(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
式〔１〕
【化１】
0003983085.tif 000010
（式中、Ｒ１は４−メトキシトリチル基、４，４’−ジメトキシトリチル基または、トリフェニルメチル基を、Ｂはアミノ基が保護されたプリン基を表す。）で表される化合物を、Ｒ３−ＣＮ（Ｒ３は炭素数１〜３の低級アルキル基を表す。）で表されるニトリル化合物である包接用溶剤を含む溶媒中に該包接用溶剤を包接した結晶として得る工程と、該包接用溶剤を包接した結晶を該溶媒から回収する工程とを有することを特徴とする、５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
【請求項２】
前記包接用溶剤がアセトニトリルである請求項１に記載の５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
【請求項３】
前記式（１）の化合物及び下記式（２）
【化２】
0003983085.tif 000011
（式中、Ｒ２は水素原子、４−メトキシトリチル基、４，４’−ジメトキシトリチル基またはトリフェニルメチル基を、Ｒ１およびＢは前記と同義である。）で表される化合物を含む粗調製物を前記溶媒に溶解させ、前記式（１）の化合物をＲ３−ＣＮ（Ｒ３は炭素数１〜３の低級アルキル基を表す。）で表されるニトリル化合物である包接用溶剤を包接する結晶として該溶媒から回収することで、前記式（２）の化合物を該溶媒中に分離する請求項１から３のいずれかに記載の５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
【請求項４】
前記式（１）の化合物が、下記式（３）
【化３】
0003983085.tif 000012
または下記式（４）
【化４】
0003983085.tif 000013
である、請求項１から３のいずれかに記載の５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
【請求項５】
前記包接用の溶剤からなる溶媒から前記式（１）の化合物の包接用溶剤を包接した結晶を再結晶させる請求項１から４のいずれかに記載の５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
【請求項６】
前記溶媒が単一溶剤からなる請求項１〜５のいずれかに記載の５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
【請求項７】
下記式（５）
【化５】
0003983085.tif 000014
（式中、ｍおよびｎはそれぞれ独立して任意の整数を、Ｒ１は４−メトキシトリチル基、４，４’−ジメトキシトリチル基またはトリフェニルメチル基を、Ｒ３は炭素数１〜３の低級アルキル基を表し、Ｂはアミノ基が保護されたプリン基を表す。）で表される５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は５’位保護化２’−デオキシ−プリンヌクレオシドおよびその誘導体の精製法及び該精製法により得られた溶剤包接化合物に関する。さらに詳しくは、本発明は、５’位保護化２’−デオキシ−β−プリンヌクレオシド類の製造に有用な精製方法及び該精製法により得られた５’位保護化２’−デオキシ−β−プリンヌクレオシド類溶剤包接化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
５’位保護化２’−デオキシ−β−プリンヌクレオシド類は、近年開発されつつあるアンチセンスＤＮＡなどの原料として有用な化合物である。
【０００３】
近年、ゲノム創薬の進展に伴い、アンチセンスＤＮＡ医薬などが急速に開発されている。それに伴い、原料となるＤＮＡオリゴマー、さらにオリゴマーの原料となる保護化デオキシヌクレオシド類の需要が増大している。一方で医薬品の用途には、含まれている不純物による副生成物の生成を極力抑制するため、非常に高純度の中間体製品を使用する必要がある。
【０００４】
これまで、５’位保護化デオキシプリンヌクレオシド類は特開昭５８−１８０５００号公報、特開昭６３−１７９８８９号公報や特表平６−５０７８８３号公報などの例であきらかなとおり、カラムクロマトグラフィー法を用いて精製されてきた。この方法では、極性や構造が大きく異なる不純物の分離は比較的容易であるが、類似構造を有する不純物の除去は困難である場合が多い。とりわけ、不純物として特に問題となる３’位置換異性体の除去は難しい。また、大掛かりな精製装置が必要なことから将来の大量生産、大量供給においては非常に問題があるといわざるを得ない。
