(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を吐出するノズルと、前記ノズルが連通する液室と、前記液室の壁面を形成する振動板とからなり、この振動板を変位変形させることで前記ノズルから液滴を吐出させる液滴吐出ヘッドにおいて、
前記振動板がＰ型不純物シリコン層からなり、
前記Ｐ型不純物シリコン層のＰ型不純物濃度は、前記振動板の内部にピークを持ち、前記振動板の厚さ方向において、ピーク部から液室方向及び液室と逆方向に向かってそれぞれ低濃度になり、前記振動板の厚さ方向において、前記振動板の液室と反対側表面部で最小となる、分布を有する
ことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記振動板の液室側表面の前記Ｐ型不純物の濃度と液室と反対側表面の前記Ｐ型不純物濃度との差が３＊１０19（ａｔｏｍ／ｃｍ3）を越えないことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記高濃度Ｐ型不純物が高濃度ボロンであることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記振動板と対向する電極を有し、前記振動板を静電力で変形変位させて前記液滴を吐出させることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドを製造する方法であって、シリコン基板にボロンを拡散した後、ボロン拡散層の表面を酸化することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の液滴吐出ヘッドの製造方法において、シリコン基板にボロンを拡散した後、ボロン拡散層の表面を研磨処理し、次いでこのボロン拡散層の表面を酸化することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
液滴吐出ヘッドを備えて画像を形成する画像形成装置において、前記液滴吐出ヘッドが請求項１ないし４のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドであることを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
液滴を吐出する液滴吐出装置において、請求項１ないし４のいずれかに記載の液滴吐出ヘッドを備えていることを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は液滴吐出ヘッド及びその製造方法、画像形成装置、液滴吐出装置に関する
【０００２】
【従来の技術】
プリンタ、ファクシミリ、複写装置等の画像記録装置或いは画像形成装置として用いるインクジェット記録装置において使用する液滴吐出ヘッドであるインクジェットヘッドとしては、インク滴を吐出するノズルと、このノズルが連通する液室（加圧液室、圧力室、吐出室、インク流路等とも称される。）と、液室内のインクを加圧する圧力を発生する圧力発生手段とを備えて、圧力発生手段で発生した圧力で液室インクを加圧することによってノズルからインク滴を吐出させる。
【０００３】
従来のインクジェットヘッドとしては、圧電素子を用いて液室の壁面を形成している振動板を変形変位させることでインク滴を吐出させるピエゾ型のもの、液室内に配設した発熱抵抗体を用いてインクの膜沸騰でバブルを発生させてインク滴を吐出させるバブル型のもの、液室の壁面を形成する振動板（又はこれと一体の電極）と電極を用いて静電力で振動板を変形変位させることでインク滴を吐出させる静電型のものなどがある。
【０００４】
上述したピエゾ型あるいは静電型のように振動板を用いるインクジェットヘッドにあっては、振動板の機械的変位特性はインク摘吐出特性に大きく影響し、振動板の薄膜化、高精度化が必要になる。
【０００５】
そこで、従来のインクジェットヘッドにおいては、特開平６−２３９８６号公報、特開平６−７１８８２号公報あるいは特開平９−２６７４７９公報などに記載されているように、振動板を形成するシリコン基板にボロンを拡散した高濃度ボロン拡散層を形成し、このシリコン基板を異方性エッチングすることにより、高濃度ボロン拡散層でエッチングストップすることから、高濃度ボロン拡散層による振動板を形成するようにしている。
