき第１スイッチ素子がオンしている前周期に第１のコンデンサに蓄積されオペアンプの第１の入力端子に加えられた信号のレベルが第１スイッチ素子がオフされた後周期にオペアンプの第２の入力端子に加えられるドライブ波形信号に重畳された振動素子の振動波形信号のレベルより小さく前記オペアンプの出力信号はＨレベルとなり、オンされている第２スイッチ素子を介して前記オペアンプの出力端子の出力信号を第２のコンデンサに供給し、該第２のコンデンサを高電位側ヘシフトし、コントロール端子ＣＴＬの電位を高くし前記方形波発生回路より発生される方形波信号を高い周波数ヘシフトすることを特徴とする請求項３記載のバイブレータ制御用回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話機において着信を知らせるに用いられるバイブレータ制御用回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
携帯電話機において、呼出し音を発生させて着信があったことを知らせることが多く行われている。しかし会議中あるいは電車中では他人に迷惑になるので、近頃振動素子を振動させて着信があったのを知らせることが行われている。
【０００３】
前記振動素子を振動させるのに、従来はモータを回転させて振動させているが、小型化あるいは軽量化が強く要求されてきたため、モータを用いずに振動させることが要求されてきた。
【０００４】
図９はモータを用いずに振動素子を振動させるバイブレータ制御用回路である。アンテナ１に呼出信号が受信されると、呼出信号検出回路２で前記呼出信号を検出しスイッチ３をオンする。それにより信号発生回路４に電源電圧ＶＣＣが供給され、前記信号発生回路４は動作開始し２４０Ｈｚ程度の方形波信号を発生しＭＯＳトランジスタのゲートに加える。前記方形波信号が加えられたＭＯＳトランジスタ５はオンオフする。それにより振動素子６に間欠的に電源電圧ＶＣＣを供給し、前記振動素子６を振動させ、着信があったことを知らせる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前述したように、バイブレータ制御用回路はアンテナに呼出信号が受信されることにより信号発生回路を発生し、ＭＯＳトランジスタ５をオンオフさせる。それにより振動素子６に間欠的に電源電圧ＶＣＣを供給し、前記振動素子６を振動させ着信を知らせる。前記バイブレータ制御用回路では、振動素子に設けられている錘がずれる等し、振動素子の共振周波数と信号発生回路から発生される方形波信号の周波数との間に周波数ずれが生じると、前記振動素子の振動が停止したり、あるいは弱振動となってしまうことがあった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はコントロール端子に加えられる電圧の大きさに応じて周波数が変化する方形波信号を発生する方形波発生回路と、前記方形波信号に基づいてオンオフされ且つ錘が設けられた着信報知用の振動素子を駆動するドライブ波形信号を発生するスイッチング素子と、
前記方形波信号の１周期の前周期に前記ドライブ波形信号に重畳された振動素子の振動波形信号を蓄積するコンデンサと、前記コンデンサに蓄積された信号と前記方形波信号の１周期の残りの後周期に前記ドライブ波形信号に重畳される振動素子の振動波形信号のレベルを比較するオペアンプとを備える周波数ずれ検出回路とよりなり、前記振動素子の振動波形信号とドライブ波形信号の周波数ずれを、前記オペアンプにて前記方形波信号の１周期の前周期に前記コンデンサに蓄積された信号のレベルと前記方形波信号の１周期の残りの後周期に前記ドライブ波形信号に重畳された振動素子の振動波形信号のレベルとを比較し検出し、検出された検出信号を前記方形波発生回路のコントロール端子に加え方形波信号の発生周波数を調整するバイブレータ制御用回路を提供する。
