(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物層を形成した発光素子において、発光層中に下記一般式（３）で表される化合物及び一般式（４）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種と、一般式（９）又はその互変異性体で表される金属錯体及び一般式（１０）又はその互変異性体で表される金属錯体から選ばれる少なくとも１種とを含むことを特徴とする発光素子。
【化１】
0003949391.tif 000037
（式中、Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13は置換基を表す。Ｒ14，Ｒ15，Ｒ16は水素原子または置換基を表す。ｑ11，ｑ12，ｑ13は０〜９の整数を表す。）
【化２】
0003949391.tif 000038
（式中、Ｒ41，Ｒ42，Ｒ43は、それぞれ水素原子または置換基を表す。Ｒ44，Ｒ45，Ｒ46は、それぞれ水素原子または置換基を表す。ｑ41，ｑ42，ｑ43 は０〜９の整数を表す。）
【化３】
0003949391.tif 000039
一般式（９）式中、Ｍ11は金属イオン、Ｌ11は配位子、Ｘ11は酸素原子、置換もしくは無置換の窒素原子（窒素原子上の置換基としては、−ＳＯ2Ｒa、−ＣＯＲbまたは−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒc）（Ｒd）（Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒdはそれぞれ脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはヘテロ環オキシ基を表す））、または硫黄原子を表す。Ｑ11、Ｑ12は各々芳香環を形成する原子群、含窒素芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ11とＱ12が結合して縮環構造を取っても良い。Ｑ11、またはＱ12で形成される環は置換基を有しても良い。ｍ11、ｍ12は各々０〜３の整数、１〜４の整数を表す。
【化４】
0003949391.tif 000040
一般式（１０）式中、Ｌ21、Ｘ21 は前記 Ｌ11、Ｘ11 と同義であり、ｍ21、ｍ22 は各々０〜３の整数、１〜４の整数を表す。Ｍ21は金属イオンを表す。Ｑ21、Ｑ22は各々芳香環を形成する原子群、含窒素芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ21とＱ22が結合して縮環構造を取っても良い。Ｑ21、またはＱ22で形成される環は置換基を有しても良い。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる電界発光（ＥＬ）素子に関し、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。例えば、有機化合物の蒸着により有機薄膜を形成する発光素子が知られている（アプライド  フィジックス  レターズ，５１巻，９１３頁，１９８７年）。この文献に記載された発光素子はトリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ）を電子輸送材料として用い、正孔輸送材料（アミン化合物）と積層させることにより、従来の単層型素子に比べて発光特性を大幅に向上させている。
【０００３】
近年、有機ＥＬ素子をフルカラーディスプレイへと適用することが活発に検討されているが、高性能フルカラーディスプレイを開発する為には 青・緑・赤、それぞれの発光素子の特性を向上する必要がある。例えば、青色発光素子においては、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線」 （エヌ・ティー・エス社） ｐ３８ に記載のジスチリルアリーレン化合物（ＤＰＶＢｉ） などが広範に検討されているが、色純度、耐久性、発光輝度、効率の点で問題があり、改良が望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、発光特性、耐久性が良好な発光素子の提供にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題について検討の結果、下記手段により本発明に到達したものである。
１．一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物層を形成した発光素子において、発光層中に下記一般式（３）で表される化合物及び一般式（４）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種と、一般式（９）又はその互変異性体で表される金属錯体及び一般式（１０）又はその互変異性体で表される金属錯体から選ばれる少なくとも１種とを含むことを特徴とする発光素子。
【化１】
0003949391.tif 000002
（式中、Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13は置換基を表す。Ｒ14，Ｒ15，Ｒ16は水素原子または置換基を表す。ｑ11，ｑ12，ｑ13は０〜９の整数を表す。）
【化２】
0003949391.tif 000003
（式中、Ｒ41，Ｒ42，Ｒ43は、それぞれ水素原子または置換基を表す。Ｒ44，Ｒ45，Ｒ46は、それぞれ水素原子または置換基を表す。ｑ41，ｑ42，ｑ43 は０〜９の整数を表す。）
【化３】
0003949391.tif 000004
一般式（９）式中、Ｍ11は金属イオン、Ｌ11は配位子、Ｘ11は酸素原子、置換もしくは無置換の窒素原子（窒素原子上の置換基としては、−ＳＯ2Ｒa、−ＣＯＲbまたは−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒc）（Ｒd）（Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒdはそれぞれ脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはヘテロ環オキシ基を表す））、または硫黄原子を表す。Ｑ11、Ｑ12は各々芳香環を形成する原子群、含窒素芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ11とＱ12が結合して縮環構造を取っても良い。Ｑ11、またはＱ12で形成される環は置換基を有しても良い。ｍ11、ｍ12は各々０〜３の整数、１〜４の整数を表す。
【化４】
0003949391.tif 000005
一般式（１０）式中、Ｌ21、Ｘ21 は前記 Ｌ11、Ｘ11 と同義であり、ｍ21、ｍ22 は各々０〜３の整数、１〜４の整数を表す。Ｍ21は金属イオンを表す。Ｑ21、Ｑ22は各々芳香環を形成する原子群、含窒素芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ21とＱ22が結合して縮環構造を取っても良い。Ｑ21、またはＱ22で形成される環は置換基を有しても良い。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。本明細書において「〜」はその前後に記載される数値を、それぞれ最小値および最大値として含む範囲を示す。
【００１７】
本発明は、一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物層を形成した発光素子において、発光層中に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種と、金属錯体とを少なくとも１種含むことを特徴とする発光素子に関する。
【化６】
0003949391.tif 000006
（式中、Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31 はアリーレン基を表し、Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32は置換基または水素原子を表す。Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31，Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32の少なくとも一つは縮環アリール構造または縮環ヘテロアリール構造である。Ａｒはアリーレン基またはヘテロアリーレン基を表す。）
