(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に透明電極が備えられ、画素電極が行列状に多数設けられた液晶駆動基板に対向配置された電気光学素子板と、
前記透明電極に撮像手段のフレーム周波数に同期した両極性のバイアス電圧を印加すると共に、画素電極には前記バイアス電圧の各極性毎にデータ電圧を印加する電源装置と、
バイアス電圧とデータ電圧の印加時に電気光学素子板の表面の画像を撮像する撮像手段と、
バイアス電圧の各々の極性期間における複数フレームに亘る画像を加算して被検画像を生成し、該被検画像を画像処理して画素電極の異常箇所を識別して検査結果を出力する画像処理装置と、
を具備することを特徴とする液晶駆動基板の検査装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶駆動基板の検査装置において、前記バイアス電圧の周波数を撮像手段のフレーム周波数の１／２に設定することを特徴とする液晶駆動基板の検査装置。
【請求項３】
請求項２記載の液晶駆動基板の検査装置において、データ電圧を、バイアス電圧の半周期毎に異なる電圧値とし、画像処理装置は、連続する４フレームの画像をバイアス電圧の各極性における電気光学素子板の電気光学特性の差を打ち消すように加算して被検画像を生成することを特徴とする液晶駆動基板の検査装置。
【請求項４】
請求項３記載の液晶駆動基板の検査装置において、画像処理装置は、連続する４フレームの画像をＡ〜Ｄとした場合に、演算式（Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ）に基づいて被検画像Ｒを生成することを特徴とする液晶駆動基板の検査装置。
【請求項５】
請求項３記載の液晶駆動基板の検査装置において、画像処理装置は、連続する４フレームの画像をＡ〜Ｄとした場合に、演算式（Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄ）に基づいて被検画像Ｒを生成することを特徴とする液晶駆動基板の検査装置。
【請求項６】
請求項４記載の液晶駆動基板の検査装置において、電源装置は、データ電圧を画像Ａ，Ｄの撮像時については第１の電圧値Ｖhiに設定し、画像Ｂ，Ｃの撮像時については第２の電圧値Ｖloに設定することを特徴とする液晶駆動基板の検査装置。
【請求項７】
請求項５記載の液晶駆動基板の検査装置において、電源装置は、データ電圧を画像Ａ，Ｂの撮像時については第１の電圧値Ｖhiに設定し、画像Ｃ，Ｄの撮像時については第２の電圧値Ｖloに設定することを特徴とする液晶駆動基板の検査装置。
【請求項８】
一面に透明電極が備えられた電気光学素子板を画素電極が行列状に多数設けられた液晶駆動基板に対向配置し、透明電極に撮像手段のフレーム周波数に同期した両極性のバイアス電圧また画素電極にはバイアス電圧に同期したデータ電圧を印加し、複数フレームに亘って撮像手段で撮影された電気光学素子板表面の画像を加算して被検画像を生成し、該被検画像に基づいて画素電極の異常箇所を識別する液晶駆動基板の検査方法において、
バイアス電圧の各々の極性期間毎にデータ電圧を印加し、これら各極性期間に得られた前記画像から被検画像を生成することを特徴とする液晶駆動基板の検査方法。
【請求項９】
請求項８記載の液晶駆動基板の検査方法において、バイアス電圧の周波数を撮像手段のフレーム周波数の１／２とすることを特徴とする液晶駆動基板の検査方法。
【請求項１０】
請求項９記載の液晶駆動基板の検査方法において、データ電圧をバイアス電圧の半周期毎に異なる電圧値とし、連続する４フレームの画像をバイアス電圧の各極性における電気光学素子板の電気光学特性の差を打ち消すように加算して被検画像を生成することを特徴とする液晶駆動基板の検査方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の液晶駆動基板の検査方法において、連続する４フレームの画像をＡ〜Ｄとした場合に、演算式（Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ）に基づいて被検画像Ｒを生成することを特徴とする液晶駆動基板の検査方法。
【請求項１２】
請求項１０記載の液晶駆動基板の検査方法において、連続する４フレームの画像をＡ〜Ｄとした場合に、演算式（Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄ）に基づいて被検画像Ｒを生成することを特徴とする液晶駆動基板の検査方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の液晶駆動基板の検査方法において、データ電圧を、画像Ａ，Ｄについては第１の電圧値Ｖhiとし、画像Ｂ，Ｃについては第２の電圧値Ｖloとすることを特徴とする液晶駆動基板の検査方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の液晶駆動基板の検査方法において、データ電圧を、画像Ａ，Ｂについては第１の電圧値Ｖhiとし、画像Ｃ，Ｄについては第２の電圧値Ｖloとすることを特徴とする液晶駆動基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示パネルに用いられる液晶駆動基板の検査装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
周知のように、液晶表示パネルは、液晶に電界を加える液晶駆動基板に液晶が封入されたガラス板を対向配置したものである。この液晶表示パネルは、液晶駆動基板の画素電極に加えるデータ電圧を制御して液晶に加える電界を調節し、この電界調節によって液晶の光透過率をコントロールして画像を表示するものである。このような液晶表示パネルに用いられる液晶駆動基板は、ガラス板上に行列状態に設けられた複数の画素電極を備え、これら画素電極に加える電圧をＴＦＴ等のスイッチング素子を用いてコントロールするものである。
【０００３】
上記液晶駆動基板の作動を検査する検査装置としては、例えば特開平５−２５６７９４号公報に記載された電気光学素子板（モジュレータと称する）を用いるものがある。
