(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質珪素膜上に絶縁膜を選択的に形成し、
前記絶縁膜をマスクとして前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜中の珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記絶縁膜をマスクとして前記結晶性珪素膜中に１５族元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記１５族元素を添加した領域に、前記１５族元素を添加した領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングし、
前記１５族元素を添加した領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質珪素膜上に絶縁膜を選択的に形成し、
前記絶縁膜をマスクとして前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜中の珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記絶縁膜をマスクとして前記結晶性珪素膜中に１５族元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記１５族元素を添加した領域に、前記１５族元素を添加した領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングし、
ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い、前記１５族元素を添加した領域を除去すると同時に、前記結晶性珪素膜中に存在する前記触媒元素を除去または減少させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記ハロゲン元素を含む雰囲気は、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ｆ２、Ｂｒ２から選ばれた一種または複数種類のガスを含んでいることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
非晶質珪素膜上に絶縁膜を選択的に形成し、
前記絶縁膜をマスクとして前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜中の珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記絶縁膜をマスクとして前記結晶性珪素膜中に１５族元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記１５族元素を添加した領域に、前記１５族元素を添加した領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングし、
前記１５族元素を添加した領域を除去し、
ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で加熱処理を行い、前記結晶性珪素膜中に存在する前記触媒元素を除去または減少させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気は、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ｆ２、Ｂｒ２から選ばれた一種または複数種類のガスを含んでいることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
非晶質珪素膜上に第一の絶縁膜を選択的に形成し、
前記第一の絶縁膜をマスクとして前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜中の珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記第一の絶縁膜をマスクとして前記結晶性珪素膜中に１５族元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記１５族元素を添加した領域に、前記１５族元素の添加領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングし、
前記第一の絶縁膜をマスクとして前記１５族元素の添加領域を除去し、
前記第一の絶縁膜を除去し、
前記結晶性珪素膜をパターニングして島領域を形成し、
前記島領域を覆って第二の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
非晶質珪素膜上に第一の絶縁膜を選択的に形成し、
前記第一の絶縁膜をマスクとして前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜中の珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化し、
前記第一の絶縁膜をマスクとして前記結晶化することで得られた結晶性珪素膜中に１５族元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記１５族元素を添加した領域に、前記１５族元素の添加領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングし、
前記第一の絶縁膜をマスクとして前記１５族元素の添加領域を除去し、
前記第一の絶縁膜を除去し、
前記結晶性珪素膜をパターニングして島領域を形成し、
前記島領域を覆って、第二の絶縁膜を形成し、
