(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ又は硬質ディスク表面の平坦化又は研磨方法であって、前記表面の少なくとも一部を、（ｉ）過硫酸塩と過酸化物からなる群より選択される酸化剤、グリシン、イミノ二酢酸、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン及びトレオニンからなる群より選択されるアミノ酸、及び水を含有する研磨組成物、並びに（ｉｉ）研磨材で、研磨することを含む、メモリ又は硬質ディスク表面の平坦化又は研磨方法。
【請求項２】
前記メモリ又は硬質ディスク表面がニッケル−リンを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記研磨材がアルミナ、シリカ、チタニア、セリア、ジルコニア、ゲルマニア、マグネシア、及びそれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記研磨材がシリカである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記研磨材が重縮合シリカである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記研磨材の粒子の９０％又はそれよりも多く（粒子数で）が粒度１００ｎｍ以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記研磨材の粒子のすべて（粒子数で）が粒度１００ｎｍ以下である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記研磨材の粒子の粒度分布が、少なくとも１．３の粒子数ベース幾何標準偏差（σg）によって特徴付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記研磨材が組成物の０．１〜３０ｗｔ％の濃度で存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記研磨材が研磨パッドの表面又は内部に固定されている、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記酸化剤が過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム又は過硫酸ナトリウムである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸化剤が過酸化水素である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸化剤が組成物の０．０１〜１０wt％の濃度で存在している、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記アミノ酸がグリシンである、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記アミノ酸が組成物の０．０１〜１０ｗｔ％の濃度で存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記研磨組成物のｐＨが１〜６である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記研磨組成物のｐＨが２〜４である、請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
［発明の技術分野］
本発明は基材、特にメモリ又は硬質ディスクの平坦化又は研磨方法に関する。
【０００２】
［発明の背景］
メモリ又は硬質ディスクの分野では、大容量化への要求と小型化への傾向（コンピュータメーカー側のハードドライブ小型化の要求に起因する）を背景に、最大限のパフォーマンスを確保するために、平坦化又は研磨加工を含むメモリ又は硬質ディスク製造工程の重要性が増している。半導体デバイス製造用としていくつかの化学機械研磨（ＣＭＰ）組成物及び方法が存在するが、在来型のＣＭＰ法又は市販ＣＭＰ組成物には、メモリ又は硬質ディスクの平坦化又は研磨加工に好適のものがほとんどない。
