(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の環状樹脂層領域及び前記第１の環状樹脂層領域の内側に配置された第２の環状樹脂層領域を形成し、
前記半導体層と前記第１及び第２の環状樹脂層領域との上に第２の電極を形成し、
前記第２の環状樹脂層領域の上からレーザー光を照射して前記第２の電極を切断することにより、環状の第１の開溝領域を形成し、
前記第１の環状樹脂領域の上からレーザー光を照射して前記基板表面まで達する環状の第２の開溝領域を形成した後、前記第２の環状樹脂層領域と、前記第１の環状樹脂層領域と前記第２の環状樹脂層領域との間の領域と、の上からレーザー光を照射して前記基板表面まで達する前記第２の開溝領域とつながる第３の開溝領域を形成することにより、前記第１の開溝領域の形成する環の外側の領域に前記基板表面上の他の領域から分離された閉領域を形成し、
前記閉領域内に基板裏面まで達する第４の開溝領域を形成し、
前記第１の開溝領域の形成する環の内側の領域において、前記第２の環状樹脂層領域上部のみにおいて前記第２の電極とコンタクトするように導電ペーストからなる引き出し電極を形成し、
前記基板裏面に前記第４の開溝領域を介して前記引き出し電極と接続するコンタクト電極を形成することを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項２】
基板表面上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の環状樹脂層領域及び前記第１の環状樹脂層領域の内側に配置された第２の環状樹脂層領域を形成し、
前記半導体層と前記第１及び第２の環状樹脂層領域との上に第２の電極を形成し、
前記第２の環状樹脂層領域の上からレーザー光を照射して前記第２の電極を切断することにより、環状の第１の開溝領域を形成し、
前記第１の環状樹脂領域の上からレーザー光を照射して前記基板表面まで達する環状の第２の開溝領域を形成した後、前記第２の環状樹脂層領域と、前記第１の環状樹脂層領域と前記第２の環状樹脂層領域との間の領域と、の上からレーザー光を照射して前記基板表面まで達する前記第２の開溝領域とつながる第３の開溝領域を形成することにより、前記第１の開溝領域の形成する環の外側の領域に前記基板表面上の他の領域から分離された閉領域を形成し、
前記閉領域内に基板裏面まで達する第４の開溝領域を形成し、
前記第１及び第２の開溝領域を充填する樹脂層を形成し、
前記樹脂層と、前記前記第２の環状樹脂層領域上部の第２の電極と、前記閉領域内の第２の電極の上に、導電ペーストからなる引き出し電極を形成し、
前記基板裏面に前記第４の開溝領域を介して前記引き出し電極と接続するコンタクト電極を形成することを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体層は、ＰＩＮ型と構成された非単結晶シリコン膜でなることを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の電極としてＩＴＯが利用されることを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記導電ペーストとしてバインダ中に金属材料の粒子を分散させたものが利用されていることを特徴とする太陽電池の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本明細書で開示する発明は、薄膜太陽電池の構成に関する。特にその電極の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、アモルファスシリコン（非晶質珪素）膜を用いた太陽電池が知られている。
【０００３】
このアモルファスシリコンを用いた太陽電池は、高い生産性を有している。また薄く軽いものとすることができる。この特徴を生かして、アモルファスシリコンを用いた太陽電池は、電卓や時計等の携帯機器の電源として利用されている。
【０００４】