前記第二の絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記触媒元素としてＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた少なくとも一つの元素が含まれているものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記１５族元素としてＰ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれた少なくとも一つの元素が含まれているものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記１５族元素の添加は、イオンプランテーション法またはプラズマドーピング法で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記１５族元素は５×１０１９〜２×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の濃度で添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記触媒元素のゲッタリングは５００〜７００℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記半導体装置として、液晶表示装置、ＥＬ表示装置又はＥＣ表示装置のいずれかを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記半導体装置として、モバイルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーションシステム、携帯電話又はビデオカメラのいずれかを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は半導体薄膜を利用した半導体装置の作製方法に関する技術であり、特に結晶性珪素膜を利用した薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）の作製方法に関する。
【０００２】
なお、本明細書において、半導体装置とは半導体を利用して機能する装置全般を指すものであり、ＴＦＴの如き単体素子のみならず、電気光学装置やそれを搭載した電子デバイス等も半導体装置に含まれる。
【０００３】
【従来の技術】
近年、アクティブマトリクス型液晶表示装置の様な電気光学装置に用いられる薄膜トランジスタの開発が活発に進められている。
【０００４】
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、同一基板上に画素マトリクス回路とドライバー回路とを設けたモノシリック型表示装置である。また、さらにメモリ回路やクロック発生回路等のロジック回路を内蔵したシステムオンパネルの開発も進められている。
【０００５】
この様なドライバー回路やロジック回路は高速動作を行う必要があるので、活性層として非晶質珪素膜（アモルファスシリコン膜）を用いることは不適当である。そのため、現状では結晶性珪素膜（ポリシリコン膜）を活性層としたＴＦＴが主流になりつつある。
【０００６】
本発明者らは、ガラス基板上に結晶性珪素膜を得るための技術として特開平８−７８３２９号公報記載の技術を開示している。同公報記載の技術は、非晶質珪素膜に対して結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点として広がる結晶性珪素膜を形成するものである。
【０００７】
この技術は触媒元素の作用により非晶質珪素膜の結晶化温度を50〜100 ℃も引き下げることが可能であり、結晶化に要する時間も 1/5〜1/10にまで低減することができる。また、珪素膜の結晶化は基板面とほぼ平行に横方向へと進行するため、本発明者らはこの結晶化領域を横成長領域と呼んでいる。
【０００８】
横成長領域は直接的には触媒元素を添加していないので、直接的に添加した場合と比べて膜中に残留する触媒元素が少ないという特徴がある。例えば、直接的に添加した場合には1019オーダーで触媒元素が含有されるが、横成長領域の場合には1018オーダーと１桁少ない。
【０００９】
上記結晶化技術によって良好な結晶性を有する珪素膜を比較的低温で得ることができるようになった反面、膜中に存在する触媒元素を含有しているので、その導入量の制御が微妙であり、再現性や安定性（得られるデバイスの電気的特性の安定性）に問題が生じていた。
また、膜中に残留する触媒元素の影響により、得られる半導体装置の特性の経時変化や、薄膜トランジスタの特性値であるＯＦＦ値が大きいといった問題も生じていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
結晶化を助長するために用いられる触媒元素としてはニッケル、コバルトなどの金属元素が用いられており、膜中に触媒元素が僅かでも残留しているとＴＦＴの電気特性や信頼性に影響を与えていた。
よって、理想的には、結晶化工程の後、膜中の触媒元素を完全に除去することが望ましい。
【００１１】
そこで、本発明者らは、結晶化させた結晶性珪素膜中に存在している触媒元素の濃度を減少させるために、結晶性珪素膜中に１５族から選ばれた元素を選択的に添加させ、酸素雰囲気下における加熱処理を行なうことで、触媒元素の濃度を減少させた。しかし、上記工程のみでは、膜中または膜表面の触媒元素を完全に除去することはできず、また、結晶性珪素膜に酸素雰囲気下における熱処理を施す工程において、膜中に存在している触媒元素と酸素が反応し酸化物が形成され、膜表面及び内部に異常成長する現象が見られた。
【００１２】
この異常成長した酸化物は数μｍの大きさを有しており、酸化物でなるマスクを用いている場合、半導体の島領域を形成するためのマスク除去の工程により、同時に除去されてしまうため、膜表面及び内部に穴が生じ、薄膜トランジスタの特性不良を引き起こしていた。
このように、異常成長する酸化物は半導体の島領域を形成する際に問題となっていた。
【００１３】
結晶化工程後の酸化性雰囲気下における加熱処理によって、異常成長する酸化物の発生を防ぐための技術を提供することを課題の１つとする。
つまり、本発明は、異常成長する酸化物の発生を防ぎ、結晶化させた結晶性珪素膜中に存在している触媒元素を除去して、触媒元素の濃度をトランジスタの特性に影響しない程度にまで減少させるための技術を提供することを課題とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の構成は、
非晶質珪素膜上に絶縁膜を選択的に形成する工程と、
前記絶縁膜をマスクとして前記非晶質膜に珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加する工程と、
加熱処理を行い、前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成させる工程と、
前記絶縁膜をそのままマスクとして前記結晶性珪素膜中に１５族から選ばれた元素を選択的に添加する工程と、
加熱処理を行い、前記１５族から選ばれた元素を添加した領域に、該領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングする工程と、
前記１５族から選ばれた元素を添加した領域のみを除去する工程とを少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１５】
