(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一対の電極と、プラズマ生成用ガスを前記電極間に定義される放電空間に供給するガス供給手段と、前記電極間に交流電圧を印加して、前記放電空間にプラズマ生成用ガスのプラズマを生成するための電力供給手段とを含むプラズマ処理装置であって、前記一対の電極の少なくとも一方は、その外表面に誘電体層を有し、前記一対の電極の少なくとも一方は、前記放電空間に突出する曲面を有し、前記ガス供給手段は前記放電空間の上流側に配置されるとともに、前記放電空間を跨ぐようにその下端が前記一対の電極に連結されるガス供給容器を含み、前記放電空間で生成されたプラズマ生成用ガスのプラズマが前記曲面に沿って広げられ、前記放電空間の下流側に配置された被処理物をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記一対の電極の少なくとも一方に隣接して配置され、前記プラズマが放電空間から被処理物に向かって広がるようにプラズマを導くプラズマガイド部材を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記プラズマガイド部材は、前記電極と一体に形成されることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記一対の電極の少なくとも一方は、筒状電極であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記一対の電極の少なくとも一方は、円筒状電極であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記一対の電極は、一対の円筒状電極であり、一方の電極は、他方の電極に対して実質的に平行に延出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記放電空間に突出する曲面は、１〜２５ｍｍの曲率半径を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
プラズマ処理中、電極温度を下げるために、前記電極の内部に冷却材を供給する冷却材供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
プラズマ処理中、電極温度を所定温度もしくはそれ以下に維持する制御手段をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記所定温度は、２５０℃であることを特徴とする請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記電極の表面粗さは、算術平均粗さで１０〜１０００μｍであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記誘電体層を有する前記電極は、ガラス質材料を電極材料上に融着することにより形成されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記誘電体層を有する前記電極は、セラミック材料を電極材料上に溶射することにより形成されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記誘電体層は、マグネシアもしくはマグネシアを含有する絶縁材料で形成されることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記プラズマ生成用ガスは、希ガス、希ガスの混合物、および希ガスと反応性ガスの混合ガスから選択されることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記被処理物を電極の下に搬送する搬送手段をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】
個々の電極ペアが筒状構造を有する第１電極及び第２電極でなる複数の電極ペアと、プラズマ生成用ガスを隣接する第１電極と第２電極の間に定義される放電空間に供給するガス供給手段と、隣接する第１電極と第2電極の間に交流電圧を印加して、前記放電空間にプラズマ生成用ガスのプラズマを生成するための電力供給手段とを含むプラズマ処理装置であって、前記第１電極と第２電極は、前記第１電極の各々が隣接する前記第２電極に対して実質的に平行に延出するように互い違いに配置され、隣接する前記第１電極と第２電極の少なくとも一方は、その外表面に誘電体層を有し、隣接する前記第１電極と第２電極の少なくとも一方は、前記放電空間に突出する曲面を有し、前記ガス供給手段は前記放電空間の上流側に配置されるとともに、前記放電空間を跨ぐようにその下端が前記複数の電極ペアの両端に位置する第１電極及び第２電極に連結されるガス供給容器を含み、前記放電空間で生成されたプラズマ生成用ガスのプラズマが前記曲面に沿って広げられ、前記放電空間の下流側に配置された被処理物をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１８】
プラズマ処理中、電極温度を下げるために、前記第１電極及び第２電極の内部に冷却材を供給する冷却材供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１９】
前記電極間の放電空間にプラズマ生成用ガスを供給する工程と、前記電極間に交流電圧を印加して放電空間にプラズマ生成用ガスの大気圧プラズマを生成する工程と、前記大気圧プラズマで被処理物を処理する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置を使用して実施されるプラズマ処理方法。
【請求項２０】
