(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ギャップを挟んで対向する媒体対向面においてトラック幅を有し、前記媒体対向面に対し垂直方向の後部における前記トラック幅方向の幅が前記トラック幅よりも広い第１及び第２の磁気ヨークであって、前記トラック幅方向端の前記後部における第１及び第２の磁気ヨーク間の距離が前記媒体対向面における前記距離よりも広い第１及び第２の磁気ヨークと、
前記第１及び第２の磁気ヨークと磁気接続された磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された電極と、
前記第１及び第２の磁気ヨークの前記後部の、前記トラック幅方向の両側部に設けられたバイアス磁界印加膜と、
を備えることを特徴とするヨーク型磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項２】
前記第１及び第２の磁気ヨーク間の前記トラック幅方向端の前記後部における最も長い距離が前記媒体対向面における距離の２倍以上であることを特徴とする請求項１記載のヨーク型磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項３】
前記第１及び第２の磁気ヨークの向かい合っている面の間隔が前記磁気ギャップから離れるにつれて滑らかに広がる曲線形状をなすことを特徴とする請求項１または２記載のヨーク型磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項４】
前記電極は、前記磁気抵抗効果膜を挟んで前記第１および第２磁気ヨークと反対側の、前記磁気抵抗効果膜の膜面と電気的に接続された第１の電極と、
前記第１および第２磁気ヨーク側の、前記磁気抵抗効果膜の膜面と電気的に接続されるとともに前記第１および第２磁気ヨークと電気的に接続される第２の電極と、
を有し、
前記磁気抵抗効果膜と前記第２の電極との接続面近傍に絶縁層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずかに記載のヨーク型磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドを磁気再生ヘッドとして搭載したことを特徴とする磁気再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録再生装置に搭載されるヨーク型磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク駆動装置（以下、ＨＤＤともいう）の磁気記録密度が飛躍的に向上し、更なる高記録密度化が望まれている。高記録密度化に伴う記録ビットサイズの微小化により、従来の薄膜ヘッドでは再生感度が不充分となり、現在では磁気抵抗効果素子を搭載した磁気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドともいう）が主流となっている。その中でも特に大きな磁気抵抗効果を示すものとして、スピンバルブ型巨大磁気抵抗効果素子を搭載したヘッド（以下、ＳＶヘッドともいう）が注目されている。
【０００３】
一方、高記録密度化により薄膜磁気ヘッド走行時の浮上量は低下している。これは、小さな媒体ビット磁界をセンスするためである。薄膜磁気ヘッド走行時の浮上量が低下する傾向にあるので記録媒体と間欠的な接触あるいは定常的な接触状をしながら磁気ヘッドを走行させることは避けられないであろうと予想される。また、高記録密度化以外の観点からみても、今後の世の中のマルチメディア化が進むにつれて音響映像機器へのＨＤＤの搭載が予想される。音響映像機器への搭載にはＨＤＤの信頼性、特に外部からの衝撃による耐性が重要となる。その際、磁気ヘッドは媒体表面と接触することが考えられるために、接触に強い磁気ヘッド開発が望まれている。
【０００４】
しかしながら、上述した従来のＳＶヘッドは再生時の記録媒体との接触により発生する熱により異常な抵抗変化を示すこと（サーマルアスペリティ）がよく知られている。従って、媒体対向面に感磁部が露出する従来のＭＲヘッドおよびＳＶヘッドは今後の高記録密度化には適応できなくなると考えられる。
【０００５】
そこで様々な形のヨーク型磁気ヘッドが考案されている。ヨーク型磁気ヘッドは媒体対向面にＳＶ部の感磁部が露出していないために、上述したサーマルアスペリティに強い。その中でも短磁路化が可能であり、ヘッドスライダの軽量化が容易な水平ヨーク型磁気ヘッドが注目されている。
【０００６】
磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子ともいう）の観点からは、近年の急激な微細化により、ＭＲ素子の膜面方向にセンス電流を流す面内通電型ＭＲ素子は製造プロセスにおいて微細加工が非常に困難となると予想され、このため、ＭＲ素子の膜面の垂直方向にセンス電流を流す面垂直通電型ＭＲ素子が注目を集めている。面垂直通電型ＭＲ素子のうち代表的なものとしては、近年超巨大な磁気抵抗効果を発現している電子のトンネル効果を利用したトンネル型ＧＭＲ素子がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上述したような傾向からヨーク型磁気ヘッドと面垂直通電型ＭＲ素子の組み合わせが考えられる。ヨーク型磁気ヘッドと面垂直通電型ＭＲ素子とを組み合わせたヨーク型磁気抵抗効果ヘッドの例を図８および図９を参照して説明する。図８はヨーク型磁気抵抗効果ヘッドの構成を示す斜視図であり、図９は図８に示す切断面Ｙで切断した場合のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドの断面図である。このヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、媒体対向面に磁気ギャップ４を持つ磁気ヨーク先端部２ａおよびこの磁気ヨーク先端部２ａの媒体対抗面と反対側の面に設けられる磁気ヨーク後部２ｂを有する磁気ヨーク２と、この磁気ヨーク２の媒体対抗面と反対側の面の凹部に設けられた電極８と、磁気ヨーク２の側面に設けられ磁気ヨーク内部の磁区を制御するためのバイアス磁界を発生させるための硬磁性材料からなるバイアス磁界印加用膜１０と、磁気ヨーク後部２ｂと磁気的に結合している面垂直通電型磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜ともいう）１２と、磁気抵抗効果膜１２にセンス電流を通じるための電極１４と、磁気抵抗効果膜１２、電極８、磁気ヨーク２、およびバイアス磁界印加用膜１０を介して上記センス電流を受ける電極１６ａ、１６ｂとを備えている。また、この従来のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、図８に示すように、磁気ヨーク先端部２ａの側面および磁気ヨーク後部２ｂに媒体対向面における磁気ギャップ４とほぼ同じ幅の切れ込み部分７が、設けられている。そして、このヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、磁気ギャップ４と、磁気ヨーク先端部２ａと、磁気ヨーク後部２ｂと、磁気抵抗効果膜１２とによって閉磁気回路が形成されている。また、電極１４および磁気抵抗効果膜１２ならびに電極８がＭＲ素子を構成している。
【０００８】
しかし、上述のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドにおいては、磁気ヨーク先端部２ａの側面および磁気ヨーク後部２ｂに媒体対向面における磁気ギャップ４の幅（すなわちギャップ長）とほぼ同じ幅の切れ込み部分７が、設けられている。このため、図８中のＡ間すなわち、切れ込み部７を跨ぐ磁気ヨーク２間で漏洩する磁界の量が大きく、磁束効率が低下し、このため再生出力が低下するという問題があった。
【０００９】
また、一般的に面垂直型ＭＲ素子においては、図９に示すようにセンス電流１８は片側の小さな電極１４からＭＲ膜１２を通じて磁気ヨーク２と一体の広い電極８に通電される。この構造における電流分布をシミュレーションによって計算した結果によると、ＭＲ膜１２の電気抵抗の値が小さい場合、センス電流１８は、ＭＲ膜１２の膜面内方向に流れるとともにＭＲ膜１２を通ってＭＲ膜面に沿って電極８内を流れる割合が増加する。このため、センス電流１８がＭＲ膜１２の感度が高い部分に集中しないとともにセンス電流１８の膜面垂直方向の成分が減少することから、センス電流の実効的通過面Ｓの電流密度が低下し、再生出力が低下するという問題があった。なお、本明細書においては、センス電流の実効的通過面Ｓとは、電極１４とＭＲ膜１２との接合面をＭＲ膜と電極８との接合面に投影したときの面である。
【００１０】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、再生出力が低下するのを可及的に防止することのできる、ヨーク型磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気再生装置を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明によるヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、磁気ギャップを挟んで対向する媒体対抗面においてトラック幅を有し、前記媒体対抗面に対し垂直方向の後部における前記トラック幅方向の幅が前記トラック幅よりも広い第１及び第２の磁気ヨークであって、前記トラック幅方向端の前記後部における第１及び第２の磁気ヨーク間の距離が前記媒体対抗面における前記距離よりも広い第１及び第２の磁気ヨークと、前記第１及び第２の磁気ヨークと磁気接続された磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜に電気的に接続された電極と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
