(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子基板よりなる非磁性支持体上に、蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録媒体であって、
非磁性支持体と、
上記非磁性支持体上に形成され、ＣｏおよびＯを含み、Ｏ／Ｃｏの原子数比が０．４以上であり、膜厚が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である下地層と、
上記下地層上に形成され、ＣｏおよびＯを含む磁性層と
を有し、
上記下地層は、蒸着法における下地層構成成分の上記非磁性支持体に対する最大の入射角を７０°以下として堆積された膜である
磁気記録媒体。
【請求項２】
高分子基板よりなる非磁性支持体上に、蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録媒体の製造方法であって、
非磁性支持体上に、ＣｏおよびＯを含み、Ｏ／Ｃｏの原子数比が０．４以上であり、膜厚が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である下地層を形成する工程と、
上記下地層上に、ＣｏおよびＯを含む磁性層を形成する工程と
を有し、
上記下地層を形成する工程においては、蒸着法により、下地層構成成分の上記非磁性支持体に対する最大の入射角を７０°以下として堆積させ、形成する
磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気記録媒体およびその製造方法に関し、特に、非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層が形成されてなる磁気テープ媒体などの金属薄膜型磁気記録媒体と、その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録の分野においては、記録する情報量の増大に伴って、年々高密度記録化が強く要求されてきている。
これに伴い、磁気記録媒体としては、従来より広く用いられてきた磁性粒子をバインダー中に分散させて塗布する方法で製造する磁気記録媒体（以下、塗布型媒体とも言う）に代わって、メッキによる薄膜形成法や、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの真空薄膜形成法により強磁性金属の薄膜を成膜して製造する磁気記録媒体（以下、薄膜型媒体とも言う）が主流になりつつある。
【０００３】
この強磁性金属の薄膜を有する薄膜型媒体は、保磁力や角形比などに優れており、塗布型媒体のように磁性層中に非磁性材であるバインダーを混入する必要がないため、磁性材料の充填密度（言い換えると、単位体積当りの磁化量）を高めることができ、塗布型媒体に比べて磁性層の膜厚を極めて薄くすることが可能であるため、今後より広く用いられると予想される短波長領域における電磁変換特性に優れる。
さらに、上記の薄膜型媒体は記録減磁も著しく小さい特性を有する。
強磁性金属の薄膜を有する薄膜型媒体は、上述のような優位さから、高密度記録用の磁気記録媒体として今後主流となるのは間違いない。
【０００４】
磁気記録テープを用いた磁気記録システムにおいては、電磁変換特性を向上させ、より短波長領域での高出力化を測るため、薄膜型媒体の一種である、いわゆる斜方蒸着テープが実用化されている。
【０００５】
図４は、上記の斜方蒸着テープの断面図である。
非磁性支持体１上に、強磁性金属の薄膜である磁性層３が形成されており、その上層にカーボンなどの保護膜４が形成されて、その上層に潤滑剤などのトップコート層５が形成されている。
一方、非磁性支持体１の裏面にはバックコート層６が形成されている。
上記の構成の磁気記録媒体がテープ形状に裁断され、斜方蒸着テープとなっている。
【０００６】
非磁性支持体１は、例えば、ポリエステルフイルム、ポリアミドフイルム、ポリイミドフイルムなどの高分子フイルムなどからなる。
【０００７】
磁性層３は、非磁性支持体１を所定方向に移動走行させ、この表面に斜め方向から真空蒸着法により磁性金属を堆積させる、いわゆる斜方蒸着法により形成した強磁性金属の薄膜である。
【０００８】
上記の磁性層３を構成する磁性材料としては、Ｃｏ，Ｎｉが広く用いられている。
上記の磁性層３を蒸着法により非磁性支持体１上に形成するには、例えば、Ｃｏ，Ｎｉを蒸着源とし、移動する非磁性支持体上に酸素ガスを吹き付けながら行う方法が広く行われている。
【０００９】
上記のように成膜すると、磁性層３はα−Ｃｏの磁性粒子（またはＣｏ−Ｎｉ）と非磁性のＣｏＯ（またはＣｏＮｉＯ）が混在する構造となる。
