(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体結晶粒子ならびに、Ｌｉおよび／またはＢを含有するガラス粒子を含む誘電体磁器からなる誘電体層と、内部電極層とを交互に複数積層してなる電子部品本体の端面に、前記内部電極層が交互に接続される一対の外部電極をそれぞれ形成してなる積層型電子部品において、前記誘電体磁器中に前記ガラス粒子を前記誘電体結晶粒子１００質量部に対して０．８〜１．５質量部含有するとともに、前記ガラス粒子が前記誘電体結晶粒子間に粒子状に分散して存在し、前記誘電体層の厚みをｔ、前記ガラス粒子の最大径をＤとしたときに、Ｄ／ｔ≦０．５の関係を満足するとともに、前記電子部品本体断面におけるボイドの面積占有率が１％以下であることを特徴とする積層型電子部品。
【請求項２】
前記誘電体層の厚みが３μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の積層型電子部品。
【請求項３】
誘電体グリーンシートと、内部電極パターンとを交互に複数積層して電子部品本体成形体を形成し、焼成する積層型電子部品の製法であって、前記誘電体グリーンシートとして、誘電体粉末１００質量部に対して、Ｌｉおよび／またはＢを含み粒径Ｄ５０が０．４〜０．７μｍであるガラス粉末を０．８〜１．５質量部含有させたものを用い、焼成の際に還元雰囲気中で、５００℃からの昇温速度を２００〜４００℃／ｈとし、１２００〜１３００℃の温度で焼成することを特徴とする積層型電子部品の製法。
【請求項４】
前記誘電体グリーンシートとして、厚みが４μｍ以下の誘電体グリーンシートを用いることを特徴とする請求項３に記載の積層型電子部品の製法。
【請求項５】
前記ガラス粉末として、粒径比が、Ｄ５０／Ｄ９０≧０．７であるガラス粉末を用いることを特徴とする請求項３または４に記載の積層型電子部品の製法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層型電子部品およびその製法に関し、特に、極めて薄い誘電体層を有する積層型電子部品およびその製法に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、電子機器の小型化、高密度化に伴い、積層型電子部品、例えば、積層セラミックコンデンサは小型高容量化が求められており、このため誘電体層の積層数の増加と誘電体層の薄層化が図られている。
【０００３】
このような積層セラミックコンデンサ等のための誘電体磁器を形成するための原料としては、例えば、特開平９−３５９８９号公報に開示されるようなものが知られている。この公報には、原料の粒径がＤ５０で０．６〜１．０μｍのセラミック原料を用いて、厚みが１１μｍの誘電体グリーンシートを形成し、焼成を１２７０〜１３３０℃の温度で行うことにより、静電容量を安定にし、信頼性に優れた積層セラミックコンデンサを容易に得ることができる、と記載されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特開平９−３５９８９号公報に開示された積層型電子部品の製法では、上記のように、厚みが１１μｍの誘電体グリーンシートを用いて形成される積層セラミックコンデンサの場合には優れた特性を得ることができるものの、近年の積層セラミックコンデンサの小型高容量化に伴って、誘電体層の厚みが、例えば、３μｍ以下に極めて薄層化された場合には、用いられる原料の粒径がＤ５０で０．６〜１．０μｍの範囲に粒度調整されたとしても、原料中には多くの粗大粒子が存在するため、焼成後において、そのガラス粉末の成分であるＢａＯ−ＳｒＯ−ＬｉＯ−ＳｉＯ2により形成されるガラス粒子が誘電体層を貫通するように形成され、さらには、このように粗大なガラス粉末が焼結することにより誘電体層中のボイドが多くなり、このようにガラス粒子やボイドが存在する部分では厚み方向の電界強度が低下するために誘電体層の絶縁抵抗が低下し、特に、高温負荷試験において絶縁不良が発生しやすいという問題があった。
【０００５】
