(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタイザを単電源で動作させかつセンサコイルへの高周波信号の送信時に交流電流を送出するべくセンサコイルのＣＯＭ端を所定の電圧に持ち上げるためにセンサコイルにレファレンス電位を供給するレファレンス回路において、
高周波信号をセンサコイルに送信する時は前記レファレンス回路の出力インピーダンスを高くしてセンサコイルからレファレンス回路への電流の流れ込みを低減し、センサコイルから応答信号を受信する時は前記レファレンス回路の前記出力インピーダンスが低くなるように切替えることを特徴とするデジタイザのセンサコイル用可変インピーダンス・レファレンス回路。
【請求項２】
レファレンス回路内に、ゲインを切替えるための開閉器を有するループゲイン調整回路部を備え、前記開閉器の開閉により前記ゲインを切替えることによって前記レファレンス回路の出力インピーダンスの大きさを切替えることを特徴とする請求項１に記載のデジタイザのセンサコイル用可変インピーダンス・レファレンス回路。
【請求項３】
デジタイザを単電源で動作させかつセンサコイルへの高周波信号の送信時に交流電流を送出するべくセンサコイルのＣＯＭ端を所定の電圧に持ち上げるためにセンサコイルにレファレンス電位を供給するレファレンス回路において、高周波信号をセンサコイルに送信する時は前記レファレンス回路の出力インピーダンスを高くしてセンサコイルからレファレンス回路への電流の流れ込みを低減し、センサコイルから応答信号を受信する時は前記レファレンス回路の前記出力インピーダンスが低くなるように切替えることを特徴とするデジタイザのセンサコイル用レファレンス回路の出力インピーダンス可変方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピュータの入力装置の１つであるデジタイザに使用するアナログＩＣの回路に関し、特に消費電流を削減する可変インピーダンス機能を有するレファレンス回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、デジタイザは、レファレンス回路を組み込んで構成されている。このデジタイザのアナログＩＣのレファレンス回路は、種々のものが知られている。デジタイザ用アナログＩＣでは、単電源で動作させ、送信時に交流電流を送出できるように、センサコイルのＣＯＭ端をレファレンス回路を用いて０．５Ｖｃｃに持ち上げている。このＣＯＭ端を０．５Ｖｃｃとするレファレンス回路は、センサコイルからの信号を応答信号受信装置が受信する際、ノイズに強くするため低出力インピーダンスに設計されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、高周波信号送信器がセンサコイルに高周波信号を送信する際、高周波信号送信器のドライバ回路から送出された高周波電流をバイパスコンデンサが受け止めるよう回路が構成されているにもかかわらず、レファレンス回路の出力インピーダンスが低いため、センサコイルからレファレンス回路に電流が流れ込み消費電流が増大してしまう。
【０００４】
このように、従来の方式は、センサコイルからの信号を受信装置が受信するノイズを低減するために、レファレンス回路の出力インピーダンスを低く設計している。従って、高周波信号送信器からセンサコイルへ信号を送信する時にバイパスコンデンサに蓄積した電荷までレファレンス回路が吸い込んでしまい、送信電流が無駄になっていた。
【０００５】
以上の現状に鑑み、本発明は、高周波信号の送信動作時と受信動作時で、レファレンス回路の出力インピーダンスを切替える機能を備え、高周波信号の送信時は、高周波信号送信器のドライバの送出電流を吸収しないようにレファレンス回路の出力インピーダンスを高インピーダンスに切替え、受信動作時は、ノイズに弱くならないようにレファレンス回路の出力インピーダンスを低インピーダンスにするよう切替えることができる可変インピーダンス・レファレンス回路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明による、デジタイザのセンサコイル用可変インピーダンス・レファレンス回路は、デジタイザを単電源で動作させかつセンサコイルへの高周波信号の送信時に交流電流を送出するべくセンサコイルのＣＯＭ端を所定の電圧に持ち上げるためにセンサコイルにレファレンス電位を供給するレファレンス回路において、高周波信号をセンサコイルに送信する時はレファレンス回路の出力インピーダンスを高くしてセンサコイルからレファレンス回路への電流の流れ込みを低減し、センサコイルから応答信号を受信する時はレファレンス回路の出力インピーダンスが低くなるよう切替える。これによって、消費電流を削減する。また、レファレンス回路内に、ゲインを切替えるための開閉器を有するループゲイン調整回路部を備え、開閉器の開閉によりゲインを切替えることによってレファレンス回路の出力インピーダンスの大きさを切替える。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。先ず、本発明の可変インピーダンス・レファレンス回路を説明する前に、ゲインと出力インピーダンスとの間の関係を簡単に説明する。
【０００８】
レファレンス回路の出力インピーダンスは、レファレンス回路のループゲインを変化することで、変化することがわかっている。ループゲインが高いと低インピーダンスとなり、低いと高インピーダンスとなる。
【０００９】
図１は、ゲインと出力インピーダンスの関係を説明するための図である。ここで、回路１０は、ｎチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタとｐチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタ等で構成し、出力インピーダンスＺｏ及びゲインＡを有すると仮定する。この回路で、出力をＩＮ１へ接続して、１倍のボルテージフォロア型のレファレンス回路を構成した場合の出力インピーダンスを鳳−テブナンの定理を用いて求める。入力ＩＮ２に電圧Ｖを入力した場合、出力端解放電圧Ｖｏ及び出力端のＳＷｏを閉じた時のＧＮＤ短絡電流Ｉｓは、
Ｖｏ＝Ｖ・Ａ／(Ａ＋１)
