(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス製造ラインで所定の処理を施した半導体ウエーハの異物を検出し、該検出した異物の中から選択した異物を画面上に表示し、該表示した異物の位置と大きさとを測定し、該測定した前記異物の位置と大きさとに基づいて表面に感光性材料を塗布した前記半導体ウェーハに端辺が前記異物の上部にかかるような所望のパターンを露光し、該露光された前記半導体ウェーハをエッチングして前記異物の断面を露出させ、該断面が露出した前記異物の元素分析を行うことを特徴とする半導体デバイス検査分析方法。
【請求項２】
前記画面上に表示する前記検出した異物の中から選択した異物が、前記検出した前記半導体ウエーハの異物の中から前記所定の工程を経る前にすでに前記半導体ウエーハに付着していた異物を除いた異物前記所定の工程を経たことにより前記半導体ウェーハ上に付着した異物であることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス検査分析方法。
【請求項３】
前記所望のパターンの露光を、前記測定した前記異物の位置と大きさとに基づいて、端辺が前記異物の上部にかかるような所望のパターン描画データを作成し、該描画データに基づくパターンを前記半導体デバイス上に露光するすることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス検査分析方法。
【請求項４】
前記露光を、電子ビームを用いて行うことを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス検査分析方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、異物分析を含めた半導体デバイス検査分析方法に関し、特に半導体デバイスの製造プロセスにおいて、異物検査装置で検出した異物の分析を効率的に行うための有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程では不良原因を早期に発見し、プロセスおよび製造装置にフィードバックしていくことが歩留まりの維持・向上に必須である。これには検査装置による不良発見とその検査データの分析が重要である。
【０００３】
半導体デバイスの製造は概ね基板に膜付けを行う成膜工程、回路パターンの焼き付けを行うホト工程、膜を彫り込むエッチ工程よりなり、これらの工程を繰り返すことにより半導体デバイスが製造される。特にホト工程では近年、0.2μm以下の微細加工と深い焦点深度を得るため、光によるパターン露光に代わり電子ビームによる露光が徐々に使用されつつある。また、検査工程として、上記成膜工程終了後異物検査が行われる。この異物検査はレーザ光による暗視野照明を用いた検査装置により自動的に検査される。
【０００４】
そして、検査装置は、異物の半導体ウエーハ内の座標データを検査DB（データベース）へ出力する。次に、検査したウエーハを金属顕微鏡または走査電子顕微鏡のステージに移し替え、検出異物の座標データの位置にステージを移動させ、異物の拡大像により異物の分類を行う。この分類作業をレビュー工程と呼ぶ。この時多数の異物が膜の下に存在し、異物の発生起因が判断できない場合、これらの異物のうち数点を選択し異物の元素分析を行う。
【０００５】
膜下の異物の元素分析は下記のように行われる。
【０００６】
まず、異物を露出させるため異物の上の膜の除去および異物の断面加工を行う。これには、FIB（Focused Ion Beam)加工装置を用いる。ウエーハをFIB加工装置のステージに移し替え、異物の座標位置にステージを移動させる。次に異物が露出するようにFIBにより異物に向かって掘り進む。この時異物が露出したかどうかをFIBでの検出像で確認しながらマニュアルでFIB照射量、照射位置を調整しながら加工を行う。
【０００７】
次に、ウエーハを元素分析装置に移し替え、元素分析を行う。元素分析装置には例えば、電子ビームを照射し、異物から発生するＸ線を検出し、そのエネルギースペクトルから元素を同定する、エネルギー分散形Ｘ線分光(EDX；Energy Dispersive X ray)装置、あるいはX線の代わりにオージェ電子を検出し、同様にエネルギースペクトルから元素を分析するオージェ電子分光(AES；Auger Electron
