(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層、窓層、結線用台座電極、及び網目状の導電性電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、窓層が導電性の透明酸化物を含む層からなり、台座電極が、その導電性の酸化物を含む層からなる窓層の表面の中央に設けられ、網目状の導電性電極は搾孔され、半導体層が露呈する開口部を有する金属からなり、かつ台座電極の全面が窓層上にあり、該導電性電極が、台座電極を設けた窓層の表面とは反対側の窓層の底部の、上記台座電極の射影領域以外の領域のみの平面領域に、窓層に埋没されて設けられていることを特徴とする半導体発光ダイオード。
【請求項２】
素子の平面形状が、一辺の長さを１５０〜５００μｍとした略正方形であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項３】
網目状の導電性電極が、素子平面における台座電極の射影領域以外の略全面に敷設されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項４】
網目状の導電性電極の素子平面における形状が、台座電極の射影領域の中心点について点対称となっていることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項５】
網目状の導電性電極の素子平面における形状が、台座電極の射影領域の中心点を通る線について線対称となっていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項６】
発光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から形成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項７】
網目状の導電性電極の素子平面上における面積の合計が、台座電極の底面積の、１０〜５００％の範囲内であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
素子平面上において、網目状の導電性電極と台座電極の底部とを除く部分の面積が、素子平面全体に対する面積の比率で３０〜９５％の範囲であることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
網目状の導電性電極の素子平面における形状が、直径５〜２００μｍの範囲で円形に搾孔された領域を含むことを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項１０】
網目状の導電性電極の素子平面における形状が、長径５〜２００μｍの範囲で楕円形に搾孔された領域を含むことを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項１１】
網目状の導電性電極の素子平面における形状が、一辺の長さが５〜２００μｍの範囲で方形に搾孔された領域を含むことを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項１２】
網目状の導電性電極の素子平面における形状が、一辺の長さが５〜２００μｍの範囲で多角形に搾孔された領域を含むことを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項１３】
網目状の導電性電極の素子平面における形状が、幅が５〜１００μｍの範囲で帯状に搾孔された領域を含むことを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項１４】
網目状の導電性電極の開口部以外は、互いに連結され、電気的に導通していることを特徴とする請求項１〜１３の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項１５】
網目状の導電性電極の厚さが、５ｎｍ〜６００ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項１６】
網目状の導電性電極の厚さが、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜１５の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項１７】
網目状の導電性電極が、金合金から構成された層を含むことを特徴とする請求項１〜１６の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項１８】
網目状の導電性電極が、コンタクト層上に設けられていることを特徴とする請求項１〜１７の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【請求項１９】
発光層を、砒化アルミニウム・ガリウム（組成式ＡｌXＧａ1-XＡｓ：０≦Ｘ≦１）、砒化リン化ガリウム（組成式：ＧａＡｓ1-XＰX）、（ＡｌXＧａ1-X）YＩｎ1-YＰ、窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（組成式ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ：０≦Ｘ，Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ＝１）からなる群から選ばれる何れかの化合物で構成することを特徴とする請求項１〜１８の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体発光ダイオードに関し、さらに詳しくは、結線用台座電極から供給されるＬＥＤ駆動電流を、窓層を介した発光部領域に広範に拡散するための導電性電極の構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
