(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト膜のパターンの形成面上に、少なくとも第１の波長の光に対して透過性であるカバーフイルム付きの上記第１の波長の光に感光する第１レジスト膜を当該第１レジスト膜側から貼り合わせて形成する工程と、
上記カバーフイルム上に、上記第１の波長の光に対して不透過性であり、上記第１の波長と異なる第２の波長の光に感光する第２レジスト膜を形成する工程と、
上記第２の波長の光により、液晶マスクを用いて、上記第２レジスト膜をパターン露光する工程と、
上記第２レジスト膜を現像する工程と、
上記第１の波長の光を上記カバーフイルムを透過させて、上記現像された第２レジスト膜をマスクとして、上記第１レジスト膜をパターン露光する工程と、
上記第２レジスト膜を上記カバーフイルムと同時に除去する工程と、
上記第１レジスト膜を現像する工程とを有し、
上記レジスト膜のパターンの形成面上にレジスト膜をパターン形成する
レジスト膜のパターン形成方法。
【請求項２】
上記第１の波長の光が紫外光領域の光であり、
上記第２の波長の光が可視光領域の光である
請求項１に記載にレジスト膜のパターン形成方法。
【請求項３】
上記第２レジスト膜をパターン露光する工程においては、上記液晶マスクを用いて、直接投影法により露光する
請求項１に記載のレジスト膜のパターン形成方法。
【請求項４】
上記第２レジスト膜をパターン露光する工程においては、上記液晶マスクを用いて、ホログラム法により露光する
請求項１に記載のレジスト膜のパターン形成方法。
【請求項５】
上記第２レジスト膜をパターン露光する工程においては、上記液晶マスクを用いて、位相コントラスト法により露光する
請求項１に記載のレジスト膜のパターン形成方法。
【請求項６】
上記第１の波長の光に感光する第１レジスト膜を形成する工程の前に、上記レジスト膜のパターンの形成面の寸法を測定する工程をさらに有し、
上記第２レジスト膜をパターン露光する工程においては、上記測定したレジスト膜のパターンの形成面の寸法にパターンが適合するように、上記液晶マスクのパターン寸法を調節して露光する
請求項１に記載のレジスト膜のパターン形成方法。
【請求項７】
上記第２レジスト膜を除去する工程と、上記第１レジスト膜を現像する工程とを同時に行う
請求項１に記載のレジスト膜のパターン形成方法。
【請求項８】
上記レジスト膜のパターンの形成面が、基板に設けられた導電膜の表面である
請求項１に記載のレジスト膜のパターン形成方法。
【請求項９】
上記基板がリール状に巻き取られたフレキシブル基板であり、
上記リールから引き出して、リールへ巻き取りながら、上記各工程を行う
請求項８に記載のレジスト膜のパターン形成方法。
【請求項１０】
上記液晶マスクのパターンとして、当該液晶マスクの画素ピッチ格子の設計を行い、上記パターンとする
請求項１に記載のレジスト膜のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レジスト膜のパターン形成方法に関し、特にプリント配線基板を製造する工程において、基板上の被加工導電層をパターンエッチングして配線部をパターン形成する工程におけるマスクとなるレジスト膜をパターン形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置の高集積化および高機能化に対する要求に伴い、半導体装置の素子構造の微細化が進展している。これに対応して、半導体装置を実装するプリント配線基板の配線部においても微細化に対する要求が高まり、研究開発が行われている。
【０００３】
上記の微細なパターンのプリント配線部を形成するためのレジスト膜のパターン形成方法としては、例えば、プラスチック基板などの基板上に形成された被加工導電層の上層にレジスト膜を成膜し、露光パターンが形成されたガラスマスクを用いた接触露光によりパターン露光し、現像する方法が広く行われている。
また、ステッパーに代表される非接触露光によりパターン露光し、現像する方法も広く行われている。
【０００４】
さらに、レーザビームを用いた直接描画装置によりパターン露光し、現像する方法も知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の接触露光によるレジスト膜のパターン形成方法では、プラスチック基板上の被加工導電層の上層に形成する場合、基板そのものの寸法が温室度などの外部雰囲気によって変化してしまうことや、表面に微小な凹凸が存在していることから、高価なガラスマスクを用いても、基板の寸法の変化によりパターン形成したレジスト膜の寸法が合わなかったり、表面の微小な凹凸により光が回り込んで露光した領域が滲んでしまい、微細なパターン形成が困難となっていた。
