(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に向けてエキシマ光を照射するエキシマランプと、
前記エキシマランプと前記基板との間に配置されたエキシマ光透過板と、
前記基板の前記エキシマ光照射面の上方にドライエア又は酸素ガスを導入する気体供給手段と、
前記基板の前記エキシマ光照射面と反対の面の下方に配置された排気手段と、
前記基板の両側に配置され、前記エキシマ光透過板から前記基板の側方に達する高さを有して前記エキシマ光透過板と前記基板との間の気流方向を制御する遮蔽物とを有することを特徴とするドライ洗浄装置。
【請求項２】
エキシマランプを有する発光室と、
エキシマ光透過板によって前記発光室から分離され且つ基板を収納する第１処理室と、
前記第１処理室内にクリーンエアを供給して前記第１処理室の内部全体の圧力を高くするエア供給手段と、
前記クリーンエアの供給のみによって前記第１処理室内のガスをオーバーフローさせるオーバーフロー口と
を有することを特徴とするドライ洗浄装置。
【請求項３】
前記第１処理室及び前記発光室を収納する第２処理室と、
前記第２処理室に外気を導入する給気口と、
前記第２処理室に設けられて前記第１処理室のオーバーフロー口から出たガスと前記給気口から導入された前記外気を排気する排気口と
を有することを特徴とする請求項２に記載のドライ洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ドライ洗浄装置に関し、より詳しくは、エキシマランプによる放射紫外線を用いるドライ洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置等の製造工程においては、基板や膜の表面改質、表面付着物除去の手段としてエキシマランプによる波長１７２ｎｍの紫外線（ＵＶ）照射装置が採用されている。
そのようなエキシマ光によれば、基板や膜の表面の有機物を分解するとともに紫外線により発生したラジカル（励起）酸素により分解した有機物をラジカル酸素やオゾンにより除去することができる。
【０００３】
このように酸素ラジカル及びオゾンを利用することから、エキシマ光照射部分には酸素が不可欠である。エキシマ光照射部分への酸素は、大気中に存在する酸素を用いたり、或いは酸素ボンベから積極的に酸素を導入することが一般的である。また、エキシマランプは、その下に基板が存在する場合に点灯させ、基板が存在しない場合には消灯するのが一般的である。
【０００４】
図１(a),(b) は、エキシマランプを用いた従来のドライ洗浄装置の構成を示す側面図と平面図である。
そのドライ洗浄装置は、エキシマランプ１０１が取り付けられた発光室１０２と基板１０３が置かれる基板処理室１０４を上下に有し、それらの発光室１０２と基板処理室１０４の境界の窓には紫外線を透過する石英板１０５が取り付けられている。基板処理室１０４には、基板１０３を移動するレール１０６が配置され、その前後には吸気口１０７が設けられ、吸気口１０７は基板搬送口を兼用している。さらにその底部には排気口１０８が設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
エキシマ光を基板１０３に向けて照射する場合、基板処理室１０４内で発生した生成物を除去するため基板処理室１０４内を排気することは必須である。従って、排気口１０８からの排気と吸気口１０７からの給気のバランスが基板１０３表面の改質効果や付着物除去の能力に大きく影響する。
【０００６】
排気量が小さい場合には処理室１０７内の酸素濃度が低下し、基板１０３の処理枚数の増加とともに改質効果および付着物除去の能力が低下する。それとは逆に、排気量が大きい場合には、処理室１０７内で発生したラジカル酸素が十分に作用せずに洗浄効果が低下する。
特に、石英板１０５と基板１０３の間の光照射領域での雰囲気の更新が不十分な場合には、排気量が適切であるにも関わらず、十分な改質および洗浄効果が得られなかったり改質効果にムラが現れることもある。さらに、吸入口１０７から酸素ガスを導入する場合に、その光照射領域の酸素濃度が濃いと、エキシマ光が酸素分子に吸収されて基板１０３の表面に作用せずに洗浄効果が低下する。
【０００７】
