(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の波長のレーザー光を発生する第一のレーザー発振器と、
前記第一のレーザー発振器からの前記第一の波長のレーザー光を入射させ、波長変換  して、前記第一の波長より短い第二の波長のレーザー光を発生する波長変換部と、
この波長変換部からの前記第二の波長のレーザー光を入射させ、波長変換して、前記  第二の波長より短い第三の波長のレーザー光を発生する波長変換部と、
この波長変換部からの前記第三の波長のレーザー光を入射させるように構成されると 共に、５００ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下の波長のレーザー光を入射させ、このレーザー 光を複数のミラー間で反射させて共振させ、前記第一の波長より短くかつ前記第二の波  長より長い第四の波長で発振してこの第四の波長のレーザー光を得る第二のレーザー発  振器と、
前記第二のレーザー発振器内において前記第三の波長のレーザー光及び前記第四の波 長のレーザー光の光路上に配置され、前記第三の波長のレーザー光と前記第四の波長の  レーザー光とを前記第二のレーザー発振器内で合波して和周波混合し、前記第三の波長  より短い第五の波長のレーザー光を発生して分光する波長変換部と
を有する波長変換装置。
【請求項２】
１μｍ以上、１．１μｍ以下の前記第一の波長の光を増幅してレーザ  ー光を発生する前記第一のレーザー発振器と、
前記第一のレーザー発振器からの前記第一の波長のレーザー光を波長変換して、５０  ０ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下の前記第二の波長のレーザー光を発生する前記波長変換部  と、
５００ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下の前記第二の波長のレーザー光を波長変換して、２  ５０ｎｍ以上、２７５ｎｍ以下の前記第三の波長のレーザー光を発生する前記波長変換  部と、
５００ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下のレーザー光を入射させて、６５０ｎｍ以上、７８  ５ｎｍ以下の前記第四の波長で発振する前記第二のレーザー発振器と、
２５０ｎｍ以上、２７５ｎｍ以下の前記第三の波長のレーザー光と６５０ｎｍ以上、
７８５ｎｍ以下の前記第四の波長のレーザー光とを和周波混合して、１９０ｎｍ以上、
２００ｎｍ以下の前記第五の波長のレーザー光を発生する前記波長変換部と
を有する、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項３】
前記第一のレーザー発振器から出力されるレーザー光の４次高調波である前記第三の波長の光パルスと、前記第二のレーザー発振器から得られる前記第四の波長の光パルスとが、和周波混合により前記第五の波長のレーザー光を発生する前記波長変換部の非線形光学結晶中で、空間的及び時間的に充分重なる状態に保持される、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項４】
前記第一のレーザー発振器から出力されるレーザー光の４次高調波である前記第三の波長の光パルスと、前記第二のレーザー発振器から得られる前記第四の波長の光パルスとが、前記第三の波長の光パルスと前記第四の波長の光パルスの間の光路差による遅延、又はＱスイッチレーザーのトリガーの遅延を利用して、和周波混合により前記第五の波長のレーザー光を発生する前記波長変換部の非線形光学結晶中で、空間的及び時間的に充分重なる状態に保持されるように、帰還回路が用いられる、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項５】
前記第一のレーザー発振器はＱスイッチレーザーである、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項６】
前記Ｑスイッチレーザーは、インジェクションシードされたＱスイッチレーザーである、請求項５に記載した波長変換装置。
【請求項７】
前記第一のレーザー発振器はＱスイッチレーザーであり、かつ、前記第二のレーザー発振器は連続波で励起される、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項８】
前記第二のレーザー発振器は連続波発振する、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項９】
前記第一のレーザー発振器及び第二のレーザー発振器は、共に連続波レーザーである、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項１０】
前記第一のレーザー発振器及び第二のレーザー発振器は、共に単一周波数で発振する連続波レーザーである、請求項９に記載した波長変換装置。
【請求項１１】
前記第二のレーザー発振器は、注入用レーザー（マスターレーザー）を用いてインジェクションロッキング又はインジェクションシーディングされる、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項１２】
前記注入用レーザーの注入出力が可変である、請求項１１に記載した波長変換装置。
【請求項１３】
前記第五の波長は、フッ化アルゴンの中心波長である１９３．３±０．２ｎｍである、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項１４】
前記第五の波長の出力光の波長幅が２０ｐｍ（ピコメートル）以下である、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項１５】
前記第五の波長の出力光の波長幅が０．０５ｐｍ（ピコメートル）以上、１ｐｍ（ピコメートル）以下である、請求項１４に記載した波長変換装置。
【請求項１６】
前記第二のレーザー発振器内に、波長選択手段を有する、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項１７】
前記第一のレーザー発振器は、ネオジミウムイオン又はイットリビウムイオンをはじめとする希土類イオンを含む固体のレーザー媒質を有する、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項１８】
