(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板の一面に形成された磁性薄膜と、この磁性薄膜の両端部に設けられた電極にそれぞれ接続される第１，第２の端子ピンと、バイアスコイルが巻回され該バイアスコイルが接続されるコイル端子が設けられた巻枠とを備え、前記第１，第２の端子ピンの少なくとも一方は前記巻枠に取り付けられ、前記巻枠の透孔に前記非磁性基板が挿通されて前記磁性薄膜が前記バイアスコイルの巻回部内に位置しており、前記巻枠に取り付けられた前記第１，第２の端子ピンの少なくとも一方の持つ弾性力によって前記非磁性基板が前記透孔の内壁面に当接して保持されていることを特徴とする磁気インピーダンス効果素子。
【請求項２】
前記第１の端子ピンは、前記巻枠に固定される固定部と、この固定部の一端部から折り曲げ形成された曲折部とを有し、前記第１の端子ピンが接続される前記電極を前記巻枠から露出させ、この電極を前記曲折部がその弾性力によって押圧するとともに、前記コイル端子を前記巻枠から突出させ、この突出方向と同一方向に前記第１の端子ピンと前記第２の端子ピンとを前記巻枠から突出させたことを特徴とする請求項１に記載の磁気インピーダンス効果素子。
【請求項３】
前記第２の端子ピンには、該第２の端子ピンが接続された前記電極と反対面側に突起が形成され、この突起が、前記透孔の内壁面に当接して前記第２の端子ピンが接続された前記電極を押圧したことを特徴とする請求項２に記載の磁気インピーダンス効果素子。
【請求項４】
前記巻枠の両端部に設けた一対の鍔部にそれぞれ端子ピン挿入口を形成し、これら挿入口に前記固定部を嵌入させて、前記第１の端子ピンを前記巻枠に固定したことを特徴とする請求項３に記載の磁気インピーダンス効果素子。
【請求項５】
前記電極を前記巻枠の両端部から露出させ、前記巻枠の両端部には前記第１，第２の端子ピンの両方を固定し、前記第１，第２の端子ピンに形成したばね片で前記電極をそれぞれ押圧することにより、前記非磁性基板を前記透孔の内壁面に当接させて保持させたことを特徴とする請求項１に記載の磁気インピーダンス効果素子。
【請求項６】
前記巻枠の両端部に設けた一対の鍔部にそれぞれ端子ピン挿入口を形成し、これら挿入口に前記第１，第２の端子ピンを嵌入させて、前記第１，第２の端子ピンを前記巻枠に固定したことを特徴とする請求項５に記載の磁気インピーダンス効果素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気インピーダンス効果を利用して外部磁界を検出する磁気インピーダンス効果素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
磁気インピーダンス効果素子は、高い外部磁界検出感度を有しているため、磁気検出素子として自動車用方位センサやモータの回転センサ等に適用され始めている。図２０は、このような従来の磁気インピーダンス効果素子の構造を示す斜視図であって、この磁気インピーダンス素子３１は、非磁性基板３２が一対の配線パターン３３，３４を形成した絶縁基板３５に固定され、非磁性基板３２の一端面に形成された高い透磁率を有する磁性薄膜３６の長手方向両端部に設けられた電極３７，３８が上記一対の配線パターン３３，３４とそれぞれ半田３９によって接続されている。そして、非磁性基板３２には、絶縁基板３５を含めた形で交流バイアス磁界発生用のバイアスコイル４０が巻回されて装着され、その巻回部４０ａ内に磁性薄膜３６が位置した状態となっている。
【０００３】
このように構成された磁気インピーダンス効果素子３１は、磁性薄膜３６の長手方向が図示せぬ被検出体から発せられる外部磁界Ｈに沿うように配置され、一対の配線パターン３３，３４が図示せぬ外部電源に接続された状態で、一対の配線パターン３３，３４を介して上記外部電源から磁性薄膜３６にＭＨｚ帯域の高周波電流を通電すると、磁性薄膜３６の長手方向両端部間のインピーダンスが変化し、この変化を電気信号に変換して外部磁界Ｈの検出出力が得られるようになっている。
【０００４】
