(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
その下面が吸着面となって該吸着面で基板を静電吸着により保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に対向配置され、シートフィルムに形成される薄膜を前記基板に向けた状態で該シートフィルムを保持するフィルム保持手段と、
前記基板保持手段に内蔵され、前記基板を加熱する加熱手段と、
昇降移動自在で、しかも回動自在に支持されたリフタと、
前記リフタの下端部に固着され、前記基板を載置可能な爪部材と、
前記リフタを昇降駆動して前記爪部材に載置された前記基板を前記吸着面に密着しない程度に近接する近接位置と、前記基板を前記吸着面に密着する吸着位置とに位置決めするリフト駆動部と、
前記リフト駆動部を制御して前記爪部材に載置された前記基板を前記近接位置に位置決めした状態で前記加熱手段により前記基板を所定温度に加熱した後に前記爪部材に載置された前記基板を前記吸着位置に位置決めして前記基板を前記基板保持手段に保持させる制御手段と、
前記基板保持手段および前記フィルム保持手段のうち少なくとも一方を移動させることで、前記基板と前記シートフィルムとを加熱状態で相互に押し付けて前記薄膜を前記基板に転写する加重手段と
を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記吸着面が凹凸形状に仕上げられている請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
その内部が薄膜形成室となっており、その薄膜形成室内で前記基板保持手段および前記フィルム保持手段のうち少なくとも一方が移動されて前記基板への前記薄膜の転写が実行される処理容器をさらに備え、
前記吸着面の凹部が前記薄膜形成室に連通されている請求項２記載の薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、シートフィルムに形成される絶縁膜などの薄膜を基板に転写することによって該基板に前記薄膜を形成する薄膜形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＬＳＩの製造に用いるウエハの大口径化や液晶パネルなどの大面積化に伴い、大面積に適合した薄膜形成方法が必要となってきた。また、ＬＳＩ製造技術における多層配線技術の分野においては、多層配線を実現するために絶縁膜の表面を高い精度で平坦化する必要があり、大面積化に加えて、薄膜形成における表面の平坦化技術への要求も高まってきている。そこで、これらの要求を満足すべく、加圧転写方法によって基板に薄膜を形成する薄膜形成技術が提案されている。
【０００３】
この薄膜形成装置としては、例えば特開平１０−１８９５６６号公報に記載された装置がある。この装置では、処理容器の内部に形成される薄膜形成室内において、加熱ヒータを内蔵する試料台（本発明の基板保持手段に相当）が設けられており、薄膜形成対象となる半導体ウエハや液晶パネル用ガラス基板など（以下、「基板」という）を保持可能となっている。また、薄膜形成室内には、試料台の下方に転写板（本発明のフィルム保持手段に相当）が試料台と対向しながら配置されており、シートフィルムに形成される薄膜を試料台上の基板に対向させながら、該シートフィルムを保持している。なお、この転写板にも、試料台と同様に、加熱ヒータが設けられており、転写板に保持されたシートフィルムを加熱可能となっている。
【０００４】
また、この薄膜形成室には真空ポンプが連通されており、基板を試料台によって保持するとともに、シートフィルムを転写板に保持し、さらに薄膜形成室を密閉した後、真空ポンプによって薄膜形成室内を排気する。また、真空ポンプで薄膜形成室内を排気減圧しながら、基板を保持する試料台と、シートフィルムを保持する転写板とを相互に近接移動させることによって、基板とシートフィルムとを相互に押し付けてシートフィルム上の薄膜を基板に転写する。こうして、基板上に薄膜を形成すると、基板とシートフィルムとを元の位置に移動させた後、薄膜形成室内を大気圧に戻し、薄膜が形成された基板と、薄膜転写後のシートフィルムとを処理容器から搬出している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来装置では薄膜形成室内を排気減圧しているため、試料台への基板の保持方式として真空吸着方式を採用することが難しく、機械的に保持していた。すなわち、基板の周縁部に対して爪部材や支持ピンなどの係合部材を係合させて基板を試料台に保持していた。そのため、次のような問題が生じていた。
