(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）二価フェノール成分が（ａ−１）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分ａ−１）および（ａ−２）４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ａ−２）よりなりかつ成分ａ−１：成分ａ−２の割合がモル比で９９：１〜２０：８０である二価フェノール成分より構成された芳香族ポリカーボネート共重合体（ポリマーＡ）と
（Ｂ）二価フェノール成分が前記成分ａ−１および成分ａ−２以外の二価フェノール成分（成分ｂ）より構成された芳香族ポリカーボネート（ポリマーＢ）よりなり、ポリマーＡ：ポリマーＢの割合が重量で９９．９：０．１〜４０：６０であることを特徴とする芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項２】
成分ｂは、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルおよび４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィドからなる群から選ばれた少なくとも１種の二価フェノールである請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項３】
成分ｂは、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンである請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項４】
成分ａ−１：成分ａ−２の割合がモル比で８０：２０〜２０：８０である請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項５】
ポリマーＡ：ポリマーＢの割合が、重量で９９．５：０．５〜７５：２５である請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項６】
該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、下記特性（１）〜（４）、
（１）０．７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２０℃において測定された比粘度が０．２〜０．５の範囲であり、
（２）吸水率が０．３重量％以下であり、
（３）オリゴマー含量が１０％以下であり、さらに
（４）その塩化メチレン溶液中で測定された未溶解粒子が芳香族ポリカーボネート樹脂組成物１ｇ当り粒子換算直径０．５μｍ以上のものが２５，０００個以下、且つ１μｍ以上のものが５００個以下である、
を有する請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項７】
ＭＦＲ値が５２〜７０ｇ／１０ｍｉｎである請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項８】
光弾性定数が４７×１０−１３〜６０×１０−１３ｃｍ２／ｄｙｎｅである請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項９】
リターデーション値が２５〜４５ｎｍである請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項１０】
請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物より形成された光学用成形品。
【請求項１１】
請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物より形成された光ディスク基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、芳香族ポリカーボネート樹脂組成物に関する。さらに詳しくは成形性、機械物性および熱安定性の改善された芳香族ポリカーボネート樹脂組成物ならびに低リターデーション値を有するそれからの成形品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンにカーボネート前駆体物質を反応させて得られるポリカーボネート樹脂は透明性、耐熱性、機械的特性、寸法安定性が優れているがゆえにエンジニアリングプラスチックとして多くの分野に広く使用されている。特に透明性に優れることから光学材料としての用途も多い。しかしながら、かかるポリカーボネート樹脂はベンゼン環の光学異方性から光弾性定数が大きく、従って成形品のリターデーション値が大きい欠点があり、この改善が求められている。またより溶融流動性に優れ、より熱安定性の良い樹脂が求められている。
【０００３】
一方、特開平２−８８６３４号公報には、特定構造のジヒドロキシジフェニルアルカンおよびそれからの新規な芳香族ポリカーボネートについて記載されている。この公報に開示されている代表的例は、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを全二価フェノール成分の１００〜２モル％使用した芳香族ポリカーボネートである。具体的には、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンを１００〜３０モル％の割合で使用したホモ・またはコ・ポリカーボネートが示され、コポリマーの場合の共重合成分としては、ビスフェノールＡが３０、５０、６５または７０モル％使用されている。上記公報には、得られた前記芳香族ポリカーボネートは、従来のビスフェノールＡからのポリカーボネートの用途、例えば電気分野、被覆および透明板ガラスの分野において使用され、高い耐熱性において優れていることが開示されている。しかしながら、かかる芳香族ポリカーボネートは、溶融流動性が悪く良好な成形品が得られ難い。そこで、流動性を改善した例としては、特開平８−２９３１２８号公報で示されているように、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンと４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールを二価フェノール成分とする共重合ポリカーボネートとすることが考えられる。ところが、この共重合体では、溶融流動性は改善されるものの、粘弾性領域における伸長粘度変化の温度依存性が厳しいことに由来すると考えられる成形不良が起こり易くそのため成形条件の大幅な制限が求められ、また熱安定性、機械特性については充分満足すべき値を示さない傾向がみられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、（１）１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンと（２）４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／または２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンとを二価フェノール成分とする共重合ポリカーボネートにおいて、成形不良や成形条件の大幅な制限、また熱安定性、機械特性を改善することによって、流動特性と光学特性に関してバランスのとれた芳香族ポリカーボネート樹脂組成物およびそれからの成形品を提供することにある。
【０００５】
本発明の他の目的は、光学用成形品、殊に光ディスク基板の材料として、種々の優れた特性を具備する芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らの研究によれば、前記本発明の目的は、（Ａ）二価フェノール成分が（ａ−１）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分ａ−１）および（ａ−２）４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ａ−２）よりなりかつ成分ａ−１：成分ａ−２の割合がモル比で９９：１〜２０：８０である二価フェノール成分より構成された芳香族ポリカーボネート共重合体（ポリマーＡ）と
