(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
切り欠きが形成された基板と、
電気信号を光信号に変換する送信モジュールと、
光信号を電気信号に変換する受信モジュールと、
前記送信モジュール及び前記受信モジュールに接続されるパラレル／シリアル変換ＩＣと、
前記基板を収容するための筐体と、
前記筐体と一体的に設けられ、前記基板に形成された前記切り欠きを囲む遮蔽部材と、を備え、
前記送信モジュール及び前記受信モジュールのいずれか一方が、表面実装型のモジュールであると共に、前記基板の一方面に実装され、
前記送信モジュール及び前記受信モジュールのいずれか他方が、バタフライパッケージ型のモジュールであると共に、前記基板に形成された前記切り欠きに実装され、
前記基板の前記一方面には前記送信モジュール及び前記受信モジュールのうち前記表面実装型のモジュールである方と前記パラレル／シリアル変換ＩＣとを電気的に接続するための第１の配線が設けられ、前記基板の他方面には前記送信モジュール及び前記受信モジュールのうち前記バタフライパッケージ型のモジュールである方と前記パラレル／シリアル変換ＩＣとを電気的に接続するための第２の配線が設けられており、
前記第１の配線と前記第２の配線とが前記遮蔽部材により電磁遮蔽されていることを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
複数の切り欠きが形成された基板と、
電気信号を光信号に変換する送信モジュールと、
光信号を電気信号に変換する受信モジュールと、
前記送信モジュール及び前記受信モジュールに接続されるパラレル／シリアル変換ＩＣと、
前記基板を収容するための筐体と、
前記筐体と一体的に設けられ、前記基板に形成された前記複数の切り欠きを個々に囲む遮蔽部材と、を備え、
前記送信モジュール及び前記受信モジュールが、バタフライパッケージ型のモジュールであると共に、前記基板に形成された前記複数の切り欠きにそれぞれ実装され、
前記基板の前記一方面には前記送信モジュール及び前記受信モジュールのいずれか一方と前記パラレル／シリアル変換ＩＣとを電気的に接続するための第１の配線が設けられ、前記基板の他方面には前記送信モジュール及び前記受信モジュールのいずれか他方と前記パラレル／シリアル変換ＩＣとを電気的に接続するための第２の配線が設けられており、
前記第１の配線と前記第２の配線とが前記遮蔽部材により電磁遮蔽されていることを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光トランシーバモジュール等の光モジュールは、半導体レーザ等の発光素子を内蔵する送信（発光）モジュールと、フォトダイオード等の受光素子を内蔵する受信（受光）モジュールと、送信モジュールに接続される送信モジュール用パラレル／シリアル変換ＩＣと、受信モジュールに接続される受信モジュール用パラレル／シリアル変換ＩＣとを備えている。そして、従来の光モジュールでは、送信モジュール及び送信モジュール用パラレル／シリアル変換ＩＣを含む送信系と、受信モジュール及び受信モジュール用パラレル／シリアル変換ＩＣを含む受信系とをそれぞれ分けて配置して、境界部分に電磁遮蔽するための遮蔽部材を設けることで電磁的な相互干渉（放射ノイズの影響）を防いでいた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来の光モジュールでは、小型化、低コスト化のために、送信モジュール及び受信モジュールの両者に接続される送受信一体型のパラレル／シリアル変換ＩＣを用いた場合、送信系と受信系とを分けて配置することが困難となり、電磁的な相互干渉を防ぐことができなくなるおそれがあった。
【０００４】
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、送受信一体型のパラレル／シリアル変換ＩＣを用いた場合においても、電磁的な相互干渉を防ぐことが可能な光モジュールを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る光モジュールは、切り欠きが形成された基板と、電気信号を光信号に変換する送信モジュールと、光信号を電気信号に変換する受信モジュールと、送信モジュール及び受信モジュールに接続されるパラレル／シリアル変換ＩＣと、基板を収容するための筐体と、筐体と一体的に設けられ、前記基板に形成された前記切り欠きを囲む遮蔽部材と、を備え、送信モジュール及び受信モジュールのいずれか一方が、表面実装型のモジュールであると共に、基板の一方面に実装され、送信モジュール及び受信モジュールのいずれか他方が、バタフライパッケージ型のモジュールであると共に、基板に形成された切り欠きに実装され、基板の一方面には送信モジュール及び受信モジュールのうち表面実装型のモジュールである方とパラレル／シリアル変換ＩＣとを電気的に接続するための第１の配線が設けられ、基板の他方面にはバタフライパッケージ型のモジュールのうちバタフライパッケージ型のモジュールである方とパラレル／シリアル変換ＩＣとを電気的に接続するための第２の配線が設けられており、第１の配線と第２の配線とが遮蔽部材により電磁遮蔽されていることを特徴としている。
