(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンよりも熱伝導性が低い材料からなり、相互に対向して配置され、各対向面にヒートパイプを構成するための溝が形成されており、前記各対向面の一方の前記溝には、液体を流す流路と気体を流す流路とその二つの流路の間に設けられた断熱ホールとを有する一対の第１及び第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着するために、前記第１の基板又は前記第２の基板の表面にスパッタリングにより形成された接着部材と
を具備することを特徴とする冷却装置。
【請求項２】
請求項１に記載の冷却装置において、
前記第１及び第２の基板は、ガラス又はプラスチックからなることを特徴とする冷却装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の冷却装置において、
前記接着部材は、シリコン又は銅からなることを特徴とする冷却装置。
【請求項４】
フラッシュメモリを有するカード型の記憶媒体が着脱可能なスロットを有し、前記記憶媒体側、当該装置側又は当該装置とは分離された部位にドライバを有する電子機器装置であって、
前記ドライバから発せられる熱を冷却するために、請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の冷却装置を具備することを特徴とする電子機器装置。
【請求項５】
シリコンよりも熱伝導性が低い材料からなる第１及び第２の基板の各表面にヒートパイプを構成するための溝を、一方の前記表面には液体を流す流路と気体を流す流路とその二つの流路の間に断熱ホールとを有するように、形成する工程と、
前記第１の基板又は前記第２の基板の表面に、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着するためのシリコン又は銅からなる接着部材を均一に形成する工程と、
前記接着部材を介して前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを接合する工程と
を具備することを特徴とする冷却装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の冷却装置の製造方法において、
前記接合工程は、陽極接合、超音波接合又は熱融着接合であることを特徴とする冷却装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の冷却装置の製造方法において、
前記接着部材形成工程は、スパッタリングにより接着部材を形成することを特徴とする冷却装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５から請求項７のうちいずれか１項に記載の冷却装置の製造方法において、
前記溝形成工程は、ケミカルエッチング又はパウダービームエッチングにより溝を形成することを特徴とする冷却装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばパソコンやディジタルカメラ等に用いられるカード型の記憶媒体のドライバから発っせられる熱を冷却するために用いられる冷却装置及びその製造方法に関する。また、本発明は、このような冷却装置を搭載するパソコンやディジタルカメラ等の電子機器装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
メモリスティック（登録商標）、スマートメディア（登録商標）、コンパクトフラッシュ（登録商標）等の記憶媒体は、フロッピィ−ディスク等の従来のもと比べて小型かつ薄型であり、しかも記憶容量も非常に大きくすることが可能であることから、パソコンやディジタルカメラ等の電子機器装置に汎用されるようになってきている。
【０００３】
これらの記憶媒体はフラッシュメモリとドライバとを一体的に有するものや、ドライバが装置本体や別のカード等に搭載されたものがあるが、いずれにしても最近では相当大容量化してきている。
【０００４】
ところで、このように記憶媒体の記憶容量が大容量化してくると、上記のドライバから多大な熱が発生し、動作不良等の問題を生じる。
【０００５】
そこで、例えば電子機器装置側に冷却装置を設けることが考えられ、そのような冷却方法としてヒートパイプを用いた技術が挙げられる。