また、本発明の他の構成は、
非晶質珪素膜上に絶縁膜を選択的に形成する工程と、
前記絶縁膜をマスクとして前記非晶質膜に珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加する工程と、
加熱処理を行い、前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成させる工程と、
前記絶縁膜をそのままマスクとして前記結晶性珪素膜中に１５族から選ばれた元素を選択的に添加する工程と、
加熱処理を行い、前記１５族から選ばれた元素を添加した領域に、該領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングする工程と、
ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い、前記１５族から選ばれた元素を添加した領域を除去すると同時に、該領域を除去した断面から結晶性珪素膜中に存在する前記触媒元素を除去または減少させる工程とを少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１６】
また、本発明の他の構成は、
非晶質珪素膜上に絶縁膜を選択的に形成する工程と、
前記絶縁膜をマスクとして前記非晶質膜に珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加する工程と、
加熱処理を行い、前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成させる工程と、
前記絶縁膜をそのままマスクとして前記結晶性珪素膜中に１５族から選ばれた元素を選択的に添加する工程と、
加熱処理を行い、前記１５族から選ばれた元素を添加した領域に、該領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングする工程と、
前記１５族から選ばれた元素を添加した領域を除去する工程と、
ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で加熱処理を行い、前記結晶性珪素膜中に存在する前記触媒元素を除去または減少させる工程とを少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１７】
また、本発明の他の構成は、
非晶質珪素膜上に絶縁膜を選択的に形成する工程と、
前記絶縁膜をマスクとして前記非晶質膜に珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加する工程と、
加熱処理を行い、前記非晶質珪素膜の少なくとも一部を結晶性珪素膜に変成させる工程と、
前記絶縁膜をそのままマスクとして前記結晶性珪素膜中に１５族から選ばれた元素を選択的に添加する工程と、
加熱処理を行い、前記１５族から選ばれた元素を添加した領域に、該領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングする工程と、
前記１５族から選ばれた元素を添加した領域を除去する工程と、
前記結晶性珪素膜をパターニングして島領域を形成する工程と、
前記島領域を覆って、絶縁膜を形成する工程と、
ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で加熱処理を行う工程とを少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００１８】
また、前記触媒元素を添加する領域と前記１５族から選ばれた元素を添加した領域とは同一の絶縁膜マスクにより形成することが望ましい。
【００１９】
本発明の基本的な目的は、珪素を含む非晶質膜の結晶化に使用した触媒元素を結晶性膜中から除去することであり、そのための手段として１５族から選ばれた元素によるゲッタリング効果を利用する。
【００２０】
前記触媒元素としてはＮｉ（ニッケル）、Ｃｏ（コバルト）、Ｆｅ（鉄）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）が代表的である。本発明者らの実験では、ニッケルが最も適した元素であることが判明している。
【００２１】
また、前記触媒元素をゲッタリングする１５族元素としては、Ｎ（窒素）、Ｐ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）が挙げられるが、特に顕著な作用効果を示すのはＰ（リン）である。
１５族元素の添加はイオンプランテーション法またはプラズマドーピング法によれば良い。
【００２２】
前者の方法は、単体の元素イオンのみを質量分離して添加するのに対し、後者は質量分離を行わずに元素を含む化合物イオンも添加する点で異なる。例えば、Ｐを添加する際に、プラズマドーピング法を用いた場合、プラズマドーピング用のガスしてはＰＨ3 （フォスフィン）を利用するので、膜中にはＰの他に、Ｐの元素を含むＰＨ2 、ＰＨ3 等の化合物が混入するが、ゲッタリング効果を阻害する様な元素は混入しない。他の元素の場合も同様である。
【００２３】
典型的な例としては、触媒元素としてニッケル、ゲッタリング元素（１５族元素）としてリンを使用した場合、６００℃前後の加熱処理によってリンとニッケルが安定な結合状態を示す。この時、Ｎｉ3 Ｐ、Ｎｉ5 Ｐ2 、Ｎｉ2 Ｐ、Ｎｉ3 Ｐ2 、Ｎｉ2 Ｐ3 、ＮｉＰ2 、ＮｉＰ3 という結合状態をとりうる。
【００２４】
以上の様に、珪素を含む非晶質膜の結晶化を助長する触媒元素としてニッケルを使用した場合、１５族元素であるリンの作用によってニッケルをゲッタリングすることが可能である。この効果を利用することで結晶性珪素膜中から触媒元素を除去または低減することができる。
【００２５】
しかし、このゲッタリング工程のみでは不十分であり、結晶性珪素膜中にニッケルが僅かに残ってしまう。
ニッケルが残留したまま、酸化気体と接して反応するとニッケルシリサイドが酸化して帯状に成長した酸化物が膜の表面および膜中に生じる。
具体的には、ニッケルと酸素が反応して、ＮｉＯｘが膜の表面や膜中に異常成長する。
【００２６】
前記酸化物（ＮｉＯｘ）が異常成長するのを防止するために、加熱処理によるゲッタリングに加えて、結晶化工程後、不活性ガス雰囲気下にハロゲン元素が添加されたガスでニッケル添加領域をエッチングし、ＮｉとＰを多く含む膜を選択的に除去する。
【００２７】
前記ハロゲン元素を含む雰囲気は、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒ、Ｃｌ2 、Ｆ2 、Ｂｒ2 から選ばれた一種または複数種類のガスを含んでいることが好ましい。
