(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを準備する工程と、
これらの第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコンウェーハの各表面に、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００となる洗浄液を使用して希ＨＦ洗浄を施す工程と、
第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを重ね合わせる工程と、
この重ね合わせたシリコンウェーハ同士を８８０〜１１００℃で２０〜１２０分間熱処理することにより、張り合わせ基板を製造する工程とを含む張り合わせ基板の製造方法。
【請求項２】
第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとの間に絶縁膜を介在させたＳＯＩ基板を張り合わせにより製造する張り合わせ基板の製造方法において、
第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコンウェーハの各表面に、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００となる洗浄液を使用して希ＨＦ洗浄を施す工程と、
第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを、それらの間に絶縁膜を介在させて重ね合わせる工程と、
重ね合わせた後、８８０〜１１００℃の温度で、２０〜１２０分間の条件で熱処理することにより、張り合わせ基板を製造する工程とを備えた張り合わせ基板の製造方法。
【請求項３】
鏡面研磨されたポリシリコン層を表面に有する第１のシリコンウェーハを準備する工程と、
第２のシリコンウェーハを準備する工程と、
これらの第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコンウェーハの各表面に、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００となる洗浄液を使用して希ＨＦ洗浄を施す工程と、
第１のシリコンウェーハのポリシリコン層を第２のシリコンウェーハの表面に重ね合わせる工程と、
重ね合わせた後、これらを８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分間熱処理することにより張り合わせ基板を製造する工程とを備えた張り合わせ基板の製造方法。
【請求項４】
表面にポリシリコン層を有する第１のシリコンウェーハを準備する工程と、
表面に絶縁膜を有する第２のシリコンウェーハを準備する工程と、
これらの第１のシリコンウェーハのポリシリコン層表面および第２のシリコンウェーハの絶縁膜表面に、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００となる洗浄液を使用してそれぞれ希ＨＦ洗浄を施す工程と、
第１のシリコンウェーハのポリシリコン層と第２のシリコンウェーハの絶縁膜とを重ね合わせる工程と、
重ね合わせた後、これらを８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分間熱処理することにより張り合わせ基板を製造する工程とを備えた張り合わせ基板の製造方法。
【請求項５】
上記第１のシリコンウェーハはパターン形成層をポリシリコン層で被覆している請求項３または請求項４に記載の張り合わせ基板の製造方法。
【請求項６】
上記熱処理は、酸素雰囲気または窒素ガス雰囲気で行う請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の張り合わせ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は張り合わせ基板の製造方法、特にパワー素子、複合素子などに使用される張り合わせ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、シリコンウェーハ同士を張り合わせるには、ＯＨ基を持った表面が必要とされている。ウェーハ表面をこのように制御・形成するには、ＳＣ１（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ  １）洗浄液を用いて洗浄して表面に自然酸化膜を形成する。または、この後、表面のｃｏｎｃ．ＨＦ処理を行い、表面にＳｉ−Ｆ結合をいったん生じさせ、その後純水リンスによりＦをＯＨ基に置換していた（特開平５−１９８５４９号公報）。
