(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気可能な真空槽と、前記真空槽内に配置された複数のアンテナ装置とを有し、
前記アンテナ装置は、導電性のシールド筒と、前記シールド筒の内部に、前記シールド筒と非接触の状態で挿入された導線とを有し、
前記シールド筒を接地した状態で、前記導線に高周波電圧を印加できるようにされ、
前記シールド筒には貫通孔が複数設けられ、前記シールド筒の内部にガスを導入すると、前記導入されたガスを前記貫通孔から噴出させることができるように構成され、
前記アンテナ装置の近傍には略平行に配置された複数のガス導入管が設けられ、
前記ガス導入管には噴出孔が複数設けられ、前記ガス導入管にガスを導入すると、前記噴出孔から前記導入されたガスを前記真空槽内に噴出させることができるように構成されたプラズマ処理装置であって、
前記ガス導入管は、互いに隣接する前記アンテナ装置の間に配置されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記シールド筒の周囲には、前記シールド筒を取り囲むように絶縁性の保護管が配置され、
前記保護管には、貫通孔が複数設けられたことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記絶縁性の保護管の貫通孔は、前記シールド筒の貫通孔と連通する位置に配置されたことを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記シールド筒には、前記ガス導入管に導入されるガスと異なるガスが導入できるように構成されたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記アンテナ装置及びガス導入管は、同一平面上になるように配置されたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記アンテナ装置及びガス導入管の両側にそれぞれ配置された基板ホルダを有し、
前記基板ホルダに基板を保持させると、前記基板の表面と、前記アンテナ装置及びガス導入管が、略平行になるように配置されたことを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
マイクロ波発生源を有し、前記導線には、前記マイクロ波発生源からマイクロ波が印加されるように構成された請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載のプラズマ処理装置を用いて、真空槽内に配置された基板表面に薄膜を成膜する成膜方法であって、
前記アンテナ装置内にガスを導入し、前記導線に高周波電圧を印加して、前記アンテナ装置内に導入されたガスでプラズマを生成し、
前記アンテナ装置間の前記ガス導入管の前記噴出孔から原料ガスを噴出させ、前記プラズマで、前記原料ガスを分解し、
前記分解された原料ガスを前記基板表面で気相成長反応させ、前記原料ガスの構成原子からなる薄膜を成膜することを特徴とする成膜方法。
【請求項９】
前記高周波電圧として、前記導線にマイクロ波を印加する請求項８記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はアンテナ装置及びプラズマ処理装置に関し、特に、太陽電池等の製造工程において、大面積のガラス基板上に半導体や、絶縁体等の薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、大面積のガラス基板に、薄膜を成膜する方法として、プラズマＣＶＤ法が用いられている。
【０００３】
図３の符号１０１に、プラズマＣＶＤ法を実施する成膜装置を示す。
この成膜装置１０１は、真空槽１０２を有している。真空槽１０２の上方には、有底容器状のカソード電極１０４が絶縁ブロック１５２1、１５２2を介して気密に取り付けられており、真空槽１０２の下方には、平板状のアノード電極１０３がカソード電極１０４と対向するように配置されている。カソード電極１０４は、絶縁ブロック１５２1、１５２2により、チャンバ１０２壁と絶縁されている。
【０００４】
カソード電極１０４の容器開口部はアノード電極１０３を向くようにされ、開口部先端には容器を蓋するようにシャワープレート１０５が取り付けられている。従って、シャワープレート１０５はカソード電極１０４と同電位になっている。また、シャワープレート１０５とカソード電極１０４との間には空間１２４が形成される。
