(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＵＬ方式用の磁気記録媒体であって、
基板と、この基板の上に形成された磁性層と、この磁性層上に形成された炭素系保護層と、この炭素系保護層上に形成された潤滑層と、を少なくとも備える磁気記録媒体であって、前記炭素系保護層は、前記磁性層側の境界部分が水素を含んで構成される一方、前記潤滑層側の境界部分が窒素を含み、且つ水素を含まずに構成されているとともに、前記炭素系保護層の層厚が７０Å以下とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記炭素系保護層は、前記磁性層側に形成され、水素を含む炭素水素系保護層と、前記潤滑層側に形成され、窒素を含み水素を含まない炭素窒素系保護層と、を有してなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項２記載の磁気記録媒体において、前記炭素窒素系保護層における、炭素に対する窒素の濃度は、４ａｔ％以上１０ａｔ％以下とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
請求項２又は３記載の磁気記録媒体において、前記炭素窒素系保護層の膜厚が、１Å以上１５Å以下とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか記載の磁気記録媒体において、前記潤滑層の被覆率が８０％以上とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか記載の磁気記録媒体において、前記潤滑層の密着率が７０％以上とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項２乃至６の何れか記載の磁気記録媒体において、前記炭素水素系保護層に含有される水素の濃度が炭素に対して３ａｔ％以上２０ａｔ％未満とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項２乃至７の何れか記載の磁気記録媒体において、前記炭素水素系保護層の層厚が、２０Å以上とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項２乃至８の何れか記載の磁気記録媒体において、前記潤滑層の層厚が５Å以上、１８Å以下とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、情報を記録するための磁気記録媒体に関し、特にHDD（ハートディスクドライブ）等に搭載する磁気ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、磁気ディスク装置においては、停止時には磁気記録媒体上の接触摺動用の内周領域面に磁気記録ヘッドを接触させておき、起動時には磁気記録ヘッドをこの内周領域面に接触摺動させながら僅かに浮上させ、接触摺動用の内周領域面の外側に位置する記録再生用の領域面で記録再生を開始するCSS(Contact Start and Stop)方式が採用されてきた。このCSS方式では、磁気記録媒体上に、記録再生用領域とは別に接触摺動用領域を確保しておく必要がある。
【０００３】
また、CSS方式では、停止時に磁気記録媒体と磁気記録ヘッドとが接触吸着してしまわないように、磁気記録媒体上にテクスチャと呼ばれる一定の表面粗さの凹凸形状を設けることが行われている。
また、CSS方式では、磁気記録ヘッドの接触摺動から磁気記録媒体を保護するために、特許第3058066等のように、磁気記録媒体の表面を炭素系保護層で被覆し、さらに炭素系保護層の上に潤滑層を塗布する等されてきた。
【０００４】
一方近年では、高記録容量化の可能な、LUL(Load Unload)方式が採用され始めている。LUL方式では、停止時には、磁気記録ヘッドを磁気記録媒体の外に位置するランプと称される傾斜台に退避させておき、起動時には、磁気記録媒体が回転開始した後に、磁気記録ヘッドをランプから磁気記録媒体面上に滑動させてから記録再生を行うため、磁気記録媒体上で磁気記録ヘッドが接触摺動することはない。
【０００５】
このLUL方式では、CSS方式のように磁気記録媒体面上に磁気記録ヘッドの接触摺動用領域を設ける必要がないため、CSS方式に比べて記録再生用領域の面積を広く確保でき、磁気記録媒体の記録容量を増やせると云う利点がある。
また、LUL方式では、磁気記録媒体と磁気記録ヘッドとが接触しないのでCSS方式のように、テクスチャを設ける必要がなく磁気記録媒体を更に平滑化できる。従って、磁気記録ヘッドの浮上量をCSS方式の場合よりも低下（15[nm]以下）させて、磁気記録媒体の記録密度を高めることができると云う利点もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、CSS方式からLUL方式へ移行するに伴ってヘッドの再生素子部の腐食障害と、浮上時にフライスティクション障害が頻発するようになってきた。
ヘッド再生素子部の腐食現象が発生すると、再生信号の出力が低下することにより読み出しエラーが頻発し、場合によっては全く再生が不可能となったり、腐食部が増大して、浮上走行中に磁気記録媒体にダメージを与えることがある。
また、フライスティクションとは、磁気記録ヘッドが浮上走行時に、浮上姿勢や浮上量に変調をきたす障害であり、不規則な再生出力変動が頻発する。場合によっては、浮上走行中に磁気記録媒体と接触し、クラッシュを起こして磁気ディスクを破壊してしまう。このフライスティクションは前駆症状なしに突発するすることが多く、制御の困難な障害の一つである。
【０００７】
本発明者らは、これらの問題について研究した結果、LUL方式において頻発しやすい原因を明らかにした。
