(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外光を発する光源を有し、原版を介して基板を露光する露光装置であって、
前記光源から該基板に至る光路に配された第１の光学素子と、
該光路に、かつ前記第１の光学素子と隣合って配された第２の光学素子と、
該光路に、かつ前記第２の光学素子に関し前記第１の光学素子とは反対の側に配された第３の光学素子と、
前記第１の光学素子を支持する第１の支持部と前記第２の光学素子を支持する第２の支持部と前記第３の光学素子を支持する第３の支持部とを有し、かつ前記第１の光学素子と前記第２の光学素子と前記第３の光学素子とを収納した鏡筒と、
を有し、
前記第２の光学素子は、その有効範囲外に切り込みを有し、
前記第２の光学素子の切り込みを介して前記第１の光学素子と前記第２の光学素子との間の空間から前記第２の光学素子と前記第３の光学素子との間の空間にパージ用ガスを流入させることにより、前記鏡筒内のガスを該パージ用ガスでパージする、
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
該光路に、かつ前記第２の光学素子と前記第３の光学素子との間に配された第４の光学素子をさらに有し、
前記鏡筒は、前記第４の光学素子を支持する第４の支持部をさらに有し、かつ前記第４の光学素子をさらに収納し、
前記第４の光学素子は、その有効範囲外に切り込みを有し、
前記第２の光学素子の切り込みと前記第４の光学素子の切り込みとは、前記第２の光学素子の光軸を軸とした回転の方向において互いに異なる位置にあり、
前記第２の光学素子の切り込みを介して前記第１の光学素子と前記第２の光学素子との間の空間から前記第２の光学素子と前記第４の光学素子との間の空間にパージ用ガスを流入させ、かつ前記第４の光学素子の切り込みを介して前記第２の光学素子と前記第４の光学素子との間の空間から前記第４の光学素子と前記第３の光学素子との間の空間にガスを流出させることにより、前記鏡筒内のガスを該パージ用ガスでパージする、
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第２の光学素子の切り込みと前記第４の光学素子の切り込みとは、該回転の方向において互いに１８０度異なる位置にある、ことを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記パージ用ガスが、Ｎ２ガス、Ｈｅガスまたは乾燥空気であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項５】
前記光源は、ＫｒＦ，ＡｒＦまたはＦ２のエキシマレーザ光源であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、該露光された基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、露光装置およびデバイス製造方法に関し、特に、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子、ＣＣＤ等の撮像素子、液晶パネル等の表示素子、または磁気へッド等のセンサのような各種のデバイスを製造する際の露光工程に使用される露光装置および上記各種デバイスを製造するためのデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩ等の固体素子の集積度および動作速度を向上させるため、回路パターンの微細化が進んでいる。現在これらのパターン形成には、量産性と解像性能に優れた縮小投影露光法によるリソグラフィが広く用いられている。この方法はマスク上の回路パターンを投影レンズを介して一括して半導体ウエハ等の被露光基板上に転写するものである。その限界解像性能は露光波長に比例し、投影レンズの開口数（ＮＡ）に反比例する。そこで従来より、投影レンズの高ＮＡ化により解像度の向上が行なわれてきた。しかし、半導体デバイスの微細化をさらに進めるために露光光を短波長化する必要がでてきた。
【０００３】
最近では、水銀ランプのｅ線（波長λ＝５４６ｎｍ）、ｇ線（λ＝４３５ｎｍ）、ｈ線（λ＝４０５ｎｍ）やｉ線（λ＝３６５ｎｍ）照明光に加えて、さらに短波長のエキシマレーザ（例えばＫｒＦエキシマレーザ、λ＝２４８ｎｍ）が露光装置として実用化されている。
【０００４】
