(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波スイッチング回路のチョークコイル回路素子をチップインダクタとして搭載し、第一の誘電体基板と第二の誘電体基板とを含む複数の誘電体基板で構成される高周波回路基板において、
第一の誘電体基板は、前記高周波回路基板の表面を形成し、
前記第一の誘電体基板の表面にチップインダクタ用のランドが形成され、
インダクタ回路パターンが形成された前記第二の誘電体基板は、複数の誘電体基板のうち、第一の誘電体基板に最も近い位置に位置し、
インダクタ回路パターンとチップインダクタ用のランドが積層方向において互いに重ならないように位置決めされていることを特徴とする高周波回路基板。
【請求項２】
フィルタ回路と、高周波スイッチング回路とを備え、高周波スイッチング回路のチョークコイル回路素子をチップインダクタとして誘電体積層構造体に搭載し、少なくともフィルタ回路の構成要素を誘電体積層構造体内に形成した高周波用アンテナスイッチモジュールにおいて、
前記誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドが形成され、
前記最上層とは別の層に形成される前記最上層に最も近いインダクタ回路パターンと前記最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積層方向において互いに重ならないように位置決めされていることを特徴とする高周波用アンテナスイッチモジュール。
【請求項３】
高周波スイッチング回路が高周波デバイスを形成するダイオードと、抵抗と、コンデンサと、インダクタとを備え、前記ダイオードと、前記抵抗と、前記コンデンサの一部をチップ素子として構成し、前記インダクタ及び前記コンデンサの残りの部分を誘電体積層構造体内に形成したことを特徴とする請求項２に記載の高周波用アンテナスイッチモジュール。
【請求項４】
誘電体積層構造体が、フィルタ回路における複数のコンデンサ素子を形成した複数の誘電体基板と、フィルタ回路における複数のインダクタ素子を形成した複数の誘電体基板と、高周波スイッチング回路におけるチップ素子として構成した以外の素子を形成した複数の誘電体基板とを積層して成ることを特徴とする請求項２又は３に記載の高周波用アンテナスイッチモジュール。
【請求項５】
フィルタ回路及び高周波スイッチング回路をそれぞれ二つずつ備え、各高周波スイッチング回路がダイプレクサ回路を介してアンテナに接続するように構成され、各高周波スイッチング回路のチョーク回路素子がチップインダクタとして誘電体積層構造体に搭載され、少なくともフィルタ回路及びダイプレクサ回路の構成要素子を誘電体積層構造体内に形成した高周波用アンテナスイッチモジュールにおいて、
前記誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドが形成され、
前記最上層とは別の層に形成される前記最上層に最も近いインダクタ回路パターンと前記最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積層方向において互いに重ならないように位置決めされていることを特徴とする高周波用アンテナスイッチモジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えば携帯電話などの通信機器に使用され得る高周波回路基板及びそれを用いた高周波用アンテナスイッチモジュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来例えば携帯電話などの通信機器においては、受信回路をアンテナに接続したり送信回路をアンテナに接続するために高周波スイッチモジュールが用いられている。この種の高周波スイッチモジュールは、通信機器自体の小型軽量化の観点から、複数の回路素子のうち一部を誘電体基板に形成して誘電体積層構造体（調波回路基板）とし、残りの回路素子をチップ素子に形成して誘電体積層構造体の外面に装着した複合構造のユニットとして構成されている（特開平６−２０４９１２号公報参照）。
【０００３】
