(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の配線レベルを備え、前記多数の配線レベルの少なくとも幾つかが、有機誘電体絶縁材料によって分離されている半導体デバイスにおいて、
剥離およびクラッキングを阻止するための強化相互接続構造を備えることを特徴とし、該強化相互接続構造は、
該半導体デバイスの最上配線レベルおよび下側の各配線レベルの、能動デバイス領域の周囲の、該能動デバイスから電気的に分離された領域に備えられ、
前記能動デバイスの周囲に延びる第１の金属線と、
前記金属線から所定の距離をおいて外側に前記第１の金属線と略平行に延びる少なくとも１つの第２の金属線と、
前記第１の金属線と前記第２の金属線との間に所定の間隔で備えられ、前記第１の金属線と前記第２の金属線とを接続して梯子形状にする、複数の金属ブリッジと、
前記第１の金属線又は前記第２の金属線と、金属ブリッジとの各接続部分に備えられる金属パッドと、
基板に最も近い第１の配線レベルを除く各配線レベルの、前記金属パッドの下側に該金属パッドに接触して配列され、その下端で下の配線レベルにおける金属パッドに接続された金属バイアと、
を備える、半導体デバイス。
【請求項２】
前記金属バイアが、前記各金属パッド毎に複数個存在する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記金属バイアが、前記各金属パッド毎に９個存在する、請求項２記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記金属パッドと金属バイアとは、銅を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記金属パッドが２．５〜４．０ミクロンの幅を有し、前記第１及び第２の金属線が夫々０．５〜２．０ミクロンの幅を有する、請求項１〜４のいずれか１項記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記強化相互接続構造が、前記能動デバイス領域の周囲の、シールドとしても作用する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記金属バイアの断面積が、該バイアが通る配線レベルが基板に近づくに従って大きい、請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多層配線構造、特に、低誘電率層間絶縁材料の剥離およびクラッキングを抑制するように働く多層半導体構造およびその形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造において、高速，高密度，デザイン複雑性の要求は、半導体デバイスの種々の電気素子を有効に相互接続するために、半導体基板の面上に多層配線構造を形成することを必要としてきた。多層配線構造においては、複数の配線レベル層は、層間絶縁膜によって分離されており、各配線レベル層の相互接続は、層間絶縁膜内のバイア内に形成された導電部材によって実現される。製造プロセスのこの配線レベル統合は、後工程（back-end-of-line：ＢＥＯＬ）として知られている。
【０００３】
典型的な半導体製造プロセスのＢＥＯＬは、配線レベル導体とバイア導体との間の層内および層間絶縁膜として、無機酸化物誘電体材料を用いている。このようなプロセスに対して製造業で用いられる典型的な誘電体材料は、二酸化シリコン，石英ガラス，フッ化石英ガラスである。これらの材料は、通常は、化学蒸着（ＣＶＤ）プロセスまたはスピンオングラス（ＳＯＧ）プロセスによって付着される。
【０００４】
高速および高密度の半導体デバイスへの要求が増大するにつれて、製造技術は、層間絶縁膜として有機誘電体材料の使用が要求されてきた。これらの有機誘電体材料は、無機誘電体材料よりも低い誘電率（ｋ）を有している。低誘電率の誘電体材料は、通常、スピンコーティング・プロセスによって設けられる。低誘電率誘電体材料の物理的特性は、無機酸化物誘電体材料により典型的に示される物理的特性とは、全く異なっている。例えば、低誘電率誘電体材料は、低いオーダの弾性率を有している。ＳｉＬＫ（登録商標）のような典型的な低誘電率材料は、２．７ＭＰａの弾性率を有し、一方、ＳｉＯ2 は７２ＭＰａの弾性率を有している。同様に、これら材料には１オーダ以上の硬度差が存在する。すなわち、ＳｉＬＫは０．２５ＧＰＡの硬度を示し、ＳｉＯ2 は８．７ＧＰＡの硬度を示す。同様に、これら材料の熱膨張係数（ＣＴＥ）には、著しい違いがある。すなわち、ＳｉＬＫは５０×１０-6／℃のＣＴＥを有し、ＳｉＯ2 は３×１０-6／℃のＣＴＥを有している。