ここで、酸素を膜中に導入する目的は、非磁性粒子を導入し、結晶粒を微細化することにより、磁気特性を向上させるとともに、磁性粒子間の磁気的結合を遮断して媒体ノイズを低下させることにある。
上記のようにして得られた現在実用化されている斜方蒸着テープにおいて、磁性層３の磁化容易軸の傾き角は約２０〜３０°となっている。
【００１０】
上記のような斜方蒸着法により製造された磁気テープでは、磁性粒子が非磁性支持体の表面に対して斜めに配向していることから、テープ形状の支持体の長手方向に磁性粒子を配向させた従来の磁気テープに比べてより高密度な記録が可能となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のような斜方蒸着テープとして、ＶＴＲやコンピュータストレージの分野では、さらなる高密度記録化によるテープの大容量化、小型・軽量化が望まれている。
現在実用化されている磁気記録テープ以上の高密度記録を実現するには、媒体の高出力化および低ノイズ化、すなわち高Ｃ／Ｎ比化が不可欠であり、特に、より短波長領域での高Ｃ／Ｎ比化が重要となっている。
【００１２】
本発明は上記の状況に鑑みてなされたものであり、従って本発明の目的は、蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録テープなど、次世代の大容量の磁気記録媒体として、特に短波長領域においても高Ｃ／Ｎ比特性を有してさらなる高密度記録化が可能な磁気記録媒体と、その製造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体は、高分子基板よりなる非磁性支持体上に、蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録媒体であって、非磁性支持体と、上記非磁性支持体上に形成され、ＣｏおよびＯを含み、Ｏ／Ｃｏの原子数比が０．４以上である下地層と、上記下地層上に形成され、ＣｏおよびＯを含む磁性層とを有する。
【００１４】
上記の本発明の磁気記録媒体において、前記下地層は、膜厚が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
【００１５】
上記の本発明の磁気記録媒体において、前記下地層は、蒸着法における下地層構成成分の上記非磁性支持体に対する最大の入射角を７０°以下として堆積された膜である。
【００１６】
上記の本発明の磁気記録媒体においては、非磁性支持体と磁性層の間に、ＣｏおよびＯを含み、Ｏ／Ｃｏの原子数比が０．４以上である下地層が形成されている。
上記の下地層を形成することにより、媒体の磁気特性、特に保磁力Ｈｃが大きく向上する。Ｈｃを高めることにより、媒体内での反磁界に打ち勝つ記録磁化を形成することが可能となり、反磁界は、記録磁化の長さが短い短波長領域においてより大きくなるので、上記の結果、特に短波長領域での出力増大およびノイズ低減を得ることができ、さらなる高密度記録化が可能となる。
これは、非磁性支持体上に下地層を介してＣｏ／ＣｏＯ磁性層を積層させるので、磁性層は成長初期より結晶配向性が良い状態で成長することができるためと考えられる。
【００１７】
さらに、媒体ノイズを減少するためには、磁性層の結晶粒の微細化および均質化が有効であり、また、テープ表面性の向上も重要である。
非磁性支持体の表面を粗くして、テープの耐久性を向上させるため、一般に、蒸着テープの非磁性支持体上には、フィラーと称する微少粒子が内部に添加あるいは下塗りされているが、このような表面を粗くした非磁性支持体上に蒸着時の最大入射角を９０°として成膜すると、蒸着粒子のシャドーイング効果により、磁性層の表面形状は、非磁性支持体の表面性を反映したものとなる。すなわち、フィラーのある所は蒸着粒子が付きやすく、フィラーの影となっているところには付きにくいので、磁性層の表面は、フィラーがあるところは凸に、その影は凹状になりやすい。媒体ノイズは媒体表面性に大きく影響するため、この表面性の悪さがノイズの増大につながる。
さらに、シャドウイング効果のために、磁性層の成長初期は、粒子の大きさにバラツキが大きく、空孔などの欠縮もできやすいため、記録再生した時の、媒体ノイズ源となってしまう。
【００１８】
上記の本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体と磁性層の間に下地層が形成されている構成としており、さらにこの下地層は非磁性支持体上に蒸着時の最大入射角を７０°以下として成膜することにより、上記のシャドーイング効果を抑制し、表面がより平坦で、さらに成長初期から均質な構造の磁性層を作製することが可能となる。
【００１９】
