(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の含フッ素ポリマー（Ａ）、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物（Ｂ）及び有機溶媒（Ｃ）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
含フッ素ポリマー（Ａ）：式（１）で表される含フッ素ジエンが環化重合した繰り返し単位及び式（２）で表されるアクリル系単量体が重合した繰り返し単位を有する含フッ素ポリマーであって、式（１）で表される含フッ素ジエンと式（２）で表されるアクリル系単量体とを重合して得られる共重合体が前記酸発生化合物（Ｂ）より発生する酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基を有しない場合は、該共重合体中に該ブロック化酸性基を形成して得られる、ブロック化酸性基を有する含フッ素ポリマー。
ＣＦ２＝ＣＲ１−Ｑ−ＣＲ２＝ＣＨ２  ・・・（１）
（ただし、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表し、Ｑは２価の有機基であって、かつ前記酸発生化合物（Ｂ）より発生する酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基、酸性基又は該ブロック化酸性基に変換しうる他のブロック化酸性基を有する有機基を表す。）
ＣＨ２＝ＣＲ３−ＣＯ２Ｒ４  ・・・（２）
（ただし、Ｒ３は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表し、Ｒ４は水素原子、炭化水素基、酸性基を有する有機基、酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基を有する有機基、該ブロック化酸性基に変換しうる他のブロック化酸性基を有する有機基を表す。）
【請求項２】
含フッ素ポリマー（Ａ）がさらに酸性基を有する請求項１に記載のレジスト組成物。
【請求項３】
含フッ素ポリマー（Ａ）中の式（１）で表される含フッ素ジエンが環化重合した繰り返し単位と式（２）で表されるアクリル系単量体が重合した繰り返し単位の組成比（式（１）で表される含フッ素ジエンが環化重合した繰り返し単位：式（２）で表されるアクリル系単量体が重合した繰り返し単位）が、モル比で９５：５から５０：５０である請求項１又は２に記載のレジスト組成物。
【請求項４】
Ｑが式（３）で表される２価の有機基である、請求項１〜３のいずれかに記載のレジスト組成物。
−Ｒ５−Ｃ（Ｒ７）（Ｒ８）−Ｒ６−  ・・・（３）
（ただし、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に、単結合、酸素原子、エーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のアルキレン基又はエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキレン基、Ｒ７は水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基又は炭素数３以下のフルオロアルキル基、Ｒ８はブロック化酸性基、酸性基又はブロック化酸性基もしくは酸性基を有する１価有機基、を表す。）
【請求項５】
酸性基が酸性水酸基であり、ブロック化酸性基がブロック化された酸性水酸基である、請求項１〜４のいずれかに記載のレジスト組成物。
【請求項６】
式（１）で表される含フッ素ジエンが式（４）又は式（５）で表される含フッ素ジエンである、請求項１〜５のいずれかに記載のレジスト組成物。
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＣＸ２（ＣＦ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２・・・（４）
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＣＨ（−(ＣＨ２）ｐＣ（ＣＦ３）２Ｘ２）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２                                                   ・・・（５）
（ただし、Ｘ２は水酸基、Ｏ（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、ＯＣＨ２ＯＣＨ３、ＯＣＯ２（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、ＯＣＨ（ＣＨ３）ＯＣ２Ｈ５又は２−テトラヒドロピラニルオキシ基、ｐは１〜３の整数を表す。）
【請求項７】
式（２）で表されるアクリル系単量体が式（６）、（７）又は（８）で表される単量体である、請求項１〜６のいずれかに記載のレジスト組成物。
ＣＨ２＝ＣＲ３ＣＯ２Ｒ９                                 ・・・（６）
ＣＨ２＝ＣＲ３ＣＯ２Ｃ（ＣＦ３）２−Ｐｈ−Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＸ３
・・・（７）
ＣＨ２＝ＣＲ３ＣＯ２Ｃ（ＣＦ３）２−Ｒｙ−Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＸ３
・・・（８）
（ただし、Ｒ３は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基、Ｒ９は水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル基、１−アルキル−１−シクロヘキシル基又は２−アルキル−２−アダマンチル基、Ｘ３は水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル基、−ＣＨ２ＯＣＨ３、−ＣＯ２（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、−ＣＨ（ＣＨ３）ＯＣ２Ｈ５又は２−テトラヒドロピラニル基、Ｐｈはフェニレン基、Ｒｙはシクロヘキシレン基を表す。）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規な含フッ素レジスト組成物に関する。さらに詳しくはＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線やＦ２エキシマレーザー等の真空紫外線を用いる微細加工に有用な化学増幅型レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体集積回路の製造工程において、回路パターンの細密化に伴い高解像度でしかも高感度の光レジスト材料が求められている。回路パターンが微細になればなるほど露光装置の光源の短波長化が必須である。２５０ｎｍ以下のエキシマレーザーを用いるリソグラフィー用途にポリビニルフェノール系樹脂、脂環式アクリル系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、フッ素系樹脂等が提案されているが、十分なる解像度、感度を有するに至っていないのが現状である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、化学増幅型レジストとして、特にＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線やＦ２エキシマレーザー等の真空紫外線に対する透明性、ドライエッチング性に優れ、さらに感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れたレジストパターンを与えるレジスト組成物を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は前述の課題を解決すべくなされた以下の発明である。
【０００５】
下記の含フッ素ポリマー（Ａ）、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物（Ｂ）及び有機溶媒（Ｃ）を含むことを特徴とするレジスト組成物。
含フッ素ポリマー（Ａ）：式（１）で表される含フッ素ジエンが環化重合した繰り返し単位及び式（２）で表されるアクリル系単量体が重合した繰り返し単位を有する含フッ素ポリマーであって、式（１）で表される含フッ素ジエンと式（２）で表されるアクリル系単量体とを重合して得られる共重合体が前記酸発生化合物（Ｂ）より発生する酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基を有しない場合は、該共重合体中に該ブロック化酸性基を形成して得られる、ブロック化酸性基を有する含フッ素ポリマー。