【０００６】
薄膜形成装置により薄膜の転写を行うのに先立って、基板に対して種々の処理（集積回路を形成するためのプロセス処理）が施されており、バルク状態とは異なり基板に反りや撓みなどが生じており、基板は歪んでいる。そして、この基板を上記したように基板の周縁部のみを機械的に保持したのでは、基板が歪んだ状態のまま基板は試料台に保持されることとなり、薄膜形成処理によって基板に形成される薄膜の面内均一性が低下するという問題があった。
【０００７】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、優れた面内均一性で薄膜を基板に転写することができる薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明は、上記目的を達成するため、その下面が吸着面となって該吸着面で基板を静電吸着により保持する基板保持手段と、基板保持手段に対向配置され、シートフィルムに形成される薄膜を基板に向けた状態で該シートフィルムを保持するフィルム保持手段と、基板保持手段に内蔵され、基板を加熱する加熱手段と、昇降移動自在で、しかも回動自在に支持されたリフタと、リフタの下端部に固着され、基板を載置可能な爪部材と、リフタを昇降駆動して爪部材に載置された基板を吸着面に密着しない程度に近接する近接位置と、基板を吸着面に密着する吸着位置とに位置決めするリフト駆動部と、リフト駆動部を制御して爪部材に載置された基板を近接位置に位置決めした状態で加熱手段により基板を所定温度に加熱した後に爪部材に載置された基板を吸着位置に位置決めして基板を基板保持手段に保持させる制御手段と、基板保持手段およびフィルム保持手段のうち少なくとも一方を移動させることで、基板とシートフィルムとを加熱状態で相互に押し付けて薄膜を基板に転写する加重手段とを備えている。
【０００９】
このように構成された発明では、基板が静電吸着により基板保持手段に保持されるため、薄膜を形成しようとする基板に歪みが生じていない場合はもちろんのこと、該基板に歪みが生じている場合であっても、基板が基板保持手段に沿って確実に保持されて歪みが解消され、常に歪みのない状態で基板が基板保持手段に保持される。そして、このようにして歪みがない状態で基板への薄膜転写が行われ、優れた面内均一性で薄膜が基板に形成される。しかも、爪部材に載置された基板を基板保持手段の吸着面（下面）に密着しない程度に近接する近接位置に位置決めした状態で基板保持手段に内蔵された加熱手段により所定温度に加熱した後に爪部材に載置された基板を基板保持手段の吸着面に密着する吸着位置に位置決めして該基板を基板保持手段に保持させているので、基板の熱膨張が進行してから基板は基板保持手段によって静電吸着される。これにより、近接位置において基板は加熱処理により熱膨張するが、該基板は爪部材に載置されているだけなので、不必要なストレスが基板にかかるのを防止することができる。その結果、基板に形成されている素子や配線などに対するダメージを抑制することができる。
【００１１】
ここで、基板保持手段のうち基板を静電吸着する吸着面の形状や大きさなどについては任意であるが、特に該吸着面を凹凸形状に仕上げるのが好適である。というのも、吸着面を鏡面状態に仕上げると、基板を保持した際に基板と吸着面とが密着し、薄膜の転写を行った後に基板を吸着面から剥離するのが難しくなるのに対して、凹凸形状に仕上げることによって、基板を基板保持手段に沿って確実に保持して歪みを解消するという効果を達成しつつ、基板と吸着面とが密着するのを防止して基板のハンドリングを容易なものとすることができる。
【００１２】
また、この種の薄膜形成装置では、基板への薄膜の転写を処理容器の内部、つまり薄膜形成室内で行うことが多いが、この場合、薄膜形成室内の圧力と、凹部と基板との間の気圧との差を小さくして吸着面からの基板の剥離を容易なものとするために、例えば吸着面の凹部を薄膜形成室に連通させるのが望ましい。
