(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の圧電基板の両主面に形成された励振電極と、該励振電極と電気的に接続され、前記圧電基板の一方短辺側の下側主面に、前記圧電基板の幅方向に分離して形成された引き出し電極と、を備えた圧電振動子であって、
前記圧電基板の上側主面に前記一方短辺と離間して形成され、且つ前記励振電極に接続される主面導出路と、前記圧電基板の下側主面に形成され、且つ前記引き出し電極に接続される他主面導出路と、前記圧電基板の長辺側側面のみに形成され、且つ前記主面導出路及び前記他主面導出路に接続される側面導出路と、を備え、
前記側面導出路と前記主面導出路との接続部と、前記側面導出路と前記他主面導出路との接続部とは、前記圧電基板を平面視したときに前記圧電基板の長手方向にずれた位置にあることを特徴とする圧電振動子。
【請求項２】
矩形状の圧電基板の両主面に形成された励振電極と、該励振電極と電気的に接続され、前記圧電基板の一方短辺側の下側主面に、前記圧電基板の幅方向に分離して形成された引き出し電極と、を備えた圧電振動子であって、
前記圧電基板の上側主面に前記一方短辺と離間して形成され、且つ前記励振電極に接続される主面導出路と、前記圧電基板の長辺側側面のみに形成され、且つ前記主面導出路及び前記引き出し電極に接続される側面導出路と、を備え、
前記側面導出路と前記主面導出路との接続部と、前記側面導出路と前記引き出し電極との接続部とは、前記圧電基板を平面視したときに前記圧電基板の長手方向にずれた位置にあることを特徴とする圧電振動子。
【請求項３】
前記側面導出路は、前記圧電基板の短辺側側面より離間して配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の圧電振動子。
【請求項４】
前記主面導出路は、前記励振電力の前記一方短辺側の端部から前記圧電基板の幅方向に延出して設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の圧電振動子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の圧電振動子と、
矩形状のキャビティを有し、該キャビティの底面における一方短辺側に一対の電極パッドを設けた容器体とを備え、
前記圧電振動子は前記容器体のキャビティ内に収容されると共に、該圧電振動子の前記各引き出し電極が導電性接着部材を介して前記容器体の各電極パッドに接続されていることを特徴とする圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、容器体のキャビティ内に圧電振動子を収容した圧電デバイスに関し、特にオーバートーンを用いた高周波発振に適した圧電振動子及び圧電デバイスに関する。ここで、圧電振動子とは、水晶板、圧電セラミック基板、単結晶圧電基板を用いた振動子を含む。
【０００２】
【従来の技術】
従来の圧電デバイスの一例である水晶発振器は、例えば、図５〜図８に示す構造を有する。
【０００３】
この水晶発振器５１は、セラミックパッケージ５２、圧電振動子である水晶振動子５３、導電性接着部材５４とから主に構成されている。
【０００４】
セラミックパッケージ５２は、図５及び図６に示すように、水晶振動子５３を搭載する基板５２１を有し、その表面には水晶振動子５３の引き出し電極５３２，５３４と対向するように電極パッド５２３，５２３が形成されている。この電極パッド５２３，５２３の略中央には、接続支持用バンプ５５が形成されている。
【０００５】
このバンプ５５が形成された電極パッド５２３，５２３上に導電性接着部材５４が硬化する前の導電性樹脂ぺーストを塗布し、水晶振動子５３を、固定端側が接続支持用バンプ５５に載置するように配置した後、この導電性樹脂ぺーストを硬化させることにより、水晶振動子５３を基板５２１に電気的に接続すると共に機械的に接合している。