（Ｂ）二価フェノール成分が前記成分ａ−１および成分ａ−２以外の二価フェノール成分（成分ｂ）より構成された芳香族ポリカーボネート（ポリマーＢ）よりなり、ポリマーＡ：ポリマーＢの割合が重量で９９．９：０．１〜４０：６０であることを特徴とする芳香族ポリカーボネート樹脂組成物によって達成される。
【０００７】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
本発明の樹脂組成物は、実質的に前記ポリマーＡおよびＢより形成され、このポリマーＡ：ポリマーＢの割合は、重量で９９.９：０.１〜４０：６０の範囲であり、９９.５：０.５〜７５：２５の範囲が好ましく、９９：１〜９０：１０の範囲が一層好ましい。この割合が９６：４〜９０：１０の範囲が最も好ましい。ポリマーＢの割合が６０％を超えるとポリマーＡの共重合体が有している低光弾性定数および低吸水率の特徴を維持することが難しくなる。
【０００８】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物において、ポリマーＡにおける二価フェノール成分中の成分ａ−１と成分ａ−２との割合がモル比で９９：１〜２０：８０の範囲であり、８０：２０〜２０：８０の範囲が好ましく、８０：２０〜３０：７０の範囲がさらに好ましい。成分ａ−１の割合が９９モル％より多く、成分ａ−２の割合が１モル％より少なくなると、得られた共重合体の溶融流動性が悪く成形不良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ難くなる。また成分ａ−１の割合が２０モル％より少なく、成分ａ−２の割合が８０モル％より多くなると、得られた共重合体の光弾性定数が大きくなり、またガラス転移温度も低下する傾向にあるので好ましくない。ここで成分ａ−２の二価フェノール成分としては、４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールまたは２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンまたはこれらの混合物であるが、４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールであるのが好ましい。
【０００９】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物中のポリマーＢに使用される二価フェノールの代表的な例としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、４,４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス｛（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチル）フェニル｝メタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通称ビスフェノールＡ）、２,２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３,５−ジメチル）フェニル｝プロパン、２,２−ビス｛（３,５−ジブロモ−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２,２−ビス｛（３−イソプロピル−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２,２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−フェニル）フェニル｝プロパン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３−ジメチルブタン、２,４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、９,９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９,９−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝フルオレン、４,４’−（ｏ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール、４,４’−（ｐ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール、１,３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５,７−ジメチルアダマンタン、４,４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４,４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４,４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４,４’−ジヒドロキシジフェニルケトン、４,４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルおよび４,４’−ジヒドロキシジフェニルエステル等があげられ、これらは単独または２種以上を混合して使用できる。
【００１０】
なかでもポリマーＢとしてビスフェノールＡ、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタンおよび２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３−ジメチルブタンからなる群より選ばれた少なくとも１種の二価フェノールより得られる単独重合体または共重合体が好ましく、さらに、ビスフェノールＡからの単独重合体が最も好ましく使用される。
【００１１】
本発明のポリマーＡとしての芳香族ポリカーボネート共重合体およびポリマーＢとしての芳香族ポリカーボネート樹脂は、それぞれ通常の芳香族ポリカーボネート樹脂を製造するそれ自体公知の反応手段、例えば二価フェノール成分にホスゲンや炭酸ジエステルなどのカーボネート前駆物質を反応させる方法により製造される。次にこれらの製造方法について基本的な手段を簡単に説明する。
【００１２】
カーボネート前駆体としてはカルボニルハライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が挙げられる。
【００１３】
上記二価フェノールとカーボネート前駆体を溶液法または溶融法によって反応させてポリカーボネート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触媒、末端停止剤、二価フェノールの酸化防止剤等を使用してもよい。またポリカーボネート樹脂は三官能以上の多官能性芳香族化合物を共重合した分岐ポリカーボネート樹脂であっても、芳香族または脂肪族の二官能性カルボン酸を共重合したポリエステルカーボネート樹脂であってもよく、また、得られたポリカーボネート樹脂の２種以上を混合した混合物であってもよい。
【００１４】
溶液法による反応は、通常二価フェノールとホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有機溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のために例えばトリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム化合物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨは９以上に保つのが好ましい。
【００１５】
溶融法による反応は、通常二価フェノールとカーボネートエステルとのエステル交換反応であり、不活性ガスの存在下に二価フェノールとカーボネートエステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコールまたはフェノールを留出させる方法により行われる。反応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等により異なるが、通常１２０〜３５０℃の範囲である。反応後期には系を１０〜０.１Ｔｏｒｒ程度に減圧して生成するアルコールまたはフェノールの留出を容易にさせる。反応時間は通常１〜４時間程度である。
