(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＡＷデバイスにおいて、該ＳＡＷデバイス容器がプラスチックで構成され、該ＳＡＷデバイス容器の内部に埋設され該ＳＡＷデバイスの内部に搭載される素子の側面及び下面をシールドする導電板を具備することを特徴とするＳＡＷデバイスのパッケージ構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術の分野】
本発明は、SAWデバイスについて、特にSAWデバイス内部に搭載される素子の効果的な新しいシールド構造を提供するSAWデバイスのパッケージ構造に関するものである。
【従来の技術】
【０００２】
従来のSAWデバイスにおいては、SAWデバイスの内部に搭載される素子の特性に影響を与える高周波ノイズを低減する手段として、図８の様にSAWデバイスの上面と側面、及び下面を導電性の材料を用いてシールドする構成となっていた。
【０００３】
その為、SAWデバイスの上面と側面、及び下面を導電性の材料を用いてシールドする為に、従来においてはＳＡＷデバイスの容器の基板材質をセラミックなどを用い、図８の様にセラミック基板上に導電性の金属メタライズ層を容器の内面の底板と側面に形成して、加えてろう材や半田や導電性接着剤といった導電性の封止材を用いて、リッドと呼ばれる金属製の蓋を搭載してＳＡＷデバイスの容器を封止するのが一般的であった。
【０００４】
即ち、従来の方法ではＳＡＷデバイスの内部に搭載される素子の上面と側面、及び下面の3方向を導電性の材料で囲うことでシールドすると同時に、ＳＡＷデバイスの容器と蓋との接合に導電性の封止材を用いて封止を行っていた。
【０００５】
従来のＳＡＷデバイスの構成を図８に示す。図８のように、従来のSAWデバイスにおいては、SAWデバイスの内部に搭載される素子１の特性に影響を与える高周波ノイズの低減の手段として、SAWデバイスの上面と側面、及び下面を導電性の材料を用いてシールドする構成となっていた。即ち図８において、SAWデバイス内部の素子１の上面と、容器の側面、及び下面を導電性の材料を用いてシールドする為に、ＳＡＷデバイスの容器２の基板材質がセラミックの場合、図８の様にセラミック基板上に導電性の金属メタライズ層６によって内面の底板と側面を形成して、さらにろう材や半田や導電性接着剤といった導電性の封止材５を用いて、リッドと呼ばれる金属製の蓋３を搭載してＳＡＷデバイスの容器２を封止するのが一般的であった。
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら近年、電子部品は搭載して使用される機器の小型化に伴って、極めて急激なその容器形状の外形サイズの小型化、及び低背化の市場からの要求がある。
【０００６】
先に述べたような、従来のＳＡＷデバイスの構造においては、容器の底板や側面、及び蓋には金属のリッドを用いるなどして、内部の素子の全方向を導電性の材料で囲んだシールド構造とする必要があった。加えてこの従来の構造においては、上面のシールドの為に容器の封止面と蓋が導電性の材料であったがために、使用出来る封止材にも制約があり、封止もコストの高い封止材を使用する必要があり、結果的に総体として原価的にコストを下げるのに限界があった。
【０００７】
本発明は、以上の問題を解決し、容器の部分が従来のセラミック製にくらべてコスト的に安価なプラスチックといった素材を使用することが出来、かつ金属といった導電性材料から成る蓋を必要とせず、安価な非導電性の蓋を使用して、封止材を導電性の材料に制約されない、従来と比較して安価なＳＡＷデバイスのパッケージ構造を提供するものである。
【０００８】
【本発明の実施の形態】
以下、添付の図面に従がってこの発明の実施例を説明する。なお各図においての同一の符号は同じ対象を示すものとする。
【０００９】
図１はＳＡＷデバイス内部の素子の上面と下面をシールドした場合の耐高周波ノイズ特性図である。図１から図３において丸のついた矢印で示すレベルをノイズフロアレベルと呼ぶ。図１でノイズフロアレベルは約75ｄＢとなっている。 図２は同じくＳＡＷデバイス内部の素子の下面のみをシールドした場合の耐高周波ノイズ特性図である。高周波ノイズによりノイズフロアレベルが図１に比べて上昇し約60ｄＢと悪化している。図３は同様にＳＡＷデバイス内部の素子の下面及び側面をシールドした場合の耐高周波ノイズ特性図である。以上の結果から、素子の下面および側面のみをシールドすることによって図１と同等のノイズフロアレベル約75ｄＢが得られていることが判る。図１、図２と比較して図３では耐高周波ノイズ特性を測定したサンプル数が復数ではないように示されているが、実際には図１と同等の耐高周波ノイズ特性が、素子の下面および側面のみをシールドする条件で、複数のサンプル測定においても得られている。