【０００６】
ヒートパイプとは、管の内壁に毛細管構造を持たせた金属製パイプであり、内部は真空で、少量の水もしくは代替フロンなどが封入されている。ヒートパイプの一端を熱源に接触させて加熱すると、内部の液体が蒸発して気化し、このとき潜熱（気化熱）として、熱が取り込まれる。そして、低温部へ高速に（ほぼ音速で）移動し、そこで、冷やされてまた液体に戻り、熱を放出する（凝縮潜熱による熱放出）。液体は毛細管構造を通って（もしくは重力によって）元の場所へ戻るので、連続的に効率よく熱を移動させることができる。
【０００７】
しかしながら、従来のヒートパイプは管状であり空間的に大掛かりな装置となるので、小型薄型化が求められるパソコンやディジタルカメラ等の電子機器装置の冷却装置には不向きである。
【０００８】
そこで、ヒートパイプを小型化するために、シリコン基板とガラス基板との各接合面上に溝を形成し、これらの基板を接合することによってヒートパイプを構成する流路を基板間に形成した冷却装置が提案されている。なお、上記の接合の際には、少量の水もしくは代替フロンなどが封入され、それらが、ヒートパイプ内で状態変化を起こすことによって、ヒートパイプとしての役割を果たすものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のようにシリコン基板を用いてヒートパイプを構成すると、シリコン自体の熱伝導性がよいため、冷却すべき対象物からの熱がシリコン基板表面で拡散してしまい、内部の液体の気化が不十分であったり、或いは全く気化せず、ヒートパイプとしての機能が十分に発揮しないという問題がある。
【００１０】
そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、小型薄型で、かつ、冷却性能が高い冷却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を達成するため、本発明の第１の観点に係る冷却装置は、シリコンよりも熱伝導性が低い材料からなり、相互に対向して配置され、各対向面にヒートパイプを構成するための溝が形成されており、前記各対向面の一方の前記溝には、液体を流す流路と気体を流す流路とその二つの流路の間に設けられた断熱ホールとを有する一対の第１及び第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に介在され、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着するために、前記第１の基板又は前記第２の基板の表面にスパッタリングにより形成された接着部材とを具備することを特徴とする。
【００１２】
本発明では、２枚の基板が接合し、その対向する面上の溝がヒートパイプの流路を構成するので、小型薄型化が可能となる。加えて、ヒートパイプを構成する材料が、シリコンよりも熱伝導性が低いので、熱拡散を防ぐことができる。これによって、冷却性能が良くなり、ヒートパイプとしての機能を十分に果たすことができる。さらに、２枚の基板の接合は、接着部材を介して行っているので、確実に密着することが可能となる。すなわち、基板の材料として、シリコンよりも熱伝導性の低いガラスやプラスチック等を用いると、加工性においても実用化が可能であるが、これらの基板間は接着性が悪くなる。そこで、本発明では、これを補完するために基板間に接着部材を介在させている。なお、その場合の組み合わせとしては、２枚の基板ともガラス基板同士、プラスチック基板同士、或いは一方がガラス基板で他方がプラスチック基板であってもよい。また、接着部材としては加工性や経済性等の観点からシリコンや銅等を用いることがより好ましい。更に少なくとも当該溝には、液体を流す流路と気体を流す流路とその間に断熱ホールとを有することとしたので、液体を流す流路と気体を流す流路との間の熱拡散を防ぐことができる。また、接着部材をスパッタリングにより形成されることとしたので、材質の制約なしに均一な薄膜を形成することができる。これによって、基板を接着してヒートパイプを形成する際に、接着部材の凹凸がないので確実に密着することが可能である。
【００１３】
