(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波吸収能を有する磁性膜において、
金属磁性体粒子からなる磁性相と、
前記金属磁性体粒子同士を電気的に絶縁するフェライトで形成された粒界である高電気抵抗相と、
からなることを特徴とする磁性膜。
【請求項２】
膜厚が１μｍないし５００μｍであることを特徴とする請求項１記載の磁性膜。
【請求項３】
前記磁性相は、その周囲を前記高電気抵抗相で被覆されたひとつの組織の径が、１ｎｍないし５０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の磁性膜。
【請求項４】
前記磁性相は、１種または２種以上の前記金属磁性体粒子からなることを特徴とする請求項１記載の磁性膜。
【請求項５】
電磁波吸収能を有する磁性膜の形成方法において、
形成する磁性膜の組成比で金属磁性体粉末と高電気抵抗粉末とを混合し、
混合された前記金属磁性体粉末と前記高電気抵抗粉末とをエアロゾル化して被成膜物に噴射することによって、前記被成膜物上に前記金属磁性体粉末と前記高電気抵抗粉末とから構成される前記磁性膜を形成することを特徴とする磁性膜の形成方法。
【請求項６】
前記高電気抵抗粉末は、フェライトの粉末であることを特徴とする請求項５記載の磁性膜の形成方法。
【請求項７】
前記磁性膜の形成を常温下で行うことを特徴とする請求項５記載の磁性膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は磁性膜およびその形成方法に関し、特に通信機器などの動作時に発生する不要電磁波を吸収するための磁性膜およびその形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
移動通信の発達により、通信波長の短波長化が進み、それとともに通信機器の動作時に発生する電磁波が通信機器自体あるいはその周囲に影響を及ぼす電磁波障害が問題になってきている。そのため、メガヘルツ（ＭＨｚ）帯域からギガヘルツ（ＧＨｚ）帯域の電磁波に対しても充分対応することのできる電磁波吸収体が要求されている。
【０００３】
従来、電磁波吸収体としては、その材質にスピネル型フェライトなどが用いられていた。しかし、これらの材質からなる電磁波吸収体は、飽和磁化Ｉsが低いため、Ｓｎｏｅｋの限界と呼ばれる周波数限界（共鳴周波数ｆr）により、ＧＨｚ帯域で急激に吸収能が低下する。Ｓｎｏｅｋ理論によれば、Ｉsが高ければｆrも高くなるので、例えば鉄合金などを用いれば優れた電磁波吸収特性を得られることになる。
【０００４】
しかし、このような鉄合金などの金属は良導電性のため、電磁波吸収体として用いる場合には、電磁波の浸透深さ（スキンデプス：１ＧＨｚで約１μｍ程度）以下の微粒子にし、さらに、各微粒子同士を電気的に絶縁する必要がある。このため、従来の電磁波吸収体では、まず、アトマイズ法で作製した十数μｍの磁性体粉末を機械的に粉砕し、その粒径をスキンデプス以下にする。そして、この粉砕後の磁性体粉末を樹脂と複合化し、厚さ数ｍｍのシート状にして電磁波吸収体として用いる。
【０００５】
ところで、近年では、通信機器のモバイル化、ウェアラブル化に伴い、いっそう薄型の電磁波吸収体が要望されている。電磁波吸収体を薄くしてかつ電磁波吸収量を維持するためには、その材料を高透磁率化する必要があるとされている。
【０００６】
電磁波吸収体の高透磁率化を図る方法としては、特開昭６０−１５２６５１号公報や特開平４−１４２７１０号公報などに、金属とセラミクスを同時にスパッタしてセラミクスが分散した非晶質合金膜を得る方法が開示されている。
【０００７】