【００１８】
一般式（１）で表される化合物の発光層中の濃度は、それぞれ１質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、５質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以上８０質量％以下であることがさらに好ましい。
【００１９】
本発明の金属錯体の発光層中の濃度は、１質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、５質量％以上９０質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以上８０質量％以下であることがさらに好ましい。
【００２０】
一般式（１）で表される化合物と金属錯体の発光層中の質量比は１：１０〜１０：１が好ましく、１：５〜５：１がより好ましく、１：２〜２：１がさらに好ましい。
【００２１】
本発明の発光素子は、一般式（１）で表される化合物の少なくとも１種が、一般式（２）で表される化合物であることが好ましく、一般式（１）で表される化合物の少なくとも１種が、一般式（３）で表される化合物であることがより好ましい。
【化７】
0003949391.tif 000007
（式中、Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31 はアリーレン基を表し、Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32は置換基または水素原子を表す。Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31，Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32の少なくとも一つは縮環アリール構造または縮環ヘテロアリール構造である。Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3は水素原子または置換基を表す。）
【００２２】
一般式（１）について説明する。Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31 はアリーレン基を表す。アリーレン基の炭素数は６〜３０が好ましく、６〜２０がより好ましく、６〜１６がさらに好ましい。アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基、フルオレニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ルブレニレン基、クリセニレン基、トリフェニレニレン基、ベンゾアンスリレン基、ベンゾフェナントレニレン基、ジフェニルアンスリレン基 などが挙げられ、これらのアリーレン基はさらに置換基を有していても良い。
【００２３】
アリーレン基上の置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロアリールオキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、
【００２４】
アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、
【００２５】
ヘテロアリールチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００２６】
前記Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31は、好ましくはフェニレン基、ナフチレン基、アンスリレン基、フェナントレニレン基、ビフェニレン基、４環以上のアリーレン基（例えばピレニレン基、ペリレニレン基）であり、より好ましくは、フェニレン基、ナフチレン基、フェナントレン基、４環以上のアリーレン基であり、さらに好ましくは、フェニレン基、フェナントリレン基、ピレニレン基であり、特に好ましくは、ピレニレン基である。
【００２７】
前記Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32 は、置換基または水素原子を表す。置換基としては、前記Ａｒ11上の置換基で説明した基が挙げられる。Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32 として好ましくは水素原子、アリール基、ヘテロアリール基、アルキル基、アルケニル基であり、より好ましくは、水素原子、アリール基、ヘテロアリール基であり、さらに好ましくは水素原子、アリール基であり、特に好ましくは、水素原子、ピレニル基である。
【００２８】
前記Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31，Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32 の少なくとも一つは縮環アリール構造、または縮環ヘテロアリール構造である。Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31，Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32 の少なくとも一つが縮環アリール構造であることが好ましい。
【００２９】
前記縮環アリール構造としては、好ましくは、ナフタレン構造、アントラセン構造、フェナントレン構造、ピレン構造、ペリレン構造、より好ましくは、ナフタレン構造、アントラセン構造、ピレン構造、フェナントレン構造であり、さらに好ましくは、フェナントレン構造、４環以上のアリール構造であり、特に好ましくは、ピレン構造である。
【００３０】
前記縮環ヘテロアリール構造としては、好ましくは、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、アクリジン構造、フェナントリジン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造であり、より好ましくは、キノリン構造、キノキサリン構造、キナゾリン構造、フタラジン構造、フェナントロリン構造である。
【００３１】
前記Ａｒは、３価の基であるアリーレン基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは６〜２０、さらに好ましくは炭素数６〜１６、例えばフェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、フェナントレン基、ピレニレン基、トリフェニレン基などが挙げられる。）、ヘテロアリーレン基（ヘテロ原子として好ましくは窒素原子、硫黄原子、酸素原子、より好ましくは窒素原子、好ましくは炭素数２〜３０より好ましくは炭素数３〜２０、さらに好ましくは炭素数３〜１６、例えばピリジレン基、ピラジレン基、チオフェニレン基、キノリレン基、キノキサリレン基、トリアジレン基などが挙げられる）を表し、これらの基は置換基を有していても良い。置換基としては例えば、前記Ａｒ11上の置換基で説明した基が挙げられる。
Ａｒは、各々３価の基である、フェニレン基（ベンゼントリイル）、ナフチレン基（ナフタレントリイル）、アントラセニレン基（アントラセントリイル）、ピレニレン基（ピレントリイル）、トリフェニレン基であることが好ましく、フェニレン基であることがより好ましく、無置換（Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31は置換されている）フェニレン基、アルキル置換フェニレン基であることがさらに好ましい。
【００３２】
一般式（１）で表される化合物の好ましい形態は、一般式（２）で表される化合物、下記一般式（６）で表される化合物であり、より好ましい形態は、一般式（３）で表される化合物、下記一般式（４）で表される化合物、下記一般式（５）で表される化合物、下記一般式（７）で表される化合物、下記一般式（８）で表される化合物であり、さらに好ましい形態は一般式（３）で表される化合物である。また、本発明の化合物は、炭素原子、水素原子のみから構成されている化合物が好ましい。