【０００３】
特に、その種の研磨組成物及び／又は方法は、メモリ又は硬質ディスクに応用しても研磨速度が不足であったり表面欠陥率が高すぎたりする結果になりかねない。メモリ又は硬質ディスクのパフォーマンスはその表面品質と直結している。従って、メモリ又は硬質ディスク用の研磨組成物及び方法では、研磨又は除去速度を最大化する一方で、平坦化又は研磨加工後の表面欠陥を最少化することが肝心である。
【０００４】
研磨加工時のメモリ又は硬質ディスクの除去速度を改良すると同時に、平坦化又は研磨加工時の表面欠陥を最少限にするための試みは、これまでも数多くあった。例えば米国特許第４，７６９，０４６号は、酸化アルミニウムを含む組成物と硝酸ニッケル、硝酸アルミニウム又はそれらの混合物などのような研磨促進剤を使用して、硬質ディスク上のニッケルめっき層を研磨する方法について開示している。
【０００５】
しかし、大きい除去速度と最少限の表面欠陥を同時に実現するような改良型のメモリ又は硬質ディスク平坦化又は研磨方法は引き続き求められている。本発明はそうした方法を提供しようとするものである。本発明の方法のこれらの及び他の利点は以下の説明から明らかになろう。
【０００６】
［発明の概略］
本発明はメモリ又は硬質ディスク表面の平坦化又は研磨方法を提供する。この方法は前記表面の少なくとも一部を、（ｉ）過硫酸塩と過酸化物からなる群より選択される酸化剤、アミノ酸及び水を含む研磨組成物、並びに（ｉｉ）研磨材で研磨することを含む。
【０００７】
［好ましい実施態様の説明］
本発明はメモリ又は硬質ディスクを平坦化又は研磨する方法を提供する。前記方法はメモリ又は硬質ディスクの表面に（ｉ）過硫酸塩と過酸化物からなる群より選択される酸化剤、アミノ酸及び水を含む研磨組成物と（ｉｉ）研磨材とを接触させること、並びに前記メモリ又は硬質ディスクと前記研磨組成物の間の相対運動により前記メモリ又は硬質ディスク表面の少なくとも一部を研磨することを含む。かかる接触及び研磨には任意好適の技術を用いることができる。例えば、研磨組成物をメモリ又は硬質ディスク表面に適用し、それを使用して研磨パッドでメモリ又は硬質ディスク表面の少なくとも一部を研磨することができる。
【０００８】
用語「メモリ又は硬質ディスク」は情報を電磁気的に保持するための任意の磁気ディスク、ハードディスク、硬質ディスク又はメモリディスクをいう。メモリ又は硬質ディスク表面はニッケル−リンを含むのが一般的であるが、他の任意好適の物質を含んでよい。
【０００９】
研磨材は任意好適の研磨材でよいが、望ましいのは金属酸化物研磨材である。金属酸化物研磨材には例えばアルミナ、シリカ、チタニア、セリア、ジルコニア、ゲルマニア、マグネシア、及びそれらの組み合わせなどがある。好ましくは、本発明の方法の研磨材は重縮合金属酸化物、例えば重縮合シリカである。重縮合シリカは一般にＳｉ（ＯＨ）4を縮合させてコロイド粒子を形成させることにより調製される。その種の研磨材は米国特許第５，２３０，８３３号に従って調製するか、又は任意の各種市販品、例えばＡｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ  Ｂｉｎｄｚｉｌ  ５０／８０やＮａｌｃｏ  １０５０、２３２７及び２３２９、並びにＤｕＰｏｎｔ、Ｂａｙｅｒ、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ、Ｎｉｓｓａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ及びＣｌａｒｉａｎｔなどから類似商品として入手することができる。
【００１０】