すなわち、近年の磁気記録ヘッドは、浮上量制御の容易なNPABスライダ（負圧スライダ）が採用されているが、浮上走行時には、スライダ面に負圧が発生するために、磁気記録ヘッドは、磁気記録媒体面上の記録再生用領域に存在する微量な有機系・無機系の付着物等や流動性の高い潤滑層を、掃除機のように徐々にスライダ面に集め濃縮し、スライダ面に堆積させてしまう。
【０００８】
本発明者らの研究の結果、CSS方式では、これら磁気記録ヘッドに移着した堆積物質は、磁気記録ヘッドが磁気記録媒体面上の接触摺動用領域を接触摺動するときに、接触摺動面でクリーニングされる機能が備わっていることを見出した。しかしLUL方式では、磁気記録ヘッドが磁気ディスク上を接触摺動しないために、このクリーニング作用が得られないことが判った。
【０００９】
LUL方式では、クリーニング作用が得られないため、磁気記録ヘッドに移着した濃縮されたコンタミ、特に硫化物系コンタミ、塩化物系コンタミ、窒化物系コンタミ等の、酸性系コンタミが再生素子部の腐食を起こしていることを発見した。特に、高出力の得られる磁気抵抗効果型再生素子（MR,GMR,TMR素子等）は腐食されやすい。
また、磁気抵抗効果型ヘッドは、従来用いられてきた薄膜ヘッドとは異なり、記録素子と再生素子が分離している録再分離構造を有している。録再分離構造の場合、両素子間に、Ｆｅ−Ｎｉ系などのパーマロイ等のシールドを広く形成する必要がある。このパーマロイは腐食されやすい合金であるために、薄膜ヘッドと異なり、磁気抵抗効果型ヘッドの場合、腐食現象に対して、厳重に保護する必要がある。
【００１０】
また、LUL方式では、前述のクリーニング作用が得られないために、磁気記録ヘッドに磁気記録媒体の潤滑層の潤滑剤が移着堆積され易く、磁気記録ヘッドに移着堆積した磁気記録媒体の潤滑剤は、浮上姿勢を大きく乱し、フライスティクション障害を発生させ易いことが判った。
【００１１】
これら移着物質は、一定量以上堆積すると、磁気記録ヘッドの浮上走行中に、磁気記録媒体上に落下し、クラッシュを引き起こしていることも判った。
更に、LUL方式への移行に伴う磁気記録媒体表面の平滑化は、磁気記録媒体面上に存在する微量な有機系・無機系の付着物や、流動性の高い潤滑剤の移動度を更に高めてしまうために、前述した移着現象を促進してしまう。また、磁気記録ヘッドの浮上量の低下も、前記移着現象を更に促進していることも判った。
上述のような理由によって、LUL方式では、移着現象の抑止なしには、15[nm]以下の低浮上量を安定的に達成することは困難であることが判った。
【００１２】
本発明の目的は、LUL方式で顕著な移着現象を抑止し、かつ再生素子の付着障害及びフライスティクション障害を抑えることのできる磁気記録媒体を提供することにある。また、本発明の目的は、磁気記録ヘッドの浮上量を15[nm]以下とした場合であってもフライスティクションその他の障害が発生することのない磁気記録媒体を提供することにある。また、本発明の目的は、磁気記録媒体の歩留まりを向上させる技術を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、更なる研究の結果、炭素系保護層における潤滑層側の境界部分の表面活性を、窒素を含有させることによって高め、表面吸着力を上げることにより、磁気記録媒体上に付着する無機・有機コンタミ等や、潤滑層の非密着部分等が磁気記録ヘッドへ移着するのを抑止できることを突き止めた。
【００１４】
すなわち、炭素系保護層における潤滑層側の境界部分に窒素を含有させた場合、当該部分においてＣ（炭素）とＮ（窒素）とが3重結合し、潤滑層側の最表面にＮ+が現れる。Ｎ+は、磁気記録媒体表面上の付着物、特に硫化物系コンタミ（Ｓ2-やＳＯ42-等）、塩化物系コンタミ（Ｃｌ-等）、窒化物系コンタミ（ＮＯ3-）等の酸性コンタミと電気的にイオン結合してこれを吸着する。これにより、磁気記録媒体表面上の付着物が磁気記録ヘッドへ移着する現象を抑制できることが判った。
【００１５】
また、潤滑層を構成する潤滑剤の末端基は、水酸基（ＯＨ-）やカルボキシル基（ＣＯＯＨ-）等の負の極性をもつ官能基であるが、これらはＮ+と電気的に親和性が高い。従って、炭素系保護層全体と潤滑層との密着性が向上するので、該潤滑層の磁気記録ヘッドへの移着を抑止できる。更に、潤滑剤の末端基とＮ+とは電気的に親和性が高いので、潤滑層の被覆率を向上させることができ、磁気記録媒体面上に酸性コンタミ等が付着すること自体を抑制できる。
【００１６】
但し、炭素系保護層における潤滑層側の境界部分に水素を含有させると前述した窒素含有による作用が殆ど働かないことが判った。
すなわち、炭素系保護層における潤滑層側の境界部分に水素を含有させた場合、その部分においてＣとＨ（水素）が結合することにより、ＨがＣのダングリングボンド（未結合手）を埋めるが、このＣとＨの結合は電気的に中性である。従って、炭素系保護層における潤滑層側の境界部分に、僅かでも水素原子と結合した炭素水素膜部分が存在した場合、該炭素水素膜部分は電気的に中性であるため、この炭素水素膜部分と前記コンタミや潤滑剤の極性基とは分子間力結合でか結合しない。分子間力結合は、イオン結合よりも弱い結合である。従って、炭素系保護層における潤滑層側の境界部分に僅かでも水素を含むと磁気記録ヘッドの負圧スライダーが誘起する負圧によって、前記コンタミや潤滑剤が磁気記録ヘッド側に移着してしまうのである。
そこで、炭素系保護層における潤滑層側の境界部分には、水素を含有させないようにするのが好ましい。
【００１７】
ここで、特許第3058066号公報記載の技術について言及すると、この技術による炭素系保護層では、その最表面保護膜が炭素、水素、窒素で構成されている。すなわち、炭素系保護層の最表面が、炭素窒素系層及び炭素水素系層と、炭素水素窒素系層とが混在している状態で構成されているので、上述の理由により、LUL方式や、それに伴う15[nm]以下の低浮上量で課題となってきた再生素子部、特に磁気抵抗効果型再生素子部の腐食現象と、フライスティクション障害を確実に抑止できるとは云い難い。