【００３３】
【化１１】
0003949391.tif 000008
【００３４】
【化１２】
0003949391.tif 000009
【００３５】
【化１３】
0003949391.tif 000010
【００３６】
【化１４】
0003949391.tif 000011
【００３７】
【化１５】
0003949391.tif 000012
【００３８】
一般式（２）について説明する。一般式（２）のＡｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31，Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32 は一般式（１）で説明したＡｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31，Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32 とそれぞれ同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3は水素原子または置換基を表す。置換基としては、前記Ａｒ11上の置換基で説明した基が挙げられる。Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3は好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基である。
【００３９】
一般式（１），（２）で表される化合物は Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31，Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32 の少なくとも一つがフェナントレン構造、４環以上の縮環アリール構造または３環以上の縮環ヘテロアリール構造の化合物が好ましく、フェナントレン構造、ピレン構造がより好ましい。
また、一般式（１），（２）で表される化合物は Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32 が縮環アリール基または水素原子である化合物が好ましく、Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32 が３環以上の縮環アリール基または水素原子であることがより好ましく、Ａｒ12，Ａｒ22，Ａｒ32 がフェナントレン構造、４環以上の縮環アリール構造、水素原子であることが更に好ましい。また、一般式（１），（２）で表される化合物は Ａｒ11，Ａｒ21，Ａｒ31 がフェナントリレン基または４環以上の縮環アリーレン基である化合物が好ましい。
【００４０】
一般式（１），（２）で表される化合物は、炭素原子、水素原子のみから構成されている化合物が好ましい。
【００４１】
一般式（３）について説明する。Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13は置換基を表す。置換基としては、前記Ａｒ11上の置換基で説明した基が挙げられる。Ｒ11，Ｒ12，Ｒ13は好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基であり、さらに好ましくは、アリール基である。
【００４２】
ｑ11，ｑ12，ｑ13 は０〜９の整数を表す。ｑ11，ｑ12，ｑ13 は好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０、１である。
【００４３】
Ｒ14，Ｒ15，Ｒ16 は前記Ｒ1と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００４４】
一般式（４）について説明する。Ｒ41，Ｒ42，Ｒ43は前記Ｒ1と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ44，Ｒ45，Ｒ46は前記Ｒ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。ｑ41，ｑ42，ｑ43 は０〜９の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０、１である。
【００４５】
一般式（５）について説明する。Ｒ51は前記Ｒ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ54，Ｒ55，Ｒ56 は前記Ｒ1と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ａｒ51はアンスリル基、フェナントリル基、ピレニル基を表し、Ａｒ52はフェナントリル基、ピレニル基を表す。Ａｒ51はフェナントリル基、ピレニル基が好ましく、ピレニル基がより好ましい。Ａｒ52はピレニル基が好ましい。ｑ51 は０〜９の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０、１である。
【００４６】
一般式（６）について説明する。Ｒ61，Ｒ62 は前記Ｒ1と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ａｒ61，Ａｒ62，Ａｒ63，Ａｒ64 は縮環アリール基を表し、好ましくはフェナントリル基、４環以上のアリール基であり、より好ましくは、フェナントリル基、ピレニル基である。
【００４７】
一般式（７）について説明する。Ｒ71，Ｒ72，Ｒ73，Ｒ74は前記Ｒ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ75，Ｒ76 は前記Ｒ1と同じであり、好ましい範囲も同じである。ｑ71，ｑ72，ｑ73，ｑ74 は０〜９の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０、１である。
【００４８】
一般式（８）について説明する。Ｒ81，Ｒ82，Ｒ83，Ｒ84は前記Ｒ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ85，Ｒ86 は前記Ｒ1と同じであり、好ましい範囲も同じである。ｑ81，ｑ82，ｑ83，ｑ84 は０〜９の整数を表し、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは０〜２の整数であり、さらに好ましくは０、１である。
【００４９】
本発明の発光素子は、フェナンスレン構造を有する一般式（１）で表される化合物、およびピレン構造を有する一般式（１）で表される化合物を有する形態が好ましく、そのうちの少なくとも１種は、一般式（３）で表される化合物、および一般式（４）で表される化合物を含む形態がより好ましい。
【００５０】
本発明では、発光層中に一般式（１）で表される化合物を少なくとも１種含むが、そのうちの少なくとも１種は一般式（２）〜（８）で表される化合物を含有してよい。一般式（２）〜（８）で表される化合物の発光層中の濃度はそれぞれ１質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、３質量％以上９７質量％以下であることがより好ましく、５質量％以上９５質量％以下であることがさらに好ましい。
【００５１】
本発明の一般式（１）〜（８）で表される化合物は低分子化合物であっも良く、また、オリゴマー化合物、ポリマー化合物（重量平均分子量（ポリスチレン換算）は好ましくは１０００〜５００００００、より好ましくは２０００〜１００００００、さらに好ましくは３０００〜１０００００である。）であっても良い。
ポリマー化合物の場合、一般式（１）〜（８）で表される構造がポリマー主鎖中に含まれても良く、また、ポリマー側鎖に含まれていても良い。また、ポリマー化合物の場合、ホモポリマー化合物であっても良く、共重合体であっても良い。本発明の化合物は低分子化合物が好ましい。
【００５２】
本発明の一般式（１）〜（８）で表される化合物は、その蛍光スペクトルのλｍａｘ（最大発光波長）が４００〜５００ｎｍであることが好ましく、４００〜４８０ｎｍであることがより好ましく、４００〜４６０ｎｍであることがさらに好ましい。
【００５３】
次に本発明の一般式（１）〜（８）で表される化合物の化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。
