(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ反応室に取り付け可能で、このプラズマ反応室内の基板に均一な処理をもたらすことが可能な電力分割された電極であって、
第１のゾーン部分と第２のゾーン部分にそれぞれ亙って分布した第１の電極と第２の電極と、
前記プラズマ反応室内に支持された基板に結合されるプラズマが該基板に亙って均一な処理をもたらすように、前記第１の電極と第２の電極を介して前記第１と第２のゾーン部分における高周波電力の分布を制御する容量性ネットワークと、
を具備し、
当該電力分割電極は１枚の半導体ウェーファを支持する基板支持部内に組み込まれ、前記基板支持部は、前記基板をその上に静電気的にクランプする静電チャックを備え、
前記第１の電極と第２の電極とは、前記静電チャックが前記基板を静電気的にこの上にクランプすることが可能となるような直流バイアス電流源に電気的に接続されていることを特徴とする電力分割電極。
【請求項２】
前記第１の電極は、前記第２の電極を完全に囲み、前記容量性ネットワークは、前記第１の電極に供給するよりも大きな電力を前記第２の電極に供給することを特徴とする請求項１に記載の電力分割電極。
【請求項３】
前記第１の電極は、ギャップによって前記第２の電極から離間し、このギャップは、誘電性材料で満たされて、前記容量性ネットワークの電極間コンデンサを形成することを特徴とする請求項１に記載の電力分割電極。
【請求項４】
高周波電力源と、前記容量性ネットワークの一部を形成する第１コンデンサと第２のコンデンサと、電気的グラウンドとをさらに具備し、前記高周波電力源からの高周波電力が、前記第１のコンデンサ、前記第１の電極、前記第２のコンデンサ、及び前記第２の電極を順に通過して前記グラウンドに流れることを特徴とする請求項１に記載の電力分割電極。
【請求項５】
前記第１の電極と第２の電極は、離間した複数の環状電極を含む同軸電極構造の一部を形成し、この環状電極は前記容量性ネットワークの一部を形成する可変コンデンサを介して高周波電力源に電気的に接続され、前記高周波電力源からの高周波電力は、前記可変コンデンサの各々を順に通って前記電極の夫々の１つに送られることを特徴とする請求項１に記載の電力分割電極。
【請求項６】
その出力の調整信号が、前記環状電極の夫々の１つに面する前記基板の環状ゾーン部分内で前記基板の処理の均一性のずれを補償するように、前記可変コンデンサの夫々の１つの容量を自動的に調整するための電流検知メカニズムをさらに具備することを特徴とする請求項５に記載の電力分割電極。
【請求項７】
前記容量性ネットワークは第１のコンデンサと第２のコンデンサとを有し、前記第１のコンデンサは前記第１の電極に接続され、前記第２のコンデンサは前記第２の電極に接続され、前記第１のコンデンサと第２のコンデンサは高周波電力源に並列に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電力分割電極。
【請求項８】
さらに第３の電極を有し、前記第１の電極は前記第２の電極を囲み、前記第２の電極は前記第３の電極を囲み、これら電極の各々は高周波電力源に電気的に接続され、前記高周波電力源からの高周波電力は、順に、電力分割器を介して前記電極の夫々の１つに伝達されることを特徴とする請求項１に記載の電力分割電極。
【請求項９】
前記第１と第２の電極に対して同相もしくは非同相で供給される高周波電力の電力源をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の電力分割電極。
【請求項１０】
数値的に連続した正弦波を生成する正弦波発生器と、
DCオフセット値を発生するバイアスユニットと、
前記数値的に連続した正弦波と前記DCオフセット値とを加算する加算ユニットと、
前記加算ユニットからの信号出力をアナログ加算信号に変換するディジタル／アナログ変換器と、
