(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームを照射することにより結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜と、前記相変化記録膜と接して配置された結晶化誘起層とを備えた無初期化型相変化光記録媒体の製造方法であって、
前記相変化記録膜を、スパッタガスとしてＫｒガス或いはＸｅガスを用い、５×１０-2ｔｏｒｒ以上のスパッタガス圧下で真空スパッタ法により成膜し、
前記結晶化誘起層として、ＺｎＳ／ＳｉＯ2膜を、スパッタガスとしてＡｒガスを用い、５×１０-4ｔｏｒｒ以下のスパッタガス圧下で真空スパッタ法により成膜することを特徴とする無初期化型相変化光記録媒体の製造方法。
【請求項２】
光ビームを照射することにより結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜と、前記相変化記録膜と接して配置された結晶化誘起層とを備えた無初期化型相変化光記録媒体の製造方法であって、
前記相変化記録膜を、スパッタガスとしてＫｒガス或いはＸｅガスを用い、５×１０-2ｔｏｒｒ以上のスパッタガス圧下で真空スパッタ法により成膜し、
前記結晶化誘起層として、ＧｅＮ膜を、スパッタガスとしてＡｒガスを用い、Ｎ2ガスを供給しつつ真空スパッタ法により成膜することを特徴とする無初期化型相変化光記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定の光を照射することにより結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜を有する相変化光記録媒体の製造方法に係り、特に、記録膜の初期結晶化を必要とすることなく製造直後からオーバーライト記録が可能な無初期化型相変化光記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、大容量メモリとして光ディスクが注目を浴びている。光ディスクは、情報の再生のみが可能で記録が不可能なＣＤ等の再生専用型、情報の記録が１回だけ可能なＣＤ−Ｒ等の１回追記型、及び情報の記録／消去を自由に行うことができコンピュータの外付けメモリ等に用いられる書き替え可能型の３種類に大別される。その中でも書き替え可能型は、その広い用途のために特に注目されている。
【０００３】
書き替え可能型の光ディスクには、主に、光磁気ディスクと相変化光ディスクの２つがある。このうち、相変化光ディスクは、レーザービーム等の照射により非晶質と結晶質との間で可逆的に相変化する記録膜を用いて、非晶質の記録マークと結晶質のバックグラウンドとの間の反射率の差を利用して再生が行われるものである。この非晶質状態は記録膜を融点以上に加熱し急冷することにより形成され、結晶質状態は記録膜を結晶化温度以上で融点未満に加熱することにより形成される。したがって、相変化光ディスクは、記録膜に照射するレーザービームの強弱を制御することにより、情報の書き替えを自由に行うことができるという利点を有している。
【０００４】
一般に、相変化光ディスクは、ポリカーボネート等からなる円盤状のプラスチック基板上に記録膜が形成された構造を有している。基板上への上記記録膜の形成には、通常、スパッタ法や蒸着法等の真空成膜法が用いられるが、これら成膜法によると、原料を基板面に付着させる際に、原料原子或いは原料分子は非常に高い速度で基板に衝突する。その結果、原料は基板に付着した瞬間に急冷され、すなわち、原料は溶融・急冷され、成膜直後の記録膜は非晶質状態となる。
【０００５】
上述したように、非晶質状態は記録状態に相当する。したがって、作製した直後の相変化光ディスクは、記録膜の全面が記録状態にある。相変化光ディスクにおいては、作製直後においても、最初のオーバーライトにより、非晶質状態の記録マークと結晶質状態のバックグラウンドを書込み可能であることが理想であるとされている。しかしながら、上記方法により記録膜を成膜した場合、成膜直後の記録膜の非晶質状態はエネルギー的に非常に安定である。そのため、光ディスクドライブによる１回目のオーバーライト記録では、結晶質状態とすることができない。
【０００６】
以上の理由から、相変化光ディスクでは、通常、光ディスクドライブで記録を行う前に、大出力のレーザを用いた初期結晶化装置により記録膜全面の結晶化が行われる。なお、この初期結晶化装置による記録膜の結晶化は、例えば、以下の方法により行う。
【０００７】
まず、Ａｒのガスレーザ等のように数Ｗクラスの出力のレーザを用い、このレーザから出力されるレーザ光を、対物レンズによりスポット径が数１０μｍとなるように記録膜上に集光させる。光ディスクを回転させつつ、このレーザ光を記録膜上に照射し、さらにビームスポットを回転軸に対してディスクの半径方向に相対的に移動させる。これにより、記録膜全面を結晶質とすることができる。ここで、光ディスクのトラックピッチは、通常、０．５〜１．６μｍであるので、数１０トラックを同時に結晶化することが可能である。
【０００８】
ところで、相変化光ディスクは、記録膜の結晶性と反射率との関係に基づき、２種類に大別される。すなわち、相変化光ディスクは、結晶質状態（消去状態）に比べて非晶質状態（記録状態）の方が反射率が低いＨｉｇｈ  ｔｏ  Ｌｏｗ（以下、ＨｔｏＬという）メディアと、結晶質状態（消去状態）に比べて非晶質状態（記録状態）の方が反射率が高いＬｏｗ  ｔｏ  Ｈｉｇｈ（以下、ＬｔｏＨという）メディアとに分類されるのである。
【０００９】
ＨｔｏＬメディアにおいては、上記初期結晶化後の記録膜は、結晶質状態にあるため高い反射率を有する。そのため、ＨｔｏＬメディアにおいては、初期結晶化した直後に光ディスクドライブでオーバーライト記録を行う場合、十分な反射光量が得られ、サーボ制御が不安定となることはない。また、オーバーライト記録を行った光ディスクにおいては、記録マーク部は非晶質状態となるために反射率の低下を生ずるが、一般に、記録部分と未記録部分とは概ね半々であると想定される。したがって、オーバーライト記録を行った光ディスクにおいて、反射率の平均値は、結晶質状態の反射率と非晶質状態の反射率との中間程度となり、サーボ制御に支障を来たすことはない。
【００１０】
それに対し、ＬｔｏＨメディアにおいては、上記初期結晶化した直後の記録膜は反射率が低い。そのため、ＬｔｏＨメディアにおいては、サーボ制御に支障を来たす場合がある。以下に、その理由を説明する。
【００１１】
近年、光ディスクの高記録密度化に伴い、記録マークは益々微細化されている。そのため、微細化された記録マークから大きな信号（反射率変化量）を得るために、ＬｔｏＨメディアにおいては結晶質状態の反射率をより低減する傾向にある。
【００１２】
これを変調度を用いて説明すると、非晶質状態における記録膜の反射率をＲa 、結晶質状態における記録膜の反射率をＲc とした場合、変調度は、（Ｒa −Ｒc ）／Ｒa により定義される。変調度は信号の大きさの指標となるので、Ｒc をより小さくすることにより、変調度をより大きくすること、すなわちより大きな信号を得ることができるのである。
【００１３】
現在、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の高記録密度化に伴い、トラックピッチを０．６μｍ、ビットピッチを０．２８μｍ程度とすることが想定されている。このような条件のもとでマークエッジ記録を行うとすると、再生ジッタ値を８％以下とするには、Ｃ／Ｎ値（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）を５３ｄＢ以上とする必要がある。これは、計算上では、例えば、Ｒa を０．２、Ｒc を０．０４として、変調度を８０％以上とすることを意味する。
【００１４】
しかしながら、ＬｔｏＨメディアにおいて、初期結晶化直後の記録膜の反射率を０．０４以下とすると、光ディスクドライブでオーバーライト記録を行う際に十分な反射光量が得られないため、サーボ制御が不安定となる。このような状態で情報を記録した場合、記録された情報を再生することができなくなる等の不具合を生ずる。
【００１５】
上記ＬｔｏＨメディアにおいて生ずる不具合を解決するものとして、無初期化型相変化光ディスクが期待されている。無初期化型相変化光ディスクは、記録膜の初期結晶化を行うことなく、作製直後に光ディスクドライブによるオーバーライト記録を可能とするものである。ＬｔｏＨタイプの無初期化型相変化光ディスクによると、最初のオーバーライト記録は、作製直後の非晶質状態にある記録膜に対して行われる。すなわち、全面が反射率の高い記録状態にある記録膜に対して行われる。したがって、ＬｔｏＨタイプの無初期化型相変化光ディスクによると、最初のオーバーライト記録の際に、サーボ制御に支障を来たすことはないと考えられる。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、無初期化型相変化光ディスクによると、初期結晶化を行うことなくオーバーライト記録することが可能であると考えられる。
本発明は、記録膜の初期結晶化を必要とすることなく製造直後からオーバーライト記録が可能な無初期化型相変化光記録媒体を実現可能とする新規な相変化光記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、光ビームを照射することにより結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜と、前記相変化記録膜と接して配置された結晶化誘起層とを備えた無初期化型相変化光記録媒体の製造方法であって、前記相変化記録膜を、スパッタガスとしてＫｒガス或いはＸｅガスを用い、５×１０-2ｔｏｒｒ以上のスパッタガス圧下で真空スパッタ法により成膜し、前記結晶化誘起層として、ＺｎＳ／ＳｉＯ2膜を、スパッタガスとしてＡｒガスを用い、５×１０-4ｔｏｒｒ以下のスパッタガス圧下で真空スパッタ法により成膜することを特徴とする無初期化型相変化光記録媒体の製造方法を提供する。
