(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成されていて当該基板表面に対して垂直方向に可動なミラーと、光ファイバーを固定するために該基板に形成されたファイバー配置溝と、該ファイバー配置溝に固定された光ファイバーとを有する光スイッチであって、
多結晶質Ｓｉからなる構造体を備え、
該構造体は、前記ミラーを有するミラー構造部と、前記ミラーを前記基板と接続する梁と、前記構造体自身を前記基板上に固定するための支持部とを有し、
前記多結晶Ｓｉの塑性変形により前記梁及び前記ミラー構造部が前記基板から離れた３次元構造が形成されており、
前記ミラーが静電力により駆動されることを特徴とする光スイッチ。
【請求項２】
基板と、該基板上に形成されていて当該基板表面に対して垂直方向に可動なミラーと、光ファイバを固定するために該基板に形成されたファイバー配置溝と、該ファイバー配置溝に固定された光ファイバーとを有する光スイッチであって、
前記ミラーを有するミラー構造部と、前記ミラーを前記基板と接続する少なくとも２本の弾性変形可能な梁と、自身を前記基板上に固定するための支持部とを有する構造体を備え、
前記ミラーは静電力により駆動され、
前記少なくとも２本の梁は２つの安定な状態を有するようにそれぞれ略Ｕ字型に折り返された構造で、前記ミラー構造部の両側と前記基板とを接続しており、
前記梁の２つの安定な状態の一方は、前記ミラーが前記光ファイバーの光路に入るオン状態、他方は、前記ミラーが前記光ファイバーの光路から出たオフ状態であることを特徴とする光スイッチ。
【請求項３】
前記構造体が多結晶質Ｓｉからなり、該多結晶質Ｓｉの塑性変形により前記梁及び前記ミラー構造部が前記基板から離れた３次元構造を形成している請求項２記載の光スイッチ。
【請求項４】
前記基板がＳｉ基板であり、該Ｓｉ基板の表面が（１１０）面であって、該Ｓｉ基板の異方性エッチングにより当該基板表面に対して垂直な（１１１）面を有する垂直溝を形成し、その垂直溝に埋設した多結晶質Ｓｉを前記ミラー構造部とした請求項１，２又は３記載の光スイッチ。
【請求項５】
前記ミラーに近接して互いに４５゜をなす方向に前記光ファイバーが前記ファイバー配置溝に配置されている請求項１，２，３又は４記載の光スイッチ。
【請求項６】
前記構造体が電極を兼ねており、前記構造体から絶縁された対向電極が前記基板に固定され、前記構造体と前記対向電極間への電圧印加によって静電駆動する請求項１，２，３，４又は５記載の光スイッチ。
【請求項７】
基板と、該基板上に形成されていて当該基板表面に対して垂直方向に可動なミラーと、該基板に形成された光ファイバーを固定するためのファイバー配置溝とを有する光スイッチの製造方法において、前記ミラーを前記基板に対して可動な梁を介して接続し、該梁の一部分を変形させた状態で加熱することにより塑性変形させ、当該梁を前記基板から離れた状態にすることを特徴とする光スイッチの製造方法。
【請求項８】
前記加熱が通電による自己発熱、レーザー光照射、電子ビーム照射のいずれかである請求項７記載の光スイッチの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信等に用いられる光スイッチ及びその製造方法に係り、特にシリコンマイクロマシニングプロセスにより作製可能な小型の機械式光スイッチ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高速光通信の普及に伴い、従来のバルク型光スイッチに代わり、小型で高速、高信頼性、低価格が実現可能なマイクロマシンニング手法により作製される光スイッチへの期待が大きい。
【０００３】
従来の光スイッチの一つに特開平７−５３８３号に開示されているメカニカル光スイッチがあり、これは光ファイバーを直接、電磁力で駆動して、１×１（入力側１ポート、出力側１ポート）や２×２（入力側２ポート、出力側２ポート）の光スイッチを構成するものである。しかし、大きな光ファイバーを動かす為には大きな力が必要であり、このため高速応答や小型化は困難であった。
【０００４】
一方、マイクロマシンニングによる機械式光スイッチは、波長無依存性、高コントラストという特徴を有する。マイクロマシンニングにより作製された光ファイバースイッチとして、例えば、“Fabricarion and Operation of
