(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にウェハが置かれて回転可能なチャックと、
前記チャックの一側から前記ウェハ上に純水を供給して前記ウェハ上に水膜を形成する純水供給手段と、
前記チャック上のウェハの上部に位置して前記水膜に洗浄ガスを含んだ各種のガスを噴射するガス注入チューブと、
前記ガス注入チューブに連結されており、少なくとも前記各種のガスの噴射時に前記水膜に近接して前記水膜と共に小さいチャンバを形成するガスガードとを含むガス噴射装置と、
前記ガス注入チューブに連結されてガスを供給するガス供給手段とを含み、
前記小さいチャンバの圧力を大気圧より高く保たせて当該小さいチャンバが持続的に形成されるようにし、大気がガス注入チューブに逆流しないように前記ガスガードの一側に孔が形成されていることを特徴とする枚葉式ウェハ洗浄装置。
【請求項２】
前記ガス噴射装置は、前記ウェハの上部において上下及び左右に移動可能であることを特徴とする請求項１に記載の枚葉式ウェハ洗浄装置。
【請求項３】
前記ガスガードは、上部ホールが下部ホールよりも小さいコーン状に構成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の枚葉式ウェハ洗浄装置。
【請求項４】
前記ガス注入チューブは、複数個のノズルで構成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の枚葉式ウェハ洗浄装置。
【請求項５】
前記ガス注入チューブ及びガスガードは、テフロン（登録商標）、ステンレススチール、ＡｕまたはＰｔよりなることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の枚葉式ウェハ洗浄装置。
【請求項６】
前記純水供給手段には、複数の純水供給ラインが備わることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の枚葉式ウェハ洗浄装置。
【請求項７】
前記ガスはオゾン（Ｏ３）、フッ化水素（ＨＦ）、アンモニア（ＮＨ３）、二酸化炭素（ＣＯ２）、酸化硫黄（ＳＯ２）、水素（Ｈ２）、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）ガス、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）またはその混合ガスであることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の枚葉式ウェハ洗浄装置。
【請求項８】
前記ガス噴射装置には、前記水膜に前記ガスガードを介して超音波を伝達する超音波発振器が取り付けられていることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の枚葉式ウェハ洗浄装置。
【請求項９】
前記ガス供給手段には、複数種のガスを混合する混合器が含まれていることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の枚葉式ウェハ洗浄装置。
【請求項１０】
チャンバのチャックにウェハをローディングする段階と、
前記チャックを回転させつつ前記ウェハ上に純水を噴射して水膜を形成する段階と、
前記回転するウェハの上部に位置してガスガードを有し洗浄ガスを噴射するガス噴射装置を少なくとも前記洗浄ガスの噴射時に前記水膜に近接させるようにウェハ側に近づけて前記水膜及びガスガードの内部に小さいチャンバを形成する段階と、
前記小さいチャンバを保持した状態で前記洗浄ガス噴射装置により洗浄ガスを噴射し、水膜に洗浄ガスを高い濃度で溶解させつつ、前記小さいチャンバの圧力を大気圧より高く保たせて当該小さいチャンバが持続的に形成されるようにし、大気がガス注入チューブに逆流しないように前記ガスガードの一側に孔が形成された前記ガス噴射装置をウェハ上においてスキャンして洗浄する段階と、
前記洗浄されたウェハ上の水膜に乾燥ガスを噴射して前記水膜を乾燥させる段階とを含むことを特徴とするウェハ洗浄方法。
【請求項１１】
