(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板内に受光素子部が形成されると共に、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を間にして転送部が形成された構造を有する固体撮像素子の製造方法であって、
前記ゲート絶縁膜の上に、第１の電極膜および研磨抑止膜を順次形成する工程と、
前記研磨抑止膜の上に第１のマスクを形成し、前記第１のマスクを用いて第１の電極膜を選択的に除去した後、前記第１のマスクを剥離することにより前記転送部を構成する第１の転送電極を形成する工程と、
前記第１の転送電極および研磨抑止膜をマスクとして、ゲート絶縁膜の露出部を選択的に除去する工程と、
前記研磨抑止膜を覆うようにして、基板上に絶縁膜を形成することにより、第１の転送電極の側壁に相間絶縁膜を形成する工程と、
前記相間絶縁膜を形成した後、前記相間絶縁膜を覆うようにして前記基板上に第２の電極膜を形成する工程と、
前記第２の電極膜と研磨抑止膜とを合わせた厚さが第１の転送電極と同じ膜厚となるように、前記第１の転送電極の上方にある第２の電極膜を研磨することにより、前記転送部を構成する第２の転送電極を形成する工程と、
前記第１の転送電極および第２の転送電極の上に第２のマスクを形成し、前記第２のマスクを用いて、前記第２の転送電極を選択的に除去することにより、受光のための開口部を形成する工程と
を含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１の転送電極を形成する工程においてドライエッチング法を用い、添加ガスを加えて選択的にエッチングを行うことにより第１の転送電極の側壁面と前記基板の表面とのなす角度を４５度以上９０度未満とする
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項３】
前記相間絶縁膜の厚さを０．１μｍ未満とする
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ビデオカメラやデジタルカメラに用いられるＣＣＤ（Charge Coupled Device)などの固体撮像素子の製造方法に係り、特に、転送部が単層構造の転送電極を有する固体撮像素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ＣＣＤ撮像素子は、垂直転送部の転送電極によって２層構造と単層構造のものとに分けられる。
【０００３】
図１４は２層構造のＣＣＤ撮像素子１００の構成を表したもので、基板１１１に垂直転送部１１０Ａ、受光素子部（センサ）１１０Ｂおよびゲート読出し部１１０Ｃを備えている。
【０００４】
垂直転送部１１０Ａは、基板１１１に形成された電荷転送領域１３１、ゲート絶縁膜１１２、第１層転送電極１３０Ａ、絶縁膜１１５、第２層転送電極１３０Ｂおよび絶縁膜１１６より構成されている。受光素子部１１０Ｂは、垂直転送部１１０Ａと隣接する画素の垂直転送部との間に形成された開口部１６０の下方位置に形成されている。ゲート読出し部１１０Ｃは、第１層転送電極１３０Ａおよび第２層転送電極１３０Ｂよりなる転送電極１３０で受光素子部１１０Ｂの近傍の部分よりなる。
【０００５】
垂直転送部１１０Ａの絶縁膜１１６の上には遮光膜１１７が形成されている。この垂直転送部１１０Ａを覆うようにして、開口部１６０に絶縁膜１１８が形成され、この絶縁膜１１８の上にはカラーフィルタ層１１９および保護膜（図示せず）が形成されている。保護膜の上には、高感度化のために、ＣＣＤ撮像素子１００の最上面に集光レンズ（マイクロレンズ）１２０が形成されている。
【０００６】
このような構成を有するＣＣＤ撮像素子１００では、受光素子部１１０Ｂで発生した信号電荷が、ゲート読出し部１１０Ｃにより垂直転送部１１０Ａの電荷転送領域１３１に読み出され、この垂直転送部１１０Ａで水平転送部（図示せず）へ転送される。
【０００７】
