(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセンサ部を有する固体撮像素子であって、
上記センサ部の上方に上記センサ部以外への光の入射を遮る遮光膜が形成され、
一部の上記センサ部の直上に、上記固体撮像素子が検出すべき波長範囲の光に対する空気中における反射率が５０％以下の材料により形成された、減光フィルタが設けられ、
上記減光フィルタが、上記遮光膜の上記センサ部上に形成された開口内を埋めている
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
複数のセンサ部を有する固体撮像素子であって、
上記センサ部の上方に上記センサ部以外への光の入射を遮る遮光膜が形成され、
一部の上記センサ部の直上に、上記固体撮像素子が検出すべき波長範囲の光に対する空気中における反射率が５０％以下の材料により形成された、減光フィルタが設けられ、
上記遮光膜と上記減光フィルタが同一材料により一体化して形成され、上記遮光膜よりも上記減光フィルタが薄く形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項３】
上記遮光膜及び上記減光フィルタの上方に、色フィルタが形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
上記減光フィルタが、一部の上記センサ部上において、上記遮光膜の上記開口を下側から埋めていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
上記減光フィルタが、Ｗ，ＷＳｉ，ＴｉＯＮから選ばれる材料を用いて形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
上記固体撮像素子が検出すべき波長範囲が、可視光域であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
上記遮光膜が、可視光域の光に対する空気中における反射率が５０％以下である材料により形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項８】
上記遮光膜と上記減光フィルタが同一材料により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、センサ部の上方に色フィルタと減光フィルタをそれぞれ形成して成る固体撮像素子に係わる。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、固体撮像素子のダイナミックレンジを拡大するために、一部画素の受光センサ上に減光フィルタを設けて、受光部に入射する光量を制限することが提案されている。
【０００３】
そして、センサ上に色フィルタが形成された構成の固体撮像素子において、例えば色フィルタの上に減光フィルタを設けるようにしている。
【０００４】
この減光フィルタとしては、例えばいわゆるＮＤフィルタ（Neutral Density Filter）や金属薄膜等が挙げられる。
特に金属薄膜（金属薄膜から成るＮＤフィルタも含む）を用いた場合には、薄膜で充分な減光効果が得られ、固体撮像素子の総膜厚をあまり増大させないという利点を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、色フィルタ上に金属薄膜を設けて減光フィルタとした場合には、実際の固体撮像素子への適用において問題を生じることになる。
即ち、金属薄膜は、その表面が金属光沢を有して反射率が比較的高くなっているため、輝度の高い被写体を撮影した場合に、フレアを発生するという問題である。
【０００６】
このフレアの発生の問題を、図６を参照して説明する。
この図６は、減光フィルタを色フィルタ上に設けたＣＣＤ固体撮像素子の概略構成図（断面図）である。
