(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の半導体素子および配線が形成され、これら所定配線に接続された多数のパッドが表面に固定された半導体ウエハーを有すると共に、各パッド位置に微小球体を搭載するための貫通した穴が形成されたレジストを前記半導体ウエハー上に有して成る半導体装置を気中に載置し、
前記半導体装置の前記穴に、前記微小球体表面の濡れ性を確保し且つ酸化防止を行う粘着性のフラックスを混入した導電性液体によって前記微小球体を流し込み前記パッド上に搭載することを特徴とする微小球体の液体による整列方法。
【請求項２】
所定の半導体素子および配線が形成され、これら所定配線に接続された多数のパッドが表面に固定された半導体ウエハーを有すると共に、各パッド位置に微小球体を搭載するための貫通した穴が形成されたレジストを前記半導体ウエハー上に有して成る半導体装置を気中に載置し、
前記半導体装置の前記穴に、前記微小球体表面の濡れ性を確保し且つ酸化防止を行う粘着性のフラックスを混入した導電性液体によって前記微小球体を流し込み前記パッド上に搭載し、
この搭載処理後の半導体装置を加熱することで前記微小球体を溶融し、この溶融後に冷却して前記レジストを剥離することでバンプ電極を形成することを特徴とするバンプ電極形成方法。
【請求項３】
所定の半導体素子および配線が形成され、これら所定配線に接続された多数のパッドが表面に固定された半導体ウエハーを有すると共に、各パッド位置に微小球体を搭載するための貫通した穴が形成されたレジストを前記半導体ウエハー上に有して成る半導体装置を気中に載置する載置手段と、
前記載置手段の上部に配され、多数の微小球体を含むと共に、前記微小球体表面の濡れ性を確保し且つ酸化防止を行う粘着性のフラックスを混入した導電性液体を保持し、この保持された導電性液体と共に前記微小球体を前記載置手段に載置された前記半導体装置に供給する保持手段と、
前記保持手段から前記半導体装置に供給された前記微小球体および前記導電性液体を溜める貯留手段とを備えることを特徴とする微小球体整列装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）、ＣＳＰ（チップサイズパケージ）、フリップチップ接続等を行うためのバンプ電極形成時における半田ボール等の微小球体の整列、並びにそのバンプ電極を形成するための微小球体の液体による整列方法、バンプ電極形成方法、および微小球体整列装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップ（半導体装置）や回路基板などのバンプ形成部に半田ボールなどの微小球体を載置し、この微小球体を溶融させて電極バンプを形成する方法として、特開平５−１２９３７４号に開示されているように、半導体チップや回路基板などのバンプ形成部の配列と同じ配列で設けられている孔に微小球体を吸着し、半導体チップや回路基板上に転写する方法が知られている。
【０００３】
すなわち、半導体チップや回路基板などのバンプ形成部の配列と同じ配列で微小球体の吸着孔を吸着ヘッドに設け、この吸着孔に微小球体を吸着した状態で吸着ヘッドを半導体チップや回路基板などのバンプ形成部に移動させ、微小球体の吸着を解除することによって微小球体を半導体チップや回路基板のバンプ形成部に転写している。
【０００４】
この際に、吸着ヘッドには微小球体が過不足なく吸着されていることが必要となるが、微小球体がランダムに置かれているところから真空吸引して微小球体を吸着しようとすると確実に所定位置に吸着することが困難である。そこで、あらかじめ電極バンプと同じ配列に微小球体が配列されている球体整列パレットを用意し、ここから微小球体を真空吸引すれば吸着ヘッドに微小球体を確実にかつ過不足なく吸着できる。
【０００５】
ところで、球体整列パレットに気中で微小な球体を過不足なく整列しようとすると、静電気や湿気などの影響で、微小球体が相互に付着したり、整列パレットの表面に付着するなどの不具合があり、安定した整列作業を行うことが困難である。
【０００６】