Spectroscopy）装置がある。
【０００８】
これらの元素分析装置により異物の元素を同定し、そこから異物の発生原因を類推し半導体製造プロセスおよび装置の対策に結びつけている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記の膜下異物の元素分析に関し、次のような問題点があることが本発明者により見いだされた。
【００１０】
すなわち、前述のFIB加工作業は人手による作業であるため、１異物当たりの断面加工に１時間程度かかる。また、FIB加工のビームはガリウムイオンであり、加工後ガリウムが異物分析対象でない正常なチップを汚染するため、元素分析に使用したウエーハは次の工程に持ち込めない、すなわちウエーハは分析後捨てるしかなかった。
【００１１】
本発明の目的は、膜下異物の断面加工を半導体デバイス製造工程のスループットを損なうことなく、しかも他の正常チップを汚染することなく行う方法を提供することである。
【００１２】
本発明の新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
また、上記目的を達成するために、本発明では、半導体デバイス検査分析方法を、半導体デバイス製造ラインで所定の工程を経た半導体ウエーハの異物を検出し、この検出した異物の中から選択した異物を画面上に表示し、この表示した異物の位置と大きさとを測定し、この測定した異物の位置と大きさとに基づいて表面に感光性材料を塗布した半導体ウェーハに端辺が異物の上部にかかるような所望のパターンを露光し、この露光された半導体ウェーハをエッチングして異物の断面を露出させ、この断面が露出した異物の元素分析を行うようにした。
【００１９】
そして、画面上に表示する検出した異物の中から選択した異物が、検出した半導体ウエーハの異物の中から所定の工程を経る前にすでに半導体ウエーハに付着していた異物を除いたものであって、所定の工程を経たことにより半導体ウェーハ上に付着した異物であることを特徴とする。
【００２０】
また、所望のパターンの露光を、測定した異物の位置と大きさとに基づいて、端辺が異物の上部にかかるような所望のパターン描画データを作成し、この描画データに基づくパターンを半導体デバイス上に露光するすることを特徴とする。
【００２１】
また、露光を、電子ビームを用いて行うことを特徴とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明による半導体デバイス検査分析システムは、半導体ウェーハの異物検査を行う検査手段と分析対象異物を選択する分析異物選択手段と分析対象異物の座標データとサイズとから異物断面か効用の露光装置の描画データを生成、追加する描画データ作成手段とこの描画データに基づいて露光する露光手段と、露光パターンをマスクとしてエッチングを行うエッチング手段と、エッチングにより露出した異物の断面の元素分析を行う分析手段とを備えたものである。
【００２４】
それにより、半導体デバイスの製造工程において、異物断面加工のための特殊な加工を追加する必要なく、通常の回路パターン製造と同時に異物の断面加工が終了する。また、通常の半導体デバイスの製造工程による処理と同じ処理を行うため、正常なチップを汚染する心配がないので元素分析後のウエーハは、半導体デバイス製造ラインに戻して、次の製造工程に送ることができ、分析対象以外のチップに関しては完成良品を取得することが可能になる。
【００２５】
また、分析異物選択手段は異物検査データを格納する第１の格納手段と異物検査装置が検出した前の半導体デバイスの製造工程、すなわち前の成膜工程後の異物座標と現在の成膜工程後の異物座標を比較し、一致した前の工程の異物を現在の工程の異物座標から削除する演算を行う第１の演算手段と削除後の異物座標データから異物の拡大像を表示し、分析要否を判定し、かつ拡大像により異物の座標データおよびサイズを高精度に計測し直すレビュー装置と分析要否データを格納する第２の格納手段を有するものである。
【００２６】
それにより、レビューによる分析異物対象選択時に前の半導体デバイスの製造工程で発生した異物を除外することができ、分析対象異物選択の効率が向上する。また、高精度な異物データを取得することにより、描画作成手段が高精度な異物断面加工用描画データを作成することができる。