このＣＣＤ固体撮像素子は、半導体基体２１内にセンサ部２２と転送チャネル２３とが形成されている。センサ部２２は画素となるもので、多数のセンサ部２２が設けられてＣＣＤ固体撮像素子が構成される。
半導体基体２１より上方には、ゲート絶縁膜２４を介して例えば多結晶シリコンからなる転送電極２５が形成され、この転送電極２５及び転送チャネル２３により、ＣＣＤ構造の電荷転送部が構成される。
また、転送電極２５上には層間絶縁膜２６を介して遮光膜２７が形成されている。この遮光膜２７はセンサ部２２上に開口を有し、この開口を除く全面に形成されている。遮光膜２７上にはパッシベーション膜２８を介して平坦化膜２９が形成され、その上に色フィルタ３０（この図では原色系のカラーフィルタのＢｌｕｅとＧｒｅｅｎの２色を示している）が設けられている。さらに、色フィルタ３０の上方に、表面がレンズ形状の曲面とされたオンチップレンズ３１が形成されている。
そして、多数のセンサ部２２のうち一部において、色フィルタ３０上に減光フィルタ３２が設けられている。
【０００７】
この構造において、減光フィルタ３２として、半導体プロセスで一般的に使用されるＡｌ膜を用いると、輝度の高い被写体を撮影する際に、フレアを発生してしまう。
これは、Ａｌ膜から成り高い反射率を有する減光フィルタ３２の表面で、入射光Ｌ１が反射して、この反射した光Ｌ１Ｒが再度別の光路を経て他のセンサ部２２に到達したことにより、フレアとなったと解釈することができる。
【０００８】
このフレアの発生への対策としては、図７に示すように、色フィルタ３０の下に（色フィルタ３０よりセンサ部２２側に）減光フィルタ３３を設けた構造とすることが考えられる。
これにより、入射光Ｌ１は、減光フィルタ３３へ達する前に色フィルタ３０を通ることにより減衰し、さらに減光フィルタ３３で反射した光も色フィルタ３０を通ることにより減衰するため、その結果、フレアの要因となる反射光Ｌ１Ｒの光量が図６の構造よりも大幅に低減される。
【０００９】
しかしながら、この図７の構造において、転送電極を覆う遮光膜２７と減光フィルタ３３に、半導体プロセスに一般に使用されるＡｌ膜を用いると、減光フィルタ３３のない隣接画素への入射光Ｌ２が遮光膜２７の上面と減光フィルタ３３の下面との間で反射して、減光フィルタ３３を通した光を入射させるべきセンサ部２２に、減光フィルタ３３を通っていない光Ｌ２が入射して画素間の混色を発生してしまう。
尚、混色の発生要因には、この他に減光フィルタ３３のサイジングや位置精度も考えられるが、本質的には図７に示す遮光膜２７と減光フィルタ３３の底面との間の多重反射によるものと考えられる。
【００１０】
上述した問題の解決のために、本発明においては、フレアや混色の発生を防いで良好な画像が得られ、かつダイナミックレンジを大きくすることができる固体撮像素子を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の固体撮像素子は、複数のセンサ部を有するものであって、センサ部の上方にセンサ部以外への光の入射を遮る遮光膜が形成され、一部のセンサ部の直上に、固体撮像素子が検出すべき波長範囲の光に対する空気中における反射率が５０％以下の材料により形成された、減光フィルタが設けられ、この減光フィルタが、遮光膜のセンサ部上に形成された開口内を埋めているものである。
【００１２】
上述の本発明の固体撮像素子の構成によれば、一部のセンサ部の直上に減光フィルタが設けられているので、減光フィルタに入射光を通過させることによりセンサ部に入射する光量を低減させて、強度の強い入射光に対しても飽和しないで検出することが可能になる。
さらに、減光フィルタが固体撮像素子が検出すべき波長範囲の光に対する空気中における反射率が５０％以下の材料により形成されていることにより、減光フィルタの表面で反射する光の光量が低減され、フレアの要因となる反射光の光量が低減される。また、減光フィルタが遮光膜のセンサ部上に形成された開口内を埋めているので、遮光膜と減光フィルタとが略水平方向に並んで配置される。これにより、遮光膜と減光フィルタとの間の多重反射が発生しないため、例えばこの多重反射に起因する混色や他の画素への光の混入の発生を低減することができる。
