(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板の表面に半導体チップが搭載されて封止され、そのベース基板の裏面にマトリクス状に配置されたランドにボール端子が固着させられている半導体装置パッケージにおいて、
ボール端子の大きさは均一であり、
前記ランドの少なくとも一部には、円形に対し、マトリクスの縦横方向に対して斜め方向に突出した部分をもつ非円形形状のものが含まれており、
前記非円形のランドには、ランドの輪郭が内側へ向かって突出した突起部分が形成されており、
前記ランドのうちには他のランドよりも大面積のものが含まれており、その大面積ランドには複数のボール端子が固着させられており、かつその大面積ランドには複数のボール端子を誘導すべくランドの輪郭が内側へ向かって突出した突起部分が形成されていることを特徴とする半導体装置パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、裏面に複数の球形の金属ランド（ボール端子という）が固着された半導体装置パッケージに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
現在、半導体チップを封止した半導体装置パッケージの裏面にマトリクス（碁盤目）状に配置されたボール端子を有するものとして、ＢＧＡ（米国特許第５１４８２６５号参照）やμＢＧＡ（端子ピッチが０．８ｍｍ以下のＢＧＡであり、ＣＳＰ（Chip Scale Package）ともいう）などが存在する。以下、これらの半導体装置パッケージをＣＳＰと総称する。
【０００３】
図１は、ＣＳＰを示す概略構成図であり、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は下側から見た平面図である。図２は、図１（Ｂ）中の破線の円で囲まれた部分の拡大図であり、（Ａ）はボール端子接合後の状態、（Ｂ）はボール端子接合前の状態を示す。
半導体チップを配置して封止したＣＳＰ１のベース基板（以下、インターポーザという）３のボール端子接合面（裏面）３ａに、縦横方向にマトリクス状に円形の複数の電極７が形成されている。ボール端子接合面３ａには、配線ルールに従って、電極７と所定の距離Ｌをもって配線パターン５も形成されている。電極７及び配線パターン５は絶縁性保護膜９で被われている。電極７上の絶縁性保護膜９にボール端子１１よりも小さい寸法の円形の開口部が形成されて、１次ランド（露出した電極７の表面部分）７ａが形成されている。半田などからなるボール端子１１が各１次ランド７に接合されている。
【０００４】
図３（Ａ）から（Ｅ）はＣＳＰ１にボール端子１１を固着する際の工程図であり、（Ｄ），（Ｅ）は（Ｂ），（Ｃ）中の破線の円で囲まれた部分をそれぞれ拡大して示す断面図である。
１次ランド７ａへのボール端子１１の接合は、一般的にインターポーザ３のボール端子接合面３ａを上にして１次ランド７ａ上にボール端子１１を配置し（（Ａ）、（Ｂ）及び(Ｄ)）、リフロー炉等で熱を加えてボール端子１１の融点（ボール端子１１が合金材からなる場合は共晶点）以上に一旦加熱（以下、１次リフローという）して、１次ランド７ａとボール端子１１を合金化することによって行なわれる。
【０００５】
図４（Ａ）から（Ｅ）は、ＣＳＰ１を実装基板１３に実装する際の工程図をであり、（Ｄ），（Ｅ）は（Ｂ），（Ｃ）中の破線の円で囲まれた部分をそれぞれ拡大して示す断面図である。
ＣＳＰ１が実装される実装基板１３はガラスエポキシなどからなる基板１５を備えている。基板１５の実装面１５ａに、ＣＳＰ１に接続されたボール端子１１に対応する位置、すなわち縦横方向にマトリクス状に、円形の電極１７が形成されている。基板１５の実装面１５ａには、配線ルールに従って、電極１７と所定の距離をもって配線パターン（図示は省略）も形成されている。配線パターン及び電極１７は絶縁性保護膜１９で被われている。電極１７上の保護膜１９にボール端子１１よりも小さい寸法の円形の開口部が形成されて、２次ランド（露出した電極１７の表面部分）１７ａが形成されている。