【０００４】
図６は、このような検査装置の構成例を示す概要図である。この図において、符号Ｂはモジュレータである。このモジュレータＢは、内部に液晶が封入された液晶シートｂ1の片面に薄膜透明電極ｂ2を貼り合わせ、またもう一方の面にモジュレータＢに照射された光を反射する誘電体反射膜ｂ3を蒸着または貼り合わせて構成される。このようなモジュレータＢは、図示しない検査装置本体に固定され、また液晶駆動基板ＡはモジュレータＢに微小ギャップ（１０μｍ〜数１０μｍ）を隔てて対向配置される。液晶駆動基板Ａは、ガラス基板ａ1上に多数の画素電極ａ2が行列状に設けられ、これら各画素電極ａ2への電圧の印加がＴＦＴ（薄膜トランジスタ：図示略）等のスイッチング素子によって制御されるようになっている。
【０００５】
そして、モジュレータＢの薄膜透明電極ｂ2及び液晶駆動基板Ａの各ＴＦＴのゲート電極とソース電極には、電圧印加装置Ｃによって液晶駆動基板Ａの動作を検査するために必要な所定電圧が印加され、さらにモジュレータＢの表面には光源Ｄ（ＬＥＤ等）によって光が照射される。この状態において、ＣＣＤカメラＥは、モジュレータＢの表面からの反射光によってモジュレータＢの表面の模様を画像として捉える。
【０００６】
ここで、液晶駆動基板Ａは微小間隔をおいてモジュレータＢに対向して配置されているので、液晶シートｂ1内に封入された液晶は、薄膜透明電極ｂ2と液晶駆動基板Ａの各画素電極ａ2との間に発生する電界の影響を受けて分子の配向状態が変化することになる。この結果、該液晶の分子配向の状態に応じて液晶シートｂ1の光透過率が調節され、よってモジュレータＢに照射された光の反射率が変化することになる。
【０００７】
この結果、ＣＣＤカメラＥによって捉えられるモジュレータＢの表面画像は、液晶駆動基板Ａの各画素電極ａ2に印加された電圧を反映させた輝度の画像（電圧イメージ画像）となる。画像処理装置Ｆは、この電圧イメージ画像に一定の画像処理を施すことによって正常な電圧が印加されていない画素電極ａ2（欠陥画素）を特定し、例えばその欠陥数等に基づいて液晶駆動基板Ａの良否を検査する。そして、この検査結果は、モニタＧに送られて表示される。
【０００８】
ところで、上記画像を得る場合に薄膜透明電極ｂ2には、モジュレータＢの電気光学特性を考慮して一定パターンのバイアス電圧が印加される。図７は、モジュレータＢの電気光学特性の一例を示すものであり、この電気光学特性つまりモジュレータＢへの印加電圧に対する反射光量の関係は、図示するように非線形特性を有する。
【０００９】
また、図８は、このような電気光学特性を有するモジュレータＢを用いた液晶駆動基板Ａの検査の際に印加されるバイアス電圧とデータ電圧の波形を示すものである。この図に示すように、従来の検査では、例えば±２３０Ｖp-pの両極性方形波をバイアス電圧として薄膜透明電極ｂ2に印加し、該バイアス電圧が正極性の期間について所定電圧のデータ電圧を各画素電極ａ2に印加していた。
【００１０】
そして、できるだけ精度良く画素電極ａ2の電圧イメージを得るために、モジュレータＢの表面画像を、例えばＡフレーム〜Ｄフレームまで合計４フレーム撮影し、これら各フレームの画像を加算することによって被検画像（最終的な電圧イメージ画像）としている。そして、この被検画像を画像処理することによって画素電極ａ2の電圧印加異常等を検出し、液晶駆動基板Ａの動作異常を検査していた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記バイアス電圧の周波数は、ＣＣＤカメラＥのフレーム周波数に合わせて、例えば３３．３ｍｓに設定されている。したがって、バイアス電圧が正極性である期間つまり約１６ｍｓの間に、データ電圧をＴＦＴのソース電極に印加して各画素電極ａ2にデータ電圧を書き込み、該データ電圧の書き込みによってモジュレータＢの反射光量が十分に飽和して安定した状態でモジュレータＢの表面の画像を取得しなければならない。
【００１２】
しかし、全画素に信号を書き込むための時間が１０数ｍｓ必要な液晶駆動基板の場合は、画素への信号の書き込みが完了してからモジュレータＢの表面の画像を取得するまでの時間が数ｍｓしか残されていない。したがって、このような液晶駆動基板の場合、上記１６ｍｓの時間は、液晶シートｂ1の液晶の応答遅れの影響によって、モジュレータＢからの反射光量が安定するために必要な十分な時間ではなく、よってデータ電圧の書き込み時間を従来よりも長くしたいという要求があったが、この場合、バイアス電圧の周波数は、従来の２倍つまり６６．６ｍｓとなるため検査のスループットが低下するという問題点がある。
【００１３】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、スループットの低下を来すことなく、データ電圧の十分な書き込み時間を確保することが可能な液晶駆動基板の検査装置及び方法の提供を目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、液晶駆動基板の検査装置に係わる第１の手段として、一面に透明電極が備えられ、画素電極が行列状に多数設けられた液晶駆動基板に対向配置された電気光学素子板と、前記透明電極に撮像手段のフレーム周波数に同期した両極性のバイアス電圧を印加すると共に、画素電極にはバイアス電圧の各極性毎にデータ電圧を印加する電源装置と、バイアス電圧とデータ電圧とが印加された状態で、電気光学素子板の表面の画像を撮像する撮像手段と、バイアス電圧の各々の極性期間における複数フレームに亘る画像を加算して被検画像を生成し、該被検画像を画像処理して画素電極の異常箇所を識別して検査結果を出力する画像処理装置とを具備する手段を採用する。
【００１５】
また、液晶駆動基板の検査装置に係わる第２の手段として、上記第１の手段において、バイアス電圧の周波数を撮像手段のフレーム周波数の１／２に設定するという手段を採用する。
【００１６】
液晶駆動基板の検査装置に係わる第３の手段として、上記第２の手段において、データ電圧をバイアス電圧の半周期毎に異なる電圧値とし、画像処理装置は、連続する４フレームの画像をバイアス電圧の各極性における電気光学素子板の電気光学特性の差を打ち消すように加算して被検画像を生成するという手段を採用する。