【０００７】
又本発明は前記周波数ずれ検出回路は前記方形波信号の１周期の前周期にオンされる第１スイッチ素子と、前記方形波信号の１周期の残りの後周期にオンされる第２スイッチ素子と、前記第１スイッチ素子を介して前記振動素子の振動波形信号とドライブ波形信号とが印加される第１のコンデンサを備えた第１の入力端子と、前記振動素子の振動波形信号とドライブ波形信号とが直接印加される第２の入力端子とを有するオペアンプと、前記方形波発生回路のコントロール端子に接続され、前記オペアンプの出力信号が第２スイッチ素子を介して加えられる第２のコンデンサとよりなり、第１スイッチ素子がオンしている前周期間に第１のコンデンサに蓄積され前記オペアンプの第１の入力端子に加えられるドライブ波形信号に重畳された振動素子の振動波形信号のレベルと、第１スイッチ素子がオフされた後周期に前記オペアンプの第２の入力端子に直接加えられるドライブ波形信号に重畳された振動素子の振動波形信号のレベルとを比較し、比較し得られた前記オペアンプの出力端子の出力信号を第２スイッチ素子を介して第２のコンデンサに蓄積し、前記方形波発生回路のコントロール端子に加えられる電圧を制御するバイブレータ制御用回路を提供する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１から図８を参照して説明する。
【０００９】
図１は本発明のバイブレータ制御用回路のブロック図で、バイブレータ制御用回路１０は制御用集積回路１１と該制御用集積回路１１にて制御されるＭＯＳトランジスタ１２とよりなる。前記制御用集積回路１１には加えられる電圧の大きさに応じて発生周波数が変化する方形波信号を発生する方形波発生回路と、前記方形波発生回路と振動素子の振動周波数ずれを検出する周波数ずれ検出回路とが含まれている。
【００１０】
前記制御用集積回路１１の端子１は電源電圧ＶＣＣが加えられ、端子１と端子２間には振動素子１４のコイルＬが接続されている。又端子３にはコンデンサＣ２とＣ４が接続されており、端子４及び端子５には方形波発生回路の発生周波数を決める抵抗Ｒ２とコンデンサＣ３が接続されている。さらに端子６にはコンデンサＣ１が接続され、端子７はアースされ、そして端子２と端子８間にはコンデンサＣ５が接続されている。
【００１１】
図２に示すように、前記振動素子１４は鉄芯１５と、該鉄芯１５が接着され且つ錘１６が設けられた板ばね１７と、前記鉄芯１５に巻かれたコイルＬとよりなり、前記板ばね１７の一端は基盤１８に固定されている。
【００１２】
今呼出信号が受信され呼出信号検出回路（図示せず）から呼出信号が検出されると、バイブレータ制御用回路１０に電源電圧ＶＣＣが加えられ、制御用集積回路１１の方形波発生回路が動作開始し、２４０Ｈｚ（ｄｕｔｙ５０％）の方形波信号を発生する。前記制御用集積回路１１から取り出された方形波信号はＭＯＳトランジスタ１２のゲートに加わり、該ＭＯＳトランジスタ１２をオンオフする。
【００１３】
前記ＭＯＳトランジスタ１２がオンすると振動素子１４のコイルＬに電源電圧ＶＣＣが供給され磁界を発生し板バネ１７を吸引する。次にＭＯＳトランジスタ１２がオフすると、板ばね１７は弾性力で復帰し、再びＭＯＳトランジスタ１２がオンすると振動素子１４のコイルＬに電源電圧ＶＣＣが供給され磁界を発生し板バネ１７を吸引する。斯かる動作を繰り返すことにより板ばね１７に設けられた錘１６が振動し、呼出信号の着信があったことを知らせる。
【００１４】
ところで振動素子１４の共振周波数は２４０Ｈｚ程度であるが、板ばね１７等の素子のばらつきあるいは携帯電話機を縦あるいは横にして使用する等の使用条件で前記共振周波数が変動する。前記振動素子１４の共振周波数がずれたのにも拘わらず前記制御用集積回路１１の方形波発生回路から取り出された方形波信号の周波数が２４０Ｈｚのままであると、振動素子１４は弱振動になったり、あるいはときには振動を停止してしまう。