Electrostatic Micro Torsion Mirrors for Optical Switches"; Technical
Digest of the 14th Sensor Symposium, 1996, pp 275 にはトーションミラーを静電駆動することにより光路変更する光スイッチが報告されている。この例では、およそ１cmの空間を直進するコリメートビーム間に配置されたトーションミラーが電極を兼ね、対向電極との間に電圧を印加することにより、トーションミラーが９０°回転し、光路のスイッチングを行っている。小さなミラーを駆動するために高速化が可能である。
【０００５】
これに対して光路に対して垂直なミラーを平行移動させることによって、光スイッチングを行うという試みも幾つかなされている。この場合、光ファイバー間隔を近づけることにより、光路長をかなり短縮できる。例えば、“Vertical
Mirrors Fabricated by Reactive Ion Etching for Fiber Optical Switching
Application"; the 10th Annual International Workshop on Micro Electro
Mechanical Systems,1997,pp49〜54には、深堀ＲＩＥ（Reactive Ion Etching)でＳｉ基板を削ることにより、基板面に垂直なミラーを作製した例が報告されている。この場合、ミラーはやはり深堀ＲＩＥで形成したアスペクト比の高い櫛歯型アクチュエータに連結されており、そのアクチュエータの静電駆動によってミラーが光路に出入りし、光スイッチングを行っている。
【０００６】
さらに光路に対して垂直なミラーを上下に動かすことによる光スイッチングも試みられている。例えば、“An Electromagnetic MEMS 2×2 Fiber Optic
Bypass Switch";International Conference on Solid-State Sensors and
Actuators,1997,pp89〜92には、電磁力による構造体の上下運動でミラーを光路に出入りさせ、スイッチングを行う例が報告されている。この場合の駆動力は、構造体に形成された銅線コイルへの通電により生じる磁界と、対向して配された永久磁石の間に働いている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、トーションミラー型では、電極間の間隔が長いため駆動電圧が大きくなってしまい、また、ミラーが９０°回転するために、ファイバー間距離が長く、低損失化が困難であった。
【０００８】
一方、ミラーを光路（基板面）に対して垂直に配した場合、ファイバー間距離は非常に短くなり、損失は低減される。しかし、基板面に対して平行にミラーを移動する方式ではミラーだけでなく、駆動のための諸構造も同様の手法で形成する必要があり、製作は困難であった。
【０００９】
電磁力を駆動源として用いる場合には、構造が複雑化し、コイル等が広い面積を必要とする。このため、１枚の基板上に一括形成することは困難で２枚の基板を貼り合わせる必要があり、位置決め精度の問題等から大量生産には不向きである。さらに小型化が困難であると同時に高速応答性は期待出来ない。
【００１０】
本発明は、上記の点に鑑み、基板面に垂直なミラーを静電力で駆動することにより、簡素な構造で小型化、低損失化が可能であり、かつ低電圧駆動が可能で、高速応答性に優れた光スイッチ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る第１の光スイッチは、基板と、該基板上に形成されていて当該基板表面に対して垂直方向に可動なミラーと、光ファイバーを固定するために該基板に形成されたファイバー配置溝と、該ファイバー配置溝に固定された光ファイバーとを有する光スイッチであって、
多結晶質Ｓｉからなる構造体を備え、
該構造体は、前記ミラーを有するミラー構造部と、前記ミラーを前記基板と接続する梁と、前記構造体自身を前記基板上に固定するための支持部とを有し、
前記多結晶Ｓｉの塑性変形により前記梁及び前記ミラー構造部が前記基板から離れた３次元構造が形成されており、
前記ミラーが静電力により駆動されることを特徴としている。
【００１３】
本発明に係る第２の光スイッチは、基板と、該基板上に形成されていて当該基板表面に対して垂直方向に可動なミラーと、光ファイバを固定するために該基板に形成されたファイバー配置溝と、該ファイバー配置溝に固定された光ファイバーとを有する光スイッチであって、