【００１９】
さらに、本発明は、光ビームを照射することにより結晶質と非晶質との間で可逆的に相変化する相変化記録膜と、前記相変化記録膜と接して配置された結晶化誘起層とを備えた無初期化型相変化光記録媒体の製造方法であって、前記相変化記録膜を、スパッタガスとしてＫｒガス或いはＸｅガスを用い、５×１０-2ｔｏｒｒ以上のスパッタガス圧下で真空スパッタ法により成膜し、前記結晶化誘起層として、ＧｅＮ膜を、スパッタガスとしてＡｒガスを用い、Ｎ2ガスを供給しつつ真空スパッタ法により成膜することを特徴とする無初期化型相変化光記録媒体の製造方法を提供する。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明についてより詳細に説明する。
図１に、本発明の実施形態に係る無初期化型相変化光記録媒体の断面図を示す。図１に示す相変化光記録媒体１-1は、ＬｔｏＨタイプの相変化光記録媒体であって、基板２上に、半透明干渉層３、誘電体膜４-1、結晶化誘起層８-1、相変化記録膜５、誘電体膜４-2、金属反射層６、及び保護膜７が順次積層された構造を有している。
【００２１】
以下、図１を参照しながら本発明の原理について説明する。
上述したようにスパッタ法等により基板２上に相変化記録膜５を形成した場合、製造直後において、記録膜５は安定性が過剰に高い非晶質状態となる。したがって、従来の方法により製造した相変化記録媒体には、初期結晶化を施す必要がある。
【００２２】
本発明者らは、製造直後において記録膜５の非晶質状態の安定性が過剰に高い理由の１つは、記録膜５の原料原子或いは原料分子が過剰な速度で基板面に衝突することにあると考えた。すなわち、記録膜原料を基板２上に付着させる際に、原料原子或いは原料分子は非常に高い速度で基板２に衝突するため、原料は基板２に付着した瞬間に非常に高い温度から急激に冷却される。この極端に高い冷却速度が、成膜直後の記録膜５における非晶質状態の安定性を過剰に高くしているのである。
【００２３】
ここで、記録膜５の原料原子或いは原料分子の速度は、その平均自由工程に依存するものと考えられる。したがって、原料原子或いは原料分子の平均自由工程を低減することにより、原料原子或いは原料分子の基板面に対する入射エネルギーを低減することが可能となるのである。
【００２４】
真空スパッタ法により基板２上に記録膜５を形成する場合、上記平均自由工程を低減する方法としては、例えば、Ｋｒガス等のスパッタガス圧を増加させて、原料原子或いは原料分子とスパッタガスとの衝突回数を増加させることが考えられる。通常、相変化記録媒体１-1の記録膜５は、５×１０-3ｔｏｒｒ程度の真空下でスパッタリングすることにより形成される。本発明者らは、様々な原料を用いて記録膜５を成膜したところ、いずれの原料を用いた場合においてもスパッタガス圧を高めることにより、記録膜形成直後における非晶質状態の安定性を低減することができることを確認した。
【００２５】
スパッタガスとしては、ＫｒガスやＸｅガスを用いることが好ましい。Ａｒ、Ｋｒ及びＸｅは同族元素でありいずれも化学的に不活性であるが、周期率表においてＫｒはＡｒに対して１周期高次の元素であり、ＸｅはＡｒに対して２周期高次の元素である。すなわち、Ｋｒ及びＸｅはＡｒに比べて大きな原子量を有している。そのため、スパッタガスとして、Ｋｒガス或いはＸｅガスを用いた場合、Ａｒガスを用いた場合に比べて、上記原料原子或いは原料分子の運動エネルギーをより低減することができる。すなわち、記録膜形成直後における非晶質状態の安定性をより低減することが可能となる。
【００２６】
また、スパッタガス圧は、５×１０-2ｔｏｒｒ以上とすることが好ましい。スパッタガス圧を５×１０-2ｔｏｒｒ以上とすることにより、上記原料原子或いは原料分子の運動エネルギーをより低減することができる。また、スパッタガス圧は５×１０-1ｔｏｒｒ以下とすることが好ましい。スパッタガス圧を過剰に高めた場合、記録膜５中へのスパッタガスの混入量が過剰となる場合がある。
【００２７】
上記相変化光記録媒体１-1においては、記録膜５に隣接して、透明でありかつ残留応力を導入された結晶化誘起層８-1が設けられている。このような結晶化誘起膜８-1を設けた場合、結晶化誘起層８-1を設けない場合に比べて、記録膜５をより低いエネルギーで非晶質状態から結晶質状態へと変化させることが可能となる。これは、結晶化誘起層８-1に残留応力が導入されているためである。すなわち、記録膜５を溶融・冷却する際に、記録膜５の結晶化誘起層８-1との界面において結晶核の生成が促進されるためであると考えられる。
【００２８】
結晶化誘起層は、相変化記録膜５と接していれば、必ずしも基板２と相変化記録膜との間に設ける必要はない。図２に、本発明の他の実施形態に係る無初期化型相変化光記録媒体の断面図を概略的に示す。この図に示すように、結晶化誘起層８-2を相変化記録膜５の上に設けてもよい。この場合においても、上述した効果を得ることができる。
【００２９】
結晶化誘起層は、相変化記録膜の両側に設けることがより好ましい。図３に、本発明のさらに他の実施形態に係る無初期化型相変化光記録媒体の断面図を概略的に示す。この図に示すように、結晶化誘起層８-1，８-2を、相変化記録膜５と接するように相変化記録膜５の上側及び下側の双方に設けてもよい。この場合、上述した結晶核の生成がさらに促進される。
【００３０】
上記結晶化誘起層８-1，８-2は、例えば、スパッタガスとしてＡｒガスを用い真空スパッタ法により成膜する際に、Ａｒガス中にＮ2 ガスやＨ2 ガスを混合することにより得ることができる。このような条件下でスパッタリングを行った場合、結晶化誘起層中には窒素や水素が取り込まれる。窒素分子や水素分子或いは窒素原子や水素原子は結晶化誘起層に残留応力を付与するため、初期結晶化を必要としない無初期化型相変化光記録媒体を得ることが可能となる場合がある。
【００３１】
結晶化誘起層８-1，８-2には、例えば、Ｇｅ等の材料を用いることができる。特に、Ｇｅターゲットを用い、Ａｒガス中にＮ2 ガスを混合してスパッタリングを行って結晶化誘起層８-1，８-2を成膜すること、すなわち、結晶化誘起層８-1，８-2をＧｅＮ膜とすることが好ましい。この場合、結晶化誘起層８-1，８-2を他の材料で構成した場合に比べて、上述した結晶核の生成を促進する効果が極めて大きい。
【００３２】
結晶化誘起層８-1，８-2をＧｅＮ膜とする場合、Ａｒガスの流量に対するＮ2 ガスの流量の比は０．３以上であることが好ましい。純粋なＧｅは半導体であるため、所定の光学バンドギャップを有している。そのため、情報の記録・消去等に使用される赤色の半導体レーザ光をある程度吸収してしまう。それに対し、Ｇｅ膜中に含有させる窒素の量をより多くすることにより、上記バンドギャップを広げることができる。すなわち、赤色のレーザ光の吸収を防止することができる。
【００３３】
Ａｒガスの流量に対するＮ2 ガスの流量比は、スパッタリングの際に投入するＲＦパワーにも依存するが、０．３以上である場合に上記バンドギャップを２ｅＶよりも広くすることができ、その結果、赤色のレーザ光の吸収を防止することができる。また、この場合、結晶化誘起層８-1，８-2に十分な量の残留応力を導入することが可能となる。
【００３４】
上記流量比は１０以下であることが好ましい。流量比が１０を超える場合、スパッタリングを行うことが困難となるおそれがある。また、あまりにＮ2 ガスの流量比が高いと、Ｇｅターゲットが窒化してしまい、スパッタにより形成されるＧｅＮ膜の再現性が低下する場合がある。
【００３５】
以上、窒素や水素を含有させることにより結晶化誘起層８-1，８-2に残留応力を付与させることについて説明したが、他の方法を用いることも可能である。上記結晶化誘起層８-1，８-2は、例えば、スパッタガス圧を低減してスパッタリングすることにより形成することができる。
【００３６】
このスパッタガス圧は、５×１０-4ｔｏｒｒ以下とすることが好ましい。スパッタガス圧を５×１０-4ｔｏｒｒ以下とすることにより、結晶化誘起層８-1に十分な量の残留応力を導入することが可能となり、その結果、初期結晶化を必要としない無初期化型相変化光記録媒体を得ることが可能となる場合がある。また、スパッタガス圧は５×１０-5ｔｏｒｒ以上とすることが好ましい。スパッタガス圧を過剰に低めた場合、スパッタリングを行うことが困難となるおそれがある。
【００３７】
なお、上記結晶化誘起層８-1，８-2は、５〜２００オングストローム程度の厚さを有していれば充分である。また、後述するように、上記結晶化誘起層８-1，８-2が誘電体膜４-1，４-2を兼ねる場合は、最大で２０００オングストローム程度の厚さであってもよい。
【００３８】
結晶化誘起層８-1，８-2は、誘電体膜４-1，４-2を兼ねていてもよい。図４に、本発明のさらに他の実施形態に係る無初期化型相変化記録媒体の断面図を概略的に示す。図４に示す光記録媒体１-4においては、誘電体膜４-1，４-2の少なくとも一方に残留応力が導入されている。すなわち、誘電体膜４-1，４-2は結晶化誘起層として機能し、上述した結晶核の生成を促進することができる。
【００３９】
誘電体膜４-1，４-2に残留応力を導入する方法としては、上記スパッタガス圧下で誘電体膜４-1，４-2を成膜することが挙げられる。また、誘電体膜４-1，４-2中に窒素や水素を含有させることにより残留応力を導入することも可能である。しかしながら、この場合、誘電体膜４-1，４-2の記録膜５を耐熱保護する能力が損なわれるおそれがある。したがって、窒素や水素を含有させることにより残留応力を導入する場合は、誘電体膜４-1，４-2の他に、別途結晶化誘起層８-1，８-2を設けることが好ましい。
【００４０】
以下、上記無初期化型相変化光記録媒体１-1〜１-4において用いられる材料等について説明する。
上記光記録媒体１-1〜１-4において、基板２としては、ポリカーボネート等の合成樹脂やガラス等からなる透明基板が用いられる。
【００４１】