【０００５】
また、これまでにも、カラムクロマトグラフィーを用いずに不純物を除くための検討がなされてきた。具体的には再沈殿法による精製について、特開昭６０−１５２４９５号公報やＰＣＴ出願ＷＯ２０００７５１５４公報に開示されている。再沈殿による方法とは、予め粗化合物を可溶性溶媒に溶解した後で、不溶性溶媒を添加または不溶性溶媒に滴下することにより、強制的に再析出させる方法である。そのため基本的に精製能力は低い。また、可溶性溶媒と不溶性溶媒の量比を適切に調整することは工業的には困難で、量比を誤ると容易にオイル化したり、粘性のある沈殿を生じて精製に失敗しやすい。実際、特開昭６０−１５２４９５公報の方法によれば、粘調なアメ状にて得られる場合があり、工業的には問題がある。これまでには再沈殿によるアモルファス化の方法は開示されてきたが、結晶化または再結晶化により結晶を得る方法については知られていなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記の従来の問題点を鑑みなされたものであり、その目的は効率的かつ特別な設備を必要としない、非常に高純度の５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類を得ることができる精製法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記課題について鋭意検討した結果、アセトニトリルを初めとするニトリル系の溶媒を用いることで、５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類がこれら溶媒を包接した結晶として得られ、結晶化または再結晶化による精製法で精製可能であることを見出し、本発明を完成した。即ち、本発明は以下の各態様を含む。
【０００８】
（１）式〔１〕
【０００９】
【化６】
0003983085.tif 000002
（式中、Ｒ１は４−メトキシトリチル基、４，４’−ジメトキシトリチル基または、トリフェニルメチル基を、Ｂはアミノ基が保護されたプリン基を表す。）で表される化合物を、包接用溶剤を含む溶媒中に該包接用溶剤を包接した結晶として得る工程と、該包接結晶を該溶媒から回収する工程とを有することを特徴とする、５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
【００１０】
（２） 前記包接用溶剤がＲ３−ＣＮ（Ｒ３は低級アルキル基またはアリール基を表す。）で表されたニトリル化合物である上記（１）項に記載の５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
（３）前記包接用溶剤がアセトニトリルである上記（２）項に記載の５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
（４）前記式（１）の化合物及び下記式（２）
【００１１】
【化７】
0003983085.tif 000003
（式中、Ｒ２は水素原子、４−メトキシトリチル基、４，４’−ジメトキシトリチル基またはトリフェニルメチル基を、Ｒ１およびＢは前記と同義である。）で表される化合物を含む粗調製物を前記溶媒に溶解させ、前記式（１）の化合物を前記溶剤を包接する結晶として該溶媒から回収することで、前記式（２）の化合物を該溶媒中に分離する上記（１）項から上記（３）項のいずれかに記載の５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
【００１２】
（５）前記式（１）の化合物が、下記式（３）
【００１３】
【化８】
0003983085.tif 000004
【００１４】
または下記式（４）
【００１５】
【化９】
0003983085.tif 000005
【００１６】
である、上記（１）項から（４）項のいずれかに記載の５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
（６） 前記包接用の溶剤からなる溶媒から前記式（１）の化合物の溶剤包接結晶を再結晶させる上記（１）から上記（５）項のいずれかに記載の５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