【００１３】
本発明の固体撮像素子は、複数のセンサ部を有するものであって、センサ部の上方にセンサ部以外への光の入射を遮る遮光膜が形成され、一部のセンサ部の直上に減光フィルタが設けられ、この減光フィルタが固体撮像素子が検出すべき波長範囲の光に対する空気中における反射率が５０％以下の材料により形成され、遮光膜と減光フィルタが同一材料により一体化して形成され、遮光膜よりも減光フィルタが薄く形成されているものである。
【００１４】
上述の本発明の固体撮像素子の構成によれば、一部のセンサ部の直上に減光フィルタが設けられているので、入射光を減光フィルタを通過させることによりセンサ部に入射する光量を低減させて、強度の強い入射光に対しても飽和しないで検出することが可能になる。
また、減光フィルタは、固体撮像素子が検出すべき波長範囲の光に対する空気中における反射率が５０％以下の材料により形成されていることにより、減光フィルタの表面で反射する光の光量が低減され、フレアの要因となる反射光の光量が低減される。
さらに、遮光膜と減光フィルタが同一材料により一体化して形成され、遮光膜よりも上記減光フィルタが薄く形成されているので、遮光膜と減光フィルタとが略水平方向に並んで配置される。これにより、遮光膜と減光フィルタとの間の多重反射が発生しないため、例えばこの多重反射に起因する混色や他の画素への光の混入の発生を低減することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
本発明は、複数のセンサ部を有する固体撮像素子であって、センサ部の上方にセンサ部以外への光の入射を遮る遮光膜が形成され、一部のセンサ部の直上に、固体撮像素子が検出すべき波長範囲の光に対する空気中における反射率が５０％以下の材料により形成された、減光フィルタが設けられ、減光フィルタが、遮光膜のセンサ部上に形成された開口内を埋めている固体撮像素子である。
【００１６】
また本発明は、上記固体撮像素子において、減光フィルタが、Ｗ，ＷＳｉ，ＴｉＯＮから選ばれる材料を用いて形成されている構成とする。
【００１７】
また本発明は、上記固体撮像素子において、遮光膜及び減光フィルタの上方に、色フィルタが形成されている構成とする。
また本発明は、上記固体撮像素子において、減光フィルタが、一部のセンサ部上において、遮光膜の開口を下側から埋めている構成とする。
また本発明は、上記固体撮像素子において、固体撮像素子が検出すべき波長範囲が、可視光域である構成とする。
【００１８】
また本発明は、上記固体撮像素子において、さらに遮光膜が、可視光域の光に対する空気中における反射率が５０％以下である材料により形成されている構成とする。
【００１９】
また本発明は、上記固体撮像素子において、さらに遮光膜と減光フィルタが同一材料により形成されている構成とする。
【００２０】
本発明は、複数のセンサ部を有する固体撮像素子であって、センサ部の上方にセンサ部以外への光の入射を遮る遮光膜が形成され、一部のセンサ部の直上に減光フィルタが設けられ、この減光フィルタが固体撮像素子が検出すべき波長範囲の光に対する空気中における反射率が５０％以下の材料により形成され、遮光膜と減光フィルタが同一材料により一体化して形成され、遮光膜よりも減光フィルタが薄く形成されている固体撮像素子である。
【００２１】
また本発明は、上記固体撮像素子において、固体撮像素子が検出すべき波長範囲が、可視光域である構成とする。
【００２２】
また、本発明は、上記固体撮像素子において、遮光膜及び上記減光フィルタの上方に、色フィルタが形成されている構成とする。
【００２３】
また、本発明は、上記固体撮像素子において、減光フィルタが、Ｗ，ＷＳｉ，ＴｉＯＮから選ばれる材料を用いて形成されている構成とする。
【００２４】
また本発明は、上記固体撮像素子において、さらに遮光膜が、可視光域の光に対する空気中における反射率が５０％以下である材料により形成されている構成とする。
