(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布処理のための最適な温度雰囲気に調整され、基板に対しレジスト液の塗布処理を行う塗布ユニットと、この塗布ユニット内の温度とは異なる温度の清浄な気体によるダウンフローが形成されている雰囲気に設けられ、前記塗布ユニットとの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段と、を備えた基板処理装置において、
前記基板搬送手段は、
前面に開口部が形成されたケース体を備えた移動自在な搬送基体と、
基板を保持し、前記ケース体に収まる後退位置とケース体の前方位置との間で前記開口部を介して進退できるように前記搬送基体に設けられたアームと、
前記ケース体内における前記アームの基板保持領域に向けて気体の供給を行う気体供給部と、を備え、
更に、前記ダウンフローが形成されている雰囲気の外から気体を取り込み、前記塗布ユニット内の温度と同一温度に調整して前記気体供給部に対して供給する調整部と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
調整部は、前記気体を所定の温度に調整すると共に所定の湿度に調整するものであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
アームは、互いに独立して進退できると共に上下に重ねて設けられた複数のアームとして構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
気体供給部はケース体内部に設けられ、該ケース体内におけるアームの基板保持領域に向けて左右の一方側からまたは両側から挟むようにして気体の供給を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
気体供給部は、後方側へ気体を供給するようにケース体の先端近傍に設けられたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
ケース体には、気体供給部より供給される気体を吸引するための排気口が設けられることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
排気口は、ケース体内におけるアームの基板保持領域よりも後方側に設けられることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
基板搬送手段は、搬送基体の上下方向の移動領域に対応するように縦長の開口部が形成された囲み部材と、この囲み部材の内側から前記開口部を介して前記搬送基体を支持する支持部と、前記囲み部材内に設けられ、前記支持部を昇降させる昇降機構と、前記囲み部材内の雰囲気を基板が置かれる雰囲気の外へ排気する排気手段と、を備え、
排気口から吸引される気体は、ケース体から支持部内を連通する排気路を介して前記排気手段により排気されることを特徴とする請求項６または７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
塗布処理のための最適な温度雰囲気に調整され、基板に対しレジスト液の塗布処理を行う塗布ユニットと、この塗布ユニット内の温度とは異なる温度の清浄な気体によるダウンフローが形成されている雰囲気に設けられ、前記塗布ユニットとの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段と、を備えた基板処理装置において、
前記基板搬送手段のアームにより前記塗布ユニットとの間で基板の受け渡しを行う工程と、
前記基板を保持したアームを後退させて基板搬送手段のケース体内に収納し、この状態でケース体を移動させて基板を搬送し、その後アームを前進させて当該ケース体の前方に位置させて基板を受け渡す状態とする工程と、
前記ダウンフローが形成されている雰囲気の外から気体を取り込み、前記塗布ユニット内の温度と同一温度に調整して前記ケース体内の基板に対して気体を供給する工程と、を含むことを特徴とする基板処理装置における基板搬送方法。
【請求項１０】
