(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体の面上を浮上するスライダと、
前記スライダに形成され、それぞれ薄膜磁気ヘッド素子の主要部分を含む複数の薄膜磁気ヘッド素子部と、
薄膜磁気ヘッド素子部と外部との電気的な接続のための複数の電極と、
前記複数の薄膜磁気ヘッド素子部の中から選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部と前記複数の電極とを電気的に接続する複数の導体部と
を備え、
前記複数の薄膜磁気ヘッド素子部は、センターエレメント型のアップ型、センターエレメント型のダウン型、サイドエレメント型のアップ型、サイドエレメント型のダウン型の４種類用の４つの薄膜磁気ヘッド素子部を含み、
前記薄膜磁気ヘッド素子部は、それぞれ書き込み用の誘導型磁気変換素子と読み出し用の磁気抵抗素子とを有し、
センターエレメント型用の２つの薄膜磁気ヘッド素子部は、前記スライダにおいて空気の流れの方向に直交する方向の中央に形成され、サイドエレメント型用の２つの薄膜磁気ヘッド素子部は、前記スライダにおいて空気の流れの方向に直交する方向の各端部側に配置され、
アップ型用の薄膜磁気ヘッド素子部とダウン型用の薄膜磁気ヘッド素子部では、誘導型磁気変換素子と磁気抵抗素子の位置関係が異なり、
前記導体部は、選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部における前記誘導型磁気変換素子と磁気抵抗素子とに接続されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記誘導型磁気変換素子は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有し、
前記導体部のうちのいくつかは、前記薄膜コイルに接続される
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
更に、各薄膜磁気ヘッド素子部毎に設けられ、各薄膜ヘッド素子部に接続されていると共に、前記導体部が選択的に接続される中間接続部を備えたことを特徴とする請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
記録媒体の面上を浮上するスライダと、前記スライダに形成され、それぞれ薄膜磁気ヘッド素子の主要部分を含む複数の薄膜磁気ヘッド素子部と、薄膜磁気ヘッド素子部と外部との電気的な接続のための複数の電極と、前記複数の薄膜磁気ヘッド素子部の中から選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部と前記複数の電極とを電気的に接続する複数の導体部とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
基板上の一つの薄膜磁気ヘッドとなる部分に対して、前記複数の薄膜磁気ヘッド素子部を形成する工程と、
基板上の一つの薄膜磁気ヘッドとなる部分に対して、前記複数の電極を形成する工程と、
前記複数の薄膜磁気ヘッド素子部の中から選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部と前記複数の電極とを電気的に接続する前記複数の導体部を形成する工程と
を含み、
前記複数の薄膜磁気ヘッド素子部は、センターエレメント型のアップ型、センターエレメント型のダウン型、サイドエレメント型のアップ型、サイドエレメント型のダウン型の４種類用の４つの薄膜磁気ヘッド素子部を含み、
前記薄膜磁気ヘッド素子部は、それぞれ書き込み用の誘導型磁気変換素子と読み出し用の磁気抵抗素子とを有し、
センターエレメント型用の２つの薄膜磁気ヘッド素子部は、前記スライダにおいて空気の流れの方向に直交する方向の中央に形成され、サイドエレメント型用の２つの薄膜磁気ヘッド素子部は、前記スライダにおいて空気の流れの方向に直交する方向の各端部側に配置され、
アップ型用の薄膜磁気ヘッド素子部とダウン型用の薄膜磁気ヘッド素子部では、誘導型磁気変換素子と磁気抵抗素子の位置関係が異なり、
前記導体部は、選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部における前記誘導型磁気変換素子と磁気抵抗素子とに接続されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記電極を形成する工程は、前記導体部を形成する工程の後に実行されることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記電極を形成する工程は、前記導体部を形成する工程の前に実行されることを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記誘導型磁気変換素子は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有し、前記導体部のうちのいくつかは、前記薄膜コイルに接続されるものであり、
前記薄膜磁気ヘッド素子部を形成する工程は、第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上に薄膜コイルを形成する工程と、薄膜コイルの上に第２の磁性層を形成する工程とを含む
ことを特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
更に、前記導体部を形成する工程の前に、各薄膜ヘッド素子部に接続されると共に、前記導体部が選択的に接続される中間接続部を、各薄膜磁気ヘッド素子部毎に形成する工程を含み、
前記導体部は、選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部に対応する中間接続部に接続されることを特徴とする請求項４ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記導体部を形成する工程は、前記薄膜コイルを形成する工程と同時に実行されることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記導体部を形成する工程は、前記第２の磁性層を形成する工程と同時に実行されることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記導体部を形成する工程は、前記第２の磁性層を形成する工程の後に実行されることを特徴とする請求項７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
記録媒体の面上を浮上するスライダと、前記スライダに形成された薄膜磁気ヘッド素子とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造に用いられる薄膜磁気ヘッド用素材であって、
それぞれ前記薄膜磁気ヘッド素子の主要部分を含み、外部との電気的な接続のための複数の電極に対して複数の導体部を介して選択的に電気的に接続される複数の薄膜磁気ヘッド素子部を備え、
前記複数の薄膜磁気ヘッド素子部は、センターエレメント型のアップ型、センターエレメント型のダウン型、サイドエレメント型のアップ型、サイドエレメント型のダウン型の４種類用の４つの薄膜磁気ヘッド素子部を含み、
前記薄膜磁気ヘッド素子部は、それぞれ書き込み用の誘導型磁気変換素子のうちの少なくとも一部と読み出し用の磁気抵抗素子とを有し、
センターエレメント型用の２つの薄膜磁気ヘッド素子部は、前記スライダにおいて空気の流れの方向に直交する方向の中央に形成され、サイドエレメント型用の２つの薄膜磁気ヘッド素子部は、前記スライダにおいて空気の流れの方向に直交する方向の各端部側に配置され、
アップ型用の薄膜磁気ヘッド素子部とダウン型用の薄膜磁気ヘッド素子部では、誘導型磁気変換素子と磁気抵抗素子の位置関係が異なることを特徴とする薄膜磁気ヘッド用素材。
【請求項１３】
更に、前記電極を備えたことを特徴とする請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド用素材。
【請求項１４】
前記誘導型磁気変換素子は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有することを特徴とする請求項１２または１３記載の薄膜磁気ヘッド用素材。
【請求項１５】
