(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＯＩ基板と、前記ＳＯＩ基板に形成されたアンプ部と、前記ＳＯＩ基板に形成されたフォトダイオード部とを有する光半導体集積回路装置において、
前記フォトダイオード部のＳＯＩ層は、前記ＳＯＩ基板のフォトダイオード側の不純物濃度が前記ＳＯＩ基板の絶縁膜側の不純物濃度よりも小さいことを特徴とする光半導体集積回路装置。
【請求項２】
情報を記録した光ディスクと、半導体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源からの出射光を前記光ディスクに集光する光学系と、前記光ディスクからの反射光を検出する光検出器と、前記光検出器で検出された信号を処理する信号処理部とを含む光記憶再生装置において、
請求項１記載の光半導体集積回路装置により前記反射光の検出と、前記検出された信号の少なくとも一部の処理を行うことを特徴とする光記憶再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ホトダイオード部とアンプ部を有する光半導体集積回路装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ホトダイオード部とアンプ部を有する光半導体集積回路装置は、光情報記録再生装置であるＣＤ（コンパクト・ディスク）ドライブやＤＶＤ（ディジタル・バーサタイル・ディスク）ドライブなどにおける光検出及び信号処理に使用される。半導体集積回路装置と光検出器は、従来別々に作製され、ホトダイオードからの検出信号はリード線等の配線により半導体集積回路装置に送られ、増幅等の処理が施されことが多い。しかし、ＣＤドライブなどにおいては、読み取り動作の高速化及び装置の小型化が要求されるようになってきており、これに対処するために、ホトダイオードと半導体集積回路を同一基板上に作製するＯＥＩＣ（光電子集積回路素子）と称されるものが作られるようになってきている。その構造は、例えば特開平１１−２６６０３３号公報に記載されている。また、特開平４−８２２６８号には、第１導電形の半導体基板と第２導電形のエピタキシャル層で構成されるホトダイオードを有する半導体装置において、エピタキシャル層下にエピタキシャル層又は半導体基板より低濃度の半導体領域を形成すること、あるいはエピタキシャル層下に半導体基板より高濃度の第１導電形の半導体領域を形成することによってホトダイオードの高感度化と広帯域化を図ることが記載されている。
【０００３】
図２は、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板上に作製したホトダイオード付き光半導体集積回路装置の一例の概略断面図である。図２の１の部分がホトダイオード部を、２の部分がアンプ部分の一部であるトランジスタ部を示す。これらの素子は、ｎ型シリコン支持基板３０と酸化膜４０、シリコン結晶層すなわちＳＯＩ層３１が形成されたＳＯＩ基板上に作製される。
【０００４】
トランジスタ部２では、パッシベーション膜４３上にコレクタ電極６３、エミッタ電極６４、ベース電極６５が形成されている。ＳＯＩ層３１の上部にはｎ−型のエピタキシャル層３２があり、ベース拡散層３３、エミッタ拡散層３５と共にトランジスタを構成している。エピタキシャル成長によるシリコン層を成長させる前に基板表面に作製される高濃度不純物層である埋め込み層５０は、コレクタの抵抗を下げるために、ＳＯＩ層３１に不純物が導入されており、コレクタ接続用ｎ型拡散層５１により上部電極（コレクタ電極）と接続されている。エミッタ電極６４へは、エミッタ拡散層３５、エミッタ電極用ポリシリコン３６、シリサイド膜６６により導通がとられている。４２は側壁酸化膜であり、エミッタとベースのポリシリコンを絶縁している。素子間は素子間分離埋め込み酸化膜４１で分離され、素子内の分離は浅溝の埋め込み酸化膜４６で行う。
【０００５】