【００１７】
液晶駆動基板の検査装置に係わる第４の手段として、上記第３の手段において、連続する４フレームの画像をＡ〜Ｄとした場合に、演算式（Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ）に基づいて被検画像Ｒを生成するように画像処理装置を構成するという手段を採用する。
【００１８】
液晶駆動基板の検査装置に係わる第５の手段として、 上記第３の手段において、連続する４フレームの画像をＡ〜Ｄとした場合に、演算式（Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄ）に基づいて被検画像Ｒを生成するように画像処理装置を構成するという手段を採用する。
【００１９】
液晶駆動基板の検査装置に係わる第６の手段として、 上記第４の手段において、データ電圧を画像Ａ，Ｄの撮像時には第１の電圧値Ｖhiとし、画像Ｂ，Ｃの撮像時には第２の電圧値Ｖloに設定するように電源装置を構成するという手段を採用する。
【００２０】
液晶駆動基板の検査装置に係わる第７の手段として、 上記第５の手段において、データ電圧を画像Ａ，Ｂの撮像時には第１の電圧値Ｖhiに設定し、画像Ｃ，Ｄについては第２の電圧値Ｖloに設定するように電源装置を構成するという手段を採用する。
【００２１】
一方、本発明では、液晶駆動基板の検査方法に係わる第１の手段として、一面に透明電極が備えられた電気光学素子板を画素電極が行列状に多数設けられた液晶駆動基板に対向配置し、透明電極に撮像手段のフレーム周波数に同期した両極性のバイアス電圧また画素電極にはバイアス電圧に同期したデータ電圧を印加し、複数フレームに亘って撮像手段で撮影された電気光学素子板表面の画像を加算して被検画像を生成し、該被検画像に基づいて画素電極の異常箇所を識別する液晶駆動基板の検査方法において、バイアス電圧の各々の極性期間毎にデータ電圧を印加し、これら各極性期間に得られた前記画像から被検画像を生成するという手段を採用する。
【００２２】
また、液晶駆動基板の検査方法に係わる第２の手段として、上記第１の手段において、バイアス電圧の周波数を撮像手段のフレーム周波数の１／２とするという手段を採用する。
【００２３】
液晶駆動基板の検査方法に係わる第３の手段として、上記第２の手段において、データ電圧をバイアス電圧の半周期毎に異なる電圧値とし、連続する４フレームの画像をバイアス電圧の各極性における電気光学素子板の電気光学特性の差を打ち消すように加算して被検画像を生成するという手段を採用する。
【００２４】
液晶駆動基板の検査方法に係わる第４の手段として、上記第３の手段において、連続する４フレームの画像をＡ〜Ｄとした場合に、演算式（Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ）に基づいて被検画像Ｒを生成するという手段を採用する。
【００２５】
液晶駆動基板の検査方法に係わる第５の手段として、上記第３の手段において、連続する４フレームの画像をＡ〜Ｄとした場合に、演算式（Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄ）に基づいて被検画像Ｒを生成するという手段を採用する。
【００２６】
液晶駆動基板の検査方法に係わる第６の手段として、上記第４の手段において、データ電圧を、画像Ａ，Ｄについては第１の電圧値Ｖhiとし、画像Ｂ，Ｃについては第２の電圧値Ｖloとするという手段を採用する。
【００２７】
液晶駆動基板の検査方法に係わる第７の手段として、上記第５の手段において、データ電圧を、画像Ａ，Ｂについては第１の電圧値Ｖhiとし、画像Ｃ，Ｄについては第２の電圧値Ｖloとするという手段を採用する。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明に係わる液晶駆動基板の検査装置及び方法の一実施形態について説明する。なお、上述した図面について既に説明した部材については、同一符号を付すと共にその説明を省略する。
【００２９】
図１は、本実施形態における上記検査装置の構成図である。この図において、符号１は電気光学素子板（モジュレータ）であって、内部に液晶が封入された液晶シート１ａと薄膜透明電極１ｂと誘電体反射膜１ｃとから構成されている。このモジュレータ１は、例えば方形状（４０ｍｍ×４０ｍｍ）の液晶シート１ａの片面に薄膜透明電極１ｂを貼り合わせ、かつもう一方の面に誘電体反射膜１ｃを蒸着または貼り合わせて構成されている。
【００３０】
このモジュレータ１は、その面が水平かつ誘電体反射膜１ｃが下向きとなるように図示しない検査装置本体に固定され、その下方には微小ギャップ△ｄ（１０μｍ〜数１０μｍ）を隔てて上述した液晶駆動基板Ａが対向配置されるようになっている。
【００３１】
符号２はＸ−Ｙステージであり、図示しない制御装置による制御の下に、水平面内で液晶駆動基板Ａを移動させるものである。液晶駆動基板Ａが比較的大型の場合には、液晶駆動基板Ａの面積がモジュレータ１よりも大きくなるので、すべての画素電極ａ2をモジュレータ１と対向させることができない。そこで、液晶駆動基板ＡをＸ−Ｙステージ２上に載置し、該Ｘ−Ｙステージ２を作動させることによって液晶駆動基板Ａが水平面内で移動され、すべての画素電極ａ2がモジュレータ１と対向し得るようにしている。
【００３２】
符号３はビームスプリッタ、４は光源である。ビームスプリッタ３は、モジュレータ１の上方に対向状態に備えられ、その側方に備えられた光源４から照射された光を反射してモジュレータ１の全面に照射する。また、このビームスプリッタ３は、モジュレータ１からの反射光を上方に透過させる作用を持つものである。ここで、光源４は、例えばＬＥＤ（Light-Emitting Diode）等の高輝度の光を放射するものが適用され、図示しない制御装置によってストロボ状にその発光が制御されるものである。
【００３３】
符号５はフィルタ（光学フィルタ）であり、上記ビームスプリッタ３の上方に備えられ、該ビームスプリッタ３を透過したモジュレータ１の反射光から特定波長範囲の光のみをレンズ６に透過するものである。レンズ６は凸レンズであり、フィルタ５を透過した光を集光させてＣＣＤカメラ７に導くものである。
