(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダと、薄膜磁気ヘッド素子とを含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有しており、
前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜と、コイル膜と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性膜とを含み、前記スライダの空気流出端側の端面上に搭載されており、
前記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク部とを含み、
前記第１のポール部は、前記空気ベアリング面側の端部によって構成され、
前記第１のヨーク部は、前記第１のポール部に連続し、前記空気ベアリング面を基準にして前記第１のポール部の後方に延びており、
前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、第２のヨーク部とを含み、
前記第２のポール部は、前記ギャップ膜を介して、前記第１のポール部と対向し、
前記第２のヨーク部は前記第２のポール部に連続し、後方結合部で前記第１のヨーク部と結合されており、
前記コイル膜は、ほぼ同一平面上で、前記後方結合部の周りをうず巻き状に回るように配置されており、
前記絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、前記第１のヨーク部の上方に備えられ、最上層に位置する絶縁膜はその表面に前記第２のヨーク部が形成されており、最上層に位置するコイル膜は、前記ポール部と前記後方結合部との間において、前記空気ベアリング面に最も近いコイル部分の膜厚が、中間部に位置するコイル部分の膜厚よりも小さく、
前記最上層に位置するコイル膜は、中間部に位置するコイル部分の膜厚が最大であり、その前後方向で小さくなり、
膜厚の薄いコイル部分は、断面幅が、膜厚の厚い他のコイル部分の断面幅よりも小さい
薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドであって、
読み取り素子となる磁気抵抗効果素子を含む
薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項２に記載された薄膜磁気ヘッドであって、
前記磁気抵抗効果素子は、スピンバルブ膜構造を含む
薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項２または３の何れかに記載された薄膜磁気ヘッドであって、
さらに、第１のシールド膜及び第２のシールド膜を含んでおり、
前記磁気抵抗効果素子は、前記第１のシールド膜及び前記第２のシールド膜の間に配置されており、
前記第１の磁性膜は、前記第２のシールド膜によって構成されている
薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
薄膜磁気ヘッドのコイル膜を形成するためのフレームメッキ方法であって、
メッキ下地膜の上に、開口部の幅の異なるレジストフレームを形成し、
前記メッキ下地膜の上に前記開口部の幅に応じた膜厚を有するコイルメッキ膜を成長させ、
前記コイルメッキ膜の膜厚は、前記開口部の幅が大きいほど、厚く形成されている、
フレームメッキ方法。
【請求項６】
請求項５に記載されたフレームメッキ方法であって、
前記コイル膜は、直流メッキ法によって形成する
フレームメッキ方法。
【請求項７】
薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気ヘッド素子とを含み、
前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有しており、
前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜と、コイル膜と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性膜とを含み、前記スライダの空気流出端側の端面上に搭載されており、
前記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク部とを含み、
前記第１のポール部は、前記空気ベアリング面側の端部によって構成され、
前記第１のヨーク部は、前記第１のポール部に連続し、前記空気ベアリング面を基準にして前記第１のポール部の後方に延びており、
