(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜が存在する領域と存在しない領域とが交互に同じピッチで連続して並んでいるストライプ状の薄膜パターンの膜厚の測定を、偏光状態が既知で、スポット径が前記薄膜が存在する領域の幅よりも大きい測定光を用いて行う膜厚測定方法であって、
エリプソメータにより、前記薄膜パターンに対して、前記測定光を、前記薄膜パターンの上方から見て、前記薄膜パターンのストライプと平行になるように入射し、その反射光の偏光状態の変化から前記薄膜パターンの膜厚を光学測定する第１の工程と、
前記薄膜パターンのパターン密度と前記光学測定により得られる膜厚測定値との関係から決まり、前記光学測定により得られる膜厚測定値に乗じることによって前記光学測定により得られる膜厚測定値を実膜厚値に換算できる換算係数と、前記薄膜パターンのパターン密度および前記光学測定により得られる膜厚測定値とを関連付けてなる換算係数表を使用し、前記光学測定により得られる膜厚測定値を実膜厚値に換算する第２の工程を含み、
前記換算係数は前記薄膜パターンの所定のピッチと所定の膜厚の範囲に対応するように予め準備されたものであって、
前記第２の工程は、前記光学測定により得られる膜厚測定値が前記所定のピッチと前記所定の膜厚の範囲に該当した時に、前記換算係数を前記光学測定により得られる膜厚測定値に乗じることで、前記光学測定により得られる膜厚測定値を実膜厚値に換算することを特徴とする膜厚測定方法。
【請求項２】
前記薄膜パターンは基板にコルゲーションを形成するためのレジストパターンであることを特徴とする請求項１記載の膜厚測定方法。
【請求項３】
薄膜が存在する領域と存在しない領域とが交互に同じピッチで連続して並んでいるストライプ状の薄膜パターンの膜厚の測定を、偏光状態が既知で、スポット径が前記薄膜が存在する領域の幅よりも大きい測定光を用いて行う膜厚測定装置であって、
前記薄膜パターンに対して、前記測定光を、前記薄膜パターンの上方から見て、前記薄膜パターンのストライプと平行になるように入射し、その反射光の偏光状態の変化から前記薄膜パターンの膜厚を光学測定するエリプソメータと、
前記薄膜パターンのパターン密度と前記エリプソメータにより得られる膜厚測定値との関係から決まり、前記エリプソメータにより得られる膜厚測定値に乗じることによって前記エリプソメータにより得られる膜厚測定値を実膜厚値に換算できる換算係数と、前記薄膜パターンのパターン密度および前記エリプソメータにより得られる膜厚測定値とを関連付けてなる換算係数表を使用し、前記エリプソメータにより得られる膜厚測定値を実膜厚値に換算する換算処理手段を有し、
前記換算係数は前記薄膜パターンの所定のピッチと所定の膜厚の範囲に対応するように予め準備されたものであって、
前記換算処理手段は、前記光学測定により得られる膜厚測定値が前記所定のピッチと前記所定の膜厚の範囲に該当した時に、前記換算係数を前記光学測定により得られる膜厚測定値に乗じることで、前記光学測定により得られる膜厚測定値を実膜厚値に換算することを特徴とする膜厚測定装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＤＦＢ（distributed feedback）レーザの製造工程において基板にコルゲーションを形成する際に基板上に形成されるレジストパターンのように、薄膜が存在する領域と存在しない領域を有する薄膜パターンの膜厚を測定する場合に使用する膜厚測定方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３はＤＦＢレーザの製造工程例を示す概略的断面図である。ＤＦＢレーザを製造する場合には、たとえば、図３Ａに示すように、ｎ-ＩnＰ基板１にコルゲーション２を形成した後、図３Ｂに示すように、ｎ-ＩnＰ基板１上にｎ-ＩnＧaＡsＰキャップ層３、ＩnＧaＡsＰ活性層４およびｐ-ＩnＰクラッド層５を順に形成する。次に、図３Ｃに示すように、Ｎ電極６およびＰ電極７を形成した後、図３Ｄに示すように、ＡＲ膜８およびＨＲ膜９を形成する。
【０００３】
