(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスク用基板の研磨加工で用いられる研磨用組成物であって、
（ａ）リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸、マレイン酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、クロトン酸、ニコチン酸、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム及び硝酸鉄（ＩＩＩ）から選択される少なくとも一種の化合物よりなる加工促進剤と、
（ｂ）平均分子量が６０００〜２９０００００であるポリビニルピロリドン、またはポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルから選択される少なくとも一種の化合物よりなる面ダレ抑制剤と、
（ｃ）酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素から選択される少なくとも一種の研磨材と、
（ｄ）水、とを含有し、
且つ、前記ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルは、モノラウリン酸ポリオキシエチレンソウビタン、モノパルミチン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノステアリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、トリオレイン酸ポリオキシチレンソルビタン、モノカプリル酸ポリオキシエチレンソルビタン及びテトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビットから選択される少なくとも一種の化合物であり、また前記ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルは、ソルビタン又はソルビット１分子に対するエチレンオキサイドの付加割合が３０以下であることを特徴とする磁気ディスク用基板の研磨用組成物。
【請求項２】
前記（ｂ）における、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルは、特に、モノパルミチン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノステアリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、及びテトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビットから選択される少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク用基板の研磨用組成物。
【請求項３】
前記成分（ｂ）の含有量は、研磨用組成物の全重量に対して０．００１〜２％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気ディスク用基板の研磨用組成物。
【請求項４】
前記（ａ）における、加工促進剤は、特に、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、硝酸アルミニウムから選択される少なくとも一種の化合物であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気ディスク用基板の研磨用組成物。
【請求項５】
前記（ａ）の含有量は、研磨用組成物の全重量に対して０．０１〜２５％であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気ディスク用基板の研磨用組成物。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて磁気ディスク用基板を研磨することを特徴とする磁気ディスク用基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンピュータ等の記憶装置として使用される磁気ディスクの製造において用いられる磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
コンピュータや家電機器等に使用されているメモリーハードディスク等の磁気ディスクは、年々小型化、高容量化、低価格化の一途をたどっている。現在、この磁気ディスクを製作するときに使用される磁気ディスク用基板（以下、サブストレートという）は、アルミニウム等の金属材料により製作された基板（ブランク材）に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ等のメッキを成膜することにより製作されている。
この場合、ブランク材を形成するときに生じたうねりやスクラッチ等のブランク材表面の凹凸に沿ってメッキが成膜されるために、サブストレート表面には、うねりや凹凸が残る場合がある。このうねりや凹凸を除去してサブストレート表面を平滑にするために、磁気ディスク用基板の研磨用組成物（以下、単に研磨用組成物ともいう）を用いてサブストレートの研磨加工が行われている。
