(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体制御器、複数の弁を備えかつ流体制御器の流体入口に設けられた入口側遮断開放器および複数の弁を備え流体制御器の流体出口に設けられた出口側遮断開放器からなり、各遮断開放器の複数の弁のうち少なくとも１つの弁の弁本体が、第１流入通路、第１流出通路および第２流入または流出通路を有しており、第１流入通路と第１流出通路とは、弁室を介して常時連通しており、第２流入または流出通路は、第１流入通路および第１流出通路に弁室を介して連通しかつその連通が弁体により遮断開放されるようになされている流体制御装置において、
流体制御器の入口側および出口側には、それぞれ入口側通路ブロックおよび出口側通路ブロックが設けられており、各開閉弁は、それぞれ、直方体状弁本体およびこれに上方から取り付けられて弁本体内の流路を遮断開放するアクチュエータよりなり、
弁本体同士の突き合わせ端面および弁本体と通路ブロックとの突き合わせ端面におけるシール部は、すべて同じ構成とされており、突き合わせ端面同士が対称状に形成されるとともに、各突き合わせ端面は、リテーナ保持用円筒部を有しており、両突き合わせ端面間に円環状ガスケットが介在させられ、リテーナがガスケットの外周面を保持してガスケットを弁本体および通路ブロックのいずれかに保持させており、リテーナは、互いに突き合わされている通路ブロックおよび弁本体のどちらでも保持することができるようになされており、
入口側遮断開放器は、第１開閉弁および第２開閉弁を有し、第１開閉弁は、常時開形のダイヤフラム弁とされており、第１開閉弁の弁本体には、Ｌ字形の流入通路と、流入通路と弁室を介して連通しかつその連通が弁アクチュエータの操作により遮断開放されるＬ字形の流出通路とが形成されており、第２開閉弁は、常時閉形のダイヤフラム弁とされており、第２開閉弁の弁本体には、一端側において第１開閉弁のＬ字形の流出通路に通じかつ他端側において弁室に通じている第１流体用流入通路と、一端側において弁本体下方の通路ブロックの流入通路に通じ他端側において弁室に通じている第２流体用流入通路と、一端側において弁室に通じ他端側においてマスフローコントローラとの接続用の通路ブロックの流入通路に通じている、第１流体および第２流体に共通の流出通路とを有し、第１流体用流入通路と共通流出通路とは、弁室を介して常時連通しており、第２流体用流入通路は、第１流体用流入通路および共通流出通路と弁室を介して連通しかつその連通がダイヤフラムにより遮断開放されるようになされており、通路が遮断されている場合でも、第１流体用流入通路と第１流体用流出通路とは、弁室底面に設けられた環状溝を介して連通状態とされていることを特徴とする流体制御装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体製造装置における流体制御装置に関し、特に、複数の弁を備えかつマスフローコントローラ等の流体制御器の流体入口および／または流体出口に設けられて複数の流体通路を遮断開放する遮断開放器を備えた流体制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図４は、マスフローコントローラの流体入口側に設けられた従来の遮断開放器(81)を示している（特開平５−１７２２６５号公報参照）。従来の遮断開放器(81)は、入口より遠い方（図の左側）の第１開閉弁(82)および入口に近い方（図の右側）の第２開閉弁(83)を備えている。第１開閉弁(82)は、第１弁本体(84)および第１弁アクチュエータ(86)よりなり、第２開閉弁(83)は、第１弁本体(84)と一体に形成された第２弁本体(85)および第２弁アクチュエータ(87)よりなる。第１弁本体(84)は、第１流体用流入通路(88)と、この流入通路(88)に弁室(89)を介して連通しかつその連通が第１弁アクチュエータ(86)の操作により遮断開放される第１流体用流出通路(90)とを有している。