【００１５】
本発明はそこで前記制御用集積回路１１の周波数ずれ検出回路で方形波発生回路から取り出された方形波信号の周波数と振動素子１４との周波数のずれを検出し、検出された信号で前記方形波発生回路の発生周波数を振動素子１４の共振周波数に修正し、振動素子１４が十分に振動されるようにしている。
【００１６】
図３は前記バイブレータ制御用回路１０の詳細なブロック図である。方形波発生回路２０は端子ＤＩＳに接続された抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２及び端子ＣＲに接続されたコンデンサＣ３にて発生される方形波信号の発生周波数とデユーテイが決められる。本実施例では２４０Ｈｚでデユーテイが４０％の方形波信号が発生されるようにしている。また方形波発生回路２０の入力コントロール端子ＣＴＬの電位は通常ＶＣＣ／２であるが、前記コントロール端子ＣＴＬの電位をＶＣＣ側にすると方形波信号は２４０Ｈｚより低周波数となり、前記電位をＧＮＤ側にすると方形波信号は２４０Ｈｚより高周波数となる。
【００１７】
インバータ２１は前記方形波発生回路２０の端子Ｑから取り出された方形波信号をインバータする。またハーフディバイダー２２は前記インバータ２１でインバータされた方形波信号をハーフディバイダーし１２０Ｈｚでデユーテイが５０％の方形波信号に変換する。前記ハーフディバイダー２２で取り出された方形波信号はインバータ２３を介してＭＯＳトランジスタ１２のゲートに加えられる。尚、コンデンサＣ５及び抵抗Ｒ３はＭＯＳトランジスタ１２のリンギング防止のために挿入されたものである。
【００１８】
図４は前記ハーフディバイダー２２のブロック図で、前記インバータ２１でインバータされた２４０Ｈｚの方形波信号が加えられる入力端子ＩＮと変換された１２０Ｈｚの方形波信号が取り出される出力端子ＯＵＴを有する。前記入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴ間にはインバータＩＮＶ１、インバータＩＮＶ２、インバータＩＮＶ３、インバータＩＮＶ４、インバータＩＮＶ５とスイッチ素子ＳＷ１、スイッチ素子ＳＷ２、スイッチ素子ＳＷ３、スイッチ素子ＳＷ４とが接続されている。
【００１９】
前記入力端子ＩＮがＨレベル（ハイレベル）のとき、スイッチ素子ＳＷ１とスイッチ素子ＳＷ４はオンとなり、スイッチ素子ＳＷ２とスイッチ素子ＳＷ３はオフとなる。逆に入力端子ＩＮがＬレベル（ローレベル）のとき、スイッチ素子ＳＷ１とスイッチ素子ＳＷ４はオフとなり、スイッチ素子ＳＷ２とスイッチ素子ＳＷ３はオンとなる。
【００２０】
最初入力端子ＩＮ及び出力端子ＯＵＴが共にＨレベルとすると、スイッチ素子ＳＷ４がオンのためＡ点はＬレベルとなるが出力端子ＯＵＴはＨレベルのままである。次に入力端子ＩＮがＬレベルとなるとスイッチ素子ＳＷ１がオフとなり、スイッチＳＷ２がオンとなるため、Ａ点はＬレベルを保持し出力端子ＯＵＴはＨレベルのままである。再び入力端子ＩＮがＨレベルとなるとスイッチ素子ＳＷ１がオンとなり、スイッチＳＷ２がオフとなるため、Ａ点はＨレベルとなるが、スイッチ素子ＳＷ３がオフし及びスイッチ素子ＳＷ４がオンのため出力端子ＯＵＴはＬレベルとなり、再び入力端子ＩＮがＬレベルとなるとスイッチ素子ＳＷ１がオフとなり、スイッチＳＷ２がオンとなるため、Ａ点はＬレベルを保持し出力端子ＯＵＴはＬレベルのままである。このように、出力端子ＯＵＴのレベルは入力端子ＩＮがＬレベルからＨレベルに立ち上がる度に変化する。従って入力端子ＩＮに加えられた２４０Ｈｚの方形波信号はディバイダーされ出力端子ＯＵＴからデユーテイ５０％で１２０Ｈｚの方形波信号を発生する。
【００２１】
