(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量１，０００〜１００，０００の高分子化合物。
【化１】
0004019247.tif 000045
（式中、Ｒ1は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、環状もしくは有橋環状のアルキレン基又は下記式（ｉ）〜（ｖ）から選ばれる２価炭化水素基であり、Ｒ2は酸不安定基であり、Ｒ3は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換又は非置換の１価炭化水素基であり、０≦ｍ≦３、０≦ｎ≦３、０＜ｐ＜１、０＜ｑ＜１、０≦ｒ＜１、０≦ｓ＜１、０≦ｔ＜１、０≦ｕ＜１、１≦ｍ＋ｎ≦６の範囲であり、ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１である。
【化２】
0004019247.tif 000046
【請求項２】
請求項１記載の高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
【請求項３】
（Ａ）請求項１記載の高分子化合物、
（Ｂ）有機溶剤、
（Ｃ）酸発生剤
を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
【請求項４】
更に、（Ｄ）塩基性化合物を含有する請求項３記載のレジスト材料。
【請求項５】
更に、（Ｅ）溶解阻止剤を含有する請求項３又は４記載のレジスト材料。
【請求項６】
（１）請求項２乃至５のいずれか１項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、
（２）次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長３００ｎｍ以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、
（３）必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
請求項６において、パターン形成後、酸素プラズマエッチングにより下地の加工を行う多層レジストパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細加工技術に適したレジスト材料、特に化学増幅レジスト材料のベースポリマーとして有用な高分子化合物並びにレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が急速に進んでいる。微細化が急速に進歩した背景には、投影レンズの高ＮＡ化、レジストの性能向上、短波長化が挙げられる。特にｉ線（３６５ｎｍ）からＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）への短波長化は大きな変革をもたらし、０．１８μｍルールのデバイスの量産も可能となってきている。レジストの高解像度化、高感度化に対して、酸を触媒とした化学増幅ポジ型レジスト材料（特公平２−２７６６０号、特開昭６３−２７８２９号公報等に記載）は、優れた特徴を有するもので、遠紫外線リソグラフィーに特に主流なレジスト材料となった。
【０００３】
ＫｒＦエキシマレーザー用レジスト材料は、一般的に０．３ミクロンプロセスに使われ始め、０．２５ミクロンルールを経て、現在０．１８ミクロンルールの量産化への適用、更に０．１５ミクロンルールの検討も始まっており、微細化の勢いはますます加速されている。ＫｒＦエキシマレーザーからＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）への波長の短波長化は、デザインルールの微細化を０．１３μｍ以下にすることが期待されるが、従来用いられてきたノボラックやポリビニルフェノール系の樹脂が波長１９３ｎｍ付近に非常に強い光吸収帯を有するため、レジスト用のベース樹脂として用いることができない。光透過性と、必要なドライエッチング耐性の確保のため、アクリル樹脂やシクロオレフィン系の脂環族系の樹脂が検討された（特開平９−７３１７３号、特開平１０−１０７３９号、特開平９−２３０５９５号公報、ＷＯ９７／３３１９８）。
【０００４】
更に０．１０μｍ以下の微細化が期待できるＦ２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）に関しては、光透過性の確保がますます困難になり、アクリル樹脂では全く光を透過せず、シクロオレフィン系樹脂においてもカルボニル結合を持つものは光透過性が極めて低いことがわかった。更にシロキサンポリマーやシルセスキオキサンポリマーの方が光透過性向上には有利であり（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｉｓｓｕｅｓ  ｉｎ  １５７ｎｍ  ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：Ｔ．Ｍ．  Ｂｌｏｏｍｓｔｅｉｎ  ｅｔ  ａｌ．Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ  １６（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ  １９９８）、このものは酸素プラズマを使った多層レジストパターンを形成するためのレジストベース樹脂として使える可能性があり、高いドライエッチング選択比を有すれば、通常のレジストに比べて薄膜化が可能なため、光透過性に対する負荷がかなり低減されると考えられる。
【０００５】
しかしながら、アルカリに対する溶解コントラストを上げるためにフェノール基を導入したものは波長１６０ｎｍ付近に光吸収のウィンドウがあり、若干光透過性が向上するが、実用的レベルにはほど遠く、カルボン酸を導入したものはカルボニル基に基づく強い光吸収があるため更に光透過性が低下した。単層レジストにおいて、ベンゼン環に代表される炭素炭素不飽和結合とカルボニル基に代表される炭素酸素２重結合を低減することが光透過性確保のための必要条件であることが判明した（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｗｏｒｋ  Ｓｈｏｐ  １５７ｎｍ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ＭＩＴ−ＬＬ  Ｂｏｓｔｏｎ，ＭＡ  Ｍａｙ  ５，１９９９）。シリコーン含有ポリマーは薄膜化できる分だけ単層レジストに比べて光透過性の面では確かに有利であるが、それでも解像力を上げるためには根本的に光透過性を上げる必要があった。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、波長３００ｎｍ以下、特にＦ２（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２（１４６ｎｍ）、ＫｒＡｒ（１３４ｎｍ）、Ａｒ２（１２６）ｎｍなどの真空紫外領域のエキシマレーザー及びＥＵＶ（８〜１３ｎｍ）に対する透過性に優れたレジスト材料、特に化学増幅レジスト材料のベースポリマーとして有用な新規高分子化合物並びにこれを含むレジスト材料及びこのレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を行い、フッ素化されたアルコールが光透過性とエッチング耐性を両立できると考え、シリコーン含有ポリマーへ導入することを試みた結果、部分的に酸不安定基で置換されたフッ素化されたアルコールを含む、ポリシルセスキオキサンをベースとする樹脂を用いることによって、光透過性とエッチング耐性を確保したレジスト材料が得られることを知見し、本発明をなすに至ったものである。
【０００８】
即ち、本発明は、下記高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。
［Ｉ］下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量１，０００〜１００，０００の高分子化合物。
【化３】
0004019247.tif 000002
（式中、Ｒ1は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状、環状もしくは有橋環状のアルキレン基又は下記式（ｉ）〜（ｖ）から選ばれる２価炭化水素基であり、Ｒ2は酸不安定基であり、Ｒ3は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換又は非置換の１価炭化水素基であり、０≦ｍ≦３、０≦ｎ≦３、０＜ｐ＜１、０＜ｑ＜１、０≦ｒ＜１、０≦ｓ＜１、０≦ｔ＜１、０≦ｕ＜１、１≦ｍ＋ｎ≦６の範囲であり、ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１である。
【化４】
0004019247.tif 000003
［ＩＩ］［Ｉ］記載の高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
［ＩＩＩ］（Ａ）［Ｉ］記載の高分子化合物、
（Ｂ）有機溶剤、
（Ｃ）酸発生剤
を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
［ＩＶ］更に、（Ｄ）塩基性化合物を含有する［ＩＩＩ］記載のレジスト材料。
［Ｖ］更に、（Ｅ）溶解阻止剤を含有する［ＩＩＩ］又は［ＩＶ］記載のレジスト材料。