前記ガスはオゾン（Ｏ３）、フッ化水素（ＨＦ）、アンモニア（ＮＨ３）、二酸化炭素（ＣＯ２）、酸化硫黄（ＳＯ２）、水素（Ｈ２）、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）ガス、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）またはその混合ガスであることを特徴とする請求項１０に記載のウェハ洗浄方法。
【請求項１２】
前記小さいチャンバの内部圧力は、１〜２気圧に保たれることを特徴とする請求項１０〜請求項１１のいずれか一項に記載のウェハ洗浄方法。
【請求項１３】
前記水膜の形成段階から洗浄段階まで、前記チャックの回転数は５〜１００ｒｐｍに調節されることを特徴とする請求項１０〜請求項１２のいずれか一項に記載のウェハ洗浄方法。
【請求項１４】
前記水膜を乾燥する乾燥ガスは、ＩＰＡであることを特徴とする請求項１０〜請求項１３のいずれか一項に記載のウェハ洗浄方法。
【請求項１５】
前記ＩＰＡを使って水膜を乾燥する時、前記チャックの回転数は５〜１５００ｒｐｍに調節されることを特徴とする請求項１４に記載のウェハ洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はウェハ洗浄装置に係り、より詳細には、枚葉式ウェハ洗浄装置及びこれを利用したウェハ洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ウェハ洗浄装置は、バッチ式ウェハ洗浄装置と枚葉式ウェハ洗浄装置とに大別できる。バッチ式ウェハ洗浄装置は一回に多数枚のウェハを洗浄するために生産効率が高いものの、洗浄効率は低い。これに対し、枚葉式ウェハ洗浄装置は生産効率は低いものの、洗浄効率が大きい。
【０００３】
高集積化が進んでいる半導体素子においては洗浄効率が重要であるため、枚葉式ウェハ洗浄装置に対する関心が高まっている。そして、洗浄効率を高めるためにオゾンを利用した洗浄装置が開発されて使用されている。オゾンを利用したウェハ洗浄装置は一般的なバス型ウェハ洗浄装置と、気体状態のオゾンを使用するスプレー型ウェハ洗浄装置、及び水蒸気及びオゾンの混合気体を使用する蒸気型ウェハ洗浄装置に分類できる。
【０００４】
バス型ウェハ洗浄装置は、洗浄溶液内のオゾンの飽和濃度が常温において約１０〜２０ｐｐｍであるため、高濃度及び高温のオゾンを使用し難いという問題がある。スプレー型ウェハ洗浄装置は、純水を噴射しつつウェハを回転させて水膜を薄く形成した後、チャンバ内にオゾンを噴射して水膜内のオゾン濃度を高めて洗浄を行う。
【０００５】
しかし、上記スプレー型ウェハ洗浄装置はオゾンの拡散層である水膜の厚さがウェハの回転数だけに比例するため、噴射されるオゾンの濃度をウェハの全面に亘って一様にするためにはノズルの構成を複雑化する必要があるという短所がある。
【０００６】
そして、蒸気型ウェハ洗浄装置は、オゾン及び水蒸気の混合気体をウェハに噴射することによりウェハに付いている水蒸気分子の間にオゾンが溶け込むようにしてオゾンの濃度を数万ｐｐｍまで高めることができる。
【０００７】
しかし、上記蒸気型ウェハ洗浄装置は密閉されたチャンバにおいて高圧のオゾンを使用し、水蒸気がチャンバ面に付くという問題点がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的は、その構造が簡単であり、かつ洗浄溶液内のオゾン濃度を高めることができ、高温のオゾンを使用できるほか、他の洗浄溶液をも使用できる枚葉式ウェハ洗浄装置を提供するところにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、上記枚葉式ウェハ洗浄装置を利用した洗浄方法を提供するところにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る枚葉式ウェハ洗浄装置は、表面にウェハが位置して回転可能なチャックと、前記チャックの一側から前記ウェハ上に純水を供給して前記ウェハ上に水膜を形成する純水供給手段とを含む。
【００１１】
前記チャック上のウェハの上部には、前記水膜に洗浄ガスを含んだ各種のガスを噴射するガス注入チューブと、前記ガス注入チューブに連結されており、前記水膜に近接して前記水膜と共に小さいチャンバを形成するガスガードとを含むガス噴射装置とが設けられている。
