(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の上面の両端部に形成された銀系の厚膜電極よりなる一対の上面電極層と、この一対の上面電極層の一部に重なるように形成されたルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第１の抵抗体層と、この第１の抵抗体層を覆う保護層と、前記基板の両端面に形成され、かつ前記一対の上面電極層と電気的に接続される一対の端面電極と、この端面電極を覆うＮｉめっき層と、このＮｉめっき層を覆うスズ系めっき層とを備え、前記一対の上面電極層の一部に重なるとともに前記第１の抵抗体層とは接触しないように、ルテニウム系の厚膜抵抗よりなる一対の第２の抵抗体層を形成し、かつ前記保護層は前記第１の抵抗体層を完全に覆うとともに、前記第２の抵抗体層の一部を覆うように構成し、さらに前記Ｎｉめっき層は、前記端面電極以外に、前記上面電極層における前記第２の抵抗体層により覆われていない部分および前記第２の抵抗体層における前記保護層により覆われていない部分を覆うように構成し、かつ前記スズ系めっき層は前記Ｎｉめっき層を完全に覆うように構成したチップ抵抗器。
【請求項２】
第２の抵抗体層の面積抵抗値を第１の抵抗体層の面積抵抗値より低くした請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
第２の抵抗体層の面積抵抗値を１０μｍ換算で１００Ω／□以下とした請求項２記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
第１の抵抗体層の幅を上面電極層の幅より小さくするとともに、第２の抵抗体層の幅を上面電極層の幅より大きくした請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
保護層を樹脂系で構成した請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
端面電極をＮｉを主成分とする導電粉体と樹脂成分とを混合してなる樹脂系で構成した請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項７】
端面電極をＮｉ−Ｃｒを主成分とする薄膜スパッタ系で構成した請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項８】
Ｎｉめっき層をＰＨ３．６〜４．４のめっき浴中で電解めっきにより形成するとともに、スズ系めっき層をＰＨ３．６〜４．６のめっき浴中で電解めっきにより形成した請求項１記載のチップ抵抗器。
【請求項９】
上面電極層と第１の抵抗体層および第２の抵抗体層を同時に焼成した請求項１記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高密度配線回路に用いられるチップ抵抗器に関するものであり、特に硫化雰囲気で用いられるチップ抵抗器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の軽薄短小化に対する要求がますます増大していく中、回路基板の配線密度を高めるため、チップ抵抗器としては、非常に小型のチップ抵抗器が多く用いられるようになってきた。
【０００３】
以下、従来のチップ抵抗器について説明する。
【０００４】
図５（ａ）は従来例１におけるチップ抵抗器の斜視図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ´線断面図である。
【０００５】
図５（ａ）（ｂ）において、１は９６アルミナ基板からなる基板、２は基板１の上面の両端部に形成された一対の上面電極層で、この一対の上面電極層２は銀系の厚膜電極により構成されている。３は前記一対の上面電極層２の一部に重なるように形成された抵抗体層で、この抵抗体層３はルテニウム系厚膜抵抗により構成されている。４は前記抵抗体層３を完全に覆うように形成された保護層、５は前記基板１の両端面に一対の上面電極層２と電気的に接続されるように形成された一対の端面電極である。６，７は前記端面電極５と上面電極層２の露出部を覆うように形成されたＮｉめっき層およびスズ系めっき層で、このＮｉめっき層６およびスズ系めっき層７ははんだ付け性を確保するために設けられるものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上記した従来例１におけるチップ抵抗器においては、保護層４とスズ系めっき層７およびＮｉめっき層６の境界部８では、チップ抵抗器をプリント基板にはんだ付け実装するときに、はんだ付け時の熱衝撃により隙間が生じやすい。