【００１６】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明にかかる薄膜形成装置の一実施形態を示す図である。この薄膜形成装置は、その内部が後述するようにして薄膜を基板に転写するための薄膜形成室１１となっている処理容器１を有している。また、この処理容器１の側面底部には、排気口１２が設けられており、この排気口１２に薄膜形成室１１の圧力を調整する圧力制御ユニット２が接続されている。
【００１７】
この圧力制御ユニット２では、バタフライバルブ２１を介して真空ポンプ２２が薄膜形成室１１と連通されており、バタフライバルブ２１を開いた状態で、装置全体を制御する制御部３からの動作信号に応じて真空ポンプ２２が作動すると、薄膜形成室１１内が排気減圧される。また、圧力制御ユニット２には、バタフライバルブ２１の開度をコントロールするバルブコントローラ２３が設けられており、制御部３からの開度信号に応じてバルブコントローラ２３がバタフライバルブ２１の開閉、さらには開度を調整することで薄膜形成室１１からの排気量を調整し、薄膜形成室１１内の圧力（真空度）を制御可能となっている。なお、この実施形態では、薄膜形成室１１内の圧力を精度良く制御するために、薄膜形成室１１内の圧力を測定する圧力計３１を設け、この圧力計３１の測定結果を制御部３に出力し、この測定結果に基づくフィードバック制御を実行している。
【００１８】
また、この処理容器１の上面周縁部には、導入口１３が設けられており、この導入口１３を介して一定流量の窒素ガスが薄膜形成室１１内に供給されている。すなわち、この導入口１３はマスフローコントローラ１４を介して窒素ガス供給源（図示省略）と接続されており、制御部３から与えられるガス供給信号に基づきマスフローコントローラ１４が導入口１３を介して薄膜形成室１１に供給される窒素ガスの流入量をコントロールしている。なお、この実施形態では、後で説明する基板Ｗへの絶縁膜（薄膜）の転写を良好に行うために窒素ガスを供給しているが、薄膜形成室１１に供給するガス種はこれに限定されるものではなく、転写処理に適したガスを供給すればよい。
【００１９】
こうして圧力調整の対象となっている薄膜形成室１１には、第１、第２のプレート４，５が上下に対向して収容されている。これらのプレートのうち、第１のプレート４では、第２のプレート５と対向する下面が基板Ｗを静電吸着する吸着面４１となっており、この吸着面４１により基板Ｗを静電吸着して保持するように構成されており、本発明の「基板保持手段」として機能している。ここで、薄膜形成対象となる基板Ｗとしては、例えば円板状に形成された半導体ウエハと、この半導体ウエハ上に電極配線としてＡｌ配線をパターニングした構造を有するものがあり、以下においては、この基板Ｗのパターン形成面側に後述する絶縁膜（薄膜）を転写する場合について説明する。
【００２０】
図２は第１のプレートを下方から見た図である。また、図３および図４は第１のプレートの部分拡大図である。これらの図に示すように、第１のプレート４の吸着面４１は凹凸形状に仕上げられている。この実施形態では、厚みが約５０μｍ程度で、かつ円柱台形状を有する凸部４１１が吸着面４１全体に複数個設けられており、これらの凸部４１１の頂部が基板Ｗの上面全体に当接して基板Ｗを水平姿勢で静電的に保持する（図４）。また、この保持状態では、基板Ｗと凹部４１２との間に空隙部ＳＰが形成され、しかも各空隙部ＳＰは薄膜形成室１１と連通されている。
【００２１】
また、第１のプレート４には、図１に示すように加熱手段として加熱ヒータ４２が内蔵されている。この加熱ヒータ４２は制御部３から与えられる基板温度信号に基づきヒータコントローラ４３によって制御され、２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱制御される。そして、第１のプレート４は処理容器１内に吊設され、加重モータ７１によって昇降されるように構成されている。
【００２２】
このように構成された第１のプレート４には、複数のリフタ４４が昇降方向と平行に移動自在で、しかも回動自在に支持されており、各リフタ４４の下端部に爪部材４５が固着されて基板Ｗの周縁部を支持可能となっている。このため、図示を省略するリフト駆動部に対して制御部３から下降指令が与えられると、図３（ａ）に示すようにリフト駆動部によってリフタ４４は下方に移動し、爪部材４５を吸着面４１の下方側に移動させた後、さらにリフタ４４を回動させて爪部材４５を吸着面４１の周縁部と対向位置決めさせて爪部材４５への基板Ｗの載置を可能とする。この明細書では、同図（ａ）の位置を「基板搬入位置」と称する。
