(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒ素を含有するガリウム研磨廃水の導入口と、上部に設けられた固液分離部と、下部に設けられた沈殿部と、固液分離部に連通する処理水排出口と、沈殿部に連通する沈殿物排出口とを有する固液分離槽を備えたガリウム研磨廃水の処理装置において、前記導入口は固液分離槽の中間近傍に設けられており、該導入口から導入される前記ガリウム研磨廃水の導入方向が固液分離槽の周方向に沿って導入され、固液分離部が、下端が閉じられ上端が開いた多数の中空糸膜が基体に取り付けられた中空糸膜モジュール又は比重が１より小さい水に浮く微細な粒状物の集合の浮上濾材からなり、固液分離処理水中のガリウムイオンを吸着するガリウム吸着手段とガリウム吸着処理水中のヒ素イオンを吸着するヒ素吸着手段、触媒によるヒ素イオンの接触還元手段又はヒ素イオンの膜分離手段を有し、ヒ素吸着手段の再生排液、ヒ素イオン接触還元手段からの単体ヒ素又はヒ素イオン膜分離手段からの濃縮水を、固液分離槽からの沈殿物と混合することを特徴とするガリウム研磨廃水の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガリウム研磨廃水の処理装置に関する。さらに詳しくは、木発明は、化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム研磨廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムの研磨屑を高濃度でかつ効率よく回収することができるガリウム研磨廃水の処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
III−Ｖ族化合物半導体は、周期表のアルミニウム、ガリウム、インジウム等のIII族の元素と、リン、ヒ素、アンチモン等のＶ族の元素を組み合わせたもので、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＧａＰ、ＧａＮ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＰ等が化合物半導体として知られている。これらの化合物半導体を用いると、レーザー発光や、シリコン基板より高速で動く電子を発生させることができ、半導体レーザー、受光素子、マイクロ波半導体、高速デジタルＩＣ等の製造が可能となる。しかし、これらの金属元素のうち、ガリウムはシリコンに比べて地球上にごくわずかしか存在せず、高価かつ希少な金属であり、原料の入手過程や、結晶精製過程のコストを考えると、シリコンに比べて割高である。
従って、ウエハー製造メーカーやデバイス製造メーカーでは、ガリウムを回収することが行われている。ガリウムは、ウエハー製造メーカーであれば、インゴットからウエハーを切り出すスライシング工程や、ウエハー表面の研磨を行うラッピング工程、ポリッシング工程から研磨屑として排出されたり、あるいは、ウエハーの硝酸、塩酸、硫酸、リン酸等の酸又はアンモニア水等のアルカリによる洗浄に際して、洗浄後の濃厚排液や、水洗後の希薄排液中にイオン状で含有されて排出される。また、デバイス製造メーカーにおいても、ウエハーの裏面を研磨するバックグラインディング（ＢＧ）工程や、ウエハー上のチップを切り出すダイシング工程から研磨屑として排出されたり、あるいは、ウエハー製造メーカーと同様に、酸・アルカリ洗浄液の濃厚排液、希薄排液中にイオン状で含有されて排出される。
