(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に接続されると共に、露光前または露光後の基板に対して処理を行う複数の処理ユニットを備え、基板に対してレジスト膜の形成、現像処理を行うための基板処理装置において、
露光前または露光後の基板を搬出入するための搬送口を側面に備えると共に前記処理ユニットが複数段に積み重ねられた一の処理ユニット群と、
前記基板の搬送口に臨む領域の左右位置に設けられ、最下段の処理ユニットの基板の搬送口から最上段の処理ユニットの基板の搬送口に亘って垂直に伸びる一対の縦長の筐体と、
これら筐体の側面に設けられた縦長の開口部と、
一端が前記一対の筐体の一方の中に前記開口部を介して挿入されると共に、他端が前記一対の筐体の他方の中に前記開口部を介して挿入された支持部と、
この支持部に設けられた昇降台と、
この昇降台にて前記一対の筐体間を結ぶ直線よりも前記処理ユニット群から遠ざかった位置に固定して設けられ、鉛直軸の周りに回転自在な回転機構と、
この回転機構の上に設けられ、基板の搬送を行うための進退自在なアームと、
前記筐体内に設けられ、前記支持部を昇降させる昇降機構と、
前記筐体内の雰囲気を、基板処理装置の外へ排気する排気手段と、
前記アームの回転中心から水平に見て、前記一の処理ユニット群を前方とすると左右両側に各々設けられ、基板に対して処理を行う処理ユニットが複数段に積み重ねられると共に基板を搬出入するための各々の基板の搬送口が前記アーム側に向いて配列された左側処理ユニット群及び右側処理ユニット群と、を備え、
前記アームは、前記一の処理ユニット群の処理ユニット、左側処理ユニット群の処理ユニット及び右側処理ユニット群の処理ユニット夫々に対して、搬送口を介して基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
筐体は、前記開口部が設けられた第１の部屋と、この第１の部屋に隣接し、通気孔を有する隔壁により当該第１の部屋に対して区画された第２の部屋と、を備え、
第１の部屋には前記昇降機構が、第２の部屋には排気手段が夫々設けられることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
隔壁は垂直壁であり、通気孔は支持部の移動領域に対応する長さに形成される縦長のスリットであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
排気手段は水平に回転する排気ファンを縦長の通風路に複数段設けてなり、この通風路の下端部に設けられた排気口から基板処理装置の外へ排気することを特徴とする請求項１、２または３記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
処理ユニットには基板の搬送口を開閉するシャッターが設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記搬送口を介してパーティクルが処理ユニット内に侵入するのを防止するため、処理ユニットの外側における搬送口に臨む位置にガスを吹き付けるガス供給手段を備えたことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
処理ユニットは搬送口を開閉するシャッターを備え、ガス供給手段は、少なくとも前記アームと前記処理ユニットとの間で基板の受け渡しを行うときにガスの供給を行うことを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
ガス供給手段は、処理ユニットの搬送口から見て左右に夫々設けられ、これらガス供給手段から互に向き合う方向にガスを吹き出すことを特徴とする請求項６または７記載の基板処理装置。
【請求項９】
ガス供給手段は、最下段の処理ユニットに対応する位置から最上段の処理ユニットに対応する位置まで伸びるガス供給管に、複数のガス吐出孔を形成して構成されたことを特徴とする請求項６、７または８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
ガス供給手段は各処理ユニット毎に独立して設けられていることを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置。
【請求項１１】