従って、本発明は、誘電体層を薄層化しても高い絶縁性を有し、高温負荷試験における信頼性を向上できる積層型電子部品およびその製法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の積層型電子部品は、誘電体結晶粒子ならびに、Ｌｉおよび／またはＢを含有するガラス粒子を含む誘電体磁器からなる誘電体層と、内部電極層とを交互に複数積層してなる電子部品本体の端面に、前記内部電極層が交互に接続される一対の外部電極をそれぞれ形成してなる積層型電子部品において、前記誘電体磁器中に前記ガラス粒子を前記誘電体結晶粒子１００質量部に対して０．８〜１．５質量部含有するとともに、前記ガラス粒子が前記誘電体結晶粒子間に粒子状に分散して存在し、前記誘電体層の厚みをｔ、前記ガラス粒子の最大径をＤとしたときに、Ｄ／ｔ≦０．５の関係を満足するとともに、前記電子部品本体断面におけるボイドの面積占有率が１％以下であることを特徴とする。
【０００７】
このような構成によれば、誘電体層の絶縁性に大きな影響を及ぼすと考えられているガラスの最大径をＤ／ｔ≦０．５と、誘電体層の厚みよりも小さくしかつボイドの面積占有率を１％以下と減らすことにより、誘電体層全体における電界強度が高まり絶縁性の低下が抑制され、特に、高温負荷試験における絶縁不良の発生を抑制できる。
【０００８】
上記積層型電子部品では、ガラス量を、上述した範囲とすることにより誘電体層を緻密化できるとともに、比誘電率を高め、誘電体層の絶縁性を向上できる。
【０００９】
上記積層型電子部品では、誘電体層の厚みが３μｍ以下であることが望ましい。誘電体層の厚みが３μｍ以下と薄くなればなるほど、誘電体層中に形成されるガラスによる絶縁性への影響が大きくなり、静電容量をたかめることができることから、本発明では、誘電体層厚みが３μｍ以下の積層型電子部品への適用が効果的である。
【００１０】
本発明の積層型電子部品の製法は、誘電体グリーンシートと、内部電極パターンとを交互に複数積層して電子部品本体成形体を形成し、焼成する積層型電子部品の製法であって、前記誘電体グリーンシートとして、誘電体粉末１００質量部に対して、Ｌｉおよび／またはＢを含み粒径Ｄ５０が０．４〜０．７μｍであるガラス粉末を０．８〜１．５質量部含有させたものを用い、焼成の際に還元雰囲気中で、５００℃からの昇温速度を２００〜４００℃／ｈとし、１２００〜１３００℃の温度で焼成することを特徴とする。
【００１１】
このような製法によれば、まず、ガラス粉末の粒径を上記の範囲とすることにより、粗大粒子による凹凸の無い均質な誘電体グリーンシートを容易に形成できる。
【００１２】
また、誘電体粉末に対するガラス粉末量を上記の範囲とすることにより、焼成後においてもガラス粉末の偏析を抑え、誘電体層の厚みに対して粗大なガラスの形成を抑制でき、また、ガラスの粗大化によるボイドの生成を抑制できる。即ち、誘電体粉末に対するガラス粉末量が少ないために、誘電体層を主として構成する結晶粒子間に存在するガラスやボイドからなる低抵抗相が少なくなり、誘電体層の絶縁性の高い積層型電子部品を容易に形成できる。
【００１３】
また、上記積層型電子部品の製法では、誘電体グリーンシートの厚みが４μｍ以下であることが望ましい。本発明の製法によれば、用いるガラス粉末の粒径が微細な径に制御されていることから、誘電体グリーンシートの厚みが４μｍ以下と極めて薄くなっても粗大粒子による凹凸のない均質なものを容易に形成できる。
【００１４】
上記積層型電子部品の製法では、ガラス粉末の粒径比が、Ｄ５０／Ｄ９０≧０．７であることが望ましい。このように、ガラス粉末の粒度分布を狭くすることにより、誘電体層中に形成されるガラスの偏析をさらに抑制できるため、ガラスの粗大化による誘電体層中での貫通を防止できるとともに、ボイドを低減できることから薄層化した誘電体層であっても高い絶縁抵抗を有する誘電体層を容易に形成できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
（構造）
本発明の積層型電子部品である積層セラミックコンデンサについて、図１の概略断面図をもとに詳細に説明する。
【００１６】
