(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形内部導体を測定試料で挟持し、該測定試料の表面にそれぞれ外部導体を形成してなる平衡形円板共振器を、ＴＭ０ｍ０モード（ｍ＝１，２・・・）で励振させ、その共振周波数と無負荷Ｑの測定値から、前記測定試料の比誘電率及び／又は誘電正接を求める誘電定数測定法であって、前記平衡形円板共振器を、前記円形内部導体の中心位置に対応する一方の前記外部導体の位置に設けられた１個の励振口と、前記円形内部導体の端の位置に対応する前記一方の外部導体の位置に設けられた１個の励振口とにそれぞれ同軸ケーブルを挿入し、電界により励振させることを特徴とする誘電定数測定法。
【請求項２】
円形内部導体を測定試料で挟持し、該測定試料の表面にそれぞれ外部導体を形成してなる平衡形円板共振器を、ＴＭ０ｍ０モード（ｍ＝１，２・・・）で励振させ、その共振周波数と無負荷Ｑの測定値から、前記測定試料の比誘電率及び／又は誘電正接を求める誘電定数測定法であって、前記平衡形円板共振器を、前記円形内部導体の同心円に対応する一方の前記外部導体の位置に設けられた２個の励振口にそれぞれループアンテナを挿入し、磁界により励振させることを特徴とする誘電定数測定法。
【請求項３】
前記支持基板上に前記平衡形円板共振器が形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の誘電定数測定法。
【請求項４】
前記測定試料の厚みが０．２ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載の誘電定数測定法。
【請求項５】
前記平衡形円板共振器は支持基板と一体化され、該一体化された平衡形円板共振器及び支持基板は、セラミックス又はガラスセラミックスとなるグリーンシートに導電性ペーストを塗布したものを複数積層してなる積層成形体を焼成してなることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記載の誘電定数測定法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は誘電定数測定法に関し、特に高周波周波数領域で電子部品として使用する誘電体基板の誘電定数測定法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年においては、移動体通信技術の発展、普及に伴い、マイクロ波回路構成用の誘電体基板の誘電定数測定法が強く求められている。誘電体基板のマイクロ波における誘電定数測定法は種々提案されているが、その中でも空洞共振器法は高精度測定法として認知されている。空洞共振器法では基板の面内方向の誘電定数が測定される。
【０００３】
一方、基板に垂直方向の誘電定数測定法としては平衡形円板共振器法が知られている。平衡形円板共振器法の励振はストリップラインにより円板状の内部導体の側面から行われることが多い。この平衡形円板共振器法では、測定系との整合性を得るためにストリップラインの特性インピーダンスを５０Ωにする必要があるが、薄い誘電体基板では５０Ωのインピーダンスを実現するためにストリップライン線路を極めて細くする必要がある。
【０００４】
例えば同時焼成で、５０Ωのインピーダンスを持つストリップライン線路を実現するためには、厚みが２００μｍの誘電体層が限界である。もし、５０Ωから外れたインピーダンスのストリップラインで共振器を励振した場合、コネクタ等で反射が起こり、共振特性の測定精度、従って誘電特性の測定精度が劣化するという問題があった。
【０００５】
