(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
(Ａ)(ａ)ケイ素原子に結合する式：
【化１】
0003950493.tif 000028
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン５〜９５重量％と(ｂ)ケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、該アルケニル基以外のケイ素原子に結合する基として、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、または水酸基を有するオルガノポリシロキサン９５〜５重量％とからなるオルガノポリシロキサン混合物
１００重量部、
(Ｂ)ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個有し、該水素原子以外のケイ素原子に結合する基として、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、または水酸基を有するオルガノポリシロキサン｛(ｂ)成分中のケイ素原子に結合するアルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素原子に結合する水素原子が０．５〜２０モルとなる量｝、
(Ｃ)導電性充填剤                                      ５０〜２，０００重量部、
(Ｄ)光増感剤                                              ０．１〜２０重量部、
および
(Ｅ)白金系触媒（本組成物を硬化させるに十分な量）
からなることを特徴とする導電性シリコーンゴム組成物。
【請求項２】
(Ａ')ケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、ケイ素原子に結合する式：
【化２】
0003950493.tif 000029
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を有するか、または有さないオルガノポリシロキサン                                                      １００重量部、
(Ｂ')ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個有し、ケイ素原子に結合する式：
【化３】
0003950493.tif 000030
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を有するか、または有さないオルガノポリシロキサン｛(Ａ')成分中のケイ素原子に結合するアルケニル基１モルに対して、(Ｂ')成分中のケイ素原子に結合する水素原子が０．５〜２０モルとなる量｝、
(Ｃ)導電性充填剤                              ５０〜２，０００重量部、
(Ｄ)光増感剤                                      ０．１〜２０重量部、
および
(Ｅ)白金系触媒（本組成物を硬化させるに十分な量）
からなり、(Ａ')成分または(Ｂ')成分のいずれか少なくとも一方が、ケイ素原子に結合する式：
【化４】
0003950493.tif 000031
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を一分子中に少なくとも２個有することを特徴とする導電性シリコーンゴム組成物。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか１項に記載の導電性シリコーンゴム組成物を介して半導体チップを基板やパッケージに載置し、次いで、この組成物に高エネルギー線を照射することにより、アクリル官能性基のフリーラジカル反応を生起せしめた後、この組成物をヒドロシリレーション反応により硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載された方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導電性シリコーンゴム組成物、半導体装置の製造方法および半導体装置に関し、詳しくは、ヒドロシリレーション反応前あるいはヒドロシリレーション反応による硬化途上で導電性シリコーンゴム組成物の周囲が低分子量シリコーンオイルにより汚染されることなく、硬化して導電性が優れたシリコーンゴムを形成する導電性シリコーンゴム組成物、およびこの組成物により半導体チップを基板やパッケージに接着する際に、半導体チップまたはリードフレームへのワイヤーボンダビリティの低下、および半導体チップ、基板、パッケージ、またはリードフレームと封止樹脂との接着不良を抑制することができる半導体装置の製造方法、およびこの方法により製造された、耐湿性等の信頼性が優れる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
硬化して導電性が優れたシリコーンゴムを形成する導電性シリコーンゴム組成物は、例えば、水晶発振器に登載される水晶振動子や水晶フィルターの水晶素子を基材に固定するための接着剤、圧電基板をパッケージに固定するための接着剤、電磁波遮蔽用シールド剤、半導体チップを基板やパッケージに接着するためのダイボンディング剤として使用されている。
【０００３】
しかし、従来の導電性シリコーンゴム組成物により半導体チップを基板やパッケージに接着した場合には、この半導体チップまたはリードフレームへのワイヤボンダビリティ（ボンディングワイヤの接合性）が低下したり、半導体チップ、基板、パッケージ、またはリードフレームと封止樹脂との接着不良が生じたりして、半導体装置の耐湿性が悪化するという問題があった。
【０００４】
これらの問題を解決すべく、揮発性の低分子量シロキサンを減量してなる、ヒドロシリレーション反応で硬化する導電性シリコーンゴム組成物が提案されている（特開平３−１７０５８１号公報参照）が、この導電性シリコーンゴム組成物といえども、半導体チップまたはリードフレームへのワイヤボンダビリティの低下、および半導体チップ、基板、パッケージ、またはリードフレームと封止樹脂との接着不良を十分に抑制して、半導体装置の耐湿性を十分に向上しうるものではなかった。
【０００５】
種々の検討により、ヒドロシリレーション反応により硬化する導電性シリコーンゴム組成物により半導体チップを基板やパッケージに接着する際、ヒドロシリレーション反応前あるいはヒドロシリレーション反応による硬化途上の導電性シリコーンゴム組成物から低分子量シリコーンオイルが滲み出し、半導体チップ、基板、パッケージ、リードフレーム等の表面を汚染することにより、半導体チップまたはリードフレームへのワイヤボンダビリティの低下、および半導体チップ、基板、パッケージ、またはリードフレームと封止樹脂との接着不良を生じさせることを確認した。この低分子量シリコーンオイルとしては、この導電性シリコーンゴム組成物の主成分であるオルガノポリシロキサンに含まれる環状シロキサン、このシリコーンゴム組成物を硬化させるためのオルガノポリシロキサン、さらには、このシリコーンゴム組成物の接着性を向上させるためのオルガノポリシロキサンであることを確認した。
【０００６】
そこで、本発明者らは、ヒドロシリレーション反応により室温においても直ちに硬化する導電性シリコーンゴム組成物を調製して、硬化前あるいは硬化途上の導電性シリコーンゴム組成物から低分子量シリコーンオイルの滲み出しを抑制しようとしたが、このような導電性シリコーンゴム組成物は取扱作業性が極めて悪いという問題があった。
【０００７】
さらに、本発明者らは、高エネルギー線照射による、アクリル官能性基のフリーラジカル反応により硬化するシリコーンゴム組成物に導電性充填剤を配合して、硬化前あるいは硬化途上のシリコーンゴム組成物から低分子量シリコーンオイルの滲み出しを抑制しようとしたが、このようなシリコーンゴム組成物は、導電性充填剤により高エネルギー線がシリコーンゴム組成物の内部にまで十分に照射されずに十分に硬化せず、また、高エネルギー線が照射されない部分が硬化しなかった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者らは、上記の課題について鋭意検討した結果、高エネルギー線によるアクリル官能性基のフリーラジカル反応、およびヒドロシリレーション反応により硬化する導電性シリコーンゴム組成物によると、ヒドロシリレーション反応前あるいはヒドロシリレーション反応による硬化途上で導電性シリコーンゴム組成物の周囲が低分子量シリコーンオイルにより汚染されることなく、硬化して導電性が優れたシリコーンゴムを形成すること、この導電性シリコーンゴム組成物により半導体チップを基板またはパッケージに載置した後、半導体チップ周辺にはみ出したこの組成物に高エネルギー線を照射すると、この組成物の表面がアクリル官能性基のフリーラジカル反応を生起することにより、ヒドロシリレーション反応前あるいはヒドロシリレーション反応による硬化途上の導電性シリコーンゴム組成物から低分子量シリコーンオイルの滲み出しが十分に抑制されること、および高エネルギー線が十分に照射されない部分の導電性シリコーンゴム組成物についても、ヒドロシリレーション反応により硬化することを見いだして、本発明に到達した。
【０００９】