前記第１電極と第２電極の間の放電空間にプラズマ生成用ガスを供給する工程と、前記第１電極と第２電極の間に交流電圧を印加して放電空間にプラズマ生成用ガスの大気圧プラズマを生成する工程と、前記大気圧プラズマで被処理物を処理する工程を含むことを特徴とする請求項１７もしくは１８に記載のプラズマ処理装置を使用して実施されるプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物の表面に存在する有機物等の異物の除去、レジストの剥離、有機フィルムの密着性改善、金属酸化物の還元、製膜、表面改質、液晶用ガラス基板の表面クリーニング等に使用できるプラズマ処理装置、およびこの装置を用いて実施されるプラズマ処理に関するものであり、精密な接合が要求される電子部品の表面クリーニング等に応用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、大気圧下でグロー放電を安定に生成し、このグロー放電により得られるプラズマを用いて、基板に表面処理が実施されている。例えば、特開平２−１５１７１号公報、特開平３−２４１７３９号公報あるいは特開平１−３０６５６９号公報には、反応容器内の放電空間に一対の電極を設けるとともに、電極間に誘電体を配置して、Ｈｅ(ヘリウム)やＡｒ(アルゴン)等の希ガスを主成分とするプラズマ生成用ガスで放電空間を満たし、電極間に交流電圧を印加してプラズマ生成用ガスのプラズマを生成し、反応容器内に置かれた被処理物をこのプラズマで処理するプラズマ表面処理が開示されている。
【０００３】
しかし、この方法には、被処理物の特定領域のみにプラズマ処理を施すことが困難であり、処理時間も長くかかるという問題がある。そこで、大気圧下でグロー放電により生成したプラズマ(特にプラズマの活性種)ジェットを使用して被処理物をプラズマ処理することが提案されている。例えば、特開平４−３５８０７６号公報、特開平３−２１９０８２号公報、特開平４−２１２２５３号公報、特開平６−１０８２５７号公報等に種々の方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
特開平３−２１９０８２号公報、特開平４−２１２２５３号公報および特開平６−１０８２５７号公報に記載されている方法は、ノズル状の反応管からプラズマを被処理物に噴射するものである。しかし、これらの方法には以下の点で改善の余地がある。
(１)処理範囲が小さいので、大面積を処理するには不適である。
(２)放電空間を小さくすると、放熱性が低下し、反応管の内部が高温になるため、被処理物が熱ダメージを受けやすい。また、放電空間を大きくすると、処理効率が低下する。
(３)反応管の内部が高温になると、電極間あるいは反応管と被処理物の間にストリーマー放電(アーク放電)が発生しやすく、均質なプラズマ処理を安定して提供するのに不適である。
【０００５】
また、特開平４−３５８０７６号公報は、平板電極間に配置された誘電体板を具備するプラズマ処理装置について開示している。このものにおいては、装置が大型化するという問題だけでなく、以下に述べる理由により高いプラズマ密度を得ることが困難で、処理速度が遅いという問題がある。すなわち、大面積の平板電極であるので、プラズマの単位体積当たりのパワーが小さくなる。印加電力を大きくすることにより、プラズマ密度を改善できるが、電極温度が上昇し、被処理物が熱ダメージを受けたり、電極が破損したり、ストリーマー放電が発生するおそれがある。また、誘電体板を平板電極上に配置する方法においては、構造上の問題から誘電体の厚みを薄くすることが難しい。構造上の問題としては、例えば、誘電体としてガラス板を平板電極上に配置する場合、ガラス板の強度が低い為に１ｍｍ以下の厚みのガラス板を大面積にわたって電極に密着させることは困難である。また、セラミックス板を誘電体として使用する場合、十分な強度を有するとともに厚みの薄いセラミック板を製造できるが、平板電極に対応する大面積を有するセラミック板を製造することが困難である。また、ガラス板と同様、電極との密着性の確保も難しい。結果的に、印加電力に対して誘電体部分での電圧降下が無視できず、プラズマの単位体積当たりの電力を増加させるのが困難であった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
したがって、本発明は上記点に鑑みてなされたものであり、ストリーマー放電の発生を防止するとともに、放電空間の下流側に配置された被処理物の大面積を効率良くプラズマ処理できるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。本発明のプラズマ処理装置は、少なくとも一対の電極と、電極間に定義される放電空間にプラズマ生成用ガスを供給するガス供給手段と、電極間に交流電圧を印加して、放電空間にプラズマ生成用ガスのプラズマを生成するための電力供給手段とを含むものであり、一対の電極の少なくとも一方は、その外表面に誘電体層を有し、一対の電極の少なくとも一方は、放電空間に突出する曲面を有し、ガス供給手段は放電空間の上流側に配置されるとともに、放電空間を跨ぐようにその下端が前記一対の電極に連結されるガス供給容器を含み、放電空間で生成されたプラズマ生成用ガスのプラズマが前記曲面に沿って広げられ、放電空間の下流側に配置された被処理物をプラズマ処理することを特徴とする。
【０００７】
放電空間に突出する曲面を有する電極を使用することは、ストリーマー放電を防止しながら、少ない電力で大きなプラズマ密度を得るのに効果的である。すなわち、先端の尖ったエッジ部を有する電極を放電空間内に突出させた場合、プラズマ密度を大きくできるが、そのようなエッジ部には不平等電界に基づくストリーマー放電(アーク放電)が発生しやすい。一旦、ストリーマー放電が発生すると、プラズマ(グロー放電)が不安定になるためにプラズマ処理を継続できなくなる。また、ストリーマー放電が電極と被処理物との間に発生した場合、被処理物が重大な損傷を受ける恐れがある。電極の曲面を放電空間内に突出させることにより、ストリーマー放電の発生を防止しながら、プラズマ密度を大きくできるのである。放電空間に突出する曲面の曲率半径は、１〜２５ｍｍであることが特に好ましい。
【０００８】
また、本発明のプラズマ処理装置は、上記の構成に加えて、一対の電極の少なくとも一方に隣接して配置され、プラズマが放電空間から被加工物に向かって広がるようにプラズマを導くプラズマガイド部材を含むことが好ましい。また、プラズマガイド部材は、電極と一体に形成されることも好ましい。プラズマガイド部材は、大面積の被処理物をより効率よくプラズマ処理するのに有効である。
【０００９】
