(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、記録磁束に応じた電流を流しうる記録電極、前記電流に応じた磁束が伝達される記録コア、および前記記録コアに磁気的に接続する記録バックコアを有する後部と、前記記録コアと磁気的に接続された記録磁気ヨークを有する先端部と、を備えた磁気記録部と、
前記磁気記録部と同一基板上に形成され、前記磁気記録部の媒体対向面とほぼ同一平面の媒体対向面を有し、端部が前記媒体対向面に隣接する再生磁気ヨークと、この再生磁気ヨークに磁気的に接続された磁気信号検出部と、を有する磁気再生部と、
前記基板と前記磁気再生部との間に、前記記録電極、前記記録バックコア、および前記記録コアの少なくとも一つと上表面の高さがほぼ同一の部材と、
を備えたことを特徴とする磁気記録再生ヘッド。
【請求項２】
前記部材と、前記部材と上表面の高さががほぼ同一の前記記録電極、前記記録バックコア、または前記記録コアとは同一の層から構成されていることを特徴とする請求項１記載の磁気記録再生ヘッド。
【請求項３】
前記記録磁気ヨークは前記再生磁気ヨークよりも飽和磁束密度が高い材料を含むことを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録再生ヘッド。
【請求項４】
基板上に形成され、記録磁束に応じた電流が付与される記録電極、前記付与された電流に応じた磁束が伝達される記録コア、および前記記録コアに磁気的に接続する記録バックコアを有する後部と、前記記録コアと磁気的に接続された記録磁気ヨークを有する先端部と、を備えた磁気記録部と、
前記磁気記録部と同一基板上に形成され、前記磁気記録部の媒体対向面と略同一平面の媒体対向面を有し、端部が前記媒体対向面に隣接する再生磁気ヨークと、この再生磁気ヨークに磁気的に接続された磁気信号検出部と、を有する磁気再生部と、
を備えた磁気記録再生ヘッドの製造方法において、
前記基板上の前記磁気再生部形成領域に、前記記録電極、前記記録バックコア、および前記記録コアの少なくとも一つとほぼ同一の高さを有する部材を形成する工程と、
前記部材表面を平坦化・平滑化する工程と、
を備えたことを特徴とする磁気記録再生ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記部材と、前記部材とほぼ同一の高さを有する前記記録電極、前記記録バックコア、または前記記録コアとは同一の層を用いることを特徴とする請求項４記載の磁気記録再生ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記記録磁気ヨークは前記再生磁気ヨークよりも飽和磁束密度が高い材料を用いることを特徴とする請求項４または５記載の磁気記録再生ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記磁気信号検出部は、磁気信号を検出する磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜と電気的に接続された下部電極および上部電極と、を有し、前記下部電極の上面と前記記録コアの上面が前記平坦化・平滑化の基準面であることを特徴とする請求項４乃至６記載のいずれかに記載の磁気記録再生ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれかに記載の磁気記録再生ヘッドを搭載したことを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録再生ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
近年、磁気記録媒体に記録される情報の高密度化が進み、ＨＤＤ(Hard Disk Drive)装置では、１０Ｇｂｐｓｉ(Gigabit per square inch) という高記録密度のシステムが実用化されているが、さらなる高密度化が要求されている。そのための方策の一つとしては、磁気ヘッドにおいて狭トラック（１μｍ以下）を形成することが大きなポイントとなる。記録再生一体型薄膜磁気ヘッドにおいても狭トラック化を達成するために様々な構造の提案がなされている。しかしながら、従来提案されている記録再生一体型薄膜磁気ヘッドの構造では、その対応できる磁気記録密度は１００から２００Ｇｂｐｓｉ程度が限界と言われている。これは、更なる磁気記録の高密度化のためにトラック幅ならびに磁気ギャップは０．１μｍ以下が必要となり、従来提案されている記録再生一体型薄膜磁気ヘッドでこのようなトラック幅と磁気ギャップを実現すること非常に難しいためである。
【０００３】
そこでこれらの課題を解決すべく、特開平１１−１２０５０９号公報や特開平１１−２５４３３号公報等に開示されるような水平型薄膜磁気ヘッドの提案がなされている。
【０００４】
図２２は特開平１１−２５４３３号公報の水平型薄膜磁気ヘッドの断面図である。基板上（図示せず）に、軟磁気特性を有する記録バックコア６１が形成され、この記録バックコア６１上に絶縁体６２が形成され、この絶縁体６２中にＣｕ等導電性材料からなる記録用コイル６５が埋設されており、この記録用コイル６５の両サイドの記録バックコア上に記録コア６２が形成されている。そして、この記録コア６２に磁気的に接続されるように記録ヨーク６３ａ、６３ｂならびに記録磁極６７が形成される。これによって誘導型の磁気記録部５１が構成される。また、再生部５２は磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子とも言う）が記録ヨーク６３ａ上に絶縁体を介して形成され、これにより水平型薄膜磁気ヘッドが構成されている。なお、図２２において、符号６４は磁気ギャップを示し、符号６３，６６，８６は絶縁体を示す。
【０００５】
