(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マークの画像情報を得るための撮像手段と、前記画像情報とテンプレートとのパターンマッチング処理を行うパターンマッチング手段とを備え、前記マークの位置検出を行う位置検出装置において、
前記パターンマッチング手段は、前記撮像手段に対する前記マークの複数の相対位置それぞれに関し、前記位置検出のパラメータの複数の値それぞれにしたがってパターンマッチング処理を行って得られた相関度に基づき、前記パラメータの値を設定することを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】
前記パラメータが複数種ある場合、前記パターンマッチング手段は、前記複数種のパラメータに関するすべての値の組合せにしたがってパターンマッチング処理を行うことにより、前記複数種のパラメータの値を設定することを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項３】
前記パターンマッチング手段は、前記複数の値それぞれに関し、前記複数の相対位置のうちいくつの相対位置で前記位置検出ができたかを示す検出率を求め、前記相関度と前記検出率とに基づき、前記パラメータの値を設定することを特徴とする請求項１又は２に記載の位置検出装置。
【請求項４】
前記パターンマッチング手段は、前記複数の相対位置のうち最初の相対位置については前記複数の値それぞれにしたがってパターンマッチング処理を行い、他の相対位置については前記複数の値のうち前記最初の相対位置でのパターンマッチング処理において相関度の高かった値についてのみパターンマッチング処理を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の位置検出装置。
【請求項５】
原版のパターンを介し基板を露光する露光装置であって、
前記原版または前記基板に形成されたマークの位置検出を行う請求項１乃至４のいずれかに記載の位置検出装置を有する
ことを特徴とする露光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の露光装置により、原版のパターンを介して基板を露光するステップと、
該露光された基板を現像するステップと、を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は位置検出装置、該位置検出装置を有する露光装置、および該露光装置によるデバイス製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体露光工程において、露光されるウェハとレチクルとの相対位置合せ、すなわちいわゆるアライメントに関して、従来から、ウェハおよびレチクルに形成した位置合せマークをＣＣＤ等の撮像手段で撮像して得られた画像信号と、予め用意されたテンプレートパターンとをパターンマッチング処理する方法が知られている。例えば、特開昭６２−２３２５０４号公報に開示されたパターンマッチング検出法がある。この方法は、テレビカメラあるいはＣＣＤ等の撮像手段で撮像して得た位置合せマークの画像信号の１画面を小領域に分割し、各々の領域について濃度ヒストグラムを作成して二値化し、その２次元二値画像中の特定画像パターンの位置座標をテンプレートを用いたテンプレートマッチング処理により検出するものである。この方法を用いれば、照度ムラなどにより、位置合せマーク上で輝度変化が生じている場合でも、小領域毎に適応的に二値化画像を得ることができ、高精度に対象物の位置を検知し、計測することが可能である。この本出願人から提案されている、特開昭６２−２３２５０４号公報に開示されたパターンマッチング検出法は、画像情報から具体的にマークの位置を検出する手段として非常に有効である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来技術によれば、ウェハの表面状態、照明の経年変化等によりウェハ上の位置合せマークの輝度が異なる場合、マークの位置を検出できないことがある。したがって、操作者が、「マークヘの照射光量」、「画面の分割サイズ」等の種々のパラメータを調整し、マーク位置の検出可能なパラメータ値を探して設定する必要がある。この作業は大変手間のかかるものであり、また、最適な計測パラメータを捜し出すには操作者の熟練が必要である。