また、上記光記録媒体１-1〜１-4において、相変化記録膜５は、光照射により非晶質と結晶質との間で可逆的に相変化する材料で構成されることが必要である。この相変化記録層を構成する材料として、例えば、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 のようなＧｅ、Ｓｂ及びＴｅからなる３元合金、またはＩｎ、Ｓｂ及びＴｅからなる３元合金等を挙げることができる。
【００４２】
相変化記録膜５への記録は、記録膜５を融点以上に加熱しさらに急冷して非晶質状態とすることにより行なわれる。また、記録された情報の消去は、非晶質状態にある記録膜５を結晶化温度以上かつ融点未満に加熱して結晶質状態とすることにより行われる。なお、相変化記録膜５は、レーザ光等を照射することにより溶融される程度に薄い必要がある。したがって、通常、相変化記録膜５は、５０〜３００オングストローム程度の厚さに形成される。
【００４３】
誘電体膜４-1，４-2は、記録膜５にレーザ光等を照射する際に記録膜５が蒸発するのを防止するために設けられる。すなわち、誘電体膜４-1，４-2を設けることにより、記録膜５の穴明きを防ぎ、記録膜５の耐熱保護を図ることができる。
【００４４】
誘電体膜４-1，４-2に用いられる材料としては、例えば、ＺｎＳ・ＳｉＯ2 混合物、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、及びＡｌ2 Ｏ3 等の光透過性の誘電体を挙げることができる。なお、上記光記録媒体１-1において、誘電体膜４-1は、半透明干渉層３及び金属反射層６との相乗効果により再生信号を光学的にエンハンスするように設計されており、通常、５００〜３０００オングストローム程度の厚さに形成される。
【００４５】
また、誘電体膜４-2は、レーザ光等の照射により溶融された記録膜５の冷却を促進するために薄く形成され、通常、５０〜３００オングストローム程度の厚さに制御される。なお、近年、データ転送速度の高速化に伴い、記録速度の高速化が求められている。この場合、感度を向上させる必要があるため、急冷（熱の保持能力が低い）タイプではなく徐冷（熱の保持能力が高い）タイプの相変化光記録媒体も検討されている。したがって、上記光記録媒体１-1〜１-4を徐冷タイプとする場合は、熱の保持能力を高めるために、誘電体膜４-2は通常３００〜３０００オングストローム程度の厚さに形成される。
【００４６】
金属反射層６に用いられる材料としては、例えば、ＡｌＭｏ合金等を挙げることができる。この金属反射層６は、再生信号をエンハンスするため、及び放熱性を高めるために、通常、５００〜３０００オングストローム程度の厚さに形成される。
【００４７】
また、半透明干渉層３に用いられる材料としては、Ａｕ等を挙げることができる。この半透明干渉層３は、基板２側から照射されたレーザ光等が記録膜５へと到達可能である程度に薄い必要がある。また、半透明干渉層３は、半透明干渉層３と金属反射層６との間で光の干渉を生じさせて再生信号をエンハンスするために、ある程度の厚さを必要とする。そのため、半透明干渉層３は、通常、２０〜２００オングストローム程度に形成される。
【００４８】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
図５に示すスパッタ装置を用いて図４に示す相変化光記録媒体１-4を作製した。なお、図５は、本発明の実施例に係る相変化光記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置を概略的に示す図である。
【００４９】
相変化光記録媒体１-4を作製するに当たり、まず、直径が１２０ｍｍ、厚さが０．６ｍｍであり、一方の主面に幅０．６μｍの渦巻線状の溝が形成されたポリカーボネート製のディスク２を、溝が形成された面が下方を向くように、チャンバー２１内に設けられた円盤状の基台９に保持させた。なお、基台９はディスク２を保持しつつ回転することが可能である。
【００５０】
次に、バルブ１１を開き、真空ターボポンプ１２を駆動することにより、チャンバー２１内を１０-6ｔｏｒｒまで減圧した。さらに、基台９を６０ｒｐｍの速度で回転させつつ、バルブ１０-1を開放してＡｒガスをチャンバー２１内に導入した。なお、チャンバー内のＡｒガス圧は、バルブ１１の開放状態及び真空ターボポンプ１２の排気能力を変えることなく、図示しないマスフローコントローラを用いてＡｒ流量を制御することにより５×１０-3ｔｏｒｒとした。
【００５１】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-1とを電気的に接続して、電極１４-1に１３．５６ＭＨｚ、１５０ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-1上に配置されたＡｕターゲット１３-1のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、Ａｕターゲット１３-1の上方に配置されたシャッタ１５-1を開放した。所定の時間経過した後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-1とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-1を閉じた。以上のようにして、ディスク２上に半透明干渉層３として、厚さ１００オングストロームのＡｕ膜３を成膜した。
【００５２】
Ａｕ膜３を成膜した後、バルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＡｕ原子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０-1を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-4ｔｏｒｒに制御した。
【００５３】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。４分３０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2を閉じた。以上のようにして、Ａｕ膜３上に誘電体膜４-1として、厚さ８５０オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1を成膜した。なお、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1には残留応力が導入されている。すなわち、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1は結晶化誘起層を兼ねている。
【００５４】
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1を成膜した後、バルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-2を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＫｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＫｒガス圧を５×１０-2ｔｏｒｒに制御した。
【００５５】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ターゲット１３-3のＫｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ターゲット１３-3の上方に配置されたシャッタ１５-3を開放した。４０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-3を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1上に相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロームのＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
【００５６】
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を成膜した後、バルブ１０-2を閉じ、チャンバー２１内に残留するＫｒガスとＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-1を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒ制御した。
【００５７】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。３分経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2を閉じた。以上のようにして、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５上に誘電体膜４-2として、厚さ３００オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2を成膜した。
【００５８】
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2を成膜した後、バルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０-1を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【００５９】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-4とを電気的に接続して、電極１４-4に２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-4上に配置されたＡｌＭｏターゲット１３-4のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、ＡｌＭｏターゲット１３-4の上方に配置されたシャッタ１５-4を開放した。２分３０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-4とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-4を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2上に金属反射層６として、厚さ１０００オングストロームのＡｌＭｏ膜６を成膜した。