更に、各薄膜磁気ヘッド素子部毎に設けられ、各薄膜ヘッド素子部に接続されていると共に、前記導体部が選択的に接続される中間接続部を備えたことを特徴とする請求項１２ないし１４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用素材。
【請求項１６】
記録媒体の面上を浮上するスライダと、前記スライダに形成された薄膜磁気ヘッド素子とを備えた薄膜磁気ヘッドの製造に用いられる薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法であって、
基板上の一つの薄膜磁気ヘッドとなる部分に対して、それぞれ前記薄膜磁気ヘッド素子の主要部分を含み、外部との電気的な接続のための複数の電極に対して複数の導体部を介して選択的に電気的に接続される複数の薄膜磁気ヘッド素子部を形成する工程を含み、
前記複数の薄膜磁気ヘッド素子部は、センターエレメント型のアップ型、センターエレメント型のダウン型、サイドエレメント型のアップ型、サイドエレメント型のダウン型の４種類用の４つの薄膜磁気ヘッド素子部を含み、
前記薄膜磁気ヘッド素子部は、それぞれ書き込み用の誘導型磁気変換素子のうちの少なくとも一部と読み出し用の磁気抵抗素子とを有し、
センターエレメント型用の２つの薄膜磁気ヘッド素子部は、前記スライダにおいて空気の流れの方向に直交する方向の中央に形成され、サイドエレメント型用の２つの薄膜磁気ヘッド素子部は、前記スライダにおいて空気の流れの方向に直交する方向の各端部側に配置され、
アップ型用の薄膜磁気ヘッド素子部とダウン型用の薄膜磁気ヘッド素子部では、誘導型磁気変換素子と磁気抵抗素子の位置関係が異なることを特徴とする薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法。
【請求項１７】
更に、前記電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法。
【請求項１８】
前記誘導型磁気変換素子は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有することを特徴とする請求項１６または１７記載の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法。
【請求項１９】
更に、各薄膜ヘッド素子部に接続されると共に、前記導体部が選択的に接続される中間接続部を、各薄膜磁気ヘッド素子部毎に形成する工程を含むことを特徴とする請求項１６ないし１８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜磁気ヘッド素子とこの薄膜磁気ヘッド素子と外部との電気的な接続のための複数の電極とを有する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法、ならびに上記薄膜磁気ヘッドの製造に用いられる薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッド（以下、記録素子とも言う。）と読み出し用の磁気抵抗（以下、ＭＲ（Magneto Resistive ）とも記す。）素子を有する再生ヘッド（以下、再生素子とも言う。）とを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。ＭＲ素子としては、異方性磁気抵抗（以下、ＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resistive ）と記す。）効果を用いたＡＭＲ素子と、巨大磁気抵抗（以下、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive ）と記す。）効果を用いたＧＭＲ素子とがあり、ＡＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＡＭＲヘッドあるいは単にＭＲヘッドと呼ばれ、ＧＭＲ素子を用いた再生ヘッドはＧＭＲヘッドと呼ばれる。ＡＭＲヘッドは、面記録密度が１ギガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用され、ＧＭＲヘッドは、面記録密度が３ギガビット／（インチ）2 を超える再生ヘッドとして利用されている。
【０００３】
一般的に、ＡＭＲ膜は、ＭＲ効果を示す磁性体を膜としたもので、単層構造になっている。これに対して、多くのＧＭＲ膜は、複数の膜を組み合わせた多層構造になっている。ＧＭＲ効果が発生するメカニズムにはいくつかの種類があり、そのメカニズムによってＧＭＲ膜の層構造が変わる。ＧＭＲ膜としては、超格子ＧＭＲ膜、スピンバルブ膜およびグラニュラ膜が提案されているが、比較的構成が単純で、弱い磁界でも大きな抵抗変化を示し、量産を前提とするＧＭＲ膜としては、スピンバルブ膜が有力である。
【０００４】
再生ヘッドの性能を決定する要因の１つに、上述のような材料の選択の他に、パターン幅、特に、ＭＲハイトがある。ＭＲハイトは、ＭＲ素子のエアベアリング面（媒体対向面）側の端部から反対側の端部までの長さ（高さ）を言う。このＭＲハイトは、本来、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００５】
一方、再生ヘッドの性能向上に伴って、記録ヘッドの性能向上も求められている。記録ヘッドの性能のうち、記録密度を高めるには、磁気記録媒体におけるトラック密度を上げる必要がある。そのために、半導体加工技術を利用して、磁極をサブミクロンのオーダーに加工し、狭トラック構造の記録ヘッドを製造することが望まれていた。それに伴い、磁極には、高飽和磁束密度を持つ磁性材料を用いることが望まれている。
【０００６】
記録ヘッドの性能を決定するその他の要因としては、スロートハイトがある。スロートハイトは、エアベリング面から、薄膜コイルを電気的に分離する絶縁層のエッジまでの部分（本出願において磁極部分と言う。）の長さ（高さ）を言う。記録ヘッドの性能向上のためには、スロートハイトの縮小化が望まれている。このスロートハイトも、エアベアリング面の加工の際の研磨量によって制御される。
【０００７】
このように、薄膜磁気ヘッドの性能の向上のためには、記録ヘッドと再生ヘッドをバランスよく形成することが重要である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、薄膜磁気ヘッドの製造工程には、基体となるウェハ上に薄膜パターンを形成するウェハ工程や、スロートハイトやＭＲハイトを研磨により調整する研磨工程等が含まれる。そのうち、ウェハ工程には、多くのマスク工程と、めっき法によるパターン形成、スパッタリング、エッチング、ＣＭＰ（化学機械研磨）等の工程が含まれる。また、薄膜磁気ヘッドでは、再生素子のトラック幅や記録素子のトラック幅等を変えることで、性能や特性を変えることができる。そのため、薄膜磁気ヘッドを製造するに当たって、決められた仕様を満足するマスクを用いて再生素子のトラック幅や記録素子のトラック幅等を決定することで、多様な顧客に対応した薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０００９】
薄膜磁気ヘッドの製造工程は、多くの工程を含み、１つの製品を作るのに要する時間が非常に長いため、顧客の要求に合った性能や特性を持つ薄膜磁気ヘッドを製造するには、フォトマスクの選択によって性能や特性を変えることができるように、しっかりとした生産計画を綿密に検討する必要がある。
【００１０】
ところが、顧客の要求は、ウェハ工程で決定される薄膜磁気ヘッドの性能や特性だけにとどまらず、薄膜磁気ヘッド素子を保持し、ハードディスクの面上を浮上するスライダにも及んでいる。スライダに関する顧客の要求としては、例えば、スライダにおける空気の流れの方向に直交する方向の一方の端部側に薄膜磁気ヘッド素子が形成されたスライダ（以下、サイドエレメント型スライダと言う。）とするか、スライダにおける空気の流れの方向に直交する方向の中央に薄膜磁気ヘッド素子が形成されたスライダ（以下、センターエレメント型スライダと言う。）とするかの指示がある。スライダとしては、上記のサイドエレメント型スライダとセンターエレメント型スライダが一般的である。最近では、ハードディスクの面上での浮上特性からの要望で、大きく分けて、上記の２種類の型に落ち着く傾向がある。
【００１１】
ここで、図２５ないし図２８を参照して、サイドエレメント型スライダとセンターエレメント型スライダについて説明する。
【００１２】
