(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の液処理を施す液処理装置であって、
基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませつつ略水平方向に搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、
前記基板搬送機構によって搬送される基板に乾燥ガスを噴射して前記基板を乾燥させる基板乾燥機構と
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
基板に第１の処理液を塗布し、その後基板に第２の処理液を塗布して前記第１の処理液を洗い流す液処理装置であって、
基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませつつ略水平方向に搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、
を具備し、
前記第１の処理液を塗布するときの基板の搬送速度と前記第２の処理液を塗布するときの基板の搬送速度とが異なることを特徴とする液処理装置。
【請求項３】
基板に第１の処理液を塗布し、その後基板に第２の処理液を塗布して前記第１の処理液を洗い流す液処理装置であって、
基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませつつ略水平方向に搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、
を具備し、
前記第１の処理液を塗布するときの基板の撓ませ量と前記第２の処理液を塗布するときの基板の撓ませ量とが異なることを特徴とする液処理装置。
【請求項４】
前記基板搬送機構によって搬送される基板に乾燥ガスを噴射して前記基板を乾燥させる基板乾燥機構をさらに具備することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の液処理装置。
【請求項５】
前記基板乾燥機構は、前記基板搬送機構によって搬送される基板の曲面形状に対応した形状を有するガス噴射口が形成されたガス噴射ノズルを具備することを特徴とする請求項１または請求項４に記載の液処理装置。
【請求項６】
前記基板搬送機構は、
前記基板の中央部の裏面に当接する回転自在な第１ローラと、
前記基板の１組の端辺近傍の裏面に当接する前記第１ローラとは外径の異なる第２ローラと、
前記第１ローラと前記第２ローラを回転させるローラ回転機構と、
を具備することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の液処理装置。
【請求項７】
前記基板搬送機構は、
前記第２ローラとの間で前記基板を所定圧力で押圧して挟み込む回転自在な押圧ローラをさらに具備することを特徴とする請求項６に記載の液処理装置。
【請求項８】
前記処理液供給機構によって前記処理液が液盛りされた基板から、前記基板表面の処理液を吸引して回収する処理液回収手段をさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の液処理装置。
【請求項９】
前記処理液回収手段は、前記基板搬送機構によって搬送される基板の曲面形状に対応した形状を有する処理液吸引口が形成された処理液吸引ノズルを具備することを特徴とする請求項８に記載の液処理装置。
【請求項１０】
基板に所定の液処理を施す液処理装置であって、
基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませて保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段を水平方向に移動させる搬送機構と、
前記搬送機構によって搬送される前記基板保持手段に保持された基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、
を具備し、
前記基板保持手段は、
前記基板を載置する載置ステージと、
前記載置ステージに載置された基板の周縁部を吸着して保持する減圧吸着機構と、
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項１１】
前記載置ステージの所定位置には、基板の裏面に当接して基板を支持する支持ピンが設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の液処理装置。
【請求項１２】
前記搬送機構によって搬送される前記保持手段に保持された基板に乾燥気体を噴射して前記基板を乾燥させる基板乾燥機構をさらに具備することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の液処理装置。
【請求項１３】
前記基板乾燥機構は、前記断面略弓形に撓まされた基板の曲面形状に対応した形状を有するガス噴射口を有するガス噴射ノズルを具備することを特徴とする請求項１２に記載の液処理装置。
【請求項１４】
前記基板搬送機構によって搬送される基板の曲面形状に対応した形状を有する処理液吸引口が形成され、前記処理液供給機構によって前記処理液が液盛りされた基板から前記基板表面の処理液を吸引して回収する処理液吸引ノズルをさらに具備することを特徴とする請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載の液処理装置。
【請求項１５】
基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませつつ略水平方向に搬送しながら前記基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、
前記基板に第１の処理液を塗布する第１工程と、
前記基板に第２の処理液を供給して前記第１の処理液を洗い流す第２工程と、
前記基板の表面の曲面形状に対応した形状を有するガス噴射口を有するガス噴射ノズルを用いて、前記基板に乾燥ガスを吹き付けて前記第２の処理液を吹き飛ばすことで前記基板を乾燥させる第３工程と、
を有することを特徴とする液処理方法。
【請求項１６】
基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませた状態で保持して水平方向に搬送しながら前記基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、
前記基板に第１の処理液を塗布する第１工程と、
前記基板に第２の処理液を供給して前記第１の処理液を洗い流す第２工程と、
前記基板の表面の曲面形状に対応した形状を有するガス噴射口を有するガス噴射ノズルを用いて、前記基板に乾燥ガスを吹き付けて前記第２の処理液を吹き飛ばすことで前記基板を乾燥させる第３工程と、
を有することを特徴とする液処理方法。