本発明の第２の観点に係る電子機器装置は、フラッシュメモリを有するカード型の記憶媒体が着脱可能なスロットを有し、前記記憶媒体側、当該装置側又は当該装置とは分離された部位にドライバを有する電子機器装置であって、前記ドライバから発せられる熱を冷却するために、上記構成の冷却装置を具備することを特徴とするものである。
【００１４】
本発明では、上記構成の、すなわち小型薄型化しかつ冷却性能の良い冷却装置を搭載することになるので、電子機器装置自体が小型薄型化して動作不良等が生じることもない。
【００１５】
本発明の第３の観点に係る冷却装置の製造方法は、シリコンよりも熱伝導性が低い材料からなる第１及び第２の基板の各表面にヒートパイプを構成するための溝を、一方の前記表面には液体を流す流路と気体を流す流路とその二つの流路の間に断熱ホールとを有するように、形成する工程と、前記第１の基板又は前記第２の基板の表面に、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着するためのシリコン又は銅からなる接着部材を均一に形成する工程と、前記接着部材を介して前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを接合する工程とを具備することを特徴とする。
【００１６】
本発明は、上記構成の冷却装置を効率よく確実に製造することが可能となる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、上述に記載の冷却装置の製造方法において、前記接合工程は、陽極接合、超音波接合又は熱融着接合であることを特徴とする。このような構成によれば、効率的に、かつ、確実に接合することが可能である。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、上述に記載の冷却装置の製造方法において、前記接着部材形成工程は、スパッタリングにより接着部材を形成することを特徴とする。このような構成によれば、材質の制約なしに均一で薄膜を形成することができる。これによって、基板を接着してヒートパイプを形成する際に、接着部材の凹凸がないので確実に密着することが可能である。
【００１９】
本発明の一の形態によれば、上述のうちいずれかに記載の冷却装置の製造方法において、前記溝形成工程は、ケミカルエッチング又はパウダービームエッチングにより溝を形成することを特徴とする。このような構成によれば、ケミカルエッチングもパウダービームエッチングなどは、例えば微細な粒子によるので、溝を形成する際に細部まで行き渡ることが可能である。これによって、溝が確実に形成されるので、ヒートパイプとしての機能を確実に果たすことができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
（冷却装置）
図１は本発明の冷却装置を分解した斜視図であり、図２は冷却装置の組み立てた状態の断面図である。
【００２１】
図１及び図２に示すように、冷却装置１は、一対の例えばパイレックス（登録商標）ガラス又はコーニング７７４０ガラスからなる矩形状の第１のガラス基板２と第２のガラス基板３とがシリコン部材４を介して接合されている。これら基板２、３の接合面には、溝５及び溝６が形成されている。その溝５、６は、これら基板２、３が接合した際にループ状のヒートパイプとして機能するように形成されている。
【００２２】
これら各基板２、３はガラスからなるため、熱拡散性が低くヒートパイプとしては有用であるが、ガラス基板２、３同士の接合は接着性が低いため、シリコン部材４を介することにより確実に接合を行うことができる。
【００２３】
以下、図３及び図４を用いて各基板２、３に形成された溝の構成について説明する。
【００２４】
図３に示すように、第１のガラス基板２の表面２ａには、溝５が形成されている。この溝５は、液体及び気体が流れる流路と、液を供給する貯蔵タンクとから主要部が構成されている。より具体的には、溝５として水などの液体が流れる流路７があり、液体はその流路７から後述のウィック８へ導入される。導入された液体はウィック８により気体になり、気体受部９へ導入される。その気体は、流路１０からラジエータ１１へ導入され凝縮され液体に変化し、低温部１２へ移動する。さらに、また流路７へ戻る。そのようにして液体と気体の循環が行われる。
【００２５】
