(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽内に設置される円筒状のターゲットと、該ターゲットと同一の中心軸を有するように配置された基板ホルダと、該基板ホルダ上で自転可能で、前記ターゲットに対向する角度を可変とした基板と、磁極面を前記中心軸に対して傾斜して対向させた傾斜円筒状磁石であって、前記ターゲットの内側または外側に、該ターゲットと同一の中心軸を有するように配置された傾斜円筒状磁石と、を有し、前記ターゲットと前記基板ホルダとの間に、該ターゲット面に垂直方向に進行するスパッタ粒子が基板に入射することを制限するシールド板を配することを特徴とするスパッタ装置。
【請求項２】
真空槽内に設置される円筒状のターゲットと、該ターゲットと同一の中心軸を有するように配置された基板ホルダと、該基板ホルダ上で自転可能で、前記ターゲットに対向する角度を可変とした基板と、磁極面を前記中心軸に対して傾斜して対向させた傾斜円筒状磁石であって、前記ターゲットの内側または外側に、該ターゲットと同一の中心軸を有するように配置された傾斜円筒状磁石と、を有し、前記ターゲットと前記基板ホルダとの間に、該ターゲットに対して正電位であり、スパッタ粒子を通過させうる補助電極を配することを特徴とするスパッタ装置。
【請求項３】
真空槽内に設置される円筒状のターゲットと、該ターゲットと同一の中心軸を有するように配置された基板ホルダと、該基板ホルダ上で自転可能で、前記ターゲットに対向する角度を可変とした基板と、磁極面を前記中心軸に対して傾斜して対向させた傾斜円筒状磁石であって、前記ターゲットの内側または外側に、該ターゲットと同一の中心軸を有するように配置された傾斜円筒状磁石と、を有し、前記ターゲットの内周面側には、前記傾斜円筒状磁石が該ターゲットを囲むように配されていて、該傾斜円筒状磁石における磁極面外周を円筒の軸心に対して傾斜させることを特徴とするスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜形成を行うスパッタ装置、より詳細には、成膜中に膜に与えるダメージが小さく、膜特性および膜厚が均一な薄膜を高速で形成でき、さらにターゲットの材料を有効利用できるようにしたスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ターゲット表面からスパッタ粒子が発生するスパッタリング現象は、真空容器内に導入された低圧の雰囲気ガスに対し、ターゲットを一方の電極として電界を作用させ、グロー放電を発生させてガスをプラズマ化し、このプラズマ中のイオンを電界の方向に加速して、ターゲットに衝突させることにより、ターゲットの構成原子が飛び出す現象である。このスパッタリング現象を利用した薄膜形成は、薄膜形成面の熱損傷が少なくかつ膜質が良好なことから広く用いられているが、成膜速度の高速化が重要な課題とされている。この成膜速度を速める方法として、プラズマに磁界を作用させてプラズマ中の電子を磁界中に閉じこめ、１個の電子が中性ガス分子へ衝突する機会を増すことによりプラズマを高密度化し、これによりイオン密度を増すようにしたマグネトロン方式が採用されている。
【０００３】
以下に添付された図面を参照して、従来のスパッタ装置の構成例を説明する。なお、従来例を説明するための全図において、同様の機能を有する部分には同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
図１１は、マグネトロン方式による従来のスパッタ装置の一例を示す概略構成図で、図中、１はターゲット、２は永久磁石、２ｎはｎ側磁極、２ｓはｓ側磁極、３は円筒状の基板ホルダ、４は電源、５は磁界、６は電子の運動方向である。
【０００４】
図１１に示すスパッタ装置においては、薄膜を形成する基板が配される円筒状の基板ホルダ３を取り囲むように、薄膜形成物質からなる円筒状のターゲット１が円筒状の基板ホルダ３と同心に配され、さらに円筒状ターゲット１の外周面側に永久磁石２がターゲット１と同心に配されている。このような構成では、ターゲット１の内周面側に磁極２ｎから出て磁極２ｓに入る磁力線によるトンネル状の磁界５が形成されているため、円筒状基板ホルダ３とターゲット１に電源４を接続してこれらの間にグロー放電を生ぜしめると、グロー放電によって生じたプラズマ中の電子は、磁界の作用を受けて電子の運動方向６に示すごとくの軌跡と運動方向を有するドリフト運動をする。これにより磁界中をドリフトする電子の飛行距離が伸び、１個の電子により多くのガス分子が電離されてガスが高密度にプラズマ化され、この結果、プラズマ中のイオン化密度が増してスパッタ粒子が増大し、これにより成膜速度が大きくなる。
