(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ投影装置での超紫外線電磁放射線の投影ビーム（ＰＢ）のパターニングに適した反射性マスク（ＭＡ）を第１のグリッパから第２のグリッパへ引継ぐ方法であって、
前記第１のグリッパによって前記マスク（ＭＡ）の運動学的に決る保持をする工程で、前記第１のグリッパ上に設けた第１の組の突起（３１）と前記マスク（ＭＡ）の周辺領域（１０）に設けられ、共通の一つの仮想点の方向に向けられた第１の組の溝（３３ａ）との協同を含む当該工程、
前記第１のグリッパ上に設けた前記第１の組の突起（３１）が前記マスク（ＭＡ）の周辺領域（１０）に設けた前記第１の組の溝（３３ａ）と協同している間に、前記第２のグリッパ上に設けた第２の組の突起（３２）を前記マスク（ＭＡ）の周辺領域（１０）に設けた第２の組の溝（３４ａ）と接触させる工程、および
前記第２のグリッパによって前記マスク（ＭＡ）の運動学的に決る保持をする工程で、前記第２のグリッパ上に設けた前記第２の組の突起（３２）と前記マスク（ＭＡ）の周辺領域（１０）に設けた前記第２の組の溝（３４ａ）との協同を含む当該工程、
を含む方法。
【請求項２】
重力または電磁力のような、非接触力を使って、前記マスク（ＭＡ）を前記マスク（ＭＡ）の片側にある前記突起（３１，３２）に対して保持する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のグリッパの前記第１の組の突起（３１）の自由度が前記第２のグリッパの前記第２の組の突起（３２）の自由度と相補である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
デバイス製造方法であって、
少なくとも部分的に放射線感応性材料の層で覆われた基板を用意する工程、
放射線システムを使って超紫外線放射線の投影ビームを作る工程、
この投影ビーム（ＰＢ）の断面にパターンを付けるために反射性マスク（ＭＡ）を使う工程、および
このパターン化した放射線のビームを放射線感応性材料の層の目標部分（Ｃ）上に投影する工程、
を有し、
請求項１ないし３のいずれかに記載の前記反射性マスク（ＭＡ）を引継ぐ方法により特徴付けられる方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、超紫外線電磁放射線の投影ビームのパターニングに適した反射性マスクの取扱い方法、上記方法での取扱いに適した反射性マスク、並びに、例えば、リソグラフィ投影装置であって：
超紫外線電磁放射線の投影ビームを提供するための放射線システム；
この反射性マスクを保持するためのマスクテーブルで、このマスクがパターン化した投影ビームを生ずるようにこのマスクで投影ビームを反射すると所望のパターンに従ってこの投影ビームをパターン化するのに役立つテーブル；
基板を保持するための基板テーブル；および
このパターン化した投影ビームを基板の目標部分上に投影するための投影システムを含む装置で使用するために、上記方法を実行するためのグリッパに関する。
【０００２】
【従来の技術】
リソグラフィ投影装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使うことができる。そのような場合、パターニング手段がこのＩＣの個々の層に対応する回路パターンを創成し、このパターンを、放射線感応性材料（レジスト）の層で塗被した基板（シリコンウエハ）の目標部分（例えば、一つ以上のダイを含む）上に結像することができる。一般的に、単一ウエハが隣接する目標部分の全ネットワークを含み、それらをこの投影システムを介して、一度に一つずつ、順次照射する。マスクテーブル上のマスクによるパターニングを使う現在の装置では、機械の二つの異なる種類を区別することができる。一つの種類のリソグラフィ投影装置では、全マスクパターンをこの目標部分上に一度に露出することによって各目標部分を照射し；そのような装置を普通ウエハステッパと呼ぶ。代替装置 ― 普通ステップ・アンド・スキャン装置と呼ぶ ― では、このマスクパターンを投影ビームの下で与えられた基準方向（“走査”方向）に順次走査し、一方、一般的に、この投影システムが倍率Ｍ（一般的に＜１）であり、この基板テーブルを走査する速度Ｖが、倍率Ｍ掛けるマスクテーブルを走査する速度であるので、この基板テーブルをこの方向に平行または逆平行に同期して走査することによって各目標部分を照射する。ここに説明したようなリソグラフィ装置に関する更なる情報は、例えば、参考までにここに援用するＵＳ６，０４６，７９２から収集することができる。
