(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された少なくとも２層の純アルミニウム（Al）層を含む配線層であって、
前記少なくとも２層のAl層は、
前記基板上に形成された、複数個の第１Al結晶粒子を含む第１純Al層と、
前記第１純Al層上に形成された、複数個の第２Al結晶粒子を含む第２純Al層とを含み、
前記第２Al結晶粒子は、前記第１Al結晶粒子よりもサイズが大きく、前記第２純Al層の前記第２Al結晶粒子は、前記第１純Al層の前記第１Al結晶粒子よりも高い密度で配置されており、
その結果、配線層の前記少なくとも２層の純Al層がヒロックの形成を防止できる、配線層。
【請求項２】
前記第１純Al層の電気抵抗が前記第２純Al層の電気抵抗よりも大きい、請求項１記載の配線層。
【請求項３】
前記少なくとも２層の純Al層が４μΩ・ｃｍよりも小さい電気抵抗を有する、請求項１記載の配線層。
【請求項４】
基板上に形成され、少なくとも２層の純アルミニウム（Al）層を含むヒロックのない配線層の形成方法であって、
第１層形成圧力と第１層形成パワーのもとでのスパッタ法により、基板上に第１純Al層を形成する段階と、
第２層形成圧力と前記第１層形成パワーよりも大きな第２層形成パワーのもとでのスパッタ法により、前記第１純Al層上に第２純Al層を形成する段階とを含み、
前記第１純Al層は複数個の第１Al結晶粒子を有しており、前記第２純Al層は複数個の第２Al結晶粒子を有しており、前記第２Al結晶粒子は前記第１Al結晶粒子よりもサイズが大きく、また前記第１Al結晶粒子よりも高い密度で分布されている、ヒロックのない配線層の形成方法。
【請求項５】
前記第１純Al層の電気抵抗が前記第２純Al層の電気抵抗よりも大きい、請求項４記載のヒロックのない配線層の形成方法。
【請求項６】
前記第１および第２層形成圧力が４．０Pa以上である、請求項４記載のヒロックのない配線層の形成方法。
【請求項７】
基板上に形成された少なくとも２個の層を含む配線層であって、
前記少なくとも２個の層は、
前記基板上に形成された、複数個の第１結晶粒子を含む第１層と、
前記第１層上に形成された、複数個の第２結晶粒子を含む第２層とを含み、
前記第２結晶粒子は、前記第１結晶粒子よりもサイズが大きく、前記第２層の前記第２結晶粒子は、前記第１層の前記第１結晶粒子よりも高い密度で配置されており、
その結果、配線層の前記少なくとも２個の層がヒロックの形成を防止できる、配線層。
【請求項８】
前記第１および第２の層がAl合金から形成されている、請求項７記載の配線層。
【請求項９】
前記第１層がAl合金層であり、前記第２層が純Al層である、請求項７記載の配線層。
【請求項１０】
前記第１層が純Al層であり、前記第２層がAl合金層である、請求項７記載の配線層。
【請求項１１】
前記Al合金層が少なくとも一種類の別の元素を含む、請求項７、８、または９のいずれかに記載の配線層。
【請求項１２】
前記少なくとも一種類の別の元素が希土類元素である、請求項１１記載の配線層。
【請求項１３】
前記希土類元素がネオジム（Nd）である、請求項１２記載の配線層。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
この出願は、２００１年５月３１日に出願された台湾出願第９０１１３２７５号を引例により組み込んでいる。
この発明は、アルミニウム（Al）配線層に関し、さらに詳細にはヒロックを防止することのできるアルミニウム配線層とその形成方法に関する。
【０００２】
【関連技術の説明】
規模の大きい集積回路（IC）を有する半導体を製造する必要があるが、基板はIC用連結部材を配備するための充分な面積を提供し難い。金属酸化物（MOSs）半導体ICのサイズを小さくするのに必要な多数の配線を形成するために、配線用に２層以上の金属層を設けることがIC製造上必要となってきた。さらに詳細に述べると、たとえばマイクロプロセッサのような複雑な機能を有する集積回路には、その集積回路の部品を接続するために４層または５層の金属層が必要である。他方、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ（TFT−LCD）パネルの製造において、電極および配線として金属薄膜が使用されており、これらの金属薄膜は多層の金属層から形成されている。
【０００３】
