(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜上に所望パターンを有するレジストフレームを形成するパターン形成方法であって、
前記基板に、前記鉄原子を含む金属材料からなる金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理する工程と、
プラズマ処理された前記金属膜上に、レジスト膜を形成する工程と、
前記金属膜の所定の部分を露出させるように前記レジスト膜の一部を除去して前記レジストフレームを形成する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記レジスト膜を、化学増幅型レジスト材料を用いて形成することを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記レジストフレームをマスクとして、前記金属膜の露出部分に金属材料をめっきして、当該金属膜上に金属めっき層を形成する工程と、
前記レジストフレームを除去する工程と、
前記金属めっき層をマスクとして前記金属膜を除去する工程と、を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記レジストフレームをマスクとして、前記金属膜の露出部分を除去する工程と、
前記レジストフレームを除去する工程と、を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
基板に、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜上に所望パターンを有するレジストフレームが形成されてなるマイクロデバイスの製造方法であって、
前記基板に、前記鉄原子を含む金属材料からなる金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理する工程と、
プラズマ処理された前記金属膜上に、レジスト膜を形成する工程と、
前記金属膜の所定の部分を露出させるように前記レジスト膜の一部を除去して前記レジストフレームを形成する工程と、を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記レジスト膜を、化学増幅型レジスト材料を用いて形成することを特徴とする請求項５に記載のマイクロデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記レジストフレームをマスクとして、前記金属膜の露出部分に金属材料をめっきして、当該金属膜上に金属めっき層を形成する工程と、
前記レジストフレームを除去する工程と、
前記金属めっき層をマスクとして前記金属膜を除去する工程と、を更に含むことを特徴とする請求項５に記載のマイクロデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記レジストフレームをマスクとして、前記金属膜の露出部分を除去する工程と、
前記レジストフレームを除去する工程と、を更に含むことを特徴とする請求項５に記載のマイクロデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記マイクロデバイスが薄膜磁気ヘッドであって、当該薄膜磁気ヘッドを請求項５に記載の製造方法を用いて製造することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記レジストフレームをマスクとして、前記金属膜の露出部分に金属材料をめっきして、当該金属膜上に金属めっき層を形成する工程と、
前記レジストフレームを除去する工程と、
前記金属めっき層をマスクとして前記金属膜を除去する工程と、を更に含み、
前記薄膜磁気ヘッドは、金属材料よりなる磁極層を備え、前記金属めっき層にて前記磁極層を形成することを特徴とする請求項９に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
薄膜磁気ヘッドを備える磁気ヘッドスライダの製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドを請求項９及び１０に記載の製造方法を用いて製造することを特徴とする磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項１２】
薄膜磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドを支持するヘッド支持装置と、を含む磁気ヘッド装置の製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドを請求項９及び１０に記載の製造方法を用いて製造することを特徴とする磁気ヘッド装置の製造方法。
【請求項１３】
薄膜磁気ヘッド及び前記薄膜磁気ヘッドを支持するヘッド支持装置を含む磁気ヘッド装置と、前記薄膜磁気ヘッドと協働して磁気記録再生を行う磁気記録媒体と、を有する磁気記録再生装置の製造方法であって、
前記磁気ヘッド装置を請求項１２に記載の製造方法を用いて製造することを特徴とする磁気記録再生装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板に、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜上に所望パターンを有するレジストフレームを形成するパターン形成方法、これを用いたマイクロデバイスの製造方法に関する。本発明において、マイクロデバイスとは、薄膜磁気ヘッド、薄膜インダクタ、半導体デバイス、薄膜センサ、薄膜アクチュエータまたはこれらを組み込んだ装置を含むものである。
【０００２】
【従来の技術】
基板上に金属パターンを形成する方法として、例えば、特公昭５６−３６７０６号公報に開示されているような、いわゆるフレームめっき法が知られている。これは、基板の上に金属膜を積層すると共に、金属膜上に金属膜の所望の部分が露出するようなレジストフレーム（枠）を形成し、金属膜を電極としてレジストフレーム内に露出する電極膜上に所望の金属層をめっきし、レジストフレーム及び余分な金属膜を除去して基板の上に金属パターンを形成させるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板上に形成する金属膜の原材料が鉄原子を含む金属材料である場合、以下のような問題点を有することが新たに判明した。金属膜上に金属膜の所望の部分が露出するようなレジストフレームを形成した際に、金属膜の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状（ポジ型レジスト材料を用いた場合）あるいはアンダカット形状（ネガ型レジスト材料を用いた場合）となる。このため、良好なレジストフレーム（レジストパターン）を得ることができなくなり、その後の製造プロセスにおける歩留まりを悪化させている。
