(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器の開口部を蓋体で閉塞することにより形成される処理空間に基板を収容して処理する基板処理装置であって、
上記容器の開口部を上記蓋体で開閉するために、上記容器と上記蓋体とを相対的に接近または離隔させる接離手段と、
上記処理空間に処理ガスを供給するためのガス供給手段と、
上記接離手段の接離動作と上記ガス供給手段のガス供給動作とを機械的に連動させる連動機構とを含み、
上記連動機構は、上記容器と上記蓋体とが相対的に接離されるのに追従して変位する追従変位部材を備え、
上記ガス供給手段は、上記追従変位部材によって駆動され、上記処理空間に処理ガスを供給する作動状態と上記処理空間への処理ガスの供給を停止する不作動状態とを切り替えるためのアクチュエータを備え、
上記連動機構は、上記接離手段によって上記容器の開口部が上記蓋体で閉塞された後に、上記ガス供給手段のガス供給動作を開始させ、上記容器の開口部から上記蓋体が離間される前に、上記ガス供給手段のガス供給動作を停止させるものであり、
上記追従変位部材は、上記接離手段によって上記容器の開口部が上記蓋体で閉塞されて、上記容器と上記蓋体との相対的な接近動作が終了した後さらに、上記アクチュエータに近づく方向に変位して、上記不作動状態から上記作動状態に切り替わるように上記アクチュエータを駆動し、上記容器の開口部から上記蓋体が離間されるときには、その離間に先立って、上記アクチュエータから離れる方向に変位して、上記作動状態から上記不作動状態に切り替わるように上記アクチュエータを駆動することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
上記ガス供給手段は、上記処理空間に処理ガスを供給するための処理ガス供給管と、この処理ガス供給管の途中部に介装され、上記処理空間への処理ガスの供給を開始／停止させるために開閉されるエアオペレートバルブと、このエアオペレートバルブに対する作動用のエアの供給を開始／停止させるためのエア供給スイッチとを備え、
上記アクチュエータは、上記エア供給スイッチに備えられていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
上記連動機構は、少なくとも、上記接離手段によって上記容器の開口部から上記蓋体が離間されて、上記開口部が開成されている状態のときには、上記ガス供給手段のガス供給動作を禁止させるものであることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
上記基板が上記処理空間内の所定の処理位置に配置されるように基板を変位させるための基板変位手段と、
上記接離手段の接離動作と上記基板変位手段の基板変位動作とを機械的に連動させる基板変位連動機構とをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板およびＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板などの各種被処理基板に対して処理ガスを供給して処理を施すための基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば、液晶表示装置の製造工程には、ガラス基板の表面に微細なパターンを形成するためのフォトリソグラフィ工程が含まれる。このフォトリソグラフィ工程においては、基板にフォトレジストを塗布する前に、フォトレジストと基板Ｓとの密着力を高めるための密着強化剤（ＨＭＤＳ：ヘキサメチルジシラザン）が塗布される。
【０００３】
図３は、基板に密着強化剤を塗布するための基板処理装置の構成を簡略化して示す断面図である。この基板処理装置には、熱処理プレート９０と、この熱処理プレート９０の上面とともに処理空間を形成するためのチャンバ９１とを備えている。チャンバ９１は、下面が開放された箱型に形成されており、チャンバ駆動機構９２によって、その下端縁が熱処理プレート９０の上面に当接して、熱処理プレート９０上に処理空間を形成する閉成状態と、熱処理プレート９０から離間して、熱処理プレート１に対する基板Ｓの受渡しが可能な開成状態との間で昇降されるようになっている。
【０００４】
チャンバ９１の上面には、処理空間内に密着強化剤のベーパを含む処理ガスを供給するための処理ガス供給管９３が接続されている。処理ガス供給管９３の途中部には、処理空間内に対して処理ガスを供給／停止するためのエアオペレートバルブ９４が介装されている。このエアオペレートバルブ９４は、エア供給ライン９５に介装された電磁弁９６を開閉して、エア供給ライン９５からエアを供給／停止することによって開閉される。
