(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空に排気されるものであって薄膜形成用の原料ガスが導入される成膜室容器と、この成膜室容器に絶縁物を介在させて隣接かつ連通していてプラズマ生成用ガスが導入されるプラズマ室容器と、このプラズマ室容器内でプラズマ生成用ガスを電離させてプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記プラズマ室容器と成膜室容器との間を仕切るように設けられていてプラズマ室容器と同電位の多孔電極と、この多孔電極に対向するように前記成膜室容器内に設けられていて多孔電極に向けて基板を保持する基板ホルダと、前記プラズマ室容器およびそれと同電位の多孔電極と基板ホルダとの間に、多孔電極側を正極性にして直流電圧を印加する直流電源と、前記基板ホルダ上の基板の表面近傍に設けられていて電子および熱を放出して前記原料ガスを活性化するフィラメントと、このフィラメントを加熱するフィラメント電源とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記フィラメントを、コイル状に巻きかつ前記基板ホルダ上の基板の周囲を取り囲むように配置している請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
前記フィラメント電源は、前記フィラメントを１６００℃〜２０００℃に加熱するものである請求項１または２記載の薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、ＣＶＤ（化学気相成長）法によって基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置に関し、より具体的には、基板を高温に加熱しなくても結晶性の良好な薄膜の形成を可能にする手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイを構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、半導体集積回路、太陽電池等を製造するために、基板上に結晶性を有する薄膜、例えばシリコン薄膜を形成することが行われている。
【０００３】
このような結晶性を有する薄膜の形成には、▲１▼熱によって原料ガスを活性化する熱ＣＶＤ法、▲２▼プラズマによって原料ガスを活性化するプラズマＣＶＤ法、▲３▼真空蒸着に電子ビーム蒸発源を用いる電子ビーム蒸発法、▲４▼ターゲットをスパッタして薄膜を形成するスパッタ法、等が用いられている。また近年は、上記方法で成膜したアモルファス状または結晶性の低い薄膜を高温の熱処理によって再結晶化させることで、結晶性を有する薄膜を得ることも行われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、熱ＣＶＤ法では、通常は基板を８００℃程度以上の高温に加熱する必要があるため、軟化点が８００℃以下の基板に成膜することはできない。
【０００５】
プラズマＣＶＤ法は、熱ＣＶＤ法よりも基板温度が低くても良いけれども、それでも６００℃程度以上の基板温度が必要である。しかもプラズマＣＶＤ法では、基板がプラズマに曝されてプラズマ中に存在する様々なエネルギーを持つ（即ちエネルギーの不揃いな）イオンが基板に入射するため、しかも成膜中常に入射するのでイオン入射が過多になるため、基板上の薄膜の結晶成長が妨げられたり、膜中にダメージ（欠陥）が発生したりして、結晶性の良好な薄膜を形成することが困難である。
【０００６】
電子ビーム蒸着法やスパッタ法でも、薄膜の結晶性を良くするためには、７００℃程度以上の基板温度が必要である。
【０００７】
いずれの方法の場合も、基板は上記のような高温度に耐える必要があるので、基板の種類が限定される。例えば、低融点ガラス基板のような、軟化点が６００℃以下の安価な基板に成膜することはできない。
【０００８】
成膜後に熱処理を行う場合は、成膜と熱処理という２段階処理になるため、工程が増えて生産性が低下する。
【０００９】
