(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
転移点温度が750℃以上であるガラスであり、かつ
(1) 36.5〜50モル%のSiO2、15〜33モル%のAl2O3、5〜25モル%のMgO及び5〜21モル%のCaOを含有するSiO2−Al2O3 −MgO−CaO系ガラス、
(2) 40〜48モル%のSiO2、22〜32モル%のAl2O3 、17〜30モル%のMgO及び1〜8モル%のY2O3 を含有するSiO2−Al2O3 −MgO −Y2O3系ガラス、
(3) 35〜40モル%のSiO2、32〜35モル%のAl2O3 、19〜25モル%のCaO及び3〜8モル%のY2O3を含有するSiO2−Al2O3 −CaO−Y2O3系ガラス、および
(4) 35〜45モル%のSiO2、7.5〜33モル%のAl2O3、7〜30モル%のMgO、3〜18モル%のCaO及び3〜7.5モル%のY2O3を含有するSiO2−Al2O3 −MgO−CaO−Y2O3系ガラス
からなる群から選ばれるいずれかのガラスであることを特徴とする情報記録媒体用基板。
【請求項２】
前記ガラスがSiO2−Al2O3 −MgO−CaO系ガラスである請求項１に記載の情報記録媒体用基板。
【請求項３】
前記SiO2−Al2O3 −MgO−CaO系ガラスがY2O3、TiO2、ZrO2、Li2O、As2O3及びCr2O3からなる群の少なくとも１つをさらに含有する請求項２に記載の情報記録媒体用基板。
【請求項４】
前記ガラスがSiO2−Al2O3 −MgO −Y2O3系ガラスである請求項１に記載の情報記録媒体用基板。
【請求項５】
前記SiO2−Al2O3 −MgO −Y2O3系ガラスがTiO2、ZrO2、Li2O、As2O3及びV2O5からなる群の少なくとも１つをさらに含有する請求項４に記載の情報記録媒体用基板。
【請求項６】
前記ガラスがSiO2−Al2O3 −CaO−Y2O3系ガラスである請求項１に記載の情報記録媒体用基板。
【請求項７】
前記SiO2−Al2O3 −CaO−Y2O3系ガラスがTiO2、ZrO2、Li2O及びSb2O3からなる群の少なくとも１つをさらに含有する請求項６に記載の情報記録媒体用基板。
【請求項８】
前記ガラスがSiO2−Al2O3 −MgO−CaO−Y2O3系ガラスである請求項１に記載の情報記録媒体用基板。
【請求項９】
前記SiO2−Al2O3 −MgO−CaO−Y2O3系ガラスがTiO2、ZrO2、Sb2O3及びAs2O3からなる群の少なくとも１つをさらに含有する請求項８に記載の情報記録媒体用基板。
【請求項１０】
高い表面平滑性を有する請求項１〜９のいずれか１項に記載の情報記録媒体用基板。
【請求項１１】
情報記録媒体が磁気ディスクである請求項１〜１０のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の基板上に、少なくとも磁性層を有することを特徴とする磁気ディスク。
【請求項１３】
磁性層が加熱処理により保磁力を高めた磁性層である請求項１２に記載の磁気ディスク。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の基板上に少なくとも磁性層を形成した後、前記基板を構成するガラスの転移点温度より少なくとも４０℃低い温度で熱処理して磁性層の保磁力を高める工程を有することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【請求項１５】
前記基板を構成するガラスが、赤外線吸収特性を付与する着色剤をさらに含み、前記熱処理を、加熱ランプ照射により行う請求項１４に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク、光ディスク等の情報記録媒体に用いられる基板に適したガラスからなる材料関する。特に、平坦性及び強度に優れたガラスからなる材料であって、高い耐熱性を有し、磁性層の保磁力を向上させるため、より高い温度での熱処理にも耐え得る磁気記録媒体ディスク等の情報記録媒体用の基板材料、その材料を用いた基板、さらにこの基板を用いた情報記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、例えば、磁気ディスク（ハードディスク）用のガラス基板としては、基板表面をイオン交換で強化した化学強化ガラスや、基板表面に結晶化処理を施した結晶化ガラス基板が知られている。