【００２８】
このようにして、ニッケル元素を取り除くことで、問題となっていた酸化物の形成を防止する。
また、結晶化工程後の全ての工程を通して、可能な限り酸化性気体が結晶性珪素膜に触れないように、作製することが望ましい。
【００２９】
また、本発明において最も特徴的な構成は、
▲１▼  非晶質膜に対して選択的に絶縁膜（マスク）を設けて触媒元素を添加することで横成長領域と呼ばれる結晶性膜を形成する。
▲２▼  上記マスクをそのまま活用して１５族元素を添加し、横成長領域に残留する触媒元素をゲッタリングする。
▲３▼  上記マスクをそのまま活用してニッケル添加領域またはリン添加領域を除去する。
という３点である。
【００３０】
即ち、非晶質膜の結晶化に際して特開平８−７８３２９号公報記載の技術を利用し、結晶化後の結晶性膜上に残存する絶縁膜を、１５族元素を選択的に添加するためのマスクとして再利用する。
さらに、このマスクをニッケルとリンを高濃度に含む領域（ニッケル添加領域）を除去する際に再利用する。
【００３１】
従って、触媒元素を添加する領域と１５族から選ばれた元素を添加する領域とは同一の領域とする。
また、ニッケルを添加する際に利用したマスク絶縁膜をＰイオンを添加する際に再利用するので、新たにＰイオン添加工程のためのマスクを設ける必要がない。さらに、ニッケルを添加する際に利用したマスク絶縁膜を、ニッケルとリンを高濃度に含む領域（ニッケル添加領域）を除去する際に再利用するので新たにニッケル添加領域除去工程のためのマスクを設ける必要もない。
従って、製造プロセスが簡略化され、製造歩留り、スループットが向上して経済的に優れた効果が得られる。
【００３２】
【実施例】
〔実施例１〕  以下、本発明の実施例を説明するが、本発明がこの実施例に限定されないことは勿論である。
本発明を利用して結晶性膜でなる活性層を形成するまでの作製工程例についての図１を用いて詳述する。なお、本実施例では、触媒元素としてはニッケル、ゲッタリングのための元素としてはリンを用いる。
【００３３】
まず、基板１０１を用意し、その上に酸化珪素膜でなる下地膜１０２を200 nmの厚さに形成する。なお、本実施例では、ガラス基板を用いたが、ガラス基板の代わりに石英基板、シリコン基板、セラミックス基板等を用いても良い。
【００３４】
次いで、非晶質珪素膜１０３をプラズマＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法を用いて10〜75nm（好ましくは15〜45nm）の厚さに形成する。なお、非晶質珪素膜以外にも珪素を含む非晶質半導体膜、例えばＳｉX Ｇｅ1-X （０＜Ｘ＜１）を用いることもできる。
【００３５】
そして、非晶質珪素膜１０３の結晶化工程を行う。詳細な条件は特開平８−７８３２９号公報に記載してある。
【００３６】
まず、非晶質珪素膜１０３上に酸化珪素膜でなるマスク絶縁膜１０４を50〜150 nmの厚さに成膜する。そして、マスク絶縁膜１０４をパターニングして後にニッケルを添加する領域に開口部１１０を設ける。（図１（ａ））
【００３７】
次に、酸素雰囲気中でＵＶ光を照射することにより極薄い酸化珪素膜（図示せず）を開口部１１０の底部に露出した非晶質膜表面に形成する。この工程は次に溶液を塗布する際に濡れ性を改善する効果がある。そして、重量換算で100ppmのニッケルを含有した酢酸ニッケル塩溶液を滴下し、スピンコート法により薄いニッケル含有層１１１を形成する。（図１（ｂ））
【００３８】
図１（ｂ）に示す状態が得られたら、窒素、または水素雰囲気中で500 〜700 ℃（代表的には550 〜650 ℃）の温度で 4〜8hr の加熱処理を行い、非晶質珪素膜１０３の結晶化を行う。（図１（ｃ））
【００３９】
この時、結晶化後の珪素膜は、▲１▼ニッケルの添加領域１２０（結晶性膜）、▲２▼横成長領域１２１（結晶性膜）、▲３▼横成長が及ばなかった領域１２２（非晶質膜）の三つの領域に分類される。本発明が活性層として利用するのは▲２▼の横成長領域１２１である。
【００４０】
こうして結晶性珪素膜でなる横成長領域１２１が得られる。結晶化直後の横成長領域には約 5×1018atoms/cm3 の濃度でニッケルが残留していることがＳＩＭＳ（質量二次分析）で確認されている。なお、ここでいうニッケル濃度はＳＩＭＳ分析による測定値の最小値で定義される。
【００４１】
次に、ニッケル添加工程で利用したマスク絶縁膜１０４をそのまま再利用してゲッタリング工程のためのＰイオンを添加する。Ｐイオンの添加はイオンプランテーション法またはプラズマドーピング法によれば良い。
【００４２】
前者はＰイオンのみを質量分離して添加するのに対し、後者は質量分離を行わずにＰイオンを含む化合物イオンも添加する点で異なる。なお、本実施例ではコストパフォーマンスの有利なプラズマドーピング法を用いる。本実施例ではプラズマドーピング用のガスしてはＰＨ3 （フォスフィン）を利用しているので、膜中にはＰの他に、Ｐの元素を含むＰＨ2 、ＰＨ3 等の化合物が混入するが、ゲッタリング効果を阻害する様な元素は混入しない。
【００４３】
本実施例のドーピング工程は加速電圧を 5〜25ｋＶとし、ドーズ量を 1×1013〜 8×1015atoms/cm2 とすれば良い。この様な設定とすることで、Ｐイオンの添加領域（以下、リン添加領域と呼ぶ）１３０には 5×1019〜 2×1021atoms/cm3 の濃度でＰイオンが添加される。（図１（ｄ））
【００４４】
本実施例の構成では、リン添加領域１３０とニッケル添加領域１２０とが同一の領域となる。即ち、上述の濃度を設定したのは、Ｐイオン濃度をリン添加領域１３０に含まれるニッケル濃度（ 1×1019〜 5×1019atoms/cm3 程度）よりも１桁程度高く設定することが望まれるからである。
【００４５】
Ｐイオンの添加工程が終了したら、窒素雰囲気中で 500〜700 ℃（代表的には600 ℃）、 2〜4hr の加熱処理を行い、横成長領域１２１に残留していたニッケルをリン添加領域１３０の方へと移動させる。こうしてＰイオンによりニッケル濃度が低減された横成長領域が得られる。（図２（ａ））
【００４６】
以上の様にして、横成長領域１２１に残留していたニッケルはリン添加領域（ニッケル添加領域とも言える）１３０にゲッタリングされ、横成長領域１２１から除去または低減される。本発明者らのＳＩＭＳ分析によれば、横成長領域１２１に含まれるニッケル濃度は 1×1018atoms/cm3 以下（好ましくは 5×1017atoms/cm3 以下）にまで低減されていることが確認されている。
