(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された透光性を有する複数の陽極と、
これら複数の陽極に導通接触している金属製の複数の補助電極と、
上記複数の陽極上に形成された複数ずつの有機ＥＬ層および陰極と、
上記複数の陰極どうしの間に上記補助電極よりも上層位置において上記補助電極と交差する方向に延びるように形成された陰極セパレータと、を有する、有機ＥＬ表示パネルであって、
上記陰極セパレータは、ネガ形レジストから形成されることにより、上部よりも下部の方が幅狭となる断面形状とされているとともに、
上記各補助電極は、上記陰極セパレータの縁部の直下を避けるように複数に分断されていることを特徴とする、有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
基板上に金属製の補助電極を形成する工程と、
上記補助電極よりも上層位置に上記補助電極と交差する方向に延びる陰極セパレータを、ネガ形レジストの露光・現像処理により、上部よりも下部のほうが幅狭となる断面形状に形成する工程と、
を有する、有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
上記補助電極を形成するときには、上記陰極セパレータの縁部が形成される箇所の直下を避けるように、上記補助電極を複数に分断した形状とすることを特徴とする、有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項３】
基板上に形成され、かつ一定方向に延びる複数の陽極と、
これら複数の陽極に導通接触する金属製の複数の補助電極と、
上記各補助電極および上記陽極の一部を覆い、かつ上記各陽極上において開口部を形成している絶縁層と、
上記絶縁層上に形成され、かつ上記複数の陽極に接触するように上記開口部内に一部が進入している複数の有機ＥＬ層と、
これら複数の有機ＥＬ層上に積層された複数の陰極どうしの間を仕切るように設けられ、かつ上記各陽極とは交差する方向に延びている複数の陰極セパレータと、
を有する、有機ＥＬ表示パネルであって、
上記陰極セパレータは、ネガ形レジストから形成されることにより、上部よりも下部の方が幅狭となる断面形状とされているとともに
上記各補助電極は、上記各陰極セパレータの直下および上記開口部の縁部の直下を避けて形成されていることを特徴とする、有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
上記各補助電極は、上記各陽極の幅方向一側縁または両側縁のそれぞれに重なって上記各陽極と同方向に延びる帯状である、請求項１または３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
上記各補助電極は、上記各陽極の幅方向両側縁のそれぞれに重なって上記各陽極と同方向に延びる一対の第１の帯状部と、これらの長手方向両端どうしを繋ぐ一対の第２の帯状部とを有する中空形状とされている、請求項１または３に記載の有機ＥＬ表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、画像表示用のディスプレイとして利用される有機ＥＬ表示パネル、およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ表示パネルの陽極は、たとえばＩＴＯ膜からなる透明電極とされているのが通例であるが、ＩＴＯ膜は、電極に用いられる一般の金属と比較すると、その電気抵抗は大きい。一方、有機ＥＬ表示パネルは、電圧駆動の液晶表示パネルとは異なり、電流駆動であるため、配線抵抗が大きいと、信号電圧低下や、信号波形の鈍りを生じ易い。これら信号電圧低下や信号波形の鈍りは、表示画面における輝度むらやフルカラーでのカラーバランスのばらつきの原因となるため、防止する必要がある。とくに、上記した現象は、瞬間的に大きな電流を流す単純マトリクス方式のものにおいて生じ易く、またパネルが大型化するほど生じ易い。そこで、従来においては、図１２に示すように、ＩＴＯ膜からなる陽極９１上に、クロムなどの金属製の補助電極９２を積層して形成する場合があった。
【０００３】
図１２に示す構造をより詳細に説明すると、図示された有機ＥＬ表示パネルは、単純マトリクス方式のものであり、透明な基板９０上には、図面の左右方向に延び、かつ紙面と直交する方向に並ぶ複数ずつの陽極９１および補助電極９２が形成されている。また、それらの上には、紙面と直交する方向に延び、かつ図面の左右方向に並ぶ複数ずつの有機ＥＬ層９３、陰極９４、および陰極セパレータ９５が積層して形成されている。陰極セパレータ９５は、互いに隣り合う陰極９４どうしの電気的な絶縁を図るためのものである。有機ＥＬ層９３から発せられた光は、陽極９１および基板９０を透過して下向きに進行するようになっている。このため、補助電極９２は、陽極９１の全体を覆わないように、たとえば陽極９１の幅方向一側縁寄りに偏るようにして陽極９１上に形成されている。
