(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
相変化ディスクに光源から光パルスを照射したとき形成される記録マークのエッジに情報を対応させて線速度可変で情報を記録する情報記録方法において、
前記ディスクの内周領域と外周領域に実質的に同じ線速度で試し書きを行い、前記内周領域に適した記録パラメータと前記外周領域に適した記録パラメータを求めるステップと、
前記内周領域に適した記録パラメータと前記外周領域に適した記録パラメータをもとにディスク半径位置における記録パラメータ補正係数を求めるステップと、
記録すべき領域の線速度に対応する記録パラメータを前記記録パラメータ補正係数で補正し、当該補正した記録パラメータに従って前記光源を制御するステップと
を含むことを特徴とする情報記録方法。
【請求項２】
請求項１記載の情報記録方法において、前記記録すべき領域の線速度に対応する記録パラメータは、前記ディスクの外周領域に異なる複数の線速度で試し書きを行って求めた前記各線速度に適した記録パラメータをもとに求めることを特徴とする情報記録方法。
【請求項３】
光ディスクに光照射する光源及び光ディスクから反射された光を検出する光検出器を備える光ヘッドと、光ディスクに対して前記光ヘッドを駆動する光ヘッド駆動手段と、前記光ヘッドの位置における線速度を可変として光ディスクを回転駆動するディスク駆動手段と、前記光源を駆動するための記録波形を発生する記録波形発生手段とを含み、記録マークのエッジに情報を対応させて情報を記録する光ディスク装置において、
光ディスクの内周領域と外周領域に実質的に同じ線速度にて試し書きを行って前記内周領域に適した記録パラメータと前記外周領域に適した記録パラメータを求め、前記内周領域に適した記録パラメータと前記外周領域に適した記録パラメータをもとにディスク半径位置における記録パラメータ補正係数を求める手段を備え、
前記記録波形発生手段は、前記記録パラメータ補正係数を用いて記録すべき領域の線速度に対応する記録パラメータを補正し、当該補正した記録パラメータに基づいて記録波形を発生することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】
請求項３記載の光ディスク装置において、前記記録パラメータとして記録パワー、消去パワー及びパルス幅を含むことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】
相変化ディスクに光源から光パルスを照射したとき形成される記録マークのエッジに情報を対応させて線速度可変で情報を記録する情報記録方法において、
前記ディスクの外周領域に異なる複数の線速度でパルス幅の異なる複数の記録波形を用いて試し書きを行って前記各線速度に適した記録パラメータを求めるステップと、
前記ディスクの内周領域と外周領域に実質的に同じ線速度で試し書きを行い、前記内周領域に適した記録パラメータと前記外周領域に適した記録パラメータとを求めるステップと、
前記複数の線速度と各線速度に適した記録パラメータとの対応関係をもとに求めた、記録すべき領域の線速度に対応する記録パラメータに従って前記光源を制御するステップと、
前記内周領域に適した記録パラメータと前記外周領域に適したパラメータとをもとに、ディスク半径位置における記録パラメータ補正係数を求めるステップと、
記録すべき領域の線速度に対応する記録パラメータを前記記録パラメータ補正係数で補正し、当該補正した記録パラメータに従って前記光源を制御するステップと
を有することを特徴とする情報記録方法。
【請求項６】
光ディスクに光照射する光源及び光ディスクから反射された光を検出する光検出器を備える光ヘッドと、光ディスクに対して前記光ヘッドを駆動する光ヘッド駆動手段と、前記光ヘッドの位置における線速度を可変として光ディスクを回転駆動するディスク駆動手段と、前記光源を駆動するための記録波形を発生する記録波形発生手段とを含み、記録マークのエッジに情報を対応させて情報を記録する光ディスク装置において、
光ディスクの外周領域に異なる複数の線速度でパルス幅の異なる複数の記録波形を用いて試し書きを行って前記各線速度に適した記録パラメータを求める手段と、
