(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基本図形に対応する成形ビームを形成するための基本図形用アパーチャと繰り返しパターンに相当するキャラクタ用アパーチャとが形成されたアパーチャマスクを用い、試料を載置したステージを連続移動しながら、所定幅に分割された描画領域（フレーム）を順次描画する荷電ビーム描画方法において、
描画すべき所望のデータの中から繰り返し使用されるパターンをそれぞれ抽出してキャラクタセルにすべき候補セルとし、
前記フレームをステージ連続移動方向に仮想的に小領域（サンプルエリア）に分割し、該サンプルエリアを基本図形用アパーチャのみを用いて描画するに必要な描画時間Ａと各々の候補セルに対し該セルをキャラクタ化して描画した場合の各短縮時間ΔＡｃとを全てのサンプルエリアについて求めた後、
各々の候補セルから前記アパーチャマスクに形成するキャラクタ用アパーチャの所定数を選んで全ての組み合わせを作成し、全ての組み合わせに対して、対応する短縮時間ΔＡｃの和を描画時間Ａから引くことにより、各々のサンプルエリアにおける描画時間を算出し、
前記各フレームにおける描画時間が最も長いサンプルエリアの描画時間Ｔを求めて、（フレームの長さ／サンプルエリアの幅）×Ｔによって各々のフレームの描画時間を求め、これらのフレーム描画時間の和で与えられる描画全領域の描画時間を算出し、
描画全領域の描画時間が最も短い候補セルの組み合わせを求め、この組み合わせで前記アパーチャマスク上のアパーチャパターンを形成することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【請求項２】
描画すべきパターンに繰り返し現れる繰り返し単位と同じ形状に形成されたキャラクタビームと、矩形及び直角二等辺三角形などの基本形状に成形された基本形状ビームとを組み合わせて所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置において、
ＬＳＩの設計パターンデータから描画パターンデータを作成するための描画データ作成手段は、
設計パターンデータが有する階層的参照構造を維持した状態で所定の図形データ処理を行う階層的図形データ処理部と、前記階層的図形データ処理によってセル境界付近でエラー箇所が発生するのを防止するために、予め設計パターンデータの階層構造を再構成する階層構造組み替え処理部と、前記階層的図形データ処理後のパターンデータをキャラクタビームにより描画するパターン群と基本形状ビームの組み合わせにより描画するパターン群とに分離するキャラクタ決定処理部と、前記キャラクタビームにより描画するパターン群をビーム形状の種別を示す制御コードに置換するキャラクタ制御コード置換処理部と、前記基本形状ビームにより描画するパターンの図形データと前記キャラクタビームの種別を示す制御コードとを描画可能な単位領域に対して割り振る描画領域別描画データ出力部と、からなり、
前記キャラクタ決定処理部は、前記階層的図形データ処理の際に処理単位となったパターン群（セル）を単位として前記図形データ処理の結果を解析して、セル識別番号，セル参照数，セルサイズ，基本形状ビーム換算ショット数及びキャラクタビーム換算ショット数を算出するセル情報解析処理と、キャラクタ化効果の高いセルをキャラクタ化候補セルとして選択する第１次キャラクタ化候補セル選択処理と、候補セルとして選択されたセルのパターン定義内容を加工するキャラクタ化候補セル再構成処理と、再構成された候補セルから所定数を選択する第２次キャラクタ化候補セル選択処理と、選択されたセルの組み合わせについてキャラクタ化効果を評価するキャラクタ化効果評価処理とから構成され、
キャラクタ化候補セル再構成処理，第２次キャラクタ化候補セル選択処理及びキャラクタ化効果評価処理を繰り返して適切なキャラクタ化セルの組み合わせを決定することを特徴とする荷電ビーム描画装置。
【請求項３】
前記キャラクタ化候補セル再構成処理が、パターン存在領域の外接矩形が所定サイズ以下のセル内に定義されているパターン、又は指定したセル内に定義されているパターンを当該セルを参照しているセルに展開する部分的階層展開処理工程と、セル内の図形群を部分的に抽出して新たにセルとして定義する部分抽出処理工程と、セル識別番号は異なるが内部に定義されているパターン形状が同一ならば同じセルとみなすパターン認識処理工程と、アレイ参照されているセルの参照ピッチと最大ビーム寸法の最小公倍数を求めてその範囲内に当該セルアレイを展開した後、最大ビーム寸法で分割するアレイ再構成処理工程、から構成されていることを特徴とする請求項２記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項４】
描画すべきパターンに繰り返し現れる繰り返し単位と同じ形状に形成されたキャラクタビームと、矩形及び直角二等辺三角形などの基本形状に成形された基本形状ビームとを組み合わせて所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置において、
ＬＳＩの設計パターンデータから描画パターンデータを作成するための描画データ作成手段は、
設計パターンデータが有する階層的参照構造を維持した状態で所定の図形データ処理を行う階層的図形データ処理部と、前記階層的図形データ処理によってセル境界付近でエラー箇所が発生するのを防止するために、予め設計パターンデータの階層構造を再構成する階層構造組み替え処理部と、前記階層的図形データ処理後のパターンデータをキャラクタビームにより描画するパターン群と基本形状ビームの組み合わせにより描画するパターン群とに分離するキャラクタ決定処理部と、前記キャラクタビームにより描画するパターン群をビーム形状の種別を示す制御コードに置換するキャラクタ制御コード置換処理部と、前記基本形状ビームにより描画するパターンの図形データと前記キャラクタビームの種別を示す制御コードとを描画可能な単位領域に対して割り振る描画領域別描画データ出力部と、からなり、