【００２７】
また、露光装置の描画データ作成手段は、第２の格納手段中の分析対象異物データを格納する第３の格納手段とこの第３の格納手段中の異物の座標と異物のサイズから分析用チップの描画データを計算する第２の演算手段と分析用チップ描画データを格納する第４の格納手段を有するものである。
【００２８】
それにより、分析異物の座標とサイズのデータから自動的に分析用チップの描画データを作成することが可能になる。
【００２９】
さらに、描画データ作成手段は、第３の格納手段中の分析異物データを分析手段に送信する第１の通信制御部と分析手段の分析結果を格納する第５の格納手段と分析結果を表示する表示部を有するものである。
【００３０】
それにより、分析手段における異物の位置出しと分析結果の確認が効率的に行うことができる。
【００３１】
また、描画データ作成手段は、第３の格納手段に格納された分析異物データより、分析チップの位置情報を半導体の良否のテスティングを行う電気テスタに送信する第２の通信制御部を有するものである。
【００３２】
それにより、電気テスタがテスティング対象から分析チップを省くことが可能になり、また、テスト結果のマップ出力に分析チップ位置を表示し、良不良判定の対象外であることが表示可能になる。
【００３３】
以下に、図１を用いて、本発明による半導体デバイス検査分析方法とそのシステムの構成及び作用を説明する。
【００３４】
まず、成膜装置１がウエーハ基板１００にゲート、配線、絶縁層等の膜１０１を成膜する。この時ウエーハ基板１００上、膜１０１の下に異物１０２が発生する。
【００３５】
次に、成膜後のウエーハＷ１を検査装置２１で検査し、検出異物１０２の座標およびサイズを検査DB２０に送る。レビュー装置２２は、検査DB２０より検出異物１０２の座標データを受け取り、検出異物の位置に成膜後ウエーハＷ１を移動する。ここで、光、電子ビームで検出異物の拡大画像を観察する等して検出異物１０２を分析するか否かを判断する。また、レビュー装置は例えば、拡大画像を画像処理することにより検出異物１０２の座標およびサイズを高精度に計測し直す。分析対象とする場合は検出異物１０２のデータに分析要のフラグを入力し検査DB２０に送る。検査DB２０とレビュー装置２２よりなる分析異物選択手段に関しては、図２を用いて後述する。
【００３６】
検出異物１０２が分析対象として選択された場合、異物１０２の高精度の座標、サイズのデータは描画データ作成手段である分析異物サーバ７に送られる。分析異物サーバ７は異物１０２の高精度座標、および高精度サイズのデータから露光装置３での異物分析加工用描画データを作成し、描画DB３０に送る。異物分析加工用描画データの作成方法は、図３を用いて後述する。
【００３７】
露光装置３は描画DB３０より描画データを受け取り、成膜後ウエーハＷ１上にフォトレジスト１０３が塗布されたフォトレジスト付きウエーハＷ２を露光する。この時フォトレジスト１０３は異物１０２上で境界をもつよう露光される。この後、現像装置（図示せず）により、露光されたフォトレジスト１０３Ｂは除去される。これはポジ型フォトレジストを用いた場合であるが、ネガ型フォトレジストの場合は露光されなかった部分１０３Ａが除去される。
【００３８】
次にエッチング装置４によりフォトレジストで被われていない部分（フォトレジスト１０３Ｂの部分）がエッチングされ、エッチ完ウエーハＷ３が完成する。エッチング後はアッシャー装置（図示せず）により、エッチング時に存在したフォトレジストも除去される。
【００３９】
次に分析装置５は分析異物サーバ７より分析対象異物１０２の座標データを受け取り、エッチ完ウエーハＷ３を異物１０２の位置に移動する。分析装置５はウエーハＷ３をチルティングし、電子ビーム等の分析ビームを異物１０２の断面に照射し、発生するオージェ電子およびＸ線等をAES、EDX等で分析処理する。異物１０２の元素分析結果は分析異物サーバ７に送られる。分析結果表示装置７１はAES、EDX等の元素分析結果であるスペクトル図および異物座標、サイズ等の情報を分析異物サーバ７よりデータを受け取り表示する。
【００４０】
以上、成膜装置１、検査装置２１、レビュー装置２２、露光装置３、エッチング装置４、分析装置５によるウエーハ処理は次の工程の半導体プロセスでも繰り返される。