光ディスクの内周領域と外周領域に実質的に同じ線速度で試し書きを行い、前記内周領域に適した記録パラメータと前記外周領域に適した記録パラメータとを求め、前記内周領域に適した記録パラメータと前記外周領域に適した記録パラメータをもとにディスク半径位置における記録パラメータ補正係数を求める手段と、を備え、
前記記録波形発生手段は、前記複数の線速度と各線速度に適した記録パラメータとの対応関係をもとに求めた、記録すべき領域の線速度に対応する記録パラメータを前記記録パラメータ補正係数を用いて補正し、当該補正した記録パラメータに基づいて記録波形を発生することを特徴とする光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光を用いて光ディスクに情報を記録する情報記録方法及び光ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＺＣＬＶ（Zone Constant Linear Velocity）フォーマットの光ディスクは、半径方向に複数のゾーンに分割されており、各ゾーン内ではＣＡＶ（Constant Angular Velocity）方式で記録・再生する。記録再生信号の周波数は一定であり、外周でも内周と同じく情報を密に記録できる特長がある。ＤＶＤ−ＲＡＭではこの方式を採用しており、第１世代で2.6ＧＢ、第２世代で4.7ＧＢの高密度化を実現している。この方式では、線速度を内外周でほぼ一定にするために、光ヘッド位置が内周にあるときはディスク回転数を高く、逆に外周にあるときはディスク回転数を低くする。従って、シークする場合、光ヘッドの移動のみでなくディスク回転数を制御しなければならない。例えば直径１２０ｍｍの光ディスクの場合、半径２５ｍｍから半径５０ｍｍにシークしたときのディスク回転数は1/2となり、スピンドルモータの制御に時間がかかり、回転数制御時間がシークタイムを決めることもあった。また、スピンドルモータの回転数制御のために消費電力が増大するという問題も生じる。特開平11-29685号公報には、シーク直後等の目標回転数に対して実回転数が追従しきれず線速度が目標速度からずれている場合でも、実の線速度に合わせて記録パワーを調整する方法が提案されている。
【０００３】
回転数をディスク内外周でほぼ一定にすれば、シーク時の回転数制御時間が短縮でき、また、スピンドルモータの回転数制御に必要となる消費電力も低減することができる。そこで、再生時における高転送レート実現のために、線速度が低くなる内周ではクロック周波数を低く、線速度が高くなる外周ではクロック周波数を高くすることで、回転数一定あるいは少ない幅の変化でもＣＬＶフォーマットのディスクの再生を行う方式が提案されている（特開平6-89506号公報、特開平6-12785号公報など）。また、記録時は特開平8-212691号公報のように、ディスク回転数を一定にし、記録信号のクロック周波数を線速度に応じて変化させて高速記録を可能にする方法が提案されている。この記録方法では、線速度がディスク半径によって変化するために、線速度にあわせて記録条件を最適化する必要が生じる。特開平8-212691号公報、特開平10-106025号公報などでは、記録条件は記録媒体の特性を内外周で変えて最適化している。しかしながら、この記録媒体はディスク回転数一定（あるいはほぼ一定）の回転数制御をする光ディスク専用媒体となり、用途が限定されてしまうという問題があった。これらの問題を解決する手段として、特開平10-106008号公報には、記録媒体で記録条件を最適化するのではなく、線速度に応じて記録時のパワーやパルス幅を変化させることにより最適な形状の記録マークを形成する方法が提案されている。
【０００４】