処理ユニットは搬送口を開閉するシャッターを備え、各ガス供給手段は、対応する処理ユニットのシャッターが開いているときにのみガスを供給することを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
筐体の開口部は当該処理ユニットの搬送口に臨む位置には形成されないことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１３】
基板を搬出入するための搬送口を側面に備えると共に露光装置による露光前または露光後の基板に対して処理を行う処理ユニットが複数段に積み重ねられた一の処理ユニット群と、
前記基板の搬送口に臨む領域の左右位置に設けられ、最下段の処理ユニットの基板の搬送口から最上段の処理ユニットの基板の搬送口に亘って垂直に伸びる一対の縦長の筐体と、
これら筐体の側面に設けられた縦長の開口部と、
一端が前記一対の筐体の一方の中に前記開口部を介して挿入されると共に、他端が前記一対の筐体の他方の中に前記開口部を介して挿入された支持部と、
この支持部に設けられた昇降台と、
この昇降台にて前記一対の筐体間を結ぶ直線よりも前記処理ユニット群から遠ざかった位置に固定して設けられ、鉛直軸の周りに回転自在な回転機構と、
この回転機構の上に設けられ、基板の搬送を行うための進退自在なアームと、
を備えた基板処理装置を用い、基板に対してレジスト膜の形成、現像処理を行うための方法であって、
前記支持部を、筐体内に設けられた昇降機構により昇降させることで、当該支持部に設けられた昇降台を昇降させる工程と、
前記アームの回転中心から水平に見て、前記一の処理ユニット群を前方とすると左右両側に各々設けられ、基板に対して処理を行う処理ユニットが複数段に積み重ねられると共に基板を搬出入するための各々の基板の搬送口が前記アーム側に向いて配列された左側処理ユニット群及び右側処理ユニット群と、一の処理ユニット群との各処理ユニットに対して前記アームにより、搬送口を介して基板の受け渡しを行う工程と、
前記筐体内の雰囲気を、基板処理装置の外へ排気する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対し例えばレジスト液の塗布、露光及び現像を行う基板処理装置及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ（以下ウエハという）や液晶ディスプレイのＬＣＤ基板の表面上に回路パターンを形成する工程は多岐に亘り、例えば各工程ごとに用いるユニットを組み合わせ、搬送手段により基板が各ユニット間を移動できるように構成したシステムにより所定パターンのレジスト膜が形成される。
【０００３】
図１３はこのようなシステムの従来例を示す概略平面図であり、ウエハＷを収納した基板カセットＣはカセットステーション１Ａから搬入される。カセットステーション１Ａの奥には図示しないウエハＷの受け渡し手段を挟んで処理ブロック１Ｂが設けられており、この処理ブロック１Ｂには進退及び昇降自在で、且つ水平方向に回転自在なメインアーム等と呼ばれる主搬送手段１１を中心に、カセットステーション１Ａから見て主搬送手段１１の手前側、左側、奥側には加熱、冷却を含む複数のユニットが多段に積み重ねられた棚ユニット１２が配置され、右側には塗布ユニットや現像ユニット等で構成される液処理ユニット１３が配置されている。
【０００４】
また処理ユニット１Ｂの奥側にはインターフェイスユニット１Ｃを介して露光装置１Ｄが設けられており、インターフェイスユニット１Ｃに設けられている図示しない受け渡し手段を介して主搬送手段１０と露光装置１Ｄとの間でウエハＷの受け渡しができるようになっている。
【０００５】
このような構成の装置における主搬送手段１０の構成について概略を説明すると、θ回転できるように構成された回転台上に基体の昇降機構が設けられており、ウエハＷはこの基体に設けられた進退自在なアーム１１により保持されるようになっている。即ち、上述のように各ユニットへウエハＷの受け渡しを行う際には進退及び昇降に関する機構が一体的に前記回転台上でθ回転することとなる。
【０００６】
ところで前記主搬送手段１０の昇降機構に含まれるアーム１１のガイド軸が含まれているが、このガイド軸はアーム１１の昇降により頻繁に擦れる部位であるため主搬送手段１０に含まれる部材の中でも発塵のおそれが高い。従って主搬送手段１０の回転時には、前記ガイド軸にて生じたパーティクルが周囲に飛散してしまうおそれがあった。また設置スペースが大きくなってしまうという問題もあった。
【０００７】