酸化インジウム・錫（英略称：ＩＴＯ）などの導電性酸化物材料からなる窓層を備えたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光ダイオード（ＬＥＤ）にあって、ＬＥＤ駆動電流は窓層の上表面に唯一配置された台座（ｐａｄ）電極から供給される構造となっている。しかし、窓層を構成する酸化物層とＬＥＤを構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とを直接、接合させる構成とすると高い接合障壁が形成され、駆動電流を発光部に広範に拡散できない。従って、徒に高い順方向電圧（所謂、Ｖｆ）が帰結される。例えば、窒化ガリウム（化学式：ＧａＮ）に透明窓層としてＩＴＯを接合させた構成を具備したＧａＮ系ＬＥＤのＶｆ（順方向電流＝２０ｍＡ）は一般値の約２倍の７ボルト（単位：Ｖ）を越えるものとなる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７４（２６）（１９９９）、３９３０〜３９３２頁参照）。これは、低電圧で駆動できる透明導電性窓層を具備した高輝度のＧａＮ系ＬＥＤを得る際の妨げとなっている。
【０００３】
砒化ガリウム（化学式：ＧａＡｓ）と略格子整合するリン化アルミニウム・ガリウム・インジウム混晶（（ＡｌXＧａ1-X）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（０≦Ｘ≦１））を発光層とするＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤでは、ＩＴＯからなる透明酸化物窓層の上表面上に唯一、備えられた台座電極から供給される駆動電流を発光部へと効率的に流通させるために、窓層とＬＥＤ構成層との間にコンタクト（ｃｏｎｔａｃｔ）層を配置する構成が知れている（特開平１１−１７２２０号参照）。コンタクト層は窓層とＬＥＤを構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とのオーミック（Ｏｈｍｉｃ）接触性を促進させるために設けられ、ＧａＡｓ、砒化リン化ガリウム（組成式：ＧａＡｓ1-CＰC：０≦Ｃ≦１）等から構成されるものとなっている（上記の特開平１１−１７２２０号公報参照）。しかし、従来のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤでは、発光波長に対応するよりも禁止帯幅を小とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるコンタクト層が発光領域の表面を被覆して敷設されているため（上記の特開平１１−１７２２０号公報参照）、この構成ではコンタクト層に因り発光が吸収され、高輝度のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤを得るのに支障となっている。
【０００４】
また、特開平１１−４０２０号公報に記載される発明には、上表面に唯一、ボンディング用台座電極が敷設されたＩＴＯ透明電極層とＬＥＤ構成層との間に亜鉛（元素記号：Ｚｎ）等の金属膜を具備するＡｌＧａＩｎＰＬＥＤが開示されている。この従来技術に依れば、Ｚｎ等の金属膜はＩＴＯ電極層とＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構成層との密着性を増強する目的で、発光領域の全面に一様に万遍なく配置される構成となっている。この様にＩＴＯ透明電極層の直下に金属材料からなる連続膜を配置する手段では、発光層からの発光が金属材料膜に容赦なく吸収されてしまうため、高輝度のＡｌＧａＩｎＰＬＥＤを得るに妨げとなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、発光部からの発光を効率的に外部に取り出せ、且つ、発光部領域に広範に駆動電流を拡散することができる素子の構成を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意努力検討した結果、本発明に到達した。即ち本発明は、
［１］発光層、窓層、および結線用台座電極を有する半導体発光ダイオードにおいて、素子平面における台座電極の射影領域以外に網目状の導電性電極を有することを特徴とする半導体発光ダイオード、
［２］素子の平面形状が、一辺の長さを１５０〜５００μｍとした略正方形であることを特徴とする［１］に記載の半導体発光ダイオード、
［３］網目状の導電性電極が、素子平面における台座電極の射影領域以外の略全面に敷設されていることを特徴とする［１］または［２］に記載の半導体発光ダイオード、
［４］網目状の導電性電極の素子平面における形状が、台座電極の射影領域の中心点について点対称となっていることを特徴とする［１］〜［３］の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード、
［５］網目状の導電性電極の素子平面における形状が、台座電極の射影領域の中心点を通る線について線対称となっていることを特徴とする［１］〜［４］の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード、
［６］発光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体から形成されていることを特徴とする［１］〜［５］の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード、
［７］窓層が、酸化物から形成された層を含むことを特徴とする［１］〜［６］の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード、
［８］網目状の導電性電極が、金属から形成された層を含むことを特徴とする［１］〜［７］の何れか１項に記載の半導体ダイオード、
［９］網目状の導電性電極の素子平面上における面積の合計が、台座電極の底面積の、１０〜５００％の範囲内であることを特徴とする［１］〜［８］の何れか１項に記載の発光ダイオード、
［１０］素子平面上において、網目状の導電性電極と台座電極の底部とを除く部分の面積が、素子平面全体に対する面積の比率で３０〜９５％の範囲であることを特徴とする［１］〜［９］の何れか１項に記載の発光ダイオード、