しかし、高解像力の投影レンズや短波長かつ高照度の光源を用いても、フォトマスクを照明する光の照度（光強度）分布が均一でないと、ウエハ上に露光した回路パターン像は、全面に渡って均一な解像力が得られず、良好な焼き付けが行なわれないという問題が生じる。そのため投影露光装置における照明光学系には焼き付け面全面における均一露光のためにマスク面への照明光束に照度の均一性を持たせることが要求される。そこで従来より光源とマスク面との間にフライアイレンズと呼ばれるレンズアレイやオプティカルファイバ束等からなるオプティカルインテグレータとコンデンサレンズを用いた照明光学系を構成している。エキシマレーザ露光装置では高い解像精度と量産性を実現するために投影レンズの高ＮＡ化および光源を短波長化した結果、従来以上に照度の均一性（±１％以下）を保つことが重要となってきている。
従来、この±１％以下というような照度の均一性を、長時間にわたって維持することは極めて困難であった。
【０００５】
上述した単波長の露光光は、例えば光源としての水銀ランプから出る広範囲の波長帯域の中から所望の波長だけを透過するフィルタまたは波長選択性薄膜（レンズやミラーの表面に蒸着して所望の波長だけを透過または反射する光学薄膜）を用いて取り出している。また、光源から放射された露光光は、レチクルを照明する照明光学系およびレチクルに形成された微細パターンを感光基板上に結像させる投影光学系（投影レンズ）により前記微細パターンを感光基板上に転写・ 露光している。上記のような従来の露光装置において、パターン線幅の微細化に伴い、スループットおよび解像度の向上が要求されるようになり、これに伴って露光光としてはますますハイパワーなものが要求されると同時に、露光光の波長帯域の短波長化が進んでいる。
【０００６】
しかし、ｉ線（波長λ＝３６５ｎｍ）を露光光とする露光装置およびｉ線より短波長の露光光を用いる露光装置においては、短波長化により、露光光が空気中の不純物を酸素と光化学反応させることが知られており、かかる反応による生成物（曇り物質）がガラス部材に付着し、ガラス部材に不透明な「曇り」が生じるという不都合があった。ここで、曇り物質としては、例えば亜硫酸ＳＯ2 が光のエネルギーを吸収し励起状態となると、空気中の酸素と反応（酸化）することによって生じる硫酸アンモニウム（ＮＨ4 ）2 ＳＯ4 が代表的に挙げられる。この硫酸アンモニウムは白色を帯びており、レンズやミラー等の光学部材の表面に付着すると前記「曇り」状態となる。そして、露光光は硫酸アンモニウムで散乱、吸収される結果前記光学系の透過率が減少することになる。
【０００７】
特に、ＫｒＦエキシマレーザのように露光光がｉ線より波長が短い２４８ｎｍ以下になる短波長領域では、露光光がより強い光化学反応を起こさせ、前記「曇り」を生じるばかりでなく、同時に露光光がさらに空気中の酸素を反応させてオゾンを発生し、残存酸素と生成オゾンがともに露光光を吸収してしまう現象がある。そのため露光光の感光基板に到達するまでの光量（透過率）が少なくなりスループットが小さくなるという不都合も生じていた。そこで、密閉構造の筺体内にレンズ等のガラス部材の配置された鏡筒を配置して、筐体の内部に不活性ガスを充填することで酸素濃度を低く保ちオゾンの発生を防ぐことが提案されている（特開平６−２１６０００号公報等）。
しかしながら、従来、これらの「曇り」やオゾンなどによる露光光の吸収によって生じる露光光の減衰や変化は十分防止できていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、パージ用ガスの流路を確保した小型の鏡筒を有する露光装置を提供することにある。
【０００９】
上記目的を達成するための本発明の露光装置は、紫外光を発する光源を有し、原版を介して基板を露光する露光装置であって、前記光源から該基板に至る光路に配された第１の光学素子と、該光路に、かつ前記第１の光学素子と隣合って配された第２の光学素子と、該光路に、かつ前記第２の光学素子に関し前記第１の光学素子とは反対の側に配された第３の光学素子と、前記第１の光学素子を支持する第１の支持部と前記第２の光学素子を支持する第２の支持部と前記第３の光学素子を支持する第３の支持部とを有し、かつ前記第１の光学素子と前記第２の光学素子と前記第３の光学素子とを収納した鏡筒と、を有し、前記第２の光学素子は、その有効範囲外に切り込みを有し、前記第２の光学素子の切り込みを介して前記第１の光学素子と前記第２の光学素子との間の空間から前記第２の光学素子と前記第３の光学素子との間の空間にパージ用ガスを流入させることにより、前記鏡筒内のガスを該パージ用ガスでパージする、ことを特徴とする。