ところで、この種のＣＣＤ撮像素子は、光学的大きさの縮小化や多画素化が要求されており、画素の微細化が進められている。このとき、受光素子部から集光レンズまでの距離を変えずに画素を微細化すると、ＣＣＤ撮像素子の光学的中心に入射する光、あるいは並行光の場合には、受光素子部に集光されるよう集光レンズの曲率の最適化設計をすることができる。ところが、撮像レンズが開放側となっていると、並行光に加え、斜め光の入射成分が発生し、受光素子部への集光性が低下する。また、撮像面の端でも、斜めに光が入射するため、感度が低下する。従って、画素の微細化に伴う特性劣化を抑制するために、受光素子面から素子上層の集光レンズまでの距離を短くすることが望まれている。ところが、上述のＣＣＤ撮像素子１００のように、転送電極１３０が第１層転送電極１３０Ａおよび第２層転送電極１３０Ｂの２層構造からなるものでは、受光素子部１１０Ｂから集光レンズ１２０までの距離を短くするために、各層厚を薄くするといった方法がとられているが、この方法では顕著な効果を得ることができない。
【０００８】
そこで、図１５（Ａ）, （Ｂ）に示したように、垂直転送部の転送電極が単層で構成されるＣＣＤ撮像素子２００が提案された。このＣＣＤ撮像素子２００は、転送電極が単層で構成されることを除き、ＣＣＤ撮像素子１００と同様であるので、ここでは同一の構成要素には同一の符号を付している。なお、図１５（Ａ）は図１５（Ｂ）のＡ−Ａ矢視方向の断面図、図１５（Ｂ）は概略平面図をそれぞれ表している。なお、図１５（Ｂ）概略平面図において、絶縁膜２１４より上にある構成要素は省略している。
【０００９】
ＣＣＤ撮像素子２００では、１層の電極膜を形成した後、リソグラフィ法によりマスクを形成し、このマスクを用いて選択的にエッチングを施して相間ギャップを形成することにより、第１相転送電極２３０Ａ, 第２相転送電極２３０Ｂが形成されると共に、これらの電極を覆うようにして相間絶縁膜２１５を形成することにより、垂直転送部２１０Ａが形成される。
【００１０】
ところで、第１相転送電極２３０Ａと第２相の転送電極２３０Ｂとの間の、相間絶縁膜２１５で埋設された相間ギャップの長さが長いと、ＣＣＤ撮像素子の原理上、信号電荷の転送効率が小さくなって、画像欠陥や有効な信号電荷量の減少等が発生し、撮像素子としての品質や特性の劣化を生じてしまう。そのため、転送電極間の電位差に耐える程度の電気的絶縁性を有する範囲内で、できる限り短くすることが望まれる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、転送電極が単層構造で形成されたＣＣＤ撮像素子では、第１相の転送電極と第２相の転送電極との相間ギャップ長の限界は、リソグラフィ法のパターン解像度の微細化レベル、例えばフォトリソグラフィ法において、ｉ線、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）線、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）線を用いた場合は、それぞれ約０．３μｍ、約０．１８μｍ、約０．１０μｍによって決定されているというのが現状である。また、リソグラフィ法により相間ギャップのパターンを形成し、その後エッチング法によりパターンを加工すると、均一な相間ギャップを形成することができない。よって、信号電荷の転送効率の向上があまり望めない。加えて、リソグラフィ法では、微細なパターン程、高価なリソグラフィシステムが必要となり、製造コストが増加してしまう。
【００１２】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、リソグラフィ技術を用いることなく、より微細な相間ギャップ長を容易かつ安価に実現でき、転送効率の向上した固体撮像素子の製造方法を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明による固体撮像素子の製造方法は、内部に受光素子部を有する半導体基板上にゲート絶縁膜を形成した後、このゲート絶縁膜の上に、第１の電極膜および研磨抑止膜を順次形成する工程と、研磨抑止膜の上に第１のマスクを形成し、第１のマスクを用いて第１の電極膜を選択的に除去した後、第１のマスクを剥離することにより転送部を構成する第１の転送電極を形成する工程と、第１の転送電極および研磨抑止膜をマスクとして、ゲート絶縁膜の露出部を選択的に除去する工程と、研磨抑止膜を覆うようにして、基板上に絶縁膜を形成することにより、第１の転送電極の側壁に相間絶縁膜を形成する工程と、相間絶縁膜を形成した後、相間絶縁膜を覆うようにして基板上に第２の電極膜を形成する工程と、第２の電極膜と研磨抑止膜とを合わせた厚さが第１の転送電極と同じ膜厚となるように、第１の転送電極の上方にある第２の電極膜を研磨することにより、転送部を構成する第２の転送電極を形成する工程と、第１の転送電極および第２の転送電極の上に第２のマスクを形成し、第２のマスクを用いて、第２の転送電極を選択的に除去することにより、受光のための開口部を形成する工程を含むものである。
