(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非透光性の基板と、該基板上に設けられ、光透過性導電膜からなる第１の電極、少なくともＥＬ発光層を有する有機層、および光透過性導電膜からなる第２の電極を有する有機ＥＬ素子と、前記基板に設けられ、該有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタと、前記基板に設けられ、前記有機ＥＬ素子からの光を受光する受光素子とを有し、該受光素子の出力により前記駆動用トランジスタを動作させることにより前記有機ＥＬ素子の発光または非発光を維持する自己保持回路を構成する表示装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に設けられ、前記有機ＥＬ素子が各画素を構成し、デューティ駆動される請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記基板が半導体基板からなり、該半導体基板上に前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に形成され、かつ、前記駆動用トランジスタが、該半導体基板に形成され、入力用ベース端子を有するホトトランジスタからなることにより前記受光素子を兼用する請求項１または２記載の表示装置。
【請求項４】
前記基板がシリコン基板からなり、該シリコン基板の表面に各画素ごとに拡散によるベース領域、該ベース領域への拡散によるエミッタ領域が形成されると共に、該ベース領域に端子が形成されることにより前記駆動用トランジスタが形成され、該エミッタ領域上に該エミッタ領域と電気的に接続されるように前記有機ＥＬ素子の第１の電極が形成され、前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に形成されてなる請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記有機ＥＬ素子の第１の電極が陽極電極として前記基板上にＩＴＯ膜により形成され、前記有機ＥＬ素子の第２の電極が酸化インジウムからなり、該第２の電極が前記有機層上にインジウム薄膜層を介して形成されてなる請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記有機ＥＬ素子の第１の電極が陰極電極として前記基板上に酸化インジウム膜により形成され、該陰極電極上にインジウム薄膜を介して前記有機層が設けられ、該有機層上に仕事関数が５ｅＶ以上の金属薄膜層を介して酸化インジウム膜からなる前記第２の電極が陽極電極として形成されてなる請求項４記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機物のエレクトロルミネッセント（ＥＬ）を利用した表示装置に関する。さらに詳しくは、電極形成の際に有機層にダメージを与えることなく、両面に透明電極を用い、両面から光を取り出すことができるようにし、光フィードバック回路を形成した表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の有機ＥＬ素子は、たとえば図４に示されるような構造になっている。すなわち、図４において、ガラスなどの透明基板３１上に、ＩＴＯなどからなる陽極電極３２が設けられ、その上に正孔輸送層３３、ＥＬ発光層３４、電子輸送層３５などからなる有機層３７、およびＭｇ、Ｌｉ、Ｃａなどの仕事関数の小さい金属からなる陰極電極３９が設けられることにより形成されている。ＩＴＯ膜は、一般に抵抗の小さい膜として成膜するには、３００℃程度の高温で成膜することが望ましい。しかし、正孔輸送層３３、ＥＬ発光層３４、電子輸送層３５などの有機層材料を成膜した後は、有機層材料が劣化するため、１００℃程度以上に上昇することができない。さらに、陽極電極３２の仕事関数と有機層材料の価電子レベルとの間、および陰極電極３９と有機層材料の伝導レベルとの間でギャップが大きすぎると、電荷の注入性が低下し、何でもよいというわけにはいかない。
【０００３】
そのため、従来の有機ＥＬ素子は、図４に示されるように、陽極電極３２を基板３１側に設け、基板３１としてガラスなどの透明な基板を用い、有機層３７の上に設けられる電極３９を陰極として、前述のように、仕事関数の小さい金属電極が用いられ、ガラス基板３１の裏面側に光を取り出す構造に形成されている。
【０００４】