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）に用いられるガラス基板等に対して現像処理等の所定の液処理を施すために用いられる液処理装置と液処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造においては、ＬＣＤガラス基板（以下「ＬＣＤ基板」という）にレジスト膜を形成した後に、回路パターンに対応してこのレジスト膜を露光し、さらにこれを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用いてＬＣＤ基板に所定の回路パターンを形成している。ここで、例えば、現像処理については、基板を水平姿勢で水平方向に搬送しながら、基板の表面に現像液を塗布して基板上に現像液パドルを形成し、この状態で所定時間保持することで現像反応を進行させ、その後に基板を傾斜姿勢に変換して現像液を流し出し、続いてリンス液を基板に供給して現像液残渣を除去する洗浄（リンス）処理を行い、さらに基板に付着したリンス液を乾燥ガスで吹き飛ばして乾燥させる方法が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、一辺の長さが１ｍにも及ぶような大型のＬＣＤ基板を均一な水平姿勢に保持しながら搬送することは極めて困難である。例えば、現像液がＬＣＤ基板上に液盛りされて荷重の掛かっている状態と、ＬＣＤ基板の乾燥処理時のように自重以外に荷重が掛かっていない状態とでは、ＬＣＤ基板の撓み方が異なる。このように現像処理における各処理の経過に伴って撓み方が変化すると、ＬＣＤ基板に現像パターンのむらが発生する問題がある。
【０００４】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、液処理中の基板の撓み状態の変化を抑制することができる液処理装置および液処理方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の観点によれば、基板に所定の液処理を施す液処理装置であって、基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませつつ略水平方向に搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、前記基板搬送機構によって搬送される基板に乾燥ガスを噴射して前記基板を乾燥させる基板乾燥機構とを具備することを特徴とする液処理装置、が提供される。
【０００６】
本発明の第２の観点によれば、基板に第１の処理液を塗布し、その後基板に第２の処理液を塗布して前記第１の処理液を洗い流す液処理装置であって、基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませつつ略水平方向に搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、を具備し、前記第１の処理液を塗布するときの基板の搬送速度と前記第２の処理液を塗布するときの基板の搬送速度とが異なることを特徴とする液処理装置、が提供される。
また、本発明の第３の観点によれば、基板に第１の処理液を塗布し、その後基板に第２の処理液を塗布して前記第１の処理液を洗い流す液処理装置であって、基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませつつ略水平方向に搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、を具備し、前記第１の処理液を塗布するときの基板の撓ませ量と前記第２の処理液を塗布するときの基板の撓ませ量とが異なることを特徴とする液処理装置、が提供される。
【０００７】
本発明の第４の観点によれば、基板に所定の液処理を施す液処理装置であって、基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませて保持する基板保持手段と、前記基板保持手段を水平方向に移動させる搬送機構と、前記搬送機構によって搬送される前記基板保持手段に保持された基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構と、を具備し、前記基板保持手段は、前記基板を載置する載置ステージと、前記載置ステージに載置された基板の周縁部を吸着して保持する減圧吸着機構と、を具備することを特徴とする液処理装置、が提供される。
【０００８】
本発明の第５の観点によれば、基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませつつ略水平方向に搬送しながら前記基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、前記基板に第１の処理液を塗布する第１工程と、前記基板に第２の処理液を供給して前記第１の処理液を洗い流す第２工程と、前記基板の表面の曲面形状に対応した形状を有するガス噴射口を有するガス噴射ノズルを用いて、前記基板に乾燥ガスを吹き付けて前記第２の処理液を吹き飛ばすことで前記基板を乾燥させる第３工程と、を有することを特徴とする液処理方法、が提供される。
また、本発明の第６の観点によれば、基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませた状態で保持して水平方向に搬送しながら前記基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、前記基板に第１の処理液を塗布する第１工程と、前記基板に第２の処理液を供給して前記第１の処理液を洗い流す第２工程と、前記基板の表面の曲面形状に対応した形状を有するガス噴射口を有するガス噴射ノズルを用いて、前記基板に乾燥ガスを吹き付けて前記第２の処理液を吹き飛ばすことで前記基板を乾燥させる第３工程と、を有することを特徴とする液処理方法、が提供される。
【０００９】
このような液処理装置および液処理方法によれば、基板を予め撓ませた状態で搬送するために、基板への処理液の供給、基板上の処理液の除去、基板の乾燥といった一連の液処理工程において基板の撓みの変化が小さい。このように基板の姿勢を均一化することによって基板全体で均一な液処理が行われるため、処理ムラの発生を抑制することができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、ＬＣＤ基板に対してレジスト膜の形成から現像までの処理を連続して行うレジスト塗布・現像処理システムを例に説明することとする。図１はレジスト塗布・現像処理システム１００の概略構成を示す平面図である。
【００１１】
このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００１２】
カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。
【００１３】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニットセクション２８が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００１４】