［ＶＩ］（１）［ＩＩ］乃至［Ｖ］のいずれか１項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、
（２）次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長３００ｎｍ以下の高エネルギー線もしくは電子線で露光する工程と、
（３）必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
［ＶＩＩ］［ＶＩ］において、パターン形成後、酸素プラズマエッチングにより下地の加工を行う多層レジストパターン形成方法。
【０００９】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の高分子化合物は、下記一般式（１）で示される繰り返し単位を含む下記一般式（２）で示される繰り返し単位を有するものである。
【００１０】
【化５】
0004019247.tif 000004
【００１１】
【化６】
0004019247.tif 000005
（式中、Ｒ１は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の２価の炭化水素基であり、２価の有橋環式炭化水素基であってもよい。Ｒは水素原子又は酸不安定基、Ｒ２は酸不安定基、Ｒ３は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換又は非置換の１価炭化水素基であり、０≦ｍ≦３、０≦ｎ≦３、０＜ｐ＜１、０＜ｑ＜１、０≦ｒ＜１、０≦ｓ＜１、０≦ｔ＜１、０≦ｕ＜１、１≦ｍ＋ｎ≦６の範囲であり、ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１である。）
【００１２】
ここで、Ｒ１は炭素数１〜２０、好ましくは２〜１６の直鎖状、分岐状、環状もしくは有橋環状のアルキレン基等の２価炭化水素基である。Ｒ１の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基、又は以下の基が挙げられる。
【００１３】
【化７】
0004019247.tif 000006
【００１４】
本発明の高分子化合物において、上記Ｒ及びＲ２で示される酸不安定基としては、種々選定されるが、特に下記式（３）、（４）で示される基、下記式（５）で示される炭素数４〜４０の三級アルキル基、炭素数１〜６のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基等であることが好ましい。
【００１５】
【化８】
0004019247.tif 000007
【００１６】
式（３）におけるＲ６は炭素数４〜２０、好ましくは４〜１５の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基又は上記一般式（４）で示される基を示し、三級アルキル基として具体的には、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、１，１−ジエチルプロピル基、１−エチルシクロペンチル基、１−ブチルシクロペンチル基、１−エチルシクロヘキシル基、１−ブチルシクロヘキシル基、１−エチル−２−シクロペンテニル基、１−エチル−２−シクロヘキセニル基、２−メチル−２−アダマンチル基等が挙げられ、トリアルキルシリル基として具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基等が挙げられ、オキソアルキル基として具体的には、３−オキソシクロヘキシル基、４−メチル−２−オキソオキサン−４−イル基、５−メチル−２−オキソオキソラン−５−イル基等が挙げられる。ａ１は０〜６の整数である。
【００１７】
式（４）におけるＲ７、Ｒ８は水素原子又は炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基等を例示できる。Ｒ９は炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい１価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。
【００１８】
【化９】
0004019247.tif 000008
【００１９】
Ｒ７とＲ８、Ｒ７とＲ９、Ｒ８とＲ９とは環を形成してもよく、環を形成する場合にはＲ７、Ｒ８、Ｒ９はそれぞれ炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
【００２０】
上記式（３）の酸不安定基としては、具体的にはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニルメチル基、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニル基、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、１−エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、１−エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、１−エチル−２−シクロペンテニルオキシカルボニル基、１−エチル−２−シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、１−エトキシエトキシカルボニルメチル基、２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、２−テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。
【００２１】
上記式（４）で示される酸不安定基のうち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の基が例示できる。
【００２２】
【化１０】
0004019247.tif 000009
【００２３】
上記式（４）で示される酸不安定基のうち環状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル基、テトラヒドロピラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロピラン−２−イル基等が例示できる。式（４）としては、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エトキシプロピル基が好ましい。
【００２４】
次に、式（５）においてＲ１０、Ｒ１１、Ｒ１２は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基等の１価炭化水素基であり、酸素、硫黄、窒素、フッ素などのヘテロ原子を含んでもよく、Ｒ１０とＲ１１、Ｒ１０とＲ１２、Ｒ１１とＲ１２とは互いに結合して環を形成してもよい。
【００２５】
式（５）に示される三級アルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリエチルカルビル基、１−エチルノルボニル基、１−メチルシクロヘキシル基、１−エチルシクロペンチル基、２−（２−メチル）アダマンチル基、２−（２−エチル）アダマンチル基、ｔｅｒｔ−アミル基等を挙げることができる。
【００２６】
また、更に式（５）の三級アルキル基としては、下記に示す式（５）−１〜（５）−１５を具体的に挙げることもできる。
【００２７】
【化１１】
0004019247.tif 000010
【００２８】
ここで、Ｒ１３、Ｒ１４は炭素数１〜６の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロプロピルメチル基、シクロヘキシル基等を例示できる。Ｒ１５は水素原子、炭素数１〜６のヘテロ原子を含んでもよい１価炭化水素基、又は炭素数１〜６のヘテロ原子を介してもよいアルキル基等の１価炭化水素基を示す。ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子を挙げることができ、−ＯＨ、−ＯＲ（Ｒは炭素数１〜２０、特に１〜１６のアルキル基、以下同じ）、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−ＮＨ２、−ＮＨＲ、−ＮＲ２、−ＮＨ−、−ＮＲ−として含有又は介在することができる。
【００２９】
Ｒ１６としては、水素原子、又は炭素数１〜２０、特に１〜１６のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基又はアルコキシアルコキシ基などを挙げることができ、これらは直鎖状、分岐状、環状のいずれでもい。具体的には、メチル基、ヒドロキシメチル基、エチル基、ヒドロキシエチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、メトキシ基、メトキシメトキシ基、エトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を例示できる。
【００３０】
また、Ｒ２の酸不安定基として用いられる各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。
【００３１】
炭素数４〜２０のオキソアルキル基としては、３−オキソシクロヘキシル基、下記式で示される基が挙げられる。
【００３２】
【化１２】
0004019247.tif 000011
【００３３】
