(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
主コンデンサの両端の間に、前記主コンデンサに蓄えられた電気エネルギーを光に変える放電管、第１のダイオード、および、第１のスイッチング素子が直列に接続され、
前記放電管の陰極側の端子および前記第１のダイオードのアノードの接続点と、前記主コンデンサの陰極側の端子との間に、第２のスイッチング素子および第２のダイオードが直列に接続され、
倍電圧用コンデンサの一端が前記主コンデンサを充電するための充電手段および第３のスイッチング素子の接続点に、前記倍電圧用コンデンサの他端が前記第２のダイオードのアノードと前記第２のスイッチング素子の接続点にそれぞれ接続され、
前記第３のスイッチング素子の前記倍電圧用コンデンサと接続されていない側の端子が前記主コンデンサの陰極側の端子に接続され、
第３のダイオードのアノードが前記放電管の陰極側の端子に、カソードが前記倍電圧用コンデンサと前記第３のスイッチング素子の接続点にそれぞれ接続され、
前記第１のスイッチング素子の制御極と前記第３のスイッチング素子の制御極が発光制御手段に接続され、
前記発光制御手段が、前記放電管の発光開始時に、前記第１のスイッチング素子および前記第３のスイッチング素子をオンさせて、トリガ用コンデンサに蓄積された電気エネルギーを用いて前記放電管を励起するとともに、前記倍電圧用コンデンサを放電させてこの放電時に発生する電圧によって前記第２のスイッチング素子をオンさせ、前記第２のスイッチング素子を介して前記放電管の陰極に前記倍電圧用コンデンサの電圧を印加するようにして、前記放電管を発光させ、
前記発光制御手段が、前記倍電圧用コンデンサの充電時に、前記第３のスイッチング素子をオフさせて前記充電手段、前記倍電圧用コンデンサ、および、前記第２のダイオードからなる経路を形成する閃光装置において、
前記第３のスイッチング素子としてＩＧＢＴ、トランジスタ、あるいは、ＭＯＳＦＥＴのいずれかが用いられ、
前記発光制御手段は、前記放電管の発光開始から所定時間が経過すると、前記第３のスイッチング素子をオフさせることを特徴とする閃光装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は主コンデンサの充電電圧が低電圧の場合にも発光可能なように倍電圧用コンデンサを有し、かつ短い間隔で連続発光が可能な閃光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、主コンデンサの充電電圧が低い場合にも発光可能にするために図３のような構成をとっていた。従来例を図３に示す。
【０００３】
図３において３０１は後述の主コンデンサ３０３を充電するための電源電池を含む電源回路、３０２は逆流防止用ダイオードであり、該ダイオード３０２を介して電源回路３０１より主コンデンサ３０３を充電する。３０３は閃光放電管３２２に発光エネルギーを与える主コンデンサである。３０４は電流制限用コイルであり、一端は主コンデンサ３０３の陽極に、他端は放電管３２２の陽極に接続されている。
【０００４】
３０５はトリガトランス、３０６はトリガコンデンサ、３０７はトリガコンデンサ３０６、倍電圧用コンデンサ３１４を充電するための抵抗であり、一端が主コンデンサ３０３の陽極に他端が後述の第１のスイッチング素子であるＩＧＢＴ３２４のコレクタに接続されている。３１１は抵抗であり、一端は後述の倍電圧用コンデンサ３１４と第１のダイオード３２３のアノードと放電管３２２の陰極との接続点に、他端は主コンデンサ３０３の陰極に接続されている。３１４は倍電圧用コンデンサであり、一端が前記抵抗３０７と第１のスイッチング素子であるＩＧＢＴ３２４のコレクタとの接続点に、他端が前記第１のダイオード３２３のアノードに接続されている。
【０００５】