【０００６】
また、上記の非接触露光によるレジスト膜のパターン形成方法では、上記と同様に高価なガラスマスクを用いており、機種変更の際にマスクを交換する必要があるので製造コストが高くなっていた。
【０００７】
また、上記のレーザビームを用いた直接描画によるレジスト膜のパターン形成方法では、作画するのに長い時間を要するので、生産性が低下してしまうという問題があった。
この問題を回避するために、レジスト膜を薄くすることもあるが、これでは被エッチング物がプラスチック基板のように凹凸がある表面の場合には、レジスト膜が表面形状に追従できず、歩留りが低下しやすいという問題が生じる。
【０００８】
また、単に可視光感光性のレジスト膜を用いて、露光、現像し、エッチングする方法も考えられるが、可視光はエネルギーレベルが低いので感光膜を薄くする必要があり、この場合にはプラスチック基板の凹凸に追従しづらくなってしまう。逆に、感光膜を厚くすると、露光時間が長くなり、生産性も悪くなってしまう。
【０００９】
また、可視光感光性のレジスト膜をメッキレジスト膜として使用する場合も、同様に、可視光感光性のレジスト膜のメッキ液耐性を確保するためには、膜厚を厚くして、高エネルギーレベルの露光が必要となり、生産性が悪い。また、薄くすると、メッキレジスト膜としてのダムが不足すると同時に、メッキ液耐性を確保できない。
【００１０】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、高価なガラスマスクを使わず、生産性や歩留りを向上して生産可能なレジスト膜のパターン形成方法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明のレジスト膜のパターン形成方法は、レジスト膜のパターンの形成面上に、少なくとも第１の波長の光に対して透過性であるカバーフイルム付きの上記第１の波長の光に感光する第１レジスト膜を当該第１レジスト膜側から貼り合わせて形成する工程と、上記カバーフイルム上に、上記第１の波長の光に対して不透過性であり、上記第１の波長と異なる第２の波長の光に感光する第２レジスト膜を形成する工程と、上記第２の波長の光により、液晶マスクを用いて、上記第２レジスト膜をパターン露光する工程と、上記第２レジスト膜を現像する工程と、上記第１の波長の光を上記カバーフイルムを透過させて、上記現像された第２レジスト膜をマスクとして、上記第１レジスト膜をパターン露光する工程と、上記第２レジスト膜を上記カバーフイルムと同時に除去する工程と、上記第１レジスト膜を現像する工程とを有し、上記レジスト膜のパターンの形成面上にレジスト膜をパターン形成する。
【００１２】
上記の本発明のレジスト膜のパターン形成方法は、好適には、上記第１の波長の光が紫外光領域の光であり、上記第２の波長の光が可視光領域の光である。
【００１３】
上記の本発明のレジスト膜のパターン形成方法は、好適には、上記第２レジスト膜をパターン露光する工程においては、上記液晶マスクを用いて、直接投影法により露光する。
あるいは好適には、上記第２レジスト膜をパターン露光する工程においては、上記液晶マスクを用いて、ホログラム法により露光する。
あるいは好適には、上記第２レジスト膜をパターン露光する工程においては、上記液晶マスクを用いて、位相コントラスト法により露光する。
【００１４】
上記の本発明のレジスト膜のパターン形成方法は、好適には、上記第１の波長の光に感光する第１レジスト膜を形成する工程の前に、上記レジスト膜のパターンの形成面の寸法を測定する工程をさらに有し、上記第２レジスト膜をパターン露光する工程においては、上記測定したレジスト膜のパターンの形成面の寸法にパターンが適合するように、上記液晶マスクのパターン寸法を調節して露光する。
【００１５】
上記の本発明のレジスト膜のパターン形成方法は、好適には、上記第２レジスト膜を除去する工程と、上記第１レジスト膜を現像する工程とを同時に行う。
【００１７】
上記の本発明のレジスト膜のパターン形成方法は、好適には、上記レジスト膜のパターンの形成面が、基板に設けられた導電膜の表面である。
さらに好適には、上記基板がリール状に巻き取られたフレキシブル基板であり、上記リールから引き出して、リールへ巻き取りながら、上記各工程を行う。
【００１８】
上記の本発明のレジスト膜のパターン形成方法は、好適には、上記液晶マスクのパターンとして、当該液晶マスクの画素ピッチ格子の設計を行い、上記パターンとする。
【００１９】
上記の本発明のレジスト膜のパターン形成方法は、レジスト膜のパターンの形成面上に、第１の波長の光に感光する第１レジスト膜を形成し、次に、第１レジスト膜の上方に、第１の波長の光に対して不透過性であり、第１の波長と異なる第２の波長の光に感光する第２レジスト膜を形成する。
