(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄層の蒸着用のメタルマスクが支持フレームに溶接されており、少なくとも被蒸着基板内に該溶接部が位置するメタルマスク構造体であって、前記メタルマスクのフレーム当接面の反対の面に、該メタルマスクに凹部が形成されており、該凹部内でメタルマスクと支持フレームとが溶接されていることを特徴とするメタルマスク構造体。
【請求項２】
メタルマスクに形成する凹部の深さが、溶接後にメタルマスクの被蒸着基板当接面上に溶接バリの突出が０〜４０μｍの範囲となる深さであることを特徴とする請求項１に記載のメタルマスク構造体。
【請求項３】
メタルマスクを支持フレームに固定する際に、メタルマスクにテンションを掛けて固定することを特徴とする請求項１または２に記載のメタルマスク構造体。
【請求項４】
前記凹部が連続した溝であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のメタルマスク構造体。
【請求項５】
前記凹部が円形又は矩形であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のメタルマスク構造体。
【請求項６】
薄層の蒸着用のメタルマスクが支持フレームに溶接されており、少なくとも被蒸着基板内に該溶接部が位置するメタルマスク構造体の製造方法であって、前記メタルマスクのフレーム当接面の反対の面に、凹部を形成し、該凹部内でメタルマスクと支持フレームとを溶接することを特徴とするメタルマスク構造体の製造方法。
【請求項７】
前記凹部を切削により形成することを特徴とする請求項６に記載のメタルマスク構造体の製造方法。
【請求項８】
前記凹部をエッチングにより形成することを特徴とする請求項６に記載のメタルマスク構造体の製造方法。
【請求項９】
メタルマスクに形成する蒸着開口パターンをウェットエッチングによりマスクの両面から２回に分けて行い、フレーム当接面の反対面をエッチングする際に、前記凹部を同時に形成することを特徴とする請求項６に記載のメタルマスク構造体の製造方法。
【請求項１０】
メタルマスクに形成する凹部の深さが、溶接後にメタルマスクの被蒸着基板当接面上に溶接バリの突出が０〜４０μｍの範囲となる深さであることを特徴とする請求項６乃至９の何れか１項に記載のメタルマスク構造体の製造方法。
【請求項１１】
メタルマスクを支持フレームに固定する際に、メタルマスクにテンションを掛けて固定することを特徴とする請求項６乃至１０の何れか１項に記載のメタルマスク構造体の製造方法。
【請求項１２】
メタルマスクとフレームとの溶接をレーザー溶接により行うことを特徴とする請求項６乃至１１の何れか１項に記載のメタルマスク構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板上に密着保持して、蒸着物を析出させるためのメタルマスクの構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
表示素子、フラットパネルディスプレイ等に用いられる有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）では、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔とを、両極に挟まれた有機蛍光色素内で再結合させ、色素を励起することで発光を得るものである。そのため、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）と比較して、視野角が広く、高輝度時の高コントラストが容易に実現でき、又、色素の自発光を利用するため、バックライトが不要な上、２ｍｍ以下の極めて薄いパネルとすることができることから、軽薄化が図れる、更に、応答時間が液晶より遙かに速く、動画再生などの用途に適している、等の優れた特性を有することから注目を集めている。
【０００３】
この様な有機ＥＬ素子のカラー化も検討が進められており、ＲＧＢ三色の画素をそれぞれ異なる色素を含有する発光層で形成するパラレル型独立方式、一種類の青色発光層で発生した光を蛍光性の色変換膜によりＲＧＢ三色に変化する色変換方式、白色発光層からの光をカラーフィルタを介してＲＧＢ三色を得るカラーフィルタ方式などが知られている。