上記のように、本発明の磁気記録媒体によれば、蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録媒体において、特に短波長領域においても高Ｃ／Ｎ比特性を有し、さらなる高密度記録化が可能である。
【００２０】
また、上記の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、高分子基板よりなる非磁性支持体上に、蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録媒体の製造方法であって、非磁性支持体上に、ＣｏおよびＯを含み、Ｏ／Ｃｏの原子数比が０．４以上である下地層を形成する工程と、上記下地層上に、ＣｏおよびＯを含む磁性層を形成する工程とを有する。
【００２１】
上記の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、前記下地層を形成する工程においては、膜厚が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の下地層を形成する。
【００２２】
上記の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、前記下地層を形成する工程においては、蒸着法により、下地層構成成分の上記非磁性支持体に対する最大の入射角を７０°以下として堆積させ、形成する。
【００２３】
上記の本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体上に、蒸着法により磁性層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、非磁性支持体上に、ＣｏおよびＯを含み、Ｏ／Ｃｏの原子数比が０．４以上である下地層を形成し、その上層に、ＣｏおよびＯを含む磁性層を形成する。
【００２４】
上記の本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、非磁性支持体と磁性層の間に、ＣｏおよびＯを含み、Ｏ／Ｃｏの原子数比が０．４以上である下地層を形成しているので、媒体の磁気特性、特に保磁力Ｈｃを大きく向上させることができる。
また、特に下地層を非磁性支持体上に蒸着時の最大入射角を７０°以下として成膜することにより、上記のシャドーイング効果を抑制し、表面がより平坦で、さらに成長初期から均質な構造の磁性層を作製することが可能となる。
従って、本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録媒体において、特に短波長領域においても高Ｃ／Ｎ比特性を有し、さらなる高密度記録化が可能である磁気記録媒体を製造することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下に、本実施形態に係る磁気記録媒体およびその製造方法について説明する。
【００２６】
図１は、本実施形態に係る磁気記録媒体である斜方蒸着テープの断面図である。
非磁性支持体１上に、下地層２が形成されており、その上層に、強磁性金属の薄膜である磁性層３が形成されており、その上層にカーボンなどの保護膜４が形成されて、その上層に潤滑剤などのトップコート層５が形成されている。
一方、非磁性支持体１の裏面にはバックコート層６が形成されている。
上記の構成の磁気記録媒体がテープ形状に裁断され、斜方蒸着テープとなっている。
【００２７】
非磁性支持体１としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンー２，６−ナフタレートなどのポリエステル類、ポリプロピレンなどのポリオレフイン類、セルローストリアセテート、セルロースダイアセテートなどのセルロース誘導体、ビニル系樹脂、ポリイミド類、ポリアミド類、ポリカーボネートなどに代表されるような高分子材料により形成される高分子支持体などが挙げられる。また、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎなどの金属、ガラス、窒化瑚素、Ｓｉカーバイドなどのセラミックなども使用できる。
上記の非磁性支持体１には、非磁性支持体の表面を粗くして、テープの耐久性を向上させるため、フィラーと称する微少粒子が内部に添加あるいは下塗りされている。
【００２８】
下地層２は、ＣｏおよびＯを含み、Ｏ／Ｃｏの原子数比が０．４以上の膜である。膜厚は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。