すなわち、本発明の目的は、ヒドロシリレーション反応前あるいはヒドロシリレーション反応による硬化途上で導電性シリコーンゴム組成物の周囲が低分子量シリコーンオイルにより汚染されることなく、硬化して導電性が優れたシリコーンゴムを形成する導電性シリコーンゴム組成物、この組成物により半導体チップを基板やパッケージに接着する際に、この半導体チップまたはリードフレームへのワイヤーボンダビリティの低下、および半導体チップ、基板、パッケージ、またはリードフレームと封止樹脂との接着不良を抑制することができる半導体装置の製造方法、およびこの方法により製造された、耐湿性が優れる半導体装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の導電性シリコーンゴム組成物は、
(Ａ)(ａ)ケイ素原子に結合する式：
【化５】
0003950493.tif 000002
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン５〜９５重量％と(ｂ)ケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、該アルケニル基以外のケイ素原子に結合する基として、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、または水酸基を有するオルガノポリシロキサン９５〜５重量％とからなるオルガノポリシロキサン混合物
１００重量部、
(Ｂ)ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個有し、該水素原子以外のケイ素原子に結合する基として、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、または水酸基を有するオルガノポリシロキサン｛(ｂ)成分中のケイ素原子に結合するアルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素原子に結合する水素原子が０．５〜２０モルとなる量｝、
(Ｃ)導電性充填剤                                      ５０〜２，０００重量部、
(Ｄ)光増感剤                                              ０．１〜２０重量部、
および
(Ｅ)白金系触媒（本組成物を硬化させるに十分な量）
からなることを特徴とし、また、
(Ａ')ケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、ケイ素原子に結合する式：
【化６】
0003950493.tif 000003
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を有するか、または有さないオルガノポリシロキサン
１００重量部、
(Ｂ')ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個有し、ケイ素原子に結合する式：
【化７】
0003950493.tif 000004
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を有するか、または有さないオルガノポリシロキサン｛(Ａ')成分中のケイ素原子に結合するアルケニル基１モルに対して、(Ｂ')成分中のケイ素原子に結合する水素原子が０．５〜２０モルとなる量｝、
(Ｃ)導電性充填剤                                      ５０〜２，０００重量部、
(Ｄ)光増感剤                                              ０．１〜２０重量部、
および
(Ｅ)白金系触媒（本組成物を硬化させるに十分な量）
からなり、(Ａ')成分または(Ｂ')成分のいずれか少なくとも一方が、ケイ素原子に結合する式：
【化８】
0003950493.tif 000005
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を一分子中に少なくとも２個有することを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、これらの導電性シリコーンゴム組成物を介して半導体チップを基板やパッケージに載置し、次いで、これらの組成物に高エネルギー線を照射することにより、アクリル官能性基のフリーラジカル反応を生起せしめた後、これらの組成物をヒドロシリレーション反応により硬化させることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、この方法により製造されたことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
はじめに、本発明の導電性シリコーンゴム組成物を詳細に説明する。
本発明の導電性シリコーンゴム組成物は、高エネルギー線によるアクリル官能性基のフリーラジカル反応、およびヒドロシリレーション反応により硬化することを特徴とし、
(Ａ)(ａ)ケイ素原子に結合する式：
【化９】
0003950493.tif 000006
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン５〜９５重量％と(ｂ)ケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、該アルケニル基以外のケイ素原子に結合する基として、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、または水酸基を有するオルガノポリシロキサン９５〜５重量％とからなるオルガノポリシロキサン混合物
１００重量部、
(Ｂ)ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個有し、該水素原子以外のケイ素原子に結合する基として、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、または水酸基を有するオルガノポリシロキサン｛(ｂ)成分中のケイ素原子に結合するアルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素原子に結合する水素原子が０．５〜２０モルとなる量｝、
(Ｃ)導電性充填剤                                      ５０〜２，０００重量部、
(Ｄ)光増感剤                                              ０．１〜２０重量部、
および
(Ｅ)白金系触媒（本組成物を硬化させるに十分な量）
からなる導電性シリコーンゴム組成物であるか、
または、
(Ａ')ケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、ケイ素原子に結合する式：
【化１０】
0003950493.tif 000007
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を有するか、または有さないオルガノポリシロキサン
１００重量部、
(Ｂ')ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個有し、ケイ素原子に結合する式：
【化１１】
0003950493.tif 000008
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を有するか、または有さないオルガノポリシロキサン｛(Ａ')成分中のケイ素原子に結合するアルケニル基１モルに対して、(Ｂ')成分中のケイ素原子に結合する水素原子が０．５〜２０モルとなる量｝、
(Ｃ)導電性充填剤                                      ５０〜２，０００重量部、
(Ｄ)光増感剤                                              ０．１〜２０重量部、
および
(Ｅ)白金系触媒（本組成物を硬化させるに十分な量）
からなり、(Ａ')成分または(Ｂ')成分のいずれか少なくとも一方が、ケイ素原子に結合する式：
【化１２】
0003950493.tif 000009
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を一分子中に少なくとも２個有することを特徴とする導電性シリコーンゴム組成物である。
【００１２】
はじめに、前者の導電性シリコーンゴム組成物を詳細に説明する。
(Ａ)成分は前者の導電性シリコーンゴム組成物の主剤であり、(ａ)ケイ素原子に結合する式：
【化１３】
0003950493.tif 000010
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン５〜９５重量％と(ｂ)ケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン９５〜５重量％とからなるオルガノポリシロキサン混合物である。(Ａ)成分中の(ａ)成分は５〜９５重量％であり、(ｂ)成分はその残りの重量％であるが、これは、(Ａ)成分中、(ａ)成分が５重量％未満である導電性シリコーンゴム組成物に高エネルギー線を照射してもアクリル官能性基のフリーラジカル反応が十分に生起せず、本発明の目的を達成できないためであり、また、これが９５重量％をこえる導電性シリコーン組成物はヒドロシリレーション反応により十分に硬化しないためである。
【００１３】
(ａ)成分は、ケイ素原子に結合する式：
【化１４】
0003950493.tif 000011