【００２５】
図１は、固体撮像素子の一形態の概略構成図（断面図）を示す。
【００２６】
図１に示す固体撮像素子は、半導体基体１内にセンサ部２と転送チャネル３とが形成されている。センサ部２は画素となるもので、多数のセンサ部２が設けられてＣＣＤ固体撮像素子が構成される。
半導体基体１より上方にはゲート絶縁膜４を介して例えば多結晶シリコンからなる転送電極５が形成され、この転送電極５及び転送チャネル３により、ＣＣＤ構造の電荷転送部が構成される。
また、転送電極５上には層間絶縁膜６を介して遮光膜７が形成されている。遮光膜７はセンサ部２上に開口を有し、この開口を除く全面に形成されている。遮光膜７上にはパッシベーション膜８を介して平坦化膜９が形成され、その上に色フィルタ１０（この図では原色系のカラーフィルタのＢｌｕｅとＧｒｅｅｎの２色を示している）が設けられている。さらに、色フィルタ１０の上方に、表面がレンズ形状の曲面とされたオンチップレンズ１１が形成されている。
【００２７】
そして、多数のセンサ部２のうち一部に対して、センサ部２の上方に減光フィルタ１２を設け、この減光フィルタ１２を色フィルタ１０の下即ちセンサ部２側に配置している。
【００２８】
ここで、一般的な金属、例えばＡｇ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｐｔ及びこれらの合金は、可視光域（４００〜７００ｎｍ）における反射率が６０％以上あるため、前述したように色フィルタ上にこれらの金属の薄膜からなる減光フィルタを設けると、図６に示したようにフレアの問題が発生する。
また、これらの金属の薄膜からなる減光フィルタを、単に色フィルタの下に設ける構成としただけでは、図７に示したように混色の問題が発生する。
【００２９】
そこで、本形態では、上述のように色フィルタ１０の下即ちセンサ部２側に減光フィルタ１２を設けるだけでなく、さらに減光フィルタ１２の可視光域（４００〜７００ｎｍ）における反射率（空気中での反射率）を５０％以下とする。
【００３０】
尚、このように減光フィルタ１２の可視光域における反射率を５０％以下とするために、金属酸化膜等を複数積層した多層膜により減光フィルタ１２を構成することも可能である。
しかしながら、このように減光フィルタ１２を多層膜とした場合には、製造工程数が増加し、また膜の加工が単層膜よりも難しくなるため、工業的には好ましいとは言えない。
従って、なるべく単層膜によって、可視光域における反射率が５０％以下の減光フィルタ１２を構成することが望ましい。
【００３１】
ある種の金属又は金属化合物は、単層膜で可視光域における反射率（空気中における反射率）が５０％以下の減光フィルタ１２を構成することが可能であり、また成膜や加工が容易で、工業的に極めて有用な減光フィルタ１２の材料となりうる。
このような金属としては例えばＷが挙げられ、金属化合物としては例えばＷＳｉやＴｉＯＮを挙げることができる。
【００３２】
これらの各材料Ｗ（膜厚３０ｎｍ）、ＷＳｉ（膜厚６０ｎｍ）、ＴｉＯＮ（膜厚６０ｎｍ）の波長範囲４００〜７００ｎｍにおける透過率と反射率（空気中における反射率）の測定値を、それぞれ図２Ａ及び図２Ｂに示す。
【００３３】
図２Ａより、いずれの材料も、この膜厚では可視光域全体にわたり透過率が６％程度以下であり、数十分の１程度に減光することができ、減光フィルタの材料として好適であることがわかる。
また図２Ｂより、いずれの材料も空気中における反射率が５０％以下と比較的小さくなっていることがわかる。
尚、図２Ａに示す透過率は膜厚に応じて変化し、膜厚が厚くなると吸収が増えるため透過率が小さくなるが、図２Ｂに示す反射率は膜厚の影響が小さい。
【００３４】
即ちこれらＷ，ＷＳｉ，ＴｉＯＮから選ばれる材料を用いて減光フィルタ１２を構成することにより、減光フィルタ１２の可視光域における反射率を５０％以下にできることがわかる。
【００３５】