【００５４】
【化１６】
0003949391.tif 000013
【００５５】
【化１７】
0003949391.tif 000014
【００５６】
【化１８】
0003949391.tif 000015
【００５７】
【化１９】
0003949391.tif 000016
【００５８】
【化２０】
0003949391.tif 000017
【００５９】
【化２１】
0003949391.tif 000018
【００６０】
【化２２】
0003949391.tif 000019
【００６１】
【化２３】
0003949391.tif 000020
【００６２】
【化２４】
0003949391.tif 000021
【００６３】
本発明の化合物（一般式（１）〜（８）で表される化合物）の製造方法について述べる。本発明の化合物は、種々の公知の芳香族炭素炭素結合生成反応を利用して合成可能であり、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ｇｕｉｄｅ （Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．社） ｐ．６１７〜ｐ．６４３、及び、Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍａｔｉｏｎ（ＶＣＨ社） ｐ．５〜ｐ．１０３ などに記載されている手法を利用して合成することができる。パラジウム触媒存在下炭素炭素結合を生成する合成法が好ましく、ホウ酸誘導体とアリールハライド誘導体をパラジウム触媒存在下合成する手法がさらに好ましい。
【００６４】
ホウ酸誘導体としては、置換または無置換のアリールホウ酸誘導体（例えば、１，４−フェニルジホウ酸、４，４′−ビフェニルジホウ酸、ピレンホウ酸誘導体、フェナントレンホウ酸誘導体等が挙げられる）、ヘテロアリールホウ酸誘導体（例えばピリジルジホウ酸などが挙げられる）などが挙げられる。
【００６５】
アリールハライド誘導体のハロゲン原子は、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、より好ましくは、臭素原子、ヨウ素原子であり、特に好ましくは臭素原子である。
【００６６】
パラジウム触媒としては、特に限定しないが、例えば、パラジウムテトラキストリフェニルホスフィン、パラジウムカーボン、酢酸パラジウム、パラジウムジクロライド（ｄｐｐｆ）（ｄｐｐｆ：１，１’−ビスジフェニルホスフィノフェロセン）などが挙げられる。トリフェニルホスフィンなどの配位子を同時に添加しても良い。
【００６７】
本反応は、塩基を用いた方が好ましい。用いる塩基の種類は特に限定しないが、例えば、炭酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、トリエチルアミンなどが挙げられる。用いる塩基の量は特に限定しないが、ホウ酸（エステル）部位に対して、好ましくは０．１〜２０当量、特に好ましくは１〜１０当量である。
【００６８】
本反応は溶媒を用いた方が好ましい。用いる溶媒は特に限定しないが、例えば、エタノール、水、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、トルエン、テトラヒドロフラン及びそれらの混合溶媒を用いることができる。
【００６９】
本発明の発光素子に含まれる金属錯体について説明する。金属錯体中の金属イオンは特に限定されないが、好ましくはベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、亜鉛イオンであり、更に好ましくは亜鉛イオンである。
【００７０】
前記金属錯体中に含まれる配位子としては種々の公知の配位子が有るが、例えば、「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社 H.Yersin著 １９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」 裳華房社 山本明夫著 １９８２年発行 等に記載の配位子が挙げられる。
【００７１】
前記配位子として、好ましくは含窒素ヘテロ環配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数３〜１５であり、単座配位子であっても２座以上の配位子であっても良い。好ましくは２座配位子である。例えばピリジン配位子、ビピリジル配位子、キノリノール配位子、ヒドロキシフェニルアゾール配位子（ヒドロキシフェニルベンズイミダゾール、ヒドロキシフェニルベンズオキサゾール配位子、ヒドロキシフェニルイミダゾール配位子）などが挙げられる）、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ、２，４，６−トリメチルフェニルオキシ、４−ビフェニルオキシなどが挙げられる。）、
【００７２】
ヘテロアリールオキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロアリールチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、シロキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数３〜２５、特に好ましくは炭素数６〜２０であり、例えば、トリフェニルシロキシ基、トリエトキシシロキシ基、トリイソプロピルシロキシ基などが挙げられる）であり、より好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、ヘテロアリールオキシ基、シロキシ配位子であり、更に好ましくは含窒素ヘテロ環配位子、アリールオキシ配位子、シロキシ配位子が挙げられる。
【００７３】
本発明の発光素子の発光層中に含まれる金属錯体は、下記一般式（９）、並びに下記一般式（１０）で表される化合物およびその互変異性体が好ましく、より好ましくは一般式（９）で表される化合物およびその互変異性体である。
【００７４】
【化２５】
0003949391.tif 000022
【００７５】
前記一般式（９）〜（１０）で表される化合物は、下記一般式（１１）〜（１３）で表される化合物およびその互変異性体がより好ましく、一般式（１１）で表される化合物およびその互変異性体がさらに好ましい。
【００７６】
【化２６】
0003949391.tif 000023
【００７７】
一般式（９）について説明する。Ｍ11は金属イオンを表す。金属イオンとして好ましくは、ベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、亜鉛イオンであり、更に好ましくは亜鉛イオンである。
【００７８】
Ｌ11は配位子を表す。配位子としては、前記金属錯体中に含まれる配位子で説明した配位子が挙げられ、好ましい範囲も同じである。Ｘ11は酸素原子、置換もしくは無置換の窒素原子、または硫黄原子であり、酸素原子がより好ましい。窒素原子上の置換基としては、−ＳＯ2Ｒa、−ＣＯＲbまたは−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒc）（Ｒd）（Ｒa、Ｒb、Ｒc、Ｒdはそれぞれ脂肪族炭化水素基、アリール基、ヘテロ環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基またはヘテロ環オキシ基を表す。）が好ましく、 −ＳＯ2Ｒa がより好ましい。
【００７９】
Ｑ11は芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ11とＱ12が結合して縮環構造を取っても良い。Ｑ11で形成される芳香族環は、芳香族炭化水素、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、例えばベンゼン、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、チアゾール、イソチアゾール、オキサゾール、イソオキサゾールなどが挙げられ、好ましくはベンゼン、ピリジンであり、より好ましくはベンゼンである。
【００８０】