このため本発明者は、上記問題の解決を図るためにウエハＷの搬送手段を例えば図１４に示すような構成を検討している。この構成においてガイド軸を含む昇降機構１４は、例えば多段に積層した液処理ユニット１５の開閉部１６を挟むように固定して設けられ、支持部材１７を介してアーム１１を備える搬送部本体１８を昇降させるようになっている。また搬送部本体１８にはθ方向への回転機構と進退機構とが設けられており、ウエハＷを当該搬送部本体１８の周りを囲む液処理ユニット１５以外の他のユニットへも搬送できる構成となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら図１４に示した搬送手段では、昇降機構１４が液処理ユニット１５の開閉部１６近傍に設けられるため、ウエハＷの受け渡し時に液処理ユニット１５の開閉部１６が開くと、搬送部本体１８の昇降または進退などにより生じる風圧が例えば昇降機構１４にて生じるパーティクルを舞い上げ、この舞い上がったパーティクルが液処理ユニット１５内へ侵入してしまうおそれがある。
【０００９】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、基板の搬送手段に設けられる昇降機構の動作に伴い発生したパーティクルが処理ユニット内へ侵入することを防止できる基板処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、露光装置に接続されると共に、露光前または露光後の基板に対して処理を行う複数の処理ユニットを備え、基板に対してレジスト膜の形成、現像処理を行うための基板処理装置において、
露光前または露光後の基板を搬出入するための搬送口を側面に備えると共に前記処理ユニットが複数段に積み重ねられた一の処理ユニット群と、
前記基板の搬送口に臨む領域の左右位置に設けられ、最下段の処理ユニットの基板の搬送口から最上段の処理ユニットの基板の搬送口に亘って垂直に伸びる一対の縦長の筐体と、
これら筐体の側面に設けられた縦長の開口部と、
一端が前記一対の筐体の一方の中に前記開口部を介して挿入されると共に、他端が前記一対の筐体の他方の中に前記開口部を介して挿入された支持部と、
この支持部に設けられた昇降台と、
この昇降台にて前記一対の筐体間を結ぶ直線よりも前記処理ユニット群から遠ざかった位置に固定して設けられ、鉛直軸の周りに回転自在な回転機構と、
この回転機構の上に設けられ、基板の搬送を行うための進退自在なアームと、
前記筐体内に設けられ、前記支持部を昇降させる昇降機構と、
前記筐体内の雰囲気を、基板処理装置の外へ排気する排気手段と、
前記アームの回転中心から水平に見て、前記一の処理ユニット群を前方とすると左右両側に各々設けられ、基板に対して処理を行う処理ユニットが複数段に積み重ねられると共に基板を搬出入するための各々の基板の搬送口が前記アーム側に向いて配列された左側処理ユニット群及び右側処理ユニット群と、を備え、
前記アームは、前記一の処理ユニット群の処理ユニット、左側処理ユニット群の処理ユニット及び右側処理ユニット群の処理ユニット夫々に対して、搬送口を介して基板の受け渡しを行うことを特徴とする。
【００１１】
このような構成によれば、基板の搬送に拘る部位のうち、発塵のおそれが大きい昇降機構を筐体で囲むと共に当該筐体内に排気手段を設けたため、搬送基体の昇降時に昇降機構にて生じたパーティクルについて、基板の昇降領域側に向かう量を少なくすることができる。具体的な例としては、前記筐体内を孔部が形成された垂直な隔壁により２つの部屋に区分し、開口部を有する第１の部屋に昇降機構を設け、他方の第２の部屋には排気手段を設けるようにし、第１の部屋にて生じたパーティクルを前記孔部を介して第２の部屋へと吸引し、これを外部へ放出するようにしたものを挙げることができる。
【００１２】
このとき例えば隔壁を垂直壁とすると共に孔部を支持部の移動領域に対応する長さに形成した縦長のスリットとしてもよく、昇降機構に含まれる例えばガイド軸のような発塵し易い部位の全体から万遍なくパーティクルを排出できる。特に処理ユニットが複数段に重ねて設けられ、搬送基体の昇降頻度が高くなるときに有効である。なお排気手段は水平に回転する排気ファンを複数段に設けた構成としてもよい。
【００１３】
また本発明に係る他の基板処理装置は、前記搬送口を介してパーティクルが処理ユニット内に侵入するのを防止するため、処理ユニットの外側における搬送口に臨む位置にガスを吹き付けるガス供給手段を備える構成としてもよい。
【００１４】