また、本発明のプラズマ処理装置の一対の電極の少なくとも一方は、筒状電極、特に円筒状電極であることが好ましい。また、本発明のプラズマ処理装置は、上記の構成に加えて、プラズマ処理中、電極温度を下げるために、電極の内部に冷却材を供給する冷却材供給手段を含むことが好ましい。後述するように、電極の表面温度を下げることは、ストリーマー放電の防止に効果的である。
【００１０】
本発明のさらなる目的は、上記プラズマ処理装置を用いて実施されるプラズマ処理方法を提供することである。すなわち、本発明のプラズマ処理方法は、電極間の放電空間にプラズマ生成用ガスを供給する工程と、電極間に交流電圧を印加して放電空間にプラズマ生成用ガスの大気圧プラズマを生成する工程と、大気圧プラズマで被処理物を処理する工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好ましい実施の形態を説明する。
【００１２】
図１に示すように、本発明のプラズマ処理装置は、プラズマ３を生成するプラズマ発生器１０、制御手段７、被処理物を搬送するための搬送手段１１を具備している。プラズマ発生器１０は、一対の円筒(パイプ状)電極１，２、ガス供給容器１２、ガス供給ユニット５、交流電源１３、冷却材供給ユニット２０、電極温度測定ユニット２４、および支持部材１４等で構成されている。
【００１３】
図２および図３に示すように、円筒電極１，２は、電極１が電極２に対して実質的に平行に延出するとともに、所定距離ｄによって互いから離れて配置される。この電極間の空間が放電空間２２として定義される。電極１と電極２との間の距離ｄは、０.１〜５ｍｍとすることが好ましい。電極１は接地され、電極２は交流電源１３に接続される。本装置においては、電極１および２の両方が放電空間２２に突出する曲面Ｒを有する。この曲面Ｒの曲率半径は、１〜２５ｍｍに設定するのが好ましい。曲率半径が１ｍｍ未満であると、放電空間が小さくなり、プラズマ３を効率良く生成することができなくなる恐れがある。一方、曲率半径が２５ｍｍを超えると、放電空間２２から被処理物４に向かって広がるようにプラズマ３を吹き出すことができない恐れがある。そのような場合、被処理物４の大面積を効率良くプラズマ処理するのが難しくなる。電極１，２の放熱性を向上させてグロー放電の均一化を図るために、電極１，２を、熱伝導性の高い材料で作成することが好ましい。具体的には、銅、アルミニウム、真鍮、耐食性の良いステンレス鋼等を使用できる。
【００１４】
電極の外表面の表面粗さは、算術平均粗さで１０〜１０００μｍに設定することが好ましい。表面粗さをＹ＝ｆ(ｘ)の形に表した場合の算術平均粗さＲａ(μｍ)は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１で以下の式(１)によって定義される。
【００１５】
【数１】
0003959906.tif 000002
【００１６】
表面粗さが１０μｍ未満であると、プラズマ(グロー放電)３が生成しにくくなる恐れがあり、表面粗さが１０００μｍを超えると、プラズマ３が不均一になる恐れがある。表面粗さの上記範囲が、グロー放電の均一化を図る上で最適である。これは、非常に微細なマイクロディスチャージの集合体が形成され、アーク放電の発生が防止されるためであると考えられる。電極１，２の表面を粗面化するために、例えば、サンドブラストなどの物理的手段を採用することができる。
【００１７】
図１の装置においては、電極１，２の各々は外表面に誘電体層６を有する。誘電体層６は、放電空間２２におけるプラズマ３の低温化にとって重要な要素である。誘電体層６は、誘電率が２０００もしくはそれ以下の絶縁性材料で作成されるのが好ましい。誘電率が２０００を超えると、電極間に印加される電圧が大きくなるが、プラズマの温度上昇を引き起こす恐れがある。誘電率の下限値に関して限定はないが、例えば、２程度である。誘電率が２よりも小さいと、放電を維持するために電極間に印加する交流電圧を増加させる必要がある。この場合、放電空間における電力消費量が増加して、プラズマの温度上昇を引き起こす可能性がある。電極１，２のいずれか一方が誘電層を有する時は、誘電体層６を有する電極を交流電源１３に接続することが好ましい。
【００１８】
グロー放電の安定化を図る上で、二次電子放出係数の大きい材料の単体、もしくはその混合物で誘電体層を作成することが好ましい。二次電子放出係数の高い材料としては、たとえば、ＭｇＯ，ＭｇＦ2，ＣａＦ2，ＬｉＦ等が挙げられる。特に、安定性の点でＭｇＯ(マグネシア)の使用が好ましい。これら二次電子放出係数の大きい材料を使用すると、プラズマ中のイオンが誘電体層６の表面に衝突した場合、多量の二次電子が放出され、放電の安定化に寄与する。マグネシアを含む誘電体材料の製造方法を例示すると、アルミナ等のセラミック粉末中に微量(０.０１〜５体積％)のマグネシアを添加して燒結する方法、アルミナなどのセラミック粉末中に微量(０.０１〜５体積％)のマグネシアを混合して電極表面に溶射する方法、アルミナや石英等の誘電体材料の表面にスパッタ、電子ビーム蒸着、溶射等でＭｇＯ被膜を形成する方法が挙げられる。
【００１９】
誘電体層６を有する電極１，２は、例えば、以下の方法により製造することができる。まず、絶縁材料で第１の円筒を作成し、上記した電極材料で作成した第２の円筒を第１の円筒の内表面に密着させればよい。また、アルミナ、マグネシア、チタン酸バリウム、ＰＺＴ等の粉末をプラズマ中に分散させ、電極材料で作成した円筒の外表面に吹き付けるプラズマ溶射法を採用しても良い。さらに、ゾルゲル法によるガラス質膜の形成方法を採用することもできる。
【００２０】
以下に述べる融着法により誘電体層を有する電極を製造することが特に好ましい。この方法においては、シリカ、マグネシア、酸化スズ、チタニア、ジルコニア、アルミナ等の無機材料を主成分とするガラス質材料のフリットを溶媒中に分散させる。次いで、電極材料をフリット分散溶媒中に浸漬したり、スプレーガン等の使用によりフリットを電極材料上に吹き付けて電極材料上にガラス質材料の被膜を形成する。得られた被膜を４８０〜１０００℃、３〜１５分間加熱して、ガラス質材料の被膜を電極材料に融着する。所望の厚さを有する誘電体層６を得るために、上記操作を繰り返し行っても良い。この融着法は、厚みの薄い誘電体層を作成しやすく、セラミック溶射法によって形成した誘電体層にしばしばみられるようなピンホールの発生が少ないという長所がある。このように、融着法により形成された誘電体層６は、グロー放電の均一化を図る上で好適である。
