(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数、有する圧電共振子において、
前記振動部が、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２(ただし、λは、振動波長)離されており、
前記基板は開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部上に前記振動部が形成されており、
前記要素が、前記開口部もしくは凹部の周縁である、ことを特徴とする圧電共振子。
【請求項２】
基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数、有する圧電共振子において、
前記振動部が、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２(ただし、λは、振動波長)離されており、
前記振動部は前記下部電極の下に絶縁膜を有し、かつ前記絶縁膜の下面に前記振動部の機械的強度を補強する梁が設けられており、前記振動部は、前記梁を前記要素として該梁から少なくともλ／２離されている、ことを特徴とする圧電共振子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の圧電共振子において、
前記振動部は、前記要素から３λ以内の距離で離されている、ことを特徴とする圧電共振子。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電共振子において、
前記圧電薄膜がＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とする、ことを特徴とする圧電共振子。
【請求項５】
開口部もしくは凹部を有する基板と、前記開口部もしくは凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数とを、有する圧電共振子の製造方法であって、
前記振動部を、その振動特性に影響する前記開口部もしくは凹部の周縁から少なくともλ／２(ただし、λは、振動波長)離して前記開口部もしくは凹部上に設ける工程を含む、ことを特徴とする圧電共振子の製造方法。
【請求項６】
基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数有し、前記振動部は、所要の周波数帯域に対するフィルタを構成するように接続され、かつ、前記振動部は、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２(ただし、λは、振動波長)離されており、
前記基板は開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部上に前記振動部が形成されており、
前記要素が前記開口部もしくは凹部の周縁である、ことを特徴とする圧電フィルタ。
【請求項７】
基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数有し、前記振動部は、所要の周波数帯域に対するフィルタを構成するように接続され、かつ、前記振動部は、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２(ただし、λは、振動波長)離されており、
前記振動部は前記下部電極の下に絶縁膜を有し、かつ前記絶縁膜の下面に振動部の機械的強度を補強する梁が設けられており、前記振動部は、前記梁を前記要素として該梁から少なくともλ／２離されている、ことを特徴とする圧電フィルタ。
【請求項８】
請求項６または７に記載の圧電フィルタにおいて、
前記振動部は、前記要素から３λ以内の距離で離されている、ことを特徴とする圧電フィルタ。
【請求項９】
請求項６ないし８のいずれかに記載の圧電フィルタにおいて、
前記圧電薄膜がＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とする、ことを特徴とする圧電フィルタ。
【請求項１０】
開口部もしくは凹部を有する基板と、前記開口部もしくは凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数有し、前記振動部は、所要の周波数帯域に対するフィルタを構成するように接続されてなる圧電フィルタの製造方法において、
前記振動部を、その振動特性に影響する前記開口部もしくは凹部の周縁からλ／２（ただし、λは、振動波長）離して設ける工程を含む、ことを特徴とする圧電フィルタの製造方法。
【請求項１１】
請求項６ないし９のいずれかに記載の圧電フィルタにおいて、
前記振動部をラダー構成にしている、ことを特徴とする圧電フィルタ。
【請求項１２】