【００２３】
また、制御部３からリフト駆動部に上昇指令が与えられると、リフト駆動部は爪部材４５を吸着面４１と対向させたままリフタ４４を上方に移動させて爪部材４５を吸着面４１側に移動させる。ここで、この実施形態では、後述するように基板Ｗの熱膨張の影響を抑えるために、リフタ４４を２段階（近接位置、吸着位置）に位置決めすることが可能となっている。すなわち、リフタ４４を所定量だけ上昇させて爪部材４５に支持された基板Ｗが第１のプレート４に密着しない程度に近接する「近接位置」に位置決め可能であり（同図（ｂ））、またリフタ４４をさらに上昇させて該基板Ｗが第１のプレート４に密着する「吸着位置」に位置決めすることが可能となっている（図４（ａ））。こうして、この吸着位置に位置決めされると、爪部材４５に支持された基板Ｗの上面（非パターン形成面）は吸着面４１の凸部４１１に当接し、制御部３からの信号を受けて第１のプレート４が静電吸着動作を開始することで基板Ｗがしっかりと第１のプレート４に保持される。
【００２４】
こうして基板Ｗの静電吸着が完了すると、制御部３からリフト駆動部に退避指令が与えられ、リフト駆動部は図４（ｂ）に示すようにリフタ４４を約９０゜回動させて爪部材４５を吸着面４１および基板Ｗから退避させた後、さらにリフタ４４を上昇させて爪部材４５を吸着面４１よりも上方位置に退避させて後述する転写処理において爪部材４５が装置各部と干渉するのを防止している。なお、この明細書では、同図（ｂ）の位置を「退避位置」と称する。
【００２５】
また、もう一方のプレート、つまり第２のプレート５は、図１に示すように第１のプレート４の下方に軸線を一致させて配設され、その上面でシートフィルムＦを保持可能となっており、本発明の「フィルム保持手段」として機能している。すなわち、この第２のプレート５は、プレート本体５０と、そのプレート本体５０の上面側でシートフィルムＦを保持可能な石英製のステージ５１とで構成されている。このシートフィルムＦは基板Ｗより大きい円形に形成され、表面には薄膜となる絶縁膜が形成されている。本実施形態においては、シートフィルムＦとして熱可塑性樹脂フィルムを用いている。また薄膜としてはＳＯＧ材料の絶縁膜形成用塗布液を用い、これをシートフィルムＦ上に塗布することにより１μｍ以上の厚さで絶縁膜が形成されている。また、この実施形態ではシートフィルムＦのハンドリング性を向上させるために図５ないし図９に示すように一対のリングＲup，Ｒdwを用いて一体化したリング体ＲＦを形成し、このリング体ＲＦの状態でシートフィルムＦの搬送を実行している。ここでは、第２のプレート５のさらなる構成説明に先立って、シートフィルムＦのハンドリング構成について図５ないし図９を参照しつつ説明する。
【００２６】
図５はリング体の分解組立斜視図であり、図６はリング体の組立斜視図であり、図７は図５のＡ−Ａ線断面図であり、図８は図５のＢ−Ｂ線断面図であり、図９は図６のＣ−Ｃ線断面図である。
【００２７】
このリング体ＲＦは、上リングＲupと下リングＲdwとでシートフィルムＦを挟み込むことによってシートフィルムＦを保持したものである。この上リングＲupは円環形状を有するアルミニウムリングであり、その上面部の４箇所に磁性体、例えば鉄系または鉄合金系材料よりなる鉄プレート９１が嵌め込まれている。これらの鉄プレート９１は搬送ロボットのフィルム用ハンド（図１２の符号８２）に設けられる電磁石によって電磁吸着される電磁吸着部となっている。また、鉄プレート９１を避けるように複数の永久磁石９２が上リングＲupを貫通して設けられている。
【００２８】
一方、下リングＲdwも上リングＲupと同一形状を有するアルミニウムリングであり、上リングＲupに設けられた永久磁石９２と対応する位置に永久磁石９３が下リングＲdwを貫通して設けられている。ここで、永久磁石９２の下面側磁極と、永久磁石９３の上面側磁極とが互いに反対極性となっており、シートフィルムＦを挟んで上リングＲupおよび下リングＲdwを配置すると、両永久磁石９２，９３が互いに引き付けあい、シートフィルムＦを挟み込んだ状態で磁力吸着により保持する。また、後述するようにシートフィルムＦを用いた薄膜形成が完了すると、シートフィルムＦを挟み込むことなしに、両リングＲup，Ｒdwが直接重なり合って相互に磁力吸着保持されてリング対Ｒup，Ｒdwが形成される。