【００１０】
本発明に係る光モジュールでは、送信モジュールと受信モジュールとに対応して、第１の配線と第２の配線とが互いに基板の異なる面に設けられる。この結果、パラレル／シリアル変換ＩＣとして送受信一体型のものを用いた場合においても、送信系と受信系の間における電磁的な相互干渉を防ぐことができる。送信モジュール及び受信モジュールの少なくとも一方がバタフライパッケージ型のモジュールの場合、当該モジュールを実装するための切り欠きを基板に形成する必要があり、この切り欠きを介して電磁的な相互干渉が生じるおそれがある。しかしながら、本発明では、第１の配線と第２の配線とが遮蔽部材により電磁遮蔽されているので、電磁的な相互干渉を確実に防ぐことができる。また、第１の配線と第２の配線とが互いに基板の異なる面に設けられているので、遮蔽部材の配置も容易である。
【００１１】
本発明に係る光モジュールは、複数の切り欠きが形成された基板と、電気信号を光信号に変換する送信モジュールと、光信号を電気信号に変換する受信モジュールと、送信モジュール及び受信モジュールに接続されるパラレル／シリアル変換ＩＣと、基板を収容するための筐体と、筐体と一体的に設けられ、基板に形成された複数の切り欠きを個々に囲む遮蔽部材と、を備え、送信モジュール及び受信モジュールが、バタフライパッケージ型のモジュールであると共に、基板に形成された複数の切り欠きにそれぞれ実装され、基板の一方面には送信モジュール及び受信モジュールのいずれか一方とパラレル／シリアル変換ＩＣとを電気的に接続するための第１の配線が設けられ、基板の他方面には送信モジュール及び受信モジュールのいずれか他方とパラレル／シリアル変換ＩＣとを電気的に接続するための第２の配線が設けられており、第１の配線と第２の配線とが遮蔽部材により電磁遮蔽されていることを特徴としている。
【００１２】
本発明に係る光モジュールでは、第１の配線と第２の配線とは互いに基板の異なる面に設けられる。この結果、パラレル／シリアル変換ＩＣとして送受信一体型のものを用いた場合においても、送信系と受信系の間における電磁的な相互干渉を防ぐことができる。送信モジュール及び受信モジュールがバタフライパッケージ型のモジュールの場合、当該モジュールを実装するための切り欠きを基板に形成する必要があり、この切り欠きを介して電磁的な相互干渉が生じるおそれがある。しかしながら、本発明では、第１の配線と第２の配線とが遮蔽部材により電磁遮蔽されているので、電磁的な相互干渉を確実に防ぐことができる。また、第１の配線と第２の配線とが互いに基板の異なる面に設けられているので、遮蔽部材の配置も容易である。
【００１３】
また、基板を収容するための金属製の筐体を更に備えており、遮蔽部材は、筐体と一体的に設けられていることが好ましい。このように構成した場合、部品点数の削減、製造工程の簡略化等により、光モジュールの低コスト化が可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態に係る光モジュールについて図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１５】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る光モジュールとしての光トランシーバモジュールの構成を示す斜視図である。また、図２及び図３は、第１実施形態に係る光トランシーバモジュールの構成を示す分解斜視図である。
【００１６】
図１〜図３に示すように、光トランシーバモジュールＭ１は、発光モジュール１２、受光モジュール１４、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８、コネクタ端子２０、基板２２、筐体２４、キャップ２６等を備えている。
【００１７】
発光モジュール１２（送信モジュール）は、図２に示すように、バタフライパッケージ型のモジュールである。この発光モジュール１２は、発光素子が封止された素子収容部３０と、ファイバ接続部３２とを有しており、電気信号を光信号に変換する。
【００１８】
