(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面の樹脂薄膜を、マイクロ凹凸パターンを有する型材により押圧してマイクロ凹凸パターンを形成する光学素子の製造方法において、
２００℃を超えるガラス転移温度を有する前記樹脂薄膜を前記基板上にコートする工程と、
前記樹脂薄膜の温度をガラス転移温度を超え、かつ熱分解開始温度未満に制御しつつ、前記型材により前記樹脂薄膜表面にマイクロ凹凸パターンを押圧形成する工程と、
その後前記樹脂薄膜の温度をガラス転移温度未満に冷却する工程の後、前記型材を分離する工程とを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項２】
基板表面の樹脂薄膜を、マイクロ凹凸パターンを有する型材により押圧してマイクロ凹凸パターンを形成する光学素子の製造方法において、
前記光学素子の製造方法は、実質的に重合反応していない前記樹脂薄膜を前記基板上にコートする工程と、
前記樹脂薄膜の重合反応開始温度未満に制御しつつ、前記型材により前記樹脂薄膜表面に  マイクロ凹凸パターンを押圧形成し、前記型材を分離する工程と、
前記重合反応開始温度を超え、かつ前記樹脂薄膜のガラス転移温度未満の温度で前記樹脂薄膜を焼成して、膜質を安定化する工程とを含むことを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項３】
前記型材の押圧動作を前記樹脂薄膜上で複数回繰り返すことを特徴とする請求項１または２記載の光学素子の製造方法。
【請求項４】
前記基板を前記型材と相対的に移動させて、前記基板側に設けた基板側アライメントマークと前記型材側の基準位置とを一致させて調整することを特徴とする請求項１または２記載の光学素子の製造方法。
【請求項５】
不活性ガス雰囲気で前記樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成することを特徴とする請求項１または２記載の光学素子の製造方法。
【請求項６】
大気圧未満の減圧された雰囲気で前記樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成することを特徴とする請求項１または２記載の光学素子の製造方法。
【請求項７】
マイクロ凹凸パタ−ン部と配向膜とを有して基板上に配置された樹脂薄膜を備えた反射板の製造方法において、
予め薄膜液晶駆動素子もしくは配線コンタクト部を形成した基板を用い、２００℃を超えるガラス転移温度を有する前記樹脂薄膜を前記基板上にコートする工程と、
前記樹脂薄膜の温度をガラス転移温度を超え、かつ熱分解開始温度未満に制御しつつ、前記型材により前記樹脂薄膜表面にマイクロ凹凸パターンを押圧形成する工程と、
その後前記樹脂薄膜の温度をガラス転移温度未満に冷却する工程の後、前記型材を分離する工程と、
重合反応開始温度以上の温度で前記樹脂薄膜を焼成した後、前記マイクロ凹凸パターン上に反射膜及び前記配向膜を形成する工程とを含むことを特徴とする反射板の製造方法。
【請求項８】
マイクロ凹凸パタ−ン部と配向膜とを有して基板上に配置された樹脂薄膜を備えた反射板の製造方法において、
前記反射板の製造方法は、予め薄膜液晶駆動素子もしくは配線コンタクト部を形成した基板を用い、実質的に重合反応していない前記樹脂薄膜を前記基板上にコートする工程と、
前記樹脂薄膜の重合反応開始温度未満に制御しつつ、前記型材により前記樹脂薄膜表面にマイクロ凹凸パターンを押圧形成し、前記型材を分離する工程と、
前記重合反応開始温度を超え、かつ前記樹脂薄膜のガラス転移温度未満の温度で前記樹脂薄膜を焼成する工程と、
前記マイクロ凹凸パターン上に反射膜及び前記配向膜を形成する工程とを含むことを特徴とする反射板の製造方法。
【請求項９】
前記熱分解開始温度未満とは、前記ガラス転移温度よりも１０度高い温度未満であることを特徴とする、請求項１または７に記載の光学素子の製造方法
【請求項１０】
前記配向膜を形成する工程で２００℃のシンタリングを行うことを特徴とする、請求項７または８に記載の光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロ凹凸パターンを有する樹脂薄膜を備えた光学素子、反射板の製造方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本明細書においては、マイクロ凹凸パターンとは、深さ方向が０．１μｍ〜数１００μｍの一次元又は二次元的に任意な幅、長さ、形状の凹凸形状を総称する。また、反射型液晶表示装置とは、透明電極を備えた透明な対向基板と、表面にマイクロ凹凸パターンを備えた反射面を有するアクティブマトリクス基板との間に液晶材料を封止した装置を総称する。
【０００３】
さて、近年においては、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、テレビ、ワープロ、ビデオ等への液晶表示装置の応用が進展している。その一方でこのような電子機器に対して一層の高機能化とともに小型化、省電力化、低コスト化等のためにバックライトを用いずに、外部から入射した光を反射させて液晶画像を表示する反射型液晶表示装置が開発されている。
【０００４】
このような反射型液晶表示装置では、図１９に示すように、反射型液晶表示装置に用いられる反射板１は、液晶層２７に対面する透明電極、該透明電極の上にカラーフィルタ部、その上に表面ガラス基板などで構成される対向基板２８の下方に配置され、対向基板２８から入射した光を拡散反射し、当該液晶表示装置の画像表示の可視認角度を広くする目的で使用された。
【０００５】
この液晶表示装置に用いられる反射板は、図２０に示すように、ガラスや樹脂などで形成した基板５の表面、または、該表面にＴＦＴトランジスタや液晶駆動素子などを形成した、その表面に重合反応がほぼ完了した樹脂をスピンコートなどで塗布して樹脂薄膜４を形成し、該樹脂薄膜４を加熱して溶融し、マイクロ凹凸パターンの版型（スタンパ部）３３によって、基板上にコートされた樹脂薄膜４を押圧してマイクロ凹凸パターンを形成している。
【０００６】
しかしながら、重合反応がほぼ完了して高分子化した樹脂を工程内で溶融しても流動性がなく、スタンパ部によって押圧しても薄膜中に応力分布が生じ、熱硬化とともに内部応力が蓄積される。そして、図１９に示すように反射板１は反射膜２６の上面側に配向膜３６の形成を必要とし、その際に２００℃程の焼成を必要とする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
該配向膜は、液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾きに制御するとともに、金属をコートした反射膜と液晶層との絶縁のために必要である。そして、この配向膜は均一に塗布でき、ラビング工程に耐え得る膜強度や、ＩＴＯ膜、ＴＦＴ素子、配線などと密着性、洗浄工程で用いる薬品、または熱処理に対して安定等が要求される。
