(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示装置の欠陥修復方法であって、
断線した配線の断線両端部上の絶縁膜の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を露光及び現像処理して前記断線両端部の上方に開口部をそれぞれ形成する工程と、
前記開口部を介して前記絶縁膜をエッチングし、前記絶縁膜に前記配線幅より広い幅を有し前記配線上面及び両側面が露出する深さの断線修復用コンタクトホールをそれぞれ形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
前記配線上面及び両側面と電気的に接続される導電膜を前記断線修復用コンタクトホール内壁及び前記絶縁膜の上に形成して、前記断線両端部を、前記導電膜と画素電極とを介して電気的に接続する工程と
を有することを特徴とする欠陥修復方法。
【請求項２】
前記フォトレジスト膜は、スポット露光又はレーザ照射により露光することを特徴とする請求項１に記載の欠陥修復方法。
【請求項３】
前記導体膜をレーザーＣＶＤ法により形成することを特徴とする請求項１に記載の欠陥修復方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥修復方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
（従来技術１）
液晶表示装置の液晶表示パネルは、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等が形成されたＴＦＴ基板とカラーフィルタ等が形成されたカラーフィルタ基板（対向基板ともいわれる。以下、ＣＦ基板という）の２枚のガラス基板を対向させその間に液晶を封入して貼り合わせた構造を有している。
【０００３】
ＴＦＴ基板には、複数本のゲートバスラインと、層間絶縁膜を介してこれらのゲートバスラインと交差する複数本のデータバスラインと、ゲートバスラインとデータバスラインにより画定される画素領域内をゲートバスラインに並行して横断する蓄積容量バスラインと、ゲートバスライン及びデータバスラインをそれぞれ外部接続用の端子部に接続する引き出し線（リード線）とが設けられている。なお、各バスラインの交差点近傍には、ドレイン電極がデータバスラインに接続されるＴＦＴが形成されている。ＴＦＴのソース電極は、画素領域に配置される画素電極に接続される。
【０００４】
ところで、液晶表示装置において製造コストの低減は重要な課題である。コスト低減には、まず、製造歩留まりの向上が強く望まれる。液晶表示装置の製造歩留まりを低下させる原因の一つに、ゲートバスラインやデータバスライン、蓄積容量バスラインなどの配線パターンに生じる断線や、それら配線間の層間短絡などがある。
【０００５】
例えばゲートバスラインに断線が生じると、駆動回路がゲートバスラインの片側だけに接続している場合には当該表示パネルは不良品となる。データバスラインに発生する断線に対しては、表示パネルの周囲にリペア配線を設け、断線したデータバスラインをＹＡＧレーザ等によるレーザウェルディングを用いてリペア配線と接続する修復方法が採用されているが、パネル設計上配線引き回しが複雑になるという問題がある。
【０００６】
また、液晶表示装置の製造歩留まりを低下させる他の原因として、ゲートバスラインとデータバスラインとが短絡する層間短絡（線欠陥）、または、データバスラインと蓄積容量バスラインとが短絡する層間短絡がある。従来では、パネル表示領域外にリペア配線を設け、表示パネル内に線欠陥が生じた場合、該当するバスラインの短絡部分を切断し、当該バスラインをパネル表示領域外にレイアウトされたリペア配線にレーザで接続することによりリペアする方法が採用されていた。しかし、このリペア方法では、リペアできる配線数（バスラインの数）がパネル表示領域外のリペア配線数及びブロック内リペア可能数により制限されるので、線欠陥が制限数よりも多い場合にはリペアできない線欠陥が残ってしまうため当該表示パネルを不良品にせざるを得ないという問題が生じていた。
【０００７】
（従来技術２）
近年、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、大型化・高精細化が進んでいる。しかし、大型化・高精細化が進むと配線負荷容量が増加し、水平走査時間は短くなる。このため、配線に求められる抵抗値がこれまで以上に小さくなる。特に、蓄積容量電極に電位を与えるための蓄積容量バスラインの抵抗の増大は横クロストークなどの表示品質の重大な劣化を招くことになる。このため、蓄積容量バスラインの両端から電圧を供給して時定数を低減するような工夫がなされている。しかし、このような構造では、必ずゲートバスラインと蓄積容量バスラインを一括して接続するための電極が交差する部分が存在する。
【０００８】
図１は、液晶表示装置を示す図である。液晶表示装置はＴＦＴ基板１８とＣＦ基板４０の間に液晶が封入され、液晶が封入された部分が表示領域３８となっている。ＴＦＴ基板１８の端部では、ゲートバスラインやデータバスライン（ドレインバスラインともいわれる）が複数のゲートバスライン群４８やデータバスライン群５０としてまとめられ、それぞれＴＡＢ基板４４，４６に接続されている。ＴＡＢ基板４４，４６は、プリント配線基板４２に接続されている。
【０００９】
図２は、図１中破線で囲んだ部分の拡大図である。ゲートバスライン１０は、表示領域に形成されたＴＦＴ３０のゲートに接続され、端部はゲート端子（ＴＡＢ端子）に接続される。表示領域の画素は、ゲートバスライン１０とデータバスライン３４に囲まれた領域にＴＦＴ３０が形成され、ＴＦＴ３０に画素電極３２が接続されている。画素領域の中央部には、ゲートバスライン１０と平行し、ゲートバスライン１０と同一工程で形成された蓄積容量バスライン２２が形成されている。また、ゲートバスライン１０は、静電気によるＴＦＴの破壊を防止するために、保護素子２８を介してガードリング２６に接続されている。
【００１０】
各蓄積容量バスライン２２は、蓄積容量バスライン接続電極２４及び接続部２４ａ，２４ｂを介して蓄積容量バスライン一括電極１６と接続されている．蓄積容量バスライン一括電極１６はデータバスライン１０と同一工程で形成され、蓄積容量バスライン接続電極２４は画素電極３２と同一工程で形成される。蓄積容量バスライン一括電極１６は、複数の蓄積容量バスライン２２に共通して設けられ、複数の蓄積容量バスライン２２と接続されている。
【００１１】
ところで、ゲートバスライン１０は、蓄積容量バスライン一括電極１６と交差している。図３は、ゲートバスライン１０と蓄積容量バスライン一括電極１６との交差部を示す。この部分で、製造工程中に静電気などによって短絡が発生すると、ゲートバスライン方向の線欠陥を招いてしまう。
図４は、他の従来の交差部の構成を示す図である。図４の構成では、ゲートバスライン１０が蓄積容量バスライン一括電極１６と交差する部分で２つの分岐部１０ｄ，１０ｅに分岐している。製造工程中に静電気などによって交差部に短絡が発生した場合、パターン認識による検査で短絡位置を確認した上で、短絡している方の分岐部をレーザ処理等で切断、分離して正常化する。
【００１２】
しかしながら、実際に発生する短絡の全てがパターン認識による検査で認識できるわけではない。よって、見かけ上は何ら問題がないように見えても、非常に小さな短絡が存在する場合も多い。さらに、短絡があることが電気的な試験で分かったとしても、分岐部のどちらを切断、分離すれば良いかが分からず、短絡欠陥の修復率（救済率）を著しく低下させる原因となっていた。
【００１３】
（従来技術３）
図５は一般的なＴＮ型液晶表示装置の表示領域における断面図、図６は同じくその液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平面図である。なお、図５は図６のＸ−Ｘ線に対応する位置における断面を示している。
ＴＮ型液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１８と、ＣＦ基板４０と、これらのＴＦＴ基板１８とＣＦ基板４０との間に封入された液晶７９とにより構成されている。
【００１４】
ＴＦＴ基板１８は、以下に示すように構成されている。すなわち、ガラス基板５１上には、第１の配線層として、複数本のゲートバスライン５２と複数本の蓄積容量バスライン５３とが形成されている。各ゲートバスライン５２は相互に平行に形成されており、各ゲートバスライン５２の間にそれぞれ蓄積容量バスライン５３がゲートバスライン５２に対し平行に配置されている。
【００１５】
これらのゲートバスライン５２及び蓄積容量バスライン５３の上には第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜：図示せず）が形成されている。ゲートバスライン５２の上方の第１の絶縁膜の上には、スイッチング用ＴＦＴ５６の活性層となるアモルファスシリコン膜５４が形成されている。また、第１の絶縁膜の上には、第２の配線層として、データバスライン５５、ＴＦＴ５６のソース電極５６ｓ及びドレイン電極５６ｄが形成されている。データバスライン５５はゲートバスライン５２に対し直角に交差するように形成されており、ソース電極５６ｓ及びドレイン電極５６ｄはアモルファスシリコン膜５４の幅方向の両側に相互に離隔して形成されている。また、ドレイン電極５６ｄはデータバスライン５５に接続されている。ゲートバスライン５２及びデータバスライン５５で区画された矩形の領域がそれぞれ画素領域となっている。
【００１６】
これらのデータバスライン５５、ソース電極５６ｓ及びドレイン電極５６ｄの上には第２の絶縁膜（保護絶縁膜）５８が形成されており、この第２の絶縁膜５８の上にはＩＴＯ（indium-tin oxide：インジウム酸化スズ）からなる透明画素電極５９が形成されている。この画素電極５９は、第２の絶縁膜５８に形成されたコンタクトホール５８ａを介してＴＦＴ５６のソース電極５６ｓに電気的に接続されている。
【００１７】
画素電極５９の上には、液晶分子の配向方向を決定する配向膜５７が形成されている。この配向膜５７は例えばポリイミドからなり、ラビング等による配向処理が施されている。
一方、ＣＦ基板４０は以下のように構成されている。すなわち、ガラス基板７１の一方の面（図５では下面）には、Ｃｒ（クロム）等の遮光性物質からなり各画素間の領域及びＴＦＴ形成領域を遮光するブラックマトリクス７２が形成されている。また、ＴＦＴ基板１８の各画素電極５９に対向する位置に、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）のいずれか１色のカラーフィルタ７３が形成されている。
【００１８】
カラーフィルタ７３の下側にはＩＴＯからなるコモン電極７４が形成されており、このコモン電極７４の下には、例えばポリイミドからなる配向膜７５が形成されている。この配向膜７５にもラビング等による配向処理が施されている。
ＴＦＴ基板１８とＣＦ基板４０との間には、ＴＦＴ基板１８とＣＦ基板４０との間隔が一定となるように、例えば直径が均一の球形又は円柱形のスペーサ（図示せず）が配置されている。また、ＴＦＴ基板１８の下側及びＣＦ基板４０の上側には、それぞれ偏光板（図示せず）が配置されている。
【００１９】
このように構成された液晶表示パネルにおいて、駆動回路からゲートバスライン５２及びデータバスライン５５に所定のタイミングで走査信号及び映像信号を供給し、画素電極５９とコモン電極７４との間の電圧を画素毎に制御することにより、所望の画像を表示することができる。
ところで、液晶表示装置では、その製造工程において、ごみ等の付着などによりパターニングが正常に行われず、短絡や断線が発生して、画素が常時点灯した状態、常時非点灯の状態又は他の画素と同時に点灯してしまう状態になることがある。通常、液晶表示装置では一定数以下の点状欠陥は許容されるが、欠陥数が多くなると不良品となってしまう。
【００２０】
従来から点状欠陥を修復する方法として、欠陥画素の画素電極とゲートバスライン又は蓄積容量バスラインとをレーザウェルディングにより接続する方法が知られている。例えば、ＴＦＴのソース電極とドレイン電極との間が短絡した場合は、ソース電極又はドレイン電極をレーザで切断して画素電極とデータバスラインとの間を電気的に切り離し、画素電極とゲートバスライン又は蓄積容量バスラインとをレーザによって溶融接合（ウェルディング）している。これによって欠陥画素が常時非点灯状態となり、欠陥を目立たなくすることができる。
【００２１】
しかしながら、上述した従来の液晶表示装置の欠陥修復方法は、欠陥を目立たなくすることはできるが、正常に駆動できるようにするものではない。
特開平２−１５３３２４号には、スイッチング用ＴＦＴの他に予備ＴＦＴを設けておき、欠陥が発生した場合にはスイッチング用ＴＦＴをデータバスラインから分離し、予備ＴＦＴと画素電極とを接続して、欠陥を補修する液晶表示装置の欠陥補修方法が記載されている。しかし、この方法では、予備ＴＦＴのドレイン電極が配線を介してデータバスラインに予め接続されているので、負荷容量（Ｃgs）が大きく、表示品質の低下を招く。
【００２２】
特開平３−１７１０３４号及び特開平９−９０４０８号にも、スイッチング用ＴＦＴの他に予備ＴＦＴを設けた液晶表示装置が記載されている。これらの液晶表示装置では、予備ＴＦＴのドレイン電極がデータバスラインに接続されていないので、負荷容量は比較的小さい。しかし、これらの液晶表示装置では、予備ＴＦＴのドレイン電極とデータバスラインとを接続するための予備配線を予め設けておくことが必要である。この予備配線は、絶縁膜を挟んでデータバスライン及び予備ＴＦＴのドレイン電極が重なっているため、負荷容量の低減が十分であるとはいえない。
【００２３】
（従来技術４）
図７はゲートバスラインに断線が発生したときの修復方法を示す図である。図７（ａ）はデータバスラインの一端側とＴＡＢ端子との接続部の近傍を示し、図７（ｂ）はデータバスラインの他端側近傍を示している。
各データバスライン５５の一端側はＴＡＢ端子６０に接続されている。液晶表示装置は、これらのＴＡＢ端子６０を介してＴＡＢ基板と接続される。この図７（ａ），（ｂ）に示すように、データバスライン５５の一端側には、複数本のデータバスライン５５に交差する第１のリペア配線６２が設けられている。この第１のリペア配線６２は、ＴＡＢ端子６０に並んで配置された予備ＴＡＢ端子６１に接続されている。また、各データバスライン５５には、リペア配線６２との交差部分にリペア端子５５ａが設けられている。
【００２４】
データバスライン５５の他端側には、データバスライン５５の端部に設けられたリペア端子５５ｂの下方を通る第２のリペア配線６３と、複数本（図では２本）の第３のリペア配線６４が設けられている。第２のリペア配線６３の先端部はＬ字状に屈曲しており、この先端部分が第３のリペア配線６４と交差している。第３のリペア配線６４は、予備ＴＡＢ端子６５に接続されている。
【００２５】
以下、上記の液晶表示装置の欠陥修復方法について、図７（ａ），（ｂ）及び図８（ａ），（ｂ）を参照して説明する。図８（ａ）は図７（ａ）のXI−XI線による断面図、図８（ｂ）は図７（ｂ）のXII −XII 線による断面図である。但し、図８（ａ），（ｂ）中に×印で示す位置でデータバスライン５５が断線したとものする。また、図８（ａ），（ｂ）において、符号７１は第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）、符号７２は第２の絶縁膜（保護絶縁膜）である。
【００２６】
まず、図７（ａ），図８（ａ）に示すように、断線が発生したデータバスライン５５と第１のリペア配線６２との交差部分にレーザを照射して、データバスライン５５のリペア端子５５ａとリペア配線６２とをレーザウェルディングする。また、図７（ｂ），図８（ｂ）に示すように、第２のリペア配線６３とデータバスライン５５のリペア端子５５ｂとをレーザウェルディングにより接続し、第２のリペア配線６３と第３のリペア配線６４との交差部にレーザを照射して、第２のリペア配線６３と第３のリペア配線６４とをレーザウェルディングする。
【００２７】
そして、予備ＴＡＢ端子６１とＴＡＢ端子６５とをワイヤ等によって電気的に接続し、断線したデータバスライン５５の両端に同じ映像信号が供給されるようにする。これにより、液晶表示装置を正常に動作させることができる。
しかしながら、図７，図８に示す方法では、第１のリペア配線６２及び第２のリペア配線６３がデータバスライン５５と交差しているため、交差部分で容量が発生する。近年の液晶表示装置の大型化及び高精細化にともなって、リペア配線の配線抵抗が大きくなり、且つ、交差部の容量が大きくなる。これにより、欠陥部分を修復しても、信号遅延が大きく、薄い線欠陥や点欠陥となることがある。従って、リペア配線の本数が制限されるという問題点がある。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、表示パネル内に断線欠陥が生じた場合、レーザ光を使用した化学的蒸気薄膜形成法（レーザＣＶＤ）による部分配線を組み合わせることにより、簡単に断線箇所の修復が行えるようにする液晶表示装置の欠陥修復方法を提供することにある。
【００３１】
本発明に係る液晶表示装置の欠陥修復方法は、断線した配線の断線両端部上の絶縁膜の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を露光及び現像処理して前記断線両端部の上方に開口部をそれぞれ形成する工程と、前記開口部を介して前記絶縁膜をエッチングし、前記絶縁膜に前記配線幅より広い幅を有し前記配線上面及び両側面が露出する深さの断線修復用コンタクトホールをそれぞれ形成する工程と、前記フォトレジスト膜を除去する工程と、前記配線上面及び両側面と電気的に接続される導電膜を前記断線修復用コンタクトホール内壁及び前記絶縁膜の上に形成して、前記断線両端部を、前記導電膜と画素電極とを介して電気的に接続する工程とを有することを特徴とする。
【００３３】
上記本発明の欠陥修復方法において、前記フォトレジスト膜は、スポット露光又はレーザ照射により露光することを特徴とする。
【００３４】
上記本発明の欠陥修復方法において、前記導体膜をレーザーＣＶＤ法により形成することを特徴とする。
【００３５】
本発明においては、断線した配線の断線部を挟む２つの断線端部にそれぞれ当該配線の幅よりも広い幅の断線修復用コンタクトホールをフォトリソグラフィ法により形成する。そして、これらの断線修復用コンタクトホール内に、レーザＣＶＤ法などの方法によって導電膜を形成した後、断線修復用コンタクトホール間を電気的に接続することにより、断線を修復する。従って、従来のレーザウェルディングによる断線修復方法に比べて、配線と修復用導電膜との接触面積が大きく、接続の信頼性が高い。
【００４８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法を図９乃至図３４を用いて説明する。図９は、本発明の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法の前提となる液晶表示装置の表示パネルの概略構成を示す平面図である。図９は、液晶表示パネルのＴＦＴ基板を液晶層側から見た基板面を示している。