請求項６ないし９のいずれか、および請求項１１に記載の圧電フィルタを用いていることを特徴とするデュプレクサ。
【請求項１３】
請求項１ないし４のいずれかに記載の圧電共振子を備え、それらの圧電共振子を電子通信動作に使用する、ことを特徴とする電子通信機器。
【請求項１４】
請求項６ないし９のいずれか、および請求項１１に記載の圧電フィルタを備え、それらの圧電フィルタを電子通信動作に使用する、ことを特徴とする電子通信機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電共振子、圧電共振子の製造方法、圧電フィルタ、圧電フィルタの製造方法、デュプレクサおよび電子通信機器に関する。この圧電共振子は、より詳しくは、フィルタや発振子などに使用されて、ＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯、さらにそれ以上の超高周波帯において厚み縦振動するもので、ダイヤフラム上に振動部を備えたものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来におけるこの種の圧電共振子の構造を説明する。一様な肉厚の基板に設けられた開口を覆う形態で該基板上に薄膜状のダイヤフラムが設けられる。そのダイヤフラムの上面に、上下の電極間に薄膜とされた圧電膜を介装してなる積層体が搭載される。該積層体は、前記両電極間に電圧信号の印加によりダイヤフラム上で共振動作する振動部となる。このような圧電共振子は、圧電膜が薄膜とされて超高周波帯域で共振応答可能となる。
【０００３】
かかるタイプの圧電共振子の場合、振動部が所要の振動を行うことができるようにダイヤフラム固定端から所要の距離を隔てて設けられる。
【０００４】
また、ダイヤフラムに複数の振動部を複数設けた圧電共振子の場合、ダイヤフラム上において各振動部がそれぞれにおける共振特性を相互に影響しないように所要の距離を隔てて設けられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そして、このような圧電共振子では、その小型化を図るため、振動部をダイヤフラム固定端や他の振動部などに近付けて設けることが考えられる。この場合、振動部をダイヤフラム固定端や他の振動部などに近付けすぎると小型化は達成できるものの、その振動特性がそれらにより影響される。また、振動部をダイヤフラム固定端や他の振動部などから離しすぎると、その振動特性に対するそれらの影響は軽減ないしは無くなるとしてもその寸法が大型化する。このようにしてダイヤフラム上における振動部の設置に際しては、その振動部の高精度な位置決めはきわめて難しい。そのため、圧電共振子などの性能の低下あるいはその生産性の低下を招来する。
【０００６】
もちろん、このような不具合は、これら圧電共振子の複数を組み合わせたフィルタにおけるフィルタ特性についても同様である。
【０００７】
２重モードフィルタとラダーフィルタは、それぞれ、隣の共振子の振動が干渉しないようにある一定の距離をあけなければならない。２重モードフィルタの場合、共振子の距離については、広げすぎることで特性が悪くなることは特にない。しかし、ラダーフィルタの場合、ある共振子の上部電極（あるいは下部電極）は、隣の共振子の上部電極（あるいは下部電極）と一体的に形成されており、電気的に導通していることが必要である。このため、振動の干渉を防ぐために間隔を３λよりも広げると、共振子間の配線が長くなり、配線抵抗、配線によるインダクタ成分が共振子と共振子の間に入ることになり、この結果、特性劣化が発生する。特に、直列側共振子間に配線抵抗が入ると、挿入損失の増加につながってしまう。
【０００８】
したがって、本発明は、各振動部どうしが互いの共振特性に対する影響を軽減する一方で、全体の寸法の小型化を図ることを解決すべき課題としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明の圧電共振子は、基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数、有する圧電共振子において、前記振動部が、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２(ただし、λは、振動波長)離されており、前記基板は開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部上に前記振動部が形成されており、前記要素が、前記開口部もしくは凹部の周縁であることを特徴とする。
【００１０】
