(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性樹脂、水溶性架橋剤、界面活性剤および溶剤を含み、レジストパターン中の酸の存在により架橋反応を生じレジストパターンに被覆層を作る微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物において、前記界面活性剤がアセチレンアルコール類、アセチレングリコール類、アセチレンアルコール類のポリエトキシレートおよびアセチレングリコール類のポリエトキシレートから選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物。
【請求項２】
前記界面活性剤が、テトラメチルデシンジオールおよびテトラメチルデシンジオールポリエトキシレートから選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載の微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物。
【請求項３】
前記界面活性剤の含有量が水溶性樹脂組成物に対し、５０〜２，０００ｐｐｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物。
【請求項４】
前記水溶性樹脂が、ポリビニルアセタールおよびポリビニルアルコールから選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜３項のいずれか１項に記載の微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物。
【請求項５】
前記水溶性架橋剤が、メラミン系低分子誘導体、グアナミン系低分子誘導体、尿素系低分子誘導体、グリコールウリル、アルコキシアルキル化アミノ樹脂から選ばれた少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物。
【請求項６】
前記溶剤が、水または水と水に可溶性の有機溶剤との混合物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物。
【請求項７】
前記水に可溶性の有機溶剤が、炭素数１〜４のアルコールであることを特徴とする請求項６記載の微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物。
【請求項８】
前記炭素数１〜４のアルコールがイソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項７記載の微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な水溶性樹脂組成物およびこの水溶性樹脂組成物からなる微細パターン形成材料に関する。さらに詳細には、半導体等の製造プロセスなどにおいて、形成されたレジストパターンを被覆し、この被覆層を架橋することによりレジストのパターンを太らせ、これによりトレンチパターンやホールパターンを実効的に微細化し、短波長用の露光装置や位相シフトレチクル等の高価な設備投資をすることなく、レジストパターンのスペース部の寸法を効果的に縮小することのできる水溶性樹脂組成物およびこの水溶性樹脂組成物からなる微細パターン形成材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩなどの半導体デバイスの製造や、ＬＣＤパネルの液晶表示装置の表示面の作成、サーマルヘッドなどの回路基板の製造等を初めとする幅広い分野において、微細素子を形成するあるいは微細加工を施すために、従来からフォトリソグラフィー技術が用いられている。フォトリソグラフィー技術を用いてレジストパターンを形成するために、従来から種々のポジ型またはネガ型感放射線性樹脂組成物が用いられている。近年、半導体デバイスなどの高集積化に伴い、製造プロセスに要求される配線および分離幅はますます微細化され、これに対応すべくより短波長の光を用いてレジストパターンの微細化を図ること、位相シフトレチクル等を用いることにより微細なレジストパターンを形成すること、さらには新規レジストの開発など種々試みられている。しかし、従来の露光によるフォトリソグラフィー技術では、その波長限界を越える微細なレジストパターンを形成することは困難であるし、また短波長用の露光装置や位相シフトレチクル等を用いる装置は高価である。このため、従来公知のポジ型あるいはネガ型感光性樹脂組成物を用い、従来公知のパターン形成方法によりパターン形成を行った後、形成されたレジストパターンに被覆層を施し、レジストの加熱および／または露光によりレジストに生成された酸を前記被覆層へ拡散させ、この拡散された酸により被覆層を架橋させることによりレジストパターンを太らせ、結果としてレジストパターン間の幅を狭くすることによってレジストパターンの微細化を図り、実効的に解像限界以下の微細レジストパターンを形成する微細パターン形成方法が提案され、この方法に用いることのできる被覆層形成用組成物も種々のものが知られている（例えば、特開平５−２４１３４８号公報、特開平６−２５０３７９号公報、特開平１０−７３９２７号公報など）。
【０００３】