【００４９】
図９に示すように、基板上には、図中上下方向に延びる複数のデータバスライン１０１が形成されている。また基板上には、図中左右方向に延びる破線で示した複数のゲートバスライン１０３が形成されている。これらデータバスライン１０１とゲートバスライン１０３とで画定される領域が画素領域である。そして、各データバスライン１０１とゲートバスライン１０３との交差位置近傍にＴＦＴが形成されている。
【００５０】
ＴＦＴのドレイン電極１１７は、図中左側に示されたデータバスライン１０１から引き出されて、その端部がゲートバスライン１０３上に形成されたチャネル保護膜１０５上の一端辺側に位置するように形成されている。
一方、ソース電極１１９は、チャネル保護膜１０５上の他端辺側に位置するように形成されている。このような構成においてチャネル保護膜１０５直下のゲートバスライン１０３領域が当該ＴＦＴのゲート電極として機能するようになっている。図示は省略しているが、ゲートバスライン１０３上には、ゲート絶縁膜が形成され、その上にチャネルを構成する動作半導体層が形成されている。
【００５１】
このように図９に示すＴＦＴ構造は、ゲート電極がゲートバスライン１０３から引き出されて形成されておらず、直線状に配線されたゲートバスライン１０３の一部をゲート電極として用いる構成になっている。
また、画素領域のほぼ中央を左右に延びる破線で示した領域に、蓄積容量バスライン１１５が形成されている。蓄積容量バスライン１１５の上方には、絶縁膜を介して各画素毎に蓄積容量電極１０９が形成されている。ソース電極１１９および蓄積容量電極１０９の上層には、透明電極からなる画素電極１１３が形成されている。
【００５２】
画素電極１１３は、その下方に形成された保護膜に設けられたコンタクトホール１０７を介してソース電極１１９と電気的に接続されている。また画素電極１１３は、コンタクトホール１１１を介して蓄積容量電極１０９と電気的に接続されている。
次に、図９に示した液晶表示装置の製造方法について図１０乃至図１５を用いて説明する。なお、図１０乃至図１５において、図９に示した構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付している。また、図１０乃至図１５における（ａ）は、図９のＭ−Ｍ’線で切断したＴＦＴの断面を示し、（ｂ）は、図９のＮ−Ｎ’線で切断した蓄積容量部の断面を示している。
【００５３】
まず、図１０に示すように、透明ガラス基板１２１上に例えばＡｌ（アルミニウム）を全面に成膜して厚さ約１５０ｎｍの金属層を形成する。次いで、第１のマスクを用いてパターニングし、ゲートバスライン１０３（図１０（ａ）参照）及び蓄積容量バスライン１１５（図１０（ｂ）参照）を形成する。次に、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜して厚さ約４０ｎｍのゲート絶縁膜１２３を形成する。次に、動作半導体膜を形成するための例えば厚さ約１５ｎｍのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層１２５をプラズマＣＶＤ法により基板全面に成膜する。さらに、チャネル保護膜を形成するための例えば厚さ約１２０ｎｍのシリコン窒化膜（ＳｉＮ）１２７をプラズマＣＶＤ法により全面に形成する。
【００５４】
次に、ゲートバスライン１０３及び蓄積容量バスライン１１５をマスクとして、透明ガラス基板１２１に対して背面露光を行い、さらに第２のマスクを用いた露光を行って、ゲートバスライン１０３上に自己整合的にレジストパターン（図示せず）を形成し、ゲートバスライン１０３及び蓄積容量バスライン１１５上に形成されたシリコン窒化膜１２７をエッチングして、ＴＦＴ形成領域のゲートバスライン１０３上にチャネル保護膜１０５を形成する（図１１（ａ）、（ｂ）参照）。
【００５５】
次に、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、厚さ約３０ｎｍのオーミックコンタクト層を形成するためのｎ+ ａ−Ｓｉ層１２９をプラズマＣＶＤ法により全面に形成する。次いで、ドレイン電極１１７、ソース電極１１９、蓄積容量電極１０９、及びデータバスライン１０１を形成するための厚さ約１７０ｎｍの金属層（例えばＣｒ層）１３１をスパッタリングにより成膜する。
【００５６】
次に、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、第３のマスクを用いて金属層１３１、ｎ+ ａ−Ｓｉ層１２９、アモルファスシリコン層１２５をパターニングし、データバスライン１０１（図１３では図示せず）、ドレイン電極１１７、ソース電極１１９、蓄積容量電極１０９、及び動作半導体層１０６を形成する。このパターニングにおけるエッチング処理において、チャネル保護膜１０５はエッチングストッパーとして機能し、その下層のアモルファスシリコン層１２５はエッチングされずに残存する。
【００５７】
次に、図１４（ａ），（ｂ）に示すように、例えばシリコン窒化膜からなる厚さ約３０ｎｍの保護膜１３３をプラズマＣＶＤ法にて形成する。次いで、第４のマスクを用いて保護膜１３３をパターニングし、ソース電極１１９及び蓄積容量電極１０９上の保護膜１３３を開口して、ソース電極１１９上にコンタクトホール１０７を形成し、蓄積容量電極１０９上にコンタクトホール１１１を形成する。
【００５８】
次に、図１５（ａ），（ｂ）に示すように、透明ガラス基板１２１の上側全面に例えばＩＴＯからなる厚さ約７０ｎｍの透明画素電極材１３５を成膜する。次いで、第５のマスクを用いて画素電極材１３５をパターニングし、図９に示すような所定形状の画素電極１１３を形成する。画素電極１１３はコンタクトホール１０７を介してソース電極１１９と電気的に接続され、また、コンタクトホール１１１を介して蓄積容量電極１０９と電気的に接続される。
【００５９】
以上説明した工程を経て図９に示した液晶表示装置の表示パネルが完成する。上記工程の途中でゲートバスライン１０３やデータバスライン１０１、蓄積容量バスライン１１５などの配線パターンに断線が生じた場合は、以下の（Ａ）〜（Ｇ）に示す本実施の形態による欠陥修復方法を実施することによりパネルを良品化することができる。
【００６０】
（Ａ）基板全面にレジストを塗布し、断線部の両側の２つの配線パターン上のレジスト層にスポット露光又はレーザ光照射を行いパターニングして２つのホールパターンを形成する。このホールパターンは、配線パターンの線幅よりも長く、かつ配線パターンの幅方向両側に跨るように形成する。
（Ｂ）次いで、ホールパターンが形成されたレジスト層をマスクとしてドライエッチングを行い、配線パターンの上面開口部と、配線パターンの幅方向両側に基板面に到達する程度に形成される空間開口部とが連なる断線修復用コンタクトホールを２つ形成する。
【００６１】
（Ｃ）レーザ光を使用した化学的蒸気薄膜形成法（レーザＣＶＤ法）により、断線修復用コンタクトホール内を有機金属化合物からなるレーザＣＶＤ膜で埋める。
（Ｄ）断線修復用コンタクトホールに埋め込まれたレーザＣＶＤ膜同士を、レーザＣＶＤ膜で接続する。あるいは、（Ｅ）２つの断線修復用コンタクトホールに埋め込まれたそれぞれのレーザＣＶＤ膜をレーザＣＶＤ法を用いて同一の画素電極に接続する。
【００６２】
あるいは、（Ｆ）２つの断線修復用コンタクトホール内のレーザＣＶＤ膜をそれぞれ異なる画素電極にレーザＣＶＤ膜で接続し、画素電極同士をレーザＣＶＤ膜で接続する。このとき、一方または双方の画素電極に接続されるＴＦＴのドレイン電極とデータバスラインとの接続を断つようにする。
またあるいは、（Ｇ）断線修復用コンタクトホールを設けず、断線部の保護膜上に断線している配線パターンの幅よりも広いレーザＣＶＤ膜を断線部を跨いで形成し、レーザウェルディング法により断線部の両端側においてレーザＣＶＤ膜と断線している配線パターンの両端部を接続するようにする。
【００６３】
本実施の形態による断線欠陥修復方法を用いることにより、少なくとも次の５つの利点を得ることができる。第１に、画素電極形成前に絶縁膜をドライエッチングして断線修復用コンタクトホールを形成するので、従来のようなレーザ照射による画素電極の汚染もなく精度よく断線修復用コンタクトホールを形成することができる。第２に、断線修復用コンタクトホールは、配線パターンを挟むように形成しているため、配線パターン上のみにコンタクトホールを形成した場合に比べ接触面積が広く接続の信頼性が高くなる。
【００６４】
第３に、断線修復用のコンタクトホールは、断線部の両側に一箇所ずつしか設けていないので、複数設ける場合に比してレーザＣＶＤ膜で簡単且つ確実に埋めることができる。第４に、レーザＣＶＤ膜を用いて画素電極を介しての迂回接続ができるので長い断線部も修復することができ、殆どの断線不良あるいは層間短絡不良を救済できるようになる。
【００６５】
第５に、断線部の絶縁膜上に局所的にレーザＣＶＤ膜を形成し、裏面又は表面からレーザウェルディングで接続することができるので、マスク数を増やすことなく簡単に接続できる。この場合には断線修復用コンタクトホールを形成する必要がないので、必要に応じて途中工程でも修復作業が行えるようになる。以下、本実施の形態による欠陥修復方法を具体的に例を用いて説明する。
【００６６】
（例１）
図１６は、図９と同様に液晶表示パネルのＴＦＴ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図１６において図９に示した構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付している。図１６は、図中左側のデータバスライン１０１が図中上方のゲートバスライン１０３と蓄積容量バスライン１１５との間において断線部２０１で断線している状態を示している。
【００６７】
まず、断線部２０１の両端のデータバスライン１０１の断線端上に、データバスライン１０１の幅よりも長い幅を有する断線修復用コンタクトホール２０３、２０５がデータバスライン１０１を横断するようにそれぞれ形成する。断線修復用コンタクトホール２０３、２０５内にはデータバスライン１０１がその側面を含めて露出している。次いで、断線修復用コンタクトホール２０３、２０５内及び断線修復用コンタクトホール２０３、２０５と画素電極１１３との間をレーザＣＶＤ膜２０９、２１１によりそれぞれ接続する。このとき、図中の断線修復用コンタクトホール２０３上方でデータバスライン１０１から延びるドレイン電極１１７は、その根本部の切断位置２１３にレーザ光を照射してデータバスライン１０１とは切断しておく。こうすることにより、データバスライン（ドレインバスライン）１０１に発生する断線欠陥を確実に修復することができる。
【００６８】
本例の断線修復方法について図１７を用いてより具体的に説明する。図１７は、図１６のＰ−Ｐ’線で切断したデータバスライン１０１近傍の断面を示している。なお、図１０乃至図１５に示した構成要素と同一の構成要素については同一の符号を付している。以下、参照図面については同一の構成要素には同一符号を付すものとする。
【００６９】
まず、図１６に示すコンタクトホール１０７及び１１１を形成する前に予めゲートバスライン１０３及びデータバスライン１０１の断線検査がなされており、断線検査の結果、図１６に示すデータバスライン１０１の断線部２０１が発見されているものとする。
コンタクトホール１０７及び１１１を形成するためにレジストを基板全面に塗布してレジスト層２１５を形成したら、図１７（ａ）に示すように、断線部２０１の両端側のデータバスライン１０１断線端上のレジスト層２１５にスポット露光又はレーザ光照射（例えばエキシマレーザ光照射）を行ってからパターニングし、データバスライン１０１の幅よりも長い幅を有しデータバスライン１０１を横断する位置にホール２１７を形成する。
【００７０】
次に、図１７（ｂ）に示すように、ドライエッチングを用いた選択エッチングによるコンタクトホール１０７、１１１の形成及び端子部（図示せず）の窓開けと同時に、ホール（穴）２１７内を選択エッチングし、データバスライン１０１断線端の上面を露出させると共にデータバスライン１０１の幅方向両側にガラス基板１２１面に到達する断線修復用コンタクトホール２０５を形成する。同様にして断線修復用コンタクトホール２０３も形成される。
【００７１】
次に、基板全面にＩＴＯ等の透明電極材を成膜してからパターニングし、図１７（ｃ）に示すように画素電極１１３を形成する。
次に、レーザＣＶＤ法を用いて、図１７（ｄ）に示すように、断線修復用コンタクトホール２０５内と画素電極１１３とをレーザＣＶＤ膜２１１で接続する。同様にして断線修復用コンタクトホール２０３内と画素電極１１３とをレーザＣＶＤ膜２０９で接続する。
【００７２】
こうすることにより、図１６に示すように、データバスライン１０１の一方の断線端と他方の断線端とが、断線修復用コンタクトホール２０３及び素電極１１３間に形成されたレーザＣＶＤ膜２０９と断線修復用コンタクトホール２０５及び画素電極１１３間に形成されたレーザＣＶＤ膜２１１とで電気的に接続されて断線欠陥が修復される。
【００７３】
本例によれば、画素電極形成前に絶縁膜をドライエッチングして断線修復用コンタクトホールを形成するので、従来のようなレーザ照射による画素電極への汚染もなく精度よく断線修復用コンタクトホールを形成することができる。また、マスク数を増やすことなく修復作業が行える。
さらに、断線修復用コンタクトホールは、データバスラインを挟むように形成しているため、データバスライン上のみにコンタクトホールを形成した場合に比べ接触面積が広く接続の信頼性が高くなる。
【００７４】
また、断線修復用コンタクトホールは、断線部の両側に一箇所ずつしか設けていないので、複数設ける場合に比してレーザＣＶＤ膜で簡単且つ確実に埋めることができる。
また、レーザＣＶＤ膜により画素電極を介して迂回接続しているので長い断線部も修復することができ、殆どの断線不良あるいは層間短絡不良を救済できるようになる。
【００７５】
（例２）
図１８は、図９と同様に液晶表示パネルのＴＦＴ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図１８は、例１と同様に、図中左側のデータバスライン１０１が図中上方のゲートバスライン１０３と蓄積容量バスライン１１５との間において断線部２３１で断線している状態を示している。
【００７６】
まず、断線部２３１の両端のデータバスライン１０１断線端上に、データバスレイン１０１の幅よりも長い幅を有する断線修復用コンタクトホール２３３、２３５がデータバスライン１０１を横断するようにそれぞれ形成する。断線修復用コンタクトホール２３３、２３５内にはデータバスライン１０１がその側面を含めて露出している。次いで、断線修復用コンタクトホール２３３、２３５内部及び断線修復用コンタクトホール２３３、２３５間をレーザＣＶＤ膜２３７により接続する。こうすることにより、データバスライン１０１に発生する断線欠陥を確実に修復することができる。
【００７７】
本例の断線修復方法について図１９を用いてより具体的に説明する。図１９は、図１８のＱ−Ｑ’線で切断したデータバスライン１０１近傍の断面を示している。まず、図１８に示すコンタクトホール１０７及び１１１を形成する前に予めゲートバスライン１０３及びデータバスライン１０１の断線検査がなされており、断線検査の結果、図１８に示すデータバスライン１０１の断線部２３１が発見されているものとする。
【００７８】
コンタクトホール１０７及び１１１を形成するためにレジストを基板全面に塗布してレジスト層２３９を形成したら、図１９（ａ）に示すように、断線部２３１の両端側のデータバスライン１０１断線端上のレジスト層２３９にスポット露光又はレーザ光照射を行ってからパターニングし、データバスライン１０１の幅よりも長い幅を有しデータバスライン１０１を横断する位置にホール２４１、２４３を形成する。
【００７９】
次に、図１９（ｂ）に示すように、ドライエッチングを用いた選択エッチングによるコンタクトホール１０７、１１１の形成及び端子部（図示せず）の窓開けと同時に、ホール２４１、２４３内を選択エッチングし、データバスライン１０１断線端の上面を露出させると共にデータバスライン１０１の幅方向両側にガラス基板１２１面に到達する断線修復用コンタクトホール２４７、２４９を形成する。
【００８０】
次に、レーザＣＶＤ法を用いて、図１９（ｃ）に示すように、断線修復用コンタクトホール２４７、２４９とをレーザＣＶＤ膜２５０で接続する。次に、基板全面にＩＴＯ等の透明電極材を成膜してからパターニングし、図１９（ｄ）に示すように画素電極１１３を形成する。
こうすることにより、図１８に示すように、データバスライン１０１の一方の断線端と他方の断線端とが、断線修復用コンタクトホール２３３、２３５間に形成されたレーザＣＶＤ膜２３７で電気的に接続されて断線欠陥が修復される。
【００８１】
本例によれば、画素電極形成前に絶縁膜をドライエッチングして断線修復用コンタクトホールを形成するので、従来のようなレーザ照射による画素電極の汚染もなく精度よく断線修復用コンタクトホールを形成することができ、また、マスク数を増やすことなく修復作業が行える。
なお本例では、レーザＣＶＤ法による結線は画素電極形成後に行うようにしてもよい。
【００８２】
さらに、断線修復用コンタクトホールは、配線パターンを挟むように形成しているため、配線パターン上のみにコンタクトホールを形成した場合に比べ接触面積が広く接続の信頼性が高くなる。
（例３）
図２０は、図９と同様に液晶表示パネルのＴＦＴ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図２０は、３本のデータバスライン１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃと３本のゲートバスライン１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃで画定される４つの画素領域内の画素電極１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄを示している。各画素領域には、蓄積容量バスライン１１５ａ、１１５ｂが形成されている。
【００８３】
図２０は、データバスライン１０１ｂが、ゲートバスライン１０３ｂを跨いで２画素領域に及ぶ断線部２５１で断線し、画素電極１１３ｄに接続されるＴＦＴのドレイン電極１１７ｄとデータバスレイン１０１ｂとの接続が断たれている状態を示している。
本例では、まず、断線部２５１の両端のデータバスライン１０１ｂ断線端上に、例１と同様に、データバスライン１０１の幅よりも大きめの断線修復用コンタクトホール２５３、２５５をデータバスライン１０１ｂを横断してそれぞれ形成する。次いで、断線修復用コンタクトホール２５３と画素電極１１３ｂの左辺端との間をレーザＣＶＤ膜２５７により接続し、同じく断線修復用コンタクトホール２５５と画素電極１１３ｄの左辺端との間をレーザＣＶＤ膜２５９により接続する。また、画素電極１１３ｂの下辺端と１１３ｄの上辺端との間をレーザＣＶＤ膜２６１で直接接続する。なお、画素電極１１３ａ〜１１３ｄの形成前に、画素電極１１３ｂに接続されるＴＦＴのドレイン電極１１７ｂの根本部の切断位置２６３にレーザ光を照射して切断し、データバスライン１０１ｂとの接続を遮断しておく。