図４はコルゲーションの形成工程例を示す概略的断面図である。図３Ａに示すように、ｎ-ＩnＰ基板１にコルゲーション２を形成する場合には、たとえば、図４Ａに示すように、ｎ-ＩnＰ基板１上にレジスト１０を塗布し、干渉露光あるいはＥＢ露光および現像を経て、図４Ｂに示すように、コルゲーション２を形成するためのレジストパターン１１を形成する。次に、図４Ｃに示すように、レジストパターン１１をマスクにしてエッチングを行い、ｎ-ＩnＰ基板１にコルゲーション２を形成する。
【０００４】
図４Ｂに示すように、ｎ-ＩnＰ基板１上にレジストパターン１１を形成した場合、レジストを除去した部分１２Ａ〜１２Ｄにレジスト残渣が見られる場合がある。このレジスト残渣を除去する方法として、Ｏ2ラジカル照射が提案されている（特公平８−１２２８７号公報）。
【０００５】
Ｏ2ラジカル照射によるレジスト残渣除去方法では、レジスト残渣の除去制御は、Ｏ2ラジカルの照射時間を制御することにより行われるが、Ｏ2ラジカルの照射時間は、一度決定されれば、製造ラインの経時変化による再調整の場合を除いて、そのまま固定される。したがって、Ｏ2ラジカル照射によるレジスト残渣除去処理を受けるウエハは、いずれも同一時間のレジスト残渣除去処理を受けて次の工程に進められることになる。
【０００６】
Ｏ2ラジカル照射によるレジスト残渣除去処理を行う場合、現像後のレジストパターン１１の膜厚が所望の厚さで揃っている場合には何ら問題は生じないが、レジストパターン１１の膜厚がばらついている場合には、次のような不具合が生じてしまう。すなわち、レジストパターン１１の膜厚が本来よりも厚いウエハでは、十分なレジスト残渣除去ができずに、除去すべきレジスト残渣が残ってしまう。また、レジストパターン１１の膜厚が本来よりも薄いウエハでは、残すべきレジストパターン１１に大きな損傷を与えてしまう。
【０００７】
以上のような不具合は、今までは考慮されなかった。なぜなら、今までは、レジストパターン１１の膜厚のバラツキに対してレジストパターン１１の膜厚が十分に厚く（たとえば、レジストパターン１１の膜厚が１μｍ以上もあり）、レジスト残渣が十分に除去されるまで、オーバー気味にレジスト残渣除去処理を行うことで何ら問題がなかったからである。
【０００８】
ところが、本発明者の検討によると、レジストパターン１１を微細化し、そのピッチを、たとえば、０.２〜０.２４μｍにしようとすると、レジストパターン１１の膜厚を０.１４〜０.１７μｍとする必要がある。このように、レジストパターン１１の微細化に伴ってレジストパターン１１の膜厚が薄くなると、レジスト残渣除去処理をオーバー気味に行うことによるレジストパターン１１の変形が重要問題となる。
【０００９】
近年のＤＦＢレーザに対する微細化、高精度化の要求に応じるためには、レジストパターン１１の形成工程においても、レジスト残渣除去処理を高精度に行うことが必要となる。このためには、レジストパターン１１の膜厚を正確に測定する必要がある。従来、レジストパターン１１の膜厚を測定する方法として、たとえば、エリプソメータを使用して、偏光状態が既知の測定光をレジストパターン１１に入射し、その反射光の偏光状態からレジストパターン１１の膜厚を測定するという光学的方法が用いられている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
ＤＦＢレーザの微細化に伴いレジストパターン１１が微細化すると、エリプソメータの測定光のスポット径がレジストパターン１１の幅に比べて大きくなり、測定光がレジストの存在する領域とレジストを除去した領域の両領域を含む領域に入射してしまうため、従来の膜厚測定方法では、レジストパターン１１の膜厚を正確に測定することができないという問題点があった。
【００１１】
本発明は、かかる点に鑑み、薄膜が存在する領域と存在しない領域とが交互に同じピッチで連続して並んでいるストライプ状の薄膜パターンに偏光状態が既知の測定光を入射し、その反射光の偏光状態の変化から薄膜パターンの膜厚を光学測定する場合において、薄膜パターンの微細化に伴い、測定光のスポット径が薄膜の存在する領域の幅よりも大きくなり、測定光が薄膜の存在する領域と存在しない領域の両領域を含む領域に入射してしまう場合であっても、薄膜パターンの実膜厚値を測定することができる膜厚測定方法および装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の膜厚測定方法は、薄膜が存在する領域と存在しない領域とが交互に同じピッチで連続して並んでいるストライプ状の薄膜パターンの膜厚の測定を、偏