しかしながら、面内記録密度の大幅な向上に伴い、磁気記録媒体面と磁気ヘッドの媒体対向面（媒体走行面）との距離（磁気スペース）も近づいており、例えば１００Ｇｂｐｓｉになるとその磁気スペースも２０〜３０ｎｍと非常に近づいてくる。それに伴って記録媒体ならびに磁気ヘッド媒体走行面の表面凹凸はそれぞれ１０ｎｍ以下にする必要となってくる。しかしながら、従来の記録再生一体型薄膜磁気ヘッドにおいてこの表面凹凸を実現することは困難であり、また、特開平１１−２５４３３号公報に開示されている水平型薄膜磁気ヘッドにおいて上記表面凹凸を実現するために、通常のラップ加工ならびにポリッシュ加工（例えば、ＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)等）を用いても磁気ヘッドの媒体走行面の高さならびに表面凹凸を１０ｎｍ以下に制御することは容易でない。即ち、ＣＭＰ等の研磨において研磨後の表面凹凸は研磨する凹凸の高さ、面積、材料の組み合わせ等、種々の要因によって決まる。このため、水平型薄膜磁気ヘッドの各製造工程において、平坦・平滑化を維持すること目的としたラップ加工ならびにポリッシュ加工（例えば、ＣＭＰ等）等の精度が要求される研摩工程を常に実施しなければないらないという問題点があった。さらに、加工精度を必要とする研摩工程を多用することから水平型薄膜磁気ヘッドの製造コスト上昇の大きな原因となっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、この問題を解決する為に、図２３に示すように再生部７２と記録部７１とを近接して配置した水平型磁気ヘッドが提案されている。この水平型磁気ヘッドの記録部７１は、基板２上に形成された記録バックコア７４と、この記録バックコア７４の両端に形成された記録コア７５と、この記録コア７５に磁気的に接続された記録磁極７８と、これらのバックコア７４，コア７５，磁極７８と電気的に絶縁されたコイル７７とを備えている。そしてこの記録部７１の横に近接して再生部７２が、媒体走行面が記録部７１と同一となるように設けられている。しかしながら、この水平型磁気ヘッドにおいても、再生素子部の特性劣化を防ぐことと記録部と再生部の媒体走行面の高さを２０ｎｍ以下に制御すること目的とした平坦・平滑化工程を多数組み入れる必要がある。この平坦・平滑化工程が行われる箇所を図２３において矢印で示す。
【０００７】
図２４は、図２３に示した磁気ヘッドの製造工程おける記録バックコア７４の形成時の工程を模式的に示した断面図である。すなわち、はじめに記録バックコア膜を形成し、次いで通常のリソグラフィーを用いてレジストパターンを記録バックコア膜上に形成した後、イオンミリング等を用いて記録バックコア膜をエッチングし記録バックコア７４を得る。次に記録バックコア７４と周辺部を同一面にすることを目的して絶縁体７６を形成した後、平坦・平滑化をラップ加工ならびにポリッシュ加工（例えば、ＣＭＰ等）で行う。しかしながら、このとき、平坦・平滑化された記録バックコア７４とその周辺部には５０〜２００ｎｍの段差７９が残る。よって、このような段差７９が残った状態で以降の工程を進めると、再生部を形成する工程において記録部と再生部を形成する面との間に５０ｎｍ程度の段差がある為に、ウエハー工程の最後に行う媒体走行面の面だし工程で記録部と再生部の段差を１０ｎｍ以下に制御することが非常に難しく、仮に出来たとしてもウエハー内の一部分からしか素子ができないためその歩留まりが悪くなる。このため水平型薄膜磁気ヘッドのコストが大幅に上昇することとなる。
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、研摩工程を可及的に少なくし、かつ媒体走行面の記録部と再生部の段差を可及的に小さくすることのできる磁気記録再生ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による磁気記録再生ヘッドは、基板上に形成され、記録磁束に応じた電流を流しうる記録電極、前記電流に応じた磁束が伝達される記録コア、および前記記録コアに磁気的に接続する記録バックコアを有する後部と、前記記録コアと磁気的に接続された記録磁気ヨークを有する先端部と、を備えた磁気記録部と、
前記磁気記録部と同一基板上に形成され、前記磁気記録部の媒体対向面とほぼ同一平面の媒体対向面を有し、端部が前記媒体対向面に隣接する再生磁気ヨークと、この再生磁気ヨークに磁気的に接続された磁気信号検出部と、を有する磁気再生部と、
前記基板と前記磁気再生部との間に、前記記録電極、前記記録バックコア、および前記磁気コアの少なくとも一つと上表面の高さがほぼ同一の部材と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】
このように構成された本発明の磁気記録再生ヘッドによれば、基板と磁気再生部との間に、記録電極、記録バックコア、および磁気コアの少なくとも一つと上表面の高さがほぼ同一の部材を有していることにより、平坦化工程前における記録素子部と再生素子部の段差をなくすことが可能となり、研摩工程を可及的に少なくできるとともに、媒体走行面の磁気記録部と磁気再生部の段差を可及的に小さくすることができる。
【００１１】
なお、前記部材と、前記部材と上表面の高さがほぼ同一の前記記録電極、前記記録バックコア、または前記記録コアとは同一の層から構成しても良い。
【００１２】
なお、前記記録磁気ヨークは前記再生磁気ヨークよりも飽和磁束密度が高い材料を含むように構成しても良い。
【００１３】
また、本発明による磁気記録再生ヘッドの製造方法は、基板上に形成され、記録磁束に応じた電流を流しうる記録電極、前記電流に応じた磁束が伝達される記録コア、および前記記録コアに磁気的に接続する記録バックコアを有する後部と、前記記録コアと磁気的に接続された記録磁気ヨークを有する先端部と、を備えた磁気記録部と、前記磁気記録部と同一基板上に形成され、前記磁気記録部の媒体対向面と略同一平面の媒体対向面を有し、端部が前記媒体対向面に隣接する再生磁気ヨークと、この再生磁気ヨークに磁気的に接続された磁気信号検出部と、を有する磁気再生部と、を備えた磁気記録再生ヘッドの製造方法において、前記基板上の前記磁気再生部形成領域に、前記記録電極、前記記録バックコア、および前記記録コアの少なくとも一つとほぼ同一の高さを有する部材を形成する工程と、前記部材表面を平坦化・平滑化する工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
このように構成された本発明の磁気記録再生ヘッドの製造方法によれば、前記磁気再生部を形成する際に、前記基板上の前記磁気再生部形成領域に、前記記録電極、前記記録バックコア、または前記記録コアの少なくとも一つとほぼ同一の高さを有する部材を形成し、前記部材表面を平坦化・平滑化する。これにより、平坦化工程前における記録素子部と再生素子部の段差をなくすことが可能となり、研摩工程を可及的に少なくできるとともに、媒体走行面の磁気記録部と磁気再生部の段差を可及的に小さくすることができる。
【００１５】
また、平坦・平滑化工程に要求される磁気記録部と磁気再生部との間の段差ならびに平滑性に対する仕様を緩和することが出来ると共に、一部の工程においては通常の半導体プロセスで採用されている低粘度のレジストを用いたエッチバックプロセスでも実現可能となり、大幅なコスト低減が実現できる。
【００１６】