【００８４】
その結果、データバスライン１０１ｂの一方の断線端は断線修復用コンタクトホール２５３のレーザＣＶＤ膜２５７を介して画素電極１１３ｂと接続され、データバスライン１０１の他方の断線端は断線修復用コンタクトホール２５５のレーザＣＶＤ膜２５９を介して画素電極１１３ｄと接続され、画素電極１１３ｂと画素電極１１３ｄとがレーザＣＶＤ膜２６１で接続されるので、データバスライン１０１ｂの断線部２５１を迂回して電気的な接続を採ることができる。なお、断線修復用コンタクトホール２５３、２５５は、上記各実施例と同様に形成されているので、同様に信頼性の高い電気的接続が得られる。
【００８５】
（例４）
図２１は、図９と同様に液晶表示パネルのＴＦＴ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図２１では、３本のデータバスライン１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃと２本のゲートバスライン１０３ａ、１０３ｂが示され、これらにより画定される２つの画素領域（画素電極１１３ａ、１１３ｂ）が示されている。また、２つの画素領域を横断する蓄積容量バスライン１１５が示されている。
【００８６】
また、図２１において、データバスライン１０１ａと接続されているＴＦＴのチャネル保護層１０５ａとデータバスライン１０１ｂとの間でゲートバスライン１０３ａが断線（断線部２７１）している。
まず、画素電極１１３ａの上部両端側におけるゲートバスライン１０３ａ上に、当該ゲートバスライン１０３ａの幅よりも長い幅の断線修復用コンタクトホール２７３、２７５をゲートバスライン１０３ａを横断してそれぞれ形成する。次いで、断線修復用コンタクトホール２７３、２７５と画素電極１１３ａとの間をレーザＣＶＤ膜２７７、２７９によりそれぞれ接続する。このとき、画素電極１１３ａに接続されるＴＦＴのドレイン電極１１７ａの根本部の切断位置２８１にレーザ光を照射して切断し、データバスライン１０１ａとの接続を遮断しておく。
【００８７】
本例の断線修復方法について図２２を用いてより具体的に説明する。図２２は、図２１のＳ−Ｓ’線で切断したゲートバスライン１０３ａ近傍の断面を示している。まず、図２２に示すコンタクトホール１０７及び１１１を形成する前に予めゲートバスライン１０３及びデータバスライン１０１の断線検査がなされており、断線検査の結果、図２１に示すゲートバスライン１０３ａの断線部２７１が発見されているものとする。
【００８８】
コンタクトホール１０７及び１１１を形成するためにレジストを基板全面に塗布してレジスト層２８３を形成したら、断線部２７１（図２１参照）の両端側のゲートバスライン１０３ａ断線端上のレジスト層２８３にスポット露光又はレーザ光照射を行ってからパターニングし、ゲートバスライン１０３ａの幅よりも長い幅を有しデゲートバスライン１０３ａを横断する位置にレジストホール２８５を形成する（図２２（ａ）参照）。
【００８９】
次に、図２２（ｂ）に示すように、ドライエッチングを用いた選択エッチングによるコンタクトホール１０７、１１１の形成及び端子部（図示せず）の窓開けと同時に、ホール２８５内を選択エッチングし、ゲートバスライン１０３ａ断線端の上面を露出させると共にゲートバスライン１０３ａの幅方向両側にガラス基板１２１面に到達する断線修復用コンタクトホール２８７を形成する。
【００９０】
次に、基板全面にＩＴＯ等の透明電極材を成膜してからパターニングし、図２２（ｃ）に示すように画素電極１１３を形成する。次に、レーザＣＶＤ法を用いて、図２２（ｄ）に示すように、断線修復用コンタクトホール２８７内のゲートバスライン１０３ａと画素電極１１３ａとをレーザＣＶＤ膜２７９で接続する。同様にして断線修復用コンタクトホール２７３内と画素電極１１３ａとをレーザＣＶＤ膜２７７で接続する。
【００９１】
こうすることにより、図２１に示すように、ゲートバスライン１０３ａの一方の断線端と他方の断線端とが、断線修復用コンタクトホール２７３及び画素電極１１３ａ間に形成されたレーザＣＶＤ膜２７７と断線修復用コンタクトホール２７５及び画素電極１１３ａ間に形成されたレーザＣＶＤ膜２７９とで電気的に接続されて断線欠陥が修復される。
【００９２】
本例によれば、画素電極形成前に絶縁膜をドライエッチングして断線修復用コンタクトホールを形成するので、従来のようなレーザ照射による画素電極への汚染もなく精度よく断線修復用コンタクトホールを形成することができる。また、マスク数を増やすことなく修復作業が行える。
さらに、断線修復用コンタクトホールは、ゲートバスラインを挟むように形成しているため、ゲートバスライン上のみにコンタクトホールを形成した場合に比べ接触面積が広く接続の信頼性が高くなる。
【００９３】
また、断線修復用コンタクトホールは、断線部の両側に一箇所ずつしか設けていないので、複数設ける場合に比してレーザＣＶＤ膜で簡単且つ確実に埋めることができる。
また、レーザＣＶＤ膜により画素電極を介して迂回接続しているので長い断線部も修復することができ、殆どの断線不良を救済できるようになる。
【００９４】
（例５）
図２３は、図９と同様に液晶表示パネルのＴＦＴ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図２３は、３本のデータバスライン１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃと２本のゲートバスライン１０３ａ、１０３ｂが示され、これらにより画定される２つの画素領域（画素電極１１３ａ、１１３ｂ）が示されている。また、２つの画素領域を横断する蓄積容量バスライン１１５が示されている。
【００９５】
図２３においてゲートバスライン１０３ａは、データバスライン１０１ａに接続されるＴＦＴのチャネル保護層１０５ａとデータバスライン１０１ｂとの間の断線部３０１で断線している。
まず、断線部３０１の両端のゲートバスライン１０３ａ断線端上に、ゲートバスレイン１０３ａの幅よりも長い幅を有する断線修復用コンタクトホール３０３、３０５がゲートバスライン１０３ａを横断するようにそれぞれ形成する。断線修復用コンタクトホール３０３、３０５内にはゲートバスライン１０３ａがその側面を含めて露出している。次いで、断線修復用コンタクトホール３０３、３０５内部及び断線修復用コンタクトホール２３３、２３５間をレーザＣＶＤ膜３０７により接続する。こうすることにより、ゲートバスラインに発生する断線欠陥を確実に修復することができる。
【００９６】
本例の断線修復方法について図２４を用いてより具体的に説明する。図２４は、図２３のＴ−Ｔ’線で切断したゲートバスライン１０３ａ近傍の断面を示している。まず、図２３に示すコンタクトホール１０７及び１１１を形成する前に予めゲートバスライン１０３及びデータバスライン１０１の断線検査がなされており、断線検査の結果、図２３に示すゲートバスライン１０３ａの断線部３０１が発見されているものとする。
【００９７】
コンタクトホール１０７及び１１１を形成するためにレジストを基板全面に塗布してレジスト層３０９を形成したら、図２４（ａ）に示すように、断線部３０１の両端側のゲートバスライン１０３ａ断線端上のレジスト層３０９にスポット露光又はレーザ光照射を行ってからパターニングし、ゲートバスライン１０３ａの幅よりも長い幅を有しゲートバスライン１０３ａを横断する位置にホール３１１、３１３を形成する。
【００９８】
次に、図２４（ｂ）に示すように、ドライエッチングを用いた選択エッチングによるコンタクトホール１０７、１１１の形成及び端子部（図示せず）の窓開けと同時に、ホール３１１、３１３内を選択エッチングし、ゲートバスライン１０３ａ断線端の上面を露出させると共にゲートバスライン１０３ａの幅方向両側にガラス基板１２１面に到達する断線修復用コンタクトホール３１５、３１７を形成する。
【００９９】
次に、レーザＣＶＤ法を用いて、図２４（ｃ）に示すように、断線修復用コンタクトホール３１５、３１７とをレーザＣＶＤ膜３０７で接続する。次に、基板全面にＩＴＯ等の透明電極材を成膜してからパターニングして画素電極１１３を形成する。
こうすることにより、図２３に示すように、ゲートバスライン１０３ａの一方の断線端と他方の断線端とが、断線修復用コンタクトホール３１５、３１７間に形成されたレーザＣＶＤ膜３０７で電気的に接続されて断線欠陥が修復される。
【０１００】
本例によれば、画素電極形成前に絶縁膜をドライエッチングして断線修復用コンタクトホールを形成するので、従来のようなレーザ照射による画素電極の汚染もなく精度よく断線修復用コンタクトホールを形成することができ、また、マスク数を増やすことなく修復作業が行える。
なお本実施例では、レーザＣＶＤ法による結線は画素電極形成後に行うようにしてもよい。
【０１０１】
さらに、断線修復用コンタクトホールは、配線パターンを挟むように形成しているため、配線パターン上のみにコンタクトホールを形成した場合に比べ接触面積が広く接続の信頼性が高くなる。
（例６）
図２５は、図９と同様に液晶表示パネルのＴＦＴ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図２５は、３本のデータバスライン１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃと２本のゲートバスライン１０３ａ、１０３ｂで画定される４つの画素領域内の画素電極１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄを示している。各画素領域には、蓄積容量バスライン１１５ａ、１１５ｂが形成されている。
【０１０２】
図２５は、ゲートバスライン１０３ａが、データバスライン１０１ｂを挟んで２画素領域に及ぶ断線部３２１で断線している状態を示している。
本例では、まず、断線部３２１の両端のゲートバスライン１０３ａ断線端上に、ゲートバスライン１０３ａの幅よりも長い幅の断線修復用コンタクトホール３２３、３２５をゲートバスライン１０３ａを横断してそれぞれ形成する。次いで、断線修復用コンタクトホール３２３と画素電極１１３ｃの左辺端との間をレーザＣＶＤ膜３２７により接続し、同じく断線修復用コンタクトホール３２５と画素電極１１３ｄの左辺端との間をレーザＣＶＤ膜３２９により接続する。また、画素電極１１３ｃと１１３ｄとの間をレーザＣＶＤ膜３３１で直接接続する。なお、画素電極１１３ａ〜１１３ｄの形成前に、画素電極１１３ｃに接続されるＴＦＴのドレイン電極１１７ａの根本部の切断位置３３３にレーザ光を照射して切断し、データバスライン１０１ａとの接続を遮断しておく。同様に、画素電極１１３ｄに接続されるＴＦＴのドレイン電極１１７ｂの根本部の切断位置３３５にレーザ光を照射して切断し、データバスライン１０１ｂとの接続を遮断しておく。
【０１０３】
その結果、ゲートバスライン１０３ａの一方の断線端は断線修復用コンタクトホール３２３のレーザＣＶＤ膜３２７を介して画素電極１１３ｃと接続され、データバスライン１０１の他方の断線端は断線修復用コンタクトホール３２５のレーザＣＶＤ膜３２９を介して画素電極１１３ｄと接続され、画素電極１１３ｃと画素電極１１３ｄとがレーザＣＶＤ膜３３１で接続されるので、ゲートバスライン１０３ａの断線部３２１を迂回して電気的な接続をとることができる。なお、断線修復用コンタクトホール３２３、３２５は、上記した各例と同様に形成されているので、同様に信頼性の高い電気的接続が得られる。
【０１０４】
（例７）
図２６は、図９と同様に液晶表示パネルのＴＦＴ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図２６では、３本のデータバスライン１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃと２本のゲートバスライン１０３ａ、１０３ｂが示され、これらにより画定される２つの画素領域（画素電極１１３ａ、１１３ｂ）が示されている。また、ゲートバスライン１０３ａと１０３ｂの間に蓄積容量バスライン１１５が形成されている。図２６において蓄積容量バスライン１１５は、画素電極１１３ａ領域内の断線部３４１で断線している。
【０１０５】
まず、断線部３４１の両側で、画素電極１１３ａとデータバスライン１０１ａ、１０１ｂとの間の領域の蓄積容量バスライン１１５上に、当該蓄積容量バスライン１１５の幅よりも長い幅を有する断線修復用コンタクトホール３４３、３４５を蓄積容量バスライン１１５を横断してそれぞれ形成する。
断線修復用コンタクトホール３４３、３４５内には蓄積容量バスライン１１５がその側面を含めて露出している。次いで、断線修復用コンタクトホール３４３内部及び画素電極１１３ａ間と断線修復用コンタクトホール３４５及び画素電極１１３ａ間とをそれぞれレーザＣＶＤ膜３４７、３４９により接続する。なお、画素電極１１３ａの形成前に、画素電極１１３ａに接続されるＴＦＴのドレイン電極１１７ａの根本部の切断位置３５１にレーザ光を照射して切断し、データバスライン１０１ａとの接続を遮断しておく。
【０１０６】
こうすることにより、蓄積容量バスライン１１５に発生する断線欠陥を確実に修復することができる。
本例の断線修復方法について図２７を用いてより具体的に説明する。図２７は、図２６のＵ−Ｕ’線で切断した蓄積容量バスライン１１５近傍の断面を示している。まず、図２６に示すコンタクトホール１０７及び１１１を形成する前に予め蓄積容量バスライン１１５の断線検査がなされており、断線検査の結果、図２６に示す蓄積容量バスライン１１５の断線部３４１が発見されているものとする。
【０１０７】
コンタクトホール１０７及び１１１を形成するためにレジストを基板全面に塗布してレジスト層３５３を形成したら、図２７（ａ）に示すように、断線部３４１の両端側の蓄積容量バスライン１１５断線端上のレジスト層３５３にスポット露光又はレーザ光照射を行ってからパターニングし、蓄積容量バスライン１１５の幅よりも長い幅を有し蓄積容量バスライン１１５を横断する位置にホール３５５、３５７を形成する。
【０１０８】
次に、図２７（ｂ）に示すように、ドライエッチングを用いた選択エッチングによるコンタクトホール１０７、１１１の形成及び端子部（図示せず）の窓開けと同時に、ホール３５５、３５７内を選択エッチングし、蓄積容量バスライン１１５断線端の上面を露出させると共に蓄積容量バスライン１１５の幅方向両側にガラス基板１２１面に到達する断線修復用コンタクトホール３６１、３６３を形成する。
【０１０９】
次に、図２７（ｃ）に示すように、基板全面にＩＴＯ等の透明電極材を成膜してからパターニングして画素電極１１３を形成する。次に、図２７（ｄ）に示すように、レーザＣＶＤ法を用いて、断線修復用コンタクトホール３６１、３６３をそれぞれレーザＣＶＤ膜３０７で画素電極１１３ａに接続する。
こうすることにより、図２６に示すように、蓄積容量バスライン１１５の一方の断線端と他方の断線端とが、断線修復用コンタクトホール３６１、３６３及び画素電極１１３ａ間に形成されたレーザＣＶＤ膜３４７、３４９で電気的に接続されて断線欠陥が修復される。
【０１１０】
本例によれば、画素電極形成前に絶縁膜をドライエッチングして断線修復用コンタクトホールを形成するので、従来のようなレーザ照射による画素電極の汚染もなく精度よく断線修復用コンタクトホールを形成することができ、また、マスク数を増やすことなく修復作業が行える。
さらに、断線修復用コンタクトホールは、蓄積容量バスライン１１５を挟むように形成しているため、配線パターン上のみにコンタクトホールを形成した場合に比べ接触面積が広く接続の信頼性が高くなる。
【０１１１】
（例８）
図２８は、図９と同様に液晶表示パネルのＴＦＴ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図２８は、３本のデータバスライン１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃと２本のゲートバスライン１０３ａ、１０３ｂで画定される２つの画素領域内の画素電極１１３ａ、１１３ｂを示している。各画素領域には、蓄積容量バスライン１１５が形成されている。
【０１１２】
図２８は、蓄積容量バスライン１１５が、データバスライン１０１ｂを挟んで２画素領域に及ぶ断線部３７１で断線している状態を示している。
本例では、まず、断線部３７１の両端の蓄積容量バスライン１１５上であって、画素電極１１３ａとデータバスライン１０１ａとの間の領域の蓄積容量バスライン１１５上に、当該蓄積容量バスライン１１５の幅よりも長い幅を有する断線修復用コンタクトホール３７３を蓄積容量バスライン１１５を横断するように形成する。同様に、画素電極１１３ｂとデータバスライン１０１ｃとの間の領域の蓄積容量バスライン１１５上に、当該蓄積容量バスライン１１５の幅よりも長い幅を有する断線修復用コンタクトホール３７５を蓄積容量バスライン１１５を横断するように形成する。断線修復用コンタクトホール３７３、３７５内には蓄積容量バスライン１１５がその側面を含めて露出している。
【０１１３】
次いで、断線修復用コンタクトホール３７３内部及び画素電極１１３ａ間と断線修復用コンタクトホール３７５及び画素電極１１３ｃ間とをそれぞれレーザＣＶＤ膜３７７、３７９により接続する。さらに、画素電極１１３ａと１１３ｂとの間をレーザＣＶＤ膜３８１で直接接続する。
なお、画素電極１１３の形成前に、画素電極１１３ａに接続されるＴＦＴのドレイン電極１１７ａの根本部の切断位置３８３にレーザ光を照射して切断し、データバスライン１０１ａとの接続を遮断しておく。同様に、画素電極１１３ｂに接続されるＴＦＴのドレイン電極１１７ｂの根本部の切断位置３８５にレーザ光を照射して切断し、データバスライン１０１ｂとの接続を遮断しておく。
【０１１４】
以上の結果、蓄積容量バスライン１１５の一方の断線端は断線修復用コンタクトホール３７３のレーザＣＶＤ膜３７７を介して画素電極１１３ａと接続され、蓄積容量バスライン１１５の他方の断線端は断線修復用コンタクトホール３７５のレーザＣＶＤ膜３７９を介して画素電極１１３ｂと接続され、画素電極１１３ａと画素電極１１３ｂとがレーザＣＶＤ膜３８１で接続されるので、蓄積容量バスライン１１５の断線部３７１を迂回して電気的な接続をとることができる。なお、断線修復用コンタクトホール３７３、３７５は、上記した各例と同様に形成されているので、同様に信頼性の高い電気的接続が得られる。
【０１１５】
（例９）
図２９は、液晶表示パネルのＴＦＴ基板におけるゲートバスライン及びデータバスラインの引き出し線（リード線）の形成領域を液晶層側から見た基板面を示している。図２９では、表示領域内のゲートバスライン及びデータバスライン３９１が引き出し線３９３を介して外部接続用の端子部３９５に接続される様子が示されている。
【０１１６】
図２９において、引き出し線３９３のうちの１本が断線部３９７で断線している。本例では、断線部３９７の両端の引き出し線３９３断線端上に、引き出し線３９３の幅よりも長い幅を有する断線修復用コンタクトホール４１３、４１５を引き出し線３９３を横断してそれぞれ形成する。次いで、断線修復用コンタクトホール４０１と４０３の間をレーザＣＶＤ膜４０５により直接接続する。
【０１１７】