この高周波電流の通電時に、この高周波電流よりも低周波の交流電流をバイアスコイル４０に通電して磁性薄膜３６にバイアス磁界を印加すると、磁性薄膜３６の長手方向両端部間のインピーダンスが外部磁界Ｈの変化に対して直線的に変化するように、磁性薄膜３６の長手方向両端部間のインピーダンスの変化にリニアリティを持たせることが可能となり、外部磁界Ｈの強さをリニアリティ良く検出することが可能となる。
【０００５】
この磁気インピーダンス効果素子３１は、電極３７，３８が一対の配線パターン３３，３４に対応するように非磁性基板３２を絶縁基板３５上に位置決めし、電極３７，３８と一対の配線パターン３３，３４とをそれぞれ半田３９によって接続して非磁性基板３２を絶縁基板３５に固定した後、絶縁基板３５を含め非磁性基板３２にバイアスコイル４０を巻回して製造される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の磁気インピーダンス効果素子３１にあっては、電極３７，３８と外部接続用部材である一対の配線パターン３３，３４とをそれぞれ半田３９を用いて接続することによって、非磁性基板３２を被取付部材である絶縁基板３５に固定しているが、半田３９は電気的特性には優れているものの十分な機械的強度が得難いため、落下等の要因で外部から磁気インピーダンス効果素子３１に衝撃力が加わった場合に絶縁基板３５から非磁性基板３２が外れ、電極３７，３８と一対の配線パターン３３，３４との接続が断たれてしまう虞があった。そこで、これを防止するために、接着剤を用いて非磁性基板３２を絶縁基板３５に固定することが考えられる。しかしながら、接着剤は取扱いが面倒で、その塗布や乾燥に手数がかかることから、全体として磁気インピーダンス効果素子３１の製造工程が長くなることが懸念され、外れ防止対策としては不十分であった。
【０００７】
本発明は、上述した従来技術の事情に鑑みてなされたもので、その目的は、非磁性基板が被取付部材から外れることを確実に防止し、製造工程を簡素化できる磁気インピーダンス効果素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の磁気インピーダンス効果素子は、非磁性基板の一面に形成された磁性薄膜と、この磁性薄膜の両端部に設けられた電極にそれぞれ接続される第１，第２の端子ピンと、バイアスコイルが巻回され該バイアスコイルが接続されるコイル端子が設けられた巻枠とを備え、前記第１，第２の端子ピンの少なくとも一方は前記巻枠に取り付けられ、前記巻枠の透孔に前記非磁性基板が挿通されて前記磁性薄膜が前記バイアスコイルの巻回部内に位置しており、前記巻枠に取り付けられた前記第１，第２の端子ピンの少なくとも一方の持つ弾性力によって前記非磁性基板が前記透孔の内壁面に当接して保持されていることを最も主要な特徴としている。
【０００９】
また、上記構成において、前記第１の端子ピンは、前記巻枠に固定される固定部と、この固定部の一端部から折り曲げ形成された曲折部とを有し、前記第１の端子ピンが接続される前記電極を前記巻枠から露出させ、この電極を前記曲折部がその弾性力によって押圧するとともに、前記コイル端子を前記巻枠から突出させ、この突出方向と同一方向に前記第１の端子ピンと前記第２の端子ピンとを前記巻枠から突出させた。
【００１０】
また、上記構成において、前記第２の端子ピンには、該第２の端子ピンが接続された前記電極と反対面側に突起が形成され、この突起が、前記透孔の内壁面に当接して前記第２の端子ピンが接続された前記電極を押圧するようにした。
【００１１】
また、上記構成において、前記巻枠の両端部に設けた一対の鍔部にそれぞれ端子ピン挿入口を形成し、これら挿入口に前記固定部を嵌入させて、前記第１の端子ピンを前記巻枠に固定した。
【００１２】
また、上記最も主要な構成において、前記電極を前記巻枠の両端部から露出させ、前記巻枠の両端部には前記第１，第２の端子ピンの両方を固定し、前記第１，第２の端子ピンに形成したばね片で前記電極をそれぞれ押圧することにより、前記非磁性基板を前記透孔の内壁面に当接させて保持させた。
【００１３】