また太陽電池の生産性を向上させるために電極を印刷法によって形成する技術がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図７（Ａ）に印刷法により形成された電極を配置した太陽電池の構成の一部を示す。図７（Ａ）に示す太陽電池は、光電変換層が形成された面側（装置の表面側）から光が入射するタイプの構成を有している。
【０００６】
図において、７０１は基板である。基板としては、ガラス基板やステンレス基板、さらには樹脂基板等が利用される。
【０００７】
７０２で示されるのは、第１の電極である。この例では第１の電極としてアルミニウムを利用する。７０３で示されるのは光電変換層である。光電変換層は、基板側からＰＩＮまたはＮＩＰ型と積層されたアモルファスシリコンでもって構成される。
【０００８】
７０４で示されるのは、第２の電極である。この例では、光入射面側の電極となるので、第２の電極７０４はＩＴＯでもって構成される。
【０００９】
７０５で示されるのが、取り出し電極となる印刷法でもって形成される電極である。印刷法は、直接パターンを形成することができるという作製工程上の大きな有用性がある。
【００１０】
印刷法は、導電ペーストを所定のパターンでもって印刷することによって行われる。導電ペーストは、バインダー中に導電材料（一般的に球状や葉巻型やラクビーボール型を有した金属粒）を分散したものである。
【００１１】
印刷法を利用した場合は、少なからず印刷箇所に圧力が加わる。この際、分散された導電材料が存在する部分には圧力が集中することになる。
【００１２】
図７（Ａ）に示すような構成の場合、ＩＴＯ膜７０４は数千Å以下の厚さであり、その材質も硬く強固なものではない。またその表面も少なからず凹凸を有している。また、光電変換層７０３を構成するアモルファスシリコンも硬い材質を有するものではない。
【００１３】
従って、印刷時における局所的な圧力の集中によって、光電変換層７０３に対して局所的に高い圧力が加わる。この結果、光電変換層７０３にクラック７０６が発生したり、導電ペースト中の導電材料が光電変換層７０３内に食い込んだりする状態となる。
【００１４】
このような状態は、図７（Ｂ）の７０６で示されるように第１の電極７０２と第２の電極７０４とがショートする要因となる。第１の電極７０２と第２の電極７０４とがショートしてしまっては、太陽電池としては機能しない。
【００１５】
このように作製工程上は有用な印刷法を用いた電極の作製は、光電変換層へダメージを与え、さらに光電変換層を挟んで配置された第１の電極と第２の電極とをショートさせてしまい易いという問題を抱えている。
【００１６】
本明細書で開示する発明は、印刷法を用いた構成であっても上記の問題が発生しないような構成を提供し、高い生産歩留りを得ることができる太陽電池の構造、およびその作製方法を提供することを課題とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明の一つは、図３（Ｃ）にその具体的な１例を示すように、
光電変換に寄与する半導体層２０３と、
前記半導体層の同一部分上に積層された少なくとも２種類の導電物（ここでは３０９と３０７）と、
を有し、
前記積層された導電物の最下層の導電物３０９と前記半導体層２０３との間に樹脂材料２０５が設けられていることを特徴とする。
【００１８】
上記構成において、半導体層２０３と開溝２０９によって分離された３１０で示される半導体層は、光電変換には寄与しない半導体層である。この３１０で示される半導体層は、導電物３０７によって表面及び裏面がショートされているので、光電変換に寄与することはできない。
【００１９】
本明細書で開示する発明の他の一つは、
光電変換に寄与する半導体層と、
該半導体層上に選択的に設けられた樹脂材料と、
前記半導体層に接し、かつそこから延在し前記樹脂材料上に接した導電膜と、
前記樹脂材料上部のみにおいて前記導電膜とコンタクトした引出し電極と、
を有し、
前記引出し電極は導電ペーストで形成されていることを特徴とする。
【００２０】