従来、ガリウム研磨屑の回収手段として、セラミック膜や有機膜を用いる膜分離手段により回収することが行われている。しかしながら、単にクロスフロー方式による膜分離を行っても、循環動力のエネルギーコストがかかるばかりでなく、回収濃度が低く、また、エネルギーコストがクロスフロー瀘過より少ない全量瀘過を行っても、分離した研磨屑を貯留、濃縮できないために、回収濃度が薄く、せっかく回収したものの、運搬コスト等がかかりすぎ回収メリットが見いだせなくなっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム研磨廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウム研磨屑を、数重量％ないし数１０重量％の高濃度で効率的に回収することを可能にするガリウム研磨廃水の処理装置を提供することを目的としてなされたものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、内部に固液分離部と沈殿部を設けた固液分離槽を用いてガリウム研磨廃水を処理することにより、ガリウム研磨屑を効率よくかつ高濃度で回収し得ることを見いだし、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、
（１）ヒ素を含有するガリウム研磨廃水の導入口と、上部に設けられた固液分離部と、下部に設けられた沈殿部と、固液分離部に連通する処理水排出口と、沈殿部に連通する沈殿物排出口とを有する固液分離槽を備えたガリウム研磨廃水の処理装置において、前記導入口は固液分離槽の中間近傍に設けられており、該導入口から導入される前記ガリウム研磨廃水の導入方向が固液分離槽の周方向に沿って導入され、固液分離部が、下端が閉じられ上端が開いた多数の中空糸膜が基体に取り付けられた中空糸膜モジュール又は比重が１より小さい水に浮く微細な粒状物の集合の浮上濾材からなり、固液分離処理水中のガリウムイオンを吸着するガリウム吸着手段とガリウム吸着処理水中のヒ素イオンを吸着するヒ素吸着手段、触媒によるヒ素イオンの接触還元手段又はヒ素イオンの膜分離手段を有し、ヒ素吸着手段の再生排液、ヒ素イオン接触還元手段からの単体ヒ素又はヒ素イオン膜分離手段からの濃縮水を、固液分離槽からの沈殿物と混合することを特徴とするガリウム研磨廃水の処理装置、
を提供するものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明のガリウム研磨廃水の処理装置は、ガリウム研磨廃水の導入口と、上部に設けられた固液分離部と、下部に設けられた沈殿部と、固液分離部に連通した処理水排出口と、沈殿部に連通した沈殿物排出口を有する固液分離槽を備えてなる処理装置である。本発明において、研磨屑とは、スライシング、ダイシング、バックグラインディング等の際に排出される研削屑、ポリッシング、ラッピング等の際に排出される研磨屑等を意味するものである。本発明装置は、ガリウムが含まれている化合物半導体の全てに適用することができる。
図１は、本発明装置の固液分離槽の一態様の説明図であり、図１(ａ)は、中心軸を通る平面で切断した断面を、図１(ｂ)及び図１(ｃ)は、中心軸に垂直な平面で切断した断面を、それぞれ模式的に示す。本態様の固液分離槽は、上部に中空糸膜からなる固液分離部１が設けられ、下部に沈殿部２が設けられている。ガリウム研磨廃水は、固液分離槽の中間近傍に設けられた導入口３から導入される。ガリウム研磨廃水の導入口は、例えば、沈殿部を貫く配管を設けて固液分離槽の中央近傍で開口することもできる。本態様の中空糸膜からなる固液分離部は、下端が閉じられ上端が開いた多数の中空糸膜が基体４に取り付けられた中空糸膜モジュールである。ガリウム研磨屑を含むガリウム研磨廃水が固液分離槽に導入されると、ガリウム研磨屑のうち比較的大きい粒子は、沈殿部に沈降する。ガリウム研磨屑のうち比較的小さい粒子は、廃水の流れとともに固液分離部に移動し、中空糸膜により瀘過される。中空糸膜により瀘過され、懸濁物質が除去された処理水は、固液分離部に連通する処理水排出口５から排出される。
【０００６】
基体に取り付けられた多数の中空糸膜は、導入されるガリウム研磨廃水の流れにより揺り動かされ、互いに接触するので、中空糸膜で瀘過された研磨屑の微細な粒子は、ある厚さに達すると中空糸膜表面から剥離して脱落し、沈殿部に沈降する。沈殿部に沈降したガリウム研磨屑は、次第に圧接されて濃度が上昇するので、沈殿部に連通する沈殿物排出口６から、数重量％ないし数１０重量％の高濃度のガリウム研磨屑スラリーとして抜き出すことができる。ガリウム研磨屑の濃度を高めるために、沈殿部は図１(ａ)に示すような円錐状の形状とすることが好ましい。中空糸膜表面に捕捉された微細な粒子を除去して膜の閉塞を防止するために、空気を吹き込んで膜面をバブリングすることができる。また、必要に応じて、処理水排出口側から中空糸膜内部に処理水や空気を押し込んで、中空糸膜の逆洗を行うことが好ましい。