【０００５】
また、この基板処理装置には、熱処理プレート９０に関連して、熱処理プレート９０の上方で基板Ｓを一時的に保持するための保持ピン９７が設けられている。保持ピン９７は、保持ピン昇降機構９８によって昇降されるようになっており、処理すべき基板Ｓは、熱処理プレート９０の上面から突出した状態の保持ピン９７上に載置され、その後に保持ピン９７が下降することにより、熱処理プレート９０上に載置される。
【０００６】
熱処理プレート９０上に基板Ｓが載置されると、チャンバ駆動機構９３が駆動されて、チャンバ９１が閉成状態に変位される。そして、チャンバ９１が閉成状態に変位されたことがチャンバ駆動機構９３の検出器（たとえば、パルスモータのパルスカウンタまたはシリンダのマグネットセンサなど）によって検出されると、この検出手段から所定の信号が出力され、この信号の出力に応答して、電磁弁９６が開成される。これにより、エアオペレートバルブ９４にエアが供給されて、エアオペレートバルブ９４が開成され、処理空間内に処理ガスが供給される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の従来装置においては、チャンバ駆動機構９３の検出器が動作不良を起こした場合に、チャンバ９１が閉成状態でないにもかかわらず、電磁弁９６が開成され、エアオペレートバルブ９４が開成されるおそれがある。チャンバ９１が熱処理プレート１に当接していない状態でエアオペレートバルブ９４が開成されると、処理ガス供給管９３から吐出される処理ガスが周囲に拡散して、他の装置や作業者などに悪影響を与えるおそれがある。
【０００８】
また、上記の従来装置においては、チャンバ９１が閉成状態にあることをチャンバ駆動機構９３の検出器で確認し、その後にエアオペレートバルブ９４を開成させなければならないため、チャンバ９１が閉成状態にされてからエアオペレートバルブ９４が開成されるまでに時間がかかり、処理タクトが長くなるという問題があった。
【０００９】
さらには、チャンバ９１、保持ピン９７およびエアオペレートバルブ９４の各駆動機構を電気的制御によって同期させなければならないので、各駆動機構を制御するための構成が複雑であった。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、処理ガスの漏洩をより確実に防止できる基板処理装置を提供することである。
【００１１】
また、この発明の他の目的は、処理タクトを向上でき、かつ、制御構成を簡素化できる基板処理装置を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、容器の開口部を蓋体で閉塞することにより形成される処理空間に基板を収容して処理する基板処理装置であって、上記容器の開口部を上記蓋体で開閉するために、上記容器と上記蓋体とを相対的に接近または離隔させる接離手段と、上記処理空間に処理ガスを供給するためのガス供給手段と、上記接離手段の接離動作と上記ガス供給手段のガス供給動作とを機械的に連動させる連動機構とを含み、上記連動機構は、上記容器と上記蓋体とが相対的に接離されるのに追従して変位する追従変位部材を備え、上記ガス供給手段は、上記追従変位部材によって駆動され、上記処理空間に処理ガスを供給する作動状態と上記処理空間への処理ガスの供給を停止する不作動状態とを切り替えるためのアクチュエータを備え、上記連動機構は、上記接離手段によって上記容器の開口部が上記蓋体で閉塞された後に、上記ガス供給手段のガス供給動作を開始させ、上記容器の開口部から上記蓋体が離間される前に、上記ガス供給手段のガス供給動作を停止させるものであり、上記追従変位部材は、上記接離手段によって上記容器の開口部が上記蓋体で閉塞されて、上記容器と上記蓋体との相対的な接近動作が終了した後さらに、上記アクチュエータに近づく方向に変位して、上記不作動状態から上記作動状態に切り替わるように上記アクチュエータを駆動し、上記容器の開口部から上記蓋体が離間されるときには、その離間に先立って、上記アクチュエータから離れる方向に変位して、上記作動状態から上記不作動状態に切り替わるように上記アクチュエータを駆動することを特徴とする基板処理装置である。
【００１３】
この構成によれば、接離手段の接離動作とガス供給手段のガス供給動作とが、連動機構によって機械的に連動されるので、接離手段およびガス供給手段をそれぞれ所定のタイミングで動作させるための制御シーケンスが不要となる。これにより、制御構成を簡素化することができる。