【００３４】
ＣＣＤカメラ７は、レンズ６から入射された光に基づいて上記モジュレータ１の表面の画像を撮像するものである。このＣＣＤカメラ７は、例えば撮像時のフレーム周波数が３０Ｈｚ（周期：３３．３ｍｓ）、空間分解能が２．８ＣＣＤ／１００μｍ、画素数が１０２４ｋの性能を有し、撮像した電圧イメージ画像をデジタル映像信号として画像処理装置８に出力する。なお、上記液晶駆動基板Ａの画素電極ａ2のピッチは、例えば１００μｍ程度であり、上記ＣＣＤカメラ７の分解能は、この画素電極ａ2のピッチに対して十分な性能を有している。
【００３５】
画像処理装置８は、ＣＣＤカメラ７から入力されたデジタル映像信号に所定の画像処理を施すことによって、上記電圧イメージ画像から液晶駆動基板Ａの欠陥部分（正常にデータ電圧が印加されていない、または印加されたデータ電圧が正常に保持されない画素電極ａ2）を検出し、その結果をモニタ９に出力する。例えば、画像処理装置８は、欠陥部分と正常部分とを色分けしてモニタ９に表示させたり、欠陥部分の個数を数値表示させるための映像信号をモニタに出力する。なお、この画像処理装置８における処理については、以下に詳述する。
【００３６】
また、符号１０は電源装置であって、モジュレータ１の薄膜透明電極１ｂにバイアス電圧ＥBを印加すると共に、液晶駆動基板Ａにデータ電圧ＥDを印加するためのものである。バイアス電圧ＥBは、上記ＣＣＤカメラ７のフレーム周波数３０Ｈｚ（周期：３３．３ｍｓ）の１／２つまり周波数１５Ｈｚ（周期：６６．６ｍｓ）で±２３０Ｖp-pの両極性方形波である。一方、データ電圧ＥDは、上記ＴＦＴのソース端子に加えられて該ＴＦＴが導通状態となったときに画素電極ａ2に印加されるものであり、上記バイアス電圧ＥBに同期して所定電圧Ｅaから±△ｅだけ方形波状に変化するものである。
【００３７】
なお、図示しないが、液晶駆動基板ＡにはＴＦＴの導通／遮断状態を制御するためのゲート電圧も電源装置１０から供給されるようになっている。この電源装置１０は、図示しない制御装置による制御の下、上記バイアス電圧ＥBとデータ電圧ＥDとを出力する。
【００３８】
次に、このように構成された液晶駆動基板の検査装置の動作について詳しく説明する。
【００３９】
本実施形態において、画像処理装置８は、上記図２に示すようにモジュレータ１表面に係わるＡフレーム〜Ｄフレームまでの連続４フレームの電圧イメージ画像を加算することによって、画像処理の対象とする被検画像を生成する。
【００４０】
この際、上記バイアス電圧ＥBは、例えばＡフレーム及びＣフレームの撮像期間においては正極性、またＢフレーム及びＤフレームの撮像期間においては負極性とされ、また各フレームのデータ電圧ＥDは全て異なる値とされる。例えば、図２に示すように、データ電圧ＥDは、Ａフレームでは所定電圧Ｅaに対して電圧△ｅaを加算した値、Ｂフレームでは所定電圧Ｅaに対して電圧△ｅbを加算した値、Ｃフレームでは所定電圧Ｅaに対して電圧△ｅcを減算した値、Ｄフレームでは所定電圧Ｅaに対して電圧△ｅdを減算した値とされる。
【００４１】
すなわち、図８に示した従来の電圧印加パターンと比較すると判るように、本実施形態ではバイアス電圧ＥBの負極性期間をも利用してバイアス電圧ＥBの負極性期間及び正極性期間を２倍（約１６．６ｍｓ→３３．３ｍｓ）とすることによって、従来と同様に４フレームの期間つまりスループットを低下させることなく、各フレームにおけるデータ電圧ＥDの印加時間を原理的に２倍長くすることができる。
【００４２】
このようにバイアス電圧ＥBとデータ電圧ＥDとがそれぞれ印加された状態において、ゲート電圧が印加されて各ＴＦＴが導通状態とされてデータ電圧ＥDが画素電極ａ2に印加される。そして、画素電極ａ2の電圧が十分に飽和して安定した状態において、光源４からストロボ状に光が出射され、ビームスプリッタ３を介してモジュレータ１に照射される。
【００４３】
そして、上記バイアス電圧ＥB及び画素電極ａ2へのデータ電圧ＥDの印加状態に応じてモジュレータ１の液晶シート１ａに加えられる電界の強度が決まり、この電界強度に応じて液晶シート１ａの光反射率が操作されるので、モジュレータ１において反されれる反射光の光量（反射光量）が変わる。すなわち、ＣＣＤカメラ７に入射する光は、モジュレータ１に照射された光がバイアス電圧ＥB及び各画素電極ａ2に実際に印加された電圧によって強度変調された反射光となる。
【００４４】
しかし、実際には、モジュレータ１の液晶シート１ａの電荷移動等の影響により、モジュレータ１の液晶シート１ａの内部に印加される実質的な電界が変化する。これは、同じバイアス電圧ＥB、同じデータ電圧ＥDを印加して液晶シート１ａの両面に印加される電圧が一定であっても、時間の経過とともに液晶シート１ａの内部に実質的に加えられる電界が変化するからである、例えば、そのまま同じ外部電圧を保持した場合、最終的には液晶シート１ａの内部にかかる実質的な電圧は０Ｖとなる。
【００４５】
このような性質のため、ある時刻における液晶シート１ａ内部の実質電圧は、当該時刻におけるバイアス電圧ＥBとデータ電圧ＥDのみから決定されるものではなく、それ以前の印加電圧履歴によって電荷がどこに偏在しているかにも影響される。例えば、バイアス電圧ＥBの正負の極性のそれぞれの印加期間に長短がある場合には、期間が長い極性を相殺するような電荷の偏在が発生しており、正負の両極性で同じ絶対値の外部電圧が印加されても、液晶シート１ａ内部の実質電圧は、正極性と負極性とで差異が発生する。
【００４６】
また、例えばバイアス電圧ＥBが０Ｖの状態から電圧を印加開始した場合には、初期段階では各極性における液晶シート１ａの実質的な内部電圧の絶対値は等しくない。この場合、モジュレータ１から得られる反射光量は、バイアスの正負極性期間において、電荷移動等による影響がない場合の値に対して各々にオフセットを持った値となる。
【００４７】
ＣＣＤカメラ７は、このような反射光に基づいてＡフレーム〜Ｄフレームの電圧イメージ画像を撮像し、画像処理装置８にデジタル映像信号として出力する。そして、画像処理装置８は、これら各フレームの電圧イメージを以下の式（１）あるいは式（２）に基づいて被検画像Ｒを生成する。