Ｑ11で形成される環は、置換基を有しても良く、置換基として好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、より好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ヘテロ環基であり、更に好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、ヘテロ環基であり、特に好ましくはアルキル基、アルケニル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基である。
【００８１】
Ｑ12 は含窒素芳香環を形成する原子群を表し、好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜２０、さらに好ましくは炭素数３〜１５、特に好ましくは炭素数４〜１０である。
Ｑ12で形成される含窒素芳香環としては、例えばピリジン、キノリン、ピラジン、ピリダジン、イソキノリン、キノキサリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、インドレニンピラゾール、オキサジアゾール、ピラゾロトリアゾール、イソオキサゾール、トリアゾール、チアジアゾール、ピロロトリアゾール、イミダゾトリアゾールなどが挙げられ、好ましくはピリジン、キノリン、ピラジン、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾイミダゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、ピラゾロトリアゾール、ピロロトリアゾール、チアジアゾールであり、より好ましくはベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、オキサジアゾールである。
【００８２】
Ｑ12は置換基を有していても良く、置換基としては前記Ｑ11で説明した基が挙げられる。
【００８３】
ｍ11は０〜３の整数を表し、０，１が好ましく、０がより好ましい。ｍ12は１〜４の整数を表し、１〜３が好ましく、２，３がより好ましい。
【００８４】
一般式（１０）について説明する。Ｌ21、Ｘ21 は前記 Ｌ11、Ｘ11 と同義であり、好ましい範囲も同じである。ｍ21 は０〜３の整数を表し、０，１が好ましい。ｍ22は１〜４の整数を表し、１〜３が好ましい。
【００８５】
Ｍ21は金属イオンを表す。金属イオンとして好ましくは、ベリリウムイオン、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、ガリウムイオン、亜鉛イオンであり、より好ましくはベリリウムイオン、アルミニウムイオン、亜鉛イオンであり、更に好ましくはアルミニウムイオンである。
【００８６】
Ｑ21 は芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ21とＱ22が結合して縮環構造を取っても良い。Ｑ21で形成される芳香族環は、芳香族炭化水素、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、好ましくはベンゼン、ピリジンであり、より好ましくはベンゼンである。
【００８７】
Ｑ22 は含窒素芳香環を形成する原子群を表し、好ましくは炭素数３〜３０、より好ましくは炭素数３〜２０、さらに好ましくは炭素数３〜１５、特に好ましくは炭素数４〜１０である。Ｑ22で形成される含窒素芳香環として好ましくはピリジン、ピラジンであり、より好ましくはピリジンである。
【００８８】
前記Ｑ21 、Ｑ22は各々置換基を有しても良く、置換基としては前記Ｑ11で説明した基が挙げられる。
【００８９】
一般式（１１）について説明する。 Ｌ31、Ｍ31、ｍ31、ｍ32 は前記 Ｌ11、Ｍ11、ｍ11、ｍ12 と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ101は置換基を表し、好ましくはアルキル基である。ｍ33は０〜４の整数を表し、０，１が好ましい。
【００９０】
Ｙ31は酸素原子、硫黄原子、セレン原子、置換または無置換の窒素原子を表し、酸素原子、置換または無置換の窒素原子が好ましい。窒素原子上の置換基としてはアルキル基、アリール基が好ましい。
【００９１】
Ｑ31は芳香環を形成する原子群を表す。Ｑ31で形成される芳香族環は芳香族炭化水素、芳香族ヘテロ環のいずれでもよく、好ましくはベンゼン、ピリジンである。
【００９２】
一般式（１２）について説明する。 Ｌ41、Ｍ41、Ｒ111、Ｙ41、ｍ41、ｍ42、ｍ43 は前記 Ｌ11、Ｍ11、Ｒ101、Ｙ31、 ｍ11、ｍ12、ｍ33 と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｒ112は置換基を表し、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基が好ましく、アルキル基、アリール基がより好ましい。
【００９３】
一般式（１３）について説明する。 Ｌ51、Ｍ51、Ｒ121、ｍ51、ｍ52は前記 Ｌ21、Ｍ21、Ｒ101、ｍ21、ｍ22 と同義であり、好ましい範囲も同じである。ｍ53は０〜６の整数を表し、０，１が好ましい。
【００９４】
本発明の発光素子に含まれる金属錯体のガラス転移点は、好ましくは８０℃以上であり、より好ましくは１００℃以上であり、さらに好ましくは１２０℃以上である。
【００９５】
以下に、本発明の発光素子に含まれる金属錯体の具体的化合物例を示すが、本発明はこれに限定されない。
【００９６】
【化２７】
0003949391.tif 000024
【００９７】
【化２８】
0003949391.tif 000025
【００９８】
【化２９】
0003949391.tif 000026
【００９９】
【化３０】
0003949391.tif 000027
【０１００】
【化３１】
0003949391.tif 000028
【０１０１】
【化３２】
0003949391.tif 000029
【０１０２】
本発明の発光層中に含まれる金属錯体は、配位子を合成すると同時に錯体化しても、また一旦単離した配位子を用いて金属または金属塩との反応により合成できる。
【０１０３】
本発明の金属錯体の原料に用いる金属塩としては、特に限定はないが硝酸塩、ハロゲン塩（フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物など）、硫酸塩、カルボン酸塩（酢酸塩など）、ホスホン酸塩、スルホン酸塩、水酸化物などが好適に用いられ、好ましくは硝酸塩、塩酸塩、硫酸塩、酢酸塩である。
【０１０４】
金属錯体を合成する際に用いる配位子と、金属塩のモル比は合成する錯体に応じて適宜選択するが、通常金属イオンに対して配位子を０．１〜１０倍モル、好ましくは０．５〜８倍モル、更に好ましくは０．５〜６倍モルである。
【０１０５】
また、錯体の合成に際しては塩基を用いることができる。塩基としては、種々の無機または有機塩基を用いることができ、例えば金属水酸化物（例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど）、金属炭酸塩（例えば炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなど）、金属炭酸水素塩（例えば炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなど）、有機塩基（例えばトリエチルアミン、ナトリウムアルコキシドなど）の使用が好ましい。
【０１０６】
使用する塩基の量は、特に限定しないが、好ましくは配位子に対して０．０１当量〜３０当量、より好ましくは１当量〜１０当量である。
金属錯体の合成に溶媒を用いてもよく、溶媒としては特に限定はないが水、アルコール類（例えばメタノール、エタノール、２−プロパノールなど）、エステル類（例えば酢酸エチルなど）、エーテル類（例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサンなど）、アミド類（例えばジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなど）、ニトリル類（例えばアセトニトリルなど）、ケトン類（例えばアセトン、シクロヘキサノンなど）、炭化水素類（例えばヘキサン、ベンゼン、トルエンなど）、ハロゲン化炭化水素類（例えばジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタンなど）、カルボン酸類（例えば酢酸など）などを用いることができる。また、これら溶媒を混合して用いてもよい。溶媒として好ましくはアルコール類、エーテル類、ケトン類であり、より好ましくはアルコール類であり、特に好ましくはメタノール、エタノール、２−プロパノールである。金属錯体を合成する際の反応温度は特に限定はないが、好ましくは１０〜１５０℃、好ましくは１０〜１００℃、より好ましくは１０〜８０℃である。