【０００３】
近年の磁気ディスクの高容量化に伴って、研磨加工後のサブストレート表面に求められる表面品質もますます厳しくなっており、表面粗さについては磁気ディスクのグレードにより異なるものの、現在では、触針式表面粗さ計であるＡＦＭ（デジタル  インストゥルメンツ社（米国）製）で測定される表面粗さでＲａ＝１０Å以下にまで及んでいる。
このため、研磨加工後のサブストレート表面に求められる精度は極めて厳しいものとなっており、より平滑な研磨面が得られるような研磨用組成物が求められている。
【０００４】
前記目的のために、従来は、酸化アルミニウムまたはその他の各種研磨材、水、及び各種の研磨促進剤を含む研磨用組成物を用いて研磨されていた。例えば、特開昭６１−２７８５８７号公報及び特開昭６２−２５１８７号公報には、水と水酸化アルミニウムに、研磨促進剤として硝酸アルミニウム、硝酸ニッケル、または硫酸ニッケルなどを添加し、混合してスラリー状としたメモリーハードディスクの研磨用組成物が開示されている。
【０００５】
また、特開平２−８４４８５号公報には、水とアルミナ研磨材微粉に、研磨促進剤としてグルコン酸または乳酸と、表面改質剤としてコロイダルアルミナとからなる酸性のアルミニウム磁気ディスクの研磨用組成物が、特開平７−１３３４７７には、アルミナ研磨材、コロイダルアルミナ、及び亜硫酸アルカリ塩を含む水系研磨用組成物が、また特開平９−３１６４３０では、水、αアルミナ及び研磨促進剤を含んでなる組成物であって、該研磨促進剤がシュウ酸アルミニウムからなることを特徴とする磁気ディスク基板研磨用組成物が開示されている。
【０００６】
また、特開平７−２１６３４５号公報及び特開２０００−１６６５号公報に示すような構成のものも知られている。この前者の研磨用組成物は、水と、アルミナ質研磨材と、モリブデン酸塩及び有機酸とからなる加工促進剤とを含有している。一方、後者の研磨用組成物は、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素及び二酸化マンガンから選択される少なくとも一種の研磨材と水とを含有し、さらにこの組成物中に溶存しているコハク酸又はその塩を含有している。
これら従来構成の研磨用組成物はいずれも研磨速度が大きく、各研磨用組成物を用いてサブストレートの研磨加工を行うことによって、サブストレート表面の微小突起及び微細なピット等の表面欠陥の発生を抑制することができるようになっている。
【０００７】
一方、メモリーハードディスクの高容量化に対応するため、研磨面の一層の平滑化とともにメモリーハードディスクの外周部（エッヂ部）を有効に利用して記憶面積をより拡大し、記憶容量を増加させることも求められている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来構成の研磨用組成物においては、各研磨用組成物を用いてサブストレートの研磨加工を行うときには、サブストレートのエッヂ部に面ダレが発生することがあり、このためメモリーハードディスクのエッヂ部を有効に利用できないという問題があった。エッヂ部に面ダレが生じたサブストレートでは、記憶情報の読み込み・書き込みを行う磁気ヘッドが高速で回転するサブストレートとの間隔（浮上高）を一定に維持することが困難になるため、そのエッヂ部におけるデータの記憶が不可能となり、そのためデータの記憶領域が少なくなってしまうと言う問題があった。
【０００９】
本発明は、上記のような従来技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的とするところは、研磨加工中にサブストレートのエッヂ部における面ダレの発生を抑制することによって、メモリーハードディスクのエッヂ部を有効に利用してより広い記憶領域を確保するとともに、大きな研磨速度でサブストレートを加工することができ、研磨加工後の磁気ディスク用基板における表面欠陥の発生を抑制することができる磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するためのものであって、１）（ａ）リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸、マレイン酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、クロトン酸、ニコチン酸、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム及び硝酸鉄（ＩＩＩ）から選択される少なくとも一種の化合物よりなる加工促進剤と、（ｂ）ポリビニルピロリドン、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルから選択される少なくとも一種の化合物よりなる面ダレ抑制剤と、（ｃ）酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素から選択される少なくとも一種の研磨材と、（ｄ）水、とを含有することを特徴とする磁気ディスク用基板の研磨用組成物である。