で表されるアクリル官能性基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサンである。これは、上記のアクリル官能性基が一分子中に２個未満であると、得られる導電性シリコーンゴム組成物に高エネルギー線を照射しても、アクリル官能性基のフリーラジカル反応が十分に生起せず、本発明の目的を達成できないためである。上式中のＲ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ1の一価炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基が例示される。また、上式中のＲ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2の一価炭化水素基としては、Ｒ1と同様の一価炭化水素基が例示される。また、上式中のＲ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基であり、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基が例示され、好ましくは、プロピレン基である。このようなアクリル官能性基としては、３−アクリロキシプロピル基、４−アクリロキシブチル基、３−メタクリロキシプロピル基が例示され、好ましくは、３−メタクリロキシプロピル基である。このアクリル官能性基の結合位置としては、分子鎖末端、分子鎖側鎖が例示され、反応性が良好であることから分子鎖末端であることが好ましい。(ａ)成分中のケイ素原子に結合するその他の基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、オクタデシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等のアルコキシ基；水酸基、水素原子が例示され、好ましくは、メチル基、フェニル基である。(ａ)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、好ましくは、直鎖状である。また、(ａ)成分の２５℃における粘度としては、得られる導電性シリコーンゴムの柔軟性、伸び等の物理的特性が良好であり、また、得られる導電性シリコーンゴム組成物の取扱作業性が良好であることから、２０〜２００，０００センチポイズの範囲内であることが好ましく、特に、５００〜２０，０００センチポイズの範囲内であることが好ましい。
【００１４】
このような(ａ)成分としては、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−メタクリロキシプロピル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−メタクリロキシプロピル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端３−アクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端３−アクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端３−アクリロキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端３−アクリロキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−アクリロキシプロピル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−アクリロキシプロピル）シロキサン共重合体、ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＣ3Ｈ6(ＣＨ3Ｏ)2ＳｉＯ1/2単位、およびＳｉＯ4/2単位からなるオルガノポリシロキサン、(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位、ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＣ3Ｈ6(ＣＨ3Ｏ)2ＳｉＯ1/2単位、およびＳｉＯ4/2単位からなるオルガノポリシロキサン、(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位、ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＣ3Ｈ6(ＣＨ3Ｏ)2ＳｉＯ1/2単位、(ＣＨ3)2ＳｉＯ2/2単位、およびＳｉＯ4/2単位からなるオルガノポリシロキサン、ＣＨ2＝Ｃ(ＣＨ3)ＣＯＯＣ3Ｈ6(ＣＨ3Ｏ)2ＳｉＯ1/2単位、およびＳｉＯ4/2単位からなるオルガノポリシロキサン、(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位、ＣＨ2＝Ｃ(ＣＨ3)ＣＯＯＣ3Ｈ6(ＣＨ3Ｏ)2ＳｉＯ1/2単位、およびＳｉＯ4/2単位からなるオルガノポリシロキサン、(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位、ＣＨ2＝Ｃ(ＣＨ3)ＣＯＯＣ3Ｈ6(ＣＨ3Ｏ)2ＳｉＯ1/2単位、(ＣＨ3)2ＳｉＯ2/2単位、およびＳｉＯ4/2単位からなるオルガノポリシロキサン、および、これらのオルガノポリシロキサンの２種以上の混合物が例示される。
【００１５】
(ｂ)成分はケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサンである。これは、ケイ素原子に結合するアルケニル基が一分子中に２個未満であると、得られる導電性シリコーンゴム組成物がヒドロシリレーション反応により十分に硬化せず、ダイボンディング剤として不適となるためでる。このアルケニル基の結合位置としては、分子鎖末端、分子鎖側鎖が例示され、反応性が良好であることから分子鎖末端であることが好ましい。このアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。また、(ｂ)成分中のケイ素原子に結合するその他の基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、オクタデシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等のアルコキシ基；水酸基が例示され、好ましくは、メチル基、フェニル基である。(ｂ)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、好ましくは、直鎖状である。また、(ｂ)成分の２５℃における粘度としては、得られる導電性シリコーンゴムの柔軟性、伸び等の物理的特性が良好であり、また、得られる導電性シリコーンゴム組成物の取扱作業性が良好であることから、２０〜２００，０００センチポイズの範囲内であることが好ましく、特に、５００〜２０，０００センチポイズの範囲内であることが好ましい。
【００１６】
このような(ｂ)成分としては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳｉＯ1/2単位およびＳｉＯ4/2単位からなるオルガノポリシロキ サン、(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位、(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳｉＯ1/2単位およびＳ ｉＯ4/2単位からなるオルガノポリシロキサン、(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位、(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳｉＯ1/2単位、(ＣＨ3)2ＳｉＯ2/2単位およびＳｉＯ4/2単位からなるオルガノポリシロキサン、および、これらのオルガノポリシロキサンの２種以上の混合物が例示される。
【００１７】
(Ｂ)成分は前者の導電性シリコーンゴム組成物を硬化させるための成分であり、ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサンである。これは、ケイ素原子に結合する水素原子が一分子中に２個未満であると、得られる導電性シリコーンゴム組成物がヒドロシリレーション反応により十分に硬化せず、ダイボンディング剤として不適となるためである。この水素原子の結合位置としては、分子鎖末端、分子鎖側鎖が挙げられる。(Ｂ)成分中のケイ素原子に結合するその他の基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、オクタデシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基等の置換もしくは非置換の一価炭化水素基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等のアルコキシ基；水酸基が例示され、好ましくは、メチル基、フェニル基である。(Ｂ)成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示され、好ましくは、直鎖状である。また、(Ｂ)成分の２５℃における粘度としては、得られる導電性シリコーンゴム組成物の組成が安定し、また、取扱作業性が良好であることから、１〜５０，０００センチポイズの範囲内であることが好ましく、特に、５〜１，０００センチポイズの範囲内であることが好ましい。
【００１８】