【０００５】
空間１２４には、絶縁ブロック１５１を介してガス導入管１０７が接続されており、不図示のガスボンベからガス導入管１０７にガスが導入されると、導入されたガスは空間１２４に充満するようにされている。ガス導入管１０７は絶縁ブロック１５１により、カソード電極１０４やチャンバー１０２壁と絶縁されている。シャワープレート１０５には多数のガス噴出口１０６が設けられており、充満したガスはガス噴出口１０６から真空槽１０２内に噴出されるようにされている。
【０００６】
シャワープレート１０５とアノード電極１０３とは、近接して平行に配置されており、ガス噴出口１０６から噴出されたガスは、アノード電極１０３の表面に均一に吹き付けられる。
【０００７】
真空槽１０２の外部には交流電源１０９が設けられており、カソード電極１０４に接続されている。カソード電極１０４は真空槽１０２とは電気的に絶縁されており、アノード電極１０３を接地した状態で、交流電源１０９を起動すると、カソード電極１０４とアノード電極１０３との間に、交流電圧を印加することができるようにされている。
【０００８】
上述の成膜装置１０１を用いて基板表面に薄膜を成膜するには、まず、図示しない排気系で真空槽１０２内を真空排気し、真空状態を維持した状態で未処理の基板１１０を真空槽１０２内に搬入し、アノード電極１０３上に載置する。その後、ガス導入管１０７から原料ガスを導入して、ガス噴出口１０６から真空槽１０２内原料ガスを噴出させる。
【０００９】
この状態で交流電源１０９を起動すると、カソード電極１０４とアノード電極１０３との間に交流電圧が印加され、電極１０３、１０４間にプラズマが発生する。こうして発生したプラズマ内で原料ガスが分解され、基板１１０の表面で気相成長反応が起こると、基板１１０の表面に薄膜が成膜される。
【００１０】
上述のプラズマＣＶＤ法では、交流電圧として放電周波数が１３．５６MHz程度の高周波電圧を用いてプラズマを発生させている。この場合、分解された原料ガスが基板に衝突する際の、衝突エネルギーが比較的大きいので、基板表面に大きなダメージが生じていた。
【００１１】
図４の曲線(Ａ)に、放電周波数とプラズマ密度との関係を示し、曲線(Ｂ)に、放電周波数とダメージとの関係を示す。曲線(Ａ)、(Ｂ)より、放電周波数が大きくなるとともに、プラズマ密度は大きくなるが、ダメージは逆に少なくなっていることが示されている。
【００１２】
そこで、放電周波数をさらに高くし、マイクロ波(２．４５GHz)を用いて放電させて成膜することが提案されている。マイクロ波を用いて放電させると、基板表面のダメージを少なくでき、しかもプラズマ密度が大きいため成膜速度を速くできると予想される。
【００１３】
しかしながら、上述した成膜装置１０１を用い、マイクロ波による放電を実行しようとしても、アノード電極１０４と真空槽１０２との間の容量成分のため、カソード電極１０４とアノード電極１０３との間よりも、カソード電極１０４と真空槽１０２との間で大きな電流が流れてしまう。このため、カソード電極１０４と基板表面との間には高密度のプラズマを発生させることができない。
【００１４】
他方、何らかの対策を講じて、カソード電極１０４と基板表面との間に、成膜に十分な量のプラズマを発生させることができたとしても、マイクロ波の波長は短いため、カソード電極１０４の表面に定在波が生じる。この定在波により、プラズマ密度の濃淡ができてしまうので、基板表面の膜厚・膜質が均一な薄膜を成膜することができない。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、大面積の基板上に、膜質の良い薄膜を高速に成膜することを可能にする技術を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、真空排気可能な真空槽と、前記真空槽内に配置された複数のアンテナ装置とを有し、前記アンテナ装置は、導電性のシールド筒と、前記シールド筒の内部に、前記シールド筒と非接触の状態で挿入された導線とを有し、前記シールド筒を接地した状態で、前記導線に高周波電圧を印加できるようにされ、前記シールド筒には貫通孔が複数設けられ、前記シールド筒の内部にガスを導入すると、前記導入されたガスを前記貫通孔から噴出させることができるように構成され、前記アンテナ装置の近傍には