(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱室内に収納したワークを窒素雰囲気中で所定の浸炭温度まで加熱したのち、標準状態で、加熱室容量の０．０６〜０．３％の量の鎖状不飽和炭化水素ガスを２〜１０分間隔で加熱室内に断続的に供給して浸炭させることを特徴とする浸炭処理方法。
【請求項２】
昇温および浸炭時の窒素雰囲気圧が１００Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする請求項１記載の浸炭処理方法。
【請求項３】
浸炭後の拡散、焼入温度への降温および均熱保持を１Ｔｏｒｒ以下の真空で行うことを特徴とする請求項１または請求項２記載の浸炭処理方法。
【請求項４】
加熱室内に収納したワークを窒素雰囲気中で所定の浸炭窒化温度まで加熱したのち、加熱室内に鎖状不飽和炭化水素ガス及びアンモニアガスを断続的に供給して浸炭窒化させるに際して、標準状態で、加熱室容量の０．０６〜０．３％の量の鎖状不飽和炭化水素ガスを２〜１０分間隔で断続供給することを特徴とする浸炭窒化処理方法。
【請求項５】
昇温および浸炭窒化時の窒素雰囲気圧が１００Ｔｏｒｒ以上であることを特徴とする請求項４記載の浸炭窒化処理方法。
【請求項６】
標準状態で、加熱室容量の０．０６〜０．３％の量のアンモニアガスを２〜１０分間隔で断続供給することを特徴とする請求項４又は５に記載の浸炭窒化処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、歯車やシャフト，カムなどの鋼製機械部品の表面を硬化させ、耐摩耗性や疲労強度を向上させるのに用いられる浸炭および浸炭窒化処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
上記のような浸炭処理方法として、真空浸炭法は、被処理物を真空炉中で所定の浸炭温度になるまで加熱昇温して均熱保持したのち、浸炭ガスとしてメタンやプロパン，ブタンなどのようなガス状の飽和炭化水素を加熱室内に導入して、熱分解させ、発生する活性炭素を被処理物である鋼製部品の表面に侵入させるものであり、従来のガス浸炭に較べて、高温短時間処理が可能、変成炉が不要、雰囲気管理が容易、高濃度浸炭が容易、粒界酸化がほとんどない、間欠操業が可能、などの利点を備えている。
【０００３】
一方、上記のような飽和炭化水素ガスを用いた真空浸炭法の問題点である煤発生（スーティング）による弊害を解消することを目的に、メタンやプロパンなどのような飽和炭化水素ガスに代えて、アセチレンやエチレンなどの鎖状不飽和炭化水素ガスを使用する真空浸炭方法が特開平８−３２５７０１号公報に提案されている。
【０００４】
すなわち、従来、アセチレンやエチレンなどの鎖状不飽和炭化水素ガスは、飽和炭化水素ガスよりも不安定であって、浸炭反応よりも熱分解が盛んに行われることから、浸炭用ガスに利用しても単に煤を発生させるだけであって、浸炭用ガスには全く適さないと認識されていたが、飽和炭化水素ガスにおいては、ワークの表面以外の炉内空間で分解した活性炭素がそのまま煤になるのに対し、不飽和炭化水素ガスはワーク表面に優先的に吸着する性質があり、しかも炭素原子数に対して水素原子の数が少ないので、浸炭ガス分子としてワークに接触する際の水素ガス分子による妨害が少なくなると共に、浸炭ガス分子が不安定で化学的に活性であるため、短時間で容易に反応、分解して原子状の炭素をワーク表面に供給できるので、従来の認識に反して、むしろ煤の発生が防止できるものと考えられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記公報に記載された真空浸炭方法においては、加熱室内を１ｋＰａ以下の真空状態で加熱および浸炭を行うようにしているので、炉体に高度なシール構造が必要となって設備コストがかさむと共に、炉内に雰囲気ガスの対流が生じないので、とくにワークの装入密度が高い場合に昇温速度が遅く、ワークが発熱体からの輻射のみによって加熱されるため、昇温時に装入位置によって温度むらが発生しやすいという問題点がある。また、浸炭ガスとしての不飽和炭化水素ガスに加えて、窒素源としてのアンモニアガスを供給することにより、ワークの表面に炭素と同時に窒素を侵入させる浸炭窒化処理を行うことも不可能ではないが、炉内の圧力が低すぎてアンモニアガスの供給が技術的に困難であるばかりでなく、真空下では、浸炭窒化したのち焼入温度に降温し、焼入温度に保持している間に、せっかく侵入した窒素が抜けてしまうために、浸炭と窒化の同時処理は実用上難しいという問題点があり、このような問題の解決が上記した不飽和炭化水素ガスを使用する真空浸炭処理における課題となっていた。