【０００６】
このように、シリコン基板に振動板となる高濃度ボロン層を形成する方法としては、板状の拡散源（ＢＮやＢ2Ｏ3）を用いた固体拡散法、Ｂｒ3を拡散する気相拡散法又はボロンを高エネルギーで注入するイオン注入法或いはＢ2Ｏ3を有機溶媒に分散させウエハ上にスピンコートする塗布拡散法などが知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述した固体拡散法、気相拡散法及び塗布拡散法にあっては、シリコン基板の表面（電極表面と対向することになる面）からボロンを拡散するので、振動板を形成したときに振動板の厚さ方向では液室と反対側の表面に高濃度領域（ピーク濃度領域）が発生し易くなる。また、イオン注入法にあっても、振動板の厚さや装置上のスペースに制限があるので、同様に、液室と反対側の表面にピーク濃度領域ができやすい。
【０００８】
ところで、ボロンドープ層は、ボロン濃度が高くなればなる程、引張り応力が強くなるため、上述したようにピーク濃度領域が液室と反対側表面に位置していると、振動板には液室側に凸状に反ろうとする力が作用することとなる。
【０００９】
このように、従来のインクジェットヘッドにあっては、振動板に液室側に反らす方向で作用する引張り応力がかかっているため、振動板を電極側に所定量変位させるための駆動電圧が高くなり、また、応力に逆らって変形させることから振動板の耐久性（繰り返し振動特性）が低くなるという課題がある。
【００１０】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、振動板の耐久性を向上して、信頼性を向上した液滴吐出ヘッド及びその製造方法、同ヘッドを備える画像形成装置、液滴吐出装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、振動板がＰ型不純物シリコン層からなり、Ｐ型不純物シリコン層のＰ型不純物濃度は、振動板の内部にピークを持ち、振動板の厚さ方向において、ピーク部から液室方向及び液室と逆方向に向かってそれぞれ低濃度になり、振動板の厚さ方向において、振動板の液室と反対側表面部で最小となる、分布を有する構成としたものである。本発明に係る画像形成装置、液滴吐出装置は、本発明に係る液滴吐出ヘッドを備えているものである。
【００１２】
ここで、振動板の液室と反対側の表面のＰ型不純物濃度が１＊１０２０（ａｔｏｍ／ｃｍ３）を越えないことが好ましい。
【００１３】
さらに、高濃度Ｐ型不純物としては高濃度ボロンを用いることができる。また、液滴吐出ヘッドとしては、振動板と対向する電極を有し、振動板を静電力で変形変位させて液滴を吐出させるものであることが好ましい。
【００１４】
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法であって、シリコン基板にボロンを拡散した後、ボロン拡散層の表面を酸化する構成としたものである。ここで、シリコン基板にボロンを拡散した後、ボロン拡散層の表面を研磨処理し、次いでこのボロン拡散層の表面を酸化することが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。図１は本発明を適用した静電型インクジェットヘッドの分解斜視説明図、図２は同ヘッドの透過状態で示す上面説明図、図３は同ヘッドの液室長辺方向に沿う模式的断面説明図、図４は同ヘッドの液室短辺方向に沿う模式的断面説明図である。
【００１６】
このインクジェットヘッドは、第一基板である振動板／液室基板１と、振動板／液室基板１の下側に設けた第二基板である電極基板３と、振動板／液室基板１の上側に設けた第三基板であるノズル板４とを重ねて接合した積層構造体であり、これらにより、複数のノズル５、各ノズル５が連通するインク流路である液室６、液室６に流体抵抗部７を介して連通する共通インク室８などを形成している。
【００１７】
