(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有し厚さ５０ｎｍ以上１０μｍ以下の単結晶層と、
前記単結晶層の主面上に形成され、結晶性および導電性を有し、かつ、前記単結晶層よりも薄い厚さを有する第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対してａ軸およびｂ軸方向の変形が弾性的に前記単結晶層によって拘束され、ｃ軸方向の変型は拘束されないようにして形成されている単結晶層或いは単一配向層からなり、キュリー温度を境にして２次相転移を生ずるペロブスカイト構造をもつ強誘電体層と、
前記強誘電体層上に形成された第２の電極層と、を具備し、前記第１の電極層の厚さは前記強誘電体層の厚さよりも薄く、前記強誘電体層の電荷量を第１の電極層及び第２の電極層から電気信号として検出することを特徴とする赤外線検出素子。
【請求項２】
前記強誘電体層がＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０≦ｘ≦１）を主成分とすることを特徴とする請求項1記載の赤外線検出素子。
【請求項３】
前記第１の電極層がペロブスカイト構造をもつ導電性酸化物であることを特徴とする請求項１記載の赤外線検出素子。
【請求項４】
前記単結晶層が（００１）方位の単結晶シリコン層であり、前記強誘電体層が（００１）方位にエピタキシャル成長或いは配向成長していることを特徴とする請求項１記載の赤外線検出素子。
【請求項５】
前記強誘電体層のａ軸及びｂ軸が前記単結晶層の主面に対して面内方向に形成され、前記強誘電体層のｃ軸が前記単結晶層の主面に対して垂直方向に形成されていることを特徴とする請求項１記載の赤外線検出素子。
【請求項６】
主面を有し厚さ５０ｎｍ以上１０μｍ以下の単結晶層と、
前記単結晶層の主面上に形成され、結晶性および導電性を有し、かつ、前記単結晶層よりも薄い厚さを有する第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対してａ軸およびｂ軸方向の変形が弾性的に前記単結晶層によって拘束され、ｃ軸方向の変型は拘束されないようにして形成されている単結晶層或いは単一配向層からなり、キュリー温度を境にして２次相転移を生ずるペロブスカイト構造をもつ第１の強誘電体層と、
前記第１の強誘電体層上に形成された第２の電極層を有する赤外線検出素子と、
前記単結晶層の主面上に形成された第３の電極層と、
前記第３の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対して面内方向の変形が弾性的に前記単結晶層によって拘束されている単結晶層或いは単一配向層からなる第２の強誘電体層と、前記第２の強誘電体層上に形成された第４の電極層を有するダミーセルと、
前記ダミーセル上に形成された赤外線反射膜と、を具備し、前記第１の電極層の厚さは前記強誘電体層の厚さよりも薄く、前記赤外線検出素子の前記第１の強誘電体層の電荷量を前記第１の電極層及び第２の電極層から電気信号として検出し、前記ダミーセルの前記第２の強誘電体層の電荷量を前記第３の電極層及び第４の電極層からの電気信号として検出し、これらの電気信号の差を検出することを特徴とする赤外線検出装置。
【請求項７】
前記第２の強誘電体層がペロブスカイト構造をもつことを特徴とする請求項６記載の赤外線検出装置。
【請求項８】
前記第１および第２の強誘電体層がＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０≦ｘ≦１）を主成分とすることを特徴とする請求項７記載の赤外線検出装置。
【請求項９】
前記第１および第３の電極層がペロブスカイト構造をもつ導電性酸化物であることを特徴とする請求項８記載の赤外線検出装置。
【請求項１０】
前記単結晶層が（００１）方位の単結晶シリコン層であり、前記第１および第２の強誘電体層が（００１）方位にエピタキシャル成長或いは配向成長していることを特徴とする請求項９記載の赤外線検出装置。
【請求項１１】