上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、後に詳細に説明するように、ＬＣＤ基板Ｇが略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は、例えば、コロ搬送またはベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００１５】
レジスト処理ユニット２３には、略水平に保持されたＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を滴下させて、ＬＣＤ基板Ｇを所定の回転数で回転させることによってレジスト液をＬＣＤ基板Ｇ全体に拡げ、レジスト膜を形成するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａと、ＬＣＤ基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、ＬＣＤ基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドによりＬＣＤ基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃとがその順に配置されている。レジスト処理ユニット２３内には、これらレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃの間でＬＣＤ基板Ｇを搬送する搬送アームが設けられている。
【００１６】
図２は第１の熱的処理ユニットセクション２６の側面図であり、第１の熱的処理ユニットセクション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２を有している。熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられており、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。
【００１７】
熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５、ＬＣＤ基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層されて構成を有している。
【００１８】
第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。
【００１９】
第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモータ９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９７によって行われる。このように第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができる。
【００２０】
第２の熱的処理ユニットセクション２７は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。
【００２１】
図３は第２の熱的処理ユニットセクション２７の側面図であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９とＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３、ＬＣＤ基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成となっている。
【００２２】
第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２３】
第３の熱的処理ユニットセクション２８は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８の間に第３の搬送装置３９が設けられている。
【００２４】
図４は第３の熱的処理ユニットセクション２８の側面図であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順に、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・８４が４段に積層された構成を有している。
【００２５】
第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００２６】
処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３・３６・３９によって行われる。
【００２７】
インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。
【００２８】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００においては、まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送装置１１により、ＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。
【００２９】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４、および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。
【００３０】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、レジスト処理ユニット２３の搬送アームによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。ＬＣＤ基板Ｇは、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａにおいてレジスト液がスピン塗布された後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらに周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されてＬＣＤ基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、ＬＣＤ基板Ｇは搬送アームによりレジスト処理ユニット２３から、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。
【００３１】
パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。
【００３２】
