(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアベースと、該キャリアベースに実装される半導体光制御素子に先端が対向して当該キャリアベースに固定され、かつ、電気絶縁層および高周波電気配線を以て構成される多層の高周波電気配線用基板とを備える高周波用チップキャリアにおいて、
前記高周波電気配線用基板は、前記キャリアベース側の最下面にグランド層を備え、該高周波電気配線用基板の先端部にテーパ部が設けてあり、
該テーパ部の先端部には、前記電気絶縁層の少なくとも一つを介して、前記高周波電気配線と平行に対向するように配置された中間グランド層と、該中間グランド層と前記グランド層とを、電気的に導通させるためのスルーホールとが設けてあり、
前記テーパ部における前記高周波電気配線の線幅が、先端に向かって狭くなるように構成されており、
前記高周波電気配線に距離的に近い層に設けられた前記中間グランド層ほど、該中間グランド層の長さを短くしてあり、
前記中間グランド層の一方の端部の位置と、前記高周波電気配線用基板の先端部の位置とが一致していること、
を特徴とする高周波用チップキャリア。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波用チップキャリアにおいて、前記中間グランド層は、互いに重なり合う前記電気絶縁層の間に挟まれて配置されていることを特徴とする高周波用チップキャリア。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の高周波用チップキャリアにおいて、前記テーパ部における前記高周波電気配線の線幅が、先端に向かって段階的に狭くなることを特徴とする高周波用チップキャリア。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の高周波用チップキャリアにおいて、
前記高周波電気配線用基板は、第１の基板と第２の基板に二分割されており、該第１の基板と第２の基板は前記半導体光制御素子を実装する空間を介して離間されて、前記キャリアベース上に固定されていることを特徴とする高周波用チップキャリア。
【請求項５】
請求項４に記載の高周波用チップキャリアにおいて、前記第１の基板上には、第１の高周波電気配線が、及び第２の基板上には、第２の高周波電気配線が、それぞれ配線されており、該第２の高周波電気配線の末端部には、薄膜抵抗器が設けてあることを特徴とする高周波用チップキャリア。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の高周波用チップキャリアにおいて、前記高周波電気配線の上側に、さらに電気絶縁層およびグランド層が下から順に設けられていることを特徴とする高周波用チップキャリア。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の高周波用チップキャリアにおいて、該高周波用チップキャリアの側面部に座ぐりを有することを特徴とする高周波用チップキャリア。
【請求項８】
電気絶縁層および高周波電気配線から構成される多層の高周波電気配線用基板と、この基板を固定するためのキャリアベースとを備える高周波用チップキャリアに、前記高周波電気配線用基板の先端に対向させて、半導体光制御素子を実装させた構造において、前記高周波電気配線用基板先端部にテーパ部が設けてあり、
該テーパ部には、前記高周波電気配線と平行に対向するように、前記電気絶縁層を介して配置された中間グランド層と、前記高周波電気配線用基板の最下層に設けられているグランド層とを電気的に導通させるためのスルーホールが設けてあり、
前記半導体光制御素子と、前記高周波電気配線とを、ボンディングワイヤにより電気接続してあること
を特徴とする高周波用チップキャリアを用いた半導体光制御素子の実装構造。
【請求項９】
請求項８に記載の高周波用チップキャリアを用いた半導体光制御素子の実装構造において、前記高周波電気配線用基板は、第１の基板と第２の基板に、離間して二分割されており、前記半導体光制御素子は、該第１の基板と第２の基板の間の空間に露出した前記キャリアベース上に配置固定されていることを特徴とする、高周波用チップキャリアを用いた半導体光制御素子の実装構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、高周波特性に優れた高周波用チップキャリアおよびそれを用いた半導体光制御素子の実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の高周波用チップキャリアおよびそれを用いた半導体光制御素子の実装構造としては、例えば、回路実装学会誌、ｖｏｌ．１０、Ｎｏ．５（１９９５）、ｐｐ．３０６−３０９に開示されている。
【０００３】
この発明の説明に先立ち、図９および図１０を用いて、従来の高周波用チップキャリアが用いられた光モジュール２００の構造につき簡単に説明する。すなわち、光モジュール２００は、光変調素子２２６、入力用と出力用の光ファイバ２３２、２３４、および２つの非球面レンズ２３６、２３８を備えていて、これらが互いに光軸を一致させて配置されており、さらに、高周波電気配線用基板２１２、電子冷却素子２４８、高周波コネクタ２４４、およびそれらを収納するパッケージ２４６等を備えて構成されている。
【０００４】
そして、光変調素子２２６には、高周波電気配線用基板の幅と同程度の長さになるように、この半導体光制御素子の長さを調整するための導波路が設けられている。また、この光変調素子は、図９に示されるように、高周波電気配線用基板２１２の線幅が一定である、直線状の高周波電気配線２１８の端部と、ボンディングワイヤ２２４により電気接続されている。そして、高周波電気配線２１８におけるボンディングワイヤ２２４の接続点の近傍には、光変調素子と高周波電源とのインピーダンスマッチングをはかり、高周波電力を有効に利用するために、薄膜抵抗器２２２が終端抵抗として設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の高周波用チップキャリアおよびそれを用いた半導体光制御素子の実装構造では、以下の問題があった。
【０００６】
（１）高周波が伝播する方向と交わる方向において、一定幅を有する、すなわち直線状の高周波電気配線および基板を使用しており、特性インピーダンスを一定に保つため、この基板の幅が高周波電気配線の幅の少なくとも４倍程度という幅広の基板を、キャリアベース上に搭載して用いる必要があった。
【０００７】