【００１６】
カーボネートエステルとしては、置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基、アラルキル基あるいは炭素数１〜４のアルキル基などのエステルが挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネート、ｍ―クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネートなどが挙げられ、なかでもジフェニルカーボネートが好ましい。
【００１７】
また、溶融法において重合速度を速めるために重合触媒を用いることができ、かかる重合触媒としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、二価フェノールのナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属化合物、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属化合物、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の含窒素塩基性化合物、アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコキシド類、アルカリ金属やアルカリ土類金属の有機酸塩類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、アルミニウム化合物類、珪素化合物類、ゲルマニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、オスミウム化合物類、アンチモン化合物類マンガン化合物類、チタン化合物類、ジルコニウム化合物類などの通常エステル化反応、エステル交換反応に使用される触媒を用いることができる。触媒は単独で使用してもよいし、２種以上組み合わせ使用してもよい。これらの重合触媒の使用量は、原料の二価フェノール１モルに対し、１×１０-8〜１×１０-3当量、好ましくは１×１０-7〜１×１０-3当量、より好ましくは１×１０-6〜５×１０-4当量の範囲で選ばれる。
【００１８】
芳香族ポリカーボネート樹脂（ポリマーＡおよびポリマーＢ）は、その重合反応において、末端停止剤として通常使用される単官能フェノール類を使用することができる。殊にカーボネート前駆物質としてホスゲンを使用する反応の場合、単官能フェノール類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、また得られたポリマーは、末端が単官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているので、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。
【００１９】
かかる単官能フェノール類としては、芳香族ポリカーボネート樹脂の末端停止剤として使用されるものであればよく、一般にはフェノール或いは低級アルキル置換フェノールであって、下記一般式で表される単官能フェノール類を示すことができる。
【００２０】
【化１】
0003964557.tif 000002
［式中、Ａは水素原子または炭素数１〜９、好ましくは１〜８の脂肪族炭化水素基を示し、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数を示す。］
【００２１】
前記単官能フェノール類の具体例としては、例えばフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−クミルフェノールおよびイソオクチルフェノールが挙げられる。
【００２２】
また、他の単官能フェノール類としては、長鎖のアルキル基或いは脂肪族ポリエステル基を置換基として有するフェノール類または安息香酸クロライド類、もしくは長鎖のアルキルカルボン酸クロライド類を使用することができ、これらを用いて芳香族ポリカーボネート共重合体の末端を封鎖すると、これらは末端停止剤または分子量調節剤として機能するのみならず、樹脂の溶融流動性が改良され、成形加工が容易となるばかりでなく、基板としての物性も改良される。特に樹脂の吸水率を低くする効果があり、好ましく使用される。これらは下記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｈ］で表される。
【００２３】
【化２】
0003964557.tif 000003
［各式中、Ｘは−Ｒ−Ｏ−、−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−または−Ｒ−Ｏ−ＣＯ−である、ここでＲは単結合または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｔは単結合または上記Ｘと同様の結合を示し、ｎは１０〜５０の整数を示す。
【００２４】
Ｑはハロゲン原子または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族炭化水素基を示し、ｐは０〜４の整数を示し、Ｙは炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｗ1は水素原子、−ＣＯ−Ｒ13、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ14またはＲ15である、ここでＲ13、Ｒ14およびＲ15は、それぞれ炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜６の一価の脂環族炭化水素基または炭素数６〜１５、好ましくは６〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。
【００２５】
ｌは４〜２０、好ましくは５〜１０の整数を示し、ｍは１〜１００、好ましくは３〜６０、特に好ましくは４〜５０の整数を示し、Ｚは単結合または炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の二価の脂肪族炭化水素基を示し、Ｗ2は水素原子、炭素数１〜１０、好ましくは１〜５の一価の脂肪族炭化水素基、炭素数４〜８、好ましくは５〜６の一価の脂環族炭化水素基または炭素数６〜１５、好ましくは６〜１２の一価の芳香族炭化水素基を示す。］
【００２６】
これらのうち好ましいのは、［Ｉ−ａ］および［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類である。この［Ｉ−ａ］の置換フェノール類としては、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好ましく、その具体例としては、例えばデシルフェノール、ドデシルフェノール、テトデシルフェノール、ヘキサデシルフェノール、オクタデシルフェノール、エイコシルフェノール、ドコシルフェノールおよびトリアコンチルフェノールなどを挙げることができる。
【００２７】
また、［Ｉ−ｂ］の置換フェノール類としてはＸが−Ｒ−ＣＯ−Ｏ−であり、Ｒが単結合である化合物が適当であり、ｎが１０〜３０、特に１０〜２６のものが好適であって、その具体例としては、例えばヒドロキシ安息香酸デシル、ヒドロキシ安息香酸ドデシル、ヒドロキシ安息香酸テトラデシル、ヒドロキシ安息香酸ヘキサデシル、ヒドロキシ安息香酸エイコシル、ヒドロキシ安息香酸ドコシルおよびヒドロキシ安息香酸トリアコンチルが挙げられる。
【００２８】
前記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示される置換フェノール類または置換安息香酸クロライドにおいて置換基の位置は、ｐ位またはｏ位が一般的に好ましく、その両者の混合物が好ましい。
【００２９】