このような構成によれば、処理ユニットの搬送口に向けて例えばパージガスの供給を行うことで、当該ガスがいわば気流カーテンを形成してガス供給領域の外部雰囲気に対するバリアの役割を果たすため、基板が処理ユニットへ侵入する際に汚染されるおそれが軽減する。本発明におけるガス供給手段の具体例としては、例えば処理ユニットの搬送口から見て左右に夫々設けると共にこれらガス供給手段から互に向き合う方向にガスを吹き出すようにした構成を挙げることができる。処理ユニットを多段に設けたときには、各処理ユニットの搬送口に対応するガス吐出孔を形成した垂直なガス供給管を２本設けたものを用いることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る基板処理装置の実施の形態を示す平面図であり、図２は同斜視図である。以下、この実施の形態により被処理基板であるウエハＷに対して所定のレジストパターンを形成するパターン形成装置を例に説明を行う。
【００１６】
図中２１は例えば１３枚のウエハＷが密閉収納されたカセットＣを搬入出するためのカセットステーションであり、このカセットステーション２１には前記カセットＣを載置する載置部２２と、この載置部２２から見て前方の壁面に設けられる開閉部２３と、開閉部２３を介してカセットＣからウエハＷを取り出すための受け渡し手段２４とが設けられている。カセットステーション２１の奥側には筐体３０にて周囲を囲まれる処理部Ｓ１が接続されており、この処理部Ｓ１には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニット３１，３２，３３と、後述する塗布・現像ユニットを含む各処理ユニット間のウエハＷの受け渡しを行うための主搬送手段４（４Ａ，４Ｂ）とが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニット３１，３２，３３及び主搬送手段４（４Ａ，４Ｂ）はカセットステーション２１側から見て前後一列に配列されており、各々の接続部位Ｇには図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されているため、この処理部Ｓ１内においてウエハＷは一端側の棚ユニット３１から他端側の棚ユニット３３まで自由に移動することが可能となっている。また、主搬送手段４（４Ａ，４Ｂ）は、カセットステーション２１から見て前後方向に配置される棚ユニット３１，３２，３３側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニット５（５Ａ，５Ｂ）側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁４０により囲まれる空間内に置かれている。
【００１７】
主搬送主段４（４Ａ，４Ｂ）の棚ユニット３１，３２，３３が接続していない部位例えば前述の右側面部には、夫々塗布ユニットや現像ユニット等を多段化した液処理ユニット５（５Ａ，５Ｂ）が設けられている。３４、３５は例えば温度または湿度の調節装置、ポンプ、ダクト等を備えた温湿度調整ユニットである。
【００１８】
液処理ユニット５（５Ａ，５Ｂ）は、例えば図２に示すように塗布液や現像液といった薬液供給用のスペースをなす収納部５１の上に塗布装置または現像装置が収納される処理容器５２が複数段例えば５段に積層された構成とされており、この処理容器５２の主搬送手段４（４Ａ，４Ｂ）側の側面には、ウエハＷの搬入出時に後述するウエハ搬送アームが侵入できるように搬送口５３が形成されており、この搬送口５３には図示しない開閉自在なシャッターが設けられている。また棚ユニット３１，３２，３３については、加熱ユニットや冷却ユニットの他、ウエハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニットなどが例えば上下１０段に割り当てられている。
【００１９】
この処理部Ｓ１（筐体３０）の上部には図示しないＦＦＵ（ファンフィルタユニット）が、また底部には図示しない排気手段が設けられており、清浄な空気がダウンフローとして流れるようになっている。また、処理部Ｓ１における棚ユニット３３の奥側にはインターフェイス部Ｓ２を介して露光装置Ｓ３が接続されている。インターフェイス部Ｓ２は受け渡し手段３６と、バッファカセットＣ０とを備えており、前記処理部Ｓ１と露光装置Ｓ３とバッファカセットＣ０との間でウエハＷの受け渡しを行うものである。
【００２０】