ホトダイオード部１においては、６１はホトダイオードのカソード電極、６２はアノード電極である。酸化膜４４を透過した検出すべき光１０は、ｐ＋層３７、及びエピタキシャル層３２、埋め込み層５０で光キャリアを発生させ、電極６１と６２の間の光電流となる。ホトダイオードの場合もトランジスタと同様に埋め込み層５０があり、カソード接続用ｎ型拡散層５２及びシリサイド層６７によりカソード電極（上部電極）６１に接続されている。ホトダイオードからの電流は、本例では明記していないが、多数のトランジスタ集積回路群により信号処理される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
シリコン結晶を照射したときの光のシリコン内部での強度変化を図３に示す。光の強度は表面における強度で規格化してある。光の強度は表面から深くなるほど減衰するが、その減衰状態は光の波長により異なる。ＣＤドライブに使用される波長７８０ｎｍ付近では、シリコン結晶の内部まで深く侵入するが、短い波長の４１０ｎｍの光はほとんど表面付近で減衰する。また、ＤＶＤドライブに使用されている波長６６０ｎｍの光の侵入状態は両者の間にある。
【０００７】
シリコン内部に侵入した光は光キャリアを発生させ、光電流となる。この光キャリアの発生状態とホトダイオードの構造との相互関係がホトダイオードの感度及び周波数特性を決める要因となる。図３の図中にホトダイオード断面構造の寸法の一例を示す。ＰＤ層とはホトダイオードの表面にあるｐ＋層からｎ−層を含めた空乏層端までを示す。ＳＯＩ層とは埋め込み層が形成されるシリコン結晶層である。ＰＤ層にはＳＯＩ層に対して逆バイアスが十分な大きさで印加されており、空乏層はＳＯＩ層まで達しているものとする。実線で示した４１０ｎｍの波長においては、光はＰＤ層内でほとんど吸収されるので、キャリアのドリフト速度により遮断周波数は決まり、ギガＨｚ程度の遮断周波数であることが予想される。一方、短い破線で示した７８０ｎｍの波長では、光はＳＯＩ層まで十分な強度で達し、さらにシリコン支持基板にまで達する。ＳＯＩ層内では、空乏層のようには電圧がかかっていないので、発生した光キャリアは拡散過程を通じた光電流となる。この拡散過程は非常に遅い過程なので、この電流の比率が大きくなると、ホトダイオードの周波数帯域は著しく狭くなる。
【０００８】
また、ホトダイオードの感度の向上は、より多くの光キャリアが空乏層に流入することにより達成される。ＳＯＩ基板を用いたホトダイオードでは、絶縁物によりシリコン支持基板と区切られているので、シリコン支持基板で発生した光キャリアはホトダイオードの光電流に寄与しない。従って、図３に示す７８０ｎｍの光のように酸化膜を透過してシリコン支持基板に多くの光が侵入する場合は、よい感度のホトダイオードが得られなくなる。
【０００９】
現在、ＣＤドライブあるいはＤＶＤドライブでは高速の再生が要求されるようになってきており、ホトダイオードの高感度化・広帯域化が求められるようになってきている。しかし、製造プロセスが集積回路装置部分に対して最適化されているにもかかわらず、ＳＯＩ層の膜厚、ＰＤ層の厚さを変更することにより、ホトダイオードの遮断周波数あるいは感度を向上させようとすると、トランジスタ等の集積回路装置部分の性能が劣化する可能性がある。
【００１０】
本発明は、このような問題点に鑑み、集積回路装置の製造プロセスを大きく変更せずに、すなわち集積回路装置の性能を劣化させないで、集積回路装置と同一基板に作製されたホトダイオードの周波数特性あるいは感度を向上させた光半導体集積回路を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、アンプ部分の埋め込み層とは異なる不純物分布あるいは濃度をホトダイオード部の埋め込み層において使用することにより、ホトダイオードの周波数帯域を向上させる。また、基板の絶縁膜の膜厚を最適なものにして感度の向上を図る。
【００１２】
図４に、ホトダイオードの断面の模式図を示す。ＳＯＩ基板３００を使用しており、４０は酸化膜の絶縁層である。３２はエピタキシャル層であり、最上部にはｐ＋層３７が形成されているものとする。図４（Ａ）は従来構造のホトダイオード部を示し、アンプ部分と同じ埋め込み層５０を有しているものとする。本発明による図４（Ｂ）の構造のホトダイオード部においては、集積回路装置部分の埋め込み用のものとは異なるマスクを用意し、イオン打ち込み条件を変えることにより、埋め込み層５０１の不純物濃度を変化させている。
