(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレンのカルボニル化を触媒することができる触媒であって、
（ａ）パラジウム金属またはその化合物；および、
（ｂ）一般式（Ｉ）の二座配位ホスフィン、
0003949716.tif 000007
（式中、Ｒ0は第三級炭素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12の各々は、独立に、炭素原子を含む、ペンダントの任意に置換された有機基であり、前記有機基は前記炭素原子を介してそれぞれのＲ0に結合しており、
Ｌ1およびＬ2の各々は、独立に、それぞれのリン原子を基Ｘに結合させる、任意に置換された低級アルキレン鎖から選ばれた結合基であり、そして、
Ｘは、隣接炭素原子にリン原子が結合している、任意に置換されたアリール部分を含む、橋かけ基である。）
から形成される触媒。
【請求項２】
ペンダントの任意に置換された有機基、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12は、独立に、任意に置換された低級アルキルから選ばれたものである、請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
有機基、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12は、それぞれのＲ0炭素原子に結合して、ｔ−ブチルと少なくとも同一の立体障害性である複合基を形成する、請求項１または２に記載の触媒。
【請求項４】
Ｌ1およびＬ2の両方がメチレンである、請求項１〜３のいずれか１項記載の触媒。
【請求項５】
ヒドロキシル基源および請求項１〜４のいずれか１項記載の触媒の存在下で、エチレンと一酸化炭素とを反応させることを含む、エチレンのカルボニル化のための方法。
【発明の詳細な説明】
本発明は触媒系の存在下で一酸化炭素を用いたエチレンのカルボニル化およびこのような触媒系に関する。
アルコールまたは水および触媒の存在下で一酸化炭素を用いたエチレンのカルボニル化であって、前記触媒が第ＶＩＩＩ族金属、例えば、パラジウム、および、ホスフィン配位子、例えば、アルキルホスフィン、シクロアルキルホスフィン、アリールホスフィン、ピリジルホスフィンまたは二座配位ホスフィンを含むものは、多くの欧州特許および特許出願明細書、例えば、EP-A-0055875、EP-A-04489472、EP-A-0106379、EP-A-0235864、EP-A-0274795、EP-A-0499329、EP-A-0386833、EP-A-0441447、EP-A-0489472、EP-A-0282142、EP-A-0227160、EP-A-0495547およびEP-A-0495548に記載されている。特に、EP-A-0227160、EP-A-0495547およびEP-A-0495548は二座配位ホスフィン配位子が、より高い反応速度を達成できる触媒系を提供することを開示している。
以前に開示された触媒系の問題は、比較的に高い反応速度が達成されうるが、パラジウム触媒は速く失活し、それにより、触媒補充を頻繁に行う必要があり、この為、産業上には魅力がないプロセスとなっていることである。
今回、特定のグループの二座配位ホスフィン化合物は特に安定な触媒を提供することができ、それは触媒補充を殆ど必要としないかまたは全く必要とせず；このような二座配位触媒の使用は、以前に開示された触媒よりも有意に高く；高転化率で不純物を殆どまたは全く製造しないことを発見した。
従って、本発明は、ヒドロキシル基の源および触媒の存在下で、エチレンと一酸化炭素を反応させることを含む、エチレンのカルボニル法を提供し、ここで、触媒は、
(a)パラジウム金属またはその化合物；および、
(b)式(I)の一般式の二座配位ホスフィン
0003949716.tif 000002
（式中、Ｒ0は第三級炭素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12の各々は、独立に、炭素原子を含む、ペンダントの任意に置換された有機基であり、この基は前記炭素原子を介してそれぞれのＲ0に結合しており、
Ｌ1およびＬ2の各々は、独立に、それぞれのリン原子を基Ｘに結合する、任意に置換された低級アルキレン鎖から選ばれた結合基であり、そして、
Ｘは、リン原子が隣接炭素原子上に結合している、任意に置換されたアリール部分を含む、橋かけ基である。）
を組み合わせることにより得られる。
第二の態様において、本発明はエチレンのカルボニル化を触媒することができる触媒を提供し、前記触媒は、
(a)パラジウム金属またはその化合物；および、
(b)一般式(I)の二座配位ホスフィン、
0003949716.tif 000003
（式中、Ｒ0は第三級炭素原子であり、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12の各々は、独立に、炭素原子を含む、ペンダントの任意に置換された有機基であり、この基は前記炭素原子を介してそれぞれのＲ0に結合しており、
Ｌ1およびＬ2の各々は、独立に、それぞれのリン原子を基Ｘに結合する、任意に置換された低級アルキレン鎖から選ばれた結合基であり、そして、
Ｘは、リン原子が隣接炭素原子上に結合している、任意に置換されたアリール部分を含む、橋かけ基である。）
から形成される。本明細書において、本発明の触媒を触媒系とも呼ぶ。
