(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバからの信号光を電気信号に変換する光受信モジュールであって、
所定の軸方向に沿って主面上に設けられた第１、第２および第３の領域を有する搭載部材を備え、前記第１の領域は、第１および第２の支持面を持つ光ファイバ支持部を有しており、前記第２の領域は、突き当て面を有しており、前記第３の領域は、光ファイバからの光を反射する反射面とこの反射面に光ファイバからの光を導くための光学的通路とを有する素子実装部を有しており、
一端および他端を有しており、前記第１および第２の支持面に支持されると共に前記一端が前記突き当て面に突き当たられた光ファイバを備え、
前記光ファイバから受けた光を電気信号に変換する受光部を有する半導体受光素子を備え、
前記反射面からの光を前記半導体受光素子に提供するモノリシックレンズおよび前記半導体受光素子からの電気信号を処理する信号処理部を有しており前記素子実装部に配置された半導体素子を備え、
前記半導体素子は、受光素子配置部を更に有しており、
前記半導体受光素子は、前記受光素子配置部上に配置されている、光受信モジュール。
【請求項２】
前記モノリシックレンズは前記半導体素子の第１の面に設けられており、前記受光素子配置部は前記第１の面に対向する第２の面に設けられており、
前記第１の面と前記第２の面との間の間隔は、前記モノリシックレンズの焦点距離に関連付けるように決定されている、請求項１に記載の光受信モジュール。
【請求項３】
前記光ファイバからの光は、前記モノリシックレンズを通過して前記半導体受光素子に到達する、請求項１または請求項２に記載の光受信モジュール。
【請求項４】
光ファイバからの信号光を電気信号に変換する光受信モジュールであって、
所定の軸方向に沿って主面上に設けられた第１、第２および第３の領域を有する搭載部材を備え、前記第１の領域は、第１および第２の支持面を持つ光ファイバ支持部を有しており、前記第２の領域は、突き当て面を有しており、前記第３の領域は、光ファイバからの光を反射する反射面とこの反射面に光ファイバからの光を導くための光学的通路とを有する素子実装部を有しており、
一端および他端を有しており、前記第１および第２の支持面に支持されると共に前記一端が前記突き当て面に突き当たられた光ファイバを備え、
前記光ファイバから受けた光を電気信号に変換する光検出部、前記反射面からの光を前記光検出部に提供するモノリシックレンズおよび前記光検出部からの電気信号を処理する信号処理部を有しており、前記素子実装部に配置された半導体素子を備え、
前記モノリシックレンズは前記半導体素子の第１の面に設けられており、前記光検出部および前記信号処理部は前記第１の面に対向する第２の面に設けられている、光受信モジュール。
【請求項５】
前記半導体素子の厚さは、前記モノリシックレンズの焦点距離に関連付けるように決定されている、請求項４に記載の光受信モジュール。
【請求項６】
前記光ファイバからの光は、前記モノリシックレンズを通過して前記光検出部に到達する、請求項４または請求項５に記載の光受信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光受信モジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】
光受信モジュールは、光ファイバと、フォトダイオード素子とを備えている。フォトダイオード素子は、光ファイバからの信号光を受光面に受けて、信号光に応じた電気信号を発生する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
発明者は、光受信モジュールの動作速度を上げるために技術開発を行っている。最近、光通信の伝送容量の需要が増している。この要求に応じるために、光受信モジュールの動作速度を上げることが求められている。発明者は、１０Ｇｂｐｓを越えるような光伝送速度を実現できるような光受信モジュールが求められると考えている。しかしながら、光受信モジュールの利用範囲が今後も拡大されることを考えに入れると光受信モジュールの構造が簡素であることも重要である。発明者は、簡素な構造を実現するためには、光ファイバと半導体受光素子とをパッシブアライメント構造により実現できることが好適であると考えている。
【０００４】
そこで、本発明の目的は、パッシブアライメント構造を備えると共に、光伝送速度を向上可能な構造を備える光受信モジュールを提供することにした。
【０００５】
この目的を達成するために、発明者は、現在の光受信モジュールの構造について検討を行った。この光受信モジュールは、光ファイバおよび半導体受光素子を配置基板上に搭載している。また、光受信モジュールは、半導体受光素子からの電気信号を処理するための半導体信号処理素子を備えている。この半導体信号処理素子は、半導体受光素子とボンディングワイヤを介して接続されている。
【０００６】
この構造について発明者が検討した結果、下記の点に気づいた。光通信モジュールにおいては、半導体受光素子の配置が重要である。なぜなら、半導体受光素子は、所望の特性を実現するように半導体信号処理素子と電気的に接続されていなければならず、また、所望の光学的な結合をも共に実現するように光ファイバと光学的に結合されていなくてはならない。この知見に基づいて、発明者は、以下のような発明をするに至った。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の一側面は、光ファイバからの信号光を電気信号に変換する光受信モジュールに係る。光受信モジュールは、所定の軸方向に沿って主面上に設けられた第１、第２および第３の領域を有する搭載部材を備える。第１の領域は、第１および第２の支持面を持つ光ファイバ支持部を有しており、第２の領域は、突き当て面を有しており、第３の領域は、光ファイバからの光を反射する反射面とこの反射面に光ファイバからの光を導くための光学的通路とを有する素子実装部を有している。光受信モジュールは、一端および他端を有しており、第１および第２の支持面に支持されると共に一端が突き当て面に突き当たられた光ファイバを備える。光受信モジュールは、光ファイバから受けた光を電気信号に変換する受光部を有する半導体受光素子を備える。反射面からの光を半導体受光素子に提供するモノリシックレンズおよび半導体受光素子からの電気信号を処理する信号処理部を有しており素子実装部に配置された半導体素子を備える。半導体素子は、受光素子配置部を更に有しており、半導体受光素子は、受光素子配置部上に配置されている。