本発明によると、振動部が、開口部もしくは凹部の周縁である、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２離されているから、振動部を開口部もしくは凹部の周縁に近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対する不当な影響を開口部もしくは凹部の周縁である要素から受けることがなくなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型化が図れた圧電共振子構造となっている。
【００１２】
本発明の圧電共振子は、基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数、有する圧電共振子において、前記振動部が、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２(ただし、λは、振動波長)離されており、前記振動部は前記下部電極の下に絶縁膜を有し、かつ前記絶縁膜の下面に前記振動部の機械的強度を補強する梁が設けられており、前記振動部は、前記梁を前記要素として該梁から少なくともλ／２離されていることを特徴とする。
こうすることによって、振動部を、前記梁を前記要素としてその梁から少なくともλ／２離すようにしても、そのような構造の圧電共振子に対しても、上記と同様に圧電共振子などの性能の維持を図りつつその小型化を図ることができるものとなる。
【００１３】
上記本発明の圧電共振子の場合、振動部は、前記要素から３λ以内の距離で離されていることが好ましい。
【００１４】
上記本発明の圧電共振子の場合、前記圧電薄膜がＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とすることが好ましい。
【００１５】
（２）本発明の圧電共振子の製造方法は、開口部もしくは凹部を有する基板と、前記開口部もしくは凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数とを、有する圧電共振子の製造方法であって、前記振動部を、その振動特性に影響する前記開口部もしくは凹部の周縁から少なくともλ／２(ただし、λは、振動波長)離して前記開口部もしくは凹部上に設ける工程を含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明によると、振動部を、その振動特性に影響する開口部もしくは凹部の周縁から少なくともλ／２離すから、開口部もしくは凹部の周縁に近付けすぎてその振動特性がそれに影響されるようなことがなくなり、近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対する不当な影響を開口部もしくは凹部の周縁から受けることがなくなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型化が図れた圧電共振子を製造することができる。
【００１７】
（３）本発明の圧電フィルタは、基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数有し、前記振動部は、所要の周波数帯域に対するフィルタを構成するように接続され、かつ、前記振動部は、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２(ただし、λは、振動波長)離されており、前記基板は開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部上に前記振動部が形成されており、前記要素が前記開口部もしくは凹部の周縁であることを特徴とする。
【００１８】
本発明によると、振動部を、開口部もしくは凹部の周縁である、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２離すから、開口部もしくは凹部の周縁に近付けすぎてその振動特性がそれに影響されるようなことがなくなり、近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対する不当な影響を開口部もしくは凹部の周縁である要素から受けることがなくなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型化が図れたフィルタ構造となっている。
【００２１】
本発明の圧電フィルタは、基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数有し、前記振動部は、所要の周波数帯域に対するフィルタを構成するように接続され、かつ、前記振動部は、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２(ただし、λは、振動波長)離されており、前記振動部は前記下部電極の下に絶縁膜を有し、かつ前記絶縁膜の下面に振動部の機械的強度を補強する梁が設けられており、前記振動部は、前記梁を前記要素として該梁から少なくともλ／２離されていることを特徴とする。
