(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料室に置かれた試料に電子銃室の電子銃から電子線を照射し、上記試料から発生する二次電子を検出して、上記試料の寸法測定を行う電子ビーム検査装置を用い、
潤滑剤を塗布した上記試料の表面上に設けた凸形状部もしくは凹形状部に電子線を照射し、電子線照射面に付着する汚染物により変化した凸形状または凹形状の寸法から、汚染物の付着量を測定して、潤滑剤の評価を行なうことを特徴とする試料汚染測定方法。
【請求項２】
試料室に置かれた試料に電子銃室の電子銃から電子線を照射し、上記試料から発生する二次電子を検出して、上記試料の寸法測定を行う電子ビーム検査装置を用い、
電子ビーム検査装置内で使用することを目的とした材料を電子ビームに照射されない任意の試料室内に設置し、
上記試料の表面上に設けた凸形状部もしくは凹形状部に電子線を照射し、電子線照射面に付着する汚染物により変化した凸形状または凹形状の寸法から、汚染物の付着量を測定し、汚染物の付着量によって、材料の評価を行うことを特徴とする試料汚染測定方法。
【請求項３】
請求項１若しくは請求項２のいずれかに記載の電子ビーム検査装置の試料汚染測定方法において、
汚染物の付着量の測定を定期的に行ない、測定した汚染物の付着量を表示もしくは記録することを特徴とする試料汚染測定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子ビーム検査装置の試料汚染測定方法に係り、特に、半導体の検査を行うのに好適な電子ビーム検査装置の試料汚染測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子ビームを試料上に走査して、得られた二次電子像または反射電子像により試料上に形成されたパターンまたはコンタクトホールの寸法および形状を測定・観察する電子ビーム検査装置は、半導体素子の微細化が進むにつれて、その役割の重要性が増している。
【０００３】
一方、電子ビームを利用して観察を行う際には、試料の電子線を照射した部分に汚染物が付着することが知られている。この点については、例えば、「Specimen Protection in the Electron Microscope, 19（1982）p.465, HEYWOOD J A, Pract Metallogr」に記載されているように、試料汚染の原因となるのは、試料に吸着していたハイドロカーボン系ガス分子と、装置の残留ガス中のハイドロカーボンの試料への吸着によるものが考えられており、いずれの場合も、吸着ガスが電子線エネルギーを受けることにより固体化すると言われている。このように、試料表面に汚染物が付着した場合、最表面に観察されるのは汚染物の表面であるため、真の表面の像を捕らえることはできなくなる。半導体装置の検査装置の場合は、寸法計測，外観検査が目的であるため、検査中に汚染物が付着し、寸法，形状が変化してしまうことは重大な問題である。
【０００４】
そこで、電子ビーム検査装置における試料汚染の評価方法としては,例えば、「電子顕微鏡学会誌，16-1，（1981），p.2-10, 矢田慶治」や、「電子顕微鏡学会誌，19-1，（1984），58-60, 是枝淳夫」に記載されているように、電子ビームを試料表面上の固定した一点に照射し、照射部に付着した円筒形あるいは、円錐形の汚染物の直径もしくは高さを電子ビーム照射時間とともに測定し、汚染物付着量を測定するものが知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の電子ビーム検査装置による試料汚染の評価方法では、汚染物の付着量の測定時には、電子ビームを観察面上の固定した一点に照射しているが、実際の電子顕微鏡観察における電子ビーム照射は、被観察面の領域を走査しながら照射するため、電子ビームの照射方法が異なっているため、汚染物付着量を正確には測定できないという問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、電子ビーム検査装置の観察面に付着する汚染物の付着量を定量的に測定可能な電子ビーム検査装置の試料汚染測定方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