また、基板１０３と石英板１０５の間の気流は、基板１０３の搬送方向とレール１０７の側方への乱流であり、基板１０３上での雰囲気は四方に拡散し、そのような気流の乱れに伴って基板３表面の酸素ラジカル分布が不均一になり易いといった問題がある。そのような気流の乱れが生じている従来の洗浄装置では、基板と石英板の間の気流の速度などの制御はなされていない。
【０００８】
本発明の目的は、エキシマ光照射によるより安定した改質効果および付着物除去が実現できるドライ洗浄装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、基板に向けてエキシマ光を照射するエキシマランプと、前記エキシマランプと前記基板との間に配置されたエキシマ光透過板と、前記基板の前記エキシマ光照射面の上方にドライエア又は酸素ガスを導入する気体供給手段と、前記基板の前記エキシマ光照射面と反対の面の下方に配置された排気手段と、前記基板の両側に配置され、前記エキシマ光透過板から前記基板の側方に達する高さを有して前記エキシマ光透過板と前記基板との間の気流方向を制御する遮蔽物とを有することを特徴とするドライ洗浄装置によって解決される。
【００１１】
上記した課題は、エキシマランプを有する発光室と、エキシマ光透過板によって前記発光室から分離され且つ基板を収納する第１処理室と、前記第１処理室内にクリーンエアを供給して前記第１処理室の内部全体の圧力を高くするエア供給手段と、前記クリーンエアの供給のみによって前記第１処理室内のガスをオーバーフローさせるオーバーフロー口とを有することを特徴とするドライ洗浄装置によって解決される。この場合、前記第１処理室及び前記発光室を収納する第２処理室と、前記第２処理室に外気を導入する給気口と、前記第２処理室に設けられて前記第１処理室のオーバーフロー口から出たガスと前記給気口から導入された前記外気を排気する排気口とを設けてもよい。
【００１２】
次に、本発明の作用について説明する。
本発明によれば、エキシマ光が照射される基板上の気流方向を制御するようにしたので、気流の乱れによる洗浄のムラが抑制される。この場合、基板上のガス中の酸素濃度を２０％以上で４０％未満にすることにより洗浄効果を高くすることができる。
【００１３】
また、本発明によれば、エキシマ光が照射される基板の上の気流速度を０ｍ／秒より大きく１ｍ／秒以下に設定すると、酸素オゾンの必要以上の拡散が防止されて酸素オゾンによる洗浄効果が高くなる。この場合の酸素濃度は、２０％〜４０％が好ましい。また、複数の基板を連続して処理する場合に、基板の入れ替えの際にエキシマ光照射領域における気流速度を３ｍ／秒以上にするようにすると、ガスを常に初期状態に戻すことができるので、処理基板の増加による酸素ラジカルの減少を抑制し、生成物を排気することができ、基板洗浄効果を低減させることがなくなる。さらに、基板の入れ替えの際にエキシマランプを少なくとも１秒間消灯させることにより、基板入れ替えの際の不必要な酸素ラジカルの発生や酸素の消費を抑えることができる。
【００１４】
さらに、本発明によれば、エキシマ光を照射する第１処理室内でクリーンエアを導入するとともにクリーンエアによって第１処理室内のガスをオーバーフロー口から外部に押し出すようにしているので、基板上のガスは常に換気された状態になって酸素ラジカルが十分に発生して基板表面の改質効果が向上する。
なお、クリーンエアによって第１処理室から放出されたガスは、第１処理室外部の第２処理室で強制的に排気され、これにより反応生成物やオゾンや酸素ラジカルを回収して大気を汚染することが防止できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１の実施の形態）
図２は、本発明の第１実施形態に係るドライ洗浄装置の発光室を示す平面図、図３は、図２に示したドライ洗浄装置のＩ−Ｉ線断面図であり、図４は、図２に示したドライ洗浄装置のII−II線断面図である。
【００１６】
図において、エキシマランプ１が取り付けられた発光室２とその下方の基板３が置かれる基板処理室４とはそれぞれ仕切５によって上下に分離され、エキシマランプ１直下の仕切５に設けられた窓には紫外線を透過する石英板６が取り付けられている。基板３に照射されるエキシマ光の強さは５mW/cm2である。
基板処理室４内では、基板３を搬送する搬送レール（搬送手段）７が配置され、その前後には吸気口８が設けられ、吸気口８は基板搬送口を兼用している。さらに基板処理室４の底部には排気口９が設けられている。