【０００４】
本発明の目的は、このような従来技術の問題点に鑑み、操作者の手間や熟練を要することなく、位置検出のパラメータの値を設定できるようにすることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため本発明の位置検出装置は、マークの画像情報を得るための撮像手段と、前記画像情報とテンプレートとのパターンマッチング処理を行うパターンマッチング手段とを備え、前記マークの位置検出を行う位置検出装置において、前記パターンマッチング手段は、前記撮像手段に対する前記マークの複数の相対位置それぞれに関し、前記位置検出のパラメータの複数の値それぞれにしたがってパターンマッチング処理を行って得られた相関度に基づき、前記パラメータの値を設定することを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の好ましい実施形態においては、パラメータ値を設定すべき前記計測処理パラメータが複数種ある場合は、前記パターンマッチング手段は、各計測処理パラメータのパラメータ値を変更しながら、その変更により採り得るパラメータ値のすべての組合せについて、パターンマッチングを行い、その結果に基づいて前記パラメータ値の設定を行う。
【０００８】
より具体的には、パターンマッチング手段は、前記パラメータ値を変更しながら行うパターンマッチングにより、各パラメータ値を用いた場合の相関度を得、その結果に基づいて前記パラメータ値の設定を行う。たとえば、相関度が最も高かったパラメータ値を前記計測処理パラメータのパラメータ値として設定することができる。あるいは、前記各パラメータ値を用いた場合の相関度およびその各パラメータ値をその相関度の順に並べて表示するとともに選択させる手段を有し、それにより選択されたパラメータ値を前記計測処理パラメータのパラメータ値として設定するようにしてもよい。
【０００９】
さらに本発明では、前記位置検出用マークの画像情報を得るための撮像手段を備え、パターンマッチング手段は、前記パラメータ値を変更しながら行うパターンマッチングを、前記撮像手段に対する前記位置検出用マークの複数位置において取得した各位置の画像情報について行うことにより、各パラメータ値を用いた場合の相関度を前記各位置の画像情報について計測し、その結果に基づいて前記パラメータ値の設定を行う。この場合、パターンマッチング手段は、前記各位置の画像情報について計測した結果より、前記各パラメータ値を用いた場合の検出率を求め、前記相関度とこの検出率の両方を考慮して前記パラメータ値の設定を行うことができる。あるいは、パターンマッチング手段は、前記各位置の画像情報についての計測を、最初の位置については前記変更により採り得るパラメータ値のすべてについて行い、他の位置については最初の位置での計測において相関度の高かったパラメータ値についてのみ行うことにより、検出速度を短縮することもできる。
【００１０】
本発明の位置検出装置はこのように、あらかじめパターンマッチングをパラメータ値を変えながら行うことによって、例えばプリアライメント時のウェハ位置検出のための計測処理パラメータを自動的に決定して設定するものであり、この設定された計測処理パラメータを用いて実際のプリアライメント時の位置検出を行うことができる。
【００１１】
【実施例】
［第１の実施例］
図１は、本発明の第１の実施例に係る位置検出装置を有する露光装置の概略構成図である。図中、ＣＵは中央演算処理装置（以下、ＣＰＵという）、ＭＭは読出し専用メモリとランダムアクセスメモリとで構成される主記憶装置部、ＨＤはハードデイスク、ＭＯ等の外部記憶装置である。主記憶装置部ＭＭおよび外部記憶装置ＨＤをまとめて記憶装置ＭＤと呼ぶことにする。ＷＦは位置合せの対象となるウェハであり、その表面に、位置合せマークＷＭが記録されている。ＷＳはウェハステージであり、ウェハＷＦを保持し、それを平面内並びに回転方向に移動させる。ＷＬはウェハ駆動装置であり、中央演算処理装置ＣＵから駆動制御信号を受け、ウェハステージＷＳを所定の位置に駆動させることができる。ＩＬはアライメント用の照明装置であり、例えばハロゲンランプ等を使用する。中央演算処理装置ＣＵは、制御装置ＬＣに信号を送信することによって照明装置ＩＬの光量等を調整することができる。