【０００３】
リソグラフィ投影装置を使う製造プロセスでは、パターン（例えば、マスクの中の）を、少なくとも部分的に放射線感応材料（レジスト）の層で覆われた基板上に結像する。この結像工程の前に、この基板は、例えば、下塗り、レジスト塗布およびソフトベークのような、種々の処理を受けるかも知れない。露出後、基板は、例えば、露出後ベーク（ＰＥＢ）、現像、ハードベークおよび結像形態の測定／検査のような、他の処理を受けるかも知れない。この一連の処理は、デバイス、例えばＩＣの個々の層をパターン化するための基礎として使用する。そのようにパターン化した層は、次に、エッチング、イオン注入（ドーピング）、金属化処理、酸化処理、化学・機械的研磨等のような、全て個々の層の仕上げを意図した種々の処理を受けるかも知れない。もし、幾つかの層が必要ならば、全処理またはその変形を各新しい層に反復しなければならないだろう。結局、デバイスのアレイが基板（ウエハ）上にできる。次に、これらのデバイスをダイシングまたは鋸引のような手法によって互いから分離し、そこから個々のデバイスをキャリヤに取付け、ピンに接続し等できる。そのようなプロセスに関する更なる情報は、例えば、参考までにここに援用する、ピータ・バン・ザントの“マイクロチップの製作：半導体加工の実用ガイド”、第３版、マグロウヒル出版社、1997年、ISBN0-07-067250-4という本から得ることができる。
【０００４】
簡単のために、この投影システムを、以後“レンズ”と呼ぶかも知れないが；この用語は、例えば、屈折性光学素子、反射性光学素子、および反射屈折性光学素子を含む、種々の型式の投影システムを包含するように広く解釈すべきである。この放射線システムも放射線のこの投影ビームを指向し、成形しまたは制御するためにこれらの設計形式の何れかに従って作用する部品を含んでもよく、そのような部品も以下で集合的または単独に“レンズ”と呼ぶかも知れない。更に、このリソグラフィ装置は、二つ以上の基板テーブル（および／または二つ以上のマスクテーブル）を有する型式でもよい。そのような“多段”装置では、追加のテーブルを並列に使ってもよく、または準備工程を一つ以上のテーブルで行い、一方他の一つ以上のテーブルを露出に使ってもよい。二段階リソグラフィ装置は、例えば、参考までにここに援用する、ＵＳ５，９６９，４４１およびＷＯ９８／４０７９１に記載してある。
【０００５】
マスクの概念は、リソグラフィでよく知られ、二値、交互位相シフト、および減衰位相シフトのようなマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。そのようなマスクを放射線ビーム中に置くと、このマスク上のパターンに従って、このマスクに入射する放射線の選択透過（透過性マスクの場合）または選択反射（反射性マスクの場合）を生ずる。マスクテーブルは、このマスクを入射放射線ビームの中の所望の位置に保持できること、およびもし望むなら、それをこのビームに対して動かせることを保証する。
【０００６】
通常、このマスクテーブルは、放射線を照明システムからこのマスク、投影システムを通って基板上に送るように配置してある。そのようなマスクは、照明システムからの放射線を選択的に通過させ、それによって基板上にパターンを形成するので、透過性マスクとして知られている。そのようなマスクは、そこに光を透過させるように支持しなければならない。これは、通常、大気圧がマスクをテーブルにクランプするように、このマスクの周辺領域でテーブルに真空を使うことによって達成している。
【０００７】
リソグラフィ装置では、ウエハ上に結像できる形態のサイズが投影放射線の波長によって制限される。高密度デバイスの集積回路、従って高動作速度を生ずるためには、小さい形態を結像できることが望ましい。大抵の現代のリソグラフィ投影装置は、水銀灯またはエキシマレーザによって発生した３６５ｎｍ、２４８ｎｍおよび１９３ｎｍの紫外光線を使うが、１３ｎｍ位の短い波長の放射線を使うことが提案されている。そのような放射線を超紫外線（ＥＵＶ）放射線と呼び、考えられる発生源には、レーザ励起プラズマ源、放電源またはシンクロトロン放射線源があり、それらの例は、例えば、参考までにここに援用するヨーロッパ特許出願ＥＰ１１０９４７２ＡおよびＥＰ１１７０９８２Ａに開示してある。
【０００８】