（７） 前記溶媒が単一溶剤からなる上記（１）項から上記（６）項のいずれかに記載の５’位保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類の包接化合物の製法。
（８）下記式（５）
【００１７】
【化１０】
0003983085.tif 000006
（式中、ｍおよびｎはそれぞれ独立して任意の整数を、Ｒ１は４−メトキシトリチル基、４，４’−ジメトキシトリチル基またはトリフェニルメチル基を、Ｒ３は低級アルキル基またはアリール基を表し、Ｂはアミノ基が保護されたプリン基を表す。）で表される包接化合物。
【００１８】
【発明実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１９】
上記式（１）におけるＢを構成するプリン基は天然または非天然ヌクレオシドの核酸プリン塩基を表す。具体的にはアデニンやグアニンが挙げられる。
【００２０】
このプリン基のアミノ基の保護基としては、アルキル基、アルキルアシル基あるいはベンゾイル基が挙げられる。アルキル基は直鎖状でも分岐していてもよいし、さらに保護基としての所望の機能を維持し得る範囲内で別の官能基がついていてもよい。このアルキル基としては、たとえば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基等が挙げられる。
【００２１】
アルキルアシル基は直鎖状でも分岐していてもよく、環を形成していてもよく、さらに保護基としての所望の機能を維持し得る範囲内で別の官能基がついていてもよい。アルキルアシル基としては、たとえば、アセチル基、プロピオニル基、ｎ−ブチリル基、ｉ−ブチリル基、ピバロイル基、ｎ−ペンチロイル基、ｉ−ペンチロイル基、シクロプロピルカルボニル基、フェノキシアセチル基等が挙げられる。
【００２２】
ベンゾイル基は無置換でも置換されていてもよく、また、フェニル基の２位、３位及び４位のいずれの位置に置換基があってもよい。また、複数の位置に置換基があってもよい。置換基としては、たとえば、メチル基、エチル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等のアルキル基、ヒドロキシル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基などのアルキルオキシ基、ニトロ基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基などのハロゲン基、アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基などのアルキルアミノ基、アセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基などのアシル基、フェニル基、ピリジニル基等が挙げられる。
【００２３】
具体的には、ベンゾイル基、２−クロロベンゾイル基、３−クロロベンゾイル基、４−クロロベンゾイル基、２−ブロモベンゾイル基、３−ブロモベンゾイル基、４−ブロモベンゾイル基、２−フルオロベンゾイル基、３−フルオロベンゾイル基、４−フルオロベンゾイル基、２−メトキシベンゾイル基、３−メトキシベンゾイル基、４−メトキシベンゾイル基、２−ニトロベンゾイル基、３−ニトロベンゾイル基、４−ニトロベンゾイル基、２−アミノベンゾイル基、３−アミノベンゾイル基、４−アミノベンゾイル基、２−メチルアミノベンゾイル基、３−メチルアミノベンゾイル基、４−メチルアミノベンゾイル基、２−ジメチルアミノベンゾイル基、３−ジメチルアミノベンゾイル基、４−ジメチルアミノベンゾイル基、４−フェニルベンゾイル基、４−アセチルベンゾイル基等が挙げられる。
【００２４】
包接結晶形成用の溶剤としては、Ｒ３−ＣＮ（Ｒ３は低級アルキル基またはアリール基を表す。）で表されるニトリル化合物を好ましく用いることができる。
【００２５】
Ｒ３としてのアルキル基としては、炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、炭素数１〜４のアルキル基が更に好ましい。低級アルキル基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基等が挙げられる。Ｒ３としてのアリール基としては、例えば、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−メトキシフェニル基等が挙げられる。
【００２６】