このように構成された本発明によるヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、後部における第１及び第２の磁気ヨーク間の距離が媒体対向面における距離よりも広く構成されている。このため、本発明のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、後部における第１及び第２の磁気ヨーク間の距離が媒体対向面における距離と同じヨーク型磁気抵抗効果ヘッドと比較すると、第１及び第２の磁気ヨーク間で漏洩する磁界の量が大幅に減少することが期待でき、実際に、シミュレーションを実行したところ、本発明のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、後部における第１及び第２の磁気ヨーク間の距離が媒体対向面における距離と同じヨーク型磁気抵抗効果ヘッドに比べて、磁気回路における磁束効率を上げることが可能となることが明らかとなった。これにより、磁束効率を上げることが可能となり、再生出力の低下を可及的に防止することができる。
【００１３】
なお、前記第１及び第２の磁気ヨーク間の前記トラック幅方向端の前記後部における最も長い距離が前記媒体対向面における距離の２倍以上であることが好ましい。
【００１４】
なお、前記第１及び第２の磁気ヨークの向かい合っている面のそれぞれと媒体対向面との稜線が前記磁気ギャップ近傍において滑らかな曲線形状をなすことが好ましい。
【００１５】
また、本発明によるヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、磁気ギャップを挟んで対向する一対の磁気ヨークと、前記磁気ヨークと磁気的に結合された膜面垂直通電型の磁気抵抗効果膜と、前記磁気ヨークと反対側の、前記磁気抵抗効果膜の膜面と電気的に接続された第１の電極と、前記磁気ヨーク側の、前記磁気抵抗効果膜の膜面と電気的に接続されるとともに前記磁気ヨークと電気的に接続される第２の電極と、前記磁気抵抗効果膜と前記第２の電極との接続面近傍に設けられた絶縁層と、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
このように構成された本発明によるヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、ＭＲ膜と電極との接合面積が、絶縁層によって制限されている。このため、センス電流がＭＲ膜の感度の高い部分に集中しかつセンス電流のＭＲ膜の膜面垂直方向の成分が大きくなり、これにより、実効通過面Ｓを流れるセンス電流の割合を大きくする、すなわち電流密度を大きくすることが可能となり、再生出力の低下を防止することができる。
【００１７】
なお、前記第1の電極と前記磁気抵抗効果膜との接触面積及び前記第２の電極と前記磁気抵抗効果膜との接触面積の一方の接触面積が他方の接触面積の半分以下であることが好ましい。
【００１８】
また、本発明による磁気再生装置は、上述のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドを磁気再生ヘッドとして搭載したことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を図面を参照して以下、説明する。
【００２０】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態を図１乃至図３を参照して説明する。この第１の実施形態は、ヨーク型磁気抵抗効果ヘッドであって、その構成を図１に示す。図１は、本実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドの構成を示す斜視図、図２は、本実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドに係る切れ込み部の詳細な形状を示す斜視図、図３（ａ）および図３（ｂ）は、各々図１に示す切断面ＸおよびＹで本実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドを切断した場合の断面図である。
【００２１】
この実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、媒体対向面に磁気ギャップ４を持つ磁気ヨーク先端部２ａおよびこの磁気ヨーク先端部２ａの媒体対抗面と反対側の面に設けられる磁気ヨーク後部２ｂを有する磁気ヨーク２と、この磁気ヨーク２の媒体対抗面と反対側の面の凹部に設けられた電極８と、磁気ヨーク２の側面に設けられ磁気ヨーク２の内部の磁区を制御するためのバイアス磁界を発生させるための硬磁性材料からなるバイアス磁界印加用膜１０と、磁気ヨーク後部２ｂと磁気的に結合している面垂直通電型磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜ともいう）１２と、ＭＲ膜１２にセンス電流を通じるための電極１４と、ＭＲ膜１２、電極８、磁気ヨーク２、およびバイアス磁界印加用膜１０を介して上記センス電流を受ける電極１６ａ、１６ｂとを備えている。