(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定対象から測定された磁界の大きさと位相を用いて前記測定対象の２次元平面全体の電流分布を算出するステップと、
前記電流分布のすべての電流素による観測点での各電界を加算して第一の電界強度を算出するステップと、
前記電流分布の任意の１点の電流素による前記観測点での第二の電界強度を算出するステップと、
前記第一の電界強度と前記第二の電界強度との差分を算出し、その差分の前記第一の電界強度に対する割合を算出するステップと、
を有することを特徴とする電磁波発生源探査方法。
【請求項２】
前記測定対象はメッシュ状に分割され、その交点に電流が存在するかしないかにより前記電流分布を構成し、前記測定対象上の所定位置にある電流分布をその交点にある電流情報としたことを特徴とする請求項１記載の電磁波発生源探査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電磁波発生源を探査する技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来は、測定対象である電子回路基板や電子機器近傍の磁界分布を測定し、この近傍磁界強度の強い箇所に遠方電界の発生源となる電流が流れているものと推定していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような推定方法では、遠方電界の発生源とはならない電流までも検出してしまう可能性がある。
【０００４】
例えば、測定対象上に２つの互いに逆位相となる電流素（遠方電界発生源）が存在する場合であって、その電流素の間隔ｄが測定対象から近傍磁界測定点までの距離ｌよりも大きく、かつ波長λよりも十分に小さい場合は、その両者の電流素が発生する電界は互いに打ち消しあい、遠方電界の主要因とならない場合があるが、上記従来技術では遠方電界の発生源となる電流として検出してしまう。
【０００５】
また、互いに逆位相の電流でなくても、電流素の間隔の関係から、空間に放射された電界が互いに逆位相になる場合も同様である。
【０００６】
さらに、従来の近傍磁界強度の強い箇所に流れる電流が遠方での電界を発生する主要因であるという推定では、遠方での電界強度の値が不明確であり、実際に規制値を超えるか否かの判定できず、またその近傍磁界強度の強い箇所に流れる電流を対策しても遠方での電界強度が増加するか減少するか判定することができないと言った問題もある。
【０００７】
本発明の目的は、対策すべき遠方電界の発生源を容易に判断させることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、特許請求の範囲に記載の通りに構成した。すなわち、検査対象の有する各電流素（磁界発生源）の遠方電界を構成する寄与率を算出し、表示させるように構成した。例えば、測定対象である電子回路基板や電子機器上のすべての電流による遠方電界を測定または計算により求め、これに測定対象である電子回路基板や電子機器上の個々の電流による電界との差分を求めることで、この点における電流の遠方電界を発生する寄与率を算出する。また、電流分布に係数を掛けて遠方電界を求めることで、測定対象である電子回路基板や電子機器上の電流を変化させた場合の遠方電界の変化を推定する。
【０００９】
これにより、測定対象である電子回路基板や電子機器上の電流分布において、どの点を流れる電流が遠方電界を発生させる要因であるかを明らかにでき、また、任意の点を流れる電流の変化が遠方電界をどのように変化させるかを明らかにでき、よって、対策すべき電界発生源を容易に判断させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図面を用いて説明する。
【００１１】
図２は、測定対象の磁界分布を測定し、その測定結果から測定対象における電流分布を算出し、その算出結果を用いて電流分布に関する遠方電界寄与率を算出する装置構成を示す。
【００１２】
