(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された少なくとも第１の情報記録層及び第２の情報記録層を備え、前記第１の情報記録層が、前記第２の情報記録層よりも光入射面側に位置する光記録媒体に対し、前記光入射面から少なくとも記録パワーを含む複数のパワーに変調されたパルス状のレーザビームを照射することによって、互いに長さの異なる複数種類の記録マークを形成する情報記録方法であって、
前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第１の情報記録層に形成する場合に、前記レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーを、マルチパルスの記録パワーより低いレベルに設定し、前記第２の情報記録層に形成する場合に、前記レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーを、マルチパルスの記録パワーと同レベルに設定することを特徴とする情報記録方法。
【請求項２】
前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第１の情報記録層に形成する場合に、前記トップパルスと前記ラストパルスの記録パワーを同レベルに設定することを特徴とする請求項１に記載の情報記録方法。
【請求項３】
前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第２の情報記録層に形成する場合に、前記トップパルスと前記ラストパルスの記録パワーを同レベルに設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の情報記録方法。
【請求項４】
前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に、λ／ＮＡ  ≦  ７００ｎｍの条件を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報記録方法。
【請求項５】
前記レーザビームの波長λが、２００〜４５０ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載の情報記録方法。
【請求項６】
積層された少なくとも第１の情報記録層及び第２の情報記録層を備え、前記第１の情報記録層が、前記第２の情報記録層よりも光入射面側に位置する光記録媒体に対し、前記光入射面から少なくとも記録パワーを含む複数のパワーに変調されたパルス状のレーザビームを照射することによって、互いに長さの異なる複数種類の記録マークを形成する情報記録装置であって、
前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第１の情報記録層に形成する場合に、前記レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーを、マルチパルスの記録パワーより低いレベルに設定し、前記第２の情報記録層に形成する場合に、前記レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーを、マルチパルスの記録パワーと同レベルに設定することを特徴とする情報記録装置。
【請求項７】
前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第１の情報記録層に形成する場合に、前記トップパルスと前記ラストパルスの記録パワーを同レベルに設定することを特徴とする請求項６に記載の情報記録装置。
【請求項８】
前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第２の情報記録層に形成する場合に、前記トップパルスと前記ラストパルスの記録パワーを同レベルに設定することを特徴とする請求項６又は７に記載の情報記録装置。
【請求項９】
前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に、λ／ＮＡ  ≦  ７００ｎｍの条件を満たすことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の情報記録装置。
【請求項１０】
前記レーザビームの波長λが、２００〜４５０ｎｍであることを特徴とする請求項９に記載の情報記録装置。
【請求項１１】
積層された少なくとも第１の情報記録層及び第２の情報記録層を備え、前記第１の情報記録層が、前記第２の情報記録層よりも光入射面側に位置し、前記光入射面から少なくとも記録パワーを含む複数のパワーに変調されたパルス状のレーザビームを照射することによって、互いに長さの異なる複数種類の記録マークを形成可能な光記録媒体であって、
前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第１の情報記録層に形成する場合に、前記レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーを、マルチパルスの記録パワーより低いレベルに設定し、前記第２の情報記録層に形成する場合に、前記レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーを、マルチパルスの記録パワーと同レベルに設定するために必要な設定情報を有していることを特徴とする光記録媒体。
【請求項１２】
前記設定情報が、前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第１の情報記録層に形成する場合に、前記トップパルスと前記ラストパルスの記録パワーを同レベルに設定するために必要な情報を含んでいることを特徴とする請求項１１に記載の光記録媒体。
【請求項１３】
前記設定情報が、前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第２の情報記録層に形成する場合に、前記トップパルスと前記ラストパルスの記録パワーを同レベルに設定するために必要な情報を含んでいることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の光記録媒体。
【請求項１４】
前記レーザビームの光路となる光透過層を備え、前記光透過層の厚さが、３０〜２００μｍであることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体への情報記録方法に関し、特に、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体への情報記録方法に関する。また、本発明は、光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関し、特に、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置に関する。さらに、本発明は、光記録媒体に関し、特に、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。このような光記録媒体に要求される記録容量は年々増大し、これを達成するために種々の提案がなされている。かかる提案の一つとして、光記録媒体に含まれる情報記録層を２層構造とする手法が提案され、再生専用の光記録媒体であるＤＶＤ−ＶｉｄｅｏやＤＶＤ−ＲＯＭにおいて実用化されている。このような再生専用の光記録媒体においては、基板表面に形成されたプレピットが情報記録層となり、このような基板が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００３】
また、近年、ユーザによるデータの書き換えが可能な光記録媒体（書き替え型光記録媒体）についても、情報記録層が２層構造であるタイプの光記録媒体が提案されている（特開２００１−２７３６３８号公報参照）。情報記録層が２層構造である書き替え型光記録媒体においては、記録膜及びこれを挟んで形成された誘電体膜（保護膜）が情報記録層となり、かかる情報記録層が中間層を介して積層された構造を有している。
【０００４】
書き替え型光記録媒体の記録膜としては、一般に相変化材料が用いられ、結晶状態である場合とアモルファス状態である場合の反射率差を利用してデータの記録が行われる。すなわち、未記録状態においては記録膜の実質的に全面が結晶状態となっており、データを記録する場合、記録膜の所定の部分がアモルファス状態に変化させられ、これが記録マークとなる。結晶状態である相変化材料をアモルファス状態に変化させるためには、融点以上の温度に加熱した後、急冷すればよい。逆に、アモルファス状態である相変化材料を結晶状態に変化させるためには、結晶化温度以上の温度に加熱した後、徐冷すればよい。
【０００５】
このような加熱及び冷却は、レーザビームのパワー（出力）を調整することによって行うことができる。すなわち、レーザビームを強度変調することにより、未記録状態である記録膜にデータを記録するのみならず、既に何らかのデータが記録されている部分に異なるデータを直接上書き（ダイレクトオーバーライト）することが可能となる。一般に、記録膜を融点以上の温度に加熱するためには、レーザビームのパワーが記録パワー（Ｐｗ）から基底パワー（Ｐｂ）までの振幅を有するパルス波形で設定されたパワーとされ、記録膜を急冷するためには、レーザビームのパワーが基底パワー（Ｐｂ）に設定される。また、記録膜を結晶化温度以上の温度に加熱し、徐冷するためには、レーザビームのパワーが消去パワー（Ｐｅ）に設定される。この場合、消去パワー（Ｐｅ）は、記録膜が結晶化温度以上、融点未満の温度となるようなレベルに設定され、これによりいわゆる固相消去が行われる。
【０００６】