【００４１】
最後に、すべての半導体プロセスが終了した後、電気テスタ６が完成ウエーハＷ４のチップ毎の良品・不良品の電気テストを行う。この時電気テスタ６が分析異物サーバ７から電気テスタDB６０を介して分析チップ位置情報を取得し、分析対象異物１０２のあるチップをテスト対象から除外し、分析チップに対しテスト除外を表す例えば「Ｘ」の記号を電気テスタDB６に書き込む。それにより、電気テスタがテスティング対象から分析チップを省くことが可能になり、また、テスト結果のマップ出力に分析チップ位置を表示し、良不良判定の対象外であることが表示可能になる。
【００４２】
また、電気テスタDB６０を介して分析異物サーバ７が電気テスタ６からの情報を受けることにより、異物のデータと電気テストの情報とを用いて検査分析データを加工することもできる。
【００４３】
以上が本発明の半導体デバイス製造システムの構成と作用である。
【００４４】
次に、図２、図３を用いレビュー装置２２および検査DB２０での分析対象異物選択方法を詳述する。
【００４５】
今、膜１０１成膜完の工程で検出された異物を現工程異物と呼ぶことにする。検査装置２１は検査後、現工程異物座標を検査DB２０に送る。
【００４６】
現工程異物座標は検査DB２０の通信制御部２０１、データ入出力部２０２、入出力インタフェース２０３を介して、異物データ格納手段２１０に格納される。
【００４７】
検査装置２１では膜１０１の成膜工程より前の工程で発生した異物も検出する。このため、現工程異物には前の工程の異物も含まれている。本発明では、通常の半導体デバイスの製造プロセスを使って分析用異物上の膜１０１のエッチングを行うので、膜１０１より下の膜中あるいは膜下の異物に関しては、膜を除去することができない。そこで、下記に述べる方法で膜１０１の成膜工程で発生した異物を抽出する。
【００４８】
異物データ格納手段２１０には同様には前の工程の検出異物座標も登録されている。主制御部２０４は、異物データ格納手段２１０に格納されている現工程異物座標と前工程座標を入出力インタフェース２０３およびデータ入出力部２０２を介し、メモリ２０５に読み込む。次に主制御部２０４は、演算部２０６を起動し下記の演算を行う。この演算方法を図３を用いて説明する。
【００４９】
演算部２０６は現工程異物座標Ｚ１と前工程異物座標Ｚ２を比較し、近い距離にある異物を一致異物とみなし、現工程異物座標Ｚ１から一致する前工程異物座標Ｚ２を差し引いた異物座標を現工程正味異物座標Ｚ３として出力する。この現工程正味異物座標Ｚ３は基本的に現工程で新規に発生した異物のみの座標を示す。従って、現工程での膜１０１より下の層の異物座標データは削除されているため、現工程正味異物は現工程でのエッチングで断面加工可能な異物の候補を示す。主制御部２０４は現工程正味異物座標Ｚ３をデータ入出力部２０２、入出力インタフェース２０３を介し、現工程正味異物格納手段２２０に書き込む。この現工程正味異物の中から分析対象を選択することにより、分析対象絞り込みの効率は現工程異物全てを対象にする場合に比べて向上する。
【００５０】
レビュー装置２２は現工程正味異物格納手段２２０に格納されている現工程正味異物座標を入出力インタフェース２０３、データ入出力部２０２、通信制御部２０１を介して受け取り、現工程正味異物の位置に成膜後ウエーハＷ１を移動させる。レビュー工程のオペレータは光または電子ビームでの拡大画像を観察する等して現工程膜１０１下の異物から分析対象を選択する。この時、オペレータは選択された異物の座標データに分析要を示す分析フラグを例えば１としレビュー装置２２に入力する。尚、分析フラグは一般的にレビュー作業で使われている分類番号で代用しても良い。
【００５１】
また、レビュー装置２２は、異物１０２の拡大画像から高精度な異物座標および異物サイズを測定する。
【００５２】
ここで、図４、図５によりレビュー装置２２で異物座標および異物サイズを高精度に測定する方法を説明する。図４は、レビュー装置２２の構成を示す。成膜後のウエーハＷ１はＺステージ２２３１に搭載されており、レビュー装置制御系２２４が検査DB２０から取得した異物座標データに従い、Ｘステージ駆動器２２３４、Ｙステージ駆動器２２３５を駆動し、異物１０２の位置にＸステージ２２３３、Ｙステージ２２３５を移動する。次に、顕微鏡部２２１により撮像部２２２に撮像された異物１０２の拡大像がピントを結ぶようＺステージ駆動部２２３２を駆動し、Ｚステージ２２３１を上下させる。