例えば、化学強化ガラス基板として、特開平１−２３９０３６号公報（以下先行技術１という）には、重量％でSiO2を６０〜７０％、Al2O3 を０．５〜１４％、R2O （ただしＲはアルカリ金属）を１０〜３２％、ZnO を１〜１５％、B2O3を１．１〜１４％含むガラスをイオン交換することにより強化した磁気記録媒体用ガラス基板が開示されている。
また、結晶化ガラスとして、特開平７−１８７７１１号公報（以下先行技術２という）に、重量％で、SiO2を５０〜６５％、CaO を１８〜２５％、Na2Oを６〜１１％、K2O を６〜１２％、Al2O3 を０〜２．５％、Ｆを５〜９％含み、主結晶としてカナサイトを含む磁気記録媒体用ガラス基板が開示されている。
さらに、特開平８−１６９７２４号公報（以下先行技術３という）には、SiO2−Al2O3 −RO（ただしＲは二価金属）系ガラスにおいて、必須成分の合計量が重量％で、SiO2＋Al2O3 35〜55％で、CaO ＋BaO 40〜60％a 含有する組成であって、転移温度(Tg)が650 ℃以上であって、かつ熱膨張係数（α）が80〜110 ×10-7／℃の範囲である磁気記録媒体ディスク等に用いられる高膨張耐熱ガラスが開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、磁気記録媒体は、年々、高記録密度化が進められており、そのため、磁気記録媒体用ガラス基板の物性にも種々の要求がある。その１つに高い耐熱性がある。磁気記録媒体の記録密度を高めるために、磁性層（磁気記録層）の保磁力等の磁気特性を高める必要がある。磁性層の保磁力は、使用する磁性材料によっても変化するが，同一の材料であっても、熱処理をすることで高めることができる。そのため、新たな磁性材料の開発とは別に、現有の材料を用いてより高い保磁力を得る目的で、基板上に形成した磁性層をより高い温度で熱処理することが望まれる。
【０００４】
しかしながら、先行技術１に開示されているような従来の化学強化ガラスは、ガラス転移点が５００℃前後である。それに対して、磁性層の保磁力等の磁気特性の向上のためには、５００℃より、さらに高い温度での熱処理が有効である。従って、先行技術１に記載の化学強化ガラスではガラス自体の耐熱性が十分である。また、化学強化ガラスは、一般にガラスの表面にアルカリ金属イオンのイオン交換層を設けたものである。ところが、化学強化ガラスの表面に磁性層を形成し、熱処理を施すと、イオン交換層中のイオンが磁性層に移動して悪い影響を与えるという問題もある。アルカリ金属イオンの磁性層への移動は温度が高くなる程活発になる。このようなアルカリ金属イオンの移動を抑制するためには、さらに低い温度での熱処理が好ましい。化学強化ガラス基板を用いて、高い温度での熱処理による磁気特性の向上は難しく、高保磁力を有する磁気記録媒体を得ることが困難である。
【０００５】
さらに、先行技術２に開示されているような従来の結晶化ガラスは、転移を起こさないために耐熱性は優れている。しかし、磁気記録媒体用ガラス基板は、高記録密度になればそれだけ、表面の平滑性が要求される。これは、磁気記録媒体の高密度記録化のために磁気ヘッドの低浮上化が必要だからである。しかるに、結晶化ガラスは、多数の微細粒子を含有することから、表面粗さ（Ra）を１０Å以下にすることは不可能である。その結果、表面の平坦性が乏しく、磁気ディスクの表面形状が悪化する。また、磁気ヘッドの磁気ディスクへの吸着を防止する目的で、例えば基板上に形成する凹凸制御層を形成等を行う。しかし、結晶化ガラスを用いた基板では、凹凸制御層の表面モホロジーの制御が困難であるという問題もある。
【０００６】
先行技術３に記載のガラスは、最高で７３０℃の転移温度を有するものである。通常、ガラス基板は、その形状を変化させることなく熱処理するために、転移温度より約４０℃以上低い温度での処理が必要である。従って、上記７３０℃の転移温度を有するガラスは、最高で６８０℃での熱処理に耐え得る。ところが、次世代の磁気記録媒体においては、より過酷な磁気特性が要求され、その結果、さらに高い温度、例えば、７００℃を超える温度での熱処理が必要となる。従って、上記先行技術３に記載のガラスでは、そのような熱処理に耐え得ない。