このような問題点を解決するため、近年においては、平衡形円板共振器の上下面の中心から、同軸ケーブルにより共振器を励振する方法が提案されている。図７は、この誘電定数測定法を示すもので、円形内部導体３１を有機樹脂からなる測定試料３３で挟持し、これらの測定試料３３の表面にそれぞれ外部導体３５を形成し、円板共振器Ａを形成し、円形内部導体３１の中心に該当する外部導体３５に励振口をそれぞれ形成し、これらの励振口に同軸ケーブル３７を挿入し、電界により共振器Ａを励振させ、共振器Ａの共振周波数と無負荷Ｑの測定値から、測定試料３３の比誘電率及び誘電正接を求めていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図７に示す誘電定数測定法では、平衡形円板共振器Ａの両側の励振口に同軸ケーブル３７を挿入し、測定する必要があったため、支持基板の上に平衡形円板共振器Ａを作製することができず、極めて薄い誘電体層でかつ導体層と同時焼成されたセラミックス試料、又は極めて薄い誘電体層でかつ一体成形された誘電体試料の測定においては、試料の反りが生じたり、破壊が起こったりするため、実質的に薄層の試料作製が困難になるという問題があった。
【０００７】
本発明は、平衡形円板共振器の片面から誘電定数を測定することができ、これにより、薄層の測定試料を支持基板に形成して誘電定数を測定できる誘電定数測定法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の誘電定数測定法は、円形内部導体を測定試料で挟持し、該測定試料の表面にそれぞれ外部導体を形成してなる平衡形円板共振器を、ＴＭ０ｍ０モード（ｍ＝１，２・・・）で励振させ、その共振周波数と無負荷Ｑの測定値から、前記測定試料の比誘電率及び／又は誘電正接を求める誘電定数測定法であって、前記平衡形円板共振器を、前記円形内部導体の中心位置に対応する一方の前記外部導体の位置に設けられた１個の励振口と、前記円形内部導体の端の位置に対応する前記一方の外部導体の位置に設けられた１個の励振口とにそれぞれ同軸ケーブルを挿入し、電界により励振させることを特徴とする。
また、本発明の誘電定数測定法は、円形内部導体を測定試料で挟持し、該測定試料の表面にそれぞれ外部導体を形成してなる平衡形円板共振器を、ＴＭ０ｍ０モード（ｍ＝１，２・・・）で励振させ、その共振周波数と無負荷Ｑの測定値から、前記測定試料の比誘電率及び／又は誘電正接を求める誘電定数測定法であって、前記平衡形円板共振器を、前記円形内部導体の同心円に対応する一方の前記外部導体の位置に設けられた２個の励振口にそれぞれループアンテナを挿入し、磁界により励振させることを特徴とする。
【０００９】
このような誘電定数測定法では、平衡形円板共振器を構成する一方の外部導体に磁界や電界の入力用、出力用の励振口を形成し、この励振口を介して平衡形円板共振器を励振させ、共振器の共振周波数と無負荷Ｑの測定値から、測定試料の比誘電率及び／又は誘電正接を求めることができるため、支持基板の上に導体層と同時焼成あるいは一体成形した平衡形円板共振器の誘電定数を測定でき、従来測定が困難であった導体層と同時焼成あるいは一体成形された薄層の測定試料の比誘電率及び／又は誘電正接を容易に求めることができる。
【００１０】
また、本発明では、平衡形円板共振器の片側から測定試料の誘電定数を測定できるため、例えば、平衡形円板共振器を平坦な部分に載置して誘電定数を測定でき、従来のように、平衡形円板共振器を立てて測定する等、平衡形円板共振器の両側から電界を印加するための保持に注意する必要がなく、また、共振器が薄くなったとしても円板共振器を支持基板上に形成することにより、取り扱いも容易となる。
【００１１】
また、電界強度がゼロ、あるいは小さい位置に設けた励振口を用いて、磁界により共振器を励振させることにより、測定試料が薄い場合でも励振口の影響を受けずに、高い精度で測定できる。
【００１２】
特に、本発明の誘電定数測定法は、測定試料の厚みが０．２ｍｍ以下であることを特徴とする。また、前記平衡形円板共振器は支持基板と一体化され、該一体化された平衡形円板共振器及び支持基板は、セラミックス又はガラスセラミックスとなるグリーンシートに導電性ペーストを塗布したものを複数積層してなる積層成形体を焼成してなることを特徴とする。
【００１３】
一般に、マイクロ波領域で使用される配線基板の絶縁層の誘電定数を確認できれば、配線基板の設計に活かすことができる。ところで、セラミックスからなる絶縁層と内部配線を同時焼成して形成される配線基板では、焼成時に内部配線を形成する金属材料が絶縁層に拡散して絶縁層の誘電定数が変化する可能性が指摘されている。このような実際の絶縁層の誘電定数を確認することにより、設計に最大限に活かすことができる。
【００１４】
