(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３層の導電層を有する半導体装置の配線構造であって、
上層導電層と下層導電層との間の中間導電層で形成された信号線と、
前記中間導電層で形成され、前記信号線を挟んで配置される一対の横シールド電極と、
前記下層導電層で形成され、前記信号線の下側に沿って配置された下シールド電極と、
前記上層導電層で形成され、前記信号線の上側に沿って配置された上シールド電極と、
を備え、
前記一対の横シールド電極は、一方が前記信号線に沿った方向に配列されるｎ個（ｎは２以上の自然数）の第１横電極要素に分割され、他方が前記信号線に沿った方向に配列されるｎ個の第２横電極要素に分割され、
前記上シールド電極は、それぞれｊ番目（ｊはｎ-１以下の自然数）の前記第１横電極要素と（ｊ＋１）番目の前記第２横電極要素とを電気的に接続する（ｎ-１）個の上電極要素に分割され、
前記下シールド電極は、それぞれｊ番目（ｊはｎ-１以下の自然数）の前記第２横電極要素と（ｊ＋１）番目の前記第１横電極要素とを電気的に接続する（ｎ-１）個の下電極要素に分割されること、
を特徴とする半導体装置の配線構造。
【請求項２】
少なくとも３層の導電層を有する半導体装置の配線構造であって、
上層導電層と下層導電層との間の中間導電層で形成された信号線と、
前記中間導電層で形成され、前記信号線を挟んで配置される一対の横シールド電極と、
前記下層導電層で形成され、前記信号線の下側に沿って配置された下シールド電極と、
前記上層導電層で形成され、前記信号線の上側に沿って配置された上シールド電極と、
を備え、
前記一対の横シールド電極は、一方が前記信号線に沿った方向に配列されるｎ個（ｎは２以上の自然数）の第１横電極要素に分割され、他方が前記信号線に沿った方向に配列されるｎ個の第２横電極要素に分割され、
前記上シールド電極は、それぞれｊ番目（ｊはｎ-１以下の自然数）の前記第１横電極要素と（ｊ＋１）番目の前記第２横電極要素とを電気的に接続する（ｎ-１）個の第１の上電極要素と、それぞれｊ番目の前記第２横電極要素と（ｊ＋１）番目の前記第１横電極要素とを電気的に接続する（ｎ-１）個の第２の上電極要素とに分割され、
前記下シールド電極は、それぞれｊ番目（ｊはｎ-１以下の自然数）の前記第１横電極要素と（ｊ＋１）番目の前記第２横電極要素とを電気的に接続する（ｎ-１）個の第１の下電極要素と、それぞれｊ番目の前記第２横電極要素と（ｊ＋１）番目の前記第１横電極要素とを電気的に接続する（ｎ-１）個の第２の下電極要素とに分割され、
前記第１の上電極要素と前記第２の上電極要素は、互いに異なる形状を有し、それらが互いに接しないものであり、
前記第１の下電極要素と前記第２の下電極要素は、互いに異なる形状を有し、それらが互いに接しないものである、
ことを特徴とする半導体装置の配線構造。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の配線構造において、
前記一対の横シールド電極と前記下シールド電極とを電気的に接続するコンタクトが前記信号線に沿って複数配列された第１のコンタクト列と、
前記一対の横シールド電極と前記上シールド電極とを電気的に接続するコンタクトが前記信号線に沿って複数配列された第２のコンタクト列と、
を有することを特徴とする半導体装置の配線構造。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の配線構造において、
前記下シールド電極、前記上シールド電極、及び前記一対の横シールド電極は所定電圧源に接続されていること、
を特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関し、特に半導体基板上に形成される配線のシールドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置においては、半導体基板の上に成膜されたポリシリコン層やアルミニウム（Ａｌ）等のメタル層といった導電層をフォトリソグラフィ技術によってパターニングして配線が形成される。この配線は、電気信号を伝達する信号線として利用され得る。ここで、信号には、電流や電圧の変動が大きい動的な信号や、反対に電流や電圧の変動が小さい静的な信号がある。動的な信号は、近隣の回路・配線にノイズを生じやすく、静的な信号は、近隣の回路・配線からノイズの影響を受けやすい。