前記キャラクタ決定処理部におけるキャラクタ化効果を評価する際の評価規範として、基本形状ビームにより描画した際の描画時間とキャラクタビームにより描画した際の描画時間との差を算出し、キャラクタ化効果の高いセルを所定数だけキャラクタ化することを特徴とする荷電ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、ＬＳＩなどの半導体集積回路のパターンをマスクやウエハなどの試料に高速・高精度に描画するための荷電ビーム描画技術に係わり、特にメモリデバイスに代表される繰り返しパターン部を一括露光する荷電ビーム描画方法及び描画装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子ビーム露光装置は、ビーム径に相当する極めて微細なパターンを描画できると共に、偏向及びビームの歪みと収差を電気的に補正できるため精度が高いという長所があり、現在、ＬＳＩ開発ツール及びマスク製造ツールとして広く利用されている。
【０００３】
この電子ビーム露光装置としては、従来、ガウシアン・ビームや可変成形ビームによっていわゆる一筆書きの要領で描画する装置が主流であったが、パターンが微細で複雑になればなるほどショット数が増え、スループットが低下するという欠点があった。そこで最近、半導体集積回路は基本回路の多くが同一パータンの繰り返しであることに着目し、それぞれの繰り返しパータン形状に対応する多数の透過孔を形成したマスク（以下、アパーチャマスクと呼ぶ）を備えた一括露光（キャラクタプロジェクション、以下ＣＰと略す）方式の電子ビーム露光装置が開発されている。
【０００４】
ところで、ＣＰ方式の電子ビーム露光装置では、繰り返し現れる図形や図形群を全てアパーチャマスクに組み込むことは不可能なため、残りは基本図形の組み合わせで描画する必要がある。そのため、アパーチャマスクにどの図形或いは図形群を組込むかによって描画時間が変わってくる。即ち、アパーチャマスクに組み込むためのパターンとして適切なものを選択することが、描画のスループットを上げる上で極めて重要である。
【０００５】
第１の従来例として、特開平５−１３３１３号公報においては、パターンデータの中から繰り返し使用されるパターンデータを抽出し、該パターンデータを所定サイズ毎に分割して候補ブロックデータとすると共に、該候補ブロックデータに対して露光ショットの総数が少なくなる順に高い有効度を設定し、該候補ブロックデータの中から選択的に所定数のブロックパターンを抽出するブロックパターン抽出手段を備えるように構成している。
【０００６】
第２の従来例として、特開平４−３２００２１号公報においては、アパーチャマスクに組み込むパターンとしては、描画すべきパータンに繰り返し現れる特徴図形若しくは特徴図形群の中から、前記基本図形用アパーチャに対応する成形ビームの組み合わせでショットしたと仮定した場合により多くのショット数を要する特徴図形若しくは特徴図形群を、優先的に選んで形成し、露光ショットの総数を少なくすることが記載されている。
【０００７】
ところで、電子ビーム露光装置には、描画されるべきウエハが置かれた試料台（ステージ）を連続的に移動しながら描画を行う、ステージ連続移動描画方式と呼ばれるものがある。図１６に示すように、この方式は全描画領域を電子ビームの偏向可能な幅（フレーム）で分割し、ステージを連続的に移動しながらフレーム単位に描画して行く方式である。なお、ステージ速度は各フレームで一定であるものとする。
【０００８】
このようなステージ連続移動の電子ビーム描画方式では、各フレームの描画時間は（フレーム長／ステージ速度）で与えられ、描画領域全体の描画時間は該フレームの描画時間の和とステージ端での折り返しの時間などのオーバーヘッドの時間の和で与えられる。従って、この方式では、描画時間はステージ速度によって決まり、描画スループットを向上させるためには、可能な限りステージ速度を最適化して高速化する必要がある。
【０００９】
第３の従来例として、特開平４−６１２２１号公報では、ステージを実際に移動させることなく、ステージの最適移動速度を簡易に求めることができる荷電ビーム描画方法が提案されている。この方法では、サンプルエリア毎に描画に要する必要描画時間を求め、ある一定の速度でステージを移動したと仮定してこの速度における小領域の最大描画時間を求め、フレーム内の小領域を端から順に評価して各小領域の必要時間を加えた値Ａと、評価した小領域の数に相当する最大描画時間の和Ｂとを比較する。そして、これらの差Ａ−Ｂが最大ビーム偏向幅に含まれる最大描画時間の和Ｃを越えるか否かを判断基準にして、Ａ−ＢがＣを越えない略最大のステージ移動速度を決定している。
【００１０】
このように、ＣＰ方式を採用した電子ビーム描画方法においては、抽出した候補ブロックデータに対して露光ショットの総数が少なくなる順に高い有効度を設定し、候補ブロックから選択的に所定数のブロックパターンを抽出してＣＰ露光するブロックとして決定する方式がとられている。
【００１１】
しかしながら、ステージ連続移動描画方式の場合には、描画時間は最終的にはステージ速度という形で決定される。各フレームのステージ速度は、フレームにおけるショット数の総数だけでなく、ショット数の粗密の分布やセルデータの配置様式などによって決まる。このため、ステージ連続移動の荷電ビーム描画方式では、露光ショットの総数が少なくなる順にＣＰセルとして採用しても、ショット数の粗密の分布やセルデータの配置様式などによっては、ステージ速度が変化せず、従って描画のスループットが向上しないという問題点があった。
【００１２】
また、第３の従来例から容易に類推されるように、ＣＰ候補セルから所定数の候補セルを選び出してできる全組み合わせを作成し、組み合わせのそれぞれについてステージ速度及び描画時間を算出し、描画時間が最も短くなる組み合わせを選択する方法が予想される。しかしながら、この方法では、全組み合わせの１つ１つについて、繰り返し第３の従来例の方法を適用してそれぞれの描画時間を求めるため、その処理の時間が膨大になるという問題が予想される。
【００１３】
一方、ＣＰ方式を採用した電子ビーム描画装置を用いて回路パターンを描画する場合、ＣＡＤ（Computer Aided Design ）等の回路パターン設計ツールを用いて作成された設計パターンデータを、電子ビーム描画装置に入力可能なデータ形式、即ち描画方式及び描画装置の仕様等の条件を満たした電子ビーム描画データ形式に変換する必要がある。このような「設計データから描画データへの変換処理」を、一般に「電子ビーム描画データ変換」と呼んでいる。従来のＶＳＢ方式描画装置に必要な電子ビーム描画データ変換の処理内容をまとめると、以下のようになる。
（１）レイヤー間図形論理演算（ＡＮＤ，ＯＲ，ＮＯＴ等）
（２）パターン重複除去（多重露光の防止を目的）
（３）リサイズ（太め／細め）
（４）倍率補正（拡大／縮小）
（５）回転補正（回転／鏡像）
（６）描画領域単位の分割（サブフィールド領域／フレーム領域などの境界線で分割）