前記アナログ加算信号の所定の低周波成分をフィルタするローパスフィルタと、
前記ローパスフィルタによりフィルタされたアナログ加算信号を増幅してこの増幅信号で前記第１と第２の電極を駆動する電力駆動器と、
をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の電力分割電極。
【請求項１１】
前記第１の電極は前記第２の電極を囲み、電力が、前記第１の電極、前記第１と第２の電極間のギャップ内におかれた誘電性材料で形成された電極間容量、前記第２の電極、及び前記容量性ネットワークの一部と電気的グラウンドとを形成する直列接続のコンデンサを順に通ることによって、前記第１の電極と前記第２の電極との間に供給され、
前記誘電性材料は、前記直列接続のコンデンサの容量よりも小さい電極間容量を与えることを特徴とする請求項１に記載の電力分割電極。
【請求項１２】
前記第１の電極または前記第２の電極に電気的に接続された電圧分割回路をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の電力分割電極。
【請求項１３】
前記第１の電極は第１の能動的電力ドライバにより駆動され、前記第２の電極は第２の能動的電力ドライバにより駆動され、前記第１と第２の能動的電力ドライバは互いに独立して動作することを特徴とする請求項１に記載の電力分割電極。
【請求項１４】
プラズマ処理システムであって、
このプラズマ処理システムのプラズマ反応室内で基板をクランプする基板支持部であって、前記基板に隣接する、この基板支持部のゾーン部分に関連付けられた複数の電極を有する基板支持部と、
均一な処理が前記基板の全体表面に亙ってもたらされるように、前記基板支持部の前記ゾーン部分に前記複数の電極を介して供給される電力を制御する電力コントローラとを具備し、当該電力分割電極は１枚の半導体ウェーファを支持する基板支持部内に組み込まれ、前記基板支持部は、前記基板を静電気的にその上にクランプする静電チャックを備え、
前記複数の電極は、前記静電チャックが前記基板を静電気的にこの上にクランプすることが可能となるような直流バイアス電流源に電気的に接続されていることを特徴とするプラズマ処理システム。
【請求項１５】
前記電力コントローラは、前記基板チャックの前記ゾーン部分に電力を分配させるために、前記複数の電極に接続された容量性ネットワークを有することを特徴とする請求項１４に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１６】
前記複数の電極のうち隣り合う電極はギャップを介して離間し、
そのギャップの各々は前記容量性ネットワークの電極間コンデンサを形成するように誘電性材料で埋められ、
前記複数の電極は、前記反応室内の処理ガスの流量を補償して前記基板の均一な処理をもたらすパターンに設けられたことを特徴とする請求項１５に記載のプラズマ処理システム。
【請求項１７】
プラズマ処理システム内で基板を処理する方法であって、
（ａ）プラズマ反応室内の、基板を静電気的にその上にクランプする静電チャックを備える基板支持部に基板を載置する工程と、
（ｂ）前記基板のゾーン部分に関連付けられた複数の電極を有し、基板支持部内に組み込まれた電力分割電極で、前記プラズマ反応室内にプラズマを生成する工程と、
（ｃ）前記静電チャック上に前記基板を静電気的にクランプする工程と、
（ｄ）処理対象の前記基板の表面に亙って均一な処理がもたらされるように、前記複数の電極に供給される電力の分配を制御する工程とを具備し、
前記複数の電極は、前記静電チャックが前記基板を静電気的にこの上にクランプすることが可能となるような直流バイアス電流源に電気的に接続されている基板処理方法。
【請求項１８】