【０００５】
ところが、このような従来の磁極構成では、磁極２ｓ，２ｎによりターゲット１の内周面側にトンネル状の閉じた磁界が形成されるため、トンネル状に湾曲する磁力線中、電界との直交成分が大きいトンネル頂部位置すなわちトンネルの中央部ほどガスのプラズマ化が高密度に生じ、従って磁極側に近づくほどプラズマ密度は小さくり、プラズマはターゲット外周面のトンネル中央位置近傍に限定された状態で生成する。従って成膜とともに進行するターゲットの消耗もトンネル中央位置近傍のみで生じ、このためターゲット１の利用効率が悪く、使用寿命が短くなるとともに、消耗に基づくターゲット表面の変形により基板に成膜される膜厚分布の一様性が損なわれるという問題がある。
さらに、通常のマグネトロンスパッタの場合、ターゲット１のスパッタされる領域が特定の場所に限定されるため、反応性ＤＣスパッタを行う場合は、他の領域に徐々に絶縁物が堆積され、アーキングが生じて膜質の劣化や成膜速度の低下を引き起こす。
【０００６】
このような問題を解決するために、例えば特開昭６３−１７１８７９号公報では、電気的手段により磁界を矯正し、一様なプラズマを形成させる装置が提案されている。しかしながらこの技術においては、新たに電源手段を必要とし、またターゲットサイズが大きくなった場合、磁界の矯正のために投入すべき電力もそれに伴い大きくする必要があった。
【０００７】
図１２は、マグネトロン方式による従来のスパッタ装置の他の例を示す概略構成図である。
図１３は、図１２に示すスパッタ装置の要部概略構成図で、図中、７，８，９は絶縁体、１０は上部シールド、１１は下部シールド、１２は真空槽壁、１３は冷却水である。
図１４は、図１２及び図１３に示すスパッタ装置における磁界及び電子の流れを説明するための図である。
【０００８】
図１２ないし図１４に示すスパッタ装置においては、薄膜を形成する基板が配される円筒状の基板ホルダ３を取り囲むように、薄膜形成物質からなる円筒状のターゲット１が円筒状の基板ホルダ３と同心に配され、さらに円筒状ターゲット１の内周面側に永久磁石２がターゲット１と同心に配されている。このような構成では、ターゲット１の外周面側に磁極２ｎから出て磁極２ｓに入る磁力線によるトンネル状の磁界５が形成されているため、円筒状の基板ホルダ３とターゲット１に電源４を接続してこれらの間にグロー放電を生ぜしめると、グロー放電によって生じたプラズマ中の電子は、磁界の作用を受けて電子の運動方向６に示すごとくの軌跡と運動方向を有するドリフト運動をする。これにより磁界中をドリフトする電子の飛行距離が伸び、１個の電子により多くのガス分子が電離されてガスが高密度にプラズマ化され、この結果、プラズマ中のイオン化密度が増してスパッタ粒子が増大し、これにより成膜速度が大きくなる。
【０００９】
ところが、このような従来の磁極構成では、磁極２ｎ，２ｓによりターゲット１の外周面側にトンネル状の閉じた磁界が形成されるため、トンネル状に湾曲する磁力線中、電界との直交成分が大きいトンネル頂部位置すなわちトンネルの中央部ほどガスのプラズマ化が高密度に生じ、従って磁極側に近づくほどプラズマ密度は小さくなり、プラズマはターゲット外周面のトンネル中央位置近傍に限定された状態で生成する。従って成膜とともに進行するターゲットの消耗もトンネル中央位置近傍のみで生じ、このためターゲット１の利用効率が悪く、使用寿命が短くなるとともに、消耗に基づくターゲット表面の変形により基板に成膜される膜厚分布の一様性が損なわれるという問題がある。
【００１０】
さらに、通常のマグネトロンスパッタの場合、ターゲット１のスパッタされる領域が特定の場所に限定されるため、反応性ＤＣスパッタを行う場合は、他の領域に徐々に絶縁物が堆積され、アーキングが生じて膜質の劣化や成膜速度の低下を引き起こす。
【００１１】
また、上述した各構成例に限らず、スパッタリング法により基板上に高機能性薄膜を形成する場合には、ターゲット面上の電界の方向、すなわちターゲット面に垂直に加速された負イオンあるいはこの負イオンが中性化した高速粒子などが発生し、さらにこれらがスパッタガスとほとんど衝突することなく運動エネルギーを保ったまま飛行して基板上に形成中の膜に衝突した場合、膜にダメージを与えて膜機能を低下させるという問題点が生じる。従って、高機能な化合物薄膜の形成においては、このようなターゲット面に垂直に加速された高速粒子を基板に到達させないスパッタリング方法の実現が望まれている。