【０００５】
これらの特性差の結果、低誘電率誘電体材料を用いるＢＥＯＬ配線レベル統合プロセスは、無機誘電体材料を典型的に用いるプロセスよりも、さらに複雑である。例えば、低誘電率誘電体材料を、化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスと共用できるようにするためには、低誘電率誘電体材料上に二酸化シリコンまたは窒化シリコンのような硬質材料よりなる薄層が、必要とされる。
【０００６】
したがって、低誘電率高分子誘電体材料の使用は、無機誘電体材料を用いる際に知られていることに対して、新たな問題を生起する。例えば、低誘電率有機材料は、多層ＢＥＯＬ配線構造に用いられる従来の酸化物誘電体材料に比べて、かなり低い接着強度を有している。この点に関し、酸化物誘電体材料は、非常に強力な界面接着を形成するので、酸化物誘電体材料をベースとした半導体チップは、製造プロセスまたは信頼性テストの際に、チップに加えられる機械的ストレスおよび熱的ストレスに対して十分に抵抗できる。
【０００７】
低誘電率誘電体材料に関連する界面での低接着強度は、ＢＥＯＬ処理，熱サイクル処理，または他のストレステスト処理の際の界面での剥離の可能性を、従来生じている以上に増大させる。この剥離は、半導体チップの配線層のクラッキングを生じさせる。例えば、ダイシング・プロセスによって生じるデバイスのエッジでのわずかな剥離は、チップの中心に向かって伝搬し、時間が経過するとデバイス障害を生じさせる。剥離の危険性は、ＢＥＯＬ配線レベルの数が増大するにつれて、増大するので、多数の配線レベルを有する進歩したデバイスは、この重大な問題に屈しやすい。
【０００８】
ハンドリングおよびダイシングのような機械的に生起されるストレスに加えて、半導体デバイスに低誘電率誘電体材料を用いるときにも、類似のストレスが生じる。これは、デバイスが温度変動にさらされるときに、弾性率およびＣＴＥの差によって生じる。この点に関し、ストレスの大きさは、ＣＴＥおよび弾性率の関数であるだけでなく、低誘電率誘電体材料，ハード・マスク材料，金属導体材料，パシベーション材料，パッケージング材料，構造内の各材料の厚さおよび体積割合の関数でもある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、改善された半導体デバイス構造を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、層の剥離を阻止する多層半導体デバイス強化構造、および強化構造を製造する方法を提供することにある。
【００１１】
本発明のさらに他の目的は、層の剥離および金属配線のクラッキングを最小にして、銅をベースとした金属よりなる層間に、低誘電率の有機誘電体材料を使用することを可能にする、改善された多層半導体デバイスの構造および製造方法を提供することにある。
【００１２】
本発明のさらに他の目的は、低誘電率誘電体材料を用いる改善された多層半導体構造であって、相互接続された導電線および導電バイアよりなるネットワークまたはメッシュが、半導体デバイスの少なくとも周囲に用いられて、全ＢＥＯＬ作製多層構造を連結して、剥離およびクラッキングを阻止する、多層半導体構造を提供することにある。
【００１３】
本発明のさらに他の目的は、能動デバイスから電気的に分離されたメッシュ状強化構造であって、低誘電率の絶縁膜よりなる層を分離する銅をベースとした金属層とバイアとを共に機械的に接続し、およびＢＥＯＬ処理と同時に形成される強化構造を有する多層半導体デバイスを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、低誘電率誘電体材料および銅をベースとした金属配線を用いる多層半導体構造の構造的完全性を改善するためのメッシュ状強化構造が提供される。メッシュ状相互接続構造は、各配線レベルにおいて導電線によって相互接続された導電パッドを備え、各導電パッドは、複数の導電バイアによって、次の配線レベルの隣接パッドに接続される。この構造は、全ＢＥＯＬ能動デバイス配線統合メタライゼーションパターンを連結する構造であり、通常のＢＥＯＬデバイス配線レベル統合プロセスの間に作製される。このメッシュ状強化構造は、チップのようなデバイスの周囲に、あるいは剥離を阻止するための連結を必要とするデバイスの空き領域内に作製することができる。