次に、第２の波長の光により、液晶マスクを用いて、第２レジスト膜をパターン露光し、第２レジスト膜を現像する。
次に、第１の波長の光により、現像された第２レジスト膜をマスクとして、第１レジスト膜をパターン露光し、第２レジスト膜を除去し、第１レジスト膜を現像する。
上記の工程により、被パターン加工面上にエッチングマスクとなるレジスト膜をパターン形成する。
【００２０】
上記の本発明のレジスト膜のパターン形成方法によれば、第２レジスト膜の露光には液晶マスクを用いており、また、第１レジスト膜の露光には第２レジスト膜をマスクとして用いており、高価なガラスマスクが不要である。
また、実際にエッチングやメッキのマスクとして用いられるのは第１レジスト膜であるので、第２レジスト膜は紫外線を遮蔽しうる限り、薄く形成してもよい。一方、第１レジスト膜は、紫外光領域の光に感光するレジスト膜を採用することで、膜厚を厚く形成する場合においても高エネルギーレベルの露光を行うことが可能で、生産性を高めることができる。
従って、高価なガラスマスクを使わず、生産性や歩留りを向上して生産することが可能である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の参考例及び実施形態のレジスト膜のパターン形成方法の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２２】
参考例
図１（ａ）は、本参考例のレジスト膜のパターン形成方法を用いて製造したプリント配線基板の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＸ−Ｘ’に沿った断面図である。
例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂やその他の樹脂などからなる絶縁性の基板１０の一方の面に、配線パターンに加工された、銅などからなる配線部１１ａが形成されている。
【００２３】
本参考例のレジスト膜のパターン形成方法を用いた上記のプリント配線基板の製造方法について、図面を参照して説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂やその他の樹脂などからなる絶縁性の基板１０の一方の面に、例えば銅箔などの導電層１１を数〜数１０μｍの膜厚で形成する。
導電層１１を形成する方法は、張り付け、メッキ、気相成長など、どのような方法でも可能である。
上記の導電層１１が形成された基板１０に対して、測長装置２０により基板毎に基準マーク間距離を測定し、補正率を算出する。
【００２４】
次に、図２（ｂ）に示すように、紫外線硬化型レジスト材料を塗布して、第１レジスト膜１２を形成する。
紫外線硬化型レジスト材料としては、例えば東京応化工業（株）社製「ＴＳＧＧＲシリーズ」あるいは太陽インキ（株）社製「ＡＳシリーズ」などを用いることができ、スピンコート法、スクリーン印刷法あるいはカーテンコート法などにより塗布して成膜することができる。
【００２５】
次に、図２（ｃ）に示すように、可視光硬化型レジスト材料をスピンコート法、スクリーン印刷法、ロールコート法あるいはカーテンコート法などにより塗布して、例えば５〜１０μｍの膜厚で第２レジスト膜１３を形成する。
可視光硬化型レジスト材料としては、感光性樹脂、光反応開始剤、光増感剤、および、紫外線遮蔽能を有する酸化チタンあるいは炭酸カルシウムの微粒子などを含有する。
【００２６】
上記の感光性樹脂としては、例えば、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルエーテル樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ヒダントイン含有樹脂などの樹脂であって、例えば少なくとも２つの不飽和結合が導入されて感光性を示す樹脂を用いることができる。
必要に応じて、アクリルモノマー、ビニルモノマーなどの少なくとも１つの不飽和結合を有する化合物を併用してもよい。
感光性樹脂としては、上述の樹脂以外の樹脂を用いることも可能である。
【００２７】
上記の光反応開始剤としては、可視光部に大きな吸収を有する光開始剤であって、例えば、ベンジル、α−ナフチル、アセナフタン、４，４’−ジメトキシベンジル、４，４’−ジシクロベンジルなどのベンジル化合物、カンファーキノンなどのキノン化合物、２−クロルチオキサントン、２，４−ジエトキシチオキサントン、メチルチオキサントンなどのチオキサントン化合物、トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどのアシルフォスフィンオキサイド系化合物などを用いることができる。