Ｉｓ＝Ｖ・Ａ／Ｒｏ
となり、出力インピーダンスＺｏは、以下の式で求まる。
Ｚｏ＝Ｖｏ／Ｉｓ＝Ｒｏ／(Ａ＋１)
従って、出力インピーダンスＺｏとゲインＡは、互いにほぼ反比例の関係にある。
【００１０】
図２は、さらに図１に基づき、回路１０の出力インピーダンスと帰還抵抗の関係を説明するための図である。この回路は、帰還抵抗Ｒｆにほぼ比例したゲインＡが得られるようになっている。このゲインＡは、後で述べる図３および図４における差動増幅回路部の相互コンダクタンスをｇｍとしたとき、
Ａ≒ｇｍ・Ｒｆ
となる。つまり、ゲインＡと帰還抵抗値Ｒｆは比例の関係をもつ。言い換えると、前に述べたように「出力インピーダンスＺｏとゲインＡは、互いにほぼ反比例」と、この「ゲインＡと帰還抵抗値Ｒｆは比例」から、「出力インピーダンスと帰還抵抗値はほぼ反比例」の関係にある。
【００１１】
図３は、本発明の可変インピーダンス・レファレンス回路の回路図である。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１のソース電極は、グラウンド接地する。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１のドレイン電極はｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１のドレイン電極と接続する。ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１のゲート電極には、抵抗素子Ｒ１を介して電源Ｖｃｃと接続し、さらに抵抗素子Ｒ２を介してグラウンド接地することによって、抵抗素子Ｒ１及びＲ２によって分割された電圧を印加する。ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１及びｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１は第１の直列接続回路を構成する。ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１のソース電極は、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ２のソース電極と接続する。ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ２のドレイン電極はｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ２のドレイン電極と接続する。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ２のゲート電極はｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１のゲート電極と接続し、さらにｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ２のドレイン電極と接続する。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ２のソース電極はグラウンド接地する。ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ２とｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ２は第２の直列接続回路を構成する。第１及び第２の直列接続回路は、定電流源Ｉ１を介して電源Ｖｃｃと接続し、差動増幅回路を構成する。また、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１及びＭＮ２はカレントミラー回路を構成する。
【００１２】
次いで、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ３のソース電極は、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ３のソース電極と接続する。ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ３のドレイン電極は、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ５のドレイン電極と接続する。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ５のゲート電極は、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１及びｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１のドレイン電極と接続する。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ５のソース電極はグラウンド接地する。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ４のドレイン電極は電源Ｖｃｃ接続し、ゲート電極は、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ３のゲート電極及びドレイン電極と接続する。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ４のソース電極は、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ４のソース電極と接続し、レファレンス出力端子ＯＵＴ１と接続し、さらにｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ２のゲート電極と接続する。ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ４は、ゲート電極をｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ３のゲート電極及びドレイン電極と接続し、ドレイン電極をグラウンド接地する。