また、前述した混色の発生を抑制するためには、減光フィルタ１２の反射率を低くする他に、遮光膜７自体の反射率を低くすることも同時に有効であり、減光フィルタ１２と同様に、遮光膜７も可視光域において空気中における反射率を５０％以下とすることが好ましい。
【００３６】
従って、Ｗ（タングステン）は、遮光膜７の材料としても極めて有用である。
さらに、遮光膜７と減光フィルタ１２とを同一の材料例えばＷにより形成することも可能である。
【００３７】
上述の本形態によれば、減光フィルタ１２を色フィルタ１０の下（センサ部２側）に設けたことにより、光が一旦色フィルタ１０を通ることによって減衰されてから減光フィルタ１２に入射し、減光フィルタ１２の上面で反射した光も色フィルタ１０を通って減衰されるため、反射光の光量が大幅に低減される。
これにより、フレアの発生を抑制することができる。
【００３８】
また、本形態によれば、減光フィルタ１２の可視光域における反射率（空気中での反射率）を５０％以下としたことにより、上述の減光フィルタ１２の上面で反射した光の光量を少なくできるためフレアの発生をより効果的に抑制すると共に、遮光膜７と減光フィルタ１２の下面との間で多重反射した光を低減することができる。
これにより、多重反射に起因する混色の発生を抑制することができる。
【００３９】
そして、多数のセンサ部２のうちの一部において、入射光を減光フィルタ１２を通過させることにより、センサ部２に入射する光量を低減させて、強度の強い入射光に対しても飽和しないで検出することが可能になり、ダイナミックレンジを大きくとることができる。
【００４０】
従って、本形態により、フレアや混色の発生を防いで、良好な画像が得られると共に、減光フィルタ１２の作用によりダイナミックレンジを大きくすることができる。
【００４１】
ところで、遮光膜と減光フィルタとの間の多重反射を本質的に発生しないようにするためには、センサ部の直上の遮光膜内に減光フィルタを設けるようにすればよい。
本発明の実施の形態として、このように構成した実施の形態を以下にいくつか示す。
【００４２】
続いて、本発明の一実施の形態として、固体撮像素子の概略構成図（断面図）を図３に示す。本実施の形態は、本発明をＣＣＤ固体撮像素子に適用した場合である。
本実施の形態の固体撮像素子では、特に層間絶縁膜６上に形成された遮光膜７のセンサ部２上に形成された開口を埋めるように、減光フィルタ１３が設けられている。
即ち遮光膜７のセンサ部２上に形成された開口を上から埋めるように、遮光膜７の上層に減光フィルタ１３が設けられている。
そして、本実施の形態においても、減光フィルタ１３を、可視光域における反射率（空気中における反射率）が５０％以下である構成とする。
【００４３】
本実施の形態の減光フィルタ１３の構成は、次のようにして作製することができる。
まず、半導体基体１にセンサ部２及び転送チャネル３を形成すると共に、層間絶縁膜６までの各層を形成する。
次に、層間絶縁膜６上に遮光膜７を成膜し、その後遮光膜７のセンサ部２上の部分に開口を形成する。
続いて、遮光膜７の開口を埋めるように、全面的に減光フィルタ１３を構成する材料の膜を成膜し、さらにこれを遮光膜７の開口内を含むようにパターニングする。
このようにして、本実施の形態の減光フィルタ１３を作製することができる。
【００４４】
本実施の形態によれば、減光フィルタ１３の可視光域における反射率が５０％以下であるため、先に図１に示した形態と同様に、フレアや混色の発生を防いで、良好な画像が得られると共に、減光フィルタ１３の作用によりダイナミックレンジを大きくすることができる。
【００４５】
特に本実施の形態によれば、減光フィルタ１３が遮光膜７のセンサ部２上の開口を埋めるように配置され、これら減光フィルタ１３及び遮光膜７が略水平方向に並んでいるため、遮光膜７と減光フィルタ１３との間に図７に示した多重反射が発生することがなく、混色の発生をより効果的に防止することができる。
【００４６】