上記構成において、光電変換に寄与する半導体層として、図３（Ｃ）の２０３で示される半導体層の例を挙げることができる。なお、開溝２０９によって分離された３１０で示される半導体層は、光電変換に寄与しない半導体層となる。この半導体層は、表面及び裏面（上面及び下面）が導電ペースト３０７によってショートしており、光電変換には寄与しない。
【００２１】
導電ペーストとしては、高分子でなるバインダ中に各種金属材料を分散させたものが利用される。例えば、バインダ中に銀粒子を分散させた銀ペースト、同じくバインダ中に金粒子を分散させた金ペースト等が利用される。
【００２２】
上記構成において、特に光電変換層は、ＰＩＮ型と構成された非単結晶シリコン膜でなることを特徴とする。一般に光電変換層は、プラズマＣＶＤ法で成膜されるアモルファスシリコン膜や微結晶シリコン膜でもって構成される。
【００２３】
他の発明の構成は、図３にその具体的な構成例を示すように、
正または負側の光起電力を取り出すための第１の電極２０２と、
該第１の電極上に設けられた半導体層２０３と、
該半導体層上に配置された樹脂材料２０５と、
負または正側の光起電力を取り出すための第２の電極３０９と、
前記樹脂材料２０５上のみにおいて前記第２の電極３０９とコンタクトした引出し電極３０７と、
を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極との間には光起電力が生じ、
前記引出し電極は導電ペーストで形成されていることを特徴とする。
【００２４】
上記構成で重要なのは、導電ペーストで構成される引出し電極３０７が樹脂材料２０５上でのみ第２の電極３０９とコンタクトしている点である。ここでいう「樹脂材料２０５上でのみ第２の電極３０９とコンタクトしている」というのは、樹脂材料２０５上以外の場所では、第２の電極３０９とコンタクトしていないという意味である。
【００２５】
このような構成とすることにより、電極３０７を構成する導電ペースト中の金属粒により、電極２０２と３０９とがショートしてしまうことを防ぐことができる。即ち、樹脂材料２０５が存在することで、半導体層２０３に局所的な圧力が加わり、導電ぺースト中に含まれる金属粒が半導体層２０３に食い込み、電極２０２と３０９とをショートさせてしまうことを防ぐことができる。
【００２６】
他の発明の構成は、図３（Ｃ）にその具体的な構成例を示すように、
正または負側の光起電力を取り出すための第１の電極２０２と、
該第１の電極上に設けられた半導体層２０３と、
該半導体層上に配置された樹脂材料２０５と、
負または正側の光起電力を取り出すための第２の電極３０９と、
該第２の電極にコンタクトした引出し電極３０７と、
を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極との間には光起電力が生じ、
前記引出し電極３０７がコンタクトした第２の電極３０９の下部には前記樹脂材料２０５が存在しており、
前記引出し電極３０７は導電ペーストで形成されていることを特徴とする。
【００２７】
他の発明の構成は、
半導体層を形成する工程と、
該半導体層上に選択的に樹脂材料でなる層を形成する工程と、
前記半導体層に接し、かつそこから延在し前記樹脂材料上に接した導電膜を形成する工程と、
前記樹脂材料上部の導電膜上に導電ペーストでなる電極を選択的に形成する工程と、
を有することを特徴とする。
【００２８】
【発明の実施の形態】
本明細書で開示する発明を利用した構成の具体例を図３（Ｃ）に示す。
この構成においては、
光電変換層に寄与する半導体層（一般に光電変換層と称される）２０３と、
該半導体層２０３上に選択的に設けられた樹脂材料２０５と、
前記半導体層２０３に接し、かつそこから延在し前記樹脂材料２０５上に接した導電膜３０９と、
前記樹脂材料上部の導電膜３０９に接して配置された導電ペーストでなる電極３０７と、
を有する。
【００２９】
このような構成とすることにより、３００で示される部分において、光電変換に寄与する半導体層２０３がダミージを受けることを防止することができる。
【００３０】
即ち、樹脂層２０５を設けることで、印刷法による電極３０７の形成時において、導電ペースト中に含まれる金属材料によって、半導体層３０７に対して局所的に高い圧力が加わってしまうことを防ぐことができる。