また、Ｒ及びＲ２の酸不安定基としては、下記一般式（６ａ）又は（６ｂ）で表される酸不安定基（架橋基）であってもよく、この場合、上記高分子化合物はこの架橋基によって分子間又は分子内で架橋されたものである。
【００３４】
【化１３】
0004019247.tif 000012
【００３５】
式中、Ｒ19、Ｒ20は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基を示す。又は、Ｒ19とＲ20は結合して環を形成してもよく、環を形成する場合にはＲ19、Ｒ20は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。Ｒ21は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、ｂ、ｄは０又は１〜１０、好ましくは０又は１〜５の整数である。Ａは、ｃ価の炭素数１〜５０の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在してもよく、又はその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はフッ素原子によって置換されていてもよい。Ｂは−ＣＯ−Ｏ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−又は−ＮＨＣＯＮＨ−を示す。ｃは２〜８、ｃ’は１〜７の整数であり、Ｃ＝Ｃ’＋１である。
【００３６】
この場合、好ましくは、Ａは２〜４価の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、アルキルトリイル基、アルキルテトライル基、炭素数６〜３０のアリーレン基であり、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、またその炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、アシル基又はハロゲン原子によって置換されていてもよい。また、ｃ’は好ましくは１〜３の整数である。
【００３７】
架橋基は、上記式（６ａ）、（６ｂ）のｃ’の値から明らかなように、２価に限られず、３価〜８価の基でもよい。例えば、２価の架橋基としては、下記式（６ａ’）、（６ｂ’）、３価の架橋基としては、下記式（６ａ’’）、（６ｂ’’）で示されるものが挙げられる。
【００３８】
【化１４】
0004019247.tif 000013
【００３９】
具体的に例示すると、Ａとして下記のものが挙げられる。
【００４０】
【化１５】
0004019247.tif 000014
【００４１】
【化１６】
0004019247.tif 000015
【００４２】
【化１７】
0004019247.tif 000016
【００４３】
【化１８】
0004019247.tif 000017
【００４４】
【化１９】
0004019247.tif 000018
【００４５】
好ましくは、式（６ａ）においてＲ１９がメチル基、Ｒ２０が水素原子、ｂが０、Ａがエチレン、１，４−ブチレン又は１，４−シクロヘキシレンである。
【００４６】
なお、これらＣ−Ｏ−Ｃ基を有する架橋基により分子間及び／又は分子内で架橋されている高分子化合物を得る際は、対応する非架橋の高分子化合物とアルケニルエーテルを酸触媒条件下常法により反応させることで合成できる。
【００４７】
また、酸触媒条件下で他の酸不安定基の分解が進行する場合には上記のアルケニルエーテルを塩酸等と反応させハロゲン化アルキルエーテルとした後、常法により塩基性条件下高分子化合物と反応させ、目的物を得ることができる。
【００４８】
ここで、アルケニルエーテルの具体例としては、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、１，２−プロパンジオールジビニルエーテル、１，３−プロパンジオールジビニルエーテル、１，３−ブタンジオールジビニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル、テトラメチレングリコールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，４−シクロヘキサンジオールジビニルエーテル、１，４−ジビニロキシメチルシクロヘキサン、テトラエチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ソルビトールテトラビニルエーテル、ソルビトールペンタビニルエーテル、エチレングリコールジエチレンビニルエーテル、トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、エチレングリコールジプロピレンビニルエーテル、トリエチレングリコールジエチレンビニルエーテル、トリメチロールプロパントリエチレンビニルエーテル、トリメチロールプロパンジエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールジエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリエチレンビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラエチレンビニルエーテル並びに以下の式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３１）で示される化合物を挙げることができる。
【００４９】
【化２０】
0004019247.tif 000019
【００５０】
【化２１】
0004019247.tif 000020
【００５１】
【化２２】
0004019247.tif 000021
【００５２】
【化２３】
0004019247.tif 000022
【００５３】
【化２４】
0004019247.tif 000023
【００５４】
【化２５】
0004019247.tif 000024
【００５５】
【化２６】
0004019247.tif 000025
【００５６】
また、テレフタル酸ジエチレンビニルエーテル、フタル酸ジエチレンビニルエーテル、イソフタル酸ジエチレンビニルエーテル、フタル酸ジプロピレンビニルエーテル、テレフタル酸ジプロピレンビニルエーテル、イソフタル酸ジプロピレンビニルエーテル、マレイン酸ジエチレンビニルエーテル、フマル酸ジエチレンビニルエーテル、イタコン酸ジエチレンビニルエーテル等を挙げることができ、更に以下の式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−１１）で示されるものを挙げることができるが、上に例示した化合物に限定されるものではない。
【００５７】
【化２７】
0004019247.tif 000026
【００５８】
【化２８】
0004019247.tif 000027
【００５９】
また、Ｒ３は、炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状もしくは環状の置換又は非置換の１価炭化水素基であり、アルキル基、アリール基、アラルキル基等やこれらの基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原子、特にフッ素原子やＯＲ２基などで置換されたものが挙げられる。
【００６０】
Ｒ３の具体例としては、メチル基、クロロメチル基、エチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ｎ−プロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基などの直鎖状アルキル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの分岐状アルキル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−ノルボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基などの環状アルキル基等を例示することができる。
【００６１】
また、式（１）において、下記式（１ａ）
【化２９】
0004019247.tif 000028
で表される基としては、下記の基が例示される。
【００６２】
【化３０】
0004019247.tif 000029
【００６３】
上記式（１）、（２）において、ｍ、ｎは０≦ｍ≦３、０≦ｎ≦３であり、好ましくはｍ＝３、ｎ＝３である。
【００６４】
上記式（２）において、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕは、０＜ｐ＜１、好ましくは０．０５≦ｐ≦０．９５、より好ましくは０．１≦ｐ≦０．９、更に好ましくは０．１５≦ｐ≦０．８５、０＜ｑ＜１、好ましくは０．０５≦ｑ≦０．９５、より好ましくは０．１≦ｑ≦０．９、更に好ましくは０．１５≦ｑ≦０．８５であり、また０≦ｒ＜１、０≦ｓ＜１、０≦ｔ＜１、０≦ｕ＜１であるが、好ましくは０≦ｒ≦０．６、０≦ｓ≦０．６、０≦ｔ≦０．６、０≦ｕ≦０．６、より好ましくは０≦ｒ≦０．４、０≦ｓ≦０．４、０≦ｔ≦０．４、０≦ｕ≦０．４、更に好ましくは０≦ｒ≦０．２、０≦ｓ≦０．２、０≦ｔ≦０．２、０≦ｕ≦０．２である。なお、ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１である。
【００６５】
本発明の高分子化合物の重量平均分子量は、１，０００〜１００，０００、特に１，５００〜５０，０００であることが好ましい。
【００６６】