多層の金属層において、薄層間の短絡を防止するために、各金属層の間に誘電体のような絶縁層が形成されている。さらに、純金属または電気抵抗の小さい合金が適切な金属層材料として使用される。一般に、使用できる純金属の例として、Al、Cu、Mo、Ta、W があげられる。電気抵抗の小さい合金の例として、一つまたはそれ以上の元素を含むアルミニウム合金、たとえばAl-Cu、Al-Cu-Si、Al-Pd、Al-Nd があげられる。金属層用の材料として純アルミニウムを使用するのが好ましい。なぜならば、アルミニウムは基板に接合しやすく、電気抵抗が小さい上に製造工程において良好なエッチング特性を有するからである。さらに、アルミニウムは他の金属元素よりも多く土中に含まれる。したがって、材料としてアルミニウムが使用でき、安価である。
【０００４】
しかしながら、金属層材料として純アルミニウムを使用するには、アルミニウムの融点が他の金属に比べて低いという欠点がある。図１Ａは、ガラス板上への金属の堆積を示している。薄膜トランジスタの製造工程においては、最初に結晶粒子１０４を比較的低温度（約１５０℃）で金属沈澱によりガラス板上に形成し、結晶粒子間に粒界１０６を形成する。実際には、結晶粒子は図１Ａに示したように規則的には形成されず、図１Ａに示した規則的な結晶粒子図は、説明のためのものである。次に、アニーリングを実施して、高温加熱により結晶粒子の振動を増加させて結晶粒子の原子の再整列を行なわせ、それによって結晶粒子の欠陥を減らし結晶粒子の再結晶を行なわせる。この再結晶の後、結晶粒子の内部応力は、転移線などの欠陥の減少により急速に小さくなる。もし、アニーリング温度が上昇し続けて再結晶において形成された結晶粒子が結晶粒子間の表面エネルギーを超える高エネルギーレベルに達すると、結晶粒子は成長し始め、小さい結晶粒子は消滅する。その結果、結晶粒子の成長により結晶粒子は大きくなり、小さい結晶粒子の粒界は消滅する。これにより、結晶粒子の内部応力は、より低いレベルにまで低下する。
【０００５】
純アルミニウムを配線層材料として使用すると、ヒロックなどが生じる。図１Ｂは、配線層材料として純アルミニウムを使用したガラス板のアニーリング後のヒロックを示している。アニーリング中に、高温によってAl結晶粒子１０４およびガラス板１０２は熱膨張する。アルミニウムはガラスよりも熱膨張率が高いため、Al結晶粒子１０４の実質的な圧縮応力がガラス板１０２に加わる。この圧縮応力によってアルミニウム原子は粒界１０６に沿って移動し、ヒロック１１０を生じる。ヒロック１１０のようなヒロックやその類似物が存在すると、次の層形成工程において他の層の厚さが不均一になる。さらに、場合によっては、大きいヒロックが下方金属層と上方金属層との間に形成される絶縁層（図示せず）を貫通して上方金属層に接触し、層間短絡が起きる。
【０００６】
したがって、Alを配線層に使用するためには、ヒロックの問題を解決する必要がある。従来は、この問題の解決に三つの方法があった。第１の方法は、Nd、Ti、Zr、Ta、Si、Cuのような高融点を有する他の元素を配線層に使用することである。図２Ａは、ガラス板２０２上に形成されたAl合金による結晶粒子２０４のアニーリング後の図である。図２Ａに示されているように、Al合金による結晶粒子の粒界２０６間には、ヒロックは形成されていない。Al合金の添加元素の原子は、Al結晶粒子内に溶解できないので、結晶粒子２０４が大きくなるにつれて、添加元素の原子は粒界２０６の方へ移動し、粒子２０４間に小粒子２１０を形成する。したがって、Al原子が粒界２０６に沿って移動すると、小粒子２１０はAl原子が結晶粒子２０４の上方に移動することを防ぎ、ヒロックの形成を抑える。
【０００７】
ヒロック問題の第２の解決方法は、Al結晶粒子を覆う高融点の金属層を形成してヒロックの成長を抑えることである。図２Ｂは、Al結晶粒子を覆っている金属層を示す。Al結晶粒子２０４を高融点の金属層２１２でメッキした後、アニーリングを実施する。金属層２１２は、Al結晶粒子２０４間の粒界２０６ により形成される出口を覆うキャップの機能を果たすので、Al原子は粒界２０６に沿ってヒロックを形成できない。さらに、この第２の解決方法には、金属層２１２を単一のアモルファス相のAl層に代えるという変形例が存在する。「アモルファス」という言葉は非結晶状態、すなわち物質内部の原子配列が規則的でないことを意味する。このように、単一アモルファス相のAl層は、結晶粒子成長の核となる結晶粒子を持たず、結晶粒子２０４上に形成されてヒロック形成を防止することができる。