前記工程（ｄ）では、前記複数の電極に接続された容量性ネットワークにより、前記電力を前記基板の前記ゾーン部分に分配することを特徴とする請求項１７に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記複数の電極は、前記反応室内の処理ガスの流量を補償して前記基板の均一な処理をもたらすパターンに設けられたことを特徴とする請求項１７に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、プラズマ反応室内で、プラズマの発生及び／又は局所プラズマの密度制御のための電極に関する。本電極は、上側電極に組み込むこともでき、そして／または、プラズマガス雰囲気中における処理の過程において、半導体ウエーファやフラットパネルデイスプレイ等の基板を保持するためのチャッキング装置等の基板支持部にも組み込み可能である。
発明の背景
プラズマガス雰囲気中において半導体ウエーファを処理する装置は、典型的には、プラズマガスからの高周波（ＲＦ）電力をウエーファに結合させて（couple）ウエーファの表面処理（例えば、エッチング、蒸着、その他）を行う。例えば、米国特許４，６１７，０７９号は平行平板構造を開示するもので、ここでは、ウエーファが下側電極に支持され、低周波ジェネレータからのＲＦ電力が低周波ネットワークを通過し、一方、高周波ジェネレータからのＲＦ電力１が高周波整合／結合（ＲＦ matching and combining）ネットワークにおいて前記低周波ＲＦ電力と結合させられ、その結合信号は上側電極と下側電極間に印加される。この構造では、その高周波整合／結合回路は、その高周波源の周波数に同調した高周波トラップ（コンデンサとインダクタの並列結合）を具備することができ、この高周波源により発生した信号が上記低周波源にフィードバックされるのを防止し、その一方で上記低周波源により発生される信号が減衰せずにそれを通過せしめることができる。
米国特許第４，９４８，４５８号は平行平板構造を開示し、その特許では、上側電極はプラズマ反応室外に置かれた伝導性コイルの形状をしており、コイル内にＲＦ電流を誘起することにより、磁場が該コイルの面に平行な平面領域内に生成される。このコイルは、主コイルと副ループとを有する整合回路に電力を供給するＲＦジェネレータにより駆動される。その副ループに直列接続の可変コンデンサが、このＲＦジェネレータの周波数出力との回路共振周波数を調整し、インピーダンス整合がその平面状コイルへの電力伝達効率を極大化する。前記主回路にコンデンサを付加すると、この回路中の上記コイルの誘導リアクタンスの一部をキャンセルする。
半導体ウエーファをプラズマガス雰囲気中で処理するときに、ウエーファの全表面を均一に処理することが好ましい。例えば、米国特許第４，６１５，７５５号は、弧状（bowed）電極に支持されたウエーファをヘリウム・バック冷却法によって、ウエーファ温度が均一にされるプラズマエッチング技術を開示している。エッチングの均一性を得る目的でウエーファを冷却ヘリウムでもって曲げて下側電極から離間させることにより、ウエーファの冷却性能は犠牲にされる。しかしながら、ウエーファの厚さの変動はウエーファの曲げに標準以下の制御をもたらし、結果的にエッチングの均一さを低下させる。
静電気を利用したウエーファのクランプシステム（ＥＳＣ）を使うプラズマエッチング処理では、ウエーファを曲げて電極表面から離すことはできないのでエッチング速度の均一性を制御することはできない。従って、プラズマ処理におけるウエーファの表面処理の均一さを制御するべく、ＥＳＣ・ウエーファ・クランプシステムに適用可能であるためには、他の技術が必要である。
発明の概要
本発明は、プラズマ反応室内で基板の均一な処理を行う電力分割された電極を提供するものである。本電力分割電極は、第１と第２の電極と、容量性ネットワークとを有する。この電力分割電極は、プラズマ反応室に取り付け可能で、第１の電極がプラズマ反応室の第１のゾーン部分を横断して分布配置され、前記第２の電極はプラズマ反応室の第２のゾーン部分を横断して分布配置される。