【００１３】
エピタキシャル層は完全に空乏化されているものとし、光１０の入射光による光キャリアはエピタキシャル層３２及び埋め込み層へと変化したＳＯＩ層で発生するものとする。ｐ＋層埋め込み層３７とＳＯＩ層の間には十分な大きさの逆バイアスが印加されているので、エピタキシャル層３２にはドリフト電流が流れ、他方ＳＯＩ層には電圧がかからないので光キャリアは拡散電流となる。拡散電流はホトダイオードの周波数特性を悪くする原因であるが、埋め込み層５０１の不純物濃度を変えると、そこでの拡散定数が変化し、拡散速度を変えることができる。
【００１４】
埋め込み層の不純物濃度変化による遮断周波数（３ｄＢ減少する周波数と定義）の変化を図５に示す。計算条件は、図４（Ｂ）の断面図において、エピタキシャル層の厚さａを１．２μｍ、ＳＯＩ層の厚さｂを１．５μｍとし、光の波長を７８０ｎｍ、埋め込み層での少数キャリア寿命を３×１０−３秒とした。図５に示すように、不純物濃度を減少させると、周波数帯域が広がることが分かる。トランジスタ部の埋め込み層の不純物濃度を１×１０１８ｃｍ−３程度としたとき、１桁程度以内で減少させるのが現実的で、それ以上減少させても埋め込み層の抵抗増加の効果が大きくなり、遮断周波数が減少して逆効果となる。従って、ホトダイオード部の埋め込み層の不純物濃度は、１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１８ｃｍ−３程度とするのが好ましい。また、空乏層ができるエピタキシャル層の厚さが厚いほど周波数帯域が広くなるが、長波長の７８０ｎｍの光を検出する場合は深く光が侵入するので、ＳＯＩ層の厚さ等を勘案するとエピタキシャル層の厚さは０．８μｍ以上が望ましい。
【００１５】
また、ホトダイオードの感度を向上させるために、図６に示すように、ＳＯＩ基板の酸化膜４０１による反射光を増大させて、ホトダイオード内でより多くの光キャリアを発生させる方法をとる。図６における酸化膜４０１の厚さｃを変化させたとき、反射光１１の強度が変化する。反射光１１はホトダイオードの内部に戻り光キャリアを発生させるので、これを大きくすれば感度が大きくなることになる。
シリコン内部の酸化膜４０１による反射率Ｒ(δ)は次式(1)で表され、δ＝２πｎｃ／λである。ｒはシリコンから酸化膜へ垂直入射するとき反射係数であり、ｎは酸化膜の屈折率、ｃは酸化膜の厚さ、λは光の波長である。
【００１６】
Ｒ(δ)＝２ｒ２{１−cos(２δ)}／{１−２ｒ２cos(２δ)＋ｒ４}  …(1)
【００１７】
式(1)より、反射光が大きくなる条件は、酸化膜厚ｃが略λ÷（４×ｎ）×（正の奇数）のときであることが分かる。使用波長を７８０ｎｍ、表面反射率を０．２６、酸化膜の屈折率ｎを１．４６としたとき、上式から反射が最大となる酸化膜厚ｃの最初の二つは１３０ｎｍ、４０１ｎｍとなる。
【００１８】
また、上式を使用して、図４に使用したホトダイオードと同構造を採用したときの感度の酸化膜膜厚依存性を図７に示す。感度の計算結果も同様な傾向を示し、反射が最大になるところで感度が最大になる。ここでは最初の二つのピークが含まれる膜厚までしか計算を行っていないが、これより厚い場合も膜厚が略λ÷（４×ｎ）×（正の奇数）のとき感度のピークが現れると予想される。以上述べたように、使用する波長に対して反射光が最大になるようにＳＯＩ基板の酸化膜の膜厚を選択することにより、より大きい感度のホトダイオードを得ることが可能となる。
【００１９】
次に、遮断周波数を大きくする方法として、図８のホトダイオードの断面構造に示すように、埋め込み層をＳＯＩ層に形成するとき、図４（Ａ）に示した従来構造の埋め込み層５０と比較して埋め込み層５０２をＳＯＩ層の表面よりｄだけ深く分布させる。このような不純物の分布の形成は、イオン打ち込み条件の制御により可能である。計算のモデルとして、ＳＯＩ層の表面を基準としてｄ＝０．２μｍの深さから埋め込み層５０２の不純物が酸化膜４０側に分布するように作製したものを考える。その他の条件は図４の場合と同様である。