研磨材は、粒子数に基づいて研磨材粒子の約９０％以上が粒度１００ｎｍ以下であるのが望ましい。好ましくは、研磨材粒子は、研磨材粒子の少なくとも約９５％、９８％、又は更には実質的にすべて（又は事実上すべて）（粒子数で）が粒度１００ｎｍ以下とする。このことは、研磨材粒子に関して好ましい他の粒度、例えば９５ｎｍ、９０ｎｍ、８５ｎｍ、８０ｎｍ、７５ｎｍ、７０ｎｍ及び６５ｎｍにも当てはまる（すなわち、研磨材粒子の少なくとも約９０％、９５％、９８％、実質的にすべて、及びすべて（粒子数で）を特定の粒度以下とすることができる）。
【００１１】
同様に、研磨材は、粒子数に基づいて研磨材粒子の少なくとも約９０％、９５％、９８％、又は更には実質的にすべて（事実上すべて）を粒度５ｎｍ以上とすることができる。このことは研磨材粒子に関して好ましい他の粒度、例えば７ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２５ｎｍ及び３０ｎｍにも当てはまる（すなわち、研磨材粒子の少なくとも約９０％、９５％、９８％、実質的にすべて、及びすべて（粒子数で）を特定の粒度以上とすることができる）。
【００１２】
研磨材の性質を粒度面から説明するためにここで使用する百分率の値は特に断らない限りｗｔ％ではなく「粒子数％」である。研磨材中の研磨材粒子の粒度は粒子直径をいう。粒度は任意好適の技術により測定することができる。ここで示す粒度の値は、統計的に有意の研磨材標本、特に２００粒子以上の研磨材標本に関する透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による目視検査に基づいている。
【００１３】
研磨材中の研磨材粒子の粒度分布は、シグマ−ｇ（σg）という粒子数ベースの幾何標準偏差によって特徴付けることができる。σg値は、（ａ）研磨材中の研磨材粒子の８４％（粒子数で）がそれ未満である粒子直径を、（ｂ）研磨材粒子の１６％（粒子数で）がそれ未満である粒子直径で割った値に等しい（すなわちσg＝ｄ84／ｄ16）。単分散研磨材粒子はσgが約１である。研磨材粒子が多分散になる（すなわち含まれる粒子の粒度差が増す）につれて、研磨材粒子のσg値は約１を上回っていく。研磨材粒子は一般にσg値が約２．５又はそれ未満（例えば約２．３又はそれ未満）である。研磨材粒子のσg値は約１．１以上、例えば約１．１〜２．３（例えば１．１〜１．３）であるのが望ましく、好ましくは約１．３以上（例えば約１．５〜２．３、更には約１．８〜２．３）である。
【００１４】
研磨組成物には任意適量の研磨材が存在していてよい。好ましくは、組成物中の研磨材濃度は、組成物の約０．１〜３０ｗｔ％、例えば組成物の約１〜２８ｗｔ％である。より好ましくは、組成物中の研磨材濃度は組成物の約３〜２５ｗｔ％、例えば組成物の約５〜２０ｗｔ％、更には組成物の約６〜１５ｗｔ％である。あるいは研磨材を全部又は一部、研磨パッドの表面又は内部に固定してもよい（例えば埋め込んでもよい）。
【００１５】
酸化剤は任意好適の酸化剤でよい。好適な酸化剤は例えば、過硫酸塩及び過酸化物などである。好ましくは、酸化剤は過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過硫酸ナトリウム及び過酸化水素からなる群より選択する。
【００１６】
研磨組成物には任意適量の酸化剤が存在していてよい。好ましくは、酸化剤濃度は組成物の約０．０１〜１０ｗｔ％、例えば組成物の約０．１〜１０ｗｔ％である。より好ましくは、酸化剤濃度は組成物の約０．５〜８ｗｔ％、例えば約１〜６ｗｔ％、更には約２〜６ｗｔ％である。
【００１７】
アミノ酸は任意好適のアミノ酸でよい。好適なアミノ酸は例えば１〜８個の炭素原子を含むアミノ酸、例えば１〜７個の炭素原子を含むアミノ酸、又は更には１〜６個の炭素原子を含むアミノ酸などである。好ましくは、本発明の方法に使用される組成物中のアミノ酸はグリシン、イミノ二酢酸、アラニン、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン及びトレオニンである。より好ましくは、前記アミノ酸はグリシン又はアラニンである。
【００１８】