前記ミラーを有するミラー構造部と、前記ミラーを前記基板と接続する少なくとも２本の弾性変形可能な梁と、自身を前記基板上に固定するための支持部とを有する構造体を備え、
前記ミラーは静電力により駆動され、
前記少なくとも２本の梁は２つの安定な状態を有するようにそれぞれ略Ｕ字型に折り返された構造で、前記ミラー構造部の両側と前記基板とを接続しており、
前記梁の２つの安定な状態の一方は、前記ミラーが前記光ファイバーの光路に入るオン状態、他方は、前記ミラーが前記光ファイバーの光路から出たオフ状態であることを特徴としている。
【００１５】
本発明に係る第２の光スイッチにおいて、前記構造体が多結晶質Ｓｉからなり、該多結晶質Ｓｉの塑性変形により前記梁及び前記ミラー構造部が前記基板から離れた３次元構造を形成するようにしてもよい。
【００１６】
前記基板がＳｉ基板であり、該Ｓｉ基板の表面が（１１０）面であって、該
Ｓｉ基板の異方性エッチングにより当該基板表面に対して垂直な（１１１）面を有する垂直溝を形成し、その垂直溝に埋設した多結晶質Ｓｉを前記ミラー構造部としてもよい。
【００１７】
前記ミラーに近接して互いに４５゜をなす方向に前記光ファイバーが前記ファイバー配置溝に配置されてもよい。
また、前記構造体が電極を兼ねており、前記構造体から絶縁された対向電極が前記基板に固定され、前記構造体と前記対向電極間への電圧印加によって静電駆動する構成でもよい。
【００１８】
また、本発明の光スイッチの製造方法は、基板と、該基板上に形成されていて当該基板表面に対して垂直方向に可動なミラーと、該基板に形成された光ファイバーを固定するためのファイバー配置溝とを有する場合において、前記ミラーを前記基板に対して可動な梁を介して接続し、該梁の一部分を変形させた状態で加熱することにより塑性変形させ、当該梁を前記基板から離れた状態にすることを特徴としている。
【００１９】
前記光スイッチの製造方法において、前記加熱が通電による自己発熱（ジュール加熱）、レーザー光照射、電子ビーム照射のいずれかで実行されるとよい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る光スイッチ及びその製造方法の実施の形態を図面に従って説明する。
【００２１】
図１は本発明の第１の実施の形態である光スイッチの斜視図、図２乃至図５は光スイッチングの様子を概略的に示したもので、図２及び図３は光スイッチにおいてミラーが上昇位置で光ファイバーの光路を遮らない状態、図４及び図５は光スイッチにおいてミラーが下降位置で光ファイバーの光路を遮った状態をそれぞれ示す。
【００２２】
図１乃至図５において、Ｓｉ基板１０上に、絶縁層２０、対向電極３０、絶縁層４０が順次積層形成され、その上に電極を兼ねた多結晶質Ｓｉ（poly-Si）からなる構造体５０がある。この構造体５０は、絶縁層４０上に固定の支持部５１、これから伸びる２本の梁５２，５３及びミラー構造部（先端側構造部）５４として区別され、梁５２，５３とミラー構造部５４は基板１０から離れて、持ち上がっている。この持ち上がった状態は、後述する製造工程における加熱による梁５２，５３の塑性変形で実現している。ミラー構造部５４は、図３及び図５に示すように断面Ｔ字状であって、基板垂直方向に形成されている部分であるミラー５６と、それを支持しているミラー保持部５５からなる。ミラー５６は、あらかじめ基板表面からエッチングにより形成した深い溝５７（例えば基板の上下方向に貫通し、内面が垂直面となったスリット状垂直溝等）に多結晶質Ｓｉを埋め込み、それをリリースし、さらにその上に反射膜としての金属膜を成膜したものである。
【００２３】
基板１０の裏面には、やはりエッチングにより形成したファイバー配置溝６０に、４本の光ファイバー７０，７１，７２，７３がそれぞれミラー５６に対して４５°の角度をなすように固定配置されている。ここで、ミラー５６は４本の光ファイバーの中心に位置している。
【００２４】
図１乃至図３の静電力が加わらない状態では、梁５２，５３の先端は基板１０から離れた位置にあり、ミラー５６は梁５２，５３で持ち上げられて各光ファイバー７０，７１，７２，７３の光路を遮らず、光は向かい合った光ファイバーにそのまま入る。
【００２５】