Ｒ＝｛Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄ｝／２                    （１）
Ｒ＝｛Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ｝／２                    （２）
【００４８】
このような演算によって被検画像Ｒを得ることによって、バイアス電圧ＥBが正極性側にあるときのモジュレータ１の応答特性とバイアス電圧ＥBが負極性側にあるときのモジュレータ１の応答特性との間に定常的に発生している反射光量の差を打ち消すことができる。画像処理装置８は、この被検画像Ｒを電圧に変換する係数Ｇを乗算することにより実際のイメージ電圧を生成する。
【００４９】
例えば、各フレームに印加されるデータ電圧ＥDをＰA，ＰB，ＰC，ＰDとし、上式（１）に基づいてイメージ電圧Ｖ1を算出すると、下式（３）のように求められる。
Ｖ1＝｛ＰA＋ＰB−ＰC−ＰD｝／２               （３）
また、上式（２）に基づいてイメージ電圧Ｖ2を算出すると下式（４）のように求められる。
Ｖ2＝｛ＰA−ＰB−ＰC＋ＰD｝／２               （４）
なお、このイメージ電圧Ｖ1，Ｖ2の算出の詳細については、以下に詳述する。
【００５０】
何らかの異常によりある画素電極ａ2にデータ電圧ＥDが正常に印加されない場合、この画素電極ａ2に対向するモジュレータ１の部分は、正常にデータ電圧ＥDが印加された周囲の画素電極ａ2に対向するモジュレータ１の部分と比較して輝度が異なることになる。この場合、画像処理装置８は、被検画像Ｒを２値化することによって、正常動作をしている画素電極ａ2の部分に対して正常に動作していない画素電極ａ2の部分を識別することができる。
【００５１】
画像処理装置８は、この識別情報に基づいて異常な画素電極ａ2の個数やその分布状態等を検査結果としてモニタ９に出力する。この結果を検査員が指定した許容値に基づいて当該検査対象となっている液晶駆動基板の良否を判定して検査が終了する。
【００５２】
次に、上記式（１）に基づいて被検画像Ｒを生成することの技術的根拠について説明する。なお、この説明では説明を容易にするため、データ電圧ＥD＝０Ｖとする。
【００５３】
図３は、上記モジュレータ１の液晶部分に実際に印加される電圧ＶMの絶対値｜ＶM｜と反射光量ＩRとの関係（電気光学特性）を示すグラフである。図３に示すように、モジュレータ１の電気光学特性は略Ｓ字状の特性（Ｓカーブ）を有しており、このうち直線状の特性部分を利用して液晶駆動基板Ａのイメージングを行っている。この電気光学特性の直線部分を数式化すると、式（５）のように表される。
ＩR＝Ｋ1・｜ＶM｜＋ｂ                      （５）
【００５４】
この式（５）から解るように、モジュレータ１の電気光学応答（Ｅ／０応答）は、理論的には印加電圧に対して正負対称である。しかし、実際にはモジュレータ１の内部の電荷移動等の影響によってモジュレータ１の液晶シートに印加される電圧ＶMが変化する。同じバイアス電圧ＥBを印加していても時間経過とともに電圧ＶMが変化して最終的には０Ｖになってしまう。
【００５５】
図４は、モジュレータ内の電荷移動の様子を模式的に示した説明図である。図４に示すように、例えばモジュレータ１の両面に＋Ｅボルトの電圧を印加した場合、モジュレータ内では電荷の移動が発生する。この電荷の移動は、ある一定の時間遅れで起こり、印加電圧の極性が＋Ｅボルトから−Ｅボルトに反転しても、溜まった電荷はすぐには解消されず、反転直後においてはモジュレータ１の内部電界を強める方向に働く。
【００５６】
このような応答をする実際のモジュレータ１においては、バイアス電圧ＥBをの正負極性の印加期間の微妙な差や電圧レベルの差によって、モジュレータ１の内部に実際に印加される電圧ＶMが正負非対称になることが考えられる。図５は、このような状態でのモジュレータ電圧の変化の様子を示す図である。なお、この図では、正負非対称成分のみを強調するために、パネルに書き込むデータ電圧ＥDを０Ｖ（一定）としている。
【００５７】
液晶駆動基板Ａのイメージングは、上述したようにバイアス電圧ＶBの正負極性の各所定時点においてストロボを発光させて行われる。理論的にはバイアス電圧ＥBの正負極性のパルス幅の差が無い（すなわデューティ比が５０％）場合は、電圧イメージを撮像するタイミングにおける電圧ＶMの絶対値ｌＶMｌは、正極及び負極の両極において同じ値（以下、理論値という）となる。
【００５８】
しかし、実際には、バイアス電圧ＥBの正負極性の期間の微妙な差によって、モジュレータ１の内部に印加される電圧ＶMは、理論値に対してオフセットを持つ。ストロボタイミングにおける理論的な電圧ＶMの絶対値をｌＶMｌ、正極における絶対値ｌＶMｌの理論値と実際の値との差をＶOFFSET(+)、負極における電圧絶対値ｌＶMｌの理論値と実際の値との差をＶOFFSET(-)、データ電圧ＥDをＶP、バイアス電圧ＥBをＶBとすると、バイアス電圧ＥBの各極性について次のような関係式（６），（７）が成立する。
【００５９】
正極性の場合：ｌＶMＩ＝Ｋ2（ＶB−ＶP）＋ＶOFFSET(+)         （６）
負極正の場合：ｌＶMＩ＝Ｋ2（−ＶB＋ＶP）＋ＶOFFSET(-)       （７）
ここで、係数Ｋ2は、モジュレータ１の容量とエアギャップの容量の逆比である。エアギャップが同じであれば一定の値を取る。
【００６０】
これら関係式（６），（７）を式（５）に代入すると、以下のような関係式（８），（９）が得られる。
正極性の場合：ＩＲ+＝Ｋ1｛Ｋ2（ＶB−ＶP）＋ＶOFFSET(+)｝＋ｂ    （８）
負極正の場合：ＩＲ-＝Ｋ1｛Ｋ2（−ＶB＋ＶP）＋ＶOFFSET(-)｝＋ｂ……（９）
【００６１】
ここで、モジュレータ１の反射光量ＩRは、モジュレータ１にかかる電圧の大きさに比例して変化する。バイアス電圧ＥBの正負に関係なく、モジュレータ−液晶駆動基板間の電圧の大きさが同じであれば、同じ反射光量ＩRとなる。つまり、モジュレータ１にかかる電圧は、モジュレータ−液晶駆動基板間にかかる電圧の容量の逆比で表されるため、モジュレータ−液晶駆動基板間電圧の大きさが同じであれぱ、モジュレータ１にかかる電圧も同じとなる。