ケース体内の基板に対し、温度調整に加えて更に湿度調整された気体を供給する工程を含むことを特徴とする請求項９記載の基板処理装置における基板搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板といった各種基板に対し、例えばレジスト液の塗布、露光及び現像を行う基板処理装置及び基板処理装置における基板搬送方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ（以下ウエハという）や液晶ディスプレイのＬＣＤ基板の表面上に回路パターンを形成する工程は多岐に亘るため、例えば各工程ごとに使用する処理装置をユニット化すると共に、これら処理ユニットの間を基板が移動できるように搬送手段を組み合わせて、例えば所定のレジストパターンの形成を行うパターン形成装置を構成している。
【０００３】
図１１はこのようなパターン形成装置の従来例を示す概略平面図であり、ウエハＷを収納した基板カセットＣはカセットステーション１Ａから搬入される。カセットステーション１Ａの奥には図示しないウエハＷの受け渡し手段を挟んで筐体により周囲を囲まれる処理ブロック１Ｂが設けられており、この処理ブロック１Ｂにはメインアーム等と呼ばれる主搬送手段１１、加熱、冷却を含む複数の処理ユニットが多段に積み重ねられた棚ユニット１２、及び塗布ユニットや現像ユニット等の液処理ユニット１３が配置されている。また処理ユニット１Ｂの奥側にはインターフェイスユニット１Ｃを介して露光装置１Ｄが設けられている。
【０００４】
レジストの塗布、現像は、処理の状態例えば面内均一性やパターンの線幅の状態などが温度、湿度に影響されるため、液処理ユニット内には、温湿度調整された空気のダウンフローが形成されている。一方液処理ユニット内に搬入されるウエハＷは予め冷却プレートで液処理ユニットの雰囲気に応じた温度に調整されるが、冷却ユニットから液処理ユニット内に搬送されるまでの温度変化をできるだけ少なくするために、処理ブロック内の雰囲気も調整しておく必要がある。
【０００５】
通常、半導体製造装置が置かれているクリーンルーム内の雰囲気は所定の温度、湿度に調整されており、この空気を装置内に上部のフィルタを介してダウンフローとして取り込むことにより装置内の温度、湿度を所定の雰囲気としている。この場合クリーンルーム内の空気を更に温湿度調整することにより液処理ユニットの雰囲気に近い雰囲気を処理ブロック内に作り出すことができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで空気の温度、湿度を調整するためには、冷却手段、加熱器、加湿器などが必要であるが、ウエハが大口径化しているので温度、湿度を調整しようとすると、多大なエネルギーが必要となり、コストが高騰する。また、共通の搬送空間内に複数の基板搬送手段を設けた際には、例えば一方で現像処理前のウエハを搬送し、他方では塗布処理前のウエハを搬送する場合のように、各基板搬送手段ごとに、ウエハに対してこれから行う処理に適した雰囲気で搬送を行うことが好ましい場合もある。しかしこのような場合において、装置内部の温湿度調整を一括して行えば、双方にとって最適な雰囲気を作り出すことは困難である。
【０００７】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、基板処理装置において基板の搬送空間の雰囲気を局所的に調整でき、運転エネルギーが小さくて済む技術を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る基板処理装置は、塗布処理のための最適な温度雰囲気に調整され、基板に対しレジスト液の塗布処理を行う塗布ユニットと、この塗布ユニット内の温度とは異なる温度の清浄な気体によるダウンフローが形成されている雰囲気に設けられ、前記塗布ユニットとの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段と、を備えた基板処理装置において、
前記基板搬送手段は、
前面に開口部が形成されたケース体を備えた移動自在な搬送基体と、
基板を保持し、前記ケース体に収まる後退位置とケース体の前方位置との間で前記開口部を介して進退できるように前記搬送基体に設けられたアームと、
前記ケース体内における前記アームの基板保持領域に向けて気体の供給を行う気体供給部と、を備え、