上記高分子化合物を製造する場合、一般的には例えば下記合成方法によってトリクロロシランあるいはトリアルコキシシランモノマーを合成し、常法により加水分解及び脱水縮重合反応によって高分子化する。縮重合時、フッ素化アルコールのヒドロキシ基はアセチル基あるいはアルキル基で保護しておき、縮重合後に脱保護する。その後、酸不安定基でこのヒドロキシ基を保護することにより、即ち酸不安定基をＯＨ基に対し部分的に導入することにより、式（１）の繰り返し単位を有する高分子化合物を得ることができる。
【００６７】
【化３１】
0004019247.tif 000030
【００６８】
【化３２】
0004019247.tif 000031
【００６９】
なお、上記一般式（２）において、ｐ＋ｑの値を１に近い値とし、ｒ、ｓ、ｔ、ｕの値を０又は０に近い値とすることが可能であるが、その場合はＲ１で示される基と上記式（１ａ）で示される基の種類によっては所望の分子量、熱力学的性質等の物理的性質を有する高分子化合物を得ることが不可能又は困難となることがある。この課題を解決する手段として、ｒ、ｓ、ｔ、ｕを適当な値に設定することが有効である。その一例として、後述する合成例５の高分子化合物（ＩＩＩ）の分子量を４，０００以上とすることは同じ仕込み組成のままでは困難であるのに対し、合成例７でｔを適当な値に設定することにより、容易に分子量６，０００を超える高分子化合物（Ｖ）が得られていることが挙げられる。
【００７０】
本発明のレジスト材料は上記高分子化合物をベース樹脂とするもので、特には化学増幅型として有効に用いられ、とりわけ化学増幅ポジ型として用いることが好ましい。
【００７１】
この場合、本発明のレジスト材料は、
（Ａ）上記高分子化合物、
（Ｂ）有機溶剤、
（Ｃ）酸発生剤
を必須成分とし、好ましくは
（Ｄ）塩基性化合物、及び／又は、
（Ｅ）溶解阻止剤
を含有することが好ましい。
【００７２】
ここで、本発明で使用される（Ｂ）成分の有機溶剤としては、酸発生剤、ベース樹脂、溶解阻止剤等が溶解可能な有機溶媒であれば何れでも良い。このような有機溶剤としては、例えばシクロヘキサノン、メチル−２−ｎ−アミルケトン等のケトン類、３−メトキシブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール等のアルコール類、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピオン酸ｔｅｒｔ−ブチル、プロピレングリコール−モノ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルアセテート等のエステル類が挙げられ、これらの１種を単独で又は２種以上を混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。本発明では、これらの有機溶剤の中でもレジスト成分中の酸発生剤の溶解性が最も優れているジエチレングリコールジメチルエーテルや１−エトキシ−２−プロパノール、乳酸エチルの他、安全溶剤であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びその混合溶剤が好ましく使用される。
【００７３】
（Ｃ）成分の酸発生剤としては、下記一般式（７）のオニウム塩、式（８）のジアゾメタン誘導体、式（９）のグリオキシム誘導体、β−ケトスルホン誘導体、ジスルホン誘導体、ニトロベンジルスルホネート誘導体、スルホン酸エステル誘導体、イミド−イルスルホネート誘導体等が挙げられる。
【００７４】
（Ｒ３０）ｂＭ＋Ｋ−            （７）
（但し、Ｒ３０は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表し、Ｍ＋はヨードニウム、スルホニウムを表し、Ｋ−は非求核性対向イオンを表し、ｂは２又は３である。）
【００７５】
Ｒ３０のアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、２−オキソシクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。アリール基としてはフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基が挙げられる。アラルキル基としてはベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。Ｋ−の非求核性対向イオンとしては塩化物イオン、臭化物イオン等のハライドイオン、トリフレート、１，１，１−トリフルオロエタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート等のフルオロアルキルスルホネート、トシレート、ベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、１，２，３，４，５−ペンタフルオロベンゼンスルホネート等のアリールスルホネート、メシレート、ブタンスルホネート等のアルキルスルホネートが挙げられる。
【００７６】
【化３３】
0004019247.tif 000032
（但し、Ｒ３１、Ｒ３２は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン化アリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表す。）
【００７７】
Ｒ３１、Ｒ３２のアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等が挙げられる。ハロゲン化アルキル基としてはトリフルオロメチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、１，１，１−トリクロロエチル基、ノナフルオロブチル基等が挙げられる。アリール基としてはフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｍ−メトキシフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ｍ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基等のアルコキシフェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、エチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、ジメチルフェニル基等のアルキルフェニル基が挙げられる。ハロゲン化アリール基としてはフルオロベンゼン基、クロロベンゼン基、１，２，３，４，５−ペンタフルオロベンゼン基等が挙げられる。アラルキル基としてはベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
【００７８】
【化３４】
0004019247.tif 000033
（但し、Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５は炭素数１〜１２の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又はハロゲン化アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基又はハロゲン化アリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表す。また、Ｒ３４、Ｒ３５は互いに結合して環状構造を形成してもよく、環状構造を形成する場合、Ｒ３４、Ｒ３５はそれぞれ炭素数１〜６の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を表す。）
【００７９】
Ｒ３３、Ｒ３４、Ｒ３５のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、ハロゲン化アリール基、アラルキル基としては、Ｒ３１、Ｒ３２で説明したものと同様の基が挙げられる。なお、Ｒ３４、Ｒ３５のアルキレン基としてはメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基等が挙げられる。
【００８０】