【００４７】
ここで図５に示すデータはＳＩＭＳ分析によるニッケルの深さ方向の濃度プロファイルの代表的な例である。横軸は深さを表し、縦軸はニッケル濃度を表している。なお、サンプルとした結晶性珪素膜は50nmの厚さである。
【００４８】
図５においてＡで示されるデータはＰイオンを添加した領域を測定した結果であり、図１（ｄ）の１３０で示される領域に相当する。この領域はゲッタリングサイトとして機能するため 5×1018atoms/cm3 以上の濃度でニッケルが検出される。
【００４９】
また、Ｂで示されるデータは横成長領域を測定した結果であり、図２（ａ）の１４０で示される領域に相当する。この横成長領域には予備実験の段階では 5×1018atoms/cm3 の濃度でニッケルが残留していたが、ゲッタリング工程によって
5×1017atoms/cm3 以下にまで低減されていることが判る。
【００５０】
なお、深さ 0.0〜0.02μｍまでは時折フラットになるが、これは今回の測定における検出下限界を意味しており、実際には 1×1017atoms/cm3 以下にまで低減されていると予想される。
【００５１】
上記工程により、Ｐイオンをド─プし、加熱処理を施してニッケル含有濃度をある程度まで低減させることができたが、まだ十分ニッケルがゲッタリングできていないと言える。
【００５２】
そこで、さらにニッケル濃度を低減させ、酸化物の発生を防ぐために、リン添加領域１４０の除去を行う。
このリン添加領域１４０には、高濃度のＰイオンと移動したニッケルイオンが多く含まれている。
【００５３】
このエッチングは、バッファーフッ酸（その他フッ酸系のエッチャント）を用いたウェットエッチングや、ドライエッチングを用いて行ってもよい。
【００５４】
ここでは、不活性ガス雰囲気下に含まれるハロゲン元素としてＣｌを選択し、またその導入方法としてＨＣｌを用いる例を示した。ＨＣｌ以外のガスとしては、ＨＦ、ＨＢｒ、Ｃｌ2 、Ｆ2 、Ｂｒ2 から選ばれた一種または複数種類のものを用いることができる。また一般にハロゲンの水素化物を用いることができる。
【００５５】
これらのガスは、不活性ガス雰囲気中での含有量（体積含有量）をＨＦであれば0.25〜５％、ＨＢｒであれば１〜１５％、Ｃｌ2 であれば0.25〜５％、Ｆ2 であれば0.125 〜2.5 ％、Ｂｒ2 であれば0.5 〜１０％とすることが好ましい。
【００５６】
上記の範囲以下の濃度とすると、有意な効果が得られるなくなる。また、上記の範囲以上の濃度とすると、珪素膜の表面が荒れてしまう。
ここでは、ＨＣｌを１％含有させた６５０℃の窒素雰囲気中において６時間の加熱処理を行う。
【００５７】
この工程を経ることにより、ニッケル添加領域を除去することができ、ガス中のハロゲン元素とニッケル元素がむすびつくため、ニッケル元素の濃度を低減できる。この効果は、他の金属元素を用いた場合でも同様に得られる。（図２（ｂ））
【００５８】
以上の様な除去工程を終了したら、マスク絶縁膜１０４を除去し、結晶性膜と非晶質膜とが混在する珪素膜をパターニングする。この時、少なくともチャネル形成領域となる部分は横成長領域１２１で構成する。
【００５９】
以上の様にして横成長領域１２１のみで構成される活性層（島状の半導体層）１６０が完成する。本実施例に示す構成とすることで、結晶化を助長するニッケルを大幅に低減した結晶性珪素膜を得ることができる。図２（ｃ）
【００６０】
また、ニッケルを添加する際に利用したマスク絶縁膜をＰイオンを添加する際に再利用するので、新たにＰイオン添加工程のためのマスクを設ける必要がない。従って、製造プロセスが簡略化され、製造歩留り、スループットが向上して経済的な優れた効果が得られる。
【００６１】
〔実施例２〕
本実施例は、Ｐイオンの添加工程後の加熱処理（図２（ａ））までは、実施例１と全く同じである。また、図３（ａ）は図２（ａ）に対応している。
【００６２】
実施例１においては、不活性ガス雰囲気にハロゲン元素を含むガスとしてＨＣｌを添加したものを用いたため、図２（ｂ）に示したように絶縁膜マスクの下に存在する珪素膜も除去されてしまう。
【００６３】
そこで、本実施例においては、他の工程として、バッファーフッ酸（その他フッ酸系のエッチャント）を用いたウェットエッチングや、ドライエッチングを用いてニッケル添加領域の珪素膜をエッチングする。その後、酸化性ガス雰囲気にハロゲン元素を含むガスとしてＨＣｌを添加したものを用いて、珪素膜のエッチング断面からゲッタリングを行う工程とした。
【００６４】
ここでは、ハロゲン元素としてＣｌを選択し、またその導入方法としてＨＣｌを用いる例を示した。ＨＣｌ以外のガスとしては、ＨＦ、ＨＢｒ、Ｃｌ2 、Ｆ2 、Ｂｒ2 から選ばれた一種または複数種類のものを用いることができる。また一般にハロゲンの水素化物を用いることができる。
【００６５】
これらのガスは、酸化性雰囲気中での含有量（体積含有量）をＨＦであれば0.25〜５％、ＨＢｒであれば１〜１５％、Ｃｌ2 であれば0.25〜５％、Ｆ2 であれば0.125 〜2.5 ％、Ｂｒ2 であれば0.5 〜１０％とすることが好ましい。
ここでは、ＨＣｌを３％含有させた６５０℃の酸素雰囲気中において１２時間の加熱処理を行う。
【００６６】
また本実施例においては、珪素膜のエッチング断面に形成される酸化膜１５０中にニッケル元素がゲッタリングされるので、酸化膜１５０中におけるニッケル濃度が他の領域に比較して当然高くなる。
【００６７】
また、珪素膜１０５と酸化膜１５０との界面近傍においてニッケル元素が高くなる傾向が観察される。これは、ゲッタリングが主に行われる領域が、珪素膜と酸化膜との界面近傍の酸化膜側であることが要因であると考えられる。また、界面近傍においてゲッタリングが進行するのは、界面近傍の応力や欠陥の存在が要因であると考えられる。（図３（ｂ））
【００６８】
そして、ニッケルを高濃度に含んだ酸化膜１５０を除去する。この酸化膜の除去はバッファーフッ酸（その他フッ酸系のエッチャント）を用いたウェットエッチングや、ドライエッチングを用いて行う。
【００６９】
この工程を経ることにより、ニッケル元素の濃度を最大で初期の１／１０以下とすることができる。これは、何らハロゲン元素によるゲッタリングを行わない場合に比較して、ニッケル元素を１／１０以下にできることを意味する。この効果は、他の金属元素を用いた場合でも同様に得られる。
【００７０】
以上の様な除去工程を終了したら、マスク絶縁膜１０４を除去し、結晶性膜と非晶質膜とが混在する珪素膜をパターニングする。この時、少なくともチャネル形成領域となる部分は横成長領域１２１で構成する。
【００７１】