【００２９】
このように、この実施形態では、両永久磁石９２，９３ともリングを貫通して設けられているが、貫通配置すること自体は必須構成要件ではなく、両永久磁石９２，９３により所定の磁力吸引力を得ることができればよい。また、上リングＲupおよび下リングＲdwの一方のみに永久磁石を設け、他方を磁性体を配置するようにしたり、永久磁石の代わりに電磁石を用いるようにしてもよいことは言うまでもない。
【００３０】
さらに、上リングＲupおよび下リングＲdwの外側面には、それぞれ同一箇所に切り込み部９４，９５が設けられている。各切り込み部９４，９５はリングカセット（図示省略）や他の装置においてリング体ＲＦやリング対を位置決めするために機能している。なお、ここでは、上リングＲupおよび下リングＲdwの両方に位置決め部を設けているが、いずれか一方のみ位置決め部を設けてもよいことはいうまでもない。
【００３１】
図１に戻って第２のプレート５の構成説明を続ける。この第２のプレート５の周縁部には、一対のリングＲup，Ｒdwを上下から挟み込んでリング体ＲＦを保持する上クランプ５３および下クランプ５４が設けられている。これらのクランプのうち下クランプ５４はプレート本体５０に固定されている。そして、もう一方のクランプ、つまり上クランプ５３が上下方向に移動可能となっており、後述するタイミングで上方移動して第２のプレート５に対するリング体ＲＦの搬入出を可能とする一方、下方移動して下クランプ５４とでリング体ＲＦを挟持して固定する。
【００３２】
また、上クランプ５３の近傍に、シートフィルムＦの周縁部を圧下して張力を付与する張力付与部材５５が配置されており、後述するタイミングでシートフィルムＦを下方に押し下げて緊張させる。
【００３３】
また、このプレート本体５０の内部には、加熱ヒータ５６が内蔵されており、制御部３から与えられる基板温度信号に基づきヒータコントローラ５７によって制御され、シートフィルムＦが２５°Ｃ〜３００°Ｃの間で加熱される。
【００３４】
さらに、第２のプレート５は、支え板７２上において複数の圧縮コイルばね７３によって弾性支持されて配設されることにより、基板ＷとシートフィルムＦを押し付けたとき加重圧力が均一になるようにしている。また、支え板７２は、支柱７４によって上下動自在に保持され、加重モータ７５によって昇降されるように構成されている。このように、この実施形態では、加重モータ７１，７５によって２つのプレート４，５を互いに逆方向に昇降移動させることで次に説明する薄膜形成手順（転写処理）を行っており、加重モータ７１，７５が本発明の「加重手段」として機能している。
【００３５】
次に、上記した薄膜形成装置を使用した薄膜形成手順について説明する。本実施形態においては、第１のプレート４側に基板Ｗが搬入される。すなわち、制御部３はリフト駆動部に下降指令を与え、図３（ａ）に示すように、爪部材４５を基板搬入位置に位置決めする。それに続いて、搬送ロボットの基板用ハンド８１によって、薄膜を形成すべき基板Ｗが外部装置から薄膜形成室１１内に搬送され、爪部材４５の上に載置される。そして、搬送ロボットの基板用ハンド８１が薄膜形成室１１から退避すると、制御部３はリフト駆動部に対して上昇指令を与え、爪部材４５を近接位置に移動させて基板Ｗの上面（非パターン形成面）を第１のプレート４に密着しない程度に近接させた状態で基板Ｗを位置決めする（同図（ｂ））。
【００３６】
一方、第２のプレート５側では、搬送ロボットのフィルム用ハンド（図示省略）によってリング体ＲＦが搬送され、その下リングＲdwが下クランプ５４上に載置される。そして、搬送ロボットのフィルム用ハンドが薄膜形成室１１から退避すると、上クランプ５３が下クランプ５４側に下降して上クランプ５３と下クランプ５４とでリング体ＲＦを保持固定する（図１０）。このとき、同図に示すように、シートフィルムＦは第２のプレート５の上方位置に配置されている。また、同図への張力付与部材５５の図示を省略しているが、この段階では、張力付与部材５５によるシートフィルムＦの押し下げ緊張は行われていない。
【００３７】
これに続いて、制御部３からバルブコントローラ２３に、バタフライバルブ２１を開く旨の開度信号が出力される。この信号を受けてバルブコントローラ２３は完全に閉じられたバタフライバルブ２１を開き真空ポンプ２２による薄膜形成室１１の排気減圧を開始する。