【０００８】
これらの特性を満足するものとして従来よりポリイミドが用いられている。このポリイミドは３００℃ほどの高い耐熱性を有し、透明で高いガラス転移温度を有し、液晶と反応することがなく、液晶と親和性があり、液晶の配向が容易であり、ＩＴＯ膜、ＴＦＴ素子、配線などと密着性が良好である。
【０００９】
よって、ガラス転移温度が低く、耐熱性も低い重合反応が完了しない樹脂を用いてマイクロ凹凸パターンを形成し、反射膜をコートしてシンタリングを行うと、配向膜にポリイミドを用いた場合は、耐熱性、及びガラス転移温度が高いポリイミドで形成した配向膜のシンタリング工程において、マイクロ凹凸パターンがくずれるという問題があった。
【００１０】
上述の事情に鑑み本発明は、配向膜にポリイミドを用いても配向膜形成工程において、マイクロ凹凸パターンが軟化してくずれることがないマイクロ凹凸パターンを有する光学素子の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【００１１】
また、本発明の他の目的は、さらに工程を簡略化したマイクロ凹凸パターンを有した光学素子、反射板の製造方法および装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
光学素子の製造方法にかかる発明は、基板表面の樹脂薄膜を、マイクロ凹凸パターンを有する型材により押圧してマイクロ凹凸パターンを形成する光学素子の製造方法において、
２００℃を超えるガラス転移温度を有する前記樹脂薄膜を前記基板上にコートする工程と、
前記樹脂薄膜の温度をガラス転移温度を超え、かつ熱分解開始温度未満に制御しつつ、前記型材により前記樹脂薄膜表面にマイクロ凹凸パターンを押圧形成する工程と、
その後前記樹脂薄膜の温度をガラス転移温度未満に冷却する工程の後、前記型材を分離する工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
ここにおいて、型材とは、少なくとも樹脂薄膜表面にマイクロ凹凸パターン部を形成する逆型を有するものであって、プレス雄型であってもローラ型の転動式であってもよい。
また、光学素子とは、表面に少なくともマイクロ凹凸パターンを有する樹脂薄膜が設けられた光通過体を意味する。
【００１４】
かかる発明によると、型材のマイクロ凹凸パターン面を前記樹脂薄膜表面に押圧し、前記樹脂薄膜表面にマイクロ凹凸パターンを押圧形成するので、樹脂薄膜側に残るマイクロ凹凸パターンが３次元形状に自由に形成でき、自由度が高く、また再現性の高いマイクロ凹凸パターンが得られる。
【００１５】
そして、前記基板上にコートされる樹脂薄膜の温度をガラス転移温度を超え熱分解開始温度未満に制御しているので、極端に弾性率が低下し、内部応力による歪みが著しく大きくなることがない。すなわち、ガラス転移温度より高い温度になると、材料の弾性率はガラス転移温度より低い温度での弾性率の１／１０００〜１／１００００にまで低下するが、ガラス転移温度が２００℃を超える樹脂薄膜でマイクロ凹凸パターンを形成しているので、後の配向膜形成工程で２００℃のシンタリングを行ってもマイクロ凹凸パターンが崩れることがない。
【００１６】
また、他の光学素子の製造方法にかかる発明は、基板表面の樹脂薄膜を、マイクロ凹凸パターンを有する型材により押圧してマイクロ凹凸パターンを形成する光学素子の製造方法において、
前記光学素子の製造方法は、実質的に重合反応していない前記樹脂薄膜を前記基板上にコートする工程と、
前記樹脂薄膜の重合反応開始温度未満に制御しつつ、前記型材により前記樹脂薄膜表面に  マイクロ凹凸パターンを押圧形成し、前記型材を分離する工程と、
前記重合反応開始温度を超え、かつ前記樹脂薄膜のガラス転移温度未満の温度で前記樹脂薄膜を焼成して、膜質を安定化する工程とを含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明によると、実質的に重合反応していない前記樹脂薄膜を型材で押圧形成してマイクロ凹凸パターンを形成しているので、型材（スタンパ部）で押さえつけても膜中に応力分布が生じ、硬化とともに内部応力が蓄積されることがなく、流動性がよく再現性の高いマイクロ凹凸パターンが得られる。
【００１８】
これら請求項１、または請求項２に用いられる前記樹脂薄膜はポリイミド（ＰＩ）系、ポリアミド（ＰＡ）系もしくはポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）系を含有しても良い。ポリイミド系は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）等の全芳香族ポリイミドが望ましい。
【００１９】
ＰＩ系もしくはＰＡ系の場合、ガラス転移温度（樹脂薄膜の流動性が高くなり著しく軟化、低粘度化する温度）は一般的に２００℃以上〜４５０℃未満であり、熱分解開始温度（組成分解など樹脂特性が著しく劣化する温度）は通常３００℃以上である。また、重合開始温度（熱硬化開始温度）は１００℃以上である。
【００２０】
また、ＰＩ系の押圧形成の温度は、ガラス転移温度を超え、かつ熱分解開始温度未満に設定すればよいが、温度が高くなると冷却に時間を要するので、ガラス転移温度＋１０℃以下に設定することが望ましい。
【００２１】
また、前記型材の押圧動作を前記樹脂薄膜上で複数回繰り返すことによって、凹凸パターン形状のレイアウトを任意に配置することができる。
【００２２】
また、前記基板を前記型材と相対的に移動させて、前記基板側に設けた基板側アライメントマークと前記型材側の基準位置とを一致させて調整することも本発明の有効な手段である。かかる技術手段によると、前記型材に対する前記基板の取付誤差を、前記基板を前記型材と相対的に移動させることによって、前記基板側に設けた基板側アライメントマークと前記型材側の基準位置とを一致させて調整することができ加工精度が高いマイクロ凹凸パターンを得ることができる。
【００２３】
また、不活性ガス雰囲気で前記樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成したり、
また、大気圧未満の減圧された雰囲気で前記樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成することも本発明の有効な手段である。かかる技術手段によると、予め光学素子を製造する製造装置が配置されるチャンバ内の空気を排気するので、チャンバ内の空気中に含まれる酸素や不純物が排気され、清浄な不活性ガスの雰囲気内で凹凸パターンを形成するので、樹脂薄膜の酸化や変質が防止でき、さらに凹凸パターン形成中にその不純物が樹脂薄膜に付着して凹凸パターン上に固着するのを防止でき、光学素子の製造の歩留まりを向上することができる。