【００３１】
【実施例】
〔実施例１〕
図１に本実施例の外観を示す。図１に示すのは、時計の文字板に配置される太陽電池を上面から見た状態である。図１に示す太陽電池は、基板として厚さ７０μｍでフレキシビリティーを有した樹脂フィルムを用いている。（本実施例ではＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルムを用いている）
【００３２】
図１において、１０４、１０５、１０６、１０７で示される４領域がそれぞれ光電変換素子として機能する１つのユニットである。この光電変換素子は、基板側から第１の電極、Ｎ型−Ｉ型−Ｐ型と積層された光電変換層、第２の電極と積層された構成を有している。またこの４つの光電変換素子は直列に接続されている。光起電力は、３０１と６０４で示される外部電極部分から外部に取り出される。
【００３３】
これら４つの光電変換素子は、１０８と１０９で示される線状の部分で十文字に仕切られている。この仕切りはレーザー光を用いた切断（レーザースクライブと称する）によって行われる。
【００３４】
１０１で示されるのは、太陽電池の外周部である。この太陽電池は最終工程において、レーザースクライブ、あるいは機械的な手段により、１０１で示される円形の外周を有するものとして打ち抜かれる。
【００３５】
２０８で示されるのは、光電変換素子の外周部である。２０８と１０１との間の環状の領域は、太陽電池としては機能しない。
【００３６】
２０８で示される光電変換素子の外周部は、図２（Ｄ）や図４（Ｄ）に示すようにレーザースクライブにより形成される。
【００３７】
２０７の点線で示されるのは、光電変換素子の第２の電極（光入射側の透明電極）が切断されている箇所を示すものである。この切断箇所も図２（Ｃ）や図４（Ｃ）に示すようにレーザースクライブにより形成される。
【００３８】
２０８と２０７の切断箇所は、円形状に閉じた軌跡を有している。即ち、切断の始まり箇所と終わりの箇所とが繋がった環状の形状を有している。
【００３９】
図２〜図３に図１のＡ−Ｂで切った断面の作製工程を示す。図２〜図３に示すのは、外部への取り出し電極部（プラス側電極部）の作製工程である。なお本明細書における図面の縮尺関係は、図面の作図の関係上実際のものと相違するものとなっている。特に薄膜の厚さの相対関係は、作図の関係上実際の寸法比と大きく異なるものとなっている。
【００４０】
また図４〜図５に図１のＣ−Ｄで切った断面の作製工程を示す。この部分は、光電変換素子１０７と１０４の接続箇所である。
【００４１】
以下において対応する各部分の作製工程を示す。本実施例においては、基板としてＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム２０１を用いる。
【００４２】
基板に利用できる他の材料としては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の各種工業用プラスチック材料を用いることができる。またガラス基板や金属基板を利用することもできる。
【００４３】
以下に示す各種工程は、最終工程後の図１に示す外観を有する形状となるまで、数十ｍ〜数百ｍの長尺状の基板２０１に対して連続的に行われる。そして最終工程において、図１に示す外観に打ち抜かれる。
【００４４】
上記の連続的な工程においては、長尺状の基板を一方のロールに巻取り、それを他方のロールに巻き取らせる際に成膜、電極の印刷、ベーク、レーザースクライブといった各種工程が行われる。
【００４５】
まず図２（Ａ）及び図４（Ａ）に示すように基板２０１上にアルミ電極２０２をスパッタ法により成膜する。次にプラズマＣＶＤ法により、基板側２０２側からＮＩＰ型と積層された半導体層２０３とを積層する。
【００４６】
次に印刷法により、２０４と２０５で示される第１の樹脂層を形成する。この樹脂層の形成は、大型の版を用いて、長尺状を有するフィルム基板２０１（この段階では基板２０１は長尺状を有している）に対して連続的に行われる。こうして図２（Ａ）及び図４（Ａ）に示す状態を得る。
【００４７】