【０００６】
【発明の目的】
本発明は、アセチレンやエチレンなどの不飽和炭化水素ガスを浸炭ガスとして使用する真空浸炭処理における上記課題に着目してなされたものであって、真空炉としての高度のシール構造を必要とせず、昇温効率に優れ、浸炭と窒化の同時処理をも可能にする浸炭処理および浸炭窒化処理方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係わる浸炭処理方法は、加熱室内に収納したワークを窒素雰囲気中で所定の浸炭温度まで加熱したのち、標準状態で、加熱室容量の０．０６〜０．３％の量の鎖状不飽和炭化水素ガスを２〜１０分間隔で加熱室内に断続的に供給して浸炭させる構成としたことを特徴としており、浸炭処理方法におけるこのような構成を前述した従来の課題を解決するための手段としている。
【０００８】
本発明による浸炭処理方法の実施態様として請求項２に係わる浸炭処理方法においては、昇温および浸炭時の窒素雰囲気圧が１００Ｔｏｒｒ以上である構成とし、同じく実施態様として請求項３に係わる浸炭処理方法においては、浸炭後の拡散、焼入温度への降温および均熱保持を１Ｔｏｒｒ以下の真空で行う構成としたことを特徴としている。
【０００９】
本発明の請求項４に係わる浸炭窒化処理方法は、加熱室内に収納したワークを窒素雰囲気中で所定の浸炭窒化温度まで加熱したのち、加熱室内に鎖状不飽和炭化水素ガス及びアンモニアガスを断続的に供給して浸炭窒化させるに際して、標準状態で、加熱室容量の０．０６〜０．３％の量の鎖状不飽和炭化水素ガスを２〜１０分間隔で断続供給する構成としており、浸炭窒化処理方法におけるこのような構成を前述した従来の課題を解決するための手段としたことを特徴としている。
【００１０】
本発明による浸炭窒化処理方法の実施態様として請求項５に係わる処理方法においては、昇温および浸炭窒化時の窒素雰囲気圧が１００Ｔｏｒｒ以上である構成とし、同じく実施態様として請求項６に係わる浸炭窒化処理方法においては、標準状態で、加熱室容量の０．０６〜０．３％の量のアンモニアガスを２〜１０分間隔で断続供給することを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明に係わる浸炭処理方法は、加熱室内のワーク（被処理物）を窒素雰囲気中で所定の浸炭温度まで加熱したのち、浸炭用ガスとして鎖状不飽和炭化水素ガスを断続的に供給するものであって、鎖状不飽和炭化水素ガスとしては、エチレンやプロピレン，アセチレン，メチルアセチレンなどを使用することができる。なお、上記の鎖状不飽和炭化水素ガスのうち、入手が容易であることに加えて、３重結合を有し、より活性で分解しやすいことから、とくにアセチレンを使用することが望ましい。また、単一種類のガスのみならず、２種以上の混合ガス、例えばエチレンとアセチレンとの混合ガスを使用することも可能である。
【００１２】
図１（ａ）は、本発明に係わる浸炭処理方法におけるヒートパターンの一例を示すものであって、ワークを加熱室内に装入した状態で、加熱室内の空気をパージして窒素に置換したのち、浸炭処理温度Ｔ1 への昇温が開始される。このときワークの加熱は窒素雰囲気中で行われるため、窒素の対流が生じると共に、炉内ファンによる雰囲気の強制撹拌も可能になることから、加熱室内のワークの装入量が多くても速やかな昇温が可能になり、装入位置による温度むらも解消されることになる。
【００１３】
浸炭処理温度Ｔ1 については、これを高く設定することにより浸炭時間を短くすることができるが、一般に８５０℃から１０３０℃の範囲に設定される。