【０００６】
尚、セラミックパッケージ５２は、アルミナ等のセラミック絶縁板を積層したものであり、内部に水晶振動子５３を収容するキャビティ部５２０が形成されている。このキャビティ部５２０の底面となる基板が、水晶振動子５３を実装する基板５２１となる。
【０００７】
このセラミックパッケージ５２の下面には、図６に示すように、電極パッド５２３，５２３と接続する外部端子電極５２６が形成されている。さらに、セラミックパッケージ５２のキャビティ部５２０の開口周囲には、金属製蓋体５６をシーム溶接にて接続するためのシールリング５２５が配設されている。そして、水晶振動子５３をキャビティ５２０に収容配置した後、水晶振動子５３の発振周波数を測定しながら、ＡｕやＡｇによって形成された励振電極５３３にＡｇなどを蒸着により付着させたり、イオンガンなどによりＡｒなどの不活性ガスを励振電極５３３に打ち付け励振電極５３３の表面を削る手法を用い、励振電極５３３の質量の増減を行うことにより、発振周波数を合わせ込む工程を経た後、水晶振動子５３を気密的に封止すべく、セラミックパッケージ５２上に金属製蓋体５６が被着されている。
【０００８】
より詳しくは、水晶振動子５３は、図８（ａ）に示すように、矩形状の水晶基板５３０の両主面に励振電極５３１，５３３が被着されていると共に、水晶基板５３０の一方の短辺側に、各励振電極５３１，５３３から延出する引き出し電極５３２，５３４が被着されている。また、水晶振動子５３の表裏の各電極が対称になるように形成されており、引き出し電極５３４は、図８（ｂ）に示すように、水晶基板５３０の上面の励振電極５３３から延出する電極５３４ａ，５３４ｂが側面電極５３４ｃを介して下面の電極５３４ｄに導通するように形成されている。また、引き出し電極５３２は、図８（ｃ）に示すように、水晶基板５３０の下面の励振電極５３１から延出する電極５３２ａ，５３２ｂが側面電極５３２ｃを介して上面の電極５３２ｄに導通するように形成されている。尚、この水晶基板５３０の一方の短辺側を固定端といい、他方の短辺側を自由端という。
【０００９】
上記した従来の水晶振動子５３では、硬化して導電性接着部材となる導電性樹脂ぺーストを電極パッド５２３，５２３上に塗布し、その上部に水晶振動子５３の下面の引き出し電極５３２ｂ，５３４ｄが当接するように水晶振動子５３を載置し、導電性樹脂ぺーストをバンプ５５の上部にのるように流し込ませて、水晶振動子５３の短辺側両端面やその近傍の長辺側両端面にも導電性樹脂ぺーストを付着させ、水晶振動子５３と電極パッド５２３，５２３との接着を確実なものにしていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような方法では、水晶振動子５３の短辺側両端面やその近傍の長辺側両端面に沿って導電性樹脂ぺーストがはい上がり、水晶基板３０の上側主面の位置までくるか、その近くまではい上がり、導電性樹脂ぺーストが硬化するまでの間に、導電性樹脂ぺーストに含まれる低分子成分３５が、図７に示すように水晶振動子５３の上面側の引き出し電極５３４ａ，５３４ｂから励振電極５３３へ流れ出してしまい、その後導電性樹脂ぺーストを乾燥する工程において、低分子成分３５も励振電極５３３上に固着してしまう。
【００１１】
このように低分子成分３５が励振電極５３３上に固着した状態では、その後の周波数調整工程で、イオンガンなどを用い、Ａｒガスなどの不活性ガスを励振電極５３３に打ち付けることにより、励振電極５３３の質量を減少させ、発振周波数の調整を行う際に、励振電極５３３の表面の低分子成分３５が固着した領域Ｓ１は、固着した低分子成分３５が質量を減少させる励振電極５３３のＡｕやＡｇを削ることを防いでしまう。その結果、固着した低分子成分３５も励振電極５３３上の引き出し電極５３４ａ寄りに残り、そのほかの領域Ｓ２の励振電極５３３だけが削られるということになり、励振電極５３３全体における質量の減少の仕方に偏りが生じていた。
