(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通して形成された１個以上のガス分配孔を画成するガス分配プレート、
前記ガス分配プレートに熱的に結合されるとともに、前記ガス分配孔に連通するガス入口と、熱交換流体を受け入れるための流体入口と、熱交換流体を排出するための流体出口とを画成するベースプレート、
前記ベースプレートと前記ガス分配プレートとの間の熱交換のために、前記ガス分配プレートを前記ベースプレートに結合する１個以上の取付要素、及び、
前記ベースプレートの各部に形成されるとともに、前記流体入口と前記流体出口とに連通する一つの流体通路
を備え、
前記流体通路が、前記ベースプレート内に形成された複数の溝を備えており、前記複数の溝を通して冷却材を受け入れて前記ベースプレートとの熱交換を行うようになっており、前記複数の溝の少なくとも一つが、前記取付要素に隣接又は近接して配設されており、前記取付要素の近傍における熱伝導率を高めるよう、前記少なくとも一つの溝の横断面積が、それ以外の前記溝の横断面積より小さい、半導体処理チャンバー用のガス分配装置。
【請求項２】
前記複数の溝が相互に流体的に連通し、前記流体入口から前記流体出口まで１本の連続した通路を形成している、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項３】
前記複数の溝が、実質的に前記ガス入口を画成するとともに、前記ベースプレートを横切って相互に半径方向に間隔を空けている、請求項１に記載のガス分配装置。
【請求項４】
処理チャンバーと開口部とを画成するエンクロージャを有する型式の半導体処理チャンバー用のリッドアセンブリであって、
前記エンクロージャの前記開口部を封止するための一体で単一部品のベースプレートであって、前記封止されたエンクロージャ内に位置決めするための下面と、一つのガス入口と、前記エンクロージャへ取り付けるための１個以上の取付要素とを画成する、該ベースプレートと、
前記ベースプレートの下面に取外し可能に取り付けられるとともに、前記ガス入口を前記処理チャンバーに連通させるように形成された１個以上のガス分配孔を画成するガス分配プレートと、
を備え、
前記ベースプレートが、該ベースプレートの各部に形成された流体通路を有し、該流体通路が、前記ベースプレート内に形成された複数の溝であって冷却材を受け入れて前記ベースプレートとの熱交換を行う該複数の溝を備え、前記複数の溝の少なくとも一つが、前記取付要素に隣接又は近接して配設されており、前記取付要素の近傍における熱伝導率を高めるよう、前記少なくとも一つの溝の横断面積が、それ以外の前記溝の横断面積より小さい、
リッドアセンブリ。
【請求項５】
処理チャンバーを画成するエンクロージャ、
前記エンクロージャに取り付けられるとともに、ガス入口と、冷却流体を受け入れるための流体入口と、冷却流体を排出するための流体出口とを画成するベースプレート、
前記ベースプレートの所定部分に形成されて、前記流体入口と前記流体出口とに連通する一つの流体通路、
貫通して形成された１個以上のガス分配孔を画成し、当該ガス分配孔が前記ガス入口を前記処理チャンバーに連通させるようになっているガス分配プレート、及び、
前記ベースプレートと前記ガス分配プレートとの間の熱交換のために、前記ガス分配プレートを前記ベースプレートに結合する１個以上の取付要素、
を備え、
前記ベースプレートが、該ベースプレートの各部に形成された流体通路を有し、該流体通路が、前記ベースプレート内に形成された複数の溝であって冷却材を受け入れて前記ベースプレートとの熱交換を行う該複数の溝を備え、前記複数の溝の少なくとも一つが、前記取付要素に隣接又は近接して配設されており、前記取付要素の近傍における熱伝導率を高めるよう、前記少なくとも一つの溝の横断面積が、それ以外の前記溝の横断面積より小さい、