前記第１および第２の強誘電体層のａ軸及びｂ軸が前記単結晶層の主面に対して面内方向に形成され、前記第１および第２の強誘電体層のｃ軸が前記単結晶層の主面に対して垂直方向に形成されていることを特徴とする請求項１０記載の赤外線検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、強誘電体自発分極の温度変化特性を用いた赤外線検出素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
民生用に一般に用いられている赤外線検出素子として、温度変化により自発分極が変化する特性を利用した焦電型赤外線検出素子がある。
【０００３】
この焦電型赤外線検出素子は、赤外線検出素子に入力させる赤外線をチョッパによって定期的に遮断（オフ）したり透過（オン）したりする。このチョッパによる断続周波数に同期する赤外線検出素子の温度変化に応じて、赤外線検出素子に電荷が生じる。この電荷を増幅装置にて増幅して電流や電圧として読み取るｋとによって、赤外線を検出するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、強誘電体の焦電効果を利用して赤外線検出素子を作製した。
【０００５】
強誘電体として例えばＢａＴｉＯ３は、低温から昇温するに従い菱面体晶→斜方晶→正方晶→立方晶と１次相転移を生じる。また高温から降温するとこの逆の立方晶→正方晶の１次相転移を生じる。例えば降温時に、立方晶→正方晶の相転移ではキュリー温度でａ軸＝ｂ軸＝ｃ軸＝４．０１オングストロームから、ａ軸及びｂ軸は約０．００５オングストローム縮み、ｃ軸は０．０１オングストローム伸びる。この相転移で結晶は、１８μＣ／ｃｍ２の自発分極が生じる。
【０００６】
この相転移で強誘電体は不連続に格子定数を変化させるので、温度と自発分極の特性が不連続に変化してしまう。このキュリー温度付近での温度と自発分極の不連続な変化はキュリー温度付近での正確な温度測定を不可能にしている。
【０００７】
本発明は、このような強誘電体の不連続な１次相転移をなくし、キュリー温度付近においても正確な温度測定が可能な赤外線検出素子を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明は、この赤外線検出素子を用いた赤外線検出装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、  主面を有し厚さ５０ｎｍ以上１０μｍ以下の単結晶層と、
前記単結晶層の主面上に形成され、結晶性および導電性を有し、かつ、前記単結晶層よりも薄い厚さを有する第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対してａ軸およびｂ軸方向の変形が弾性的に前記単結晶層によって拘束され、ｃ軸方向の変型は拘束されないようにして形成されている単結晶層或いは単一配向層からなり、キュリー温度を境にして２次相転移を生ずるペロブスカイト構造をもつ強誘電体層と、
前記強誘電体層上に形成された第２の電極層と、を具備し、前記第１の電極層の厚さは前記強誘電体層の厚さよりも薄く、前記強誘電体層の電荷量を第１の電極層及び第２の電極層から電気信号として検出することを特徴とする赤外線検出素子を提供する。
【００１０】
このとき前記強誘電体層の電荷量は、赤外線照射により温度変化することにより変化することが好ましい。。
【００１１】
このとき、前記強誘電体層がペロブスカイト構造をもつことが好ましい。
【００１２】
また、前記強誘電体層がＢａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（０≦ｘ≦１）を主成分とすることが好ましい。
【００１３】
また、前記第１の電極層がペロブスカイト構造をもつ導電性酸化物であることが好ましい。
【００１４】
また、前記単結晶層が（００１）方位の単結晶シリコン層であり、前記強誘電体層が（００１）方位にエピタキャル成長或いは配向成長していることが好ましい。
【００１５】
