(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを製造する方法であって、
基板上にコレクタ領域を形成するステップと、
前記コレクタ領域上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層に開口を画定するステップと、
前記絶縁層の内部に、前記開口の幅を越えて横方向に延びるキャビティを形成するステップと、
前記キャビティの内部に成長させたシリコン・ゲルマニウム層を含むベース領域を形成するステップと、
前記開口の内部に、エミッタ領域を画定するポリシリコン層を付着させるステップと、
前記開口の前記幅を越えて横方向に延びる前記ベース領域の部分を含むエキストリンシック・ベース領域を形成するステップとを含み、
前記エキストリンシック・ベース領域が、前記絶縁層の部分を除去することによって形成される、
方法。
【請求項２】
前記エキストリンシック・ベース領域を形成した後に、前記ベース領域中にベース・ドーパント材料をイオン注入するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ベース・ドーパント材料がホウ素である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記絶縁層を形成する前記ステップがさらに、
前記コレクタ領域上に酸化層スタックを形成するステップと、
前記酸化層スタック上に窒化層を形成するステップと
を含み、
前記開口は前記窒化層に形成され、
前記キャビティーは、前記酸化スタックに形成されることを特徴する、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記キャビティが、湿式化学エッチングによって前記絶縁層中に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記湿式化学エッチングが、フッ化水素酸緩衝液を用いて実行される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記酸化層スタックがさらに、
少なくとも１層の高圧酸化（ＨＩＰＯＸ）層と、
少なくとも１層のテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）層
を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
コレクタ、ベースおよびエミッタ領域を有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを製造する方法であって、
基板上に、前記コレクタ領域を画定するシリコン・エピタキシャル層を形成するステップと、
前記シリコン・エピタキシャル層上に酸化層スタックを形成するステップと、
前記酸化層スタック上に窒化層を形成するステップと、
前記窒化層の内部にエミッタ開口を画定するステップと、
前記酸化層スタックの内部に、前記エミッタ開口の幅を越えて横方向に延びるベース・キャビティを形成するステップと、
前記ベース・キャビティの内部に、前記ベース領域を画定するシリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層を成長させるステップと、
前記シリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層上に、前記エミッタ領域を画定するポリシリコン層を付着させるステップと、
前記エミッタ開口の前記幅を越えて横方向に延びる前記ベース領域の部分を含むエキストリンシック・ベース領域を形成するステップとを含み、
前記エキストリンシック・ベース領域が、前記酸化層スタックおよび前記窒化層の部分を除去することによって形成される、
方法。
【請求項９】
前記キャビティの内部に前記シリコン・ゲルマニウム層を成長させる前に、前記コレクタ領域中にコレクタ・ドーパント材料をイオン注入するステップをさらに含む、請求項１または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ベース・キャビティが、前記酸化層スタックおよび前記窒化層を形成した後に形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸化層スタックの厚さが、約５０から５００オングストロームである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１２】
前記窒化層の厚さが、前記酸化層スタックの厚さの約１から１０倍である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１３】
コレクタ、ベースおよびエミッタ領域を有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタであって、
基板上に形成された、前記コレクタ領域を画定するシリコン・エピタキシャル層と、
前記シリコン・エピタキシャル層上に形成された酸化層スタックと、
前記酸化層スタック上に形成された窒化層と、
前記窒化層の内部に画定されたエミッタ開口と、