上記被覆層形成用組成物として、水溶性樹脂、水溶性架橋剤、さらに必要に応じ可塑剤や界面活性剤を含み、酸の存在で架橋反応を生じる水溶性樹脂組成物が提案されているが、従来知られた水溶性樹脂組成物は段差のあるレジストパターン上での塗布膜の均一性が不十分なため、パターン微細化後の寸法制御性も不十分であり、歩留まりの向上の点からもこの改善が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の目的は、従来公知の方法で形成されたレジストパターンに被覆層を施し、この被覆層を架橋させてレジストのパターンを太らせることにより、トレンチパターンやホールパターンを実効的に限界解像以下に微細化することのできるパターン形成方法に用いることができ、レジストパターン段差上での塗布特性およびパターン微細化の際の寸法制御性に優れた被覆層を形成することができる水溶性樹脂組成物を提供することである。
また、本発明の他の目的は、上記水溶性樹脂組成物からなる微細パターン形成材料を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意研究、検討を行った結果、レジストパターンを形成した後にレジストパターンに被覆される、水溶性樹脂および水溶性架橋剤を含有し、酸の存在で架橋反応を生じ微細化されたレジストパターンを形成するために用いられる水溶性樹脂組成物に、特定の界面活性剤を含有させることにより、上記従来の問題点が解消され、レジストパターン段差上での塗布特性およびパターン微細化の際の寸法制御性に優れた微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物を得ることができることを見出して、本発明をなしたものである。
すなわち、本発明の微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物は、水溶性樹脂、水溶性架橋剤、界面活性剤および溶剤を含み、酸の存在により架橋反応を生じレジストパターンに被覆層を作る微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物において、前記界面活性剤としてアセチレンアルコール類、アセチレングリコール類、アセチレンアルコール類のポリエトキシレートおよびアセチレングリコール類のポリエトキシレートから選ばれた少なくとも１種を用いることを特徴とするものである。
【０００６】
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明の水溶性樹脂組成物で用いられる水溶性樹脂は、水への溶解度が０．１重量％以上の重合体であれば公知公用のいずれのものも用いることができる。水溶性樹脂の具体例としては、親水性単位を含む単独重合体もしくは多元共重合体で、例えばポリビニルアルコール（部分鹸化物を含む）、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリ（２−ヒドロキシエチルアクリレート）、ポリ（２−ヒドロキシエチルメタクリレート）、ポリ（４−ヒドロキシブチルアクリレート）、ポリ（４−ヒドロキシブチルメタクリレート）、ポリ（グリコシロキシエチルアクリレート）、ポリ（グリコシロキシエチルメタクリレート）、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリビニルアセタール（部分アセタール化物を含む）、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、オキサゾリン基含有水溶性樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素樹脂、アルキッド樹脂、スルホンアミドあるいはこれらの塩などが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、また２種以上を組合わせて用いてもよい。
【０００７】
また、用いられる水溶性樹脂の分子量は、重量平均分子量で１，０００〜１０，０００が好ましく、２，０００〜５，０００がより好ましい。通常、水溶性樹脂の分子量が１，０００より小さいと塗布性が劣り、均質な塗布膜が得られ難くなると共に塗布膜の経時安定性が低下し、一方分子量が１０，０００を超えると、塗布時に糸引き現象が起こったり、レジスト表面への広がりが悪く、少量の滴下量で均一な塗布膜を得ることが難しくなる。
【０００８】
本発明の水溶性樹脂組成物で用いられる水溶性架橋剤は、酸によって架橋を生じせしめる水溶性化合物であればよく、特に限定されるものではない。本発明で用いることができる水溶性架橋剤を具体的に例示すれば、メラミン系低分子誘導体、グアナミン系低分子誘導体、尿素系低分子誘導体、グリコールウリル、アルコキシアルキル化アミノ樹脂を挙げることができる。
メラミン系低分子誘導体としては、メラミン、メトキシメチル化メラミン、エトキシメチル化メラミン、プロポキシメチル化メラミン、ブトキシメチル化メラミン、ヘキサメチロールメラミンなどが挙げられる。また、グアナミン系低分子誘導体としては、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、メチル化ベンゾグアナミンが挙げられる。更に、尿素系低分子誘導体としては、尿素、モノメチロール尿素、ジメチロール尿素、アルコキシメチレン尿素、Ｎ−アルコキシメチレン尿素、エチレン尿素、エチレン尿素カルボン酸が挙げられる。
