(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状の基板における光ヘツド対向面にトラツク位置決め用グル―ブが形成されているとともに、このグル―ブが形成されている光ヘッド対向面に少なくとも反射層と記録層と誘電体層と保護層が基板の該光ヘツド対向面上に順次形成されてなり、近接場光によって記録および再生を行う光デイスクにおいて、上記のグル―ブが蛇行して形成されているとともに、このグル―ブが蛇行することによってアドレス情報が埋め込まれており、前記反射層と記録層と誘電体層と保護層は、それぞれその厚さが十分に薄く均一であることによって光ヘツド対向面側の面に前記グル―ブの形状が反映された蛇行溝が形成されており、かつ前記保護層は、カーボンからなる保護層であることを特徴とする光デイスク。
【請求項２】
円板状の基板におけるトラツク位置決め用グル―ブ間のランド部がピツトの存在しない記録再生用のスペ―スとして構成されている請求項１に記載の光デイスク。
【請求項３】
ヘツド浮上機能を有するスライダにレ―ザ―光透過部形成体を設けてなる光ヘツドを介して記録または再生動作が行われる請求項１または２に記載の光デイスク。
【請求項４】
ヘツド浮上機能を有するスライダにレ―ザ―光透過部形成体を設けてなる光ヘツドを備え、この光ヘツドを介して記録または再生動作を行わせる光デイスクとして、請求項１〜３のいずれかに記載の光デイスクが装備されていることを特徴とする光デイスク装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、たとえばコンピユ―タにおけるデ―タなどの記録再生用の媒体として使用される光デイスクならびに光デイスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、マルチメデイア化に対応して大量のデ―タを、高密度で記録し、迅速に再生できる光デイスク装置が注目されている。この光デイスク装置には、コンパクトデイスク（ＣＤ，ＣＤ−ＲＯＭ）やレ―ザ―デイスク（ＬＤ）のように、光デイスク作製時に情報を円板状の基板における光ヘツド対向面にスタンピングし、その情報の再生だけが可能な再生専用形光デイスクを用いたもの、追記形コンパクトデイスク（ＣＤ−Ｒ）のように、一度だけ記録が可能な光デイスクを使用したもの、光磁気記録方式や相変化記録方式を用いて何度でも書き換え消去可能な書き換え形光デイスクを使用したものがある。
【０００３】
一般に、この種の光デイスクでは、図１０に示すように、円板状の基板１０１の光ヘツド対向面に、円周方向に沿つたトラツク位置決め用グル―ブ１０２が形成されているとともに、このグル―ブの形状が保たれる状態で、少なくとも反射層または反射層と記録層が形成されており、また、上記グル―ブ１０２間のランド部１１０にアドレス情報などのピツト１０３が形成されている。光デイスク装置では、レ―ザ―光をヘツドのレンズで回折限界まで絞り込んで光デイスクに照射することにより、デ―タなどの記録再生を行つている。
【０００４】
このような光デイスク装置において、レ―ザ―光のスポツト径は、レ―ザ―光の波長をλ、レンズの開口数をＮＡとすると、λ／ＮＡとなる。デ―タなどの高密度の記録再生には、レ―ザ―光のスポツト径を小さくする必要がある。レ―ザ―光のスポツト径を小さくするには、レ―ザ―光の波長λを小さくするか、あるいは上記レンズの開口数ＮＡを大きくするかである。
【０００５】
現在用いられている光デイスク用の半導体レ―ザ―光の波長λは、主に７８０〜６８０ｎｍで、これより短波長の６５０ｎｍの橙色レ―ザ―光を出射できる半導体レ―ザは、やつと試作され始めた段階である。橙色レ―ザ―光よりもさらに短波長の緑色や青色のレ―ザ―光を出射できる半導体レ―ザは、いまだ開発途上である。よつて、レ―ザ―光の波長λを小さくすることにより、レ―ザ―光のスポツト径を小さくするのは、現状では難しい。
【０００６】