さらに、このチップ抵抗器が実装されたプリント基板を組み込んだ電気製品を温泉地等の硫化ガスを含む雰囲気で使用した場合、硫化ガスが前記境界部８に生じた隙間から内部に入り込み、そしてこの硫化ガスは上面電極層２を構成する銀と直接反応して硫化銀を形成する。この硫化銀は絶縁物であるため、銀との反応が進むと、チップ抵抗器が上面電極層２の部分で断線を起こすといった不良が生じるという課題を有していた。この課題を解決するためには、単純に上面電極層２を硫化雰囲気で使用しても何ら問題のない金電極に置き換えればよいが、この金電極はコストが非常に高く、したがって、この金電極を採用したチップ抵抗器は高価になるという課題を有していた。
【０００７】
上記課題を解決するために、特開平５−２５８９０４号公報に開示されているチップ抵抗器が提案されている。
【０００８】
このチップ抵抗器は、図６（ａ）（ｂ）に示すような構成になっているもので、図６（ａ）は従来例２におけるチップ抵抗器の斜視図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ´線断面図である。図６（ａ）（ｂ）において、１１は９６アルミナ基板からなる基板、１２は基板１１の上面の両端部に形成された一対の上面電極層で、この一対の上面電極層１２は銀系の厚膜電極により構成されている。１３は前記一対の上面電極層１２の一部に重なるように、すなわち電気的に接続されるように形成された抵抗体層で、この抵抗体層１３はルテニウム系厚膜抵抗により構成されている。１４は前記抵抗体層１３における一対の上面電極層１２間に位置する部分と、一対の上面電極層１２と重なっている部分の一部とを覆うように形成された保護層で、この保護層１４はガラスにより構成されている。１５は前記基板１１の両端面に一対の上面電極層１２と電気的に接続されるように形成された一対の端面電極で、この一対の端面電極１５は銀系の厚膜電極により構成されている。１６は前記一対の端面電極１５を覆うＮｉめっき層で、このＮｉめっき層１６は、前記端面電極１５以外に、前記上面電極層１２における前記抵抗体層１３により覆われていない部分および前記抵抗体層１３における前記保護層１４により覆われていない部分を覆うように形成されている。１７は前記Ｎｉめっき層１６を完全に覆うように形成されたスズ系めっき層である。
【０００９】
上記図６（ａ）（ｂ）に示すチップ抵抗器においては、保護層１４を、抵抗体層１３における一対の上面電極層１２間に位置する部分と、一対の上面電極層１２と重なっている部分の一部とを覆うように構成し、かつＮｉめっき層１６を、端面電極１５以外に、上面電極層１２における抵抗体層１３により覆われていない部分および抵抗体層１３における保護層１４により覆われていない部分を覆うように構成し、さらに前記Ｎｉめっき層１６を完全に覆うようにスズ系めっき層１７を構成しているため、このチップ抵抗器における保護層１４とスズ系めっき層１７およびＮｉめっき層１６の境界部１８の真下には、耐硫化性の高いルテニウム系の厚膜抵抗よりなる抵抗体層１３が位置することになり、その結果、硫化ガスを含む雰囲気で使用した場合において、硫化ガスが前記境界部１８にはんだ付け時の熱衝撃により生じた隙間から内部に入り込んだとしても、この硫化ガスは耐硫化性の高いルテニウム系の厚膜抵抗体に接することになり、これにより、硫化ガスが上面電極層１２を構成する銀と直接反応して硫化銀を形成するということはなくなるため、上面電極層１２の部分で断線を起こすということはなく、その結果、耐硫化特性に優れているチップ抵抗器を得ることができるものである。しかしながら、このチップ抵抗器においては、次のような課題を有していた。すなわち、一対の上面電極層１２と抵抗体層１３を同時に焼成した場合、上面電極層１２と抵抗体層１３の重なり部分の長さが長いため、焼成収縮時の応力により抵抗体層１３に亀裂が入る場合があり、これにより、チップ抵抗器の耐湿負荷寿命特性における抵抗値変化率が大きくなり、負荷特性を劣化させるという課題を有していた。
【００１０】
本発明は上記したような従来の課題を解決するもので、硫化ガスを含む雰囲気で使用しても、上面電極層の部分で断線を起こすということはなく、耐硫化特性に優れているとともに、負荷特性の劣化も抑えることができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【００１２】