具体的には、例えばトリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジフェニルヨードニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルヨードニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ビス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ノナフルオロブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ブタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリメチルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジメチルフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸ジシクロヘキシルフェニルスルホニウム等のオニウム塩、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（キシレンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロペンチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソアミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、１−シクロヘキシルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−アミルスルホニル）ジアゾメタン、１−ｔｅｒｔ−アミルスルホニル−１−（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−ｏ−（メタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（トリフルオロメタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（１，１，１−トリフルオロエタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｔｅｒｔ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（パーフルオロオクタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（シクロヘキサンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−フルオロベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（キシレンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（カンファースルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体、２−シクロヘキシルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２−イソプロピルカルボニル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン等のβ−ケトスルホン誘導体、ジフェニルジスルホン、ジシクロヘキシルジスルホン等のジスルホン誘導体、ｐ−トルエンスルホン酸２，６−ジニトロベンジル、ｐ−トルエンスルホン酸２，４−ジニトロベンジル等のニトロベンジルスルホネート誘導体、１，２，３−トリス（メタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ベンゼン、１，２，３−トリス（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼン等のスルホン酸エステル誘導体、フタルイミド−イル−トリフレート、フタルイミド−イル−トシレート、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−イル−トリフレート、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−イル−トシレート、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−イル−ｎ−ブチルスルホネート等のイミド−イル−スルホネート誘導体等が挙げられるが、トリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリフルオロメタンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ｐ−トルエンスルホン酸トリス（ｐ−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム等のオニウム塩、ビス（ベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｓｅｃ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｎ−プロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（イソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン等のジアゾメタン誘導体、ビス−ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等のグリオキシム誘導体が好ましく用いられる。なお、上記酸発生剤は１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。オニウム塩は矩形性向上効果に優れ、ジアゾメタン誘導体及びグリオキシム誘導体は定在波低減効果に優れるが、両者を組み合わせることにより、プロファイルの微調整を行うことが可能である。
【００８１】
酸発生剤の配合量は、全ベース樹脂１００部（重量部、以下同じ）に対して０．２〜１５部、特に０．５〜８部とすることが好ましく、０．２部に満たないと露光時の酸発生量が少なく、感度及び解像力が劣る場合があり、１５部を超えるとレジストの透過率が低下し、解像力が劣る場合がある。
【００８２】
（Ｄ）成分としての塩基性化合物は、酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適しており、このような塩基性化合物の配合により、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上することができる（特開平５−２３２７０６号、同５−２４９６８３号、同５−１５８２３９号、同５−２４９６６２号、同５−２５７２８２号、同５−２８９３２２号、同５−２８９３４０号公報等記載）。
【００８３】
このような塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられるが、特に脂肪族アミンが好適に用いられる。
【００８４】
具体的には、第一級の脂肪族アミン類として、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ−アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。
【００８５】
また、混成アミン類としては、例えばジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体（例えばアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、２−ニトロアニリン、３−ニトロアニリン、４−ニトロアニリン、２，４−ジニトロアニリン、２，６−ジニトロアニリン、３，５−ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルトルイジン等）、ジフェニル（ｐ−トリル）アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体（例えばピロール、２Ｈ−ピロール、１−メチルピロール、２，４−ジメチルピロール、２，５−ジメチルピロール、Ｎ−メチルピロール等）、オキサゾール誘導体（例えばオキサゾール、イソオキサゾール等）、チアゾール誘導体（例えばチアゾール、イソチアゾール等）、イミダゾール誘導体（例えばイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体（例えばピロリン、２−メチル−１−ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えばピロリジン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチルピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体（例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、４−（１−ブチルペンチル）ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリジン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリジン、４−ピロリジノピリジン、１−メチル−４−フェニルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えばキノリン、３−キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
【００８６】
更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体（例えばニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、メトキシアラニン等）等が例示され、スルホニル基を有する含窒素化合物として３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示され、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、２−ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、２，４−キノリンジオール、３−インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２，２’−イミノジエタノール、２−アミノエタノ−ル、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］ピペラジン、ピペリジンエタノール、１−（２−ヒドロキシエチル）ピロリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリジノン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、３−ピロリジノ−１，２−プロパンジオール、８−ヒドロキシユロリジン、３−クイヌクリジノール、３−トロパノール、１−メチル−２−ピロリジンエタノール、１−アジリジンエタノール、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）フタルイミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）イソニコチンアミド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。