【００１１】
また、本発明は、２）上記１）の（ｂ）における、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルは、モノラウリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノパルミチン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノステアリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、トリオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノカプリル酸ポリオキシエチレンソルビタン及びテトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビットから選択される少なくとも一種の化合物であることを特徴とする磁気ディスク用基板の研磨用組成物である。
【００１２】
本発明は、３）上記１）の（ｂ）における、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルは、ソルビタン又はソルビット１分子に対するエチレンオキサイドの付加割合が３０以下であることを特徴とし、また４）（ｂ）における、ポリビニルピロリドンが、平均分子量が２５００〜２９０００００であることを特徴とし、また、５）（ｂ）の含有量が、研磨用組成物の全重量に対して０．００１〜２％であることを特徴とする磁気ディスク用基板の研磨用組成物である。
【００１３】
また、本発明は、６）上記１）の（ａ）の含有量が、研磨用組成物の全重量に対して０．０１〜２５％であることを特徴とする磁気ディスク用基板の研磨用組成物であり、７）上記１）乃至６）のいずれかに記載の研磨用組成物を用いて磁気ディスク用基板を研磨することを特徴とする磁気ディスク用基板の研磨方法である。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
前記のように、本発明の磁気ディスク用基板の研磨用組成物には、（ａ）リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸、マレイン酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、クロトン酸、ニコチン酸、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム及び硝酸鉄（ＩＩＩ）から選択される少なくとも一種の化合物よりなる加工促進剤と、（ｂ）ポリビニルピロリドン、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルから選択される少なくとも一種の化合物よりなる面ダレ抑制剤と、（ｃ）酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素から選択される少なくとも一種の研磨材と、（ｄ）水、とが含有されている。
【００１５】
成分（ａ）の加工促進剤は、化学的作用によってサブストレート表面をエッチングすることにより、後述する成分（ｃ）の研磨材の機械的作用によるサブストレートの研磨加工を促進するための研磨加工促進剤として含有される。
成分（ａ）の加工促進剤の具体例としては前記の化合物が挙げられるが、これらの中でも、大きな研磨速度を得ることができるとともに、ピットや微少突起などの表面欠陥の発生を抑制できることから、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸及びクエン酸から選ばれる少なくとも一種の化合物が好ましく、更にコハク酸であることが最も好ましい。
【００１６】
成分（ａ）の加工促進剤は、単独で含有してもよいし、２種以上を組み合わせて含有してもよい。
また、成分（ａ）の加工促進剤の研磨用組成物の全重量に対する含有量は、好ましくは０．０１〜２５％、更に好ましくは０．１〜２０％、最も好ましくは０．２〜１０％である。この含有量が０．０１％未満であると、研磨用組成物の研磨速度が低下し易くなり、また、含有量が２５％を超えて含有されても、それ以上の研磨速度の向上は期待できず、そのため研磨加工コストが増加することにもなる。
【００１７】
また、成分（ｂ）の面ダレ抑制剤については、前記加工促進剤の化学的作用と後述する成分（ｃ）の研磨材の機械的研磨作用を低下させないで、研磨パッドとサブストレートの摩擦を適度に緩和し、サブストレートのエッヂ部が局所的に加工されてしまうのを防止するための面ダレ抑制剤として含有される。
【００１８】
成分（ｂ）の面ダレ抑制剤の具体例としては前記の化合物が挙げられるが、これらの中でも、サブストレートの面ダレの発生をより効率的に抑制できるという観点から、ポリビニルピロリドンについては、分子量が２５００〜２９０００００であることが好ましく、更に好ましくは６０００〜４５００００、最も好ましくは６０００〜８００００であることが望ましい。
【００１９】