【０００４】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、良好なレジストフレームを得ることが可能なパターン形成方法、マイクロデバイスの製造方法、薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、磁気記録再生装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るパターン形成方法は、基板に、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜上に所望パターンを有するレジストフレームを形成するパターン形成方法であって、基板に、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜を形成する工程と、金属膜を、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理する工程と、プラズマ処理された金属膜上に、レジスト膜を形成する工程と、金属膜の所定の部分を露出させるようにレジスト膜の一部を除去してレジストフレームを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００６】
本発明に係るパターン形成方法では、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜が、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理され、プラズマ処理された当該金属膜上に、レジスト膜が形成される。このため、金属膜の所定の部分を露出させるようにレジスト膜の一部を除去した際に、金属膜の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されることとなる。したがって、良好なレジストフレームを得ることができ、その後の製造プロセスにおける歩留まりを向上できる。
【０００７】
なお、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理することにより、金属膜の露出部分にスカム残りがなく、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状とならないのは、酸素原子及びフッ素原子により金属膜の表面に存在する水酸基が減少することが一要因となっているものと考えられる。
【０００８】
また、レジスト膜を、化学増幅型レジスト材料を用いて形成することが好ましい。化学増幅型レジスト材料を用いた場合には、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となり易くなる。しかしながら、上述したように、金属膜が酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理されているので、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのを確実に防止できる。
【０００９】
また、レジストフレームをマスクとして、金属膜の露出部分に金属材料をめっきして、当該金属膜上に金属めっき層を形成する工程と、レジストフレームを除去する工程と、金属めっき層をマスクとして金属膜を除去する工程と、を更に含むことが好ましい。この場合には、金属膜の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されているので、金属膜と金属めっき層との密着性を向上できる。また、金属膜と金属めっき層との間にスカムが不純物として存在することもない。
【００１０】
また、レジストフレームをマスクとして、金属膜の露出部分を除去する工程と、レジストフレームを除去する工程と、を更に含むことが好ましい。この場合には、金属膜の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されているので、金属膜を適切な形状とすることができると共に、スカムが不純物として基板上に残留するのを防ぐことができる。
【００１１】
本発明に係るマイクロデバイスの製造方法は、基板に、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜上に所望パターンを有するレジストフレームが形成されてなるマイクロデバイスの製造方法であって、基板に、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜を形成する工程と、金属膜を、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理する工程と、プラズマ処理された金属膜上に、レジスト膜を形成する工程と、金属膜の所定の部分を露出させるようにレジスト膜の一部を除去してレジストフレームを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
本発明に係るマイクロデバイスの製造方法では、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜が、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理され、プラズマ処理された当該金属膜上に、レジスト膜が形成される。このため、金属膜の所定の部分を露出させるようにレジスト膜の一部を除去した際に、金属膜の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されることとなる。したがって、良好なレジストフレームを得ることができ、その後の製造プロセスにおける歩留まりを向上できる。
【００１３】
また、レジスト膜を、化学増幅型レジスト材料を用いて形成することが好ましい。この場合には、化学増幅型レジスト材料を用いた場合には、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となり易くなる。しかしながら、上述したように、金属膜が酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理されているので、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのを確実に防止できる。