【０００７】
尚、耐熱性が優れた基板としては、例えば特開平３―２７３５２５号公報に開示されているような磁気記録媒体用のカーボン基板がある。しかしカーボン基板は、ガラスよりも機械的強度が劣り、磁気ディスクの小型化が進むにあたり要求されている基板の薄板化に対応することが困難である。
【０００８】
本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、本発明の第１の目的は、表面の平坦性及び機械的強度に優れたガラスからなる情報記録媒体用基板に適した材料であって、磁性層の磁気特性向上のためのより高い熱処理にも耐え得る優れた特性を有する材料と、この材料を用いた基板を提供することにある。
さらに、本発明の第２の目的は、磁気ヘッドの低浮上化、即ち高密度記録化が達成でき、さらに基板の薄板化、即ち小型化が達成でき、さらに磁気特性の向上を最大限達成することができる磁気記録媒体及びその製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための発明は、
転移点温度が750℃以上であるガラスであり、かつ
(1) 36.5〜50モル%のSiO2、15〜33モル%のAl2O3、5〜25モル%のMgO及び5〜21モル%のCaOを含有するSiO2−Al2O3 −MgO−CaO系ガラス、
(2) 40〜48モル%のSiO2、22〜32モル%のAl2O3 、17〜30モル%のMgO及び1〜8モル%のY2O3 を含有するSiO2−Al2O3 −MgO −Y2O3系ガラス、
(3) 35〜40モル%のSiO2、32〜35モル%のAl2O3 、19〜25モル%のCaO及び3〜8モル%のY2O3を含有するSiO2−Al2O3 −CaO−Y2O3系ガラス、および
(4) 35〜45モル%のSiO2、7.5〜33モル%のAl2O3、7〜30モル%のMgO、3〜18モル%のCaO及び3〜7.5モル%のY2O3を含有するSiO2−Al2O3 −MgO−CaO−Y2O3系ガラスからなる群から選ばれるいずれかのガラスであることを特徴とする情報記録媒体用基板 (請求項1)である。さらに本願発明は、上記本願発明の基板上に、少なくとも磁性層を有することを特徴とする磁気ディスク(請求項1３)、及び上記本願発明の基板上に少なくとも磁性層を形成した後、前記基板を構成するガラスの転移点温度より少なくとも４０℃低い温度で熱処理して磁性層の保磁力を高める工程を有することを特徴とする磁気ディスクの製造方法(請求項1５)である。
【００１０】
【発明の実施の態様】
本発明の材料は、転移点温度が７５０℃以上であるガラスからなり、かつ情報記録媒体用基板に用いられることを特徴とする材料である。７５０℃以上の転移点温度を有するため、約７００℃以上での熱処理が可能であるという利点がある。７５０℃以上の転移点温度を有するガラスは、例えば、基本組成が、SiO2−Al2O3 −MgO −CaO 、SiO2−Al2O3 −MgO −Y2O3、SiO2−Al2O3 −CaO −Y2O3、SiO2−Al2O3 −MgO −CaO −Y2O3、及びSiO2−Al2O3 −M2O3（但し、Ｍは三価金属）であるガラスから選ぶことができる。尚、SiO2−Al2O3 −M2O3系ガラスにおけるＭ（三価金属）としては、例えば、Ｙ、Nd、Gd、Ho、La、Ce、Yb等を用いることができる。これらのガラスは、いずれも、高い転移点温度を有し、結晶化ガラスではないので、表面平滑性も高い。本発明の材料は、好ましくは転移点温度が８００℃以上のガラスである。また、多成分ガラスでは、転移点温度は１０００℃以下が実用的である。
【００１１】
また、上記基本組成以外に加えることができる成分としては、TiO2、ZrO2、Li2O、As2O3 、Sb2O3 、ZnO 、SrO 、NiO 、CoO 、Fe2O3 、CuO 、Cr2O3 、B2O3、P2O5、V2O5等が挙げられる。