一方、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルについては、モノラウリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノパルミチン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノステアリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、トリオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノカプリル酸ポリオキシエチレンソルビタン及びテトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビットから選択される少なくとも一種の化合物であることが好ましく、またモノパルミチン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノステアリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン及びテトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビットから選択される少なくとも一種の化合物であることが更に好ましく、モノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタンであることが最も好ましい。
【００２０】
また、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルについては、ソルビタン又はソルビット１分子に対するエチレンオキサイドの付加割合が３０以下であることが好ましく、更に好ましくは該付加割合が２０であることが望ましい。
成分（ｂ）の面ダレ抑制剤は、単独で含有してもよいし、二種以上を組み合わせて含有してもよい。
【００２１】
成分（ｂ）の研磨用組成物の全重量に対する含有量は、それぞれ好ましくは０．００１〜２％、更に好ましくは０．００５〜０．５％、最も好ましくは０．０１〜０．１％である。
この含有量が０．００１％未満であると、面ダレが抑制されにくくなり、また、含有量が２％を超えて含有されても、それ以上の面ダレ抑制効果は得られず、かえって研磨速度が低下し易い。
【００２２】
次に、成分（ｃ）の酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素から選択される少なくとも一種の研磨材は、前記成分（ａ）の加工促進剤がエッチングしたサブストレート表面を機械的作用により研磨加工するために含有されるものである。
【００２３】
酸化アルミニウムには、α−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、κ−アルミナ、及びその他の形態的に異なるものがある。また製造法からフュームドアルミナと呼ばれるものもある。また、二酸化ケイ素には、コロイダルシリカ、フュームドシリカ、及びその他の製造法や性状の異なるものが多種存在する。
【００２４】
酸化セリウムには、酸化数から３価のものと４価のもの、また結晶系から見て、六方晶系、等軸晶系及び面心立方晶系のものがある。また、酸化ジルコニウムは、結晶系から見て、単斜晶系、正方晶系、及び非晶質のものがある。また、製造法からフュームドジルコニアと呼ばれるものもある。
【００２５】
酸化チタンには、結晶系から見て、一酸化チタン、三酸化二チタン、二酸化チタン及びその他のものがある。また製造法からフュームドチタニアと呼ばれるものもある。また、窒化ケイ素は、α−窒化ケイ素、β−窒化ケイ素、アモルファス窒化ケイ素、及びその他の形態的に異なるものがある。
【００２６】
炭化ケイ素には、α−炭化ケイ素、β−炭化ケイ素、アモルファス炭化ケイ素、及びその他の形態的に異なるものがある。
【００２７】
なお、本発明の研磨用組成物には、これらのものを任意に、必要に応じて組み合わせて使用することができる。組み合わせる場合には、その組み合わせ方法や使用する成分割合は特には限定されない。
【００２８】
上記の研磨材は、砥粒としてメカニカルな作用により被研磨面を研磨するものである。砥粒の大きさとしては、砥粒の種類によって、また被加工面の種類や加工条件、さらにサブストレートに要求されるスペックにより異なり、特に制限されるものではないが、二酸化ケイ素の粒径は、ＢＥＴ法により測定した表面積から求められる平均粒子径で、好ましくは０．００５〜０．５μｍ、特に好ましくは０．０１〜０．３μｍである。
【００２９】
また、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素の粒径は、レーザー回折式粒度測定機ＬＳ−２３０（Ｃｏｕｌｔｅｒ社（米国）製）によって測定される平均粒子サイズ（Ｄ５０）で好ましくは０．０１〜２μｍ、特に好ましくは０．０５〜１．５μｍである。
更に、酸化セリウムの粒径は、走査型電子顕微鏡により観察される平均粒子径で、好ましくは０．０１〜０．５μｍ、特に好ましくは０．０５〜０．４５μｍ、である。
【００３０】