また、この実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、トラック幅方向（切断面Ｘに垂直な方向）にそって磁気ヨーク先端部２ａの側部および磁気ヨーク後部２ｂに切れ込み部６が設けられている。この切れ込み部６は、媒体対向面における磁気ギャップ４の幅（すなわちギャップ長）よりも、トラック長手方向の断面（切断面Ｘに平行な断面）における幅が広い形状となっている。すなわち、この切れ込み部６は、図２に示すように、磁気ギャップ４との接合面において磁気ギャップ４のギャップ長とほぼ同じ幅の断面を有し、磁気ヨーク先端部２ａの傾斜した側面において磁気ギャップから離れるにつれてトラック長手方向の断面における幅が直線的に広がり、すなわち滑らかに増大し、磁気ヨーク先端部２ａと磁気ヨーク後部２ｂとの接合面において上記幅が最大となる形状となっている。なお、磁気ギャップ４および切れ込み部６には通常、非磁性体が埋め込まれる。また、ＭＲ膜１２は、磁気ヨーク２の形成面とほぼ平行な平面上に形成されている。
【００２２】
そして、この実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、磁気ギャップ４と、磁気ヨーク先端部２ａと、磁気ヨーク後部２ｂと、磁気抵抗効果膜１２とによって閉磁気回路が形成されている。また、電極１４および磁気抵抗効果膜１２ならびに電極８がＭＲ素子を構成している。
【００２３】
上述したように、この実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドにおいては、切れ込み部６は磁気ギャップ４の幅よりも幅が広く構成されている。このため、本実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、磁気ヨーク部分の切れ込み部７が磁気ギャップ４と同じ幅であるヨーク型磁気抵抗効果ヘッド（図８参照）と比較すると、図中Ａ間、すなわちで切れ込み部６を跨ぐ磁気ヨーク２間で漏洩する磁界の量が大幅に減少することが期待できる。実際に、シミュレーションを実行したところ、本実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは従来のものに比べて、磁気回路における磁束効率を上げることが可能となることが明らかとなった。また、切れ込み部分６の最大幅、すなわち磁気ヨーク先端部２ａと磁気ヨーク後部２ｂとの接合面における切れ込み部６の幅が磁気ギャップ４の幅に対して２倍以上になった場合に特に効率の改善効果が大きいことが上述のシミュレーションからわかった。
【００２４】
以上説明したように、本実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは従来の場合に比べて磁束効率を上げることが可能となり、再生出力の低下を可及的に防止することができる。
【００２５】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図４および図５を参照して説明する。この実施形態はヨーク型磁気抵抗効果ヘッドであって、その構成を図３に示す。この第２の実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、第１の実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドの切れ込み部６を切れ込み部６ａに置き換えた構成となっている。この切れ込み部６ａの形状は、磁気ギャップ４との接合面において磁気ギャップ４と同じ幅の断面を有し、磁気ヨーク先端部２ａの傾斜した側面において磁気ギャップから離れるにつれてトラック長手方向の断面における幅が滑らかに広がる曲線形状になっており、磁気ヨーク先端部２ａと磁気ヨーク後部２ｂとの接合面において上記幅が最大となっている。
【００２６】
この第２の実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドも第１の実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドと同様に、再生出力の低下を可及的に防止することができることはいうまでもない。
【００２７】
この第２の実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドを媒体対向面側からみたときの磁気ヨーク２に付加されるバイアス磁界を図５に示す。図５から分かるように磁気ヨーク２の側面に配置された硬磁性材料のバイアス磁界印加用膜１０からのバイアスによって磁気ヨーク内部の磁化はほぼ単磁区状態に保たれ、磁気回路中を流れる信号磁界を安定化させることができる。
【００２８】
これに対して、図６に示すヨーク型磁気抵抗効果ヘッドのように切れ込み部６ｂの形状が角張った状態、すなわち磁気ギャップとの接続面で段差がありトラック長手方向の断面における幅が滑らかに増大しない状態の場合は、図６に示すようにバイアス磁界が磁気ギャップ４近傍にかかりにくい状態となる可能性がある。この状態では磁気ギャップ４近傍において磁区が発生しやすくなるため、信号磁界が不安定となりやすくなる。
【００２９】