【００１７】
また、仕切５及び石英板６の下面のうち基板３が通過する軌道領域の両側部には一対の板状の遮蔽物１０が下方に突出して取り付けられている。遮蔽物１０の長さは基板３の移動方向で基板３よりも長く形成されている。また、遮蔽物１０の高さは、石英板６と基板３との間隙よりも高くなっていて、例えば、石英板６と基板３との間隙が２．７ｍｍの場合に３．０ｍｍとする。
【００１８】
さらに、石英板６と基板３の間の空間のうち基板３の搬入方向に対して後方には酸素含有のクリーンドライエア（ＣＤＡ）や酸素（O2）等のガスをその空間に供給するためのノズル１１が配置されている。
次に、上記したドライ洗浄装置を用いてＴＦＴ−ＬＣＤ用ガラス基板を洗浄する方法について説明する。ガラス基板の洗浄は、ガラス基板自体の表面の付着物除去だけでなく、カラーフィルター表面の有機物の除去や膜質の改善、或いは、ＴＦＴを形成する際に使用されるレジストの残渣の除去等のために行われる。
【００１９】
ＴＦＴ−ＬＣＤ用のガラス基板の平面の大きさは例えば４００ｍｍ×５００ｍｍとする。
そして、基板３を載せた搬送レール７を移動して基板３を石英板６の下方に搬送、スキャンしながら、エキシマランプ１を発光させて波長１７２ｎｍのエキシマＵＶ光を石英板６に透過させて基板３に向けて例えば３０秒間照射する。
【００２０】
この場合、基板処理室４内の雰囲気を排気口９を通して外部に排出する一方で給気口８から空気等を基板処理室４内に導入する。そして吸気口８から導入された気体は基板３の表面に供給される。この場合、基板３表面での気体の流れの方向は、遮蔽物１０によって制御され、基板３の進行方向の前後方向、即ちほぼ一方にのみ流される。その基板３表面での気体は基板３の移動方向に流れるが、その気体の流速は、ノズル１１からのガス供給速度調整や排気口９からの排気量調整によって調整することが可能である。
【００２１】
これにより、酸素ラジカルの分布が均一となって基板３の改質度は全面均一となる。そして、酸素ラジカルにより付着物が分解、除去されたガラス基板の表面の濡れ性は向上し、その上に配向膜を形成すると、その配向膜の膜質が均一となり、さらに、配向膜でのピンホールの発生が抑制され、さらに配向膜の表面が水をはじくことが抑制され、配向膜への異物の発生が抑制される等、配向膜不良の発生が低減される。
【００２２】
基板３表面での酸素濃度を２２％として、基板３の表面の気流速度とその気流速度で洗浄されたガラス基板表面の水接触角の関係を調べたところ、図５のような結果が得られた。即ち、通常の空気の酸素濃度約２２％で、気流速度が０．５〜１．０ｍ／秒の範囲で水接触角が小さくなって良好な基板改質効果が現れる。ただし、その流速は、基板３と石英板６の距離によって変動するので、それぞれのプロセスに適した流速の設定が必要になる。
【００２３】
また、基板３表面での気流速度を１．０ｍ／秒として、基板３の表面の酸素濃度とその酸素濃度で洗浄された基板３表面の水接触角の関係を調べたところ、図６のような結果が得られた。即ち、酸素濃度２０〜４０％の範囲で水接触角が小さくなって良好な基板改質効果が現れる。
ノズル１１からＣＤＡを５０リットル／分の流量で基板３と石英板６の間に導入する。この場合、基板３上の気流速度が１ｍ／秒となるように排気量を調整すると、吸気口８のみ、即ち系外からの空気の供給のみの場合よりも安定した気流制御が可能になる。
【００２４】
また、ノズル１１から酸素ガスを１０リットル／分の流量で基板３上に導入する。この場合、基板３上の気流速度が１ｍ／秒となるように排気口９からの排気量を調整する。これにより、基板３上の酸素濃度は３５％になるので、給気口８のみから空気を供給した場合やノズル１１からＣＤＡを導入する場合に比べて洗浄効果が向上する。
【００２５】
ところで、ノズル１１から酸素ガスを３０リットル／分の流量で基板３上に導入する。この場合、基板３上の気流速度が１ｍ／秒となるように排気量を調整する。これにより、基板３上の酸素濃度は６０％になり、洗浄効果は低減した。従って、図６の特性を考慮すると酸素濃度は４０％未満にすることが好ましい。
また、遮蔽物１０の高さを３ｍｍではなく、１ｍｍとすると基板の３の側方に隙間が生じてここから基板３上の気体が側方に漏れて乱気流が発生するので、洗浄による膜質改善効果の面内での均一性は低下する。