略平行に配置された複数のガス導入管が設けられ、前記ガス導入管には噴出孔が複数設けられ、前記ガス導入管にガスを導入すると、前記噴出孔から前記導入されたガスを前記真空槽内に噴出させることができるように構成されたプラズマ装置であって、前記ガス導入管は、互いに隣接する前記アンテナ装置の間に配置されたことを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項２記載の発明は、請求項１記載のプラズマ処理装置であって、前記シールド筒の周囲には、前記シールド筒を取り囲むように絶縁性の保護管が配置され、前記保護管には、貫通孔が複数設けられたことを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項３記載の発明は、請求項２記載のプラズマ処理装置であって、前記絶縁性の保護管の貫通孔は、前記シールド筒の貫通孔と連通する位置に配置されたことを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のプラズマ処理装置であって、前記シールド筒には、前記ガス導入管に導入されるガスと異なるガスが導入できるように構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項５記載の発明は、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のプラズマ処理装置であって、前記アンテナ装置及びガス導入管は、同一平面上になるように配置されたことを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項６記載の発明は、請求項５記載のプラズマ処理装置であって、前記アンテナ装置及びガス導入管の両側にそれぞれ配置された基板ホルダを有し、前記基板ホルダに基板を保持させると、前記基板の表面と、前記アンテナ装置及びガス導入管が、略平行になるように配置されたことを特徴とするプラズマ処理装置である。
請求項７記載の発明は、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載のプラズマ処理装置であって、マイクロ波発生源を有し、前記導線には、前記マイクロ波発生源からマイクロ波が印加されるように構成されたプラズマ処理装置である。
請求項８記載の発明は、請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載のプラズマ処理装置を用いて、真空槽内に配置された基板表面に薄膜を成膜する成膜方法であって、前記アンテナ装置内にガスを導入し、前記導線に高周波電圧を印加して、前記アンテナ装置内に導入されたガスでプラズマを生成し、前記アンテナ装置間の前記ガス導入管の前記噴出孔から原料ガスを噴出させ、前記プラズマで、前記原料ガスを分解し、前記分解された原料ガスを前記基板表面で気相成長反応させ、前記原料ガスの構成原子からなる薄膜を成膜することを特徴とする成膜方法である。
請求項９記載の発明は、請求項８記載の成膜方法であって、前記高周波電圧として、前記導線にマイクロ波を印加する成膜方法である。
【００１７】
本発明のアンテナ装置によれば、導電性の筒と、導線とを有しており、筒を接地した状態で、導線に高周波電圧を印加できるようにされており、筒の内部にガスを導入すると、貫通孔からガスを噴出できるようにされている。
【００１８】
このため、真空雰囲気中で高周波電圧を導線に印加し、水素などのガスを筒内に導入すると、高周波電圧で貫通孔から噴出されたガスを分解し、筒の周囲にプラズマを発生させることができる。
【００１９】
また、本発明のプラズマ処理装置では、本発明のアンテナ装置が真空槽内に設けられており、真空槽内を真空雰囲気にし、ガス導入源が真空槽外部に設けられた状態で、ガス導入源からアンテナ装置の筒内にガスを導入するとともに導線に高周波電圧を印加すると、筒の周囲にプラズマを発生させることができるので、例えばアンテナ装置の近傍に基板を配置すると、その基板をプラズマ処理することができる。
【００２０】
さらに、本発明のプラズマ処理装置において、アンテナ装置の近傍に、アンテナ装置に導入されたガスと異なるガスを導入可能なガス導入管を設け、導入されたガスを、噴出孔から噴出できるように構成してもよい。
【００２１】
