(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に設けられた処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬して処理した後に引上げ手段により前記処理槽に貯留された処理液に対して基板を相対的に引き上げる相対引上げを行って乾燥する基板乾燥装置であって、
前記処理室内の減圧を行う減圧手段と、
前記減圧手段による前記処理室内の減圧の開始と同時または開始後に、前記引上げ手段により基板の前記相対引上げを行わせる制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記引き上げ手段による基板の前記相対引上げ時の前記処理室内の気圧が前記処理液の温度での飽和蒸気圧以上となるように、前記減圧手段の減圧速度と前記引き上げ手段の引き上げのタイミングとを制御することを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板乾燥装置であって、さらに、
前記処理槽内に供給する処理液の温度を計測する温度センサを備えることを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板乾燥装置であって、さらに、
前記処理槽内に供給する処理液を加熱する処理液加熱手段を備えることを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板乾燥装置であって、さらに、
前記処理室内に溶剤蒸気を供給する溶剤供給手段を備えることを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板乾燥装置であって、さらに、
前記処理室内に不活性ガスを供給するガス供給手段を備えることを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項６】
基板に対して処理液による処理を施す基板処理部と、
請求項１ないし請求項５のいずれかの基板乾燥装置を用いて構成された基板乾燥部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
処理室内に設けられた処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬して処理した後に前記処理槽に貯留された処理液に対して基板を相対的に引き上げる相対引上げを行って乾燥する基板乾燥方法であって、
前記処理室内の減圧を行う減圧工程と、
前記減圧工程の開始後に基板の前記相対引上げを行う引上げ工程と、
を備え、
前記引上げ工程における前記処理室内の気圧が前記処理液の温度での飽和蒸気圧以上となるように、前記減圧工程の減圧速度と前記引き上げ工程の引き上げのタイミングとを制御することを特徴とする基板乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、処理室内に設けられた処理槽に貯留された処理液に半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板（以下、単に「基板」という。）を浸漬して処理した後に処理槽に貯留された処理液に対して基板を相対的に引き上げて乾燥する基板乾燥装置およびそれを用いた基板処理装置ならびに基板乾燥方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、チャンバ内に設けられた処理槽にＨＦ（フッ酸）等の薬液や純水等の処理液に基板を浸漬して処理し、その後、処理槽から基板を引き上げて乾燥する基板乾燥装置が用いられている。そして、このような装置においてより乾燥効率を上げるために最近では、基板を処理槽内に貯留した処理液から引き上げた後にチャンバ内の雰囲気を排気することにより内部の気圧を減圧して基板を十分に乾燥させ、その後、チャンバ外に搬出している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記従来の減圧を伴う基板の乾燥処理では、処理液の蒸発に伴う温度の低下により、蒸発していない処理液が基板表面で凍結することがあり、その凍結を解消するための後処理が必要となっていた。
【０００４】