（１）上記目的を達成するために、本発明は、試料室に置かれた試料に電子銃室の電子銃から電子線を照射し、上記試料から発生する二次電子を検出して、上記試料の寸法測定を行う電子ビーム検査装置を用い、潤滑剤を塗布した上記試料の表面上に設けた凸形状部もしくは凹形状部に電子線を照射し、電子線照射面に付着する汚染物により変化した凸形状または凹形状の寸法から、汚染物の付着量を測定して、潤滑剤の評価を行なうようにしたものである。
【０００９】
（２）上記目的を達成するために、本発明は、試料室に置かれた試料に電子銃室の電子銃から電子線を照射し、上記試料から発生する二次電子を検出して、上記試料の寸法測定を行う電子ビーム検査装置を用い、電子ビーム検査装置内で使用することを目的とした材料を電子ビームに照射されない任意の試料室内に設置し、上記試料の表面上に設けた凸形状部もしくは凹形状部に電子線を照射し、電子線照射面に付着する汚染物により変化した凸形状または凹形状の寸法から、汚染物の付着量を測定し、汚染物の付着量によって、材料の評価を行うようにしたものである。
【００１０】
（３）上記（１）若しくは（２）のいずれかにおいて、好ましくは、汚染物の付着量の測定を定期的に行ない、測定した汚染物の付着量を表示もしくは記録するようにしたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図１〜図３を用いて、本発明の第１の実施形態による電子ビーム検査装置の試料汚染測定方法について説明する。
最初に、図１を用いて、本実施形態による試料汚染測定方法に用いる電子ビーム検査装置の構成について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態による試料汚染測定方法に用いる電子ビーム検査装置の構成を示す全体構成図である。
【００１２】
図１に示すように、本実施形態のよる電子ビーム検査装置では、電子銃室１，コンデンサレンズ室２，中間室３，試料室４が、縦方向に配置されている。試料室４に隣接して予備排気室２５が配置されている。この予備排気室２５を通して、大気雰囲気から真空雰囲気にある試料室４に、試料１６が導入される。
【００１３】
電子銃室１には、電子銃７，引出電極８，加速電極９および固定絞り１０が、設けられている。コンデンサレンズ室２には、コンデンサレンズ１１が設けられている。中間室３には、偏向コイル１２，対物レンズ１３および対物レンズ固定絞り１４が設けられている。また、試料室４には、試料ステージであるＸステージ６及びＹステージ６’が設けられている。Ｙステージ６’の上には、試料１６が載置される。試料ステージ６，６’は、ベース５の上に設置されている。Ｘステージ６とベース５の間及びＹステージ６’とＸステージ６の間には、ガイド機構の摺動部１５が設けられており、Ｘステージ６及びＹステージ６’は、この摺動部１５によって移動される。なお、図示は省略しているが、Ｘ方向及びＹ方向の移動に際しては、試料室の外に設置されたモータから試料室内に設置されたボールネジなどの動力伝達系を繋ぎ、駆動される。
【００１４】
電子銃室１には、真空ポンプ１９，２０が接続されている。また、コンデンサレンズ室２には、真空ポンプ２１が接続されている。電子源７から安定した電子線を得るために、真空ポンプ１９，２０，２１によって差動排気され、電子銃室１およびコンデンサレンズ室２は、１０-7Ｐａ以下の圧力に減圧される。試料室４には、真空ポンプ２２が接続され、１０-3Ｐａ以下に真空排気されている。
【００１５】
中間室３には、電子銃７からの電子ビームＢ１を試料１６に照射したときに、試料１６表面からの二次電子または反射電子Ｂ２を検出する反射電子・二次電子検出器２３が取り付けられている。なお、試料室４と中間室３とは、排気バイパス１８によって連通している。
【００１６】
搬送機構２６は、試料１６を予備排気室２５から試料室４に搬送する。試料１６を試料室４に導入する場合には、予備排気室２５を通して試料を導入する。すなわち、予備排気室２５を大気状態にして試料１６を導入し、予備排気室２５を真空排気して所定の圧力に達したら、ゲートバルブ１７を開けて、試料１６を、試料室４に搬入し、ゲートバルブ１７を閉じる。
【００１７】