【００１２】
このように、偏って励振電極３３の面が削られた状態の水晶振動子５３を発振器に使用した場合、従来のように基本波を用いて発振させる１３ＭＨｚ〜２８ＭＨｚの周波数帯で使用する比較的低周波の発振器では、電気特性面であまり影響しないことが確認されていたが、３倍波などのオーバートーン発振を用いて、さらに高周波である１００ＭＨｚ以上の発振器として使用した場合、振動の閉じ込め率が良いため、不要なスプリアスを発生させるばかりでなく、主振動や３倍波等のオーバートーン発振が劣化し、共振抵抗値であるＣＩ（クリスタルインピーダンス）値を増大させてしまい、場合によっては発振停止などの問題を発生させるおそれがあった。
【００１３】
本発明は、こうした従来技術の課題を解決するものであり、容器体のキャビティ内に圧電振動子を収容し、圧電振動子の励振電極と容器体の電極パッドとを接続固定する際に、圧電振動子の上側の励振電極表面に硬化前の導電性樹脂ぺーストの低分子成分が流れ出して励振電極に固着することを防ぐことができ、安定して良好な高周波発振を行うことができる圧電振動子及び圧電デバイスを提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の圧電振動子は、矩形状の圧電基板の両主面に形成された励振電極と、該励振電極と電気的に接続され、前記圧電基板の一方短辺側の下側主面に、前記圧電基板の幅方向に分離して形成された引き出し電極と、を備えた圧電振動子であって、前記圧電基板の上側主面に前記一方短辺と離間して形成され、且つ前記励振電極に接続される主面導出路と、前記圧電基板の下側主面に形成され、且つ前記引き出し電極に接続される他主面導出路と、前記圧電基板の長辺側側面のみに形成され、且つ前記主面導出路及び前記他主面導出路に接続される側面導出路と、を備え、前記側面導出路と前記主面導出路との接続部と、前記側面導出路と前記他主面導出路との接続部とは、前記圧電基板を平面視したときに前記圧電基板の長手方向にずれた位置にあることを特徴とする構成である。
【００１５】
また、本発明の圧電振動子は、矩形状の圧電基板の両主面に形成された励振電極と、該励振電極と電気的に接続され、前記圧電基板の一方短辺側の下側主面に、前記圧電基板の幅方向に分離して形成された引き出し電極と、を備えた圧電振動子であって、前記圧電基板の上側主面に前記一方短辺と離間して形成され、且つ前記励振電極に接続される主面導出路と、前記圧電基板の長辺側側面のみに形成され、且つ前記主面導出路及び前記引き出し電極に接続される側面導出路と、を備え、前記側面導出路と前記主面導出路との接続部と、前記側面導出路と前記引き出し電極との接続部とは、前記圧電基板を平面視したときに前記圧電基板の長手方向にずれた位置にあることを特徴とする構成である。
【００１６】
上記構成によれば、圧電基板の上側主面の励振電極から導出される主面導出路は圧電基板の一方短辺と離間して形成されており、さらに、前記側面導出路と前記主面導出路との接続部と、前記側面導出路と前記他主面導出路または前記引き出し電極との接続部とは、前記圧電基板を平面視したときに前記圧電基板の長手方向にずれた位置にあるため、圧電デバイスの容器体に圧電振動子を固定する工程において硬化前の導電性樹脂ペーストが圧電基板の上面に付着しても、その低分子成分が圧電基板の側面を流れるだけで、圧電振動子の上面の励振電極に流れ出すことがなくなる。
【００１７】