また、図１１に示すように、光デイスクＭにレ―ザ―光Ｌを絞り込むレンズ２０１の開口数ＮＡは、このレンズ２０１の絞り半角をθとすると、ＮＡ＝Ｓｉｎθで表され、１より小さい値となる。現在使用されるレンズ開口数ＮＡは０．５程度であるが、理論上０．９程度までにすることができる。しかし、開口数ＮＡを大きくしすぎると、レンズ系の焦点深度が浅くなり、記録面上で焦点を維持するための制御系が複雑になる。このため、通常の光デイスク装置では、開口数ＮＡが最大０．６程度のレンズ２０１を用いるのが限界となる。
【０００７】
そこで、レ―ザ―光Ｌのスポツト径を小さくするため、図１２や図１３に示すイマ―ジヨンレンズ２０２（２０２Ａ，２０２Ｂ）に用い、開口数ＮＡを上げる方法が提案されている（「日経エレクトロニクス」第６９１号）。図１２に示す半球状のイマ―ジヨンレンズ２０２Ａでは、レ―ザ―光Ｌを上記レンズ２０２Ａの表面に対し、垂直に入射させた場合、等価なレンズ開口数ＮＡは、上記レンズ２０２Ａの屈折率をｎとすると、ｎ×ＮＡとなる。また、図１３に示す超半球状のイマ―ジヨンレンズ２０２Ｂでは、レ―ザ―光Ｌを上記レンズ２０２Ｂの底面で焦点を結ぶようにすると、等価なレンズ開口数ＮＡは、ｎ2 ×ＮＡとなる。ガラス製のレンズでは、屈折率が１．８程度のため、レ―ザ―光Ｌのスポツト径は、半球状のイマ―ジヨンレンズ２０２Ａで１／１．８にまで、超半球状のイマ―ジヨンレンズ２０２Ｂで１／３．２にまで、小さくできる。
【０００８】
このようなイマ―ジヨンレンズを使用する方法においては、記録再生は、イマ―ジヨンレンズからしみ出る近接場（ｎｅａｒ  ｆｉｅｌｄ）光を用いるため、上記レンズと記録層との間隔は、レ―ザ―光Ｌの波長λの１／８±１／１６程度に小さくする必要がある。この値は、波長λが６８０ｎｍの赤色レ―ザ―光を用いた場合で、１７０ｎｍ程度で、一般の光デイスク装置の光ヘツドと光デイスクとの間隔が数mmであるのに比べて、著しく小さい。
【０００９】
このため、イマ―ジヨンレンズと近接場光を利用する場合、空力学的に保持される浮上形のスライダに対物レンズに対向してイマ―ジヨンレンズを搭載させ、光磁気記録再生方式では、記録のための磁界発生用コイルを組み込んだ光ヘツドを用いることが案出されている。この場合、通常の光デイスク装置のように透明媒体を通して記録再生を行うことができない関係上、光デイスク、たとえば光磁気デイスクでは、円板状の基板の光ヘツド対向面に、反射層、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および保護層を順次積層した構造となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このように、イマ―ジヨンレンズと近接場光を用いる方式では、回折限界まで絞り込んだレ―ザ―光のしみ出しを利用するため、光ヘツドのスライダと光デイスクとの間隔を１００ｎｍ程度にまで小さくし、かつ光ヘツドを安定的に浮上させる必要がある。しかし、従来の光デイスクでは、図１０に示すとおり、基板１０１における光ヘツド対向面にトラツク位置決め用グル―ブ１０２に沿つて、多数のピツト１０３を形成してアドレス情報を読み出せるようにしているため、上記ピツト１０３による空気圧の変化で光ヘツドの浮上が不安定になり、著しい場合、光ヘツドのスライダが光デイスクに衝突し、光デイスクがクラツシユしたり、微小な傷が付いたりするといつた問題が起きている。
【００１１】
本発明は、このような事情に照らし、光ヘツドの浮上変動を抑制し、傷が付いたりするのを防止できる光デイスクを提供することを目的としている。また、本発明は、上記光デイスクを備えて、大量のデ―タの高密度記録などが適正に行える光デイスク装置を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の目的を達成するために、鋭意検討した結果、円板状の基板に形成されるピツトにより、光ヘツドの浮上が乱されて浮上位置が下がつてしまうことから、アドレス情報のピツトに代わつて、トラツク位置決め用グル―ブをアドレス情報に合わせて蛇行させるようにすると、光ヘツドの浮上を安定化させうることを知り、本発明を完成するに至つた。
【００１３】