前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、第２のヨーク部とを含み、
前記第２のポール部は、前記ギャップ膜を介して、前記第１のポール部と対向し、
前記第２のヨーク部は前記第２のポール部に連続し、後方結合部で前記第１のヨーク部と結合されており、
前記コイル膜は、ほぼ同一平面上で、前記後方結合部の周りをうず巻き状に回るように配置されており、
前記絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、前記第１のヨーク部の上方に備えられ、最上層に位置する絶縁膜はその表面に前記第２のヨーク部が形成されており、
最上層に位置するコイル膜は、前記ポール部と前記後方結合部との間において、前記空気ベアリング面に最も近いコイル部分の膜厚が、中間部に位置するコイル部分の膜厚よりも小さい値になっており、
前記最上層に位置するコイル膜を形成する工程は、メッキ下地膜の上に、前記コイル部分の膜厚に対応した幅の開口部を有するレジストフレームを形成し、
前記開口部を通して前記メッキ下地膜の上にメッキ膜を成長させる
工程を含み、
前記コイル膜を形成するメッキ膜の膜厚は、前記開口部の幅が大きいほど、厚く形成されている、
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載された製造方法であって、
磁気抵抗効果素子を形成する工程を含む
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
薄膜磁気ヘッドの製造方法において、通常、上部磁性膜となる第２の磁性膜は、ウエハー上に、第１の磁性膜（下部磁性膜）、ギャップ膜、及び、コイル膜を支持する絶縁膜を形成した後に形成される。コイル膜は、絶縁膜によって支持され、第１の磁性膜と第２の磁性膜とを結合する後方結合部の周りをうず巻き状に回るように形成される。コイル膜は一定の膜厚となるように形成される。
【０００３】
第２の磁性膜を形成するに当たっては、絶縁膜を含むウエハーの全面に、第２の磁性膜のためのメッキ下地膜を、例えば、スパッタ等の手段によって形成する。次に、メッキ下地膜の表面にフォトレジストを塗布し、塗布されたフォトレジストにフォトリソグラフィ工程を施して、第２の磁性膜のためのレジストフレームを作成する。次に、レジストフレームによって囲まれた領域内に、第２の磁性膜を電気メッキ等の手段によって形成する。
【０００４】
第２の磁性膜形成工程において生じる問題点の一つは、レジストフレームを形成するためのフォトリソグラフィ工程において、露光光が絶縁膜の表面で反射し、その反射光のために、フォトマスクで画定されるべき領域外まで、フォトレジストが露光されてしまい、レジストフレームのパターン精度、延ては第２の磁性膜のパターン精度が低下してしまうことである。
【０００５】
この問題は、特に、ポール部において、顕著になる。ポール部では、第２の磁性膜は、ギャップ膜を介して、第１の磁性膜に対向している。ポール部の後方には絶縁膜が位置しており、絶縁膜はギャップ膜の面からある角度で傾斜しながら立ち上がっている。立ち上がり開始点がスロートハイト(Throat Hight)零点に対応し、立ち上がり角度がエイペックス角(Apex Angle)に対応する。
【０００６】
第２の磁性膜は、スロートハイト零点まではギャップ膜及び第１の磁性膜と平行なポール部を構成し、スロートハイト零点から絶縁膜の上面に向かって、エイペックス角で傾斜するように形成される。
【０００７】
従って、第２の磁性膜のためのレジストフレームをフォトリソグラフィによって形成する場合、スロートハイト零点から絶縁膜の上面に向かってエイペックス角で傾斜する傾斜部分に付着したフォトレジストをも露光しなければならない。
【０００８】
このとき、傾斜部分には、既に、メッキ下地膜が付着しているから、露光光がメッキ下地膜によって反射される。反射された露光光の一部は、ポール部の方向に反射される。このため、ポール部の露光パターンが、フォトマスクによる露光パターンとは異なる結果となり、ポール部に対応するレジストフレームに、パターン崩れを生じる。
【０００９】
ポール部におけるレジストフレームのパターン崩れは、記録トラック幅を、例えば１．０μｍ以下まで超狭小化して高密度記録を図ろうとする場合に極めて大きな障害となる。
【００１０】
特開平９ー１８０１２７号公報は、上部磁性膜用マスクとなるフォトレジストを塗布する前に、反射防止膜を形成しておき、この反射防止膜上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジストを露光、現像することにより、第２の磁性膜用マスクとなるレジストフレームを形成する技術を開示している。レジストフレームを形成した後、反射防止膜を、アッシング等の手段によって除去し、次に、第２の磁性膜をメッキ等の手段によって形成する。