（７）基本図形分割（描画装置に入力可能な基本図形に分割／近似）
（８）データ形式変換（描画装置固有の表現形式に変換して出力）
回路パターンを設計する場合、設計者はまずセルと呼ばれる図形群を定義し、これを別のセル内で呼び出して配置し、多くのセルを組み合わせることによって全体のパターンが構成される。このような設計データが有する階層的なセル参照構造を維持したまま上記図形処理を行うことにより、描画テータ変換の処理時間の短縮と、描画データ量の圧縮が図られている。このような処理手法を階層的図形データ処理と呼んでいる。
【００１４】
ＣＰ方式を採用した描画装置は、規則的パターンはＣＰ方式で、不規則パターンはＶＳＢ方式で描画する。そのため、ＣＰ方式に対応した描画データ変換処理では、上記機能に加えて、基本形状ビームによってＶＳＢ描画するパターンと、キャラクタビームによってＣＰ描画するパターンとを分離するデータ処理が必要となる。
【００１５】
この分離処理は、回路パターンを構成する多数の図形から規則性を求めて、その繰り返しの単位図形群をキャラクタ形状として抜き出す必要がある。その際には、ＶＳＢ描画パターンとＣＰ描画パターンの間に重複や間隙などの描画データ上のエラーを発生させないこと、描画スループットを最適とするキャラクタ図形の集合を効率良く抽出することの２点が重要である。特に後者においては、装置仕様に基づくキャラクタ種類数と最大ビーム寸法の制限下で描画スループットが最良となるキャラクタ図形の集合を求める必要があり、その処理が極めて複雑である。このため、データ処理時間が長くなり、描画システム全体のスループットをも低下させてしまうという問題があった。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来、ＣＰ方式を採用したステージ連続移動の荷電ビーム描画方式では、描画時間が最終的にはステージ速度という形で決定されるため、露光ショットの総数が少なくなる順にＣＰセルとして採用しても、ショット数の粗密の分布やセルデータの配置様式などによってはステージ速度が変化せず、従って描画のスループットが向上しないという問題があった。さらに、第３の従来例から類推される方法では、全ての組み合わせの１つ１つについて、繰り返し第３の従来例の方法を適用してそれぞれの描画時間を求めるため、その処理の時間が膨大になるという問題が予想される。
【００１７】
また、ＣＰ方式を採用した荷電ビーム描画装置においては、設計データから描画データを作成するために、基本形状ビームによってＶＳＢ描画するパターンとキャラクタビームによってＣＰ描画するパターンとを分離する図形データ処理が必要となり、この分離処理のためのデータ処理時間が長くなり、描画システム全体のスループットをも低下させてしまうという問題があった。
【００１８】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、ＣＰ描画方式の効果を十分に発揮してスループットの極めて高い描画を行うことができ、しかもアパーチャマスクに形成すべきＣＰセルの決定を容易に行い得る荷電ビーム描画方法を提供することにある。
【００１９】
また、本発明の他の目的は、設計パターンデータからキャラクタビームにより一括描画する図形群を容易に抽出することができ、かつＶＳＢ描画するパターンとの整合性も保って描画データを作成することができ、描画データ作成に要する時間を短縮して描画スループットの向上をはかり得る荷電ビーム描画装置を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明の骨子は、各サンプルエリアの可変成形ビームのみを用いた場合の描画時間Ａと各ＣＰ候補セルｃをキャラクタ化した場合に短縮される描画時間ΔＡｃとを全サンプルエリアについて一旦求めておき、ＡとΔＡｃからＣＰ候補セルの各組み合わせのステージ速度及びこれから導かれる描画時間を算出することにある。
【００２１】
即ち、本発明（請求項１）は、基本図形に対応する成形ビームを形成するための基本図形用アパーチャと繰り返しパターンに相当するキャラクタ用アパーチャが形成されたアパーチャマスクを用い、試料を載置したステージを連続移動しながら、所定幅に分割された描画領域（フレーム）を順次描画する荷電ビーム描画方法において、描画すべき所望のデータの中から繰り返し使用されるパターンをそれぞれ抽出してキャラクタセルにすべき候補セルとし、フレームをステージ連続移動方向に仮想的に小領域（サンプルエリア）に分割し、該サンプルエリアを基本図形用アパーチャのみを用いて描画するに必要な描画時間Ａと各々の候補セルに対し該セルをキャラクタ化して描画した場合の各短縮時間ΔＡｃとを全てのサンプルエリアについて求めた後、各々の候補セルからアパーチャマスクに形成する所定数を選んで全ての組み合わせを作成し、全ての組み合わせに対して、対応する短縮時間ΔＡｃの和を描画時間Ａから引くことにより、各々のサンプルエリアにおける描画時間を算出し、各フレームにおける描画時間が最も長いサンプルエリアの描画時間Ｔを求めて、（フレームの長さ／サンプルエリアの幅）×Ｔによって各々のフレームの描画時間を求め、これらのフレーム描画時間の和で与えられる描画全領域の描画時間を算出し、描画全領域の描画時間が最も短い候補セルの組み合わせを求め、この組み合わせでアパーチャマスク上のアパーチャパターンを形成することを特徴とする。
【００２２】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては、次のものがあげられる。
(1) ステージの移動速度を、各フレーム毎に最適に設定する。より具体的には、フレームにおいて最も描画時間のかかるサンプルエリアの描画時間をＴとし、サンプルエリアの幅／Ｔによってステージ移動速度を設定する。
(2) アパーチャマスクに形成するキャラクタセルの数を一定として、候補セルの組み合わせを求める。
(3) アパーチャマスクに形成するキャラクタセルの数を候補セルの大きさにより可変にして、候補セルの組み合わせを求める。より具体的には、各々の候補セルの面積の和が所定範囲内に入るようにして候補セルの組み合わせを求める。
【００２３】
また、本発明の別の骨子は、ＶＳＢ描画されるパターンとＣＰ描画されるパターンを分離する処理に先立ち、階層的図形データ処理の処理単位となった図形群（セル）を単位としてキャラクタビームの形状を決定し、キャラクタ化する図形群をＣＰ制御コードと置換し、ＶＳＢ描画パターン及びＣＰ制御コードを描画領域単位に描画データとして出力するように描画データ変換処理を構成することにある。