また、特開平８−２５０３３０号公報や特開平１０−２４１９３８号公報には、ナノグラニュラー構造を有する磁性膜が開示されている。これは、金属磁性体の結晶粒径を１ｎｍ〜１０ｎｍ程度とし、この粒子同士を電気的に絶縁するため、その粒界に非磁性体であるアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）やシリカ（ＳｉＯ2）といった高電気抵抗相を析出させる。これにより、磁性膜として、高透磁率かつ高電気抵抗を達成するものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の電磁波吸収能の高い磁性膜の形成は、主にスパッタ法を用い、磁性膜の用途として薄膜磁気素子を想定し、現実的には膜厚１μｍから最大でも２μｍ程度の薄い磁性膜を形成することしかできず、さらに、その形成には時間とコストがかかるという問題点があった。
【０００９】
ここで、磁性膜による電磁波吸収量について説明する。
一般に、磁性体の電磁波吸収量は、次の式で与えられる
【００１０】
【数１】
0004017032.tif 000002
【００１１】
ただし、Ｐ；体積あたりの電磁波吸収量（Ｗ／ｍ3），ω；角周波数（ｒａｄ／ｓｅｃ），μ0；真空の透磁率，Ｈ；磁界強度（Ａ／ｍ）である。
式（１）において、電磁波吸収量Ｐが最も大きくなるのは、透磁率の損失項であるμ”が最大になるときである。
【００１２】
電磁波吸収量Ｐは、体積あたりの値であるので、磁性体の体積が大きくなれば、電磁波吸収量も大きくなる。したがって、磁性膜の厚さをｄ（ｍ）とすれば、面積あたりの電磁波吸収量Ｐ’（Ｗ／ｍ2）は、次の式で与えられる。
【００１３】
【数２】
0004017032.tif 000003
【００１４】
すなわち、式（１）の場合と同じμ”が得られると仮定すると、例えば、磁性膜の厚さを１μｍから１００μｍに厚くすれば、その電磁波吸収量Ｐ’が１００倍に増加し、大きな効果が得られることになる。また、μ”が高ければ、磁性膜の膜厚を薄くすることも可能になる。
【００１５】
このような背景から、高いμ”を有する磁性膜を、従来の電磁波吸収シートよりも薄く、そして、スパッタ法で形成できる以上の適当な膜厚で形成するための技術が求められている。
【００１６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、効率的かつ低コストで得られ、適当な膜厚でかつ高い透磁率を有する磁性膜およびその形成方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、電磁波吸収能を有する磁性膜において、金属磁性体粒子からなる磁性相と、前記金属磁性体粒子同士を電気的に絶縁するフェライトで形成された粒界である高電気抵抗相と、からなることを特徴とする磁性膜が提供される。
【００１８】
このような磁性膜では、金属磁性体の磁性相が、フェライトの高電気抵抗相によって電気的に絶縁される。すなわち、磁性膜を、すべて磁性体で構成されたナノグラニュラー構造の磁性膜を形成することができるようになる。これにより、磁性膜は、その高電気抵抗相を非磁性体で形成する場合に比べ、より高透磁率化が図られるようになる。
【００１９】
また、本発明では、電磁波吸収能を有する磁性膜の形成方法において、形成する磁性膜の組成比で金属磁性体粉末と高電気抵抗粉末とを混合し、混合された前記金属磁性体粉末と前記高電気抵抗粉末とをエアロゾル化して被成膜物に噴射することによって、前記被成膜物上に前記金属磁性体粉末と前記高電気抵抗粉末とから構成される前記磁性膜を形成することを特徴とする磁性膜の形成方法が提供される。
【００２０】
このような磁性膜の形成方法では、形成する磁性膜の組成比で混合した金属磁性体粉末および高電気抵抗粉末を、エアロゾル化して被成膜物に噴射することで磁性膜を形成する。これにより、被成膜物上に、金属磁性体粉末から形成される磁性相と、高電気抵抗粉末から形成される高電気抵抗相とが形成される。
【００２１】