一方、たとえばL.S.Hungらによる「インターフェース  エンジニアリング  イン  プリパレーション  オブ  オーガニック  サーフェスエミッティング  ダイオード（Interface engineering in preparation of organic surface-emitting diodes）」（アプライドフィジックスレター(Applied Physics Letters)第７４巻第２１号、１９９９年５月２４日、３２０９〜３２１１頁）にも記載されているように、高解像度の表示装置に用いるためには、陰極電極を透明にして表面発光型にすることが要求され、種々の研究がなされている。そして、同文献においては、有機層の上にＣｕＰｃを介してＩＴＯ膜を設けたり、電子輸送層であるＡｌｑとＣｕＰｃとの間、またはＣｕＰｃとＩＴＯとの間にＬｉ膜を設ける構造が開示されている。ＣｕＰｃは、ＩＴＯを成膜する際に有機層へのスパッタダメージを防止するために、ＬｉはＡｌｑとＣｕＰｃとの間の電子注入バリアを減ずるために設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、従来の有機ＥＬ素子は、基板上に陽極電極を形成し、その上に有機層が設けられ、最表面の陰極電極は、ＭｇＡｇなどの光を通さない金属電極か、Ｌｉ、ＣｕＰｃなどを介して、ＩＴＯ膜により形成する構造になっている。しかし、表面側の電極にＩＴＯ膜を用いると、ＩＴＯは３００℃程度の高温で成膜しないと充分に抵抗値の低い膜を得にくく、そのような高温で成膜すると、その下に積層される有機層が、前述のスパッタダメージとは別に、温度によるダメージを受け、膜質が低下して電気的特性が劣化するという問題がある。
【０００６】
また、前述の有機層上にＬｉ-ＣｕＰｃ-ＩＴＯを積層しようとすると、全く異なる蒸発源による成膜を繰り返さなければならず、非常に工数増となり、コストアップの原因になるという問題がある。
【０００７】
さらに、表面側の電極が透明であるのみならず、両面が透明電極により形成されることにより、シースルーの表示装置を形成したりすることができるため、その応用用途が広がる。そのため、製造上の問題がなく、しかも電極の仕事関数と有機層のバンドレベルとの間で整合がとれるような状態で、両電極が透明電極の有機ＥＬ素子が期待されている。
【００１０】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子の光をモニターし、その光により発光しつづける自己保持回路を形成したり、有機ＥＬ素子の輝度を所望の輝度にすることができる光フィードバック回路を、簡単な構成で外部からの光や隣接する画素からの光による影響を受けないで構成することができる構造の表示装置を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の表示装置は、非透光性の基板と、該基板上に設けられ、光透過性導電膜からなる第１の電極、少なくともＥＬ発光層を有する有機層、および光透過性導電膜からなる第２の電極を有する有機ＥＬ素子と、前記基板に設けられ、該有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタと、前記基板に設けられ、前記有機ＥＬ素子からの光を受光する受光素子とを有し、該受光素子の出力により前記駆動用トランジスタを動作させることにより前記有機ＥＬ素子の発光または非発光を維持する自己保持回路を構成されている。前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に設けられ、前記有機ＥＬ素子が各画素を構成し、デューティ駆動される場合にとくに効果が大きい。
【００１６】
この構造にすることにより、有機ＥＬ素子をマトリクス状に配列して表示装置を構成する場合でも、各画素ごとに自己保持回路や輝度調整回路を構成しながら、基板が非透光性であるため、特別な遮光壁などを設けることなく、外部からの光や隣接する画素からの光の影響を受けにくくすることができる。その結果、高密度な画素で、階調表示なども簡単に行うことができ、表示特性の優れた繊細な表示画面を形成することができる。
【００１７】
前記基板が半導体基板からなり、該半導体基板上に前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に形成され、かつ、前記駆動用トランジスタが、該半導体基板に形成され、入力用ベース端子を有するホトトランジスタからなることにより前記受光素子を兼用することにより、各画素ごとの自己保持回路を非透光性の基板内に容易に形成することができる。
【００１８】