リザーバ１３と貯蔵部１４には、液体が貯蔵される。リザーバ１３内の液体は、気体受部９内の液量がある一定以下になったときに流入するようになっている。また、貯蔵部１４内の液体は低温部１２内の液量がある一定以下になったときに流入するようになっている。つまり、リザーバ１３と貯蔵部１４は、ヒートパイプ内がドライアウトしないようにするために液体を貯蔵してあり、必要に応じて液体がこれらのリザーバ１３と貯蔵部１４内に流入するようになっている。
【００２６】
また、ガラス基板２、３の中央であり流路７、１０に近接する位置には断熱ホール１５が設けられている。これによって、熱拡散が防止されるようになっている。
【００２７】
図４に示すように、第２の基板３の表面３ｂには、溝６が形成されている。その溝６は、ウィック８とラジエータ１１と断熱ホール１６とからなる。
【００２８】
ウィック８は、冷却部として機能するもので、流路７またはリザーバ１３から導入された液体を気化し、気化した気体を気体受部９へ流入させる。
【００２９】
ラジエータ１１は、流路１０から導入された気体を液体へ凝縮させ、低温部１２へ循環させる。
【００３０】
また上述した断熱ホール１５と対向した位置には、断熱ホール１６が設けられている。これら断熱ホール１５、１６は、熱拡散性を防止するために、基板２、３上に溝として設けられている。
【００３１】
図５は、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３とをシリコン部材４を介して接合した状態を示している。
【００３２】
これら第１のガラス基板２と第２のガラス基板３との接合により構成されるヒートパイプの内部には液体が封入されている。そして、封入された液体はヒートパイプ内で液体から気体または気体から液体へと状態変化させながら循環をすることによって熱移動を行わせ、これにより冷却装置１として機能する。
【００３３】
以下、その液体／気体の循環の様子を便宜的に流路７を始点として説明する。
【００３４】
まず、液体が流路７からウィック８へ流入する。その際にウィック８に流入する液体の量が所定以下であるときにはドライアウトを回避するために、リザーバ１３から不足分の液体が供給されるようになっている。
【００３５】
ウィック８に流入した液体は、加熱され沸騰する。沸騰することによって気化した気体は、気体受部９に流入される。この気体は流路１０を介してラジエータ１１へ流入し、液体に凝縮される。このとき凝縮された液体はラジエータ１１の下部に配置される低温部１２へ流入する。この液体は、低温部１２から流路７へ再度循環される。また、低温部１２からこの流路７へ流入する液体の量が所定以下の場合には液体貯蔵部１４に貯蔵された液体が低温部１２へ流入するようになっている。
【００３６】
なお、本実施形態では、基板の材料としてガラスを用いたが、他に材料、例えばプラスチックを用いても良いし、ガラス基板とプラスチック基板との組み合わせであっても良い。さらに、本発明では、シリコンよりも熱伝導性の低い材料であれば、それを基板の材料として用いることが可能である。
【００３７】
図６は基板上をある一定時間で熱が拡散した領域を模式的に図に示したもので、図６（ａ）は基板の材料としてシリコンを用いた場合を示し、図６（ｂ）は基板の材料としてガラスを用いた場合を示している。
【００３８】
図６（ａ）に示すように、シリコン基板の熱源Ａ−１（ウィック）の熱は矢印に示すように熱が広域にわたり拡散する（Ａ−2）。これに対して図６（ｂ）に示すようにガラス基板２、３の熱源Ｂ−１（ウィック）の熱は矢印に示すように熱がそれほど広い領域まで拡散しない（Ｂ−２）。
【００３９】
ヒートパイプとして機能するためには、ウィックに一定以上の熱が集中しなければならないが、図６（ａ）に示したように基板の材料がシリコンからなる場合には熱の拡散が大きくその機能を十分に果たさない。これに対して、本発明では、図６（ｂ）に示したように基板の材料がガラスやプラスチックからなる場合には熱の拡散が規制され、つまり熱がウィックに集中し、ヒートパイプとしての機能を十分に果たすことになる。
（冷却装置の製造方法）
図７は冷却装置の製造工程を示したものである。
【００４０】
まず、基板２、３上にヒートパイプを構成する溝を形成する（ステップ７０１）。下側に配置される第１のガラス基板２の表面２ａには、流路と液を貯蔵する貯蔵タンクと断熱ホール１５用の溝を形成する。また、上側に配置される第２のガラス基板３の表面３ｂ上には、液体から気体へ状態変化させる機能を有するウィック８と気体から液体へ状態変化させる機能を有するラジエータ１１と断熱ホール用の溝を形成する。