【００１２】
ＯＳはＣＣＤ撮像装置である。ＩＰは画像処理用のプロセッサであり、ＣＣＤ撮像装置ＯＳから入力される画像信号をデジタル信号に変換し、デジタル画像の分割や２値化処理等を行う画像処理機能を有する。また画像処理プロセッサＩＰは中央演算処理装置ＣＵと通信する機能を有し、ＣＣＤ撮像装置ＯＳから入力された画像信号を画像処理して、その画像情報を中央演算処理装置ＣＵに送信することができる。ＣＳはＣＲＴや液晶ディスプレイのような表示手段であり、中央演算処理装置ＣＵの演算結果や、ＣＣＤ撮像装置ＯＳで撮影されたマークＷＭの拡大画像を操作者に提示する。ＫＢは、キーボード、マウス、タッチパネル等の入力手段である。
【００１３】
ウェハステージＷＳは、不図示のウェハ搬送手段により搬送されたウェハＷＦを保持し、ＣＣＤ撮像装置ＯＳの対物レンズ８２（図８）の視野内に移動させる。ＣＣＤ撮像装置ＯＳは対物レンズ８２を通して、照明装置ＩＬに照射された位置合せマークＷＭの画像をＣＣＤ８３により撮像する。画像処理プロセッサＩＰは、ＣＣＤ撮像装置ＯＳから入力された位置合せマークＷＭの画像信号をＡＤ変換した後、特開昭６２−２３２５０４号公報に開示されたような手法を用いて２値画像情報を出力する。中央演算処理装置ＣＵは、記憶装置ＭＤに記憶されているテンプレートパターンを用いて、パターンマッチングを行い、テンプレートと位置合せマークＷＭとの相対座標値、および、マッチングの相関度を算出する機能を有する。
【００１４】
また、本実施例における位置検出装置は、記憶装置ＭＤに記憶されている複数個のパラメータ値を中央演算処理装置ＣＵが読み取り、画像処理プロセッサＩＰおよび制御装置ＬＣにこの値を送信し、計測処理パラメータを調節できるものとする。ここでいう計測処理パラメータとは、位置合せマークＷＭヘの照射光量、濃淡画像の２値化や画像の領域分割等の画像処理に用いるパラメータのことである。ウェハの表面状態や照明光の経時変化によって、パターンマッチングによる位置検出が困難なとき、これらの計測処理パラメータを制御装置ＬＣや画像処理プロセッサＩＰを通して調整することによって、位置検出率を変えることができる。従来は、この計測処理パラメータを操作者が調整していたが、以下に述べる処理を中央演算処理装置ＣＵで行うことにより、これらの処理を自動化することができる。
【００１５】
図２は本実施例の位置検出装置の工程図である。以下、本実施例において、計測処理パラメータの値を自動で最適化する手法の処理の流れを図２を用いて説明する。まず、ステップＳ２１の自動計測工程では、アライメント時の計測処理パラメータのうち、１種類あるいは複数のパラメータの採り得る全ての値の組合せについて、自動的にパターンマッチングの相関度を計測し、算出する。図３はこの工程の詳しい処理を示すフローチャートである。
【００１６】
説明を簡単にする為、本実施例では、２つの計測処理パラメータＰおよびＱが設定可能であるとする。パラメータＰはＰｍｉｎ≦Ｐ≦Ｐｍａｘの範囲の整数であり、パラメータＱはＱｍｉｎ≦Ｑ≦Ｑｍａｘの範囲の整数であるとする。
【００１７】
図３のステップＳ３１においてパラメータＱの値をＱｍｉｎに初期設定し、ステップＳ３２においてパラメータＰの値をＰｍｉｎに初期設定する。次に、ステップＳ３３においてアライメント計測を行う。具体的には、パラメータＰおよびＱの値を中央演算処理装置ＣＵから、制御装置ＬＣおよび画像処理プロセッサＩＰに送信し、パラメータ値を反映させた後に、ＣＣＤ撮像装置ＯＳで位置合せマークＷＭを撮像し、画像処理プロセッサＩＰを通してマークＷＭの画像情報を中央演算処理装置ＣＵに取り込み、記憶装置ＭＤに記憶されているテンプレートパターンを用いて、パターンマッチングを行い、マッチングの相関度を算出する。次に、ステップＳ３４において、ステップＳ３３で計測された計測相関度の値Ｍ（Ｐ，Ｑ）を記憶装置ＭＤに記録し、ステップＳ３５においてパラメータＰの値を１増やす。そしてステップＳ３６では、パラメータＰがＰｍａｘを越えているか否かを判定し、越えていなければステップＳ３３に戻って計測を継続し、越えていればステップＳ３７に進む。ステップＳ３７では、パラメータＱの値を１増やし、ステップＳ３８ではＱがＱｍａｘを越えているか否かを判定する。越えていなければステップＳ３２に戻って計測を継続し、越えていれば、計測を終了する。
