(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線の投影ビームを供給する放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するよう作用するパターン化手段を支持する支持構造体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記基板の目標部分上にパターン化されたビームを投影する投影システムとを含む平板投影装置において、
遮蔽すべき対象物に粒子が入射されるのを阻止するために電磁界を発生する粒子遮蔽手段を含み、前記粒子遮蔽手段がグリッドあるいは電極のアレイからなることを特徴とする平板投影装置。
【請求項２】
前記粒子遮蔽手段が遮蔽すべき対象物に近づいている粒子をそらせるように構成され、かつ配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記粒子遮蔽手段が電界からなることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記粒子遮蔽手段が遮蔽すべき前記対象物の近傍で電界を発生させるようにされていることを特徴とする請求項１、２、または３に記載の装置。
【請求項５】
前記粒子遮蔽手段が非均一な電界を発生させるようにされていることを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記粒子遮蔽手段が細長い帯電した部材からなることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記粒子遮蔽手段が概ね均一な電界を発生させるようにされていることを特徴とする請求項１から６までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記グリッドあるいは電極のアレイが複数の平行のワイヤを含むことを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記グリッドあるいはアレイが遮蔽すべき前記対象物の面に対して概ね平行に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記粒子遮蔽手段が静電気ゲッタープレートと、粒子を誘引する電界を発生させるために電位まで前記静電ゲッタープレートを帯電する手段とからなることを特徴とする請求項１から９までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記粒子遮蔽手段が本装置内の空間から粒子を搬送するように構成され、かつ配置されていることを特徴とする請求項１から１０までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記粒子遮蔽手段が少なくとも１個の粒子トラップを含み、前記粒子トラップが表面にくぼみを含み、該くぼみが粒子が該くぼみから出て行くよりも該くぼみへ入り易いような形状とされていることを特徴とする請求項１から１１までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記粒子遮蔽手段が放射線のビームを発生させるように配置された放射源を含むことを特徴とする請求項１から１２までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
前記放射源が運動量移動によって粒子をそらせる光学ブリーズを発生させるようにされていることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記放射源が粒子をイオン化できる放射線のビームを発生させるようにされていることを特徴とする請求項１３または１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記粒子遮蔽手段が遮蔽すべき対象物をその周囲に対するバイアス電位まで帯電させる手段を含むことを特徴とする請求項１から１５までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記支持構造体がマスクを保持するマスクテーブルからなることを特徴とする請求項１から１６までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
遮蔽すべき前記対象物が前記マスクテーブルに保持されたマスクであることを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
遮蔽すべき前記対象物がミラーあるいは照射システムあるいは投影システムに含まれたその他の要素であることを特徴とする請求項１から１７までのいずれか１項に記載の装置。
【請求項２０】
前記マスクを前記マスクテーブルまで移送するためのマスクハンドリング装置を更に含み、前記マスクハンドリング装置が前記マスクを遮蔽するための前記粒子遮蔽手段からなることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２１】
対象物テーブルに放射線感応材料の層で少なくとも部分的に被覆された基板を提供する段階と、
放射システムを使用して放射線の投影ビームを提供する段階と、
投影ビームの断面にパターンを付与するためにパターン化手段を使用する段階と、
放射線に感応する材料の層の目標部分に放射線のパターン化したビームを投影する段階とを含む素子製造方法において、遮蔽すべき対象物に粒子が入射しないように阻止するためにグリッドあるいは電極のアレイにより電磁界を発生させる段階を含むことを特徴とする素子製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は例えば汚染粒子がマスクに達しないようにする粒子遮蔽体に関する。特に、本発明はそのような粒子遮蔽体をマスクハンドリング装置、マスク収納ボックスおよび（または）
放射線の投影ビームを供給する放射システムと、
所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するよう作用するパターン化手段を支持する支持構造体と、
基板を保持する基板テーブルと、
基板の目標部分上に前記のパターン化されたビームを投影する投影システムとを含む平板投影装置に適用することに関する。
【０００２】
【従来の技術】
本明細書で使用している「パターン化手段」という用語は基板の目標部分において形成すべきパターンに対応したパターンされた断面を送入されてくる放射線ビームに付与するために使用しうる手段を指すものと広義に解釈すべきである。これに関連して「光弁」という用語も使用しうる。一般に、前記のパターンは、例えば集積回路あるいはその他の素子(以下を参照)のような目標部分において形成される素子の特定の機能層に対応する。そのようなパターン化手段の例は以下のものを含む。