【００４１】
次に、第２のガラス基板３上の表面３ｂに例えばスパッタリングにより接着部材としてのシリコン薄膜を形成する（ステップ７０２）。ガラス基板２、３は、熱拡散性が低くヒートパイプとしての機能を十分に発揮するが、ガラス基板２、３同士の接合に対しては密着性が低く適さないという問題があるため、第２のガラス基板３の表面３ｂにシリコン薄膜を形成し、密着性を向上させている。なお、シリコン薄膜の膜厚は約２００〜５００ｎｍが好ましい。また、スパッタリングは第1のガラス基板２の表面に行っても勿論構わない。
【００４２】
次に、溝が各々形成された第１のガラス基板２と第２のガラス基板３とをシリコン薄膜を介して接合する（ステップ７０３）。ガラス基板２、３同士を接合する際には、ヒートパイプ内で状態変化する物質、例えば水を溝内へ封入する。
【００４３】
図８はステップ７０１における溝形成工程をより具体的に説明するための図である。
【００４４】
まず、ガラス基板２、３をリンス液等で洗浄する（図８（ａ））。
【００４５】
洗浄後のガラス基板２、３上に例えばオーディル（応化製）等の有機溶剤からなるレジスト１７を塗布する（図８（ｂ））。
【００４６】
次に、パターニング形成を行う（図８（ｃ））。パターニング形成は、まずフォトマスクを用いて光露光を行い、レジスト１７にマスクパターンの潜像を作成する。現像してレジスト膜をパターン化する。
【００４７】
次に、パターン化されたガラス基板２、３上に５０〜６０μのアルミナパウダーを吹き付けて１回目のエッチング処理であるパウダービームエッチングを行う（図８（ｄ））。このエッチング処理によって曲面を有する溝１７ａを形成する。
【００４８】
次に、曲面を有する溝１７ａをＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）又はリモネンエッチングを行って、直角な溝１７ｂを形成する（図８（ｄ））。
【００４９】
以上がガラス基板２、３上に溝を形成する一連の工程であるが、以下にそれぞれのエッチング方法について詳細に説明する。
【００５０】
図９は上述したパウダービームエッチング処理を行うためのパウダービームエッチング装置１８の構成を示す図である。
【００５１】
パターニング形成されたガラス基板２、３は、移動装置１８ａ上に載置される。移動装置１８ａが左右方向に移動するに伴って、その移動装置１８ａ上に配置されたガラス基板２、３も左右方向に移動する。そのガラス基板２、３の上部には多数のパウダービームノズル１８ｂが移動装置１８ａによる基板の移動方向と直交する方向に配置されている。
【００５２】
ガラス基板２、３が左右方向に移動するのに随伴して、ノズル１８ｂから５０〜６０μｍ程度の大きさのアルミナパウダーがガラス基板２、３上へ吹き付けられる。これによって、ガラス基板２、３上に満遍なくアルミナパウダーが吹き付けられる。パターンが施されていない部分にアルミナパウダーが吹き付けられて曲面を有する溝１７ａが形成される。
【００５３】
図１０は上述した曲面を有する溝１７ａから直角を有する溝１７ｂを形成するためのＤＲＩＥ装置の構成を示す図である。
【００５４】
ＤＲＩＥ装置１９は、ガラス基板２、３を収納する真空チャンバ２０を有する。この真空チャンバ２０の上方部には、ヘリコン波アンテナ２１が配置されている。また、真空チャンバ２０には、当該チャンバ２０内の空気を減圧するための真空ポンプ２２が接続され、また気体を導入するガス導入口２３が設けられている。
【００５５】
曲面を有する溝１７ａが形成されたガラス基板２、３は、真空チャンバ２０内への載置台２４へ載置される。ガラス基板２、３が載置された後、真空チャンバ２０内を真空ポンプ２２により減圧する。その後、ガス導入口２３より真空チャンバ２０内へ例えばＳＦ６ガスを導入する。さらに、電源２５を入れ、真空チャンバ２０に磁場を印加し、さらにヘリコン波アンテナ２１にも高周波を印加する。該真空チャンバ２０内にヘリコン波を生成させ、このヘリコン波からランダウ減衰の過程を通じて電子へエネルギーを輸送することにより該電子を加速し、この電子をガス分子に衝突させて高いイオン化率を得る。そのようなヘリコン波と電子との相互作用により生成されたプラズマによりエッチング処理を行う。