【００１８】
一方、炭素系保護膜に水素を含有させると、ＣのダングリングボンドをＨが埋めることにより、剛性の高い安定な非晶質構造が構成されるので、該炭素系保護膜が全体として高い耐磨耗性を発揮する。そこで、炭素系保護層における磁性層側の境界部分に水素を含有せしめるとよい。すなわち、炭素窒素系保護層は、炭素水素系保護層に比べて柔らかく耐磨耗性が低いので、炭素系保護層の基部、即ち炭素系保護層における磁性層側の境界部分に水素を含有せしめることにより、炭素系保護層全体としての剛性を確保できる。
【００１９】
従って、本発明の第１の態様では、基板と、この基板の上に形成された磁性層と、この磁性層上に形成された炭素系保護層と、この炭素系保護層上に形成された潤滑層と、を少なくとも備える磁気記録媒体であって、前記炭素系保護層は、前記磁性層側の境界部分が水素を含んで構成される一方、前記潤滑層側の境界部分が窒素を含み、且つ水素を含まずに構成されていることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【００２０】
なお、本発明において、炭素系保護層における磁性層側の境界と潤滑層側の境界との間には水素、窒素が混在してもよく、又水素、窒素濃度を当該厚み方向にステップ状（段階的）、或いは連続的に変化させて構成してもよい。
【００２１】
本発明の第２の態様では、第１の態様による磁気記録媒体において、前記炭素系保護層は、前記磁性層側に形成され、水素を含む炭素水素系保護層と、前記潤滑層側に形成され、窒素を含み水素を含まない炭素窒素系保護層と、を有してなることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【００２２】
ここで、前記炭素水素系保護層の厚みは、２０Å以上とするのが好ましい。この炭素水素系保護層の厚みが２０Å未満では、前記炭素系保護層全体の剛性を維持するのに充分でなく、LUL時に磁気記録ヘッドが回転する磁気記録媒体面上へ潤滑する際に発生する衝撃によって、磁気記録媒体を傷つけたり、クラッシュの原因となってしまうので好ましくない。このような障害が起こらないよう余裕を考慮すると、前記炭素水素系保護層の厚みは好ましくは３０Å以上である。
なお、この炭素水素系保護層の厚みの上限値については、特にLUL方式としては制約を設ける必要がない。この場合は、炭素系保護層全体の膜厚から潤滑層側の炭素窒素系保護層の厚みを差し引いた差分の膜厚が上限値となる。
【００２３】
ところで、CSS方式からLUL方式への移行に伴って、磁気ヘッドの低浮上量化と、磁気的スペーシングを減少させるために炭素系保護層の厚みの減少と、が求められた結果、磁性層からの金属イオン（ＣｏやＰｔ等）が、炭素系保護層を浸透して磁気記録媒体の表面へ浸出し、磁気記録媒体面を腐食させる現象（媒体コロージョン現象）が深刻化してきている。これらの浸出物質は、磁気記録ヘッドに移着し易く、クラッシュやフライスティクション障害の原因となる。
【００２４】
LUL方式では、既述のようにクリーニング作用が得られないため、媒体コロージョン現象についても厳重に防止する必要がある。本発明者らの研究によれば、前記炭素水素系保護層の前記磁性層と接する部分に窒素を含有させないようにすることにより、媒体コロージョン現象を有効に防止できることが判明した。
すなわち、炭素水素系保護層は、炭素窒素系保護層や炭素水素窒素系保護層などの窒素含有炭素層に比べて緻密な構造である故、磁性層から磁気記録媒体表面への金属イオンの浸出を防止する作用が高い。従って、炭素水素系保護層の磁性層と接する部分を、窒素を含有しない炭素水素膜とすることにより、金属イオンの浸出を充分に抑止し、LUL方式の信頼性を更に向上させることができる。
【００２５】
また、前記炭素水素系保護層の厚みは、５Å以上とするのが好ましい。５Å以上であれば、金属イオンの浸出を確実に抑止できる。より好ましくは、前記炭素水素系保護層の厚みを１０Å以上とする。その場合は、金属イオンの浸出抑止作用は一層確実となり、さらに信頼性を向上できる。
なお、前記炭素水素系保護層の厚みについては、金属イオン浸出防止の観点からは特に上限を設ける必要はない。
【００２６】
また、前記炭素水素系保護層に含有される水素の濃度は、炭素に対して３ａｔ％以上２０ａｔ％未満とするのが好ましい。
前記炭素水素系保護層に含有される水素の濃度が炭素に対して３ａｔ％未満の場合は、LULの衝撃に耐えるのに充分な剛性が得られず、又金属イオンの浸出を充分に抑止できない。
一方、前記炭素水素系保護層に含有される水素の濃度が炭素に対して２０ａｔ％以上の場合は、ポリマー状の炭素膜部分が増大して、炭素系保護層全体の磁性層に対する付着強度が低下し、LUL時の衝撃で膜剥がれの原因となる。
【００２７】
より好ましくは、炭素水素系保護層に含有される水素の濃度を炭素に対して５ａｔ％以上１５ａｔ％以下とする。この場合は、炭素系保護層全体をその層厚が７０Å以下となるように薄膜状に構成しても全体としての剛性と磁性層への付着強度とを高めることができる。
【００２８】
また、本発明において、炭素窒素系保護層における、炭素に対する窒素の含有量は４ａｔ％以上とするのが好ましい。４ａｔ％以上であれば、磁気記録ヘッドの再生素子部の腐食現象を充分に抑止できる。
高い再生出力が得られる磁気抵抗効果型ヘッドでは、前述のように腐食現象が起こり易いが、４ａｔ％以上の窒素含有量とすることにより、確実に磁気抵抗効果型再生素子と、シールド部の腐食現象を抑止できる。また、フライスティクション障害も抑止できるので、LUL方式用の磁気記録媒体として好適である。
【００２９】
また、炭素窒素系保護層における、炭素に対する窒素の含有量は１０ａｔ％以下とするのが好ましい。窒素の含有量が１０ａｔ％を超える場合、炭素窒素系保護層最表面が中性化してしまうので好ましくない。すなわち、窒素の含有量が１０ａｔ％を超えると、Ｃのダングリングボンドを埋めるＮの量が増加することにより、炭素窒素系保護層の最表面が次第に中性化され、最表面のＮ+が減少してゆく。なお、本発明者の研究によれば、窒素の含有量が１０ａｔ％の場合に、炭素窒素系保護層の最表面が完全に中性化してしまうことが判っている。