この容量性ネットワークは、前記第１と第２のゾーン部分における高周波電力の分布を制御して、このプラズマ反応室内に支持された基板に結合されたプラズマがその基板に亙って均一な処理をもたらすようになる。好適な実施形態では、その基板は半導体ウエーファを含み、本電力分割電極はプラズマ反応室内に置かれた静電チャック内に組み込むことができる。
本電力分割電極は様々な方法で具体化されうる。例えば、第１の電極を第２の電極から誘電性材料で充填されたギャップにより離間させることが可能で、これにより前記容量性ネットワークの電極間コンデンサを形成させることができる。好適な実施形態では、第１の電極は、第２の電極を囲み、第２の電極から誘電性材料で充填されたギャップにより離間されており、これにより前記容量性ネットワークの電極間コンデンサを形成する。この場合では、第１と第２のコンデンサは、前記容量性ネットワークの一部を形成することができ、電源からの高周波電力は、前記第１のコンデンサから、前記第１の電極、第２のコンデンサ、第２の電極、電気的グラウンドにまで順に通る。
他の実施形態によれば、第１と第２の電極は、離間した複数の環状電極を構成する同軸電極構造の一部を形成し、この環状電極は前記容量性ネットワークの一部を形成する可変コンデンサを介して高周波電力源に接続され、前記高周波電力源からの高周波電力は、前記可変コンデンサの各々を順に通って前記電極の夫々の１つに送られる。この場合、電流検知メカニズムは、その出力である調整信号が前記環状電極の夫々の１つに面する前記基板の環状ゾーン部分内における、前記基板の処理の均一さからのずれを補償するように、前記可変コンデンサの夫々の１つの容量を自動的に調整するために提供されうる。前記容量性ネットワークは第１コンデンサと第２のコンデンサを有し、この第１のコンデンサは前記第１の電極に、前記第２のコンデンサは前記第２の電極にそれぞれ接続され、前記第１のコンデンサと第２のコンデンサは高周波電力源に並列に接続されている。本電力分割電極はさらに第３の電極を有し、前記第１の電極は前記第２の電極を囲み、前記第２の電極は前記第３の電極を囲み、これら電極の各々は高周波電力源に電気的に接続され、前記高周波電力源からの高周波電力は、順に、電力分割器、前記電極の夫々の１つに伝達される。または、前記第１の電極は第２の電極の一部のみを囲むようにしても良い。この第１と第２の電極は、静電気チャック内に組み込まれ、前記チャックが基板を静電気的にこの上にチャックすることが可能となるような直流バイアス電流源に電気
的に接続されている。この高周波電力を、前記第１と第２の電極に対して同相もしくは非同相で供給するようにしても良い。また、第１と第２の電極に電力とＤＣバイアスを供給するための受動的ネットワークを用いても良い。
本発明の他の態様によると、本電力分割電極は、数値的に連続した正弦波を生成する正弦波発生器と、ＤＣオフセット値を発生するバイアスユニットと、前記数値的に連続した正弦波と前記ＤＣオフセット値とを合わせる加算ユニットと、前記加算ユニットからの信号出力をアナログ加算信号に変換するデイジタル／アナログ変換器と、前記アナログ加算信号の所定の低周波成分をフィルタするローパスフィルタと、前記ローパスフィルタによりフィルタされたアナログ加算信号を増幅してこの増幅信号で前記第１と第２の電極を駆動する電力増幅器とを具備する。この場合、第１の電極は第２の電極を完全に囲むようにされ、前記容量性ネットワークは、前記第１の電極よりも大きな電力を前記第２の電極に供給する。前記第１の電極は、前記第２の電極を囲み、電力が、前記第１の電極、前記第１と第２の電極間のギャップ内におかれた誘電性材料で形成された電極間容量、前記第２の電極、及び前記容量性ネットワークの一部と電気的グラウンドとを形成する直列接続のコンデンサを順に通ることによって、前記第１の電極と前記第２の電極との間に供給され、前記誘電性材料は、前記直列接続のコンデンサの容量よりも小さい電極間容量を与えるものである。本電力分割電極は、前記第１の電極または前記第２の電極に電気的に接続された電圧分割回路をさらに具備することができる。前記第１の電極は第１の能動的電力ドライバにより駆動され、前記第２の電極は第２の能動的電力ドライバにより駆動され、前記第１と第２の能動的電力ドライバは互いに独立して動作するようにしてもよい。