【００８７】
更に、下記一般式（１０）及び（１１）で示される塩基性化合物を配合することもできる。
【００８８】
【化３５】
0004019247.tif 000034
（式中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４７、Ｒ４８はそれぞれ独立して直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭素数１〜２０のアルキレン基、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４９、Ｒ５０は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基又はアミノ基を示し、Ｒ４４とＲ４５、Ｒ４５とＲ４６、Ｒ４４とＲ４６、Ｒ４４とＲ４５とＲ４６、Ｒ４９とＲ５０はそれぞれ結合して環を形成してもよい。Ｓ、Ｔ、Ｕはそれぞれ０〜２０の整数を示す。但し、Ｓ、Ｔ、Ｕ＝０のとき、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４９、Ｒ５０は水素原子を含まない。）
【００８９】
ここで、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４７、Ｒ４８のアルキレン基としては、炭素数１〜２０、好ましくは１〜１０、更に好ましくは１〜８のものであり、具体的には、メチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、イソプロピレン基、ｎ−ブチレン基、イソブチレン基、ｎ−ペンチレン基、イソペンチレン基、ヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、シクロペンチレン基、シクロへキシレン基等が挙げられる。
【００９０】
また、Ｒ４４、Ｒ４５、Ｒ４６、Ｒ４９、Ｒ５０のアルキル基としては、炭素数１〜２０、好ましくは１〜８、更に好ましくは１〜６のものであり、これらは直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよい。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ヘキシル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、トリデシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００９１】
更に、Ｒ４４とＲ４５、Ｒ４５とＲ４６、Ｒ４４とＲ４６、Ｒ４４とＲ４５とＲ４６、Ｒ４９とＲ５０が環を形成する場合、その環の炭素数は１〜２０、より好ましくは１〜８、更に好ましくは１〜６であり、またこれらの環は炭素数１〜６、特に１〜４のアルキル基が分岐していてもよい。
【００９２】
Ｓ、Ｔ、Ｕはそれぞれ０〜２０の整数であり、より好ましくは１〜１０、更に好ましくは１〜８の整数である。
【００９３】
上記式（１０）、（１１）の化合物として具体的には、トリス｛２−（メトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛（２−メトキシエトキシ）メトキシ｝エチル］アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル］アミン、４，７，１３，１６，２１，２４−ヘキサオキサ−１，１０−ジアザビシクロ［８．８．８］ヘキサコサン、４，７，１３，１８−テトラオキサ−１，１０−ジアザビシクロ［８．５．５］エイコサン、１，４，１０，１３−テトラオキサ−７，１６−ジアザビシクロオクタデカン、１−アザ−１２−クラウン−４、１−アザ−１５−クラウン−５、１−アザ−１８−クラウン−６等が挙げられる。特に第三級アミン、アニリン誘導体、ピロリジン誘導体、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、アミノ酸誘導体、ヒドロキシ基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体、トリス｛２−（メトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛（２−メトキシエトキシ）メチル｝エチル］アミン、１−アザ−１５−クラウン−５等が好ましい。
【００９４】
なお、上記塩基性化合物は１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は全ベース樹脂１００部に対して０．０１〜２部、特に０．０１〜１部が好適である。配合量が０．０１部より少ないと配合効果がなく、２部を超えると感度が低下しすぎる場合がある。
【００９５】
次に、（Ｅ）成分としての溶解阻止剤としては、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が変化する分子量３，０００以下の化合物、特に２，５００以下の低分子量フェノールあるいはカルボン酸誘導体の一部あるいは全部を酸に不安定な置換基で置換した化合物を挙げることができる。
【００９６】
分子量２，５００以下のフェノールあるいはカルボン酸誘導体としては、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビスフェノール、［１，１’−ビフェニル−４，４’−ジオール］２，２’−メチレンビス［４−メチルフェノール］、４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）吉草酸、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，１−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、フェノールフタレイン、チモールフタレイン、３，３’ジフルオロ［（１，１’−ビフェニル）４，４’−ジオール］、３，３’，５，５’−テトラフルオロ［（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジオール］、４，４’−［２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン］ビスフェノール、４，４’−メチレンビス［２−フルオロフェノール］、２，２’−メチレンビス［４−フルオロフェノール］、４，４’イソプロピリデンビス［２−フルオロフェノール］、シクロヘキシリデンビス［２−フルオロフェノール］、４，４’−［（４−フルオロフェニル）メチレン］ビス［２−フルオロフェノール］、４，４’−メチレンビス［２，６−ジフルオロフェノール］、４，４’−（４−フルオロフェニル）メチレンビス［２，６−ジフルオロフェノール］、２，６−ビス［（２−ヒドロキシ−５−フルオロフェニル）メチル］−４−フルオロフェノール、２，６−ビス［（４−ヒドロキシ−３−フルオロフェニル）メチル］−４−フルオロフェノール、２，４−ビス［（３−ヒドロキシ−４−ヒドロキシフェニル）メチル］−６−メチルフェノール等が挙げられ、酸に不安定な置換基としては、Ｒ２と同様のものが挙げられる。
【００９７】