ここで本実施の形態における主要部である主搬送手段４（４Ａ，４Ｂ）の構成について主搬送手段４Ａを例に取って説明を行う。詳細説明に先立ち、図１，２を参照しながら全体の概略について説明すると、この主搬送手段４Ａは、ウエハＷの保持及び受け渡しを行う搬送部本体６と、この搬送部本体６の先端を支持して一体的に昇降するように構成された水平な支持部材４１とを備えている。支持部材４１の両側には縦長の筐体７（７Ａ，７Ｂ）が設けられており、この中に設けられた後述の駆動部により支持部材４１が昇降されるように構成されている。
【００２１】
次に図３、図４及び図５を参照しながら筐体７及び搬送部本体６の説明を行う。図３は主搬送手段４を説明するための概略斜視図であり、筐体７（７Ａ，７Ｂ）は同形状で且つ搬送部本体６から見て左右対称に配置されるため、ここでは筐体７Ａのみを図示している。先ず筐体７Ａから説明すると、この筐体７Ａは図示しない筐体７Ｂと対向する側面に、支持部材４１の移動領域即ちウエハＷの上下方向の搬送領域に対応するように縦方向にスリット状の開口部７１が形成されており、その内部は前記開口部７１が形成される側面を前方とすると、隔壁７２により例えば開口部７１を有する前側の第１の部屋Ｄ１と、後側の第２の部屋Ｄ２とに区画されている。
【００２２】
第１の部屋Ｄ１には垂直に延びる案内手段であるガイド軸７３が設けられており、支持部材４１の端部に形成される横断面凹状の係合部４２と噛み合って、当該支持部材４１を昇降自在にガイドするようになっている。また第１の部屋Ｄ１には天井及び底面の近傍に夫々設けられるプーリ７４ａ，７４ｂと、これに巻き付けられたベルト７４ｃとからなる駆動機構７４が設けられており、ベルト７４ｃは支持部材４１を貫通して一体的に固定されている。従ってベルト７４ｃが図示しないモータの駆動力により回転駆動すると、その動きに伴い支持部材４１がガイド軸７３に沿って昇降する仕組みとなっている。なお筐体７Ａ及び７Ｂの夫々の駆動機構７４は同期して回転するように構成されており、特許請求の範囲における「昇降機構」とはこの例では筐体７Ａ，７Ｂにおける夫々の駆動機構７４及びガイド軸７３を含むものである。
【００２３】
図４は筐体７Ａ内を示す横断面図であり、図示するように第１の部屋Ｄ１と第２の部屋Ｄ２とを区画する隔壁７２には例えば前記開口部７１よりも幅狭なスリット状の通気孔をなす孔部７５が、例えば支持部材４１がガイド軸７３に沿って移動する上下方向の移動領域に対応する長さに亘って形成されている。
【００２４】
第２の部屋Ｄ２には各々水平に回転するファン７６が例えば等間隔で多段に配置されている。詳細は後述するが、このファン７６は前記孔部７５を介して第１の部屋Ｄ１側の雰囲気を筐体７（７Ａ）外部へ排気するための排気手段であり、第２の部屋Ｄ２の底面にはこの排気を行うための排気口７７が形成されている。
【００２５】
次に図３及び図５を参照して搬送部本体６の説明を行う。この搬送部本体６は、前記支持部材４１に先端が固定された昇降台６１の上に、回転機構６２を介して搬送基体６３を鉛直軸周りにθ回転できるように設けると共に、この搬送基体６３の上に進退自在なアーム支持部６４を設け、このアーム支持部６４に支持される基板保持受渡し手段である三基のアーム６５（６５ａ，６５ｂ，６５ｃ）から選択されたものが進退してウエハＷの受け渡しを行う構成となっている。また、搬送基体６３の上方にはアーム６５（６５ａ，６５ｂ，６５ｃ）及びアーム支持部６４の進退領域を覆い、搬送部本体６の昇降時におけるウエハＷへの風の影響を軽減させるようにカバー体６６が設けられている。
【００２６】
次に本実施の形態における作用を説明する。先ずカセットＣがカセットステーション２１に搬入されると、開閉部２３と共にカセットＣの蓋体が外されて受け渡し手段２４によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは受け渡し手段２４から棚ユニット３１中の受け渡しユニット（載置台が置かれているユニット）を介して主搬送手段４Ａへと受け渡され、例えば液処理ユニット５Ａ内の塗布装置でレジスト液の塗布が行われた後、主搬送手段４Ａから棚ユニット３２の受け渡しユニット、主搬送手段４Ｂ、棚ユニット３３の受け渡しユニット及びインターフェイス部Ｓ２の受け渡し手段３６を経て露光装置Ｓ３へと搬送され、露光が行われる。なおウエハＷにレジストを塗布する前には、棚ユニット３１，３２，３３に含まれる処理ユニットにて例えば疎水化処理、冷却処理が行われ、レジストを塗布した後は、加熱処理及び冷却処理が行われる。露光後、ウエハＷは逆の経路で主搬送手段４Ａまで搬送され、例えば液処理ユニット５Ａ内の現像ユニットにて現像され、こうして所定のレジストパターンが形成される。なお現像の前後には棚ユニット３１，３２，３３にて加熱及び冷却処理などの前処理及び後処理が行われる。