本発明は、プラズマ反応室内で基板をクランプする基板支持部であって、前記基板に隣接する、この基板支持部のゾーン部分に関連付けられた複数の電極を有する基板支持部と、均一な処理が前記基板の全体表面に亙ってもたらされるように、記基板支持部の前記ゾーン部分に前記複数の電極を介して供給される電力を制御する電力コントローラとを具備するプラズマ処理システムを提供するものである。この場合、前記電力コントローラは、前記基板チャックの前記ゾーン部分に電力を分配させるために、前記複数の電極に接続された容量性ネットワークを有する。前記複数の電極の隣り合う電極はギャップを介して離間し、そのギャップの各々は前記容量性ネットワークの電極間コンデンサを形成するように誘電性材料で埋められても良い。また、前記複数の電極は、同軸の環状リングに分割され、そして、または、前記反応室内の処理ガスの流量を補償して前記基板の均一な処理をもたらすようなパターンに設けられていてもよい。
【図面の簡単な説明】
本発明は、以下の説明並びに添付の図面からさらに十分に理解されよう。これら説明及び図面は説明のためにのみ提供されるもので、本発明を限定するためのものではない。
第１（ａ）図は、本発明の一つの実施形態に用いられる二極型の静電ウエーファ・クランプ・システムを示し、
第１（ｂ）図は、第１（ａ）図の静電ウエーファ・クランプ・システムの電気回路図を示し、第２図は、本発明の一つの実施形態に係り、複数の同軸環状リングに分割された電極を示し、
第３図は、本発明の一つの実施形態に係り、前記分割電極に用いられる分割駆動システムの構成を示し、
第４図は、本発明の一つの実施形態に関わり、非対称形状の分割電極の構成を示し、
第５図は、本発明の一つの実施形態に関わり、前記分割電極のゾーン部分に伝達される電力を制御するための能動メカニズムの構成を示し、
第６図は、本発明の一つの実施形態に関わり、ＲＦエネルギを静電ウエーファ・クランプ・システムの両ポールに同時に結合するためのシステムの構成を示し、
第７図は、本発明の一つの実施形態に関わり、チャック面に供給されるＲＦ電力をバランスさせ調整するために用いられる電圧分割器とコンデンサ・ネットワークとの構成を示す。
発明の詳細な説明
本発明は、プラズマ反応室の電力分割された電極を提供するもので、この電極は、所望の基板の処理条件を得ることができるようにプラズマ密度を局所的に強化若しくは低下させることができるものである。半導体ウエーファの場合には、ウエーファの中央からエッジまで露出面において均一な処理を実現することが望ましい。本発明によると、ＲＦ電力をバランスさせるような容量性ネットワークを用いて、プラズマ密度の局所的な制御を達成することにより、ウエーファの露出面に近接したゾーン部分内において、ウエーファに結合されるプラズマが、ウエーファ上で層をエッチングさせ、或いは積み上げる過程で、均一なウエーファ処理を達成するものである。
本発明の電力分割電極は、半導体ウエーファのような基板をその処理中に保持する機械的もしくは静電的なチャック構造に組み込み可能である。この静電的チャック構造は二極型チャックもしくは他の形式の電極構造を有することができる。しかしながら、本電力分割電極は、プラズマ反応室の平行平板電極構造の上側電極に組み込むこともできる。
ウエーファを処理する場合には、処理対象のウエーファの露出面の上に均一なプラズマ密度を提供することが好ましい。しかしながら、ウエーファ面上で実行すべき処理に応じて、ウエーファ面の上方に不均一なプラズマ密度を発生させることができる。例えば、プラズマ密度を、ウエーファの中央において周辺においてよりも高く、或いはその逆に、することができる。本発明の電力分割電極は、局所的なプラズマ密度制御を達成することができるので、既知の電極構造に比して、均一さにおいて実質的な改良を達成することができる。
