(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサシステムであって、
電磁放射を提供する手段と、
２つ又はそれ以上の平面状の導波路で、各導波路は基板上に薄膜状に積層された平面状の導波路と、
電磁放射を前記電磁放射を前記２つ又はそれ以上の平面状の導波路へ同時に伝えるための伝搬手段と、
からなるセンサシステム。
【請求項２】
センサシステムが１つ又はそれ以上の光学的量子ウエルセンサからなり、前記光学的量子ウエルセンサは、２つ又はそれ以上の平面状の導波路からなり、平面状の導波路の１つは環境中に存在する化学種により変化するようになっている請求項１に記載のセンサシステム。
【請求項３】
第１の平面状の導波路は基準用の平面状の導波路であり、第２の平面状の導波路がセンシング用の導波路であり、前記平面状の導波路のそれぞれが、前記基板の内部に内部構造として提供される請求項１又は２に記載のセンサシステム。
【請求項４】
前記電磁放射を提供する手段は、平面偏光された電磁放射を提供する請求項１〜３のいずれか１項に記載のセンサシステム。
【請求項５】
前記センサシステムはさらに測定手段を有し、該測定手段は前記２つ又はそれ以上の平面状の導波路のそれぞれにおける前記電磁放射の位相変化を測定するための手段である請求項１〜４のいずれか１項に記載のセンサシステム。
【請求項６】
前記センシング用の平面状の導波路がシリコンまたは高分子材料である請求項３に記載のセンサシステム。
【請求項７】
前記高分子材料がポリメチルメタクリル酸塩である請求項６に記載のセンサシステム。
【請求項８】
前記基準用の平面状の導波路が酸化窒化シリコン又は高分子材料からなる請求項３〜７のいずれか１項に記載のセンサシステム。
【請求項９】
前記高分子材料がポリ４ビニルピロジンである請求項８に記載のセンサシステム。
【請求項１０】
電極が前記センシング用の平面状の導波路の上に積層されている請求項３〜９のいずれか１項に記載のセンサシステム。
【請求項１１】
前記電極は、前記２つ以上の平面状の導波路の側面に沿って平行板のような形状で挟み込まれて積層されるか、センシング用の平面状の導波路の上面と底面とに蛇行状に積層されている請求項１０に記載のセンサシステム。
【請求項１２】
集積された光学的デバイスの形で作られている請求項１〜１１のいずれか１項に記載のセンサシステム。
【請求項１３】
パージシステムを供給する手段と、
データを収集し分析する手段と、
をさらに有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載のセンサシステム。
【請求項１４】
多数のセンシング用の平面状の導波路が薄膜状に積層されている請求項１〜１３のいずれか１項に記載のセンサシステム。
【請求項１５】
請求項１〜１４の１項に記載されたセンサシステムの多数からなる装置であって、前記センサシステムの各々が集合体の形に配置されているセンサシステムの集合装置。
【発明の詳細な説明】
本発明は、試験物質中に存在する化学物質を識別し、試験物質中における識別された化学物質の濃度を決定するために化学物質を検知するシステムに関する。
特に、本発明は、アレイを基礎とする装置内に含めることができる個別の化学的または物理的センサ、もしくはその代わりにそのような複雑なセンサのいずれかを提供する特殊な構成の導波路または導波管（以下本明細書では導波管という用語を使用するが意味は同じである。）の光学的性質を使用して化学物質を検知するシステムに関する。
さらに、本発明は、データの抽出および干渉化学センサ装置の制御のためのシステムに関する。
従来の化学センサ技術を使用する化学種の測定は、要求される感度および強固性（robustness）のレベルを提供せず、あらゆる重要な応用から要求される性能を提供しない。
トランスデューサを含む現在の化学センサは、例えば、人間の嗅覚が示すような感度を提供しない。
既知の化学センサは干渉の原理により動作する。