第２弁本体(85)は、第１弁本体(84)の第１流体用流出通路(90)に常時連通し第１流体をマスフローコントローラの入口側に排出する主流出通路(91)と、一端側が第２弁本体(85)の下面に開口し他端側が弁室(92)に通じている第２流体用流入通路(93)と、一端側において第２流体用流入通路(93)と弁室(92)を介して連通しかつその連通が第２弁アクチュエータ(87)の操作により遮断開放されるようになされているとともに、他端側において主流出通路(91)と常時連通している第２流体用副流出通路(94)とを有している。図４において、(95)(96)はダイヤフラムを示し、弁アクチュエータ(86)(87)の操作による弁棒(97)(98)の上下動に伴って、ダイヤフラム(95)(96)が弁室(89)(92)内において上下動することにより、各流入通路(88)(93)が遮断開放される。
【０００３】
この種の遮断開放器では、通常、第１の流体（例えばプロセスガス）を流した後、一旦この流れを遮断し、第２の流体（例えばパージガス）を流すことにより、第１の流体を遮断開放器外に排出して第２の流体に置換し、その後再び、第１の流体を流すという作業が行われる。上記従来の遮断開放器(81)において、第１の流体と第２の流体とを切り替えて流す場合、次のようになる。
【０００４】
まず、第１弁アクチュエータ(86)および第２弁アクチュエータ(87)を操作して、第１開閉弁(82)を開、第２開閉弁(83)を閉とすることにより、第１の流体が、第１弁本体(84)の流入通路(88)、同流出通路(90)および第２弁本体(85)の主流出通路(91)を経て、マスフローコントローラの入口側に導入される。このとき、第２流体用副流出通路(94)は第１の流体によって満たされることになる。次いで、第１弁アクチュエータ(86)および第２弁アクチュエータ(87)を操作して、第１開閉弁(82)を閉、第２開閉弁(83)を開とすることにより、第２の流体が、第２流体用流入通路(93)、第２流体用副流出通路(94)および主流出通路(91)を経て、マスフローコントローラの入口側に導入される。このさい、第２の流体は、第２流体用副流出通路(94)およびこれに続く主流出通路(91)に残る第１の流体を自身の圧力により追い出して流れ、第１弁本体(84)の第１流体用流出通路(90)は、第２の流体に満たされることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
流体制御装置において、第１の流体と第２の流体とを切り替えて流す場合、流体の置換が素早く行われて流体の純度が確保されることが、非常に重要な性能となっている。
【０００６】
上記従来の遮断開放器(81)の第２開閉弁(83)において、第１の流体を流した後に、第２流体用流入通路(93)より第２の流体を導入したさい、第１弁本体(84)の第１流体用流出通路(90)が第１の流体の溜まり部になり、溜まり部にある第１の流体が第２の流体にわずかずつ混ざり、第２の流体が第１の流体に置換されにくいという問題があった。
【０００７】
この発明の目的は、流体の置換が素早く行われて流体の純度が確保される流体制御装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
この発明による流体制御装置は、流体制御器、複数の弁を備えかつ流体制御器の流体入口に設けられた入口側遮断開放器および複数の弁を備え流体制御器の流体出口に設けられた出口側遮断開放器からなり、各遮断開放器の複数の弁のうち少なくとも１つの弁の弁本体が、第１流入通路、第１流出通路および第２流入または流出通路を有しており、第１流入通路と第１流出通路とは、弁室を介して常時連通しており、第２流入または流出通路は、第１流入通路および第１流出通路に弁室を介して連通しかつその連通が弁体により遮断開放されるようになされている流体制御装置において、流体制御器の入口側および出口側には、それぞれ入口側通路ブロックおよび出口側通路ブロックが設けられており、各開閉弁は、それぞれ、直方体状弁本体およびこれに上方から取り