その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットにＬＣＤ基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。
【００３３】
露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。
【００３４】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬入されたＬＣＤ基板Ｇは、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を介してパスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５との間に連続して設けられた搬送機構、例えば、コロ搬送機構を動作させることにより、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、そこで現像処理が施される。この現像処理工程については後に詳細に説明することとする。
【００３５】
現像処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構によって現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４からｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、そこでＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。
【００３６】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１・８３・８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００３７】
次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の構造について詳細に説明する。図５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の概略構造を示す側面図であり、図６は概略平面図である。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４は、導入ゾーン２４ａ、第１の現像液供給ゾーン２４ｂ、第２の現像液供給ゾーン２４ｃ、第１リンスゾーン２４ｄ、第２リンスゾーン２４ｅ、乾燥ゾーン２４ｆから構成されており、導入ゾーン２４ａは熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に隣接し、乾燥ゾーン２４ｆはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に隣接している。
【００３８】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の間には、ＬＣＤ基板Ｇの裏面の中央部に当接する第１コロ（ローラ、車輪）１７ａと、ＬＣＤ基板の裏面のＹ方向端部に当接する第２コロ１７ｂが、所定間隔で配置され、これら第１コロ１７ａと第２コロ１７ｂの中心をＹ方向に延在する枢軸１３が貫通し、モータ等を駆動してこの枢軸１３を回転させることによって第１コロ１７ａと第２コロ１７ｂを回転させ、第１コロ１７ａと第２コロ１７ｂに接したＬＣＤ基板Ｇを所定方向（Ｘ方向）へ搬送するコロ搬送機構１４が設けられている。
【００３９】
後に図７を参照しながら説明するように、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、第１コロ１７ａの直径が第２コロ１７ｂの直径よりも長くなっており、ＬＣＤ基板Ｇは、その中央部の高さ位置と対向する１組の端辺（Ｙ方向端面）の高さ位置とが異なるように断面略弓形に撓ませられた状態で搬送される。
【００４０】
なお、図６にはコロ搬送機構１４は図示していない。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、コロ搬送機構１４をＬＣＤ基板Ｇの搬送速度が異なる領域に分割して設け、その領域ごとに独立して駆動してもよい。例えば、ＬＣＤ基板Ｇが、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と導入ゾーン２４ａでは駆動源である第１のモータ（図示せず）の駆動によって搬送され、第１の現像液供給ゾーン２４ｂと第２の現像液供給ゾーン２４ｃでは第２のモータ（図示せず）の駆動によって搬送され、第１リンスゾーン２４ｄから乾燥ゾーン２４ｆの間では第３のモータ（図示せず）の駆動によって搬送されるように、コロ搬送機構１４を構成することができる。このようなコロ搬送機構１４の分割駆動は、例えば、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を構成するゾーン毎に行うこともできる。
【００４１】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３は昇降自在なリフトピン１６を具備している。ＬＣＤ基板Ｇを保持した第２の搬送装置３６の基板保持アーム９４がパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内に進入した状態でリフトピン１６を上昇させると、ＬＣＤ基板Ｇは基板保持アーム９４からリフトピン１６に受け渡される。続いて、基板保持アーム９４をパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から退出させた後にリフトピン１６を降下させると、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内の第１コロ１７ａおよび第２コロ１７ｂ上に載置される。コロ搬送機構１４を動作させることによって、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から導入ゾーン２４ａへ搬出される。
【００４２】
導入ゾーン２４ａは、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と第１の現像液供給ゾーン２４ｂとの間の緩衝領域として設けられているものであり、この導入ゾーン２４ａは、第１の現像液供給ゾーン２４ｂからパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ現像液が飛散する等して、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３が汚染されるのを防止する。