素子収容部３０は、半導体レーザなどの発光素子と、発光素子の発光状態をモニタするためのフォトダイオードなどの受光素子と、発光素子及び受光素子を搭載する搭載部材と、これらを収容するハウジングと、を含んでいる。ハウジングの側面の高さ方向中央位置には、複数のアウターリード４２が設けられている。なお、搭載部材はＣｕＷといった金属から形成されている。また、ハウジングの底部はＣｕＷといった金属から形成されており、それ以外の部分はコバールといった金属から形成されている。
【００１９】
ファイバ接続部３２は、集光レンズといったレンズと、レンズを保持するレンズ保持部材と、フェルールと、このフェルールを保持するフェルールホルダと、ゴムブーツと、を含んでいる。フェルールには、光ファイバ５８の一端を保護するように、光ファイバ５８が挿入されている。光ファイバ５８は、フェルール及びフェルールホルダを介してレンズに位置合わせされており、これにより発光素子との光学的な結合が図られている。ゴムブーツは、レンズ保持部材、フェルールホルダ、フェルール、保持部材、及び光ファイバ５８の一部を覆い、これらを保護している。光ファイバ５８は、ゴムブーツを通して外部へ取り出される。
【００２０】
受光モジュール１４（受信モジュール）は、図２に示すように、表面実装型のモジュールである。この受光モジュール１４は、素子収容部６０とファイバ接続部６２とを有しており、光信号を電気信号に変換する。
【００２１】
素子収容部６０は、フォトダイオードなどの受光素子を樹脂封止して構成されている。この素子収容部６０の側面には、複数のアウターリード６６が設けられており、表面実装可能なように屈曲されている。
【００２２】
ファイバ接続部６２は、内部に光ファイバ（図示しない）が挿入されたフェルールと、フェルールを保持する円筒状のスリーブ（図示しない）とを、フェルールの一端を突出させた状態で樹脂封止して構成されている。そして、ファイバ接続部の一対の側面には、光コネクタプラグ７０の係合爪と係合される突起部が設けられている。
【００２３】
光コネクタプラグ７０は、いわゆるＥＺコネクタと呼ばれる樹脂製の簡易コネクタである。受光モジュール１４に光コネクタプラグ７０が取り付けられると、図２に示すように、受光モジュール１４のフェルールは、光コネクタプラグ７０のスリーブ（図示しない）に収納され固定される。また、このスリーブには、光コネクタプラグ７０の一方から導入された光ファイバ７６が、フェルール（図示しない）を介してスリーブ内に挿入されて位置決めされている。このため、双方の光ファイバのコアの中心軸は同軸に合わされる。
【００２４】
パラレル／シリアル変換ＩＣ１８は、ＢＧＡ（Ball grid array）を有する送受信一体型のパラレル／シリアル変換ＩＣであり、発光モジュール１２及び受光モジュール１４に接続されている。このパラレル／シリアル変換ＩＣ１８は、発光モジュール１２への信号をパラレル入力形式からシリアル入力形式に変換すると共に、受光モジュール１４からの信号をシリアル出力からパラレル出力に変換する。
【００２５】
コネクタ端子２０は、ＢＧＡと複数のリードピン（あるいはリードピンと嵌合するレセプタクル）からなる雄コネクタ端子（あるいは雌コネクタ端子）である。このコネクタ端子２０は、低速の複数の信号を筐体２４内部の基板２２に導入したり導出したりするため、ＢＧＡにより端子の高密度化が図られている。このコネクタ端子２０は、光トランシーバモジュールＭ１が実装される図示しない実装基板上の雌コネクタ端子（あるいは雄コネクタ端子）と連結され、これにより両者の電気的な接続が図られる。
【００２６】
基板２２は、外形が略長方形状をなし、表面及び裏面にプリント配線が施されている。この基板２２は、その裏面に発光モジュール搭載領域、受光モジュール搭載領域、パラレル／シリアル変換ＩＣ搭載領域、及びコネクタ端子搭載領域を有している。このうち、発光モジュール搭載領域及び受光モジュール搭載領域は、基板２２の前縁に並んで設けられており、発光モジュール搭載領域は、基板２２の前縁を切り欠いて形成されている。
【００２７】
基板２２の裏面側のプリント配線は、図２に示すように、受光モジュール１４とパラレル／シリアル変換ＩＣ１８とを電気的に接続する第１の配線２３ａを含んでいる。基板２２の表面側のプリント配線は、図３に示すように、発光モジュール１２とパラレル／シリアル変換ＩＣ１８とを電気的に接続する第２の配線２３ｂを含んでいる。なお、第２の配線２３ｂは、ビア等により基板２２の裏面側に導かれ、発光モジュール１２とパラレル／シリアル変換ＩＣ１８とに接続されている。
【００２８】
筐体２４は、基板２２を収容するためのものであり、アルミや銅などの金属から形成されている。ただし、熱伝導率、コスト等を考慮すると、アルミが好適である。この筐体２４は、上部筐体７８と下部筐体８０を有している。上部筐体７８は、図２に示すように、基板２２に沿って延びる上壁部８２と、上壁部８２の縁部に設けられた側壁部８４とを含んでいる。