ここで、樹脂層２０４は、図１の２０８で示される円周（後に切断用の開溝が形成される）に対応する環状の領域に設けられる。
【００４８】
樹脂層２０５は、図１の２０７で示される円周（後に切断用の開溝が形成される）に対応する領域に設けられる。
【００４９】
樹脂層２０５は、環状に形成される開溝２０７の下地となる。さらに、樹脂層２０５は、後に印刷法により形成されるコンタクト用電極の下部において、半導体層に対するダメージの発生を防止するために機能する。
【００５０】
こうして図２（Ａ）及び図４（Ａ）に示す状態を得る。
【００５１】
次にスパッタリング法により、ＩＴＯ膜２０６を全面に成膜する。このＩＴＯ膜の成膜もロールに巻き取られた長尺状のフィルム基板に対して連続的に行われる。こうして図２（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示す状態を得る。
【００５２】
次にレーザー光の照射による切断、即ちレーザースクライブを行う。ここでは、スポット径が８０μｍφのＹＡＧレーザーを走査しながら照射することにより、必要とする層の切断を行う。
【００５３】
ここでは、レーザースクライブにより、ＩＴＯ膜２０６の切断が選択的に行われる。この工程で２０７で示されるようにＩＴＯ膜が切断され、開溝が形成される。（図２（Ｃ）及び図４（Ｃ）参照）
【００５４】
２０７で示される開溝は、図１に示すように環状に形成される。
【００５５】
この開溝２０７の形成の際において、その下地として樹脂層２０５が存在していることが重要となる。
【００５６】
樹脂層２０５が存在しないと、レーザー光の出力のバラツキ等によって、半導体層２０３を突き抜け、アルミ電極２０２にまでレーザー光の照射が及んでしまう場合がある。
【００５７】
レーザー光がアルミ電極２０２まで到達した場合、透明電極２０６とアルミ電極２０２とがショートする危険が生じる。即ち、レーザー光のエネルギーにより、アルミ電極２０２を構成する材料が溶融し、それが透明電極２０６にまで延在するような状態となる。アルミ電極と透明電極２０６とは１μｍ程度しか離れていないので、両電極がショートしてしまう状況は高い頻度で生じてしまう。
【００５８】
またレーザー光の照射エネルギーが強すぎ、アルミニウム電極２０２が完全に切断される場合もある。この場合、図１のＣ−Ｄで示される断面部分（図４及び５参照）において、１０７と１０４の光電変換素子同士を接続することができなくなる。
【００５９】
また、アルミ電極２０２がＩＴＯ電極２０６の切断箇所２０７の下部において完全に切断されなくても、その部分でレーザー光の照射による損傷を受けると、光電変換素子同士のコンタクトの不良やコンタクト抵抗の増加の要因となる。
【００６０】
樹脂層２０５が存在することで、アルミ電極までレーザー光の照射が及ばないように工程条件に余裕を持たせることができる。このことは、製品としての歩留りを高くするために有用なものとなる。
【００６１】
こうして図２（Ｃ）及び図４（Ｃ）に示す状態を得る。次に２０７で示されるレーザースクライブを行う場合よりもレーザー光の出力を高くして、再度のレーザースクライブを行う。
【００６２】
この工程では、２０８で示される開溝と２０９で示される開溝が形成される。（図２（Ｄ）及び図４（Ｄ））
【００６３】
図から明らかなようにこの工程においては、２０８や２０９で示される開溝の底部が基板にまで達するようにレーザー光の照射条件を設定する。なお、２０８と２０９で示される開溝を形成する際のレーザー光の照射条件は同じでよい。
【００６４】
２０８で示される開溝は、図１に示すように２０７で示される開溝と同様の環状を有したものとして形成される。
【００６５】
２０９で示される開溝は、外部引出し電極を設ける部分の周囲において、アルミ電極２０２を切断するために形成される。この２０９で示される開溝は、開溝２０８とつながり（図１参照）アルミ電極２０２を周囲から完全に切り取るように形成される。
【００６６】
即ち、開溝２０９と開溝２０８の一部により、閉じた領域（この閉じた領域内に３０１で示される領域が存在する）が形成され、その領域内のアルミ電極２０２が周囲から孤立した状態とされている。