【００３０】
炭素窒素系保護層最表面のＮ+が減少し中性化が進むと、磁気記録媒体のコンタミ吸着性が低下するので、磁気記録媒体面上へのコンタミの付着を抑制することはできる。従って、CSS方式の場合であれば、窒素含有量に上限を設ける必要はない。しかし、炭素窒素系保護層最表面を完全に中性化したとしても、付着するコンタミの量はゼロにはならないため、LUL方式のようにクリーニング作用が得られない場合は、負圧スライダを備える磁気記録ヘッドへの移着堆積を防止することはできない。そこで、むしろ制御可能な範囲で磁気記録媒体のコンタミ吸着力を上げることにより、一度磁気記録媒体に付着したコンタミを磁気記録ヘッド側に移着させないのが有効である。
【００３１】
従って、本発明の第３の態様では、第２の態様による磁気記録媒体において、前記炭素窒素系保護層における、炭素に対する窒素の濃度は、４ａｔ％以上１０ａｔ％以下とされていることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【００３２】
なお、炭素窒素薄膜の場合、含有する窒素の量が１０ａｔ％以下であれば、Ｎ+が存在できるので好ましいが、窒素含有量７ａｔ％付近からＮ+の減少が始まるため、本発明の作用を最大限に発揮するには窒素の含有量を７ａｔ％以下とするのがより好ましい。
また、上述のように、本発明の磁気記録媒体ではコンタミ吸着力を向上させているので、本発明の磁気記録媒体をHDD（ハードディスクドライブ）に搭載する場合には、該HDD内の環境をClass1000以下とするのが好ましい。
【００３３】
なお、製造工程にもよるが、炭素窒素系保護層と炭素水素系保護層とは膜応力が異なるために、両者の間で力学的作用が働く場合がある。この力学的作用は、両者の境界がある場合には直接的に、また、窒素、水素の含有量を層厚方向に連続的或いは段階的に制御する製造方法等によって両者の境界が形成されない場合には当該層厚方向中間部を介して間接的に作用する。そして、このようにして両者の間に力学的作用が働いた結果、炭素系保護層全体の付着力を低下させる場合がある。特に、LUL時の衝撃が累積してきた場合などには、炭素系保護層全体の付着力の低下と相まって膜剥がれが発生してしまうことも考えられる。
これを防止するためには、前述した窒素、酸素の好適な含有量の範囲内で、炭素窒素系保護層中の窒素濃度を、炭素水素系保護層中の水素濃度よりも低くするとよい。その場合は、両者の膜応力差が緩和され、炭素系保護層全体の付着力が低下してしまうことを防止できる。
【００３４】
本発明では、潤滑層側の炭素窒素系保護層表面に存在するＮ+により、磁気記録媒体表面の吸着力を高めるので、この炭素窒素系保護層が炭素系保護層の表面を被覆していればその作用を発揮する。
但し、炭素窒素系保護層の膜厚が１Å未満では、この被覆が充分ではなく、磁性層側の炭素水素系保護膜が露見する部分が形成され易いので好ましくない。
また、炭素窒素系保護層の膜厚が１５Åを超えた場合、前述したように、炭素窒素系保護層は剛性が低いので、炭素系保護層全体の耐磨耗性が低下することとなってLUL時の衝撃により磁気記録媒体面上に傷等が生じ易くなるので好ましくない。そこで、炭素窒素系保護層の層厚を１５Å以下とすることにより、LUL方式での信頼性を確保することができる。
【００３５】
従って、本発明の第４の態様では、第２又は第３の態様による磁気記録媒体において、前記炭素窒素系保護層の層厚が、１Å以上１５Å以下とされていることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
ここで、炭素窒素系保護層の層厚は炭素系保護層全体の層厚の１／４以下としてもよい。
【００３６】
ここで、炭素系保護層全体の層厚は、７０Å以下とするのが好ましい。LUL方式では、磁気記録媒体の表面を平滑化できるため、磁気記録ヘッドの浮上量を低下させることができるが、炭素系保護層を７０Å以下の薄膜状とすることにより、磁気スペーシングの減少による記録密度の向上を図れるからである。
また、炭素系保護層全体の層厚が７０Åを超える場合は、結果として磁性層側の炭素水素系膜の膜厚を上昇させることになるが、炭素水素系保護層は磁性層に対して応力を与えるので、炭素系保護層の膜厚が７０Åを超える場合には注意を要する。
【００３７】
なお、本発明において、炭素系保護層の潤滑層側、すなわち炭素窒素系保護層にリン（Ｐ）を含有させてもよい。ＰはＮと同様にＰ+を構成するので好ましい。この場合において、Ｐは窒素の作用を減じない程度に含有させるのが好ましい。
【００３８】
また、本発明においては炭素窒素系保護層表面に存在するＮ+の作用により、潤滑層の被覆率及び、密着率を向上させることができるが、該被覆率は８０％以上とすることが好ましい。
このように、潤滑層が炭素系保護層の表面（炭素窒素系保護層の表面）を被覆する度合いを高めることにより、磁気記録媒体面上に付着している微量のコンタミ（例えば、酸性系コンタミ）が付着するサイトを減じられるので、該コンタミ等が磁気記録ヘッドへ移着してしまうことが抑えられ、前述の腐食現象を抑止できる。
【００３９】
従って、本発明の第５の態様では、第１乃至第４の何れかの態様による磁気記録媒体において、前記潤滑層の被覆率が８０％以上とされていることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【００４０】
なお、炭素系保護層の表面（炭素窒素系保護層の表面）に対する潤滑層の被覆率を８０％以上とすることにより、コンタミ吸着サイトは減少するが、被覆率向上に伴い潤滑剤の非密着部分も相対的に増加するので、同時に密着率を７０％以上とすると良い。
