(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）
【化１】
0004006800.tif 000029
（式中、Ｒは水素原子又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、ｍは２〜６の整数を表し、Ｚはフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエトキシ基を表し、Ｘ１〜Ｘ５はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表すが、Ｘ１〜Ｘ５の少なくとも１個がフッ素原子を表す。）で表されるフェニルトラン誘導体。
【請求項２】
一般式（Ｉ）において、Ｒが水素原子を表し、ｍが２を表すところの請求項１記載のフェニルトラン誘導体。
【請求項３】
一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子を表すところの請求項２記載のフェニルトラン誘導体。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載の一般式（Ｉ）で表されるフェニルトラン誘導体を含有する液晶組成物。
【請求項５】
ネマチック相を示すことを特徴とする請求項４記載の液晶組成物。
【請求項６】
請求項４又は５記載の液晶組成物を構成要素とする液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は新規液晶性化合物である、フェニルトラン誘導体及びそれを含有する液晶組成物に関するものであり、これらは電気光学的液晶表示用、特にネマチック液晶表示用材料として有用である。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等があり、また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、さらに単純マトリックス方式、最近では最も高精細の表示が可能なアクティブマトリックス方式が実用化されている。これらの表示方式、駆動方式に応じて、液晶材料としても種々の特性が要求されているが、（１）温度範囲が広いこと。（２）粘性が小さく高速の応答が可能であること。（３）駆動電圧が低いこと。はすべての方式に共通して重要である。このうち（１）には（１ａ）ネマチック相上限温度（ＴN-I）が高いこと、及び（１ｂ）融点が低く、結晶化あるいは析出等の相分離を生じ難いことが含まれる。
【０００３】
ところで、液晶素子の駆動電圧は一般に液晶材料の誘電率異方性（Δε）の平方根に逆比例するので、低電圧駆動のためには液晶材料のΔεを大きくしなければならない。そのために強い極性基を分子長軸方向に導入する必要があるが、通常極性基としてはシアノ基が用いられていた。しかしながら、シアノ基を含有する液晶化合物では粘性が大きく、またアクティブマトリックス駆動の場合に重要となる高い電圧保持率（ＨＲ）を得ることも困難である。従って、これらの低粘性あるいは高ＨＲを必要とする材料用としては、極性基としてシアノ基に換えてフッ素原子、塩素原子あるいはトリフルオロメトキシ基等が用いられている。ところが、これらフッ素原子等による極性はシアノ基と比較すると小さく、それだけでは充分大きいΔεを得ることはできない。従って、分子中のベンゼン環にさらに１個以上のフッ素原子を同一方向に導入する必要がある。そこで複数のフッ素原子で置換されたフェニレン骨格を有する液晶化合物が多数開発されている。
【０００４】
一方、液晶材料にとって屈折率異方性（Δｎ）も非常に重要な特性である。特に高速の応答を達成するためにセル厚を薄くする場合や、反射型の液晶素子、あるいはポリマー分散型の液晶素子等の場合にはΔｎの大きい液晶材料を必要とすることが多い。
【０００５】
これらの条件を比較的よく満足できる液晶化合物として一般式（Ａ）
【０００６】
【化２】
0004006800.tif 000002
【０００７】
（式中、Ｒaはアルキル基を、Ｘa及びＸbはそれぞれ独立的にフッ素原子あるいは水素原子を表し、シクロヘキサン環はトランス配置である。）で表されるシクロヘキシルトラン誘導体が知られている。しかしながら、この一般式（Ａ）の化合物のΔｎはたかだか０．２程度であり、決して充分満足できるものではない。従って、さらに大きいΔｎを有する液晶化合物が求められている。
【０００８】
一般式（Ｂ）
【０００９】
【化３】
0004006800.tif 000003
【００１０】
（式中、Ｒbはアルキル基を、Ｘc及びＸdはそれぞれ独立的にフッ素原子あるいは水素原子を表す。）で表されるフェニルトラン誘導体はこの点を改善した化合物であり、Δｎが０．３程度と非常に大きいうえに、大きいΔεを得ることができるので上記用途には特に有用である。
【００１１】
ところが、この一般式（Ｂ）のフェニルトラン誘導体には、融点が非常に高く他の液晶化合物との相溶性が充分でないという問題点があった。そのため、Δεが大きくて駆動電圧が低く、かつΔｎが非常に大きく、加えてネマチック相温度範囲が高温まで広くて低温に放置しても相分離や析出の生じないような組成物の調製はかなり困難であった。
【００１２】
同様なフェニルトラン骨格とその特長を有しながら、よりＴN-Iが高く、かつ他の液晶化合物の相溶性が改善された化合物として、本発明者らは先に、一般式（Ｃ）
【００１３】
【化４】
0004006800.tif 000004
【００１４】
（式中、Ｒcはアルキル基を、Ｘeはフッ素原子あるいは水素原子を表す。）で表されるフェニルトラン誘導体を報告（特願平８−１５５３６５号）した。しかしながら、この一般式（Ｃ）の化合物の場合もその応答性に関しては一般式（Ｂ）の化合物の場合と比較して充分改善されたものとは言えなかった。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明が解決しようとする課題は、以上の目的に応じるため、複数のフッ素原子により置換されたフェニルトラン骨格を有する新規液晶性化合物を提供し、さらにこれを用いて、Δεが大きくて駆動電圧が低く、Δｎが大きく、応答性に優れ、さらに液晶温度範囲が広い、特に低温で析出、相分離等が生じにくい液晶組成物を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するために、