光状態が既知で、スポット径が前記薄膜が存在する領域の幅よりも大きい測定光を用いて行う膜厚測定方法であって、エリプソメータにより、前記薄膜パターンに対して、前記測定光を、前記薄膜パターンの上方から見て、前記薄膜パターンのストライプと平行になるように入射し、その反射光の偏光状態の変化から前記薄膜パターンの膜厚を光学測定する第１の工程と、前記薄膜パターンのパターン密度と前記光学測定により得られる膜厚測定値との関係から決まり、前記光学測定により得られる膜厚測定値に乗じることによって前記光学測定により得られる膜厚測定値を実膜厚値に換算できる換算係数と、前記薄膜パターンのパターン密度および前記光学測定により得られる膜厚測定値とを関連付けてなる換算係数表を使用し、前記光学測定により得られる膜厚測定値を実膜厚値に換算する第２の工程を含み、前記換算係数は前記薄膜パターンの所定のピッチと所定の膜厚の範囲に対応するように予め準備されたものであって、前記第２の工程は、前記光学測定により得られる膜厚測定値が前記所定のピッチと前記所定の膜厚の範囲に該当した時に、前記換算係数を前記光学測定により得られる膜厚測定値に乗じることで、前記光学測定により得られる膜厚測定値を実膜厚値に換算するというものである。
【００１３】
本発明の膜厚測定装置は、薄膜が存在する領域と存在しない領域とが交互に同じピッチで連続して並んでいるストライプ状の薄膜パターンの膜厚の測定を、偏光状態が既知で、スポット径が前記薄膜が存在する領域の幅よりも大きい測定光を用いて行う膜厚測定装置であって、前記薄膜パターンに対して、前記測定光を、前記薄膜パターンの上方から見て、前記薄膜パターンのストライプと平行になるように入射し、その反射光の偏光状態の変化から前記薄膜パターンの膜厚を光学測定するエリプソメータと、前記薄膜パターンのパターン密度と前記エリプソメータにより得られる膜厚測定値との関係から決まり、前記エリプソメータにより得られる膜厚測定値に乗じることによって前記エリプソメータにより得られる膜厚測定値を実膜厚値に換算できる換算係数と、前記薄膜パターンのパターン密度および前記エリプソメータにより得られる膜厚測定値とを関連付けてなる換算係数表を使用し、前記エリプソメータにより得られる膜厚測定値を実膜厚値に換算する換算処理手段を有し、前記換算係数は前記薄膜パターンの所定のピッチと所定の膜厚の範囲に対応するように予め準備されたものであって、前記換算処理手段は、前記光学測定により得られる膜厚測定値が前記所定のピッチと前記所定の膜厚の範囲に該当した時に、前記換算係数を前記光学測定により得られる膜厚測定値に乗じることで、前記光学測定により得られる膜厚測定値を実膜厚値に換算するというものである。
【００１４】
本発明によれば、薄膜が存在する領域と存在しない領域とが交互に同じピッチで連続して並んでいるストライプ状の薄膜パターンに偏光状態が既知の測定光を入射し、その反射光の偏光状態の変化から薄膜パターンの膜厚を光学測定する場合において、薄膜パターンの微細化に伴い、測定光のスポット径が薄膜の存在する領域の幅よりも大きくなり、測定光が薄膜の存在する領域と存在しない領域の両領域を含む領域に入射してしまい、光学測定のみによっては、薄膜パターンの膜厚を測定できない場合であっても、薄膜パターンのパターン密度と光学測定により得られる膜厚測定値から決まる換算係数を使用し、薄膜パターンの実膜厚値を求めることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の膜厚測定装置の一実施形態の概念図である。図１中、１３はレジストパターン１１が形成されたｎ-ＩnＰ基板１を保持するステージ、１４はエリプソメータであり、１５は偏光状態が既知の測定光１６をレジストパターン１１に向けて出射する測定光出射部、１７はレジストパターン１１からの反射光１８を受光する反射光受光部、１９は測定光１６および反射光１８の偏光状態からレジストパターン１１の膜厚を測定する膜厚測定部、２０は膜厚測定部１９から出力されるレジストパターン１１の膜厚測定値を実膜厚値に換算処理する換算処理手段（たとえば、パーソナルコンピュータ）である。
【００１６】