（２）そのため、幅広の基板上に実装する半導体光制御素子においては、この半導体光制御素子の長さを、高周波が伝播する方向と交わる方向の基板の幅（広幅）に合わせて長くする必要があり、よって、コストがかかる導波路をわざわざ集積して設ける必要があった。
【０００８】
また、半導体光制御素子、例えば光変調素子に導波路を設けるために、この導波路において、伝送される光が減衰するという問題があり、さらには、この光変調素子と導波路との接合部において、光結合損失が生じてしまうという問題もあった。
【０００９】
（３）さらに、薄膜抵抗器が、半導体光制御素子、例えば光変調素子近傍に、高周波電気配線と並列して設けられていたため、この薄膜抵抗器を設けるためのスペースを確保する必要があり、高周波電気配線用基板およびそれからなるチップキャリアの幅がますます広くなるという問題があった。
【００１０】
（４）さらにまた、幅広の基板を用いており、この基板に搭載された半導体光制御素子、例えば光変調素子と、レンズとの最大の光結合効率を得るためには、レンズおよびそれを固定するレンズホルダを、この光変調素子に近接する位置に移動する必要がある。しかしながら、レンズ等を基板に近接した位置に移動しようとすると、レンズ等と基板とがぶつかって、結果として、低い光の結合効率しか得られないという問題があった。
【００１１】
よって、少なくとも先端部における基板幅の狭い、導波路を有しない半導体光制御素子を実装することができ、さらに、光モジュール構造に用いた場合でも、レンズ等の付属品とぶつかることなく、半導体光制御素子、例えば光変調素子と、レンズとの間で、高い光の結合効率を得ることができる高周波用チップキャリアおよびそれを用いた半導体光制御素子の実装構造が望まれていた。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明によれば、キャリアベースと、キャリアベースに実装される半導体光制御素子に先端が対向して、キャリアベースに固定され、かつ、少なくとも複数の電気絶縁層および高周波電気配線を以て構成される多層の高周波電気配線用基板とを備える高周波用チップキャリアにおいて、この高周波電気配線用基板は、キャリアベース側の最下面にグランド層を備え、高周波電気配線用基板の先端部にはテーパ部が設けてある。
【００１３】
そして、このテーパ部には、前記電気絶縁層の少なくとも一つを介して、前記高周波電気配線と平行に対向するように配置された中間グランド層が設けてあり、さらに、中間グランド層と、キャリアベース側の最下面に設けられグランド層とは、スルーホールにより電気的に導通しており、この中間グランド層はグランド層としての電気的機能を果たしている。
【００１４】
このように、高周波用チップキャリアにおける高周波電気配線用基板を構成することにより、光モジュールに使用されるレンズ部（第１と第２）およびそれを固定するためのレンズホルダ（第１と第２）の移動空間が大きくなる。よって、高周波用チップキャリアとぶつかることなく、これらのレンズ部等は最適な光の結合効率が得られる位置に移動可能となる。
【００１５】
そして、高周波電気配線用基板の先端部にテーパ部を設けて、半導体光制御素子と対向する基板の幅を狭くすることにより、この基板の幅に合わせて半導体光制御素子に対して、長さ調整のための、導波路を設ける必要性もなくなる。よって、この導波路に起因した、光の減衰や、この導波路の結合部位における、光結合損失も無くなる。
【００１６】
また、この発明において、多層の高周波電気配線用基板を用いることを要件とするのは、高周波電気配線と平行に対向させて、少なくとも一つの電気絶縁層を介して中間グランド層を設け、さらに、この中間グランド層と、高周波電気配線用基板の最下面に設けたグランド層とを電気的に導通させることにより、いわゆるマイクロストリップライン構造をとるためである。
【００１７】
すなわち、単純に、高周波電気配線用基板の先端部に、電気絶縁層及び高周波電気配線の幅が細くなるテーパ部を設けるだけでは、基板の特性インピーダンスが高く変化するため、高周波用チップキャリアとしては適さない。
【００１８】
そこで、この発明の高周波用チップキャリアにおける高周波電気配線用基板において、中間グランド層と高周波電気配線とで以て、一定厚さの電気絶縁層を挟み込むようにしてある。そして、スルーホールにより、この中間グランド層と高周波電気配線用基板の最下面に設けたグランド層とを、電気的に導通させることにより、いわゆるマイクロストリップライン構造を構成するものである。すなわち、この発明の構成により、高周波電気配線としての、マイクロストリップラインの幅が変化したとしても、所望する一定の値の特性インピーダンスを得ることが可能である。
【００１９】
また、この発明において、好ましくは、中間グランド層が、複数の電気絶縁層の間にそれぞれ設けてあると良い。
【００２０】
このように、中間グランド層を、複数の電気絶縁層にそれぞれ設けることにより、高周波電気配線用基板における特性インピーダンスを、より一定にすることが可能となる。そのため、基板の先端部から等幅の位置までのテーパ部の長さを長くすることができる。
【００２１】
すなわち、電気絶縁層および中間グランド層が、それぞれ例えば一つであるとすると、特性インピーダンスを一定にすることができる長さが短かくなるが、複数の電気絶縁層に、中間グランド層をそれぞれ設けると、この特性インピーダンスの値を一定にすることができる、高周波が伝播する方向に沿った長さ方向の高周波電気配線用基板の長さが累積的に長くなる。
【００２２】
また、この発明において、好ましくは、高周波用チップキャリアにおいて、高周波電気配線に距離的に近い電気絶縁層に設けた中間グランド層ほど、その中間グランド層の長さを短くすると良い。
【００２３】
このように中間グランド層の長さを、高周波電気配線に距離的に近い位置の電気絶縁層に設けられた中間グランド層ほど、その長さを短くすることにより、テーパ部において、スルーホールを一つ設けるだけで、各中間グランド層のグランドを取ることができる。
【００２４】
もちろん、マイクロストリップライン構造を取るためには、後述する図８に示すように、テーパ部における高周波電気配線の線幅に対応して、一定長さの中間グランド層を複数設け、この各中間グランド層と、最下層のグランド層とを、個別にスルーホール（図示せず）を設けて電気的に導通させれば良い。
【００２５】
しかしながら、順に、中間グランド層の長さを各電気絶縁層ごとに変えた構造にすることにより、各グランド層が垂直方向に電気絶縁層を介して、一部重なることとなる。したがって、最短の中間グランド層から、最下層のグランド層に向かって一つのスルーホールを設けてグランドを取れば、最短の中間グランド層と最下層のグランド層との間に、他の中間グランド層が存在することになり、結果として、一つのスルーホールですべての中間グランド層のグランドが取れるという利点が得られる。
