(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一回路パターンが設けられるとともに略四角形をし、一方の横側面に形成された第１の端子と他方の横側面に形成された第２の端子とを有し、前記第１の信号端子に接続された第１の回路と、前記第２信号端子が接続された第２の回路とを含む高周波回路が形成された複数個の子基板と、これらの子基板同士が連結して形成されるとともに両端には連結部を有した親基板とから成り、前記子基板には、第１の子基板と、この第１の子基板の一方の横側面で連結された第２の子基板と、前記第１の子基板の他方の横側面で連結された第３の子基板とを含み、前記第１の基板における前記第１の端子と前記第２の基板における前記第２の端子とが一体に形成されるために隣接して配置されるとともに、前記第１の基板における第２の端子と前記第３の基板における第１の端子とが一体に形成されるために隣接して配置され、前記子基板に電子部品を装着する第１の工程と、この第１の工程の後に、前記一体成形された前記第１の信号端子と第２の信号端子とを前記親基板の両端に設けられた連結部を残してスリットで電気的に分離する第２の工程と、この第２の工程の後に、前記子基板が前記親基板に連結された状態で、少なくとも前記第１の基板における前記第１と第２の端子に検査治具のピンを当接させて、前記第１と第２の信号端子に対し信号を供給することにより、前記高周波回路を他の子基板における高周波回路とは独立して動作させて第１の検査を行う第３の工程と、この第３の工程の後に、前記子基板の縦側面をダイシングによって切断して前記子基板を前記親基板から分離する第４の工程とを有し、前記第２と第４の工程との間で前記子基板にシールドケースを挿入するとともに、前記第４の工程では、前記ダイシングで前記シールドケースの側面を粗面化する高周波モジュールの製造方法。
【請求項２】
第３の工程におけるピンの当接時には、どのピンよりもグランドピンを先に当接させるとともに、ピンの離脱時にはどのピンよりも後で前記グランドピンを離脱させる請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項３】
第１の検査は、複数個の子基板を同時に検査する請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法において、第４の工程の後に、第２の検査を行う第５の工程と、この第５の工程の後に、高周波モジュールをテーピング実装する第６の工程を有する高周波モジュールの製造方法。
【請求項５】
少なくとも第２の工程の前に、隣接する子基板同士の横方向の電気的接続を前記子基板の縦側面で電気的に分離する請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項６】
第４の工程の後に、高周波モジュールをテーピング実装する第５の工程を有する請求項５に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項７】
第３の工程における検査は、個々の子基板における第１の信号端子に対して同一の場所にピンを押圧して電気信号を導通させる請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項８】
第２の工程では、スリットで分離する子基板の切断面がシールドケースよりも突出するように切断された請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項９】
第２の工程では、スリットで分離する子基板の切断面とシールドケースの側面とが等しくなるように切断した請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法。
【請求項１０】
第４の工程の前に、シールドケースの天面へレーザ光線で捺印する請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話等に使用される高周波モジュールの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
以下、従来の電圧制御発振器（以下、ＶＣＯという。なお、これは高周波モジュールの一例として用いたものである。）の製造方法は、先ず、図１７に示すように、親基板１内に複数の同一パターンを有する子基板２が連結して設けられており、この子基板２に電子部品を装着する第１の工程と、この第１の工程の後に、図１８に示すように親基板１に連結されていた子基板２を個片に分割する第２の工程と、この第２の工程の後で、分割された子基板２の一つずつに電源を加えて動作を確認するとともにパターンで形成された共振器のインダクタンスをレーザ光線でトリミングして周波数調整を行う第３の工程と、この第３の工程の後で、図１９に示すように、子基板２にシールドケース３を被せる第４の工程と、この第４の工程の後で、最終検査を行う第５の工程とを有していた。