また、上記構成において、前記巻枠の両端部に設けた一対の鍔部にそれぞれ端子ピン挿入口を形成し、これら挿入口に前記第１，第２の端子ピンを嵌入させて、前記第１，第２の端子ピンを前記巻枠に固定した。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の磁気インピーダンス効果素子の第１の実施形態を図１乃至図８に基づいて説明する。
【００１５】
この磁気インピーダンス効果素子１は、バイアスコイル７が巻回された巻枠６の透孔６ａに、両端部に電極４，５が設けられた磁性薄膜３を有する非磁性基板２が挿通され、この巻枠６に取り付けられた第１の端子ピン１２の持つ弾性力によって非磁性基板２が透孔６ａの内壁面に当接保持されて構成されている。
【００１６】
非磁性基板２は、セラミック等の非磁性材料を矩形状に成形してなるもので、図５に示すように、その一面にＦｅＨｆＣを含みｂｃｃＦｅ微結晶粒を主体とする材料からなる透磁率の高い磁性薄膜３が直線状に形成されており、磁性薄膜の長手方向両端部には、銅製の電極４，５が設けられている。
【００１７】
巻枠６は、被取付部材であって絶縁合成樹脂材料から筒状に形成され、図６に示すように、導電線材からなる交流バイアス磁界発生用のバイアスコイル７が巻回されており、巻枠６の両端部には一対の鍔部８，９が設けられている。一方の鍔部８には切欠部８ａが巻枠６の透孔６ａに連続して形成され、この切欠部８ａ内に端子ピン挿入口８ｂが穿設されている。また、他方の鍔部９には端子ピン挿入口８ｂと対向する位置に端子ピン挿入口９ａが穿設され、バイアスコイル７の巻回部７ａを介して端子ピン挿入口９ａの反対側にコイル端子１０，１１が突出して設けられており、鍔部９の側部に形成された切欠９ｂを通って導出されたバイアスコイル７の一端および他端がコイル端子１０，１１に各々絡げられて接続されている。そして、図１乃至図４に示すように、この巻枠６にはその透孔６ａに非磁性基板２が挿通され、バイアスコイル７の巻回部７ａ内に磁性薄膜３が位置し、切欠部８ａより電極４が露出した状態となっている。
【００１８】
第１の端子ピン１２は、外部接続用部材であって導電線ばね材をＬ字状に折り曲げ加工してなるもので、図６に示すように、固定部１２ａと、この固定部１２ａの一端側から直角に折り曲げられた曲折部１２ｂとを一連に有し、曲折部１２ｂの一端部には接続部１２ｃが曲折形成されている。そして、図３に示すように、この第１の端子ピン１２は、固定部１２ａが端子ピン挿入口８ｂ，９ａに強嵌合で挿入されることによって所謂２点固定の構造で巻枠６に強固に取り付けられており、鍔部８の切欠部８ａ内に位置した曲折部１２ｂが自身の持つ弾性力によって接続部１２ｃを介して電極４を押圧し、非磁性基板２を透孔６ａの内壁面に当接させて保持している。
【００１９】
第２の端子ピン１３は、外部接続用部材であって導電線材からなり、図６に示すように、その一端部には他部分に比して幅広の接続部１３ａが設けられており、この接続部１３ａには突部１３ｂが形成されている。そして、この第２の端子ピン１３は、接続部１３ａの突部１３ｂと反対面が電極５に半田付けされて非磁性基板２と共に巻枠６の透孔６ａに挿通され、図３に示すように、突部１３ｂが透孔６ａの内壁面に当接して電極５を押圧し、上記第１の端子ピン１２と協力して非磁性基板２を透孔６ａの内壁面に当接させて保持している。
【００２０】
次に、このように構成された磁気インピーダンス効果素子１の組立方法について説明すると、先ず、第２の端子ピン１３の接続部１３ａを非磁性基板２に設けられた電極５に半田付けして非磁性基板２に第２の端子ピン１３を固着する。次に、これら非磁性基板２及び第２の端子ピン１３を巻枠６の他方の鍔部９が設けられた他端側から透孔６ａに挿入し、第２の端子ピン１３に形成された突部１３ｂを透孔６ａに嵌入する。
【００２１】
しかる後、巻枠６の一方の鍔部８が設けられた一端側から第１の端子ピン１２の固定部１２ａを端子ピン挿入口８ｂ，９ａに強嵌合で挿入し、鍔部８の切欠部８ａ内に曲折部１２ｂを位置させて第１の端子ピン１２を巻枠６に取り付け、接続部１２ｃを電極４に当接させて曲折部１２ｂの持つ弾性力によって電極４を押圧させることにより、非磁性基板２を透孔６ａの内壁面に当接させて保持させる。尚、第１の端子ピン１２の接続部１２ｃと電極４とは、曲折部１２ｂの持つ弾性力によっても十分に当接保持されるものであるが、必要に応じて接着剤や半田もしくは樹脂等で固着してもよい。