【００２９】
下部筐体８０は、図２及び図３に示すように、基板２２に沿って延びる底壁部８６と、底壁部８６の縁部に設けられた側壁部８８とを含んでいる。底壁部８６のコネクタ端子２０に対応する部分は、貫通されて開口部９０とされている。この下部筐体８０の内面には、遮蔽部材９１が一体的に設けられている。遮蔽部材９１は、アルミ等の金属からなり、開口部９０の一縁に沿う遮蔽壁部分９２と、遮蔽壁部分９２と交差する遮蔽壁部分９４と、遮蔽壁部分９４と交差する遮蔽壁部分９５を含んでいる。これにより、発光モジュール１２と、受光モジュール１４及びパラレル／シリアル変換ＩＣ１６とが遮蔽される。また、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとは、基板２２及び遮蔽部材９１（遮蔽壁部分９４及び遮蔽壁部分９５）により遮蔽されている。なお、遮蔽部材９１は、熱伝導率を考慮すると、筐体２４と同じ金属であることが好適である。
【００３０】
キャップ２６は、発光モジュール１２のファイバ接続部３２を被覆するように設けられた円筒状の部材であり、アルミや銅などの金属から形成されている。ただし、熱伝導率、コスト等を考慮すると、アルミが好適である。このキャップ２６は、その軸方向に沿って分割され、上部キャップ片（第１のキャップ片）９６と下部キャップ片（第２のキャップ片）９８とを有している。
【００３１】
ここで、上部キャップ片９６は、上部筐体７８の前方の側壁部８４に一体に設けられている。これに対し、下部キャップ片９８は、筐体２４とは別個に設けられている。この下部キャップ片９８は、上部筐体７８と下部筐体８０との間で挟持するための基端部１００を含む。このように、基端部１００を介して下部キャップ片９８を上部筐体７８と下部筐体８０との間で挟持し筐体２４と接続することが可能であるため、接着剤等を塗布したり、溶接を施したり、ネジ止めしたりする作業が不要となり、生産効率の向上が図られる。
【００３２】
また、下部キャップ片９８は、その先端部においてバネ性を有するラッチ部１０２を有している。このラッチ部１０２は、下部キャップ片９８の先端部において片持ち支持されており、ラッチ部１０２の先端と下部キャップ片９８の先端部との間には隙間１０４が設けられている。この隙間１０４は、発光モジュール１２の光ファイバ５８を通すために設けられている。ラッチ部１０２は、上部キャップ片９６の先端部を包み込むように係止し、上部キャップ片９６と下部キャップ片９８とを固定する。このように、ラッチ部１０２を介して上部キャップ片９６と下部キャップ片９８とを固定することが可能であるため、接着剤等を塗布したり、溶接を施したり、ネジ止めしたりする作業が不要となり、生産効率の向上が図られる。
【００３３】
また、上部筐体７８の前方の側壁部８４には、受光モジュール１４に接続された光コネクタプラグ７０を位置決めする位置決め部１０６が一体に設けられている。この位置決め部１０６は、光コネクタプラグ７０から延びる光ファイバ７６を案内する案内溝１０８を有する。また、下部筐体８０の前方の側壁部８８には、位置決め部１０６により位置決めされた光コネクタプラグ７０を押える押え部１１０が一体に設けられている。
【００３４】
上記した構成の発光モジュール１２が、基板２２の発光モジュール搭載領域に搭載、実装され、受光モジュール１４が基板２２の受光モジュール搭載領域に搭載、実装されている。また、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８が基板２２のパラレル／シリアル変換ＩＣ搭載領域に搭載、実装されている。更に、コネクタ端子２０が基板２２のコネクタ端子搭載領域に搭載、実装されている。そして、これらの部材を搭載、実装した基板２２が、図４に示すように、上部筐体７８に対してネジ１１２により固定されている。このとき、発光モジュール１２のファイバ接続部３２は、上部キャップ片９６に収容され、受光モジュール１４の光コネクタプラグ７０は、位置決め部１０６により位置決めされている。
【００３５】
更に、図５に示すように、下部キャップ片９８がラッチ部１０２を介して上部キャップ片９６に組み付けられ固定されている。そして、上部筐体７８に対して下部筐体８０が６つのネジ１１４を用いて組み付けられている。このとき、下部キャップ片９８は、基端部１００を介して上部筐体７８と下部筐体８０との間に挟持される。また、押え部１１０により光コネクタプラグ７０が押えられ固定される。
【００３６】