［１１］網目状の導電性電極の素子平面における形状が、直径５〜２００μｍの範囲で円形に搾孔された領域を含むことを特徴とする［１］〜［１０］の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード、
［１２］網目状の導電性電極の素子平面における形状が、長径５〜２００μｍの範囲で楕円形に搾孔された領域を含むことを特徴とする［１］〜［１１］の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード、
［１３］網目状の導電性電極の素子平面における形状が、一辺の長さが５〜２００μｍの範囲で方形に搾孔された領域を含むことを特徴とする［１］〜［１２］の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード、
［１４］網目状の導電性電極の素子平面における形状が、一辺の長さが５〜２００μｍの範囲で多角形に搾孔された領域を含むことを特徴とする［１］〜［１３］の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード、
［１５］網目状の導電性電極の素子平面における形状が、幅が５〜１００μｍの範囲で帯状に搾孔された領域を含むことを特徴とする［１］〜［１４］の何れか１項に記載の半導体発光ダイオード、に関する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明に係わる半導体ＬＥＤは、発光層、窓層、および結線用台座電極を有し、かつ素子平面における台座電極の射影領域以外に網目状の導電性電極を有することを特徴としている。特に本発明の構造の半導体ＬＥＤは、砒化アルミニウム・ガリウム（組成式ＡｌXＧａ1-XＡｓ：０≦Ｘ≦１）、砒化リン化ガリウム（組成式：ＧａＡｓ1-XＰX）、（ＡｌXＧａ1-X）YＩｎ1-YＰ、及び窒化アルミニウム・ガリウム・インジウム（組成式ＡｌXＧａYＩｎ1-X-YＮ：０≦Ｘ，Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ≦１）等からなるＩＩＩ−Ｖ族化合物から発光層（発光部）を構成すると好ましい効果が得られる。発光部を構成するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶層は、有機金属熱分解気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）、ハロゲン（ｈａｌｏｇｅｎ）或いはハイドライド（ｈｙｄｒｉｄｅ）気相成長法等のエピタキシャル成長手段により成膜できる。図１は本発明の請求項１に係わる第１の実施形態の概念的に説明するためのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ１０の平面模式図である。また、図２は、図１に掲示するＬＥＤ１０の破線Ｘ−Ｙに沿った断面模式図である。
【０００８】
図２を利用して説明すると、本発明に係わるＬＥＤ１０は、単結晶からなる基板１０１の表面上にエピタキシャル成長法に依り積層されたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層からなるｎ形またはｐ形クラッド（ｃｌａｄ）層１０４、１０６と発光層１０５とのヘテロ（ｈｅｔｅｒｏ）接合からなる発光部１０ａと、発光部１０ａ上に冠された窓層１０８とを基本的に備えているものである。発光層１０４と緩衝層１０２との中間には、ブラッグ反射（ＤＢＲ）１０３を挿入した構成としても差し支えはない。窓層１０８の上表面の中央部にはＬＥＤ駆動電流を供給するための台座電極１０９が設けられている。本発明のＬＥＤ１０に特徴的なのは、窓層１０８をなす透明酸化物層と接合をなすＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層１０６の表面上の開放発光領域１０６ａに搾孔された開口部を有する網状の導電性電極１０７が敷設されていることにある。開放発光領域面１０６ａとは、発光層１０４からの発光が遮蔽されることなく外部に取り出せる領域を云う。即ち、窓層１０８上の台座電極１０９が敷設されている領域の外周囲領域、または台座電極１０９の射影領域１０９ａ以外の領域が開放発光領域１０６ａである。なお、台座電極１０９の射影領域１０９ａにおいて本発明の網状の導電性電極１０７が施設されても本発明の効果が得られる。この場合、Ｖｆをさらに下げることが可能となるが、台座電極により発光が遮蔽される部分への拡散電流が増加するため発光効率が若干低下する。
【０００９】
また、本発明の更なる特徴は、開放発光領域１０６ａに設ける導電性電極（オーミック電極）１０７が、搾孔されて開口部を有する網状の膜から構成されていることにある。その開口部では、ＬＥＤを構成する半導体層が露呈されることとなっている。例えば、図１及び図２に例示するＬＥＤ１０にあっては、発光部１０ａをなす上部クラッド層１０６が開口部に露呈している。開放発光領域１０６ａに敷設する導電性電極１０７を、開口部を有する網状のオーミック電極１０７から構成すれば、開口部を通過して発光は遮蔽されることなく外部に導出される。従って、開放発光領域１０６ａの平面積の徒な減少が回避できる利点がある。本発明に用いられる半導体ＬＥＤの好ましいチップ（ｃｈｉｐ）サイズ（図１に記号Ｑで示す）は１５０〜５００μｍ、より好ましくは１８０〜３００μｍの範囲の略正方形であり、台座電極の好ましい大きさは底面形状が円形の場合の直径に換算して８０〜１６０μｍの範囲である。略正方形とは一辺の、他辺に対する比率が好ましくは０．８〜１．２である長方形または正方形である。また、導電性電極の開口部にあっては、好ましい開口部の形状は円形、楕円形、方形、多角形、帯状であり、それぞれの大きさは、円形の直径、楕円形の長径、方形の一辺の長さ、多角形の一辺の長さで好ましくは５〜２００μｍ、より好ましくは５〜５０μｍ、最も好ましくは５〜３０μｍであり、開口部が帯状の場合では、幅が好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは５〜５０μｍ、最も好ましくは  ５〜３０μｍである。
【００１０】