【００２１】
誘電体層の厚さは、０.１〜２ｍｍであることが好ましい。厚さが０.１ｍｍ以下であると、誘電体層の耐電圧が低下する。さらに、クラックや剥離が発生しやすく、グロー放電の均一性を維持するのが困難になる恐れがある。厚さが２ｍｍを超えると、耐電圧が高くなりすぎて、やはりグロー放電の均一性を維持するのが困難になる恐れがある。
【００２２】
ガス供給容器１２は、ガス導入口１６とガス導出口１７を有する。プラズマ生成用ガスを供給するガス供給ユニット５は、ガス供給ライン１５を介してガス導入口１６に接続される。ガス供給容器１２の奥行き寸法Ｌは電極の長さとほぼ同じである。ガス供給体の高さＨは、プラズマ生成用ガスの安定した流れをガス導出口１７から提供するのに最適な長さとすることが好ましい。ガス供給容器１２の幅寸法Ｗは、電極１，２の中心間距離に実質的に等しく、それにより電極間の放電空間２２を跨ぐようにガス供給容器１２を配置することができる。図３に示すように、ガス供給容器１２は、プラズマ生成用ガスがガス供給容器１２の内部から放電空間２２に流れるように電極に固定される。電極に固定されたガス供給容器１２は、図１に示すように、支持部材１４によって保持される。
【００２３】
冷却材供給ユニット２０は、冷却材タンクおよび冷却材を汲み上げるためのポンプを具備している。冷却材９は、純水やイオン交換水を用いることができるが、電気絶縁性および０℃で不凍性を有することがより好ましい。また、冷却材は、電気絶縁性として０.１ｍｍ間隔での耐電圧が１０ｋＶ以上であることが好ましい。このような絶縁性を有する冷却材は、高電圧が印加される電極からの漏電を防ぐのに好適である。上記特性を有する冷却材９としては、例えば、パーフルオロカーボン、ハイドロフルオロエーテル、あるいは純水にエチレングリコールを５〜６０重量％添加した混合液を使用することができる。
【００２４】
図３に示すように、電極１，２の各々の両端は閉じられている。冷却材供給管２１は、その一端でポンプに接続され、冷却材供給管２１の他端は、電極１の一端部に接続される。これにより、冷却材が電極１の内部に供給される。冷却材流通管３３の一端は、電極１の他端部に接続され、冷却材流通管３３の他端は、電極２の一端部に接続される。これにより、電極１の内部から電極２の内部に冷却材９を送ることができる。冷却材排出管２３の一端は、電極２の他端部に接続され、冷却材排出管２３の他端が冷却材タンクに接続される。したがって、冷却材を循環させて電極１，２を冷却することができる。電極間の絶縁性を維持するために、冷却材流通管３３を絶縁材料で形成することが好ましい。
【００２５】
電極の表面温度を測定するための電極温度測定ユニット２４として、赤外線放射温度計を使用することが好ましい。図１及び図２において、番号４０は、ガス供給容器１２の上面に設けられた赤外線透過窓４０を示す。測定された電極温度はモニター２７上に表示されるとともに、後述する制御手段７のマイクロコンピュータ３０に送られる。赤外線放射温度計の代りに、熱電対のような温度センサーを使用しても良い。
【００２６】
搬送手段１１としては、例えば、ベルトコンベヤーを使用することができる。ベルトコンベヤーの使用により連続的に被処理物４をプラズマ処理できる。コンベヤーユニット１１は、制御手段７により制御される。本発明を工業的な規模で応用するにあたっては、プラズマ処理装置のさらなる処理効率の改善のために、搬送手段１１を使用することが好ましい。
【００２７】
制御手段７は、マイクロコンピュータ(パーソナルコンピューター)３０で構成され、電極温度測定ユニット２４から出力される電極の表面温度をモニターするとともに、電極に印加される交流電圧の大きさ、および被処理物の搬送速度等を制御する。また、冷却材を汲み上げるためのポンプもこの制御手段７により制御可能である。例えば、測定された電極温度が、所定の制御温度よりも高い場合、マイクロコンピューター３０は、冷却材の流量を増やすように制御信号をポンプに送る。また、制御手段の信号に基づいて冷却材温度を下げる冷却手段を採用しても良い。
【００２８】
次に、上記プラズマ装置を使用して実施されるプラズマ処理方法について説明する。
【００２９】
まず、プラズマ生成用ガスがガス供給ユニット５からガス供給容器１２に供給される。本発明に使用されるプラズマ生成用ガスは、不活性ガス(希ガス)、あるいは不活性ガスと反応性ガスの混合ガスを用いることができる。不活性ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等を使用することができる。放電の安定性と経済性を考えると、ヘリウム、アルゴンもしくはアルゴンとヘリウムの混合ガスを使用することが好ましい。アルゴンとヘリウムの混合比率は、電極の表面温度と密接に関係する。例えば、電極の表面温度が２５０℃あるいはそれ以下にする場合、アルゴンを９０重量％以下にすることが好ましい。９０重量％を超えると、ストリーマー放電の発生頻度が増加する恐れがある。
【００３０】
反応ガスは、プラズマ処理の目的に応じて任意に選択される。例えば、被処理物の表面に存在する有機物のクリーニング、レジストの除去、有機材料フィルムのエッチング等を行う場合、酸素、空気、二酸化炭素、水蒸気、Ｎ2Ｏ等の酸化性ガスを使用することが好ましい。また、シリコンなどのエッチングを行う場合は、ＣＦ4等のフッ素系ガスを用いるのが効果的である。また、金属酸化物の還元を行う場合は、水素やアンモニアなどの還元性ガスを用いることができる。一例として、反応ガスの添加量は、不活性ガスに対して１０重量％以下、より好ましくは０.１〜５重量％である。上記処理において、反応性ガスによる被処理物表面の酸化やフッ素化が問題になる場合は、不活性ガスのみを使用してプラズマ処理を行っても良い。
【００３１】
プラズマ生成用ガスは、ガス導出口１７を介して電極間の放電空間２２に供給される。プラズマ３は、交流電圧を電極に印加することにより生成される。本発明のプラズマ処理装置においては、交流電源の周波数を、５０Ｈｚ〜２００ＭＨｚ、特に１ｋＨｚ〜２００ＭＨｚの範囲内に設定することが好ましい。周波数が、５０Ｈｚ未満であると、安定した放電を維持するのが困難になる恐れがある。一方、周波数が２００ＭＨｚを超えると、プラズマ温度の上昇が顕著になる。