【０００３】
なお、図２０は、親基板１の要部拡大図であり、親基板１内に長方形をした子基板２が複数個連結されており、この子基板２の端は親基板１の両端に形成された連結部４に連結されている。５，６，７，８は信号端子であり、子基板２の横側面１０に設けられている。また、９は横側面１０に設けられたグランド端子であり、１１は縦側面１２に設けられたグランド端子である。そして、たとえば信号端子５は、パターンで第１の回路１３に接続されており、この第１の回路１３はパターンで第２の回路１４を介して信号端子６に接続されている。また、信号端子７はパターンで第３の回路１５を介して信号端子８に接続されている。また、１６は金型で打ち抜くダミー部であり、子基板２の横側面１０を形成するため金型で打ち抜いていた。縦側面１２は、Ｖ溝を設けておいて、後で割って子基板２を分離していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながらこのような従来のＶＣＯに代表される高周波モジュールの製造方法では、第２の工程で親基板１から子基板２を分離してしまい、その上で第３の工程において、再び全ての子基板２を並べて周波数調整をする必要があり、生産効率が低かった。
【０００５】
そこで本発明は、この問題を解決したもので、生産効率の高い高周波モジュールの製造方法を提供することを目的としたものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために本発明の高周波モジュールの製造方法は、同一回路パターンが設けられるとともに略四角形をし、一方の横側面に形成された第１の端子と他方の横側面に形成された第２の端子とを有し、前記第１の信号端子に接続された第１の回路と、前記第２信号端子が接続された第２の回路とを含む高周波回路が形成された複数個の子基板と、これらの子基板同士が連結して形成されるとともに両端には連結部を有した親基板とから成り、前記子基板には、第１の子基板と、この第１の子基板の一方の横側面で連結された第２の子基板と、前記第１の子基板の他方の横側面で連結された第３の子基板とを含み、前記第１の基板における前記第１の端子と前記第２の基板における前記第２の端子とが一体に形成されるために隣接して配置されるとともに、前記第１の基板における第２の端子と前記第３の基板における第１の端子とが一体に形成されるために隣接して配置され、前記子基板に電子部品を装着する第１の工程と、この第１の工程の後に、前記一体成形された前記第１の信号端子と第２の信号端子とを前記親基板の両端に設けられた連結部を残してスリットで電気的に分離する第２の工程と、この第２の工程の後に、前記子基板が前記親基板に連結された状態で、少なくとも前記第１の基板における前記第１と第２の端子に検査治具のピンを当接させて、前記第１と第２の信号端子に対し信号を供給することにより、前記高周波回路を他の子基板における高周波回路とは独立して動作させて第１の検査を行う第３の工程と、この第３の工程の後に、前記子基板の縦側面をダイシングによって切断して前記子基板を前記親基板から分離する第４の工程とを有し、前記第２と第４の工程との間で前記子基板にシールドケースを挿入するとともに、前記第４の工程では、前記ダイシングで前記シールドケースの側面を粗面化するものである。これにより、高周波モジュールの生産性が向上する。また、基板の材料取りが改善され、低価格化が実現できる。さらに、側面を粗面化することによりシールドケースの表面積が大きくなり、放熱性能が向上する。さらにまた、粗面化することにより、摩擦力が増し容易に高周波モジュールを保持することができる。さらに加えて、子基板にシールドケースを被せるので、モジュールとしての扱いが容易になる。また、外部からのノイズの影響を受けることもないし、外部へノイズを放出することもない。また、側面を粗面化するために別の工程を設ける必要がなく、生産性が向上する。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、同一回路パターンが設けられるとともに略四角形をし、一方の横側面に形成された第１の端子と他方の横側面に形成された第２の端子とを有し、前記第１の信号端子に接続された第１の回路と、前記第２信号端子が接続された第２の回路とを含む高周波回路が形成された複数個の子基板と、これらの子基板同士が連結して形成されるとともに両端には連結部を有した親基板とから成り、前記子基板には、第１の子基板と、この第１の子基板の一方の横側面で連結された第２の子基板と、前記第１の子基板の他方の横側面で連結された第３の子基板とを含み、前記第１の基板における前記第１の端子と前記第２の基板における前記第２の端子とが一体に形成されるために隣接して配置されるとともに、前記第１の基板における第２の端子と前