ＣＦ２＝ＣＲ１−Ｑ−ＣＲ２＝ＣＨ２  ・・・（１）
（ただし、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表し、Ｑは２価の有機基であって、かつ前記酸発生化合物（Ｂ）より発生する酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基、酸性基又は該ブロック化酸性基に変換しうる他のブロック化酸性基を有する有機基を表す。）
ＣＨ２＝ＣＲ３−ＣＯ２Ｒ４  ・・・（２）
（ただし、Ｒ３は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表し、Ｒ４は水素原子、炭化水素基、酸性基を有する有機基、酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基を有する有機基、該ブロック化酸性基に変換しうる他のブロック化酸性基を有する有機基を表す。）
【０００６】
【発明の実施の形態】
式（１）で表される含フッ素ジエン（以下、含フッ素ジエン（１）ともいう。）及び式（２）で表されるアクリル系単量体（以下、アクリル系単量体（２）ともいう。）の共重合により、含フッ素ジエン（１）に由来する以下の（ａ）〜（ｃ）の繰り返し単位を有する環化共重合体が生成すると考えられ、分光学的分析の結果等より該環化共重合体は、繰り返し単位（ａ）、繰り返し単位（ｂ）又はその両者を主たる繰り返し単位として含む構造を有する重合体と考えられる。なお、この環化共重合体の主鎖とは重合性不飽和結合を構成する炭素原子（含フッ素ジエン（１）の場合は重合性不飽和二重結合を構成する４個の炭素原子）から構成される炭素連鎖をいう。
【０００７】
【化１】
0004010160.tif 000002
【０００８】
本発明における含フッ素ポリマー（Ａ）は、酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基（以下、単にブロック化酸性基という。）を有する。含フッ素ジエン（１）及び／又はアクリル系単量体（２）がブロック化酸性基を有する場合はその共重合により含フッ素ポリマー（Ａ）が得られ、含フッ素ジエン（１）及びアクリル系単量体（２）がブロック化酸性基を有しない場合は、含フッ素ジエン（１）とアクリル系単量体（２）との共重合体中に存在する、酸性基以外の該ブロック化酸性基に変換しうる基（以下、前駆体基ともいう。）又は酸性基を、ブロック化酸性基に変換することにより、含フッ素ポリマー（Ａ）が得られる。酸性基はブロック化剤と反応させてブロック化酸性基に変換しうる。前駆体基は、目的ブロック化酸性基以外のブロック化酸性基（酸発生化合物（Ｂ）から発生する酸では脱ブロック化が容易でないものなど）である。ブロック部分を直接変換することにより、又は酸性基を経由して目的とするブロック化酸性基に変換しうる。
【０００９】
本発明における含フッ素ポリマー（Ａ）は、さらに酸性基を有していることが、レジスト材料の溶解性を制御できることから好ましい。含フッ素ポリマー（Ａ）のブロック化率（ブロック化酸性基とブロック化されていない酸性基の合計に対するブロック化酸性基の割合）は１０〜９９モル％が好ましく、特に１０〜９０モル％が好ましい。
【００１０】
式（１）において、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。Ｒ１としてはフッ素原子又はトリフルオロメチル基が好ましい。Ｒ２としては水素原子又はメチル基が好ましい。Ｑは２価の有機基であって、かつブロック化酸性基、酸性基又は前駆体基を有する有機基を表す。
【００１１】
Ｑにおける両端の結合手間の最短距離は原子数で表して２〜６原子であることが好ましく、特に２〜４原子であることが好ましい（以下、この最短距離を構成する原子列を主幹部という。）。主幹部を構成する原子は炭素原子のみからなっていてもよく、炭素原子と他の２価以上の原子とからなっていてもよい。炭素原子以外の２価以上の原子としては、酸素原子、イオウ原子、１価の基で置換された窒素原子などがあり、特に酸素原子が好ましい。酸素原子等はＱの両末端のいずれか又は両方に存在していてもよく、Ｑ中の炭素原子間に存在していてもよい。
【００１２】
Ｑ中の主幹部には少なくとも１個の炭素原子が存在し、またＱ中の主幹部を構成する炭素原子にはブロック化酸性基、酸性基、前駆体基、又はブロック化酸性基、酸性基もしくは前駆体基を含む有機基が結合している。これら特定の基以外に主幹部を構成する炭素原子等には水素原子やハロゲン原子（特にフッ素原子が好ましい。）が結合し、またアルキル基、フルオロアルキル基、アルコキシ基、アリール基、その他の有機基が結合していてもよく、その有機基の炭素数は６以下が好ましい。
【００１３】
酸性基としては、酸性水酸基、カルボン酸基、スルホン酸基などがあり、特に酸性水酸基とカルボン酸基が好ましく、酸性水酸基が最も好ましい。酸性水酸基とは、酸性を示す水酸基であり、たとえばアリール基の環に直接結合した水酸基（フェノール性水酸基）、パーフルオロアルキル基（炭素数１〜２のパーフルオロアルキル基が好ましい。）が結合した炭素原子に結合した水酸基、第３級炭素原子に結合した水酸基などがある。特に１又は２個のパーフルオロアルキル基が結合した炭素原子に結合した水酸基が好ましい。パーフルオロアルキル基がトリフルオロメチル基の場合、たとえば、下記式（ｄ−１）で表される２価の基における水酸基（すなわち、ヒドロキシトリフルオロメチルメチレン基の水酸基）や下記式（ｄ−２）や下記式（ｄ−３）で表される１価の基における水酸基（すなわち、１−ヒドロキシ−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロエチル基や１−ヒドロキシ−１−メチル−２，２，２−トリフルオロエチル基の水酸基）が好ましい。
【００１４】
【化２】
0004010160.tif 000003
【００１５】
ブロック化酸性基は上記のような酸性基にブロック化剤を反応させて得られる。また、酸性基を有する分子内に該酸性基をブロック化できる部位があり、この部位と該酸性基との反応によってブロック化酸性基としてもよい。この場合、ブロック化酸性基は環状となる。ブロック化酸性基はレジスト組成物における光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物（Ｂ）より発生する酸で酸性基に変換されうる基である。酸性基がカルボン酸基やスルホン酸基の場合アルカノールなどのブロック化剤を反応させて酸性基の水素原子をアルキル基などに置換しブロック化酸性基とすることができる。
【００１６】
酸性基が酸性水酸基の場合、ブロック化酸性基は酸性水酸基の水素原子を、アルキル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環状エーテル基などにより置換して得られるブロック化酸性基が好ましい。水酸基の水素原子を置換するのに好ましいアルキル基としては、置換基（アリール基、アルコキシ基など）を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。これらのアルキル基の具体例としては、炭素数６以下のアルキル基（ｔｅｒｔ−ブチル基（ｔ−Ｃ４Ｈ９）など）、全炭素数７〜２０のアリール基置換アルキル基（ベンジル基、トリフェニルメチル基、ｐ−メトキシベンジル基、３，４−ジメトキシベンジル基など）、全炭素数８以下のアルコキシアルキル基（メトキシメチル基、（２−メトキシエトキシ）メチル基、ベンジルオキシメチル基など）が挙げられる。水酸基の水素原子を置換するのに好ましいアルコキシカルボニル基としては、全炭素数８以下のアルコキシカルボニル基があり、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基（−ＣＯＯ（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９））などが挙げられる。水酸基の水素原子を置換するのに好ましいアシル基としては、全炭素数８以下のアシル基があり、ピバロイル基、ベンゾイル基、アセチル基などが挙げられる。水酸基の水素原子を置換するのに好ましい環状エーテル基としてはテトラヒドロピラニル基（ＴＨＰ）などが挙げられる。
【００１７】