この発明は、従来技術における上述の問題の克服を意図しており、基板表面での処理液の凍結に対する後処理が不要で、かつ乾燥効率の良好な基板乾燥装置およびそれを用いた基板処理装置ならびに基板乾燥方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、この発明の請求項１に記載の装置は、処理室内に設けられた処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬して処理した後に引上げ手段により処理槽に貯留された処理液に対して基板を相対的に引き上げる相対引上げを行って乾燥する基板乾燥装置であって、処理室内の減圧を行う減圧手段と、減圧手段による処理室内の減圧の開始と同時または開始後に、引上げ手段により基板の相対引上げを行わせる制御手段と、を備え、制御手段は、引き上げ手段による基板の相対引上げ時の処理室内の気圧が処理液の温度での飽和蒸気圧以上となるように、減圧手段の減圧速度と引き上げ手段の引き上げのタイミングとを制御する。
【０００６】
また、この発明の請求項２に記載の装置は、請求項１に記載の基板乾燥装置であって、さらに、処理槽内に供給する処理液の温度を計測する温度センサを備えることを特徴とする。
【０００７】
また、この発明の請求項３に記載の装置は、請求項１または請求項２に記載の基板乾燥装置であって、さらに、処理槽内に供給する処理液を加熱する処理液加熱手段を備える。
【０００８】
また、この発明の請求項４に記載の装置は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板乾燥装置であって、さらに、処理室内に溶剤蒸気を供給する溶剤供給手段を備える。
【０００９】
また、この発明の請求項５に記載の装置は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の基板乾燥装置であって、さらに、処理室内に不活性ガスを供給するガス供給手段を備える。
【００１０】
また、この発明の請求項６に記載の基板処理装置は、基板に対して処理液による処理を施す基板処理部と、請求項１ないし請求項５のいずれかの基板乾燥装置を用いて構成された基板乾燥部と、を備える。
【００１１】
また、この発明の請求項７に記載の方法は、処理室内に設けられた処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬して処理した後に処理槽に貯留された処理液に対して基板を相対的に引き上げる相対引上げを行って乾燥する基板乾燥方法であって、処理室内の減圧を行う減圧工程と、減圧工程の開始後に基板の相対引上げを行う引上げ工程と、を備え、引上げ工程における処理室内の気圧が処理液の温度での飽和蒸気圧以上となるように、減圧工程の減圧速度と引き上げ工程の引き上げのタイミングとを制御する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、この発明の具体的な実施の形態について説明する。
【００１４】
＜１．実施の形態の機構的構成と装置配列＞
図１は、この発明の一つの実施の形態である基板処理装置１の構成を示す斜視図である。図示のように、この装置は、未処理基板を収納しているカセットＣが投入されるカセット搬入部２と、このカセット搬入部２からのカセットＣが載置され内部から複数の基板が同時に取り出される基板取出部３と、カセットＣから取り出された未処理基板が順次洗浄処理される基板処理部５と、洗浄処理後の複数の処理済み基板が同時にカセット中に収納される基板収納部７と、処理済み基板を収納しているカセットＣが払い出されるカセット搬出部８とを備える。さらに、装置の前側には、基板取出部３から基板収納部７に亙って基板移載搬送機構９が配置されており、洗浄処理前、洗浄処理中及び洗浄処理後の基板を一箇所から別の箇所に搬送したり移載したりする。
【００１５】
カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣＲ1を備え、カセットステージ２ａ上の所定位置に載置された一対のカセットＣを基板取出部３に移載する。
【００１６】
基板取出部３は、昇降移動する一対のホルダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣ中の未処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能にする。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、カセットＣ中から基板が取り出される。カセットＣ中から取り出された基板は、基板移載搬送機構９に設けた搬送ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後に基板処理部５に投入される。