【００２４】
即ち、本発明（請求項２）は、描画すべきパターンに繰り返し現れる繰り返し単位と同じ形状に形成されたキャラクタビームと、矩形及び直角二等辺三角形などの基本形状に成形された基本形状ビームとを組み合わせて所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置において、ＬＳＩの設計パターンデータから描画パターンデータを作成するための描画データ作成手段を、設計パターンデータが有する階層的参照構造を維持した状態で所定の図形データ処理を行う階層的図形データ処理部と、階層的図形データ処理によってセル境界付近でエラー箇所が発生するのを防止するために、予め設計パターンデータの階層構造を再構成する階層構造組み替え処理部と、階層的図形データ処理後のパターンデータをキャラクタビームにより描画するパターン群と基本形状ビームの組み合わせにより描画するパターン群とに分離するキャラクタ決定処理部と、キャラクタビームにより描画するパターン群をビーム形状の種別を示す制御コードに置換するキャラクタ制御コード置換処理部と、基本形状ビームにより描画するパターンの図形データとキャラクタビームの種別を示す制御コードとを描画可能な単位領域に対して割り振る描画領域別描画データ出力部と、から構成し、更に前記キャラクタ決定処理部を、前記階層的図形データ処理の際に処理単位となったパターン群（セル）を単位として前記図形データ処理の結果を解析して、セル識別番号，セル参照数，セルサイズ，基本形状ビーム換算ショット数及びキャラクタビーム換算ショット数を算出するセル情報解析処理と、キャラクタ化効果の高いセルをキャラクタ化候補セルとして選択する第１次キャラクタ化候補セル選択処理と、候補セルとして選択されたセルのパターン定義内容を加工するキャラクタ化候補セル再構成処理と、再構成された候補セルから所定数を選択する第２次キャラクタ化候補セル選択処理と、選択されたセルの組み合わせについてキャラクタ化効果を評価するキャラクタ化効果評価処理とから構成し、キャラクタ化候補セル再構成処理，第２次キャラクタ化候補セル選択処理及びキャラクタ化効果評価処理を繰り返して適切なキャラクタ化セルの組み合わせを決定するようにしたものである。
【００２５】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては、次のものがあげられる。
(1) キャラクタ化候補セル再構成処理では、パターン存在領域の外接矩形が所定サイズ以下のセル内に定義されているパターン、又は指定したセル内に定義されているパターンを当該セルを参照しているセルに展開する部分的階層展開処理と、セル名は異なるが内部に定義されているパターン形状が同一のセルを同じセルとみなすパターン認識処理と、アレイ参照されているセルの参照ピッチと最大ビーム寸法の最小公倍数を求めてその範囲内に当該セルアレイを展開した後、最大ビーム寸法で分割するアレイ再構成処理と、セル内のパターンを部分的に抽出して新たにセルとする部分抽出処理とを組み合わせて処理すること。
(2) キャラクタ決定処理部における図形処理として、図形間重複除去，レイヤー間図形論理演算，単位偏向領域境界での図形分割及びリサイズ処理などを行うこと。
また、本発明（請求項４）は、描画すべきパターンに繰り返し現れる繰り返し単位と同じ形状に形成されたキャラクタビームと、矩形及び直角二等辺三角形などの基本形状に成形された基本形状ビームとを組み合わせて所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置において、ＬＳＩの設計パターンデータから描画パターンデータを作成するための描画データ作成手段は、設計パターンデータが有する階層的参照構造を維持した状態で所定の図形データ処理を行う階層的図形データ処理部と、前記階層的図形データ処理によってセル境界付近でエラー箇所が発生するのを防止するために、予め設計パターンデータの階層構造を再構成する階層構造組み替え処理部と、前記階層的図形データ処理後のパターンデータをキャラクタビームにより描画するパターン群と基本形状ビームの組み合わせにより描画するパターン群とに分離するキャラクタ決定処理部と、前記キャラクタビームにより描画するパターン群をビーム形状の種別を示す制御コードに置換するキャラクタ制御コード置換処理部と、前記基本形状ビームにより描画するパターンの図形データと前記キャラクタビームの種別を示す制御コードとを描画可能な単位領域に対して割り振る描画領域別描画データ出力部と、からなり、前記キャラクタ決定処理部におけるキャラクタ化効果を評価する際の評価規範として、基本形状ビームにより描画した際の描画時間とキャラクタビームにより描画した際の描画時間との差を算出し、キャラクタ化効果の高いセルを所定数だけキャラクタ化することを特徴とする。
【００２６】
【作用】
本発明（請求項１）の方法によれば、サンプルエリアを基本図形用アパーチャのみを用いて描画するに必要な描画時間Ａと候補セルをキャラクタ化して描画した場合の短縮時間ΔＡｃとを一度求めれば、ＣＰ候補セルの全ての組み合わせの描画時間をこれから簡易に求めることができる。その結果、描画時間が最短である候補セルの組み合わせを容易に選択することができる。即ち、ＣＰ描画方式の効果を十分に発揮してスループットの極めて高い描画を行うためのＣＰ候補セルの抽出が、短時間の効率的な処理によって得られる。
【００２７】
また、本発明（請求項２〜４）によれば、ＶＳＢ描画パターンとＣＰ描画パターンとを分離する前に階層的図形データ処理を行うため、両者の間に重複や間隙といったエラー箇所の無い所望の描画データを短時間で作成できる。このため、分離処理のためのデータ処理時間が短くなり、描画システム全体のスループットを向上させることが可能となる。
【００２８】
また、階層的図形処理の処理単位と同じセルを単位に第１次キャラクタ候補としてまず抽出し、分割・融合などの候補セル再構成処理を行った後に再度キャラクタ化効果を評価する２段階選抜方式を採用しているため、適切なキャラクタ図形の組み合わせを短時間で決定することができる。さらに、ＶＳＢ描画とＣＰ描画の時間差でキャラクタ化効果を評価するため、より現実に即した適切なキャラクタ集合を決定することができる。
【００２９】