すなわち、本発明は、円板状の基板における光ヘツド対向面にトラツク位置決め用グル―ブが形成されているとともに、このグル―ブが形成されている光ヘッド対向面に少なくとも反射層と記録層と誘電体層と保護層が基板の該光ヘツド対向面上に順次形成されてなり、近接場光によって記録および再生を行う光デイスクにおいて、上記のグル―ブが蛇行して形成されているとともに、このグル―ブが蛇行することによってアドレス情報が埋め込まれており、前記反射層と記録層と誘電体層と保護層は、それぞれその厚さが十分に薄く均一であることによって光ヘツド対向面側の面に前記グル―ブの形状が反映された蛇行溝が形成されており、かつ前記保護層は、カーボンからなる保護層であることを特徴とする光デイスク（請求項１）と、上記円板状の基板におけるトラツク位置決め用グル―ブ間のランド部がピツトの存在しない記録再生用のスペ―スとして構成されている上記光デイスク（請求項２）と、ヘツド浮上機能を有するスライダにレ―ザ―光透過部形成体を設けてなる光ヘツドを介して記録または再生動作が行われる上記光デイスク（請求項３）と、さらに、ヘツド浮上機能を有するスライダにレ―ザ―光透過部形成体を設けてなる光ヘツドを備え、この光ヘツドを介して記録または再生動作を行わせる光デイスクとして、上記構成の光デイスクが装備されていることを特徴とする光デイスク装置（請求項４）とに係るものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面にしたがつて説明する。
図１は本発明の光デイスクの一例を示す断面図であり、図２は同光デイスクの表示構造を示す斜視図である。この例では、光デイスクＭとして、磁性層からなる記録層を有する光磁気デイスクを示している。
【００１５】
図１および図２において、１は円板状の基板であり、たとえばポリカ―ボネ―ト樹脂などの合成樹脂で成形されている。この基板１における光ヘツド対向面（一方の面）には、後述する光ヘツドの相対運動を案内するトラツク位置決め用グル―ブ２が、たとえば渦巻状に形成されている。上記基板１の一方の面には、上記グル―ブ２の形状を保つ状態で、アルミニウム・チタン合金などからなる反射層３、窒化シリコンなどからなる第１の誘電体層４、テルビニウム・鉄・コバルト合金などからなる記録層５、窒化シリコンなどからなる第２の誘電体層６およびカ―ボンなどからなる保護層７が順次、積層状に形成されている。
ここで、上記グルーブ２の形状を保つ状態とは、上記の各層が形成されたのちにおいても、各層の厚さがそれぞれ十分に薄く均一であることによってその最表面である保護層の表面にいぜんとして上記グルーブ２の溝が形成されている、つまり光ヘツド対向面側の面に前記グル―ブの形状が反映された蛇行溝が形成されていることを意味する。
【００１６】
トラツク位置決め用グル―ブ２は、図２に示すように、蛇行するように形成されており、この蛇行によつてアドレス情報が埋め込まれている。つまり、上記グル―ブ２は、アドレス情報に対応して変調されるように蛇行している。また、この蛇行溝は、前述のとおり、最表面となる保護層の表面にも形成されている。つまり、光ヘツド対向面側の面に前記グル―ブの形状が反映された蛇行溝が形成されている。上記基板１における上記グル―ブ２間のランド部１０は、プリピツトの全く存在しない記録または再生用のスペ―スとして構成されている。
【００１７】
このように、上記グル―ブ２を蛇行させてアドレス情報を埋め込ませたから、グル―ブ２間のランド部１０に、アドレス情報用のピツトが不要となり、このランド部１０が凹凸のない平坦状となる。このため、後述する光ヘツドを光デイスクＭに対して微小間隔で相対運動させる際に、両者間に空力学的な乱れは生じない。したがつて、光ヘツドの浮上状態が安定し、光デイスクを傷付けたり、エラ―レ―トが増大するおそれが解消される。
【００１８】
また、ランド部１０にアドレス情報以外のために、わずかなピツトが存在しても、従来に比べて光ヘツドの浮上状態を安定的にさせることが可能である。しかも、上記グル―ブ２内でデ―タなどの記録再生を行うものでは、光ヘツドとの間隔が大きくなつてレ―ザ―光の利用効率が低下するが、この例のようにランド部１０で記録再生を行う構成では、光の利用効率が高められる。
