(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ酸蒸気の存在する空間を、ウェーハ被処理面、フッ酸蒸発面、および当該ウェーハを配置する容器の内壁面を用いて、実質的に形成し、前記フッ酸蒸発面に該フッ酸に対して耐蝕性を有し、かつフッ酸で濡れる多孔質材を配置することを特徴とするシリコンウェーハの酸化膜を除去する方法。
【請求項２】
フッ酸蒸気の存在する空間を、ウェーハ被処理面と当該ウェーハを配置する容器の内壁面を用いて実質的に形成し、前記空間内にネブライザによりフッ酸のミストを投入してフッ酸蒸気で飽和させることを特徴とするシリコンウェーハの酸化膜を除去する方法。
【請求項３】
摂氏２０度以上の温度で実施することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載するシリコンウェーハの酸化膜を除去する方法。
【請求項４】
フッ酸の温度が摂氏２０度以上沸点以下であることを特徴とする請求項３に記載するシリコンウェーハの酸化膜を除去する方法。
【請求項５】
フッ酸の温度が摂氏２０度以上８０度以下であることを特徴とする請求項４に記載するシリコンウェーハの酸化膜を除去する方法。
【請求項６】
耐フッ酸材料で構成された有底容器であって、その内壁が、上端において外面に酸化膜を有するウェーハの径より大きく、下方に向かって該ウェーハの径より小さくなるように傾斜していて、その傾斜した内壁によってウェーハ処理面を下向きに、該容器内に収容したフッ酸蒸発面に対向して該ウェーハを保持することによって、実質的に密閉された空間をウェーハの被処理面、フッ酸蒸発面および該有底容器内壁を用いて形成し、前記フッ酸蒸発面に該フッ酸に対して耐蝕性を有し、かつフッ酸で濡れる多孔質材が配置されてなることを特徴とするシリコンウェーハの酸化膜を除去する装置。
【請求項７】
耐フッ酸材料で構成された有底容器であって、その内壁が、上端において外面に酸化膜を有するウェーハの径より大きく、下方に向かって該ウェーハの径より小さくなるよう傾斜していて、その傾斜した内壁によって該ウェーハをその被処理面を下向きにして容器内に保持することによって、実質的に密閉された空間をウェーハ被処理面と該有底容器内壁とを用いて形成し、前記空間内にネブライザによりフッ酸のミストを投入してフッ酸蒸気で飽和されて構成されることを特徴とするシリコンウェーハの酸化膜を除去する装置。
【請求項８】
ウェーハ被処理面、あるいはフッ酸蒸気のそれぞれの温度を制御する手段を備えたことを特徴とする請求項７に記載するシリコンウェーハの酸化膜を除去する装置。
【請求項９】
ウェーハ被処理面、フッ酸、あるいはフッ酸蒸気のそれぞれの温度を制御する手段を備えたことを特徴とする請求項６に記載するシリコンウェーハの酸化膜を除去する装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術の分野】
本発明は半導体素子の製造などに使用されるシリコンウェーハの外面に形成された酸化膜を除去する方法およびその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体素子の製造に使用されるシリコンウェーハ（以下単にウェーハという）の外面に自然に、もしくは人為的に形成されたケイ素の酸化物からなる薄層（以下、このケイ素の酸化物からなる薄層を単に酸化膜という）は、その後のウェーハを取り扱う過程で除去する必要が生じることがある。その場合に、酸化膜が接するシリコン単結晶の面の性状に影響を与えずに、かつ出来る限り均一に酸化膜を除去するための手段として、酸化膜にフッ酸蒸気（フッ化水素ガスと水蒸気の混合物）を作用させる方法が行われている。
【０００３】