しかしながら、近年においては、配線基板の薄層化が進み、現実の絶縁層の厚みが２００μｍ以下、特には５０μｍ以下と薄くなり、このような配線基板の誘電定数を測定するため、現実の厚みを反映した、従来の図７に示すような共振器を作製しようとすると、測定試料が薄いため作製が困難であり、測定することができなかった。
【００１５】
本発明では、測定試料がセラミックス又はガラスセラミックスからなり、支持基板及び円板共振器が同時焼成されて一体化され、支持基板上に円板共振器が形成されているため、共振器の測定試料を薄くしても、支持基板により共振器の強度を向上できるため、共振器を容易に形成でき、しかも、一方の外部導体に形成された励振口を用いて誘電定数を測定できるため、測定試料の厚みが２００μｍ以下と薄い場合であっても誘電定数を容易に測定できる。
【００１６】
また、本発明の誘電定数測定法は、円形内部導体の中心位置に対応する外部導体の位置に１個の励振口を設けるとともに、前記円形内部導体の端の位置に対応する前記外部導体の位置に１個の励振口を設け、前記２個の励振口に同軸ケーブルを挿入し、電界により平衡形円板共振器のＴＭ0m0モード（ｍ＝１，２・・・）を励振させたり、円形内部導体の同心円に対応する外部導体の位置に２個の励振口を設け、該励振口にループアンテナを挿入し、磁界により平衡形円板共振器のＴＭ0m0モード（ｍ＝１，２・・・）を励振させることを特徴とする。
【００１７】
本発明では、共振器を構成する一方の外部導体に磁界の入力用、出力用の励振口を形成し、この励振口を介して磁界により共振器を励振させ、共振器の共振周波数と無負荷Ｑの測定値から、測定試料の比誘電率及び／又は誘電正接を求めることにより、測定試料が薄くなった場合でも、電界強度がゼロ、あるいは小さい位置に設けた励振口を用いて、磁界により共振器を励振させることにより、励振口の影響を受けないため、測定精度を高くできる。即ち、同一材料からなる測定試料を測定した場合に、測定試料厚みによる見掛け上の変動幅を小さくできる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の誘電定数測定法を、図１を用いて説明する。先ず、測定に用いる平衡形円板共振器Ａを作製する。
【００１９】
平衡形円板共振器Ａは、２層の測定試料（誘電体層）１、２の間に、これらの測定試料１、２よりも面積の小さい円形内部導体３を配置し、かつ、測定試料１、２の外側に、円形内部導体３よりも面積の大きい外部導体４、５をそれぞれ配置して構成されている。即ち、円板共振器Ａは、円形内部導体３を測定試料１、２で挟持し、これらの測定試料１、２の表面にそれぞれ外部導体４、５を形成して構成されている。
【００２０】
円形内部導体３、外部導体４、５は導体材料から形成すればよいが、特に、２層の測定試料１、２間で電磁界が透過しないように、又電磁界の放射を防ぐ点から、円形内部導体３、外部導体４、５の厚みは少なくとも５μｍ以上、特に１０μｍ以上であることが望ましい。
【００２１】
測定試料１、２は、セラミックス、ガラスセラミックス、有機樹脂等の絶縁材料からなるものであるが、特に測定試料１、２の形成が容易という点から、測定試料１、２の厚みは２００μｍ以上であることが望ましい。尚、外部導体４、５の厚みを厚くすることにより、測定試料１、２の厚みを２００μｍ以下とすることもできる。この場合、外部導体４、５が支持部材となる。
【００２２】
測定試料１、２がセラミックス、ガラスセラミックスの場合には、円板共振器Ａは測定試料１、２、円形内部導体３、外部導体４、５が同時焼成して形成されており、また、測定試料１、２が有機樹脂の場合には、円板共振器Ａは測定試料１、２、円形内部導体３、外部導体４、５が接合、または圧着されて形成されている。
【００２３】
また、円形内部導体３の中心に対応する上側外部導体４の位置には励振口７が形成され、円形内部導体３の端に対応する上側外部導体４の位置には励振口８が形成されている。これらの励振口７、８には同軸ケーブル９、１０が挿入され、ＴＭ0m0共振モード（ｍ＝１，２・・・）が励振されるようになっている。励振口７、８間の距離Ｒは、円形内部導体３の直径Ｄの１／２とされている。
【００２４】