本発明の別の側面は、光ファイバからの信号光を電気信号に変換する光受信モジュールに係る。光受信モジュールは、所定の軸方向に沿って主面上に設けられた第１、第２および第３の領域を有する搭載部材を備える。第１の領域は、第１および第２の支持面を持つ光ファイバ支持部を有しており、第２の領域は、突き当て面を有しており、第３の領域は、光ファイバからの光を反射する反射面とこの反射面に光ファイバからの光を導くための光学的通路とを有する素子実装部を有している。光受信モジュールは、一端および他端を有しており、第１および第２の支持面に支持されると共に一端が突き当て面に突き当たられた光ファイバを備える。光受信モジュールは、光ファイバから受けた光を電気信号に変換する光検出部、反射面からの光を光検出部に提供するモノリシックレンズおよび光検出部からの電気信号を処理する信号処理部を有しており、前記素子実装部に配置された半導体素子を備える。モノリシックレンズは半導体素子の第１の面に設けられており、光検出部および信号処理部は第１の面に対向する第２の面に設けられている。
【０００８】
この光受信モジュールは、パッシブアライメント構造を有する。光受信モジュールにおいて、半導体素子は、搭載基板の素子搭載部に配置されており、モノシックレンズおよび信号処理部を有している。このモノシックレンズを介して、光ファイバは半導体受光素子に光学的に結合されている。半導体受光素子からの電気信号は、半導体素子の信号処理部によって処理される。
【０００９】
光受信モジュールでは、半導体受光素子は、受けた光を電気信号に変換する受光部を有する半導体受光素子を含む。半導体素子は、素子配置部を更に有している。この素子配置部上に、半導体受光素子が配置される。半導体受光素子は半導体素子の素子配置部上に配置されているので、半導体素子のモノシックレンズを介して光ファイバに光学的に結合される。
【００１０】
光受信モジュールでは、半導体素子は、素子配置部を更に有している。半導体受光素子は、電極面および受光部を有する半導体受光素子を含む。電極面には、受光部に接続された電極が設けられている。受光部は、電極面から入射した光を受ける。半導体受光素子は、電極面が素子配置部に対面するように素子配置部に配置されている。
【００１１】
半導体受光素子は、半導体素子の素子配置部上にフリップチップボンディングされている。この配置により、半導体受光素子の受光部が、半導体素子のモノシックレンズを介して光ファイバに光学的に結合される。
【００１２】
光受信モジュールでは、モノリシックレンズは、半導体素子の第１の面に設けられている。素子配置部は、第１の面に対向する第２の面に設けられている。第１の面と第２の面との間の間隔は、モノリシックレンズの焦点距離に関連付けるように決定されている。
【００１３】
光受信モジュールでは、半導体素子は、素子配置部とモノリシックレンズとの間に設けられた一または複数の半導体部を含んでいる。各半導体部は、光ファイバからの光が透過可能な材料である。この形態により、光ファイバは、半導体素子内の経路を通して半導体受光素子に光学的に結合される。
【００１４】
本発明の一側面に係る光受信モジュールでは、モノリシックレンズは半導体素子の第１の面に設けられており、受光素子配置部は第１の面に対向する第２の面に設けられており、第１の面と第２の面との間の間隔はモノリシックレンズの焦点距離に関連付けるように決定されることが好ましい。また、本発明の光受信モジュールでは、光ファイバからの光は、モノリシックレンズを通過して半導体受光素子に到達する。
本発明の別の側面に係る光受信モジュールでは、半導体素子の厚さは、モノリシックレンズの焦点距離に関連付けるように決定されることが好ましい。本発明の光受信モジュールでは、光ファイバからの光はモノリシックレンズを通過して光検出部に到達する。
【００１５】
この光受信モジュールでは、半導体素子の厚さは、モノリシックレンズの焦点距離に関連付けるように決定されている。
【００１６】
この光受信モジュールでは、半導体素子は、光検出部と前記モノリシックレンズとの間に設けられた一または複数の半導体部を含む。各半導体部は、光ファイバからの光が透過可能である。この形態により、光ファイバは、半導体素子内の経路を通して光検出部に光学的に結合される。
【００１７】
光受信モジュールは、半導体素子と電気的に接続された配線基板を更に備えるようにしてもよい。配線基板は、この配線基板と光ファイバとの間に半導体素子が位置するように配置されている。この配線基板は、半導体素子に隣接して配置されることが好ましい。所定の軸に沿って、光ファイバ、半導体素子および配線基板が配置されることが好ましい。
【００１８】
光受信モジュールは、光ファイバを保持するフェルールを更に備えるようにしてもよい。搭載部材は、第１の領域において所定の軸方向に沿って伸びており、フェルールを支持するフェルール支持部を有している。また、光受信モジュールは、搭載部材、光ファイバ、半導体素子を収容するハウジングを更に備えるようにしてもよい。フェルールは、ハウジングに固定されている。
【００１９】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述からより容易に明らかになる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
本発明は、添付図面と共に以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解される。図面に共通な同一要素を示すために、可能な場合には、同一の参照番号が使用される。
【００２１】
(第１の実施の形態)
図１、図２および図３を参照しながら、第１の実施の形態に係わるピグテール型光受信モジュールを説明する。この光受信モジュール２ａは、光結合デバイス１０ａと、パッケージ１２といったハウジングと、受光素子アセンブリ１４と、部品搭載部材１６、２６と、光ファイバ１８と、を備える。受光素子アセンブリ１４は、搭載基板２０と、半導体受光素子２２と、半導体信号処理素子２８とを備える。搭載基板２０上には、半導体信号処理素子２８が配置されている。半導体信号処理素子２８上には、半導体受光素子２２が配置されている。特に、図２を参照すると、半導体信号処理素子２８は、モノリシックレンズを備えており、半導体受光素子２２は、光ファイバ１８からの光をモノリシックレンズを介して受ける。