なお、請求項２に記載されているように、上記ガス供給手段は、上記処理空間に処理ガスを供給するための処理ガス供給管と、この処理ガス供給管の途中部に介装され、上記処理空間への処理ガスの供給を開始／停止させるために開閉されるエアオペレートバルブと、このエアオペレートバルブに対する作動用のエアの供給を開始／停止させるためのエア供給スイッチとを備え、上記アクチュエータは、上記エア供給スイッチに備えられていてもよい。
【００１４】
請求項３記載の発明は、上記連動機構は、少なくとも、上記接離手段によって上記容器の開口部から上記蓋体が離間されて、上記開口部が開成されている状態のときには、上記ガス供給手段のガス供給動作を禁止させるものであることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置である。
【００１５】
この構成によれば、請求項１記載の構成による効果に加えて、容器の開口部が開成されている状態で、ガス供給手段のガス供給動作が行われることがないから、容器からの処理ガスの漏洩を確実に防止することができ、装置の安全性をより向上させることができる。
【００１６】
また、容器の開口部が閉成されているか否かをセンサで検知する必要がないから、装置の処理タクトを向上させることができる。
【００１８】
請求項４記載の発明は、上記基板が上記処理空間内の所定の処理位置に配置されるように基板を変位させるための基板変位手段と、上記接離手段の接離動作と上記基板変位手段の基板変位動作とを機械的に連動させる基板変位連動機構とをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置である。
【００１９】
この構成によれば、接離手段の接離動作およびガス供給手段のガス供給動作に加えて、接離手段の接離動作を連動機構によって連動させることができるので、接離手段のための制御シーケンスが不要になり、制御構成をさらに簡素化することができる。
【００２０】
たとえば、上記連動機構は、上記容器と蓋体とが相対的に近接／離間されるのに追従して変位する追従変位部材を含み、上記ガス供給手段は、上記容器と蓋体とが近接される過程において、上記追従変位部材により作動状態とされて処理ガスの供給を開始するものであってもよい。また、この場合に、上記開口部が閉成された状態から上記容器と蓋体とが離隔される過程において、上記追従変位部材によって上記ガス供給手段が不作動状態とされて処理ガスの供給が停止されることが好ましい。たとえば、上記ガス供給手段は、上記追従変化部材によって駆動され、上記作動状態と不作動状態とを切り換えるためのアクチュエータを含むものであってもよい。さらに具体的には、上記ガス供給手段は、上記アクチュエータの駆動によって、処理ガス供給路を開閉する弁機構であってもよい。
【００２１】
また、上記基板変位連動機構は、たとえば、基板を支持する基板支持部材と、上記追従変化部材と上記基板支持部材とを連結する連結部材とを含むものであってもよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の一実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２３】
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を簡略化して示す断面図である。この基板処理装置は、液晶表示装置用ガラス基板などの基板Ｓにレジスト密着強化剤を塗布するための装置であり、基板Ｓの周囲を密着強化剤としてのＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）ベーパを含む処理ガスで充満させることにより、基板Ｓの表面にＨＭＤＳを付着させる構成となっている。
【００２４】
この基板処理装置は、基板Ｓを加熱するためのホットプレート１を備えている。ホットプレート１は、たとえば面状ヒータなどの加熱手段を内蔵しており、その上面に基板Ｓが載置されるようになっている。ホットプレート１の上方には、ホットプレート１とともに処理空間２を形成するためのチャンバ３が備えられている。チャンバ３は、平面視における面積がホットプレート１よりも小さく形成された天板３１と、この天板３１の周縁から垂下した周側板３２とを含んでおり、周側板３２の下端がホットプレート１の上面に当接して、ホットプレート１との間に処理空間２を形成する閉成状態と、ホットプレート１の上方に大きく離間した開成状態との間で昇降されるようになっている。なお、周側板３２の下端には通常、Ｏリングなどのシール部材（図示せず）が取付けられており、実際には、このシール部材がホットプレート１の上面に密着して当接し、処理空間２外に密着強化剤が漏洩するのを防止している。