このような(Ｂ)成分としては、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、(ＣＨ3)2ＨＳｉＯ1/2単位、およびＳｉＯ4/2単位からなるオルガノポリシロキサン、(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位、(ＣＨ3)2ＨＳｉＯ1/2単位、およびＳｉＯ4/2単位からなるオルガノポリシロキサン、(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位、(Ｃ Ｈ3)2ＨＳｉＯ1/2単位、(ＣＨ3)2ＳｉＯ2/2単位、およびＳｉＯ4/2単位からなるオルガノポリシロキサン、および、これらのオルガノポリシロキサンの２種以上の混合物が例示される。
【００１９】
(Ｂ)成分の配合量は、(ｂ)成分中のケイ素原子に結合するアルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素原子に結合する水素原子が０．５〜２０モルとなる量である。これは、(ｂ)成分中のケイ素原子に結合するアルケニル基１モルに対して、(Ｂ)成分中のケイ素原子に結合する水素原子が０．５モル未満である導電性シリコーンゴム組成物がヒドロシリレーション反応により十分に硬化せず、ダイボンディング剤として不適であるためであり、また、これが２０モルをこえる導電性シリコーンゴム組成物が硬化途上で発泡したりするためである。
【００２０】
(Ｃ)成分は前者の導電性シリコーンゴム組成物を硬化して得られる導電性シリコーンゴムに優れた導電性を付与するための導電性充填剤である。この(Ｃ)成分としては、金、銀、ニッケル、銅等の金属微粉末；セラミック、ガラス、石英、有機樹脂等の微粉末の表面に金、銀、ニッケル、銅等の金属を蒸着またはメッキした微粉末が例示される。この導電性シリコーンゴム組成物において、体積抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下である高導電性のシリコーンゴムを得るためには、(Ｃ)成分としては、金微粉末、銀微粉末であることが好ましく、実用的には銀微粉末であることが好ましい。この銀微粉末の形状としては、球状、フレーク状、フレーク樹枝状が例示される。特に、体積抵抗率が１×１０-3Ω・ｃｍ以下である高導電性のシリコーンゴムを得るためには、この銀微粉末の形状はフレーク状またはフレーク樹枝状であることが好ましく、特に、フレーク状の銀微粉末とフレーク樹枝状の銀微粉末との混合物であることが好ましい。この場合、フレーク状銀微粉末の重量とフレーク樹枝状の銀微粉末の重量の比は８０／２０〜２０／８０であることが好ましい。また、これらの銀微粉末の平均粒子径は１〜１０μｍであることが好ましい。
【００２１】
(Ｃ)成分の配合量は、(Ａ)成分１００重量部に対して５０〜２，０００重量部であり、好ましくは３００〜１，０００重量部である。これは、(Ａ)成分１００重量部に対して(Ｃ)成分が５０重量部未満であると、得られるシリコーンゴムに十分な導電性を付与することができないためであり、また、これが２，０００重量部をこえると、得られる導電性シリコーンゴム組成物の取扱作業性が著しく悪化するためである。
【００２２】
(Ｄ)成分は前者の導電性シリコーンゴム組成物に高エネルギー線を照射した際に、(ａ)成分中のアクリル官能性基によるフリーラジカル反応を促進するための光増感剤である。この(Ｄ)成分としては、アセトフェノン、ジクロロアセチフェノン、トリクロロアセトフェノン、ｔｅｒｔ−ブチルトリクロロアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、ｐ−ジメチルアミノアセトフェノン等のアセトフェノン、およびその誘導体；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインーブチルエーテル等のベンゾイン、およびその誘導体；ベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ジクロロベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン、およびその誘導体；その他、ｐ−ジメチルアミノプロピオフェノン、ヒドロキシイソブチルフェノン、ミヒラーケトン、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、テトラメチルチウラムモノサルフアイド、チオキサンソン、２−クロロチオコサンソン、２−メチルチオキサンソン、アゾイソブチロニトリル、ベンゾインパーオキサイド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキサイド、１−ヒドロキシクロロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、メチルベンゾイルフォーメート、ジフェニルスルフャイド、アントラセン、１−クロロアントラキノン、ジフェニルジスルフィド、ジアセチル、ヘキサクロロブタジエン、ペンタクロロブタジエン、１−クロロメチルナフタリン、および、これらの光増感剤の２種以上の混合物が例示され、好ましくは、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾフェノン、およびこれらの誘導体である。
【００２３】
(Ｄ)成分の配合量は、(Ａ)成分１００重量部に対して０．１〜２０重量部であり、特に、５〜１５重量部であることが好ましい。これは、(Ａ)成分１００重量部に対して、(Ｃ)成分が０．１重量部未満であると、得られる導電性シリコーンゴム組成物に高エネルギー線を照射してもアクリル官能性基によるフリーラジカル反応が生起しにくくなり、本発明の目的を達成できないためであり、また、これが２０重量部をこえる導電性シリコーンゴム組成物は、その貯蔵安定性が悪化したり、取扱作業性が悪化するためである。
【００２４】
(Ｅ)成分は前者の導電性シリコーンゴム組成物のヒドロシリレーション反応を促進するための白金系触媒である。この(Ｅ)成分としては、白金黒、白金担持活性炭、白金担持シリカ微粉末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金とオレフィンとの錯体、白金とビニルシロキサンとの錯体、これらの白金系触媒を含有する熱可塑性樹脂からなる微粒子触媒が例示される。この熱可塑性樹脂としては、シリコーン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ナイロン樹脂、ポリエステル樹脂が例示される。また、この熱可塑性樹脂の軟化点は５〜２００℃であることが好ましく、この粒子径は０．０１〜１０μｍであることが好ましい。
【００２５】
(Ｅ)成分の配合量は、前者の導電性シリコーンゴム組成物を硬化させるに十分な量であり、具体的には、前者の導電性シリコーンゴム組成物において、(Ｅ)成分中の白金金属が重量単位で０．０１〜１，０００ｐｐｍとなる量であることが好ましく、特に、これが０．５〜５００ｐｐｍとなる量であることが好ましい。
【００２６】
次に、後者の導電性シリコーンゴム組成物を詳細に説明する。
(Ａ')成分は後者の導電性シリコーンゴム組成物の主剤であり、ケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、ケイ素原子に結合する式：
【化１５】
0003950493.tif 000012
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を有するか、または有さないオルガノポリシロキサンである。(Ａ')成分は、ケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有するが、これは、ケイ素原子に結合するアルケニル基が一分子中に２個未満であると、得られる導電性シリコーンゴム組成物がヒドロシリレーション反応により十分に硬化せず、ダイボンディング剤として不適となるためである。このアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。このアルケニル基の結合位置としては、分子鎖末端、分子鎖側鎖が例示される。また、(Ａ')成分中のケイ素原子に結合するその他の基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、オクタデシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等のアルコキシ基；水酸基が例示され、好ましくは、メチル基、フェニル基である。また、(Ｂ')成分が、ケイ素原子に式：
【化１６】
0003950493.tif 000013
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を一分子中に１個しか有さない場合、もしくはこのアクリル官能性基を全く有さない場合には、得られる導電性シリコーンゴム組成物に高エネルギー線を照射した場合に、アクリル官能性基のフリーラジカル反応を十分に生起せしめるためには、(Ａ')成分が、ケイ素原子に結合する式：
【化１７】
0003950493.tif 000014
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を一分子中に少なくとも２個有することが必要である。(Ａ')成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝鎖状、環状、網状が例示される。(Ａ')成分の２５℃における粘度としては、得られる導電性シリコーンゴムの柔軟性、伸び等の物理的特性が良好であること、また、得られる導電性シリコーンゴム組成物の取扱作業性が良好であることから、２０〜２００，０００センチポイズの範囲内であることが好ましく、特に、５００〜２０，０００センチポイズの範囲内であることが好ましい。
【００２７】
