(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネル形成領域およびその周囲の非パネル形成領域を有する基板上に絶縁膜が設けられ、前記パネル形成領域および前記非パネル形成領域における前記絶縁膜下にＡｌ系金属からなる配線が設けられ、前記パネル形成領域における前記絶縁膜上にＩＴＯからなる画素電極が設けられたアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造に際し、
前記絶縁膜上にＩＴＯ膜を成膜し、
このＩＴＯ膜をウェットエッチングして、前記パネル形成領域における前記絶縁膜上に前記画素電極を形成し、前記絶縁膜に形成された開口部を介して露出されたＡｌ系金属からなる複数の接続パッドの各々の上面およびその近傍における前記絶縁膜上に前記ＩＴＯ膜を島状に残存させて上層接続パッドを形成するとともに、前記非パネル形成領域における前記絶縁膜上の全体に前記ＩＴＯ膜よりなる保護膜を形成し、その後前記非パネル形成領域に対応する部分を切断して除去することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記接続パッドはデータ信号ラインに接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記接続パッドは走査信号ラインに接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブマトリクス型液晶表示パネルを製造する場合、生産性の向上を図るために、液晶表示パネルのベースとなるガラス基板として、液晶表示パネル複数個分に対応する大きさのものを用意し、所定の工程までは複数個分を一括して製造し、その後各単体に分断して製造することがある。
【０００３】
図２はこのような従来例を説明するために示すもので、液晶表示パネル複数個分に対応する大きさのガラス基板上に画素電極等が形成された状態における等価回路的平面図を示したものである。液晶表示パネル複数個分に対応する大きさのガラス基板１は、最終的には一点鎖線で示すカットライン２に沿って切断されることにより、各単体に分断されるようになっている。この場合、カットライン２で囲まれた領域はパネル形成領域３となっており、その周囲は非パネル形成領域４となっている。また、パネル形成領域３のうち二点鎖線で囲まれた領域は表示領域５となっており、その周囲は非表示領域６となっている。
【０００４】
表示領域５には、マトリクス状に配置された複数の画素電極７と、これらの画素電極７にそれぞれ接続されたスイッチング素子としての薄膜トランジスタ８と、行方向に延ばされ、薄膜トランジスタ８に走査信号を供給するための複数の走査信号ライン９と、列方向に延ばされ、薄膜トランジスタ８にデータ信号を供給するための複数のデータ信号ライン１０とが設けられている。非パネル形成領域４には静電気防止リング１１が格子状に設けられている。
【０００５】
走査信号ライン９の左端部は、非表示領域６の点線で示す半導体チップ搭載エリア１２内に設けられた出力側接続パッド１３に接続されている。出力側接続パッド１３は引き回し線１４を介して静電気防止リング１１に接続されている。データ信号ライン１０の上端部は、非表示領域６の点線で示す半導体チップ搭載エリア１５内に設けられた出力側接続パッド１６に接続されている。出力側接続パッド１６は引き回し線１７を介して静電気防止リング１１に接続されている。半導体チップ搭載エリア１２、１５内に設けられた入力側接続パッド１８、１９は、非表示領域６の所定の箇所に設けられた外部接続端子２０に引き回し線２１を介して接続されている。外部接続端子２０は引き回し線２２を介して静電気防止リング１１に接続されている。
【０００６】
次に、この液晶表示パネルの一部の具体的な構造について図３を参照して説明する。ガラス基板１の上面にはＡｌ（アルミニウム）やＡｌ合金等のＡｌ系金属からなる薄膜トランジスタ８のゲート電極Ｇが形成されている。この場合、図２に示す走査信号ライン９、出力側接続パッド１３、引き回し線１４、静電気防止リング１１は、ゲート電極Ｇと同一の材料によってゲート電極Ｇの形成と同時に形成される。
【０００７】
ゲート電極Ｇ等を含むガラス基板１の上面全体には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜３１が形成されている。ゲート絶縁膜３１の上面の所定の箇所でゲート電極Ｇに対応する部分には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜３２が形成されている。半導体薄膜３２の上面中央部には窒化シリコンからなるチャネル保護膜３３が形成されている。チャネル保護膜３３の上面両側およびその両側における半導体薄膜３２の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層３４、３５が形成されている。オーミックコンタクト層３４、３５の上面にはＣｒ（クロム）からなるドレイン電極Ｄおよびソース電極Ｓが形成されている。
【０００８】