線速度がほぼ一定のＺＣＬＶ方式においても、高密度化を達成するために、記録マーク形成時の記録パルス幅を変化させる方式が採用されている。1994年第６回相変化記録研究会資料７０ページに記載されているように、先行するスペースあるいは/及び後続のスペースに依存して記録パルス形状をクロック単位より短い長さで増減させて記録する方式（適応型記録波形制御）である。この方式では、記録マークやスペースが光スポットに比べて小さいことから生じるトラック方向の熱干渉によるエッジシフトを極力抑制することができ、マークエッジ記録に非常に有効である。適応型記録波形制御では、個々のディスクや作動環境に合わせて最適な記録波形及び記録パワーを得ることができるように、データ部への記録をする前に「試し書き」を行う。例えば、4.7ＧＢのＤＶＤ−ＲＡＭ媒体の場合、内周エリアと外周エリアに試し書き用の領域が設けられており（図２）、その領域を用いて必要時試し書きを行う。線速度がほぼ一定の場合は、内周エリアあるいは／及び外周エリアを用いて１つの線速度にて試し書きを行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
通常、線速度を速くするとディスク上の記録マーク上における光スポットの通過時間が短くなるため、単位時間内にディスクに照射されるエネルギー量が低下し記録マークが加熱されにくくなる。このため、消去に必要なレーザパワーは高くなる。また、線速度が速くなるに従ってクロック周波数が高くなるため、よりパルス幅の狭い記録パルスで記録を行うことになり、より高い記録パワーが必要となる。これら線速度と照射パワーの関係は光ディスク全般に言えることであるが、相変化記録の場合、消去パワーと記録パワーの線速度に対する増大分を変化させることが重要である。これは以下の理由による。
【０００６】
相変化記録では、記録層を融点以上まで昇温し、その後急冷することによってアモルファスの記録マークを形成する。その記録マーク周辺には、一度融点まで温度上昇したのち、冷却過程で周囲にある結晶核から結晶成長して結晶相となる、いわゆる再結晶化領域が形成される。この再結晶化領域幅は記録時の線速度に依存し、線速度が速いほどその幅は狭くなることが検討の末明らかになった。従って、線速度可変で記録する場合、ある一定の記録マーク幅を得るためには、再結晶化領域幅の線速度依存性を考慮する必要がある。これは、相変化記録が光磁気記録のように温度分布でマーク形状が決定される記録原理とは異なり、昇温後の冷却過程がより重要な記録原理であることによる。
【０００７】
また、線速度が速くなると、線速度に対応してクロック周波数が高くなりウィンドウ幅Ｔｗが短くなることに伴いパルスの発光時間が短くなるため、レーザの立ち上がり時間の影響が大きくなる。図３に示すように、線速度が遅いときにはクロック周波数が低いためにレーザの立ち上がり時間の影響は少なく、矩形に近い発光パルスを得ることができる。しかしながら、線速度が速いときにはクロック周波数は高くなり、レーザが本来のパワーになる前にパルスの立ち下げ時刻になってしまい、実質的には十分パワーを得ることができないことがある。従って、可変な線速度に対してそれぞれ最適な記録波形を作る必要がある。
【０００８】
以上から、線速度可変で記録を行う場合、複数の線速度で試し書きを行って、各々の線速度での最適記録パワーおよび記録波形を求めることが必要となる。しかしながら、ＤＶＤ−ＲＡＭでは試し書き用のエリアが内周および外周にしかないため、内周での線速度および外周での線速度の2種類の線速度でしか試し書きができないという問題があった。
本発明の目的は、上記従来技術における問題点を解決し、内周及び外周に試し書き領域を有する線速度可変な光ディスクにおいて、正確なマークエッジ記録を可能とする試し書き方式を具備した光ディスク装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明では、以下の情報記録方法及び光ディスク装置の採用によって上記目的を達成する。
（１）相変化ディスクに光源から光パルスを照射したとき形成される記録マークのエッジに情報を対応させて線速度可変で情報を記録する情報記録方法において、前記ディスクの外周領域に異なる複数の線速度で試し書きを行って前記各線速度に適した記録パラメータを求めるステップと、前記複数の線速度と各線速度に適した記録パラメータとの対応関係をもとに求めた、記録すべき領域の線速度に対応する記録パラメータに従って前記光源を制御するステップとを含むことを特徴とする情報記録方法。
ＺＣＡＶ方式の場合、試し書きを行う複数の線速度をゾーン毎の線速度とするのが好都合である。
（２）（１）記載の情報記録方法において、前記試し書きに際し、線速度を遅い線速度から速い線速度に変化させて各線速度に適した記録パラメータを求めることを特徴とする情報記録方法。