【０００４】
色変換方式やカラーフィルタ方式では、発光層は１色でよくパターニングが必要なく、又、パターニングの必要な色変換膜やカラーフィルタは通常のリソグラフィー法により実現できるが、色変換膜やカラーフィルタを通すことにより発光効率が低下するという問題がある。
【０００５】
一方、パラレル型独立方式は、色変換膜やカラーフィルタが不要であることから発光効率に優れるという特長があり、他の方式に比べ有利である。しかしながら、微細な発光層の塗り分けが必要となり、又、三色の発光層ともに高性能な材料を用いる必要がある。特に発光層に用いられる有機色素は水分や有機溶剤に対する耐性に乏しいため、フォトリソグラフ法に代表されるウェットプロセスによるパターニングが困難である。又、有機発光層上に形成される電極に関しても、ウェットプロセスによるパターン加工を行うことで、有機色素へダメージを与えてしまうことから、共に、蒸着等のドライプロセスを用い、パターン化はマスクを用いて実現されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、微細なパターンを形成する場合、マスクを薄くしなければ、マスク開口の周辺部の蒸着物の膜厚が薄くなってしまい、均一な膜厚の蒸着膜が得られない。又、精度良く蒸着を行うためにはマスクを基板に密着させて蒸着を行わなければならないが、マスクを薄くするにしたがって、マスクがたわみやすくなり、マスクと基板との間に隙間ができ、特にマスクの中心部ほど隙間が大きくなり、蒸着パターンがにじみやすくなる。また、マスクが蒸着中に温度上昇による膨張を起こし、薄膜化したことで機械的な剛性も不足することから、僅かな振動、応力でマスクの線位置がずれ、特に多色の発光層を蒸着する場合にメタルマスクとの位置合わせが困難となり、精度確保が問題となっていた。
【０００７】
また、実際の製造では、一つの基板上に複数個のＥＬ素子パターンを一括して蒸着し、その後、個々のＥＬ素子に分割する方法が採られる。つまり、大面積のガラス基板上に複数のＥＬ素子パターンを一括して蒸着するため、マスクも大面積化され、マスクのたわみがより助長される。従って、従来は、各ＥＬ素子パターン間にフレームを梁状に差し渡し、該フレームにメタルマスクを溶接固着してマスクのたわみを解消していた。また、特開平１０−４１０６９号公報に開示されているようにマスクにテンションを掛けながらフレームに固定して、マスクの平面性を理想状態に近づけるようにすることは有効な方法である。
【０００８】
フレームにマスクを溶接するには、レーザー溶接やスポット溶接などの種々の方法が採られるが、その際、マスクの基板当接面に高さ数μｍから数百μｍの溶接バリが発生する。図４（ａ）に示すように、一般的な蒸着方法では、蒸発源４８を基板中心位置から少しずらして基板を回転させて行うが、この溶接バリをそのままにして蒸着を行う場合、図４（ｂ）に示すように、フレーム４１とマスク４２の溶接部分に溶接バリ４３が突出した状態となり、そのため基板４５とマスク４２との間にギャップ４４が発生し、例えば１つの蒸発源４８から発光層４７の蒸着を行うと、同図に示すように、蒸着領域端部では蒸発源４６から最も遠いときと最も近い時とで蒸着入射角が異なり、最も遠いときに蒸着入射角が最小となり基板中心から遠い側では所定の領域（ＩＴＯと同等の幅）より広く蒸着されてしまう。又、ＩＴＯ電極に対して発光層の均一部分が対応している必要があるが、基板の中心方向側ではスリットの陰となって蒸発源から最も近い位置（蒸着入射角最大）の時に形成される発光層の均一部分の中心とＩＴＯ電極との中心がずれ、均一部分がＩＴＯ電極に対応しなくなる場合もある。更に、フルカラー化のために発光層を塗り分けて形成する場合、同じマスクをＩＴＯのピッチ分ずらして成膜していくが、蒸着領域端部では基板中心方向から遠い側で隣の画素部分（隣のＩＴＯ電極４６）上にまで膜がついてしまう。特にこの傾向は、狭ピッチ狭スペース化が進むにつれて顕著となる。
【０００９】
溶接バリを研磨等により除去する方法も考えられるが、その場合、研磨時の摺擦により溶接剥がれが生じ、蒸着時の輻射熱によりマスクがたわんで、精細なパターンを形成できなくなる恐れがある。また、マスクにテンションを掛けてフレームに固定した場合、溶接剥がれによりパターン自体がゆがんでしまうことがあった。従って、通常は溶接バリをそのままにして蒸着を行うため、上記の問題を解消することは困難であった。