例えば、非磁性支持体１を所定方向に移動走行させ、この表面に斜め方向から真空蒸着法により下地層成分を堆積させる、いわゆる斜方蒸着法により形成することができる。このとき、非磁性支持体１に対する最大入射角を７０°以下として堆積して形成する。
【００２９】
磁性層３は、ＣｏおよびＯを含む膜であり、Ｏ／Ｃｏの原子数比は例えば０．２〜０．４程度であり、膜厚は例えば３０〜２００ｎｍ程度である。
磁性層３は、下地層２と同様に斜方蒸着法により形成することができる。
上記のようにして得られた現在実用化されている斜方蒸着テープにおいて、磁性層３の磁化容易軸の傾き角は約２０〜３０°となっている。
【００３０】
保護膜４としては、カーボン、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔｉ−Ｎ、Ｍｏ−Ｃ、Ｃｒ−Ｃ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、ＳｉＮなどが挙げられるが、これに限定されるものではなく、従来公知の材料がいずれも使用可能である。
【００３１】
トップコート層５は、防錆剤あるいは潤滑剤よりなるものであり、その材料として通常この種の磁気記録媒体において使用されるものがいずれも使用可能である。
【００３２】
また、非磁性支持体の磁性層とは反対側の面には、媒体の走行性向上のために、非磁性粉末（例えばシリカ、カーボンブラック）および結合剤などからなるバックコート層６を設けることができる。
【００３３】
上記の本実施形態に係る磁気記録媒体の記録再生システムとして、従来のインダクティブヘッドを用いたシステムはもとより、再生ヘッドとしてＭＲヘッドやＧＭＲヘッドを用いた次世代システムも適用することができる。
【００３４】
上記の本実施形態に係る磁気記録媒体は、斜方蒸着テープにおいて、非磁性支持体と磁性層との間に、最大入射角を７０°以下として成膜したＣｏとＯを含む下地層を設けることにより、磁性層の磁気特性、特に保磁力が大きく向上し、特に短波長領域においても高Ｃ／Ｎ比特性を有し、さらなる高密度記録化が可能である。
【００３５】
次に、上記の本実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法について説明する。
図２（ａ）は、この製造方法における下地層と磁性層の成膜に用いる斜方蒸着装置全体の模式図であり、図２（ｂ）は要部の模式図である。
装置内部において、巻き出しロール１０から送りだされた非磁性支持体となる高分子ベースフイルム１１が円筒状の冷却キャン１２の外周に導かれ、巻き取りロール１３に巻き取られていく。
ここで、装置内を真空排気した状態で、電子銃１４から放出された電子ビーム１５をＣｏなどが収容されたルツボ１６に照射し、蒸発させ、Ｃｏなどの被着物蒸気１７をベースフイルム１１表面に斜めに入射させ、ベースフイルム１１の表面に被着物を堆積させる。
このとき、ベースフイルム１１表面に対する被着物蒸気１７の入射角の上限（最大入射角θmax ）および下限（最小入射角θmin ）は、遮蔽板１８の開口位置により制御され、例えば、下地層を形成する工程においては、下地層となる被着物蒸気１７のベースフイルム１１に対する最大の入射角を７０°以下として堆積する。
【００３６】
また、堆積する表面近傍において、移動する非磁性支持体上に酸素供給部１９から酸素ガスを吹き付けながら被着物を堆積させる。
酸素ガスを吹きつけながら成膜すると、例えば磁性層３の成膜工程においてはα−Ｃｏの磁性粒子と非磁性のＣｏＯが混在する構造となり、非磁性粒子を導入して結晶粒を微細化することにより、磁気特性を向上させ、磁性粒子間の磁気的結合を遮断して媒体ノイズを低下させることができる。
ここで、酸素ガスの供給量を調節することで、堆積させる膜の酸素の含有比率、例えばＯ／Ｃｏ原子数比を制御することができる。
例えば、下地層２を形成するときには、酸素ガスを０．８〜１．５リットル／分で供給し、Ｏ／Ｃｏの原子数比を例えば０．６〜１．０程度とする。一方、磁性層３を形成するときには、酸素ガスを０．４〜０．６リットル／分で供給し、Ｏ／Ｃｏの原子数比を例えば０．２〜０．４程度とする。
【００３７】
保護膜４、トップコート層５、および、バックコート層６については、従来より公知の方法を用いて形成することができる。
上記のように得られた積層体を、所定の形状および大きさに加工して、所定の磁気記録媒体とすることができる。磁気記録媒体の形状は、テープ状、フィルム状、シート状、カード状、ディスク状、ドラム状など、磁気記録媒体として通常使用されている形状がいずれも採用可能である。
【００３８】
従って、本実施形態の磁気記録媒体の製造方法によれば、蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録媒体において、特に短波長領域においても高Ｃ／Ｎ比特性を有し、さらなる高密度記録化が可能である磁気記録媒体を製造することができる。