そこで、特開平１１−８２７２号公報では、整列パレットを導電性液体中に浸漬し、その上から微小球体を整列パレット上に落下させて、微小球体を個々の整列孔に落とし込み保持させることで、静電気や湿気などの影響を除いている。
【０００７】
上記導電性液体内の微小金属ボール（微小球体）の液中整列方法によれば、静電気や湿気などの影響を除くことになり、安定した整列作業が実現されるが、揮発性の高いエタノールを利用しているため安定した作業を継続するためには揮発分を補充する必要があり、大量のエタノールが必要となる。また次工程に移すために導電性液体の中から整列パレットを取り出そうとした場合、取り出しにくく自動化が困難であった。
【０００８】
特開２００１−２１０９４２号公報では、整列パレットを浸漬させ整列作業を行う密閉容器とはべつの密閉容器を用意し、両者を可撓性の管を通じて接続し、重力差を利用して導電性液体および微小金属ボールを必要に応じて両者間で移すという方法が提案されている。
【０００９】
この方法では密閉容器を利用することで導電性液の揮発を防ぐと同時に、導電性液体および微小金属ボールを繰返し再利用することで材料の使用効率を上げ、また整列パレットへの整列作業終了をまって、整列パレットを浸漬させた密閉容器の導電性液体および微小金属ボールを他方の密閉容器に移して液抜きを実施した後で整列パレットを取り出すことでハンドリングの容易さを実現している。
【００１０】
また、上記のように微小球体を整列パレットの整列孔に保持した後は、微小球体を吸引装置の吸着ヘッドで吸着する。吸着ヘッドは、平面形状を成し、この面に整列孔と対向する空気孔が形成されている。その空気孔が整列孔に当接するように、吸着ヘッドを整列パレットの整列孔形成面に密着させ、この後、空気孔を介して真空吸引を行って微小球体を空気孔に吸着させる。この吸着後、半導体ウエハーのパッド位置に形成された穴に吸着ヘッドの微小球体を合わせて吸引を解除することによって、その穴に微小球体を落下させて収容する。これによって、パッド上に微小球体が搭載されるようになっている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の整列パレットを用いて半導体装置のバンプ形成部へ微小球体を搭載する方法においては、配列パレットを用い一旦配列パレットの穴（整列孔）に微小球体を収容した後、次工程への搬送などの理由で半導体装置に振動や衝撃が付与されると、配列パレットの配列パレット穴から微小球体が飛び出してしまうという問題がある。
さらに、特願２００２−３８６９号によると、半導体装置のパッド上に形成された穴（パッド形成穴）に導電性液体で微小球体を搭載し、導電性液体が蒸発した後には次工程への搬送などの理由で半導体装置に振動や衝撃が付与されるとパッド形成穴から微小球体が飛び出してしまうという問題がある。
【００１２】
さらに、特願２００２−３８６９号によると、微小球体がパッド上に搭載された半導体装置をリフロー炉に入れて加熱することによって微小球体を溶融し、この溶融後に冷却して穴を形成するレジストを剥離することでバンプ電極を形成する。しかし、この際、微小球体が半田等の金属製であることから、その表面にできる酸化膜が原因で半田の濡れ性が悪く、バンプ電極がパッドに溶接されない等、バンプ電極の形成が適正に成されないことがある。このため、リフローを行う前にパッド形成穴に、半田の濡れ性を確保するためのフラックスを供給する工程が必要となり、その分、バンプ電極形成の工程数が多くなるという問題がある。
【００１３】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、半導体装置のパッド形成穴に微小球体を効率よく且つ多少の振動や衝撃では飛び出さないように収容し、また極力バンプ電極形成時の工程数を削減することができる微小球体の液体による整列方法、バンプ電極形成方法、および微小球体整列装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の微小球体の液体による整列方法は、所定の半導体素子および配線が形成され、これら所定配線に接続された多数のパッドが表面に固定された半導体ウエハーを有すると共に、各パッド位置に微小球体を搭載するための貫通した穴が形成されたレジストを前記半導体ウエハー上に有して成る半導体装置を気中に載置し、前記半導体装置の前記穴に、前記微小球体表面の濡れ性を確保し且つ酸化防止を行う粘着性のフラックスを混入した導電性液体によって前記微小球体を流し込み前記パッド上に搭載することを特徴としている。