【０００６】
実装基板１３へのＣＳＰ１の実装は、ＣＳＰ１に固着されたボール端子１１を２次ランド１７ａに対応させて、ＣＳＰ１を実装基板１３に配置し（（Ａ）、（Ｂ）及び(Ｄ)）、リフロー炉等で熱を加えてボール端子１１の融点（ボール端子１１が合金材からなる場合は共晶点）以上に加熱（以下、２次リフローという）して、ボール端子１１と２次ランド１７ａを合金化させることによって行なわれる。
【０００７】
１次ランド７ａ及び２次ランド１７ａの直径は、一般的にボール端子１１の直径と同じかそれよりも小さい。これは、図１から図４に示すように、１次ランド７ａ及び２次ランド１７ａを形成する絶縁性保護膜９，１９には厚みがあり、１次ランド７ａへボール端子１１を配置する際、及びＣＳＰ１に固着させられたボール端子１１を２次ランド１７ａへ配置する際の位置決めに大きく寄与させるためである。さらに、１次リフロー後のボール端子１１の形状及びＣＳＰ１の実装基板１３への実装性を考えて、必要なボール端子１１の高さや大きさを維持するためでもある。
【０００８】
ＣＳＰ及びその実装基板において、そのボール端子の配置（位置や数量）は、現在ＥＩＡＪ（Electronic Industries Association of Japan、日本電子機械工業会）などで規格化が進行中であるが、
▲１▼  等ピッチでマトリクス状に配置、
▲２▼  ボール端子の材料の大きさはＣＳＰ毎に均一、
▲３▼  ボール端子の材料の形状は球形、
とするのが一般的である。
【０００９】
また、インターポーザのボール端子接合面及び実装基板の実装面における配線パターンは配線ルールに従って形成される。例えば図２のＣＳＰ１を例に挙げて説明すると、（Ｂ）に示すように、配線パターン５は、電極７と電気的に接触しないように、電極７との間に一定の距離Ｌ以上の間隔をもつような配線ルールに従って形成される。実装基板においても、２次ランドの形成領域に形成される配線パターンは、２次ランドに電気的に接触しないような配線ルールに従って形成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ＣＳＰ１を実装基板１３に実装すると、２次リフロー時に、インターポーザ３と基板１５の熱膨張率の違いによって発生する応力に起因してボール端子１１に機械的応力が集中し、１次ランド７ａ及び２次ランド１７ａとボール端子１１の接合部分においてクラックが生じ、接続不良が起こることが一般的に知られている。
また、その機械的応力は、マトリクス状に配置されたボール端子１１の位置によっても差があり、インターポーザ３の外周側のボール端子１１ほど大きくなることも周知である。これは、インターポーザ３と基板１５の熱膨張係数の差に起因する機械的応力が、インターポーザ３の中心部分から外周側へ向かうに従って累積されるためである。
【００１１】
従来技術として、外周部に大きなボール端子を用いて実装後の信頼性を向上させるもの（特開平１０−２４７７００号公報参照）や、ボール端子（有効接続端子）と同じ大きさ及び材料からなるボール部材を、接続端子としてではなく、信頼性向上のための補強用部材（非接続端子）として用いるものなどがある。
しかし、前者は大きなボール端子のためにインターポーザ及び実装基板の配線ルールに支障を来し、さらにボール端子の大きさが著しく異なる場合は、上記▲１▼に反するに至る。
後者は、言うまでもなく有効接続端子数の減少に直結しており、非接続端子を増やせばその分だけ実装後の信頼性は向上するが、有効接続端子数が減少するリスクが大きい。
【００１２】
