(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にパッド酸化膜、窒化膜を順次に形成する段階と、
フィールド酸化膜として形成される前記半導体基板上のパッド酸化膜を露出させる窒化膜パターンを写真食刻方法で形成する段階と、
前記窒化膜パターン及び露出されたパッド酸化膜の全面にＳｉＯＮ膜を形成する段階と、
前記ＳｉＯＮ膜の形成されたシリコン基板を熱酸化させて酸化膜を形成する段階と、
前記ＳｉＯＮ膜、窒化膜パターン及びパッド酸化膜を順次に取り除く段階とを具備し、
前記ＳｉＯＮ膜は３０乃至１５０Åの厚さで形成することを特徴とする素子分離方法。
【請求項２】
前記ＳｉＯＮ膜はシラン（ＳｉＨ4 ）及びジクロロシラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）よりなる群から選択されたいずれか一つのガスとＮＨ3  とＮ2 Ｏとの混合ガスを用いて形成されることを特徴とする請求項１に記載の素子分離方法。
【請求項３】
前記混合ガスはＮＨ3  、Ｎ2 Ｏ及びＳｉＨ2 Ｃｌ2 を含み、該混合比率はＳｉＨ2 Ｃｌ2 ：ＮＨ3  は１：５乃至１：１５であり、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ：Ｎ2 Ｏは１：５乃至１：１５であることを特徴とする請求項２に記載の素子分離方法。
【請求項４】
前記混合ガスはＮＨ3 、Ｎ2 Ｏ及びＳｉＨ4 を含み、該混合比率はＳｉＨ4 ：ＮＨ3 は１：５乃至１：１５であり、ＳｉＨ4 ：Ｎ2 Ｏは１：５乃至１：１５であることを特徴とする請求項２に記載の素子分離方法。
【請求項５】
前記熱酸化工程は９５０乃至１１００℃で行われることを特徴とする請求項１に記載の素子分離方法。
【請求項６】
半導体基板上にパッド酸化膜、多結晶シリコン膜及び窒化膜を順次形成する段階と、
フィールド酸化膜として形成される前記多結晶シリコン膜を露出させる窒化膜パターンを写真食刻方法で形成する段階と、
前記窒化膜パターン及び露出された前記多結晶シリコン膜上にＳｉＯＮ膜を形成する段階と、
前記ＳｉＯＮ膜の形成された前記露出された多結晶シリコン膜を熱酸化させて酸化膜を形成する段階と、
前記ＳｉＯＮ膜、窒化膜パターン、酸化されない前記多結晶シリコン膜及びパッド酸化膜を取り除く段階とを具備し、
前記ＳｉＯＮ膜は３０乃至１５０Åの厚さで形成することを特徴とする素子分離方法。
【請求項７】
前記ＳｉＯＮ膜はＳｉＨ4 及びＳｉＨ2 Ｃｌ2 よりなる群から選択されたいずれか一つのガスとＮＨ3とＮ2 Ｏとの混合ガスを用いて形成されることを特徴とする請求項６に記載の素子分離方法。
【請求項８】
前記混合ガスはＮＨ3 、Ｎ2 Ｏ及びＳｉＨ2 Ｃｌ2 を含み、該混合比率はＳｉＨ2 Ｃｌ2 ：ＮＨ3  は１：５乃至１：１５であり、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ：Ｎ2 Ｏは１：５乃至１：１５であることを特徴とする請求項７に記載の素子分離方法。
【請求項９】
前記混合ガスはＮＨ3  、Ｎ2 Ｏ及びＳｉＨ4 を含み、該混合比率はＳｉＨ4 ：ＮＨ3  は１：５乃至１：１５であり、ＳｉＨ4 ：Ｎ2Ｏは１：５乃至１：１５であることを特徴とする請求項７に記載の素子分離方法。
【請求項１０】
前記熱酸化工程は９５０乃至１１００℃で行われることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の素子分離方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にシランオキシニトリド（以下、ＳｉＯＮ）膜を用いてフィールド酸化膜を形成することによって、バーズビークを最小化し、これにより十分なるセル領域の確保及び向上された素子分離効果が得られる半導体装置の素子分離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