記第３の基板における第１の端子とが一体に形成されるために隣接して配置され、前記子基板に電子部品を装着する第１の工程と、この第１の工程の後に、前記一体成形された前記第１の信号端子と第２の信号端子とを前記親基板の両端に設けられた連結部を残してスリットで電気的に分離する第２の工程と、この第２の工程の後に、前記子基板が前記親基板に連結された状態で、少なくとも前記第１の基板における前記第１と第２の端子に検査治具のピンを当接させて、前記第１と第２の信号端子に対し信号を供給することにより、前記高周波回路を他の子基板における高周波回路とは独立して動作させて第１の検査を行う第３の工程と、この第３の工程の後に、前記子基板の縦側面をダイシングによって切断して前記子基板を前記親基板から分離する第４の工程とを有し、前記第２と第４の工程との間で前記子基板にシールドケースを挿入するとともに、前記第４の工程では、前記ダイシングで前記シールドケースの側面を粗面化する高周波モジュールの製造方法であり、連結して設けられた子基板の横側面同士に一体的に設けられた第１と第２の信号端子をスリットで互いに電気的に分離する第２の工程を有しているので、子基板が連結された状態において第１と第２の信号端子に独立に信号を供給し、それぞれの回路を独立に動作させることができる。したがって、第３の工程の検査までワークシート状で行うことが可能となる。このようにすることにより、子基板の個片への分割は、第３の工程の後となり、従来のように、分割したものを再び並べ直して検査するというような手間が省け生産性が著しく向上する。さらに、側面を粗面化することによりシールドケースの表面積が大きくなり、放熱性能が向上する。さらにまた、粗面化することにより、摩擦力が増し容易に高周波モジュールを保持することができる。さらに加えて、子基板にシールドケースを被せるので、モジュールとしての扱いが容易になる。また、外部からのノイズの影響を受けることもないし、外部へノイズを放出することもない。また、側面を粗面化するために別の工程を設ける必要がなく、生産性が向上する。
【０００８】
また、子基板同士の分離は、横側面に設けられた信号端子を第２の工程においてスリットで直接分離しているので、従来のように金型で打ち抜くダミー部分が不要となり、基板の材料取りが改善され、低価格化が実現できる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、第３の工程におけるピンの当接時には、どのピンよりもグランドピンを先に当接させるとともに、ピンの離脱時にはどのピンよりも後で前記グランドピンを離脱させる請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法であり、このような電源投入のシールドケースを行うことにより、電気的に安定した検査が実現できる。
【００１０】
請求項３に記載の発明における第１の検査は、複数個の子基板を同時に検査する請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法であり、検査効率が向上する。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法において、第４の工程の後に、第２の検査を行う第５の工程と、この第５の工程の後に、高周波モジュールをテーピング実装する第６の工程を有する高周波モジュールの製造方法であり、個片にした後、最終的に第２の検査を行っているので、性能の均一した高周波モジュールが得られる。また、この高周波モジュールはテーピングされるので、装置への組み込み効率が向上する。更に、テーピングするので管理が容易となる。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、少なくとも第２の工程の前に、隣接する子基板同士の横方向の電気的接続を前記子基板の縦側面で電気的に分離する請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法であり、これにより略最終工程である第３の工程の検査までワークシート状で行うことが可能となる。
【００１３】
また、子基板同士の分離は、横側面に設けられた信号端子を直接電気的に分離しているので、従来のように金型で打ち抜くダミー部分が不要となり、基板の材料取りが改善され、低価格化が実現できる。
【００１４】
請求項６に記載の発明は、第４の工程の後に、高周波モジュールをテーピング実装する第５の工程を有する請求項５に記載の高周波モジュールの製造方法であり、個片にした後、高周波モジュールはテーピングされるので、装置への組み込み効率が向上する。更に、テーピングするので管理が容易となる。
【００１５】