【００２６】
また、この発明において、好ましくは、高周波電気配線に距離的に近い電気絶縁層に設けた中間グランド層ほど、その中間グランド層の長さを短くするとともに、これらの中間グランド層の一方の端部の位置と、高周波電気配線用基板の先端部の位置とが一致していることが良い。
【００２７】
このように中間グランド層の一方の端部の位置と、高周波電気配線用基板の先端部の位置とが一致していると、これらの中間グランド層の一端の位置（始点）が定まることとなる。そして、これらの中間グランド層は、高周波電気配線に距離的に近い位置の電気絶縁層に設けられたものほど、その長さが短かい構成を取っている。
【００２８】
そのため、図４に示すように、これらの中間グランド層において、もう一端の位置（終点）は、高周波電気配線に距離的に近い位置の電気絶縁層に設けられた中間グランド層ほど、高周波電気配線用基板の先端部の位置から近距離に位置する。そして、一方で、高周波電気配線に距離的に遠い位置の電気絶縁層に設けられた中間グランド層ほど、高周波電気配線用基板の先端部の位置から遠距離に位置することとなる。
【００２９】
よって、高周波電気配線用基板の先端部にテーパ部を設けたとしても、各中間グランド層に対応して、高周波電気配線および電気絶縁層から、それぞれマイクロストリップライン構造が構成される。そのため、各中間グランド層の長さ（位置）および、各中間グランド層と各高周波電気配線との距離との関係から、後述するように、例えば下式（１）の関係において、高周波電気配線用基板における特性インピーダンスの値が、テーパ部の長さ方向に渡って、より一定になりやすいという効果が得られる。
【００３０】
また、この発明において、好ましくは、チップキャリアにおける高周波電気配線用基板の先端部のテーパ部において、先端に向かって段階的に高周波電気配線の線幅を狭くすることが良い。
【００３１】
このように高周波電気配線の形状を構成することにより、高周波電気配線の線幅を、計算からより容易に求めることができる。すなわち、下式（１）から、高周波電気配線の線厚ｔ（μｍ）、高周波電気配線用基板のインピーダンスＺｏ（Ω）、電気絶縁層の比誘電率εｒ（−）をあらかじめ所定の値に定めることにより、所望の高周波電気配線の線幅Ｗ（μｍ）に対して、一意的に、中間グランド層の高周波電気配線までの垂直距離Ｈ（μｍ）が定まることになり、計算された通りの特性インピーダンスを有する高周波電気配線用基板を作成することができる。
【００３２】
【数１】
0003897401.tif 000002
【００３３】
なお、式（１）は、高周波電気配線用基板における配線の線幅Ｗ、中間グランド層の高周波電気配線までの垂直距離Ｈとの関係を示す一例であり、下記に示す類似の近似式（２）および（３）に示す関係であっても良い。
【００３４】
【数２】
0003897401.tif 000003
【００３５】
【数３】
0003897401.tif 000004
【００３６】
また、この発明の、別な好ましい態様としては、チップキャリアにおける高周波電気配線用基板が、高周波電力が印加される側から第１の基板と第２の基板に分割されている。そして、この第１の基板の表面上には、第１の高周波電気配線が施してあり、同様に、第２の基板の表面上には、第２の高周波電気配線が施してある。
【００３７】
このように高周波電気配線用基板を構成することにより、第１の基板と第２の基板とを空間を設けて離間させることができる。そして、その間に露出したキャリアべース上に、半導体光制御素子を配置固定することができる。よって、半導体光制御素子を容易に実装することができる。
【００３８】
また、半導体光制御素子の上面と高周波電気配線用基板上の高周波電気配線の高さとを、実質的に等しくすることができるため、ボンディングワイヤ等を用いて、均一に半導体光制御素子と高周波電気配線とを電気接続することができる。
【００３９】
また、この発明において、好ましくは、第２の基板上に配線された第２の高周波電気配線の末端に、薄膜抵抗器を設けると良い。このように高周波電気配線用基板を構成すれば、この薄膜抵抗器を介して、最下面に設けられたグランド層に電気接続することができる。
【００４０】
そして、この薄膜抵抗器により、印加される高周波電力を有効に利用することができ、例えば高周波電気配線用基板に搭載される半導体光制御素子と、高周波電源等とのインピーダンスマッチングがはかられる。
【００４１】
また、第２の基板には薄膜抵抗器が設けられているため、第１の基板に薄膜抵抗器のスペースを必要としない。よって、高周波電気配線用基板の幅をより狭くすることができる。
【００４２】
さらに、この薄膜抵抗器は、半導体光制御素子から、一定距離、離れているため、薄膜抵抗器の発する熱の影響を、半導体光制御素子が受けづらいという点でも好ましい。
【００４３】
また、好ましくは、チップキャリアにおける高周波電気配線用基板において、この高周波電気配線用基板の上に配線された高周波電気配線の上側に、さらに別の電気絶縁層およびグランド層が下から順次設けてあり、いわゆるストリップライン構造が形成してあるのが良い。
【００４４】
このように高周波電気配線用基板を構成すれば、高周波電気配線の縁から両面に設けられたグランド層に向かう電磁波がさらに安定するため、高周波電気配線とグランド層との間の容量が大きくなり、結果として特性インピーダンスがより低下するという効果が得られる。
【００４５】
その他、かかる高周波電気配線用基板の構造によれば、表面に設けられた第２のグランド層による一定のシールド効果も得られ、さらには、高周波電気配線がむき出しにならないため、安全性も高くなる。
【００４６】
また、この発明の好ましい別な態様として、チップキャリアにおける高周波電気配線用基板およびキャリアベースは、これらの側面部に、座ぐりを有することが良い。
【００４７】
このようにチップキャリアを構成すれば、ホルダ（第１と第２）に固定して第１と第２のレンズ部を配置する場合でも、これらのレンズ部等がチップキャリアにぶつかるおそれが減少し、これらのレンズ部等を高い光の結合効率が得られる位置に容易に配置することができる。
【００４８】
また、この発明の、好ましい別な態様としては、複数の電気絶縁層および高周波電気配線から構成される多層の高周波電気配線用基板と、この基板を固定するためのベースキャリアとから構成される高周波用チップキャリアに、半導体光制御素子を実装する構造において、先端部にテーパ部を有する高周波電気配線用基板を使用して、この実装構造を構成してあることである。
【００４９】