近年のＬＳＩの微細化と高集積化の傾向を鑑みるに、荷電ビーム描画装置の処理性能が深刻な問題となることが予想される。これに対し、本発明のような描画データの作成手段を備えた描画装置は、ＣＰ描画方式に対応する描画データ変換に要する処理時間を短縮できるばかりでなく描画処理性能も同時に高めることができ、その有用性は大である。
【００３０】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
（実施例１）
図１は、本発明の第１の実施例に使用した電子ビーム露光装置を示す概略構成図である。図中１０は試料室であり、この試料室１０内には半導体ウエハ若しくはガラスマスク等の試料１１を載置したテーブル（ステージ）１２が収容されている。テーブル１２は、テーブル駆動回路１３によりＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に駆動される。そして、テーブル１２の位置は、レーザ測長計等を用いた位置回路１４により測定されるものとなっている。
【００３１】
試料室１０の上方には、電子ビーム光学系２０が配置されている。この光学系２０は、電子銃２１，各種レンズ２２〜２６，ブランキング用偏向器３１，ビーム寸法可変用偏向器３２，ビーム走査用の副偏向器３４及びビーム成形用アパーチャマスク３５，３６などから構成されている。
【００３２】
そして、主偏向器３３により所定の単位描画領域（サブフイールド）に位置決めし、副偏向器３４によってサブフイールド内での図形描画位置決めを行うと共に、ビーム形状制御用偏向器３２及びビーム成形用アパーチャマスク３５，３６によりビーム形状及びビーム寸法を制御し、テーブル１２をＸ若しくはＹ方向に連続移動しながらＬＳＩチップをビーム偏向幅に応じて短冊状に分割したフレーム領域を集めた描画ストライプ単位に描画処理する。さらに、テーブル１２を次の描画ストライプの開始位置まで移動し、上記処理を繰り返して各描画ストライプを順次描画処理するものとなっている。
【００３３】
一方、制御計算機４０には磁気ディスクを始めとする記憶媒体４１が接続されており、この磁気ディスク４１に描画対象とするＬＳＩチップに係わる描画データが格納されている。磁気ディスク４１から読み出された描画データは、前記描画ストライプ毎の描画データとしてパターンメモリ４２に一時的に格納される。パターンメモリ４２に格納された描画ストライプ毎の描画データ、つまり描画位置及び基本図形データなどで構成される描画ストライプデータは、データ解読部であるパターンデータデコーダ４３及び描画データデコーダ４４により解読され、ブランキング回路４５，ビーム成形ドライバ４６，主偏向ドライバ４７及び副偏向ドライバ４８に送出される。
【００３４】
即ち、パターンデコーダ４３では、上記描画ストライプデータを入力し、描画ストライプデータとして定義されている基本図形データを前記ビーム成形用アパーチャマスク３５，３６の組み合わせにより形成可能なＣＰセル図形又は矩形や三角形を始めとする描画単位図形群に図形群に図形分割して、この描画図形情報に基づいて作成されるビーム成形ドライバ４６に送られる。そして、ビーム成形ドライバ４６から電子光学系２０のビーム形状制御用偏向器３２に所定の偏向信号が印加されて、電子ビームのビーム形状及びビーム寸法が制御されるものとなっている。
【００３５】
次に、上述した装置におけるビームの生成方法について詳述する。図２（ａ）は、第１のビーム成形用アパーチャマスク３５のビーム通過孔の配置を示すもので、１つのビーム通過孔３５ａが形成されている。図２（ｂ）は、第２のビーム成形用アパーチャマスク３６のビーム通過孔の配置を示しており、第１〜第６の通過孔３６ａ〜３６ｆが形成されている。
【００３６】
図３は、第１のビーム成形用アパーチャマスク３５のアパーチャ像（第１成形アパーチャ像）と第２のビーム成形用アパーチャマスク３６に形成されたビーム通過孔の電子光学的重ね合わせにより所望のビーム形状及びビーム寸法を生成する様子を示している。図３（ａ）は、第１成形アパーチャ像と第２成形アパーチャマスク３６の第１のビーム通過孔３６ａとの組み合わせにより矩形ビームを生成している状態である。図３（ｂ）は、第１成形アパーチャ像と第２成形アパーチャマスク３６の第２のビーム通過孔３６ｂとの組み合わせにより三角形ビームを生成している状態である。矩形ビームと三角形ビームは、第２成形アパーチャマスク３６のアパーチャ投影像で一括転写できないパターン部を描画処理するための単位描画図形となる。
【００３７】
図３（ｃ）は、第１成形アパーチャ像と第２成形アパーチャマスク３６に形成されたＣＰセル投影用のビーム通過孔３６ｃ〜３６ｆのいずれかとの組み合わせにより、設計データの一部に相当するビーム像を生成している状態である。以上詳述したビーム生成方法を用いて、例えば図４の例に示したように、一括転写用のビームと三角形又は矩形からなる基本図形用のビームを用いて、ＬＳＩチップを露光していく。
【００３８】
次に、本実施例装置を用いて描画を行う際に、アパーチャマスク上に形成するＣＰアパーチャ図形をどのようにして選択するかについて説明する。図５は、本実施例に従ってＣＰセルを決定する際の処理の流れを示したフローチャートである。このフローチャートに従い、処理の内容を詳述する。
【００３９】
まず、ＬＳＩパターンの設計から繰り返しパターンを抽出する（Ｓ１）。次いで、抽出した繰り返しパターンを分割又は融合し、ＣＰ用アパーチャ程度の大きさとなるようにパターンサイズを最適化する（Ｓ２）。以下、このようにして最適化された繰り返しパターンをＣＰ候補セルと呼ぶことにする。
【００４０】
次いで、ＣＰ候補セルのＬＳＩ全体における参照回数、及び各ＣＰ候補セルを可変成形ビームのみを用いて露光した場合のショット数を求める（Ｓ３）。例えば、描画するＬＳＩパータンの設計データを解析すると、図６のようにＡ〜Ｄの４種類の繰り返しパターンがあることが分かった。また、４種類の繰り返しパターンをＣＰアパーチャサイズ程度の大きさに最適化し、図７のような８個のＣＰ候補セルＡ，Ｂ１，Ｂ２，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｄを作成した。但し、この例では単純に分割する方法がとられている。また、８個のＣＰ候補セルの参照回数とショット数を求めた結果が、下記の（表１）である。
【００４１】
【表１】
0003910647.tif 000002
【００４２】
次いで、ＣＰ候補セルから、アパーチャマスクに形成できる所定数の候補セルを選んで、可能な組み合わせを作成する（Ｓ４）。例えば、図２に示したように、ＣＰ用アパーチャが４個アパーチャマスク上に可能である場合には、図７の例では、 8Ｃ4 ＝７０通りの組み合わせを作成する。