【００１９】
図４は、上記の光デイスクＭを装備させてなる本発明の光デイスク装置の一例を示したものである。この光デイスク装置Ｎは、ベ―ス１１とこのベ―ス１１に嵌着されるカバ―（図示せず）とからなるケ―ス１２内に、スピンドルモ―タ１３が配置されており、このモ―タ１３の回転中心に対しほぼ同軸となるように、１枚ないし複数枚の光デイスクＭが装着できるようになつている。
【００２０】
１４は上記ケ―ス１２内に配置された光ヘツド変位用のロ―タリ―アクチユエ―タであり、たとえばボイスコイルモ―タからなる。このアクチユエ―タ１４は、支持ばね１５を介して光ヘツドＨを光デイスクＭに対して半径方向に位置決めするようになつている。上記スピンドルモ―タ１３およびロ―タリ―アクチユエ―タ１４の各動作ならびに光ヘツドＨの記録・再生動作は、上記ケ―ス１２内に設けられたコントロ―ラ（図示せず）によつて制御される。上記光ヘツドＨは、上記支持ばね１５の先端側に取り付けられている。
【００２１】
図５は上記光ヘツドＨの具体的構成を示している。
図５において、２１はスライダであり、酸化アルミニウム・炭化チタン複合セラミツクウエハにより、図６のように成形されており、このスライダ２１の底面には、図７に示すように、摺動面パタ―ン２２が機械加工やエツチング加工で形成されている。パタ―ン２２の形成後、スライダ２１の余分な部分が切断される一方、上記摺動面パタ―ン２２の凸状摺動面２２ａはダイヤモンドライクカ―ボンなどからなる保護膜を１０ｎｍ程度に成膜してある。
【００２２】
スライダ２１の所定箇所に機械加工やエツチング加工で形成された取付用凹所２３には、半球状のイマ―ジヨンレンズまたはこの例のように超半球状のイマ―ジヨンレンズ２４と、記録磁界発生用のコイル２５などが設置されており、レ―ザ―光透過部形成体２６を構成している。なお、この例では、スライダ２１の長さＴは２．８mm、幅ＷＨは２mm程度である。上記摺動面パタ―ン２２は、光ヘツドＨの浮上特性が安定するように空気流を制御するために設けられ、光ヘツドＨの大きさや浮上量に合わせてパタ―ン２２が選択設定される。
【００２３】
図５において、２７はイマ―ジヨンレンズ２４の上方に配設された対物レンズであり、ロ―タリ―アクチユエ―タ１４に組み込まれ、かつ支持ばね１５の基端側に一体化されたア―ム１６側に取り付けられている。対物レンズ２７には、イマ―ジヨンレンズ２４上に焦点を結ぶように、上記レンズ２４との間隔を一定に保たせる電磁石機構（図示せず）が設けられている。２８は、対物レンズ２７の上方に配設されて、可動光学系の一部を構成する第１のミラ―である。
【００２４】
レ―ザ―光をイマ―ジヨンレンズ２４上で焦点を結ばせるためのフオ―カシングサ―ボは、通常の光デイスク装置においてレ―ザ―光を光デイスク上に焦点を合わせ続けるために用いるフオ―カシングサ―ボと同じ方法を用いて、イマ―ジヨンレンズ２４からの戻り光に対して、非点収差法、ナイフエツジ法などでフオ―カスエラ―信号を作り出し、この信号を元にフオ―カシングサ―ボをかけるようにすればよい。トラツクサ―ボについても、通常の光デイスクと同様にプツシユプル法や３スポツト法を使用することができる。
【００２５】
図８は上記光デイスク装置Ｎの光学系の構成を示している。この光学系は、固定光学系Ｐ１と可動光学系Ｐ２とからなつている。
【００２６】
固定光学系Ｐ１には、光源としての半導体レ―ザ３１、第１および第２の光磁気信号検出器３２，３３、トラツキング信号検出器３４、フオ―カス信号検出器３５などを備えている。半導体レ―ザ３１から可動光学系Ｐ２側に向かう光路上には、コリメ―タ―レンズ３６、一対のプリズム３７，３８、回折格子３９、スリツト４０、第１のビ―ムスプリツタ４１などが配設されている。
【００２７】
また、上記第１のビ―ムスプリツタ４１とトラツキング信号検出器３４との間には、第２および第３のビ―ムスプリツタ４２，４３が配設され、第３のビ―ムスプリツタ４３とフオ―カス信号検出器３５との間にコリメ―タ―レンズ４４が配設されている。上記第２のビ―ムスプリツタ４２と光磁気信号検出器３２，３３との間には、波長板４５，コリメ―タ―レンズ４６および第４のビ―ムスプリツタ４７が配設されている。