研磨組成物には任意適量のアミノ酸が存在していてよい。好ましくは、アミノ酸濃度は組成物の約０．０１〜１０ｗｔ％、例えば約０．１〜１０ｗｔ％である。より好ましくは、アミノ酸濃度は組成物の約０．５〜８ｗｔ％、例えば約０．７５〜８ｗｔ％である。最も好ましくは、アミノ酸濃度は組成物の約１〜７ｗｔ％、例えば約２〜６ｗｔ％、更には約３〜５ｗｔ％である。
【００１９】
研磨組成物のｐＨは任意好適のｐＨでよい。好ましくは、組成物のｐＨは約１〜７、例えば約１〜６である。より好ましくは、組成物のｐＨは約２〜５、例えば約２〜４、更には約３〜４である。
【００２０】
研磨組成物のｐＨは必要ならば任意好適な方法で、例えば組成物にｐＨ調整剤を加えて、調整してよい。好適なｐＨ調整剤は例えば、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、炭酸ナトリウム及びそれらの混合物などの塩基、並びに無機酸（例：硝酸や硫酸）及び有機酸（例：酢酸、クエン酸、マロン酸、コハク酸、酒石酸、及びシュウ酸）などの酸である。
【００２１】
研磨組成物には随意に、他の１以上の添加剤をさらに含めてよい。このような添加剤には、界面活性剤（例：カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素系界面活性剤、及びそれらの混合物）、高分子安定化剤又は他の界面活性分散剤（例：リン酸、有機酸、スズ酸化物、及びホスホン酸塩化合物）、並びに追加の研磨促進剤、例えば触媒やキレート剤又は錯化剤（例：金属硫酸塩、特に硫酸第二鉄、カルボキシラート基、ヒドロキシル基、スルホン酸基及び／又はホスホン酸基を含む化合物、ジ−、トリ−、マルチ−及びポリ−カルボン酸及び塩（酒石酸と酒石酸塩、リンゴ酸とリンゴ酸塩、マロン酸とマロン酸塩、グルコン酸とグルコン酸塩、クエン酸とクエン酸塩、フタル酸とフタル酸塩、ピロカテコール、ピロガロール、没食子酸と没食子酸塩、タンニン酸とタンニン酸塩など）、アミン含有化合物（第一級、第二級、第三級及び第四級アンモニウム塩、アミノ酸など）、及びそれらの混合物）などがある。
【００２２】
［実施例］
以下の実施例は本発明をさらに説明するものであり、当然、その範囲を何ら限定するものではない。
【００２３】
以下の実施例で言及するメモリ又は硬質ディスクはすべて、Ｓｅａｇａｔｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社から入手した市販のメモリ又は硬質ディスク、すなわちニッケル−リン被覆（めっき）のアルミ基材ディスクである。以下の実施例ではメモリ又は硬質ディスクを予め予備研磨工程にかけて、各メモリ又は硬質ディスクの表面粗さを１０〜５０Åにしてから、使用した。
【００２４】
実施例で使用した研磨パッドはいずれも、Ｒｏｄｅｌ社製のＰｏｌｉｔｅｘ  Ｈｉパッド（直径２５．４ｃｍ）であった。実施例１〜３のメモリ又は硬質ディスクの研磨は、Ｓｔｒｅｕｅｒｓ社（オハイオ州ウエストレーク）製の卓上研磨機を使用して、定盤速度１５０ｒｐｍ、研磨キャリア速度１５０ｒｐｍ、スラリー流量１００ｍｌ毎分、研磨圧力５０Ｎで実施した。実施例４のメモリ又は硬質ディスクの研磨は、Ｓｔｒａｕｓｂａｕｇｈ  ６ＥＥ研磨機（Ｓａｎ  Ｌｕｉｓ  Ｏｂｉｓｐｏ、カリフォルニア州）を使用して、研磨パッド速度５５〜６５ｒｐｍ、研磨圧力１０〜１２．５Ｎで実施した。
【００２５】
ニッケル−リン研磨速度は、研磨前と研磨後の清浄乾燥メモリ又は硬質ディスクを計量し、得られた重量の減小値を、ニッケル−リン密度８．０５ｇ／ｃｍ3を使用してメモリ又は硬質ディスク厚の減小値へと換算して求めた。以下の各実施例では、名目上同一とされる研磨条件に潜む種々の差異（特に試験中の研磨パッドの磨耗に関する差異）にもかかわらず研磨組成物間の一段と厳密な比較が行えるように、４ｗｔ％のシリカ（特にＡｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ  Ｂｉｎｄｚｉｌ  ５０／８０製品）と０．２５ｗｔ％の硝酸ヒドロキシルアミン（ＨＡＮ）を含有する標準対照組成物（ｐＨ３．５）を、一定間隔で使用した。次に、各試験組成物の実際の研磨速度を、直前に評価された標準対照組成物の研磨速度で割って、相対研磨速度を求めた。従って、試験組成物の相対研磨速度はすべての実施例にわたって比較可能である。