好適に用いられる溶解阻止剤の例としては、３，３’，５，５’−テトラフルオロ［（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル］、４，４’−［２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチリデン］ビスフェノール−４，４’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル、ビス（４−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン、ビス（４−（２’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）メタン、ビス（４−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタン、ビス（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）メタン、２，２−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ））プロパン、２，２−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−（１’’−エトキシエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−（１’’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）プロパン、４，４−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（１’’−エトキシエトキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、４，４−ビス（４’−（１’’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔ−ブチル、トリス（４−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン、トリス（４−（２’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシメチルフェニル）メタン、トリス（４−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタン、トリス（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）メタン、１，１，２−トリス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）エタン、２−トリフルオロメチルベンゼンカルボン酸１，１−ｔ−ブチルエステル、２−トリフルオロメチルシクロヘキサンカルボン酸−ｔ−ブチルエステル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジカルボン酸−ｔ−ブチルエステル、コール酸−ｔ−ブチルエステル、デオキシコール酸−ｔ−ブチルエステル、アダマンタンカルボン酸−ｔ−ブチルエステル、アダマンタン酢酸−ｔ−ブチルエステル、［１，１’−ビシクロヘキシル−３，３’，４，４’−テトラカルボン酸テトラ−ｔ−ブチルエステル］等が挙げられる。
【００９８】
本発明のレジスト材料中における溶解阻止剤の添加量としては、レジスト材料中の固形分１００部に対して２０部以下、好ましくは１５部以下である。２０部より多いとモノマー成分が増えるためレジスト材料の耐熱性が低下する。
【００９９】
本発明のレジスト材料には、上記成分以外に任意成分として塗布性を向上させるために慣用されている界面活性剤を添加することができる。なお、任意成分の添加量は、本発明の効果を妨げない範囲で通常量とすることができる。
【０１００】
ここで、界面活性剤としては非イオン性のものが好ましく、パーフルオロアルキルポリオキシエチレンエタノール、フッ素化アルキルエステル、パーフルオロアルキルアミンオキサイド、含フッ素オルガノシロキサン系化合物等が挙げられる。例えばフロラード「ＦＣ−４３０」、「ＦＣ−４３１」（いずれも住友スリーエム（株）製）、サーフロン「Ｓ−１４１」、「Ｓ−１４５」、「Ｓ−３８１」、「Ｓ−３８３」（いずれも旭硝子（株）製）、ユニダイン「ＤＳ−４０１」、「ＤＳ−４０３」、「ＤＳ−４５１」（いずれもダイキン工業（株）製）、メガファック「Ｆ−８１５１」、「Ｆ−１７１」、「Ｆ−１７２」、「Ｆ−１７３」、「Ｆ−１７７」（いずれも大日本インキ工業（株）製）、「Ｘ−７０−０９２」、「Ｘ−７０−０９３」（いずれも信越化学工業（株）製）等を挙げることができる。好ましくは、フロラード「ＦＣ−４３０」（住友スリーエム（株）製）、「Ｘ−７０−０９３」（信越化学工業（株）製）が挙げられる。
【０１０１】
本発明のレジスト材料を使用してパターンを形成するには、公知のリソグラフィー技術を採用して行うことができ、例えばシリコンウエハー等の基板上にスピンコーティング等の手法で膜厚が０．１〜１．０μｍとなるように塗布し、これをホットプレート上で６０〜２００℃、１０秒〜１０分間、好ましくは８０〜１５０℃、３０秒〜５分間プリベークする。次いで目的のパターンを形成するためのマスクを上記のレジスト膜上にかざし、波長３００ｎｍ以下の遠紫外線、エキシマレーザー、Ｘ線等の高エネルギー線もしくは電子線を露光量１〜２００ｍＪ／ｃｍ２程度、好ましくは１０〜１００ｍＪ／ｃｍ２程度となるように照射した後、ホットプレート上で６０〜１５０℃、１０秒〜５分間、好ましくは８０〜１３０℃、３０秒〜３分間ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）する。更に、０．１〜５％、好ましくは２〜３％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液の現像液を用い、１０秒〜３分間、好ましくは３０秒〜２分間、浸漬（ｄｉｐ）法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレー（ｓｐｒａｙ）法等の常法により現像することにより基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明材料は、特に高エネルギー線の中でも２５４〜１２０ｎｍの遠紫外線又はエキシマレーザー、特に１９３ｎｍのＡｒＦ、１５７ｎｍのＦ２、１４６ｎｍのＫｒ２、１３４ｎｍのＫｒＡｒ、１２６ｎｍのＡｒ２などのエキシマレーザー、Ｘ線及び電子線による微細パターンニングに最適である。また、上記範囲を上限及び下限から外れる場合は、目的のパターンを得ることができない場合がある。その後、必要に応じ、常法に従い酸素プラズマエッチンにより下地の加工を行うことができる。
【０１０２】
【発明の効果】
本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、２００ｎｍ以下、特には１７０ｎｍ以下の波長における感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れている。従って、本発明のレジスト材料は、これらの特性より、特にＦ２エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超ＬＳＩ製造用の微細パターン形成材料として好適である。
【０１０３】
【実施例】
以下、合成例、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記例に制限されるものではない。
【０１０４】
［合成例１］５−（２−アセトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル）エチル−２−ノルボルネン
２００ｍｌのオートクレーブに、シクロペンタジエン（１４．９ｇ）と１，１−ビストリフルオロメチル−３−ブテン−１−オール（４３．８ｇ）を仕込み、１８０℃で２時間撹拌した。反応混合物を減圧蒸留し、１９．６ｇの５−（２−ヒドロキシ−２，２−ビストリフルオロメチル）エチル−２−ノルボルネンを得た（沸点８４〜８８℃／３．３３ｋＰａ）。２００ｍｌの３つ口フラスコに水素化ナトリウム（１．９ｇ）とテトラヒドロフラン（９０ｍｌ）を仕込み、上記のノルボルネン誘導体（１８．０ｇ）のテトラヒドロフラン（９０ｍｌ）溶液を水素の発生に注意し滴下した。３０分間室温で撹拌した後、氷冷下、塩化アセチル（８．０ｇ）を１時間かけて滴下し、室温で１時間撹拌した。反応混合物を氷冷した炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、水層をジエチルエーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥後、濾過、濃縮し、減圧蒸留（沸点９０〜９４℃／３．３３ｋＰａ）して、目的の５−（２−アセトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル）エチル−２−ノルボルネン（１６．６ｇ）を得た。その生成はマススペクトルにより確認した。
【０１０５】
［合成例２］（２−アセトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル）エチル−トリクロロシリルノルボルナン
撹拌機、還流器、滴下ロート及び温度計を備えた１００ｍｌの３つ口フラスコに、５−（２−アセトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル）エチル−２−ノルボルネン（９．０ｇ）、２０重量％塩化白金酸−イソプロパノール溶液（０．００９ｇ）、イソオクタン（１５ｍｌ）を仕込み、８０℃に加熱した。内温が安定した後、トリクロロシラン（４．３ｇ）を３０分かけて滴下した。滴下終了後、反応液を８０℃で５時間撹拌した。反応液を減圧蒸留し、（２−アセトキシ−２，２−ビストリフルオロメチル）エチル−トリクロロシリルノルボルナン（８．２ｇ）を沸点９８〜１０２℃／１０Ｐａの留分として得た。
【０１０６】
［合成例３］ポリマー（Ｉ）
２００ｍｌの３つ口フラスコに、トリエチルアミン（８．５ｇ）、トルエン（５ｍｌ）、メチルイソブチルケトン（５ｍｌ）、水（１０ｍｌ）を仕込み、氷冷下、合成例２で得たノルボルナン誘導体（５．０ｇ）を滴下し、室温で１時間撹拌した。この反応混合物をメチルイソブチルケトンで希釈し、ｐＨが８以下となるまで食塩と塩化アンモニウムの混合水溶液で繰り返し洗浄し、濃縮した。これをトルエンに溶解して濾過し、２００ｍｌの３つ口フラスコ中、２００℃で１２時間撹拌し、重量平均分子量３，２００のポリマー（４．１ｇ）を得た。放冷後、炭酸カリウム（７．７ｇ）、メタノール（４５ｍｌ）、テトラヒドロフラン（５５ｍｌ）、水（１０ｍｌ）を加え、室温で１２時間撹拌した。これに飽和塩化アンモニウム水溶液（５０ｍｌ）と水（１０ｍｌ）を加え、水層をエーテルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥後、濾過、濃縮した。これをテトラヒドロフラン（５０ｍｌ）に溶解し、メタンスルホン酸（０．３ｇ）を加えた後、３０℃でエチルビニルエーテル（１．３ｇ）を加えて３時間撹拌し、濃アンモニア水を加え中和した。この反応液を酢酸エチルに溶媒交換し、純水とアセトンの混合溶液で６回洗浄した後、アセトンに溶媒交換し、純水に滴下した。晶析物を濾過で集め、純水で洗浄し、真空乾燥して３．９ｇの白色粉末を得た。ＮＭＲとＧＰＣ分析の結果、このものは下記式で示される重量平均分子量３，３００のポリマー（Ｉ）であることが確認された。