この種の公知の高周波スイッチにおいては、例えば特開平８−９７７４３号公報に開示されているように、送信回路にコンデンサを介して第１のダイオードのアノードが接続され、第１のダイオードのアノードはチョークコイルとして作用する第１のストリップラインとコンデンサとの直列回路を介して接地され、第１のストリップラインとコンデンサとの中間点には第１の制御端子が接続され、第１の制御端子には、高周波スイッチの切換えを行う制御回路が接続される。また第１のダイオードのカソードは別のコンデンサを介してアンテナに接続されている。一方、アンテナにはこの別のコンデンサ及び第２のストリップラインとコンデンサとの直列回路を介して受信回路が接続され、第２のストリップラインとコンデンサとの中間点は第２のダイオードのアノードが接続され、第２のダイオードのカソードはコンデンサを介して接地され、第２のストリップラインとコンデンサとの中間点には第２の制御端子が接続され、第２の制御端子には、高周波スイッチの切換えを行う制御回路が接続される。
そしてこのように構成した高周波スイッチは、第１、第２の制御端子に印加するバイアス電圧を制御することにより送信信号及び受信信号の切換えを行うようにされている。
【０００４】
また、特開平８−９７７４３号公報には、このような構成の高周波スイッチング回路素子とフィルタ回路素子とを、高周波スイッチング回路素子のうち高周波デバイスを成すダイオードを除いて複数の誘電体基板に形成し、ダイオードをチップ素子として構成し、複数の誘電体基板の積層体上にダイオードチップ素子を装着したものが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように高周波スイッチング回路素子のうち高周波デバイスを成すダイオードをチップ素子として構成し、高周波スイッチング回路素子の残りの素子及びフィルタ回路素子を複数の誘電体基板に形成して積層体とし、この積層体上にダイオードチップ素子を装着した従来の高周波用アンテナスイッチモジュールユニットは、通信機器自体の小型軽量化に伴う小型化の要求を十分に満足するものとなっていない。すなわち、上述のような従来の構造では、アンテナと送信回路との間に接続されたダイオードのアノードに接続されたチョークコイルとして作用するストリップラインは、高周波スイッチング回路における高周波デバイスの駆動回路への高周波信号の漏れを防止するため、送信回路からの送信信号の波長をλとしたとき、λ／４線路以下の長さをもつようにされており、従ってストリップラインは、実際には相当な大きなインダクタンス（例えば１００ｎＨ程度）をもつ必要がある。そのため、このストリップラインを誘電体基板上にパターン化するにはかなりの面積をもつ基板を用いる必要があり、このことは、誘電体基板の積層体の縦横寸法をストリップラインのパターン化に必要な面積に合わせて設定しなければならず、小型化には限界があった。
【０００６】
一方、携帯電話などの通信機器の小型軽量化の傾向は益々進んでおり、それに伴い機器内部における高周波スイッチのための収納容積も減少され、その減少した収納容積に適合できる寸法で高周波スイッチモジュールを実現することが要望されている。
【０００７】
従って、本発明は、従来の高周波スイッチモジュールに伴う問題点を解決して、通信機器内に画定された収納容積の低減に適合できしかもインダクタ素子による干渉などの影響を低減できる高周波回路基板及びそれを用いた小型の高周波用アンテナスイッチモジュールを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の発明によれば、高周波スイッチング回路のチョークコイル回路素子をチップインダクタとして搭載し、第一の誘電体基板と第二の誘電体基板とを含む複数の誘電体基板で構成される高周波回路基板において、
第一の誘電体基板は、前記高周波回路基板の表面を形成し、
前記第一の誘電体基板の表面にチップインダクタ用のランドが形成され、
インダクタ回路パターンが形成された前記第二の誘電体基板は、複数の誘電体基板のうち、第一の誘電体基板に最も近い位置に位置し、
インダクタ回路パターンとチップインダクタ用のランドが積層方向において互いに重ならないように位置決めされていることを特徴としている。
【００１０】
さらに、本発明の第２の発明によれば、フィルタ回路と、高周波スイッチング回路とを備え、高周波スイッチング回路のチョークコイル回路素子をチップインダクタとして誘電体積層構造体に搭載し、少なくともフィルタ回路の構成要素を誘電体積層構造体内に形成した高周波用アンテナスイッチモジュールにおいて、前記誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドが形成され、前記最上層とは別の層に形成される前記最上層に最も近いインダクタ回路パターンと前記最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積層方向において互いに重ならないように位置決めされていることを特徴としている。