このように構成し、アンテナ装置にプラズマ発生ガスを導入し、ガス導入管に原料ガスを導入すると、アンテナ装置の周囲にプラズマを発生させ、そのプラズマで、ガス導入管の噴出孔から噴出される原料ガスを分解することができるので、例えば真空槽内に基板を配置しておくと、プラズマ化された原料ガスを基板表面に気相成長させて、ガスの構成分子からなる薄膜を基板表面に成膜することができる。
【００２２】
アンテナ装置の筒内に、原料ガスとプラズマガスとの混合ガスを導入した場合には、筒内で原料ガスが分解され、筒内に薄膜が成膜され、貫通孔が塞がってガスを噴出できなくなるなどの不具合が生じるが、本発明ではアンテナ装置の筒内に原料ガスが導入されないので、筒内に成膜がされることはないため、かかる不具合は生じない。
【００２３】
また、本発明のプラズマ処理装置において、複数のアンテナ装置及びガス導入管を等間隔に配置し、それぞれが同一平面上になるように配置してもよい。
このように構成し、同一平面上で等間隔に配置されたアンテナ装置及びガス導入管に面するように基板を配置した場合には、各アンテナ装置でプラズマを生成すると、そのプラズマ密度は基板表面近傍でほぼ均一になり、かかるプラズマで、ガス導入管から噴出されるガスが分解されるので、均一な薄膜を成膜することができる。
【００２４】
さらに、本発明のプラズマ処理装置において、同一平面上に配置された複数のアンテナ装置及びガス導入管の両側に、それぞれ基板ホルダを配置し、基板ホルダが基板を保持した状態で、基板表面とアンテナ装置及びガス導入管が、略平行になる構成としてもよい。
【００２５】
このように構成すると、各ガス導入管から噴出された原料ガスのガス分子が各アンテナ装置から放出されたプラズマで分解される。分解されたガス分子は等方的に飛行し、アンテナ装置及びガス導入管の両側にそれぞれ配置された二枚の基板の表面の両方に到達するので、二枚の基板表面に同時に気相成長させ、成膜させることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１の符号１は本発明のプラズマＣＶＤ装置であり、真空槽２を有している。この真空槽２内には、プラズマガス導入管９1、９2と、アンテナ装置３1〜３4と、導波管７1〜７4と、絶縁材１１1〜１１4と、調整機構１２1〜１２4と、原料ガス導入管１０1〜１０3とが複数個配置され、又、真空槽２の外部にはマイクロ波発生源８1〜８4が複数配置されている。図１のプラズマＣＶＤ装置１では、プラズマガス導入管９1、９2を２本有し、アンテナ装置３1〜３4と、導波管７1〜７4と、絶縁材１１1〜１１4と、調整機構１２1〜１２4と、のマイクロ波発生源８1〜８4とをそれぞれ４個有し、原料ガス導入管１０1〜１０3を３本有している。
【００２７】
２本のプラズマガス導入管９1、９2のうち、一方のプラズマガス導入管９1は真空槽２内部の上方に水平に配置され、他方のプラズマガス導入管９2は真空槽２内部の下方に水平に配置されている。従って、２本のプラズマガス導入管９1、９2は互いに平行に配置されている。
【００２８】
各プラズマガス導入管９1、９2の一端は真空槽２内部に取り付けられており、真空槽２外部に設けられた不図示のガス導入系により、プラズマガス導入管９1、９2の内部にガスを導入できるようにされている。
【００２９】
各アンテナ装置３1〜３4は、それぞれ保護管４1〜４4と、シールド筒５1〜５4と、アンテナ線６1〜６4とを有している。
保護管４1〜４4は、石英からなり内部中空の管であって、鉛直にされた状態で両端部がプラズマガス導入管９1、９2にそれぞれ固定されている。各保護管４1〜４4は、互いに所定間隔をおいて配置されている。
【００３０】
シールド筒５1〜５4は銅製の筒であって、各保護管４1〜４4の内部中空にそれぞれ挿入された状態で、両端部がプラズマガス導入管９1、９2にそれぞれ固定されている。
【００３１】
マイクロ波発生源８1〜８4は、真空槽２の上部又は下部に配置されており、各導波管７1〜７4は、一端が真空槽２内部に配置され、他端がマイクロ波発生源８1〜８4にそれぞれ取り付けられている。各導波管７1〜７4は、真空槽２と絶縁されている。
【００３２】
アンテナ線６1〜６4は銅で構成されており、各アンテナ線６1〜６4は、各シールド筒５1〜５4の内部にそれぞれ挿入されている。各アンテナ線６1〜６4は、各シールド筒５1〜５4と非接触の状態にされており、各々の一端は導波管７1〜７4に取り付けられている。真空槽２の天井側又は底壁側には調整機構１２1〜１２4が配置されており、アンテナ線６1〜６4はの他端はそれぞれ調整機構１２1〜１２4に取り付けられている。調整機構１２1〜１２4は鉛直方向に伸縮してアンテナ線６1〜６4の熱伸びを吸収することができるようにされている。