図２５は、サイドエレメント型スライダにおける薄膜磁気ヘッド素子が形成された面を概念的に示す正面図、図２６は、サイドエレメント型スライダにおけるエアベアリング面側を概念的に示す底面図である。図２６において、符号１２０で示した矢印は空気の流れの方向を表し、ＬＥは空気流入端を表し、ＴＲは空気流出端を表している。図２５および図２６に示したように、サイドエレメント型スライダでは、空気の流れの方向の一方の端面（この例では、空気流出端ＴＲ側の端面）１１０の近傍において、薄膜磁気ヘッド素子１１１が、スライダにおける空気の流れの方向に直交する方向の一方の端部側に形成されている。また、端面１１０には、薄膜磁気ヘッド素子１１１と外部との電気的な接続のための４つのパッド状の電極１１２が設けられている。これらの電極１１２は、４つの導体部１１３によって、薄膜磁気ヘッド素子１１１に接続されている。また、スライダのエアベアリング面側には、レール１１５が形成されている。
【００１３】
図２７は、センターエレメント型スライダにおける薄膜磁気ヘッド素子が形成された面を概念的に示す正面図、図２８は、センターエレメント型スライダにおけるエアベアリング面側を概念的に示す底面図である。なお、図２８中の符号１２０，ＬＥ，ＴＲは、図２６と同様である。図２７および図２８に示したように、センターエレメント型スライダでは、空気の流れの方向の一方の端面（この例では、空気流出端ＴＲ側の端面）１１０の近傍において、薄膜磁気ヘッド素子１１１が、スライダにおける空気の流れの方向に直交する方向の中央に形成されている。また、端面１１０には、薄膜磁気ヘッド素子１１１と外部との電気的な接続のための４つのパッド状の電極１１２が設けられている。これらの電極１１２は、４つの導体部１１３によって、薄膜磁気ヘッド素子１１１に接続されている。また、スライダのエアベアリング面側には、レール１１５が形成されている。
【００１４】
しかしながら、サイドエレメント型スライダとセンターエレメント型スライダの切り替えは、薄膜磁気ヘッドの製造工程における途中の工程でフォトマスクを変えるだけでは対応ができない。そのため、従来は、各型のスライダについて、それぞれ別々のマスク一式を用意し、別々に量産する必要があった。
【００１５】
また、高密度記録のためのハードディスク装置では、４枚や６枚等の複数枚のハードディスクを重ねて使用している。図２９は、このような複数枚のハードディスクを使用するハードディスク装置における薄膜磁気ヘッドの配置を示したものである。このようなハードディスク装置では、回転される軸１２１に対して、複数枚のハードディスク１２２が取り付けられている。また、このハードディスク装置では、ハードディスク１２２の下側に配置されて、媒体対向面が上側を向いた薄膜磁気ヘッド（以下、アップ型の薄膜磁気ヘッドと言う。）１２３と、ハードディスク１２２の上側に配置されて、媒体対向面が下側を向いた薄膜磁気ヘッド（以下、ダウン型の薄膜磁気ヘッドと言う。）１２４とが設けられている。アップ型の薄膜磁気ヘッド１２３とダウン型の薄膜磁気ヘッド１２４は、サスペンション１２６を介して、可動アーム１２５に取り付けられている。アップ型の薄膜磁気ヘッド１２３とダウン型の薄膜磁気ヘッド１２４の構造上の違いは、再生素子と記録素子との位置関係の違いである。
【００１６】
従って、サイドエレメント型スライダとセンターエレメント型スライダのそれぞれについて、アップ型の薄膜磁気ヘッドのものとダウン型の薄膜磁気ヘッドのものの２種類が必要になり、薄膜磁気ヘッドの種類は、合計４種類になる。従来は、これらの種類毎に、２０〜３０のマスク工程のためのマスクセットを別々に用意して、各種類毎に薄膜磁気ヘッドを量産していた。また、計画生産では、各種類毎に、異なる量産ロットを用意して、顧客に対応した薄膜磁気ヘッドを製造していた。
【００１７】
このように、従来は、各種類毎に、異なるマスクや異なる量産ロットを用いて、薄膜磁気ヘッドを製造していたので、受注から出荷までの時間、いわゆるサイクルタイムが長くなると共に、製造コストが高くなるという問題点があった。
【００１８】
特に、最近は、ハードディスク装置の仕様の変更や改善が短期間でなされており、薄膜磁気ヘッドの顧客は、注文後、短期間で、要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドが納入されることを望む。従って、薄膜磁気ヘッドの製造業者は、顧客の要求に合った仕様の少量多品種の製品を、短期間で生産する必要がある。そのため、上記の問題点が顕著になっている。
【００１９】
また、従来は、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを量産している途中で、顧客の要求する仕様が変わり、製造工程の始めから量産しなおす場合もしばしばあった。そのため、無駄が生じ、製造コストが高くなるという問題点があった。
【００２０】
また、従来は、顧客の製品出荷スケジュールを厳守するためや、短期納入によって同業者との競争に打ち勝つために、薄膜磁気ヘッドの製造業者が、顧客の注文数や要求する仕様を予測し、受注に先行して薄膜磁気ヘッドの量産を行う場合もあった。しかし、顧客が使用者のニーズに素早く対応しようとするために、顧客の注文数や要求する仕様が、製造業者の予測をはるかに越える場合もある。このような場合には、多くの未納在庫が生じると共に、顧客の要求に合った新しい量産ロットを、平均サイクルタイムを無視して、極めて早く量産する必要が生じる。顧客や最終製品の仕様が例えば半年毎に変わる昨今では、数カ月間の未納在庫は、不良在庫に等しく、無駄を生じることになる。また、平均サイクルタイムを無視した量産は、量産ラインのバランスを崩すと共に、量産能力の低下を引き起こすという問題点がある。
【００２１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを短期間で提供することを可能とすると共に、製造コストの低減を可能とした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、それぞれ薄膜磁気ヘッド素子の主要部分を含む複数の薄膜磁気ヘッド素子部と、薄膜磁気ヘッド素子部と外部との電気的な接続のための複数の電極と、複数の薄膜磁気ヘッド素子部の中から選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部と複数の電極とを電気的に接続する複数の導体部とを備えたものである。
【００２３】
この薄膜磁気ヘッドでは、導体部によって、複数の薄膜磁気ヘッド素子部の中から選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部と複数の電極とが電気的に接続される。これにより、複数の仕様の薄膜磁気ヘッドを選択的に提供可能となる。
【００２４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、例えば、薄膜磁気ヘッド素子部は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子を備え、導体部は、薄膜コイルに接続される。
【００２５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、例えば、薄膜磁気ヘッド素子部は、磁気抵抗素子を備え、導体部は、磁気抵抗素子に接続される。
【００２６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、更に、各薄膜磁気ヘッド素子部毎に設けられ、各薄膜ヘッド素子部に接続されていると共に、導体部が選択的に接続される中間接続部を備えてもよい。
【００２７】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上の一つの薄膜磁気ヘッドとなる部分に対して、それぞれ薄膜磁気ヘッド素子の主要部分を含む複数の薄膜磁気ヘッド素子部を形成する工程と、基板上の一つの薄膜磁気ヘッドとなる部分に対して、薄膜磁気ヘッド素子部と外部との電気的な接続のための複数の電極を形成する工程と、複数の薄膜磁気ヘッド素子部の中から選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部と複数の電極とを電気的に接続するための複数の導体部を形成する工程とを含むものである。