【０１０７】
次に、本発明の化合物を含有する発光素子に関して説明する。本発明の発光素子は、本発明の化合物を利用する素子であればシステム、駆動方法、利用形態など特に問わないが、本発明の化合物からの発光を利用するもの、または本化合物を電荷輸送材料として利用する物が好ましい。代表的な発光素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を挙げることができる。
【０１０８】
本発明の化合物を含有する発光素子の有機層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法、印刷法などの方法が用いられ、特性面、製造面で抵抗加熱蒸着、コーティング法、転写法が好ましい。
【０１０９】
本発明の発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物層を形成した素子であり、発光層のほか正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有してもよく、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよい。各層の形成にはそれぞれ種々の適宜材料を用いることができる。
【０１１０】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１１１】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、例えばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げて、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【０１１２】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物または酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物または酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。陰極は、上記化合物及び混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウム の積層構造が好ましい。陰極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
【０１１３】
陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【０１１４】
発光層の材料は、電界印加時に陽極または正孔注入層、正孔輸送層から正孔を注入することができると共に陰極または電子注入層、電子輸送層から電子を注入することができる機能や、注入された電荷を移動させる機能、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層を形成することができるものであれば何でもよく、また、一重項励起子、または、三重項励起子のいずれから発光する物であっても良い。例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体、本発明の化合物等が挙げられる。発光層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０１１５】
発光層の形成方法は、特に限定されるものではないが、抵抗加熱蒸着、電子ビーム、スパッタリング、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、ＬＢ法、転写法などの方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
【０１１６】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、カーボン膜、本発明の化合物等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１１７】
正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、転写法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【０１１８】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。その具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、本発明の化合物等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の１種または２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０１１９】
電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法など）、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【０１２０】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ＳｉＯxＮy、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
【０１２１】
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０１２２】
【実施例】
以下に本発明の実施例について説明するが、本発明の実施の態様はこれらに限定されない。
【０１２３】
（１−１）の合成
ピレンホウ酸エステル（下記ａ） １．０ ｇ、１，３，５−トリブロモベンゼン ０．２９ｇ、炭酸ナトリウム ０．６ｇ、トリフェニルホスフィン ０．０５ｇ、パラジウムカーボン ０．０５ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル ２０ｍｌ、水 ２０ｍｌ を加え還流攪拌した。６時間後、反応溶液をクロロホルム２００ｍｌ、水２００ｍｌで希釈し、セライト（和光純薬）ろ過した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を濃縮した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、再結晶（クロロホルム／メタノール）で精製し （１−１） ０．５ｇ を得た。（１−１）の蒸着膜（膜厚１００ｎｍ）を作製し、その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λｍａｘは ４８０ｎｍであった。化合物のガラス転移点（Ｔｇ）を測定したところ、１６４℃であった。
【０１２４】
【化３３】
0003949391.tif 000030
【０１２５】
（１−２）の合成
フェナントレンホウ酸エステル １．５ ｇ、１，３，５−トリブロモベンゼン０．４７ｇ、炭酸ナトリウム １．６ｇ、トリフェニルホスフィン ０．０７ｇ、パラジウムカーボン ０．０７ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル ３０ｍｌ、水 ３０ｍｌ を加え還流攪拌した。６時間後、反応溶液をクロロホルム２００ｍｌ、１Ｍ塩酸水２００ｍｌで希釈し、セライトろ過した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を濃縮した。カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル系）で精製した後、再結晶（クロロホルム／メタノール）で精製し （１−２） １．０ｇ を得た。ＭＳスペクトルを測定し、（１−２）の構造を確認した。（１−２）の蒸着膜を作製し、その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λｍａｘは ３８０ｎｍであった。