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ３、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ３、そしてｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ５は、第３の直列接続回路を構成する。第３の直列接続回路は、定電流源Ｉ２を介して電源Ｖｃｃと接続し、定電流が流れる。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ４とｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ４は第４の直列接続回路を構成する。ここで、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ３及びｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ３は、電圧増幅段のバイアス回路を構成する。
さらに、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ５のゲート電極とドレイン電極の間には、開閉器ＳＷ１により接続断絶される抵抗素子Ｒ３及びこれと並列な抵抗素子Ｒ４、さらにこれらの抵抗素子と直列に接続されたコンデンサＣ１が接続されている。尚、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ５のゲート電極とドレイン電極の間には、位相補償用回路として抵抗素子Ｒ５及びコンデンサＣ２が接続されているが、これらは出力インピーダンス特性にはほとんど関与しない。
【００１３】
ここで、図３に示したレファレンス回路の動作を説明する。このレファレンス回路は、初期状態では、
▲１▼ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ４のソース電極と接続するレファレンス出力端子ＯＵＴ１は、最初は通常０Ｖであり、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ２のゲートにこの０Ｖの電圧、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１のゲートに抵抗素子Ｒ１と抵抗素子Ｒ２によってＶｃｃを分圧したＶｃｃ／２の電圧が入力される。
▲２▼これによって、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１がＯＦＦとなり、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ２がＯＮとなり、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ２のソースにＩ１の電流が流れ込む。
▲３▼このとき、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ２に同様のＩ１のドレイン電流が流れるため、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ２のドレインにＩ１の電流が流れ込む。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１とカレントミラー回路を構成しているため、このＭＮ１にもＩ１と同じ大きさのドレイン電流が流れる。
▲４▼ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１とｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１のドレイン電流の差、即ち、Ｉ１の大きさの電流でコンデンサＣ１を充電する。すると同時にｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ５のゲート電圧が下がり、ＯＦＦに近い状態となる。なお、コンデンサＣ２及びＲ５は位相補償用で、コンデンサＣ２の容量はコンデンサＣ１の容量に比べて非常に小さく、回路電流は無視する。
▲５▼ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ５のドレイン電圧はコンデンサＣ１の充電速度で電圧上昇し、その結果、レファレンス出力端子ＯＵＴ１もほぼ、この上昇電圧に合わせて電圧上昇し始める。
【００１４】
次いで、以下のように平衡状態に達する。
▲１▼レファレンス出力端子ＯＵＴ１の電圧がＶｃｃ／２に達したとき、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１とｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ２がバランスして、共にＩ１／２の電流が流れる。
▲２▼このとき、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ２、ＭＮ１のドレインには、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ２のドレイン電流と同じＩ１／２の電流が流れる。
▲３▼次いで、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１及びｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１のドレイン電流の差が零となるため、コンデンサＣ１は充放電されなくなり、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ５のドレイン電圧は一定となり、レファレンス出力端子ＯＵＴ１の電圧はＶｃｃ／２の値で平衡を保つ。
【００１５】
次に、レファレンス出力端子ＯＵＴ１の出力電圧が過大状態の場合を説明する。
