(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１導電性酸化物層上に第１強誘電性物質よりなるゾルーゲル溶液を塗布して第１強誘電性膜を形成する段階と、
（ｂ）前記第１強誘電性膜をベーキングする段階と、
（ｃ）前記第１強誘電性膜をアニリングしてペロブスカイト構造のＰＺＴシードレーヤーを形成する段階と、
（ｄ）前記ＰＺＴシードレーヤーの表面に第２強誘電性物質よりなるゾルーゲル溶液を塗布して第２強誘電性膜を形成する段階と、
（ｅ）前記第２強誘電性膜をベーキングする段階と、
（ｆ）前記第２強誘電性膜をアニリングしてペロブスカイト構造を有するＰＺＴフィルム又はＮｂ、Ｔａ、もしくはＬａがドープされたＰＺＴフィルムよりなる強誘電性フィルムを形成する段階とを含むことを特徴とする強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項２】
前記第１導電性酸化物層の導電性酸化物はＩｒＯｘ、ＲｈＯｘ、ＲｕＯｘ及びＴｉＯｘよりなるグループから選択された少なくともいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項３】
前記第１導電性酸化物層はシリコン基板上に備えられることを特徴とする請求項１に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項４】
前記第１導電性酸化物層はシリコン酸化物基板に備えられることを特徴とする請求項１に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項５】
前記強誘電性フィルムの上に第２導電性酸化物層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項６】
前記第２導電性酸化物層の導電性酸化物はＩｒＯｘ、ＲｈＯｘ、ＲｕＯｘ及びＴｉＯｘよりなるグループから選択された少なくともいずれか一つであることを特徴とする請求項５に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項７】
前記強誘電性フィルムはＰＺＴフィルムであることを特徴とする請求項１に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項８】
前記（ｄ）段階と（ｅ）段階を多数回繰り返すことを特徴とする請求項１に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項９】
前記（ｃ）段階と（ｆ）段階のうち少なくともいずれか一つをＲＴＡ装置で施すことを特徴とする請求項１に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項１０】
ＲＴＡ装置の昇温速度は１０〜２００℃／秒の範囲値を有することを特徴とする請求項９に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項１１】
ＲＴＡ装置の加熱温度は６５０〜８５０℃の範囲値を有することを特徴とする請求項９に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項１２】
前記段階（ｃ）及び（ｆ）のうち少なくともいずれか一つが加熱温度を６５０〜８５０℃、そして加熱時間を２０〜２００秒として施されることを特徴とする請求項１に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項１３】
（ａ）ＲｕＯｘ層上に第１強誘電性物質よりなる第１ゾルーゲル溶液を塗布して第１強誘電体層を備える段階と、
（ｂ）前記第１強誘電体層をベーキングする段階と、
（ｃ）前記第１強誘電体層をアニリングしてペロブスカイト構造のＰＺＴシードレーヤーを得る段階と、
（ｄ）前記ＰＺＴシードレーヤーの上に強誘電性物質よりなる第２ゾルーゲル溶液を塗布して第２強誘電体層を備える段階と、