【０１２６】
【化３４】
0003949391.tif 000031
【０１２７】
（１−３９）の合成
ピレンホウ酸エステル １．０ ｇ、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン ０．２８ｇ、炭酸ナトリウム ０．８８ｇ、トリフェニルホスフィン ０．０５ｇ、パラジウムカーボン ０．０５ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル ３０ｍｌ、水 ３０ｍｌ を加え還流攪拌した。６時間後、反応溶液をクロロホルム２００ｍｌ、１Ｍ塩酸水２００ｍｌで希釈し、セライトろ過した。有機層を水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を濃縮した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、再結晶（クロロホルム／メタノール）で精製し （１−３９） ０．４ｇ を得た。ＭＳ スペクトルを測定し（１−３９）の構造を確認した。
【０１２８】
【化３５】
0003949391.tif 000032
【０１２９】
（１−４０）の合成
フェナントレンホウ酸エステル １．１５ ｇ、１，２，４，５−テトラブロモベンゼン ０．３５ｇ、炭酸ナトリウム ０．９６ｇ、トリフェニルホスフィン ０．０７ｇ、パラジウムカーボン ０．０７ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル ３０ｍｌ、水 ３０ｍｌ を加え還流攪拌した。６時間後、室温に冷却し、セライトろ過した。ろ別した固体をクロロホルムに溶解し、セライトろ過し、パラジウムカーボンを除去した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、再結晶（クロロホルム／メタノール） で精製し（１−４０） ０．５ｇ を得た。ＭＳスペクトル測定により（１−４０）の構造を確認した。（１−４０）の蒸着膜を作製し、その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λｍａｘは ４４０ｎｍであった。
【０１３０】
【化３６】
0003949391.tif 000033
【０１３１】
（１−３５）の合成
１，３，５−トリブロモベンゼン２５ｇにジエチルエーテル２５０ｍｌを加え、窒素気流下 −７８℃に冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ ヘキサン溶液）５２ｍｌを滴下し、室温に昇温した。アンスロン１５．４ｇを分割添加し、加熱還流下３時間攪拌した。室温に冷却した溶液に酢酸エチル５００ｍｌ、１Ｍ塩酸水３００ｍｌを加え、有機層を分取した。有機層を飽和食塩水３００ｍｌで洗浄した後、濃縮した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製し化合物Ａを１．５ｇ得た。
ピレンホウ酸エステル ０．８４ ｇ、化合物Ａ ０．５ｇ、炭酸ナトリウム ０．５１ｇ、トリフェニルホスフィン ０．０５ｇ、パラジウムカーボン ０．０５ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル ３０ｍｌ、水 ３０ｍｌ を加え還流攪拌した。６時間後、室温に冷却し、セライトろ過した。ろ別した固体をクロロホルムに溶解し、セライトろ過し、パラジウムカーボンを除去した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、再結晶（クロロホルム／メタノール）で精製し （１−３５） ０．３ｇ を得た。ＭＳスペクトル測定により（１−３５）の構造を確認した。（１−３５）の蒸着膜を作製し、その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λｍａｘは ４７０ｎｍであった。
【０１３２】
【化３７】
0003949391.tif 000034
【０１３３】
（１−３７）の合成
１，３，５−トリブロモベンゼン１０ｇにジエチルエーテル１５０ｍｌを加え、窒素気流下 −７８℃に冷却した。ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ ヘキサン溶液）４１．７ｍｌを滴下し、室温に昇温した。アンスロン１３．０ｇを分割添加し、加熱還流下３時間攪拌した。ジエチルエーテルを蒸留除去し、トルエン２００ｍｌ、パラトルエンスルホン酸 ０．１ｇを加え加熱還流下３時間攪拌した。室温に冷却した溶液にクロロホルム３００ｍｌ、水３００ｍｌを加え、有機層を分取、濃縮した。カラムクロマトグラフィー（クロロホルム）で精製した後、晶析し（クロロホルム／ヘキサン）、化合物Ｂ ２．０ｇを得た。
ピレンホウ酸エステル ０．２７ ｇ、化合物Ｂ ０．４ｇ、炭酸ナトリウム ０．１７ｇ、トリフェニルホスフィン ０．０５ｇ、パラジウムカーボン ０．０５ｇにジエチレングリコールジメチルエーテル ３０ｍｌ、水 ３０ｍｌ を加え還流攪拌した。６時間後、室温に冷却し、セライトろ過した。ろ別した固体をクロロホルムに溶解し、セライトろ過し、パラジウムカーボンを除去した。カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル系 で溶出し、そのあとクロロホルム系で溶出）で精製した後、再結晶で精製し（クロロホルム／メタノール） （１−３７） ０．１ｇ を得た。ＭＳスペクトル測定により（１−３７）の構造を確認した。（１−３７）の蒸着膜を作製し、その膜蛍光を測定したところ、膜蛍光極大波長λｍａｘは ４６７ｎｍであった。
【０１３４】
【化３８】
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【０１３５】
比較例１
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、ジスチリル化合物 ｂ を２０ｎｍ蒸着し、この上にアゾール化合物 ｃ を４０ｎｍ蒸着した。有機薄膜上にパターニングしたマスク（発光面積が４ｍｍ×５ｍｍとなるマスク）を設置し、蒸着装置内でマグネシウム：銀＝１０：１を５０ｎｍ共蒸着した後、銀５０ｎｍを蒸着し、素子を作製した。東陽テクニカ製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加し発光させ、その輝度をトプコン社の輝度計ＢＭ−８、発光波長を浜松フォトニクス社製スペクトルアナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。その結果、色度値（０．１５，０．２０）の青緑色発光が得られ、最高輝度１１３０ｃｄ／ｍ2の輝度が得られた。窒素雰囲気下１日放置したところ、膜面の白濁が観察された。
【０１３６】
比較例２
化合物ｂの替わりに、本発明の化合物（１−１）を用い、比較例１と同様に素子作製評価した。その結果、（０．１７，０．３１）の青緑色発光を得、最高輝度１２７４０ｃｄ／ｍ2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ（発光輝度、発光スペクトル、電流密度、比視感度曲線より算出）、φEL＝１．８％ であった。窒素雰囲気下１日放置したが、膜面は透明であった。また、 １００ ｃｄ／ｍ2 で２時間連続発光させたところ、駆動電圧が １．０Ｖ上昇した。
【０１３７】
【化３９】
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【０１３８】
実施例１
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物（１−１）と化合物（２−１）を１対１の比で共蒸着し、この上にアゾール化合物 ｃ を４０ｎｍ蒸着した。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、（０．１６，０．２２）の青色発光で、最高輝度７０００ｃｄ／ｍ2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、φEL＝２．０％ であった。窒素雰囲気下１日放置したが、膜面は透明であった。また、 １００ ｃｄ／ｍ2 で２時間連続発光させたところ、駆動電圧が０．３Ｖ上昇した。