【００１１】
上述した従来技術の場合、反射防止膜は、レジストフレームによって囲まれた内部パターンの全面に存在する。レジストフレームの内部パターンには、上部磁性膜のポール部に対応するポール部領域と、ヨーク部に対応する第２のヨーク部とが存在する。従って、反射防止膜は、ポール部領域と、第２のヨーク部との両領域において除去する必要がある。
【００１２】
ところが、レジストフレームにおいて、ポール部領域と、第２のヨーク部とでは、開口面積が著しく異なる。しかも、高密度記録に対応するため、ポール部領域の開口面積は、例えば、１μｍ以下の微小寸法に狭小化される傾向にある。このため、レジストフレームによって囲まれた内部パターンに付着している反射防止膜を除去する場合、第２のヨーク部と、ポール部領域とでは、エッチングレートが著しく異なり、ポール部領域では、第２のヨーク部よりも、長時間のエッチング時間を必要とする。この結果、ポール部領域において、反射防止膜を除去する間に、レジストフレームが大きくエッチングされてしまい、レジストフレーム間隔が広がってしまう。即ち、ポール幅狭小化のために設けた筈の反射防止膜が、除去工程を必要とするために、レジストフレーム間隔を拡大させ、ポール幅狭小化の障害となってしまうのである。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、絶縁膜の上に形成される磁性膜を、高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッド、及び、その製造方法を提供することである。
【００１４】
本発明のもう一つの課題は、絶縁膜の上に形成される磁性膜のポール部を高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッド、及び、その製造方法を提供することである。
【００１５】
本発明の更にもう一つの課題は、狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッド、及び、その製造方法を提供することである。
【００１６】
本発明の更にもう一つの課題は、コイル膜の全体としても電気抵抗値を増大させないで、上述した各課題を達成し得る薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上述した課題解決のため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダと、薄膜磁気ヘッド素子とを含む。前記スライダは、媒体対向面側に空気ベアリング面を有する。前記薄膜磁気ヘッド素子は、第１の磁性膜と、コイル膜と、絶縁膜と、ギャップ膜と、第２の磁性膜とを含み、前記スライダの空気流出端側の端面上に搭載されている。
【００１８】
前記第１の磁性膜は、第１のポール部と、第１のヨーク部とを含む。前記第１のポール部は、前記空気ベアリング面側の端部によって構成されている。前記第１のヨーク部は、前記第１のポール部に連続し、前記空気ベアリング面を基準にして前記第１のポール部の後方に延びている。
【００１９】
前記第２の磁性膜は、第２のポール部と、第２のヨーク部とを含む。前記第２のポール部は、前記ギャップ膜を介して、前記第１のポール部と対向する。前記第２のヨーク部は前記第２のポール部に連続し、後方結合部で前記第１のヨーク部と結合されている。
【００２０】
前記コイル膜は、ほぼ同一平面上で、前記後方結合部の周りをうず巻き状に回るように配置されている。前記絶縁膜は、前記コイル膜を支持し、前記第１のヨーク部の上方に備えられ、最上層に位置する絶縁膜はその表面に前記第２のヨーク部が形成されている。
【００２１】
上述した構造は、薄膜磁気ヘッドにおいて、一般的に採用される構造である。本発明の特徴は、上述した一般的構造において、最上層に位置するコイル膜は、前記ポール部と前記後方結合部との間において、前記空気ベアリング面に最も近いコイル部分の膜厚が、中間部に位置するコイル部分の膜厚よりも小さくなるようにしたことである。上記構造によれば、種々の利点が得られる。
【００２２】