このような(Ａ')成分としては、上記の(ｂ)成分のようなオルガノポリシロキサンが例示され、さらに、ケイ素原子に結合する上記のアクリル官能性基をも有するオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−メタクリロキシプロピル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−メタクリロキシプロピル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端３−アクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端３−アクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端３−アクリロキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端３−アクリロキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルビニルシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−アクリロキシプロピル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−アクリロキシプロピル）シロキサン共重合体、および、これらのオルガノポリシロキサンの２種以上の混合物が例示される。
【００２８】
ケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、かつ、ケイ素原子に結合する上記のアクリル官能性基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサンを調製する方法としては、ケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、かつ、ケイ素原子に結合する水酸基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサンと、ケイ素原子に結合する上記のアクリル官能性基とケイ素原子に結合するアルコキシ基を有する有機ケイ素化合物とを縮合反応させる方法が例示される。このケイ素原子に結合するアルケニル基を一分子中に少なくとも２個有し、かつ、ケイ素原子に結合する水酸基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルビニルポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体が例示される。また、ケイ素原子に結合する上記のアクリル官能性基とケイ素原子に結合するアルコキシ基とを有する有機ケイ素化合物としては、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルジメチルメトキシシラン、３−メタクリロキシプロペニルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルジメチルエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリス（メトキシエトキシ）シランが例示される。この縮合反応には、公知の縮合反応触媒を用いることができる。
【００２９】
(Ｂ')成分は後者の導電性シリコーンゴム組成物を硬化させるための成分であり、ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個有し、ケイ素原子に結合する式：
【化１８】
0003950493.tif 000015
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を有するか、または有さないオルガノポリシロキサンである。(Ｂ')成分はケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個有することが必要であるが、これは、ケイ素原子に結合する水素原子が一分子中に２個未満であると、得られる導電性シリコーンゴム組成物がヒドロシリレーション反応により十分に硬化せず、ダイボンディング剤として不適となるためである。この水素原子の結合位置としては、分子鎖末端、分子鎖側鎖が例示される。また、(Ｂ')成分のケイ素原子に結合するその他の基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、オクタデシル基等のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等のアラルキル基；３−クロロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン化アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等のアルコキシ基；水酸基が例示され、好ましくは、メチル基、フェニル基である。また、(Ａ')成分が、ケイ素原子に結合する式：
【化１９】
0003950493.tif 000016
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を一分子中に１個しか有さない場合、もしくはこのアクリル官能性基を全く有さない場合には、得られる導電性シリコーンゴム組成物に高エネルギー線を照射した場合に、アクリル官能性基のフリーラジカル反応を十分に生起せしめるためには、(Ｂ')成分が、ケイ素原子に結合する式：
【化２０】
0003950493.tif 000017
（式中、Ｒ1は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ2は水素原子または一価炭化水素基であり、Ｒ3は炭素原子数１〜１０の二価炭化水素基である。）
で表されるアクリル官能性基を一分子中に少なくとも２個有することが必要である。(Ｂ')成分の分子構造としては、直鎖状、一部分枝を有する直鎖状、分枝状、環状、網状が例示される。(Ｂ')成分の２５℃における粘度としては、得られる導電性シリコーンゴム組成物の組成が安定し、また、取扱作業性が良好であることから、１〜５０，０００センチポイズの範囲内であることが好ましく、特に、５〜１，０００センチポイズの範囲内であることが好ましい。
【００３０】
このような(Ｂ')成分としては、上記の(Ｂ)成分のようなオルガノポリシロキサンが例示され、さらに、ケイ素原子に上記のアクリル官能性基をも結合するオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−メタクリロキシプロピル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−メタクリロキシプロピル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端３−アクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端３−アクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端３−アクリロキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端３−アクリロキシプロピルジエトキシシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−アクリロキシプロピル）シロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン・メチル（トリメトキシシリルエチル）シロキサン・メチル（３−アクリロキシプロピル）シロキサン共重合体、および、これらのオルガノポリシロキサンの２種以上の混合物が例示される。
【００３１】
ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個有し、かつ、ケイ素原子に結合する上記のアクリル官能性基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサンを調製する方法としては、ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個有し、かつ、ケイ素原子に結合する水酸基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサンと、ケイ素原子に結合する上記のアクリル官能性基とケイ素原子に結合するアルコキシ基を有する有機ケイ素化合物とを縮合反応させる方法が例示される。このケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも２個有し、かつ、ケイ素原子に結合する水酸基を一分子中に少なくとも２個有するオルガノポリシロキサンとしては、分子鎖両末端シラノール基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端シラノール基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体が例示される。また、ケイ素原子に結合する上記のアクリル官能性基とケイ素原子に結合するアルコキシ基とを有する有機ケイ素化合物としては、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルジメチルメトキシシラン、３−メタクリロキシプロペニルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルジメチルエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリス（メトキシエトキシ）シランが例示される。この縮合反応には、公知の縮合反応触媒を用いることができる。また、ケイ素原子に結合する水素原子を一分子中に少なくとも３個有するオルガノポリシロキサンに、アルケニル基と上記のアクリル官能性基を有する有機化合物を白金系触媒の存在下でヒドロシリレーション反応させる方法が例示される。このアルケニル基と上記のアクリル官能性基を有する有機化合物としては、アリルメタクリレート、３−メタクリロキシプロピルジメチル（ビニルジメチルシロキシ）シランが例示される。このヒドロシリレーション反応に用いることができる白金系触媒としては、前記(Ｅ)成分と同様の触媒が例示される。