そして、この高周波電気配線用基板には、前記高周波電気配線と平行に対向するように、電気絶縁層を介して中間グランド層が設けてあり、さらに、この中間グランド層と最下面に設けられたグランド層とを、電気的に導通させるためのスルーホールが設けてある。
【００５０】
また、この実装構造においては、高周波電気配線用基板に半導体光制御素子を搭載するのに、この半導体光制御素子と、基板に形成された高周波電気配線とを、ボンディングワイヤにより電気接続して構成してある。
【００５１】
このように、半導体光制御素子の実装構造を構成すれば、使用する高周波電気配線用基板の先端部にテーパ部が設けられて、高周波電気配線用基板の半導体光制御素子と対向する部分の幅が狭くなっているため、レンズ部の配置性が向上し、半導体光制御素子とレンズ部との間で、高い光の結合効率が得られる。
【００５２】
また、高周波電気配線用基板の幅が狭くなった分、半導体光制御素子に素子長の調整のための導波路を設ける必要もなくなり、導波路を設けること無く半導体光制御素子を使用することができる。
【００５３】
さらに、高周波電気配線用基板の幅が狭くなっているにもかかわらず、一定の値の特性インピーダンスが得られることにより、半導体光制御素子により変調された光信号を安定して伝送することができる。
【００５４】
なお、かかる実装構造において、ボンディングワイヤにより高周波電気配線と半導体光制御素子とを電気接続しているのは、従来の接続方法として実績があるためである。
【００５５】
また、この発明の、好ましい別な態様としては、高周波電気配線用基板が、さらに、第１の基板と第２の基板とに離間して二分割してあるものを使用することである。そして、搭載される半導体光制御素子は、これらの第１の基板と第２の基板との間のキャリアベース上に配置固定してあることが良い。
【００５６】
かかる半導体光制御素子の実装構造によれば、既に説明したように、第２の基板に薄膜抵抗器を設けることができるため、この薄膜抵抗器と半導体光制御素子との距離を一定以上離すことができ、よって、半導体光制御素子に対する、薄膜抵抗器の発熱の影響を少なくすることができる。
【００５７】
また、第２の基板に薄膜抵抗器を設けることにより、薄膜抵抗器を高周波電気配線の末端付近の、半導体光制御素子と近接した位置に設ける必要がなくなり、半導体光制御素子と薄膜抵抗器とを過ってボンディングワイヤにより、電気接続することもない。
【００５８】
さらに、第１の基板上に配線された第１の高周波電気配線と半導体光制御素子とをボンディングワイヤにより電気接続する際に、構成上、同時に、ボンディングワイヤにより、第２の基板に配線された第２の高周波電気配線と半導体光制御素子とを電気接続することも可能となり、製造上も有利である。
【００５９】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜８を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。なお、図１〜８は、この発明が理解できる程度に各構成要素の形状、大きさ及び配置関係を概略的に示してあるにすぎないことは言うまでもない。
【００６０】
まず、図１は、この発明の高周波用チップキャリア（以下、チップキャリア）の構造を説明するための図である。図１（Ａ）は、チップキャリアを概略的に示す平面図である。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）におけるチップキャリアの側面図である。
【００６１】
なお、このチップキャリアには、種々の半導体光制御素子が実装可能であり、この半導体光制御素子の種類として、光変調素子や光スイッチ等の種々のものがあるが、以下の説明では、一例として、光変調素子の場合について説明する。
【００６２】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すチップキャリア１０は、キャリアベース１４と、このキャリアベース１４の上に固定された、多層の高周波電気配線用基板１２とを備えている。
【００６３】
そして、ここで説明する例では、高周波電気配線用基板１２は第１の基板１２ａと第２の基板１２ｂとに離間して二分割された構成となっている。
【００６４】
この第１の基板１２ａの、キャリアベース１４とは反対側の表面には、光変調素子２６に対して、高周波電源（図示せず。）から高周波（高周波電力）を印加するための第１の高周波電気配線１８を配線してある。一方、第２の基板１２ｂの表面には、終端抵抗としての薄膜抵抗器２２が端部に設けられた第２の高周波電気配線２０が配線してある。なお、薄膜抵抗器２２には、断面図ではないが、これを強調して示すために、ハッチングを付してある。
【００６５】
このように、基板が二分割されて、離間された高周波電気配線用基板１２（１２ａ、１２ｂ）間に、空間が設けられ、この空間に一部露出したキャリアベース１４上に、半導体光制御素子としての光変調素子２６を直接、半田等を用いて配置固定できる。
【００６６】
また、ここで説明する構成例では、上述した第１の基板１２ａおよび第２の基板１２ｂの、互いに対向する側、すなわち、光変調素子２６と対向する側の、それぞれの先端部をテーパ状（先細形状）にして、テーパ部１６を形成してある。このテーパ部１６は、それぞれの第１の基板１２ａおよび第２の基板１２ｂの、光変調素子２６とは反対側の端（この端を末端と称する。）から、光変調素子２６に対向する側の端（この端を先端と称する。）に向かうにしたがって、第１の基板１２ａおよび、第２の基板１２ｂの幅を、それぞれ順次に狭めていって構成している。但し、この場合、第１の基板１２ａおよび第２の基板１２ｂのテーパ部１６のキャリアベース１４の厚さは、それぞれ同一として変えていない。
【００６７】
そして、また、高周波電気配線用基板１２のうち、少なくとも第１の基板１２ａは、後述するように、内部に、図４〜図７に示すように、中間グランド層５４が設けられた基板である。この中間グランド層５４は、高周波電気配線用基板１２の最下面に設けられたグランド層５２と、電気的にグランド接続されており、いわゆるマイクロストリップライン構造を形成してある。
【００６８】
よって、光変調素子２６に近接（対向）する高周波電気配線用基板１２の幅、この場合は、高周波が伝播される方向と交わる方向における、この基板１２の幅や第１の高周波電気配線１８の幅が、テーパ部１６を設けたために狭くなっているにもかかわらず、一定の値の特性インピーダンスが得られる。
【００６９】