集積回路デバイス製造装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は集積回路の製作に関する。更に具体的には、本発明は、半導体処理チャンバー用リッドアセンブリ（蓋組立体）の温度調節、真空の完全性維持、及びメンテナンス容易化のための方法と装置を提供する。
【０００２】
【従来の技術】
一般にＶＬＳＩデバイスと呼ばれる高密度集積回路は、半導体ウエハに対して多数の堆積、マスキング、ドーピング及びエッチング処理を行って、ウエハ上に形成されるのが普通である。処理チャンバー内でペデスタルないしはサセプタの上面にウエハを載せ、六フッ化タングステンやシラン等の処理ガスを、チャンバー内に導入してウエハ上に導き種々の堆積及びエッチング工程を実行する。通常、処理ガスは、マニホールドを介してマニホールドヘッド内の水冷式ガス混合チャンバーへ送られて混合される。この冷却は、処理ガスが反応して閾値温度より高い温度でのマニホールドヘッドの壁に固形堆積物を形成するので、しばしば必要になる。冷却されたマニホールドヘッド内での混合後、混合ガスを均一に分配して送り込むように、１枚又は複数のガス分配プレートを有するリッドアセンブリを介して、混合ガスが堆積チャンバー内に導入されウエハ上に導かれる。
【０００３】
処理中、リッドアセンブリにおける複数のガス分配プレート（すなわちガス分配プレート（いわゆるシャワーヘッド）とガス分散プレート（いわゆるブロックプレート））は、それらを通って流れるガスと、処理チャンバー内の加熱されたウエハとから熱を受ける。これらのプレートが閾値温度に達すると、ガス分配システムを通過する処理ガスが反応して大きなパーティクルを形成し、プレートのガス分配孔を詰まらせる可能性がある。更に、プレートの内面に堆積層が形成され、その後、大きなパーティクルとなってウエハ上に剥げ落ちて堆積層を不均一にし、ウエハを汚染する可能性がある。
【０００４】
リッドアセンブリのガス分配プレートは、一般的に、ガス注入カバープレートと取付プレートとに機械的に結合されている。また、ガス注入カバープレート及び取付プレートは、処理チャンバーに取り付けるためのベースプレートに取り付けられている。これら部品間の境界は通常、リッドアセンブリ全体にわたって真空封止を維持するため、ガスシール（例えばＯ−リング）で封止されている。しかし、リッドアセンブリの取付け中、ガスシールを、プレートの対応する溝内で正しく整列させるのは難しい場合が多い。更に、ガスシールの表面や溝は、この取付け中の取扱いによって損傷を受ける可能性がある。正しく取り付けられなかったり、取付け中に損傷を受けたガスシールは漏れの原因となる。この漏れによって、処理中にガスがリッドアセンブリを抜けて、処理チャンバー内の必要圧力を乱す。この必要圧力の乱れは普通、１乃至２ミリトールであり、半導体ウエハ上の堆積の均一性に悪影響を及ぼす。従って、真空の完全性に危惧がある場合、ガスシールを修理するか、取付け直すか、又は交換するか、あるいはリッドアセンブリ全体を交換しなければならない。リッドアセンブリの交換や修理がたび重なると、ウエハの生産コストが上がり、処理装置の休止時間が長引き、処理量が減少し、更にウエハの生産コストが上がる。
【０００５】
処理チャンバーの露出面の定期な清掃やメンテナンスも処理装置の休止時間を長引かせる。例えば、処理ガスにさらされるリッドアセンブリの露出表面は普通、反応堆積物除去のため定期的にクリーニングされる。これを行うためには通常、ガス分配プレートを相互に分離するようにリッドアセンブリを完全に分解しなければならず、これにより、プレートの露出面にアクセスすることができるようになる。リッドアセンブリをクリーニングするための分解は、比較的長時間を要する。更に、クリーニング後のリッドアセンブリの再組立ての際、ガスシールとガス分配プレートを整合し直さなければならないが、これは困難で時間のかかる作業である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従って、半導体製造業界において必要なものは、ウエハ処理装置用の改良されたリッドアセンブリである。