【００２５】
チャンバ３の天板３１には、処理空間２内に処理ガスを供給するための処理ガス供給管４１が接続されている。この処理ガス供給管４１の途中部には、処理空間２内への処理ガスの供給を開始／停止するために開閉されるエアオペレートバルブ４２が介装されている。このエアオペレートバルブ４２は、エア供給ライン４３に介装されたエア供給スイッチ４４によって、エア供給ライン４３からのエアの供給を開始／停止することによって開閉される。なお、エア供給スイッチ４４は、アクチュエータ４４Ａの上下動に伴って、エア供給ライン４３の途中部に介装された弁が開閉する機械式のスイッチである。
【００２６】
また、チャンバ３の天板３１には、処理空間２内の雰囲気を吸気するための排気管５１が接続されている。この排気管５１は、図外の吸気装置などに接続されており、その途中部には、たとえば電磁弁で構成することができる減圧用バルブ５２が介装されている。また、排気管５１には、天板３１と減圧用バルブ５２との間において置換ガス供給管５３が分岐接続されている。置換ガス供給管５３には、置換ガスとしての不活性ガス、たとえば窒素ガスが供給されるようになっており、その途中部には、たとえば電磁弁で構成することができる減圧解除バルブ５４が介装されている。この構成により、チャンバ３が閉成状態で、減圧解除バルブ５４を閉成して減圧用バルブ５２を開成することにより、処理空間２内を減圧することができる。また、この後、減圧用バルブ５２を閉成して減圧解除バルブ５４を開成することにより、処理空間２内に窒素ガスを供給して、処理空間２内の圧力を大気圧に戻し、減圧状態を解除することができる。
【００２７】
この基板処理装置にはさらに、ホットプレート１に関連して、ホットプレート１の上方で基板Ｓを一時的に保持するための複数本の保持ピン６が設けられている。これらの保持ピン６は、ホットプレート１に形成された孔１１を介して、その先端がホットプレート１の上面から突出した状態とホットプレート１の下方に退避した状態との間で昇降されるようになっている。未処理の基板Ｓは、図示しない搬送ロボットによってホットプレート１の上方に搬送されてきて、ホットプレート１の上面から突出した状態の複数本の保持ピン６上に載置される。そして、保持ピン６が下降して、保持ピン６の先端がホットプレート１の下方に退避すると、保持ピン６上の基板Ｓがホットプレート１上に移載される。
【００２８】
チャンバ３、エアオペレートバルブ４２および複数本の保持ピン６は、連動機構７によって連動して動作されるようになっている。連動機構７は、チャンバ３および保持ピン６を昇降させるための駆動力を発生するエアシリンダ７１と、このエアシリンダ７１によって鉛直方向に沿って昇降される昇降部材７２とを備えている。
【００２９】
昇降部材７２の上端には、図１の左右方向に沿って水平に延びたアーム７３が連結されている。アーム７３の左端部には、鉛直下方に向けて延びた連結棒７４が取り付けられている。連結棒７４は、チャンバ３の天板３１の上面に固定された固定板７５に摺動可能に挿通されており、その下端には、固定板７５から抜けないように係合片７６が取り付けられている。また、連結棒７４には、アーム７３と固定板７５との間に、スプリング７７が巻装されている。
【００３０】
昇降部材７２の下端には、水平面に沿って延びたベース板７８が連結されている。ベース板７８の上面には、複数本の保持ピン６が上方に向けて立設されている。上記の構成により、エアシリンダ７１を動作させて、昇降部材７２を昇降させると、この昇降に伴ってアーム７３およびベース板７８が昇降し、その結果、チャンバ３および保持ピン６を同時に昇降させることができる。
【００３１】
なお、昇降部材７２の長さは、昇降部材７２を下降させてチャンバ３を下降させる過程において、チャンバ３の周側板３２の下端がホットプレート１の上面に当接した時に、基板Ｓがチャンバ３の天板３１の下方に位置するような長さに設定されている。
【００３２】
また、エア供給スイッチ４４の配置および連結棒７４の長さは、チャンバ３の周側板３２の下端がホットプレート１の上面に当接した時に、アーム７３とエア供給スイッチ４４のアクチュエータ４４Ａとが一定距離Ｄだけ離れるように設定されている（図１(b) 参照）。これにより、チャンバ３がホットプレート１に当接した後に、昇降部材７２をさらに下降させて、スプリング７７の弾性力に抗してアーム７３を固定板７５に一定距離Ｄだけ近接させると、アーム７３がエア供給スイッチ４４のアクチュエータ４４Ａを押下して、エア供給ライン４３からエアオペレートバルブ４２にエアが供給される。