【０００３】
従来は、このようなノイズの影響を抑制するために、動的な信号を伝達する信号線と他の信号線との距離を大きくするという対処のほかに、信号線をシールドする技術があった。図８、図９はそれぞれ、信号線に対する従来のシールドの構成を示す模式的な平面図である。図８の構成では、２つの信号線２，４の間にシールド電極６が配置される。この構成によって、信号線２，４間のクロストークを抑制している。図９の構成では、信号線８の両側に沿って２つのシールド電極１０が配置される。この構成によって、例えば信号線８が動的な信号を伝達する場合には、その電気的変動の影響が近隣回路等へ及ぶことが防止され、一方、信号線８が静的な信号を伝達する場合には、近隣回路からのノイズの飛び込みが防止される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
従来のシールド電極は、基本的に信号線と同層の導電層を用いて形成され、信号線の水平方向の傍らに、信号線と併走するように設けられていた。この従来のシールドの仕方では、信号線の上方または下方へのノイズの放射、または上方または下方からのノイズの飛び込みを防止することができないという問題があった。特に近年、半導体装置では多層配線技術が用いられており、ある信号線の上下に他の導電層で形成された信号線が存在し得る。従来のシールドの仕方では、このような上下の信号線間でのクロストークを防止するのに不十分であるという問題があった。
【０００５】
本発明は上記問題点を解消するためになされたもので、半導体装置におけるノイズ遮蔽効果が向上した配線構造を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体装置の配線構造は、少なくとも３層の導電層を有する半導体装置の配線構造であって、上層導電層と下層導電層との間の中間導電層で形成された信号線と、前記中間導電層で形成され、前記信号線を挟んで配置される一対の横シールド電極と、前記下層導電層で形成され、前記信号線の下側に沿って配置された下シールド電極と、前記上層導電層で形成され、前記信号線の上側に沿って配置された上シールド電極とを備えたものである。
【０００７】
本発明によれば、信号線は、それと同層の２つのシールド電極（一対の横シールド電極）と、信号線の上下の２つのシールド電極（上シールド電極及び下シールド電極）とで、周りを取り囲まれており、水平方向のみならず、上下方向に関してもシールドされる。
【０００８】
他の本発明に係る半導体装置の配線構造は、前記一対の横シールド電極と前記下シールド電極とを電気的に接続するコンタクトが前記信号線に沿って複数配列された第１のコンタクト列と、前記一対の横シールド電極と前記上シールド電極とを電気的に接続するコンタクトが前記信号線に沿って複数配列された第２のコンタクト列とを有するものである。
【０００９】
上層導電層と中間導電層との間、及び下層導電層と中間導電層との間には、絶縁層が設けられ、この絶縁層によって、上シールド電極及び下シールド電極のそれぞれと２つの横シールド電極のそれぞれとの間にシールドされない間隙が生じ得る。本発明によれば、この間隙に、上シールド電極及び下シールド電極それぞれと２つの横シールド電極それぞれとを電気的に接続する導電部材からなるコンタクトが配列され、当該間隙を介したノイズの漏れが低減される。
【００１０】
別の本発明に係る半導体装置の配線構造は、前記一対の横シールド電極の一方が前記信号線に沿った方向に配列されるｎ個（ｎは２以上の自然数）の第１横電極要素に分割され、他方が前記信号線に沿った方向に配列されるｎ個の第２横電極要素に分割され、前記上シールド電極が、それぞれｊ番目（ｊはｎ−１以下の自然数）の前記第１横電極要素と（ｊ＋１）番目の前記第２横電極要素とを電気的に接続する（ｎ−１）個の上電極要素に分割され、前記下シールド電極が、それぞれｊ番目（ｊはｎ−１以下の自然数）の前記第２横電極要素と（ｊ＋１）番目の前記第１横電極要素とを電気的に接続する（ｎ−１）個の下電極要素に分割されるものである。
【００１１】