更に、前記ダウンフローが形成されている雰囲気の外から気体を取り込み、前記塗布ユニット内の温度と同一温度に調整して前記気体供給部に対して供給する調整部と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
このような構成によれば、例えば基板の搬送時において、当該基板を保持するアームをケース体内部に収納し、当該ケース体内部のみに温度調整した気体の供給を行う運用が行えるため、基板処理装置の内部全体に温度調整した空気を供給する場合に比して少ないエネルギーで基板周囲の雰囲気を調整することができる。また、この発明においては、ケース体内に温度調整に加えて更に湿度調整した気体を供給するようにしてもよい。
【００１０】
基板搬送手段の具体例としては、ケース体内部に互いに独立して進退できると共に上下に重ねて設けられた複数のアームと、気体供給部とを設け、気体供給部から前記アームの基板保持領域を左右両側から挟むように気体の供給を行う構成としたものを挙げることができる。この例において気体供給部の位置をケース体の先端近傍とすると共に、ケース体内部に気体を吸引するための排気口を設ける構成としてもよく、該排気口の位置を例えばケース体内におけるアームの基板保持領域よりも後方側にすることで、気体供給部から供給される調整された空気は、アームの基板保持領域を横切り後方側へと向かうこととなり、ケース体内に気流が形成される。即ち、気流はアームを左右から挟むように且つ前記基板保持領域を横切って流れるため、アームが基板を保持する際にも各アーム間に気体が流れ易く、温度調整の効果を高めることができる。
【００１１】
また、調整部は前記気体を所定の温度に調整すると共に所定の湿度に調整するものとしてもよく、塗布ユニット及び基板搬送手段が置かれる基板の搬送空間は筐体により囲むと共に調整部を前記筐体の外側に設けるようにしてもよい。
【００１２】
更に本発明に係る基板処理装置における基板搬送手段は、搬送基体の上下方向の移動領域に対応するように縦長の開口部が形成された囲み部材と、この囲み部材の内側から前記開口部を介して前記搬送基体を支持する支持部と、前記囲み部材内に設けられ、前記支持部を昇降させる昇降機構と、前記囲み部材内の雰囲気を基板が置かれる雰囲気の外へ排気する排気手段と、を備え、
排気口から吸引される気体をケース体から支持部内を連通する排気路を介して前記排気手段から排気する構成としてもよい。
【００１３】
本発明に係る基板処理装置における基板搬送方法は、塗布処理のための最適な温度雰囲気に調整され、基板に対しレジスト液の塗布処理を行う塗布ユニットと、この塗布ユニット内の温度とは異なる温度の清浄な気体によるダウンフローが形成されている雰囲気に設けられ、前記塗布ユニットとの間で基板の受け渡しを行う基板搬送手段と、を備えた基板処理装置において、
前記基板搬送手段のアームにより前記塗布ユニットとの間で基板の受け渡しを行う工程と、
前記基板を保持したアームを後退させて基板搬送手段のケース体内に収納し、この状態でケース体を移動させて基板を搬送し、その後アームを前進させて当該ケース体の前方に位置させて基板を受け渡す状態とする工程と、
前記ダウンフローが形成されている雰囲気の外から気体を取り込み、前記塗布ユニット内の温度と同一温度に調整して前記ケース体内の基板に対して気体を供給する工程と、を含むことを特徴とする。この発明において、ケース体内の基板に対して供給する気体は温度調整に加えて更に湿度調整を行ったものであってもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下に本発明に係る基板処理装置の実施の形態を、基板に対して所定のレジストパターンを形成するパターン形成装置を例にとって説明する。図１はこのパターン形成装置を示す平面図であり、図２は同斜視図である。図中１１は基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたカセットＣを搬入出するためのカセットステーションであり、このカセットステーション１１には前記カセットＣを載置する載置部１２と、この載置部１２から見て前方の壁面に設けられる開閉部１３と、開閉部１３を介してカセットＣからウエハＷを取り出すための受け渡し手段１４とが設けられている。カセットステーション１１の奥側には筐体２０にて周囲を囲まれる処理部Ｓ１が接続されており、この処理部Ｓ１には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニット２１，２２，２３と、後述する塗布・現像ユニットを含む各処理ユニット間のウエハＷの受け渡しを行うための基板搬送手段である主搬送手段３（３Ａ，３Ｂ）とが交互に配列して設けられている。