一方、アルコキシアルキル化アミノ樹脂としては、アルコキシアルキル化メラミン樹脂、アルコキシアルキル化ベンゾグアナミン樹脂、アルコキシアルキル化尿素樹脂などを挙げることができ、具体的には、メトキシメチル化メラミン樹脂、エトキシメチル化メラミン樹脂、プロポキシメチル化メラミン樹脂、ブトキシメチル化メラミン樹脂、エトキシメチル化ベンゾグアナミン樹脂、メトキシメチル化尿素樹脂、エトキシメチル化尿素樹脂、プロポキシメチル化尿素樹脂、ブトキシメチル化尿素樹脂などが挙げられる。
これら水溶性架橋剤は、単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができ、その配合量は水溶性樹脂１００重量部当たり、１〜７０重量部、好ましくは１０〜５０重量部である。
【０００９】
本発明の水溶性樹脂組成物で用いられる界面活性剤は、アセチレンアルコール類、アセチレングリコール類、アセチレンアルコール類のポリエトキシレートおよびアセチレングリコール類のポリエトキシレートである。本発明において好ましく用いることができるアセチレンアルコール類、アセチレングリコール類、アセチレンアルコール類のポリエトキシレート、アセチレングリコール類のポリエトキシレートとして、例えば、下記一般式（Ｉ）で示される化合物がその一つとして挙げられる。
【００１０】
【化１】
0003950584.tif 000002
（式中、Ｒ1 は炭素数１〜２０の直鎖または分岐鎖アルキル基を表し、Ｒ2 およびＲ3 は、各々独立して、Ｈまたは炭素数１〜３の直鎖または分岐鎖アルキル基を表し、Ｒ4 は炭素数１〜２０の直鎖または分岐鎖アルキレン基を表し、ｋは０または１であり、ｍおよびｎは、各々独立して、０を含む正数を表す。）
【００１１】
本発明において用いることのできるアセチレンアルコール類、アセチレングリコール類、アセチレンアルコール類のポリエトキシレートおよびアセチレングリコール類のポリエトキシレートの好ましい例を具体的に示すと、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−ジオール、２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオールおよびこれらのポリエトキシレートなどである。そして、２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオールなどのテトラメチルデシンジオールおよびそのポリエトキシレートが特に好ましいものである。これら本発明の界面活性剤は、単独でまたは２種以上組み合わせて用いることができ、その配合量は本発明の水溶性樹脂組成物に対し、通常５０〜２，０００ｐｐｍ、好ましくは１００〜１，０００ｐｐｍである。
【００１２】
本発明の水溶性樹脂組成物で用いられる溶剤は、水溶性樹脂組成物の構成成分を溶解することができ、かつ水溶性樹脂組成物塗布対象の基板に既に形成されているレジストパターンを溶解しないものであればどのようなものでもよい。通常この溶剤としては、少なくとも水を含む溶剤、具体的には水または水と水に可溶の範囲で溶解された有機溶剤との混合物が用いられる。本発明で溶剤として用いられる水は、水であれば特に制限はないが、蒸留、イオン交換処理、フィルター処理、各種吸着処理等により有機不純物、金属イオンなどが除去された純水が好ましい。
【００１３】
一方、水に溶解されて用いられる有機溶剤は、通常組成物の塗布性等の向上を目的として用いられるものである。この水に溶解されて用いられる有機溶剤は、水に可溶な範囲の混合量で用いられる限りにおいて、従来公知の有機溶剤の何れのものも用いることができる。すなわち、水に対して０．１重量％以上溶解する水可溶性の有機溶剤の何れも使用可能である。使用される有機溶剤としては水に可溶性の有機溶剤が好ましい。本発明において用いることのできる有機溶剤の例を具体的に示すと、例えばメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等のアルコール類；アセトン、メチルエチルケトン、２−ヘプタノンシクロヘキサノン等のケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルテル類；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類；乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステル類；トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド類；γ−ブチロラクトン等のラクトン類；ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、セロソルブアセテート、ブチルカルビトール、カルビトールアセテート等の極性溶剤などを挙げることができる。好ましい有機溶剤としては、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等の炭素数１〜４の低級アルコールが挙げられ、特に好ましいのはイソプロピルアルコールである。これら有機溶剤は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
【００１４】