また、熱処理は、８００℃程度以上の高温度で比較的短時間の熱処理を行う場合と、６００℃程度で長時間（例えば２０時間以上）の熱処理を行う場合とがあるけれども、いずれの場合も基板温度が高いので、やはり基板の種類が限定される。かつ後者の場合は、熱処理時間が長くかかるので生産性（スループット）が一層低下する。
【００１０】
そこでこの発明は、基板を高温に加熱しなくても結晶性の良好な薄膜を形成することができる薄膜形成装置を提供することを主たる目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明の薄膜形成装置は、真空に排気されるものであって薄膜形成用の原料ガスが導入される成膜室容器と、この成膜室容器に絶縁物を介在させて隣接かつ連通していてプラズマ生成用ガスが導入されるプラズマ室容器と、このプラズマ室容器内でプラズマ生成用ガスを電離させてプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記プラズマ室容器と成膜室容器との間を仕切るように設けられていてプラズマ室容器と同電位の多孔電極と、この多孔電極に対向するように前記成膜室容器内に設けられていて多孔電極に向けて基板を保持する基板ホルダと、前記プラズマ室容器およびそれと同電位の多孔電極と基板ホルダとの間に、多孔電極側を正極性にして直流電圧を印加する直流電源と、前記基板ホルダ上の基板の表面近傍に設けられていて電子および熱を放出して前記原料ガスを活性化するフィラメントと、このフィラメントを加熱するフィラメント電源とを備えることを特徴としている。
【００１２】
上記構成によれば、フィラメントから放出される電子および熱によって、基板の表面近傍において原料ガスが励起、活性化されて励起活性種が作られ、これが基板の表面に堆積して薄膜が形成される。
【００１３】
一方、プラズマ室容器および多孔電極に直流電源から正極性の直流電圧を印加することによって、プラズマ室容器内のプラズマから多孔電極を通してイオン（正イオン）が引き出されて基板に照射される。しかもこのイオンのエネルギーは、実質的に上記直流電圧の大きさで決まるので、エネルギーの揃ったイオンを基板に入射させることができる。また、基板に入射するイオンの量は、プラズマ室容器内で生成するプラズマ密度を制御する以外に、上記直流電圧の大きさによっても制御することができる。これは、多孔電極を通して引き出されるイオンの量は、当該多孔電極に印加する上記直流電圧の大きさの３／２乗に比例するからである。
【００１４】
このようにして、基板に入射するイオンのエネルギーを揃えると共に、当該イオンのエネルギーおよび基板への入射量の制御が可能になり、これによって基板上に形成される薄膜の結晶化を促進して、薄膜の結晶性を向上させることが可能になる。結晶化が促進されるのは、照射イオンのエネルギーを基板上に堆積した膜に与えて励起することができるからである。
【００１５】
その結果、基板を高温に加熱しなくても、結晶性の良好な薄膜を形成することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明に係る薄膜形成装置の一例を示す断面図である。この薄膜形成装置は、図示しない真空排気装置によって真空に排気される成膜室容器２を備えている。この成膜室容器２は、この例では上面に開口部３を有している。この成膜室容器２は、この例では電気的に接地されており、接地電位にある。
【００１７】
成膜室容器２内には、その上記開口部３に向けて、即ち後述する多孔電極３４に対向するように、基板ホルダ８が設けられている。この基板ホルダ８は、その上面に、即ち多孔電極３４に向くように、基板１０を保持する。この基板ホルダ８は、この例では導体から成り、かつ電気的に接地されていて、接地電位にある。基板ホルダ８の内部またはその裏面近傍には、この例では基板１０を加熱するヒータ９が設けられている。
【００１８】
成膜室容器２内には、原料ガス導入手段によって、具体的にはこの例ではガス導入管４を通して、薄膜形成用の原料ガス６が導入される。原料ガス６は、基板１０上に形成しようとする薄膜を構成する元素を含むガスである。例えば、シリコン薄膜を形成する場合は、シリコンを含むシリコン系ガスである。より具体的には、ＳiＨ4 、Ｓi2Ｈ6 等の水素化シリコンガス、ＳiＦ6 等のフッ化シリコンガス、ＳiＣl4等の塩化シリコンガス、またはこれらの混合ガス、またはこれらの水素希釈ガスである。