ここで、情報記録層が２層構造である書き替え型光記録媒体においては、レーザビームのフォーカスをいずれか一方の情報記録層に合わせることによってデータの記録／再生が行われることから、光入射面から遠い側の情報記録層（以下、「Ｌ１層」という）に対してデータの記録／再生を行う場合、光入射面から近い側の情報記録層（以下、「Ｌ０層」という）を介してレーザビームが照射されることになる。このため、Ｌ０層は十分な光透過率を有している必要があり、そのため、Ｌ０層には反射膜が設けられないか、設けられる場合であってもその膜厚は非常に薄く設定されることが一般的である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このように、情報記録層が２層構造である書き替え型光記録媒体においては、Ｌ０層には反射膜が設けられないか、設けられる場合であってもその膜厚が非常に薄く設定されることから、十分な膜厚の反射膜を有するＬ１層に比べて放熱性が低く、再結晶化現象が起きやすいという問題が生じる。すなわち、反射膜の材料としては一般に金属が用いられるため、Ｌ１層においてはレーザビームの照射によって発生した熱が熱伝導性の高い反射膜を介して速やかに放熱される一方、Ｌ０層にはこのような熱伝導性の高い層が存在しないか、非常に薄い層であることからレーザビームの照射によって発生した熱が速やかに放熱されず、このため、Ｌ０層においては記録マーク（アモルファス状態）の形状が歪み、良好な再生信号が得られないという問題があった。
【０００８】
特に、近年、記録／再生に用いるレーザビームの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）を７００ｎｍ以下、例えば、ＮＡを０．７以上、特に０．８５程度まで大きくするとともに、かかるレーザビームの波長λを２００〜４５０ｎｍ程度まで短くすることによってレーザビームの集光スポット径を小さくし、これにより大容量のデジタルデータを記録する試みがなされている。このような、短波長のレーザビームを高ＮＡの対物レンズで集光することによってデータの記録／再生を行うシステムにおいては、集光されたレーザビームの単位面積当たりのエネルギーが非常に高いことから、上述したＬ０層における熱干渉の影響が顕著となり、再結晶化現象が発生しやすくなる。さらに隣接トラックの記録マークの影響でクロストークやクロスイレーズが生じるという問題があった。
【０００９】
したがって、本発明の目的は、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に対する情報記録方法であって、良好な形状の記録マークを形成することが可能な情報記録方法を提供することである。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体に情報を記録するための情報記録装置であって、良好な形状の記録マークを形成することが可能な情報記録装置を提供することである。
【００１１】
また、本発明のさらに他の目的は、複数の情報記録層を有する書き替え型光記録媒体であって、良好な形状の記録マークを形成することが可能な光記録媒体を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のかかる目的は、積層された少なくとも第１の情報記録層及び第２の情報記録層を備え、前記第１の情報記録層が、前記第２の情報記録層よりも光入射面側に位置する光記録媒体に対し、前記光入射面から少なくとも記録パワーを含む複数のパワーに変調されたパルス状のレーザビームを照射することによって、互いに長さの異なる複数種類の記録マークを形成する情報記録方法であって、前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第１の情報記録層に形成する場合に、前記レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーを、マルチパルスの記録パワーより低いレベルに設定し、前記第２の情報記録層に形成する場合に、前記レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーを、マルチパルスの記録パワーと同レベルに設定することを特徴とする情報記録方法によって達成される。
【００１３】
本発明においては、前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第１の情報記録層に形成する場合に、前記トップパルスと前記ラストパルスの記録パワーを同レベルに設定することが好ましい。
【００１６】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に、λ／ＮＡ  ≦  ７００ｎｍの条件を満たす。
【００１７】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍである。
【００１８】
本発明の前記目的はまた、積層された少なくとも第１の情報記録層及び第２の情報記録層を備え、前記第１の情報記録層が、前記第２の情報記録層よりも光入射面側に位置する光記録媒体に対し、前記光入射面から少なくとも記録パワーを含む複数のパワーに変調されたパルス状のレーザビームを照射することによって、互いに長さの異なる複数種類の記録マークを形成する情報記録装置であって、前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第１の情報記録層に形成する場合に、前記レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーを、マルチパルスの記録パワーより低いレベルに設定し、前記第２の情報記録層に形成する場合に、前記レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーを、マルチパルスの記録パワーと同レベルに設定することを特徴とする情報記録装置によって達成される。
【００１９】
本発明においては、前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第１の情報記録層に形成する場合に、前記トップパルスと前記ラストパルスの記録パワーを同レベルに設定することが好ましい。
【００２１】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記レーザビームの波長をλとし、前記レーザビームを集光するための対物レンズの開口数をＮＡとした場合に、λ／ＮＡ  ≦  ７００ｎｍの条件を満たす。
【００２２】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍである。
【００２３】
本発明の前記目的はまた、積層された少なくとも第１の情報記録層及び第２の情報記録層を備え、前記第１の情報記録層が、前記第２の情報記録層よりも光入射面側に位置し、前記光入射面から少なくとも記録パワーを含む複数のパワーに変調されたパルス状のレーザビームを照射することによって、互いに長さの異なる複数種類の記録マークを形成可能な光記録媒体であって、前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第１の情報記録層に形成する場合に、前記レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーを、マルチパルスの記録パワーより低いレベルに設定し、前記第２の情報記録層に形成する場合に、前記レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーを、マルチパルスの記録パワーと同レベルに設定するために必要な設定情報を有していることを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００２４】
本発明の好ましい実施態様においては、前記設定情報が、前記複数種類の記録マークのうち、少なくとも一つの種類の記録マークを、前記第２の情報記録層に形成する場合に、前記トップパルスと前記ラストパルスの記録パワーを同レベルに設定するために必要な情報を含んでいる。
【００２６】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記レーザビームの光路となる光透過層を備え、前記光透過層の厚さが３０〜２００μｍである。
【００２７】
本発明によれば、いずれの情報記録層に対してダイレクトオーバーライトを行った場合においても、良好な形状の記録マークを形成することが可能となる。
【００２８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様について詳細に説明する。
【００２９】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【００３０】
図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、基体１１と、中間層１２と、光透過層１３と、中間層１２と光透過層１３との間に設けられたＬ０層２０と、基体１１と中間層１２との間に設けられたＬ１層３０とを備える。Ｌ０層２０は、光入射面１３ａから近い側の情報記録層を構成し、第１の誘電体膜２１、Ｌ０記録膜２２及び第２の誘電体膜２３によって構成される。また、Ｌ１層３０は、光入射面１３ａから遠い側の情報記録層を構成し、第３の誘電体膜３１、Ｌ１記録膜３２、第４の誘電体膜３３及び反射膜３４によって構成される。このように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、２層の情報記録層（Ｌ０層２０及びＬ１層３０）を有している。
【００３１】
基体１１は、光記録媒体１０の機械的強度を確保する役割を果たし、その表面にはグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが設けられている。これらグルーブ１１ａ及び／又はランド１１ｂは、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果たす。特に限定されるものではないが、グルーブ１１ａの深さとしては１０〜４０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピッチとしては０．２〜０．４μｍに設定することが好ましい。基体１１の厚みは約１．１ｍｍに設定され、その材料としては、特に限定されるものではないがポリカーボネートを用いることが好ましい。但し、基体１１は光入射面１３ａとは反対側の面を構成することから、特に光透過性を備える必要はない。