【００１５】
即ち、棚ユニット２１，２２，２３及び主搬送手段３（３Ａ，３Ｂ）はカセットステーション２１側から見て前後一列に配列されており、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されており、ウエハＷは処理部Ｓ１内を一端側の棚ユニット２１から他端側の棚ユニット２３まで自由に移動することができるようになっている。また、主搬送手段３（３Ａ，３Ｂ）は、カセットステーション２１から見て前後方向に配置される棚ユニット２１，２２，２３側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニット２（２Ａ，２Ｂ）側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁３０により囲まれる空間内に置かれている。
【００１６】
主搬送主段３（３Ａ，４Ｂ）の棚ユニット２１，２２，２３が接続していない部位例えば前述の右側面部には、夫々塗布ユニットや現像ユニット等を多段化した液処理ユニット２（２Ａ，２Ｂ）が設けられている。２４、２５は例えば温度または湿度の調整装置、ポンプ、ダクト等を備えた温湿度調整ユニットである。
【００１７】
液処理ユニット２（２Ａ，２Ｂ）は、例えば図２に示すように塗布液（レジスト）や現像液といった薬液供給用のスペースをなす収納部２６の上に塗布装置または現像装置が収納される処理容器２７が複数段例えば５段に積層された構成とされており、この処理容器２７の主搬送手段３（３Ａ，３Ｂ）側の側面には、ウエハＷの搬入出時に後述するウエハ搬送用のアームが侵入できるように搬送口２８が形成されている。また棚ユニット２１，２２，２３については、加熱ユニットや冷却ユニットの他、ウエハの受け渡しユニットや疎水化処理ユニットなどが例えば上下１０段に割り当てられている。
【００１８】
この処理部Ｓ１（筐体２０）の上部には図示しないＦＦＵ（ファンフィルタユニット）が、また底部には図示しない排気手段が設けられており、清浄な空気がダウンフローとして流れるようになっている。また、処理部Ｓ１における棚ユニット２３の奥側にはインターフェイス部Ｓ２を介して露光装置Ｓ３が接続されている。インターフェイス部Ｓ２は受け渡し手段２９と、バッファカセットＣ０とを備えており、前記処理部Ｓ１と露光装置Ｓ３とバッファカセットＣ０との間でウエハＷの受け渡しを行うものである。なお図１、２では省略しているが、ウエハＷの受け渡しが行われる各ユニット間には図示しないゲートバルブまたはシャッターが設けられており、各々の空間を気密に保つことができるように構成されている。
【００１９】
ここで本実施の形態の主要部である主搬送手段３（３Ａ，３Ｂ）の構成について、主搬送手段３Ａを例に取って説明を行う。詳細説明に先立ち、図１、２を参照しながら、全体の概略について説明すると、この主搬送手段３ＡはウエハＷの保持及び受渡しを行う搬送部本体５と、この搬送部本体６の先端を支持して一体的に昇降するように構成された水平な支持部３１とを備えている。この支持部３１の両側には縦長かつ箱形の囲み部材４（４Ａ，４Ｂ）が設けられており、この中に設けられた後述の駆動部により支持部３１が昇降されるように構成されている。
【００２０】
次に主搬送手段３Ａの細部について説明する。先ず図３に示す斜視図を参照して囲み部材４（４Ａ，４Ｂ）の説明を行うが、これら囲み部材４（４Ａ，４Ｂ）は同形状で且つ搬送部本体５から見て左右対称に配置されるため、ここでは囲み部材４Ｂを省略し囲み部材４Ａのみを説明する。囲み部材４Ａは図示しない囲み部材４Ｂと対向する側面に、支持部３１の移動領域即ちウエハＷの上下方向の搬送領域に対応するように縦方向にスリット状の第１の開口部４１が形成されており、その内部は前記第１の開口部４１が形成されている方向を前方とすると、隔壁４２により例えば第１の開口部４１を有する前側の第１の部屋Ｄ１と、後側の第２の部屋Ｄ２とに区画されている。
【００２１】