素子分離領域の縮小は半導体装置の高集積化及び微細化技術において極めて重要である。素子分離領域は半導体装置の製造工程において初期段階で形成され、活性領域の大きさ及び後続工程段階の工程マージンを決定する。従って、チップパターンの全体の縮小に比例してフィールド酸化膜の縮小が不可避である。
【０００３】
半導体装置の製造時、素子分離技術としては局部酸化（LOCal Oxidation of Silicon：以下、ＬＯＣＯＳ）法や選択的多結晶シリコン酸化（SElective Polysilicon Oxidation ：以下、ＳＥＰＯＸ）法が用いられてきた。しかしながら、このような素子分離方法も半導体装置の高集積化により限界が現れている。
【０００４】
ＬＯＣＯＳ法は工程の単純性及び少量の漏れ電流を有する特性により効果的な技術として用いられてきたが、フィールド酸化膜が活性領域に押し込む現象即ち、バーズビークが形成されて酸化膜の分離長さが延びて活性領域の専用面積を縮める。この結果、適当なメモリセル領域が確保できなくなる。
【０００５】
ＳＥＰＯＸ法の工程はＬＯＣＯＳより複雑であるが、素子分離長さが縮まるなどの長所がある。しかしながら、これも素子分離の長さには限りがあって、高集積化及び素子分離効果を高めるには限界がある。
【０００６】
上述した従来のＬＯＣＯＳ法とＳＥＰＯＸ法を添付した図面に基づき簡単に説明する。
図１乃至図４は従来のＬＯＣＯＳ法によるフィールド酸化膜の製造方法を段階別に示した図面である。
【０００７】
先ず、図１に示されたように、半導体基板１０上にパッド酸化膜１２と窒化膜１４を順に形成する。続いて、前記窒化膜１４の全面にフォトレジストを塗布した後フィールド酸化膜として形成される基板１０上の窒化膜１４を露出させるフォトレジストパターン１６を形成する。
【０００８】
次に、図２に示されたように、前記フォトレジストパターン１６（図１）を食刻マスクとして露出された窒化膜１４を異方性食刻して、パッド酸化膜１２の表面を露出させる窒化膜パターン１４Ａを形成する。
【０００９】
次いで、図３に示されたように、フォトレジストパターン１６を取り除いた後結果物を酸化させる。酸化の結果、露出されたパッド酸化膜１２の下部のシリコン基板１０が酸化膜１８Ａに成長する。
【００１０】
次に、図４のように前記窒化膜パターン１４Ａ及び窒化膜パターン１４Ａの下部のパッド酸化膜１２を取り除くことによりフィールド酸化膜１８Ｂを完成する。このように形成されたフィールド酸化膜１８Ｂはその両端にバーズビーク２０を有する。このようなバーズビーク２０の形成された部分は元来活性領域の形成されるべき部分である。従って、ＬＯＣＯＳ法を用いた素子分離方法は活性領域の専用面積を縮ませる。
【００１１】
さらに、酸化後の窒化膜パターン１４Ａの除去工程は燐酸溶液を用いて取り除くことが一般的である。ところが、酸化膜１８Ａの形成工程時窒化膜パターン１４Ａ上に付随的に酸化膜（図示せず）が形成される場合、燐算溶液により窒化膜パターン１４Ａが容易に取り除かれない。従って、燐酸溶液を処理する前に、窒化膜パターン１４Ａ上の酸化膜を湿式食刻方法で取り除く。しかしながら、前記窒化膜パターン１４Ａ上に付随的に形成された酸化膜を食刻する段階でフィールド酸化膜として形成される酸化膜１８Ａも同時に食刻されてフィールド酸化膜が薄くなる問題がある。
【００１２】
図５乃至図９は従来のＳＥＰＯＸ法によるフィールド酸化膜の製造方法を段階別に示した図面である。
まず図５のように、半導体基板５０の全面にパッド酸化膜５２、多結晶シリコン膜５４及び窒化膜５６を順に形成する。次いで、窒化膜５６の全面にフォトレジストを塗布した後、活性領域を限定するフォトレジストパターン５８を形成する。
【００１３】