【００１４】
炉内雰囲気温度およびワークの温度が所定の浸炭処理温度Ｔ1 に到達すると、浸炭用の鎖状不飽和炭化水素ガスとして、例えばアセチレンガスが断続的に供給される。このときの供給量としては、１回に加熱室容量の０．０６〜０．３％の量のアセチレンガス（不飽和炭化水素ガス）を２〜１０分間隔で供給する。これは、１回当たりの供給量が加熱室容量の０．０６％を下回ったり、供給間隔が１０分を超えたりした場合には、浸炭用のガス量が不足して浸炭にばらつきが生じ、逆に１回当たりの供給量が加熱室容量の０．３％を超えたり、供給間隔が２分を割ったりした場合には、浸炭用ガスが過剰となってスーティングが発生しやすくなる傾向があることによる。
【００１５】
このとき、浸炭用ガスを断続的に供給するのは、ワーク表面への炭素の侵入と、表面に侵入した炭素のワーク内部への拡散が交互に繰り返されることによって、表面における急激な炭素濃度の富化に基づくセメンタイトの析出を回避できることによる。
【００１６】
浸炭時間ｔ1 については、目的とする浸炭層深さに応じて適宜選択されるが、一般に１時間〜５時間、とくに大きな浸炭層深さが必要な場合には１０時間以上の処理時間が設定されることもある。また、昇温および浸炭工程における窒素雰囲気の圧力Ｐ1 については、大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）を基本とするが、後工程を考慮して請求項２に記載されているように１００Ｔｏｒｒ以上の任意の圧力に設定することができる。これは、昇温および浸炭時の窒素雰囲気圧Ｐ1 が１００Ｔｏｒｒ未満の場合には、対流やファンによる雰囲気の撹拌効果が不十分となって昇温効率が低下したり、温度むらを解消することが困難になったりする可能性があることによる。なお、大気の混入を避けるために、大気圧以上の圧力、例えば８６０Ｔｏｒｒ程度に設定することも可能である。
【００１７】
浸炭が終了すると、拡散工程、焼入温度への降温および当該温度での保持工程に移行するが、拡散時間ｔ2 については、通常浸炭時間ｔ1 とほぼ同じ時間か、やや短い時間に設定される。なお、目的とする浸炭深さが浅い場合には、拡散過程を経ることなく焼入温度に降温するようになすこともある。
【００１８】
焼入温度Ｔ2 としては、ワーク素材の焼入性を考慮して、通常８００〜９００℃の温度に設定される。
【００１９】
浸炭が終了したのち、拡散および焼入温度への降温，保持工程における窒素雰囲気の圧力Ｐ2 については、昇温および浸炭工程と同様に大気圧とすることが最も簡便であるが、請求項３に記載しているように、浸炭ののち窒素雰囲気圧Ｐ2を１Ｔｏｒｒ以下の真空状態とすることにより、ワークの表面に付着した酸化物や油などの異物を揮散除去することができ、表面の仕上がり状態を良好なものとすることができる。
【００２０】
焼入温度に保持されることによって、温度が均一化されたワークは油中に焼入れられる。この焼入時の雰囲気圧力Ｐ3 については、通常は大気圧で行われるが、大気圧より低い適当な圧力で焼入（減圧焼入）を施すことにより、焼入油の冷却特性を変えることができ、これによって硬化層の硬度分布を調整したり、焼歪みを軽減したりすることができる。
【００２１】
すなわち、本発明に係わる浸炭処理方法における雰囲気圧力については、昇温から浸炭、焼入に至るまで、すべて大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）で行うのが最も簡便であり、基本的なものであるが、必ずしも大気圧のみに限定されず、これより低い雰囲気圧力、あるいは若干高い雰囲気圧力で行うようにしても何ら支障はない。また、上記のような減圧焼入を行う場合には、昇温から焼入に至るまでの雰囲気圧力Ｐ1 およびＰ2 をすべて焼入圧力Ｐ3 に一致させることもでき、これによって、ワークを加熱室から焼入室に移動させる際に、両室雰囲気の圧力調整を行う必要がなくなる。さらに、昇温から焼入に至るまで同じ圧力下で処理する必要もなく、例えば拡散および降温，保持工程における窒素雰囲気の圧力Ｐ2 のみを真空とすることによって、ワークの付着物を揮散除去することができるようになる。