【００１５】
また、本発明のバンプ電極形成方法は、所定の半導体素子および配線が形成され、これら所定配線に接続された多数のパッドが表面に固定された半導体ウエハーを有すると共に、各パッド位置に微小球体を搭載するための貫通した穴が形成されたレジストを前記半導体ウエハー上に有して成る半導体装置を気中に載置し、前記半導体装置の前記穴に、前記微小球体表面の濡れ性を確保し且つ酸化防止を行う粘着性のフラックスを混入した導電性液体によって前記微小球体を流し込み前記パッド上に搭載し、この搭載処理後の半導体装置を加熱することで前記微小球体を溶融し、この溶融後に冷却して前記レジストを剥離することでバンプ電極を形成することを特徴としている。
【００１６】
また、本発明の微小球体整列装置は、所定の半導体素子および配線が形成され、これら所定配線に接続された多数のパッドが表面に固定された半導体ウエハーを有すると共に、各パッド位置に微小球体を搭載するための貫通した穴が形成されたレジストを前記半導体ウエハー上に有して成る半導体装置を気中に載置する載置手段と、前記載置手段の上部に配され、多数の微小球体を含むと共に、前記微小球体表面の濡れ性を確保し且つ酸化防止を行う粘着性のフラックスを混入した導電性液体を保持し、この保持された導電性液体と共に前記微小球体を前記載置手段に載置された前記半導体装置に供給する保持手段と、前記保持手段から前記半導体装置に供給された前記微小球体および前記導電性液体を溜める貯留手段とを備えることを特徴としている。
【００１７】
また、本発明の導電性液体としては、フラックスを混入したものを用いることが好適である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る微小球体整列装置の構成図である。
【００２０】
この図１に示す微小球体整列装置は、例えば半導体装置のバンプ電極形成工程に適用される。即ち、バンプ電極形成工程は、半導体ウエハー上にレジストを形成した後、露光、現像、上記の半導体ウエハー上の穴への半田ボールの振込、半田ボールのリフロー、レジスト剥離といった工程を経て行われるが、本実施の形態の微小球体整列装置は、半導体ウエハー上の穴への半田ボールの振込を行う工程に適用される。
【００２１】
図１に示す微小球体整列装置は、振込槽１と、半導体装置２を載置して回転させる載置回転装置３と、ポンプ４と、循環管路５と、保持容器６と、射出管路７と、洗浄管路８と、微小球体供給ノズル９と、洗浄ノズル１０とを備えて構成されている。
【００２２】
また、半導体装置２は、図２に示すように、所定の半導体素子および配線が形成され、これら所定配線に接続された多数のパッド２１が表面に配列固定された半導体ウエハー（以下、単に半導体ウエハーという）２２と、各パッド２１の位置に半田ボールなどの微小球体２３を搭載するための貫通した穴２４が形成されたレジスト２５とを備えて構成されている。また、微小球体２３の表面には後述する方法によって、微小球体２３表面の濡れ性を確保し且つ酸化防止（または還元）を行うフラックス３０が付着している。
【００２３】
図１に示す振込槽１は、円筒と円錐とを組み合わせた漏斗型の容器であり、多数の微小球体２３を含みフラックス３０が混入された導電性液体を収容する。この振込槽１の最下部と保持容器６の側面には開口が形成されており、この各開口にポンプ４を介して可撓性のパイプである循環管路５が接続されている。
【００２４】
保持容器６は、円筒と円錐とを組み合わせた漏斗型の容器であり、振込槽１の上方に図示せぬ指示部材で固定・配置され、多数の微小球体２３を含みフラックス３０が混入された導電性液体を保持する。以降、特記しない限り、導電性液体にはフラックス３０が混入されているものとする。
【００２５】
この保持容器６の最下部には開口が形成されており、この開口に微小球体供給ノズル９が固定された射出管路７の口が接続されている。また、保持容器６の傾斜面上側の任意位置にも開口が形成されており、この開口に洗浄ノズル１０が固定された洗浄管路８の口が接続されている。また、保持容器６は、管接続部以外は密閉されており、揮発性の導電性液体が揮発するのを極力防ぐ構造となっている。