【００３２】
また、本発明のプラズマ処理装置を使用してプラズマ処理を実施する場合、特に限定しないが、プラズマの単位体積当たりの電力が１０〜１００００Ｗ／ｃｍ3で、プラズマ３の流速が２０〜１００００ｃｍ／秒であることが好ましい。上記条件を逸脱した場合、プラズマ処理が不完全であったり、被処理物に熱的なダメージを与える恐れがある。したがって、交流電圧の大きさ、プラズマ生成ガスの供給量や供給速度を上記範囲に入るように調節することが好ましい。
【００３３】
プラズマ処理中、電極の表面温度を、２５０℃以下、より好ましくは２００℃以下に保つことが好ましい。電極の表面温度が２５０℃を超えると、ストリーマー放電が放電空間２２に生成される恐れがある。電極の表面温度の下限値に関して限定はない。例えば、下限値は０℃であっても良い。換言すれば、冷却材９が凍結しない温度であればよい。また、空冷により電極１，２を十分に冷却できる場合は、冷却材を使用する必要はない。
【００３４】
ところで、ストリーマー放電(アーク放電)の発生原因の一つは、プラズマによる電極温度の上昇にあると考えられている。本発明のプラズマ処理において、プラズマ３は、プラズマ生成用ガスの大気圧付近の圧力で生成される。このプラズマ３中では、ガス粒子が絶えず衝突を繰り返している。減圧プラズマと比較して、大気圧プラズマにおいては平均自由行路が短い。これは、大気圧プラズマ中においてガス粒子の衝突頻度が高いことを意味する。衝突頻度が高くなると、プラズマ温度は上昇する。また、プラズマ中のガス粒子の衝突頻度は、交流電源の周波数にも密接に関係する。周波数が高くなるにつれて、プラズマ処理に好適なラジカルやイオンの量は増加するが、プラズマ温度は上昇し、結果的に、電極の表面温度も上昇する。特に、プラズマに曝されている電極表面の温度上昇は顕著である。この温度上昇は、電極表面から局所的な電子の放出を招き、それが原因となってストリーマー放電が発生すると考えられている。一旦、ストリーマー放電が生じると、プラズマ(グロー放電)が不安定になり、プラズマ処理を継続することができない。電極と被処理物の間にストリーマー放電が発生した場合は、ストリーマー放電が被処理物の表面に重大な損傷を及ぼす恐れがある。また、ストリーマー放電により、電極材料の一部が蒸発して、被処理物に蒸着されるという問題もある。
【００３５】
本発明の図１のプラズマ処理装置においては、ストリーマー放電の発生を防ぐために、放電空間２２に突出する曲面Ｒを有する円筒電極１，２を使用するとともに、電極内部に冷却材９を供給する冷却材供給ユニット２０が、電極の表面温度を下げ、電極表面からの局所的な電子放出を防ぐために設けられている。したがって、プラズマ処理中、均一なグロー放電を安定に維持することができるのである。
【００３６】
また、円筒状の電極１，２を使用しているので、電極間の距離を狭めることによりプラズマの単位体積あたりの電力(プラズマ密度)を大きくできるとともに、図４Ａの矢印で示されるように、円筒電極の外周面に沿って放電空間２２から下側に広がるプラズマ３のジェット(プラズマ流)を生成できる。被処理物４をこの高いプラズマ密度を有する拡張されたプラズマジェット３で処理することにより、処理効率を改善することができる。これに対して、図４Ｂに示すように、平板状電極１Ｓ，２Ｓを使用した場合、狭い幅のプラズマジェット(プラズマ流)３Ｓが電極間の放電空間２２Ｓから提供されるにすぎない。また、前途したように、相対的にプラズマの単位体積当たりの電力を大きくとることが困難である。したがって、被加工物４Ｓの処理領域が制限されてしまう。図４Ａにおいて、番号６Ｓは誘電体板を示す。
【００３７】
電極構造の第１変更例として、図５に示すように、断面が略三角形の一対の筒状電極(１Ａ，２Ａ)を使用しても良い。電極は、電極１Ａの底面が、電極２Ａの底面と同一平面上にあるように配置される。また、電極１Ａは、電極２Ａに対して実質的に平行に配置されている。放電空間２２は、電極１Ａ，２Ａの対向する頂点部の間に定義される。この頂点部の各々には、曲面Ｒが設けられ、これらの曲面Ｒが放電空間２２内に突出している。放電空間に突出する曲面Ｒは、１〜２５ｍｍの曲率半径を有することが好ましい。電極の内部には、冷却材９を循環させる。また、電極の各々は、最表面にアルミナの誘電体層６を有する。電極の下部には、断面が三角形の一対のプラズマガイド部材５０が設けられ、プラズマ拡散ゾーン３５を形成している。このプラズマ拡散ゾーン３５は、プラズマ３が放電空間２２から被加工物４に向かって広がるようにプラズマを導くためのものである。円筒電極(１，２)を使用している図１のプラズマ処理装置においては、円筒電極それ自体の構造により、プラズマが放電空間から被処理物に向かって広がるように導かれる。換言すれば、電極の各々は、プラズマガイド部材の役割を担うプラズマガイド部を兼ね備えている。放電空間２２内に生成されたプラズマ３は、プラズマガイド部、すなわち円筒電極の外表面の一部に沿って広がり、被加工物４に到達する。図４において、番号３５は、電極の下に形成されるプラズマ拡散ゾーンを示す。
【００３８】
電極構造の第２変更例として、図６に示すように、断面が略三角形の一対の電極(１Ｂ，２Ｂ)を使用することができる。尚、図６に示すように、電極が配置される場合、プラズマガイド部材を別途設けることなく、電極の下にプラズマ拡散ゾーン３５を形成することができる。
【００３９】
電極構造の第３変更例として、図７に示すように、断面が矩形形状である第１電極１Ｃと断面が楕円形状の第２電極２Ｃを使用しても良い。この場合、第２電極２Ｃの曲面Ｒと第１電極１Ｃの平坦面の間に放電空間２２が形成される。また、平坦表面上に突出する略半球状表面を有する少なくとも一つの電極を使用し、略半球状表面が放電空間に突出するように電極を配置しても良い。
【００４０】
