(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製のフレームに、半導体搭載用基板を接着し、リードフレーム上に連続して装着した半導体パッケージの製造法であって、金属製のフレームに半導体搭載用基板を接着する箇所にディスペンサで接着剤を、一定の湿度の下で滴下した後、トンネル乾燥機に搬送するまでの間、ドライアを用いて乾燥した空気を供給してその湿度を保ったまま乾燥し、さらにトンネル乾燥機で乾燥を行い、半導体搭載用基板を重ね、加熱・加圧して積層一体化することを特徴とする半導体パッケージの製造法。
【請求項２】
接着剤が、熱可塑性樹脂からなり、滴下するときとその後の乾燥の間保つ湿度が、２０〜４０％Ｒｈであることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの製造法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体パッケージの製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近来、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段と進み、これに伴い、ＬＳＩやチップ部品等の高集積化が進展し、その形態も多ピン化、小型化へと急速に変化している。このため、プリント配線板には、電子部品の実装密度を向上するために、配線パターンの高密度化が一層求められるようになった。
【０００３】
また、電子機器の発達に伴い、配線板や電子部品は小型化されているのに対して、半導体チップは回路の機能を追加・進展させるために、規模は大きくなりつつあるが、半導体を搭載するパッケージには、今までのように、メタルパッケージやセラミックスを用いていたのでは高価になり、機器のコストを下げるためにも、有機材料を使用するようになってきている。
【０００４】
そこで、半導体チップを搭載するための入れ物として、有機材料による、フィルムキャリア、リードレスチップキャリア、フリップチップ、ピングリッドアレイ、ボールグリッドアレイ等のように配線板に直接半導体チップを搭載するものが開発、市販され始めている。
【０００５】
また、配線板においても、層間の薄型化、配線の微細化、層間接続穴の小径化が行われ、隣接する層間の導体のみを接続するインタースティシャルバイアホール（以下、ＩＶＨという。）や、ベリードバイアホール（以下、ＢＶＨという。）が用いられるようになり、このＩＶＨやＢＶＨも更に小径化されつつある。
【０００６】
近年では、ハンダボールを半導体搭載用基板と配線板との接続に用いるボールグリッドアレイパッケージ（以下、ＢＧＡという。）において、通常のリードフレームに、半導体搭載用基板を接着固定して、リードフレーム半導体パッケージと同様に量産できる半導体パッケージを用いることが検討されている。
【０００７】
これは、はんだボールの装着、半導体チップの搭載・ワイヤボンディング、樹脂による封止などの一連の作業を連続して行うためであり、半導体搭載用基板を接着・固定しているのは、後に不要となる箇所まで半導体搭載用基板の材料を使用すると、材料の無駄が多く経済的でないことから、半導体搭載基板を隙間なく並べて、大きな基板で一度に製造し、切断して、金属製フレームに接着・固定する方が経済的だからである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
このような半導体パッケージは、はんだボールの装着や半導体チップの搭載・ワイヤボンディングが終了して、樹脂で封止されると、フレームは不要となるので、切断されるが、フレームに半導体搭載用基板を固定した箇所は半導体パッケージに残された状態となっている。
【０００９】
ところで、金属製フレームに、接着剤をディスペンサで滴下して、乾燥し、半導体搭載用基板を重ねて、加圧・加熱すると、その接着剤の箇所にボイドが発生し、はんだボールの装着、半導体チップの搭載・ワイヤボンディング、樹脂による封止した後の半導体パッケージを、配線板に搭載するときにはんだボールを溶融するときの温度で、そのボイドが破裂して半導体パッケージを壊すおそれがあるという課題がある。
【００１０】
本発明は、ボイドの発生の抑制に優れた半導体パッケージを製造する方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体パッケージの製造法は、金属製のフレームに、半導体搭載用基板を接着し、リードフレーム上に連続して装着した半導体パッケージの製造法であって、金属製のフレームに半導体搭載用基板を接着する箇所にディスペンサで接着剤を、一定の湿度の下で滴下した後、その湿度を保ったまま乾燥し、半導体搭載用基板を重ね、加圧・加熱して積層一体化することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
接着剤が、熱可塑性樹脂からなり、滴下するときとその後の乾燥の間保つ湿度は、２０〜４０％Ｒｈであることが好ましく、２５〜３５％Ｒｈであることがより好ましい。
【００１３】
【実施例】
実施例１
厚さ０．２ｍｍの銅板を打ち抜き、銅フレームを作製した。
【００１４】
厚さ１２μｍの銅箔を貼り合わせた厚さ０．６ｍｍの銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）に穴をあけ、無電解めっきによって穴内壁を金属化した後、不要な銅箔をエッチング除去して、ハンダボール用ランドと半導体接続用端子とその端子とハンダボール用ランドを接続する配線とを形成した後、エッチングレジストを３ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液で剥離し、回路を形成して、半導体搭載用基板を得た。
【００１５】
金属製フレームの四隅に、ディスペンサで熱可塑性樹脂からなる接着剤であるハイマール（日立化成工業株式会社製、商品名）を、約５０μｇづつ滴下した。
【００１６】
このときの雰囲気は、ドライアを用いて乾燥した空気を供給し、常温で３５％Ｒｈとした。
【００１７】
さらに、トンネル乾燥炉に搬送するまでの間、ドライアで乾燥した空気を供給し、湿度センサで検出した湿度を、３５±３％以内になるように風量を制御した。その後、トンネル乾燥炉に搬送し、１４０℃で１５０秒間、乾燥した。
【００１８】
金属フレームと、半導体搭載用基板とを重ね、１０ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力で、温度２５０℃で、加圧・加熱し、積層一体化した。
【００１９】
このようにして作製した半導体パッケージは、加速試験で２６０℃の溶融はんだ浴に１０秒間浮かべたが、ボイドによる破裂はなかった。
【００２０】
実施例２
トンネル乾燥炉に搬送するまでの間、ドライアで乾燥した空気を供給し、湿度センサで検出した湿度を、１５±３％以内になるように風量を制御した以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを作製した。このようにして作製した半導体パッケージは、加速試験で２６０℃の溶融はんだ浴に１０秒間浮かべたが、ボイドによる破裂はなかった。
【００２１】
実施例３
トンネル乾燥炉に搬送するまでの間、ドライアで乾燥した空気を供給し、湿度センサで検出した湿度を、２５±３％以内になるように風量を制御した以外は、実施例１と同様にして半導体パッケージを作製した。このようにして作製した半導体パッケージは、加速試験で２６０℃の溶融はんだ浴に１０秒間浮かべたが、ボイドによる破裂はなかった。
【００２２】
比較例
比較のために、トンネル乾燥炉に搬送するまでの間、ドライアで乾燥した空気の供給をしない以外は、実施例と同じ条件、同じ材料で半導体パッケージを作製した。このようにして作製した半導体パッケージは、加速試験で２６０℃の溶融はんだ浴に１０秒間浮かべ、１００個のうち５個が、ボイドによる破裂が発生した。
【００２３】
【発明の効果】
以上に説明したとおり、本発明によって、ボイドの発生の抑制に優れた半導体パッケージを製造する方法を提供することができる。