振動板／液室基板１には、液室６及びこの液室６の底部となる壁面を形成する振動板１０、各液室６を隔てる隔壁１１を形成する凹部、共通インク室８を形成する凹部などを形成している。この振動板／液室基板１は、シリコン基板に振動板となる厚み（深さ）に高濃度不純物であるボロンを拡散し、この高濃度ボロンドープ層をエッチングストップ層として異方性エッチングを行うことにより液室６となる凹部等を形成するときに所望の厚さの振動板５を得たものである。なお、高濃度Ｐ型不純物としては、ボロンの他、ガリウム、アルミニウム等も用いることができる。
【００１８】
なお、振動板／液室基板１の全面には、インクジェット駆動時に絶縁破壊やショートが起こるのを防止するため熱酸化により０．１μｍのＳiＯ2などの絶縁膜を成膜している。
【００１９】
電極基板３には、凹部１４を形成して、この凹部１４の底面に振動板１０に所定のギャップ１６を置いて対向する電極１５を形成し、この電極１５と振動板１０によって、振動板１５を変位させて液室６の内容積を変化させるアクチュエータ部を構成している。この電極基板３の電極１５上には振動板１０との接触によって電極１５が破損するのを防止するため、例えば０．１μｍ厚のＳiＯ2などの絶縁層１７を成膜している。なお、電極１５を電極基板３の端部付近まで延設して外部駆動回路と接続手段を介して接続するための電極パッド部１５ａを形成している。
【００２０】
この電極基板３は、ガラス基板、また表面に熱酸化膜３ａを形成したＳｉ基板上に、ＨＦ水溶液などでエッチングにより凹部１４を形成し、この凹部１４に窒化チタンなどの高耐熱性を有する電極材料をスパッタ、ＣＶＤ、蒸着などの成膜技術で所望の厚さに成膜し、その後、フォトレジストを形成してエッチングすることにより、凹部１４にのみ電極１５を形成したものである。この電極基板３と振動板／液室基板１とは陽極接合、直接接合などのプロセスで接合している。
【００２１】
ここでは、電極１５は、シリコン基板にエッチングで形成した深さ０．３μｍの凹部１４内に窒化チタンを０．１μｍの厚さにスパッタし形成している。したがって、このヘッドにおいては、電極基板３と振動板／液室基板１とを接合した後のギャップ１６の長さ（振動板１０と電極１５との間隔）は、０．２μｍとなっている。
【００２２】
また、ノズル板４は、厚さ５０μｍのステンレス材（ＳＵＳ）を用いて、ノズル５、液体抵抗部７及び共通インク液室へ外部からインクを供給するためのインク供給口１９を形成している。
【００２３】
次に本発明に係るインクジェットヘッドの製造工程の第１実施形態について図５及び図６をも参照して説明する。
まず、図５（ａ）に示すような結晶面方位（１１０）の厚さ５００μｍのＳｉ基板２０を用いて、このＳｉ基板２０の表面に固体拡散法によりボロンを拡散することにより、同図（ｂ）に示すように高濃度ボロン拡散層２１ａを形成する。
【００２４】
より具体的には、Ｓｉ基板２０と固体拡散源（ＢＮやＢ2Ｏ3）を対向させて７５０℃の温度の炉の中にセットする。この炉の中には０．２５％の酸素を混入して窒素を流した状態にしておく。そして、その炉の温度を７℃／分のレートで１１５０℃の温度まで上昇させ、その状態で５０分間保持した後、同じく７℃／分のレートで７５０℃の温度まで下げることにより、同図（ｂ）に示すように、高濃度ボロン拡散層２１が形成される。
【００２５】
なお、この他ＢＢｒ3を用いた気相拡散法、ボロンを高エネルギーで注入するイオン注入法又はＢ2Ｏ3を有機溶媒に分散させウエハ上にスピンコートする塗布拡散法でも、高濃度ボロン拡散層２１ａを形成できる。
【００２６】
その後、Ｓｉ基板２０表面に形成されたＢ2Ｏ3層をフッ酸により除去することにより高濃度ボロンドープ層が形成される。
【００２７】
この段階で得られた高濃度ボロンドープ層２１ａ（Ｓｉ基板２０表面から厚さ方向に２μｍの範囲）は、図７に短破線ａで示すように表面（液室側と反対側の表面）が濃度の最も高くなる濃度分布を有している。
【００２８】
そこで、次に、Ｓｉ基板２０表面を酸化することにより同図（ｃ）に示すように酸化膜２２を形成する。ここでは、酸化条件を、Ｏ2ガス６ｓｃｃｍ、Ｈ2ガス９ｓｃｃｍ、９００℃−６０分として約２０００Åの厚さの酸化膜２２を形成した。その後、同図（ｄ）に示すようにＳｉ基板２０表面に形成した酸化膜２２をフッ酸により除去することによりＳｉ基板表面層が形成した。
【００２９】
このときＳｉ基板２０表面から酸化膜２２によってボロンが吸い出されるので、Ｓｉ基板２０の表面をなす高濃度ボロン拡散層２１は、図７に実線ｂで示すように、振動板厚さ方向で内部に高濃度ボロンのピーク濃度を有する濃度分布となる。