【００１０】
従って、本発明の目的は、メタルマスクをフレームに溶接するに際し、溶接部が被蒸着基板内に当接する場合、溶接バリによるマスクと基板とのギャップを極力少なくし、蒸着パターンのにじみを防止し得るマスク構造体を提供することにある。
【００１１】
【発明を解決するための手段】
本発明者らは、上記課題を解決するべく鋭意検討した結果、メタルマスクのフレームとの溶接部分に凹部を形成し、該凹部内で溶接固着することで、発生する溶接バリの高さが低くなるとともに、マスクの基板との当接面からほとんど突出しなくなり、基板をマスクに密着させることができるため、蒸着パターンのにじみがほとんどなくなることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、
薄層の蒸着用のメタルマスクが支持フレームに溶接されており、少なくとも被蒸着基板内に該溶接部が位置するメタルマスク構造体であって、前記メタルマスクのフレーム当接面の反対の面に、該メタルマスクに凹部が形成されており、該凹部内でメタルマスクと支持フレームとが溶接されていることを特徴とするメタルマスク構造体
に関するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明では、溶接バリによりメタルマスクを基板に密着させることができずに、精度良く蒸着できないと言う課題に対して、溶接箇所のメタルマスクに凹部を形成し、該凹部内で溶接するようにしたことにより、溶接バリがその凹部とした分だけ突出が少なくなる、あるいはその凹部内に隠れ表面に突出しなくなるようにしたことを特徴としている。また、通常の厚みのマスクをそのまま溶接する場合に比較してより少ないパワーでの溶接が可能となり、バリの発生量自体が少なく抑えられることで、より一層溶接バリの突出が抑制される。更に凹部内の薄くされた部分で溶接を行うため、溶接ミスも少なくなる。
【００１３】
凹部を形成するには、機械的に切削を行って座繰り（ザグリ）を形成してもよく、その場合は、マスクに蒸着パターンとなる開口（スリット）を形成する前に切削を行うことが好ましい。また、切削後、切りくずを除去するとともに、切削時に発生したバリ等の突起を除去する。更に凹部を形成する方法として、エッチングによって行うこともでき、ウェットエッチング、ドライエッチングのいずれの方法でも良い。特にマスクに蒸着パターンとなる開口を形成する時に行うエッチングの際に同時にハーフエッチを行うこともでき、この様なエッチングは通常、マスクの両面から２回に分けて行うのが精度良く開口を形成できることから多用されているが、そのうち、フレーム当接面の反対の面（被蒸着基板の当接面）をエッチングする際に同時に行えば良い。
【００１４】
凹部の深さはメタルマスクの厚みや、溶接方法により一概に規定できないが、凹部形成後に残る厚さとして１０μｍ以上とすることにより、テンションを掛けて溶接した場合にも破損等の強度的な問題を解消できる。凹部深さの下限は、溶接バリの突出が４０μｍ以下となる深さとなるように形成すればよい。好ましくは、溶接バリが突出しない（すなわち０となる）深さにするのが望ましい。
【００１５】
一般的に、蒸着を行うには、蒸発源をメタルマスクと基板間に許容されるギャップとしては、最も精度良く蒸着パターンを形成できる条件、すなわち、パターンボケし難い蒸着角度を、現在、開発が進められているＱＶＧＡ（３２０×２４０ピクセル）カラー有機ＥＬディスプレーの製造を例に取ると、陽極としてパターンピッチ１２０μｍ、パターン幅８０μｍでＩＴＯ（インジウム−錫酸化膜）電極を形成した基板のＩＴＯ形成面にマスクを設置し、１ｍｍ径の蒸発源を基板中心から４０ｍｍ離し、基板高さを蒸発源から５００ｍｍに設定して基板を回転させながら蒸着を行う場合、蒸着領域端部は基板中心から６０ｍｍ程度であり、蒸着領域端部に形成される蒸着パターン形状が蒸発源に対して蒸着領域端部が最も遠くなる時と最も近くなるときの均一部分とＩＴＯ電極との対応状況をメタルマスクと基板とのギャップによりどのように変化するか、検討した。ＩＴＯ電極と発光層の均一部分が対応しているかどうかは、ＩＴＯパターンの半値幅より発光層の均一部分の半値幅からパターンずれを差し引いた値が大きくなっていれば、対応していることになる。