３２２は放電管であり、主コンデンサ３０３の蓄積エネルギーを光に変換する。該放電管３２２の陰極は第１のダイオード３２３のアノードと、陽極はコイル３０４の一端に接続されている。３２４は第１のスイッチング素子としてのＩＧＢＴ（インシュレーテッドゲートバイポーラトランジスタ）であり、コレクタはダイオード３２３のカソードにエミッタは主コンデンサ３０３の陰極と接続されている。
【０００６】
３２６はカソードがコイル３０４の一端と主コンデンサ３０３の接続点に、アノードが放電管３２２の陽極に各々接続されたダイオードである。
【０００７】
３２７，３２８は直列に接続された抵抗であり、接続点は前記ＩＧＢＴ３２４のゲートと接続されている。３２９はＰＮＰトランジスタであり、コレクタは抵抗３２７の一端と、エミッタは電圧源３３２のプラス電極に、ベースは抵抗３３０の一端に各々接続されている。３３１はＮＰＮトランジスタであり、コレクタが抵抗３３０の一端と、エミッタが主コンデンサ３０３の陰極と、ベースが抵抗３３９を介してマイクロコンピュータ３５０のＩＧＢＴ＿ＯＮ端子と各々接続されている。３３２は電圧源でトランジスタ３２９を介してＩＧＢＴ３２４のゲートに駆動電圧を与える、また、マイナス電極は主コンデンサの陰極に接続されている。
【０００８】
３５０は発光を制御するマイクロコンピュータである。トリガトランス３０５、トリガコンデンサ３０６、ＩＧＢＴ３２４でトリガ手段を形成している。
【０００９】
以下に、図３の動作を詳述する。
【００１０】
（発光開始時）
発光開始時の動作を以下に述べる。
電源回路３０１により主コンデンサ３０３が充電されているとする。
マイクロコンピュータ３５０はＩＧＢＴ＿ＯＮ端子をＨｉｇｈにする。このＩＧＢＴ＿ＯＮ端子のＨｉｇｈレベルにより、抵抗３３９を介してトランジスタ３３１のベースに伝達され、トランジスタ３３１はベース電流が供給されるのでオンとなり、該オンによりトランジスタ３２９のベース電流が抵抗３３０を介して流れるので、該トランジスタ３２９はオンとなり電圧源３３２の電圧がコレクタに発生し、該コレクタ電圧の抵抗３２７，３２８の分圧がＩＧＢＴ３２４のゲートに印加され、該ＩＧＢＴ３２４はオンとなる。
【００１１】
トリガコンデンサ３０６に蓄積された電荷はＩＧＢＴ３２４、トリガトランス３０５の一次巻線を介して放電され、該トリガトランス３０５の二次巻線に高周波高電圧が発生し放電管３２２のトリガ電極に印加され放電管３２２はイオン化され、ＩＧＢＴ３２４がオンとなっているので主コンデンサ３０３の電荷はコイル３０４、放電管３２２、ダイオード３２３、ＩＧＢＴ３２４を介して放電され、発光が開始される。
【００１２】
前記ＩＧＢＴ３２４がオンになった時、倍電圧用コンデンサ３１４の電圧が放電管３２２の陰極に印加される。従って放電管３２２の陽極、陰極間にはコンデンサ３０３の電圧の約２倍の電圧が印加され放電管３２２のイオン化を助ける。これにより主コンデンサ３０３の充電電圧が低くても放電管３２２の発光が可能になる。
【００１３】
上記従来例ではメインコンデンサ３０３の電圧が低い場合でも波高可能となるが、倍電圧用コンデンサ３１４を充電する経路は抵抗３０７、倍電圧用コンデンサ３１４、抵抗３１１となっており、抵抗３０７と抵抗３１１の合成抵抗が大きいので倍電圧用コンデンサの充電に時間がかかり短い間隔での連続発光は不可能となってしまう。
【００１４】
上記従来例の短い間隔での連続発光は不可能という欠点を改善するために特開平５−１１４４９３号が提示されており、主コンデンサの充電電圧が低電圧でも発光可能、かつ短い間隔で連続発光可能な閃光装置が発案されている。
【００１５】
上記従来例を図２に示す。
図２において、２０１は後述の主コンデンサ２０３を充電するための電源電池を含む電源回路、２０２は逆流防止用ダイオードであり、該ダイオード２０２を介して電源回路２０１より主コンデンサ２０３を充電する。２０３は閃光放電管２２２に発光エネルギーを与える主コンデンサである。
【００１６】
２０４は電流制限用コイルであり、一端は主コンデンサ２０３の陽極に、他端は放電管２２２の陽極に接続されている。２０５はトリガトランス、２０６はトリガコンデンサ、２０８はトリガコンデンサ２０６のエネルギーを前記トリガトランス２０５の一次巻線を介して放電させるためのＳＣＲであり、アノードが抵抗２０７と接続され、カソードが第１のダイオード２２３のカソードと第１のスイッチング素子であるＩＧＢＴ２２４のコレクタとの接続点に接続される。