これらのようにして、図１に示すような、本第１実施形態に係る光トランシーバモジュールＭ１が構成される。この光トランシーバモジュールＭ１は、下部筐体８０が図示しない実装基板と対面するようにして実装される。このとき、基板２２に搭載されたコネクタ端子２０と、実装基板上のコネクタ端子とが、下部筐体８０の開口部９０を通して結合されることで、基板２２の配線回路と実装基板の配線回路とが電気的に接続される。
【００３７】
以上のように、本第１実施形態に係る光トランシーバモジュールＭ１においては、発光モジュール１２と受光モジュール１４とが基板２２の裏面側に実装されるものの、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとは互いに基板２２の異なる面に設けられる。この結果、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８として送受信一体型のものを用いた場合においても、送信系（発光モジュール１２及び第２の配線２３ｂ）と受信系（受光モジュール１４及び第１の配線２３ａ）の間における電磁的な相互干渉（送信系から受信系への放射ノイズの影響）を防ぐことができる。
【００３８】
ところで、発光モジュール１２がバタフライパッケージ型のモジュールであり、当該発光モジュール１２を実装するための切り欠きを基板２２に形成する必要があり、この切り欠きを介して電磁的な相互干渉が生じるおそれがある。しかしながら、本第１実施形態に係る光トランシーバモジュールＭ１では、送信系（発光モジュール１２及び第２の配線２３ｂ）と受信系（受光モジュール１４及び第１の配線２３ａ）とが遮蔽部材９１により電磁遮蔽されているので、電磁的な相互干渉を確実に防ぐことができる。また、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとが互いに基板２２の異なる面に設けられているので、遮蔽部材９１の配置も容易である。
【００３９】
なお、この電磁的な相互干渉の防止効果は、発光モジュール１２の発光素子、受光モジュール１４の受光素子共に動作速度が１０ＧＨｚ以上となるような高速動作の場合に顕著に現れる。
【００４０】
また、本第１実施形態に係る光トランシーバモジュールＭ１においては、基板２２を収容するための金属製の筐体２４を備えており、遮蔽部材９１は筐体２４と一体的に設けられている。これにより、部品点数の削減、製造工程の簡略化等により、光トランシーバモジュールＭ１の低コスト化が可能となる。
【００４１】
（第２実施形態）
図６は、第２実施形態に係る光モジュールとしての光トランシーバモジュールの構成を説明するための概略斜視図である。第２実施形態は、発光モジュール１２と受光モジュール１４とが表面実装型である点で第１実施形態と相違する。
【００４２】
図６に示されるように、本第２実施形態の光トランシーバモジュールＭ２は、発光モジュール１２、受光モジュール１４、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８、コネクタ端子２０、基板２２、筐体２４等を備えている。なお、第１実施形態にて説明した、キャップ２６、光ファイバ５８，７６、位置決め部１０６等については、その図示を省略している。
【００４３】
発光モジュール１２と受光モジュール１４とは、表面実装型のモジュールである。基板２２は、その裏面に受光モジュール搭載領域、パラレル／シリアル変換ＩＣ搭載領域、及びコネクタ端子搭載領域を有し、その表面に発光モジュール搭載領域を有している。
【００４４】
基板２２の裏面側のプリント配線は、受光モジュール１４とパラレル／シリアル変換ＩＣ１８とを電気的に接続する第１の配線２３ａを含んでいる。基板２２の表面側のプリント配線は、発光モジュール１２とパラレル／シリアル変換ＩＣ１８とを電気的に接続する第２の配線２３ｂを含んでいる。なお、第２の配線２３ｂは、ビア等により基板２２の裏面側に導かれ、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８に接続されている。
【００４５】
発光モジュール１２が基板２２の発光モジュール搭載領域に搭載、実装され、受光モジュール１４が基板２２の受光モジュール搭載領域に搭載、実装されている。また、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８が基板２２のパラレル／シリアル変換ＩＣ搭載領域に搭載、実装されている。更に、コネクタ端子２０が基板２２のコネクタ端子搭載領域に搭載、実装されている。
【００４６】
発光モジュール１２と、受光モジュール１４及びパラレル／シリアル変換ＩＣ１６とは、基板２２により遮蔽されている。また、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとは、基板２２により遮蔽されている。