こうして、図３（ｃ）に示すように、含有ニッケル濃度を低減した結晶性珪素膜１６１を得ることができる。
【００７２】
また、実施例１と同様に、ニッケルを添加する際に利用したマスク絶縁膜をＰイオンを添加する際と、リン添加領域の除去の際と、酸化膜除去の際に再利用するので、製造プロセスが簡略化され、製造歩留り、スループットが向上して経済的な優れた効果が得られる。
【００７３】
〔実施例３〕
本実施例は、実施例２と同様に、Ｐイオンの添加工程後の加熱処理（図２（ａ））までは、基板１０１に石英基板を用いている以外は、実施例１と全く同じである。また、図４（ａ）は図２（ａ）に対応している。
【００７４】
実施例２においては、酸化性ガス雰囲気にハロゲン元素を含むガスとしてＨＣｌを添加したものを用いたため、酸化物の異常成長が起こりやすい。
そこで、本実施例においては、他の工程として、リン添加領域を除去した後、絶縁膜マスクの除去を行い、パターニングして、島状の珪素膜を得た後、全面に酸化珪素膜１８０を積層し、前記島状の珪素膜を覆った後、ハロゲン元素を添加した酸化性雰囲気下で加熱処理を行い、絶縁膜の表面を滑らかにする工程とした。以下にその工程を詳細に示す。
【００７５】
まず、実施例２と同様に、バッファーフッ酸（その他フッ酸系のエッチャント）を用いたウェットエッチングや、ドライエッチングを用いてリン添加領域１４０の珪素膜をエッチングする。図４（ｂ）
【００７６】
次に、マスク絶縁膜１０４を除去し、結晶性膜と非晶質膜とが混在する珪素膜をパターニングし、島状の半導体層（活性層）１６２を形成する。（図４（ｃ））
【００７７】
その後、プラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法により酸化珪素膜１８０を１００ｎｍの厚さに成膜する。（図４（ｄ））
【００７８】
次に、ハロゲン元素を添加した酸化性雰囲気下で加熱処理を行い、酸化膜１８１を形成する。
ここでは、ＨＣｌを３％含有させた９５０℃の酸素雰囲気中において３５分間の加熱処理を行う。
この工程により、ＣＶＤ法で形成した酸化珪素膜と結晶性珪素膜の間に良質の酸化膜１８１が得られるので、この後、酸化珪素膜１８１をそのままゲ─ト絶縁膜として薄膜トランジスタを形成すると電気的特性は向上する。（図４（ｅ））
【００７９】
また、この後、形成した酸化珪素膜１８０、１８１を除去する工程としてもよい。そうすれば、ニッケル含有濃度が低い、より良質な結晶性珪素膜を得ることができる。
【００８０】
また、実施例１と同様に、ニッケルを添加する際に利用したマスク絶縁膜をＰイオンを添加する際及びリン添加領域の除去に再利用するので、製造プロセスが簡略化され、製造歩留り、スループットが向上して経済的な優れた効果が得られる。
【００８１】
〔実施例４〕
本実施例ではＮチャネル型ＴＦＴとＰチャネル型ＴＦＴとを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路を作製する工程例について説明する。
【００８２】
図６（Ａ）において、３０１はガラス基板、３０２は下地膜、３０３はＮチャネル型ＴＦＴの活性層、３０４はＰチャネル型ＴＦＴの活性層である。活性層３０３、３０４は実施例１乃至３で説明した作製工程に従って作製する。
【００８３】
次に、プラズマＣＶＤ法または減圧熱ＣＶＤ法により酸化珪素膜を150 nmの厚さに成膜し、ゲイト絶縁膜３０５を形成する。（図６（Ａ））
【００８４】
次に、アルミニウムを主成分とする金属膜を成膜し（図示せず）、パターニングによって後のゲイト電極の原型を形成する。次いで、本発明者らによる特開平7-135318号公報記載の技術を利用する。同公報記載の技術を利用することで多孔質状の陽極酸化膜３０６、３０７、緻密な陽極酸化膜３０８、３０９、ゲイト電極３１０、３１１が形成される。
【００８５】
次に、ゲイト電極３１０、３１１、多孔質状の陽極酸化膜３０６、３０７をマスクとしてゲイト絶縁膜３０５をエッチングし、ゲイト絶縁膜３１２、３１３を形成する。そしてその後、多孔質状の陽極酸化膜３０６、３０７を除去する。こうしてゲイト絶縁膜３１２、３１３の端部が露出した状態となる。（図６（Ｂ））
【００８６】
次に、Ｎ型を付与する不純物イオンをイオンプランテーション法またはプラズマドーピング法を用いて２回に分けて添加する。本実施例では、まず１回目の不純物添加を高加速電圧で行い、ｎ- 領域を形成する。
【００８７】
この時、加速電圧が高いので不純物イオンは露出した活性層表面だけでなく露出したゲイト絶縁膜の端部の下にも添加される。このｎ- 領域は後のＬＤＤ領域（不純物濃度は 1×1018〜 1×1019atoms/cm3 程度）となる様にドーズ量を設定する。
【００８８】
さらに、２回目の不純物添加を低加速電圧で行い、ｎ+ 領域を形成する。この時は加速電圧が低いのでゲイト絶縁膜がマスクとして機能する。また、このｎ+ 領域は後のソース／ドレイン領域となるのでシート抵抗が 500Ω以下（好ましくは 300Ω以下）となる様に調節する。
【００８９】
以上の工程を経て、Ｎチャネル型ＴＦＴのソース領域３１４、ドレイン領域３１５、低濃度不純物領域３１６、チャネル形成領域３１７が形成される。なお、この状態ではＰチャネル型ＴＦＴの活性層もＮチャネル型ＴＦＴの活性層と同じ状態となっている。（図６（Ｃ））
【００９０】
次に、Ｎチャネル型ＴＦＴを覆ってレジストマスク３１８を設け、Ｐ型を付与する不純物イオンの添加を行う。この工程も前述の不純物添加工程と同様に２回に分けて行う。ただし、この場合にはＮ型をＰ型に反転される必要があるので前述のＮチャネル型ＴＦＴの工程よりも２〜３倍程度の不純物イオンを添加しなくてはならない。
【００９１】
この様にして、Ｐチャネル型ＴＦＴのソース領域３１９、ドレイン領域３２０、低濃度不純物領域３２１、チャネル形成領域３２２が形成される。（図６（Ｄ））
【００９２】
以上の様にして活性層が完成したら、ファーネスアニール、レーザーアニールまたはランプアニールにより不純物イオンの活性化およびイオン添加時の損傷の回復を図る。
【００９３】
次に、層間絶縁膜３２３を 500nmの厚さに形成する。層間絶縁膜３２３としては酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、有機性樹脂膜のいずれか或いはそれらの積層膜を用いることができる。
【００９４】
そして、コンタクトホールを形成してソース配線３２４、３２５、ドレイン配線３２６を形成して図６（Ｅ）に示す状態を得る。最後に、水素雰囲気中で熱処理を行い全体を水素化してＣＭＯＳ回路が完成する。
【００９５】