【００３２】
中間層１２は、Ｌ０層２０とＬ１層３０とを十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面にはグルーブ１２ａ及びランド１２ｂが設けられている。これらグルーブ１２ａ及び／又はランド１２ｂは、Ｌ０層２０に対してデータの記録／再生を行う場合におけるレーザビームのガイドトラックとしての役割を果たす。グルーブ１２ａの深さやピッチは、基体１１に設けられたグルーブ１１ａの深さやピッチと同程度に設定すればよい。中間層１２の厚みとしては、約１０〜５０μｍに設定することが好ましい。また、中間層１２の材料としては、特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。中間層１２は、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームの光路となることから、十分に高い光透過性を有している必要がある。
【００３３】
光透過層１３は、レーザビームの光路となるとともに光入射面１３ａを構成し、その厚みとしては、約３０〜２００μｍに設定することが好ましい。光透過層１３の材料としては、特に限定されるものではないが、中間層１２と同様、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。上述のとおり、光透過層１３はレーザビームの光路となることから、十分に高い光透過性を有している必要がある。
【００３４】
Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２は、いずれも相変化材料によって構成され、結晶状態である場合の反射率とアモルファス状態である場合の反射率とが異なることを利用してデータの記録が行われる。Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の具体的な材料としては、特に限定されるものではないがＳｂＴｅ系材料を用いることが好ましい。ＳｂＴｅ系材料としてはＳｂＴｅのみでもよいし、添加物としてＩｎ、Ｔｅ、Ｇｅ、Ａｇ等を加えたＩｎＳｂＴｅＧｅやＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂＴｅＧｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅ等を用いることができる。
【００３５】
ここで、Ｌ０記録膜２２は、Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合にレーザビームの光路となることから、十分な光透過性を有している必要があり、このためＬ０記録膜２２の膜厚は、Ｌ１記録膜３２の膜厚と比べて十分に薄く設定される。具体的には、Ｌ１記録膜３２の膜厚としては、約３〜２０ｎｍに設定することが好ましく、Ｌ０記録膜２２の膜厚は、Ｌ１記録膜３２の膜厚に対して０．３〜０．８倍に設定することが好ましい。
【００３６】
Ｌ０記録膜２２を挟むように設けられた第１の誘電体膜２１及び第２の誘電体膜２３は、Ｌ０記録膜２２に対する保護膜として機能し、Ｌ１記録膜３２を挟むように設けられた第３の誘電体膜３１及び第４の誘電体膜３３は、Ｌ１記録膜３２に対する保護膜として機能する。第１の誘電体膜２１の厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好ましく、第２の誘電体膜２３の厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好ましく、第３の誘電体膜３１の厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好ましく、第４の誘電体膜３３の厚みとしては２〜２００ｎｍに設定することが好ましい。
【００３７】
また、これら第１の誘電体膜２１〜第４の誘電体膜３３は、１層の誘電体膜からなる単層構造であってもよいし、２層以上の誘電体膜からなる積層構造であってもよい。これら第１の誘電体膜２１〜第４の誘電体膜３３の材料としては特に限定されないが、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＴａＯ、ＺｎＳ、ＣｅＯ２等、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｎの酸化物、窒化物、硫化物、炭化物あるいはそれらの混合物を用いることが好ましい。
【００３８】
反射膜３４は、光入射面１３ａから入射されるレーザビームを反射し、再び光入射面１３ａから出射させる役割を果たし、その厚さとしては２０〜２００ｎｍに設定することが好ましい。反射膜３４の材料としては特に限定されないが、ＡｇやＡｌを主成分とする合金を用いることが好ましく、ＡｕやＰｔ等を用いることもできる。また、反射膜３４の腐食を防止するために、反射膜３４と基体１１との間に防湿膜を設けてもよい。かかる防湿膜としては、第１の誘電体膜２１〜第４の誘電体膜３３と同様の材料を用いることができる。さらに、Ｌ０層２０は反射膜を備えていないが、３〜１５ｎｍ程度の薄い反射膜をＬ０層２０に設けても構わない。この場合、かかる反射膜の材料としては、反射膜３４と同じ材料を用いることができる。
【００３９】
このような構造を有する光記録媒体１０に記録されたデータを再生する場合、光入射面１３ａから２００〜４５０ｎｍの波長を持つレーザビームが照射され、その反射光量が検出される。上述のとおり、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２は相変化材料によって構成され、結晶状態である場合とアモルファス状態である場合とで光反射率が異なっていることから、レーザビームを光入射面１３ａから照射してＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の一方にフォーカスを合わせ、その反射光量を検出することにより、レーザビームが照射された部分におけるＬ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２が結晶状態であるかアモルファス状態であるかを判別することができる。
【００４０】
光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合も、光入射面１３ａから約２００〜４５０ｎｍの波長を持つレーザビームが照射され、Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２にフォーカスが合わせられ、記録すべきデータにしたがい、Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２の所定の部分を融点以上の温度に加熱した後、急冷すれば、当該部分の状態がアモルファス状態となり、Ｌ０記録膜２２またはＬ１記録膜３２の所定の部分を結晶化温度以上の温度に加熱した後、徐冷すれば、当該部分の状態が結晶状態となる。アモルファス状態となった部分は「記録マーク」と呼ばれ、記録データは、記録マークの始点から終点までの長さ及び終点から次の記録マークの始点までの長さに形成される。各記録マークの長さ及び記録マーク間の長さ（エッジ間）は、特に限定されるものではないが、（１，７）ＲＬＬの変調方式が採用される場合、２Ｔ〜８Ｔ（Ｔは、クロックの周期）に対応する長さのいずれかに設定される。尚、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジ及びＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジについては後述する。
【００４１】
Ｌ１層３０に対してデータの記録／再生を行う場合、レーザビームはＬ０層２０を介してＬ１記録膜３２に照射されることになる。このため、Ｌ０層２０は十分な光透過性を有している必要があり、上述のとおりＬ１記録膜３２の膜厚と比べて、Ｌ０記録膜２２の膜厚はかなり薄く設定されている。
【００４２】
次に、本実施態様にかかる光記録媒体１０の製造方法について説明する。
【００４３】
図２〜図５は、光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。
【００４４】
まず、図２に示されるように、スタンパ４０を用いて、グルーブ１１ａ及びランド１１ｂを有する基体１１を射出成形する。次に、図３に示されるように、基体１１のうちグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成されている面のほぼ全面に、スパッタリング法によって、反射膜３４、第４の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３２及び第３の誘電体膜３１を順次形成する。これにより、Ｌ１層３０が完成する。尚、スパッタリング直後におけるＬ１記録膜３２の状態は通常アモルファス状態である。
【００４５】
次に、図４に示されるように、Ｌ１層３０上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、その表面にスタンパ４１を被せた状態でスタンパ４１を介して紫外線を照射することにより、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂを有する中間層１２を形成する。次に、図５に示されるように、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂが形成された中間層１２のほぼ全面に、スパッタリング法によって、第２の誘電体膜２３、Ｌ０記録膜２２及び第１の誘電体膜２１を順次形成する。これにより、Ｌ０層２０が完成する。尚、スパッタリング直後におけるＬ０記録膜２２の状態は通常アモルファス状態である。
【００４６】
そして、図１に示されるように、Ｌ０層２０上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、紫外線を照射することによって光透過層１３を形成する。以上により、全ての成膜工程が完了する。本明細書においては、成膜工程が完了した状態の光記録媒体を「光記録媒体前駆体」と呼ぶことがある。