【００２８】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、導体部によって、複数の薄膜磁気ヘッド素子部の中から選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部と複数の電極とが電気的に接続される。これにより、複数の仕様の薄膜磁気ヘッドを選択的に提供可能となる。
【００２９】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、電極を形成する工程は、導体部を形成する工程の後に実行されてもよいし、導体部を形成する工程の前に実行されてもよい。
【００３０】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、例えば、薄膜磁気ヘッド素子部は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子を備えたものであり、導体部は、薄膜コイルに接続されるものであり、薄膜磁気ヘッド素子部を形成する工程は、第１の磁性層を形成する工程と、第１の磁性層の上に薄膜コイルを形成する工程と、薄膜コイルの上に第２の磁性層を形成する工程とを含む。
【００３１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、例えば、薄膜磁気ヘッド素子部は、磁気抵抗素子を備えたものであり、導体部は、磁気抵抗素子に接続される。
【００３２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、更に、導体部を形成する工程の前に、各薄膜ヘッド素子部に接続されると共に、導体部が選択的に接続される中間接続部を、各薄膜磁気ヘッド素子部毎に形成する工程を含み、導体部が、選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部に対応する中間接続部に接続されるようにしてもよい。
【００３３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、導体部を形成する工程は、例えば、薄膜コイルを形成する工程と同時に実行されてもよいし、第２の磁性層を形成する工程と同時に実行されてもよいし、第２の磁性層を形成する工程の後に実行されてもよい。
【００３４】
本発明の薄膜磁気ヘッド用素材は、それぞれ薄膜磁気ヘッド素子の主要部分を含み、外部との電気的な接続のための複数の電極に対して複数の導体部を介して選択的に電気的に接続される複数の薄膜磁気ヘッド素子部を備えたものである。
【００３５】
この薄膜磁気ヘッド用素材によれば、この素材を用いて、導体部によって、複数の薄膜磁気ヘッド素子部の中から選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部と複数の電極とを電気的に接続することにより、複数の仕様の薄膜磁気ヘッドを選択的に製造することが可能となる。
【００３６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材では、更に、電極を備えていてもよい。
【００３７】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材では、例えば、薄膜磁気ヘッド素子部は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子のうちの少なくとも一部を備えている。
【００３８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材では、例えば、薄膜磁気ヘッド素子部は、磁気抵抗素子を備えている。
【００３９】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材では、更に、各薄膜磁気ヘッド素子部毎に設けられ、各薄膜ヘッド素子部に接続されていると共に、導体部が選択的に接続される中間接続部を備えてもよい。
【００４０】
本発明の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法は、基板上の一つの薄膜磁気ヘッドとなる部分に対して、それぞれ薄膜磁気ヘッド素子の主要部分を含み、外部との電気的な接続のための複数の電極に対して複数の導体部を介して選択的に電気的に接続される複数の薄膜磁気ヘッド素子部を形成する工程を含むものである。
【００４１】
この薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法によれば、複数の薄膜磁気ヘッド素子部を備えた素材を製造しておくことができ、この素材を用いて、導体部によって、複数の薄膜磁気ヘッド素子部の中から選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部と複数の電極とを電気的に接続することにより、複数の仕様の薄膜磁気ヘッドを選択的に製造することが可能となる。
【００４２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法では、更に、電極を形成する工程を含んでいてもよい。
【００４３】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法では、例えば、薄膜磁気ヘッド素子部は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部がギャップ層を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイルとを有する誘導型磁気変換素子のうちの少なくとも一部を備えたものである。
【００４４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法では、例えば、薄膜磁気ヘッド素子部は、磁気抵抗素子を備えたものである。
【００４５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法では、更に、各薄膜ヘッド素子部に接続されると共に、導体部が選択的に接続される中間接続部を、各薄膜磁気ヘッド素子部毎に形成する工程を含んでいてもよい。
【００４６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。以下の各実施の形態は、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用した例である。
【００４７】
始めに、図１ないし図６を参照して、各実施の形態に共通する複合型薄膜磁気ヘッドの主要部分の製造方法について説明する。ここで、図１ないし図６において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。なお、これらの図を参照して以下で説明する構成および製造方法は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一例についてのものである。
【００４８】
この薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）よりなる基板１の上に、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる絶縁層２を、約５〜１０μｍの厚みで堆積する。次に、絶縁層２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層３を形成する。
【００４９】
次に、図２に示したように、下部シールド層３の上に、例えばアルミナを１００〜２００ｎｍの厚みにスパッタ堆積し、絶縁層としての下部シールドギャップ膜４を形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、再生用のＭＲ素子５を形成するためのＭＲ膜を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、フォトレジストパターンをマスクとして、例えばイオンミリングによってＭＲ膜をエッチングして、ＭＲ素子５を形成する。なお、ＭＲ素子５は、ＧＭＲ素子でもよいし、ＡＭＲ素子でもよい。次に、下部シールドギャップ膜４の上に、ＭＲ素子５に電気的に接続される電極層６を、例えばリフトオフ法によって形成する。次に、下部シールドギャップ膜４、ＭＲ素子５および電極層６の上に、絶縁層としての上部シールドギャップ膜７を形成し、ＭＲ素子５をシールドギャップ膜４，７内に埋設する。次に、上部シールドギャップ膜７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極（以下、上部シールド層と記す。）８を、例えば約３μｍの厚みに形成する。