前記基板がシリコン基板からなり、該シリコン基板の表面に各画素ごとに拡散によるベース領域、該ベース領域への拡散によるエミッタ領域が形成されると桃に、該ベース領域に端子が形成されることにより前記駆動用トランジスタが形成され、該エミッタ領域上に該エミッタ領域と電気的に接続されるように前記有機ＥＬ素子の第１の電極が形成され、前記有機ＥＬ素子がマトリクス状に形成されることができる。
【００１９】
前記有機ＥＬ素子の第１の電極が陽極電極として前記基板上にＩＴＯ膜により形成され、前記有機ＥＬ素子の第２の電極が酸化インジウムからなり、該第２の電極が前記有機層上にインジウム薄膜層を介して形成されてもよいし、前記有機ＥＬ素子の第１の電極が陰極電極として前記基板上に酸化インジウム膜により形成され、該陰極電極上にインジウム薄膜を介して前記有機層が設けられ、該有機層上に仕事関数が５ｅＶ以上の金属薄膜層を介して酸化インジウム膜からなる前記第２の電極が陽極電極として形成されてもよい。
この構造にすることにより、酸化インジウムは１００℃以下の低温で低抵抗な導電膜を成膜することができるため、有機層にダメージを与えることなく成膜することができ、高特性の有機ＥＬ素子を得ることができる。さらに、酸化インジウム膜と有機層との間に、インジウム薄膜が設けられることにより、有機層の価電子レベルまたは伝導レベルと酸化インジウムの仕事関数とのギャップを小さくすることができ、動作電圧を下げることができるため好ましい。
【００２０】
【発明の実施の形態】
つぎに、本発明の有機ＥＬ素子およびその製法、ならびにそれを用いた表示装置について、図面を参照しながら説明をする。
【００２１】
本発明の有機ＥＬ素子は、その一実施形態の断面説明図が図１に示されるように、基板１上に光透過性の第１の電極２が設けられ、その第１の電極２の上に少なくともＥＬ発光層４を有する有機層７が設けられている。そして、その有機層７の上に光透過性の第２の電極９が設けられ、少なくとも第２の電極９は酸化インジウムからなっている。
【００２２】
基板１は、たとえばガラス基板のような光透過性の基板を用いることもできるし、シリコン基板などの半導体基板を用いることにより、後述するような発光量をモニターする受光素子を設けたり、ＥＬ素子を駆動する駆動回路を容易に形成することができ、マトリクス状にＥＬ素子を並べて表示装置を構成する場合にとくに便利である。
【００２３】
第１の電極２は、図１に示される例では、陽極電極を構成しており、基板１上に蒸着などにより設けられるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなっている。ＩＴＯの仕事関数は、４.６ｅＶであり、有機層７の正孔輸送層３の価電子レベルとの整合がとれており好ましい。しかも、有機層を積層する前の基板上に設けることができるため、高い温度で成膜することができ、抵抗値の小さい透明電極を形成することができる。しかし、陰極電極を基板側に形成する場合には、ＩＴＯは電子輸送層の伝導レベルとの整合がとれないため好ましくない。この場合、後述する第２の電極９のように、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）を陰極電極として用い、電子注入層または電子輸送層との間にインジウムメタル層を挿入することが好ましい。
【００２４】
第２の電極９は、図１に示される例では、陰極電極を構成しており、有機層７が形成された後に設けられるため、１００℃以上の温度で成膜することができず、１５００Å程度の厚さの酸化インジウム（たとえばＩｎ2Ｏ3）からなっている。酸化インジウムは、室温から高々１００℃までの温度でＩｎの蒸発およびプラズマ酸素などの酸素の供給により成膜することができる。そのため、有機層７を成膜した後の第２の電極９としては、酸化インジウムを使用することにより、有機層７の温度によるダメージを防止することができる。しかし、Ｉｎ2Ｏ3の仕事関数は、４.３８ｅＶで、後述する電子注入層または電子輸送層の伝導レベルとの整合が充分ではないため、Ｉｎ（仕事関数：４.０９ｅＶ）メタル層８を介することが好ましい。このＩｎメタル層８は、あまり厚くすると光を透過しなくなり、逆にＩｎメタル層８は、仕事関数を下げて電子の注入をしやすくすればよく、数Åから１００Å程度の厚さ設けられればよい。
【００２５】
第２の電極９が陽極電極である場合、仕事関数としてはＩＴＯが好ましいが、すでに有機層７が積層されているため、前述のように３００℃程度にしてＩＴＯ膜を形成することができず、同様に酸化インジウムを用いる必要がある。この場合、正孔輸送層の価電子レベルとの整合をとるため、Ａｕ（仕事関数：５.１ｅＶ）、Ｎｉ（仕事関数：５.１５ｅＶ）、Ｐｔ（仕事関数：５.６４ｅＶ）などの仕事関数が５ｅＶ以上と大きいメタル層を介して設けることが動作電圧を下げるために好ましい。この金属メタル層の厚さも、前述と同様に数Åから１００Å程度設ければ、光を透過すると共に、仕事関数の調整をすることができる。