図１に示す態様の固液分離槽において、ガリウム研磨廃水の導入方向に特に制限はなく、例えば、図１(ｂ)の矢印で示すように、固液分離槽の中心軸に向けて導入することができ、あるいは、図１(ｃ)の矢印で示すように、固液分離槽の周方向に沿って導入することもできる。これらの中で、図１(ｃ)に示す方向は、ガリウム研磨廃水が渦巻流を形成し、中空糸膜どうしの接触が盛んになるとともに大粒子をすみやかに沈降させることができるので、効率的に固液分離することができる。
図１に示す態様に用いる中空糸膜の材質に特に制限はなく、例えば、再生セルロース膜、酢酸セルロース膜、ポリアクリロニトリル膜、ポリメチルメタクリレート膜、エチレンビニルアルコール共重合体膜、ポリスルホン膜、ポリエステル系ポリマーアロイ膜、ポリアミド膜等を挙げることができる。中空糸膜の細孔径は、０.０１〜１μｍであることが好ましく、０.０５〜０.５μｍであることがより好ましい。また、固液分離の操作圧力は、０.０１〜０.５MPaであることが好ましく、０.０３〜０.３MPaであることがより好ましい。
【０００７】
図２は、本発明装置の固液分離槽の他の態様の説明図であり、中心軸を通る平面で切断した断面を模式的に示す。本態様の固液分離槽は、上部に浮上瀘材からなる固液分離部７が設けられ、下部に沈殿部２が設けられている。浮上瀘材は、瀘材の直径より小さい直径の孔を有する瀘板８により遮られ、処理水中への流出が防止されている。ガリウム研磨廃水は、固液分離槽の中間近傍に設けられた導入口３から導入される。ガリウム研磨廃水の導入口は、例えば、沈殿部を貫く配管を設けて固液分離槽の中央近傍で開口することもできる。本態様の浮上瀘材からなる固液分離部は、比重が１より小さく、水に浮く微細な粒状物の集合である。ガリウム研磨屑を含むガリウム研磨廃水が固液分離槽に導入されると、ガリウム研磨屑のうち比較的大きい粒子は、沈殿部に沈降する。ガリウム研磨屑のうち比較的小さい粒子は、廃水の流れとともに固液分離部に移動し、浮上瀘材により瀘過される。浮上瀘材により瀘過され、懸濁物質が除去された処理水は、固液分離部に連通する処理水排出口５から排出される。
図２に示す態様の固液分離槽においては、浮上瀘材の粒状物の表面に捕捉された微細な研磨屑粒子を除去して、瀘材の閉塞を防止し、差圧の上昇を防ぐことが好ましい。浮上瀘材の粒状物の表面に捕捉された研磨屑粒子の除去方法に特に制限はなく、例えば、固液分離槽に撹拌手段を備えて瀘材を定期的に撹拌することができ、固液分離槽内の水を所定量排出し、空気でバブリングしながら水を導入して瀘材を撹乱することもでき、あるいは、処理水排出口側から浮上瀘材層の内部に処理水や空気を押し込んで、浮上瀘材の逆洗を行うこともできる。沈殿部に沈降したガリウム研磨屑は、次第に圧接されて濃度が上昇するので、沈殿部に連通する沈殿物排出口６から、数重量％ないし数１０重量％の高濃度のガリウム研磨屑スラリーとして抜き出すことができる。ガリウム研磨屑の濃度を高めるために、沈殿部は図２に示すような円錐状の形状とすることが好ましい。
【０００８】
図２に示す態様の固液分離槽において、ガリウム研磨廃水の導入方向に特に制限はなく、例えば、図１に示す態様の固液分離槽と同様に、固液分離部の中心に向けて導入することができ、あるいは、固液分離槽の周方向に沿って導入することもできる。
使用する浮上瀘材に特に制限はなく、例えば、発泡ポリスチレンビーズ、熱膨張性マイクロカプセルから得られるマイクロバルーン、シラスバルーン等を挙げることができる。これらの浮上瀘材は、１種を単独で用いることができ、あるいは、２種以上を組み合わせて用いることもできる。これらの中で、発泡ポリスチレンビーズを好適に用いることができる。本態様に用いる浮上瀘材の粒子径は、０.０５〜３mmであることが好ましく、０.１〜２mmであることがより好ましい。本態様に用いる浮上瀘材の比重は、０.０５〜０.９５であることが好ましく、０.１〜０.８であることがより好ましい。粒子径と比重が異なる複数種の浮上瀘材を用い、粒子径の異なる複数の瀘材層を有する固液分離部を形成することができる。