また、図８に示すようなプラズマ発生器１０を使用することも好ましい。このプラズマ発生器は、個々の電極ペアが円筒構造を有する電極１及び電極２でなる複数の電極ペア、及びガス導入口１６を有するガス供給容器１２を具備している。複数の電極１と電極２は、電極１の各々が隣接する電極２に対して実質的に平行に延出するように互い違いに配置される。電極１は隣接する電極２から距離ｄによって離されており、電極間に放電空間２２が定義される。すべての電極２は、交流電源に接続され、すべての電極１は接地される。電極１、２は、その外表面に誘電体層６を有する。また、隣接する電極１，２の各々の外周曲面は、放電空間２２内に突出している。プラズマ生成用ガスがガス導入口１６を介してガス供給容器１２の内部に供給され、電極間に交流電圧を印加することにより、複数のプラズマ３が生成される。
【００４１】
図９は、複数のプラズマで被処理物を処理するためのプラズマ処理装置の概略断面図である。電極１，２は、インライン型扉６３を両端に有する処理容器６０内に配置されている。インライン型扉の代りにシャトル型扉を使用しても良い。すべての電極２は、交流電源１３に接続され、すべての電極１は接地される。図中、番号６１は、プラズマ生成用ガスを処理容器６０内に供給するためのガス供給口を示す。番号６２は、ガス排出口を示す。番号１１は、被処理物４の搬送手段(ローラー)を示す。番号６５は、邪魔板を示す。邪魔板６５は、プラズマ生成用ガスを選択的に電極間の放電空間２２に供給するのに役立つ。電極１及び電極２の内部には、プラズマ処理中、電極温度を下げるために冷却材９を循環させる。プラズマ生成用ガスがガス供給口６１を介して処理容器６０内に供給され、電極間に交流電圧を印加することにより、複数のプラズマ３が生成される。この装置の使用により、被処理物４は、複数のプラズマ３で処理されるので、１度に被処理物のより広い面積(より広い範囲)を処理するのに効果的である。その他の構成は、図１のプラズマ処理装置と実質的に同じである。
【００４２】
図１０に図９のプラズマ処理装置の変更例を示す。この処理装置においては、スリット６７を有するインライン型扉６３を両端に有する処理容器６０を使用している。スリット６７を介して被処理物４を処理容器６０内に供給、あるいは処理容器から取り出すことができる。図中、番号６４は、緩和室を示す。緩和室は、処理容器から流出して放散されるプラズマ生成用ガスの量を少なくするとともに、処理容器内への外気の流入を最小化するのに有用である。その他の構成は、図９の処理装置と実質的に同じである。
【００４３】
＜実施例１＞
図１に示すプラズマ処理装置を使用して、プラズマ処理を実施した。誘電体層６として厚さ２００μｍのアルミナ層を有するステンレス鋼製パイプを電極１，２として使用した。電極の平均表面(周表面)粗さは、１０μｍである。誘電体層は、セラミック溶射法により作成した。電極間距離は、１ｍｍである。電極１，２の各々の曲面Ｒの曲率半径は、５ｍｍである。被処理物４としては、シリコンウエハーに厚さ１μｍのネガ型レジスト(東京応化製のＯＭＲ−８３)を塗布して形成したものを使用した。プラズマ生成用ガスとしては、ヘリウム、アルゴンおよび酸素の混合ガスを使用した。ヘリウムの流量は、２リットル／分であり、アルゴンの流量は、７リットル／分であり、酸素の流量は、５０ｃｃ／分である。
【００４４】
電極１を接地し、電極２を周波数が１３.５６ＭＨｚの交流電源１３に接続した。電極間に交流電圧(印加電力：１０００Ｗ)を印加することにより大気圧プラズマ３を生成させた。このプラズマ３を使用して被処理物４にエッチング処理を実施した。電極の表面温度は、プラズマエッチング処理中、赤外放射温度計(ＣＨＩＮＯ製)により測定した。電極の表面温度は、２５０℃であった。プラズマの単位体積当たりの電力は、４００Ｗ／ｃｍ3であり、また、プラズマエッチング処理により被処理物４からレジストを完全に剥離させるのに要した時間を測定した。測定結果より、レジストエッチング速度は、１.５μｍ／分であった。処理後、被処理物上に熱的ダメージやストリーマー放電による損傷は観察されなかった。本実施例の実験条件および評価結果を表１に示す。
【００４５】
＜実施例２＞
表１に示す条件を採用したことを除いて、図１のプラズマ処理装置を使用して、実施例１と実質的に同じ方法に基づいてプラズマ処理を実施した。本実施例においては、プラズマ処理中、冷却材９としてイオン交換水を電極内部に循環させた。プラズマ処理後、被処理物上に熱的ダメージやストリーマー放電による損傷は観察されなかった。評価結果を表１に示す。
【００４６】
＜実施例３＞
表１に示す条件を採用したことを除いて、図１のプラズマ処理装置を使用して、実施例１と実質的に同じ方法に基づいてプラズマ処理を実施した。本実施例においては、アルミナとマグネシア(ＭｇＯの含有量は５体積％)の混合物を誘電体層６として使用した。また、誘電体層６は、セラミック溶射法により厚さが７００μｍになるように形成された。プラズマ処理中、冷却材９としてＨＦＥ−７１００(住友スリーエム製)を電極内部に循環させた。プラズマ処理後、被処理物上に熱的ダメージやストリーマー放電による損傷は観察されなかった。評価結果を表１に示す。
【００４７】
＜実施例４＞
表１に示す条件を採用したことを除いて、図１のプラズマ処理装置を使用して、実施例１と実質的に同じ方法に基づいてプラズマ処理を実施した。本実施例においては、シリカ、マグネシア、チタニア、ジルコニアおよびアルミナを主成分とする琺瑯を誘電体層６として使用した。また、誘電体層６は、融着法により厚さが１０００μｍになるように形成された。プラズマ処理後、被処理物上に熱的ダメージやストリーマー放電による損傷は観察されなかった。評価結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
0003959906.tif 000003
【００４９】
＜実施例５＞
図１に示すプラズマ処理装置を使用して、プラズマ処理を実施した。誘電体層６として厚さ２００μｍのチタニア層を有するステンレス鋼製パイプを電極１，２として使用した。電極の平均表面(周表面)粗さは、２０μｍである。誘電体層６は、セラミック溶射法により作成した。電極間の距離は、１ｍｍである。電極１，２の各々の曲面Ｒの曲率半径は、１０ｍｍである。プラズマ処理中、冷却材９としてフリナートＦＣ−７７(住友スリーエム製)を電極内部に循環させた。プラズマ生成用ガスとしては、ヘリウム、アルゴンおよび酸素の混合ガスを使用した。ヘリウムの流量は、３リットル／分であり、アルゴンの流量は、９リットル／分であり、酸素の流量は、１００ｃｃ／分である。本実施例においては、被処理物４として、プラスチックＢＧＡ(ボールグリッドアレイ)基板(５０ｘ２００ｍｍ)を使用した。この基板は、０.５ｍｍ厚のＢＴ(ビスマレイミドトリアジン)レジンに厚さ４０μｍのレジスト(太陽インキ製、"ＰＳＲ−４０００ＡＵＳ５")被膜を形成することにより得られる。このＢＧＡ基板は、金メッキ部分を有し、ＩＣチップを搭載している。尚、被処理物をコンベヤー１１の使用により２ｃｍ／秒の搬送速度で搬送した。