【００１０】
以上の結果より、ＳＡＷデバイス内部の素子の側面をシールドした場合のシールド効果が高く、従がって下面及び側面のみをシールドすることによって、従来のＳＡＷデバイスと同等の耐高周波ノイズ特性が得られることが判った。
【００１１】
図４から図７は、本発明の実施例を示した図である。いずれもＳＡＷデバイス内部の素子１の側面及び下面を導電性の金属によりシールドした実施例である。
【００１２】
図４は素子１が搭載されるＳＡＷデバイス容器２の内面の側面及び下面に導電性金属層６を形成した構造である。図４においてワイヤー４を経て、素子１と容器２の外部表面に構成される、図には示されていないがSAWデバイスの外部端子とが電気的に接続される。図４から、図７に至る本発明の実施例において、容器２を封止する封止材７は従来のように、導電性の材料である必要はなく、従がって蓋８は容器２と導電性を必要としない接合を成す。
【００１３】
言い換えれば、素子１の上面をシールドすることを必要としない本発明により、封止材７は導電性の材料であることに制約されることがなく、また蓋８は従来のように高価な金属製のリッドである必要がなく、例えばプラスチックやセラミックといった材料で構成することが可能となる。
【００１４】
図５は本発明の別の実施例である。容器２の内面の下面と容器２の内面の側面内部に導電性金属層６をインサート成形したものである。図６及び図７も同様に、本発明の別の実施例であり図６では容器２の内面の下面及び側面に導電性金属層６を形成した例であり、図７は容器２の内部でかつ素子１の下面及び側面に導電性金属層６または導電性金属板６を形成した例である。図６及び図７において素子は図中に丸で描かれているバンプ９を経て、図には示していないがSAWデバイスの外部入出力端子RFINあるいはRFOUT端子に電気的に接続する構成と成っている。これら本発明の実施例における素子１の下面及び側面をシールドする導電性金属層６または導電性金属板６は、セラミック上に多層の金属メタライズ層を形成したり、プラスチック上に蒸着により金属膜を形成したり、またはプラスチック製の容器の中に埋設する導電性金属板６により構成される。また導電性金属層と導電性金属板はひとつのパッケージにおいて併用しても何ら構わない。
【００１５】
【発明の効果】
本発明により、容器の材料がプラスチックまたはセラミックといった材料で構成され内部に導電性金属板をインサート成形したり、導電性金属層を形成したコスト的に安価なSAWデバイスの容器の材料が使用でき、加えて上面をシールドする為の金属製のリッドといった導電性材料から成るコスト的に高い蓋を必要とせず、非導電性の蓋を使用することにより封止材が同じくコスト的に高い導電性材料を使用することに制約されず、プラスチックまたはセラミックといった材料で構成された蓋を使用した、結果としてコスト的に安価なＳＡＷデバイスのパッケージ構造を実現することが出来た。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のSAWデバイスの耐高周波ノイズ特性を示す図である。
【図２】SAWデバイス内部の素子の下面のみをシールドした場合の耐高周波ノイズ特性を示す図である。
【図３】SAWデバイス内部の素子の下面及び側面をシールドした場合の耐高周波ノイズ特性を示す図である。
【図４】本発明であるSAWデバイス内部の素子の下面及び側面をシールドした、側面からみたパッケージ断面図である。
【図５】本発明の別の実施例であるSAWデバイス内部の素子の下面及び側面をシールドした、側面からみたパッケージ断面図である。
【図６】本発明の別の実施例であるSAWデバイス内部の素子の下面及び側面をシールドした、側面からみたパッケージ断面図である。
【図７】本発明の別の実施例であるSAWデバイス内部の素子の下面及び側面をシールドした、側面からみたパッケージ断面図である。
【図８】従来のSAWデバイスのパッケージを側面からみた断面図である
【符号の説明】
１ 素子
２ SAWデバイスの容器
３ 金属製の蓋
４ ワイヤー
５ 導電性の封止材
６ 導電性金属層または導電性金属板
７ 非導電性の封止材
８ 非導電性材質の蓋
９ バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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