すなわち、本発明の膜厚測定装置の一実施形態は、レジストパターン１１の微細化に伴い、エリプソメータ１４の測定光１６のスポット径がレジストパターン１１の幅に比べて大きくなり、エリプソメータ１４の測定光１６がレジストが存在する領域とレジストを除去した領域の両領域を含む領域に入射してしまうことを前提とし、このような状況の下でのエリプソメータ１４による膜厚測定値は、レジストパターン１１のパターンの疎密に対する平均値を示すことになるので、レジストパターン１１のパターン密度とエリプソメータ１４による膜厚測定値により決定される換算係数を使用し、エリプソメータ１４によるレジストパターン１１の膜厚測定値を実膜厚値に変換するというものである。
【００１７】
具体的には、換算処理手段２０は、たとえば、表１〜表４に示すような換算係数表を持っており、これら換算係数表を使用し、エリプソメータ１４によるレジストパターン１１の膜厚測定値を実膜厚値に換算処理する。
【００１８】
【表１】
0003997719.tif 000002
【００１９】
【表２】
0003997719.tif 000003
【００２０】
【表３】
0003997719.tif 000004
【００２１】
【表４】
0003997719.tif 000005
【００２２】
表１および表２は現像後のレジストパターン１１の膜厚を測定する場合に使用する換算係数表であるが、表１はコルゲーションの設定ピッチが２０２ｎｍ（但し、レジストが有る部分と無い部分の比が０.５２：０.４８）の場合に使用するものであり、表２はコルゲーションの設定ピッチが２４２ｎｍ（但し、レジストが有る部分と無い部分の比が０.５１：０.４９）の場合に使用するものである。
【００２３】
表１はエリプソメータ１４による膜厚測定値が５０〜５５ｎｍの場合は換算係数が１.８２、エリプソメータ１４による膜厚測定値が５５.１〜６０ｎｍの場合は換算係数が１.８４、エリプソメータ１４による膜厚測定値が６０.１〜６５ｎｍの場合は換算係数が１.８６、エリプソメータ１４による膜厚測定値が６５.１〜７０ｎｍの場合は換算係数が１.８８であることを示している。
【００２４】
そこで、換算処理手段２０は、この場合において、エリプソメータ１４による膜厚測定値が５０〜５５ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.８２を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力し、エリプソメータ１４による膜厚測定値が５５.１〜６０ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.８４を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力し、エリプソメータ１４による膜厚測定値が６０.１〜６５ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.８６を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力し、エリプソメータ１４による膜厚測定値が６５.１〜７０ｎｍの場合は、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.８８を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力する。
【００２５】
表２はエリプソメータ１４による膜厚測定値が５０〜５５ｎｍの場合は換算係数が１.９２、エリプソメータ１４による膜厚測定値が５５.１〜６０ｎｍの場合は換算係数が１.９４、エリプソメータ１４による膜厚測定値が６０.１〜６５ｎｍの場合は換算係数が１.９６、エリプソメータ１４による膜厚測定値が６５.１〜７０ｎｍの場合は換算係数が１.９８であることを示している。
【００２６】
そこで、換算処理手段２０は、この場合において、エリプソメータ１４による膜厚測定値が５０〜５５ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.９２を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力し、エリプソメータ１４による膜厚測定値が５５.１〜６０ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.９４を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力し、エリプソメータ１４による膜厚測定値が６０.１〜６５ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.９６を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力し、エリプソメータ１４による膜厚測定値が６５.１〜７０ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.９８を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力する。