【００１４】
また、レジストフレームをマスクとして、金属膜の露出部分に金属材料をめっきして、当該金属膜上に金属めっき層を形成する工程と、レジストフレームを除去する工程と、金属めっき層をマスクとして金属膜を除去する工程と、を更に含むことが好ましい。この場合には、金属膜の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されているので、金属膜と金属めっき層との密着性を向上できる。また、金属膜と金属めっき層との間にスカムが不純物として存在することもない。
【００１５】
また、レジストフレームをマスクとして、金属膜の露出部分を除去する工程と、レジストフレームを除去する工程と、を更に含むことが好ましい。この場合には、金属膜の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されているので、金属膜を適切な形状とすることができる。
【００１６】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、上記マイクロデバイスが薄膜磁気ヘッドであって、当該薄膜磁気ヘッドを上記製造方法を用いて製造することを特徴とする。
【００１７】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、薄膜磁気ヘッドが上記マイクロデバイスとして上記製造方法を用いて製造される。すなわち、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜が、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理され、プラズマ処理された当該金属膜上に、レジスト膜が形成される。このため、金属膜の所定の部分を露出させるようにレジスト膜の一部を除去した際に、金属膜の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されることとなる。したがって、良好なレジストフレームを得ることができ、その後の製造プロセスにおける歩留まりを向上できる。
【００１８】
また、レジストフレームをマスクとして、金属膜の露出部分に金属材料をめっきして、当該金属膜上に金属めっき層を形成する工程と、レジストフレームを除去する工程と、金属めっき層をマスクとして金属膜を除去する工程と、を更に含むことが好ましい。この場合には、金属膜の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されているので、金属膜と金属めっき層との密着性を向上できる。また、金属膜と金属めっき層との間にスカムが不純物として存在することもない。そして、薄膜磁気ヘッドは、金属材料よりなる磁極層を備え、金属めっき層にて磁極層を形成することが好ましく、これにより、密着性が高く不純物の少ない磁極層が得られる。
【００１９】
本発明に係る磁気ヘッドスライダの製造方法は、薄膜磁気ヘッドを備える磁気ヘッドスライダの製造方法であって、上記薄膜磁気ヘッドを上記製造方法を用いて製造することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明に係る磁気ヘッド装置の製造方法は、薄膜磁気ヘッドと、上記薄膜磁気ヘッドを支持するヘッド支持装置と、を含む磁気ヘッド装置の製造方法であって、上記薄膜磁気ヘッドを上記製造方法を用いて製造することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明に係る磁気記録再生装置の製造方法は、薄膜磁気ヘッド及び上記薄膜磁気ヘッドを支持するヘッド支持装置を含む磁気ヘッド装置と、上記薄膜磁気ヘッドと協働して磁気記録再生を行う磁気記録媒体と、を有する磁気記録再生装置の製造方法であって、上記磁気ヘッド装置を上記製造方法を用いて製造することを特徴とする。
【００２２】
本発明に係る磁気ヘッドスライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法及び磁気記録再生装置の製造方法では、これらの製造において、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜が、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理され、プラズマ処理された当該金属膜上に、レジスト膜が形成される。このため、金属膜の所定の部分を露出させるようにレジスト膜の一部を除去した際に、金属膜の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されることとなる。したがって、良好なレジストフレームを得ることができ、その後の製造プロセスにおける歩留まりを向上できる。
【００２３】
さらに、レジスト膜を、化学増幅型レジスト材料を用いて形成することにより、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのを確実に防止できる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２５】
（第１実施形態）
まず、第１実施形態のパターン形成方法について説明する。図１は、本実施形態のパターン形成方法を示すフロー図、図２及び図３は、本実施形態のパターン形成方法を説明するための断面図である。
【００２６】
まず、図２（ａ）に示すように、基板１を用意し、鉄（Ｆｅ）原子を含む金属材料（例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＣｏ等）からなる金属膜３を形成する（Ｓ１０１）。この金属膜３の形成には、例えば、スパッタリング法等を用いることができる。
【００２７】
次に、基板１上に形成した金属膜３を、酸素（Ｏ）原子及びフッ素（Ｆ）原子を含有するガス（例えば、酸素（Ｏ2）ガスにテトラフルオルメタン（ＣＦ4）ガス又はトリフルオルメタン（ＣＨＦ3）ガスを添加したもの等）を含む環境内でプラズマ処理する（Ｓ１０３）。なお、プラズマ処理は、金属膜３が形成された基板１を、プラズマ化した、酸素（Ｏ）原子及びフッ素（Ｆ）原子を含有するガスにさらすことにより行う。ガスをプラズマ化する励起方法、プラズマの種類は、高周波によるラジオ波による誘導結合型プラズマ、容量結合型プラズマ、マイクロ波を用いた表面波プラズマ等いかなる方法、種類でもよい。
【００２８】
次に、図２（ｂ）に示すように、プラズマ処理した金属膜３上に、レジスト材料（例えば、化学増幅型ポジ型レジスト材料、化学増幅型ネガ型レジスト材料等）を塗布してレジスト膜５を形成する（Ｓ１０５）。なお、必要に応じて塗布したレジスト材料の熱処理をしてもよい。