こうすることによって、振動部を、前記梁を前記要素としてその梁から少なくともλ／２離すようにしても、そのような構造の圧電フィルタに対しても、上記と同様に圧電フィルタなどの性能の維持を図りつつその小型化を図ることができるものとなる。
【００２２】
上記圧電フィルタの場合、前記振動部は、前記要素から３λ以内の距離で離されていることが好ましい。
【００２３】
上記圧電フィルタの場合、前記圧電薄膜がＺｎＯもしくはＡｌＮを主成分とすることが好ましい。
【００２４】
上記圧電フィルタの場合、前記振動部をラダー構成にすることが好ましい。
【００２５】
（４）本発明の圧電フィルタの製造方法は、開口部もしくは凹部を有する基板と、前記開口部もしくは凹部上に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数有し、前記振動部は、所要の周波数帯域に対するフィルタを構成するように接続されてなる圧電フィルタの製造方法において、前記振動部を、その振動特性に影響する前記開口部もしくは凹部の周縁からλ／２（ただし、λは、振動波長）離して設ける工程を含むことを特徴とする。
【００２６】
本発明によると、振動部を、その振動特性に影響する開口部もしくは凹部の周縁から少なくともλ／２離すから、開口部もしくは凹部の周縁に近付けすぎてその振動特性がそれに影響されるようなことがなくなり、近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対する不当な影響を開口部もしくは凹部の周縁から受けることがなくなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型化が図れた圧電フィルタを製造することができる。
【００２７】
（５）本発明のデュプレクサは、本発明の圧電フィルタを用いていることを特徴とする。これにより、信号切り換えなどを良好に行えるデュプレクサが得られる。
【００２８】
（６）本発明の通信電子機器は、本発明の圧電共振子を電子通信動作に使用することを特徴とする。また、本発明の通信電子機器は、本発明の圧電フィルタを電子通信動作に使用することを特徴とする。変調復調などの信号処理機能に優れた通信電子機器が得られる。
【００２９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図面に示す実施の形態に基づいて説明する。本実施の形態に係る圧電フィルタはラダーフィルタに適用して説明するが、これに限定されるものではない。
【００３０】
図１ないし図６は、本発明の実施形態に係り、図１は、本実施の形態の圧電共振子により構成された圧電フィルタとしてのラダーフィルタの要部平面図、図２は、図１のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１のＢ−Ｂ線断面図、図４は、図１のＣ−Ｃ線の断面図、図５は、図１のラダーフィルタの電気的な等価回路図、図６は、図１のラダーフィルタの電気的特性を示す図である。
【００３１】
これらの図を参照して、本実施の形態のラダーフィルタ１は、基板２と、ダイヤフラム３と、第１および第２振動部４、５とを有する。
【００３２】
この場合、基板２と、ダイヤフラム３と、第１の振動部４とで１つの圧電共振子が、また、基板２と、ダイヤフラム３と、第２の振動部５とでもう１つの圧電共振子が、それぞれ、構成されていることにもなる。これら両圧電共振子は、厚み縦振動モード型であって、基板２と、ダイヤフラム３とを共有するものであり、共に、同一のダイヤフラム３で構成されている。
【００３３】
基板２は、Ｓｉなどの材料からなる基板であり、エッチング技術などで形成された開口６を有する。
【００３４】
ダイヤフラム３は、所要の成膜技術その他により形成されたＳｉＯ２薄膜やその他の薄膜からなるものであり、基板２の開口６を覆うように該基板２上に設けられている。
【００３５】
基板２の開口６は、平面視縦長とされた矩形形状であり、その内周縁は、前記両振動部それぞれの振動特性に影響する要素(以下、振動影響要素という)としてダイヤフラム３を固定するダイヤフラム固定端７〜１０とされる。
【００３６】
各振動部４、５は、それぞれ、所要の成膜技術その他によりダイヤフラム３の上面に設けられ、かつ、左右一対の上側電極１１、１２と単一の下側電極１３との間に少なくとも１層のＺｎＯ薄膜などからなる圧電薄膜１４を介装して構成されている。
【００３７】
この振動部４、５においては、圧電薄膜１４に加えて他の薄膜を適宜、１つないしそれ以上に積層したものや、その他の形態があるが、本実施の形態の振動部４、５は、単に、その一例を示したにすぎず、実施形態に限定されるものではない。また、各振動部４、５の成膜方法は公知の手法でよく、その説明は省略する。