そして、また、この例では、図２および図３に示すように、第１のレンズ部３６、第２のレンズ部３８およびこれらのレンズ部３６、３８を固定するための第１および第２のレンズホルダ４０、４２を、チップキャリア１０の側方の位置まで近接することができるため、光変調素子２６と、第１のレンズ部３６および第２のレンズ部３８との間で、それぞれ高い光の結合効率が得られる。
【００７０】
ここで、高周波電気配線用基板１２の先端部におけるテーパ部１６の形態に関して説明する。すなわち、テーパ部１６の側縁が、基板の末端から先端へ向かう方向となす角度や外形は特に限定されるものでない。例えば、テーパ部１６の角度は、好ましくは、この基板１２ａの使い勝手から決定することが良く、また、この基板１２ａの外形に関して、直線状でも、階段状でも、あるいは曲線状であっても良い。
【００７１】
よって、より具体的には、ワイヤボンディング作業の容易性から、テーパ部１６の先端部の基板幅は５０〜１００μｍの範囲内の値とし、レンズ等の配置性や基板の特性インピーダンスの最適化の観点から、テーパ部１６の長さは３００〜１５００μｍの範囲内の値とし、および現行使用されている高周波電気配線用基板の幅等を考慮して、テーパ部１６に至るまでの直線状の基板幅は、２００〜４００μｍの範囲内の値となるように定めることが良い。
【００７２】
なお、テーパ部１６の形成方法としては、高周波電気配線用基板１２を製造する際にテーパ状の型を用いて作ることもできるし、また、概ね矩形状の高周波電気配線用基板１２を製造した後に、切削装置により切削、研磨等して作成することも良い。
【００７３】
また、この例では、図１（Ｂ）に示すように、高周波電気配線用基板１２（１２ａ、１２ｂ）のテーパ部１６の下方の、キャリアベース１４の側面部には、円錐状（すりばち状）の座ぐり３０を設けてある。
【００７４】
このような構成を取ることにより、図２および３に示すように、第１のレンズ部３６、第２のレンズ部３８およびこれらのレンズ部３６、３８を固定するための第１および第２のレンズホルダ４０、４２が、チップキャリア１０の側方に近接してもぶつからず、光変調素子２６と、第１のレンズ部３６および第２のレンズ部３８との間で、それぞれ、より最適な光の結合効率が得られる。
【００７５】
ここで、座ぐり３０の形態も特に限定されるものではないが、好ましくは、例えば、レンズ（レンズ部）の形状に合致させて曲面部とすることが良い。また、座ぐり３０の深さとしても、レンズ（レンズ部）の配置性等を考慮して定めることが好ましいが、具体的には、例えば、０．１〜３．０ｍｍの範囲内の値とするのが良い。座ぐり３０の深さがかかる範囲内の値であれば、よりレンズ（レンズ部）の配置の困難性が解消されるとともに、半導体光制御素子としての光変調素子２６の実装も困難とならないためである。
【００７６】
よって、レンズ（レンズ部）の配置性の困難性と、光変調素子２６の実装の容易性のバランスがより好ましい観点から、座ぐり３０の深さとしては、０．２〜２．０ｍｍの範囲内の値であり、最適には０．５〜１．０ｍｍの範囲内の値である。
【００７７】
なお、この発明のチップキャリア１０において、図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して説明したように、光変調素子２６は、第１の高周波電気配線１８と第２の高周波電気配線２０との間に露出した、キャリアベース１４上に配置固定されている。よって、キャリアベース１４の高さを調節することにより、半導体光制御素子としての光変調素子２６と高周波電気配線用基板１２の上面の高さとを、ほぼ一致させることができる。
【００７８】
すなわち、このようにキャリアベース１４の高さを調節すれば、光変調素子２６と第１の高周波電気配線１８および第２の高周波電気配線２０とを、それぞれボンディングワイヤ２４によって、均一に電気接続することが可能となる。
【００７９】
ここで、キャリアベース１４は、高周波電気配線用基板１２を固定し、実装する半導体光制御素子、例えば光変調素子２６の、高さ方向の位置の調整のために主として用いられている。よって、キャリアベース１４の材料や形態は特に限定されるものではないが、銅あるいは銅合金等を用いて形成してあり、また、図２および３に示すように、第１のレンズ部３６、第２のレンズ部３８およびこれらのレンズ部３６、３８を固定するための第１および第２のレンズホルダ４０、４２が、チップキャリア１０の側方に近接してもぶつからないように、例えば台形状に作られているのが良い。
【００８０】
以上のとおり、図１の（Ａ）および（Ｂ）に示す構成のチップキャリア１０を用いると、高周波電気配線用基板１２の先端部の幅が狭いため、長さ調整のために、導波路を光変調素子に設ける必要がなくなり、導波路のない光変調素子２６をそのまま実装することができる。
【００８１】
また、高周波電気配線用基板１２の先端部にテーパ部１６が設けてあり、先端部の幅が狭いにもかかわらず、この高周波電気配線用基板１２のテーパ部１６の長さ方向に渡って、特性インピーダンスが一定になる。したがって、この高周波電気配線用基板１２に実装される半導体光制御素子、例えば光変調素子２６に対して、高周波電力が印加された場合に、この光変調素子２６は、安定して、入力された光を所定の光信号に変調することが可能となる。
【００８２】
さらに、この発明の高周波電気配線用基板１２が、光モジュールに使用された場合に、レンズ部等の配置性が向上し、高周波電気配線用基板１２の側方に近接できるため、光変調素子２６と第１のレンズ部３６および第２のレンズ部３８との間で、それぞれ高い光の結合効率が得られる。
【００８３】
また、この発明のチップキャリア１０においては、終端抵抗としての薄膜抵抗器２２を、第２の高周波電気配線２０を介して、光変調素子２６から、一定距離離して設けることができる。よって、この薄膜抵抗器２２の発熱の影響を受けずに、高周波電源（図示せず）等と半導体光制御素子、例えば光変調素子２６との間のインピーダンスマッチングを図ることができる。
【００８４】
そして、さらには、薄膜抵抗器２２は、第１の高周波用電気配線１８に並列することなく薄膜抵抗器２２が設けられているため、基板先端部のテーパ部１６の幅を、より狭くすることも可能となる。
【００８５】
次に、図２および図３を用いて、この発明のチップキャリア１０に、半導体光制御素子として、光変調素子２６を実装して、第１および第２のレンズ部３６、３８と組み合わせて構成した光モジュール１００について説明する。
【００８６】
まず、図２は、この発明の高周波用の、チップキャリア１０を用いて構成した実装構造の一例を説明するための、光モジュール１００の平面図を示している。
【００８７】