酸性水酸基をブロックするためには、アルコール類やカルボン酸又はこれらの活性誘導体などを反応させる。これらの活性誘導体としては、アルキルハライド、酸塩化物、酸無水物、クロル炭酸エステル類、ジアルキルジカーボネート（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジカーボネートなど）、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピランなどが挙げられる。水酸基をブロック化するのに有用な試薬の具体例は、A. J. Pearson及びW. R. Roush編、Handbook of Reagents for Organic Synthesis: Activating Agents and Protecting Groups, John Wiley & Sons (1999)に記載されている。
【００１８】
酸性基としては特に酸性水酸基が好ましく、ブロック化された酸性基としてはブロック化された酸性水酸基が好ましい。具体的なブロック化された酸性水酸基としては、Ｏ（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、ＯＣＨ２ＯＣＨ３、ＯＣＯ２（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、ＯＣＨ（ＣＨ３）ＯＣ２Ｈ５、２−テトラヒドロピラニルオキシ基が好ましい。
【００１９】
Ｑとしては下記式（３）で表される２価の有機基であることが好ましく、したがって含フッ素ジエン（１）としては下記式（９）で表される化合物が好ましい（Ｒ１、Ｒ２は前記に同じ）。
0004010160.tif 000004
ただし、Ｒ５、Ｒ６は、それぞれ独立に、単結合、酸素原子、エーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のアルキレン基又はエーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数３以下のフルオロアルキレン基、Ｒ７は水素原子、フッ素原子、炭素数３以下のアルキル基又は炭素数３以下のフルオロアルキル基、Ｒ８はブロック化酸性基、酸性基又はブロック化酸性基もしくは酸性基を有する１価有機基を表す。
【００２０】
Ｒ５、Ｒ６におけるアルキレン基としては（ＣＨ２）ｍが好ましく、フルオロアルキレン基としては（ＣＦ２）ｍが好ましい（ｍ、ｎはそれぞれ１〜３の整数）。Ｒ５とＲ６の組合せにおいては、両者ともこれらの基である（その場合、ｍ＋ｎは２又は３が好ましい。）か、一方がこれらの基で他方が単結合又は酸素原子であることが好ましい。Ｒ７におけるアルキル基としてはメチル基が、フルオロアルキル基としてはトリフルオロメチル基が好ましい。
【００２１】
１価有機基である場合のＲ８としては、炭素数８以下の有機基が好ましく、ブロック化酸性基又は酸性基を除く部分は炭化水素基又はフルオロ炭化水素基であることが好ましい。特にブロック化酸性基又は酸性基を有する、炭素数２〜６のアルキル基、炭素数２〜６のフルオロアルキル基、炭素数７〜９のフェニルアルキル基（ただし、ブロック化酸性基等はフェニル基に結合）が好ましい。具体的なＲ８としては、下記の基がある。（ただし、ｋは１〜６の整数、Ｘはブロック化酸性基又は酸性基、を表す。）
−（ＣＨ２）ｋ−Ｘ、−（ＣＨ２）ｋＣ（ＣＦ３）２−Ｘ、−（ＣＨ２）ｋＣ（ＣＨ３）２−Ｘ、−（ＣＨ２）ｋＣ（ＣＦ３）（ＣＨ３）−Ｘ、−（ＣＨ２）ｋＣＨ（ＣＨ３）−Ｘ、−（ＣＨ２）ｋＣ６Ｈ４−Ｘ。
【００２２】
好ましい含フッ素ジエン（１）は以下の化学式で表される化合物である。
ＣＦ２＝ＣＦ（ＣＦ２）ａＣ（Ｙ）（ＣＦ３）（ＣＨ２）ｂＣＨ＝ＣＨ２、ＣＦ２＝ＣＦ（ＣＦ２）ａＣ（Ｙ）（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｂＣＨ＝ＣＨ２、ＣＦ２＝ＣＦ（ＣＨ２）ａＣ（Ｙ）（ＣＦ３）（ＣＨ２）ｂＣＨ＝ＣＨ２、ＣＦ２＝ＣＦ（ＣＨ２）ａＣ（Ｙ）（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｂＣＨ＝ＣＨ２、ＣＦ２＝ＣＦ（ＣＦ２）ａＣ（Ｙ）（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｂＣ（ＣＨ３）＝ＣＨ２、ＣＦ２＝Ｃ（ＣＦ３）（ＣＦ２）ａＣ（Ｙ）（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｂＣＨ＝ＣＨ２、ＣＦ２＝ＣＦ（ＣＦ２）ａＣＨ（Ｚ）（ＣＨ２）ｂＣＨ＝ＣＨ２。
ただし、ＹはＸ１又はＲ10Ｘ１を、ＺはＲ10Ｘ１を表し、Ｘ１はＯＨ、Ｏ（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、ＯＣＨ２ＯＣＨ３、ＯＣＯ２（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、ＯＣＨ（ＣＨ３）ＯＣ２Ｈ５、２−テトラヒドロピラニルオキシ基を表し、Ｒ10は（ＣＨ２）ｐＣ（ＣＦ３）２、（ＣＨ２）ｐＣ（ＣＦ３）（ＣＨ３）、（ＣＨ２）ｐＣ６Ｈ４、を表す。ａ、ｂはそれぞれ独立に０〜３の整数（ただし、ａ＋ｂは１〜３）、ｐは１〜３の整数を表す。最も好ましいＸ１はＯ（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、ＯＣＨ２ＯＣＨ３、ＯＣＯ２（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、ＯＣＨ（ＣＨ３）ＯＣ２Ｈ５、２−テトラヒドロピラニルオキシ基であり、最も好ましいＲ10は（ＣＨ２）ｐＣ（ＣＦ３）２である。ａ、ｂはそれぞれ１であることが最も好ましい。
【００２３】
最も好ましい含フッ素ジエン（１）は下記式（４）及び式（５）で表される化合物である。
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＣＸ２（ＣＦ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２・・・（４）
ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２ＣＨ（−(ＣＨ２)ｐＣ（ＣＦ３）２Ｘ２）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２                                                        ・・・（５）
ただし、Ｘ２は水酸基、Ｏ（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、ＯＣＨ２ＯＣＨ３、ＯＣＯ２（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、ＯＣＨ（ＣＨ３）ＯＣ２Ｈ５又は２−テトラヒドロピラニルオキシ基、ｐは１〜３の整数を表す。
【００２４】
本発明におけるアクリル系単量体（２）は式（２）で表わされ、Ｒ３は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。また、アクリル系単量体（２）は、含フッ素ジエン（１）と同様、ブロック化酸性基、酸性基又は前駆体基を有する。Ｒ４が水素原子である場合の−ＣＯ２Ｒ４は酸性基の１種であり、Ｒ４が炭化水素基である場合の−ＣＯ２Ｒ４はブロック化酸性基の１種又は前駆体基の１種である。
【００２５】
Ｒ４が酸性基を有する有機基の場合、その酸性基としては、酸性水酸基、カルボン酸基（すなわち、−ＣＯ２Ｈ）、スルホン酸基などがあり、酸性水酸基とカルボン酸基が好ましく、酸性水酸基が最も好ましい。酸性水酸基としては、前記した含フッ素ジエン（１）におけるものと同様の酸性水酸基が好ましく、特に１又は２個のパーフルオロアルキル基が結合した炭素原子に結合した水酸基が好ましく、前記式（ｄ−２）で表される１価の基における水酸基が好ましい。
【００２６】
Ｒ４が炭化水素基である場合、その炭化水素基としては脂肪族炭化水素基、脂環族炭化水素基、芳香族炭化水素基などがあり、その炭素数は２０以下、特に８以下が好ましい。Ｒ４が炭化水素基である場合の−ＣＯ２Ｒ４をブロック化酸性基として用いる場合、酸により酸性基を発現しやすいものであることが好ましい。この場合のＲ４はアルキル基であることが好ましく、その炭素数は２〜８が好ましい。脱ブロック化が容易アルキル基としては、セカンダリーアルキル基やターシャリーアルキル基が好ましい。最も好ましい炭化水素基はｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９などの炭素数４〜７のターシャリーアルキル基や後述の式（ｅ−１）や式（ｅ−２）で表される環状のターシャリーアルキル基である。ただし、式（ｅ−１）及び式（ｅ−２）中のＲ１６は炭素数１〜４のアルキル基を表し、特にメチル基であることが好ましい。
【００２７】