マイクロ波発生源８1〜８4を起動するとマイクロ波が発生し、導波管７1〜７4を介してアンテナ線６1〜６4に伝達することができるようにされている。
【００３３】
上述した各シールド筒５1〜５4の内部はともにプラズマガス導入管９1、９2の内部に通じており、プラズマガス導入管９1、９2の内部にガスが導入されると、導入されたガスを、各シールド筒５1〜５4との内部、即ち、各シールド筒５1〜５4の内壁面とアンテナ線６1〜６4との間に導入できるようにされている。
【００３４】
各シールド筒５1〜５4及び保護管４1〜４4には、それぞれ貫通孔１３1〜１３4、１４1〜１４4が、連通する位置に設けられており、各シールド筒５1〜５4とアンテナ線６1〜６4との間に導入されたガスを各貫通孔１３1〜１３4、１４1〜１４4から真空槽２内へと噴出させることができるようにされている。
【００３５】
各原料ガス導入管１０1〜１０3は、全てが鉛直にされた状態で、互いに隣接するアンテナ装置３1〜３4の間に１本ずつ配置され、かつアンテナ装置３1〜３4と同一平面上になるようにされている。
【００３６】
各原料ガス導入管１０1〜１０3の両端には、ガス導入系(図示せず)が接続されており、各原料ガス導入管１０1〜１０3の内部に同じガスを導入できるようにされている。各原料ガス導入管１０1〜１０3の側面には噴出孔１５1〜１５3が設けられており、導入されたガスを各噴出孔１５1〜１５3から真空槽２内に噴出させることができるようにされている。
【００３７】
真空槽２内には、図２にその上断面図を示すように、図１で説明した同一平面上に配置された複数のアンテナ装置３1〜３4及び原料ガス導入管１０1〜１０3の組(以下でユニットと称する。)が複数設けられている。各ユニットは所定間隔をおいて平行になるように配置され、１個のユニットについて２個の基板ホルダが、各ユニットを挟むように設けられている。図２には二組のユニット３１1、３１2を示し、それぞれのユニット３１1、３１2の両側に、基板ホルダ２１1、２１2と、基板ホルダ２１3、２１4とがそれぞれ配置されている状態を示している。なお、簡単のため保護管は図２には図示していない。
【００３８】
各基板ホルダ２１1〜２１4は、それぞれが基板２２1〜２２4を保持した状態で、基板２２1〜２２4の表面と、各ユニット３１1、３１2とが、アンテナ線６1〜６4間の距離と同じ距離をおいて、互いに略平行になるように配置されている。
【００３９】
大面積の太陽電池を製造する場合等、上述の構成のプラズマＣＶＤ装置１を用い、大面積のガラス基板表面にアモルファスシリコン膜を成膜するためには、まず不図示の排気系で真空槽内部を真空排気する。真空状態を維持しつつ不図示の搬送系で真空槽２内にガラス製の基板２２1〜２２4とを搬入し、各基板ホルダ２１1〜２１4に保持させる。
【００４０】
次いで、ガス導入系からプラズマガス導入管９1、９2にＨ2ガスを導入すると、Ｈ2ガスは、シールド筒５1〜５4の内部に導入される。
この状態でマイクロ波発生源８1〜８4を起動すると、マイクロ波発生源８1〜８4内部でマイクロ波が生成される。生成されたマイクロ波は導波管７1〜７4を通ってアンテナ線６1〜６4に伝達される。
【００４１】
アンテナ線６1〜６4中をマイクロ波が進行すると、アンテナ線６1〜６4近傍に電界が生じる。シールド管５1〜５4の貫通孔近くの電界によって発生したプラズマ密度の高いプラズマによってマイクロ波は反射するため、余ったマイクロ波エネルギーによって、他の貫通孔にプラズマが発生する。全ての貫通孔１３1〜１３4にプラズマが点灯した時点でマイクロ波発生源８1〜８4の出力をコントロールすることにより、全貫通孔１３1〜１３4近傍に均一な高密度プラズマが生成される。
【００４２】
このため、各アンテナ装置３1〜３4の周囲には、ほぼ同じプラズマ密度のプラズマが発生し、かつ各アンテナ装置３1〜３4は同一平面上で等間隔に配置されているので、各保護管４1〜４4の貫通孔１４1〜１４4の付近に発生したプラズマは互いに重なり合い、基板の表面近傍では、プラズマ密度がほぼ均一になっている。
【００４３】