（３）（１）記載の情報記録方法において、前記試し書きに際し、線速度を速い線速度から遅い線速度に変化させて各線速度に適した記録パラメータを求めることを特徴とする情報記録方法。
（４）（１）記載の情報記録方法において、前記試し書きに際し、光パルス波形の線速度依存性を補償することを特徴とする情報記録方法。
（５）相変化ディスクに光源から光パルスを照射したとき形成される記録マークのエッジに情報を対応させて線速度可変で情報を記録する情報記録方法において、前記ディスクの内周領域と外周領域に実質的に同じ線速度で試し書きを行い、前記内周領域に適した記録パラメータと前記外周領域に適した記録パラメータを求めるステップと、前記内周領域に適した記録パラメータと前記外周領域に適した記録パラメータをもとにディスク半径位置における記録パラメータ補正係数を求めるステップと、記録すべき領域の線速度に対応する記録パラメータを前記記録パラメータ補正係数で補正し、当該補正した記録パラメータに従って前記光源を制御するステップとを含むことを特徴とする情報記録方法。
（６）（５）記載の情報記録方法において、前記記録すべき領域の線速度に対応する記録パラメータは、前記ディスクの外周領域に異なる複数の線速度で試し書きを行って求めた前記各線速度に適した記録パラメータをもとに求めることを特徴とする情報記録方法。
（７）（１）〜（６）のいずれか１項記載の情報記録方法において、前記記録パラメータとして記録パワー、消去パワー及びパルス幅を含むことを特徴とする情報記録方法。
（８）光ディスクに光照射する光源及び光ディスクから反射された光を検出する光検出器を備える光ヘッドと、光ディスクに対して前記光ヘッドを駆動する光ヘッド駆動手段と、前記光ヘッドの位置における線速度を可変として光ディスクを回転駆動するディスク駆動手段と、前記光源を駆動するための記録波形を発生する記録波形発生手段とを含み、記録マークのエッジに情報を対応させて情報を記録する光ディスク装置において、光ディスクの外周領域に異なる複数の線速度で試し書きを行って前記各線速度に適した記録パラメータを求める手段を備え、前記記録波形発生手段は、前記複数の線速度と各線速度に適した記録パラメータとの対応関係をもとに求めた、記録すべき領域の線速度に対応する記録パラメータに基づいて記録波形を発生することを特徴とする光ディスク装置。
（９）光ディスクに光照射する光源及び光ディスクから反射された光を検出する光検出器を備える光ヘッドと、光ディスクに対して前記光ヘッドを駆動する光ヘッド駆動手段と、前記光ヘッドの位置における線速度を可変として光ディスクを回転駆動するディスク駆動手段と、前記光源を駆動するための記録波形を発生する記録波形発生手段とを含み、記録マークのエッジに情報を対応させて情報を記録する光ディスク装置において、光ディスクの内周領域と外周領域に実質的に同じ線速度にて試し書きを行って前記内周領域に適した記録パラメータと前記外周領域に適した記録パラメータを求め、前記内周領域に適した記録パラメータと前記外周領域に適した記録パラメータをもとにディスク半径位置における記録パラメータ補正係数を求める手段を備え、前記記録波形発生手段は、前記記録パラメータ補正係数を用いて記録すべき領域の線速度に対応する記録パラメータを補正し、当該補正した記録パラメータに基づいて記録波形を発生することを特徴とする光ディスク装置。
（１０）（８）又は（９）記載の光ディスク装置において、前記記録パラメータとして記録パワー、消去パワー及びパルス幅を含むことを特徴とする光ディスク装置。
【００１０】
ディスク内周側の試し書き領域のみを用いてディスク全域の線速度を対象として試し書きを行う場合、ディスク外周領域での線速度は内周領域のそれより速いため、ディスク回転数を上げる必要がありモータの高性能化が要求される。また、モータの高速回転は発熱の原因になる場合もあり、好ましくない。これに対して、ディスク外周側にて試し書きを行う場合、外周での線速度が最速であるために、ディスク回転数をさらに速くする必要がなく、既存のモータを用いることができる。また、ディスク回転数を遅くすることで任意の線速度で試し書きができるため、線速度とともにクロック周波数が変化したときに光パルス形状が変わることから生じるレーザパワーの変化を調べることもできる。