【００２０】
計算結果を図９に示す。図９は横軸が酸化膜の膜厚、縦軸が遮断周波数であり、実線９０はｄ＝０．２μｍの打ち込みがある場合の遮断周波数の変化を示し、破線９１は図４（Ａ）に示した従来構造における変化を示す。酸化膜の膜厚の変化により遮断周波数は多少変動するが、深い不純物の分布を有する実線９０の方が大きい遮断周波数を有すること分かる。ここではｄ＝０．２μｍの場合について検討したが、ｄを０．２μｍ以上としても同様の結果が得られる。
【００２１】
以上の検討に基づく本発明の光半導体集積回路装置は、ＳＯＩ基板と、ＳＯＩ基板に形成されたアンプ部と、ＳＯＩ基板に形成されたホトダイオード部とを有する光半導体集積回路装置において、アンプ部とホトダイオード部とは各々不純物を含有して上部電極と接続された埋め込み層を有し、ホトダイオード部は第１の導電型と第２の導電型との接合部がＳＯＩ基板上のエピタキシャル層の内部にあり、ホトダイオード部の埋め込み層の不純物濃度はアンプ部の埋め込み層の不純物濃度よりも低いことを特徴とする。エピタキシャル層の膜厚は０．８μｍ以上であることが好ましい。エピタキシャル層の膜厚の上限は、埋め込み層と上部電極（カソード電極あるいはコレクタ電極）とを接続する接続層の製造上の問題から実際上、２μｍ程度である。また、ホトダイオード部の埋め込み層の不純物濃度は１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０１８ｃｍ−３の範囲とするのが好ましい。
【００２２】
この構成を採用することにより、他の半導体集積回路装置と共に同一基板上に作製されたホトダイオードの周波数特性を向上させることができる。
本発明による光半導体集積回路装置は、また、ＳＯＩ基板と、ＳＯＩ基板に形成されたアンプ部と、ＳＯＩ基板に形成されたフォトダイオード部とを有する光半導体集積回路装置において、フォトダイオード部のＳＯＩ層は、ＳＯＩ基板の表面側の不純物濃度がＳＯＩ基板の絶縁膜側の不純物濃度よりも小さいことを特徴とする。
【００２３】
このような構成を採用することにより、他の半導体集積回路装置と共に同一基板上に作製されたホトダイオードの周波数特性を向上させることができる。
本発明による光半導体集積回路装置は、また、ＳＯＩ基板と、ＳＯＩ基板に形成されたアンプ部と、ＳＯＩ基板に形成されたフォトダイオード部とを有する光半導体集積回路装置において、アンプ部とホトダイオード部とは各々不純物を含有して上部電極と接続された埋め込み層を有し、ホトダイオード部の埋め込み層は前記アンプ部の埋め込み層より０．２μｍ以上深い場所に形成されていることを特徴とする。
【００２４】
このような構成を採用することにより、他の半導体集積回路装置と共に同一基板上に作製されたホトダイオードの周波数特性を向上させることができる。
本発明による光半導体集積回路装置は、また、ＳＯＩ基板と、ＳＯＩ基板に形成されたアンプ部と、ＳＯＩ基板に形成されたフォトダイオード部とを有する光半導体集積回路装置において、入射する光の波長をλ、絶縁膜の屈折率をｎ、正の奇数をｍとするとき、フォトダイオード部のＳＯＩ基板の絶縁膜の膜厚は略λ÷（４×ｎ）×ｍであることを特徴とする。フォトダイオード部のＳＯＩ基板の絶縁膜の膜厚は、略λ÷（４×ｎ）×ｍであるのが好ましく、実際上は｛λ÷（４×ｎ）×ｍ｝±｛λ÷（８×ｎ）｝の範囲に入っているのが好ましい。
【００２５】
このような構成の採用により、他の半導体集積回路装置と共に同一基板上に作製されたホトダイオードの感度を向上させることできる。
本発明による光記憶再生装置は、情報を記録した光ディスクと、半導体レーザ光源と、半導体レーザ光源からの出射光を光ディスクに集光する光学系と、光ディスクからの反射光を検出する光検出器と、光検出器で検出された信号を処理する信号処理部とを含む光記憶再生装置において、前述の光半導体集積回路装置を用いて反射光の検出と、検出された信号の少なくとも一部の処理を行うことを特徴とする。
【００２６】