改良されたリッドアセンブリの各部品の温度を閾値以下に維持し、それによって処理ガスとの反応及び次の部品上への堆積を防ぐことが望ましい。更に、処理チャンバー全体にわたって、リッドアセンブリの部品間の十分なガスシールを維持するため、これら部品は部品間の流体漏れを極力少なくするように設計すべきである。更にまた、処理中、処理ガスにさらされる表面のクリーニングが容易になるように、リッドアセンブリを設計することが望ましい。
【０００７】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
本発明は、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバーなどのウエハ処理装置における、リッドアセンブリの温度調節のための方法と装置を提供する。更に、本発明のリッドアセンブリは、比較的迅速かつ容易に分解及び／又は再組立て可能で、リッドの露出面のクリーニングとメンテナンスを容易にする。本発明はまた、流体漏れを極力低減し、それによって処理チャンバーの真空の完全性を維持する、一体式で単一部品のリッドを提供するものである。
【０００８】
一局面において、本装置は、処理ガスが通過する１個又は複数のガス分配孔を画成するガス分配プレートと、ガス分配プレートに熱的に結合されたベースプレートとを備える。ベースプレートは、ガス分配孔に連通するガス入口と、冷却材受入れ用の流体入口と、冷却材排出用の流体出口とを有する。流体通路がベースプレートの一部を貫通し、流体入口と流体出口に連通して形成され、冷却流体が貫通して流れるようになっている。冷却流体は対流によってベースプレートから熱を奪い、今度はベースプレートが伝導によってガス分配プレートから熱を奪う。この対流と伝導による冷却により、ベースプレートの温度は閾値以下に維持され、これによって処理ガスの反応と、それに続くガス分配孔周囲の壁面への堆積が防止される。
【０００９】
具体的な構成において、ガス分配プレートは、ねじやボルトなどの複数の取付要素によって、ベースプレートに熱的に結合されている。これら取付要素は、ガス分配プレートとベースプレートとの間に面接触を形成する。流体通路を取付要素に隣接して、又は接近して形成し、ガス分配プレートとベースプレートとの面接触を通して、ガス分配プレートの伝導冷却を促進することが望ましい。冷却されたベースプレートは、ガス分配プレートから熱を奪い、ガス分配プレートのガス分配孔周囲の表面温度を調節する。ガス分配孔の温度を調節することによって、処理ガスがガス分配孔を通過する際に、これらの孔のところのガス反応の発生を防止する。これによって、孔の詰まりが防止され、処理チャンバー内のウエハの粒子汚染が抑制される。
【００１０】
もう一つの局面において、本発明は、流体漏れを最小にし、それによって処理チャンバーの真空の完全性を維持する、一体式の単一部品リッド、又はベースプレートを提供する。ガス分配プレートとガス分散プレートはベースプレートの下面に取り付けられて、これらのプレートが処理チャンバー内に位置するようになっている。この構成によって、ガス分配プレート及びガス分散プレートと、ベースプレートとの間をシールする必要がない。よって、リッドアセンブリのガスシールの数が減少し、処理中のガス漏れが減り、これによって交換時間が短くなるとともに、処理量が増加する。
【００１１】