前記単官能フェノール類は、得られた芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の全末端に対して少なくとも５モル％、好ましくは少なくとも１０モル％末端に導入されることが望ましく、また単官能フェノール類は単独でもしくは２種以上混合して使用してもよい。
【００３０】
また、本発明のポリマーＡとしての芳香族ポリカーボネート共重合体において、成分ａ−１の１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンが、全二価フェノール成分の８０モル％以上である場合は、樹脂の流動性が低下することがあり、そのため前記一般式［Ｉ−ａ］〜［Ｉ−ｇ］で示される置換フェノール類または置換安息香酸クロライド類を末端停止剤として使用することが好ましい。
【００３１】
本発明の組成物の調整において、ポリマーＡとポリマーＢとの混合は、ポリマー溶液、粉粒体、ペレット等の成形品の段階が考えられるが、特に規制するものではない。また混合の方法については、ポリマー溶液の段階では、例えば、攪拌機付き容器が主として考えられ、また、粉粒体、ペレット等の成形品の段階では、例えばタンブラー、Ｖ型ブレンダー、ナウターミキサー、バンバリーミキサー、混練ロール、押出機などで混合する方法が用いられる。いずれの場合も任意の方法で使用され、特に規制はないが、混合操作中の異物混入に対する除去方法の簡便さからポリマー溶液状態での混合後、任意の目開きのフィルターを通過させるという方法が好ましい。
【００３２】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物はそのポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し、２０℃で測定した比粘度が０.２〜０.５のものが好ましく、０.２５〜０.４の範囲のものがより好ましい。比粘度が０.２未満では成形品が脆くなり、０.５より高くなると溶融流動性が悪く、成形不良を生じ、光学的に良好な成形品が得られ難くなる。
【００３３】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、ＡSＴＭ  Ｄ−０５７０によって測定した吸水率が０.３重量％以下であり、０.２５重量％以下であることが好ましく、０.２０重量％以下であることがより好ましい。吸水率が０.３重量％を超えると、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物が好適に用いられる光ディスク基板の表面上に金属膜を形成させた光ディスクが吸水によって反りを生じ易くなり、トラッキングエラーを起こし易くなるので好ましくない。特に好ましい吸水率は０.１８重量％以下である。
【００３４】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、オリゴマー含量が１０％以下であることが好ましく、７％以下がより好ましく、特に５％以下が好ましい。このオリゴマー含量の値は下記方法およびカラムを使用して測定された値である。すなわち、東ソー（株）製、ＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＧ３０００ＨＸＬカラム各１本づつ直列に繋いで溶離液としてクロロホルムを用い、流量０.７ｍｌ／分で安定化した後、該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物のクロロホルム溶液を注入する方法で測定したＧＰＣチャートのリテンションタイムが２３分以降のオリゴマーピーク面積の合計の全ピーク面積に対する割合がオリゴマー含量であり、この値が１０％以下であることが好ましく、７％以下であることがより好ましい。オリゴマー含量が７％、殊に１０％を越えると、成形時に金型表面を汚染することがあるので望ましくなく、その汚染はオリゴマー含量が多くなる程顕著になる傾向がある。一方、オリゴマーは芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の製造過程で生じるものであり、完全に零（０）にすることはできない。
【００３５】
オリゴマーは、前記した含量以下であればよく、その値を満足する限り、少割合含有されていても差支えない。０.１％以上、より好ましくは０.１５％以上の少割合の含量でオリゴマーが存在すると、それ以下のものと比べて溶融流動性が向上する。そのため、特に好ましくはオリゴマー含量は０.１５〜４％の範囲である。
【００３６】
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物中のオリゴマー含量を前記範囲に制御するには、大量のオリゴマーが共重合体中に含まれないように重合を充分に完結することが必要であり、また触媒および重合条件を適宣選択することが要求される。もしオリゴマー含量が前記範囲を越えている場合には、例えばオリゴマーを抽出などの手段により除去する処置が採用される。この抽出は芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の溶液（例えば塩化メチレン溶液）を、その共重合体の貧溶剤または非溶剤（例えばアセトンまたはメタノール）中に滴下する方法、或いはその組成物を貧溶媒または非溶媒に浸漬して、オリゴマーを抽出する方法などの手段によって実施することができる。
【００３７】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、光学的材料、殊に光ディスク基板として好適に使用されるため、その中に未溶解粒子が或る一定量以上存在しないことが望ましい。
【００３８】
すなわち、かかる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、その２０ｇを塩化メチレン１Ｌに溶解した溶液をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウンターモデル４１００を用いたレーザーセンサー法にて、散乱光をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた径０.５μｍ以上の未溶解粒子が、該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物１ｇ当り２５,０００個以下、且つ１μｍ以上の未溶解粒子が５００個以下であることが好ましい。０.５μｍ以上の未溶解粒子が２５,０００個を超えるか、または１μｍ以上の未溶解粒子が５００個を超えると光ディスクに書き込まれた情報ピットに悪影響を及ぼしエラーレートが大きくなるので好ましくない。さらに好ましくは、０.５μｍ以上の未溶解粒子が２０,０００個以下、且つ１μｍ以上の未溶解粒子が２００個以下である。また、１０μｍ以上の未溶解粒子は実質的に存在すべきでない。また５μｍ以上の未溶解粒子は３０個／ｇ以下であるのが好ましい。
【００３９】
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物中における未溶解粒子の量を前記範囲とするためには、重合過程および造粒過程において、未溶解粒子が混入しないか或いは除去し得る手段を採用すべきである。
【００４０】
そのような手段としては、例えば操作をクリーンルームで行うこと、未溶解粒子の除去装置の付いた造粒装置を使用すること（具体的例としては、軸受け部に異物取り出し口を有する隔離室を設けたニーダーなど）或いは摺動部分に樹脂粒子が触れない構造の装置（例えばスプレードライヤー形式の造粒機）で造粒することなどがある。
【００４１】
また、未溶解粒子を除去する他の手段として、樹脂の溶液を目開きの小さいフィルター（０.５〜１μｍ）によりろ過する方法或いは樹脂を溶融して後、金属フィルター（１０〜４０μｍ）により固体粒子を除去する方法などが採用される。
【００４２】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、その光弾性定数の値が６０×１０-13ｃｍ2／ｄｙｎ以下、好ましくは５５×１０-13ｃｍ2／ｄｙｎ以下のものが有利に利用される。光弾性定数の値が前記値よりも大きい場合、光学用材料、殊に光ディスクとして適さなくなる。