【００１７】
基板処理部５は、薬液を収容する薬液槽ＣＢを備える薬液処理部５２と、純水を収容する水洗槽ＷＢを備える水洗処理部５４（薬液処理部５２および水洗処理部５４が「基板処理部」に相当する）と、単一槽内で各種の薬液処理や水洗処理を行う処理槽５６２を備える後に詳述する多機能処理部５６とから構成される。
【００１８】
基板処理部５において、薬液処理部５２及び水洗処理部５４の後方側には、第１基板浸漬機構５５が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能なリフタヘッドＬＨ1によって、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を薬液処理部５２の薬液槽ＣＢに浸漬したり、水洗処理部５４の水洗槽ＷＢに浸漬したりする。また、多機能処理部５６内部には後に詳述するリフタ５６３が配置されており、これに設けた上下動可能なリフタヘッド５６３ａによって、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を多機能処理部５６の処理槽５６２内に支持する。
【００１９】
基板収納部７は、基板取出部３と同様の構造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによって、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け取ってカセットＣ中に収納する。
【００２０】
また、カセット搬出部８は、カセット搬入部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボットＣＲ2を備え、基板収納部７上に載置された一対のカセットをカセットステージ８ａ上の所定位置に移載する。
【００２１】
基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９１、９２によって基板を把持することにより、基板取出部３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部５の第１基板浸漬機構５５に設けたリフタヘッドＬＨ1側に移載したり、このリフタヘッドＬＨ1側から隣りの第２基板浸漬機構５７に設けたリフタヘッド５６３ａ側に移載したり、このリフタヘッド５６３ａ側から基板収納部７のホルダ７ａ、７ｂに移載したりする。
【００２２】
つぎに、多機能処理部５６の縦断面図である図２および図３を用いて、その機構的構成および概略動作を説明していく。
【００２３】
多機能処理部５６は主にケーシング５６０、シャッタ５６１、処理槽５６２、リフタ５６３、リフタ駆動部５６４、ＩＰＡ／Ｎ2供給部５６６を備えている。
【００２４】
ケーシング５６０は上面に基板搬出入口ＴＯを備え、その周囲にシール部材５６０ａが固着されており、また、底面には排気用の配管５６０ｂを備えている。
【００２５】
シャッタ５６１は遮蔽板５６１ａとそれを挟むようにしてケーシング５６０の側面上端に設けられたガイド５６１ｂを備えており、当該ガイド５６１ｂのガイドレールに沿って遮蔽板５６１ａが若干上下動するとともに水平方向にスライドすることによって開閉する。なお、ケーシング５６０上面に設けられたシール部材５６０ａにより、シャッタ５６１が閉じた状態ではケーシング５６０内は気密性が保たれる。
【００２６】
処理槽５６２はフッ酸（ＨＦ）および洗浄液である純水ＤＩＷ（以下、併せて「処理液」という。）を満たすことが可能で、それらに基板Ｗが浸漬されて、それぞれエッチング処理や洗浄処理が行われる。また、処理槽５６２の底面には処理液の帰還用の配管５６２ｃ、排液用の配管５６２ｄ、処理液供給用の配管５６２ｅが連結されている。さらに、処理槽５６２の四方の外側面の上端には処理液回収溝５６２ａが設けられており、それには処理液回収用の配管５６２ｂが連結されている。
【００２７】
リフタ５６３はリフタヘッド５６３ａと保持板５６３ｂとの間に、基板Ｗが遊嵌され、保持される保持溝を多数備えた３本の基板ガイド５６３ｃを備えている。
【００２８】