【０１０７】
【化３６】
0004019247.tif 000035
【０１０８】
［合成例４］ポリマー（ＩＩ）
エチルビニルエーテルの代わりに３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランを用いた以外は合成例３と全く同様にして、下記式で示される重量平均分子量３，４００のポリマー（ＩＩ）（４．０ｇ）を得た。
【０１０９】
【化３７】
0004019247.tif 000036
【０１１０】
［合成例５］ポリマー（ＩＩＩ）
２００ｍｌの３つ口フラスコに、トリエチルアミン（８．５ｇ）、トルエン（５ｍｌ）、メチルイソブチルケトン（５ｍｌ）、水（１０ｍｌ）を仕込み、氷冷下、合成例２で得たノルボルナン誘導体（５．９３ｇ）とトリクロロメチルシラン（０．３５ｇ）の混合物を滴下し、室温で１時間撹拌した。この反応混合物をメチルイソブチルケトンで希釈し、ｐＨが８以下となるまで食塩と塩化アンモニウムの混合水溶液で繰り返し洗浄し、濃縮した。これをトルエンに溶解して濾過し、２００ｍｌの３つ口フラスコ中、２００℃で１２時間撹拌し、重量平均分子量３，６００のポリマー（３．９１ｇ）を得た。放冷後、炭酸カリウム（７．５ｇ）、メタノール（４０ｍｌ）、テトラヒドロフラン（５０ｍｌ）、水（１０ｍｌ）を加え、室温で１２時間撹拌した。これに飽和塩化アンモニウム水溶液（５０ｍｌ）と水（１０ｍｌ）を加え、水層をエーテルで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥後、濾過、濃縮した。これをテトラヒドロフラン（５０ｍｌ）に溶解し、メタンスルホン酸（０．３０ｇ）を加えた後、３０℃でエチルビニルエーテル（１．３０ｇ）を加えて３時間撹拌し、濃アンモニア水を加え中和した。この反応液を酢酸エチルに溶媒交換し、純水とアセトンの混合溶液で６回洗浄した後、アセトンに溶媒交換し、純水に滴下した。晶析物を濾過で集め、純水で洗浄し、真空乾燥して３．７２ｇの白色粉末を得た。ＮＭＲとＧＰＣ分析の結果、このものは下記式で示される重量平均分子量３，８００のポリマー（ＩＩＩ）であることが確認された。
【０１１１】
【化３８】
0004019247.tif 000037
【０１１２】
［合成例６］ポリマー（ＩＶ）
エチルビニルエーテルの代わりに３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランを用いた以外は合成例５と全く同様にして、下記式で示される重量平均分子量３，９００のポリマー（ＩＶ）（３．７９ｇ）を得た。
【０１１３】
【化３９】
0004019247.tif 000038
【０１１４】
［合成例７］ポリマー（Ｖ）
加水分解反応時の原料として、合成例２で得たノルボルナン誘導体（５．８１ｇ）、トリクロロメチルシラン（０．４３ｇ）、１，２−ビス（クロロジメチルシリル）エタン（０．０７ｇ）の混合物を用いた以外は合成例５と全く同様にして、下記式で示される重量平均分子量６，４００のポリマー（Ｖ）（３．８９ｇ）を得た。
【０１１５】
【化４０】
0004019247.tif 000039
【０１１６】
［比較合成例］
反応器に１，２００ｍｌの水を仕込み、３０℃で撹拌しながらトリクロロ−ｐ−メトキシベンジルシラン４８７．２ｇ（２．０ｍｏｌ）及びトルエン６００ｍｌの混合液を２時間かけて滴下し、加水分解を行った。その後分液操作により水層を除去し、有機層は水層が中性になるまで水洗を行った。有機層へヘキサメチルジシラザン８０ｇを添加し５時間還流を行った。冷却後、トルエン並びに未反応のヘキサメチルジシラザンをエバポレーターによって留去し、次いでアセトニトリル４００ｇに溶解した。この溶液中に６０℃以下でトリメチルシリルヨージド４８０ｇを滴下し、６０℃で１０時間反応させた。反応終了後、水２００ｇを加えて加水分解を行い、次いでデカントによりポリマー層を得た。溶媒をエバポレーターで除去後、ポリマーを真空乾燥することにより、ポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン）３３０ｇを得た。このポリマーの分子量をＧＰＣによって測定したところ、Ｍｗ＝３，５００であった。
【０１１７】
２Ｌのフラスコ中で上記のポリ（ｐ−ヒドロキシベンジルシルセスキオキサン）１６０ｇをジメチルホルムアミド１，０００ｍｌに溶解した後、触媒量のｐ−トルエンスルホン酸を添加し、２０℃で撹拌しながらエチルビニルエーテル１９．０ｇを添加した。１時間反応させた後、濃アンモニア水により中和し、水１０Ｌに中和反応液を滴下したところ、白色固体が得られた。これを濾過後、アセトン５００ｍｌに溶解させ、水１０Ｌに滴下し、濾過後、真空乾燥した。ＮＭＲとＧＰＣ分析の結果、このものは下記式で示される重量平均分子量３，８００のポリマー（ＶＩ）であることが確認された。
【０１１８】
【化４１】
0004019247.tif 000040
【０１１９】
次に、上で得られたポリマーの光透過率を下記方法により評価した。結果を表１に示す。
ポリマーの光透過率測定：
得られたポリマー１ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）１０ｇに十分に溶解させ、ポアサイズ０．２μｍのフィルターで濾過して、ポリマー溶液を調製した。
ポリマー溶液をＭｇＦ２基板にスピンコーティング、ホットプレートを用いて１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１００ｎｍのポリマー層をＭｇＦ２基板上に作成した。真空紫外光度計（日本分光製、ＶＵＶ２００Ｓ）を用いて波長２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍにおける光透過率を測定した。
【０１２０】
【表１】
0004019247.tif 000041
【０１２１】
耐ドライエッチング性試験：
上記ポリマー２ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート１０ｇに十分溶解させ、０．２μｍのフィルターで濾過してポリマー溶液を調製した。
このポリマー溶液をＳｉ基板にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて１００℃で９０秒間ベークし、厚さ３００ｎｍのポリマー層をＳｉ基板上に作成した。下記の条件でドライエッチングを行い、ポリマーのエッチング耐性を評価した。
Ｏ２ガスでのエッチング試験：
東京エレクトロン株式会社製ドライエッチング装置ＴＥ−８５００Ｐを用い、エッチング前後のポリマーの膜厚差を求めた。結果を表２に示す。
【０１２２】
エッチング条件は下記に示す通りである。
Ｐｒｅｓｓ            ６０Ｐａ
Ｐｏｗｅｒ            ６００Ｗ
Ａｒ          ４０ｍｌ／ｍｉｎ
Ｏ２          ６０ｍｌ／ｍｉｎ
Ｇａｐ                  ９ｍｍ
Ｔｉｍｅ            ６０ｓｅｃ
【０１２３】
【表２】
0004019247.tif 000042
【０１２４】
［実施例、比較例］
表３に示す組成のレジスト液を調製した。一方、シリコンウエハーにＤＵＶ−３０（日産化学製）を５５ｎｍの膜厚で成膜し、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）に対する反射率を１％以下に抑えた基板を作成した。次に、上記のレジスト液をこの基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて１００℃で９０秒間ベークし、レジスト膜の厚さを１００ｎｍとした。
これをエキシマレーザーステッパー（ニコン社、ＮＳＲ−Ｓ２０２Ａ，ＮＡ−０．６、σ０．７５、２／３輪帯照明）を用いて露光し、露光後直ちに１１０℃で９０秒間ベークし、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で３０秒間現像を行って、ポジ型のパターンを得た。
得られたレジストパターンを次のように評価した。結果を表３に示す。
評価方法：
０．２０μｍのラインアンドスペースを１：１で解像する露光量を最適露光量（Ｅｏｐ）＝感度（ｍＪ／ｃｍ２）として、この露光量において分離しているラインアンドスペースの最小線幅を評価レジストの解像度（μｍ）とした。
【０１２５】
【表３】
0004019247.tif 000043
【０１２６】
【化４２】
0004019247.tif 000044
【０１２７】
表１〜３の結果より、本発明の高分子化合物を用いたレジスト材料は、従来提案されているベンジルシルセスキオキサンタイプと同程度の解像力と感度を満たし、エッチング後の膜厚差が小さいことより、優れた耐ドライエッチング性を有していることがわかった。更にＶＵＶ領域での光透過率が非常に高く、Ｆ２リソグラフィー、あるいはＡｒＦリソグラフィーにおいても有望な材料であることがわかった。