【００１１】
本発明の第２の発明による高周波用アンテナスイッチモジュールにおいては、高周波スイッチング回路は、高周波デバイスを形成するダイオードと、抵抗と、コンデンサと、インダクタとを備え、前記ダイオードと、前記抵抗と、前記コンデンサの一部をチップ素子として構成し、前記インダクタ及び前記コンデンサの残りの部分を誘電体積層構造体内に形成され得る。
【００１２】
好ましくは、誘電体積層構造体は、フィルタ回路における複数のコンデンサ素子を形成した複数の誘電体基板と、フィルタ回路における複数のインダクタ素子を形成した複数の誘電体基板と、高周波スイッチング回路におけるチップ素子として構成した以外の素子を形成した複数の誘電体基板とを積層して構成され得る。
【００１３】
さらに、本発明の第３の発明によれば、フィルタ回路及び高周波スイッチング回路をそれぞれ二つずつ備え、各高周波スイッチング回路がダイプレクサ回路を介してアンテナに接続するように構成され、各高周波スイッチング回路のチョーク回路素子がチップインダクタとして誘電体積層構造体に搭載され、少なくともフィルタ回路及びダイプレクサ回路の構成要素子を誘電体積層構造体内に形成した高周波用アンテナスイッチモジュールにおいて、前記誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドが形成され、
前記最上層とは別の層に形成される前記最上層に最も近いインダクタ回路パターンと前記最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積層方向において互いに重ならないように位置決めされていることを特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１には、本発明の一つの実施の形態による高周波用アンテナスイッチモジュールの回路構成の一例を示している。ＳＷは高周波スイッチング回路で、二つのダイオードＤ１、Ｄ２と、二つのインダクタＬ１、Ｌ２と、五つのコンデンサＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５と、一つの抵抗Ｒ１とで構成されている。すなわち第１のダイオードＤ１のアノードは第１のコンデンサＣ１を介してローパスフィルタＬＰＦを介して送信回路ＴＸに接続され、第１のダイオードＤ１と第１のコンデンサＣ１との接続点は、チョークコイルとして作用する第１のインダクタＬ１と第２のコンデンサＣ２の直列回路を介して接地され、第１のインダクタＬ１と第２のコンデンサＣ２との間には制御端子ＶＣが接続されている。また、第１のダイオードＤ１のカソードは一方では第３のコンデンサＣ３を介してアンテナ端子ＡＮＴに接続され、他方では第２のインダクタＬ２の一端に接続され、第２のインダクタＬ２の他端は第４のコンデンサＣ４を介して受信回路ＲＸに接続される。第２のインダクタＬ２と第４のコンデンサＣ４との接続点は第２のダイオードＤ２と第５のコンデンサＣ５の直列回路を介して接地され、第５のコンデンサＣ５と並列に抵抗Ｒ１が接続されている。
【００１５】
高周波スイッチング回路ＳＷと送信回路ＴＸとの間に接続されたローパスフィルタＬＰＦは、インダクタＬ３、Ｌ４とコンデンサＣ６〜Ｃ１０から成り、これらの素子は図示したように接続されている。
【００１６】
このように構成した高周波用アンテナスイッチモジュールの回路の動作において、制御端子ＶＣに正の電圧を印加すると、第１のダイオードＤ１及び第２のダイオードＤ２は順方向にバイアスがかけられ、これらのダイオードは導通状態となる。それにより送信回路ＴＸからの送信信号は、ローパスフィルタＬＰＦ、コンデンサＣ１、第１のダイオードＤ１及びコンデンサＣ３を介してアンテナＡＮＴから送信される。この場合、受信回路側に通じる回路は、第２のダイオードＤ２が導通状態にあるため第２のインダクタＬ２が接地され、従って送信回路ＴＸからの送信信号は、受信回路ＲＸ側へは伝送されない。こうして送信状態が確立される。
一方、制御端子ＶＣに負の電圧を印加すると、第１のダイオードＤ１及び第２のダイオードＤ２は逆方向にバイアスがかけられ、これらのダイオードは非導通状態となる。従ってアンテナＡＮＴからの受信信号は受信回路ＲＸへ伝送され、こうして受信状態が確立される。