【００２６】
有機層７は、図１に示される例では、たとえばＮＰＤからなる正孔輸送層３が６００Å程度、キナクリドンまたはクマリンを１重量％程度ドープしたＡｌｑからなるＥＬ発光層４を３００Å程度、Ａｌｑからなる電子輸送層５を３００Å程度、ＬｉＦからなる電子注入層６を５Å程度積層することにより形成されている。有機層７は、この例に限らず、最低限ＥＬ発光層４を有しておればよい。しかし、前述のように多層構造にすることにより、電荷（キャリア）の注入性などを向上させることができるため、好ましい。たとえば正孔輸送層３が用いられることにより、直接陽極電極からＥＬ発光層４へ注入されるよりも、注入性が向上する。また、ＥＬ発光層４と正孔輸送層との伝導レベルの差より、電子はＥＬ発光層にたまりやすい状態になっている。通常、有機ＥＬ素子では、電子が少数キャリアになっているため、この電子の障壁は発光効率の向上に効果的である。本明細書では、有機層７は電荷（電子または正孔）輸送層や電荷注入層などを含む層を意味し、これらのいずれかに無機物が含まれる場合もある。
【００２７】
正孔輸送層３は、一般的にはＥＬ発光層４への正孔注入性の向上のため、イオン化エネルギーがある程度小さく、ＥＬ発光層４への電子の閉じ込め（エネルギー障壁）が可能であることが求められており、アミン系の材料が用いられる。また、図には示されていないが、正孔輸送層３と陽極電極２との間に正孔注入層を設け、正孔輸送層３へのキャリアの注入性をさらに向上させることも行われる。この場合も、陽極電極２からの正孔の注入性を向上させるため、イオン化エネルギーの小さい材料が用いられ、代表例として、アミン系やフタロシアニン系が用いられる。
【００２８】
ＥＬ発光層４としては、発光波長に応じて選択されるが、たとえば青色系の材料として、ＤＳＡ系などの材料が用いられ、緑色の発光材料として、Ａｌｑなどが用いられる。このＥＬ発光層４は、有機物蛍光材料をドーピングすることにより、ドーピング材料固有の発光色を得ることができ、また発光効率や安定性を向上させることができる。このドーピングは、発光材料に対して数重量（ｗｔ）％程度で行われる。
【００２９】
電子輸送層５は、陰極電極９からの電子の注入性を向上させるためのもので、代表例としてＡｌｑが用いられる。この層があまり厚くなると、発光層ではなくこの層で発光するため、あまり厚くはしない。図１に示される例では、この電子輸送層５と陰極電極９との間に電子注入層６が設けられている。
【００３０】
このＥＬ素子を製造するには、まず、０.２μｍ程度の厚さにＩＴＯ膜が設けられたＩＴＯ付きガラス板１を酸素プラズマ処理して、表面を活性化させる。そして、真空蒸着法により、ＮＰＤからなる正孔輸送層３を６００Å程度、キナクリドンを１ｗｔ％程度ドーピングしたＡｌｑからなる発光層４を３００Å程度、Ａｌｑからなる電子輸送層５を３００Å程度、ＬｉＦからなる電子注入層６を５Å程度、それぞれ順次積層する。その後、真空蒸着装置で、Ｉｎメタルを蒸発させてＩｎ層７を成膜し、１０Å程度の厚さ成膜した状態で、Ｉｎの蒸発を続けながら酸素とＲＦパワーを導入し、プラズマ化した酸素を供給する。その結果、Ｉｎ層７上にＩｎが酸化した酸化インジウムＩｎ2Ｏ3が成膜される。この酸化インジウムからなる陰極電極９を１５００Å程度成膜することにより、図１に示される構造の有機ＥＬ素子が得られる。
【００３１】
本発明の有機ＥＬ素子によれば、基板側の陽極電極はＩＴＯにより、また表面側の陰極電極は酸化インジウムからなっているため、両面が透明電極からなり、どちらの面側にも光を取り出すことができる。しかも有機層を形成した後の第２の電極が、酸化インジウムにより形成されているため、１００℃以下の低温で成膜することができ、有機層へのダメージを与えることがない。その結果、発光効率が高く両面に光を出すことができる有機ＥＬ素子が得られる。
【００３２】
また、本発明の製法によれば、有機層７の成膜は、従来と同様に蒸着法により行われるが、陰極電極９の形成を、Ｉｎメタルを蒸発させながら酸素を供給することにより行っているため、電子注入層または電子輸送層６との仕事関数を調整する透明金属層７であるＩｎメタル層の成膜と連続して酸素の供給を追加するだけで連続して形成することができる。このＩｎメタル層は、仕事関数の点から好ましいが、酸化インジウムを成膜する際の酸素から有機層７を保護する役割も果たし、同じ材料系で陰極電極９を形成することができるため、非常に製造工程が簡単になる。