また、この磁性膜形成を、例えば常温下などの低温条件で行えば、原料粉末がはじめから有している結晶構造を熱で変化させることなく、被成膜物に磁性膜を形成できるとともに、被成膜物への熱的影響も抑制されるようになる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は磁性膜形成装置の概略模式図である。
【００２３】
本発明の磁性膜の形成には、形成する磁性膜の原料となる微粒子粉末をエアロゾル化して基板などの被成膜物に衝突させ、厚膜を形成するエアロゾル・デポジション（ＡＤ）法を用いる。このＡＤ法では、目的とする磁性膜の組成に等しい組成の原料粉末をエアロゾル化して被成膜物に衝突させることで、所望の組成および膜厚の磁性膜を効率的に形成することができる。
【００２４】
このＡＤ法を行うための磁性膜形成装置１０は、ミキサ１１、チャンバ１２、ロータリーポンプ１３を有している。
ミキサ１１には、原料粉末１４が仕込まれるようになっていて、ミキサ１１の振動により、中に仕込まれた原料粉末１４が混合されるようになっている。これにより、原料粉末１４が単一種の粉末である場合には、ミキサ１１内でのその粒度分布の偏りをなくし、原料粉末１４が複数種の粉末である場合には、これらを均一に混合するとともにその粒度分布の偏りをなくすことができる。
【００２５】
チャンバ１２には、その内部に、ミキサ１１に配管を介して接続されているノズル１５が配置され、このノズル１５の先端からミキサ１１内の原料粉末１４がエアロゾル化されて噴射されるようになっている。ノズル１５の先端側には、マスク１６を介して基板２０ａが配置されるようになっている。原料粉末１４が噴射されると、粒子１４ａがマスク１６で被覆されていない基板２０ａ表面に衝突して順に積層していくようになっている。
【００２６】
ロータリーポンプ１３は、チャンバ１２内の圧力調整に用いられる。ここでは、チャンバ１２内の圧力を、１０-2Ｔｏｒｒに設定している。
また、磁性膜の形成は、例えば室温など、常温下で行うことができる。なお、基板２０ａへの磁性膜形成後には、従来スパッタ法で最適組織を発現させる目的で行う熱処理は行わない。
【００２７】
このような磁性膜形成装置１０では、所望の膜厚の磁性膜を高速で形成することができる。例えば、従来のスパッタ法では、磁性膜の膜厚が通常１μｍ程度であるのに対し、ＡＤ法では、従来カバーできなかった数μｍから５００μｍ程度の範囲の膜厚で磁性膜を形成することができる。さらに、ＡＤ法による磁性膜の成膜速度は、１０μｍ／ｍｉｎ程度と速く、工業的にも優れた方法といえる。
【００２８】
ＡＤ法によりナノグラニュラー構造の磁性膜を形成する際には、金属磁性体粉末および高電気抵抗粉末を原料粉末１４としてミキサ１１内に仕込んで混合し、ノズル１５からエアロゾル化して基板２０ａに噴射する。
【００２９】
図２はＡＤ法で得られる磁性膜の模式図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は磁性膜組織を示す図である。
金属磁性体粉末および高電気抵抗粉末を原料としてＡＤ法を行うと、図２（ａ）に示すように、被成膜物２０に衝突した微粒子がその表面から積層されていった磁性膜３０が形成される。この磁性膜３０は、図２（ｂ）に示すように、主相である磁性相３０ａの粒界に高電気抵抗相３０ｂが形成されたナノグラニュラー構造の組織を有する。ＡＤ法で磁性膜３０を形成した場合、高電気抵抗相３０ｂの酸素濃度は、磁性相３０ａのそれに比べて大きくなる傾向が見られ、高電気抵抗相３０ｂの絶縁性という点から有利である。
【００３０】