また、潤滑層の被覆率は、８５％以上であれば、コンタミ吸着サイトを略無くすことができるので好ましい。特に、腐食減少を起こし易い磁気抵抗効果型ヘッドに対して用いる場合には有用性が高い。
【００４１】
本発明においては、潤滑層の密着率を７０％以上とするのが好ましい。
潤滑層の密着率を７０％以上とすることにより、潤滑剤の非密着部分を減少させることができるので、コンタミ等の磁気記録ヘッドへの移着を抑制できる。その結果、フライスティクション障害やクラッシュ等を抑止できる。
【００４２】
従って、本発明の第６の態様では、第１乃至第５の何れかの態様による磁気記録媒体において、前記潤滑層の密着率が７０％以上とされていることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【００４３】
また、本発明において、磁性層の組成は特に限定されないが、炭素系保護層表面へ浸出しやすいＣｏやＰｔを含む磁性材料を用いた場合、本発明の作用を有効に発揮できる。
具体的には、磁性層は、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａＢ系合金、ＣｏＣｒＮｉ系合金等を用いて構成できる。
【００４４】
本発明において、潤滑層の素材は特に限定されないが、炭素系保護層表面のＮ+とイオン結合可能な極性基を持つものが好ましい。具体的には、潤滑層としてはフッ素系潤滑剤PFPE（パーフルオロポリエーテル）系の主鎖に水酸基（ＯＨ-）或いはカルボキシル基（ＣＯＯＨ-）等の負の極性をもつ官能基を含むものが適している。
より具体的には、潤滑層としては、例えばアウジモント社製の「フォンプリンZ-DOL」や、「フォンブリンZ-TETRAOL」等が挙げられる。特に、Z-TETRAOLを含む潤滑層の場合、ＯＨ-の数がZ-DOLよりも多いため、炭素窒素系膜表面に形成されるＮ+とのイオン結合の親和性が高く、本発明の作用を顕著に発揮するので好ましい。
【００４５】
なお、潤滑層の層厚は１８Å未満とするのが好ましく、より好ましくは１５Å以下である。
潤滑層の層厚を１８Å以上とする場合、仮に炭素窒素系保護層中の窒素含有量を調整しても、潤滑層の厚さが厚いため、潤滑層と炭素系保護層との非密着部分が増える。従って、この場合、潤滑層の密着率を70％以上とすることが困難となり、LUL方式ではスライスティクション障害が発生し易くなる。
【００４６】
また、潤滑層の層厚は５Å以上とするのが好ましい。
潤滑層の層厚が５Å未満では、潤滑層の被覆率を８０％以上とするのが困難となり、磁気抵抗効果型ヘッドを用いる場合、腐食現象を起こし易くなる。
【００４７】
また、本発明の第７の態様によれば、第１乃至第６の何れかの態様による磁気記録媒体において、この磁気記録媒体の主表面の表面粗さがＲａで０．７［ｎｍ］以下とされていることを特徴とする磁気記録媒体も提供される。
【００４８】
磁気記録媒体の主表面の表面粗さをＲａで０．７［ｎｍ］以下とすることにより、LUL方式において磁気記録ヘッドの浮上量が１５［ｎｍ］以下であることを要求される場合であっても、磁気記録ヘッドへの移着現象を確実に抑止できる。
なお、Ｒａが０．５［ｎｍ］以下の平坦な表面の場合では、潤滑層の流動性が高まることによる潤滑層密着率の減少によって、磁気記録ヘッドへの潤滑層の移着が促進されて、フライスティクション障害を起こし易いので、上述のように本発明によって移着防止措置をとることが重要である。
【００４９】
また、磁気記録媒体の主表面の表面粗さはＲｑで０．９［ｎｍ］以下であることが好ましい。Ｒｑが０．９［ｎｍ］を超えると、磁気記録媒体の表面形状凹凸の偏差が増大し、潤滑層の被覆率が低下し始めるので好ましくない。
また、磁気記録媒体の主表面の表面粗さがＲｑで０．７［ｎｍ］以下であれば、潤滑層の被覆率を８０％以上としやすいため好ましい。
なお、ここに云うＲａ、Ｒｑ等の表面粗さは、日本工業規格(JIS)のB0601規定のものを指す。
【００５０】
また、本発明において、基板は特に限定されないが、剛性が高く、高記録密度化に適したガラス基板が好ましい。ガラス基板には、化学強化されたアモルファスガラス基板や、結晶化ガラス基板等がある。特に、平滑化の容易なアルミノシリケートガラスを化学強化した基板では、高い剛性、高い平滑性を兼ね備えているため本発明には好適である。
【００５１】
また、本発明の磁気記録媒体の製造に当たっては、スパッタリング法（DCマグネトロンスパッタ、RFスパッタ等）、プラズマCVD法、又はイオンビームデポジット法等を採用できる。
特に、炭素系保護層は、Ａｒ（アルゴン）等の不活性ガスと水素含有ガスとの混合雰囲気中で、炭素水素系保護膜を形成した後に、不活性ガスと、水素を含有しない窒素含有ガスとで、水素を含有しない炭素窒素系保護膜を形成することにより構成できる。
【００５２】
また、炭素系保護層の形成に当たって、不活性ガスと、窒素含有ガス及び水素含有ガスとの混合雰囲気中で成膜しつつ、これら窒素含有ガスと水素含有ガスとの混合比を操作することにより、炭素系保護層の水素及び窒素濃度を当該厚み方向に段階的或いは連続的に制御してもよい。
【００５３】
なお、ここで云う窒素含有ガスには、窒素ガス（Ｎ2）の他、シアンガス（ＣＮ4）、硝酸ガス（ＮＯ3）、亜硝酸ガス（ＮＯ2）等及びこれらの混合ガスが含まれる。なお、潤滑層側の炭素窒素系保護層の形成に用いない限りは、アンモニアガス（ＮＨ3）等を用いてもよい。
また、ここで云う水素含有ガスには、水素ガス（Ｈ2）の他、炭化水素ガス、例えばメタンガス、エチレンガス、アセチレンガス、Ｈ2Ｏ等やこれらの混合ガスが含まれる。
【００５４】
また、本発明においては、炭素系保護層中の窒素濃度及び水素濃度の制御が重要であるので、成膜環境（スパッタリング雰囲気、CVD雰囲気や、イオンビームデポジット雰囲気）を清浄に保つことが重要である。このために、スパッタリング法、CVD法、及びイオンビームデポジット法の何れにおいても真空度を５×１０-7Ｔｏｒｒ以下とすると、本発明の作用を充分に発揮できる。