これにより、周波数調整工程において、圧電基板の上側主面の励振電極に導電性樹脂ペーストの低分子成分で固着されることに起因して発生していた圧電振動子のＣＩ（クリスタルインピーダス）値などの電気特性が低下するのを防ぐことが可能となる。その結果、オーバートーン発振を用いた安定して良好な高周波発振を行うことが可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて具体的に説明する。尚、ここで説明するオーバートーン発振を用いた高周波発振用の圧電デバイスは、例えば水晶振動子を用いた水晶発振器に使用される。
【００１９】
図１〜図３は、本発明による水晶振動子３を用いた圧電デバイス１の構成例を示す。ここで、図１は圧電デバイス１を蓋体を省略して示す上視図であり、図２はその断面図である。
【００２０】
この圧電デバイス１は、主に、基板２１を有する容器体であるセラミックパッケージ２、水晶振動子３、導電性接着部材４及び蓋体６とから構成されている。セラミックパッケージ２は、略矩形状の単板セラミック基板２１と、セラミック基板２１の周囲にリング状基板２２を積層して、その表面に載置されたシールリング２５とから構成されている。尚、このシールリング２５は、封止用導体膜２４を介してろう付け固定されている。そして、このセラミックパッケージ２は、上方が開口した略矩形状のキャビティ部２０が形成されていて、そこに水晶振動子３が収容されるようになっている。さらにキャビティ部２０の底面、即ち基板２１の上面における一方の短辺側には、略矩形状の一対の電極パッド２３，２３が容器体２の短辺の幅方向に並ぶように夫々形成されている。
【００２１】
より詳しくは、シールリング２５は、Ｆｅ−Ｎｉ，Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏなどの金属からなり、基板２１の周囲にリング状基板２２を積層して、その表面に形成された封止用導体膜２４上にろう付けなどにより形成され、これにより、キャビティ部２０の厚さを規定している。
【００２２】
また、セラミックパッケージ２の底面には、電極パッド２３，２３と電気的に接続し、外部プリント配線基板（図示せず）と接合するための外部端子電極２６が形成されている。この電極パッド２３，２３と外部端子電極２６とは、セラミックパッケージ２の一部を貫くビアホール導体によって接続されている。尚、電極パッド２３，２３と外部端子電極２６の形成位置とが対応しない場合には、キャビティ部２０の底面に所定形状の配線導体を形成すれば、ビアホール導体によって簡単に接続することができる。また、基板２１を例えば２層に積層して、その層間に内部配線を形成する構成としてもよく、この場合には、内部配線の一端がビアホール導体を介して電極パッド２３，２３に接続され、内部配線の他端が外部端子電極２６に接続される。
【００２３】
また、電極パッド２３，２３の表面には、キャビティ部２０の中央部寄りに帯状のバンプ５が形成されている。このバンプ５は、導電性金属ぺーストの焼き付け、導電性樹脂ぺーストの印刷、硬化により形成される。尚、ここでは、帯状のバンプ５を１つの電極パッド２３，２３の幅方向の全幅に渡って形成する例を示したが、バンプの形状は適宜変更してもよく、例えばドット状に形成してもよい。
【００２４】
電極パッド２３、封止用導体膜２４及びバンプ５は、モリブデン、タングステンなどの金属から構成される。これらの導体（電極パッド２３、導体膜２４、バンプ部材５）は、基板２１の表面に導電性樹脂ぺーストの焼き付けにより形成した後、その表面にＮｉ，Ａｕメッキ処理を施して形成される。
【００２５】
例えば、導電性金属ぺーストの焼き付けによりバンプ５を形成する場合、電極パッド２３，２３の下地導体となる導体を導電性金属ぺーストにより印刷形成し、乾燥後に、その表面に導電性金属のぺーストを用いてバンプ５の形状に応じて印刷形成し、その後、両者を焼成処理することにより形成される。
【００２６】