【００３９】
（実施例）
下記に示す工程により、図１に示す構成の斜方蒸着テープの試料を作成した。
非磁性支持体１となる高分子ベースフイルム１１には、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を用いた。
図２に示す斜方蒸着装置において、チャンバー内を真空排気した後、冷却キャン１２上に、ベースフィルム１１を走行させる。冷却キャン１２の一部は遮蔽板１８により開口され、開口部の下には、Ｃｏインゴットが収容されたルツボ１６が配置され、このＣｏを電子ビーム１５により溶解することによって、Ｃｏ薄膜をベースフィルム１１上に成膜した。
遮蔽板１８による開口部とルツボ１６の位置関係を変えることにより、蒸着入射角を変えた。
また、蒸着時は、開口部最小入射角および最大入射角付近から酸素を導入し、Ｃｏを適度に酸化した。
【００４０】
下地層２、磁性層３に共通な成膜条件を以下に示す。
成膜条件
・到達真空度：２×１０-3（Ｐａ）
・蒸着時真空度：３×１０-2（Ｐａ）
・インゴット：Ｃｏ１００
なお、各層の厚さは、蒸着時のラインスピードにより制御した。
【００４１】
まず、下地層２を成膜した。入射角は、０〜５０°、導入酸素流量は、０．５〜２．０リットル／分の範囲内で変更しながら成膜した。
【００４２】
さらに、下地層２の上にＣｏ／ＣｏＯからなる磁性層３を成膜した。
蒸着入射角は４５〜９０°、導入酸素流量は、０．５リットル／分とした。
【００４３】
さらに、磁性層３の上層にカーボンＣからなる保護膜４を成膜し、非磁性支持体１の裏面にバックコート層６を形成し、保護膜４上に潤滑剤を塗布してトップコート層６を形成し、裁断してテープとして完成させた。
【００４４】
ここで、下地層２の膜厚は、５〜１００ｎｍとし、磁性層３の膜厚は３０〜２００ｎｍとし、保護膜４の膜厚は１０ｎｍで一定とした。
【００４５】
（下地層厚み依存性試験）
次に、磁性層３の膜厚を１００ｎｍで一定、下地層のＯ／Ｃｏ原子数比を０．９で一定、下地層を形成するときの最大の入射角を５０°で一定として、下地層２の膜厚を１０〜１００ｎｍの範囲で変化させたときの、試料の磁気特性の変化を調べた。
図３は、試料の保磁力Ｈｃを下地層２の膜厚に対してプロットした図である。
【００４６】
図３から、わずか１０ｎｍの膜厚の下地層により、下地層無しの場合と比べ、Ｈｃが大きく上昇することが分かる。
下地層の膜厚をさらに厚くしていくと、５０ｎｍ程度の膜厚まで媒体のＨｃは増加し、それ以上の下地層の膜厚においては、Ｈｃに大きな変化はない。
【００４７】
次に、磁性層３の膜厚を１００ｎｍで一定、下地層のＯ／Ｃｏ原子数比を０．９で一定、下地層を形成するときの最大の入射角を５０°で一定として、下地層２の膜厚を変化させ、下地層２の膜厚が、それぞれ５ｎｍ（比較例ａ）、１０ｎｍ（実施例２）、２５ｎｍ（実施例３）、５０ｎｍ（実施例４）、７５ｎｍ（比較例ｂ）、１００ｎｍ（比較例ｃ）の試料と、下地層２なしの試料（比較例１）を作成し、Ｏ／Ｃｏ原子数比と媒体ノイズおよびＣ／Ｎ比との関係を測定した。
記録する信号の記録波長は約０．３μｍ、ノイズは信号周波数の±１ＭＨｚでの値の平均値とし、比較例１の試料を０ｄＢとした。
結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
0003867544.tif 000002
【００４９】
表１から、Ｈｃと同様に下地層の膜厚が５０ｎｍまでの領域でＣ／Ｎ比は増加するが、その上がり幅はそれほど大きくない。下地層の膜厚が５０ｎｍ以上の領域ではＨｃが頭打ちになり、Ｃ／Ｎ比も同じく頭打ちになる。
【００５０】
体積記録密度の観点からは、メディアの厚みは薄いほうが望ましい。
１０ｎｍの下地層でも、大きなＣ／Ｎ比向上が得られており、５０ｎｍ以上の領域でＨｃやＣ／Ｎ比の向上が認められないので、下地層の膜厚は５０ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００５１】
（下地層成膜時最大入射角依存性試験）
次に、磁性層３の膜厚を１００ｎｍで一定、下地層２の膜厚を３０ｎｍで一定、下地層２のＯ／Ｃｏ原子数比を０．９で一定、下地層２を成膜するときの最小入射角を３０°で一定として、下地層２を成膜するときの最大入射角を変化させ、最大入射角がそれぞれ４０°（実施例７）、５０°（実施例８）、６０°（実施例９）、７０°（実施例１０）、８０°（実施例１１）、９０°（実施例１２）の試料と、下地層２なしの試料（比較例２）を作成し、最大入射角と媒体ノイズおよびＣ／Ｎ比との関係を測定した。