【００１６】
本発明による固体撮像素子の製造方法では、転送部を構成する第１の転送電極と第２の転送電極が単層構造で形成されると共に、第１の転送電極と第２の転送電極の間にリソグラフィ技術を用いることなく、微細な相間絶縁膜（相間ギャップ）が形成される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
〔第１の実施の形態〕
図１〜図８を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像素子の製造方法としてのＣＣＤ撮像素子の製造方法について説明する。なお、図１〜図６の各図においては、図（Ａ）は図（Ｂ）のＡ−Ａ矢視方向の断面図、図（Ｂ）は概略平面図、図７と図８においては、図７（Ａ）は図８のＡ−Ａ矢視方向の断面図、図７（Ｂ）は図８のＢ−Ｂは矢視方向の断面図、図８は概略平面図をそれぞれ表している。なお、図１（Ｂ）〜図６（Ｂ）および図８の概略平面図において、絶縁膜１４より上にある構成要素は省略している。なお、ここでは１つの画素の構成領域を表している。
【００２１】
まず、図１（Ａ）, （Ｂ）に示したように、例えばシリコン（Ｓｉ）よりなる基板１１を用意する。この基板１１には、不純物が添加（ドープ）されることにより、電荷転送領域３１が形成されている。次に、この基板１１の上に、例えば熱酸化法により厚さ１０ｎｍ〜１００ｎｍ、例えば５０ｎｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ）よりなるゲート絶縁膜１２を形成する。
【００２２】
続いて、ゲート絶縁膜１２の上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により、厚さ１０ｎｍ〜１００ｎｍ、例えば３０ｎｍの多結晶シリコン（poly-Si ）よりなる導電膜１３Ａを形成し、引き続き、導電膜１３Ａ上に、例えばＣＶＤ法により、厚さ５０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば１００ｎｍのシリコン酸化膜よりなる絶縁膜１４を形成する。その後、この導電膜１３Ａ上に、例えばリソグラフィ法によりレジスト膜４１を形成する。なお、絶縁膜１４は本発明の「研磨抑止膜」の一具体例に対応している。
【００２３】
次いで、図２（Ａ）, （Ｂ）に示したように、例えばドライエッチング法により、レジスト膜４１をマスクとして、導電膜１３Ａおよび絶縁膜１４を選択的に除去し、第１相転送電極１３を形成する。
【００２４】
レジスト膜４１を除去した後、図３（Ａ）, （Ｂ）に示したように、フッ酸等のエッチング液により、絶縁膜１４および第１相転送電極１３をマスクとして、ゲート絶縁膜１２の露出部分をエッチングする。なお、第１相転送電極１３により覆われているゲート絶縁膜１２は、エッチングされずに残る。
【００２５】
続いて、図４（Ａ）, （Ｂ）に示したように、絶縁膜１４および第１相転送電極１３を覆うようにして基板１１の上に、例えばＣＶＤ法により、厚さ０．１μｍ未満、例えば０．０５μｍのシリコン酸化膜よりなる相間絶縁膜１５を形成する。この相間絶縁膜１５で基板１１上に形成されているものは、第２相転送電極１６のゲート絶縁膜として機能する。なお、相間絶縁膜１５の膜厚により、相間絶縁膜１５によって埋設される、第１相転送電極１３と第２相転送電極１６の間の相間ギャップの大きさが決定される。
【００２６】
次に、図５（Ａ）, （Ｂ）に示したように、例えばＣＶＤ法により、相間絶縁膜１５を覆うようにして、厚さ５０ｎｍ〜１０００ｎｍ、例えば２００ｎｍの多結晶シリコンよりなる導電膜１６Ａを形成する。