【００５６】
図１１は上述した曲面を有する溝１７ａから直角を有する溝１７ｂを形成するためのＲＩＥ装置の構成を示す図である。
【００５７】
ＲＩＥ装置２６は、ガラス基板２、３を収納する真空チャンバ２０を有する。真空チャンバ２０内には、一対の平板型の電極２７ａ、２７ｂが平行に配置されている。また、真空チャンバ２０には、当該チャンバ２０内を減圧するための真空ポンプ２２が接続され、また気体を導入するガス導入口２３が設けられている。
【００５８】
曲面を有する溝１７ａが形成されたガラス基板２、３は、真空チャンバ２０内への下方の電極２７ｂへ載置される。ガラス基板２、３が載置された後、真空チャンバ２０内を真空ポンプ２２により減圧する。その後、ガス導入口２３より真空チャンバ２０内へ例えば塩素系ガス等を導入する。これと共に、電源２５を入れると、上方の電極２７ａが印加され、下方の電極２７ｂは接地電位となる。また、導入された塩素系ガスはプラズマ状態となり、そこで生じたプラスイオンを加速することによってガラス基板２、３に衝突させる。このプラスイオンによりエッチング処理を行う。
【００５９】
なお、導入したガスをここでは塩素系ガスとしたが、フッ素などのハロゲンを含む化合物等のガスで行ってもよい。
【００６０】
図１２は上述した工程で用いられるスパッタリング装置２８の構成を示す図である。
【００６１】
スパッタリング装置２８は、真空チャンバ２９と、真空チャンバ２９内を減圧するための真空ポンプ３０と、気体を導入する気体導入部３１とを備える。
【００６２】
真空チャンバ２９内の上部には、ガラス基板２、３を固定する基板ホルダ３２が配置され、それと対向する位置の下部にはシリコンからなるターゲット基板３３が配置されている。また、ガラス基板２、３とターゲット基板３３間に電圧を印加する電圧印加部（図示せず）が接続されている。
【００６３】
真空チャンバ２９内を真空ポンプ３０により減圧し、真空チャンバ２９内へ不活性ガスとして例えばアルゴンガスを気体導入部３１から導入する。
【００６４】
真空チャンバ２９内にアルゴンガスが導入されているので、電圧印加部によってガラス基板２、３とターゲット基板３３間に直流高電圧が印加されると、アルゴンガスがイオン化する。そのイオン化されたアルゴンガスをターゲット基板３３に衝突させて、弾き飛ばされたターゲット物質をガラス基板２、３に成膜させる。これによって、ガラス基板２、３にターゲット物質としてのシリコン部材４が成膜される。
【００６５】
このように、スパッタリング方法を用いることにより、基板の材料に制約を受けることなく基板上にシリコン部材４の薄膜を均一に形成することができる。
【００６６】
図１３は上述した接合工程に使われる陽極接合装置３４の概略構成を示す図である。
【００６７】
陽極接合装置３４は、接着部材としてのシリコン部材４を介して２枚のガラス基板２、３を接合するための装置である。
【００６８】
陽極接合装置３４は、陽極接合装置３４全体を加熱するヒーター３５と、接合するガラス基板２、３を挟むように配置された下電極３６ａと上電極３６ｂと、これら電極に電力を供給する電源３７とを備える。
【００６９】
ヒーター３５を用いて、陽極接合装置３４を約４００〜５００℃に加熱する。さらに、電源３７を入れることによって、下電極３６ａと上電極３６ｂとの間に電圧を印加する。これによりシリコン部材４と各ガラス基板２、３の界面に大きな静電引力が発生し、これらを確実に接合することができる。
【００７０】
なお、本発明では、上述のパウダービームエッチングの代わりに、図１４に示すケミカルエッチングを行ってもよい。このケミカルエッチング処理のプロセスを以下に示す。
【００７１】
このケミカルエッチング処理は、パターニング形成されたガラス基板２、３（図１４（ａ））を、例えば、硝酸で満たされたエッチングバス３８へ導入する（図１４（ｂ））。それによって、レジストによりパターンが形成されていない部分へ硝酸が侵食し、エッチング処理が行われる（図１４（ｃ））。
【００７２】
このエッチング処理は、上述のパウダービームエッチングと同様に、微細な粒子により曲面を有する溝を形成するもので、その後に、上述の第２のエッチング工程が必要となる。
【００７３】
図１５は基板２、３の材料がプラスチックからなる場合の簡単な製造フローを示している。
【００７４】
基板２上には接着部材としての銅薄膜４ａが形成されている（図１５（ａ））。