【００６２】
しかし、上記関係式（８），（９）の通り、モジュレータ−液晶駆動基板間にかかる電圧が同じであっても、オフセット分だけ反射光量ＩRが変化する。この変化分は、データ電圧ＥDとは無関係であり無用の情報であるため、バイアス電圧ＶBの両極性を使用して液晶駆動基板Ａのイメージングをする場合、このオフセット分の影響を相殺するための演算方式が必要となる。その演算方式について以下に説明する。
【００６３】
データ電圧ＥDを０Ｖ一定とした場合、モジュレータ１から得られる電圧イメージの演算結果の期待値も０Ｖとなる。イメージ電圧は、理論的にはＳカーブにおけるＥ／０ゲイン（反射光量ＩRをイメージ電圧に変換するための係数）とオフセットとの関係から、反射光量ＩRが分かれば求めることができる。しかし、データ電圧ＶPとバイアス電圧ＶBが同じであっても、モジュレータ１と液晶駆動基板Ａとの間のギャップは、時と場所とによって変化し、またランプ照明系の照度も場所によって変化するため、Ｓカーブは時と場所によって変化する。
【００６４】
そこで、イメージングする毎にモジュレータ１がカバーする全ての部位におけるＥ／Ｏゲインとオフセットを予め求める必要がある。Ｅ／０ゲインは、Ｓカーブの直線応答領域のどの場所でも一定であるので、Ｓカーブ上の異なる２点のデータを取ることによって測定できる。しかし、オフセットは、Ｓカーブに起因するパラメークが多く、それら全てのパラメータを特定しないとその絶対的な値を特定することはできない。そこで、絶対値はわからなくても少なくとも２つのフレームの反射光量ＩRの差分を取ることにより、オフセット成分を相殺する方法を考案した。
【００６５】
考え方によっては、一方をオフセットを検知するための基準フレームイメージと捉えることも可能であるが、液晶駆動基板Ａには欠陥画素部も含まれているため、パネル上の全ての部位で同じ条件でオフセットを検知することはできない。このような意味では、２つのイメージのどちらかを基準にするという考え方は成立しない。また、なるべく多くの現象を時間の無駄なく採取するという意味で、２つのイメージで別な印加波形を印加して，２つの現象を一つのイメージとして得られるというメリットがある。このイメージをフレーム差分イメージという。
【００６６】
画像処理装置８によるイメージ演算の結果出力されるイメージ電圧Ｖは、下式（１０）に示すように２つ以上のフレームの差分の電圧である。
Ｖ＝Ｇ・△Ｉ                           （１０）
ここで、Ｇは反射光量ＩRをイメージ電圧に変換するための係数であり、０以外の値を取る。したがって、この計算結果が０Ｖになるためには、演算後の反射光量△Ｉが０となる必要がある。
【００６７】
上式（８），（９）にＶP＝０，バイアス電圧ＥBの正極性電圧を＋Ｅ、負極正電圧を−Ｅとして代入すると、バイアス電圧ＥBが正極性の場合における反射光量ＩR+と負極性の場合における反射光量ＩR-について、下式（１１），（１２）が得られる。
0003961134.tif 000002
【００６８】
この２つのフレームの反射光量ＩR+，ＩR-の差分を用いて上記イメージ電圧Ｖを求めると、次式（１３）のように求められる。
0003961134.tif 000003
【００６９】
この式（１３）から解るように、正極性のフレームイメージと負極性のフレームイメージとの差分だけでは非対称成分のオフセットが残る。このため、このオフセット分を打ち消すための必要最小限のフレーム数と演算方式を検討する必要がある。
【００７０】
バイアス電圧ＥBの正極性電圧が印加されるフレームをＡフレーム、次の負極性電圧が印加されるフレームをＢフレーム、以後Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ……とすると、演算後の反射光量△Ｉが０となるような演算方式には、以下の４式（１４）〜（１７）がある。
0003961134.tif 000004
【００７１】
ここで、上記Ａ−Ｃ，Ｂ−Ｄに関しては、バイアス電圧ＥBの同一極性の部分しか使用しないため検討から除外する。この結果、Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ，Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄの演算方式が有効であることが判る。
【００７２】
式（１）あるいは式（２）のいずれを用いて被検画像Ｒを生成できるが、以下に詳説するように式（１）を用いた場合には、モジュレータ１の応答特性の経時的なドリフトをもキャンセルすることが可能であり、より精度の良い被検画像Ｒを得ることができるという特徴を有する。当然、モジュレータ１の応答特性の経時的なドリフトを考慮する必要がないと判断される場合には、式（１）あるいは式（２）のいずれを用いても良い結果が得られる。
【００７３】
以上の検討では、モジュレータ１の経時的なドリフト成分が無いものとして検討を行っている。これは、実際の検査では相対しきい値手法（電圧分布のピークを基準としてしきい値を設定するの手法）を用いているため、ドリフト成分は影響しないからである。しかし、実際のモジュレータ１の電気光学特性では、同じ条件（同じデータ電圧ＥD、固じバイアス電圧ＥB、同じモジュレータ−液晶駆動基板間ギャップ）でも時間的に反射光量ＩRが変化する。このため、モジュレータ１のドリフト成分を考えた場合に、Ａ＋Ｂ−Ｃ−ＤあるいはＡ−Ｂ−Ｃ＋Ｄの演算方式で結果がどのようになるか、以下に検討する。
【００７４】
このドリフト量は、種々の計測結果から時間的に比例していると見なすことができる。ここで、Ａフレームを基準にドリフト成分を考えた場合と、反射光量ＩRは以下のようになる。なお、ここでは、ドリフト成分が無い場合の反射光量ＩRをＩA，ＩB，ＩC，ＩD、ドリフト量をαとする。
Ａフレーム：ＩA
Ｂフレーム：ＩB＋α
Ｃフレーム：ＩC＋２α
Ｄフレーム：ＩD＋３α
【００７５】