このように形成された磁性膜３０の磁性相３０ａと高電気抵抗相３０ｂとの組成比は、形成前に仕込む金属磁性体粉末と高電気抵抗粉末との組成比にほぼ一致するようになる。これに対し、従来のスパッタ法では、形成する磁性膜の組成は、用いるターゲット（ＦｅとＡｌ2Ｏ3など）の面積割合で配合比を決定し、かつ、熱処理により最適組織を発現させる必要があり、その制御が困難であった。この点で、磁性膜３０の形成にＡＤ法を用いると、形成できる磁性膜３０の組成の自由度を格段に向上させることができる。
【００３１】
ＡＤ法による磁性膜形成の原料に用いられる金属磁性体粉末としては、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉなどのほか、スパッタ法では使用が難しかったＦｅＣｏ，ＦｅＮｉ，ＦｅＮｉＣｏ，ＭｎＡｌ，ＦｅＳｉＢ，ＣｏＳｉＢ，ＦｅＰｔ，ＣｏＰｔなども用いることができる。さらに、ＦｅＳｉＡｌやＦｅＡｌなども飽和磁化が比較的大きく、磁性膜形成の原料として用いることが可能である。
【００３２】
また、高電気抵抗粉末としては、ＮｉＺｎフェライト，ＭｎＺｎフェライト，ＭｇＭｎフェライト，ＮｉＺｎＣｕフェライト，ＮｉＺｎＣｏフェライトや、Ｍ型フェライトであるＢａＦｅ12Ｏ19およびＳｒＦｅ12Ｏ19、ＢａＦｅ2Ｗ型フェライトであるＢａＦｅ18Ｏ27、Ｃｏ2−Ｚ型フェライトであるＢａ3Ｃｏ2Ｆｅ24Ｏ41、Ｚｎ2−Ｚ型フェライトであるＢａ2Ｚｎ2Ｆｅ12Ｏ22、およびα−Ｆｅ2Ｏ3，β−Ｆｅ2Ｏ3，γ−Ｆｅ2Ｏ3などのフェライト材料を用いることができる。また、これらのようなフェライト材料のほか、Ｆｅ3Ｏ4，ＣｏＯ，ＮｉＯ，ＢａＴｉＯ3，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＭｇＯなどの高電気抵抗酸化物材料も用いることが可能である。
【００３３】
例えば、磁性相がＮｉで高電気抵抗相がＡｌ2Ｏ3であるＮｉ−Ａｌ2Ｏ3磁性膜の形成には、Ｎｉ粉末（平均粒径５０ｎｍ）およびＡｌ2Ｏ3粉末（平均粒径３００ｎｍ）を用いる。また、磁性相がＦｅＣｏで高電気抵抗相がＮｉＺｎフェライトであるＦｅＣｏ−ＮｉＺｎフェライト磁性膜の形成には、ＦｅＣｏ粉末（平均粒径２００ｎｍ）およびＮｉＺｎフェライト粉末（平均粒径５００ｎｍ）を用いる。さらに、磁性相がＦｅＮｉで高電気抵抗相がＭｎＺｎフェライトであるＦｅＮｉ−ＭｎＺｎフェライト磁性膜の形成には、ＦｅＮｉ粉末（平均粒径２００ｎｍ）およびＭｎＺｎフェライト粉末（平均粒径５００ｎｍ）を用いる。
【００３４】
ここで注目すべきは、このＡＤ法によれば、ナノグラニュラー構造の磁性膜における高電気抵抗相を、従来同様非磁性体で形成できるほか、磁性材料であるフェライトを用いて形成することができる点である。すなわち、このような構造の磁性膜では、磁性相の周囲を電気的に絶縁するための高電気抵抗相をも磁性体で形成されているため、高い透磁率を示すようになる。
【００３５】
従来のスパッタ法では、成膜後に熱処理を行って最適組織を発現させるようにするが、この熱処理でフェライトのような磁性かつ高電気抵抗の相を粒界に発現させることは非常に困難である。一方、ＡＤ法によれば、前述のように、原料粉末の配合比で磁性膜の組成が決まり、さらに、熱処理することなくナノグラニュラー構造を実現できる。そのため、フェライトで高電気抵抗相を形成できるとともに、熱処理によるその後の結晶構造の変化もない。したがって、フェライトを用いて磁性膜を形成すると、この磁性膜の特性に、そのフェライト自体が持っているもともとの結晶構造、本来有している透磁率を反映させることができる。
【００３６】
したがって、例えば、ＦｅＣｏ，Ｆｅ，ＮｉおよびＦｅＮｉなどの高い透磁率を示す金属軟磁性体と、ＮｉＺｎＣｕフェライト，ＭｎＺｎフェライト，ＮｉＺｎフェライトおよびＮｉＺｎＣｏフェライトなどの軟磁性かつ高電気抵抗のフェライトとを用いれば、主相、粒界とも軟磁性体で構成されたナノグラニュラー構造の磁性膜を形成することができ、より磁性膜の高透磁率化を図ることができる。
【００３７】
