(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方主面と他方主面を有する誘電体の基板と、該基板の内部において、前記基板の一方主面から他方主面に渡って形成した面状導体と、前記基板の一方主面に形成した回路パターンと、前記基板の他方主面に形成した接地電極とを有し、前記面状導体のうち２枚が近接して平行に配置され、前記基板の一方主面において、２つの前記回路パターンを前記２枚の面状導体のそれぞれの一端と電気的に接続し、
前記基板の他方主面において、前記２枚の面状導体の他端を前記接地電極と絶縁してなることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
一方主面と他方主面を有する誘電体の基板と、該基板の内部において、前記基板の一方主面から他方主面に渡って形成した面状導体と、前記基板の一方主面に形成した回路パターンと、前記基板の他方主面に形成した接地電極とを有し、前記面状導体のうち２枚が近接して平行に配置され、前記基板の一方主面において、前記２枚の面状導体の一方の一端を前記回路パターンと電気的に接続し、
前記基板の他方主面において、前記２枚の面状導体の一方の他端を前記接地電極と絶縁するとともに、前記２枚の面状導体の他方の他端を前記接地電極と電気的に接続してなることを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は回路基板および回路基板の作成方法、特に高周波回路用の回路基板および回路基板の作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年の通信システムの高周波化の進展の中で、高周波用の回路基板においても、回路の接地の安定性や隣接する回路間のアイソレーションのよりいっそうの改善が求められるようになってきている。
【０００３】
図１１（ａ）および（ｂ）に、そのような要求に対応する従来の回路基板の断面図を示す。図１１（ａ）および（ｂ）において、回路基板１は、誘電体の基板２の一方主面２ａにいくつかの回路パターンを形成し、基板２の他方主面２ｂに接地電極３を形成して構成されており、回路基板１内にいくつかのサブ回路を有している。
【０００４】
まず、図１１（ａ）において、サブ回路６は、基板２の一方主面２ａに形成した回路パターンである電極４と、基板２を貫通して電極４と接地電極３を電気的に接続するビアホール５で構成されている。このように構成することによって、サブ回路６の電極４は基板２の一方主面２ａにおける接地電極として利用できるようになる。
【０００５】
次に、同じく図１１（ａ）において、サブ回路９は、基板２の一方主面２ａにおいて、サブ回路６と同様に形成した電極４を挟んで、その両側に同じく回路パターンである電極７と電極８を形成されている。ここで、ビアホール５は図１１（ａ）の奥行き方向に適当な間隔で１つ以上設けられ、電極４はすべてのビアホール５と電気的に接続するように奥行き方向に長く形成されている。このように構成することによって、サブ回路９の電極７と電極８は、接地電極として動作する電極４を間に挟むことによって、電気的にある程度遮断される。このようにして、サブ回路９においては電極７と電極８との間、すなわち２つの回路パターン間のアイソレーションを取ることができる。
【０００６】
次に、図１１（ｂ）において、サブ回路１３は、基板２の一方主面２ａにおいて、回路パターンである電極１０と絶縁膜１１と電極１２を重ねて形成して構成されている。このように構成することによって、サブ回路１３の電極１０と電極１２との間には容量が形成され、サブ回路１３はコンデンサとして利用できるようになる。
【０００７】
そして、同じく図１１（ｂ）において、サブ回路１７は、基板２の一方主面２ａにおいて、回路パターンである電極１４と絶縁膜１５と電極１６を重ねて形成し、ビアホール５で電極１４と接地電極３を電気的に接続して構成されている。このように構成することによって、サブ回路１７の電極１４と電極１６との間には容量が形成され、しかも電極１４は接地電極として動作するため、サブ回路１７は接地との間のコンデンサとして利用できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の回路基板１においては、まず、サブ回路６はビアホール５で電極４と接地電極３を電気的に接続しているため、接続導体、すなわち円筒状もしくは円柱状に形成されたビアホール５の有するインダクタンス成分によって電極４の接地条件が不安定になるという問題がある。また、通常は回路基板を設計する都度ビアホールの位置が変わるため、ビアホールを用いる場合には、その都度穴開けや穴内部のメタライズなどが必要で、回路基板の作成コストが高くなり、作成期間が長くなるという問題がある。