【００６０】
上述した方法により、ディスク２上にそれぞれの膜を成膜した後、ディスク２をチャンバー２１から取り出した。このディスク２のＡｌＭｏ膜６上に、スピンコータを用いてＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ光を照射することにより、ＡｌＭｏ膜６上に保護膜７を形成した。
【００６１】
以上のようにして、ディスク２上に厚さ１００オングストロームのＡｕ膜３、厚さ８５０オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1、厚さ１００オングストロームのＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５、厚さ３００オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2、厚さ１０００オングストロームのＡｌＭｏ膜６、及び厚さ８μｍの保護膜７を順次積層して相変化光記録媒体１-4を作製した。この相変化光記録媒体１-4をサンプルＡとする。
【００６２】
また、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜時のＫｒガス圧を５×１０-1ｔｏｒｒに制御したこと以外はサンプルＡと同様にして相変化光記録媒体１-4を作製した。すなわち、サンプルＢに比べ、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜時における急冷度をさらに低減して相変化光記録媒体１-4を作製した。この相変化光記録媒体１-4をサンプルＢとする。
【００６３】
（実施例２）
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1，４-2の成膜を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１のサンプルＡと同様にして、図４に示す相変化光記録媒体１-4を作製した。
【００６４】
すなわち、サンプルＡと同様にしてディスク２上にＡｕ膜３を成膜した後、バルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＡｕ原子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０-1を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【００６５】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。８分３０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2を閉じた。以上のようにして、Ａｕ膜３上に誘電体膜４-1として、厚さ８５０オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1を成膜した。なお、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1には残留応力は導入されていない。
【００６６】
以上のようにしてＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1を成膜した後、サンプルＡと同様にして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1上に相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロームのＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
【００６７】
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を成膜後、バルブ１０-2を閉じ、チャンバー２１内に残留するＫｒガスとＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-1を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-4ｔｏｒｒに制御した。
【００６８】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。１分４０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2を閉じた。以上のようにして、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５上に誘電体膜４-2として、厚さ３００オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2を成膜した。なお、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2には残留応力が導入されている。すなわち、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2は結晶化誘起層を兼ねている。
【００６９】
さらに、実施例１に示したのと同様の方法により、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2上に、ＡｌＭｏ膜６及び保護膜７を順次積層して相変化光記録媒体１-4を作製した。この相変化光記録媒体１-4をサンプルＣとする。
【００７０】
また、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜時のＫｒガス圧を５×１０-1ｔｏｒｒとし、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように成膜時間を調節したこと以外はサンプルＣと同様にして相変化光記録媒体１-4を作製した。すなわち、サンプルＣに比べ、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜時における急冷度をさらに低減して相変化光記録媒体１-4を作製した。この相変化光記録媒体１-4をサンプルＤとする。
【００７１】
（実施例３）
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2の成膜を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１のサンプルＡと同様にして、図４に示す相変化光記録媒体１-4を作製した。
【００７２】
すなわち、まず、サンプルＡと同様にして、ディスク２上に、Ａｕ膜３、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1、及びＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を順次成膜した。
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を成膜後、バルブ１０-2を閉じ、チャンバー２１内に残留するＫｒガスとＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-1を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-4ｔｏｒｒに制御した。
【００７３】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。１分４０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2を閉じた。以上のようにして、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５上に誘電体膜４-2として、厚さ３００オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2を成膜した。なお、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2には残留応力が導入されている。すなわち、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2は結晶化誘起層を兼ねている。
【００７４】
さらに、実施例１に示したのと同様の方法により、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2上に、ＡｌＭｏ膜６及び保護膜７を順次積層して相変化光記録媒体１-4を作製した。この相変化光記録媒体１-4をサンプルＥとする。
【００７５】
また、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜時のＫｒガス圧を５×１０-1ｔｏｒｒとし、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の膜厚が１００オングストロームとなるように成膜時間を調節したこと以外はサンプルＣと同様にして相変化光記録媒体１-4を作製した。すなわち、サンプルＥに比べ、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜時における急冷度をさらに低減して相変化光記録媒体１-4を作製した。この相変化光記録媒体１-4をサンプルＦとする。