【００２９】
次に、図２（ｃ）に示すように、所望パターンに対応するマスク７を介してレジスト膜５を露光し、所望パターンに対応するパターンの潜像をレジスト膜５に転写する。さらに、潜像が転写されたレジスト膜５を現像、水洗、乾燥して、図２（ｄ）に示すように、金属膜３の表面の一部を所望パターンに対応して露出させるようにレジスト膜５の一部を除去してレジストフレーム５Ｆを形成する（Ｓ１０７）。なお、転写後で現像前に必要に応じてレジスト材料の熱処理をしてもよい。
【００３０】
次に、図３（ａ）に示すように、レジストフレーム５Ｆをマスクとして、レジストフレーム５Ｆに囲まれた金属膜３の露出部分の表面上に、この金属膜３を電極として金属材料のめっきを行ない、当該金属膜３上に金属めっき層９を形成する（Ｓ１０９）。なお、必要に応じて、めっき前に酸等により金属膜３の露出面を前処理してもよい。
【００３１】
次に、図３（ｂ）に示すように、レジストフレーム５Ｆを除去する（Ｓ１１１）。ここでは、例えば有機溶剤による溶解や、アッシング等によってレジストフレーム５Ｆを除去できる。
【００３２】
次に、図３（ｃ）に示すように、金属めっき層９をマスクとして表面に露出する金属膜３をエッチング除去し、基板１を露出させる（Ｓ１１３）。この金属膜３のエッチング除去には、ミリング法や、反応性イオンエッチング等のドライエッチング法や、ウェットエッチング法を採用することができる。以上により、本実施形態のパターン形成方法は完了する。
【００３３】
このようなパターン形成方法によれば、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜３が、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理され、プラズマ処理された当該金属膜３上に、レジスト膜５が形成される。このため、金属膜３の所定の部分を露出させるようにレジスト膜５の一部を除去した際に、金属膜３の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜３付近のレジストフレーム５Ｆのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されることとなる。したがって、良好なレジストフレーム５Ｆを得ることができ、その後の製造プロセスにおける歩留まりを向上できる。
【００３４】
また、本実施形態においては、レジスト膜５を、化学増幅型レジスト材料を用いて形成している。化学増幅型レジスト材料を用いた場合には、金属膜３付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となり易くなる。しかしながら、上述したように、金属膜３が酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理されているので、金属膜３付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのを確実に防止できる。
【００３５】
また、本実施形態においては、レジストフレーム５Ｆをマスクとして、金属膜３の露出部分に金属材料をめっきして、当該金属膜３上に金属めっき層９を形成し、その後にレジストフレーム５Ｆを除去し、金属めっき層９をマスクとして露出した金属膜３を除去している。このため、金属膜３の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜３付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されているので、金属膜３と金属めっき層９との密着性を向上できる。また、金属膜３と金属めっき層９との間にスカムが不純物として存在することもない。
【００３６】
ここで、本実施形態によるパターン形成方法の実施例及び比較例として、以下のようにして所望パターンの金属めっき層の形成を行った。
【００３７】
（実施例１）
ここでは、基板として３インチφで０．４ｍｍ程度の厚さのＳｉを用い、所望パターンの金属めっき層（金属膜を含む）の形成を行った。
【００３８】
まず、基板上に金属膜としてパーマロイ（ＮｉＦｅ）膜を１００ｎｍ程度形成した。ＮｉとＦｅの比率は、５０−５０ｗｔ％（重量％）とした。パーマロイ膜の形成にはスパッタリング法を採用し、日電アネルバ社製のＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ装置）を用い、パーマロイターゲット（ターゲット径：８インチ）、１５００Ｗの電力、１５ｓｃｃｍ（standard cubic cm：圧力を１気圧（１．０１３２５×１０5Ｐａ）に変換したときの一分間当たりのｃｍ3単位の流量）のアルゴンガス流量、０．２５Ｐａの圧力で行った。パーマロイの析出速度は、約１５ｎｍ／ｓｅｃであった。
【００３９】
次に、パーマロイ膜を基板ごと、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理した。プラズマ処理は、マトリックス社製のＳｙｓｔｅｍ１０４を用い、１３３．３２２Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）の圧力、１００Ｗの電力、２０ｓｃｃｍの酸素ガス流量、５ｓｃｃｍのテトラフルオルメタンガス流量で行った。また、基板温度は５０℃とし、処理時間は３０ｓｅｃとした。
【００４０】
次に、レジスト材料としてクラリアントジャパン社製のＡＺＤＴＦ−１１を塗布してレジスト膜を形成した。ここでは、スピンコート法によって４μｍ程度の膜厚とし、ホットプレート上等で１１０℃、１８０秒程度のプリベークをした。なお、レジスト材料として信越化学工業社製ＳＥＰＲ−Ｉ０２０を用いてもよい。上述したＡＺＤＴＦ−１１及びＳＥＰＲ−Ｉ０２０は、化学増幅型ポジ型レジスト材料である。
【００４１】
次に、クリアー部が０．３μｍ幅のパターンを有するマスクを用い、レジスト膜の露光・現像を行じレジストフレームを形成した。
【００４２】
ここで、露光装置としては、ニコン社ＮＳＲ−ＥＸ１４ＣＴＦＨを用い、ＮＡ（開口数）＝０．４、σ（照明系のＮＡとレンズＮＡの比）＝０．４、露光量１２０ｍＪ／ｃｍ2とした。また、環境温度は８０℃とし、露光時間は９０ｓｅｃとした。なお、レジスト材料として信越化学工業社製ＳＥＰＲ−Ｉ０２０を用いる場合には、露光量２００ｍＪ／ｃｍ2とした。
【００４３】
また、現像には、２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液を用い、パドル法で６０秒×３回現像し、その後水洗し乾燥した。