本発明の積層型電子部品は、電子部品本体１の両端部に外部電極３を形成して構成されている。
【００１７】
外部電極３は、例えば、ＣｕもしくはＣｕとＮｉの合金ペーストを焼き付けて形成されている。
【００１８】
電子部品本体１は、誘電体層７と内部電極層９とを交互に積層してなる容量部１１と、その容量部１１の周囲に誘電体層７と同一材料からなり静電容量に寄与しない非容量部１３が形成されている。
【００１９】
誘電体層７は、シート状のセラミック焼結体であり、例えば、ＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体グリーンシートを焼成して形成した誘電体磁器からなる。
【００２０】
ここで、容量部１１を構成する誘電体層７の厚みｔは、静電容量を高めるという理由から３μｍ以下であることが望ましく、特に、静電容量とともに絶縁性を維持するという理由から誘電体層の厚みは１．５〜２．５μｍであることがより望ましい。
【００２１】
図２は、内部電極層９に狭持されている誘電体層７の要部拡大図である。
【００２２】
誘電体層７は、図２に示すように、結晶相として誘電体結晶粒子２１とガラス粒子２５とからなり、かつこれら誘電体結晶粒子２１およびガラス粒子２５の粒内および／または粒界に不可避的にボイド２７が形成されている。尚、本発明の積層型電子部品では、静電容量に寄与しない非容量部１３側よりも、誘電体層７が内部電極層９に狭持され静電容量に寄与する容量部１１側が緻密化されボイドが少ない状態になっている。
【００２３】
ここで、ガラス粒子２５の大きさは、誘電体層７の厚みをｔ、誘電体層７中に含まれるガラス粒子２５の最大径をＤとしたときに、Ｄ／ｔ≦０．５の関係を満足することが重要である。この場合、Ｄ／ｔ比が０．５より大きい場合には、ガラス粒子２５の低い絶縁性のために誘電体層７の絶縁抵抗が低下するとともに、焼成後のショート率が増加し、さらに高温負荷試験での不良率も増加するからである。
【００２４】
そして、誘電体層７においては、誘電体磁器との濡れ性を高め、誘電体層７の焼結性および比誘電率を高めるという理由からＤ／ｔは０．２〜０．４の範囲にあることがより望ましい。
【００２５】
尚、ガラス粒子２５とは、主として、本発明の積層型電子部品の製法に用いられるガラス粉末が焼成されたものであり、結晶相や非晶質相のうち少なくとも一種の相を含むものであるが、これらが混在して形成されたものでもかまわない。
【００２６】
また、本発明では、積層型電子部品を構成する電子部品本体１断面におけるボイド２７の面積占有率が１％以下であることが重要である。ボイドの面積占有率が１％より大きい場合には、誘電体層７の絶縁性および静電容量が低下することとなる。特に、積層型電子部品の誘電体層７の絶縁抵抗を高め、高温負荷試験での信頼性を向上させるという理由から、０．４％以下であることがより望ましい。
【００２７】
また、誘電体層７を構成する誘電体結晶粒子２１の平均粒径は高い絶縁抵抗を有するという理由から１μｍ以下、誘電体層７を３μｍ以下としても、高い誘電率を得るために、特には０．１〜０．４μｍの範囲が望ましい。
【００２８】
また、ガラス粒子２５は、誘電体結晶粒子２１の界面での濡れ性を高めるという理由から、Ｌｉおよび／またはＢを含有する。さらには、このＬｉおよび／またはＢが、希土類元素やＳｉとの複合酸化物を形成していることが絶縁性を高めるうえでより望ましい。
【００２９】
また、誘電体層７中におけるガラス粒子２５の含有量は、誘電体層７が緻密質で静電容量および絶縁性を高める上で、誘電体層中の誘電体結晶粒子１００質量部に対して０．８〜１．５質量部であることが望ましいが、特には、１．２〜１．４質量部であることがより望ましい。
【００３０】
一方、誘電体磁器を構成する誘電体結晶粒子２１は、金属元素として、Ｂａ、Ｔｉ、Ｍｇ、およびＭｎを含有するペロブスカイト型複合酸化物から構成されていることが静電容量およびその温度特性をならびに絶縁性を向上させる上で望ましい。
【００３１】