第１の部屋Ｄ１には支持部３１の案内手段であるガイド軸４３が設けられており支持部３１の端部に形成される横断面凹状の係合部３２と噛み合い、これを昇降自在にガイドするようになっている。また第１の部屋Ｄ１には、天井及び底面の近傍に夫々設けられるプーリ４４ａ，４４ｂと、これに巻き付けられたベルト４４ｃとからなる駆動機構４４とが設けられており、ベルト４４ｃは支持部３１を貫通して一体的に固定されている。従ってベルト４４ｃが図示しないモータの駆動力により回転駆動すると、その動きに伴い支持部３１がガイド軸４３に沿って昇降する仕組みとなっている。なお囲み部材４Ａ及び４Ｂの夫々の駆動機構４４は同期して回転するように構成されている。また第２の部屋Ｄ２の内部には、各々水平に回転するファン４５が例えば等間隔で多段に配置されており、また底面には排気口４６が形成されている。詳細は後述するが、ファン４５及び排気口４６は、隔壁４２に形成される図示しない第２の開口部を介して第１の部屋Ｄ１側の雰囲気を囲み部材４Ａ外部へ排気するために設けられる排気手段を構成するものである。
【００２２】
次に図３、図４及び図５を参照して搬送部本体５の説明を行う。搬送部本体５は図３に示すように、前記支持部３１に先端が固定された昇降台３３の上に回転機構３４を介して鉛直軸周りにθ回転できるように設けられており、支持部３１と共に一体的に昇降するようになっている。この搬送部本体５の底面をなす板状の搬送基体５１の表面には、図４に示すように後述するアームの前進する方向から見て後方側に例えば多数の孔部からなる排気口５２が形成されている。また搬送基体５１の両側面には、Ｘ方向に延びるガイド溝５３が例えば平行となるように形成されている。
【００２３】
５４はアーム支持部であり、基板受渡し手段である三基のアーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）を搬送基体５１の上方で支持すると共に、これらアーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）の中から選択されたものをガイド溝５３に沿って進退させるように構成されている。なお図４に示すアーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）の位置は後退位置であり、上述した排気口５２の位置は、この後退位置におけるアーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）の馬蹄形部分で囲まれたウエハ保持領域５６よりも後方側に形成されている。
【００２４】
また、ウエハＷの受渡しを行う際には図４中において搬送基体５１の後端に位置するアーム支持部５４が該搬送基体５１の先端近傍まで前進し、例えば一のアーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）前方のウエハ保持領域５６が例えば液処理ユニット２などのウエハＷの受渡し先へ侵入するようになっている。
【００２５】
搬送基体５１の上方には、アーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）の後退時におけるウエハ保持領域５６を外部から区画して所定の温度、湿度雰囲気とするために、アーム支持部５４及びアーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）を覆うカバー体６が設けられている。搬送基体５１及びカバー体６はケース体６０を構成するものであり、このケース体６０は、アーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）が進退できるように、前面側を開口してアーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）の周囲を囲み、その内壁面には、例えば後退位置におけるアーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）のウエハ保持領域５６を左右両側から挟むように例えばパネル状の気体供給部６１（６１ａ、６１ｂ）が設けられている。この気体供給部６１（６１ａ、６１ｂ）には各アーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）のウエハ保持領域５６に対して気体の供給を行うことができるようにウエハ保持領域５６の前後の長さに亘って、またアーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）の各段の高さ位置に応じて多数のガス供給孔６２が形成されている。