【０００８】
第三の解決方法は、ガラス板の熱膨張率とAlの熱膨張率との間の熱膨張率を有する別の金属層をヒロック形成防止のためのバリアとして適用することである。図２Ｃに示されているように、金属層２１４がガラス板２０２とAl結晶粒子２０４との間に挟まれている。まず金属層２１４がガラス板２０２上にメッキされ、つぎにAl結晶粒子２０４が金属層２１４上に形成される。さらに、金属層２１４の熱膨張率は、ガラス板２０２の熱膨張率よりも大きくAl結晶粒子２０４の熱膨張率よりも小さい。ガラス板２０２の熱膨張率よりも大きくAl結晶粒子２０４の熱膨張率よりも小さい熱膨張率を有する金属層２１４は、アニーリング時に、圧縮応力に対する緩衝物の働きをし、その結果、Al原子が粒界２０６に沿って移動してヒロックを形成することを防止する。
【０００９】
ヒロック形成問題に対する上記三つの従来の解決法のうち、第１の方法が最も効果的であり、通常使用されている。たとえば、日本の会社、コベルコ（kobelko）は、金属層用の配線材料としてAl−Nd合金を提供し、これは、山本他に認可された米国特許第６,０３３,５４２号に記載されている。Ndは、原子量が大きく融点が高いので小さい粒子を形成することができ、したがってAl原子が粒界に沿って移動してヒロックを形成することを防止できる。このようにして、温度が３００℃に達してもヒロックは起こらない。しかしながら、Ndが希土類の元素であるため製造コストが高くなり、飛散を防ぐためにスパッタ速度を低くしなければならない。さらに、Ndは高抵抗性を有するため、Al−Nd合金は純アルミニウムよりも高い抵抗を有する。
【００１０】
上記のように、一般的な半導体および液晶ディスプレイの製造においてAlを配線または電極の材料として使用する際には、ヒロックの形成を防止することが極めて重要である。
【００１１】
【発明の概要】
したがって、この発明の目的は、ヒロックを防止することのできるアルミニウム（Al）配線層とその形成方法を提供することである。異なる層形成条件のもとで、多数の純Al層、または主成分としてアルミニウムを有する多層配線層を形成し、その配線層の表面でのヒロックの形成を防止できることである。
この発明は、基板上に形成された少なくとも２層の金属層を含み、各金属層が純Alまたは主成分としてAlを含む配線層を提供することにより、上記の目的を達成する。上記金属層は、基板上に形成され複数個の第１Al結晶粒子を含む第１金属層と、前記第１金属層上に形成され複数個の第２Al結晶粒子を含む第２金属層とを含んでいる。第２金属層の第２Al結晶粒子は、第１金属層の第１Al結晶粒子よりも大きいサイズを有しており、より高い密度で分布されている。このように、配線層の各金属層についていえば、その金属層が基板に近ければ近いほど、その金属層のAl結晶粒子のサイズが小さく低密度で分布されている。その結果、配線層の純Al層は、ヒロックを防止することができる。
【００１２】
この発明は、基板上に形成された少なくとも２層の金属層を有し、各金属層が純Al有するかまたはAlを主成分とする、ヒロックのない配線層を形成する方法を提供することにより、上記の目的を達成する。この方法は、次の段階を含んでいる。第１層形成圧力および第１層形成パワーの下でのスパッタ法により、配線層の第１金属層を基板上に形成する。第２層形成圧力および第２層形成パワーの下でのスパッタ法により、配線層の第２金属層を第１純Al層上に形成する。第２金属層は複数個の第２Al結晶粒子を有しており、この第２Al結晶粒子は第１金属層の複数個の第１Al結晶粒子よりもサイズが大きく、また第１金属層の複数個の第１Al結晶粒子よりも高い密度で分布されている。さらに、第１金属層の電気抵抗は、第１金属層の電気抵抗よりも大きい。第１および第２層形成圧力はそれぞれの工程において一定に保たれ、少なくとも約４．０Paであり、一方、第１層形成パワー（スパッタリングパワー）は、第二層形成パワー（スパッタリングパワー）よりも小さい。
【００１３】
【好ましい実施形態の説明】
この発明の他の目的、特徴および利点は、下記の好ましい、しかし発明を限定するものではない実施形態の説明によりさらに明らかになるであろう。この説明は、添付図面を参照して行われる。
この発明の特徴は、純アルミニウムの、または主成分が実質的にアルミニウムである多数の金属層を有する配線層を、異なる層形成条件下で形成することにある。この配線層において、各金属層のアルミニウムは、それ自体の結晶相を有しており、したがってヒロック形成が防止される。