【０００９】
また、サブ回路９においては、サブ回路６の問題点に加えて、ビアホール５を間隔をあけて形成しているために、基板２の内部において電極７と電極８との間を必ずしも十分に電気的に遮断できず、電極７と電極８との間、すなわち２つの回路パターン間のアイソレーションを大きく取れないという問題がある。そして、アイソレーションを大きく取るためには２つの回路パターンの間隔を大きくする必要が生じ、それが回路基板の小型化の妨げになるという問題もある。
【００１０】
また、サブ回路１３においては、電極１０および電極１２と絶縁膜１５を重ねて形成する必要があるため、回路パターン形成のコストが高くなるという問題がある。しかも、電極１０と接地電極３を平行に形成しているため、両者の間の寄生容量が大きくなり、回路基板１の高周波特性を劣化させるという問題もある。
【００１１】
そして、サブ回路１７においては、サブ回路１３とサブ回路６の両方の問題点を有する。
【００１２】
本発明は上記の問題点を解決することを目的とするもので、回路パターンの接地条件を安定にすることができ、また、隣接する２つの回路パターン間のアイソレーションを大きく取ることのできる回路基板および回路基板の作成方法を提供する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の回路基板は、一方主面と他方主面を有する誘電体の基板と、該基板の内部において、前記基板の一方主面から他方主面に渡って形成した面状導体と、前記基板の一方主面に形成した回路パターンと、前記基板の他方主面に形成した接地電極とを有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の回路基板は、前記面状導体が前記基板の一方主面および他方主面と直交してなることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の回路基板は、前記面状導体が同一面上において間隔をあけて複数に分離してなることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の回路基板は、前記基板の誘電率を、前記面状導体を境界にして異ならせてなることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の回路基板は、２枚の前記面状導体が近接して平行に配置してなることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の回路基板は、前記基板の一方主面において前記面状導体の一端を前記回路パターンと電気的に接続し、
前記基板の他方主面において前記面状導体の他端を前記接地電極と電気的に接続してなることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の回路基板は、前記基板の一方主面において前記面状導体の一端を境界として２つの前記回路パターンを離隔して設け、
前記基板の他方主面において前記面状導体の他端を前記接地電極と電気的に接続してなることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の回路基板は、前記基板の一方主面において前記面状導体の一端と絶縁し、かつ交差して前記回路パターンを設け、
前記基板の他方主面において前記面状導体の他端を前記接地電極と電気的に接続してなることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の回路基板は、前記基板の一方主面において、２つの前記回路パターンを前記２枚の面状導体のそれぞれの一端と電気的に接続し、
前記基板の他方主面において、前記２枚の面状導体の他端を前記接地電極と絶縁してなることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明の回路基板は、前記基板の一方主面において、前記２枚の面状導体の一方の一端を前記回路パターンと電気的に接続し、