【００１９】
原料ガス６は、基板１０の表面近傍のガス圧が１×１０-2Ｔｏｒｒ〜１×１０-6Ｔｏｒｒの範囲内になるように導入するのが好ましい。通常のＣＶＤ法のガス圧は、１Ｔｏｒｒ〜数百Ｔｏｒｒであるから、上記ガス圧はこれよりもかなり低い。このようなガス圧にすれば、後述する多孔電極３４と基板１０との間におけるイオン３６の平均自由行程を十分に確保して、基板１０に対するイオン照射効果を十分に確保することができる。しかも、基板１０の表面近傍において生成される励起活性種が基板表面に沿って均一に分散しやすくなるので、膜厚の均一性を高めることができ、より大面積の基板１０への成膜が可能になる。更に、ガス圧が低いので、気相中の反応が抑制され、成膜室容器２の内壁に付着する堆積物（ごみ）を減らすことが可能になり、メンテナンスが容易になる。
【００２０】
基板ホルダ８上の基板１０の表面近傍には、電子および熱を放出して基板１０の表面近傍で原料ガス６を励起、活性化するフィラメント１２が設けられている。この原料ガス６の活性化を達成するために、フィラメント１２は、フィラメント電源１６によって、例えば１６００℃〜２０００℃に加熱される。１４は絶縁物である。フィラメント電源１６は、交流電源でも良いし、直流電源でも良い。
【００２１】
フィラメント１２は、例えば金属線（金属ワイヤ）から成る。このフィラメント１２は、上記のような高温に加熱されるため、例えばタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、バナジウム（Ｖ）等の高融点金属で形成するのが好ましい。
【００２２】
フィラメント１２は、例えば図２に示す例のように、コイル状（螺旋状）に巻いた形状にすると共に、基板ホルダ８上の基板１０の周囲の近くを取り囲むように配置するのが好ましい。そのようにすれば、多孔電極３４から引き出されたイオン３６が基板１０に入射するのを妨げない。しかも、基板１０の表面近傍において原料ガス６を効率良く、かつ均一性良く活性化することができるので、基板１０上に効率良く、かつ均一性良く薄膜を形成することができる。なお、基板１０の形状は、図２に示す例のように四角形でも良いし、円形でも良い。いずれにしても、フィラメント１２は、当該基板１０に沿って基板１０を取り囲むように配置するのが好ましい。
【００２３】
図１に戻って、成膜室容器２の上記開口部３には、環状の絶縁物１８を介在させて、プラズマ室容器２０が隣接されている。このプラズマ室容器２０は、この例では筒状をしていて、その下面に開口部２１を有しており、この開口部２１および上記開口部３を通して成膜室容器２に連通している。このプラズマ室容器２０内に、ガス導入管２２を通して、プラズマ生成用ガス２４が導入される。プラズマ生成用ガス２４は、プラズマ室容器２０内の圧力が例えば１０-2〜１０-4Ｔｏｒｒ程度になるように導入される。
【００２４】
プラズマ生成用ガス２４には、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の不活性ガスや、水素ガス（Ｈ2 ）、フッ素ガス（Ｆ2 ）、フッ化水素（ＨＦ）等の反応性ガス、またはこれらの混合ガスを用いるのが好ましい。
【００２５】
プラズマ生成用ガス２４に上記不活性ガスを用いれば、イオン３６として不活性ガスイオンを引き出して基板１０に照射することができ、この不活性ガスイオンによって、薄膜の結晶化を促進するエネルギーを、薄膜の組成に影響を与えることなく薄膜に与えることができる。より具体的には、薄膜がシリコン薄膜の場合、不活性ガスイオンによって、アモルファスシリコンを形成するＳｉ−Ｈの結合を切りつつ、Ｓｉに運動エネルギーを与えて結晶化を促進することができる。
【００２６】