光導波管を使用することが知られており、その導波管内では光信号は消失を通じて１つの導波管から別の導波管へと結合することができる。この既知の方法は、従来の導波管構造から、典型的に吸収性ポリマーにより形成される検知層への光信号の“リーク”に依存する。
導波管により誘導される光信号の消失成分は典型的に少なく、検知層の調査の制限につながる。
化学センサとして使用される既知の導波管の別の欠点は、導波管が温度変化に非常に敏感であるということである。その結果、これらの既知の装置の感度は相当に低下する。
本発明の第１の観点によれば、電磁放射を提供する手段と、２つ又はそれ以上の平面状の導波路と、前記各導波路は、基板上に薄膜状に積層された平面状の導波路であり、前記電磁放射を前記２つ又はそれ以上の平面状の導波路へ同時に伝えるための伝搬手段とを備えたセンサシステムが提供される。
導波管を含む既知のセンサにおいては、検知層が試験すべき化学物質を検知し、試験化学物質を調べる励起放射が、導波管層内に結合される前に検知層により検知される。その結果、そのような既知の装置の感度は大きく低下する。
これに対し、本発明は、検知層を電磁放射のための導波管として使用するセンサを含み、それにより励起放射の大部分が物質を調べることを確実にする。
したがって、消失波戦略を使用する既知のセンサと比較して、本発明は効率の著しい改善による利益をうける。
本発明はさらに、検知導波管に加えて基準導波管を有し、その基準導波管はセンサ内部に設けられる。
これは、構造を単純化する。
本発明は、信頼性が改善された化学センサを提供する。よって、本発明の化学センサの範囲および利用可能性は大きく高められる。
本発明は導波管構造の新規な構成を有する化学センサシステムを提供し、それは非常に高い信号対雑音比（感度）および感度限界を有する強固な装置につながる。
加えて、本発明は、圧力、位置または振動または試験環境または物質に関連する物理的測定を行うために使用することができる。
本発明の装置は、温度などの他の環境要因により過度に強調されることなく、周囲の化学的環境変化を検出するのに適している。本発明による装置は、光学的量子ウェルセンサ（ＯＱＷＳ）を含み、それは２つ以上の導波管を含み、導波管の一方は環境中に存在する化学種に応じて変形される。
好ましくは、電磁放射を提供する手段は、光の範囲に属する波長を有する電磁放射を提供する。
しかし、本発明は、例えば赤外線および紫外線などのあらゆる波長の電磁放射と共に使用するために適合した装置に応用可能であることが理解される。
有利に、電磁放射を提供する手段は、平面偏光の電磁放射を提供するのに適する。
便利に、システムはさらに、実質的に同時に電磁放射を２以上の導波管へ伝搬させる伝搬手段を有する。
さらに、その装置は、２重または多重の対称型導波管システムを実質的に同時に励起する励起手段を有することができる。
好ましくは、その装置は、２つ以上の導波管の各々における電磁放射の位相変化を測定する測定手段を備える。
本発明の第２の観点によれば、各装置がアレイ状に構成された本発明の第１の観点による複数の装置を備えるシステムが提供される。
検知導波管はシリコンから形成することができる。その代わりに、検知導波管はポリメチルメタクリル酸塩などの高分子材料から形成される。基準導波管は酸化窒素から形成することができる。その代わりに、基準導波管はポリ４ビニルピロジン  Ｐ４ＶＰなどの高分子材料から形成することができる。便利に、検知層の表面と接触するように配置された電極は、単一の装置の吸収の結果として容量および光学的変化を同時に測定することを可能とする。
便利に、その装置は集積化光学的装置を有する。
便利に、その装置は複数の光学的量子ウェルセンサを有する。
有利に、その装置は複数の検知導波管層を有し、その各々は薄膜状に積層される。
異なる周波数の電磁放射を使用すると、種々の寄与は、種々の積層であり、さらに装置の有用性を高めることができる。好ましくは、両方の励起モードを使用してセンサを調べることができる。言い換えれば、ＴＥ（横方向電界）およびＴＭ（横方向磁界）モードが使用される。