（ｅ）前記第２強誘電体層をベーキングする段階と、
（ｆ）前記第２強誘電体層をアニリングしてＰＺＴフィルムを得る段階とを含むことを特徴とする強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項１４】
（ａ）第１導電性酸化物層上に第１ＰＺＴゾルーゲル溶液を塗布して第１強誘電体層を備える段階と、
（ｂ）前記第１強誘電体層をベーキングする段階と、
（ｃ）前記第１強誘電体層をアニリングしてＰＺＴシードレーヤーを得る段階と、
（ｄ）前記シードレーヤーの上に第２ＰＺＴゾルーゲル溶液を塗布して第２強誘電体層を備える段階と、
（ｅ）前記第２強誘電体層をベーキングする段階と、
（ｆ）前記第２強誘電体層をアニリングしてＰＺＴフィルムを得る段階とを含むことを特徴とする強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項１５】
前記第１ＰＺＴゾルーゲル溶液と第２ＰＺＴゾルーゲル溶液のうちいずれか一つにＮｂ、Ｔａ、又はＬａよりなるドープ剤が含有されていることを特徴とする請求項１４に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項１６】
前記ドープ剤の濃度は０．５〜７モル％の範囲内であることを特徴とする請求項１５に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項１７】
（ａ）ＲｕＯｘ層上に第１ＰＺＴゾルーゲル溶液を塗布して第１強誘電体層を形成する段階と、
（ｂ）前記第１強誘電体層をベーキングする段階と、
（ｃ）前記第１強誘電体層をアニリングしてＰＺＴシードレーヤーを形成する段階と、
（ｄ）前記ＰＺＴシードレーヤーの上に第２ＰＺＴゾルーゲル溶液を塗布して第２強誘電体層を形成する段階と、
（ｅ）前記第２強誘電体層をベーキングする段階と、
（ｆ）前記第２強誘電体層をアニリングしてペロブスカイト構造を有するＰＺＴフィルムを形成する段階とを含むことを特徴とする強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項１８】
前記第１ＰＺＴゾルーゲル溶液と第２ＰＺＴゾルーゲル溶液のうち少なくともいずれか一つにＮｂ、Ｔａ、又はＬａよりなるドープ剤が含有されていることを特徴とする請求項１７に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項１９】
前記ドープ剤の濃度は０．５〜７モル％の範囲内であることを特徴とする請求項１８に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項２０】
前記シードレーヤーは前記ＲｕＯｘのＲｕ成分とＰＺＴフィルムのＰｂ成分がそれぞれ前記ＰＺＴフィルムとＲｕＯｘ層に拡散されることを防止する拡散防止障壁の機能を有することを特徴とする請求項１８に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項２１】
前記シードレーヤーは前記ＰＺＴフィルムにペロブスカイト相を誘導する誘導層としての役割を果たすことを特徴とする請求項１８に記載の強誘電性キャパシタの製造方法。
【請求項２２】
（ａ）基板にＲｕＯｘ層を形成する段階と、
（ｂ）前記ＲｕＯｘ層にＰＺＴシードレーヤーをゾルーゲル法で形成する段階と、
（ｃ）前記ＰＺＴシードレーヤーの上にＰｂＺｒＴｉＯｘ、Ｐｂ（ＮｂＺｒ）ＴｉＯｘ、Ｐｂ（ＴａＺｒ）ＴｉＯｘまたはＰｂ（ＬａＺｒ）ＴｉＯｘよりなる強誘電体層をゾルーゲル法で形成する段階とを含むことを特徴とする強誘電性キャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は強誘電性キャパシタの製造方法に係り、特にＦＲＡＭ（Ferroelectric Random Access Memory）にメモリセルとして使用される強誘電性キャパシタの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