【００４７】
次に、光記録媒体前駆体をレーザ照射装置の回転テーブル（図示せず）に載置し、回転させながらトラックに沿った方向における長さが短く、且つ、トラックに垂直な方向における長さが長い矩形状のレーザビームを連続的に照射し、光記録媒体前駆体が１回転するごとに照射位置をトラックに対して垂直な方向にずらすことによって、矩形状のレーザビームをＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のほぼ全面に照射する。これにより、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２を構成する相変化材料は結晶化温度以上の温度に加熱され、その後徐冷されることから、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の実質的に全面が結晶状態、すなわち、未記録状態となる。このような工程は、一般に「初期化工程」と呼ばれる。
【００４８】
かかる初期化工程が完了すると、光記録媒体１０が完成する。
【００４９】
このようにして製造された光記録媒体１０に対しては、上述の通り、レーザビームのフォーカスをＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のいずれかに合わせて記録マークを形成することにより、所望のデジタルデータを記録することができる。また、光記録媒体１０のＬ０記録膜２２及び／又はＬ１記録膜３２にデータを記録した後は、上述の通り、レーザビームのフォーカスをＬ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２のいずれかに合わせてその反射光量を検出することにより、記録されたデジタルデータを再生することができる。
【００５０】
次に、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジ及びＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジについて詳述する。
【００５１】
上述のとおり、Ｌ１層３０には熱伝導性の高い反射膜３４が設けられるため放熱性が高い一方、Ｌ０層２０には反射膜が設けられないか、設けられる場合であってもその膜厚が非常に薄く設定されるため放熱性が低く、熱干渉によって再結晶化しやすい。このため、本発明においては、Ｌ０記録膜２２に対して記録を行う場合と、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合とで異なるストラテジを採用し、これにより、冷却効果の低いＬ０記録膜２２における熱干渉を緩和している。
【００５２】
以下、（１，７）ＲＬＬの変調方式を採用する場合における記録ストラテジについて具体的に説明する。以下に詳述するが、本実施態様では、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合には、レーザビームの記録パワーＰｗをＰｗ１に設定し（以下、「１値記録」と呼ぶことがある）、また、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合には、レーザビームの記録パワーＰｗをＰｗ０又はＰｗ０’のいずれかに設定している（以下、「２値記録」と呼ぶことがある）。
【００５３】
図６は、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり（ｄ）は５Ｔ〜８Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。
【００５４】
図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、本実施態様では、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合、レーザビームの強度は、記録パワー（Ｐｗ１）、消去パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）からなる３つの強度に変調される。記録パワー（Ｐｗ１）の強度としては、照射によってＬ１記録膜３２が溶融するような高いレベルに設定され、消去パワー（Ｐｅ１）の強度としては、照射によってＬ１記録膜３２が結晶化温度以上、の温度に達するようなレベルに設定され、基底パワー（Ｐｂ１）の強度としては、照射されても、溶融しているＬ１記録膜３２が冷却されるような低いレベルに設定される。
【００５５】
記録パワー（Ｐｗ１）、消去パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）の各パワーは、光記録媒体の構造や情報記録装置の光学系に応じて適宜決定すればよく、例えば、記録パワー（Ｐｗ１）としては７．０ｍＷ〜１０．０ｍＷ程度に設定し、消去パワー（Ｐｅ１）としては４．０ｍＷ〜７．０ｍＷ程度に設定し、基底パワー（Ｐｂ１）としては０．１ｍＷ〜０．５ｍＷ程度に設定すればよい。尚、記録パワー（Ｐｗ１）、消去パワー（Ｐｅ１）及び基底パワー（Ｐｂ１）の値は、レーザビームを照射した際の盤面における値である。
【００５６】
Ｌ１記録膜３２に記録マークを形成する場合（Ｌ１記録膜３２をアモルファス状態にする場合）には、レーザビームを記録パワー（Ｐｗ１）或いは記録パワー（Ｐｗ１）から基底パワー（Ｐｂ１）までの振幅を有するパルス波形とすることによりＬ１記録膜３２を融点以上に加熱し、その後、レーザビームを基底パワー（Ｐｂ１）に設定することによりＬ１記録膜３２を急冷する。一方、記録マークを消去する場合（Ｌ１記録膜３２を結晶状態にする場合）には、レーザビームを消去パワー（Ｐｅ１）に固定し、これによりＬ１記録膜３２を結晶化温度以上の温度に加熱し、徐冷する。これによって、Ｌ１記録膜３２に形成されている記録マークが固相消去される。以下、具体的な記録ストラテジについて、記録マークごとに詳述する。
【００５７】
まず、図６（ａ）に示すように、Ｌ１記録膜３２に対して２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームのパルス数は「１」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。Ｌ１記録膜３２に対する記録においてレーザビームのパルス数とは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ１）まで高められた回数によって定義される。また、本明細書においては、レーザビームのパルスのうち、先頭パルスをトップパルス、最終パルスをラストパルス、トップパルスとラストパルスの間に存在するパルスをマルチパルスと定義する。但し、図６（ａ）に示すように、パルス数が「１」である場合には、当該パルスはトップパルスである。
【００５８】
また、冷却期間Ｔｃｌにおいては、レーザビームの強度が基底パワー（Ｐｂ１）に設定される。このように、本明細書においては、Ｌ１記録膜３２に対する記録においてレーザビームの強度が基底パワー（Ｐｂ１）に設定される最後の期間を冷却期間と定義する。したがって、２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ１１以前においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ１１からタイミングｔ１２までの期間（Ｔｔｏｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タイミングｔ１２からタイミングｔ１３までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設定され、タイミングｔ１３以降においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【００５９】
ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐは、特に限定されるものではないが、０．３Ｔ〜０．５Ｔ、特に０．４Ｔに設定することが好ましい。また、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．６Ｔ〜１．０Ｔ、特に０．８Ｔに設定することが好ましい。
【００６０】
また、図６（ｂ）に示すように、Ｌ１記録膜３２に対して３Ｔ信号を形成する場合、レーザビームのパルス数は「２」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、３Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ２１以前においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ２１からタイミングｔ２２までの期間（Ｔｔｏｐ）及びタイミングｔ２３からタイミングｔ２４までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タイミングｔ２２からタイミングｔ２３までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ２４からタイミングｔ２５までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設定され、タイミングｔ２５以降においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【００６１】
ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐは、特に限定されるものではないが、０．３Ｔ〜０．５Ｔ、特に０．４Ｔに設定することが好ましい。また、ラストパルスのパルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、０．４Ｔ〜０．６Ｔ、特に０．５Ｔに設定することが好ましい。また、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定されるものではないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ましい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存在するパルスのパルス幅であって、図６（ｂ）においてはトップパルスのパルス幅Ｔｌｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．４Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなる。そして、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．６Ｔ〜１．０Ｔ、特に０．８Ｔに設定することが好ましい。
【００６２】
さらに、図６（ｃ）に示すように、Ｌ１記録膜３２に対して４Ｔ信号を形成する場合、レーザビームのパルス数は「３」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、４Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ３１以前においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ３１からタイミングｔ３２までの期間（Ｔｔｏｐ）、タイミングｔ３３からタイミングｔ３４までの期間（Ｔｍｐ）及びタイミングｔ３５からタイミングｔ３６までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タイミングｔ３２からタイミングｔ３３までの期間（Ｔｏｆｆ）、タイミングｔ３４からタイミングｔ３５までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ３６からタイミングｔ３７までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設定され、タイミングｔ３７以降においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【００６３】
ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐは、特に限定されるものではないが、０．３Ｔ〜０．５Ｔ、特に０．４Ｔに設定することが好ましい。また、ラストパルスのパルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、０．４Ｔ〜０．６Ｔ、特に０．５Ｔに設定することが好ましい。さらに、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定されるものではないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ましい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存在するパルスのパルス幅であって、図６（ｃ）においてはトップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ又はマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．４Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなり、Ｔｍｐが０．４Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなる。そして、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．６Ｔ〜１．０Ｔ、特に０．８Ｔに設定することが好ましい。
【００６４】
そして、図６（ｄ）に示すように、Ｌ１記録膜３２に対して５Ｔ〜８Ｔ信号を形成する場合、レーザビームのパルス数は「４」〜「７」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、５Ｔ〜８Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ４１以前においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定され、タイミングｔ４１からタイミングｔ４２までの期間（Ｔｔｏｐ）、タイミングｔ４３からタイミングｔ４４までの期間（Ｔｍｐ）、タイミングｔ４５からタイミングｔ４６までの期間（Ｔｍｐ）及びタイミングｔ４７からタイミングｔ４８までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ１）に設定され、タイミングｔ４２からタイミングｔ４３までの期間（Ｔｏｆｆ）、タイミングｔ４４からタイミングｔ４５までの期間（Ｔｏｆｆ）、タイミングｔ４６からタイミングｔ４７までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ４８からタイミングｔ４９までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ１）に設定され、タイミングｔ４９以降においては消去パワー（Ｐｅ１）に設定される。
【００６５】
ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ及びマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐは、特に限定されるものではないが、０．３Ｔ〜０．５Ｔ、特に０．４Ｔに設定することが好ましい。また、ラストパルスのパルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、０．４Ｔ〜０．６Ｔ、特に０．５Ｔに設定することが好ましい。さらに、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定されるものではないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ましい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存在するパルスのパルス幅であって、図６（ｄ）においてはトップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ又はマルチパルスのパルス幅Ｔｍｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．４Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなり、Ｔｍｐが０．４Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．６Ｔとなる。そして、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．６Ｔ〜１．０Ｔ、特に０．８Ｔに設定することが好ましい。
【００６６】
以上により、記録信号（２Ｔ信号〜８Ｔ信号）を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ１）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ１記録膜３２が冷却期間Ｔｃｌにおいて急冷され、アモルファス状態となる。一方、その他の領域においては、消去パワー（Ｐｅ１）をもつレーザビームの照射によってＬ１記録膜３２が結晶化温度以上の温度に加熱され、その後レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
【００６７】
以上が、Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジである。このように、本実施態様においては、光入射面１３ａから遠いＬ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合、レーザビームのトップパルス、マルチパルス及びラストパルスの記録パワーＰｗを一律にＰｗ１に設定していることから、良好な形状をもった記録マークを形成することが可能となる。
【００６８】
次に、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジについて詳述する。
【００６９】
図７は、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。
【００７０】
図７（ａ）〜（ｄ）に示すように、本実施態様では、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合、レーザビームの強度は、記録パワー（Ｐｗ０）、記録パワー（Ｐｗ０’）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）からなる４つの強度に変調される。記録パワー（Ｐｗ０）及び（Ｐｗ０’）の強度としては、照射によってＬ０記録膜２２が溶融するような高いレベルに設定され、消去パワー（Ｐｅ０）の強度としては、照射によってＬ０記録膜２２が結晶化温度以上の温度に達するようなレベルに設定され、基底パワー（Ｐｂ０）の強度としては、照射されても、溶融しているＬ０記録膜２２が冷却されるような低いレベルに設定される。
【００７１】
記録パワー（Ｐｗ０）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）の各パワーは、光記録媒体の構造や情報記録装置の光学系に応じて適宜決定すればよく、例えば、記録パワー（Ｐｗ０）としては５．０ｍＷ〜６．６ｍＷ程度に設定し、消去パワー（Ｐｅ０）としては１．３ｍＷ〜１．７ｍＷ程度に設定し、基底パワー（Ｐｂ０）としては０．１ｍＷ〜０．５ｍＷ程度に設定すればよい。また、記録パワー（Ｐｗ０’）としては記録パワーＰｗ０より低いレベル、例えばＰｗ０の０．９倍程度（０．９×Ｐｗ０）に設定すればよい。尚、記録パワー（Ｐｗ０）、記録パワー（Ｐｗ０’）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）の値は、レーザビームを照射した際の盤面における値である。