【００２２】
光結合デバイス１０ａは、光ファイバ１８の他端に接続されている。光結合デバイス１０ａとしては、例えば、光ファイバ１８の一端に接続された光コネクタまたは光ファイバ１８の他端に接続されたフェルールがある。
【００２３】
パッケージ１２は、第１および第２の側壁１２ａ、１２ｂと、導入壁１２ｃと、第３の側壁１２ｄとを有する。第１および第２の側壁１２ａ、１２ｂは、所定に軸方向に伸びる。導入壁１２ｃは、光ファイバを受け入れるように設けられている。第３の側壁１２ｄは、導入壁と対向するように設けられている。パッケージ１２としては、バタフライ型パッケージが例示される。第１〜第３の側壁１２ａ、１２ｂ、１２ｄには、それぞれ複数の端子１２ｅが設けられている。特に図２及び図３を参照すると、導入壁１２ｃには、光ファイバを受け入れるための光ファイバ導入孔１２ｆが設けられている。光ファイバ導入壁１２ｃの外側には、導入孔１２ｆの位置に合わせて、ガイド部１２ｇが所定の軸方向に向けて突出している。ガイド部１２ｇには、その一端から他端に向けて光ファイバを挿入可能な光ファイバ挿入孔が設けられている。光ファイバ１８は、光ファイバ挿入孔に挿入され、導入孔１２ｆを介してパッケージ内部に到達する。ガイド部１２ｇには、光ファイバ挿入孔に至る貫通孔１２ｊが設けられている。ガイド部１２ｇに光ファイバ１８を挿入した後に、この貫通孔１２ｊから樹脂を導入して、光ファイバ１８をガイド部１２ｇに固定する。ガイド部１２ｇの外周はゴムブーツ１９といった保護部材で覆れているので、ガイド部１２ｇの端部において光ファイバ１８に加わる外力を低減できる。パッケージ１２の底部１２ｉには、受光素子アセンブリ１４が配置されている。底部１２ｉの材料には、例えばＣｕＷを使用できる。
【００２４】
受光素子アセンブリ１４は、搭載基板２０と、半導体受光素子２２と、半導体信号処理素子２８とを備える。搭載基板２０の主面上には、半導体素子２８が配置されている。搭載基板２０の主面の高さは、受光素子アセンブリ１４がパッケージ１２に配置されたときに、光ファイバの光軸の延長軸の高さと位置合わせされている。この位置合わせにより、光ファイバ１８の高さは、搭載基板２０の主面の高さとほぼ一致する。この搭載基板２０により、パッケージ１２内に導入された光ファイバ１８は、望まれない屈曲することなく受光素子アセンブリ１４に到達できる。光ファイバ１８が、搭載基板２０上において位置決めされた後に、覆い部材２４により固定される。半導体信号処理素子２８上には、半導体受光素子２２が配置されている。半導体信号処理素子２８の素子面の高さは、配線基板１２ｈの主面の高さと関連付けられている。配線基板１２ｈは、パッケージ１２内に設けられている。この高さ調整によって、半導体信号処理素子２８と配線基板１２ｈとの配線長(例えばボンディングワイヤ長)を短縮できる。
【００２５】
受光素子アセンブリ１４と側壁１２ａとの間には、部品搭載部材１６が配置されている。また、受光素子アセンブリ１４と側壁１２ｂとの間には、部品搭載部材２６が配置されている。部品搭載部材１６、２６は、半導体受光素子２２と配線基板１２ｈとを電気的に接続するために利用される配線用部品３３、抵抗およびコンデンサといった受動素子３１とを搭載している。
【００２６】
配線部材１２ｈは、受光素子アセンブリ１４および部品搭載部材１６、２６に隣接するように設けられている。また、配線基板１２ｈは、端子１２ｅが設けられている側壁１２ａ、１２ｂ、１２ｄに沿って設けられている。具体的には、配線基板１２ｈは、第１〜第３の領域からなる。第１および第２の領域は、光ファイバ搭載基板２０と側壁１２ａ、１２ｂの各々との間に所定の軸方向に延びるように設けられている。第３の領域は、第１および第２の領域を繋ぐようにこれらの間に挟まれて、また搭載基板２０と側壁１２ｄとの間に所定の軸と交差する方向に伸びる。このため、配線基板１２ｈは、受光素子アセンブリ１４および部品搭載部材１６、２６に面する複数の辺(図１の例では三辺)を有する。
【００２７】
また、部品搭載部材１６、２６の主面の高さは、配線基板１２ｈの配線面の高さと関連づけられている。これによって、受動素子３１および配線用部材３３を介する半導体信号処理素子２８と配線基板１２ｈとの間の配線長(ボンディングワイヤ長)を短縮できる。また、素子搭載部材１６、２６の主面の高さは、受動素子３１および配線用部材３３を介する配線の長さが短縮できるように、配線器基板１２の主面の高さと関連付けられている。
【００２８】
例示的に説明すれば、半導体信号処理素子２８の電極が部品搭載部材１６、２６を介して配線基板１２ｈに接続される場合にも、搭載基板２０と部品搭載部材１６、２６とを結ぶ配線長(ボンディングワイヤ長)を短縮できる。好適な実施例では、配線基板１２ｈの配線面および半導体信号処理素子２８の上面の高さは、幅２ｍｍの範囲に含まれる。加えて、配線基板１２ｈおよび半導体信号処理素子２８を搭載部材２６上の導電層を介して接続することによって、ボンディングワイヤ長を１ｍｍ以下にまで短縮できる。
【００２９】
好適な実施例では、部品搭載部材１６、２６は、ＣｕＷといった熱伝導性に優れた金属材料で形成される。また、第３の部分には、半導体信号処理素子２８が配置され、部品搭載部材１６、２６には、受動素子３１または配線用部材３３が配置される。また、半導体受光素子２２は、半導体信号処理素子２８上に配置されるので、半導体信号処理素子２８上にバンプ等を用いてフリップチップボンディングが可能になる。この構造により、両素子を近接して配置できると共に、これら素子を接続するためにボンディングワイヤを用いることなく、またこれらの間の配線長を短縮できる。
【００３０】
発明者の検討によれば、１０Ｇｂｐｓ程度またはそれ以上の伝送速度では、ワイヤによって生じるインダクタンスも無視することができない。ボンディングワイヤのインダクタンスの影響の一例を示せば、ワイヤ直径２５μｍの場合、長さ１ｍｍでは０．８ｎＨ程度のインダクタンスを有する。このインピーダンス値は、７．５ＧＨｚの周波数で３７．７Ω程度となる。また、フォトダイオードまたは集積回路の入力部にはサブｐＦ程度のキャパシタンスが存在する。例えば、キャパシタンスを０．３ｐＦと見積もると、このキャパシタンスおよび１ｍｍ長のワイヤによる共振周波数は１０．３ＧＨｚとなり、１．９ｎＨのインダクタンスでは共振周波数が６．７ＧＨｚとなる。このため、１０Ｇｂｐｓ程度またはそれ以上の伝送速度の光受信モジュールでは、ワイヤ長が１ｍｍを越えないようにする必要がある。このためには、光ファイバの光軸を含む平面に対して±１ｍｍ以内に収まるように、半導体受光素子２２、半導体信号処理素子２８、配線基板１２ｈの高さが規定される。
