(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
大屋根を備えたメイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場において、
前記メイン製造エリアの大屋根を受ける桁往き方向の梁を、前記コア部よりのダクトを貫通させる箇所において、垂直材と連結しない斜材の端部が、所要の距離を隔てて上弦部材に取り付けられることによって形成されたニートラス構造とし、梁トラス内部にダクト貫通用空間を設けた
ことを特徴とする半導体工場。
【請求項２】
メイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場において、
前記メイン製造エリアの下部ユーティリティ用空間を大梁の設置空間とし、その両方または大口径ダクトなどが主に走る方向を、垂直材と連結しない斜材の端部が、所要の距離を隔てて上弦部材に取り付けられることによって形成されたニートラス構造とし、梁トラス内部にダクト貫通用空間を設けた
ことを特徴とする半導体工場。
【請求項３】
メイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場において、
前記メイン製造エリアが重層構造を為し、各メイン製造エリアの下部ユーティリティ用空間を大梁の設置空間とし、その両方または大口径ダクトなどが主に走る方向を、垂直材と連結しない斜材の端部が、所要の距離を隔てて上弦部材に取り付けられることによって形成されたニートラス構造とし、梁トラス内部にダクト貫通用空間を設けた
ことを特徴とする半導体工場。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大屋根を備えたメイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体工場は、大型化し、また製造機器レイアウトの自由性向上のため、大スパン構造（３０〜４０ｍ程度）が主流となっている。
この構造は、通常、構造設計の経済性追求からトラス構造が主流で、斜材が多く、梁高が大きい割にはダクトが貫通できる空間は大きくない。
一方、排煙ダクトやクリーンの空調を受け持つダクトは、空間に比例して大きく、通常は、両側のコア部に設置のファンや空調機から口径が１．５ｍ×３ｍや２．５ｍ×２．５ｍにも達する大きさでスタートするケースも多い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
これに対し、従来は、屋根トラス内を貫通しにくいことから、トラス下にこの空間を設け、階高を増加させる手法で対応してきた。
また、別の手法としては、大梁方向のみをトラス構造とし、梁のつなぎ方向はＨ鋼のみのつなぎとしたケースもあるが、構造計画上はトラスに比較し割高となっていた。
【０００４】
本発明は、かかる従来の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、大屋根を備えたメイン製造エリアの両側または片側の機械室よりのダクトを梁トラス内に納める空間を確保することが可能な半導体工場を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、大屋根を備えたメイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場において、前記メイン製造エリアの大屋根を受ける桁往き方向の梁を、前記コア部よりのダクトを貫通させる箇所において、垂直材と連結しない斜材の端部が、所要の距離を隔てて上弦部材に取り付けられることによって形成されたニートラス構造とし、梁トラス内部にダクト貫通用空間を設けたことを特徴とする。
請求項２に係る発明は、メイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場において、前記メイン製造エリアの下部ユーティリティ用空間を大梁の設置空間とし、その両方または大口径ダクトなどが主に走る方向を、垂直材と連結しない斜材の端部が、所要の距離を隔てて上弦部材に取り付けられることによって形成されたニートラス構造とし、梁トラス内部にダクト貫通用空間を設けたことを特徴とする。
請求項３に係る発明は、メイン製造エリアの両側または片側に機械室を設けたコア部を配置して成る半導体工場において、前記メイン製造エリアが重層構造を為し、各メイン製造エリアの下部ユーティリティ用空間を大梁の設置空間とし、その両方または大口径ダクトなどが主に走る方向を、垂直材と連結しない斜材の端部が、所要の距離を隔てて上弦部材に取り付けられることによって形成されたニートラス構造とし、梁トラス内部にダクト貫通用空間を設けたことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づいて説明する。
図１〜図４は、本発明の第一実施形態に係る半導体工場を示す。
本実施形態に係る半導体工場１は、大屋根１１を備えたメイン製造エリア１０と、このメイン製造エリア１０の両側に機械室２１を設けたコア部２０とを有する。
メイン製造エリア１０には、クリンルーム１２が設けられている。
コア部２０には、空調機２２を備えた機械室２１が設置されている。各空調機２２には、主ダクト２３が取り付けられ、各主ダクト２３には分岐ダクト２４が取り付けられている。