本発明のもう一つの利点は、リッドアセンブリを比較的迅速に分解及び／又は再組立てすることができ、リッドの露出面のクリーニングとメンテナンスが容易になることである。ガス分配プレート及びガス分散プレートは、取付要素を介してベースプレートに取り外し可能に結合される。これらのプレートを取り外すと、処理中に通常は処理ガスに曝露される実質的にすべての面にオペレータが手を入れる（アクセスする）ことができる。従って、ベースプレートを処理チャンバーから取り外さずに、これら被曝露面をクリーニングすることができる。リッドアセンブリの組立ては、取付要素を用いてガス分配プレートとガス分散プレートとを、ベースプレートへ単に固定するだけでよい。（すなわち、Ｏ-リングなどのガスシールの整合は不要である。）これによって、リッドアセンブリの再組立て中、ガスシールの損傷や不整合の恐れが極めて少なくなる。
【００１２】
本発明は、公知の処理技術に関連して上記改良を達成するが、本発明の特徴と利点は、明細書と添付の図面を参照して更に理解することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、図面に沿って、半導体処理チャンバー（図示せず）用のリッドアセンブリ２を本発明の原理に従って説明するが、図中、同一符号は同一又は相当部分を示すものとする。リッドアセンブリ２は、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバーなどの様々な処理チャンバーに用いることができる。リッドアセンブリ２は、熱的プロセスによって反応ガスを基板表面に供給し、主として熱誘起化学反応を利用して、所望のフィルムを形成する処理チャンバーに用いるのが好ましい。リッドアセンブリ２は、 サンタ・クララ（Santa Clara）のアプライド・マテリアルズ・インコーポレイテッド（Applied Materials, Inc.）から購入可能なプレシジョン５００（Precision 500（商標））及びセンチュラ  ５２００（Centura 5200（商標））等のマルチチャンバー処理システムの蒸着装置に有用である。
【００１４】
図１と図２を参照すると、リッドアセンブリ２は一般的に、リッドないしはベースプレート１０と、ガスマニホールド１４と、冷却材マニホールド３０と、ブロッカーないしはガス分散プレート４２と、シャワーヘッドないしはガス分配プレート４０とを含む。図１に示すように、ベースプレート１０は凹部１３２を備えている。この凹部１３２は、ベースプレート１０とリッドアセンブリ２全体とをウエハ処理装置（図示せず）のメインフレーム本体に対して回動自在に取り付けるためのヒンジ（図示せず）を受けるものである。ガスマニホールド１４は、ベースプレート１０に取り付けられており、また、処理ガスを混合してプレート１０を通して処理チャンバー（図示せず）に注入するためのマニホールドヘッド１６を有している。冷却材マニホールド３０は、ブロック１３０を備え、このブロックは、ベースプレート１０の側壁１３３に取り付けられることが望ましく、液体入口ポート３２と液体出口ポート３４を画成する。以下で更に詳細に説明するように、水や、グリコールと水の混合液などの冷却流体は、処理中、入口ポート３２へ導入され、冷却材マニホールド３０を経て、ベースプレート１０へ送られ、対流と伝導によって、プレート１０、４０及び４２から熱を奪う。冷却流体は、ベースプレート１０から、マニホールド３０及び出口ポート３４を通して排出される。
【００１５】
図２と図３に示すように、ガス分散プレート４２とガス分配プレート４０は、それぞれベースプレート１０の下面４５に直接固定されている。ガス分散プレート４２とガス分配プレート４０は、それぞれベースプレート１０の下面４５に、複数のネジ６０、７０によって取り付けることが望ましい。取付ネジ６０、７０は、ガス分配プレート４０の接触面４７及びガス分散プレート４２の接触面４９とベースプレート１０の下面４５との間に、それぞれ、比較的緊密な面接触を提供し、両者間の熱交換を容易化する（以下に詳細を説明する）。取付ネジ６０、７０は、ニッケル等、処理に適合した材質とする。
【００１６】