【００２７】
次いで、図６（Ａ）, （Ｂ）に示したように、化学的機械的研磨法（Chemical Mechanical Polishing ：ＣＭＰ）により導電膜１６Ａ、相間絶縁膜１５および絶縁膜１４の一部を研磨する。なお、このとき、絶縁膜１４が研磨抑止層として機能する。続いて、例えばリソグラフィ法によりマスク（図示せず）を形成し、このマスクを用いて導電膜１６Ａで、基板１１に形成されている受光素子部１０Ｂの上方位置に受光のための開口部６０を形成することにより、相間絶縁膜１５を間にして、第１相転送電極１３および第２相転送電極１６よりなる平坦な単層の転送電極３０が形成される。以上のようにして、図７（Ａ）, （Ｂ）および図８に示したように、電荷転送領域３１、ゲート絶縁膜１２および転送電極３０からなる垂直転送部１０Ａが形成されると共に、転送電極３０で受光素子部１０Ｂの近傍の部分からなるゲート読出し部１０Ｃが形成される。
【００２８】
次に、例えばタングステン（Ｗ）よりなる厚さ５０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば２００ｎｍの遮光膜１７、例えばプラズマＣＶＤ法によりシリコン窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）よりなる厚さ１００ｎｍ〜１０００ｎｍ、例えば３００ｎｍの絶縁膜１８、カラーフィルタ層１９、保護膜（図示せず）および集光レンズ２０を順次形成するとＣＣＤ撮像素子１０が完成する。
【００２９】
このように構成されたＣＣＤ撮像素子１０では、集光レンズ２０を通して光が受光素子部１０Ｂに入射すると、信号電荷が発生する。この信号電荷が、読出しゲート部１０Ｃに電圧が印加されることにより、垂直転送部１０Ａの電荷転送領域３１に読み出される。読み出された信号電荷は、第１相転送電極１３および第２相転送電極１６に所定の周期毎にパルス電圧が印加されて隣接する画素の電荷転送領域３１を次々に通ることにより、垂直転送部１０Ａと垂直に接続された水平転送部（図示せず）に転送される。最後に、この水平転送部に転送された信号電荷は、水平転送部に接続された出力端子（図示せず）まで運ばれて映像信号として出力される。
【００３０】
このように本実施の形態では、垂直転送部１０Ａを構成する転送電極３０を第１相転送電極１３および第２相転送電極１６よりなる単層構造で形成すると共に、リソグラフィ技術を用いることなく、第１相転送電極１３の側壁に相間絶縁膜１５を形成することにより、第１相転送電極１３および第２相転送電極１６間に相間ギャップを形成した。よって、高均一性および高安定性を有する微細な相間ギャップが得られると共に、これにより、垂直転送部１０Ａを構成する電荷転送領域３１での信号電荷の転送効率が向上する。従って、容易かつ安価に、ＣＣＤ撮像素子１０の高品質化および電気的特性の向上を図ることができる。
【００３１】
〔第２の実施の形態〕
図９〜図１２は、本発明の第２の実施の形態に係る固体撮像素子の製造方法としてのＣＣＤ撮像素子の製造工程を表す図である。この第２の実施の形態に係るＣＣＤ撮像素子は、垂直転送部５０Ａを構成する第１相転送電極５３、絶縁膜５４、第２相転送電極５６、および相間絶縁膜５５の断面形状を除き、第１の実施の形態と同様の構成を有している。よって、ここでは同一の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００３２】
まず、第１の実施の形態と同様にして、例えばシリコン（Ｓｉ）よりなる、不純物を添加（ドープ）することにより電荷転送領域３１が形成された基板１１に、ゲート絶縁膜１２、導電膜１３Ａ、絶縁膜５４を順次形成する。なお、絶縁膜５４は本発明の「研磨抑止膜」の一具体例に対応している。
【００３３】
絶縁膜５４にレジスト膜４２を形成した後、図９（Ａ）に示したように、レジスト膜４２をマスクとして、例えばドライエッチング法により、デポジションが生じる添加ガスを加えて導電膜１３Ａおよび絶縁膜５４を選択的に除去することにより第１相転送電極５３を形成する。このとき第１相転送電極５３の側面にデポジション（deposition）が生じるため、第１相転送電極５３の側壁角度が９０度未満となる。なお、第１相転送電極５３の側壁の角度が小さすぎると、微細化に不都合となるので４５度以上が好ましい。