また、ディスク内外周に記録感度差などの特性差が生じた場合、特性差を加味して記録時のレーザパワー及び記録波形を作ることが必要となる。この場合、ディスクの内周と外周の2ヶ所の試し書き領域において同じ線速度（例えば内周での線速度）で試し書きを行う。その結果、ディスク内外周での記録特性差を測定でき、ディスク中周領域での記録特性を内挿することが可能である。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１１に、本発明で用いる記録パラメータの例を示す。以下の実施例では、これらの記録パラメータを実際に求めるための方法を説明する。ここに示した記録パラメータは、記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、パルス幅（先頭パルスのパルス幅ＦＰ、マルチパルスのパルス幅ＭＰ、最後尾パルスのパルス幅ＬＰ）、及びパワーレベル（先頭パルスのパワーレベルＰFP、マルチパルスのパワーレベルＰMP、最後尾パルスのパワーレベルＰLP）である。ここで、パワーレベルＰFP，ＰMP，ＰLPが同値、すなわちＰFP＝ＰMP＝ＰLPの場合、これらをまとめて記録パワーＰｗとした（すなわちＰｗ＝ＰFP＝ＰMP＝ＰLP）。ＰFP＝ＰMP＝ＰLPが成り立たない場合を実施例２に示した。
【００１２】
【実施例】
〔実施例１〕
直径８ｃｍの光ディスクを用意した。この光ディスクは、全記録可能領域が線速度８．２ｍ／ｓにて良好なジッタ―を有しているものである。本実施例では、図１に示した光ディスク装置を用いて上記光ディスクの記録再生を行った。記録再生時のモーター制御方法としては、記録再生を行うゾーン毎にディスクの線速度およびクロック周波数Ｔとクロック周波数の逆数で定義されるウインドウ幅Ｔｗを変化させるＺＣＡＶ方式とした。
【００１３】
図１は、上記光ディスク１１の記録・再生を行った本発明による光ディスク装置の概略構成を示す模式図である。説明を簡単にするため、図１には、本発明の説明に必要な最低限の装置構成のみを図示してある。この光ディスク装置は、モータ１２を回転させる回転数制御部１４と、光ディスク１１の記録面に半導体レーザからのレーザ光を照射する光ヘッド１３と、信号を再生するための再生処理部１７を備えている。また、装置全体の制御をすると共に、最適記録パワー、記録パルス幅などを求める処理等を行うマイコン１８と、マイコン１８の指示に従って光ヘッド１３の半導体レーザの照射を制御するＬＤ制御部１６と、マイコン１８にて指示した記録波形が実際にどのように発光しているか検出するためのレーザ波形検出器１５を備えている。マイコン１８は、光源を駆動するための信号波形を発生する記録波形発生手段も兼ねている。
【００１４】
光ヘッド１３は、情報記録用のエネルギービームとして波長６５９ｎｍのレーザ光を発生する半導体レーザを備える。このレーザ光をレンズＮＡ０．６の対物レンズにより光ディスク１１の記録層上に絞り込み情報の記録を行った。光ヘッド１３は、マイコン１８の制御下にある光ヘッド駆動手段（図示せず）によって駆動され、光ディスク１１の半径方向に移動することができる。また、光ヘッド１３は光検出器を備え、光ディスク１１からの反射光を検出した光検出器の出力は再生処理部１７に入力され、半導体レーザからの照射光の一部を検出した光検出器の出力はレーザ波形検出器１５に入力される。
【００１５】
線速度に対応してウインドウ幅Ｔｗが変化したとき、所望のレーザ波形が出力されるか否かについてチェックした結果、本装置では線速度１６．４ｍ/ｓまで所望のレーザ発光波形を得ることができることを確認した。従って、直径８ｃｍの光ディスクを用いた本実施例の場合、レーザ発光波形の線速度依存性は考慮する必要がなかった。このように、試し書きを行う前（あるいは同時）にレーザの発光波形をチェックし、所望の波形が得られているかどうか確認することが重要である。所望の発光波形が得られていない場合は、実施例２で述べるように補正が必要となる。
【００１６】