【００３１】
図４(ａ)及び図４(ｂ)は、光受信モジュール２の一例の等価回路を示す。半導体受光素子２２として、フォトダイオードが示されている。半導体信号処理素子２８として、プリアンプが示されている。フォトダイオードのアノードは、プリアンプの入力に接続されている。プリアンプは、入力に受けた信号を増幅すると共に、差動信号に変換された一対の信号を生成する。フォトダイオードは、プリアンプの半導体チップ上にフリップチップ形態でダイボンドされている。図４(ａ)を参照すると、フォトダイオードからの微少信号は、直下に位置する半導体信号処理素子２８で増幅されると共に差動信号に変換された後に、キャパシタ３０を介して光受信モジュールの端子１２ｅに与えられる。この図面は、図１、図９、図１４に示された光受光モジュールの構成を示す。また、図４(ｂ)を参照すると、フォトダイオードからの微少信号は、直下に位置する半導体信号処理素子２８で増幅されると共に差動信号に変換された後に、直接に光受信モジュールの端子１２ｅに与えられる。この図面は、図１５に示された光受光モジュールの構成を示す。
【００３２】
図５(ａ) 〜図５(ｃ)を参照しながら、搭載基板２０を説明する。搭載基板２０は、所定に軸方向に沿って配置された第１〜第４の領域２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄを備える。第１の領域２０ａには、所定の軸方向に伸びる光ファイバ支持溝３２が形成されている。光ファイバ支持溝３２は、所定の軸方向に伸びると共に、光ファイバの側面を支持することが可能な２つの光ファイバ支持面３２ａ及び３２ｂを備える。
【００３３】
第１の領域２０ａは、また、所定の軸方向に伸びる光ファイバ導入溝３４を有する。光ファイバ導入溝３４は、搭載基板２０の一辺から光ファイバ支持溝３２の一端まで伸びる。光ファイバ導入溝３４も、光ファイバ支持溝３２と同様に、２つの構成面３４ａ及び３４ｂを備えるけれども、光ファイバ支持溝３２よりも深い。光ファイバ導入溝３４は、光ファイバ支持溝３２との接続部分において、テーパ領域３６を備える。テーパ領域３６は、テーパ面３６ａ、３６ｂを有する。テーパ面３６ａ及び３６ｂは、それぞれ、光ファイバ支持面３２ａ及び３２ｂと構成面３４ａ及び３４ｂとを接続する。光ファイバ支持溝３２は、所定の軸と交差する方向に関する光ファイバの位置を規定する。
【００３４】
第２の領域２０ｂは、所定の軸と交差する方向に伸びる突き当て溝３８を有する。突き当て溝３８は、所定の軸に交差する方向に伸びる突き当て面３８ａを有する。この構造によれば、光ファイバ支持溝３２に配置された光ファイバの一端は、突き当て面３８ａに突き当てられる。この突き当てによって、光ファイバの調芯が必要なく、所定の軸方向に関して光ファイバが位置決めされる。光ファイバを覆うように搭載基板２０上に覆い部材２４を配置すると、光ファイバが固定される。
【００３５】
第３の領域２０ｃには、光結合部が設けられている。光結合部は、反射面４０と、光通過溝４２とを有する。反射面４０は、所定の軸方向と交差する方向に伸びる。光通過溝４２は、反射面４０から突き当て溝３８まで所定の軸方向に伸びる。光通過溝４２は、光ファイバ支持溝３２に配置された光ファイバの一端から反射面４０への光路を提供する。光結合部には、また、所定の軸と交差する方向に伸びる傾斜面(参照番号４０に対応する)を有する溝４８が形成されている。この傾斜面が反射面として利用されるので、反射面４０の幅が光通過溝４２の幅より広くなる。故に、光通過路４２の端部に形成される斜面を反射面として利用する場合に比べて、反射面の面積を大きくできる。一方、溝４８が無い場合には、光通過路４２を構成する２側面が、光通過路４２の端部に位置する斜面に隣接する面となり、光ファイバから出射された光は、これらの側面によって反射される。
【００３６】
第３および第４の領域２０ｃ及び２０ｄには、素子実装部が設けられている。素子実装部には、半導体信号処理素子２８を搭載するための導電層４６が設けられている。半導体信号処理素子２８が素子実装部に配置されると、光結合部に位置する反射面４０および光通過溝４２は、半導体信号処理素子２８により覆われる。
【００３７】
また、第３および第４の領域２０ｃ、２０ｄには、半導体信号処理素子２８の搭載位置を規定するための複数の位置決めマーカ４４が設けられている。位置決めマーカ４４が、光ファイバ支持溝３２、反射面４０、および光導入路４２と同一の製造工程で形成されるとき、光ファイバ１８と半導体信号処理素子２８との位置決め精度が改善される。
【００３８】
好適な実施例では、搭載基板２０はシリコン基板で形成される。シリコン基板を用いる場合、エッチングによって、光ファイバ支持溝３２、光ファイバ導入溝３４、反射面４０、位置決めマーカ４４および光導入路４２を同時に形成できる。また、光ファイバ支持溝３２および光ファイバ導入溝３４は、Ｖ溝または台形溝である。
【００３９】
図６(ａ)および図６(ｂ)を参照すると、半導体信号処理素子２８は、第１の面２８ａと、第１の面２８ａに対向する第２の面２８ｂとを備える。第１の面２８ａは、所定の軸方向に配置された素子配置部２８ｃおよび信号処理部２８ｄを備える。素子配置部２８ｃには、半導体受光素子２２が配置される。信号処理部２８ｄは、半導体受光素子２２といった光電変換手段からの電気信号を処理する信号処理回路を備えている。信号処理回路としては、電気信号を増幅するプリアンプが例示される。
【００４０】
また、素子配置部２８ｃには、パッド電極２８ｇ、２８ｈ、２８ｉ、２８ｊ、２８ｋが配置されている。パッド電極２８ｇ、２８ｈ、２８ｉ、２８ｊ、２８ｋは、それぞれ、半導体受光素子２２のパッド電極２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ、２２ｇ、２２ｈに位置合わせされている。パッド電極２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ、２２ｇは、半導体受光素子２２のカソードに接続されている。電極２８ｇ、２８ｈ、２８ｉ、２８ｊは、カソード電源線が接続されている。カソード用の電極は、半導体チップの四隅に配置されている。一方、光検出部２２ｅは、これらの電極に隣接している。この配置により、半導体受光素子２２が半導体信号処理素子２８上に安定して支持される。パッド電極２２ｈは、半導体受光素子のアノードに接続されている。電極２８ｋは、第１の面２８ａ上に設けられた導電線を介して信号処理回路の入力に接続されている。アノード用の電極は、カソード用の電極の間に配置されている。この配置により、アノード用の電極が半導体信号処理素子２８上の対応電極に確実に接続される。