【００７６】
（比較例）
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1及びＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜を以下に示す方法により行ったこと以外は実施例１のサンプルＡと同様にして、図４に示す相変化光記録媒体１-4を作製した。
【００７７】
すなわち、サンプルＡと同様にしてディスク２上にＡｕ膜３を成膜した後、バルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＡｕ原子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０-1を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【００７８】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。８分３０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2を閉じた。以上のようにして、Ａｕ膜３上に誘電体膜４-1として、厚さ８５０オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1を成膜した。なお、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1には残留応力は導入されていない。
【００７９】
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1を成膜した後、バルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-1を再度開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【００８０】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ターゲット１３-3のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ターゲット１３-3の上方に配置されたシャッタ１５-3を開放した。２０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-3を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1上に相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロームのＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
【００８１】
さらに、サンプルＡと同様にして、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５上に、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2、ＡｌＭｏ膜６及び保護膜７を順次積層して相変化光記録媒体１-4を作製した。この相変化光記録媒体１-4を比較用サンプルとする。
【００８２】
以上のようにして作製したサンプルＡ〜Ｆ及び比較用サンプルについて、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の製造条件の違いと、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1，４-2への残留応力の導入の有無とを下記表１に纏める。
【００８３】
【表１】
0003878337.tif 000002
【００８４】
次に、これらサンプルＡ〜Ｆ及び比較用サンプルについて、作製直後における相変化記録膜５の非晶質状態の安定性を、図６に示す光ディスクドライブ装置を用いて、以下に示す方法により評価した。なお、図６は、本発明の実施例において用いられる光ディスクドライブ装置を概略的に示す図である。
【００８５】
図６に示すように、相変化光記録媒体（ディスク）１-4は、スピンドルモータ３２の回転軸に保持される。ディスク１-4は、スピンドルモータ３２の回転数を制御することにより、所定の回転数で回転される。本実施例においては、ＤＶＤ−ＲＡＭを想定して、ディスク１-4と光学ヘッド３３との相対速度が１２ｍ／ｓで一定となるように、ディスク１-4の回転軸と光学ヘッド３３との間の距離に応じてディスク１-4の回転速度を変化させる、いわゆる線速度一定方式を採用した。
【００８６】
入力装置３６から入力される信号は、変調回路３５において、例えばＤＶＤ−ＲＡＭを想定した場合は８／１６変調で、１または０の信号へとデジタル化される。変調回路３５からのデジタル信号はレーザドライバ３７へと送られ、光学ヘッド３３から出射されるレーザ光のＯＮ／ＯＦＦを制御する。これにより、ディスク１-4上へのデータの書込みが行われる。
【００８７】
本実施例においてディスク１-4は相変化光記録媒体であるので、ディスク１-4への情報の記録、ディスク１-4に記録された情報の消去、及びディスク１-4に記録された情報の再生は、全てレーザ光等を照射することにより行われる。
【００８８】
図７に、本発明の実施例に係る相変化光記録媒体における、情報の記録・消去・再生に必要なレーザ光のパワーをグラフにして示す。なお、図中、横軸は時間を示し、縦軸はレーザ光のパワーを示している。
【００８９】
図７に示すように、情報の記録を行う場合は、レーザ光のパワーをＰw まで高めて相変化記録膜を溶融・急冷することにより非晶質状態とする。また、記録された情報の消去を行う場合は、レーザ光のパワーをＰe 程度として、相変化記録膜をその結晶化温度以上、融点未満まで加熱することにより結晶化させる。なお、図中、Ｐr は記録された情報の再生を行う場合に必要なレーザ光のパワーである。ディスク１-4に情報を書込むと、その部分は非晶質となる。非晶質部分と結晶質部分とでは反射率が異なるので、ディスク１-4上を一定かつ弱いパワーのレーザ光を用いて走査することにより、記録された信号を反射光量の差として検出することができる。
【００９０】
ディスク１-4にパワーＰr のレーザ光を照射することにより得られる再生信号は、光学ヘッド３３に接続されたプリアンプ３８で増幅される。増幅された再生信号は、次に２値化回路３９において、アナログ信号からデジタル信号へとデジタル化される。デジタル化された再生信号は、さらに復調回路４０において、８／１６変調に基づいて復調され、アナログ信号として出力装置４１へと出力される。
【００９１】
なお、図７において、制御系４３は、レーザドライバ３７を介して光学ヘッド３３から出射されるレーザ光強度を制御したり、例えば、リニアモータ駆動制御系４６を介してリニアモータ３４を駆動することにより光学ヘッド３３を所望の位置に制御するのに用いられる。また、制御系４３は、フォーカス駆動制御系４４やトラック駆動制御系４５を介して、光学ヘッド３３に設けられた対物レンズアクチュエータを駆動することにより、ディスク１-4の面振れやトラックの偏心に追従するように対物レンズの位置を制御するのに用いられる。
【００９２】
このように構成される光ディスクドライバ装置３０を用いて、サンプルＡ〜Ｆ及び比較用サンプルについて、以下に示す方法により製造直後における相変化記録膜の非晶質状態の安定性について評価を行った。すなわち、ディスク１-4（サンプルＡ〜Ｆ及び比較用サンプル）に初期結晶化を行うことなく、上記光ディスクドライバ装置３０により図７に示すパワーＰe の消去用のレーザ光及びパワーＰw の記録用のレーザ光を照射した。すなわち、オーバーライト記録を行った。
【００９３】
なお、信号の記録は、ＤＶＤ−ＲＡＭを想定して、線速度が１２ｍ／ｓで一定となるようにスピンドルモータ３２の回転数を制御し、８／１６変調、デューティ５０％として、周波数１４．２ＭＨｚのレーザ光を照射してマークエッジ記録を行い、相変化記録膜に最短マーク長である３Ｔを形成することにより行った。また、パワーＰw は１４ｍＷとし、パワーＰe は５ｍＷとした。
【００９４】
また、作製直後における相変化記録膜は非晶質状態にあり、かつサンプルＡ〜Ｆ及び比較用サンプルは全てＬｔｏＨメディアであるため、作製直後における相変化記録膜の反射率は０．１８程度と十分に高かった。したがって、光ディスクドライブ装置３０において、サーボ制御可能であり、また、試験中にサーボ制御不能となることはなかった。
【００９５】
次に、情報を記録したディスク１-4について記録の再生を行い、スペクトラム・アナライザを用いてＣ／Ｎ値を測定した。なお、Ｃ／Ｎ値が低すぎる場合は、パワーＰe の消去用のレーザ光を照射することによる相変化記録膜の結晶化が不完全であったと判断することができる。したがって、この場合は、オーバーライト記録を再度行った。
【００９６】
十分に大きなＣ／Ｎ値が得られるまで、相変化記録膜の同じ領域に対して、上記オーバーライト記録とＣ／Ｎ値の測定とを繰り返し行い、その繰返し回数により、作製直後における相変化記録膜の非晶質状態の安定性を評価した。以下にその結果を示す。
【００９７】
まず、比較用サンプルについて上記測定を行ったところ、１回目のオーバーライト記録直後では、１４．２ＭＨｚのスペクトルは殆ど観測されなかった。オーバーライト記録とＣ／Ｎ値の測定とを繰り返し行ったところ、Ｃ／Ｎ値が４０ｄＢに達するのに６回のオーバーライト記録を必要とした。また、Ｃ／Ｎ値が５２ｄＢに達するのに１５回のオーバーライト記録を必要とした。以上から、従来の方法により製造した比較用サンプルは、作製直後において、相変化記録膜の非晶質状態が過剰に安定であることが確認された。
【００９８】