本実施例では、図４に示すように、低（消去）パワーと高（記録）パワーの２つのレベルを有する記録波形を用いた。低パワーレベルは記録マークの消去（結晶化）が可能であり、高パワーレベルは記録マーク（非晶質）を形成することが可能である。１つのマークを形成するための記録波形は、先頭パルス、マルチパルス、最後尾パルスから成り立っている（最短マークは、先頭パルスと最後尾パルスは一体化している）。マイコン１８内には、マーク部の前後のスペース部の長さに応じて先頭パルス幅と最後尾パルス幅を変化する方式（適応型記録波形制御）に対応した波形テーブルを有しており、これによりマーク間に発生するマーク間熱干渉の影響を極力排除できる記録波形を発生することができる。
また、本記録装置はグルーブとランド（グルーブ間の領域）の両方に情報を記録する方式（いわゆるランドグルーブ（Ｌ／Ｇ）記録方式）に対応しており、ランドとグルーブに対するトラッキングを任意に選択することができる。
【００１７】
上記一連の作業に基づき実際に情報の記録・再生を行う前に、各線速度に適した最適記録パワー、最適消去パワー、記録波形を得るために試し書きを行った。以下に、試し書きの順序の一例を述べる。
まず、内周の試し書きエリアを用い、線速度８．２ｍ/ｓでの最適な記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、先頭パルス幅ＦＰ、最後尾パルス幅ＬＰを求めた。具体的には、第１に、図５に示すように消去パワー、パルス幅を固定した状態で記録パワーを変化させて記録を行い、ジッターが最小の記録パワーを最適記録パワーとした。この装置では、ジッターが１３％より大きいとエラーが発生するので、ジッターが１３％になる記録パワーＰｗ１を閾値とし、その記録パワーにディスク面内の感度ずれ分やディスク表面に付着しているゴミの影響、さらにレーザスポットのデフォーカスの可能性なども考慮してマージンを見込み、閾値にマージン量として閾値の２０〜３０％を加算したパワー（Ｐｗ１×１．２〜１．３）を最適記録パワーとしてもよい。
【００１８】
第２に、上記で得られた最適記録パワーを用いて、パルス幅を固定した状態で消去パワーを変化させ記録を行った。ここでは、図６に示すように、ジッターが１３％になる消去パワー（図中Ｐｅ１とＰｅ２）の中間パワーを最適消去パワーとした。最適消去パワーは、最小ジッターが得られる消去パワーとしてもよい。また、ジッターが１３％となる低パワー側の消去パワー（Ｐｅ１）に、前述したようなディスク面内感度ずれやディスク表面のゴミなどのマージン量（２５〜５０％）を加算した値を、最適消去パワーとしてもよい。
【００１９】
第３に、得られた最適記録パワーおよび最適消去パワーを用いて、最適パルス幅を求めた。最適パルス幅は、記録マーク部の前後のスペース部の長さに応じて先頭パルス幅と最後尾パルス幅の最適値が変化する。図７に示すように、横軸にパルス幅、縦軸にジッターをとり、記録マークとスペースのパターン毎にジッターが最小となるようなパルス幅を、記録パターン毎の最適パルス幅とした。先頭パルス幅、最後尾パルス幅についてこの作業を行う。最適パルス幅は、ジッターが１３％となる２つのパルス幅の中間パルス幅としてもよい。
【００２０】
以上（第１から第３の作業）が、内周（線速度８．２ｍ/ｓ）での最適条件を求めるために行った試し書き作業である（図１１の条件Ａにあたる）。次に、光ヘッドを外周に移動し、ディスク回転数を下げ、同様の作業を行って内周と同じ線速度８．２ｍ/ｓでの最適記録波形、最適パワーを求めた（図１１の条件Ｂにあたる）。本実施例で用いたディスクは内外周に記録感度差はなく、最適記録波形、最適パワーは内外周で変わらなかった（図１１においてＰｗ（Ａ）＝Ｐｗ（Ｂ）、Ｐｅ（Ａ）＝Ｐｅ（Ｂ）、ＦＰ（Ａ）＝ＦＰ（Ｂ）、ＭＰ（Ａ）＝ＭＰ（Ｂ）、ＬＰ（Ａ）＝ＬＰ（Ｂ）であった）が、このように、内周と外周で同一線速度での試し書きを行うことにより、ディスクの内外周での記録感度差を補正するためのデータを得ることができる。具体的には、ディスク半径位置の関数である記録パラメータ補正係数を求め、記録すべきディスク半径位置（線速度）に対応する記録パラメータを補正することによって、ディスク内外周の記録感度差を加味した最適な記録パラメータを得る。
【００２１】