ガス分配プレート４０は略円盤形の装置であり、側壁４６と底壁４８によって画成されかつ中央に配設された凹部４４を有する。処理ガスを通過させて半導体ウエハ上へ分配するため、複数のガス分配孔５０が底壁４８を貫通している。孔５０の寸法と配列は処理特性によって変化する。例えば、ウエハ上へガスを均一に分配するには、孔５０を等間隔に配列すればよい。一方、孔５０は必要に応じて不均等に配列してもよい。孔５０の直径は普通、０．００５ｍｍ乃至０．１ｍｍであり、０．０２ｍｍ乃至０．０４ｍｍの範囲にあることが望ましい。図２に示すように、プレート４０は更に、その上部から水平面内において外側へ延在する環状フランジ５２を含む。フランジ５２は複数の孔５３を有し、ここに取付ネジ６０を挿入して、プレート４０の接触面４７をベースプレート１０の下面４５に係合させる。
【００１７】
ガス分散プレート４２は、略円形のディスクであって、ベースプレート１０を通過したガスを、ベースプレート１０の下面４５と、ガス分散プレート４２との間に分散させるための凹部７２を画成する。ガス分散プレート４２は、それを通してガスを、ガス分配プレート４０のキャビティ４４内へ分散させるため、凹部７２に連通する複数のガス分散孔７４を更に含む。分散孔７４の直径は通常、約 0.02 mm 乃至 0.04 mm である。もちろん、本発明の実施には、分散プレート４２は必ずしも必要ないことは、当業者には分かるであろう。必要であれば、処理ガスを、ベースプレート１０から直接、ガス分配プレート４０のキャビティ４４へと通すことができる。
【００１８】
図２〜図４に示すように、ベースプレート１０は、処理ガスをガス分散プレート４２へ送るとともに、リッドアセンブリ２全体を処理チャンバーのメインフレームユニットへ取り付ける機能を果たす一体の単品要素である。ベースプレート１０は、マニホールド１４からの混合処理ガスを受け入れるため、マニホールド１４に連通する中央孔９２を画成する。孔９２はまた、プレート４０を通してガスを孔７４へ分散させるため、ガス分配プレート４０の凹部７２に連通している。ベースプレート１０は更に、その各部に冷却流体を通して、それら各部を対流冷却する冷却材通路９４を画成する。冷却材通路９４は、取付ネジ６０、７０に比較的近いベースプレート１０の部分に形成することが望ましい。これによって、ガス分配プレート４０とガス分散プレート４２の接触面４７、４９と、ベースプレート１０の下面４５とを介した熱伝導による冷却が容易になる。
【００１９】
図４に明示するように、冷却材通路９４は、複数の実質的に環状の溝９６を有し、これらの溝９６は、相互接続されて、ベースプレート１０を貫通する単一で連続した流体通路とすることが望ましい。通路９４を構成する溝９６の数は普通、約２本乃至３０本であり、好ましくは３本乃至８本である。冷却材通路９４には、冷却材マニホールド３０内の第１通路１００に連通する入口９８と、マニホールド３０内の第２通路１０３に連通する出口１０２とを有する。両通路１００、１０３は、適当な冷却材源から冷却材を受けて使用済みの冷却材を排出するため、それぞれ入口ポート３２と出口ポート３４に連通している（図１）。ベースプレート１０は、冷却液が第１通路１００と第２通路１０３との間の短絡円弧距離を流れることを防ぎ、それによって冷却液を強制的に溝９６を通して流すようにするために、両通路１００、１０３間に位置する溝妨害部１０４を更に画成する。
【００２０】
具体的な構成において、外側の冷却材溝９６Ａは、第１通路１００に連通する第１の端１５０と、その半径方向内側に位置する第２冷却材溝９６Ｂに連通するとともに溝妨害部１０４の反対側に位置する第２の端１５２とを有する。第２冷却材溝９６Ｂは次に、溝妨害部１０４の反対側に位置する第３の冷却材溝９６Ｃに連通する。この構成によって、冷却流体がベースプレート１０の周りを前後に互いに逆方向に冷却材溝を通って流れるように強制される。冷却材は、各溝９６を通過して行くに従って、半径方向内側へ流れる。最も内側の冷却材溝９６Ｄは、使用済みの冷却材を冷却材マニホールド３０へ排出するため第２通路１０３に連通する端１５４を有する。