本発明によれば、信号線の一方の横側には互いに分断された第１横電極要素が配列され、他方の横側には互いに分断された第２横電極要素が配列される。また、信号線の上側には互いに分断された上電極要素が配列され、信号線の下側には互いに分断された下電極要素が配列される。上電極要素及び下電極要素は、第１横電極要素と第２横電極要素とを互い違いに接続するように構成される。すなわち、上電極要素及び下電極要素によって、奇数番目の第１横電極要素と偶数番目の第２横電極要素とが交互に接続され、また偶数番目の第１横電極要素と奇数番目の第２横電極要素とが交互に接続される。より具体的には、ｉ番目の第１横電極要素と（ｉ＋１）番目の第２横電極要素とがｉ番目の上電極要素で接続され、（ｉ＋１）番目の第２横電極要素と（ｉ＋２）番目の第１横電極要素とが（ｉ＋１）番目の下電極要素で接続される。このようにして一つの連続したシールド体が信号線を螺旋状に取り巻いて構成される。また同様にｉ番目の第２横電極要素と（ｉ＋１）番目の第１横電極要素とがｉ番目の下電極要素で接続され、（ｉ＋１）番目の第１横電極要素と（ｉ＋２）番目の第２横電極要素とが（ｉ＋１）番目の上電極要素で接続され、もう一つの連続した螺旋状のシールド体が構成される。すなわち、信号線は二重螺旋構造のシールド体で囲まれる。なお、上下導電層の電極要素と中間導電層の電極要素との接続は、コンタクトを介して行うことができる。よって、本発明の構成は、上述した他の本発明と同様、上下導電層と中間導電層との間の絶縁層による間隙にコンタクトが配列される構成を備えている。
【００１２】
さらに別の本発明に係る半導体装置の配線構造は、前記一対の横シールド電極の一方が前記信号線に沿った方向に配列されるｎ個（ｎは２以上の自然数）の第１横電極要素に分割され、他方が前記信号線に沿った方向に配列されるｎ個の第２横電極要素に分割され、前記上シールド電極が、それぞれｊ番目（ｊはｎ−１以下の自然数）の前記第１横電極要素と（ｊ＋１）番目の前記第２横電極要素とを電気的に接続する（ｎ−１）個の第１の上電極要素と、それぞれｊ番目の前記第２横電極要素と（ｊ＋１）番目の前記第１横電極要素とを電気的に接続する（ｎ−１）個の第２の上電極要素とに分割され、前記下シールド電極が、それぞれｊ番目（ｊはｎ−１以下の自然数）の前記第１横電極要素と（ｊ＋１）番目の前記第２横電極要素とを電気的に接続する（ｎ−１）個の第１の下電極要素と、それぞれｊ番目の前記第２横電極要素と（ｊ＋１）番目の前記第１横電極要素とを電気的に接続する（ｎ−１）個の第２の下電極要素とに分割されるものである。
【００１３】
本発明によっても、上述した別の本発明と同様、上電極要素と下電極要素とによって、第１横電極要素と第２横電極要素とが互い違いに接続される。本発明では、信号線の上側には第１の上電極要素と第２の上電極要素とが交互に配列され、これらの集合体が上シールド電極を構成し、一方、信号線の下側には第１の下電極要素と第２の下電極要素とが交互に配列され、これらの集合体が下シールド電極を構成する。具体的には、ｉ番目の第１横電極要素と（ｉ＋１）番目の第２横電極要素との間は、共にｉ番目の第１の上電極要素及び第１の下電極要素で並行して接続され、（ｉ＋１）番目の第２横電極要素と（ｉ＋２）番目の第１横電極要素との間は、共に（ｉ＋１）番目の第２の上電極要素及び第２の下電極要素で並行して接続される。このようにして一つの連続したシールド体が構成される。また同様にｉ番目の第２横電極要素と（ｉ＋１）番目の第１横電極要素とが、共にｉ番目の第２の上電極要素及び第２の下電極要素で並行して接続され、（ｉ＋１）番目の第１横電極要素と（ｉ＋２）番目の第２横電極要素とが、共に（ｉ＋１）番目の第１の上電極要素及び第１の下電極要素で接続され、もう一つの連続したシールド体が構成される。なお、上下導電層の電極要素と中間導電層の電極要素との接続は、コンタクトを介して行うことができる。よって、本発明も、上下導電層と中間導電層との間の絶縁層による間隙にコンタクトが配列される構成を備えている。
【００１４】
本発明の好適な態様は、前記下シールド電極、前記上シールド電極、及び前記一対の横シールド電極が所定電圧源に接続されていることを特徴とする半導体装置である。例えば、各シールド電極は接地される。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１６】
［実施形態１］