上記の金属磁性体粉末と高電気抵抗粉末とは任意に選択して用いることが可能である。また、金属磁性体粉末と高電気抵抗粉末とが各１種である場合のほか、それぞれの原料粉末として複数種を選択して用いることもできる。
【００３８】
これらの金属磁性体粉末のうち、ＦｅＣｏは飽和磁化が２．４Ｔ、Ｆｅは飽和磁化が２．２Ｔ、Ｎｉは飽和磁化が０．６Ｔ、ＦｅＮｉは飽和磁化が１．１Ｔと比較的高く、磁性膜の原料に適している。特に、ＦｅＣｏは特性的に優れ、Ｆｅはコスト的に優れており、好適である。また、高電気抵抗粉末のうち、ＮｉＺｎＣｕフェライト，ＮｉＺｎフェライト，ＮｉＺｎＣｏフェライトは抵抗率が高くかつコストが低いため、好適に用いることができる。さらに、ＭｎＺｎフェライトは、抵抗率がＮｉＺｎＣｕフェライトなどに比べて若干低いが、高い透磁率を示すので、磁性膜の高電気抵抗相の原料として適している。
【００３９】
ＡＤ法を用いて得られる磁性膜に対し、Ｘ線回折測定を行い、その結果を用いてシェラーの式から求めた構成組織の平均径は、ほぼ１０ｎｍ〜２０ｎｍ程度であった。さらに、磁性膜の磁性相組織は、その径が１ｎｍから５０ｎｍ程度のナノメートルオーダーの微細組織であることが観察された。
【００４０】
また、このＡＤ法を用いて得られる磁性膜は、被成膜物に非常に強固に付着し、ガラス基板やＳｉＯ2基板のほか、セラミクス、ポリカーボネート、ＡＢＳ樹脂、Ｍｇ合金、および各種チップ部品などにも形成することができる。
【００４１】
以上説明したように、磁性膜形成にＡＤ法を用いることにより、成膜速度を速め、主相を磁性相、粒界を高電気抵抗相とする磁性膜を、効率的に形成することができる。このＡＤ法で形成される磁性膜の組成は、原料粉末の組成で決まり、安定した組成の磁性膜を容易に形成することができる。そして、磁性膜の主相、粒界とも軟磁性体のナノグラニュラー構造とすることができるため、高い透磁率の磁性膜を形成することができる。
【００４２】
また、ＡＤ法による磁性膜形成は低温プロセスであるため、熱による磁性膜組織の形態変化および膜形成される被成膜物への影響が少ない。さらに、熱処理を経ないため、従来のスパッタ法で磁性相を絶縁する絶縁相材料に添加されていた焼結助剤などの微量不純物が混入せず、高純度の磁性膜を形成することができる。また、従来のスパッタ法のように、高額のターゲットを必要としないため、低コストで磁性膜の形成が可能である。
【００４３】
また、磁性膜は、被成膜物との密着強度が強い。さらに、従来のスパッタ法で形成困難であった膜厚１μｍ以上、従来のシート状の電磁波吸収体で形成困難であった膜厚５００μｍ以下の磁性膜を形成することが可能である。したがって、種々の材質の基板や部品などに、それらの用途あるいはスペースに合わせて任意に磁性膜を形成することができる。
【００４４】
以下、ＡＤ法を用いて形成した磁性膜の特性を評価した結果について説明する。
図３は磁気測定結果を示す図である。図３では、横軸は磁界強度Ｈ（ｋＯｅ）、縦軸は磁束密度Ｂ（ｋＧ）をそれぞれ表している。
【００４５】
ＡＤ法を用いて形成した膜厚２０μｍのＮｉ膜について磁気測定結果を行った。Ｎｉの飽和磁化は約５．４ｋＧであり、形成したＮｉ膜は、バルク特性をほぼそのまま示している。したがって、ＡＤ法により磁性膜の形成が可能であるということができる。
【００４６】
図４は飽和磁化測定結果を示す図である。図４では、横軸はＮｉＺｎフェライトの組成比、縦軸は飽和磁化（Ｔ）をそれぞれ表している。
ここでは、ＡＤ法を用いて形成したＦｅＣｏ−ＮｉＺｎフェライト磁性膜について飽和磁化測定を行う。この磁性膜の形成は、まず、Ｆｅに５０％のＣｏを含んだ平均粒径２００ｎｍのＦｅＣｏ粉末を還元法で形成した後、このＦｅＣｏ粉末と、平均粒径２００ｎｍのＮｉＺｎフェライト粉末とを、所定の割合で混合して原料粉末とする。そして、この原料粉末を、ＳｉＯ2基板に対して噴射し、磁性膜を形成する。