【００３８】
そして、ヒータコントローラ４３からの制御信号によって加熱ヒータ４２を作動させて第１のプレート４を加熱することによって第１のプレート４と密着しないで近接した状態で基板Ｗを所望の温度に加熱する。つまり、この実施形態では、いわゆるプロキシミティ加熱により基板Ｗを加熱しており、しかも該基板Ｗは加熱処理により熱膨張するが、該基板Ｗは爪部材４５上に載置されているだけであるため、不必要なストレスが基板Ｗにかかるのを防止することができ、その結果、基板Ｗに形成されている素子や配線などに対するダメージを抑制することができる。
【００３９】
こうして、基板Ｗに対する加熱処理が完了する、あるいは所定温度に達しないまでも上記ストレスが問題とならない程度まで基板Ｗの熱膨張が進行すると、制御部３はリフト駆動部に対して上昇指令をさらに与え、爪部材４５を吸着位置に移動させて基板Ｗの上面（非パターン形成面）を第１のプレート４に密着させた後、第１のプレート４により静電吸着させる。これによって、図４（ａ）に示すように基板Ｗがしっかりと第１のプレート４に保持される。それに続いて、制御部３はリフト駆動部に退避指令を与え、リフト駆動部によって同図（ｂ）に示すように爪部材４５を退避位置に移動させて第１のプレート４への基板装着を完了する。
【００４０】
また、シートフィルムＦ側については、ヒータコントローラ５７からの制御信号によって加熱ヒータ５６を作動させて第２のプレート５を加熱するとともに、制御部３より加重モータ７５に信号が送られ、プレート５およびクランプ５３，５４の昇降移動を開始する。すると、図１１に示すように、張力付与部材５５によりシートフィルムＦは第２のプレート５に対して相対的に押し下げられて緊張状態で基板Ｗの下面と密着し、基板Ｗへの絶縁膜の転写を開始する。そして、薄膜形成室１１を排気減圧したまま、基板ＷとシートフィルムＦとは所定の加重で一定時間加圧される。その間も基板ＷとシートフィルムＦは所定の温度となるようにヒータ加熱されている。
【００４１】
そして、一連の加重操作が終了して転写処理が完了すると、ヒータコントローラ４３，５７により加熱ヒータ４２，５６にそれぞれ停止して第１，第２のプレート４，５の加熱を停止すると同時に、第１のプレート４による静電吸着を停止する。さらに、加重の状態が零となるように制御部３から加重モータ７１，７５に信号を送り、第１、第２のプレート４，５を元の初期位置に復帰させる。こうすることによって、図１２に示すように基板ＷがシートフィルムＦに乗った状態となり、基板ＷとシートフィルムＦが一体的になる。また、両プレート４，５が初期位置に戻った後、バタフライバルブ２１を閉じるとともに、真空ポンプ２２を停止させる。
【００４２】
次に、薄膜形成室１１の圧力が大気圧に戻るのを待って、上クランプ５３を上昇させてリング体ＲＦの挟持を開放する。そして、搬送ロボットのフィルム用ハンド８２をリング体ＲＦの上方位置に進行させ、該ハンド８２の電磁石によって上リングＲupの鉄プレート９１を電磁吸着してリング体ＲＦおよび基板Ｗを一体的に薄膜形成室１１から取り出し、シートフィルムＦを剥離する装置に搬送する。
【００４３】
以上のように、この実施形態によれば、基板Ｗを静電吸着により第１のプレート４に保持するように構成しているため、薄膜を形成しようとする基板Ｗに歪みが生じていない場合はもちろんのこと、該基板Ｗに歪みが生じている場合であっても、基板Ｗが第１のプレート４の吸着面４１に沿って確実に保持されて歪みを解消することができる。その結果、常に歪みがない状態で基板Ｗへの薄膜転写を行うことができ、優れた面内均一性で薄膜を基板Ｗに形成することができる。
【００４４】
また、吸着面４１全体を鏡面に仕上げるのではなく、凹凸形状に仕上げているため、基板Ｗと吸着面４１とが全面にわたって密着するのを防止して基板Ｗを第１のプレート４から容易に剥離させることができ、基板Ｗのハンドリングを容易なものとすることができる。
【００４５】
さらに、この実施形態では薄膜形成室１１の圧力を低下させているが、基板Ｗと凹部４１２との間に空隙部ＳＰが薄膜形成室１１と連通しているため、薄膜形成室１１内の圧力と、空隙部ＳＰとの間の気圧差が小さくなり、吸着面４１からの基板Ｗの剥離がより一層容易なものとなっている。