【００１２】
例えば特開平５−３０７９１４号公報では、透明導電膜の成膜において、高速粒子の基板への到達割合を少なくするために基板が直接プラズマに曝されないようにした対向ターゲット方式が検討されているが、これは特殊な方式であるため、析出した膜の均一性や生産効率を考えると実生産に際しては充分であるとはいえない。また、例えば特開平９−２５６１５１号公報には、斜め放電により負イオンの運動方向を曲げて膜の損傷を低減するスパッタ方法も提案されているが、制御用の放電電極に膜が堆積し、例えば電極表面の電気特性が高抵抗となった場合には負イオンの制御が不可能となるため、連続生産には適していない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述のごとき実情に鑑みてなされたもので、成膜中に膜に与えるダメージが小さく、膜特性および膜厚が均一な薄膜を高速で形成でき、さらにターゲットの材料を有効利用できるスパッタ装置を提供することを目的とするものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、真空槽内に設置される円筒状のターゲットと、該ターゲットと同一の中心軸を有するように配置された基板ホルダと、該基板ホルダ上で自転可能で、前記ターゲットに対向する角度を可変とした基板と、磁極面を前記中心軸に対して傾斜して対向させた傾斜円筒状磁石であって、前記ターゲットの内側または外側に、該ターゲットと同一の中心軸を有するように配置された傾斜円筒状磁石と、を有し、前記ターゲットと前記基板ホルダとの間に、該ターゲット面に垂直方向に進行するスパッタ粒子が基板に入射することを制限するシールド板を配することを特徴とし、
請求項２の発明は、真空槽内に設置される円筒状のターゲットと、該ターゲットと同一の中心軸を有するように配置された基板ホルダと、該基板ホルダ上で自転可能で、前記ターゲットに対向する角度を可変とした基板と、磁極面を前記中心軸に対して傾斜して対向させた傾斜円筒状磁石であって、前記ターゲットの内側または外側に、該ターゲットと同一の中心軸を有するように配置された傾斜円筒状磁石と、とを有し、前記ターゲットと前記基板ホルダとの間に、該ターゲットに対して正電位であり、スパッタ粒子を通過させうる補助電極を配することを特徴とし、
請求項３の発明は、真空槽内に設置される円筒状のターゲットと、該ターゲットと同一の中心軸を有するように配置された基板ホルダと、該基板ホルダ上で自転可能で、前記ターゲットに対向する角度を可変とした基板と、磁極面を前記中心軸に対して傾斜して対向させた傾斜円筒状磁石であって、前記ターゲットの内側または外側に、該ターゲットと同一の中心軸を有するように配置された傾斜円筒状磁石と、を有し、前記ターゲットの内周面側には、前記傾斜円筒状磁石が該ターゲットを囲むように配されていて、該傾斜円筒状磁石における磁極面外周を円筒の軸心に対して傾斜させることを特徴とするものである。
もって、基板と円筒状のターゲットとの間に生じる電界に直交する磁界が傾斜円環状磁界として生じ、従って磁界の強さの時間平均はターゲットの内周もしくは外周面全域にわたり一様になり、高密度プラズマが均一に生成され、これにより高速スパッタリングがターゲット内周もしくは外周面で一様に進行することになり、ターゲットの使用寿命が伸び、膜特性、膜厚分布の均一性も確保され、また、ターゲット表面のスパッタされる領域は、基板に対して相対的に移動することになるため、膜特性、膜厚が偏在化することなく均一な成膜が行われるようにしたものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明は、真空容器内に、薄膜が形成される円筒状基板を取り囲む前記薄膜物質からなる円筒状ターゲットを同心に配置し、この基板とターゲットとの間で半径方向に生じている電界と直交する磁界をターゲットの内周面側（または外周面側）に配された磁界発生手段により発生せしめることにより、ターゲットの外周面側（または内周面側）に高密度プラズマを生成し、このプラズマ中のイオンを前記電界の方向に加速してターゲットに衝突させることによりスパッタ粒子を発生せしめて前記基板上に形成するものである。
【００１７】
本発明によれば、膜特性および膜厚が均一な薄膜を高速で形成できるため、大量の基板への薄膜作製が必要な場合に特に有効である。また、材料利用効率の高い成膜が可能なため、高価な材料の薄膜化に極めて有効である。さらに、ターゲット表面を均一にスパッタできるため、反応性スパッタ時の絶縁物の堆積を防ぐことが可能で安定した成膜ができる。