また、網目状の導電性電極の素子平面上における面積の合計（素子平面上において導電性電極と台座電極の底部が重なっている部分を含まない）が、台座電極の底面積に対する比率で、好ましくは１０〜５００％、より好ましくは２０〜２５０％、最も好ましくは３０〜１５０％の範囲内とし、更に、素子平面上において、網目状の導電性電極と台座電極の底部とを除く部分の面積が、素子平面全体に対する比率で、好ましくは３０〜９５％、より好ましくは３５〜９０％、最も好ましくは４０〜８０％の範囲とすることでＶｆの低減と、発光効率の向上をはかることが可能となる。
【００１１】
導電性電極１０７は、アルミニウム（Ａｉ）、ニッケル（元素記号：Ｎｉ）等から構成できるが、特に、金（Ａｕ）合金から形成された層を含む構造とすると、台座電極から供給された電流を発光層に効率良く拡散でき好ましい。その中でも、ｎ形半導体構成層については、金（元素記号：Ａｕ）−ゲルマニウム（元素記号：Ｇｅ）合金、金−インジウム（元素記号：Ｉｎ）合金或いは金−錫（元素記号：Ｓｎ）合金等の金合金類から構成すると、オーミック接触性に優れる電極が構成できる。またｐ形の半導体層については、金−亜鉛（元素記号：Ｚｎ）合金または金−ベリリウム（元素記号：Ｂｅ）合金などからオーミック接触性に優れる電極がもたらされる。本発明に係わる網状電極では、開口部（搾孔部）以外は互いに連結しており、その連結部に於いて電気的導通が確保されている。従って、発光を透過させるための開口部を有しつつ、電気的導通を発揮するオーミック接触性に優れる網状電極を開放発光領域１０６ａの略全面に敷設する手段に依れば、台座電極１０９より導電性透明酸化物窓層１０８を介して供給される駆動電流を発光部１０ａに効率的に流通させることができる。良好なＬＥＤ駆動電流の通流性を得るには、導電性電極１０７をなす網状膜の膜厚を増加させて通流抵抗を減ずる必要がある。開放発光領域１０６ａの略全域に駆動電流を拡散できる低抵抗を獲得するに必要な網状電極膜の膜厚は５ナノメータ（単位：ｎｍ）以上である。網状金属膜を極端に厚くすると、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構成層と網状金属膜との段差が大となり、後述する窓層を構成する場合に網状膜の周囲を充分に被覆できない不都合が発生する。このため、網状電極をなす膜の膜厚は６００ｎｍ以下とするのが望ましい。
【００１２】
開放発光領域１０６ａでの電界分布をより均等とするために、導電性電極１０７をなす網状膜に於ける開口部（搾孔部）の素子平面における形状は、台座電極１０９（台座電極１０９の射影領域１０９ａ）の中心点Ｍについて点対称、または中心点Ｍを通る何れかの中心線Ｃ１、Ｃ２に線対称の関係に配置されているのが望ましい。さらに上記の開口部は、複数個設置するのが望ましい。また、開口部は開放発光領域１０６ａに於いて、互いに等間隔（＝ｄ）に位置させるのが、開放発光領域１０６ａで均一な電界強度分布を形成する上で好都合である。更には、台座電極１０９（台座電極の射影領域１０９ａ）の平面形状の中心点Ｍから等距離（＝Ｒ）を保ちつつ、相互に等しい間隔（＝ｄ）に配置するのが更に好都合である。均一な電界強度分布は開放発光領域１０６ａでの均一な強度の発光をもたらすのに貢献できる。また、搾孔部を設ける間隔を極端に短縮すると、即ち、隣接する搾孔部間の間隔を極端に小として、金属膜の連結部の幅を減ずることとすると、動作電流の通流に対し抵抗が増加し、開放発光領域１０６ａの全域に充分に動作電流を拡散できない不都合が発生する。また、例えば、間隔が５μｍ或いはそれ以下の小ささであると微細加工時に搾孔部間の金属連結部が断裂する確率が増し、動作電流の広範囲に亘る拡散が定常的に達成されない場合が発生する。
【００１３】
導電性電極１０７を覆う窓層１０８はＧａＰ、ＡｌＧａＡｓ、金属酸化物等から構成することができるが、特に酸化物から形成された層を含む構成とすることが好ましく、この中では、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化インジウム・錫（ＩＴＯ）等の導電性の透明酸化物材料から構成することが特に好ましい。また、アルミニウム（元素記号：Ａｌ）、ガリウム（元素記号：Ｇａ）、またはインジウム（元素記号：Ｉｎ）をドーピングして低抵抗率とした酸化亜鉛（化学式：ＺｎＯ）も好適に利用できる。上表面に設ける台座電極１０９より供給されるＬＥＤ駆動電流を網状の導電性電極１０７に流通させるために、窓層１０８は約１×１０-3オーム・センチメートル（Ω・ｃｍ）以下、望ましくは約５×１０-4Ω・ｃｍ程度の低抵抗率の材料から構成する。また、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体発光層から放射される近紫外帯光、青色帯光或いは緑色帯光などの短波長発光を外部に充分に取り出すために作用を発揮させるには、窓層１０８は禁止帯幅を大凡、３エレクトロンボルト（単位：ｅＶ）以上とする材料から構成するのが好ましい。ちなみにＩＴＯと酸化亜鉛の室温での禁止帯幅は約３．４〜３．５ｅＶである。窓層１０８を構成する導電性酸化物層の層厚は、発光波長に対し高い透過率を与える厚さに設定する。
【００１４】
窓層１０８の上表面に設ける台座電極１０９の平面形状は一般的な円形、楕円形或いは、正方形または長方形などの方形に加え、正六角形や正八角形等の多角形とすることができる。何れの平面形状を選択するにしても、左右対称となる開放発光領域１０６ａをもたらす様に、台座電極１０９の平面形状は左右対称形であるのが望ましい。また、何れの平面形状の台座電極１０９にあっても、容易に結線が達成でき、且つ開放発光領域１０６ａの表面積の徒な減少を招くことのない様に、円形台座電極では直径、楕円形台座電極では長径、正方形の台座電極では一辺の長さ、長方形の台座電極では短辺の長さ、多角形の台座電極では対角線の長さを少なくとも約８０〜１６０μｍの範囲とすることが望ましい。
【００１５】
一方、網状膜からなる上記の導電性電極１０７とは極性を反対とする他の導電性電極１１０は、用いる基板１０１がｎ形またはｐ形の導電性結晶である場合、基板１０１の裏面に設けられる。基板１０１の裏面に敷設される導電性電極１１０は、基板裏面の表面の略全面に亘り設けられるのが一般的である。不導体或いは絶縁性の基板１０１である場合、導電性電極１１０は基板１０１上に積層されたｎ形或いはｐ形の、導電性のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構成層の一部領域上に敷設されるのが一般的である。