【００７２】
Ｌ０記録膜２２に記録マークを形成する場合（Ｌ０記録膜２２をアモルファス状態にする場合）には、レーザビームを記録パワー（Ｐｗ０）或いは記録パワー（Ｐｗ０）から基底パワー（Ｐｂ０）までの振幅を有するパルス波形とすることにより、又は記録パワー（Ｐｗ０’）或いは記録パワー（Ｐｗ０’）から基底パワー（Ｐｂ０）までの振幅を有するパルス波形とすることにより、Ｌ０記録膜２２を融点以上に加熱し、その後、レーザビームを基底パワー（Ｐｂ０）に設定することによりＬ０記録膜２２を急冷する。一方、記録マークを消去する場合（Ｌ０記録膜２２を結晶状態にする場合）には、レーザビームを消去パワー（Ｐｅ０）に固定し、これによりＬ０記録膜２２を結晶化温度以上の温度に加熱し、徐冷する。これによって、Ｌ０記録膜２２に形成されている記録マークが消去される。以下、具体的な記録ストラテジについて、記録マークごとに詳述する。
【００７３】
まず、図７（ａ）に示すように、Ｌ０記録膜２２に対して２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームのパルス数は「１」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。Ｌ０記録膜２２に対する記録においては、レーザビームのパルス数とは、レーザビームの強度が記録パワー（Ｐｗ０）或いは（Ｐｗ０’）まで高められた回数によって定義される。
【００７４】
また、冷却期間Ｔｃｌにおいては、レーザビームの強度が基底パワー（Ｐｂ０）に設定される。このように、本明細書においては、Ｌ０記録膜２２に対する記録においてレーザビームの強度が基底パワー（Ｐｂ０）に設定される最後の期間を冷却期間と定義する。したがって、２Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ５１以前においては消去パワー（Ｐｅ０）に設定され、タイミングｔ５１からタイミングｔ５２までの期間（Ｔｔｏｐ）においては記録パワー（Ｐｗ０’）に設定され、タイミングｔ５２からタイミングｔ５３までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ０）に設定され、タイミングｔ５３以降においては消去パワー（Ｐｅ０）に設定される。
【００７５】
ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐは、特に限定されるものではないが、０．２Ｔ〜０．４Ｔ、特に０．３Ｔに設定することが好ましい。また、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．８Ｔ〜１．２Ｔ、特に１．０Ｔに設定することが好ましい。
【００７６】
また、図７（ｂ）に示すように、Ｌ０記録膜２２に対して３Ｔ信号を形成する場合、レーザビームのパルス数は「２」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、３Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ６１以前においては消去パワー（Ｐｅ０）に設定され、タイミングｔ６１からタイミングｔ６２までの期間（Ｔｔｏｐ）及びタイミングｔ６３からタイミングｔ６４までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ０’）に設定され、タイミングｔ６２からタイミングｔ６３までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ６４からタイミングｔ６５までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ０）に設定され、タイミングｔ６５以降においては消去パワー（Ｐｅ０）に設定される。
【００７７】
ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ及びラストパルスのパルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、０．１５Ｔ〜０．３Ｔ、特に０．２Ｔに設定することが好ましい。また、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定されるものではないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ましい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存在するパルスのパルス幅であって、図７（ｂ）においてはトップパルスのパルス幅Ｔｌｐに相当する。したがって、Ｔｌｐが０．２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとなる。そして、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．８Ｔ〜１．２Ｔ、特に１．０Ｔに設定することが好ましい。
【００７８】
さらに、図７（ｃ）に示すように、Ｌ０記録膜２２に対して４Ｔ信号を形成する場合、レーザビームのパルス数は「３」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、４Ｔ信号を形成する場合、レーザビームの強度は、タイミングｔ７１以前においては消去パワー（Ｐｅ０）に設定され、タイミングｔ７１からタイミングｔ７２までの期間（Ｔｔｏｐ）及びタイミングｔ７５からタイミングｔ７６までの期間（Ｔｌｐ）においては記録パワー（Ｐｗ０’）に設定され、タイミングｔ７３からタイミングｔ７４までの期間（Ｔｍｐ）においては記録パワー（Ｐｗ０）に設定され、タイミングｔ７２からタイミングｔ７３までの期間（Ｔｏｆｆ）、タイミングｔ７４からタイミングｔ７５までの期間（Ｔｏｆｆ）及びタイミングｔ７６からタイミングｔ７７までの期間（Ｔｃｌ）においては基底パワー（Ｐｂ０）に設定され、タイミングｔ７７以降においては消去パワー（Ｐｅ０）に設定される。
【００７９】
ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ及びラストパルスのパルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、０．１５Ｔ〜０．３Ｔ、特に０．２Ｔに設定することが好ましい。さらに、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定されるものではないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ましい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存在するパルスのパルス幅であって、図７（ｃ）においてはトップパルスのパルス幅Ｔｍｐ又はマルチパルスのパルス幅Ｔｌｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとなり、Ｔｍｐが０．２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとなる。そして、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．８Ｔ〜１．２Ｔ、特に１．０Ｔに設定することが好ましい。
【００８０】
そして、図７（ｄ）に示すように、Ｌ０記録膜２２に対して５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合、レーザビームのパルス数はそれぞれ「４」〜「７」に設定され、その後、冷却期間Ｔｃｌが挿入される。したがって、マルチパルスの数は、５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合それぞれ「２」〜「５」に設定される。この場合も、Ｔｔｏｐ（タイミングｔ８１からタイミングｔ８２までの期間）及びＴｌｐの期間（タイミングｔ８７からタイミングｔ８８までの期間）においては記録パワー（Ｐｗ０’）に設定され、Ｔｍｐ（タイミングｔ８３からタイミングｔ８４までの期間、タイミングｔ８５からタイミングｔ８６までの期間等）においては記録パワー（Ｐｗ０）に設定され、オフ期間Ｔｏｆｆ（タイミングｔ８２からタイミングｔ８３までの期間、タイミングｔ８６からタイミングｔ８７までの期間等）及び冷却期間Ｔｃｌ（タイミングｔ８８からタイミングｔ８９までの期間）においては基底パワー（Ｐｂ０）に設定され、その他の期間においては消去パワー（Ｐｅ０）に設定される。
【００８１】
ここで、トップパルスのパルス幅Ｔｔｏｐ、マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐ及びラストパルスのパルス幅Ｔｌｐは、特に限定されるものではないが、０．１５Ｔ〜０．３Ｔ、特に０．２Ｔに設定することが好ましい。さらに、オフ期間Ｔｏｆｆは、特に限定されるものではないが、１−Ｔｎｘｔに設定することが好ましい。ここでＴｎｘｔとは、オフ期間Ｔｏｆｆ直前に存在するパルスのパルス幅であって、図７（ｄ）においてはトップパルスのパルス幅Ｔｍｐ又はマルチパルスのパルス幅Ｔｌｐに相当する。したがって、Ｔｔｏｐが０．２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとなり、Ｔｍｐが０．２Ｔであればオフ期間Ｔｏｆｆは０．８Ｔとなる。そして、冷却期間Ｔｃｌは、特に限定されるものではないが、０．８Ｔ〜１．２Ｔ、特に１．０Ｔに設定することが好ましい。
【００８２】
以上により、記録信号（２Ｔ信号〜８Ｔ信号）を形成すべき領域においては、記録パワー（Ｐｗ０）及び／又は記録パワー（Ｐｗ０’）をもつレーザビームの照射によって溶融したＬ０記録膜２２が冷却期間Ｔｃｌにおいて急冷され、アモルファス状態となる。一方、その他の領域においては、消去パワー（Ｐｅ０）をもつレーザビームの照射によってＬ０記録膜２２が結晶化温度以上の温度に加熱され、その後レーザビームが遠ざかるにことによって徐冷され、結晶状態となる。
