(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に少なくとも非磁性下地層、磁気記録層、保護膜、液体潤滑層が順次積層されてなる垂直磁気記録媒体において、前記磁気記録層が強磁性を有するＣｏＰｔ系合金からなる結晶粒とそれを取り巻くＳｉの酸化物を主体とする非磁性粒界相からなり、前記非磁性下地層がｈｃｐの結晶構造を有し、Ｃ、Ｗ、Ｍｏからなる群から選択される材料を１種類以上Ｒｕ中に添加した合金であり、前記非磁性下地層の下にｆｃｃの結晶構造を有する金属または合金からなるシード層が付与されており、および前記シード層の下に非磁性配向制御層が付与されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非磁性下地層として、３２ａｔ％以下のＷ、３６ａｔ％以下のＭｏから成る群から選択される材料とＲｕとの合金を用いることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記シード層は、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｉｒのいずれかの金属、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｉｒのうちの少なくとも一種を含む合金、または少なくともＮｉとＦｅとを含む合金であることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記非磁性配向制御層は、ｂｃｃの結晶構造を有するＮｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗのいずれかの非磁性金属、またはＮｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗのうちの少なくとも一種を含む非磁性合金から成ることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記非磁性配向制御層は、アモルファス構造を有するＮｉＰまたはＣｏＺｒから成ることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記非磁性基体が、ポリカーボネートまたはポリオレフィン等のプラスチック樹脂であることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記非磁性下地層が２〜４０ｎｍの膜厚を有することを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記ＣｏＰｔ系合金が、ＣｏＰｔ合金にＣｒ、ＮｉおよびＴａからなる群から選択されるの少なくとも１つの元素が添加されたものであることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記非磁性基体の各層を事前に加熱せずに成膜することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はコンピュータの外部記憶装置を初めとする各種磁気記録装置に搭載される磁気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録の高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある。
【０００３】
垂直磁気記録媒体用の磁気記録層用材料としては、現在主にＣｏＣｒ系合金結晶質膜が検討されており、垂直磁気記録に用いるために、ｈｃｐ構造をもつＣｏＣｒ系合金のｃ軸が膜面に垂直（ｃ面が膜面に平行）になるように結晶配向を制御している。ＣｏＣｒ系合金の今後の更なる高密度化に対し、このＣｏＣｒ系結晶粒の微細化，粒径分布の低減，粒間の磁気的相互作用の低減等の試みが行なわれている。
【０００４】
従来用いられてきたＣｏＣｒ系金属磁性膜においては、高温の基板に対して成膜することにより、ＣｒがＣｏ系磁性粒から偏析することによって粒界相を形成し、その粒界相によって磁性粒子間の磁気的相互作用を低減させている。この方法を用いる場合には、成膜基板を２００℃以上に加熱することが必要である。
【０００５】