【００４３】
次いで、図８のフローチャートに従い、ＣＰ候補セルの全ての組み合わせについて、各組み合わせに属するＣＰ候補セルをキャラクタセルとして露光した場合の描画時間を算出する（Ｓ５）。以下、この算出方法を詳細に説明する。
【００４４】
まず、チップ全体をフレーム及びサンプルエリアに分割し、各サンプルエリアを可変成形ビームのみで描画した場合の必要描画時間Ａを求める。同時に、候補セルｃをＣＰ露光した場合の候補セル毎の各サンプリルエリアの描画短縮時間ΔＡｃを求める。ここで、フレームとは描画領域を偏向系の偏向幅で決まる所定幅のストライプに分割した領域であり、サンプルエリアとはフレームをステージ連続移動方向に仮想的に小領域に分割した領域である。
【００４５】
以下、ｉ番目のフレームのｊ番目のサンプルエリアを可変成形ビームのみを用いて描画した場合の描画時間Ａを、新たにｔijVSB と書くことにすると、前述の描画装置の場合には、
ｔijVSB ＝Ｎsub ×ｔs1＋（Ｎshot−Ｎsub)×ｔs2＋Ｎshot×ｔd … (1)
で与えられる。但し、
ｔs1：主偏向セトリング時間
ｔs2：副偏向セトリング時間
ｔd ：照射時間
Ｎsub ：ｉ番目のフレームのｊ番目のサンプルエリアのサブフィールド数
Ｎshot：ｉ番目のフレームのｊ番目のサンプルエリアのショット数
サブフィルード：副偏向の切り換えのみで露光できる領域
である。
【００４６】
また、ｉ番目のフレームのｊ番目のサンプルエリアにおいて、候補セルｃのみをＣＰ露光した場合の、可変成形ビームのみで露光した場合と比較した短縮描画時間ΔＡｃを新たにΔｔijｃと書くと、
Δｔijｃ＝（Ｎshot,c(VSB) −Ｎshot,c(CP)）×（ｔs2＋ｔd)  … (2)
となる。但し、
Ｎshot,c(VSB) ：ｉ番目のフレームのｊ番目のサンプルエリアにある、全てのセルＣをＶＳＢのみで露光した際の総ショット数
Ｎshot,c(CP)：ｉ番目のフレームのｊ番目のサンプルエリアにある、全てのセルＣをＣＰ露光した場合の総ショット数
である。同様にして、全てのサンプルエリアについて、ｔijVSB とΔｔijｃを求める。また、Δｔijｃについては、全てのＣＰ候補セルについて求めるものとする。
【００４７】
次に、上述したＣＰ候補セルの組み合わせの一つ一つについて、チップ全体を描画するのに必要な描画時間を上記ｔijVSB 及びΔｔijｃから求める方法について説明する。図７中の候補セルについて、組み合わせ（Ａ，Ｂ１，Ｃ１，Ｄ）を例にとって、算出方法を説明する。まず、Ａ，Ｂ１，Ｃ１，ＤをＣＰ方式で、チップの残りの部分を可変成形ビームで露光するとして、各フレームのそれぞれのサンプルエリアにおける必要描画時間を以下の式で算出する。
【００４８】
ｔij＝ｔijVSB −ΔｔijA −ΔｔijB1−ΔｔijC1−ΔｔijD     … (3)
即ち、各サンプルエリアにおける必要描画時間は、図９に示すように、可変成形ビームのみを用いて描画するのに必要な時間から、キャラクタ化による描画時間の短縮分を引けばよい。なお、図９（ａ）は各サンプルエリアにおける必要描画時間、図９（ｂ）は対応するフレームの模式図を示している。
【００４９】
次に、この値をもとに、各フレームにおけるステージ速度を算出する。まず、フレーム毎に必要描画時間の最も長いサンプルエリアを求め、このサンプルエリアを描画できる最高の速度をステージ速度とする。即ち、ｉ番目のフレーム上において必要描画時間の大きいサンプルエリアがｍ番目のサンプルエリアであるとすると、ステージ速度ｖimは
ｖim＝ｌ／ｔim          … (4)
となる。但し、ｌはサンプルエリアの幅である。
【００５０】
従って、ｉ番目のフレームの実際の描画時間ｔi は、
ｔi ＝Ｌ／ｖim          … (5)
と求まる。
【００５１】
この処理を全てのフレームについて行えば、全描画時間Ｔａｌｌは、
Ｔａｌｌ＝Σｔi       … (6)
i
で、求まる。
【００５２】
以上の処理を、候補セルの全ての組み合わせについて行い、それぞれの組み合わせに対してチップ全体の描画時間を求め、描画時間が最短となった組み合わせのＣＰ候補セルをアパーチャマスクのＣＰ用アパーチャ図形として選択する（Ｓ６）。即ち、
Ｔｏｐｔ＝Ｍｉｎ（Ｔ1 all ，Ｔ2 all ，…）    … (7)
として、Ｔｏｐｔを与える組合わせに属するＣＰ候補セルをアパーチャマスクのＣＰアパーチャ図形として作成する。但し、Ｔk all はｋ番目のＣＰ候補セルの組み合わせをＣＰ露光した場合のチップ全体の描画時間である。
【００５３】
このように本実施例によれば、ステージ連続移動方式の電子ビーム露光装置において、描画時間が最も短くなるＣＰ候補セルの組み合わせをアパーチャマスクに形成しておくことにより、露光ショット数を少なくして描画スループットの向上をはかることができる。
【００５４】
そしてこの場合、各サンプルエリアの可変成形ビームのみを用いた場合の描画時間Ａと各ＣＰ候補セルｃをキャラクタ化した場合に短縮される描画時間ΔＡｃとを全サンプルエリアについて一旦求めておき、ＡとΔＡｃからＣＰ候補セルの各組み合わせのステージ速度、及びこれから導かれる描画時間を算出することにより、描画時間が最短である候補セルの組み合わせを容易に選択することができる。即ち、描画時間を最も短縮する効果のある繰り返しパターンを求める際に、無駄な手順を省き、効率的な選択をすることができる。
（実施例２）
図１０は、本発明の第２の実施例を示すブロック図であり、特に設計データから描画データを作成する描画データ作成手段の構成を示している。
【００５５】
本実施例の描画装置は、描画データ作成手段５０と描画手段６０からなる。描画データ作成手段５０は、階層構造組み替え処理部５１、階層的図形データ処理部５２、キャラクタ化セル決定処理部５３、キャラクタ制御コード置換処理部５４、描画領域別描画データ出力部５５から構成されている。描画手段６０は描画装置本体に相当するものであり、前記図１に示したものと同様である。
【００５６】
階層構造組み替え処理部５１は、これに続く階層的図形データ処理の前処理であり、設計データを読み出してその階層構造を再構成し、階層的図形データ処理によってセル境界付近で図形重複或いは間隙などのエラー箇所が発生することを防止する。階層的図形データ処理部５２は、設計データの階層構造を維持したまま、図形重複除去，レイヤー間図形論理演算，リサイズ，倍率補正などの図形データ処理をセル単位に行う。