【００８３】
以上が、Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジである。このように、本実施態様においては、光入射面１３ａに近いＬ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合、レーザビームのトップパルス及びラストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録パワーＰｗ０より低い記録パワーＰｗ０’に設定していることから、冷却効果の低いＬ０記録膜２２における熱干渉が緩和され、再結晶化現象を抑制することが可能となる。
【００８４】
以上説明したＬ０層２０及びＬ１層３０にそれぞれ対応する記録ストラテジを特定するための情報は、「記録条件設定情報」として当該光記録媒体１０内に保存しておくことが好ましい。このような記録条件設定情報を光記録媒体１０内に保存しておけば、ユーザが実際にデータの記録を行う際に、情報記録装置によってかかる記録条件設定情報が読み出され、これに基づいて記録ストラテジを決定することが可能となる。したがって、例えば、ユーザがＬ１層３０に対するデータの記録を指示した場合には、情報記録装置は図６に示した記録ストラテジを用いてデータの記録を行い、ユーザがＬ０層２０に対するデータの記録を指示した場合には、情報記録装置は図７に示した記録ストラテジを用いてデータの記録を行う。
【００８５】
記録条件設定情報としては、Ｌ０層２０及びＬ１層３０にそれぞれ対応する記録ストラテジのみならず、光記録媒体１０に対してデータの記録を行う場合に必要な各種条件（記録線速度等）を特定するために必要な情報を含んでいることがより好ましい。記録条件設定情報は、ウォブルやプレピットとして記録されたものでもよく、Ｌ０記録膜２２及び／又はＬ１記録膜３２にデータとして記録されたものでもよい。また、データの記録に必要な各条件を直接的に示すもののみならず、情報記録装置内にあらかじめ格納されている各種条件のいずれかを指定することにより記録ストラテジの特定を間接的に行うものであっても構わない。
【００８６】
図８は、光記録媒体１０に対してデータの記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図である。
【００８７】
情報記録装置５０は、図８に示すように光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ５２と、光記録媒体１０にレーザビームを照射するとともにその反射光を受光するヘッド５３と、スピンドルモータ５２及びヘッド５３の動作を制御するコントローラ５４と、ヘッド５３にレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路５５と、ヘッド５３にレンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路５６とを備えている。
【００８８】
さらに、図８に示すように、コントローラ５４にはフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９が含まれている。フォーカスサーボ追従回路５７が活性化すると、回転している光記録媒体１０の記録面にフォーカスがかかった状態となり、トラッキングサーボ追従回路５８が活性化すると、光記録媒体１０の偏芯している信号トラックに対して、レーザビームのスポットが自動追従状態となる。フォーカスサーボ追従回路５７及びトラッキングサーボ追従回路５８には、フォーカスゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能及びトラッキングゲインを自動調整するためのオートゲインコントロール機能がそれぞれ備えられている。また、レーザコントロール回路５９は、レーザ駆動回路５５により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報に基づいて、適切なレーザ駆動信号の生成を行う。
【００８９】
尚、これらフォーカスサーボ追従回路５７、トラッキングサーボ追従回路５８及びレーザコントロール回路５９については、コントローラ５４内に組み込まれた回路である必要はなく、コントローラ５４と別個の部品であっても構わない。さらに、これらは物理的な回路である必要はなく、コントローラ５４内で実行されるソフトウェアであっても構わない。
【００９０】
このような構成からなる情報記録装置５０を用いて本実施態様にかかる光記録媒体１０に対するデータの記録を行う場合、上述のとおり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報が読み出され、これに基づいて記録ストラテジが決定される。したがって、情報記録装置５０は、Ｌ１層３０に対してデータの記録を行う場合、読み出された記録条件設定情報に基づき、図６に示した記録ストラテジを用いてデータの記録を行い、Ｌ０層２０に対してデータの記録を行う場合、読み出された記録条件設定情報に基づき、図７に示した記録ストラテジを用いてデータの記録を行う。
【００９１】
【実施例】
以下、本発明の実施例について具体的に説明する。
【００９２】
光記録媒体１０の作製
まず、図２に示したスタンパ４０を用いたポリカーボネートの射出成形を行い、これによって、グルーブ１１ａの深さ及びピッチがそれぞれ３４ｎｍ及び０．３２μｍであり、厚さが１．１ｍｍである基体１１を作成した。
【００９３】
次に、基体１１をスパッタリング装置（図示せず）内に搬入し、基体１１のうちグルーブ１１ａ及びランド１１ｂが形成されている面のほぼ全面にＡｇ合金、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０）、ＡｇＳｂＴｅＧｅ及びＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０）をこの順でスパッタリングすることによって、それぞれ厚さが１００ｎｍ、１５ｎｍ、１２ｎｍ及び８０ｎｍである反射膜３４、第４の誘電体膜３３、Ｌ１記録膜３２及び第３の誘電体膜３１（Ｌ１層３０）を成膜した。
【００９４】
次に、Ｌ１層３０が形成された基体１１をスパッタリング装置から搬出した後、第３の誘電体膜３１上に紫外線硬化性アクリル樹脂をスピンコートした。そして、スピンコートした紫外線硬化性アクリル樹脂の表面に、図４に示したスタンパ４１を被せた状態でスタンパ４１を介して紫外線を照射した。これにより、グルーブ１２ａの深さ及びピッチがそれぞれ３４ｎｍ及び０．３２μｍであり、厚さが２０μｍである中間層１２を形成した。
【００９５】
次に、Ｌ１層３０及び中間層１２が形成された基体１１をスパッタリング装置内に搬入し、グルーブ１２ａ及びランド１２ｂが形成されている中間層１２のほぼ全面にＡｌ２Ｏ３、ＳｂＴｅ及びＺｎＳ−ＳｉＯ２（８０：２０）をこの順でスパッタリングすることによって、それぞれ厚さが７０ｎｍ、８ｎｍ及び６０ｎｍである第２の誘電体膜２３、Ｌ０記録膜２２及び第１の誘電体膜２１（Ｌ０層２０）を成膜した。
【００９６】
次に、Ｌ１層３０、中間層１２及びＬ０層２０が形成された基体１１をスパッタリング装置から搬出した後、第１の誘電体膜２１上に紫外線硬化性アクリル樹脂をスピンコートし、紫外線を照射することによって、厚さが１００μｍである光透過層１３を形成した。これにより光記録媒体前駆体が完成した。
【００９７】
そして、かかる光記録媒体前駆体をレーザ照射装置の回転テーブル（図示せず）に載置し、回転させながらトラックに沿った方向における長さが短く、且つ、トラックに垂直な方向における長さが長い矩形状のレーザビームを連続的に照射し、光記録媒体前駆体が１回転するごとに照射位置をトラックに対して垂直な方向にずらすことによって、Ｌ０記録膜２２及びＬ１記録膜３２の実質的に全面を結晶状態に初期化した。これにより本実施例で用いる光記録媒体１０が完成した。
【００９８】
データの記録（シングルジッタ値の測定）
このようにして作製された光記録媒体１０のＬ０層２０に対し、図７（ａ）〜（ｄ）に示した２値記録のストラテジを用い、１本のトラック上に、２Ｔ〜８Ｔの各信号のランダム信号を記録した。ここで、記録ストラテジは、記録パワー（Ｐｗ０）をパラメータとし、記録パワー（Ｐｗ０’）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）をそれぞれ０．９×Ｐｗ０、１．５ｍＷ及び０．１ｍＷに設定した。またＴｔｏｐ、Ｔｍｐ及びＴｌｐは、すべて０．２Ｔに設定し、Ｔｏｆｆは０．８Ｔに設定し、Ｔｃｌは１．０Ｔに設定した。
【００９９】
さらに比較例として、光記録媒体１０のＬ０層２０に対し、Ｌ１層３０に記録する場合に用いるストラテジである図６（ａ）〜（ｄ）に示した１値記録のストラテジを用い、１本のトラック上に、２Ｔ〜８Ｔの各信号のランダム信号を記録した。ここで、記録ストラテジは、記録パワー（Ｐｗ０）をパラメータとし、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）をそれぞれ１．５ｍＷ及び０．１ｍＷに設定した。またＴｔｏｐ、Ｔｍｐ及びＴｌｐは、すべて０．２Ｔに設定し、Ｔｏｆｆは０．８Ｔに設定し、Ｔｃｌは１．０Ｔに設定した。これは、Ｌ１層３０に記録する場合と同様の記録ストラテジでＬ０層２０を記録した場合との比較である。
【０１００】
記録においては、クロック周波数を６５．７ＭＨｚに設定し（Ｔ＝１５．２ｎｓｅｃ）、記録線速度を５．７ｍ／ｓｅｃに設定して、（１，７）ＲＬＬの変調方式により信号の形成を行った。記録に用いたレーザビームの波長は４０５ｎｍであり、レーザビームを集束するための対物レンズの開口数は０．８５である。
【０１０１】
データの再生
次に、Ｌ０層２０に対し、再生パワー（Ｐｒ０）を０．５ｍＷに設定して２Ｔ〜８Ｔの各信号のランダム信号を再生し、そのジッタ及びＣ／Ｎ（キャリア／ノイズ比）を測定した。ジッタは、タイムインターバルアナライザによりクロックジッタを測定し、その再生信号の「ゆらぎ（σ）」を求め、ウィンドウ幅をＴｗとして、
σ／Ｔｗ（％）