従来行われてきたこのフッ酸蒸気で酸化膜を除去する方法の一例を図７に示した摸式図によって説明する。密閉可能な反応容器６３内に、複数枚のウェーハＷを配列させて収容したバスケット６２とフッ化水素酸水溶液（以下単にフッ酸という）６１を入れたフッ酸容器６４を配置して反応容器６３を密閉し、所定の温度で所定の時間放置する。フッ酸から蒸発したフッ酸蒸気６５が反応容器６３内の空間を移動してウェーハＷの外面に接触し、酸化膜と反応することによって、酸化膜が除去される。この方法では、一度に複数枚のウェーハを同時に処理することができるが、酸化膜をほぼ完全に除去するためには、自然酸化膜の場合には室温で３０ないし４０分、人為的に形成した酸化腹の場合、たとえばおよそ５０００オングストロームの厚さの酸化膜を除去するには、同じく室温で１２時間以上の時間を要していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はかかる従来の方法の問題点に鑑みてなされたもので、ウェーハの外面に形成された酸化膜を簡便、かつ速やかに除去する方法、および装置を提供することを目的とする。
【０００５】
ケイ素酸化物とフッ化水素ガスとの間に起こる反応は〔化１〕、もしくは〔化２〕で示す反応式に従って進行すると推定される。
【化１】
0003910830.tif 000002
【化２】
0003910830.tif 000003
これらの反応の速度は、ウェーハ外面に到達するフッ酸蒸気の量によって影響される。このフッ酸蒸気はフッ化水素ガスと水蒸気の混合気体であって、フッ酸と共存する場合に空間中に存在するこれら気体のそれぞれの量は（１）フッ酸中のフッ化水素の濃度、（２）フッ酸と気体とから成る系全体の温度、および（３）空間における各気体の飽和の度合いによって定まる。
【０００６】
一般に化学反応の速度は、与えられた条件の下においては、反応の活性化エネルギーの値と温度によって決まる速度を超えることはなく、今の場合、仮にこの最高の反応速度に見合う量以上の反応ガス（フッ酸蒸気）がウェーハ外面に供給されても、〔化１〕、ないしは〔化２〕の反応はこの速度以上で進むことはない。このような状況にある反応は反応律速の状態にあると言われる。
【０００７】
これに反して、反応速度が反応物質の供給量によって決まる場合は供給律速の状態にあると言われる。酸化膜をフッ酸蒸気と反応させて除去する当該技術の場合には、反応速度はフッ酸蒸気の供給量によって影響され、その供給量が多い程、反応速度は速くなり、反応律速の状態に近づく。換言すれば、酸化膜の除去は速やかに進行する。したがって、酸化膜の除去を出来るだけ速やかに進めるには、出来る限り反応律速の状態に近づけることが望ましい。
【０００８】
ところで、前記した従来から用いられている方法（装置）では、「発明の実施の形態」において詳しく説明するように、酸化膜を除去しようとするウェーハ（以下、被処理ウェーハという）とフッ酸を収容する容器（以下、フッ酸容器という）の容積、被処理ウェーハの総表面積、フッ酸蒸気が蒸発するフッ酸の液面（以下、単にフッ酸蒸発面という）の面積、フッ酸の温度等の条件、およびフッ酸蒸気の容器内における移動がほぼ自然対流に近い状況にあること等からみて、反応は供給律速の状態にあり、しかもフッ酸蒸気の供給量がかなり少ない状態にあると考えられる。このため、酸化膜の除去にかなりの長時間を必要とし、このことが、従来法の大きな欠点であった。
【０００９】
この欠点を凌駕し、実質的に反応律速の状態で酸化膜の除去を実施する方法、およびそれを実現するための簡便な装置の開発を鋭意進めた結果、本願に記載する方法および装置を発明するに至った。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の酸化膜を除去する方法は、フッ酸蒸気の存在する空間を、ウェーハ被処理面、フッ酸蒸発面、および当該ウェーハを配置する容器の内壁面を用いて、実質的に形成し、前記フッ酸蒸発面に該フッ酸に対して耐蝕性を有し、かつフッ酸で濡れる多孔質材を配置することを特徴とする。