前記第一のレーザー発振器は、１０６４ｎｍで発振するＮｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＶＯ4のいずれかの媒質を有する、請求項１７に記載した波長変換装置。
【請求項１９】
前記第一のレーザー発振器は、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：Ｇｌａｓｓ、Ｙｂ：ＹＡＧのいずれかの媒質を有する、請求項１７に記載した波長変換装置。
【請求項２０】
前記第一のレーザー発振器は、ネオジミウムイオンを含む固体のレーザー媒質を半導体レーザーで励起するものである、請求項１７に記載した波長変換装置。
【請求項２１】
前記第二のレーザー発振器は、前記第一のレーザー発振器から出力されるレーザー光を波長変換して得られた５００ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下の前記第二の波長のレーザー光を照射して励起される、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項２２】
前記第二のレーザー発振器は、Ｑスイッチレーザーから出力されるレーザー光を波長変換して得られた５００ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下の前記第二の波長のレーザー光を照射して励起される、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項２３】
前記第二のレーザー発振器は、チタンイオン又はクロムイオンを含むレーザー媒質を有する、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項２４】
前記第二のレーザー発振器は、チタンサファイア結晶、Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ、Ｃｒ：ＬｉＣＡＦ又はアレクサンドライト結晶を有する、請求項２３に記載した波長変換装置。
【請求項２５】
前記第二のレーザー発振器は、光パラメトリック過程に用いる非線形光学結晶を有する、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項２６】
前記第二の波長のレーザー光は、前記第一のレーザー発振器で発振するレーザー光の２次高調波である、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項２７】
前記第三の波長のレーザー光は、前記第一のレーザー発振器で発振するレーザー光の４次高調波である、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項２８】
前記第二の波長のレーザー光を入射して前記第三の波長のレーザー光を出力する前記波長変換部は、ＢＢＯ（ベータ硼酸バリウム：β−ＢａＢ2Ｏ4）結晶を少なくとも１つ有する、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項２９】
前記第三の波長のレーザー光と前記第四の波長のレーザー光を入射して前記第五の波長のレーザー光を出力する前記波長変換部は、ＢＢＯ（ベータ硼酸バリウム：β−ＢａＢ2Ｏ4）結晶を少なくとも１つ有する、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項３０】
前記第五の波長のレーザー光を出力する前記波長変換部は、ブリュースター角又はほぼブリュースター角でレーザー光を入射する非線形光学結晶を少なくとも１つ有する、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項３１】
前記第二のレーザー発振器内に、少なくとも１つのＢＢＯ（ベータ硼酸バリウム：β−ＢａＢ2Ｏ4）結晶又は少なくとも１つのＣＬＢＯ（ＣｓＬｉＢ6Ｏ10）結晶を有する、請求項１に記載した波長変換装置。
【請求項３２】
前記ＢＢＯ結晶のｃ軸に対して７０度以上、７７度以下の角度で位相整合をとる、請求項３１に記載した波長変換装置。
【請求項３３】
前記第二のレーザー発振器内に、チタンサファイア結晶とベータ硼酸バリウム結晶を共に有する、請求項１に記載した波長変換装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、入射されるレーザー光の波長を変換して特定波長のレーザー光を発生させる波長変換装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
レーザー光は、一般に、電波よりも周波数が高いので情報収容能力が大きく、また、波長が同一であり位相がそろっているので単色性や指向性に優れ、通常の光線にみられない干渉性をもっており、さらに、極めて細く収束できるため、微小な面積にエネルギーを集中して、局部的、瞬間的に高温、高圧を実現できるなどの特徴を有しており、通信及び情報関係、計測関係、加工技術への応用、医学面への応用など、多方面に応用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
例えば、半導体装置の製造に用いる露光装置では、今後１９３ｎｍのパルスで発振するフッ化アルゴンレーザーが使用されるものと考えられている。しかし、フッ化アルゴンレーザーは、繰り返し周波数を１ｋＨｚ以上にしてピークパワーを低減することは難しい。パルス幅を大きくするための努力がなされているが、現在までのところ達成されていない。
【０００４】
このため、ソラリゼーション、コンパクション等の透過率低下や、局所的光路差の発生による収差の発生を防止するために、露光装置で使用される合成石英上での光強度、光エネルギー密度を一定値以下にして使用する必要がある。この結果、パルスエネルギーの安定化等、レーザーに求められる性能が極めて厳しくなったり、フォトレジストの感度の向上が必要になる。また、光密度の均一化を行うには、一定数のパルスを照射する必要があるため、スループットの向上が難しくなる。
【０００５】
また、フッ化アルゴンレーザーでは、頻繁に交換が必要な有毒ガスを扱い、レーザーを構成する高価な各ユニットの寿命も短いので、メンテナンスコストが高くなってしまう。