【００５７】
キャラクタ化セル決定処理部５３は、図１１に示すように規則的パターン領域をＣＰ描画領域として、それ以外の基本形状ビーム描画領域と分離する処理であり、階層的図形データ処理の処理結果を基に、セル単位にキャラクタ化効果を評価してキャラクタ化セルの集合を決定する。回路パターン設計時に設計者が繰り返し単位として定義したセルをキャラクタ化する図形群の単位として採用することにより、回路パターンから繰り返し単位を抽出する手間を大幅に軽減することができる。
【００５８】
キャラクタ制御コード置換処理部５４は、キャラクタ化が決まったセルの図形データを抜き出して、キャラクタ制御コードに置き換える処理である。キャラクタ制御コードは、描画手段がキャラクタビームを発生する際に、キャラクタ形状を識別する制御コードとしている。
【００５９】
最後の描画領域別描画データ出力部５５は、ＶＳＢ描画データとキャラクタ制御コードを描画位置に応じて、描画領域単位（フレーム領域など）に振り分けて出力するものである。以上の処理により、ＣＰ描画方式に対応した描画データが作成されるようになっている。
【００６０】
次に、図１２に示したキャラクタ化セル決定処理部５３のブロック図に基づいてキャラクタ化セル決定処理の詳細を説明する。キャラクタ化セル決定処理部５３は、セル情報解析部５３ａ，第１次候補セル選択部５３ｂ，候補セル再構成部５３ｃ，第２次候補セル選択部５３ｄ，キャラクタ化効果評価部５３ｅから構成される。
【００６１】
セル情報解析部５３ａは、階層的図形データ処理の処理結果であるセル内図形データとセル配置データを読み込み、セル情報テーブルを作成する。このセル情報テーブルは、各セルに割り振られたセル識別番号、セル内に定義された図形の外接矩形のサイズであるセルサイズ、そのセルのチップ内の総参照数、基本形状ビームで描画した場合のショット数、キャラクタ化した場合のショット数といった項目から構成される。
【００６２】
このセル情報テーブルを基に、キャラクタ化効果の比較的高いセルを、第１次候補セル選択部５３ｂにより第１次キャラクタ化候補セルとして選択し、以後の処理の対象となるセルの数を絞り、処理負荷を軽減しておく。
【００６３】
セルを単位にキャラクタ化することにより、回路パターンから繰り返し単位を抽出することが大幅に容易となる。しかし、セルは設計時の定義された図形群のため、そのサイズ及び種類数は任意である。一方、キャラクタは装置仕様の制約から、サイズ及び種類数が制限されている。そのため、第１次キャラクタ候補セルをそのままキャラクタ化することができない場合がある。そこで、適切なセルサイズにすると共に、限定されたキャラクタ種類数を最大限活用することができるように、候補セルの定義内容を再構成する必要がある。候補セル再構成部５３ｃでは、次のような処理を行う。
（１）階層構造の部分的展開
（２）パターンの部分抽出
（３）パターン認識
（４）アレイ再構成
（５）セル分割
以下に各処理内容の詳細を説明する。
（１）階層構造の部分的展開
図１３（ａ）に示すように、セルＡ内でセルＢがアレイ配置されており、セルＢ内でセルＦが４種類の配置方向で参照配置されているものとする（Ｆの添字が配置方向を示す）。この参照構造を木表記法で表すと、図１３（ｂ）となる。セルＦのセルサイズは、最大ビーム寸法の１／２以下であり、セルＢを単位にキャラクタ化すれば、４個のセルＦの領域を一括描画することができる。しかし、セルＢ内ではセルＦを参照配置してはいるが、図形は定義されておらず、単純にセルＢをキャラクタ化すると中身が空のキャラクタとなってしまう。
【００６４】
そこで、指定したセルより下位の階層構造を展開し、下位セルで定義されていた図形を指定したセルに与える。この例では、セルＢ以下で参照されているセルＦ１〜Ｆ４内に定義されている図形をセルＢに与える。これにより、セルＢのキャラクタ化効果が高まる。
（２）パターンの部分抽出
図１４に示すように、セルＥ及びセルＰはセルＦに類似のパターンであり、類似部分を切り出して同一のキャラクタで置き換えることができれば、キャラクタ描画の効率が高まる。そこで、セル内のパターンの一部を切り出して新たな候補セルとする機能が必要となる。
（３）パターン認識
セル識別番号は異なるが、同一のパターンが内部に定義されている場合が存在する。これらを別々のキャラクタとして抽出したり、一方をＶＳＢ描画してしまうと、ＣＰ描画の効率が低下する。そこで、パターン認識を行ってパターンを検査し、同一内容のセルについてセル識別番号を統一する。前項（２）のパターン部分抽出と組み合わせれば、類似図形を含むセルの一部をキャラクタ化することが可能となる。
（４）アレイ再構成
最大ビーム寸法より小さい候補セルがアレイ配置されている例を、図１５に示す。最大ビーム寸法が３μｍ、アレイ配置ピッチが２μｍの場合、最大ビーム寸法とアレイ配置ピッチの最小公倍数は６μｍである。この領域内に候補セルを展開すると、図１５（ａ）のように３×３＝９個のセルが入る。これを最大ビーム寸法で分割すると図１５（ｂ）のように４個のセルに分割され、アレイ配置構造は再構成される。このアレイ再構成により作成されたセルをそれぞれキャラクタ化すると、キャラクタ種類数は増加するが、総ショット数は低減する。ここで示した例では、キャラクタ数は１個から４個に増加し、総ショット数は４／９に減少している。
【００６５】
以上の候補セル再構成を行った後、第２次候補セル選択部５３ｄにより所定数の候補セルを第２次候補セルとして選択し、キャラクタ化効果評価部５３ｅによりキャラクタ化効果を評価する。ここで、キャラクタ化効果の評価規範として、選択した第２次候補セルをＶＳＢ描画した場合と、キャラクタ化した場合の描画時間との差を算出して用いると、より現実に近い評価を行うことができ、適切なキャラクタ化効果を評価することが可能となる。
【００６６】
さらに、第２次選択する候補セルの組み合わせを種々変更してキャラクタ化効果を評価すると共に、場合によっては再度、候補セル再構成，第２次候補セル選択及びキャラクタ化効果評価を繰り返すことによって、より適切なキャラクタ集合を求めることができる。
【００６７】
このように本実施例によれば、描画データ作成手段５０を図１０のように構成し、ＶＳＢ描画パターンとＣＰ描画パターンとを分離する前に階層的図形データ処理を行うことによって、設計パターンデータからキャラクタビームにより一括描画する図形群を容易に抽出することができ、かつＶＳＢ描画するパターンとの整合性も保たれた描画データを作成することができる。そして、抽出されたキャラクタ図形の集合が適切なものとなるため、描画データ作成に要する時間を短縮化して描画スループットを向上させることができる。その結果、電子ビーム描画装置の稼働率を高めると共に、ＬＳＩの生産性を高めることができる。