なお、前記部材と、この部材と同一の高さを有する前記記録電極、前記記録バックコア、または前記記録コアとは同一の層を用いるように構成しても良い。
【００１７】
なお、前記記録磁気ヨークは前記再生磁気ヨークよりも飽和磁束密度が高い材料を用いることが好ましい。
【００１８】
なお、前記磁気信号検出部は、磁気信号を検出する磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜と電気的に接続された下部電極および上部電極と、を有し、前記下部電極の上面と前記記録コアの上面が前記平坦化・平滑化の基準面であることが好ましい。
【００１９】
また、本発明による磁気記録再生装置は、上記記載の磁気記録再生ヘッドを搭載したことを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態の構成を図１に示す。この第１の実施形態は磁気記録再生ヘッドであって、記録部３２と、再生部３３とを備えている。記録部３２は、記録バックコア４ａおよび記録コア１８ａ、１８ｂならびに記録用電極（記録コイル）８ａからなる後部と、磁気ギャップ２７を有する記録磁気ヨーク２８ａからなる先端部とを備えている。記録コア１８ａ、１８ｂは記録バックコア４ａの両端に形成され、記録バックコア４ａと磁気的に接続された構成となっている。記録磁気ヨーク２８ａは、記録コア１８ａ、１８ｂと磁気的に接続された構成となっている。また、再生部３３は、部材４ｂ,８ｂと、下部電極１０と、磁気抵抗効果膜２０と、上部電極２２と、磁気ギャップ４９を有する再生磁気ヨーク２８ｂとを備えている。なお、磁気抵抗効果膜２０は再生磁気ヨーク２８ｂと磁気的に接続されており、下部電極１０および上部電極２２の一方から電流を受け他方に送出する。
【００２２】
記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、電極配線（図示せず）が形成された基板２上に、絶縁膜を介して同一層でかつほぼ同じ高さとなるように形成される。また、記録コイル８ａおよび部材８ｂは、それぞれ記録バックコア４ａおよび部材４ｂ上に絶縁膜を介して同一層でかつほぼ同じ高さとなるように形成される。再生部３３の下部電極１０は、部材８ａ上に絶縁膜を介して形成される。そして、この下部電極１０は、その上面が、記録コア１８ａ、１８ｂの上面と同一面となるように構成されている。この下部電極１０の上面と記録コア１８ａ、１８ｂの上面は、図２に示すように、記録部３２および再生部３３を形成する際の平坦・平滑化工程の基準面３５となっている。すなわち、この基準面３５上に記録部３２の記録磁気ヨーク２８ａが形成されるとともに、再生部３３の磁気抵抗効果膜２０が形成される。また、部材４ｂは、記録バックコア４ａと上表面がほぼ同一の高さとなるように構成し、部材８ｂは、記録コイル８ａと上表面がほぼ同一の高さとなるように構成しても良い。
【００２３】
このように構成された本実施形態においては、記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、同一層でかつほぼ同じ高さ、すなわち上表面がほぼ同一の高さとなるように形成され、また、記録コイル８ａおよび部材８ｂは、同一層でかつほぼ同じ高さ、すなわち、上表面がほぼ同一の高さとなるように形成されているので、その後の平坦・平滑化工程で形成される記録部３２および再生部３３の部面での段差を可及的に小さくすることができるとともに、研磨工程を可及的に少なくすることができる。なお、記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、同一材料であっても良いし、異なる材料で有っても良い。また同様に、記録コイル８ａと部材８ｂは、同一材料であっても良いし、異なる材料で有っても良い。なお、本実施形態においては、記録バックコア４ａと部材４ｂは、および記録コイル８ａと部材８ｂは、それぞれ、上表面がほぼ同一の高さとなるように形成されたが、少なくとも一方、例えば記録コイル８ａと部材８ｂが、上表面がほぼ同一の高さとなるように形成しても同様な効果を奏することは言うまでもない。
【００２４】
また、本実施形態においては、下部電極１０の上面と記録コア１８ａ、１８ｂの上面は、記録部３２および再生部３３を形成する際の平坦・平滑化工程の基準面３５となっているため、それ以降の工程のおいて形成される、再生部および記録部の構成要素の各膜厚により、再生部および記録部の媒体走行面までの高さを制御することが可能となり、平坦・平滑化工程は、媒体走行面の面だしのみで良く、研磨工程を少なくすることができる。
【００２５】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図３乃至図８を参照して説明する。この第２の実施形態は、磁気記録再生ヘッドの製造方法であって、この製造方法によって製造される磁気記録再生ヘッドは図１に示す第１の実施形態の磁気記録再生ヘッドとほぼ同じ構成となっている。図３乃至図８は第２の実施形態の製造工程断面図である。なお、この工程断面図には電極取り出しのための電極配線等の工程ならびにその工程断面は省略している。
【００２６】
まず、図３（ａ）に示すように、電極配線等が施されて絶縁膜３で覆われた例えばＳｉからなる基板２上に、例えばスパッタ法で膜厚が例えば約０．５μｍのＮｉ５０Ｆｅ５０からなる磁性材料膜を基板全面に形成した後、この磁性材料膜上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとして上記磁性材料膜を、Ａｒを用いたイオンミリング（例えば加速電圧６００Ｖ）でエッチングを行うことにより、記録部形成領域に記録バックコア４ａおよび再生部形成領域に部材４ｂをそれぞれ形成する。その後上記レジストパターンを除去することにより、図３（ａ）に示す断面構造を得る。
【００２７】
なお、記録バックコア４ａの材料としては、本実施形態で用いたＮｉＦｅ合金の他にＦｅＣｏＮｉ合金や窒素化鉄合金等を用いても良く、軟磁気特性を示す磁性材料であれば特に材料限定はない。また、このときのエッチング方法は、イオンミリング（ＩＢＥ（Ion Beam Etching)の他に、ＲＩＢＥ(Reactive Ion Beam Etching)等のドライエッチングやウェットエッチング等を用いてもよい。そして、記録バックコア４ａおよび部材４ｂの形成においてはリフトオフ法等を用いても良い。また、記録バックコア４ａおよび部材４ｂはその断面形状において緩やかなテーパーがある方がよりが好ましく、このテーパーがあることで以降の工程において各層を形成した際にそのカバレージが良好となる。再生部の位置に形成する部材４ｂについては、本実施形態では記録バックコア４ａと同一材料を用いたが、例えば電極取り出し等を目的として他の機能を有する材料を用いてもよい。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に示すように、全面に例えばＳｉＯ２からなる膜厚が０．２μｍの絶縁膜６を形成する。成膜はＳｉのターゲットを用いて、酸素を導入した反応性スパッタ法で形成した。なお、この絶縁膜６は、記録バックコア４ａと後述の記録コイル８ａとの電気的な絶縁をとることが目的であるので、特別な材料の限定はない。