【０００９】
図３は、本発明のガリウム研磨廃水の処理装置の一態様の系統図である。本態様の装置は、固液分離槽、ガリウム吸着手段及びヒ素処理手段を有する。本態様の装置は、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）素材の加工により発生するガリウム研磨廃水の処理に好適に適用することができる。固液分離槽から排出される固液分離処理水は、ガリウム吸着手段に導入され、イオン化したガリウムが吸着により回収される。ガリウム吸着手段に固液分離処理水を通水する前に、固液分離処理水に酸又はアルカリを添加してpH調整することが好ましい。pH調整手段に特に制限はなく、例えば、固液分離処理水を槽に導入して酸又はアルカリを添加し、pH調整することができ、あるいは、槽を設けることなく固液分離処理水の配管に酸又はアルカリを注入し、ラインミキサーにより混合してpH調整することもできる。ガリウムは、pH３以下又はpH９以上でＧａ(III)イオンとなって水に溶解するので、固液分離処理水のpH等を考慮して、調整するpHの値を選ぶことができる。pH調整に用いる酸としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸等を挙げることができる。pH調整に用いるアルカリとしては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を挙げることができる。
【００１０】
ガリウム吸着手段としては、例えば、キレート樹脂を充填したガリウム吸着塔等を挙げることができる。吸着剤としてのキレート樹脂としては、例えば、イミノ二酢酸型、リン酸型、アミノメチルリン酸型、ポリアミン型、アミノカルボン酸型樹脂等を挙げることができる。これらの中で、リン酸型樹脂は、ガリウムの吸着量が大きく、ガリウムに対する選択性に優れているので、特に好適に用いることができる。ガリウム吸着塔に通水する処理水は、pH１〜２.５又はpH９.５〜１２に調整し、空間速度１０ｈ-1以下で通水することが好ましく、０.５〜５ｈ-1で通水することがより好ましい。
ガリウム吸着手段は、２段以上直列に設けてメリーゴーラウンド方式で運転することが好ましい。すなわち、ガリウムを吸着剤で捕捉しきれなくなると、ガリウム吸着手段から吸着処理水中にガリウムが漏洩する。現状では、ガリウムをオンラインで直接測定する計測機器がないために、所定時間通水した場合の吸着剤に対する負荷を設定した運転を行う。しかし、ガリウム濃度の変動が大きい場合、吸着処理水中にガリウムが漏洩することがどうしても避けられない。従って、直列に２段以上のガリウム吸着手段を設けることにより、吸着処理水中に漏洩するガリウムを後段のガリウム吸着手段で捕捉し、余すことなくガリウムを回収する。なお、メリーゴーラウンド方式であるので、通水を前段から後段に切り替えた際に、前段のガリウム吸着手段はガリウムを脱離し、ガリウムを含んだ脱離液を回収したのち洗浄等を行い、配管、バルブを切り替えて、後段のガリウム吸着手段として通水する。
【００１１】
本発明装置は、ガリウム吸着手段に脱離剤を接触させ、ガリウム吸着手段に吸着されたガリウムを脱離させるガリウム脱離手段を有することが好ましい。ガリウム脱離手段に特に制限はないが、通常は、酸又はアルカリ貯槽、通液ポンプ等の通液手段から構成され、ガリウム吸着手段に通液する装置を好適に用いることができる。ガリウムは両性であり、酸、アルカリのいずれの薬液にも溶解するので、キレート樹脂に吸着したガリウムは、塩酸、硫酸、硝酸等の酸又は水酸化ナトリウム等のアルカリを脱離剤として脱離することができる。これらの中で、塩酸又は硫酸は、脱離率が高いので特に好適に用いることができる。塩酸を用いて脱離するとき、その濃度は１〜６モル／Ｌであることが好ましく、２〜３モル／Ｌであることがより好ましい。硫酸を用いて脱離するとき、その濃度は０.５〜３モル／Ｌであることが好ましく、１.５〜２モル／Ｌであることがより好ましい。水酸化ナトリウム水溶液を用いて脱離するとき、その濃度は１〜６モル／Ｌであることが好ましく、２〜３モル／Ｌであることがより好ましい。脱離に用いる脱離剤のpHは、pH３以下で吸着させたときは、吸着時の通水pHよりも低pHとし、pH９以上で吸着させたときは、吸着時の通水pHより高pHとする。