試料面の観察時は、電子銃７から出射した電子ビームＢ１が、引出電極８に印加された電圧により引き出され、その引き出された電子ビームＢ１は、加速電極９に印加された加速電圧により所望のエネルギに調整される。さらに、電子ビームＢ１は固定絞り１０を通過した後、コンデンサレンズ１１，対物レンズ１３により試料１６上に収束される。収束された電子ビームＢ１は、偏向コイル１２により試料１６上を走査する。偏向制御部４０は、偏向コイル１２に流す偏向電流を可変して、電子ビームＢ１によって、試料１６上を走査する。このとき、試料の１６表面からは二次電子および反射電子Ｂ２が発生し、これら二次電子および反射電子Ｂ２は、反射電子・二次電子検出器２３によって検出され、表示部４２に、試料像を表示することができる。通常の試料面の観察には、二次電子のみでクリアな試料像を得ることができるが、感度が低い場合には、検出された二次電子の情報に加えて、検出された反射電子の像を重ね合わせることにより、より良い試料像を得ることができる。また、反射電子・二次電子検出器２３によって検出された信号は、制御部４４によって、汚染物の付着量を測定する。測定された付着量などのデータは、ネットワークＮＷを介して、遠隔地にある監視センタ５０などに伝送することができる。
【００１８】
ところで、既に述べたように、試料室４内にハイドロカーボンを主体とするガス成分が多く残留している試料室内に設置された試料１６に電子線Ｂ１を照射すると、ハイドロカーボン系ガス分子が電子線からエネルギを受けて、カーボンを主体とする物質が試料１６の表面に徐々に堆積する現象が起こる。堆積量は、多くても数ｎｍ〜数十ｎｍとごくわずかであるが、実際に見たい表面の上に別の物質が堆積しているために、数万倍以上の高倍率観察の場合には、形状の違いが顕在化してくる。したがって、どの程度汚染物が観察面に付着するかを定量的に、克つ簡便で素早く評価を行う方法が重要となる。
【００１９】
次に、図２及び図３を用いて、本実施形態による試料汚染測定方法について説明する。
図２及び図３は、本発明の第１の実施形態による試料汚染測定方法の原理を説明するための原理構成図である。図２は、断面図を示し、図３は、電子顕微鏡の画像として観察される図を模式的に示した平面図を示している。
【００２０】
図２に示すように、試料１６の表面には、予め凸形状部２８が形成されている。凸形状部２８は、検査パターン若しくはダミーのパターンとも言うべき汚染物評価用のパターンである。凸形状部２８の幅ａ０は、実際の半導体装置における配線パターンとほぼ等しい幅を有している。例えば、凸形状部２８の幅ａ０は、０．５μｍである。凸形状部２８の長さは、幅ａ０に比べて長く、図３にしめすような線状の突起部である。凸形状部２８は、平面形状が直線状の凸部でもよく、また、Ｌ字型に折れ曲がった形状でもよいものである。また、平面形状が円形のものでもよいものである。
【００２１】
図２及び図３において、一点鎖線で示す領域Ｃ１は、第１の視野領域である。また、破線で示す領域Ｃ２は、第２の視野領域である。第１の視野領域Ｃ１及び第２の視野領域Ｃ２において、電子ビームが照射され、試料１６及び凸形状部２８の表面を走査することにより、電子顕微鏡の画像が得られる。
【００２２】
ここで、第１の視野領域Ｃ１の一辺の長さをｎ１とし、第２の視野領域Ｃ２の一辺の長さをｎ２とする。第１の視野領域Ｃ１の一辺の長さｎ１は、凸形状部２８の幅ａ０よりも大きくする。例えば、凸形状部２８の幅ａ０を０．５μｍとするとき、第１の視野領域Ｃ１の一辺の長さｎ１を、１．０μｍとする。また、このとき、第２の視野領域Ｃ２の一辺の長さｎ２を、２．０μｍとする。凸形状部２８の長さは、第１の視野領域Ｃ１の一辺の長さｎ１よりも長ければよいものである。
【００２３】
最初に、制御部４４は、偏向制御部４０を制御して、電子ビームＢ１によって試料１６上を走査する領域を、第１の視野領域Ｃ１とする。そして、この第１の視野領域Ｃ１において、所定時間、例えば１０分程度観察する。ハイドロカーボンを主体とするガス成分が、試料室４内に多く残留している電子顕微鏡において、一定時間電子線Ｂ１を照射すると、照射した面、この場合はｎ１×ｎ１の第１の視野領域Ｃ１の表面に、カーボンを主体とする汚染物質２９は、図１に示すように膜状に堆積する。凸形状部２８の側面にも、汚染物質２９は堆積するため、凸形状部の幅は、見かけ上、幅ａ４と凸形状に線幅が増加することになる。所定時間経過後、制御部４４は、偏向制御部４０を制御して、電子ビームＢ１によって試料１６上を走査する領域を、第２の視野領域Ｃ２とする。すなわち、視野の倍率を低くする。その結果、図３に示すように、汚染物質２９が付着して、線幅がａ４となった部分と、汚染物質が付着していない元の線幅ａ０の凸形状部２８とを同一の視野Ｃ２内で同時に観察することができる。