【００１７】
図２は、本発明の別の実施の形態によるデュアルバンド用として構成した高周波用アンテナスイッチモジュールの回路構成を概略的に示す。図示アンテナスイッチは、フィルタＬＰＦ１、ＬＰＦ２、スイッチ回路ＳＷ１、ＳＷ２及びダイプレクサＤＰなどから構成されており、ＧＳＭ用送信部に接続される送信端子ＴＸ１、ＤＣＳ用送信部に接続される送信端子ＴＸ２、ＧＳＭ用受信部に接続される受信端子ＲＸ１、ＤＣＳ用受信部に接続される受信端子ＲＸ２、アンテナに接続されるアンテナ端子ＡＮＴ、制御部に接続される制御端子ＶＣ１、ＶＣ２、ＶＣ３、ＶＣ４、及び無線部の基準電位に接続されるアース端子ＧＮＤを備えている。
【００１８】
フィルタＬＰＦ１は、コンデンサＣ101、Ｃ102、Ｃ103、Ｃ104、Ｃ105、及びインダクタＬ101、Ｌ102の回路素子から成り、これら回路素子は図示したように接続されてローパスフィルタを構成している。
【００１９】
フィルタＬＰＦ２は、コンデンサＣ201、Ｃ202、Ｃ203、Ｃ204、Ｃ205、及びインダクタＬ201、Ｌ202の回路素子から成り、これら回路素子は前述したフィルタＬＰＦ１と同様に接続されてローパスフィルタを構成している。フィルタＬＰＦ２は、遮断周波数が異なるところ以外は、前述のフィルタＬＰＦ１と同様である。
【００２０】
スイッチ回路ＳＷ１は、フィルタＬＰＦ１を通過した送信信号（ＧＳＭ）をアンテナ端子ＡＮＴに出力するための信号経路、又はアンテナから受信した受信信号（ＧＳＭ）をＧＳＭ用受信部に入力するための信号経路を切り換える機能を有するものである。図示スイッチ回路ＳＷ１は、フィルタＬＰＦ１の次段に位置しており、結合コンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４、バイパスコンデンサＣ２、Ｃ５、チョークコイルＬ１、インダクタＬ104、抵抗Ｒ１、高周波スイッチングダイオードＤ１、Ｄ２の回路素子から成っている。
【００２１】
スイッチ回路ＳＷ２は、フィルタＬＰＦ２を通過した送信信号（ＤＣＳ）をアンテナ端子ＡＮＴに出力するための信号経路、又はアンテナから受信した受信信号（ＤＣＳ）をＤＣＳ用受信部に入力するための信号経路を切り換える機能を有するものであり、前述したスイッチ回路ＳＷ１とほぼ同様な構成から成っている。図示スイッチ回路ＳＷ２は、フィルタＬＰＦ２の次段に位置しており、結合コンデンサＣ６、Ｃ８、Ｃ９、バイパスコンデンサＣ７、Ｃ１０、チョークコイルＬ３、インダクタＬ204、抵抗Ｒ２、高周波スイッチングダイオードＤ３、Ｄ４の回路素子から成っている。
【００２２】
ダイプレクサＤＰは、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）とハイパスフィルタ（ＨＰＦ）とを組合わせて構成されており、図示例では、スイッチ回路ＳＷ１の結合コンデンサＣ３とアンテナ端子ＡＮＴとの間に接続され、コンデンサＣ107、Ｃ108、及びインダクタＬ106の回路素子から成るローパスフィルタと、スイッチ回路ＳＷ２の結合コンデンサＣ８とアンテナ端子ＡＮＴとの間に接続され、コンデンサＣ207、Ｃ208、Ｃ209及びインダクタＬ206の回路素子から成るハイパスフィルタとで構成されている。
【００２３】
このような回路構成から成るデュアルバンド用として構成した高周波用アンテナスイッチモジュールの誘電体積層構造体を図３に概略分解図で示す。
アンテナスイッチモジュールの誘電体積層構造体は図示したように１５層の誘電体基板１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５で構成されている。高周波回路基板を構成する各誘電体基板にはそれぞれ、図２に示す回路素子のうちスイッチ回路ＳＷ１における結合コンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４、コンデンサＣ２、バイパスコンデンサＣ５、チョークコイルＬ１、抵抗Ｒ１及び高周波スイッチングダイオードＤ１、Ｄ２の回路素子、並びにスイッチ回路ＳＷ２における結合コンデンサＣ６、Ｃ８、Ｃ９、コンデンサＣ７、バイパスコンデンサＣ１０、チョークコイルＬ３、抵抗Ｒ２及び高周波スイッチングダイオードＤ３、Ｄ４の回路素子を除くそれぞれの回路素子が対応した一つの又は複数の基板上に形成されている。