―マスク。マスクの概念は平板印刷技術において周知であり、バイナリ、交番相シフト、および減衰相シフト並びに各種のハイブリッドのマスクタイプのようなマスクタイプを含む。放射線ビームにそのようなマスクを位置させることによって、マスクに衝突する放射線を選択的に（透過マスクの場合は）透過、（反射マスクの場合は）反射させる。マスクの場合、支持構造体は一般にマスクが送入される放射線ビームにおける所望の位置に確実に保持可能で、かつ希望に応じてビームに対する相対運動を可能にするマスクテーブルである。
―プログラム可能なミラーアレイ。そのような素子の一例は粘弾性の制御層と反射面とを有するマトリックスアドレス可能な面である。そのような装置の背景にある基本原理は(例えば)反射面のアドレスされた領域が入射光線を回折光線として反射し、一方アドレスされない領域は入射光線を非回折光線として反射することである。適当なフィルタを使用することによって、前記の非回折光線は反射されたビームから濾過され、回折された光線のみを残すことができる。このようにして、ビームはマトリックスアドレス可能な面のアドレスパターンに従ってパターン化されるようになる。必要なマトリックスのアドレス指定は適当な電子手段を使用して実行可能である。そのようなミラーアレイに関するそれ以上の情報は例えば、参考のために本明細書に含めている米国特許第５，２９６，８９１号および同第５，５２３，１９３号から収集しうる。プログラム化されたミラーアレイの場合、前記支持構造体は、例えば必要に応じて、固定あるいは可動としうるフレームあるいはテーブルとして実施すればよい。
―プログラム化可能なＬＣＤアレイ。そのような構造の一例が参考のために本明細書に含めている米国特許第５，２２９，８７２号に提供されている。前述と同様に、この場合の支持構造体は例えば、必要に応じて固定あるいは可動としうるフレームあるいはテーブルとすればよい。
【０００３】
判り易くするために、本文の残りのある個所においては、マスクおよびマスクテーブルを含む例を特に指向する。しかしながら、そのような場合にも説明される一般的な原理は前述したように広義のパターン化手段に関連して理解すべきである。
【０００４】
例えば、集積回路（ＩＣｓ）の製造において、平板投影装置が使用可能である。そのような場合、パターン化手段はＩＣの個々の層に対応する回路パターンを発生させる。このパターンは放射線に感応する材料の層（レジスト）をコーテイングした基板（シリコンウエーファー）の（例えば１個以上のダイからなる）目標部分上に形像しうる。一般に、単一のウエーファーは一時に１個投影システムを介して順次照射される隣接する目標部分の全体ネットワークを包含する。マスクテーブル上のマスクによってパターン化することを採用している現在の装置においては、二種類のタイプの機械の間の区分けが可能である。一方のタイプの平板投影装置においては、各目標部分は１回の操作で目標部分上にマスクパターン全体を露出することによって照射される。そのような装置は通常ウエーファーステッパと称されている。ステップ・アンド・スキャン装置と一般に称される代替的な装置においては各目標部分は所定の基準方向（「スキャン」方向）において投影ビームの下でマスクパターンを徐々にスキャンし、一方前記の方向に対して平行あるいは逆平行の基板テーブルを同期的にスキャンすることによって照射される。一般に、投影システムは倍率Ｍ（一般に＜１）を有しているので、基板テーブルがスキャンされる速度Ｖはマスクテーブルがスキャンされる速度のＭ倍の係数である。本明細書に記載の平板印刷装置に関する更なる情報は例えば参考のために本明細書に含めている米国特許第６，０４６，７９２号から収集しうる。
【０００５】
平板投影装置を使用した製造工程において、（例えばマスクにおける）パターンは放射線感応材料（レジスト）の層によって少なくとも部分的に被覆されている基板上に形像される。この形像段階の前に、基板は、例えばプライミング、レジストコーティング、およびソフトベークのような各種の過程を受けることができる。露出後、基板には、例えば露出後ベーク（ＰＥＢ），現像、ハードベーク、および形像された形成物の測定／検査のようなその他の過程を実施しうる。このような配列の過程は例えばＩＣｓのような素子の個々の層をパターン化する基準として使用される。そのようなパターン化された層は次いで、例えばエッチィング、イオン注入（ドーピィング）、金属化、酸化、化学―機械的研磨等のような全て個々の層を仕上げする意図の各種の過程を通すことができる。もしも数枚の層が必要とされるとすれば、全体の手順あるいはその変形を新規の各層に対して繰り返す必要がある。最終的に、ある配列の素子が基板（ウエーファー）に存在することになる。次いで、これらの素子は、例えばダイシング、あるいはソーイングのような技術によって相互に分離され、その後個々の素子はピン等に接続されたキャリヤに装着しうる。そのような方法に関する更なる情報は、参考のために本明細書に含めている、ＩＳＢＮ０―０７―０６７２５０―４、１９９７年マグローヒル出版社刊行ピータ・ファン・ザント（Ｐｅｔｅｒ  ｖａｎ  Ｚａｎｔ）による「マイクロチップ製造：半導体処理に対する実用ガイド」（Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ  Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ：Ａ  Ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ｇｕｉｄｅ  ｔｏ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ）という名称の本から収集することができる。
【０００６】
平板投影装置において、該装置に存在しうるなんらかの漂遊粒子がマスクが基板上に形像され、最終の素子にプリントされうるので、該粒子が前記マスクに到来し、そこに付着するようになるのを阻止することが必要である。マスクの汚染レベルが高すぎると欠陥素子をもたらし、マスクは一般に清浄ができなく、あるいは清浄可能であるとしても清浄可能なのは限定回数に限られる。比較的波長の長い紫外線を使用している平板投影装置においては、粒子はペリクルによってマスクに到来しないようにされる。ペリクルは平板装置の投影ビームに使用される放射線に対して透過性で、マスクに対して平行で、但し離隔されて位置している薄膜である。マスクに向って動いている汚染粒子はペリクルと接触し、そこに付着する。ペリクルに付着した粒子が基板にプリントされないことを確実にするために、ペリクルはマスクレベルにおける焦点深度より大きな距離だけマスクから離隔される。
【０００７】