まず、最上層に位置するコイル膜は、ポール部と後方結合部との間において、空気ベアリング面に最も近いコイル部分の膜厚が、中間部に位置するコイル部分の膜厚よりも小さいから、最上層の絶縁膜の膜厚を、空気ベアリング面に最も近い位置で最小になり、ポール部から後方結合部に向かう中間部で、厚くなる膜厚分布となるように選定することができる。このため、第２の磁性膜を覆う最上層の絶縁膜の立ち上がり傾斜角度が緩やかになり、特に、第２の磁性膜において、第２のポール部を決めるフォトレジストの露光パターンが、フォトマスクによる露光パターンによってほぼ定まるようになり、第２のポール部に対応するレジストフレームのパターンを高精度で設定できるようになる。従って、本発明によれば、高精度のパターンを有する第２のポール部を形成することができる。また、第２のポール部に対応するレジストフレームのパターンを高精度で設定できるので、狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００２３】
しかも、反射防止膜を設ける必要がない。このため、第２のヨーク部と、第２のポール部におけるエッチングレートの相違に起因するレジストフレームのパターン精度の低下、及び、レジストフレームの高さ低下等の問題を生じる余地がない。従って、第２のポール部及び第２のヨーク部を高精度のパターンで形成することができる。
【００２４】
更に、コイル膜は、ポール部から後方結合部に向かう中間部では厚くなるから、全体として、電気抵抗値の増大を抑えることができる。
【００２５】
本発明は更に、上述したコイル膜を形成するためのフレームメッキ方法を開示する。このフレームメッキ法では、メッキ下地膜の上に、開口部の幅の異なるレジストフレームを形成する。そして、前記メッキ下地膜の上に前記開口部の幅に応じた膜厚を有するコイルメッキ膜を成長させる。
【００２６】
この方法によると、レジストフレームの開口部の幅（フレーム間隔）が小さいところでは、コイルメッキ膜厚を薄くし、フレーム間隔が広いところでは、コイルメッキ膜厚を厚くすることができる。従って、本発明に係る薄膜磁気ヘッドに必要なコイル膜を、レジストフレームのフレーム間隔の選定によって、容易に得ることができる。この場合に採用されるメッキ方法は直流メッキ法よる。
【００２７】
本発明は、種々のタイプの薄膜磁気ヘッドに適用される。例えば、一般的構造を持つ薄膜磁気ヘッドに限らず、セルフアライメント型（以下ＳＡ型と称する）薄膜磁気ヘッドにも適用できる。ＳＡ型の薄膜磁気ヘッドでは、前記絶縁膜は、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜とを含む。前記第１の絶縁膜は、前記コイル膜を支持する。前記第２の絶縁膜は、前記空気ベアリング面側において前記第１の絶縁膜の基部に備えられ、スロートハイト零点を決定する。
【００２８】
本発明の他の目的、構成及び利点は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明する。
【００２９】
【発明の実施の形態】
図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図、図２は図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図である。これらの図において、寸法は誇張されている。図示された薄膜磁気ヘッドは、スライダ１と、少なくとも１つの誘導型薄膜磁気変換素子２とを含む。
【００３０】
スライダ１は媒体対向面側にレール部１１、１２を有し、レール部１１、１２の基体表面が空気ベアリング面（以下ＡＢＳと称する）１３、１４として用いられる。レール部１１、１２は２本に限らない。例えば、１〜３本のレール部を有することがあり、レール部を持たない平面となることもある。また、浮上特性改善等のために、媒体対向面に種々の幾何学的形状が付され、種々の形状を持つＡＢＳとされることもある。何れのタイプであっても、本発明の適用が可能である。スライダ１は、AlTiC等のセラミック材料によって構成される。
【００３１】
薄膜磁気変換素子２は、第１の磁性膜２１と、ギャップ膜２４と、第２の磁性膜２２と、コイル膜２３、２７１〜２７６と、絶縁膜２５１〜２５３と、保護膜２６とを含み、スライダ１上に設けられている。第１の磁性膜２１は、第１のポール部２１０、及び、第１のヨーク部２１１を有する。第１のポール部２１０は、ＡＢＳ１３、１４側の端部によって構成されている。第１のヨーク部２１１は、第１のポール部２１０に連続し、ＡＢＳ１３、１４を基準にして第１のポール部２１０の後方に延びている。
【００３２】
図示実施例では、２層のコイル膜２３、及び、２７を含んでいる。これらのコイル膜２３、２７は連続するうず巻き状のパターンとして形成される。コイル膜２３は絶縁膜２５１によって支持され、絶縁膜２５２によって覆われている。コイル膜２７は絶縁膜２５１の上に積層された絶縁膜２５２の上に備えられ、最上層のコイル膜を構成する。コイル膜２７は、最上層となる絶縁膜２５３によって覆われている。図示実施例では、２層のコイル膜２３、及び、２７を含んでいるが、その巻数および層数は任意である。ギャップ膜２４は、少なくとも第１のポール部２１０の面上に備えられている。