Ｒ４が水素原子又は炭化水素基の場合、最も好ましいアクリル系単量体は下記式（６）で表される。ただし、Ｒ３は前記のものを、Ｒ９は水素原子又はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。
【００２８】
ＣＨ２＝ＣＲ３ＣＯ２Ｒ９      ・・・（６）
Ｒ４がブロック化酸性基を有する有機基の場合、ブロック化前の酸性基としては上記のような酸性基があり、特に酸性水酸基が好ましい。ブロック化酸性基としては、前記した含フッ素ジエン（１）におけるものと同様のブロック化酸性基が好ましく、特に前記した含フッ素ジエン（１）におけるものと同様のブロック化酸性水酸基が好ましい。具体的には、例えば、−Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＨにおける水酸基の水素原子が、ｔｅｒｔ−ブチル基、−ＣＨ２ＯＣＨ３、−ＣＯＯ（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、−ＣＨ（ＣＨ３）ＯＣ２Ｈ５、２−テトラヒドロピラニル基などに置換されてなるブロック化酸性水酸基が好ましい。
【００２９】
Ｒ４が前駆体基を有する有機基の場合、前駆体基は、前記した含フッ素ジエン（１）におけるものと同様の前駆体基であり、前記のような酸発生化合物（Ｂ）から発生する酸では脱ブロック化が容易でないブロック化酸基である。ブロック化剤の変換により酸発生化合物（Ｂ）から発生する酸で脱ブロック化が容易なブロック化酸性基とすることができる。
【００３０】
ブロック化酸性基、酸性基又は前駆体基を有する有機基は１価の有機基であり、ブロック化酸性基、酸性基又は前駆体基を除いた部分は２価の有機基であり（ブロック化酸性基等を１個有する場合）、炭化水素基、ハロゲン化炭化水素基（特にフッ素化炭化水素基）、又は、炭素原子間に酸素原子、硫黄原子１価の基で置換された窒素原子を有する炭化水素基やハロゲン化炭化水素基（特にフッ素化炭化水素基）が好ましい。この２価の有機基の炭素数は２０以下、特に１６以下、が好ましい。炭化水素基としては脂肪族炭化水素基（アルキレン基等）、脂環族炭化水素基（シクロアルキレン基等）、芳香族炭化水素基（フェニレン基等）、末端、炭素原子間又は側鎖に脂環族炭化水素基や芳香族炭化水素基を有する脂肪族炭化水素基が好ましい。ハロゲン化炭化水素基としては、これら炭化水素基の水素原子の一部がフッ素原子に置換されたハロゲン化炭化水素基が好ましい。
【００３１】
ブロック化酸性基、酸性基又は前駆体基を有する有機基としては、下記式（９）で表される１価の有機基が好ましい。
0004010160.tif 000005
ただし、Ｒ１１は炭素数６以下のアルキレン基、シクロヘキシレン基又はフェニレン基、Ｒ１２〜Ｒ１５は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数４以下のアルキル基又は炭素数４以下のハロゲン化アルキル基、Ｘ４はブロック化酸性基、酸性基又は前駆体基を表す。Ｒ１２とＲ１３の少なくとも一方、及びＲ１４とＲ１５の少なくとも一方は炭素数１又は２のパーフルオロアルキル基が好ましい。
【００３２】
特に好ましい式（９）で表される有機基は、下記式（ｅ−３）及び（ｅ−４）で表される酸性水酸基を有する有機基、及びその酸性水酸基がブロック化されたブロック化酸性水酸基を有する有機基である。
【００３３】
【化３】
0004010160.tif 000006
【００３４】
Ｒ４がブロック化酸性基、酸性基又は前駆体基を有する有機基であるアクリル系単量体（２）は、ブロック化酸性基、酸性基又は前駆体基を有するモノオールとＣＨ２＝ＣＲ３ＣＯＯＨをエステル化で結合することにより得られる。酸性基が酸性水酸基である場合、このモノオールは酸性水酸基を２以上有するポリオール（特にジオール）であることが好ましい。このポリオール１分子とこのモノオール１分子をエステル化で結合することによりアクリル系単量体（２）が得られる。
【００３５】
Ｒ４がブロック化酸性基、酸性基又は前駆体基を有する有機基であるアクリル系単量体（２）としては、下記式（７）又は式（８）で表される化合物が好ましい。
【００３６】
0004010160.tif 000007
ただし、Ｒ３は前記のものを、Ｘ３は水素原子、ｔｅｒｔ−ブチル基、−ＣＨ２ＯＣＨ３、−ＣＯ２（ｔｅｒｔ−Ｃ４Ｈ９）、−ＣＨ（ＣＨ３）ＯＣ２Ｈ５又は２−テトラヒドロピラニル基、Ｐｈはフェニレン基、Ｒｙはシクロヘキシレン基を表す。
【００３７】
また、含フッ素ポリマー（Ａ）は、その特性を損なわない範囲で他のラジカル重合性単量体（以下、他の単量体と記す。）に由来する繰り返し単位を含んでもよい。他の単量体に由来する繰り返し単位の割合は全繰り返し単位に対して３０モル％以下が好ましく、特に１５モル％以下が好ましい。
【００３８】
例示しうる他の単量体として、エチレン、プロピレン、イソブチレン等のα−オレフィン類、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、パーフルオロプロピルビニルエーテル等の含フッ素オレフィン、パーフルオロ（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソールなどの含フッ素環状単量体、パーフルオロ（ブテニルビニルエーテル）などの環化重合しうるパーフルオロジエン、酢酸ビニル、ピバリン酸ビニル、安息香酸ビニル、アダマンチル酸ビニル等のビニルエステル類、エチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル等のビニルエーテル類、シクロヘキセン、ノルボルネン、ノルボルナジエン等の環状オレフィン類等、クロトン酸メチル等のクロトン酸エステル類、けい皮酸メチル等のけい皮酸エステル類、無水マレイン酸、塩化ビニル、スチレンなどに由来する単量体が挙げられる。
【００３９】
含フッ素ジエン（１）及びアクリル系単量体（２）、及び場合によりさらに後述の他の単量体を重合することにより、含フッ素ポリマーが得られる。含フッ素ジエン（１）及びアクリル系単量体（２）がいずれもブロック化酸性基を有しない場合、得られた含フッ素ポリマー中の酸性基又は前駆体基の一部又は全部をブロック化酸性基に変換して含フッ素ポリマー中にブロック化酸性基を形成して、ブロック化酸性基を有する含フッ素ポリマー（Ａ）を得る。含フッ素ジエン（１）及びアクリル系単量体（２）がいずれか少なくとも一方がブロック化酸性基を有する場合は、重合によりブロック化酸性基を有する含フッ素ポリマー（Ａ）が得られる。この含フッ素ポリマー（Ａ）がさらに酸性基や前駆体基を有する場合は、必要により酸性基や前駆体基の一部又は全部をブロック化酸性基に変換してもよい。
【００４０】
また、含フッ素ポリマー（Ａ）はブロック化酸性基以外に酸性基や前駆体基を有していてもよく、特に酸性基を有することが好ましい。ブロック化されていない酸性基を有することで、現像液に対する溶解性を制御でき、解像度を向上することができる。
【００４１】
ブロック化酸性基と酸性基を有する含フッ素ポリマー（Ａ）はブロック化酸性基を有する含フッ素ジエン（１）又はアクリル系単量体（２）と酸性基を有する含フッ素ジエン（１）又はアクリル系単量体（２）とを共重合することにより得られる。例えば、酸性基を有する含フッ素ジエン（１）とブロック化酸性基を有するアクリル系単量体（２）を共重合することにより、ブロック化酸性基を有する含フッ素ジエン（１）と酸性基を有するアクリル系単量体（２）を共重合することにより、又は、ブロック化酸性基を有する含フッ素ジエン（１）、酸性基を有する含フッ素ジエン（１）及びブロック化酸性基を有するアクリル系単量体（２）を共重合することにより得られる。さらに、例えば、酸性基を有する含フッ素ジエン（１）と酸性基を有するアクリル系単量体（２）とを共重合した後、共重合体の酸性基の一部をブロック化酸性基に変換して、ブロック化酸性基と酸性基を有する含フッ素ポリマー（Ａ）を製造することもできる。
【００４２】
含フッ素ポリマー（Ａ）において、含フッ素ポリマー（Ａ）の全繰り返し単位に対するブロック化酸性基を有する繰り返し単位の割合は１０〜１００モル％が好ましく、特に１０〜９０モル％が好ましい。含フッ素ポリマー（Ａ）がブロック化酸性基と酸性基を有する場合、含フッ素ポリマー（Ａ）の全繰り返し単位に対するブロック化酸性基を有する繰り返し単位の割合は１０〜９９モル％（特に１０〜９０モル％）が好ましく、酸性基を有する繰り返し単位の割合は１〜９０モル％（特に１０〜９０モル％）が好ましく、両者の合計は３０〜１００モル％が好ましい。
【００４３】