図１は、本発明の第１の実施形態である半導体装置における発明主要部の模式的な断面図であり、本発明に係るシールドを備えた信号線の配線方向に直交する面での断面構造を示している。この図には、信号線２０、横シールド電極２２，２４、上シールド電極２６、下シールド電極２８、層間絶縁膜３０，３２、及び基板３４が表されている。基板３４には例えば不純拡散領域や表面酸化膜などが形成され、その基板３４の上に下層導電層、層間絶縁膜３２、中間導電層、層間絶縁膜３０、上層導電層が順に積層される。例えば各導電層はポリシリコンやＡｌで形成することができる。下シールド電極２８は下層導電層から、また信号線２０及び横シールド電極２２，２４は中間導電層から、そして上シールド電極２６は上層導電層から、それぞれフォトリソグラフィ技術により形成される。
【００１７】
図２は、本実施形態の配線構造の立体的イメージを説明するための模式的な斜視図である。図において、信号線２０は左上から右下へ延びており、説明の都合上、右下側には図１に対応する垂直断面を示している。
【００１８】
横シールド電極２２，２４は信号線２０と同様に細長い帯状（線状）の電極であり、信号線２０と一定間隔を保ちながら、その両脇に沿って配置される。また上シールド電極２６は、信号線２０の上側に沿って配置される帯状の電極である。一方、下シールド電極２８は信号線２０の下側に沿って配置される帯状の電極である。上シールド電極２６の幅は大きいほど、信号線２０から見た上シールド電極２６と横シールド電極２２，２４との隙間が小さくなり、信号線２０に対するシールド効果が高くなり好適である。同様に、下シールド電極２８の幅も大きいほど好適である。上シールド電極２６及び下シールド電極２８の現実的な幅サイズとしては、例えば上シールド電極２６、下シールド電極２８の幅方向の端部が、横シールド電極２２，２４にオーバーラップする程度とすることができる。図に示す例では、上シールド電極２６、下シールド電極２８の縁が、横シールド電極２２，２４の外縁に一致するように上シールド電極２６、下シールド電極２８の幅を定めている。
【００１９】
［実施形態２］
図３は、本発明の第２の実施形態である半導体装置における発明主要部の模式的な断面図であり、本発明に係るシールドを備えた信号線の配線方向に直交する面での断面構造を示している。また図４は、本実施形態の配線構造の立体的イメージを説明するための模式的な斜視図である。図４は上記実施形態の図２に相当するものであり、この図において、信号線は左上から右下へ延びており、説明の都合上、右下側には図３に対応する垂直断面を示している。図３、図４において、上記第１の実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明の簡略化を図る。
【００２０】
本実施形態の構成が上記第１の実施形態と相違する主な点は、横シールド電極２２，２４の上下の層間絶縁膜３０，３２に複数のコンタクトホールが開けられ、このコンタクトホールを介して横シールド電極２２，２４が下シールド電極２８に電気的に接触するコンタクト４２が形成され、また上シールド電極２６が横シールド電極２２，２４に電気的に接触するコンタクト４０が形成される。コンタクト４０，４２は、信号線２０に沿った方向に対し、例えば一定間隔で複数配置される。このコンタクト４０，４２によって、横シールド電極２２，２４と下シールド電極２８との隙間、及び上シールド電極２６と横シールド電極２２，２４との隙間を介して信号線２０からノイズがシールド電極より外側へ漏れ出ること、またはシールド電極よりも外側からのノイズが信号線２０に飛び込むことが抑制される。この抑制効果は、コンタクト４０，４２を密間隔で配置することによって向上し得る。
【００２１】
［実施形態３］
図５は、本発明の第３の実施形態である半導体装置における配線構造の模式的な平面図である。本実施形態の配線構造も、上記各実施形態と同様に、基板３４の上に下層導電層、層間絶縁膜３２、中間導電層、層間絶縁膜３０、上層導電層を順に積層して形成されるものであるが、図５には、これら層のうち、上層導電層、中間導電層、下層導電層のパターンが示されている。図５において、上記各実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明の簡略化を図る。
【００２２】
本実施形態の各横シールド電極は、信号線２０に沿った方向に配列された複数（ｎ個）の横電極要素に分割されている。すなわち、信号線２０に沿った横電極要素５０の列及び横電極要素５２の列がそれぞれ上記実施形態の横シールド電極２２，２４に相当する。
【００２３】
また、上シールド電極及び下シールド電極も、信号線２０に沿った方向に配列された複数（ｎ個）の上電極要素及び下電極要素に分割されている。すなわち、信号線２０に沿った上電極要素５４の列及び下電極要素５６の列がそれぞれ上記実施形態の上シールド電極２６及び下シールド電極２８に相当する。