そして、光モジュール１００は、パッケージ４６の蓋を取り除いて示してあり、光源（図示せず）から出射された光を、この光モジュール１００に正確に入射させるための入力用光ファイバ３２と、光変調素子２６から出射された光を外部に取り出すための出力用光ファイバ３４と、半導体光制御素子としての光変調素子２６と、光変調素子２６の入力側に光を集光させるための第１のレンズ部３６と、光変調素子２６から出射された光を再び集光させるための第２のレンズ部３８と、この光変調素子２６に高周波電力を印加して駆動するための電気的入出力部（高周波コネクタ）４４と、および光変調素子２６を搭載するチップキャリア１０とを少なくとも備えている。
【００８８】
そして、図３は、図２の光モジュール１００におけるＸ−Ｘ線に相当する部分に沿って切断したときの断面図であるが、図２と同様にパッケージ４６の蓋をはずして示してある。
【００８９】
この図に示す構成例では、前述した構成の、入力用光ファイバ３２、第１のレンズ部３６、光変調素子２６、第２のレンズ部３８および出力用光ファイバ３４の光軸が一致するように、それぞれの構成要素を配置してある。そして、入力用光ファイバ３２および出力用光ファイバ３４は、それぞれパッケージ４６に接続固定してある。
【００９０】
また、図示の構成例では、このパッケージ４６の底部に電子冷却素子４８を設けて、その電子冷却素子４８の上には、ベース５６をさらに設けてあり、このベース５６の上に、第１および第２のレンズ部３６、３８をそれぞれ固定するための、第１および第２のレンズホルダ４０、４２およびキャリアベース１４が、半田等の通常の固定手段を用いて固定してある。
【００９１】
すなわち、このパッケージ４６内には、ベース５６を介して、電子冷却素子４８の上側に取り付けたチップキャリア１０と、このチップキャリア１０に搭載された光変調素子２６とが収容してある。
【００９２】
そして、この光変調素子２６は、ボンディングワイヤ２４を用いて、チップキャリア１０の一部を構成する高周波電気配線用基板１２（１２ａ）の表面に配線された、第１の高周波電気配線（高周波ライン）１８と電気的に接続されている。
【００９３】
そして、さらには、この第１の高周波電気配線１８の先には、電気的入出力部の一部分である高周波コネクタ４４が接続されており、その先には、高周波電力を印加するための高周波電源（図示せず）が接続されている。
【００９４】
このように光モジュール１００が構成されているため、この光モジュール例では、光源（図示せず）から出射された光が、入力用光ファイバ３２に導入され、第１のレンズホルダ４０に固定されて位置決めされた第１のレンズ部３６により、効率よく集光されて、光変調素子２６の一端に導入される。そして、この光変調素子２６において、高周波電源（図示せず）から印加された高周波電力により所定の光信号に変調される。
【００９５】
その後、変調されて信号化された光は、第２のレンズホルダ４２に固定されて位置決めされた第２のレンズ部３８により、再び効率よく集光されて、出力用光ファイバ３４に導入されて、外部に光信号として出射する（取り出す）ことができる。
【００９６】
その他、この発明のチップキャリア１０は、周囲の温度変化や薄膜抵抗器２２の発熱が生じたとしても、ベース５６を介して設けられた電子冷却素子４８上により、一定温度に保たれる。
【００９７】
次に、この発明のチップキャリア１０における高周波電気配線用基板１２について、図４〜７を用いてより詳細に説明する。
【００９８】
なお、以下の説明は、高周波電気配線用基板１２が二分割された場合の第１の基板１２ａについて行う。そして、第２の基板１２ｂについては、基本的に第１の基板１２ａと同様のマイクロストリップライン構造を有する基板の構成をとることもできるし、あるいは、中間グランド層を設けずに、単層の電気絶縁層の表面に第２の高周波電気配線が備えられた基板の構成を取ることも可能である。
【００９９】
図４は、この発明の第１の実施例のチップキャリア１０における高周波電気配線用基板１２のうちの第１の基板１２ａを説明するための断面図であり、この第１の基板１２ａは、ａ〜ｇの各層を備えていることを示す。
【０１００】
そして、ａ層は、第１の基板１２ａの表面層であり、第１の高周波電気配線１８および電気絶縁層２８ａを備えている。また、ｂ〜ｇの各層は、絶縁層２８ｂ〜２８ｇを有していて、各層の間、すなわち、互いに重なり合う表面の先端から内側へと、中間グランド層５４を部分的に存在させて設けてある。なお、この図４の構成例では、中間グランド層５４のそれぞれの長さを各層ごとに変えてある。
【０１０１】
そして、さらに、最下層のｇ層の裏面には、グランド層５２が全面的に設けられている。なお、図中、Ａ部がテーパ部（先端部）１６を示し、Ｂ部が、このテーパ部１６に至る第１の基板１２ａの等幅の部分、すなわち直線部を示している。その他、図４中、各電気絶縁層を２８で代表して示す。
【０１０２】
また、第１の基板１２ａのｂ〜ｇの各層には、グランド層５２から各中間グランド層５４に達するスルーホール５０が、個別に設けられており、それぞれの中間グランド層５４に達するまでに設けられた、それぞれのスルーホール５０を介して、各中間グランド層５４と、最下層のｇ層の裏面に設けられたグランド層５２とが、互いに独立してグランド接続されている。
【０１０３】
ここで、第１の基板１２ａの層数は、特に限定されるものではないが、例えば２〜２０層とするのが良い。かかる範囲であれば、第１の基板１２ａについて、全体に特性インピーダンスが一定になりやすく、また製造もそれほど困難とならず、基板全体の厚さも適当な値となるためである。
【０１０４】
よって、第１の基板１２ａにテーパ部を設けた場合でも、第１の基板１２ａについて特性インピーダンスがより一定になりやすく、また基板全体の厚さがより適当となることから、第１の基板１２ａの層数としては、３〜１０の範囲内、最適には、５〜８の範囲内の数とするのが良い。
【０１０５】
なお、第１の基板１２ａを構成する各層の厚さは、例えば１０〜５００μｍの範囲内の値とするのが良い。各層の厚さが、かかる範囲内の値であれば、キャリアべース上に複数の層を積層形成しても過度に厚くなることがなく、また、積層工程も容易なためである。よって、基板全体の厚さと積層工程の容易さのバランスがより良好な観点から、第１の基板１２ａを構成する各層の厚さとしては、５０〜３００μｍの範囲内、最適には、７０〜２００μｍの範囲内の値とすることが良い。
【０１０６】
また、上述した中間グランド層５４は、マイクロストリップライン構造を形成して、一定の値の特性インピーダンスを得るために設けられている。
【０１０７】
ここで、中間グランド層５４の材料や製造方法は特に限定されるものではない。例えば、タングステン、クロム等の耐熱性材料を用いて、いわゆる厚膜方法等により、容易に作成することができる。そして、中間グランド層５４の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