請求項７に記載の発明は、第３の工程における検査は、個々の子基板における第１の信号端子に対して同一の場所にピンを押圧して電気信号を導通させる請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法であり、夫々の子基板に対して同一条件で検査することができる。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、第２の工程では、スリットで分離する子基板の切断面がシールドケースよりも突出するように切断された請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法であり、子基板の切断面はシールドケースよりも突出するので、親基板から子基板を分割するとき、分割のための刃物でシールドケースに擦り傷を付けることはない。また、例え外力が加わったとしても、シールドケースの半田付け部分にこの外力が直接伝達されることはなく、クラックの発生を防止することができる。
【００１９】
請求項９に記載の発明は、第２の工程では、スリットで分離する子基板の切断面とシールドケースの側面とが略等しくなるように切断した請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法であり、切断面が子基板の側面から突出することはないので、高周波モジュールの小型化を図ることができる。また、子基板の材料取りが良くなる。
【００２２】
請求項１０に記載の発明は、第４の工程の前に、シールドケースの天面へレーザ光線で捺印する請求項１に記載の高周波モジュールの製造方法であり、夫々の子基板の略同じ位置に捺印をすることができる。また、レーザ光線による捺印なので、狭い場所でも容易に捺印できる。更に、レーザ光線による捺印なので、手で擦っても消えることはない。
【００２３】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００２４】
（実施の形態１）
以下、ＶＣＯを高周波モジュールの一例として、実施の形態１を説明する。図２は親基板２１の平面図であり、この親基板２１は４層となっている。この親基板２１は、９１ｍｍ×９４ｍｍの外形寸法を有し、その中には、６．５ｍｍ×５．３ｍｍの子基板２２が１６８個連結して形成されている。この子基板２２の個々はすべて同一の形状をしたパターン配線で形成されるとともに電子部品が装着されている。２３は固定用の孔であり、２４は、電子部品の装着時に位置を確認するためのマークである。
【００２５】
このように形成された親基板２１を図３に示すように、複数個連結された子基板２２の横側面に沿って、ダイシングでスリット２５を設ける。この時、親基板２１の両端には、連結部２６が形成されているので、子基板２２がバラバラになることはなく、ワークシート状となっている。この製造方法に関しては、特願平８−２２０９４２号に詳しく記載されている。なお、スリット２５は子基板２２の信号端子を電気的に分離すれば良いので、溝であっても良い。但し、この場合には後で子基板２２の横側面を再び機構的に分離する必要がある。
【００２６】
図４は、親基板２１の要部平面図である。図４において、親基板２１内に長方形をした子基板２２が複数個連結されており、この子基板２２の端は親基板２１の両端に形成された連結部２６に連結されている。
【００２７】
２７，２８，２９，３０は信号端子であり、子基板２２の横側面３１に設けられている。また、３２は横側面３１に設けられたグランド端子であり、３３は縦側面３４に設けられたグランド端子である。そして、たとえば信号端子２７は、パターンで第１の回路３５に接続されており、この第１の回路３５はパターンで第２の回路３６を経て信号端子２８に接続されている。また、信号端子２９はパターンで第３の回路３７を経て信号端子３０に接続されている。
【００２８】
また、２５は子基板２２の横側面３１に沿ってダイシングで形成されたスリットであり、隣り合う子基板２２に設けられた信号端子２７と２８及び信号端子２９と３０とを電気的にも機構的に分離している。このように子基板２２の横側面３１で電気的に分離されているので、子基板２２が親基板２１に連結部２６で連結された状態で、信号端子２７，２８，２９，３０に独立に信号を接続して、ＶＣＯを動作させることができる。なお、２５はスリットでなく、溝であっても良い。この場合、後で割って子基板２２を分離する必要がある。図５は、隣接する子基板２２の部分拡大図である。
【００２９】
図６は、第１の検査で使用する検査装置である。図６において、３８は押圧部であり、この押圧部３８にはバネ力で上方へ付勢されたピン３９が植設されると共に、このピン３９の信号は検査装置本体４０に接続されている。２１は親基板であり、この親基板２１内には子基板２２が連結して設けられている。そして、押圧部３８がＡ方向に上昇したり、Ｂ方向に下降することにより、ピン３９が子基板２２に設けられた信号端子２７，２８，２９，３０に当接したり離脱したりする。ピン３９が当接した状態で、一つずつ順に子基板２２内に設けられたＶＣＯを動作させ、レーザトリミングでインダクタンスパターンをカットして周波数の調整を行う。