含フッ素ポリマー（Ａ）中の、含フッ素ジエン（１）が環化重合した繰り返し単位（以下、単位（１）という。）とアクリル系単量体（２）が重合した繰り返し単位（以下、単位（２）という。）の組成比（単位（１）：単位（２））は、モル比で９５：５から５０：５０であることが好ましい。単位（１）が両単位の合計に対し９５モル％以下であることにより現像性が向上し、５０モル％以上であることにより特に短波長の紫外線（波長２５０ｎｍ以下のエキシマレーザー光）の透過性が大きいポリマーとなり、充分な解像性が得られる。
【００４４】
本発明における含フッ素ポリマー（Ａ）の分子量は、後述する有機溶媒に均一に溶解し、基材に均一に塗布できる限り特に限定されないが、通常そのポリスチレン換算数平均分子量は１０００〜１０万が適当であり、好ましくは２０００〜２万である。数平均分子量を１０００以上とすることで、より良好なレジストパターンが得られ、現像後の残膜率が充分であり、パターン熱処理時の形状安定性もより良好となる。また数平均分子量を１０万以下とすることで、組成物の塗布性がより良好であり、また充分な現像性を保つことができる。
【００４５】
含フッ素ジエン（１）、アクリル系単量体（２）及び任意に他の単量体を重合開始源の下で共重合させることにより含フッ素ポリマー（Ａ）が得られる。重合開始源としては、重合反応をラジカル的に進行させるものであればなんら限定されないが、例えばラジカル発生剤、光、電離放射線などが挙げられる。特にラジカル発生剤が好ましく、過酸化物、アゾ化合物、過硫酸塩などが例示される。
【００４６】
重合の方法もまた特に限定されるものではなく、単量体をそのまま重合に供するいわゆるバルク重合、単量体を溶解するフッ化炭化水素、塩化炭化水素、フッ化塩化炭化水素、アルコール、炭化水素、その他の有機溶剤中で行う溶液重合、水性媒体中で適当な有機溶剤存在下あるいは非存在下に行う懸濁重合、水性媒体に乳化剤を添加して行う乳化重合などが例示される。
【００４７】
本発明における光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物（Ｂ）は露光により酸を発生する。この酸によって、含フッ素ポリマー（Ａ）中に存在するブロック化酸性基が開裂（脱ブロック化）される。その結果レジスト膜の露光部がアルカリ性現像液に易溶性となり、アルカリ性現像液によってポジ型のレジストパターンが形成される。このような光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物（Ｂ）としては、通常の化学増幅型レジスト材に使用されている酸発生化合物が採用可能であり、オニウム塩、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等を挙げることができる。これらの酸発生化合物（Ｂ）の例としては、下記のものを挙げることができる。
【００４８】
オニウム塩としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。好ましいオニウム塩の具体例としては、ジフェニルヨードニウムトリフレート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、１−（ナフチルアセトメチル）チオラニウムトリフレート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフレート、ジシクロヘキシル（２−オキソシクロヘキシル）スルホニウムトリフレート、ジメチル（４−ヒドロキシナフチル）スルホニウムトシレート、ジメチル（４−ヒドロキシナフチル）スルホニウムドデシルベンゼンスルホネート、ジメチル（４−ヒドロキシナフチル）スルホニウムナフタレンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、（４−ヒドロキシフェニル）ベンジルメチルスルホニウムトルエンスルホネート等を挙げられる。
【００４９】
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等を挙げることができる。具体例としては、フェニル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、メトキシフェニル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、ナフチル−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等の（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン誘導体や、１，１−ビス（４−クロロフェニル）−２，２，２−トリクロロエタン等を挙げられる。
【００５０】
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物等を挙げることができる。具体例としては、４−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン等を挙げることができる。 スルホン酸化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、アルキルスルホン酸イミド、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。具体例としては、ベンゾイントシレート、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフレート等を挙げることができる。本発明において、酸発生化合物（Ｂ）は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
【００５１】
本発明における有機溶媒（Ｃ）は（Ａ）、（Ｂ）両成分を溶解するものであれば特に限定されるものではない。メチルアルコール、エチルアルコール等のアルコール類、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、カルビトールアセテート等のグリコールモノアルキルエーテルエステル類などが挙げられる。
【００５２】
本発明のレジスト組成物における各成分の割合は、通常含フッ素ポリマー（Ａ）１００質量部に対し酸発生化合物（Ｂ）０．１〜２０質量部及び有機溶媒（Ｃ）５０〜２０００質量部が適当である。好ましくは、含フッ素ポリマー（Ａ）１００質量部に対し酸発生化合物（Ｂ）０．１〜１０質量部及び有機溶媒（Ｃ）１００〜１０００質量部である。
【００５３】
酸発生化合物（Ｂ）の使用量を０．１質量部以上とすることで、充分な感度及び現像性を与えることができ、また１０質量部以下とすることで、放射線に対する透明性が充分に保たれ、より正確なレジストパターンを得ることができる。
【００５４】
本発明のレジスト組成物にはパターンコントラスト向上のための酸開裂性添加剤、塗布性の改善のために界面活性剤、酸発生パターンの調整のために含窒素塩基性化合物、基材との密着性を向上させるために接着助剤、組成物の保存性を高めるために保存安定剤等を目的に応じ適宜配合できる。また本発明のレジスト組成物は、各成分を均一に混合した後０．１〜２μｍのフィルターによってろ過して用いることが好ましい。
【００５５】
本発明のレジスト組成物をシリコーンウエハなどの基板上に塗布乾燥することによりレジスト膜が形成される。塗布方法には回転塗布、流し塗布、ロール塗布等が採用される。形成されたレジスト膜上にパターンが描かれたマスクを介して光照射が行われ、その後現像処理がなされパターンが形成される。
【００５６】
照射される光としては、波長４３６ｎｍのｇ線、波長３６５ｎｍのｉ線等の紫外線、波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザー、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長１５７ｎｍのＦ２エキシマレーザー等の遠紫外線や真空紫外線が挙げられる。本発明のレジスト組成物は、波長２５０ｎｍ以下の紫外線、特に波長２００ｎｍ以下の紫外線（ＡｒＦエキシマレーザー光やＦ２エキシマレーザー光）が光源として使用される用途に有用なレジスト組成物である。
【００５７】
現像処理液としては、各種アルカリ水溶液が適用される。アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、トリエチルアミン等が例示可能である。
【００５８】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例にのみに限定されるものではない。なお、ＴＨＦはテトラヒドロフラン、ＰＴＦＥはポリテトラフルオロエチレンをいう。
【００５９】
［含フッ素ジエン（１）の合成例］
（合成例１）