【００２２】
本発明に係わる浸炭窒化処理方法は、そのヒートパターンの一例を図１（ｂ）に示すように、浸炭用の鎖状不飽和炭化水素ガスとしてのアセチレンガスに加えて、窒素源としてのアンモニアガスを断続的に供給することを除いて、図１に示した浸炭処理方法と本質的に変わるところはない。
【００２３】
すなわち、浸炭窒化温度Ｔ3 としては、浸炭温度Ｔ1 よりやや低い８００℃から９５０℃の範囲に通常設定され、焼入温度Ｔ4 としては、浸炭処理と同じく、７５０℃から９００℃の温度が選択される。
【００２４】
ワークを加熱室内に装入し、加熱室内の空気を窒素に置換したのち、浸炭窒化温度Ｔ3 への昇温が同様に開始される。
【００２５】
炉内雰囲気温度およびワークの温度が所定の浸炭窒化処理温度Ｔ3 に到達すると、浸炭用の鎖状不飽和炭化水素ガスとしての例えばアセチレンガスと、窒素源としてのアンモニアガスが断続的に供給される。このときの浸炭用ガスの供給量としては浸炭処理の場合と変わりはない。また、アンモニアガスの供給量としては、請求項６に記載しているように、浸炭用ガスと同じく、加熱室容量の０．０６％〜０．３％の量を２〜１０分間隔で供給する。これは、１回当たりのアンモニアガス供給量が加熱室容量の０．０６％を下回ったり、供給間隔が１０分を超えたりしたときには、窒素量が不足して窒化量にばらつきが生じ、１回当たりの供給量が加熱室容量の０．３％を超えたり、供給間隔が２分を割った場合には、窒化量が過剰となってボイドが生成しやすくなることによる。なお、アンモニアガスを断続的に供給するのは、同一量のアンモニアガスを連続供給する場合に較べて、アンモニア濃度が供給時に一時的に高くなることによって、窒化速度が向上し、そのばらつきが少なくなることによる。また、アンモニアガスの断続供給に際しては、必ずしも浸炭用ガスの供給量や供給タイミングと一致させなくてもよい。
【００２６】
浸炭窒化時間ｔ4 は、通常１時間〜５時間に設定される。また、昇温および浸炭窒化工程における窒素雰囲気の圧力Ｐ4 については、浸炭処理と同様に、大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）を基本とするが、請求項５に記載されているように１００Ｔｏｒｒ以上の任意の圧力に設定することができる。このように、浸炭窒化時の窒素雰囲気圧Ｐ4 が比較的高いので、アンモニアガスを加熱室内に容易に供給できると共に、ワーク表面に侵入した窒素が抜けてしまうようなこともない。
【００２７】
浸炭窒化が終了すると、焼入温度に降温され、ワークの温度むらを解消するために当該温度に保持されるが、ワークに侵入した窒素が抜けてしまわないように、この間もアンモニアガスを断続供給することが望ましい。
【００２８】
焼入温度に保持されることによって、温度が均一になったワークは油中に焼入れられる。この焼入時の雰囲気圧力Ｐ5 については、浸炭処理の場合と同様に、大気圧より低い圧力での減圧焼入を行うこともでき、この場合には、昇温から焼入保持までの雰囲気圧力Ｐ4 を減圧焼入圧力Ｐ5 に一致させるようにしてもよい。
【００２９】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明する。
実施例１
図３は、本発明に係わる浸炭および浸炭窒化処理方法の実施例に用いた炉の構造を示すものであって、図に示す浸炭窒化炉１は、炉本体を形成する加熱室２と焼入用の油槽４を備えた前室３から構成されており、前室３にはトレーに載置したワークを前室３と加熱室２の間で移動させる炉内搬送装置５と、浸炭あるいは浸炭窒化を終えたワークを油槽４中の焼入油に浸漬するための昇降装置６を備えている。さらに、前室３には、油槽４中の焼入油を加熱するためのチューブヒータ７と、焼入油を循環させるための撹拌ファン８が設けてあると共に、図外には焼入油を冷却するための水冷装置と、焼入油の温度を検出する熱電対などを備えている。
【００３０】