【００５５】
なお、上記の方法によって形成された炭素系保護層の表面に窒素イオンを注入して表面層を改質することもできる。
また、本発明において、潤滑層の形成方法は特に限定されない。ディップ法、スプレイ法、スピンコート法、ペーパ法等、公知の方法を用いることができる。潤滑層の素材としての潤滑剤は液体であっても固体であってもよい。
【００５６】
【発明の実施の形態】
図１は、実施の形態による磁気記録媒体の層構成を模式的に示す断面図である。この磁気記録媒体１０は、基板（非磁性基板）１と、この基板１上に形成された磁性層３と、この磁性層３上に形成された炭素系保護層４と、この炭素系保護層４上に形成された潤滑層５とを少なくとも備えてなる。
このうち炭素系保護層４は、磁性層３側に形成され、水素を含む炭素水素系保護層４ａと、潤滑層５側に形成され、窒素を含み水素を含まない炭素窒素系保護層４ｂと、から構成されている。
なお、基板１と磁性層３との間には、シード層２ａと下地層（非磁性下地層）２ｂとからなる金属層２が形成されている。
【００５７】
以上のように構成される磁性基板１０について、実施例、比較例により具体的に説明する。但し、本発明はこれらに限られない。
〔実施例１〕
アルミノシリケートガラスをディスク状に成型してガラスディスクブランクを得、得られたガラスディスクブランクの表面に対して研削、精密研磨、精密洗浄を順次施すと共に、このガラスディスクブランクを化学強化することにより、表面が平坦でかつ清浄なガラス基板１を得た。
【００５８】
ここで、このガラス基板１の表面粗さを、AFM（原子間力顕微鏡）を用いて精密に測定した。このとき、測定結果を高精度で得るために測定領域を５［μｍ］×５［μｍ］の正方形領域とし、更にこの正方形領域の一辺を５１２個のメッシュで分解して各ドット毎にデータサンプリングを行った。
その結果、ガラス基板の表面粗さは、Ｒｍａｘで５．０４［ｎｍ］、Ｒｐで２．４９［ｎｍ］、Ｒａで０．２９［ｎｍ］、Ｒｑで０．３７［ｎｍ］であった。
なお、このガラス基板１の表面を触針式形状測定装置（TencorP2）で測定したところ、該測定装置の分解能ではこのガラス基板の表面形状を正確に測定できなかった。
【００５９】
次に、枚葉式スパッタリング成膜装置（サーキュラスM-12型）を用いて、ガラス基板１上に、シード層２ａ、下地層２ｂ、磁性層３、炭素系保護層４をこの順に積層した。
すなわち、先ずスパッタリングターゲットとしてＮｉＡｌ（Ｎｉ：５０ａｔ％、Ａｌ：５０ａｔ％）合金を用い、ガラス基板１上に層厚３００Åのシード層２ａを形成した。
次いで、スパッタリングターゲットとしてＣｒＭｏ（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｏ：２０ａｔ％）合金を用い、シード層２ａの上に層厚１００Åの下地層２ｂを形成した。
次いで、スパッタリングターゲットとしてＣｒが２０ａｔ％、Ｐｔが１２ａｔ％、Ｔａが１ａｔ％、Ｂが５ａｔ％、残部がＣｏより成る強磁性合金を用い、下地層２ｂの上に層厚１５０Åの磁性層３を形成した。
【００６０】
また、炭素系保護層４は、炭素水素保護層４ａと炭素窒素保護層４ｂとにより構成した。すなわち、炭素ターゲットを用い、純Ａｒガスに水素ガスを加え、水素ガス含有量を３０％とした混合ガス雰囲気下で、磁性層３上に炭素水素保護層４ａを５５Å形成した上で、純Ａｒガスと窒素ガスの混合ガス雰囲気下で、水素を含有しない炭素窒素保護層４ｂを１０Å形成することにより炭素系保護層４を構成した。
【００６１】
このとき、炭素窒素保護層４ｂにおける、炭素に対する窒素の含有量が４ａｔ％となるように、Ａｒガスに対する窒素ガスの濃度を８．５％とした混合ガスを用い、この混合ガスの流量を４０ｓｃｃｍとした。
なお、精密な窒素及び水素濃度管理を行うために、炭素系保護層４ｂのスパッタリング雰囲気は、真空度４．８×１０-7Ｔｏｒｒの清浄な雰囲気を保った。
【００６２】
次に、潤滑剤としてアウジモント社製のフォンブリンZ-DOLを用い、これを炭素系保護層４の上にディップ法で塗布することにより、厚みが９Åの潤滑層５を形成し、かくして実施例１の磁気記録媒体１０を得た。
【００６３】
得られた磁気記録媒体１０について、特性評価と耐久信頼性試験とを行った。
特性評価にあたっては、炭素窒素保護層４ｂ中の炭素に対する窒素の含有量、炭素水素系保護層４ａにおける水素及び窒素の含有量、潤滑層５の被覆率、及び潤滑層５の密着率等を後述の方法で評価した。
耐久性試験としては、ピンオンディスク耐久試験、LUL耐久試験、CFT（定位置浮上）耐久試験、ヘッドGMR素子部／シールド部腐食検査、フライスティクション検査等を行った。
これら特性評価と耐久性試験の結果を次の表１に掲げる。
【表１】
0003912497.tif 000002
【００６４】
炭素系保護層４における窒素の含有量については、X線光電子分光分析法(ESCA)により測定し、水素含有量については、水素前方散乱法(HFS)を用いた。
なお、炭素水素保護層４ａにおける水素及び窒素の含有量は、同様のガラス基板により同様の製造方法でこの炭素水素保護層４ａまで形成した中間生成体を用いて測定した。
【００６５】
潤滑層５の厚み及び被覆率は、米国特許第6099981号公報記載のX線光電子分光分析法により測定した。
また、潤滑層５の密着率は次のようにして求めた。先ず、潤滑層５の厚み(t1)を予めFTIR法で測定しておく。次いで、溶媒（デュポン社製VertrelXF）中にこの磁気記録媒体１０を１分間浸漬させることにより、炭素系保護層４に密着していない部分を溶解させる。しかる後、磁気記録媒体１０を６ｃｍ／分の引き上げ速度で引き上げた後、残存している潤滑層５の厚み(t2)を再びFTIR法により測定する。そして、溶媒へ浸漬する前における潤滑層５の厚み(t1)に対する、浸漬後における潤滑層５の厚み(t2)の割合を、潤滑層密着率として算出した。