測定装置の構成としては、直接探査方式では測定装置による鏡像の影響が生じるので、この影響を小さくするため測定装置本体と測定対象との間に距離を置き、磁界を擾乱させない程度に小さな磁界プローブのみを測定装置本体から測定対象へと延ばして測定を行う。
【００１３】
図に示す不要電磁波発生源探査装置は、測定対象２０１の磁界を検出するための、ｘ方向磁界を検出するプローブ２０６ａとｙ方向磁界を検出するプローブ２０６ｂとｚ方向の磁界を検出するプローブ２０６ｃを一体化した３次元磁界プローブ２０６と、ｘ方向磁界を検出するプローブ２０６ａとｙ方向磁界を検出するプローブ２０６ｂとｚ方向の磁界を検出するプローブ２０６ｃを切り替えるアンテナ切替スイッチ２０５とアンテナ切替回路２０４と、３次元磁界プローブ２０６の検出信号を増幅する高周波増幅器２０７と、磁界の位相を得るための基準クロックを抽出するプローブ２０８と、基準クロックを所望の周波数に変換するための分周回路２０９と逓倍回路２１０と、磁界プローブ２０６を鎖交する磁界によって誘起された電圧を基準クロック信号に対する位相ズレを含めて計測するベクトル電圧計２１１と、ＣＰＵおよびメモリ等を備えるコンピュータ２１２と、遠方電界寄与率を算出するためのプログラム等を記憶した記憶装置２１２ａと、算出結果等を出力表示する表示装置２１２ｂとを備えている。なお、記憶装置２１２ａは、例えば、プログラムやデータなどの情報を記憶した記憶媒体、および、それを読み取るための記憶媒体読取装置により実現される。
【００１４】
この装置においては、測定対象２０１に対して電磁界的に近傍となる距離２０２の点で、測定対象２０１により発生された磁界を、ｘ方向磁界プローブ２０６ａ、ｙ方向磁界プローブ２０６ｂ、ｚ方向プローブ２０６ｃを組み合わせた３次元磁界プローブ２０６によって測定する。３次元磁界プローブ２０６は、例えば、３つのループアンテナ２０６ａ、２０６ｂ、２０６ｃによって構成する。ここで、電磁界的に近傍となる距離とは（２πｒ／λ）≦１を満足する距離ｒの数値範囲を指す。
【００１５】
３次元磁界プローブ２０６で検出された近傍磁界による誘起電圧は、各方向成分毎に高周波増幅器２０７によって増幅され、ベクトル電圧計２１１へ送られる。一方、測定対象２０１の動作クロックはプローブ２０８によって検出、所望の周波数成分を抽出するために必要に応じて分周回路２０９によって分周し、逓倍回路２１０によって逓倍されたのち、位相基準としてベクトル電圧計２１１に与えられる。
【００１６】
ベクトル電圧計２１１は、３次元磁界プローブ２０６からの磁界測定信号と逓倍回路２１０からの信号とを受け入れて、測定磁界の各方向成分について、その大きさと位相の情報を分離抽出する。
【００１７】
この測定された近傍磁界の大きさと位相を示す信号は、測定動作の制御および演算を行うためのコンピュータ２１２に読み込まれる。
【００１８】
また、コンピュータ２１２は、ステージ２０３に信号を送り、３次元プローブ２０６の位置を決定し、アンテナ切替回路を通じて磁界プローブの各方向成分を選択し、測定対象２０１の基準クロックを所望周波数に変換するために分周回路２０９と逓倍回路２１０を各々制御し、ベクトル電圧計２１１を制御し、測定データを読み込む事で、上記測定された近傍磁界の大きさや位相等の情報を記憶しておくことにより、測定対象２０１の動作クロックの高調波成分についての３次元近傍磁界測定を可能としている。
【００１９】
さらに、コンピュータ２１０は、以上のようにして得られた３次元磁界測定値を用いて、以下に詳細説明する方法により、測定対象２０１上の電磁波発生源としての電流分布を計算により逆算し、それにより得られた電流分布から遠方の電界分布や遠方電界寄与率を、その結果を出力装置２１２ｂに出力する。なお、測定対象２０１の動作クロック周波数を取り出し、所望周波数へ変換するために、基準クロック抽出プローブ２０８と分周回路２０９と逓倍回路２１０とを備えているが、これらは必ずしも必要ではない。これら構成の代りに、例えば、測定対象となる周波数範囲をスキャンする信号発生器等を用いる構成としても良い。
【００２０】
ここで、磁界測定値から電磁波発生源である電流分布を逆算処理（探査処理）する一例を図３〜図４を用いて説明する。本処理方法は、我々が先に出願した特開平１１−１４２４５３号公報に詳述されているが、これは、仮定した電流素の発生する磁界分布と測定磁界分布とのパターンマッチングによりそれぞれの電流素や、全体の電流分布を算出する手法である。
