(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光をディスク表面に照射して該表面を走査する投光手段と、該表面からの正反射光を受光するための１又は複数の受光手段と、該表面に存在する欠陥による前記正反射光の散乱光を受光するための１又は複数の受光手段とを具えるディスク表面検査装置において、
前記受光手段から得られる複数種類の受光信号から１つの受光信号を特定するステップであって、該複数種類の受光信号の組み合わせに対応して、複数の異なる判定基準のうちいずれかを選択し、選択した判定基準に従って１つの受光信号を特定する第１のステップと、
前記特定された受光信号の種類に応じて異なる欠陥判別処理を行うことによりディスク表面上の欠陥種類を特定する第２のステップと
を具えた欠陥種類の判別方法。
【請求項２】
前記複数の異なる判定基準として、受光信号の波高値に基づく判定基準と、
ディスクの半径方向に関する受光信号の分布に基づく判定基準とを含むことを特徴とする請求項１に記載の欠陥種類の判別方法。
【請求項３】
レーザー光をディスク表面に照射して該表面を走査する投光手段と、該表面からの正反射光を受光するための１又は複数の受光手段と、該表面に存在する欠陥による前記正反射光の散乱光を受光するための１又は複数の受光手段とを具えるディスク表面検査装置において、
前記受光手段からの受光信号を、ディスク表面を区分した微小な方形の単位セルに対応するようにメモリのアドレスにそれぞれ記憶するステップと、
前記受光手段から得られる複数種類の受光信号の組み合わせに対応して、複数の異なる判定基準のうちいずれかを選択し、選択した判定基準に従って正反射信号を特定するステップと、
前記メモリの所定のアドレス領域において、ディスクの円周方向に受光信号の増光／減光の配列パターンを求め、この配列パターン及びパターンに対応したディスクの半径方向の増光を記憶した範囲と減光を記憶した範囲との比較に基づき、ディスク表面上の欠陥種類をピット欠陥またはハンドリングダメージ欠陥のいずれかに判別するステップと
を具えた欠陥種類の判別方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガラスなどの表面からなるディスクの表面検査装置に関し、詳しくは検出された欠陥データ信号から欠陥の種類を判別する欠陥種類の判別方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
情報の記録媒体、あるいは半導体の素材としてガラスやシリコンウェハなどのディスクが使用されている。これらの素材の表面に欠陥があるときは製品の性質が劣化するので、ディスク表面検査装置により検査を行っている。ディスク表面検査装置は、ディスク表面に発生する欠陥を検出するものである。欠陥には多様な種類があり、例えば、表面に付着した微少な塵埃（パーティクル）、しみ（ステイン）、異物による擦り傷（スクラッチ）、微小な凹部（ピット）や凸部（バンプ）、または滑らかに傾斜した凹部（ディンプル）、ディスク受け渡し時の衝突等により生ずるディスク端部の変形（ハンドリングダメージ）、ディスク表面の研磨跡（グライド）等様々なものがある。
これらの各種欠陥の効果的な検出方法として、従来のディスク表面検査装置は、ディスク表面上にレーザー光を照射して、前記各欠陥の形状、大きさ等に対してそれぞれ異なって検出される光学的性質、すなわち、前記レーザー光の反射光や散乱光を受光して欠陥を検出する方法を用いている。
【０００３】
このような検出方法を利用した、従来から知られたディスク表面検査装置の一構成例の概略を図９に示す。当該装置は、各々送光系と受光系とにより構成される２つの光学系ＯＰ１、ＯＰ２からなり、例えば、第一の光学系ＯＰ１はピット、ハンドリングダメージ、ステイン、パーティクル、スクラッチ欠陥を、第二の光学系ＯＰ２はバンプ、ディンプル、グライド欠陥を検出する。すなわち、欠陥の種類に対応して光学系は複数設けられている。