既知の装置では、ＴＥモードのみが使用された。しかし、発明者らは、ＴＭモードも使用することによりさらなる情報を提供できることを知った。
本発明による装置は受動的装置とすることができ、またはその代わりに、適当な材料の使用により能動的光学的装置とすることができる。
石英などの基板を使用して能動的光学的装置を提供することができる。そのような場合、能動的フィードバックメカニズムを使用して温度変化を補償し、それにより光検出器アレイの必要をなくすことができる。
複数の導波管の使用は、高度に最適化された導波管装置につながり、単純な光学的構成の使用を可能とする。
よって、本発明による装置は高速応答特性を有する。複数の導波管の各々の経路長は長く、それはより高い感度を提供する。
好適な実施形態では、積層プロセスを通じて基板上に導波管を作成する。そのようなプロセスは高度の反復性を有し、正確な製作につながる。
装置の積層構造により、検知導波管および基準導波管は相互に近接する。これは温度の影響および他の環境要因を最小化する。
混合モードの装置を使用することができ、そこにおいてはバイオレフリンジェンスなどの基礎的物理的発想をも使用して試験化学物質に関する付加的な情報を提供することができる。
干渉パターンは、両導波管層からの電磁放射が自由空間に結合され、記録された時に得られる。
干渉パターンは、電磁放射が構造を通過する間に検知導波管内に生じる基準導波管に対する相対的位相変化を決定するために使用される。これらは縞内の移動として現れ、電磁放射強度の変化を測定する単一の検出器、または干渉縞の精密な変化を監視するそのような装置のアレイのいずれかを使用することにより、測定することができる。取得されたデータから、検知導波管層の化学的性質の変化に関する情報を作成することができる。
２つのモードの相対的位相変化を使用して、検知層内で生じる光学的変化の性質を識別および測量することができる。また、より小型の構造を使用した場合には、２つのモードの相対的位相変化を使用して、次の層内で生じるそのような変化を識別することができる。
検知層上に積層される電極は、導波管構造と並んで積層された平行板、またはインターディジタル構造、または検知導波管層の頂面および底面上に積層された蛇行システムのいずれかの形態とすることができる。
蛇行システムの場合、電極を形成する金属は過剰な量の光を散乱させる要因となり、よって光学的測定には使用されない近接構造上で容量が測定される。いずれの場合も、電極により、吸収性層の容量変化の測定が可能となる。
便利に、２つのモードの測定、容量および屈折モード指数は、吸収性層内に生じる変化のさらなる情報をもたらす。
本発明による装置は、遠隔的化学センサ測定を行うために使用することができ、上述の種類の光学的センサを含む。また、この技術は、圧電センサまたは高温酸化セラミック装置、および凝縮相材料として使用することができる。
本発明は、単一モード動作、または付加的データを提供する２形式方法で使用することができる。
本発明の第３の観点によれば、本発明の第１の観点による装置を使用して化学種を決定する方法が提供される。
有利に、化学種を正確に決定するためのシステムが提供され、そのシステムは、本発明の第１の観点による装置を含み、さらに、浄化ストリームを提供する手段と、データを収集および分析する手段とを備える。
本発明のさらなる観点によれば、各々が遠隔位置に配置される複数のセンサの較正を提供するためのシステムが提供される。
較正は、研究所ベースの分析機器による標準的実施である。長期の化学的検知設備は、本来の場所での精密な較正がしばしば不便または完全に不可能であるという特定の問題を提起する。その結果、そのような装置の信頼できる性能はしばしば損なわれる。
化学センサシステムは、関心のある化学物質を識別し、次に、要求されるガス流を流す適当なバルブシステムを使用する否定（negating）システムを通じて周期的に浄化される。
システムからの物質の除去特性を使用して、関心のある分析物を識別する。そのアプローチの使用では、センサの長期ドリフトが補償され、絶対的ではなく、相対的応答が測定される。こうして、検出の限界を決定する際にシステムの長期ドリフトを考慮する必要がないので、より高い感度が得られる。