本発明の請求項１に記載の発明は、基板と、この基板の上面の両端部に形成された銀系の厚膜電極よりなる一対の上面電極層と、この一対の上面電極層の一部に重なるように形成されたルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第１の抵抗体層と、この第１の抵抗体層を覆う保護層と、前記基板の両端面に形成され、かつ前記一対の上面電極層と電気的に接続される一対の端面電極と、この端面電極を覆うＮｉめっき層と、このＮｉめっき層を覆うスズ系めっき層とを備え、前記一対の上面電極層の一部に重なるとともに前記第１の抵抗体層とは接触しないように、ルテニウム系の厚膜抵抗よりなる一対の第２の抵抗体層を形成し、かつ前記保護層は前記第１の抵抗体層を完全に覆うとともに、前記第２の抵抗体層の一部を覆うように構成し、さらに前記Ｎｉめっき層は、前記端面電極以外に、前記上面電極層における前記第２の抵抗体層により覆われていない部分および前記第２の抵抗体層における前記保護層により覆われていない部分を覆うように構成し、かつ前記スズ系めっき層は前記Ｎｉめっき層を完全に覆うように構成したもので、この構成によれば、チップ抵抗器における保護層とスズ系めっき層およびＮｉめっき層の境界部の真下に耐硫化性の高いルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第２の抵抗体層が位置しているため、硫化ガスを含む雰囲気で使用した場合において、硫化ガスが前記境界部にはんだ付け時の熱衝撃により生じた隙間から内部に入り込んだとしても、この硫化ガスは耐硫化性の高いルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第２の抵抗体層に接することになり、これにより、従来のように硫化ガスが上面電極層を構成する銀と直接反応して硫化銀を形成するということはなくなるため、上面電極層の部分で断線を起こすということはなく、その結果、耐硫化特性に優れているチップ抵抗器を得ることができる。また一対の上面電極層の一部に重なるように形成されたルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第１の抵抗体層とは別個に、この第１の抵抗体層とは接触しないように、ルテニウム系の厚膜抵抗よりなる一対の第２の抵抗体層を形成しているため、上記した従来例のように、上面電極層と１個の抵抗体層の重なり部分の長さが長くなるということはなくなり、その結果、上面電極層と第１の抵抗体層および第２の抵抗体層を同時に焼成した場合においても、焼成収縮時の応力により第１の抵抗体層および第２の抵抗体層に亀裂が入るということはなくなるため、チップ抵抗器の耐湿負荷特性における抵抗値変化率も小さくすることができ、これにより、負荷特性の劣化も抑えることができるという作用効果を有するものである。
【００１３】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、第２の抵抗体層の面積抵抗値を第１の抵抗体層の面積抵抗値より低くしたもので、この構成によれば、第２の抵抗体層の面積抵抗値が第１の抵抗体層の面積抵抗値より低いため、露出している第２の抵抗体層上にＮｉめっき層を形成した場合、安定した膜厚を有するＮｉめっき層を形成することができるという作用効果を有するものである。
【００１４】
本発明の請求項３に記載の発明は、特に、第２の抵抗体層の面積抵抗値を１０μｍ換算で１００Ω／□以下としたもので、この構成によれば、露出している第２の抵抗体層上にＮｉめっき層を形成した場合、安定した膜厚を有するＮｉめっき層を形成することができるという作用効果を有するものである。
【００１５】
本発明の請求項４に記載の発明は、特に、第１の抵抗体層の幅を上面電極層の幅より小さくするとともに、第２の抵抗体層の幅を上面電極層の幅より大きくしたもので、この構成によれば、上面電極層と第１の抵抗体層の印刷ずれが生じても、第１の抵抗体層における一対の上面電極層間の抵抗値ばらつきを小さく抑えることができ、また上面電極層と第２の抵抗体層の印刷ずれが生じても、第２の抵抗体層の幅から上面電極層がはみ出すということもなくなり、これにより、保護層の稜線が上面電極層と接するのを防止できるため、安定した耐硫化特性を確保できるという作用効果を有するものである。
【００１６】
本発明の請求項５に記載の発明は、特に、保護層を樹脂系で構成したもので、この構成によれば、保護層を樹脂系で構成しているため、この保護層は約２００℃という低温で形成することができ、これにより、レーザートリミングにより修正された抵抗値が保護層の形成時に変化するということはなくなるため、非常に精度の高いチップ抵抗器が得られるという作用効果を有するものである。