【００１８】
以下に、本発明の実施形態を添付された図面を参照して具体的に説明する。なお実施形態を説明するための全図において、同様の機能を有する部分には同一の符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
（実施形態１）
図１は、本発明のスパッタ装置の一実施形態を示す図で、平面概略構成図を図１（Ａ）に、側面概略構成図を図１（Ｂ）に示すものである。図１において、３は円筒状の基板ホルダ、２１は円筒状のターゲット、２２は傾斜円筒状の磁石、２３はヨーク、２４は磁界、２６は回転筒である。
円筒状のターゲット２１の外周面側には、傾斜円筒状の磁石２２が円筒状のターゲット２１を囲むように配されていて、この傾斜円筒状の磁石２２における磁極面内周を円筒の軸心に対して傾斜させて構成される。
【００１９】
ターゲット２１の内周面側にはヨーク２３を介して軸方向の磁界２４が生じる。この磁界２４は傾斜円環状に分布しており、磁界２４が周方向に回転することにより、ターゲット２１の内周面に形成されるプラズマ密度の平均値は、内周面全面にわたり一様になる。これにより高速スパッタリングがターゲット２１の内周面で一様に進行することになり、ターゲット２１の使用寿命が伸び、膜特性，及び膜厚分布の均一性も確保される。
また、ターゲット表面のスパッタされる領域が基板に対して相対的に移動することになるため、膜特性，及び膜厚が偏ることなく均一な成膜が行われる。
【００２０】
さらに、前述したごとくに、ターゲット２１上のスパッタされる領域が特定の場所に限定される通常のマグネトロンスパッタにより反応性ＤＣスパッタを行う場合は、他の領域に徐々に絶縁物が堆積され、アーキングが起き膜質の劣化や成膜速度の低下を引き起こすが、本実施形態の構成とすればターゲット全面で絶縁物のクリーニングが行われるため上記の問題を回避できる。
【００２１】
さらに本実施形態においては、基板面とターゲット面のなす角を０〜９０度の間で可変とすることにより、ターゲット面に垂直な方向に飛行する負イオン或いはこれが中性化した高速粒子が基板へ入射する割合を減少させ、これらが基板上に形成中の膜に衝突し、膜にダメージを与えることを抑制することが可能である。
なお、膜の均一性については、基板を自転あるいは自公転させる（円筒状の基板ホルダ上で基板を回転させ、もしくはさらに円筒状の基板ホルダ自体をも回転させる）ことにより、基板面がターゲット面に対し傾いていても均一性を十分確保できるようになっている。
【００２２】
（実施形態２）
図２は、本発明のスパッタ装置の他の実施形態を示す図で、平面概略構成図を図２（Ａ）に、側面概略構成図を図２（Ｂ）に示すものである。
本実施形態は、実施形態１と同様の構成で、傾斜円筒状の磁石２２を回転させる代わりに、ターゲット２１を円筒軸の周りに自転させ、また円筒状基板ホルダ３をターゲット２１の回転に対して逆方向に回転させるようにしたものである。本実施形態においても同様に、ターゲット内周面に形成されるプラズマ密度の時間平均は内周面全面にわたり一様になり、ターゲット表面のスパッタされる領域は基板に対して相対的に移動する。
【００２３】
（実施形態３）
図３は、本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す要部概略構成図である。
本実施形態は、傾斜円筒状の磁石２２を回転軸方向に複数個並べて構成したものである。本実施形態においては、高密度プラズマ領域が増加する事により、内周面全面でのプラズマ密度の時間平均の一様性を保ったまま成膜速度をさらに速くすることができる。
【００２４】
（実施形態４）
図４は、本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す要部概略構成図で、図中、３０はシールド板である。
本実施形態は、ターゲット２１と円筒状の基板ホルダ３との間に、ターゲット面に垂直方向に進行するスパッタ粒子が基板に入射することを制限するシールド板３０を配する構成を有するものである。
本実施形態においては、ターゲット面に垂直なスパッタ粒子の入射をシールド板によっても制限することにより、なお一層膜に与えられるダメージを低減することが出来る。
【００２５】
（実施形態５）
図５は、本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す要部概略構成図で、図中、３１は補助電極である。