ギャップ４０μｍにおいて均一部分の長さは約９２．１μｍ程度であり、この時ＩＴＯ電極とのパターンずれが６μｍ程度となり、対応しているが、これよりギャップが大きくなるとパターンずれが拡大し、対応しきれなくなる。よって、本発明では溶接バリの突出高さを４０μｍまでに規定している。もちろん、この値は、蒸発源の位置、基板の蒸発源からの高さ、蒸着面積により変化する値であるが、基板高さを低くする、蒸発源位置を更に遠くすればパターンずれが大きくなるし、逆に基板高さを高く、あるいは蒸発源位置を基板中心にすると、均一な膜形成が困難となる。よって、現状ではこの４０μｍという値がＱＶＧＡパネルにおいて、アスペクト比１：１で開口率＝６０％を実現するための最大許容値となる。
【００１６】
また凹部の幅は、溶接に要する領域より広めに設定しておけば良いが、あまり広すぎても機械的強度が低下する恐れがあるため、若干広めとなる程度とすればよい。また、溶接箇所は凹部内であれば複数箇所に行っても良く、その場合はその分幅を広めにしても差し支えない。例えば、０．５ｍｍφのスポット径を有するレーザー溶接の場合、０．６〜１．０ｍｍ程度の幅とすればよい。また、長さは、どのように溶接するかにより異なるが、連続したシーム溶接を行う場合には連続した溝となるように形成すればよいし、スポットで溶接する場合は、連続した溝であっても、スポット部分をカバーできる程度に断続した溝（平面形状として円形や矩形等のいずれでも良い）としても良い。又、凹部の断面形状も図１に示したような矩形形状に限定されるものではなく、多角形状、半円状などいずれでも良い。
【００１７】
本発明におけるメタルマスクとしては、通常この分野において使用されているステンレス鋼（ＳＵＳ合金）や、コバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）、インバー（Ｆｅ−Ｎｉ合金）などが使用できるが、これらに限定されるものではない。
【００１８】
また、メタルマスクを固定するフレームとしては、メタルマスクと溶接可能であり、十分な剛性を有する物であればいずれの材料の使用できる。また、本発明では、メタルマスクを固定する際にテンションを掛けて固定することが好ましい。尚、テンションを掛ける際は、メタルマスクに形成される開口（スリット）の長辺方向により多くのテンションが掛かるようにすることで、開口形状をより強固に維持することができる。また、蒸着中にメタルマスクとフレームとの熱膨張係数の違いからゆるみが生じることを防ぐため、フレーム材としてメタルマスクの材料と同等かより熱膨張係数の大きなものを使用するのが好ましい。更にフレーム材としては、一つの材料で形成しても良いが、フレーム外枠部分と桟部分とをあるいは縦枠と横枠とを別材料で形成し、蒸着時の輻射熱による熱膨張の違いからマスクに所定方向のテンションが掛かるように構成することも可能である。
【００１９】
フレームの厚みは、メタルマスクをたわむことなく保持できる厚みであれば特に限定されるものではなく、使用する材料により一概に規定できないが、あまり厚すぎるとマスク構造体の重量が大きくなるばかりではなく、窓あけなどの加工負荷も大きくなり、更に蒸着の際にフレームが蒸着の遮蔽物ともなりかねないため、適切な厚みとするのが肝要である。通常、この用途に用いられる材料であれば、数ｍｍ〜十数ｍｍあれば十分である。
【００２０】
フレームは１枚の板に切削加工や打ち抜き加工によりメタルマスクの蒸着パターン部が開口した窓を設けても良いし、棒材を組み合わせて窓部を形成しても良い。また、メタルマスクの平滑性を高めるため、表面を鏡面研磨しておくことが望ましい。
【００２１】
メタルマスクのフレームへの取り付けは、溶接により行うが、溶接方法としては、電気抵抗溶接（スポット溶接を含む）、電子ビーム溶接、レーザー溶接などいずれの方法も可能であるが、レーザー溶接による方法が微細な加工が容易であり、また、溶接バリの高さも低いことから好適である。
【００２２】
蒸着に際しては、ガラス基板などの被蒸着基板とフレーム固定されたメタルマスクとをメタルマスクのフレーム取り付け面と反対の面で位置合わせして密着させるが、基板が薄層化されていくと蒸着中の輻射熱や蒸着物により基板に応力が掛かり基板の周辺部が反り返りギャップが生じることがあるため、その場合は、メタルマスクとして強磁性材料を選択し、基板のメタルマスク当接面の反対の面に磁石を設置し、磁力によりメタルマスクを基板に密着させるようにすることで、磁石とメタルマスクとの吸引力により基板の反り返りを防止することができる。