リフタ駆動部５６４はサーボモータ５６４ａに取り付けられたタイミングベルト５６４ｂに、その長手方向が鉛直方向となっているシャフト５６４ｃが連結されるとともに、シャフト５６４ｃの上端はリフタ５６３のリフタヘッド５６３ａに連結されており、サーボモータ５６４ａの駆動によりリフタ５６３およびそれに保持された複数の基板Ｗを昇降させ、図２および図３に示した基板Ｗの搬送ロボットＴＲとの受け渡し位置ＴＰ、基板Ｗの乾燥位置ＤＲ、基板Ｗの上記処理液への浸漬位置ＤＰに位置させることが可能となっている。
【００２９】
ＩＰＡ／Ｎ2供給部５６６はケーシング５６０の互いに対向する内部側面上部に一対のガス供給管５６６ａがそれぞれブラケット５６６ｂにより、取り付けられ、ガス供給管５６６ａには、不活性ガスであるＮ2ガスまたは溶剤蒸気であるＩＰＡベーパーとＮ2ガスの混合ガスを供給するための複数の供給口ＮＯ（図３には一部にのみ参照符号を付した）が設けられている。そして、この供給口ＮＯは処理槽５６２に貯留された処理液の液面位置に向けて設けられており、これにより供給されたガスはその処理液面付近に供給される。また、図２および図３には図示しないがガス供給管５６６ａには配管５６６ｃ（図４参照）が連結されている。
【００３０】
図４は多機能処理部５６の配管等の構成を示す模式図である。多機能処理部５６は上記機構的構成以外にこれから説明する配管、バルブ、制御部５６７ａ等を備えており、制御部５６７ａは、後述の三方弁Ｖ１およびバルブＶ２〜Ｖ７のそれぞれに電気的に接続されており、制御部５６７ａの制御により三方弁Ｖ１はその流路を切替えられるとともに、バルブＶ２〜Ｖ７は開閉される。
【００３１】
配管５６２ｂには三方弁Ｖ１、ポンプＰおよびフィルタＦが介挿されており、さらにフィルタＦには配管５６２ｃが連結されている。また、三方弁Ｖ１の配管５６２ｂに連結されていないポートは配管５６２ｂｃを通じて処理槽５６２および施設内の排液ラインを連通する配管５６２ｄに連結されており、さらに配管５６２ｄはその下流側にバルブＶ２が介挿され、この装置の設置される施設内の排液ラインに接続されている。そして、制御部５６７ａはバルブＶ２の開閉により処理槽５６２内の処理液の排出を制御でき、さらに三方弁Ｖ１の制御により、処理槽５６２から処理液回収溝５６２ａに溢れた処理液を、フィルタＦで濾過しつつ処理槽５６２へ帰還させたり、配管５６２ｂｃを通じて処理槽５６２内の処理液とともに排液ラインに排出することができる。
【００３２】
配管５６２ｅは二又に分かれ、その一方はバルブＶ３を介してＨＦ供給源５６７ｂに連結され、他方はバルブＶ４および純水温度調節部５６７ｄを介して純水供給源５６７ｃに連結されており、制御部５６７ａはバルブＶ３，Ｖ４の制御によりＨＦと純水ＤＩＷのいずれかを処理槽５６２に所定のタイミングで供給する。ここで、純水温度調節部５６７ｄは純水供給源５６７ｃから供給される純水ＤＩＷの温度を計測する温度センサと純水ＤＩＷを加熱するヒータ（図示せず）を備えており、制御部５６７ａは温度センサによる純水ＤＩＷの温度計測結果を基に、処理槽５６２に供給する純水ＤＩＷを常温より高い所定温度に維持することができる。なお、制御部５６７ａの制御により、この純水ＤＩＷの温度調節は処理工程に応じて行うか否かの切り替えも可能となっている。
【００３３】
配管５６０ｂはバルブＶ５および減圧ポンプＡＰを介して施設内の排気ラインに連結されており、制御部５６７ａはバルブＶ５の制御によりケーシング５６０内の雰囲気を所定のタイミングで排出する。
【００３４】
配管５６６ｃは二又に分かれ、その一方はバルブＶ７を介してＮ2供給源５６７ｆに連結され、他方はバルブＶ６を介してＩＰＡ供給源５６７ｅおよびＮ2供給源５６７ｆに連結されている。そして、制御部５６７ａはバルブＶ６，Ｖ７の制御によりガス供給管５６６ａを通じてケーシング５６０内に純水温度調節部５６７ｄにより温められた純水ＤＩＷの温度より高い温度のＩＰＡベーパーをＮ2ガスをキャリアガスとして供給したり、Ｎ2ガスのみを供給したり、さらには閉じたりすることを所定のタイミングで行う。
【００３５】
＜２．実施の形態の処理および特徴＞
図５は、この実施の形態の多機能処理部５６による基板乾燥処理の一例の処理手順を示す模式図である。また、図６はこの基板乾燥処理例でのケーシング５６０内の減圧の開始と基板引き上げの開始との関係を示すタイミングチャートである。以下、図５および図６を用いてこの装置による基板乾燥処理の一例の処理手順について説明する。
【００３６】
なお、以下の処理以前に１群の基板Ｗが多機能処理部５６内に搬入され、処理槽５６２においてＨＦによるエッチング処理等の薬液処理が行われ、終了している。また、以下の処理において各部の制御は制御部５６７ａにより行われる。