すなわち、溶媒に潤滑層５が溶解するので、溶媒浸漬後に残存している潤滑層が、炭素系保護層に密着している部分とみなせる。
【００６６】
また、ピンオンディスク試験は次のようにして行った。すなわち、炭素系保護層４の耐久性及び耐磨耗性を評価するために、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣからなる直径２[ｍｍ]の球を１５ｇ荷重で磁気記録媒体１０の半径２２[ｍｍ]位置の当該炭素系保護層４上に押し付けながら、この磁気記録媒体１０を回転させることにより、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ球と炭素系保護層４とを２[ｍ／ｓｅｃ]の速度で相対的に回転摺動させ、この摺動により炭素系保護層４が破壊に至るまでの摺動回数を測定した。
このピンオンディスク試験では、炭素系保護層４が破壊に至るまでの摺動回数が800回以上であれば合格とする。
なお、通常磁気記録ヘッドは磁気記録媒体１０に接触しないので、このピンオン試験は実際の使用環境に比べて過酷な環境での耐久試験である。
【００６７】
また、LUL試験は次のようにして行った。この磁気記録媒体１０と、巨大磁気抵抗効果型再生素子(GMR素子)を備えた磁気記録ヘッドと、を磁気記録装置に搭載し、磁気記録ヘッドの浮上時の浮上量を１２[ｎｍ]とし、磁気記録装置内の環境を温度７０℃、相対湿度８０％の高温高湿過酷環境下で、８０万回のLUL動作を連続作動させた。
LUL動作が８０万回に到達したとき、又はLUL耐久試験中に障害が発生したときには、磁気記録装置から磁気記録媒体１０と磁気記録ヘッドとを取り出し、高輝度ハロゲンランプ下での目視検査と、50倍の倍率を有する光学顕微鏡検査とで、磁気記録媒体１０表面と、磁気記録ヘッドのスライダー部及びGMR素子部とシールド部の検査を行った。更に、GMR素子部とシールド部は、走査型電子顕微鏡(SEM)（倍率：１万倍）により、微小腐食を精密に検査した。
なお、LUL耐久試験は、LUL動作が連続して60万回以上作動できれば合格とする。
また、通常に使用される磁気記録装置では、LUL回数が60万回まで達するには、１０年間の使用を要すると言われている。
【００６８】
また、CFT試験（定位置浮上試験）は、磁気記録媒体１０と、巨大磁気抵抗効果型再生素子（GMR素子）を備えた磁気記録ヘッドと、を磁気記録装置に搭載し、磁気記録ヘッドの浮上時の浮上量を１２[ｎｍ]とし、磁気記録装置内の環境を温度７０℃、相対湿度５％の高温低湿過酷環境下として、磁気記録ヘッドを磁気記録媒体面上の特定半径位置に固定して連続30日間浮上走行させ続けた。
連続走行日数が３０日に到達したとき、又はCFT耐久性試験中に障害が発生したときには、磁気記録装置から磁気記録媒体と磁気記録ヘッドを取り出し、高輝度ハロゲンランプ下での目視検査と、50倍の倍率を有する光学顕微鏡(OLM)検査とで、磁気記録媒体表面と、磁気記録ヘッドのスライダー部及び、GMR素子部とシールド部の検査を行った。更に、GMR素子部とシールド部は、微小な腐食症状を察知するために、走査型電子顕微鏡(SEM)により、１万倍の倍率で精密に検査した。
このCFT試験では、14日以上の連続走行に耐久すれば合格とする。このCFT耐久性試験を14日間耐久した場合、通常の磁気記録装置の使用環境に換算すれば、略10年の使用に耐久したことに相当すると言われている。
なお、磁気記録装置では、磁気ヘッドがシーク動作をするので、特定半径位置で連続浮上し続けることはなく、従ってこのCFT試験は実際の使用環境に比べて過酷な環境での耐久試験である。
【００６９】
なお、実施例、比較例においては、磁気記録媒体１０面上の微量付着物が磁気ヘッドへ移着、濃縮堆積する現象を加速させ更に過酷な試験条件とするため、LUL試験、及びCFT試験では、磁気記録媒体を磁気記録装置に搭載する前に、ＳＯ2ガス雰囲気に暴露し、磁気記録媒体面上に硫酸イオンＳＯ42-等を付着させてから実施した。
また、磁性層からの金属イオン（ＣｏやＰｔ等）の浸出を加速させるために、磁気記録装置搭載前に、磁気記録媒体を高温高湿環境下で保持した。
具体的には、温度４０℃相対湿度７５％の高温高湿雰囲気に、ＳＯ2ガスを１０ｐｐｍ導入した腐食環境で磁気記録媒体を１２時間暴露してからLUL試験及びCFT試験を実施した。
【００７０】
フライスティクション試験では、磁気記録媒体を100枚製作し、フライングハイトが１０［ｎｍ］のヘッドで、この100枚の磁気記録媒体の全面グライド検査を行った。フライスティクション現象が発生すると、ヘッドに設置されたAEセンサ（ピエゾ素子）でモニタしているグライド信号が、磁気記録媒体の全トラックで突然発散するので、オシロスコープによる観察でフライスティクションの発生を判別できる。フライスティクションが発生した場合、グライド試験通過率が激減するので、フライスティクションの発生傾向はグライド通過率によって試験できる。
なお、フライスティクション試験通過率（歩留まり）は、高ければ高い程、低コストとなるので望ましいが、９０％以上であれば問題とされない。フライスティクション試験通過率が８０％の場合、コストの上昇はあるが許容範囲内である。
【００７１】
〔実施例２〜５〕
実施例２〜５の磁気記録媒体は、炭素窒素保護層４ｂの形成において、窒素の含有量がそれぞれ、５ａｔ％、７ａｔ％、８ａｔ％、１０ａｔ％となるように、Ａｒガスと窒素ガスとの混合ガスの窒素ガス濃度をそれぞれ、１２．５％、２０％、２４％、３１％とし、前記混合ガスの流量を４０ｓｃｃｍとしてスパッタリングした以外は実施例１の磁気記録媒体と同様な基板、同様な製造方法により作成し、上記と同様の特性評価及び耐久性試験を行った。その結果は表１に掲げてある。
【００７２】
〔実施例６、７〕