また、前記強誘電体層のａ軸及びｂ軸が前記半導体層の主面に対して面内方向に形成され、前記強誘電体層のｃ軸が前記半導体層の主面に対して垂直方向に形成されていることが好ましい。
【００１６】
また、本発明は、主面を有し厚さ５０ｎｍ以上１０μｍ以下の単結晶層と、
前記単結晶層の主面上に形成され、結晶性および導電性を有し、かつ、前記単結晶層よりも薄い厚さを有する第１の電極層と、
前記第１の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対してａ軸およびｂ軸方向の変形が弾性的に前記単結晶層によって拘束され、ｃ軸方向の変型は拘束されないようにして形成されている単結晶層或いは単一配向層からなり、キュリー温度を境にして２次相転移を生ずるペロブスカイト構造をもつ第１の強誘電体層と、
前記第１の強誘電体層上に形成された第２の電極層を有する赤外線検出素子と、
前記単結晶層の主面上に形成された第３の電極層と、
前記第３の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対して面内方向の変形が弾性的に前記単結晶層によって拘束されている単結晶層或いは単一配向層からなる第２の強誘電体層と、前記第２の強誘電体層上に形成された第４の電極層を有するダミーセルと、
前記ダミーセル上に形成された赤外線反射膜と、を具備し、前記第１の電極層の厚さは前記強誘電体層の厚さよりも薄く、前記赤外線検出素子の前記第１の強誘電体層の電荷量を前記第１の電極層及び第２の電極層から電気信号として検出し、前記ダミーセルの前記第２の強誘電体層の電荷量を前記第３の電極層及び第４の電極層からの電気信号として検出し、これらの電気信号の差を検出することを特徴とする赤外線検出装置を提供する。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明者らは、強誘電体の不連続な1次相転移が起こる理論を考察するために、ルシャンドル変換を導入して、単結晶ＢａＴｉＯ３の格子定数と温度との関係をシミュレーションした。
【００１８】
図1は、この結果を示したグラフである。図1の（１）に示すラインは単結晶ＢａＴｉＯ３のａ軸、ｂ軸及びｃ軸を固定していない状態の温度と格子定数の関係を示す特性である。（２）に示すラインは単結晶ＢａＴｉＯ３のａ軸及びｂ軸を固定し、ｃ軸のみを固定しない状態の温度と格子定数の関係を示す特性である。ライン（１）及びライン（２）ともに下側のラインはａ軸及びｂ軸の格子定数と温度との関係を示す特性であり、上側のラインはｃ軸の格子定数と温度との関係を示す特性である。
【００１９】
図１に示すように、ａ軸、ｂ軸及びｃ軸を固定しない単結晶ＢａＴｉＯ３は、特性（１）に示すように、キュリー温度（約1３２℃）よりも低温側で、ａ軸及びｂ軸の格子定数とｃ軸の格子定数が不連続に大きく違う。これはキュリー温度（約１３２℃）を境に低温側が正方晶、高温側が立方晶と結晶構造が異なり、正方晶と立方晶との間には１次相転移の関係があるためである。
【００２０】
一方ａ軸及びｂ軸を固定して、ｃ軸を固定しない単結晶ＢａＴｉＯ３は、特性（２）に示すように、キュリー温度（約１０８℃）よりも低温側で、ａ軸及びｂ軸の格子定数とｃ軸の格子定数は徐々に異なる様子が分かる。これはキュリー温度（約１０８℃）を境に低温側が正方晶、高温側が立方晶と結晶構造は異なるが、単結晶ＢａＴｉＯ３のａ軸及びｂ軸方向の変化を拘束し、ｃ軸は固定しないようにすることによって、正方晶と立方晶との間には１次相転移ではなく連続的な２次相転移の関係があるためである。
【００２１】
また、本発明者らは、図１の結果から、単結晶ＢａＴｉＯ３の自発分極と温度との関係をシミュレーションした。
【００２２】
図２は、この結果を示したグラフである。図２の（１）に示すラインは単結晶ＢａＴｉＯ３のａ軸、ｂ軸及びｃ軸を固定していない状態の温度と自発分極の関係を示す特性である。（２）に示すラインは単結晶ＢａＴｉＯ３のａ軸及びｂ軸を固定し、ｃ軸のみを固定しない状態の温度と自発分極の関係を示す特性である。
【００２３】