前記基板側に設けた対向電極３０と電極を兼ねた構造体５０間に電圧を印加することにより静電力を発生させると、梁５２，５３が弾性変形して梁５２，５３及びミラー保持部５５は静電力により基板方向に引き寄せられて図４及び図５の状態となる。従って、基板表面に対して垂直方向にミラー５６が下降し、光がミラー５６で反射されるようになり、隣接する光ファイバーに入る。つまり、光ファイバー７０，７３間の光路及び光ファイバー７１，７２間の光路がそれぞれ遮られ、光ファイバー７０に入力された光は光ファイバー７１に伝わり、光ファイバー７２に入力された光は光ファイバー７３に伝わる。これにより２×２光スイッチが実現される。
【００２６】
次に、図６乃至図８を用いて第１の実施の形態である光スイッチの製造方法について詳述する。
【００２７】
まず、図６（Ａ）の如くＳｉ（１１０）基板１０｛基板面が（１１０）面で、厚さ：３００μｍ｝を熱酸化することにより、絶縁層２０となるＳｉＯ2膜を成膜した。熱酸化は１１００℃で酸素（Ｏ2）雰囲気中で行い、膜厚は０．５μｍとした。その上に、多結晶質ＳｉをＬＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）により成膜し、さらにＰドープして対向電極３０とした。ＬＰＣＶＤによる成膜は、６００℃で、シラン（ＳｉＨ4）を原料ガスとして行った。ＰドープにはＯＣＤ（Ｐドープ用ガラス）を用いた。なお、絶縁層２０は基板１０と対向電極３０間の絶縁をとるためのものである。また、図６（Ｂ）のように後にミラー構造部となる多結晶質Ｓｉを埋め込むための溝となる部分の対向電極３０はエッチングで除去しておく。
【００２８】
次に、図６（Ｃ）の如く、絶縁層４０としてＳｉＯ2膜４０ａとＳｉ3Ｎ4膜４０ｂをＬＰＣＶＤにより成膜し、さらに、図６（Ｄ）,（Ｅ）のように後でミラー構造部となる多結晶質Ｓｉを埋め込むための溝の部分のパターニング、エッチングをした。パターニングした形状は４５０×１０μｍ2の長方形とした。ここで、ＬＰＣＶＤの成膜は、ＳｉＯ2が６００℃、Ｓｉ3Ｎ4が８００℃で、それぞれＳｉＨ4とＯ2、ＳｉＨ4とアンモニア（ＮＨ3）を原料ガスとして行った。Ｓｉ3Ｎ4膜のエッチングはＲＩＥ（Reactive Ion Etching)でＳＦ6で行い、ＳｉＯ2膜のエッチングはＢＨＦ（buffered hydrofluoric acid）溶液で行った。
【００２９】
続いて、図６（Ｆ）のようにＴＭＡＨ（tetra methyl anmonium hydroxide)溶液によるＳｉ（１１０）基板１０の異方性エッチングを行った。絶縁層４０であるＳｉＯ2膜とＳｉ3Ｎ4膜をエッチングマスクとして、基板表面に対して垂直な（１１１）面を有する溝５７を形成した。なお、異方性エッチングには水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液等の他のアルカリ溶液を用いても良い。
【００３０】
図７（Ａ）のように、前記溝５７に、まずはＬＰＣＶＤによりＳｉＯ2膜を成膜した。これは、後に埋め込まれる多結晶質Ｓｉのミラー構造部（先端側構造部）５４をリリースするための犠牲層５８であり、膜厚は４μｍとした。この膜厚は溝５７のサイズによって決めているものであり、もちろんこれに限られるのではない。
【００３１】
そして、図７（Ｂ）のようにミラー構造部５４を含む構造体５０となる多結晶質ＳｉをＬＰＣＶＤで成膜した。この多結晶質Ｓｉは電極も兼ねるので、対向電極３０と同様にＰドープを行った。
【００３２】
次に、図７（Ｃ）,（Ｄ）の如く基板裏面に、ＲＩＥで光ファイバーを置くためのファイバー配置溝６０を形成した。光ファイバーの直径が１２５μｍなので、溝の幅、深さもこれに合わせて１２５μｍとした。
【００３３】
続いて、図７（Ｅ）の如く対向電極３０に導通をとるための貫通孔６５を形成した。このとき、エッチングは構造体５０となる多結晶質Ｓｉと絶縁層４０の上層のＳｉ3Ｎ4膜４０ｂをＲＩＥ、犠牲層５８のＳiＯ2膜をＢＨＦ溶液によりそれぞれ行った。なお、絶縁層４０の最下層のＳiＯ2膜４０ａだけは残してある。これは、次の工程の構造体５０となる多結晶質Ｓｉのエッチングで対向電極３０が削れるのを防ぐためである。電極間の絶縁層４０をＳｉＯ2膜４０ａとＳｉ3Ｎ4膜４０ｂの多層膜にしたのは、このエッチングを容易にするためである。
【００３４】