一方、長手記録媒体の高密度化のための磁気記録層構造制御の一方式として、一般にグラニュラー磁気記録層と呼ばれる、磁性結晶粒の周囲を酸化物や窒化物のような非磁性非金属物質で囲んだ構造をもつ磁気記録層が、例えば特開平８−２５５３４２号公報や米国特許第５，６７９，４７３号で提案されている。このようなグラニュラー磁性膜は、非磁性非金属の粒界相が磁性粒子を物理的に分離するため、磁性粒子間の磁気的な相互作用が低下し、記録ビットの遷移領域に生じるジグザグ磁壁の形成を抑制するので、低ノイズ特性が得られると考えられている。また、このようなグラニュラー磁気記録層においては、基板加熱を用いなくても、磁性粒子間の相互作用を低減することが可能であることが知られている。なぜなら、粒界相として用いられる非磁性非金属の物質は、従来のＣｒより偏析しやすく、加熱を施さなくても偏析を生じるからである。
【０００６】
上述の技術を組み合わせ、垂直磁気記録媒体の記録層として、グラニュラー磁気記録層を用いることが提案されている。例えば、IEEE Trans., Mag., Vol. 36, 2393(2000)には、Ｒｕ金属を下地層とし、グラニュラー構造をもつＣｏＰｔＣｒＯ合金を磁気記録層とした垂直記録媒体が記載されており、グラニュラー磁気記録層の下地層であるＲｕ層の膜厚を増加させるにしたがってｃ軸配向性が向上する。このグラニュラー垂直磁気記録媒体においては、優れた磁気特性と電磁変換特性を得るためには、Ｒｕ下地層の膜厚を４０ｎｍ程度以上とする必要がある。しかしながら、Ｒｕは希少金属元素かつ高価であるため、製造コスト低減の観点からもＲｕ下地層の膜厚を薄くすることが求められている。
【０００７】
また、磁気記録層の下部に軟磁性裏打層を設けてヘッド部に発生する磁界の急峻性を高める、いわゆる２層垂直磁気記録媒体が提案されているが、この構造の磁気記録媒体を高記録密度化するためには、磁気記録層と軟磁性層との間に設けられる非磁性層の厚みを、２０ｎｍ以下とすることが必要不可欠と考えられている。従って、２層垂直磁気記録媒体を作製する場合に、前の段落の厚いＲｕ下地層を用いる構成は、技術的制約を受けることになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし更なる高記録密度化においては、より一層の低ノイズ化が必要不可欠である。このような垂直記録媒体において問題となる性能低下要因の一つとして、磁気記録層の配向分散（配向のバラツキ）の増大がある。垂直記録媒体では磁気記録層の磁化容易軸を媒体面と垂直に配向させる必要があるが、その磁化容易軸の配向分散が大きくなると、垂直方向の磁束の低下から信号出力が低下し、また遷移がシャープでなくなりノイズが増加する。そのため、垂直磁気記録媒体の高出力化・低ノイズ化のためには、磁気記録層の配向分散をできる限り小さくする必要がある。
【０００９】
垂直記録媒体の性能向上のために磁気記録層に要求されることとして、配向分散を小さくすることに加え、初期成長層の低減がある。従来の垂直磁気記録媒体における磁気記録層には、面内方向にも磁化成分を持つ数ｎｍ程度の厚さの初期成長層があり、これがノイズの原因となっていた。これは、従来の垂直磁気記録媒体に用いられているＴｉ系合金からなる下地層の配向の悪さ、および／または下地層と磁気記録層との相互拡散によると考えられている。また、記録の観点からは、磁気記録層の膜厚は薄い方が望ましい。しかしながら初期成長層が存在する場合には、膜厚を薄くすると、相対的に初期成長層の占める割合が大きくなりＳ／Ｎ比（ＳＮＲ）が低下する。すなわち、初期成長層が、磁気記録層の薄膜化の障害となっていた。
【００１０】
磁気記録媒体の低ノイズ化のためには上記に加え、磁気記録層の結晶粒径の低減が必要である。磁気記録層の結晶粒径が大きくなると、ｂｉｔの遷移領域がギザギザになり、遷移ノイズが増加する。そのため、遷移ノイズを低下させるためには、結晶粒径を低減し、ｂｉｔの遷移領域を直線的にすることが必要となる。
【００１１】
以上から、垂直磁気記録媒体の性能向上を実現するためには、磁気記録層の配向分散低減、磁気記録層における初期成長層低減、磁気記録層の結晶粒径低減が必要となる。
【００１２】
従って、本発明の課題は、垂直磁気記録媒体において、（１）磁気記録層の配向性を改善し、（２）磁気記録層における初期成長層を低減し、（３）磁気記録層の結晶粒径を低減することにより、高出力化および低ノイズ化といった媒体性能の向上を実現することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
磁気記録層の配向分散を低減し、初期成長層厚を可能な限りゼロに近づけるためには、下地層の役割が重要となる。それは、（ａ）配向性が良好な下地層を選ぶことで磁気記録層の配向が改善され、（ｂ）下地層と磁気記録層との格子定数のマッチングを良くすることで下地層−磁気記録層界面の接合が良好になり磁気記録層の初期成長層が低減されるからである。また、磁気記録層が下地層にエピタキシャルに成長した場合、磁気記録層の結晶粒径が下地層の結晶粒径に従うことはよく知られている。そのため、（ｃ）磁気記録層の結晶粒径を低減するには、下地層の結晶粒径を低減することが重要となる。