【００４３】
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、そのガラス転移点が１２０℃以上が好ましく、１３０℃以上がより好ましく、１４５℃以上がさらに好ましい。ガラス転移点が低くなると光学用材料、殊にディスク基板としての耐熱性が不足する。
【００４４】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、カーボネート前駆物質としてホスゲンを使用し、また溶媒として塩化メチレンなどの塩素系溶媒を使用した場合、塩素が少なからず残存している。この塩素の含有量が多いと成形金型が腐食したり、芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の熱安定性が低下したり、また光ディスク基板として用いた場合、その金属膜の腐食が起こったりするので望ましくない。従って、塩素の含量は１０ｐｐｍ以下、好ましくは７ｐｐｍ以下、特に好ましくは５ｐｐｍ以下であるのが推奨される。ここで云う塩素含量とは、芳香族ポリカーボネート共重合体を三菱化学製全有機ハロゲン分析装置ＴＯＸ１０型を用いて燃焼法により測定された値を意味するものとする。
【００４５】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、溶融成形における流動性に優れかつ成形条件の大幅な制限が改善されている。従って成形条件にその巾が広くなるので成形の操作が容易となる。すなわち、本発明の樹脂組成物は溶融時（２８０℃）における流動性（ＭＦＲ値）が５２〜７０ｇ／１０ｍｉｎ、好ましくは５３〜６７ｇ／１０ｍｉｎであって、流動特性に優れている。またディスク基板に成形した場合、シリンダー温度を次第に低下させ、ある温度になると基板内に成形による不良個所が発生するが、この時の最低シリンダー温度が高いほど、成形操作条件の巾が小さくなり成形操作性が低くなる。本発明の樹脂組成物は、前記最低シリンダー温度が低く、従って成形操作条件の巾を大きく取ることができるメリットがある。この最低シリンダー温度を成形操作性の目安として実施例に示した。本発明の樹脂組成物はポリマーＡ単独の樹脂よりも１０℃以上、好適条件では１５℃以上低い最低シリンダー温度を有している。
【００４６】
さらに本発明の樹脂組成物から形成された成形品、殊に光ディスク基板は、優れた光学特性値を有している。すなわち、本発明の樹脂組成物は光弾性定数が４７×１０-13〜６０×１０-13ｃｍ2／ｄｙｎｅ、好適には４８×１０-13〜５９×１０-13ｃｍ2／ｄｙｎｅの範囲であり、また複屈折率が２５〜４５ｎｍ、好適には２７〜４２ｎｍの範囲であって、光ディスク基板としての目的に優れた特性を有している。
【００４７】
本発明において、前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物に、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物が、その共重合体に対して０.０００１〜０.０５重量％の割合で配合することができる。
このリン化合物を配合することにより、かかる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の熱安定性が向上し、成形時における分子量の低下や色相の悪化が防止される。
【００４８】
かかるリン化合物としては、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択される少なくとも１種のリン化合物であり、好ましくは下記一般式（１）〜（４）よりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物である。
【００４９】
【化３】
0003964557.tif 000004
【００５０】
ここで、Ｒ1〜Ｒ12は、それぞれ独立して、水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルなどの炭素数１〜２０のアルキル基、フェニル、トリル、ナフチルなどの炭素数６〜１５のアリール基またはベンジル、フェネチルなどの炭素数７〜１８のアラルキル基を表している。また１つの化合物中に２つのアルキル基が存在する場合は、その２つのアルキル基は互いに結合して環を形成していてもよい。
【００５１】
上記（１）式で示されるリン化合物としては、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイト、ビス（２,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２,２−メチレンビス（４,６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイトなどが挙げられ、上記（２）式で示されるリン化合物としては、例えばトリブチルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフェートなどが挙げられ、上記（３）式で示されるリン化合物としては、テトラキス（２,４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４,４−ジフェニレンホスホナイトなどが挙げられ、また上記（４）式で示される化合物としては、ベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピルなどが挙げれる。なかでも、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイト、トリエチルホスフェート、ベンゼンホスホン酸ジメチルが好ましく使用される。
【００５２】
かかるリン化合物の配合量は、該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物に対して０.０００１〜０.０５重量％であり、０.０００５〜０.０２重量％が好ましく、０.００１〜０.０１重量％が特に好ましい。配合量が０.０００１重量％未満では上記効果が得られ難く、０.０５重量％を超えると、逆に該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の熱安定性に悪影響を与え、また耐加水分解性も低下するので好ましくない。
【００５３】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加することができる。その例としてはフェノール系酸化防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエチレングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、１,６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１,３,５−トリメチル−２,４,６−トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ,Ｎ−ヘキサメチレンビス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイド）、３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリス（３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３,９−ビス｛１,１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル｝−２,４,８,１０−テトラオキサスピロ（５,５）ウンデカンなどが挙げられる。これら酸化防止剤の好ましい添加量の範囲は芳香族ポリカーボネート樹脂組成物に対して、０.０００１〜０.０５重量％である。
【００５４】