すなわち、本発明の方法は、従来の方法におけるウェーハ被処理面に供給されるフッ酸蒸気の量が、反応律速に見合う量に比べてかなり少なく、反応速度が極めて遅いことを改善し、実質的に反応律速の状態で反応させることを実現する。すなわち、この方法によると、フッ酸は毛細管現象によって該多孔質円板中の連通する細孔の中を通って多孔質円板の表面にしみ出し、フッ酸蒸発面を大幅に増大させることになるので、フッ酸蒸気の蒸発量はー段と増加して反応がさらに促進される。
【００１１】
また、請求項２記載の発明は、フッ酸蒸気の存在する空間を、ウェーハ被処理面と当該ウェーハを配置する容器の内壁面を用いて実質的に形成し、前記空間内にネブライザによりフッ酸のミストを投入してフッ酸蒸気で飽和させることを特徴とする。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
前記のように反応律速の状態で酸化膜の除去を進めるために、酸化膜と接触する空間はフッ酸蒸気で常に実質的に飽和されていて、あるいはウェーハ被処理面とフッ酸蒸発面とを実質的に密閉した空間内で接近させて対向させて配置して反応生成物である四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、もしくはヘキサフルオロケイ酸（Ｈ２ＳｉＦ６）が速やかにフッ酸に吸収されて酸化膜の表面から離脱されるような状況を実現することが必要である。実施例において説明するように、このような状況で酸化膜の除去を実施した時の除去速度と温度の間の関係を示すデータから除去の反応に対する見かけの活性化エネルギーの値を試算すると、約６キロカロリ／モルの値が得られ、この値は化学反応の活性化エネルギーとして妥当な値といえる。また、実施例における温度の範囲内では、酸化膜の除去速度の温度による変化（図９）は、フッ酸蒸気の平衡蒸気圧（飽和蒸気圧）の温度による変化、あるいは気体の拡散係数の温度による変化と比較して、一桁ないしは二桁大きいことからみても、本発明の方法においては、反応が実質的に反応律速の状態で進行していることが裏付けられる。
【００１５】
フッ酸蒸気の存在する空間を、請求項２ではウェーハ被処理面と当該ウェーハを配置する容器の内壁面を用いて実質的に形成し、請求項１ではウェーハ被処理面、フッ酸蒸発面、および当該ウェーハを配置する容器の内壁面を用いて実質的に形成する。
【００１６】
すなわち、図１に示す実施例のように、ウェーハＷの被処理面（下面）と容器１２の内壁面１３、およびフッ酸１４の液面（すなわち、フッ酸蒸発面）１５とでフッ酸蒸気を含む空間１１を形成して、フッ酸蒸発面１５より蒸発したフッ酸蒸気がウェーハ被処理面に移動するようにするか、あるいは図４に示すように、ウェーハＷの被処理面（下面）と容器１２の内周壁１３とで形成された空間にフッ酸蒸気を含む気体を別に設けた手段、たとえばネブライザ４１等を用いて送入する。
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【００２３】
本発明の方法では、酸化膜の除去を摂氏２０度以上の温度で実施することを特徴とする。
【００２４】
図９に示すように、温度が高いほど一定の厚さの酸化膜を除去するに要する時間は短くなる、換言すると、除去の速度が速くなるので、少なくとも摂氏２０度以上の温度で、装置の材料が使用し得る限り、あるいは処理の作業の安全面、その他の条件から可能な限りにおいて高い温度で実施することが効果的である。
【００２５】
フッ酸を容器内に収容して行う場合には、フッ酸蒸気の突沸を避けるためにフッ酸の温度を沸点以下、好ましくは摂氏８０度以下で行うのがよい。
【００２６】