【００１１】
【作用】
縮小投影露光装置の照明光学系や投影光学系の透明プレートやレンズやプリズム等の光学系素子の表面には、反射防止膜（光学薄膜）が形成されている。反射防止膜の形成は、光源からの光を効率良く感光基板上に導くためと、フレアやゴーストが感光基板上へ入射するのを防止することが目的である。しかしながら、反射防止膜のなかにはその性質上気体中の水分を吸収するものが少なくない。これら水分の付着した反射防止膜はその表面の分光反射特性や各面の吸収率がわずかであるが変化し、分光透過率が変化する。一般に照明光学系と投影光学系の光学素子の面の数は合計で数十枚程度でもあり、一面あたりの分光透過率変化が小さくても、全体では大きな分光透過率変化となる。
【００１２】
本発明の第１の局面によれば、照明および投影光学系における光学部品の雰囲気をガスパージして実質的に水分を含まない気体に置換するようにしたため、上述のような複数の光学系素子（光学部品）の水分付着による分光透過率変化による光学系全体の透過率、すなわち照度と照度ムラの変化を抑え、基板上を常に正しい露光量で露光することができる。
【００１３】
一方、光路中に酸素やオゾンが存在する場合の露光光の吸収や「曇り」物質の発生は、レンズなどの光学部品を密閉構造の筐体に収納してその筐体内部に不活性ガスを充填して酸素濃度を低く保つことで解決しようとしている。しかしながら、レンズなどが配置される鏡筒などにおいては、レンズと鏡筒部材とで仕切られた空間が形成されており、これらの空間のガス置換は、必ずしも適切には行なわれない。つまり、露光光の吸収や「曇り」物質の発生を効果的に防止することはできない。
【００１４】
本発明の第２の局面によれば、照明および投影光学系における光学部品の雰囲気をガスパージして不活性ガスに置換するようにするとともに、筺体内および鏡筒内部に通じる流路を設けることでガラス部材の配置される空間の酸素濃度が低く維持されることから、光化学反応の過程における酸化反応を防止することができ、後に続く生成物（曇り物質）の発生がなく防曇を行なうことができるとともに露光光が酸素を反応させることによるオゾンの発生をも効果的に防止（あるいは抑制）することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態に係る縮小投影露光装置では、照明光学系および投影光学系内の光学部品の環境空気をＮ2 ガス、Ｈｅガス、乾燥エア等に置換するための装置を備える。これにより、光学系内の湿度を低下させ、水分の付着を減少し各反射防止膜の分光反射率の変化を防止し、光学系の透過率をほぼ一定に維持することができる。
また、光学系内にパージガスによる置換度を検出するためのセンサ（例えば湿度センサ）を配し、その信号によりガスパージを制御する。
効率的にガスパージを行なうために光学系内のパージガスの吹き出し口と排出口を非直線上に配置する。
さらに、各光学系は、レンズを支持する支持体にガスパージ用の通路が、隣り合う支持体では一直線でないように設けられており、これにより、鏡筒内置換効率の向上を図っている。
【００１６】
本発明の他の実施の形態に係る縮小投影露光装置では、露光光源からの露光光により照明光学系を介してマスクを照明し、前記マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して感光基板上に投影露光する露光装置であって、前記露光光源から前記感光基板に至る露光光の光路上に配置される光学系素子と光学系素子を内部に収納する筐体と、この筐体内で光学素子によって仕切られる各空間へのガスの流路を確保するために、光学系素子に切り込み部を設けている。
【００１７】
上記第２の局面を実現する場合、例えば多数のレンズをその内部に配置する鏡筒の内部において、各レンズによって仕切られる空間内全てに不活性ガスを流通させるため、レンズ支持部に流路を設けたり、あるいは配管を用いて鏡筒の外に流路を確保することが考えられる。
一方、微細化と高スループット化が進んだ結果、投影露光装置は大型化・ 複雑化している。このため各ユニットにおいては可能な限り省スペース化されることが望まれている。従って上記のように曇り対策として、レンズの支持部に流路を設けると有効光束に対し鏡筒の径が大型化することになる。また、配管を用いて鏡筒の外に流路を設けるのは複雑化とコストの上昇につながるために望ましい解決策とはいえない。
【００１８】