TiO2は、ガラスの高温粘性を低め熔融性を改善し、また構造の安定化や耐久性を増す働きをするが、転移点温度を下げる作用があるため、加える場合は少量（例えば１０モル％以下）とすることが好ましい。
ZrO2は、ガラスの結晶安定性や耐熱性を向上する働きを有する。
LiO2は、主にガラスの溶解性を上げる作用を有するが、このようなアルカリ成分は転移点温度を下げるので、加える場合は少量（例えば１２モル％以下）とすることが好ましい。
また、LiO2を含有させる場合、ガラスの強度を高めるためにイオン交換による化学強化処理を行うことが可能である。一方、LiO2を含有しない無アルカリガラスの場合は、このガラスからなる基板上に薄膜を形成した場合、アルカリ成分が基板上に薄膜に拡散し、悪影響を及ぼすことを防止できる。
As2O3 とSb2O3 はガラスの均質化を図るための脱胞剤として少量（例えば３モル％以下）加えてもよい。
ZnO 、SrO 、NiO 、CoO 、Fe2O3 、CuO 、Cr2O3 、B2O3、P2O5、V2O5等はガラスの高温溶解性や物理的な物性を調整するために添加してもよい。また、少量のV2O5、Cr2O3 、CuO 、CoO などの着色剤をガラスに添加する場合、ガラスに赤外線吸収特性を持たせ、加熱ランプ照射による磁性層の加熱処理を効果的に行うことができる。
【００１２】
本発明の情報記録媒体用基板は、上記の本発明のガラスからなる材料からなることを特徴とする。情報記録媒体としては、例えば、磁気記録媒体を挙げることができ、磁気記録媒体としては、例えば、ハードディスク等の磁気ディスクを挙げることができる。基板のサイズや形状は、用途に応じて適宜決定できる。さらに本発明の基板は、高い表面平滑性を有することを特徴とする。高い表面平滑性とは、具体的には、表面粗さ（Ra) が５Å以下であることを意味する。基板表面の平滑性は、磁気ディスクとした場合の、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔を低減して、記録密度を高めることができるという利点がある。
【００１３】
本発明のガラスからなる材料及び基板の製造方法は、特に限定されず、公知の各種ガラス及び基板の製造方法をそのまま用いることができる。例えば、高温溶融法、即ち所定の割合のガラス原料を空気中又は不活性ガス雰囲気中で溶解し、バブリングや脱泡剤の添加や攪拌などによってガラスの均質化を行い、周知のプレス法やダウンドーロ成形などの方法により板ガラスに成形され、その後、研削、研磨などの加工が施され所望のサイズ、形状の基板とされる。なお、研磨ではラッピング及び酸化セリウムなどの研磨粉によるポリッシング加工を行うことで、表面粗さ(Ra)を、例えば３〜５Åの範囲にすることができる。
【００１４】
また、本発明は、上記本発明の基板に主表面に、少なくとも磁性層を形成した磁気ディスクである。磁気ディスクとしては、ハードディスクを挙げることができる。特に本発明は、本発明の基板上に直接又は間接的に磁性層を形成した磁気ディスクであって、前記磁性層が、熱処理により保磁力を高めたものである。この熱処理は、例えば、５００℃以上の温度、好ましくは、６００℃以上の温度、より好ましくは、７００℃以上の温度、さらに好ましくは８００℃以上の温度であって、材料の転移温度より４０℃以上低い温度、好ましくは６０℃以上低い温度で行うことが適当である。
【００１５】
磁性層以外の層としては、公知の各種の層を必要により適宜設けることができる。そのような層は、機能面から、下地層、保護層、潤滑層、凹凸制御層などが挙げられる。これらの各層の形成には各種薄膜形成技術が利用される。
磁性層の材料は特に制限されない。磁性層としては、例えば、Co系の他、フェライト系、鉄―希土類系などが挙げられる。磁性層は、水平磁気記録、垂直磁気記録のいずれの磁性層でもよい。
磁性層としては、具体的には、例えば、Coを主成分とするCoPt、CoCr、CoNi、CoNiCr、CoCrTa、CoPtCrやCoNiCrPt、CoNiCrTa、CoCrPtTa、CoCrPtSiO などの磁性薄膜が挙げられる。また、磁性層を非磁性層で分割してノイズ低減を図った多層構成としてもよい。