本発明のシリコンウェーハの酸化膜を除去する装置は、耐フッ酸材料で構成された有底容器であって、その内壁が、上端において外面に酸化膜を有するウェーハの径より大きく、下方に向かって該ウェーハの径より小さくなるように傾斜していて、その傾斜した内壁によってウェーハ処理面を下向きに、該容器内に収容したフッ酸蒸発面に対向して該ウェーハを保持することによって、実質的に密閉された空間をウェーハの被処理面、フッ酸蒸発面および該有底容器内壁を用いて形成し、前記フッ酸蒸発面に該フッ酸に対して耐蝕性を有し、かつフッ酸で濡れる多孔質材が配置されてなることを特徴とする。
【００２７】
【００２８】
【００２９】
【００３０】
【００３１】
【００３２】
【００３３】
さらにまた、本発明のシリコンウェーハの酸化膜を除去する装置は、ウェーハ被処理面、あるいはフッ酸蒸気のそれぞれの温度を制御する手段を備えたことを特徴とする。
【００３４】
これによって、酸化膜とフッ酸との反応を所定の温度で、かつ望ましい範囲内に制御しつつ行わせることが可能となる。
【００３５】
本発明のシリコンウェーハの酸化膜を除去する装置の更なる特徴は、ウェーハ被処裏面、フッ酸、ないしはフッ酸蒸気のそれぞれの温度を制御する手段を備えていることである。
【００３６】
このように、ウェーハ被処理面、フッ酸、ないしはフッ酸蒸気のそれぞれの温度を制御する手段を備えることによって、これらの各々を任意の温度に、かつ所望の範囲内に保つことが出来るので、より精密に反応を制御することが可能となる。
【００３７】
たとえば、図３に摸式的に示したように、容器１２を加熱手段３１（たとえば、ヒータ）によってその下方から加熱してフッ酸１４の温度を上昇させるように構成すると、加熱されたフッ酸からはフッ酸の温度に相応するフッ酸蒸気が蒸発するので、フッ酸蒸気のウェーハ面への供給量が増加する。またフッ酸蒸気の温度によってウェーハが加熱されるので、その分反応は促進されるが、ウェーハＷの温度はフッ酸の温度よりは低くなる。そのため、フッ酸蒸気の一部はウェーハ被処理面にフッ酸として凝縮する。したがって、この場合にはこの凝縮したフッ酸と酸化膜との間でも反応が進行する。
【００３８】
これに対して、ウェーハ被処理面、フッ酸、ないしはフッ酸蒸気のそれぞれの温度を制御する手段を備えることによって、これら各々をほぼ同じ温度に、あるいは、たとえばウェーハの温度をフッ酸の温度よりも高くすることも可能となる。したがって、より反応速度を高めることが可能となる。また、この場合には、先に述べたような、フッ酸蒸気がウェーハ被処理面に凝縮することはなく、反応を完全にフッ酸蒸気のみによって進行させることも可能となる。
【００３９】
上に説明したように、フッ酸、フッ酸蒸気、およびウェーハ被処理面の内で、少なくともウェーハ被処理面と接触するフッ酸蒸気の温度がウェーハ被処理面の温度にほぼ等しいか、あるいはウェーハ被処理面の温度より高い場合には、フッ酸蒸気はウェーハ被処理面に凝縮することはないが、逆にウェーハ被処理面と接触するフッ酸蒸気の温度がウェーハ被処理面の温度より低い場合には、フッ酸蒸気はウェーハ被処理面に凝縮して、ウェーハ被処理面上にフッ酸の液滴、あるいは薄膜が生じることがあるが、本発明の方法、および装置はこのような状況をも含むものである。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下に図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明するが、これらは本発明の技術思想を実現するための例であって、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、以下の比較例、おおび実施例ではいずれもフッ酸蒸気を含む空間内の全気体の圧力（全気圧）はほぼ常圧であるが、本発明の技術思想に合致する限りにおいて、該空間内の全気圧の値はとくには限定されない。すなわち、実用上の観点からみて最も望ましい速度で酸化膜を除去することができるように、処理操作における温度、フッ酸蒸気の組成（フッ化水素ガスと水蒸気の割合）等の条件のほかに、フッ酸蒸気を含む空間内の全気圧の値を適宜に選択すればよい。
