(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルフィールド（１〜８）、該メモリセルフィールド（１〜８）に給電電位を送出する電圧発生器（９）、該電圧発生器（９）とメモリセルフィールド（１〜８）とのあいだを接続する第１の給電線路（１０）、およびメモリセルフィールドどうしを接続する第２の給電線路（１１〜１４）を有しており、
前記メモリセルフィールドのうちの１つ（例えば６）が所定の時点で活性化される半導体集積メモリ装置において、
前記第１の給電線路（１０）は高オーミックに構成されており、前記第２の給電線路（１１〜１４）は低オーミックに構成されており、所定のメモリセルフィールドの活性化のために必要な電力ないしエネルギがその時点で不活性なメモリセルフィールドのキャパシタンスからセルフバッファリングすることにより得られる
ことを特徴とする半導体集積メモリ装置。
【請求項２】
前記第２の給電線路は１つの列を形成している複数のメモリセルフィールド（１〜８）に沿って両側に接続されている、請求項１記載の装置。
【請求項３】
少なくとも１つの付加的な第２の給電線路が複数のメモリセルフィールド（１〜８）の中央に接続されている、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記第２の給電線路は複数のメモリセルフィールド（１〜８）の周囲に構成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
前記第２の給電線路は約３μｍ〜４μｍの導体路幅を有する、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
前記第１の給電線路および前記第２の給電線路はアルミニウムおよび／または銅から成っている、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のメモリセルフィールド、このメモリセルフィールドに給電電位を送出する電圧発生器、この電圧発生器とメモリセルフィールドとのあいだを接続する第１の給電線路、およびメモリセルフィールドどうしを接続する第２の給電線路を有しており、メモリセルフィールドのうちの１つが所定の時点で活性化される半導体集積メモリ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体集積メモリ装置では個々のメモリセルフィールドはそれぞれ低オーミックの電気的接続線路を介して電圧発生器に接続されており、個々のメモリセルフィールドにそのつど必要な給電電圧が供給されている。この半導体集積メモリ装置の場合、個々のメモリセルフィールドは連続して定められた通りに活性化されるので、所定の時点でちょうど活性化されているメモリセルフィールドに対して正確に定められた電力量を供給しなければならない。
【０００３】
所定の時点で活性化されているメモリセルフィールドは１つの活性領域を形成し、一方他の全てのメモリセルフィールドはその１つのメモリセルフィールドが活性化される時点では不活性領域となっている。
【０００４】
メモリセルフィールドの活性化には約７０ｐＦのキャパシタンスの充電で充分であり、複数のメモリセルフィールドを有する通常の半導体集積メモリ装置では約２ｎＦのキャパシタンスが使用可能であることが実験などから判明している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、簡単な構造で直ちにメモリセルフィールドの活性化に必要な電力を短い給電線路を介して供給できる半導体集積メモリ装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この課題は、第１の給電線路は高オーミックに構成されており、第２の給電線路は低オーミックに構成されており、所定のメモリセルフィールドの活性化のために必要な電力ないしエネルギがその時点で不活性なメモリセルフィールドのキャパシタンスからセルフバッファリングすることにより得られることにより解決される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明は従来の技術とは完全に異なる手段から出発している。すなわち電圧発生器と個々のメモリセルフィールドとの間の給電線路を低オーミックに構成してそのつど必要な電力の迅速な調製を保証する代わりに、本発明の半導体集積メモリ装置では、電圧発生器と個々のメモリセルフィールドの間の接続を高オーミックに構成する。またこのために個々のメモリセルフィールド間の給電線路は低オーミックに構成される。このようにすれば有利には、その時点で活性化されていないメモリセルフィールドの全キャパシタンスを、所定のメモリセルフィールドを所定の時点で活性化するために利用できる。
【０００８】
このように配線コストを低減することができ、その際にも給電電圧の侵入による電気的なパラメータの劣化が生じない。選択されたメモリセルフィールドをその時点では活性化されていない残りの全てのメモリセルフィールドによって“セルフバッファリング”すると、正確に予見しなければならない活性化をそのつど定められた通りに行えるので特に有利である。所定のメモリセルフィールドの活性化に必要な電力は定められており、個々のメモリセルフィールドで同じである。この電力はその時点で活性化されていないキャパシタンスから得られる。メモリセルフィールド全体は高オーミックの給電線路を介して電圧発生器に接続されており、この電圧発生器は連続的に個々のメモリセルフィールドのキャパシタンスに蓄積された電力を“リフレッシュ”する。