前記基板の他方主面において、前記２枚の面状導体の一方の他端を前記接地電極と絶縁するとともに、前記２枚の面状導体の他方の他端を前記接地電極と電気的に接続してなることを特徴とする。
【００２３】
また、本発明の回路基板の作成方法は、誘電体層と導体層とを、その厚み方向に交互に積層して積層体を作成する第１の工程と、
前記積層体を前記誘電体層および前記導体層と垂直な方向に所定の厚さで切り出して基板を作成する第２の工程と、
前記基板の一方主面に回路パターンを形成するとともに、前記基板の他方主面に接地電極を形成して回路基板を作成する第３の工程とからなることを特徴とする。
【００２４】
また、本発明の回路基板の作成方法は、前記誘電体層がセラミック材料からなり、前記第１の工程において、交互に積層した前記誘電体層と前記導体層を焼成して前記積層体を作成することを特徴とする。
【００２５】
また、本発明の回路基板の作成方法は、前記誘電体層がセラミック材料からなり、前記第３の工程において、前記回路パターンおよび前記接地電極を前記基板と同時に焼成して前記回路基板を作成することを特徴とする。
【００２６】
このように構成することにより、本発明の回路基板においては、回路パターンの接地条件を安定にすることができ、また回路パターン間のアイソレーションを大きく取り、回路基板の小型化を図ることができる。
【００２７】
また、本発明の回路基板の作成方法においては、上記の回路基板を容易に作成することができ、また回路基板の作成コストの低減と作成期間の短縮を図ることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
図１に、本発明の回路基板の一実施例の一部透視斜視図を示す。図１において、回路基板２０は、一様な誘電体からなる基板２１の内部において、基板２１の一方主面２１ａから他方主面２１ｂに渡って形成した複数の面状導体２２を有し、他方主面２１ｂに接地電極２３を形成して構成している。ここで、複数の面状導体２２は互いに平行に、しかも基板２１の一方主面２１ａおよび他方主面２１ｂと直交して形成しているとともに、その一方の端部（基板２１の他方主面２１ｂ側の端部）を接地電極２３と電気的に接続している。
【００２９】
図２に、本発明の回路基板の別の実施例の一部透視斜視図を示す。図２において、図１と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。図２において、回路基板２５は、誘電体の基板２１の内部において、基板２１の一方主面２１ａから他方主面２１ｂに渡って形成した複数の面状導体２６を有している。ここで、面状導体２６は基板２１の一方主面２１ａおよび他方主面２１ｂと直交し、しかも同一面上において間隔をあけて複数に分離して形成しているとともに、その一方の端部を接地電極２３と電気的に接続している。
【００３０】
図３に、本発明の回路基板のさらに別の実施例の一部透視斜視図を示す。図３において、図１と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。図３において、回路基板３０は、誘電体の基板２１の内部において、基板２１の一方主面２１ａから他方主面２１ｂに渡って形成した複数の面状導体３１および３２の対を有している。ここで、面状導体３１および３２の対は近接して平行に配置している。さらに、面状導体３１および３２の対は基板２１の一方主面２１ａおよび他方主面２１ｂと直交しているとともに、その一方の端部を基本的に接地電極２３と電気的に接続している。
【００３１】
図４に、本発明の回路基板のさらに別の実施例の一部透視斜視図を示す。図４において、図１と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。図４において、回路基板３５は、誘電体の基板２１の内部において、基板２１の一方主面２１ａから他方主面２１ｂに渡って形成した複数の面状導体３６および３７の対を有している。ここで、面状導体３６および３７の対は近接して平行に配置している。さらに、面状導体３６および３７の対は基板２１の一方主面２１ａおよび他方主面２１ｂと直交し、しかもそれぞれ同一面上において間隔をあけて複数に分離して形成しているとともに、その一方の端部を基本的に接地電極２３と電気的に接続している。