ＥＵＶ放射線に対して十分に透明である材料がこれまで知られていないので、ＥＵＶ放射線を使用するリソグラフィ投影装置は、異なる材料が交互する多層コーティングを、例えば、参考までにここに援用するヨーロッパ特許出願ＥＰ１０６５５３２Ａに開示してある、モリブデンおよびシリコンまたはその他の材料の交互層の５０周期のオーダで有する反射性マスクを使用することを予想する。ＥＵＶリソグラフィで結像すべき形態のサイズは、この結像プロセスをマスク上に存在するあらゆる汚染物質に非常に敏感にする。５０ｎｍのオーダの大きさのあらゆる汚染物粒子は、基板に製作したデバイスに欠陥を生ずることが予見される。通常、レチクルのパターン化した側は、所謂ペリクルで覆う。するとあらゆる汚染物質がこのマスクパターンからある距離でこのペリクル面上に集積し、従って基板上に（鮮明には）結像されず、ペリクルを有するそのようなマスクを汚染物質にそれ程敏感でなくする。ペリクルは、ＥＵＶ放射線に十分に透明ではないので、ＥＵＶ放射線には使用できない。従って、マスクのパターン坦持反射面上の粒子汚染物質は、欠陥デバイスを製作することに繋がり、防がねばならない。
【０００９】
更に、反射性マスクは、ＥＵＶマスク位置決めの非常に厳しい要件を満たせるように、その裏側をマスクテーブル上にマスク坦持面上の静電気力によって保持することを予想する。このマスクの裏側とマスクテーブルのマスク坦持面の間に存在するあらゆる汚染物質粒子がこの反射性マスク面に凹凸を生ずる結果となる。反射性マスクを使用するので、この投影システムが物体側で非テレセントリックであるので（この問題についての更なる情報は、参考までにここ援用するヨーロッパ特許出願ＥＰ１１３９１７６Ａから得ることができる）、この反射性マスク面の表面仕上げのあらゆる凹凸が基板上に結像したパターンの局部シフトに変形するだろう。その結果、結像した層がこの基板に処理した先の層と整列せず、再び欠陥デバイスの製作に繋がるかも知れない。従って、マスクの裏側面の粒子汚染物質を防がねばならない。
【００１０】
マスクの取扱いは、多層被着装置、マスク書込み装置、マスク検査装置、リソグラフィ投影装置のような種々の装置だけでなく、これらの種々の装置間でマスクを運搬できるマスク格納箱にもそれを出し入れする必要がある。更に、これら種々の装置の内部で、例えば、マスクをマスクテーブルへ移すために、それをマスクライブラリで保管するためにおよびマスクを再び取出すために、マスクの取扱いが必要である。通常、マスクは、機械的または真空作動式クランプによる取扱い手順で保持する。そのような通常の方法は、マスクをある取扱装置のもう一つのグリッパによって引継ぐ度に粒子の大発生源となるように見える。把持は、この把持領域から種々の大きさの粒子を放出させることが分った。接触面の微細滑りがそのような粒子発生の主要原因らしい。従って、更に繊細な取扱い方法がＥＵＶマスクに必要である。マスクとグリッパ間のあらゆる機械的接触は、このマスク（レチクル）の取扱いおよび引継ぎ中の粒子発生を大幅に最少化しまたは防ぐように設計すべきである。
【００１１】
種々の上記装置で、マスクの適正な整列が屡々必要である。通常、これは、マスクをクランプし、整列を決め、クランプを放し、もう一つのグリッパを使ってマスクの位置を調整し、このマスクを最初のクランプで再びクランプし、再び整列を決め、および満足な整列に達するまでこの手順を繰返し続けることによって達成する。マスクをクランプし、クランプを外す度に粒子が発生し、この問題を緩和するために改良したマスク取扱い方法が必要である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、取扱中の粒子発生を大幅に減少するために、反射性ＥＵＶマスク取扱いの改良した方法を提供することである。
もう一つの目的は、そのような方法で取扱うのに適した反射性ＥＵＶマスクを提供することである。
更にもう一つの目的は、そのような方法を実施するのに適した器具または装置を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
これらおよびその他の目的は、この発明によれば、リソグラフィ投影装置での超紫外線電磁放射線の投影ビームのパターニングに適した反射性マスクの取扱い方法であって、取扱中に上記マスクの運動学的に決る保持をする工程を含み、上記運動学的に決る保持をする工程が、グリッパ上に設けた一組の突起とこのマスクの周辺領域に設けたそれぞれの組のくぼみとの協同を含む方法によって達成される。マスクをそのような方法で取扱うことは、粒子発生を防ぐための繊細な把持を提供するだけでなく、適正な整列を達成するために多重引継ぎが必要ないように、このグリッパに関するマスクの既知の整列ももたらす。更に、それは、適正な整列を決定するためにセンサを何も必要とすることなく、非常に単純且つ複雑でないマスク保持方法を提供し、それはＥＵＶマスクを処理するための大抵の装置に必要である真空環境で有利である。断面が広く行渡ったＶ字形であり、上端が丸い突起と協同するくぼみは、非常によい結果を生ずることを示した。