【００２９】
次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁膜６上にフォトレジスト（図示せず）を例えば約１．５μｍの厚さに塗布し、記録バックコア４ａ上と部材４ｂ上のフォトレジストに抜きパターンを形成した後、例えば膜厚が１μｍのＣｕ層をＤＣ（直流）スパッタ法で成膜する。上記フォトレジストを除去することにより、図３（ｃ）に示すように、絶縁膜６を介して記録バックコア４ａ上に絶縁膜６を介して記録コイル８ａが、部材４ｂ上に絶縁膜６を介して部材８ｂが形成される。なお、本実施形態においては、記録コイル８ａの巻き数は、例えば１ターンであるが、記録に必要な磁界が得られるコイルの巻き数であれば良い。
【００３０】
続いて、図３（ｄ）に示すように、図３（ｃ）で形成した部材８ｂ上に例えば厚さが０．３μｍのＣｕからなる下部電極１０を形成する。
【００３１】
次に、図４（ａ）に示すように、例えば膜厚が０．４μｍのＳｉＯ２からなる絶縁膜１３を全面に形成する。続いて、記録コア形成のために厚さが１μｍのレジストパターン形成し、このレジストパターンをマスクにして、圧力が１ＰａのＣＨＦ３ガスを用いたＲＩＥ(Reactive Ion Etching)で絶縁膜１３をエッチングし、絶縁膜１３に穴１６を形成する（図４（ｂ）参照）。このとき、絶縁膜１３は記録コイル８ａを覆う絶縁膜１３ａと、部材８ぼよび下部電極１０を覆う絶縁膜１３ｂに分割される。その後、上記レジストパターンを除去すると、図４（ｃ）に示す断面構造が得られる。
【００３２】
次に、図５（ａ）に示すように、基板全面に膜厚が２μｍの磁性膜１８を形成した。この磁性膜１８は、記録バックコア４ａの形成と同様の方法で形成した。続いて、図５（ｂ）に示すように、磁性膜１８と絶縁膜１３ａ、１３ｂの平坦・平滑化を行う。この平坦・平滑化工程は、記録コイル８ａ上に残置される絶縁膜１３ａの膜厚が０．２μｍになる程度までＣＭＰにより研摩を行う。この平坦・平滑化工程により、図６（ａ）に示すような、記録部面と再生部の下部電極面３５が一致した良好な平坦性と平滑性を有した面となり、この面３５が以降の工程の高さの基準面となる。この基準面３５の表面粗さをＡＦＭ(Atomic Force Microscope)で測定したところ、その表面粗さは１０ｎｍ以下と非常に平らな面が形成されていることが確認された。このことは、これまでの工程において、常に記録部形成と同時に再生部の位置に部材４ｂおよび部材８ｂを設けて、再生部の各部材４ｂ、８ｂの上下面と記録部の後部の対応する構成要素の上下面がほぼ同一となるように構成したために実現できたものである。
【００３３】
次に、図６（ｂ）に示すように、下部電極１０上に例えば膜厚が５０ｎｍ磁気抵抗効果膜２０と、例えば膜厚が１００ｎｍのＣｕからなる上部電極２２を順次形成する。本実施形態では、磁気抵抗効果膜２０として、垂直通電型の磁気抵抗効果膜を用いたが、巨大磁気抵抗効果膜やトンネル磁気抵抗効果膜等を用いても良く、特に限定されない。続いて、図６（ｃ）に示すように、例えば膜厚が１５０ｎｍの非磁性材料からなる絶縁層２４を、記録コイル上に絶縁膜１３ａを介して形成する。
【００３４】
次に、図７（ａ）に示すように、基板全面に、例えば膜厚が１００ｎｍのＳｉＯ２からなる絶縁膜２６を形成する。続いて、この絶縁膜２６をパターニングすることにより、図７（ｂ）に示すように、記録部の磁気ギャップ部２６ａを絶縁層２４上に、再生部の磁気ギャップ部２６ｂを上部電極上に、それぞれ形成する。なお、絶縁膜２６のパターニングは、絶縁膜２６上にフォトレジストを塗布し、ＥＢ(Electron Beam)描画を用いてフォトレジストパターンを形成した後、このフォトレジストパターンをマスクとしてイオンミリングで絶縁膜２６をエッチングすることにより行う。その後、上記レジストパターンを除去することで磁気ギャップ部２６ａ、２６ｂが形成される。なお、この磁気ギャップ部の形成方法としては、図６（ａ）で示したように基準面の表面性が良好であることと、その基準面が明確なっていることによって種々の方法が考えられる。
【００３５】
次に、図８（ａ）に示すように、全面に例えば膜厚が１００ｎｍのＮｉ５０Ｆｅ５０からなる磁性膜２８を例えばスパッタ法により形成し、この磁性膜２８をパターニングすることにより記録部形成領域に磁気ギャップ部２６ａを覆うように記録磁気ヨーク２８ａを、再生部形成領域に磁気ギャップ部２６ｂを覆うように再生磁気ヨーク２８ｂを、それぞれ形成する。なお、記録磁気ヨーク２８ａおよび再生磁気ヨーク２８ｂの材料としては、Ｎｉ５０Ｆｅ５０の他にＮｉ８０Ｆｅ２０等のＮｉ−Ｆｅ合金、Ｃｏ９０Ｆｅ１０ならびにＦｅ９０Ｃｏ１０のＣｏ−Ｆｅ合金、（Ｆｅ８０Ｚｒ２０）９０Ｎ１０ならびに（Ｆｅ９０Ｔａ１０）８５Ｎ１５等のＦｅ−Ｎ合金、またはＦｅＣｏＮｉ合金等の磁性材料を用いても良い。また、本実施形態においては、記録磁気ヨーク２８ａは再生磁気ヨーク２８ｂと同じ材料で構成したが、異なる材料、例えばＦｅ８０Ｃｏ２０合金または（Ｆｅ８０Ｃｏ２０）９５ＲＥ５合金等の、上記ヨーク材料よりも高飽和磁束密度を有するＦｅ系合金を用いても良い。なおここで、ＲＥは希土類（より好ましくは、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ）を表す。
【００３６】
次に、図８（ｂ）に示すように、全面に例えばＡｌ２Ｏ３からなる保護膜３０を形成した後、この保護膜３０に平坦化処理を行い媒体走行面となる面まで研磨する。その後、媒体走行面の保護のために、保護膜３０上に例えばＤＬＣ(Diamond Like Carbon)からなる保護膜（図示せず）を形成して、磁気記録再生ヘッドを完成する。
【００３７】