【００２６】
載置回転装置３は、振込槽１の最下部付近に組み込まれており、モータ３ａと、モータ３ａの回転軸３ｂと、細長い円筒形状の軸受３ｃと、載置台３ｄとを備えて構成されている。モータ３ａは、振込槽１の外側に配置され、このモータ３ａの回転軸３ｂが、振込槽１の傾斜面下側に固定された軸受３ｃの貫通穴に回転自在に挿入されている。回転軸３ｂの先端には載置台３ｄの中心が固定されている。つまり、載置台３ｄは、振込槽１の内部に傾斜状態で配置されており、この載置台３ｄがモータ３ａの回転軸３ｂとともに回転し、必然的に載置台３ｄに載置された半導体装置２が、その回転とともに回転するようになっている。
【００２７】
また、載置台３ｄの傾斜角度は、その上に載置された半導体装置２の穴２４に、一旦微小球体２３が収容された後は、遠心力で穴２４から微小球体２３が飛び出すことがなく、且つ洗浄ノズル１０から流下する導電性液体の圧力でも飛び出すことのないように設定されている。なお、軸受３ｃと回転軸３ｂとの間には防水のためのシールドが施してある。
【００２８】
微小球体供給ノズル９は、半導体装置２の上端の上方に配置されており、その先端より多数の微小球体２３を含む導電性液体を流下させる。導電性液体としては、例えば、エタノールを使用する。エタノールの他、メタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、シクロヘキサノール、グリセノール、エチレングリコールといったアルコール類でもよく、また、水など、または、これらの混合液体であってもよい。また、分散剤や表面活性剤といった添加剤を微量含むものを用いてもよい。添加剤としては、例えば、リン酸三ナトリウム水和物、ヘキサメタリン酸ナトリウム、ピロリン酸ナトリウム、リノール酸ナトリウムや、カチオン活性剤などがある。導電性の高い液体であれば、静電気防止に効果が高いので、より好ましい。
【００２９】
微小球体２３は、直径１００μｍ以下、すなわち、０．１ｍｍ以下であり、流し台３１及び半導体装置２の傾斜面を流下する導電性液体の厚さは１〜２ｍｍ程度になる。従って、微小球体２３の大きさと比較すると、その厚さ（深さ）は１０〜２０倍あり、導電性液体の浴槽内で微小球体２３の整列作業が行われた場合とほぼ同一となり、静電気除去などの効果もまたほぼ等しい。導電性液体が半導体装置２の全面に行き渡るように、なお、半導体装置２を回転させ、微小球体供給ノズル９を半導体装置２の最上部に配置する構成をとっている。
【００３０】
また、循環管路５に介装されたポンプ４は、振込槽１に溜まった導電性液体および微小球体２３を保持容器６へ搬送するためのものである。
【００３１】
次に、このような構成の微小球体整列装置を用いた微小球体の液体による整列方法によって、気中で、半導体装置２の整列穴２４に微小球体２３を整列する処理を説明する。
【００３２】
本実施の形態の半導体装置２への微小球体２３の液体流下式整列方法は、配列パレット２を用いず、気中において傾斜状態の載置台３ｄに載置された半導体装置２をモータ３ａで回転させ、直接、導電性液体によって微小球体２３を流し込みながらパッド２１上に搭載するものである。
【００３３】
まず、振込槽１の内部（気中位置）に配置された傾斜状態の載置台３ｄに、微小球体２３が載置されていない半導体装置２を載せる。この際、微小球体供給ノズル９および洗浄ノズル１０は、載置台３ｄへの半導体装置２の搭載を妨げない位置に退避している。
【００３４】
洗浄ノズル１０を、載置台３ｄに載置された半導体装置２の上に来るように移動させる。この時点では、ポンプ４を停止しているため保持容器６は空であり、双方のノズル９，１０からの導電性液体の流出はない。
【００３５】
次に、モータ３ａの駆動によって載置台３ｄに載置された半導体装置２を回転させる。さらにポンプ４を低速で動作させると、振込槽１ならびに可撓性の循環管路５に停留していた導電性液体が保持容器６に供給される。次いで導電性液体は洗浄管路８を通って洗浄ノズル１０から射出され、回転する半導体装置２の上に降下する。半導体装置２上に降下した導電性液体は、半導体装置２の下方向および回転方向へ移動しながら各穴２４に入り、さらに穴２４から図示せぬ逃げ溝を抜けて振込槽１に流れる。これによって穴２４の気体が排出される。一定時間（半導体装置２が洗浄される時間）が経過すると洗浄ノズル１０を退避させる。