【０００６】
一方、文献「D. J. Berkland et al, Applied Optics, Vol.36, p4159,1997」には、水銀イオンのレーザートラップを目的として、連続波の１９４ｎｍの紫外光を発生させる技術が述べられている。即ち、この文献では、アルゴンイオンレーザー（波長５１５ｎｍ）の２次高調波（波長２５７ｎｍ）と、７９２ｎｍの増幅された半導体レーザー光をＢＢＯ（ベータ硼酸バリウム：β−ＢａＢ2Ｏ4）結晶に入射して、１９４ｎｍの和周波を２ｍＷ程度発生させている。この場合、ＢＢＯ結晶は、２５７ｎｍ光の外部共振器と、７９２ｎｍ光の外部共振器の両方の共有位置に置かれるように配置されるが、これは、ブリュースター角にカットされたＢＢＯ結晶の分散による屈折角の差を利用して、２つの外部共振器の光路を空間的に分離したものである。
【０００７】
しかしながら、この公知技術では、アルゴンレーザーを用いるために上記した欠点を回避できないと共に、外部共振器を用いるために装置が大型化し、またミラー等の表面への不純物の付着等により反射率や透過率が低下し、機構部品の位置ずれにより出力が不安定化し易い。しかも、和周波発生段階だけで２波長で同時に外部共振器のロッキングをかける回路や、アクチュエータを備える必要があり、共振器に光を導入する上で共振器光路長を厳密に合わせ込むための装備が不可欠となる。
【０００８】
なお、フッ化アルゴンレーザーに代えて、繰り返し周波数の高い固体レーザーの高調波を用いれば、合成石英等の損傷、コストの問題は軽減されるが、得られる波長がフッ化アルゴンレーザーと異なるため、先行するフッ化アルゴンレーザーと互換性がとれない欠点がある。
【０００９】
本発明の目的は、上述した欠点を解消し、繰り返し周波数の高い２００ｎｍ以下のレーザー光を得て合成石英等の硝材に与える損傷を小さくし、半導体露光装置等の装置寿命を長くすること；有毒ガスを使用せず、レーザー部品の寿命を長くすること；高い繰り返し周波数とパルスの安定性とを両立させて半導体露光装置等のスループットを高めること；全固体の紫外光源を実現し、信頼性、サイズ、メンテナンス、給排水設備等の問題を充分に向上させること；がそれぞれ可能な波長変換装置（特にレーザー光発生装置）を提供することにある。また、こうした装置を利用したシステムの評価用に、同じ波長のレーザー光源を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、
第一の波長（特に１μｍ以上、１．１μｍ以下）のレーザー光を発生する第一のレー  ザー発振器と、
前記第一のレーザー発振器からの前記第一の波長のレーザー光を入射させ、波長変換  して、前記第一の波長より短い第二の波長（特に５００ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下）の  レーザー光を発生する波長変換部と、
この波長変換部からの前記第二の波長のレーザー光を入射させ、波長変換して、前記  第二の波長より短い第三の波長（特に２５０ｎｍ以上、２７５ｎｍ以下）のレーザー光  を発生する波長変換部と、
この波長変換部からの前記第三の波長のレーザー光を入射させるように構成されると 共に、５００ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下の波長のレーザー光を入射させ、このレーザー 光を複数のミラー間で反射させて共振させ、前記第一の波長より短くかつ前記第二の波  長より長い第四の波長（特に６５０ｎｍ以上、７８５ｎｍ以下）で発振してこの第四の 波長のレーザー光を得る第二のレーザー発振器と、
前記第二のレーザー発振器内において前記第三の波長のレーザー光及び前記第四の波 長のレーザー光の光路上に配置され、前記第三の波長のレーザー光と前記第四の波長の  レーザー光とを前記第二のレーザー発振器内で合波して和周波混合し、前記第三の波長  より短い第五の波長（特に１９０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下）のレーザー光を発生して 分光する波長変換部と
を有する波長変換装置に係るものである。
【００１１】
本発明の波長変換装置によれば、前記第一のレーザー発振器からの前記第一の波長のレーザー光の波長変換により前記第二の波長のレーザー光（第２高調波）を得、このレーザー光を更に波長変換して前記第三の波長のレーザー光（第４高調波）を得、たとえば、前記第二の波長のレーザー光を用いて前記第二のレーザー発振器を発振させて前記第四の波長のレーザー光を得、この第四の波長のレーザー光と前記第三の波長のレーザー光とを前記第二のレーザー発振器内で和周波混合して前記第五の波長のレーザー光を得ているので、次の（１）〜（４）の顕著な効果を奏することができる。第二のレーザーの励起用には他の光源を利用することも可能である。
【００１２】
（１）繰り返し周波数の高い前記第五の波長（特に２００ｎｍ以下）のレーザー光を得ることができ、またそれによって合成石英等の硝材に与える損傷を小さくし、半導体露光装置等の装置寿命を長くすることができる。
（２）前記第一のレーザー発振器として赤外の固体レーザーを使用することができるため、フッ化アルゴンレーザーの如き有毒ガスを使用しないですみ、レーザー部品の寿命を長くすることができる。
（３）前記第三の波長のレーザー光と前記第四の波長のレーザー光とを前記第二のレーザー発振器内で（即ち、内部共振器として）和周波混合しているので、高い繰り返し周波数と、パルスの安定性とが両立しやすく、半導体露光装置等のスループットを高めることができる。
（４）外部共振器を用いず、また和周波発生において１波長のみ（自動的に）共振させることにより、外部共振器の場合のようなロッキング及びアクチュエータは不要となり、波長制御のアクチュエータは使用することはあっても、共振器に光を導入する目的で共振器光路長を厳密に合わせるための装備は不要となる。従って、全固体の紫外光源を実現し、信頼性、サイズ、メンテナンス、給排水設備等の問題を充分に向上させることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の波長変換装置においては、前記第一のレーザー発振器から出力されるレーザー光の４次高調波である前記第三の波長の光パルスと、前記第二のレーザー発振器から得られる前記第四の波長の光パルスとが、和周波混合により前記第五の波長のレーザー光を発生する前記波長変換部の非線形光学結晶中で、空間的及び時間的に充分重なる状態に保持されてよい。