磁性層における下地層は、磁性層に応じて選択される。下地層としては、例えば、Cr、Mo、Ta、Ti、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Alなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料、又はそれらの金属の酸化物、窒化物、炭化物等からなる下地層等が挙げられる。Coを主成分とする磁性層の場合には、磁気特性向上の観点からCr単体やCr合金であることが好ましい。下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造とすることもできる。例えば、Al／Cr／CrMo、Al／Cr／Cr等の多層下地層等が挙げられる。
【００１６】
また、基板と磁性層の間又は磁性層の上部に、磁気ヘッドと磁気ディスクが吸着することを防止するための凹凸制御層を設けてもよい。この凹凸制御層を設けることによって、磁気ディスクの表面粗さは適度に調整されるので、磁気ヘッドと磁気ディスクが吸着することがなくなり、信頼性の高い磁気ディスクが得られる。凹凸制御層の材料及び形成方法は多種知られており、特に制限されない。例えば、凹凸制御層の材料としては、Al、Ag、Ti、Nb、Ta、Bi、Si、Zr、Cr、Cu、Au、Sn、Pd、Sb、Ge、Mgなどから選ばれる少なくとも一種以上の金属、又はそれらの合金、あるいは、それらの酸化物、窒化物、炭化物等からなる下地層等が挙げられる。形成が容易であるという観点からは、Al単体やAl合金、酸化Al、窒化AlといったAlを主成分とする金属であることが望ましい。
また、ヘッドスティクションを考慮すると、凹凸形成層の表面粗さは、Rmax＝５０〜３００Åであることが好ましい。より好ましい範囲は、Rmax＝１００〜２００Åである。Rmaxが５０Å未満の場合、磁気ディスク表面が平坦に近いため、磁気ヘッドと磁気ディスクが吸着し、磁気ヘッドや磁気ディスクが吸着し、磁気ヘッドや磁気ディスクが傷ついてしまったり、吸着によるヘッドクラッシュを起こすので好ましくない。また、Rmaxが３００Åを超える場合、グライド高さ（グライドハイト）が大きくなり記録密度の低下を招くので好ましくない。
【００１７】
尚、凹凸制御層を設けずに、ガラス基板表面に、エッチング処理やレーザー光の照射等の手段で凹凸を付け、テクスチャリング処理を施してもよい。
保護層としては、例えば、Cr膜、Cr合金膜、炭素膜、ジルコニア膜、シリカ膜等が挙げられる。これらの保護膜は、下地層、磁性層等とともにインライン型スパッタ装置等で連続して形成できる。また、これらの保護膜は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の膜からなる多層構成としてもよい。
上記保護層上に、あるいは上記保護膜に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（SiO2）膜を形成してもよい。この場合、保護膜と凹凸制御層の両方の機能を果たす。
潤滑層としては多種多様な提案がなされているが、一般的には、液体潤滑剤であるパーフルオロポリエーテルをフレオン系などの溶媒で希釈し、媒体表面にディッピング法、スピンコート法、スプレイ法によって塗布し、必要に応じて加熱処理を行って形成する。
【００１８】
また、本発明は、上記本発明の磁気ディスクの製造も提供する。この製造方法では、本発明の基板に少なくとも磁性層を形成した後、基板のガラス転移点より低い温度で熱処理する。このような条件での熱処理により、基板の変形等がおこることがなく、磁性層の保磁力をより高めることができる。熱処理温度は、好ましくは基板の転移点温度よりも４０℃以下の温度に設定することが好ましく、さらに好ましくは６０℃以下とすることにより、基板の熱による影響を抑えることができる。
例えば、従来の化学強化ガラスからなる基板を用いた磁気ディスクの場合、ガラス転移点が高くても５００℃程度であるため、３００〜４００℃程度の熱処理しか行うことができなかったが、本発明の基板を用いた場合、５００〜８００℃程度の熱処理が行うことができる。
【００１９】
【実施例】
以下、実施例にもとづき本発明をさらに具体的に説明する。
磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