【００３６】
続いて、ポンプ４を高速で動作させると、振込槽１ならびに循環管路５に停留していた微小球体２３が導電性液体とともに保持容器６に供給される。これによって、微小球体２３および導電性液体は、射出管路７を通って微小球体供給ノズル９から射出され、回転する半導体装置２の上に一様に降下する。半導体装置２上に降下した微小球体２３は半導体装置２の外周方向へ移動しながら穴２４に落ち込み、これ以外の微小球体２３と導電性液体は振込槽１に流れる。
【００３７】
この際、半導体装置２の穴２４に落ち込んだ微小球体２３は、フラックス３０が混入された導電性液体中に浸っていたものなので、その全表面にはフラックス３０が万遍なく付着しており、また、導電性液体と共に穴２４に流れ込むので、穴２４の壁面およびパッド２１にもフラックス３０が万遍なく付着する。フラックスとしては、ロジン系フラックス、有機系フラックス、無機系フラックスなどいずれでもよく、ロジン、グルタミン酸塩酸塩、塩酸アニリンなどを含むものがある。
【００３８】
振込槽１に流れて来た微小球体２３および導電性液体は、ポンプ４の動作によって振込槽１の最下部に接続された循環管路５を経て保持容器６へと搬送される。一定時間の射出を待ってポンプ４の動作を低速に切換えると、振込槽１の底部に流れて来た微小球体２３および導電性液体のうち、微小球体２３は振込槽１の最下部に接続された循環管路５の一部および振込槽１の底部に溜まるが、導電性液体のみは保持容器６に搬送される。
【００３９】
ここで再び、洗浄ノズル１０を、載置台３ｄに載置された半導体装置２の上に来るように移動させる。
【００４０】
この洗浄の処理は、液中に半導体装置２を浸漬する液中整列方法における液の揺動あるいは振動に該当するものであり、微小球体２３収容済みの穴２４に重なった余分な微小球体２３や半導体装置２表面に残った余分な微小球体２３の除去と同時に、余分な微小球体２３の未収容の穴２４への収容を可能とする。
【００４１】
一定時間の洗浄を待ってポンプ４の動作を停止させると、振込槽１の底部に流れて来た微小球体２３および導電性液体は、振込槽１に接続された循環管路５の一部および振込槽１の底部に溜まり、保持容器６への導電性液体の搬送が停止する。この停止時、保持容器６に残存する導電性液体が各ノズル９，１０より流下されると保持容器６が空になる。
【００４２】
この後、図３（ａ）に示すように、微小球体２３の整列が終わった半導体装置２を、載置台３ｄから取り外す。この半導体装置２を図示せぬリフロー炉に搬入する。この搬入する間に、穴２４の中の導電性液体自体が揮発性なので揮発し、その導電性液体に混入されたフラックス３０が微小球体２３の全表面、穴２４の壁面およびパッド２１に残留する。この残留したフラックス３０は粘着力があるので、微小球体２３は穴２４の壁面およびパッド２１に接着された状態となり、リフロー炉に運ぶ際に多少の振動や衝撃では飛び出すことがない。なお、残留したフラックス３０では不足しているときは、微小球体２３に塗布してもよい。
【００４３】
次に、リフロー炉を加熱することによって微小球体２３を溶融し、この溶融後に冷却することによって図３（ｂ）に示すように、穴２４の中にバンプ電極２３ａを形成する。この際、微小球体２３の全表面には、フラックス３０が万遍なく付着しているので表面が酸化することなく濡れ性が良くなり、これに加え、穴２４の壁面およびパッド２１にもフラックス３０が万遍なく付着しているので、バンプ電極２３ａがパッド２１に強く溶接される。次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト２５を剥離することでバンプ電極２３を露出させ、バンプ電極形成工程を完了する。
【００４４】