以上のように構成された共振器Ａの励振口７から同軸ケーブル９により電界を印加し電界励振すると、共振器Ａが電界により励振され、ＴＭ0m0共振モード（ｍ＝１，２・・・）、特にＴＭ010共振モードを片面から効率的に励振できる。このＴＭ010共振モードの電界は、図２に示すように、円形内部導体３の中心と、円形内部導体３の端の円周部で強く分布する。そして、励振口８から同軸ケーブル１０を介して電界が取り出され、これにより円板共振器Ａの共振周波数と無負荷Ｑが測定される。尚、励振口８から電界を印加し、励振口７から取り出しても良い。
【００２５】
円形内部導体３の半径Ｒと測定試料１、２の厚さｄの比が１０以上、すなわち、Ｒ／ｄ＞１０の時、この平衡形円板共振器ＡのＴＭ0m0モードの共振周波数ｆ0と無負荷Ｑ（Ｑｕ）から、次式により測定試料１、２の比誘電率ε’と誘電正接ｔａｎδを算出することができる。
【００２６】
【数１】
0003974814.tif 000002
【００２７】
ただし、ｘ’0mはＪ’0（ｘ’）＝０のｍ番目の解で、特にｍ＝１の時、ｘ’01＝３．８３１７ある。Ｊ’0（ｘ’）は０次の第一種ベッセル関数の微分である。ω＝２πｆ0は角共振周波数、μ0＝４π×１０-7は真空の透磁率である。αは、小林らによるマイクロ波研究会技術報告書ＭＷ７５−７６「平衡形円板共振器による複素誘電率測定法」で開示されているように、Ｓ＝Ｒ／ｄ＞１０のとき、α≒１となる。また、ｃは光速であり、△Ｒは内部円形導体の端での電磁界の外側への広がりを、内部円形導体径の増加として考慮したものである。ｌｎは自然対数を表す。
【００２８】
なお、誘電正接の決定に必要な導体の実効導電率σは、小林らによるマイクロ波研究会技術報告書ＭＷ７５−７６「平衡形円板共振器による複素誘電率測定法」で開示されているように、比誘電率と誘電正接が同じで厚さが異なる誘電体シートにより構成された２種類の平衡形円板共振器のＱｕの差から決定される。あるいは同時焼成導体の実効導電率σは特開２０００−４６７５６号公報に開示された界面導電率の測定法により決定される。
【００２９】
図３は、本発明の他の誘電定数測定法を説明するためのもので、図３の円板共振器Ａは支持基板６上に形成されている。即ち、支持基板６上に、外部導体５、測定試料２、円形内部導体３、測定試料１、外部導体４を順次積層して構成されており、これらが支持基板６と同時に焼成され、一体となっている。測定試料１、２はセラミックス又はガラスセラミックスから構成されている。
【００３０】
共振器Ａの測定試料１、２は、配線基板の絶縁層材料と同一で、同一厚みとされ、円形内部導体３、外部導体４、５は配線基板の内部配線材料と同一で、同一厚みとされ、焼成などの製法も同一とされている。従って、測定試料への円形内部導体３、外部導体４、５材料の拡散状態は、配線基板と同一とされている。
【００３１】
このような共振器Ａは、厚い支持基板６上に一体に形成されているため、共振器Ａの測定試料１、２の厚みを２００μｍ以下、特には５０μｍ以下と薄くしても共振器Ａを容易に形成することができ、しかも、支持基板６が形成されていない上側外部導体４に形成された励振口７、８を介して電界により励振することができ、これにより円板共振器Ａの共振周波数と無負荷Ｑを測定でき、上記した式より、測定試料１、２の比誘電率と誘電正接を算出することができる。
【００３２】
図４は、本発明のさらに他の誘電定数測定法を説明するためのもので、図４の円板共振器Ａは、図３に示した円板共振器Ａと同様に、支持基板６上に、外部導体５、測定試料２、円形内部導体３、測定試料１、外部導体４を順次積層して構成されており、これらが支持基板６と同時に焼成され、一体となっている。測定試料１、２はセラミックス又はガラスセラミックスから構成されている。
【００３３】
そして、円形内部導体３の半径Ｒに対して、０．４〜０．６倍の半径を有する同心円上の上側外部導体４の位置に２個の励振口７、８を設け、これらの励振口７、８にループアンテナ１９、２０を挿入し、磁界励振によってＴＭ010共振モードを励振する。
【００３４】
ＴＭ010共振モードの磁界は、図５に示すように、円形内部導体３に対して半径が約１／２の同心円周の位置で強く分布する。これにより、励振口７、８を介して同軸ケーブル９、１０先端のループアンテナ１９、２０で磁界励振すると、ＴＭ010共振モードを片面から効率的に励振できる。これを用い、円板共振器Ａの共振周波数と無負荷Ｑを測定し、測定試料１、２の比誘電率と誘電正接を算出することができる。