【００３３】
絶縁膜２５１〜２５３は、第１のヨーク部２１１の上方に備えられ、ＡＢＳ１３、１４側に、ギャップ膜２４の一面から立ち上がり傾斜部を有している。傾斜部の表面は、一般には、絶縁膜２５１〜２５３の層数に応じた円弧形状となる。
【００３４】
第２の磁性膜２２は、第２のポール部２２０と、第２のヨーク部２２１とを含む。第２のポール部２２０は、ギャップ膜２４を介して、第１のポール部２１０と対向している。第２のヨーク部２２１は、絶縁膜２５３の上に備えられ、第２のポール部２２０に連続し、後方で第１のヨーク部２１１と結合されている。
【００３５】
第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４、第２の磁性膜２２、コイル膜２３、２７絶縁膜２５１〜２５３及び保護膜２６は、当業者に周知の組成材料、厚み及びパターンを有し、通常の手段に従って製造することができる。その好ましい具体例を挙げると次の通りである。
【００３６】
まず、第１の磁性膜２１はNiFe、CoFe、CoFeNi等の軟磁性材料を用いて、０．５〜４μｍ程度の膜厚となるように形成する。形成手段として、メッキ法やスパッタ法等を用いることができる。
【００３７】
第２の磁性膜２２はNiFe、CoFe、CoFeNi等の軟磁性材料を用いて、３〜５μｍ程度の膜厚となるように形成する。形成手段としては、フレームメッキ法等を用いることができる。
【００３８】
コイル膜２３、２７はＣｕ等の導電性材料から構成される。コイル膜２３、２７の膜厚は２〜５μｍ程度が好ましい。コイル膜２３、２７の形成には、フレームメッキ法等を用いる。
【００３９】
ギャップ膜２４はAl2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料、または、非磁性金属材料によって構成することができる。Al2O3、SiO2等の非磁性絶縁材料で構成する場合は、スパッタ法等を用いることができる。非磁性金属材料によって構成する場合は、メッキ法またはスパッタ法を用いることができる。膜厚は０．０１〜０．５μｍ程度が好ましい。
【００４０】
絶縁膜２５１〜２５３はフォトレジスト材料を硬化させて形成することが好ましい。絶縁膜２５１〜２５３は、コイル膜２３、２７の層数、及び、コイル支持構造に応じて、その層数が変化し、膜厚もそれに伴って変化する。一般には、３〜２０μｍ程度の膜厚を有する。
【００４１】
保護膜２６はAl2O3、SiO2等の絶縁材料によって構成することができる。膜厚は５〜５０μｍ程度が好ましい。保護膜２６はスパッタ法等によって形成することが好ましい。
【００４２】
コイル膜２３、２７は、第１の磁性膜２１、第２の磁性膜２２及びギャップ膜２４とともに薄膜磁気回路を構成する。コイル膜２３、２７は、絶縁膜２５１〜２５３によって支持され、後方結合部２２２のまわりを渦巻状にまわるように形成されている。コイル膜２３、２７は連続するうず巻きパターンを構成するように接続され、その両端が、取り出し電極３３、３４に導通されている（図１参照）。
【００４３】
図示された薄膜磁気ヘッドにおいて、スライダ１は、媒体対向面側にＡＢＳ１３、１４を有し、薄膜磁気変換素子２はスライダ１上に設けられているから、磁気ディスク等の磁気記録媒体と組み合わせて用いられる浮上型の薄膜磁気ヘッドとして用いることができる。
【００４４】
第２の磁性膜２２の第２のヨーク部２２１は、後方側が第１の磁性膜２１と磁気的に結合されているから、コイル膜２３、２７に書き込み電流を流すことによって発生した磁界を、第２のヨーク部２２１によって、第１のポール部２１０及び第２のポール部２２０に効率良く伝送することができる。
【００４５】
図１及び図２に示した薄膜磁気ヘッドは、誘導型磁気変換素子２を書き込み専用とし、読み出し用としてＭＲ素子３を有する複合型である。薄膜磁気変換素子２、３は、レール部１１、１２の一方または両者の媒体移動方向ａ１の端部に設けられている。媒体移動方向ａ１は、媒体が高速移動した時の空気の流出方向と一致する。スライダ１の媒体移動方向ａ１の端面には、薄膜磁気変換素子２に接続された取り出し電極３３、３４及び薄膜磁気変換素子３に接続された取り出し電極３５、３６が設けられている。
【００４６】