【００１７】
２０９は前記ＳＣＲ２０８のゲート抵抗である。２０７はトリガコンデンサ２０６、倍電圧用コンデンサ２１４を充電するための抵抗であり、一端が主コンデンサ２０３の陽極に、他端が前記ＳＣＲ２０８のアノードに接続されている。
【００１８】
２１０は前記ＳＣＲ２０８のゲートに一端が接続され、他端が後述のマイクロコンピュータ２５０のＴＲＩＧ＿ＯＮ端子に接続された抵抗である。２１１は抵抗であり、一端は前記ＳＣＲ２０８のカソードに、他端は主コンデンサ２０３の陰極に接続されている。
【００１９】
２１４は倍電圧用コンデンサであり、一端が前記ＳＣＲ２０８のアノード、他端が後述の第２のダイオード２１５のアノードに接続されている。２１５は第２のダイオードであり、カソードは主コンデンサ２０３の陰極に接続されている。
【００２０】
２２０は第２のスイッチング素子であるＮＰＮトランジスタであり、ベースは抵抗２１８を介して主コンデンサ２０３の陰極と接続されている。またエミッタは前記第２のダイオード２１５のアノード、コレクタは抵抗２２１を介して放電管２２２の陰極と各々接続されている。２１９は一端がトランジスタ２２０のベース、他端がトランジスタ２２０のエミッタに接続された抵抗である。
【００２１】
２４０はダイオードであり、カソードは抵抗２０７とＳＣＲ２０８のアノードとの接続点に接続され、アノードは抵抗２４１を介して放電管２２２の陰極に接続されている。
【００２２】
２２２は放電管であり、主コンデンサ２０３の蓄積エネルギーを光に変換する。該放電管２２２の陰極は第１のダイオード２２３のアノードと、陽極はコイル２０４の一端に接続されている。２２４は第１のスイッチング素子としてのＩＧＢＴであり、コレクタはダイオード２２３のカソード及び前記ＳＣＲ２０８のカソードと、エミッタは主コンデンサ２０３の陰極と接続されている。
【００２３】
２２６はカソードがコイル２０４の一端とアノードがＩＧＢＴ２２４のコレクタに各々接続されたダイオードである。
【００２４】
２２７，２２８は直列に接続された抵抗であり、接続点は前記ＩＧＢＴ２２４のゲートと接続されている。２２９はＰＮＰトランジスタであり、コレクタは抵抗２２７の一端と、エミッタは電圧源２３２のプラス電極に、ベースは抵抗２３０の一端と各々接続されている。
【００２５】
２３１はＮＰＮトランジスタであり、コレクタが抵抗２３０の一端と、エミッタが主コンデンサ２０３の陰極と、ベースが抵抗２３９を介してマイクロコンピュータ２５０のＩＧＢＴ＿ＯＮ端子と各々接続されている。２３２は電圧源でトランジスタ２２９を介してＩＧＢＴ２２４のゲートに駆動電圧を与える。またマイナス電極は主コンデンサの陰極に接続されている。
【００２６】
２５０は発光を制御するマイクロコンピュータである。トリガトランス２０５、トリガコンデンサ２０６、ＳＣＲ２０８でトリガ手段を形成している。
【００２７】
以下に、図２の動作を詳述する。図６に各部の信号、発光波形を示す。
【００２８】
（発光開始時）
発光開始時の動作を以下に述べる。
電源回路２０１により主コンデンサ２０３が充電されているとする。マイクロコンピュータ２５０はＴＲＩＧ＿ＯＮ端子、ＩＧＢＴ＿ＯＮ端子をそれぞれＨｉｇｈにする。それによって、抵抗２３９を介してトランジスタ２３１のベースに伝達され、トランジスタ２３１はベース電流が供給されるのでオンとなり、該オンによりトランジスタ２２９のベース電流が抵抗２３０を介して流れるので、該トランジスタ２２９はオンとなり電圧源２３２の電圧がコレクタに発生し、該コレクタ電圧の抵抗２２７，２２８の分圧がＩＧＢＴ２２４のゲートに印加され該ＩＧＢＴ２２４はオンとなる。
【００２９】