【００１２】
前記ガス噴射装置は、前記ウェハの上部において上下及び左右に移動可能である。前記ガスガードは、上部ホールが下部ホールよりも小さいコーン状に構成されることが望ましい。前記ガスガードには、前記小さいチャンバの圧力を大気圧より高く保たせて当該小さいチャンバが持続的に形成されるようにし、大気がガス注入チューブに逆流しないように前記ガスガードの一側に孔（ホール）が形成されている。前記ガス噴射装置には、前記水膜に前記ガスガードを介して超音波を伝達する超音波発振器が取り付けられている。
【００１３】
そして、前記ガス注入チューブにはガスを供給するガス供給手段が連結されている。前記ガスとしては、オゾン（Ｏ3）、フッ化水素（ＨＦ）、アンモニア（ＮＨ3）、二酸化炭素（ＣＯ2）、酸化硫黄（ＳＯ2）、水素（Ｈ2）、窒素（Ｎ2）、アルゴン（Ａｒ）ガス、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）またはその混合ガスを用いうる。前記ガス供給手段には、複数種のガスを混合する混合器が含まれている。
【００１４】
上記他の目的を達成するために、本発明に係るウェハ洗浄方法は、チャンバのチャックにウェハをローディングした後、前記チャックを回転させつつ前記ウェハ上に純水を噴射して水膜を形成する。次に、回転するウェハの上部に位置してガスガードを有し洗浄ガスを噴射するガス噴射装置を少なくとも前記洗浄ガスの噴射時に前記水膜に近接させるようにウェハ側に近づけて水膜及びガスガードの内部に小さいチャンバを形成する。この時、水膜とガスガードとの間の距離を２〜４ｍｍにして小さいチャンバを形成することが望ましい。
【００１５】
次に、前記小さいチャンバを保持した状態で前記洗浄ガス噴射装置により洗浄ガスを噴射し、水膜に洗浄ガスを高い濃度で溶解させつつ、前記小さいチャンバの圧力を大気圧より高く保たせて当該小さいチャンバが持続的に形成されるようにし、大気がガス注入チューブに逆流しないように前記ガスガードの一側に孔が形成された前記ガス噴射装置をウェハ上においてスキャンして洗浄する。前記小さいチャンバを保持するための小さいチャンバの内部圧力は、１〜２気圧にすることが望ましい。前記洗浄ガスとしては、オゾン（Ｏ３）、フッ化水素（ＨＦ）、アンモニア（ＮＨ３）、二酸化炭素（ＣＯ２）、酸化硫黄（ＳＯ２）、水素（Ｈ２）またはその混合ガスを用いることができる。次に、前記洗浄されたウェハ上の水膜に乾燥ガスを注入して前記水膜を乾燥させる。前記水膜を乾燥させる時、乾燥ガスとしては、ＩＰＡを用いることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。しかし、次に例示する本発明の実施形態は各種の他の形態に変形でき、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されるのではない。本発明の実施形態は当業界において平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
【００１７】
図１は、本発明に係る枚葉式ウェハ洗浄装置を説明するための概略図である。
【００１８】
具体的に、本発明に係る枚葉式ウェハ洗浄装置は、回転可能なチャック（図２の１１ａ）の上にウェハ（図２の２３）がローディングされるチャンバ１１と、チャンバ１１の一側からウェハに向けて純水を供給してウェハ上に水膜（図２の２５）を形成しうる純水供給手段とを含む。純水供給手段は純水供給源Ｄ１、Ｄ２、弁Ｖ５、Ｖ９及び純水供給ライン１３ａ、１３ｂを含む。
【００１９】
ウェハ上には、洗浄ガスを含んだ各種のガスを噴射しうるガス噴射装置１５と、ガス噴射装置１５にガスを供給しうるガス供給手段とが設けられている。ガス噴射装置１５は、後述するように、ガス注入チューブとガスガイドとを含む。ガス供給手段はガス供給源Ｇ１〜Ｇ４、ガスライン１７ａ、弁Ｖ１〜Ｖ４及びＶ７〜Ｖ９、流量流れ調節系ＭＦＣ１〜ＭＦＣ５、ガス測定ゲージＭ１、Ｍ２、及び混合器１７ｂなどを含む。混合器１７ｂは、ガス供給源Ｇ１〜Ｇ４から与えられたガスを必要に応じて混合し、その混合ガスをガス噴射装置１５に供給する役割を果たす。
【００２０】