【００３２】
なお、図１ないし図４に示した各回路基板２０、２５、３０、３５において、基板２１の一方主面２１ａには本来なら回路パターンを形成するが、面状導体２２、２６、３１および３２、３６および３７の構成が分かりにくくなるため、回路パターンの詳細については以下に述べることにして、ここでは省略している。
【００３３】
次に、図１ないし図４に示した各回路基板２０、２５、３０、３５において、基板２１の一方主面２１ａに回路パターンを形成した状態について説明する。
【００３４】
まず、図５に、図１に示した回路基板２０において、基板２１の一方主面２１ａに回路パターンを形成している状態の断面図を示す。図５は、回路基板２０を面状導体２２と直交する方向に切断した断面図である。
【００３５】
図５において、サブ回路４０は、基板２１の一方主面２１ａにおいて、面状導体２２の一端（基板２１の一方主面２１ａ側の端部）の上に回路パターンである電極４１を形成し、電極４１を面状導体２２の一端と電気的に接続し、基板２１の他方主面２１ｂにおいて面状導体２２の他端（基板２１の一方主面２１ｂ側の端部）を接地電極２３と電気的に接続して構成されている。このように構成することによって、サブ回路４０の電極４１は基板２の一方主面２ａにおける接地電極として利用できるようになる。しかも、図１１（ａ）に示した従来のサブ回路６とは異なり、電極４１と接地電極２３との間を幅の広い面状導体２２で接続しているため、ビアホールで接続する場合に比べて接続導体、すなわち面状導体２２によるインダクタンス成分を大幅に小さくすることができ、電極４１を安定な接地電極として利用することができる。その結果、回路パターンの接地条件を安定にすることができる。
【００３６】
また、図５において、サブ回路４２は、基板２１の一方主面２１ａの面状導体２２の一端の上に回路パターンである絶縁膜４３を形成し、さらに絶縁膜４３の上に同じく回路パターンである電極４４を面状導体２２の一端と交差させて重ねて形成して構成されている。このように構成することによって、基板２１の一方主面２１ａ上において、面状導体２２の一端と絶縁したまま面状導体２２の一端と交差して回路パターンを形成することができる。
【００３７】
さらに、絶縁膜４３の上に、電極４４の代わりに、アンプのような入力と出力を持った回路を、入力側と出力側を面状導体２２の一端を境界にして分離したうえで、面状導体２２の一端の上を交差して形成することもできる。その場合には基板２１の内部において回路の入出力間を電気的に遮断し、回路の入出力間のアイソレーションを改善し、発振などの異常動作を防止することができる。
【００３８】
さらに、図５において、サブ回路４５は、基板２１の一方主面２１ａにおいて、回路パターンである２つの電極４６および４７を、面状導体２２の一端を境界として離隔して設けて構成されている。このように構成することによって、サブ回路４５の電極４６と電極４７は、基板２１の内部においては接地された面状導体２２によって電気的にほぼ完全に遮断される。その結果、図１１に示した従来の回路基板１のサブ回路９のような、基板の一方主面上に設けられた接地電極によるものに比べて、電極４６と電極４７の間、すなわち２つの回路パターン間のアイソレーションをさらに大きく取ることができるようになる。これによって、２つの回路パターン間の間隔を小さくすることができ、回路基板の小型化を図ることもできる。
【００３９】
なお、サブ回路４５において、電極４６と電極４７の間に、サブ回路４０の電極４１のような別の電極を設けて面状導体２２の一端と電気的に接続して接地電極としても構わないもので、電極４６と電極４７の間、すなわち２つの回路パターン間のアイソレーションをさらに大きく取ることができるようになる。
【００４０】
また、図５に示した回路基板２０のサブ回路４０、４２、４５と同等の構成を、図２に示した回路基板２５において形成しても構わないもので、同様の作用効果を奏するものである。
【００４１】
次に、図６（ａ）および（ｂ）に、図３に示した回路基板３０において、基板２１の一方主面２１ａに回路パターンを形成している状態の断面図を示す。図６（ａ）および（ｂ）は、回路基板３０を面状導体３１および３２と直交する方向に切断した断面図である。図６において、図５と同一もしくは同等の部分には同じ記号を付し、その説明を省略する。