【００１７】
本発明の請求項６に記載の発明は、特に、端面電極をＮｉを主成分とする導電粉体と樹脂成分とを混合してなる樹脂系で構成したもので、この構成によれば、端面電極を約２００℃という低温で形成できるため、レーザートリミングにより修正された抵抗値が端面電極の形成時に変化するということはなくなり、その結果、非常に精度の高いチップ抵抗器が得られるとともに、端面電極の材料として銀系の材料を用いていないため、耐硫化特性においても優れたものが得られるという作用効果を有するものである。
【００１８】
本発明の請求項７に記載の発明は、特に、端面電極をＮｉ−Ｃｒを主成分とする薄膜スパッタ系で構成したもので、この構成によれば、端面電極を約２００℃という低温で形成できるため、レーザートリミングにより修正された抵抗値が端面電極の形成時に変化するということはなくなり、その結果、非常に精度の高いチップ抵抗器が得られるとともに、端面電極の材料として銀系の材料を用いていないため、耐硫化特性においても優れたものが得られるという作用効果を有するものである。
【００１９】
本発明の請求項８に記載の発明は、特に、Ｎｉめっき層をＰＨ３．６〜４．４のめっき浴中で電解めっきにより形成するとともに、スズ系めっき層をＰＨ３．６〜４．６のめっき浴中で電解めっきにより形成したもので、この構成によれば、Ｎｉめっき層とスズ系めっき層をそれぞれ電解めっきで形成しているため、ルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第２の抵抗体層の上に安定した状態でＮｉめっき層とスズ系めっき層を形成することができ、その結果、Ｎｉめっき層およびスズ系めっき層と保護層との境界部にはんだ付け時の熱衝撃により生じた隙間から硫化ガスが内部に入り込んだとしても、Ｎｉめっき層およびスズ系めっき層が第２の抵抗体層の上に安定した状態で形成されていることにより、前記硫化ガスが第１の抵抗体層中のガラス成分に与える影響を抑えることができ、その結果、安定した抵抗性能を確保できるという作用効果を有するものである。
【００２０】
本発明の請求項９に記載の発明は、特に、上面電極層と第１の抵抗体層および第２の抵抗体層を同時に焼成したもので、この構成によれば、生産コストを大幅に低減できるため、さらに安価なチップ抵抗器が得られるという作用効果を有するものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器の斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ´線断面図、図２（ａ）（ｂ）、図３（ａ）（ｂ）および図４（ａ）（ｂ）（ｃ）は同チップ抵抗器の製造工程を示す製造工程図である。
【００２３】
図１（ａ）（ｂ）において、２１は９６アルミナ基板からなる基板、２２は基板２１の上面の両端部に形成された一対の上面電極層で、この一対の上面電極層２２は銀系サーメット厚膜電極により構成されている。２３は前記一対の上面電極層２２の一部に重なるように、すなわち電気的に接続されるように形成された第１の抵抗体層で、この第１の抵抗体層２３はルテニウム系厚膜抵抗により構成されるとともに、上面電極層２２の幅より小さくなるように構成されている。２４は前記第１の抵抗体層２３とは接触しないように前記一対の上面電極層２２の上に形成された一対の第２の抵抗体層で、この第２の抵抗体層２４はルテニウム系厚膜抵抗により構成され、かつその幅は少なくとも前記一対の上面電極層２２の幅と同じ幅となるように、すなわち、上面電極層２２の幅より大きくなるように構成されている。２５は前記第１の抵抗体層２３を完全に覆うとともに、前記第２の抵抗体層２４の一部を覆うように構成された保護層で、この保護層２５はエポキシ系樹脂により構成されている。２６は前記基板２１の両端面に一対の上面電極層２２と電気的に接続されるように形成された一対の端面電極で、この一対の端面電極２６はＮｉ系の導電粉体と樹脂成分とを混合してなる樹脂系材料により構成されている。２７は前記一対の端面電極２６を覆うＮｉめっき層で、このＮｉめっき層２７は、前記端面電極２６以外に、前記上面電極層２２における前記第２の抵抗体層２４により覆われていない部分および前記第２の抵抗体層２４における前記保護層２５により覆われていない部分を覆うように形成されている。２８は前記Ｎｉめっき層２７を完全に覆うように形成されたスズ系めっき層である。
【００２４】