本発明の水溶性樹脂組成物により被覆されるレジストパターンを形成するために用いられるレジスト材料としては、従来公知のフォトレジスト材料のいずれをも用いることができる。フォトレジスト材料は、光照射または加熱により酸を発生するものでもよいし、レジスト材料自体光照射または加熱により酸を発生しないものでもよい。レジスト材料が、光照射あるいは加熱により本来酸を生じないものである場合には、レジスト材料中に、更に、酸あるいは光照射または加熱により酸を発生する材料を添加してもよいし、レジストパターンを形成した後、レジストパターンを酸溶液または酸蒸気などで処理して、レジストパターンに酸を含浸させるようにしてもよい。
レジスト材料としては、代表的には、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド系感光剤との混合物、光照射により酸を発生しこの発生した酸の触媒作用を利用してレジストパターンを形成する化学増幅型のポジまたはネガレジストを挙げることができる。
【００１５】
本発明の水溶性樹脂組成物は、基板上に形成されたレジストパターンに水溶性樹脂組成物を塗布して被覆層を形成し、レジストパターンから供給される酸によりこの被覆層を架橋させ、この後現像により架橋されていない水溶性樹脂組成物を除去することによりレジストパターンが太らされる公知の方法のいずれの方法においても用いることができる。以下、レジストパターンを太らせる従来公知の方法の一例を示すが、本発明の水溶性樹脂組成物が適用される方法が以下の方法に限定されるものではないことは勿論である。
【００１６】
まず、基板上に、フォトレジストをスピンコートなど従来公知の方法により塗布する。プリベーク（例えば、ベーク温度：７０〜１４０℃で１分程度）後、ｇ線、ｉ線などの紫外線、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ光などの遠紫外線、Ｘ線、電子線などで露光し、必要に応じポストエクスポージャーベイク（ＰＥＢ）を行ったのち（例えば、ベーク温度：５０〜１４０℃）、現像し、必要であれば現像後ベークを行い（例えば、ベーク温度：６０〜１２０℃）、レジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンが形成された基板に、水溶性樹脂組成物を塗布し、必要に応じプリベークし（例えば、８０〜１００℃、６０〜７０秒）、被覆層被膜を形成する。水溶性樹脂組成物を塗布する方法は、レジストパターン上に水溶性樹脂組成物が塗布できればどのような方法でもよく、例えばレジストの塗布の際に従来から使用されている、スピンコート法、スプレー法、浸漬法、ローラーコート法などが挙げられる。
【００１７】
次いで、基板上に形成されたレジストパターンと被覆層とを加熱処理（ミキシングベーク）し、レジストパターン中での酸の発生および拡散を促進させ、あるいは既にレジストパターン中に存在する酸の拡散を促進させ、被覆層に拡散された酸により被覆層を架橋させる。ミキシングベークの温度およびベーク時間は、使用されるレジスト、被覆層を形成する材料、架橋膜厚などにより適宜決定されるもので、通常８５〜１５０℃程度の温度で、６０〜１２０秒程度行われる。さらに、架橋された被覆層を、水、水と水可溶性の有機溶剤との混合物あるいはＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などのアルカリ水溶液等により現像処理して、未架橋被覆層を溶解除去する。以上の処理により、トレンチパターンやホールパターンを実効的に微細化することができる。
【００１８】
なお、レジストが露光により酸を発生することができるものであれば、レジストの露光波長に応じた光源を用い、レジストパターンおよび被覆層を有する基板を全面露光するあるいは所望の箇所を露光し、必要に応じ加熱することにより酸の発生および水溶性樹脂組成物中への拡散を行わせ、全面あるいは所望箇所の被覆層の架橋を行うこともできる。
また、架橋する膜厚は、レジスト材料、レジストの膜厚、レジストへの光照射量、照射強度、光照射時間、加熱温度、加熱時間、水溶性樹脂組成物などの選択により適宜制御することができる。水溶性樹脂組成物に関しては、例えば水溶性樹脂および架橋剤の種類や使用量、２種以上の水溶性樹脂あるいは架橋剤を混合使用する場合にはその混合比などの選択により架橋膜厚の制御を行うことができる。
【００１９】
【実施例】
以下に本発明をその実施例をもって説明するが、本発明の態様はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
【００２０】
実施例１（水溶性樹脂組成物の調整）
以下の割合で各成分を混合し、十分に攪拌、溶解した後、０．２μｍのフィルターで濾過し、水溶性樹脂組成物Ａを調整した。
0003950584.tif 000003
【００２１】
比較例１（水溶性樹脂組成物の調整）
以下の割合で各成分を用い、実施例１と同様にして、水溶性樹脂組成物Ｂを調整した。
0003950584.tif 000004
【００２２】
比較例２（水溶性樹脂組成物の調整）
以下の割合で各成分を用い、実施例１と同様にして、水溶性樹脂組成物Ｃを調整した。
0003950584.tif 000005
【００２３】
実施例２（水溶性樹脂組成物の評価）
ライン・アンド・スペースパターンの形成