強誘電性物質として多用されているＰＺＴ（PbZr1-xTixO3）は分極値が非常に大きく、電気特性及び材料特性に優れる反面、耐久性は劣る短所があった。
【０００３】
繰り返されたスイッチングによりキャパシタの残留分極が減少し、ヒステリシスループの形状が変わるような強誘電体の分極特性が低下する現象を疲労という。
【０００４】
キャパシタがメモリ素子として用いられるためには１０12サイクル程度で繰り返される記録／再生に対して耐久性が求められる。しかしながら、Ｐｔ（白金）を電極として使用するＰＺＴ系列のキャパシタは、１０6 サイクル以後からは疲労現象が深化され、１０9 サイクル以上では強誘電性性質が現れなくてキャパシタとしての機能を果たすことができなくなる。反面、RuOx電極を用いるＰＺＴ系列の強誘電性キャパシタは優秀な疲労特性を有することにより長時間にかけて使用できるという長所を有する。ＲｕＯx 電極を使用するキャパシタにおいて、ＰＺＴフィルムはＲｕＯx 電極上にゾルーゲル法により形成されるが、このゾルーゲル法では均一な厚さのＰＺＴフィルムを得ることができなく、また純粋なペロブスカイト相の構造が得られない問題があった。結局、このような問題によれば漏れ電流が少ない、即ち実用性のあるキャパシタを製造することは困難である。しかしながら、Ｐｔ電極を適用したキャパシタの場合、ＰＺＴフィルム膜の形成後に熱処理過程を経ると均一な厚さと純粋なペロブスカイト相のＰＺＴフィルムが得られる。これとは異なり、ＲｕＯx 電極を使用するキャパシタの場合はＰｔ電極を適用するような処理過程を経ても均一な厚さの膜を形成することが困難であり、パイロクロール（pyrochlore）という二次相が多量現れる。ＰＺＴフィルムの表面を光学顕微鏡で詳しく調べると、半径が０．１〜５μｍ程度の丸い半点が集まっているロゼット構造が観察される。このロゼット構造はペロブスカイトの核が多く形成されないときに現れる。ＰＺＴの構成元素であるＰｂがＲｕＯx 層上にＰＺＴフィルムからＲｕＯx 層の内部に拡散されて消失されることによりペロブスカイトの核の形成が困難になる。ＰＺＴフィルムを得るためには、スピンコーティング方法により形成されたＰＺＴフィルムを酸素雰囲気中で６００〜７００℃の範囲で約３０分間加熱したり、ＲＴＡ（rapid thermal annealing ）過程により７００〜８５０℃の程度で加熱する。このような熱処理過程でＰｂがＲｕＯx 層の内部に拡散されることによりロゼット構成が形成されると考えられる。ロゼット構造を観察した結果、ロゼット部位は純粋なペロブスカイト構造であり、これらロゼット相互間の境界部位はパイロクロール（pyrochlore）とペロブスカイトとの混合構造であり、このような境界面を通してキャパシタに蓄積された電流が漏れる。一般にＲｕＯx ／ＰＺＴ／ＲｕＯx 積層構造のキャパシタは漏れ電流が１０-5μＡ／ｃｍ2 以上であってＰｔ／ＰＺＴ／Ｐｔキャパシタに比して１０倍以上大きく、かつ、ＰＺＴフィルムの表面が滑らかでないのでエッチング又は多層膜の形成などの工程を行うことは困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ロゼット構造の生成を抑制して膜の厚さを均一にすることにより純粋なペロブスカイト構造を有する強誘電性フィルムを形成しうる強誘電性キャパシタの製造方法を提供するにある。
【０００６】