前記酸化層スタックの内部に形成され、前記エミッタ開口の幅を越えて横方向に延びるベース・キャビティと、
前記ベース・キャビティの内部に成長させた、前記ベース領域を画定するシリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層と、
前記シリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層上に形成された、前記エミッタ領域を画定するポリシリコン層と、
前記エミッタ開口の前記幅を越えて横方向に延びる前記ベース領域の部分を含むエキストリンシック・ベース領域とを含み、
前記エキストリンシック・ベース領域が、前記酸化層スタックおよび前記窒化層の部分を除去することによって形成された、
ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項１４】
前記ベース・キャビティが、前記酸化層スタックおよび前記窒化層を形成した後に形成された、請求項１３に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【請求項１５】
前記ベース・キャビティの内部に前記シリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層を成長させる前に、前記コレクタ領域中にイオン注入されたコレクタ・ドーパント材料をさらに含む、請求項１３に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に半導体デバイスに関し、詳細には、ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高速通信およびディジタル信号処理の進歩と共に、それに伴うバイポーラ・トランジスタの特性の向上が求められている。例えば、できるだけ高い単位利得カットオフ周波数（unity-gain cutoff frequency）を得るためには、トランジスタのベース領域をできるだけ薄くしなければならない。他方、可能な最も高い振動周波数が達成されるのは、ベース抵抗が可能な限り小さいときである。バイポーラ・トランジスタのベース抵抗はベースが薄くなるにつれて増大するため、バイポーラ・トランジスタではこれらの要件が対立する。
【０００３】
シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）は、低いイントリンシック・ベース抵抗を有するｎｐｎトランジスタを製造する有効な手段を提供する。これは主として、ＨＢＴトランジスタの（例えばホウ素を用いた）ベース・ドーピングを、エミッタ注入効率を低下させることなく増大させることができることによる。さらに、ＳｉＧｅ中でのホウ素拡散はシリコン中よりも低く、これによって、高濃度にドーピングされてはいるがベース幅は薄いトランジスタが得られる。しかし既存のＨＢＴ製造技術にはプロセス統合上の問題がある。例えば、低温エピタキシャルＳｉ／ＳｉＧｅ層は一般に、トランジスタのアクティブ・エリアを画定した後に最初に成長させる層である。形成後、Ｓｉ／Ｇｅ層は続いて、酸化層、窒化層、エミッタの付着など、トランジスタの残りの要素の形成ステップ中に複数回の熱サイクルおよびドーパント注入を受ける。その結果、（例えばホウ素で）ドーピングされたベース層は不要な拡散を受け、成長させたベース層がたとえ薄くても、これによって最終的にベース幅が増大する可能性がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明は、以上に論じた従来技術の欠点および欠陥、ならびに他の欠点および欠陥を解決又は軽減する、コレクタ、ベースおよびエミッタ領域を有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを製造する方法を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の例示的な一実施形態ではこの方法が、基板上に、コレクタ領域を画定するシリコン・エピタキシャル層を形成するステップを含む。シリコン・エピタキシャル層上に酸化層スタックを形成し、次いで酸化層スタック上に窒化層を形成する。次に窒化層の内部にエミッタ開口を画定し、その後、酸化層スタックの内部にベース・キャビティを形成する。ベース・キャビティは、エミッタ開口の幅を越えて横方向に延びる。ベース・キャビティの内部に、ベース領域を画定するシリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層を成長させる。最後に、シリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層上に、エミッタ領域を画定するポリシリコン層を付着させる。
【０００６】
好ましい一実施形態では、ベース・キャビティが、酸化層スタックおよび窒化層を形成した後に形成される。さらに、ベース・キャビティの内部にシリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層を成長させる前に、コレクタ領域中にコレクタ・ドーパント材料をイオン注入する。エミッタ開口の幅を越えて横方向に延びるベース領域の部分を含むエキストリンシック・ベース領域が、酸化層スタックおよび窒化層の部分を除去することによって形成される。次いで、エキストリンシック・ベース領域を形成した後に、ベース領域中にホウ素をイオン注入する。