このように構成された本実施形態においては、記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、同一層でかつほぼ同じ高さとなるように形成され、また、記録コイル８ａおよび部材８ｂは、同一層でかつほぼ同じ高さとなるように形成されているので、その後の平坦・平滑化工程で形成される記録部３２および再生部３３の部面での段差を可及的に小さくすることができるとともに、研磨工程を可及的に少なくすることができる。なお、記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、同一材料で形成することにより工程数を少なくすることができる。また同様に、記録コイル８ａと部材８ｂは、同一材料で形成することにより工程数を少なくすることができる。
【００３８】
また、本実施形態においては、下部電極１０の上面と記録コア１８ａ、１８ｂの上面は、記録部３２および再生部３３を形成する際の平坦・平滑化工程の基準面３５となっているため、それ以降の工程のおいて形成される、再生部および記録部の構成要素の各膜厚により、再生部および記録部の媒体走行面までの高さを制御することが可能となり、平坦・平滑化工程は、媒体走行面の面だしのみで良く、研磨工程を少なくすることができる。
【００３９】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態の構成を図９に示す。この第３の実施形態は磁気記録再生ヘッドであって、記録部３２と、再生部３３Ａとを備えている。記録部３２は、記録バックコア４ａおよび記録コア１８ａ、１８ｂならびに記録用電極（記録コイル）８ａからなる後部と、磁気ギャップ２７を有する記録磁気ヨーク２８ａからなる先端部とを備えている。記録コア１８ａ、１８ｂは記録バックコア４ａの両端に形成され、記録バックコア４ａと磁気的に接続された構成となっている。記録磁気ヨーク２８ａは、記録コア１８ａ、１８ｂと磁気的に接続された構成となっている。また、再生部３３Ａは、部材４ｂ,８ｂ,１８ｃ,１８ｄと、下部電極１０と、磁気抵抗効果膜２０と、上部電極２２と、磁気ギャップ４９を有する再生磁気ヨーク２８ｂとを備えている。なお、本実施形態に係る記録部３２は第１の実施形態の記録部３２と同じ構成となっているが、再生部３３Ａは、第１の実施形態の再生部３３において、部材１８ｃ,１８ｄを新たに設けるとともに下部電極１０が部材８ｂに接続された構成となっている。この実施形態においては、部材８ｂは、下部電極１０の引き出し電極となる。また、部材１８ｃおよび部材１８ｄは、部材４ｂの両端に、記録部３２の磁気コア１８ａおよび１８ｂと同一層でかつ同一高さとなるように磁性材料から形成されており、磁気シールドの役目を果たす。
【００４０】
記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、電極配線（図示せず）が形成された基板２上に、絶縁膜を介して同一層でかつほぼ同じ高さとなるように形成される。また、記録コイル８ａおよび部材８ｂは、それぞれ記録バックコア４ａおよび部材４ｂ上に絶縁膜を介して同一層でかつほぼ同じ高さとなるように形成される。再生部３３の下部電極１０は、部材８ｂと電気的に接続されるように形成される。そして、この下部電極１０は、その上面が、記録コア１８ａ、１８ｂの上面と同一面となるように構成されている。この下部電極１０の上面と記録コア１８ａ、１８ｂの上面は、図１０に示すように、記録部３２および再生部３３Ａを形成する際の平坦・平滑化工程の基準面３５となっている。すなわち、この基準面３５上に記録部３２の記録磁気ヨーク２８ａが形成されるとともに、再生部３３Ａの磁気抵抗効果膜２０が形成される。また、部材４ｂは、記録バックコア４ａと上表面がほぼ同一の高さとなるように構成し、部材８ｂは、記録コイル８ａと上表面がほぼ同一の高さとなるように構成しても良い。
【００４１】
このように構成された本実施形態においては、記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、同一層でかつほぼ同じ高さとなるように形成され、また、記録コイル８ａおよび部材８ｂは、同一層でかつほぼ同じ高さとなるように形成されているので、その後の平坦・平滑化工程で形成される記録部３２および再生部３３Ａの部面での段差を可及的に小さくすることができるとともに、研磨工程を可及的に少なくすることができる。なお、記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、同一材料であっても良いし、異なる材料で有っても良い。また同様に、記録コイル８ａと部材８ｂは、同一材料であっても良いし、異なる材料で有っても良い。なお、本実施形態においては、記録バックコア４ａと部材４ｂが、および記録コイル８ａと部材８ｂがそれぞれ、同一層でかつほぼ同じ高さ、すなわち上表面の高さがほぼ同一となるように形成したが、少なくとも一方、例えば記録コイル８ａと部材８ｂが同一層でかつほぼ同じ高さ、すなわち上表面の高さがほぼ同一となるように形成しても同様な効果を奏することは言うまでもない。
【００４２】
また、本実施形態においては、下部電極１０の上面と記録コア１８ａ、１８ｂの上面は、記録部３２および再生部３３Ａを形成する際の平坦・平滑化工程の基準面３５となっているため、それ以降の工程のおいて形成される、再生部および記録部の構成要素の各膜厚により、再生部および記録部の媒体走行面までの高さを制御することが可能となり、平坦・平滑化工程は、媒体走行面の面だしのみで良く、研磨工程を少なくすることができる。
【００４３】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態を図１１乃至図１７を参照して説明する。この第４の実施形態は、磁気記録再生ヘッドの製造方法であって、この製造方法によって製造される磁気記録再生ヘッドは図９に示す第３の実施形態の磁気記録再生ヘッドとほぼ同じ構成となっている。図１１乃至図１７は第４の実施形態の製造工程断面図である。なお、この工程断面図には電極取り出しのための電極配線等の工程ならびにその工程断面は省略している。
【００４４】
まず、図１１（ａ）に示すように、電極配線等が施されて絶縁膜３で覆われた例えばＳｉからなる基板２上に、例えばスパッタ法で膜厚が例えば約０．５μｍのＮｉ５０Ｆｅ５０からなる磁性材料膜を基板全面に形成した後、この磁性材料膜上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとして上記磁性材料膜を、Ａｒを用いたイオンミリング（例えば加速電圧６００Ｖ）でエッチングを行うことにより、記録部形成領域に記録バックコア４ａおよび再生部形成領域に部材４ｂをそれぞれ形成する。その後上記レジストパターンを除去することにより、図１１（ａ）に示す断面構造を得る。
【００４５】