次いで、図６に示されたようにフォトレジストパターン５８を食刻マスクとして用いて露出された窒化膜を食刻して、フィールド酸化膜の形成される部分の多結晶シリコン膜５４の表面を露出させる窒化膜パターン５６Ａを形成する。
【００１４】
次に、図７のように、前記フォトレジストパターン５８（図５）を除去し前記結果物を酸素雰囲気で熱処理する。その結果、露出された多結晶シリコン膜５４（図６）は酸化膜６０に転換され窒化膜パターン５６Ａで覆われている部分は相変わらず多結晶シリコン膜５４Ａとして残るようになる。この際、形成される酸化膜６０もＬＯＣＯＳ法によるものに比し減りはしたが、両端が活性領域の方に押し込んでバーズビーク６２を形成する。
【００１５】
次いで、図８のように窒化膜バターン５６Ａ及び多結晶シリコン膜５４Ａを異方性食刻で取り除いてパッド酸化膜５２の表面を露出させる。異方性食刻工程の間、バーズビーク６２の下部の多結晶シリコン層は食刻されない。従って、パッド酸化膜５２と酸化膜６０との間に多結晶シリコン片５４Ｂが残る。
【００１６】
最後に、多結晶シリコン片５４Ｂを酸化膜に転換させるために、図８の結果物を酸化させる。このような酸化工程により、図９のようにフィールド酸化膜６２Ａが完成される。
【００１７】
前述したように、従来技術によれば、酸素原子がパッド酸化膜を通じて拡散して窒化膜パターンの下面に至る。これは、窒化膜の下面で酸化膜が成長して窒化膜バターンをリフトさせる。従って、活性領域にアイールド酸化膜が側面拡散されるバーズビークが形成されて、結局半導体素子の高集積化に障害となる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は前記した問題点を解決するためのものであり、ＳｉＯＮ膜を用いてバーズビークを最小化し得る素子分離領域の製造方法を提供するにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
半導体基板上にパット酸化膜、窒化膜を順次に形成する段階と、フィールド酸化膜として形成される前記半導体基板上のパッド酸化膜を露出させる窒化膜パターンを写真食刻方法で形成する段階と、前記窒化膜パターン及び露出されたパッド酸化膜の全面にＳｉＯＮ膜を形成する段階と、前記ＳｉＯＮ膜の形成されたシリコン基板を熱酸化させて酸化膜を形成する段階と、前記ＳｉＯＮ膜、窒化膜パターン及びパッド酸化膜を順次に取り除く段階とを具備することを特徴とする。前記の目的を達成するために本発明はまた、半導体基板上にパッド酸化膜、多結晶シリコン膜及び窒化膜を順次形成する段階と、フィールド酸化膜として形成される前記多結晶シリコン膜を露出させる窒化膜パターンを写真食刻方法で形成する段階と、前記窒化膜パターン及び露出された多結晶シリコン膜上にＳｉＯＮ膜を形成する段階と、前記ＳｉＯＮ膜の形成された前記露出された多結晶シリコン膜を熱酸化させて酸化膜を形成する段階と、前記ＳｉＯＮ膜、窒化膜パターン、酸化されない前記多結晶シリコン膜及びパッド酸化膜を取り除く段階とを具備することを特徴とする。
【００２０】
本発明において、前記ＳｉＯＮ膜はＳｉＨ4 及びＳｉＨ2 Ｃｌ2 よりなる群から選択されたいずれか一つのガスとＮＨ3  とＮ2 Ｏとの混合ガスより形成され、混合ガスの混合比率はＳｉＨ2 Ｃｌ2 又はＳｉＨ4 ：ＮＨ3  は１：５乃至１：１５であり、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 又はＳｉＨ4 ：Ｎ2 Ｏは１：５乃至１：１５であることが好ましい。さらに、前記熱酸化工程は９５０乃至１１００℃で行われることが好ましい。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面に基づき本発明を詳細に説明する。
図１０乃至図１３はＬＯＣＯＳ法による本発明の半導体装置の素子分離領域の製造方法を示す断面図である。