本実施形態のように切れ込み部６ａの形状を滑らかな曲線例えば円弧状の曲線にして、切れ込み部６ａの角部を丸めることによってバイアス磁界が磁気ギャップ４近傍にも流れやすくなり、磁区の発生を抑えることができ、再生信号を安定化させることができる。
【００３０】
（第３の実施形態）
次に本発明の第３の実施形態を図７を参照して説明する。この実施形態はヨーク型磁気抵抗効果ヘッドであって、その構成を図７に示す。図７は第３の実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドをトラック幅方向の切断面（例えば図１に示す切断面Ｙ）で切断した場合の断面図である。
【００３１】
この実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、図１または図４に示す第１または第２の実施形態のヨーク型磁気ヘッドにおいて、ＭＲ膜１２と電極８との一部分の接合面を除いて、ＭＲ膜１２と電極８との間に絶縁層１３を設けた構成となっている。すなわち、絶縁層１３は、ＭＲ膜１２と電極８との接触面積を制限するように構成されている。絶縁層１３が設けられない上記一部分の接合面は、センス電流の実効的通過面Ｓを含む領域である。
【００３２】
この実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドにおいては、ＭＲ膜１２から信号を取り出すための電極８，１４は、ＭＲ膜１２の膜面の両側に配置されており、磁気ヨーク２側においては電極８と、磁気ヨーク２とが電気的に結合し一体となっているのに対して、磁気ヨーク２と反対側の電極１４はＭＲ膜１２との接合面積が大きすぎないようにパターニングされている。これは、センス電流１８を磁気ギャップ４上の信号磁界センス領域に集中させることによって、磁気ヘッドの出力におけるノイズを低減させるためである。
【００３３】
本実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、図７に示すようにＭＲ膜１２と電極８との接合面積が、センス電流１８の実効通過面Ｓを除いて絶縁層１３によって制限されている。このため、センス電流１８がＭＲ膜１２の感度の高い部分に集中しかつセンス電流のＭＲ膜１２の膜面垂直方向成分が大きくなり、これにより、実効通過面Ｓを流れるセンス電流１８の割合を大きくする、すなわち電流密度を大きくすることが可能となり、第１または第２の実施形態に比べて更に再生出力の低下を防止することができる。
【００３４】
また、図７に示すように、絶縁層１３はＭＲ膜１２と電極８との間の一部にのみ配置されており、ＭＲ膜１２と磁気ヨーク２の間には存在しないため、ＭＲ膜と磁気ヨーク２との磁気的な結合を阻害することはない。したがって、この配置によって磁気回路的な高効率化と、センス電流１８の分流を防ぐことによる高出力化を両立することができる。
【００３５】
また、ＭＲ膜１２と電極８との実際の接合面の面積は、ＭＲ膜１２の電気抵抗や、他の構成要素のサイズ等によって最適な大きさが変わるが、磁気ヨーク２と反対側に設けられた電極１４とＭＲ膜１２との接触面積、すなわちセンス電流の実効通過面Ｓの面積の１〜２倍となるようにすることが望ましい。
【００３６】
なお、第３の実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドは、第１または第２の実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、ＭＲ膜１２と電極８との間の一部の接合面に絶縁層１３が設けられたが、図８に示すヨーク型磁気抵抗効果ヘッドにおいて、図７に示すようにＭＲ膜１２と電極８との間の一部の接合面に絶縁層を設けるように構成しても、再生出力の低下を防止することができるとともに、磁気回路的な高効率化と、センス電流１８の分流を防ぐことによる高出力化を両立することができる。
【００３７】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施の形態を図１０および図１１を参照して説明する。この実施の形態は、磁気再生装置であって、この磁気再生装置の概略構成を図１０に示す。すなわち、本実施の形態の磁気再生装置１５０は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。図１０において、磁気ディスク２００は、スピンドル１５２に装着され、図示しない駆動装置制御部からの制御信号に応答する図示しないモータにより矢印Ａの方向に回転する。磁気ディスク２００は、磁気ディスク２００に格納する情報の記録再生を行うヘッドスライダ１５３は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に取り付けられている。ここで、ヘッドスライダ１５３は、例えば、前述したいずれかの実施形態にかかる磁気ヘッドをその先端付近に搭載している。
【００３８】
磁気ディスク２００が回転すると、ヘッドスライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）は磁気ディスク２００の表面から所定の浮上量をもって保持される。