なお、記録バックコア４ａの材料としては、本実施形態で用いたＮｉＦｅ合金の他にＦｅＣｏＮｉ合金や窒素化鉄合金等を用いても良く、軟磁気特性を示す磁性材料であれば特に材料限定はない。また、このときのエッチング方法は、イオンミリング（ＩＢＥ（Ion Beam Etching))の他に、ＲＩＢＥ(Reactive Ion Beam Etching)等のドライエッチングやウェットエッチング等を用いてもよい。そして、記録バックコア４ａおよび部材４ｂの形成においてはリフトオフ法等を用いても良い。また、記録バックコア４ａおよび部材４ｂはその断面形状において緩やかなテーパーがある方がよりが好ましく、このテーパーがあることで以降の工程において各層を形成した際にそのカバレージが良好となる。再生部の位置に形成する部材４ｂについては、本実施形態では記録バックコア４ａと同一材料を用いたが、例えば電極取り出し等を目的として他の機能を有する材料を用いてもよい。
【００４６】
次に、図１１（ｂ）に示すように、全面に例えばＡｌ２Ｏ３からなる膜厚が０．８μｍの絶縁膜６を形成する。成膜は通常のＲＦ(Radio Frequency)マグネトロンスパッタ法でＡｌ２Ｏ３をターゲットとして形成した。なお、この絶縁膜６は、記録バックコア４ａと後述の記録コイル８ａとの電気的な絶縁をとることが目的であるので、特別な材料の限定はない。
【００４７】
次に、ＣＭＰを用いて、絶縁膜６を例えば０．６μｍ研磨して平坦化する（図１１（ｃ）参照）。これにより、記録バックコア４ａおよび部材４ｂ上の絶縁膜６の膜厚は０．２μｍとなる。このようにして平坦化された絶縁膜６の表面粗さをＡＦＭで測定すると、表面粗さＲｍａｘが２０ｎｍであり、良好な表面性を有していることが確認された。
【００４８】
続いて、絶縁膜６上にフォトレジスト（図示せず）を約１．５μｍ塗布し、記録コイル８ａ用および部材８ｂ用の抜きパターンを上記フォトレジストに形成した後、例えば膜厚が０．５μｍのＣｕからなる層をＤＣスパッタ法で成膜する。その後上記フォトレジストを除去すると、図１２（ａ）に示すように、平坦化された絶縁膜６上に、記録コイル８ａおよび部材８ｂが形成された構造が得られる。なお、本実施形態においては、記録コイル８ａの巻き数は、例えば１ターンであるが、記録に必要な磁界が得られるコイルの巻き数であれば良い。
【００４９】
次に、図１２（ｂ）に示すように、全面に例えば膜厚が０．８μｍのＡｌ２Ｏ３からなる絶縁膜１３を形成する。続いて、絶縁膜１３上にフォトレジストを塗布し、リソグラフィ技術を用いてレジストパターン４０を形成する。そして、このフォトレジストパターン４０をマスクとしてイオンミリングを用いて絶縁膜１３および絶縁膜６をパターニングし、記録バックコア４ａおよび部材４ｂに達する、記録コア１８ａ、１８ｂおよび部材１８ｃ、１８ｄ用の穴１６を形成する。
【００５０】
次に、上記レジストパターン４０を除去した後、例えば膜厚が１．１μｍで膜組成がＮｉ５０Ｆｅ５０のＮｉ−Ｆｅ合金からなる磁性膜１８を、イオンビームスパッタ法で穴１６を埋め込むように基板全面に形成する（図１３（ａ）参照）。
【００５１】
なお、本実施形態においては、成膜時の真空度が１×１０−４Torrの条件で行った。
【００５２】
次に、記録コイル８ａおよび部材８ｂ上の絶縁膜１３の膜厚が例えば０．２μｍとなるまで、ＣＭＰを用いて平坦化および平滑化処理を行い、図１３（ｂ）に示すように基準面３５を得る。この基準面３５の表面粗さをＡＦＭで測定すると、その表面粗さＲｍａｘは１０ｎｍ以下であり、非常に平らな面３５が形成されているとともに、記録部と再生部が形成される領域の段差も１０ｎｍ以下であることが確認された。
【００５３】
次に、図１４（ａ）に示すように、再生部の下部電極形成領域に開口を有するレジストパターン４２を基準面３５上に形成する。続いて、このレジストパターン４２をマスクとして例えば圧力が１ＰａのＣＨＦ３ガスを用いたＲＩＥ法で絶縁膜１３をパターニングし、部材８ｂに達する穴を形成する。その後、この穴を埋め込むように、例えば膜厚が０．２μｍのＣｕからなる電極膜１０を成膜し、レジストパターンを除去することにより、上記穴に再生部の下部電極１０が形成される。なお、Ｃｕからなる電極膜１０を成膜するときは、図１４（ａ）に示すように、記録部形成領域は、レジストパターン４２によって覆われている。
【００５４】
次に、図１４（ｂ）に示すように、基板全面にトンネル磁気抵抗効果膜２０を形成し、その後このトンネル磁気抵抗効果膜２０上に例えば膜厚が０．２μｍのＣｕからなる電極膜２２を形成する。続いて、図１４（ｂ）に示すように、再生部形成領域の電極膜２２上にフォトレジストからなるレジストパターン４４を形成し、このレジストパターン４４をマスクとして電極膜２２およびトンネル磁気抵抗効果膜２０をパターニングする。
【００５５】
その後、上記レジストパターン４４を除去した後、パターニングされた電極膜２２上に図示しないレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして電極膜２２をエッチングする。このとき、トンネル磁気抵抗効果膜２０はほとんどエッチングされず、エッチング後に上記レジストパターンを除去することにより、図１４（ｃ）に示すようなトンネル磁気抵抗効果膜２０および上部電極膜２２が得られる。続いて、図１４（ｃ）に示すように、記録部形成領域に、上記トンネル磁気抵抗効果膜２０および上部電極膜２２との高さに等しい膜厚の例えばＡｌ２Ｏ３からなる絶縁体３６を形成する。
【００５６】
次に、図１５（ａ）に示すように、再生部形成領域に開口部を有するフォトレジストからなるレジストパターン４６を形成し、その後、例えば膜厚が０．２μｍのＮｉ８０Ｆｅ２０からなる磁性膜２８を形成し、レジストパターン４６を除去することにより、再生部形成領域に再生磁気ヨーク２８ａを形成する（図１５（ｂ）参照）。
【００５７】
次に、記録部形成領域に開口部を有するフォトレジストからなるレジストパターン４８を形成し、その後例えば膜厚が０．２μｍの（Ｆｅ９０Ｚｒ１０）９０Ｎ１０からなる鉄窒化膜２９を反応性スパッタ法により、基板全面に形成する。続いて、レジストパターン４８を除去することにより、記録部形成領域に記録磁気ヨーク２９ａが形成される（図１６（ａ）参照）。
【００５８】
次に、図１６（ａ）に示すように、ＦＩＢ(Focused Ion Beam)法を用いて例えば幅が０．０５μｍで深さが０．２μｍの磁気ギャップ３７および３８を、磁気ヨーク２９ａおよび磁気ヨーク２８ａにそれぞれ形成する。続いて、図１６（ｂ）に示すように、基板全面に例えば膜厚が０．３μｍのＡｌ２Ｏ３からなる保護膜３０を形成する。その後、例えばＣＭＰ法を用いて媒体走行面となる面まで絶縁膜３０を研磨し、平坦化処理を行う。最後に、図１７に示すように、媒体走行面の保護のために、基板全面に例えば膜厚が５ｎｍのＤＬＣからなる保護膜３１を形成し、磁気記録再生ヘッドが完成する。