本例の断線修復方法について図３０を用いてより具体的に説明する。図３０は、図２９のＶ−Ｖ’線で切断した引き出し線３９３近傍の断面を示している。まず、不図示のコンタクトホール１０７及び１１１を形成する前に予め引き出し線３９３の断線検査がなされており、断線検査の結果、図２９に示す引き出し線３９３の断線部３９７が発見されているものとする。
【０１１８】
コンタクトホール１０７及び１１１を形成するためにレジストを基板全面に塗布してレジスト層４０７を形成したら、図３０（ａ）に示すように、断線部３９７の両端側の引き出し線３９３断線端上のレジスト層４０７にスポット露光又はレーザ光照射を行ってからパターニングし、引き出し線３９３の幅よりも長い幅を有し引き出し線３９３を横断する位置にホール４０９、４１１を形成する。
【０１１９】
次に、図３０（ｂ）に示すように、ドライエッチングを用いた選択エッチングによるコンタクトホール１０７、１１１の形成及び端子部（図示せず）の窓開けと同時に、ホール４０９、４１１内を選択エッチングし、引き出し線３９３断線端の上面を露出させると共に引き出し線３９３の幅方向両側にガラス基板１２１面に到達する断線修復用コンタクトホール４１３、４１５を形成する。
【０１２０】
次に、基板全面にＩＴＯ等の透明電極材を成膜してからパターニングして画素電極１１３（不図示）を形成する。次に、図３０（ｃ）に示すように、レーザＣＶＤ法を用いて、断線修復用コンタクトホール内４１３及び４１５をレーザＣＶＤ膜４０５で接続する。
こうすることにより、図２９に示すように、引き出し線３９３の一方の断線端と他方の断線端とが、断線修復用コンタクトホール４１３、４１５間に形成されたレーザＣＶＤ膜４０５で電気的に接続されて断線欠陥が修復される。
【０１２１】
本例によれば、画素電極形成前に絶縁膜をドライエッチングして断線修復用コンタクトホールを形成するので、従来のようなレーザ照射による画素電極の汚染もなく精度よく断線修復用コンタクトホールを形成することができ、また、マスク数を増やすことなく修復作業が行える。
さらに、断線修復用コンタクトホールは、引き出し線３９３を挟むように形成しているため、配線パターン上のみにコンタクトホールを形成した場合に比べ接触面積が広く接続の信頼性が高くなる。
【０１２２】
（例１０）
図３１は、図９と同様に液晶表示パネルのＴＦＴ基板を液晶層側から見た基板面を示している。図３１では、３本のデータバスライン１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃと３本のゲートバスライン１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃが示され、これらにより画定される４つの画素領域（画素電極１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄ）が示されている。また、ゲートバスライン１０３ａと１０３ｂの間に蓄積容量バスライン１１５ａが示され、ゲートバスライン１０３ｂと１０３ｃの間に蓄積容量バスライン１１５ｂが示されている。
【０１２３】
図３１において、データバスライン１０１ｂが、画素電極１１３ａと１１３ｂの間にある断線部４２１で断線している。ゲートバスライン１０３ｂが、画素電極１１３ｃの右上端における断線部４２３で断線している。また、蓄積容量バスライン１１５ｂが、画素電極１１３ｃと１１３ｄの間で双方の領域に跨る断線部４２５で断線している。
【０１２４】
この場合、まず断線部４２１、４２３、４２５の両端部直上の保護膜を、それぞれ、断線部の線幅よりも広いレーザＣＶＤ膜４２７、４２９、４３１で被覆する。次いで、レーザウェルディング法により各断線部の両端部に黒丸で示すレーザウェルディング部を形成し、断線している配線パターンの断線端をレーザＣＶＤ膜４２７、４２９、４３１により直接接続する。
【０１２５】
以下、図３２〜図３４を用いて具体的に説明する。図３２は、図３１に示すＷ−Ｗ’線で切断したデータバスライン１０１ｂ近傍の断面を示している。図３５は、図３１に示すＸ−Ｘ’線で切断したゲートバスライン１０３ｂ近傍の断面を示している。図３４は、図３１に示すＹ−Ｙ’線で切断した蓄積容量バスライン１１５ｂ近傍の断面を示している。
【０１２６】
まず、図３２乃至図３４の（ａ）に示すように、断線部４２１、４２３、４２５の両端部を含む直上の保護膜１３３にレーザＣＶＤ膜４２７、４２９、４３１を断線部の線幅よりも広く形成する。次に、図３２乃至図３４の（ｂ）に示すように、裏面側からまたは表面側から断線部４２１、４２３、４２５の両端部に向けてレーザ光（例えばＹＡＧレーザ光）を照射するレーザウェルディング法を実施し、断線部４２１、４２３、４２５の両端部にレーザウェルディング部を形成する。
【０１２７】
図３２（ｂ）に示すように、断線部４２１におけるレーザウェルディング部４３３、４３４によりレーザＣＶＤ膜４２７とデータバスライン１０１ｂとが接続されて断線部４２１での断線が修復されている。図３３（ｂ）に示すように、断線部４２３におけるレーザウェルディング部４３５、４３６によりレーザＣＶＤ膜４２９とゲートバスライン１０３ｂとが接続されて断線部４２３での断線が修復されている。図３４（ｂ）に示すように、断線部４２５におけるレーザウェルディング部４３７、４３８によりレーザＣＶＤ膜４３１と蓄積容量バスライン１１５ｂとが接続されて断線部４２５での断線が修復されている。
【０１２８】
これにより、断線部４２１は、データバスライン１０１ｂの一方の断線端から、レーザウェルディング部４３３、レーザＣＶＤ膜４２７、及びレーザウェルディング部４３４を介してデータバスライン１０１ｂの他方の断線端と電気的に接続される。断線部４２３は、ゲートバスライン１０３ｂの一方の断線端から、レーザウェルディング部４３５、レーザＣＶＤ膜４２９、及びレーザウェルディング部４３６を介してゲートバスライン１０３ｂの他方の断線端と電気的に接続される。また、断線部４２５は、蓄積容量バスライン１１５ｂの一方の断線端から、レーザウェルディング部４３７、レーザＣＶＤ膜４３１、及びレーザウェルディング部４３８を介して蓄積容量バスライン１１５ｂの他方の断線端と電気的に接続される。
【０１２９】
なお、断線部４２５において以上説明した修復方法を採用する場合には、画素電極１１３ｃの右辺端と画素電極１１３ｄの左辺端とが接続されるので、画素電極１１３ｃに接続されるＴＦＴのドレイン電極１１７ａ及び画素電極１１３ｄに接続されるＴＦＴのドレイン電極１１７ｂは、それぞれ、データバスライン１０１ａ、１０１ｂから切り離しておく必要がある。
【０１３０】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法を図３５乃至図５３を用いて説明する。図３５は、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法の原理説明図である。図３５（ａ）は、透明ガラス基板５００上にゲートバスライン５０２が形成され、その上に絶縁膜（ゲート絶縁膜；ＳｉＮ）５０４を介してデータバスライン５０６がゲートバスライン５０２に交差して形成され、その上に絶縁膜（保護膜；ＳｉＮ）５０８が形成される表示パネルを示している。さらに図３５（ａ）は、ゲートバスライン５０２とデータバスライン５０６とが層間短絡部５１０において短絡していることを示している。
【０１３１】
図３５（ｂ）に示すように、最上層の絶縁膜（ＳｉＮ）５０８の上部から層間短絡部５１０を挟みデータバスライン５０６に沿った両側にレーザ光を照射し、データバスライン５０６を断線部５１２、５１４で断線させる。
次いで、図３５（ｃ）に示すように、断線部５１２、５１４の外側端上における絶縁膜（ＳｉＮ）５０８にレーザ光を照射して、データバスライン５０６が剥き出しになるようにコンタクトホール５１６、５１８をそれぞれ形成する。
【０１３２】
次に、図３５（ｄ）に示すように、レーザＣＶＤ法によりコンタクトホール５１６、５１８それぞれの内周及び開口部周辺の絶縁層５０８上に金属膜を成膜してメタル堆積部５２０、５２２を形成する。次いで、絶縁膜５０８上に形成されているメタル堆積部５２０と５２２の間を、次の（Ａ）〜（Ｅ）のいずれかの方法で電気的に接続し、層間短絡を修復する。
【０１３３】
（Ａ）絶縁膜５０８上にメタル堆積部５２０と５２２を形成する際に引き続いてメタル堆積部５２０と５２２の間をレーザＣＶＤ法により成膜した金属膜で直接接続する。
（Ｂ）予めデータバスライン５０６の側方に所定長さの予備配線を並置形成しておき、予備配線の両端上に最上層の絶縁膜５０８に開口するコンタクトホールを設け、予備配線のコンタクトホールとメタル堆積部５２０及び５２２の間をレーザＣＶＤ法により成膜した金属膜で接続する。
【０１３４】
（Ｃ）画素電極とメタル堆積部５２０及び５２２の間をレーザＣＶＤ法により成膜した金属膜で接続する。
（Ｄ）図３５（ｃ）のコンタクトホール５１６、５１８を設けずに、予めデータバスライン５０６の両断線部の外側に予備パッドをそれぞれ延設し、予備パッド上に最上層の絶縁膜５０８に開口するコンタクトホールを設け、両コンタクトホール間をレーザＣＶＤ法により成膜した金属膜で接続する。
【０１３５】
（Ｅ）図３５（ｃ）のコンタクトホール５１６、５１８を設けたのち、データバスラインの両断線部の外側端上の絶縁層５０８にコンタクトホール５１６、５１８とつながる透明導電体膜を予備パッドとしてそれぞれ成膜し、両予備パッド間をレーザＣＶＤ法により成膜した金属膜で接続する。
これにより、断線化したデータバスライン５０６の断線端間が、絶縁膜５０８上にレーザＣＶＤ法で描画した金属膜で接続され、層間短絡が修復される。以上はデータバスライン５０６を断線化して層間短絡を修復する場合であるが、データバスライン５０６ではなく、ゲートバスライン５０２や図示しない蓄積容量バスラインを同様に断線化して層間短絡を修復することもできることは言うまでもない。
【０１３６】
このように、本第２の実施の形態によれば、層間短絡部（線欠陥箇所）をレーザＣＶＤ法で配線を描画して修復することにより、表示領域内で線欠陥を修復することができる。以下、本第２の実施の形態による欠陥修復方法を例を用いて具体的に説明する。
なお、以下の例では、コンタクトホールの形成に用いるレーザ光は、ＹＡＧパルスレーザの第３高調波（３５５ｎｍ）あるいは第４高調波（２６６ｎｍ）である。また、レーザＣＶＤ法による金属膜の成膜は、Ｗ（タングステン）有機金属、Ｍｏ（モリブテン）有機金属あるいはＣｒ（クロム）有機金属を含むＡｒガスを流しながら有機金属ガス（成膜ガス）濃度、レーザパワー、スキャン速度及び回数を調整してＹＡＧ３５５ｎｍの連続レーザ光を照射して膜を堆積させるようにしている。
【０１３７】
具体的な成膜条件を示す。成膜ガスは、金属カルボニル｛Ｗ（ＣＯ）6 、Ｃｒ（ＣＯ）6 ｝である。レーザパワーは、アッテネータ値として、０．２〜０．４である。スキャン速度は、３．０μｍ／ｓｅｃである。スキャン回数は、１往復である。キャリアガス（Ａｒ）流量は、９０ｃｃ／ｍｉｎである。この条件で成膜すれば、Ｗ（タングステン）で膜厚が４００〜６００ｎｍ、比抵抗が１００〜１５０μΩ・ｃｍが得られる。なお、Ｗ単体での比抵抗は５．６５μΩ・ｃｍである。
【０１３８】
コンタクトホール径は、レーザ条件にもよるが２〜５μｍ径レベルのものを使用している。レーザＣＶＤ法によって成膜した金属配線部は最小描画線幅が５μｍ、膜厚は０．２μｍ、抵抗率は５０μΩ・ｃｍ以下である。この条件により層間短絡を修復して液晶表示パネルを構成しても問題ないことは確認されている。
（例１）
図３６は、液晶表示装置のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ＴＦＴ基板の層間短絡部分を液晶層側から見た基板面を示している。図３６は、２本のデータバスライン５０６ａ、５０６ｂと１本のゲートバスライン５０２とを示しており、これらにより２つの画素領域（画素電極５２４ａ、５２４ｂ）が画定されている。また、２つの画素電極５２４ａ、５２４ｂ下層中央部を左右方向に横断する蓄積容量バスライン５２６が形成されている。
【０１３９】
図３６において、データバスライン５０６ａが、層間短絡部５１０ａでゲートバスライン５０２と短絡している。また、データバスライン５０６ａが、層間短絡部５１０ｂで蓄積容量バスライン５２６と短絡している。
この場合、絶縁基板上のゲートバスライン５０２とデータバスライン５０６ａの層間短絡を修復するために、まず、データバスライン５０６ａの層間短絡部５１０ａの両側にレーザ光を照射して断線部５１２ａ、５１２ｂを形成し、データバスライン５０６ａを切断する（図３５（ａ）参照）。次に、最上層の絶縁膜（ＳｉＮ）５０８の上方から層間短絡部５１０ａの両側にＹＡＧパルスレーザ光を照射し、データバスライン５０６ａが剥き出しになるようにコンタトホール５１６ａ、５１６ｂをそれぞれ形成する（図３５（ｂ）参照）。次に、コンタトホール５１６ａと５１６ｂの間をレーザＣＶＤ法による金属膜で配線するが、断線部５１２ａ、５１２ｂは、絶縁膜（ＳｉＮ）５０８に開口しているので、コンタトホール５１６ａと５１６ｂの間をデータバスライン５０６ａ上で直接接続するとゲートバスライン５０２と短絡する。
【０１４０】
そこで、図３６に示すように、データバスライン５０６ａの断線部５１２ａ、５１２ｂを迂回するようにレーザＣＶＤ法により成膜した金属配線部５２８ａ、５２８ｂ、５２８ｃにより、コンタトホール５１６ａと５１６ｂの間を接続し、層間短絡を修復する。以下、図３７、図３８を参照しつつ具体的に説明する。
図３７は、図３６のＡ−Ａ’線で切断したＴＦＴ断面を示している。図３８は、図３６のＢ−Ｂ’線で切断したＴＦＴ断面を示している。図３７に示すように、データバスライン５０６ａ上に設けたコンタクトホール５１６ｂ（５１６ａ）をレーザＣＶＤ法による金属膜で埋めるとともに、データバスライン部５０６ａと交差する向きに所定長さレーザＣＶＤ法による金属膜を延設して金属配線部５２８ａ（５２８ｂ）を形成する。次いで、コンタクトホール５１６ｂ、５１６ａの金属配線部５２８ａ、５２８ｂの端部をレーザＣＶＤ法による金属配線部５２８ｃで接続する。金属配線部５２８ｃは、図３８に示すように、ゲートバスライン５０２を跨いで配設されている。
【０１４１】
その結果、データバスライン５０６ａの断線化した一端部が、コンタクトホール５１６ａ、金属配線部５２８ｂ、金属配線部５２８ｃ、及びコンタクトホール５１６ｂを介してデータバスライン５０６ａの断線化した他端部に電気的に接続されて層間短絡が修復される。
また、図３６において、絶縁基板上の蓄積容量バスライン５２６とデータバスライン５０６ａの層間短絡を修復するために、同様に、データバスライン５０６ａの層間短絡部５１０ｂの両側にレーザ光を照射して断線部５１２ｃ、５１２ｄを形成し断線化する（図３５（ａ）参照）。次に、最上層の絶縁膜（ＳｉＮ）５０８の上方から層間短絡部５１０ａの両側にＹＡＧパルスレーザ光を照射し、データバスライン５０６ａが剥き出しになるようにコンタトホール５１６ｃ、５１６ｄをそれぞれ形成する（図３５（ｂ）参照）。次に、上記と同様に、データバスライン５０６ａの断線部５１２ｃ、５１２ｄを迂回するようにレーザＣＶＤ法により成膜した金属配線部５３０ａ、５３０ｂにより、コンタトホール５１６ｃと５１６ｄの間を接続し、層間短絡を修復する。
【０１４２】
（例２）
図３９は、液晶表示装置のＴＦＴ基板の層間短絡部分を液晶層側から見た基板面を示している。図３９では、２本のデータバスライン５０６ａ、５０６ｂと１本のゲートバスライン５０２が示され、これらにより画定される２つの画素領域（画素電極５２４ａ、５２４ｂ）が示されている。また、２つの画素電極５２４ａ、５２４ｂに中央部を左右方向に横断する蓄積容量バスライン５２６が示されている。
【０１４３】
本例では、データバスライン５０６とゲートバスライン５０２が交差する領域において、隣接するデータバスライン５０６と画素電極５２４との間に、データバスライン５０６に沿って所定長さの予備配線５３２をゲートバスライン５０２を跨ぐようにして並置している。また、データバスライン５０６と蓄積容量バスライン５２６が交差する領域において、隣接するデータバスライン５０６と画素電極５２４との間に、データバスライン５０６の側方に所定長さの予備配線５３２を蓄積容量バスライン５２６を跨ぐように並置している。
【０１４４】
例えば、データバスライン５０６ｂとゲートバスライン５０２が交差する領域において、隣接するデータバスライン５０６ｂと画素電極５２４ａとの間に、データバスライン５０６ｂの側方に所定長さの予備配線５３２ｃをゲートバスライン５０２を跨ぐようにして並置している。また例えば、データバスライン５０６ｂと蓄積容量バスライン５２６が交差する領域において、隣接するデータバスライン５０６ｂと画素電極５２４ａとの間に、データバスライン５０６ｂの側方に所定長さの予備配線５３２ｄを蓄積容量バスライン５２６を跨ぐように並置している。
【０１４５】
図３９において、例１と同様にデータバスライン５０６ａが、層間短絡部５１０ａでゲートバスライン５０２と短絡している。また、データバスライン５０６ａが、層間短絡部５１０ｂで蓄積容量バスライン５２６と短絡している。
まず、層間短絡部５１０ａの修復方法を説明する。本例では、例１と同様にデータバスライン５０６ａを断線部５１２ａ、５１２ｂで断線化し、両断線部の外端上にコンタクトホール５１６ａ、５１６ｂを形成する際に、予備配線５３２ａの両端上に絶縁膜５０８に開口するコンタクトホール５３４ａ、５３４ｂを形成する。
【０１４６】
次いで、コンタクトホール５１６ａと５３４ａ間をレーザＣＶＤ法による金属配線部５３６ａで接続する。同じくコンタクトホール５１６ｂと５３４ｂ間をレーザＣＶＤ法による金属配線部５３６ｂで接続する。
具体的には、図４０、図４１に示す手順で層間短絡を修復する。図４０は、図３９のＣ−Ｃ’線で切断した断面を示している。図４０は、図３９のＤ−Ｄ’線で切断した断面を示している。図４０、図４１に示すように、データバスライン５０６ａを形成する工程で予備配線５３２ａを形成しておく。ゲートバスライン５０２との層間短絡が生じた場合には、データバスライン５０６ａ上及び予備配線５３２ａ上にコンタクトホール５１６ａ（５１６ｂ）、５３４ａ（５３４ｂ）をそれぞれ形成する。次いで、コンタクトホール５１６ａと５３４ａ間（コンタクトホール５１６ｂと５３４ｂ間）を、それらを埋める金属配線部５３６ａ（５３６ｂ）で接続する。
【０１４７】
その結果、図４１に示すように、予備配線５３２ａは、ゲートバスライン５０２を跨いで形成されているので、金属配線部５３６ａから予備配線５３２ａを介して金属配線部５３６ｂに至る迂回経路が構成されて層間短絡が修復される。この例２によれば、レーザＣＶＤ法により描画するのは、金属配線部５３６ａ、５３６ｂとなり、レーザＣＶＤ法により描画する領域を短くすることができる。
【０１４８】
層間短絡部５１０ｂについても同様に、コンタクトホール５１６ｃ、５１６ｄ、５３８ａ、５３８ｂをそれぞれ形成し、コンタクトホール５１６ｃと５３８ａ間を金属配線部５４０ａで接続し、コンタクトホール５１６ｃと５３８ａ間を金属配線部５４０ａで接続することにより、蓄積容量バスライン５２６との層間短絡が修復される。
【０１４９】
（例３）
図４２は、液晶表示装置のＴＦＴ基板の層間短絡部分を液晶層側から見た基板面を示している。図４２では、２本のデータバスライン５０６ａ、５０６ｂと１本のゲートバスライン５０２が示され、これらにより２つの画素領域（画素電極５２４ａ、５２４ｂ）が画定されている。また、２つの画素電極５２４ａ、５２４ｂに中央部を左右方向に横断する蓄積容量バスライン５２６が示されている。