【００３７】
まず、処理槽５６２において、純水ＤＩＷを供給しながらオーバーフロー状態で処理液回収溝５６２ａ中に溢れた純水ＤＩＷを排出しつつ、基板Ｗの洗浄が行われる（図５（ａ））。このように純水ＤＩＷをオーバーフローさせることにより基板Ｗに付着していたＨＦや処理残渣等を処理槽５６２から排出する。なお、処理槽５６２に貯留されている純水ＤＩＷ（一般に処理液）は純水温度調節部５６７ｄにより常温より若干高い温度に加熱されたものとなっている。この乾燥処理例では常温が２０℃であり、それに対し、純水ＤＩＷの温度を約２３℃としている。また、ＩＰＡ／Ｎ2供給部５６６からはＮ2ガスが供給されている。
【００３８】
つぎに、オーバーフロー状態を維持しつつ、配管５６０ｂを通じてケーシング５６０内の雰囲気を排気してケーシング５６０内の減圧を開始する（図５（ｂ）、図６時刻Ｔ１）。なお、この段階でもＩＰＡ／Ｎ2供給部５６６からはＮ2ガスが供給されている。
【００３９】
つぎに、処理槽５６２内への純水ＤＩＷの供給および処理液回収溝５６２ａからの排水を停止するとともに、ＩＰＡ／Ｎ2供給部５６６を通じてＩＰＡベーパーとＮ２ガスとの混合ガスのケーシング５６０内への供給を開始する（図５（ｃ））。そして、このＩＰＡベーパーの供給は、基板Ｗの処理槽５６２からの引き上げ完了まで行われる。
【００４０】
つぎに、処理槽５６２から基板Ｗを徐々に引き上げる（図５（ｄ）、図６時刻Ｔ２）。なお、この基板Ｗの引き上げ速度は0.1〜100(mm/min)程度としている。このように、この実施の形態では少なくとも基板Ｗの処理槽５６２中の純水ＤＩＷからの引き上げの前にケーシング内の減圧を開始するものとしている。
【００４１】
そして、基板Ｗの引き上げ開始時（図６時刻Ｔ２）にはケーシング５６０内の気圧を少なくとも大気圧未満で、かつ純水ＤＩＷ（一般に処理液）の処理槽５６２内における温度での飽和蒸気圧以上（より正確には飽和蒸気圧より高い圧力）となるように設定している。すなわち、少なくとも基板Ｗが処理槽５６２中の純水ＤＩＷに完全にまたは部分的に浸漬した状態では、純水ＤＩＷは沸騰しないように制御している。これは、基板Ｗが純水ＤＩＷ中に浸漬された状態で純水ＤＩＷが沸騰すると基板Ｗの品質に悪影響を及ぼすからである。
【００４２】
なお、各温度における飽和蒸気圧を表１に、また、それら各温度におけるAntoine定数を表２にそれぞれ示す。
【００４３】
【表１】
0003910721.tif 000002
【００４４】
【表２】
0003910721.tif 000003
【００４５】
この乾燥処理例では純水ＤＩＷは前述のように約２３℃であり、表１より２３℃における飽和蒸気圧は21.070mmHgであるので、配管５６０ｂの内径やバルブＶ５や減圧ポンプＡＰの出力等に対し、少なくとも基板Ｗの純水ＤＩＷからの引き上げが完了するまではケーシング５６０内の気圧がこの気圧（21.070mmHg）以上に保てるように減圧速度および減圧の開始と基板Ｗの処理槽５６２からの引き上げのタイミングを、制御部５６７ａが制御する。
【００４６】
また、引き上げ中は純水ＤＩＷの温度がその上方の雰囲気の温度より低いこと、および、基板Ｗ表面からの純水ＤＩＷの蒸発により基板Ｗの温度が低下し易い。そのため、前述のように純水ＤＩＷの温度を常温より高いものとし、それにより、処理槽５６２内の純水ＤＩＷと基板Ｗとの熱伝導により、基板Ｗに熱を供給して、その温度の低下を防いでいるのである。
【００４７】
図７は処理槽５６２からの基板Ｗの引上げにおける純水ＤＩＷ表面の状態を説明するための図である。このように、基板Ｗが処理槽５６２中の純水ＤＩＷから引き上げられる際には純水ＤＩＷの基板Ｗ表面における表面張力により基板Ｗ表面に薄い水膜ＷＭが形成され、それにより純水ＤＩＷの表面積が増大する。このとき、処理槽５６２内の雰囲気が減圧されていると、単に乾燥した大気圧程度の雰囲気である場合に比べてその薄い水膜ＷＭから盛んに蒸発が起こる。さらに、ＩＰＡベーパーもその水膜ＷＭに凝縮し易くなり、一層、基板Ｗの乾燥効率が向上するのである。
【００４８】
つぎに、基板Ｗを完全に乾燥させた後、処理槽５６２内に貯留された純水ＤＩＷを配管５６２ｄを通じて排水する（図５（ｅ））。なお、この段階ではＩＰＡ／Ｎ2供給部５６６からはＮ2ガスが供給されている。
【００４９】