第一の送光系Ｌ１はディスクＫ表面上にレーザースポットを形成するように投光し、第二の送光系Ｌ２は欠陥の検知が可能な所定の幅を持つ平行光をディスクＫ表面上に投光して、共にディスクＫ表面上の同位置を螺旋状に走査する。当該ディスクＫ表面上に欠陥があるときは前記レーザースポットが散乱するので、その散乱光を各受光系により受光して複数の欠陥データ信号を得ている。すなわち、第一送光系Ｌ１（すなわち、レーザースポット）の散乱光の明視野分を第一の受光素子Ｌが受光し、前記散乱光の暗視野分を第二の受光素子Ｄにより受光する（ただし、この従来例においては、ディスク表面から低角度の方向に散乱される暗視野分を受光素子Ｄ１に、高角度の方向に散乱される暗視野分を受光素子Ｄ２により受光している）。そして、第一送光系Ｌ１の正反射光を受光素子Ｒａが、第二送光系Ｌ２の正反射光を受光素子Ｒｂが各々受光する。欠陥があるときには、正反射光は増光・減光して各受光素子Ｒａ、Ｒｂに受光される。このように、欠陥の種類によってその光の強弱が異なる正反射光や散乱光に対応するように各受光素子は設けられている。また、効率よく目的とする光（すなわち、正反射光や散乱光）を受光するために、フィルタＦやレンズＥ等の素子が設けられている。勿論、当該装置は上述した構成だけに限られるものではない。
前記各受光素子により受光された光は、所定の回路等を介して各々欠陥データ信号に変換されて、データ処理装置に入力される。このデータ処理装置では、当該欠陥データ信号を基にして可能な限り欠陥の種類の判別を詳細に行っている。
【０００４】
各受光素子が受光することによって得られた欠陥データ信号は、ディスク表面上の所定の単位セル（例えば、ディスクの半径方向の微小距離Δｒと円周方向の微小距離Δθとで形成される微小な方形セル）に対応してメモリのアドレスに記憶される。しかし、このままでは、1個のスクラッチやパーティクルといったような所定の長さや幅を持つ欠陥が１個の欠陥と認識されずに多数の欠陥として認識されるので、欠陥の評価上不都合であった。そこで、欠陥データを記憶したアドレスに隣接する所定個数のアドレスのいずれかに欠陥データがあるときは両者が連続するとして各アドレスの連続性を識別し、この識別により連続しているとされたアドレスの群を１個の欠陥と評価している。これにより各種の欠陥は、大きさや形状にかかわらず群の個数が示されて合理的である。
【０００５】
ところで、欠陥の種類・性質・大きさ等によっては、単に１個の所定の受光素子だけが受光するのではなく、上述した各受光素子の複数のものが同時に受光することがある。また、各受光素子が同時に受光する欠陥は複数存在する。例えば、欠陥がピットであったとしても、ステインであったとしても、前期各受光素子Ｒａ、Ｌ、Ｄのいずれか２個以上の受光素子が同時に受光することがある。このように複数の受光素子が同時に受光した場合には、そのままでは欠陥の種類を判別することができないので、前記データ処理装置では上述の受光素子（すなわち、欠陥データ信号）毎に優先順位を与えることによって、複数の欠陥データ信号に対して絞りをかけ１つの欠陥データ信号を選択し（すなわち、複数の欠陥データ信号から単純に優先順位の高い（あるいは低い）１つの欠陥データ信号のみを選択し）、この選択されたデータ信号から欠陥の種類を判別している。
このように、従来のディスク表面検査装置では、各受光素子が受光した光の強弱を各々欠陥データ信号に変換し、当該欠陥データ信号の中で優先順位の高い（あるいは低い）欠陥データ信号のみを基にして欠陥の種類を判別している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、従来から知られたディスク表面検査装置では、各受光素子から得られた複数の欠陥データ信号のうち、１つの欠陥データ信号を特定してから欠陥の種類の認識を行っていた。この欠陥データ信号の特定は、操作者が任意に設定できる（あるいは予め設定された）パラメータである優先順位に基づいて行われていることから、当該優先順位を誤って設定すると最終的に認識されるべき欠陥の種類を正確に認識することができないので、欠陥のあるディスクを判別することに対して非常に大きな影響を及ぼすことになる。つまり、優先順位を誤って設定することにより欠陥の特定が誤ってなされる結果、正しく欠陥を認識することができずに重要な欠陥を見逃してしまう、という問題点があった。