【００２２】
このようにして、磁気インピーダンス効果素子１の組立は完了するが、組立後においては、電極４、磁性薄膜３及び電極５を介して第１，第２の端子ピン１２，１３が導通しており、また、これら第１，第２の端子ピン１２，１３は巻枠６からコイル端子１０，１１の突出方向と同一方向に巻枠６から突出してるため、第１，第２の端子ピン１２，１３を巻枠６の他端側でコイル端子１０，１１と一緒に連続して回路基板（不図示）等に半田付けできるようになっている。また、バイアスコイル７の一端および他端が切欠９ｂを通って導出されてコイル端子１０，１１に接続されているため、磁気インピーダンス効果素子１を取り扱う際に鍔部９の側部において、バイアスコイル７に作業者の手指や治具等が引っかかる心配がなく、これに起因するバイアスコイル７とコイル端子１０，１１との断線を確実に防止することができる。また、この取扱いの際に、非磁性基板２の磁性薄膜３が巻枠６により覆われてバイアスコイル７の巻回部７ａ内に位置しているため、作業者の手指が磁性薄膜３に触れることがなく、手指の接触に起因する磁性薄膜３の断線等の損傷を防ぐことができる。
【００２３】
このように組立・構成された磁気インピーダンス効果素子１１は、図７乃至図８に示すように、磁性薄膜３の長手方向に対して垂直に配置された回路基板１４に搭載され、その裏面側で第１，第２の端子ピン１２，１３およびコイル端子１０，１１が半田付けにより回路基板１４と電気的に接続される。
【００２４】
そして、この磁気インピーダンス効果素子１は、磁性薄膜３の長手方向が図示せぬ被検出体から発せられる外部磁界Ｈに沿うように配置された状態で、回路基板１４から第１，第２の端子ピン１２，１３を介して磁性薄膜３にＭＨｚ帯域の高周波電流を通電すると、外部磁界Ｈの変化に応じて磁性薄膜３の長手方向両端部間のインピーダンスが変化し、この変化を回路基板１４が電気信号に変換して外部磁界Ｈの検出出力が得られるようになっている。
【００２５】
この高周波電流の通電時に、この高周波電流よりも低周波の交流電流を回路基板１４からコイル端子１０，１１を介してバイアスコイル７に通電して磁性薄膜３にバイアス磁界を印加すると、磁性薄膜３の長手方向両端部間のインピーダンスが外部磁界Ｈの変化に対して直線的に変化するように、磁性薄膜３の長手方向両端部間のインピーダンスの変化にリニアリティを持たせることが可能となり、外部磁界Ｈの強さをリニアリティ良く検出することが可能となる。
【００２６】
しかして、この磁気インピーダンス素子１にあっては、第１の端子ピン１２の曲折部１２ｂの持つ弾性力によって簡単に非磁性基板２を巻枠６に保持させることができ、落下等の要因で外部から磁気インピーダンス効果素子１に衝撃力が加わった場合に巻枠６から非磁性基板２が外れ、電極４，５と第１，第２の端子ピン１２，１３との接続が断たれることを確実に防止することができる。さらに、第２の端子ピン１３の突部１３ｂが第１の端子ピン１２と協力して非磁性基板２を巻枠６に保持しているので、巻枠６から非磁性基板２が外れることをより一層確実に防止することができる。
【００２７】
次に、本発明の磁気インピーダンス効果素子の第２の実施形態を図９乃至図１４に基づいて説明する。
【００２８】
この磁気インピーダンス効果素子１５は、第１の実施形態で示したと同じ非磁性基板２を用い、バイアスコイル１７を巻回した巻枠１６の透孔１６ａに非磁性基板２が挿通され、巻枠１６の両端部から露出した電極４，５を巻枠１６の両端部に取り付けられた第１，第２の端子ピン２２，２３が自身の持つ弾性力によって押圧することにより、非磁性基板２が透孔１６ａの内壁面に当接保持されて構成されている。
【００２９】