次に、上記構成におけるチップ抵抗器の製造方法について、図２（ａ）（ｂ）、図３（ａ）（ｂ）および図４（ａ）（ｂ）（ｃ）にもとづいて説明する。
【００２５】
まず、図２（ａ）に示すように、耐熱性および絶縁性に優れた９６アルミナ基板からなるシート状の基板３１を受け入れる。この場合、シート状の基板３１には、短冊状および個片状に分割するために、予め分割のための溝３２，３３（グリーンシート時に金型成形）が形成されている。そしてこのシート状の基板３１の上面に上面電極層２２を構成するサーメット厚膜銀ペーストをスクリーン印刷して乾燥させる（この状態では上面電極層２２は乾燥済みの状態である。）。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、上面電極層２２の一部に重なるようにシート状の基板３１に、第１の抵抗体層２３を構成する酸化ルテニウムを主成分とする厚膜抵抗ペーストをスクリーン印刷するとともに、この第１の抵抗体層２３とは接触しないように前記上面電極層２２の上に、第２の抵抗体層２４を構成する酸化ルテニウムを主成分とする厚膜抵抗ペーストをスクリーン印刷する。この場合、厚膜抵抗ペーストのスクリーン印刷により構成される第１の抵抗体層２３と第２の抵抗体層２４は、面積抵抗値をいずれも１０μｍ換算で１ｋΩ／□としている。そしてこのスクリーン印刷された状態から、ベルト式連続焼成炉により、８５０℃の温度で、ピーク時間６分、ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイルによって焼成することにより、上面電極層２２、第１の抵抗体層２３、第２の抵抗体層２４を同時に形成する。
【００２７】
次に、図３（ａ）に示すように、上面電極層２２間の第１の抵抗体層２３の抵抗値を揃えるために、レーザー光によって、第１の抵抗体層２３の一部を切除して抵抗値修正（Ｌカット３４、１００ｍｍ／秒、１２ｋＨｚ、５Ｗ）を行う。
【００２８】
次に、図３（ｂ）に示すように、前記第１の抵抗体層２３を完全に覆うとともに、前記第２の抵抗体層２４の一部を覆うように、エポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷し、ベルト式連続硬化炉により、２００℃の温度で、ピーク時間３０分、ＩＮ−ＯＵＴ時間６０分の硬化プロファイルによって硬化させることにより、保護層２５を形成する。
【００２９】
次に、図４（ａ）に示すように、端面電極２６を形成するための準備工程として、シート状の基板３１を短冊状基板３５に分割する一次基板分割を行い、端面電極２６を形成する端面部を露出させる。
【００３０】
次に、図４（ｂ）に示すように、短冊状基板３５における露出した端面部に、前記上面電極層２２の一部に重なるように、すなわち電気的に接続されるようにＮｉ系の導電粉体と樹脂成分とを混合してなる樹脂系電極ペーストをローラーによって塗布し、そしてベルト式連続硬化炉により、２００℃の温度で、ピーク時間３０分、ＩＮ−ＯＵＴ時間６０分の硬化プロファイルによって硬化させることにより、端面電極２６を形成する。
【００３１】
次に、図４（ｃ）に示すように、電極めっきの準備工程として、端面電極２６を形成した短冊状基板３５を個片状に分割する二次基板分割を行い、個片状基板３６を得る。
【００３２】
そして最後に、個片状基板３６における端面電極２６と、上面電極層２２における第２の抵抗体層２４により覆われていない部分および第２の抵抗体層２４における保護層２５により覆われていない部分を覆うように、電解めっきによりＮｉめっき層（図示せず）を形成し、その後、このＮｉめっき層を完全に覆うように、電解めっきによりスズ系めっき層（図示せず）を形成することにより、チップ抵抗器を製造する。この場合、Ｎｉめっき層はＰＨ４．０のＮｉめっき浴を使用し、またスズ系めっき層はＰＨ４．１のスズ系めっき浴を使用した。
【００３３】
以上の工程により、本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器（１．６×０．８ｍｍサイズ）を製作した。
【００３４】