【００２４】
電子ビーム検査装置では、一般に２点間の距離や平行な２線間の距離を測定する測拒機能を備えているため、汚染物質２９によって線幅が増加した部分と元の線幅ａ０の部分との間の距離を測定することにより、汚染物質２９の付着により増加した線幅ａ１を測定することができる。また、汚染物質２９によって線幅が増加した部分の線幅ａ４と、凸形状部２８の線幅ａ０とを個別に測定しても、汚染物質２９の付着により増加した線幅ａ１（＝（ａ４−ａ０）／２）を演算により求めることができる。さらに、凸形状部２８の幅ａ０を既知のものとして、例えば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ(Atomic Force Microscopy)）によって予め測定しておけば、汚染物質２９によって線幅が増加した部分の線幅ａ４を測定することにより、汚染物質２９の付着により増加した線幅ａ１（＝（ａ４−ａ０）／２）を演算により求めることができる。
【００２５】
なお、厳密に言うと、本計測方法で測定しているａ１は、必ずしもａ２やａ３と等しくなるわけではないが、ほぼ等しいものであり、簡便な測定方法であり定量評価の指標となり得る。汚染物２９の堆積量を評価する際の倍率は、低くし過ぎては増加量が計測しづらいので、１／２程度が好ましいものである。汚染物質２９の付着量ａ０は、汚染物質が少ない場合には、１ｎｍ程度のものであるが、汚染物質が多くなると、数ｎｍ若しくはそれ以上になるものである。
【００２６】
以上説明したように、試料汚染を定量的に測定することが可能となり、試料汚染の影響を定量的に把握することが可能となる。また、汚染物の付着量の測定を、克つ簡便で素早く行なうことができる。さらに、このような試料汚染評価方法を電子ビーム検査装置の検査項目や性能評価に用いることができる。
【００２７】
ここで、試料汚染の原因となるハイドロカーボンを主体とするガスは、検査対象である試料１６によって試料室４内に持ち込まれる場合もある。すなわち、試料１６に吸着していたガスが試料室３内において脱離し、ハイドロカーボン系残留ガスになることも考えられる。この場合ハイドロカーボン系残留ガスは、試料の導入回数によってが徐々に増加し、したがって試料１６上に堆積する汚染物２９の単位時間当たりの付着量も試料の導入回数によってが徐々に増加することになる。
【００２８】
そこで、上述した堆積物評価方法を定期的に行ない、電子ビーム検査装置の表示部４２に測定した汚染物の付着量を表示するとともに、制御部４４内に、付着量を記録する。これによって、汚染物の増加のトレンドがわかり、メンテナンス時期の目安となる。また、汚染物付着量の記録情報をネットワークＮＷなどを介して、監視センタ５０に伝送することにより、遠隔地においても電子ビーム検査装置のメンテナンス時期を判断することができる。
【００２９】
以上説明したように、本実施形態によれば、電子ビーム検査装置の観察面に付着する汚染物の付着量を定量的に測定することが可能となる。
【００３０】
次に、同じく図１〜図３を用いて、本発明の第２の実施形態による電子ビーム検査装置の試料汚染測定方法について説明する。
試料汚染の原因となるハイドロカーボンを主体とする残留ガスの発生原因としては、試料室４の内壁からの放出ガス、ステージ６，６’や、ボールネジなどの動力伝達機構やステージのガイド１５、図には示していないがその他、ステージ制御のためのセンサーや配線など、試料室内の各種部品からの放出ガスがある。さらに、試料に吸着していたガスが脱離し試料室４内のハイドロカーボン系残留ガスになる場合もある。このように、試料汚染の原因となるハイドロカーボンを主体とする残留ガスの発生する部品は多岐にわたるために、各部品や潤滑剤がどの程度、試料上の汚染物２９の生成に影響を与えるかの評価方法が必要になる。
【００３１】