周波数ずれ検出回路２４はアンド回路２５、アンド回路２６、第１スイッチ素子２７、第２スイッチ素子２８及びオペアンプ２９よりなる。前記アンド回路２５の入力端子は前記インバータ２１の出力端子とハーフディバイダー２２の出力端子及びコイルＬの一端に接続され、出力端子は第２スイッチ素子２８の端子３に接続されている。又前記アンド回路２６の入力端子は前記インバータ２１の入力端子とハーフディバイダー２２の出力端子に接続され、出力端子は第１スイッチ素子２７の端子３に接続されている。
【００２２】
さらにオペアンプ２９の端子（−）はダイオードＤ及び第１スイッチ素子２７を介してコイルＬに接続され、端子（＋）はダイオードＤを介してコイルＬに接続されている。またオペアンプ２９の出力端子は第２スイッチ素子２８を介して方形波発生回路２０のコントロール端子ＣＴＬに接続されている。
【００２３】
図５は前記第１スイッチ素子２７及び第２スイッチ素子２８のブロック図で、ＭＯＳトランジスタＭＰ１、ＭＰ２、ＭＰ３、ＭＰ５とＭＯＳトランジスタＭＮ１、ＭＮ２、ＭＮ３、ＭＮ６とよりなる。端子３がＨレベルになると、ＭＯＳトランジスタＭＮ６のゲートがＨレベルとされ、ＭＯＳトランジスタＭＰ５のゲートがＬレベルとされるので、前記ＭＯＳトランジスタＭＮ６及びＭＰ５が共にオンし、端子１と端子２間は低抵抗となる。
【００２４】
又端子３がＬレベルになると、ＭＯＳトランジスタＭＮ６のゲートがＬレベルとされ、ＭＯＳトランジスタＭＰ５のゲートがＨレベルとされるので、前記ＭＯＳトランジスタＭＮ６及びＭＰ５が共にオフし、端子１と端子２間は高抵抗となる。
【００２５】
図６は前記オペアンプ２９のブロック図で、ＭＯＳトランジスタＭＰ６、ＭＰ７、ＭＰ８とＭＯＳトランジスタＭＮ７、ＭＮ８、ＭＮ９、ＭＮ１０とよりなる。そして入力端子ＩＮ（＋）が入力端子ＩＮ（−）より大きいとき出力端子ＯＵＴはＶＣＣとなり、入力端子ＩＮ（−）が入力端子ＩＮ（＋）より大きいとき出力端子ＯＵＴはＧＮＤとなる。
【００２６】
図７は前記バイフレータ制御用回路１０の動作を表す波形図である。呼出信号が着信され前記バイブレータ制御用回路１０に電源電圧ＶＣＣが供給されると方形波信号発生回路２０から２４０Ｈｚ（オンデユーテイ４０％）の方形波信号ａを発生する。前記方形波信号はインバータ２１でインバータされ方形波信号ｂに変換され、ハーフディバイダー２２の入力端子ＩＮに加わる。
【００２７】
前記ハーフディバイダー２２は前述したように入力端子ＩＮに加えられる前記方形波信号がＨレベルからＬレベルになるごとに出力端子ＯＵＴのレベルが変化するので、１２０Ｈｚ（オンデユーテイ５０％）の方形波信号ｃにディバイダーされる。
【００２８】
前記１２０Ｈｚの方形波信号はインバータ２３で方形波信号ｆにインバータされ、リンギング防止用のコンデンサＣ５と抵抗Ｒ３を介してドライブ波形信号ｇがＭＯＳトランジスタ１２のゲートに加えられるので、前記ＭＯＳトランジスタ１２はオンオフを繰返す。
【００２９】
前記ＭＯＳトランジスタ１２がオンすると、電源電圧ＶＣＣが振動素子１４のコイルＬに加わり、磁界を発生し板ばね１７を吸引する。次にＭＯＳトランジスタ１２がオフすると、板ばね１７は弾性力で復帰し、再びＭＯＳトランジスタ１２がオンすると振動素子１４のコイルＬに電源電圧ＶＣＣが供給され磁界を発生し板バネ１７を吸引する。斯かる動作を繰り返すことにより板ばね１７に設けられた錘１６が振動し、呼出信号の着信があったことを知らせる。
【００３０】
前記ドライブ波形信号はダイオードＤを介した波形ｉが第１スイッチ素子２７の入力端子１に加わる。このとき第１スイッチ素子２７の端子３にはアンド回路２６を通し方形波信号ａと方形波信号ｃとが加えられるので、第１スイッチ素子２７は方形波信号の前周期０−４０％の間オンされる。オペアンプ２９の入力端子（−）には第１スイッチ素子２７を介してドライブ波形信号ｉの０−４０％の波形ｊが加わり、オペアンプ２９の入力端子（＋）にはドライブ波形信号ｉの電位がそのまま加えられる。
【００３１】