【００２４】
また、特に、チャンバ内を減圧させた場合は、型材と樹脂薄膜との間に空気が捕らわれることがなくなり気泡のない凹凸パターンが形成できる。さらに加えて、気泡は加圧時にダンパとして働くため、加圧力を大きくする必要が生じていたが、気泡がなくなることで加圧力を小さくできるので、凹凸パターンの残留応力が低減できる。すなわち、光学素子の製造の歩留まりを向上することができる。
【００２５】
また、反射板の製造方法にかかる発明は、マイクロ凹凸パタ−ン部と配向膜とを有して基板上に配置された樹脂薄膜を備えた反射板の製造方法において、
予め薄膜液晶駆動素子もしくは配線コンタクト部を形成した基板を用い、
２００℃を超えるガラス転移温度を有する前記樹脂薄膜を前記基板上にコートし、
前記樹脂薄膜の温度をガラス転移温度を超え、かつ熱分解開始温度未満に制御しつつ、前記型材により前記樹脂薄膜表面にマイクロ凹凸パターンを押圧形成し、
その後前記樹脂薄膜の温度をガラス転移温度未満に冷却してから前記型材を分離し、重合反応開始温度以上の温度で前記樹脂薄膜を焼成した後、前記マイクロ凹凸パターン上に反射膜及び前記配向膜を形成することを特徴とする。
【００２６】
かかる発明によると、前記基板上にコートされる前記樹脂薄膜の温度を２００℃を超えガラス転移温度未満に制御しているので、極端に弾性率が低下し、内部応力による歪みが著しく大きくなることがない。
そして、前記樹脂薄膜の温度をガラス転移温度未満に冷却してから前記型材を分離し、重合反応開始温度（２３０℃）以上の温度で前記樹脂薄膜を焼成した後、前記マイクロ凹凸パターン上に反射膜及び前記配向膜を形成するので、配向膜形成工程で２００℃のシンタリングを行ってもマイクロ凹凸パターンが崩れることがない。
【００２７】
また、他の反射板の製造方法は、マイクロ凹凸パタ−ン部と配向膜とを有して基板上に配置された樹脂薄膜を備えた反射板の製造方法において、
予め薄膜液晶駆動素子もしくは配線コンタクト部を形成した基板を用い、
実質的に重合反応していない前記樹脂薄膜を前記基板上にコートし、
前記樹脂薄膜の重合反応開始温度未満に制御しつつ、前記型材により前記樹脂薄膜表面にマイクロ凹凸パターンを押圧形成し、前記型材を分離し
前記重合反応開始温度を超え、かつ前記樹脂薄膜のガラス転移温度未満の温度で前記樹脂薄膜を焼成した後、
前記マイクロ凹凸パターン上に反射膜及び前記配向膜を形成することを特徴とする。
【００２８】
かかる発明によると、前記基板上にコートされる前記樹脂薄膜の温度を重合反応開始温度未満に制御して押圧形成するので、この過程で重合反応は起こらず、また、押圧形成後スタンパ部を離間してもパターン形状が変形するほど弾性率が低く、流動性が高くはない。冷却工程は必要としない。
【００２９】
そして、樹脂の重合反応開始温度を超え、かつガラス転移温度未満の温度で前記樹脂薄膜を焼成しているので、この段階で重合反応が起きない。よって、後の配向膜形成工程で２００℃のシンタリングを行ってもマイクロ凹凸パターンが崩れることがない。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。但しこの実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がないかぎりは、この発明の範囲をそれに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
【００３１】
図１は、本発明の実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法の説明図である。図１を用いて第１の方法を説明する。
同図（１）において、ガラス基板５には液晶駆動素子ＴＦＴもしくは配線コンタクト部３１が形成されている。このコンタクト部３１は、ガラス基板５にスパッタ法やＣＶＤ法などで金属、絶縁物もしくは半導体の薄膜を形成し、その上にスピンコーティング法でレジストを塗布し、高温で焼いてレジストを硬化させ、適宜マスクを紫外線で露光し、露光されたレジストを現像液によって取り去り、再度高温で焼いた後にエッチングでレジストで覆われていない部分の膜を取り去り、残っているレジストを剥離液で取り去るという工程を繰り返して形成したものである。
【００３２】
さて、図１（１）に記載するように、ガラス基板５の上にポリイミド（ＰＩ）などの熱可塑性樹脂である樹脂薄膜４をスピンコートした状態においては、重合反応が起こっていない。
【００３３】
（２）に示すように、  重合反応開始温度およびガラス転移温度を超え、かつ熱分解開始温度未満（ガラス転移温度＋１０℃以下が望ましい）で加熱（例えば３６０℃）し、樹脂薄膜４を重合および軟化させる。
（３）その状態で柔らかな樹脂薄膜４の上からスタンパ部３３によりプレス、もしくはエンボスロール３Ａを転動させ、樹脂薄膜４を押圧させた後、樹脂薄膜４をガラス転移温度未満（例えば３５０℃未満）に冷却し、
（４）に記載するようにスタンパ部を剥離すると、樹脂薄膜４の表面にはスタンパ部の反転パターンであるマイクロ凹凸パターン４０として転写される。
【００３４】
尚、該樹脂には、例えば会社名［日立化成デュポン（株）］製のポリイミドＰＩＸ−１４００（製品番号）を用いることができる。該樹脂は、ガラス転移温度が３５０℃、熱分解開始温度が４５０℃で、重合反応開始温度がガラス転移温度より低い熱可塑性樹脂である。
【００３５】
この後、図１（６）に示すように、樹脂４のパターン４０上にＡｇ、Ａｌなどの金属薄膜をスパッタ形成により堆積させ、反射膜２６を形成し、（７）に示すように該反射膜の上にポリイミドの絶縁膜３６をコートし、２００℃で焼成し、絶縁膜３６を安定化し、これによって反射板１が完成される。
【００３６】
本実施の形態は、樹脂薄膜をガラス転移温度が２００℃より高い温度のポリイミドを用い、反射膜上に絶縁膜を形成するために２００℃で焼成しているので、この焼成工程において、エンボス工程における残留応力によってマイクロ凹凸パターン形状がくずれることから防止することができる。
【００３７】
次に、樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する第２の凹凸パターン形成方法を図１を用いて説明する。第１の方法との相違点は、第１の方法が、重合反応開始温度およびガラス転移温度を超え、かつ熱分解開始温度未満（望ましくはガラス転移温度＋１０℃以下）で加熱し、樹脂薄膜を重合および軟化させてスタンパ部でマイクロ凹凸パターンを押圧形成したのに対して、第２の方法が、重合反応開始温度未満でスタンパ部によって押圧形成した後に、重合反応開始温度を超えかつガラス転移温度未満で重合させる点、第１の方法が樹脂薄膜にスタンパ部を押圧形成するエンボス工程の後に、冷却工程を必要としたのに対して第２の方法はこの冷却工程を省略した点、である。