【００３０】
その後、ボロンの拡散により荒れている、Ｓｉ基板２０表面を直接接合できるようにするため、ＣＭＰ（chemical-mechanical-polishing）によって表面粗さＲａ＝０．５ｎｍ以下の表面性を有する高濃度ボロン拡散層２１を得た。このＣＭＰではＳｉ基板２０の最表層を１０００Å以下の研磨量で面内均一に研磨できるので、高濃度ボロン拡散層２１の変化は微量である。この場合、その研磨量を見込んで、ボロンを拡散させる拡散条件とＳｉ基板２０表面を酸化させる酸化条件を決定すればよい。
【００３１】
次に、上述したようにして得られたシリコン基板２０を図６（ａ）に示すように別途製作した電極基板３上に直接接合する。ここでは、減圧下でプリボンドされたものに温度９００℃、１時間の熱処理を行って接合した。
【００３２】
そして、同図（ｂ）に示すように、厚さ５００μｍのＳｉ基板４０の上部表面を研磨して、厚さ１００μｍにした後、同図（ｃ）に示すように、接合された電極基板３とＳｉ基板２０の全面にＬＰ−ＣＶＤによりシリコン窒化膜２４を成膜する。
【００３３】
次いで、Ｓｉ基板２０上に形成されたシリコン窒化膜２４上にレジストをコーティングし、露光、現象を行って液室６及び共通インク室８などに対応するレジストパターンを形成する。このとき、電極基板３の電極１５と液室６のレジストパターンとが一致するようにＩＲ光によりアライメントする。次に、Ｓｉ基板２０上のシリコン窒化膜２４をドライエッチにより除去し、レジストを除去することにより、同図（ｄ）に示すように、シリコン窒化膜２４のパターン２５を形成する。
【００３４】
そして、ＫＯＨ(１０ｗｔ％)水溶液に浸し、Ｓｉ基板２０をエッチングすると、このときパターニングした側の開口部からエッチングが進みボロン濃度が１Ｅ２０／ｃｍ3である深さに達した時、エッチングがストップ(エッチレートが極端に下がり)し、同図（ｅ）に示すように液室６となる凹部と高濃度ボロンドープシリコン（高濃度ボロン拡散層２１）からなる振動板１０が形成される。これにノズル板４を接合することにより前述のようなインクジェットヘッドが得られる。
【００３５】
このインクジェットヘッドにおける振動板１０は、上述したように振動板１０の厚さ方向でが図７に実線ｂで示すように振動板内部にピーク濃度を持ち、液室６側と液室６と反対側である電極１５側に向かってそれぞれ低濃度になる高濃度ボロンの濃度勾配を有している。
【００３６】
したがって、振動板１０に作用する高濃度ボロンによる引っ張り応力は振動板１０の内部が最も強くなるので、振動板１０を液室６側に凸状に反らせようとする力が緩和され、振動板１０を電極１５側に変形変位させるために必要な駆動電圧が低くなって低電圧駆動が可能になり、しかも耐久性(繰り返し振動特性)も向上する。
【００３７】
そこで、振動板１０の電極１５側表面の高濃度ボロンの濃度（単位はａｔｏｍ／ｃｍ3）と耐久性についての評価試験を行った。
実施例１：ＫＯＨ水溶液を用いた異方性エッチングにより、前述した製造方法を用いて、図８に実線ｂで示すように電極側表面濃度が１．００Ｅ＋２０の振動板を製作した。なお、同図は、図９に示すように振動板１０の電極１５側表面を「０μｍ」として振動板厚さ方向に向かう濃度のプロフィルを示している（前述した図７も同様である。）。
【００３８】
実施例２：実施例１と同様にして、図８に一点鎖線ｃで示すように電極側表面濃度が１Ｅ１８の振動板を製作した。
実施例３：実施例１と同様にして、同図に二点鎖線ｄで示すように電極側表面濃度が１．００Ｅ＋１９の振動板を製作した。
【００３９】
比較例１：ＫＯＨ水溶液を用いた異方性エッチングにより、従来と同様にして同図に短破線ａで示すように電極側表面にピーク濃度がある振動板を製作した。
【００４０】
そして、これらの実施例１〜３及び比較例１の各振動板を有するインクジェットヘッドを駆動周波数１０ｋＨｚで駆動して、特性劣化を生じる駆動回数を測定することで、耐久性（繰り返し振動特性）を評価した。この結果を図１０に示している。
【００４１】
同図から分かるように、比較例１では１．０＊１０9回以下で特性劣化を生じたのに対し、実施例１のものでは１．０＊１０9回以上５．０＊１０9回まで、実施例２のものでは１．０＊１０10回以上、実施例３のものでは５．０＊１０9回以上１．０＊１０10回までの駆動回数でも特性劣化を生じなかった。