【００１４】
そこで本発明では、非磁性下地層としてＲｕを基盤とする合金を用い、磁気記録層粒径の微細化が比較的容易なグラニュラー膜を磁気記録層に採用することによって、更なる低ノイズ化が図れることを見いだした。このような層構成とすることで、容易に優れた垂直磁気記録媒体が得られる。
【００１５】
また、グラニュラー膜を磁気記録層として用いる場合には、該層内の磁性粒子の孤立化を行うための基板加熱を行なう必要がないので、製造プロセスの簡易化と低コスト化が図れると同時に、従来のＡｌやガラス基板以外にも、安価なプラスチックを基板として使用することも可能となる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい形態について説明する。図１は本発明の垂直磁気記録媒体の断面模式図である。垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１上に非磁性配向制御層２、シード層３、非磁性下地層４、磁気記録層５および保護膜６が順に形成された構造を有しており、さらにその上に液体潤滑層７が形成されている。
【００１７】
非磁性基体１としては、通常の磁気記録媒体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。また、本発明の方法が基板加熱を必要としないことから、ポリカーボネート、ポリオレフィンやその他のプラスチック樹脂を射出成形することで作製した基板を用いることもできる。これらのプラスチック樹脂基板は安価であり、またテクスチャー加工などが容易であるという利点を有する。
【００１８】
非磁性配向制御層２について説明する。非磁性配向制御層は、体心立方（ｂｃｃ）の結晶構造、あるいはアモルファス構造を有する金属または合金であることが必要である。このような層を設けることで、その上に形成されるシード層のｆｃｃ（１１１）配向性をさらに強化することができ、非磁性下地層の配向の向上を介して磁気記録層の諸特性が改善される。このような効果は、ｂｃｃの結晶構造をもつ材料としてＮｂ，Ｍｏ，ＴａもしくはＷのいずれかの非磁性金属、またはＮｂ，Ｍｏ，ＴａもしくはＷのうちの少なくとも一種を含む非磁性合金を用いた場合に最大となる。また、ＮｉＰまたはＣｏＺｒなどのアモルファス構造をもつ材料も好適に使用できる。非磁性配向制御層の膜厚としては、３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上とすることが、シード層の配向を制御するためには望ましい。
【００１９】
シード層３の材料として、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｄ，ＰｔもしくはＩｒのいずれかの金属、またはＣｕ，Ａｕ，Ｐｄ，ＰｔもしくはＩｒのうちの少なくとも一種を含む合金、または、少なくともＮｉとＦｅを含む合金を用いることができる。少なくともＮｉとＦｅを含む合金としては、例えば、Ｎｉ１５Ｆｅ２５Ｃｒ，Ｎｉ１８Ｆｅ２５Ｃｒ，Ｎｉ１５Ｆｅ３０Ｃｒなどを挙げることができる。
【００２０】
これらの材料はｆｃｃの結晶構造を有するため、これを基板上に成膜した場合、最密結晶面であるｆｃｃ（１１１）面が膜面に平行に配向して成長しやすい。さらに、本発明における非磁性下地層４はｈｃｐの結晶構造を有するため、これをｆｃｃ（１１１）面配向しているシード層上に成膜すると、最も格子整合のよいｈｃｐ（００２）面が膜面に平行に配向して成長しやすくなる。このような非磁性下地層上にグラニュラー磁気記録層を成膜することで、磁気記録層中の金属結晶粒もまたｈｃｐ（００２）面が膜面に平行に配向して成長し、ｃ軸が膜面に対して垂直になるため、優れた垂直磁気記録媒体を得ることができる。さらに、これらの材料を用いることは、シード層と非磁性下地層との間、ならびに非磁性下地層とグラニュラー磁気記録層との間の良好な格子整合を提供することに有効である。
【００２１】
シード層の膜厚としては、３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上とすることが、非磁性下地層の配向を制御するためには望ましいが、特に軟磁性裏打層をシード層の下に付与した２層垂直磁気記録媒体を作製する際には、記録層と軟磁性裏打層との距離をなるべく小さくすることが望ましいため、シード層の膜厚は配向を制御できる範囲でなるべく薄いことが必要とされる。３〜２０ｎｍの厚さのシード層を用いることが好ましい。