また、従来のディスク表面検査装置では、面状欠陥か線状欠陥か（例えば、スクラッチかステインか）、あるいは凹凸どちらの欠陥か（例えば、ピットかハンドリングダメージか）といった種類の欠陥の区別が非常に困難であり、正確に判別することができない、という問題点もあった。
【０００７】
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、正反射光や散乱光を検出する光学系（受光素子）から得られた信号を適切に選択し、その信号に応じた処理を行うことにより、各種の欠陥種類を正確に判別できるようにした、ディスク表面検査装置における欠陥種類の判別方法を提供しようとするものである。
また、特に面状・線状欠陥の区別、あるいは凹凸欠陥の区別を正確に判別できるようにした、ディスク表面検査装置における欠陥種類の判別方法を提供しようとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る欠陥種類の判別方法は、レーザー光をディスク表面に照射して該表面を走査する投光手段と、該表面からの正反射光を受光するための１又は複数の受光手段と、該表面に存在する欠陥による前記正反射光の散乱光を受光するための１又は複数の受光手段とを具えるディスク表面検査装置において、前記受光手段から得られる複数種類の受光信号から１つの受光信号を特定するステップであって、該複数種類の受光信号の組み合わせに対応して、複数の異なる判定基準のうちいずれかを選択し、選択した判定基準に従って１つの受光信号を特定する第１のステップと、前記特定された受光信号の種類に応じて異なる欠陥判別処理を行うことによりディスク表面上の欠陥種類を特定する第２のステップとを具えたものである。
【０００９】
本発明によれば、複数の受光手段が同時に受光した場合に、前記各受光手段から得られた複数の信号を各々比較して、前記複数の信号を１つの信号に特定することができるようになっている。すなわち、従来のような優先順位等の任意の間接的な信号選択によらずに、得られた信号を直接比較し選択することで受光手段から得られた信号を反映した欠陥が判別される構成となっている。
このように、本発明によれば、受光手段が同時に受光した場合に受光手段から得られた信号を反映して欠陥種類を判別するので、得られた信号に関係なく欠陥種類が特定されることがなくなり、したがって正しく欠陥を認識することができるので重要な欠陥を見逃すことがなくなる、という優れた効果を奏する。
【００１０】
本発明に係る欠陥種類の判別方法は、レーザー光をディスク表面に照射して該表面を走査する投光手段と、該表面からの正反射光を受光するための１又は複数の受光手段と、該表面に存在する欠陥による前記正反射光の散乱光を受光するための１又は複数の受光手段とを具えるディスク表面検査装置において、前記受光手段からの受光信号を、ディスク表面を区分した微小な方形の単位セルに対応するようにメモリのアドレスにそれぞれ記憶するステップと、前記受光手段から得られる複数種類の受光信号の組み合わせに対応して、複数の異なる判定基準のうちいずれかを選択し、選択した判定基準に従って正反射信号を特定するステップと、前記メモリの所定のアドレス領域において、ディスクの円周方向に受光信号の増光／減光の配列パターンを求め、この配列パターン及びパターンに対応したディスクの半径方向の増光を記憶した範囲と減光を記憶した範囲との比較に基づき、ディスク表面上の欠陥種類をピット欠陥またはハンドリングダメージ欠陥のいずれかに判別するステップとを具えたものである。