【００４４】
次に、めっきのための前処理として、パーマロイ膜とレジストフレームが形成された基板を、５％のＨＣｌ水溶液で洗浄した後、水洗した。
【００４５】
次に、以下の表１に示した成分および組成のめっき液のパーマロイめっき浴を用い、レジストフレームを用いたフレームめっき法により、パーマロイを約４μｍの厚さに形成した後、水洗および乾燥を行った。なお、めっきは、浴温：４０℃、電流密度：３．５×１０-3Ａ／ｃｍ2、陽極：パーマロイの条件で行った。
【００４６】
【表１】
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【００４７】
次に、レジストフレームをアセトンで溶解除去した後、乾燥して、幅が約０．３μｍ、高さが約４μｍの、パーマロイによる孤立ラインを有するめっきパターン（金属めっき層）を得た。
【００４８】
ここで、実施例で得られたパーマロイのめっきパターンを観察したが、めっきパターン異常、めっきパターン剥離は確認されず、良好なパーマロイのめっきパターンが得られた。
【００４９】
次に、基板をアセトン中に浸漬揺動することによりレジストフレームを溶解除去した。
【００５０】
次に、パーマロイのめっきパターンをマスクとしてパーマロイ膜をミリング法によりエッチング除去し基板を露出させた。ここで、パーマロイ膜の除去には、コモンウェルス社製８Ｃミリング装置を用い、５００Ｗの電力、５００ｍＡの電流、０．４Ｐａの圧力、ミリング角度１０°で行った。
【００５１】
本実施例において、孤立トレンチを有するレジストパターン（厚み４μｍ、幅０．３μｍ）を形成した後に、パーマロイ膜の露出部分におけるスカム残りの発生の有無、パーマロイ膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状となっているか否かについて観察した。観察の結果、パーマロイ膜の露出部分におけるスカム残りは無く、また、レジストフレームのボトム部も裾引き形状とはなっておらず、良好なレジストパターンが得られていた。
【００５２】
（実施例２）
ここでは、テトラフルオルメタンガスの代わりにトリフルオルメタンガスを用い、その他の条件を同一とした。この場合においても、パーマロイ膜の露出部分におけるスカム残りは無く、また、レジストフレームのボトム部も裾引き形状とはなっておらず、良好なレジストパターンが得られた。
【００５３】
（比較例１）
ここでは、プラズマ処理を行わず、その他の条件を同一とした。この場合、パーマロイ膜の露出部分にスカム残りが見られ、また、レジストフレームのボトム部も裾引き形状となっていた。
【００５４】
（比較例２）
ここでは、プラズマ処理に酸素原子を含有し、フッ素原子を含有しないガスを用い、その他の条件を同一とした。この場合、パーマロイ膜の露出部分にスカム残りが見られ、また、レジストフレームのボトム部も裾引き形状となっていた。
【００５５】
（比較例３）
ここでは、プラズマ処理に酸素原子を含有し、フッ素原子を含有しないガスを用い、且つプラズマ処理の電力を２００Ｗに高め、その他の条件を同一とした。この場合、パーマロイ膜の露出部分にスカム残りが見られ、また、レジストフレームのボトム部も裾引き形状となっていた。
【００５６】
（比較例４）
ここでは、プラズマ処理にフッ素原子を含有し、酸素原子を含有しないガスを用い、その他の条件を同一とした。この場合、パーマロイ膜の露出部分にスカム残りが見られ、また、レジストフレームのボトム部も裾引き形状となっていた。
【００５７】
（比較例５）
ここでは、プラズマ処理にＡｒ（アルゴン）ガスを用い、その他の条件を同一とした。この場合、パーマロイ膜の露出部分にスカム残りが見られ、また、レジストフレームのボトム部も裾引き形状となっていた。
【００５８】
（比較例６）
ここでは、金属膜及び金属めっき層の金属材料としてＮｉを用いた。また、プラズマ処理を行わず、その他の条件を同一とした。Ｎｉ膜の露出部分におけるスカム残りは無く、また、レジストフレームのボトム部も裾引き形状とはなっておらず、良好なレジストパターンが得られていた。
【００５９】
なお、金属膜の金属材料としてＣｏＦｅＮｉ（６５−２０−１５ｗｔ％）あるいはＦｅＣｏ（７０−３０ｗｔ％）を用い、実施例１の条件にて形成したレジストフレームを観察したところ、金属膜の露出部分におけるスカム残りは無く、また、レジストフレームのボトム部も裾引き形状とはなっておらず、良好なレジストパターンが得られていた。更に、実施例２、比較例１〜３についても、金属膜の金属材料としてパーマロイ膜を用いた場合と同様の結果が得られた。
【００６０】
（第２実施形態）
続いて、第２実施形態のパターン形成方法について説明する。図４は、本実施形態のパターン形成方法を示すフロー図、図５は、本実施形態のパターン形成方法を説明するための断面図である。
【００６１】
Ｓ１０１〜Ｓ１０７までの工程は、上述した第１実施形態と同じであり、その説明を省略し、それ以降の工程について説明する。
【００６２】
レジストフレーム５Ｆを形成すると、次に、図５（ａ）に示すように、レジストフレーム５Ｆをマスクとして表面に露出する金属膜３をエッチング除去する（Ｓ２０１）。この金属膜３のエッチング除去には、ミリング法や、反応性イオンエッチング等のドライエッチング法や、ウェットエッチング法を採用することができる。
【００６３】
次に、図５（ｂ）に示すように、レジストフレーム５Ｆを除去する（Ｓ２０３）。ここでは、例えば有機溶剤による溶解や、アッシング等によってレジストフレーム５Ｆを除去できる。以上により、本実施形態のパターン形成方法は完了する。
【００６４】
このようなパターン形成方法によれば、上述した第１実施形態と同様に、金属膜３の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜３付近のレジストフレーム５Ｆのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されることとなる。したがって、良好なレジストフレーム５Ｆを得ることができ、その後の製造プロセスにおける歩留まりを向上できる。
【００６５】
また、化学増幅型レジスト材料を用いた場合においても、金属膜３付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのを確実に防止できる。
【００６６】
また、本実施形態においては、レジストフレーム５Ｆをマスクとして、金属膜３の露出部分を除去し、その後に、レジストフレーム５Ｆを除去している。このため、金属膜３の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜３付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されているので、金属膜３を適切な形状とすることができる。