本実施例で示すＣＭＯＳ回路はインバータ回路とも呼ばれ、半導体回路を構成する基本回路である。この様なインバータ回路を組み合わせたりすることでＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路の様な基本論理回路を構成したり、さらに複雑なロジック回路をも構成することができる。
【００９６】
また、以上の様にして形成したＴＦＴはチャネル形成領域３１７、３２２やその両端の接合部にニッケル等の触媒元素を殆ど含まないため、その様な触媒元素が電気特性に悪影響を与えることがない。従って、信頼性の高いＴＦＴ、ＣＭＯＳ回路、さらには半導体回路を構成することが可能である。
【００９７】
〔実施例５〕
本実施例では本発明をボトムゲイト型ＴＦＴの応用する一例として、逆スタガ型ＴＦＴに適用する場合の例について説明する。
【００９８】
図７（Ａ）において、４０１はガラス基板、４０２は下地膜、４０３は導電性材料でなるゲイト電極、４０４はゲイト絶縁膜、４０５は非晶質珪素膜、４０６は後の触媒元素の添加工程でマスクとなる絶縁膜である。また、マスク絶縁膜４０６には開口部４０７が設けられている。
【００９９】
なお、後の結晶化工程やゲッタリング工程をファーネスアニールで行う場合には 500〜700 ℃の加熱処理が行われるので、その温度に耐えうる材料をゲイト電極４０３として使用する必要がある。勿論、レーザーアニールやランプアニールを用いるのであれば使用可能な材料の選択幅は広がる。
【０１００】
そして、実施例１と同様のスピンコート法により触媒元素（本実施例もニッケルを例にとる）を含有した層４０８を形成する。（図７（Ａ））
【０１０１】
次に、結晶化のための加熱処理を行い、結晶性珪素膜でなる横成長領域４０９を形成する。なお、４１０は結晶性珪素膜でなるニッケル添加領域、４１１は結晶化に至らなかった非晶質領域である。（図７（Ｂ））
【０１０２】
次に、ニッケルをゲッタリングするための元素（本実施例もリンを例にとる）を添加する。この時、ニッケル添加領域４１０のみにＰイオンが添加されて、リン添加領域４１２が形成される。（図７（Ｃ））
【０１０３】
次に、ゲッタリングのための加熱処理を行い、リン添加領域４１２に向かってニッケルを移動させてゲッタリングする。こうして、ニッケルが 5×1017atoms/cm3 以下にまで除去または低減された横成長領域４１３が形成される。（図７（Ｄ））
【０１０４】
そして、実施例１乃至３で行った方法によりリン添加領域を除去する。
【０１０５】
次に、マスクとなった絶縁膜４０６を除去し、横成長領域４１３をパターニングして活性層４１４を形成する。そして、活性層４１４上に窒化珪素膜をパターニングして形成されるチャネルストッパー４１５を設ける。（図７（Ｅ））
【０１０６】
図７（Ｅ）の状態が得られたら、Ｎ型を呈する結晶性珪素膜を形成してパターニングを施し、ソース領域４１６およびドレイン領域４１７とを形成する。さらに、ソース配線４１８、ドレイン配線４１９を形成する。そして、最後に全体の水素化を行って図７（Ｆ）に示す逆スタガ型ＴＦＴが完成する。
【０１０７】
この様に、絶縁ゲイト型の半導体装置であれば、その構造に拘わらず本発明を適用することが可能である。
【０１０８】
〔実施例６〕
本実施例では本発明を適用したＴＦＴを用いて電気光学装置を構成する場合の例を示す。なお、本実施例ではアクティブマトリクス型液晶表示装置に適用する例を示すが、他にもアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置、ＥＣ表示装置等に用いることもできる。
【０１０９】、
図８に示すのはアクティブマトリクス型液晶表示装置の断面を簡略化した図であり、ドライバー回路やロジック回路を構成する領域にはＣＭＯＳ回路を、画素マトリクス回路を構成する領域には画素ＴＦＴを示している。
【０１１０】
なお、実施例４でＣＭＯＳ回路の構造（ＴＦＴ構造）に関する説明を既に行ったので、本実施例では必要な箇所のみを説明することにする。
【０１１１】
まず、実施例４に示したＣＭＯＳ回路の作製工程に従って、図８の左側のＣＭＯＳ回路を完成する。この時、画素ＴＦＴの構造はＣＭＯＳ回路を構成するＴＦＴと基本的には同一構造である。勿論、画素ＴＦＴのみマルチゲイト構造にしたり、ＬＤＤ領域の長さを変えたりすることもできるが、その場合は実施者が必要に応じて変更すれば良い。
【０１１２】
ＣＭＯＳ回路の上には有機性樹脂膜でなる層間絶縁膜５０１が設けられ、その上にはブラックマスク５０２が配置される。なお、本実施例ではブラックマスク５０２を画素マトリクス回路の上方のみに設けているが、ＣＭＯＳ回路の上方に設ける構成としても良い。
【０１１３】
ブラックマスク５０２上には再び層間絶縁膜５０３が設けられ、コンタクトホールを設けて画素電極５０４が配置される。画素電極５０４は反射型表示装置の場合にはアルミニウム膜の如き反射膜を、透過型表示装置の場合にはＩＴＯの如き透明導電膜を用いれば良い。そして、最上層に配向膜５０５を設けてアクティブマトリクス基板を構成する。アクティブマトリクス基板とはＴＦＴが配置された側の基板を指す。
【０１１４】
また、５０６は対向基板、５０７は透明導電膜でなる対向電極、５０８は対向側の配向膜である。この様な構成の対向基板と上述のアクティブマトリクス基板との間に液晶層５０９を挟持して図８に示すアクティブマトリクス型液晶表示装置が構成される。
【０１１５】
また、アクティブマトリクス型液晶表示装置の外観を図９に簡略化して示す。図９において、６０１はガラス基板、６０２は下地膜、６０３は画素マトリクス回路、６０４はソースドレイバー回路、６０５はゲイトドライバー回路、６０６はロジック回路である。
【０１１６】
ロジック回路６０６は広義的にはＴＦＴで構成される論理回路全てを含むが、ここでは従来から画素マトリクス回路、ドライバー回路と呼ばれている回路と区別するためにそれ以外の回路を指している。
【０１１７】
〔実施例７〕
本実施例では、本発明を適用しうる半導体装置の一例として実施例６で示した様な電気光学装置を用いた応用製品について図１０を用いて説明する。本発明を利用した半導体装置としてはビデオカメラ、スチルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話等）などが挙げられる。
【０１１８】
図１０（Ａ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２００１、カメラ部２００２、受像部２００３、操作スイッチ２００４、表示装置２００５で構成される。本発明は表示装置２００５に適用することができる。
【０１１９】
図１０（Ｂ）はヘッドマウントディスプレイであり、本体２１０１、表示装置２１０２、バンド部２１０３で構成される。本発明を表示装置２１０２に適用することで大幅に装置の低価格化が図れる。