【００５３】
次に表示部２２５に表示された異物１０２の拡大画像により、レビュー作業者は例えば下記の方法により異物の座標および異物サイズを高精度に測定し直す。この方法を図５により説明する。表示部２２５に十字カーソルＣ１が表示され、キーボード２２６、またはマウスを操作し、十字カーソルＣ１の交差部を異物１０２で断面加工を行いたい箇所に合わせる。この時レビュー装置制御系は画面中心に対する交差部の位置（Xi, Yi）とＸステージ２２３３とＹステージ２２３５の座標（Xw, Yw）から次式（数１）により異物１０２のＸステージ２２３３とＹステージ２２３５の原点に対する座標（Xs, Ys）が求まる。
【００５４】
Xs= Xi + Xs
Ys= Yi + Ys                ……（数１）
次にキーボード２２６の操作によりサイズ測定カーソルＣ２、Ｃ３を表示させ、キーボード２２６を操作し、サイズ測定カーソルＣ２、Ｃ３を異物１０２の端に合わせる。この時、レビュー装置制御系２２４はサイズ測定カーソルＣ２、Ｃ３の距離から異物１０２のサイズを測定する。
【００５５】
最後にキーボード２２６を操作し、異物１０２の存在するチップの原点位置が、表示部２２５の中心に表示された中心カーソルＣ４と一致するようにＸステージ２２３３とＹステージ２２３５を移動させる。これは例えば原点チップマーク１０２０の中心を中心カーソルＣ４の交差部と一致させるようキーボード２２６を操作することによって実現できる。この時、レビュー装置制御系２２４はＸステージ２２３３とＹステージ２２３５の座標（X0, Y0）を読み込む。
【００５６】
レビュー装置制御系２２４は原点チップマーク１０２０に対する異物１０２の高精度座標（Xc,Yc）は次式（数２）によって求める。
【００５７】
Xc= Xs−X0
Yc= Ys + Y0                ……（数２）
以上の操作によって高精度な異物座標、サイズが得られるが、この作業が画像処理等によって自動化できることは公知な技術より明らかである。
【００５８】
全ての現工程正味異物に対する処理が終了すると、分析フラグおよび高精度異物座標と高精度サイズデータを検査DB２０に送り、これらのデータを通信制御部２０１、データ入出力部２０２、入出力インタフェース２０３を介して現工程正味異物格納手段２２０に上書きする。このデータの例を図６に示す。異物No毎にチップ位置、チップ内座標、異物サイズ、分析フラグが書き込まれている。
【００５９】
以上の作用により分析異物選択は効率的に行うことができ、また異物断面加工用の描画データを高精度に作成するための高精度異物座標が取得できる。
【００６０】
また、主制御部２０４はレビュー装置２２が新たに現工程正味異物格納手段２２０に書き込んだデータのうち、異物分析フラグが１である異物のチップ位置、チップ内座標、サイズ、分析フラグのデータを分析異物サーバ７に送り、通信制御部７０１、データ入出力部７０２、入出力インタフェース７０３を介して、分析異物データ格納手段７１０に書き込む。
【００６１】
次に分析異物の断面加工用描画データ作成方法について説明する。分析異物サーバ７の主制御部７０４は分析異物データ格納手段７１０に格納されている分析異物データを入出力インタフェース７０３およびデータ入出力部７０２を介し、メモリ７０５に読み込む。次に主制御部７０４は、演算部７０６を起動し下記の演算を行う。この演算方法を図７を用いて説明する。
【００６２】
今、分析対象異物１０２のサイズがｄ、描画マスク３００をＹ方向の辺の長さがＷ、Ｘ方向の辺の長さがＷ／２の長方形で形成するとき、Ｗを次式（数３）により決定する。
【００６３】
Ｗ＝αｄ                   ……（数３）
ここに、αは係数であり、例えばα＝４とした時、異物のサイズd=２μｍに対し、Ｗ＝８μｍとなる。尚、描画マスク３００の位置は、チップ原点３０１からの異物１０２の座標（Xc、Yc）をＹ方向の１辺が通るように設定する。但し、Ｘ方向の辺で異物１０２の中心を横断しても、また、Ｘ方向に長い長方形を描画マスク３００にしても何ら支障はない。
【００６４】