【００２２】
また、非磁性下地層４は六方最密充填（ｈｃｐ）の結晶構造を有する金属または合金であることが必要であり、Ｒｕ中にＣ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｖからなる群から選択される材料を１種類以上添加したＲｕ基合金を用いて形成される。このとき、Ｒｕと添加物の配合比としては、Ｃ、Ｃｕ、Ｒｅでは特に限定されない。しかし、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｖを用いる場合には、薄膜形成時にｈｃｐ−Ｒｕ相以外の相が形成されない範囲で配合する必要がある。すなわち、Ｗでは３２ａｔ％以下、Ｍｏでは３６ａｔ％以下、Ｃｒでは４０ａｔ％以下、Ｉｒでは４４ａｔ％以下、Ｐｔでは２０ａｔ％以下、Ｒｈでは６０ａｔ％以下、Ｔａでは２０ａｔ％以下、Ｖでは１６ａｔ％以下の範囲に限定される。これらの材料を１種類またはそれ以上含むＲｕ基合金は、シード層３上に形成された時に配向性に優れ、結晶粒径が微細となる。また上記Ｒｕ基合金は磁気記録層との接合性に優れ、磁気記録層の初期成長層を低減する作用がある。
【００２３】
非磁性下地層の膜厚は、グラニュラー磁気記録層の配向を制御するためには、２ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上とすることが望ましい。しかし、製造コスト、並びに２層垂直磁気記録媒体における記録層と軟磁性裏打層の距離を低減するという目的からは、非磁性下地層の膜厚は磁性記録層の配向を制御できる範囲でなるべく薄いことが必要とされる。２〜４０ｎｍの厚さの非磁性下地層を用いることが好ましい。
【００２４】
本発明の垂直磁気記録媒体の磁気記録層５は、強磁性を有する結晶粒とそれを取り巻く非磁性粒界相からなり、かつその非磁性粒界相が、金属の酸化物または窒化物からなる、いわゆるグラニュラー磁気記録層である。このような構造は、例えば米国特許第５，６７９，４７３号に記載されるように非磁性粒界相を構成する酸化物を含有する強磁性金属をターゲットとして、スパッタリングにより成膜すること、あるいは強磁性金属をターゲットとして酸素を含有するＡｒガス中で反応性スパッタリングにより成膜することで作製することができる。前述のように、これらの方法によれば、基板を加熱することなしに、結晶粒界相による強磁性の結晶粒の孤立化が可能である。
【００２５】
強磁性を有する結晶粒を構成する材料は特に制限されないが、ＣｏＰｔ系合金が好適に用い得る。特にＣｏＰｔ合金にＣｒ，Ｎｉ，Ｔａのうちの少なくとも１つの元素を添加することが、媒体ノイズの低減のためには望ましい。一方、非磁性粒界相を構成する材料としては、Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｒのうちの少なくとも１つの元素の酸化物を用いることが、安定なグラニュラー構造を形成するために特に望ましい。磁気記録層の膜厚は特に制限されるものではなく、記録再生時に十分なへッド再生出力と記録再生分解能を得るための膜厚が必要とされる。
【００２６】
保護膜６は、例えば、カーボンを主体とする薄膜が用いられる。その他、磁気記録媒体の保護膜として一般的に用いられる様々な薄膜材料を使用しても良い。液体潤滑層７は、例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。その他、磁気記録媒体の液体潤滑層材料として一般的に用いられる様々な潤滑材料を使用しても良い。
【００２７】
なお、ヘッド部に発生する磁界の急峻性を高めるために、２層垂直磁気記録媒体を作製する場合には、１）シード層をｆｃｃ構造を有するＮｉＦｅ軟磁性合金として、軟磁性裏打層として用いるか、あるいは２）他の材料からなる軟磁性裏打層の最上部に、ｆｃｃ構造を有するＮｉＦｅ軟磁性合金を薄く付与し、このｆｃｃ合金膜をシード層として用いることが可能である。その上に非磁性下地層および磁性記録層などを積層することによって、非磁性下地層および磁性記録層の配向制御を行うことができる。この場合、磁性記録層と軟磁性裏打層の距離は実質的には非磁性下地層の膜厚のみに薄くできるため、さらに好適な垂直磁気記録媒体を作製することができる。
【００２８】