【００６８】
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものではない。第１の実施例では、アパーチャマスクに形成するキャラクタセルの数を４個として候補セルの組み合わせを求めたが、キャラクタセルの数はこれに限定されるものではなく適宜変更可能である。さらに、キャラクタセルの数は必ずしも一定にする必要はなく、キャラクタセルの数を候補セルの大きさにより可変にしてもよい。例えば、候補セルの大きさが異なる場合には、各々の候補セルの面積の和が所定範囲内に入るようにして候補セルの組み合わせを求めるようにすればよい。
【００６９】
また、本発明を実施するための装置の構成は図１に何等限定されるものではなく、基本図形用アパーチャとキャラクタ用アパーチャが形成されたアパーチャマスクを用い、試料を載置したステージを連続移動しながら、所定幅に分割されたフレームを順次描画するものであればよい。さらに、実施例では電子ビーム露光装置について説明したが、イオンビーム露光装置においても同様に適用できるのは勿論のことである。
【００７０】
また、第２の実施例で説明した描画データ作成処理と第１の実施例で説明したアパーチャパターン決定処理とを組み合わせて用いることにより、描画スループットのより一層の向上をはかることも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００７１】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明（請求項１）によれば、各サンプルエリアの可変成形ビームのみを用いた場合の描画時間Ａと各ＣＰ候補セルｃをキャラクタ化した場合に短縮される描画時間ΔＡｃとを全サンプルエリアについて一旦求めておき、ＡとΔＡｃからＣＰ候補セルの各組み合わせのステージ速度及びこれから導かれる描画時間を算出することにより、ＣＰ描画方式の効果を十分に発揮してスループットの極めて高い描画を行うことができ、しかもアパーチャマスクに形成すべきＣＰセルの抽出を容易に行い得る荷電ビーム描画方法を実現することが可能となる。
【００７２】
また、本発明（請求項２〜４）によれば、ＶＳＢ描画されるパターンとＣＰ描画されるパターンとを分離する処理に先立ち、階層的図形データ処理の処理単位となった図形群（セル）を単位としてキャラクタビームの形状を決定し、キャラクタ化する図形群をＣＰ制御コードと置換し、ＶＳＢ描画パターン及びＣＰ制御コードを描画領域単位に描画データとして出力することにより、設計パターンデータからキャラクタビームにより一括描画する図形群を容易に抽出することができ、かつＶＳＢ描画するパターンとの整合性も保って描画データを作成することができ、描画データ作成に要する時間を短縮して描画スループットの向上をはかり得る荷電ビーム描画装置を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例に使用した電子ビーム描画装置を示す概略構成図。
【図２】ビーム成形アパーチャの構造を示す模式図。
【図３】成形ビームの形状を示す模式図。
【図４】描画データの体系を示す模式図。
【図５】実施例方法における処理概要を示すフローチャート。
【図６】実施例で描画する繰り返しパターンの例を示す模式図。
【図７】実施例で使用するＣＰ候補セルの例を示す模式図。
【図８】実施例における描画時間算出の処理を説明するためのフローチャート。
【図９】実施例におけるステージ速度算出の方法を示す模式図。
【図１０】第２の実施例を説明するためのもので、描画データ作成手段の構成を示すブロック図。
【図１１】キャラクタビーム描画領域と基本形状ビーム描画領域のパターン例を示す図。
【図１２】キャラクタ化セル決定処理部の構成を示すブロック図。
【図１３】階層構造の部分的展開処理を説明するため図。
【図１４】パターン部分抽出処理を説明するための図。
【図１５】アレイ再構成処理を説明するための図。
【図１６】従来のステージ連続移動方式の描画方法を説明するための模式図。
【符号の説明】
１０…試料室                      １１…試料
１２…テーブル                    １３…テーブル駆動回路
１４…位置回路                    ２０…電子光学系
２１…電子銃                      ２２〜２６…レンズ
３１〜３４…偏向器                ３５，３６…ビーム成形アパーチャ
４０…制御計算機                  ４１…磁気ディスク（記憶媒体）
４２…パターンメモリ              ４３…パターンデータデコーダ
４４…描画データデコーダ          ４５…ブランキング回路
４６…ビーム成形器ドライバ        ４７…主偏向回路ドライバ
４８…副偏向器ドライバ            ５０…描画データ作成手段
５１…階層構造組み替え処理部      ５２…階層的図形データ処理部
５３…キャラクタ化セル決定処理部  ５４…キャラクタ制御コード置換処理部
５５…描画領域別描画データ出力部  ６０…描画手段
【図１】
0003910647.tif 000003
【図２】
0003910647.tif 000004
【図３】
0003910647.tif 000005
【図４】
0003910647.tif 000006
【図５】
0003910647.tif 000007
【図６】
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【図７】
0003910647.tif 000009
【図８】
0003910647.tif 000010
【図９】
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【図１０】
0003910647.tif 000012
【図１１】
0003910647.tif 000013
【図１２】
0003910647.tif 000014
【図１３】
0003910647.tif 000015
【図１４】
0003910647.tif 000016
【図１５】
0003910647.tif 000017
【図１６】
0003910647.tif 000018