【００４２】
まず、図６（ａ）において、サブ回路５０、５１、５２は、図５におけるサブ回路４０、４２、４５とは、面状導体２２が、近接して平行に配置した面状導体３１および３２の対となった点のみが異なる。なお、面状導体３１および３２の他端は接地電極２３と電気的に接続している。このように構成することによって、サブ回路５０、５１、５２はサブ回路４０，４２、４５と同様の作用効果を奏するとともに、電極４１の接地条件、すなわち回路パターンの接地条件をさらに安定にすることができ、また、電極４６と電極４７との間、すなわち２つの回路パターン間のアイソレーションをさらに大きく取り、回路基板３０の小型化を図ることができるようになる。
【００４３】
次に、図６（ｂ）において、サブ回路５３は、基板２１の一方主面２１ａにおいて、回路パターンである２つの電極５４および５５を形成し、面状導体３１および３２の対のそれぞれの一端（基板２１の一方主面２１ａ側の端部）と電気的に接続して構成されている。なお、面状導体３１および３２の対のそれぞれの他端（基板２１の一方主面２１ｂ側の端部）は、基板２１の他方主面２１ｂに形成した絶縁膜５６によって接地電極２３とは絶縁されている。このように構成することによって、面状導体３１と３２の対の間には容量が形成され、サブ回路５３はコンデンサとして働くことになる。そして、この場合は、面状導体３１と３２の対を互いに対向して形成しているため、比較的大きな容量を、基板２１の一方主面２１ａにおける比較的小さな面積で容易に形成することができ、回路基板３０の小型化を図ることができる。また、コンデンサを形成する面状導体３１および３２の対を接地電極２３と直交して形成しているため、各面状導体３１および３２と接地電極２３との間の寄生容量が、図１１（ｂ）のサブ回路１３のようにコンデンサ用の電極を接地電極２３と平行に形成した場合と比較して小さくなり、回路基板３０の高周波特性の劣化を防止することができる。また、図１１（ｂ）に示した従来の回路基板１におけるサブ回路１３のように電極や絶縁層などの回路パターンを何層も重ねて形成する必要がないため、回路基板３０の作成コストを低減することができる。
【００４４】
次に、同じく図６（ｂ）において、サブ回路５７は、基板２１の他方主面２１ｂにおいて、面状導体３１および３２の対の他端の位置に、面状導体３１および３２の他端と接地電極２３を絶縁するための接地電極削除部５８が設けられている点のみがサブ回路５３と異なる。このように構成することによって、サブ回路５３と同様の作用効果を奏するだけでなく、基板２１の他方主面２１ｂに絶縁膜を形成する必要が無いために、回路基板３０の作成コストをさらに低減することができる。
【００４５】
そして、同じく図６（ｂ）において、サブ回路５９は、基板２１の一方主面２１ａにおいて、回路パターンである電極６０を形成し、面状導体３１および３２の対の一方である面状導体３１の一端と電気的に接続して構成されている。また、基板２１の他方主面２１ｂにおいて、面状導体３１および３２の対の一方である面状導体３１の他端を絶縁膜６１によって接地電極２３と絶縁するとともに、面状導体３１および３２の対の他方である面状導体３２の他端を接地電極２３と電気的に接続して構成している。このように構成することによって、面状導体３１と３２の対の間には容量が形成されるが、面状導体３２は接地となるため、サブ回路５９は接地との間のコンデンサとして働くことになる。そして、サブ回路５７と同様の作用効果を奏するものである。なお、サブ回路５９においては、絶縁膜６１によって面状導体３１の他端と接地電極２３を絶縁しているが、サブ回路５７と同様に接地電極削除部によって面状導体３１の他端と接地電極２３を絶縁しても構わないものである。
【００４６】
なお、図６に示した回路基板３０のサブ回路５０、５１、５２、５３、５７、５９と同等の構成を、図４に示した回路基板３５において形成しても構わないもので、同様の作用効果を奏するものである。特に、サブ回路５３、５７、５９のような近接して平行に配置した面状導体の対によってコンデンサを形成するサブ回路に関しては、面状導体を同一面上において間隔をあけて複数に分離して配置していることにより、小さい容量値の設定が容易になる。また、同一平面上で隣接する複数の面状導体の対をそれぞれ並列に接続することにより、コンデンサとしての容量値を容易に大きくしていくことができる。