【００２４】
すなわち、図３において、第１の誘電体基板１には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ101、Ｃ103、Ｃ105の電極、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているコンデンサＣ201、Ｃ203、Ｃ205の電極、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ209の電極が形成されている。
【００２５】
第２の誘電体基板２には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ101、Ｃ103、Ｃ105の電極、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているコンデンサＣ201、Ｃ203、Ｃ205の電極、ダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ209の電極、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ107の電極が形成されている。
【００２６】
第３の誘電体基板３には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ101、Ｃ103、Ｃ105の電極、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているコンデンサＣ201、Ｃ203、Ｃ205の電極、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ107の電極が形成されている。
【００２７】
第５の誘電体基板５には、ダイプレクサＤＰを構成しているインダクタＬ206が形成されている。
【００２８】
第６の誘電体基板６には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ102、Ｃ104の電極、及びローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているコンデンサＣ202、Ｃ204の電極が形成されている。
【００２９】
第７の誘電体基板７には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ102、Ｃ104の電極、及びローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているコンデンサＣ202、Ｃ204の電極が形成されている。
【００３０】
第８の誘電体基板８には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているコンデンサＣ102、Ｃ104の電極が形成されている。
【００３１】
第９の誘電体基板９には、スイッチ回路ＳＷ１を構成しているインダクタＬ104、及びスイッチ回路ＳＷ２を構成しているインダクタＬ204が形成されている。
【００３２】
第１０の誘電体基板１０には、スイッチ回路ＳＷ１を構成しているインダクタＬ104、スイッチ回路ＳＷ２を構成しているインダクタＬ204、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているインダクタＬ101、Ｌ102、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ207の電極が形成されている。
【００３３】
第１１の誘電体基板１１には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているインダクタＬ101、Ｌ102、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ207、Ｃ208の電極が形成されている。
【００３４】
第１２の誘電体基板１２には、ローパスフィルタＬＰＦ１を構成しているインダクタＬ101、Ｌ102、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているインダクタＬ201、Ｌ202、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ108、Ｃ208の電極が形成されている。