【００１４】
図３は、基板３０２上に形成された多数の純Al層を有する配線層を示している。この図において、各Al層は複数個の結晶粒子を有しており、純Al層のそれぞれはきわめて少量の不純物を含んでいてもよい。異なる層形成条件下で基板３０２上に少なくとも２個の純Al層を連続的に形成することにより、この配線層が形成される。これらの純Al層は、それぞれ異なる結晶相を有している。これらの多数の純Al層において、結晶粒子は上層から下層に向けて徐々にサイズが小さくなり分布密度が低くなるように配置されている。図３に示されているように、３個の純Al層、すなわち下層、中間層、上層が形成されており、これらの層はそれぞれ大きさおよび密度の異なる結晶粒子３０４、３０６、３０８を有している。サイズの小さい結晶粒子を含む層の方が、大きい電気抵抗を有する。したがって、結晶粒子３０４を含む下層は最も大きい電気抵抗を有し、結晶粒子３０８を含む上層は最も小さい電気抵抗を有する。
【００１５】
配線層は多層構造を有しているため、ガラス板上に配置されるAl層は、図２Ｃの金属層２１４のように、実質的にヒロック形成を防止する緩衝層として作用する。
図３には３層の純Al層が示されているが、実際には、２、４、５層またはそれよりも多い層であってもよい。しかしながら、多くのAl層を形成するには、製造工程においてそれだけ長い時間がかかる。
【００１６】
下記において、この発明のヒロック防止効果を示すために、この発明の多層Al構造に関して一連のテストがこの発明に基づいて実施される。さらに、多層Al構造と比較するために、純Alとアルミニウムーネオジム合金（Al−２．０％Nd）とについてのテストが実施された。この場合のNd含有率は２．０原子％である。
【００１７】
【実施例  Ｉ】
層形成圧力４．０Pa、スパッタリングパワー（層形成パワー）４０kWの条件下で、多層Alと単一層純AlとAl−Nd合金とをそれぞれのガラス板上に沈積させた。つぎに、これらの３つのサンプルに対し、３５０℃で約１時間、アニーリングを実施した。走査電子顕微鏡によってAl層の均一性を観察し、その結果を表１に示した。この観察において、この発明による多層Alと従来の方法によるAl−２．０％Nd合金とにはヒロックが認められなかったが、単一層純Alにはヒロックが観察された。さらに、これらの３つのサンプルに対し、アニーリング温度４００℃で約１．５時間の耐熱テストを実施した。これらの耐熱テストの観察結果もまた表１に示されている。これらの観察によれば、この発明による多層Alと従来の方法によるAl−２．０％Nd合金にはヒロックが認められなかった。
【００１８】
上記の観察により、多層Alはヒロック防止効果を有することが示された。
【００１９】
【表１】
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【００２０】
【実施例  ＩＩ】
この実施例においては、アニーリングの前および後に、多層Alと単一層純AlとAl−Nd合金との電気抵抗を測定し、その結果を表２に示した。アニーリングの前および後に、単一層純Alは約３．２μΩ・cm〜３．４μΩ・cmの抵抗を有した。アニーリング前のAl−Nd合金（（Al−２．０％Nd）は、約１０．３μΩ・cmの高い抵抗を有した。アニーリング後のAl−Nd合金の抵抗は、アニーリング前の抵抗の約２分の１、すなわち約５．６μΩ・cm〜約５．７μΩ・cmにまで低下したが、このアニーリング後の抵抗は単一層純Alの抵抗よりもかなり大きい。この発明による多層Alは、アニーリングの前後に、約４．０μΩ・cmよりも低い低抵抗を有した。この実施例において、多層Alは約３．５μΩ・cm〜約３．６μΩ・cmの抵抗を有したが、これは単一層純Alの抵抗の値に近い。このように、この発明の多層Alは、低い抵抗を有する。
【００２１】
【表２】
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【００２２】