【００１５】
本発明の前記目的および他の目的、特徴、効果は、図面と共に説明される本発明の好適な実施の形態の説明から明らかになるであろう。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１の剥離およびクラッキングを示す写真のスケッチ図において、低誘電率の誘電体材料を含む絶縁材料よりなる層と、層間の銅金属配線とからなる多層配線構造を支持するシリコンのような基板１を示している。基板１は、無機絶縁材料によって覆われた能動素子を含んでいる。銅線のような金属線３，５は、ＳｉＬＫ（登録商標）のような低誘電率誘電体材料よりなる層によって分離されている。同様に、金属線５，９は、低誘電率誘電体材料よりなる層１３で分離されている。同様に、金属線９，１１は、低誘電率誘電体材料よりなる層１５によって分離されている。層１７は、パシベーション層１９で覆われた酸化物誘電体材料である。
【００１７】
図１にさらに示されるように、熱サイクルによって生じたストレスのような、種々のストレス要因のいずれかによって、一連のクラック２１，２３，２５，２７が発生している。低誘電率誘電体材料のＣＴＥは、シリコンおよびその酸化物のＣＴＥとはかなり異なるので、熱サイクルは、界面で異なる膨張速度を生じ、界面にストレスを発生させる。同様に、低誘電率誘電体材料の低弾性率，低靱性，低接着性は、問題を増大させる傾向がある。図１に示されるように、クラック２１は、低誘電率絶縁材料７内を延び、クラックの付近の材料を剥離する。絶縁材料の同様の剥離が、クラック２３，２５，２７の付近に生じている。
【００１８】
図２は、能動デバイス領域３２への、および能動デバイス領域３２からのＩ／Ｏ相互接続部の周囲にワイヤボンディングパッド３１を用いる半導体チップ２９の一部上面図を示している。パッドの外部の周辺領域３３に、本発明によるメッシュ状強化相互接続構造３５が示されている。図示のように、相互接続構造は、ブリッジされた金属線３７を備えており、この金属線は、パッド３１の外部のチップ２９の周囲に延びている。金属線３７は、金属線３８によってブリッジされている。この金属線構造は、下側レベルにおいて繰り返されており、種々のレベルは、導電バイアによって相互接続される。ここに示す図面は、スケール通りではなく、単に本発明の理解を容易にするためのものであることに留意すべきである。
【００１９】
図２に示す強化相互接続構造３５は、実際には、配線パッド３１と同じ面上にはなく、デバイスの最上配線レベルおよび下側の各配線レベルにある。寸法的には、これらレベルでの相互接続線は、０．５ミクロンと１．５ミクロンとの間とすることができる。この点に関し、第１配線レベルでの金属配線の寸法は、０．１ミクロン以下というように小さくすることができることに留意すべきである。多層構造が積層されるに従って、金属配線の寸法はやや増大し、例えば４つの金属配線レベルで、寸法は典型的に０．５〜２．０ミクロンとすることができる。本発明の強化相互接続構造は、デバイス金属配線が作製されるときに同時に作製されるので、相互接続構造は、全体的に同じ寸法を有する。
【００２０】
図３は、Ｃ−４はんだボール接続４１のようなフリップチップ接続を用いる半導体チップ３９の一部上面図を示している。強化相互接続構造３５は、図２に示す構造と同じである。本発明によれば、相互接続構造は、剥離を受けやすいチップの領域に設けることができ、このような領域は、おそらく、能動デバイス構造が少ない領域であろうことがわかる。例えば、図３に示されるように、能動デバイス領域３２内の領域４３は、下側のレベルに延びる制限された強化相互接続構造を含み、これによって、その領域における剥離を阻止することができる。
【００２１】