【００１１】
本発明によれば、前記アドレス領域から得られるディスクの円周方向における受光信号の増光／減光の配列パターンを求め、この配列パターン及びパターンに対応したディスクの半径方向の増光を記憶したアドレス領域の範囲と減光を記憶したアドレス領域の範囲との比較に基づき、ディスク表面上の欠陥種類をピット欠陥またはハンドリングダメージ欠陥のいずれかに判別することができるようになる。したがって、ピット欠陥のみならず、ハンドリングダメージ欠陥も判別でき、信頼性の高い欠陥種類の判別を行うことができる、という優れた効果を奏する。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照してこの発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１は、本発明に係る欠陥種類の判定を行うプログラムの一実施例を示したフロー図である。当該処理は、連続性が識別された各受光素子毎の複数の欠陥信号から１つの欠陥信号を選択するための欠陥データ特定処理（ステップＳ１）と、前記選択信号から欠陥種類の判別を行うための欠陥判別処理（ステップＳ２）とに大きく分けることができる。
図９に示したような構成のディスク表面検査装置において、各受光素子Ｄ、Ｌ、Ｒａ、Ｒｂが受光することによって得られた欠陥データは各々連続性が識別され、この識別により連続しているとされたアドレスの群を１個のデータ（以下、これを欠陥データと区別するために単に欠陥信号と呼ぶ）としている（従来技術参照）。連続性が認識されなかった1個の欠陥データは、それのみで１個の欠陥信号としている。図２は、連続性が識別された連続アドレス群の具体例を示した概念図である。欠陥のあるアドレス（すなわち、欠陥データが記憶されたアドレス）と欠陥のないアドレスとを斜線のある／なしで区別し、太い実線および点が実際のディスク表面上の欠陥を示している。図から理解できるように、図２Ａは欠陥が左上から右下方向に連続した欠陥であり、図２Ｂは欠陥がディスク表面上に点在している欠陥である。
【００１３】
図１に戻り、ステップＳ１の欠陥データ特定処理では、光学系毎に複数の受光素子から欠陥信号が得られた場合、得られた複数の欠陥信号を比較して、各光学系毎に１つの欠陥信号を特定する。例えば、図９に示した構成例では、欠陥の種類により第一光学系ＯＰ１の受光素子Ｄ、Ｌ、Ｒａが同時に光を検出することがある。そこで、当該処理によって第一光学系ＯＰ１における欠陥信号が１つ特定される。なお、第二光学系ＯＰ２では受光素子が１つしかない（受光素子Ｒｂのみ）ことから当該処理を行わなくとも、欠陥信号は１つに特定される。
ステップＳ２の欠陥判別処理では、前記処理（ステップＳ１）にて特定された欠陥信号が入力されて欠陥の種類を判別する。後述するように、当該処理は特定された欠陥信号毎に（すなわち、各光学系毎に）異なった処理を行って、欠陥種類の判別を行うものである。
【００１４】
図３は、上述したステップＳ１のデータ特定処理を行うプログラムの一実施例を詳細に示したフロー図である。図３では、第一光学系ＯＰ１において、受光素子ＤとＬとＲａのいずれか２つ以上の受光素子が同時に受光した場合のみを示している。つまり、当該処理が行われる欠陥信号の組み合わせは、ステップＳ１１〜Ｓ１４に示すような４つのパターンである。以下の説明では、受光素子Ｄから得られた欠陥信号をダーク信号、受光素子Ｌから得られた欠陥信号をライト信号、受光素子Ｒａから得られた欠陥信号を正反射Ａ信号と呼んで区別する。さらに、受光素子Ｒｂから得られた欠陥信号を正反射Ｂ信号と呼ぶ。
【００１５】