記録する信号の記録波長は約０．３μｍ、ノイズは信号周波数の±２ＭＨｚでの値の平均値とし、比較例２の試料を０ｄＢとした。
記録ヘッドはギャップ長０．２μｍのＭＩＧヘッド、再生ヘッドは、積層タイプヘッド、ギャップ長は０．１８μｍとした。
【００５２】
【表２】
0003867544.tif 000003
【００５３】
表２より、下地層成膜時の最大入射角が、７０°以下である場合、媒体ノイズが小さくなる傾向が見られた。
媒体ノイズが減少する原因は、以下のように考えられる。
即ち、下地層成膜時の最大入射角を下げることにより、蒸着粒子のシャドーイング効果が減少し、表面が平滑かつ均質な構造の下地層が形成され、それにより、その上に成膜される磁性層の表面性も向上し、さらに、膜成長初期から膜が均質な構造になるため、と推定される。
また、媒体ノイズ減少とともに、媒体Ｈｃが向上するため、短波長領域での出力が向上し、高Ｃ／Ｎ比を得ることができる。
【００５４】
（下地層Ｏ／Ｃｏ原子数比依存性試験）
次に、下地層２のＯ／Ｃｏ原子数比と、磁気特性と電磁変換特性との関係について調べた。
磁気特性に関してＨｃを測定した。Ｈｃは、Ｏ／Ｃｏ原子数比が０．４以上の時に大きく増大した。この組成が、下地層がほぼ磁性を持たなくなる組成であると考えられる。
【００５５】
次に、磁性層３の膜厚を１００ｎｍで一定、下地層２の膜厚を３０ｎｍで一定、下地層２を成膜するときの最大入射角を５０°で一定として、下地層２成膜時の酸素導入量を変えることにより、下地層２中のＯ／Ｃｏ原子数比を変化させて、下地層２のＯ／Ｃｏ原子数比が、それぞれ０．４（実施例１３）、０．６（実施例１４）、１．０（実施例１５）、１．２（実施例１６）の試料と、下地層２のＯ／Ｃｏ原子数比がそれぞれ０．２（比較例３）と０．３（比較例４）の試料、さらには下地層２なしの試料（比較例３）を作成し、Ｏ／Ｃｏ原子数比と媒体ノイズおよびＣ／Ｎ比との関係を測定した。
記録する信号の記録波長は約０．３μｍ、ノイズは信号周波数の±２ＭＨｚでの値の平均値とした。
結果を表３に示す。
【００５６】
【表３】
0003867544.tif 000004
【００５７】
Ｏ／Ｃｏ原子数比が０．４未満となって、下地層２に磁化が残っていると、媒体ノイズが増加してしまうことがわかった。
媒体ノイズが増加しないＯとＣｏの比は、Ｏ／Ｃｏ＝０．４以上であり、この仕の組成において、下地層の磁化がほとんどなくなると考えられる。
【００５８】
またＣ／Ｎ比も、Ｏ／Ｃｏ原子数比が０．４以上であるときに大きく向上している。
これは、媒体ノイズが減少するとともに、この組成領域では下地層が磁性を持たなくなり、磁性層のＨｃが大きく向上するために、短波長領域では出力も向上する。
【００５９】
以上の結果より、本発明においては、下地層のＯ／Ｃｏ比は０．４以上とする。
【００６０】
以上、本発明を上記の実施形態および実施例により説明したが、本発明はこれらに限定されない。本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００６１】
【発明の効果】
本発明の磁気記録媒体によれば、蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録媒体において、特に短波長領域においても高Ｃ／Ｎ比特性を有し、さらなる高密度記録化が可能である。
【００６２】
本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録媒体において、特に短波長領域においても高Ｃ／Ｎ比特性を有し、さらなる高密度記録化が可能である磁気記録媒体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体である斜方蒸着テープの断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法における下地層と磁性層の成膜に用いる斜方蒸着装置全体の模式図であり、図２（ｂ）は要部の模式図である。
【図３】図３は、実施例において試料の保磁力Ｈｃを下地層２の膜厚に対してプロットした図である。
【図４】図４は、従来例に係る斜方蒸着テープの断面図である。
【符号の説明】
１…非磁性支持体、２…下地層、３…磁性層、４…保護層、５…トップコート層、６…バックコート層、１０…巻き出しロール、１１…ベースフイルム、１２…冷却キャン、１３…巻き取りロール、１４…電子銃、１５…電子ビーム、１６…ルツボ、１７…被着物蒸気、１８…遮蔽板、１９…酸素供給部。
【図１】
0003867544.tif 000005
【図２】
0003867544.tif 000006
【図３】
0003867544.tif 000007
【図４】
0003867544.tif 000008