【００３０】
また、４１は子基板２２上に載置された基台であり、前記複数のピン３９が同時に当接するように、その表面は直線状になっている。このようにして、親基板２１にスリット２５を設けることにより、連結された子基板２２がたわまないように押さえており、ピン３９と信号端子２７，２８，２９，３０との接触を確実にしている。この基台４１は、上方からプランジャで押下するとともに、下方からはバネで付勢されたピン３９が上昇するので、ピン３９は確実に信号端子２７，２８，２９，３０に当接する。なお、この検査装置の上下は逆にしても良い。このようにして、横一列に形成された子基板２２の検査が終わると次の列の子基板の検査を順次行う。以下、同様である。
【００３１】
ここで、ピン３９の当接は、どのピンよりも先にグランドピンを信号端子に当接させるとともにピン３９の離脱時は、どのピンよりも後にグランドピンを離脱させることにより、信号供給の安定化を図っている。
【００３２】
また、ピン３９は連結された子基板２２の一個ずつに電源を入れて動作テストとレーザトリミングを行っているが、これは一度に複数個行うこともできる。このようにすれば、効率は更に向上する。このように、本発明で使用する検査装置を用いて製造した高周波モジュールでは、どのモジュールも夫々対応した位置においては略同一位置に同一深さのピン３９の痕跡が残ることになる。
【００３３】
図７は、高周波モジュールとしてのＶＣＯの回路図である。図７において、４２は共振回路であり、この共振回路４２は、制御信号入力端子４３から入力された信号でバリキャップダイオード４４の容量を可変して共振周波数を変化させている。また、４５はパターンで形成されたインダクタであり、このインダクタ４５をレーザ光線でトリミングすることにより、インダクタンス値を変えて共振周波数を調整している。この共振回路４２は発振回路４６に接続され、発振出力端子４７から出力される。４８は電源入力端子であり、ＶＣＯ回路に電源を供給するものである。ここで、例えば図４に対応させると、制御信号入力端子４３は信号端子２７に対応し、発振出力端子４７は信号端子２８に対応し、電源入力端子４８は信号端子２９に対応している。また、信号端子３０はグランドに接続されている。
【００３４】
図８は、高周波モジュールとしてのＶＣＯ／ＰＬＬの回路図である。図８において、５０はＶＣＯ回路であり、５１はＰＬＬ回路であり、５２はローパスフィルタである。そして、その構成はＶＣＯ回路５０の出力５３はＰＬＬ回路５１の一方の入力５４に入力されると共に他方の比較入力５５には信号端子５６から水晶振動子による基準周波数が入力される。そしてこの出力５６ａはローパスフィルタ５２を介してＶＣＯ回路５０の共振回路が形成されるバリキャップダイオード５７に接続されている。またこのＶＣＯ回路５０の出力５３は信号端子５８から出力される。５９はパターンで形成されたインダクタンスであり、レーザ光線によるトリミングで共振回路のインダクタンスを調整するものである。
【００３５】
以上のように構成されたＶＣＯ／ＰＬＬにおいて、信号端子６０から入力されるデータ信号に従ってバリキャップダイオード５７の容量を変化させて、信号端子５８から出力される発振出力周波数を設定している。この回路においては図７のＶＣＯと比べるとたくさんの信号端子が子基板２２の横側面３１に導出されることになる。しかしながらこの場合も信号端子（例えば、８０〜８５）は、全て横側面に設けることが重要である。グランド端子８６のみ縦側面であっても良い。なお、実施の形態２ではグランド端子８６以外の信号であっても縦側面側に設けることができる。
【００３６】
次に、図１を用いてこれらの高周波モジュールの製造工程を説明する。先ず、子基板２２が複数個連結して形成されたワークシート状の親基板２１にクリーム半田を印刷６１する。次に電子部品を実装６２して、次にリフロー６３して電子部品を全ての子基板２２に固着する。次に、子基板２２の横側面３１をダイシングでスリット２５を形成６４する。このことにより、隣接する子基板２２の信号端子を電気的に分離することができる。そして、ダイシング時に使用した水を排出する水切り６５を行う。次に子基板２２に電源をピン３９から供給して発振周波数を検査装置本体４０で確認しながらレーザトリミング６６を行い周波数調整を行っている。この６６の工程を第１の検査という。次に洗浄６７を行ってから、シールドケースを被せ６８、このシールドケースに捺印６９する。そしてクリーム半田を転写７０してリフロー７１により、子基板２２と、シールドケースとを固着する。このようにこの７１の工程までワークシート状の親基板２１のままである。従って、生産効率は非常に高くなる。
【００３７】