【００４６】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態では、凸部４１１を円柱台形状に仕上げているが、凸部４１１の形状はこれに限定されるものではなく、任意の形状に仕上げることができる。また、各凸部４１１の大きさや凸部４１１の個数についても任意である。
【００４７】
また、上記実施形態では、一対のリングＲup，ＲdwによりシートフィルムＦを挟み込んでリング体ＲＦを構成し、これを搬送ロボットにより搬送することでシートフィルムＦを搬送しているが、シートフィルムＦの搬送態様はこれに限定されるものではなく、例えば搬送ロボットがシートフィルムＦを直接保持して搬送するようにしてもよい。
【００４８】
さらに、上記実施形態では、半導体ウエハや液晶パネル用ガラス基板に薄膜を形成する薄膜形成装置に本発明を適用しているが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、フォトマスク用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板、配線基板（例えばプリント基板）などの基板に薄膜を形成する場合のみならず、さらにはＩＣカードや太陽電池装置の製造などにおいて基板に薄膜を形成する薄膜形成装置全般に適用することができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、基板を基板保持手段に静電吸着するように構成しているので、基板を基板保持手段に沿って確実に保持して歪みを解消することができ、基板に転写された薄膜の面内均一性を向上させることができる。しかも、爪部材に載置された基板を基板保持手段の吸着面（下面）に密着しない程度に近接する近接位置に位置決めした状態で基板保持手段に内蔵された加熱手段により所定温度に加熱した後に爪部材に載置された基板を基板保持手段の吸着面に密着する吸着位置に位置決めして該基板を基板保持手段に保持させているので、基板の熱膨張が進行してから基板は基板保持手段によって静電吸着される。これにより、近接位置において基板は加熱処理により熱膨張するが、該基板は爪部材に載置されているだけなので、不必要なストレスが基板にかかるのを防止することができる。その結果、基板に形成されている素子や配線などに対するダメージを抑制することができる。
【００５０】
また、吸着面を凹凸形状に仕上げると、基板を基板保持手段に沿って確実に保持して歪みを解消するという効果を達成しつつ、基板の全体が吸着面と密着するのを防止することができ、静電吸着を解消した際に吸着面からの基板の剥離を容易にならしめて基板のハンドリングを容易なものとすることができる。
【００５１】
さらに、吸着面の凹部を薄膜形成室に連通させた場合には、薄膜形成室内の圧力と、凹部と基板との間の気圧との差が小さくなって吸着面からの基板の剥離をより容易なものとすることができ、その結果、基板のハンドリングをより一層容易なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明にかかる薄膜形成装置の一実施形態を示す図である。
【図２】  第１のプレートを下方から見た図である。
【図３】  第１のプレートの部分拡大図である。
【図４】  第１のプレートの部分拡大図である。
【図５】  リング体の分解組立斜視図である。
【図６】  リング体の組立斜視図である。
【図７】  図４のＡ−Ａ線断面図である。
【図８】  図４のＢ−Ｂ線断面図である。
【図９】  図５のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１０】  図１の薄膜形成装置の動作を示す図である。
【図１１】  図１の薄膜形成装置の動作を示す図である。
【図１２】  図１の薄膜形成装置の動作を示す図である。
【符号の説明】
１…処理容器
２…圧力制御ユニット
４…第１のプレート（基板保持手段）
５…第２のプレート（フィルム保持手段）
１１…薄膜形成室
４１…吸着面
４２…加熱ヒータ（加熱手段）
４４…リフタ
４５…爪部材
７１，７５…加重モータ
４１１…（吸着面４１の）凸部
４１２…（吸着面４１の）凹部
Ｆ…シートフィルム
ＲＦ…リング体
ＳＰ…空隙部
Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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