図１において、純水供給手段の純水供給ライン１３ａ、１３ｂは２つに構成したが、それ以上の個数に構成することもできる。ガス供給源Ｇ１〜Ｇ４はオゾン（Ｏ3）、フッ化水素（ＨＦ）、アンモニア（ＮＨ3）、二酸化炭素（ＣＯ2）、酸化硫黄（ＳＯ2）、水素（Ｈ2）、窒素（Ｎ2）、アルゴン（Ａｒ）ガスまたはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）ガスなどを供給することができる。これらのガスは洗浄ガス（例えば、オゾン（Ｏ3）、フッ化水素（ＨＦ）、アンモニア（ＮＨ3）、酸化硫黄（ＳＯ2）、二酸化炭素（ＣＯ2）、水素（Ｈ2））、キャリアガス（例えば窒素（Ｎ2）やアルゴン（Ａｒ）ガス）、乾燥ガス（例えば、ＩＰＡガス）などに分類できる。
【００２１】
この実施形態では、便宜上４種類のガス供給源だけを図示する。ガス供給源Ｇ１〜Ｇ４から供給されたガスのうち不使用のガスは真空ポンプ２１を介して外部に排出される。図１において、チャンバ１１及びガス噴射装置１５は分離されているが、チャンバ１１の内部にガス噴射装置１５を設けることもできる。以上説明の本発明に係る枚葉式ウェハ洗浄装置は、ガス注入チューブ１５ａ及びガスガイド１５ｂを含むガス噴射装置１５と、ガス供給手段及び純水供給手段などを含むことから、その構成が極めて簡単である。
【００２２】
図２は、図１の枚葉式ウェハ洗浄装置を詳細に説明するための図であり、図３は、図２の枚葉式ウェハ洗浄装置のガス噴射装置の移動方向を説明するための図である。
【００２３】
具体的に、本発明に係る枚葉式ウェハ洗浄装置のチャンバ（図１の１１）内には回転可能なチャック１１ａが備わり、チャック１１ａ上にはウェハ２３が位置する。ウェハ２３の一側上には、図３に示されたように、純水供給ライン１３ａ、１３ｂが位置する。純水供給ライン１３ａ、１３ｂは図３のように２本に構成することもでき、それ以上の複数本に構成することもできる。図２のウェハ２３上には純水供給ライン１３ａ、１３ｂを介して供給された純水が噴射されて水膜２５が形成されている。
【００２４】
回転可能なチャック１１ａ上に位置されたウェハ２３の上部には第１ノズルＮ１及び第２ノズルＮ２を含むガス注入チューブ１５ａと、ガス注入チューブ１５ａに取り付けられてウェハ２３上に噴射された水膜２５の表面に近づいて小さいチャンバ２７を形成するガスガード１５ｂとを含むガス噴射装置１５が設けられている。例えば、水膜２５とガスガード１５ｂの底部との間の距離を２〜４ｍｍにすれば、小さいチャンバ２７を形成できる。ガス注入チューブ１５ａ及びガスガード１５ｂはイオンフッ化エチレンなどのフッ素樹脂（テフロン）、ステンレススチール、金（Ａｕ）または白金（Ｐｔ）よりなる。
【００２５】
ガス注入チューブ１５ａには第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２が注入されるようになっているが、それ以外のガスが注入されてもよい。例えば、第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２はオゾン（Ｏ3）、フッ化水素（ＨＦ）、酸化硫黄（ＳＯ2）、アンモニア（ＮＨ3）、二酸化炭素（ＣＯ2）、水素（Ｈ2）、窒素（Ｎ2）、アルゴン（Ａｒ）ガス、ＩＰＡまたはその混合ガスから選ぶことができる。ガス注入チューブ１５ａは第１ノズルＮ１及び第２ノズルＮ２に第１ガスＧ１及び第２ガスＧ２を注入するように構成されているが、複数個に構成することもできる。ガスガード１５ｂは上部ホールが下部ホールよりも小さいコーン状に構成されて、ウェハ２３上の水膜に近づいたガスガード１５ｂの内部は小さいチャンバ２７の役割をする。ガスガード１５ｂはコーン状の下段部から延びたガイド部ｅをも含む。
【００２６】
そして、ガスガード１５ｂには小さいチャンバ２７に満たされた空気が排出されるようにし、小さいチャンバ２７内の圧力を大気圧よりも高く、例えば約１〜２気圧に保って小さいチャンバ２７が持続的に形成できるようにすると共に、大気が前記ガス注入チューブ１５ａに逆流しないようにするホール（図４の３１）が形成されている。ガス注入チューブ１５ａ及びガスガード１５ｂを含むガス噴射装置１５はウェハ２３上において上下に移動でき、ウェハ２３上の水膜２５に接触して図３に示されたようにＸ−Ｙ移動手段１６により左右、すなわちＸ軸またはＹ軸に移動することができる。