図２に示すように、特性（１）では、キュリー温度（約１３２℃）を境として高温側と低温側とで自発分極が不連続に激しく変化している。このように自発分極が不連続に激しく変化するような単結晶では、キュリー温度付近で正確な温度測定をすることは極めて困難である。また、キュリー温度（約１３２℃）よりも低い１００℃から１３０℃付近の特性の微分、すなわちグラフの傾斜が緩やかであり、自発分極の変化における電荷量の変化量も僅かである。したがって温度変化に対して十分な電気信号を得ることができず感度の悪い赤外線検出素子となってしまう。
【００２４】
一方、特性（２）では、キュリー温度（約１１２℃）を境として高温側と低温側とでは、２次相転移であるので、自発分極の変化も特性（１）に比較してそれほど大きなものではない。さらに、キュリー温度（約１１２℃）よりも低い８０℃から１１０℃付近の特性の微分、すなわちグラフの傾斜は特性（１）に比較して大きく、自発分極の変化における電荷量の変化量も大きい。したがって温度変化に対して十分な電気信号を得ることができ、感度の高い赤外線検出素子を提供できる。
【００２５】
以上の実験では、強誘電体としてＢａＴｉＯ３を用いたが、ＢＳＴやＢＴＯ等、他の強誘電体も同様の効果がある。
【００２６】
以上の結果より、本発明は、主面を有し厚さ５０ｎｍ以上１０μｍ以下の単結晶層と、前記単結晶層の主面上に形成された第１の電極層と、前記第１の電極層上に形成され、前記単結晶層の主面に対して面内方向の変形が弾性的に前記単結晶層によって拘束されている単結晶層或いは単一配向層からなる強誘電体層と、前記強誘電体層上に形成された第２の電極層とを具備し、前記強誘電体層への赤外線照射による温度変化により電荷量が変化し、この電荷量を前記第１の電極層及び前記第２の電極層から電気信号として検出することを特徴とする赤外線検出素子をなすに至った。
【００２７】
すなわち単結晶層或いは単一配向層からなる強誘電体層の結晶構造について下地基板に対して面内方向を弾性的に拘束することで、図１及び図２に示した（２）の特性を発揮することになり、感度の高い赤外線検出素子を実現できる。
【００２８】
ここで強誘電体層の下地基板である単結晶層を厚さ５０ｎｍ以上１０μｍ以下としたのは、厚さ５０ｎｍより薄いと、強誘電体層の基板面内方向の格子定数を十分に拘束できなくなる。また、厚さ１０μｍより厚いと熱容量が大きくなり熱がすばやく逃げずに感度が悪くなるためである。また、より好ましくは、２００ｎｍ以上、２μｍ以下である。
【００２９】
また、強誘電体層の基板面内方向の格子定数を十分に固定するために、強誘電体層の厚さは下地の単結晶層よりも薄い方が好ましい。
【００３０】
また、単結晶層としてはシリコンのような半導体単結晶或いはＳｉＧｅやＧａＡｓ等の化合物半導体単結晶でもよい。
【００３１】
また、単結晶層としては（１００）方位のシリコン単結晶基板であるほうが、強誘電体層をエピタキシャル成長或いは配向成長させるために好ましい。
【００３２】
また、第１の電極層としては、ペロブスカイト構造を有する導電性酸化物であることが好ましい。これは下地基板である単結晶層と上層の強誘電体層との結びつきを強固にし、単結晶層が強誘電体層の面内方向をより強固に拘束するためである。さらに第１の電極層として、ペロブスカイト構造を有する導電性酸化物を用いると、強誘電体層の結晶性が向上するためである。
【００３３】
図３に、本発明の実施形態１に係る赤外線検出素子の断面図を示す。
【００３４】
図３に示すように、シリコン等からなる単結晶層３上に、第１の電極層４が形成されている。単結晶層３の厚さは５０ｎｍ以上１０μｍ以下に設定する。第１の電極層４として用いるものは、結晶性及び導電性を有するもので、この上に成長させる強誘電体層５の結晶性を悪化させないようなものであれば良い。例えば、ＳｒＲｕＯ３等のようなペロブスカイト構造を有する導電性酸化物が好ましい。また、第１の電極層４の膜厚は、この上に成長させる強誘電体層５に影響を与えない程度であればよく、単結晶層３よりも十分に薄く、強誘電体層５よりも薄い程度であれば良い。
【００３５】