付けられて弁本体内の流路を遮断開放するアクチュエータよりなり、弁本体同士の突き合わせ端面および弁本体と通路ブロックとの突き合わせ端面におけるシール部は、すべて同じ構成とされており、突き合わせ端面同士が対称状に形成されるとともに、各突き合わせ端面は、リテーナ保持用円筒部を有しており、両突き合わせ端面間に円環状ガスケットが介在させられ、リテーナがガスケットの外周面を保持してガスケットを弁本体および通路ブロックのいずれかに保持させており、リテーナは、互いに突き合わされている通路ブロックおよび弁本体のどちらでも保持することができるようになされており、入口側遮断開放器は、第１開閉弁および第２開閉弁を有し、第１開閉弁は、常時開形のダイヤフラム弁とされており、第１開閉弁の弁本体には、Ｌ字形の流入通路と、流入通路と弁室を介して連通しかつその連通が弁アクチュエータの操作により遮断開放されるＬ字形の流出通路とが形成されており、第２開閉弁は、常時閉形のダイヤフラム弁とされており、第２開閉弁の弁本体には、一端側において第１開閉弁のＬ字形の流出通路に通じかつ他端側において弁室に通じている第１流体用流入通路と、一端側において弁本体下方の通路ブロックの流入通路に通じ他端側において弁室に通じている第２流体用流入通路と、一端側において弁室に通じ他端側においてマスフローコントローラとの接続用の通路ブロックの流入通路に通じている、第１流体および第２流体に共通の流出通路とを有し、第１流体用流入通路と共通流出通路とは、弁室を介して常時連通しており、第２流体用流入通路は、第１流体用流入通路および共通流出通路と弁室を介して連通しかつその連通がダイヤフラムにより遮断開放されるようになされており、通路が遮断されている場合でも、第１流体用流入通路と第１流体用流出通路とは、弁室底面に設けられた環状溝を介して連通状態とされていることを特徴とするものである。
【０００９】
遮断開放器が流体制御器の流体入口側に設けられる場合は、第２流入または流出通路は第２流体（例えば半導体製造装置におけるプロセスガス）用流入通路となり、第１流入通路は第１流体（同パージガス）用流入通路となり、第１流出通路は、第１流体および第２流体に共通の流出通路となる。
【００１０】
したがって、図３に示すように、この発明の遮断開放器(1) を流体制御器の流体入口側に設ける場合、第１流入通路(61)、第１流出通路(64)および第２流入または流出通路(63)を有している弁(7) について、例えば、まず、アクチュエータ(38)の操作により第２流体用流入通路（第２流入または流出通路）(63)と第１流体用流入通路（第１流入通路）(61)および共通流出通路（第１流出通路）(64)とを連通させて、第２の流体を第２流体用流入通路(63)から共通流出通路(64)へと流す。この後、アクチュエータ(38)の操作により第２流体用流入通路(63)を遮断し、第１流体用流入通路(61)および共通流出通路(64)に第１の流体を流す。このとき、第１の流体は、自身の圧力によって共通流出通路(64)に残っている第２の流体を追い出し、これにより、第１の流体と第２の流体が混ざり合った状態が素早く解消され、短時間で第１の流体だけが流れるようになる。
【００１１】
遮断開放器が流体制御器の流体出口側に設けられる場合は、第２流入または流出通路は第２流体用流出通路となり、第１流出通路は第１流体用流出通路となり、第１流入通路は、第１の流体および第２の流体に共通の流入通路となる。この場合は、流入と流出とが上記と逆になるだけで、上記と同様の作用および効果となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態を、以下図面を参照して説明する。
【００１３】
この明細書において、前後・上下・左右については、図１を基準とし、同図の右を前、左を後、上下を上下というものとし、左右は前方に向かっていうものとする。この前後・上下・左右は便宜的なもので、前後が逆になったり、上下が左右になったりして使用されることもある。
【００１４】