【０００９】
これまでは高オーミックの接続線路は一方側にしか配線されていなかったが、有利には低オーミックの給電線路がメモリセルフィールドの列に沿って両側に接続されている。さらに低オーミックの給電線路は個々のメモリセルフィールドを中心として、個々の各メモリセルフィールドがこの低オーミックの給電線路によって“縁取られる”ように配置されている。場合によっては付加的な低オーミック接続線路を個々のメモリセルフィールドの中央に接続することができる。
【００１０】
低オーミックの給電線路は有利には幅約３μｍ〜４μｍでアルミニウムおよび／または銅から成る導体路から形成されている。
【００１１】
したがって本発明で重要なのは、個々のメモリセルフィールドの相互接続を低オーミックの接続線路を介して行い、メモリセルフィールドと電圧発生器との接続を高オーミックの給電線路を介して行うことである。また低オーミックの給電線路は個々のメモリセルフィールドの周囲に構成されており、低オーミックでの給電が保証される。所定のメモリセルフィールドが活性化されると、活性化のために必要な電力がこの時点で不活性なメモリセルフィールドから得られる。必要とされる電力の連続的なリフレッシュはメモリセルフィールドと電圧発生器との間の高オーミックの給電線路を介して行われる。
【００１２】
本発明の半導体集積メモリ装置は、大表面の回路領域となっている複数のメモリセルフィールドを利用して、駆動されるメモリセルフィールドの形で同時に活性化される僅かな領域に給電電位をバッファリングする。この回路領域の接続は“電源回路網”である低オーミックの給電線路を介して行われ、この回路網と電圧発生器との接続は高オーミックの給電線路を介して行われる。
【００１３】
【実施例】
以下に本発明を図に即して詳細に説明する。
【００１４】
本発明による半導体集積メモリ装置はメモリセルフィールド１〜８から成っており、これらのセルフィールドは１列に配置され、両側で低オーミックの給電線路１１、１２を介して相互に接続されている。この給電線路の導体路の幅は３μｍ〜４μｍである。また低オーミックの給電線路１３も個々のメモリセルフィールド１〜８の周囲に接続されている。付加的にもう１つの（または複数の）別の低オーミックの給電線路１４をメモリセルフィールドの中央を通して延在させることができる。
【００１５】
メモリセルフィールド１〜８間の領域にはそれぞれセンスアンプ１５が存在している。
【００１６】
低オーミックの給電線路１１、１２、１３および場合により１４は低オーミックの“電源回路網”を形成しており、この回路網は高オーミックの線路１０を介して電圧発生器９に接続されている。
【００１７】
低オーミックの給電線路１１、１２、１３および場合により１４はアルミニウムおよび／または銅から成り、上述のように約３μｍ〜４μｍの導体路幅を有する。
【００１８】
この種の半導体集積メモリ装置ではそれぞれ唯一のメモリセルフィールド、例えばメモリセルフィールド６が活性化される。活性化に必要な電力ないしエネルギは残りのメモリセルフィールド１〜５、７、８のキャパシタンスからセルフバッファリングすることにより得られる。このキャパシタンスは約２ｎＦのキャパシタンス値を有しており、これはメモリセルフィールド６の活性化に必要な７０ｐＦを充電するのに完全に充分な値である。
【００１９】
もちろん本発明の半導体集積メモリ装置では種々の数のメモリセルフィールドを相互接続することができる。また必ずしもメモリセルフィールドをこの実施例に示されているように１列に配置しなくてもよい。重要なのは個々のメモリセルフィールドが低オーミックに相互接続される点、それぞれ唯一のメモリセルフィールドのみが活性化されるか、またはメモリセルフィールドの全体数に比べて小さな数のメモリセルフィールドのみが活性化される点、およびその際にそれぞれのメモリセルフィールドは同じ活性化エネルギを必要とする点である。エネルギないし電力はその時点では活性化されていないメモリセルフィールドからセルフバッファリングすることにより得られ、低オーミックの接続線路を介して直ちに活性化すべきメモリセルフィールドで使用可能となる。電圧発生器９へ通じる高オーミックの接続線路１０は低オーミックの給電線路１１、１２、１３および場合により１４から成る電源回路網に連続的に電力を供給するために用いられ、これによりそれぞれのメモリセルフィールドのキャパシタンスが充電される。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体集積メモリ装置のブロック回路図である。
【符号の説明】
１〜８  メモリセルフィールド
９  電圧発生器
１０  高オーミック線路
１１〜１４  低オーミック給電線路
１５  センスアンプ
【図１】
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