２Ｌのガラス製反応反応器にＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（Ｏ）ＣＦ３の１０８ｇと脱水ＴＨＦ５００ｍｌを入れ、０℃に冷却した。そこに窒素雰囲気下で ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＭｇＣｌの２ＭのＴＨＦ溶液２００ｍｌをさらに２００ｍｌの脱水ＴＨＦで希釈したものを約５．５時間かけて滴下した。滴下終了後０℃で３０分、室温で１７時間攪拌した後、２Ｎ塩酸２００ｍｌを滴下した。水２００ｍｌとジエチルエーテル３００ｍｌを加え分液し、ジエチルエーテル層を有機層として得た。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、ろ過し粗液を得た。粗液をエバポレーターで濃縮し、次いで減圧蒸留して、８５ｇのＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２(６０〜６６℃／０．７ｋＰａ)を得た。
【００６０】
次いで５００ｍｌのガラス製反応器に亜鉛の８１ｇとジオキサンの１７０ｍｌを入れ、ヨウ素で亜鉛の活性化をおこなった。その後１００℃に加熱し、上記で合成したＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２の８４ｇをジオキサン５０ｍｌに希釈したものを１．５時間かけて滴下した。滴下終了後、１００℃で４０時間攪拌した。反応液をろ過し、少量のジオキサンで洗浄した。ろ液を減圧蒸留し、３０ｇのＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２(３６〜３７℃／１ｋＰａ)を得た。以下に、１Ｈ ＮＭＲ及び１９Ｆ ＮＭＲのデータを示す。
【００６１】
1Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン)δ（ｐｐｍ）:２．７４（ｄ，Ｊ＝７．３，２Ｈ），３．５４（ｂｏａｄ  ｓ，１Ｈ），５．３４（ｍ，２Ｈ），５．８６（ｍ，１Ｈ）。
19Ｆ ＮＭＲ（３７６．２ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）:−７５．７（ｍ，３Ｆ），−９２．２（ｍ，１Ｆ），−１０６．５７（ｍ，１Ｆ），−１１２．６（ｍ，２Ｆ），  −１８３．５（ｍ，１Ｆ）。
【００６２】
（合成例２）
１０Ｌのガラス製反応器にＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（Ｏ）ＣＦ３の７５８ｇと脱水ＴＨＦの４．５Ｌを入れ、０℃に冷却した。そこに窒素雰囲気下でＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＭｇＣｌの２ＭのＴＨＦ溶液１．４Ｌを約１０．５時間かけて滴下した。滴下終了後０℃で３０分、室温で１２時間攪拌した後、クロロメチルメチルエーテルの３５０ｇを滴下し、さらに室温で９２時間攪拌した。水１．５Ｌを添加、分液し、有機層をエバポレーターで濃縮し得られた粗液を１．５Ｌの水で２回水洗した。次いで減圧蒸留して、６７７ｇのＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２（５３〜５５℃／０．１７ｋＰａ）を得た。
【００６３】
次いで３Ｌのガラス製反応器に亜鉛の５７７ｇとジオキサンの１．３Ｌを入れ、ヨウ素で亜鉛の活性化をおこなった。その後１００℃に加熱し、上記で合成したＣＦ２ＣｌＣＦＣｌＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２の６７７ｇを２時間かけて滴下した。滴下終了後、１００℃で４７時間攪拌した。反応液をろ過し、少量のジオキサンで洗浄した。ろ液に水２．５Ｌとエーテル１．５Ｌを加えて分液した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、ろ過して粗液を得た。粗液をエバポレーターで濃縮し、次いで減圧蒸留し、１７７ｇのＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２（４３〜４５℃／０．６ｋＰａ）を得た。以下に、１Ｈ ＮＭＲ及び１９Ｆ ＮＭＲのデータを示す。
【００６４】
１Ｈ ＮＭＲ（３９９．８ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：テトラメチルシラン）δ（ｐｐｍ）：３．１６（ｂｒｏａｄ，２Ｈ），３．４４（ｓ，３Ｈ），４．９５（ｍ，２Ｈ），５．２２（ｍ，２Ｈ），５．９２（ｍ，１Ｈ）。
１９Ｆ ＮＭＲ（３７６．２ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ３、基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−７２．５（ｍ，３Ｆ），−９２．９（ｍ，１Ｆ），−１０６．８（ｍ，１Ｆ），−１０９．７（ｍ，２Ｆ），−１８３．０（ｍ，１Ｆ）。
【００６５】
［アクリル単量体（７）の合成例］
（合成例３）
３００ｍｌナスフラスコに１、４−ビス（１−ヒドロキシ−１−トリフルオロメチル−２，２，２−トリフルオロエチル）ベンゼンの２５ｇをメタノールの１００ｍｌに溶かした溶液及び水酸化ナトリウムの２.４４ｇをメタノールの４５ｍｌに溶かした溶液を加えた。マグネチックスタラーにて一晩よく攪拌した後、減圧下で溶媒を留去した。次にＴＨＦの２５ｍｌを加え、更にアクリロイルクロリドの５．５２ｇをＴＨＦの５０ｍｌに溶かした溶液を滴下した。室温にて数日攪拌した後、水１００ｍｌを加えた。この水層をジエチルエーテルにて抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥し、濾紙にてろ過後溶媒を留去した。得られた粗生成物をカラムクロマトグラフィー及び再結晶にて精製し１０ｇのＣＨ２＝Ｃ（Ｈ）ＣＯ２Ｃ（ＣＦ３）２−Ｐｈ−Ｃ（ＣＦ３）２−ＯＨを得た。なお、本反応は、Polym.Prepr. (Am.Chem.Soc., Div.Polym.Chem.) Vol.30,No.2,1989の213ページの文献に基づいて実施した。
また、上記で得られたアクリル単量体にクロロメチルメチルエーテルを反応させて水酸基をメトキシメチルオキシ基に変換した。
【００６６】
［アクリル単量体（８）の合成例］
（合成例４）
J.Photopolym.Sci.Technol., Vol.14,No.4,2001の613ページの文献に基づいてＣＨ２＝ＣＨＣＯ２Ｃ（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ１０Ｃ（ＣＦ３）２ＯＨを合成した。ただし、Ｃ６Ｈ１０は、１，４−シクロヘキシレン基を表す。
【００６７】
（合成例５）
J.Photopolym.Sci.Technol., Vol.14,No.4,2001の613ページの文献に基づいてＣＨ２＝ＣＨＣＯ２Ｃ（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ１０Ｃ（ＣＦ３）２ＯＣＨ２ＯＣＨ３を合成した。ただし、Ｃ６Ｈ１０は、１，４−シクロヘキシレン基を表す。
【００６８】
［含フッ素ポリマー（Ａ）の合成例］
（合成例６）
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の４.５ｇ、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の１.７２ｇ、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートの０.１６６ｇ、１,４−ジオキサンの０.６９ｇ及び酢酸メチルの１６.５８ｇを、内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．０９５ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状繰り返し単位及びｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなる繰り返し単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、重合体１Ａという）の５.４ｇを得た。重合体１Ａの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は１００００、重量平均分子量（Ｍｗ）は３１０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは３.１０であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移温度は１５０℃であった。