内部電極層９は、導電性ペーストの膜を焼結させた金属膜からなり、その厚みは、積層型電子部品の内部電極層９の有効面積を高め、例えば、積層セラミックコンデンサの静電容量を高めるとともに、デラミネーションを抑制するという理由から０．５〜１．５μｍであることが望ましい。
【００３２】
また、本発明の積層型電子部品の積層数は、その積層型電子部品を構成する誘電体層７が薄層多層化され、例えば、積層セラミックコンデンサの小型高容量化に対してその積層数は１００層以上であることが望ましい。
【００３３】
（製法）
本発明の積層型電子部品の製法に関し、先ず、誘電体層７となる誘電体粉末とガラス粉末の調製法について説明する。
【００３４】
誘電体粉末は主成分としてＢａＴｉＯ3粉が好適に用いられる。そのＢａＴｉＯ3粉の合成法は、固相法、液相法（シュウ酸塩を経過する方法等）、水熱合成法等があるが、そのうち粒度分布が狭く、結晶性が高いという理由から水熱合成法が望ましい。ＢａＴｉＯ3粉の比表面積は１．７〜６．６ｍ2／ｇが好ましい。
【００３５】
そして、本発明の誘電体粉末は、ＢａＴｉＯ3原料粉末に対して、助剤として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3）を所定量混合して調製される。
【００３６】
この誘電体粉末の平均粒径および比表面積は、誘電体層の薄層化、緻密化を促すとともに、静電容量およびその温度特性を向上させるという理由から、０．２〜０．５μｍ、１．７〜７．５ｍ2／ｇであることが望ましく、特に、平均粒径は０．３〜０．４μｍで、比表面積は２〜４ｍ2／ｇであることがより望ましい。
【００３７】
一方、ガラス粉末は、Ｙ2Ｏ3粉末とＳｉＯ2粉末、更にＬｉ2ＣＯ3粉末および／またはＢ2Ｏ3粉末を秤量して混合した後、９００〜１１００℃の温度にて仮焼し、その後、この仮焼粉体をボールミルを用いて粉砕することにより調製される。このときのガラス粉末の粒径Ｄ５０が０．４〜０．７μｍの範囲に調整されることが重要である。ガラス粉末の粒径が０．４μｍよりも小さい場合にはガラス粉末が凝集しやいために、焼成時にかえって最大径の大きなガラス粒子２５が形成されやすく、一方、ガラス粉末の粒径が０．７μｍよりも大きい場合には、誘電体層中に粗大なガラス粒子２５が形成されやすくかつボイド２７も多くなり、このため誘電体層の絶縁性が低下する。
【００３８】
このためガラス粉末の粒径は、粗大粒子を除き、絶縁抵抗を高めるという理由から、Ｄ５０／Ｄ９０≧０．７であることが望ましい。
【００３９】
なお、Ｄ５０とは、累積分布が０．５、すなわち、この場合、ガラス粉末全量に対して５０質量％である場合の粒径を示す。また、Ｄ９０とは、累積分布が０．９、すなわち、この場合、ガラス粉末全量に対して９０質量％である場合の粒径を示す。
【００４０】
次に、上記した誘電体粉末とガラス粉末とを用いてグリーンシートを形成するための原料スラリーの調製を行う。
【００４１】
まず、誘電体粉末に対して、ガラス粉末を添加し、公知の分散剤、分散媒とともに直径が１０ｍｍのＺｒＯ2ボールを用いたボールミルにて平均粒径が約０．４〜０．７μｍになるまで湿式にて粉砕混合し原料スラリーが調製される。誘電体粉末１００質量部に対するガラス粉末の添加量は０．８〜１．５質量部であることが重要であるが、誘電体層７の静電容量および絶縁性を高く維持するという理由から、特に、１．２〜１．４質量部が望ましい。本発明の積層型電子部品では、前記したようにガラス粉末の添加量に相当する量のガラス粒子が形成される。ガラス粉末の添加量が０．８質量部よりも少ない場合には、誘電体磁器の焼結性が低下するためボイドが多くなり、一方、１．５質量部より多い場合には、誘電体材料からなる誘電体結晶粒子２１の割合に対してガラス粒子２５の比率が大きくなるために、誘電体層７の静電容量および絶縁性が低下する。
【００４２】
次に、この誘電体粉末とガラス粉末との混合物に対し、有機バインダを混合し、スラリーを得た後、ドクターブレード法により、厚さ１．５〜４μｍのグリーンシートが形成される。
【００４３】
次に、上記グリーンシートに内部電極ペーストを塗布して内部電極パターンが形成される。内部電極パターンの厚みは０．７〜２μｍであることが望ましい。ここで、内部電極パターンを形成するための導電性ペーストに含まれる卑金属粒子の平均粒径は、内部電極パターンの薄層化のために０．１〜０．５μｍであることが望ましい。