図１から図３までは、この発明の流体制御装置(4)の実施形態を示している。図１および図２に示すように、マスフローコントローラ(3) 等の流体制御器の入口側（後側）および出口側（前側）に遮断開放器(1)(2)が設けられることにより、半導体製造装置等において用いられる流体制御装置(4) が構成されている。
【００１５】
入口側の遮断開放器(1) は、マスフローコントローラ(3) に遠い方から順に、第１逆止弁(5) 、第１開閉弁(6) および第２開閉弁(7) を備えている。また、出口側の遮断開放器(2) は、マスフローコントローラ(3) に近い方から順に、第３開閉弁(8) 、第４開閉弁(9) 、第５開閉弁(10)および第２逆止弁(11)を備えている。
【００１６】
各開閉弁(6)(7)(8)(9)(10)は、それぞれ、直方体状弁本体(37)(39)(41)(43)(45)およびこれに上方から取り付けられて弁本体(37)(39)(41)(43)(45)内の流路を適宜遮断開放するアクチュエータ(36)(38)(40)(42)(44)よりなる。また、各逆止弁(5)(11) は、それぞれ、上流側（後側）本体(33)(46)と、上流側弁本体(33)(46)とねじで接続された中央弁本体(34)(47)と、中央弁本体(34)(47)とねじで接続された下流側（前側）弁本体(35)(48)と、後述する逆止め機構(49)とを備えている。
【００１７】
流体制御装置(4) は、第１逆止弁(5) に接続されたパージガス導入ライン(28)と、第２開閉弁(7) に接続されたプロセスガス導入ライン(29)と、第３開閉弁(8) に接続された真空引きライン(30)と、第４開閉弁(10)に接続されたプロセスガス送り込みライン(31)と、第２逆止弁(11)に接続されたパージガス排出ライン(32)とを備えている。
【００１８】
第１逆止弁(5) の上流側弁本体(33)の下面には、下面にパージガス導入ライン(28)との接続用継手部(13)を有する通路ブロック(12)が設けられている。第１逆止弁(5) の下流側弁本体(35)の下面には、第１開閉弁(6) の弁本体(37)との接続用の通路ブロック(14)が設けられている。
【００１９】
第２開閉弁(7) の弁本体(39)の下面には、下面にプロセスガス導入ライン(29)との接続用継手部(16)を有する通路ブロック(15)が設けられている。また、第２開閉弁(7) の弁本体(39)の前面には、マスフローコントローラ(3) との接続用の通路ブロック(17)が設けられている。
【００２０】
マスフローコントローラ(3) の後面には、第２開閉弁(7) の弁本体(39)の前側の通路ブロック(17)に上方からねじ込まれたねじにより接続されている入口側通路ブロック(18)が設けられている。マスフローコントローラ(3) の前面には、入口側通路ブロック(18)と対称な出口側通路ブロック(19)が設けられている。
【００２１】
第３開閉弁(8) の弁本体(41)の後面には、マスフローコントローラ(3) 前面の出口側通路ブロック(19)との接続用の通路ブロック(20)が設けられている。第３開閉弁(8) の弁本体(41)の下面には、下面に真空ポンプに通じる真空引きライン(30)との接続用継手部(22)を有する通路ブロック(21)が設けられている。
【００２２】
第４開閉弁(9) の弁本体(43)の下面には、下面にプロセスチャンバーに通じるプロセスガス送り込みライン(31)との接続用の継手部(24)を有する通路ブロック(23)が設けられている。
【００２３】
第５開閉弁(10)の弁本体(45)の前面には、第２逆止弁(11)の上流側弁本体(46)との接続用の通路ブロック(25)が設けられている。
【００２４】
第２逆止弁(11)の下流側弁本体(48)の下面には、前面にパージガス排出ライン(32)との接続用継手部(27)を有する通路ブロック(26)が設けられている。
【００２５】