また、本発明の他の目的は、優秀な疲労特性を持ち、漏れ電流の少ない強誘電性キャパシタの製造方法を提供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために本発明の強誘電性キャパシタの製造方法は、（ａ）第１導電性酸化物層上に第１強誘電性物質よりなるゾルーゲル溶液を塗布して第１強誘電性膜を形成する段階と、（ｂ）前記第１強誘電性膜をベーキングする段階と、（ｃ）前記第１強誘電性膜をアニリングしてペロブスカイト構造のＰＺＴシードレーヤーを形成する段階と、（ｄ）前記ＰＺＴシードレーヤーの表面に第２強誘電性物質よりなるゾルーゲル溶液を塗布して第２強誘電性膜を形成する段階と、（ｅ）前記第２強誘電性膜をベーキングする段階と、（ｆ）前記第２強誘電性膜をアニリングしてペロブスカイト構造を有するＰＺＴフィルム又はＮｂ、Ｔａ、もしくはＬａがドープされたＰＺＴフィルムよりなる強誘電性フィルムを形成する段階とを含むことを特徴とする。
【０００８】
また、前記目的を達成するために本発明の強誘電性キャパシタの製造方法は、（ａ）ＲｕＯｘ層上に第１強誘電性物質よりなる第１ゾルーゲル溶液を塗布して第１強誘電体層を備える段階と、（ｂ）前記第１強誘電体層をベーキングする段階と、（ｃ）前記第１強誘電体層をアニリングしてペロブスカイト構造のＰＺＴシードレーヤーを得る段階と、（ｄ）前記ＰＺＴシードレーヤーの上に強誘電性物質よりなる第２ゾルーゲル溶液を塗布して第２強誘電体層を備える段階と、（ｅ）前記第２強誘電体層をベーキングする段階と、（ｆ）前記第２強誘電体層をアニリングしてＰＺＴフィルムを得る段階とを含むことを特徴とする。
【０００９】
前記本発明の製造方法において、前記ＰＺＴシードレーヤーの厚さは出来る限り薄いものがよく、特に１０〜１００ｎｍ程度の範囲が望ましい。そして、強誘電性フィルム、例えばＰＺＴフィルムのためのＰＺＴゾルーゲル溶液の塗布及び第２強誘電体層のベーキング段階を所望の厚さを得るために数回繰り返す必要がある。このＰＺＴシードレーヤーとＰＺＴフィルムをアニリングする段階ではＲＴＡ工程でＰＺＴシードレーヤーとＰＺＴフィルムを高温で瞬間的に加熱することにより、純粋なペロブスカイト構造のＰＺＴシードレーヤーとＰＺＴフィルムを形成することができる。
【００１０】
このような本発明によれば、ペロブスカイトの構造を有するＰＺＴシードレーヤーはＩｒＯｘ、ＲｈＯｘ、ＲｕＯｘ、ＴｉＯｘのうち少なくともいずれか一つよりなる導電性酸化物層の表面上に形成され、ＰＺＴシードレーヤーは後続くＰＺＴフィルムの形成過程においてＰＺＴ膜のペロブスカイト構造の成長を補助する。かつ、強誘電性フィルムの表面、即ちＰＺＴフィルムの表面は非常に平坦になる。
【００１１】
また、前記ＰＺＴゾルーゲル溶液にドープ剤が加えられるとき、所望のペロブスカイト構造の生成が促進され、ドープ剤としてはＮｂ、Ｔａ、Ｌａのうち少なくともいずれか一つである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき本発明を詳細に説明する。
【００１３】
本発明のキャパシタの基板としてはＳｉウェーハまたはＳｉＯ2 膜が３００ｎｍの厚さで形成されたＳｉウェーハが用いられる。
【００１４】
先ず図１を参照すれば、本発明の製造方法はＲｕＯx 下部電極を形成する段階と、下部電極上にシードレーヤーを形成する段階と、シードレーヤーの上に強誘電性フィルム、例えばＰＺＴフィルムを形成する段階、そして前記ＰＺＴフィルムの上にＲｕＯx 上部電極を形成する段階とを含む。このような段階を具体的に調べると次の通りである。
【００１５】
図２及び図３を参照すれば、基板１０の絶縁膜２０の上に反応性スパッタリング法によりＩｒＯx 、ＲｈＯx 、ＲｕＯx 及びＴｉＯx のうち少なくともいずれか一つ、望ましくはＲｕＯx を含む導電性酸化物層を３００ｎｍの厚さで蒸着させる。このような反応性スパッタリングのための条件において、アルゴンと酸素の分圧比は７０：３０、圧力は２００〜５００mTorr 、パワーは２００〜６００Ｗとする。スパッタリングが完了した後には、大気中で６００℃程度の温度で約１時間熱処理して導電性酸化物層（下部電極）３０を完成する。
【００１６】