本発明を以下にその実施の形態を参照して説明する。１つの実施形態では、本電力分割電極は、第１（ａ）図に示すように、二極型チャックに組み込まれる。別の実施形態では、本電力分割電極は、第２図に示すように、３つもしくはそれ以上の電極を有する。更に他の実施形態では、第１（ａ）図に示すように、本電力分割電極の電極は直列に配列され、単一のＲＦ電源によりＲＦ電力が供給される。別の実施形態では、第５図に示すように、本電力分割電極の電極が並列に配列され、単一のＲＦ電源によりＲＦ電力が供給される。後者の場合には、ＲＦ電源が、第５図に示すように個々の可変コンデンサを通して、或いは、第２図に示すように電力分割器を通して、供給される。さらに、電極は、第５図に示されるように、電流センサそして／または可変コンデンサに電気的に接続することができる。
第１（ａ）図の構造では、半導体ウエーファの形態の基板Ｓが、プラズマ反応器のプラズマ反応室内におかれたウエーファ・チャック・システムという形態の基板支持部２の上に支持されている。このチャック・システムは、ウエーファへのプラズマの結合量を局所的に変更するのに用いる電極４を有する。この電極４は第２の電極８を囲む第１の電極６を有し、この第１の電極６は基板支持部２の第１のゾーン部分１０内に置かれ、第２の電極８は前記基板支持部２の第２のゾーン部分１２内に位置する。本チャック・システムは、前記第１ゾーン部分１０と第２のゾーン部分１２とに平衡した（バランスのとれた）ＲＦ電力を供給するためのＲＦ電力源１６を有する。図示の実施形態では、ＲＦ電力源１６からの電力は、第１の電極６から、ギャップ１８を介して第２の電極８に伝達され、それから、グラウンド２０に至る。ギャップ１８は、好ましくは誘電性材料で充填されており、その大きさは、第１の電極６と第２の電極８間でＲＦ電力をバランスさせるのに効果的である電極間容量を生じさせ、その結果、第１のゾーン部分１０と第２のゾーン部分１２でウエーファに結合されるプラズマがウエーファの中央からエッジまで均一な処理をもたらすものであるように、決定される。
本実施形態では、ウエーファを簡単なドーナッツ／ベース構造内に保持するような、二極型タイプのＥＳＣウエーファ・クランプ・システムを図示するもので、そこでは、電極は２つのゾーン部分に分割されている。このＥＳＣ構造では、ウエーファを下側電極から離して曲げることはできず、ヘリウムはウエーファの裏側を冷却するために用いられるに過ぎない。第１（ｂ）図は、このＥＳＣウエーファ・クランプ・システムの電気回路図を示す。ソース容量Ｃdが入力に接続され、第１の電極６に供給される電力を平滑化する。Ｃbは第２の電極８とグラウンド間の固有容量を表す。ギャップ１８の容量（Ｃgで表す）とベース容量Ｃbの比が第１の電極６と第２の電極８に供給される電圧を決定する。プラズマ処理は、圧力，流量，電力，温度，ギャップの大きさ，ガス，バッフルの設計，材料，ＲＦ周波数，処理範囲の関数であるので、この回路図における容量を、個々のゾーン部分において、既知のＲＦの位相に対する要求と整合に対する要求とに基づいた電圧要件に合致するように選ぶことができる。こうすることにより、その容量の値を所望のフィールドに合わせて選択して、プラズマ処理の均一さを達成することができる。
第２図は本発明の他の実施形態を示し、電極が複数の同軸環状のリングに分割されている。第２図では、電極４は第１の同軸環状リング４ａ，第２の同軸環状リング４ｂ，第３の同軸環状リング４ｃに分割され、これらリングは、ウエーファの中心からエッジまでの表面均一さを制御する独立したＲＦバイアス電力ゾーン部分を与える。この実施形態では電極４は３つのゾーン部分に分割されているが、所望の表面均一さを得るためには、電極を複数のゾーン部分に分割して任意の数の同軸環状リングを用いても良い。個々のゾーン部分に供給されるエネルギを制御するために、第２図に示すように、電源１６を電源分割器２６に接続しても良い。また、第２図において、ウエーファを静電的にクランプするためのＤＣバイアス源２８が、本電極の同軸環状リングに接続されている。