第１の電極層４上には、Ｓｒ１−ｘＢａｘＴｉＯ３等からなる単結晶或いは単一配向した強誘電体層５が形成されている。強誘電体層５の結晶構造は、単結晶層３によって面内方向の変形が弾性的に拘束されている。単結晶層３の面に垂直な方向は束されず自由になっている。例えば半導体層５がペロブスカイト構造であれば、そのａ軸及びｂ軸方向が単結晶層３の面内方向にｃ軸は面に対して垂直に揃うように配向させて形成すればよい。
【００３６】
強誘電体層５上には、第２の電極層６が形成されている。第２の電極層６として用いるものは、結晶性及び導電性を有するものが好ましい。例えば、ＳｒＲｕＯ３等のようなペロブスカイト構造を有する導電性酸化物が好ましい。
【００３７】
このような赤外線検出素子はキュリー温度付近においても正確かつ感度よく赤外線を検出することが可能となる。
【００３８】
次に、この赤外線検出素子及びこれを用いた赤外線検出装置の製造方法について説明する。
【００３９】
先ず、図４（ａ）に示すように、主面が（１００）方位を示すシリコン基板１１上の表面近傍に空洞部１２を形成する。空洞部１２の天井部３は、図３に示す赤外線検出素子の単結晶層３に相当する。この空洞部１２の内部寸法は、縦５０μｍ×横５０μｍ×高さ１．５μｍの板状となっている。また、天井部の単結晶層３の厚さは、５０ｎｍ以上１０μｍ以下に設定する。
【００４０】
この空洞部１２の形成方法は以下のとおりである。
【００４１】
先ず、図５（ａ）に示すように、リソグラフィー及び反応性イオンエッチングによりシリコン基板１１の表面２１からトレンチ２２を開口する。次に、このトレンチ２２が開口したシリコン基板１１を、高温の水素雰囲気中でリフローを行う。このリフロー工程により、図５（ｂ）に示すように、トレンチ２２はシリコン基板１１の内部で横方向に広がり、シリコン基板１１の表面２１付近では穴が狭まるようになる。やがて図５（ｃ）に示すように、シリコン基板１１中のトレンチ２２は、つながって空洞部１２が形成される。本実施形態では、シリコン基板１１上に縦５０μｍ×横５０μｍの範囲内にトレンチ２２を形成した。
【００４２】
次に、図４（ｂ）に示すように、シリコン基板１１全面に下から、ＴｉＮからなるコンタクト層１３、ＳｒＴｉＯ３からなる絶縁層１４、Ｉｒ及びＳｒＲｕＯ３の積層からなる第１の電極層４（下部電極）、Ｓｒ0.9Ｂａ0.1ＴｉＯ３からなる強誘電体層５、ＳｒＲｕＯ３及びＩｒの積層からなる第２の電極層６（上部電極）を、スパッタにより真空中で連続エピタキシャル成長させる。成長温度は全ての層で６００℃とした。
【００４３】
次に、図４（ｃ）に示すように、第２の電極層６、強誘電体層５、第１の電極層４、絶縁層１４及びコンタクト層１３をリソグラフィー及びエッチングにより、順にひな壇形状に加工した。シリコン基板１１上、右側に示すひな壇形状は、赤外線検出素子であるセンスセルとなる。シリコン基板２２上、左側に示すひな壇形状はダミーセルとなる。
【００４４】
次に、図４（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法により、酸化シリコンからなる層間絶縁膜を成膜する。そしてセンスセル及びダミーセルの第２の電極層６上をエッチングにより開口して、アルミニウムからなる配線１６を形成する。
【００４５】
次に、ＣＶＤ法により、ダミーセル上には酸化シリコンからなる層間絶縁膜１７を形成し、続いて層間絶縁膜１７上に赤外線反射膜１８を形成する。このようにして赤外線による温度がダミーセルに伝わらないようにしている。こうして赤外線検出装置が作製される。
【００４６】
この赤外線検出素子の動作原理を、図６を用いて説明する。
【００４７】
図６に示すように、センスセルに赤外線が照射されると、強誘電体層５を誘電体とするキャパシタの電荷量と電圧とのヒステリシスは小さくなる。
【００４８】