【００１８】
このような処理を行うことによって、パラメータＰおよびＱの採り得る全ての値について、相関度Ｍ（Ｐ，Ｑ）が計測される。計測された相関度と、パラメータＰおよびＱの関係は図４（ａ）のような形式で記憶装置ＭＤに記録される。
【００１９】
次に、図２のステップＳ２２のパラメータセットランク付け工程では、計測された相関度Ｍ（Ｐ，Ｑ）の値に基づき、パラメータ値組合せ（Ｐ，Ｑ）でのマークの検出しやすさについてランク付けを行う。具体的には、前工程で算出され、記憶装置ＭＤに記憶されている図４（ａ）のテーブルを相関度Ｍ（Ｐ，Ｑ）の値の大きいパラメータ値組合せほど上位にし、図４（ｂ）のように並べ替える処理を行う。
【００２０】
次に、図２のステップＳ２３のパラメータセット反映工程では、ランク付けされた各パラメータ値組合せの内、特定のパラメータ値組合せを計測パラメータの値として位置検出装置に反映する。このパラメータ反映工程では、前工程でランク付けされ、記憶装置ＭＤに記憶されているパラメータ組合せの内、最も順位の高かったものを最適なパラメータ値の組合せと判断し、このパラメータ値を制御装置ＬＣおよび画像処理プロセッサＩＰに送信し、計測処理パラメータＰおよびＱの値として反映させる。
【００２１】
以上の処理を行うことによって、パターンマッチングの相関度が最も高いパラメータ値の組合せが自動的に算出され、計測処理パラメータの値として画像処理プロセッサＩＰおよび制御装置ＬＣに反映することが可能となる。
【００２２】
［第２の実施例］
第１の実施例においては、図２のパラメータ反映工程（ステップＳ２３）において、記憶装置ＭＤに記憶されているパラメータ組合せの内、最も相関度の高かったものを最適なパラメータ値の組合せと判断し、計測処理パラメータの値として反映させるようにしたが、操作者がパラメータ組合せを選択できるように処理の内容を変更しても構わない。
【００２３】
例えば、パラメータセットランク付け工程（ステップＳ２２）でランク付けされた各パラメータ値組合せの全て、あるいは上位のパラメータ値組合せを表示手段ＣＳ（図１）により、操作者に提示する。このときのデータの表示内容は、図４（ｂ）のような形式で構わない。そして、操作者がこの表示手段ＣＳによって提示されたパラメータ値組合せの中から、所望のパラメータ値組合せを入力手段ＫＢ（図１）を使って選択できるように構成する。
【００２４】
そして、パラメータ反映工程（ステップＳ２３）においては、中央演算処理装置ＣＵは、ランク付けされたパラメータ値組合せを表示手段ＣＳで操作者に提示し、その中から操作者の選択するパラメータ値組合せを入力手段ＫＢから入力し、そのパラメータ値組合せを制御装置ＬＣおよび画像処理プロセッサＩＰに送信し、計測処理パラメータＰおよびＱの値として反映させる。
【００２５】
以上の処理を行うことによって、操作者は検出率の高くなる計測処理パラメータ値を知ることができる上、相関度の高いパラメータ値の組合せの中から、所望のパラメータ値組合せを選択できるようになるため、第１の実施例に比べてより柔軟なパラメータ値設定が可能となる。
【００２６】
［第３の実施例］
第１の実施例における図２の自動計測工程（ステップＳ２１）で、ウェハのＸＹ座標位置を移動させ、複数箇所でパラメータ値組合せ全てについて計測を行うと、より信頼性の高い結果を得ることができる。
【００２７】
通常、パターンマッチングによるプリアライメントを行う際は、検出率を高めるために、図８に示すように、位置合せマークＷＭの中心位置が計測用ＣＣＤ撮像装置ＯＳの撮像面８１の中心付近の位置にくるようにウェハステージＷＳのＸＹ座標位置を調整する。言い替えれば、位置合せマークＷＭの中心位置を管面中心から少しずらしても位置合せマークＷＭを検出できるようなパラメータ値組合せであれば、より検出率が高いことになる。そこで、本実施例では、ＣＣＤ撮像装置ＯＳの撮像面中心から微小距離ずらした座標位置にマークＷＭがくるように、ウェハＷＦのＸＹ座標を移動させ、複数箇所でパターンマッチング計測を行い、各座標位置で相関度を算出すると共に、マークＷＭが検出できたか否かの情報から検出率も算定する。