上記本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器においては、一対の上面電極層２２の一部に重なるとともに、第１の抵抗体層２３とは接触しないように、少なくとも前記一対の上面電極層２２の幅と同じ幅を有するルテニウム系の厚膜抵抗よりなる一対の第２の抵抗体層２４を形成し、かつ保護層２５を、前記第１の抵抗体層２３を完全に覆うとともに、前記第２の抵抗体層２４の一部を覆うように構成し、さらにＮｉめっき層２７を、端面電極２６以外に、前記上面電極層２２における前記第２の抵抗体層２４により覆われていない部分および前記第２の抵抗体層２４における前記保護層２５により覆われていない部分を覆うように構成し、かつ前記Ｎｉめっき層２７を完全に覆うようにスズ系めっき層２８を構成しているため、このチップ抵抗器における保護層２５とスズ系めっき層２８およびＮｉめっき層２７の境界部２９の真下には、耐硫化性の高いルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第２の抵抗体層２４が位置することになり、その結果、硫化ガスを含む雰囲気で使用した場合において、硫化ガスが前記境界部２９にはんだ付け時の熱衝撃により生じた隙間から内部に入り込んだとしても、この硫化ガスは耐硫化性の高いルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第２の抵抗体層２４に接することになり、これにより、従来のように硫化ガスが上面電極層２２を構成する銀と直接反応して硫化銀を形成するということはなくなるため、上面電極層２２の部分で断線を起こすということはなく、その結果、耐硫化特性に優れているチップ抵抗器を得ることができるものである。
【００３５】
また一対の上面電極層２２の一部に重なるように形成されたルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第１の抵抗体層２３とは別個に、この第１の抵抗体層２３とは接触しないように、少なくとも前記一対の上面電極層２２の幅と同じ幅を有するルテニウム系の厚膜抵抗よりなる一対の第２の抵抗体層２４を形成しているため、従来例で示したもののように、上面電極層１２と１個の抵抗体層１３の重なり部分の長さが長くなるということはなくなり、その結果、上面電極層２２と第１の抵抗体層２３および第２の抵抗体層２４を同時に焼成した場合においても、焼成収縮時の応力により第１の抵抗体層２３および第２の抵抗体層２４に亀裂が入ることはなくなるため、チップ抵抗器の耐湿負荷特性における抵抗値変化率も小さくすることができ、これにより、負荷特性の劣化も抑えることができるものである。
【００３６】
そしてまた保護層２５はエポキシ系樹脂等の樹脂系で構成しているため、この保護層２５は約２００℃という低温で形成することができ、これにより、レーザートリミングにより修正された抵抗値が保護層２５の形成時に変化するということはなくなるため、非常に精度の高いチップ抵抗器が得られるものである。
【００３７】
さらに端面電極２６は、Ｎｉ系の導電粉体と樹脂成分とを混合してなる樹脂系で構成しているため、この端面電極２６は約２００℃という低温で形成することができ、これにより、レーザートリミングにより修正された抵抗値が端面電極２６の形成時に変化するということはなくなるため、非常に精度の高いチップ抵抗器が得られるとともに、端面電極２６の材料として銀系の材料を用いていないため、耐硫化特性においても優れたものが得られるものである。
【００３８】
さらにまた上記本発明の実施の形態１においては、Ｎｉめっき層２７とスズ系めっき層２８をそれぞれ電解めっきで形成しているため、ルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第２の抵抗体層２４の上に安定した状態でＮｉめっき層２７とスズ系めっき層２８を形成することができ、その結果、Ｎｉめっき層２７およびスズ系めっき層２８と保護層２５との境界部２９にはんだ付け時の熱衝撃により生じた隙間から硫化ガスが内部に入り込んだとしても、Ｎｉめっき層２７およびスズ系めっき層２８が第２の抵抗体層２４の上に安定した状態で形成されていることにより、前記硫化ガスが第１の抵抗体層２３中のガラス成分に与える影響を抑えることができ、その結果、安定した抵抗性能を確保できるものである。
【００３９】
また上記本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器においては、第１の抵抗体層２３の幅を上面電極層２２の幅より小さくするとともに、第２の抵抗体層２４の幅を上面電極層２２の幅より大きくしているため、上面電極層２２と第１の抵抗体層２３の印刷ずれが生じても、第１の抵抗体層２３における一対の上面電極層２２間の抵抗値ばらつきを小さく抑えることができ、また上面電極層２２と第２の抵抗体層２４の印刷ずれが生じても、第２の抵抗体層２４の幅から上面電極層２２がはみ出すということもなくなり、これにより、保護層２５の稜線が上面電極層２２と接するのを防止できるため、安定した耐硫化特性を確保できるものである。