まず、受光素子ＤとＬとが同時に受光した場合（第一のパターン：ステップＳ１１）について説明する。ステップＳ１５において、ダーク信号とライト信号の各々の波高値が比較される。ここでの波高値とは、連続性の認識された欠陥信号における個々の欠陥データのピーク値（例えば、電流値あるいは電圧値）を所定の範囲に分類し、前記ピーク値が最も多く存在する範囲の所定のしきい値のことである。各受光素子は欠陥があると、図４に示した波形ＳＡ〜ＳＣのような受光信号（すなわち、欠陥データ）を得る。図４では、波形ＳＡ、ＳＢ、ＳＣの順に波形のピーク値が大きくなっている。一般的に、面積や凹凸等が大きい欠陥ほどピーク値は大きくなる。波形を横切るようにして引かれた直線ＳＲ、ＭＲ、ＬＲは所定のしきい値であり、例えば、波形ＳＡ〜ＳＣが電圧値（あるいは電流値）で表されているならば、一定の電圧値（あるいは電流値）である。このような場合、波形ＳＡは範囲ＳＲ〜ＭＲに分類され、波形ＳＢは範囲ＭＲ〜ＬＲに分類され、波形ＳＣは範囲ＬＲ以上と分類される。こうして、すべての欠陥データを分類し、最も欠陥データが多く抽出された範囲のしきい値を波高値とする。例えば、範囲ＳＲ〜ＭＲに分類されたものが最も多い場合、波高値をＳＲとする。範囲ＭＲ〜ＬＲが最も多いのであれば波高値をＭＲとするし、範囲ＬＲ以上が最も多いのであれば波高値をＬＲとする。各範囲において欠陥データが同一数抽出されたような場合は、波高値を高いほうのしきい値とする。
【００１６】
上述のようにして求められたダーク信号の波高値がライト信号の波高値以上である場合には（ステップＳ１５のＹＥＳ）、ダーク信号のみを次の処理（図１に示した欠陥判別処理）に受け渡す（ステップＳ１７）。そうでない場合には（ステップＳ１５のＮＯ）には、ライト信号のみを次の処理に受け渡す（ステップＳ１８）。すなわち、波高値が大きいものほどディスクに大きな影響を及ぼす欠陥であることから、大きい波高値を持つ欠陥信号を選択して欠陥の判別を行うようにしている。
【００１７】
受光素子ＤとＲａとが同時に受光した場合、または、受光素子ＤとＬとＲａとがすべて同時に受光した場合（第二および第三のパターン：ステップＳ１２またはＳ１３）について説明する。この場合には、ダーク信号と正反射Ａ信号における半径方向のデータエリア（すなわち、連続性の認識された欠陥信号の半径ｒ方向の幅ｂ：図２参照）を比較する（ステップＳ１６）。ダーク信号が正反射Ａ信号よりも大きなデータエリアを持つ場合（ＹＥＳ）には、ダーク信号に特定する（ステップＳ１７）。そうでない場合（ＮＯ）には、正反射Ａ信号に特定する（ステップＳ１９）。
【００１８】
次に、受光素子ＬとＲａとが同時に受光した場合（第四のパターン：ステップＳ１４）には、正反射Ａ信号に特定する（ステップＳ１９）。すなわち、受光素子Ｒａが受光する欠陥は、受光素子Ｌが受光する欠陥よりもディスクに大きな影響を与える欠陥であることから（例えば、受光素子Ｒａによって受光されるピットやハンドリングダメージのような欠陥は、受光素子Ｌによって受光されるスクラッチやステインといった欠陥に比べてより重大な欠陥である）、この場合には正反射Ａ信号に特定する。
【００１９】
以上のようにすることにより、受光素子Ｄ、Ｌ、Ｒａが同時に受光したとしても１つの信号を特定することができる。なお、前記各受光素子Ｄ、Ｌ、Ｒａが各々単独で受光した場合には、各々の受光素子Ｄ、Ｌ、Ｒａに対応した信号に特定される。つまり、受光素子Ｄのみが受光するとダーク信号に、受光素子Ｌのみが受光するとライト信号に、受光素子Ｒａのみが受光すると正反射Ａ信号に特定される。
【００２０】
図５および図６は、上述した欠陥判別処理の一実施例を詳細に示したフロー図である。図５は、ダーク信号、ライト信号のいずれかに信号が特定された場合に行われるものであり、ステイン、パーティクル、スクラッチに欠陥を判別する。一方、図６は、正反射Ａ信号に特定された場合に行われるものであり、ピット、ハンドリングダメージ、スクラッチに欠陥を判別する。
【００２１】
まず、図５の処理について説明する。当該処理は、欠陥データ特定処理（図１および図３参照）でダーク信号またはライト信号に信号が特定された場合に行われる。