【００４３】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂは、導入ゾーン２４ａから搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇに最初の現像液の液盛り（パドル形成）を行うゾーンであり、ＬＣＤ基板Ｇに対して現像液を塗布する主現像液吐出ノズル５１ａと副現像液吐出ノズル５１ｂ（以下「現像ノズル５１ａ・５１ｂ」という）の２本のノズルと、Ｘ方向に延在するガイドレール５９と、ガイドレール５９と嵌合しているスライドアーム５８と、スライドアーム５８をガイドレール５９に沿ってＸ方向へ移動させる駆動機構（図示せず）と、スライドアーム５８に取り付けられた昇降機構（図示せず）とを有しており、現像ノズル５１ａ・５１ｂはこの昇降機構に取り付けられて昇降自在となっている。
【００４４】
現像ノズル５１ａ・５１ｂには現像液供給源（図示せず）から現像液が供給されるようになっており、例えば、昇降機構によって現像ノズル５１ａ・５１ｂとＬＣＤ基板Ｇとの間隔を調整した後に、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向とは逆の方向に現像ノズル５１ａ・５１ｂを移動させながら現像ノズル５１ａ・５１ｂから現像液をＬＣＤ基板Ｇに吐出することで、ＬＣＤ基板Ｇに現像液を塗布することができるようになっている。このとき、ＬＣＤ基板Ｇ上に現像液のパドルを安定して形成するためには、ＬＣＤ基板Ｇはコロ搬送機構１４の動作を停止して静止させた状態とすることが好ましい。
【００４５】
現像ノズル５１ａ・５１ｂとしては、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く（図６参照）、その下端には長手方向に沿ってスリット状の吐出口が形成され、そのスリット状の吐出口から略帯状に現像液を吐出することができる構造のものが好適に用いられる。現像ノズル５１ａ・５１ｂには、スリット状の吐出口に代えて複数の円形吐出口が所定間隔で複数形成されているものを用いることもできる。
【００４６】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂで現像液が液盛りされたＬＣＤ基板Ｇを第１リンスゾーン２４ｄへ搬送する間に、ＬＣＤ基板Ｇ上から現像液がこぼれ落ちる場合がある。第２の現像液供給ゾーン２４ｃでは、ＬＣＤ基板Ｇの搬送途中にＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちる現像液によって現像反応が進まなくなることを防止するために、新たにＬＣＤ基板Ｇに現像液を補充するように現像液を塗布する。
【００４７】
第２の現像液供給ゾーン２４ｃには、現像ノズル５１ａ・５１ｂと同様の構造を有する現像液補充ノズル５１ｃが、その長手方向がＹ方向となるとなるように固定して設けられている。現像液補充ノズル５１ｃからは、コロ搬送機構１４によって搬送されるＬＣＤ基板Ｇ上に所定量の現像液が略帯状に吐出される。なお、この第２の現像液供給ゾーン２４ｃは必須なものではない。
【００４８】
ＬＣＤ基板Ｇの現像反応は、第１の現像液供給ゾーン２４ｂから第１リンスゾーン２４ｄに搬送される間に行われる。第１リンスゾーン２４ｄにおいては、ＬＣＤ基板Ｇの表面に純水等のリンス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し出す。また、第２リンスゾーン２４ｅにおいては、さらにＬＣＤ基板Ｇの表面に純水等のリンス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇの現像液残渣を除去するように精密なリンス処理を行う。
【００４９】
第１リンスゾーン２４ｄにはリンスノズル５２ａがＬＣＤ基板Ｇの裏面側と表面側に設けられ、第２リンスゾーンにはリンスノズル５２ｂがＬＣＤ基板Ｇの裏面側と表面側に設けられている。リンスノズル５２ａ・５２ｂとしては、搬送されるＬＣＤ基板Ｇ全体にリンス液を吐出できるように、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く、略帯状にリンス液を吐出するものを用いることが好ましい。
【００５０】
リンスノズル５２ａ・５２ｂからは、超音波を印加した純水を吐出したり、またはガス圧によって吐出圧を高めて純水を吐出したり、あるいはスプレー状に純水を吐出したりすることができる。第１リンスゾーン２４ｄと第２リンスゾーン２４ｅは、１箇所のリンスゾーンとして構成することが可能である。
【００５１】
第２リンスゾーン２４ｅを通過したＬＣＤ基板Ｇが搬送される乾燥ゾーン２４ｆには、所定の風圧で窒素ガス等の乾燥ガスを噴射するエアーナイフ５３ａが設けられている。乾燥ゾーン２４ｆにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面に乾燥ガスを噴射して、ＬＣＤ基板Ｇに付着したリンス液を吹き飛ばしてＬＣＤ基板Ｇを乾燥する。
【００５２】
エアーナイフ５３ａはＬＣＤ基板Ｇの幅よりも長い形状を有しており、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向全体に乾燥ガスを略帯状に噴射することができるようになっている。エアーナイフ５３ａから乾燥ガスを噴射する向きを鉛直方向から基板搬送方向の後方側に所定角度傾けることで、搬送されるＬＣＤ基板Ｇの後方にリンス液を追い込むことができ、これによって効率的に乾燥処理を行うことができる。乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送される。
【００５３】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、導入ゾーン２４ａから乾燥ゾーン２４ｆへと、ＬＣＤ基板Ｇは、その中央部の高さ位置と対向する１組の端辺（Ｙ方向端）の高さ位置とが異なるように断面略弓形に撓まされた状態で水平方向（Ｘ方向）に搬送される。図７は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４におけるＬＣＤ基板Ｇの搬送時の一形態を、乾燥ゾーン２４ｆを例として示す正面図である。
【００５４】
図７に示されるように、第１コロ１７ａの直径が第２コロ１７ｂの直径よりも長いために、ＬＣＤ基板Ｇはその中央部がＹ方向端よりも高くなるような凸型に撓む。なお、図７中の符号１９が示すコロは、ＬＣＤ基板ＧがＹ方向へずれないようにＬＣＤ基板ＧのＹ方向端をブロックするガイドとしての役割を担っている。また、図７中の符号４９が示す基台は枢軸１３を保持する部材である。ＬＣＤ基板Ｇを凸型に撓ませる場合には、第１コロ１７ａ間にＬＣＤ基板Ｇの裏面に当接する第１コロ１７ａよりも直径の長い別のコロを設けてもよく、第１コロ１７ａと第２コロ１７ｂとの間にも、ＬＣＤ基板Ｇの裏面に当接するように、第１コロ１７ａよりも直径が短く、かつ、第２コロよりも直径の長いさらに別のコロを設けてもよい。
【００５５】