第１逆止弁(5) および第２逆止弁(11)において、上流側弁本体(33)(46)とこれの下面に設けられた通路ブロック(12)(25)とは、上流側弁本体(33)(46)の上方からねじ込まれたねじにより接続され、下流側弁本体(35)(48)とこれの下面に設けられた通路ブロック(14)(26)とは、下流側弁本体(35)(48)の上方からねじ込まれたねじにより接続されている。したがって、これらのねじを外すことにより、第１逆止弁(5) および第２逆止弁(11)は、上方に取り外すことができる。
【００２６】
図３は、入口側の遮断開放器(1) の断面を示すもので、同図を参照して、第１逆止弁(5) 、第１開閉弁(6) および第２開閉弁(7) の内部の構成とについて説明する。
【００２７】
第１逆止弁(5) の逆止め機構(49)は、中央弁本体(34)に設けられた右向きの凹所(34a) に配置された筒状の静止シール部材(51)と、静止シール部材(51)の下流側にこれと対向するように配置された筒状の可動シール部材(52)と、中央弁本体(34)と下流側弁本体(35)との間に挟持され可動シール部材(52)を前後に移動させるダイヤフラム(53)とよりなる。第１逆止弁(5) の上流側弁本体(33)には、一端が下向きに開口し他端が前向きに開口した逆Ｌ形の流入通路(54)が設けられ、同下流側弁本体(35)には、一端が下向きに開口し他端が後向きに開口した逆Ｌ形の流出通路(56)が設けられている。静止シール部材(51)の周壁には、流入通路(54)から凹所(34a) 内に通じる連通路(55)が設けられ、静止シール部材(51)の前端部は端壁により閉鎖されている。したがって、可動シール部材(52)の後端部が静止シール部材(52)の端壁から離れていると、流体は、可動シール部材(52)の後端部と静止シール部材(51)の端壁との隙間を通って、凹所(34a) 内から可動シール部材(52)内または可動シール部材(52)内から凹所(34a) 内に流れることが可能となる。逆に、可動シール部材(52)の後端部が静止シール部材(51)の端壁に当接させられると、凹所(34a) 内から可動シール部材(52)内または可動シール部材(52)内から凹所(34a) 内への流体の流れは阻止される。
【００２８】
この第１逆止弁(5) によると、流入通路(54)に流体（この実施形態ではパージガス）が流入すると、この流体圧力によりダイヤフラム(53)は前方に変形させられ、この結果可動シール部材(52)が静止シール部材(51)から離れ、流体は、自身の圧力によって、凹所(34a) 内から可動シール部材(52)内を経て、流出通路(56)へと流れていく。一方、流入通路(54)に流体が導入されなくなり、流出通路(56)側から凹所(34a) 内へ流体が逆流しそうになると、ダイヤフラム(53)は後方に変形させられ、この結果、可動シール部材(52)が静止シール部材(51)に当接し、流出通路(56)側から凹所(34a) 内への流体の逆流は阻止される。なお、図示省略したが、第２逆止弁(11)は、第１逆止弁(5) と同一の構成とされている。
【００２９】
第１逆止弁(5) の下流側弁本体(41)の下面に設けられた接続用通路ブロック(14)には、第１逆止弁(5) の流出通路(56)に通じるＬ字形連通路(57)が設けられている。
【００３０】
第１開閉弁(6) の弁本体(37)には、Ｌ字形連通路(57)に通じるＬ字形の流入通路(58)と、流入通路(58)と弁室(59)を介して連通しかつその連通が弁アクチュエータ(36)の操作により遮断開放されるＬ字形の流出通路(60)とが形成されている。第１開閉弁(6) は、常時開形のダイヤフラム弁とされており、ダイヤフラム（弁体）(65)を押圧する弁棒(66)が下降させられることにより、流入通路(58)が遮断される。なお、図示省略したが、第５開閉弁(10)は、第１開閉弁(6) と同じ形式であり、第１開閉弁(6) を前後逆にして、すなわち、流入通路と流出通路とを逆にして使用されている。
【００３１】