そこで、上記他の実施の形態においては、上記のような曇り対策の省スペース化案として、レンズの端部をカットすることを提案する。投影露光装置において光源からの露光光をレチクル上に照明し、投影レンズによりウエハ上にレチクルのパターンを転写する際に使用されているレンズや光学部品の有効範囲外に切り込み部分確保し、不活性ガスの流路とする。これにより配管等の部品等を使うことなく、また、鏡筒の径方向の大型化をすることなく流路の確保が可能となる。特に、近年では、投影露光装置に加えてスキャン方式の投影露光装置が実用されているが、この場合投影露光装置に比較して有効光束が小さくなるためその設計はさらに容易となる。
【００１９】
【実施例】
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
（第１の実施例）
図１は本発明の一実施例に係る投影露光装置の概略構成を示した図である。同図において、１は光源であるＫｒＦ（２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）、Ｆ2（１５７ｎｍ）などのエキシマレーザ、２、３は照明光学系、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３は折り曲げミラーである。照明光学系２、３の内部には光源１からのレーザ光を整形し、かつインコヒーレント化するビーム整形光学系、ならびに２次光源を形成するフライアイレンズおよび集光レンズ等が配置されている。照明光学系３からの光束はレチクルＲに照射され、投影光学系４によって感光基板Ｗ上に投影される。５は感光基板であるウエハＷを保持し、ＸＹ方向に二次元的にステップ移動するＸＹステージである。ここで照明光学系２，３および投影光学系４のそれぞれには、内部空間のガスを置換してパージするための供給用配管および排出用配管が接続されている。
【００２０】
図２、図３は照明光学系２、３および投影光学系４の内部空間の構成を表わす図である。光学系の筐体２０の側壁の２ケ所にパージのための配管が接続された導入口６および排出口７を設けている。そして筐体２０の内部では複数枚のレンズ３０をそれぞれレンズ支え部３１によって保持している。また内部全体がパージ用エアでよどみ無く効率的に置換されるように、レンズ支え部３１に孔を形成して設けたパージ用エアの通路道３２は隣合うレンズでは直線上にならないように配置している。すなわち隣合うレンズ支え部３１の通路３２を結ぶ直線が、レンズ３０の光軸とは平行にならないようにしている。
【００２１】
図４はレーザの照射およびガスパージを行なわずに装置を放置した状態での透過率の時間的変動を示したものである。装置を放置すると時間の経過と共に光学系全体の透過率が徐々に低下（曲線Ａ）または上昇（曲線Ｂ）し、ある値でほぼ一定となっているのがわかる。透過率が低下するか上昇するかは、光学系の特性によって異なる。
【００２２】
図４に示された結果は、光学系内の雰囲気ガス中に存在する水分が徐々にレンズの表面に付着しその透過率変化の原因となっていると考えられる。
【００２３】
これに対し、本実施例ではパージ用の導入口より乾燥したＮ2 ガス、Ｈｅガスまたは乾燥エア等を送り込み、排出口から回収することで各光学系内の環境空気を常にパージすることで光学系内部の湿度を低下させ透過率変化の防止を可能としている。この結果、光学系透過率は時間を経てもほとんど変化しない。
【００２４】
（第２の実施例）
図５は本発明の他の実施例に係る投影露光装置の概略構成を示している。図５において、図１の装置と同じ部材には図１と同じ符号を付し、説明を省略する。図５において、８、９、１０は各光学系内に配した湿度計であり、これにより常に光学系内の置換度をモニタできるようにする。そして、パージ用の配管には主制御部１１によって開閉制御可能なサーボ弁１２〜１７を設け通常は閉じておく。
【００２５】
各光学系でモニタされた置換度の値（湿度計８、９、１０の値）のいずれかが主制御部１１に予め入力された数値を越えると、主制御部１１より対応するサーボ弁１２〜１３、１４〜１５、１６〜１７のいずれかにガスパージ開始信号が送信され、そのサーボ弁が開いてガスパージが開始される。置換度の値が主制御部１１に予め入力された終了検出用の数値以下になると、主制御部１１より対応するサーボ弁にガスパージ終了信号が送信され、サーボ弁が閉じてガスパージが終了する。なお、ガスパージの終了は、ガスパージの開始後一定時間を経過したとき行なうようにしてもよく、または置換度による終了検出と一定時間経過による終了検出とを組み合わせてもよい。
【００２６】
（第３の実施例）