【００２６】
また気体供給部６１（６１ａ、６１ｂ）の後端には、例えば処理部Ｓ１（筐体２０）の上部に設けられる調整部６３からファン６４及びパーティクル除去用の清浄化フィルタ６５を介して配管される例えばフレキシブルチューブよりなる気体供給管６６が接続されている。調整部６３は例えば工場内の空気（外部空気）を取り込み、これを温度調整してケース体６０内に供給するためのものであり、例えば取り込んだ空気を一旦０℃以下に冷却して除湿し、加湿器で所定の湿度に加湿すると共に加熱器で所定の温度まで加熱するように構成されている。このようにして調整された空気はファン６４にて送気され、清浄化フィルタ６５にて清浄化されてケース体６０内へ供給されるようになっている。
【００２７】
上述した排気口５２は、ケース体６０の内部雰囲気を吸引して前方側から後方側に流れる気流を形成するためのものであり、以下に図５及び図６を参照しながら排気口５２と接続する排気側についての説明を行う。図示するように排気口５２の下流側には、搬送基体５１、回転機構３４及び昇降台３３の内部を連通する流路７１が形成されており、この流路７１は支持部３１内に形成される中空部７２へと接続されている。図３では説明を省略したが、中空部７２は支持部３１内部を長手方向に貫通するように形成されており、その両端部をなす孔部７３は、係合部３２における隔壁４２と対向する垂直面に形成されている。このように排気口５２は流路７１及び中空部７２を介して第１の部屋Ｄ１へと繋がっているため、第１の部屋Ｄ１にて排気を行うと排気口５２における吸引も同時に行われる仕組みとなっている。また図６に示すように隔壁４２には、既述の例えば支持部材４１の昇降領域と対応するように上下に延びるスリット状の第２の開口部７４が形成されているため、第２の部屋Ｄ２において排気を行うと、この第２の開口部７４を介して第１の部屋Ｄ１側の雰囲気が吸引されるようになっている。なお、流路７１及び中空部７２は特許請求の範囲における排気路に相当するものである。
【００２８】
次に上述実施の形態の作用について説明する。先ずカセットＣがカセットステーション１１に搬入されると、開閉部１３と共にカセットＣの蓋体が外されて受け渡し手段１４によりウエハＷが取り出される。そしてウエハＷは受け渡し手段１４から棚ユニット２１中の受け渡しユニット（載置台が置かれているユニット）を介して主搬送手段３Ａへと受け渡され、例えば液処理ユニット２Ａ内の塗布装置でレジスト液の塗布が行われた後、主搬送手段３Ａから棚ユニット２２の受け渡しユニット、主搬送手段３Ｂ、棚ユニット２３の受け渡しユニット及びインターフェイス部Ｓ２の受け渡し手段２９を経て露光装置Ｓ３へと搬送され、露光が行われる。なおウエハＷにレジストを塗布する前には、棚ユニット２１，２２，２３に含まれる処理ユニットにて例えば疎水化処理、冷却処理が行われ、レジストを塗布した後は、加熱処理及び冷却処理が行われる。露光後、ウエハＷは逆の経路で主搬送手段３Ａまで搬送され、例えば液処理ユニット２Ａ内の現像ユニットにて現像され、こうして所定のレジストパターンが形成される。なお現像の前後には棚ユニット２１，２２，２３にて加熱及び冷却処理などの前処理及び後処理が行われる。
【００２９】
ここで主搬送手段３（３Ａ，３Ｂ）における搬送部本体５に着目し、ウエハＷの搬送時における作用を説明する。先ず主搬送手段３（３Ａ，３Ｂ）における囲み部材４（４Ａ，４Ｂ）では搬送部本体５の昇降を行うに先立ち、ファン４５を回転させて排気が行われている。具体的には第２の部屋Ｄ２内では例えば上段側よりも下段側のファン４５の回転速度が速くすることで排気口４６に向かう下降流を形成しており、この下降流により第１の部屋Ｄ１側の雰囲気は第２の開口部７４を介して第２の部屋Ｄ２側へ吸引される。これに伴い第１の部屋Ｄ１内には第１の開口部４１から第２の開口部７４に至る気流が形成されるため、例えば支持部３１を昇降させるとき、駆動機構４４から生じるパーティクルがウエハＷの搬送領域である第１の開口部４１の前方側へ向うことが抑えられる。
【００３０】