【００２７】
ここで主搬送手段４Ａを例に取り、ウエハＷの搬送時における作用について筐体７（７Ａ，７Ｂ）に着目して説明すると、筐体７（７Ａ，７Ｂ）内のガイド軸７３及び駆動機構７４の働きにより支持部材４１が昇降するとき、第２の部屋Ｄ２では常時ファン７６が運転されており、排気口７７に向けて下降流が形成される。従って図６に示すように、第１の部屋Ｄ１内の雰囲気は孔部７５を介して第２の部屋Ｄ２側へ吸い込まれ、第２の部屋Ｄ２内の前記下降流と共に排気口７７へと流れ、この排気口７７からウエハＷが置かれる雰囲気の外である基板処理装置本体の外つまり筐体３０の下方側へ排気されることとなる。
【００２８】
また、ファン７６を回転させている間は第１の部屋Ｄ１内にも開口部７１から孔部７５に至る気流が形成されることとなり、例えば第１の部屋Ｄ１内に存在するパーティクルは開口部７１から外方へほとんど飛び出すことがない。このような状況下において昇降する搬送部本体６が目的とするユニットの高さに到達すると、例えば図示しない制御部により選択された一のアーム６５によりウエハＷの受け渡しが行われる。具体的には例えば液処理ユニット５Ａを例にとると、搬送口５３の図示しないシャッターが開き、アーム支持部６４の進退に伴いアーム６６が例えば塗布ユニットが設けられた処理容器５２内へと侵入する。
【００２９】
上述実施の形態によれば、搬送部本体６の昇降機構を囲む筐体７（７Ａ，７Ｂ）の内部をスリット状の孔部７５を形成した隔壁７２にて区分けし、ガイド軸７３を含む第１の部屋Ｄ１側の雰囲気を前記孔部７５を介して第２の部屋Ｄ２側にて吸引しているため、支持部材４１の昇降時に当該支持部材４１の係合部４２とガイド軸７３とが擦れるとき、或いは駆動機構７５の駆動時に生じるパーティクルは開口部７１から前方側へは殆ど放出されず、アーム６５は清浄な環境下でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００３０】
なお、本実施の形態において隔壁７２に形成した孔部７５はスリット状のものに限定されるものではなく、例えば複数設けられる各々のファン７６に対応する高さ位置に複数の孔部を設けるようにしてもよいし、全面に多数の微小な孔部を形成するようにしてもよい。また、各段のファン７６については下位置にあるものほどファンの回転数が速くなるように設定することで排気流を流れ易くすることができる。
【００３１】
また本発明は、以下に示す第２の実施の形態によっても搬送時におけるウエハＷへのパーティクルの影響を抑えることができる。本実施の形態は例えば前述の実施の形態と同様の主搬送手段４Ａを用いるとき、例えば図７に示すように搬送口５３を挟むようにしてガス供給手段８（８Ａ，８Ｂ）を設けるものである。これらガス供給手段８（８Ａ，８Ｂ）には、例えば垂直なガス供給管８０に沿って多数のガス吐出孔８１が形成されたものが用いられ、各々のガス吐出孔８１が対向するように配置される。このガス供給手段８（８Ａ，８Ｂ）は、アーム６５が侵入するために搬送口５３に設けられる図示しないシャッターが開くとガス吐出孔８１からパージガス例えば窒素などの不活性ガスを供給する。前記ガス吐出孔８１は、例えば図８に示すように少なくとも液処理ユニット５Ａを構成する各処理容器５２の搬送口５３の高さに対応した位置に複数箇所に形成される。ガス供給管８０の基端側にはガス供給源８２が接続されており、当該ガス供給管８０に介設されるバルブ８３の開閉を制御部８４にて制御することで上述したガス供給のＯＮ，ＯＦＦが制御される。なおパージガスの供給は、前記シャッターの開閉に拘らず常時行うようにしてもよい。
【００３２】
このような構成によれば、搬送口５３（シャッター）の開放時に当該開口部位近傍に供給されるパージガスが、いわば気流カーテンを形成して当該パージガス供給領域の外部雰囲気に対するバリアの役割を果たすため、ウエハＷは液処理ユニット５Ａへの侵入時に汚染されるおそれが少ないという利点がある。
【００３３】
この第２の実施の形態は、例えば図９に示すように支持部材４１を中空材として構成することで、ウエハＷを汚染から防ぐ効果を高めることができる。この例において支持部材４１の内部には、図示するように長手方向に貫通する流路４００が形成され、この流路４００は処理容器５２の搬送口５３と対向して該支持部材４１の中央部側面に形成される吸引口４１ａと連通する。また流路４００の途中には吸引口４１ａを挟む位置に、互いに相反する方向即ち流路４００の両端をなす開口部４１ｂに向けて送風を行う２つのファン４１ｃが介設されている。