これらの導体（電極パッド２３、導体膜２４、バンプ５）の厚さは、約１０μｍ〜３０μｍであり、これにより、基板２１の表面からバンプ５の頂点まで高さは、２０μｍ〜４０μｍの高さとなる。
【００２７】
水晶振動子３は、例えば、図３に示すように、所定結晶方位角に従ってカット（ＡＴカット）された略矩形状の水晶基板３０の両主面に励振電極３１，３３が形成され、一方の短辺側の少なくとも下面に励振電極３１，３３と接続し、幅方向に分離した一対の引き出し電極３２，３４が形成されている。
【００２８】
この水晶振動子３の上面の励振電極３１から導出された引き出し電極３４は、図３（ｂ）に示すように、水晶基板３０の上面の励振電極３３から延出する導出路３４ａが、その引き出し電極３４の少なくとも励振電極３１側の端部から励振電極３３が形成された水晶基板３０の位置までの水晶基板３０の側面に引き出され、そこから水晶振基板３０の側面の導出路３４ｂを介して、下面の導出路３４ｃ、引き出し電極部３４ｄに導通するように形成されている。
【００２９】
また、引き出し電極３２は、図３（ｃ）に示すように、水晶基板３０の下面の励振電極３１から延出する導出路３２ａ，引き出し電極部３２ｂが下面のみに形成されている。そして、この引き出し電極３２，３４の電極３４ｄ，３２ｂの形状は、水晶振動子３が所定位置に配置された時、電極パッド２３，２３に対応する形状となっている。
【００３０】
このような励振電極３１，３３及び引き出し電極３２，３４は、水晶基板３０の上面、側面及び下面に、所定形状のマスクを配置して、蒸着やスパッタ等の手段を用いてＡｕ，Ａｇ，Ｃｒなどの蒸着などにより形成されている。
【００３１】
セラミックパッケージ２と水晶振動子３との電気的な接続及び機械的な接合は、シリコン系、エポキシ系、ポリイミド系などの樹脂にＡｇ粉末などを添加した導電性樹脂ぺーストを硬化させて接着する導電性接着部材４によって行う。
【００３２】
具体的には、基板２１表面の電極パッド２３，２３上に、導電性樹脂ペーストをディスペンサー等により供給し、電極パッド２３，２３上に半球状に盛り上がった導電性樹脂ペースト上に、水晶振動子３の一方短辺側の下面に延出された引き出し電極３２，３４が当接するように、水晶振動子３を載置し、導電性樹脂ペーストを硬化させる。これにより、水晶振動子３の一対の励振電極３１，３３は、電極パッド２３，２３を介してセラミックパッケージ２の外面の外部端子電極２６に導通することになる。
【００３３】
金属製蓋体６は、平板状の金属、例えばＦｅ−Ｎｉ合金（４２アロイ）やＦ−Ｎｉ−Ｃｏ合金（コバール）などからなる。このような金属製蓋体６は、水晶振動子３の収容するキャビティ２０を、窒素ガスや真空などで気密的に封止する。具体的には、所定雰囲気で、金属製蓋体６をセラミックパッケージ２のシールリング２５上に載置して、シールリング２５の表面の金属と金属製蓋体６の金属の一部とが溶接されるように所定電流を印加してシーム溶接を行う。尚、この溶接を確実に行うために、金属製蓋体６の接合面側に、Ａｇろう層などを予め形成しておくとよい。また、溶接によって溶融したろう材が、金属製蓋体６の表面側に回り込み、接合に寄与するろう材が減少しないように、金属製蓋体６の表面側に、Ｎｉメッキ層を形成しておいてもよい。
【００３４】
上述した圧電デバイス１は、以下に示す製造工程を経て作製される。
【００３５】
まず、略矩形状の水晶基板３０を準備する。次に、水晶基板３０の両主面に励振電極３１，３３を形成し、引き出し電極３２，３４を形成し、水晶振動子３とする。また、セラミックパッケージ２の底面となる基板２１の表面に一対の電極パッド２３，２３が形成されると共に、キャビティ２０の開口周囲の表面に封止用導体膜２４、シールリング２５が形成されたセラミックパッケージ２、及び金属製蓋体６を用意する。
【００３６】
次に、電極パッド２３，２３に導電性樹脂ペーストをディスペンサーなどで供給し塗布する。この時、供給された導電性樹脂ペーストは、略半球状に全体が盛り上がった形状となる。