本実施形態は、ターゲット２１と円筒状の基板ホルダ３との間に、ターゲット２１に対して正電位であり、スパッタ粒子を通過させうる補助電極３１を配した構成を有するものである。
本実施形態においては、補助電極３１とターゲット２１の間の電界により放電が維持されるため、磁界や基板が運動する際にもプラズマを安定して発生させ、維持できる。
【００２６】
（実施形態６）
図６は、本発明のスパッタ装置の一実施形態を示す図で、平面概略構成図を図６（Ａ）に、側面概略構成図を図６（Ｂ）に示すものである。図６において、２５は基板である。
円筒状のターゲット２１の内周面側には、傾斜円筒状の磁石２２が円筒状のターゲット２１を囲むように配されていて、この傾斜円筒状磁石２２における磁極面外周を円筒の軸心に対して傾斜させて構成される。
【００２７】
ターゲット２１の外周面側にはヨーク２３を介して軸方向の磁界２４が生じる。この磁界２４は傾斜円環状に分布しており、磁界２４が周方向に回転することにより、ターゲット２１の外周面に形成されるプラズマ密度の時間平均は、外周面全面にわたり一様になる。これにより高速スパッタリングがターゲット２１の外周面で一様に進行することになり、ターゲット２１の使用寿命が伸び、膜特性，及び膜厚分布の均一性も確保される。
また、ターゲット表面のスパッタされる領域が基板に対して相対的に移動することになるため、膜特性，及び膜厚が偏ることなく均一な成膜が行われる。
【００２８】
さらに、前述したごとくに、ターゲット２１上のスパッタされる領域が特定の場所に限定される通常のマグネトロンスパッタにより反応性ＤＣスパッタを行う場合は、他の領域に徐々に絶縁物が堆積され、アーキングが起き膜質の劣化や成膜速度の低下を引き起こすが、本実施形態の構成とすればターゲット全面で絶縁物のクリーニングが行われるため上記の問題を回避できる。
【００２９】
さらに本実施形態においては、基板面とターゲット面のなす角を０〜９０度の間で可変とすることにより、ターゲット面に垂直な方向に飛行する負イオン或いはこれが中性化した高速粒子が基板へ入射する割合を減少させ、これらが基板上に形成中の膜に衝突し、膜にダメージを与えることを抑制することが可能である。
なお、膜の均一性については、基板を自転あるいは自公転させる（円筒状基板ホルダ上で基板を回転させ、もしくはさらに円筒状基板ホルダ自体を回転させる）ことにより、基板面がターゲット面に対し傾いていても均一性を十分確保できるようになっている。
【００３０】
（実施形態７）
図７は、本発明のスパッタ装置の他の実施形態を示す図で、平面概略構成図を図７（Ａ）に、側面概略構成図を図７（Ｂ）に示すものである。
本実施形態は、実施形態６と同様の構成で、傾斜円筒状の磁石２２を回転させる代わりに、ターゲット２１を円筒軸の周りに自転させ、また基板２５が配される円筒状の基板ホルダ（図示せず）をターゲット２１の回転に対して逆方向に回転させるようにしたものである。本実施形態においても同様に、ターゲット内周面に形成されるプラズマ密度の時間平均は外周面全面にわたり一様になり、ターゲット表面のスパッタされる領域は基板に対して相対的に移動する。
【００３１】
（実施形態８）
図８は、本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す図で、平面概略構成図を８（Ａ）に、側面概略構成図を図８（Ｂ）に示すものである。
本実施形態においは、傾斜円筒状の磁石を回転軸方向に複数個並べて構成したものである。本実施形態においては、高密度プラズマ領域が増加する事により、外周面全面でのプラズマ密度の時間平均の一様性を保ったまま成膜速度をさらに速くすることができる。
【００３２】
（実施形態９）
図９は、本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す要部概略構成図である。
本実施形態は、ターゲット２１と基板２５が配される円筒状の基板ホルダ（図示せず）との間に、ターゲット面に垂直方向に進行するスパッタ粒子が基板に入射することを制限するシールド板３０を配する構成を有するものである。
本実施形態においては、ターゲット面に垂直なスパッタ粒子の入射をシールド板３０によっても制限することにより、なお一層膜に与えられるダメージを低減することが出来る。
【００３３】
（実施形態１０）
図１０は、本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す要部概略構成図である。