典型的な改善は、大きさのオーダーの領域のものである。
システムのデ・アブゾープション（de-absorption）の観点を測定することにより、システムのドリフトの測定も得ることができる。
電力経費が制限されているならば、システムを低電力モードで動作させることができる。
以下、本発明の実施形態を、例示目的のみで添付図面を参照して説明し、添付図面において、
図１は、本発明による装置の一部を形成する非対称型光学的量子ウェルセンサの概略図であり、
図２は、本発明による装置の第２の実施形態の一部を構成する対称型光学的量子ウェルセンサであり、
図３は、図１の構造の光学的特性を示す概略図であり、
図４は、本発明の実施形態による熱および多モード装置の一部を形成するのに適する本発明のさらなる実施形態を示す概略図であり、
図５は、本発明による装置の一部を形成するのに適する平面コンデンサ電極構成の概略図であり、
図６は、インターディジタル構造の電極コンデンサ構成であり、
図７は、本発明による装置の一部を形成する光学的量子ウェル構造（ＯＱＷＳ）の概略図であり、
図８は、代替的ＯＱＷＳの概略図であり、
図９は、さらに別のバージョンのＯＱＷＳの概略図であり、
図１０は、ＯＱＷＳのさらに別の実施形態であり、
図１１は、加湿された窒素に対する非対称型２重導波管センサの応答を示すグラフであり、
図１２は、開放機器内の本発明による装置の較正を示す概略図であり、および
図１３は、閉鎖機器内の本発明による装置の較正を示す概略図である。
図面を参照すると、本発明による装置は図１に示され、一般的に参照符号１で示される。
平面偏光光放射が適当なソース（図示せず）により生成される。その放射はレンズ２により集光され、偏光子３により偏光されて導波管構造４へ向けられる。偏光子３は適切に放射を方向付けする。
光導波管４を通過した後、放射は集積光学的量子ウェル構造（ＯＱＷＳ１０）へ進入する。ＯＱＷＳはシリコン、二酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンにより製作することができるが、他の物質でもよい。
励起放射は検知導波管層５内を通過し、酸化窒化シリコンは同時に基準層６として機能する。ＯＱＷＳは、基準層に進入する放射量と検知導波管層に進入する放射量が平衡を保つように製作される。すなわち、検知層５内と基準層６内の放射量はほぼ等しい。
ＯＱＷＳを通過すると、出力放射は自由空間と結合し、それにより検知層５を通過した試験化学物質に依存して干渉パターンを生成する。そのパターンは光検出器アレイ７に結合され、それは参照符号８により示される。そのパターンは、検知層５を通過した試験化学物質の存在に起因して、基準層と比較した場合に、検知導波管層中に誘導される相対的位相シフトを決定するために使用される。相対的位相シフトは、試験化学物質の存在に起因して検知導波管材料の屈折率に生じる変化に正比例する。
装置は、化学物質採取システム内に、試験すべき化学物質が検知導波管層と接触するように配置することができる。検知導波管層による試験化学物質との相互作用の結果、屈折率の変化が起きる。よって、これらの変化は相対的位相シフトの変化につながり、それゆえ干渉縞の移動として現れる干渉パターンにつながる。
干渉縞の移動は、入射する電磁放射強度を記録する単一の検出器を使用し、もしくは複数の干渉縞または干渉パターン全体に生じる変化を監視する検出器のアレイのいずれかにより容易に検出することができる。
また、図１に示す装置を、ＯＱＷＳ上に配置された例えばインペラにより検知層５に与えられる物理的刺激を分析するために使用し、例えば圧力または正確な位置の測定を決定することを可能とする。
放射が各導波管に与えられると、適当な伝搬角、適当な角度が結合格子またはミラーを使用して達成される。第１のものは図７に示すように透過性とすることができ、または反射性として光を酸化窒化シリコンの基準導波管の下方へ発射することができる。