【０１５０】
本例では、データバスライン５０６ａとゲートバスライン５０２が交差する領域において、ゲートバスライン５０２の側方に所定長さの予備配線５４２ａをデータバスライン５０６ａを跨ぐようにして並置している。またデータバスライン５０６ａと蓄積容量バスライン５２６が交差する領域において、蓄積容量バスライン５２６の側方に所定長さの予備配線５４２ｃをデータバスライン５０６ａを跨ぐように並置している。
【０１５１】
同様に、データバスライン５０６ｂとゲートバスライン５０２が交差する領域において、ゲートバスライン５０２の側方に所定長さの予備配線５４２ｂをデータバスライン５０６ｂを跨ぐようにして並置している。またデータバスライン５０６ｂと蓄積容量バスライン５２６が交差する領域において、蓄積容量バスライン５２６の側方に所定長さの予備配線５４２ｄをデータバスライン５０６ｂを跨ぐように並置している。これらの予備配線５４２ａ〜５４２ｄは、隣接する画素電極と接触しないように形成されている。
【０１５２】
図４２において、例１と同様に、データバスライン５０６ａが、層間短絡部５１０ａでデータバスライン５０２と短絡している。また、データバスライン５０６ａが、層間短絡部５１０ｂで蓄積容量バスライン５２６と短絡している。
まず、層間短絡部５１０ａの修復方法を説明する。本例では、ゲートバスライン５０２を断線部５１２ａ、５１２ｂで断線化し、両断線部の外端上にレーザ光を照射してコンタクトホール５１６ａ、５１６ｂを形成する際に、予備配線５４２ａの両端上に絶縁膜５０８に開口するコンタクトホール５４４ａ、５４４ｂをレーザ光照射により形成する。
【０１５３】
次いで、コンタクトホール５１６ａ、５４４ａ間をレーザＣＶＤ法による金属配線部５４６ａで接続する。同じくコンタクトホール５１６ｂと５４４ｂ間をレーザＣＶＤ法による金属配線部５４６ｂで接続する。
具体的には、図４３、図４４に示す手順で層間短絡を修復する。図４３は、図４２のＥ−Ｅ’線で切断した断面を示している。図４４は、図４２のＦ−Ｆ’線で切断した断面を示している。図４３、図４４に示すように、ゲートバスライン５０２を形成する工程で予備配線５４２ａを形成しておく。データバスライン５０６ａとの層間短絡が生じた場合には、ゲートバスライン５０２上及び予備配線５４２ａ上にコンタクトホール５１６ａ（５１６ｂ）、５４４ａ（５４４ｂ）をそれぞれ形成する。次いで、コンタクトホール５１６ａと５４４ａ間（コンタクトホール５１６ｂと５４４ｂ間）を、それらを埋める金属配線部５４６ａ（５４６ｂ）で接続する。
【０１５４】
その結果、予備配線５４２ａは、ゲートバスライン５０２を跨いで形成されているので、金属配線部５４６ａから予備配線５４２ａを通って金属配線部５４６ｂに至る迂回経路が構成されて層間短絡が修復される。本例によれば、レーザＣＶＤ法により描画するのは、金属配線部５４６ａ、５４６ｂとなり、例２と同様に、レーザＣＶＤ法により描画する領域を短くすることができる。
【０１５５】
層間短絡部５１０ｂについても同様に、コンタクトホール５１６ｃ、５１６ｄ、５４８ａ、５４８ｂをそれぞれ形成し、コンタクトホール５１６ｃと５４８ａ間を金属配線部５５０ａで接続し、コンタクトホール５１６ｃと５４８ａ間を金属配線部５５０ａで接続することにより、蓄積容量バスライン５２６との層間短絡が修復される。
【０１５６】
（例４）
図４５は、液晶表示装置のＴＦＴ基板の層間短絡部分を液晶層側から見た基板面を示している。図４５では、２本のデータバスライン５０６ａ、５０６ｂと１本のゲートバスライン５０２が示され、これらにより画定される２つの画素領域（画素電極５２４ａ、５２４ｂ）が示されている。また、２つの画素電極５２４ａ、５２４ｂに中央部を左右方向に横断する蓄積容量バスライン５２６が示されている。
【０１５７】
本例では、データバスライン５０６ａとゲートバスライン５０２との交差付近においてゲートバスライン５０２の幅方向両側におけるデータバスライン５０６ａの側部に所定長さの予備パッド５５２ａ、５５２ｂを延設している。データバスライン５０６ｂでも同様にして所定長さの予備パッド５６４ａ、５６４ｂを延設している。また、データバスライン５０６ａと蓄積容量バスライン５２６との交差付近において蓄積容量バスライン５２６の幅方向両側におけるデータバスライン５０６ａの側部に所定長さの予備パッド５５８ａ、５５８ｂを延設している。データバスライン５０６ｂでも同様にして所定長さの予備パッド５６６ａ、５６６ｂを延設している。
【０１５８】
図４５において、例１と同様に、データバスライン５０６ａが、層間短絡部５１０ａでデータバスライン５０２と短絡している。また、データバスライン５０６ａが、層間短絡部５１０ｂで蓄積容量バスライン５２６と短絡している。
まず、層間短絡部５１０ａの修復方法を説明する。この例４では、断線部５１２ａ、５１２ｂでデータバスライン５０６ａを断線化し、両断線部の外端上にレーザ光を照射してコンタクトホール５１６ａ、５１６ｂを形成する際に、予備パッド５５２ａ、５５２ｂの両端上に絶縁膜５０８に開口するコンタクトホール５５４ａ、５５４ｂをレーザ光照射により形成する。次いで、コンタクトホール５４４ａと５５４ｂ間をレーザＣＶＤ法による金属配線部５５６で接続する。
【０１５９】
具体的には、図４６、図４７に示す手順で層間短絡を修復する。図４６は、図４５のＧ−Ｇ’線で切断したＴＦＴ断面を示している。図４７は、図４５のＨ−Ｈ’線で切断したＴＦＴ断面を示している。図４６、図４７に示すように、データバスライン５０６ａを形成する工程で予備パッド５５２ａ、５５２ｂを形成しておく。データバスライン５０６ａとゲートバスライン５０２の層間短絡が生じた場合には、予備パッド５５２ａ及び５５２ｂ上にコンタクトホール５５４ａ、５５４ｂをそれぞれ形成する。次いで、コンタクトホール５５４ａと５５４ｂ間を、それらを埋めるレーザＣＶＤ法による金属配線部５５６で接続する。
【０１６０】
その結果、予備パッド５５２ａから金属配線部５５６を通って予備パッド５５２ｂに至る迂回経路が構成されて層間短絡が修復される。本例によれば、コンタクトホールを設けるのが予備パッド５５２ａ、５５２ｂの端部だけになるので、予備配線を設ける例２、３の場合よりも修復作業の単純化が図れる。
断線部５１０ｂについても同様に、予備パッド５５８ａ、５５８ｂの端部に設けたコンタクトホール５６０ａと５６０ｂａ間を金属配線部５６２で接続することにより、蓄積容量バスライン５２６との層間短絡が修復される。
【０１６１】
（例５）
図４８は、液晶表示装置のＴＦＴ基板の層間短絡部分を液晶層側から見た基板面を示している。図４８では、２本のデータバスライン５０６ａ、５０６ｂと１本のゲートバスライン５０２が示され、これらにより画定される２つの画素領域（画素電極５２４ａ、５２４ｂ）が示されている。また、２つの画素電極５２４ａ、５２４ｂに中央部を左右方向に横断する蓄積容量バスライン５２６が示されている。
【０１６２】
図４８において、例１と同様に、データバスライン５０６ａが、層間短絡部５１０ａでゲートバスライン５０２と短絡している。また、データバスライン５０６ａが、層間短絡部５１０ｂで蓄積容量バスライン５２６と短絡している。
以下、層間短絡部５１０ａの修復方法を図４９も参照して説明する。図４９は、図４８のＩ−Ｉ’線で切断したＴＦＴ断面を示している。本例では、予めデータバスライン５０６上の絶縁膜に所定間隔でコンタクトホールを開口しておき、画素電極５２４の形成と同時に、コンタクトホールを介してデータバスライン５０６と接続された透明電極膜（ＩＴＯ）からなる予備パッド５６８ａ、５６８ｂ・・・を形成している。予備パッド５６８は、データバスライン５０６とゲートバスライン５０２及び蓄積容量バスライン５２６との交差部近傍に形成している。
【０１６３】
従って、断線部５１２ａ、５１２ｂでデータバスライン５０６ａを切断し、次いで、予備パッド５６８ａ、５６８ｂの端部間をレーザＣＶＤ法による金属配線部５７２で接続するだけで、予備パッド５６８ａから金属配線部５７２を通って予備パッド５６８ｂに至る迂回経路が構成されて層間短絡が修復される。本例によれば、修復時にコンタクトホールを設ける必要がなく、予備パッド５６８ａ、５６８ｂの端部間をレーザＣＶＤ法による金属配線部５７２で接続するだけで修復が完了するので修復作業の大幅な簡素化が図れる。
【０１６４】
層間短絡部５１０ｂについても同様に、予備パッド５７４ａ、５７４ｂ端部間をレーザＣＶＤ法による金属配線部５７８で接続することにより、蓄積容量バスライン５２６との層間短絡が修復される。
（例６）
図５０は、液晶表示装置のＴＦＴ基板の層間短絡部分を液晶層側から見た基板面を示している。図５０では、２本のデータバスライン５０６ａ、５０６ｂと１本のゲートバスライン５０２が示され、これらにより画定される２つの画素領域（画素電極５２４ａ、５２４ｂ）が示されている。また、２つの画素電極５２４ａ、５２４ｂに中央部を左右方向に横断する蓄積容量バスライン５２６が示されている。
【０１６５】
図５０において、データバスライン５０６ａが、層間短絡部５１０ａでゲートバスライン５０２と短絡している。また、データバスライン５０６ｂが、層間短絡部５１０ｂで蓄積容量バスライン５２６と短絡している。
この場合、本例では、図５１、図５２、図５３に示す手順で画素電極を経由する迂回路を形成して層間短絡を修復する。図５１は、図５０のＪ−Ｊ’線で切断したＴＦＴ断面を示している。図５２は、図５０のＫ−Ｋ’線で切断した断面を示している。図５３は、図５０のＬ−Ｌ’線で切断した断面を示している。
【０１６６】
まず、図５０〜図５２を参照して層間短絡部５１０ａの修復方法を説明する。断線部５１２ａ、５１２ｂでデータバスライン５０６ａを切断し、両断線部の外端上にレーザ光を照射してコンタクトホール６００を形成する。次いで、データバスライン５０６ａから延びてゲートバスライン５０２上に位置するＴＦＴのドレイン電極５９０上にコンタクトホール５９２を設ける。
【０１６７】
次いで、ＴＦＴのソース電極５９４と画素電極５２４ａとを接続するために形成されているコンタクトホ−ル５９６と、修復用に形成したコンタクトホール５９２とを、レーザＣＶＤ法による金属配線部５９８で接続する。次いで、コンタクトホール６００と画素電極５２４ａの左辺端をレーザＣＶＤ法による金属配線部６０２で接続する。
【０１６８】
これにより、データバスライン５０６ａの断線化した一端からコンタクトホール５９２、金属配線部５９８、コンタクトホール５９６、画素電極５２４ａ、金属配線部６０２及びコンタクトホール６００を通ってデータバスライン５０６ａの断線化した他端に至る迂回経路が形成されて層間短絡が修復される。
次に、図５０と図５３を参照して層間短絡部５１０ｂの修復方法を説明する。断線部５１２ｃ、５１２ｄでデータバスライン５０６ａを断線化し、両断線部の外端上にレーザ光照射によりコンタクトホール６０４、６０８を形成する。次いで、コンタクトホール６０４、６０８と画素電極５２４ｂとの間を、レーザＣＶＤ法による金属配線部６０６、７００によりそれぞれ接続する。
【０１６９】
これにより、データバスライン５０６ｂの断線化した一端からコンタクトホール６０４、金属配線部６０６、画素電極５２４ｂ、金属配線部７００及びコンタクトホール６０８を通ってデータバスライン５０６ｂの断線化した他端に至る右傾経路が構成されて層間短絡が修復される。
なお、上記した第１及び第２の実施の形態では、欠陥修復のために所定領域に導電体層を形成する方法としてレーザＣＶＤ法を適用しているが、本発明はこれに限らない。例えば、薬液を焼成して導電体層を形成するようにしてももちろん構わない。
【０１７０】
（第３の実施の形態）
図５４は、本願請求項６〜８の発明の原理を示す図である。
本発明においては、ゲートバスライン６１０に隣接して、ゲートバスライン６１０から独立した修復用補助配線６１２が配置されている。修復用補助配線６１２は、ゲートバスライン６１０と同様に蓄積容量バスライン一括電極６１６と交差し、且つ、その両端は蓄積容量バスライン一括電極６１６と交差しない（重畳しない）位置にある。さらに、蓄積容量バスライン一括電極６１６を挟んで両側に、ゲートバスライン６１０および修復用補助配線６１２と交差するように、修復用接続接続電極６１４ａ，６１４ｂが配設されている。
【０１７１】
図５５は、短絡欠陥の修復方法を示す図である。
ゲートバスライン６１０と蓄積容量バスライン一括電極６１６が点Ｐで短絡している。このような場合、まず、短絡部分をゲートバスライン６１０から切り離すため、蓄積容量バスライン一括電極６１６を挟む両側の２点Ｒ1 ，Ｒ2 をレーザ照射等で切断する。次に、ゲートバスライン６１０と修復用補助配線６１２が交差している４点Ｑ1 〜Ｑ4 でレーザ照射等により、ゲートバスライン６１０と修復用補助配線６１２を接続する。このようにして、欠陥の修復を行う。
【０１７２】
図５６は、図５５のＩ−Ｉ線での断面図である。
ゲートバスライン６１０と修復用補助配線６１２は、絶縁基板６１８上に独立して形成されている。これらは、ゲートバスライン６１０を形成する工程で、同一材料により一括形成される。蓄積容量バスラインも同工程で形成される。修復用接続電極６１４ｂ（６１４ａ）は、ゲートバスライン６１０と修復用補助配線６１２上に、ゲート絶縁膜と共通の絶縁膜６２０を介して形成されている。修復用接続電極６１４ｂ（６１４ａ）は、ＴＦＴのドレイン電極、データバスラインを形成する工程で、同一材料により一括形成される。ゲートバスライン一括電極６１６も同工程で形成される。欠陥修復の際には、修復用接続電極６１４ｂ（６１４ａ）とゲートバスライン６１０および修復用補助配線６１２が交差している部分（点Ｑ3 ，Ｑ4 ）にレーザ照射等を行い、修復用接続電極６１４ｂを溶融してゲートバスライン６１０および修復用補助配線６１２を電気的に接続する。
【０１７３】
修復用接続電極６１４ｂとゲートバスライン６１０および修復用補助配線６１２とを接続する方法としては、上記のようなレーザ照射による導電層の溶融以外にも、金属を含む雰囲気にレーザを照射して基板表面に選択的に金属層を成膜する、いわゆるレーザＣＶＤ法を用いることができる。また、このレーザＣＶＤ法を用いると、任意の位置に導電層を形成出来るので修復用接続電極６１４ｂがなくても良い。
【０１７４】
具体的には、図５５および図５６において（修復用接続電極６１４ａ，６１４ｂはないものとする）、ゲートバスライン６１０と蓄積容量バスライン一括電極６１６が点Ｐで短絡した場合、ゲートバスライン６１０を蓄積容量バスライン一括電極６１６の両側の２点、点Ｒ1 ，Ｒ2 で切断する。次いで、点Ｑ1 からＱ4 の４か所で、ゲートバスライン６１０および修復用補助配線６１２上の絶縁膜６２０を除去し、ゲートバスライン６１０および修復用補助配線６１２を露出する。その後、点Ｑ1 とＱ2 、並びに、点Ｑ3 とＱ4 を接続する導電層をレーザＣＶＤ法により形成する。このようにして、欠陥の修復が行える。
【０１７５】
図５７は、本発明の一実施形態を示す図である。
本発明の液晶表示装置も、図１と同様にゲートバスラインは左方片側に引き出され、したがって、ゲートバスラインと蓄積容量バスライン一括電極が交差しているのは、左方端部のみである。図５７は、ゲートバスライン６１０と蓄積容量バスライン一括電極６１６が交差する交差する領域を示している。蓄積容量バスライン一括電極１６は、データバスライン６３４と同層にあり、同一材料で同一工程で形成されるため、データバスライン６３４と平行するように延在し、ゲートバスライン６１０と交差するように配置される。図５７の実施形態で図２の従来構成と異なるのは、ゲートバスライン６１０と蓄積容量バスライン一括電極６１６が交差する部分の近傍に、修復用補助配線６１２と修復用接続電極６１４ａ，６１４ｂが設けられている点である。
【０１７６】
図５８は、図５７中の部分拡大図である。
ゲートバスライン６１０は、屈曲部６１０ａ，６１０ｂ（図５７参照）が設けられ、屈曲部６１０ａ，６１０ｂは通常の配線幅よりも広く形成されるとともに、屈曲部６１０ａ，６１０ｂで修復用接続電極６１４ａ，６１４ｂ（図５７参照）と重畳している。この重畳している部分の幅を広くしているのは、レーザ処理によって一部消失してしまうことを考慮してである。また、修復用補助配線６１２が、ゲートバスライン６１０に近接して、且つ、電気的に独立して配設される。修復用補助配線６１２の配線幅は、ゲートバスライン６１０とほぼ同一幅に形成されている。修復用補助配線６１２の先端部は、ゲートバスライン６１０の屈曲部６１０ａと同様に、幅広になっており修復用接続電極６１４ａ，６１４ｂと重畳している。このような構成にすることによって、短絡の有無を電気的な検査を行うことにより確認することが可能である。さらに、修復用補助配線６１２とゲートバスライン６１０とは、修復処理前には独立して電気的に接続されていないので、短絡のあるゲートバスライン６１０が特定できれば、分離のための切断箇所、電気的に接続を行うための箇所が決まり、修復率を向上することができる。
【０１７７】
蓄積容量バスライン６２２と蓄積容量バスライン一括電極６１６とは、接続部６２４ａ，６２４ｂを介して、画素電極と同一工程で形成される蓄積容量バスライン接続電極６２４で接続される。
図５９は、蓄積容量バスライン６２２と蓄積容量バスライン一括電極６１６の接続部分を示す図であり、図５８のII−II線における断面図である。
【０１７８】
絶縁基板６１８上に、ゲートバスライン６１０と同一工程で形成され、画素電極６３２と蓄積容量を形成する蓄積容量バスライン６２２が配設される。蓄積容量バスライン一括電極６１６は、デ−タバスライン６３４と同一工程で形成され、ゲート絶縁膜６２０上に配設される。蓄積容量バスライン接続電極６２４は、画素電極６３２と同一工程で形成され、蓄積容量バスライン６２２上のゲート絶縁膜６２０および保護膜６３６を開口して設けられた接続部６２４ａと、蓄積容量バスライン一括電極６１６上の保護膜６３６を開口して設けられた接続部６２４ｂを介して、蓄積容量バスライン６２２と蓄積容量バスライン一括電極６１６とを電気的に接続している。接続部６２４ｃは、蓄積容量バスライン接続電極６２４の密着性を良くするために、絶縁基板６１８に接触するように設けられた接続部分である。
【０１７９】
（第４の実施の形態）
図６０は本発明の第４の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す図である。なお、ＣＦ基板については基本的に従来と同様であるので、ここではＣＦ基板の説明は省略する。
本実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板には、図６０に示すように各画素毎に、スイッチング素子として機能するＴＦＴ７１６の他に、予備ＴＦＴ７１７が設けられている。
【０１８０】
すなわち、ガラス基板７１１上には第１の配線層として、複数本のゲートバスライン７１２と複数本の蓄積容量バスライン７１３とが形成されている。各ゲートバスライン７１２は相互に平行に形成されており、各ゲートバスライン７１２の間にはそれぞれ蓄積容量バスライン７１３がゲートバスライン７１２に対し平行に配置されている。この第１の配線層は、例えばＣｒ（クロム）により生成されている。
【０１８１】