【００５０】
次に、図３に示したように、上部シールド層８の上に、絶縁膜、例えばアルミナ膜よりなる記録ギャップ層９を、例えば２００ｎｍの厚みに形成する。次に、後方（図３（ａ）における右側）の位置において、磁路形成のために、記録ギャップ層９を部分的にエッチングして、コンタクトホールを形成する。次に、磁極部分における記録ギャップ層９の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えば高飽和磁束密度材のパーマロイ（ＮｉＦｅ）またはＦｅＮよりなるポールチップ１０を、例えば０．５〜１μｍの厚みに形成する。ポールチップ１０は、上部磁極の一部をなす。このとき、同時に、磁路形成のためのコンタクトホールの上に、磁路形成のための磁性材料からなる磁性層２０を形成する。
【００５１】
次に、図４に示したように、ポールチップ１０をマスクとして、イオンミリングによって、記録ギャップ層９と上部シールド層（下部磁極）８をエッチングする。図４（ｂ）に示したように、上部磁極（ポールチップ１０）、記録ギャップ層９および上部シールド層（下部磁極）８の一部の各側壁が垂直に自己整合的に形成された構造は、トリム（Trim）構造と呼ばれる。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効トラック幅の増加を防止することができる。
【００５２】
次に、全面に、例えばアルミナ膜よりなる絶縁層１１を、約３μｍの厚みに形成する。次に、この絶縁層１１を、ポールチップ１０および磁性層２０の表面に至るまで研磨して平坦化する。この際の研磨方法としては、機械的な研磨またはＣＭＰ（化学機械研磨）が用いられる。この平坦化により、ポールチップ１０および磁性層２０の表面が露出する。
【００５３】
次に、図５に示したように、平坦化された絶縁層１１の上に、例えば銅（Ｃｕ）よりなる誘導型の記録ヘッド用の第１層目の薄膜コイル１２を、例えばめっき法によって形成する。次に、絶縁層１１およびコイル１２の上に、フォトレジスト層１３を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１３の表面を平坦にするために、例えば２５０〜３００°Ｃの温度で熱処理する。次に、フォトレジスト層１３の上に、例えば銅よりなる第２層目の薄膜コイル１４を、例えばめっき法によって形成する。次に、フォトレジスト層１３およびコイル１４上に、フォトレジスト層１５を、所定のパターンに形成する。次に、フォトレジスト層１５の表面を平坦にするために、例えば２５０〜３００°Ｃの温度で熱処理する。
【００５４】
次に、図６に示したように、ポールチップ１０、フォトレジスト層１３，１５および磁性層２０の上に、記録ヘッド用の磁性材料、例えばパーマロイよりなる上部磁極層１６を形成する。次に、上部磁極層１６の上に、例えばアルミナよりなるオーバーコート層１７を形成する。最後に、スライダの機械加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドのエアベアリング面を形成して、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５５】
［本発明の第１の実施の形態］
次に、図７ないし図９を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法について説明する。本実施の形態は、基板上の一つの薄膜磁気ヘッドとなる部分、すなわち一つのスライダ部分に対して、それぞれ、センターエレメント型用の薄膜磁気ヘッド素子の主要部とサイドエレメント型用の薄膜磁気ヘッド素子の主要部を含む２つの薄膜磁気ヘッド素子部を形成しておき、薄膜磁気ヘッド素子部と電極との間の導体部のパターンによって、センターエレメント型とするかサイドエレメント型とするかを選択できるようにしたものである。
【００５６】
図７および図８は、それぞれ、本実施の形態におけるスライダの薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。なお、図７はセンターエレメント型とした場合を示し、図８はサイドエレメント型とした場合を示している。また、図９は、本実施の形態におけるスライダのエアベアリング面側を概念的に示す底面図である。図９において、符号５０で示した矢印は空気の流れの方向を表し、ＬＥは空気流入端を表し、ＴＲは空気流出端を表している。図７ないし図９に示したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、記録媒体（ハードディスク）の面上を浮上するスライダ２５を備えている。スライダ２５には、空気の流れの方向の一方の端面３０の近傍において、２つの薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２が形成されている。一方の薄膜磁気ヘッド素子部３１は、センターエレメント型用であり、空気の流れの方向に直交する方向の中央に形成されている。他方の薄膜磁気ヘッド素子部３２は、サイドエレメント型用であり、空気の流れの方向に直交する方向の一方の端部側（図７ないし図９においては左側）に形成されている。
【００５７】
また、端面３０には、薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２と外部との電気的な接続のための４つのパッド状の電極３３が設けられている。これらの電極３３は、４つの導体部３４によって、薄膜磁気ヘッド素子部３１または薄膜磁気ヘッド素子部３２のいずれかと、電気的な接続が行われる。図７に示したように、導体部３４によって、薄膜磁気ヘッド素子部３１と電極３３とを接続した場合には、センターエレメント型の薄膜磁気ヘッドが得られ、図８に示したように、導体部３４によって、薄膜磁気ヘッド素子部３２と電極３３とを接続した場合には、サイドエレメント型の薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００５８】
また、スライダ２５のエアベアリング面側には、レール３５が形成されている。
【００５９】
薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２の基本的な構成は、一例として、図６に示したような構成になっている。すなわち、薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２は、それぞれ、読み出し用のＭＲ素子５と、書き込み用の誘導型磁気変換素子とを有している。誘導型磁気変換素子は、磁気的に連結され、且つ記録媒体に対向する側の一部が記録ギャップ層９を介して互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層からなる第１および第２の磁性層と、この第１および第２の磁性層の間に配設された薄膜コイル１２，１４とを有している。そして、本実施の形態では、第１の磁性層には、上部シールド層（下部磁極）８が対応し、第２の磁性層には、ポールチップ１０、上部磁極層１６および磁性層２０が対応する。
【００６０】
図７または図８における４つの導体部３４のうちの２つは、薄膜コイル１２，１４に接続され、残りの２つは、電極層６を介してＭＲ素子５に接続される。
【００６１】
本実施の形態では、導体部３４を形成する工程は、例えば、薄膜コイル１２，１４を形成する工程と同時に実行されてもよいし、第２の磁性層としての上部磁極層１６を形成する工程と同時に実行されてもよい。
【００６２】
ここで、図１０ないし図１２を参照して、導体部３４を形成する工程を、薄膜コイル１２，１４を形成する工程と同時に実行する場合について、導体部３４と電極３３の形成方法を説明する。ここで、図１０は薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２の平面図、図１１は図１０のＡ−Ａ′線断面図、図１２は図１０のＢ−Ｂ′線断面図である。
【００６３】