【００４０】
（実施の形態２）
以下、本発明の実施の形態２におけるチップ抵抗器について説明する。本発明の実施の形態２におけるチップ抵抗器の構造および製造方法は、上記した本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器の構造および製造方法と略同じであり、以下の点が異なるものである。
【００４１】
上記した本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器においては、第１の抵抗体層２３と第２の抵抗体層２４の面積抵抗値を、いずれも１０μｍ換算で１ｋΩ／□としていたが、本発明の実施の形態２におけるチップ抵抗器においては、第１の抵抗体層２３の面積抵抗値を、１０μｍ換算で１０ＭΩ／□とし、かつ第２の抵抗体層２４の面積抵抗値を、１０μｍ換算で１００Ω／□としたものである。
【００４２】
（比較例１）
比較例１におけるチップ抵抗器の構造および製造方法は、上記した本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器の構造および製造方法と略同じであり、以下の点が異なるものである。
【００４３】
上記した本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器においては、第１の抵抗体層２３と第２の抵抗体層２４の面積抵抗値を、いずれも１０μｍ換算で１ｋΩ／□としていたが、比較例１におけるチップ抵抗器においては、第１の抵抗体層２３と第２の抵抗体層２４の面積抵抗値を、いずれも１０μｍ換算で１０ＭΩ／□としたものである。
【００４４】
（従来例１）
図５（ａ）（ｂ）に示した従来例１の構造のチップ抵抗器において、抵抗体層３の面積抵抗値を、１０μｍ換算で１ｋΩ／□とし、かつ上面電極層２と抵抗体層３を同時に焼成したものである。
【００４５】
（従来例２）
図６（ａ）（ｂ）に示した従来例２の構造のチップ抵抗器において、抵抗体層１３の面積抵抗値を、１０μｍ換算で１ｋΩ／□とし、かつ上面電極層１２と抵抗体層１３を同時に焼成したものである。
【００４６】
（表１）は上記本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器、本発明の実施の形態２におけるチップ抵抗器、比較例１におけるチップ抵抗器、従来例１におけるチップ抵抗器、従来例２におけるチップ抵抗器を、プリント基板にリフローはんだ付けによりそれぞれ１００個ずつ実装し、硫化ガス試験（６０℃、９５％ＲＨ雰囲気中に１００００ｐｐｍのＨ2Ｓを含有させた状態で１００時間放置し、硫化銀の発生数を調べる試験）と、耐湿負荷寿命試験（６０℃、９５％ＲＨ雰囲気中において、定格電圧（ＭＡＸ１００Ｖ）を１．５時間ＯＮ、０．５時間ＯＦＦのサイクルで印加して１０００時間繰り返すことにより抵抗値変化率を調べる試験）を実施した結果と、従来例１を除くそれぞれの抵抗体層上のＮｉめっき層の膜厚を測定した結果を示したものである。
【００４７】
【表１】
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【００４８】
（表１）から明らかなように、従来例１におけるチップ抵抗器は１００個のうち、１２個硫化銀の発生が見られたが、本発明の実施の形態１，２におけるチップ抵抗器は１００個のうち、硫化銀が発生したものはなく、優れた耐硫化特性を有するものである。また本発明の実施の形態１，２におけるチップ抵抗器は、耐湿負荷寿命試験においても、抵抗値変化率を小さく抑えることができ、さらには、第２の抵抗体層２４上に形成されるＮｉめっき層２７の膜厚も十分なものを確保することができるものである。
【００４９】
そしてまた本発明の実施の形態２におけるチップ抵抗器は、第２の抵抗体層２４の面積抵抗値を第１の抵抗体層２３の面積抵抗値より低くするとともに、その面積抵抗値は１０μｍ換算で１００Ω／□としているため、第２の抵抗体層２４上に形成されるＮｉめっき層２７の膜厚は、（表１）からも明らかなように、本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器に比べて厚いものが得られるものである。
【００５０】