一方ＳＣＲ２０８びゲートにも抵抗２１０を介してＨｉｇｈ信号が印加され、ＳＣＲ２０８はオンとなりＩＧＢＴ２２４のオンとともにトリガコンデンサ２０６に蓄積された電荷はＳＣＲ２０８、ＩＧＢＴ２２４、トリガトランス２０５の一次巻線を介して放電され、該トリガトランス２０５の二次巻線に高周波高電圧が発生し放電管２２２のトリガ電極に印加され、放電管２２２はイオン化され、ＩＧＢＴ２２４がオンとなっているので主コンデンサ２０３の電荷はコイル２０４、放電管２２２、ダイオード２２３、ＩＧＢＴ２２４を介して放電され発光が開始される。
【００３０】
前記ＳＣＲ２０８がオンになった時、倍電圧用コンデンサ２１４の電圧がトランジスタ２２０を介して放電管２２２の陰極に印加される、従って放電管２２２の陽極、陰極間には主コンデンサ２０３の電圧の約２倍の電圧が印加され放電管２２２のイオン化を助ける。これにより主コンデンサ２０３の充電電圧が低くても放電管２２２の発光が可能となる。
【００３１】
前記トランジスタ２２０はＳＣＲ２０８、ＩＧＢＴ２２４がそれぞれオンになった時、倍電圧用コンデンサ２１４の電荷が抵抗２１８、トランジスタ２２０のベースを介して放電されトランジスタ２２０はオンとなる。またコンデンサ２１４の放電が終了すると、トランジスタ２２０はオフする。
【００３２】
（発光停止時）
以下に発光停止時の動作を述べる。
マイクロコンピュータ２５０がＩＧＢＴ＿ＯＮ端子をＬｏｗにするとトランジスタ２３１、トランジスタ２２９はオフとなり、ＩＧＢＴ２２４のゲートはローレベルとなるので、該ＩＧＢＴ２２４に流れていた電流はカットオフされる。これにより放電管２２２の発光は停止する。
【００３３】
ＩＧＢＴ２２４のオフ直後、トリガコンデンサ２０６はメインコンデンサ２０３−コイル２０４−放電管２２２−抵抗２４１−第３のダイオード２４０−トリガコンデンサ２０６−トリガコイルの一次巻線の経路、倍電圧用コンデンサ２１４はメインコンデンサ２０３−コイル２０４−放電管２２２−抵抗２４１−第３のダイオード２４０−倍電圧用コンデンサ２１４−第２のダイオード２１５の経路で急速に充電される。これにより従来の単純な倍電圧用コンデンサを備えた閃光装置に比べ高速に倍電圧用コンデンサ２１４が充電される。このため短い間隔での連続発光が可能となっている。
【００３４】
上記以外にＩＧＢＴ２２４のオフ後にはトリガコンデンサ２０６は抵抗２０７を介して充電され、倍電圧用コンデンサ２１４は主コンデンサ２０３の陽極、抵抗２０７、コンデンサ２１４、第２のダイオード２１５、主コンデンサ２０３の陰極の経路で充電されるが、発光停止後の充電経路の方が支配的である。
【００３５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来例では第１のスイッチング素子であるＩＧＢＴ２２４を高速でオン、オフさせるフラット発光を行う場合に、ＳＣＲ２０８が確実にオフせずに、図７のようにトリガコンデンサ２０６が第１のスイッチング素子であるＩＧＢＴ２２４のオン毎に放電をするため、トリガノイズをフラット発光中に発生してしまい、カメラの測光系やストロボ内部の測光系などに悪影響を与えてしまう欠点があった。
【００３６】
本発明の主たる目的は主コンデンサの充電電圧が低電圧の場合にも発光可能かつ短い間隔で連続発光が可能な閃光装置においてフラット発光中のトリガノイズを軽減することにある。
【００３７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を解決するために本出願に係る請求項１記載の発明は、主コンデンサの両端の間に、前記主コンデンサに蓄えられた電気エネルギーを光に変える放電管、第１のダイオード、および、第１のスイッチング素子が直列に接続され、前記放電管の陰極側の端子および前記第１のダイオードのアノードの接続点と、前記主コンデンサの陰極側の端子との間に、第２のスイッチング素子および第２のダイオードが直列に接続され、倍電圧用コンデンサの一端が前記主コンデンサを充電するための充電手段および第３のスイッチング素子の接続点に、前記倍電圧用コンデンサの他端が前記第２のダイオードのアノードと前記第２のスイッチング素子の接続点にそれぞれ接続され