【００３８】
これら振動部４、５は、互いに協働して所要の周波数帯域に対してフィルタリング動作する図５で示すようなラダーフィルタ１を構成するように相互に接続されている。
【００３９】
第１振動部４の上側電極１１は、一定の電極幅でその左側面１１ａは左ダイヤフラム固定端７から平行に距離ｄ１＝λ／２(振動波長の半分の波長のことで、λは振動波長)以上離され、その下端側は基板２上に延ばされてラダーフィルタ１の電気信号の入力部(ＩＮ)１１ｃとされている。
【００４０】
第２振動部５の上側電極１２は、一定の電極幅でその右側側面１２ａは右側ダイヤフラム固定端９から平行に距離ｄ２＝λ／２以上離され、その上端側は基板２上に延ばされてラダーフィルタ１の電気的な接地部(ＧＮＤ)１２ｃとされている。
【００４１】
両振動部４、５それぞれの下側電極１３は、共通に接続されているとともに、その上側側面１３ａは、上側ダイヤフラム固定端８から平行に距離ｄ３＝λ／２以上離され、その下側側面１３ｂは、下側ダイヤフラム固定端１０から平行に距離ｄ４＝λ／２以上離され、その右側端は基板２上に延ばされてラダーフィルタ１の電気信号の出力部(ＯＵＴ)１３ｄとされている。
【００４２】
また、両振動部４、５それぞれ同士は、互いが自身の振動特性に影響を及ぼす振動影響要素となるから、互いに対して平行に距離ｄ５＝λ／２以上離されている。
【００４３】
以上のような構造を有するラダーフィルタ１は、電気的には、図５で示すように構成されている。すなわち、第１振動部４は、図５の第１フィルタ素子４であり、第２振動部５は、第２フィルタ素子５となる。そのラダーフィルタ１の入力部ＩＮは、第１振動部４における入力部１１ｃに対応する。ラダーフィルタ１の出力部ＯＵＴは、第２振動部５における出力部１３ｄに対応する。ラダーフィルタ１の接地部ＧＮＤは、第２振動部５における接地部１２ｃに対応する。
【００４４】
このようにして本実施の形態では、例えば、第１振動部４からみると、前記振動影響要素から少なくともλ／２離されている。その結果、第１振動部４の振動特性は、横軸に周波数、縦軸にインピーダンスであらわす図６で示すように、振動特性が他の振動影響要素であるダイヤフラム固定端や他の振動部の影響を受けることなく、その振動特性を発揮することができるようになる。つまり、特性線▲１▼は、振動影響要素からの離間距離が０．４８λの場合であり、これはλ／２以下であるから、スプリアスが生じている。特性線▲２▼は、振動影響要素からの離間距離が１．０λの場合であり、これはλ／２以上であるから、スプリアスが生じていない。特性線▲３▼は、振動影響要素からの離間距離が４．０λの場合であり、これはλ／２以上であるから、スプリアスが全く生じていない。
【００４５】
また、第１振動部４と振動影響要素との離間距離は、好ましくは、上記のように少なくともλ／２であるが、より好ましくは、前記振動影響要素から少なくとも１λ離される。第２振動部５も第１振動部４と同様である。
【００４６】
したがって、本実施の形態による場合、ダイヤフラム３を小さくしても、振動部４、５を振動影響要素の影響を受けることなくダイヤフラム３上に設置できるから、その小型化を図ることに大きく貢献することができる。
【００４７】
また、第１振動部４と振動影響要素との離間距離は、より好ましくは、前記振動影響要素から３λ以内の距離で離される。第２振動部５も第１振動部と同様である。
【００４８】
第１振動部４もしくは第２振動部５と振動影響要素との離間距離を３λ以内とすることで、共振子と共振子との間での配線抵抗、配線によるインダクタ成分の発生と、それによる特性劣化を防止することができる。
【００４９】
振動の干渉を防ぐために間隔を３λよりも広げると、共振子間の配線が長くなり、配線抵抗、配線によるインダクタ成分が共振子と共振子との間に入ってしまい、この結果、特性劣化が発生する。特に、直列共振子間に配線抵抗が入ると、挿入損失の増加につながってしまう。
【００５０】
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく種々な応用や変形が考えられる。
【００５１】
（１）図７は、本発明の他の実施形態に係る圧電フィルタとしてのラダーフィルタの平面図、図８は、図７のＤ−Ｄ線に沿う断面図、図９は図７のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。これらの図に示される実施形態の場合、ダイヤフラム３下面に該ダイヤフラム３の機械的強度を補強する梁１５が設けられている。このような梁１５は、両振動部４、５にとり、振動影響要素となる。つまり、振動部４における上側電極１１の右側側面１１ｂは、梁１５の左側側面１５ａから平行に距離ｄ６＝λ／２以上離され、振動部５における上側電極１２の左側側面１２ｂは、梁１５の左側側面１５ａから平行に距離ｄ７＝λ／２以上離されている。