プラズマ生成用ガス２４に上記反応性ガスを用いれば、イオン３６として当該反応性ガスイオンを引き出して基板１０に照射することができ、この反応性ガスイオンによって、基板表面に形成される薄膜中のアモルファス相のエッチングによる除去と、薄膜中のダングリングボンドまたは欠陥の低減とを行うことができる。より具体的には、薄膜がシリコン薄膜の場合、反応性ガスイオンによって、Ｓｉ−Ｈの結合を化学反応と運動エネルギーの両方によって切りつつ、Ｓｉに運動エネルギーを与えて結晶化を促進することができる。従って、より結晶性の良好な薄膜の形成が可能になる。プラズマ生成用ガス２４に上記不活性ガスと反応性ガスとの混合ガスを用いれば、両者の上記作用を併用することができる。
【００２７】
この例では、次のような高周波電極２６および高周波電源２８等によって、プラズマ室容器２０内でプラズマ生成用ガス２４を電離させてプラズマ３２を生成するプラズマ生成手段を構成している。即ち、プラズマ室容器２０内に、当該プラズマ室容器２０から電気的に絶縁して、高周波電極２６を設けている。３１は絶縁物である。この高周波電極２６は、この例では板状をしており、プラズマ室容器２０内の天井近くに配置している。この高周波電極２６とプラズマ室容器２０との間に、整合回路３０を介して高周波電源２８を接続しており、この高周波電源２８から高周波電極２６とプラズマ室容器２０との間に高周波電力が供給される。これによって、高周波電極２６とプラズマ室容器２０間で高周波放電を生じさせて、プラズマ室容器２０内においてプラズマ生成用ガス２４を電離させてプラズマ３２を生成することができる。高周波電力の周波数は、例えば１３．５６ＭＨｚ、５０ＭＨｚあるいは６０ＭＨｚ等である。
【００２８】
但し、プラズマ生成手段は、上記以外に、プラズマ室容器２０内にマイクロ波、紫外線またはレーザ光を導入してそれによってプラズマ生成用ガス２４を励起してプラズマ３２を生成するものでも良い。
【００２９】
プラズマ室容器２０の開口部２１付近に、プラズマ室容器２０と成膜室容器２との間を仕切るように、多数の孔（小孔）を有する多孔電極３４を設けている。この多孔電極３４は、プラズマ室容器２０に電気的に接続されていてプラズマ室容器２０と同電位にある。この多孔電極３４は、多数の孔を有する板状の電極でも良いし、多数の孔を有する網状のメッシュ電極でも良い。メッシュ電極の方が、開口率を上げやすいので好ましい。
【００３０】
更に、プラズマ室容器２０およびそれと同電位の多孔電極３４とアース（接地電位部）との間に直流電源３８を接続して、この直流電源３８からプラズマ室容器２０および多孔電極３４と基板ホルダ８との間に、多孔電極３４側を正極性にして直流電圧ＶD を印加することができるようにしている。この直流電圧ＶD の大きさは、１０Ｖ〜１０００Ｖの範囲内が好ましい。１０Ｖ未満だと、引き出すイオン３６のエネルギーが小さくなり過ぎて、イオン照射による薄膜の結晶化促進効果が十分に得られない。１０００Ｖを超えると、照射イオンのエネルギーが大きくなり過ぎて、かえって薄膜にダメージを与えて結晶性を低下させるようになる。
【００３１】
この薄膜形成装置によれば、フィラメント１２から放出される電子および熱によって、基板ホルダ８上の基板１０の表面近傍において原料ガス６が励起、活性化されて励起活性種が作られ、これが基板１０の表面に堆積して薄膜が形成される。例えば、原料ガス６が前述した水素希釈のシラン（ＳiＨ4 ／Ｈ2 ）の場合、ＳiＨ2* 、ＳiＨ3* 等のラジカルが基板１０に堆積してシリコン薄膜を形成する。しかもこのとき、プラズマＣＶＤ法の場合と違って基板１０をプラズマに曝す訳ではないので、プラズマＣＶＤ法の場合に問題となっていた、エネルギーの不揃いなイオンが基板１０に過多に入射するのを防止することができる。
【００３２】
一方、プラズマ室容器２０および多孔電極３４に直流電源３８から正極性の直流電圧ＶD を印加することによって、プラズマ室容器２０内のプラズマ３２から多孔電極３４を通してイオン（正イオン）３６が引き出されて、基板ホルダ８上の基板１０に照射される。しかもこのイオン３６のエネルギーは、実質的に上記直流電圧ＶD の大きさで決まるので、エネルギーの揃ったイオン３６を基板１０に入射させることができる。また、基板１０に入射するイオンの量は、プラズマ室容器２０内で生成するプラズマ密度を制御する以外に、上記直流電圧ＶD の大きさによっても制御することができる。これは、多孔電極３４を通して引き出されるイオン３６の量は、当該多孔電極３４に印加する上記直流電圧ＶD の大きさの３／２乗に比例するからである。