【００３５】
第１３の誘電体基板１３には、ローパスフィルタＬＰＦ２を構成しているインダクタＬ201、Ｌ202、及びダイプレクサＤＰを構成しているコンデンサＣ108の電極が形成されている。
【００３６】
第１４の誘電体基板１４には、ダイプレクサＤＰを構成しているインダクタＬ106が形成されている。
【００３７】
高周波回路基板の表面すなわち誘電体積層構造体の最上層を形成する誘電体基板１５上には、前述の図２に示す回路素子のうちスイッチ回路ＳＷ１における結合コンデンサＣ１、Ｃ３、Ｃ４、コンデンサＣ２、バイパスコンデンサＣ５、チョークコイルＬ１、抵抗Ｒ１及び高周波スイッチングダイオードＤ１、Ｄ２の九個の回路素子、並びにスイッチ回路ＳＷ２における結合コンデンサＣ６、Ｃ８、Ｃ９、コンデンサＣ７、バイパスコンデンサＣ１０、チョークコイルＬ３、抵抗Ｒ２及び高周波スイッチングダイオードＤ３、Ｄ４の九個の回路素子が、チップ素子として搭載されるランドが形成されている。
【００３８】
すなわち、図４に示すように、コンデンサＣ２を搭載するランド１６、チョークコイルＬ１を搭載するランド１７、コンデンサＣ１を搭載するランド１８、コンデンサＣ３を搭載するランド１９、コンデンサＣ５を搭載するランド２０、抵抗Ｒ１を搭載するランド２１、コンデンサＣ４を搭載するランド２２、高周波スイッチングダイオードＤ１を搭載するランド２３、高周波スイッチングダイオードＤ２を搭載するランド２４、高周波スイッチングダイオードＤ３を搭載するランド２５、高周波スイッチングダイオードＤ４を搭載するランド２６、コンデンサＣ７を搭載するランド２７、チョークコイルＬ３を搭載するランド２８、コンデンサＣ６を搭載するランド２９、コンデンサＣ８を搭載するランド３０、コンデンサＣ１０を搭載するランド３１、抵抗Ｒ２を搭載するランド３２、コンデンサＣ９を搭載するランド３３が形成され、これらの素子は図示していないが図２の回路構成となるように接続されている。
【００３９】
さらに、図３において第１の誘電体基板１の下側には、ＧＳＭ用送信部に接続される送信端子ＴＸ１、ＤＣＳ用送信部に接続される送信端子ＴＸ２、ＧＳＭ用受信部に接続される受信端子ＲＸ１、ＤＣＳ用受信部に接続される受信端子ＲＸ２、アンテナに接続されるアンテナ端子ＡＮＴ、制御部に接続される制御端子ＶＣ、及び無線部の基準電位に接続されるアース端子Ｇのそれぞれのパターンが形成されている基板が示されている。
又、各基板に形成された回路素子はビアホール（図示しない）により、所定の基板間で接続されている。
【００４０】
ところで、本発明では、スイッチ回路ＳＷ１におけるチョークコイルＬ１を形成するチップインダクタ素子及びスイッチ回路ＳＷ２におけるチョークコイルＬ３を形成するチップインダクタ素子は、少なくともその直ぐ下に位置する第１４の誘電体基板１４上の回路パターンの形成されてない部位上に位置するように最上層の誘電体基板１５上に形成されたランド１７、２８上に配置される。言い換えれば、最上層の誘電体基板１５上のチップインダクタ素子の配置領域に対応した第１４の誘電体基板又は好ましくは第１４の誘電体基板を含む複数の基板上の部位には回路パターンが位置しないようにされ、これにより、動作時に干渉などの悪影響を防止することができる。
【００４１】
すなわち、図５に示すように、スイッチ回路ＳＷ１におけるチョークコイルＬ１を形成するチップインダクタ素子及びスイッチ回路ＳＷ２におけるチョークコイルＬ３を形成するチップインダクタ素子を搭載するために最上層の誘電体基板１５上に形成されたランド１７、２８の領域は、第１４の誘電体基板１４上に形成されたダイプレクサＤＰを構成するインダクタＬ106とは重ならないように形成されている。これにより、動作時にチップインダクタ素子Ｌ１、Ｌ３に流れる信号がダイプレクサＤＰを構成するインダクタＬ106に漏れることによるノイズの発生といった不具合や、チップインダクタ素子Ｌ１、Ｌ３とダイプレクサＤＰを構成するインダクタＬ106との干渉などの悪影響を防止することができる。
【００４２】
次に、誘電体積層構造体の製造について簡単に説明する。
まず、グリーンシートを用意し、必要な部位つまり上下に電気的に接続すべき部位に孔をあける。こうして孔のあけられた各グリーンシート上に、所定の回路素子の全部又は一部をＡｇ又はＡｇＰｔを用いてスクリーン印刷法により印刷する。同時に各グリーンシートにおける各孔もＡｇ又はＡｇＰｔを用いてスクリーン印刷法により孔埋めする。しかる後、それぞれのグリーンシートを積層し、そして燒結処理が施される。