【００２８】
今、ＣＣＤ撮像装置ＯＳでウェハＷＦ上を撮像した時、図５に示すように、撮像面８１の中心５０１の座標位置に、ウェハＷＦ上の位置合せマークＷＭが合っているものとし、その時のウェハのＸ、Ｙ座標を（ＷＸ１，ＷＹ１）とする。また、管面中心５０１から微小距離離れた座標位置５０２〜５０５にウェハ上の位置合せマークＷＭが合う場合のウェハのＸ、Ｙ座標を（ＷＸ２，ＷＹ２）〜（ＷＸ５，ＷＹ５）とする。本実施例では、この５箇所で計測を行う場合について説明する。
【００２９】
図６は本実施例における自動計測工程での処理の流れを示す。まず、ステップＳ６１で、位置合せマークＷＭの座標が管面中心５０１にくるように、計測位置座標（ＷＸ，ＷＹ）を初期化し、ステップＳ６２において、マークＷＭが（ＷＸ，ＷＹ）に来るように、ウェハステージＷＳを移動させる。次のステップＳ６３のパラメータループ開始から、ステップＳ６６のパラメータループ終了確認までは、第１の実施例の図２と同様の処理を行う。次に、ステップＳ６７で、全ての計測位置で計測が終了したかどうかを判定し、計測が終了していない場合は、ステップＳ６９でＷＸ、ＷＹの値に次の計測位置の座標値を代入して、ステップＳ６２に戻る。全ての計測位置で計測が終了していれば、ステップＳ６８に進み、検出率を記録する。
【００３０】
ここでいう検出率とは、同一パラメータ値組合せにおいて、何箇所の計測位置でマークＷＭの位置が検出できたかどうかを示す値である。例えば、図７に示すように、パラメータＰおよびＱの値がＰ１およびＱ１であるパラメータ値組合せにおいて、複数の計測位置（ＷＸ１，ＷＹ１）〜（ＷＸ５，ＷＹ５）で計測した結果、（ＷＸ１，ＷＹ１）、（ＷＸ３，ＷＹ３）、（ＷＸ４，ＷＹ４）の３つの計測位置でマークを検出できたのであれば、パラメータ値組合せ（Ｐ１，Ｑ１）における検出率は３／５ということになる。
【００３１】
図７のテーブルのような、検出率と、複数の計測位置で得られた相関度の平均値とを記憶装置ＭＤに記憶して、自動計測工程を終了する。そして、次のパラメータ値ランク付け工程では、この検出率と相関度平均値とを指標にしてパラメータ値組合せの順位付けを行う。これによれば、第１の実施例に比べてより信頼性の高いパラメータ値組合せを決定することが可能となる。
【００３２】
［第４の実施例］
第３の実施例においては、複数の計測位置でパターンマッチング計測を行うようにしたが、これにより計測回数が増え、計測時間が増大する。そこで、最初の計測位置（撮像面中心）において全てのパラメータ値組合せについてパターンマッチングを行った際に、相関度が比較的低かったパラメータ値組合せについては、その後の計測位置でも相関度が低くなる可能性が高いので、以降の計測を行わないように処理を変えても構わない。このようにすれば、検出しにくいパラメータ値組合せについて、他の計測位置での計測を省略することができるため、計測時間を短縮させることが可能となる。
【００３３】
［第５の実施例］
第１〜４の実施例では、ウェハ上の位置合せマークＷＭと予め記憶されたテンプレートパターンとのパターンマッチングを行うウェハの位置検出装置において、最適なパラメータ値を決定するようにしている。しかし、レチクル上の位置合せマークとテンプレートパターンとのパターンマッチングを行うレチクルの位置検出装置においても、同様の方法を用いて最適なパラメータ値を決定することができる。また、ウェハやレチクル上の位置合せマークをＣＣＤで撮像して得られる画像の濃度分布パターンとテンプレートパターンとのパターンマッチングを行う位置検出装置に、同様のパラメータ値決定手段を用いるようにしても同様に良好な結果を得ることができる。
【００３４】
［デバイス製造例］