したがって、張り合わせ強化熱処理は、ＯＨ基により終端されたシリコン面（張り合わせ面）に対して行われる。よって、この熱処理時、Ｈ２Ｏが張り合わせ界面から抜け出る際に凝集してウェーハ外周部にボイドが発生し易くなり、良品基板の収率が悪くなっていた。
【０００３】
そこで、これを回避するために、張り合わせ基板を２時間近くも１２００℃程度の高温の雰囲気中に晒しておかなければならなかった。
具体的には、上記ＳＣ１洗浄処理したシリコンウェーハの鏡面同士を室温のクリーンルーム内にて重ね合わせて密着させる。そして、この重ね合わされて一体化した張り合わせ基板を、１２００℃程度で２時間保持する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の張り合わせ基板の製造方法にあっては、重ね合わせ後の熱処理を１１００℃を越える高温度で行っていたため、以下の不具合が生じていた。
すなわち、近時、デバイスプロセスにあっては低温化の要請が高まっている。例えば誘電体分離基板、選択研磨を施した基板、ＶＤＭＯＳ用の基板などをこの張り合わせの方法を用いて作製することがあった。このようなパターン付きウェーハを張り合わせるとき、上記高温熱処理ではパターンの伸縮量が大きくなっていたという不具合があった。
また、このような高温熱処理では、張り合わせ基板の活性層部分にＯＳＦ（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｓｔａｃｋｉｎｇ  Ｆａｕｌｔ）を発生させるおそれがあった。
【０００５】
【発明の目的】
そこで、この発明の目的は、低温熱処理により張り合わせ基板を作製する方法を提供するものである。また、この発明の目的は、過度の熱ストレス、例えばパターンずれなどが生じていない張り合わせ基板を製造することである。また、この発明の目的は、汚染およびＯＳＦが生じない張り合わせ基板を提供することである。さらに、この発明は、ボイド発生が少ない張り合わせ基板を提供することを、その目的としている。また、短時間の熱処理で張り合わせ基板を作製可能とすることを、その目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを準備する工程と、これらの第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコンウェーハの各表面に、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００となる洗浄液を使用して希ＨＦ洗浄を施す工程と、第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを重ね合わせる工程と、この重ね合わせたシリコンウェーハ同士を８８０〜１１００℃で２０〜１２０分間熱処理することにより、張り合わせ基板を製造する工程とを含む張り合わせ基板の製造方法である。
この温度条件としたのは、８８０℃未満ではボイド発生率が増大するからである。また、１１００℃を超えると、加熱温度が高すぎて、パターンずれなどの過度の熱ストレス、炉からの汚染、ＯＳＦが発生し易くなるからである。
好ましい熱処理時間は２０〜１２０分間であり、２０分間未満では熱処理時間が短か過ぎてシリコンウェーハの張り合わせ界面にボイドが発生し易くなる。また、１２０分間を超えるとＯＳＦの発生が多くなる。
また、ここでいう希ＨＦ洗浄とは、一般的なシリコンウェーハのＨＦ洗浄よりも低濃度のＨＦ（フッ酸）を用いた洗浄を意味する。すなわち、希ＨＦ洗浄に使用される洗浄液は、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００となるものである。Ｘの値をこの範囲としたのは、Ｘが５０未満では、ウェーハ表面のＳｉ−Ｆ結合のＦがＯＨ基に置換した場合に、ＯＨ基の比率が高くなりすぎて、ウェーハ外周部でのボイド発生率が増大するからである。また、Ｘが４００を越えると、自然酸化膜の除去に時間がかかりすぎるからである。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとの間に絶縁膜を介在させたＳＯＩ基板を張り合わせにより製造する張り合わせ基板の製造方法において、第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコンウェーハの各表面に、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００となる洗浄液を使用して希ＨＦ洗浄を施す工程と、第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを、それらの間に絶縁膜を介在させて重ね合わせる工程と、重ね合わせた後、８８０〜１１００℃の温度で、２０〜１２０分間の条件で熱処理することにより、張り合わせ基板を製造する工程とを備えた張り合わせ基板の製造方法である。