【００２６】
なお、エキシマ光を照射する工程は、ＴＦＴ−ＬＣＤの配向膜の形成前処理時に限定されるものではない。エキシマ光を照射するどのような製品、工程にもちいてもよい。ただし、ギャップ、照射時間、気流速度については、各工程毎に最適化する必要がある。また、エキシマ光の照射は、スキャン方式に限定されるものではなく、例えば一括照射方式であってもよい。
（第２の実施の形態）
図２〜図４で示したドライ洗浄装置において、基板３と石英板６の間の空間における気体の流速が基板洗浄の処理枚数にどのような影響を及ぼすかを調べたところ図７(a) 〜(c) に示すような結果が得られた。図７(a) 〜(c) は、それぞれ基板の処理枚数と洗浄後の基板表面の水接触角との関係を示している。なお、基板・石英板間のギャップを２．７ｍｍとしている。
【００２７】
図７(a) は、１枚目の基板の処理の開始から２０枚目の基板の処理の終了に至るまで基板・石英板間のギャップ内に流速１ｍ／秒の空気を連続して流した場合を示しており、処理枚数が増えるほど水接触角が大きくなっており、処理枚数が増えるにつれて洗浄能力が低下している。
図７(b) は、１枚目の基板の処理の開始から２０枚目の基板の処理の終了に至るまで基板・石英板間のギャップ内に流速２ｍ／秒の空気を連続して流した場合を示しており、処理枚数が増えるほど水接触角が大きくなり、処理枚数が増えるにつれて洗浄能力が低下しているが、図７(b) よりも洗浄処理能力の変化が小さい。
【００２８】
図７(c) は、１枚目の基板の処理の開始から２０枚目の基板の処理の終了に至るまで基板・石英板間のギャップ内に流速３ｍ／秒の空気を連続して流した場合を示しており、処理枚数が増えても水接触角は殆ど変化がなく、処理枚数が増えても洗浄能力に変化が殆ど見られない。
以上の実験において、排気量を大きくすることにより基板３の洗浄能力をほぼ均一に維持できるのは、処理室４内の環境が常に初期状態に維持されるからである。
【００２９】
しかし、図７(a) 〜(c) のそれぞれの処理開始の１番目の基板の水接触角の大きさは同じではない。洗浄効果は、図５で示したように、基板３上の気流速度１．０ｍ／秒以下とした場合に良好になるのであって、３ｍ／秒になると良い結果は得られない。
そこで、基板３へのエキシマ光の照射中にはエキシマ光照射部の気流速度を小さくし、かつ基板３の入れ換えの際にはその気流速度を大きくすることによって処理室４内の環境を初期状態に戻すことが好ましい。
【００３０】
このために、エキシマランプ１及び石英板６の下方において、基板３の搬入前の待機と、基板３の搬入による受け入れと、基板３へのエキシマＵＶ光照射と、基板３の搬出といった動作を繰り返す場合に、エキシマランプ１の点灯、消滅のタイミングと石英板６の下の気流速度の変化のタイミングについては図８に示すようなチャートを採用することにした。
【００３１】
まず、石英板６の下への基板３の搬送を待機させている状態ではエキシマランプ１を消灯した状態にするとともに石英板６の下方での気流速度を１ｍ／秒より大きく、例えば３ｍ／秒となるように制御する。気流速度の制御は、排気口９に接続されたオートダンパー開閉の調整やブロアーの回転数の変化による排気量調整によって行われる。
【００３２】
続いて、基板３を石英板６の下方に搬入動作している状態又は基板３を受け入れた時点で、エキシマランプ１を点灯させるとともに石英板６の下での気流速度を１ｍ／秒以下に減少させる。
そして、石英板６の下でエキシマ光を例えば３０秒間基板３に照射した後に、基板３を石英板６の下方から搬出させる。基板３の搬出開始直後或いは搬出状態又は搬出を終えた直後に、エキシマランプ１を消灯するとともに石英板６の下の気流速度を例えば３ｍ／秒以上に上昇させる。その気流速度を例えば１秒間又はそれより長く保持した後に、待機していた次の基板３を石英板６の下での受け入れ開始又は受け入れ終了と同時又はその間にエキシマランプ１を点灯させるとともに気流速度を１ｍ／秒以下に下げる。
【００３３】
以上の繰り返し動作は、最後の基板３の処理が終わるまで続けられる。