つぎに、十分に乾燥された基板Ｗをケーシング５６０外に搬出する（図５（ｆ））。これにより、この１群の基板Ｗの乾燥処理は終了する。なお、この１群の基板Ｗ以外にエッチング処理や洗浄処理がまだ行われていない基板Ｗがある場合には、それらの基板Ｗが搬送ロボットＴＲによりリフタヘッド５６３ａに渡され、リフタヘッド５６３ａは処理槽５６２内にそれらの基板Ｗを降下させ、それらの基板Ｗに対し、上記と同様にエッチング、洗浄、乾燥の一連の処理が行われた後、搬送ロボットＴＲに渡される。このような処理が複数の処理対象の基板Ｗ群に対して繰り返される。
【００５０】
以上説明したように、この実施の形態の基板処理装置１における多機能処理部５６によれば、ケーシング５６０内の減圧開始後に、基板Ｗを処理槽５６２内の純水ＤＩＷ（処理液）から引き上げるため、減圧の際にも基板Ｗが純水ＤＩＷと熱伝導状態にあるので、減圧や純水ＤＩＷの気化熱を奪われることによる基板Ｗの温度の低下を抑え、純水ＤＩＷの蒸発効率を良くしたり、基板Ｗ表面で純水ＤＩＷが凍結することに対する後処理が不要な装置とすることができる。また、純水ＤＩＷ（処理液）からの基板Ｗの引上げの際に基板Ｗ表面に薄い水膜ＷＭが形成されるので、純水ＤＩＷの表面積が大きくなり、一層、蒸発が盛んになり、基板Ｗの乾燥効率をさらに向上することができる。
【００５１】
また、基板Ｗの引上げ時のケーシング５６０内の気圧が純水ＤＩＷ（処理液）の飽和蒸気圧以上であるため、引上げ中に基板Ｗが処理槽内の純水ＤＩＷに浸漬された状態で純水ＤＩＷが沸騰することがないので、沸騰により基板Ｗに悪影響を及ぼすことがない。
【００５２】
また、処理槽５６２内に常温より高い温度の純水ＤＩＷ（処理液）を供給するため、熱伝導により基板Ｗの引上げ時の温度低下を一層、抑えることができ、純水ＤＩＷの蒸発効率を一層、良くすることができる。
【００５３】
また、ケーシング５６０内にＩＰＡ（溶剤）ベーパーを供給することにより、一層、基板Ｗの乾燥効率を上げることができる。また、基板Ｗの引上げ時に減圧を行わないでＩＰＡベーパーを供給する場合に比べて、乾燥速度が速いのでＩＰＡの消費量を抑えることができる。
【００５４】
さらに、この実施の形態の基板処理装置１は上記のような多機能処理部５６を備えるため、上記と同様の各効果を有する。
【００５５】
＜３．変形例＞
また、上記乾燥処理例においては、ケーシング５６０内の減圧を基板Ｗの処理槽５６２からの引き上げ前に開始するものとしたが、引き上げの開始と同時に減圧を開始してもよい。
【００５６】
また、上記乾燥処理例においてはＩＰＡ／Ｎ2供給部５６６からＩＰＡベーパーを供給して乾燥処理を行うものとしたが、ケーシング５６０内を減圧しつつＩＰＡベーパーを供給しないでＮ2ガスのみを供給し続けながら乾燥することもできる。その場合にも、何らのガス供給も行わない場合に比べて乾燥効率がよく、良好な基板乾燥処理が行える。しかも、有機溶剤を用いないため、そのために発生するコストをなくすことができ、処理後の基板Ｗへの万一の有機成分の残留を防止できるので基板の特性改善につながるとともに、安全な装置とすることができる。なお、この場合のＮ2ガスの供給も、ＩＰＡベーパーを含む上記乾燥処理例と同様に処理槽５６２に貯留された処理液面付近に供給することが望ましい。
【００５７】
また、このようにＩＰＡベーパーの供給を行わない乾燥処理のみを行う場合には多機能処理部にＩＰＡ供給源やそれに連結された配管、およびその配管に介挿されたバルブ等を設けない構成としてもよい。その場合にはそれらの有機溶剤の供給機構を備えなくてもよいので装置構成が簡易になり、装置製造コストを抑えられる。なお、Ｎ2ガスの供給配管も設けないようにして、ＩＰＡべーパーもＮ2ガスも供給しないようにしてもよい。
【００５８】
また、上記乾燥処理例では減圧によりケーシング５６０内の気圧を処理槽５６２内の処理液の温度における飽和蒸気圧以上に保つものとしたが、この発明はこれに限られず、最終的には、それより低い気圧まで減圧してもよいが、少なくとも引上げ完了までは飽和蒸気圧以上とすることが望ましい。
【００５９】
また、この実施の形態における多機能処理部５６は循環用の配管５６２ｃを備えているため、三方弁Ｖ１をポンプＰにつながるポートを開き、ポンプＰを駆動することにより配管５６２ｂを通じて処理槽５６２に純水ＤＩＷを帰還させて基板Ｗの洗浄を行うものとしてもよい。
【００６０】
また、上記乾燥処理例では、基板Ｗをリフタ５６３を上昇させることにより処理槽５６２から引き上げるものとしたが、処理槽５６２に貯留した純水ＤＩＷ（一般に処理液）を排出することにより相対的に基板Ｗを純水ＤＩＷから引き上げるものとしてもよい。