そこで本発明は、インターポーザと実装基板の熱膨張係数が異なっていても、１次ランド及び２次ランドの配置、インターポーザ及び実装基板の配線密度、すなわち配線ルール、並びに有効な接続端子数を維持しつつ、ボール端子に集中する熱収縮応力に対しての耐久性を向上し、インターポーザとボール端子の接合部分及びボール端子と実装基板の接合部分のクラック発生を抑制して、実装後の接続信頼性を向上することが可能なＣＳＰを提供することを目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ＣＳＰを実装基板に実装した後のインターポーザと実装基板の熱膨張係数の差による応力に耐えるべく、ボール端子のインターポーザへの配置部分（１次ランド）と実装基板側の実装部分（２次ランド）の形状に特徴を持たせることによって、１次ランド及び２次ランドの配置、並びにインターポーザ及び実装基板の配線ルールが同等でありながらも、実装後の接続信頼性の向上を実現させるものである。
【００１４】
本発明にかかる半導体装置パッケージは、ベース基板の表面に半導体チップが搭載されて封止され、そのベース基板の裏面にマトリクス状に配置された１次ランドにボール端子が固着させられている半導体装置パッケージであって、ボール端子の大きさは均一であり、１次ランドの少なくとも一部には、円形に対し、マトリクスの縦横方向に対して斜め方向に突出した部分をもつ非円形形状のものが含まれており、非円形のランドには、ボール端子をランドの中央付近に誘導するための、ランドの輪郭が内側へ向かって突出した突起部分が形成されているものである。
【００１５】
１次ランドの形成領域の配線ルールは、１次ランドの中心と配線パターンの距離を基準としているので、１次ランド形状が円形の場合、１次ランドと配線パターンの距離にはマトリクスの縦横方向に対して斜め方向に余裕がある。
本発明にかかるＣＳＰでは、１次ランドの少なくとも一部には、円形に対し、マトリクスの縦横方向に対して斜め方向に突出した部分をもつ非円形形状のものが含まれている。その結果、その非円形形状の１次ランドでは、円形形状の１次ランドの場合と同じ配線ルールを適用しても、円形形状の１次ランドよりも面積が広がり、１次ランドとボール端子の接合面積が広がる。
【００２１】
ボール端子は、１次リフロー時に１次ランドに固着されるが、従来技術では１次ランドの円形形状によってボール端子の接合位置を決定している。円形の１次ランドにボール端子材料を配置する場合、仮に１次ランド内でボール端子が動いたとしても、１次ランドの輪郭が円形であることにより、１次リフロー時に溶融したボール端子材料の力が１次ランド上の開口部の側壁に均等にかかる。さらに１次ランド内におけるボール端子の移動範囲がボール端子の体積に比較して狭い。そのため、ボール端子材料が１次ランド上のどの位置に存在しても、１次リフロー等で熱を加えてボール端子と１次ランドを合金化させた後のボ−ル端子の形状及び接合位置はほぼ均一となる。よって、従来技術では、ボール端子の配置位置のバラツキや１次リフロー完了までのボール端子の脱落に関して、１次ランド形状は問題視されていなかった。
【００２２】
本発明にかかるＣＳＰのように、１次ランド形状が非円形の場合、ボール端子の動きに対して配置位置にバラツキが生じ、そのバラツキが原因で、１次リフロー等を実施した後のボール端子形状にバラツキが生じたり、ボール端子の脱落の発生率が上がる可能性がある。
そこで、非円形の１次ランドには、ボール端子をランドの中央付近に誘導するための、１次ランドの輪郭が内側へ向かって突出した突起部分が形成されているようにした。
その結果、ボール端子の配置位置精度を向上させることができ、１次リフロー等を実施した後のボール端子形状のバラツキ及びボール端子の脱落を抑制することができる。
【００２４】
ＣＳＰ及び実装基板において、ランドのうちには他のランドよりも大面積のものが含まれている場合がある。その場合、従来技術では、大面積ランド用のボール端子材料を準備し、大きさの異なる複数種類のボール端子材料を配置することによってランドとボール端子の接合を行なっているが、工程の増加を余儀なくされる。