これらのゲートバスライン７１２及び蓄積容量バスライン７１３は、酸化シリコンからなる第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜：図示せず）に覆われている。この第１の絶縁膜の上には、ＴＦＴ７１６，７１７の活性層（動作層）となるシリコン膜（アモルファスシリコン膜又はポリシリコン膜）７１４ａ，７１４ｂが形成されている。また、第１の絶縁膜の上には、第２の配線層として、複数本のデータバスライン７１５と、ＴＦＴ７１６のソース電極７１６ｓ及びドレイン電極７１６ｄと、予備ＴＦＴ７１７のソース電極７１７ｓ及びドレイン電極７１７ｄとが形成されている。この第２の配線層は、例えばＴｉ（チタン）−Ａｌ（アルミニウム）−Ｔｉ（チタン）の３層構造を有している。
【０１８２】
データバスライン７１５はゲートバスライン７１２に対し直角に交差するように形成されており、ソース電極７１６ｓ及びドレイン電極７１６ｄはシリコン膜７１４ａの幅方向の両側に相互に離隔して形成され、ソース電極７１７ｓ及びドレイン電極７１７ｄはシリコン膜７１４ｂの幅方向の両側に相互に離隔して形成されている。ゲートバスライン７１２及びデータバスライン７１５で区画された矩形の領域がそれぞれ画素領域となっている。
【０１８３】
これらのデータバスライン７１５、ＴＦＴ７１６，７１７は窒化シリコンからなる第２の絶縁膜（保護絶縁膜：図示せず）に覆われており、第２の絶縁膜の上にはＩＴＯからなる画素電極７１９が形成されている。
図６０に示すように、ＴＦＴ７１６のドレイン電極７１６ｄはデータバスライン７１５に接続され、ソース電極端子７１６ｂは保護絶縁膜に形成されたコンタクトホール７１８ａを介して画素電極７１９に接続されている。
【０１８４】
一方、予備ＴＦＴ７１７のドレイン電極端子７１７ａ及びソース電極端子７１７ｂはどこにも接続されていない。これは、予備ＴＦＴ７１７がデータバスライン７１５及び画素電極７１９に接続されていると、ゲートバスライン７１２とデータバスライン７１５及び画素電極７１９との間に大きな負荷容量（Ｃgs）が発生して、表示品位の劣化の原因となるためである。但し、本実施の形態においては、ソース電極端子７１７ｂは画素電極７１９に一部重なる位置に形成されている。
【０１８５】
以下、本発明の実施の形態の液晶表示パネルの欠陥修復方法について、図６１，図６２を参照して説明する。この例では、図６１に示すように、ＴＦＴ７１６のドレイン電極７１６ｄとソース電極７１６ｓとの間が異物７２９により短絡した場合の欠陥修復について説明する。
図６２は欠陥修復方法を工程順に示す模式的断面図である。この図６２において、符号７２２は第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）、符号７２３は第２の絶縁膜（保護絶縁膜）である。
【０１８６】
まず、画素電極７１９とデータバスライン７１５との間を電気的に分離する。例えばパルスレーザを照射して、ドレイン電極７１６ｄを図６１に一点鎖線で示す部分で切断する。
次に、ＴＦＴ７１６のドレイン電極７１６ｄ（但し、データバスライン７１５に接続している部分）と、ＴＦＴ７１７のドレイン電極端子７１７ａの上にコンタクトホール７１８ｂ，７１８ｃを形成する。具体的には、図６２（ａ）に示すようにドレイン電極７１６ｄ及び端子７１７ａの上の第２の絶縁膜７２３に対しレーザパルスを照射して、図６２（ｂ）に示すようにコンタクトホール７１８ｂ，７１８ｃを形成する。このレーザ照射では、ドレイン電極７１６ｄ及び端子７１７ａを溶融することなく第２の絶縁膜７２３にコンタクトホールを形成することが目的であるので、短波長のレーザ光を使用する。例えば、ＹＡＧレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）又は第４高調波（波長２６６ｎｍ）を使用することにより、ドレイン電極７１６ｄ及び端子７１７ａを溶融することなく第２の絶縁膜７２３にコンタクトホール７１８ｂ，７１８ｃを形成することができる。
【０１８７】
次に、図６２（ｃ）に示すように、レーザＣＶＤ法により、ドレイン電極７１６と端子７１７ａとの間を電気的に接続する導電パターン（導電膜）７２１を形成する。レーザＣＶＤでは、Ｗ（タングステン）有機金属、Ｍｏ（モリブデン）有機金属又はＣｒ（クロム）有機金属を含むＡｒ（アルゴン）ガスを導電パターン形成部の周囲に局所的にフローさせながら、波長が３５５ｎｍのＹＡＧレーザ光を連続照射して、導電パターン７２１を形成する。このとき、有機金属ガス濃度、レーザパワー、スキャン速度及びスキャン回数を適宜調整する。レーザＣＶＤによる導電パターン７２１の形成条件パラメータは、例えばスキャン速度が３．０μｍ／ｓｅｃ、レーザ透過率が５５％、レーザＱスイッチ周波数が４ｋＨｚ、キャリアガス流量が９０ｃｃ／ｍｉｎ、原料ガス温度が５３℃、成膜エリアスリットサイズが５μｍ×５μｍとする。本願発明者らは、このような条件で実際にタングステンの導電パターンを形成したところ、最小描画線幅が５μｍ、膜厚が３００ｎｍ、抵抗率が５０μΩ・ｃｍ以下の導電パターンを形成することができた。
【０１８８】
一方、予備ＴＦＴ７１７のソース電極７１７ｓと画素電極７１９とを電気的に接続する。すなわち、ソース電極端子７１７ｂと画素電極７１９とが重なった部分に例えばＹＡＧレーザ光を照射し、第２の絶縁膜７２３にコンタクトホール７１８ｄを形成すると共に、当該部分の画素電極７１９及びソース電極７１７ｓを溶融接合（レーザウェルディング）して、画素電極７１９とソース電極７１７ｓとの間を電気的に接続する。これにより、液晶表示パネルの欠陥修復が完了する。
【０１８９】
本実施の形態の液晶表示装置の欠陥修復方法によれば、レーザＣＶＤ法によって予備ＴＦＴ７１７のドレイン電極７１７ｄとデータバスライン７１５とを接続する導電パターンを形成し、レーザによる溶融接合により予備ＴＦＴ７１７のソース電極７１７ｓと画素電極７１９とを接続するので、欠陥画素を正常な画素に修復することができる。すなわち、本実施の形態によれば、欠陥を目立たなくするのではなく、欠陥を修復して正常な画素とするので、高品位な画素表示が可能になるとともに、液晶表示パネルの製造歩留まりを向上させることができる。
【０１９０】
また、本実施の形態の液晶表示装置によれば、予備ＴＦＴ７１７のソース電極７１７ｓ及びドレイン電極７１７ｄが画素電極７１９及びデータバスライン７１５に接続していないので、負荷容量の増加が回避される。
なお、本実施の形態ではＴＦＴ７１６のドレイン電極７１６ｄとソース電極７１６ｓとの間の短絡による欠陥を修復する場合について説明したが、本発明をＴＦＴ７１６のオン特性不良による欠陥の修復に応用することもできる。すなわち、ＴＦＴ７１６のオン特性が十分でなく書込み能力が不足するときは、ＴＦＴ７１６のドレイン電極７１６ｄを切断することなく、上記実施の形態と同様にして予備ＴＦＴ７１７のドレイン電極７１７ｄをデータバスライン７１５に接続し、ソース電極７１７ｓを画素電極７１９に接続する。これにより、２つのＴＦＴ７１６，７１７が並列接続されて書込み能力が増加し、ＴＦＴ７１６のオン特性不良による表示品質の低下が回避される。
【０１９１】
また、本実施の形態では、ドレイン電極７１６ｄを切断した後に導電パターン７２１を形成したが、導電パターン７２１を形成した後にドレイン電極７１６ｄを切断してもよい。
更に、本実施の形態では予備ＴＦＴが１個の場合について説明したが、予備ＴＦＴを２個以上設けておいてもよい。
【０１９２】
（第５の実施の形態）
以下、図６３を参照して、本発明の第５の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態においては導電パターンの形成方法が異なること以外は基本的に第４の実施の形態と同様であるので、図６３において図６２と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【０１９３】
第４の実施の形態ではレーザＣＶＤ法によって導電パターン７２１を形成したが、本実施の形態では導電ペースト（導電性薬液）を焼成して導電パターン７２１を形成する。
すなわち、図６３（ａ）に示すように、第４の実施の形態と同様にしてＴＦＴ７１６のドレイン電極７１６ｄとＴＦＴ７１７のドレイン電極端子７１７ａとの上にコンタクトホール７１８ｂ，７１８ｃを形成する。
【０１９４】
次に、図６３（ｂ）に示すように、コンタクトホール７１８ｂ，７１８ｃ間を含む領域にＡｕ（金）又はＡｇ（銀）等を含有する導電ペースト７２４を塗布する。そして、コンタクトホール７１８ｂ，７１８ｃ間にレーザを照射して、導電ペースト７２４を焼成する。
次いで、焼成されていない部分の導電ペースト７２４を除去する。これにより、図６３（ｃ）に示すように、ＴＦＴ７１６のドレイン電極７１６ｄと予備ＴＦＴ７１７のドレイン電極端子７１７ａとを接続する導電パターン７２１が完成する。
【０１９５】
本実施の形態においても、第４の実施の形態と同様に、液晶表示パネルの欠陥を修復し、欠陥画素のない液晶表示パネルとすることができる。
（第６の実施の形態）
以下、図６４を参照して、本発明の第６の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態においては導電パターンの形成方法が異なること以外は基本的に第４の実施の形態と同様であるので、図６４において図６１と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【０１９６】
本実施の形態においては、第２の絶縁膜（保護絶縁膜）を形成した後、この第２の絶縁膜にコンタクトホール７１８ａを形成する際に、ＴＦＴ７１６のドレイン電極７１６ｄに到達するコンタクトホール及び予備ＴＦＴ７１７のドレイン電極端子７１７ａに到達するコンタクトホールを同時に形成する。
その後、全面にＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をパターニングして、画素電極７１９を形成すると共に、ＴＦＴ７１６のドレイン電極７１６ｄに接続したパッド７１９ａ、及び予備ＴＦＴ７１７のドレイン電極端子７１７ａに接続したパッド７１９ｂを形成する。
【０１９７】
このようにして形成されたＴＦＴ基板に対し、例えば図６５に示すように異物７２９によりＴＦＴ７１６のソース電極７１６ｓとドレイン電極７１６ｄとの間が短絡した場合、第４の実施の形態又は第５の実施の形態と同様にして、パッド７１９ａ，７１９ｂ間を接続する導電パターン７２１を形成する。その後、ドレイン電極７１６ｄを例えば図６５中に一点鎖線で示す位置で切断する。
【０１９８】
但し、ＴＦＴ７１６のドレイン電極７１６ｄとソース電極７１６ｓとの間の短絡ではなくＴＦＴ７１６のオン特性不良の場合は、ドレイン電極７１６ｄを切断する必要はない。
本実施の形態においては、第４の実施の形態と同様の効果が得られるのに加えて、欠陥修復時にレーザ照射により第２の絶縁膜にコンタクトホールを形成する必要がないという利点がある。また、パッド７１９ａ，７１９ｂは画素電極７１９と同時に形成するので、工程数の増加が回避される。
【０１９９】
（第７の実施の形態）
図６６は本発明の第７の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す図である。図６６において、図６０と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。また、本実施の形態においても、ＣＦ基板の構造は基本的に従来と同様であるので、ＣＦ基板の説明は省略する。
【０２００】
本実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板は、各画素毎に、スイッチング素子として機能するＴＦＴ７１６の他に、予備ＴＦＴ７３１が設けられている。
この予備ＴＦＴ７３１は、ゲートバスライン７１２及び蓄積容量バスライン７１３と同じ第１の配線層に形成されたゲート電極７３１ｇと、このゲート電極７３１ｇの上に第１の絶縁膜を介して形成されたシリコン膜７１４ｃと、このシリコン膜７１４ｃの幅方向の両側に配置されたデータバスライン７１５及びソース電極７３１ｓとにより構成されている。ソース電極７３１ｓはデータバスライン７１５と同様に第２の配線層に形成されており、このソース電極７３１ｓはどこにも接続されていない。但し、ソース電極端子７３１ａは保護絶縁膜を挟んで画素電極７１９の一部分と重なっている。また、データバスライン７１５のうちシリコン膜７１４ｃに重なった部分が、ＴＦＴ７３１のドレイン電極となっている。
【０２０１】
以下、本実施の形態の液晶表示パネルの欠陥修復方法について、図６７，図６８を参照して説明する。なお、図６８は図６７のIII −III 線による断面図である。また、この例では、図６７に示すように、ＴＦＴ７１６のドレイン電極７１６ｄとソース電極７１６ｓとの間の異物７２９により短絡が発生した場合の欠陥修復について説明する。
【０２０２】
まず、画素電極７１９とデータバスライン７１５との間を電気的に切り離す。例えばパルスレーザを照射して、ドレイン電極７１６ｄとデータバスライン７１５との接続部分（図６７に一点鎖線で示す部分）を切断する。
次に、ゲート電極７３１ｇとゲートバスライン７１２の上にコンタクトホール７１８ｇ，７１８ｆを形成する。これらのコンタクトホール７１８ｇ，７１８ｆの形成には、第４の実施の形態で説明したように、ＹＡＧレーザの第３高調波又は第４高調波を使用する。
【０２０３】
次に、レーザＣＶＤ法により、ゲート電極７３１ｇとゲートバスライン７１２との間を電気的に接続する導電パターン７３２を形成する。レーザＣＶＤでは、Ｗ（タングステン）有機金属、Ｍｏ（モリブデン）有機金属又はＣｒ（クロム）有機金属を含むＡｒ（アルゴン）ガスをフローさせながら、波長が３５５ｎｍのＹＡＧレーザ光を連続照射して、導電パターン７３２を形成する。
【０２０４】
その後、予備ＴＦＴ７３１のソース電極７３１Ｓと画素電極７１９とを電気的に接続する。すなわち、ソース電極端子７３１ａと画素電極７１９とが重なった部分に例えばＹＡＧレーザ光を照射し、第２の絶縁膜７２３にコンタクトホール７１８ｅを形成すると共に、当該部分の画素電極７１９及びソース電極７３１ｓを溶融接合して、画素電極７１９とソース電極７３１ｓとを電気的に接続する。これにより、液晶表示パネルの欠陥修復が完了する。
【０２０５】
なお、本実施の形態においても、ＴＦＴ７１６のオン特性不良の場合は、ＴＦＴ７１６とデータバスライン７１５との間を切断しなくてもよい。また、導電パターン７３２は、第５の実施の形態と同様に、導電ペーストの焼成によって形成してもよい。更に、第６の実施の形態と同様に、コンタクトホール７１８ｆ，７１８ｇに対応する位置に予めパッドを形成しておいてもよい。これにより、欠陥修復時にコンタクトホールを形成する工程を省略することができる。
【０２０６】
また、上述した第４〜第７の実施の形態においては、いずれもＴＦＴの上に保護絶縁膜が形成された液晶表示装置の欠陥修復について説明したが、本発明は保護絶縁膜を有しない液晶表示装置に適用することもできる。この場合は、コンタクトホールを形成する工程は不要である。
（第８の実施の形態）
図６９は本発明の第８の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す模式図である。本実施の形態においても、ＣＦ基板の構造は基本的に従来と同様であるので、ＣＦ基板の説明は省略する。
【０２０７】
ＴＦＴ基板８００の表示領域８００ａには、複数本のゲートバスライン８１２及び複数本のデータバスライン８１５が形成されている。これらのゲートバスライン８１２とデータバスライン８１５とにより区画された各矩形の領域がそれぞれ画素となっている。各画素にはそれぞれＴＦＴ、画素電極及び補助容量が形成されているが、図６９ではこれらの図示を省略している。
【０２０８】
ＴＦＴ基板８００の一辺（第１の辺という）に沿って、ＴＡＢ端子８２２及び予備ＴＡＢ端子８２１が配置されている。ＴＡＢ端子８２２は複数のグループに分けられており、予備ＴＡＢ端子８２１はそれぞれのグループを挟むように、各グループ毎に２個づつ配置されている。各ＴＡＢ端子８２２はそれぞれ対応するデータバスライン８１５に接続されている。これらのＴＡＢ端子８２２には、ＴＡＢ基板を介して映像信号が供給される（図１参照）。
【０２０９】
ＴＡＢ端子８２２の配列ピッチは、データバスライン８１５の配列ピッチよりも小さく設定されている。また、各データバスライン８１５には、ＴＡＢ端子８２２の近傍にリペア端子８２２ａが設けられており、他端側にはリペア端子８２２ｂが設けられている。一方、予備ＴＡＢ端子８２１は、その予備ＴＡＢ端子８２１の近傍に配置されたリペア端子８２１ａに接続されている。
【０２１０】
ＴＦＴ基板８００の第１の辺に対向する辺（第２の辺という）の近傍に、第２の辺に平行に１又は複数本（図では２本）のリペア配線８２４が形成されている。
また、ＴＦＴ基板８００の第１の辺に隣り合う他の一辺（第３の辺という）に沿って、ＴＡＢ端子８３１及び予備ＴＡＢ端子８２３が配置されている。各ＴＡＢ端子８３１はそれぞれ対応するゲートバスライン８１２に接続されている。また、予備ＴＡＢ端子８２３はリペア配線８２４に接続されている。ＴＡＢ端子８３１には、ＴＡＢ基板を介して走査信号が供給される（図１参照）。
【０２１１】
これらのＴＡＢ端子８２２，８３１及び予備ＴＡＢ端子８２２、リペア端子８２２ａ，８２２ｂ及びリペア配線８２４は、図６９に示すように、いずれも表示領域８００ａの外側に配置されている。また、データバスライン８１５のリペア端子８２２ｂは、リペア配線８２４の近傍に配置されている。
以下、本実施の形態の液晶表示装置の欠陥修復方法について、図７０及び図７１を参照して説明する。図７１（ａ）は図７０（ａ）のIV−IV線による断面図、図７１（ｂ）は図７０（ｂ）のＶ−Ｖ線による断面図である。
【０２１２】
この例では、図７０（ａ），（ｂ）に×印で示す部分でデータバスライン８１５の断線が発生しているものとする。また、図７１（ａ），（ｂ）において、８０２はＴＦＴ基板８００に設けられた第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）、８０３は第２の絶縁膜（保護絶縁膜）である。
まず、断線したデータバスライン８１５のリペア端子８２２ａ，８２２ｂの上、予備ＴＡＢ端子８２１のリペア端子８２１ａの上、及びリペア配線８２４の上にそれぞれレーザを照射して、コンタクトホール８０３ａ〜８０３ｄを形成する。このレーザ照射では、短波長のレーザ光を使用して、リペア端子８２１ａ，８２２ａ，８２２ｂ及びリペア配線８２４を溶融することなく、第２の絶縁膜８０３にコンタクトホール８０３ａ〜８０３ｄを形成する。レーザ光としては、例えばＹＡＧレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）又は第４高調波（波長２６６ｎｍ）を使用することができる。
【０２１３】