上記ドリフト成分を考慮してＡ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ，Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄの演算方式で反射光量ＩRの計算を行うと、下式（１８），（１９）のようになる。
0003961134.tif 000005
【００７６】
上式（１９）は、本実施形態で採用したＡ−Ｂ−Ｃ＋Ｄの演算方式を用いることにより、経時的なモジュレータ１のドリフト成分をキャンセルできることを示している。
【００７７】
次に、Ａフレームではデータ電圧ＥDを所定電圧Ｅaに対して電圧△Ｅeaを加算した値、Ｂフレームでは所定電圧Ｅaに対して電圧△Ｅebを加算した値、Ｃフレームでは所定電圧Ｅaに対して電圧△Ｅecを減算した値、Ｄフレームでは所定電圧Ｅaに対して電圧△Ｅedを減算した値とすることの技術的根拠について補足説明する。
【００７８】
（Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ）あるいは（Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄ）の演算方式を用いた場合において、データ電圧ＥDを一般化した式を導出する。上述したようにイメージ演算の結果得られるイメージ電圧Ｖは式（１０）によって与えられる。この式（１０）において、△Ｉは演算後の反射光量であり、（Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ）あるいは（Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄ）の演算結果により表される。
【００７９】
ここで、Ａフレームのデータ電圧ＥD（ＥD＝Ｅa＋△Ｅea）をＰA，Ｂフレームのデータ電圧ＥD（ＥD＝Ｅa＋△Ｅeb）をＰB，Ｃフレームのデータ電圧ＥD（ＥD＝Ｅa−△Ｅec）をＰC，Ｄフレームのデータ電圧ＥD（ＥD＝Ｅa−△Ｅed）をＰDとし、式（８），（９），（１１），（１２）より各フレームにおける演算後の反射光量ＩRA，ＩRB，ＩRC，ＩRDは下式（２０）〜（２３）のように求められる。
ＩRA＝Ｋ1｛Ｋ2（ＶB−ＰA）＋ＶOFFSET(+)｝＋ｂ       （２０）
ＩRB＝Ｋ1｛Ｋ2（−ＶB＋ＰB）＋ＶOFFSET(-)｝＋ｂ     （２１）
ＩRC＝Ｋ1｛Ｋ2（ＶB−Ｐｃ）＋ＶOFFSET(+)｝＋ｂ      （２２）
ＩRD＝Ｋ1｛Ｋ2（−ＶB＋ＰD）＋ＶOFFSET(-)｝＋ｂ     （２３）
【００８０】
（ａ）Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄの演算方式の場合
0003961134.tif 000006
【００８１】
また、係数Ｇについては、以下のように表せる。
Ｇ＝−ｌ/（Ｋ１・Ｋ２）                  （２５）したがって、上式（２４），（２５）より、イメージ電圧Ｖ2は下式（２６）のように表される。
Ｖ2＝（ＰA−ＰB−ＰC＋ＰD）/２                  （２６）
【００８２】
（ｂ）Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄの演算方式の場合
0003961134.tif 000007
したがって、この式（２７）と上式（２５）とより、イメージ電圧Ｖ1は下式（２８）のように求められる。
Ｖ1＝（ＰA＋ＰB−ＰC−ＰD）/２            （２８）
【００８３】
式（２６），（２８）より、データ電圧ＥDが各フレーム間で同じである場合、データ電圧ＥDが０Ｖでなくても、イメージ電圧Ｖは０Ｖとなる。このため、データ電圧ＥDを得るためには最低２種類の電圧を液晶駆動基板に印加する必要があることが解る。例えば、このデータ電圧ＥDを２つの異なる電圧値、つまり第１の電圧値Ｖhiあるいは第２の電圧値Ｖlo（Ｖhi＞Ｖlo）とすると、式（２６）によって正極のバイアス電圧ＥBにおけるデータ電圧ＥDを得る場合、各フレームのデータ電圧ＥDを下式（２９），（３０）のように設定することが考えられる。
ＰA＝ＰD＝Ｖhi                            （２９）
ＰB＝ＰC＝Ｖlo                            （３０）
【００８４】
これら式（２９），（３０）を上記式（２６）に代入すると、式（３１）が得られる。
Ｖ＝（Ｖhi−Ｖlo）＞０                    （３１）
したがって、演算式（Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ）を予め２で除算しておくことにより、データ電圧ＥDから簡単にイメージ電圧Ｖの理論値を求めることができる。
【００８５】
一方、式（２８）に基づいてバイアス電圧ＥBが正極のときのデータ電圧ＥDを得る場合、各フレームのデータ電圧ＥDを下式（３２），（３３）のように設定する必要がある。
ＰA＝ＰB＝Ｖhi                            （３２）
ＰC＝ＰD＝Ｖlo                            （３３）
【００８６】
これら式（３２），（３３）を上記式（２８）に代入すると、式（３４）が得られる。
Ｖ＝（Ｖhi−Ｖlo）＞０                    （３４）
この場合についても、演算式Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄを２で予め除算しておくことにより、データ電圧ＥDから簡単にイメージ電圧Ｖの理論値を求めることができる。
【００８７】
以上の技術検討から、本実施形態では、イメージ電圧Ｖを求めるための演算方式を（Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ）または（Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄ）とした。また、データ電圧ＥDを一般化した場合のイメージ電圧Ｖは、演算方式がＡ＋Ｂ−Ｃ−Ｄの場合には、Ｖ＝（ＰA−ＰB−ＰC＋ＰD）／２のように求められ、演算方式がＡ−Ｂ−Ｃ＋Ｄの場合には、Ｖ＝（ＰA＋ＰB−ＰC−ＰD）／２のように求められる。すなわち、各フレームのデータ電圧ＥDは任意の値でよい。