そのような繰り返し動作によれば、第１実施形態で説明したように、基板処理中の気流速度が１ｍ／秒以下で良好な洗浄効果が得られる。ただし、気流速度が０の場合は洗浄効果が逆に低下するので、０．５ｍ／秒程度は必要になる。また、エキシマ光の非照射時の流速として３ｍ／秒以上とすることで１秒以内での石英板６直下の雰囲気の初期状態への更新が可能になる。これにより、処理室４内の環境を良好に維持できる。
【００３４】
なお、ここでは、ＴＦＴ−ＬＣＤ用ガラス基板を処理するためのエキシマ照射洗浄装置を想定しており、照射部は４５０ｍｍ×５５０ｍｍで排気口９は基板搬送領域下方の一カ所に設けたものであり、上記した条件により洗浄されたガラス基板の上に配向膜を形成したところ、配向膜の均一性が向上し、また配向膜にピンホールや撥水部分や異物混入といった不良の発生が低減した。
【００３５】
なお、ギャップ、照射時間については、液晶表示装置の形成工程毎に最適化してもよい。また、エキシマＵＶ照射装置はスキャン方式に限定するものではなく一括露光方式等他のどのような方式でもよい。
（第３の実施の形態）
第２の実施の形態では、石英板の下での気流速度の調整によって、基板３へのエキシマ光の照射時の酸素ラジカル量の最適化を図ったが、本実施形態では別の方法による最適化について説明する。
【００３６】
図９は、本実施形態に係るエキシマＵＶ照射によるドライ洗浄装置の構成を示す側断面図である。
図９において、エキシマランプ２１が取り付けられた発光室２２とその下方で基板２３が置かれる第１処理室２４はそれぞれ仕切２５によって分離され、仕切２５の窓には紫外線を透過する石英板２６が取り付けられている。第１処理室２４の一側部には、蓋２７が開閉可能に取り付けられる基板搬送口２８が設けられている。また、第１処理室２４の他側部にはオーバーフロー口２９が設けられている。さらに第１処理室２４の中には、基板２３を載せる基板載置台３０が取り付けられるとともに、外部から空気、ドライクリーンエア、酸素等のガスを導入する給気ノズル３１が挿入されている。
【００３７】
発光室２２及び第１処理室２４を収納する第２処理室３２は、第１処理室２４の基板搬送口２８の側方に外側基板搬送口を兼ねた給気口３３を有し、さらに第１処理室２４の下方に排気口３４を有している。なお、排気口３４から排気されたガスは処理槽（不図示）により回収され、分解される。
次に、上記した洗浄装置を用いてＬＣＤ−ＴＦＴガラス基板の洗浄について説明する。
【００３８】
まず、第１処理室２４の基板搬送口２８の蓋２７を開けた状態で給気口３３と基板搬送口２８を通して基板２３を基板載置台３０の上に載せ、ついで蓋２７を閉じる。
次に、給気ノズル３１から例えばドライクリーンエアを例えば１００リットル／分で第１処理室１４内に供給する。また、第２処理室３２において、排気口３４からの排気量を５０ｍ3 ／時間とし、給気口３３での吸気風速を０．８ｍ／秒とする。このような条件では、第１処理室２４内は加圧状態に保たれ、その中のガスはオーバーフロー口２９のみから排出されるので、第１処理室２４に導入された空気中の酸素は十分な量で酸素ラジカルになる。また、基板２３の表面の有機物等の汚れと結合した酸素は、排気によって強制的に第１処理室２４の外部に放出されるのではなく、ドライクリーンエアによって強制的にオーバーフロー口２９から押し出されるので、基板表面の空気は常に換気された状態になり、処理時間の経過とともに酸素ラジカル濃度が低下することなはい。
【００３９】
これにより、基板２３の表面では酸素ラジカルを十分に発生させることが可能になり、基板２３の表面改質効果が高くなる。
また、第１処理室２４のオーバーフロー口２９から放出された酸素ラジカルや生成物は、第２処理室３２内を通って排気口３４から処理槽（不図示）に捕獲されるので、大気汚染を生じさせない。
（付記１）基板に向けてエキシマ光を照射するエキシマランプと、
前記エキシマランプと前記基板の間の気流方向を制御する気流方向制御機構とを有することを特徴とするドライ洗浄装置。
（付記２）前記気流方向制御機構は、前記基板の両側に配置された遮蔽物であることを特徴とする付記１に記載のドライ洗浄装置。
（付記３）前記遮蔽物は、前記エキシマランプと前記基板の間に配置されたエキシマ光透過板から前記基板の側方に達する高さを有していることを特徴とする付記２に記載のドライ洗浄装置。
（付記４）前記基板の前記エキシマ光照射面の上にドライエア又は酸素ガスを導入する気体供給手段を有することを特徴とする付記１に記載のドライ洗浄装置。