ＭＲ素子３は、これまで、種々の膜構造のものが提案され、実用に供されている。例えばパーマロイ等による異方性磁気抵抗効果素子を用いたもの、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）効果膜を用いたもの、強磁性トンネル接合効果素子（ＴＭＲ）等がある。本発明において、何れのタイプであってもよい。ＭＲ素子３は、第１のシールド膜３１と、第２のシールド膜を兼ねている第１の磁性膜２１との間において、絶縁膜３２の内部に配置されている。絶縁膜３２はアルミナ等によって構成されている。ＭＲ素子３は、リード導体３５（図２参照）により、取り出し電極３５、３６に接続されている（図１参照）。
【００４７】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの特徴は、上述した一般的構造において、最上層に位置するコイル膜２７のうち、ポール部２１０、２２０と後方結合部２２２との間において、ＡＢＳ１３、１４に最も近いコイル部分２７１の膜厚Ｈ１が、中間部に位置するコイル部分、例えば、コイル部分２７３の膜厚Ｈ３よりも小さいことである。具体的に説明すると、ＡＢＳ１３、１４から後方結合部２２２に向かう方向に、順次に配置されたコイル部分２７１〜２７６において、その膜厚Ｈ１〜Ｈ６としたとき、コイル部分２７１〜２７３では、Ｈ１＜Ｈ２＜Ｈ３が成立するように選定する。膜厚Ｈ３を有するコイル部分２７３より後方のコイル部分２７４〜２７６についても、Ｈ６＜Ｈ５＜Ｈ４＜Ｈ３のように選定する。
【００４８】
実施例では、膜厚の薄いコイル部分は、断面幅が、膜厚の厚い他のコイル部分の断面幅よりも小さくなっている。具体的には、コイル部分２７１〜２７６について、膜厚がＨ１＜Ｈ２＜Ｈ３、及び、Ｈ６＜Ｈ５＜Ｈ４＜Ｈ３の関係を満たしているので、コイル部分２７１〜２７６の断面幅Ｗ１〜Ｗ６については、Ｗ１＜Ｗ２＜Ｗ３、及び、Ｗ６＜Ｗ５＜Ｗ４＜Ｗ３の関係が成立する。
【００４９】
図４は上述したコイル膜２７を形成するためのフレームメッキ方法を示す図である。このフレームメッキ法では、メッキ下地膜２７０の上に、高さＬで、開口部幅Ｗ１〜Ｗ６の異なるレジストフレームＦＲを形成する。
【００５０】
そして、図５に示すように、メッキ下地膜２７０の上にフレーム間隔Ｗ１〜Ｗ６に応じた膜厚Ｈ１〜Ｈ６を有するコイルメッキ膜２７１〜２７６を成長させる。
【００５１】
この方法によると、レジストフレームＦＲのフレーム間隔Ｗ１〜Ｗ６が小さいところでは、コイルメッキ膜厚Ｈ１〜Ｈ６を薄くし、フレーム間隔Ｗ１〜Ｗ６が広いところでは、コイルメッキ膜厚Ｈ１〜Ｈ６を厚くすることができる。従って、本発明に係る薄膜磁気ヘッドに必要なコイル膜２７を、レジストフレームＦＲのフレーム間隔Ｗ１〜Ｗ６の選定によって、容易に得ることができる。この場合に採用されるメッキ方法は直流メッキ法である。
【００５２】
図６はフレーム間隔Ｗとメッキ膜の膜厚方向の析出レートＴを示すデータである。析出レートＴはＷ＝３μｍとしたときのレートを１として示してある。図示するように、コイルメッキ膜厚の析出レートＴは、レジストフレームＦＲのフレーム間隔Ｗが小さくなると、低くなり、広くなると大きくなる。メッキ浴の組成により、フレーム間隔Ｗに対する析出レートＴの値は変化するが、上述した相対関係は直流メッキの場合、変化しない。従って、レジストフレームＦＲのフレーム間隔Ｗを調整することにより、コイル膜２７のためのメッキ膜厚をコントロールすることができる。
【００５３】
この後、レジストフレームＦＲを有機溶剤を用いた剥離等の通常の手段によって除去し、次に、コイルメッキ膜２７１〜２７６の相互間に現れるメッキ下地膜２７０を、例えばドライエッチング等の手段によって除去する。
【００５４】
上記構造によれば、種々の利点が得られる。まず、最上層に位置するコイル膜２７は、ポール部２１０、２２０と後方結合部２２２との間において、ＡＢＳ１３、１４に最も近いコイル部分２７１の膜厚Ｈ１が、中間部に位置するコイル部分、例えばコイル部分２７３の膜厚Ｈ３よりも小さいから、最上層のコイル膜２７を覆う絶縁膜２５３の膜厚が、ＡＢＳ１３、１４に最も近い位置で最小になり、ポール部２１０、２２０から後方結合部２２２に向かう中間部で、厚くなる膜厚分布となる。例えば、図２、３に示すように、絶縁膜２５３の膜厚を、表面が円弧状となるように選定することができる。このため、第２の磁性膜２２を覆う最上層の絶縁膜２５３において、傾斜部２５０の傾斜角度βが緩やかになる。傾斜角度βは、ポール部側への反射低減問い観点から、好ましくは２０度以下に設定する。
【００５５】