【００３２】
(Ｂ')成分の配合量は、(Ａ')成分中のケイ素原子に結合するアルケニル基１モルに対して、(Ｂ')成分中のケイ素原子に結合する水素原子が０．５〜２０モルとなる量である。これは、(Ａ')成分中のケイ素原子に結合するアルケニル基１モルに対して、(Ｂ')成分中のケイ素原子に結合する水素原子が０．５モル未満である導電性シリコーンゴム組成物がヒドロシリレーション反応により十分に硬化せず、ダイボンディング剤として不適となるためであり、また、これが２０モルをこえる導電性シリコーンゴム組成物は硬化途上で発泡したりするためである。
【００３３】
(Ｃ)成分は後者の導電性シリコーンゴム組成物を硬化して得られる導電性シリコーンゴムに優れた導電性を付与するための導電性充填剤であり、前記と同様の導電性充填剤が例示される。この導電性シリコーンゴム組成物において、体積抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下である高導電性のシリコーンゴムを得るためには、(Ｃ)成分としては、金微粉末、銀微粉末であることが好ましく、実用的には銀微粉末であることが好ましい。この銀微粉末の形状としては、球状、フレーク状、フレーク樹枝状が例示される。特に、体積抵抗率が１×１０-3Ω・ｃｍ以下である高導電性のシリコーンゴムを得るためには、この銀微粉末の形状はフレーク状またはフレーク樹枝状であることが好ましく、特に、フレーク状の銀微粉末とフレーク樹枝状の銀微粉末との混合物であることが好ましい。この場合、フレーク状銀微粉末の重量とフレーク樹枝状の銀微粉末の重量の比は８０／２０〜２０／８０であることが好ましい。また、これらの銀微粉末の平均粒子径は１〜１０μｍであることが好ましい。(Ｃ)成分の配合量は、(Ａ')成分１００重量部に対して５０〜２，０００重量部であり、好ましくは３００〜１，０００重量部の範囲内である。これは、(Ａ')成分１００重量 部に対して(Ｃ)成分が５０重量部未満であると、得られるシリコーンゴムに十分な導電性を付与することができないためであり、また、これが２，０００重量部をこえると、得られる導電性シリコーンゴム組成物の取扱作業性が著しく悪化するためである。
【００３４】
(Ｄ)成分は後者の導電性シリコーンゴム組成物に高エネルギー線を照射した際に、(Ａ')成分および／または(Ｂ')成分中のアクリル官能性基によるフリーラジカル反応を促進するための光増感剤であり、前記と同様の光増感剤が例示され、好ましくは、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾフェノン、およびこれらの誘導体である。(Ｄ)成分の配合量は、(Ａ')成分１００重量部に対して０．１〜２０重量部であり、特に、５〜１５重量部であることが好ましい。これは、(Ａ')成分１００重量部に対して、(Ｄ)成分が０．１重量部未満であると、得られる導電性シリコーンゴム組成物に高エネルギー線を照射してもアクリル官能性基によるフリーラジカル反応が生起しにくくなり、本発明の目的を達成できないためであり、また、これが２０重量部をこえる導電性シリコーンゴム組成物は、その貯蔵安定性が悪化したり、取扱作業性が悪化するためである。
【００３５】
(Ｅ)成分は後者の導電性シリコーンゴム組成物のヒドロシリレーション反応を促進するための白金系触媒であり、前記と同様の白金系触媒が例示される。(Ｅ)成分の配合量は、後者の導電性シリコーンゴム組成物を硬化させるに十分な量であり、具体的には、後者の導電性シリコーンゴム組成物において、(Ｅ)成分中の白金金属が重量単位で０．０１〜１，０００ｐｐｍとなる量であることが好ましく、特に、これが０．５〜５００ｐｐｍとなる量であることが好ましい。
【００３６】
これらの導電性シリコーンゴム組成物には、その他任意の成分として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアルコキシシラン；式：
【化２１】
0003950493.tif 000018
（式中、ｍは正数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン、式：
【化２２】
0003950493.tif 000019
（式中、ｍは正数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン、一般式：
【化２３】
0003950493.tif 000020
（式中、ｍは正数であり、ｎは正数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン、式：
【化２４】
0003950493.tif 000021
（式中、ｍは正数であり、ｎは正数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン、式：
【化２５】
0003950493.tif 000022
（式中、ｍは正数であり、ｎは正数であり、ｐは正数であり、ｑは０または正数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン等の接着促進剤を配合することができる。これらの接着促進剤は、(Ａ)成分または(Ａ')成分１００重量部に対して０．０１〜２０重量部の範囲内であることが好ましく、特に、０．１〜５重量部の範囲内であることが好ましい。
【００３７】
また、これらの導電性シリコーンゴム組成物には、その他任意の成分として、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−フェニル−１−ブチン−３−オール等のアセチレン系化合物；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン等のシクロアルケニルシロキサン；ベンゾトリアゾール等のトリアゾール化合物；その他、フォスフィン化合物、メルカプタン化合物、ヒドラジン化合物等の付加反応抑制剤を配合することができる。これらの付加反応抑制剤の配合量は、硬化条件により異なるが、一般には、導電性シリコーンゴム組成物に対して、この付加反応抑制剤が重量単位で１０〜１，０００ｐｐｍとなる量であることが好ましい。
【００３８】
さらに、これらの導電性シリコーンゴム組成物には、その他任意の成分として、ヒュームドシリカ、湿式シリカ微粉末、石英微粉末、炭酸カルシウム微粉末、二酸化チタン微粉末、ケイ藻土微粉末、酸化アルミニウム微粉末、水酸化アルミニウム微粉末、酸化亜鉛微粉末、炭酸亜鉛微粉末等の無機質充填剤、これらの無機質充填剤をメチルトリメトキシシラン等のオルガノアルコキシシラン、トリメチルクロロシラン等のオルガノハロシラン、ヘキサメチルジシラザン等のオルガノシラザン、分子鎖両末端水酸基封鎖ジメチルシロキサンオリゴマー、分子鎖両末端水酸基封鎖メチルフェニルシロキサンオリゴマー、分子鎖両末端水酸基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマー等のシロキサンオリゴマーにより表面処理した疎水性無機質充填剤を配合することができる。また、これらのシリコーン組成物には、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ヘキサン、ヘプタン等の有機溶剤；分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ポリジメチルシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ポリメチルフェニルシロキサン等の非架橋性オルガノポリシロキサン；その他、難燃剤、耐熱剤、可塑剤、チクソ性付与剤、接着促進剤、防カビ剤を配合することができる。
【００３９】
本発明の導電性シリコーンゴム組成物のアクリル官能性基によるフリーラジカル反応を生起せしめるための高エネルギー線としては、可視光、紫外線、Ｘ線、電子線が例示され、実用上好ましくは紫外線である。この紫外線を照射する方法としては、水素放電管、高圧水銀灯、中圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等の光源を用いることが好ましい。この紫外線の波長としては、２５０〜４００ｎｍの範囲内であることが好ましい。この紫外線を照射する条件としては、導電性シリコーンゴム組成物を冷却下、室温下もしくは加熱下に紫外線を照射する方法、さらに、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下、空気中、真空下に照射する方法が例示される。紫外線の総照射量としては、２５０〜４００ｎｍの波長において１５Ｊ／ｃｍ2以下であることが好ましく、特に、１〜８Ｊ／ｃｍ2の範囲内であることが好ましい。この紫外線を照射する時期は、導電性シリコーンゴム組成物を基材に塗布した直後であることが好ましい。この導電性シリコーンゴム組成物が高エネルギー線の照射によりアクリル官能性基のフリーラジカル反応を生起したことは、この導電性シリコーンゴム組成物表面の増粘や皮膜の形成により確認されるが、必ずしも外観上の変化を伴うものではない。