【００１４】
或いは、前記第一のレーザー発振器から出力されるレーザー光の４次高調波である前記第三の波長の光パルスと、前記第二のレーザー発振器から得られる前記第四の波長の光パルスとが、前記第三の波長の光パルスと前記第四の波長の光パルスの間の光路差による遅延、又はＱスイッチレーザーのトリガーの遅延を利用して、和周波混合により前記第五の波長のレーザー光を発生する前記波長変換部の非線形光学結晶中で、空間的及び時間的に充分重なる状態に保持されるように、帰還回路が用いられてよい。
【００１５】
また、前記第一のレーザー発振器はＱスイッチレーザー、例えばインジェクションシードされたＱスイッチレーザーであってよい。
【００１６】
また、前記第一のレーザー発振器はＱスイッチレーザーであり、かつ、前記第二のレーザー発振器は連続波で励起されるものであってよい。
【００１７】
また、前記第二のレーザー発振器は連続波発振するものであり、或いは前記第一のレーザー発振器及び第二のレーザー発振器は、共に連続波レーザーであり、例えば前記第一のレーザー発振器及び第二のレーザー発振器は、共に単一周波数で発振する連続波レーザーであってよい。
【００１８】
また、前記第二のレーザー発振器は、注入出力が可変式であってよい注入用レーザー（マスターレーザー）を用いてインジェクションロッキング又はインジェクションシーディングされてよい。
【００１９】
前記和周波混合で得られる前記第五の波長は、フッ化アルゴンの中心波長である１９３．３±０．２ｎｍであり、また、前記第五の波長の出力光の波長幅が２０ｐｍ（ピコメートル）以下であることが望ましく、０．０５ｐｍ（ピコメートル）以上、１ｐｍ（ピコメートル）以下であるのが更に望ましい。
【００２０】
また、前記第二のレーザー発振器内に、波長選択手段を有するのがよい。
【００２１】
本発明に用いる前記第一のレーザー発振器は、ネオジミウムイオン又はイットリビウムイオンをはじめとする希土類イオンを含む固体のレーザー媒質を有するのがよく、例えば１０６４ｎｍで発振するＮｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＶＯ4 、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：Ｇｌａｓｓ、Ｙｂ：ＹＡＧのいずれかの媒質を有していてよい。そして、前記第一のレーザー発振器は、ネオジミウムイオンを含む固体のレーザー媒質を半導体レーザーで励起するものであってよい。
【００２２】
また、前記第二のレーザー発振器は、前記第一のレーザー発振器から出力されるレーザー光を波長変換して得られた５００ｎｍ以上、５５０ｎｍ以下の前記第二の波長のレーザー光を照射して励起されることができる。
【００２３】
前記第二のレーザー発振器は、チタンイオン又はクロムイオンを含むレーザー媒質を有するのがよく、例えばチタンサファイア結晶、Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ、Ｃｒ：ＬｉＣＡＦ又はアレクサンドライト結晶を有していてよい。
【００２４】
また、前記第二のレーザー発振器は、光パラメトリック過程に用いる非線形光学結晶を有するのがよい。また、前記第二の波長のレーザー光は、前記第一のレーザー発振器で発振するレーザー光の２次高調波であり、前記第三の波長のレーザー光は、前記第一のレーザー発振器で発振するレーザー光の４次高調波であるのがよい。
【００２５】
また、前記第二の波長のレーザー光を入射して前記第三の波長のレーザー光を出力する前記波長変換部は、ＢＢＯ（ベータ硼酸バリウム：β−ＢａＢ2 Ｏ4 ）結晶を少なくとも１つ有し、前記第三の波長のレーザー光と前記第四の波長のレーザー光を入射して前記第五の波長のレーザー光を出力する前記波長変換部は、ＢＢＯ（ベータ硼酸バリウム：β−ＢａＢ2 Ｏ4 ）結晶を少なくとも１つ有するのがよい。
【００２６】
また、前記第五の波長のレーザー光を出力する前記波長変換部は、ブリュースター角又はほぼブリュースター角でレーザー光を入射する非線形光学結晶を少なくとも１つ有するのがよい。
【００２７】
また、前記第二のレーザー発振器内に、少なくとも１つのＢＢＯ（ベータ硼酸バリウム：β−ＢａＢ2 Ｏ4 ）結晶又は少なくとも１つのＣＬＢＯ（ＣｓＬｉＢ6 Ｏ10）結晶を有するのがよく、例えば前記ＢＢＯ結晶のｃ軸に対して７０度以上、７７度以下の角度で位相整合をとることができる。
【００２８】
また、前記第二のレーザー発振器内に、チタンサファイア結晶とベータ硼酸バリウム結晶を共に有するのがよい。
【００２９】
なお、本発明の波長変換装置は、例えば、半導体露光装置用（ステッパ）の波長変換装置、光ディスク装置、光ディスク原盤作成装置、半導体検査装置、レーザープリンタなどの光エレクトロニクス分野におけるレーザー光波長変換装置として利用可能である。
【００３０】
次に、本発明の好ましい実施の形態を図面について説明する。
【００３１】
図１は、本発明の第１の実施の形態によるレーザー光発生装置を示すものである。
【００３２】
本実施の形態によるレーザー光発生装置は、例えば、一般に市販されている１台のＮｄ：ＹＡＧレーザー発振器から出力される１０６４ｎｍの赤外光から２次高調波を発生し、これを用いて４次高調波を発生し、変換されない２次高調波をチタニウムサファイアレーザー励起に用いている。さらに、４次高調波をチタニウムサファイアレーザーの共振器中に配置したＢＢＯ結晶に入射して、チタニウムサファイアレーザー光の強い共振器内強度を利用して、効率のよい１９３ｎｍ付近の紫外光を発生するものである。ここでは、１台の市販のレーザーから目的の紫外光を有効に発生させることができるので、コスト、効率の点で有利である。Ｎｄ：ＹＡＧ−Ｑスイッチパルスレーザーを用いた例について述べるが、パルスの時間タイミングの部分を除き、連続波レーザーについても同様の構成が可能であり、また、Ｎｄ：ＹＡＧレーザー以外のレーザーや、ＢＢＯ結晶に限らず、他の非線形光学結晶にも適用可能である。
【００３３】