図４は、図２および図３の上面図にＡで示される領域の拡大上面図を示す。図示のように、強化相互接続構造は、２列の金属パッド４５を備え、これらパッドは金属線３７のセクションによってブリッジされ、隣接パッドは金属線３８でブリッジされている。９個の金属充てんバイア４７よりなるアレイが、各金属パッドの下側に、各金属パッドに接触して配列されている。各金属充てんバイア４７は、その下端で、下側の配線レベルでの同様のパッド構造に接続される。次の下側の配線レベルのパッドは、図４に示されるパッドと同じように、相互接続されている。９個の金属充てんバイア４７が示されているが、バイアおよびパッドの上部面積に応じて、金属充てんバイアの数を、容易に異ならせることができることは明らかである。同様に、金属充てんバイア４７は、上部が正方形として示されているが、他の形状とすることもできる。典型的には、このパッドレベルで示されるバイアの幅は、約０．５ミクロンであり、正方形パッド４５の幅は、約２．５〜４．０ミクロンである。金属線３７，３８の幅は、０．５〜２．０ミクロンである。
【００２２】
したがって、バイアの断面積は、パッドの面積よりもかなり小さいことがわかる。ここに“かなり”とは、例えば、１／５〜１／８小さいことを意味している。大きなパッド面積は、バイアに接続されると、縦方向強度を与え、複数の層を共に機械的に保持するように作用する。しかし、上記した寸法と寸法関係とは、それらが、必要な縦方向および横方向の機械的強度を与えて、剥離およびクラッキングを阻止するのに十分である限りは、重要ではない。
【００２３】
２列より多くのパッドを用いることができ、および種々の金属線相互接続パターンを同様に用いることができることは明らかである。例えば、２列の金属パッドを、互いに補って、対角に設けられた金属線によってブリッジできる。本発明のメッシュ状強化構造の必要とされる横方向強化を与えるためには、他の構造も可能である。
【００２４】
図５は、図４に示される構造の断面であり、図４に示すラインに沿ったものである。多層構造が、基板５１から上方に延びている。保護層５３は、基板内の能動デバイス領域を覆っており、典型的には、ホウリンケイ酸ガラス（ＢＰＳＧ）材料を含み、これら２つの層は、前処理（front end of the line：ＦＥＯＬ）での製造プロセスを含む。
【００２５】
図５に示されるように、配線レベル５５は、ＢＥＯＬ配線レベル統合製造プロセスの第１の配線レベルである。典型的には、酸化物絶縁層５７が、配線レベル５５上に付着されるが、この絶縁層は、配線レベル５５上の低誘電率誘電体絶縁層とすることもできる。その後、酸化物絶縁層上に第２の配線レベル５９が付着され、その上に低誘電率誘電体材料６１が付着される。層６３および６７は、それぞれ、第３および第４の配線レベルを有し、これらの上にはそれぞれ低誘電率誘電体層６５，６９が付着される。最後の金属層７１は、図４に示される強化相互接続構造の金属線３７，３８と金属パッド４５とを有している。層７３は、最後の二酸化シリコンまたは窒化シリコンのパシベーション層である。
【００２６】
図５に示されるように、バイア４７は、図２〜図４に示される相互接続金属線３７，３８および相互接続金属パッド４５の上部層から、一方の層を他方の層へ接続して、多数の金属配線層を、第１の金属配線層５５に相互接続する。リソグラフィのルールに一致して、金属充てんバイア４７および金属配線層は、層が積層されていくに従って、徐々に大きくなることがわかる。多層強化相互接続構造は、図２〜図５に示すように、能動デバイス金属配線から電気的に分離されることを理解すべきである。しかし、多層強化相互接続構造は、能動デバイス構造の一部としても、用いることができる。例えば、バイアのアレイによって１つのレベルから次のレベルへ相互接続された、ブリッジされたラインおよびパッドよりなる３次元メッシュ状構造を、チップ能動領域の周囲のシールド機構として、用いることができる。あるいはまた、メッシュ状構造を、グランドプレーンとして用いることができる。
【００２７】
デバイスの完全性のためには、１つの層から他の層への連結部として働く導電バイア４７は、最上の配線レベルで始まり、低誘電率有機誘電体材料よりなる介在層の界面接着力を越える界面接着力を示す絶縁材料内に形成された配線レベルで終わらなければならない。したがって、図５に示すように、バイア４７は、パッドおよび相互接続金属層７１から、ＢＳＰＧ層５３に接着される第１配線レベルの金属配線層５５へ延びる。
【００２８】