【００４１】
（比較例）
図７は従来から用いられている酸化膜を除去するための装置（以下、酸化膜を除去するための装置を単に酸化膜除去装置という）の一例の概略図である。６３はフッ酸に対して耐蝕性を有する材料（以下、単に耐フッ酸材料という。例えばポリプロピレン、テフロンなど）で作製された密閉できる反応容器である。６２は同様に耐フッ酸材料で作製されたウェーハバスケットで、複数枚のウェーハを垂直に近い状態で所定の間隔をおいて立てて収納できるようになっている。６４はフッ酸を入れる容器で耐フッ酸材料で作成されている。自然酸化膜を有するウェーハＷ１２枚を収納したウェーハバスケット６２と、濃度５０%のフッ酸６１を入れたフッ酸容器６４を反応容器６３内に図示のように配置して反応容器６３を密閉し、室温（約摂氏２３度）で放置して酸化膜をフッ酸蒸気と反応させた。およそ３０分から４０分で酸化膜を除去することが出来た。また、人為的に形成した厚さおよそ５０００オングストロームの酸化膜を有するウェーハＷ１２枚を同様にウェーハバスケット６２に入れて反応容器６３内に密閉して酸化膜の除去を行った。除去に要した時間はおよそ１２時間であった。
【００４２】
本例においては、ウェーハ径に応じてそれぞれ容積の異なる反応容器６３、およびフッ酸容器６４を使用した。これらの数値は実施例における値と比較して後述する。
【００４３】
（実施例１）
図１は本発明に基づく酸化膜除去装置の第一の例を示す概略図である。図１において、１２は耐フッ酸材料（テフロン）で作製された円筒状容器でその内周壁１３は、その上端から中心軸に向かって逆円錐台形に傾斜している。すなわち、容器内周壁の上端が作る円形の径は、被処理ウェーハＷの径より大きく、下端の作る円形、すなわち容器内底面の径は被処理ウェーハＷの径より小さいので、ウェーハＷを図のように、容器内周壁１３で保持することができる。該容器に濃度５０%のフッ酸の所定量を注ぎ、ウェーハＷの被処理面をフッ酸蒸発面１５に対向するように下方に向けて水平になるように置いて、フッ酸蒸気に接触するようにした。
【００４４】
自然酸化膜を有するウェーハＷを室温（およそ摂氏２３度）でこのような状態に保つと、およそ３秒で該酸化膜の除去が完了した。
【００４５】
同様にして、厚さおよそ５０００Åの酸化膜を形成したウェーハＷを室温で処理すると、およそ３分で該酸化膜の除去が完了した。自然酸化膜の場合は、従来法の６００〜８００倍の速度で、また、厚さ５０００オングストロームの酸化膜の場合は従来法のおよそ２４０倍の速度で酸化膜を除去することができた。
【００４６】
なお、ウェーハＷとフッ酸蒸発面１５とは接触しない限りは接近しているほど酸化膜の除去には効果があるので、容器内周壁１３の傾斜角度やフッ酸１４の量等の条件を適宜変化させることによって、ウェーハＷとフッ酸蒸発面１５との間の距離を所望の値に設定することができる。
【００４７】
また、本例では一枚のウェーハを処理する場合について説明したが、本発明の技術思想を適用する限りにおいて、複数のウェーハを同時に処理できる装置や、自動化された装置を工夫することも可能である。
【００４８】
上述の比較例、および実施例１の方法で径が６インチと８インチのウェーハのそれぞれに適合する容器を作成して酸化膜の除去を行った。各場合の諸ディメンジョンを〔表１〕に比較して記載した。
【００４９】