【００２７】
そして、ガス噴射装置１５には超音波発振器２９が取り付けられており、超音波がガスガード１５ｂを介して水膜に伝達される。結果的に、ガスガード１５ｂは水膜２５と接触して小さいチャンバ２７を形成すると同時に、ガス噴射装置に超音波発振器が取り付けられている場合、超音波を水膜に伝達する役割をする。
【００２８】
図４は、図２の枚葉式ウェハ洗浄装置の洗浄メカニズムを説明するために示した図であり、図５は、図４に示されたガスガードの拡大斜視図である。
【００２９】
具体的に、図４は、図２の枚葉式ウェハ洗浄装置のガスガード１５ｂとウェハ２３上の水膜２５との接触部を拡大して示したものである。本発明に係る枚葉式ウェハ洗浄装置においては、ガスガード１５ｂ及び水膜２５が近づいて小さいチャンバ２７を形成する。前述したように、水膜２５とガスガード１５ｂとの間の距離を２〜４ｍｍにすれば小さいチャンバ２７を形成することができる。ガス注入チューブ１５ａからのガスはその下部の水膜２５を薄くして拡散障壁層３３を薄くする。水膜とガスガード１５ｂとの間の距離を２〜４ｍｍにする場合、拡散障壁層３３の厚さを約数百μｍにできる。
【００３０】
ガスガード１５ｂは、図５に示されたように、上部ホールが下部ホールよりも小さいコーン状に構成されており、コーン状の下段部から延びたガイド部ｅをも含む。ガスガード１５ｂに形成されたホール３１は小さいチャンバ２７に満たされていた空気を排出する通路の役割をし、これにより、少量の洗浄ガスがホールを介して排出され続けることになる。また、ホール３１は小さいチャンバ２７内の圧力を大気圧よりも高く、例えば約１〜２気圧に保って小さいチャンバ２７が持続的に形成できるようにすると共に、大気がガス注入チューブ１５ａに逆流しないようにする。ホール３１の大きさ及び個数はガスガード１５ｂ及び水膜２５がなす小さいチャンバ２７の体積及びガス注入チューブ１５ａからの洗浄ガスの量によって定まる。
【００３１】
ガス注入チューブ１５ａの第１ノズルＮ１及び第２ノズルＮ２を介して供給された洗浄ガス（または混合ガス）、例えばオゾンガスは小さいチャンバ２７内の水膜２５に噴射されて溶解される。この時、水膜２５に接したガスガード１５ｂ内の小さいチャンバ２７内に注入された洗浄ガス（または混合ガス）、例えばオゾンガスは高い部分圧を有することになり、拡散障壁層３３も薄いために、洗浄ガスが水膜２５内に多く溶け込む。このように洗浄ガスが多く溶け込んだ高い濃度の洗浄溶液（例えば、オゾン濃度が高い洗浄溶液）を継続して得るようにしつつ、ガス噴射装置１５を回転するウェハ２３上においてＸ軸またはＹ軸にスキャンすれば、ウェハ２３上の異物を容易に洗浄することができる。ガス噴射装置１５のスキャン速度及び回数は使用するガスの溶解度及びエッチング量によって定まる。
【００３２】
さらに、ガス噴射装置１５には超音波発振器２９を取り付けてガス噴射装置１５を微細に振動させることができる。すなわち、ガス噴射装置１５に超音波を印加する場合、ガスガード１５ｂを介して超音波が水膜に伝達されてウェハ２３上の異物、例えば微粒子がより容易に洗浄される。
【００３３】
図６は、図２の枚葉式ウェハ洗浄装置を利用したウェハ洗浄方法の一実施形態を説明するためのフローチャートである。
【００３４】
具体的に、図２に示されたように、チャンバのチャックにウェハをローディングする（ステップ１００）。次に、チャックを回転させつつウェハ上に純水供給手段を使って純水を噴射して水膜を形成する（ステップ１１０）。純水供給手段を介して供給される純水の温度は約１０〜５０℃にする。チャックは水膜の形成段階、洗浄段階及び乾燥段階の間回転し続ける。チャックの回転数は噴射する純水の流量によって異なるが、水膜の形成段階から後続する洗浄段階までは約５〜１００ｒｐｍに調節し、後続するＩＰＡ乾燥段階では５〜１５００ｒｐｍに調節する。
【００３５】
次に、ウェハの上部に位置してコーン状のガスガードを有するガス噴射装置を図２のようにウェハ側に近づけてガスガード及び水膜の内部に小さいチャンバを形成する（ステップ１２０）。この時、ガスガードと水膜との距離は２〜４ｍｍにして小さいチャンバを形成することが望ましい。小さいチャンバ内の圧力は約１〜２気圧に保つ。
【００３６】