【００４７】
なお、上記の各実施例においては、基板の内部に複数の面状導体を形成しているが、少なくとも１つの面状導体を形成しているものであれば構わないもので、同様の作用効果を奏するものである。また、１つの基板の内部に図１や図２のような単独で機能する面状導体と、図３や図４のような２つの面状導体の対で機能するものが同時に存在していても構わないものである。また、回路基板に形成するサブ回路も、１つの回路基板に図５や図６に示したサブ回路のどれをいくつ形成していても構わないものである。
【００４８】
また、上記の各実施例においては基板２１を一様な誘電体からなるとしたが、必ずしも一様な誘電体からなることに限られるものではなく、面状導体を境界として誘電率を異ならせて構成してもよく、あるいは２つの面状導体の間において異なる誘電率の誘電体が存在するように構成しても構わないもので、一様な誘電体からなる場合と同様の作用効果を奏するものである。そして、これによって、たとえば１枚の基板上に面状導体を境界として高誘電率の領域と低誘電率の領域を形成することができ、波長短縮による小型化を期待する分布定数回路を高誘電率の領域に形成し、接地電極との間の寄生容量を小さくしたい集中定数回路を低誘電率の領域に形成することによって、回路基板の小型化と高性能化を図ることができる。また、特に、図３および図４に示した回路基板３０および３５において、近接して平行に配置した２枚の面状導体の間の誘電体の誘電率を高くし、それ以外の部分において誘電体の誘電率を低くすることにより、通常の回路パターンにおいては寄生容量を小さくすることができるにも関わらず、２枚の近接して平行に配置した面状導体の間において大きな容量のコンデンサを形成することができる。
【００４９】
また、上記の各実施例においては、面状導体を基板の一方主面および他方主面と直交して設けていたが、面状導体を基板の一方主面および他方主面に対して一定の角度を持って設けたものであっても構わないもので、直交させた場合と同様の作用効果を奏するものである。
【００５０】
また、基板の材質については特別な材料に限定されるものではなく、誘電体であればセラミックスや樹脂など自由に用いることができるものである。
【００５１】
次に、図１に示した回路基板２０を例にして、本発明の回路基板の作成方法を以下に示す。
【００５２】
まず、第１の工程において、図７に示すように、誘電体層７１と導体層７２を、その厚み方向に交互に積層して積層体７０を作成する。ここで、誘電体層７１がセラミック材料の場合には、誘電体層７１と導体層７２を積層したあとで焼成して積層体７０を作成しても構わない。
【００５３】
次に、第２の工程において、図８に示すように、第１の工程で作成した積層体７０を、誘電体層７１および導体層７２と垂直な方向に所定の厚さ（求める基板の厚さ）で切り出して基板２１を作成する。このとき、積層体７０において誘電体層７１に挟み込んだ導体層７２が、基板２１の内部に形成した面状導体２２となる。なお、必要に応じて基板２１の切断面を研磨してもよい。
【００５４】
最後に、第３の工程において、図９に示すように、第２の工程で切り出した基板２１の２つの面を一方主面２１ａおよび他方主面２１ｂとし、一方主面２１ａに回路パターン７３を形成するとともに、他方主面２１ｂに接地電極２３を形成して回路基板２０を作成する。このとき、必要に応じて面状導体２２と回路パターン７３および接地電極２３を電気的に接続する。なお、誘電体層７１がセラミック材料であるにもかかわらず、積層体７０を形成した段階で焼成していない場合には、回路パターン７３と接地電極２３を設けた後で、誘電体層７１および面状導体２２を積層体７０と同時に焼成して回路基板２０を作成しても構わない。
【００５５】
このように、上記の３つの工程を用いることによって、本発明の回路基板を容易に作成することができる。特に、第２の工程で標準的な基板を作成しておくことにより、それを用いて、回路パターンの変更に伴って第３の工程のみを用いて回路パターンの異なる各種の回路基板を作成することができ、回路基板の作成コストの低減と作成期間の短縮を図ることができる。
【００５６】