【００１４】
【発明の実施の形態】
この方法は、マスクとグリッパの間の機械的接触点の数を最少にするため、従って考えられる粒子発生源の数を最少にするために、重力または電磁力のような、非接触力を使って、このマスクをこのマスクの片側にある上記組の突起に対して保持する工程を含むのが好ましい。
【００１５】
もう一つの態様で、この発明は、上記方法によって取扱うのに適した反射性ＥＵＶマスクを提供し、このマスクは、取扱中に上記マスクの運動学的に決る保持をするように、グリッパのそれぞれの組の突起と協同するためにその周辺領域に一組のくぼみを備える。
【００１６】
有利な実施例で、この組のくぼみは、効率的保持およびマスク配置の非常に良い再現性を可能にするために、実質的に共通点の方に向いた溝を含む。一つのグリッパからもう一つのグリッパへの引継ぎを可能にするために、マスクの同じ側および反対側の両方に複数組のくぼみを設け、両グリッパがマスクの運動学的に決る保持をするために一組の突起を有してもよい。
【００１７】
好適実施例で、これらのくぼみは、マスクの周りに設けたブラケットに設けてあり、それがこれらのブラケットの材料を、耐摩耗性面を有する材料のような、取扱いに有利な特性に特に選択できるようにする。マスクへのこれらのくぼみの機械加工は、平面度仕様のような、ＥＵＶマスク用に指定された極端な要件も達成不可能にするかも知れない。マスクを静電気力によってマスクテーブルに対して下向きに保持するとき、電源異常のような、ある緊急事態でこのマスクをマスクテーブル上に保持するためにある安全装置もそのようなブラケットに組込んでもよい。
【００１８】
更なる態様で、この発明は、リソグラフィ投影装置での超紫外線電磁放射線の投影ビームのパターニングに適した反射性マスクを取扱うための器具または装置で、取扱中に上記マスクの運動学的に決る保持をするように上記マスクの周辺領域に設けたそれぞれの組のくぼみと協同するようにした一組の突起を含むグリッパを有する器具または装置を提供する。
【００１９】
更に他の態様で、この発明は、デバイス製造方法であって：
少なくとも部分的に放射線感応材料の層で覆われた基板を用意する工程；
放射線システムを使って超紫外線放射線の投影ビームを作る工程；
この投影ビームの断面にパターンを付けるために反射性マスクを使う工程；
この放射線のパターン化した放射線のビームをこの放射線感応性材料の層の目標部分上に投影する工程；および
上記反射性マスクを取扱う工程で、上記マスクの運動学的に決る保持をする工程を含み、上記運動学的に決る保持をする工程が、グリッパ上に設けた一組の突起とこのマスクの周辺領域に設けたそれぞれの組のくぼみとの協同を含む工程から成る方法を提供する。
【００２０】
この発明の更なる実施例およびそれらの利点は、前記請求項および以下の説明に示す。
この本文では、ＩＣの製造に於けるこの発明による装置の使用を具体的に参照してもよいが、そのような装置は、他の多くの可能な用途があることを明確に理解すべきである。例えば、それを集積光学システム、磁区メモリ用誘導検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に使ってもよい。当業者は、そのような代替用途の関係では、この本文で使う“レチクル”、“ウエハ”または“ダイ”という用語のどれも、それぞれ、より一般的な用語“マスク”、“基板”および“目標部分”で置換えられると考えるべきであることが分るだろう。
【００２１】
本文書では、“放射線”および“ビーム”という用語を紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長の）および超紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の、特に１３ｎｍ位の波長を有する）超紫外放射線）を含むあらゆる種類の電磁放射線を包含するために使用する。
【００２２】
次にこの発明の実施例を、例としてだけ、添付の概略図を参照して説明し、これらの図で、類似の参照数字は、類似の部品を示す。
【００２３】
【実施例】
図１は、この発明によるリソグラフィ投影装置１を概略的に描く。この装置は：
ＥＵＶ放射線の投影ビームＰＢを供給するための放射線システムＬＡ、ＩＬ；
マスクＭＡ（例えば、レチクル）を保持するための、およびこのマスクを部材ＰＬに関して正確に位置決めするために第１位置決め手段ＰＭに結合された第１物体テーブル（マスクテーブル）ＭＴ；