【００２８】
可動光学系Ｐ２は、イマ―ジヨンレンズ２４、対物レンズ２７、第１のミラ―２８および第２のミラ―４８などからなり、第２のミラ―４８は、上記第１のビ―ムスプリツタ４１と第１のミラ―２８との間に位置して、ロ―タリ―アクチユエ―タ１４の回転中心上に配設されている。
【００２９】
このような構成において、第１のコリメ―タ―レンズ３６を経てビ―ム成形されたレ―ザ―光Ｌは、回折格子３９およびスリツト４０を通して、メインのレ―ザ―光と、サブのレ―ザ―光とに分けられる。メインのレ―ザ―光は、光デイスクＭの基板１におけるランド部１０に照射されて記録に使用されたり、あるいはその戻り光は、再生、フオ―カシングおよびトラツキングに使用される。サブのレ―ザ―光は、光デイスクＭのグル―ブ２に照射され、グル―ブ２の蛇行状態を検出した戻り光は、アドレス情報の読み出しに使用される。
【００３０】
なお、上記の光学系は、光磁気記録方式の場合の適用例であるが、相変化方式や追記方式を用いる場合は、光磁気信号検出器３２，３３も１個で対応でき、また光路前方のビ―ムスプリツタ４７も不要となる。
【００３１】
図９はアドレス信号生成系のブロツク図を示している。
アドレス信号の生成は、グル―ブ２に対してサブのレ―ザ―光が照射された際の戻り光をトラツキング信号検出器３４で検出して電気信号に変換したのちに、増幅し、グル―ブ２の蛇行状態に対応する信号のみをバンドパスフイルタ５１を介して取り出し、エンコ―ド部５２で２値化する。この２値化信号を基準のクロツク信号と位相比較器５３で比較し、アドレス信号を得るようになつている。上記基準のクロツク信号は、位相比較した電圧をロ―パスフイルタ５４を介して電圧制御形発振器５５に入力することにより、作成される。
【００３２】
【実施例】
以下に、本発明の実施例を記載して、さらに具体的に説明する。
【００３３】
実施例１
ポリカ―ボネ―ト樹脂を射出圧縮成形機により成形し、直径９５mm、内径２５mm、厚さ１．２mmの円板状の基板１を作製したのち、この基板１の一方の面に、トラツク位置決め用グル―ブ２を、アドレス情報が変調されるように、蛇行状に形成した。この形成は、通常の光デイスクと同様の方法を採用した。すなわち、まず、ガラス基板上にレジストを塗布し、短波長レ―ザ―光を用いてカツテイングし、現像後、ニツケルを蒸着、めつきしたのち、ニツケルのみを剥離して、スタンパを作製した。つぎに、このスタンパを基板成形用金型内に装着し、この金型内で基板１を成形すると同時にスタンパのカツテイングパタ―ンを基板１の一方の面に転写して、図２に示すグル―ブ２を形成した。
【００３４】
このように作製した円板状の基板１において、上記グル―ブ２の設定間隔（トラツクピツチ）Ｐは０．５μｍ、グル―ブ２の深さＤは約０．１μｍ、幅ｗは約０．２μｍであつた。また、グル―ブ２は渦巻き状とし、図３に示すように、蛇行の幅ＷＡは約０．１μｍ、１周で約５０００個の波（うねり）が入るように設定した（波の間隔Ｑは約０．４ｍｍ）。アドレスの２値化信号により、波長を長くしたり、短くすることにより、ＦＭ変調した。
【００３５】
つぎに、この円板状の基板１の一方の面に、インライン式ＤＣマグネトロンパツタ装置を用いて、反射層３として、アルミニウム・チタン合金層を５０ｎｍ、第１の誘電体層４として、窒化シリコン層を３０ｎｍ、記録層５として、テルビニウム・鉄・コバルト合金層を２５ｎｍ、第２の誘電体層６として、窒化シリコン層を８０ｎｍの各膜厚で順次、成膜した。また、同マグネトロンスパツタ装置により、自己潤滑性を有する保護層７として、ダイヤモンドライクカ―ボン層を２０ｎｍの膜厚で成膜して、光デイスクＭを作製した。ここで、上記の各層３〜７は、前記グル―ブ２の形状が保たれるように成膜した。
【００３６】