これらの温度条件、熱処理時間については請求項１に記載の発明の場合と同じ理由による。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、鏡面研磨されたポリシリコン層を表面に有する第１のシリコンウェーハを準備する工程と、第２のシリコンウェーハを準備する工程と、これらの第１のシリコンウェーハおよび第２のシリコンウェーハの各表面に、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００となる洗浄液を使用して希ＨＦ洗浄を施す工程と、第１のシリコンウェーハのポリシリコン層を第２のシリコンウェーハの表面に重ね合わせる工程と、重ね合わせた後、これらを８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分間熱処理することにより張り合わせ基板を製造する工程とを備えた張り合わせ基板の製造方法である。
ここでいうポリシリコン層を表面に有する第１のシリコンウェーハには、活性層用ウェーハの場合と、支持基板用ウェーハの場合の両方を含む。なお、第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハの両方が、ポリシリコン層を有するものであってもこの発明の効果が得られる。
また、上記温度条件、熱処理時間とした理由は、請求項１に記載の発明の場合と同じである。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、表面にポリシリコン層を有する第１のシリコンウェーハを準備する工程と、表面に絶縁膜を有する第２のシリコンウェーハを準備する工程と、これらの第１のシリコンウェーハのポリシリコン層表面および第２のシリコンウェーハの絶縁膜表面に、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００となる洗浄液を使用してそれぞれ希ＨＦ洗浄を施す工程と、第１のシリコンウェーハのポリシリコン層と第２のシリコンウェーハの絶縁膜とを重ね合わせる工程と、重ね合わせた後、これらを８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分間熱処理することにより張り合わせ基板を製造する工程とを備えた張り合わせ基板の製造方法である。
これらの温度条件、熱処理時間の限定は、請求項１に記載の発明の場合と同じ理由による。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、上記第１のシリコンウェーハはパターン形成層をポリシリコン層で被覆している請求項３または請求項４に記載の張り合わせ基板の製造方法である。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、上記熱処理は、酸素雰囲気または窒素ガス雰囲気で行う請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の張り合わせ基板の製造方法である。
【００１２】
【作用】
請求項１に記載の発明では、まず、第１のシリコンウェーハ（ＰＷ：鏡面ウェーハ）および第２のシリコンウェーハ（ＰＷ）を準備する。これらのシリコンウェーハは、いずれも少なくともＳＣ１液中に浸して洗浄を行い、最後に希ＨＦ洗浄を施しておく。
希ＨＦ洗浄することにより、まずＨＦ分子がウェーハ表面のＳｉ−Ｏ結合と反応して、Ｓｉ−Ｆ結合を形成する。このＳｉ−Ｆ結合は分極しているので、ＨＦの攻撃を受け易く、これによりウェーハ表面のＳｉはＳｉＦ４として脱離してＳｉ表面はＨ基により終端される。
希ＨＦ洗浄に使用される洗浄液は、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００としたものである。第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを重ね合わせる前に、これらのシリコンウェーハの表面に上記範囲のＨＦ洗浄液を用いた希ＨＦ洗浄を施しておく。この結果、通常のＨＦ洗浄に比べて、シリコンウェーハの張り合わせ面のＯＨ基の密度が小さくなり、よって張り合わせ熱処理後の張り合わせ界面に発生するＨ２Ｏの量が少なくなる。これにより、張り合わせ基板の周辺部へのボイドの発生率をより低減することができる。