【００２８】
上記の光増感剤としては、ジメチルアミノエチルメタクリレート、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ｎ−ブチルアミン、トリエチルアミンなどのアミン系化合物、トリエチル−ｎ−ブチルフォスフィンなどのフォスフィン系化合物、可視光部に吸収を持つ色素類を用いることができる。
【００２９】
上記の紫外線遮蔽能を有する酸化チタンあるいは炭酸カルシウムの微粒子は、平均粒子サイズが０．１μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以下である。平均粒子サイズが大きすぎると、紫外線だけでなく可視光も遮蔽してしまうので好ましくない。
紫外線を十分に遮蔽するために、上記レジスト材料中の上記の酸化チタンあるいは炭酸カルシウムの微粒子の混合割合は、例えば、第２レジスト膜１３としての膜厚が５μｍ程度のときには３０重量％以上、膜厚が１０μｍ程度のときには１５重量％以上とする。
【００３０】
上記のように第２レジスト膜１３を成膜した後、図３（ａ）に示すように、液晶マスク２１をマスクとして、波長が４３６〜５３２ｎｍ、例えば５１４ｎｍの可視光レーザＶＩＳを照射し、露光する。このときの露光波長は、第２レジスト膜中に含まれる光反応開始剤の吸収波長に応じて、最適な波長を選択することができる。
露光パターンの形成法としては、直接投影法、ホログラム法あるいは位相コントラスト法などの利用が可能である。
ここで、上述の測長装置２０により測定した結果得られた補正率から、レジスト膜のパターンの形成面である導電層１１の形成面の寸法にパターンが適合するように、液晶マスク２１に描画されるパターン寸法を調節して露光する。
上記の露光により、露光された領域の第２レジスト膜１３ａは硬化して、現像しても除去されない領域となるが、未露光領域の第２レジスト膜１３ｂは硬化しておらず、現像処理で除去されることになる。
【００３１】
液晶マスクによる描画は、露光パターンのサイズが可変となり、被露光物を一枚づつ測長し、寸法を合わせて露光することができるので、従来よりも高いアライメント精度が得られる。
液晶を用いた光源の微細化には、高画素数の液晶が必要であるが、これを補う方法として、設計ルールとして従来からあるミリ格子やインチ格子設計ではなく、液晶の画素ピッチ格子の設計を行う。
【００３２】
上記のように露光した後、図３（ｂ）に示すように、現像処理を施して未露光部分を溶解させる。これにより、露光されて硬化した領域の第２レジスト膜１３ａがレジストパターンとして残される。
現像液としては、下地の第１レジスト膜１２への影響を考えると水を用いることが好ましく、例えば流水で１０〜２０秒間処理、あるいは水を１０〜６０秒スプレー処理することで行う。
【００３３】
次に、図４（ａ）に示すように、使用する第１レジスト膜の材料の種類に応じた適正な露光波長および露光量により、例えば３６５ｎｍの波長の紫外線ＵＶを全面に照射し、露光する。
第２レジスト膜１３ａは上記のように酸化チタンあるいは炭酸カルシウムの微粒子を含有しており、紫外線遮蔽能を有することから、紫外線を照射してパターン露光するときのマスクとして第２レジスト膜１３ａを用いることができる。
上記の露光により、露光された領域の第１レジスト膜１２ａは硬化して、現像しても除去されない領域となるが、未露光領域の第１レジスト膜１２ｂは硬化しておらず、現像処理で除去されることになる。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示すように、使用する第１レジスト膜の材料の種類に応じた適正な現像処理を施して未露光部分を溶解させる。これにより、露光されて硬化した領域の第１レジスト膜１２ａがレジストパターンとして残される。この現像処理において、第２レジスト膜１３ａも同時に除去される。
現像液としては、例えば炭酸ナトリウム水溶液などを用いることができる。
【００３５】
次に、図４（ｃ）に示すように、第１レジスト膜１２ａをマスクとするエッチング処理を施し、導電層１１をパターニングして、配線部１１ａを形成する。
以降の工程としては、例えば有機溶剤処理などにより、第１レジスト膜１２ａを除去し、図１に示す構成のプリント配線基板を形成することができる。
【００３６】
本参考例に係るプリント配線基板の製造方法に用いたレジスト膜のパターン形成方法によれば、第２レジスト膜の露光には液晶マスクを用いており、また、第１レジスト膜の露光には第２レジスト膜をマスクとして用いており、高価なガラスマスクやマスクフイルムなどの作成が不要となり、マスク形成のためのコストを節約できる。