図１に示すレーザー光発生装置の構成について説明する。図中の１は、１．０６μｍ（１０６０ｎｍ）で発振するＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザーであり、このレーザーからの出射光２が、光学レンズ１７を通して波長変換部３に導かれ、ここで４で示されたＬＢＯ（ＬｉＢ3 Ｏ5 ）等の非線形光学結晶により波長５３２ｎｍの２次高調波５に変換される。
【００３４】
さらに、この出力光は、必要に応じて、ダイクロイックミラー１０’で基本波（１．０６μｍ）が分離された後、波長変換部６で例えばＢＢＯ等の非線形光学結晶７を用いて２６６ｎｍの４次高調波８に変換される。現在、平均５〜１０ワットのＮｄ：ＹＡＧレーザーから、１ワット以上の平均出力を有する４次高調波を得た報告が多数あり、今後は１０ワット以上得られるものと期待される。
【００３５】
２次高調波５の一部は４次高調波８に変換されるが、一部９は変換されない。これらは、偏光子またはダイクロイックミラー１０により分離される。この２次高調波９を用いてチタニウムサファイアレーザー１１を励起する。
【００３６】
１２はチタニウムサファイア結晶であり、図２で示される吸収、発光特性を有する（W. Koechner,“Solid State Laser Engineering ”, 2nd.Ed,Springer Verlag, (1988)参照）。グレーティング、プリズム、エタロン、インジェクションシーディング等の適当な波長選択手段１３によって、およそ７００ｎｍで発振できるようになっている。共振器（レーザー）を形成するミラー１４としてこの波長（およそ７００ｎｍ）において高反射率を有するものを用いれば、チタニウムサファイアレーザー１１は効率よく発振して、内部パワーは極めて大きくなる。
【００３７】
この共振器１１中において、ミラー１０、１４等により４次高調波８を導き、ＢＢＯ等の非線形光学結晶１５上で（パルスの場合はタイミングが合うように時間を調整して）和周波１６を発生させることにより、１９０ｎｍ付近の紫外光１８を効率よく発生させることが可能になる。パルスのタイミングを合わせるためには、簡単な例として、ミラー１０とＢＢＯ結晶１５の間にミラー（図示せず）を入れて光路長を長くすることや、チタニウムサファイアレーザー１１の立ち上がり時間を短くすること等が考えられる。安定化のためには、後述するように、２台のレーザーのスイッチのタイミングをトリガーパルスの時間遅延で合わせる方法も有効である。
【００３８】
図１の例では、非線形光学結晶１５がブリュースターカットされており、入射光の表面反射を防止すると同時に、分散特性により、２つの波長の入射光の合波と、チタニウムサファイアレーザーの発振波長選択とを同時に行うことが可能である。
【００３９】
元になるレーザー１として、連続波のＮｄ：ＹＡＧレーザー（１０６４ｎｍ）又は連続波のＮｄ：ＹＡＧの２次高調波レーザー（通常５３２ｎｍ）を用いる場合は、波長変換部には外部共振器を用いた波長変換の手法を用いることにより変換効率を高くすることも可能である。また、和周波発生段階で、ＢＢＯ結晶１５の端面をブリュースターカットにして、複数の波長の光を合波、分光している。但し、ダイクロイックミラー、グレーティングやプリズムを使用して同様の目的を達成することも可能であり、図１で示された構成に限られるものではない。また、応用分野によっては、波長、波長幅等に制限が設けられることがあり、こうした場合、元になるレーザーとして、単一周波数レーザーやその増幅されたレーザー、インジェクションシードされたＱスイッチレーザーや、インジェクションロックされた単一周波数レーザーを用いる必要もある。
【００４０】
図３は、本発明の第２の実施の形態によるレーザー光発生装置を示すものである。
【００４１】
本実施の形態によるレーザー発生装置は、例えば、２台のＱスイッチレーザーを用いて、１９０ｎｍ付近の紫外光を発生する装置である。図中の２０はパルスジェネレータ等のトリガーパルス発生装置であり、２０から発生したトリガーパルスは２方向に出力される。さらに、２台のＱスイッチに入力されるＲＦ信号を共通化することで、２台のＱスイッチパルスの立上り時間のばらつきを低減することも可能である。
【００４２】
即ち、ケーブル２３を経由してＮｄ：ＹＡＧレーザーからなるＱスイッチレーザー１’の外部トリガー入力となり、一方、Ｑスイッチレーザー１に向かうトリガーパルスは、遅延発生器２１により時間遅れを生じた後にケーブル２２を経由してＱスイッチレーザー１のトリガー入力になる。トリガーパルス発生装置２０はＱスイッチレーザー１’に内蔵の装置であってもよく、その出力を遅延発生器２１により遅延を与えてＱスイッチレーザー１に入力してもよい。いずれの方法によっても、Ｑスイッチレーザー１は、Ｑスイッチレーザー１’のトリガー出力、もしくは、Ｑスイッチレーザー１’に与えられるトリガーパルスに一定の遅延（又は進み）を与えてトリガーされたＱスイッチパルスを出力する。
【００４３】
Ｑスイッチレーザー１’の出力光２’は、波長変換部３’に配置された非線形光学結晶（ＬＢＯ）等の波長変換素子４’により２次高調波５’に変換される。２次高調波５’は、必要に応じてダイクロイックミラー１０”によって基本波（１．０６μｍ）を分離された後、複数のミラー１４とチタニウムサファイア結晶１２とにより構成されるチタニウムサファイアレーザー１１の励起に使用される。チタニウムサファイアレーザー１１は、励起パルスが入力後、条件によって変化する立ち上がり時間経過後にパルス発振を開始する。
【００４４】
他方、Ｑスイッチレーザー１の出力は、波長変換部３に配置された非線形光学結晶等の波長変換素子４により２次高調波５に変換される。
【００４５】
２次高調波５は、必要に応じて、ダイクロイックミラー１０’によって基本波（１．０６μｍ）が分離された後、続く波長変換部６に配置されたＢＢＯをはじめとする非線形光学素子等の波長変換素子７により４次高調波８に変換される。ダイクロイックミラー１０は、必要に応じて、４次高調波を選択的に反射する機能をもつように設定する。
【００４６】
ここで、チタニウムサファイアレーザー１２は平行平面により構成されているが、両面がブリュースターカットされているものでもよい。図３では、ＢＢＯ等の波長変換素子１５がブリュースターカットされていて、波長の異なる光の合波・分離機能を有しているが、平行平面の波長変換素子１５とプリズム、ダイクロイックミラー、グレーティング等の素子の組み合わせでも代用可能である。
【００４７】