次に、これらの第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを例えば室温にて重ね合わせる。これらのシリコンウェーハの鏡面同士を密着させるものである。
そして、この重ね合わせたウェーハを８８０〜１１００℃の温度で２０〜１２０分間熱処理する。この結果、ボイドが発生していない張り合わせ基板を作製することができる。Ｈ２が張り合わせ界面から容易に離脱することができるからである。これは、Ｈ２は体積が非常に小さいからである。
この低温熱処理の結果、張り合わせ基板において、過度の熱ストレス、汚染が起き難く、ＯＳＦも発生しにくい。
【００１３】
請求項２に記載の発明では、第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとの間に絶縁膜を介在させて重ね合わせるものとする。
すなわち、まず、これらのシリコンウェーハには、ＳＣ１、希ＨＦの各洗浄を施しておく。希ＨＦ洗浄に使用される洗浄液は、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００としたものである。第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを重ね合わせる前に、これらのシリコンウェーハの表面に上記範囲のＨＦ洗浄液を用いた希ＨＦ洗浄を施しておく。この結果、通常のＨＦ洗浄に比べて、シリコンウェーハの張り合わせ面のＯＨ基の密度が小さくなり、よって張り合わせ熱処理後の張り合わせ界面に発生するＨ２Ｏの量が少なくなる。これにより、張り合わせ基板の周辺部へのボイドの発生率をより低減することができる。
そして、これらのシリコンウェーハ（表面は鏡面）を絶縁膜を介在させて重ね合わせた状態で、８８０〜１１００℃の温度で、２０〜１２０分間の条件で熱処理する。この結果、張り合わせによるＳＯＩ基板を製造することができる。
【００１４】
請求項３に記載の発明では、まず、表面を鏡面研磨したポリシリコン層をその表面に有する第１のシリコンウェーハを準備する。また、表面が鏡面研磨された第２のシリコンウェーハを準備する。
そして、これらのシリコンウェーハの表面（鏡面）には、それぞれＳＣ１洗浄後希ＨＦ洗浄を施しておく。希ＨＦ洗浄に使用される洗浄液は、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００としたものである。第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを重ね合わせる前に、これらのシリコンウェーハの表面に上記範囲のＨＦ洗浄液を用いた希ＨＦ洗浄を施しておく。この結果、通常のＨＦ洗浄に比べて、シリコンウェーハの張り合わせ面のＯＨ基の密度が小さくなり、よって張り合わせ熱処理後の張り合わせ界面に発生するＨ２Ｏの量が少なくなる。これにより、張り合わせ基板の周辺部へのボイドの発生率をより低減することができる。
次に、この第１のシリコンウェーハのポリシリコン層を第２のシリコンウェーハの表面に重ね合わせ、密着させる。鏡面同士を密着させるものである。この重ね合わせは、例えばクリーンルーム内の室温で行う。
そして、重ね合わせた後、これを８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分間熱処理する。この結果、ポリシリコン層をシリコン層とシリコン層との間に介在させた張り合わせ基板を作製することができる。２０分間未満の熱処理では、接合した界面にボイド（未接合部）が発生するからである。１２０分を越えると、ポリシリコン層の伸縮量が大きくなり過ぎるからである。
【００１５】
請求項４に記載の発明では、まず、ポリシリコン層を有する第１のシリコンウェーハを準備する。また、表面に絶縁膜を有する第２のシリコンウェーハを準備する。そして、これらのシリコンウェーハの表面には、つまりポリシリコン層表面および絶縁膜表面にそれぞれ希ＨＦ洗浄を施しておく。
希ＨＦ洗浄に使用される洗浄液は、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：Ｘとしたとき、５０≦Ｘ≦４００としたものである。第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを重ね合わせる前に、これらのシリコンウェーハの表面に上記範囲のＨＦ洗浄液を用いた希ＨＦ洗浄を施しておく。この結果、通常のＨＦ洗浄に比べて、シリコンウェーハの張り合わせ面のＯＨ基の密度が小さくなり、よって張り合わせ熱処理後の張り合わせ界面に発生するＨ２Ｏの量が少なくなる。これにより、張り合わせ基板の周辺部へのボイドの発生率をより低減することができる。