一方、加熱室２は、この実施例では３ｍ3 の容量を有し、耐火物９によって内張された加熱室２の内部に加熱源としてのラジアントチューブヒータ１０と、炉内温度を検出するための熱電対１１と、炉内の雰囲気（窒素）を強制撹拌するためのファン１２を備えており、炉内の温度むらをなくしてワークの昇温を速やかなものとすることができるようになっている。
【００３１】
さらに、加熱室２および前室３は、図外にそれぞれ真空排気装置を備え、それぞれ独立して気圧制御ができるようになっていると共に、図示しないガス制御装置を介して、同じく図外の窒素源，アセチレン源およびアンモニア源に連結されている。
【００３２】
このような構造を備えた浸炭窒化炉１を用いて、ＪＩＳ  Ｇ  ４１０５に規定されるクロムモリブデン鋼ＳＣＭ４１５からなる径１５ｍｍ，高さ２０ｍｍの円柱形試験片に浸炭処理を施し、その性能を調査した。
【００３３】
まず、前室３の入口側真空扉３ａを開放し、前記円柱形試験片をトレーに載置した状態で前室３内に入れ、真空扉３ａを閉じ、真空排気装置を作動させて前室３および加熱室２内の空気をパージしたのち、図示しないガス制御装置を介して窒素ガスを導入して大気圧（Ｐ1 ＝７６０Ｔｏｒｒ）に復圧し、前室３および加熱室２内を窒素ガスに置換した。なお、連続操業の場合には、加熱室２はすでに窒素ガスに置換されているので、前室３を置換するだけでよい。
【００３４】
次に、入口側真空扉３ａを閉じた状態で、前室３の内側真空扉３ｂおよび加熱室２の耐熱扉２ａを開放すると共に、炉内搬送装置５を作動させて前記円柱形試験片をトレーと共に押し出し、加熱室２内に装入したのち、真空扉３ｂおよび耐熱扉２ａを閉じ、撹拌用のファン１２を回転させながら、加熱室２のラジアントチューブヒータ１０に通電して昇温を開始した。
【００３５】
加熱室２の温度が、この実施例における浸炭温度９３０℃（Ｔ1 ）に到達した時点で、ガス制御装置から浸炭用ガスとして６ＮＬのアセチレンガスを供給し、これを５分ごとに都合１２回繰り返した（浸炭時間ｔ1 ＝６０分）。そして、雰囲気圧力Ｐ1 を変えることなく（Ｐ2 ＝７６０Ｔｏｒｒ）、試験片をさらに前記浸炭温度９３０℃に５０分間（ｔ2 ）保持したのち、この実施例における焼入温度８５０℃（Ｔ2 ）に降温し、この温度に２０分間（ｔ3 ）保持して試験片の温度が均一になるのを待った。
【００３６】
そして、内側真空扉３ｂおよび耐熱扉２ａを開放した状態で、炉内搬送装置５を作動させて前記試験片をトレーと共に加熱室２から引き出し、昇降装置６のを下降作動によって前記試験片を油槽４内に焼入れた（Ｐ3 ＝７６０Ｔｏｒｒ）。
【００３７】
このような処理が施された試験片について、マイクロビッカース硬度計を用いて０．３ｋｇ荷重で硬度分布を測定した結果、図３に示すように、０．８ｍｍの有効硬化層深さ（Ｈｖ５５０以上）を備えた浸炭層が形成されていることが判明した。
実施例２
図３に示した浸炭窒化炉１を用いて、ＪＩＳ  Ｇ  ４１０５にＳＣＭ４１５として規定されるクロムモリブデン鋼からなる径１６ｍｍ，高さ３０ｍｍの円柱形試験片に浸炭窒化処理を施し、同様にその硬度分布を測定した。
【００３８】
浸炭窒化炉１の操作手順としては、上記実施例１と基本的に同じであり、浸炭窒化温度Ｔ3 として８７０℃、浸炭窒化時間ｔ4 として２時間、焼入温度Ｔ4 としては浸炭窒化温度Ｔ3 と同じく８７０℃とし、浸炭窒化時間ｔ4 の終了後６０℃の油中に焼入れた。なお、昇温から焼入保持までの窒素雰囲気圧力Ｐ4 については大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）とし、焼入時の雰囲気圧力Ｐ5 ＝２００Ｔｏｒｒの減圧焼入とした。
【００３９】
そして、加熱室２の雰囲気温度が浸炭窒化温度Ｔ3 である８７０℃に到達した後、当該温度に３０分間保持した上で、上記実施例１と同様に、ガス制御装置から１回につき６ＮＬのアセチレンガスを浸炭用ガスとして５分ごとに２４回断続的に供給すると共に、窒素源として１回につき５ＮＬのアンモニアガスを５分ごとに断続供給した。なお、アンモニアガスの断続供給については焼入の直前まで続けるようにした。
【００４０】