この光記憶再生装置は、使用する光半導体集積回路装置のホトダイオードの感度向上と周波数帯域の拡大により、光記憶再生装置の再生速度を向上させることができる。また、波長の異なる光を検出する場合、感度が低く周波数帯域の狭い波長に対して、感度を向上させ、周波数帯域を広げる効果あるので、一つの光半導体集積回路装置により多波長に対処できる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明による光半導体集積回路装置の第１の実施例の概略断面図である。アンプ部の一部であるトランジスタ部２は図２におけるものと同等であり、製造プロセスはトランジスタ部２に対して最適化されているものとする。ホトダイオード部１においては、埋め込み層５０２がＳＯＩ層３１に形成されるとき、深く打ち込まれている。また、酸化膜４０１の膜厚は反射が大きくなるように設定されており、例えば波長７８０ｎｍの光を検出するために膜厚４０１ｎｍが採用される。
【００２８】
図１に示した素子構造の作製プロセスの概略を図１０から図１２を用いて説明する。図１０に示したＳＯＩ基板においては、シリコン支持基板３０の上に膜厚４０１ｎｍの酸化膜４０１と、膜厚１．５μｍのｎ−型のＳＯＩ層３１（シリコン結晶層）が形成されている。このＳＯＩ層３１にアンチモン等の不純物をイオン打ち込みにより注入し（図１１）、埋め込み層とする。埋め込み層５０はトランジスタ部２用であり、不純物は表面から分布している。一方、トランジスタ用の埋め込み層を作製したマスクとは別のマスクを用い打ち込み条件を変えてホトダイオード部１のイオン打ち込みを行う。これにより表面から０．２μｍだけ離れた位置に不純物を分布させてホトダイオード部１の埋め込み層５０２を形成する。
【００２９】
次に、図１２のようにエピタキシャル層３２（第１の半導体層）を１．２μｍ成長させる。その後、素子内分離用の浅溝４６を形成し、酸化膜を埋め込み、さらに、素子間分離用の深溝４１を形成し、酸化膜を埋め込む。次に、エピタキシャル層３２の表面を酸化し酸化膜４４を形成した後、コレクタ接続用ｎ型拡散層５１とカソード接続用ｎ型拡散層５２をリンのイオン打ち込みにより形成する。
【００３０】
次に、図１に示されているように、ホトダイオード部のｐ＋層３７（第２の半導体層）とベース拡散層３３を形成し、ベース引出し用及びカソード引出し用のポリシリコン３４と酸化膜４５、側壁酸化膜４２を形成する。この後、エミッタ電極用のポリシリコン３６、エミッタ拡散層３５を形成した後、パッシベーション用の酸化膜を堆積する。その酸化膜に窓を開け、Ｔｉを堆積して、熱処理によりコンタクト抵抗低減のためのシリサイド膜６６，６７を形成する。再度、パッシベーション膜４３を堆積し、平坦化した後、コンタクト用の窓を開け、コレクタ電極６３、エミッタ電極６４、ベース電極６５、カソード電極６１、アノード電極６２を形成して、素子が完成する。
本実施例の光半導体集積回路装置は、図６，７及び図８，９にて説明した効果によって、図２に示した従来構造の光半導体集積回路装置に比較して（ホトダイオードの感度が向上しと周波数帯域が広くなる。
【００３１】
図１３は、本発明による光半導体集積回路装置の第２の実施例を示す概略断面図である。本実施例においては、埋め込み層５０１の不純物濃度をトランジスタ部の埋め込み層５０より低下させている。この場合、図１４に示すように、作製プロセスにおいてトランジスタ部の埋め込み層５０を作製したマスクとは異なるホトダイオード用のものを用いて、埋め込み層５０１を作製するが、不純物の打ち込み量を少なくする。ここではトランジスタ部の埋め込み層５０の不純物濃度を１×１０１８ｃｍ−３、ホトダイオード部の埋め込み層５０１の不純物濃度を１×１０１７ｃｍ−３とした。この埋め込み層５０，５０１の作製プロセスを、前述の図１１に示した製造プロセスに置き換え、他のプロセスは前記実施例と同じにして光半導体集積回路装置を作製した。
本実施例の光半導体集積回路装置は、図４，５及び図６，７にて説明した効果によって、図２に示した従来構造の光半導体集積回路装置に比較して周波数帯域が２倍程広くなる。
【００３２】