次に、サンプルＡについて上記測定を行ったところ、１回目のオーバーライト記録で、４０ｄＢを超えるＣ／Ｎ値を得ることができた。また、オーバーライト記録を３回繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を５２ｄＢとすることができた。また、サンプルＢについて上記測定を行ったところ、１回目のオーバーライト記録で、Ｃ／Ｎ値を５０ｄＢとすることができた。また、オーバーライト記録を２回繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を５２ｄＢとすることができた。
【００９９】
以上の結果から、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1に残留応力を導入することにより、製造直後における記録膜を非晶質状態から結晶質状態へと容易に変化させることが可能となることが確認された。また、相変化記録膜の成膜時に、スパッタリングガス圧を高めることにより、記録膜原料の急冷度を低減し、作製直後における相変化記録膜の非晶質状態の過剰な安定性を低減可能であることが確認された。
【０１００】
次に、サンプルＣについて上記測定を行ったところ、１回目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を４０ｄＢとすることができた。また、オーバーライト記録を３回繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を５２ｄＢとすることができた。また、サンプルＤについて上記測定を行ったところ、１回目のオーバーライト記録の直後にＣ／Ｎ値は５０ｄＢに達し、２回目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢとすることができた。以上の結果から、残留応力を導入する層がＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2のいずれであっても同様の効果が得られることが確認された。
【０１０１】
次に、サンプルＥ，Ｆについて上記測定を行ったところ、ともに１回目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。以上の結果から、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2の双方に残留応力を導入することにより、一方のみに残留応力を導入した場合に比べて、製造直後において非晶質状態にある記録膜をさらに容易に結晶質状態へと変化させることが可能となることが確認された。
【０１０２】
（実施例４）
図５に示すスパッタ装置を用いて図１に示す相変化光記録媒体１-1を作製した。なお、本例においてターゲット１３-4の材料としては、ＡｌＭｏの代わりにＧｅが用いられる。
【０１０３】
相変化光記録媒体１-1を作製するに当たり、まず、サンプルＡと同様にして、ディスク２上にＡｕ膜３を成膜した。
Ａｕ膜３を成膜した後、バルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＡｕ原子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０-1を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【０１０４】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。８分３０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2を閉じた。以上のようにして、Ａｕ膜３上に誘電体膜４-1として、厚さ８５０オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1を成膜した。
【０１０５】
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1を成膜した後、バルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-3を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスとＮ2 ガスとの混合ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内の混合ガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。なお、ＡｒガスとＮ2 ガスとの流量比は１：１である。
【０１０６】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-4とを電気的に接続して、電極１４-4に２５０ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-4上に配置されたＧｅターゲット１３-4のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、Ｇｅターゲット１３-4の上方に配置されたシャッタ１５-4を開放した。２０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-4とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-4を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1上に結晶化誘起層８-1として、厚さ５０オングストロームのＧｅＮ膜８-1を成膜した。
【０１０７】
ＧｅＮ膜８-1を成膜した後、バルブ１０-3を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＮ2 ガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-2を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＫｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＫｒガス圧を５×１０-2ｔｏｒｒに制御した。
【０１０８】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ターゲット１３-3のＫｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ターゲット１３-3の上方に配置されたシャッタ１５-3を開放した。４０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-3を閉じた。以上のようにして、ＧｅＮ膜８-1上に相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロームのＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
【０１０９】
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を成膜した後、バルブ１０-2を閉じ、チャンバー２１内に残留するＫｒガスとＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-1を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【０１１０】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。３分経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2を閉じた。以上のようにして、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５上に誘電体膜４-2として、厚さ３００オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2を成膜した。
【０１１１】
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2を成膜した後、バルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、再度バルブ１０-1を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【０１１２】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-1とを電気的に接続して、電極１４-1に１５０ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-1上に配置されたＡｕターゲット１３-1のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、Ａｕターゲット１３-1の上方に配置されたシャッタ１５-1を開放した。２分３０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-1とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-1を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2上にＡｕ金属反射層６として、厚さ１０００オングストロームのＡｕ膜６を成膜した。
【０１１３】
上述した方法により、ディスク２上にそれぞれの膜を成膜した後、ディスク２をチャンバー２１から取り出した。このディスク２のＡｕ膜６上に、スピンコータを用いてＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ光を照射することにより、Ａｕ膜６上に保護膜７を形成した。
【０１１４】