次に、レーザＣＶＤ法により、リペア端子８２１ａとリペア端子８２２ａとの間を電気的に接続する導電パターン８２５ａと、リペア端子８２２ｂとリペア配線８２４との間を電気的に接続する導電パターン８２５ｂとを形成する。これらの導電パターン８２５ａ，８２５ｂは、Ｗ（タングステン）有機金属、Ｍｏ（モリブデン）有機金属又はＣｒ（クロム）有機金属を含むＡｒ（アルゴン）ガスを導電パターン形成部の周囲に局所的にフローさせながら、波長が３５５ｎｍのＹＡＧレーザ光を連続照射して形成する。このとき、有機金属ガス濃度、レーザパワー、スキャン速度及びスキャン回数を適宜調整する。本願発明者らによる実験では、スキャン速度が３．０μｍ／ｓｅｃ、レーザ透過率が６５％、レーザＱスイッチ周波数が４ｋＨｚ、キャリアガス流量が８９ｃｃ／ｍｉｎ、原料ガス温度が５２℃、成膜エリアスリットサイズが５μｍ×５μｍとした場合、最小描画線幅が５μｍ、膜厚が３５０ｎｍ、抵抗率が６０Ω・ｃｎ以下の導電パターンを形成することができた。
【０２１４】
その後、データバスライン８１５と接続した予備ＴＡＢ端子８２１と予備ＴＡＢ端子８２３とをワイヤにより電気的に接続する。これにより、液晶表示装置の欠陥修復が完了する。
本実施の形態の液晶表示装置の欠陥修復方法によれば、断線が発生したデータバスライン８１５のリペア端子８２２ａと予備ＴＡＢ端子８２１との間、及びリペア端子８２２ｂとリペア配線８２４との間をレーザＣＶＤ法によって形成した導電パターン８２５ａ，８２５ｂで接続する。これにより、データバスライン８１５の断線による線欠陥を修復し、正常な液晶表示装置とすることができる。
【０２１５】
なお、上記実施の形態では欠陥が発生したデータバスライン８１５と予備ＴＡＢ端子８２１とを導電パターンにより接続し、予備ＴＡＢ端子８２１と予備ＴＡＢ端子８２３とをワイヤで接続するものとしたが、ＴＡＢ端子８２３とＴＡＢ端子８２２とを直接電気的に接続することができるのであれば、予備ＴＡＢ端子８２１や導電パターン８２５ａは不要である。
【０２１６】
また、本実施の形態においてはレーザＣＶＤ法によって導電パターン８２５ａ，８２５ｂを形成したが、第５の実施の形態で説明したように、導電ペーストを焼成して導電パターンを形成することもできる。
更に、本実施の形態ではリペア配線８２４が２本の場合について説明した。この場合は、２本までのデータバスライン８１５の断線を修復することができる。但し、本発明は、リペア配線８２４の本数が２本に限定されるものではなく、１本又は３本以上であってもよい。
【０２１７】
更にまた、図７２（ａ）の平面図及び図７２（ｂ）の側面図に示すように、リペア端子８２１ａ，８２２ａ，８２２ｂ及びリペア配線８２４をＣＦ基板８５０よりも外側に配置すると、ＴＦＴ基板８００とＣＦ基板８５０とを接合した後であっても、データバスライン８１５の断線の修復が可能である。
（第９の実施の形態）
以下、図７３，図７４を参照して、本発明の第９の実施の形態について説明する。なお、本実施の形態においては導電パターンの形成方法が異なること以外は基本的に第８の実施の形態と同様であるので、図７３，図７４において図７０，図７１と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。また、図７４（ａ）は図７３（ａ）のVI−VI線による断面図、図７４（ｂ）は図７３（ｂ）のVII −VII 線による断面図を示している。
【０２１８】
本実施の形態においては、第２の絶縁膜（保護絶縁膜）８０３を形成した後、この第２の絶縁膜８０３にＴＦＴのソース電極に到達するコンタクトホールを形成する際に、リペア端子８２１ａ，８２２ａ，８２２ｂに到達するコンタクトホール及びリペア配線８２４に到達するコンタクトホールを同時に形成する。リペア配線８２４には、各リペア端子８２２ｂに対応する位置にそれぞれコンタクトホールを形成する。
【０２１９】
その後、全面にＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をパターニングして、画素電極を形成すると共に、リペア端子８２１ａに接続したパッド８１９ａ、リペア端子８２１ａに接続したパッド８１９ｂ、リペア端子８２２ｂに接続したパッド８１９ｃ、及びリペア配線８２４に接続したパッド８１９ｄを形成する。
このようにして形成されたＴＦＴ基板に対し、例えば図７３（ａ），（ｂ）に示すように、×印で示す位置でデータパスライン８１５の断線が発生した場合、レーザＣＶＤ法又は導電ペーストの焼成により、パッド８１９ａとパッド８１９ｂとの間を接続する導電パターン８２５ｃと、パッド８１９ｃとパッド８１９ｄとの間を接続する導電パターン８２５ｄとを形成する。
【０２２０】
本実施の形態においては、第８の実施の形態と同様の効果が得られるのに加えて、欠陥修復時にレーザ照射により第２の絶縁膜８０３にコンタクトホールを形成する必要がないという利点がある。また、パッド８１９ａ〜８１９ｄは画素電極と同時に形成するので、工程数の増加が回避される。
なお、第８及び第９の実施の形態ではデータバスラインの断線を補修する場合について説明したが、本発明をゲートバスラインの断線の補修に適用することもできる。
【０２２１】
（付記１）液晶表示装置の欠陥修復方法であって、断線した配線の断線両端部上に、前記配線幅より長い幅を有し前記配線上面及び両側面が露出する深さの断線修復用コンタクトホールをそれぞれ形成し、前記配線上面及び両側面と電気的に接続される導電膜を前記断線修復用コンタクトホール内壁及び表面に形成して前記断線を修復することを特徴とする欠陥修復方法。
【０２２２】
（付記２）付記１に記載の欠陥修復方法において、前記導電膜は、レーザＣＶＤ法により形成することを特徴とする欠陥修復方法。
（付記３）付記１又は２に記載の欠陥修復方法において、前記断線修復用コンタクトホールにそれぞれ形成された前記導電膜を直接に接続して、前記断線両端部間を電気的に接続して前記断線を修復することを特徴とする欠陥修復方法。
【０２２３】
（付記４）付記１又は２に記載の欠陥修復方法において、前記断線修復用コンタクトホールにそれぞれ形成された前記導電膜を前記液晶表示装置に形成された画素電極に接続して、前記断線両端部間を電気的に接続して前記断線を修復することを特徴とする欠陥修復方法。
（付記５）液晶表示装置の欠陥修復方法であって、レーザＣＶＤ法により、断線した配線の断線両端部上層に導電膜を形成し、レーザウェルディング法により前記断線両端部まで開口して、前記導電膜と前記断線両端部とを電気的に接続して前記断線を修復することを特徴とする欠陥修復方法。
【０２２４】
（付記６）絶縁膜を介して複数の配線層が形成された基板と、対向基板との間に液晶を封止した液晶表示装置において、前記配線層の交差位置近傍に形成され、前記配線層間での層間短絡を修復する際の迂回経路の一部を構成する予備配線層を有することを特徴とする液晶表示装置。
（付記７）絶縁膜を介して複数の配線層が形成された基板と、対向基板との間に液晶を封止した液晶表示装置において、前記配線層の交差位置近傍で前記配線層のいずれかと接続され、前記配線層間での層間短絡を修復する際の迂回経路の一部を構成する予備パッドを有することを特徴とする液晶表示装置。
【０２２５】
（付記８）液晶表示装置の欠陥修復方法であって、層間短絡を生じた２つの配線層のうち一方の配線層を短絡部を挟んで断線して他方の配線層と電気的に分離し、前記短絡部を迂回する迂回経路を前記一方の配線層に隣接して構成して、断線した前記一方の配線層の断線両端部を電気的に接続することを特徴とする欠陥修復方法。
【０２２６】
（付記９）付記項８に記載の欠陥修復方法において、前記迂回経路は、前記配線層間での層間短絡を修復するために前記配線層の交差位置近傍に形成された予備配線層を構成の一部に含むことを特徴とする欠陥修復方法。
（付記１０）付記８に記載の欠陥修復方法において、前記迂回経路は、前記配線層間での層間短絡を修復するために前記配線層の交差位置近傍で前記配線層のいずれかと接続された予備パッドを構成の一部に含むことを特徴とする欠陥修復方法。
【０２２７】
（付記１１）複数のゲートバスラインと、複数の蓄積容量バスラインと、前記複数の蓄積容量バスラインに共通して接続され、前記ゲートバスラインと交差して配設される蓄積容量バスライン一括電極と、前記ゲートバスラインと蓄積容量バスライン一括電極の交差部近傍に配設され、前記蓄積容量バスライン一括電極の幅方向の長さよりも長く、前記蓄積容量バスライン一括電極と交差するとともに両端に重畳しない部分を有し、前記ゲートバスラインとは電気的に独立する修復用補助配線と、前記蓄積容量バスライン一括電極と重畳しない幅方向の両側で、一端が前記ゲートバスラインと重畳し、他端が前記修復用補助配線と重畳するように配設された修復用接続電極とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
【０２２８】
（付記１２）付記１１に記載の液晶表示装置において、前記修復用補助配線は、前記ゲートバスラインと同一工程で形成されるものであることを特徴とする液晶表示装置。
（付記１３）付記１１に記載の液晶表示装置において、前記修復用接続電極は、前記蓄積容量バスライン一括電極と同一工程で形成されるものであることを特徴とする液晶表示装置。
【０２２９】
（付記１４）複数のゲートバスラインと、複数の蓄積容量バスラインと、前記複数の蓄積容量バスラインに共通して接続され、前記ゲートバスラインと交差して配設される蓄積容量バスライン一括電極とを備える液晶表示装置の欠陥修復方法であって、前記ゲートバスラインと蓄積容量バスライン一括電極の交差部近傍に配設され、前記蓄積容量バスライン一括電極の幅方向の長さよりも長く、前記蓄積容量バスライン一括電極と交差するとともに両端に重畳しない部分を有し、前記ゲートバスラインとは電気的に独立する修復用補助配線を形成し、前記蓄積容量バスライン一括電極と重畳しない幅方向の両側で、一端が前記ゲートバスラインと重畳し、他端が前記修復用補助配線と重畳する修復用接続電極を形成し、短絡部を有する前記ゲートバスラインを前記蓄積容量バスライン一括電極の両側で切断するとともに、前記修復用接続電極と前記ゲートバスラインおよび前記蓄積容量バスライン一括電極とを重畳部で電気的に接続させることを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【０２３０】
（付記１５）複数のゲートバスラインと、複数の蓄積容量バスラインと、前記複数の蓄積容量バスラインに共通して接続され、前記ゲートバスラインと交差して配設される蓄積容量バスライン一括電極とを備える液晶表示装置の欠陥修復方法であって、前記ゲートバスラインと蓄積容量バスライン一括電極の交差部近傍に配設され、前記蓄積容量バスライン一括電極の幅方向の長さよりも長く、前記蓄積容量バスライン一括電極と交差するとともに両端に重畳しない部分を有し、前記ゲートバスラインとは電気的に独立する修復用補助配線を形成し、短絡部を有する前記ゲートバスラインを前記蓄積容量バスライン一括電極の両側で切断する工程と、前記ゲートバスラインの前記蓄積容量バスライン一括電極を間に挟む二か所を露出する工程と、前記修復用補助配線の前記蓄積容量バスライン一括電極を間に挟む二か所を露出する工程と、前記蓄積容量バスライン一括電極に対して同じ側にある、前記ゲートバスライン及び修復用補助配線の露出部上に導電層を堆積して、前記ゲートバスラインと前記修復用補助配線を電気的に接続させることを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【０２３１】
（付記１６）ゲートバスライン、データバスライン及び画素電極に接続されたスイッチング用薄膜トランジスタと、前記データバスライン及び前記画素電極のいずれにも接続されていない予備薄膜トランジスタとを備えた液晶表示装置の欠陥修復方法であって、欠陥修復時に、少なくとも前記予備薄膜トランジスタのドレイン電極と前記データバスラインとを接続する導電パターンを形成することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【０２３２】
（付記１７）ゲートバスライン、データバスライン及び画素電極に接続されたスイッチング用薄膜トランジスタと、前記ゲートバスライン及び前記画素電極のいずれにも接続されていない予備薄膜トランジスタとを備えた液晶表示装置の欠陥修復方法であって、欠陥修復時に、少なくとも前記予備薄膜トランジスタのゲート電極と前記ゲートバスラインとを接続する導電パターンを形成することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【０２３３】
（付記１８）付記１６又は１７に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、前記導電パターンは、レーザＣＶＤ法により、又は導電性薬液のレーザ照射による焼成により形成することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
（付記１９）付記１６又は１７に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、前記予備薄膜トランジスタのソース電極と前記画素電極とをレーザウェルディングにより接続することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【０２３４】
（付記２０）付記１６又は１７に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、前記導電パターンを形成する際に、レーザ照射により前記予備薄膜トランジスタのドレイン電極の上、及び前記スイッチング用薄膜トランジスタのドレイン電極の上の絶縁膜にコンタクトホールを開孔することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【０２３５】
（付記２１）付記１６又は１７に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、前記導電パターンを、タングステン、モリブデン、クロム、金及び銀からなる群から選択されたいずれか１種の金属により形成することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
（付記２２）ゲートバスライン、データバスライン及び画素電極に接続されたスイッチング用薄膜トランジスタと、前記データバスライン及び前記画素電極のいずれにも接続されていない予備薄膜トランジスタとを備え、前記ゲートバスラインの一部が前記予備薄膜トランジスタのゲート電極となっていることを特徴とする液晶表示装置。
【０２３６】
（付記２３）ゲートバスライン、データバスライン及び画素電極に接続されたスイッチング用薄膜トランジスタと、前記ゲートバスライン及び前記画素電極のいずれにも接続されていない予備薄膜トランジスタとを備え、前記予備薄膜トランジスタのゲート電極が前記データバスラインと画素電極との間に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【０２３７】
（付記２４）基板上に形成された複数本のバスラインと、前記基板の第１の辺に沿って配置され、前記バスラインにそれぞれ接続されたＴＡＢ端子と、前記第１の辺に対向する第２の辺に沿って配置されたリペア配線とを備えた液晶表示装置の欠陥修復方法であって、欠陥修復時に、少なくとも、前記バスラインと前記リペア配線とを接続する導電パターンを形成することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【０２３８】
（付記２５）付記２４に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、前記導電パターンは、レーザＣＶＤ法により、又は導電性薬液のレーザ照射による焼成により形成することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
（付記２６）付記２４に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、前記リペア配線が複数本あることを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【０２３９】
（付記２７）付記２４に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、前記導電パターンを形成する際に、レーザ照射により前記バスラインの上及び前記リペア配線の上にコンタクトホールを開孔することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
（付記２８）付記２４に記載の液晶表示装置の欠陥修復方法において、前記導電パターンを、タングステン、モリブデン、クロム、金及び銀からなる群から選択されたいずれか１種の金属により形成することを特徴とする液晶表示装置の欠陥修復方法。
【０２４０】
（付記２９）複数本の第１のバスラインと、絶縁膜を介して前記第１のバスラインに交差する複数本の第２のバスラインと、前記複数の第１のバスラインの一端側にそれぞれ接続された複数のＴＡＢ端子と、前記第１のバスラインの他端側に配置されたリペア配線とを有し、欠陥修復前の状態では前記リペア配線に交差する配線を有しないことを特徴とする液晶表示装置。
【０２４１】
（付記３０）複数本の第１のバスラインと、絶縁膜を介して前記第１のバスラインに交差する複数本の第２のバスラインと、前記複数の第１のバスラインの一端側にそれぞれ接続された複数のＴＡＢ端子と、前記第１のバスラインの他端側に配置されたリペア配線と、前記第１のバスラインの他端側に設けられたリペア端子と、前記リペア端子の上に露出し、前記リペア端子と電気的に接続した第１の接続用パッドと、前記リペア配線の上に露出し、前記リペア配線と電気的に接続した第２の接続用パッドとを有することを特徴とする液晶表示装置。
【０２４２】
（付記３１）付記３０に記載の液晶表示装置において、前記リペア配線及び前記前記接続用パッドがカラーフィルタ基板よりも外側に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【０２４３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の液晶表示装置によれば、表示パネル内に断線欠陥が生じた場合、断線部の両側に設けた断線修復用コンタクトホールとレーザ光を使用した化学的蒸気薄膜形成法（レーザＣＶＤ法）による部分配線とを組み合わせることにより、簡単に断線箇所の修復が行えるので、無欠陥で高品位な液晶表示装置を提供できるようになる。
【０２４４】
また、本発明によれば、電極配線の層間短絡の修復が表示パネル内のどこででも可能となり、修復ライン数も無制限となるので、無欠陥で高品位な液晶表示装置を提供できるようになる。
更に、本願の他の発明によれば、ゲートバスラインと蓄積容量バスラインを一括して接続する電極との交差部で短絡欠陥が発生しても、確実に修復処理を行うことが可能になり、よって、歩留まりを著しく向上させることができるという効果がある。
【０２４５】
更にまた、本願の他の発明によれば、予めスイッチング用薄膜トランジスタの他に予備薄膜トランジスタを用意しておき、欠陥を修復するときには予備薄膜トランジスタのドレイン電極とデータバスラインとを接続する導電パターン、又はゲート電極とゲートバスラインとを接続する導電パターンを形成する。従って、欠陥修復前の状態では、予備薄膜トランジスタは、データバスライン又はゲートバスラインと画素電極に接続されていないので、負荷容量の増大が回避される。また、欠陥画素を目立たなくするのではなく、正常な画素として動作するように修復するので、欠陥のない高品位な画像表示が可能となるとともに、製造歩留まりが向上する。