【００３３】
図２は、この基板処理装置の動作タイミングを示すタイミングチャートである。未処理の基板Ｓは、図示しない搬送ロボットによって、この基板処理装置に搬送されてくる。このとき、チャンバ３は、ホットプレート１から大きく離間した開成状態になっている。また、複数本の保持ピン６は、ホットプレート１の上面から突出した状態になっており、搬送されてくる基板Ｓは、保持ピン６上に載置される（図１(a) 参照）。
【００３４】
保持ピン６上に基板Ｓが載置されると、エアシリンダ７１が駆動されて昇降部材７２が下降され、この昇降部材７２の下降に伴って、チャンバ３および保持ピン６が下降する。そして、チャンバ３および保持ピン６が下降する過程で、保持ピン６の先端がホットプレート１の上面よりも下方に達すると、保持ピン６上の基板Ｓがホットプレート１上に移載される。その後、昇降部材７２の下降がさらに続けられると、チャンバ３の周側板３２の下端がホットプレート１の上面に当接して、チャンバ３が閉成状態となり（ｔ１）、基板Ｓの周囲を取り囲む処理空間２が形成される（図１(b) 参照）。
【００３５】
チャンバ３が閉成状態になった後、エアシリンダ７１の駆動がさらに続けられると、昇降部材７２の上端に取り付けられたアーム７３は、スプリング７７の弾性力に抗して下方へと移動される。その結果、固定板７５に作用するスプリング７７の付勢力が増して、チャンバ３がホットプレート１の上面に強く押し付けられ、処理空間２内がほぼ密閉された状態となる。
【００３６】
また、チャンバ３が閉成状態になった後、エアシリンダ７１の駆動がさらに続けられて、アーム７３がアーム７３の位置を検出するための第１位置センサ５５の位置に到達すると、この第１位置センサ５５からオン信号が出力される。そして、この第１位置センサ５５からのオン信号の出力に応答して、減圧用バルブ５２が開成される（ｔ２）。このとき、減圧解除バルブ５４は閉成されており、減圧用バルブ５２が開成されることによって、処理空間２内の雰囲気が排気される。そして、処理空間２内がほぼ密閉された状態で、処理空間２内の雰囲気が排気されることにより、処理空間２内は減圧されていく。なお、第１位置センサ５５は、たとえば、フォトセンサや電気式スイッチなどで構成することができる。
【００３７】
その後、チャンバ３がホットプレート１に当接してからアーム７３が一定距離Ｄだけ下降されて、昇降部材７２が最下方位置に到達すると、アーム７３によってエア供給スイッチ４４のアクチュエータ４４Ａが押下される。これにより、エア供給ライン４３からエアオペレートバルブ４２にエアが供給され、エアオペレートバルブ４２が開成されて、減圧状態の処理空間２内に処理ガス供給管４１から処理ガスが供給される（ｔ３）。こうして、処理空間２内は処理ガスによって充満された状態となり、ホットプレート１上に載置された基板Ｓの表面にＨＭＤＳが付着していく。
【００３８】
予め設定された処理時間だけ処理ガスを処理空間２内に供給することにより基板Ｓに対する処理が終了すると、エアシリンダ７１が駆動されて、昇降部材７２が上昇される。これにより、エア供給スイッチ４４のアクチュエータ４４Ａからアーム７３が離れて、エアオペレートバルブ４２へのエアの供給が停止され、処理空間２への処理ガスの供給が停止される（ｔ４）。
【００３９】
その後、アーム７３がさらに上昇して、アーム７３が第１位置センサ５５よりも下方に設けられた第２位置センサ５６の位置に到達すると、この第２位置センサ５６からオン信号が出力される。この第２位置センサ５６からのオン信号の出力に応答して、減圧用バルブ５２が閉成されるとともに、減圧解除バルブ５４が開成される（ｔ５）。これにより、処理空間２内には、処理ガス雰囲気が排気された後に窒素ガスが供給され、処理空間２内の雰囲気が窒素ガスにより置換される。なお、第２位置センサ５６は、たとえば、フォトセンサや電気式スイッチなどで構成することができる。
【００４０】
こうして処理空間２内の雰囲気が窒素ガスに置換された後、アーム７３がさらに上昇して、アーム７３が第１位置センサ５５の位置に到達し、第１位置センサからオン信号が再び出力されると、減圧解除バルブ５４が閉成されて、処理空間２内への窒素ガスの供給が停止される（ｔ６）。
【００４１】