そこで、本発明にかかるＣＳＰでは、大面積ランドには複数のボール端子が固着させられており、かつその大面積ランドには複数のボール端子を誘導すべくランドの輪郭が内側へ向かって突出した突起部分が形成されている。
大面積ランドとボール端子の接合に、他のランドよりも大きなボール端子体積が必要な場合、他のランドに配置されるボール端子材料と同じボール端子材料を複数個大面積ランドに配置する。その結果、生産工程を増加させることなく、単一のボール端子材料で複数種類のボール端子体積を達成でき、量産ラインへの対応も容易になる。
【００２５】
【実施例】
図５は、ＣＳＰの参考例の１次ランドを示す平面図であり、（Ａ）はボール端子接合後の状態、（Ｂ）はボール端子接合前の状態を示す。ＣＳＰの全体の構成は図１と同様である。
ＣＳＰ１のインターポーザ３のボール端子接合面３ａに、縦横方向にマトリクス状に近似楕円形形状の複数の電極２１が形成されている。配線ルールに従って、電極２１と所定の距離Ｌをもって配線パターン５が形成されている。電極２１は、マトリクスの縦横方向に対して長軸方向を斜めにして配置されている。
【００２６】
電極２１及び配線パターン５は、レジストなどの保護材やポリイミドなどの基材からなる絶縁性保護膜９で被われている。電極２１上の絶縁性保護膜９にボール端子１１よりも小さい寸法の近似楕円形形状の開口部が形成されて、１次ランド（露出した電極２１の表面部分）２１ａが形成されている。１次ランド２１ａは、長軸方向を電極２１に合せて、マトリクスの縦横方向に対して斜め方向に形成されている。各電極１次ランド２１ａには、半田などからなるボール端子１１がそれぞれ接合されている。
【００２７】
実装基板の参考例は、図示は省略するが、図５（Ｂ）と同様の構成により、２次ランドが形成される。
例えば、インターポーザ及び実装基板の配線ルールを、配線パターン幅＝１００μｍ、ランドと配線パターンの間の距離Ｌ＝１００μｍ、ランドの中心から縦横方向への寸法（図５（Ｂ）中の寸法ｒ参照）＝５００μｍ、ランドピッチ＝８００μｍとすると、隣り合うランド間に配線できる配線パターンは１本となる。
【００２８】
図５のＣＳＰの参考例及び図５（Ｂ）と同じ構成の実装基板の参考例では、半径ｒの円形形状のランドに比較して、マトリクスの縦横方向に対して突出する部分をもつので、同じ配線ルール（ランド間配線１本）を維持しつつ、ランドの面積、すなわちランドとボール端子の接合面積は約１４％向上する。接合面積が増加した分、接続強度が向上する。また、インターポーザと実装基板の配線ルールの変更は不要なので、インターポーザにおいては１次ランド形状を変更するだけ、実装基板においては２次ランド及び２次ランド形状を変更するだけで、実装後の信頼性を向上させることができる。
【００２９】
図６は、ＣＳＰの他の参考例の１次ランドを示す平面図であり、（Ａ）はボール端子接合後の状態、（Ｂ）はボール端子接合前の状態を示す。ＣＳＰの全体の構成は図１と同様である。
ＣＳＰ１のインターポーザ３のボール端子接合面３ａに、縦横方向にマトリクス状に近似方形形状の複数の電極２３が形成されている。配線ルールに従って、電極２３と所定の距離Ｌをもって配線パターン５が形成されており、電極２３に接続されている。電極２３は、辺をマトリクスの縦横方向に配置されている。
電極２１上の絶縁性保護膜９に電極２１よりも小さい寸法の近似方形形状の開口部が形成されて、１次ランド２３ａが電極２３に辺の方向を合わせて形成されている。
実装基板の他の参考例では、図示は省略するが、図６（Ｂ）と同様の構成により、２次ランドが形成される。
【００３０】
図５の参考例と同じ配線ルール、すなわち配線パターン幅＝１００μｍ、距離Ｌ＝１００μｍ、寸法ｒ＝５００μｍ、ランドピッチ＝８００μｍ、隣り合うランド間に配線できる配線パターンを１本とすると、図６のＣＳＰの参考例及び図６（Ｂ）と同じ構成の実装基板の参考例では、半径ｒの円形形状のランドに比較して、同じ配線ルールを維持しつつ、ランドとボール端子の接合面積を約２７％向上させることができる。