同時に、前記気流即ち第２の開口部７４における吸引力は支持部３１の孔部７３にも及び、中空部７２、流路７１を介して排気口５２から搬送部本体５内の排気が行われる。搬送部本体５は既述のように前方側以外の全ての方向が塞がれているため、排気口５２から排気を行うことで前方側から排気口５２へ向けて流れる気流が形成されることとなる。
【００３１】
このときケース体６０内のウエハ保持領域５６には、例えば調整部６３から温度、湿度の調整がなされた空気が常時供給されており、この空気は上述した搬送基体５１の上方を各段のウエハＷ表面を沿うように気流を形成し、図７に示すようにウエハ搬送領域５６を横切って排気口５２へと吸い込まれ、既述のように囲み部材４（４Ａ，４Ｂ）の各排気口４６からパターン形成装置の外部へと排出される。
【００３２】
即ち、アーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）にて保持されるウエハＷは、一定の温度及び湿度に調整された雰囲気に保たれながら搬送される。具体例を挙げると、例えばレジスト膜厚の面内均一性は温度及び湿度による影響が大きいため、塗布ユニットや現像ユニットなどを含む液処理ユニット２（２Ａ，２Ｂ）内の雰囲気は温湿度の最適化が図られているが、ケース体６０内の雰囲気は、このような雰囲気に見合う雰囲気例えば各液処理ユニット２Ａ，２Ｂと同じ雰囲気となるように主搬送手段３Ａと３Ｂにて夫々別個に調整される。
【００３３】
上述実施の形態によれば、ウエハＷを搬送するアーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）にケース体６０を設けてこの中の雰囲気の温度、湿度を調整し、ウエハＷが処理ユニットに搬送される前後にウエハＷの周囲の雰囲気を調整するようにしているため、ウエハＷを液処理ユニット２（２Ａ，２Ｂ）に搬入した後、速やかにウエハＷに対してレジストの塗布や現像処理を行うことができ、また基板処理装置内全体を温湿度調整する場合に比して、狭い空間の雰囲気調整を行えば済むので、雰囲気調整に要するエネルギー（空気の冷却、加熱に要するエネルギーや加湿器のエネルギーなど）が少なく、コストも低く抑えられる。また前記空気の供給は、アーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）の側方から挟むように行っているため、いずれかのアーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）がウエハＷを保持する際にも各アーム間に空気が流れ易く、温湿度制御の効果が高いという利点もある。
【００３４】
このように搬送部本体５は主搬送手段３Ａと３Ｂとで夫々異なる雰囲気を形成できるため、例えば液処理ユニット２Ａと２Ｂとで異なる雰囲気の設定がなされていたときでも、主搬送手段３（３Ａ，３Ｂ）における各搬送部本体５の夫々で搬送するウエハＷに対してこれから行う処理に最適な雰囲気を形成し、同時に稼働させることができる。
【００３５】
ところで、搬送部本体５において例えばアーム５５ａを加熱後のウエハＷ１の受け取りに用い、アーム５５ｂ，５５ｃを冷却後のウエハＷ２の受け取りに用いる設定とした場合、例えばアーム５５ｂに保持されるウエハＷ２に対して、アーム５５ａに保持される熱いウエハＷ１の熱が伝わるおそれがある。
【００３６】
従ってこの問題を防ぐため、例えば図８に示すようにアーム５５ａとアーム５５ｂとの間に遮へい板５７を設ける構成としてもよいが、本実施の形態はこのような構成とした場合に、ウエハＷ１，Ｗ２のみならず遮へい板５７をも冷却できるという利点がある。
【００３７】
一方、ケース体６０内に設けられる排気口５２は、気体供給部６１から供給された空気がウエハ保持領域５６を横切る気流を形成するため、アーム５５及びウエハＷの表面全体を均一な温度とすることができる。また排気口５２における気体の吸引には、囲み部材４（４Ａ，４Ｂ）内のパーティクルが搬送部本体５の昇降領域側に飛び出すことを防ぐために該囲み部材４（４Ａ，４Ｂ）内に設けられるファン４５の吸引力を利用しているため、搬送部本体５にて回収されたパーティクルも囲み部材４（４Ａ，４Ｂ）から排出され、より一層クリーンな環境下でウエハＷの搬送を行えるという利点もある。特に上述した温湿度調整した空気について清浄化を図ることで、その効果は更に高まる。
【００３８】