【０００７】
図面中、同種の要素には類似の符号が付けられている。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１から６に、基板１２のアクティブ・エリア１０内にヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを製造する既存のプロセスを示す。まず、図２に示すように、基板１２のアクティブ・エリア１０内にシリコン膜１４を成長させる。最終的にはシリコン膜１４にコレクタ領域が画定される。次いで、その直後にシリコン膜１４上にホウ素ドープ・シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層１６を成長させ、これによってＳｉＧｅ層１６とＳｉ膜１４の間にヘテロ接合を形成する。最終的には、ＳｉＧｅ層１６の内部にトランジスタのベース領域が画定される。
【０００９】
次いで、ＳｉＧｅ層１６上に純シリコンのキャップ１８を成長させて、図３に示すようにキャップの上に高圧酸化層（high-pressure oxidation layer：ＨＩＰＯＸ）２０を形成できるようにする。次いで、ＨＩＰＯＸ層上に窒化層２２を形成し、その上に別の酸化層２４、一般にはテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）層を付着させる。
【００１０】
図４を参照する。エミッタ領域を形成するため、ＴＥＯＳ層２４および窒化層２２のターゲット領域を、反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）などの垂直方向型のエッチング技法によって除去し、これによってエミッタ開口２６を製作する。ＨＩＰＯＸ層２０をウェット・エッチングした後でエミッタ開口２６が完成し、この間にシリコン・キャップ１８の一部分が消費される。エミッタ開口２６は最初、フォトレジスト材料（図示せず）を用いてパターニングされることに留意されたい。エミッタ開口２６の内部にエミッタを付着させる前には一般に、イオン注入によって自己整合コレクタ・ドーピングが実施される。この注入は、ＳｉＧｅベース層１６にも侵入する（したがってベース層１６を傷つける）。次いで図５に示すように、エミッタ開口２６の内部にポリシリコン・エミッタ２８を付着させる。最後に、エミッタ２８を付着させた後で、酸化層２０、２４および窒化層２２をパターニングし、次いでこれらをエッチングして除去し、これによってエキストリンシック・ベース領域３０を露出させ、次いでこの領域にホウ素をイオン注入する。
【００１１】
以上に説明した既存のプロセスの初期に形成されるＳｉＧｅ層１６は、ＨＩＰＯＸ層２０、ＴＥＯＳ層２４および窒化層２２の付着に起因する何回かの熱サイクルを受けることを理解されたい。さらに、コレクタのイオン注入も、ホウ素ドープ・ベース領域を通して実施される。したがって先に述べたとおり、熱アニール・サイクルとイオン注入の両方の効果によって、ベース領域で望ましくないホウ素拡散が生じ、ベース幅が大きくなる。
【００１２】
本発明の一実施形態に基づいて、シリコン・ゲルマニウム・ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを製造する一連のプロセスステップを図７〜１３に示す。最初に図７を参照する。シリコン基板１１２に、トランジスタ・デバイスのアクティブ・エリア１１０を画定する。アクティブ・エリア１１０は、浅いトレンチ分離（ＳＴｌ）領域１１４／シリコン膜層１１６間にあって、バイポーラ・キャビティ１１８を画定する。
【００１３】
次いで、図８に示すように、バイポーラ・キャビティ１１８を完全に満たし、シリコン膜１１６の上に横たわる第１の低温エピタキシャル・シリコン層１２０を付着させる。第１の低温エピタキシャル・シリコン層１２０は、超高真空化学蒸着（ＵＨＶ−ＣＶＤ）などの化学蒸着または他の適当な付着手段によって付着させることができる。最終的にはこの中に、ＨＢＴトランジスタのコレクタ領域が画定される。
【００１４】
図９から１１に、ＳｉＧｅベース層の実際の付着に先立つベースおよびエミッタ・キャビティ（または開口）の形成を示す。図９を参照する。第１の低温エピタキシャル・シリコン層１２０上に酸化層スタック１２２を付着させる。酸化層スタック１２２は、単一の酸化層または複数の酸化層を含むことができる。酸化層スタック１２２は例えば、１層または数層の高圧酸化（ＨＩＰＯＸ）層１２４と、低圧プラズマ（ＬＰ／ＰＥ）技法によって適用することができる１層または数層のテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）層１２６の互層を含むことができる。
【００１５】
酸化層スタック１２２は最終的に、エッチングで除去されてベース・キャビティを形成し、このベース・キャビティがＳｉＧｅベース層を含むことになる。したがって、酸化層スタック１２２の厚さは、所望のベース層の厚さと少なくとも同じであり、約５０から５００オングストロームとすることができる。酸化層スタックの厚さは約７５から１２５オングストロームであることが好ましく、約１００オングストロームであることがより好ましい。