この構造のために、第２の磁性膜２２のフォトリソグラフィ工程において、図７に示すように、フォトマスクＰＨＭを用いて、フォトレジスト６を露光した場合、絶縁膜２５３の傾斜部分２５０において、ポール部方向に反射される露光量ＤＰ１が著しく低減される。この結果、第２の磁性膜２２において、第２のポール部２２０を決めるフォトレジスト６の露光パターンＰ０が、フォトマスクＰＨＭによる露光パターンによってほぼ定まるようになり、第２のポール部２２０に対応するレジストフレーム６のパターンＰ０を高精度で設定できるようになる。
【００５６】
従って、本発明によれば、図８に示すように、高精度のパターンを有する第２のポール部２２０を形成することができる。また、第２のポール部２２０に対応するレジストフレーム６のパターンを高精度で設定できるので、狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００５７】
しかも、反射防止膜を設ける必要がない。このため、第２のヨーク部２２１と、第２のポール部２２０におけるエッチングレートの相違に起因するレジストフレーム６のパターン精度の低下、及び、レジストフレーム６の高さ低下等の問題を生じる余地がない。従って、第２のポール部２２０及び第２のヨーク部２２１を高精度のパターンで形成することができる。
【００５８】
更に、コイル膜２７は、ＡＢＳ１３、１４に近いコイル部分、例えばコイル部分２７１で、膜厚Ｈ１が薄くなるものの、第２のポール部２２０から後方結合部２２２に向かう中間部では厚くなるから、全体として、電気抵抗値の増大を抑えることができる。
【００５９】
第１の磁性膜２１、ギャップ膜２４及び第２の磁性膜２２によって構成されるポール部は、例えば、高密度記録を達成する等のために、種々の構造、態様を取ることがある。本発明は、ポール部の構造または態様が変化した場合にも、幅広く対応できる。
【００６０】
また、実施例は、誘導型磁気変換素子２を書き込み専用とし、読み出し用としてＭＲ素子３を有する複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法を示しているので、ＭＲ素子３を形成する工程も含んでいる。ＭＲ素子３は、誘導型磁気変換素子２よりも前に形成される。
【００６１】
以上、好適な具体的実施例を参照して本発明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れることなく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得ることは、当業者にとって明らかである。
【００６２】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果が得られる。
（ａ）絶縁膜の上に形成される磁性膜を、高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することができる。
（ｂ）絶縁膜の上に形成される磁性膜のポール部を高精度のパターンで形成し得る薄膜磁気ヘッド、及び、その製造方法を提供することができる。
（ｃ）狭小化された記録トラック幅を有する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することができる。
（ｄ）コイル膜の電気抵抗値を増大させないで、上述した効果を奏し得る薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。
【図２】図１に図示された薄膜磁気ヘッドの断面図である。
【図３】図１、２に示した薄膜磁気ヘッドの拡大図である。
【図４】図１、２に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程の一つを示す断面図である。
【図５】図４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図６】フレーム間隔とメッキ膜の膜厚方向の析出レートとの関係を示すデータである。
【図７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの工程を示す図である。
【図８】図７に示した工程の後の工程を示す図である。
【符号の説明】
２                  薄膜磁気変換素子
２１                第１の磁性膜
２２                第２の磁性膜
２１０              第１のポール部
２２０              第２のポール部
２３、２７          コイル膜
２４                ギャップ膜
２５１〜２５３      絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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