ドレイン電極Ｄの上面およびゲート絶縁膜３１の上面の所定の箇所にはＡｌ系金属からなるデータ信号ライン１０が形成されている。この場合、図２に示す出力側接続パッド１６、引き回し線１７、入力側接続パッド１８、１９、引き回し線２１、外部接続端子２０、引き回し線２２は、データ信号ライン１０と同一の材料によってデータ信号ライン１０の形成と同時に形成される。また、引き回し線１７、２２の各一端部は、ゲート絶縁膜３１に形成されたコンタクトホール（図示せず）を介して静電気防止リング１１に接続される。
【０００９】
データ信号ライン１０等を含むゲート絶縁膜３１の上面全体には窒化シリコンからなるオーバーコート膜（絶縁膜）３６が形成されている。オーバーコート膜３６の上面の所定の箇所にはＩＴＯ（インジウム−錫酸化物）からなる画素電極７がオーバーコート膜３６の所定の箇所に形成されたコンタクトホール３７を介してソース電極Ｓに接続されて形成されている。なお、図２に示す出力側接続パッド１３、１６、入力側接続パッド１８、１９、外部接続端子２０は、オーバーコート膜３６に形成された開口部（図示せず）を介して露出されている。そして、上記のような断面構造を有する液晶表示パネルでは、画素電極７を構成するＩＴＯが薄膜トランジスタ８のトップ側に位置しているため、ＴＯＰ−ＩＴＯ構造といわれることがある。
【００１０】
ここで、静電気防止リング１１の役目について説明する。カットライン２に沿って切断する前の状態において、例えば配向膜をラビング処理するときに静電気が発生した場合には、パネル形成領域３内のすべての配線が非パネル形成領域４の静電気防止リング１１に接続されているので、静電気防止リング１１を接地しておくと、発生した静電気を速やかに除去することができる。そして、カットライン２に沿って切断すると、引き回し線１４、１７、２２が切断され、パネル形成領域３内のすべての配線が静電気防止リング１１から分断される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、従来のこのような液晶表示パネルでは、窒化シリコンからなるオーバーコート膜３６をプラズマＣＶＤにより成膜しているが、プラズマＣＶＤ装置内における成膜条件は、中央部と周辺部とでは相違するため、周辺部側に位置する非パネル形成領域４に形成されるオーバーコート膜３６にピンホール等の欠陥部が発生することがある。このような場合には、画素電極７を形成する際のＩＴＯのエッチング液がオーバーコート膜３６の当該欠陥部に染み込んでＡｌ系金属からなる引き回し線１７、２２と接触すると、Ａｌ−ＩＴＯ電池反応により、引き回し線１７、２２、およおび出力側接続パッド１３、１６、入力側接続パッド１８、１９、外部接続端子２０等が溶解して断線または浸食されて不良となることがある。
この発明の課題は、非パネル形成領域におけるオーバーコート膜等の絶縁膜に欠陥部があっても、配線や端子部に断線が生じないようにすることである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、パネル形成領域およびその周囲の非パネル形成領域を有する基板上に絶縁膜が設けられ、前記パネル形成領域および前記非パネル形成領域における前記絶縁膜下にＡｌ系金属からなる配線が設けられ、前記パネル形成領域における前記絶縁膜上にＩＴＯからなる画素電極が設けられたアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造に際し、前記絶縁膜上にＩＴＯ膜を成膜し、このＩＴＯ膜をウェットエッチングして、前記パネル形成領域における前記絶縁膜上に前記画素電極を形成し、前記絶縁膜に形成された開口部を介して露出されたＡｌ系金属からなる複数の接続パッドの各々の上面およびその近傍における前記絶縁膜上に前記ＩＴＯ膜を島状に残存させて上層接続パッドを形成するとともに、前記非パネル形成領域における前記絶縁膜上の全体に前記ＩＴＯ膜よりなる保護膜を形成し、その後前記非パネル形成領域に対応する部分を切断して除去するようにしたものである。この請求項１に記載の発明によれば、非パネル形成領域における絶縁膜上の全体にＩＴＯ膜からなる保護膜を形成しているので、非パネル形成領域における絶縁膜に欠陥部があっても、当該欠陥部下の配線に断線が生じないようにすることができる。この場合、非パネル形成領域における絶縁膜上の全体にＩＴＯ膜からなる保護膜を形成しても、その後非パネル形成領域に対応する部分を切断して除去しているので、別に問題はない。請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記接続パッドをデータ信号ラインに接続したものである。請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記接続パッドを走査信号ラインに接続したものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に、この発明の一実施形態におけるアクティブマトリクス型液晶表示パネルの製造方法について、図１を参照して説明する。