【００２１】
図４を参照すると、溝９６はベースプレート１０全体にわたって相互に半径方向に間隔を空け、その中を流れる冷却材と、ベースプレート１０との間に実質的に大きな熱交換面領域を形成している。溝９６は、ベースプレート１０の取付ネジ６０、７０に隣接又は接近した各部の対流冷却を増加させ、それによって表面４７、４９を介するガス分散プレート４０とガス分配プレート４２への伝導による冷却率を増加させるように構成することが望ましい。その目的のため、冷却材が外側の溝９６Ａを最も速く流れ、内側の溝９６Ｂから９６Ｄを通過するにつれてゆっくり流れ始めるように、溝９６の断面積を半径方向内側に行くにつれて大きくなるように構成することが望ましい。この構成により、取付ネジ６０、７０の周りで、ベースプレート１０への対流による冷却率を増加させる。通常、外側の溝９６Ａの断面積は、約０．０３ｍｍ2乃至０．０４ｍｍ2であり、内側の溝９６Ｂの断面積は、約０．０４ｍｍ2乃至０．０５ｍｍ2である。
【００２２】
本発明は、上記及び図３、図４に示した構成に限定されないものと理解すべきである。例えば、溝９４は、単一の連続通路でなく、複数の別々に隔離された流体溝であってもよい。
【００２３】
図２を参照すると、ベースプレート１０は更に、中央孔９２を取り巻く環状凹部１０９と、冷却材通路９４の上方から凹部１０９内へベースプレート１０に締着して配設された環状キャップ１１０とを画成する。環状キャップ１１０は、通路９４全体にわたって緊密なシールを提供し、それによって通路９６からの冷却材漏れを効果的に防ぐように、ベースプレート１０の上面１１２に溶接されたＥビーム（Ｅ−ｂｅａｍ）であることが望ましい。この構成によって、通路９４はガス分配プレート４０とガス分散プレート４２に比較的接近して形成される。更に、通路９４は、ベースプレート１０の上面１１２に溝を形成することによって製作され、これによってプレート１０を製造するコストと複雑さが低減される。
【００２４】
図５を参照すると、ガス・マニホールド１４は、マニホールドヘッド１６に結合された単一で一体の細長い本体１１３を有する。細長い本体１１３は、中を通ってマニホールドヘッド１６内に延在する第１と第２の内側ガス通路１１４、１１６を画成する。ガス通路１１４、１１６はそれぞれ、ＷＦ6、ＳｉＨ4、ジクロロシラン（ＤＣＳ）等のガス源に適切に結合された入口１１８、１２０と、ガスをベースプレート１０を通して送る前にガスを混合するためのヘッド１６内のチャンバー１２６に連通する出口１２２、１２４とを有する。図１に示すように、マニホールド１６は、例えばボルト締めによってベースプレート１０の上面に固定される。ヘッド１６は、混合ガスをガス分配システム中へ分散させるため、ベースプレート１０内においてチャンバー１２６及び中央孔９２に連通する出口１２８を含む。
【００２５】
本発明を使用する場合、処理ガスは、通路１１４、１１６を通ってガスマニホールド１４内へ送られ、マニホールドヘッド１６（図１参照）のチャンバー１２６内で混合される。この混合されたガスは、次に孔９２を通ってガス分散プレート４２の凹部７２へ送られ、そこから外側へ向かって分散し、孔７４を経てガス分配プレート４０のキャビティ４４へ流入する（図２参照）。次にガスは、ガス分配孔５０を通って均一に半導体ウエハ（図示せず）に向けられる。ウエハは普通、２種類のガスがウエハ表面において相互に反応し合い、その上に層となって堆積するように、適切な熱源によって臨界温度を超える温度に保持される。
【００２６】
このプロセス中、リッドアセンブリ２は、リッドアセンブリを通るガス、加熱された半導体ウエハ、そしてウエハ加熱源から熱を受ける。リッドアセンブリ２の部品を臨界温度未満に保ち、それによってそれら部品上でのガス反応と堆積を避けるため、冷却液マニホールド３０の入口ポート３２へ冷却液が導入される。この液体は、第１通路１００に沿って送られ、冷却材通路９４を通り、そこでベースプレート１０から積極的に熱を奪う（図３参照）。具体的には、冷却液はベースプレート１０の外側溝９６Ａを反時計回りに流れ、半径方向内側から溝９６Ｂへ流れるが、ここで向きを逆転して時計回りに溝９６Ｂ内を流れる。冷却材はこのように進んで、第２通路１０２を通過して冷却材マニホールド３０に流入し、そこで出口ポート３４を通って排出される。