【００１６】
次いで、酸化層スタック１２２の上に窒化シリコン層１２８を付着させる。窒化シリコン層１２８の厚さは、酸化層スタック１２２の厚さの約１から１０倍、好ましくは酸化層スタック１２２の厚さの約３から７倍である。窒化シリコン層１２８の厚さが、酸化層スタック１２２の厚さの約５倍であることが最も好ましい。したがって、酸化層スタック１２２の厚さを約１００オングストロームとした場合には、窒化シリコン層１２８の厚さを約５００オングストロームとする。窒化シリコン層１２８は、低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、または高密度プラズマ化学蒸着（ＨＤＰ−ＣＶＤ）などの化学蒸着技法によって付着させることができる。酸化層スタック１２２と窒化シリコン層１２８はともに絶縁層である。
【００１７】
次に図１０を参照する。フォトリソグラフィ技法を使用して窒化シリコン層１２８の上にレジスト・パターン１３０を配置する。レジスト・パターン１３０を使用して、窒化シリコン層１２８の内部にエミッタ・キャビティ１３２を画定し、これをエッチングする。キャビティ１３２は、反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）などの垂直方向型のエッチング技法を利用して形成することができる。エミッタ・キャビティ１３２を形成した後に、酸化層スタック１２２を直接に介したイオン注入によって、第１の低温エピタキシャル・シリコン層１２０（コレクタ領域）にドーピングを実施することができる。
【００１８】
次にレジスト・パターン１３０を除去し、その後、図１１に示すように、ウェット・エッチングまたは他の任意の非方向性（non-directional）エッチング・プロセスによって酸化層スタック１２２を除去して、ベース・キャビティ１３４を形成する。このウェット・エッチングは「オーバーエッチング」となり、これによってこのエッチングが、窒化シリコン層１２８の下で、エミッタ・キャビティ１３２の幅を越えて横方向に延び、そのため、その結果生じるベース・キャビティ１３４がエミッタ・キャビティ１３２よりも広くなることに留意されたい。ベース・キャビティ１３４にはベース層材料が充てんされる（したがってベース・キャビティ１３４はベース層材料の寸法を画定する）。ベース・キャビティ１３４をエミッタ・キャビティ１３２よりもどのくらい広くエッチングするかは、エキストリンシック・ベース領域の所望の大きさに基づいて決定する。
【００１９】
このウェット・エッチングは、フッ化水素酸（ＢＨＦ）緩衝液（約４０：１）などの化学薬品、または所望のオーバーエッチングの程度に基づく適当な酸化物／窒化物選択性を提供する他の適当なエッチング液を用いて実行することができる。このようにするとベース・キャビティ１３４を形成することができ、同時に、窒化シリコン層１２８内のエミッタ・キャビティ１３２の幾何形状の完全性が維持される。
【００２０】
次に図１２を参照する。ベース・キャビティ１３４内にシリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）ベース層１３６をエピタキシャル成長させ、これによって低温シリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層１３６を画定する。ベース・キャビティ１３４内での低温シリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層１３６の成長の間に、エミッタ・キャビティ１３２中にシリコン・ゲルマニウムの多少のオーバーフローが起こることが予想される。ベース・キャビティ１３４中へのＳｉＧｅの付着は、低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）、超高真空化学蒸着（ＵＨＶ−ＣＶＤ）、プラズマ化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）、高密度プラズマ化学蒸着（ＨＤＰ−ＣＶＤ）などの化学蒸着技法によって実施することができる。
【００２１】
使用するベース付着技法は、ベース・キャビティ１３４の内部でＳｉＧｅ材料の低温エピタキシー（ＬＴＥ）を引き起こされるように選択することが好ましい。ＬＴＥ温度および圧力でのＳｉＧｅの成長は、酸化物および窒化物に比べて大幅な核形成遅れを表し、同時に、結晶シリコンに比べて大きなＳｉＧｅ成長速度を提供するので、窒化シリコン層１２８のオーバーハング部分の下のベース・キャビティ１３４内のＳｉＧｅの成長およびプロファイルは、エミッタ・キャビティ１３２の直下のそれと実質的に同一である。したがって、ＳｉＧｅベース層１３６の成長を、酸化層および窒化層の形成の後、ならびにコレクタ領域のドーピングの後にまで遅らせることができることを理解されたい。形成後、ベース層１３６に、好ましくはホウ素を用いてｉｎ  ｓｉｔｕでドーピングを実施する。次いでベース層１３６に、イントリンシック・シリコン・キャップ１３８をかぶせる。核形成遅れのため、エミッタ・キャビティ１３２の側壁にＳｉＧｅベース層１３６はほとんど、または全く成長しない。