本実施形態においては、ターゲット２１と基板２５が配される円筒状基板ホルダ（図示せず）との間に、ターゲット２１に対して正電位であり、スパッタ粒子を通過させうる補助電極３１を配した構成を有するものである。
本実施形態においては、補助電極３１とターゲット２１の間の電界により放電が維持されるため、磁界や基板が運動する際にもプラズマを安定して発生させ、維持できる。
【００３４】
【発明の効果】
本発明によれば、基板と円筒状ターゲットとの間に生じる電界に直交する磁界が傾斜円環状磁界として生じ、従って磁界の強さの時間平均はターゲットの内周もしくは外周面全域にわたり一様になり、高密度プラズマが均一に生成される。これにより高速スパッタリングがターゲット内周もしくは外周面で一様に進行することになり、ターゲットの使用寿命が伸び、膜特性、膜厚分布の均一性も確保される。
また、ターゲット表面のスパッタされる領域は、基板に対して相対的に移動することになるため、膜特性、膜厚が偏在化することなく均一な成膜が行われる。
また、円筒状の基板ホルダに設置される基板の該ターゲットに対向する角度を可変設定可能としたことにより、ターゲット面に垂直な方向に飛行する負イオン或いはこれが中性化した高速粒子の基板への入射の割合を減少させ、これらが基板上に形成中の膜に衝突し、膜にダメージを与えることを抑制することが可能となる。
さらに、本発明を用いればターゲット全面で絶縁物のクリーニングが行われるため、ターゲットにおける絶縁物の堆積により生じるアーキングによる膜質の劣化や成膜速度の低下を回避できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明のスパッタ装置の一実施形態を示す図である。
【図２】  本発明のスパッタ装置の他の実施形態を示す図である。
【図３】  本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す図である。
【図４】  本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す図である。
【図５】  本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す図である。
【図６】  本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す図である。
【図７】  本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す図である。
【図８】  本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す図である。
【図９】  本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す図である。
【図１０】  本発明のスパッタ装置のさらに他の実施形態を示す図である。
【図１１】  マグネトロン方式による従来のスパッタ装置の一例を示す概略構成図である。
【図１２】  マグネトロン方式による従来のスパッタ装置の他の例を示す概略構成図である。
【図１３】  図１２に示すスパッタ装置の要部概略構成図である。
【図１４】  図１２及び図１３に示すスパッタ装置における磁界及び電子の流れを説明するための図である。
【符号の説明】
１，２１…円筒状のターゲット、２…永久磁石、２ｎ…ｎ側磁極、２ｓ…ｓ側磁極、３…円筒状の基板ホルダ、４…電源、５…磁界、６…電子の運動方向、７，８，９…絶縁体、１０…上部シールド、１１…下部シールド、１２…真空槽壁、１３…冷却水、２２…傾斜円筒状の磁石、２３…ヨーク、２４…磁界、２５…基板、２６…回転筒、３０…シールド板、３１…補助電極。
【図１】
0003901365.tif 000002
【図２】
0003901365.tif 000003
【図３】
0003901365.tif 000004
【図４】
0003901365.tif 000005
【図５】
0003901365.tif 000006
【図６】
0003901365.tif 000007
【図７】
0003901365.tif 000008
【図８】
0003901365.tif 000009
【図９】
0003901365.tif 000010
【図１０】
0003901365.tif 000011
【図１１】
0003901365.tif 000012
【図１２】
0003901365.tif 000013
【図１３】
0003901365.tif 000014
【図１４】
0003901365.tif 000015