図１０はパッド酸化膜１０２、窒化膜１０４及びフォトレジストパターン１０６を形成する段階を示す断面図である。
【００２２】
半導体基板１００上にパッド酸化膜１０２と窒化膜１０４を順に形成する。前記パッド酸化膜１０２は１５０乃至３００Åの厚さで、窒化膜１０４は１０００乃至２０００Åの厚さで形成し、好ましくはパッド酸化膜１０２は２５０Åの厚さで、窒化膜は１５００Åの厚さで形成する。続いて、前記窒化膜１０４の全面にフォトレジストを塗布した後、活性領域を限定するフォトレジストパターン１０６を形成する。
【００２３】
図１１は窒化膜パターン１０４Ａ及びＳｉＯＮ膜１０８を形成する段階を示す断面図である。
前記フォトレジストパターン１０６（図１０）を食刻マスクとして前記露出された窒化膜を異方性食刻して、フィールド酸化膜として形成されるシリコン基板１００上のパッド酸化膜１０２を露出させる窒化膜パターン１０４Ａを形成する。
【００２４】
次いで、前記フォトレジストパターン１０６を取り除き、前記窒化膜パターン１０４Ａ及び露出されたパッド酸化膜１０２上にＳｉＯＮ膜１０８を形成する。前記ＳｉＯＮ膜１０８はＳｉＨ4 及びＳｉＨ2 Ｃｌ2 よりなる群から選択されたいずれか一つのガスとＮＨ3  とＮ2 Ｏとの混合ガスを用いて形成し、混合ガスの混合比率はＳｉＨ2 Ｃｌ2 又はＳｉＨ4 ：ＮＨ3  は１：５乃至１：１５でありＳｉＨ2 Ｃｌ2 又はＳｉＨ4 ：Ｎ2 Ｏは１：５乃至１：１５であることが好ましい。
【００２５】
前記ＳｉＯＮ膜１０８は低圧化学気相蒸着方法（ＬＰＣＶＤ）で約７５０乃至８５０℃で３０乃至１５０Åの厚さで形成し、さらに好ましくは８００℃で５０Åの厚さで形成する。
【００２６】
図１２はフィールド酸化膜１１０Ａの形成段階を示す断面図である。
前記ＳｉＯＮ膜の形成された半導体基板を高温湿式酸化方法で酸化させる。この結果、窒化膜パターン１０４Ａによりマスキングされないシリコン基板で酸化膜１１０Ａが成長する。
【００２７】
この際、前記ＳｉＯＮ膜１０８は酸化膜と窒化膜の両性を有しているのでＳｉＯＮ膜は水蒸気（Ｈ2 Ｏ）を容易に拡散させてＳｉＯＮ膜の下部の酸化膜１１０Ａの形成される半導体基板１００まで容易に水蒸気を伝達させ得る。さらに、ＳｉＯＮ膜１０８が窒化膜パターン１０４Ａを圧着して、酸化膜１１０Ａの形成時窒化膜パターン１０４Ａがリフトされることを防止するのでパーズビークの生成を減らし得る。
【００２８】
図１３は前記ＳｉＯＮ膜１０８、窒化膜パターン１０４Ａ及び窒化膜パターン１０４Ａの下部のパッド酸化膜１０２を湿式食刻方式で取り除いてフィールド酸化膜１１０Ｂを完成する段階の断面図である。
【００２９】
特に、従来の技術と違って、後続食刻工程で窒化膜パターン１０４Ａを完全に取り除くために窒化膜パターン１０４Ａ上に付随的に形成された酸化膜（図示せず）を湿式食刻する工程の間、酸化膜１１０Ａ上に形成されたＳｉＯＮ膜１０８が酸化膜１１０Ａに対する保護膜の役割を果たす。従って、完成されたフィールド酸化膜１１０Ｂの厚さが湿式食刻により薄くなる問題を防止し得る。
【００３０】
図１４乃至図１７はＳＥＰＯＸ法による本発明の半導体装置の素子分離領域の製造方法を示す断面図である。
図１４はパッド酸化膜１００、多結晶シリコン膜１０３、窒化膜１０４及びフォトレジストパターン１０６を形成する段階を示す断面図である。
【００３１】
半導体基板１００の全面にパッド酸化膜１０２、多結晶シリコン膜１０３及び窒化膜１０４を順に形成する。前記パッド酸化膜は１５０乃至３００Åで、多結晶シリコン膜は３００乃至８００Åで、窒化膜は１０００乃至２０００Åで形成し、さらに好ましくはパッド酸化膜は１６０Å、多結晶シリコン膜は７００Å、窒化膜は１５００Åの厚さで形成する。
【００３２】
次いで、窒化膜１０４の全面にフォトレジストを塗布した後パタニングする。