【００３７】
次に、水晶振動子３を略半球状に盛り上がった形状をなす導電性樹脂ペーストに載置する。具体的には、導電性樹脂ペーストを供給した部分に、一対の引き出し電極３２，３４が当接するように水晶振動子３を載置する。
【００３８】
次に、導電性樹脂ペーストを加熱硬化させ、セラミックパッケージ２と水晶振動子３とを接合固定する。
【００３９】
次に、外部端子電極２６などを用いて水晶振動子３の発振周波数を測定し、必要に応じて、水晶振動子３の上面側励振電極３１の表面に、イオンガンなどを用いＡｒなどの不活性ガスを励振電極３１に打ち付けて、励振電極３１を削り、励振電極３１の質量を減らすことによって、周波数を調整する。
【００４０】
その後、所定雰囲気中で、水晶振動子３が接合固定されたセラミックパッケージ２のシールリング２５に金属製蓋体６を載置し、両者をシーム溶接にて封止する。これによって、圧電デバイス１が完成する。
【００４１】
尚、上記水晶振動子３は、図４に示す別の形態とすることもできる。
【００４２】
この水晶振動子３’は、上面の励振電極３１から導出された引き出し電極３４’は、図４（ｂ）に示すように、水晶基板３０の上面の励振電極３３から延出する導出路３４ａ’が、その引き出し電極３４’の少なくとも励振電極３１側の端部から励振電極３３が形成された水晶基板３０の位置までの水晶基板３０の側面に引き出され、そこから水晶基板３０の側面に長く形成された導出路３４ｂ’を介して下面の引き出し電電極部３４ｃ’に導通するように形成されている。また、引き出し電極３２’は、図４（ｃ）に示すように、水晶基板３０の下面の励振電極３１から延出する導出路３２ａ’が、その引き出し電極３２’の少なくとも励振電極３１側の端部から励振電極３３が形成された水晶基板３０の位置までの水晶基板３０の側面に引き出され、そこから水晶基板３０の側面に長く形成された導出路３２ｂ’を介して下面の引き出し電極部３２ｃ’に導通するように形成されている。そして、この引き出し電極３２’，３４’の導出路３４ｃ’，３２ｃ’の形状は、水晶振動子３’が所定位置に配置された時、電極パッド２３，２３に対応する形状となっている。
【００４３】
上述した圧電デバイス１は、図１に示すように、導電性樹脂ペーストをバンプ５にかかるように、予め、水晶振動子３（又は３’）の内側寄りに塗布し、その上部に水晶振動子３（又は３’）の下面の引き出し電極３２，３４が当接するように水晶振動子３（又は３’）を載置する。
【００４４】
この水晶振動子３（又は３’）は、上面に引き出し電極３２が形成されていないので、導電性樹脂ペーストが硬化するまでに、水晶振動子３（又は３’）上面にて導電性樹脂ペーストに含まれる低分子成分が引き出し電極３２から励振電極３１に流れ出すことを防ぐことができる。その結果、その後の周波数調整工程で、Ａｒなどの不活性ガスを打ち付けて、励振電極３１を削り、質量を減らすことにより、周波数を調整する際に、励振電極３１に導電性樹脂ペーストの低分子成分が流れ込んでいないので、励振電極３１全体が均一に削られる。
【００４５】
これにより、励振電極３１が導電性樹脂ペーストの低分子成分で固着されることに起因して周波数調整工程で発生していた水晶振動子３（又は３’）のＣＩ値などの電気特性が低下するのを防ぐことができるので、上記水晶振動子３（又は３’）を用いた圧電デバイス１を使用すればオーバートーンを用いた安定して良好な高周波発振を行うことができる。
【００４６】
尚、周波数が１０６．２５ＭＨｚ（３倍波）で、長さ３．５ｍｍ、幅２．０ｍｍである本発明による水晶振動子３（又は３’）にて、ＣＩ値などの電気特性や耐落下などの信頼性確認を行ったが、電気特性、強度面とも悪化することなく、従来と同等以上の結果が得られた。
【００４７】