しかしながら、露出ビーム用に１９３ｎｍあるいは１５７ｎｍのＵＶ放射線あるいは遠紫外線を使用した平板投影装置にペリクルを設けることが現在可能ではない。殆ど全ての材料はＥＵＶ放射線を強度に吸収し、従来の膜ペリクルは投影ビームの許容し得ない吸収を行なわせないためには厚さが約３０ｎｍ以下とする必要がある。このような厚さの膜では当該装置の作動の間の真空状態と、据え付けや保守の間の大気圧の環境の双方において十分な寿命を有さない。例えば、光学応力や温度変化のようなその他の応力もそのような薄い膜では極めて急速に破損させ易いであろう。
【０００８】
個別のペリクル膜に対する代替的な方法は、これも露出放射線に対して透過性であるキャップ層を直接マスク上に形成することである。これを有効とするには、キャップ層はマスクレベルでの焦点深度より厚くある必要がある。マスクレベルでの焦点深度は
0003947374.tif 000002
によって与えられる。但し、λはＥＵＶ放射線の波長であり、ＮＡはウエーファーレベルでの開口数であり、Ｍは投影光学装置の倍率であり、ｋ2は典型的には１に近い係数である。１３．５ｎｍのＥＵＶ放射線に対して、開口数は０．２５、倍率Ｍは１／５、マスクレベルでの焦点深度は約２．７μｍである。ＥＵＶ投影ビームに対するそのような層の作用は過度である。厚さがｄである材料を通しての放射線の透過度Ｔは、
0003947374.tif 000003
によって与えられる。但し、ａは材料の減衰長さ（すなわち、強度が１／ｅの係数だけ低下する長さ）である。１３．５ｎｍの放射線に対して比較的透過性である材料に対してさえも、減衰長さは約０．６μｍである。従って、厚さ２．７μｍのキャップ層が全てのＥＵＶ放射線の約９９％を吸収する。
【０００９】
更に、より短い波長の放射線が投影ビームに使用される場合、汚染に対する感受性が増す。ＥＵＶ波長において、ほんの５０ｎｍの径の汚染粒子であっても像を不具合にしうる。従ってマスクおよびその他の光学要素を汚染粒子から離す必要性が極めて大きい。
【００１０】
更に、平板投影装置における放射線の投影ビームは電子をそれが入射する何れかの面から解放するようにさせうる。放射線のビームが入射する面は放射システムおよび投影システムにおけるミラー並びに基板、センサおよびパターン化手段を含む。解放された電子の方は、面に存在する水および炭化水素分子の結合を破壊し、その結果前記面を破損するようにさせる反応性汚染物質をもたらしうる。特に、ＯＨは著しい損傷をもたらすようである。更に、分子の分解は漂遊電子を吸収しないので、漂遊電子は前記面に戻り、該面を更に損傷させる可能性がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は２００ｎｍ未満の波長の放射線、特に遠紫外線を使用するマスクハンドリング装置および平板投影装置において、マスクあるいは汚染からの保護を必要とするその他のいずれかの要素に粒子が到達しないようにし、一方投影ビームが許容し得ない程度に減衰するのを避ける上で効果的である粒子遮蔽体を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、
放射線の投影ビームを供給する放射システムと、
所望のパターンに従って投影ビームをパターン化するよう作用するパターン化手段を支持する支持構造体と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターン化したビームを基板の目標部分上に投影する投影システムとを含む平板投影装置において、
粒子が遮蔽すべき対象物に入射するのを阻止するよう電磁界を発生させる粒子遮蔽手段を含むことを特徴とする平板投影装置が提供される。
【００１３】
前記の粒子遮蔽手段は遮蔽すべき対象物から粒子をそらせる力を全ての帯電した粒子に加えるように遮蔽された対象物に近づきつつある粒子の方向とは全体的に横方向に概ね均一な（純粋の）電界を発生させる。そのような均一な電界は中性粒子はそらせないかもしれないが、平板装置における空中の粒子に対するエネルギの主供給源である、平板装置における投影ビームの放射線が強度にイオン化され、そのため問題を発生させ易い何れの粒子も概ね確実に帯電され、電子の帯電の何倍もの電荷を有している。概ね均一な電界は導電プレートの配列に似たコンデンサを使用して便利に発生させること可能である。
【００１４】
粒子遮蔽体は代替的に、あるいは更に、中性粒子において双極子モーメントを誘発し、次いで、帯電した粒子に加えてこれらの粒子も誘引するように均一な電界を発生させうる。
【００１５】
粒子遮蔽体は更に、均一な、あるいは非均一な静電界の代わりに、あるいはそれに追加して交番電界あるいはその他の時間変動電界を発生させうる。
【００１６】
粒子遮蔽体はまた、均一な、あるいは非均一な電界に代替して、あるいは追加して、横方向のビームに入り、そこから光子を吸収する粒子に横方向のモーメントを移転するような横方向の放射線ビーム（すなわち、振動電界および磁界）、あるいは光学ブリーズを発生させうる。放射線の波長は考えられる全ての粒子によって吸収され、但しもしも何らかの漂遊放射線が基板レベルに到来したとしてもレジストを露出しないように選択することができる。
【００１７】
粒子遮蔽体はまた、イオン化放射線、例えば適当に短い波長の電磁放射線あるいは電子ビームを遮蔽すべき対象物の全部に亘って導く放射源でありうる。そのような配備により、遮蔽すべき対象物は正に帯電され、その周りと比較して正に帯電したイオンをはじきだすことが可能で、および（または）正に帯電されたイオンを誘引するように比較的負の収集プレートを設けることができる。このようは配備はたとえ主投影ビームがオフであったとしても遮蔽すべき対象物の保護を確実にする。
【００１８】
マスクに付着する粒子は投影された像の品質に対して最も有害であるため、遮蔽すべき対象物はマスクであることが好ましいが、それはミラー、あるいは照射システムあるいは投影システムにおけるその他の要素でもよい。そのような要素に入射し、それと化学的に反応する可能性のある粒子は反射性の損失を、従って基板で受取られた照射線量のエラーをもたらしうる。
【００１９】
物理的な障害を使用するよりも、むしろ電磁界を使用することによって、本発明の粒子遮蔽体は投影されたビームを何ら減衰させることなくその機能を発揮する。
【００２０】
本発明は、別の局面において、マスクのハンドリング、搬送あるいは収納の間マスクを密閉する室と、少なくとも前記マスクのパターン化した面が粒子によって汚染されるのを阻止、あるいは低減するための粒子遮蔽体とを含むマスクハンドリング装置を提供する。前記の粒子遮蔽手段は粒子が前記マスクの少なくともパターン化した面に入射するのを阻止するための電磁界を発生させる手段を含みうる。
【００２１】
本発明はまた、
放射線に感応する材料の層によって少なくとも部分的に被覆された基板を前記第２の対象物テーブルに対して提供する段階と、
放射システムを使用して放射線の投影ビームを提供する段階と、
投影ビームの断面にパターンを付与するようパターン化手段を使用する段階と、