フォトレジストパターン１０６の形成された部分は活性領域となる部分であり、フォトレジストパターン１０６が取り除かれて該表面が露出された部分は後続工程でフィールド酸化膜が形成される部分である。
【００３３】
図１５は窒化膜パターン１０４Ａ及びＳｉＯＮ膜１０８を形成する段階を示す断面図である。
前記フォトレジストパターン１０６を食刻マスクとして前記窒化膜１０４を食刻してフィールド酸化膜として形成される多結晶シリコン膜１０３の表面を露出させる窒化膜パターン１０４Ａを形成する。
【００３４】
次いで、前記フォトレジストパターン１０６を取り除いた後、前記窒化膜パターン１０４Ａ及び露出された多結晶シリコン膜１０３上にＳｉＯＮ膜１０８を形成する。
【００３５】
前記ＳｉＯＮ膜１０８は本発明によるＬＯＣＯＳ方法と同様にＳｉＨ4 及びＳｉＨ2 Ｃｌ2 よりなる群から選択されたいずれか一つのガスとＮＨ3  とＮ2 Ｏとの混合ガスを用いて形成し、混合ガスの混合比率はＳｉＨ2 Ｃｌ2 又はＳｉＨ4 ：ＮＨ3  は１：５乃至１：１５でありＳｉＨ2 Ｃｌ2 又はＳｉＨ4 ：Ｎ2Ｏは１：５乃至１：１５であることが好ましい。
【００３６】
そして、前記ＳｉＯＮ膜は低圧化学気相蒸着方法（ＬＰＣＶＤ）で約７５０乃至８５０℃で３０乃至１５０Åの厚さで形成し、さらに好ましくは８００℃で５０Åの厚さで形成する。
【００３７】
図１６は酸化膜１１０Ａを形成する段階を示す断面図である。
前記ＳｉＯＮ膜１０８の形成された半導体基板を高温湿式酸化方法で酸化させる。結果的に、酸化膜１１０Ａが窒化膜パターン１０４Ａによりマスキングされない多結晶シリコン膜１０３上で成長する。
【００３８】
前記ＬＯＣＯＳ方法での説明と同様にＳＥＰＯＸ方法でもＳｉＯＮ膜１０８は水蒸気を容易に拡散させてＳｉＯＮ膜の下部のフィールド酸化膜１１０Ａとして形成される多結晶シリコン膜１０３まで容易に水蒸気を至らしめる。さらに、素子の形成される領域を限定している窒化膜１０４上にＳｉＯＮ膜１０８が形成されているので上から圧着する効果があって酸化工程の間窒化膜がリフトされることを減らしてバーズビークを減らし得る。
【００３９】
図１７は前記ＳｉＯＮ膜１０８、窒化膜パターン１０４Ａ、多結晶シリコン膜１０３及びパッド酸化膜１０２を取り除いてフィールド酸化膜１１０Ｂを完成する段階を示す。
【００４０】
前記ＳｉＯＮ膜１０８、窒化膜パターン１０４Ａを順に取り除いた後、酸化されない多結晶シリコン膜１０３を取り除く。
この際フィールド酸化膜の端部に残っている多結晶シリコン片を酸化させてフィールド酸化膜の端部を平坦化してフィールド酸化膜１１０Ｂを完成する。
【００４１】
以下、実施例を通じて本発明の特徴をより具体的に説明する。しかしながら、本発明を必ずしもこれに限定することではなく多くの変形が本発明の技術的な思想内で当分野の通常の知識を持つものにより実施可能なのは明らかである。
【００４２】
【実施例１】
ＳｉＯＮ膜が存在してもその下部層に酸化膜が成長し得ることを証明し、一定厚さのフィールド酸化膜を製造するのに最も好適なＳｉＯＮ膜の厚さを決定するために、フィールド酸化膜の厚さが４５００Åになるように調節された対照群の工程条件と同一の条件下で、基板上にＳｉＯＮ膜の厚さがそれぞれ３５Å、７０Å、１３０Åに形成された実験群を高温湿式酸化方法で酸化させた。実験の結果形成された酸化膜の厚さを表１に示した。
【００４３】
【表１】
0003950189.tif 000002
前記表１の実験群の１行の結果を測定した顕微鏡写真が図１８Ａ乃至図１９に示されている。ＳｉＯＮ膜を３５Åで形成した場合、図１８Ａのように酸化膜は４１６３Å、ＳｉＯＮ膜を７０Åで形成した場合、図１８Ｂのように酸化膜は２４９３Å、ＳｉＯＮ膜を１３０Åで形成した場合、図１９のように酸化膜は３８５Åの厚さとなった。
【００４４】