なお、第１の方法が熱可塑性樹脂を使用していたのに対し、第２の方法では熱可塑性樹脂に限らず、会社名［株式会社チッソ］製の熱硬化性ポリアミドＰＩＳ５００１（製品番号）のような熱硬化性樹脂も使用することができる。該樹脂の重合反応開始温度は１２０℃、また熱分解開始温度は４５０℃であり、ガラス転移温度は熱分解開始温度より高い。
【００３８】
図１（１）は第１の方法と同じである。ガラス基板５の上にポリアミド（ＰＡ）などの熱硬化性樹脂である樹脂薄膜４をスピンコートした状態においては、重合反応が起こっていないか、また、重合反応が起こった割合が低く、ほぼ樹脂を構成する分子だけからなり、固相でも流動性を有し、弾性率が低い。
【００３９】
（２）に示すように樹脂薄膜４を熱硬化開始温度（重合反応開始温度）未満の温度（例えば１１０℃）で３〜１０分のプリベークを行い、溶剤を揮発させる。
【００４０】
（３）に示す柔らかな樹脂薄膜４の上からスタンパ部３３によりプレス、もしくはエンボスロール３Ａを転動させ、樹脂薄膜４を押圧させることは第１の方法と同じである。
この樹脂薄膜４は転写形状を保持できるほど弾性率が高く、流動性が低い状態にある。
（４）に記載するように重合反応開始温度未満（１２０℃未満）の状態でスタンパ部を剥離すると、樹脂薄膜４の表面にはスタンパ部の反転パターンであるマイクロ凹凸パターン４０が転写される。その後、（５）重合反応開始温度（１２０℃）を超えかつ（７）の配向膜（絶縁膜）形成温度（２００℃）を超え、さらにガラス転移温度未満となる温度２１０℃で焼成して、膜質を安定化する。反射膜形成工程（６）及び配向膜（絶縁膜）形成工程（７）に示す工程は第１の方法と同じである。
【００４１】
この第２の方法は、重合反応開始温度未満の温度で加熱しプリベークを行い、エンボス加工を行っているので、その状態で弾性率が高く、流動性が低いので、エンボス加工固定後に冷却しないでスタンパ部を外しても凹凸パターンの転写形状を保持でき、エンボス加工後は、樹脂の重合反応開始温度よりも高く、かつ温度ガラス転移温度未満でシンタリングをすることで、重合反応が起こり、弾性率が高く、流動性が低い膜質へ遷移するので、絶縁膜形成時に２００℃で加熱してもマイクロ凹凸パターン形状がくずれることがない。
【００４２】
図２は、第１実施の形態にかかる樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成するマイクロ凹凸パターン形成装置１Ａの要部説明図である。
同図において、セラミック、ガラス、プラスチック、アルミモリブデン、シリコン等で形成される不透明もしくは透明な基板５は、両面を研磨し、所定のウネリ、反り、平坦度を有している。反りは、数ｃｍ以内の曲率の場合許容される。すなわち、５５０×６５０ｍｍの基板の場合は４００μｍ以内である。そして、ウネリは４μｍ以内の曲率に、平滑度は数１０ｎｍ以内の曲率の凹凸に設定される。なお、基板５は液晶駆動素子などの電子デバイスがアレー状に形成されたものを用いても良い。
【００４３】
基板５上に、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）系などの樹脂薄膜４を略０．１μｍ〜略１００μｍ程度の厚さにスピンコートしている。樹脂薄膜４上方に配設されたスタンパ部３３は、Ｎｉ、ＡＬ、ＳＵＳ、Ｃｕ等の金属材料、セラミック、ガラス、シリコン、樹脂などの材料で形成されている。該スタンパ部３３は、板材の表面に直接彫刻、エッチング、印刷等によって凹凸パターンを形成してもよい。なお、樹脂薄膜４に用いられる樹脂は上記樹脂に限定されるものではない。例えばノボラック樹脂やフェノール系樹脂などを用いることができる。
【００４４】
該スタンパ部３３は基部３８に固定されている。そして、樹脂薄膜４を押圧成形するスタンパ部３３は加圧機構２に保持されるとともに、加圧機構２によって数ＭＰａ〜数千ＭＰａ程度の圧力が印加されるように構成されている。加圧機構２は油圧機構を用いて加圧するが、その他空圧機構、高弾性バネの反力、形状記憶合金の復元力などを用いてもよい。
【００４５】
基板５は転写ステージ７に真空吸着しているが、静電吸引、その他の保持手段により固着してもよい。
本第１実施の形態はこのように構成されているので、基板５を転写ステージ７に固着保持し、加圧機構２によりスタンパ部３３の凹凸パターンが樹脂薄膜４を押圧することによって、樹脂薄膜４上面にマイクロ凹凸パターンを形成する。
【００４６】
図３は、第２実施の形態にかかる樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成するマイクロ凹凸パターン形成装置１Ｂの要部説明図である。図２との形態との相違点は、基部３８とスタンパ部３３との間に、合成ゴムまたは波形の金属薄板、もしくはそれらの組み合わせからなる弾性体１０を介在し、基部３８、スタンパ部３３等にウネリ等の製作誤差があっても、それらを吸収し寸法精度のよい光学素子を製造することができる。
【００４７】
図４は、第３実施の形態にかかる樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成するマイクロ凹凸パターン形成装置１Ｃの要部説明図である。図２との形態との相違点は、円筒状に形成したエンボスロール部３Ａを用いた点である。
【００４８】
樹脂薄膜４を押圧成形するエンボスロール３Ａは加圧機構２に回転自在に保持されるとともに、加圧機構２によって数ＭＰａ乃至数千ＭＰａ程度の圧力が印加されるように構成されている。加圧機構２は油圧機構を用いて加圧するが、その他空圧機構、高弾性バネの反力、形状記憶合金の復元力などを用いてもよい。
【００４９】
転写ステージ７は該移動機構８内に配置されたリニアアクチュエータにより移動機構８Ａ上を左右動可能に配設されている。リニアアクチュエータの代わりに油圧、空圧シリンダ、モータとチェーン（もしくはベルト）の組み合わせを用いても良い。
【００５０】
本第３実施の形態はこのように構成されているので、基板５を転写ステージ７に固着保持し、図上右から左に移動すると、加圧機構２によりエンボスロール３の凹凸パターンが樹脂薄膜４を押圧するとともに、エンボスロール３Ａが時計方向に回転し、樹脂薄膜４上面に凹凸パターン４０を形成する。尚、本第３実施の形態は、樹脂薄膜４を一方側から他方側に移動してもよいことは勿論のことである。
【００５１】
この第３実施の形態は、エンボスロール部３Ａが樹脂薄膜４の表面を押圧するので、エンボスロール部３Ａの凹部３ａによって、樹脂薄膜４の表面を押圧することとなり、樹脂薄膜４内に気泡が存在してもエンボスロール部３Ａの凹部３ａにより樹脂薄膜４の移動方向とは逆方向に該気泡が押されて移動し、エンボスロール凸部３ｂによって樹脂部分が破れて気泡が外に漏れてマイクロ凹凸パターンが気泡によって変形して形成されることが減少する。