【００４２】
したがって、電極１５側表面の高濃度ボロンの濃度が１＊１０20を越えない濃度にすることで、振動板１０の応力をより緩和することができて、低電圧駆動化、耐久性の向上を図れる。より好ましくは、電極１５側表面の高濃度ボロン濃度の８＊１０19を越えない濃度にすることで、一層耐久性の向上を図ることができる。
【００４３】
次に、振動板１０の液室６側表面の高濃度ボロンの濃度と電極１５側表面の高濃度ボロンの濃度と関係についての評価試験を行った。
実施例４：ＥＤＰ（エチレンジアミンピロカテコール）水溶液を用いた異方性エッチングにより、前述した製造方法を用いて、図１１に実線ｂで示すように液室側表面濃度が電極側表面濃度に対して１Ｅ２０以上高い振動板を製作した。
【００４４】
実施例５：実施例４と同様にして、同図に長破線ｃで示すように液室側表面濃度が電極側表面濃度に対して略３Ｅ１９高い振動板を製作した。
実施例６：実施例４と同様にして、同図に一点鎖線ｄで示すように液室側表面濃度と電極側表面濃度が略同じ振動板を製作した。
【００４５】
実施例７：実施例４と同様にして、同図に二点鎖線ｅで示すように液室側表面濃度に対して電極側表面濃度が略３Ｅ１９低い振動板を製作した。
実施例８：実施例４と同様にして、同図に長一点鎖線ｆで示すように液室側表面濃度に対して電極側表面濃度が略１Ｅ２０低い振動板を製作した。
【００４６】
比較例２：ＥＤＰ（エチレンジアミンピロカテコール）水溶液を用いた異方性エッチングにより、従来と同様にして同図に短破線ａで示すように電極側表面にピーク濃度がある振動板を製作した。
【００４７】
そして、これらの実施例４〜８及び比較例２の各振動板を有するインクジェットヘッドを駆動周波数１０ｋＨｚで駆動して、特性劣化を生じる駆動回数を測定することで、耐久性（繰り返し振動特性）を評価した。この結果を図１２に示している。
【００４８】
同図から分かるように、比較例２では１．０＊１０9回以下で特性劣化を生じたのに対し、実施例４のものでは１．０＊１０9回以上５．０＊１０9回まで、実施例５〜７のものでは１．０＊１０10回以上、実施例８のものでは５．０＊１０9以上１．０＊１０10回までの駆動回数でも特性劣化を生じなかった。
【００４９】
したがって、振動板１０の液室６側表面の高濃度ボロンの濃度と電極１５側表面の高濃度ボロンの濃度との差が１＊１０20を越えないようにすることで耐久性が向上し、更に、その濃度の差を３＊１０19を越えないようにすることで更に耐久性が向上する。
【００５０】
次に、本発明に係るインクジェットヘッドの製造方法の第２実施形態における高濃度ボロン拡散層の形成工程について図１３をも参照して説明する。
この実施形態においては、同図（ａ）、（ｂ）に示すように前述した図５（ａ）、（ｂ）で説明したと同様な工程でシリコン基板２０の表面に高濃度ボロン拡散層２１ａを形成した後、図１３（ｃ）に示すようにＣＭＰによって高濃度ボロン拡散層２１ａの表面を研磨する。
【００５１】
その後、Ｓｉ基板２０表面を酸化することにより同図（ｄ）に示すようにシリコン基板２０表面に高濃度ボロン拡散層２１表面を含めて酸化膜２５を形成する。その後は、図６で説明したと同様の工程を経てインクジェットヘッドを製作できる。
【００５２】
すなわち、シリコン基板２０に高濃度ボロンを拡散することによりＢ2Ｏ3層が形成され、そのＢ2Ｏ3層の下にボロンとシリコンの化合物層が形成される。そのため、図５（ｃ）に示すようにこの化合物層を酸化して得られる酸化膜２２の表面性は粗く、振動板／液室基板１との直接接合が困難であり、また、この酸化膜２２はＢ2Ｏ3を含むために、絶縁耐圧が低く絶縁膜としては使用できないので、前述したように、酸化膜２２を除去した後直接接合が可能なように研磨を行っている。
【００５３】
これに対して、この実施形態では、先ず、ＣＭＰによる研磨を行ってボロンとシリコンの化合物層を除去するので、直接接合が可能な表面性を持つシリコン面（高濃度ボロン拡散層２１表面）を得ることができる。そして、このシリコン表面を酸化して得られる酸化膜２６の表面性は表面粗さＲａ＝０．５ｎｍ以下であるので、酸化膜２６を残したまま電極基板と直接接合することができるようになる。しかも、この酸化膜２６はＢ2Ｏ3の含有量が少なく、絶縁耐圧が高く、かつ電極上に電荷が残留することを抑制するので、耐久性の向上とともに安定した駆動を行うことができる。