図１５は、本発明による光半導体集積回路装置を用いた光記憶再生装置の実施例を示す概略図である。本実施例では２個の半導体レーザ光源１１１，１１２を使用する。半導体レーザ光源１１１は発光波長４１０ｎｍの短波長光を出射し、半導体レーザ光源１１２は発光波長６６０ｎｍの長波長光を出射する。
【００３３】
本実施例では、使用するレーザ光源を光ディスクの種類により切り換える。両者のレーザ出射位置は光軸近傍にあり、出射光はコリメータレンズ１２１で平行光にされる。平行光は偏光性回折格子１３１を通過した後、λ／４波長板１３２により円偏光に変換され、対物レンズ１２２で光ディスク１５０に集光される。光ディスクに記録された情報マークからの反射光は、対物レンズ１２２を透過した後、λ／４波長板１３２で直線偏光に戻り、偏光性回折格子１３１により回折される。
【００３４】
この偏光性回折格子は４分割されており、格子の形状が異なっているため、図１６に示すように、１３３，１３４，１３５，１３６の方向にそれぞれ光を回折する。図１５における回折光の表示は、一つの回折パターンからの回折光のみとし、他の３個のパターンからの回折光は省略した。回折光はコリメータレンズ１２１のほぼ矢印の範囲を通過し、短波長光の（−）１次回折光１４１及び（＋）１次回折光１４３、長波長光の（−）１次回折光１４２及び（＋１）次回折光１４４が、光半導体集積回路装置１５１，１５２上の異なる位置に集光される。光半導体集積回路装置１５１，１５２はシリコン基板１５３上にあり、本実施例では光半導体集積回路装置をシリコン基板上に貼り付けてあるが、シリコン基板に直接作りつけることも可能である。同様に、半導体レーザ１１１，１１２もシリコン基板１５３上に貼り付けられており、マイクロプリズム等により、出射方向が上方に向かうように調整されている。本実施例で使用される光半導体集積回路装置は、前述の第１の実施例あるいは第２の実施例で示した光半導体集積回路装置である。
【００３５】
図１７に、（−）１次の回折光を検出する光半導体集積回路装置１５１の概略を示す。光半導体集積回路装置１５１はフォーカス・エラー信号を生成するためのものであり、図１５中の焦点位置調節装置１８０にサーボをかけて対物レンズ１２２の位置を制御する。光半導体集積回路装置１５１にはホトダイオード１６１〜１６８が配置されており、１６１と１６２の両者が１３３の方向の偏光性回折格子からの光を検出し、１６３，１６４のホトダイオードが１３４の偏光性回折格子による回折光を検出する。同様に、１６５，１６６のホトダイオードは１３６の方向の偏光性回折格子によるものを、１６７，１６８のホトダイオードは１３５の方向の偏光性回折格子によるものを検出する。それぞれのホトダイオードの大きさは４０μｍ×６００μｍ程度である。波長が異なると、回折方向が異なるが、ホトダイオードの長さをを調整することにより長短両波長の光を検出できる。それぞれ対のホトダイオードの間隙部分では、両者の感度が、距離が離れるに従って減少するようになっている。光ディスク１５０が合焦点の位置にあるときは、回折光は両者の中心位置に集光され、対のホトダイオードに入射する光量は等しくなる。他方、光ディスク１５０が焦点位置からはずれているときは、両者に入射する光量は等しくなくなる。本実施例では１６１，１６３，１６６，１６８のホトダイオードを結線し第１の加算信号とし、他方、１６２，１６４，１６５，１６７のホトダイオードを結線し第２の加算信号としている。この両者の差信号が焦点位置制御信号となる。これらの光電流の増幅・差分の処理を行うのがアンプ回路１６９であり、同一基板上に作製されている。
【００３６】
光半導体集積回路装置１５２は、トラッキング・エラー信号を（＋）１次光を用いて生成するためのものである。図１８におけるホトダイオードの感度領域を１７１，１７２，１７３，１７４で示す。ホトダイオードのそれぞれの大きさは８０μｍ×６００μｍ程度である。ホトダイオード１７１は１３５の方向（図１６）の回折光を検出し、ホトダイオード１７２は１３６の方向の回折光、ホトダイオード１７３は１３４の方向の回折光、ホトダイオード１７４は１３３の方向の回折光を、それぞれ検出する。各々のホトダイオードの大きさは二つの波長の光が入射するように設計されている。これらのホトダイオードからの光電流は、同じ基板に同じプロセスで同時に作製されたトランジスタ等によるアンプ回路１７５によって信号処理される。