【００５２】
図５は、第４実施の形態にかかる樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成するマイクロ凹凸パターン形成装置１Ｄの要部説明図である。図４にかかる第３実施の形態との相違点は、エンボスロール部の構成である。すなわち、加圧機構２と連結するロール受３２を設け、該ロール受３２とエンボスロール部１３との間に金属若しくは樹脂からなる薄板１１による弾性部材を介在させたものである。尚、薄板１１の代わりに樹脂もしくは合成ゴムをロール受３２とエンボスロール部１３との間に配置してもよく、また液体、ゲルなどを封止したダンパ構造を用いることもできる。
【００５３】
かかる実施の形態によると、ロール受３２とエンボスロール部１３との間に弾性部材を介在させているので、エンボスロール部１３、ロール受３２等にウネリ等の製作誤差があっても、それらを吸収し寸法精度のよい光学素子を製造することができる。
【００５４】
図６は、本発明の第５実施の形態にかかる樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成するマイクロ凹凸パターン形成装置１Ｅの要部説明図である。  図２の第１実施の形態との相違点は、基部３８内にはヒータ部６Ｂが、また、転写ステージ７内にはヒータ部６Ａが内蔵されて樹脂薄膜４の温度を制御可能に構成した点である。
【００５５】
スタンパ部３３は基部３８に固定され、該基部３８内にはヒータ部６Ｂがスタンパ部３３のマイクロ凹凸パターンが形成されている略全域にわたって加熱可能に内蔵されている。
【００５６】
そして、転写ステージ７内には基板５を略全域にわたって加熱可能なヒータ部６Ａが内蔵されている。そして、基板５の周囲に温度センサ１５Ａが配設されている。尚、この温度センサ１５Ａは、基板５の周囲に複数配置しその部位の温度の平均値を用いて制御するのがよい。
該ヒータ部６Ａ及び前記ヒータ部６Ｂは、基板５の周囲に配置された温度センサ１５Ａの温度情報をもとに温度制御部２０によって所定温度に制御可能に構成されている。
【００５７】
本第５実施の形態はこのように構成されているので、基板５を転写ステージ７に固着保持し、加圧機構２によりスタンパ部３３の凹凸パターンが樹脂薄膜４を押圧することによって、樹脂薄膜４上面にマイクロ凹凸パターンを形成する。
【００５８】
本第５実施の形態は、基板５の周囲に配置した温度センサの温度情報をもとに樹脂薄膜４の温度を制御するので、マイクロ凹凸パターンの加工精度のよい、光学素子を製造することができる。
【００５９】
図７は、第６実施の形態にかかる樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成するマイク凹凸パターン形成装置１Ｆの要部説明図である。図４の第３実施の形態との相違点は、円筒状に形成したエンボスロール部１３内にヒータ部１６Ｃを配設して、該ヒータ部１６Ｃ及び転写ステージ７内に内蔵したヒータ部６Ａを温度制御部２０にて制御可能に構成し、エンボスロール部１３による樹脂薄膜４を押圧中に樹脂薄膜４を加熱するように構成したことである。
【００６０】
この第６実施の形態は、エンボスロール部１３内部に該エンボスロール部１３を内周側から加熱できるようにヒータ部１６Ｃが配設され、また、ヒータ部６Ａは転写ステージ７内に配設されている。これらのヒータ部は温度制御部２０によって温度センサ１５Ｂの検出温度を基にして制御される。これらヒート部のヒータは、電熱線ヒータ、高出力ランプ、セラミックヒータ等を用いることができる。これらのヒータによって、樹脂薄膜４の熱分布が均等になるように制御される。
【００６１】
尚、図示していないが、これ以外に、転写ステージ７、エンボスロール部及び加圧機構２、移動機構８Ａにはヒータ部と断熱する断熱性材料が用いられ、また、水冷、空冷などの冷却機構が備えられている。
【００６２】
この第６実施の形態は、エンボスロール部１３が樹脂薄膜４の表面を押圧するので、エンボスロール部１３の凹部３ａによって、樹脂薄膜４の表面を押圧することとなり、樹脂薄膜４内に気泡が存在してもエンボスロール部１３の凹部３ａにより樹脂薄膜４の移動方向とは逆方向に該気泡が押されて移動し、エンボスロール凸部３ｂによって樹脂部分が破れて気泡が外に漏れてマイクロ凹凸パターンが気泡によって変形して形成されることが減少する。
【００６３】
図８は、第７実施の形態にかかる樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成するマイクロ凹凸パターン形成装置１Ｇの要部説明図である。図７にかかる第６実施の形態との相違点は、エンボスロール部３Ａを保持する加圧機構２Ａを樹脂薄膜４を押圧中に上下動可能に構成するとともに、移動機構８Ａをエンボスロール回転軸方向移動機構８Ｂの上に載置してエンボスロール回転軸方向に移動可能に構成した点である。尚、ヒータ６Ａ、１６Ｃは説明の便宜上省略している。
【００６４】
この第７実施の形態は、このように構成しているので、転写ステージ７の移動中に加圧機構２Ａを上下動することによって、凹凸パターンを適宜間隔で適宜の量だけ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄのように形成することができる。よって、規則的に、また、任意に凹凸パターンを配置することができる。
【００６５】
図９は、第８実施の形態にかかる樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成するマイクロ凹凸パターン形成装置１Ｈの要部説明図である。
図８にかかる第７実施の形態との相違点は、樹脂薄膜４を押圧成形するスタンパ部３Ｂは加圧機構２に保持されるとともに、加圧機構２によって数ＭＰａ〜数千ＭＰａ程度の圧力が印加されるように構成されている。そして、加圧機構２を樹脂薄膜４を押圧中に上下動可能に構成する。尚、ヒータ６Ａ、１６Ｃは説明の便宜上省略している。
【００６６】
本第８実施の形態はこのように構成されているので、基板５を転写ステージ７に固着保持し、加圧機構２によりスタンパ部３Ｂの凹凸パターンが樹脂薄膜４を押圧することによって、樹脂薄膜４上面にマイクロ凹凸パターン４０（ａ〜ｄ）を形成する。
【００６７】
そして、この第８実施の形態は、転写ステージ７の移動中に加圧機構２を上下動することによって、凹凸パターンを適宜間隔で適宜の量だけ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄのように形成することができる。よって、規則的に、また、任意に凹凸パターンを形成することができる。
【００６８】