【００３３】
このようにして、基板１０に入射するイオン３６のエネルギーを揃えると共に、当該イオン３６のエネルギーおよび基板１０への入射量の制御が可能になり、これによって、基板１０上に形成される薄膜の結晶化を促進して、薄膜の結晶性を向上させることが可能になる。結晶化が促進されるのは、照射イオンのエネルギーを基板１０上に堆積した膜に与えて励起することができるからである。
【００３４】
その結果、基板１０を従来のように高温に加熱しなくても、結晶性の良好な薄膜を形成することができる。例えば、基板１０の温度が４００℃以下という低温で、基板１０上に結晶性の良好な多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）薄膜を形成することも可能になる。その結果、基板１０の種類の選択範囲が広がり、例えば低融点ガラス基板のような安価な基板上にも良好な結晶性を有する薄膜を形成することが可能になる。また、成膜工程のみによって結晶性の良好な薄膜の形成が可能になるので、従来用いられていた、成膜後に薄膜に熱処理を加えて結晶化させるという２段階処理を省くことが可能になり、処理工程の低減および生産性の向上を図ることも可能になる。また、結晶性を高めるために成膜後に熱処理を行う場合でも、熱処理の低温化や処理時間の短縮が可能になる。
【００３５】
しかも、通常はイオン照射によって基板１０の表面が正にチャージアップ（帯電）する可能性があるけれども、この装置ではフィラメント１２から放出される熱電子によってイオンの正電荷を中和することができるので、イオン照射に伴う基板１０のチャージアップを抑制することが可能になる。その結果、基板１０に入射するイオン３６を押し戻す（即ち当該イオン３６のエネルギーを低下させる）作用を抑えることができるので、基板１０に目的どおりのエネルギーでイオン３６を入射させることが可能になり、イオン照射による薄膜の結晶化促進効果をより確実なものにすることが可能になる。特に、基板１０が絶縁物の場合や、基板１０の表面に絶縁性の薄膜を形成する場合は、イオン照射に伴って基板１０の表面がチャージアップしやすいので、上記のようにして熱電子を基板１０に入射させる効果は著しい。
【００３６】
また、この薄膜形成装置では、成膜前、成膜中または成膜後に基板１０にイオン３６を照射することもでき、その際に任意にイオン３６のエネルギーやイオン種等の選択が可能であるので、基板の表面励起、薄膜中の応力制御、薄膜の結晶性制御、結晶粒径制御、結晶配向制御、密着力制御等、従来の熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法等では不可能な制御も可能になる。
【００３７】
【実施例】
図１に示した装置を用いて、実施例として、基板１０上にシリコン薄膜を表１に示す条件で形成した。
【００３８】
【表１】
基板：無アルカリガラス基板
基板温度：４００℃
成膜膜厚：１００ｎｍ
フィラメント：タングステンワイヤ
その加熱温度：１７００℃
原料ガス：ＳiＨ4 （５０％）／Ｈ2 
基板の表面近傍のガス圧：１×１０-4Ｔｏｒｒ
高周波電力の周波数：１３．５６ＭＨｚ
プラズマ生成用ガス：Ｈ2 
印加直流電圧：５００Ｖ
【００３９】
また、比較例１として、図１と同様の装置で、フィラメント１２、フィラメント電源１６、多孔電極３４および直流電源３８を設けずに、プラズマ室容器２０内で生成したプラズマ３２を基板ホルダ８上の基板１０の近傍に拡散させてシリコン薄膜を形成した。即ち、フィラメント１２を設けず、かつイオン照射も行わず、通常のプラズマＣＶＤ法と同様にして成膜した。このときは、プラズマ室容器２０内にプラズマ生成用ガス２４兼原料ガス６としてＳiＨ4 （５０％）／Ｈ2 を、プラズマ室容器２０内の圧力が２×１０-1Ｔｏｒｒになるように導入した。その他は上記実施例と同様の条件とした。
【００４０】