現在の半導体デバイス技術において銅配線を用いる必要性によって、低誘電率誘電体材料の使用が必要とされるので、強化相互接続構造は、同様に、銅で作製される。図４に示すように、銅線３７，３８によってブリッジされた銅パッド４５は、強化構造に横方向の機械的完全性を与える。図５に示される銅バイア４７は、パッド４５と共に、強化構造に縦方向の機械的完全性を与える。しかし、本発明によるメッシュ状強化構造によって与えられる機械的完全性は、異なる種類の金属および異なる種類の絶縁材料を用いることができることを理解すべきである。
【００２９】
図６〜図１３は、低誘電率誘電体材料を用いて、銅をベースとした半導体デバイスを作製するために用いることのできる１つのプロセスを示す。図６は、下側半導体基板（図示せず）内のデバイス領域を覆う酸化物層４８を示す。典型的にタングステンである金属層５２は、トランジスタのような下側デバイスに接触する。銅線７５を形成する第１のレベルの銅メタライゼーションは、銅充てんバイア７７を経て、デバイスのタングステン・コンタクト５２に達する。ハードキャップ７８上に付着された低誘電率誘電体材料層７９は、この銅充てんバイアを取り囲んでいる。この誘電体材料、例えばＳｉＬＫ（登録商標）は、スピンコートによって設けることができる。ハードキャップ層５０が、銅線７５および低誘電率誘電体層７９上に、下側ハードマスク５４を銅線７５に対して開口にして、付着される。低誘電率誘電体層８１が、ハードキャップ５０上にスピンコートされ、ハードマスク層８３，８５によって順に覆われる。反射防止膜８７が、ハードマスク８５上に設けられ、フォトレジスト層８９によって覆われる。
【００３０】
次に、図６の構造は、露光および現像されて、エッチパターンが形成される。その後、エッチパターンをハードマスク８５にエッチングして、図７に示すように、開口９１を形成する。次に、図８に示すように、他の反射防止膜９３が、レジスト層９５と共に設けられ、レジスト層９５は、露光され現像されて、開口９７を形成する。次に、図９に示すように、反射防止層９３およびハードマスク８３に、開口がエッチングされ、バイアイメージ開口９９を形成する。
【００３１】
バイアイメージ開口９９を形成した後に、図１０に示すように、バイア１０１を低誘電率誘電体層８１に部分的にエッチングする。次に、図１１に示すように、ハードマスク８３をエッチバックして、開口内でハードマスク８５と同じ広がりを有するようにする。次に、図１２に示すように、低誘電率誘電体層８１のエッチングを行う。次に、層８１内の開口を洗浄し、銅を充てんして、銅線７５および銅充てんバイア７７に接続された、銅充てんバイアおよびライン１０２を形成する。
【００３２】
層８１内の開口またはトレンチを銅で充てんする前に、金属よりなるライナ（裏打ち）材料を用いることができる。トレンチを銅で充てんすることは、最初にトレンチ・ライナの上部に銅のシード層を設けることにより実現することができる。シード層は、ＣＶＤまたはＰＶＤによって付着することができる。次に、トレンチを充てんするためのバルク銅を、シード層上に電気めっきする。次に、オーバめっきされた銅材料を、化学機械研磨（ＣＭＰ）で除去する。最後に、窒化シリコンのようなキャップ材料１０３を、銅充てんバイア１０２およびハードマスク８７上に付着する。
【００３３】
銅多層強化相互接続構造を形成するプロセスを、ＢＥＯＬ配線レベル統合プロセスと同時に説明した。上述したプロセスは、第２の配線レベルを形成して、第１の配線レベルと統合する方法を示す。同じプロセスを繰り返し用いて、追加の配線レベルを形成し統合する、例えば１〜４、またはそれ以上の配線レベルを形成し統合することができることは明らかである。したがって、各配線レベルでは、銅線によって互いにブリッジされた銅パッドの列であって、隣接列の隣接パッドにブリッジされた銅パッド列を、容易に形成することができる。同様に、各配線レベルにおいて、銅充てんバイアが、下側の銅パッドまで形成される。したがって、このような例では、強化構造の銅充てんバイアは、最上の配線レベルでの強化構造の相互接続ラインおよびパッドから、層を通り抜けて、層をタングステン・コンタクト５２に連結することになる。
【００３４】
３次元ネットワーク強化構造は、種々の形態をとることができるが、このような形態は、前述したマトリックス構造にリンクして、物理的完全性を与えて、剥離およびクラッキングを機械的に阻止することは明らかである。
【００３５】
前述したことから、本発明の好適な実施形態において、種々の変形，変更を、本発明の趣旨から逸脱することなく、行うことができることがわかるであろう。上述した内容は単なる説明のためであり、限定する意味に解釈してはならない。