低級アルキル基またはアリール基で置換されたニトリル化合物としては、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ｎ−ブチロニトリル、ｉ−ブチロニトリル、ｎ−ペンタンニトリル、ｎ−ヘキサンニトリル、ベンゾニトリル等が挙げられる。これらの少なくとも１種を用いることができる。
【００２７】
前記式（５）におけるｍ及びｎはそれぞれ独立に任意の整数を表し、ｍは１〜５から選択された整数であることが好ましく、ｎは１〜５から選択された整数であることが好ましい。
【００２８】
溶剤包接結晶を得るための溶媒は、結晶に包接させる溶剤のみから構成してもよいし、あるいは混和可能な比率で他の溶剤と混和して使用してもよい。混和の際に用いることのできる溶剤としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール類、酢酸エチル，酢酸ブチルなどのエステル類、アセトン，メチルエチルケトン，メチルイソブチルケトンなどのケトン類、ジエチルエーテル，ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、ＴＨＦなどのエーテル類、ベンゼン、トルエン、クメン、キシレン、メシチレン、ジイソプロピルベンゼン、トリイソプロピルベンゼンなどの芳香族炭化水素、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類、ピリジン、ルチジン、キノリンなどのピリジン類、トリエチルアミン、トリブチルアミン等の３級アミン、ＤＭＦ、ＤＭＩ、ＤＭＳＯなどの極性溶媒、水などが挙げられる。これらの少なくとも１種を用いることができる。混和の際の比率は、抱接用の溶剤に対し１００重量％以下であるが、好ましくは２０重量％以下であり、さらに好ましくは１０重量％以下である。
【００２９】
溶剤を包接した結晶とは、結晶格子に溶剤を取りこんだ形で結晶を形成したり、溶剤との弱い相互作用により複合体を形成したりするなど、結晶構造を形成するために溶剤が補助的な役割を果たしている状態を指し、包接の形態と結晶構造については特に制限されない。
【００３０】
結晶化または再結晶化の際のニトリル化合物の溶媒中での量は、溶媒中の式（１）の化合物の量がその飽和溶解度以下となる量であれば特に規定されないが、重量基準で式（１）の化合物１に対してニトリル化合物を５倍以上１５０倍以下で用いるのが望ましく、８倍以上５０倍以下で用いるのが更に望ましい。
【００３１】
結晶化または再結晶化の際の温度は特に規定されないが、−１０℃から溶剤または溶媒の沸点の範囲が望ましい。また、通常は１度の再結晶で、十分な精製が可能であるが、さらに繰り返し再結晶を行うことでより高純度にすることもできる。再結晶化の際の溶媒としては、包接用溶剤のみからなるものが好ましく、また、同一の単一包接用溶剤を結晶化及び再結晶化の両方に用いるのが更に好ましい。
【００３２】
以上本発明により、保護化デオキシプリンヌクレオシド類の効率的な精製ができるようになった。
【００３３】
【実施例】
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
【００３４】
実施例１
Ｎ２−イソブチリル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシン  アセトニトリル（２：１）複合体の製造
Ｎ２−イソブチリル−２−デオキシグアノシン１１０ｇ（９５％含量）をピリジンにより共沸脱水し、さらにピリジン２．４Ｌに溶解した。４，４’−ジメトキシトリチルクロリド１１８．３ｇを室温で添加した後、室温で３時間攪拌した。重曹にて塩酸を中和した後、反応液を約４００ｇまで濃縮した。酢酸エチル１．５Ｌ、水１．５Ｌを加えた後分液し、さらに有機層中に原料のＮ２−イソブチリル−２−デオキシグアノシンがなくなるまで水洗を繰り返した。２０％塩化ナトリウム水溶液１ｋｇで洗浄したのち、硫酸ナトリウムで乾燥した。ろ過後、溶媒を留去したのち、全重が７００ｇになるように酢酸エチルを加えた。
【００３５】
この溶液をジイソプロピルエーテル３２００ｇ中に激しく攪拌しながら滴下した後、２時間室温で攪拌した。ろ過して得られた固体を５０℃で減圧乾燥し、恒量になったことを確認した後、室温でアセトニトリル４．４Ｌに溶解した。室温で４時間攪拌した後に析出した固体をろ過した。室温で４時間減圧乾燥してＮＭＲ分析したところ、目的化合物１分子に対してアセトニトリルを２分子抱接していた。さらに４０℃で１２時間減圧乾燥してＮＭＲ分析したところ、目的化合物１分子に対してアセトニトリルを１分子包接していた。
【００３６】