次に、上述した露光装置を利用することができるデバイス製造例について説明する。図９は微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示す。ステップ３１（回路設計）ではデバイスのパターン設計を行う。ステップ３２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３３（ウェハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いてウェハを製造する。ステップ３４（ウェハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウェハを用いて、リソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次のステップ３５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ３４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ３６（検査）ではステップ３５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ３７）される。
【００３５】
図１０は上記ウェハプロセスの詳細なフローを示す。ステップ４１（酸化）ではウェハの表面を酸化させる。ステップ４２（ＣＶＤ）ではウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ４３（電極形成）ではウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ４４（イオン打込み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ４５（レジスト処理）ではウェハにレジストを塗布する。ステップ４６（露光）では上記説明した露光装置または露光方法によってマスクの回路パターンをウェハの複数のショット領域に並べて焼付露光する。ステップ４７（現像）では露光したウェハを現像する。ステップ４８（エッチング）では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ４９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００３６】
これによれば、従来は製造が難しかった大型のデバイスを低コストで製造することができる。
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、操作者の手間や熟練を要することなく、位置検出のパラメータの値を設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施例に係る位置検出装置を有する露光装置の概略構成図である。
【図２】  図１の装置における処理の流れを表すフローチャートである。
【図３】  図２のフローチャートにおける自動計測工程の処理の流れを表すフローチャートである。
【図４】  図２の処理におけるパラメータ値組合せと相関度との関係の説明図である。
【図５】  本発明の第３の実施例における撮像管と位置合せマークの相対位置の説明図である。
【図６】  本発明の第３の実施例における自動計測工程の処理の流れを表すフローチャートである。
【図７】  図６の処理におけるパラメータ値組合せと相関度および検出率の関係の説明図である。
【図８】  図６の処理における位置合せマークの撮像状態を表す図である。
【図９】  本発明の装置または方法を用いることができるデバイス製造例を示すフローチャートである。
【図１０】  図９におけるウェハプロセスの詳細なフローを示すフローチャートである。
【符号の説明】
ＣＳ：表示手段、ＣＵ：中央演算処理装置、ＨＤ：外部記憶装置、ＩＬ：照明装置、ＩＰ：プロセッサ、ＩＰ：画像処理プロセッサ、ＫＢ：入力手段、ＬＣ：制御装置、ＭＤ：記憶装置、ＭＭ：主記憶装置部、ＯＳ：ＣＣＤ撮像装置、ＷＦ：ウェハ、ＷＬ：ウェハ駆動装置、ＷＭ：位置合せマーク、ＷＳ：ウェハステージ、８１：撮像面、８２：レンズ、８３：ＣＣＤ、５０１：撮像面の中心、５０２〜５０５：座標位置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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