【０００４】
このような構成によれば、陽極９１に補助電極９２が組み合わされていることにより、それら全体の電気抵抗を下げることができるために、上記した不具合の解消または抑制が図られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の構造においては、補助電極９２が陽極９１の長手方向の略全長域にわたって一連に延びた形状とされており、このことによって次のような不具合を生じていた。
【０００６】
すなわち、陰極セパレータ９５は、図１３（ａ）に示すように、陽極９１および補助電極９２上にレジスト膜９５Ａを形成した後に、フォトリソグラフィの手法を用いて、このレジスト膜９５Ａに露光・現像処理を施すことにより形成される。レジスト膜９５Ａはネガ形である。従来において、マスク９９を利用し、レジスト膜９５Ａの陰極セパレータ９５に対応する部分９５’に露光を行なうと、この部分９５’を透過した光は、補助電極９２によって上方に向けて散乱反射されていた。補助電極９２は、たとえばクロムであるため、その表面の光反射率は高い。このため、レジスト膜９５Ａの下面近傍部分が上記反射光によっても感光する現象を生じていた。このため、その後現像処理を行なったときには、同図（ｂ）に示すように、陰極セパレータ９５が、下広がりの断面形状となる場合があった。
【０００７】
ところが、陰極セパレータ９５が上記形状であると、図１４に示すように、その後有機ＥＬ層９３や陰極９４をたとえば蒸着により形成する場合に、陰極セパレータ９５の上面９５ａのみならず、その両側面９５ｂ，９５ｃにも成膜がなされてしまう。これでは、陰極セパレータ９５を挟んで隣り合う陰極９４どうしが電気的に導通した状態となり、適切でない。従来においては、陰極セパレータ９５の上部の一部をその後エッチング処理によって除去すれば、互いに隣り合う陰極９４どうしを電気的に絶縁することは可能であるものの、このような処理を施しても、陰極セパレータ９５の両側面９５ｂ，９５ｃには、有機ＥＬ層９３や陰極９４が成膜されているために、陰極セパレータ９５を挟んで隣り合う陰極９４どうしの電気的な絶縁を確実に図る観点からすれば、好ましいものではなかった。
【０００８】
本願発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、金属製の補助電極の存在に起因して有機ＥＬ表示パネルの他の部分の形成に支障を生じないようにすることをその課題としている。
【０００９】
【発明の開示】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【００１０】
本願発明の第１の側面によって提供される有機ＥＬ表示パネルは、基板上に形成された透光性を有する複数の陽極と、これら複数の陽極に導通接触している金属製の複数の補助電極と、上記複数の陽極上に形成された複数ずつの有機ＥＬ層および陰極と、上記複数の陰極どうしの間に上記補助電極よりも上層位置において上記補助電極と交差する方向に延びるように形成された陰極セパレータと、を有する、有機ＥＬ表示パネルであって、上記陰極セパレータは、ネガ形レジストから形成されることにより、上部よりも下部の方が幅狭となる断面形状とされているとともに、上記各補助電極は、上記陰極セパレータの縁部の直下を避けるように複数に分断されていることを特徴としている。
【００１１】
本願発明の第２の側面によって提供される有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、基板上に金属製の補助電極を形成する工程と、上記補助電極よりも上層位置に上記補助電極と交差する方向に延びる陰極セパレータを、ネガ形レジストの露光・現像処理により、上部よりも下部のほうが幅狭となる断面形状に形成する工程と、を有する、有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、上記補助電極を形成するときには、上記陰極セパレータの縁部が形成される箇所の直下を避けるように、上記補助電極を複数に分断した形状とすることを特徴としている。
【００１２】
このような構成によれば、フォトリソグラフィの手法を用いて上記絶縁層を形成するときに、露光に用いられた光が上記絶縁層の縁部となる部分の直下に進行しても、この光が上記補助電極によって散乱反射されないようにすることができる。したがって、上記絶縁層の縁部を所望の適正な形状に仕上げることが可能となる。
【００１６】