【００２１】
図３は解析の概念図、図４はその処理の全体処理を示すフローチャートである。なお、本探査処理は、図２の不要電磁波発生源探査装置の記憶装置２１２ａに予め記憶された波源探査プログラムを、コンピュータ２１２のＣＰＵで実行することにより実現されるものである。
【００２２】
本探査処理では最初、図３に示すように分割された２次元の測定平面３０２上のＭ個の各格子点ｍにおいて、近傍磁界の測定を行う（ステップ４０１）。本例では、様々な電子デバイスが実装されている基板等を測定対象２０１として想定し、磁界発生源の全てがｘｙ平面に平行な２次元平面（磁界発生源領域３０１）に存在すると仮定している。測定結果はコンピュータ２１０のメモリもしくは記憶装置２１０ａなどに記憶される。図７はその記憶されるデータ２ファイルの一例である。
【００２３】
次に、測定された近傍磁界データをメモリもしくは記憶装置２１０ａから読み出し、当該測定された近傍磁界を発生すると考えられるｘ方向、ｙ方向、ｚ方向の電流成分をそれぞれ算出する。本処理では最初、ｘ方向電流成分を求めるために、測定された近傍磁界のｙ方向成分を取得する。ここで、実際の電磁波発生源としての求めるべき電流が図３に示す格子点３０３上に存在するとき、測定平面３０２において、３次元磁界プローブ２０６によって測定した近傍磁界測定値のｙ方向成分の分布は、近傍磁界測定が行われた格子点数分の次元を持ち、各格子点での測定値を各次元の値とした複素ベクトル３０５として表すことができる。以下ではこれを測定磁界合成複素ベクトル３０５と呼ぶ。本ステップ（４０２）では、この測定磁界合成複素ベクトル３０５を測定データに基づいて設定する。
【００２４】
これに対しステップ４０３では、計算磁界合成複素ベクトル３０６を求める。計算磁界合成複素ベクトル３０６は、磁界発生源領域３０１上のある１つの格子点３０４にｘ方向電流を仮定した場合に得られるもので、該仮定した電流によって測定平面３０２に生じる近傍磁界計算値のｙ方向成分の分布は、近傍磁界測定が行われた格子点数分の次元を持ち、各格子点での計算値を各次元の値とした複素ベクトル３０６とする。この２つの複素ベクトル（３０５、３０６）の内積により得られる電流存在確率ｃｏｓθ３０７を得ることで、電磁波発生源領域３０１上の格子点３０４での電流存在確率分布が得られる。本実施形態では、上述したものと同じ方法により、電磁波発生源領域３０１を分割して設定した格子点の各々について電流の存在を仮定して、計算磁界合成複素ベクトル３０６を求めるものとする。
【００２５】
次に、上記ステップ４０２、４０３で求めた測定磁界合成複素ベクトル３０６と計算磁界合成複素ベクトル３０６との内積値を、例えば数１及び数２を用いて、電磁波発生源領域３０１の各格子点に仮定した電流毎に求める（ステップ４０４）。
【００２６】
【数１】
0004003403.tif 000002
【数２】
0004003403.tif 000003
ここで得られる内積値は、磁界発生源領域３０１と測定平面３０２とのｚ方向距離の二乗を、該ｚ方向距離の二乗と探査すべき電流が存在する格子点（例えば格子点３０３）および仮定した電流が存在する格子点（例えば格子点３０４）の間の距離の二乗との和により割算して得られる比によって表されるものであり、仮定した電流の位置が実在する電流の位置と一致した場合に最大値、あるいは、略一致した場合等に極大値となる。
【００２７】
本実施形態では、この内積値の最大値あるいは極大値を求めるために、得られた内積値を電磁波発生源領域３０１の空間に対し微分し（ステップ４０５）、微分値が０でかつ連続となる位置を実際の電磁波発生源の位置として決定する（ステップ４０６）。
【００２８】
さらに、この位置に存在する電磁波発生源としての電流の大きさと位相は、測定磁界合成複素ベクトル３０５と計算磁界合成複素ベクトル３０６の内積値において余弦の二乗が１であることから、両者の内積値を計算磁界合成複素ベクトル３０６の大きさで除算することで得られる（ステップ４０７）。
【００２９】