【００３５】
尚、円形内部導体３の半径Ｒに対して、０．２５倍、又は０．７５倍の半径を有する同心円上の上側外部導体４の位置に２個の励振口７、８を設け、これらの励振口７、８にループアンテナ１９、２０を挿入し、磁界励振によってＴＭ020共振モードを励振させても良い。
【００３６】
また、円形内部導体３の半径Ｒに対して、１／６倍、又は１／２倍、或いは５／６倍の半径を有する同心円上の上側外部導体４の位置に２個の励振口７、８を設け、これらの励振口７、８にループアンテナ１９、２０を挿入し、磁界励振によってＴＭ030共振モードを励振させても良い。
【００３７】
尚、磁界を印可して円板共振器Ａを励振する図４の場合に、図１に示したように支持基板６を形成しなくても、図１に示した場合と同様にして、上記した式（１）〜（４）により、測定試料１、２の比誘電率と誘電正接を算出することができる。
【００３８】
【実施例】
実施例１
本発明の誘電定数測定法の有効性を実証するため、誘電定数が一般に良く知られているテフロン(R)基板（文献値：比誘電率２．０３〜２．０５、誘電正接２〜３×１０-4）の測定を行った。それぞれ表１に示す厚みを有するテフロン(R)基板を測定試料１、２とし（測定試料１、２は同一厚み）、円形内部導体３としては、２３．５ｍｍの直径（２Ｒ）を有する０．０５ｍｍ厚の銅箔、外部導体４、５としては６ｍｍ厚の銅板を使用し、図１に示すようにして円板共振器Ａを作製した。この場合、下側外部導体５が支持体を兼ねている。
【００３９】
又、図４に示す磁界結合を行うために、励振口７、８の間隔が０．６×２３．５ｍｍ、直径を１．８ｍｍとし、１．２ｍｍ径の同軸ケーブル先端に作製した約１．５ｍｍ径のループアンテナを挿入し、円板共振器Ａを磁界励振し、円板共振器Ａの共振周波数ｆ0、無負荷Ｑを求めた。この結果から、上記した算術式で、測定試料１、２の比誘電率ε’及び誘電正接ｔａｎδを求めた。これらの結果を表１の試料Ｎｏ．１〜３に示す。
【００４０】
また、図１に示すようにして円板共振器Ａの円形内部導体３の中心に該当する外部電極４に、直径１．５ｍｍの励振口７を、円形内部導体３の端に該当する外部電極４に、直径１．５ｍｍの励振口８を形成し、１．２ｍｍ径の同軸ケーブルを挿入し、円板共振器Ａを電界励振し、円板共振器Ａの共振周波数、無負荷Ｑを求めた。この結果から、上記した算術式で、測定試料１、２の比誘電率及び誘電正接を求めた。これらの結果を表１の試料Ｎｏ．４に示す。
【００４１】
さらに、本発明者は、従来の図７に示す電界により励振する場合の測定を行ない、その結果を表１の試料Ｎｏ．５〜７に示した。尚、各データの下欄には標準偏差を記載した。
【００４２】
【表１】
0003974814.tif 000003
【００４３】
本発明の図４の磁界励振による場合は、表１に示すように、比誘電率は２．０４〜２．０５と測定され、文献値と良く一致している。誘電正接は試料Ｎｏ．２の厚みが約０．２ｍｍ、試料Ｎｏ．３の約１．０ｍｍ試料においては約２×１０-4と測定され、文献値と良く一致している。試料Ｎｏ．１の厚みが約０．０５ｍｍ試料においては７×１０-4と測定され、文献値と異なっているが、これは薄くなることによって、平衡形円板共振器の導体損が増加し、無負荷Ｑが小さくなるので、結果として誘電正接の測定精度が低下するためである。従って、図４の測定方法でＱ値を測定する場合には、測定試料の厚みが０．２ｍｍ以上の場合や、低Ｑ値の測定試料を測定する場合がより望ましい。
【００４４】
従来の図７に示す電界により励振する場合と、図４に示す磁界励振する本発明の場合において、測定試料の厚みに対する誘電率変動を図６に記載した。
【００４５】
この図６から、従来の図７に示す電界励振による場合は、測定試料が薄くなればなるほど比誘電率が変化し、実際の比誘電率との差が大きくなるものの、本発明の図４に示す磁界励振する場合には、測定試料が薄くなっても、比誘電率は殆ど変化せず、測定試料が薄くても正確な比誘電率が得られることが判る。
【００４６】
実施例２