センスセルにおける赤外線検出素子では、第１の電極層４及び第２の電極層６に電位を印加して、強誘電体層５の反転電荷の大きさＰ１を電圧或いは電流量として検出する。そして赤外線の照射されていないダミーセルでも、第１の電極４及び第２の電極６に電位を印加して、強誘電体層５の反転電荷の大きさＰ２を電圧或いは電流量として検出する。そしてこれらの電圧或いは電流量の差を計算して、例えば図２に示す特性からセンスセルの温度を測定することが可能となる。このようにして作製した赤外線検出装置を使用し、センスセル及びダミーセルの第１の電極層４と第２の電極層６間に正負のパルス電圧を印加して反転分極を読み出し、強誘電特性を測定したところ、強誘電体層５のキュリー温度は２３℃であった。そこで基板の裏に温度を一定に保つためのペルチェ素子を取り付け、基板を２２．５℃に保持し、センスセルとダミーセルの残留分極を差動アンプで増幅して差を検出したところ、赤外線の検出性能をあらわすＮＥＴＤ指数が０．０８℃と非常に高性能であることが確認された。
【００４９】
次に、図７に、図４で説明した赤外線検出装置の変形例を示す。図７（ａ）は断面図であり、（ｂ）は上面から見た図である。
【００５０】
この赤外線検出装置は、シリコン基板１１に形成された空洞部１２の天井部３の周囲を切り取っている（図７（ａ）（ｂ））。すなわち単結晶層３、第１の電極層４（下部電極層）、強誘電体層５、第２の電極層６（上部電極層）からなるセンスセルの一端を残してシリコン基板１１から分離させている。
【００５１】
このように赤外線検出素子の主要な構造をシリコン基板１１から分離することによって、センスセルに赤外線が照射して強誘電体層５の温度が変化したとき強誘電体層５の電歪が生じやすくなるとともに、センスセルの周囲に熱伝導により逃げる熱量を減少できるため、セルの高感度化が達成される。ここで図７に示す赤外線検出装置において、図４に示す赤外線検出装置と同一符号は同一でありその説明は省略した。
【００５２】
図７に示す赤外線検出装置において、ペルチェ素子で２２．５℃にシリコン基板１１の温度を固定し、センスセル及びダミーセルの第１の電極層４と第２の電極層６の間に正負のパルス電圧を印加して反転分極量を読み出し、差動アンプで増幅して差を検出したところ赤外線の検出性能をあらわすＮＥＴＤ指数が０．０６℃と非常に高精度であることが確認できた。
【００５３】
【発明の効果】
本発明では、下地単結晶層上に形成された強誘電体層の結晶構造において、面内方向を単結晶層に弾性的に拘束することで、温度変化に対する不連続な１次相転移を防ぎキュリー点付近の温度体でも正確かつ精度よく温度測定することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ａ軸、ｂ軸及びｃ軸を拘束しない場合と、ａ軸及びｂ軸は拘束し、ｃ軸は拘束しない場合の単結晶ＢａＴｉＯ３の格子定数と温度との関係をシミュレーションした特性図。
【図２】  ａ軸、ｂ軸及びｃ軸を拘束しない場合と、ａ軸及びｂ軸は拘束し、ｃ軸は拘束しない場合の単結晶ＢａＴｉＯ３の自発分極と温度との関係をシミュレーションした特性図。
【図３】  本発明の実施の形態に係る強誘電体赤外線検出素子の断面図。
【図４】  （ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、本発明の実施の形態に係る強誘電体赤外線検出素子の各主要工程における断面図。
【図５】  （ａ）（ｂ）（ｃ）は、シリコン基板内に空洞部を形成する様子を示した斜視図。
【図６】  本発明の実施の形態に係る強誘電体赤外線検出素子の動作原理を説明するための図。
【図７】  本発明の変形例に係る強誘電体赤外線検出素子の図であり（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図である。
【符号の説明】
３・・・単結晶層
４・・・第１の電極層
５・・・強誘電体層
６・・・第２の電極層
１１・・・シリコン基板
１２・・・空洞部
１３・・・コンタクト層
１４・・・絶縁層
１５・・・層間絶縁膜
１６・・・配線
１７・・・層間絶縁膜
１８・・・赤外線反射層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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