、前記第３のスイッチング素子の前記倍電圧用コンデンサと接続されていない側の端子が前記主コンデンサの陰極側の端子に接続され、第３のダイオードのアノードが前記放電管の陰極側の端子に、カソードが前記倍電圧用コンデンサと前記第３のスイッチング素子の接続点にそれぞれ接続され、前記第１のスイッチング素子の制御極と前記第３のスイッチング素子の制御極が発光制御手段に接続され、前記発光制御手段が、前記放電管の発光開始時に、前記第１のスイッチング素子および前記第３のスイッチング素子をオンさせて、トリガ用コンデンサに蓄積された電気エネルギーを用いて前記放電管を励起するとともに、前記倍電圧用コンデンサを放電させてこの放電時に発生する電圧によって前記第２のスイッチング素子をオンさせ、前記第２のスイッチング素子を介して前記放電管の陰極に前記倍電圧用コンデンサの電圧を印加するようにして、前記放電管を発光させ、前記発光制御手段が、前記倍電圧用コンデンサの充電時に、前記第３のスイッチング素子をオフさせて前記充電手段、前記倍電圧用コンデンサ、および、前記第２のダイオードからなる経路を形成する閃光装置において、前記第３のスイッチング素子としてＩＧＢＴ、トランジスタ、あるいは、ＭＯＳＦＥＴのいずれかが用いられ、前記発光制御手段は、前記放電管の発光開始から所定時間が経過すると、前記第３のスイッチング素子をオフさせることを特徴とする閃光装置にある。
【００４１】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態である。以下順を追って説明する。
【００４２】
図１において１０１は後述の主コンデンサ１０３を充電するための電源電池を含む電源回路、１０２は逆流防止用ダイオードであり、該ダイオード１０２を介して電源回路１０１より主コンデンサ１０３を充電する。１０３は閃光放電管１２２に発光エネルギーを与える主コンデンサである。
【００４３】
１０４は電流制限用コイルであり、一端は主コンデンサ１０３の陽極に、他端は放電管１２２の陽極に接続されている。１０５はトリガトランス、１０６はトリガコンデンサ、１０８はトリガコンデンサ１０６のエネルギーを前記トリガトランス１０５の一次巻線を介して放電させるための第３のスイッチング素子であるＩＧＢＴであり、エミッタは主コンデンサ１０３の陰極と接続される。またＩＧＢＴ１０８は倍電圧用コンデンサ１１４も放電させる。この第３のスイッチング素子は高耐圧のトランジスタ、もしくはＭＯＳＦＥＴであってもかまわない。
【００４４】
１０７はトリガコンデンサ１０６、倍電圧用コンデンサ１１４を充電するための抵抗であり、一端が主コンデンサ１０３の陽極に他端が前記ＩＧＢＴ１０８のコレクタに接続されている。１０９は前記ＩＧＢＴ１０８のゲートと主コンデンサ１０３の陰極間に接続される抵抗である。１１０は前記ＩＧＢＴ１０８のゲートに一端が接続され、他端が後述のマイクロコンピュータ１５０のＴＲＩＧ＿ＯＮ端子に接続された抵抗である。
【００４５】
１１１は抵抗であり、一端は後述のＩＧＢＴ１２４のコレクタに、他端は主コンデンサ１０３の陰極に接続されている。１１４は倍電圧用コンデンサであり、一端が前記第３のスイッチング素子であるＩＧＢＴ１０８のコレクタと抵抗１０７の接続点に、他端が後述の第２のダイオード１１５のアノードに接続されている。１１５は第２のダイオードであり、カソードは主コンデンサ１０３の陰極に接続されている。
【００４６】
１２０は第２のスイッチング素子であるＮＰＮトランジスタであり、ベースは抵抗１１８を介して主コンデンサ１０３の陰極と接続されている。また、エミッタは前記ダイオード１１５のアノードと、コレクタは抵抗１２１を介して放電管１２２の陰極と各々接続されている。１１９は一端がトランジスタ１２０のベースに、他端がトランジスタ１２０のエミッタに接続された抵抗である。
【００４７】
１４０は、カソードは抵抗１０７とＩＧＢＴ１０８のコレクタとの接続点に接続され、アノードは抵抗１４１を介して放電管１２２の陰極に接続されている。
【００４８】