ペンダントの任意に置換された有機基、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12は、独立に、幅広い成分から選ばれることができる。好ましくは、このペンダント基は、任意に置換された低級アルキル基、例えば、Ｃ1〜Ｃ8であり、そして枝分かれしていても、または、直鎖であってもよい。
有機基、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11およびＲ12が、それぞれのＲ0炭素原子と結合しているときに、ｔ−ブチルと少なくとも同様に立体障害性である複合基を形成する時は特に好ましい。この内容での立体障害は“Homogeneous Transition Metal Catalysis-A Gentle Art”，Chapman and Hall, 1981、C Mastersにより出版の第14頁等に議論されている通りである。
結合基、Ｌ1およびＬ2は、独立に、任意に置換された、特に低級アルキル、例えば、Ｃ1〜Ｃ4で置換された低級アルキレン、例えば、Ｃ1〜Ｃ4鎖からなる群より選ばれる。Ｌ1およびＬ2は両方ともメチレンであるときには特に好ましい。
橋かけ基Ｘはアリール部分、例えば、フェニル基であり、それは任意に置換されており、但し、２個のリン原子は隣接の炭素原子に結合し、例えば、フェニル基上の１−位および２−位に結合する。アリール部分の任意の置換基は、他の有機基、例えば、アルキル、特にＣ1〜Ｃ8、アリール、アルコキシ、カルバルコキシ、ハロ、ニトロ、トリハロメチルおよびシアノによるものであってよい。更に、アリール部分は、縮合多環式基であってよく、例えば、ナフチレン、ビフェニレンまたはインデンであってよい。
適切な二座配位配位子はビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）−ｏ−キシレン（1,2-ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノメチル）ベンゼンとも呼ばれる）、ビス（ジ−ｔ−ネオペンチルホスフィノ）−ｏ−キシレンおよびビス1,2（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）ナフタレンである。更に、二座配位ホスフィンは、橋かけ基Ｘ、結合基Ｌ1または結合基Ｌ2の少なくともいずれか１個を介して適切なポリマー基質に結合されてよく、例えば、ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）−ｏ−キシレンはキシレン基を介してポリスチレンに結合し、固定化不均一触媒を提供する。
使用される二座配位配位子の量は広い制限範囲で変化できる。好ましくは、二座配位配位子は、存在する二座配位配位子のモル数の、存在するパラジウム金属のモル数に対する比が１〜５０であり、例えば、１〜１０であり、特に、１〜５モル／モルである量で存在する。
一酸化炭素は反応において不活性である他の気体の存在下で使用されてよい。このような気体の例は、水素、窒素、二酸化炭素およびアルゴンのような貴ガスを含む。
本発明の方法は、好ましくは、２０〜２５０℃、特に４０〜１５０℃、そして特に７０〜１２０℃の温度で行われる。
本発明の方法は、１ｘ１０5〜１００ｘ１０5Ｎｍ-2、特に、５ｘ１０5〜５０ｘ１０5Ｎｍ-2の総圧力で行われることができる。
触媒のための金属はパラジウム金属であり、また、その化合物は、このような金属の塩、または、弱く配位結合したアニオンを含む化合物を含み、このアニオンは以下のものから得られたものである；硝酸；硫酸；低級アルカノン酸（Ｃ12以下）、例えば、酢酸およびプロピオン酸；スルホン酸、例えば、メタンスルホン酸、クロロスルホン酸、フルオロスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、トルエンスルホン酸、例えば、p-トルエンスルホン酸、t-ブチルスルホン酸、t-ブチルスルホン酸および2-ヒドロキシプロパンスルホン酸；スルホン化イオン交換樹脂；ペルハロゲン酸、例えば、過塩素酸；過フッ素化カルボン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸；オルトリン酸；ホスホン酸、例えば、ベンゼンホスホン酸；およびルイス酸とブロンステッド酸との相互作用により得られた酸。適切なアニオンを提供することができる他の源は、テトラフェニルボレート誘導体を含む。更に、不安定配位子との０価のパラジウム化合物、例えば、トリ（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムは使用できる。
本発明の触媒系は、均一系または不均一系で使用されてよい。好ましくは、触媒は均一系で使用される。
本発明の触媒系は、好ましくは液相中で構成され、それは、１種以上の反応体により形成されるか、または、適切な溶剤の使用により形成されることができる。