【００２６】
実施例１
本実施例では、本発明の方法で実現可能なメモリ又は硬質ディスクの研磨速度が、研磨組成物中のアミノ酸の種類に左右されることを示す。
【００２７】
ニッケル−リンめっきメモリ又は硬質ディスクを、別々に６種類の研磨組成物で研磨した。これら研磨組成物は成分が、４ｗｔ％のシリカ（Ａｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ  Ｂｉｎｄｚｉｌ  ５０／８０製品）、２ｗｔ％のＨ2Ｏ2、１〜３ｗｔ％のアミノ酸（グリシン、ＤＬ−アラニン、イミノ二酢酸又はＤＬ−セリン）であり、ｐＨはいずれも２．５であった。比較のために、ニッケル−リンめっきメモリ又は硬質ディスクを、前述の標準対照研磨組成物、及び４ｗｔ％シリカ（Ａｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ  Ｂｉｎｄｚｉｌ  ５０／８０製品）単味のものとさらに２ｗｔ％のＨ2Ｏ2又は１ｗｔ％のアミノ酸（グリシン）を加えたもの計３種の「比較」研磨組成物（ｐＨはいずれも２．５）でも研磨した。研磨組成物使用後に各組成物について相対研磨速度を求めた。得られたデータは表１のとおりである。
【００２８】
【表１】
0003964680.tif 000002
【００２９】
表１のデータから明らかなように、Ｈ2Ｏ2とアミノ酸の両方を含む研磨組成物（組成物１Ａ〜１Ｆ）による相対研磨速度は標準対照研磨組成物及びＨ2Ｏ2とアミノ酸の少なくともいずれか一方を欠く比較組成物（比較組成物１〜３）による相対研磨速度を上回った。さらに、Ｈ2Ｏ2と、１ｗｔ％のグリシンか１ｗｔ％のＤＬ−アラニンか又は２ｗｔ％のイミノ二酢酸とを含む研磨組成物（組成物１Ａ、１Ｃ及び１Ｅ）による相対研磨速度は、Ｈ2Ｏ2と、３ｗｔ％のグリシンか３ｗｔ％のＤＬ−アラニンか又は２ｗｔ％のＤＬ−セリンとを含む研磨組成物（組成物１Ｂ、１Ｄ及び１Ｆ）による相対研磨速度を上回った。これらの結果は、本発明の方法における酸化剤とアミノ酸の組み合わせの重要性、並びに本発明の方法によって実現可能な研磨速度に対する特定のアミノ酸の効果を実証している。
【００３０】
実施例２
本実施例では、本発明の方法で実現可能なメモリ又は硬質ディスク研磨速度が、研磨組成物中の酸化剤の種類、並びに研磨組成物のアミノ酸濃度及びｐＨに左右されることを示す。
【００３１】
ニッケル−リンめっきメモリ又は硬質ディスクを別々に、８種類の研磨組成物で研磨した。これら研磨組成物は成分が、４ｗｔ％のシリカ（Ａｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ  Ｂｉｎｄｚｉｌ  ５０／８０製品）、１〜３ｗｔ％のグリシン、２ｗｔ％の酸化剤（Ｈ2Ｏ2又は過硫酸アンモニウム（ＡＰＳ））であり、ｐＨは２．５〜３．５であった。研磨組成物使用後に各組成物について相対研磨速度を求めた。得られたデータは表２のとおりである。表２には比較のために、前述の標準対照研磨組成物及び実施例１で説明した「比較」研磨組成物３種（比較組成物１〜３）に関する相対研磨速度も示す。
【００３２】
【表２】
0003964680.tif 000003
【００３３】
表２のデータから明らかなように、１ｗｔ％のグリシンと酸化剤を含む研磨組成物（組成物２Ａ、２Ｃ、２Ｅ及び２Ｇ）による相対研磨速度は、他の諸条件が同じなら、３ｗｔ％のグリシンと酸化剤を含む研磨組成物（組成物２Ｂ、２Ｄ、２Ｆ及び２Ｈ）による相対研磨速度を上回った。さらに、グリシンと酸化剤を含むｐＨ２．５の組成物（組成物２Ａ、２Ｂ、２Ｅ及び２Ｆ）による相対研磨速度は、他の諸条件が同じなら、グリシンと酸化剤を含むｐＨ３．５の組成物（組成物２Ｃ、２Ｄ、２Ｇ及び２Ｈ）による相対研磨速度に優るとも劣らなかった。これらの結果は、本発明の方法によって実現可能な研磨速度に対する特定の酸化剤、アミノ酸濃度及びｐＨの重要性を実証している。