【００２４】
ここで、便宜上、各電極要素５０，５２，５４，５６を図面にて左側から数えて、それらそれぞれの順番を定義し、この順番を用いて例えば、ｊ番目の横電極要素５０を符号“５０-j”で表す。
【００２５】
ｊ番目（ｊは自然数）の上電極要素５４-jは信号線２０の一方側（第１サイド）のｊ番目の横電極要素５０-jと他方側（第２サイド）の（ｊ＋１）番目の横電極要素５２-(j+1)とを電気的に接続する。またｊ番目の下電極要素５６-jは信号線２０の第２サイドのｊ番目の横電極要素５２-jと第１サイドの（ｊ＋１）番目の横電極要素５４-(j+1)とを電気的に接続する。
【００２６】
具体的には横電極要素５０-1は上電極要素５４-1により横電極要素５２-2に接続され、横電極要素５２-2は下電極要素５６-2により横電極要素５０-3に接続される。このようにして、横電極要素５０-1、上電極要素５４-1、横電極要素５２-2、下電極要素５６-2、横電極要素５０-3、上電極要素５４-3、…の順に電極要素が接続され、信号線２０の周りをめぐる第１の螺旋状のシールド電極が形成される。同様に、横電極要素５２-1は下電極要素５６-1により横電極要素５０-2に接続され、横電極要素５０-2は上電極要素５４-2により横電極要素５２-3に接続される。このようにして、横電極要素５２-1、下電極要素５６-1、横電極要素５０-2、上電極要素５４-2、横電極要素５２-3、下電極要素５６-3、…の順に電極要素が接続され、信号線２０の周りをめぐる第２の螺旋状のシールド電極が形成される。第１の螺旋シールドと第２の螺旋シールドとは二重螺旋構造を形成する。
【００２７】
なお、層の異なる電極要素相互の接続は、層間絶縁膜３０，３２に開けられた複数のコンタクトホール５８を介して行われる。また、第１及び第２の螺旋シールドはそれぞれ接地される。
【００２８】
［実施形態４］
図６は、本発明の第４の実施形態である半導体装置における配線構造の模式的な平面図である。本実施形態の配線構造も、上記各実施形態と同様に、基板３４の上に下層導電層、層間絶縁膜３２、中間導電層、層間絶縁膜３０、上層導電層を順に積層して形成されるものであるが、図６には、これら層のうち、上層導電層、中間導電層、及び下層導電層のパターンが示されている。本実施形態において、上記各実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明の簡略化を図る。
【００２９】
本実施形態の各横シールド電極は、上記第３の実施形態と同様、信号線２０に沿った方向に配列された複数（ｎ個）の横電極要素に分割されている。
【００３０】
また、上シールド電極も、信号線２０に沿った方向に配列された複数の上電極要素に分割されている。図６には、第３の実施形態と異なり、２種類の形状の上電極要素（第１上電極要素７０，第２上電極要素７２）が対をなし、この対が繰り返して配置される。すなわち、図面にて左側から数えて、ｊ番目の第１上電極要素７０-jとｊ番目の第２上電極要素７２-jとが対を成して配置され、その右に（ｊ＋１）番目の第１上電極要素７０-(j+1)と（ｊ＋１）番目の第２上電極要素７２-(j+1)との対が配置される。
【００３１】
ｊ番目の第１上電極要素７０-jは信号線２０の第１サイドのｊ番目の横電極要素５０-jと第２サイドの（ｊ＋１）番目の横電極要素５２-(j+1)とを電気的に接続する。またｊ番目の第２上電極要素７２-jは第２サイドのｊ番目の横電極要素５２-jと第１サイドの（ｊ＋１）番目の横電極要素５４-(j+1)とを電気的に接続する。
【００３２】
下シールド電極は、図６に示す上シールド電極と同じパターンに形成される。すなわち、下シールド電極は、第１上電極要素７０と同じ形状で、基板面内にて当該電極要素と同じ位置に配置される第１下電極要素と、第２上電極要素７２と同じ形状で、基板面内にて当該電極要素と同じ位置に配置される第２下電極要素との対が信号線２０に沿った方向に繰り返して設けられる。以下の説明で、例えば第１上電極要素７０-j、第２上電極要素７２-jの下に配置され、それらと同一形状を有する第１下電極要素、第２下電極要素をそれぞれ符号“７０'-j”、“７２'-j”で表す。
【００３３】