基板Ｗ（例えば、レジストを塗被したシリコンウエハ）を保持するための、およびこの基板を部材ＰＬに関して正確に位置決めするために第２位置決め手段ＰＷに結合された第２物体テーブル（基板テーブル）ＷＴ；
マスクＭＡの被照射部分を基板Ｗの目標部分Ｃ（ダイ）上に結像するための、投影システム（“レンズ”）ＰＬを含む。ここに描くように、この投影システムは、反射型であり、その例は、例えば、参考までにここ援用するヨーロッパ特許出願ＥＰ０１３０９３５３．９に開示してある。
【００２４】
この線源ＬＡ（例えば、レーザ励起プラズマ源、放電源または貯蔵リング若しくはシンクロトロンの電子ビームの経路の周りに設けたアンジュレータ若しくはウィグラ）は、ＥＵＶ放射線のビームを作る。このビームを直接か、または、例えば、ビーム拡大器Ｅｘのような、状態調節手段を通してから、照明システム（照明器）ＩＬの中へ送る。この照明器ＩＬは、このビームの強度分布の外側および／または内側半径方向範囲（普通、それぞれ、σ外側および／またはσ内側と呼ぶ）を設定するための調整手段ＡＭを含んでもよい。その上、それは、一般的に、積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯのような、種々の他の部品を含む。この様にして、マスクＭＡに入射するビームＰＢは、その断面に所望の強度分布を有する。
【００２５】
図１に関して、線源ＬＡは、このリソグラフィ投影装置のハウジング内にあってもよいが、このリソグラフィ投影装置から遠く離れていて、それが作る放射線ビームをこの装置に（例えば、適当な指向ミラーを使って）導いてもよいことに注意すべきである。本発明および請求項は、これらのシナリオの両方を包含する。
【００２６】
ビームＰＢは、次に、マスクテーブルＭＴ上に保持されたマスクＭＡを横切る。このマスクＭＡによって選択的に反射されて、ビームＰＢは、レンズＰＬを通過し、それがこのビームを基板Ｗの目標部分Ｃ上に集束する。第２位置決め手段（および干渉計測定手段ＩＦ）を使って、基板テーブルＷＴを、例えば、異なる目標部分ＣをビームＰＢの経路に配置するように、正確に動かすことができる。同様に、例えば、マスクＭＡをマスクライブラリから機械的に検索してから、または走査中に、第１位置決め手段を使ってマスクＭＡをビームＰＢの経路に関して正確に配置することができる。一般的に、物体テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１にはっきりは示さないが、長ストロークモジュール（粗位置決め）および短ストロークモジュール（微細位置決め）を使って実現する。
【００２７】
図示する装置は、二つの異なるモードで使うことができる：
１．ステップモードでは、マスクテーブルＭＴを本質的に固定して保持し、全マスク像を目標部分Ｃ上に一度に（即ち、単一“フラッシュ”で）投影する。次に基板テーブルＷＴをｘおよび／またはｙ方向に移動して異なる目標部分ＣをビームＰＢで照射できるようにする；
２．走査モードでは、与えられた目標部分Ｃを単一“フラッシュ”では露出しないことを除いて、本質的に同じシナリオを適用する。その代りに、マスクテーブルＭＴが与えられた方向（所謂“走査方向”、例えば、ｙ方向）に速度ｖで動き得て、それで投影ビームＰＢがマスク像の上を走査させられ；同時に、基板テーブルＷＴがそれと共に同じまたは反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで動かされ、このＭはレンズＰＬの倍率（典型的には、Ｍ＝１／４または１／５）である。この様にして、比較的大きい目標部分Ｃを、解像度について妥協する必要なく、露出できる。
【００２８】
図２ａは、図１のリソグラフィ装置に使うためのマスクＭＡを示す。このマスクを保持および取扱うためにこのマスクの周辺に取付けたマスクを把持する三つのブラケット１０を有する、マスク把持装置を備える。これらのブラケットは、何か適当な手段によってマスクに取付けてもよく、本実施例では、エポキシベースの接着剤のような、真空と両立性のある接着剤を使って取付けてある。しかし、ブラケット１０、または把持装置一般は、このマスクの一部分を構成してもよい。
【００２９】
マスク上のこれらのブラケットの位置は、マスク製造者およびマスクユーザがこのマスクを取扱うために便利なように選んである。これらのブラケットをその目的で配置するために利用されるマスクの周りのスペースについて色々の要求がなされるものである。更に、これらのブラケットを図２ａおよび図３ではＵ字形に示してある。