特に半導体製造の検査装置に用いられる電子線検査装置は、検査対象がミクロンオーダー以下の微細な加工形状（パターンやホール）であり、また検査対象である半導体ウエハは、例えば、直径２００ｍｍ〜300ｍｍと大口径化しているため、例えば１０-2 Pa以下といった真空雰囲気で、試料室３内のＸＹステージ６，６’には非常に精密な位置決めが要求されるために、ＸＹステージ６，６’が移動する際のガイド機構１５や駆動のためのボールネジ等には真空用潤滑油や真空用グリースなどの潤滑剤が必要不可欠になる。また、ステージ駆動系や摺動部分には高分子化合物を材料とする部品も必要となる。これらの油やグリースからは、真空中では、潤滑剤は蒸発してハイドロカーボン系ガス分子を発生しやすく、また、高分子化合物からもハイドロカーボン系ガスを放出させるものがある。したがって、このような電子ビーム検査装置の試料汚染の評価方法、試料室内に用いる潤滑剤や部品の、試料汚染への影響を評価する方法が非常に重要になり、試料汚染への影響が少ない物質を選択する必要がある。
【００３２】
本実施形態では、上述した汚染物質の付着量を測定する方法を用いて、潤滑剤の汚染量を評価するようにしている。評価したい潤滑剤を、試料１６の表面上に全体的に塗布する。試料１６の表面には、図２に示した凸形状部２８が予め形成されており、この凸形状部２８の表面にも潤滑剤を塗布する。この状態で、第１の視野領域Ｃ１について、一定時間、電子線Ｂ１を照射する。照射開始時には、潤滑剤は、希釈されたものを用い、液体状態であるため、電子顕微鏡の画像としては観察されないものである。試料室３内の残留ガスは、試料表面に吸着脱離を繰り返すが、吸着した際に電子線のエネルギーを受けて固体化すると考えられる。したがって、あらかじめ試料表面に評価したい潤滑剤を塗布しておけば、電子線のエネルギーを受けた場合に、固体化して汚染物２９が付着することになる。一定時間経過後、視野を低倍率の第２の視野領域Ｃ２として、図１〜図３において説明した方法によって、汚染物２９の付着量（線幅の増加分ａ１）を測定する。汚染物２９の付着量を測定することにより、固体化して汚染物２９になりやすい組成を持つ潤滑剤であるのか、汚染物２９を形成し難い組成を持つ潤滑剤であるのかを評価することができる。例えば、付着量が数十ｎｍもある場合には、固体化して汚染物２９になりやすい組成を持つ潤滑剤ということができ、また、付着量がほぼ０ｎｍ，即ち、検出不可能な付着量であるならば、汚染物２９を形成し難い組成を持つ潤滑剤であると評価することができる。
【００３３】
本実施形態によれば、装置内に用いられる潤滑剤からの発生する汚染物の量を測定することにより、潤滑剤を選定することが可能となる。
【００３４】
次に、図４を用いて、本発明の第３の実施形態による電子ビーム検査装置の試料汚染測定方法について説明する。
図４は、本発明の第３の実施形態による試料汚染測定方法に用いる電子ビーム検査装置の構成を示す全体構成図である。なお、図１と同一符号は、同一部分を示している。
【００３５】
本実施形態では、試料室４に連結する形で別の部屋３０を設けて、そのなかにセンサー，配線，各種高分子材料などの評価したい部品３１を設置可能としている。
【００３６】
上述したように、試料汚染の原因となるハイドロカーボンを主体とする残留ガスの発生する部品は、潤滑剤の他にも各種センサー，センサー配線，高分子材料などのように多岐にわたる。本実施形態では、各部品がどの程度、試料上の汚染物２９の生成に影響を与えるかを評価可能としている。
【００３７】
部屋３０内に、評価したい部品３１を設置した上で、試料の表面上に既知寸法（幅ａ０）の凸形状上２８が設けてある試料を電子線検査装置内に設置し、第１の視野領域Ｃ１に対して一定時間の間、電子線Ｂ１を照射する。次に、低い倍率に低下させて、図３に示した例と同様に汚染物２９による線幅の増加量ａ１を計測する。
【００３８】
試料室４に連結した部屋３０に設置された部品３１からは、ガスが放出されて試料室４に流入する。部品３１から放出されるガスが、電子線のエネルギーを受けて固体化しやすいものであるか否かの判断は、汚染物２９を計測することによって簡便に評価できる。なお、試料室４に別の部屋３０を設ける代わりに、ステージ上に場所を設け、部品を設置してもよいものである。
【００３９】