以上のようにして、ディスク２上に、厚さ１００オングストロームのＡｕ膜３、厚さ８５０オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1、厚さ５０オングストロームのＧｅＮ膜８-1、厚さ１００オングストロームのＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５、厚さ３００オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2、厚さ１０００オングストロームのＡｕ膜６、及び厚さ８μｍの保護膜７を順次積層して相変化光記録媒体１-1を作製した。この相変化光記録媒体１-1をサンプルＧとする。
【０１１５】
また、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜時のＫｒガス圧を５×１０-1ｔｏｒｒに制御したこと以外はサンプルＧと同様にして相変化光記録媒体１-1を作製した。すなわち、サンプルＧに比べ、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜時における急冷度をさらに低減して相変化光記録媒体１-1を作製した。この相変化光記録媒体１-1をサンプルＨとする。
【０１１６】
（実施例５）
図５に示すスパッタ装置を用いて図２に示す相変化光記録媒体１-2を作製した。
【０１１７】
相変化光記録媒体１-2を作製するに当たり、まず、サンプルＧと同様にして、ディスク２上にＡｕ膜３及びＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1を順次成膜した。
ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1を成膜した後、バルブ１０-1を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-2を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＫｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＫｒガス圧を５×１０-2ｔｏｒｒに制御した。
【０１１８】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを電気的に接続して、電極１４-3に２００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-3上に配置されたＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ターゲット１３-3のＫｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 ターゲット１３-3の上方に配置されたシャッタ１５-3を開放した。４０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-3とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-3を閉じた。以上のようにして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1上に相変化記録膜５として、厚さ１００オングストロームのＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を成膜した。
【０１１９】
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を成膜した後、バルブ１０-2を閉じ、チャンバー２１内に残留するＫｒガスとＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-3を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスとＮ2 ガスとの混合ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内の混合ガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。なお、ＡｒガスとＮ2 ガスとの流量比は１：１である。
【０１２０】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-4とを電気的に接続して、電極１４-4に２５０ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-4上に配置されたＧｅターゲット１３-4のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、Ｇｅターゲット１３-4の上方に配置されたシャッタ１５-4を開放した。２０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-4とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-4を閉じた。以上のようにして、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５上に結晶化誘起層８-1として、厚さ５０オングストロームのＧｅＮ膜８-2を成膜した。
【０１２１】
ＧｅＮ膜８-2を成膜した後、バルブ１０-3を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＮ2 ガスとＺｎＳ／ＳｉＯ2 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-1を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【０１２２】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。３分経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2を閉じた。以上のようにして、ＧｅＮ膜８-2上に誘電体膜４-2として、厚さ３００オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2を成膜した。
【０１２３】
さらに、サンプルＧと同様にして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2上に、Ａｕ膜６及び保護膜７を順次積層して相変化光記録媒体１-2を作製した。この相変化光記録媒体１-2をサンプルＩとする。
【０１２４】
また、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜時のＫｒガス圧を５×１０-1ｔｏｒｒに制御したこと以外はサンプルＩと同様にして相変化光記録媒体１-2を作製した。すなわち、サンプルＩに比べ、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜時における急冷度をさらに低減して相変化光記録媒体１-2を作製した。この相変化光記録媒体１-2をサンプルＪとする。
【０１２５】
（実施例６）
図５に示すスパッタ装置を用いて図３に示す相変化光記録媒体１-3を作製した。
【０１２６】
相変化光記録媒体１-3を作製するに当たり、まず、サンプルＧと同様にして、ディスク２上に、Ａｕ膜３、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-1、ＧｅＮ膜８-1、及びＫｒガス圧を５×１０-2ｔｏｒｒとしてＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を順次成膜した。
【０１２７】
Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５を成膜した後、バルブ１０-2を閉じ、チャンバー２１内に残留するＫｒガスとＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-3を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスとＮ2 ガスとの混合ガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内の混合ガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。なお、ＡｒガスとＮ2 ガスとの流量比は１：１である。
【０１２８】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-4とを電気的に接続して、電極１４-4に２５０ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-4上に配置されたＧｅターゲット１３-4のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、Ｇｅターゲット１３-4の上方に配置されたシャッタ１５-4を開放した。２０秒経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-4とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-4を閉じた。以上のようにして、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５上に結晶化誘起層８-1として、厚さ５０オングストロームのＧｅＮ膜８-1を成膜した。
【０１２９】
ＧｅＮ膜８-1を成膜した後、バルブ１０-3を閉じ、チャンバー２１内に残留するＡｒガスとＮ2 ガスとＧｅ分子とを真空ターボポンプ１２を用いて排気した。排気終了後、バルブ１０-1を開放して、マスフローコントローラで流量制御しつつＡｒガスをチャンバー２１内に導入し、チャンバー内のＡｒガス圧を５×１０-3ｔｏｒｒに制御した。
【０１３０】