実施例６、７の磁気記録媒体は、炭素窒素系保護層４ｂの形成において、窒素の含有量が共に６ａｔ％となるように、Ａｒガスと窒素ガスとの混合ガスの窒素ガス濃度を１６％とし、前記混合ガスの流量を４０ｓｃｃｍとしてスパッタリングした。そして、実施例６の磁気記録媒体は、炭素窒素系保護層４ｂの層厚を１Åとし、一方実施例７の磁気記録媒体では炭素窒素系保護層４ｂの層厚を１５Åとした。これら以外は、実施例１と同様な基板、同様な製造方法により実施例６、７のの磁気記録媒体を得、上記と同様の特性評価及び耐久性試験を行った。その結果は表１に掲げてある。
【００７３】
ここで、表１を参照して、実施例１〜７の結果について考察すると、ピンオンディスク試験は800回以上耐久すれば合格であるが、実施例１〜７の磁気記録媒体は全て合格であった。
また、LUL耐久試験は、60万回以上、CFT試験は14日以上耐久すれば合格であるが、実施例１〜７の磁気記録媒体は全て合格であった。
但し、炭素窒素系保護層４ｂ中の窒素含有量の上昇に伴い、窒素含有量が７ａｔ％を超えると徐々にピンオンディスク耐久性が低下する傾向がみられた。そこで、炭素窒素系保護層４ｂ表面の窒素含有量は、４〜７ａｔ％の範囲が好適であると考えられる。
【００７４】
また、実施例１〜７の何れにおいても、炭素水素系保護層４ａ中の水素含有量は１５ａｔ％であり、窒素は全く検出されなかった。
更に、実施例１〜７の何れにおいても、X線光電子分光分析法(ESCA)及び水素前方散乱法(HFS)を用いて測定した結果、表１に掲げるように炭素窒素系保護層４ｂ中の窒素濃度が、炭素水素系保護層４ａ中の水素濃度よりも低いことが確認された。これにより、両者の膜応力差が緩和されるので炭素系保護層４全体の付着力が低下してしまうことを防止する効果が期待できる。
【００７５】
〔比較例１、２〕
比較例１、２の磁気記録媒体は、炭素窒素系保護層４ｂ中の窒素含有量をそれぞれ２ａｔ％、３ａｔ％とし、炭素窒素系保護膜４ｂの層厚は実施例１〜５と同じく１０Åとした。これら以外は、実施例１の磁気記録媒体と同様な基板、同様な製造方法により作成した。これらについての特性評価及び耐久性試験の結果は、表１に掲げてある。
【００７６】
〔比較例３、４〕
比較例３の磁気記録媒体は、炭素窒素系保護層４ｂを形成しない点以外は、実施例１の磁気記録媒体と同様な基板、同様な製造方法により作成した。
一方、比較例４の磁気記録媒体は、実施例６と同様に、炭素窒素系保護層４ｂ中の窒素含有量を６ａｔ％とし、炭素窒素系保護膜４ｂの層厚を２０Åとした。これら以外は、実施例１の磁気記録媒体と同様な基板、同様な製造方法により作成した。これらについての特性評価及び耐久性試験の結果は、表１に掲げてある。
【００７７】
〔実施例１〜５と比較例１、２との比較〕
実施例１〜５のように、炭素窒素系保護膜４ｂ中の窒素含有量を４ａｔ％〜１０ａｔ％とした場合には、GMR素子・シールド部に腐食障害が発生しないが、比較例１、２のように、炭素窒素系保護膜４ｂ中の窒素含有量が４ａｔ％未満では、GMR素子・シールド部に腐食障害が発生してしまうことが判った。
【００７８】
また、フライスティクション障害に関しては、実施例１〜５のように、炭素窒素系保護膜４ｂ中の窒素含有量を４ａｔ％〜１０ａｔ％とした場合には、８０％以上のフライスティクション試験通過率を得られるが、比較例１、２のように、炭素窒素系保護膜４ｂ中の窒素含有量が４ａｔ％未満では、フライスティクション試験通過率が８０％未満に落ち込んでしまうことが判った。
〔実施例１〜５と比較例１〜３の比較〕
実施例１〜５では何れも潤滑層５の被覆率を８０％以上としており、この場合にはGMR素子・シールド部の腐食発生率を０％とすることができた。一方、比較例１〜３では、潤滑層５の被覆率を８０％未満としており、この場合にはGMR素子・シールド部の腐食発生率が悪化した。
従って、潤滑層５の被覆率は８０％以上とするのが好ましく、その場合には、GMR素子・シールド部に腐食障害を発生させないことが判った。
【００７９】
〔実施例１〜７と比較例３、４との比較〕
比較例３のように、炭素窒素系保護層４ｂの層厚をゼロとした場合、腐食障害やフライスティクション障害が発生すると共に、潤滑層５の被覆率や密着率も低下している。
一方、比較例４のように、炭素窒素系保護層４ｂの層厚を２０Å以上とした場合、腐食障害やフライスティクション障害は発生せず、又潤滑層５の被覆率や密着率も向上したが、ピンオンディスク耐久性試験、LUL耐久性試験、CFT耐久性試験などの各種耐久性試験を合格できなかった。
従って、以上の事実と、実施例１〜７の結果を考量すると、炭素窒素系保護層４ｂの層厚は１〜１５Åの範囲が好適であると考えられる。
【００８０】
〔実施例８〕
実施例８の磁気記録媒体は、実施例１の磁気記録媒体における潤滑層の潤滑剤をアウジモント社製のZ-TETRAOLとした以外は、実施例１と同様な基板を用いて同様に製造した。
この磁気記録媒体の特性評価及び耐久性試験の結果は表１には掲げていないが、潤滑層の被覆率は９４％、密着率は７５％に向上し、ピンオンディスク、LUL、CFTの各種耐久性試験は、それぞれ１４２０回耐久、８０万回到達、３０日到達であった。このことから、本発明の磁気記録媒体における潤滑層の形成には、潤滑剤としてZ-TETRAOL系の潤滑剤又はこれを含有する潤滑剤が好適であると考えられる。
【００８１】
【発明の効果】
本発明によれば、磁気記録ヘッドへのコンタミ移着を抑止できるので、LUL方式においても、腐食障害やフライスティクション障害を抑止することができ、また耐久性も高いので高い歩留まりと高記録密度化が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態による磁気記録媒体の層構成を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
１      基板
３      磁性層
４      炭素系保護層
４ａ    炭素水素系保護層
４ｂ    炭素窒素系保護層
５      潤滑層
【図１】
0003912497.tif 000003