【００５４】
なお、上記各実施形態においては本発明を静電型インクジェットヘッドに適用した例で説明したが、ピエゾ型インクジェットヘッドにも同様に適用することができ、またインク滴を吐出するインクジェットヘッド以外にも、例えば液体レジストを吐出するための液滴吐出ヘッドなどにも同様に適用することができる。また、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、前述したようにプリンタ、ファクシミリ、複写装置等の画像記録装置或いは画像形成装置に備えることができ、これらの画像形成装置で液体を吐出するための液滴吐出装置として備えることもできる。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る液滴吐出ヘッドによれば、振動板がＰ型不純物シリコン層からなり、Ｐ型不純物シリコン層のＰ型不純物濃度は、振動板の内部にピークを持ち、振動板の厚さ方向において、ピーク部から液室方向及び液室と逆方向に向かってそれぞれ低濃度になり、振動板の厚さ方向において、振動板の液室と反対側表面部で最小となる、分布を有する構成としたので、振動板の応力を緩和でき、低電圧駆動化及び耐久性（繰り返し振動特性）の向上を図ることができる。そして、本発明に係る画像形成装置、液滴吐出装置によれば、本発明に係る液滴吐出ヘッドを備えているので、低電圧駆動、耐久性の向上を図れる。
【００５７】
また、振動板の液室と反対側の表面のＰ型不純物濃度が１＊１０20（ａｔｏｍ／ｃｍ3）を越えないようにすることで、一層確実に振動板の応力を抑制でき、一層低電圧駆動化耐久性の向上を図れる。
【００５９】
このヘッドを振動板と対向する電極を有し、振動板を静電力で変形変位させて液滴を吐出させる構成にすることで、信頼性の高い、優れた静電型液滴吐出ヘッドを得ることができる。
【００６０】
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法によれば、シリコン基板にボロンを拡散した後、ボロン拡散層の表面を酸化するので、容易に本発明に係る液滴吐出ヘッドを得ることができる。この場合、また、シリコン基板にボロンを拡散した後、ボロン拡散層の表面を研磨処理し、次いでこのボロン拡散層の表面を酸化することで、信頼性の向上及び残留電荷の低減による安定駆動が可能な液滴吐出ヘッドを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した静電型インクジェットヘッドの分解斜視説明図
【図２】同ヘッドの透過状態で示す上面説明図
【図３】同ヘッドの液室長辺方向に沿う模式的断面説明図
【図４】同ヘッドの液室短辺方向に沿う模式的断面説明図
【図５】本発明を適用したインクジェットヘッドの製造方法の第１実施形態における高濃度ボロン拡散層の形成工程を説明する説明図
【図６】同第１実施形態におけるヘッドの製作工程を説明する説明図
【図７】図５（ｂ）及び（ｅ）の段階における高濃度ボロン拡散層の濃度分布図
【図８】振動板の電極側表面の高濃度ボロンの濃度と耐久性の評価試験の説明に供する濃度分布図
【図９】濃度分布図の説明に供する説明図
【図１０】図８の各濃度分布を有する振動板の耐久性評価試験結果を説明する説明図
【図１１】振動板の液室側表面の濃度と電極側表面の濃度との差と耐久性の評価試験の説明に供する濃度分布図
【図１２】図１１の各濃度分布を有する振動板の耐久性評価試験結果を説明する説明図
【図１３】本発明を適用したインクジェットヘッドの製造方法の第２実施形態における高濃度ボロン拡散層の形成工程を説明する説明図
【符号の説明】
１…振動板／液室基板、３…電極基板、４…ノズル板、５…ノズル、６…液室、１０…振動板、１５…電極、２０…Ｓｉ基板、２１…高濃度ボロン拡散層、２２、２６…酸化膜、２３…シリコン窒化膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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