以上の処理により、近傍磁界測定値のｙ方向成分に対応するｘ方向電流成分について、その大きさ、位相、および位置の情報を得られる。なお、ｘ方向成分の近傍磁界を測定してｙ方向の電流成分を求める場合も同様の処理となるので、その説明は省略する。
【００３０】
このようにして、測定した磁界分布から電流分布を算出することができる。この算出結果はコンピュータ２１２のメモリに記憶される。図８はその記憶されるデータファイルの一例である。
【００３１】
なお、この電流分布の算出方法には、各格子点においてどれくらいの電流が存在するかが算出できるものであればいずれの手法を用いても良い。また、電流分布を算出するには、磁界分布からではなく、測定した電界分布から求めても良いが、測定感度などを考慮すると磁界分布を測定する方法の方が良い。
【００３２】
次に、これらの算出結果である電流分布を用いてその電流分布に関する遠方電界寄与率を算出する例を説明する。図１はその概念図である。図１では測定対象である電子回路基板や電子機器１０１が平面上に存在した場合を示しており、測定対象である電子回路基板や電子機器１０１の各辺の長さをＬｘ、Ｌｙとし、長さｄｘ、ｄｙのメッシュ状となるように、各々をＮｘ、Ｎｙ個に分割した。このメッシュに分割した各交点Ｓ（＃ｎｘ、＃ｎｙ）：１０３は、図３に示した格子点ｎであり、その電流値はＩ（ｘｓ、ｙｓ）で表わす。また、測定対象である電子回路基板や電子機器１０１の中心が原点となるように座標系１０２上に位置させる。
【００３３】
図５は、測定対象にある電流分布に関する遠方電界寄与率の算出方法を示したフローチャートである。
【００３４】
本処理についても、図２の不要電磁波発生源探査装置の記憶装置２１２ａに予め記憶された寄与率算出プログラムを、コンピュータ２１２のＣＰＵで実行することにより実現されるものである。
【００３５】
まず、前述のような手法などにより、測定対象である電子回路基板や電子機器における電流分布を算出すると（ステップ５０１）、算出した電流分布から観測点Ｐ：１０４における電界強度Ｅpを算出する（ステップ５０２）。この場合、測定対象である電子回路基板や電子機器１０１上の電流素の存在位置Ｓ：１０３と測定対象である電子回路基板や電子機器１０１の中心から所望の距離Ｒにおける球面上の電界観測点Ｐ（ｘｐ、ｙｐ、ｚｐ）１０４までの距離をＲｐｓとすると、数３に示すように、測定対象である電子回路基板や電子機器上の位置Ｓ１０３における電流による観測点Ｐでの電界強度Ｅ‘が得られる。
【００３６】
【数３】
0004003403.tif 000004
そして、数４に示すように、測定対象である電子回路基板や電子機器１０１上のすべての電流素による電界を算出加算することで、測定対象である電子回路基板や電子機器が観測点Ｐに発生させる電界強度Ｅｐが得られる。
【００３７】
【数４】
0004003403.tif 000005
さらに、数５に示すように、測定対象から距離ｒの観測点Ｐの位置をｘｙもしくはｘｚもしくはｙｚ平面内を円周方向に移動させつつ電界計算を行うことで、測定対象である電子回路基板や電子機器の電界指向性が得られる。ここで、θは原点と観測点Ｐとを結ぶ直線がＺ軸に対してなす角度であり、φは原点と観測点Ｐとを結ぶ直線のＸＹ平面へ投影した直線ががＸ軸に対してなす角度である。この算出結果はコンピュータ２１２のメモリや記憶装置２１２ａに記憶される。図９はその記憶されるデータファイルの一例である。図１０は、その表示例であり、ＸＹ平面１００１、ＹＺ平面１００２、ＸＺ１００３平面におけるそれぞれの電界強度が示されている。
【００３８】
【数５】
0004003403.tif 000006
次に、算出された電界強度Ｅｐの中から、例えば最大電界強度を示した観測点Ｐの位置情報を保持し、メッシュ状の各交点Ｓ：１０３の電流Ｉ（ｘｓ、ｙｓ）それぞれにより発生する観測点Ｐにおける電界Ｅｍを数３に基づいて算出する（ステップ５０３）。
【００３９】
波源探査の最大の目的は、法規制などを満足するように遠方電界を抑制することなので、単に最大電界強度を有する観測点Ｐに限らず、図１１に示すように所定値を満足しないエリアを表示し、その表示したエリア内の観測点Ｐをユーザに指定させ、その指定された観測点Ｐの位置情報を保持させても良い。また、単にユーザの指定した観測点Ｐの位置情報を保持させても良い。