その状態で、原料ガス導入管１０1〜１０3内に、SiH4を含む原料ガスを導入すると、原料ガスは原料ガス導入管１０1〜１０3の噴出孔１５1〜１５3から真空槽２内へ噴出される。噴出された原料ガスは、原料ガス導入管１０1〜１０3近傍に形成されているプラズマによって分解される。
【００４４】
分解された原料ガスは、アンテナ装置３1〜３4方向に飛行するが、保護管４1〜４4の貫通孔１４1〜１４4からはＨ2ガスが噴出されているのでＨ2ガスによって押し戻され、保護管４1〜４4の表面には到達しない。押し戻され、分解された原料ガスの一部は基板２２1〜２２4の表面に到達して気相成長反応をし、表面にアモルファスシリコン又は結晶シリコンの薄膜が成膜される。
【００４５】
このとき、分解された原料ガスの密度はほぼ均一になるので、基板２２1〜２２4の表面に均一な薄膜を成膜することができる。さらにマイクロ波を用いて放電して成膜しているので、高周波電圧(１３．５６MHz)で放電させていた従来に比して、基板表面のダメージを少なくし、成膜速度を速めることができる。
【００４６】
１個のユニット３１1に注目すると、分解されたプラズマガス、例えばSiH4ガスは、そのユニット３１1の両側にそれぞれ配置された二枚の基板２２1、２２2の両方の表面に均等に到達して、それぞれの基板２２1、２２2の表面で気相成長するので、１個のユニット３１1で二枚の基板２２1、２２2の表面に同時に成膜させることができる。他のユニット３１2についても同様に、二枚の基板２２3、２２4の表面に同時に成膜することができ、少数のユニットで多数の基板表面に効率的に薄膜を成膜することができる。
【００４７】
さらに、本実施形態において、真空槽２内にガス導入管１０1〜１０4を設けず、アンテナ装置３1〜３4内に、Ｈ2ガスと原料ガスとの混合ガスを導入して成膜するような構成も考えられるが、この場合には、原料ガスがアンテナ装置３1〜３4内部で分解され、アンテナ装置３1〜３4内部で薄膜の成膜が開始されてしまい、この薄膜によって貫通孔１３1〜１３4、１４1〜１４4が詰まり、ガスが噴出されなくなってしまう。そこで本実施形態では、アンテナ装置３1〜３4と、SiH4ガスを噴出するガス導入管１０1〜１０4を分けて設けておき、アンテナ装置３1〜３4内で成膜されないようにしている。
【００４８】
上述した本実施形態では、アンテナ線６1〜６4の直径を３mmとし、シールド筒５1〜５4の内径を13mmとし、アンテナ線６1〜６4の表面とシールド筒５1〜５4の内面との距離を５mmとし、互いに隣接するアンテナ線６1〜６4間の距離を５０mmとしており、原料ガス導入管１０1〜１０3の直径を６．３mmとし、各アンテナ装置３1〜３4と基板の表面との距離を５０mmとしている。
【００４９】
なお、本実施形態では、原料ガスと、プラズマ発生のためのガスとしてSiH4ガス、Ｈ2ガスをそれぞれ用い、ガラス基板上にアモルファスシリコン又は結晶シリコン薄膜を成膜する方法について説明しているが、本発明はこれに限らず、プラズマＣＶＤ法によるあらゆる成膜方法に適用可能である。
【００５０】
また、本実施形態では、互いに隣接するアンテナ線６1〜６4間の距離を、５０mmとしているが、本発明はこれに限らず、５０mm以上１００mm以下程度の範囲であればよい。
【００５１】
【発明の効果】
マイクロ波を用いて放電してプラズマＣＶＤ法を実施することができ、基板表面に均一な薄膜を成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のプラズマＣＶＤ装置を説明する側断面図
【図２】本発明の一実施形態のプラズマＣＶＤ装置を説明する平断面図
【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置を説明する側断面図
【図４】プラズマＣＶＤ法による放電周波数とプラズマ密度及びダメージとの関係を説明するグラフ
【符号の説明】
１……プラズマＣＶＤ装置    ２……真空槽    ３1〜３4……アンテナ装置  ５1〜５4……シールド筒    ６1〜６4……アンテナ線(導線)    １０1〜１０4……原料ガス導入管(ガス導入管)  ２１1〜２１4……基板ホルダ    ２２1〜２２4……基板
【図１】
0004017796.tif 000002
【図２】
0004017796.tif 000003
【図３】
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【図４】
0004017796.tif 000005