【００２２】
最後に、図１３に示すように、エミッタ・キャビティ１３２中にポリシリコン層を付着させてエミッタ１４０を形成する。エミッタ１４０の付着がエミッタ・キャビティ１３２をオーバーフローし、周囲の窒化シリコン層１２８の一部をおおう可能性がある。次いで、エミッタ１４０、窒化層１２８および酸化層１２６の一部分をエッチングで除去して、エキストリンシック・ベース１３６ａを露出させる。リソグラフィによってエキストリンシック・ベース１３６ａをさらに整形し、次いで、図１３の点線１４２で示すようにホウ素または二フッ化ホウ素をドーピングする。
【００２３】
ＨＩＰＯＸ、ＴＥＯＳおよび窒化シリコン層を形成した後でベース・キャビティ１３４を形成し、ベース層１３６を付着させることによって、ベース層１３６は、これらの層の形成に起因する熱サイクルにさらされない。さらにコレクタ注入は、ホウ素ドープ・ベース層１３６を通してではなく、ベース層１３６を付着させる前に実行される。したがって、製造プロセス中のホウ素の拡散は大幅に低減し、したがって低ベース幅のデバイスが生産される。
【００２４】
本発明を、好ましい実施形態に関して説明してきたが、当業者なら、本発明の範囲から逸脱することなしにさまざまな変更を加えられること、およびその要素を他の同等物に置き換えることができることを理解しよう。さらに、特定の状況または材料に適合させる目的で、本発明の必須の範囲から逸脱することなく本発明の教示に多くの修正を加えることができる。したがって、本発明は、発明実施の最良の形態として開示した特定の実施形態に限定されるものではなく、添付の請求項の範囲に含まれる全ての実施形態を含むものである。
【００２５】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００２６】
（１）トランジスタを製造する方法であって、
基板上にコレクタ領域を形成するステップと、
前記コレクタ領域上に絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層の一部分に開口を画定するステップと、
前記絶縁層の別の部分に、前記開口の幅を越えて横方向に延びるキャビティを形成するステップと、
前記キャビティの内部にベース領域を形成するステップと、
前記開口の内部に、エミッタ領域を画定するポリシリコン層を付着させるステップ
を含む方法。
（２）前記ベース領域がさらに、前記キャビティの内部に成長させたシリコン・ゲルマニウム層を含む、前記（１）に記載の方法。
（３）前記絶縁層を形成する前記ステップがさらに、
前記コレクタ領域上に酸化層スタックを形成するステップと、
前記酸化層スタック上に窒化層を形成するステップ
を含む、前記（２）に記載の方法。
（４）前記キャビティの内部に前記シリコン・ゲルマニウム層を成長させる前に、前記コレクタ領域中にコレクタ・ドーパント材料をイオン注入するステップをさらに含む、前記（２）に記載の方法。
（５）エキストリンシック・ベース領域を形成するステップをさらに含み、前記エキストリンシック・ベース領域が、前記開口の前記幅を越えて横方向に延びる前記ベース領域の部分を含み、前記エキストリンシック・ベース領域が、前記絶縁層の部分を除去することによって形成される、前記（２）に記載の方法。
（６）前記エキストリンシック・ベース領域を形成した後に、前記ベース領域中にベース・ドーパント材料をイオン注入するステップをさらに含む、前記（５）に記載の方法。
（７）前記ベース・ドーパント材料がホウ素である、前記（６）に記載の方法。
（８）前記キャビティが、湿式化学エッチングによって前記絶縁層中に形成される、前記（２）に記載の方法。
（９）前記湿式化学エッチングが、フッ化水素酸緩衝液を用いて実行される、前記（８）に記載の方法。
（１０）前記酸化層スタックがさらに、
少なくとも１層の高圧酸化（ＨＩＰＯＸ）層と、
少なくとも１層のテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）層
を含む、前記（３）に記載の方法。
（１１）コレクタ、ベースおよびエミッタ領域を有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを製造する方法であって、
基板上に、前記コレクタ領域を画定するシリコン・エピタキシャル層を形成するステップと、
前記シリコン・エピタキシャル層上に酸化層スタックを形成するステップと、
前記酸化層スタック上に窒化層を形成するステップと、
前記窒化層の内部にエミッタ開口を画定するステップと、
前記酸化層スタックの内部に、前記エミッタ開口の幅を越えて横方向に延びるベース・キャビティを形成するステップと、
前記ベース・キャビティの内部に、前記ベース領域を画定するシリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層を成長させるステップと、
前記シリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層上に、前記エミッタ領域を画定するポリシリコン層を付着させるステップ
を含む方法。
（１２）前記ベース・キャビティが、前記酸化層スタックおよび前記窒化層を形成した後に形成される、前記（１１）に記載の方法。