また、本発明のさらに他の実施の形態として、固体撮像素子の概略構成図（断面図）を図４に示す。本実施の形態も、本発明をＣＣＤ固体撮像素子に適用した場合である。
図３に示した先の実施の形態では、減光フィルタ１３が遮光膜７上にあったが、本実施の形態では、遮光膜７より下層に減光フィルタ１４を設けている。
即ち一部のセンサ部２に対して、遮光膜７のセンサ部２上の開口を下側から埋めるように、センサ部２上に減光フィルタ１４が設けられている。
本実施の形態においても、減光フィルタ１４を、可視光域における反射率（空気中における反射率）が５０％以下である構成とする。
【００４７】
本実施の形態の減光フィルタ１４の構成は、次のようにして作製することができる。
まず、先の実施の形態と同様に、層間絶縁膜６までの各層を形成する。
次に、層間絶縁膜６上に減光フィルタ１４を構成する材料の膜を成膜する。さらに、これを所定の（減光フィルタ１４が設けられる）センサ部２上にだけ残るようにパターニングして減光フィルタ１４を形成する。
続いて、減光フィルタ１４を覆って全面的に遮光膜７を成膜し、その後遮光膜７のセンサ部２上の部分に開口を形成する。
【００４８】
本実施の形態によれば、減光フィルタ１４の可視光域における反射率が５０％以下であるため、前述した各実施の形態と同様に、フレアや混色の発生を防いで、良好な画像が得られると共に、減光フィルタ１４の作用によりダイナミックレンジを大きくすることができる。
【００４９】
特に本実施の形態によれば、減光フィルタ１４が遮光膜７のセンサ部２上の開口を下から埋めるように配置され、これら減光フィルタ１４及び遮光膜７が水平方向にほぼ並んでいるため、図３に示した実施の形態と同様に、混色の発生をより効果的に防止することができる。
【００５０】
さらに、本発明の別の実施の形態として、固体撮像素子の概略構成図（断面図）を図５に示す。本実施の形態も、本発明をＣＣＤ固体撮像素子に適用した場合である。
本実施の形態では、減光フィルタ１５を遮光膜７と同じ材料により遮光膜７と一体化して、かつ受光部２の直上に形成している。
減光フィルタ１５の部分７Ａは、他の部分の遮光膜７よりも薄くなっていて、強度の弱い光は遮断されるが強度の強い光はセンサ部２に入射するようにしている。即ち転送電極５を覆う遮光膜７よりも薄くすることにより、減光フィルタ１５としての作用を生じるようにしている。
【００５１】
本実施の形態においては、減光フィルタ１５及び遮光膜７を構成する膜を、可視光域における反射率（空気中における反射率）が５０％以下である構成とする。
このような材料としては、前述したＷ（タングステン）膜等が好適である。
【００５２】
本実施の形態の減光フィルタ１５の構成は、次のようにして作製することができる。
まず、半導体基体１にセンサ部２及び転送チャネル３を形成すると共に、層間絶縁膜６までの各層を形成する。
次に、層間絶縁膜６上に遮光膜７を成膜する。
その後、減光フィルタ１５を形成しないセンサ部２上の部分の遮光膜７に、エッチングにより開口を形成する。また、減光フィルタ１５を形成するセンサ部２上の遮光膜７（７Ａ）をエッチングにより薄くする。このとき、マスクを用いて２段階のエッチングを行って、遮光膜７に開口と減光フィルタ１５をそれぞれ形成する。例えば全てのセンサ部２上の遮光膜を第１のエッチングにより薄くしてから、第２のエッチングにより減光フィルタ１５を形成しないセンサ部２上に開口を形成する方法と、例えば開口を形成するエッチングと遮光膜を薄くするエッチングとをそれぞれマスクを用いて別々に行う（どちらが先でもよい）方法等が考えられる。
このようにして、本実施の形態の減光フィルタ１５を作製することができる。
【００５３】
本実施の形態によれば、減光フィルタ１５の可視光域における反射率が５０％以下であるため、前述した各実施の形態と同様に、フレアや混色の発生を防いで、良好な画像が得られると共に、減光フィルタ１５の作用によりダイナミックレンジを大きくすることができる。
【００５４】