ここで、主ダクト２３から分岐する分岐ダクト２４の口径は、従来と同様に１．５ｍ×３ｍや２．５ｍ×２．５ｍにも達する大きさでスタートする。
【０００７】
メイン製造エリア１０では、コア部２０と直交する方向（または桁往き方向）に主梁１３が配置されるとともに、主梁１３の直交する方向（コア部２０と平行）に小梁１４が配置されている。
例えば、小梁１４は、３０ｍ程度の大トラスのつなぎ方向に、６〜８ｍに一カ所程度の間隔で設けられている。
そして、小梁１４が、図３、図４に示すように、空調機２２の分岐ダクト２３を貫通させる空間を形成できるように、斜材となる小梁部材１４ａ、１４ａの一部がニートラス構造にしてある。
ここで、ニートラス構造とは、垂直材となる小梁部材１４ｂと連結しない斜材となる小梁部材１４ａの端部が、所要の距離を隔てて小梁上弦部材１４ｃに取り付けられることによって形成された構造をいう。
これによって、内部にダクト貫通用空間１５が形成されている。
この形成されたダクト貫通用空間１５は、経済合理性と併せて空間利用の効率アップを図ることができる。
また、小梁１４は、内部にダクト貫通用空間１５を形成しない部位では、従来と同様に、小梁部材１４ａ同士を連結して成るトラス構造となっている。
【０００８】
図３は、図２の要部を拡大して示す概略平面図である。
ここでは、梁１３は桁往き方向大梁を示す。なお、梁往き方向大梁１３Ｂを示すが、ない場合もある。
なお、上記実施形態では、メイン製造エリア１０の両側にコア部２０を設けた場合について説明したが、本発明は、メイン製造エリア１０の片側にコア部２０を設けた場合についても当然に適用できる。
また、上記実施形態では、メイン製造エリアの大屋根を受ける桁往き方向の小梁にダクト貫通用空間１５を形成した場合について説明したが、本発明はこれに限らず、メイン製造エリアの大屋根を受ける桁往き方向の大梁を含むすべての梁または一部の大梁と小梁を、ニートラス構造とし、内部にダクト貫通用空間を設けるようにしても良い。
【０００９】
また、本発明は、例えば、３つのクリーンルームと、各クリーンルームの両側に機械室（図示せず）を設けたコア部とを有する重層クリーンルーム型の半導体工場に適用することもできる。なお、機械室およびコア部は、上記実施形態と同様である。
各クリーンルームの下部には、ユーティリティ階が設けられている。このユーティリティ階は、大梁が設置された空間構造となっている。このユーティリティ階は、メインユーティリティとサブユーティリティとに分けられている。ここで、メインユーティリティは、例えば、配管ダクトのメイン部分の設置、製造機器の補機の置き場、除害装置等の置き場として使用される。また、サブユーティリティは、例えば、クリーン空気の循環、製造機器の繋ぎ込みの配管ダクトの設置等に使用される。そして、ユーティリティ階のメインユーティリティは、大口径ダクト等が主に走る方向にニートラス構造になっている。また、メインユーティリティの床は、スラブによって形成されている。また、メインユーティリティとサブユーティリティは、区画のスラブまたはフラットデッキ等の鉄板のみの区画となっている。サブユーティリティは、口鋼１００ｍｍ程度で組み上げられている。さらに、クリンルーム側には、根太＠６００の上にフリーアクセスパネルが敷設されている。また、ユーティリティ階とクリーンルームとの間には、プレナムチャンバが形成されている。
【００１０】
従って、この場合においても、ユーティリティ階内にダクト貫通用空間が形成されている。このダクト貫通用空間には、分岐ダクトが配設されている。また、このダクト貫通用空間は、メンテナンス用のアクセス空間として使用することもできる。この形成されたダクト貫通用空間は、経済合理性と併せて空間利用の効率アップを図ることができる。
この場合においては、クリーンルームとユーティリティ階とでメイン製造エリアを構成する（ただし、最下段はクリーンルームとリターンスペースで構成されている）。
また、最上段のクリーンルームの上部には、プレナムチャンバを介して大屋根が設けられている。また、リターンスペースの床部はマッドスラブが設けてある。
【００１１】
【発明の効果】
本発明によれば、メイン製造エリアの両側または片側に設けたコア部よりのダクトを梁トラス内に納める空間が従来に比し安価に確保することができる。
また、３０ｍ程度の大トラスのつなぎ方向（６〜８ｍに一カ所程度）の梁を、大ダクトが貫通する箇所においては、ニートラスを採用することで経済合理性と併せて空間利用の効率アップを図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第一実施形態に係る半導体工場の要部を示す縦断面図である。
【図２】  本発明の第一実施形態に係る半導体工場を示す概略平面図である。
【図３】  図２の要部を拡大して示す概略平面図である。
【図４】  本発明の第一実施形態に係る半導体工場の要部を示す拡大図である。
【符号の説明】
１  半導体工場
１０  メイン製造エリア
１１  大屋根
１２  クリンルーム
１３  主梁
１４  小梁
１５  ダクト貫通用空間
２０  コア部
２１  機械室
２２  空調機
２３  主ダクト
２４  分岐ダクト
【図１】
0003939472.tif 000002
【図２】
0003939472.tif 000003
【図３】
0003939472.tif 000004
【図４】
0003939472.tif 000005