巻枠１６は、被取付部材であって絶縁合成樹脂材料から筒状に形成され、図９乃至図１２に示すように、導電線材からなる交流バイアス磁界発生用のバイアスコイル１７が巻回されており、巻枠１６の両端部には一対の鍔部１８，１９が設けられている。これら鍔部１８，１９には、各々貫通孔１８ａ，１９ａが穿設され、切欠部１８ｂ，１９ｂが巻枠１６の透孔１６ａに連続するように形成されており、切欠部１８ｂ，１９ｂには端子ピン挿入口１８ｃ，１９ｃが各々形成されている。そして、この巻枠１６にはその透孔１６ａに非磁性基板２が挿通され、バイアスコイル１７の巻回部１７ａ内に磁性薄膜３が位置し、巻枠１６の両端部の切欠部１８ｂ，１９ｂより電極４，５が露出した状態となっている。
【００３０】
また、巻枠１６には、平板部２０ａとこの平板部２０ａに一体に形成された細幅の立上り部２０ｂとからなるコイル端子２０と、同じく平板部２１ａとこの平板部２１ａに一体に形成された細幅の立上り部２１ｂとからなるコイル端子２１とが、立上り部２０ｂ，２１ｂを各々貫通孔１８ａ，１９ａに強嵌合で挿入させることによって取り付けられており、コイル端子２０，２１は同一形状に形成され、バイアスコイル１７の一端および他端が立上り部２０ｂ，２１ｂの先端部に各々絡げられて接続されている。
【００３１】
第１の端子ピン２２は、外部接続用部材であって導電薄板をＬ字状に切り曲げ加工してなるもので、図１２に示すように、平板部２２ａとこの平板部２２ａに一体に形成された細幅のばね片２２ｂとからなり、ばね片２２ｂの先端部が円弧状の接続部２２ｃとされている。そして、図９乃至図１０に示すように、この第１の端子ピン２２は、ばね片２２ｂを端子ピン挿入口１８ｃに強嵌合で挿入させることによって巻枠１６に取り付けられており、ばね片２２ｂの接続部２２ｃが自身の持つ弾性力によって電極４を押圧し、非磁性基板２を透孔１６ａの内壁面に当接させて保持している。また、接続部２２ｃと電極４との当接部分には半田付けが施され、第１の端子ピン２２と電極４との電気的接続をより確実なものとしている。
【００３２】
第２の端子ピン２３は、外部接続用部材であって導電薄板をＬ字状に切り曲げ加工してなるもので、上記第１の端子ピン２２と同一形状に形成され、図１２に示すように、平板部２３ａとこの平板部２３ａに一体に形成された細幅のばね片２３ｂとからなり、ばね片２３ｂの先端部が円弧状の接続部２３ｃとされている。そして、図９乃至図１１に示すように、この第２の端子ピン２３は、ばね片２３ｂを端子ピン挿入口１９ｃに強嵌合で挿入させることによって巻枠１６に取り付けられており、ばね片２３ｂの接続部２３ｃが自身の持つ弾性力によって電極５を押圧し、上記第１の端子ピン２２と協力して非磁性基板２を透孔１６ａの内壁面に当接させて保持している。また、接続部２３ｃと電極５との当接部分には半田付けが施され、第２の端子ピン２３と電極５との電気的接続をより確実なものとしている。
【００３３】
次に、このように構成された磁気インピーダンス効果素子１５の組立方法について説明すると、先ず、バイアスコイル１７が巻回された巻枠１６の貫通孔１８ｃ，１９ｃに各々コイル端子２０，２１の立上り部２０ｂ，２１ｂを各々強嵌合で貫通させて取り付け、バイアスコイル１７の一端および他端を立上り部２０ｂ，２１ｂの先端部に各々絡げて接続する。次に、巻枠１６の透孔１６ａに非磁性基板２を挿通し、次いで、端子ピン挿入口１８ｃにばね片２２ｂを強嵌合で貫通させて第１の端子ピン２２を巻枠１６に取り付け、接続部２２ｃを電極４に当接させてばね片２２ｂの持つ弾性力によって電極４を押圧させることにより、非磁性基板２を透孔１６ａの内壁面に当接させて保持させる。
【００３４】
次に、端子ピン挿入口１９ｃにばね片２３ｂを強嵌合で貫通させて第１の端子ピン２３を巻枠１６に取り付け、接続部２３ｃを電極５に当接させてばね片２３ｂの持つ弾性力によって電極５を押圧させることにより、上記第１の端子ピン２２と協力して非磁性基板２を透孔１６ａの内壁面に当接させて保持させる。しかる後、接続部２２ｃと電極４との当接部分および接続部２３ｃと電極５との当接部分に半田付けを施して磁気インピーダンス効果素子１５の組立が完了する。
【００３５】