この方法の場合には、薄膜コイル１２，１４を形成する工程の前まで、薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２は、１種類の工程で製造される。なお、上部シールドギャップ膜７（図１０では図示せず）には、各素子部３１，３２の近傍において、電極層６との接続のためのコンタクトホール（ビアホールとも言う。）３６を形成しておく。そして、薄膜コイル１２，１４を形成する工程において、薄膜コイル１２，１４と同じ材料を用いて、上部シールドギャップ膜７の上に、例えばめっき法によって、４つの導体部３４を形成する。４つの導体部３４のうちの２つは、使用する素子部における薄膜コイル１２，１４に接続される。４つの導体部３４のうちの残りの２つは、上部シールドギャップ膜７に形成されたコンタクトホール３６を通して、使用する素子部における電極層６に接続され、この電極層６を介して使用する素子部におけるＭＲ素子５に接続される。その後、第２の磁性層としてのポールチップ１０、上部磁極層１６および磁性層２０を形成する。
【００６４】
なお、薄膜コイル１２，１４を形成する工程と、第２の磁性層を形成する工程では、薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２のうちの使用する素子部についてのみ、薄膜コイル１２，１４や、第２の磁性層を形成するようにしてもよい。
【００６５】
その後、オーバーコート層１７を形成する前に、例えば銅を用いて、柱状の電極（バンプ）３３を、例えばめっき法によって形成する。電極３３は、その下端部が導体部３４に接続されるように形成される。その後、オーバーコート層１７を形成して、オーバーコート層１７によって電極３３を覆う。その後、オーバーコート層１７の上面を研磨して、電極３３の上端面を露出させる。露出した電極３３の上端面には、必要に応じて、例えば酸化防止（錆防止）のために、金（Ａｕ）をスパッタリングしてもよい。
【００６６】
この方法の場合には、薄膜コイル１２，１４を形成する工程と、第２の磁性層を形成する工程のうち、少なくとも薄膜コイル１２，１４を形成する工程において、導体部３４のパターンに応じた２種類のフォトマスクを用意しておくだけで、２種類の薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる。
【００６７】
次に、図１３ないし図１５を参照して、導体部３４を形成する工程を、上部磁極層１６を形成する工程と同時に実行する場合について、導体部３４と電極３３の形成方法を説明する。ここで、図１３は薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２の平面図、図１４は図１３のＣ−Ｃ′線断面図、図１５は図１３のＤ−Ｄ′線断面図である。
【００６８】
この方法の場合には、ポールチップ１０および磁性層２０を形成する工程までは、薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２は、１種類の工程で製造される。なお、上部シールドギャップ膜７（図１３では図示せず）には、各素子部３１，３２の近傍において、電極層６との接続のためのコンタクトホール３６を形成しておく。また、薄膜コイル１２，１４を形成する工程では、各素子部３１，３２の近傍において、各素子部３１，３２の薄膜コイル１２，１４に接続されると共に、導体部３４が選択的に接続される中間端子３７を形成しておく。この中間端子３７と、前述のコンタクトホール３６は、本発明における中間接続部に対応する。なお、中間端子３７を設ける代わりに、フォトレジスト層１３，１５に、薄膜コイル１２，１４との接続のためのコンタクトホールを形成してもよい。
【００６９】
そして、上部磁極層１６を形成する工程において、上部磁極層１６と同じ材料を用いて、上部シールドギャップ膜７の上に、例えばめっき法によって、４つの導体部３４を形成する。４つの導体部３４のうちの２つは、中間端子３７またはコンタクトホールを介して、使用する素子部における薄膜コイル１２，１４に接続される。４つの導体部３４のうちの残りの２つは、上部シールドギャップ膜７に形成されたコンタクトホール３６を介して、使用する素子部における電極層６に接続され、この電極層６を介して使用する素子部におけるＭＲ素子５に接続される。
【００７０】
なお、上部磁極層１６を形成する工程では、薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２のうちの使用する素子部についてのみ、上部磁極層１６を形成するようにしてもよい。
【００７１】
その後、オーバーコート層１７を形成する前に、柱状の電極（バンプ）３３を、例えばめっき法によって形成する。電極３３は、その下端部が導体部３４に接続されるように形成される。その後、オーバーコート層１７を形成して、オーバーコート層１７によって電極３３を覆う。その後、オーバーコート層１７の上面を研磨して、電極３３の上端面を露出させる。露出した電極３３の上端面には、必要に応じて、例えば酸化防止（錆防止）のために、金（Ａｕ）をスパッタリングしてもよい。
【００７２】
この方法の場合には、上部磁極層１６を形成する工程において、導体部３４のパターンに応じた２種類のフォトマスクを用意しておくだけで、２種類の薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる。
【００７３】
本実施の形態では、同一の工程によって、導体部３４を形成する直前まで製造された半製品が、本発明における薄膜磁気ヘッド用素材に対応する。
【００７４】
以上説明したように、本実施の形態では、基板上の一つの薄膜磁気ヘッドとなる部分、すなわち一つのスライダ部分に対して、センターエレメント型用とサイドエレメント型用の２つの薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２を形成しておき、薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２と電極３３との間の導体部３４のパターンによって、センターエレメント型の薄膜磁気ヘッドまたはサイドエレメント型の薄膜磁気ヘッドを得ることができる。従って、本実施の形態によれば、予め、２つの薄膜磁気ヘッド素子部３１，３２を、１種類の工程、言い換えると１種類のフォトマスクを用いて形成しておき、得られた半製品（薄膜磁気ヘッド用素材）を、センターエレメント型とサイドエレメント型とで共通の在庫として確保しておくことができる。そして、顧客の注文が入り次第、顧客の要求に応じて、その後の一部の工程、言い換えると一部のフォトマスクのみを変更して、センターエレメント型の薄膜磁気ヘッドまたはサイドエレメント型の薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００７５】
このように、本実施の形態によれば、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを短期間で提供することが可能になる。また、本実施の形態によれば、センターエレメント型とサイドエレメント型とで大部分のフォトマスクを共通にすることができると共に、量産ロットや製造途中のものが無駄になるのを防止でき、製造コストの低減が可能となる。
【００７６】
［本発明の第２の実施の形態］
次に、図１６ないし図１８を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドとその製造方法について説明する。本実施の形態は、一つのスライダ部分に対して、センターエレメント型のアップ型、センターエレメント型のダウン型、サイドエレメント型のアップ型、サイドエレメント型のダウン型の４種類用の４つの薄膜磁気ヘッド素子部を形成しておき、薄膜磁気ヘッド素子部と電極との間の導体部のパターンによって、４種類のうちのいずれかを選択できるようにしたものである。
【００７７】
図１６および図１７は、それぞれ、本実施の形態におけるスライダの薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。なお、図１６はセンターエレメント型のアップ型とした場合を示し、図１７はセンターエレメント型のダウン型とした場合を示している。また、図１８は、本実施の形態におけるスライダのエアベアリング面側を概念的に示す底面図である。図１８において、符号５０で示した矢印は空気の流れの方向を表し、ＬＥは空気流入端を表し、ＴＲは空気流出端を表している。図１６ないし図１８に示したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、スライダ２５の空気の流れの方向の一方の端面３０の近傍において、４つの薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂが形成されている。薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａ，３１Ｂは、センターエレメント型用であり、空気の流れの方向に直交する方向の中央に形成されている。そのうち、薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａはアップ型用であり、薄膜磁気ヘッド素子部３１Ｂはダウン型用である。また、薄膜磁気ヘッド素子部３２Ａ，３２Ｂは、サイドエレメント型用であり、空気の流れの方向に直交する方向の各端部側に形成されている。そのうち、薄膜磁気ヘッド素子部３２Ａはアップ型用であり、薄膜磁気ヘッド素子部３２Ｂはダウン型用である。薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂの基本的な構成は、一例として、図６に示したような構成になっている。