【００６７】
こうすることで、後の工程において、引出し電極３０８が光電変換素子１０６の第１の電極２０２とショートしてしまうことを避けることができる。（図３（Ｄ）参照）
【００６８】
２０８と２０９で示される開溝の形成時においては、第１の樹脂層２０４と２０５が存在することで、アルミ電極２０２とＩＴＯ電極２０６とがショートすることを防ぐことができる。
【００６９】
樹脂層２０４と２０５が存在しないと、アルミ電極２０２とＩＴＯ電極２０６との距離が近いことから、溶融したアルミ電極によって両電極がショートしてしまうことが度々生じてしまう。
【００７０】
このようにして図２（Ｄ）及び図４（Ｄ）に示す状態を得る。
【００７１】
次に図３（Ａ）に示す開溝３０１をレーザー光の照射によって形成する。この開溝は、裏面まで突き抜ける条件で行う。この開溝３０１の形成位置は図１に示されている。この開溝３０１は最終的に基板の裏面側につながる引出し電極を形成する際に利用される。この開溝３０１が形成された部分が外部引出し電極部となる。
【００７２】
次に図３（Ｂ）及び図５（Ａ）に示すように第２の樹脂層３０３と３０４を形成する。これらの樹脂層は、開溝２０７や２０８、さらに開溝２０９を樹脂材料で充填する機能を有している。また、その上に形成されるコンタクト電極の下地となる層間絶縁膜としての機能を有している。
【００７３】
この第２の樹脂層３０３と３０４の形成も印刷法により行われる。
【００７４】
次に図３（Ｃ）及び図５（Ｂ）に示すように銀ペーストによるコンタクト電極３０５、３０６、３０７を形成する。このコンタクト電極の形成も印刷法により行う。各コンタクト電極位置関係は図１に示すようなものとなる。
【００７５】
この際、銀ぺースト内に含まれている銀粒子によって、半導体層２０３が損傷してしまうことを樹脂層２０５が存在することで防ぐことができる。このことは、生産歩留りを高める上で重要なこととなる。
【００７６】
そして図５（Ｂ）に示す状態において、レーザー光の照射を図の矢印で示される部分に行い、アルミ電極２０２とコンタクト電極３０５とのコンタクトを形成する。この工程は、コンタクト用の開溝を形成するのと同時に銀ぺーストとアルミ電極とを共に溶融させることにより、両者を電気的に接続するものである。このような工程は、レーザーボンディングとして知られている。
【００７７】
こうして図５（Ｃ）に示すように図１のＣ−Ｄで示される断面が完成する。この部分は、光電変換素子１０７のアルミ電極２０２（基板側の第１の電極）と光電変換素子１０４のＩＴＯ電極（光入射面側の第２の電極）との接続がレーザーボンディングにより行われた状態を有している。
【００７８】
こうして、光電変換素子１０４と光電変換素子１０７とが直列に接続された状態を得る。この接続箇所は、他に３ヵ所ある。この接続構造により、１０５、１０４、１０７、１０６で示される各光電変換素子が順に直列に接続された構成となる。
【００７９】
一方、Ａ−Ｂで示される切断面（図３参照）では、銀ペーストによるコンタクト電極３０７が形成された後、裏面側にコンタクト電極３０８を銀ペーストによって形成する。このコンタクト電極３０８の形成も印刷法によって行う。（図３（Ｃ）及び図３（Ｄ）参照）
【００８０】
この工程においても図３（Ｃ）の３００で示される部分において、銀ペーストでなる電極３０７の下部に樹脂層２０５が存在することが重要となる。
【００８１】
樹脂層２０５が存在することで、印刷時において、銀ペースト中に含まれる銀粒子によって半導体層２０３が損傷し、アルミ電極２０２とＩＴＯ電極３０９とがショートしてしまうことを防止することができる。
【００８２】
裏面側に設けられるコンタクト電極３０８は、コンタクト電極３０７に開溝３０１内においてコンタクトする。結果として、外部引出し電極３０８は、光電変換素子１０６のＩＴＯ電極３０９に接続された構造となる。
【００８３】
このＩＴＯ電極３０９は、光電変換素子１０６の光入射側のＰ型半導体層にコンタクトしている。従って、外部引出し電極３０８は、プラス側の電位が出力される取り出し電極となる。
【００８４】