また、実際にエッチングのマスクとして用いられるのは第１レジスト膜であるので、第２レジスト膜は紫外線を遮蔽しうる限り、薄く形成してもよい。一方、第１レジスト膜は、紫外光領域の光に感光するレジスト膜を採用することで、用途、厚さ、生産性に応じて樹脂の選択性が広く、膜厚を厚く形成する場合においても高エネルギーレベルの露光を行うことが可能で、生産性を高めることができる。
このように、高価なガラスマスクを使わず、生産性や歩留りを向上して生産することが可能である。
【００３７】
本参考例に係るレジスト膜のパターン形成方法は、固定マスクを使用しないため、機種切り替えの際のマスクの交換作業が不要となる。
特に、基板がリール状に巻き取られたフレキシブル基板であり、このフレキシブル基板をリールから引き出して、リールへ巻き取りながら、上記各工程を行う、いわゆるｒｅｅｌ  ｔｏ  ｒｅｅｌ方式においてメリットが大きく、従来、機種切り替えのために材料を無駄にしていたが、本参考例においては固定マスクを使用せずに液晶マスクのデータを変えるだけで速やかに機種変更が可能で、材料を無駄なく使用することが可能となる。
【００３８】
また、測長装置により基板毎に基準マーク間距離を測定し、補正率を算出して、露光を行うので、高精度の露光を行うことができる。
【００３９】
実施形態
本実施形態のレジスト膜のパターン形成方法を用いて製造したプリント配線基板は、図１に示す参考例に係るプリント配線基板と同様である。
以下、本実施形態のレジスト膜のパターン形成方法を用いた上記のプリント配線基板の製造方法について、図面を参照して説明する。
【００４０】
まず、図５（ａ）に示すように、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂やその他の樹脂などからなる絶縁性の基板１０の一方の面に、例えば銅箔などの導電層１１を数〜数１０μｍの膜厚で形成し、導電層１１が形成された基板１０に対して、測長装置２０により基板毎に基準マーク間距離を測定し、補正率を算出する。
【００４１】
次に、図５（ｂ）に示すように、紫外線透過性のカバーフイルム１４と紫外線硬化型レジスト材料（第１レジスト膜１２）からなるドライフイルムレジスト１５を貼り合わせる。
ドライフイルムレジストとしては、例えば旭化成工業（株）社製「サンフォートシリーズ」あるいはニチゴーモートン（株）社製「ＮＩＴシリーズ」などを用いることができる。
【００４２】
次に、図５（ｃ）に示すように、カバーフイルム１４の上層に、可視光硬化型レジスト材料をスピンコート法、スクリーン印刷法、ロールコート法あるいはカーテンコート法などにより塗布して、例えば５〜１０μｍの膜厚で第２レジスト膜１３を形成する。
可視光硬化型レジスト材料としては、参考例と同様の材料を用いることができる。
【００４３】
上記のように第２レジスト膜１３を成膜した後、図６（ａ）に示すように、液晶マスク２１をマスクとして、波長が４００ｎｍ以上、例えば４３６〜５３２ｎｍである可視光レーザＶＩＳを照射し、露光する。このときの露光波長は、第２レジスト膜中に含まれる光反応開始剤の吸収波長に応じて、最適な波長を選択することができる。
露光パターンの形成法としては、直接投影法、ホログラム法あるいは位相コントラスト法などの利用が可能である。
ここで、上述の測長装置２０により測定した結果得られた補正率から、レジスト膜のパターンの形成面である導電層１１の形成面の寸法にパターンが適合するように、液晶マスク２１に描画されるパターン寸法を調節して露光する。
上記の露光により、露光された領域の第２レジスト膜１３ａは硬化して、現像しても除去されない領域となるが、未露光領域の第２レジスト膜１３ｂは硬化しておらず、現像処理で除去されることになる。
【００４４】
液晶マスクによる描画は、露光パターンのサイズが可変となり、被露光物を一枚づつ測長し、寸法を合わせて露光することができるので、従来よりも高いアライメント精度が得られる。
液晶を用いた光源の微細化には、高画素数の液晶が必要であるが、これを補う方法として、設計ルールとして従来からあるミリ格子やインチ格子設計ではなく、液晶の画素ピッチ格子の設計を行う。
【００４５】
上記のように露光した後、図６（ｂ）に示すように、現像処理として、例えば流水で１０〜２０秒間の処理を行い、あるいは水を１０〜６０秒スプレー処理して、未露光部分を溶解させる。これにより、露光されて硬化した領域の第２レジスト膜１３ａがレジストパターンとして残される。
【００４６】
次に、図６（ｃ）に示すように、使用する第１レジスト膜の材料の種類に応じた適正な露光波長および露光量により、例えば３６５ｎｍの波長の紫外線ＵＶを全面に照射し、露光する。