以下、実施例に基づき本発明をさらに詳しく説明する。
実施例１〜２７
出発原料として、SiO2、Al2O3 、Al(OH)3 、MgO 、CaCO3 、Y2O3、TiO2、ZrO2、Li2O3 などを用いて、所定の割合に２５０〜３００ｇ秤量し、十分に混合して調合バッチと成し、これを白金るつぼに入れ、１５５０℃で空気中３〜５時間ガラスの熔融を行った。熔融後、ガラス融液を所定のカーボン金型に流し、ガラスの転移点温度まで放冷してから直ちにアニール炉に入れ、ガラスの転移温度範囲で約１時間アニールにて炉内で室温まで放冷した。得られたガラスは顕微鏡で観察できる結晶が析出しなかった。得られたガラス試料をディスク状に切断し、主表面を酸化セリウムにてポリッシング加工することによって磁気ディスク用ガラス基板を得た。得られた磁気ディスク用ガラス基板の組成、転移点温度、表面粗さ（Ｒａ）の測定結果を表１〜表４に示す。
表１：SiO2−Al2O3 −MgO −CaO 系のガラス
表２：SiO2−Al2O3 −MgO −Y2O3系のガラス
表３：SiO2−Al2O3 −CaO −Y2O3系のガラス
表４：SiO2−Al2O3 −MgO −CaO −Y2O3系のガラス
【００２０】
【表１】
0003989988.tif 000002
【００２１】
【表２】
0003989988.tif 000003
【００２２】
【表３】
0003989988.tif 000004
【００２３】
【表４】
0003989988.tif 000005
【００２５】
比較例１〜２
比較のため、特開平１―２３９０３６号公報（先行技術１）に記載されたイオン交換による化学強化ガラス基板（比較例１）と、特開平７―１９７７１１号公報（先行技術２）に記載された結晶化ガラス基板（比較例２）との組成及び特性を表６に示す。
【００２６】
【表６】
0003989988.tif 000006
【００２７】
表１〜４から明らかなように、実施例１〜２７のガラスは、転移点温度が７５０℃以上あり、耐熱性に優れている。また、表面粗さも５Å以下とすることができ、平坦性に優れているので、高記録密度化を図ることができ、磁気ディスク用ガラス基板として有用である。また、本実施例におけるガラスは、アルカリを含まないか、含んでも微量のため、ガラス中のアルカリイオンが基板上に形成した薄膜中に拡散して特性を変えてしまうことがないという利点がある。これに対して、比較例１の化学強化ガラス基板は、平坦性に優れているものの、耐熱性が本発明の基板に比べ著しく劣る。従って、磁気ディスクを製造する際、高い保磁力を得るためえに行う磁性層に対する熱処理を高い温度（例えば５００℃以上）で行うことができず、高保磁力を有する磁気ディスクが得らない。また、比較例２の結晶化ガラス基板は、転移点温度を有しないため耐熱性は優れているものの、平坦性が本発明のガラス基板に比べて著しく劣るため、高密度化を図ることができない。
【００２８】
磁気ディスクの製造方法
図１に示すように、本発明の磁気ディスク１は、実施例16のガラス基板２上に、順次、凹凸制御層３、下地層４、磁性層５、保護層６、潤滑層７を形成したものである。
各層について具体的に説明すると、基板１は、外径６５ｍｍφ、中心部の穴径２０ｍｍφ、厚さ０．３８１ｍｍの円板上に加工したものであって、その両主表面を表面粗さがRa＝４Å、Rmax＝４０Åとなるように精密研磨したものである。
凹凸制御層は、平均粗さ５０Å、表面粗さRmaxが１５０Å、窒素の含有量が５〜３５％のAlＮの薄膜である。
下地層は、厚さ約６００ÅのCrＶの薄膜で、組成比はCr：８３ａｔ％、Ｖ：１７ａｔ％である。
磁性層は、厚さ約３００ÅのCoPtCrの薄膜で、組成比はCo：７６ａｔ％、Pt：６．６ａｔ％、Cr：１７．４ａｔ％である。
保護層は、厚さ約１００Åのカーボン薄膜である。
潤滑層は、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑層をスピンコート法によって、カーボン保護層上に塗布して厚さ８Åに形成したものである。
【００２９】
次に、本発明の一実施例に係る磁気ディスクの製造方法について説明する。