図４に示したように前記ＲｕＯx 膜の上にシードレーヤーを形成する段階においては、先ず第１ＰＺＴゾルーゲル溶液をｎ−propanol/acetic酸１：１溶液で希釈して０．０５〜０．３Ｍとする。調剤された第１ＰＺＴゾルーゲル溶液をスピンコータにより前記ＲｕＯx 下部電極上に所定の厚さで塗布して第１ＰＺＴ膜を形成する。この際、スピンコータの回転速度は２０００〜５０００ＲＰＭ、回転時間は４０秒程度である。このように形成された第１ＰＺＴ膜を２５０℃で５分間ベーキングした後、拡散炉またはＲＴＡ装置を用いて酸素雰囲気で熱処理して図４に示したようにシードレーヤー４０を得る。シードーレーヤー４０の厚さは１０〜１００ｎｍ程度である。ＲＴＡ法を適用する場合、昇温速度は１０〜２００℃／sec、加熱温度は６５０〜８５０℃であり、全体熱処理時間は２０〜２００秒が望ましい。
【００１７】
以上のような過程によりシードレーヤーを得た後、シードレーヤーの上に０．４Ｍとして用意されたＰＺＴ及びドーピングされたＰＺＴ前駆物質（precursor ）溶液、即ち第２ＰＺＴゾルーゲル溶液を前記シードレーヤーの上に塗布して第２強誘電性フィルムを得、これをベーキングする過程を例えば３回繰り返して図５に示したように所望の厚さのＰＺＴ膜５０を得る。これを６００〜７００℃で３０分間酸素雰囲気でアニリングしたり、ＲＴＡ装置で６５０〜８５０℃で３０秒間アニリングするが、その昇温速度は１０〜２００℃／sec である。ＳＥＭ（Scanning Electron Microscopy）及びＸＲＤ（Ｘ-Ray Diffractometer)方法で得られたＰＺＴフィルムを測定した結果、その厚さは３００ｎｍ程度であり、純粋なペロブスカイト構造が形成されたことを確かめた。前記第１、第２ＰＺＴゾルーゲル溶液にはドープ剤を０．５〜７モル％比率として含ませるが、ドープ剤はアニリング時、ＰＺＴ物質内にペロブスカイト構造の生成を促進させる。このようなドーピング元素としてはＮｂ、Ｔａ、Ｌａなどがあり、このうち少なくとも一つを選択することができる。前記のようなドーピング元素によれば、Ｐｂ（ＮｂＺｒ）ＴｉＯx 、Ｐｂ（ＴａＺｒ）ＴｉＯx またはＰｂ（ＬａＺｒ）ＴｉＯx が得られる。
【００１８】
最終的に図６に示したように直径７５μm のシャドウマスクを用いて前記ＰＺＴフィルムの上にＲｕＯx を蒸着してＲｕＯx 上部電極６０を備える。光学顕微鏡で測定した結果、形成された電極の幅は４．５×１０-5、その厚さは１５０ｎｍであった。
【００１９】
以上のような過程において、前記シードレーヤーは、ＲｕＯx のＲｕ成分のＰＺＴフィルムのＰｂ成分がそれぞれＰＺＴフィルムとＲｕＯx 膜に拡散されることを防止する拡散防止障壁としての機能と、ＰＺＴフィルムに対するペロブスカイト相の誘発層としての機能を果たす。
【００２０】
以上の過程で本発明者は三つのサンプルを製作したが、一つは拡散炉でアニリングさせたものであり、他の一つはＲＴＡ装置でアニリングさせたものであり、もう一つは同一な条件で従来の方法で製作したものである。本発明による二つのサンプルの物理的特性を測定するにおいて、ヒステリシスループ、耐久性および漏れ電流などの測定には Radient社の Standard RT66A, RT6000HVS及びヒュレットパッカード社の HP8116Aパルス発生器などを用いた。
【００２１】
製作された二つのＲｕＯx ／ＰＺＴ／ＲｕＯx キャパシタのヒステリシスループを測定した結果、拡散炉で熱処理されたものよりＲＴＡ装置で熱処理されたものが優秀な残留分極値を示した。そして、漏れ電流においては、両者が類似な結果を示し、シードレーヤーを適用しない従来の方法によるキャパシタに比して１／１０未満である１０-6Ａ／ｃｍ2 以下の値を示した。このようなキャパシタの漏れ電流値は白金を電極物質として用いる、即ちＰｔ／ＰＺＴ／Ｐｔキャパシタの値とほぼ同様な水準である。そして、疲労特性を測定するにおいて、１ＭＨｚ５ボルトの階段形パルス波を利用してキャパシタの疲労を測定した結果、１０12スイッチングサイクルの間、残留分極が１０％程度減り、漏れ電流値の変化はほとんどなかった。かつ、ＰＺＴフィルム表面の平滑度が高くて一般的にＲＡＭの製作に求められるエッチング及び多層膜の形成に有利であることがわかった。