さらに、この環状のゾーン分割電極は、ウエーファの表面に供給される電力を制御することにより、プラズマ処理が中心からエッジまで対称的となるようにする。この第１の電極６の各々の同軸環状リングに印加されるべきＲＦ電力とＤＣバイアスは、ＲＦジェネレータと高電圧電源と共動する受動的なネットワークにより従来のような手法で実現することができる。
本発明の他の実施形態では、分割された本電極を、第３図のような、ＤＣオフセット値に結合させたところの、数値的に連続した正弦波で駆動しても良い。第３図の実施形態では、この連続した正弦波はＲＯＭ５０に格納され、ＤＣオフセット値は電源５２により発生される。このＲＯＭ５０と電圧発生器５２の出力とは、加算回路５４により合わされ、アナログ信号を出力するディジタル−アナログ変換器５６に入力される。このディジタル−アナログ変換器５６か
らのアナログ信号出力はローパスフィルタ５８により低域濾波され、この濾波された信号出力はパワーアンプ６０により増幅されて、前記分割された電極４ａ，４ｂ，４ｃに印加される。
この電極は、所望の処理の均一さに対する要求に応じて、他のパターンに分割しても良い。第４図は、分割電極の非対称なパターンが用いられた他の実施形態を示す。第４図の実施形態では電極は４つのゾーン部分に分割されているが、この電極を、室の形状、ガスの伝達等の、このプラズマ処理システムの非対称的ポンピング性を補償するようなパターンに設計してもよい。
第５図は、電極の異なるゾーン部分に伝達される電力を制御するのに能動的なメカニズムを用いた他の実施形態を示す。第５図では、分割された電極に接続された複数の電力センサ２４と複数の可変コンデンサ２２とが示されている。この電力センサ２４は可変コンデンサ２２に対する能動的コントロールを提供する。
この能動的メカニズムを用いれば、電流センサ２４を介した可変コンデンサ２２へのフィードバックループにより、電極ゾーン部分に送られる電力の割合を制御することができる。
第６図は他の実施形態を示し、ここでは、２つの可変コンデンサＣ1，Ｃ2がＲＦエネルギをＥＳＣウエーファ・クランプ・システムの両ポールに同時に結合するために用いられる。この実施形態では、チャック部におけるいかなる位相シフトや荷電のアンバランスを防止することができる。
第７図はさらに他の実施形態を示し、ここでは、電圧分割回路とコンデンサ・ネットワークが、チャック面に印加されるＲＦ電圧をバランスさせ調整する。この実施形態では、ベース容量に対して並列の容量Ｃpを変更して電圧分割器を形成する。この容量値は、均一性テストをパターン化された酸化ウエーファとパターン化されていない酸化ウエーファに対して行い、その結果の検証のために、数値データと直径スキャンとの比較に基づいて、選択される。ウエーファ処理の（中心からエッジまでの）均一性が典型的には５％であるような従来技術と比較すると、本発明の電力分割電極によれば、１．５％又はそれ以下のウエーファ処理の均一さを達成するという点でかなりの改良をもたらすことができる。
上述の事項は、本発明の原理、好適な実施形態、動作モードを説明した。しかしながら、本発明はこのような実施形態に限定して解釈すべきではない。即ち、上述の実施形態は限定的ではなく例示的であると考えるべきである。従って、次に記述する請求の範囲に定義された本発明の範囲から逸脱することなく当業者であればなす事が可能であるような変形例も可能であることを考慮すべきである。
【図１（ａ）】
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【図１（ｂ）】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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