【００４４】
また、卑金属粉末としては、Ｃｕ、Ｎｉ等から選ばれる少なくとも１種の金属が好適に用いられる。誘電体磁器との同時焼成を行い、製造コストの低減を図る上で、特に、Ｎｉが望ましい。
【００４５】
このように内部電極パターンの厚みを２μｍ以下としても、副成分として添加するガラス粉末の粒径Ｄ５０を０．４〜０．７μｍとすることにより、ガラス成分の表面張力が低下し、内部電極パターンを構成する金属粉末に対して濡れ性が向上するため金属の粗大粒子の形成を抑制でき、誘電体層７への圧迫や貫通を防止できることから、内部電極層９間のショートを無くすことができる。
【００４６】
即ち、ガラス粉末の粒径Ｄ５０は内部電極パターンを構成する金属粉末の粒径の２倍以下とすることが望ましい。また、このように金属の粗大粒子の形成を抑制できるという理由に関しても、ガラス粉末の粒径をＤ５０／Ｄ９０で０．７以上とすることが望ましい。
【００４７】
次に、この内部電極パターンが形成されたグリーンシートを複数枚積層し熱圧着させる。その後、この積層体を格子状に切断して、電子部品本体１の成形体を得る。この電子部品本体１の成形体の両端面には、内部電極パターンの端部が交互に露出している。
【００４８】
次に、この電子部品本体１の成形体を大気中で５〜４０℃／ｈの昇温速度で２００〜５００℃にて脱バインダ処理を行い、その後、還元雰囲気中で５００℃からの昇温速度を２００〜５００℃／ｈとし、１２００〜１３００℃の温度で２〜５時間焼成し、続いて２００〜４００℃／ｈの降温速度で冷却し、窒素雰囲気中９００〜１１００℃で再酸化処理を行う。
【００４９】
特に、誘電体層７を構成するガラス粒子２５の最大径を小さくするとともに、ボイド２７を減らすことができるという理由から５００℃からの昇温速度を２００〜４００℃／ｈとすることが重要である。
【００５０】
この後、焼成した電子部品本体１の両端面に、外部電極ペーストを塗布して窒素中で焼き付けることによって外部電極３が形成され、さらに外部電極３の表面にメッキ膜が形成される。
【００５１】
【実施例】
積層型電子部品の一つである積層セラミックコンデンサを以下のように作製した。
【００５２】
まず、ガラス粉末として、モル比でＹ2Ｏ3粉末を４０％、Ｌｉ2ＣＯ3粉末あるいはＢ2Ｏ3粉末を２０％、ＳｉＯ2粉末を４０％の割合になるように秤量して混合した後、１０００℃の温度にて仮焼し、その後、この仮焼粉体を粉砕し、粒径Ｄ５０およびＤ５０／Ｄ９０を表１に示す粒度になるように微粉砕してガラス粉末を調製した。
【００５３】
次に、平均粒径が０．４μｍ、比表面積が３．２ｍ2／ｇであるＢａＴｉＯ3原料粉末を用い、ＢａＴｉＯ3１００重量部に対して、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を０．１５質量部、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3）を０．１５質量部と、Ｙ2Ｏ3粉末とＳｉＯ2粉末、更にＬｉ2ＣＯ3粉末またはＢ2Ｏ3粉末を混合して調製された上記のガラス粉末を表１に示す所定の割合になるように秤量し、公知の分散剤、分散媒とともに直径が１０ｍｍのＺｒＯ2ボールを用いたボールミルにて粉砕混合し、原料スラリーを調製した。このセラミック粉末と有機バインダを混合し、スラリーを得た後、ドクターブレード法により、所望の厚みの誘電体グリーンシートを作製した。
【００５４】
次に、このグリーンシート上に、平均粒径０．３μｍのＮｉ粉末と、エチルセルロース、テルピネオールとからなる内部電極ペーストを用いてスクリーン印刷した。その際、内部電極パターンの有効面積は４．５ｍｍ2とした。次に、この内部電極パターンを形成したグリーンシートを１００枚積層し、その上下面に、内部電極ペーストを印刷していないグリーンシートをそれぞれ２０枚積層し、ホットプレスして一体化し、所定寸法に切断して電子部品本体成形体を作製した。
【００５５】