波長変換部１５で効率よく和周波混合を起こし、所望の短波長光１８を得るためには、和周波発生出力は、４次高調波８の強度とチタニウムサファイアレーザー１２の共振器１１内のパルス強度との積にほぼ比例するから、この波長変換部１５に到達するパルスの時刻がほぼ同一でなければならない。
【００４８】
遅延発生器２１による遅延量をτ、トリガーのケーブル伝送時間差（１に対する１’の遅れ）をτ０、２台のレーザー１、１’の立ち上がり時間の差（１に対する１’の遅れ）をτ１、パルス発生から波長変換部１５までの光の伝搬距離の差による時間差（１に対する１’の遅れ）をτ２、チタニウムサファイアレーザー１１の立ち上がり時間をτ３とすると、４次高調波８のパルスの波長変換部１５への到達からτ０＋τ１＋τ２＋τ３−τ後に、チタニウムサファイアレーザー１１が立ち上がって波長変換部１５上に到達する。
【００４９】
Ｑスイッチパルス幅の典型的な値Δｔは５ナノ秒から１００ナノ秒であり、
｜τ０＋τ１＋τ２＋τ３−τ｜＞Δｔ
の場合、２つのパルスの通過時刻がずれるので効率が低下する。しかし、（τ０＋τ１＋τ２＋τ３−τ）が０に近いとき、２つのパルスの重なりが大きくなって、波長変換部１５における変換効率を大きくできる。
【００５０】
従って、τ０＝τ−τ１−τ２−τ３となるようにトリガーパルスにケーブル遅延を与えるか、光路差をτ２＝τ−τ０−τ１−τ３となるようにとってもよく、組み合わせによってさらに複数のアプローチがある。しかし、一度レーザーを組み立ててしまうと、τ０、τ１、τ２を変化させるよりも、遅延発生器２１の遅延量τを電気的に制御する方が容易なことが多い。即ち、
τ＝τ０＋τ１＋τ２＋τ３
となるように、τ（通常＞０）を設定すればよい。
【００５１】
さらに、出力光１８が最大位置で安定になるように、位相遅延量τに小さな振動を与える等の方法により極性付き誤差信号を発生させ、これにより遅延量τを常に合わせ込む帰還回路を設定すると、安定に出力光１８を大きくとることが可能になる。
【００５２】
このほか、チタニウムサファイアレーザー１１に、所望の波長で発振する低出力のレーザーを用いてインジェクションシーディングを行うことにより、τ３を小さくしたり、シードレーザーの光量や周波数を変化させることにより、安定に出力１８を大きくとることが可能になる。
【００５３】
なお、図１及び図３の例では、チタニウムサファイアレーザー共振器１１として定在波型共振器を挙げられるが、リング型共振器にすることも可能である。特に、一方向に進行するリング型共振器を用いれば、安定性、効率上昇にも効果があると期待される。また、レーザー、波長変換で使用される非線形光学結晶等も、上述した例以外にも様々な選択が可能である。
【００５４】
以上に説明した本発明の各実施の形態によるレーザー光発生装置はいずれも、レーザー発振器１からの波長１．０６μｍのレーザー光２の波長変換により波長５３２ｎｍの２次高調波５を得、このレーザー光を更に波長変換して波長２６６ｎｍの４次高調波８を得、上記２次高調波５、又はレーザー発振器１’のレーザー光２’の波長変換による波長５３６ｎｍのレーザー光５’を用いてチタニウムサファイアレーザー発振器１１を発振させて波長約７００ｎｍのレーザー光を得、このレーザー光と波長２６６ｎｍのレーザー光８とをレーザー発振器１１内で非線形結晶１５上にて和周波混合して波長１９０ｎｍ付近のレーザー光１８を得ているので、次の（１）〜（４）の顕著な効果を奏することができる。
【００５５】
（１）繰り返し周波数の高い２００ｎｍ以下のレーザー光１８を得ることができ、またそれによって合成石英等の硝材に与える損傷を小さくし、半導体露光装置等の装置寿命を長くすることができる。
（２）レーザー発振器として赤外の固体レーザーを使用することができるため、フッ化アルゴンレーザーの如き有毒ガスを使用しないですみ、レーザー部品の寿命を長くすることができる。
（３）波長２６６ｎｍのレーザー光８と波長７００ｎｍのレーザー光とをレーザー発振器１１内で（即ち、内部共振器として）和周波混合しているので、高い繰り返し周波数と、パルスの安定性とが両立しやすく、半導体露光装置等のスループットを高めることができる。
（４）外部共振器を用いず、また和周波発生において１波長のみ（自動的に）共振させることにより、外部共振器の場合のようなロッキング及びアクチュエータは不要となり、波長制御のアクチュエータは使用することはあっても、共振器に光を導入する目的で共振器光路長を厳密に合わせるための装備は不要となる。従って、全固体の紫外光源を実現し、信頼性、サイズ、メンテナンス、給排水設備等の問題を充分に向上させることができる。
【００５６】
次に、上記した波長変換素子について具体的な構成物質や物性上の数値を挙げて説明する。
【００５７】
レーザーとして１０６４ｎｍで発振するＮｄ：ＹＡＧレーザー、７００ｎｍ付近で発振するレーザーとしてチタニウムサファイアレーザー、非線形光学結晶としてＬＢＯ（ＬｉＢ3 Ｏ5 ）を２次高調波発生に、ＢＢＯ（β−ＢａＢ2 Ｏ4 ）を４次高調波発生に利用する場合について説明する。
【００５８】
ＬＢＯを用いてＮｄ；ＹＡＧレーザーの２次高調波を効率よく発生する手法として、常温でタイプ１の位相整合をとる方法もあるが、ウォークオフの影響で変換効率がやや低くなったり、出力ビームのビーム形状の対称性が下がる等の短所がある。
【００５９】
これを防ぐ方法としては、ＬＢＯ結晶をおよそ１５０℃に加熱して保ち、タイプ１の位相整合をとる方法が知られている（図４参照）。この方法の場合、ウォークオフの影響を小さくして（なくして）効率の良い波長変換が可能であり、出力ビームも入射ビームの対称性をほぼ保存する。
【００６０】
ＬＢＯの屈折率の波長分散は、例えば文献「K. Kato, JQE QE-30, No.12, p2950(1994)」に紹介されている。この文献を元に、波長１０６４ｎｍのｂ軸偏光屈折率と、５３２ｎｍのｃ軸偏光屈折率を計算すると、
ｎｂ（１０６４）＝ｎｃ（５３２）＝１．６０５３（＠約１５０℃）
となる。
【００６１】
ここで、軸方向の選び方は、１０６４ｎｍにおいて屈折率の小さい方から、ａ軸、ｃ軸、ｂ軸となるように選択した。この方向の位相整合の場合、文献「Handbook of Nonlinear Optical Crystals, V. G. Dmitriev et. al., eds., Springer-Verlag,(1991)」を参照すると、２次の非線形光学定数ｄeff の絶対値はおよそ０．８５×１０-12 ｍ／Ｖの値を有するとされる。図３の例では、温度を約１５０℃に保つオーブン等の装置を簡単のため省略している。