ステップＳ２１において、当該欠陥が線状であるか否かの判定が行われる。この判定は、連続性が識別された連続アドレス群に対して、縦方向および横方向のアドレス個数ａおよびｂから比数ｂ／ａ（ただし、ａ≧ｂの場合）、または比数ａ／ｂ（ただし、ｂ＞ａの場合）が求められ、比数ｂ／ａ（あるいはａ／ｂ）が所定値以上であるときは線状欠陥であると判定し、それ以外であるときは線状欠陥でないと判定する。図２の例では、比数ｂ／ａは（５／１７）である。
【００２２】
欠陥が線状であると判定された場合（ステップＳ２１のＹＥＳ）、当該線状欠陥が所定の長さよりも長い欠陥か短い欠陥かの判定を行う（ステップＳ２２）。すなわち、連続性が識別された連続アドレス群に対して、連続する方形のアドレス領域の対角線の長さＺ（図２参照）が求められ、前記対角線Ｚの長さが所定値以上であるか否かを判定する。長い欠陥と判定された場合（ステップＳ２２のＹＥＳ）、当該欠陥はロングスクラッチ、すなわち、長い筋状の凹欠陥であると判定される。短い欠陥と判定された場合（ステップＳ２２のＮＯ）であって、入力された欠陥信号がダーク信号であるならば（ステップＳ２３のＹＥＳ）、当該欠陥をパーティクル、すなわち、異物と判定する。欠陥信号がライト信号であり（ステップＳ２３のＮＯ）、かつ、波高値が最も大きい所定のしきい値（Ｌ：図４参照）である場合にも（ステップＳ２４のＹＥＳ）、欠陥をパーティクルと判定する。波高値が前記以外（ＳまたはＭ：図４参照）であれば（ステップＳ２４のＮＯ）、欠陥をショートスクラッチ、すなわち、短い筋状の凹欠陥と判定する。
【００２３】
一方、欠陥が線状でないと判定された場合（ステップＳ２１のＮＯ）、当該欠陥が面状であるか否かの判定を行う（ステップＳ２５）。すなわち、欠陥信号のデータ領域の全面積に対する欠陥データの占める面積比を求め、前記面積比が所定の値以上であれば欠陥を面状であると判断し、それ以外であれば面状でないと判断する。図２の例では、面積比は共に（２１／８５（つまり、１７＊５））である。面状でないと判定された場合（ステップＳ２５のＮＯ）、所定の値よりも密度が高いか否かの判定を行って（ステップＳ２６）、高い場合（ステップＳ２６のＹＥＳ）には上述したステップＳ２２の処理へ飛ぶ。低い場合には（ステップＳ２６のＮＯ）、上述したステップＳ２３へ飛ぶ。面状であると判定された場合（ステップＳ２５のＹＥＳ）、ステップＳ２７を行う。ステップＳ２７では、当該欠陥が所定の面積よりも大きな面積を占める欠陥であるか否かの判定が行われる。すなわち、欠陥信号のデータ領域の全面積を求めて、所定値と比較する。所定値よりも大きい面積であると判定された場合（ステップＳ２７のＹＥＳ）、欠陥はステイン、すなわち、しみと判定される。小さい面積であると判定された場合は（ステップＳ２７のＮＯ）、上述のステップＳ２３へ飛び、上述の各処理が行われて、当該欠陥をパーティクルまたはショートスクラッチと判定する。
【００２４】
ここで、上述の密度判定（ステップＳ２６）について図２を参照しながら説明する。この判定は、連続性が識別された連続アドレス群において、縦方向（すなわち、ディスクの半径方向ｒ）および横方向（すなわち、ディスクの円周方向θ）別に、各々欠陥データが占める割合から欠陥の連続性を判断するものである。図２Ａの場合、半径方向ｒの同一方向別に欠陥データの存在状況を見ると、すべての半径方向ｒで少なくとも１つの欠陥が存在する。円周方向θ方向についても同様である。したがって、この場合の密度比は半径方向ｒ、円周方向θ共に１００％（５／５および１７／１７）となる。一方、図２Ｂの場合、半径方向ｒでは、図の上から３行目には１つも欠陥データが存在していない。また、円周方向θでは、図の左側から２列目、５列目、９列目、１１列目、１４列目、１５列目には１つも欠陥データが存在していない。そこで、この場合の密度比は半径方向ｒでは８０％（４／５）、円周方向θでは６８％（１１／１７）である。こうして、各々密度比を求め、求められた比数が所定値以上であれば欠陥の密度が高いデータとし、前記以外であれば欠陥の密度が低いデータとする。