これらの研磨材の平均粒子径が、ここに示した範囲を超えて大きいと、研磨された表面の表面粗さが大きかったり、スクラッチが発生したりするなどの問題が生ずるおそれがあり、加工時には注意が必要である。逆に、ここに示した範囲よりも小さいと、研磨速度が極端に小さくなってしまい研磨用組成物としては実用的でない。
【００３１】
成分（ｃ）の含有量は、研磨用組成物の全重量に対して好ましくは０．１〜４０％、更に好ましくは１〜２５％である。
この含有量が０．１％未満では、研磨用組成物の機械的加工作用が弱くなるために研磨速度が小さくなり易い。一方、有量が４０％を超えて含有されると、研磨用組成物及び廃液の粘性が増大し易く、このため、その取扱が困難になり易い。更に、研磨パッドが目詰まりし易くなるとともに、研磨速度が低下し表面欠陥が発生し易くなる。
【００３２】
成分（ｄ）の水は、成分（ａ）の加工促進剤及び成分（ｂ）の面ダレ抑制剤の溶媒並びに成分（ｃ）の研磨材の分散媒として含有される。水は不純物をできるだけ含まないものが好ましく、具体的にはイオン交換水をフィルター濾過したもの、あるいは蒸留水が好ましい。
研磨用組成物のｐＨは好ましくは２〜７の範囲である。ｐＨが２未満であると研磨機等の研磨加工に用いる機械が腐食しやすくなる。又、ｐＨが７を超えると、研磨用組成物の研磨速度が低下しやすくなるとともに、研磨加工後のサブストレートの表面粗さが増大したり、スクラッチが発生しやすくなることがある。従って、研磨用組成物のｐＨが２未満又は７を超えるときには、研磨用組成物に酸やアルカリを添加することによって、研磨用組成物のｐＨを上述の範囲内に調整することが好ましい。
【００３３】
研磨用組成物には、その他の添加成分として、セルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等のセルロース類、エタノール、プロパノール、エチレングリコール等の水溶性アルコール類、アルキルベンゼンスルホン酸ソーダ、ナフタリンスルホン酸のホルマリン縮合物等の界面活性剤、リグニンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩等の有機ポリアニオン系物質、ポリビニルアルコール等の水溶性高分子（乳化剤）類、ジメチルグリオキシム、ジチゾン、オキシン、アセチルアセトン、グリシン、ＥＤＴＡ、ＮＴＡ等のキレート剤、アルギン酸ナトリウム、炭酸水素カリウム等の殺菌剤を含有してもよい。これらその他の添加成分の含有量は、研磨用組成物の常法に従って決定される。
【００３４】
研磨用組成物は、水以外の各成分を水に混合分散することにより調製される。混合分散の具体例としては、翼式攪拌機による撹拌、超音波分散、ホモミキサー等による剪断撹拌等が挙げられる。また、水以外の各成分の混合順序については、全てを同時に混合してもよいし、いずれかを後から混合してもよい。
【００３５】
ここで、磁気ディスクとしてのメモリーハードディスクの製造方法及び研磨用組成物を用いた磁気ディスク用基板の研磨方法について説明する。
メモリーハードディスクを製造するときには、まずブランク材の表面に無電解Ｎｉ−Ｐメッキ等のメッキの下地膜を形成する。次に、研磨用組成物を用いてサブストレート表面を研磨加工する。このときの研磨方法及び研磨条件については、サブストレートの研磨加工の常法に従う。さらに、研磨加工に用いられる研磨機の具体例としては、片面研磨機、両面研磨機等が挙げられ、研磨パッドの具体例としては、スウェードタイプ、不織布タイプ、織布タイプ、植毛タイプ、起毛タイプ等が挙げられる。
【００３６】
研磨加工の対象となるサブストレートの具体例としては、Ｎｉ−Ｐディスク、Ｎｉ−Ｆｅディスク、ボロンカーバイトディスク、カーボンディスク等が挙げられる。これらの中でも、安価で入手が容易なことから、アルミニウム、アルミニウム合金等からなるブランク材表面にＮｉ−Ｐの無電解メッキを成膜したＮｉ−Ｐディスクが特に好ましい。
【００３７】
続いて、ダイヤモンド微粉末等の研磨材と、加工促進剤と、水等を含有するテクスチャー加工用組成物を用いて、サブストレート表面にメモリーハードディスクの回転方向に沿った同心円状の筋目を形成することにより、テクスチャー加工する。こうして筋目の形成されたサブストレート表面に磁性膜及び保護膜を形成してメモリーハードディスクが製造される。
【００３８】
近年、メモリーハードディスクには、より一層の高容量化の要求から、サブストレート表面を従来にも増して平滑化することが求められている。このため、研磨加工も２段階に分けて行われることがあり、１段目の研磨加工においては、サブストレートのうねりや２段目の仕上げ研磨加工では除去できないようなサブストレート表面の大きなスクラッチや凹凸等の表面欠陥を除去する目的で研磨加工が行われる。
【００３９】
一方、２段目の研磨加工においては、所望の小さな表面粗さに調整し、かつ１段目の研磨加工で発生した表面欠陥や、１段目の研磨加工で完全に除去できなかったような表面欠陥を除去する目的で、仕上げ研磨加工が行われる。
また、場合によっては、研磨加工を３段以上の工程に細分化して行われることもある。
【００４０】