ポジ型感光性樹脂組成物  ＡＺ（登録商標、以下同じ）７９００（クラリアントジャパン社製）を東京エレクトロン社製スピンコーター（ＭＫ−Ｖ）にて、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）処理した６インチシリコンウェハーに塗布し、９０℃、６０秒間ホットプレートにてプリベークを行い、約０．９６μｍのレジスト膜が得られるように調整した。次いでｉ線（３６５ｎｍ）の露光波長を有する露光装置（日立製作所社製  ＬＤ−５０１５ｉＣＷ、ＮＡ＝０．５０）を用いて、種々のライン・アンド・スペース幅のそろったパターンを用い露光し、１１０℃、６０秒間ホットプレートにてポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）を行った後、クラリアントジャパン社製アルカリ現像液（ＡＺ  ３００ＭＩＦデベロッパー、２．３８重量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）を用い、２３℃の条件下で１分間スプレーパドル現像してポジ型レジストパターンを得た。
【００２４】
コンタクトホールパターンの形成
ポジ型感光性樹脂組成物ＡＺ  ＤＸ３２００Ｐ（クラリアントジャパン社製）を東京エレクトロン社製スピンコーター（ＭＫ−Ｖ）にて、ＨＭＤＳ処理した６インチシリコンウェハーに塗布し、８０℃、６０秒間ホットプレートにてプリベークを行い、約０．８μｍのレジスト膜が得られるように調整した。次いで、ＫｒＦレーザー（２４８ｎｍ）の露光波長を有する露光装置（キャノン社製  ＦＰＡ−３０００ＥＸ５、ＮＡ＝０．６３）を用いて、種々のホール径のそろったパターンを用い露光し、１１０℃、６０秒間ホットプレートにてポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）を行った後、クラリアントジャパン社製アルカリ現像液（ＡＺ  ３００ＭＩＦデベロッパー、２．３８重量％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）で２３℃の条件下で１分間スプレーパドル現像してポジ型レジストパターンを得た。
【００２５】
塗布特性の評価
得られたライン・アンド・スペースおよびコンタクトホールパターン上に水溶性樹脂組成物Ａをリソテックジャパン社製スピンコーター（ＬＴ−１０００）で塗布し、８５℃、７０秒間ホットプレートにてベークを行い、約０．４μｍの水溶性樹脂膜が得られるように調整した。塗布特性の評価は、ライン・アンド・スペースおよびコンタクトホールパターン上で上記塗布膜がストリエーションやフィッシュアイのような塗布欠陥を生じていないかどうかを、目視および光学顕微鏡観察により確認、評価した。結果を表１に示す。
なお、塗布特性の評価は、次の基準に基づいて行われた。
【００２６】
（塗布特性評価基準）
○  ：フィッシュアイやストリエーションといった塗布ムラが観察されず、均一な塗布膜が形成されている
△  ：フィッシュアイのようなはじきはなく十分な塗膜形成はするものの、レジストパターン段差に対し十分なカバー特性を有さないことによるストリエーション等の塗布ムラが観察される
×  ：フィッシュアイのようなはじきを生じ、十分な膜形成が困難である
【００２７】
寸法縮小率の評価
上記で得られたライン・アンド・スペースおよびコンタクトホールパターン上に水溶性樹脂をリソテックジャパン社製スピンコーター（ＬＴ−１０００）で塗布し、８５℃、７０秒間ホットプレートにてベークを行い、約０．４μｍの水溶性樹脂膜が得られるように調整した。更に１１０℃、９０秒間ホットプレートにてミキシングベークを行い、架橋反応を進行させた後、純水を用い２３℃の条件下で１分間現像処理を行い、未架橋層を剥離し、ライン・アンド・スペースおよびコンタクトホールパターン上に水溶性樹脂膜の架橋不溶化層を得た。さらに、１１０℃、１２０秒間ホットプレートにて乾燥のためにベーク処理を行った。寸法縮小率の評価は、日立製作所社製高精度外観寸法評価装置（Ｓ−７２８０Ｈ）にて、不溶化層形成前後でライン・アンド・スペースパターンのスペース幅及びコンタクトホールパターンのホール径について測長を行い、この時の測長値変化を観察した。寸法縮小率は次式によって求めた。結果を表１に示す。
【００２８】
0003950584.tif 000006
【００２９】
比較例３および４（水溶性樹脂組成物の評価）
水溶性樹脂組成物Ａに代えて、水溶性樹脂組成物Ｂ及び水溶性樹脂組成物Ｃを用いること以外実施例２と同様にして、塗布特性および寸法縮小率の評価を行った。結果を表１に示す。
【００３０】
【表１】
0003950584.tif 000007
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかなように、本発明の微細化されたレジストパターン形成用水溶性樹脂組成物は、レジストパターン段差上での塗布特性に優れ、また硬化膜の寸法制御性にも優れているため、基板の表面状態の如何にかかわらず、レジストパターンのパターン間隙を実効的に、精度よく微細化することができ、波長限界を超えるパターンを良好且つ経済的に形成することができる。また、このようにして形成された微細レジストパターンをマスクとして用いることにより、半導体基材上に縮小されたトレンチパターンやホールを形成することができ、微細トレンチパターンやホールを有する半導体装置等を簡単に且つ歩留まりよく製造することができる。