【００４１】
さらに、パッド電極２８ｇ、２８ｈ、２８ｉ、２８ｊ、２８ｋには、例えばバンプ電極２９ａが設けられている。半導体受光素子２２は、位置合わせマーカ２８ｍに合わせて半導体信号処理素子２８上に配置される。この配置により、半導体受光素子２２のパッド電極２２ｄ、２２ｅ、２２ｆ、２２ｇ、２２ｈは、それぞれ、半導体信号処理素子２８上のパッド電極２８ｇ、２８ｈ、２８ｉ、２８ｊ、２８ｋにバンプ電極２９ａを介して電気的に接続されると共に固定される。この時、半導体受光素子２２と半導体信号処理素子２８とはそれぞれのパッド間のセルフアライメント効果により高精度な位置合わせが期待できる。
【００４２】
第２の面２８ｂは、素子配置部２８ａに位置合わせされたモノリシックレンズを備える。図６(ａ)および図６(ｂ)に示された実施例では、モノリシックレンズ２８ｆは素子配置部２８ａに対向するように設けられている。モノリシックレンズ２８ｆは、搭載基板２０の反射面４０からの光を半導体受光素子２２の受光面２２ｃに提供する。第１の面２８ａと第２の面２８ｂとの間の間隔は、モノリシックレンズ２８ｆの焦点距離に関連付けるように決定されている。
【００４３】
また、第２の面２８ｂには、モノリシックレンズ２８ｆが位置する領域を除いて、導電層２８ｎが設けられている。導電層２８ｎは、導電性接着剤あるいは半田といった固定部材を介して導電層４６に固定される。
【００４４】
モノリシックレンズ２８ｆから素子配置部２８ａへ至る素子の部分は、例えば、１マイクロメートル以上の波長の光が透過できる材料の基板で形成されている。
【００４５】
図７(ａ)および図７(ｂ)は、本実施の形態に適用可能な半導体受光素子２２ａ及び２２ｂを示す。これらの半導体受光素子は、いずれも前面入射型ｐｉｎ受光素子である。半導体受光素子は、半導体信号処理素子２８の素子搭載部にフリップチップ形態で搭載される。
【００４６】
図７(ａ)を参照すると、半導体受光素子２２ａは、Ｓドープｎ+型ＩｎＰ基板１００と、ｉ型ＩｎＰ半導体層１０２と、ｉ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１０４と、ｉ型ＩｎＰ半導体層１０６と、Ｚｎドープｐ+型半導体領域１０８ａと、ｐ+型半導体領域１０８ｂとを備える。ｎ+型ＩｎＰ基板１００の主面上には、ｉ型ＩｎＰ半導体層１０２、ｉ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１０４、ｉ型ＩｎＰ半導体層１０６、Ｚｎドープｐ+型半導体領域１０８ａおよびｐ+型半導体領域１０８ｂが順に配置されている。ｐ+型半導体領域１０８ａおよびｐ+型半導体領域１０８ｂは、ｉ型ＩｎＰ半導体層１０６およびｉ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１０４内に形成されている。ｐ+型半導体領域１０８ａとその直下のｉ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１０４とは光検出部として働き、ｐ+型半導体領域１０８ｂは、ｐ+型半導体領域１０８ａを囲んで形成され、光検出部の外側に入射した光によって生成されたキャリアを速やかに消失させるキャリア捕獲部として働く。ｐ+型半導体領域１０８ａには、アノード電極１１０が設けられる。基板１００の主面に対向する裏面には、カソード電極１１２が設けられている。
【００４７】
図７(ｂ)を参照すると、半導体受光素子２２ｂは、Ｆｅドープ半絶縁性ＩｎＰ基板１２０と、Ｓドープｎ+型ＩｎＰ半導体層１２２と、ｉ型ＩｎＰ半導体層１２４と、ｉ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１２６と、ｉ型ＩｎＰ半導体層１２８と、Ｚｎドープｐ+型半導体領域１３０、１３２とを備える。Ｆｅドープ半絶縁性ＩｎＰ基板１２０の主面上には、Ｓドープｎ+型ＩｎＰ半導体層１２２、ｉ型ＩｎＰ半導体層１２４、ｉ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１２６、ｉ型ＩｎＰ半導体層１２８、およびＺｎドープｐ+型半導体領域１３０、１３２が順に配置されている。半導体領域１３２は、半導体領域１３０を囲んでいる。ｐ+型半導体領域１３０、１３２は、ｉ型ＩｎＰ半導体層１２８およびｉ型ＩｎＰＧａＡｓ半導体層１２６内に形成されている。ｐ+型半導体領域１３０は光検出部として働く。ｐ+型半導体領域１３０には、アノード電極１３４が設けられる。一方、ｎ+型半導体領域１３２は、ｐ+型半導体領域１３０を囲んで形成され、電荷捕獲領域として働く。ＩｎＰ半導体層１２８上には、カソード電極１３５が設けられる。
【００４８】
図８は、光ファイバ１８、半導体受光素子２２および半導体信号処理素子２８を搭載基板２０上に搭載した形態を示す模式図である。軸Ａ１は光検出部２２ｃの位置を示しており、軸Ａ２はモノリシックレンズ２８ｆの中心を示している。光ファイバ１８は、光ファイバ支持溝３２および突き当て面３８ａにより位置決めされる。この光ファイバ１８の一端から放出された光は、光通過溝４２を通過する。光Ｂは、所定に軸１上を進み、反射面４０で反射される。この反射光Ｃは、モノリシックレンズ２８ｆを通過して光検出部２２ｃに到達する。
【００４９】
光ファイバ１８及び半導体信号処理素子２８は、光ファイバ１８からの光がモノリシックレンズの中心近傍を通過するように、反射面４０に関して位置決めされる。また、半導体受光素子２２は、光ファイバ１８からの光が半導体受光素子２２の光検出部２２ｃに到達するように、半導体信号処理素子２８に関して位置決めされる。この位置決めにより、半導体受光素子２２は、光ファイバ１８からの光が半導体受光素子２２の光検出部２２ｃに到達するように、半導体信号処理素子２８上に配置される。これによって、モノリシックレンズ２２ｆの曲率半径におけるばらつきに対する許容度が増す。この曲率半径は、光検出部２２ｃの光検出領域の面積と距離とに関連づけて決定されている。なぜなら、光検出領域が小さくできれば、高速動作に関して有利であるからである。発明者の見積によれば１０Ｇｂｐｓ程度の伝送速度を実現するためには、光検出部の直径は約７０μｍ以下であることが必要であり、キャパシタンス値は約０．４２ｐＦ以下である。また、モノリシックレンズ２８ｆの焦点距離が長い場合には、半導体信号処理素子２８の基板の厚みが厚くなる。