【０１０８】
中間グランド層５４の厚さが、かかる範囲内の値であれば、製造上のコントロールも容易であり、また、高周波電気配線用基板の厚さも過度に厚くなることがないためである。よって、基板全体の厚さと積層工程の容易さのバランスがより好ましい観点から、中間グランド層５４の厚さとしては、より好ましくは、０．５〜５０μｍ、最適には、１〜２０μｍの範囲内の値である。
【０１０９】
また、同様に、高周波電気配線用基板１２の最下層に設けられるグランド層５２の形態についても、特に限定されるものでなく、タングステンやアルミニウム等の材料を用いて、厚膜方法や蒸着等により積層可能である。そして、その厚さも、例えば、１〜１０００ｎｍの範囲内の値が好ましい。かかる範囲内であれば、優れたグランド効果が得られるとともに、高周波電気配線用基板全体として、過度に厚過ぎることもないためである。よって、かかるバランスがより好ましい観点から、グランド層の厚さとしては、５〜５００ｎｍの範囲内の値が良い。
【０１１０】
さらに、中間グランド層５４とグランド層５２を導通させるスルーホール５０の形態についても特に限定されるものでは無い。例えば、レーザーやドリル等を用いて、直径１０〜１０００μｍの範囲内の穴とすることが好ましい。スルーホール５０の直径が、かかる範囲内の値であれば、製造上のコントロールも容易であり、また、基板の機械的強度等も低下するおそれが少なくなる。よって、かかるバランスがより良好な観点から、スルーホール５０の直径としては５０〜５００μｍ、最適には、１００〜４００μｍの範囲内の値である。
【０１１１】
なお、中間グランド層５４と第１の高周波電気配線１８をスルーホール５０を用いて導通させるためには、好ましくは、金、銀、銅、タングステン等の導電材料を、スルーホール５０内に充填したり、あるいはスルーホール５０の壁面にメッキ等により、導電材料の薄膜を形成するのが良い。
【０１１２】
次に、図５（Ａ）〜（Ｈ）について説明する。図５は、第１の実施例のチップキャリア１０における高周波電気配線用基板（第１の基板１２ａ）の分解図である。図５（Ａ）は、第１の基板１２ａの表面を示し、図５（Ｂ）〜（Ｇ）は、中間グランド層５４を有する各層を示し、図５（Ｈ）は、最下層におけるグランド層５２を示している。
【０１１３】
そして、各層の平面図に示すように、中間グランド層５４（５４ｂ〜ｇ）の長さＬb 〜Ｌg は、第１の高周波電気配線１８に近い層のものほど、短くなっている。すなわち、逆にみれば、最上層の次の層に設けられた中間グランド層５４の長さＬb から、下層表面に設けられた中間グランド層５４の長さＬc 、Ｌd 、Ｌe 、Ｌf 、Ｌg の順に、中間グランド層５４の長さが長くなっている。
【０１１４】
よって、第１の基板１２ａを上述した各層から構成することにより、高周波電気配線用基板（第１の基板１２ａ）における、テーパ部１６全域にわたって、特性インピーダンスを一定にすることができる。
【０１１５】
また、図４に示すｂ層のみに、共通したスルーホール５０を一つ設けるだけで、その他の層ｃ〜ｇの中間グランド層５４（５４ｃ〜５４ｇ）からグランドを同時にとることもでき、その場合は、基板の製造がより容易となる。
【０１１６】
但し、図５（Ｂ）〜（Ｇ）に示すように、各中間グランド層５４（５４ｂ〜５４ｇ）ごとに、それぞれスルーホール５０を設けてグランド層５２と導通を取れば、スルーホール５０の数や製造工程が増えるものの、大面積でグランドが取れることになり、テーパ部１６全域にわたって、よりインピーダンスが一定になるという効果が得られ、結果として、安定した光信号の伝送が可能となる点で良い。
【０１１７】
また、図６の（Ａ）および（Ｂ）は、この発明の別なチップキャリア１０における第１の基板１２ａを説明するための平面図および断面図である。図中に示すＡ部は、テーパ部（先端部）１６を示し、Ｂ部は、このテーパ部１６に至る第１の基板１２ａにおける直線部を示している。
【０１１８】
そして、テーパ部１６において、第１の高周波電気配線１８を段階的に線幅を狭くした場合を示している。また、各電気絶縁層２８の間に、中間グランド層５４が設けられており、第１の高周波電気配線１８において、前述した式（１）の関係にしたがって、各中間グランド層５４から第１の高周波電気配線１８までの垂直距離Ｈ１〜Ｈ４と、各中間グランド層５４の垂直位置に相当する位置Ｌ１〜Ｌ４における第１の高周波電気配線１８の線幅Ｗ１〜Ｗ４が定められている。
【０１１９】
なお、位置Ｌ１〜Ｌ４は、各中間グランド層５４の一端を第１の基板１２ａの先端からその末端へ向かう方向に沿った、各中間グランド層５４の長さである。
【０１２０】
このような構造にすることにより、一番短い中間グランド層５４から、他の中間グランド層５４を経て、最下層のグランド層５２に達する、一つの共通のスルーホール（図示せず）により、グランドをとることができる。
【０１２１】
また、計算で容易に求めた、中間グランド層５４から第１の高周波用電気配線１８までの垂直距離Ｈや、第１の高周波用電気配線１８の線幅Ｗを有する高周波電気配線用基板１２を設計することができ、よって、チップキャリア１０の特性インピーダンスを、より一定の値とすることができる。
【０１２２】
また、図７の（Ａ）および（Ｂ）は、この発明の別な態様のチップキャリア１０における、第１の基板１２ａを説明するための平面図および断面図をそれぞれ示す。図中に示すＡ部は、テーパ部（先端部）１６を示し、Ｂ部は、テーパ部１６に至る第１の基板１２ａにおける等幅の直線部を示している。そして、テーパ部１６において、第１の高周波電気配線１８を段階的に線幅を狭くした場合を示しており、第１の高周波電気配線１８を図７の（Ａ）に点線で示す。
【０１２３】
ここで、第１の高周波電気配線１８の上側に、さらに第２の電気絶縁層６０および第２のグランド層６２が積層してある。そして、第１の高周波電気配線１８を、最下層のグランド層５２と、最上層の第２のグランド層６２とで、それぞれ電気絶縁層２８を介して挟み込んで、高周波電気配線用基板１２を形成している。
【０１２４】
すなわち、二つのグランド層（第２のグランド層を含む）５２、６２により、高周波電気配線１８の縁から、これらの両面に設けられたグランド層５２、６２に向かう電磁波がさらに安定するため、第１の高周波電気配線１８と二つのグランド層５２、６２との間の容量がそれぞれ大きくなり、結果として特性インピーダンスの値がより低下する。
【０１２５】
また、かかる構造によれば、第１の高周波電気配線１８が、二つのグランド層５２、６２で上下面を覆われる形となるため、特に上下方向からの電磁波の遮蔽効果に優れ、安定した光伝送が可能となる。