により算出した。なお、上述した１本のトラック上に記録した信号のジッタ値をシングルジッタ値と呼ぶことがある。
【０１０２】
図９は、上述したシングルジッタ値の測定結果を示すグラフであって、●印が１値記録、▲印が２値記録を示している。図９に示されるように、記録パワーＰｗ０が５．０ｍＷ付近まではパワー不足のため、２値記録のジッタ値のグラフは、１値記録のグラフと同じ傾きで少し右にシフトしており、２値記録よりも１値記録のほうが低いジッタ値となっている。
【０１０３】
しかし記録パワーＰｗ０を５．０ｍＷより上げていくと、２値記録のジッタ値もボトム値の略１２％に達し、さらに記録パワーＰｗ０を上げていくと、１値記録の場合は熱干渉を受けてジッタ値が悪化しているのに対し、２値記録の場合は熱干渉が抑えられてジッタ値を低く保っている。
【０１０４】
このように、２値記録によるストラテジを用いる場合には、１値記録のストラテジを用いる場合に比べて、より高い記録パワーで良好なジッタ値が得られ、ジッタ値が例えば１２％以下となる記録パワーＰｗ０の範囲が広いことが分かる。したがって、本記録ストラテジを用いれば、前後の記録マークに対する熱干渉を抑制することができ、パワーマージンを大きくとることができる。
【０１０５】
データの記録（クロスジッタ値の測定）
次に、光記録媒体１０のＬ０層２０に対し、図７（ａ）〜（ｄ）に示した２値記録のストラテジを用い、５本のトラック上に、２Ｔ〜８Ｔの各信号のランダム信号を記録した。詳細には、５本のトラックのうち、まず両側２本づつランダム信号を記録し、最後に中央のトラックにランダム信号を記録した。ここで、記録ストラテジは、記録パワー（Ｐｗ０）をパラメータとし、記録パワー（Ｐｗ０’）、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）をそれぞれ０．９×Ｐｗ０、１．５ｍＷ及び０．１ｍＷに設定した。またＴｔｏｐ、Ｔｍｐ及びＴｌｐは、すべて０．２Ｔに設定し、Ｔｏｆｆは０．８Ｔに設定し、Ｔｃｌは１．０Ｔに設定した。
【０１０６】
さらに比較例として、光記録媒体１０のＬ０層２０に対し、Ｌ１層３０に記録する場合に用いるストラテジである図６（ａ）〜（ｄ）に示した１値記録のストラテジを用い、５本のトラック上に、上記と同様にして、２Ｔ〜８Ｔの各信号のランダム信号を記録した。ここで、記録ストラテジは、記録パワー（Ｐｗ０）をパラメータとし、消去パワー（Ｐｅ０）及び基底パワー（Ｐｂ０）をそれぞれ０．９×Ｐｗ０、１．５ｍＷ及び０．１ｍＷに設定した。またＴｔｏｐ、Ｔｍｐ及びＴｌｐは、すべて０．２Ｔに設定し、Ｔｏｆｆは０．８Ｔに設定し、Ｔｃｌは１．０Ｔに設定した。
【０１０７】
記録においては、クロック周波数を６５．７ＭＨｚに設定し（Ｔ＝１５．２ｎｓｅｃ）、記録線速度を５．７ｍ／ｓｅｃに設定して、（１，７）ＲＬＬの変調方式により信号の形成を行った。記録に用いたレーザビームの波長は４０５ｎｍであり、レーザビームを集束するための対物レンズの開口数は０．８５である。
【０１０８】
データの再生
次に、Ｌ０層２０の中央のトラックに対し、再生パワー（Ｐｒ０）を０．５ｍＷに設定して２Ｔ〜８Ｔの各信号のランダム信号を再生し、そのジッタ及びＣ／Ｎ（キャリア／ノイズ比）を測定した。ジッタは、タイムインターバルアナライザによりクロックジッタを測定し、その再生信号の「ゆらぎ（σ）」を求め、ウィンドウ幅をＴｗとして、
σ／Ｔｗ（％）
により算出した。なお、上述した５本のトラックのうち、中央のトラックに記録した信号のジッタ値をクロスジッタ値と呼ぶことがある。
【０１０９】
図１０は、上述したクロスジッタ値の測定結果を示すグラフであって、●印が１値記録、▲印が２値記録を示している。図１０に示されるように、記録パワーＰｗ０が５．０ｍＷ付近まではパワー不足のため、２値記録のジッタ値のグラフは、１値記録のグラフと同じ傾きで少し右にシフトしており、２値記録よりも１値記録のほうが低いジッタ値となっている。
【０１１０】
しかし記録パワーＰｗ０を５．０ｍＷより上げていくと、２値記録のジッタ値もボトム値の略１３％に達し、さらに記録パワーＰｗ０を上げていくと、１値記録の場合は熱干渉を受けてジッタ値が悪化しているのに対し、２値記録の場合は熱干渉が抑えられてジッタ値を低く保っている。
【０１１１】
このように、２値記録によるストラテジを用いる場合には、１値記録のストラテジを用いる場合に比べて、より高い記録パワーＰｗで良好なジッタ値が得られ、ジッタ値が例えば１３％以下となる記録パワーＰｗ０の範囲が広いことが分かる。したがって、本記録ストラテジを用いれば、隣接トラックの記録マークの影響を抑制してクロストークやクロスイレーズを防止することができ、パワーマージンを大きくとることができる。
【０１１２】
以上より、光入射面１３ａに近いＬ０層２０に対してデータの記録を行う場合、トップパルス及びラストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録パワーより低いレベルに設定した方が、形成された記録マークの信号特性が良好となることが分かった。
【０１１３】
本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【０１１４】
例えば、上記実施態様においては、光記録媒体１０が２つの記録層（Ｌ０層２０、Ｌ１層３０）を備えている場合を例に説明したが、本発明の対象が記録層を２層のみ有する光記録媒体に限定されるものではなく、３層以上の記録層を有する光記録媒体に適用することも可能である。この場合、少なくとも一つの記録マークの形成に際し、光入射面１３ａから最も近い記録層に対してデータの記録を行う場合において、トップパルス及びラストパルスの記録パワーをマルチパルスの記録パワーよりも低いレベルに設定すればよい。
【０１１５】
また、上記実施態様においては、（１，７）ＲＬＬ変調方式を採用した場合における記録ストラテジを例に説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、８，１６変調方式（３Ｔ〜１１Ｔ及び１４Ｔに変調）を採用したばあいにおける記録ストラテジに適用することも可能である。
【０１１６】
また、上記実施態様においては、Ｌ０層２０に対して情報の記録を行う場合、レーザビームの強度を記録パワー（Ｐｗ０）、記録パワー（Ｐｗ０’）、消去パワー（Ｐｅ０）、基底パワー（Ｐｂ０）の４つの強度で変調し、特に記録パワーを（Ｐｗ０）と（Ｐｗ０’）の２値とした場合を例に説明したが、これに限定されるものではなく、例えばレーザビームの強度を５つ以上の強度で変調することによって情報の記録を行ってもよく、また記録パワーＰｗを３値以上に設定して情報の記録を行っても構わない。
【０１１８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、熱干渉による再結晶化を緩和することができるので、良好な形状の記録マークを形成することが可能となる。
【０１１９】
尚、熱干渉の影響は、使用するレーザビームの波長が短いほど顕著になるとともに、レーザビームを集光する対物レンズの開口数（ＮＡ）が大きいほど顕著となる。このため、本発明は、使用するレーザビームの波長（λ）とレーザビームを集束するための対物レンズの開口数（ＮＡ）との比（λ／ＮＡ）が７００ｎｍ以下、例えば、ＮＡが０．７以上（特に０．８５程度）であり、レーザビームの波長λが２００〜４５０ｎｍ程度である場合に特に効果的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体１０の構造を概略的に示す断面図である。
【図２】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。
【図３】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。
【図４】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。
【図５】光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。
【図６】Ｌ１記録膜３２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。
【図７】Ｌ０記録膜２２に対してデータの記録を行う場合の記録ストラテジを示す図であり、（ａ）は２Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｂ）は３Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｃ）は４Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジであり、（ｄ）は５Ｔ信号〜８Ｔ信号を形成する場合の記録ストラテジである。
【図８】光記録媒体１０に対してデータの記録を行うための情報記録装置５０の主要部を概略的に示す図である。
【図９】シングルジッタ値の測定結果を示すグラフである。
【図１０】クロスジッタ値の測定結果を示すグラフである。
【符号の説明】
１０  光記録媒体
１１  基体
１２  中間層
１１ａ，１２ａ  グルーブ
１１ｂ，１２ｂ  ランド
１３  光透過層
１３ａ  光入射面
２０  Ｌ０層
２１  第１の誘電体膜
２２  Ｌ０記録膜
２３  第２の誘電体膜
３０  Ｌ１層
３１  第３の誘電体膜
３２  Ｌ１記録膜
３３  第４の誘電体膜
３４  反射膜
４０，４１  スタンパ
５０  情報記録装置
５２  スピンドルモータ
５３  ヘッド
５４  コントローラ
５５  レーザ駆動回路
５６  レンズ駆動回路
５７  フォーカスサーボ追従回路
５８  トラッキングサーボ追従回路
５９  レーザコントロール回路
【図１】
0003912664.tif 000002
【図２】
0003912664.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003912664.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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