【００４７】
以上のように、本第２実施形態に係る光トランシーバモジュールＭ２においては、発光モジュール１２と受光モジュール１４とが互いに基板２２の異なる面側に表面実装される。そして、これに対応して、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとが互いに基板２２の異なる面に設けられる。この結果、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８として送受信一体型のものを用いた場合においても、送信系と受信系の間における電磁的な相互干渉を防ぐことができる。また、電磁的な相互干渉を防ぎ得る構成を、基板２２の両面に対応する第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとを設けるという極めて簡易な構成にて実現できる。
【００４８】
（第３実施形態）
図７は、第３実施形態に係る光モジュールとしての光トランシーバモジュールの構成説明するための概略斜視図である。第３実施形態は、発光モジュール１２と受光モジュール１４とを基板の同じ面に実装している点で第２実施形態と相違する。
【００４９】
図７に示されるように、本第３実施形態の光トランシーバモジュールＭ３は、発光モジュール１２、受光モジュール１４、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８、コネクタ端子２０、基板２２、筐体２４等を備えている。なお、第１実施形態にて説明した、キャップ２６、光ファイバ５８，７６、位置決め部１０６等については、その図示を省略している。
【００５０】
発光モジュール１２と受光モジュール１４とは、表面実装型のモジュールである。基板２２は、その裏面に発光モジュール搭載領域、受光モジュール搭載領域、パラレル／シリアル変換ＩＣ搭載領域、及びコネクタ端子搭載領域を有している。
【００５１】
基板２２の裏面側のプリント配線は、受光モジュール１４とパラレル／シリアル変換ＩＣ１８とを電気的に接続する第１の配線２３ａを含んでいる。基板２２の表面側のプリント配線は、発光モジュール１２とパラレル／シリアル変換ＩＣ１８とを電気的に接続する第２の配線２３ｂを含んでいる。なお、第２の配線２３ｂは、ビア等により基板２２の裏面側に導かれ、発光モジュール１２とパラレル／シリアル変換ＩＣ１８とに接続されている。
【００５２】
発光モジュール１２が基板２２の発光モジュール搭載領域に搭載、実装され、受光モジュール１４が基板２２の受光モジュール搭載領域に搭載、実装されている。また、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８が基板２２のパラレル／シリアル変換ＩＣ搭載領域に搭載、実装されている。更に、コネクタ端子２０が基板２２のコネクタ端子搭載領域に搭載、実装されている。
【００５３】
筐体２４（下部筐体）には、遮蔽部材９１が一体的に設けられている。この遮蔽部材９１により、発光モジュール１２と、受光モジュール１４及びパラレル／シリアル変換ＩＣ１６とが遮蔽されている。また、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとは、基板２２により遮蔽されている。
【００５４】
以上のように、本第３実施形態に係る光トランシーバモジュールＭ３においては、発光モジュール１２と受光モジュール１４とが基板２２の同じ面側に表面実装されるものの、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとは互いに基板２２の異なる面に設けられる。この結果、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８として送受信一体型のものを用いた場合においても、送信系と受信系の間における電磁的な相互干渉を防ぐことができる。また、電磁的な相互干渉を防ぎ得る構成を、基板２２の両面に対応する第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとを設けるという極めて簡易な構成にて実現できる。
【００５５】
また、本第３実施形態に係る光トランシーバモジュールＭ３では、発光モジュール１２と受光モジュール１４とが遮蔽部材９１により電磁遮蔽されているので、電磁的な相互干渉をより一層確実に防ぐことができる。また、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとが互いに基板２２の異なる面に設けられているので、遮蔽部材９１の配置も容易である。
【００５６】
（第４実施形態）