【００３１】
図７は、ＣＳＰのさらに他の参考例の下側から見た平面図であり、ボール端子固着前を示す。
ＣＳＰ１のインターポーザ３のボール端子接合面に、縦横方向にマトリクス状に複数の１次ランド２５，２７が形成されている。マトリクス状配置の最外周に配置された１次ランド２５の形状は、図５に示す１次ランド２１ａと同様に、寸法ｒの近似楕円形に形成されている。最外周を除く１次ランド２７の形状は、半径ｒの円形に形成されている。
この参考例では、最外周の１次ランド２５のボール端子との接合面積が中央側の１次ランド２７よりも大きくなるように形成されている。
【００３２】
図７と同じ構成の２次ランド及び２次ランドをもつ実装基板に、図７のＣＳＰを実装すれば、最外周のランドのボール端子との接合面積は中央側のランドよりも大きいので、最外周のランドのボール端子との接合強度が中央側のランドに比べて大きくなる。その結果、インターポーザと実装基板の熱膨張係数の差に起因する、ランドとボール端子の接合部分への機械的応力、特に最外周のランドとボールの接合部分への機械適応力を分散させることができ、実装後の信頼性を向上させることができる。
【００３３】
ランド形状が、マトリクス状配置の中央部分では円形であり、外周部分では非円形である例としての、図７に示す参考例では、最外周の１次ランドのみを楕円形としているが、本発明はこれに限定されるものではない。
ランド形状の位置毎の変化は、パッケージの大きさや要求される接続信頼性によって決定する。したがって、例えば中央部分が円形で外周側に向かうに従って徐々に面積が大きい楕円形に変化するものや、ランドの位置毎に形状が異なるものなど、様々な態様が可能である。
熱収縮による応力は、パッケージ中心から放射線状に加わる。そのため、例えば図５や図７のように楕円形ランドを用いる場合は、パッケージ中心から放射線状にランドの長軸方向が向くように配置するのが好ましく、これにより、かかる応力に対してより効果的となる。
【００３４】
図８（Ａ）から（Ｃ）は、ランド形状の例を示す平面図であり、（Ａ’）から（Ｃ’）は（Ａ）から（Ｃ）のボール端子接合後の状態を示す平面図である。
（Ａ）に示すように、近似楕円形形状の電極２９上に、電極２９よりも小さい寸法の近似楕円形形状の開口部が形成されて、ランド２９ａが電極２９に長軸方向の向きを合わせて形成されている。ランド２９ａには、長軸両端側の近傍に、輪郭が内側へ向かって突出した突起部分２９ｂがそれぞれ２ヶ所ずつ、４ヶ所に形成されている。
【００３５】
（Ｂ）に示すように、近似方形形状の電極３１上に、電極３１よりも小さい寸法の近似方形の開口部が形成されて、ランド３１ａが電極３１に辺の向きを合わせて形成されている。ランド３１ａには、輪郭が内側へ向かって突出した突起部分３１ｂが各辺に２ヶ所ずつ、合計８ヶ所に形成されている。
（Ｃ）に示すように、近似方形の電極３３上に、電極３３よりも小さい寸法の近似方形の開口部が形成されて、ランド３３ａが電極３３に辺の向きを合わせて形成されている。ランド３３ａには、輪郭が内側へ向かって突出し、その先端に凹形状をもつ突起部分３３ｂが各辺に１ヶ所ずつ、合計４ヶ所に形成されている。
【００３６】
ランド２９ａ，３１ａ，３３ａでは、突起部分２９ｂ，３１ｂ，３３ｂを設けることにより、ボール端子１１の移動範囲を抑制することができる。１次ランドにボール端子１１の材料を配置する際、ボール端子１１の材料の配置位置のバラツキを低減することができる。その結果、１次リフロー等を実施した後のボール端子１１の形状のバラツキを抑えることができ、実装基板への実装効率及び接続信頼性の向上に寄与させることができる。
【００３７】
ボール端子をランドの中央付近に誘導するための、ランドの輪郭が内側へ向かって突出した突起部分が形成されているランド形状は、図８に示す実施例に限定されるものではなく、ボール端子をランドの中央付近に位置させることができる突起部分であればどのような形状を備えていてもよく、何ヶ所備えていてもよい。