【００３６】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
（１）半導体デバイスであって、
能動デバイス領域と受動領域とを有し、前記半導体デバイスの最上の配線レベルへ延びる絶縁材料の層によって、多数の配線レベルが分離され、前記多数の配線レベルの少なくとも幾つかが、低誘電率誘電体絶縁材料によって分離されている半導体基板と、
前記受動領域内の前記最上の配線レベルと、低誘電率絶縁材料の層以外の層に付着された前記配線レベルのうちの少なくとも最下の配線レベルに下方に連続する各配線レベルとに形成された導電パッドと、
前記最上の配線レベルの前記導電パッドと、次に下側の配線レベルの前記導電パッドとの間に、および前記配線レベルのうちの前記少なくとも最下の配線レベルに下方に連続する前記各配線レベルの各導電パッド間に、接触しおよび配置された前記導電パッドの面積よりもかなり小さい断面積を有する少なくとも１個の導電バイアと、
を備える半導体デバイス。
（２）前記少なくとも１個の導電バイアは、前記各連続する配線レベル上の前記各パッド間に複数のバイアよりなる、上記（１）に記載の半導体デバイス。
（３）前記導電パッドと導電バイアとは、銅を含む、上記（２）に記載の半導体デバイス。
（４）前記少なくとも最下の配線レベルに連続する各配線レベルに、導電線によって相互接続された複数の導電パッドがあり、前記複数の導電パッドの各々は、前記複数の導電バイアによって、連続する層において相互接続されて、メッシュ状構造を形成する、上記（３）に記載の半導体デバイス。
（５）前記メッシュ状構造は、前記能動デバイス領域の周囲に延びる前記受動領域に設けられている、上記（４）に記載の半導体デバイス。
（６）前記メッシュ状構造は、前記周囲に少なくとも２列の導電パッドを有し、各列の連続する各パッドは、前記列の次の導電パッドに接続され、各列の前記各パッドは、隣接列の最近接パッドに接続されている、上記（５）に記載の半導体デバイス。
（７）前記メッシュ状構造は、前記能動デバイス領域の周囲に、シールド構造を形成する、上記（６）に記載の半導体デバイス。
（８）半導体デバイスであって、
能動デバイス領域と受動領域とを有し、多数の配線レベルが前記半導体デバイスの最上の配線レベルへ延び、前記多数の配線レベルの少なくとも幾つかが、低誘電率誘電体絶縁材料によって分離されている半導体基板と、
前記最上の配線レベルと、低誘電率絶縁材料の層以外の層に付着された前記配線レベルのうちの少なくとも最下の配線レベルに下方に連続する各配線レベルとに形成された複数の導電パッドとを備え、前記複数の導電パッドは、各配線レベルにおいて、導電線によって互いに相互接続されており、
前記最上の配線レベルの前記複数の導電パッドの各々と、次に下側の配線レベルの前記複数の導電パッドの各々との間に、および前記配線レベルのうちの前記少なくとも最下の配線レベルに下方に連続する前記各配線レベルの前記複数の導電パッドの各々の間に、接触しおよび配置された複数の導電バイアを備える半導体デバイス。
（９）各導電パッドと接触する前記複数のバイアの断面積の総和は、前記導電パッドの断面積よりもかなり小さい、上記（８）に記載の半導体デバイス。
（１０）前記導電パッドと導電バイアとは、銅を含む、上記（９）に記載の半導体デバイス。
（１１）前記最上の配線レベルと、前記少なくとも最下の配線レベルに下方に連続する前記各配線レベルとの前記複数の導電パッドの各々は、各配線レベルにおいて互いに相互接続されて、メッシュ状構造を形成する、上記（１０）に記載の半導体デバイス。
（１２）前記メッシュ状構造は、前記能動デバイス領域の周囲に延びる前記受動領域に形成されている、上記（１１）に記載の半導体デバイス。
（１３）前記メッシュ状構造は、前記周囲に延びる少なくとも２列の導電パッドを有し、各列の連続する各パッドは、前記列の次の導電パッドに接続され、各列の前記各パッドは、隣接列の最近接パッドに接続されている、上記（１２）に記載の半導体デバイス。
（１４）多層配線レベルを有し、前記配線レベルの少なくとも幾つかは、その間に低誘電率誘電体絶縁材料を用いる半導体デバイスの強化構造を作製する方法であって、
半導体基板上に絶縁材料の層を付着する工程と、
第１の配線レベルにおいて、前記絶縁材料の層に、導電線によって相互接続された第１の複数の導電パッドを形成し、同時に第１のレベルの能動デバイス金属配線を形成する工程と、