そして、図７（Ｆ）,（Ｇ）に図示したように、支持部５１、梁５２，５３及びミラー構造部５４という形状に構造体５０となる多結晶質Ｓｉをパターニングした。パターニングはフォトレジストをマスクとしてＲＩＥで行った。各部の寸法は、支持部５１を１×１mm2、梁５２，５３を５０×４００μｍ2、ミラー構造部５４を５００×５００μｍ2としたが、大きさ、形状は任意に決められる。
【００３５】
その後、図７（Ｈ）,（Ｉ）の如くＢＨＦ溶液でエッチングを行い、犠牲層５８であるＳｉＯ2膜を取り除き、構造体５０の梁５２，５３及びミラー構造部５４をリリースした。このとき、導通用の貫通孔６５の底部分に残っていたＳｉＯ2膜４０ａも同時に取り除かれる。絶縁層４０であるＳｉＯ2も端面から同時にエッチングされるが、面積が充分大きいので問題にはならない。
【００３６】
最後に、ミラー構造部５４の光路に出入りする部分に、Ａｕを斜め蒸着して、ミラー５６を作り上げた。
【００３７】
ミラー５６のリリース後、図８に示したように小型の治具８０で人為的にミラーを持ち上げ、さらに、この状態で支持部５１とミラー構造部５４の間にプローバ９０を通じて大電流を流し、通電加熱による梁５２，５３の塑性変形で図７（Ｊ）及び図８に図示した状態で固定させた。梁５２，５３の基部である曲げられている部分１００の抵抗が大きいので、そこで発熱し、その熱によって多結晶質Ｓｉが塑性変形する。２０ｍＡの電流で、抵抗が大きい部分が発光しているのを確認し、１０秒間保持して、塑性変形させた。これにより、３次元構造の構造体５０が得られる。
【００３８】
本実施の形態の光スイッチは、通電がオフの状態ではミラー５６は光路を遮らない。すなわち、図１の光ファイバー７０に入力された光は光ファイバー７３に伝わり、ファイバー７２に入力された光はファイバー７１に伝わる。この際の損失は−０．３ｄＢであった。
【００３９】
ここで、一方の電極である対向電極３０と他方の電極となる構造体５０間に５Ｖの電圧を印加することにより、静電気力により梁５２，５３、及びミラー構造部５４が対向電極側に引きつけられ、光スイッチングが可能となる。このとき、支持部５１に近いところほど電極間距離が小さいので、梁５２，５３、ミラー構造部５４の順に基板側に引き寄せられる。また、梁と基板間の間の距離が小さいので、比較的低電圧で駆動が可能である。光路がミラー５６で遮られて反射される結果、光ファイバー７０に入力された光は光ファイバー７１に伝わり、ファイバー７２に入力された光はファイバー７３に伝わる。この際の損失は−１．１ｄＢであった。すなわちミラー５６による反射損失は−０．８ｄＢであった。さらにスイッチング速度は５ｍｓでも安定しており、高速駆動が確認された。
【００４０】
この第１の実施の形態によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００４１】
(1)  基板１０と、該基板上に形成されていて当該基板表面に対して垂直方向に可動なミラー５６と、該基板１０に形成された光ファイバーを固定するためのファイバー配置溝６０とを有する光スイッチであって、前記ミラー５６が静電力により駆動されるため、簡素な構造であって小型化が可能である。また、ミラー５６の移動距離は小さくてよいため、高速応答性に優れている。
【００４２】
(2)  ミラー５６が光路に対して垂直に配置されているので、各光ファイバーとの間の結合距離を短縮でき、損失を低減することができる。
【００４３】
(3)  一方の電極である対向電極３０と他方の電極となる構造体５０間の距離が小さく、低印加電圧で駆動可能である。
【００４４】
(4)  基板面に垂直なミラー５６を、高度なエッチング技術を用いずに作製でき、また、そのミラーはＳｉ（１１１）面に成膜されたものであるので、表面性に優れたものであり、この点においても低損失化を図ることができる。
【００４５】
(5)  構造体５０を多結晶質Ｓｉで作製することで、該多結晶質Ｓｉの塑性変形により梁５２，５３及びミラー構造部５４が基板１０から離れた３次元構造をなすようにできる。なお、基板１０から離れた３次元構造とした後、梁５２，５３は静電力により弾性変形可能であり、静電力が加わらない状態ではミラー構造部５４が基板１０から離れた位置となり、静電力により基板方向に引き寄せられる動作を実行できる。
【００４６】
図９は本発明の第２の実施の形態である光スイッチの斜視図、図１０及び図１１は光スイッチングの様子を概略的に示したもので、図１０は光スイッチにおいてミラーが上昇位置で光ファイバーの光路を遮らない状態、図１１は光スイッチにおいてミラーが下降位置で光ファイバーの光路を遮った状態をそれぞれ示す。なお、作製のプロセス自体は前述した第１の実施の形態と同じである。