従来のように、ＬＣＤ基板Ｇを水平状態で搬送しようとすると、例えば、ＬＣＤ基板Ｇに現像液が液盛りされた状態と液盛りがされていない状態ではＬＣＤ基板Ｇに掛かる荷重が変わるために、搬送途中でＬＣＤ基板Ｇの撓み具合が変化してしまい、これによって処理が不均一となる問題があった。しかし、図７に示すように、ＬＣＤ基板Ｇを強制的に撓ませた状態で搬送することにより、搬送時のＬＣＤ基板Ｇの撓み形状の変化を抑制することができる。これにより現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４での各処理をＬＣＤ基板Ｇ全体で均一に行うことが可能となる。
【００５６】
ＬＣＤ基板を凸型に撓ませた場合には、特にリンス工程においてはリンス液と現像液がＬＣＤ基板Ｇから流れ落ち易いために、現像液残渣を低減する処理を行うことが可能となる。また、乾燥工程においてはＬＣＤ基板Ｇからリンス液が除去し易いために、乾燥処理の効率を高めて処理時間を短縮することが可能となる。図７に示されるように、エアーナイフ５３ａの下面はＬＣＤ基板Ｇの曲面に沿ってカーブした形状を有している。このようにエアーナイフ５３ａの下面の形状をＬＣＤ基板Ｇの表面の曲面形状に対応させることで、ＬＣＤ基板Ｇの表面に均等な圧力の乾燥ガスを吹き付けることができる。
【００５７】
なお、リンスノズル５２ａ・５２ｂについても、エアーナイフ５３ａと同様に、ＬＣＤ基板Ｇの曲面形状に沿った形状を有するものを用いることが好ましい。こうしてＬＣＤ基板Ｇとリンス液の吐出口との距離を一定とすることにより、ＬＣＤ基板Ｇに同等圧力のリンス液をあてて、ＬＣＤ基板Ｇを均一にリンス処理することが可能となる。
【００５８】
一方で、ＬＣＤ基板を凸型に撓ませた場合には、ＬＣＤ基板Ｇに現像液を液盛りする際に現像液がＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちやすくなるおそれがある。このために、例えば、ＬＣＤ基板Ｇの中央部とＹ方向端との高さの差を、第１および第２の現像液供給ゾーン２４ｂ・２４ｃではＬＣＤ基板Ｇから現像液が流れ落ち難いように小さくし、第１・第２リンスゾーン２４ｄ・２４ｅおよび乾燥ゾーン２４ｆでは現像液やリンス液が流れ落ちやすいように大きくしてもよい。
【００５９】
上述した現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４においては、ＬＣＤ基板Ｇを水平方向に搬送する際に第１コロ１７ａおよび第２コロ１７ｂとＬＣＤ基板Ｇとの間がスリップしてＬＣＤ基板Ｇが一定速度で搬送されなくなるのを防止するために、例えば、図８の正面図に示すように、コロ搬送機構１４にＬＣＤ基板ＧのＹ方向端においてＬＣＤ基板Ｇを表面側から所定の圧力で押圧する回転自在な押圧ローラ１８を設けることも好ましい。押圧ローラ１８は、押圧ローラ１８の中心を貫通して保持する保持部材４６と、保持部材４６に所定の圧力を印加するバネ４７と、Ｙ方向端に配置されたバネ４７を保持する水平支持体４８とを有している。
【００６０】
水平支持体４８は、例えば、ゾーン毎に設けることができる。この水平支持体４８の高さ位置と、バネ４７のバネ定数とを適宜好適な条件に設定することによって、押圧ローラ１８からＬＣＤ基板Ｇへ常にほぼ一定の押圧力でＬＣＤ基板Ｇを押圧できる。したがって、押圧ローラ１８を用いることによって、ＬＣＤ基板Ｇの一部が破損したりすることはない。
【００６１】
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３やｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５におけるコロ搬送機構１４に押圧ローラ１８を設ける場合には、水平支持体４８を押圧ローラ１８とともに昇降可能としておく。パスユニット（ＰＡＳＳ）７３にＬＣＤ基板Ｇを搬入する際やｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からＬＣＤ基板Ｇを搬出する際には、押圧ローラ１８を上方に退避させておけばよい。
【００６２】
次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４における現像処理工程について説明する。先ずコロ搬送機構１４を動作させて、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬入されたＬＣＤ基板Ｇを導入ゾーン２４ａを通過させて第１の現像液供給ゾーン２４ｂに搬入する。このパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から第１の現像液供給ゾーン２４ｂへのＬＣＤ基板Ｇの搬送速度は、例えば６５ｍｍ／秒とする。
【００６３】
第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを所定位置で停止させて静止状態に保持し、現像ノズル５１ａ・５１ｂを、例えば、２４０ｍｍ／秒という高速で基板搬送方向の前方から後方へ向けて移動させながらＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を塗布する。ＬＣＤ基板Ｇを停止させた状態とすることで、現像ノズル５１ａ・５１ｂの駆動制御が容易となる。また、安定して現像液をＬＣＤ基板上に液盛りすることができる。
【００６４】
コロ搬送機構１４を動作させて、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいて現像液が液盛りされたＬＣＤ基板Ｇを、例えば、４６ｍｍ／秒の搬送速度で第２の現像液供給ゾーン２４ｃへ搬送する。ＬＣＤ基板Ｇが第２の現像液供給ゾーン２４ｃを通過する際には、現像液補充ノズル５１ｃからＬＣＤ基板Ｇ上に現像液が補充され、ＬＣＤ基板Ｇの搬送時にＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちる現像液が補充される。
【００６５】
引き続いて、ＬＣＤ基板Ｇを、例えば４６ｍｍ／秒の搬送速度で第１リンスゾーン２４ｄに搬送する。第１リンスゾーン２４ｄでは、ＬＣＤ基板Ｇをこの搬送速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面にリンス液を吐出する。こうして、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液は、吐出されたリンス液とともにＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちて除去される。第１リンスゾーン２４ｄを通過したＬＣＤ基板Ｇは第２リンスゾーン２４ｅに搬入されるが、ここでも第１リンスゾーン２４ｄと同様のリンス処理が行われ、現像液や現像反応による溶解生成物を完全に除去する。第２リンスゾーン２４ｅにおいては、ＬＣＤ基板Ｇの搬送速度を、例えば、第１リンスゾーン２４ｄにおける搬送速度よりも遅い３６ｍｍ／秒として、より精密なリンス処理を行うことが好ましい。
【００６６】