【００６１】
また、上記実施の形態における多機能処理部５６の排気用の配管５６０ｂにはバルブＶ４を設けているが、その代わりに排気圧を制御可能な排気抵抗調整用バルブを設けて、ケーシング内の気圧をモニタしながら所望の気圧に制御し、基板Ｗの乾燥条件を微妙に調整できるものとしてもよい。
【００６２】
さらに、上記乾燥処理例では純水ＤＩＷ（一般に処理液）の温度を常温より若干高い温度としたが、この発明はこれに限られず、加熱しないで常温のものとしたり、逆により高温のものとしてもよい。ただし、より高温にする場合にＩＰＡベーパーの温度はそれより高温であることが望ましい。
【００６３】
また、上記乾燥処理例では、基板の引き上げ開始前から、ケーシング５６０の雰囲気を排気することによって減圧を促進する動作を開始し、引き上げ中も減圧促進動作を継続しているが、引き上げ開始前に始めた減圧促進動作は、引き上げ開始時ないし引き上げ開始の直前に停止してもよく、引き上げ開始から終了までの間に、減圧状態が保持できるならば、必ずしも、引き上げ中にケーシング５６０の雰囲気を排気する等して減圧を促進するような動作を行わなくてもよい。
【００６４】
また、上記乾燥処理例では、一度に複数の基板を引き上げ乾燥したが、取り扱う基板の枚数は１枚でもよい。
【００６５】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１〜請求項５および請求項７の発明によれば、処理室内の減圧の開始と同時または開始後に、基板の相対引上げを行うため、減圧の際にも基板が処理液と熱伝導状態にあるので、減圧や処理液の気化熱による基板の温度の低下を抑え、処理液の蒸発効率を良くしたり、基板表面で処理液が凍結することに対する後処理が不要な装置とすることができる。また、相対引上げの際に基板表面に薄い処理液の膜が形成されるが、液面より上方へ引き上げられるようにして基板に付着している液は、薄膜状であるから、その体積に比して表面積が広く、減圧することにより特段に乾燥し易い状況にあり、一層、蒸発が盛んになり、基板の乾燥効率をさらに向上させることができる。
【００６６】
また、基板の相対引上げ時の処理室内の気圧が処理液の温度での飽和蒸気圧以上であるため、相対引上げ中に基板が処理液に浸漬した状態で処理液が沸騰することがないので、沸騰により基板に悪影響を及ぼすことがない。
【００６７】
また、請求項３の発明によれば、処理槽内に供給する処理液を加熱できるため、相対引上げ時の基板の温度低下を一層、抑えることができ、処理液の蒸発効率を一層、向上させることができる。
【００６８】
また、請求項４または請求項５の発明によれば、処理室内に溶剤蒸気または不活性ガスを供給することにより、一層、基板の乾燥効率を上げることができる。また、相対引上げ時に減圧を行わないで溶剤蒸気または不活性ガスを供給する場合に比べて乾燥速度が速いため、溶剤または不活性ガスの消費量を抑えることができる。
【００６９】
さらに、請求項６の発明の基板処理装置によれば、請求項１ないし請求項５のいずれかの基板乾燥装置を用いて構成された基板乾燥部を備えるため、上記と同様の各効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の基板処理装置の構成を示す斜視図である。
【図２】実施の形態における多機能処理部の縦断面図である。
【図３】実施の形態における多機能処理部の別の縦断面図である。
【図４】実施の形態における多機能処理部の配管等の構成を示す模式図である。
【図５】実施の形態における基板乾燥処理の処理手順を示す模式図である。
【図６】減圧の開始と基板引き上げの開始との関係を示すタイミングチャートである。
【図７】処理槽からの基板の引上げにおける純水表面の状態を説明するための図である。
【符号の説明】
１  基板処理装置
５２  薬液処理部（基板処理部）
５４  水洗処理部（基板処理部）
５６  多機能処理部（基板乾燥装置、基板乾燥部）
５６０  ケーシング（処理室）
５６２  処理槽
５６３  リフタ（引上げ手段）
５６６  ＩＰＡ／Ｎ2供給部（供給手段）
５６７ｄ  純水温度調節部（処理液加熱手段）
ＤＩＷ  純水（処理液）
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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