【００５２】
梁１５の形成手法は、基板２に開口６をエッチングで形成するときに、その梁１５のところを残すようにするなど、種々に考えられる。
【００５３】
（２）図１０は、本発明のさらに他の実施形態に係る圧電フィルタとしてのラダーフィルタの平面図、図１１は、図１０のＡ−Ａ線に沿う断面図、図１２は、図１０のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図１２は、図１０のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【００５４】
これらの図を参照して、この実施の形態のラダーフィルタ２１は、基板２２と、第１および第２振動部２４，２５とを有する。
【００５５】
この場合、基板２２と、第１の振動部２４とで１つの圧電共振子が、また、基板２２と、第２の振動部２５とでもう１つの圧電共振子が、それぞれ、構成されていることにもなる。
【００５６】
基板２２は、Ｓｉなどの材料からなる基板であり、エッチング技術などで形成された凹部２６を有する。
【００５７】
基板２２の凹部２６は、平面視縦長とされた矩形形状であり、その内周縁は、前記両振動部それぞれの振動特性に影響する要素(以下、振動影響要素という)とされる。なお、図中、２３は、酸化珪素などの絶縁層である。
【００５８】
各振動部２４、２５は、それぞれ、所要の成膜技術その他により凹部２６を覆う状態で基板２２上面に設けられ、かつ、左右一対の上側電極３１、３２と単一の下側電極３３との間に少なくとも１層のＺｎＯ薄膜などからなる圧電薄膜３４を介装して構成されている。
【００５９】
この振動部２４、２５においては、圧電薄膜３４に加えて他の薄膜を適宜、１つないしそれ以上に積層したものや、その他の形態があるが、この実施の形態の振動部２４、２５は、単に、その一例を示したにすぎず、実施形態に限定されるものではない。また、各振動部２４、２５の成膜方法は公知の手法でよく、その説明は省略する。
【００６０】
これら振動部２４、２５は、互いに協働して所要の周波数帯域に対してフィルタリング動作する図１４で示すようなラダーフィルタ２１を構成するように相互に接続されている。
【００６１】
第１振動部２４の上側電極３１は、一定の電極幅でその左側面３１ａは凹部２６の左側上端縁から平行に距離ｄ１＝λ／２(振動波長の半分の波長のことで、λは振動波長)以上離され、その下端側は基板２２上に延ばされてラダーフィルタ１の電気信号の入力部(ＩＮ)３１ｃとされている。
【００６２】
第２振動部２５の上側電極３２は、一定の電極幅でその右側側面３２ａは凹部の右側上端縁から平行に距離ｄ２＝λ／２以上離され、その上端側は基板２上に延ばされてラダーフィルタ２１の電気的な接地部(ＧＮＤ)３２ｃとされている。
【００６３】
両振動部２４、２５それぞれの下側電極３３は、共通に接続されているとともに、その上側側面３３ａは、凹部２６の上側上端縁２８から平行に距離ｄ３＝λ／２以上離され、その下側側面１３ｂは、凹部２６の下側上端縁３０から平行に距離ｄ４＝λ／２以上離され、その右側端は基板２上に延ばされてラダーフィルタ１の電気信号の出力部(ＯＵＴ)３３ｄとされている。
【００６４】
また、両振動部２４、２５それぞれ同士は、互いが自身の振動特性に影響を及ぼす振動影響要素となるから、互いに対して平行に距離ｄ５＝λ／２以上離されている。
【００６５】
以上のような構造を有するラダーフィルタ１は、電気的には、図１４で示すように構成されている。すなわち、第１振動部２４は、図１４の第１フィルタ素子２４であり、第２振動部２５は、第２フィルタ素子２５となる。そのラダーフィルタ２１の入力部ＩＮは、第１振動部２４における入力部３１ｃに対応する。ラダーフィルタ２１の出力部ＯＵＴは、第２振動部２５における出力部３３ｄに対応する。ラダーフィルタ２１の接地部ＧＮＤは、第２振動部２５における接地部３２ｃに対応する。
【００６６】
このようにして本実施の形態では、第１振動部２４や第２振動部２５からみると、振動影響要素から少なくともλ／２離されている。その結果、第１振動部２４や第２振動部２５は、振動影響要素である凹部上端縁や他の振動部の影響を受けることなく、その振動特性を発揮することができるようになる。
【００６７】
また、第１振動部２４と振動影響要素との離間距離は、より好ましくは、前記振動影響要素から３λ以内の距離に離される。第２振動部２５も第１振動部と同様である。
【００６８】
第１振動部２４もしくは第２振動部２５と、振動影響要素との離間距離を３λ以内とすることで、共振子と共振子との間での配線抵抗、配線によるインダクタ成分の発生と、それによる特性劣化を防止することができる。