（付記５）前記基板表面に供給されるガスの酸素濃度を２０％以上で４０％未満にする酸素濃度調整手段を有することを特徴とする付記１乃至付記４のいずれかに記載のドライ洗浄装置。
（付記６）基板に向けてエキシマ光を照射するエキシマランプと、
前記エキシマ光を前記基板に照射している状態において、前記エキシマランプと前記基板の間の気流速度を０ｍ／秒より大きく１ｍ／秒以下に設定する気流速度調整手段を有する
ことを特徴とするドライ洗浄装置。
（付記７）前記気流速度調整手段は、前記基板の入れ替えの間の前記エキシマランプの非発光時の前記気流速度を３ｍ／秒以上に設定することを特徴とする付記６に記載のドライ洗浄装置。
（付記８）前記基板の入れ替えの間に前記エキシマランプの非発光時間を１秒以上とするランプ発光オンオフ手段を有することを特徴とする付記６又は付記７に記載のドライ洗浄装置。
（付記９）エキシマランプを有する発光室と、
エキシマ光透過板によって前記発光室から分離され且つ基板を収納する第１処理室と、
前記第１処理室内にクリーンエアを供給して内部圧力を高くするするエア供給手段と、
前記第１処理室内のガスをオーバーフローさせるオーバーフロー口と
を有することを特徴とするドライ洗浄装置。
（付記１０）前記第１処理室の外側に設けられた第２処理室と、
前記第２処理室に外気を導入する給気口と、
前記第２処理室に設けられて前記第１処理室のオーバーフロー口から出たガスと前記給気口から導入された前記外気を排気する排気口と
を有することを特徴とする付記９に記載のドライ洗浄装置。
【００４０】
【発明の効果】
以上述べたように  本発明によれば、エキシマ光が照射される基板上の気流方向を制御するようにしたので、気流の乱れによる洗浄のムラを抑制できる。
また、本発明によれば、エキシマ光が照射される基板の上の気流速度を０ｍ／秒より大きく１ｍ／秒以下に設定するようにしたので、酸素オゾンの必要以上の拡散を防止して酸素オゾンによる洗浄効果を高くすることができる。
【００４１】
さらに、本発明によれば、エキシマ光を照射する処理室内でクリーンエアを導入するとともにクリーンエアによって処理室内のガスをオーバーフロー口から外部に押し出すようにしているので、基板上のガスは常に換気された状態になって酸素ラジカルを十分に発生させて基板表面の改質効果を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１(a),(b) は、従来のドライ洗浄装置を示す断面図及び上面図である。
【図２】図２は、本発明の第１実施形態に係るドライ洗浄装置の平面図である。
【図３】図３は、図２のＩ−Ｉ線断面図である。
【図４】図４は、図２のII−II線断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施形態に係るドライ洗浄装置の基板表面の気流速度と洗浄後のガラス基板表面の水接触角との関係を示す図である。
【図６】図６は、本発明の第１実施形態に係るドライ洗浄装置の酸素濃度と洗浄後のガラス基板表面の水接触角との関係を示す図である。
【図７】図７(a) 〜(c) は、ドライ洗浄装置における処理枚数と洗浄後ガラス基板表面水接触角との関係を、基板表面の気流速度の違いで示した図である。
【図８】図８は、本発明の第２実施形態に係る基板搬入搬出とエキシマランプの点灯・消滅とエキシマランプ直下の気流速度調整のタイミングを示す図である。
【図９】図９は、本発明の第３実施形態に係るドライ洗浄装置の構成を示す側断面図である。
【符号の説明】
１…エキシマランプ、２…発光室、３…基板、４…処理室、５…仕切、６…石英板（エキシマ光透過板）、７…搬送レール、８…吸気口（基板搬送口）、９…排気口、１０…遮蔽物、１１…ノズル（気体供給手段）、２１…エキシマランプ、２２…発光室、２３…基板、２４…第１処理室、２５…仕切、２６…石英板（エキシマ光透過板）、２７…蓋、２８…基板搬送口（吸気口）、２９…オーバーフロー口、３０…基板載置台、３１…ノズル（気体供給手段）、３２…第２処理室、３３…吸気口（基板搬送口）、３４…排気口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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