【００７８】
また、端面３０には、薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂと外部との電気的な接続のための４つのパッド状の電極３３が設けられている。これらの電極３３は、４つの導体部３４によって、薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂのうちのいずれかに、選択的に、電気的に接続されている。図１６に示したように、導体部３４によって、薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａと電極３３とを接続した場合には、センターエレメント型のアップ型の薄膜磁気ヘッドが得られ、図１７に示したように、導体部３４によって、薄膜磁気ヘッド素子部３１Ｂと電極３３とを接続した場合には、センターエレメント型のダウン型の薄膜磁気ヘッドが得られる。図示しないが、同様に、導体部３４によって、薄膜磁気ヘッド素子部３２Ａと電極３３とを接続した場合には、サイドエレメント型のアップ型の薄膜磁気ヘッドが得られ、導体部３４によって、薄膜磁気ヘッド素子部３２Ｂと電極３３とを接続した場合には、サイドエレメント型のダウン型の薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００７９】
本実施の形態では、同一の工程によって、導体部３４を形成する直前まで製造された半製品が、本発明における薄膜磁気ヘッド用素材に対応する。
【００８０】
本実施の形態におけるその他の薄膜磁気ヘッドの構成や薄膜磁気ヘッドの製造方法は、第１の実施の形態と同様である。
【００８１】
本実施の形態によれば、一部の工程において、４種類のフォトマスクを用意しておくだけで、４種類の薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる。本実施の形態におけるその他の効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００８２】
［本発明の第３の実施の形態］
次に、図１９ないし図２４を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドとその製造方法について説明する。本実施の形態は、第２の実施の形態と同様に、一つのスライダ部分に対して、センターエレメント型のアップ型、センターエレメント型のダウン型、サイドエレメント型のアップ型、サイドエレメント型のダウン型の４種類用の４つの薄膜磁気ヘッド素子部を形成しておき、薄膜磁気ヘッド素子部と電極との間の導体部のパターンによって、４種類のうちのいずれかを選択できるようにしたものである。
【００８３】
図１９は、本実施の形態におけるスライダの薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。この図は、導体部を形成する直前の状態を表している。この図に示したように、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、スライダ２５の空気の流れの方向の一方の端面３０の近傍において、第２の実施の形態と同様に、４つの薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂが形成されている。また、端面３０には、薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂと外部との電気的な接続のための４つのパッド状の電極３３が設けられている。本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、更に、端面３０において、各薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ毎に、それらの近傍に、各薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂに接続されていると共に、導体部３４が選択的に接続される４つの中間接続部４０が設けられている。
【００８４】
本実施の形態では、導体部３４が形成される前に、中間接続部４０と電極３３の上端面が端面３０に露出している。そして、薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂのうちのいずれかの中間接続部４０と電極３３とを、導体部３４によって選択的に接続することにより、４種類のうちのいずれかの磁気ヘッドが得られる。
【００８５】
図２０に示したように、導体部３４によって、薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａの中間接続部４０と電極３３とを接続した場合には、センターエレメント型のアップ型の薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００８６】
図２１に示したように、導体部３４によって、薄膜磁気ヘッド素子部３１Ｂの中間接続部４０と電極３３とを接続した場合には、センターエレメント型のダウン型の薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００８７】
図２２に示したように、導体部３４によって、薄膜磁気ヘッド素子部３２Ａの中間接続部４０と電極３３とを接続した場合には、サイドエレメント型のアップ型の薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００８８】
図２３に示したように、導体部３４によって、薄膜磁気ヘッド素子部３２Ｂの中間接続部４０と電極３３とを接続した場合には、サイドエレメント型のダウン型の薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００８９】
次に、図２４を参照して、本実施の形態における中間接続部４０、電極３３および導体部３４の形成方法について説明する。
【００９０】
本実施の形態では、薄膜コイル１２，１４を形成する工程において、各素子部３１，３２の近傍において、各素子部３１，３２の薄膜コイル１２，１４に接続されると共に、中間接続部４０が接続される中間端子３９を形成しておく。この中間端子３９の配置は、第２の実施の形態における中間端子３７と同様である。なお、中間端子３９を設ける代わりに、フォトレジスト層１３，１５に、薄膜コイル１２，１４との接続のためのコンタクトホールを形成してもよい。
【００９１】
本実施の形態では、各薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂ毎の上部磁極層１６を形成した後、オーバーコート層１７を形成する前に、それぞれ、例えば銅よりなる柱状の電極（バンプ）３３と柱状の中間接続部４０を、例えばめっき法によって形成する。４つの中間接続部４０のうちの２つは、その下端部が、中間端子３９あるいはコンタクトホールを介して、薄膜コイル１２，１４に接続される。４つの中間接続部４０のうちの残りの２つは、第２の実施の形態におけるコンタクトホール３６と同様のコンタクトホールを介して電極層６に接続され、この電極層６を介してＭＲ素子５に接続される。
【００９２】
その後、オーバーコート層１７を形成して、オーバーコート層１７によって電極３３および中間接続部４０を覆う。その後、オーバーコート層１７の上面を研磨して、電極３３および中間接続部４０の上端面を露出させる。
【００９３】