（１３）前記ベース・キャビティの内部に前記シリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層を成長させる前に、前記コレクタ領域中にコレクタ・ドーパント材料をイオン注入するステップをさらに含む、前記（１１）に記載の方法。
（１４）エキストリンシック・ベース領域を形成するステップをさらに含み、前記エキストリンシック・ベース領域が、前記エミッタ開口の前記幅を越えて横方向に延びる前記ベース領域の部分を含み、前記エキストリンシック・ベース領域が、前記酸化層スタックおよび前記窒化層の部分を除去することによって形成される、前記（１１）に記載の方法。
（１５）前記エキストリンシック・ベース領域を形成した後に、前記ベース領域中にベース・ドーパント材料をイオン注入するステップをさらに含む、前記（１４）に記載の方法。
（１６）前記ベース・ドーパント材料がホウ素である、前記（１５）に記載の方法。
（１７）前記ベース・キャビティが、湿式化学エッチングによって前記酸化層スタック中に形成される、前記（１２）に記載の方法。
（１８）前記湿式化学エッチングが、フッ化水素酸緩衝液を用いて実行される、前記（１７）に記載の方法。
（１９）前記酸化層スタックがさらに、
少なくとも１層の高圧酸化（ＨＩＰＯＸ）層と、
少なくとも１層のテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）層
を含む、前記（１１）に記載の方法。
（２０）前記酸化層スタックの厚さが、約５０から５００オングストロームである、前記（１９）に記載の方法。
（２１）前記酸化層スタックの厚さが、約７５から１２５オングストロームである、前記（１９）に記載の方法。
（２２）前記酸化層スタックの厚さが約１００オングストロームである、前記（１９）に記載の方法。
（２３）前記窒化層の厚さが、前記酸化層スタックの厚さの約１から１０倍である、前記（２０）に記載の方法。
（２４）前記窒化層の厚さが、前記酸化層スタックの厚さの約３から７倍である、前記（２１）に記載の方法。
（２５）前記窒化層の厚さが、前記酸化層スタックの厚さの約５倍である、前記（２２）に記載の方法。
（２６）コレクタ、ベースおよびエミッタ領域を有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタであって、
基板上に形成された、前記コレクタ領域を画定するシリコン・エピタキシャル層と、
前記シリコン・エピタキシャル層上に形成された酸化層スタックと、
前記酸化層スタック上に形成された窒化層と、
前記窒化層の内部に画定されたエミッタ開口と、
前記酸化層スタックの内部に形成され、前記エミッタ開口の幅を越えて横方向に延びるベース・キャビティと、
前記ベース・キャビティの内部に成長させた、前記ベース領域を画定するシリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層と、
前記シリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層上に形成された、前記エミッタ領域を画定するポリシリコン層を付着させるステップ
を含むヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（２７）前記ベース・キャビティが、前記酸化層スタックおよび前記窒化層を形成した後に形成された、前記（２６）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（２８）前記ベース・キャビティの内部に前記シリコン・ゲルマニウム・エピタキシャル層を成長させる前に、前記コレクタ領域中にイオン注入されたコレクタ・ドーパント材料をさらに含む、前記（２６）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（２９）エキストリンシック・ベース領域をさらに含み、前記エキストリンシック・ベース領域が、前記エミッタ開口の前記幅を越えて横方向に延びる前記ベース領域の部分を含み、前記エキストリンシック・ベース領域が、前記酸化層スタックおよび前記窒化層の部分を除去することによって形成された、前記（２６）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（３０）前記エキストリンシック・ベース領域を形成した後に、前記ベース領域中にイオン注入されたベース・ドーパント材料をさらに含む、前記（２９）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（３１）前記ベース・ドーパント材料がホウ素である、前記（３０）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（３２）前記ベース・キャビティが、湿式化学エッチングによって前記酸化層スタック中に形成された、前記（２７）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（３３）前記湿式化学エッチングが、フッ化水素酸緩衝液を用いて実行された、前記（３２）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（３４）前記酸化層スタックがさらに、