脱離に際しては、超純水による押し出し洗浄及び逆洗を行うことが好ましい。押し出し洗浄及び逆洗の廃液は、脱離剤を調製する際の希釈液として再利用することが好ましい。また、ガリウム脱離手段において、ガリウム吸着剤の３容量倍程度の脱離剤を通液することが好ましい。脱離したガリウムを含んだ脱離液は、最初の２容量倍分程度がガリウムを濃厚に含んでいるので、濃縮手段で処理し、最後の１容量倍分程度は、ガリウム濃度が希薄なので、次回の脱離剤として再利用することが好ましい。
【００１２】
本発明装置は、脱離したガリウムを含む脱離液を濃縮するガリウム濃縮手段を有することが好ましい。ガリウム濃縮手段を設けてガリウム吸着手段の脱離液中に含まれるガリウムを濃縮、回収することにより、ガリウム研磨廃水中に溶解していたガリウムイオンをも回収することができる。ガリウム濃縮手段に特に制限はなく、例えば、キレート樹脂を充填したガリウム吸着手段、逆浸透膜やナノフィルトレーション膜等を備えた膜分離手段、蒸発器や乾燥機等の濃縮手段、電気分解による電解析出手段等を挙げることができる。キレート樹脂を用いる場合は、ガリウム吸着手段とほぼ同様な処理を施し、キレート樹脂に通液することができる。逆浸透膜、ナノフィルトレーション膜等を用い、硫酸、塩酸等を用いて脱離する場合は、脱離液が低pHであることから、pH１前後に耐えられる耐酸性の膜を使用することが好ましい。また、水酸化ナトリウム水溶液等を用いて脱離する場合は、pH１１前後に耐えられる耐アルカリ性の膜を使用することが好ましい。ガリウム濃縮手段においては、脱離したガリウムを含む脱離液を１０倍以上に濃縮することが好ましい。
本発明装置においては、脱離したガリウムを含む脱離液を濃縮するガリウム濃縮手段を省略し、ガリウムを含む脱離液を固液分離槽からの沈殿物と混合し、そのままガリウム回収のためのリサイクル工程に送ることもできる。
【００１３】
本発明装置を用いてヒ素を含むガリウム研磨廃水を処理する場合、ガリウムイオンを吸着除去した後のガリウム吸着処理水にはヒ素イオンが含まれるので、この吸着処理水中のヒ素イオンをヒ素処理手段により処理することが好ましい。ヒ素処理手段としては、例えば、水中のヒ素イオンを吸着するヒ素吸着手段、鉄塩等を用いてヒ素を水酸化鉄と共沈させる凝集沈殿手段、触媒によるヒ素イオンの接触還元手段、ヒ素イオンの膜分離手段等を挙げることができる。これらの中で、吸着手段、接触還元手段及び膜分離手段は、ヒ素を含む汚泥が発生しないので、好適に用いることができる。これらのヒ素処理手段は、１種を単独で用いることができ、あるいは、２種以上を組み合わせて用いることもできる。ヒ素処理手段を用いて処理することにより、処理水は、排出基準、環境基準を満足する。
ヒ素吸着手段に用いる吸着剤としては、例えば、イオン交換樹脂、キレート樹脂、ヒ素選択性吸着樹脂等を挙げることができる。これらの中で、ジルコニウムを母体とするヒ素選択性吸着樹脂や、含水酸化セリウムの粉体を高分子化合物に担持させたヒ素選択性吸着樹脂等を好適に用いることができる。ヒ素選択性吸着樹脂を充填したヒ素吸着塔への通水は、pH５〜８、空間速度５〜１０ｈ-1で行うことが好ましい。また、セルロース繊維にキレート官能基を固定させた粉末状のキレート繊維も好適に用いることができる。
水中のヒ素は、亜ヒ酸（Ｈ3ＡｓＯ3）又はヒ酸（Ｈ3ＡｓＯ4）の形態で存在する。凝集沈殿処理を行う場合、亜ヒ酸は水酸化物と共沈しにくいので、あらかじめ次亜塩素酸塩等の酸化剤を用いて酸化し、ヒ酸としておくことが好ましい。Ａｓ(III)２００mg／Ｌを含有する処理水は、pH５〜７において、１９０〜２００mg／Ｌの有効塩素で酸化することができる。なお、酸化還元電位を４００mV以上にすることが好ましく、処理水の残留塩素濃度を０.１mg／Ｌ程度にすることが好ましい。