【００８８】
ただし、様々な原因による欠陥画素を正常画素に対して識別するためには、各フレームのデータ電圧ＰA，ＰB，ＰC，ＰDをＶ≠０となるように設定することが好ましい。例えば、演算式がＡ＋Ｂ−Ｃ−Ｄの場合には、ＰA及びＰDを第１の電圧値Ｖhiとし、ＰB及びＰCを第２の電圧値Ｖloとすることが考えられる。また、演算式がＡ−Ｂ−Ｃ＋Ｄの場合には、ＰA及びＰBを第１の電圧値Ｖhiとし、ＰC及びＰDを第２の電圧値Ｖloとすることが考えられる。この場合、最小限の２種類のデータ電圧Ｖhi，Ｖloによってイメージ電圧Ｖ（≠０）を得ることができるので、種々の欠陥画素をより正確に検出できると共に、データ電圧ＥDの設定が容易である。
【００８９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係わる液晶駆動基板の検査装置及び方法によれば、以下のような効果を奏する。
（１）液晶駆動基板の検査装置に係わる第１の手段として、一面に透明電極が備えられ、画素電極が行列状に多数設けられた液晶駆動基板に対向配置された電気光学素子板と、前記透明電極に撮像手段のフレーム周波数に同期した両極性のバイアス電圧を印加すると共に、画素電極にはバイアス電圧の各極性毎に所定電圧値のデータ電圧を印加する電源装置と、バイアス電圧とデータ電圧とが印加された状態で、電気光学素子板の表面の画像を撮像する撮像手段と、バイアス電圧の各々の極性期間における複数フレームに亘る画像を加算して被検画像を生成し、該被検画像を画像処理して画素電極の異常箇所を識別して検査結果を出力する画像処理装置とを具備するので、従来のようにバイアス電圧の一方の極性期間のみにデータ電圧を印加して画像を撮影する場合に対して、スループットの低下を来すことなく、データ電圧の十分な書き込み時間を確保することが可能である。したがって、液晶駆動基板を短時間かつ精度良く検査することができる。
【００９０】
（２）バイアス電圧の周波数を撮像手段のフレーム周波数の１／２に設定するので、スループットの低下を来すことなくデータ電圧の十分な書き込み時間を確保することが可能であり、よって液晶駆動基板を短時間かつ精度良く検査することができる。
【００９１】
（３）データ電圧をバイアス電圧の半周期毎に異なる電圧値とし、画像処理装置は、連続する４フレームの画像をバイアス電圧の各極性における電気光学素子板の電気光学特性の差を打ち消すように加算して被検画像を生成するので、バイアス電圧の両極性を用いても該極性の違いによる電気光学素子板の電気光学特性の差の影響を受けることなく安定した検査が可能である。したがって、液晶駆動基板をさらに精度良く検査することができる。
【００９２】
（４）画像処理装置は、連続する４フレームの画像をＡ〜Ｄとした場合に、演算式（Ａ＋Ｂ−Ｃ−Ｄ）に基づいて被検画像Ｒを生成するので、バイアス電圧の両極性を用いても該極性の違いによる電気光学素子板の電気光学特性の差を最小限のフレーム数でキャンセルすることができる。したがって、液晶駆動基板を短時間かつ精度良く検査することができる。
【００９３】
（５）画像処理装置は、連続する４フレームの画像をＡ〜Ｄとした場合に、演算式（Ａ−Ｂ−Ｃ＋Ｄ）に基づいて被検画像Ｒを生成するので、バイアス電圧の両極性を用いても該極性の違いによる電気光学素子板の電気光学特性の差を最小限のフレーム数でキャンセルするとともに、電気光学素子板の電気光学特性の経時的なドリフトをもキャンセルすることができる。したがって、さらに精度良く液晶駆動基板を検査することができる。
【００９４】
（６）電源装置は、データ電圧を画像Ａ，Ｄの撮像時には第１の電圧値Ｖhiに設定し、画像Ｂ，Ｃの撮像時には第２の電圧値Ｖloに設定するので、最小限の設定電圧数で種々の原因で発生する欠陥画素を正常画素に対してより確実に識別することができる。
【００９５】
（７）電源装置は、データ電圧を画像Ａ，Ｂの撮像時には第１の電圧値Ｖhiに設定し、画像Ｃ，Ｄの撮像時には第２の電圧値Ｖloに設定するので、最小限の設定電圧数で種々の原因で発生する欠陥画素を正常画素に対してより確実に識別することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係わる液晶駆動基板の検査装置及び方法の一実施形態の構成図である。
【図２】  本発明に係わる液晶駆動基板の検査装置及び方法の位置実施形態におけるバイアス電圧とデータ電圧の印加パターンを示す波形図である。
【図３】  本発明に係わる液晶駆動基板の検査装置及び方法の技術的背景を説明するための第１の説明図である。
【図４】  本発明に係わる液晶駆動基板の検査装置及び方法の技術的背景を説明するための第２の説明図である。
【図５】  本発明に係わる液晶駆動基板の検査装置及び方法の技術的背景を説明するための第３の説明図である。
【図６】  従来の液晶駆動基板の検査装置の概要を示す構成図である。
【図７】  モジュレータの電気光学特性を示すグラフである。
【図８】  従来の液晶駆動基板の検査装置における電圧印加パターンを示す波形図である。
【符号の説明】
１……モジュレータ
１ａ……液晶シート
１ｂ……薄膜透明電極（透明電極）
１ｃ……誘電体反射膜
２……Ｘ−Ｙステージ
３……ビームスプリッタ
４……光源
５……フィルタ
６……レンズ
７……ＣＣＤカメラ（撮像手段）
８……画像処理装置
９……モニタ
１０……電源装置
Ａ……液晶駆動基板
ａ1……ガラス板
ａ2……画素電極
ＥB……バイアス電圧
ＥD……データ電圧
【図１】
0003961134.tif 000008
【図２】
0003961134.tif 000009
【図３】
0003961134.tif 000010
【図４】
0003961134.tif 000011
【図５】
0003961134.tif 000012
【図６】
0003961134.tif 000013
【図７】
0003961134.tif 000014
【図８】
0003961134.tif 000015