図８は、第４実施形態に係る光モジュールとしての光トランシーバモジュールの構成を説明するための概略斜視図である。第４実施形態は、発光モジュール１２と受光モジュール１４とを基板の異なる面にそれぞれ実装している点で第１実施形態と相違する。
【００５７】
図８に示されるように、本第４実施形態の光トランシーバモジュールＭ４は、発光モジュール１２、受光モジュール１４、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８、コネクタ端子２０、基板２２、筐体２４等を備えている。なお、第１実施形態にて説明した、キャップ２６、光ファイバ５８，７６、位置決め部１０６等については、その図示を省略している。
【００５８】
発光モジュール１２はバタフライパッケージ型のモジュールであり、受光モジュール１４は表面実装型のモジュールである。基板２２は、その裏面に受光モジュール搭載領域、パラレル／シリアル変換ＩＣ搭載領域、及びコネクタ端子搭載領域を有し、その表面に発光モジュール搭載領域を有している。
【００５９】
基板２２の裏面側のプリント配線は、受光モジュール１４とパラレル／シリアル変換ＩＣ１８とを電気的に接続する第１の配線２３ａを含んでいる。基板２２の表面側のプリント配線は、発光モジュール１２とパラレル／シリアル変換ＩＣ１８とを電気的に接続する第２の配線２３ｂを含んでいる。なお、第２の配線２３ｂは、ビア等により基板２２の裏面側に導かれ、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８に接続されている。
【００６０】
発光モジュール１２が基板２２の発光モジュール搭載領域に搭載、実装され、受光モジュール１４が基板２２の受光モジュール搭載領域に搭載、実装されている。また、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８が基板２２のパラレル／シリアル変換ＩＣ搭載領域に搭載、実装されている。更に、コネクタ端子２０が基板２２のコネクタ端子搭載領域に搭載、実装されている。
【００６１】
筐体２４（下部筐体）には、遮蔽部材９１が一体的に設けられている。この遮蔽部材９１により、発光モジュール１２と、受光モジュール１４及びパラレル／シリアル変換ＩＣ１６とが遮蔽されている。また、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとは、基板２２及び遮蔽部材９１により遮蔽されている。
【００６２】
以上のように、本第３実施形態に係る光トランシーバモジュールＭ３においては、発光モジュール１２と受光モジュール１４とが互いに基板２２の異なる面側に実装され、これに対応して、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとが互いに基板２２の異なる面に設けられる。この結果、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８として送受信一体型のものを用いた場合においても、送信系と受信系の間における電磁的な相互干渉を防ぐことができる。
【００６３】
また、本第４実施形態に係る光トランシーバモジュールＭ４においては、送信系（発光モジュール１２及び第２の配線２３ｂ）と受信系（受光モジュール１４及び第１の配線２３ａ）とが遮蔽部材９１により電磁遮蔽されているので、発光モジュール１２を実装するための切り欠きを基板２２に形成した場合でも、電磁的な相互干渉を確実に防ぐことができる。また、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとが互いに基板２２の異なる面に設けられているので、遮蔽部材９１の配置も容易である。
【００６４】
（第５実施形態）
図９は、第５実施形態に係る光モジュールとしての光トランシーバモジュールの構成を説明するための概略斜視図である。第５実施形態は、発光モジュール１２と受光モジュール１４とがバタフライパッケージ型である点で第２実施形態と相違する。
【００６５】
図９に示されるように、本第５実施形態の光トランシーバモジュールＭ５は、発光モジュール１２、受光モジュール１４、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８、コネクタ端子２０、基板２２、筐体２４等を備えている。なお、第１実施形態にて説明した、キャップ２６、光ファイバ５８，７６、位置決め部１０６等については、その図示を省略している。
【００６６】
発光モジュール１２と受光モジュール１４とは、バタフライパッケージ型のモジュールである。基板２２は、その裏面に受光モジュール搭載領域、パラレル／シリアル変換ＩＣ搭載領域、及びコネクタ端子搭載領域を有し、その表面に発光モジュール搭載領域を有している。