【００６７】
ここで、本実施形態によるパターン形成方法の実施例として、以下のようにして所望パターンの金属膜の形成を行った。
【００６８】
ここでは、基板として３インチφで０．４ｍｍ程度の厚さのＳｉを用い、所望パターンの金属膜の形成を行った。
【００６９】
まず、基板上に金属膜としてパーマロイ（ＮｉＦｅ）膜を１００ｎｍ程度形成した。ＮｉとＦｅの比率は、５０−５０ｗｔ％（重量％）とした。パーマロイ膜の形成にはスパッタリング法を採用し、日電アネルバ社製のＳＰＦ−７４０Ｈ（直流スパッタ装置）を用い、パーマロイターゲット（ターゲット径：８インチ）、１５００Ｗの電力、１５ｓｃｃｍ（standard cubic cm：圧力を１気圧（１．０１３２５×１０5Ｐａ）に変換したときの一分間当たりのｃｍ3単位の流量）のアルゴンガス流量、０．２５Ｐａの圧力で行った。パーマロイの析出速度は、約１５ｎｍ／ｓｅｃであった。
【００７０】
次に、パーマロイ膜を基板ごと、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理した。プラズマ処理は、マトリックス社製のＳｙｓｔｅｍ１０４を用い、１３３．３２２Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）の圧力、１００Ｗの電力、２０ｓｃｃｍの酸素ガス流量、５ｓｃｃｍのテトラフルオルメタンガス流量で行った。また、基板温度は５０℃とし、処理時間は３０ｓｅｃとした。
【００７１】
次に、レジスト材料としてクラリアントジャパン社製のＡＺ５１０５Ｐを塗布してレジスト膜を形成した。ここでは、スピンコート法によって０．５μｍ程度の膜厚とし、ホットプレート上等で１３０℃、６０秒程度のプリベークをした。このＡＺ５１０５Ｐは、化学増幅型ポジ型レジスト材料である。
【００７２】
次に、クリアー部が０．２μｍ幅のパターンを有するマスクを用い、レジスト膜の露光・現像を行じレジストフレームを形成した。
【００７３】
ここで、露光装置としては、ニコン社ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４ＣＮＡを用い、ＮＡ（開口数）＝０．６、σ（照明系のＮＡとレンズＮＡの比）＝０．７５、露光量２０ｍＪ／ｃｍ2、焦点０．０μｍとした。また、環境温度は１３０℃とし、露光時間は６０ｓｅｃとした。
【００７４】
また、現像には、２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液を用い、パドル法で６０秒×１回現像し、その後水洗し乾燥した。
【００７５】
次に、レジストフレームをマスクとしてパーマロイ膜を反応性イオンエッチング法によりエッチング除去し基板を露出させた。ここで、パーマロイ膜の除去には、住友金属社製ＨＧ６０００を用い、０．４Ｐａ（３ｍＴｏｒｒ）の圧力、１００ｓｃｃｍのアルゴンガス流量、１０００Ｗのマイクロ波出力、５０Ｗの高周波出力で行った。
【００７６】
次に、基板をアセトン中に浸漬揺動することによりレジストフレームを溶解除去した。
【００７７】
本実施例において、孤立トレンチを有するレジストパターン（厚み０．５μｍ、幅０．２μｍ）を形成した後に、パーマロイ膜の露出部分におけるスカム残りの発生の有無、パーマロイ膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状となっているか否かについて観察した。観察の結果、パーマロイ膜の露出部分におけるスカム残りは無く、また、レジストフレームのボトム部も裾引き形状とはなっておらず、良好なレジストパターンが得られていた。
【００７８】
（第３実施形態）
続いて、第３実施形態に係るマイクロデバイスとしての薄膜磁気ヘッドの製造方法、磁気ヘッドスライダの製造方法、磁気ヘッド装置の製造方法、及び、磁気記録再生装置の製造方法について説明する。第３実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、第１実施形態に係るパターン形成方法を用いて、薄膜磁気ヘッドの磁極を形成する方法である。
【００７９】
まず、図６〜図９を参照して、本実施形態に係る複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例について説明する。なお、図６〜図９において、（ａ）はエアベアリング面に垂直な断面を示し、（ｂ）は磁極部分のエアベアリング面に平行な断面を示している。
【００８０】
本例における薄膜磁気ヘッドの製造方法では、まず、図６に示したように、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１１の上に、スパッタ法等によって、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等の絶縁材料よりなる絶縁層１２を、例えば１〜２０μｍの厚みに形成する。次に、絶縁層１２の上に、磁性材料よりなる再生ヘッド用の下部シールド層１３を、例えば０．１〜５μｍの厚みに形成する。下部シールド層１３に用いる磁性材料は、ＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等である。下部シールド層１３は、スパッタリング法またはめっき法等によって形成される。
【００８１】
次に、下部シールド層１３の上に、スパッタリング法等によって、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁材料よりなる下部シールドギャップ膜１４を、例えば１０〜２００ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜１４の上に、スパッタリング法等によって、再生用のＭＲ素子１５を、例えば数十ｎｍの厚みに形成する。ＭＲ素子１５には、ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。次に、下部シールドギャップ膜１４の上に、スパッタリング法等によって、ＭＲ素子１５に電気的に接続される一対の電極層１６を、数十ｎｍの厚みに形成する。次に、下部シールドギャップ膜１４およびＭＲ素子１５の上に、スパッタリング法等によって、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁材料よりなる上部シールドギャップ膜１７を、例えば１０〜２００ｎｍの厚みに形成する。
【００８２】
なお、上記の再生ヘッドを構成する各層は、レジストパターンを用いた一般的なエッチング方法やリフトオフ法やこれらを併用した方法によってパターニングされる。