図１０は、第９実施の形態にかかる樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成するマイクロ凹凸パターン形成装置１Ｉの要部説明図であり、図８の改良例を示すものである。図８にかかる第７実施の形態との相違点は、転写ステージ７Ａと基板５との間に基板回転方向調整機構１６Ａを介在させるとともに、基板５上もしくは樹脂薄膜４上のアライメントマークを読みとり可能なアライメントマーク観察用光学装置２１（ａ〜ｄ）を有した加圧機構２Ｂを配設した点である。
【００６９】
よって、基板回転方向調整機構１６Ａには、基板５は真空吸着しているが、静電吸引、その他の保持手段により固着してもよい。
基板回転方向調整機構１６Ａは、転写ステージ７Ａ上に回動可能に保持されるとともに、図示しない位置に操作レバーが配設され、該操作レバーを操作することによって転写ステージ７Ａ上に固定される固定操作と、転写ステージ７Ａ上における固定が解除し回動が許容される解除操作とを操作可能に構成されている。
【００７０】
また、図示しない位置には微調整ダイアルが配置され、該微調整ダイアルを操作することによって、基板回転方向調整機構１６Ａが回動可能に構成され、基板回転方向調整機構１６Ａに設けられた指標１６ａと転写ステージ７Ａ上に設けられた移動量マーク７ａを用いて基板５の回動量調整の目安とすることができる。
なお、本実施の形態では基板回転調整機構１６Ａを転写ステージ７Ａと基板５との間に設けたが、基板回転方向調整機構１６Ａを介在させる位置はそれに限定されるものではない。例えば、エンボスロール回転軸方向移動機構１５の下部に設けてもかまわない。
【００７１】
また、基板回転方向調整機構１６内にはアライメントマーク観察用光学装置２１（ａ〜ｄ）に対応する位置に照明光源が配設されている。一方、加圧機構２Ｂの上面にはアライメントマーク観察用光学装置２１（ａ〜ｄ）によって樹脂薄膜４下方の基板５の表面に設けられたアライメントマークを読みとる観察窓２Ｂ（ａ〜ｄ）が設けられている。
【００７２】
次に、図１１を用いてアライメントマークを説明する。アライメントマークはカラー液晶表示装置を例にとると（ａ）（ｂ）に示すアライメントマーク５ａ、５ｂ、２２、２２は図示しないカラーフィルタ層と基板５に形成された液晶駆動素子３１との位置的一致を得るために設けられるものである。
【００７３】
図１１（ａ）に示す場合は、基板５にアライメントマーク用の凹部５ａ、５ｂを設け、該基板５の表面にスパッタ法で金属膜を形成し、その上にスピンコート法でレジストを塗布し、高温で焼いてレジストを硬化させ、適宜マスクを紫外線で露光し、露光されたレジストを現像液によって取り去り、再度高温で焼いた後にエッチングで覆われていない部分の膜を取り去り、残っているレジストを剥離液で取り去るという工程を繰り返してＴＦＴなどの液晶駆動素子３１を形成した後に、基板５の表面に樹脂薄膜４Ａをスピンコートしたものであり、樹脂薄膜４Ａは凹部５ａ、５ｂに侵入している。
【００７４】
また、図１１（ｂ）に示す場合は、基板５の表面に上述した方法で、ＴＦＴなどの液晶駆動素子３１とともにアライメントマーク２２、２２を形成した後に、基板５の表面に樹脂薄膜４Ｂをスピンコートしたものである。
【００７５】
（ｄ）に示すものは図１０の右方から視た、基板回転方向調整機構１６Ａと加圧機構２Ｂとの間の概略構成図である。
【００７６】
次にこのように構成された第９実施の形態の動作を図１０を用いて説明する。
アライメントマーク観察用光学装置２１（ａ〜ｄ）からのアライメントマークの投影像を観察窓２Ｂ（ａ〜ｄ）にて観察して、基板５に設けた前記したアライメントマーク２Ｂ（ａ〜ｄ）とアライメントマーク観察用光学装置２１（ａ〜ｄ）の基準位置がズレていると、エンボスロール回転軸方向移動機構１５及び／または基板回転方向調整機構１６を移動調整して、前記基準位置のズレが所定基準値内に一致させる。
【００７７】
そして、転写ステージ７を右方の初期位置に移動して、その初期位置において、加圧機構２Ｂを所定位置まで降下させるとともに、所定圧力にて押圧しながら、転写ステージ７を左行させて、凹凸パターン４０ａ、４０ｂ、４０ｃを形成する。
１回目の転写ステージ７の左行後に、加圧機構２Ｂは上昇して初期位置に復帰し、エンボスロール回転軸方向移動機構１５によって移動機構８Ａを図上手前側に所定量移動するとともに、転写ステージ７を右側の初期位置に復帰させる。そして、再度加圧機構２Ｂを所定位置まで降下させるとともに、所定圧力にて押圧しながら、転写ステージ７を左行させて、凹凸パターン４０ｄ〜を形成する。
【００７８】
尚、本実施の形態においては、４個のアライメントマーク観察用光学装置２１（ａ〜ｄ）を用いているが、１個または２個のアライメントマーク観察用光学装置２１を用いて、エンボスロール回転軸方向移動機構１５もしくは移動機構８Ａを駆動してアライメントマークの位置ズレを求め、基板回転方向調整機構１６を移動調整して、前記基準位置のズレを所定基準値内に一致させることもできる。
【００７９】
また、本実施の形態においては、観察窓にアライメントマークを投影しているが、ＣＣＤカメラなどを用いてモニタ画面による観察をおこなってもよい。
【００８０】
また、アライメントマークは、基板そのものをウエットエッチング、ドライエッチング、サンドブラスト加工、エンボス加工などにより直接加工してもよいが、基板表面に金属、絶縁体、樹脂等の薄膜をスパッタ、スピンコート、蒸着、ＣＶＤなどで形成し、その面をウエットエッチング、ドライエッチング、サンドブラスト加工、エンボス加工などにより加工してもよい。
【００８１】
また、本実施の形態においては、アライメントマークを基板５の表面に形成したが、エンボスロール３のアライメントマーク部と外れた部位に凹凸パターン部とともにアライメントマーク部を設け、アライメントマーク５ａ、５ｂ、または２２に対応する別のアライメントマーク部を樹脂薄膜５の表面に形成して、該アライメントマーク部をアライメントマーク観察用光学装置２１を用いて観察するように構成することも可能である。
【００８２】
図１２は、エンボスロール３Ａの代わりに図９で用いられるスタンパ部３Ｂを用いたものであり、他の構成は図１０と同じである。よって、アライメントマーク観察用光学装置２１（ａ〜ｄ）からのアライメントマークの投影像を観察窓２Ｂ（ａ〜ｄ）にて観察して、基板５に設けた前記したアライメントマーク２Ｂ（ａ〜ｄ）とアライメントマーク観察用光学装置２１（ａ〜ｄ）の基準位置がズレていると、エンボスロール回転軸方向移動機構１５及び／または基板回転方向調整機構１６Ｂを移動調整して、前記基準位置のズレが所定基準値内に一致させることができる。
【００８３】
そして、転写ステージ７を右方の初期位置に移動して、その初期位置において、加圧機構２を所定位置まで降下させて、所定圧力にて押圧した後に、転写ステージ７を左行させて、凹凸パターン４０ａ、４０ｂ、４０ｃを形成する。