【００１６】
本発明の請求項１１に係わる第１１の実施形態は、円形に搾孔された領域を含む網状の電極から導電性電極を構成することを特徴としている。図３に本実施形態に係わる導電性電極１０７を備えたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ２０の平面模式図を例示する。円形の搾孔部１１１が円形の台座電極１０９（台座電極１０９の射影領域１０９ａ）の、平面形状の中心点Ｍを通過する中心線Ｃ１、Ｃ２（対角線Ｌ１、Ｌ２）に対して線対称の関係となる位置に設けられている。円形の搾孔部１１１は即ち、開口部であり、直下のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体構成層が露呈している領域となっている。従って、発光部から出射される発光を遮蔽することのない構成となっている。図３に例示した網状電極では、搾孔部は全て同一の直径を有する円形としているが、必ずしも全ての搾孔部の平面形状を同一とする必要はない。例えば、台座電極の周囲の、ＬＥＤの中央付近の搾孔部を円形とし、ＬＥＤの周縁部辺の搾孔部を楕円形とした網状電極からも導電性電極は構成できる。搾孔部の平面形状或いは搾孔面積（開口面積）を開放発光領域内で領域に依って変化させるにしても、帰結される網状電極は中心線（Ｃ１、Ｃ２）或いは対角線（Ｌ１、Ｌ２）に対して左右対称とするのが最適である。開放発光領域１０６ａに於ける電位分布を均等となすためである。
【００１７】
本発明の請求項１２に係わる第１２の実施形態では、楕円形に搾孔された領域を含む網状の電極から導電性電極を構成することとする。搾孔部の平面形状を上記の第１０の実施形態に記す如く円形とする、或いは本実施形態の様に楕円形となすことにより、左右対称の形状を有する網状の電極が容易にもたらされるからである。図４に本実施形態に係わる楕円形の搾孔部１１２を有する導電性電極１０７を備えたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ３０の平面構造を模式的に示す。楕円形の搾孔部１１２は、その長径１１２ａをＬＥＤ３０の中心線Ｃ１、Ｃ２または対角線Ｌ１、Ｌ２の何れかに平行にして設けた導電性電極１０７は、全て正楕円形に搾孔したものであるが、円形の搾孔部と楕円形の搾孔部とを備えた網状電極からも構成できる。
【００１８】
本発明の請求項１３に係わる第１３の実施形態では、方形に搾孔された領域１１３を含む網状の電極から導電性電極を構成する。図５に本実施形態に係わる導電性電極１０７を備えたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ４０の平面模式図を示す。図４に例示する導電性電極１０７は正方形に搾孔された網状金属膜から構成されているが、搾孔部は長方形としても差し支えない。正方形と長方形の搾孔部を備えた網状膜からも導電性電極を構成できる。形状を異にする開口部を設ける場合、開口部の形状並びに位置は中心線Ｃ１、Ｃ２、或いは対角線Ｌ１、Ｌ２に対して線対称となる様に設ける。開放発光領域１０６ａでの均等な電位分布を形成するためである。台座電極の射影領域１０９ａに於ける発光は台座電極１０９に遮蔽されて外部へ取り出せないため、台座電極１０９の直下に動作電流を流通させたところで、発光強度の向上は殆ど達成できない。本発明の如く、開放発光領域１０６ａに限定して、且つ優先的に動作電流を流通できる形状の導電性電極を配置すれば、開放発光領域１０６ａの略全域に亘り拡散でき高発光強度のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤを得るのに有利となる。
【００１９】
本発明の請求項１４に係わる第１４の実施形態では、多角形に搾孔された領域を含む網状の電極から導電性電極を構成する。特に、搾孔部の形状は、正六角形、正八角形等の左右対称形の多角形とするのが左右対称の平面形状の網状電極を得る上で好適である。図６に本実施例に係わる正六角形の搾孔部１１４を有する導電性電極１０７を備えたＬＥＤ５０を例示する。多角形状に搾孔された領域以外の領域は連結部であるため、動作電流を、この部位を導路として開放発光領域１０６ａの略全域に均等に一様に拡散させることができる。また、図７に台座電極１０９の射影領域１０９ａ以外の開放発光領域１０６ａにあって、射影領域１０９ａの周辺領域に正六角形状の搾孔部１１４を有し、開放発光領域１０６ａの周縁領域に円形の１１１を設けてなる網状膜からなる導電性電極１０７を備えたＬＥＤ６０の平面構成を模式的に例示する。台座電極１０９の直下に在る射影領域１０９ａでは、窓層１０８と半導体構成層とが直接、接触をなし、高い接合障壁を構成している。このため、台座電極１０９より供給されるＬＥＤ動作電流は台座電極の射影領域１０９ａよりも開放発光領域１０６ａに優先的に流通され得る。従って、発光の外部取り出し効率の向上が果たせ、高発光強度の半導体ＬＥＤが得られる。
【００２０】
本発明の請求項１５に係わる第１５の実施形態では、帯状に搾孔された領域を含む網状の電極から導電性電極を構成する。帯状の搾孔部１１５はＬＥＤの中心線Ｃ１、Ｃ２または対角線Ｌ１、Ｌ２に平行に配置するのが好適である。図８に一中心線Ｃ１に平行な方向に沿って帯状に搾孔された網状電極を備えたＬＥＤ７０を例示する。また、図９の平面模式図に示すＬＥＤ８０は、両中心線Ｃ１、Ｃ２に平行に設けた帯状の搾孔部１１５を有する導電性電極１０７を備えたものである。また、図１０に中心線Ｃ１、Ｃ２に平行な帯状の搾孔部１１５を縦横に組み合わせてなる開口部を有する導電性電極１０７を備えたＬＥＤ９０を例示する。何れの平面形状とするにしても搾孔部以外は連結した金属膜から構成する必要がある。開放発光領域１０６ａの全域に亘り広範にＬＥＤ駆動電流の拡散を果たすためである。
【００２１】
【実施例】
（実施例１）
以下、本発明を、実施例を基に詳細に説明する。図１１に本実施例に係わるＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ１００の平面模式図を示す。また、図１２は図１１に示すＬＥＤ１００の破線Ａ−Ａ’に沿った断面模式図である。