放射線に対して感受性の材料の層の目標部分に放射線のパターン化したビームを投影する段階とを含む素子製造方法において、
粒子が遮蔽すべき対象物に入射するのを阻止するために電磁界を発生させる段階を含むことを特徴とする素子製造方法を提供する。
【００２２】
本細書ではＩＣの製造において本発明による装置の使用を特に参照してよいものの、そのような装置はその他の多くの適用可能性を有していることを明確に理解すべきである。例えば、それは集積光学系、磁気ドメインメモリのための案内および検出パターン、液晶ディスプレイパネル、薄膜磁気ヘッド等の製造に採用してもよい。当該技術分野の専門家はそのような代替的適用に関して、本明細書において「レクチル」、「ウエーファー」、あるいは「ダイ」という用語を使用すれば、それはそれぞれより一般的な「マスク」、「基板」、および「目標部分」という用語と置き換えたものと考えるべきである。
【００２３】
本文書においては、特記なき限り「放射線」とか「ビーム」という用語は（例えば波長が３６５ｎｍ，２４８ｎｍ，１９３ｎｍ，１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍである）紫外線や（例えば波長が５ｎｍから２０ｎｍまでの範囲の）遠紫外線（ＥＵＶ）並びに電子を含む全てのタイプの電磁放射線を網羅するために使用されている。
【００２４】
本発明、およびそれに伴う利点とは実施例と添付の概略図面とを参照して以下説明する。
【００２５】
【発明の実施の形態】
実施例  １
図１は本発明の特定の実施例による平板投影装置を概略図示する。本装置は以下を含む。
放射線（例えばＥＵＶ放射線）の投影ビームＰＢを供給するための放射システムであって、この特定の場合はまた、放射源ＬＡを含む放射システムＥｘ，ＩＬ。
マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するためのマスクホルダを備え、物品ＰＬに対してマスクを正確に位置決めするために第１の位置決め手段ＰＭに接続された第１の対象物テーブル（マスクテーブル）ＭＴ。
基板Ｗ（例えばレジストをコーティングしたシリコンウエーファー）を保持する基板ホルダを備え、物品ＰＬに対して基板を正確に位置決めするために第２の位置決め手段ＰＷに接続された第２の対象物テーブル（基板テーブル）ＷＴ。
基板Ｗの（例えば１個以上のダイを含む）目標部分上へマスクＭＡの照射された部分を形像するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、ミラー系））。ここで説明するように、本装置は反射タイプである（すなわち、反射マスクを有している）。しかしながら、一般に、それは例えば（透過マスクを備えた）透過タイプであってもよい。代替的に、本装置は例えば、前述しようなタイプのプログラム化可能なミラーアレイのような別の種類のパターン化手段を採用してもよい。
【００２６】
放射源ＬＡ（例えば、放電あるいはレーザ発生のプラズマ源）が放射線のビームを発生させる。このビームは直接的に、あるいは例えばビームエクスパンダのような調節手段Ｅｘを横行した後照射システムＩＬ（イルミネータ）に送り込まれる。イルミネータＩＬは、ビームにおける強度配分の（通常σ―外部およびσ―内部と称される）外側および（または）内側の半径方向範囲を設定するための調整手段ＡＭから構成しうる。更に、一般に例えば積分器ＩＮやコンデンサＣＯのようなその他の各種の要素から構成される。このように、マスクＭＡに衝突するビームＰＢは断面方向に所望の強度分布を有している。
【００２７】
図１に関して、放射源ＬＡは（放射源ＬＡが例えば水銀ランプである場合によくあることであるが）平板投影装置のハウジング内に位置してよいが、平板投影装置から遠隔であってもよく、それが発生させる放射線のビームは（例えば、適当な指向ミラーによって）本装置内へ導かれる。この後者の場合の方法は放射源ＬＡがエキシマレーザである場合によくあることである。本発明および特許請求の範囲はこれら双方の場合を網羅している。
【００２８】
その後ビームＰＢはマスクテーブルＭＴに保持されたマスクＭＡを遮る。ビームＰＢはマスクＭＡによって選択的に反射されているので、レンズＰＬを通過し、該レンズはビームＰＢを基板Ｗの目標部分Ｃ上に集光する。第２の位置決め手段ＰＷ（および干渉測定手段ＩＦ）によって、基板テーブルＷＴは正確に運動し、例えばビームＰＢの通路に種々の目標部分Ｃを位置させる。同様に、第１の位置決め手段ＰＭは、例えばマスクＭＡがマスクライブラリから機械的に検索された後、あるいはスキャンの間にビームＰＢの通路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。一般に、対象物テーブルＭＴ，ＷＴの運動は図１に明確に示していないが長いストロークのモジュール（粗い位置決め）および短いストロークのモジュール（微細な位置決め）の助勢によって実現される。しかしながら、（ステップ・アンド・スキャン装置とは対照的に）ウエーファーステッパの場合、マスクテーブルＭＴは正に短いストロークのモジュールに接続、あるいは固定してよい。
【００２９】
図示した装置は二種類のモードで使用可能である。
１。ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴは基本的に静止状態に保たれ、マスク全体の像が一回の操作（すなわち一回の「フラッシュ」）で目標部分Ｃ上に投影される。異なる目標部分ＣがビームＰＢによって照射されうるように基板テーブルＷＴがｘ方向および（または）ｙ方向に移動される。
２。スキャンモードにおいて、特定の目標部分Ｃが一回の「ファラッシュ」で露出されないことを除いて基本的に同じ手順が適用される。その代わりに、マスクテーブルＭＴはｖの速度で特定の方向（所謂「スキャン方向」、例えばｙ方向）に運動可能で、そのため投影ビームＰＢはマスク像の上をスキャンするようにされる。同時に基板テーブルＷＴは速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向あるいは反対の方向に同時に運動する。ＭはレンズＰＬの倍率（典型的には、Ｍ＝１／４または１／５）である。このように、解像力を犠牲にする必要なく比較的大きな目標部分Ｃを露出することができる。
【００３０】