【００４０】
次いで、この導電性シリコーンゴム組成物をヒドロシリレーション反応により硬化させる温度としては、５０〜３００℃の範囲内であることが好ましく、特に、１００〜２５０℃の範囲内であることが好ましい。この導電性シリコーンゴム組成物を加熱する方法としては、赤外線照射装置、熱風循環式オーブン、ホットプレート等の加熱装置を用いることが好ましい。
【００４１】
このようにして得られた導電性シリコーンゴムの硬さとしては、ＪＩＳ  Ｋ  ６３０１に規定されるＪＩＳ  Ａ硬さが２０以上であることが好ましく、さらには、３０〜９５であることがより好ましい。
【００４２】
本発明の導電性シリコーンゴム組成物は、これを半導体チップを基板やパッケージに接着するためのダイボンディング剤として用いることができる。この導電性シリコーンゴム組成物により半導体チップを基板やパッケージに載置した後、この導電性シリコーンゴム組成物に高エネルギー線を照射して、アクリル官能性基のフリーラジカル反応を生起せしめることにより、ヒドロシリレーション反応前あるいはヒドロシリレーション反応による硬化途上の導電性シリコーンゴム組成物から低分子量シリコーンオイルの滲み出しを抑制することができる。このため、半導体チップ、基板、パッケージ、およびリードフレームがこの低分子量シリコーンオイルにより汚染されることがないので、半導体チップやリードフレームへのワイヤーボンダビリティの低下、および半導体チップ、基板、パッケージ、またはリードフレームと封止樹脂との接着不良を抑制し、さらには、これらの部品をハンダ付けやコンフォーマルコーティングした際にも、ハンダ付け不良やコーティングのはじきを生じないという利点がある。そして、本発明の導電性シリコーンゴム組成物をダイボンディング剤として用いることにより、耐湿性等の信頼性が優れた半導体装置を歩留まりよく製造することができるという利点がある。
【００４３】
次に、本発明の半導体装置の製造方法およびその方法により得られる半導体装置を詳細に説明する。
本発明の製造方法で製造される半導体装置としては、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、モノリシックＩＣ、ハイブリッドＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩが例示される。また、半導体装置中の半導体チップとしては、ダイオードチップ、トランジスタチップ、サイリスタチップ、モノリシックＩＣチップ、さらにはハイブリッドＩＣ中の半導体チップが例示される。本発明の製造方法で得られる半導体装置は、例えば、図１で表されるように、半導体チップ１とタブ（半導体チップを取り付けるための基板）２とが上記の導電性シリコーンゴム組成物の硬化物により接着されたことを特徴とする。このタブ２の素材としては、銅、鉄系合金が例示される。また、本発明の製造方法で得られる半導体装置は図２で表されるように、半導体チップ１を取り付けるための基材として、セラミック、ガラス等の素材からなる回路基板８を用いることができる。この回路基板８の表面には金、銀、銅等の金属により回路配線９が形成されており、また、この回路基板８の表面には、コンデンサ、抵抗、コイル等の電気素子１０が実装されていてもよい。
【００４４】
本発明の半導体装置の製造方法としては、半導体チップ１とタブ２もしくはセラミック製回路基板８とを上記の導電性シリコーンゴム組成物を介して載置した後、この導電性シリコーンゴム組成物に光エネルギー線を照射することにより、アクリル官能性基のフリーラジカル反応を生起せしめる。この光エネルギー線としては、可視光、紫外線、Ｘ線、電子線が例示され、実用上好ましくは紫外線である。この紫外線を照射する方法としては、水素放電管、高圧水銀灯、中圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等の光源を用いることが好ましい。この紫外線の波長としては、２５０〜４００ｎｍの範囲内であることが好ましい。この紫外線を照射する条件としては、導電性シリコーンゴム組成物を冷却下、室温下もしくは加熱下に紫外線を照射する方法、さらに、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス雰囲気下、空気中、真空下に照射する方法が例示される。紫外線の総照射量としては、２５０〜４００ｎｍの波長において１５Ｊ／ｃｍ2以下であることが好ましく、特に、１〜８Ｊ／ｃｍ2の範囲内であることが好ましい。この紫外線を照射する時期は、半導体チップ１をタブ２もしくはセラミック製回路基板８に載置した直後であることが好ましい。
【００４５】
次いで、この導電性シリコーンゴム組成物をヒドロシリレーション反応により硬化させて半導体チップ１をタブ２もしくはセラミック製回路基板８に接着させる。このヒドロシリレーション反応を行わせる温度としては、５０〜３００℃の範囲内であることが好ましく、特に、１００〜２５０℃の範囲内であることが好ましい。この導電性シリコーンゴム組成物を加熱する方法としては、赤外線照射装置、熱風循環式オーブン、ホットプレート等の加熱装置を用いることが好ましい。
【００４６】
このようにして導電性シリコーンゴム組成物をヒドロシリレーション反応により硬化させた導電性シリコーンゴム３を形成した後、半導体チップ１の上端部に設けられたアルミニウム製ボンディングパッド４と金属製リードフレーム５もしくは銅製回路配線９とを金製ボンディングワイヤ６によりワイヤボンディングする。このボンディングワイヤとしては、金製の他に、銅製、アルミニウム製が例示される。なお、ワイヤボンディングする方法としては、熱圧着法、超音波圧着法、超音波熱圧着法が例示される。次いで、この半導体チップ１の表面に、これを保護するためのシリコーンゴムまたはシリコーンゲルが形成されてもよい。そして、本発明の半導体装置は、必要により、半導体チップ１を封止樹脂７により樹脂封止して形成される。この封止樹脂７としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂が例示される。
【００４７】
【実施例】
本発明の導電性シリコーンゴム組成物、半導体装置の製造方法および半導体装置を実施例により詳細に説明する。なお、実施例中の粘度は２５℃において測定した値である。また、実施例において、導電性シリコーンゴム組成物を硬化して得られる導電性シリコーンゴムの硬さおよび体積抵抗率、半導体装置の製造方法、半導体チップやリードフレームへのワイヤボンダビリティの評価、半導体装置の耐湿性の評価、および、半導体チップと封止樹脂との接着性の評価は次のようにして行った。
［導電性シリコーンゴムの硬さ］
導電性シリコーンゴム組成物をコンベア式紫外線照射装置（ウシオ電機株式会社製：ＵＶＣ−２５３３／１ＭＮＬＣ３−ＡＡ０８）を用い、１６０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯により、総照射量が５Ｊ／ｃｍ2となるように紫外線を照射した後、１５０℃で３０分間加熱して導電性シリコーンゴムを形成した。この導電性シリコーンゴムの硬さをＪＩＳ  Ｋ  ６３０１に規定されるＪＩＳ  Ａ形硬度計により測定した。
［導電性シリコーンゴムの体積抵抗率］
上記の方法により、厚さ１ｍｍの導電性シリコーンゴムシートを形成した。この導電性シリコーンゴムシートの体積抵抗率を抵抗率測定装置（有限会社共和理研製のＫ−７０５ＲＬ）により測定した。
［半導体装置の製造方法、ワイヤボンダビリティの評価］
図１で示される半導体装置を作成した。この半導体装置は、リードフレームのリード数が１４４個であり、半導体チップのサイズが１０ｍｍ×１０ｍｍであった。
この半導体チップ１を導電性シリコーンゴム組成物を介してタブ２上に載置して、これをコンベア式紫外線照射装置（ウシオ電機株式会社製：ＵＶＣ−２５３３／１ＭＮＬＣ３−ＡＡ０８）を用い、１６０Ｗ／ｃｍの高圧水銀灯により、総照射量が５Ｊ／ｃｍ2となるように紫外線を照射して、チップの周囲にはみ出した導電性シリコーンゴム組成物の表面をアクリル官能性基のフリーラジカル反応させた。その後、これを１５０℃で１０分間加熱して導電性シリコーンゴム３を形成した。その後、半導体チップ１の上端部に設けられたアルミニウム製ボンディングパッド４と金属製リードフレーム５を金製ボンディングワイヤ６によりワイヤボンディングして半導体装置を作成した。なお、ワイヤボンディングは超音波熱圧着方法（接合温度１６０〜２５０℃、荷重３０〜１００ｍｇ／本）により行った。このような半導体装置を２０個作成した。次いで、金製ボンディングワイヤ６とボンディングパッド４または銅製リードフレーム５とのネック形状を顕微鏡により観察して、この際、金製ボンディングワイヤ６を引っ張ることにより、このボンディングワイヤ６の接合状態を観察した、このワイヤボンダビリティをボンディングワイヤ６の接合不良の割合で示した。
［半導体装置の耐湿性の評価］
ボンディングワイヤ６を良好に接合した半導体チップをエポキシ樹脂により樹脂封止して半導体装置を作成した。この半導体装置２０個を１２１℃、２気圧の飽和水蒸気中で所定時間加熱した。加熱後の半導体装置に電流を流して、銅製リードフレーム５間のリーク電流を測定した。そして、半導体装置の耐湿性を、リーク電流の増加および導通不良のあった不良の半導体装置の割合で示した。
［半導体チップと封止樹脂との接着性の評価］