さらに５０℃で１５時間減圧乾燥してＮＭＲ分析したところ、目的化合物１分子に対してアセトニトリルを０．６７分子包接していた。さらに５５℃で恒量になるまで（２４時間）減圧乾燥してＮＭＲ分析したところ、アセトニトリルを目的化合物１分子に対して０．５分子包接していた。ＸＲＤ測定により、何れの乾燥状態でも結晶であることが判明した。また、ＴＧ−ＤＴＡ分析により、恒量まで乾燥して得たアセトニトリル０．５分子を包接した結晶は、吸熱反応を生じる温度（８１−９３℃）まで重量減少が生じず、付着溶媒を持たないことが判明した。収量１６８ｇ（収率８４．８％）。ＨＰＬＣ（ＵＶ ２５４ｎｍ）による分析の結果、９９．７面積％の純度であった。最大不純物はＮ２−イソブチリル−３’，５’−Ｏ−ビス（４、４’―ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシン（０．１７面積％）であった。
【００３７】
NMR(DMSO-d6)δ:12.1(s,1H)、11.7(s,1H)、8.1(s,1H)、7.3(m,2H)、7.3-7.3(m,7H)、6.9-6.8(m,4H)、6.3(t,J=6Hz,1H)、5.4(m,1H)、4.4(m,1H)、3.97(m,1H)、3.724(s,3H)、3.719(s,3H)、3.2(m,1H)、3.1(m,1H)、2.8(m,1H)、2.4(m,1H)、2.1(s,3/2H,アセトニトリル)、1.1(d,J=6.8Hz,6H)
IR(KBr)cm-1:3398、3238、2935、2838、1679、1609、1561、1509、1252、1178、1034、830.（アセトニトリルのニトリルに由来する吸収は弱く、観察されない）。
【００３８】
実施例２
Ｎ６−ベンゾイル−５'−Ｏ−（４，４'−ジメトキシトリチル）−２'−デオキシアデノシンの製造
Ｎ６−ベンゾイルデオキシアデノシン４５．０ｇ（０．１２７mol）をピリジン５００ｍｌに溶かして共沸脱水後、ピリジン５００ｍｌに溶解攪拌しつつ４，４’−ジメトキシトリチルクロリド４２．９ｇ（０．１２７mol）を添加し室温で２．５時間攪拌した。炭酸水素ナトリウム１２．８ｇを加え、室温で３０分間攪拌後、溶媒を減圧で留去した。残留物にメチルイソブチルケトン８３０ｍｌを加え攪拌しつつ水８３０ｍｌを加えて１０分間攪拌した。次いで有機層を採り飽和食塩水で洗い、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を減圧で留去した。残留物を激しく攪拌したジイソプロピルエーテル８００ｍｌ中に滴下し、生成した沈殿物を濾取した。
【００３９】
沈殿物をアセトニトリル７５０ｍｌから再結晶して、結晶生成物を濾取した。ＮＭＲ分析の結果、目的化合物１分子に対してアセトニトリルを１分子包接していた。次いで結晶生成物を真空乾燥したところ、アセトニトリルは失われた。その重量は６６．７ｇであった。逆相用オクタデシルシリカゲルカラムを用いて、アセトニトリル／水（８／２）混合溶媒で溶離させ、UV検出器（２５４ｎｍ）で検出する高速液体クロマトグラフィーで分析したところ、純度９９．５％であった。Ｎ６−ベンゾイル−５’−O−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシンの収率は、７９．４％であった。最大不純物は、Ｎ６−ベンゾイル−３’，５’−O−ビス（４，４’−ジメトキシトリチル）−２'−デオキシアデノシン（０．１５面積％）であった。
【００４０】
参考例１
Ｎ２−イソブチリル−３’，５’−Ｏ−ビス（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシンの製造
実施例１で得た再結晶ろ液を濃縮後、濃縮残さをカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ヘキサン）で精製した。精製フラクションを濃縮して得た黄色油状物をジイソプロピルエーテルに滴下装入し、析出物をろ取、乾燥し、表題化合物を淡黄色粉末として得た。
1H NMR(400MHz,DMSO-d6)δ:12.1(1H,s)、11.5(1H,s)、7.9(1H,s)、7.5-7.2(18H,m)、6.8(8H,m)、6.2(1H,m)、4.4(1H,m)、3.8(1H,m)、3.7(12H,s)、3.6(1H,m)、3.0(1H,m)、2.8(1H,m)、2.4(1H,m)、1.8(1H,m)、1.1(6H,m)、1.0(6H,m)
参考例２