このようにして、磁気インピーダンス効果素子１５の組立は完了するが、組立後においては、電極４、磁性薄膜３及び電極５を介して第１，第２の端子ピン２２，２３が導通しており、また、第１，第２の端子ピン２２，２３の平板部２２ａ，２３ａおよびコイル端子２０，２１の平板部２０ａ，２１ａは共に磁性薄膜３の長手方向に直交する方向に巻枠１６から突出してるため、これら平板部２２ａ，２３ａ，２０ａ，２１ａを連続して回路基板（不図示）等に半田付けできるようになっている。また、磁気インピーダンス効果素子１５を取扱う際に、非磁性基板２の磁性薄膜３が巻枠１６により覆われてバイアスコイル１７の巻回部１７ａ内に位置しているため、作業者の手指が磁性薄膜３に触れることがなく、手指の接触に起因する磁性薄膜３の断線等の損傷を防ぐことができる。
【００３６】
このように組立・構成された磁気インピーダンス効果素子１５は、図１３乃至図１４に示すように、磁性薄膜３の長手方向に対して平行に配置された回路基板２４に搭載され、その表面側で第１，第２の端子ピン２２，２３およびコイル端子２０，２１が半田付けにより回路基板２４と電気的に接続される。
【００３７】
そして、この磁気インピーダンス効果素子１５は、磁性薄膜３の長手方向が図示せぬ被検出体から発せられる外部磁界Ｈに沿うように配置された状態で、回路基板２４から第１，第２の端子ピン２２，２３を介して磁性薄膜３にＭＨｚ帯域の高周波電流を通電すると、外部磁界Ｈの変化に応じて磁性薄膜３の長手方向両端部間のインピーダンスが変化し、この変化を回路基板２４が電気信号に変換して外部磁界Ｈの検出出力が得られるようになっている。
【００３８】
この高周波電流の通電時に、この高周波電流よりも低周波の交流電流を回路基板２４からコイル端子２０，２１を介してバイアスコイル１７に通電して磁性薄膜３にバイアス磁界を印加すると、磁性薄膜３の長手方向両端部間のインピーダンスが外部磁界Ｈの変化に対して直線的に変化するように、磁性薄膜３の長手方向両端部間のインピーダンスの変化にリニアリティを持たせることが可能となり、外部磁界Ｈの強さをリニアリティ良く検出することが可能となる。
【００３９】
しかして、この磁気インピーダンス素子１５にあっては、第１，第２の端子ピン２２，２３のばね片２２ｂ，２３ｂ持つ弾性力によって簡単に非磁性基板２を巻枠１６に保持させることができ、落下等の要因で外部から磁気インピーダンス効果素子１５に衝撃力が加わった場合に巻枠１６から非磁性基板２が外れ、電極４，５と第１，第２の端子ピン２２，２３との接続が断たれることを確実に防止することができる。尚、この実施形態では、第１，第２の端子ピン２２，２３の両ばね片２２ｂ，２３ｂの持つ弾性力によって非磁性基板２を巻枠１６に最も確実に保持させるようにしたが、本発明はこれに限定されるものではなく、第１，第２の端子ピン２２，２３のばね片２２ｂ，２３ｂのいずれか一方の持つ弾性力によってのみ非磁性基板２を巻枠１６に保持させるようにしてもよい。
【００４０】
図１５乃至図１９は本発明の第２の実施形態における他の応用例を示す図であって、この磁気インピーダンス素子２５が上述した磁気インピーダンス効果素子１５と異なる点は、コイル端子２０，２１および端子ピン２２，２３の形状を若干変更し、コイル端子２０，２１をストレートな導電線材で形成したコイル端子２６，２７に置き換え、これらコイル端子２６，２７にバイアスコイル１７の一端および他端を各々絡げて接続した点と、第１，第２の端子ピン２２，２３を導電線ばね材で形成した第１，第２の端子ピン２８，２９に置き換え、第１の端子ピン２８が固定部２８ａと、この固定部２８ａの一端側から直角に折り曲げられたばね片２８ｂとからなり、ばね片２８ｂの先端部を円弧状の接続部２８ｃとするとともに、第２の端子ピン２９が第１の端子ピン２８と同じく固定部２９ａと、この固定部２９ａの一端側から直角に折り曲げられたばね片２９ｂとからなり、ばね片２９ｂの先端部を円弧状の接続部２９ｃとした点の２点が異なるのみで、他の構成は磁気インピーダンス効果素子１５と同様である。
【００４１】
そして、この第１，第２の端子ピン２８，２９は、固定部２８ａ，２９ａが端子ピン挿入口１８ｃ，１９ｃに各々強嵌合で挿通されて巻枠１６に取り付けられ、ばね片２８ｂ，２９ｂが自身の持つ弾性力によって接続部２８ｃ，２９ｃを介して電極４，５各々を押圧し、非磁性基板２を透孔１６ａの内壁面に当接させて保持している。