軟磁性裏打層としては、結晶性ＦｅＴａＣ，センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金等、および非晶質のＣｏ合金であるＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＴａＺｒなどを用いることができる。軟磁性裏打ち層の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、おおむね１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度であることが、生産性との兼ね合いから望ましい。
【００２９】
非磁性基体の上に積層される各層（グラニュラー磁気記録層に関しては前述されたい）は、磁気記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によって形成することが可能である。液体潤滑層を除く各層の形成には、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング法，ＲＦマグネトロンスパッタリング法，真空蒸着法を用いることが出来る。また、液体潤滑層の形成には、例えば、ディップ法やスピンコート法を用いることができる。しかし、これらに限定されるものではない。
【００３０】
以上説明したとおりの層構成からなる、図１に示した磁気記録媒体の製造にあたっては、従来の磁気記録媒体のような基板加熱工程を省略しても、優れたｃ軸配向性を有する垂直磁気記録媒体を得る事が可能となり、製造工程の簡略化に伴う製造コストの低下をも図る事ができる。また、基板加熱が必要ないため、ポリカーボネートやポリオレフィン等のプラスチック樹脂を材料とした非磁性基体を用いることも可能である。
【００３１】
【実施例】
以下に本発明の実施例を記す。
【００３２】
（実施例１）
非磁性基体として射出成形されたポリカーボネート基板（３．５インチディスク形状）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ａｒガス圧０．６７Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）下でＴａからなる非磁性配向制御層を５ｎｍ形成後、Ａｒガス圧０．６７Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）下でＰｔからなるシード層を５ｎｍ形成し、Ａｒガス圧２．０Ｐａ（１５ｍＴｏｒｒ）下で、ＲｕにＷを２０ａｔ％固溶させた合金であるＲｕ２０Ｗからなる、非磁性下地層を５ｎｍ成膜した。更にＳｉＯ２を７モル％添加したＣｏ１０Ｃｒ１４Ｐｔターゲットを用いＲＦスパッタ法によりＡｒガス圧０．６７Ｐａ（５ｍＴｏｒｒ）下でグラニュラー磁気記録層３０ｎｍを形成、ついでカーボン保護層１０ｎｍを積層した後真空中から取り出し、その後液体潤滑剤１．５ｎｍを塗布して、図１に示すような構成の磁気記録媒体を作製した。なお、成膜に先立つ基板加熱は行なっていない。
【００３３】
（実施例２）
ＲｕにＣを３０ａｔ％固溶させた合金であるＲｕ３０Ｃを用いて非磁性下地層を成膜したことを除いて、実施例１と同様に垂直磁気記録媒体を作製した。また、磁気記録層の厚さを１０ｎｍから３０ｎｍまで変化させた試料を作製した。
【００３４】
（実施例３）
ＲｕにＭｏを２２ａｔ％固溶させた合金であるＲｕ２２Ｍｏを用いて非磁性下地層を成膜したことを除いて、実施例１と同様に垂直磁気記録媒体を作製した。
【００３５】
（実施例４）
ＲｕにＣｒを５ａｔ％、Ｃを１０ａｔ％固溶させた合金であるＲｕ５Ｃｒ１０Ｃを用いて非磁性下地層を成膜したことを除いて、実施例１と同様に垂直磁気記録媒体を作製した。
【００３６】
（実施例５）
ＮｉにＰを２５ａｔ％固溶させた合金であるＮｉ２５Ｐからなる非磁性配向制御層を５ｎｍ成膜したことを除いて、実施例１と同様に垂直磁気記録媒体を作製した。
【００３７】
（比較例１）
純Ｒｕからなる非磁性下地層を５ｎｍ成膜したことを除いて、実施例１と同様に垂直磁気記録媒体を作製した。また、磁気記録層の厚さを１０ｎｍから３０ｎｍまで変化させた試料を作製した。
【００３８】
（比較例２）
グラニュラー構造ではない従来型の構造を有するＣｏ２０Ｃｒ１０Ｐｔ４Ｂからなる磁気記録層を３０ｎｍ形成したことを除いて、比較例１と同様に垂直磁気記録媒体を作製した。
【００３９】
（比較例３）
ＲｕにＷを２０ａｔ％固溶させた合金であるＲｕ２０Ｗからなる非磁性下地層を５ｎｍ成膜したことを除いて、比較例２と同様に垂直磁気記録媒体を作製した。
【００４０】
（評価）