このような構成によれば、上記陰極セパレータをフォトリソグラフィの手法で作製する場合に、上記従来技術とは反対に、上記陰極セパレータを上広がりの断面形状に形成することが可能となる。このため、たとえばこの陰極セパレータを介して互いに隣り合う陰極どうしが電気的に短絡しないようにするのに好適となる。
【００２０】
本願発明の第３の側面によって提供される有機ＥＬ表示パネルは、基板上に形成され、かつ一定方向に延びる複数の陽極と、これら複数の陽極に導通接触する金属製の複数の補助電極と、上記各補助電極および上記陽極の一部を覆い、かつ上記各陽極上において開口部を形成している絶縁層と、上記絶縁層上に形成され、かつ上記複数の陽極に接触するように上記開口部内に一部が進入している複数の有機ＥＬ層と、これら複数の有機ＥＬ層上に積層された複数の陰極どうしの間を仕切るように設けられ、かつ上記各陽極とは交差する方向に延びている複数の陰極セパレータと、を有する、有機ＥＬ表示パネルであって、上記陰極セパレータは、ネガ形レジストから形成されることにより、上部よりも下部の方が幅狭となる断面形状とされているとともに、上記各補助電極は、上記各陰極セパレータの直下および上記開口部の縁部の直下を避けて形成されていることを特徴としている。
【００２１】
このような構成によれば、本願発明の第１の側面によって得られるのと同様な効果が得られるほか、フォトリソグラフィの手法を用いて上記絶縁層を形成するときに、露光に用いられた光が上記絶縁層の開口部の縁部となる箇所の直下に進行しても、この光が上記補助電極によって上方に向けて散乱反射されないようにすることができる。したがって、上記絶縁層の開口部の縁部を所望の適正な形状に仕上げることが可能となる。上記開口部の縁部が、たとえば上記各陽極の表面に対して略垂直に起立していたのでは、上記各陽極上の上記縁部の近傍に、有機ＥＬ層を適切に形成することが困難となるが、上記構成によれば、そのような虞れを無くすことが可能となる。このようなことから、上記各陰極セパレータおよび上記絶縁層の開口部の縁部を適切な形状にすることができる。
【００２２】
本願発明の好ましい実施の形態においては、上記各補助電極は、上記各陽極の幅方向一側縁または両側縁のそれぞれに重なって上記各陽極と同方向に延びる帯状である。また、本願発明においては、そのような構成に代えて、上記各補助電極は、上記各陽極の幅方向両側縁のそれぞれに重なって上記各陽極と同方向に延びる一対の第１の帯状部と、これらの長手方向両端どうしを繋ぐ一対の第２の帯状部とを有する中空形状とされている構成とすることもできる。
【００２３】
本願発明のその他の特徴および利点については、以下に行う発明の実施の形態の説明から、より明らかになるであろう。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照しつつ具体的に説明する。
【００２５】
図１〜図４は、本願発明の一実施形態を示している。図１によく表われているように、本実施形態の有機ＥＬ表示パネルＡは、単純マトリクス方式であり、透明ガラスからなる基板１の上面上に、複数の陽極２、複数の補助電極３、絶縁層４、複数の有機ＥＬ層５、複数の陰極６、および複数の陰極セパレータ７が形成された構成を有している。絶縁層４および陰極セパレータ７は、いずれも本願発明でいう絶縁層の具体例に相当する。
【００２６】
複数の陽極２は、ＩＴＯ膜からなる透明電極であり、一定方向に延びる帯状を有し、かつそれらの幅方向に一定間隔で並んでいる。各補助電極３は、配線抵抗を下げるために設けられたものであり、陽極２の全体を覆ってしまわないように各陽極２の幅方向一側縁部上に積層されている。各補助電極３は、基本的には、各陽極２の長手方向に延びた形状を有しているが、図３に示すように、各陰極セパレータ７の直下においては分断部３９が形成され、各陰極セパレータ７の直下には各補助電極３が存在しない構造となっている。各補助電極３の材質は、たとえばクロムである。クロムは、ＩＴＯ膜に対する密着性がよく、また耐食性にも優れる。ただし、これに代えて、アルミニウムなどの他の金属製としてもかまわない。
【００２７】
絶縁層４は、図２によく表われているように、互いに隣り合う陽極２どうしの間を仕切るとともに、各補助電極３の全体と各陽極２の一部分とを覆っている。この絶縁層４は、後述するように、ポジ形のレジストにより形成されており、各陽極２上に複数の開口部４０を形成している。各開口部４０は、図４によく表われているように、たとえば平面視矩形状である（同図においては、有機ＥＬ層５および陰極６を省略しており、網点模様が付された部分が絶縁層４である）。各補助電極３は、各開口部４０の直下および各開口部４０の縁部４０ａの直下を避けるように形成されている。より具体的には、各補助電極３は、その上方近傍に位置する開口部４０の縁部４０ａに対しては、各補助電極３の一側縁が適当な寸法ｓ１だけ開口部４０とは反対寄りに位置するように設けられている。