なお、上記スパツタリングにおいて、反射層３は、チタン含有量が２原子％のアルミニウム・チタン合金タ―ゲツトを用い、スパツタガスとして、Ａｒガスを流量８０ｓｃｃｍ（真空度１．２Ｐａ）で流し、投入パワ―２Ｋｗで成膜した。第１および第２の誘電体層４，６は、シリコンタ―ゲツトを用い、Ａｒ−Ｎ2 混合ガス（混合比１：１）を８０ｓｃｃｍ（真空度１．２Ｐａ）で流し、投入パワ―２Ｋｗで成膜した。記録層５は、Ｔｂ23Ｆｅ67Ｃｏ10（原子％）合金タ―ゲツトを用い、Ａｒガスを流量１００ｓｃｃｍ（真空度１．５Ｐａ）で流し、投入パワ―５００ｗで成膜した。保護層７は、アモルフアスカ―ボンタ―ゲツトを用い、Ａｒ−メタン混合ガス（混合比１：１）をガス流量３００ｓｃｃｍ（真空度５Ｐａ）で流し、投入パワ―２Ｋｗで成膜した。このとき、基板１側に２００ｗのＲＦ電力を供給して、この基板１側にも負のバイアス電圧が印加されるようにし、バイアススパツタとなるように設定した。
【００３７】
比較例１
図１０に示すように、アドレス情報を基板１０１の一方の面におけるピツト１０３で構成し、基板１０１の一方の面に、実施例１と同様に反射層、第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層および保護層を設けた光デイスクＭを作製した。同図において、基板１におけるグル―ブ１０２は、グル―ブ間の設定間隔が０．５μｍ、グル―ブ１０２の深さＤが約０．１μｍ、幅ｗが約０．２μｍとした。また、ピツト１０３の深さｄは約０．１μｍとした。
【００３８】
上記の実施例１および比較例１の光デイスクＭを用いて、図４に示す光デイスク装置Ｎを組み立てた。この装置Ｎを用いて、図５〜７に示すような光ヘツドＨを浮上させ、一つのトラツクに停止させて、連続的に記録再生を行い、その耐久性を調べた。結果は、実施例１では光ヘツドＨが１００万回摺動した状態でも、光デイスクＭに傷が付いたり、エラ―レ―トの変化はなかつた。これに対して、比較例１では光ヘツドＨが２万回摺動しただけで光デイスクに傷が発生し、エラ―レ―トも劣化した。また、実施例１では初期状態から一周の間で再生出力の変動が５％程度にすぎなかつた。これに対して、比較例１では上記再生出力の変動が２０％にもなることがあつた。
【００３９】
【発明の効果】
以上のように、本発明は、円板状の基板の光ヘツド対向面におけるトラツク位置決め用グル―ブを蛇行させてアドレス情報を埋め込んだことにより、空力学的に保持されながら浮上する光ヘツドの浮上状態の安定化を図れ、光デイスクに傷が付いたりする問題を解消でき、耐久性にすぐれる光デイスクを提供できる。また、ヘツド浮上機能を有するスライダにレ―ザ―光透過部成体を設けてなる光ヘツドを備えた光デイスク装置に上記構成の光デイスクを装備させることにより、上記光ヘツドの浮上量の変動が少なく、大量のデ―タなどの高密度の記録などに適正に対応可能な光デイスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光デイスクの一例を示す断面図である。
【図２】同光デイスクの表面構造を示す斜視図である。
【図３】トラツク位置決め用グル―ブの一部を拡大して示す平面図である。
【図４】同光デイスクを装備させた光デイスク装置を示す断面図である。
【図５】同光デイスク装置に搭載される光ヘツドを示す断面図である。
【図６】同光ヘツドにおけるスライダを示す側面図である。
【図７】同スライダを示す底面図である。
【図８】光デイスク装置における光学系を示す構成図である。
【図９】アドレス信号生成系のブロツク図である。
【図１０】従来の光デイスクの表面構造を示す斜視図である。
【図１１】従来の光デイスク装置に使用されるレンズにおけるレ―ザ―光のスポツト径の説明図である。
【図１２】半球状のイマ―ジヨンレンズを使用した場合のレ―ザ―光のスポツト径の説明図である。
【図１３】超半球状のイマ―ジヨンレンズを使用した場合のレ―ザ―光のスポツト径の説明図である。
【符合の説明】
１  円板状の基板
２  トラツク位置決め用グル―ブ
３  反射層
５  記録層
１０  ランド部
２１  スライダ
２６  レ―ザ―光透過部形成体
Ｍ  光デイスク
Ｈ  光ヘツド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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