【００３８】
図９（Ａ）から（Ｄ）は、大面積ランド形状の例を示す平面図であり、（Ａ’）から（Ｄ’）は（Ａ）から（Ｄ）のボール端子接合後の状態を示す平面図である。
（Ａ）に示すように、近似方形の大面積電極３５上に、大面積電極３５よりも小さい寸法の近似方形の開口部が形成されて、大面積ランド３５ａが大面積電極３５に辺の向きを合わせて形成されている。大面積ランド３５ａには、相対する１組の２角の近傍に、輪郭が内側へ向かって突出した突起部分３５ｂが各辺に１ヶ所ずつ、合計４ヶ所に形成されている。
（Ｂ）に示すように、近似楕円形形状の大面積電極３７上に、大面積電極３７よりも小さい寸法の近似楕円形形状の開口部が形成されて、大面積ランド３７ａが大面積電極３７に長軸方向の向きを合わせて形成されている。大面積ランド３７ａには、長軸両端側近傍に、輪郭が内側へ向かって突出した突起部分３７ｂがそれぞれ２ヶ所ずつ、合計４ヶ所に形成されている。
【００３９】
（Ｃ）に示すように、近似楕円形形状の大面積電極３９上に、大面積ランド３９よりも小さい寸法の近似楕円形形状の開口部が形成されて、大面積ランド３９ａが大面積電極３９に長軸方向の向きを合わせて形成されている。大面積ランド３９ａには、短軸両端側近傍に、輪郭が内側へ向かって突出した突起部分３９ｂがそれぞれ１ヶ所ずつ、合計２ヶ所に形成されている。
（Ｄ）に示すように、近似方形の大面積ランド４１上に、大面積ランド４１よりも小さい寸法の近似方形形状の開口部が形成されて、大面積ランド４１ａが大面積電極４１に辺の向きを合わせて形成されている。大面積ランド４１ａには、輪郭が内側へ向かって突出した突起部分４１ｂが各辺の中央部分に１ヶ所ずつ、合計４ヶ所に形成されている。
【００４０】
図９（Ａ）から（Ｄ）に示すように、突起部分３５ｂ，３７ｂ，３９ｂ，４１ｂを形成することにより、大面積ランド３５，３７，３９では２個、大面積ランド４１では４個のボール端子１１の材料を、配置位置をある程度限定して配置することができる。これにより、他のランドよりも大きなボール端子体積が必要な場合であっても、他のランドに配置されるボール端子１１の材料と同じボール端子材料１１を用いてＣＳＰを実装基板に配置することができ、その結果、生産工程を増加させることなく、単一のボール端子材料で複数種類のボール端子体積を達成でき、量産ラインへの対応も容易になる。
【００４１】
図５から図９の参考例及び実施例では、１次ランド形状及び２次ランド形状と電極形状は同じであるが、本発明はこれに限定されるものではなく、１次ランド形状及び２次ランド形状と電極形状は異なったものでもよい。また、ＣＳＰとそのＣＳＰが実装される実装基板のランドの形状も同じである必要はなく、異なった形状でもよい。
図５から図９の参考例及び実施例ではランドは電極よりも小さく形成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、電極とランドが同じ大きさであってもよい。
また、高密度配置を実現する実装構造として、半導体チップの能動素子面を、半田ボール等のランドを介して、実装基板に直接接続するフリップチップ接続構造がある。フリップチップ接続構造も、ＢＧＡ実装構造と同様に、配置面積を小さくできるので高密度配置に適する。本発明は、このフリップチップ接続構造にも適用することができる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明にかかるＣＳＰでは、ボール端子の大きさは均一であり、１次ランドの少なくとも一部には、円形に対し、マトリクスの縦横方向に対して斜め方向に突出した部分をもつ非円形形状のものが含まれているようにしたので、非円形形状の１次ランドとボール端子の接合面積を広げ、インターポーザと実装基板の熱膨張係数が異なっていても、１次ランドの配置、配線ルール、及び有効なランド数を維持しつつ、ボール端子に集中する熱収縮応力に対しての耐久性を向上し、インターポーザとボール端子の接合部分のクラック発生を抑制して、実装後の接続信頼性を向上することができる。