【００７５】
次に、基板２と基板３とを銅薄膜４ａ介在させた状態で接合する（図１５（ｂ））。その接合方法としては以下の超音波接合又は熱融着接合がある。
【００７６】
図１６は超音波接合の工程を説明するための図である。
【００７７】
図１６（ａ）に示すように、溝１７ｂが形成されたプラスチック基板２の表面にスパッタリングにより銅の薄膜４ａを形成する（図１６（ｂ））。
【００７８】
次に、２枚のプラスチック基板２、３を図に示すように重ね合わせ、圧力を加え、超音波振動を与える。そうすると、超音波エネルギーが接合面の酸化被膜を破壊し、その結果活性化した銅原子がプラスチック基板と結合することになる。
【００７９】
また、超音波接合の代わりに熱融着接合によって接合を行うこともできる。
【００８０】
例えば接着部材である銅部材を介した積層状態の２枚のプラスチック基板に対して熱を加える。その熱を加えることによって、プラスチック基板の間に挟持された銅部材が融け、これらプラスチック基板へ融着する。
【００８１】
これらの方法によっても、プラスチック基板が銅部材を介し確実に接着することができる。
（電子機器装置）
図１７は本発明に係る冷却装置が搭載されたパソコンの概略斜視図である。
【００８２】
パソコン３９は、フラッシュメモリとドライバ４２を有するカード状の記憶媒体４０を着脱するためのスロット４１を有する。
【００８３】
本発明に係る冷却装置１はスロット４１を介して装着された記憶媒体４０の例えばドライバ４２の直下にウィックが位置するようにパソコン３９内に配置されている。
【００８４】
なお、ここでは、電子機器装置としてパソコンを例にとり説明したが、本発明に係る冷却装置はディジタルカメラやビデオカメラ等の他の電子機器装置にも搭載することが可能である。
【００８５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、小型薄型化が可能で冷却性能が高い冷却装置、電子機器装置及び冷却装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の冷却装置を分解した斜視図である。
【図２】  本発明の冷却装置の組み立てた状態の断面図である。
【図３】  本発明の冷却装置の第１のガラス基板に形成された溝の構成を示す平面図である。
【図４】  本発明の冷却装置の第２のガラス基板に形成された溝の構成を示す平面図である。
【図５】  本発明の冷却装置の第１のガラス基板と第２のガラス基板とを組み立てた状態を示した平面図である。
【図６】  従来及び本発明に使われる基板の熱拡散領域を模式的に示した比較図である。
【図７】  本発明の冷却装置の製造方法を示した工程図である。
【図８】本発明の冷却装置の溝形成工程を示した概略図である。
【図９】本発明の冷却装置の溝形成工程で使われるパウダービームエッチング装置を示した概略図である。
【図１０】本発明の冷却装置の溝形成工程で使われるＤＲＩＥ装置を示した概略図である。
【図１１】本発明の冷却装置の溝形成工程で使われるＲＩＥ装置を示した概略図である。
【図１２】本発明の冷却装置の薄膜形成工程に使われるスパッタリング装置を示した概略図である。
【図１３】本発明の冷却装置の接合工程に使われる陽極接合装置を示した概略図である。
【図１４】本発明の冷却装置の溝形成工程で使われるケミカルエッチング処理を示した概略図である。
【図１５】本発明の他の形態に係る冷却装置の製造工程を示した図である。
【図１６】本発明の他の形態に係る冷却装置の超音波接合工程を示した概略図である。
【図１７】本発明の冷却装置を搭載したパソコンの概略斜視図である。
【符号の説明】
１        冷却装置
２        第１のガラス基板
５        溝
３        第２のガラス基板
６        溝
４        シリコン部材
１８      パウダービームエッチング装置
１９      ＤＲＩＥ装置
２６      ＲＩＥ装置
２８      スパッタリング装置
３４      陽極接合装置
３９      電子機器（パソコン）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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