Ｎ２−イソブチリル−５’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−２’−デオキシグアノシンの製造
Ｎ２−イソブチリル−２’−デオキシグアノシン２０．５ｇをＤＭＦ２００ｍＬに溶解した。この溶液に、イミダゾール１８．５ｇを添加し溶解した。その後、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリドを２１．４ｇ添加し、ＤＭＦ１００ｍＬを添加し室温にて攪拌した。８時間後、クロロホルムで抽出し、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて脱水した。濃縮後、カラムクロマト（メタノール−クロロホルム）にて分離した。分画後、溶液を濃縮し、２０．５ｇの表題化合物を得た（収率７４％）。
1H NMR(400MHz,CDCl3)δ：12.4(1H,s)、10.9(1H,s)、8.0(1H,s)、6.0(1H,dd,J=6.4,6.4Hz)、4.6(2H,m)、4.1(1H,d,J=2.0Hz)、3.8(2H,m)、2.9(1H,m)、2.4(2H,m)、1.3(6H,m)、0.8(9H,s)、0.02(6H,s)。
【００４１】
参考例３
Ｎ２−イソブチリル−５’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−３’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシンの製造
N２−イソブチリル−５’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−２’−デオキシグアノシン１９．８ｇを無水ピリジン１００ｍＬに溶解した。この溶液に、４，４’−ジメトキシトリチルクロリド１６．６ｇを添加し、無水ピリジン１４０ｍＬを添加し４０℃にて攪拌した。反応終了後、重曹にて中和後、ピリジンを留去した。クロロホルムで抽出し、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。濃縮後、カラムクロマト（酢酸エチル−ヘキサン）にて精製し、表題化合物２５．８ｇを得た（収率７８％）。
1H NMR(400MHz,CDCl3)δ:11.9(1H,s)、8.1(1H,s)、7.8(1H,s)、7.5-7.2(9H,m)、6.8(4H,m)、6.2(1H,dd,J=6.0,8.4Hz)、4.4(1H,m)、4.1(1H,m)、3.8(6H,s)、3.6(1H,dd,J=8.8,11.2Hz)、3.3(1H,dd,J=2.8,11.2Hz)、2.6(1H,m)、2.0-1.6(2H,m)、1.3(6H,m)、0.8(9H,s)、0.02(6H,s)。
参考例４
Ｎ２−イソブチリル−３’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシンの製造
Ｎ２−イソブチリル−５’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−３’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシン２５ｇを脱水ＴＨＦ２００ｍＬに溶解した。この溶液に、テトラブチルアンモニウムフロリド／ＴＨＦ溶液４０ｍＬを添加し、脱水ＴＨＦ１００ｍＬを添加し室温にて攪拌した。８時間後、クロロホルムで抽出し、飽和食塩水にて、洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。濃縮後、カラムクロマト（酢酸エチル−ヘキサン−メタノール）にて精製し、表題化合物１２．９ｇを白色粉末として得た（収率６０％）。
1H NMR(400MHz,CDCl3)δ：12.0(1H,s)、8.3(1H,s)、7.7(1H,s)、7.5-7.2(9H,m)、6.8(4H,m)、6.2(1H,dd,J=5.2,10Hz)、4.5(1H,m)、4.0(1H,m)、3.8(6H,s)、3.7(1H,m)、3.3(1H,m)、2.6(1H,m)、2.4(1H,m)、1.7(1H,m)、1.2(6H,m)。
【００４２】
比較例１