第２レジスト膜１３ａは上記のように酸化チタンあるいは炭酸カルシウムの微粒子を含有しており、紫外線遮蔽能を有することから、紫外線を照射してパターン露光するときのマスクとして第２レジスト膜１３ａを用いることができる。
上記の露光により、カバーフイルム１４を透過した紫外線により露光された領域の第１レジスト膜１２ａは硬化して、現像しても除去されない領域となるが、未露光領域の第１レジスト膜１２ｂは硬化しておらず、現像処理で除去されることになる。
【００４７】
次に、図７（ａ）に示すように、カバーフイルム１４を第１レジスト膜１２との界面で剥離して除去する。
このとき、上記で露光マスクと用いられた第２レジスト膜１３ａもカバーフイルム１４と一緒に除去される。
【００４８】
次に、図７（ｂ）に示すように、使用する第１レジスト膜の材料の種類に応じた適正な現像処理を施して未露光部分を溶解させる。これにより、露光されて硬化した領域の第１レジスト膜１２ａがレジストパターンとして残される。
現像液としては、例えば炭酸ナトリウム水溶液などを用いることができる。
【００４９】
次に、図７（ｃ）に示すように、第１レジスト膜１２ａをマスクとするエッチング処理を施し、導電層１１をパターニングして、配線部１１ａを形成する。
以降の工程としては、例えば有機溶剤処理などにより、第１レジスト膜１２ａを除去し、図１に示す構成のプリント配線基板を形成することができる。
【００５０】
本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法に用いたレジスト膜のパターン形成方法によれば、第１実施形態と同様に、高価なガラスマスクを使わず、生産性や歩留りを向上して生産することが可能である。
【００５１】
本発明は上記の実施形態に限定されない。
例えば、上記の実施形態においては、第１レジスト膜をエッチングマスクとして用いている形態を示しているが、これに限らず、第１レジスト膜をメッキレジストとして用いることも可能である。
また、第１レジスト膜に含有される材料は上記の材料に限定されず、同様な機能を有する他の材料を用いることができる。
その他、本発明の要旨を変更しない範囲で種々の変更が可能である。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のレジスト膜のパターン形成方法によれば、第２レジスト膜の露光には液晶マスクを用いており、また、第１レジスト膜の露光には第２レジスト膜をマスクとして用いており、高価なガラスマスクが不要である。また、実際にエッチングやメッキのマスクとして用いられるのは第１レジスト膜であるので、第２レジスト膜は紫外線を遮蔽しうる限り、薄く形成してもよい。一方、第１レジスト膜は、紫外光領域の光に感光するレジスト膜を採用することで、膜厚を厚く形成する場合においても高エネルギーレベルの露光を行うことが可能で、生産性を高めることができる。従って、高価なガラスマスクを使わず、生産性や歩留りを向上して生産することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１（ａ）は、本発明の参考例及び実施形態のレジスト膜のパターン形成方法を用いて製造したプリント配線基板の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＸ−Ｘ’に沿った断面図である。
【図２】  図２（ａ）〜（ｃ）は参考例に係るレジスト膜のパターン形成方法を用いたプリント配線基板の製造方法の工程を示す断面図である。
【図３】  図３（ａ）および（ｂ）は図２の続きの工程を示す断面図である。
【図４】  図４（ａ）〜（ｃ）は図３の続きの工程を示す断面図である。
【図５】  図５（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態に係るレジスト膜のパターン形成方法を用いたプリント配線基板の製造方法の工程を示す断面図である。
【図６】  図６（ａ）〜（ｃ）は図５の続きの工程を示す断面図である。
【図７】  図７（ａ）〜（ｃ）は図６の続きの工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１０…基板、１１…導電層、１１ａ…配線層、１２，１２ａ，１２ｂ…第１レジスト膜、１３，１３ａ，１３ｂ…第２レジスト膜、１４…カバーフイルム、１５…ドライフイルムレジスト、２０…測長装置、２１…液晶マスク、ＶＩＳ…可視光レーザ、ＵＶ…紫外線。
【図１】
0003952795.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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