図６は、本発明の第３の実施例に係る露光装置の構成を図式的に表したものである。この露光装置は、露光光源１０１と、照明光学系１０２と、投影光学系１０４と、マスクとしてのレチクルＲと、感光基板としてのウエハＷが搭載された基板ステージ１０５を備えている。これらの構成各部の内、露光光源１０１を除く、露光本体部は一定温度に制御されたチャンバ１２０内に収納されている。
【００２７】
露光光源１０１としては、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ2（波長１５７ｎｍ）等の紫外域のパルス光を発するエキシマレーザが用いられている。なお、エキシマレーザに代えて水銀ランプを露光光源として用い、ｉ線（波長３６５ｎｍ）を露光光として使用してもよい。
【００２８】
照明光学系１０２は、多数のレンズ、ミラー等の光学要素を含んで構成され、露光光源１０１からの露光光によりレチクルＲ上の照明領域を均一な照度で照明する。この照明光学系１０２は、２個の密閉された筐体１１０、１１１の内部に収納されている。前記照明光学系１０２はビーム整形光学系１０６、ズーム光学系（拡大系）１０７、オプチカルインテグレータとしてのフライアイレンズ１０８とこのフライアイレンズ１０８の出口に設けられた照明系開口絞り１０９とを備えている。第２の筐体１１１はコンデンサレンズ１１２を備えている。なお、前記第１筐体１１０と第２筐体１１１との間には、レチクルＲ上の照明領域の形状を規定するブラインド１１３が設けられている。第１、第２筺体１１０、１１１の露光光（照明光）の光路上の部分には、透明のガラス窓が設けられている。
【００２９】
次に、照明光学系の上記構成各部についてその作用とともに説明する。露光光源１０１から発せられた露光光は、ビーム整形光学系１０６を通過することによりその形状が長方形から正方形に整形され、ズーム光学系（拡大系）１０７に入射する。このズーム光学系１０７によって必要な大きさに拡大された露光光はフライアイレンズ１０８に入射する。フライアイレンズ１０８の射出側面は、光源２と共役な位置関係となっており、二次光源面を構成している。各二次光源（各エレメント）を発した光は開口絞り１０９の開口を介してブラインド１１３を通過し、レチクルＲ上の照明領域が制限される。コンデンサレンズ１１２に入射した露光光は集光され、前記２次光源面とフーリエ変換の位置関係におかれたレチクルＲを照明する。フライアイレンズ１０８の個々のエレメントがコンデンサレンズ１１２を介してレチクルＲを照明することにより、オプチカルインテグレータの役割を果たし、これによりレチクルＲ上のパターン領域内が均一に照明されるようになっている。
【００３０】
投影光学系１０４は、レンズ鏡筒とこれに保持された複数のレンズエレメントとを有し、この投影光学系１０４の瞳面は、前記二次光源面と互いに共役な位置関係で且つレチクル面とフーリエ変換の位置関係になっている。レチクルＲ上のパターンにより回折された照明光が投影光学系１０４に入射し、この投影光学系１０４の瞳面に配置された不図示の開口絞りを通過した回折光がレチクルＲと共役な位置に置かれたウエハＷ上にレチクルＲのパターンを投影する。
【００３１】
ウエハＷを保持する前記基板ステージ１０５は、不図示の駆動系によって２次元方向に移動可能に構成されている。従って、この基板ステージ１０５をステッピングさせつつ、露光を行なうことにより、ウエハＷ上の各ショット領域にレチクルＲのパターンが順次転写されるようになっている。
【００３２】
以上のような投影露光装置において本実施例では、照明光学系を構成する筺体１１０、１１１および投影光学系１０４内部において「酸素」の濃度を低く保つために乾燥した不活性ガスの（窒素ガス（Ｎ2 ））を供給する窒素供給装置１１４が配管を介してそれぞれ接続されると共に内部の空気またはガスを排気するガス排気装置１１５が配管を介してそれぞれ接続されている。更に、筐体内に収納されている光学系を構成し内部に多数のレンズを配置する鏡筒内部においても常に酸素濃度を低く保つため、各鏡筒の内部にも窒素供給装置１１４およびガス排気装置１１５が配管を介してそれぞれ接続される。
【００３３】