【００４０】
次に、各交点Ｓ：１０３毎に、電界Ｅｐと電界Ｅｍの差分△Ｅを算出する（ステップ５０４）。そして、交点Ｓ：１０３毎に遠方電界を発生する寄与率Ｃを数６に基づいて、Ｃ＝△Ｅ／Ｅｐを求めて表示する（ステップ５０５）。
【００４１】
【数６】
0004003403.tif 000007
図１２はその表示例であり、ＸＹ平面におけるＩｘによる寄与率を表示している。実際には、寄与率に応じて色もしくは濃淡を変えて表示させることが好ましいが、図では便宜上、等高線のようにして表示した。図からは、Ｘ方向に電流が流れ、Ｙ＝１００〜１２０[ｍｍ]の位置が最も電界発生に寄与した対策すべき領域であることが分かる。なお、この表示例のほか、ＸＹ平面におけるＩｙ成分による寄与率表示、ＹＺ平面におけるＩｙによる寄与率表示、ＹＺ平面におけるＩｚによる寄与率表示、ＺＸ平面におけるＩｚによる寄与率表示、ＺＸ平面におけるＩｘによる寄与率表示がある。
【００４２】
以上の処理により、測定対象である電子回路基板や電子機器上の位置Ｓにおける電流が所望の距離Ｒにおける指向性の最大値を発生させる要因としての寄与率を示すことができ、指定した観測点Ｐにおいて最も影響を与える電流成分が存在する位置を判別することも可能となる。この場合、寄与率Ｃが大きいほど、その位置に有る電流が観測点Ｐにおける遠方電界を発生する原因となっている可能性が高いことを示すこととなる。従って、その表示に基づいて寄与率の高い位置についての対策をユーザは検討することが可能となる。
【００４３】
この際、実際の回路パターンと重ね合せて表示することにより、実際に対策すべき部位が明瞭となる効果もある。なお、寄与率Ｃの算出方法は様々であり、各交点Ｓにおける電界Ｅｍ、電界Ｅｐと電界Ｅｍの差分△Ｅ、電界Ｅｐと電界Ｅｍとの比により表示したとしてもどの交点Ｓが最も影響を与えているかを比較することはできる。
【００４４】
次に、前述の寄与率表示に基づいてある領域を対策した場合、すなわち測定対象である電子回路基板や電子機器上の電流分布を対策により変化させた場合にどの程度の電界抑制効果があるかを推定して表示する例を示す。図６はその処理フローである。この処理フローについても、図２の不要電磁波発生源探査装置の記憶装置２１２ａに予め記憶された波源編集プログラムを、コンピュータ２１２のＣＰＵで実行することにより実現されるものである。
【００４５】
まず、前述のようにして測定対象である電子回路基板や電子機器上の電流分布や寄与率などを算出する（ステップ６０１）。当然、前述の算出結果を利用することも出来る。次に、対策したい部位に関する電流分布（電流値）または寄与率を編集する（ステップ６０２）。例えば、その部位における電流分布（電流値）または寄与率の低減可能なもしくは低減したい比率ａを入力させるように構成する。そして、その比率ａをその部位の電流分布（電流値）または寄与率に掛けた値に基づいて、前述と同じ方法で観測点Ｐにおける電界強度Ｅａを数７に基づき求める（ステップ６０３）。
【００４６】
【数７】
0004003403.tif 000008
そして、その算出結果と編集前の電界強度Ｅｐとの比較Ｅａ／Ｅｐを求め、編集前後の遠方電界変化率を出力する（ステップ６０４）。
【００４７】
なお、本実施例では、比率ａを入力させる構成としたが、その部位に関する電流分布（電流値）または寄与率の低減可能なもしくは低減したい数値を入力させ、その入力した数値に基づいて観測点Ｐにおける電界強度Ｅａを算出させるように構成することもできる。
【００４８】
これにより、測定対象である電子回路基板や電子機器上の特定部位を対策することで、どれだけ遠方電界を抑制できるかが容易に分かり、効果的な対策を実現することが可能となる。特に寄与率を編集するように構成することで、従来技術で挙げるような不具合を考慮した対策を容易に実現することが可能となる。一方、電流分布を編集すれば、現実の対策に近い結果を得ることができ効果的である。
【００４９】