上記の各実施例および比較例の垂直磁気記録媒体に関して、完成した垂直磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ、磁化容易軸の配向分散：Δθ５０、磁気記録層結晶粒径、ならびに電磁変換測定による規格化ノイズおよびＳＮＲを測定し、表１および表２に示した。ここで、保磁力ＨｃはＶＳＭ（振動試料磁力計）により評価した。△θ５０は、Ｘ線回折装置を用いて得られるロッキングカーブの半値幅である。また電磁変換特性に関してはスピンスタンドテスターで測定し、線記録密度４００ｋＦＣＩにて測定した規格化ノイズ（ノイズの平方自乗平均（μＶ単位）／信号出力（ｍＶ単位）、μＶｒｍｓ／ｍＶｐｐ）およびＳＮＲ（対信号雑音比）を示した。結晶粒径は、透過型電子顕微法（ＴＥＭ）で測定した。結果を、表１および表２に示す。
【００４１】
【表１】
0004019703.tif 000002
【００４２】
【表２】
0004019703.tif 000003
【００４３】
表１によると、まず比較例１、２においてその保磁力Ｈｃが異なるのは、磁気記録層組成においてＰｔ量の違いによるものが大きい。
【００４４】
磁気記録層としてグラニュラー膜を用いた各実施例と比較例１との比較において、電磁変換特性の顕著な改善が得られることがわかる。加えて、比較例２と比較例３との比較に示されるように、グラニュラー構造ではない従来型構造を有する磁気記録層に関しても、本発明の非磁性下地層を用いることにより、電磁変換特性の向上が見られる。
【００４５】
具体的には、まず保磁力Ｈｃであるが、図２に、比較例１と実施例１における、磁気記録層膜厚に対するＨｃの変化を示した。これを見ると、非磁性下地層に純Ｒｕを用いた比較例１では、その初期成長層が大きいことから、磁気記録層膜厚が薄くなるに従ったＨｃの急激な低下が見られるのに対して、本発明である非磁性下地層にＲｕ２０Ｗ、磁気記録層にグラニュラー磁気記録層を用いた実施例１では、磁気記録層が薄い領域でも、Ｈｃの低下が緩やかであることが明確にわかる。この事からも磁気記録層初期成長層が低減されていることがわかる。なお、非磁性下地層材料が異なるその他の実施例でも同様の傾向が見られる。
【００４６】
続いて配向分散：△θ５０をみると、比較例１の媒体では１０．８°、比較例３の媒体では７．２°であるのに対し、本実施例の媒体では約５．２°〜６．２°となっており、磁気記録層の初期成長層の配向が改善されていることがわかる。
【００４７】
また磁気記録層結晶粒径においては、磁気記録層においてグラニュラー磁気記録層を採用する事で、その粒径の微細化の容易さから、非磁性下地層に純Ｒｕを用いた比較例１と比較例２を比べると、同じ層構成にて約２．５ｎｍ微細化され、さらに非磁性下地層にＲｕ基合金を用いた実施例１〜４では更に約４ｎｍ以上も微細化が進んでいることがわかる。
【００４８】
上記のように、本発明の各実施例においては、Ｒｕ基合金を用いることにより初期成長層低減および粒径微細化を達成した。これらの結晶学的改善は、それら実施例の低ノイズ化およびＳＮＲの格段の改善に反映されている。
【００４９】
【発明の効果】
以上の様に、非磁性下地層として、Ｃ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｔａ、Ｖからなる群から選択される材料を１種類以上Ｒｕ中に添加した合金を用い、更に磁気記録層としてグラニュラー膜を採用することで、磁気記録層初期成長層低減及び磁気記録層結晶粒径の微細化がなされ、結果として低ノイズ化及び高ＳＮＲ化が図れることが判った。非磁性下地層材料としては、各上記材料にて同様の効果が狙えるが、今回の検討ではＲｕにＷまたはＭｏを添加媒体がより優れた効果を得ている。
【００５０】
本発明の層構成をもちいることで、容易に優れた特性が得られることから、本発明の媒体を成膜するにあたっては基板加熱を行なう必要がなくなり、従来のＡｌやガラス基板以外にも、安価なプラスチックを基板として使用することも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の構成を示す断面模式図である。
【図２】実施例１および比較例１における、保磁力Ｈｃの磁気記録層膜厚依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
１  非磁性基体
２  非磁性配向制御層
３  シード層
４  非磁性下地層
５  磁気記録層
６  保護膜
７  液体潤滑層
【図１】
0004019703.tif 000004
【図２】
0004019703.tif 000005