なお、上記の回路基板の作成方法の実施例においては、図１に示した回路基板２０を例にして作成方法を示したが、図１０に示すように、互いに平行に並べた複数の短冊状の導体層７６を用いて積層体７５を形成し、誘電体層７１および導体層７６に垂直で、かつ短冊状の導体層７６の長手方向と直交する方向に基板を切り出して回路パターンと接地電極を形成することによって、図２に示した回路基板２５を作成することができる。なお、図１０において、図７と同一の部分には同じ記号を付している。
【００５７】
また、誘電体層の厚みは一様である必要はなく、自由に設定することができる。たとえば誘電体層の厚みを１層おきに薄くして積層体を構成することによって、図３に示した回路基板３０を作成することができる。また、誘電体層の厚みを１層おきに薄くするとともに、互いに平行に並べた複数の短冊状の導体層を用いて積層体を構成することによって、図４に示した回路基板３５を作成することができる。また、１つの誘電体層は２つ以上の薄いサブ誘電体層を重ねて厚くして形成したものであっても構わず、同様の作用効果を奏するとともに、たとえば１種類のサブ誘電体層と導体層の組み合わせだけで様々な積層体を構成することができ、回路基板の作成コストの低減を図ることができる。さらに、誘電体層の誘電率を層によって異なるものにすることによって、１枚の基板の内部に面状導体を境界として高誘電率の領域や低誘電率の領域を有する回路基板を形成することができる。
【００５８】
【発明の効果】
本発明の回路基板によれば、一方主面と他方主面を有する誘電体の基板の一方主面に回路パターンを形成し、他方主面に接地電極を形成し、基板の内部において、基板の一方主面から他方主面に渡って面状導体を形成することによって、回路基板の一方主面において回路パターンの接地条件を容易に安定にすることができる。また、面状導体の一端を境界として離隔して設けられた２つの回路パターン間のアイソレーションを大きく取ることができ、それによって回路基板の小型化を図ることができる。
【００５９】
また、２枚の面状導体を近接して平行に配置することによって、２枚の面状導体間で大きな容量のコンデンサを形成することができ、さらに、２枚のうちのいずれか一方の面状導体の一方の端部を接地電極と接続することによって、接地との間の安定なコンデンサを形成することができる。
【００６０】
また、本発明の回路基板の作成方法によれば、誘電体層と導体層を、その厚み方向に交互に積層して積層体を作成する第１の工程と、積層体を誘電体層および導体層と垂直な方向に所定の厚さで切り出して基板を作成する第２の工程と、基板の一方主面に回路パターンを形成するとともに、基板の他方主面に接地電極を形成して回路基板を作成する第３の工程からなることによって、上記の回路基板を容易に作成することができる。また、第２の工程で標準的な基板を作成しておくことによって、第３の工程のみで回路パターンの異なる複数の種類の回路基板を作成することができ、回路基板の作成コストの低減と作成期間の短縮を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の回路基板の一実施例を示す一部透視斜視図である。
【図２】本発明の回路基板の別の実施例を示す一部透視斜視図である。
【図３】本発明の回路基板のさらに別の実施例を示す一部透視斜視図である。
【図４】本発明の回路基板のさらに別の実施例を示す一部透視斜視図である。
【図５】図１の回路基板の断面図である。
【図６】図３の回路基板の断面図である。
【図７】本発明の回路基板の作成方法の第１の工程で作成した積層体を示す一部透視斜視図である。
【図８】本発明の回路基板の作成方法の第２の工程を示す斜視図である。
【図９】本発明の回路基板の作成方法の第３の工程で作成した回路基板を示す斜視図である。
【図１０】本発明の回路基板の作成方法の第１の工程で作成した別の積層体を示す一部透視斜視図である。
【図１１】従来の回路基板を示す断面図である。
【符号の説明】
２０、２５、３０、３５…回路基板
２１…基板
２１ａ…一方主面
２１ｂ…他方主面
２２、２６、３１、３２、３６、３７…面状導体
２３…接地電極
４０、４２、４５、５０、５１、５２、５３、５７、５９、７３…サブ回路
４１、４４、４６、４７、５４、５５、６０…電極
４３、５６、６１…絶縁膜
５８…接地電極削除部
７０、７５…積層体
７１…誘電体層
７２、７６…導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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