さらに本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物には、必要に応じて一価または多価アルコールの高級脂肪酸エステルを加えることもできる。この一価または多価アルコールの高級脂肪酸エステルを配合することにより、前記芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の成形時の金型からの離型性が改良され、ディスク基板の成形においては、離型荷重が少なく離型不良によるディスク基板の変形、ピットずれを防止できる。また、芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の溶融流動性が改善される利点もある。
【００５５】
かかる高級脂肪酸エステルとしては、炭素原子数１〜２０の一価または多価アルコールと炭素原子数１０〜３０の飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルであるのが好ましい。
【００５６】
また、かかる一価または多価アルコールと飽和脂肪酸との部分エステルまたは全エステルとしては、ステアリン酸モノグリセリド、ステアリン酸モノソルビテート、ベヘニン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリトールテトラステアレート、プロピレングリコールモノステアレート、ステアリルステアレート、パルミチルパルミテート、ブチルステアレート、メチルラウレート、イソプロピルパルミテート、２−エチルヘキシルステアレートなどが挙げられ、なかでも、ステアリン酸モノグリセリド、ペンタエリスリトールテトラステアレートが好ましく用いられる。
【００５７】
かかるアルコールと高級脂肪酸とのエステルの配合量は、該芳香族ポリカーボネート樹脂組成物に対して０.０１〜２重量％であり、０.０１５〜０.５重量％が好ましく、０.０２〜０.２重量％がより好ましい。配合量が０.０１重量％未満では上記効果が得られず、２重量％を越えると金型表面の汚れの原因ともなる。
【００５８】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物には、さらに光安定剤、着色剤、帯電防止剤、滑剤などの添加剤を透明性を損なわない範囲で加えることができる。本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を上記添加剤を混合するには、任意の方法で行うことができる。例えばタンブラー、Ｖ型ブレンダー、ナウターミキサー、バンバリーミキサー、混練ロール、押出機などで混合する方法が適宜用いられる。この芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、例えば射出成形法、圧縮成形法、押出成形法、溶液キャスティング法など任意の方法により成形される。
【００５９】
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、成形性および熱安定性に優れているので種々の成形品として利用することができる。殊に光学ディスク、光学レンズ、液晶パネル、光カード、シート、フィルム、光ファイバー、コネクター、蒸着プラスチック反射鏡、ディスプレーなどの光学部品の構造材料または機能材料用途に適した光学用成形品として有利に使用することができる。これらのうち、光ディスク基板として特に有利に使用することができる。
【００６０】
かかる光ディスク基板としては、コンパクトディスク（ＣＤ）、ＣＤ−Ｒ、ＭＯ、ＭＤ−ＭＯ等や、更にはデジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ｖｉｄｅｏ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等）で代表される高密度光ディスクが挙げられる。
【００６１】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに説明する。なお実施例中の部は重量部であり、％は重量％である。なお、評価は下記の方法によった。
（１）比粘度
ポリマー０.７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し２０℃の温度で測定した。
（２）ガラス転移点（Ｔｇ）
デュポン社製９１０型ＤＳＣにより測定した。
（３）流動性（ＭＦＲ）
ＪＩＳ  Ｋ−７２１０に準拠して、東洋精機製セミオートメルトインデクサーを用いて、２８０℃、荷重２.１６ｋｇで１０分間に流出したポリマー量（ｇ）で示した。
【００６２】
（４）オリゴマー含量
東ソー製ＧＰＣカラムＴＳＫｇｅｌＧ２０００ＨＸＬとＴＳＫｇｅｌＧ３０００ＨＸＬを用い、溶離液としてクロロホルムを流量０.７ｍｌ／分で流しながら試料５０ｍｇをクロロホルム５ｍｌに溶解した溶液を２０μｌ注入する方法で求めたＧＰＣチャートのリテンションタイムが２３分以降のオリゴマー成分のピーク面積の全ピーク面積に対する割合を％で示した。
【００６３】
（５）吸水率
ＡＳＴＭ  Ｄ−０５７０によって測定した。
（６）塩化メチレン未溶解粒子
該芳香族ポリカーボネート樹脂２０ｇを塩化メチレン１Ｌに溶解した溶液をハイアックロイコ社製液体パーティクルカウンターモデル４１００を用いたレーザーセンサー法にて散乱光をラテックス粒子の散乱光に換算する方法で求めた。
【００６４】
（７）光線透過率
ＡＳＴＭ Ｄ−１００３に準拠して日立製作所（株）製分光光度計Ｕ−３４００を用いて測定した。
（８）光弾性定数
理研計器（株）製の光弾性測定装置ＰＡ−１５０により測定した。
（９）リターデーション値
名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて、直径１２０ｍｍ、厚さ１.２ｍｍのディスクを加熱筒温度３３０℃、金型温度８５℃、冷却時間５秒にて成形し、オ−ク製ＡＤＲ２００Ｂ自動複屈折測定装置を用い、ディスクの中心から半径３０ｍｍ部分について測定した。
【００６５】
（１０）熱安定性
試料のペレットを１２０℃で５時間乾燥した後、射出成形機（住友重機（株）製ＳＧ−１５０）を用い、シリンダー温度３４０℃で１０分間滞留させたものとさせないものの試験片（縦７０ｍｍ、横５０ｍｍ,厚み２ｍｍ）をそれぞれ作成し、その比粘度の変化（△ηsp）および色相の変化（△Ｅ）を測定した。色相の変化は、ＪＩＳ Ｚ ８７３０に従い、日本電色（株）モデルＺ−１００１ＤＰを用い、それぞれのＬ、ａ、ｂ値を測定して、次式により算出した。
【００６６】
【数１】
0003964557.tif 000005
（Ｌ1、ａ1およびｂ1は、滞留させない組成物の値、Ｌ2、ａ2およびｂ2は１０分間滞留させた組成物の値）
【００６７】
（１１）成形操作性
名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディスク基板を１００枚射出成形する際に、ディスク基板内に不良個所（ボイド、クラウド、コールド、シルバー等によって記録ミスの原因となる不良箇所）が発生しないような最低シリンダー温度を測定した。この温度が低い方が、同温度では溶融粘度が低く成形温度巾が広いメリットがある。
【００６８】
（１２）引張り試験法
ＡＳＴＭ  Ｄ−６３８に準拠して、東洋ボールドウィン社製ＵＴＭ２.５Ｔを用いて測定した。
【００６９】
実施例１
［Ａ］  ポリマーＡの共重合体の合成；
温度計、撹拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９２９.２部、４８％水酸化ナトリウム水溶液６１.３部を入れ、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン（成分ａ−１：以下“ビスフェノールＴＭＣ”と略称することがある）３９部、４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール（成分ａ−２：以下“ビスフェノールＭ”と略称することがある）４３.６部およびハイドロサルファイト０.１７部を溶解した後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１.５１部と塩化メチレン６３７.９部を加えトリエチルアミン０.０９部を添加した後撹拌下１５〜２５℃でホスゲン３２.４部を４０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液１５.６部を加え、２８〜３３℃で１時間撹拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受け部に異物取り出し口を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で５０：５０の比粘度が０.２７１である無色のポリマー８６.４部を得た（収率９７％）。