この図において、図２および図３と同一部分には同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。この実施形態において液晶表示パネルを製造する場合、画素電極７を形成するためのＩＴＯ膜を成膜する前に、つまりオーバーコート膜３６をプラズマＣＶＤにより成膜した後に、薄膜トランジスタ８のソース電極Ｓに対応する部分におけるオーバーコート膜３６にコンタクトホール３７を形成する。また、このコンタクトホール３７の形成と同時に、走査信号ラインの一端部に接続された出力側接続パッド１３に対応する部分におけるオーバーコート膜３６およびゲート絶縁膜３１にコンタクトホール４１を形成し、またデータ信号ラインの一端部に接続された出力側接続パッド１６に対応する部分におけるオーバーコート膜３６にコンタクトホール４２を形成する。
【００１４】
次に、上面全体にＩＴＯ膜を成膜する。次いでこの成膜されたＩＴＯ膜上にフォトレジスト（図示せず）を被着し、所定のマスクを用いて露光し、フォトレジストのエッチング液により現像してパターン形成されるべきＩＴＯ膜上のみにフォトレジストを残存する。そして、この残存されたフォトレジストをマスクとしてＩＴＯのエッチング液を用いてオーバーコート膜３６上に成膜されたＩＴＯ膜をエッチングし、図１に示すような形状にパターニングする。このパターニングにより、コンタクトホール３７を介してソース電極Ｓに接続される画素電極７が形成され、この画素電極７の形成と同時に、非パネル形成領域４におけるオーバーコート膜３６の上面全体を覆う保護膜４３が形成され、またコンタクトホール４１、４２内における外部接続パッド１３、１６の上面およびその周囲におけるオーバーコート膜３６の上面に上層接続パッド４４、４５が形成される。
【００１５】
上記の方法においては、フォトレジストを現像する際には、オーバーコート膜３６上全面がＩＴＯ膜によって覆われているため、オーバーコート膜３６にピーンホール等の欠陥部があってもフォトレジストのエッチング液がその欠陥部に接触することはない。また、ＩＴＯ膜をエッチングする際には、図１に示す画素電極７、非パネル形成領域４、上層接続パッド４４、４５上にはフォトレジストが残存されているので、非パネル形成領域４におけるオーバーコート膜３６にピンホール等の欠陥部Ｐがあっても、ＩＴＯのエッチング液が欠陥部Ｐに接触することはない。この結果、画素電極７を形成する際のＩＴＯのエッチング液がオーバーコート膜３６の欠陥部Ｐに染み込むことがなく、ひいてはＡｌ系金属からなる引き回し線および各接続パッドや各端子にＡｌ−ＩＴＯ電池反応による断線等の不良が生じないようにすることができる。なお、非パネル形成領域４におけるオーバーコート膜３６上に残存された保護膜４３は、この後、カットライン２に沿って切断される。但し、保護膜４３は、仮に欠陥部Ｐ内にＩＴＯが埋入されていたとしても液晶表示装置の機能を阻害するものではないから、例えば静電気防止用等のために一部を残存させてもよい。
【００１６】
また、この実施形態では、コンタクトホール４１、４２内における外部接続パッド１３、１６の上面およびその周囲におけるオーバーコート膜３６の上面にＩＴＯ膜を島状に残存させて上層接続パッド４４、４５を形成しているので、外部接続パッド１３、１６がＩＴＯのエッチング液と接触することがなく、ひいてはＡｌ系金属からなる外部接続パッド１３、１６にＡｌ−ＩＴＯ電池反応による溶解が生じないようにすることができる。
【００１７】
なお、上記実施形態おいては、画素電極７をオーバーコート膜３６上に形成する場合で説明したが、この発明は、画素電極を中間の絶縁膜上に形成する場合にも適用可能である。
【００１８】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、非パネル形成領域における絶縁膜上の全体にＩＴＯ膜からなる保護膜を形成しているので、非パネル形成領域における絶縁膜に欠陥部があっても、当該欠陥部下の配線に断線が生じないようにすることができる。この場合、非パネル形成領域における絶縁膜上の全体にＩＴＯ膜からなる保護膜を形成しても、その後非パネル形成領域に対応する部分を切断して除去しているので、別に問題はない。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態における液晶表示パネルの製造方法を説明するために示す要部の断面図。
【図２】従来例を説明するために示すもので、液晶表示パネル複数個分に対応する大きさのガラス基板上に画素電極等が形成された状態における等価回路的平面図。
【図３】図２に示す液晶表示パネルの具体的な構造の一部の断面図。
【符号の説明】
１  ガラス基板
２  カットライン
３  パネル形成領域
４  非パネル形成領域
７  画素電極
８  薄膜トランジスタ
１３、１６  出力側接続パッド
３６  オーバーコート膜
４３  保護膜
４４、４５  上層接続パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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