１回目の転写ステージ７の左行後に、加圧機構２は上昇して初期位置に復帰し、エンボスロール回転軸方向移動機構１５によって移動機構８Ａを図上手前側に所定量移動するとともに、転写ステージ７を右側の初期位置に復帰させる。そして、再度加圧機構２を所定位置まで降下させるとともに、所定圧力にて押圧しながら、転写ステージ７を左行させて、凹凸パターン４０ｄ〜を形成する。
【００８４】
次に、図１３を用いて反射板下方側にアライメントマーク観察用装置を有する凹凸パターン形成装置を説明する。図１０に適用するうえでの図１０との相違点は、図１０においては加圧機構２Ｂ、基板回転方向調整機構１６Ａ、転写ステージ７Ａを用いているのに対して、図１３においては、加圧機構２Ｃ、基板回転方向調整機構１６Ｂ、転写ステージ７Ｂが用いられる点である。加圧機構２Ｃによって回転可能に配置されたエンボスロール３は、マイクロ凹凸パターンが形成されている外面にアライメントマーク３ｃ、３ｄが設けられている。基板５は基板回転方向調整機構１６Ｂに保持され、該基板回転方向調整機構１６Ｂには通孔１６Ｂａ、１６Ｂａが削設され、該通孔１６Ｂａ、１６Ｂａにはアライメントマーク観察用光学装置２９Ａａ、２９Ａｂが配設保持されている。そして、このアライメントマーク観察用光学装置２９Ａａ、２９Ａｂには光検出手段が配置され、該光検出手段は図示しないコンピュータを介してモニタ画面に接続している。
【００８５】
尚、このアライメントマーク観察用光学装置２９Ａａ、２９Ａｂは調整量を超える視野を有する場合は、転写ステージ７Ｂ側に保持されていてもよい。また、アライメントマーク観察用光学装置は、図１４（ａ）に示すように、エンボスロール３の外周面に配置したアライメントマーク３Ｃを視認可能な位置にアライメントマーク観察用光学装置２９Ｂを配置し、基板側のアライメントマーク２２を介して入射した光を検出可能に構成してもよい。また、図１３に示すように、アライメントマーク観察用光学装置を基板の下方に配置し、図１４（ｂ）のように樹脂薄膜４の外側からアライメントマーク３Ｃｃを介して入射した光を検出可能に構成してもよく、また、（ｃ）に示すように、アライメントマーク観察用光学装置２９Ｂからの光を直上のアライメントマーク２２を介してアライメントマーク３ｃに反射させ、その反射光を検出可能に構成してもよい。
【００８６】
次にこのように構成された本実施の形態の動作を説明する。
アライメントマーク観察用光学装置２９Ａａ、２９Ａｂからのアライメントマークの投影像を前記モニタにて観察して、基板５に設けた前記したアライメントマーク２２、とアライメントマーク観察用光学装置２９Ａａ、２９Ａｂの基準位置がズレていると、エンボスロール回転軸方向移動機構１５及び／または基板回転方向調整機構１６Ｂを移動調整して、前記基準位置のズレが所定基準値内に一致させる。
【００８７】
そして、転写ステージ７Ｂを初期位置に移動して、その初期位置において、加圧機構２を所定位置まで降下させるとともに、所定圧力にて押圧しながら、転写ステージ７Ｂ移動させて、エンボスロール３を転動させて凹凸パターンを形成する。
【００８８】
尚、本実施の形態においては、２個のアライメントマーク観察用光学装置２９Ａａ、２９Ａｂを用いているが、１個または４個のアライメントマーク観察用光学装置を用いて、エンボスロール回転軸方向移動機構１５もしくはエンボスロール回転方向移動機構８を駆動してアライメントマークの位置ズレを求め、基板回転方向調整機構１６Ｂを移動調整して、前記基準位置のズレを所定基準値内に一致させることもできる。
【００８９】
図１５は、不活性ガス雰囲気中における樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成するマイクロ凹凸パターン形成装置の要部説明図である。同図において、気密に構成されたチャンバ２３内に転写ステージ７が配置され、該転写ステージ７上には樹脂薄膜４がコートされた基板５が取り外し可能に保持されている。樹脂薄膜４の上方には加圧機構２が上下動及び左右動可能に配設され、該加圧機構２には（ａ）においてはスタンパ部３Ｂが取付られ、（ｂ）においては、エンボスロール３Ａが回転可能に取付られている。
【００９０】
チャンバ２３には排気部２４が該チャンバ２３内の気体を排気可能に配設されている。該排気部２４には換気扇、ロータリポンプ等が配置され、チャンバ２３内の気体をある程度排気可能に構成されている。また、チャンバ２３にはパージ部２５がチャンバ２３内に所定の気体を送入可能に配設されている。該パージ部２５には、Ｎ２、Ａｒなどの不活性ガスをチャンバ２３内に送入する機構として、マスフローコントローラ、ＡＰＣバルブなどのガス流量を制御する装置が配置されている。該パージ部２５は図示しない不活性ガスの供給源であるガスボンベもしくはガス精製装置に連結されている。
【００９１】
このように構成された本実施の形態は、樹脂薄膜４がスピンコートされた基板５を転写ステージ７上に固定する。次に、排気部２４を動作させ、チャンバ２３内の空気を排気する。排気部２４の動作を停止した後にパージ部２５を動作させ不活性ガスをチャンバ２３内に導入する。その後、加圧機構２をチャンバ２３内の左側の初期位置から所定圧力で右側に移動させることによって、樹脂薄膜４には凹凸パターンが形成される。
【００９２】
本実施の形態によると、予め排気部２４によってチャンバ２３内の空気を排気するので、
チャンバ内の空気中に含まれる酸素や不純物が排気され、清浄な不活性ガスの雰囲気内で凹凸パターンを形成するので、樹脂薄膜の酸化や変質が防止でき、さらに凹凸パターン形成中にその不純物が樹脂薄膜に付着して凹凸パターン上に固着するのを防止でき、光学素子の製造の歩留まりを向上することができる。
【００９３】
尚、本実施の形態は加圧機構２を左右動可能に構成したが、エンボスロール回転方向移動機構８を用いて転写ステージ７を移動させたり、また、基板回転方向調整機構１６を用いてもよいことは勿論のことである。
【００９４】
図１６は、減圧雰囲気中における樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。図１５との相違点は、チャンバ２３内を不活性ガス雰囲気の代わりに大気圧未満の減圧雰囲気で光学素子を製造する点である。
【００９５】
チャンバ２３に連結される排気部２４には、ロータリポンプ、ターボポンプ、ディフージョンポンプ等が配置され、チャンバ２３内の圧力を、１０−３〜１０−７Ｔｏｒｒに気体を排気可能に構成されている。また、チャンバ２３にはパージ部２５によって、Ｎ２、Ａｒなどの不活性ガスをチャンバ２３内に送入してもよいが、不活性ガスを導入しないままで光学素子を製造してもよい。
【００９６】
本実施の形態によると、予め排気部２４によってチャンバ２３内の空気を排気するので、
チャンバ内の空気中に含まれる酸素や不純物が排気され、清浄な不活性ガスの雰囲気内で凹凸パターンを形成することができる。