【００８３】
次に、上部シールドギャップ膜１７の上に、磁性材料からなり、再生ヘッドと記録ヘッドの双方に用いられる上部シールド層兼下部磁極層（以下、下部磁極層と記す。）１８を、例えば０．５〜４．０μｍの厚みに形成する。なお、下部磁極層１８に用いる磁性材料は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料である。下部磁極層１８は、スパッタリング法等によって形成される。
【００８４】
次に、下部磁極層１８の上に、スパッタリング法等によって、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁材料よりなる記録ギャップ層１９を、例えば１０〜５００ｎｍの厚みに形成する。次に、磁路形成のために、後述する薄膜コイルの中心部分において、記録ギャップ層１９を部分的にエッチング除去してコンタクトホール１９ａを形成する。
【００８５】
次に、記録ギャップ層１９の上において、薄膜コイルを形成する部分に、例えば熱硬化させたフォトレジストよりなる絶縁層２０を形成する。次に、絶縁層２０の上に、フレームめっき法等によって、Ｃｕ等の導電性材料よりなる薄膜コイルの第１層部分２１を形成する。次に、絶縁層２０および薄膜コイルの第１層部分２１を覆うように、例えば熱硬化させたフォトレジストよりなる絶縁層２２を形成する。次に、絶縁層２２の上に、フレームめっき法等によって、Ｃｕ等の導電性材料よりなる薄膜コイルの第２層部分２３を形成する。次に、絶縁層２２および薄膜コイルの第２層部分２３を覆うように、例えば熱硬化させたフォトレジストよりなる絶縁層２４を形成する。薄膜コイルの第１層部分２１と第２層部分２３は、互いに接続され、コンタクトホール１９ａの回りに巻回される。第１層部分２１と第２層部分２３を合わせた部分の厚みは例えば２〜５μｍとし、絶縁層２０，２２，２４を合わせた部分の厚みは例えば３〜２０μｍとする。
【００８６】
次に、図７に示したように、エアベアリング面（Air Bearing Surface：媒体対向面）Ｓから絶縁層２２，２４の上を経て、コンタクトホール１９ａにかけて、磁性材料からなる記録ヘッド用の上部磁極層２５を、例えば３〜５μｍの厚みに形成する。なお、上部磁極層２５に用いる磁性材料は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ等の軟磁性材料である。上部磁極層２５は、第１実施形態における金属めっき層９に相当し、第１実施形態に係るパターン形成方法を用いて形成される。なお、金属めっき層９を第１実施形態に係るパターン形成方法を用いて形成するのに必要な電極膜（図示せず）として上部磁極層２５と同一組成の金属膜をスパッタリング法等で形成する。この金属膜は、第１実施形態における金属層３に相当する。そして、第１実施形態にも示したように、当該金属層を酸素（Ｏ）原子及びフッ素（Ｆ）原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理する。下部磁極層１８と上部磁極層２５とはコンタクトホール１９ａを介して接している。
【００８７】
下部磁極層１８および上部磁極層２５のうち、エアベアリング面Ｓ側において記録ギャップ層１９を介して互いに対向する部分が、それぞれ下部磁極層１８の磁極部分および上部磁極層２５の磁極部分である。本実施形態では、上部磁極層２５の磁極部分は、記録トラック幅に等しい幅を有し、記録トラック幅を規定している。また、下部磁極層１８と上部磁極層２５は、コンタクトホール１９ａを介して互いに磁気的に連結されている。
【００８８】
次に、図８に示したように、上部磁極層２５の磁極部分をマスクとして、ドライエッチング法により、記録ギャップ層１９を選択的にエッチング除去する。このときのドライエッチング法には、例えば、ＢＣｌ2，Ｃｌ2等の塩素系ガスや、ＣＦ4，ＳＦ6等のフッ素系ガス等のガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）が用いられる。次に、例えばアルゴンイオンミリングによって、下部磁極層１８を選択的に例えば０．３〜０．６μｍ程度エッチング除去して、図８（ｂ）に示したようなトリム構造とする。このトリム構造によれば、狭トラックの書き込み時に発生する磁束の広がりによる実効的なトラック幅の増加を防止することができる。
【００８９】
次に、図９に示したように、スパッタ法等によって、全体に、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等の絶縁材料よりなる保護層２６を、例えば５〜５０μｍの厚みに形成し、その表面を平坦化して、その上に、図示しない電極用パッドを形成する。最後に、上記各層を含むスライダの研磨加工を行って、記録ヘッドおよび再生ヘッドを含む薄膜磁気ヘッドのエアベアリング面Ｓを形成して本実施形態における薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００９０】
このようにして製造される本実施形態の薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面（エアベアリング面Ｓ）と、再生ヘッドと、記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドは、ＭＲ素子１５と、エアベアリング面Ｓ側の一部がＭＲ素子１５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子１５をシールドするための下部シールド層１３および上部シールド層（下部磁極層１８）とを有している。
【００９１】
記録ヘッドは、互いに磁気的に連結され、エアベアリング面Ｓ側において互いに対向する磁極部分を含み、それぞれ少なくとも１つの層を含む下部磁極層１８および上部磁極層２５と、この下部磁極層１８の磁極部分と上部磁極層２５の磁極部分との間に設けられた記録ギャップ層１９と、少なくとも一部が下部磁極層１８および上部磁極層２５の間に、これらに対して絶縁された状態で配設された薄膜コイル２１，２３とを有している。上部磁極層２５の磁極部分は記録トラック幅を規定している。
【００９２】
本実施の形態によれば、第１実施形態に係るパターン形成方法を用いて薄膜磁気ヘッドの磁極を形成するようにしたので、光学的な限界によって決まる寸法よりも微細な磁極を形成することが可能となる。
【００９３】
本実施の形態におけるその他の作用および効果は、第１実施形態と同様である。
【００９４】