最後に、オーバーコート層１７の上において、薄膜磁気ヘッド素子部３１Ａ，３１Ｂ，３２Ａ，３２Ｂのうちのいずれかの中間接続部４０と電極３３とを接続する導体部３４を形成する。導体部３４は、例えば、導電材のスパッタリングの後に、フォトマスクを用いたパターニングを行うことにより形成される。なお、必要に応じて、導体部３４のうち、外部との接続に用いられるパッド部分を除く部分の上に保護膜を形成してもよい。また、導体部３４のうちのパッド部分に、例えば酸化防止（錆防止）のために、金（Ａｕ）をスパッタリングしてもよい。
【００９４】
本実施の形態では、同一の工程によって、導体部３４を形成する直前まで製造された半製品が、本発明における薄膜磁気ヘッド用素材に対応する。
【００９５】
このように、本実施の形態では、オーバーコート層１７まで、１種類の工程、言い換えると１種類のフォトマスクを用いて形成しておくことできる。そして、そして、顧客の注文が入り次第、顧客の要求に応じて、導体部３４を形成するためのフォトマスクのみを変更して、導体部３４を形成することで、顧客の要求に合った薄膜磁気ヘッドを製造することができる。従って、本実施の形態によれば、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを、極めて短期間で提供することが可能になる。
【００９６】
本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１または第２の実施の形態と同様である。
【００９７】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、第３の実施の形態において、柱状の電極３３を設けずに、導体部３４の端部が、電極を兼ねていてもよい。
【００９８】
また、上記各実施の形態では、複合型薄膜磁気ヘッドについて説明したが、本実施の形態は、再生専用の薄膜磁気ヘッドや、記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型磁気変換素子を用いて記録と再生を行う薄膜磁気ヘッド等にも適用することができる。
【００９９】
また、本発明において、薄膜磁気ヘッドまたは薄膜磁気ヘッド用素材の構造や製造方法は、本発明の範囲内において、各実施の形態で挙げたもの以外の構造や製造方法でもよい。
【０１００】
また、薄膜磁気ヘッド素子の位置は、実施の形態で挙げたようなセンターエレメント型やサイドエレメント型に限定されない。
【０１０１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の薄膜磁気ヘッドまたは本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、導体部によって、複数の薄膜磁気ヘッド素子部のうちの一つと複数の電極とを、選択的に、電気的に接続するようにしたので、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを短期間で提供することが可能になると共に、製造コストの低減が可能になるという効果を奏する。
【０１０２】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド用素材または本発明の薄膜磁気ヘッド用素材の製造方法によれば、複数の薄膜磁気ヘッド素子部を備えた素材を製造しておき、、この素材を用いて、導体部によって、複数の薄膜磁気ヘッド素子部の中から選択された一つの薄膜磁気ヘッド素子部と複数の電極とを電気的に接続することにより、複数の仕様の薄膜磁気ヘッドを選択的に製造することが可能となるので、顧客の要求に合った仕様の薄膜磁気ヘッドを短期間で提供することが可能になると共に、製造コストの低減が可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の各実施の形態に共通する複合型薄膜磁気ヘッドの主要部分の製造方法における一工程を説明するための断面図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための断面図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための断面図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態におけるセンターエレメント型のスライダの薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態におけるサイドエレメント型のスライダの薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態におけるスライダのエアベアリング面側を概念的に示す底面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態において、導体部を形成する工程を薄膜コイルを形成する工程と同時に実行する場合の薄膜磁気ヘッド素子部の平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ′線断面図である。
【図１２】図１０のＢ−Ｂ′線断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態において、導体部を形成する工程を上部磁極層を形成する工程と同時に実行する場合の薄膜磁気ヘッド素子部の平面図である。
【図１４】図１３のＣ−Ｃ′線断面図である。
【図１５】図１３のＤ−Ｄ′線断面図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態におけるセンターエレメント型でアップ型のスライダの薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。
【図１７】本発明の第２の実施の形態におけるセンターエレメント型でダウン型のスライダの薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態におけるスライダのエアベアリング面側を概念的に示す底面図である。
【図１９】本発明の第３の実施の形態におけるスライダの薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。
【図２０】本発明の第３の実施の形態におけるセンターエレメント型でアップ型のスライダの薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。
【図２１】本発明の第３の実施の形態におけるセンターエレメント型でダウン型のスライダの薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。
【図２２】本発明の第３の実施の形態におけるサイドエレメント型でアップ型のスライダの薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。
【図２３】本発明の第３の実施の形態におけるサイドエレメント型でダウン型のスライダの薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。
【図２４】本発明の第３の実施の形態における導体部と電極の形成方法について説明するための断面図である。
【図２５】従来のサイドエレメント型スライダにおける薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。
【図２６】従来のサイドエレメント型スライダにおけるエアベアリング面側を概念的に示す底面図である。
【図２７】従来のセンターエレメント型スライダにおける薄膜磁気ヘッド素子部が形成された面を概念的に示す正面図である。
【図２８】従来のセンターエレメント型スライダにおけるエアベアリング面側を概念的に示す底面図である。
【図２９】複数枚のハードディスクを使用するハードディスク装置における薄膜磁気ヘッドの配置を示す説明図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…下部シールド層、４…下部シールドギャップ膜、５…ＭＲ素子、６…電極層、７…上部シールドギャップ膜、８…上部シールド層、９…記録ギャップ層、１０…ポールチップ、１２，１４…薄膜コイル、１６…上部磁極層、１７…オーバーコート層、３１，３２…薄膜磁気ヘッド素子部、３３…電極、３４…導体部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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