【００３７】
トラッキング・エラー信号の生成は位相差検出法で行い、図１６の四つの領域を通過する光の対角のものをそれぞれ加え合わせ、その差信号をとる。すなわち、ホトダイオード１７１の信号と１７３の信号を、１７２の信号と１７４の信号をそれぞれ加え合わせ、その結果の差をとり、トラッキング・エラーとすることになる。トラッキング・エラー信号は、サーボ回路を通じて、図１５の中の焦点位置調節装置１８０により対物レンズ１２２の光軸に垂直な方向での制御を行う。また、すべての信号を加え合わせたものは、光ディスクからの読み出し信号となる。
上述の実施例においては、第１の半導体層がｎ型、第２の半導体層がｐ型として説明したが、本発明はこれだけに限られるものではない。
【００３８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると光半導体集積回路装置上の他の半導体集積回路装置の性能を劣化させることなく、ホトダイオードの性能を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光半導体集積回路装置の第１の実施例の概略断面図。
【図２】従来の光半導体集積回路装置の概略断面図。
【図３】シリコン結晶への光の侵入状態を表す図。
【図４】ホトダイオードの埋め込み層の不純物濃度を減少させたことを示す断面比較図。
【図５】ホトダイオードの遮断周波数の不純物濃度依存性を示す図。
【図６】ＳＯＩ基板の酸化膜膜厚を変えたことを示す断面模式図。
【図７】ホトダイオードの感度の酸化膜膜厚依存性を示す図。
【図８】ホトダイオードの埋め込み層を深く分布するようにしたことを示す断面模式図。
【図９】ホトダイオードの遮断周波数の酸化膜依存性を従来構造と比較した図。
【図１０】光半導体集積回路装置の製造プロセスを示す断面図。
【図１１】光半導体集積回路装置の製造プロセスを示す断面図。
【図１２】光半導体集積回路装置の製造プロセスを示す断面図。
【図１３】本発明による光半導体集積回路装置の第２の実施例を示す概略断面図。
【図１４】第２の実施例の製造プロセスの一部を表す断面構造模式図。
【図１５】光記憶再生装置の実施例を示す概略図。
【図１６】４分割された偏光性回折格子の光の回折方向を示す図。
【図１７】フォーカス・エラー信号を検出するための光半導体集積素子の概略図。
【図１８】トラッキング・エラー信号を検出するための光半導体集積素子の概略図。
【符号の説明】
１．ホトダイオード部
２．アンプ部
１０．検出すべき光
１１．反射光
３０．シリコン支持基板
３１．ＳＯＩ層
３２．エピタキシャル層
３３．ベース拡散層
３４，３６．ポリシリコン層
３５．エミッタ拡散層
３７．ｐ＋層
４０．ＳＯＩ基板の酸化膜
４１．素子間分離埋め込み酸化膜
４３．パッシベーション膜
４４．酸化膜
４６．浅溝埋め込み酸化膜
５０，５０１，５０２．埋め込み層
５１．５２．接続用ｎ型拡散層
６１．カソード電極
６２．アノード電極
６３．コレクタ電極
６４．エミッタ電極
６５．ベース電極
１１１，１１２．半導体レーザ
１２１．コリメータレンズ
１２２．対物レンズ
１３１．偏光性回折格子
１３２．λ／４波長板
１３３〜１３６．回折光の方向
１４１，１４２．（−）１次回折光
１４３，１４４．（＋）１次回折光
１５０．光ディスク
１５１．フォーカス・エラー信号検出用光半導体集積回路装置
１５２．トラッキング・エラー信号及び読み出し信号検出用光半導体集積回路装置
１５３．シリコン基板
１６１〜１６８．フォーカス・エラー信号検出用ホトダイオード
１６９．アンプ回路
１７１〜１７４．トラッキング・エラー信号及び読み出し信号検出用ホトダイオード
１７５．アンプ回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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