【００４２】
この磁気インピーダンス効果素子２５は、磁性薄膜３の長手方向に対して平行に配置された回路基板３０に搭載され、その裏面側で第１，第２の端子ピン２８，２９およびコイル端子２６，２７が半田付けにより回路基板３０と電気的に接続される。そして、この磁気インピーダンス素子２５は、磁性薄膜３の長手方向が図示せぬ被検出体から発せられる外部磁界Ｈに沿うように配置され、上記磁気インピーダンス素子１５と同様に動作する。
【００４３】
しかして、この磁気インピーダンス効果素子２５にあっては、上述した磁気インピーダンス効果素子１５と同様の効果を有し、加えて第１，第２の端子ピン２８，２９およびコイル端子２６，２７を回路基板３０の裏面側で半田付けできることから、製品の回路基板３０への取付構造にバリエーションを持たせることができる。
【００４４】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００４５】
非磁性基板の一面に形成された磁性薄膜と、この磁性薄膜の両端部に設けられた電極にそれぞれ接続される第１，第２の端子ピンと、バイアスコイルが巻回され該バイアスコイルが接続されるコイル端子が設けられた巻枠とを備え、前記第１，第２の端子ピンの少なくとも一方は前記巻枠に取り付けられ、前記巻枠の透孔に前記非磁性基板が挿通されて前記磁性薄膜が前記バイアスコイルの巻回部内に位置しており、前記巻枠に取り付けられた前記第１，第２の端子ピンの少なくとも一方の持つ弾性力によって前記非磁性基板が前記透孔の内壁面に当接して保持されているので、前記非磁性基板を被取付部材である前記巻枠に簡単に保持させることができ、前記巻枠から前記非磁性基板が外れ、前記電極と外部接続用部材である前記第１，第２の端子ピンとの接続が断たれることを確実に防止することができる。
【００４６】
また、前記第１の端子ピンは、前記巻枠に固定される固定部と、この固定部の一端部から折り曲げ形成された曲折部とを有し、前記第１の端子ピンが接続される前記電極を前記巻枠から露出させ、この電極を前記曲折部がその弾性力によって押圧するとともに、前記コイル端子を前記巻枠から突出させ、この突出方向と同一方向に前記第１の端子ピンと前記第２の端子ピンとを前記巻枠から突出させたので、前記第１，第２の端子ピンを連続して回路基板等に半田付けできる。
【００４７】
また、前記第２の端子ピンには、該第２の端子ピンが接続された前記電極と反対面側に突起が形成され、この突起が、前記透孔の内壁面に当接して前記第２の端子ピンが接続された前記電極を押圧したので、前記第２の端子ピンの前記突部が前記第１の端子ピンと協力して前記非磁性基板を前記巻枠に保持し、前記巻枠から前記非磁性基板が外れることをより一層確実に防止することができる。
【００４８】
また、前記巻枠の両端部に設けた一対の鍔部にそれぞれ端子ピン挿入口を形成し、これら挿入口に前記固定部を嵌入させて、前記第１の端子ピンを前記巻枠に固定したので、前記第１の端子ピンを所謂２点固定の構造で前記巻枠に強固に取り付けることができる。
【００４９】
また、前記電極を前記巻枠の両端部から露出させ、前記巻枠の両端部には前記第１，第２の端子ピンの両方を固定し、前記第１，第２の端子ピンに形成したばね片で前記電極をそれぞれ押圧することにより、前記非磁性基板を前記透孔の内壁面に当接させて保持させたので、前記第１，第２の端子ピンの前記各ばね片が協力して前記非磁性基板を前記巻枠に保持し、前記巻枠から前記非磁性基板が外れることをより一層確実に防止することができる。
【００５０】
また、前記巻枠の両端部に設けた一対の鍔部にそれぞれ端子ピン挿入口を形成し、これら挿入口に前記第１，第２の端子ピンを嵌入させて、前記第１，第２の端子ピンを前記巻枠に固定したので、前記第１，第２の端子ピンを前記巻枠に簡単に取り付けることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子の平面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子の正面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子の側面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子の背面図。