なお、上記本発明の実施の形態１においては、端面電極２６をＮｉ系の導電粉体と樹脂成分とを混合してなる樹脂系電極ペーストの塗布・硬化により形成したものについて説明したが、これに限定されるものではなく、端面電極２６をＮｉ−Ｃｒを主成分とする薄膜スパッタ系で構成してもよく、この場合も、端面電極２６は約２００℃という低温で形成できるため、上記本発明の実施の形態１と同様、レーザートリミングにより修正された抵抗値が端面電極の形成時に変化するということはなくなり、その結果、非常に精度の高いチップ抵抗器が得られるとともに、端面電極２６の材料として銀系の材料を用いていないため、耐硫化特性においても優れたものが得られるものである。
【００５１】
また上記本発明の実施の形態１においては、Ｎｉめっき層２７を形成する場合、ＰＨ４．０のＮｉめっき浴を使用し、またスズ系めっき層２８を形成する場合、ＰＨ４．１のスズ系めっき浴を使用したものについて説明したが、めっき浴のＰＨはこれに限定されるものではなく、Ｎｉめっき浴のＰＨは３．６〜４．４の範囲が好ましく、またスズ系めっき浴のＰＨは３．６〜４．６の範囲が好ましいものである。
【００５２】
そしてまた上記本発明の実施の形態１においては、第１の抵抗体層２３を形成した後に、レーザー光による抵抗値修正を行うようにしたものについて説明したが、第１の抵抗体層２３を形成した後、保護層２５より小さいパターンでプリコートガラス層を印刷・焼成により形成し、その後、レーザー光による抵抗値修正を行うようにした場合でも、上記本発明の実施の形態１と同様の効果が得られるものである。
【００５３】
【発明の効果】
以上のように本発明のチップ抵抗器は、一対の上面電極層の一部に重なるとともに第１の抵抗体層とは接触しないように、ルテニウム系の厚膜抵抗よりなる一対の第２の抵抗体層を形成し、かつ保護層を、前記第１の抵抗体層を完全に覆うとともに、前記第２の抵抗体層の一部を覆うように構成し、さらにＮｉめっき層を、端面電極以外に、前記上面電極層における前記第２の抵抗体層により覆われていない部分および前記第２の抵抗体層における前記保護層により覆われていない部分を覆うように構成し、かつ前記Ｎｉめっき層を完全に覆うようにスズ系めっき層を構成しているため、このチップ抵抗器における保護層とスズ系めっき層およびＮｉめっき層の境界部の真下には、耐硫化性の高いルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第２の抵抗体層が位置することになり、その結果、硫化ガスを含む雰囲気で使用した場合において、硫化ガスが前記境界部にはんだ付け時の熱衝撃により生じた隙間から内部に入り込んだとしても、この硫化ガスは耐硫化性の高いルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第２の抵抗体層に接することになり、これにより、従来のように硫化ガスが上面電極層を構成する銀と直接反応して硫化銀を形成するということはなくなるため、上面電極層の部分で断線を起こすということはなく、その結果、耐硫化特性に優れているチップ抵抗器を得ることができる。また一対の上面電極層の一部に重なるように形成されたルテニウム系の厚膜抵抗よりなる第１の抵抗体層とは別個に、この第１の抵抗体層とは接触しないように、ルテニウム系の厚膜抵抗よりなる一対の第２の抵抗体層を形成しているため、上記した従来例のように、上面電極層と１個の抵抗体層の重なり部分の長さが長くなるということはなくなり、その結果、上面電極層と第１の抵抗体層および第２の抵抗体層を同時に焼成した場合においても、焼成収縮時の応力により第１の抵抗体層および第２の抵抗体層に亀裂が入るということはなくなるため、チップ抵抗器の耐湿負荷特性における抵抗値変化率も小さくすることができ、これにより、負荷特性の劣化も抑えることができるという効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１におけるチップ抵抗器の斜視図
（ｂ）（ａ）のＡ−Ａ´線断面図
【図２】（ａ）（ｂ）同チップ抵抗器の製造工程を示す製造工程図
【図３】（ａ）（ｂ）同チップ抵抗器の製造工程を示す製造工程図
【図４】（ａ）〜（ｃ）同チップ抵抗器の製造工程を示す製造工程図
【図５】（ａ）従来例１におけるチップ抵抗器の斜視図
（ｂ）（ａ）のＢ−Ｂ´線断面図
【図６】（ａ）従来例２におけるチップ抵抗器の斜視図
（ｂ）（ａ）のＣ−Ｃ´線断面図
【符号の説明】
２１  基板
２２  上面電極層
２３  第１の抵抗体層
２４  第２の抵抗体層
２５  保護層
２６  端面電極
２７  Ｎｉめっき層
２８  スズ系めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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