更に、比較例２として、図１と同様の装置で、フィラメント１２およびフィラメント電源１６を設けずに、プラズマ室容器２０内で生成したプラズマ３２から多孔電極３４を通してイオン３６を引き出してそれを基板１０に照射した。このときも、プラズマ室容器２０内にプラズマ生成用ガス２４兼原料ガス６としてＳiＨ4 （５０％）／Ｈ2 を、プラズマ室容器２０内の圧力が２×１０-1Ｔｏｒｒになるように導入した。その他は上記実施例と同様の条件とした。この場合に基板１０上にシリコン薄膜が形成されるのは、基板１０を多孔電極３４の近くに配置することによって、プラズマ３２中で生成したラジカルが多孔電極３４の孔を通して基板１０の表面にまで拡散して堆積するからである。
【００４１】
上記条件で形成したシリコン薄膜の結晶性を、レーザーラマン分光法およびＸ線回折法（ＸＲＤ）によって測定した。
【００４２】
ラマン分光法では、図３に示すように、比較例１で得られた薄膜は、ラマンシフト４８０ｃｍ-1付近がやや高いなだらかなスペクトルが得られており、これはアモルファス構造であることを示している。比較例２で得られた薄膜は、ラマンシフト５１５〜５２０ｃｍ-1付近に、小さいピークが出現しており、これはシリコン薄膜が弱く結晶化していることを示している。これに対して、実施例で得られた薄膜は、ラマンシフト５１５〜５２０ｃｍ-1付近に大きなピークが出現しており、これはシリコン薄膜が強く結晶化していることを示している。このことから、フィラメント１２およびイオン照射を併用することによって、シリコン薄膜の結晶化促進に大きな効果を奏することが分かる。
【００４３】
ＸＲＤでも、上記とほぼ同様の結果が得られた。即ち、比較例１で得られた薄膜がアモルファス構造であり、比較例２で得られた薄膜の結晶化を示すピークが弱かったのに対して、実施例で得られた薄膜は、立方晶構造のシリコンの（１１１）面（２θ＝２８．２°）および（２２０）面（２θ＝４７．２°）を示す明確なピークを検出し、結晶性を確認した。その結晶サイズは、Ｘ線回折線の半値幅から、１００Å〜２０００Åの結晶粒であることを確認した。
【００４４】
【発明の効果】
以上のようにこの発明によれば、フィラメントから放出させた電子および熱によって原料ガスを活性化して基板上に薄膜を形成すると共に、プラズマ室容器内のプラズマから多孔電極を通してイオンを引き出してそれを上記薄膜に照射することができ、このイオン照射によって薄膜の結晶化を促進することができるので、基板を高温に加熱しなくても結晶性の良好な薄膜を形成することができる。
【００４５】
その結果、基板の種類の選択範囲が広がり、例えば低融点ガラス基板のような安価な基板上にも良好な結晶性を有する薄膜を形成することが可能になる。また、成膜工程のみによって結晶性の良好な薄膜の形成が可能になるので、従来用いられていた、成膜後に薄膜に熱処理を加えて結晶化させるという２段階処理を省くことが可能になり、処理工程の低減および生産性の向上を図ることも可能になる。また、より結晶性を高めるために成膜後に熱処理を行う場合でも、熱処理の低温化や処理時間の短縮が可能になる。
【００４６】
しかも、通常はイオン照射によって基板の表面が正にチャージアップする可能性があるけれども、この装置ではフィラメントから放出される熱電子によってイオンの正電荷を中和することができるので、イオン照射に伴う基板のチャージアップを抑制することが可能になる。その結果、基板に入射するイオンを押し戻す作用を抑えることができるので、基板に目的どおりのエネルギーでイオンを入射させることが可能になり、イオン照射による薄膜の結晶化促進効果をより確実なものにすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に係る薄膜形成装置の一例を示す断面図である。
【図２】フィラメントの配置の一例を示す平面図である。
【図３】ガラス基板上に形成したシリコン薄膜のラマンスペクトルの測定結果の一例を示す図である。
【符号の説明】
２  成膜室容器
６  原料ガス
８  基板ホルダ
１０  基板
１２  フィラメント
１６  フィラメント電源
１８  絶縁物
２０  プラズマ室容器
２４  プラズマ生成用ガス
２６  高周波電極
２８  高周波電源
３２  プラズマ
３４  多孔電極
３６  イオン
３８  直流電源
【図１】
0003991446.tif 000002
【図２】
0003991446.tif 000003
【図３】
0003991446.tif 000004