そして、次に親基板２１から子基板２２を個片に分割７２する。分割した子基板２２は最終的な電気性能等の性能の検査（第２の検査）７３を行い、完成したＶＣＯの状態にする。次に、このＶＣＯをテーピング７４して保管７５する。
【００３８】
（実施の形態２）
実施の形態２においては、実施の形態１において、子基板２２を分割した後に行われる電気検査を中心とした第２の検査を、子基板２２を分割する前に行うものである。これを実現するために、先ず第１の工程で隣接する子基板同士の横方向の電気接続を子基板の縦側面で電気的に分離している。そして次に、第２の工程で隣接する子基板同士の横側面の電気的接続を分離する。従ってこの時点で、子基板の個々は完全に電気的に独立したものとなる。このようにして、親基板から子基板を分割する前のワークシート状の基板の状態で個々の高周波モジュールの全ての検査を完了することができ、生産性が大幅に向上するものである。
【００３９】
すなわち、この生産方法は図９に示すように、先ず親基板を用意する。この親基板は実施の形態１の親基板と同様であって、略四角形をしている。この親基板の中には縦横に子基板が連結されている。この親基板から最初の工程では、隣接する子基板同士の横方向への電気的な接続をトリミング１０１で分離（即ち、縦側面での電気的な分離）している。なお、これは初期の親基板の状態でパターン的に不接続にすることも可能である。また、この技術については図１０、図１１で後述する。
【００４０】
次の工程で親基板にクリーム半田を印刷１０２する。クリーム半田を印刷１０２した後、電子部品を実装１０３して、次にリフロー１０４炉を通して電子部品を全ての子基板に固着する。
【００４１】
次に、子基板の横側面をダイシングでスリットを形成１０５する。このことにより、隣接する子基板同士の信号端子を横側面で電気的に分離することができる。そして、ダイシング時に使用した水を排出する水切り１０６を行う。
【００４２】
次に子基板に検査治具のピンから電源を供給して発振周波数を検査装置で確認しながらレーザトリミング１０７を行い周波数調整を行っている。この１０７の工程を第１の検査という。
【００４３】
次に洗浄１０８を行ってから、シールドケースを被せ１０９、このシールドケースに捺印１１０する。そしてクリーム半田を転写１１１してリフロー１１２により、子基板とシールドケースとを固着する。次に、最終的な電気的な性能の検査である第２の検査１１３を行う。
【００４４】
そして、次に親基板から子基板を個片に分割１１４する。分割された子基板は完成されたＶＣＯの状態となり、次にこのＶＣＯをテーピング１１５して保管１１６する。このように第２の検査１１３までの工程をワークシート状の親基板のまま行うものである。従って、生産効率は非常に高くなる。
【００４５】
図１０は、実施の形態２における親基板１２１の要部の平面図である。１２２は子基板であり、実施の形態１と同様親基板１２１内に連結されている。１２３は連結部であり、１２４はダイシングすることにより設けられるスリットである。このスリット１２４は隣接する子基板１２２の信号端子を電気的に分離すれば良いので、溝であっても良い。但し、この場合には後で子基板１２２の横側面を再び機構的に分離する必要がある。
【００４６】
図１０において、１２５〜１３２は信号端子であり、子基板１２２の横側面１３３と縦側面１３６に設けられている。また、１３４は横側面１３３に設けられたグランド端子であり、１３５は縦側面１３６に設けられたグランド端子である。そして、たとえば信号端子１２５は、パターンで第１の回路１３７に接続されており、この第１の回路１３７はパターンで第２の回路１３８を経て信号端子１２８に接続されている。また、信号端子１３０はパターンで第３の回路１３９を経て信号端子１３１に接続されている。
【００４７】
また、１２４は子基板１２２の横側面１３３に沿ってダイシングで形成されたスリットであり、例えば信号端子１２５と信号端子１２８とを電気的にも機構的にも分離している。
【００４８】
図１１は、子基板１２２の縦側面１３６近傍の部分拡大図である。縦側面１３６に設けられたスルーホール１４０，１４１，１４２の両端であって、縦側面１３６の方向をエンドミルで切削１４３して、隣接する子基板１２２を縦側面１３６で電気的に分離している。また、１４４，１４５は夫々隣接する子基板１２２同士のパターンであり、この縦側面１３６では、そのパターン１４４，１４５を連結させず電気的に分離させている。このことにより、例えパターン１４４，１４５に同じ信号が供給されるものであったとしても高周波的に同じ性能のものになる。即ち、分割しても性能は変わらない。
【００４９】
子基板１２２を分割１１４するときは、この縦側面１３６に沿ってダイシングで切断する。なお、この縦側面１３６に沿ってＶ溝を形成しておいて、分割することもできる。
【００５０】