第２開閉弁(7) の弁本体(39)には、一端側において第１開閉弁(6) のＬ字形の流出通路(60)に通じかつ他端側において弁室(62)に通じている第１流体用流入通路(61)と、一端側において弁本体(39)下方の通路ブロック(15)の流入通路（図示略）に通じ他端側において弁室(62)に通じている第２流体用流入通路(63)と、一端側において弁室(62)に通じ他端側においてマスフローコントローラ(3) との接続用の通路ブロック(17)の流入通路に通じている、第１流体および第２流体に共通の流出通路(64)とを有している。第１流体用流入通路(61)と共通流出通路(64)とは、弁室(62)を介して常時連通しており、第２流体用流入通路(63)は、第１流体用流入通路(61)および共通流出通路(64)と弁室(62)を介して連通しかつその連通がダイヤフラム（弁体）(67)により遮断開放されるようになされている。第２開閉弁(7) は、常時閉形のダイヤフラム弁とされており、弁アクチュエータ(38)の操作により、ダイヤフラム(67)を押圧する弁棒(68)が弁室(62)内において上昇させられることにより、第２流体用流入通路(63)が開放される。第２流体用流入通路(63)が遮断されている場合でも、第１流体用流入通路(61)と第１流体用流出通路(64)とは、弁室(62)底面に設けられた環状溝(62a) を介して連通状態とされている。
【００３２】
この流体制御装置によると、第１開閉弁(6) を閉、第２開閉弁(7) を開、第３開閉弁(8) を閉、第４開閉弁(9) を開、第５開閉弁(10)を閉として、プロセスガス導入ライン(29)から第２開閉弁(7) にプロセスガスを導入すると、プロセスガスは、マスフローコントローラ(3) により流量を調整されて、第３開閉弁(8) 、第４開閉弁(9) およびプロセスガス送り込みライン(31)を経て、プロセスチャンバーに送られる。この後、第１開閉弁(6) を開、第２開閉弁(7) を閉、第３開閉弁(8) を閉、第４開閉弁(9) を閉、第５開閉弁(10)を開として、パージガス導入ライン(28)から第１逆止弁(5) にパージガスを導入すると、パージガスは、第１逆止弁(5) 、第１開閉弁(6) 、第２開閉弁(7) 、マスフローコントローラ(3) 、第３開閉弁(8) 、第４開閉弁(9) 、第５開閉弁(10)、第２逆止弁(11)およびパージガス排出ライン(32)を経て流れ、これにより、流体制御装置内からプロセスガスをパージする。これに引き続いて、第３開閉弁(8) を開として、真空引きライン(30)を通じて真空引きすると、流体制御装置内に残っているパージガスが吸引されて流体制御装置内がクリーンな状態となる。
【００３３】
図３を参照して、入口側の遮断開放器(1) 内でのガスの流れについて説明する。
【００３４】
第２の流体（この実施形態ではプロセスガス）を流すさい、第２開閉弁(7) については、弁アクチュエータ(38)の操作により第２流体用流入通路(63)と第１流体用流入通路(61)および共通流出通路(64)とを連通させて、第２の流体を第２流体用流入通路(63)から共通流出通路(64)へと流す。次いで、第１の流体（この実施形態ではパージガス）を流すさいには、第２開閉弁(7) については、弁アクチュエータ(38)の操作により第２流体用流入通路(63)を遮断する。そして、第１の流体を流す。このとき、第１の流体は、第１逆止弁(5) 、接続用通路ブロック(14)および第１開閉弁(6) 内を流れて、第２開閉弁(7) の第１流体用流入通路(61)内に流入し、自身の圧力によって第２開閉弁(7) の共通流出通路(64)に残っている第２の流体を追い出して、マスフローコントローラ(3) へと流れていく。
【００３５】
これにより、第１の流体と第２の流体が混ざり合った状態が素早く解消され、短時間で第１の流体（パージガス）だけが流れるようになる。
【００３６】
なお、図示省略したが、第３開閉弁(8) および第４開閉弁(9) は、第２開閉弁(7) と同じ形式の弁とされている。第４開閉弁(9) は、第２開閉弁(7) を前後逆にして、すなわち、流入通路と流出通路とを逆にして使用されている。また、第３開閉弁(8) は、第２開閉弁(7) を前後逆にし、さらに、流出通路を真空引き用通路として使用されている。