【００３４】
レジスト膜４２を除去した後、図９（Ｂ）に示したように、フッ酸等のエッチング液により、絶縁膜５４および第１相転送電極５３をマスクとして、ゲート絶縁膜１２の露出部分をエッチングする。なお、第１相転送電極５３により覆われているゲート絶縁膜１２は、エッチングされずに残る。
【００３５】
続いて、図９（Ｃ）に示したように、絶縁膜５４および第１相転送電極５３を覆うようにして基板１１の上に、例えばＣＶＤ法により、厚さ０．１μｍ未満、例えば０．０５μｍのシリコン酸化膜よりなる相間絶縁膜５５を形成する。なお、この相間絶縁膜５５で基板１１上に形成されているものは、第２相転送電極５６のゲート絶縁膜として機能する。なお、相間絶縁膜５５の膜厚により、相間絶縁膜５５により埋設される、第１相転送電極５３と第２相転送電極５６の間の相間ギャップの大きさが決定される。
【００３６】
次に、図１０（Ａ）に示したように、例えばＣＶＤ法により、相間絶縁膜５５を覆うようにして、厚さ５０ｎｍ〜１０００ｎｍ、例えば２００ｎｍの多結晶シリコンよりなる導電膜５６Ａを形成する。
【００３７】
次いで、図１０（Ｂ）に示したように、導電膜５６Ａに化学的機械的研磨法（Chemical Mechanical Polishing ，ＣＭＰ）により導電膜５６Ａ、相間絶縁膜５５および絶縁膜５４の一部を研磨する。なお、このとき、絶縁膜５４は研磨を抑止する働きをしている。続いて、例えばリソグラフィ法により、マスク（図示せず）を形成し、このマスクを用いて導電膜５６Ａで基板１１に形成されている受光素子部１０Ｂの上方位置に受光のための開口部６０を形成することにより、相間絶縁膜５５を間にして、第１相転送電極層５３および第２相転送電極層５６よりなる平坦な単層の転送電極７０が形成される。以上のようにして、電荷転送領域３１、ゲート絶縁膜１２および転送電極７０からなる垂直転送部５０Ａが形成されると共に、転送電極７０で受光素子部５０Ｂの近傍の部分からなるゲート読出し部５０Ｃが形成される。
【００３８】
最後に、図１１（Ａ）, （Ｂ）および図１２に示したように、第１の実施の形態と同様にして、遮光膜１７、絶縁膜１８、カラーフィルタ層１９、保護膜（図示せず）および集光レンズ２０を形成すると、ＣＣＤ撮像素子５０が完成する。
【００３９】
このように本実施の形態においても、垂直転送部５０Ａを構成する転送電極７０を第１相転送電極５３および第２相転送電極５６よりなる単層構造で形成すると共に、第１相転送電極５３の側壁に相間絶縁膜５５を形成することにより、これらの電極間にリソグラフィ技術を用いることなく微細な相間ギャップを形成した。これにより垂直転送部５０Ａを構成する電荷転送領域３１での信号電荷の転送効率が向上する。従って、容易かつ安価に、ＣＣＤ撮像素子５０の高品質化および電気的特性の向上を図ることができる。
【００４０】
ちなみに、図１６に示したように、従来の単層電極構造を有するＣＣＤ撮像素子、特に垂直転送部の電荷転送領域が基板とゲート絶縁膜との界面ではなく基板の内部にある埋込みチャネル（buried channel）型の場合、第１相転送電極２３０Ａと第２相転送電極２３０Ｂとの間の相間ギャップが上方ほど拡がる、もしくは平行であるので、相間絶縁膜２１５によって形成されている相間ギャップの下に位置する、電荷転送領域２３１においてポテンシャルの溝（ポテンシャルディップ）が生じる。なぜならば、第１相転送電極２３０Ａと電荷転送領域２３１との間の寄生容量をＣ1,第２相転送電極２３０Ｂと電荷転送領域２３１との間の寄生容量をＣ2 とすると、転送電極２３０と電荷転送領域２３１との間の寄生容量は、これらの寄生容量Ｃ1 およびＣ2 の相対的な大きさによって決定されるが、この場合には、等価的にゲート絶縁膜が厚くなるため、寄生容量Ｃ1 , Ｃ2 がともに小さくなり、ポテンシャルが深くなるからである。
【００４１】