このように、本実施の形態の微小球体整列装置を用いた微小球体の液体による整列方法およびバンプ電極形成方法によれば、各パッド２１位置に微小球体２３を搭載するための貫通した穴２４が形成されたレジスト２５を半導体ウエハー２２上に有して成る半導体装置２を載置台３ｄに載置し、微小球体供給ノズル９からフラックス３０が混入された導電性液体と共に微小球体２３を半導体装置２の上部へ射出することによって、半導体装置２の穴２４に導電性液体と共に微小球体２３を流し込みパッド２１上に搭載するようにした。
【００４５】
これによって、従来のように配列パレットを用いず、直接、導電性液体によって搬送される微小球体２３を半導体ウエハー２２のレジスト穴２４に流し込みながらパッド２１上に搭載するので、微小球体２３を効率よく穴２４に収容することができる。また、従来のように配列パレットを用い一旦配列パレットの穴に微小球体を収容した後、半導体装置２のレジスト穴２４に移すといった処理工程が無くなるので、その分、効率よく穴２４に収容することができる。
【００４６】
この収容後、穴２４の中の導電性液体自体が揮発性なので揮発し、その導電性液体に混入されたフラックス３０が微小球体２３の全表面、穴２４の壁面およびパッド２１に残留し、この残留したフラックス３０の粘着力によって、微小球体２３は穴２４の壁面およびパッド２１に接着された状態となり、リフロー炉に運ぶ際に多少の振動や衝撃では飛び出すことがなくなる。つまり、半導体装置２のパッド２１の穴２４に微小球体２３を効率よく且つ多少の振動や衝撃では飛び出さないように収容することができる。
【００４７】
また、微小球体２３の全表面には、フラックス３０が万遍なく付着しているので表面が酸化することなく濡れ性が良くなり、これに加え、穴２４の壁面およびパッド２１にもフラックス３０が万遍なく付着しているので、微小球体２３のリフローによって形成されるバンプ電極２３ａがパッド２１に強く溶接される。従って、従来必要であったリフローを行う前の微小球体の濡れ性を確保するためのフラックス供給工程が不要となり、その分、バンプ電極形成時の工程数を削減することができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、所定の半導体素子および配線が形成され、これら所定配線に接続された多数のパッドが表面に固定された半導体ウエハーを有すると共に、各パッド位置に微小球体を搭載するための貫通した穴が形成されたレジストを半導体ウエハー上に有して成る半導体装置の穴に、微小球体表面の濡れ性を確保し且つ酸化防止を行う粘着性のフラックスを混入した導電性液体によって微小球体を流し込みパッド上に搭載するようにした。
【００５０】
これによって、効率よく穴に収容することができ、この収容後、穴の中の導電性液体が揮発することで残留したフラックスの粘着力によって、微小球体が穴の壁面およびパッドに接着された状態となり、多少の振動や衝撃では飛び出さないように収容することができる。また、微小球体の表面にはフラックスが付着しているので表面が酸化することなく濡れ性が良くなり、これに加え、穴の壁面およびパッドにもフラックスが付着しているので、微小球体のリフローによって形成されるバンプ電極がパッドに強く溶接される。従って、従来必要であったリフローを行う前の微小球体の濡れ性を確保するためのフラックス供給工程が不要となり、その分、バンプ電極形成時の工程数を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る微小球体整列装置の構成図である。
【図２】半導体装置の構成を示す断面図である。
【図３】バンプ電極形成工程における半導体装置への微小球体の整列およびリフロー、レジスト剥離の状態を示す断面図である。
【符号の説明】
１  振込槽  １ａ  振込槽の支持部
２  半導体装置  ３  載置回転装置
３ａ  モータ
３ｂ  回転軸
３ｃ  軸受
３ｄ  載置台  ４  ポンプ
５  循環管路  ６  保持容器  ７  射出管路  ８  洗浄管路
９  微小球体供給ノズル
１０  洗浄ノズル  ２１  パッド
２２  半導体ウエハー
２３  微小球体
２４  穴
２５  レジスト
３０  フラックス
【図１】
0003971954.tif 000002
【図２】
0003971954.tif 000003
【図３】
0003971954.tif 000004