以下に示す〔表１〕の値から明らかなように、本発明の方法による実施例では、単位時間にウェーハ被処理面単位面積当りに供給されるフッ酸蒸気の量は反応を十分速く進行させるに十分な条件を備えていると推論される。たとえば、ウェーハ被処理面面積のフッ酸蒸発面面積に対する比の値を比較すると、本発明の方法は従来の方法に比較して５０ないし６０倍有利な数値となっている。実質空間容積（フッ酸蒸気の存在する空間）は本発明の方法では従来法の１/４０から１/５０に縮小され、ウェーハ被処理面とフッ酸蒸発面との間の距離は、本発明の方法ではおよそ１０mmに設定されている。
【表１】
0003910830.tif 000004
【００５０】
（実施例２）
径６インチのウェーハのそれぞれに、それぞれ異なる厚さの酸化膜を形成し、実施例１と同様の方法で処理して、それぞれの酸化膜の除去に要した時間を測定した。図８にその結果を示す。除去に要する時間は膜厚に正比例しており、膜の厚さにかかわらず、他の条件が同じであれば、除去の反応は同じ速度で進むことが知られる。
【００５１】
（実施例３）
図２は本発明に基づく酸化膜除去装置の第二の例を示す概略図である。この例では、耐フッ酸材料製の多孔質円板２１の円板をフッ酸に僅かに浸るように配置した以外は実施例１と同様である。該円板２１の上面には毛細管現象でフッ酸１４がしみ出てフッ酸蒸発面１５を形成する。したがって、容器１２の振動や傾斜によってフッ酸蒸発面が不安定になることを避けることが出来るので、フッ酸蒸発面１５をウェーハ被処理面の至近まで接近させることが可能となり、反応進行に対する効果は極めて高い。この例では、３mmまで接近させて酸化膜を除去することが出来た。さらに、フッ酸蒸発面１５の有効な面積も増大するので、フッ酸蒸気の蒸発量は一段と増加し、反応がさらに促進される。
【００５２】
該多孔質円板２１として、本例ではポロプロピレンの繊維を圧縮成型して円板状にしたものを用いたが、その他、フッ酸で濡れやすい耐フッ酸材料の連通した細孔を有する発泡体、もしくは織布等が用いられる。
【００５３】
（実施例４）
図３は本発明に基づく酸化膜除去装置の第三の例の概略図である。この例では、容器１２の下方に加熱手段３１が設けられている。これにより、容器１２を下方より加熱してフッ酸の温度を高めると、フッ酸蒸気の蒸発量を増加させることが出来ると共に、フッ酸蒸気の温度も高くなるので、フッ酸蒸気と接するウェーハ被処理面の温度もそれに伴って上昇し、反応速度が増大する。本例では、加熱手段３１と、不図示の温度調節手段によってフッ酸の温度を変化させて、厚さおよそ５０００オングストロームの酸化膜を有するウェーハを処理し、それぞれの温度において酸化膜の除去に要する時間を測定した。
その結果フッ酸１４の温度が摂氏５０度の時の所要時間は４０秒、７０度では５秒であった。
【００５４】
実施例１における除去に要した時間（３分）と実施例４の結果を合わせて、図９に処理温度と所要時間の関係を示した。この図の関係から除去速度（単位時間当りの酸化膜厚さの減少量）を算出し、〔表２〕に示した。これらの価とフッ酸の温度（絶対温度）の逆数との間の関係は図１０に示すように直線で近似されるので、この関係を用いて除去反応に対する見かけの活性化エネルギーを算出すると、およそ６キロカロリ／モルの値が得られた。
【表２】
0003910830.tif 000005
【００５５】
（実施例５）
図４は本発明に基づく酸化膜除去装置の第四の例を示す概略図である。この例では、容器１２内の空間１１にネブライザ４１によりフッ酸１４のミストを送入し、該空間を実質的にフッ酸蒸気で飽和させた。
また、この変形として、フッ酸蒸気を直接該空間に供給するようにすることも可能である。この場合にはさらに、図示しない温度調節装置でフッ酸蒸気を任意の温度に加熱して該空間に送入することが出来るので、フッ酸蒸気の温度をウェーハの温度とは別個に変化させることが可能となり、反応速度を一層幅広く制御することが出来る。
【００５６】
（実施例６）