第２リンスゾーン２４ｅを通過したＬＣＤ基板Ｇは乾燥ゾーン２４ｆに搬入される。乾燥ゾーン２４ｆでは、例えば４６ｍｍ／秒の搬送速度でＬＣＤ基板Ｇを搬送しながら、エアーナイフ５３ａから窒素ガス等の乾燥ガスが吐出されて、乾燥処理が行われる。乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、そこで所定の紫外線照射処理が施された後にｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５から搬出される。
【００６７】
次に、ＬＣＤ基板Ｇを断面略弓形に撓ませて搬送する別の形態について説明する。図９は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４におけるＬＣＤ基板Ｇの搬送時の別の形態を、乾燥ゾーン２４ｆを例として示す正面図である。図９に示すように、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４においては、ＬＣＤ基板Ｇをその中央部がＹ方向端よりも低くなるような凹型に撓ませて、導入ゾーン２４ａから乾燥ゾーン２４ｆへと搬送してもよい。
【００６８】
ＬＣＤ基板Ｇを凹型に撓ませるためには、ＬＣＤ基板Ｇの中央部の裏面に当接する第１コロ１７ａ´の直径をＬＣＤ基板ＧのＹ方向端面近傍の裏面に当接する第２コロ１７ｂ´の直径よりも短くすればよい。この場合に、第１コロ１７ａ´間にＬＣＤ基板Ｇの裏面に当接する第１コロ１７ａ´よりも直径の短い別のコロを設けてもよく、第１コロ１７ａ´と第２コロ１７ｂ´との間にＬＣＤ基板Ｇの裏面に当接するように第１コロ１７ａ´よりも直径が長く、かつ、第２コロ１７ｂ´よりも直径の短いさらに別のコロを設けてもよい。
【００６９】
ＬＣＤ基板Ｇを凹型に撓ませた場合には、ＬＣＤ基板Ｇに現像液を液盛りした際に現像液のＬＣＤ基板Ｇ上での保持が容易となる。一方で、リンス工程や乾燥工程においては、現像液やリンス液がＬＣＤ基板Ｇの中央部に滞留しやすくなるおそれがある。
【００７０】
このために、乾燥ゾーン２４ｆには、乾燥ガスを噴射するガス噴射口の形成された下面が、ＬＣＤ基板Ｇの曲面に沿ってカーブした形状を有しているエアーナイフ５３ｂを設けることが好ましい。同様に、リンスノズル５２ａ・５２ｂについても、エアーナイフ５３ｂと同様の形状を有するものを用いることが好ましく、この場合には、リンス液を吐出する向きを鉛直方向に対して基板搬送方向の後方側に所定角度傾けることによって、現像液やリンス液を搬送されるＬＣＤ基板Ｇの後方に追い込んで、基板Ｇの後方から多く流れ落ちるようにするとよい。
【００７１】
図１０は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の別の実施形態（以下、「現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４´」とする）を示す側面図であり、図１１は図１０に示される移動ステージ８５の概略斜視図である。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４´においては、ＬＣＤ基板Ｇを移動ステージ８５に載置した状態で、移動ステージ８５をパスユニット（ＰＡＳＳ）７３からｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へ移動させつつ現像処理を行う。
【００７２】
ＬＣＤ基板Ｇを載置する移動ステージ８５は脚部８６によって支持され、脚部８６の下部は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５との間に直線的に設けられたガイドレール８７と嵌合している。脚部８６は、例えば、ベルト搬送機構等の搬送機構８８によってガイドレール８７に沿って移動可能となっている。つまり、搬送機構８８を駆動することによって移動ステージ８５をパスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５との間で往復移動させることができるようになっている。
【００７３】
移動ステージ８５がパスユニット（ＰＡＳＳ）７３またはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の所定位置にあるときには、リフトピン１６が移動ステージ８５を貫通して昇降できるように、移動ステージ８５には図示しない貫通孔が形成されている。リフトピン１６の先端が移動ステージ８５の下面よりも低い位置にある状態で、移動ステージ８５は移動可能となるように搬送機構８８を制御することも好ましい。
【００７４】
図１１に示すように、移動ステージ８５の表面はその中央部がＹ方向端よりも高くなるように凸型に形成にされており、ＬＣＤ基板Ｇを移動ステージ８５に載置すると、移動ステージ８５の表面形状に対応して凸型に撓まされた状態で保持される。移動ステージ８５におけるＬＣＤ基板Ｇの保持方法の１つとして、ＬＣＤ基板Ｇの周縁部やＬＣＤ基板Ｇに形成された複数のパターンの間隙部を真空吸着する等して保持する方法が挙げられる。また、移動ステージ８５の表面に所定長さ、例えば、数ｍｍ長さの支持ピンを所定位置に配置して、ＬＣＤ基板Ｇの自重を利用して支持ピンによってＬＣＤ基板Ｇを保持する方法や、移動ステージ８５の表面に直接に載置する方法を用いることもできる。
【００７５】
ＬＣＤ基板Ｇを凸型に撓ませて保持する場合には、移動ステージ８５の表面の広さを、図１１に示すように、ＬＣＤ基板Ｇの周縁部が移動ステージ８５からはみ出るように小さく設定すると、現像液やリンス液がＬＣＤ基板Ｇの裏面に回り込み難くなる。移動ステージ８５の表面の広さがＬＣＤ基板Ｇの大きさと同等以上となると、移動ステージ８５の表面を伝って現像液やリンス液がＬＣＤ基板Ｇの裏面に回り込み易くなる。このため、移動ステージ８５の表面の広さはＬＣＤ基板Ｇよりも小さく設定することが好ましい。
【００７６】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４´においては、ＬＣＤ基板Ｇをその中央部がＹ方向端よりも低くなるような凹型に撓ませた状態に保持して搬送してもよい。図１２は移動ステージ８５の別の実施形態を示す概略斜視図であり、移動ステージ８５´のように、その中央部がＹ方向端よりも低くなるような凹型の表面を形成することによって、ＬＣＤ基板Ｇを凹型に撓ませて保持できる。
【００７７】
移動ステージ８５´におけるＬＣＤ基板Ｇの保持方法としては、前述した真空吸着を用いる方法等をそのまま適用することができる。また、移動ステージ８５´の表面の広さは、ＬＣＤ基板Ｇの広さよりも狭くすることが好ましい。移動ステージ８５´がＬＣＤ基板Ｇよりも広いと、ＬＣＤ基板Ｇから移動ステージ８５´の表面に流れ落ちた現像液やリンス液等がＬＣＤ基板Ｇの裏面側に回り込んでしまうために、後にＬＣＤ基板Ｇの裏面の洗浄工程が必要となるからである。