触媒系と組み合わせて使用されてよい適切な溶剤は、１種以上の非プロトン性溶剤、例えば、エーテル、例えば、ジエチルエーテル、ジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、アニソールおよびジフェニルエーテル；ハロ変種を含めた芳香族化合物、例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼンおよびｐ−ジクロロベンゼン；ハロ変種を含めたアルケン、例えば、ヘキサン、ヘプタン、2,2,3-トリメチルペンタン、塩化メチレンおよび四塩化炭素；ニトリル、例えば、ベンゾニトリルおよびアセトニトリル；エステル、例えば、安息香酸メチル、酢酸メチルおよびフタル酸ジメチル；スルホン、例えば、ジエチルスルホンおよびテトラヒドロチオフェン1,1-ジオシド；ハロ変種を含めたアミド、例えば、ジメチルホルムアミドおよびＮ−メチルピロリドンを含む。
本発明の触媒系は、エチレンのカルボニル化に特に適切である。驚くべきことに、プロペンは、本発明の触媒系がプロペンをカルボニル化することができないと考えられるほどに、カルボニル化することが困難であることが判った。
反応の最終生成物は、使用されるヒドロキシル基の源により少なくとも部分的に決定される。水の使用は対応するカルボン酸を生成し、アルコールの使用は対応するエステルを生成する。適切なアルカノールは、一個以上の置換基、例えば、ハロゲン原子、シアノ、カルボニル、アルコキシまたはアリール基で置換されていてよいＣ1〜Ｃ30アルカノールを含む。適切なアルカノールは、メタノール、エタノール、プロパノール、２−プロパノール、２−ブタノール、ｔ−ブチルアルコールおよびクロロカプリルアルコールを含む。特に有用なのはメタノールおよびエタノールである。
反応において使用されるエチレンの量のヒドロキシル供給化合物の量に対するモル比は重要でなく、そして広い範囲にわたって変化でき、例えば、０．００１：１〜１００：１モル／モルである。
反応の生成物は、いずれかの適切な手段により他の成分と分離されることができる。しかし、本発明の触媒系の利点は有意に少ない副生成物を生成し、その為、生成物の最初の分離の後には更なる精製の必要性を減じることであり、それは、一般に、有意に高い選択率により証明できる。更なる利点は、フレッシュ触媒を少量でしか補充しないで更なる反応にリサイクルしおよび／または再使用することができる触媒系を他の成分が含むことである。
次の実施例は本発明を例示する。
例１
本例において、ヒドロキシル基源としてメタノールを使用して、一酸化炭素およびエチレンからプロピオン酸メチルを製造した。
２リットル容量の機械攪拌オートクレーブの空気を排気し、次に、触媒系を装填した。触媒系は、
メタノール        ３００ｃｍ3
酢酸パラジウム    ０．１ミリモル
二座配位配位子*     ０．３ミリモル
メタンスルホン酸  ０．２４ミリモル
＊ビス（ジ−ｔ−ブチルホスフィノ）−ｏ−キシレン
３０ｘ１０5Ｎｍ-2の圧力に達するまで等モルの一酸化炭素およびエチレンを導入した。反応器の温度を１００℃に上げて、そしてその温度に保持した。反応が進行したときに、更なるメタノールを導入して、消費された分を補い、そして更に一酸化炭素およびエチレンを添加して（等モル基準で）圧力を維持した。パラジウムの沈殿は観測されなかった。
例２−比較例
例１を繰り返したが、ｏ−キシレン二座配位配位子のプロパン類似体を使用した。パラジウムの沈殿、次に触媒の失活を二時間以内に観測した。
例１および２に記載される各触媒系の各々の反応速度（エチレンのモル／パラジウムのモル／時で表記）、選択率（ガスクロマトグラフィーによる％）および収量（プロピオン酸メチルのモル／ホスフィンのモルで表記）を下記の表１に示す。
0003949716.tif 000004
このように、本発明の触媒系は従来の二座配位系よりも安定であり、反応性が高く、そして選択率が高いことが判る。
例３
例１の触媒系を手順の最後に取り出し、そしてフレッシュのメタノールおよびメタンスルホン酸とともに使用した。再使用した触媒の活性は最初と同一であった。例２の触媒系はパラジウムの沈殿のために再使用できなかった。
例４
適切な第二級ホスフィンと芳香族ジハロゲン化物との反応により製造したホスホニウム塩により調製した二座配位配位子の４−ニトロ置換類似体を用いて例１を繰り返した。
例５
４−メトキシ置換類似体を用いて例４を繰り返した。例４および５の結果は次の通りである。
0003949716.tif 000005
例６
例１を繰り返したが、パラジウムの代わりの源を用いた。二座配位ホスフィン、ｄｂａとして知られているトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、および、スルホン酸を、２：１：３のモル比で混合することにより触媒を製造した。ホスフィンおよびｄｂａは酸の添加前に混合された。
メタノールおよびプロピオン酸メチルの等モル混合物を使用して、１５バールゲージの総圧力で反応を行った（一酸化炭素およびエチレンの１：１混合物を使用）。反応温度は８０℃であった。
例７
例６を繰り返したが、配位子中、各リン原子上のｔ−ブチル基の一方は代わりにシクロヘキシル基であった。
例８
例６を繰り返したが、配位子中、ｔ−ブチル基は代わりにシクロヘキシル基であった。
例９
例６を繰り返したが、配位子中、ｔ−ブチル基は代わりにイソプロピル基であった。
例10
例６を繰り返したが、配位子中、ｔ−ブチル基は代わりにフェニル基であった。
例11
例６を繰り返したが、メチレン結合基は両方とも代わりに酸素原子であった。ホスフィニットは芳香族ジオールおよびクロロジ（ｔ−ブチル）ホスフィンから合成された。
例12
例11を繰り返したが、配位子の４−ｔ−ブチル置換類似体を使用した。
例６〜１２の結果は次の通りであった。
0003949716.tif 000006