これに対して、本実施の形態では、図１３に示したように、第１相転送電極５３と第２相転送電極５６間との間の相間ギャップにおいて、第１相転送電極５３の側壁を覆うように第２相転送電極５６を形成するようにした。このとき、第１相転送電極５３と電荷転送領域３１との間の寄生容量をＣ3,第２相転送電極５６と電荷転送領域３１との間の寄生容量をＣ4 とすると、相間ギャップが第２相転送電極５６により覆われて、寄生容量Ｃ4 が従来の場合の寄生容量Ｃ2 より大きくなる、すなわち寄生容量Ｃ4 が寄生容量Ｃ3 よりも相対的に大きくなるので、相間ギャップ下でポテンシャルディップの発生が抑制される。よって、本実施の形態では、更に、垂直転送部５０Ａの電荷転送領域３１における転送効率を向上させることができる。
【００４２】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、絶縁膜１４, ５４および相間絶縁膜１５, ５５にシリコン酸化膜を用いたが、シリコン窒化膜（Ｓｉ3 Ｎ4 ）を用いてもよい。
【００４３】
また、相間絶縁膜１５, ５５をＣＶＤ法により形成するようにしたが、熱酸化法、あるいはこれらの方法を組み合わせたものにより形成してもよい。
【００４４】
更に、遮光膜１７に、タングステンを用いたが、光透過性のないアルミニウム（Ａｌ）等を用いてもよい。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１ないし３記載の固体撮像素子の製造方法によれば、垂直転送部を構成する転送電極を第１相転送電極および第２相転送電極よりなる単層構造で形成すると共に、第１相転送電極の側壁に相間絶縁膜を形成することにより、これらの電極間にリソグラフィ技術を用いることなく微細な相間ギャップを形成するようにしたので、高均一性および高安定性を有する微細な相間ギャップが得られる。従って、容易かつ安価に固体撮像素子の高品質化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る固体撮像素子の製造方法を説明するための工程図である。
【図２】図１に続く工程を説明するための工程図である。
【図３】図２に続く工程を説明するための工程図である。
【図４】図３に続く工程を説明するための工程図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための工程図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための工程図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための工程図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための工程図である。
【図９】本実施の第２の形態に係る固体撮像素子の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための工程図である。
【図１１】図１０に続く工程を説明するための工程図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための工程図である。
【図１３】本実施の第２の実施の形態に係る固体撮像素子の電荷転送領域におけるエネルギーバンドを説明するための図である。
【図１４】従来のＣＣＤ撮像素子を説明するための断面図である。
【図１５】従来のＣＣＤ撮像素子を説明するための断面図および平面図である。
【図１６】従来のＣＣＤ撮像素子の電荷転送領域におけるエネルギーバンドを説明するための図である。
【符号の説明】
１０, ５０・・・ ＣＣＤ撮像素子、１０Ａ, ５０Ａ・・・ 垂直転送部、１０Ｂ, ５０Ｂ・・・ 受光素子部、１０Ｃ, ５０Ｃ・・・ 読出しゲート部、１１・・・ 基板、１２・・・ ゲート絶縁膜、１３, ５３・・・ 第１相転送電極、１３Ａ, １６Ａ, ５６Ａ・・・ 導電膜、１４, １８, ５４・・・ 絶縁膜、１５, ５５・・・ 相間絶縁膜、１６, ５６・・・ 第２相転送電極、１７・・・ 遮光膜、１９・・・ カラーフィルタ層、２０・・・ 集光レンズ、３０, ７０・・・ 転送電極、３１・・・ 電荷転送領域、４１, ４２・・・ レジスト膜、６０・・・ 開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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