【００５９】
このように構成された本実施形態においては、記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、同一層でかつ同じ高さとなるように形成され、また、記録コイル８ａおよび部材８ｂは、同一層でかつ同じ高さとなるように形成されているので、その後の平坦・平滑化工程で形成される記録部および再生部の部面での段差を可及的に小さくすることができるとともに、研磨工程を可及的に少なくすることができる。なお、記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、同一材料で形成することにより工程数を少なくすることができる。また同様に、記録コイル８ａと部材８ｂは、同一材料で形成することにより工程数を少なくすることができる。
【００６０】
また、本実施形態においては、下部電極１０の上面と記録コア１８ａ、１８ｂの上面は、記録部および再生部を形成する際の平坦・平滑化工程の基準面３５となっているため、それ以降の工程のおいて形成される、再生部および記録部の構成要素の各膜厚により、再生部および記録部の媒体走行面までの高さを制御することが可能となり、平坦・平滑化工程は、媒体走行面の面だしのみで良く、研磨工程を少なくすることができる。
【００６１】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態を図１８および図１９を参照して説明する。この第５の実施形態は、磁気記録再生ヘッドであって、その構成を図１８に示す。この第５の実施形態の磁気記録再生ヘッドは、記録部３２Ａと、再生部３３Ｂとを備えている。記録部３２Ａは、記録バックコア４ａおよび記録コア１８ｅ、１８ｆならびに記録用電極（記録コイル）８ａからなる後部と、磁気ギャップ２７を有する記録磁気ヨーク２８ａからなる先端部とを備えている。記録コア１８ｅ、１８ｆは記録バックコア４ａの両端に形成され、記録バックコア４ａと磁気的に接続された構成となっている。なお、記録コア１８ｅ、１８ｆの先端は内側に延びて、記録磁気ヨーク２８ａに磁気的に接続された構成となっている。また、再生部３３Ｂは、部材４ｂ,８ｂと、下部電極１０と、磁気抵抗効果膜２０と、上部電極２２と、磁気ギャップ４９を有する再生磁気ヨーク２８ｂとを備えている。なお、磁気抵抗効果膜２０は再生磁気ヨーク２８ｂと磁気的に接続されており、下部電極１０および上部電極２２の一方から電流を受け他方に送出する。
【００６２】
記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、電極配線（図示せず）が形成された基板２上に、絶縁膜を介して同一層でかつほぼ同じ高さとなるように形成される。すなわち、部材４ｂは、記録バックコア４ａと上表面の高さがほぼ同一となるように形成されている。また、記録コイル８ａおよび部材８ｂは、それぞれ記録バックコア４ａおよび部材４ｂ上に絶縁膜を介して同一層でかつほぼ同じ高さとなるように形成される。すなわち、部材８ｂは、記録コイル８ａと上表面の高さがほぼ同一となるように形成されている。再生部３３Ｂの下部電極１０は、部材８ｂ上に絶縁膜を介して形成される。そして、この下部電極１０は、その上面が、記録コア１８ｅ、１８ｆの上面とほぼ同一面となるように構成されている。この下部電極１０の上面と記録コア１８ｅ、１８ｆの上面は、図１９に示すように、記録部３２Ａおよび再生部３３Ｂを形成する際の平坦・平滑化工程の基準面３５となっている。すなわち、この基準面３５上に記録部３２Ａの記録磁気ヨーク２８ａが形成されるとともに、再生部３３Ｂの磁気抵抗効果膜２０が形成される。なお、図１８において、符号４９は磁気ギャップを示している。
【００６３】
このように構成された本実施形態においては、記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、同一層でかつほぼ同じ高さ、すなわち上表面の高さがほぼ同一となるように形成され、また、記録コイル８ａおよび部材８ｂは、同一層でかつほぼ同じ高さ、すなわち上表面の高さがほぼ同一となるように形成されているので、その後の平坦・平滑化工程で形成される記録部３２Ａおよび再生部３３Ｂの部面での段差を可及的に小さくすることができるとともに、研磨工程を可及的に少なくすることができる。なお、記録バックコア４ａおよび部材４ｂは、同一材料であっても良いし、異なる材料で有っても良い。また同様に、記録コイル８ａと部材８ｂは、同一材料であっても良いし、異なる材料で有っても良い。なお、本実施形態においては、記録バックコア４ａと部材４ｂが、および記録コイル８ａと部材８ｂがそれぞれ、同一層でかつほぼ同じ高さ、すなわち上表面の高さがほぼ同一となるように形成したが、少なくとも一方、例えば記録コイル８ａと部材８ｂが同一層でかつほぼ同じ高さ、すなわち上表面の高さがほぼ同一となるように形成しても同様な効果を奏することは言うまでもない。
【００６４】
また、本実施形態においては、下部電極１０の上面と記録コア１８ｅ、１８ｆの上面は、記録部３２Ａおよび再生部３３Ｂを形成する際の平坦・平滑化工程の基準面３５となっているため、それ以降の工程のおいて形成される、再生部３３Ｂおよび記録部３２Ａの構成要素の各膜厚により、再生部３３Ｂおよび記録部３２Ａの媒体走行面までの高さを制御することが可能となり、平坦・平滑化工程は、媒体走行面の面だしのみで良く、研磨工程を少なくすることができる。
【００６５】
（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施の形態を図２０および図２１を参照して説明する。この実施の形態では、本発明による磁気記録再生装置の一例として、磁気ディスク装置を説明する。この磁気ディスク装置の概略構成を図２０に示す。すなわち、本実施の形態の磁気ディスク装置１５０は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。図２０において、磁気ディスク２００は、スピンドル１５２に装着され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号に応答する図示しないモータにより矢印Ａの方向に回転する。磁気ディスク２００は、磁気ディスク２００に格納する情報の記録再生を行うヘッドスライダ１５３は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に取り付けられている。ここで、ヘッドスライダ１５３は、例えば、前述したいずれかの実施形態にかかる磁気記録再生ヘッドをその先端付近に搭載している。