１２２は放電管であり、主コンデンサ１０３の蓄積エネルギーを光に変換する。該放電管１２２の陰極は第１のダイオード１２３のアノードと、陽極はコイル１０４の一端に接続されている。１２４は第１のスイッチング素子としてのＩＧＢＴであり、コレクタはダイオード１２３のカソードと接続され、エミッタは主コンデンサ１０３の陰極と接続されている。
【００４９】
１２６はカソードがコイル１０４の一端と主コンデンサ１０３との接続点に、アノードがＩＧＢＴ１２４のコレクタに各々接続されたダイオードである。
【００５０】
１２７，１２８は直列に接続された抵抗であり、接続点は前記ＩＧＢＴ１２４のゲートと接続されている。１２９はＰＮＰトランジスタであり、コレクタは抵抗１２７の一端と、エミッタは電圧源１３２のプラス電極に、ベースは抵抗１３０の一端に各々接続されている。１３１はＮＰＮトランジスタであり、コレクタが抵抗１３０の一端と、エミッタが主コンデンサ１０３の陰極と、ベースが抵抗１３９を介してマイクロコンピュータ１５０のＩＧＢＴ＿ＯＮ端子と各々接続されている。
【００５１】
１３２は電圧源で、トランジスタ１２９を介してＩＧＢＴ１２４のゲートに駆動電圧を与える、またマイナス電極は主コンデンサの陰極に接続されている。
【００５２】
１５０は発光を制御するマイクロコンピュータである。
【００５３】
これらの構成において、トリガトランス１０５、トリガコンデンサ１０６、ＩＧＢＴ１０８でトリガ手段を形成している。また、電源回路１０１、ダイオード１０２、抵抗１０７、第２のダイオード１１５で倍電圧用コンデンサ１１４の充電手段を形成している。さらに、倍電圧コンデンサ１１４、抵抗１１８，１１９で第２のスイッチング素子トランジスタ１２０の制御手段を形成している。
【００５４】
以下に、図１の動作を詳述する。
発光開始、提示の動作を図４に基づいて述べる。
【００５５】
（発光開始時）
電源回路１０１により主コンデンサ１０３が充電されているとする。マイクロコンピュータ１５０はＴＲＩＧ＿ＯＮ端子、ＩＧＢＴ＿ＯＮ端子をそれぞれＨｉｇｈにする。それによって、抵抗１３９を介してトランジスタ１３１のベースに伝達され、トランジスタ１３１はベース電流が供給されるのでオンとなり、該オンによりトランジスタ１２９のベース電流が抵抗１３０を介して流れるので、該トランジスタ１２９はオンとなり電圧源１３２の電圧がコレクタに発生し、該コレクタ電圧の抵抗１２７，１２８の分圧がＩＧＢＴ１２４のゲートに印加され該ＩＧＢＴ１２４はオンとなる。
【００５６】
一方ＩＧＢＴ１０８のゲートにも抵抗１１０を介してＨｉｇｈ信号が印加され、ＩＧＢＴ１０８はオンとなり、トリガコンデンサ１０６に蓄積された電荷はＩＧＢＴ１０８、トリガトランス１０５の一次巻線を介して放電され、該トリガトランス１０５の二次巻線に高周波高電圧が発生し放電管１２２のトリガ電極に印加され放電管１２２はイオン化され、ＩＧＢＴ１２４がオンとなっているので、主コンデンサ１０３の電荷はコイル１０４、放電管１２２、ダイオード１２３、ＩＧＢＴ１２４を介して放電され発光が開始される。
【００５７】
前記ＩＧＢＴ１０８がオンになった時、コンデンサ１１４の電圧がトランジスタ１２０を介して放電管１２２の陰極に印加される、従って放電管１２２の陽極、陰極間には主コンデンサ１０３の電圧の約２倍の電圧が印加され、放電管１２２のイオン化を助ける。これにより主コンデンサ１０３の充電電圧が低くても放電管１２２の発光が可能となる。前記トランジスタ１２０はＩＧＢＴ１０８がオンになった時、倍電圧用コンデンサ１１４の電荷が抵抗１１８、トランジスタ１２０のベースを介して放電され、トランジスタ１２０はオンとなる。またコンデンサ１１４の放電が終了するとトランジスタ１２０はオフする。
【００５８】