【００７０】
［Ｂ］  ビスフェノールＡからのポリカーボネート単独重合体（ポリマーＢ）の合成；
温度計、攪拌機及び還流冷却器付き反応器にイオン交換水１１０５７.０部、４８％水酸化ナトリウム水溶液１５５９.９部を仕込み、これにビスフェノールＡ２１３３.９部及びハイドロサルファイト２.１２部を溶解した後、塩化メチレン６４４５.３部を加え、攪拌下１５〜２０℃でホスゲン１００５.６部を６０分要して吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール９２.３部及び４８％水酸化ナトリウム水溶液８２９.９部を加え、撹拌して乳化させた後トリエチルアミン０.０９部を加え、２８〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了した。反応終了後生成物溶液を多孔板付遠心抽出機［（株）日立製作所製ウルトレックスＥＰ−０２］にてイオン交換水流量１,０００ｍｌ／分、反応生成物溶液流量１,５００ｍｌ／分、回転数３,５００ｒｐｍの条件で遠心分離した後、塩化メチレン相を塩酸酸性にし、更に同様の条件で遠心分離操作を繰返し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにより塩化メチレンを蒸発して、比粘度が０.２６９である粉粒状の無色のポリカーボネート樹脂２,４００部（収率９２％）を得た。
［Ｃ］  樹脂組成物の調整；
【００７１】
［Ａ］で合成したポリマーＡの共重合体溶液と［Ｂ］で合成したビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＢ）溶液とを溶液中のポリマー重量比（ポリマーＡ：ポリマーＢ）が９５：５となるようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した後、攪拌して混合した。混合後、目開き０.３μｍのフィルターを通過させた後、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにこの混合溶液を投入して塩化メチレンを蒸発することにより該ポリカーボネート樹脂粉粒体を得た。
【００７２】
このポリカーボネート樹脂粉粒体にジステアリルペンタエリスリトールジホスファイトを０.００３％、トリエチルホスフェートを０.００５％、ステアリン酸モノグリセリドを０.０４５％加えて、ベント付きφ３０ｍｍ二軸押出機を用いて、ペレット化した後、名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディスク基板に射出成形した。このものの塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１５,０００個／ｇ、１μｍ以上が１９０個／ｇであった。結果を表１に示す。
【００７３】
実施例２
［Ａ］で合成したポリマーＡの共重合体溶液と［Ｂ］で合成したビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＢ）溶液とを溶液中のポリマーＡ：ポリマーＢの重量比が９０：１０となるようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した以外は実施例１と同様の操作をおこなった。結果を表１に示す。
【００７４】
実施例３
［Ａ］で合成した成分Ａの共重合体溶液と［Ｂ］で合成したビスフェノールＡの単独重合体溶液とを溶液中のポリマーＡ：ポリマーＢの重量比が６０：４０となるようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した以外は実施例１と同様の操作をおこなった。結果を表１に示す。
【００７５】
実施例４
成分Ａについては実施例１と同様の操作をおこなった。ポリマーＢの合成方法として溶融法を使用した。すなわち、攪拌機及び蒸留塔を備えた反応器に２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５０.２部（０.２２モル）、ジフェニルカーボネート（バイエル社製）４９.２部（０.２３モル）及び触媒として水酸化ナトリウム０.０００００５部とテトラメチルアンモニウムヒドロキシド０.００１６部を仕込み、窒素置換した。この混合物を２００℃まで加熱して攪拌しながら溶解させた。次いで、減圧度を３０Ｔｏｒｒとして加熱しながら１時間で大半のフェノールを留去し、更に２７０℃まで温度を上げ、減圧度を１Ｔｏｒｒとして２時間重合反応を行ったところで、末端停止剤として２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネート２.３部を添加した。その後２７０℃、１Ｔｏｒｒ以下で５分間末端封鎖反応を行った。次に溶融状態のままで、触媒中和剤としてドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を０.００２３部（４×１０-5モル／ビスフェノール１モル）添加して２７０℃、１０Ｔｏｒｒ以下で１０分間反応を継続し、比粘度が０.２７１のポリマーを得た。このポリマーをギアポンプでエクストルーダーに送った。エクストルーダー途中において、あらかじめ溶融状態にしておいたポリマーＡ：ポリマーＢとを重量比で９０：１０となるように併設のサイドフィーダーより添加混合した。さらにトリスノニルフェニルホスファイトを０.００３重量％、トリメチルホスフェートを０.００５重量％、グリセリンモノステアレートを０.０４５重量％加え、ポリカーボネートペレットを得た。
【００７６】
比較例１
実施例１において、［Ａ］で合成した成分Ａの共重合体溶液のみを、目開き０.３μｍのフィルターを通過させた後、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにこの混合溶液を投入して塩化メチレンを蒸発することにより該ポリカーボネート樹脂粉粒体を得た以外は実施例１と同様の操作をおこなった。結果を表１に示す。
【００７７】
比較例２
実施例１において、［Ｂ］で合成したビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＢ）溶液のみを、目開き０.３μｍのフィルターを通過させた後、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにこの混合溶液を投入して塩化メチレンを蒸発することにより該ポリカーボネート樹脂粉粒体を得た以外は実施例１と同様の操作をおこなった。結果を表１に示す。
【００７８】
比較例３
実施例１において、［Ａ］で合成した共重合体（ポリマーＡ）溶液と［Ｂ］で合成したビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＢ）溶液とを溶液中のポリマーＡ：ポリマーＢとの重量比が３０：７０となるようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した以外は実施例１と同様の操作をおこなった。結果を表１に示す。
【００７９】
【表１】
0003964557.tif 000006
【００８０】
実施例５
［Ａ］  成分ａ−１と成分ａ−２からの共重合体（ポリマーＡ）の合成；
温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９２９.２部、４８％水酸化ナトリウム水溶液６１.３部を入れ、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサン（“ビスフェノールＴＭＣ”）４３.３部、２,２−ビス(３−メチル−４−ヒドロキシフェニル)プロパン（以下“ビスフェノールＣ”と略称することがある）２９.５部およびハイドロサルファイト０.１７部を溶解した後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１.５１部と塩化メチレン６３７.９部を加えトリエチルアミン０.０９部を添加した後攪拌下１５〜２５℃でホスゲン３２.４部を４０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液１５.６部を加え、２８〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受け部に異物取り出し口を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＣの比がモル比で５５：４５の比粘度が０.２７６である無色のポリマー７９.0部を得た（収率９７％）。