【００２７】
表３および表４はレジスト残渣除去処理後のレジストパターン１１の膜厚を測定する場合に使用する換算係数表であるが、表３はコルゲーションの設定ピッチが２０２ｎｍ（但し、レジストが有る部分と無い部分の比が０.５２：０.４８）の場合に使用するものであり、表４はコルゲーションの設定ピッチが２４２ｎｍ（但し、レジストが有る部分と無い部分の比が０.５１：０.４９）の場合に使用するものである。
【００２８】
表３はエリプソメータ１４による膜厚測定値が３０〜３５ｎｍの場合は換算係数が１.８２、エリプソメータ１４による膜厚測定値が３５.１〜４０ｎｍの場合は換算係数が１.８４、エリプソメータ１４による膜厚測定値が４０.１〜４５ｎｍの場合は換算係数が１.８６であることを示している。
【００２９】
そこで、換算処理手段２０は、この場合において、エリプソメータ１４による膜厚測定値が３０〜３５ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.８２を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力し、エリプソメータ１４による膜厚測定値が３５.１〜４０ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.８４を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力し、エリプソメータ１４による膜厚測定値が４０.１〜４５ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.８６を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力する。
【００３０】
表４はエリプソメータ１４による膜厚測定値が３０〜３５ｎｍの場合は換算係数が１.９２、エリプソメータ１４による膜厚測定値が３５.１〜４０ｎｍの場合は換算係数が１.９４、エリプソメータ１４による膜厚測定値が４０.１〜４５ｎｍの場合は換算係数が１.９６であることを示している。
【００３１】
そこで、換算処理手段２０は、この場合において、エリプソメータ１４による膜厚測定値が３０〜３５ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.９２を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力し、エリプソメータ１４による膜厚測定値が３５.１〜４０ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.９４を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力し、エリプソメータ１４による膜厚測定値が４０.１〜４５ｎｍの場合には、エリプソメータ１４による膜厚測定値に１.９６を乗じた値をレジストパターン１１の実膜厚値として出力する。
【００３２】
図２は本発明の膜厚測定装置の一実施形態を使用するコルゲーション形成工程例を示す図である。図２Ａはｎ-ＩnＰ基板１にコルゲーションを形成するためのレジスト１０を塗布した状態を示しており、図２Ｂはレジスト１０に対する干渉露光あるいはＥＢ露光および現像を経て、ｎ-ＩnＰ基板１にコルゲーションを形成するためのレジストパターン１１を形成した状態を示している。これらは、図４Ａおよび図４Ｂと同一の図である。
【００３３】