次に、本実施形態の製造方法で得られるハードディスク装置（磁気記録再生装置）、ヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ：Head Arms Assembly）（磁気ヘッド装置）、スライダ（磁気ヘッドスライダ）の概略を説明する。
【００９５】
図１０は、本実施形態の製造方法で得られる薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す図である。ハードディスク装置４０は、ヘッドアームアセンブリ５５を作動させて、高速回転するハードディスク（磁気記録媒体）４２の記録面（図１０の上面）に、薄膜磁気ヘッド５０によって磁気情報（磁気信号）を記録及び再生するものである。この薄膜磁気ヘッド５０は、上述した製造方法により得られる。ヘッドアームアセンブリ５５は、薄膜磁気ヘッド５０が形成されたスライダ５１を搭載したジンバル（ヘッド支持装置）５２と、これが接続されたサスペンションアーム５３とを備え、支軸５４周りに例えばボイスコイルモータによって回転可能となっている。ヘッドアームアセンブリ５５を回転させると、スライダ５１は、ハードディスク４２の半径方向、すなわちトラックラインを横切る方向に移動する。
【００９６】
図１１は、スライダ５１の拡大斜視図である。スライダ５１は、略直方体形状をなし、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）からなる基台５１ａ上に、薄膜磁気ヘッド５０が形成されている。同図における手前側の面は、ハードディスク４２の記録面に対向する面であり、エアベアリング面Ｓと称されるものである。ハードディスク４２が回転する際、この回転に伴う空気流によってスライダ５１が浮上し、エアベアリング面Ｓはハードディスク４２の記録面から離隔する。薄膜磁気ヘッド５０には記録用端子５８ａ，５８ｂ及び再生用端子５９ａ，５９ｂが設けられており、図１に示したサスペンションアーム５３には、各端子に接続される、電気信号の入出力用の配線（図示省略）が取付けられている。また、薄膜磁気ヘッド５０を保護するために、図中破線で示したオーバーコート層６１が設けられている。なお、エアベアリング面Ｓに、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon）等のコーティングを施してもよい。
【００９７】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形態様をとることが可能である。
【００９８】
例えば、上記実施形態において、金属膜に用いられる金属材料と金属めっき層に用いられる金属材料とを同じものとしているが、これに限られず、異なる金属材料としてもよい。
【００９９】
また、第３実施形態では、マイクロデバイスとして薄膜磁気ヘッドを製造しているが、これに限られず、薄膜インダクタ、半導体デバイス、薄膜センサ、薄膜アクチュエータ等のマイクロデバイス、又はこれらを含んだ装置の製造に適用でき、要は、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜上にレジスト膜を積層してレジストフレームを形成してなるマイクロデバイス及びこれを含む装置の製造であれば適用できる。
【０１００】
また、第３実施形態では、薄膜磁気ヘッドして複合型薄膜磁気ヘッドを製造しているが、これに限られず、誘導型電磁変換素子のみを備えた記録専用の薄膜磁気ヘッドや、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【０１０１】
【発明の効果】
上述のように、本発明によれば、鉄原子を含む金属材料からなる金属膜を、酸素原子及びフッ素原子を含有するガスを含む環境内でプラズマ処理し、プラズマ処理された当該金属膜上に、レジスト膜を形成する。このため、金属膜の所定の部分を露出させるようにレジスト膜の一部を除去した際に、金属膜の露出部分にスカム残りが発生したり、金属膜付近のレジストフレームのボトム部が裾引き形状あるいはアンダカット形状となるのが防止されることとなる。したがって、良好なレジストフレームを得ることができ、その後の製造プロセスにおける歩留まりを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１実施形態のパターン形成方法を示すフロー図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態のパターン形成方法の一例における工程を説明するための断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態のパターン形成方法の一例における工程を説明するための断面図である。
【図４】第２実施形態のパターン形成方法を示すフロー図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は、第２実施形態のパターン形成方法の一例における工程を説明するための断面図である。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、第３実施形態の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例における一工程を説明するための断面図である。
【図７】（ａ）及び（ｂ）は、図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】第３実施形態で製造するハードディスク装置を示す斜視図である。
【図１１】図１０中の磁気ヘッドスライダを示す斜視図である。
【符号の説明】
１…基板、３…金属膜、５…レジスト膜、５Ｆ…レジストフレーム、７…マスク、９…金属めっき層、１１…基板、１８…下部磁極層（金属膜）、２５…上部磁極層（金属めっき層）、４０…ハードディスク装置（磁気記録再生装置）、４２…ハードディスク（磁気記録媒体）、５０…薄膜磁気ヘッド、５１…スライダ（磁気ヘッドスライダ）、５２…ジンバル（ヘッド支持装置）、５５…ヘッドアームアセンブリ（磁気ヘッド装置）。
【図１】
0003867017.tif 000003
【図２】
0003867017.tif 000004
【図３】
0003867017.tif 000005
【図４】
0003867017.tif 000006
【図５】
0003867017.tif 000007
【図６】
0003867017.tif 000008
【図７】
0003867017.tif 000009
【図８】
0003867017.tif 000010
【図９】
0003867017.tif 000011
【図１０】
0003867017.tif 000012
【図１１】
0003867017.tif 000013