【０１３９】
実施例２
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物（１−１）と（２−２）を１対１の比で共蒸着し、この上にアゾール化合物ｃ を４０ｎｍ蒸着した。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、（０．１６，０．２４）の青色発光で、最高輝度５３００ｃｄ／ｍ2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、φEL＝１．８％ であった。窒素雰囲気下１日放置したが、膜面は透明であった。また１００ ｃｄ／ｍ2 で２時間連続発光させたところ、駆動電圧が０．４Ｖ上昇した。
【０１４０】
実施例３
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物（１−１）と化合物（２−９）を１対１の比で共蒸着し、この上にアゾール化合物 ｃ を４０ｎｍ蒸着した。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、（０．１６，０．１９）の青緑色発光で、最高輝度７３００ｃｄ／ｍ2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、φEL＝１．９％ であった。窒素雰囲気下１日放置したが、膜面は透明であった。また１００ ｃｄ／ｍ2 で２時間連続発光させたところ、駆動電圧が０．３Ｖ上昇した。
【０１４１】
実施例４
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物（１−１）と化合物（２−１３）を１対１の比で共蒸着し、この上にアゾール化合物 ｃ を４０ｎｍ蒸着した。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、（０．１６，０．２１）の青緑色発光で、最高輝度４１００ｃｄ／ｍ2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、φEL＝１．８％ であった。窒素雰囲気下１日放置したが、膜面は透明であった。また１００ ｃｄ／ｍ2 で２時間連続発光させたところ、駆動電圧が０．３Ｖ上昇した。
【０１４２】
実施例５
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物（１−２）と化合物（２−１７）を１対１の比で共蒸着し、この上にアゾール化合物 ｃ を４０ｎｍ蒸着した。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、（０．１６，０．１８）の青色発光で、最高輝度３０００ｃｄ／ｍ2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、φEL＝１．７％ であった。窒素雰囲気下１日放置したが、膜面は透明であった。また１００ ｃｄ／ｍ2 で２時間連続発光させたところ、駆動電圧が０．６Ｖ上昇した。
【０１４３】
実施例６
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物（１−１）と化合物（２−３１）を１対１の比で共蒸着し、この上にアゾール化合物 ｃ を４０ｎｍ蒸着した。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、（０．１６，０．１８）の青色発光で、最高輝度５６００ｃｄ／ｍ2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、φEL＝１．９％ であった。窒素雰囲気下１日放置したが、膜面は透明であった。また１００ ｃｄ／ｍ2 で２時間連続発光させたところ、駆動電圧が０．３Ｖ上昇した。
【０１４４】
実施例７
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物（１−１）と化合物（２−３７）を１対１の比で共蒸着し、この上にアゾール化合物 ｃ を４０ｎｍ蒸着した。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、（０．１６，０．２０）の青色発光で、最高輝度４４００ｃｄ／ｍ2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、φEL＝１．９％ であった。窒素雰囲気下１日放置したが、膜面は透明であった。また１００ ｃｄ／ｍ2 で２時間連続発光させたところ、駆動電圧が０．４Ｖ上昇した。
【０１４５】
実施例８
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物（１−１）と化合物（２−１）を１０対１の比で共蒸着し、この上にアゾール化合物 ｃ を４０ｎｍ蒸着した。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、（０．１７，０．２５）の青色発光で、最高輝度８９００ｃｄ／ｍ2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、φEL＝１．８％ であった。窒素雰囲気下１日放置したが、膜面は透明であった。また１００ ｃｄ／ｍ2 で２時間連続発光させたところ、駆動電圧が０．６Ｖ上昇した。
【０１４６】
実施例９
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物（１−１）と化合物（２−１）を１対１０の比で共蒸着し、この上にアゾール化合物 ｃ を４０ｎｍ蒸着した。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、（０．１６，０．１７）の青色発光で、最高輝度３８００ｃｄ／ｍ2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、φEL＝１．７％ であった。窒素雰囲気下１日放置したが、膜面は透明であった。また１００ ｃｄ／ｍ2 で２時間連続発光させたところ、駆動電圧が０．８Ｖ上昇した。
【０１４７】
実施例１０
洗浄したＩＴＯ基板を蒸着装置に入れ、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−ベンジジン）を４０ｎｍ蒸着し、この上に、化合物（１−２）と化合物（２−１）を１対１の比で共蒸着し、この上にアゾール化合物 ｃ を４０ｎｍ蒸着した。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、（０．１６，０．１６）の青色発光で、最高輝度３２００ｃｄ／ｍ2を得た。素子の外部量子効率を算出したところ、φEL＝１．６％ であった。窒素雰囲気下１日放置したが、膜面は透明であった。また１００ ｃｄ／ｍ2 で２時間連続発光させたところ、駆動電圧が０．８Ｖ上昇した。
【０１４８】
実施例１１
ポリビニルカルバゾール ４０ｍｇ、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール １２ｍｇ、（１−１） １ｍｇ、（２−３１）１ｍｇ をジクロロエタン ２．５ｍｌ に溶解し、洗浄したＩＴＯ基板上にスピンコートした（１５００ｒｐｍ，２０ｓｅｃ）。有機層の膜厚は１２０ｎｍであった。比較例１と同様に陰極蒸着、素子評価した結果、（０．１６，０．１９）の青色発光で、最高輝度２０００ｃｄ／ｍ2を得た。
【０１４９】
同様に本発明の化合物を含有することにより、高効率・高耐久性の青色発光ＥＬ素子が作製できる。また橙〜赤色の発光色素 （例えば ＤＣＭ （7,4-(Dicyanomethlene)-2-methyl-6-(4-dimethylaminostyryl)-4H-pyran）に代表されるピラン誘導体、Ｉｒ（ａｃａｃ）（ｐｈｑ）2 （ａｃａｃ＝アセチルアセトン，ｐｈｑ＝フェニルキノリン） 錯体に代表される遷移金属錯体など） を発光層に含有させることにより、高効率・高耐久白色発光素子が作製できる。
【０１５０】
【発明の効果】
本発明の発光素子は発光特性（色純度や外部量子効率（φEL））、耐久性（膜面の白濁がなく、駆動電圧の経時的上昇が小さい）に優れ、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。