【００６６】
磁気ディスク２００が回転すると、ヘッドスライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）は磁気ディスク２００の表面から所定の浮上量をもって保持される。
【００６７】
サスペンション１５４は、図示しない駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム１５５の一端に接続されている。アクチュエータアーム１５５の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１５６が設けられている。ボイスコイルモータ１５６は、アクチュエータアーム１５５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。
【００６８】
アクチュエータアーム１５５は、固定軸１５７の上下２箇所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１５６により回転摺動が自在にできるようになっている。
【００６９】
図２１は、アクチュエータアーム１５５から先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡大斜視図である。すなわち、磁気ヘッドアッセンブリ１６０は、例えば駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム１５１を有し、アクチュエータアーム１５５の一端にはサスペンション１５４が接続されている。
【００７０】
サスペンション１５４の先端には、上記実施形態のいずれかで説明した磁気記録再生ヘッドを具備するヘッドスライダ１５３が取り付けられている。サスペンション１５４は信号の書き込みおよび読み取り用のリード線１６４を有し、このリード線１６４とヘッドスライダ１５３に組み込まれた磁気記録再生ヘッドの各電極とが電気的に接続されている。図５の符号１６５は磁気ヘッドアッセンブリ１６０の電極パッドである。
【００７１】
ここで、ヘッドスライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）と磁気ディスク２００の表面との間には、所定の浮上量が設定されている。
【００７２】
なお、磁気ディスク装置に関しても、再生のみを実施するものでも、記録・再生を実施するものあっても良く、また、媒体は、ハードディスクには限定されず、その他、フレキシブルディスクや磁気カードなどのあらゆる磁気記録媒体を用いることが可能である。さらに、磁気記録媒体を装置から取り外し可能にした、いわゆる「リムーバブル」の形式の装置であっても良い。
【００７３】
【発明の効果】
以上も述べたように、本発明によれば、研摩工程を可及的に少なくすることができるとともに、媒体走行面の記録部と再生部の段差を可及的に小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の構成を示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態の効果を説明する断面図。
【図３】本発明の第２の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図４】本発明の第２の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図５】本発明の第２の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図６】本発明の第２の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図７】本発明の第２の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図８】本発明の第２の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図９】本発明の第３の実施形態の構成を示す断面図。
【図１０】本発明の第３の実施形態の効果を説明する断面図。
【図１１】本発明の第４の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図１２】本発明の第４の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図１３】本発明の第４の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図１４】本発明の第４の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図１５】本発明の第４の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図１６】本発明の第４の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図１７】本発明の第４の実施形態の製造工程を示す工程断面図。
【図１８】本発明の第５の実施形態の構成を示す断面図。
【図１９】本発明の第５の実施形態の効果を説明する断面図。
【図２０】本発明による磁気ディスク装置の概略構成を示す要部斜視図。
【図２１】アクチュエータアームから先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡大斜視図。
【図２２】従来の薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図。
【図２３】従来の他の薄膜磁気ヘッドの構成を示す断面図。
【図２４】従来の他の薄膜磁気ヘッドの問題点を説明する図。
【符号の説明】
２  基板
３  絶縁膜
４ａ  記録バックコア
４ｂ  部材
６  絶縁膜
８ａ  記録コイル
８ｂ  部材
１０  再生下部電極
２０  磁気抵抗効果膜
２２  再生上部電極
２８ａ  記録磁気ヨーク
２８ｂ  再生磁気ヨーク
２９  記録磁気ヨーク
３２  記録部
３３  再生部
４９  磁気ギャップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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