【図５】本発明の磁気インピーダンス効果素子に係る非磁性基板の平面図。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子の組立を示す説明図。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子が回路基板に取り付けられた状態を示す側面図。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子が回路基板に取り付けられた状態を示す正面図。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子の平面図。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子の正面図。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子の側面図。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子の組立を示す説明図。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子が回路基板に取り付けられた状態を示す正面図。
【図１４】本発明の第２の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子が回路基板に取り付けられた状態を示す側面図。
【図１５】本発明の第２の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子の応用例を説明する平面図。
【図１６】本発明の第２の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子の応用例を説明する正面図。
【図１７】本発明の第２の実施形態に係る磁気インピーダンス効果素子の応用例を説明する側面図。
【図１８】図１６に示す磁気インピーダンス効果素子が回路基板に取り付けられた状態を示す正面図。
【図１９】図１７に示す磁気インピーダンス効果素子が回路基板に取り付けられた状態を示す正面図。
【図２０】従来の磁気インピーダンス効果素子の斜視図。
【符号の説明】
１  磁気インピーダンス効果素子
２  非磁性基板
３  磁性薄膜
４  電極
５  電極
６  巻枠
７  バイアスコイル
７ａ  巻回部
８  鍔部
８ａ  切欠部
８ｂ  端子ピン挿入口
９  鍔部
９ａ  端子ピン挿入口
９ｂ  切欠
１０  コイル端子
１１  コイル端子
１２  第１の端子ピン
１２ａ  固定部
１２ｂ  曲折部
１２ｃ  接続部
１３  第２の端子ピン
１３ａ  接続部
１３ｂ  突部
１４  回路基板
１５  磁気インピーダンス効果素子
１６  巻枠
１６ａ  透孔
１７  バイアスコイル
１８  鍔部
１８ａ  貫通孔
１８ｂ  切欠部
１８ｃ  端子ピン挿入口
１９  鍔部
１９ａ  貫通孔
１９ｂ  切欠部
１９ｃ  端子ピン挿入口
２０  コイル端子
２０ａ  平板部
２０ｂ  立上り部
２１  コイル端子
２１ａ  平板部
２１ｂ  立上り部
２２  第１の端子ピン
２２ａ  平板部
２２ｂ  ばね片
２２ｃ  接続部
２３  第２の端子ピン
２３ａ  平板部
２３ｂ  ばね片
２３ｃ  接続部
２４  回路基板
２５  磁気インピーダンス効果素子
２６  コイル端子
２７  コイル端子
２８  第１の端子ピン
２８ａ  固定部
２８ｂ  ばね片
２８ｃ  接続部
２９  第２の端子ピン
２９ａ  固定部
２９ｂ  ばね片
２９ｃ  接続部
３０  回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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