次に、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に接続して、電極１４-2に６００ＷのＲＦ電力を供給した。以上のようにして、電極１４-2上に配置されたＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2のＡｒガスによるスパッタリングを開始した。約１分間プリスパッタした後、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 ターゲット１３-2の上方に配置されたシャッタ１５-2を開放した。３分経過後、切替スイッチ１７を用いてＲＦ電源１６と電極１４-2とを電気的に絶縁し、さらにシャッタ１５-2を閉じた。以上のようにして、ＧｅＮ膜８-1上に誘電体膜４-2として、厚さ３００オングストロームのＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2を成膜した。
【０１３１】
さらに、サンプルＧと同様にして、ＺｎＳ／ＳｉＯ2 膜４-2上に、Ａｕ膜６及び保護膜７を順次積層して相変化光記録媒体１-3を作製した。この相変化光記録媒体１-3をサンプルＫとする。
【０１３２】
また、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜時のＫｒガス圧を５×１０-1ｔｏｒｒに制御したこと以外はサンプルＫと同様にして相変化光記録媒体１-3を作製した。すなわち、サンプルＫに比べ、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の成膜時における急冷度をさらに低減して相変化光記録媒体１-3を作製した。この相変化光記録媒体１-3をサンプルＬとする。
【０１３３】
以上のようにして作製したサンプルＧ〜Ｌ及び比較用サンプルについて、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５の製造条件の違いと、ＧｅＮ膜８-1，８-2の有無とを下記表２に纏める。
【０１３４】
【表２】
0003878337.tif 000003
【０１３５】
次に、これらサンプルＧ〜Ｌについて、サンプルＡ〜Ｆ及び比較用サンプルに関して実施したのと同様の試験を行った。その結果、サンプルＧについては、１回目のオーバーライト記録で４５ｄＢを超えるＣ／Ｎ値を得ることができた。また、オーバーライト記録を３回繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を５２ｄＢとすることができた。サンプルＨについては、１回目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５１ｄＢとすることができた。また、オーバーライト記録を２回繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を５２ｄＢとすることができた。
【０１３６】
以上の結果から、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 膜５に隣接して残留応力を導入されたＧｅＮ膜８-1を設けることにより、製造直後における記録膜を非晶質状態から結晶質状態へと容易に変化させることが可能となることが確認された。また、相変化記録膜の成膜時に、スパッタリングガス圧を高めることにより、記録膜原料の急冷度を低減し、作製直後における相変化記録膜の非晶質状態の過剰な安定性を低減可能であることが確認された。
【０１３７】
次に、サンプルＩについて上記測定を行ったところ、１回目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を４５ｄＢとすることができた。また、オーバーライト記録を３回繰返すことにより、Ｃ／Ｎ値を５２ｄＢとすることができた。また、サンプルＪについて上記測定を行ったところ、１回目のオーバーライト記録の直後にＣ／Ｎ値は５１ｄＢに達し、２回目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢとすることができた。以上の結果から、ＧｅＮ膜８-1及びＧｅＮ膜８-2のいずれを設けた場合においても同様の効果が得られることが確認された。
【０１３８】
次に、サンプルＫ，Ｌについて上記測定を行ったところ、ともに１回目のオーバーライト記録でＣ／Ｎ値を５２ｄＢ以上とすることができた。以上の結果から、ＧｅＮ膜８-1及びＧｅＮ膜８-2の双方を設けることにより、一方のみに設けた場合に比べて、製造直後において非晶質状態にある記録膜をさらに容易に結晶質状態へと変化させることが可能となることが確認された。
【０１３９】
上述したように、本発明の実施例に係るサンプルＡ〜Ｌによると、製造直後において非晶質状態にある記録膜を容易に結晶質状態へと変化させることができた。さらに、本発明の実施例に係るサンプルＡ〜Ｌにおいては、オーバーライト記録時に記録マークの消去率が著しく向上した。これは、本発明の実施例に係るサンプルＡ〜Ｌには結晶化誘起層が設けられているため、結晶核の生成が促進され、非晶質状態から結晶質状態への変化が高い効率で生じたことによると考えられる。
【０１４０】
以上示したように、本発明によると、基板上に相変化記録膜を成膜する際に、スパッタガスとしてＫｒガス或いはＸｅガスを用い、スパッタガス圧を高めることにより、基板面へと衝突する記録膜原料原子或いは分子の速度が低減される。そのため、記録膜原料の急冷度が低減され、作製される相変化記録膜は、適度な安定性を有する非晶質状態となる。また、本発明によると、相変化記録膜と接するように、残留応力を導入された結晶化誘起層が設けられる。そのため、相変化記録膜の結晶化誘起層との界面において結晶核の生成が促進される。したがって、本発明によると、初期結晶化を行う必要がなく、作製直後からオーバーライト記録が可能な無初期化型相変化光記録媒体を製造することが可能となる。
【０１４１】
また、本発明によると、スパッタリング条件の僅かな変更により、上記非晶質状態の安定性を制御可能である。したがって、容易に実現可能であり、かつ制御も簡単である。さらに、本発明によると、結晶化誘起層、相変化記録膜、金属反射層等を連続的に成膜することが出来るため、無初期化型相変化光記録媒体を高い効率で製造可能である。
【０１４２】
なお、上記実施例においては、無初期化型とすることによる効果が顕著なＬｔｏＨメディアについて説明したが、ＨｔｏＬメディアであっても、本発明の方法により無初期化型の相変化光記録媒体を製造可能であることは言うまでもない。
【０１４３】
また、上記実施例においては、相変化光記録媒体を製造する際に、相変化記録膜の材料としてＧｅＳｂＴｅ系材料を用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、ＩｎＳｂＴｅ系材料、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系材料、及びＩｎＳｅ系材料等、様々な相変化記録材料を用いた場合においても同様の効果を得ることができるのは言うまでもない。
【０１４４】
さらに、上記実施例においては、相変化記録膜をスパッタリングにより成膜する際に、スパッタガスとしてＫｒガスを用いた場合について説明したが、Ｘｅガスを用いた場合においても同様の効果を得ることができるのは言うまでもない。
【０１４５】
【発明の効果】
以上示したように、本発明によると、基板上に相変化記録膜を成膜する際に、スパッタガスとしてＫｒガス或いはＸｅガスを用い、スパッタガス圧を高めることにより、基板面へと衝突する記録膜原料原子或いは分子の速度が低減される。そのため、記録膜原料の急冷度が低減され、作製される相変化記録膜は、適度な安定性を有する非晶質状態となる。また、本発明によると、相変化記録膜と接するように、結晶化誘起層が設けられる。そのため、相変化記録膜の結晶化誘起層との界面において結晶核の生成が促進される。したがって、本発明によると、記録膜の初期結晶化を必要とすることなく製造直後からオーバーライト記録が可能な無初期化型相変化光記録媒体を実現可能とする新規な相変化光記録媒体の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る無初期化型相変化光記録媒体を概略的に示すの断面図。
【図２】本発明の他の実施形態に係る無初期化型相変化光記録媒体を概略的に示す断面図。
【図３】本発明のさらに他の実施形態に係る無初期化型相変化光記録媒体を概略的に示す断面図。
【図４】本発明のさらに他の実施形態に係る無初期化型相変化光記録媒体を概略的に示す断面図。
【図５】本発明の実施例に係る相変化光記録媒体の製造に用いられるスパッタ装置を概略的に示す図。
【図６】本発明の実施例において用いられる光ディスクドライブ装置を概略的に示す図。
【図７】本発明の実施例に係る相変化光記録媒体における、情報の記録・消去・再生に必要なレーザ光のパワーを示すグラフ。
【符号の説明】
１-1〜1-4 …相変化光記録媒体
２…基板
３…半透明干渉層
４-n…誘電体膜
５…相変化記録膜
６…金属反射層
７…保護膜
８-1，８-2…結晶化誘起層
９…基台
１０-n，１１…バルブ
１２…真空ターボポンプ
１３-n…ターゲット
１４-n…電極
１５-n…シャッタ
１６…ＲＦ電源
１７…切替スイッチ
２１…チャンバー
３２…スピンドルモータ
３３…光学ヘッド
３４…リニアモータ
３５…変調回路
３６…入力装置
３７…レーザドライバ
３８…プリアンプ
３９…２値化回路
４０…復調回路
４１…出力装置
４３〜４６…制御系
【図１】
0003878337.tif 000004
【図２】
0003878337.tif 000005
【図３】
0003878337.tif 000006
【図４】
0003878337.tif 000007
【図５】
0003878337.tif 000008
【図６】
0003878337.tif 000009
【図７】
0003878337.tif 000010