次に、この第１のシリコンウェーハのポリシリコン層の表面と第２のシリコンウェーハの絶縁層表面同士を重ね合わせ、例えば室温で密着させる。そして、重ね合わせた後、これらを８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分間熱処理する。
希ＨＦ洗浄によりウェーハ表面がＨ基で終端されているので、張り合わせ熱処理によりその界面にＨ２が生じる。ところが、Ｈ２は体積が非常に小さく、熱処理の時間が比較的短くても張り合わせ界面から抜け出やすい。この結果、ウェーハ外周部にボイドが発生しにくく、かつ、汚染やＯＳＦも起きにくい、ポリシリコン層を有する張り合わせ基板を、良好な生産性により作製することができる。
【００１６】
請求項５に記載の発明では、上記第１のシリコンウェーハにパターン層を形成しておく。このパターン層をポリシリコン層で被覆し、ポリシリコン層表面を鏡面研磨しておく。この第１のシリコンウェーハを第２のシリコンウェーハと重ね合わせ、熱処理する。熱処理温度は８８０〜１１００℃と比較的低温であり、しかも、熱処理時間も２０〜１２０分間と比較的短いので、パターンずれなどの過度の熱ストレスが少ない、パターン形成層をシリコン層間に介在させた張り合わせ基板を作製することができる。
【００１７】
請求項６に記載の発明では、上記熱処理は、酸素雰囲気または窒素ガス雰囲気で行うものとする。ドライＯ２雰囲気でもよく、ウェットＯ２雰囲気でもよい。または、Ｎ２ガス雰囲気での加熱でもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下この発明の実施例を図面を参照して説明する。図１はこの発明の第１実施例に係る張り合わせ基板の製造方法を示すフローシートである。図２は第１実施例に係る張り合わせ基板のボイド発生率を示すグラフである。
【００１９】
この第１実施例では、シリコンウェーハ同士（シリコン面同士）を直接張り合わせるものとする。図１において示すように、この場合、２枚の鏡面研磨シリコンウェーハ（活性層用Ａ板，支持層用Ｂ板）１１，１２には、ともに、ＳＣ１洗後、希ＨＦ洗浄（ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：５０〜４００）を施しておく。
希ＨＦ洗浄により、ＨＦ分子がウェーハ表面のＳｉ−Ｏ結合と反応し、Ｓｉ−Ｆ結合となる。このＳｉ−Ｆ結合は分極しているのでＨＦの攻撃を受け易く、これによりウェーハ表面のＳｉはＳｉＦ４ となって脱離し、ウェーハ表面はＨ基により終端される。
そして、これらの鏡面同士を重ね合わせた室温での張り合わせ後、張り合わせ基板１３に対して張り合わせ熱処理を施す。この熱処理温度は８８０〜１１００℃で、時間は１２０分とする。熱処理はＮ２ガス雰囲気で行った。
【００２０】
この際、希ＨＦ洗浄によりシリコンウェーハ表面がＨ基で終端されているので、張り合わせ熱処理により張り合わせ界面にはＨ２が生じる。Ｈ２は体積が非常に小さい。よって、この張り合わせ界面で生じたＨ２は、熱処理時間が比較的短くても、その張り合わせ界面から抜け出やすい。
さらにこの後、超音波照射によるボイド検査を行い、また、面取り、Ａ板の研削・研磨によりＡ板を所定厚さとし、洗浄することとなる。
【００２１】
図２には張り合わせ熱処理温度とボイド発生率との関係を示している。このグラフに示すように、８８０℃以上の熱処理ではボイド発生率が低減された。このボイド発生率は上記超音波照射による検査（超音波探傷法）に基づいている。
また、熱処理温度は比較的低温寄りの温度（８８０〜１１００℃）に設定されているので、１２０分間という比較的短時間の熱処理であっても、張り合わせ基板の汚染（熱処理炉からの重金属汚染など）が起きにくい。また、ＯＳＦが発生しにくい。このＯＳＦの測定は公知の方法で行った。すなわち、セコエッチング等の選択的なエッチング後、顕微鏡観察する測定方法により行った。
【００２２】
図３にはこの発明の第２実施例を示す。この実施例では、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板作製の手順を示す。使用するシリコンウェーハは、活性層用のＡ板、支持用のＢ板のいずれか一方の鏡面に所定厚さの酸化膜を被着しておくものとする。Ａ板またはＢ板の表面に所定厚さのＳｉＯ２膜を形成し、これらを重ね合わせることにより、張り合わせＳＯＩ基板を作製する。
これらのシリコンウェーハは、ともに、ＳＣｌ洗浄、リンス、希ＨＦ洗浄（ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：５０〜４００）、純水リンスを経て、重ね合わされる。または、活性層用の酸化膜を有するシリコンウェーハでは、ＳＣｌ洗浄を施しておくこともできる。このＳＣ１洗浄で酸化膜上のパーティクルを除去しておくことができるからである。