このように子基板１２２は、横側面１３３と縦側面１３６で電気的に完全に分離されている。従って、信号端子１２５〜１３２も隣接する子基板１２２から電気的に分離されるので、子基板１２２が親基板１２１に連結部１２３で連結された状態（シート状態）で、信号端子１２５から１３２に信号を接続して、ＶＣＯ単体にしたときと同じ条件で連結された基板上のＶＣＯの動作をさせることができる。その他、実施の形態１と同じものについては説明を簡略化する。
【００５１】
次に、この子基板１２２に被せるシールドケース１５０と捺印について説明する。なお、このシールドケース１５０と捺印については、実施の形態１でも同様である。図１２は、親基板１２１に形成された夫々の子基板１２２にシールドケース１５０を被せた斜視図である。１５１は子基板１２２の横側面１３３に形成されたグランド端子１３４にリフローで半田付けされた脚である。図１３は、その断面図である。即ち、親基板１２１のスリット１２４側に形成されたグランド端子１３４にシールドケース１５０の脚１５１をクリーム半田１６０で半田付け（リフロー半田）１１２したものである。ここで、１５２は子基板１２２に装着された電子部品である。
【００５２】
図１４は、子基板１２２にシールドケース１５０を被せて半田付けした後の高周波モジュールの平面図である。図１４において、１３３ａは、子基板１２２の横側面１３３の切断面であり、１３６ａは縦側面１３６の切断面である。本実施の形態では、この切断面１３３ａ，１３６ａとシールドケース１５０の脚１５１の間には、０．０７〜０．１５ｍｍの間隔１６１が設けられている。即ち、この間隔１６１の分だけ切断面１３３ａ，１３６ａはシールドケース１５０の側面に設けられた脚１５１より突出していることになる。このため、親基板１２１から子基板１２２を分割するとき、分割する刃物でシールドケース１５０に傷を付けることがない。この突出が少ないと分割時シールドケース１５０の側面に傷を付けることがある。また、突出を大きくすると形状が大きくなってしまう。なお、１６２は信号端子である。
【００５３】
また、親基板１２１のワークシート状態でシールドケース１５０を被せるので、クリーム半田１６０は親基板１２１の裏面上に転写されることになる。従って、半田付け１１２をした後で、グランド端子１３４，１３５の底面部１３４ａ，１３５ａに半田１６０の痕跡１６０ａが残ることになる。
【００５４】
このようにして、シールドケース１５０の脚１５１とグランド端子１３４，１３５と半田付け１１５される訳だが、子基板１２２の切断面１３３ａ，１３６ａは脚１５１より突出しているので、例え外力が加わったとしてもグランド端子１３４，１３５と脚１５１とを接続する半田にクラックが発生することはない。
【００５５】
次に、シールドケース１５０と子基板１２２との関係の他の例を説明する。シールドケース１５０の表面を粗面とすれば表面積が増加するので、例え子基板１２２内に発熱部品があったとしても放熱性能は向上する。これを実現するために、シールドケース１５０の側面にダイシングの刃で粗面を形成する。
【００５６】
このことにより、シールドケース１５０の側面の表面積が増加するので、放熱性能が向上する。また、このようにすれば子基板１２２の切断面１３３ａはシールドケース１５０の側面から突出することはなく小型化を図ることができる。更に、ダイシングによる子基板１２２の切断と同一工程での粗面の形成が可能となり、別に粗面形成の工程を設ける必要がない。なお、この粗面は側面全体に設けても良いし、一側面だけでも良い。また、天面には粗面を形成していないので、美観を損なうことはない。
【００５７】
また、シールドケース１５０は、図１５に示すように、金型台１５３に金属板（ブリキ板）１５４を載せ、打ち抜きポンチ１５５を下降させて打ち抜いたものである。このとき、金属板１５４の打ち抜き部にはバリ１５６が生ずる。
【００５８】
次に、図１６に示すように、この打ち抜き方向１５７に折り曲げて折り曲げ部１５８を形成し、この折り曲げ部１５８の先端に脚１５１を形成してシールドケース１５０を完成させる。このシールドケース１５０を子基板１２２のグランド端子１３４に挿入する。そうすると、バリ１５６のためグランド端子１３４の壁面１３４ａと脚１５１との間に隙間１５９が形成される。この隙間１５９のためリフロー熱で溶融されて半田は毛細管現象で万遍なく半田付けされることになる。また、隣接する子基板１２２側へはバリ１５６は突出しないので、隣接する子基板１２２との間の距離を小さくすることができる。また、高周波モジュールの外側に触っても安全である。
【００５９】
次に、このシールドケース１５０の天面に捺印をする。ワークシート状で捺印するので、一度に捺印することができ作業能率が向上する。また、この捺印にはレーザ光を用いている。従って、捺印位置が製品によってばらつくことはなく美観上優れている。また、レーザ光を用いることにより、小型のモジュールにも容易に捺印することができ、その印字スピードも速い。また、レーザ光なので手で擦っても消えることはない。