図４は、このような処理を施すことによって得られた試験片の硬度分布を同様の方法によって測定した結果を示すものであって、０．３５ｍｍの有効硬化層深さ（Ｈｖ５５０以上）を備えた浸炭窒化層が形成されていることが確認された。
【００４１】
【発明の効果】
本発明の請求項１に係わる浸炭処理方法においては、ワークを窒素雰囲気中で所定の浸炭温度まで加熱するようにしているので、高度なシール構造を備えた真空炉を使用する必要がなくなると共に、雰囲気窒素の対流および撹拌によってワークの昇温速度を速やかなものとし、ワークの炉内装入密度が高い場合でもワークの温度むらを解消することができ、浸炭用ガスとして、アセチレンやエチレンガスのような鎖状不飽和炭化水素ガスを断続的に供給するようにしているので、浸炭と拡散とが交互に繰り返され、浸炭量が一時的に高くなることによるセメンタイトの析出を有効に防止することができるという極めて優れた効果がもたらされる。なお、不飽和炭化水素ガスは活性であり、ワークに優先的に吸着してワーク表面において速やかに分解して反応することから、煤の発生が少ないものとなる。そして、標準状態で、加熱室容量の０．０６〜０．３％の量の鎖状不飽和炭化水素ガスを２〜１０分間隔で断続供給するようにしているので浸炭むらやスーティングを発生させることなく浸炭処理を行うことができる。
【００４２】
本発明による浸炭処理方法の実施態様として請求項２に係わる浸炭処理方法においては、昇温および浸炭時の窒素雰囲気圧を１００Ｔｏｒｒ以上としているので、ワークの昇温速度の向上および温度むらの解消の効果を確実なものとすることができ、同じく実施態様として請求項３に係わる浸炭処理方法においては、浸炭後の拡散、焼入温度への降温および均熱保持を１Ｔｏｒｒ以下の真空で行うようにしているので、ワークに付着した油などの汚れを揮散させて仕上げ表面状態を良好なものとすることができるというさらに優れた効果がもたらされる。
【００４３】
本発明の請求項４に係わる浸炭窒化処理方法においては、窒素雰囲気中でワークを浸炭窒化温度まで加熱したのち、加熱室内に鎖状不飽和炭化水素ガスと共に、アンモニアガスを断続的に供給するようにしているので、アンモニアガスを加熱室内に容易に供給することができると共に、ワーク内にいったん侵入した窒素が焼入温度に降温，保持している間に抜けてしまうようなことがなく、浸炭処理と窒化処理とを同時に行うことができ、標準状態で、加熱室容量の０．０６〜０．３％の量の鎖状不飽和炭化水素ガスを２〜１０分間隔で断続供給するようにしているので、浸炭むらや窒化むら、さらにはスーティングや窒化物の発生を未然に防止することができるという極めて優れた効果がもたらされる。
【００４４】
本発明による浸炭窒化処理方法の実施態様として請求項５に係わる処理方法においては、浸炭窒化時の窒素雰囲気圧を１００Ｔｏｒｒ以上としているので、ワークの昇温効率が確実に向上すると共に、アンモニアガスの供給性改善および窒素の離脱防止効果がより確実なものとなり、同じく実施態様として請求項６に係わる浸炭窒化処理方法においては、標準状態で、加熱室容量の０．０６〜０．３％の量のアンモニアガスを２〜１０分間隔で断続供給するようにしているので、浸炭むらや窒化むら、さらにはスーティングや窒化物の発生を未然に防止することができるという優れた効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）  本発明に係わる浸炭処理方法におけるヒートパターンの一例を示す説明図である。
（ｂ）  本発明に係わる浸炭窒化処理方法におけるヒートパターンの一例を示す説明図である。
【図２】（ａ）本発明に係わる浸炭および浸炭窒化処理方法の実施例に用いた炉の構造を示す正面図である。
（ｂ）図２（ａ）に示した炉の側断面図である。
【図３】  本発明に係わる浸炭処理を施した試験片の表面近傍部における硬度分布を示すグラフである。
【図４】  本発明に係わる浸炭窒化処理を施した試験片の表面近傍部における硬度分布を示すグラフである、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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