【０１２０】
図１０（Ｃ）はカーナビゲーションシステムであり、本体２２０１、表示装置２２０２、操作スイッチ２２０３、アンテナ２２０４で構成される。本発明は表示装置２２０２に適用することができる。
【０１２１】
図１０（Ｄ）は携帯電話であり、本体２３０１、音声出力部２３０２、音声入力部２３０３、表示装置２３０４、操作スイッチ２３０５、アンテナ２３０６で構成される。本発明は表示装置２３０４に適用することができる。
【０１２２】
図１０（Ｅ）はビデオカメラであり、本体２４０１、表示装置２４０２、音声入力部２４０３、操作スイッチ２４０４、バッテリー２４０５、受像部２４０６で構成される。本発明は表示装置２４０２に適用することができる。
【０１２３】
以上の様に、本発明の応用範囲は極めて広く、あらゆる分野の表示媒体に適用することが可能である。
【０１２４】
【発明の効果】
本発明を用いることで結晶化を助長する触媒元素を利用して得た結晶性膜中から触媒元素を効率的に除去または低減することができる。また、この処理はガラスの耐熱温度以下で行われるので、低温プロセスを踏襲することができる。
【０１２５】
また、触媒元素の添加工程で使用するマスクと、１５族から選ばれた元素の添加工程で使用するマスクと、触媒元素の添加領域を選択的に除去する工程で使用するマスクを共通化することで、製造プロセスが大幅に簡略化される。そのため、スループット、歩留り等が向上し、経済的に有益である。
【０１２６】
さらに、本発明を用いて得られた結晶性膜は触媒元素の効果により結晶性が非常に優れ、かつ、ゲッタリング処理によりその触媒元素が除去または低減されている。また、酸化物（ＮｉＯｘ）が異常成長するのを防止するため、結晶性膜のＮｉを徹底的に除去し、結晶性膜に酸素が触れない工程とした。
そのため、半導体装置の活性層として利用した場合、優れた電気特性と高い信頼性とを備えた半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】    結晶性膜の形成工程を示す図
【図２】    実施例１における結晶性膜の形成工程を示す図
【図３】    実施例２における結晶性膜の形成工程を示す図
【図４】    実施例３における結晶性膜の形成工程を示す図
【図５】    結晶性膜中のニッケル濃度を示す図
【図６】    ＴＦＴの作製工程を示す図。
【図７】    ＴＦＴの作製工程を示す図。
【図８】    液晶表示装置の断面を示す図。
【図９】    液晶表示装置の上面を示す図。
【図１０】    電子デバイスの一例を示す図。
【符号の説明】
１０１            基板
１０２            下地膜
１０３            非晶質珪素膜
１０４            絶縁膜
１１０            開口部
１１１            Ｎｉ含有層
１２０            ニッケル添加領域
１２１            横成長領域
１２２            横成長が及ばなかった領域
１３０            リン添加領域
１４０            熱処理後のリン添加領域
１５０            エッチング断面部の酸化膜
１６０            実施例１で得られる島状の半導体層（活性層）
１６１            実施例２で得られる島状の半導体層（活性層）
１６２            実施例３で得られる島状の半導体層（活性層）
１８０            ＣＶＤ法により形成された酸化珪素膜
１８１            ＨＣｌ熱酸化法により形成された酸化珪素膜
３０１            ガラス基板
３０２            下地膜
３０３            Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層
３０４            Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層
３０５            ゲイト絶縁膜
３０６、３０７    多孔質状の陽極酸化膜
３０８、３０９    緻密な陽極酸化膜
３１０、３１１    ゲイト電極
３１２、３１３    ゲイト絶縁膜
３１４            Ｎチャネル型ＴＦＴのソ─ス領域
３１５            Ｎチャネル型ＴＦＴのドレイン領域
３１６            低濃度不純物領域
３１７            チャネル形成領域
３１８            レジストマスク
３１９            Ｐチャネル型ＴＦＴのソ─ス領域
３２０            Ｐチャネル型ＴＦＴのドレイン領域
３２１            低濃度不純物領域
３２２            チャネル形成領域
３２３            層間絶縁膜
３２４、３２５    ソ─ス配線
３２６            ドレイン配線
４０１            ガラス基板
４０２            下地膜
４０３            導電性材料でなるゲイト電極
４０４            ゲイト絶縁膜
４０５            非晶質珪素膜
４０６            絶縁膜
４０７            開口部
４０８            触媒元素を含有した層
４０９            横成長領域
４１０            ニッケル添加領域
４１１            非晶質領域
４１２            リン添加領域
４１３            横成長領域
４１４            活性層
４１５            チャネルストッパー
４１６            ソース領域
４１７            ドレイン領域
４１８            ソ─ス配線
４１９            ドレイン配線
５０１            層間絶縁膜
５０２            ブラックマスク
５０３            層間絶縁膜
５０４            画素電極
５０５            配向膜
５０６            対向基板
５０７            透明導電膜でなる電極
５０８            対向基板側の配向膜
５０９            液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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