本発明の誘電定数測定法の有効性を実証するため、アルミナ材料からなる表２に示すような厚さの測定試料１、２の測定を行った。円形内部導体３としては、２３．５ｍｍの直径を有する厚さ０．０１２ｍｍのＣｕ−Ｗ系メタライズ層を用い、外部導体４、５としては同じく厚さ０．０１２ｍｍのＣｕ−Ｗ系メタライズ層を用い、支持基板６としては、測定試料１、２と同じアルミナ材料で厚さ０．４ｍｍとし、図４に示すような円板共振器Ａを作製した。
【００４７】
この場合、アルミナ材料からなるグリーンシートにＣｕ−Ｗ系の導電性ペーストを塗布し、これを複数積層して積層成形体を作製し、この積層成形体を同時焼成し、円板共振器Ａと支持基板６を一体化した。
【００４８】
又、図４に示す磁界結合を行うため、実施例１と同様に、励振口７、８を１．５ｍｍとし、１．２ｍｍ径の同軸ケーブル９、１０先端に作製した約１．５ｍｍ径のループアンテナ１９、２０を挿入し、平衡形円板共振器Ａを励振し、平衡形円板共振器Ａの共振周波数、無負荷Ｑを求めた。この結果から、上記した式で、測定試料１、２の比誘電率及び誘電正接を求めた。これらの結果を表２に示す。
【００４９】
【表２】
0003974814.tif 000004
【００５０】
この表２から、比誘電率は９．１４２と測定され、誘電正接は２５×１０-4と測定された。従って、本発明の誘電定数測定法を用いることにより、同時焼成されたセラミックス薄層の誘電定数を測定できることを実証した。
【００５１】
【発明の効果】
以上、詳述した通り、本発明の誘電定数測定法によれば、平衡形円板共振器を構成する一方の外部導体に磁界や電界の入力用、出力用の励振口を形成し、この励振口を介して平衡形円板共振器を励振させ、共振器の共振周波数と無負荷Ｑの測定値から、測定試料の比誘電率及び／又は誘電正接を求めることができるため、支持基板の上に導体層と同時焼成あるいは一体成形した平衡形円板共振器の誘電定数を測定でき、従来測定が困難であった導体層と同時焼成あるいは一体成形された薄層の測定試料の比誘電率及び／又は誘電正接を容易に求めることができる。
【００５２】
これによりマイクロ波用途の同時焼成用、或いは一体成形用の誘電体材料の開発が容易になるとともに、これらの材料を用いた回路基板や、半導体パッケージの設計がより高精度に行えるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の誘電定数測定法に用いられる円板共振器の一例を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図２】図１の円板共振器におけるＴＭ010モードの電界分布を説明するもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図３】本発明の誘電定数測定法に用いられる円板共振器の他の例を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図４】本発明の誘電定数測定法に用いられる円板共振器のさらに他の例を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図５】図４の円板共振器におけるＴＭ010モードの磁界分布を説明するもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図６】測定試料の厚みに対するテフロン(R)の比誘電率を示すグラフである。
【図７】従来の誘電定数測定法に用いられる平衡形円板共振器を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【符号の説明】
１、２・・・測定試料
３・・・円形内部導体
４、５・・・外部導体
６・・・支持基板
７、８・・・励振口
９、１０・・・同軸ケーブル
１９、２０・・・ループアンテナ
Ａ・・・平衡形円板共振器
【図１】
0003974814.tif 000005
【図２】
0003974814.tif 000006
【図３】
0003974814.tif 000007
【図４】
0003974814.tif 000008
【図５】
0003974814.tif 000009
【図６】
0003974814.tif 000010
【図７】
0003974814.tif 000011