【００６９】
１９Ｆ ＮＭＲ及び１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなる繰り返し単位＝７１.５／２３.５／５モル％であった。
【００７０】
（合成例７）
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の４.５ｇ、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の１.９４ｇ、ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートの０.０６６ｇ、１,４−ジオキサンの０.６９ｇ及び酢酸メチルの１６.９０ｇを、内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．０９６ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状繰り返し単位及びｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなる繰り返し単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、重合体２Ａという）の５.６ｇを得た。重合体２Ａの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は１１,１００、重量平均分子量（Ｍｗ）は３２,１００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２.８９であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１５０℃であった。
【００７１】
１９Ｆ ＮＭＲ及び１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなる繰り返し単位＝７１.５／２６.５／２モル％であった。
【００７２】
（合成例８）
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の５.０ｇ、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の０.８２ｇ及びｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートの０.５３ｇ、１,４−ジオキサンの０.７８ｇ及び酢酸メチルの１６.５２ｇを内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．１８８ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状繰り返し単位及びｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなる繰り返し単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、重合体３Ａという）の５.２ｇを得た。重合体３Ａの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は６,７００、重量平均分子量（Ｍｗ）は１６,６００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２.４７であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１５４℃であった。
【００７３】
１９Ｆ ＮＭＲ及び１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなる繰り返し単位＝７３／１０／１７モル％であった。
【００７４】
（合成例９）
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の４.３ｇ及びｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートの１.６４ｇ、１,４−ジオキサンの０.６６ｇ及び酢酸メチルの１５.４ｇを内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．１７６ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状繰り返し単位構造及びｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなる繰り返し単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、重合体４Ａという）の４.１ｇを得た。重合体４Ａの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は５,８００、重量平均分子量（Ｍｗ）は１１,８００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２.０３であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１５９℃であった。
【００７５】
１９Ｆ ＮＭＲ及び１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなる繰り返し単位＝５０／５０モル％であった。
【００７６】
（合成例１０）
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の３.７ｇ及びｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートの１.９５ｇと１,４−ジオキサンの０.５７ｇ及び酢酸メチルの１４.７ｇを内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．１６７ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状繰り返し単位構造及びｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなる繰り返し単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、重合体５Ａという）３.１ｇを得た。重合体５Ａの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は４,８００、重量平均分子量（Ｍｗ）は１０,２００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２.１３であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１６１℃であった。
【００７７】
１９Ｆ ＮＭＲ及び１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／ｔｅｒｔ−ブチルメタクリレートからなる繰り返し単位＝４０／６０モル％であった。
【００７８】
（合成例１１）
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の５.０ｇ、２−エチル−２−アダマンチルメタクリレートの１.４５ｇ、１,４−ジオキサンの０.７７ｇ及び酢酸メチルの１４.９９ｇを内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．１９１ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状繰り返し単位構造及び２−エチル−２−アダマンチルメタクリレートからなる繰り返し単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、重合体６Ａという）の３.０ｇを得た。重合体６Ａの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は４,０００、重量平均分子量（Ｍｗ）は７,６００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１.９０であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１８３℃であった。
【００７９】
１９Ｆ ＮＭＲ及び１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／２−エチル−２−アダマンチルメタクリレートからなる繰り返し単位＝７０／３０モル％であった。
【００８０】
（合成例１２）