【００３３】
本発明の有機ＥＬ素子は、前述のように、両面が透明電極により形成されているため、有機ＥＬ素子の光によるフィードバック回路を設けて、一方からの光をモニター用として有機ＥＬ素子の発光量が一定になるような駆動回路を設けることもできるし、その光により有機ＥＬ素子を駆動する自己保持回路などを形成した表示装置を構成することもできる。この場合、支持基板に光を透過しない非透光性基板を用いることにより、外部からの光を遮断したり、隣接する画素からの光を遮断する遮光膜などを設けることなく、密集する画素を有する表示装置においても、各画素のみでの光フィードバック回路を構成することができる。とくにシリコン基板などの半導体基板を用いることにより、その基板に直接光をモニターする受光素子やフィードバック回路を形成することができるためとくに好ましい。このような不透明基板を支持基板として用いても、その反対面が透明電極により形成されているため、表示面とすることができる。
【００３４】
図２（ａ）は、このような裏面側の光を利用して自己保持回路を形成した表示装置の概念的な断面説明図である。すなわち、ｎ形のシリコン基板１１にｐ形の拡散領域によりベース領域１２が形成され、さらにｎ形拡散領域が形成されてエミッタ領域１３が形成されることにより、駆動用トランジスタ１５が形成されている。このトランジスタのエミッタ領域１３上に、前述の有機ＥＬ素子１０が形成され、第１の電極（陽極電極）２、有機層７、第２の電極（陰極電極）９が順次積層されている。トランジスタ１５のエミッタ１３と第１の電極２とが電気的に接続されているため、図２（ｂ）に等価回路図で示されるような、駆動用トランジスタ１５と有機ＥＬ素子１０とが直列に接続された構造になっている。
【００３５】
このベース領域１２に接続して設けられているコントロール電極（ベース電極）１４に駆動用トランジスタ１５をオンさせる信号が入ることにより、有機ＥＬ素子１０に電圧が印加され発光する。この駆動用トランジスタ１５は、またホトトランジスタにもなる。そのため、図２（ｂ）に示されるように、駆動用トランジスタ１５により有機ＥＬ素子１０が一旦発光すると、その光のエネルギーｈνが駆動用トランジスタ１５を駆動し発光を続ける。そして、コントロール電極１４に駆動用トランジスタ１５をオフする信号が入力されると有機ＥＬ素子１０もオフになり、発光しなくなるため、光による駆動もなく非発光を続ける。すなわち、ホトトランジスタ１５の信号により有機ＥＬ素子１０を駆動するように構成することにより、有機ＥＬ素子１０を発光させる場合には、その発光を続けさせ、発光させないときは非発光を続けさせる保持回路を構成することができる。
【００３６】
この例では、シリコン基板に光フィードバック回路を形成する例であったが、シリコン基板に限らず、他の半導体基板、または他の基板に薄膜半導体素子を形成したり、個別半導体素子をマウントして受光素子やフィードバック回路を組み込んで形成してもよい。しかし、前述のように、非透光性の基板、とくに半導体基板を用いることが、マトリクス状に有機ＥＬ素子を配列する表示装置では、その集積度を上げて、簡単に形成することができるため好ましい。また、有機ＥＬ素子の電極は、基板側が陽極電極である必要はなく、前述の材料関係が保たれれば、基板側に陰極電極が形成されてもよい。
【００３７】
このような表示装置によれば、有機ＥＬ素子の基板側に進む光を利用して、基板に光フィードバックを構成することができ、この有機ＥＬ素子をマトリクス状に配列して各画素を構成する表示装置とし、デューティ駆動をする場合でも、一旦信号を与えれば、その信号の発光または非発光を持続するため、外部信号を印加するインターバルを長く取ることができる。しかもその間隔においても、自己保持回路により発光を続けるため、つぎの駆動までの時間分を考慮した強い発光をする必要がなく、低い動作電圧で駆動することができる。すなわち、たとえば１／１０００のデューティで駆動する場合、瞬間的に視認する輝度の１０００倍の輝度（明るさ）で光らせる必要があるが、自己保持回路が形成されることにより、瞬間最大輝度を上げなくても所望の視認輝度が得られる。
【００３８】
その結果、ＥＬ素子の寿命を長くすることができると共に、非常に画素数の多い大型の表示装置になっても、輝度を落すことなく鮮明な表示をすることができる。さらに、アナログ的に入力信号を調整することができ、階調表示をすることもできる。すなわち、保持回路が設けられていないと、デューティ比１／１２０の線順次走査が限度で、画素数の多い表示装置では分割して別々に駆動回路を形成しなければならないが、本発明によればこのような制限はない。
【００３９】