その後、誘電体積層構造体の頂部に高周波スイッチング回路ＳＷ１及びＳＷ２を構成する別個に用意したチップ素子が搭載され、そして図６に示すように個々のモジュールに切断されて完成される。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明してきたように、高周波スイッチング回路のチョークコイル回路素子をチップインダクタとして搭載し、第一の誘電体基板と第二の誘電体基板とを含む複数の誘電体基板で構成される高周波回路基板において、第一の誘電体基板が前記高周波回路基板の表面を形成し、第一の誘電体基板の表面にチップインダクタ用のランドを形成し、インダクタ回路パターンが形成された第二の誘電体基板が、複数の誘電体基板のうち、第一の誘電体基板に最も近い位置に位置し、インダクタ回路パターンとチップインダクタ用のランドが積層方向において互いに重ならないように位置決めしたことにより、ノイズの発生や干渉などの悪影響を防止することができるようになる。
【００４４】
また、本発明による高周波用アンテナスイッチモジュールにおいては、誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドを形成し、最上層とは別の層に形成される最上層に最も近い回路パターンと最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積層方向において互いに重ならないように位置決めしているので、積層構造体のサイズを小型化できると共に、チョーク回路素子による干渉の影響を実質的に低減することができ、従って、携帯電話などの通信機器の小型軽量化に伴う機器内部における高周波スイッチのための収納容積の縮小に十分適合できる寸法をもちしかも安定した動作を保証できる高周波スイッチモジュールを提供できるようになる。
【００４５】
また、本発明による高周波スイッチモジュールは、デュアルバンド用として構成した場合も、同様に、誘電体積層構造体を形成する誘電体層の最上層にチップインダクタ用のランドを形成し、最上層とは別の層に形成される最上層に最も近い回路パターンと最上層におけるチップインダクタ用のランドとが積層方向において互いに重ならないように位置決めされているので、通信機器内に画定された収納容積の低減に適合できるだけでなく、チョーク回路素子による干渉の影響を実質的に低減することができ、高周波スイッチとして安定した動作を保証できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一つの実施の形態による高周波用アンテナスイッチモジュールの回路構成の一例を示す回路線図。
【図２】本発明の別の実施の形態によるデュアルバンド用として構成した高周波用アンテナスイッチモジュールの回路構成の一例を示す回路線図。
【図３】図２に示す高周波用アンテナスイッチモジュールにおける誘電体積層構造体の構成を示す分解斜視図。
【図４】図３に示す誘電体積層構造体における最上層の高周波回路基板の表面上に形成されるスイッチ回路ＳＷ１及びＳＷ２における回路素子を成すチップ素子搭載用のランドを示す概略平面図。
【図５】図３に示す誘電体積層構造体における最上層の高周波回路基板上のチップインダクタ素子を搭載するためのランド領域とその下の層の誘電体基板上に形成されたインダクタＬ106との位置関係を示す概略平面図。
【図６】図２に示す高周波用アンテナスイッチモジュールを示す概略斜視図。
【符号の説明】
ＡＮＴ  ：アンテナ端子
ＳＷ    ：高周波スイッチング回路
ＳＷ１  ：高周波スイッチング回路
ＳＷ２  ：高周波スイッチング回路
Ｌ１    ：インダクタ（チョーク回路素子）
ＬＰＦ  ：ローパスフィルタ
ＬＰＦ１：ローパスフィルタ
ＬＰＦ２：ローパスフィルタ
ＤＩＰ  ：ダイプレクサ
１６〜３３：ランド
【図１】
0003896284.tif 000002
【図２】
0003896284.tif 000003
【図３】
0003896284.tif 000004
【図４】
0003896284.tif 000005
【図５】
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【図６】
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