図７には筐体１２１と筐体１２１に収容された鏡筒１２２の一例が拡大して示されている。鏡筒は図７に示すようにその内部にレンズ２３ａ〜２３ｄが配置され、レンズ１２３ａ〜１２３ｄによって仕切られた複数の空間１２４ａ〜１２４ｅがあり、鏡筒１２２の両端には窓としての着脱可能なシートガラス１２５ａ、１２５ｂが設けられている。筐体１２１内部および鏡筒１２２内部には配管１２６ａ、１２６ｂを介して図示されない窒素供給装置が接続され、配管１２７ａ、１２７ｂを介して図示されないガス排気装置が接続されており、連続的あるいは断続的に窒素ガス置換を行なうことにより筐体１２１および鏡筒１２２内部の酸素濃度を低く保つことが可能となっている。しかし、鏡筒１２２の仕切られた各空間の間では通常、空気の往来はないとみなすことができるほど密閉された状態となっている。
【００３４】
そこで本実施例においては各空間内に窒素を循環させるために、レンズ１２３ａ〜１２３ｄの有効光束外の端部をカットし流路を確保している。レンズの有効光束外をカットした状態を図８に示す。図８において、１３１はレンズ、１３２は有効光束範囲、１３３は切込である。
また、図７に示すように、カットされたレンズ１２３ａ〜１２３ｄを流路１２８が一直線にならないように、カットされた部分をずらして配置することにより各空間１２４ａ〜１２４ｅ全体に窒素が完全に行き渡るようになっている。投影レンズ１０４においても同様の構造にすることでレンズにより仕切られた空間全てに窒素を循環させることが可能となる。
【００３５】
以上説明したように本実施例によれば、鏡筒やレンズを大型化することなく、また簡単な設計により、鏡筒内部のレンズに仕切られた空間内に窒素等の不活性ガスを循環させるための流路を確保することが可能となる。
【００３６】
（デバイス生産方法の実施例）
次に上記説明した露光装置または露光方法を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。
図９は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３７】
図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明したガスパージ手段を有する投影露光装置によってマスクの回路パターンをウエハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００３８】
本実施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
【００３９】
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明によれば、パージ用ガスの流路を確保した小型の鏡筒を有する露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施例に係る投影露光装置の概略構成図である。
【図２】  照明光学系および投影光学系の内部を表わす図である。
【図３】  照明光学系および投影光学系の内部におけるパージ用エアの通り道を示す図である。
【図４】  レーザの照射およびガスパージを行なわずに装置を放置した状態での透過率の時間的変動を示すグラフである。
【図５】  本発明の第２の実施例に係る投影露光装置の概略構成図である。
【図６】  本発明の第３の実施例に係る露光装置の概略を示す図である。
【図７】  図６の装置における筐体内および鏡筒内の一例を示す図である。
【図８】  図６の装置における有効光束外をカットしたレンズを示す図である。
【図９】  微小デバイスの製造の流れを示す図である。
【図１０】  図９におけるウエハプロセスの詳細な流れを示す図である。
【符号の説明】
１，１０１：エキシマレーザ、２，３，１０２：照明光学系、４，１０４：投影光学系、５，１０５：ステージ、６：導入口、７：排出口、８，９，１０：置換度センサ、１１：主制御部、１２〜１７：サーボ弁、Ｍ１〜Ｍ３：折り曲げミラー、３１：レンズ支持体、３２：パージ用エアの通り道、１０６：ビーム整形光学系、１０７：ズーム光学系、１０８：フライアイレンズ、１０９：照明系開口絞り、１１０，１１１：筐体、１１２：コンデンサレンズ、１１３：ブラインド、１１４：窒素供給装置、１１５：ガス排気装置、１２０：チャンバ、１２１：筐体、１２２：鏡筒、１２３ａ〜１２３ｄ：レンズ、１２４ａ〜１２４ｅ：空間、１２５ａ，１２５ｂ：シートガラス、１２６ａ，１２６ｂ：配管、１２７ａ，１２７ｂ：配管、１２８：パージ用ガスの流路、１３１：レンズ、１３２：有効光束範囲、１３３：切り込み、Ｒ：レチクル、Ｗ：ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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