オームの法則によれば、配線の抵抗は  式R＝ρ・L/A （但し、Rは配線の抵抗、ρは配線の抵抗率、Lは配線の長さ、Aは配線の横断面積である）で表される。したがって、もし長さL1、抵抗R1配線層を維持しこれよりも抵抗の小さい別の材料で形成しなければならないとすると、配線層の横断面積はオームの法則により小さくなる。もし回路用の半導体製造工程において、配線層のAl−Nd合金の代わりに多層Alを使用し、Al−Nd合金配線層の有していた抵抗をそのまま維持しなければならないとすると、多層Alを用いた配線層は、Al−Nd合金配線層に比べて厚さが小さくなるかまたは線幅が狭くなる。したがって、Al−Nd合金配線層の抵抗とほぼ同じ抵抗を維持するためには、Al−Nd合金の代わりに多層Alを使用すると、基板上に沈積する多層Al層の厚さを小さくするかまたは線幅を狭くする結果となる。
【００２３】
【実施例  ＩＩＩ】
第３の実施例において、通常の層形成パワー、４０kWにおいて、多層Al構造に異なる圧力を加えた場合の効果を調べた。
この発明による多層Alの沈積を、それぞれ層形成圧力０．３、２．３、３．５、４．０、４．５および５．５Paのもとで実施した。アニーリング後、多層Al層表面の均一性を観察した。
【００２４】
【表３】
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【００２５】
表３には、異なる層形成条件下で、Al層のアニーリング後にヒロックが形成されているかどうかが示されている。それぞれ０．３、２．３、３．５Paの層形成圧力でAlの多層を基板上に沈積した場合、３５０℃で１時間、または４００℃で１．５時間のアニーリングの後にヒロックが形成された。他方、それぞれ４．０、４．５、５．５Paの層形成圧力でAlの多層を基板上に沈積した場合、同じ条件でのアニーリングの後にヒロックは形成されなかった。層形成圧力が大きければ大きいほど、Al沈積速度が低くなる。そのため、層形成圧力が低い場合、多層構造は密度が非常に高いため、層密度が下層から上層へ向かって高くなるような構造を形成することができない。
【００２６】
したがって、ヒロックを効果的に防止するためには、この発明による多層Al構造の形成に少なくとも約４．０Pa以上の高い層形成圧力が必要である。
【００２７】
【実施例  ＩＶ】
この実施例は、層形成パワーのヒロック形成に対する影響を調べるためのものである。この調査において、それぞれ２種類の層形成条件下で、２セットの多層Al構造を形成した。第１セットの多層Al構造の形成において、層形成パワーが大きくなるにつれて、沈積により形成された結晶粒子は大きくなった。第２セットの多層Al構造の形成において、層形成パワーが小さくなるにつれて、沈積により形成された結晶粒子は小さくなった。
【００２８】
第１セットの多層Al構造を形成するために、２層Al、３層Al、５層Alをそれぞれガラス板上に沈積させ、各多層Al構造の製造工程において、下方から上方の層に向かって層形成パワーを大きくした。２層Alの場合は、それぞれ１６kWおよび40kWの層形成パワーのもとで、下層および上層の結晶粒子を形成した。３層Alの場合は、それぞれ１０、１６、40kWの層形成パワーのもとで、下層、中間層および上層の結晶粒子を形成した。５層Alの場合は、それぞれ１０、１５、２０、３０、40kWの層形成パワーのもとで、最下層から最上層までの結晶粒子を形成した。第１セットの多層Al構造において、下層から上層に向かって結晶粒子のサイズが大きくなった。
【００２９】
他方、第２セットの多層Al構造を形成するために、２層Al、３層Al、５層Alをそれぞれガラス板上に沈積させ、各多層Al構造の製造工程において、下方から上方の層に向かって層形成パワーを小さくした。さらに、第２セットの各多層Al構造に対する層形成パワーは、第１セットの場合と同じであるが、各多層AlのAl層の形成に適用する層形成パワーは、第１セットとは逆の順である。たとえば、３層Al構造を形成する場合、下層、中間層、上層の結晶粒子はそれぞれ４０、１６、１０kWの層形成パワーの下で形成された。その結果、第２セットの多層Al構造においては、下方の層から上方の層に向かって結晶粒子のサイズが小さくなった。
【００３０】
つぎに第１および第２セットの多層Al構造に対し３５０℃で１時間、アニーリングを実施した。その後、ヒロックが生じているかどうかを観察した。第１セットの多層Al構造のそれぞれには、ヒロックは生じていなかった。しかしながら、第２セットの多層Al構造にはヒロックが認められた。