【００６２】
効率を最大にするには、結晶内でのビーム直径を選ぶ必要がある。これは、文献「J. D. Boyd and D. A. Kleinman, J. Appl. Phys, vol.39, p3597, (1968),及び、ＵＳＰ−３５３０３０１」に詳しい。図３の例では、これら文献中でＢ＝０の場合（ウォークオフ＝０）にあたるから、フォーカシングパラメーターζが２．８４に近い値で効率が最大になる。しかし、パルス入力で変換効率がおよそ２０％を越える場合は、１０６４ｎｍの基本波が結晶中で変換されて減衰する効果が無視できなくなるので、多少最適値のずれが観察される。ウォークオフのある場合、最適点はさらにずれるが、この効果は、「久保田重夫他、特願平８−１３３６６９号」で述べられている。
【００６３】
次に、ＢＢＯを用いた４次高調波発生について述べる。ＢＢＯは一軸結晶でその常光線、異常光線に対する屈折率分散（セルマイヤーの式）は、文献「K. Kato, IEEE JQE, Vol. QE-22, p1013, (1986)」等にも与えられている。
【００６４】
測定値と文献「D. Eimerl, et al, J. Appl. Phys, Vol.62, p1968, (1987)」の温度特性のデータによると、Ｔを摂氏温度として
ｎ2 x ＝2.73628 ＋｛0.0188366 ／（λ2 −0.0174084)｝−0.0142199 λ2 −1.66×10-5（Ｔ−２５）
ｎ2 Z ＝2.37061 ＋｛0.0127987 ／（λ2 −0.0153556)｝−0.00337865λ2 −0.93×10-5（Ｔ−２５）
で与えられる。常温付近（Ｔ＝２５℃）において、
【式１】
0003997450.tif 000002
となるｃ軸からの光軸方向θ（位相整合角）は、約４７°となる。
【００６５】
また、チタニウムサファイアレーザーは、サファイア結晶中にチタンイオン（Ｔｉ3+）がドープされているレーザー結晶を用い、文献「P. F. Moulton, Laser Fucus Vol.14, p83, May 1983」に示すように、およそ４００ｎｍから６００ｎｍの光を吸収して、８００ｎｍを中心に６５０ｎｍから１０００ｎｍの光を発光する（図２参照）。
【００６６】
一例として、約１９３ｎｍ光発生のために
λ＝１／（１／２６６−１／１９３）（ｎｍ）
に従って、およそ７００ｎｍの波長で発振させる。７００ｎｍでは図２に示すように発振線の中心からややずれており、ピークの半分程度の利得になる。
【００６７】
波長の選択は例えばプリズムで行う。このほか、複屈折フィルター、グレーティング、エタロン、ダイクロイックミラー等を組み合わせて使用することも多い。パルスで立ち上がり時間を短くしたり、単一モードの波長制御等を行いたいときは、所望の波長で発振する単一モードの半導体レーザー等を用いてインジェクションシーディングするのが有効である。
【００６８】
元の赤外レーザーとしてＮｄ：ＹＬＦの１０４７ｎｍの発振を利用した場合、４次高調波の波長は２６１．８ｎｍになり、チタニウムサファイアレーザーの波長は
λ＝１／（１／２６１．８−１／１９３）（ｎｍ）
から、約７３５ｎｍとなる。この波長は、利得中心にやや近付くので利得も大きくなり有利である。
【００６９】
また、元の赤外レーザーとしてＹｂ：ＹＡＧの１０３０ｎｍ付近の発振を利用した場合、４次高調波の波長は２５７．５ｎｍになり、チタニウムサファイアレーザーの波長は
λ＝１／（１／２５７．５−１／１９３）（ｎｍ）
から、約７７０ｎｍとなり、利得中心にさらに近付くので有利である。
【００７０】
また、最終段階の波長１９３ｎｍのレーザー光発生過程には、ＢＢＯまたはＣＬＢＯ（ＣｓＬｉＢ6 Ｏ10）が適している。連続波またはＱスイッチパルスでも、およそ１ｋＨｚを越える繰り返し周波数においては、熱特性に優れるＢＢＯが適している。一方、繰り返し周波数の低いパルス光に対しては、ＣＬＢＯが適しているといわれる。これ以外にもＫＢ５等の結晶があり、使用可能ではある。まず、ＢＢＯを用いる場合を考える。
【００７１】
簡単のため、Ｎｄ：ＹＡＧの１０６４ｎｍの発振を元にした４次高調波で、波長が２６６ｎｍのレーザー光と、チタニウムサファイアレーザーを、和周波混合する場合について述べる。
【００７２】
この場合、前述の屈折率分散（セルマイヤーの式）により、常温において
ｎO （２６６ｎｍ）＝１．７５７３７
ｎO （７０３ｎｍ）＝１．６６３９６
ｎe （１９３ｎｍ）＝１．７３１９１（波長外挿）
であり、位相整合角はおよそ７３．５°となる。測定誤差及びばらつきを考慮して±３．５度程度の範囲をもたせると７０度から７７度となる。
【００７３】
変換効率を上げるためには、近赤外光と深紫外光の強度を上昇させることが必要である。その手段の１つとして、チタニウムサファイアレーザーの共振器中にＢＢＯ結晶を配置することが考えられる。ＢＢＯ中で、２６６ｎｍの光と約７００ｎｍの光（できれば、互いに近いコンフォーカルパラメータを有して）の重なりを良くすることが、効率上昇には欠かせない。
【００７４】
文献「D. J. Berkland et al, Applied Optics, Vol.36, p4159, 1997 」でも同様の手法が利用され、２波長の外部共振器が構成されているが、例えばＢＢＯの端面をブリュースターカットすることにより、分散を利用してチタニウムサファイアレーザーの光路と、２６６ｎｍ光の光路がＢＢＯの中で重なり、外では分離できる。図５に示すこの方法では、チタニウムサファイアレーザーを発振させながら、２６６ｎｍの光をＢＢＯに注入して、和周波発生の効率を上昇できる。しかし、発生した１９３ｎｍの光に対してブリュースター面の偏光がｓ偏光になるので、反射損が発生し、場合によっては損傷の原因になりやすい。
【００７５】
なお、図５ではブリュースターカットのＢＢＯについて３波長の光線の様子を示す。屈折角の差を多少事実より誇張して記述してある。また、波長は代表的数字を記したが、４次高調波の波長が短いときは、約７００ｎｍのレーザー光と記した部分は７８５ｎｍ程度まで変化させて所望の紫外光を得ることになる。
【００７６】