【００２５】
次に、図６の処理の説明をする。この処理は、欠陥データ特定処理（図１および図３参照）で正反射信号Ａ信号に信号が特定された場合に行われる。
ステップＳ３１において、当該欠陥が線状であるか、あるいは面状であるかの判定を行い、所定の長さ以上の線状欠陥であれば（ステップＳ３１、Ｓ３２が共にＹＥＳ）、当該欠陥をロングスクラッチと判定する（上述したステップＳ２１、Ｓ２２と同様の処理を行っていることから、詳細な説明を省く）。当該欠陥が面状であると判定された場合（ステップＳ３１のＮＯ）、あるいは、線状であるが短い線状欠陥であると判定された場合（ステップＳ３２のＮＯ）、ステップＳ３３の処理を行う。ステップＳ３３では、連続データ領域の円周方向θで配列検索が行われ、信号が以下の５つのパターンに分別される。第一のパターンとしてＨ−Ｐ−Ｈ（ステップＳ３４）、第二のパターンとしてＰ−Ｈ−Ｐ（ステップＳ３５）、第三のパターンとしてＰのみ（ステップＳ３６）、第四のパターンとしてＨのみ（ステップＳ３７）、第五のパターンとして上記以外、すなわち、Ｈ−Ｐ、Ｐ−Ｈ等（ステップＳ３８）に分別し、このパターンにしたがって欠陥種類を判別する。ここで、上記「Ｐ」は受光素子Ｒａが正反射信号を減光して得られた欠陥信号を記憶したデータ領域であり、「Ｈ」は受光素子Ｒａが正反射信号を増光して得られた欠陥信号を記憶したデータ領域である。
【００２６】
欠陥信号が正反射信号Ａに特定される場合、受光素子Ｒａが第１送光系の正反射光Ｌ１に対して増光して得られた欠陥信号（便宜的に、ハンドリングダメージ信号と呼ぶ）と、受光素子Ｒａが第１送光系の正反射光Ｌ１に対して減光して得られた欠陥信号（便宜的に、ピット信号と呼ぶ）とが連続的に存在することがある。そうした場合に、どちらの欠陥信号がより重要な欠陥を示しているものかを前記パターン認識の結果により判定する。当該パターン認識は、前記ハンドリングダメージ信号とピット信号の配列パターンを、連続データ領域のディスク円周方向θにおいてパターン化して認識するものである。図７に配列パターンを示す。斜線の有る領域はハンドリングダメージ信号の連続データ領域を表し、斜線のない領域をピット信号の連続データ領域で示す。図の左側から順に前記第一パターンから第五パターンを示している。この図から理解できるように、第三または第四のパターンは各々ピット信号またはハンドリングダメージ信号が単独で生じた場合である。
【００２７】
図６に戻り、第一及び第三のパターン（ステップＳ３４、Ｓ３６）はピット、すなわち微小な凹状の欠陥と判定する。また、第二及び第四のパターン（ステップＳ３５、Ｓ３７）はハンドリングダメージ、すなわち、受け渡し時等の衝突による変形のある欠陥と判定される。第五のパターン（ステップＳ３８）については、ピット信号のデータ領域Ｐの範囲とハンドリングダメージ信号のデータ領域Ｈの範囲の比較を行い（ステップＳ３９）、ピット信号のデータ領域Ｐの範囲が大きい（ＹＥＳ）場合はピットと判定し、小さい（ＮＯ）場合はハンドリングダメージと判定する。
【００２８】
図８は、図９に示した第二光学系ＯＰ２に係る欠陥判別処理の一実施例を詳細に示したフロー図である。すなわち、正反射Ｂ信号が特定された場合に行われ、バンプ、ディンプル、グライド等の欠陥種類を判別するものである。図８Ａは、信号がグライド信号であった場合に行われる処理を示したものである。図８Ｂは信号がディンプル信号、図８Ｃは信号がロングバンプ信号、図８Ｄはバンプ信号である場合の各処理を示したものである。受光素子Ｒｂにおいては、受光した時点で信号が特定される。すなわち、受光素子Ｒｂが減光して受光した場合にはバンプ信号およびロングバンプ信号であるし、増光して受光した場合にはディンプル信号およびグライド信号である。つまり、バンプ信号とロングバンプ信号とは同一信号であり、ディンプル信号とグライド信号とは同一信号である。