【００６０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、同一回路パターンが設けられるとともに略四角形をし、一方の横側面に形成された第１の端子と他方の横側面に形成された第２の端子とを有し、前記第１の信号端子に接続された第１の回路と、前記第２信号端子が接続された第２の回路とを含む高周波回路が形成された複数個の子基板と、これらの子基板同士が連結して形成されるとともに両端には連結部を有した親基板とから成り、前記子基板には、第１の子基板と、この第１の子基板の一方の横側面で連結された第２の子基板と、前記第１の子基板の他方の横側面で連結された第３の子基板とを含み、前記第１の基板における前記第１の端子と前記第２の基板における前記第２の端子とが一体に形成されるために隣接して配置されるとともに、前記第１の基板における第２の端子と前記第３の基板における第１の端子とが一体に形成されるために隣接して配置され、前記子基板に電子部品を装着する第１の工程と、この第１の工程の後に、前記一体成形された前記第１の信号端子と第２の信号端子とを前記親基板の両端に設けられた連結部を残してスリットで電気的に分離する第２の工程と、この第２の工程の後に、前記子基板が前記親基板に連結された状態で、少なくとも前記第１の基板における前記第１と第２の端子に検査治具のピンを当接させて、前記第１と第２の信号端子に対し信号を供給することにより、前記高周波回路を他の子基板における高周波回路とは独立して動作させて第１の検査を行う第３の工程と、この第３の工程の後に、前記子基板の縦側面をダイシングによって切断して前記子基板を前記親基板から分離する第４の工程とを有し、前記第２と第４の工程との間で前記子基板にシールドケースを挿入するとともに、前記第４の工程では、前記ダイシングで前記シールドケースの側面を粗面化する高周波モジュールの製造方法であり、連結して設けられた子基板の横側面同士に一体的に設けられた第１と第２の信号端子をスリットで互いに電気的に分離する第２の工程を有しているので、子基板が連結された状態において第１と第２の信号端子に独立に信号を供給し、それぞれの高周波モジュールを独立に動作させることができる。したがって、第３の工程の検査までワークシート状で行うことが可能となる。このようにすることにより、子基板の個片への分割は、第３の工程の後となり、従来のように、分割したものを再び並べ直して検査するというような手間が省け生産性が著しく向上する。
【００６１】
また、子基板同士の分離は、横側面に設けられた信号端子を第２の工程においてスリットで直接分離しているので、従来のように金型で打ち抜くダミー部分が不要となり、基板の材料取りが改善され、低価格化が実現できる。
さらに、側面を粗面化することによりシールドケースの表面積が大きくなり、放熱性能が向上する。さらにまた、粗面化することにより、摩擦力が増し容易に高周波モジュールを保持することができる。それに加えて、側面を粗面化するために別の工程を設ける必要がなく、生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１における高周波モジュールの製造方法の工程図
【図２】  同、高周波モジュールを形成する親基板の平面図
【図３】  同、工程の途中における親基板の平面図
【図４】  同、親基板の要部の平面図
【図５】  同、親基板内の子基板の部分拡大図
【図６】  同、検査装置の説明図
【図７】  同、高周波モジュールとしてのＶＣＯの回路図
【図８】  同、高周波モジュールとしてのＶＣＯ／ＰＬＬの回路図
【図９】  本発明の実施の形態２における高周波モジュールの製造方法の工程図
【図１０】  同、親基板の要部の平面図
【図１１】  同、親基板内の子基板の部分拡大図
【図１２】  同、親基板にシールドケースを被せた斜視図
【図１３】  同、要部断面図
【図１４】  同、シールドケースを被せた高周波モジュールの平面図
【図１５】  同、シールドケース金型の要部断面図
【図１６】  同、シールドケースを被せた高周波モジュールの要部断面図
【図１７】  従来の高周波モジュールを形成する親基板の平面図
【図１８】  同、子基板の平面図
【図１９】  同、高周波モジュールの斜視図
【図２０】  同、親基板の要部平面図
【符号の説明】
２１  親基板
２２  子基板
２５  スリット
２６  連結部
２７  信号端子
２８  信号端子
２９  信号端子
３０  信号端子
３１  横側面
３４  縦側面
３９  ピン
４０  検査装置本体
６２  電子部品実装工程
６４  親基板にスリットを設ける工程
６６  レーザトリミングする第１の検査工程
７２  分割工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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