従ってオペアンプ２９の出力端子には波形ｋを出力し第２スイッチ素子２８に加わる。第２スイッチ素子２８の端子３には方形波形ｂ、方形波形ｃ及びドライブ波形信号ｈがアンドされた信号が加えるので、第２スイッチ素子２８は方形波波形の後周期４０−１００％の間オンされる。第２スイッチ素子２８は波形ｋの４０−１００％を伝え、方形波発生回路２０のコントロール端子ＣＴＬに波形ｍが加わる。
【００３２】
図８はコイルＬの端子に得られる前記振動素子１４の振動波形信号を表すもので、振動素子１４の共振周波数が前記ドライブ波形信号のドライブ周波数より高いと左側のドライブ波形信号Ｍで、時間の経過と共に減少する台形の波形となる。前記共振周波数が前記ドライブ波形信号のドライブ周波数と同じであると中央のドライブ波形信号Ｓで、最初増加するが中央から減少する上部が３角形状の方形波形となる。共振周波数が前記ドライブ波形信号のドライブ周波数より低いと右側のドライブ波形信号Ｎで、時間の経過と共に増加する台形の波形となる。前記振動素子１４の周期は方形波形と同一で、方形波形の前周期０−４０％の電位とそれ以降の電位を比べることで前記共振周波数とドライブ周波数とのずれを補正する。
【００３３】
今振動素子１４の共振周波数がドライブ周波数より低い場合は振動波形信号は波形Ｎとなる。第１スイッチ素子２７がオンしている方形波形の前周期０−４０％の範囲はオペアンプ２９の第１の入力端子（−）はダイオードＤ及び第１スイッチ２７を介して振動波形信号Ｎと前記ドライブ波形信号とが重畳し加えられ、また第２の入力端子（＋）にもダイオ−ドＤより直接同一の振動波形信号とドライブ波形信号が重畳し加えられるので、第２の入力端子(＋)と第１の入力端子（−）は同じレベルであるため出力端子はＬレベルとなる。また第１のコンデンサＣ１にも第１スイッチ２７を介して振動波形信号Ｎとドライブ波形信号とが重畳し加えられ蓄積される。このとき第２スイッチ素子２８はオフされている。方形波形の４０％−１００％は第１スイッチ素子２７がオフされるので、第１の入力端子（−）にはコンデンサＣ１に前記蓄積され信号がそのまま加わる。それに対して第２の入力端子（+）にはドライブ波形信号に時間と共に増加する振動波形信号Ｎが加わるため、第１の入力端子（−）に加わる信号のレベルより第２の入力端子（＋）に加わる振動波形信号Ｎドライブ波形信号のレベルが大きくなるため、オペアンプ２９の出力信号はＨレベルとなる。一方第２スイッチ素子２８はオンし、方形波形の４０−１００％の間オペアンプ２９のＨレベルの出力信号ｍを通過し第２のコンデンサＣ４に蓄積させる。そのためコンデンサＣ２とコンデンサＣ４間の電位は最初ＶＣＣ／２であったのが、高電位側ヘシフトする。すると方形波発生回路２０のコントロール端子ＣＴＬの電位が高まり、２４０Ｈｚから高い周波数ヘシフトする。
【００３４】
逆に振動素子１４の共振周波数がドライブ周波数より高い場合は波形Ｍとなる第１スイッチ素子２７がオンしている方形波形の０−４０％の範囲はオペアンプ２９の第１の入力端子（−）はダイオードＤ及び第１スイッチ２７を介してドライブ波形信号に重畳された振動波形信号Ｍが加えられ、また入力端子（＋）にも同一のドライブ波形信号が加えられるので第１の入力端子(−)と第２の入力端子（＋）は同じレベルであるので出力端子はＬレベルとなる。このとき第１のコンデンサＣ１には第１の入力端子（−）に加えられたドライブ波形信号に振動波形信号Ｍが蓄積される。
【００３５】
前記方形波形の４０％−１００％は第１スイッチ素子２７がオフされるので、第１の入力端子（−）にはコンデンサＣ１に前記蓄積され信号がそのまま加わる。それに対して第２の入力端子（+）にはドライブ波形信号に時間と共に減少する振動波形信号Ｍが重畳し加わるため、第１の入力端子（−）に加わる信号のレベルより第２の入力端子（＋）に加わるドライブ波形信号に重畳された振動波形信号Ｍのレベルが小さくなるので、オペアンプ２９の出力信号はＬレベルとなる。このとき第2スイッチ素子２８はオンし、方向波形信号の後周期４０−１００％の間オペアンプ２９のＬレベル出力信号ｍを通過しコンデンサＣ４に蓄積させる。そのためコンデンサＣ２とコンデンサＣ４間の電位は最初ＶＣＣ／２であったのが、低電位側ヘシフトする。それにより方形波発生回路２０のコントロール端子ＣＴＬの電位が低くなり、２４０Ｈｚから低い周波数ヘシフトする。