【００１４】
ヒ素イオンの接触還元手段としては、触媒の存在下に水素供与体を添加することにより、不溶性の単体ヒ素に還元する接触還元手段を挙げることができる。使用する触媒は、第ＶIII族の水素添加触媒であることが好ましく、パラジウム、白金、ロジウムや、これらと銅族の金属を含む触媒を好適に用いることができる。担持させる担体としては、例えば、アルミナ、シリカ、イオン交換樹脂等を挙げることができる。水素供与体としては、例えば、酢酸等の有機酸や水素ガス等を挙げることができる。反応方式に特に制限はなく、例えば、連続式、回分式、固定床、流動床等を用いて接触還元することができる。
膜分離手段としては、ナノフィルトレーション膜、逆浸透膜等を用いることが好ましい。ナノフィルトレーション膜は、逆浸透膜と限外瀘過膜の中間程度の溶質の透過性を有する膜であり、ポリアミド系、ポリスルホン系等の膜を挙げることができる。逆浸透膜は、溶媒は透過するが溶質は透過しない膜であり、濃縮水側に浸透圧差以上の圧力を加えて、溶媒を透過水側へ移行させる。逆浸透膜の材質に特に制限はなく、例えば、酢酸セルロース系、芳香族ポリアミド系、脂肪族ポリアミド系、脂環式ポリアミド系等の逆浸透膜を挙げることができる。ナノフィルトレーション膜又は逆浸透膜の種類、圧力、水回収率等の操作条件は、ガリウム吸着処理水中に含まれる他のイオン等に応じて、適宜選定することができる。
【００１５】
本発明のガリウム研磨廃水の処理装置により得られた処理水は、中和処理等の後に放流することができ、あるいは、更に適当な処理を施して研磨用水として再利用することができる。吸着剤の再生排液に含まれるヒ素イオン、接触還元により得られる不溶性の単体ヒ素、ナノフィルトレーション膜又は逆浸透膜の濃縮水に含まれるヒ素イオンは、固液分離槽で濃縮された元来ヒ素を含むヒ化ガリウムの研磨屑と混合し、リサイクル処理することが好ましい。これにより、ガリウム研磨屑の回収を効率的に行うことができ、加えてこれらの排液に対する特別なヒ素処理手段も不要となる。
本発明装置において、ガリウム吸着手段とヒ素除去手段は、いずれを前段に設けることもできる。また、ガリウム吸着手段、ヒ素吸着手段は適宜再生するが、処理水中のガリウム濃度、ヒ素濃度が低い場合は、現場に再生設備を備えて再生するものに限らず、予備手段を設けて吸着剤又は吸着塔を再生工場に送り返し、再生後に現場に再び戻すこともできる。
【００１６】
【発明の効果】
本発明のガリウム研磨廃水の処理装置によれば、固液分離槽が沈殿部を備えることにより、ガリウム研磨廃水からガリウム研磨屑を高濃度でかつ効率よく回収することができる。また、ガリウム吸着手段を設けて、ガリウムイオンも回収することが可能となる。従って、リサイクルの際の輸送コストを低減することができるとともに、余すことなくガリウムを回収することができる。さらに、ヒ化ガリウムを処理する場合、吸着剤等の再生排液に含まれるヒ素イオンを高濃度に濃縮された研磨屑に含めることにより、ヒ素の処理手段を別途設ける必要がなく、かつガリウムとともに引取（再利用）可能となるので、産業廃棄物として系外に一切排出しない処理が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明装置の固液分離槽の一態様の説明図である。
【図２】図２は、本発明装置の固液分離槽の他の態様の説明図である。
【図３】図３は、本発明のガリウム研磨廃水の処理装置の一態様の系統図である。
【符号の説明】
１  中空糸膜からなる固液分離部
２  沈殿部
３  導入口
４  基体
５  処理水排出口
６  沈殿物排出口
７  浮上瀘材からなる固液分離部
８  瀘板
【図１】
0003937135.tif 000002
【図２】
0003937135.tif 000003
【図３】
0003937135.tif 000004