ところで、これまで説明してきた寄与率の算出方法、編集方法等においては、磁界分布の周波数スペクトラムを測定し、その測定結果に基づいて電流分布の周波数スペクトラムを算出し、観測点における電界強度を特定の周波数もしくは周波数毎に算出し、各電流素における寄与率を求めるように構成することもできる。編集作業も同様である。
【００５０】
【発明の効果】
このように寄与率を表示させることで、対策すべき遠方電界の発生源を容易に判断させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  測定対象である電子回路基板や電子機器とその電流分布および遠方電界を求める座標系
【図２】  装置構成図
【図３】  発生源探査概念図
【図４】  発生源探査フローチャート
【図５】  遠方電界発生寄与率算出フローチャート
【図６】  遠方電界変化率算出フローチャート
【図７】  磁界分布測定結果データ書式
【図８】  電流分布探査結果データ書式
【図９】  電界計算結果データ書式
【図１０】  電界指向性計算結果表示
【図１１】  電界指向性ピーク値検出／規制値超過範囲検出  表示
【図１２】  電界発生寄与率分布表示
【符号の説明】
１０１    測定対象である電子回路基板や電子機器
１０２    座標系
１０３    測定対象である電子回路基板や電子機器上の電流存在位置
１０４    遠方電界観測点
２０１    測定対象である電子回路基板や電子機器
２０２    測定対象２０１と磁界分布観測平面の距離
２０３    ＸＹステージ
２０４    アンテナ切替回路（切替スイッチ制御回路）
２０５    アンテナ切替スイッチ
２０６    ３次元磁界プローブ
２０６ａ  ｘ方向磁界プローブ
２０６ｂ  ｙ方向磁界プローブ
２０６ｃ  ｚ方向磁界プローブ
２０７    高周波増幅器
２０８    基準クロック検出プローブ
２０９    分周回路
２１０    逓倍回路
２１１    ベクトル電圧計
２１２    コンピュータ
２１２ａ  記憶装置
２１２ｂ  表示装置
３０１    磁界発生源領域（電流存在領域）
３０２    磁界測定領域
３０３    実際の電流
３０４    計算上仮定する電流
３０５    測定磁界複素ベクトル
３０６    計算磁界複素ベクトル
３０７    電流存在確率
４０１    磁界分布測定ステップ
４０２    測定磁界複素ベクトル形成ステップ
４０３    計算磁界複素ベクトル形成ステップ
４０４    内積演算ステップ
４０５    空間微分ステップ
４０６    電流存在位置探査ステップ
４０７    電流値検出ステップ
５０１    測定対象である電子回路基板や電子機器上の電流分布
５０２    電流分布５０２から所望の観測位置における電界強度Ｅｐ算出ステップ
５０３    電流分布５０２の各電流素による観測位置における電界強度Ｅｍ算出ステップ
５０４    全放射電界Ｅｐと各電流素の観測位置における電界Ｅｍとの差分算出ステップ
５０５    所望の観測位置における電界を構成する各電流素の寄与率算出ステップ
６０１    測定対象である電子回路基板や電子機器上の電流分布
６０２    電流分布および／または寄与率編集ステップ
６０３    編集した電流による所望の観測位置における電界強度Ｅａ算出ステップ
６０４    編集前後の遠方電界変化率算出ステップ
１００１            ＸＹ平面電界指向性（Ｅφxy）
１００２  ＸＺ平面電界指向性（Ｅθxz）
１００３  ＹＺ平面電界指向性（Ｅθyz）
【図１】
0004003403.tif 000009
【図２】
0004003403.tif 000010
【図３】
0004003403.tif 000011
【図４】
0004003403.tif 000012
【図５】
0004003403.tif 000013
【図６】
0004003403.tif 000014
【図７】
0004003403.tif 000015
【図８】
0004003403.tif 000016
【図９】
0004003403.tif 000017
【図１０】
0004003403.tif 000018
【図１１】
0004003403.tif 000019
【図１２】
0004003403.tif 000020