【００４７】
磁性膜中のＮｉＺｎフェライトの体積割合を変化させて形成したときの磁性膜の飽和磁化を測定すると、原料粉末に占めるＮｉＺｎフェライト粉末の体積増加に伴い、飽和磁化がほぼ直線的に減少する。すなわち、ＦｅＣｏ粉末からの磁性相と、ＮｉＺｎフェライト粉末からの高電気抵抗相とが、ＳｉＯ2基板に所定の割合で磁性膜として付着していると考えられる。
【００４８】
図５は透磁率測定結果を示す図である。図５では、横軸は周波数（ＧＨｚ）、縦軸は透磁率（μ’，μ”）を表している。
ここでは、ＦｅＣｏ−ＮｉＺｎフェライト磁性膜を用いて測定している。この磁性膜に含まれるＮｉＺｎフェライトは２５％であり、磁性膜の膜厚は５０μｍである。
【００４９】
図５より、最大でμ’＝３５，μ”＝２８程度の磁性膜が形成された。この特性は、電磁波吸収特性で考えた場合、厚さｄ＝０．３ｍｍでμ”＝５の電磁波吸収シートと比較すると、ＦｅＣｏ−ＮｉＺｎフェライト磁性膜は、厚さｄ＝０．０５ｍｍでμ”＝２８であるので、厚さが電磁波吸収シートの６分の１にも関わらず、ほぼ同等電磁波吸収量Ｐ’を示すことになる（式(２)参照）。
【００５０】
したがって、従来のシート状のものよりも厚みが薄く、また、スパッタ法で形成した磁性膜よりも膜厚の厚い磁性膜を、高特性で形成することができる。
図６は電磁波吸収特性を示す図である。図６には、ＡＤ法による磁性膜を通信機器の筐体に形成した場合の機器内部から放射される電磁波レベルの周波数ごとの測定値を示している。さらに、比較のため、磁性膜を形成しなかった場合における電磁波レベルについても測定している。なお、図６には、磁性膜を形成しなかった場合に放射される電磁波レベルと、磁性膜を形成した場合に放射される電磁波レベルとの差も示している。
【００５１】
図６において、横軸は周波数、縦軸は機器内部から放射される電磁波レベルを示している。通信機器に磁性膜を形成することにより、放射される電磁波レベルは減少し、この減少量の分、通信機器からの不要電磁波の放射を低減させることができるようになる。
【００５２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明では、磁性膜を、金属磁性体の磁性相同士をフェライトの高電気抵抗相で電気的に絶縁する構成にした。これにより、すべて磁性体で構成されたナノグラニュラー構造の磁性膜を形成することができ、磁性膜を高透磁率化することができる。
【００５３】
また、磁性膜形成にＡＤ法を用いることで、フェライトを高電気抵抗相とする磁性膜を形成することができるとともに、適当な膜厚の磁性膜を効率的かつ低コストで形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】磁性膜形成装置の概略模式図である。
【図２】ＡＤ法で得られる磁性膜の模式図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は磁性膜組織を示す図である。
【図３】磁気測定結果を示す図である。
【図４】飽和磁化測定結果を示す図である。
【図５】透磁率測定結果を示す図である。
【図６】電磁波吸収特性を示す図である。
【符号の説明】
１０……磁性膜形成装置、１１……ミキサ、１２……チャンバ、１３……ロータリーポンプ、１４……原料粉末、１４ａ……粒子、１５……ノズル、１６……マスク、２０……被成膜物、２０ａ……基板、３０……磁性膜、３０ａ……磁性相、３０ｂ……高電気抵抗相。
【図１】
0004017032.tif 000004
【図２】
0004017032.tif 000005
【図３】
0004017032.tif 000006
【図４】
0004017032.tif 000007
【図５】
0004017032.tif 000008
【図６】
0004017032.tif 000009