【００７８】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４´における現像処理工程は、例えば、以下のようにして行われる。最初に、ＬＣＤ基板Ｇをパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬入して移動ステージ８５に保持させる。次に、移動ステージ８５をガイドレール８７に沿って移動させつつ、第１の現像液供給ゾーン２４ｂでは移動ステージ８５に保持されたＬＣＤ基板Ｇに現像液を液盛りし、第２の現像液供給ゾーン２４ｃではさらにＬＣＤ基板Ｇに現像液を補充し、第１リンスゾーン２４ｄおよび第２リンスゾーン２４ｅではリンス処理を施し、乾燥ゾーン２４ｆでは乾燥処理を施す。これら一連の処理が終了したＬＣＤ基板Ｇを移動ステージ８５に載置した状態でｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬入して、そこで所定の紫外線照射処理を施し、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５から搬出する。
【００７９】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、第１および第２の現像液供給ゾーン２４ｂ・２４ｃにおいてはＬＣＤ基板Ｇを凹型に撓ませた状態で処理し、第１リンスゾーン２４ｄから乾燥ゾーン２４ｆの間においてはＬＣＤ基板Ｇを凸型に撓ませて処理してもよい。ＬＣＤ基板Ｇを凹型に撓ませるとＬＣＤ基板Ｇを搬送する際の直進性が向上するので、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向を案内するガイド１９を設けなくてもよく、第１および第２の現像液供給ゾーン２４ｂ・２４ｃにおいてＬＣＤ基板Ｇに液盛りされた現像液がガイド１９に吸い寄せられてＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちる可能性を低減できる。また、ＬＣＤ基板Ｇを凸型に撓ませることにより前述したようにＬＣＤ基板Ｇから現像液やリンス液等が落ちやすくなるために、第１リンスゾーン２４ｄと乾燥ゾーン２４ｆとの間の処理能力を向上させることができる。
【００８０】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４において、第２の現像液供給ゾーン２４ｃと第１リンスゾーン２４ｄとの間に、ＬＣＤ基板Ｇに液盛りされた現像液を回収するための現像液回収ゾーンを設けることも好ましい。このような現像液回収ゾーンでは、例えば、ＬＣＤ基板Ｇ全体を所定角度に傾けてＬＣＤ基板Ｇから現像液を流し出し、ＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちた現像液を回収する。こうして回収された現像液は再利用に供することができる。また、図１３の概略斜視図に示すように、ＬＣＤ基板Ｇの表面形状（撓み形状）に対応した形状を有し、ＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされた現像液を吸引する吸引口が下端面に形成された現像液吸引ノズル５４を、ＬＣＤ基板Ｇの表面との距離を一定に保持しながらＬＣＤ基板Ｇ上をＸ方向にスキャンさせることで、ＬＣＤ基板Ｇ上から現像液を除去することもできる。こうして、現像液吸引ノズル５４によって回収された現像液は再利用に供することができる。
【００８１】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４´において、現像ノズル５１ａ・５１ｂ、現像液補充ノズル５１ｃ、リンスノズル５２ａ・５２ｂ、エアーナイフ５３ａをＸ方向に移動可能な構成として、移動ステージ８５の移動距離を短くすると、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４´のフットプリントを小さくすることが可能となる。また、移動ステージ８５を用いた場合には、ＬＣＤ基板Ｇの裏面周縁部を洗浄・乾燥する処理ゾーンを設けることも好ましい。本発明の液処理装置は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４に限定して適用されるものではなく、例えば、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１にも適用することが可能である。本発明はＬＣＤ基板Ｇに限定して適用されるものではなく、ＬＣＤ以外の他の用途に用いられるガラス基板や、半導体ウエハ、その他のセラミックス基板等の液処理にも適用することができる。
【００８２】
【発明の効果】
上述の通り、本発明の液処理装置および液処理方法によれば、基板を予め撓ませた状態で搬送することによって、基板への処理液の供給、基板上の処理液の除去、基板の乾燥といった一連の液処理工程において基板の撓みの変化を抑制することができる。このように基板の姿勢を均一化することによって基板全体で均一な液処理を行うことが可能となるため、処理ムラの発生が抑制され、高い品質の処理基板を得ることできるようになるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液処理装置の一実施形態である現像処理ユニットを具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。
【図２】図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図３】図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図４】図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図５】現像処理ユニットの一実施形態の概略側面図。
【図６】現像処理ユニットの一実施形態の概略平面図。
【図７】現像処理ユニットにおけるＬＣＤ基板の一搬送形態を示す正面図。
【図８】現像処理ユニットにおけるＬＣＤ基板の搬送形態を示す別の正面図。
【図９】現像処理ユニットにおけるＬＣＤ基板の別の搬送形態を示す正面図。
【図１０】現像処理ユニットの別の実施形態の概略側面図。
【図１１】移動ステージの一実施形態を示す概略斜視図。
【図１２】移動ステージの別の実施形態を示す概略斜視図。
【図１３】ＬＣＤ基板からの現像液の除去方法の一例を示す説明図。
【符号の説明】
１；カセットステーション
２；処理ステーション
３；インターフェイスステーション
１４；コロ搬送機構
１７ａ；第１コロ
１７ｂ；第２コロ
１８；押圧ローラ
２４；現像処理ユニット（ＤＥＶ）
２４ａ；導入ゾーン
２４ｂ；第１の現像液供給ゾーン
２４ｃ；第２の現像液供給ゾーン
２４ｄ；第１リンスゾーン
２４ｅ；第２リンスゾーン
２４ｆ；乾燥ゾーン
５１ａ・５１ｂ；現像ノズル
５２ａ・５２ｂ；リンスノズル
５３ａ・５３ｂ；エアーナイフ
５４；現像液吸引ノズル
８５・８５´；移動ステージ
８６；脚部
８７；ガイドレール
８８；搬送機構
Ｇ……ＬＣＤ基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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