【００６９】
振動の干渉を防ぐために間隔を３λよりも広げると、共振子間の配線が長くなり、配線抵抗、配線によるインダクタ成分が共振子と共振子との間に入ってしまい、この結果、特性劣化が発生する。特に、直列側共振子間に配線抵抗が入ると、挿入損失の増加につながってしまう。
【００７０】
（３）上述の実施形態の場合、圧電フィルタとしてラダーフィルタの一例を示したが、図１５（ａ）で示されるπ型フィルタや、図１５（ｂ）で示されるＴ型フィルタ、図１５（ｃ）で示される２連のＬ型フィルタのラダーフィルタなどに対しても同様に、基板２上における振動部の配置や個数およびそれぞれの振動部が備える電極の接続を変更することで、振動部を、振動影響要素である例えばダイヤフラム固定端や、凹部上端縁や、他の振動部などから少なくともλ／２離すことで適用することができる。
【００７１】
（４）本発明にかかるデュプレクサについて説明する。図１６に示されるようなデュプレクサ５０は、アンテナ端子５１、受信側端子５２および送信側端子５３が設けられている。受信側端子５２および送信側端子５３と、アンテナ端子５１との間に所要周波数帯域の通過のみ許す本発明にかかる圧電共振子または圧電フィルタを含む構成となっている。
【００７２】
（５）上述した各実施形態に係る圧電共振子やフィルタ１を携帯電話や無線ＬＡＮやその他、あらゆる各種電子通信機器に搭載することで、当該電子通信機器の電子通信動作に使用することができる。その電子通信機器５４の概略が図１７に示されている。この電子通信機器５４は、本体に備えられる受信回路５５と、送信回路５６と、アンテナ５７とを備えている。また、アンテナ５７と送信回路５６および受信回路５５とは、上記（４）で示したようなデュプレクサ５０を介して振動伝送がなされる。
【００７３】
（６）上述の各実施形態における振動影響要素は、ダイヤフラム固定端や凹部上端縁や他の振動部であったが、本発明は、このような振動影響要素に限定されるものではなく、要するに、任意の振動部の振動特性に影響を及ぼし得るものであれば、そのすべてを含む。
【００７４】
（７）なお、上述した圧電共振子やフィルタは、前記振動部４や５を、その振動特性に影響する要素であるダイヤフラム固定端７〜１０や他の振動部から少なくともλ／２離してダイヤフラム３上に設ける工程により製造するようにしてもよい。
【００７５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板と、基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部を複数、有する圧電共振子や圧電フィルタにおいて、振動部が、その振動特性に影響する要素から少なくともλ／２(ただし、λは、振動波長)離されていることから、振動部を例えば開口部端部などに近付け過ぎた場合のようにその振動特性に対する不当な影響を開口部端部などの要素から受けることがなくなり、容易にその振動特性を保持しつつその小型化が図れた圧電共振子や圧電フィルタにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る圧電フィルタとしてのラダーフィルタの構造の要部を示す平面図
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図、
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図
【図４】図１のＣ−Ｃ線断面図
【図５】図１のラダーフィルタの電気的等価回路図
【図６】図１のラダーフィルタの電気的特性を示す図
【図７】本発明の他の実施形態に係る圧電フィルタとしてのラダーフィルタの構造の要部を示す平面図
【図８】図７のＤ−Ｄ線に沿う断面図
【図９】図７のＥ−Ｅ線に沿う断面図
【図１０】本発明の他の実施形態に係る圧電フィルタとしてのラダーフィルタの構造の要部を示す平面図
【図１１】図１０のＡ−Ａ線に沿う断面図
【図１２】図１０のＢ−Ｂ線に沿う断面図
【図１３】図１０のＣ−Ｃ線に沿う断面図
【図１４】図１０のラダーフィルタの電気的等価回路図
【図１５】本発明の他の実施形態に係る圧電フィルタとしてのπ型フィルタ（ａ），Ｔ型フィルタ（ｂ），２連のＬ型フィルタの電気的等価回路図
【図１６】本発明のデュプレクサの概略説明図
【図１７】本発明の電子通信機器の一例を示す概略説明図
【符号の説明】
１  ラダーフィルタ
２  基板
４  第１振動部
５  第２振動部
７〜１０  要素
１１〜１３  電極
１４  圧電薄膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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