張り合わせは、室温で行い、その後の熱処理は、８８０〜１１００℃で、２０〜１２０分間行うものとする。熱処理後の活性層の研削・研磨等は上記実施例と同様とする。
この実施例にあっても上記実施例と同様にボイド発生が少ないＳＯＩ基板を作製することができる。
【００２３】
図４にはこの発明の第３実施例を示す。この第３実施例では間にポリシリコン膜を介在させたシリコンウェーハ同士の張り合わせを示す。まず、活性層用の第１のシリコンウェーハ（Ａ板）と、ポリシリコン膜を被着した第２のシリコンウェーハ（Ｂ板）とを準備する。この第１のシリコンウェーハは一面に鏡面研磨を施したＣＺウェーハとする。また、第２のシリコンウェーハは、例えばＣＶＤにより所定厚さのポリシリコン膜を鏡面ウェーハに被着しておく。
次に、これらの第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを、まず、ＳＣ１液で洗浄し、リンス後、希ＨＦ液で洗浄する。この希ＨＦ洗浄液は、ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：（５０〜４００）とする。また、この洗浄時間はＳｉＯxをウェーハ表面から除去することができるまでとする。そして、この後、純水による流水リンスを行った。その後の乾燥はスピンドライで行った。
【００２４】
次いで、この乾燥後３０分以内に、このウェーハを用いて室温で所定条件下に重ね合わせて接着した。第１のシリコンウェーハと第２のシリコンウェーハとを張り合わせるものである。なお、この張り合わせは室温で行う。
そして、この張り合わせた基板を熱処理する。例えば８８０〜１１００℃、２０〜１２０分間、ドライＯ２雰囲気で加熱する。
そして、この張り合わせ基板について、例えば超音波測定などで張り合わせ界面にボイドが存在しないかを、検査・確認した。
この実施例にあっても上記各実施例と同様にボイド発生が低減された張り合わせ基板を得ることができる。
【００２５】
図５はこの発明の第４実施例を示している。この実施例では、ウェーハ表面にパターンを形成し、これをポリシリコン層２１で被覆したＡ板２２（ポリシリコン層表面は鏡面研磨しておく）を、Ｂ板２３に張り合わせる。ＳＣ１洗浄、リンス、希ＨＦ洗浄、リンスの後、室温で重ね合わせるものとする。鏡面同士を重ね合わせるものである。
さらに、８８０〜１１００℃で１２０分間の熱処理を施した後、公知の方法（超音波、ＩＲなど）でボイド検査を行った。
【００２６】
図６はこの発明の第４実施例に係る張り合わせ基板でのパターン伸縮率を示すグラフである。このグラフからわかるように、１１００℃を越えた熱処理では伸縮率が上昇する。測定は公知の方法で行った。
【００２７】
【発明の効果】
この発明によれば、以下の効果を有する。
（１）張り合わせ基板に大きな熱ストレスが生じることがない。
（２）パターンずれなどが生じていない張り合わせ基板を製造することができる。
（３）張り合わせ基板の汚染も低減される。
（４）ＯＳＦが生じない張り合わせ基板を作製することができる。
（５）張り合わせ基板の張り合わせ界面の濃度プロファイルを急峻に変化させることができる。
（６）張り合わせ基板のウェーハ外周部でのボイドの発生を防止することができる。
（７）熱処理時間も短縮することができる。
（８）生産性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明の第１実施例に係る張り合わせ基板の製造方法を示すフローシートである。
【図２】  この発明の第１実施例に係る張り合わせ基板のボイド発生率、ＯＳＦ発生率を示すグラフである。
【図３】  この発明の第２実施例に係る張り合わせ基板の製造方法を示すフローシートである。
【図４】  この発明の第３実施例に係る張り合わせ基板の製造方法を示すフローシートである。
【図５】  この発明の第４実施例に係る張り合わせ基板の製造方法を示すフローシートである。
【図６】  この発明の第４実施例に係る張り合わせ基板でのパターンの伸縮率を示すグラフである。
【符号の説明】
１１  第１のシリコンウェーハ、
１２  第２のシリコンウェーハ、
１３  張り合わせ基板、
２１  ポリシリコン膜。
【図１】
0003902321.tif 000002
【図２】
0003902321.tif 000003
【図３】
0003902321.tif 000004
【図４】
0003902321.tif 000005
【図５】
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【図６】
0003902321.tif 000007