▲１▼電流の方向を無視し、大小比較表現を絶対値で表現すれば、レファレンス出力端子ＯＵＴ１の電圧がＶｃｃ／２より大きくなった場合、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１の方がｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ２よりドレイン電流が増加し、よって、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ２、ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１のドレイン電流よりも大きくなる。
▲２▼ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１及びｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１のドレイン電流の差は、コンデンサＣ１を放電すると同時にｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ５のゲート電圧を上げるため、このｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ５のドレイン電流を増加させる。
▲３▼ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ５のドレイン電圧はコンデンサＣ１の放電速度で電圧降下し、その結果、レファレンス出力端子ＯＵＴ１もほぼ、この降下電圧に合わせて電圧降下し、Ｖｃｃ／２になったところで平衡する。
【００１６】
ループゲイン調整回路部αで示した抵抗素子Ｒ４と抵抗素子Ｒ３及び開閉器ＳＷ１の直列接続との並列接続は、前述の帰還抵抗Ｒｆに相当する。また、抵抗素子Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、コンデンサＣ１、Ｃ２を除いた回路は、図２の増幅回路１１に相当する。
【００１７】
ここで、ループゲイン調整回路部αの開閉器ＳＷ１の開閉操作による抵抗値の変化を説明する。開閉器ＳＷ１をＯＮすることによって、抵抗素子Ｒ３及びＲ４は並列接続される。合成抵抗値Ｒtotalは、抵抗素子Ｒ３、Ｒ４の抵抗値をそれぞれｒ３、ｒ４とすると、
Ｒtotal＝ｒ３・ｒ４／（ｒ３＋ｒ４）
となる。従って、Ｒtotalとｒ４の大小関係は、
Ｒtotal＜ｒ４
となり、合成抵抗値が減少する。つまり、前に述べた帰還抵抗Ｒｆに相当する値が減少することとなり、「出力インピーダンスと帰還抵抗値はほぼ反比例」の関係に基づき、出力インピーダンスが増加する。ここで、同図に示すように、第１の直列接続回路および第２の直列接続回路は、差動増幅機能を有する差動増幅段である。抵抗素子Ｒ３、Ｒ４，及びＲ５、コンデンサＣ１及びＣ２並びに第３の直列接続回路は、電圧増幅段である。第４の直列接続回路は、電流増幅のための電流増幅段である。
【００１８】
図４は、本発明の可変インピーダンス・レファレンス回路の他の実施例を示す回路図である。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１２のソース電極は、グラウンド接地する。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１２のドレイン電極はｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１０のドレイン電極と接続する。ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１０のゲート電極には、抵抗素子Ｒ１０を介して電源Ｖｃｃと接続し、さらに抵抗素子Ｒ１１を介してグラウンド接地することによって、抵抗素子Ｒ１０及びＲ１１によって分割された電圧を印加する。ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１０及びｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１２は第１の直列接続回路を構成する。ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１０のソース電極は、ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１１のソース電極と接続する。ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１１のドレイン電極はｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１３のドレイン電極と接続する。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１３のゲート電極はｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１２のゲート電極と接続し、さらにｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１２のドレイン電極と接続する。ｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１３のソース電極はグラウンド接地する。ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１１とｎチャネル電界効果トランジスタＭＮ１３は第２の直列接続回路を構成する。第１及び第２の直列接続回路は、定電流源Ｉ１０と接続し、差動増幅回路を構成する。
【００１９】
ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１１のドレイン電極は、コンデンサＣ１０と接続し、増幅回路の応答特性を調整する。さらにｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１１のドレイン電極はＮＰＮトランジスタＴｒ３及びＰＮＰトランジスタＴｒ４のベースと接続する。ＮＰＮトランジスタＴｒ３のコレクタは、電源Ｖｃｃと接続し、エミッタは定電流源Ｉ１２を介して接地する。ＮＰＮトランジスタＴｒ３のエミッタは、ＰＮＰトランジスタＴｒ２のベースと接続し、ＰＮＰトランジスタＴｒ２を駆動する。ＰＮＰトランジスタＴｒ４のエミッタは、定電流源Ｉ１１と接続すると共に定電流源Ｉ１１を介して電源Ｖｃｃに接続され、コレクタはグラウンド接地する。またＰＮＰトランジスタＴｒ４のエミッタは、ＮＰＮトランジスタＴｒ１のベースと接続し、ＮＰＮトランジスタＴｒ１を駆動する。ＮＰＮトランジスタＴｒ１のコレクタは、電源Ｖｃｃと接続し、エミッタはレファレンス出力端子ＯＵＴ２とＰＮＰトランジスタＴｒ２のエミッタと接続する。ＰＮＰトランジスタＴｒ２のコレクタはグラウンド接地する。ＮＰＮトランジスタＴｒ１とＰＮＰトランジスタＴｒ２は、コンプリメンタリＳＥＰＰ（Single Ended Push-Pull）回路を構成するので、出力は合成されてレファレンス出力端子ＯＵＴ２に出力する。