第２のものは透過性であり、光を検知導波管内へ通過させる。
２つの導波管は透明層により分離される。
図１に示す実施形態では、さらなる結合格子またはミラーにより、光学的量子ウェル構造の外部へ放射を誘導する。そうして、両導波管からの出力放射は自由空間へ誘導され、干渉パターンを生成する。
レンズまたはミクロ集光物を利用して、出力光を任意的に集光する。
干渉パターンは適当な電磁放射検出器により記録され、その検出器は単一の検知エレメントまたはそのようなエレメントのアレイを有することができる。
次に、パターンを使用して、酸化窒化シリコン層と比較した場合の検知層内に誘導される相対的位相シフトを決定する。相対的位相シフトは、検知材料の有効屈折モード指数に生じる変化と方向的比例する。
図１に示すシステムでは、測定すべき物理的または化学的刺激が検知層と接触する。発生する物理的および／または化学的変化の結果、屈折率および／または検知導波管の厚さの変化が起きる。よって、これらの変化は相対的位相シフトの変化につながり、それゆえ容易に検出可能な干渉パターンにつながる。
図８を参照すると、図７と類似した構造８０が示されるが、この場合には電磁放射ソースおよび検出器が単一構造上に集積されている。この実施形態では、明快さのためにミクロ集光物および偏光子を省略する。
図９を参照すると、一般的に参照符号９０で示される装置が示され、それにおいては結合格子またはミラーの第２の組が省略され、出力放射が自由空間へ結合される。次に、出力は、適切に配置された適当な検出器により監視される。
図１０に示すように、結合格子またはミラーではなく、テーパー状端部結合器を使用して、光をより低い基準層へ伝搬させる。この例では、光も構造から正確に出力される。しかし、その代わりに、図９に示すように光を構造の端部から出射させることもできる。
図１２を参照すると、遠隔的化学センサ測定を行う装置が示される。計測器１２０は、低い死空間化学センサヘッド１２１、センサエレクトロニクス１２２、コントローラ／通信機能１２３、および制御バルブ１２４を有する。
周囲空気の環境的監視の場合、化学センサシステムは試験物質との接触を維持し、それは膜により媒体されることができる。この場合、トランスポーター試験物質が受動的に実行される。これは、装置の初期モード動作である。
予め規定した間隔で、コントローラ／通信機能は、気相システムにおいては例えば窒素とすることができる制御バルブ掃引浄化物質を動作させ、それは加圧またはポンプなどの能動的手段を通じて得ることができる。浄化物質は、中央のリザーバから提供することができ、または局部的に提供することができる。これは均衡を妨げ、化学センサのための脱着応答を生成する。この応答の特性は、試験物質中の化学物質の性質および量に依存するであろう。これは、装置の第２モードの動作である。
第２モード動作の長所は、それが相対的な基準であり、センサの絶対的信号に依存しないことである。したがって、原理的には、それはあらゆる強調されたシステムのドリフト特性の影響を受けることがなく、よって化学物質のさらに高感度な基準を提供する。また、化学センサの潜在的な状況についての情報を得るために浄化サイクルを使用することができ、それにより初期測定モードの精度を改善する。
化学センサが試験物質と接触しているとすると、初期測定モードは本発明の機能に不可欠ではない。しかし、両セットの情報を使用することにより、高度な感度での周期的測定を伴う継続的測定が可能な装置が提供される。
図１３を参照すると、本発明による装置の代替的構成が示される。この場合、システムは閉鎖的であり、例えばポンプなどの試験物質をセンサにわたって通す能動的手段が必要となる。閉鎖的システムは、開放的システムに対して以下のようないくつかの長所を有する：
１．パージとホールド（purge and hold）として知られる最小の物質で浄化を行うことを可能とする；
２．（比連続的測定が行われている場合、）浄化物質を、その静止状態で化学センサ上に配置することを可能とする。