３’位置換異性体〔Ｎ２−イソブチリル−３’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシン〕あるいは３’，５’位多置換体〔Ｎ２−イソブチリル−３’，５’−Ｏ−ビス（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシン〕といった不純物の除去能力について、アセトニトリル溶媒で再結晶する方法と可溶性溶媒としてジクロロメタン、不溶性溶媒としてヘキサンあるいはトルエンを用いて再沈殿した精製法とを比較した。併せて目的物〔Ｎ２−イソブチリル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシグアノシン〕の回収率も比較し、得られた結晶の熱分析（ＤＳＣ：吸熱ピーク、吸熱エネルギー）を行った。用いた粗調製物（結晶）、各溶媒ごとに得られた再結晶後の結晶中に含まれる３’位異性体及び多置換体の含有率などについての結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
0003983085.tif 000007
【００４４】
上記のＤＳＣ（吸熱ピーク及び吸熱エネルギー）の結果より、吸熱ピークが異なることにより、各々の結晶型が異なることが判明した。また、アセトニトリルより得た精製物は吸熱エネルギーが大きいことより結晶であることがわかった。
【００４５】
参考例５
Ｎ６−ベンゾイル−３’，５’−Ｏ−ビス（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシンの製造
実施例２で得た再結晶ろ液を濃縮後、濃縮残さをカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル−ヘキサン）で精製した。精製フラクションを濃縮して得た黄色油状物をジイソプロピルエーテルに滴下装入し、析出物をろ取、乾燥し、表題化合物を淡黄色粉末として得た。
1H NMR(400MHz,DMSO-d6)δ：11.2(1H,br)、8.6(1H,s)、8.5(1H,s)、8.0(2H,m)、7.7-6.7(29H,m)、6.4(1H,m)、4.3(1H,m)、4.1(1H,m)、3.8(14H,s)、3.6(1H,m)、3.0(1H,m)、1.0(6H,m)。
参考例６
Ｎ６−ベンゾイル−５’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−２’−デオキシアデノシンの製造
Ｎ６−ベンゾイル−２’−デオキシアデノシン２０．９５ｇをＤＭＦ２００ｍＬに溶解した。この溶液に、イミダゾール１５．７ｇを添加し溶解した。その後、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド２０．８ｇ添加し、ＤＭＦ１００ｍＬを添加し室温にて攪拌した。８時間後、クロロホルムで抽出し、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。濃縮後、カラムクロマト（メタノール−クロロホルム）にて精製し、表題化合物１６．１ｇを得た（収率６１％）。
1H NMR(400MHz,CDCl3)δ：9.1(1H,s)、8.8(1H,s)、8.3(1H,s)、8.0(2H,d,J=12.4Hz)、7.6-7.5(3H,m)、6.6(1H,dd,J=6.8,6.8Hz)、4.7(1H,m)、4.1(1H,m)、3.9(2H,m)、2.8(1H,m)、2.6(1H,m)、0.9(9H,s)、0.1(6H,s)。
【００４６】
参考例７
Ｎ６−ベンゾイル−５’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−３’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシンの製造
Ｎ６−ベンゾイル−５’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−２’−デオキシアデノシン１６．１ｇを無水ピリジン１００ｍＬに溶解した。４，４’−ジメトキシトリチルクロリド１２．８ｇおよび無水ピリジン１４０ｍＬを添加し４５℃にて攪拌した。反応終了後、重曹にて中和後、ピリジンを留去した。クロロホルムで抽出し、飽和食塩水にて洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。濃縮後、カラムクロマト（酢酸エチル−ヘキサン）にて精製し、表題化合物１６．７ｇを得た（収率６３％）。
1H NMR(400MHz,CDCl3)δ：9.1(1H,s)、8.9(1H,s)、8.3(1H,s)、8.1(2H,d,J=7.2Hz)、7.7-7.3(12H,m)、6.9(4H,m)、6.7(1H,dd,J=5.6,8.4Hz)、4.5(1H,m)、4.2(2H,m)、3.9(6H,s)、3.7(1H,dd,J=2.4,11.2Hz)、3.4(1H,dd,J=8.4,11.2Hz)、2.2-2.1(2H,m)、2.0-1.6(2H,m)、1.3(1.5H,m)、0.9(9H,s)、0.03(6H,s)。