【００３４】
実施例３
本実施例では、本発明の方法で実現可能なメモリ又は硬質ディスク研磨速度が、研磨組成物中の酸化剤の種類並びに研磨組成物のアミノ酸濃度及びｐＨに左右されることを示す。
【００３５】
ニッケル−リンめっきメモリ又は硬質ディスクを別々に、８種類の研磨組成物で研磨した。これら研磨組成物は成分が、４ｗｔ％のシリカ（Ａｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ  Ｂｉｎｄｚｉｌ  ５０／８０製品）、１〜３ｗｔ％のＤＬ−アラニン、及び２ｗｔ％の酸化剤（Ｈ2Ｏ2か又は過硫酸カリウム（ＫＰＳ））であり、ｐＨは２．５〜３．５であった。研磨組成物使用後に各組成物について相対研磨速度を求めた。得られたデータは表３のとおりである。表３には比較のため、前述の標準対照研磨組成物及び実施例１で説明した「比較」研磨組成物２種（比較組成物１及び２）に関する相対研磨速度も示す。
【００３６】
【表３】
0003964680.tif 000004
【００３７】
表３のデータから明らかなように、１ｗｔ％のＤＬ−アラニンと酸化剤を含む研磨組成物（組成物３Ａ、３Ｃ、３Ｅ及び３Ｇ）による相対研磨速度は、他の諸条件が同じなら、３ｗｔ％のＤＬ−アラニンと酸化剤を含む研磨組成物（組成物３Ｂ、３Ｄ、３Ｆ及び３Ｈ）による相対研磨速度を上回った。さらに、ＤＬ−アラニンと酸化剤を含むｐＨ２．５の組成物（組成物３Ａ、３Ｂ、３Ｅ及び３Ｆ）による相対研磨速度は、他の諸条件が同じなら、ＤＬ−アラニンと酸化剤を含むｐＨ３．５の組成物（組成物３Ｃ、３Ｄ、３Ｇ及び３Ｈ）による相対研磨速度に優るとも劣らなかった。これらの結果は、本発明の方法によって実現可能な研磨速度に対する特定の酸化剤、アミノ酸濃度及びｐＨの重要性を実証している。
【００３８】
実施例４
本実施例では、本発明の方法で実現可能なメモリ又は硬質ディスク研磨速度に対する研磨組成物中のアミノ酸濃度の重要性を示す。
【００３９】
ニッケル−リンめっきメモリ又は硬質ディスクを別々に、６種類の研磨組成物で研磨した。これら研磨組成物は成分が、４ｗｔ％のシリカ（Ａｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ  Ｂｉｎｄｚｉｌ  ５０／８０製品）、１．５ｗｔ％のＨ2Ｏ2、０．１〜１．３ｗｔ％のグリシンであり、ｐＨはいずれも２．５であった。研磨組成物使用後に各組成物について相対研磨速度を求めた。得られたデータは表４のとおりである。表４には比較のために、前述の標準対照研磨組成物に関する相対研磨速度も示す。
【００４０】
【表４】
0003964680.tif 000005
【００４１】
表４のデータから明らかなように、Ｈ2Ｏ2と０．７〜１．３ｗｔ％グリシンを含む研磨組成物（組成物４Ｄ〜４Ｆ）による相対研磨速度は、Ｈ2Ｏ2と０．１〜０．５ｗｔ％のグリシンを含む研磨組成物（組成物４Ａ〜４Ｃ）による相対研磨速度を上回った。さらに、Ｈ2Ｏ2と１ｗｔ％のグリシンを含む研磨組成物（組成物４Ｅ）による相対研磨速度は、Ｈ2Ｏ2と１ｗｔ％未満のグリシンを含む研磨組成物（組成物４Ａ〜４Ｄ）による相対研磨速度、及びＨ2Ｏ2と１ｗｔ％超のグリシンを含む研磨組成物（組成物４Ｆ）による相対研磨速度を上回った。これらの結果は、本発明の方法によって実現可能な研磨速度に対するアミノ酸濃度の重要性を実証している。
【００４２】
本書で引用した参考文献は特許、特許出願及び出版物を含めてすべて、参照指示によりそれらの全体が本書に組み込まれる。
【００４３】
以上、好ましい実施態様に重点を置きながら本発明を説明してきたが、好ましい実施態様の変法が使用される場合もあり、また本書で詳しく説明した以外の態様で本発明が実施される場合もあることは当業者には自明であろう。従って、本発明には以下の特許請求の範囲内に包含される諸々の変更が、準拠法規で許容される限りで、含まれる。