【００３０】
図３で更に良く分るように、これらのブラケットは、マスクのパターン坦持面および裏側面と整列する、それぞれ、上側面および下側面に溝１１ａ、１１ｂを備えるが、これらの面の上または下にも備えてもよい。これらの溝は、このマスクのそれぞれの面上の中心点と実質的に一致する仮想点Ｏに向いている。代替実施例では、そのような仮想点がこのマスクの内部、下または上にあって、これらの溝がそのような構成でマスクの面と角度を成してもよい。
【００３１】
図３は、図１に示すリソグラフィ装置のマスク取扱い部でマスクＭＡを把持するためのマスクグリッパ２０の一部も示す。装置２０は、三つのピン２１ｂを含み、それらは上記マスクのブラケットに設けてある三つの関連する溝と協同できるようにこのグリッパ上に位置する。各ピン２１ｂがその上端にボール２２ｂを備えるのが分る。マスクをこの把持装置のボールピン上に重力によって保持するとき、これらのピンが溝１１ｂに部分的に挿入される。これらのピンが共通点Ｏの方に向いているので、これは、マスクをこの把持装置に関して簡単であるが、非常に効果的且つ正確な運動学的位置決めを行う結果となる。この構成がこのマスクをマスク取扱いシステムにまたはマスクを収納するための箱に存在する、装置２０のような、把持装置上に正確に配置できるようにするので、マスクを非常に単純に作れ、コストを節減し、信頼性を改善する。更に、マスクを把持するための溝および（ボール）ピンのそのような構成は、機械的接触による粒子発生の原因である、微細滑りを最少にする。このピンの上に設けたボールがこの点で有利であることが分る。
【００３２】
上記の把持装置でマスクを取扱うとき、このマスクは、ブラケットに設けた関連する溝にピンが重力により部分的に挿入されることによってこの把持装置上に固定されたままである。そこでこのマスクをある加速力を使って取扱ってもよい。加速力および減速力の下での把持装置上のマスクの固定は、上に議論したように、マスクの下または上に位置する共通仮想点の方に向いた溝を設けることによって増加する。
【００３３】
安全性を改善するために、図４に概略的に示すような安全装置を設けてもよい。三つの上方に突出するピン２３から成るこの装置は、把持装置上に配置したとき、マスクのブラケットを部分的に囲むが、ブラケットとは接触せず、ブラケットとこの安全装置の間にスペースを残す。そのような構成は、緊急事態でマスクが把持装置から脱落するのを防ぐ。
【００３４】
例えば、マスクを格納するためのマスク保持箱の中のように、把持装置上のマスクの保持を更に改善するためには、更なるピン２１ａを、ブラケットの上側面の関連する溝に挿入するために、ブラケットの上に設けてもよい。これを図３の仮想線で示す。ピン２１ａ、２１ｂは、それでもマスクを把持するために、それぞれ、図３に示すように下げおよび上げるべきである。
【００３５】
溝は、矩形マスクの一部分として設けてもよく、即ち、ブラケットに設けなくてもよい。図２ｂおよび図２ｃは、矩形マスクの縁領域の詳細を示し、溝１１ａ、１１ｂがこの縁領域に組込んである。
【００３６】
図２ｄは、上面に二つの溝３３ｂ、３４ｂをおよび下面に二つの溝３３ａ、３４ｂを含むブラケット１０を有するマスクＭＡの詳細を示す。三つのブラケット１０が図２ａに示すようにマスクの周りに設けてある。従って、四組の溝（くぼみ）が設けてあり、二組がマスクの片側にあり、二組が反対側にある。このマスクは、このマスクの一組の溝と協同する一つのグリッパの一組のピン（突起）によって保持してもよい。他の組の溝は、このマスクをもう一つのグリッパへ移し替えできるようにする。そのような引継ぎ手順を図５ａ、図５ｂおよび図５ｃに示し、それらは、それぞれ、一つのグリッパ（図示せず）の突起またはピン３１とおよびもう一つのグリッパ（やはり図示せず）の突起３２と協同するための溝３３ａ、３４ａを備えるブラケット１０の下部の詳細を示す。各グリッパは、一組の三つの突起３１または３２を含む。図５ａに、第１グリッパの突起３１を溝３３ａに挿入することによってマスクを保持することを示す。次に、第２グリッパを立ち上げ、図５ｂに示すように、その突起３２をマスクに取付けたブラケット１０の溝３４ａに挿入する。マスクの保持を第１グリッパから第２グリッパへ穏やかに引継ぎ；粒子発生を防ぐかまたは少なくとも最少にする繊細な引継ぎを行う。図５ｃは、突起３２を溝３４ａに挿入した第２グリッパによってだけマスクを保持することを示す。突起３１、３２は、突起３１のために図５ｂに二重矢印によって描くように、マスクに平行な（および突起３１、３２に垂直な）面で幾らかの弾性があるように、上端にボールがある細い棒として示す。この弾性がピンと溝の協同によって決った運動学的に決った位置へのこれらの突起の容易な適合を可能にし、更に一層穏やかな引継ぎを保証する。