【００８１】
［Ｂ］  ビスフェノールＡからのポリカーボネート単独重合体（ポリマーＢ）の合成；
温度計、攪拌機及び還流冷却器付き反応器にイオン交換水１１０５７.０部、４８％水酸化ナトリウム水溶液１５５９.９部を仕込み、これにビスフェノールＡ２１３３.９部及びハイドロサルファイト２.１２部を溶解した後、塩化メチレン６４４５.３部を加え、攪拌下１５〜２０℃でホスゲン１００５.６部を６０分要して吹込んだ。ホスゲン吹込み終了後ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール９２.３部及び４８％水酸化ナトリウム水溶液８２９.９部を加え、撹拌して乳化させた後トリエチルアミン０.０９部を加え、２８〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了した。反応終了後生成物溶液を多孔板付遠心抽出機［（株）日立製作所製ウルトレックスＥＰ−０２］にてイオン交換水流量１,０００ｍｌ／分、反応生成物溶液流量１,５００ｍｌ／分、回転数３,５００ｒｐｍの条件で遠心分離した後、塩化メチレン相を塩酸酸性にし、更に同様の条件で遠心分離操作を繰返し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにより塩化メチレンを蒸発して、比粘度が０.２６９である粉粒状の無色のポリカーボネート樹脂２,４００部（収率９２％）を得た。
【００８２】
［Ｃ］樹脂組成物の調整；
［Ａ］で合成したポリマーＡの共重合体溶液と［Ｂ］で合成したビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＢ）溶液とを溶液中のポリマー重量比（ポリマーＡ：ポリマーＢ）が９５：５となるようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した後、攪拌して混合した。混合後、目開き０.３μｍのフィルターを通過させた後、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにこの混合溶液を投入して塩化メチレンを蒸発することにより該ポリカーボネート樹脂粉粒体を得た。
【００８３】
このポリカーボネート樹脂粉粒体にジステアリルペンタエリスリトールジホスファイトを０.００３％、トリエチルホスフェートを０.００５％、ステアリン酸モノグリセリドを０.０４５％加えて、ベント付きφ３０ｍｍ二軸押出機を用いて、ペレット化した後、名機製作所（株）製Ｍ３５Ｂ−Ｄ−ＤＭを用いて１２０ｍｍφ、１.２ｍｍ厚みのディスク基板に射出成形した。このものの塩化メチレン未溶解粒子は０.５μｍ以上が１５,０００個／ｇ、１μｍ以上が１９０個／ｇであった。結果を表２に示す。
【００８４】
実施例６
前記実施例５の［Ａ］で合成したポリマーＡの共重合体溶液と［Ｂ］で合成したビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＢ）溶液とを溶液中のポリマーＡ：ポリマーＢの重量比が９０：１０となるようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した以外は実施例５と同様の操作をおこなった。結果を表２に示す。
【００８５】
実施例７
前記実施例５の［Ａ］で合成したポリマーＡの共重合体溶液と［Ｂ］で合成したビスフェノールＡの単独重合体溶液（ポリマーＢ）とを溶液中のポリマーＡ：ポリマーＢの重量比が６５：３５なるようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した以外は実施例５と同様の操作をおこなった。結果を表２に示す。
【００８６】
実施例８
成分Ａについては実施例１（Ａ）と同様の操作をおこなった。成分Ｂの合成方法として溶融法を使用した。すなわち、攪拌機及び蒸留塔を備えた反応器に２,２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン５０.２部（０.２２モル）、ジフェニルカーボネート（バイエル社製）４９.２部（０.２３モル）及び触媒として水酸化ナトリウム０.０００００５部とテトラメチルアンモニウムヒドロキシド０.００１６部を仕込み、窒素置換した。この混合物を２００℃まで加熱して攪拌しながら溶解させた。次いで、減圧度を３０Ｔｏｒｒとして加熱しながら１時間で大半のフェノールを留去し、更に２７０℃まで温度を上げ、減圧度を１Ｔｏｒｒとして２時間重合反応を行ったところで、末端停止剤として２−メトキシカルボニルフェニルフェニルカーボネート２.３部を添加した。その後２７０℃、１Ｔｏｒｒ以下で５分間末端封鎖反応を行った。次に溶融状態のままで、触媒中和剤としてドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を０.００２３部（４×１０-5モル／ビスフェノール１モル）添加して２７０℃、１０Ｔｏｒｒ以下で１０分間反応を継続し、比粘度が０.２７１のポリマーを得た。このポリマーをギアポンプでエクストルーダーに送った。エクストルーダー途中において、あらかじめ溶融状態にしておいた成分Ａを成分Ａ／成分Ｂ＝９０／１０となるように併設のサイドフィーダーより添加混合した。さらにトリスノニルフェニルホスファイトを０.００３重量％、トリメチルホスフェートを０.００５重量％、グリセリンモノステアレートを０.０４５重量％加え、ポリカーボネートペレットを得た。
【００８７】
比較例４
実施例５において、［Ａ］で合成した成分ａ−１と成分ａ−２の共重合体（ポリマーＡ）溶液のみを、目開き０.３μｍのフィルターを通過させた後、軸受部に異物取出口を有する隔離室を設けたニーダーにこの混合溶液を投入して塩化メチレンを蒸発することにより該ポリカーボネート樹脂粉粒体を得た以外は実施例１と同様の操作をおこなった。結果を表２に示す。
【００８８】
比較例５
実施例５の［Ａ］で合成した成分ａ−１と成分ａ−２の共重合体（ポリマーＡ）溶液と［Ｂ］で合成したビスフェノールＡの単独重合体（ポリマーＢ）溶液とを溶液中のポリマーＡ：ポリマーＢの重量比が３０：７０となるようにそれぞれ攪拌機付容器に投入した以外は実施例５と同様の操作をおこなった。結果を表２に示す。
【００８９】
【表２】
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【００９０】
【発明の効果】
本発明によれば、１,１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３,３,５−トリメチルシクロヘキサンと４,４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／または２,２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパンと二価フェノール成分とする芳香族ポリカーボネート共重合において、成形不良や成形条件の大幅な制限、また熱安定性、機械特性を改善することによって、本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物は、吸水性、光弾性定数、複屈折、成形性および熱安定性に優れているので種々の成形品として利用することができる。殊に光学ディスク、光学レンズ、液晶パネル、光カード、シート、フィルム、光ファイバー、コネクター、蒸着プラスチック反射鏡、ディスプレーなどの光学部品の構造材料または機能材料用途に適した光学用成形品として有利に使用することができる。これらのうち、光ディスク基板として特に有利に使用することができ、その奏する工業的効果は格別なものである。