【０１２６】
また、図８の（Ａ）および（Ｂ）は、この発明のチップキャリア１０における別な態様の第１の基板１２ａを説明するための平面図および断面図をそれぞれ示す。
【０１２７】
前述したとおり、Ａ部は、テーパ部（先端部）１６を示し、Ｂ部は、テーパ部１６に至る第１の基板１２ａにおける等幅の直線部を示している。そして、テーパ部１６において、第１の高周波電気配線１８を直線的に線幅を狭くした場合を示している。また、各電気絶縁層２８の間に、中間グランド層５４が、第１の基板１２ａの表面から前述した式（１）に対応する垂直距離の位置に設けられている。
【０１２８】
そして、第１の高周波電気配線１８において、前述した式（１）の関係にしたがって、各中間グランド層５４から第１の高周波電気配線１８までの垂直距離Ｈ１〜Ｈ４と、各中間グランド層５４の垂直位置に相当する位置Ｌ１〜Ｌ４における第１の高周波電気配線１８の線幅Ｗ１〜Ｗ４が定められている。
【０１２９】
ここで言う位置Ｌ１〜Ｌ４は、各中間グランド層５４を、第１の基板１２ａの先端から末端へ向かう方向に沿って、第１の基板１２ａ中に設けた場合の、第１の基板１２ａの先端から、各中間グランド層５４の中心点までの距離である。
【０１３０】
そして、中間グランド層５４の各段階における長さは、実質的にテーパ部１６の長さ高周波電気配線用基板１２の層数で割った値である。
【０１３１】
よって、各中間グランド層５４から、最下層のグランド層５２に、それぞれスルーホール（図示せず）によりグランドをとることにより、チップキャリア１０における高周波電気配線用基板１２にテーパ部１６を設けた場合であても、一定の特性インピーダンスが得られる。
【０１３２】
【発明の効果】
この発明によれば、チップキャリアにおける高周波電気配線用基板の先端部にテーパ部を設け、さらに、テーパ部の高周波電気配線の下方に、平行して中間グランド層を設けて、この中間グランド層とグランド層とをスルーホールにより電気接続した構造をとることにより、
（１）テーパ部において、この基板の先端部の幅を狭くしても、一定の値の特性インピーダンスを有するチップキャリアおよびそれを用いた半導体光制御素子の実装構造を提供することができるようになった。
【０１３３】
（２）また、特性インピーダンスの値を低下させることなく、この基板の先端部の幅を狭くすることができるようになり、実装する半導体光制御素子の長さ調整のための導波路を設ける必要がなくなった。よって、導波路に起因した、光の減衰や、導波路の結合部位における結合損失が生じるおそれがなくなった。
【０１３４】
（３）さらに、高周波電気配線用基板を第１と第２の基板に二分割して、第２の基板に薄膜抵抗器を設けることにより、この抵抗器を半導体光制御素子から一定距離、離すとともに、第１の基板における薄膜抵抗器のスペースを排除することができた。その結果、薄膜抵抗器に起因する発熱の影響を可及的に少なくし、さらには、より幅の狭いチップキャリアを使用することができるようになった。
【０１３５】
（４）さらにまた、先端部の幅が狭いチップキャリアの側面部に座ぐりを設けることにより、光等に使用した場合に、よりレンズの配置性が向上し、レンズやレンズを固定するとホルダと該チップキャリアがぶつからなくなり、レンズとチップキャリアに搭載した半導体光制御素子との間で、高い光の結合効率が得られるとともに、不要な光の散乱を防止できるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は、この発明の第１の実施例のチップキャリアを説明するための平面図である。
（Ｂ）は、この発明の第１の実施例のチップキャリアを説明するための側面図である。
【図２】この発明の第１の実施例のチップキャリアを用いた半導体光制御素子の実装構造（光モジュール）を説明するための平面図である。
【図３】この発明の第１の実施例のチップキャリアを用いた半導体光制御素子の実装構造（光モジュール）を説明するための、図２におけるＸ−Ｘに沿って切った断面図である。
【図４】この発明の第１の実施例のチップキャリアにおける、高周波電気配線用基板を説明するための断面図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｈ）は、この発明の第１の実施例のチップキャリアにおける、高周波電気配線用基板を構成する各層をそれぞれ説明するための分解図である。
【図６】（Ａ）は、この発明の別な実施例のチップキャリアにおける、高周波電気配線用基板を説明するための平面図である。
（Ｂ）は、この発明の別な実施例のチップキャリアにおける、高周波電気配線用基板を説明するための断面図である。
【図７】（Ａ）は、この発明のさらに別な実施例のチップキャリアにおける、高周波電気配線用基板を説明するための平面図である。
（Ｂ）は、この発明のさらに別な実施例のチップキャリアにおける、高周波電気配線用基板を説明するための断面図である。
【図８】（Ａ）は、この発明のさらにまた別な実施例のチップキャリアにおける、高周波電気配線用基板を説明するための平面図である。
（Ｂ）は、この発明のさらにまた別な実施例のチップキャリアにおける、高周波電気配線用基板を説明するための断面図である。
【図９】従来のチップキャリアを用いた半導体光制御素子の実装構造を説明するための平面図である。
【図１０】従来のチップキャリアを用いた半導体光制御素子の実装構造（光モジュール）を説明するための、図９におけるＯ軸に沿って切った断面図である。
【符号の説明】
１０  ：チップキャリア
１２  ：高周波電気配線用基板
１２ａ：第１の基板
１２ｂ：第２の基板
１４  ：キャリアベース
１６  ：テーパ部
１８  ：第１の高周波電気配線
２０  ：第２の高周波電気配線
２２  ：薄膜抵抗器
２４  ：ボンディングワイヤ
２６  ：光変調素子（半導体光制御素子）
２８  ：電気絶縁層
３０  ：座ぐり
３２  ：入力用光ファイバ
３４  ：出力用光ファイバ
３６  ：第１のレンズ部
３８  ：第２のレンズ部
４０  ：第１のレンズホルダ
４２  ：第２のレンズホルダ
４４  ：高周波コネクタ
４６  ：パッケージ
４８  ：電子冷却素子
５０  ：スルーホール
５２  ：グランド層
５４  ：中間グランド層
５６  ：ベース
６０  ：第２の電気絶縁層
６２  ：第２のグランド層
１００、２００：光モジュール
【図１】
0003897401.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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