上記の方法により演算部７０５が描画マスク３００のデータを演算する。
【００６５】
主制御部７０４は描画マスク３００のデータを分析チップ位置データとともにデータ入出力部７０２、入出力インタフェース７０３を介して分析描画データ格納手段７２０に格納し、さらに通信制御部７０１を介して描画DB３０に送り、露光装置の分析チップに対応する描画データを描画マスク３００のデータに修正する。
【００６６】
尚、図２において、分析装置５は分析異物サーバ中、通信制御部７０１、データ入出力部７０２、入出力インタフェース７０３を介し分析異物データ格納手段７１０の座標等の分析異物データを取得し、同様の方法で分析結果を分析結果データ格納手段７３０にオージェ電子エネルギースペクトル図等の分析結果データを格納する。分析異物データ格納手段７１０と分析結果データ格納手段７３０は同一の格納手段で兼ねても何ら構わない。
【００６７】
また、主制御部７０４は分析異物データ格納手段７１０に格納されている分析チップ位置データを入出力インタフェース７０３、データ入出力部７０２、通信制御部７０１を介して電気テスタDB６０に送る。
【００６８】
次に、図８により異物断面加工のための露光装置３の作用について説明する。
【００６９】
図８は、部分一括描画方式の電子ビーム露光装置の斜視図である。電子銃３１０から射出した電子ビーム３１１は、第１マスク３２０により適当な大きさおよび形状に成形され、その後選択偏光器３３０により第２マスク３４０上に照射される。分析異物断面加工用の上記描画マスク３００の露光時は開口３４１と電子ビーム３１２の重なり部分の組み合わせとして成形される。一方、分析対象以外のチップに対し通常の回路パターンを露光する時は、例えば、回路パターン３４２、３４２、３４４を選択偏光器３３０が選択し、電子ビーム３１２をこれらの上に照射する。開口３４１で成形された電子ビーム３１３は縮小レンズ３５０により縮小され、位置決め偏向器３６０によりフォトレジスト付きウエーハＷ２の所定の位置に照射される。
【００７０】
尚、フォトレジスト付きウエーハＷ２はＹステージ３８０上のＸステージ３７０に搭載されており、Ｘ方向駆動機３７１、Ｙ方向駆動機３７２により、それぞれＸ、Ｙ方向に移動される。
【００７１】
制御系３１は描画DB３０の描画データを受けてとり、選択偏向器３３０、位置決め偏向器３６０、Ｘ方向駆動機３７１、Ｙ方向駆動機３７２を制御することにより、描画データに基づくフォトレジスト付きウエーハＷ２上の位置の所定の領域に電子ビーム３１３を照射する。
【００７２】
以上は電子ビームを露光源とする装置を例示したが、レーザやイオンビームを露光源とした装置に関しても同様な制御方法で分析異物断面加工用描画と通常の回路パターン描画を切り替えることができる。また、第１マスク３２０、第２マスク３４０を用いない、いわゆるスポット走査式の露光装置に置いても、描画DB３０の描画データにより、制御系３１が分析異物断面加工用描画と通常の回路パターン描画を切り替えることにより同様な描画が可能である。
【００７３】
さらに、１枚のマスク上の回路パターンを光やＸ線を用いて転写する露光装置においても、分析対象チップに対してマスクあるいはステージの移動、およびマスクの一部を遮蔽するマスキングブレードの開閉によるマスク上露光パターン選択機能により、上記と同様な分析異物断面加工用描画と通常の回路パターン描画を切り替えが可能である。この場合は、マスク上の適当な回路パターンを分析断面加工用パターンとして選択し、マスキングブレードで不要なパターンを遮蔽することにより実現できる。
【００７４】
さらに、光学式の露光装置にマスクとして液晶パターン表示装置を用い、描画ＤＢ３０の描画データに基づく描画パターンを液晶パターン表示装置に表示して、この液晶パターン表示装置に露光光を照射してパターンをレジストが塗布されたウェーハ表面に露光することによっても、上記と同様に描画することができる。この場合、液晶パターン表示装置を用いることにより、描画ＤＢ３０の任意の描画データに対応するマスクパターンを、容易に形成することができる。