本発明の研磨用組成物は、これらの研磨工程のいずれにおいても用いることができる。例えば、１段目の研磨加工において使用する場合には、比較的大きな粒径の研磨材を用い機械的作用を高めるために、研磨速度の大きな研磨用組成物を調製する。一方、２段目以降の仕上げ研磨加工では、比較的小さな粒径の研磨材を用い機械的作用を抑え化学的作用との調整を図るために、仕上げ研磨加工に適した研磨用組成物を調製する。
【００４１】
また、メモリーハードディスクの高容量化を達成する目的で、サブストレート表面に形成する筋目をより薄くしたライトテクスチャー加工が行われたり、更にはテクスチャー加工を行わずに筋目をつけないノンテクスチャーのサブストレートを使用し、メモリーハードディスクが製造されることもある。本発明の研磨用組成物は、通常のテクスチャーもしくは上述のライトテクスチャー加工が行われるサブストレートや、ノンテクスチャー用のサブストレートのいずれを製造する場合にも使用することができる。
【００４２】
なお、本発明の磁気ディスク用基板の研磨用組成物について、まず研磨用組成物を比較的高濃度の原液として調製し、その後研磨加工に用いるときに水で希釈して使用するようにしてもよい。このように構成すれば、貯蔵時及び輸送時の取扱性を向上させることができる。
【００４３】
【実施例】
次に、本発明の実施の形態（以下、実施例という）を比較例と対比して具体的に説明する。
実施例及び比較例試料：
表１は、実施例１〜２８及び比較例１〜９の各研磨用組成物の含有成分を示す表である。
各研磨用組成物は、表１に示す各加工促進剤、面ダレ抑制剤及び研磨材をイオン交換水に混合分散させて研磨用組成物をそれぞれ調製した。なお、これらに用いた研磨材としては、平均粒子径０．８μｍの酸化アルミニウムを２０％含有し、各研磨用組成物は全量で１００％になるように調製した。
表１の各研磨用組成物（実施例１〜２８及び比較例１〜９）について、ｐＨを測定した後に、下記項目に関し試験、評価を行った。その結果を表２に示す。
【００４４】
【表１】
0004003116.tif 000002
【００４５】
（１）研磨試験
表１の各研磨用組成物を使用し、被研磨物としてサブストレートを用いて研磨試験を行った。研磨試験の条件は以下の通りである。
研磨条件
被研磨物（サブストレート）：φ３．５インチ無電解Ｎｉ−Ｐメッキディスク加工枚数    ：１５枚
研  磨  機  ：両面研磨機（定盤径φ７００ｍｍ）
研磨パッド  ：ＢＥＬＬＡＴＲＩＸ  Ｎ００４８（カネボウ株式会社製）
荷  重      ：１００ｇ／ｃｍ２
上定盤回転数：２４ｒｐｍ
下定盤回転数：１６ｒｐｍ
組成物希釈率：１：３純水
研磨用組成物供給量：１５０ｃｃ／ｍｉｎ
サブストレート加工量：取り代にして３μｍ（両面）
（予備テストを行い、表１の各行の研磨用組成物について下記（２）の手法により予め研磨速度を求めておき、取り代が一定となるよう研磨時間を設定した）
【００４６】
（２）研磨速度測定
研磨試験後のサブストレートを洗浄、乾燥した後、研磨加工の前後でサブストレートの重量を測定し、その差（重量減）と無電解Ｎｉ−Ｐメッキの比重及びサブストレートの面積、ならびに加工時間より研磨速度を測定した。研磨速度の判定基準については以下の通り。
◎：０．７０μｍ／ｍｉｎ以上
○：０．６５μｍ／ｍｉｎ以上０．７０μｍ／ｍｉｎ未満
△：０．６０μｍ／ｍｉｎ以上０．６５μｍ／ｍｉｎ未満
×：０．６０μｍ／ｍｉｎ未満
【００４７】
（３）面ダレ測定
ＭｉｃｒｏＸＡＭ（ＰｈａｓｅＳｈｉｆｔ社（米国）製）を用いて、サブストレートのエッヂ部における端面形状を示すＲｏｌｌ−Ｏｆｆ及びＤｕｂ−Ｏｆｆを図１の位置で測定した。なお、図１はサブストレートのエッヂ部断面を表し、水平方向（Ｘ軸）がサブストレートの表面直径軸を、垂直方向がサブストレートの厚み方向を、それぞれ表している。
【００４８】
このＲｏｌｌ−Ｏｆｆ及びＤｕｂ−Ｏｆｆに関する測定方法については、測定位置及び測定方法の一般的な定義はなく、サブストレートの各製造業者等による任意の規定によるものである。
図１は、Ｒｏｌｌ−Ｏｆｆ及びＤｕｂ−Ｏｆｆに関する測定位置を示す図である。
今回、発明者らは、図１の各ポイントにおいて測定したＲｏｌｌ−Ｏｆｆ及びＤｕｂ−Ｏｆｆの値をもとに、研磨加工の前後でそれらの値がどれだけ改善されるかを算出することで面ダレを評価した。この測定方法は、サブストレートのエッヂ部における面ダレを評価において、適切であり、かつ通常用いられる方法である。
【００４９】
次に、表２は、各研磨用組成物についての面ダレ（Ｒｏｌｌ−Ｏｆｆ及びＤｕｂ−Ｏｆｆ）の試験評価結果を示すものである。
本発明の面ダレ抑制剤を含まない研磨用組成物（比較例１）のＲｏｌｌ−Ｏｆｆ及びＤｕｂ−ＯｆｆをそれぞれＨＲ０及びＨＤ０とし、面ダレ抑制剤を含む研磨用組成物のそれらをＨＲ及びＨＤとし、次式より研磨加工による面ダレの改善効果Ａ（％）を求めた。
Ａ（％）＝〔１−（ＨＲ、ＨＤ）／（ＨＲ０、ＨＤ０）〕×１００
なお、改善効果Ａ（％）の判定基準は以下の通りである。
◎：改善効果Ａが２０％以上
○：改善効果Ａが１０％以上２０％未満
△：改善効果Ａが１０％未満
×：改善効果なし
【００５０】
【表２】
0004003116.tif 000003
【００５１】