図２はマスクＭＡの近傍に設けられた粒子遮蔽体１０を示す。本発明の粒子遮蔽体１０は従来のペリクルのようにマスク自体にではなく、むしろマスクホルダ、マスクテーブルＭＴ、あるいは本装置のフレーム、あるいはその他の何れかの適当な手段に装着すればよい。マスクＭＡは反射性であり、下方に面した反射面に対して全体的に水平に配置されていることが判る。入射する投影ビームＰＢｉは照射システムＩＬからマスクＭＡ上へ全体的に上方に導かれ、反射された投影ビームＰＢｉは次いで投影システムＰＬまで下方へ反射される。マスクの作動面が下方に面するので、重力が本装置に存在する粒子をマスクから離れるようにしようとする。しかしながら、強力なＥＵＶ投影ビームが粒子にその通路においてエネルギを提供し、それにより粒子が重力に打ち勝ちうるようにする。特に、粒子と衝突する入射投影ビームＰＢｉにある光子が全体的に上方の慣性を加える。このように、汚染粒子はマスクＭＡに向って推進され、そこで該粒子が望ましくない汚染を発生させる。汚染粒子のブラウニアン（Ｂｒｏｗｎｉａｎ）運動がまた、マスクあるいは汚染に対して感受性のある別の物体に向う運動をもたらす。本装置の運動部分はまた、汚染粒子を発生させるのみならず、重力を上回る転移エネルギを提供する。
【００３１】
このことを阻止するために、静電粒子遮蔽体１０はマスクの各側において該マスクに対して垂直に位置された２個のコンデンサ状のプレートを含む。プレート１１、１２はそれらの間で電界Ｅを形成するように反対の極性に帯電される。前記プレート１１、１２の面積がそれらの分離距離ｄよりも著しく大きいと想定すると、電界Ｅは
Ｅ＝Ｖ／ｄ                                            （３）
によって提供される。但し、Ｖはコンデンサに亘る電圧である。本発明の実施例において、分離距離ｄはマスクの幅の約２倍である約３００ミリメータであり、前記プレート１１、１２の間の電位差は約１０ｋＶでよい。これによって３３ｋＶ／ｍの電界を提供する。
【００３２】
コンデンサプレート１１、１２の間の電界における帯電した粒子に対して作用する力は粒子の電荷と電界強度Ｅとの積に等しい。ＥＵＶ露出放射線を使用した作動平板装置において、投影ビームへ入る何れの粒子も急速にイオン化するものと想定しうる。ＥＵＶ光子のエネルギは単に数ｅＶｓ程度であるイオン化エネルギと比較して９２ｅＶである。８ｋＷ／ｍ2である典型的な電力密度を有する投影ビームにおける２０ｎｍ径の粒子は毎秒約１．７Ｘ１０5光子によって衝撃を受ける。１個づつイオン化された粒子に対しては、最悪の場合、粒子に作用する力は約５．３Ｘ１０-15Ｎである。この力はそのような粒子がマスクに到来するのを阻止するに十分である。一方のコンデンサプレートから他方のコンデンサプレートまで粒子が運動するに要する時間ｔは最悪の状況下では、
0003947374.tif 000004
によって提供される。ｍは粒子の質量であり、Ｆは電気的力である。下記の表１は球形の粒子が２，０００ｋｇ／ｍ3に等しい密度ρを有していると想定すれば種々サイズの粒子に対する走行時間を提供する。
0003947374.tif 000005
【００３３】
最悪の場合、本装置の金属部分から例えば衝突に続いて排出される粒子は最大金属の音速、例えば約５，０００ｍ／ｓで運動しうる。コンデンサを通してこの速度で運動する２０ｎｍ径の粒子はもしもコンデンサプレート１１，１２の高さｈが約５００ｍｍで、それより遅い速度ではそれ以下である。このことは、たとえ粒子が単に最小の帯電状態である場合でもいえる。また、質量比に対する著しくより高い電荷のため、何れのイオンあるいは帯電した分子も静電粒子遮蔽体１０によって極めて迅速にそらされる。
【００３４】
第１の実施例の変形において、電極の間に閉じ込められ、マスクＭＡに近づいている汚染粒子に対する障害として作用するプラズマを発生させるよう交番電圧が電極１１と１２との間で提供される。プラズマに近づいている中性粒子は急速にイオン化され、プラズマに捕捉される。プラズマは１ｍｂａｒ程度の圧力において、例えばアルゴンのような不活性ガスの雰囲気において形成しうる。交番電圧は約１００から５００Ｖ／ｃｍの電界強度を提供するようなものであり、約１から１０ＭＨｚまでの周波数を有しうる。
【００３５】
実施例  ２
以下述べることを除いて第１の実施例と同じでよい本発明の第２の実施例は非均一電界を利用する静電粒子遮蔽体２０であって、より効率的であることを示しうる遮蔽体を含む。
【００３６】
本発明の第２の実施例の静電粒子遮蔽体２０が図３に示されている。入射および、反射の投影ビームＰＢｉ，ＰＢｒが横行する容積部分に隣接したマスクＭＡの一方の側で、かつそれに対して垂直して細長い帯電した部材２１が位置されている。コンデンサを形成する一対の帯電したプレートとは対照的に、単一の帯電した部材が非均一な電界を形成し、それが中性分子および粒子において双極子を誘引し、次いで双極子に力を加える。非均一な電界はまた、有極分子に力を加え、それによってこれらの有極分子並びに中性分子あるいはその中へ双極子モーメントが誘引される粒子を捕捉する。双極子に加えられる力は
0003947374.tif 000006
によって与えられる。Ｐは粒子の誘引された双極子モーメントである。細長い帯電した部材２１は円筒体の単位長さ当たりの帯電がμクーロン／ｍである円筒体に近似化しうる。これによって下式によって提供される磁界を誘発する。
0003947374.tif 000007
0003947374.tif 000008
は任意の座標系における位置ベクトルであり、ｒは円筒体の中心までの距離であり、ε0は真空中の誘電率である。誘電率εを有する球体内の電界は
0003947374.tif 000009
によって与えられる。一方粒子内で移動した電荷によって誘発される電界は
0003947374.tif 000010
によって与えられる。極性化Ｐは単位容積当たりの双極子モーメントとして定義され、帯電した円筒体の中心からの距離ｒにある粒子に対して
0003947374.tif 000011
によって与えられ、そのため半径ｒpを有する粒子は、
0003947374.tif 000012
によって与えられるモーメントｐを有する双極子によって置換可能である。この粒子は従って図４に示すように粒子の半径ｒpの二倍分離された電荷＋Ｑ、−Ｑと見なすことができる。電荷Ｑの大きさは
0003947374.tif 000013
によって与えられる。このことから、双極子に対する力は
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として表現できる。これは粒子の半径が細長い帯電部材２１からの距離と比較して小さい場合、以下のように近似化しうる。
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この力は粒子の半径の三乗によって決まるので、粒子が経験する加速はサイズとは関係ない。２，０００ｋｇ／ｍ3に等しい密度ρの粒子および１０-7クーロン／ｍの電荷に対して、種々の誘電率εに対するマスクサイズの約１５０ｍｍの走行距離が以下の表２に提供されている。
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【００３７】
粒子が帯電された部材２１に到着するには著しい時間がかかるものの、非均一な電界はマスクの前方でマスクの幅の数倍の距離を延在するよう配置可能であり、そのため粒子がそれるための十分な時間を許容するので、本装置における中性粒子を効果的に捕捉する。