小さいチャンバを形成するためにガス噴射装置をウェハ側に移動させる方法としては、ガス噴射装置をウェハの上側に移動させた後に下降させたり、ウェハの左側や右側において予めウェハと適正距離を保ったままでガス噴射装置を移動させたりする方法がある。この実施形態では水膜を形成した後、ガス噴射装置をウェハ側に移動させて小さいチャンバを形成した。しかし、ガス噴射装置を先にウェハ側に移動させた後に純水を供給して水膜を形成しても良い。
【００３７】
続いて、回転するウェハ上に小さいチャンバを形成した状態でガス噴射装置により洗浄ガス、例えばオゾンガスを噴射して水膜に溶解させつつガス噴射装置を左右及び前後にスキャンして洗浄を行う（ステップ１３０）。洗浄ガスとしてはオゾン（Ｏ3）、フッ化水素（ＨＦ）、アンモニア（ＮＨ3）、酸化硫黄（ＳＯ2）、二酸化炭素（ＣＯ2）、水素（Ｈ2）またはその混合ガスを用いうる。
【００３８】
この時、前述したように、小さいチャンバ内においては洗浄ガスが高い部分圧を有するようになり、水膜に洗浄ガスが多く溶け込む。従って、洗浄ガス、例えばオゾンガスが高い濃度で水膜に溶解された洗浄溶液を使ってガス噴射装置をウェハ上においてスキャンすれば、ウェハ上の異物を効率よく除去することができる。ガス噴射装置のスキャン速度及び回数は使用する洗浄ガスの溶解度及びエッチング量によって定まる。もちろん、洗浄に際し、必要に応じては、ガス噴射装置に超音波発振器を作動して超音波を水膜に伝達して洗浄効果を高めることもある。
【００３９】
次に、洗浄されたウェハ上の水膜を乾燥する（ステップ１４０）。水膜の乾燥はガス噴射装置を使ってＩＰＡを回転するウェハ上に向けて噴射することにより行われる。このように、本発明に係るウェハ洗浄方法は、ガス噴射装置を使って洗浄ガス及び乾燥ガスであるＩＰＡなどを噴射することにより、洗浄から乾燥までを単一のチャンバにおいて行うことができる。
【００４０】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明に係る枚葉式ウェハ洗浄装置は、小さいチャンバを形成した状態でオゾンガスまたはオゾンガス以外の洗浄ガスをガス噴射装置を使って噴射すれば、オゾン濃度や洗浄ガスの濃度が高い洗浄溶液を使ってウェハの洗浄を行うことができる。本発明に係る枚葉式ウェハ洗浄装置はガス注入チューブ及びガスガイドを含むガス噴射装置、ガス供給手段、及び純水供給手段などを含むことから、その構成が極めて簡単である。
【００４１】
そして、本発明に係るウェハ洗浄方法は、水膜とガスガイドとの間に小さいチャンバを形成して水膜内に溶け込む洗浄ガスの溶解度を高めうる。これにより、高濃度の洗浄溶液を使ってウェハを洗浄する場合、洗浄効率を高めることができる。さらに、ガス噴射装置に超音波発振器を取り付ける場合、ガスガイドを介して水膜に超音波が伝達されて異物の除去効率を高めることができる。そして、本発明に係るウェハ洗浄方法は、ガス噴射装置を使ってウェハ上の水膜を乾燥するＩＰＡなどを噴射する場合、洗浄から乾燥までを単一のチャンバにおいて行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る枚葉式ウェハ洗浄装置を説明するための概略図である。
【図２】  図１の枚葉式ウェハ洗浄装置を詳細に説明するための図面である。
【図３】  図２の枚葉式ウェハ洗浄装置のガス噴射装置の移動方向を説明するための図面である。
【図４】  図２の枚葉式ウェハ洗浄装置の洗浄メカニズムを説明するための図面である。
【図５】  図４に示されたガスガードの拡大斜視図である。
【図６】  図２の枚葉式ウェハ洗浄装置を利用したウェハ洗浄方法の一実施形態を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
１１…チャンバ
１３ａ、１３ｂ…純水供給ライン
１５…ガス噴射装置
１７ａ…ガスライン
Ｄ１、Ｄ２…純水供給源
Ｇ１〜Ｇ４…ガス供給源
ＭＦＣ１〜ＭＦＣ５…流量流れ調節系
Ｍ１、Ｍ２…ガス測定ゲージ
Ｖ１〜Ｖ９…弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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