【００２２】
ＬＥＤ１００は、直径約５０ｍｍの亜鉛（Ｚｎ）ドープｐ形（００１）−ＧａＡｓ単結晶円形基板２０１上に順次、積層されたＺｎドープｐ形ＧａＡｓ緩衝層２０２、何れもＺｎをドーピングしたｐ形Ａｌ0.40Ｇａ0.60Ａｓ層とｐ形Ａｌ0.95Ｇａ0.05Ａｓ層とを交互に１２層積層した周期構造からなるブラッグ反射（ＤＢＲ）層２０３、Ｚｎドープｐ形（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐから成る下部クラッド層２０４、アンドープのｎ形（Ａｌ0.2Ｇａ0.8）0.5Ｉｎ0.5Ｐ混晶から成る発光層２０５、及びＳｉドープｎ形（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐから成る上部クラッド層２０６から構成されるエピタキシャル積層構造体（ウェハ）１Ａを母体材料として構成した。
【００２３】
積層構造体１Ａを構成する各構成層２０２〜２０６はトリメチルアルミニウム（（ＣＨ3）3Ａｌ）、トリメチルガリウム（（ＣＨ3）3Ｇａ）及びトリメチルインジウム（（ＣＨ3）3Ｉｎ）をＩＩＩ族構成元素の原料とする減圧ＭＯＣＶＤ法により成膜した。亜鉛（Ｚｎ）のドーピング源にはジエチル亜鉛（（Ｃ2Ｈ5）2Ｚｎ）を利用した。珪素（Ｓｉ）のドーパント源にはジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を使用した。各構成層２０２〜２０６の成膜温度は７３０℃に統一した。緩衝層２０２のキャリア濃度は約５×１０18ｃｍ-3に、また、層厚は約１μｍとした。ＤＢＲ層２０３をなすｎ形Ａｌ0.40Ｇａ0.60Ａｓ層とｎ形Ａｌ0.95Ｇａ0.05Ａｓ層の層厚は各々、約４０ｎｍとした。キャリア濃度は各々、約１×１０18ｃｍ-3とした。下部クラッド層２０４のキャリア濃度は約３×１０18ｃｍ-3に、また、層厚は約１．５μｍとした。発光層２０５の層厚は約１５ｎｍとし、キャリア濃度は約５×１０16ｃｍ-3とした。ｎ形上部クラッド層２０６のキャリア濃度は約２×１０18ｃｍ-3とし、また、層厚は約５μｍとした。
【００２４】
ｎ形上部クラッド層２０６の表面の全面に、一般的な真空蒸着法により膜厚を約５０ｎｍとする金・ゲルマニウム合金（Ａｕ９５重量％−Ｇｅ５重量％合金）膜を被着させた。続けて、膜厚を約５０ｎｍとする金（Ａｕ）被膜を上記のＡｕ−Ｇｅ合金膜の表面上に被着させた。次に、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してＡｕ−Ｇｅ／Ａｕ重層膜にパターニングを施し、第１及び第２の円弧状の搾孔部２０７ａ、２０７ｂと円形の搾孔部２０７ｃとを併在させた導電性電極２０７を形成した。第１の円弧状搾孔部２０７ａは台座電極２０９の射影領域２０９ａの、平面形状の中心Ｍを中心とする直径１８０μｍの円周上に設けた。第１の円弧状搾孔部２０７ａはＬＥＤ１００の両中心線Ｃ１、Ｃ２に対し左右対称となる様に配置した。第１の円弧状搾孔部２０７ａの幅は約５０μｍとし、第１の円弧２０７ａの円周に沿った円弧の長さは約９５μｍとした。第２の円弧状の搾孔部２０７ｂは台座電極の射影領域２０９ａの中心Ｍを中心とする直径２２０μｍの円周上の計４箇所に設けた。第２の円弧状の搾孔部２０７ｂはＬＥＤ１００の両対角線Ｃ１、Ｃ２に対し左右対称となる様に配置した。第２の円弧状の、搾孔部２０７ｂの幅は約６０μｍとし、円弧の長さは約１１５μｍとした。第２の円弧状の搾孔部２０７ｂとＬＥＤ１００の外縁部１００ｂとの中間には、直径を３０μｍとする円形の搾孔部２０７ｃを設けた。円形の搾孔部２０７ｃはＬＥＤ１００の両対角線Ｃ１，Ｃ２上に中心を置いて設けた。
【００２５】
ＬＥＤ１００の一辺の長さ（＝Ｑ）は２６０μｍとし、また、台座電極２０９の直径は１１０μｍとしたため、台座電極の射影領域２０９ａを除いた開放発光領域２０６ａの表面積は約５．８×１０-4ｃｍ2となった。また、上記の第１及び第２の円弧状搾孔部２０７ａ、２０７ｂと円形の搾孔部２０７ｃとの合計の面積は約２．４×１０-4ｃｍ2である。従って、開放発光領域２０６ａの表面積に占める搾孔部の平面積の割合は約４１．３％となった。また素子平面上における導電性電極２０７と台座電極２０９の底部とを除く部分の、素子平面全体に対する比率は約５０％となった。
【００２６】
次に、導電性電極２０７を配置した上部クラッド層２０６の表面上に、一般のマグネトロンスパッタリング法により透明窓層２０８とする酸化インジウム・錫（ＩＴＯ）膜を被着させた。ＩＴＯ層の比抵抗は約５×１０-4Ω・ｃｍであり、層厚は約６００ｎｍとした。次に、窓層２０８上の全面に一般的な有機フォトレジスト材料を塗布した後、台座電極２０９を設けるべき領域を、公知のフォトリソグラフィー技術を利用してパターニングした。然る後、パターニングされたレジスト材料を残置させたままで、全面に金（Ａｕ）膜を真空蒸着法により被着させた。金（Ａｕ）膜の厚さは約７００ｎｍとした。その後、周知のリフト−オフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）手段に依り、レジスト材料を剥離するに併せて台座電極２０９の形成予定領域に限定してＡｕ膜を残留させた。これより、直径を約１１０μｍとする円形の台座電極２０９を形成した。台座電極２０９の底面積は約０．９５×１０-4ｃｍ2となった。また導電性電極２０７の合計面積の、台座電極の底面積に対する比率は約３５８％となった。
【００２７】
ｐ形ＧａＡｓ単結晶基板２０１の裏面に金・亜鉛（Ａｕ・Ｚｎ）合金からなるｐ形導電性電極２１０を形成した後、通常のスクライブ法により積層構造体（ウェハ）１Ａを裁断して個別に細分化し、ＬＥＤチップ１００となした。チップ（個別素子）１００は一辺の長さ（＝Ｑ）を２６０μｍとする正方形とした。ｐ形導電性電極２１０と台座電極２０９を介してｎ形の導電性電極２０７間に順方向に電流を通流して、開放発光領域２０６ａを通して波長を約６２０ｎｍとする赤橙色の発光を得た。発光スペクトルの半値幅は約２０ｎｍであり、単色性に優れる発光であった。２０ミリアンペア（ｍＡ）の電流を通流した際の順方向電圧（Ｖｆ：＠２０ｍＡ）は、網状金属膜からなる導電性電極２０７の良好なオーミック特性を反映して約２．１ボルト（Ｖ）となった。また、導電性電極２０７を搾孔部を有する網状の金属膜から構成したことに依り、チップ１００の周縁１００ｂの領域に於いても発光が認められ、視感度補正をした状態で簡易的に測定される発光の強度は約７４ミリカンデラ（ｍｃｄ）であった。更に、本実施例のＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ１００では、近視野発光パターンの観点からしても開放発光面２０６ａに於ける発光強度の分布は、網状導電性電極２０７に依る動作電流の均一な分配の効果により均等となった。