図８Ａ〜Ｄに示した各処理では、各欠陥が所定の長さ以上であるか否かの判定を行う（ステップＳ５１〜Ｓ５３）。各処理で長さが所定の長さ以上である場合（ステップＳ５１〜Ｓ５３のＹＥＳ）、各々欠陥をグライド、ディンプル、ロングバンプと判定する。それ以外であれば（ステップＳ５１〜Ｓ５３のＮＯ）、当該信号を無効な信号として、欠陥種類の判別を行わない。信号がバンプ信号である場合には（図８Ｄ）、欠陥をバンプと判定する。このように、正反射信号Ｂの場合には、欠陥がバンプおよびロングバンプ、あるいはディンプルとグライドのように常に２つの欠陥が判定されることになるが、優先付け等の方法によってどちらか一方を選択できるようになっている。
【００２９】
なお、第一光学系ＯＰ１と第二光学系ＯＰ２とが同時に受光する場合は、以上のようにして各光学系毎に判定された欠陥種類のうち、重要な欠陥を任意に選んで決定してよい。例えば、第一光学系ＯＰ１ではピットと判定され、第二光学系ＯＰ２ではディンプルと判定されたような場合、一般的にディンプルのほうがピットと比べて重要な欠陥であるといえるので、この場合には欠陥をディンプルと判定してよい。勿論、ピットと判定してもよいことは言うまでもない。この場合における選択方法は、優先付け等の方法によって良い。すなわち、あらかじめ欠陥毎に優先順位を付与しておき、その優先順位に沿って欠陥を判定する。図９で示した構成例において、一般的には、第一光学系ＯＰ１よりも第二光学系ＯＰ２で受光される欠陥の方が重要な欠陥であることが多いので、第一光学系ＯＰ１よりも第二光学系ＯＰ２の優先順位を高く設定してよい。勿論、これに限られるものではない。
【００３０】
さらに、ディスク表面検査装置における欠陥判別の方法として、上述した各処理のすべてを行うことなしに、各部分処理を組み合わせて、あるいは単独に行うようにしてよいことは言うまでもない。
【００３１】
【発明の効果】
以上のとおり、この発明によれば、各受光素子から同時に得られた信号を特定することができ、この特定された信号毎により、すなわち各光学系毎に異なった処理を適切に行うことができるようになるので、欠陥種類を詳細に判別することができる、という優れた効果を奏する。
また、この発明によれば、面状・線状欠陥および凹凸欠陥を正確に判別できるようになるのでディスクの弁別性が向上する、という優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る欠陥種類の判定を行うプログラムの一実施例を示したフロー図。
【図２】  連続性が識別された連続アドレス群の具体例を示した概念図。
【図３】  図１に示した欠陥種類の判定を行うプログラムの一部の一実施例を詳細に示したフロー図。
【図４】  受光素子から得られる波形パターンの一例を示した波高値を説明するための説明図。
【図５】  ダーク信号、ライト信号のいずれかに信号が特定された場合に行われる図１に示した欠陥判別処理の一実施例を詳細に示したフロー図。
【図６】  正反射Ａ信号に信号が特定された場合に行われる図１に示した欠陥判別処理の一実施例を詳細に示したフロー図。
【図７】  連続性が識別された連続アドレス群の重ねあわせによるパターンの具体例を示した概念図。
【図８】  正反射Ｂ信号に信号が特定された場合に行われる図１に示した欠陥判別処理の一実施例を詳細に示したフロー図。
【図９】  本発明に係る欠陥種類の判定が行われるディスク欠陥判別装置の全体構成例を示した側面概念図。
【符号の説明】
Ｌ１、Ｌ２  送光素子
Ｒａ、Ｒｂ  正反射受光素子
Ｌ、Ｄ（Ｄ１、Ｄ２）  散乱光受光素子
Ｋ  ディスク
Ｆ  光フィルタ
Ｅ  受光レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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