また、水晶振動子３’は、その下面及び側面の両方に形成された引き出し電極３２’，３４’で導電性樹脂ペーストを介して容器体２の電極パッド２３，２３に接続されるため、水晶振動子３’を容器体２に更に強固に固定することができる。
【００４８】
以上、本発明の圧電振動子及び圧電デバイスは、上記した各実施形態の具体的構成に限定されるものではなく、必要に応じ適宜構成を変形、追加又は削除した構成としてもよいことは言うまでもない。
【００４９】
例えば、上記では、３倍波で１０６．２５ＭＨｚの水晶振動子を使用する圧電デバイスの例を用いて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、オーバートーンを用いる１００ＭＨｚ以上の高周波の圧電振動子を使用する圧電デバイスであれば、同様に本発明を適用することができる。例えば、１００ＭＨｚ以上の１０６．２５ＭＨｚ以外の周波数で、５倍波や７倍波といった高次のオーバートーンを用いる高周波の圧電振動子を使用する圧電デバイスにも本発明を適用することができる。
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、圧電基板の上側主面の励振電極から導出される主面導出路は圧電基板の一方短辺と離間して形成されており、さらに、前記側面導出路と前記主面導出路との接続部と、前記側面導出路と前記他主面導出路または前記引き出し電極との接続部とは、前記圧電基板を平面視したときに前記圧電基板の長手方向にずれた位置にあるため、圧電デバイスの容器体に圧電振動子を固定する工程において硬化前の導電性樹脂ペーストが圧電基板の上面に付着しても、その低分子成分が圧電基板の側面を流れるだけで、圧電振動子の上面の励振電極に流れ出すことがなくなる。
【００５１】
これにより、周波数調整工程において、圧電基板の上側主面の励振電極に導電性樹脂ぺーストの低分子成分で固着されることに起因して発生していた圧電振動子のＣＩ（クリスタルインピーダス）値などの電気特性が低下するのを防ぐことが可能となる。その結果、オーバートーン発振を用いた安定して良好な高周波発振を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による圧電デバイスの構成例を、蓋体を省略して表す上視図である。
【図２】  本発明による圧電デバイスの構成例を示す断面図である。
【図３】  本発明による圧電振動子の構成例を示す図であって、（ａ）は斜視図を、（ｂ）は上視図を、（ｃ）は下視図をそれぞれ表す。
【図４】  本発明による圧電振動子の他の構成例を示す図であって、（ａ）は斜視図を、（ｂ）は上視図を、（ｃ）は下視図をそれぞれ表す。
【図５】  従来の圧電デバイスの構成例を、蓋体を省略して表す上視図である。
【図６】  従来の圧電デバイスの構成例を示す断面図である。
【図７】  従来の圧電デバイスにおいて、圧電振動子の励振電極に導電性樹脂ペーストの低分子成分が付着した状態を、蓋体を省略して表す上視図である。
【図８】  従来の圧電振動子の構成例を示す図であって、（ａ）は斜視図を、（ｂ）は上視図を、（ｃ）は下視図をそれぞれ表す。
【符号の説明】
１  圧電デバイス
２  セラミックパッケージ（容器体）
３、３’  水晶振動子（圧電振動子）
４  導電性接着部材
２０  キャビティ
２３  電極パッド
３０  圧電基板
３１，３３  励振電極
３２，３２’，３４，３４’  引き出し電極
３２ａ，３２ａ’，３２ｂ’，３４ａ，３４ａ’，３４ｂ，３４ｂ’  導出路
３２ｂ，３４ｄ，３２ｃ’，３４ｃ’    引き出し電極部
３５  低分子成分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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