【００２８】
（実施例２）
本実施例では、菱形に搾孔されたメッシュ（ｍｅｓｈ）状の導電性電極を備えた窒化ガリウム（ＧａＮ）系ＬＥＤを構成する場合を例にして本発明を具体的に説明する。図１３にＧａＮ系ＬＥＤ２００の平面模式図を示す。また、図１４に、図１３のＬＥＤ２００の破線Ｂ−Ｂ’に沿った断面模式図を示す。
【００２９】
硼素（元素記号：Ｂ）ドープｐ形（００１）珪素（Ｓｉ）単結晶円形基板３０１上に、亜鉛（Ｚｎ）ドープｐ形リン化硼素（ＢＰ）低温緩衝層３０２、Ｚｎドープｐ形ＢＰ高温緩衝層３０３、マグネシウム（Ｍｇ）をドーピングしたｐ形ＧａＮからなる下部クラッド層３０４、平均的なインジウム（Ｉｎ）組成比を０．１０とし、インジウム組成を互いに相違する複数の相（ｐｈａｓｅ）からなる多相構造のｎ形Ｇａ0.90Ｉｎ0.10Ｎ発光層３０５、アルミニウム（Ａｌ）組成比を０．１５とした、珪素（Ｓｉ）ドープｎ形Ａｌ0.15Ｇａ0.85からなる上部クラッド層３０６、及びＳｉドープｎ形ＧａＮからなるコンタクト層３０７を順次、積層してＧａＮ系ＬＥＤ２００用途の積層構造体３Ａを形成した。
【００３０】
ＢＰ緩衝層３０２、３０３はトリエチル硼素（化学式：（Ｃ2Ｈ5）3Ｂ）及びフォスフィン（ＰＨ3）を原料とする減圧ＭＯＣＶＤ法により成膜した。ＢＰ低温緩衝層３０２は４００℃で成膜し、層厚は約１０ｎｍとした。ＢＰ高温緩衝層３０３は１０３０℃で成膜し、層厚は約１μｍとした。キャリア濃度は約２×１０18ｃｍ-3とした。亜鉛のドーピング源にはジエチル亜鉛（化学式：（Ｃ2Ｈ5）2Ｚｎ）を使用した。
【００３１】
積層構造体３Ａを構成するその他の各構成層３０４〜３０７はトリメチルアルミニウム（（ＣＨ3）3Ａｌ）、トリメチルガリウム（（ＣＨ3）3Ｇａ）及びトリメチルインジウム（（ＣＨ3）3Ｉｎ）をＩＩＩ族構成元素の原料とし、アンモニア（ＮＨ3）をＶ族原料とする常圧ＭＯＣＶＤ法により成膜した。マグネシウム（Ｍｇ）のドーピング源にはビスシクロペンタジエニルマグネシウム（ｂｉｓ−（Ｃ5Ｈ5）2Ｍｇ）を利用した。Ｓｉのドーパント源にはジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）を使用した。各構成層３０４〜３０７の成膜温度は１０３０℃に統一した。下部クラッド層３０４のキャリア濃度は約３×１０18ｃｍ-3に、また、層厚は約２μｍとした。発光層３０５の層厚は約１００ｎｍとし、キャリア濃度は約１×１０17ｃｍ-3とした。ｎ形Ａｌ0.10Ｇａ0.90Ｎ層からなる上部クラッド層３０６のキャリア濃度は３×１０17ｃｍ-3とし、また、層厚は約１０ｎｍとした。ｎ形ＧａＮコンタクト層３０７のキャリア濃度は約２×１０18ｃｍ-3とし、その層厚は約１００ｎｍとした。
【００３２】
ｎ形ＧａＮコンタクト層３０７の表面の全面に、一般的な真空蒸着法により膜厚を約８ｎｍとする金（Ａｕ）膜を被着させた。次に、一般的なフォトリソグラフィー手段を利用して、Ａｕ膜に図１３に示す如くの長方形の搾孔部３０８ａ、３０８ｂを形成した。長方形の搾孔部３０８ａは、その長辺をＬＥＤチップ２００の中心線Ｃ１に平行にして、また、中心線Ｃ１と線対称となる合計２箇所に設けた。搾孔部３０８ａをなす長方形の大きさは長辺を１２０μｍとし、短辺を５０μｍとした。別の長方形の搾孔部３０８ｂは長辺を中心線Ｃ２に平行にして、また、中心線Ｃ２に対して線対称となる位置に合計２箇所に設けた。長方形の搾孔部３０８ｂは長辺を２６０μｍとし、短辺の長さを５０μｍとした。台座電極の射影領域３１０ａの外縁と長方形の搾孔部３０８ａ、３０８ｂとの最短の間隔は２０μｍとした。また、長方形の搾孔部３０８ａ、３０８ｂとＬＥＤの外縁２００ｂとの距離は２０μｍとした。
【００３３】
次に、ｎ形ＧａＮコンタクト層３０７上に長方形の搾孔部３０８ａ、３０８ｂを有する網状の導電性電極３０８を残置させたままで、一般のマグネトロンスパッタリング法により透明窓層３０９とする酸化インジウム・錫（ＩＴＯ）膜を被着させた。ＩＴＯ層の比抵抗は約４×１０-4Ω・ｃｍであり、層厚は約４３０ｎｍとした。窓層３０９の全面に、一般的な有機フォトレジスト材料を塗布した後、台座電極３１０を設けるべき領域を、公知のフォトリソグラフィー技術を利用してパターニングした。然る後、パターニングされたレジスト材料を残置させたままで、全面にチタン（Ｔｉ）膜を電子ビーム真空蒸着法により被着させた。Ｔｉ膜の厚さは約５００ｎｍとした。その後、レジスト材料を剥離するに併せて、周知のリフト−オフ（ｌｉｆｔ−ｏｆｆ）手段に依り台座電極３１０の形成予定領域に限定してＴｉ膜を残留させた。これより、直径を約１２０μｍとする円形の台座電極３１０を形成した。
【００３４】
本実施例では、ＬＥＤ２００のチップサイズ（＝Ｑ）を３００μｍとしたことから、台座電極３１０の平面積（約１．１×１０-4ｃｍ2）を除く開放発光領域の表面積は約７．９×１０-4ｃｍ2となった。一方、長方形の搾孔部３０８ａ、３０８ｂの合計の平面積は３．８×１０-4ｃｍ2であり、従って、開放発光領域３０７ａの表面積に占める長方形の搾孔部の、合計の平面積の割合は約４８．１％となった。また素子平面上における導電性電極３０８と台座電極３１０の底部とを除く部分の、素子平面全体に対する比率は約４２％、素子平面上における導電性電極３０８の合計面積の、台座電極の底面積に対する比率は約３７３％となった。
【００３５】