例えば、内周と外周で同一線速度での試し書きを行ったとき、Ｐｗ（Ａ）≠Ｐｗ（Ｂ）であった場合、内周と外周の間の半径位置（線速度）での記録パワーは、内周の記録パワーＰｗ（Ａ）と外周の記録パワーＰｗ（Ｂ）を直線補間した値を用いると良好な性能を得ることができる。同様に、消去パワーや記録パルス幅も内周における最適値と外周における最適値を直線補間した値を用いることが好ましい。
【００２２】
同様に、外周の試し書きエリアを用いて、ディスク回転数を上げ、１２ｍ/ｓ、１４ｍ/ｓでの試し書きを順次行い、それぞれの線速度での最適パワーおよび最適パルス幅を求めた。最適消去パワーは線速度８．２ｍ/ｓのとき４ｍＷ（図１１のＰｅ（Ｂ）に相当），１２ｍ/ｓのとき４．５ｍＷ（図１１のＰｅ（Ｃ）に相当）、１４ｍ/ｓのとき４．８ｍＷ、最適記録パワーは線速度８．２ｍ／ｓのとき１０ｍＷ（図１１のＰｗ（Ｂ）に相当）、１２ｍ/ｓのとき１０．５ｍＷ（図１１のＰｗ（Ｃ）に相当）、１４ｍ/ｓのとき１０．７ｍＷであった。
【００２３】
実際に試し書きを行っていない線速度での記録波形およびパワーは、試し書きを行った各線速度での最適パワーおよび最適パルス幅から、関係式（Ｐ＝αＶ＋α'など）により定義することができる。ディスクの中周に試し書きエリアがない場合、本実施例のようにディスク外周エリアにて線速度を変化させて試し書きを行うことにより、ディスクの全半径領域における最適パワーおよび最適記録波形を求めることができる。
【００２４】
上記試し書きで得られた最適記録パワー及び記録波形にて、半径２３ｍｍ（線速度：８．２ｍ/ｓ）、半径３３．７ｍｍ（線速度：１２ｍ/ｓ）、３９．３ｍｍ（線速度：１４ｍ/ｓ）にてＥＦＭ信号を記録したところ、いずれの半径においてもジッターがランドで８．２〜８．５％、グルーブで７．９〜８．３％と良好であった。ここで、ジッターとは、前エッジおよび後エッジのジッター値の２乗平均値を指す。ジッター測定におけるウインドウ幅（Ｔｗ）はクロック周波数の逆数とし、最短記録信号は３Ｔｗ、最長記録信号は１４Ｔｗでこれらをランダムに記録している。これらの測定には再生等化回路を使用している。
【００２５】
本実施例の試し書きの順序（線速度を変化させる順序、あるいは記録パワー、消去パワー、パルス幅を求める順序）は一例であり、その順序が入れ替わっても本発明の効果は変わらない。また、本実施例では、記録波形を記録パワーと消去パワーの2値レベルとしたが、異なるパワーレベルを加え3値以上のレベルを持つ記録波形を用いても、本実施例の効果は変わらない。
【００２６】
また、本実施例では、ディスク全周にわたり良好なジッターを得ることができたが、ある線速度以上にて良好なジッターを得ることができないようなディスクであった場合、上限線速度となる半径より外周側では上限線速度を用いる、すなわちＺＣＬＶ方式にすることも可能である。このとき、上限線速度から外周側ではクロック周波数およびウインドウ幅は線速度に合わせて固定となることが好ましい。さらに、ディスクを半径方向に複数の領域にわけて各領域における線速度を固定し、領域毎に線速度を断続的に変えたＺＣＡＶ方式の場合は、用いる線速度のみで試し書きすればよい。
【００２７】
これらの試し書きの結果得られた最適パワーなどの記録パラメータ及び装置の個別認識番号を当該光ディスクに保存し、また装置内にも試し書きの結果とディスクＩＤを記録保存することで、同じ光ディスクを再び装置にかけたとき試し書きの時間を大幅に短縮することができる。
【００２８】
〔実施例２〕
直径１２ｃｍの光ディスクを用意した。直径１２ｃｍの光ディスクにおいてＣＡＶ（あるいはＺＣＡＶ）記録を行うには、内周を線速度８．２ｍ/ｓとした場合外周では線速度２１ｍ/ｓとなり、この線速度の変化に伴ってクロック周波数およびウインドウ幅も変化する。例えば、線速度８．２ｍ/ｓでウインドウ幅Ｔｗ＝１７．１ｎｓであるとき、線速度１６．４ｍ/ｓでのウインドウ幅Ｔｗ＝８．６ｎｓに、２１ｍ/ｓでのウインドウ幅Ｔｗ＝６．７ｎｓになる。このように、線速度が速くなるに従ってウインドウ幅は短くなり、それに伴いパルスの発光時間が短くなるため、レーザの立ち上がり時間の影響が大きくなる。
【００２９】