本実施形態によれば、試料汚染の原因となるハイドロカーボンを主体とする残留ガスの発生する部品である各種センサー，センサー配線，高分子材料などがどの程度、試料上の汚染物２９の生成に影響を与えるかを評価することができる。
【００４０】
次に、図５を用いて、本発明の第４の実施形態による電子ビーム検査装置の試料汚染測定方法について説明する。
図５は、本発明の第４の実施形態による試料汚染測定方法の原理を説明するための原理構成図である。なお、図２と同一符号は、同一部分を示している。
【００４１】
本実施形態による試料汚染測定方法に用いる電子ビーム検査装置の構成は、図１に示したものと同様である。本実施形態においては、図２に示した凸形状部２８に代えて、既知の寸法の凹形状部３２を持つ試料１６’を用いて汚染物２９を付着させ、その堆積量を評価する。この場合、凹形状の内側幅寸法ａ０が堆積物によって狭くなり結果として、（ａ０−ａ１×２）の寸法となる。この寸法変化を定量的に把握し、上述の各実施形態で述べてきた電子ビーム検査装置の試料観察面に付着・堆積するカーボン堆積物の評価を行なうことができる。また、装置内で使用される潤滑油や高分子材料などから放出れるハイドロカーボン系ガス起因のカーボン堆積物の評価に用い、カーボン堆積物生成へ影響の少ない潤滑油、材料などの選定に用いることができる。
【００４２】
次に、図６を用いて、本発明の第５の実施形態による電子ビーム検査装置の試料汚染測定方法について説明する。
図６は、本発明の第５の実施形態による試料汚染測定方法の原理を説明するための原理構成図である。なお、図２と同一符号は、同一部分を示している。
【００４３】
本実施形態による試料汚染測定方法に用いる電子ビーム検査装置の構成は、図１に示したものと同様である。さらに、本実施形態においては、電子ビーム検査装置として、試料を傾けて観察することができる電子ビーム検査装置を用いている。
【００４４】
試料１６に対し垂直に電子ビームを照射し、その後試料１６を傾斜させ、始めに電子ビームを照射した部分全体が観察できるように倍率を下げて観察する。試料１６を垂直方向のみから観察した場合は寸法ａ１のみが汚染物２９の堆積量の評価対象であるが、試料を傾斜させて観察することができる電子ビーム検査装置を用いた場合、汚染物２９の厚さａ２，ａ３を観察することができ、試料１６の傾斜角度と観察画像の寸法ａ２，ａ３とにより、実際の寸法ａ２，ａ３を幾何学計算で算出することができる。よって、汚染物２９の堆積した厚さを評価することができる。なお、観察時に傾斜させる角度としては、例えば、４５度とする。
【００４５】
本実施形態によれば、汚染物の各部の厚さを正確に測定することが可能となる。
【００４６】
【発明の効果】
本発明によれば、電子ビーム検査装置の観察面に付着する汚染物の付着量を定量的に測定可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態による試料汚染測定方法に用いる電子ビーム検査装置の構成を示す全体構成図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による試料汚染測定方法の原理を説明するための原理構成図である。
【図３】本発明の第１の実施形態による試料汚染測定方法の原理を説明するための原理構成図である。
【図４】本発明の第３の実施形態による試料汚染測定方法に用いる電子ビーム検査装置の構成を示す全体構成図である。
【図５】本発明の第４の実施形態による試料汚染測定方法の原理を説明するための原理構成図である。
【図６】本発明の第５の実施形態による試料汚染測定方法の原理を説明するための原理構成図である。
【符号の説明】
４…試料室
１２…偏向コイル
１６…試料
２３…反射電子・二次電子検出器
２８…凸形状部
２９…汚染物
３０…部屋
３１…部品
３２…凹形状部
４０…偏向制御部
４２…表示部
４４…制御部
【図１】
0003934347.tif 000002
【図２】
0003934347.tif 000003
【図３】
0003934347.tif 000004
【図４】
0003934347.tif 000005
【図５】
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【図６】
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