まず、本実施例で製造したガラスを、外径６５ｍｍφ、中心部の穴径２０ｍｍφ、厚さ０．３８１ｍｍの円板上に研削加工し、その両主表面を表面粗さがＲａ＝４Å、Rmax＝４０Åとなるように精密研磨して磁気ディスク用ガラス基板を得る。
次いで、上記ガラス基板を基板ホルダーにセットした後、インラインスパッタ装置の仕込み室に送り込む。続いて、ガラス基板のセットされたホルダーを、Alターゲットがエッチされた第一チャンバーに送り込み、圧力４mtorr 、基板温度３５０℃、Ar＋N2ガス（N2＝４％）雰囲気でスパッタリングする。その結果、ガラス基板上に、表面粗さRmax＝１５０Å、膜厚５０ÅのAlＮ薄膜（凹凸形成層）が得られた。
【００３０】
次に、AlＮが成膜されたガラス基板のセットされたホルダーを、CrＶ（Cr：８３ａｔ％、Ｖ：１７ａｔ％）ターゲットが設置された第二チャンバー、CoPtCr（Co：７６ａｔ％、Pt：６．６ａｔ％、Cr：１７．４ａｔ％）ターゲットが設置された第三チャンバーに連続的に順次送り込み、基板上に成膜する。これらの膜は、圧力２mtorr 、基板温度３５０℃、Ａｒ雰囲気中でスパッタリングし、膜厚約６００ÅのCrＶ下地層、膜厚約３００ÅのCoPtCr磁性層を得る。
次いで、凹凸制御層、下地層、磁性層が形成された積層体を、加熱処理するための加熱ヒーターが設けられた第四チャンバーに送り込む。このとき第四チャンバー内をArガス（圧力２mtorr ）雰囲気にし、表７に示すように、熱処理温度を４００℃から８００℃に変化させて熱処理を行う。
上記基板をカーボンターゲットが設置された第五チャンバーに送り込み、Ar＋H2ガス（H2＝６％）雰囲気中で成膜したこと以外は上記CrＶ下地層及びCoPtCr磁性層と同じ成膜条件で、膜厚約１００Åのカーボン保護層を得る。
最後に、カーボン保護層の形成までを終えた基板を上記インラインスパッタ装置から取り出し、そのカーボン保護層の表面に、ディッピング法によってパーフルオロポリエーテルを塗布して厚さ８Åの潤滑層を形成して磁気記録媒体を得た。
【００３１】
表７に、熱処理温度と保磁力の関係を示す。尚、表７の実施例３３〜３７は、表３に示す実施例１６の組成のガラスを基板として用いたときのデータであり、比較例３は、表６の比較例１の化学強化ガラスを基板として用いたときのデータである。
【００３２】
【表７】
0003989988.tif 000007
【００３３】
表７から明らかなように、本発明のガラス基板を用いて４００〜８００℃の熱処理を行うことにより、従来の化学強化ガラス基板を用いて低い熱処理温度を強いられた場合に比べて、高い保磁力が得られることがわかる。
また、実施例３３〜３７の磁気ディスクとヘッドとの関係は、動摩擦係数が０．２であり、静摩擦係数が０．２５であった。さらに、ＣＳＳ（contact start/stop）耐久試験（１０万回）を行ったが全く問題なく、その時のグライド高さも０．０１５μｍ以下であり、高記録密度でかつ信頼性の高い磁気ディスクであることが分かった。
以上、好ましい実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではない。例えば、磁性層の熱処理は、磁性層の成膜後であって保護層の形成前に行ったが、保護層を形成するための第五チャンバーに加熱処理するためのヒーターを設け、保護層成膜後に加熱処理を行ってもよい。また、熱処理における雰囲気も圧力１mtorr 〜大気圧であれば同様の効果が得られる。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、情報記録媒体用基板として、転移点温度が７５０℃以上のガラスを用いることにより、耐熱性、平坦性に優れ、かつカーボン基板より強度の大きい情報記録媒体用基板を得ることができる。
また、本発明の磁気ディスクの製造方法によれば、基板の耐熱性が優れているため、磁性層の特性向上に必要な高温の熱処理を行うことができ、磁性層の特性向上を最大限に図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ガラス基板２上に、順次、凹凸制御層３、下地層４、磁性層５、保護層６、潤滑層７を形成した本発明の磁気ディスク１の概略断面図。
【図１】
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