エポキシ樹脂により樹脂封止した半導体装置２０個を８５℃、８５％ＲＨ条件下で１６８時間放置した後、２４５℃のＩＲリフローにより加熱した。加熱後の半導体装置を超音波顕微鏡により観察して、半導体チップ１とエポキシ樹脂封止材との間に生じた剥離を観察した。この剥離を生じた半導体装置の割合を求めた。
【００４８】
［実施例１］
粘度が１５，０００センチポイズである、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンと(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位とＣＨ2＝Ｃ(ＣＨ3)ＣＯＯＣ3Ｈ6(ＣＨ3Ｏ)2ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ2単位からなるシリコーンレジンとの混合物２３．５重量％と分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体と(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位と(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ2単位からなるシリコーンレジンとの混合物（ビニル基含有量＝０．９重量％）７６．５重量％とからなるオルガノポリシロキサン混合物１００重量部、粘度３０センチポイズの分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体（ケイ素原子結合水素原子含有量＝０．７５重量％）１６重量部、式：
【化２６】
0003950493.tif 000023
で表されるオルガノポリシロキサン１７重量部、平均粒子径が７μｍであるフレーク状銀粉末５１０重量部、光増感剤としてベンゾフェノン１０重量部、ヘキサメチルジシラザンにより表面処理された、比表面積が２００ｍ2／ｇである疎水性ヒュームドシリカ７重量部、白金の１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキサン錯体（本組成物中、白金金属が重量単位で１５ｐｐｍとなる量）、および３−フェニル−１−ブチン−３−オール（本組成物中、重量単位で３５０ｐｐｍとなる量）を均一に混合して導電性シリコーンゴム組成物を調製した。この導電性シリコーンゴム組成物を用いて半導体装置を作成した。これらを評価した結果を表１に示した。
【００４９】
［実施例２］
粘度が１５，０００センチポイズである、分子鎖両末端３−メタクリロキシプロピルジメトキシシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンと(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位とＣＨ2＝Ｃ(ＣＨ3)ＣＯＯＣ3Ｈ6(ＣＨ3Ｏ)2ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ2単位からなるシリコーンレジンとの混合物２２．５重量％と分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体と(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位と(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ2単位からなるシリコーンレジンとの混合物（ビニル基含有量＝０．９重量％）７７．５重量％とからなるオルガノポリシロキサン混合物１００重量部、粘度３０センチポイズの分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体（ケイ素原子結合水素原子含有量＝０．７５重量％）１６重量部、式：
【化２７】
0003950493.tif 000024
で表されるオルガノポリシロキサン１７重量部、平均粒子径が５μｍであるフレーク状銀粉末５１０重量部、光増感剤として２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン９重量部、ヘキサメチルジシラザンにより表面処理された、比表面積が２００ｍ2／ｇである疎水性ヒュームドシリカ３重量部、白金の１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキサン錯体（本組成物中、白金金属が重量単位で１５ｐｐｍとなる量）、および３−フェニル−１−ブチン−３−オール（本組成物中、重量単位で３５０ｐｐｍとなる量）を均一に混合して導電性シリコーンゴム組成物を調製した。この導電性シリコーンゴム組成物を用いて半導体装置を作成した。これらを評価した結果を表１に示した。
【００５０】
［実施例３］
(ＣＨ3)3ＳｉＯ1/2単位とＣＨ2＝Ｃ(ＣＨ3)ＣＯＯＣ3Ｈ6(ＣＨ3Ｏ)2ＳｉＯ1/2単位と(ＣＨ2＝ＣＨ)(ＣＨ3)2ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ2単位からなるオルガノポリシロキサン（ビニル基含有量＝１．０重量％）１００重量部、粘度３０センチポイズの分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体（ケイ素原子結合水素原子含有量＝０．７５重量％）１８重量部、式：
【化２８】
0003950493.tif 000025
で表されるオルガノポリシロキサン１７重量部、平均粒子径が５μｍであるフレーク状銀粉末６５０重量部、光増感剤としてベンゾフェノンと２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オンの重量比が１：１である混合物９重量部、ヘキサメチルジシラザンにより表面処理された、比表面積が２００ｍ2／ｇである疎水性ヒュームドシリカ３重量部、白金の１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキサン錯体（本組成物中、白金金属が重量単位で１５ｐｐｍとなる量）、および３−フェニル−１−ブチン−３−オール（本組成物中、重量単位で３５０ｐｐｍとなる量）を均一に混合して導電性シリコーンゴム組成物を調製した。この導電性シリコーンゴム組成物を用いて半導体装置を作成した。これらを評価した結果を表１に示した。
【００５１】
［比較例１］
粘度が２，０００センチポイズである、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ビニル基含有量＝０．２重量％）１００重量部、粘度が２０センチポイズである、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン（ケイ素原子結合水素原子含有量１．５重量％）２．５重量部、式：
【化２９】
0003950493.tif 000026
で表されるオルガノポリシロキサン８重量部、平均粒子径が５μｍであるフレーク状銀粉末４８０重量部、ヘキサメチルジシラザンにより表面処理された、比表面積が２００ｍ2／ｇである疎水性ヒュームドシリカ９重量部、白金の１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ジビニルジシロキサン錯体（本組成物中、白金金属が重量単位で１５ｐｐｍとなる量）、および３−フェニル−１−ブチン−３−オール（本組成物中、重量単位で３５０ｐｐｍとなる量）を均一に混合して導電性シリコーンゴム組成物を調製した。この導電性シリコーンゴム組成物を用いて半導体装置を作成した。これらを評価した結果を表１に示した。
【００５２】
［比較例２］
比較例１で調製した導電性シリコーンゴム組成物を用いて、紫外線を照射しない以外は比較例１と同様にして半導体装置を作成した。これらを評価した結果を表１に示した。
【００５３】
［比較例３］
実施例１で調製した導電性シリコーンゴム組成物を用いて、紫外線を照射しない以外は実施例１と同様にして半導体装置を作成した。これらを評価した結果を表１に示した。
【００５４】
【表１】
0003950493.tif 000027
【００５５】
【発明の効果】
本発明の導電性シリコーンゴム組成物は、ヒドロシリレーション反応前あるいはヒドロシリレーション反応による硬化途上で導電性シリコーンゴム組成物の周囲が低分子量シリコーンオイルにより汚染されることなく、硬化して導電性が優れたシリコーンゴムを形成できるという特徴がある。また、本発明の半導体装置の製造方法は、この導電性シリコーンゴム組成物により半導体チップを基板やパッケージに接着する際に、半導体チップまたはリードフレームへのワイヤーボンダビリティの低下、および半導体チップ、基板、パッケージ、またはリードフレームと封止樹脂との接着不良を抑制することができるという特徴がある。さらに、本発明の半導体装置は、この製造方法により製造されているので、耐湿性等の信頼性が優れるという特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は実施例で用いた半導体装置の断面図である。
【図２】  図２は本発明に係る半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
１  半導体チップ
２  タブ
３  導電性シリコーンゴム
４  アルミニウム製ボンディングパッド
５  銅製リードフレーム
６  金製ボンディングワイヤ
７  エポキシ系封止樹脂
８  セラミック製回路基板
９  銅製回路配線
１０  コンデンサ、抵抗等の電気素子
【図１】
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【図２】
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