【００２８】
各有機ＥＬ層５は、陽極２および陰極６を利用した通電がなされることにより発光を行なう発光層（図示略）を備えたものであり、絶縁層４上に積層され、かつ陽極２と直交する方向に延びている。各有機ＥＬ層５の一部は、絶縁層４の開口部４０に進入していることにより、陽極２と陰極６とによって直接挟まれた構造となっており、この領域が発光領域となる。この領域から発せられた光は、陽極２および基板１を透過して下向きに進行することとなる。各陰極６は、たとえばアルミニウムからなり、各有機ＥＬ層５上に積層されて各有機ＥＬ層５と同方向に延びている。
【００２９】
各陰極セパレータ７は、互いに隣り合う陰極６どうしの間を仕切り、それらの電気的な絶縁を図るためのものである。図１および図３によく表われているように、各陰極セパレータ７は、絶縁層４上に形成され、かつ陰極６および有機ＥＬ層５と同方向に延びている。後述するように、この陰極セパレータ７は、ネガ形のフォトレジストにより形成されたものである。
【００３０】
次に、上記した構成の有機ＥＬ表示パネルＡの製造方法の一例およびその作用について説明する。
【００３１】
有機ＥＬ表示パネルＡを製造するには、基板１上に複数の陽極２および複数の補助電極３を形成した後に、絶縁層４を形成する。この絶縁層４の形成は、ポジ形のフォトレジストを用いて、フォトリソグラフィの手法により行なう。より具体的には、図５（ａ）に示すように、まず基板１上に複数の陽極２および複数の補助電極３を覆うレジスト膜４Ａを形成してから、露光処理を行なう。露光用のマスク８１は、絶縁層４として形成すべき部分４’には光を照射させず、それ以外の部分４９（網点模様を付した部分）に光を照射可能とするものである。
【００３２】
上記の部分４’，４９どうしの境界部分は、絶縁層４の開口部４０の縁部４０ａに相当する部分であり、補助電極３はその部分の直下を避けるように設けられているために、補助電極３が上記境界部分に向けて多くの光を反射しないようにすることができる。その一方、レジスト膜４Ａ内を光が進行するときにはその進行に伴ってその光の強度は弱まる。このため、露光対象となる部分４９の露光量は、レジスト膜４Ａの上面部分が最大となって、下面に近づくほど少なくなり、レジスト膜４Ａのうちの非露光部分は、レジスト４Ａの裏面になるほど幅広となる。したがって、その後現像処理を行ない、非露光部分を残存させることによってこの部分を絶縁層４とすると、同図（ｂ）に示すように、開口部４０の縁部４０ａは、開口部４０の開口幅が上側になるほど大きくするようになだらかに傾斜した形状となる。
【００３３】
絶縁層４が上記のように形成されると、次に述べるように、この絶縁層４上に有機ＥＬ層５や陰極６を形成するのに具合が良い。図７は、本願発明との対比例を示している。同図において、本実施形態の要素に対応する要素には、本実施形態と同一符号を付している。この対比例においては、絶縁層４の縁部４０ａが、陽極２の表面から垂直に近い角度で立ち上がっている。このような構成においては、その後陽極２および絶縁層４上に有機ＥＬ層５を形成する場合、陽極２の表面上の縁部４０ａ付近の隅部ｎ１に有機ＥＬ層５を適切に形成することが困難となり、その隅部ｎ１において、有機ＥＬ層５の厚みが極端に薄くなるといった現象を生じ易い。この有機ＥＬ層５上に陰極６を形成する場合についても同様である。これでは、これら有機ＥＬ層５や陰極６の耐圧性が劣ったものとなる。これに対し、本実施形態においては、図６に示すように、絶縁層４の縁部４０ａの傾斜がなだらかであるために、隅部ｎ１が広く開口した形状となり、この部分にも有機ＥＬ層５や陰極６を適切に形成することが可能である。
【００３４】
絶縁層４の形成後には、陰極セパレータ７を形成する。この陰極セパレータ７の形成は、既述した従来技術と同様に、ネガ形のフォトレジストを用いてフォトリソグラフィの手法により行なう。具体的には、図８に示すように、絶縁層４上にレジスト膜７Ａを形成した後に露光を行なう。露光用マスク８２は、陰極セパレータ７として形成する部分７’（同図の網点模様を付した部分）のみへの露光を可能とするものである。この露光処理時には、上記の部分７’の下方まで光が進行する虞れがあるものの、上記の部分７’の直下は補助電極３の分断部３９である。このため、上記光が補助電極３によって強く上方に向けて散乱反射されることはない。したがって、レジスト膜７Ａの露光対象部分の露光量は、レジスト膜７Ａの上面部が最大となって、下面に近づくほど少なくなる。したがって、その後現像処理を行なうと、陰極セパレータ７は、既述した従来技術の場合とは反対に、上部よりも下部の方が幅狭となる断面形状に形成されることとなる。