上記の観察から、配線層の製造にこの発明の多層Al構造を使用すると、Al−２．０％NdのようなAl−Nd合金を使用する従来の方法に比べて、製造工程の時間および製造コストを削減できることが判明した。従来の方法においては、Al−Nd合金が配線層材料として使用されているが、Ndは希土類元素であって高価である。他方、Alは土中に多く含まれ、したがってNdよりもきわめて安価であるため、配線層の形成に多層の純Alを沈積させるこの発明の方法は、Al−Nd合金を使用する方法に比べて低価格で済む。さらに、Alの沈積速度はNdの沈積速度よりも高速であるため、製造工程における時間効率が高くなる。
【００３１】
さらに、多層Al構造は低い抵抗を有し、約３５０℃〜約４００℃でアニーリングを実施した後、ヒロックを生じない。多層Al構造を製造する場合、ガラス板上に少なくとも２層のAl層を形成する必要があることに留意すべきである。さらに、多層構造のAl層に対し、下層から上層に向かって層ごとに層形成パワーを大きくする。その結果、Al層の結晶粒子は下層から上層に向かって層ごとにサイズが大きくなる。一方、多層構造は、少なくとも約４．０Paの層形成圧力のもとで形成され、その結果、ヒロックが効果的に防止される。
【００３２】
上記の実施例において、多層構造を形成するために多層の純Alがガラス板上に沈積され、上記の結果が得られた。しかしながら、多層構造はヒロック形成を防止できるというこの発明の原理によれば、ヒロック形成防止のために、主成分として実質的にアルミニウムを含む金属層で多層構造を形成できる。たとえば、ある合金は、主成分として実質的にアルミニウムを含み、さらに添加成分としてTi、Ta、Si、Cu  またはNdなどの１つまたはそれ以上の他の元素を含む。この発明によれば、ガラス板上へのAl合金の多層の連続的な沈積によって、多層Al合金構造を形成することができ、この多層Al合金構造Al合金をガラス板上に連続的に多層沈積することによって、多層Al合金構造を形成でき、その場合、多層Al合金構造におけるAl合金層の結晶粒子は下層から上層へ向かって層ごとにサイズおよび分布密度が大きくなっているが、抵抗は小さくなっている。このようにしてAl配線層はヒロックなしに形成できる。
【００３３】
この発明の多層構造において、多層構造のすべての層は純Al層または一種類のAl合金層であってよい。さらに、ヒロックを防止するために、この発明による異なる金属層の多層構造を形成することもできる。たとえば、まずガラス板上に一層のAl合金層を形成し、このAl合金層上に一層以上の純Al層を形成することができる。また、他の例では、まずガラス板上に一層の純Al層を形成し、その後に前記の純Al層上に一層以上の合金層を形成することができる。
【００３４】
上記に開示された実施例のように、多層構造を有する配線層およびその形成方法は、次の利点を有する。Al−２．０％NdのようなAl−Nd合金を使用した従来の方法と比べて、この発明の配線層用多層構造を使用すると、材料費、配線層の層の厚さまたは線幅、および製造にかかる時間をそれぞれ減少させることができる。この発明は、純Al配線層と同様に主成分として実質的にAlを含む配線層にも適用できる。さらに、多層構造を有する配線層は抵抗が小さく、ヒロックの形成を防止できる。このように、この発明を配線層の製造に適用すると、ヒロックによる層間短絡を防止でき、またヒロックによって連続層の均一性が損なわれることがない。したがって、配線層製造の総費用をかなり削減することができる。
【００３５】
上記においてこの発明を実施例および好ましい実施形態を介して説明したが、この発明は上記実施形態に限定されるものではなく、この発明は種々の変形例、類似の構造および方法を含む。したがって、特許請求の範囲は、上記変形例、類似の構造および方法を含むように最も広く解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】ガラス板状への金属の堆積例を示す図である。
【図１Ｂ】ガラス板上に形成されたAl配線層にアニーリング後に生じたヒロックの例を示す図である。
【図２Ａ】ガラス板上に形成されたAl合金結晶粒子のアニーリング後の例を示す図である。
【図２Ｂ】ガラス板上に形成された、金属層で覆ったAl結晶粒子の例を示す図である。
【図２Ｃ】  Al結晶粒子との間に挟まれたバリア金属層の例を示す図である。
【図３】この発明の好ましい実施形態による、基板上に形成された多数のAl層を有する配線層を示す線図である。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３】
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