【００２３】
本発明では、有機ＥＬ素子形成用の蒸着マスクとして説明しているが、本発明はこの用途に限定されるものではなく、微細な蒸着パターンを形成するいかなる用途にも適用できることは言うまでもない。
【００２４】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【００２５】
実施例１
本実施例では、有機ＥＬ発光層分離用マスクについて説明する。
まず、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、メタルマスクフレーム１１として外形サイズ：４００×４００ｍｍ、ｔ＝５ｍｍのＳＵＳ３０４製の板にマスクパターン用の窓１１ａとして１００×１２０ｍｍの大きさで９カ所切削加工した後、鏡面仕上げを施した。
【００２６】
一方、図１（ｃ）、（ｄ）に示すように、メタルマスク１２として、外形サイズ：４００×４００ｍｍ、ｔ＝１００μｍのＳＵＳ３０４の板に、上記フレームの窓部に対応して３６０μｍｍピッチで３２０本のスリット１２ｂをスリット幅８０μｍとなるようにウェットエッチングによりパターニングした。また、溶接個所の凹部１２ａはガラス基板と接する面側を削り加工により深さ５０μｍ、幅１ｍｍとなるように溝を形成した。
【００２７】
溶接に際しては、図２に示すように、メタルマスク１２のたるみを防ぐために、テンションをかけた状態でメタルマスクフレーム１１と位置合わせを行い、レーザービーム２１をメタルマスク１２の凹部１２ａ内にビームが収束するようしてに溶接する。溶接条件としては、ＹＡＧレーザスポット溶接でスポット径＝φ０．５ｍｍ、出力＝数十ｍＪ、溶接間隔＝１ｍｍとして実施した。図２（ｂ）に示すように、凹部１２ａ内には高さ２０μｍ程度までの溶接バリ１３がみられたが、溝深さが５０μｍであることから、マスク表面には溶接バリの突出はみられなかった。
【００２８】
実施例２
本実施例では陰極分離用メタルマスクを製造する例について説明する。
まず、メタルマスクフレームとして、外形サイズ：４００×４００ｍｍ、ｔ＝５ｍｍのアンバー材（Ｆｅ65Ｎｉ35）の板にマスクパターン用の窓として１２０×１００ｍｍの大きさで９カ所切削加工した後、鏡面仕上げを施した。
【００２９】
一方、メタルマスクとして、外形サイズ：４００×４００ｍｍ、ｔ＝１００μｍのＳＵＳ３０４の板に、上記フレームの窓部に対応して３６０μｍｍピッチで２４０本のスリットをスリット幅２６０μｍとなるようにウェットエッチングによりパターニングした。また、溶接個所の凹部はガラス基板と接する面側をスリット形成時にハーフエッチングし、深さ３０μｍ、幅０．８ｍｍとなるように溝を形成した。
【００３０】
溶接に際しては、実施例１と同様にメタルマスクのたるみを防ぐために、テンションをかけた状態でメタルマスクフレームに溶接する。溶接方法としては、ＹＡＧレーザスポット溶接（シーム溶接、スポット径＝φ０．５ｍｍ、出力＝数十ｍＪ）により実施した。溝内部には２０μｍ程度までの溶接バリがみられたが、溝深さが３０μｍであることから、マスク表面には溶接バリの突出はみられなかった。
【００３１】
デバイス作製例
ガラス基板３１として厚さ１．１ｍｍのコーニング社製１７３７ガラスを用い、その上に陽極３２としてインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）を１００ｎｍ堆積して、ＩＴＯ電極膜付きのガラス基板を得た。
【００３２】
ガラス基板３１に堆積されたＩＴＯ透明電極膜をフォトリソグラフィとウエットエッチングを用いて線幅が０．０８ｍｍ、ピッチが０．１２ｍｍのストライプを９６０本形成し陽極３２とした。パターン形成後、ＩＴＯ基板を有機溶剤により洗浄した後、ＵＶ／オゾン洗浄を行った。次に、ＩＴＯ電極上に有機膜の成膜を行った。正孔輸送層３３として、真空蒸着機内のるつぼに入れられた有機材料Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（α−ナフチル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（以下、α−ＮＰＤという）を真空ポンプで真空蒸着装置内を１．３３ｍＰａ（１×１０-5Ｔｏｒｒ）以下に排気した後、ＩＴＯ電極３２上に一様に５０ｎｍ蒸着した。