そして、特に、チャンバ内を減圧させた場合は、水分も容易に気化して排気されるので、型材と樹脂薄膜との間に空気が捕らわれることがなくなり、凹凸パターン形成中に浮遊する不純物、水蒸気等が樹脂薄膜４に付着して凹凸パターン上に固着するのを防止できる。
さらに、樹脂薄膜の酸化や変質が防止でき、気泡のない凹凸パターンが形成できるので、気泡は加圧時にダンパとして働くため、加圧力を大きくする必要が生じていたが、気泡がなくなることで加圧力を小さくできるので、凹凸パターンの残留応力が低減できる。すなわち、光学素子の製造の歩留まりを向上することができる。
【００９７】
上述した実施の形態により図１７に示すような、基板上の樹脂薄膜にマイクロ凹凸パターンを形成することができる。このようにして得られたマイクロ凹凸パターンを有する樹脂薄膜を備えた光学素子は、凹凸パターン形状、樹脂薄膜の材質、基板の材質などを適宜選定することにより、例えば、透明回折格子基板、ホログラム、光ディスクなどの光記憶媒体、フレネルレンズ、マイクロレンズアレー、光導波管等として用いることができる。
【００９８】
また、このような基板の凹凸パターン面をスパッタ、蒸着などでＡｌ、Ａｇ、Ａｌ合金、Ａｇ合金などの高反射率材料を２０００Å程度堆積させて反射膜２６を形成すると図１８に示すような反射板を製造することができる。
【００９９】
尚、この際には、前記反射膜２６と樹脂薄膜４との間にＴｒ、Ｃｒ、Ｓｉなどの間接膜を積層する、すなわち、予め前記間接膜を凹凸パターン面にコートした後に、前記反射膜２６を形成することによって樹脂薄膜と反射膜との密着性を向上することができる。
【０１００】
この反射板は、ホログラム、フレネルミラー、マイクロミラーアレイ等の光学素子として用いることができる。また、前記反射膜２６を金属薄膜で形成し、その表面を絶縁膜、例えば、透明のポリイミドやアクリル系樹脂などの樹脂薄膜でスピンコートにより平坦化して封止することにより、ＳＴＮなどの液晶表示装置の電極基板として用いることができる。
【０１０１】
図１９は、液晶表示装置の一実施の形態を説明する図である。基板５は無アルカリガラス、もしくは高耐熱性樹脂などで成型され、表面には例えばＴＦＴなどの液晶駆動素子３１が形成されている。
【０１０２】
なお、本実施の形態の反射板は反射型液晶表示装置に限らず、その他の反射型表示装置にも用いることができる。また、図示しないが、バックライト光源のパワーを少なくしたり、液晶パネル以外のところから入射光を取り入れる、いわゆる半透過型液晶表示装置にも用いることができる。
【０１０３】
尚、ここでは反射板の表面に凹凸パターンを形成し、各凹凸の表面で入射光を反射させる表面反射型の反射板を説明したが、基板をガラスや透明樹脂などで形成し、基板の裏面に形成した凹凸パターンによって入射光を反射させるようにした裏面反射型の反射板でもよい。
【０１０４】
このように構成された反射板１を備えた反射型液晶表示装置は、携帯電話や弱電力型無線機器などの電子機器のディスプレイ用に用いることが可能である。
尚、本実施の形態は、前記した電子機器のみではなく、電子手帳、携帯用コンピュータ、携帯用テレビなどの携帯情報端末に応用できることは勿論のことである。
【０１０５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、前記基板上にコートされる樹脂薄膜の温度をガラス転移温度を超えかつ熱分解開始温度未満に制御してマイクロ凹凸パターンを形成しているので、後の配向膜形成工程で２００℃のシンタリングを行ってもマイクロ凹凸パターンが崩れることがない。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成方法の説明図である。
【図２】  第１実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。
【図３】  第２実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。
【図４】  第３実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。
【図５】  第４実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。
【図６】  第５実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。
【図７】  第６実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。
【図８】  第７実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。
【図９】  第８実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。
【図１０】  第９実施の形態にかかる樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。
【図１１】  反射板下方に液晶駆動素子用アライメントマークを有する基板を用いた場合の樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図（１）である。
【図１２】  反射板下方に液晶駆動素子用アライメントマークを有する基板を用いた場合の樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図（２）である。
【図１３】  反射板下方側にアライメントマーク観察用装置を有する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。
【図１４】  アライメントマーク観察用装置の観察方法を説明する説明図である。
【図１５】  不活性ガス雰囲気中における樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。
【図１６】  減圧雰囲気中における樹脂薄膜に凹凸パターンを形成する凹凸パターン形成装置の要部説明図である。
【図１７】  凹凸パターンを有する樹脂薄膜を備えた基板を説明する図である。
【図１８】  凹凸パターン面に反射膜をコートした反射板を説明する図である。
【図１９】  液晶表示装置の一実施の形態を説明する図である。
【図２０】  従来の凹凸パターンを形成する方法を説明する説明図である。
【符号の説明】
１      反射板
２      加圧機構（加圧手段）
４      樹脂薄膜
５      基板
７      転写ステージ
２０    温度制御部
３３    スタンパ部（型材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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