表２に示すように、実施例１〜２８においては、Ｒｏｌｌ−Ｏｆｆ及びＤｕｂ−Ｏｆｆについては、いずれも優れた評価であった。一方、本発明の面ダレ抑制剤が含有されていない従来の研磨用組成物（比較例１〜４）や、本発明の面ダレ抑制剤でない界面活性剤を添加した研磨用組成物（比較例５〜９）においては、Ｒｏｌｌ−Ｏｆｆ及びＤｕｂ−Ｏｆｆについて低い評価となった。
なお、表１の各行の研磨用組成物を用いて研磨加工したサブストレートの表面を、微分干渉顕微鏡（株式会社ニコン製、×５０）を使用し各２０点観察したが、いずれにおいてもピット、微少突起及びスクラッチ等の表面欠陥は観察されなかった。
【００５２】
【発明の効果】
本発明は、以上詳述した本発明の実施形態によれば、次のような効果が得られる。
本発明の磁気ディスク用基板の研磨用組成物は、前記の成分（ｂ）の面ダレ抑制剤が含有されているため、研磨加工中にサブストレートのエッヂ部における面ダレの発生を抑制することができ、これによりメモリーハードディスクのエッヂ部を有効に利用して、より広い記憶領域を確保することができる。更にまた、成分（ａ）の加工促進剤が含有されているため、大きな研磨速度でサブストレートを加工することができ、研磨加工後の磁気ディスク用基板における表面欠陥の発生を抑制することができる。
【００５３】
即ち、（１）請求項１に係る本発明は、（ａ）リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、クエン酸、マレイン酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、クロトン酸、ニコチン酸、硝酸アルミニウム、硫酸アルミニウム及び硝酸鉄（ＩＩＩ）から選択される少なくとも一種の化合物よりなる加工促進剤と、（ｂ）ポリビニルピロリドン、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルから選択される少なくとも一種の化合物よりなる面ダレ抑制剤と、（ｃ）酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素及び炭化ケイ素から選択される少なくとも一種の研磨材と、（ｄ）水とを含有する磁気ディスク用基板の研磨用組成物により、研磨加工後の磁気ディスク用基板における表面欠陥を発生させることなく、研磨加工中にサブストレートのエッヂ部における面ダレの発生を抑制することができる。
【００５４】
（２）請求項２に係る本発明は、前記（ｂ）における、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルを、モノラウリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノパルミチン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノステアリン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、トリオレイン酸ポリオキシエチレンソルビタン、モノカプリル酸ポリオキシエチレンソルビタン及びテトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビットから選択される少なくとも一種の化合物とすることにより、上記（１）の効果に加え、サブストレートのエッヂ部における面ダレの発生を一層抑制することができる。
【００５５】
（３）請求項３に係る本発明は、前記（ｂ）における、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル及びポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステルを、ソルビタン又はソルビット１分子に対するエチレンオキサイドの付加割合が３０以下とすることにより、また、（４）請求項４に係る本発明は、前記（ｂ）における、ポリビニルピロリドンを、平均分子量が２５００〜２９０００００とすることによって、更にまた、（５）請求項５に係る本発明は、成分（ｂ）の含有量を、研磨用組成物の全重量に対して０．００１〜２％とすることにより上記（１）の効果に加えて、より確実にサブストレートのエッヂ部における面ダレの発生を一層抑制することができる。
【００５６】
また、（６）請求項６に係る本発明は、前記（ａ）の含有量を、研磨用組成物の全重量に対して０．０１〜２５％とする磁気ディスク用基板の研磨用組成物により、上記（１）に記載の効果に加え、研磨速度を安定して、大きくすることができる。
【００５７】
（７）請求項７に係る本発明は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて磁気ディスク用基板を研磨する研磨方法により、研磨加工後のサブストレートにおける表面欠陥を発生させることなく、研磨加工中にサブストレートのエッヂ部における面ダレの発生を抑制することにより、優れた磁気ディスク用基板を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  端面ダレの評価のための測定位置を示す図である。
【図１】
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