【００３５】
陰極セパレータ７が上記断面形状に形成されると、図９に示すように、その後有機ＥＬ層５や陰極６をたとえば蒸着により形成するときには、陰極セパレータ７の両側面７０ｂ，７０ｃにそれらの成膜がなされないこととなる。したがって、陰極セパレータ７を挟んで隣り合う陰極６間に電気的な短絡を生じ難くすることが可能となる。
【００３６】
図１０および図１１は、本願発明の他の実施形態を示している。これらの図においては、上述の実施形態と同一または類似の要素には、上述の実施形態と同一の符号を付している。
【００３７】
図１０に示す構成においては、複数の補助電極３（同図（ｂ）のクロスハッチングが入れられた部分であり、この点は図１１についても同様である）が、各陽極２の幅方向両側縁部のそれぞれの上に積層して設けられている。むろん、各補助電極３は、陰極セパレータ７の直下や絶縁層の開口部４０の縁部４０ａの直下を避けるように設けられている。このような構成によれば、各陽極２の幅方向の一側縁部上のみに補助電極を設ける場合と比較すると、複数の補助電極３全体のボリュームを大きくし、配線抵抗を小さくするのに好ましい。
【００３８】
図１１に示す構成においては、各補助電極３は略中空矩形状とされており、各陽極２の長手方向に延びる一対の帯状部３０ａと、これら一対の帯状部３０ａの長手方向両端どうしを繋ぐようにして各陽極２の幅方向に延びる一対の帯状部３０ｂとを有している。このような構成によれば、補助電極３のボリュームを一層大きくすることができるために、配線抵抗を図１０に示した構成よりもさらに小さくすることが可能となる。
【００３９】
本願発明は、上述した実施形態の内容に限定されない。本願発明に係る有機ＥＬ表示パネルの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。同様に、本願発明に係る有機ＥＬ表示パネルの製造方法の各工程の具体的な構成も変更自在である。
【００４０】
本願発明においては、単純マトリクス方式のものに限定されず、アクティブ・マトリクス方式のものにも適用することが可能である。アクティブ・マトリクス方式のものでは、マトリクス状に配列された複数の電極が形成された基板上に複数本の信号線が形成されるが、この信号線は細幅であることにより、その電気抵抗が比較的大きい。このため、金属製の補助電極を上記信号線に導通接触させて設けることにより、それらをトータルした部分の電気抵抗を小さくすることが可能であり、このような構造を採用した有機ＥＬ表示パネルにおいても、本願発明を適用することが可能である。
【００４１】
本願発明でいう絶縁層は、上述した実施形態の陰極セパレータ７や絶縁層４に相当する部分に限定されない。上述の陰極セパレータ７は細幅であるため、陰極セパレータ７の直下の全領域を避けるように補助電極３を分断させているが、これとは異なり、たとえば絶縁層が幅広状の場合には、この絶縁層の縁部の下方のみを避けるように補助電極を複数に分断させた構成としてもかまわない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る有機ＥＬ表示パネルの一実施形態を示す要部断面斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図３】図１のIII −III 断面図である。
【図４】図１の要部透視平面図である。
【図５】（ａ），（ｂ）は、図１に示す有機ＥＬ表示パネルの絶縁層の形成工程の一例を示す要部断面図である。
【図６】図１に示す有機ＥＬ表示パネルの要部拡大断面図である。
【図７】本願発明との対比例を示す要部拡大断面図である。
【図８】図１に示す有機ＥＬ表示パネルの陰極セパレータの形成工程の一例を示す要部断面図である。
【図９】本願発明における成膜工程例を示す要部拡大断面図である。
【図１０】（ａ）は、本願発明の他の実施形態を示す要部断面図であり、（ｂ）は、その透視平面図である。
【図１１】本願発明の他の実施形態を示す要部透視平面図である。
【図１２】従来技術を示す要部断面図である。
【図１３】（ａ），（ｂ）は、従来技術における陰極セパレータの形成工程を示す断面図である。
【図１４】従来技術における成膜工程例を示す要部拡大断面図である。
【符号の説明】
Ａ  有機ＥＬ表示パネル
１  基板
２  陽極
３  補助電極
４  絶縁層
５  有機ＥＬ層
６  陰極
７  陰極セパレータ（絶縁層）
４０  開口部
４０ａ  縁部（開口部の）
【図１】
0003910864.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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