【００５０】
電極１を接地し、電極２を周波数が１３.５６ＭＨｚの交流電源１３に接続した。電極間に交流電圧(印加電力：１０００Ｗ)を印加することにより大気圧プラズマ３を生成させた。電極の表面温度は、プラズマエッチング処理中、赤外放射温度計により測定した。電極の表面温度は、２００℃であった。プラズマの単位体積当たりの電力は、２００Ｗ／ｃｍ3であった。
【００５１】
本実施例においては、以下の評価試験を実施した。まず、プラズマ処理前にレジスト上における水の接触角を測定した。この時の接触角は８０度であった。そして、プラズマ処理後においても同様に接触角を測定した。この時の接触角は８度であった。次に、プラズマ処理なしのＢＧＡ基板(水の接触角：８０度)の金メッキ部とＩＣチップとの間にワイヤーボンディングを形成し、そのボンディング強度を測定した。この時のボンディング強度は、５ｇであった。同様に、プラズマ処理を施したＢＧＡ基板(水の接触角：８度)の金メッキ部とＩＣチップとの間にワイヤーボンディングを形成し、その時のボンディング強度を測定した。この時のボンディング強度は８ｇであった。このように、プラズマ処理によりボンディング強度を改善できた。
【００５２】
さらに、封止樹脂(松下電工株式会社製、"パナシーラーＣＶ８１００Ｚ")を上記の未処理ＢＧＡ基板およびプラズマ処理ＢＧＡ基板の上に１７５℃でドーム形状(底面の直径は１１.３ｍｍ)に成形した。未処理ＢＧＡ基板上の封止樹脂のせん断剥離強度は、１１ＭＰａであったが、プラズマ処理したＢＧＡ基板上の封止樹脂のせん断剥離強度は、２０ＭＰａであった。このように、プラズマ処理により剥離強度を改善できた。本実施例の実験条件および評価結果を表２に示す。
【００５３】
＜実施例６＞
表２に示す条件を採用したことを除いて、図１のプラズマ処理装置を使用して、実施例６と実質的に同じ方法に基づいてプラズマ処理を実施した。本実施例においては、被処理物として金メッキ部を有するとともにＩＣチップを積載している銅系リードフレーム基板(５０ｘ２００ｍｍ)を使用した。評価結果を表２に示す。評価試験の結果、ワイヤーボンディングのボンディング強度および封止樹脂のせん断剥離強度を本発明のプラズマ処理により改善できることがわかった。
【００５４】
【表２】
0003959906.tif 000004
【００５５】
＜実施例７＞
図１に示すプラズマ処理装置を使用して、プラズマ処理を実施した。誘電体層６として厚さ５００μｍのチタニア層を有するステンレス鋼製パイプを電極１，２として使用した。電極の平均表面(周表面)粗さは、５０μｍである。誘電体層６は、セラミック溶射法により作成した。電極間距離は、０.５ｍｍである。電極１，２の各々の曲面Ｒの曲率半径は、１０ｍｍである。プラズマ生成用ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、酸素およびＣＦ4の混合ガスを使用した。ヘリウムの流量は、１リットル／分であり、アルゴンの流量は、３リットル／分であり、酸素の流量は、１００ｃｃ／分であり、ＣＦ4の流量は５０ｃｃ／分である。
【００５６】
電極１を接地し、電極２を周波数が１３.５６ＭＨｚの交流電源１３に接続した。電極間に交流電圧(印加電力：１０００Ｗ)を印加することにより大気圧プラズマ３を生成させた。電極の表面温度は、プラズマエッチング処理中、赤外放射温度計により測定した。電極の表面温度は、２００℃であった。プラズマの単位体積当たりの電力は、１００Ｗ／ｃｍ3であった。
【００５７】
本実施例においては、半導体チップ上に形成されたＳｎ−Ａｇ半田バンプの表面およびＮｉ／Ａｕメタライズ基板のメタライズ部を被処理物４とした。半導体チップとＮｉ／Ａｕメタライズ基板の位置合わせを大気中で行った後、ベルト炉中、窒素雰囲気下(酸素濃度８０ｐｐｍ)、２３０℃の条件でリフローを実施した。プラズマ処理を半導体チップとＮｉ／Ａｕメタライズ基板のそれぞれに実施しなかった場合、半導体チップをＮｉ／Ａｕメタライズ基板に接合することができなかったが、プラズマ処理を半導体チップとＮｉ／Ａｕメタライズ基板のそれぞれに実施することにより、半導体チップとＮｉ／Ａｕメタライズ基板との間に良好な接合を得ることができた。本実施例の実験条件および評価結果を表３に示す。
【００５８】
＜実施例８＞
図５に示すプラズマ発生器１０を使用していることを除いて実質的に図１の装置と同じプラズマ処理装置を使用して、プラズマ処理を実施した。電極１Ａ，２Ａの各々は、三角形断面を有するステンレス鋼製パイプ上に誘電体層６としてアルミナ層を形成することにより作成した。ステンレス鋼製パイプの肉厚は、１ｍｍであり、三角形断面の一辺の長さは、１０ｍｍである。各電極の頂点部には、曲面Ｒが設けられており、放電空間２２がこれらの曲面Ｒ間に定義される。曲面Ｒの曲率半径は、３ｍｍである。電極間距離は、１ｍｍである。誘電体層６は、セラミック溶射法により厚みが５００μｍになるように形成された。電極の平均表面(周表面)粗さは、５０μｍである。電極の下部に配置された一対のプラズマガイド部材５０は、テフロン製である。プラズマガイド部材５０の斜辺の長さは、１５ｍｍである。プラズマ処理中、冷却材９としてイオン交換水を電極内部に循環させた。被処理物４としては、シリコンウエハーに厚さ１μｍのネガ型レジスト(東京応化製のＯＭＲ−８３)を塗布して形成したものを使用した。プラズマ生成用ガスとしては、ヘリウムおよび酸素の混合ガスを使用した。ヘリウムの流量は、１０リットル／分であり、酸素の流量は、１００ｃｃ／分である。
【００５９】
電極１を接地し、電極２を周波数が１００ｋＨｚの交流電源１３に接続した。電極間に交流電圧(印加電力：１５００Ｗ)を印加することにより大気圧プラズマ３を生成させた。このプラズマ３を使用して被処理物４にエッチング処理を実施した。処理後、被処理物上に熱的ダメージやストリーマー放電による損傷は観察されなかった。本実施例の実験条件および評価結果を表３に示す。