振動素子１４の共振周波数がドライブ周波数と共振している場合は波形Ｓとなる第１スイッチ素子２７がオンしている方形波形の０−４０％の範囲はオペアンプ２９の第１の入力端子（−）はダイオードＤ及び第１スイッチ２７を介してドライブ波形信号に重畳された振動波形信号Ｓが加えられ、また第２の入力端子（＋）にも同様にドライブ波形信号に重畳された振動波形信号Ｓが加えられるため、第１の入力端子(−)と第２の入力端子（＋）は同じレベルであるので出力端子はＬレベルとなり、第１のコンデンサＣ１に蓄積される。
【００３６】
前記方形波形の４０％−１００％では第２の入力端子（＋）に加わるドライブ波形信号に重畳された振動波形信号Ｓのレベルは最初高く次に低くなるので、第１の入力端子（−）に加わるコンデンサＣ１に蓄積されている信号レベルと第２の入力端子（＋）に加えられる信号レベルが同一となり、オペアンプ２９の出力信号は０レベルとなる。従って第2スイッチ素子２８はオンしてもコンデンサＣ４に蓄積させるレベルは変わらず、方形波発生回路２０のコントロール端子ＣＴＬの電位も一定で、方形波発生回路２０からは同一周波数の方形波信号を発生する。
【００３７】
このようにして方形波発生回路２０から発生する周波数を変化させて振動素子２４のコイルＬには振動子の振動波形信号に共振したドライブ波形信号が加わるようにしている。
【００３８】
【発明の効果】
本発明のバイブレータ制御用回路はコントロール端子に加えられる電圧の大きさに応じて周波数が変化する方形波信号を発生する方形波発生回路と、前記方形波信号に基づいてオンオフされ振動素子に駆動電流を供給するＭＯＳトランジスタと、前記方形波発生回路の方形波信号と振動素子の共振周波数とのずれを検出する周波数ずれ検出回路とで構成し、前記周波数ずれ検出回路より検出される検出信号にて方形波発生回路の発生周波数のずれを調整したので、振動素子の共振周波数と方形波信号の周波数のずれが常に補正されるため、常に振動素子を十分に振動させ着信を確実に知らせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のバイブレータ制御用回路のブロック図である。
【図２】本発明のバイブレータ制御用回路に用いた振動素子の模型図である。
【図３】本発明のバイブレータ制御用回路のブロック図である。
【図４】本発明のバイブレータ制御用回路に用いたハーフディバイダーのブロック図である。
【図５】本発明のバイブレータ制御用回路に用いたスイッチ素子の回路図である。
【図６】本発明のバイブレータ制御用回路に用いたオペアンプの回路図である。
【図７】木発明のバイブレータ制御用回路の各部分の信号波形図である。
【図８】本発明のバイブレータ制御用回路に用いた振動素子の振動信号波形図である。
【図９】従来のバイブレータ制御用回路のブロック図である。
【符号の説明】
１０  バイブレータ制御用回路
１１  制御用集積回路
１２  ＭＯＳトランジスタ
Ｌ    コイル
１４  振動素子
２０  方形波信号発生回路
２１  インバータ
２２  ハーフディバイダー
２４  周波数ずれ検出回路
２７  第１スイッチ素子
２８  第２スイッチ素子
２９  オペアンプ
【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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