【００３８】
実施例  ３
以下述べることを除いて第１あるいは第２の実施例と同じでよい本発明の第３の実施例は汚染粒子をそらせるために光学ブリーズを形成する光学粒子遮蔽体を採用している。
【００３９】
第３の実施例が図５に示されており、マスクＭＡに対して平行で、その前方の空間を横切って電磁放射線の高強度の遮蔽ビーム３２を放射する照射源３１を含む。照射源３１は、ビームを必要な空間に亘って導き、一方所望の領域の外部での漂遊光線の発生を最小にする適当な平行化および（または）誘導手段を備えた何れかの適当な照射源あるいは照射源の配列でよい。ビーム吸収器３３を遮蔽放射線を吸収し、反射を阻止するようにマスクＭＡの前方の空間の他方の側に位置させうる。遮蔽ビーム３２の光子はモーメントｍを運び、該モーメントはビーム３２からの光子を吸収する何れかの粒子まで転送される。従って、粒子遮蔽体３０における光線の波長は考えられる全ての粒子によって吸収されるように選択される。波長はまた、使用されるレジストがそれに対して感受性でなく、そのため基板に達しない何れかの漂遊光線がレジストを露出しないような波長として選択してもよい。
【００４０】
ｍ2当たりＩの強度の放射線によって加えられる圧力は
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によって与えられ、ｃは光線の速度（３Ｘ１０8ｍ／ｓ）である。半径ｒpを備えた球形粒子の加速度と密度ρは
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によって与えられる。これは時間が一定であり、ある距離を走行するに要する時間は
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によって提供される。種々サイズの粒子が１５０ｍｍの距離を走行するのに要する時間、マスクの大体のサイズが、２、０００ｋｇ／ｍ3の粒子密度ρおよび８ｋＷ／ｍ2の強度とを想定して以下の表３に提供されている。
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ここでも、もしも光学粒子遮蔽体３０がマスクＭＡの前方で著しい距離だけ延在するように配置されているとすれば、顕著な粒子のそらせを達成することができる。特に、光学粒子遮蔽体によって加えられるそらせ力が粒子をマスクＭＡに向って上昇させようとする投影ビームによって加えられる力と類似しうるように投影ビームＰＢと同様の放射強度を有するように配置しうる。
【００４１】
実施例  ４
以下述べることを除いて第１から第３までの実施例と同じでよい第４の実施例において、保護すべき要素の前方に、それ自体近づいてくるイオンをはじくように帯電している追加のイオン化放射線が提供される。
【００４２】
図６は保護すべき要素、この場合はマスクＭＡの前方の領域に亘ってイオン化放射線の横方向のビーム４２を導くイオン化放射源４１を示す。ビーム４２は、マスクＭＡに近づいている殆どの、あるいは全ての原子をイオン化、好ましくは多数イオン化を確実に行なうに十分な大きさの、マスクＭＡの機能面に対して垂直の厚さｔを有している。放射線の波長は想定される全ての原子を確実におイオン化するに十分短く（エネルギが強く）あるべきで、従って好ましくは２００ｎｍ（６．２ｅＶ）より短くあるべきである。例えば、５２ｎｍの放射線（２１ｅＶ）を放射しているＨｅ放電ランプが適当である。そのような放射源は一般にパルス化され、その場合、保護領域を通過する全ての原子を照射するに十分速い繰返し速度を有するべきである。例えば、４ｋＨｚの繰返し速度を１００ｍｍのビーム幅に対して使用すればよい。室温での典型的な速度である４００ｍｓ-1で運動している気体分子は最小の０．２５ｍｓで遮蔽体を横行し、従って少なくとも１個のパルスで照射される。
【００４３】
実施例  ５
図７に示す第５の実施例は第４の実施例の変形である。第５の実施例において、マスクＭＡに対して負に帯電したコレクタプレート４３が遮蔽効果を増すために追加されている。コレクタプレート４３は保護ビーム４２のマスクＭＡとは反対の側に位置し、相対的に正のマスクＭＡによってはじかれた正に帯電したイオンを誘引するよう作用する。
【００４４】
実施例  ６
図８に示す第６の実施例は第５の実施例の変形であるが、マスクに近づいている何らかの汚染物質をイオン化するのに投影ビームＰＢに依存している。この実施例において、コレクタ遮蔽体４３はマスクと投影ビームＰＢの通路とにより近接して位置しうる。
【００４５】
実施例  ７
以下に述べることを除いて以前の実施例と同じでよい第７の実施例において、対象物に入射する放射線のため該対象物から解放される電子を誘引するために遮蔽すべき対象物からある距離をおいてメッシュ（すなわちグリッド）が設けられている。
【００４６】
図９は放射線ＢＲのビームがその面ＯＳ上に入射する対象物Ｏの断面を示す。
前記の対象物Ｏは基板Ｗ、例えばマスクＭＡのようなパターン化手段あるいは放射システムＩＬあるいは投影システムＰＬ内のミラーでよい。放射線ＢＲのビームは電子ｅが対象物Ｏの面ＯＳから解放されるようにする。メッシュＭは対象物Ｏの面ＯＳに対して概ね平行で、そこからある距離をおいて位置される。電圧源ＶＳがメッシュＭに接続され、所定の正の電圧をメッシュに供給する。対象物Ｏは接地電位に電気的に接続されている。その結果、解放された電子ｅはメッシュＭに誘引され、かつ集められる。対象物Ｏはまた、電子をはじくために負にバイアスしてもよい。
【００４７】
図１０はメッシュＭを斜視図で示す。この場合、メッシュは複数の平行のワイヤＭｗから構成されている。各ワイヤの厚さｄ３は隣接するワイヤ間の距離ｄ１よりも著しく小さい。このことによってメッシュが放射線のビームを阻害しないようにする。更に、隣接するワイヤの間の距離ｄ１は対象物Ｏの表面１ａからのワイヤの距離ｄ２よりも小さい。このことによってワイヤから前記面までの電界が概ね均一になるようにする。
【００４８】
ワイヤの適当なサイズ範囲は太さｄ３が２μｍから１０μｍである。ワイヤは典型的には、タングステン、モリブデン、銅あるいはジルコニウムのような電導体から形成される。ジルコニウムが特に有利なのはそれがＥＵＶに対して透過性であることである。ワイヤの間の距離ｄ１および前記面ＯＳからワイヤまでの距離ｄ２の双方は典型的には１ｃｍ程度である。
【００４９】
図１１および図１２は湾曲した対象物Ｏで使用するメッシュを示す。図１１において、メッシュＭは、対象物Ｏの曲がりに概ね倣うように湾曲されている。図１２においては、メッシュＭは概ね平坦である。メッシュが対象物Ｏの曲がりに倣うようにすることは可能ではあるが、それは必要ではない。ある場合には、メッシュのワイヤが曲線を描くように位置させることが可能でないことがある。
【００５０】