図８は線速度（ウインドウ幅）を変化させたときの、図１のレーザ波形検出器１５で検出された発光パルスを示している。本実施例で用いた装置では、線速度が１６．４ｍ/ｓ（図１１の条件Ｄにあたる）より速くなると、記録波形のマルチパルス部分の発光パルスが設定したパワーレベルに達しなくなる。これは先頭パルスと最後尾パルスよりもマルチパルス部分の発光時間が短いため、線速度が速くなったことに対してマルチパルス部分がレーザの立ち上がり時間の影響を受けたためである。このような発光パルスパワーの線速度依存性の影響を回避するために、本装置では、図１のレーザ波形検出器１５で検出された発光パルスをマイコン１８に送り、指令パワーレベルと実際のパワーレベルの関係を求め、その後、指令パワー補正をすることによって所望のレーザパワーを得ることができる。
【００３０】
図９に、マルチパルス幅の指令電流値と目標発光パワーの関係を示す。指令電流値１００とはレーザの立ち上がり・立ち下げ時間の影響のない状態でレーザを発光させたとき、目標とする発光パワーを得ることのできる電流値を指している。図９に示すように、線速度８．２ｍ/ｓでは指令電流値１００にて所望のレーザパワーを得ることが出来る。しかしながら、線速度１９ｍ/ｓでは指令電流値を１００としたときのマルチパルスのレーザパワーは目標とするパワーの約９０％しか得られていない。これを検出し、指令電流レベルを１１０％に設定することで所望のパワーを得ることができる。線速度がさらに速いところではマルチパルスだけでなく、図１０に示すように、先頭パルスや最後尾パルスも補正が必要になる。
【００３１】
以上のように、各線速度にて発光パルス波形を検出することにより実際のレーザパワーを測定しフィードバックをかけることによって、線速度変化（ウインドウ幅変化）によるレーザ立ち上がり時間および立ち下がり時間の影響を極力小さくすることができる。このようにして発光パルスパワーの線速度依存性を解消した後、実施例１にて説明したように光ディスクの外周エリアで線速度をステップ的に変え試し書きをして各線速度に対する最適記録パワー、最適消去パワー、及びパルス幅を求める。こうして得られたデータを用いることにより、ディスクの全半径領域における最適パワーおよび最適記録波形を求めることができる。
【００３２】
本実施例ではレーザパワーレベルを補正することによって所望の発光パルスパワーを得たが、マルチパルスの幅（発光時間）を制御することでレーザの立ち上がり立ち下げ時間の影響を少なくすることも可能であり、本発明の範囲内である。
以上より、線速度可変時の試し書きでは、図１１に示した記録パラメータを求めることが重要であることがわかる。
【００３３】
【発明の効果】
本発明によると、線速度可変にしても、線速度変化に伴う記録マークの形状変化およびトラック方向の熱干渉条件の変化から生じるエッジシフトを最小限に抑え、良好なジッターを有する光ディスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光ディスク装置の概略構成を示す模式図。
【図２】  4.7ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭ媒体の試し書き用領域を示す模式図。
【図３】クロック周波数変化に伴うレーザ出力変化の説明図。
【図４】光ディスクの記録・再生特性評価に用いた記録波形を示す模式図。
【図５】記録パワーとジッターとの関係を示す図。
【図６】消去パワーとジッターとの関係を示す図。
【図７】パルス幅とジッターとの関係を示す図。
【図８】線速度（ウインドウ幅）の違いによる発光パルス波形の違いを示す図。
【図９】異なる線速度（ウインドウ幅）でのマルチパルスの指令電流値と目標発光パワーの関係の一例を示す図。
【図１０】先頭パルス、マルチパルス、最後尾パルスの指令電流値と目標発光パワーの関係の一例を示す図。
【図１１】本発明で用いる記録パラメータの例を示す図。
【符号の説明】
１１  光ディスク
１２  モーター
１３  光ヘッド
１４  回転数制御部
１５  レーザ波形検出器
１６  ＬＤ制御部
１７  再生処理部
１８  マイコン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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