【００５０】
(第２の実施の形態)
図９および図１０を参照すると、第２の実施の形態に係わるピグテール型光受信モジュールを説明する。光受信モジュール２ｂは、図１に示された光受信モジュール２ａの受光素子アセンブリ１４に代えて、受光素子アセンブリ１５を備える。つまり、光受信モジュール２ｂは、光結合デバイス１０ａと、パッケージ１２といったハウジングと、受光素子アセンブリ１５と、部品搭載部材１６、２６と、光ファイバ１８とを備える。受光素子アセンブリ１５は、搭載基板２０および半導体信号処理素子２５を備える。搭載基板２０上には、半導体信号処理素子２５が配置されている。半導体信号処理素子２５には、半導体受光素子部が設けられている。半導体信号処理素子２５は、モノリシックレンズをさらに備えており、半導体受光素子部は、モノリシックレンズを介して光ファイバ１８からの光を受ける。
【００５１】
図１１(ａ)および図１１(ｂ)を参照すると、半導体信号処理素子２５は、第１の面２５ａと、第１の面２５ａに対向する第２の面２５ｂとを備える。第１の面２５ａは、所定の軸方向に配置された光素子部２５ｃおよび信号処理部２５ｄを備える。光素子部２５ｃには、半導体受光素子部２５ｋが位置している。信号処理部２５ｄは、半導体受光素子部２５ｋといった光電変換手段からの電気信号を処理する信号処理回路を備えている。信号処理回路としては、電気信号を増幅するプリアンプが例示される。
【００５２】
また、光素子部２５ｃには、パッド電極２５ｇ、２５ｈが配置されている。半導体受光素子部２５ｋは、カソード２５ｊおよびアノード２５ｉを有する。パッド電極２５ｈは、半導体受光素子のカソード２５ｊに接続されている。パッド電極２５ｇは、半導体受光素子のアノード２５ｉに接続されている。電極２５ｈには、カソード電源線が接続されている。電極２５ｇは、第１の面２５ａ上に設けられた導電線を介して信号処理回路の入力に接続されている。
【００５３】
第２の面２５ｂは、光素子部２５ａに位置合わせされたモノリシックレンズ２５ｆを備える。図１１(ａ)および図１１(ｂ)に示された実施例では、モノリシックレンズ２５ｆは光素子部２５ａに対向するように設けられている。モノリシックレンズ２５ｆは、搭載基板２０の反射面４０からの光を半導体受光素子部２５ｋの受光部に提供する。第１の面２５ａと第２の面２５ｂとの間の間隔は、モノリシックレンズ２５ｆの焦点距離に関連付けるように決定されている。
【００５４】
また、第２の面２５ｂには、モノリシックレンズ２５ｆが位置する領域を除いて、導電層２５ｍが設けられている。導電層２５ｍは、導電性接着剤あるいは半田といった固定部材を介して導電層４６に固定される。半導体受光素子部は、前面入射型ｐｉｎ受光素子である。半導体受光素子は、半導体信号処理素子２５に形成されている。
【００５５】
半導体信号処理素子２５を用いると、半導体受光素子を実装するための製造工程が不要になる。また、半導体信号処理素子２５上に半導体受光素子部を集積するために必要な領域は、別個の半導体チップの半導体受光素子を実装するための領域に比べて小さい。故に、半導体信号処理素子２５のチップサイズが小さくできる。これにより、半導体受光素子部と信号処理回路との電気的な接続長も短縮可能である。さらに、半導体信号処理素子２５の半導体チップには、半導体受光素子部、信号処理回路およびモノリシックレンズの全てが集積されている。故に、半導体受光素子部とモノリシックレンズとの光学的な結合が、半導体チップを作成することにより決定されると共に、半導体受光素子部と信号処理回路との電気的な接続も、半導体チップを作成することにより決定される。したがって、光受信モジュールの光学的特性および電気的特性は、微細加工が可能な半導体製造プロセスによって向上される。
【００５６】
図１２は、光ファイバ１８、半導体信号処理素子２５を搭載基板２０上に搭載した形態を示す模式図である。軸Ａ３は、光を検出する半導体受光素子部２５ｋの位置を示しており、軸Ａ２はモノリシックレンズ２５ｆの中心を示している。光ファイバ１８は、光ファイバ支持溝３２および突き当て面３８ａにより位置決めされる。この光ファイバ１８の一端から放出された光は、光通過溝４２を通過する。光Ｂは、所定に軸１上を進み、反射面４０で反射される。この反射光Ｃは、モノリシックレンズ２５ｆを通過して半導体受光素子部２５ｋに到達する。
【００５７】
光ファイバ１８及び半導体信号処理素子２５は、光ファイバ１８からの光がモノリシックレンズの中心近傍を通過するように、反射面４０に関して位置決めされる。この位置決めにより、半導体信号処理素子２５は、光ファイバ１８からの光が半導体受光素子部２５ｋの光検出部に到達するように配置される。この曲率半径は、光検出部２２ａの光検出領域の面積と距離とに関連づけて決定されている。モノリシックレンズ２５ｆの焦点距離が長い場合には、半導体信号処理素子の基板の厚みを厚くする。
【００５８】
図１３は、半導体信号処理素子の模式図である。半導体信号処理素子２５は、メサ構造の半導体素子である。メサ型の半導体受光素子部２５ｋは、Ｓドープｎ+型ＩｎＰ半導体層１４２と、ｎ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１４４と、ｎ型ＩｎＰ半導体層１４６と、高濃度Ｂｅドープｐ+型半導体領域１４８とを備える。ｎ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１４４、ｎ型ＩｎＰ半導体層１４６、および高濃度Ｂｅドープｐ+型半導体領域１４８は、Ｆｅドープの半絶縁性ＩｎＰ基板１４０の主面上に順に配置されている。半導体受光素子２５ｃは、軸Ａ５によって規定される位置に配置されている。ｎ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１４４とｐ+型半導体領域１４８との接合部に生成される空乏層内において、入射光により電子正孔対が生成される。メサ型の半導体受光素子部２５ｃの上面には、絶縁膜１５０が形成される。絶縁膜１５０には、ｎ型ＩｎＰ半導体層１４６およびｐ+型半導体領域１４８の各々に通じるコンタクト孔が形成され、コンタクト孔内には導電体が形成され、これによりアノード電極１５２およびカソード電極１５４が形成される。