図５は本発明に基づく酸化膜除去装置の第五の例を示す概略図である。この例では、オリエンテーションフラット５２のついたウェーハＷ’を処理するために、ウェーハＷ’の円形から欠けた部分を覆うように容器５１を作成した。すなわち、それによって、フッ酸蒸気をウェーハ（Ｗ’）被処理面と容器内壁面１３とで、あるいはウェーハ（Ｗ’）被処理面、容器内壁面１３、およびフッ酸蒸発面１５とで有効に密閉するようにした。
【００５７】
（実施例７）
図６は本発明に基づく酸化膜除去装置の第六の例を示す概略図である。この例ではウェーハの上方にさらに別の加熱手段３２（この例では赤外線ランプ）を設けた。これにより、ウェーハＷの温度をフッ酸１４とは別に高めることができるので、たとえば、ウェーハＷ被処理面の温度をフッ酸１４、あるいはフッ酸蒸気とほぼ同じ温度に、あるいはより高い温度とすることが可能となり、反応をより望ましい状態で進めることが出来る。
【００５８】
なお、本明細書中で使用した下記の用語は次のように定義するものとする。すなわち、フッ酸とはフッ化水素酸の水溶液、フッ酸蒸気とはフッ化水素と水の混合気体、フッ酸蒸発面とはフッ酸の液面、すなわち空間と接し、フッ酸蒸気がこの液面から蒸発し、あるいはこの面に凝縮する面、酸化膜とはウェーハ外面の主としてケイ素の酸化物からなる薄層、ウェーハ被処理面とは本発明の方法によって酸化膜を除去するウェーハ外面、耐フッ酸材料とはフッ酸あるいはフッ酸蒸気に対して耐蝕性を有する材料とする。また、実質的、ないしは実質的にという表現は当該する状態が厳密な意味にほぼ近い状況にあることを意味する。
【００５９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明により、簡便な方法及び装置により、従来に比べ格段に速く、シリコンウェーハ外面の酸化膜を除去することが可能となった。また、この酸化膜の除去を簡便に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に基づく酸化膜除去装置の第一の例を示す概略図
【図２】  本発明に基づく酸化膜除去装置の第二の例を示す概略図
【図３】  本発明に基づく酸化膜除去装置の第三の例を示す概略図
【図４】  本発明に基づく酸化膜除去装置の第四の例を示す概略図
【図５】  本発明に基づく酸化膜除去装置の第五の例を示す概略図
【図６】  本発明に基づく酸化膜除去装置の第六の例を示す概略図
【図７】  従来の酸化膜除去装置の一例を示す概略図
【図８】  酸化膜の厚さと除去に要する時間の関係を示すグラフ
【図９】  フッ酸の温度と除去に要する時間の関係を示すグラフ
【図１０】  除去反応の速度と温度の逆数の関係を示すグラフ
【符号の説明】
１１  フッ酸蒸気が存在する空間
１２  耐フッ酸材料製容器
１３  容器の内周壁、または内周壁面
１４、６１  フッ酸
１５  フッ酸蒸発面
２１  耐フッ酸材料製多孔質円板
３１、３２  加熱手段
４１  ネブライザ
５１  オリエンテーションフラット付きウェーハ用容器
５２  オリエンテーションフラット
６２  ウェーハバスケット
６３  反応容器
６４  フッ酸容器
６５  フッ酸蒸気
Ｗ  酸化膜を外面に有するシリコンウェーハ
Ｗ’酸化膜を外面に有するオリエンテーションフラットのついたシリコンウェーハ
【図１】
0003910830.tif 000006
【図２】
0003910830.tif 000007
【図３】
0003910830.tif 000008
【図４】
0003910830.tif 000009
【図５】
0003910830.tif 000010
【図６】
0003910830.tif 000011
【図７】
0003910830.tif 000012
【図８】
0003910830.tif 000013
【図９】
0003910830.tif 000014
【図１０】
0003910830.tif 000015