【００３９】
サスペンション１５４は、図示しない駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム１５５の一端に接続されている。アクチュエータアーム１５５の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１５６が設けられている。ボイスコイルモータ１５６は、アクチュエータアーム１５５のボビン部に巻き上げられた図示しない駆動コイルと、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石および対向ヨークからなる磁気回路とから構成される。
【００４０】
アクチュエータアーム１５５は、固定軸１５７の上下２箇所に設けられた図示しないボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１５６により回転摺動が自在にできるようになっている。
【００４１】
図１１は、アクチュエータアーム１５５から先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡大斜視図である。すなわち、磁気ヘッドアッセンブリ１６０は、例えば駆動コイルを保持するボビン部などを有するアクチュエータアーム１５１を有し、アクチュエータアーム１５５の一端にはサスペンション１５４が接続されている。
【００４２】
サスペンション１５４の先端には、上記実施形態のいずれかで説明した磁気ヘッドを具備するヘッドスライダ１５３が取り付けられている。なお、再生ヘッドと記録用ヘッドを組み合わせても良い。サスペンション１５４は信号の書き込みおよび読み取り用のリード線１６４を有し、このリード線１６４とヘッドスライダ１５３に組み込まれた磁気ヘッドの各電極とが電気的に接続されている。図１１の符号１６５は磁気ヘッドアッセンブリ１６０の電極パッドである。
【００４３】
ここで、ヘッドスライダ１５３の媒体対向面（ＡＢＳ）と磁気ディスク２００の表面との間には、所定の浮上量が設定されている。
【００４４】
なお、磁気再生装置に関しても、再生のみを実施するものでも、記録・再生を実施するものであっても良く、また、媒体は、ハードディスクには限定されず、その他、フレキシブルディスクや磁気カードなどのあらゆる磁気記録媒体を用いることが可能である。さらに、磁気記録媒体を装置から取り外し可能にした、いわゆる「リムーバブル」の形式の装置であっても良い。
【００４５】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によれば、再生出力の低下を可及的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドの構成を示す斜視図。
【図２】第１の実施形態に係る切れ込み部の詳細な形状を示す斜視図。
【図３】第１の実施形態の構成を示す断面図。
【図４】本発明の第２の実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドの構成を示す斜視図。
【図５】第２の実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドを媒体対向面からみたときのバイアス磁界の様子を示す模式図。
【図６】切れ込み部の形状が角張った状態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドを媒体対向面からみたときのバイアス磁界の様子を示す模式図。
【図７】本発明の第３の実施形態のヨーク型磁気抵抗効果ヘッドのトラック幅方向の断面図。
【図８】ヨーク型磁気抵抗効果ヘッドの構成を示す斜視図。
【図９】ヨーク型磁気抵抗効果ヘッドのトラック幅方向の断面図。
【図１０】本発明による磁気再生装置の概略構成を示す要部斜視図。
【図１１】アクチュエータアームから先の磁気ヘッドアセンブリをディスク側から眺めた拡大斜視図。
【符号の説明】
２  磁気ヨーク
２ａ  磁気ヨーク先端部
２ｂ  磁気ヨーク後部
４  磁気ギャップ
６，６ａ  磁気ヨーク切れ込み部
８  電極
１０  バイアス磁界印加用膜
１２  磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）
１３  絶縁層
１４  電極
１６ａ、１６ｂ  電極
１８  センス電流
【図１】
0003934349.tif 000002
【図２】
0003934349.tif 000003
【図３】
0003934349.tif 000004
【図４】
0003934349.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003934349.tif 000007
【図７】
0003934349.tif 000008
【図８】
0003934349.tif 000009
【図９】
0003934349.tif 000010
【図１０】
0003934349.tif 000011
【図１１】
0003934349.tif 000012