少なくとも１層の高圧酸化（ＨＩＰＯＸ）層と、
少なくとも１層のテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）層
を含む、前記（２６）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（３５）前記酸化層スタックの厚さが、約５０から５００オングストロームである、前記（３４）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（３６）前記酸化層スタックの厚さが、約７５から１２５オングストロームである、前記（３４）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（３７）前記酸化層スタックの厚さが、約１００オングストロームである、前記（３４）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（３８）前記窒化層の厚さが、前記酸化層スタックの厚さの約１から１０倍である、前記（３５）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（３９）前記窒化層の厚さが、前記酸化層スタックの厚さの約３から７倍である、前記（３６）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
（４０）前記窒化層の厚さが、前記酸化層スタックの厚さの約５倍である、前記（３７）に記載のヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ。
【図面の簡単な説明】
【図１】ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを形成する既存のプロセスを示す断面図である。
【図２】ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを形成する既存のプロセスを示す図１の後の断面図である。
【図３】ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを形成する既存のプロセスを示す図２の後の断面図である。
【図４】ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを形成する既存のプロセスを示す図３の後の断面図である。
【図５】ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを形成する既存のプロセスを示す図４の後の断面図である。
【図６】ヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを形成する既存のプロセスを示す図５の後の断面図である。
【図７】コレクタ、ベースおよびエミッタ領域を有する本発明の一実施形態に基づくヘテロ接合バイポーラ・トランジスタを形成するためのアクティブ・エリアの断面図である。
【図８】図７に示したアクティブ・エリアへのコレクタ層の付着を示す図である。
【図９】コレクタ層上への酸化層および窒化層の付着を示す図である。
【図１０】図９に示した窒化層およびフォトレジスト層の内部のエミッタ・キャビティの形成を示す図である。
【図１１】酸化層の内部のベース・キャビティの形成を示す図である。
【図１２】図１１に示したベース・キャビティの内部のベース層の形成を示す図である。
【図１３】エミッタ層の形成およびエキストリンシック・ベースのドーピングを示す図である。
【符号の説明】
１０  基板１２のアクティブ・エリア
１２  基板
１４  シリコン膜
１６  ホウ素ドープ・シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層
１８  純シリコン・キャップ
２０  高圧酸化層（ＨＩＰＯＸ）
２２  窒化層
２４  酸化層
２６  エミッタ開口
２８  ポリシリコン・エミッタ
３０  エキストリンシック・ベース領域
１１０  シリコン基板１１２のアクティブ・エリア
１１２  シリコン基板
１１４  浅いトレンチ分離（ＳＴｌ）領域
１１６  シリコン膜層
１１８  バイポーラ・キャビティ
１２０  第１の低温エピタキシャル・シリコン層
１２２  酸化層スタック
１２４  高圧酸化（ＨＩＰＯＸ）層
１２６  テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）層
１２８  窒化シリコン層
１３０  レジスト・パターン
１３２  エミッタ・キャビティ
１３４  ベース・キャビティ
１３６  シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）ベース層
１３６ａ  エキストリンシック・ベース
１３８  イントリンシック・シリコン・キャップ
１４０  エミッタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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