以上に説明したような、検査装置２１、レビュー装置２２、電子ビーム露光装置３、分析異物サーバ７等を図１に示したような半導体デバイス製造システムに適用することにより、膜下異物の断面加工を半導体製造工程のスループットを損なうことなく、しかも、他の正常チップを汚染することなく行うことができるので、異物検査装置で検出した異物の分析を、効率的に行え、かつ、分析後のウェーハ、を、次の製造工程に流すことができる。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したような構成とすることにより、本発明によれば、以下のような効果が得られる。
【００７６】
（１）半導体デバイス製造工程において、異物断面加工のための余計な加工を追加する必要なく、通常の回路パターン製造と同時に異物の断面加工が終了する。また、通常の半導体デバイス製造工程による加工のため、正常なチップを汚染する心配がないので元素分析後のウエーハは次の製造工程に送ることができ、分析対象以外のチップに関しては完成良品を取得することが可能になる。
【００７７】
（２）レビューによる分析異物対象選択時に前の半導体デバイス製造工程で発生した異物を除外することができ、分析対象異物選択の効率が向上する。また、高精度な異物データを取得することにより、上記描画作成手段が高精度な異物断面加工用描画データを作成することができる。
【００７８】
（３）分析異物の座標とサイズのデータから自動的に分析用チップの描画データを作成することが可能になる。
【００７９】
（４）分析手段における異物の位置出しと分析結果の確認が効率的に行うことができる。
【００８０】
（５）電気テスタがテスティング対象から分析チップを省くことが可能になり、また、テスト結果のマップ出力に分析チップ位置を表示し、良不良判定の対象外であることが表示可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例である半導体デバイス製造システムの構成を示すシステム図である。
【図２】本発明の実施例である検査DBおよび分析異物サーバの構成を説明するシステム図である。
【図３】本発明の実施例である現工程正味異物算出方法を示すウェーハ、の平面図である。
【図４】本発明の実施例であるレビュー装置２２の概略構成を示す正面図である。
【図５】本発明の実施例であるレビュー装置２２の表示画面の正面図。
【図６】本発明の実施例である現工程正味異物データの１例を示す図である。
【図７】本発明の実施例である異物断面加工用描画マスクデータを示すチップ上に投影したチップの平面図である。
【図８】本発明の一実施例である部分一括描画方式の電子ビーム露光装置の概略構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１…成膜装置      ２１…検査装置      ２２…レビュー装置      ３…露光装置      ４…エッチング装置      ５…分析装置      ６…電気テスタ      ７…分析異物サーバ      ２０…検査DB      ３０…描画DB      ６０…電気テスタＤＢ      ７１…表示部      １００…ウエーハ基板      １０１…膜
１０２…分析異物      ２０１…検査DB通信制御部      ２０２…検査DBデータ入出力部      ２０３…検査DB入出力インタフェース      ２０４…検査DB主制御部      ２０５…検査DBメモリ      ２０６…検査DB演算部      ２１０…異物データ格納部      ２２０…現工程正味異物格納部      ２２１…レビュー装置顕微鏡部      ２２２…レビュー装置撮像部      ２２４…レビュー装置制御系      ２２５…レビュー装置表示部      ３００…描画マスク      ３０１…チップ原点      ３１…電子ビーム露光装置制御系      ７０１…分析異物サーバ通信制御部     ７０２…分析異物サーバデータ入出力部     ７０３…分析異物サーバ入出力インタフェース      ７０４…分析異物サーバ主制御部      ７０５…分析異物サーバメモリ       ７０６…分析異物サーバ演算部        ７１０…分析異物データ格納手段         ７２０…分析描画データ格納手段
７３０…分析結果データ格納手段。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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