上電極要素と同様に、ｊ番目の第１下電極要素は信号線２０の第１サイドのｊ番目の横電極要素５０-jと第２サイドの（ｊ＋１）番目の横電極要素５２-(j+1)とを電気的に接続する。またｊ番目の第２下電極要素は第２サイドのｊ番目の横電極要素５２-jと第１サイドの（ｊ＋１）番目の横電極要素５４-(j+1)とを電気的に接続する。
【００３４】
これら第１及び第２上電極要素と第１及び第２下電極要素とによって、横電極要素５０，５２が交互に接続される。具体的には、横電極要素５０-1と横電極要素５２-2との間が第１上電極要素７０-1及び第１下電極要素７０'-1により並行に接続され、横電極要素５２-2と横電極要素５０-3との間が第１上電極要素７２-2及び第１下電極要素７２'-2により並行に接続される。このようにして、横電極要素５０-1、横電極要素５２-2、横電極要素５０-3、横電極要素５２-4、…の順に横電極要素が接続されて第１のシールド構造体が構成される。同様に、横電極要素５２-1と横電極要素５０-2との間が第１上電極要素７２-1及び第１下電極要素７２'-1により並行に接続され、横電極要素５０-2と横電極要素５２-3との間が第１上電極要素７０-2及び第１下電極要素７０'-2により並行に接続される。このようにして、横電極要素５２-1、横電極要素５０-2、横電極要素５２-3、横電極要素５０-4、…の順に横電極要素が接続されて第２のシールド構造体が構成される。
【００３５】
なお、層の異なる電極要素相互の接続は、上記第３の実施形態と同様、層間絶縁膜３０，３２に開けられた複数のコンタクトホール５８を介して行われる。また、第１及び第２のシールド構造体はそれぞれ接地される。
【００３６】
上述の構成では、下電極要素は、上電極要素と同じパターンに形成された。しかし、下電極要素は、必ずしも上電極要素と同一のパターンでなくてもよい。図７は、上電極要素と下電極要素とが異なるパターンである構成例を説明するための図であり、上層導電層、中間導電層、及び下層導電層のパターンが示されている。この構成例では上電極要素は図６に示すパターンと同じに構成され、下電極要素は、信号線２０に対して上電極要素と線対称のパターンに構成される。
【００３７】
この構成では、信号線２０の第１サイドのｊ番目の横電極要素５０-jと第２サイドの（ｊ＋１）番目の横電極要素５２-(j+1)とは、ｊ番目の第１下電極要素８０-jで電気的に接続され、また第２サイドのｊ番目の横電極要素５２-jと第１サイドの（ｊ＋１）番目の横電極要素５４-(j+1)とは、ｊ番目の第２下電極要素８２-jで電気的に接続される。
【００３８】
【発明の効果】
本発明によれば、信号線の横だけでなく上下にもシールド電極が配置された配線構造により、信号線の上下方向へのノイズの放射、または信号線の上下方向からのノイズの飛び込みが防止され、ノイズ遮蔽効果が向上した半導体装置が得られる。
【００３９】
信号線の上シールド電極と横シールド電極との隙間、及び横シールド電極と下シールド電極との隙間にそれら電極間を接続するコンタクトを配列することにより、当該隙間からのノイズの漏れ出し、漏れ込みが防止される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施形態である配線構造の配線方向に直交する面での模式的な断面図である。
【図２】  第１の実施形態の配線構造の立体的イメージを説明するための模式的な斜視図である。
【図３】  本発明の第２の実施形態である配線構造の配線方向に直交する面での模式的な断面図である。
【図４】  第２の実施形態の配線構造の立体的イメージを説明するための模式的な斜視図である。
【図５】  本発明の第３の実施形態である配線構造の模式的な平面図である。
【図６】  本発明の第４の実施形態である配線構造の模式的な平面図である。
【図７】  第４の実施形態の変形例である配線構造の模式的な平面図である。
【図８】  信号線に対する従来のシールドの構成を示す模式的な平面図である。
【図９】  信号線に対する従来のシールドの他の構成を示す模式的な平面図である。
【符号の説明】
２０  信号線、２２，２４  横シールド電極、２６  上シールド電極、２８  下シールド電極、３０，３２  層間絶縁膜、４０，４２  コンタクト、５０，５２  横電極要素、５４  上電極要素、５６  下電極要素、５８  コンタクトホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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