その後、アーム７３がさらに上昇すると、係合片７６が固定板７５に係合して、アーム７３の上昇に伴って固定板７５が持ち上げられる。これにより、チャンバ３が、ホットプレート１から離間して開成状態にされる（ｔ７）。また、チャンバ３の上昇に伴って、保持ピン６が上昇して、基板Ｓがホットプレート１上から離間される。そして、図示しない搬送ロボットによって、保持ピン６上の処理済みの基板Ｓが搬出される。
【００４２】
以上のように本実施形態によれば、エアシリンダ７１によって昇降部材７２を昇降させることにより、それぞれ所定のタイミングでチャンバ３、エアオペレートバルブ４２および複数本の保持ピン６が動作される。すなわち、チャンバ３、エアオペレートバルブ４２および複数本の保持ピン６は、連動機構７によって機械的に連動されるようになっており、基板Ｓが保持ピン６上からホットプレート１上に移載され、チャンバ３が閉成されてから所定時間（ｔ１−ｔ３）が経過した後に、エアオペレートバルブ４２が開成されて、処理空間２内への処理ガスの供給が開始される。また、エアオペレータ４２が閉成されてから所定時間（ｔ４−ｔ７）が経過した後に、チャンバ３が開成される。これにより、チャンバ３が開成している状態で、エアオペレートバルブ４２が開成されて、処理ガス供給管４１から処理ガスが吐出されるといったことがないので、チャンバ３からの処理ガスの漏洩を確実に防止することができ、装置の安全性をより向上させることができる。
【００４３】
また、チャンバ３、エアオペレートバルブ４２および複数本の保持ピン６を動作させるための制御シーケンスが不要であるから、制御構成を簡素化することができる。さらに、チャンバ３が閉成されているか否かをセンサで検知する必要がないから、この基板処理装置の処理タクトを向上させることができる。
【００４４】
この発明の一実施形態の説明は以上のとおりであるが、この発明は、上述の一実施形態に限定されるものではない。たとえば、上述の実施形態においては、蓋体としてのホットプレート１と容器としてのチャンバ３とによって処理空間２が形成されるとしているが、上面が開放された容器状の処理カップ内にホットプレートが設置され、この処理カップの上面を蓋体で閉塞することによって処理空間が形成されてもよい。
【００４５】
さらに、上述の実施形態では、基板を加熱しつつ処理ガスを施すためにホットプレートが採用されているが、基板を常温下で処理する場合には、ホットプレートに代えてクールプレートが採用されてもよい。
【００４６】
また、上述の実施形態においては、基板に対してレジスト密着強化剤を塗布するための装置について説明したが、この発明は、基板に対して処理ガスを供給して処理を施す装置に広く適用することができる。たとえば、イオンを含むエッチングガスを基板に供給して処理を施す装置、オゾンを含むアッシングガスを基板に供給して処理を施す装置または酸素を含む高温の熱処理ガスを基板に供給して処理を施す装置に適用することができる。
【００４７】
さらに、上述の実施形態では、処理が施されるべき基板として、液晶表示装置用ガラス基板を取り上げたが、フォトマスク用ガラス基板や半導体ウエハなど他の種類の基板であってもよい。
【００４８】
その他、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範囲内で、種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を簡略化して示す断面図である。
【図２】この基板処理装置の動作タイミングを示すタイミングチャートである。
【図３】従来の基板処理装置の構成を簡略化して示す断面図である。
【符号の説明】
１    ホットプレート（蓋体）
２    処理空間
３    チャンバ（容器）
４１  処理ガス供給管（ガス供給手段）
４２  エアオペレートバルブ（ガス供給手段）
４３  エア供給ライン（ガス供給手段）
４４  エア供給スイッチ（ガス供給手段）
４４Ａ  アクチュエータ
６    保持ピン（基板変位手段、基板支持部材）
７    連動機構
７１  エアシリンダ（接離手段）
７２  昇降部材（接離手段、連結部材）
７３  アーム（追従変位部材）
７４  連結棒
７５  固定板
７６  係合片
７７  スプリング
７８  ベース板（基板支持部材）
【図１】
0003964539.tif 000002
【図２】
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【図３】
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