さらに、非円形の１次ランドには、ボール端子をランドの中央付近に誘導するための、１次ランドの輪郭が内側へ向かって突出した突起部分が形成されているようにしたので、ボール端子の配置位置精度を向上させることができ、１次リフロー等を実施した後のボール端子形状のバラツキ及びボール端子の脱落を抑制することができ、実装後の接続信頼性を向上することができる。
【００４８】
さらに、ランドのうちには他のランドよりも大面積のものが含まれており、大面積ランドには複数のボール端子が固着させられており、かつその大面積ランドには複数のボール端子を誘導すべくランドの輪郭が内側へ向かって突出した突起部分が形成されているようにしたので、大面積ランドとボール端子の接合に、他のランドよりも大きなボール端子体積が必要であっても、他のランドに配置されるボール端子材料と同じボール端子材料を複数個大面積ランドに配置することができ、生産工程を増加させることなく、単一のボール端子材料で複数種類のボール端子体積を達成でき、量産ラインへの対応も容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ＣＳＰを示す概略構成図であり、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は下側から見た平面図である。
【図２】  図１（Ｂ）中の破線の円で囲まれた部分の拡大図であり、（Ａ）はボール端子接合後の状態、（Ｂ）はボール端子接合前の状態を示す。
【図３】  （Ａ）から（Ｅ）はＣＳＰにボール端子を固着する際の工程図であり、（Ｄ），（Ｅ）は（Ｂ），（Ｃ）中の破線の円で囲まれた部分をそれぞれ拡大して示す断面図である。
【図４】  （Ａ）から（Ｅ）は、ＣＳＰを実装基板に実装する際の工程図であり、（Ｄ），（Ｅ）は（Ｂ），（Ｃ）中の破線の円で囲まれた部分をそれぞれ拡大して示す断面図である。
【図５】  ＣＳＰの参考例の１次ランドを示す平面図であり、（Ａ）はボール端子接合後の状態、（Ｂ）はボール端子接合前の状態を示す。
【図６】  ＣＳＰの他の参考例の１次ランドを示す平面図であり、（Ａ）はボール端子接合後の状態、（Ｂ）はボール端子接合前の状態を示す。ＣＳＰの全体の構成は図１と同様である。
【図７】  ＣＳＰのさらに他の参考例の下側から見た平面図である。
【図８】  （Ａ）から（Ｃ）は、ランド形状の例を示す平面図であり、（Ａ'）から（Ｃ'）は（Ａ）から（Ｃ）のボール端子接合後の状態を示す平面図である。
【図９】  （Ａ）から（Ｄ）は、大面積ランド形状の例を示す平面図であり、（Ａ'）から（Ｄ'）は（Ａ）から（Ｄ）のボール端子接合後の状態を示す平面図である。
【符号の説明】
１  ＣＳＰ（半導体装置パッケージ）
３  インターポーザ（ベース基板）
３ａ  ボール端子接合面（裏面）
５  配線パターン
７，１７，２１，２３，２８，３１，３３，３５，３７，４１  電極
７ａ，２１ａ，２３ａ，２５，２７  １次ランド
９，１９  絶縁製保護膜
１１  ボール端子
１３  実装基板１３
１５  基板
１５ａ  実装面
１７ａ  ２次ランド
２９ａ，３１ａ，３３ａ，３５ａ，３７ａ，３９ａ，４１ａ  ランド
【図１】
0003989152.tif 000002
【図２】
0003989152.tif 000003
【図３】
0003989152.tif 000004
【図４】
0003989152.tif 000005
【図５】
0003989152.tif 000006
【図６】
0003989152.tif 000007
【図７】
0003989152.tif 000008
【図８】
0003989152.tif 000009
【図９】
0003989152.tif 000010