【００５９】
基板１４０の主面に対向する裏面には、中心軸(光軸)Ａ６を持つモノリシックレンズ１５８が形成されている。モノリシックレンズ１５８の周囲を囲むようにメタライズ層１５６が設けられている。
【００６０】
信号処理部２５ｄには、増幅回路を構成するトランジスタが設けられている。Ｆｅドープの半絶縁性ＩｎＰ基板１４０上のトランジスタ領域には、ｎ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１６０のメサが設けられている。ｎ型ＩｎＧａＡｓ半導体層１６０のチャネル領域上には、ＩｎＰ半導体層１６２が形成されている。ＩｎＰ半導体層１６２上には、絶縁層１６４が形成されている。絶縁層１６４には、ゲート電極部を形成できるようにＩｎＰ半導体層１６２に到達している開口部が設けられている。開口部には、ゲート電極１６６が形成される。ゲート電極１６６は、ＩｎＰ半導体層１６２に接触するように、ＩｎＰ半導体層１６２および絶縁層１６４上に設けられている。ＩｎＧａＡｓ半導体層１６０およびＩｎＰ半導体層１６２内には、ゲート電極１６６に位置を合わせてＢｅドープのｐ型半導体領域１６８が形成されている。ＩｎＧａＡｓ半導体層１６０には、ソース電極１７０およびドレイン電極１７２が形成されている。ＩｎＰ半導体層１６２及びゲート電極１６６は、ソース電極１７０とドレイン電極１７２との間に位置する。
【００６１】
既に説明したように、半導体信号処理素子２５においては、半導体受光素子の電極(アノード及びカソードの一方)は、基板１４０上に設けられた導電体を介して、増幅回路を構成するトランジスタのゲートに接続されている。この接続により、半導体基板１４０上に半導体信号処理素子を構成できる。半導体信号処理素子は、モノリシックレンズを介して受けた光を電気信号に変換すると共に、この電気信号を増幅して、増幅された信号を提供する。故に、この構造により、光受信モジ
ュールが、１０Ｇｂｐｓを越えるような伝送レートの信号も受けることができるようになる。
【００６２】
(第３の実施の形態)
図１４を参照しながら、第３の実施の形態に係わる光受信モジュールを説明する。光受信モジュール２ｃのパッケージは、ガイド１２ｇの代わりにヘッド部１３を備える。
【００６３】
ヘッド部１３は、所定に軸１の方向に伸びるフェルールガイド孔及び光ファイバ通過孔を備える。フェルールガイド孔には、フェルール１０ｂが挿入されている。フェルール１０ｂの一端には、光ファイバ１８に端部が現れている。また、ヘッド部１３は、フェルール１０ｂを挟む一対の側面にガイド突起１３ａとラッチ突起１３ｂを備える。ガイド突起１３ａは、所定の軸１に沿って伸びるように設けられ、またラッチ突起１３ｂは、ガイド突起１３ａの一端に配置され、所定の軸１と交差する方向に伸びる。
【００６４】
光受信モジュール２ｃは、上記のパッケージに加えて、受光素子アセンブリ１４と、光ファイバ１８と、部品搭載部材１６及び２６とを備える。ガイド突起１３ａとラッチ突起１３ｂは、光受信モジュール２ｃと接続される光学デバイス(図示せず)がヘッド部１３に容易に嵌め合わせできるように機能する。光受信モジュール２ｃは、光コネクタといった光結合デバイスと接続される。この接続のために、光結合デバイスは嵌め合わせ部を有する。嵌め合わせ部は、ガイド突起１３ａに位置合わせされる。この位置合わせを容易にするために、光受信モジュール２ｃは、ガイド突起１３ａの他端にテーパ面１３ｃを備えている。光結合デバイスをガイド突起１３ａに沿って移動すると、該嵌め合わせ部がラッチ突起１３ｂに突き当たる。その嵌め合わせ部がラッチ突起１３ｂを乗り越えると、ラッチが完了する。このラッチを容易にするために、ラッチ突起１３ｂの側面には、テーパ面１３ｄが設けられている。
【００６５】
(第４の実施の形態)
図１５を参照しながら、第４の実施の形態に係わる光受信モジュールを説明する。この光受信モジュール２ｄは、これまでの実施の形態の受光素子アセンブリ１４と異なる受光素子アセンブリ１１を備える。
【００６６】
この光受信モジュール２ｄは、封止用樹脂体５０と、リード５２ｂ、５２ｃおよびアイランド５２ａを含む組立部材５１と、受光素子アセンブリ１１と、信号処理素子アセンブリ１６と、光ファイバ１８とを備える。本実施の形態では、受光素子アセンブリ１１は、フェルール１０ｃと、光ファイバ搭載基板２１と、半導体受光素子２２と、覆い部材２４とを備える。
【００６７】
光受信モジュール２ｄでは、受光素子アセンブリ１１および信号処理素子アセンブリ１６は、組立部材５１のアイランド５２ａ上に所定に軸１の方向に搭載されている。また、受光素子アセンブリ１１並びに部品搭載部材１６及び２６は、組立部材５１のインナリード５２ｂにボンディングワイヤを介して電気的に接続されている。組立部材５１はリードフレームから形成される。リードフレーム５２は、アイランド５２ａ、内部リード５２ｄ、外部リード５２ｅ、並びに内部リード５２ｄおよび外部リード５２ｅを支持する外枠を備える。受信アセンブリ１１および信号処理アセンブリ１６は、アイランド５２ａ上に搭載され、フェルール１０ｃは所定の軸１の方向に向いている。受信アセンブリ１１、部品搭載部材１６および２６並びにリードフレーム５２は樹脂で封止され、樹脂体５０は、受信アセンブリ１１、部品搭載部材１６および２６を保護するために役立つ。
【００６８】
図１６を参照すると、封止用樹脂体５０は、ヘッド樹脂部１５および本体樹脂部１７からなる。ヘッド樹脂部１５および本体樹脂部１７は、フェルール１０ｃ、アイランド５２ａ上に配置された受光素子アセンブリ１１、および信号処理素子アセンブリ１６を封止する。本体樹脂部１７の側面には、複数のリードピン５２ｃが配列されている。外部リードピン５２ｃは、樹脂本体部１７にある内部リードピン５２ｂを介して半導体受光素子２２および半導体信号処理素子２８と電気的に接続されている。
【００６９】
特に、樹脂ヘッド部１５は、所定の軸１の方向に伸びるようにフェルール１０ｃを保持する。フェルール１０ｃの一端には、光ファイバ１８の一端が現れている。また、樹脂ヘッド部１５は、フェルール１０ｃを挟む一対の側面にガイド突起１５ａとラッチ突起１５ｂを備える。ガイド突起１５ａ、ラッチ突起１５ｂ、およびテーパ面１５ｃ、１５ｄは、これに限定されるものではないが、第２の実施の形態におけるヘッド部１３のガイド突起１３ａ、ラッチ突起１３ｂ、およびテーパ面１３ｃ、１３ｄに対応する。