発光開始所定時間後マイクロコンピュータ１５０のＴＲＩＧ＿ＯＮ端子のみをＬｏｗにする。これによりＩＧＢＴ１０８はオフし、該オフによりトリガコンデンサ１０６はメインコンデンサ１０３−コイル１０４−放電管１２２−抵抗１４１−第３のダイオード１４０−トリガコンデンサ１０６−トリガコイルの一次巻線の経路で、また、倍電圧用コンデンサ１１４はメインコンデンサ１０３−コイル１０４−放電管１２２−抵抗１４１−第３のダイオード１４０−倍電圧用コンデンサ１１４−第２のダイオード１１５の経路で急速に充電される。これにより従来の単純な倍電圧用コンデンサを備えた閃光装置に比べ高速に倍電圧用コンデンサ１１４が充電される。このため短い間隔での連続発光が可能になっている。
【００５９】
上記以外にＩＧＢＴ１２４のオフ後にはトリガコンデンサ１０６は抵抗１０７を介して充電され、倍電圧用コンデンサ１１４は主コンデンサ１０３の陽極、抵抗１０７、コンデンサ１１４、第２のダイオード１１５、主コンデンサ１０３の陰極の経路で充電されるが、発光停止後の充電経路は前記経路が支配的である。
【００６０】
（発光停止時）
以下に発光停止時の動作を述べる。
マイクロコンピュータ１５０がＩＧＢＴ＿ＯＮ端子をＬｏｗにするとトランジスタ１３１、トランジスタ１２９はオフとなり、ＩＧＢＴ１２４のゲートはローレベルとなるので該ＩＧＢＴ１２４に流れていた電流はカットオフされる。これにより放電管１２２の発光は停止する。
【００６１】
（フラット発光制御時）
第１のスイッチング素子であるＩＧＢＴ１２４を高速でオン、オフするフラット発光時の各部の信号を図５にて説明する。ＩＧＢＴ１０８，１２４をオンし、トリガ信号が発生し、放電管１２２が放電を始める。発光開始所定時間後、マイクロコンピュータ１５０はＩＧＢＴ１０８をオフする。ＩＧＢＴ１２４は発光中オン、オフを高速で繰り返すため発光波形は波を打ちながら発光を持続する。この発光持続状態においてもＩＧＢＴ１０８はオフのままなのでトリガコンデンサ１０６は放電されない。従って発光開始以外はトリガノイズを発生しない。
【００６２】
【発明の効果】
本発明においては、従来の特開平５−１１４４９３号のようにトリガコンデンサ、倍電圧用コンデンサがＳＣＲ２０８を介して第１のスイッチング素子であるＩＧＢＴ２２４のコレクタに接続されている構成と異なっているので、第３のスイッチング素子であるＩＧＢＴ１０８を発光開始所定時間後にオフするとトリガコンデンサ１０６と倍電圧用コンデンサ１１４に充電が開始され、第１のスイッチング素子であるＩＧＢＴ１２４のオフを待たずに充電が可能なのでより発光間隔を短くすることが可能になる。
【００６３】
また、第１のスイッチング素子であるＩＧＢＴ１２４を高速にオン、オフさせるフラット発光中には第３のスイッチング素子であるＩＧＢＴ１０８はオフの状態であり、トリガコンデンサ１０６は放電されないのでトリガノイズは発生しないので、カメラの測光系やストロボ内部の測光系などに悪影響を与えない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態を示す回路図である。
【図２】従来の倍電圧用コンデンサを高速充電する閃光装置の回路図である。
【図３】従来の倍電圧用コンデンサを用いた閃光装置の回路図である。
【図４】図１に示した実施の形態の閃光装置における閃光発光時の信号、発光波形を示す図である。
【図５】本実施の形態の閃光装置におけるフラット発光時の信号、発光波形を示す図である。
【図６】従来の倍電圧用コンデンサを高速充電する閃光装置における閃光発光時の信号、発光波形を示す図である。
【図７】従来の倍電圧用コンデンサを高速充電する閃光装置におけるフラット発光時の信号、発光波形を示す図である。
【符号の説明】
１０１  電源回路
１０３  主コンデンサ
１０５  トリガトランス
１０６  トリガコンデンサ
１０８  ＩＧＢＴ
１１４  倍電圧用コンデンサ
１１５  第２のダイオード
１２０  ＮＰＮトランジスタ
１２２  放電管
１２３  第１のダイオード
１２４  ＩＧＢＴ
１４０  第３のダイオード
１５０  マイクロコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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