【００３７】
図１にリソグラフィ装置を概略的にだけ示す。実際の装置で、マスクテーブルは、マスクパターンが下向きであるように取付けてあってもよい。そこでマスクＭＡを重力およびマスクテーブルＭＴの加速および減速力に抗して保持するためにその背面で静電気力によって保持してもよい。上に議論したようなマスクグリッパを使ってこのマスクをマスクテーブルへ移動する。マスクテーブルの下へ持って来たとき、このマスクをマスクテーブルへ移し替えるために引継ぎを行うべきである。そのような引継ぎ中、マスクテーブルとグリッパの相対運動が一般的に起るだろう。もし、このマスクを静電気力によって保持すべきマスクテーブルのマスク坦持面にこのマスクを直接載せるとしたら、このマスク坦持面とマスクの裏側の間に滑りが起るだろう。これは、粒子発生をもたらし、発生した粒子がマスクとマスク坦持面の間に閉込められるようになってＥＵＶリソグラフィ装置で許容できない規模でマスク変形を生ずるだろう。
【００３８】
引継ぎ中のそのような滑り運動を防ぐために、図６に示すように、垂直Ｚ方向（図６に二重矢印によって描くように）の運動は可能にするが、水平ＸＹ平面の運動は可能にしないように、マスクテーブルに取付けたそれぞれの板ばね３６にピン３５が設けてある。他方、グリッパに取付けたピン２１ｂ、３１、３２は、図５ａ、図５ｂおよび図５ｃに描くピン（突起）３１、３２用に示すように、ＸＹ平面では弾性的であるがＺ方向には剛性であるように構成してある。従って、マスクテーブル上のピン３５の自由度は、グリッパのピン２１ｂ、３１、３２の自由度と相補である。図６のピン３５は、上端が丸いように概略的に描いてある。それぞれの自由度を可能にするために、ピン３１、３２、３５の他の構成も考えてよい。
【００３９】
引継ぎ中、ピン２１ｂ、３１または３２を有するグリッパによってマスクをマスクテーブルの方へ持って来る。次に、このグリッパをマスクと共に上げ（またはマスクテーブルを下げ）、マスクテーブルのピン３５をマスクに設けたそれぞれの溝１１ａと接触させる。するとこのマスクは、マスクテーブルＭＴと垂直に動くことは制限されるが、それに平行には制限されない。引継ぎは、マスクテーブルＭＴのマスク坦持面ＭＢに対するマスクＭＡの静電吸引力によって完成する。
【００４０】
ピンおよびそれぞれの溝のあらゆる表面は、非常に耐摩耗性がある材料、即ち、（実質的に）反応性でない、（非常に）堅く非脆性材料でできているのが好ましい。これらのピンおよび溝は、そのような材料で若しくはそのような材料に作ることができ、またはそのような材料で被覆してもよい。そのような材料および被覆の例は、ダイヤモンド状被覆（ＤＬＣ被覆）、窒化珪素、窒化チタン等である。
【００４１】
静電気力を使ってマスクＭＡをマスクテーブルＭＴ上に保持するとき、電源異常でこのマスクが脱落するのを防ぐために、ある安全装置を設けてもよい。このため、安全ブラケット４０がマスクテーブル上に取付けてある。安全ブラケット４０は、図７に概略的に描くように、マスクＭＡに取付けた適当な形状のブラケット１０と協同するような形状になっている。
【００４２】
これまでは、マスクを重力によってグリッパ上に保持するようにグリッパを説明した。取扱いの際、例えば、マスクをこの装置の他の部分へ引渡すために、またはマスクをマスク格納箱の中へ降ろすために、グリッパ２５を上から来させることが必要かも知れない。そのようなグリッパ２５は、上方に向いた溝と協同するために下方に向いたピンを有するだろう。マスクＭＡをこれらのピンに対して保持するために電磁保持手段を設けてもよい。このため、このグリッパは、マスクＭＡをマスクテーブルＭＴに対して保持するとき、それをグリッパ２５に対して静電的に保持するために手段を備えてもよい。もう一つの選択肢は、磁性または磁化可能材料（例えば、マルテンサイトステンレス鋼）のブラケット１０を作り、図８に概略的に描くように、この相補のグリッパに電気コイル５５を含めることだろう。このコイルを流れる電流が磁性または磁化可能材料のブラケットを吸引する磁界を誘起するだろう。図８は、マスクの穏やかな引継ぎのためにマスクＭＡと平行な平面で弾性的であるグリッパ２５の突起２６も示す。
【００４３】