しかも、上記の文献では、アルゴンイオンレーザー（波長５１５ｎｍ）の２次高調波（波長２５７ｎｍ）と、７９２ｎｍの増幅された半導体レーザー光をＢＢＯ結晶に入射して１９４ｎｍの和周波を２ｍＷ程度発生させている。ＢＢＯ結晶は、２５７ｎｍ光の外部共振器と、７９２ｎｍの外部共振器の両方の共有位置に置かれるように配置される。これは、ブリュースター角にカットされたＢＢＯ結晶の分散による屈折角の差を利用して、２つの外部共振器の光路を分離したものである。従って、和周波発生手段だけで、２波長で同時に外部共振器のロッキングをかける回路や、アクチュエータを備えることが必要となる。
【００７７】
これに対し、本発明に基づく装置は、固体レーザーの２次高調波を利用して、４次高調波発生と、チタニウムサファイアレーザーの共振とを同時に行い、チタニウムサファイアレーザーのレーザー共振器内に和周波発生用のＢＢＯを配置している。従って、上記文献と比べて、固体レーザーとガスレーザーの差異、波長が異なる点に加え、いわゆる外部共振器を用いていない点、和周波発生では１波長のみ（自動的に）共振している点で方式が大きく異なる。この相違により、全固体の紫外光源が実現でき、信頼性、サイズ、メンテナンス、給排水設備等で充分な長所を有する。しかも、共振器に光を導入する目的で共振器光路長を厳密に合わせ込むための装備は不要となる点でも有利である。
【００７８】
次に、Ｎｄ：ＹＡＧ以外のレーザーを元にした場合について述べる。
【００７９】
１０６４ｎｍで発振するＮｄ：ＹＡＧの４次高調波の波長は２６６ｎｍであり、これを用いて、例えば１９３．３ｎｍの紫外光を得ようとすると、最終段階の和周波混合で必要なレーザーの波長は、約７０７ｎｍになり、Ｔｉ：Sapphire（チタニウムサファイア）レーザーを用いることになる。
【００８０】
しかるに、例えばＮｄ：ＹＬＦレーザーの１０４７ｎｍの発振を利用すれば、４次高調波は２６１．８ｎｍとなり、１９３．３ｎｍ光を得るのに必要なレーザー波長は約７３９ｎｍとなる。必要な波長が約３０ｎｍ伸びると、図６に示すように、利用できるレーザーの種類が増え（「固体レーザー」，小林喬郎編，日本分光学会  測定法シリーズ３７，ｐ６２，学会出版センター，１９９７参照）、例えばＣｒ：ＬｉＣＡＦ等も利用できるようになり、特に連続波発生には効率が高い等の有利な点を利用できる。但し、連続波では、Ｃｒイオン系のレーザーは蛍光寿命が長く、効率も良い反面、パルスの場合、立ち上がり時間が遅くなり易い。
【００８１】
また、Ｙｂ：ＹＡＧを約１０３０ｎｍで利用すれば、その４次高調波は２５７．５ｎｍであり、約７７５ｎｍのレーザーにより１９３．３ｎｍの紫外光を発生可能である。この付近の波長では、Ｔｉ：Sapphire、Ｃｒ：ＬｉＣＡＦ等のレーザーは一般的に効率が上昇するため、システムの効率を高める効果がある。図６はこの様子を示す。一方で、Ｙｂ：ＹＡＧは比較的最近になって精力的に開発が行われて来ている段階であり、また、疑似３準位レーザーであるために、発振効率の温度依存性が大きくなり易い。
【００８２】
およそ７００ｎｍの波長で発振するチタニウムサファイアレーザー等に代わって、光パラメトリック発振を用いても良く、この場合、立ち上がり時間が短くなる効果がある。共振器を形成し、その中に非線形光学結晶を位相整合条件を満たす方向に光が伝搬するように配置し、例えば５３２ｎｍの光で励起すると、およそ７００ｎｍの光とおよそ２μｍの光を発生させることが可能である。７００ｎｍで高反射なミラーは通常、その３倍の波長においても反射率が高くなるから、パラメトリック発振器のしきい値を下げることが容易である。
【００８３】
以上、本発明の好ましい実施の形態を説明したが、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではない。
【００８４】
【発明の作用効果】
本発明の波長変換装置によれば、前記第一のレーザー発振器から前記第一の波長のレーザー光の波長変換により前記第二の波長のレーザー光（第２高調波）を得、このレーザー光を更に波長変換して前記第三の波長のレーザー光（第４高調波）を得、前記第二の波長のレーザー光を用いて前記第二のレーザー発振器を発振させて前記第四の波長のレーザー光を得、この第四の波長のレーザー光と前記第三の波長のレーザー光とを前記第二のレーザー発振器内で和周波混合して前記第五の波長のレーザー光を得ているので、繰り返し周波数の高い２００ｎｍ以下のレーザー光を得て合成石英等の硝材に与える損傷を小さくし、半導体露光装置等の装置寿命を長くすること；有毒ガスを使用せず、レーザー部品の寿命を長くすること；高い繰り返し周波数と、パルスの安定性とを両立させて、半導体露光装置等のスループットを高めること；全固体の紫外光源を実現し、信頼性、サイズ、メンテナンス、給排水設備等の問題を充分に向上させること；がそれぞれ可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に基づくレーザー光発生装置の要部概略図である。
【図２】同、レーザー発生装置に用いるチタニウムサファイアの吸収、発光特性を示すスペクトル図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に基づくレーザー光発生装置の要部概略図である。
【図４】ＬＢＯ結晶による２次高調波発生の説明図である。
【図５】ブリュースターカットのＢＢＯ結晶での和周波混合の説明図である。
【図６】各種の固体レーザー材料とその特性を比較して示す図である。
【符号の説明】
１、１’…ＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザー、２、２’…出射光、
３、３’、６…波長変換部、４、４’…非線形光学結晶（ＬＢＯ等）、
５、５’、９…２次高調波、７、１５…非線形光学結晶（ＢＢＯ等）、
８…４次高調波、１０、１０’、１０”…ダイクロイックミラー、
１１…チタニウムサファイアレーザー等、
１２…チタニウムサファイア結晶等、１３…波長選択手段、１４…ミラー、
１６…和周波、１７…レンズ、１８…紫外光、
２０…トリガーパルス発生装置、２１…遅延発生器、２２、２３…ケーブル
【図１】
0003997450.tif 000003
【図２】
0003997450.tif 000004
【図３】
0003997450.tif 000005
【図４】
0003997450.tif 000006
【図５】
0003997450.tif 000007
【図６】
0003997450.tif 000008