そして、この電子部品本体成形体を大気中で４００℃にて脱バインダ処理を行い、その後昇温速度２００、３００、４００℃で最高温度１２７０℃（酸素分圧１０-6Ｐａ）で２時間焼成し、続いて大気雰囲気中１０００℃で再酸化処理をして電子部品本体を作製した。
【００５６】
次に、この電子部品本体をバレル研磨した後、その両端部にＣｕ粉末を含んだ外部電極ペーストを塗布して、８５０℃、窒素中で焼き付けて外部電極３を形成し、この外部電極上に順にＮｉメッキ層、Ｓｎメッキ層を施した。
【００５７】
先ず、作製した積層セラミックコンデンサについて、各５個ずつ断面研磨を行った後、電子顕微鏡を用いて観察を行い、その断面写真からボイドの面積占有率を算出した。
【００５８】
次に、これらの積層セラミックコンデンサ各１００個の初期の静電容量（Ｃ）および絶縁抵抗（Ｒ）を測定した。測定は、基準温度２５℃で行い、静電容量は、周波数１．０ｋＨｚ、入力信号レベル０．５Ｖｒｍｓの条件で測定した。また、測定の際ショートした積層セラミックコンデンサの個数より、ショート率を算出した。尚、絶縁抵抗はショートした試料を除いてその平均値を算出した。
【００５９】
高温負荷試験は、試料数１００個について、温度８５℃、電圧は９．５Ｖの条件で１０００時間行い、絶縁抵抗の評価を行った。絶縁抵抗（Ｒ）は、直流電圧１０Ｖを１分間印加して測定した。
【００６０】
一方、比較例として、誘電体粉末およびガラス粉末の原料粒径をＤ５０で０．８μｍとした試料を作製し、本発明と同様の評価を行った。
【００６１】
【表１】
0003935762.tif 000002
【００６２】
表１の結果から明らかなように、ガラス粉末のＤ５０を０．４〜０．７μｍとし、また、ガラス粉末の粒径Ｄ５０／Ｄ９０を０．４〜０．９とし、焼成後の誘電体層の厚みをｔ、その誘電体層を構成するガラス粒子の最大径をＤとしたときに、Ｄ／ｔを０．５以下とした試料Ｎｏ．２〜１５では、ガラス粉末の添加量による静電容量の違いはあるものの、絶縁抵抗が３３０ＭΩ以上で、ショート率が９％以下となり、高温負荷試験においても不良が９／１００個以下と少なかった。
【００６３】
特に、ガラス粉末の粒径をＤ５０／Ｄ９０で０．７以上とし、Ｄ／ｔを０．３以下とした試料Ｎｏ．８〜１０では、ボイドの面積占有率が０．３〜０．４％と低くなり、焼成後のショート率も３％以下と少なく、かつ高温負荷試験における不良が無かった。
【００６４】
これに対して、誘電体粉末およびガラス粉末のＤ５０を０．８μｍとした試料１では、ガラス粉末の粒径Ｄ５０／Ｄ９０比が制御されず粗大粒子が多くなり、このため誘電体層中のガラス粒子のＤ／ｔが０．８と大きくなったために、焼成後の積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗が１４０ＭΩ以下まで低下し、ショート率が１８％以上に高くなり、高温負荷試験での不良も２５／１００個と多かった。
【００６５】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明では、誘電体磁器中のガラス粒子を誘電体結晶粒子１００質量部に対して０．８〜１．５質量部含有させるとともに、誘電体層の厚みをｔ、誘電体層中に含まれるガラス粒子の最大径をＤとしたときに、Ｄ／ｔ≦０．５とし、かつ電子部品本体断面におけるボイドの面積占有率が１％以下とすることにより、薄層化した誘電体層であっても、その絶縁性を高め、特に、高温負荷試験における絶縁不良の発生を防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の積層型電子部品の概略断面図である。
【図２】図１の内部電極層に狭持された誘電体層の要部拡大図である。
【符号の説明】
１  電子部品本体
３  外部電極
７  誘電体層
９  内部電極層
２１  誘電体結晶粒子
２５  ガラス粒子
２７  ボイド
【図１】
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【図２】
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