前記表１の結果と図１８Ａ乃至図１９の結果から判るようにＳｉＯＮ膜がシリコン層上に存在してもＳｉＯＮ膜の有している酸化膜と窒化膜の両性により、その下部層のシリコン層が酸化される。さらに、ＳｉＯＮ膜の厚さを調節することによりその下部層に形成される酸化膜の厚さも調節し得ることが判る。
【００４５】
【実施例２】
半導体基板上にフィールド酸化膜、窒化膜をそれぞれ２５０Å、１５００Åの厚さで形成した後、写真食刻工程で窒化膜を異方性食刻してフィールド酸化膜として形成される基板上のパッド酸化膜を露出させる窒化膜パターンを形成した。次いで、露出されたパッド酸化膜と写真食刻工程により形成された窒化膜パターン上にＳｉＨ2 Ｃｌ2 ：ＮＨ3  ：Ｎ2 Ｏの比が１：１０：１０である混合ガスを低圧化学気相蒸着方法で約８００℃の温度で蒸着して５０Åの厚さのＳｉＯＮ膜を形成した。次に、ＳｉＯＮ膜の形成された基板の全面を高温湿式酸化方法で酸化させて窒化膜パターンによりマスキングされないシリコン基板で４５００Åの厚さの酸化膜が成長するようにした。次に、ＳｉＯＮ膜、窒化膜パターンを順に食刻してフィールド酸化膜を完成した。
【００４６】
【実施例３】
半導体基板上にフィールド酸化膜、多結晶シリコン膜及び窒化膜をそれぞれ１６０Å、７００Å、１５００Åの厚さで形成した後、窒化膜を写真食刻工程で食刻してフィールド酸化膜として形成される多結晶シリコン膜を露出させる窒化膜パターンを形成した。次に、前記窒化膜パターンと露出された多結晶シリコン膜上にＳｉＨ4 ：ＮＨ3  ：Ｎ2 Ｏの比が１：１０：１０である混合ガスを８００℃で蒸着して５０Åの厚さのＳｉＯＮ膜を形成した。次に、ＳｉＯＮ膜の形成された基板の全面を高温湿式酸化方法で酸化させて、３５００Åの厚さの酸化膜が窒化膜パターンによりマスキングされない多結晶シリコン膜で成長するようにした。次いで、ＳｉＯＮ膜、窒化膜パターン、酸化されない多結晶シリコン膜を順に食刻してフィールド酸化膜を完成した。
【００４７】
【比較例】
実施例３と同一の方法で行うが、窒化膜パターン及び露出された多結晶シリコン膜上にＳｉＯＮ膜を形成させなく高温湿式酸化工程を行ってフィールド酸化膜を形成した。
【００４８】
図２０Ａ乃至図２１は前記比較例により製造されたフィールド酸化膜の顕微鏡写真であり、図２０Ａと図２０Ｂは断面図、図２１は表面図である。
【００４９】
図２２Ａ乃至図２３は本発明の実施例３によりＳｉＯＮ膜を５０Åの厚さで形成してから製造したフィールド酸化膜の顕微鏡写真であり、図２２Ａ及び図２２Ｂは断面図、図２３は表面図である。
【００５０】
図２０Ａ及び図２０Ｂと図２２Ａ及び図２２Ｂとを比較してみれば、本発明により製造されたフィールド酸化膜においてバーズビーク（矢印で示された部分）が著しく減っていることが判る。さらに、図２１を調べてみると、従来の製造方法によればフィールド酸化膜の異常成長、即ちバーズビークによるストレスを受けて活性領域が優れた表面特性を有することができなく臨界寸法（ＣＤ）も不良である反面、本発明によるフィールド酸化膜は図２３に示されたようにバーズビークの生成が減少されて活性領域の表面状態が均一に形成されていることが判る。
【００５１】
【発明の効果】
以上、本発明によれば半導体装置の素子分離領域の形成時発生するバーズビークを減らし得る。これは、本発明に用いられているＳｉＯＮ膜が３０乃至１５０Åの厚さで形成され、窒化膜と酸化膜の両性を有しているので、フィールド酸化膜の形成される部分には酸化に欠かせない水蒸気、特に酸素（０2 ）を容易に供給し、バーズビークの発生原因である窒化膜のリフトを防止することによってバーズビークの発生を減少させる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来のＬＯＣＯＳ法による半導体装置の素子分離方法を段階別に示す図面である。
【図２】  従来のＬＯＣＯＳ法による半導体装置の素子分離方法を段階別に示す図面である。