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の３.０ｇ、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の１.７４ｇ及び合成例３で合成したモノマーの０.８６ｇ、１,４−ジオキサンの０.４６ｇ及び酢酸メチルの１４.６８ｇを内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．１６６ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状繰り返し単位及び合成例３のモノマーからなる繰り返し単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、重合体７Ａという）の４.５ｇを得た。重合体７Ａの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は９,２００、重量平均分子量（Ｍｗ）は２６,０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２.８３であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１６０℃でであった。
【００８１】
１９Ｆ ＮＭＲ及び１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／合成例３のモノマーからなる繰り返し単位＝６０／２９／１１モル％であった。
【００８２】
（合成例１３）
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の３.０ｇ、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の１.７４ｇ及び合成例４で合成したモノマーの０.８７ｇ、１,４−ジオキサンの０.４６ｇ及び酢酸メチルの１４.７１ｇを内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．１６６ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状繰り返し単位及び合成例４のモノマーからなる繰り返し単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、重合体８Ａという）の４.６ｇを得た。重合体８Ａの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は９,４００、重量平均分子量（Ｍｗ）は２５,８００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２.７   ４であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１５８℃であった。
【００８３】
１９Ｆ ＮＭＲ及び１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／合成例４のモノマーからなる繰り返し単位＝６０／２８／１２モル％であった。
【００８４】
（合成例１４）
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の３.５ｇ、合成例５で合成したモノマーの２.１０ｇ、１,４−ジオキサンの０.５４ｇ及び酢酸メチルの１４.６０ｇを内容積３０ｍＬのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシドの０．１６６ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で１８時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、ポリマーを再沈させた後、１５０℃で１５時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環状か繰り返し単位及び合成例５のモノマーからなる繰り返し単位を有する白色粉末状の非結晶性ポリマー（以下、重合体９Ａという）の４.２ｇを得た。重合体９Ａの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は７,４００、重量平均分子量（Ｍｗ）は１９,８００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２.６８であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１６７℃であった。
【００８５】
１９Ｆ ＮＭＲ及び１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエンからなる繰り返し単位／合成例５のモノマーからなる繰り返し単位＝６９／３１モル％であった。
【００８６】
（合成例１５）
１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の５ｇ、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエン［ＣＦ２＝ＣＦＣＦ２Ｃ（ＣＦ３）（ＯＣＨ２ＯＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２］の５．７ｇ及び酢酸メチルの２３ｇを内容積５０ＣＣのガラス製耐圧反応器に仕込んだ。次に、重合開始剤としてパーフルオロベンゾイルパーオキシド０．２４ｇを添加した。系内を凍結脱気した後、恒温振とう槽内（７０℃）で６時間重合させた。重合後、反応溶液をヘキサン中に滴下して、重合体を再沈させた後、１５０℃で１２時間真空乾燥を実施した。その結果、主鎖に含フッ素環構造を有する非結晶性重合体（以下重合体１０Ａという。）８．５ｇを得た。重合体１０Ａの分子量をＧＰＣ（ＴＨＦ溶媒）にて測定したところ、ポリスチレン換算で、数平均分子量（Ｍｎ）は１２，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）は３４，８００であり、Ｍｗ／Ｍｎは２．９０であった。示差走査熱分析（ＤＳＣ）により測定したガラス転移点は１２９℃であった。
【００８７】
１９Ｆ ＮＭＲ及び１Ｈ ＮＭＲ測定により計算されたポリマー組成は、１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−ヒドロキシ−１，６−ヘプタジエン／１，１，２，３，３−ペンタフルオロ−４−トリフルオロメチル−４−メトキシメチルオキシ−１，６−ヘプタジエン＝５２／４８モル％であった。
【００８８】
（実施例１〜９）
合成例６〜１４で合成した重合体１Ａ〜９Ａのそれぞれ１ｇとトリメチルスルホニウムトリフレートの０．０５ｇとをプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの１０ｇに溶解させ、孔径０．２μｍのＰＴＦＥ製フィルターを用いてろ過し、レジスト組成物を製造した。
ヘキサメチルジシラザンで処理したシリコン基板上に、上記のレジスト組成物を回転塗布し、塗布後８０℃で２分間加熱処理して、膜厚０．３μｍのレジスト膜を形成した。窒素置換した露光実験装置内に、上記のレジスト膜を形成した基板を入れ、その上に石英板上にクロムでパターンを描いたマスクを密着させた。そのマスクを通じてＡｒＦエキシマレーザ光を照射し、その後１００℃で２分間露光後ベークを行った。現像はテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（２．３８質量％）を用いて、２３℃で３分間行い、続けて１分間純水で洗浄した。レジスト膜の光線透過率、現像試験結果及びエッチング耐性を表１に示す。
【００８９】
（比較例１）
実施例１〜９の重合体を１０Ａにする以外は、実施例１〜９と同様に操作した。レジスト膜の光線透過率、現像試験結果及びエッチング耐性を表１に示す。
【００９０】
【表１】
0004010160.tif 000008
【００９１】
エッチング耐性：アルゴン／オクタフルオロシクロブタン／酸素混合ガスプラズマによりエッチング速度を測定し、ノボラック樹脂を１としたとき１．０及びそれ未満であるものを◎、１．０以上で１．２未満のものを〇、１．２以上のものを×とした。
【００９２】
【発明の効果】
本発明のレジスト組成物は化学増幅型レジストとして用いることができ、特にＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線やＦ２エキシマレーザー等の真空紫外線に対する透明性、ドライエッチング性に優れ、さらに感度、解像度、平坦性、耐熱性等に優れたレジストパターンを容易に形成できる。