この例では、ｎ-ＩnＰ基板１にコルゲーションを形成するためのレジストパターン１１を形成した後、図２Ｃに示すように、本発明の膜厚測定装置の一実施形態を使用してレジストパターン１１の膜厚を測定する。この場合、上方から見て、エリプソメータ１４の測定光１６とレジストパターン１１のコルゲーションが平行になるようにエリプソメータ１４の測定光１６を入射する。この膜厚測定は表１又は表２に示す換算係数表を使用して行う。
【００３４】
次に、測定したレジストパターン１１の実膜厚値に基づいて、Ｏ2ラジカル照射の時間を決定し、Ｏ2ラジカル照射によるレジスト残渣除去処理を行う。Ｏ2ラジカル照射の条件は、たとえば、Ｏ2の流量＝２００±２sccm、ガス圧力＝５.０±０.３Ｐa 、放電出力＝１００±５Ｗ、チラー温度＝３０〜６０°Ｃ（処理装置に依存）である。
【００３５】
図２ＤはＯ2 ラジカル照射によるレジスト残渣除去処理が完了した状態を示している。次に、図２Ｅに示すように、本発明の膜厚測定装置の一実施形態を使用してレジストパターン１１の膜厚を測定し、所望の膜厚値となっているか否かを確認する。この場合、上方から見て、エリプソメータ１４の測定光１６とレジストパターン１１のコルゲーションが平行になるようにエリプソメータ１４の測定光１６を入射する。この膜厚測定は、表３又は表４に示す換算係数表を使用して行う。
【００３６】
このように、本発明の一実施形態によれば、エリプソメータ１４を使用してレジストパターン１１の膜厚を測定しようとする場合において、レジストパターン１１の微細化に伴い、エリプソメータ１４の測定光１６のスポット径がレジストパターン１１の幅に比べて大きくなり、エリプソメータ１４の測定光１６がレジストの存在する領域とレジストを除去した領域の両領域を含む領域に入射してしまい、エリプソメータ１４のみによっては、レジストパターン１１の実膜厚値を測定することができない場合であっても、換算処理手段２０による換算処理によってレジストパターン１１の実膜厚値を測定することができる。したがって、レジスト残渣除去処理を高精度に行うことができる。
【００３７】
なお、本発明の一実施形態においては、本発明をＤＦＢレーザの製造工程において基板にコルゲーションを形成する際に基板上に形成されるレジストパターンの膜厚を測定する場合を例にして説明したが、本発明は、半導体メモリを製造する場合においてメモリセルを形成する場合等に形成されるレジストパターンの膜厚を測定する場合にも適用することができるし、また、レジストパターンに限らず、薄膜パターンの膜厚を測定する場合に広く適用することができる。
【００３８】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、薄膜が存在する領域と存在しない領域とが交互に同じピッチで連続して並んでいるストライプ状の薄膜パターンに偏光状態が既知の測定光を入射し、その反射光の偏光状態の変化から薄膜パターンの膜厚を光学測定する場合において、薄膜パターンの微細化に伴い、測定光のスポット径が薄膜の存在する領域の幅よりも大きくなり、測定光が薄膜の存在する領域と存在しない領域の両領域を含む領域に入射してしまい、光学測定のみによっては、薄膜パターンの膜厚を測定できない場合であっても、薄膜パターンのパターン密度と光学測定により得られる膜厚測定値から決まる換算係数を使用し、薄膜パターンの実膜厚値を求めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の膜厚測定装置の一実施形態の概念図である。
【図２】本発明の膜厚測定装置の一実施形態を使用するコルゲーション形成工程例を示す図である。
【図３】ＤＦＢレーザの製造工程例を示す概略的断面図である。
【図４】コルゲーションの形成工程例を示す概略的断面図である。
【符号の説明】
１  ｎ-ＩnＰ基板
２  コルゲーション
３  ｎ-ＩnＧaＡsＰキャップ層
４  ＩnＧaＡsＰ活性層
５  ｐ-ＩnＰクラッド層
６  Ｎ電極
７  Ｐ電極
８  ＡＲ膜
９  ＨＲ膜
１０  レジスト
１１  レジストパターン
１２Ａ〜１２Ｄ  レジストを除去した部分
１３  ステージ
１４  エリプソメータ
１５  測定光出射部
１６  測定光
１７  反射光受光部
１８  反射光
１９  膜厚測定部
２０  換算処理手段（たとえば、パーソナルコンピュータ）
【図１】
0003997719.tif 000006
【図２】
0003997719.tif 000007
【図３】
0003997719.tif 000008
【図４】
0003997719.tif 000009