【００３７】
弁本体(37)(39)(41)(43)(45)同士の突き合わせ端面および弁本体(33)(35)(39)(41)(43)(45)(46)(48)と通路ブロック(12)(14)(15)(17)(18)(19)(20)(21)(23)(25)(26)との突き合わせ端面におけるシール部(69)は、すべて同じ構成とされている。このシール部(69)の構成について、第１逆止弁(5) の下流側弁本体(35)下面の通路ブロック(14)と第１開閉弁(6) の弁本体(37)との突き合わせ部を例にとって説明する。
【００３８】
通路ブロック(14)の突き合わせ端面と弁本体(37)の突き合わせ端面とは、対称状に形成されており、いずれもリテーナ保持用円筒部(72)(73)を有している。そして両突合わせ端面間に円環状ガスケット(70)が介在させられ、リテーナ(71)がこのガスケット(70)の外周面を保持してガスケット(70)を弁本体(37)に保持させている。リテーナ(71)は、通路ブロック(14)および弁本体(37)のどちらでも保持することができ、したがって、これらの突き合わせ端面が雄型か雌型かを区別せずに、種々の通路ブロック(12)(14)(15)(17)(18)(19)(20)(21)(23)(25)(26)および種々の弁本体(33)(35)(37)(39)(41)(43)(45)(46)(48)等を順次連結していくことができる。
【００３９】
なお、第１開閉弁(6) の弁本体(37)と第２開閉弁(7) の弁本体(39)とは、一体の部材として、シール部を介在させないようにすることもできる。同様に、第３開閉弁(8) の弁本体(41)、第４開閉弁(9) 弁本体(43)および第５開閉弁(10)の弁本体(45)同士を一体の部材としてもよい。
【００４０】
上記流体制御装置において、パージガスのラインとプロセスガスのラインとは、逆にしてもよい。この場合は、プロセスガスを流したとき、これがパージガスに素早く置き換わることになる。また、入口側の遮断開放器(1) は、２つの開閉弁(6)(7)を有し、出口側の遮断開放器(2) は、３つの開閉弁(8)(9)(10)を有しているが、これらの開閉弁の数は適宜変更可能である。そして、適当な数の開閉弁を有する遮断開放器がマスフローコントローラの入口側および出口側に設けられるとともに、これがさらに並列状に配置されて、半導体製造装置用の流体制御装置が構成される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明による流体制御装置を示す正面図である。
【図２】  同分解斜視図である。
【図３】  遮断開放器の縦断面図である。
【図４】  従来の遮断開放器の縦断面図である。
【符号の説明】
(1)(2)    遮断開放器
(3)       マスフローコントローラ（流体制御器）
(4)       流体制御装置
(6)      第１開閉弁
(7)  第２開閉弁
(18)      入口側通路ブロック
(19)      出口側通路ブロック
(36)      第１開閉弁アクチュエータ
(37)      第１開閉弁本体
(38)      第２開閉弁アクチュエータ
(39)      第２開閉弁本体
(58)      Ｌ字形流入通路
(59)      弁室
(60)      Ｌ字形流出通路
(61)      第１流体用流入通路
(62)      弁室
(62a)  環状溝
(63)      第２流体用流入通路
(64)      共通流出通路
(67)      ダイヤフラム（弁体）
(69)      シール部
(72)(73)  リテーナ保持用円筒部
(70)      ガスケット
(71)      リテーナ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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