前記第１の配線レベル上に、低誘電率誘電体絶縁材料の層を形成する工程と、
前記低誘電率誘電体絶縁材料に、複数のグループの導電バイアを形成し、前記複数のグループの各々は、１つのグループの導電バイアが１つの導電パッドに接触するように、前記複数の導電パッドの各々と接触し、同時に能動デバイス導電バイアを形成する工程と、
第２の配線レベルにおいて、導電線によって相互接続された第２の複数の導電パッドを形成し、同時に第２のレベルの能動デバイス金属配線を形成する工程と、
前記工程を繰り返して、低誘電率誘電体材料の連続層に、連続する複数のグループの導電バイアを、最上の配線レベルに連続する配線レベルにおける前記低誘電率誘電体絶縁材料の連続層の連続する複数の導電パッドの各々に接触するように形成し、能動デバイス金属配線の形成の際に、縦方向および横方向の強度を与えるメッシュ状構造を形成する工程と、
を含む方法。
（１５）前記導電パッドと導電線と導電バイアとは、銅を含む、上記（１４）に記載の方法。
（１６）前記メッシュ状構造を、前記半導体デバイスの前記能動デバイス領域の周囲に延びる前記受動領域に形成する、上記（１５）に記載の方法。
（１７）前記メッシュ状構造は、前記周囲に少なくとも２列の導電パッドを有し、各列の連続する各導電パッドを、前記列の次の導電パッドに接続し、各列の前記各導電パッドを、隣接列の隣接パッドに接続する、上記（１６）に記載の方法。
（１８）各配線レベルにおいて導電線によって相互接続された複数の導電パッドを形成する前記工程と、複数のグループの導電バイアを、各導電パッドに接触するように形成する前記工程とは、
前記絶縁材料の層に、トレンチおよびバイアを形成する工程と、
前記トレンチおよびバイアを、金属の層で裏打ちする工程と、
前記トレンチおよびバイア内に銅シード材料を付着する工程と、
前記トレンチおよびバイア内に銅を電気めっきする工程と、
前記絶縁材料に対して過剰な銅を化学的／機械的に除去する工程とを含む、上記（１７）に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図１】剥離およびクラッキングを示す写真のスケッチ図である。
【図２】能動デバイス領域へ／からのＩ／Ｏ相互接続部の周囲にワイヤボンディングパッドを用いる半導体チップの一部上面図である。
【図３】フリップチップ接続を用いる半導体チップの一部上面図である。
【図４】図２および図３の上面図にＡで示される領域の拡大上面図である。
【図５】図４に示すラインに沿った構造の断面である。
【図６】低誘電率誘電体材料を用いて半導体デバイスを作製するプロセスを示す図である。
【図７】低誘電率誘電体材料を用いて半導体デバイスを作製するプロセスを示す図である。
【図８】低誘電率誘電体材料を用いて半導体デバイスを作製するプロセスを示す図である。
【図９】低誘電率誘電体材料を用いて半導体デバイスを作製するプロセスを示す図である。
【図１０】低誘電率誘電体材料を用いて半導体デバイスを作製するプロセスを示す図である。
【図１１】低誘電率誘電体材料を用いて半導体デバイスを作製するプロセスを示す図である。
【図１２】低誘電率誘電体材料を用いて半導体デバイスを作製するプロセスを示す図である。
【図１３】低誘電率誘電体材料を用いて半導体デバイスを作製するプロセスを示す図である。
【符号の説明】
１  基板
３，５，９，１１，３７，３８  金属線
１３，１５，７９，８１  低誘電率誘電体材料層
１９  パシベーション層
２１，２３，２５，２７  クラック
２９  チップ
３１  パッド
３２  能動デバイス領域
３３  周辺領域
３５  メッシュ状強化相互接続構造
４５  金属パッド
４７  金属充てんバイア
４８  酸化物層
５０  ハードキャップ層
５２  タングステン・コンタクト
５４  下側ハードマスク
７５  銅線
７７  銅充てんバイア
７８  ハードキャップ
８３，８５  ハードマスク
８７，９３  反射防止膜
８９  フォトレジスト
９１  開口
９９  バイアイメージ開口
１０１  バイア
１０２  銅充てんバイアおよびライン
１０３  キャップ材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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