【００７０】
図１７に示されるように、受光素子アセンブリ１１は、搭載基板２１を有する。光ファイバ搭載基板２１は、第１〜第４の領域２１ａ〜２１ｄを有する。搭載基板２１の第２〜第４の領域２１ｂ、２１ｃ、２１ｄは、これに限定されるものではないが、搭載基板２０の第２〜第４の領域２０ｂ、２０ｃ、２０ｄと同じ構造を備えることができる。搭載基板２１の第１の領域２１ａは、所定の軸１の方向に伸びる光ファイバ支持溝５４、光ファイバ導入溝５６およびフェルール支持溝(フェルール支持部)５８を有する。フェルール支持溝５８は、２つの面によってフェルール１０ｃを支持することができる。光ファイバ導入溝５６とフェルール支持溝５８との間には、所定の軸１と交差する方向に伸びる分離溝６０が設けられている。
【００７１】
図１８のように、フェルール１０ｃおよび光ファイバ１８は、それぞれ光ファイバ支持溝５４およびフェルール支持溝に配置される。また、光ファイバ１８の一端は、(例えば、３８ａに対応する)突き当て溝に突き当てられる。これによって、光ファイバ１８は、光ファイバ搭載基板２１に対して位置決めされる。位置決め後に、光ファイバ１６は光ファイバ搭載基板２１と覆い部材２４との間に固定される。
【００７２】
これにより、図１９に示されるように、受光素子アセンブリ１１が完成する。
【００７３】
(第５の実施の形態)
図２０を参照しながら、第５の実施の形態に係わる光受信モジュールを説明する。この光受信モジュール２ｄは、これまでの実施の形態の受光素子アセンブリ１１と異なる受光素子アセンブリ１９を備える。図２１を参照すると、受光素子アセンブリ１９が示されている。図２１を参照すると、半導体受光素子２２及び半導体信号処理素子２８の代わりに半導体信号処理素子２５が配置されている。
【００７４】
なお、上記の実施の形態では、半導体素子は、電界効果トランジスタを備えているけれども、ヘテロバイポーラトランジスタを備えていても良い。
【００７５】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更されることができることは、当業者によって認識される。以上、説明した光受信モジュールでは、レンズホルダおよび凹面鏡といった部品を含まないので、光受信モジュールの小型化が実装面積および高さの点で可能になる。また、光ファイバ搭載部材とは別の搭載部材上に半導体信号処理素子を配置するようにした。このため、電気的特性を変更するために半導体信号処理素子を変更する場合にも、搭載部材を変更するだけであり他の部品の変更は不要である。
【００７６】
【発明の効果】
以上、説明したように本発明によれば、パッシブアライメント構造を備えると共に、光伝送速度を向上可能な構造を備える光受信モジュールが提供された。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、第１の実施の形態に係わるピグテール型光受信モジュールの平面図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態に係わるピグテール型光受信モジュールのI-I線における断面図である。
【図３】図３は、第１の実施の形態に係わるピグテール型光受信モジュールの主要部を示す斜視図である。
【図４】図４(ａ)及び図４(ｂ)は、第１の実施の形態のピグテール型光受信モジュールの等価回路図である。
【図５】図５(ａ)は、光ファイバ搭載基板の平面図である。図５(ｂ)は、光ファイバ搭載基板の側面図である。図５(ｃ)は、図５(ａ)のII-II線における光ファイバ搭載基板の断面図である。
【図６】図６(ａ)及び図６(ｂ)は、半導体信号処理素子および半導体受光素子の構成を示す図面である
【図７】図７(ａ)及び図７(ｂ)は、本実施の形態の光受信モジュールに適用可能な半導体受光素子の構造の模式図である。
【図８】図８は、光ファイバ、半導体受光素子および半導体信号処理素子の光学的に結合の形態を示す図面である。
【図９】図９は、第２の実施の形態に係わるピグテール型光受信モジュールの平面図である。
【図１０】図１０は、第２の実施の形態に係わるピグテール型光受信モジュールの主要部を示す斜視図である。
【図１１】図１１(ａ)及び図１１(ｂ)は、半導体受光素子部を含む半導体信号処理素子の構成を示す図面である。
【図１２】図１２は、光ファイバおよび半導体信号処理素子の光学的に結合の形態を示す図面である。
【図１３】図１３は、半導体信号処理素子の一実施の形態を示す断面図である。
【図１４】図１４は、第３の実施の形態に係わる光受信モジュールの外観を示す図面である。
【図１５】図１５は、第４の実施の形態に係わる光受信モジュールの一部破断図である。
【図１６】図１６は、第４の実施の形態に係わる光受信モジュールの斜視図である。
【図１７】図１７は、第４の実施の形態の光受信モジュール主要部を示す斜視図である。
【図１８】図１８は、第４の実施の形態の光受信モジュール主要部を示す斜視図である。
【図１９】図１９は、第４の実施の形態の光受信モジュール主要部を示す斜視図である。
【図２０】図２０は、第５の実施の形態に係わる光受信モジュールの一部破断図である。
【図２１】図２１は、第５の実施の形態の光受信モジュール主要部を示す斜視図である。
【符号の説明】
２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ…光受信モジュール、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ…光結合デバイス、１２…パッケージ、１４…受光素子アセンブリ、１６、２６…部品搭載部材、１８…光ファイバ、２０…搭載基板、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ…第１〜第４の領域、２２…半導体受光素子、２４…覆い部材、２５、２８…半導体信号処理素子、３２…光ファイバ支持溝、３２ａ、３２ｂ…光ファイバ支持面、３４…光ファイバ導入溝、３４ａ、３４ｂ…構成面、３６…テーパ領域、３６ａ、３６ｂ…テーパ面、３８…突き当て溝、３８ａ…突き当て面、４０…反射面、４２…光通路、４４…位置決めマーカ、４６…電極、４８…溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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