コイル５５の磁界は、グリッパとマスクの機械的接触のために放出されるようになるかも知れない、磁性または磁化可能材料のあらゆる汚染物質粒子を吸引するようにも作用するだろう。マスクの汚染のリスクを更に減少するために汚染物質粒子を吸引するように、永久磁石または電磁石を、マスクの保持に磁界を使わないグリッパの突起の近くに取付けてもよい。図９は、ピンおよび詳しくは示さないグリッパの、機械的接触を行ったときに放出される粒子を吸引するための、永久磁石５６を示す。そのような磁石（永久磁石または電磁石）を備えることは、ここに開示した種類のグリッパに限らず、マスクの汚染を避けるためにどんな種類のグリッパに設けてもよい。
【００４４】
図１０は、マスクを取扱うためのこの発明のもう一つの実施例を描く。この実施例で、マスクは、取扱い用のくぼみ１１ａ、１１ｂを備えるフレーム６０に取付けてある。このマスクは、このフレームに重力によってまたは何か適当なクランプ手段（図示せず）によって取付けてもよい。このマスクをフレームに取付けるためまたはそれを他の方法で取扱うため、ある種のグリッパと接触するために磁性または磁化可能材料のパッドをこのマスク上の選択した部分に設けてもよい。この金属パッドから放出される粒子は、マスクの粒子汚染を防ぐため、上に説明したように磁界によって吸引することができる。
【００４５】
図１のリソグラフィ投影装置の一部として開示したマスクグリッパは、多層被着装置、マスク書込み装置、マスク清掃装置、若しくはマスク検査装置、またはレチクル格納箱の一部のような、他の器具の一部でもよい。図１１は、この発明による上部および下部グリッパを組込んだレチクル格納箱の一部を概略的に描く。この下部グリッパは、マスクＭＡのブラケット１０にある底部Ｖ溝と協同するために上端が丸い三つのピン８２を支持する底板８１によって構成してある。上部グリッパは、マスクＭＡのブラケット１０にある上Ｖ溝と協同するためにばねとボールを有する三つの突起８４を支持する、この箱の蓋８３によって構成してある。加速力を抑制するために突起８２にもばねを設けてもよい。底板８１および蓋８３は、低ガス放出材料である研磨アルミニウムで作ってある。この箱の内部は、保護（不活性）ガスの雰囲気が維持してある。
【００４６】
上にこの発明の特定の実施例を説明したが、この発明を説明したのと別の方法で実施してもよいことが分るだろう。この説明は、この発明を限定することを意図しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例によるリソグラフィ投影装置を描く。
【図２ａ】この発明の実施例によるマスクを描く。
【図２ｂ】図２ａのマスクの変形の詳細を描く。
【図２ｃ】図２ａのマスクの変形の詳細を描く。
【図２ｄ】図２ａのマスクの変形の詳細を描く。
【図３】図２ａの詳細およびこの発明によるマスクグリッパの一部を描く。
【図４】図３のマスクグリッパ装置のピンの変形を描く。
【図５ａ】この発明の実施例に従う二つのグリッパによるマスクの引継ぎ手順を概略的に描く。
【図５ｂ】この発明の実施例に従う二つのグリッパによるマスクの引継ぎ手順を概略的に描く。
【図５ｃ】この発明の実施例に従う二つのグリッパによるマスクの引継ぎ手順を概略的に描く。
【図６】この発明の実施例によるグリッパを組込んだマスクテーブルの一部を描く。
【図７】マスクテーブルに組込んだフェールセーフ装置およびこの発明の実施例によるマスク上に設けたブラケットを描く。
【図８】この発明の実施例による他の種類のグリッパを描く。
【図９】この発明の実施例による他の種類のグリッパを描く。
【図１０】中にマスクを取付けるための、この発明の実施例によるマスクフレームの詳細を描く。
【図１１】この発明の実施例によるマスク格納箱の詳細を描く。
【符号の説明】
Ｃ  目標部分
ＩＬ  照明システム
ＬＡ  放射線源
ＭＡ  マスク
ＭＢ  マスク坦持面
ＭＴ  マスクテーブル
Ｏ  共通点
ＰＢ  投影ビーム
ＰＬ  投影システム
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル
１  リソグラフィ投影装置
１０  ブラケット
１１ａ  くぼみ
１１ｂ  くぼみ
２０    グリッパ
２１ａ  突起
２１ｂ  突起
２６  突起
３１  突起
３２  突起
３３ａ  くぼみ
３３ｂ  くぼみ
３４ａ  くぼみ
３４ｂ  くぼみ
３５  突起
６０  フレーム
８１  底板
８２  突起
８３  蓋
８４  突起
【図１】
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【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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