前述の説明において、メッシュは複数の平行のワイヤから構成されたものとして説明してきたが、各種のパターンも有利に使用可能であることが認められる。
特に、メッシュのワイヤの掛止点が制限され、異なるパターンを必要とするような場合もある。
【００５１】
第７の実施例によるメッシュＭは前述あるいは後述の実施例のいずれかと組み合わせて有利に採用しうる。そのような場合、例えばマスクＭＡとメッシュＭとの間の電界が解放された電子がマスク上へ落下して戻らないようにし、それらをメッシュによって集める。マスクＭＡ（あるいは一般的にいずれかの対象物Ｏ）に近づいている（例えばイオン化した放射線によってイオン化された粒子である）正に帯電した粒子ははじかれ、あるいはメッシュの正のバイアスによって遅速され、以前の実施例で述べたように、あるいは以下詳細に説明するようにそらされる。メッシュＭは対象物Ｍと前述の要素１１，１２，２１，３１および３３のいずれかとの間に位置される。従って、電磁遮蔽体は数個の隣接する遮蔽電磁界（あるいは純粋の電界）から構成される。
【００５２】
図９は集められた電子によって誘発された電流を測定するための感知手段ＡＭを更に示す。投影ビームからの入射放射線による光電効果によって解放され、その後メッシュＭによって集められた電子は放射線の強度あるいは線量の測定あるいは対象物Ｏの面に対する汚染モニタとして使用しうる。
【００５３】
実施例  ８
図１３は以下説明することを除いて第１の実施例と同じである、本発明の第８の実施例による平板装置の照明システムＩＬ，マスクＭＡ，および投影システムＰＬの一部を示す。
【００５４】
第８の実施例において、ミラーボックス１４０は投影システムＰＬを形成するミラー１４２と、照射システムＩＬの少なくとも一部を形成するミラー１４３とを部分的に囲んでいる。ミラーボックス１４０はまた、投影光学ボックスとも称しうる。本発明によれば、ミラーボックス１４０にはその表面の殆ど、内部および外部に電極１４１が設けられている。電極１４１はミラーボックス１４０の面の導電性コーティングとして形成しうる。本装置を使用する場合、電極１４１は電源１４４（例えば５ボルト）に接続され、正あるいは負に帯電される。マスクＭＡあるいは遮蔽すべき何れかのその他の対象物（ミラー）あるいは何らかのその他の電極は接地されるか、あるいは遮蔽電界を発生するような電位に接続されることが好ましい。
【００５５】
本装置が使用される場合、ミラーボックス１４０とその内部に密閉されたミラーあるいはその他の光学要素が真空とされ（あるい場合には、ミラーボックス１４０が真空室の壁の一部を形成してよい）、帯電された電極１４１は真空系に残っている粒子を誘引するよう作用する。粒子が一旦誘引され、電極１４１と衝突すると、粒子はそこに付着しようとし、そのため真空の粒子汚染の量が低減する。
【００５６】
真空での粒子の捕捉を最大限とするためにできるだけ多くの自由表面積が電極に設けられることが好ましい。ミラーボックス１４０と同様に、例えばミラーの後面およびその他の反射光学要素のような真空系のいずれかの適当な面に捕捉電極を設けることができる。好適な最小電極はマスクに面し、かつ近接している全ての適当な面に導電性電極を設けることである。ミラーボックス１４０が導電性であり、それに装着されている何らかの感受性の要素が絶縁可能である場合、ミラーボックス１４０自体を帯電させて粒子トラップ電極を形成することが可能である。
【００５７】
図１３はミラーボックス１４０を真空にするために真空ポンプＶＰに向うガスの流れを指示する矢印を更に示す。
【００５８】
実施例  ９
本発明の第９の実施例は図１４に示す粒子遮蔽体すなわちトラップを提供し、例えば第１の実施例に関して説明した平板装置あるいはマスクハンドリング装置あるいはマスク搬送装置、マスク収納ボックスあるいは例えばマスク書き込み器のような装置において使用可能である。
【００５９】
第５の実施例の粒子遮蔽体５０はマスクＭＡのパターン側Ｐに近接して配置されている一次元あるいは二次元のグリッドあるいは電極のアレイ５１、５２から構成される。粒子遮蔽体５０がマスクハンドリング装置あるいはマスク収納ボックスにおいて使用される場合、それはパターンＰの表面積全体を網羅しうる。平板装置において、粒子遮蔽体は露出するために軌道から外されるか、あるいは照射した領域に対応するスリットが設けられている。小さい粒子がマスクＭＡのパターン側に到達するのを阻止するために、電極の中の隣接する電極５１、５２が電源５３によって反対の極性に帯電される。このことによって、隣接する電極の間で静電界を形成し、それが反対の極性に帯電した電極に正および負に帯電した粒子を誘引する。電極は電源に連続して接続しておく必要はないことが注目される。もしも電極がよく絶縁されており、かつ真空に保たれるとすれば、電源が外された後ある時間マスクを保護するに十分な電荷が電極によって保持しうる。
【００６０】
図１５は第９の実施例による修正された粒子遮蔽体を示す。粒子遮蔽体５０ａにおいて、電極５１ａ，５２ｂには近傍で電界の傾斜を高め粒子捕捉効果を向上させるためのピークあるいは峰が設けられている。
【００６１】
実施例  １０
第９の実施例と同様に平板投影装置に適用可能である第１０の実施例において、マスクハンドリング装置、マスク収納ボックス、あるいは例えばマスクライター、物理的粒子トラップのような装置が設けられている。これらは図１６に示されている。
【００６２】
物理的粒子トラップは保護プレート６０の面にあるくぼみ６２に形成されている。くぼみ６２の内部に複数の突起６１が設けられている。突起６１は樹木状の構造においてさかとげを有しており、そのため前記くぼみに入る粒子はさかとげによって邪魔され、捕捉されようとする。捕捉効果は（第８の実施例で説明したように）突起６１および（または）くぼみ６２の底を帯電させることによって高めることができる。プレート６２は、それと衝突する粒子が運動エネルギを喪失し、更に捕捉効果を高めるように冷たく保たれている。くぼみ６２と突起６１とは小さくすべきで、エッチィング技術を利用して製造することができる。
【００６３】
実施例  １１
図示していない第１１の実施例において、マスクとその周りとの間で温度差を設けることにより粒子は平板装置におけるマスクＭＡ、マスクハンドリング装置あるいはマスク収納ボックスと衝突し、それらに付着しないようにされる。
【００６４】
温度差はマスクＭＡのパターン面の近傍でマスクを加熱するランプのようなヒータを設けることにより、および（または）適当なクーラによって冷却される冷却プレートを設けることによって提供することができる。冷たい面と衝突する粒子は運動ネルギを喪失する傾向があり、従って冷たい面に付着し易いのでマスクの近傍の冷たい面が存在することにより粒子のマスクに対する接着を低減する。
マスクを周りの温度よりも高い温度まで加熱することにより連続したサーモフォレチック（ｔｈｅｒｍｏｐｈｏｒｅｔｉｃ）効果を発生させる。
【００６５】
実施例  １２