参考例８
Ｎ６−ベンゾイル−３’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシンの製造
Ｎ６−ベンゾイル−５’−Ｏ−（ｔ−ブチルジメチルシリル）−３’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシン１６．２ｇを脱水ＴＨＦ２００ｍＬに溶解した。この溶液に、テトラブチルアンモニウムフロリド／ＴＨＦ溶液３１ｍＬおよび脱水ＴＨＦ１００ｍＬを添加し室温にて攪拌した。８時間後、ＴＨＦを留去し、酢酸エチルで抽出し、飽和食塩水にて、洗浄後、無水硫酸マグネシウムにて乾燥した。濃縮後、カラムクロマト（酢酸エチル−ヘキサン−メタノール）にて精製し、表題化合物１３．８ｇを白色粉末として得た（収率９８％）。
1H NMR(400MHz,CDCl3)δ：9.0(1H,br)、8.7(1H,s)、8.1(1H,s)、8.0(2H,m)、7.7-7.2(12H,m)、6.9(4H,m)、6.4(1H,m)、4.6(1H,m)、4.1(1.3H,m)、3.8(6H,s)、3.7(1H,m)、3.3(1H,m)、2.7(1H,m)、2.0(2H,m)、2.0-1.6(2H,m)、1.7(1H,m)、1.3(2H,m)。
【００４７】
比較例２
３’位置換異性体〔Ｎ６−ベンゾイル−３’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシン〕あるいは３’，５’位多置換体〔Ｎ６−ベンゾイル−３’，５’−Ｏ−ビス（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシン〕といった不純物の除去能力について、アセトニトリル溶媒で再結晶する方法と可溶性溶媒としてジクロロメタン、不溶性溶媒としてｔ−ブチルメチルエーテルおよびヘキサンの（１：２）混合液を用いて再沈殿した精製法とを比較した。併せて目的物〔Ｎ６−ベンゾイル−５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−デオキシアデノシン〕の回収率も比較し、得られた結晶の熱分析（ＤＳＣ：吸熱ピーク、吸熱エネルギー）を行った。
【００４８】
用いた粗調製物（結晶）、各溶媒ごとに得られた再結晶後の結晶中に含まれる３’位異性体及び多置換体の含有率などについての結果を表２に示す。
【００４９】
【表２】
0003983085.tif 000008
【００５０】
上記のＤＳＣ（吸熱ピーク及び吸熱エネルギー）の結果より、吸熱ピークが異なることにより、各々の結晶型が異なることが判明した。また、アセトニトリルより得た精製物は吸熱エネルギーが大きいことより結晶であることがわかった。
【００５１】
各化合物におけるＨＰＬＣ等の条件を以下に示す。
（１）比較例１及び２のＨＰＬＣ条件（多置換体量の分析）：
カラム：Develosil TMS-UG-5、150mm×φ4.6
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出波長：２５４ｎｍ
移動相：グラジェント条件（表３に示す。）
【００５２】
【表３】
0003983085.tif 000009
【００５３】
〔Ａ液〕
１００ｍＭ  トリエチルアミン−酢酸（ｐＨ７）１００ｍＬ／水８８０ｍＬ／アセトニトリル２０ｍＬ
〔Ｂ液〕
１００ｍＭ  トリエチルアミン−酢酸（ｐＨ７）１００ｍＬ／アセトニトリル９００ｍＬ
（２）比較例１及び２のＨＰＬＣ条件（３’位異性体量の分析）：
カラム：Develosil TMS-UG-5、150mm×φ4.6
移動層：アセトニトリル−水（５５：４５）
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
カラム温度：４０℃
検出波長：２５４ｎｍ
（３）熱分析条件：
機器：パーキンエルマー社製、ＤＳＣ−７
温度上昇速度：１０℃／ｍｉｎ
（４）ＸＲＤ測定：
機器：ＲＡＤ−ＲＶＣ（理学）
Ｘ線ターゲット：Ｃｕ  ５０ｋＶ  ２００ｍＡ
【００５４】
【発明の効果】
本発明により、大量製造可能な方法を用いて、従来の方法に比べ効率的に高純度の保護化２’−デオキシプリンヌクレオシド類を製造することができるようになった。