図６（Ａ）に図１のＥ−Ｆで示される断面の状態を示す。また図６（Ｂ）に図１のＧ−Ｄで示される断面の構造を示す。
【００８５】
ここには、光電変換素子１０５のＮ型半導体層からの引出し電極（マイナス電位側の電極となる）が形成される。
【００８６】
図６（Ａ）で示されるようにアルミ電極２０２（光電変換素子１０７のアルミ電極）にコンタクトした銀ペーストでなる電極６０２が、基板２０１の裏面側に形成されている。
【００８７】
またアルミ電極２０２と引出し電極６０２とのコンタクトを確実なものとするためにＧ−Ｄで示す断面は、図６（Ｂ）に示すような構造を有している。
【００８８】
即ち、レーザーボンディングを利用することによって６０４で示される部分に６０３で示されるコンタクトを形成した構成となっている。即ち、６０３で示される部分において、アルミ電極２０２と銀ペーストでなる電極６０１とがコンタクトした構造となっている。
【００８９】
最後に長尺状のフィルムを基体として形成された多数の太陽電池をレーザースクライブにより打ち抜いて（または機械的に打ち抜いて）、個々の太陽電池が完成する。即ち、図１にその外観を示す太陽電池を多数個得る。
【００９０】
図１にその上面からの外観を示す太陽電池は、光電変換素子１０６のＰ型半導体層からの引出し電極３０８（図３参照）（開溝３０１の裏面側表面に存在する）と、光電変換素子１０５のＮ型半導体層からの引出し電極６０２（図６参照）（電極６０１の裏面側に存在する）とから光起電力を取り出す構成として完成される。
【００９１】
本実施例では、全体の形状が円形で、各光電変換素子が扇型を有する場合の例を示した。しかし、全体の形状を四角形や六角形、さらには八角形といった多角形状を有したものとしてもよい。
【００９２】
【発明の効果】
本明細書で開示する発明を利用することで、印刷法で光電変換素子の上部に電極を形成した場合であっても光電変換素子にダメージが生じてしまうことを防止することができる。そして低い生産コストでもって、かつ高い歩留りでもって太陽電池を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  太陽電池の外観を示す図。
【図２】  図１のＡ−Ｂで示される部分の作製工程断面を示す図。
【図３】  図１のＡ−Ｂで示される部分の作製工程断面を示す図。
【図４】  図１のＣ−Ｄで示される部分の作製工程断面を示す図。
【図５】  図１のＣ−Ｄで示される部分の作製工程断面を示す図。
【図６】  図１のＥ−Ｆ及びＧ−Ｄで示される断面を示す図。
【図７】  従来における太陽電池のコンタクト電極の形成部分を示す図。
【符号の説明】
１０１    太陽電池の外周部
１０４    光電変換素子
１０５    光電変換素子
１０６    光電変換素子
１０７    光電変換素子
１０８    レーザースクライブ部分
１０９    レーザースクライブ部分
２０１    樹脂基板
２０２    アルミニウム電極（第１の電極）
２０３    半導体層（ＮＩＰ型半導体層）
２０４    樹脂層（第１の樹脂層）
２０５    樹脂層（第１の樹脂層）
２０６    ＩＴＯ電極
２０７    レーザースクライブによる開溝
２０８    レーザースクライブによる開溝
２０９    レーザースクライブによる開溝
３０１    レーザースクライブによる開溝
３０３    樹脂層（第２の樹脂層）
３０４    樹脂層（第２の樹脂層）
３０５    銀ペーストによるコンタクト電極
３０６    銀ペーストによるコンタクト電極
３０７    銀ペーストによるコンタクト電極
３０８    銀ペーストによるコンタクト電極
３１０    光電変換に寄与しない半導体層
３０９    ＩＴＯ電極
６０１    銀ペーストによるコンタクト電極
６０２    銀ペーストによるコンタクト電極
６０３    レーザーボンディングによるコンタクト部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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