これも図示していない第１２の実施例において、面積がマスクと適合したプレートを露出時間の間を除いてパターン化した側の下方に位置させることができる。遮蔽プレートはマスクから５ｍｍから２０ｍｍまでの範囲の距離だけ離隔し、第９、第１０および第１１の実施例のいずれか、あるいは全てに従って粒子遮蔽体として構成してよい。
【００６６】
実施例  １３
本発明の第１３の実施例は平板装置あるいはマスクハンドリング装置の真空室において使用しうる、図１７に示す真空シールを提供する。
【００６７】
第１３の実施例において、２個の壁部分７１、７２は部分的に重なり、メカニカルシール７３によって相互にシールされる。壁７１、７２は真空室Ｖを周囲の圧力から分離する。メカニカルシール７３の真空側において、２個の電極７４、７５が壁部分７１に１個と、壁部分７２に１個と設けられている。電極７４、７５は反対の極性に帯電するように電源７に接続されている。これら電極は次いでメカニカルシール７３によって発生しうる何らかの帯電した粒子を捕捉するよう作用する。更に、第１０と第１１の実施例による方法のいずれかをシール７３からの粒子を捕捉するように真空側のシール７３の近傍において提供すればよい。
【００６８】
実施例  １４
本発明の第１４の実施例は長期間マスクを収納しておくことができるマスク収納ボックスを提供する。
【００６９】
図１８に部分的に示すマスク収納ボックス８０は主ハウジング８１とマスクＭＡを収納しうる密閉室を形成するハウジングの底８２とからなる。マスクＭＡは適当なクランプ手段（図示せず）によって適所に保持されている。密閉室は真空とされるか、あるいは汚染のない不活性ガスで充填しうる。いずれの場合においても、ハウジングはシール８３によって閉鎖されている。密閉室が真空である場合、シール８３は第１３の実施例で述べたように粒子を捕捉するために電極を組み込めばよい。
【００７０】
また密閉された室内に粒子遮蔽装置８４が設けられている。前記の粒子遮蔽装置８４は密閉室に存在しうる粒子を捕捉するか、あるいはそれらがマスクＭＡ，特にそのパターン化した面に到達しないように作用し、第１から第１１までの実施例のいずれかに関連して前述したように構成してよい。粒子遮蔽体８４が動力を要する場合、この動力はマスク収納ボックス８０に含まれた電源あるいは外部の電源から提供しうる。粒子遮蔽体は長期間の収納の間は外部の電源から給電されるように配置されているが、搬送の間粒子遮蔽体８４を作動状態に保つには再充電な内部電源を備えて置くことが好ましい。
【００７１】
実施例  １５
図１９は本発明の更に別の実施例を示す。本図は電界が電極１４１によって発生するチューブ１５０を示す。前記チューブ１５０は該チューブ１５０の他端が接続されている真空室Ｖを真空にするために真空ポンプＶＰに接続すればよい。粒子を遮蔽すべき１個以上の対象物が中に位置している真空室Ｖから運び出すために負に帯電した電極がチューブ１５０の内部に配置されている。チューブは図１３に示すミラーボックス１４０の左側に位置すればよい。しかしながら、チューブは、例えばマスクが投影装置において使用される前に清浄にされる装置のような、何らかのマスクハンドリング装置に接続してもよい。マスクのパターン化した面から解放された粒子はチューブ１５０を介して電界によって抽出しうる。放射線のイオン化ビーム４２を任意に採用してもよい。例えば、先の実施例について説明したように、空間Ｖから粒子を抽出した電極の何れの形態のものでも適当であって、図１９に示すものに限定されない。
【００７２】
本発明の特定実施例を上述してきたが、本発明は説明したもの以外にも実施しうることが認められる。前記の説明は本発明を限定する意図ではない。特に、種々の実施例の粒子遮蔽体を組み合わせて、本発明による粒子遮蔽体が、均一な電界、非均一な電界、光学ブリーズ、イオン化放射線、および遮蔽すべき対象物の充電の中の一つ以上を利用しうることが認められる。本発明はいずれかの形態の投影ビーム、特に専用ではないが約２００ｎｍ未満の波長、例えば、１９３ｎｍ，１５７ｎｍあるいは（例えば、８から２０ｎｍ、特に９から１６ｎｍまでの範囲の波長を有する）ＥＵＶ放射線を利用して平板装置において使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例による平板投影装置を示す。
【図２】本発明の第１の実施例における粒子遮蔽体の線図である。
【図３】本発明の第２の実施例における粒子遮蔽体の線図である。
【図４】中性粒子における誘発した双極子モーメントの線図である。
【図５】本発明による第３の実施例における粒子遮蔽体の線図である。
【図６】本発明の第４の実施例の変形における粒子遮蔽体の線図である。
【図７】本発明の第５の実施例における粒子遮蔽体の線図である。
【図８】本発明の第６の実施例における粒子遮蔽体の線図である。
【図９】本発明の第７の実施例による粒子遮蔽体の線図である。
【図１０】本発明の第７の実施例の変形における斜視図である。
【図１１】本発明の第７の実施例の変形における斜視図である。
【図１２】本発明の第７の実施例の変形における斜視図である。
【図１３】本発明の第８の実施例による粒子遮蔽体を組み込んだ石版印刷装置の関連部分の線図である。
【図１４】本発明の第９の実施例における粒子遮蔽体の線図である。
【図１５】本発明の第９の実施例の変形における粒子遮蔽体の線図である。
【図１６】本発明の第１０の実施例における粒子トラップの線図である。
【図１７】本発明の第１３の実施例による粒子遮蔽体を組み込んだ真空シールの線図である。
【図１８】本発明の第１４の実施例によるマスク収納ボックスの部分断面図である。
【図１９】本発明の第１５の実施例における部分断面図である。
【符号の説明】
ＡＭ  感知手段
ＢＲ  放射線のビーム
Ｃ  目標部分
ＩＬ  放射システム
ＬＡ  放射線源
Ｍ  メッシュ
ＭＡ  マスク
ＭＴ  マスクテーブル
Ｏ  対象物
ＯＳ  対象物の面
ＰＢｉ  入射投影ビーム
ＰＢｒ  反射投影ビーム
ＰＬ  投影システム
ＰＭ  第１の位置決め手段
ＰＷ  第２の位置決め手段
Ｖ  真空室
ＶＰ  真空ポンプ
ＶＳ  電圧源
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル
１０、２０、３０、５０  粒子遮蔽体
２１  帯電部材
３１  照射源
３２  遮蔽ビーム
４１  放射源
４３  コレクタプレート
５１、５２  電極
６０  保護プレート
６１  突起
６２  くぼみ
７４、７５  電極
８０  収納ボックス
８４  粒子遮蔽装置
１４０  ミラーボックス
１４１  電極
１４２、１４３  ミラー
１４４  電源
１５０  チューブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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