【００２７】
外側の溝９６Ａの断面積が他の溝の断面積より小さいので、冷却材は外側の溝の中を、他の溝の中より速く流れる。更に、一般的に冷却材は、半径方向内側へ移行するにつれて（ベースプレート１０から熱を受けるにつれて）、その温度が上昇する。従って、対流による伝熱率は、取付ネジ６０、７０の真上にある外側溝９６Ａ内で、最も高くなる。ベースプレート１０は、熱のかなり大きな部分を、ガス分配プレート４０とガス分散プレート４２から取付ネジ６０、７０を介して表面伝導によって奪う。
【００２８】
リッドアセンブリ２をクリーニングするには、ベースプレート１０をヒンジ（図示せず）を中心として回動して開き、取付ネジ６０、７０を緩めて取り外す。次にガス分配プレート４０、ガス分散プレート４２、ガスマニホールド１４をベースプレート１０から取り外す。次に、プレート４０、４２の上、そしてプレート１０の下面４５とガス入口９２の上の酸化物その他の堆積物を除去するため、適当にクリーニングを行う。ただし、冷却材マニホールド３０と冷却材通路９４は処理ガスに曝露されないので、通常は、その上に堆積物は形成されない。このように、リッドアセンブリ２のすべての露出面は、ガス分配プレート４０、ガス分散プレート４２、ガスマニホールド１４を、ベースプレート１０から取り外すだけで簡単にクリーニングすることができる。リッドアセンブリ２の再組立ては、ガスマニホールド１４、プレート４０、４２をベースプレート１０に再度ボルト締めして、ベースプレート１０を、エンクロージャーを覆うようにして閉じればよい。リッドアセンブリは、Ｏ−リングも、それと同等のガスシールも含んでいないので、リッドアセンブリの有効な真空完全性を確保するために、それらＯ−リングとプレートを再整合する必要がない。
【００２９】
以上が具体的実施例の詳細説明であるが、種々の修正、代替構成、同等物を用いることができる。従って、上記説明や図面は、特許請求の範囲によって特定される本発明の範囲を限定するものと解釈してはならない。例えば、本発明は、上記説明や示された図面のように単一ウェハチャンバー方式に限定されないことに注意すべきである。実際、リッドアセンブリは、複数のウェハに同時処理を行うバッチチャンバーに配設することができる。また、本発明は、各ウエハに個々の処理ステップを順次行うマルチウエハチャンバー用としても適している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体処理チャンバー用のリッドアセンブリの斜視図である。
【図２】図１のリッドアセンブリのベースプレート、ガス分配プレート及びガス分散プレートの分解図である。
【図３】図２のベースプレート、ガス分配プレート及びガス分散プレートの側面断面図である。
【図４】ベースプレート、ガス分配プレート及びガス分散プレートの、図３の４−４線に沿っての断面図である。
【図５】図１のリッドアセンブリの、５−５線に沿っての断面図である。
【符号の説明】
２…リッドアセンブリ、１０…ベースプレート、１４…ガスマニホールド、３０…冷却材マニホールド、３２…入口ポート、３４…出口ポート、４０…ガス分配プレート、４２…ガス分散プレート、５０…ガス分配孔、５３…孔、７４…ガス分散孔、９４…冷却材通路、９６…溝、９８…入口、１００…第１通路、１０２…出口、１０３…第２通路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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