ｐ形Ｓｉ単結晶基板３０１の裏面にアルミニウム（Ａｌ）からなるｐ形導電性電極３１１を形成した後、通常のスクライブ法により積層構造体（ウェハ）３Ａを裁断して個別に細分化し、ＬＥＤチップ２００となした。チップ（個別素子）２００は一辺を３００μｍとする正方形とした。ｐ形導電性電極３１１及び台座電極３１０間に順方向に電流を通流したところ、開放発光領域３０７ａを通して波長を約４４０ｎｍとする青色光が出射された。網状の導電性電極３０８を配置した効果に依り、ＬＥＤ２００の周縁２００ｂの領域に於いても略一様な強度発光が認められ、チップ状態で測定した発光の強度は約１．１カンデラ（ｃｄ）であった。２０ミリアンペア（ｍＡ）の電流を通流した際の順方向電圧（Ｖｆ：＠２０ｍＡ）は、導電性電極３０８の良好なオーミック特性を反映して約３．８ボルト（Ｖ）となった。
【００３６】
【発明の効果】
本発明に依れば、台座電極と窓層を備えた半導体ＬＥＤにあって、窓層と高い接合障壁を形成する半導体層の開放発光領域に搾孔部を有する網状の電極を設ける構成としたので、開放発光領域の平面積を徒に減少させることなく、且つ台座電極から供給されるＬＥＤ駆動電流が窓層より導電性電極を介して流通できるため、ＬＥＤ駆動電流が開放発光領域に略均等に拡散され、発光強度の分布が均一で且つ高発光強度の半導体ＬＥＤが提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係わるＬＥＤの平面構造を示す平面模式図である。
【図２】図１に示すＬＥＤの破線Ｘ−Ｙに沿った断面模式図である。
【図３】本発明の第１１の実施形態に係わる導電性電極を備えたＬＥＤの平面模式図である。
【図４】本発明の第１２の実施形態に係わる導電性電極を備えたＬＥＤの平面模式図である。
【図５】本発明の第１３の実施形態に係わる導電性電極を備えたＬＥＤの平面模式図である。
【図６】本発明の第１４の実施形態に係わる導電性電極を備えたＬＥＤの平面模式図である。
【図７】本発明の第１４の実施形態に係わる導電性電極を備えた別のＬＥＤの平面模式図である。
【図８】本発明の第１５の実施形態に係わる導電性電極を備えたＬＥＤの平面模式図である。
【図９】本発明の第１５の実施形態に係わる導電性電極を備えた別のＬＥＤの平面模式図である。
【図１０】本発明の第１５の実施形態に係わる導電性電極を備えたまた別のＬＥＤの平面模式図である。
【図１１】本発明の実施例１に記載のＬＥＤの平面模式図である。
【図１２】図１１のＬＥＤの破線Ａ−Ａ’に沿った断面模式図である。
【図１３】本発明の実施例２に記載のＬＥＤの平面模式図である。
【図１４】図１３のＬＥＤの破線Ｂ−Ｂ’に沿った断面模式図である。
【符号の説明】
１Ａ    積層構造体
２Ａ    積層構造体
１０    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ
１０ａ  ｐｎ接合型ダブルヘテロ接合発光部
１０ｂ  ＬＥＤチップの外縁
２０    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ
３０    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ
４０    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ
５０    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ
６０    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ
７０    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ
８０    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ
９０    ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＬＥＤ
１００    ＡｌＧａＩｎＰ系ＬＥＤ
１００ｂ  ＬＥＤの外縁
１０１    単結晶基板
１０２    緩衝層
１０３    ブラッグ反射層
１０４    下部クラッド層
１０５    発光層
１０６    上部クラッド層
１０６ａ  開放発光領域
１０７    導電性電極
１０８    窓層
１０９    台座電極
１０９ａ  台座電極の射影領域
１１０    導電性電極
１１１    円形の搾孔部
１１２    楕円形の搾孔部
１１３    方形の搾孔部
１１４    六角形の搾孔部
１１５    帯状の搾孔部
ｄ    隣接する導電性電極間の間隔
Ｃ１    ＬＥＤチップの中心線
Ｃ２    ＬＥＤチップの中心線
Ｌ１    ＬＥＤチップの対角線
Ｌ２    ＬＥＤチップの対角線
Ｍ    ＬＥＤチップ（台座電極）の中心点
Ｑ    ＬＥＤチップのサイズ
Ｒ    台座電極の平面形状の中心点Ｍより導電性電極の形状中心に至る距離
２００    ＧａＩｎＮ系ＬＥＤ
２００ｂ  ＬＥＤの外縁
２０１    ｐ形ＧａＡｓ単結晶基板
２０２    ｐ形ＧａＡｓ緩衝層
２０３    ブラッグ反射層
２０４    ＡｌＧａＩｎＰ系下部クラッド層
２０５    ＡｌＧａＩｎＰ系発光層
２０６    ＡｌＧａＩｎＰ系上部クラッド層
２０６ａ  開放発光領域
２０７    導電性電極
２０７ａ  第１の円弧状搾孔部
２０７ｂ  第２の円弧状搾後部
２０７ｃ  円形の搾孔部
２０８    導電性透明酸化物窓層
２０９    台座電極
２０９ａ  台座電極の射影領域
２１０    ｐ形導電性電極
３０１    ｐ形Ｓｉ単結晶基板
３０２    ｐ形ＢＰ低温緩衝層
３０３    ｐ形ＢＰ高温緩衝層
３０４    ｐ形ＧａＮ下部クラッド層
３０５    ＧａＩｎＮ発光層
３０６    ｎ形ＡｌＧａＮ上部クラッド層
３０７    ｎ形ＧａＮコンタクト層
３０７ａ  開放発光領域
３０８    網状導電性電極
３０８ａ  長方形の搾孔部
３０８ｂ  長方形の搾孔部
３０９    導電性透明酸化物窓層
３１０    台座電極
３１０ａ  台座電極の射影領域
３１１    基板裏面側導電性電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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