なお、搬送部本体５における気体供給部６１（６１ａ，６１ｂ）の位置は上述実施の形態に示した位置に限定されるものではなく、例えば図９及び図１０に示す第２の実施の形態のようにすることもできる。この実施の形態において気体供給部８１は、例えばカバー体６天井部の先端近傍に設けられ、その形状は図９に示すようにウエハＷの外周に沿うように円弧状とされ、内周面に沿って複数のガス供給孔８２が形成される。また孔部８２は図１０に示すように後方且つ斜め下向きで設けられ、当該ガス供給孔８２から供給される温湿度調整された空気はウエハ保持領域５６を横切って排気口５２へと向かうため、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。また排気口５２の位置についても同様であり、例えば搬送基体５１に設ける場合にはウエハ保持領域５６の真下であってもよいし、例えばウエハ保持領域よりも後方側のカバー体６内壁面に形成するようにしてもよい。
【００３９】
また上述実施の形態では、ケース体６０内に供給する空気について温度及び湿度の両方を調整するようにしたが、例えばウエハ表面に形成されるレジスト膜厚の面内均一性を高めるにあたり、温度変化が影響を与える処理の前後には温度調整のみを行い、湿度変化が影響を与える処理の前後には湿度調整のみを行うように、いずれか一方のみを調整するようにしてもよい。
【００４０】
更にケース体６０内への空気の供給は、必ずしも上述実施の形態のように常時行う必要はなく、例えば制御部にてアーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）の進退を監視し、アーム５５（５５ａ，５５ｂ，５５ｃ）が進退してウエハＷを受け取ると該制御部からファン６４へ作動信号が発せられ、ケース体６０内へ調整された空気が供給されるように構成してもよい。また、ファン６４の回転数を制御して空気の供給速度を変化させるようにしてもよい。
【００４１】
以上において、本実施の形態では半導体ウエハの表面に所定のレジストパターンを形成するパターン形成装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば基板表面に有機系シリカを塗布すると共にこれを加熱してガラス膜を形成する装置に適用してもよいし、基板としてはウエハに限らずＬＣＤ基板であってもよい。
【００４２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、基板処理装置における基板の搬送空間を局所的に調整でき、運転エネルギーを小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る基板処理装置の実施の形態を示す平面図である。
【図２】本発明に係る基板処理装置の実施の形態を示す斜視図である。
【図３】主搬送手段３Ａの全体構造を示した斜視図である。
【図４】搬送部本体５の構造を説明するための斜視図である。
【図５】搬送部本体５に設けられる排気口５２の排気経路を説明するための概略縦断面図である。
【図６】搬送部本体５に設けられる排気口５２の排気経路を説明するための概略横断面図である。
【図７】上述実施の形態における作用説明図である。
【図８】本発明に係る基板処理装置の他の実施の形態を説明するための縦断面図である。
【図９】本発明に係る基板処理装置の他の実施の形態を説明するための平面図である。
【図１０】本発明に係る基板処理装置の他の実施の形態を説明するための縦断面図である。
【図１１】従来発明に係る基板処理装置を説明する平面図である。
【符号の説明】
Ｗ      ウエハ
Ｓ１    処理部
２      液処理ユニット
２１，２２，２３    棚ユニット
３      主搬送手段
３１    支持部材
３２    係合部
４      囲み部材
４１    第１の開口部
４２    隔壁
４５    ファン
５      搬送部本体
５１    搬送基体
５２    排気口
５５    アーム
６      カバー体
６０    ケース体
６１    気体供給部
６３    調整部
７１    流路
７２    中空部
７４    第２の開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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