【図３】  従来のＬＯＣＯＳ法による半導体装置の素子分離方法を段階別に示す図面である。
【図４】  従来のＬＯＣＯＳ法による半導体装置の素子分離方法を段階別に示す図面である。
【図５】  従来のＳＥＰＯＸ法による半導体装置の素子分離方法を段階別に示す図面である。
【図６】  従来のＳＥＰＯＸ法による半導体装置の素子分離方法を段階別に示す図面である。
【図７】  従来のＳＥＰＯＸ法による半導体装置の素子分離方法を段階別に示す図面である。
【図８】  従来のＳＥＰＯＸ法による半導体装置の素子分離方法を段階別に示す図面である。
【図９】  従来のＳＥＰＯＸ法による半導体装置の素子分離方法を段階別に示す図面である。
【図１０】  本発明のＬＯＣＯＳ法による半導体装置の素子分離方法を示す断面図である。
【図１１】  本発明のＬＯＣＯＳ法による半導体装置の素子分離方法を示す断面図である。
【図１２】  本発明のＬＯＣＯＳ法による半導体装置の素子分離方法を示す断面図である。
【図１３】  本発明のＬＯＣＯＳ法による半導体装置の素子分離方法を示す断面図である。
【図１４】  本発明のＳＥＰＯＸ法による半導体装置の素子分離方法を示す断面図である。
【図１５】  本発明のＳＥＰＯＸ法による半導体装置の素子分離方法を示す断面図である。
【図１６】  本発明のＳＥＰＯＸ法による半導体装置の素子分離方法を示す断面図である。
【図１７】  本発明のＳＥＰＯＸ法による半導体装置の素子分離方法を示す断面図である。
【図１８】  Ａ及びＢは本発明の実施例１により形成されたアィールド酸化膜の断面及び表面を示す顕微鏡写真である。
【図１９】  本発明の実施例１により形成されたアィールド酸化膜の断面及び表面を示す顕微鏡写真である。
【図２０】  Ａ及びＢは従来のＳＥＰＯＸ法により形成されたフィールド酸化膜の断面を示す顕微鏡写真である。
【図２１】  従来のＳＥＰＯＸ法により形成されたフィールド酸化膜の表面を示す顕微鏡写真である。
【図２２】  Ａ及びＢは本発明の実施例３により形成されたフィールド酸化膜の断面を示す顕微鏡写真である。
【図２３】  本発明の実施例３により形成されたフィールド酸化膜の表面を示す顕微鏡写真である。
【符号の説明】
１００…半導体基板、
１０２…パッド酸化膜、
１０４…窒化膜、
１０４Ａ…窒化膜パターン、
１０６…フォトレジストパターン、
１０８…ＳｉＯＮ膜、
１１０Ａ…酸化膜、
１１０Ｂ…フィールド酸化膜。
【図１】
0003950189.tif 000003
【図２】
0003950189.tif 000004
【図３】
0003950189.tif 000005
【図４】
0003950189.tif 000006
【図５】
0003950189.tif 000007
【図６】
0003950189.tif 000008
【図７】
0003950189.tif 000009
【図８】
0003950189.tif 000010
【図９】
0003950189.tif 000011
【図１０】
0003950189.tif 000012
【図１１】
0003950189.tif 000013
【図１２】
0003950189.tif 000014
【図１３】
0003950189.tif 000015
【図１４】
0003950189.tif 000016
【図１５】
0003950189.tif 000017
【図１６】
0003950189.tif 000018
【図１７】
0003950189.tif 000019
【図１８】
0003950189.tif 000020
【図１９】
0003950189.tif 000021
【図２０】
0003950189.tif 000022
【図２１】
0003950189.tif 000023
【図２２】
0003950189.tif 000024
【図２３】
0003950189.tif 000025