【００２０】
ｐチャネル電界効果トランジスタＭＰ１１のドレイン電極からの出力は、ＮＰＮトランジスタＴｒ３及びＰＮＰトランジスタＴｒ４のベースにそれぞれ入力され、エミッタフォロアすると同時にループゲイン調整回路部βと接続する。ループゲイン調整回路部βで示す抵抗素子Ｒ１２と開閉器ＳＷ２の直列接続と抵抗素子Ｒ１３の並列接続は、前に述べた帰還抵抗Ｒｆに相当する。ＳＷ２を閉じることによって、既に述べたように、ループゲイン調整回路部βで示す抵抗値が減少し、ゲインが減少し、出力インピーダンスが増大する。
【００２１】
以上述べたように、オープンループゲインは、図３または図４に示す方法で、例えば図３のＳＷ１（もしくは図４のＳＷ２）をＯＮすればゲイン低下し、レファレンスの出力が高インピーダンスになり、例えば図３のＳＷ１（もしくは図４のＳＷ２）をＯＦＦすればゲイン上昇し、低インピーダンスになる。
【００２２】
図５は、本発明のレファレンス回路の開閉器の開閉による出力インピーダンスの変化を、横軸のデジタイザの周波数と縦軸の出力インピーダンスとの関係で示す。同図に示すように、本発明は、レファレンス回路の出力インピーダンスを切替えられるようにしたので、センサコイルからの信号を受信装置が受信する時は開閉器ＳＷをＯＦＦすることによってノイズ低減のためレファレンス回路の出力インピーダンスを低インピーダンスとし、高周波信号送信器がセンサコイルへ信号を送信する時は開閉器ＳＷをＯＮすることによってバイパスコンデンサの電荷を吸い込まないようレファレンス回路の出力インピーダンスを高インピーダンスにする。デジタイザの送信信号周波数においては、外付けバイパスコンデンサのインピーダンスより高くなるため、放電損失が減少する。従って、センサコイルからの信号を受信する時のノイズ低減を可能とし、センサコイルへ信号を送信するときの電流ロスをも低減できる。なお、デジタイザに組み込まれる可変インピーダンス・レファレンス回路は、レファレンス回路内に、ゲインを切替えるための開閉器を有するループゲイン調整回路部を備え、開閉器の開閉により前記ゲインを切替えることによってレファレンス回路の出力インピーダンスの大きさを切替える方法を開示したが、他の方法による出力インピーダンスの大きさを切替える回路であってもよいことは言うまでもない。
【００２３】
図６は、出力インピーダンスの大きさを切替えるレファレンス回路の他の実施例の機能概要を説明するための図である。ここで、差動増幅器ＯＰの出力インピーダンスをＲｏ、出力抵抗をＲｘとすると、レファレンス回路の出力インピーダンスＺｏは、開閉器ＳＷを（１）側に切り換えた場合は、
Ｚｏ＝（Ｒｏ＋Ｒｘ）／(Ａ＋１)
となり出力インピーダンスＺｏは小さいが、開閉器ＳＷを（２）側に切り換えた場合は、
Ｚｏ＝Ｒｘ＋Ｒｏ／(Ａ＋１)
となり大きくなる。従って、開閉器ＳＷを切り換えることによって、出力インピーダンスＺｏを切り換えることができる。
【００２４】
尚、上記の説明において、回路中のトランジスタは、バイポーラトランジスタであってもＦＥＴであってもよい。
【００２５】
【発明の効果】
以上のように、本発明は、レファレンス回路の出力インピーダンスを切替えられるようにしたので、センサコイルからの信号を受信する時はノイズ低減のためレファレンス回路の出力インピーダンスを低インピーダンスとし、センサコイルへ信号を送信する時はバイパスコンデンサの電荷を吸い込まないようレファレンス回路の出力インピーダンスを高インピーダンスにしたので、センサコイルからの信号を受信する時のノイズ低減を果たしつつ、センサコイルへ信号を送信するときの電流ロスをも低減できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】ゲインと出力インピーダンスの関係を説明するための図である。
【図２】図１の回路の出力インピーダンスと帰還抵抗の関係を説明するための図である。
【図３】本発明の可変インピーダンス・レファレンス回路の回路図である。
【図４】本発明の可変インピーダンス・レファレンス回路の他の実施例を示す回路図である。
【図５】図５は、本発明のレファレンス回路の出力インピーダンスの開閉器の開閉による変化を、横軸の周波数と縦軸の出力インピーダンスとの関係で示す。
【図６】図６は、出力インピーダンスの大きさを切替える回路の他の実施例の機能概要を説明するための図である。
【符号の説明】
Ｒｏ  抵抗素子
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５  抵抗素子
Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３  抵抗素子
Ｒｆ  帰還抵抗
Ｃ１、Ｃ２、Ｃ１０  コンデンサ
Ｖ  入力電圧
Ｖｏ  出力端解放電圧
Ｖｃｃ  電源電圧
Ｉｓ  ＧＮＤ短絡電流
Ｉ１、Ｉ２  定電流源
Ｉ１０、Ｉ１１、Ｉ１２  定電流源
ＭＰ１、ＭＰ２、ＭＰ３、ＭＰ４  ｐチャネル電界効果トランジスタ
ＭＰ１０、ＭＰ１１  ｐチャネル電界効果トランジスタ
ＭＮ１、ＭＮ２、ＭＮ３、ＭＮ４、ＭＮ５、ｎチャネル電界効果トランジスタ
ＭＮ１２、ＭＮ１３  ｎチャネル電界効果トランジスタ
ＴＲ１、ＴＲ３  ＮＰＮトランジスタ
ＴＲ２、ＴＲ４  ＰＮＰトランジスタ
ＳＷｏ、ＳＷ１、ＳＷ２  開閉器
α、β  ループゲイン調整回路部
【図１】
0004026048.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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