【００３４】
このような装置において、ガス供給手段８（８Ａ，８Ｂ）からパージガスの供給を行うと共にファン４１ｃを駆動させると、図１０に示すように吸引口４１ａ前方の雰囲気は流路４００を介して筐体７（７Ａ，７Ｂ）内へと吸引され、パージガスは吸引口４１ａに向かう気流を形成する。パージガスはウエハＷの搬送領域の外部に対してバリアの役割を果たすのと同時に、微少なパーティクルを当該搬送領域から除去する役割も果たしているため、ウエハＷを一層クリーンな状態で液処理ユニットへ進入させることができるようになる。
【００３５】
ところで、既述のように処理部Ｓ１内は所定の陽圧に維持されているため、パージガスの吐出量が多いとウエハ搬送空間の圧力に影響を与えてしまうおそれがある。しかし例えば図１１に示すように、液処理ユニット５Ａの各段ごとに別個にガス供給手段９１（９１Ａ，９１Ｂ），９２（９２Ａ，９２Ｂ），９３（９３Ａ，９３Ｂ）を設けると共に前述の制御部８４にて各バルブ８３の開閉を制御するように構成し、例えば搬送口５３を塞ぐ図示しないシャッターが開いた時に、当該搬送口５３に対応するガス供給手段にのみガスの供給を行うようにすることで、処理部Ｓ１への圧力の影響を少なくすることができる。
【００３６】
また、最初の実施の形態においては、排気口７７を開口部７１から離した位置に設けることでアーム６６の移動領域が汚染されることを回避しようとしたが、例えば図１２に示すように開口部７１の位置を搬送口５３から離れた側面に形成し、支持部材４１をＬ字型に屈曲させる構成とすることもできる。このような実施の形態は単独で用いてもよいが、最初の実施の形態または第２の実施の形態と組み合わせることで効果を高めることができる。
【００３７】
更に本実施の形態では、半導体ウエハの表面に所定のレジストパターンを形成する塗布、現像装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば基板表面に有機系シリカを塗布すると共にこれを加熱してガラス膜を形成する装置に適用して液処理ユニットであるシリカ塗布ユニットに基板を搬送する部位に上述実施の形態を組み込むようにしてもよいし、基板としてはウエハに限らずＬＣＤ基板であってもよい。
【００３８】
【発明の効果】
以上のように本発明に係る基板処理装置及びその方法によれば、基板の昇降時において発生するパーティクルにより、基板が汚染されることを軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の実施の形態を示す平面図である。
【図２】本発明に係る基板処理装置の実施の形態を示す斜視図である。
【図３】主搬送手段４Ａの全体構造を示した斜視図である。
【図４】筐体７Ａ内部を説明するための横断面図である。
【図５】搬送部本体６を説明するための縦断面図である。
【図６】本実施の形態の作用を説明するための説明図である
【図７】本発明に係る基板処理装置の他の実施の形態を示す概略説明図である。
【図８】本発明に係る基板処理装置の他の実施の形態を示す概略説明図である。
【図９】本発明に係る基板処理装置の他の実施の形態を示す概略説明図である。
【図１０】図９に示した実施の形態における作用を示す説明図である。
【図１１】本発明に係る基板処理装置の更に他の実施の形態を示す概略説明図である。
【図１２】本発明に係る基板処理装置の上述以外の実施の形態を示す概略説明図である。
【図１３】従来発明に係る基板処理装置を説明する平面図である。
【図１４】従来発明に係る基板処理装置におけるウエハの搬送手段を示す平面図である。
【符号の説明】
Ｃ    カセット
Ｗ    ウエハ
Ｓ１  処理部
２１  カセットステーション
４    主搬送手段
４１  支持部材
５    液処理ユニット
５３  搬送口
６    搬送部本体
７    筐体
７１  開口部
７２  隔壁
７３  ガイド軸
７４  駆動機構
７５  孔部
７６  ファン
７７  排気口
８    ガス供給手段
８１  ガス吐出孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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