図３に示される例は、光フィードバック回路を有する他の表示装置の例で、裏面側の光をモニター用として利用し、製造工程などによりばらつく有機ＥＬ素子の発光量を一定にする例の回路構成説明図である。すなわち、図３において、有機ＥＬ素子１０は、その駆動用ＭＯＳトランジスタ２１を介して駆動電源Ｖccとアースとの間に接続され、駆動用トランジスタ２１のゲートＧに印加される駆動信号に応じて有機ＥＬ素子を駆動する電力が制御される構造になっている。
【００４０】
駆動信号は、入力信号（設定電圧）Ｖsと受光素子２により検出した発光量とを比較して両者が等しくするような信号として駆動用ＭＯＳトランジスタ３１を制御する。すなわち、図３に示されるように、基板側に設けられる受光素子２２によるモニター光の出力電流を、スイッチ素子２３を介して取り出せるようにし、抵抗Ｒにより変換した電圧と、入力信号（設定電圧）Ｖsとを比較回路２４により比較し、入力信号Ｖsのレベルと異なる場合には、同じレベルにするように、比較回路２４から駆動信号をＭＯＳトランジスタ２１のゲートＧに印加する。
【００４１】
図３に示される例では、有機ＥＬ素子１０および受光素子２２などがマトリクス状に配列され、デューティ駆動することができるようにされると共に、その外部信号により駆動される時間に発光量をモニターし、駆動信号を調整することができるように、スイッチ素子２３が設けられている。そのため、駆動用ＭＯＳトランジスタ２１に印加する駆動信号とモニター用受光素子２２の出力電流を取り出すスイッチを同時にオン・オフする連動のスイッチ素子２３で構成されている。そして、制御端子２５によりその画素の選択が制御され、比較回路２４は、各画素に共通の１個で構成できるようになっている。なお、図３において、２６は電圧保持用のコンデンサで、デューティ駆動する場合でも、つぎの駆動信号までの間電圧を保持し、発光を続けられるようにするものである。
【００４２】
このような光フィードバック回路を設けると、たとえば有機ＥＬ素子などをマトリクス状に配列し、画素数の多い表示装置を構成する場合に、製造上のバラツキなどにより各画素で輝度のバラツキが生じても、その駆動電圧を調整して全ての画素で同じ輝度になるように各画素ごとの輝度を調整することができる。あるいは、階調表示をする場合、所望の画素の輝度を大きくしたり小さくするような場合でも、予め設定した駆動電圧を入力信号としてその電圧に相当する輝度で光らすことができ、階調表示をアナログ的に制御することができる。
【００４３】
【発明の効果】
本発明によれば、有機ＥＬ素子の表面電極側に酸化インジウムを用いているため、有機層にダメージを与えることなく両面の電極を透明電極により形成することができる。
【００４４】
また、本発明の有機ＥＬ素子の製法によれば、酸化インジウム膜を成膜する場合に、Ｉｎメタルを蒸発させながら酸素を導入して酸化させて成膜するため、有機層のバンドギャップとの関係で仕事関数を調整するＩｎメタルを介在させながら連続的に成膜することができる。そのため、工数がかからず、非常に簡単にＩｎメタル層と酸化インジウム膜を積層することができる。さらにＩｎメタルを蒸発させることにより、酸化インジウムを蒸発させるより、均一に蒸発させることができ、安定した酸化膜を形成することができる。
【００４５】
さらに本発明の表示装置によれば、両面が透明電極により形成された有機ＥＬ素子を用いて光フィードバック回路が形成されているため、自己保持回路や輝度調整回路を構成することができ、画素数が非常に多い、大きな表示装置をデューティ駆動することができ、鮮明な画像を表示することができる。さらに、各画素の輝度を均一に調整したり、各画素の輝度を変えて階調表示をしたりすることができ、非常に繊細な画像表示をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一実施形態である断面説明図である。
【図２】本発明の表示装置における光フィードバック回路の一例である自己保持回路の例を示す説明図である。
【図３】本発明の表示装置における光フィードバック回路の一例である各画素の発光部の輝度を調整する回路の例を示す説明図である。
【図４】従来の有機ＥＬ素子の断面説明図である。
【符号の説明】
１    基板
２    第１の電極
４    ＥＬ発光層
７    有機層
９    第２の電極
１０    有機ＥＬ素子
１５    駆動用トランジスタ
【図１】
0003950594.tif 000002
【図２】
0003950594.tif 000003
【図３】
0003950594.tif 000004
【図４】
0003950594.tif 000005