特に本実施の形態によれば、減光フィルタ１５が遮光膜７を薄くして形成されているため、遮光膜７の可視光域における反射率も５０％以下となっていると共に、これら減光フィルタ１５及び遮光膜７が水平方向にほぼ並んでいるため、図３及び図４に示した実施の形態と同様に、混色の発生をより効果的に防止することができる。
【００５５】
上述の各実施の形態では、本発明をＣＣＤ固体撮像素子に適用したが、その他の構成の固体撮像素子、例えばＣＣＤ構造以外の電荷転送部を有する固体撮像素子やＭＯＳ型固体撮像素子にも、同様に本発明を適用することができる。
そして、他の構成の固体撮像素子においても同様に、一部のセンサ部の上方（色フィルタよりもセンサ部側）に、減光フィルタを設ける、より好ましくは可視光域における反射率が５０％以下の減光フィルタを設けるようにすればよい。
【００５６】
また、図３、図４及び図５に示した各実施の形態の構成は、色フィルタのない固体撮像素子（例えば白黒用や単色用、ラインセンサ、赤外線検出用や紫外線検出用等）にも適用することが可能であり、それぞれの構成においてフレアの発生を抑制して良好な画像を得ると共に、ダイナミックレンジを大きくすることができる。
この場合は色フィルタが設けられないため、前述した混色の問題は生じないが、他の画素への光の混入を防止することができる効果を有する。
【００５７】
尚、赤外線検出用又は紫外線検出用に適用する場合には、減光フィルタの構成を、その固体撮像素子が検出すべき波長範囲の光（赤外線域又は紫外線域）に対する空気中における反射率が５０％以下となるようにする。
【００５８】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【００５９】
【発明の効果】
上述の本発明によれば、減光フィルタにより一部のセンサ部に入射する光量を低減させて、強度の強い入射光に対しても飽和しないで検出することが可能になり、ダイナミックレンジを大きくとることができる。
さらに、減光フィルタの反射率を５０％以下と小さくしている。
これにより、反射光の光量が大幅に低減され、フレアの発生を抑制することができる。
【００６０】
また、本発明によれば、減光フィルタの反射率を５０％以下と小さくしたことにより、遮光膜と減光フィルタとの間の多重反射に起因する混色等の発生を抑制することができる。
従って、本発明によれば、フレアや混色の発生を防いで良好な画像が得られ、かつダイナミックレンジを大きくすることができる。
【００６１】
特に、一部のセンサ部の直上に遮光膜内を埋めるように減光フィルタを設けた構成としたときには、遮光膜と減光フィルタとが略水平方向に並ぶことから、遮光膜と減光フィルタとの間の多重反射を生じることがなく、この多重反射に起因する混色や他の画素への光の混入等の発生を効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  固体撮像素子の一形態の概略構成図（断面図）である。
【図２】Ａ  図１の減光フィルタの透過率の波長分布を示す図である。
Ｂ  図１の減光フィルタの反射率の波長分布を示す図である。
【図３】  本発明の一実施の形態の固体撮像素子の概略構成図（断面図）である。
【図４】本発明のさらに他の実施の形態の固体撮像素子の概略構成図（断面図）である。
【図５】本発明の別の実施の形態の固体撮像素子の概略構成図（断面図）である。
【図６】色フィルタ上に減光フィルタを設けたＣＣＤ固体撮像素子の概略構成図（断面図）である。
【図７】色フィルタの直下に金属薄膜から成る減光フィルタを設けた固体撮像素子の概略構成図（断面図）である。
【符号の説明】
２  センサ部、７  遮光膜、８  パッシベーション膜、１０  色フィルタ、１２，１３，１４，１５  減光フィルタ
【図１】
0003975787.tif 000002
【図２】
0003975787.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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