【００４７】
本発明の第２の実施の形態では、基板１０上に形成された構造体５０において、ミラー構造部５４は４本の梁１１０，１１１，１１２，１１３で支えられており、かつ、それらの梁はそれぞれ略Ｕ字型に折り返した形状となっている。前述した第１の実施の形態と同様に、この形状もミラー構造部５４に一体に形成したミラー５６を人為的に持ち上げた状態で、支持部５１とミラー構造部５４間に通電し、その熱によって梁を塑性変形させることにより実現できる。また、図１０及び図１１のように電極を兼ねた構造体５０の梁及びミラー構造部５４の上方位置に復帰用電極１３０が固定配置されている。なお、その他の構成は第１の実施の形態と同様であり、同一又は相当部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４８】
この第２の実施の形態では、図１０及び図１１に概略的に示したように、二つの安定な状態がある。復帰用電極１３０を構造体５０の上方位置に固定配置しておき、近接して配置した２つの電極３０，１３０のいずれかと電極兼用の構造体５０との間に電圧を印加することによって、構造体５０の可動部分である梁１１０，１１１，１１２，１１３及びミラー構造部５４は、そのいずれかの電極側に引き寄せられた状態で安定となり、双安定（bi-stable）な自己保持型光スイッチを実現することができる。すなわち、構造体５０と復帰用電極１３０間に電圧を印加したときは図１０のように、光スイッチはオフ状態、構造体５０と対向電極３０間に電圧を印加したときは図１１のオン状態となり、電圧がなくなった後も何れかの状態を維持する。
【００４９】
このように、本発明の第２の実施の形態によれば、梁の形状を折り返し型にすることにより、光スイッチに重要な機能である自己保持性を実現できる。その他の作用効果は第１の実施の形態と同様である。
【００５０】
なお、上記の各実施の形態は、本発明を実現するための手段のいくつかを説明しただけであり、本発明は上記実施の形態に限定されるものでは無い。例えば、ファイバー固定部のための第１の基板とミラー構造部を有する第２の基板とを別々に作製し、最終工程で張り合わせて１枚の基板とすること等も勿論可能である。また、ミラー構造部を支える梁を塑性変形させるための加熱は、通電による自己発熱（ジュール発熱）以外に、レーザー光照射、電子ビーム照射により実行することも可能である。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板面に垂直なミラーを静電力で駆動する構成として、構造の簡素化、小型化、低損失化が可能で、かつ低電圧駆動が可能で、高速応答性に優れた光スイッチ及びその製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態であって光スイッチの斜視図である。
【図２】光スイッチのオフ状態を示す概略側断面図である。
【図３】  光スイッチのオフ状態を示す概略正断面図である。
【図４】  光スイッチのオン状態を示す概略側断面図である。
【図５】  光スイッチのオン状態を示す概略正断面図である。
【図６】  光スイッチ作製工程を示す第１の説明図である。
【図７】  第１の説明図に続く光スイッチ作製工程を示す第２の説明図である。
【図８】通電加熱による多結晶質Ｓｉの塑性変形を概略的に示す斜視図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態であって光スイッチの斜視図である。
【図１０】光スイッチのオフ状態を示す概略側面図である。
【図１１】光スイッチのオン状態を示す概略側面図である。
【符号の説明】
１０  基板
２０，４０  絶縁層
３０  対向電極
５０  構造体
５１  支持部
５２，５３，１１０，１１１，１１２，１１３  梁
５４  ミラー構造部
５５  ミラー保持部
５６  ミラー
５７  溝
６０  ファイバー配置溝
７０、７１、７２、７３  光ファイバー
１３０  復帰用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図８】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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