第１の特徴は、浄化時間の延長が必要な場合、および／または浄化物質の体積が問題である場合に長所となる。第２の特徴は、化学センサ自身の寿命が問題となる場合に長所となる。
装置が提供する情報は、以後の分析のための後続の下方への移動のために記録されるか、または要求に応じてデータ入力／出力ポート（例えばＲＦ２３２通信ポート）を通じて送られる。
検知導波管層の性質は、装置を適用する応用に依存する。
唯一の必要条件は、検知導波管層を形成するために使用する材料の光学的性質が所望の刺激の結果として変化すること、および材料が十分な電磁放射を伝達し、自由空間内で基準導波管と結合した時に干渉パターンが得られることである。
そのように、広範囲の高分子材料および他の材料をそのような装置の検知層として適用することができる。
代替的な材料の１つの用意されたソースは、それらに限定されるものではないが、抗体、酵素およびファージを含む生化学的材料である。抗体および酵素のシステム両者は、検知層に取り入れられた場合、高度に特有かつ高感度なセンサーの可能性を提供する。加えて、ウィルス性および他の生態系を検知層内に使用して、例えばバクテリアの識別に関する表示などの重要な情報を提供することができる。
検出器がセンサのアレイを有する場合、センサはドリフトを補償することができる。ある検知導波管システムは時間と共に古くなり、出力信号のドリフトを生じるようになる。アレイを使用することにより、ドリフトを監視することができ、システムは生成された干渉パターンのセンサを決定し、自動的にゼロにする機能を効果的に実行する。これは、干渉パターン中の絶対的ドリフトにかかわらず干渉パターンの正確な領域を確実に監視することにより達成される。
ＯＱＷＳを刺激して光放射のマルチモード励起を作り出すことができる。そのような環境では、干渉パターンの外部領域と内部領域を比較することにより、外部領域内の吸収性層の厚さの変化に起因して屈折率変化が生じる限度、ならびに（領域における）物理化学的変化により影響される程度を決定することが可能となる。位相シフトの正確な程度を確認するために、装置１を熱的に混乱させることができる。
代替的装置１は、２重導波管２層非対称システムを有する。２つの導波管５、６は、両方とも高分子性を有し、シリコン／二酸化シリコン基板上に配置することができる。１ミクロンの二酸化シリコン層を有するウェハが設けられ、その上にポリ（４−フェニルピリジン）（P4PB）の０．７ミクロン層が蒸着される。これは、上述の酸化窒化シリコンの基準導波管と類似している。
ポリメチルメタクリル酸塩（PMMA）の次の層が１．５ミクロンの厚さで重ねられ、検知層を形成する。
次に、ウェハをダイスアップ（dice up）して、この例では１０mm×１０mmの希望寸法の装置を提供する。
次に、例えば、ヘリウム／ネオンレーザからの入力を伴う光学的ステージを使用し、４０倍の顕微鏡対物レンズを使用して装置を整列させる。その代わりに、５ミクロンの光ファイバを使用して装置を直接的に結合することができる。
装置からの光出力を４０倍の顕微鏡対物レンズを使用してピンホール光検出器または光検出器アレイ上に集光するが、検出器はニアフィールドまたはファーフィールドのいずれかに配置する。
試験化学物質としての水蒸気に対する図１の装置の応答を図１１に示す。
図２を参照すると、本発明の装置を形成する代替２重導波管多層対称システムが一般的に参照符号２０により示される。
シリコンウェハまたは二酸化シリコン層の上にＰＭＭＡの３ミクロン層が重ねられる。この上に、Ｐ４ＶＰの０．７ミクロン層を蒸着し、基準層を形成する。３．５ミクロンの厚さのＰＭＭＡの第２層を蒸着し、Ｐ４ＶＰ導波管を隔離する。
０．７ミクロンの厚さの第２のＰ４ＶＰ層を蒸着して検知導波管を提供する。最後に、３ミクロンのＰＭＭＡ層を蒸着し、検知層を固定する。図１を参照して説明した４０倍の対物レンズを、１０倍の顕微鏡対物レンズに置換する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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