【０２４６】
更にまた、本願の他の発明によれば、バスラインに断線が発生した場合に、当該バスラインのＴＡＢ端子と反対側の端部とリペア配線とを接続する導電パターンを形成する。すなわち、欠陥修復前の状態ではリペア配線とバスラインとが重なっていないので、負荷容量が小さく、信号の遅延を防止することができる。これにより、リペア配線に起因する表示品質の劣化が回避される。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示装置の構成を示す上面図である。
【図２】従来の液晶表示装置の構成を示す図（その１）であり、図１中破線で囲んだ部分の拡大図である。
【図３】従来の液晶表示装置の構成を示す図（その２）であり、蓄積容量バスライン一括電極とデータバスラインとの交差部を示す図である。
【図４】従来の液晶表示装置の構成を示す図（その３）であり、蓄積容量バスライン一括電極とデータバスラインとの交差部の他の例を示す図である。
【図５】従来の一般的なＴＮ型液晶表示装置の構造を示す断面図である。
【図６】同じくその液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平面図である。
【図７】従来のゲートバスラインの断線の修復方法を示す模式平面図である。
【図８】同じくそのゲートバスラインの断線の修復方法を示す断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法の前提となる液晶表示装置の表示パネルの概略構成を示す平面図である。
【図１０】同じくその表示パネルの製造方法の説明する概略断面図（その１）である。
【図１１】同じくその表示パネルの製造方法の説明する概略断面図（その２）である。
【図１２】同じくその表示パネルの製造方法の説明する概略断面図（その３）である。
【図１３】同じくその表示パネルの製造方法の説明する概略断面図（その４）である。
【図１４】同じくその表示パネルの製造方法の説明する概略断面図（その５）である。
【図１５】同じくその表示パネルの製造方法の説明する概略断面図（その６）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法における例１の概略を示す平面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態による例１の欠陥修復方法を説明する概略断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法における例２の概略を示す平面図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態による例２の欠陥修復方法を説明する概略断面図である。
【図２０】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法における例３の概略を示す平面図である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法における例４の概略を示す平面図である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態による例４の欠陥修復方法を説明する概略断面図である。
【図２３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法における例５の概略を示す平面図である。
【図２４】本発明の第１の実施の形態による例５の欠陥修復方法を説明する概略断面図である。
【図２５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法における例６の概略を示す平面図である。
【図２６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法における例７の概略を示す平面図である。
【図２７】本発明の第１の実施の形態による例７の欠陥修復方法を説明する概略断面図である。
【図２８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法における例８の概略を示す平面図である。
【図２９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法における例９の概略を示す平面図である。
【図３０】本発明の第１の実施の形態による例９の欠陥修復方法を説明する概略断面図である。
【図３１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の欠陥修復方法における例１０の概略を示す平面図である。
【図３２】本発明の第１の実施の形態による例１０の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その１）である。
【図３３】本発明の第１の実施の形態による例１０の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その２）である。
【図３４】本発明の第１の実施の形態による例１０の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その３）である。
【図３５】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法における原理説明図である。
【図３６】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法における例１の概略を示す平面図である。
【図３７】本発明の第２の実施の形態による例１の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その１）である。
【図３８】本発明の第２の実施の形態による例１の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その２）である。
【図３９】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法における例２の概略を示す平面図である。
【図４０】本発明の第２の実施の形態による例２の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その１）である。
【図４１】本発明の第２の実施の形態による例２の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その２）である。
【図４２】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法における例３の概略を示す平面図である。
【図４３】本発明の第２の実施の形態による例３の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その１）である。
【図４４】本発明の第２の実施の形態による例３の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その２）である。
【図４５】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法における例４の概略を示す平面図である。
【図４６】本発明の第２の実施の形態による例４の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その１）である。
【図４７】本発明の第２の実施の形態による例４の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その２）である。
【図４８】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法における例５の概略を示す平面図である。
【図４９】本発明の第２の実施の形態による例５の欠陥修復方法を説明する概略断面図である。
【図５０】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置及びその欠陥修復方法における例６の概略を示す平面図である。
【図５１】本発明の第２の実施の形態による例６の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その１）である。
【図５２】本発明の第２の実施の形態による例６の欠陥修復方法を説明する概略断面図（その２）である。
【図５３】本発明の第２の実施の形態による例６の欠陥修復方法を説明する概略断面図である。
【図５４】第３の実施の形態に係る発明の原理を説明する図（その１）である。
【図５５】同じくその発明の原理を説明する図（その２）であり、短絡欠陥の修復方法を示す図である。
【図５６】同じくその発明の原理を説明する図（その３）であり、図５５のＩ−Ｉ線での断面図である。
【図５７】本発明の第３の実施の形態の短絡欠陥の修復方法を示す図である。
【図５８】図５７の一部を拡大して示す図である。
【図５９】図５８のII−II線における断面図である。
【図６０】本発明の第４の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平面図である。
【図６１】本発明の第４の実施の形態の液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。
【図６２】本発明の第４の実施の形態の液晶表示装置の欠陥修復方法を示す模式断面図である。
【図６３】本発明の第５の実施の形態の液晶表示装置の欠陥修復方法を示す模式断面図である。
【図６４】本発明の第６の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平面図である。
【図６５】本発明の第６の実施の形態の液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。
【図６６】本発明の第７の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す平面図である。
【図６７】本発明の第７の実施の形態の液晶表示装置の欠陥修復方法を示す平面図である。
【図６８】図６７のIII −III 線による断面図である。
【図６９】本発明の第８の実施の形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板を示す模式図である。
【図７０】本発明の第８の実施の形態の欠陥修復方法を示す模式図である。
【図７１】図７０のIV−IV線及びＶ−Ｖ線による断面図である。
【図７２】本発明の第８の実施の形態の欠陥修復方法の他の例を示す図であり、ＣＦ基板の外側にリペア端子及びリペア配線を配置した例を示す図である。
【図７３】本発明の第９の実施の形態の欠陥修復方法を示す模式図である。
【図７４】図７３のVI−VI線及びVII −VII 線による断面図である。
【符号の説明】
１０，１０３，６１０，７１１，８１２…ゲートバスライン、
１６，６１６…蓄積容量バスライン一括電極、
１８，８００…ＴＦＴ基板、
２２，１１５，７１３…蓄積容量バスライン、
２４…蓄積容量バスライン接続電極、
３０，７１６…ＴＦＴ、
３２，１１３，７１９…画素電極、
３４，１０１，６３４，７１５，８１５…データバスライン、
３８，８００ａ…表示領域、
４０…ＣＦ基板、
４４，４６…ＴＡＢ基板、
１０５…チャネル保護膜、
１０６…動作半導体層、
１０７、１１１…コンタクトホール、
１０９…蓄積容量電極、
１１７…ドレイン電極、
１１９…ソース電極、
１２１…透明ガラス基板、
１２３…ゲート絶縁膜、
１２５…アモルファスシリコン層（ａ−Ｓｉ層）、
１２７…シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）、
１２９…ｎ＋ａ−Ｓｉ層（コンタクト層）、
１３１…金属層（例えばＣｒ層）、
１３３…保護膜、
１３５…画素電極材、
２０１、２３１、２５１、２７１、３０１、３２１、３４１、３７１、３９７、４２１、４２３、４２５…断線部、
２０３、２０５、２３３、２３５、２５３、２５５、２７３、２７５、３０３、３０５、３２３、３２５、３４３、３４５、３７３、３７５、４１３、４１５…  断線修復用コンタクトホール、
２０９、２１１、２２３、２３７、２５０、２５７、２５９、２６１、２７７、２７９、２９１、３０７、３２７、３２９、３３１、３４７、３４９、３７７、３７９、３８１、４０５、４２７、４２９、４３１…レーザＣＶＤ膜、
２１３、２６３、２８１、３３３、３３５、３８３、３８５…切断位置、
２１５、２３９、２８３、３０９、３５３、４０７…レジスト層、
２１７、２４１、２４３、２８５、３１１、３１３、３５５、３５７、４０９、４１１…ホール、
３９３…引き出し線、
３９５…端子部、
４３３、４３４、４３５、４３６、４３６、４３７、４３８…レーザウェルディング部、
５００，７１１…ガラス基板、
５０２…ゲートバスライン、
５０４…絶縁膜、
５０６…データバスライン、
５０８…絶縁膜（保護膜；ＳｉＮ）、
５1 ０…層間短絡部、
５１２、５１４…断線部、
５１６、５１８…コンタクトホール、
５１８、５２０…レーザＣＶＤ法によるメタル堆積部、
５２４…画素電極、
５２６…蓄積容量バスライン、
５２８ａ、５２８ｂ、５３０ａ、５３０ｂ、５３６ａ、５３６ｂ、５４０ａ、５４０ｂ、５４６ａ、５４６ｂ、５５０ａ、５５０ｂ、５６２、５７２、５７８、６０２、６０６、７００…金属配線部、
５３２ａ、５３２ｂ、５３２ｃ、５３２ｄ、５４２ａ、５４２ｂ、５４２ｃ、５４２ｄ…予備配線、
５３４ａ、５３４ｂ、５３８ａ、５３８ｂ、５４４ａ、５４４ｂ、５４８ａ、５４８ｂ、５５４ａ、５５４ｂ、５６０ａ、５６０ｂ、５７０ａ、５７０ｂ、５７６ａ、５７６ｂ、５８２ａ、５８２ｂ、５８６ａ、５８６ｂ…コンタクトホール、
５５２ａ、５５２ｂ、５６８ａ、５６８ｂ、５７４ａ、５７４ｂ、５８０ａ、５８０ｂ、５８４ａ、５８４ｂ…予備パッド、
５９０…ドレイン電極、
５９２、５９６、６００、６０４、６０８…コンタクトホール、
５９４…ソ−ス電極、
６１２…修復用補助配線、
７１７…予備ＴＦＴ、
７１９ａ，７１９ｂ…パッド、
７２１，８２３，８２５…導電パターン、
７２４…導電ペースト、
８２１…予備ＴＡＢ端子、
８２１ａ，８２２ａ，８２２ｂ…リペア端子、
８２２…ＴＡＢ端子、
８２４…リペア配線、
８２５ａ〜８２５ｄ…導電パターン。
【図１】
0004001712.tif 000002
【図２】
0004001712.tif 000003
【図３】
0004001712.tif 000004
【図４】
0004001712.tif 000005
【図５】
0004001712.tif 000006
【図６】
0004001712.tif 000007
【図７】
0004001712.tif 000008
【図８】
0004001712.tif 000009
【図９】
0004001712.tif 000010
【図１０】
0004001712.tif 000011
【図１１】
0004001712.tif 000012
【図１２】
0004001712.tif 000013
【図１３】
0004001712.tif 000014
【図１４】
0004001712.tif 000015
【図１５】
0004001712.tif 000016
【図１６】
0004001712.tif 000017
【図１７】
0004001712.tif 000018
【図１８】
0004001712.tif 000019
【図１９】
0004001712.tif 000020
【図２０】
0004001712.tif 000021
【図２１】
0004001712.tif 000022
【図２２】
0004001712.tif 000023
【図２３】
0004001712.tif 000024
【図２４】
0004001712.tif 000025
【図２５】
0004001712.tif 000026
【図２６】
0004001712.tif 000027
【図２７】
0004001712.tif 000028
【図２８】
0004001712.tif 000029
【図２９】
0004001712.tif 000030
【図３０】
0004001712.tif 000031
【図３１】
0004001712.tif 000032
【図３２】
0004001712.tif 000033
【図３３】
0004001712.tif 000034
【図３４】
0004001712.tif 000035
【図３５】
0004001712.tif 000036
【図３６】
0004001712.tif 000037
【図３７】
0004001712.tif 000038
【図３８】
0004001712.tif 000039
【図３９】
0004001712.tif 000040
【図４０】
0004001712.tif 000041
【図４１】
0004001712.tif 000042
【図４２】
0004001712.tif 000043
【図４３】
0004001712.tif 000044
【図４４】
0004001712.tif 000045
【図４５】
0004001712.tif 000046
【図４６】
0004001712.tif 000047
【図４７】
0004001712.tif 000048
【図４８】
0004001712.tif 000049
【図４９】
0004001712.tif 000050
【図５０】
0004001712.tif 000051
【図５１】
0004001712.tif 000052
【図５２】
0004001712.tif 000053
【図５３】
0004001712.tif 000054
【図５４】
0004001712.tif 000055
【図５５】
0004001712.tif 000056
【図５６】
0004001712.tif 000057
【図５７】
0004001712.tif 000058
【図５８】
0004001712.tif 000059
【図５９】
0004001712.tif 000060
【図６０】
0004001712.tif 000061
【図６１】
0004001712.tif 000062
【図６２】
0004001712.tif 000063
【図６３】
0004001712.tif 000064
【図６４】
0004001712.tif 000065
【図６５】
0004001712.tif 000066
【図６６】
0004001712.tif 000067
【図６７】
0004001712.tif 000068
【図６８】
0004001712.tif 000069
【図６９】
0004001712.tif 000070
【図７０】
0004001712.tif 000071
【図７１】
0004001712.tif 000072
【図７２】
0004001712.tif 000073
【図７３】
0004001712.tif 000074
【図７４】
0004001712.tif 000075