【００２２】
【実施例】
スピンコータを４０００ＲＰＭで回転させながら、基板上に備えられたＲｕＯx 膜の上に０．１ＭのＰＺＴ溶液を１回塗布し、これを２５０℃で５分間ベーキングした。これをＲＴＡ装置でアニリングして約３０nm厚さをシードレーヤーを形成した。熱処理条件として酸素を２リットル／min で流入させ、昇温速度を６０℃／sec 、熱処理温度を７５０℃、熱処理所要時間は３０秒であった。
【００２３】
シードレーヤーが完成されれば、スピンコータを２０００ＲＰＭで回転させながら、この上に０．４ＭのＰＺＴ溶液をスピンコーティング法により塗布した後、２５０℃の温度でベーキングを施す。このようなスピンコーティング及びベーキングは所望の厚さのＰＺＴフィルムを得るために３回繰り返して施した。引き続き、ＲＴＡ装置で熱処理して３００ｎｍnmの厚さを有するペロブスカイト構造のＰＺＴフィルムを得た。この際の熱処理条件は、酸素２１／min 、昇温速度６０℃／sec 、熱処理温度を７５０℃とし、所要時間は３０秒であった。このような過程を経て得たＰＺＴフィルムはその表面が非常に平滑でロゼット構造が全然見だされない。熱処理の完了後には蒸着法により前記ＰＺＴフィルムの上にＲｕＯx 上部電極を形成して電気的特性を測定した。その結果、残留分極値は２０μＣ／ｃｍ2 であって、１０12疲労サイクルの間、残留分極値は１０％未満に減った。また、初期の漏れ電流は５×１０-7Ａ／ｃｍ2 であり、１０12疲労サイクル以後は１．０×１０-6Ａ／ｃｍ2 を保った。
【００２４】
【比較例】
従来の方法により、スピンコータ２０００ＲＰＭで回転させながらＲｕＯx 膜上に０．４ＭのＰＺＴ溶液を塗布して続けて２５０℃でベーキングするが、塗布とベーキングを３回繰り返す。その後、拡散炉で熱処理して３００nm厚さのペロブスカイト構造のＰＺＴフィルムを得た。熱処理条件としては酸素を２リットル／min で流入させ、熱処理温度は６５０℃、所要時間は３０分であった。
【００２５】
このように製作された従来の方法によるＰＺＴフィルムを測定した結果、ＰＺＴフィルムの表面に０．５〜１μｍの直径を有するロゼットパターンが覆われていた。また、電気的な特性を測定するためにＰＺＴフィルムの上にＲｕＯx 上部電極を形成した。電気的な特性の測定結果、残留分極値は２０μＣ／ｃｍ2 であり、漏れ電流レベルが高かった。即ち、初期電流漏れ値は５×１０-5Ａ／ｃｍ2 であり、１０9 疲労サイクル以後には５×１０-4Ａ／ｃｍ2 に急増した。
【００２６】
【発明の効果】
以上のように、ＰＺＴシードレーヤーを有する本発明によるキャパシタはＰＺＴシードレーヤーを適用しない従来の方法によるキャパシタより低い漏れ電流を示すだけでなく、既存のＰｔ／ＰＺＴ／Ｐｔキャパシタ値とほぼ同一な水準の漏れ電流を有する。かつ、疲労特性においても残留分極値がＰＺＴシードレーヤーなしに製作されたＰＺＴフィルムより本発明によるＰＺＴフィルムがさらに大きいことがわかる。また、本発明によるＰＺＴフィルムはロゼット構造がないので、従来の方法のＰＺＴフィルムより表面の平滑度が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造方法のフローチャートである。
【図２】本発明の製造方法による工程図である。
【図３】本発明の製造方法による工程図である。
【図４】本発明の製造方法による工程図である。
【図５】本発明の製造方法による工程図である。
【図６】本発明の製造方法による工程図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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