【００３３】
正孔輸送層３３を成膜した後、ＩＴＯ電極３２のストライプパターンの３倍のピッチ（０．３６ｍｍ）で幅０．０８ｍｍのスリットの入った有機発光層分離用メタルマスク（実施例１で作製したマスク）を用い、ガラス基板３１をメタルマスクに密着させるように配置し、シャドーマスク法により赤色発光層３４Ｒ、緑色発光層３４Ｇ、青色発光層３４Ｂをストライプ状に形成されたＩＴＯ電極３２上に平行に形成した。まず、赤色発光層３４Ｒとしてトリス（８−キノリライト）アルミニウム錯体（以下、Ａｌｑ3という）にドーパントとして４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ、ドーピング濃度５ｗｔ％）を５０ｎｍ共蒸着し、次にマスクをＩＴＯ電極と同じピッチだけずらした後、緑色発光層３４ＧとしてＡｌｑ3にドーパントとしてキナクリドン（ドーピング濃度５ｗｔ％）を５０ｎｍ共蒸着し、更に、マスクをＩＴＯ電極と同じピッチだけスライドさせた後、青色発光層３４Ｂとしてペリレンを５０ｎｍ蒸着した。このようにして発光層を形成する。次に電子輸送層３５としてＡｌｑ3を一様に５０ｎｍ蒸着した。これらの工程は全て真空一貫で行った。最後にＩＴＯ電極３２及び発光層のストライプに直交するストライプ状の陰極３６を電子輸送層３５上に形成する。電極形成は、上記の陰極分離用メタルマスク（実施例２で作製したマスク）を用いて、ガラス基板をメタルマスクに密着させるようにし、シャドーマスク法により形成される。このとき用いる陰極材料は、ＡｌとＬｉの合金であり、Ａｌ：Ｌｉの比率が１０：１になるように２元蒸着される。以上のようにして、図３の概念図に示すＥＬ素子が完成する。
【００３４】
本発明のメタルマスクを用いて蒸着された各発光層はパターンにじみもなく、ＩＴＯ電極３２パターンと良く対応していた。また、同様に本発明のメタルマスクを用いた蒸着された陰極も隣り合う電極間で短絡はみられなかった。
【００３５】
比較例１
溶接部に凹部を設けていない以外は実施例１，２と同様にしてメタルマスクをフレームに溶接した。このマスクを用いて上記の製造例と同様にしてＥＬ素子を形成したが、発光層で隣り合う発光層が混色している部分がみられたほか、陰極も一部短絡している部分があった。
【００３６】
【発明の効果】
本発明によれば、メタルマスクのフレームへの溶接をメタルマスクに設けた凹部内で行うことで、溶接バリを許容範囲内の高さあるいはマスクの被蒸着基板との当接面より上に突出することがなくなり、被蒸着基板をマスクに密着させるに際して溶接バリによるギャップが少なく、あるいはギャップなく密着させることが可能となり、蒸着物のにじみを防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明で使用するメタルマスクとフレームとの一例を説明する図であり、（ａ）はフレームの平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線での断面図、（ｃ）はメタルマスクの平面図、（ｄ）は（ｃ）のＢ−Ｂ’線での円で囲んだ部分の部分断面図を示す。
【図２】本発明のメタルマスクとフレームとの溶接を説明する図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’線での円で囲んだ部分の部分断面図（溶接後）を示す。
【図３】本発明のデバイス製造例で説明した有機ＥＬ素子の概念図であり、（ａ）は部分断面図、（ｂ）は一部破断斜視図である。
【図４】従来の蒸着時の課題を説明する図であり、（ａ）は蒸着時の概念図、（ｂ）は模式的断面図である。
【符号の説明】
１１  マスクフレーム
１１ａ  窓
１２  メタルマスク
１２ａ  凹部
１２ｂ  スリット
１３  溶接バリ
２１  レーザービーム
３１  基板
３２  陽極（ＩＴＯ）
３３  正孔輸送層
３４  発光層
３４Ｒ  赤
３４Ｇ  緑
３４Ｂ  青
３５  電子輸送層
３６  陰極
【図１】
0004006173.tif 000002
【図２】
0004006173.tif 000003
【図３】
0004006173.tif 000004
【図４】
0004006173.tif 000005