【００６７】
基板２２の裏面側のプリント配線は、受光モジュール１４とパラレル／シリアル変換ＩＣ１８とを電気的に接続する第１の配線２３ａを含んでいる。基板２２の表面側のプリント配線は、発光モジュール１２とパラレル／シリアル変換ＩＣ１８とを電気的に接続する第２の配線２３ｂを含んでいる。なお、第２の配線２３ｂは、ビア等により基板２２の裏面側に導かれ、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８に接続されている。
【００６８】
発光モジュール１２が基板２２の発光モジュール搭載領域に搭載、実装され、受光モジュール１４が基板２２の受光モジュール搭載領域に搭載、実装されている。また、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８が基板２２のパラレル／シリアル変換ＩＣ搭載領域に搭載、実装されている。更に、コネクタ端子２０が基板２２のコネクタ端子搭載領域に搭載、実装されている。
【００６９】
筐体２４（上部筐体及び下部筐体）には、遮蔽部材９１が一体的に設けられている。この遮蔽部材９１により、発光モジュール１２と受光モジュール１４とが遮蔽されている。また、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとは、基板２２及び遮蔽部材９１により遮蔽されている。なお、基板２２の表面側の遮蔽部材９１は、一点鎖線にて示している。
【００７０】
以上のように、本第５実施形態に係る光トランシーバモジュールＭ５においても、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８として送受信一体型のものを用いた場合に、送信系と受信系の間における電磁的な相互干渉を防ぐことができる。
【００７１】
また、本第５実施形態に係る光トランシーバモジュールＭ５においては、送信系（発光モジュール１２及び第２の配線２３ｂ）と受信系（受光モジュール１４及び第１の配線２３ａ）とが遮蔽部材９１により電磁遮蔽されているので、発光モジュール１２を実装するための切り欠きを基板２２に形成した場合でも、電磁的な相互干渉を確実に防ぐことができる。また、第１の配線２３ａと第２の配線２３ｂとが互いに基板２２の異なる面に設けられているので、遮蔽部材９１の配置も容易である。
【００７２】
なお、本第５実施形態においては、発光モジュール１２と受光モジュール１４とを基板の同じ面に実装してもよい。
【００７３】
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８を基板２２の表面側に実装してもよい。この場合には、第１の配線２３ａは、ビア等により基板２２の表面側に導かれ、パラレル／シリアル変換ＩＣ１８に接続されることとなる。また、遮蔽部材９１を基板２２と一体的に設けるようにしてもよい。
【００７４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、送受信一体型のパラレル／シリアル変換ＩＣを用いた場合においても、電磁的な相互干渉を防ぐことが可能な光モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態に係る光トランシーバモジュールの構成を示す斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る光トランシーバモジュールの構成を示す分解斜視図である。
【図３】第１実施形態に係る光トランシーバモジュールの構成を示す分解斜視図である。
【図４】光トランシーバモジュールの組み付けの様子を示す斜視図である。
【図５】光トランシーバモジュールの組み付けの様子を示す斜視図である。
【図６】第２実施形態に係る光トランシーバモジュールの構成を説明するための概略斜視図である。
【図７】第３実施形態に係る光トランシーバモジュールの構成を説明するための概略斜視図である。
【図８】第４実施形態に係る光トランシーバモジュールの構成を説明するための概略斜視図である。
【図９】第５実施形態に係る光トランシーバモジュールの構成を説明するための概略斜視図である。
【符号の説明】
１２…発光モジュール、１４…受光モジュール、１８…パラレル／シリアル変換ＩＣ、２０…コネクタ端子、２２…基板、２３ａ…第１の配線、２３ｂ…第２の配線、２４…筐体、９１…遮蔽部材、Ｍ１〜Ｍ５…光トランシーバモジュール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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