【００６０】
＜実施例９＞
図９に示すプラズマ処理装置を使用してプラズマ処理を実施した。電極１，２の各々は、表面に誘電体層６を有する外径６.３５ｍｍのステンレス鋼(ＪＩＳ：ＳＵＳ３１６)製円筒パイプである。誘電体層６は、融着法により形成した。すなわち、シリカ，マグネシア、アルミナを主成分とするフリットを溶媒中に添加し、得られた混合物の１５０ｇをスプレーガンを使用してステンレス鋼製パイプ上に吹き付けた。得られた被膜を８５０℃で１０分間加熱し、ステンレス鋼製パイプに融着させた。電極間距離は、１ｍｍである。処理容器６０は、アクリル製で長さ５２０ｍｍｘ幅３５２ｍｍｘ高さ２００ｍｍである。電極１，２の各々は、処理容器６０の側壁に設けられたホルダー(図示せず)によって支持される。搬送手段１１が処理容器６０内部の電極下方に配置される。この搬送手段１１は、複数のテフロン製の丸棒、処理容器の外部に配置されるモーター、プーリーおよびゴムベルトで構成される。処理容器の扉構造としては、空圧式で開閉機構を有するインライン型扉６３を採用した。反応容器の内部は、Ｏリングのようなパッキング部材で気密性が保たれている。
【００６１】
被処理物４としては、厚み０.７ｍｍｘ２００ｍｍｘ３００ｍｍの液晶用ガラス板を使用した。電極１を接地し、電極２を周波数が１００ｋＨｚの交流電源１３に接続した。電極間に交流電圧(印加電力：１０００Ｗ)を印加することにより大気圧プラズマ３を生成させた。プラズマ処理中、冷却材９として純水を電極内部に循環させた。プラズマ生成用ガスとしては、ヘリウムと酸素の混合ガスを使用した。ヘリウムの流量は、１０リットル／分であり、酸素の流量は、１００ｃｃ／分である。電極１，２と被処理物４との間の距離は５ｍｍである。搬送手段１１による被処理物４の搬送速度は、１５ｍｍ／秒である。このプラズマを使用して被処理物４にプラズマ処理(表面改質およびクリーニング)を実施した。
【００６２】
本実施例においては、以下の評価試験を実施した。まず、液晶用ガラス板上における水の接触角をプラズマ処理前に測定した。この時の接触角は、４５度であった。そして、プラズマ処理後にも同様に水の接触角を測定した。この時の接触角は、６度であった。このように、プラズマ処理により液晶用ガラス板上における水の接触角を低減できた。水の接触角の低減は、良好なワイヤボンディング強度を提供するだろう。本実施例の実験条件および評価結果を表３に示す。
【００６３】
【表３】
0003959906.tif 000005
【００６４】
【発明の効果】
上記したように、少なくとも一対の電極と、電極間に定義される放電空間にプラズマ生成用ガスを供給するガス供給手段と、電極間に交流電圧を印加して、放電空間にプラズマ生成用ガスのプラズマを生成するための電力供給手段とを含み、一対の電極の少なくとも一方がその外表面に誘電体層を有するプラズマ処理装置において、一対の電極の少なくとも一方が放電空間に突出する曲面を有するので、プラズマ処理中、ストリーマー放電の発生を抑制できるとともに、少ない電力で大きなプラズマ密度を得ることができ、結果的に放電空間の下流側に配置された被処理物の大面積を効率良くプラズマ処理できるという効果を奏するものである。
【００６５】
また、上記プラズマ処理装置を用いて実施されるプラズマ処理方法は、電極間の放電空間にプラズマ生成用ガスを供給する工程と、電極間に交流電圧を印加して放電空間にプラズマ生成用ガスの大気圧プラズマを生成する工程と、大気圧プラズマで被処理物を処理する工程とを含むものであり、ストリーマ放電による損傷を被処理物に与えることなく、大気圧プラズマの使用により高効率で被処理物のプラズマ処理を実施できるという効果を奏するものである。尚、本発明のプラズマ処理は、被処理物の表面に存在する有機物のクリーニング、レジストの除去、有機材料フィルムのエッチング、シリコン等のエッチング処理、金属酸化物の還元、液晶用ガラス基板の表面クリーニング等の種々の表面処理において上記効果を達成するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置のプラズマ発生器を示す概略断面図である。
【図３】図１のプラズマ処理装置のプラズマ発生器の外観を示す斜視図である。
【図４】  (ａ)は、円筒状電極間に形成されるプラズマを示す図であり、(ｂ)は、平板電極間に形成されるプラズマを示す図である。
【図５】本発明のプラズマ処理装置の別のプラズマ発生器を示す概略断面図である。
【図６】本発明のプラズマ処理装置の電極構造の変更例を示す図である。
【図７】本発明のプラズマ処理装置の電極構造のさらなる変更例を示す図である。
【図８】複数のプラズマで被処理物を処理できる本発明のプラズマ発生器の一例を示す概略断面図である。
【図９】複数のプラズマで被処理物を処理できる本発明のプラズマ処理装置の一例を示す概略断面図である。
【図１０】図９のプラズマ処理装置の変更例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１  電極
２  電極
３  プラズマ
４  被処理物
５  ガス供給ユニット
６  誘電体層
７  制御手段
９  冷却材
１０  プラズマ発生器
１１  搬送手段
１２  ガス供給容器
１３  交流電源
１４  支持部材
１５  ガス供給ライン
１６  ガス導入口
２０  冷却材供給ユニット
２４  電極温度測定ユニット
２７  モニター
３０  マイクロコンピューター
４０  赤外線透過窓
【図１】
0003959906.tif 000006
【図２】
0003959906.tif 000007
【図３】
0003959906.tif 000008
【図４】
0003959906.tif 000009
【図５】
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【図６】
0003959906.tif 000011
【図７】
0003959906.tif 000012
【図８】
0003959906.tif 000013
【図９】
0003959906.tif 000014
【図１０】
0003959906.tif 000015