１．一般式（Ｉ）
【００１７】
【化５】
0004006800.tif 000005
【００１８】
（式中、Ｒは水素原子又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表し、ｍは２〜６の整数を表し、Ｚはフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエトキシ基を表し、Ｘ1〜Ｘ5はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表す。）で表されるフェニルトラン誘導体。
２．一般式（Ｉ）において、Ｒが水素原子を表し、ｍが２を表すところの上記１記載のフェニルトラン誘導体。
３．一般式（Ｉ）において、Ｚがフッ素原子を表すところの上記２記載のフェニルトラン誘導体。
４．一般式（Ｉ）において、Ｘ1〜Ｘ5の少なくとも１個がフッ素原子を表すところの上記３記載のフェニルトラン誘導体。
５．上記１、２、３又は４記載の一般式（Ｉ）で表されるフェニルトラン誘導体を含有する液晶組成物。
６．ネマチック相を示すことを特徴とする上記５記載の液晶組成物。
７．上記５又は６記載の液晶組成物を構成要素とする液晶表示素子。
を前記課題の解決手段として見出した。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の一例について説明する。
本発明は、一般式（Ｉ）
【００２０】
【化６】
0004006800.tif 000006
【００２１】
で表されるフェニルトラン誘導体を提供する。
式中、Ｒは水素原子又は炭素原子数１〜１２のアルキル基を表すが、水素原子又はメチル基が好ましく、特に水素原子が好ましい。また、Ｒがアルキル基の場合には二重結合の立体はトランス及びシス配置が存在するが、トランス配置が好ましい。ｍは２〜６の整数を表すが、２が特に好ましい。従って、側鎖基としては３−ブテニル基が最も好ましい。Ｚはフッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又は２，２，２−トリフルオロエトキシ基を表すが、フッ素原子、塩素原子又はトリフルオロメトキシ基が好ましく、フッ素原子が特に好ましい。Ｘ1〜Ｘ5はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表すが、少なくとも１個はフッ素原子を表すことが好ましく、Ｘ1〜Ｘ4の少なくとも１個がフッ素原子であることがより好ましく、Ｘ1〜Ｘ2の少なくとも１個がフッ素原子であることがさらに好ましい。
【００２２】
以上のように（Ｉ）の化合物はそのＲ、ｍ、Ｘ1〜Ｘ5及びＺの選択により多くの化合物を含みうるわけであるが、これらの中で以下の式（Ｉ−１）〜式（Ｉ−１４）の化合物が好ましい。
【００２３】
【化７】
0004006800.tif 000007
【００２４】
これらの中では式（Ｉ−１）〜式（Ｉ−８）の化合物が好ましく、式（Ｉ−１）及び式（Ｉ−２）が特に好ましい。
一般式（Ｉ）の化合物は例えば以下のようにして製造することができる。
【００２５】
一般式（ＩＩ）
【００２６】
【化８】
0004006800.tif 000008
【００２７】
（式中、Ｘ1〜Ｘ4及びＺは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表される４−エチニルビフェニル誘導体と、一般式（ＩＩＩ）
【００２８】
【化９】
0004006800.tif 000009
【００２９】
（式中、Ｒ、ｍ及びＸ5は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Ｗは臭素原子又はヨウ素原子のハロゲン原子を表す。）で表されるアルケニルベンゼン誘導体とを触媒存在下に反応させることにより得ることができる。
【００３０】
触媒としてはパラジウム(0)錯体あるいはパラジウム(II)化合物等とヨウ化銅(I)等の銅(I)塩が併用される。反応は溶媒中で行われるが、溶媒としてはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）等の非プロトン性極性溶媒が好ましく、トリエチルアミン等の塩基性溶媒が通常併用される。
【００３１】
ここで、一般式（ＩＩ）の４−エチニルビフェニル誘導体は、一般式（ＩＶ）
【００３２】
【化１０】
0004006800.tif 000010
【００３３】
（式中、Ｘ3及びＸ4は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Ｗ’はヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニル基、メタンスルホニル基又はパラトルエンスルホニル基等の脱離基を表す。）で表されるブロモベンゼン誘導体をパラジウム系触媒存在下に一般式（Ｖ）
【００３４】
【化１１】
0004006800.tif 000011
【００３５】
（式中、Ｚ、Ｘ1及びＸ2は一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、ＭはＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ又はＭｇＩを表す。）のグリニヤール反応剤と反応させることにより一般式（ＶＩ）
【００３６】
【化１２】
0004006800.tif 000012
【００３７】
（式中、Ｘ1〜Ｘ4及びＺは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）で表されるビフェニル誘導体を得て、これを一般式（ＩＩ）と一般式（ＩＩＩ）の反応と同様に、パラジウム触媒及び銅(I)塩の存在下に２−メチル−３−ブチン−２−オールと反応させ、次いでアルカリ存在下に加熱することにより容易に得ることができる。
【００３８】
ここで中間体である一般式（ＶＩ）の化合物は対応する一般式（ＶＩ’）
【００３９】
【化１３】
0004006800.tif 000013
【００４０】
（式中、Ｘ1〜Ｘ4及びＺは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表す。）の化合物を直接臭素化するか、あるいはニトロ化した後還元し、次いで臭化水素酸等の存在下に亜硝酸塩と反応させることによっても得ることができる。また、臭素化に換えて、直接ヨウ素化し、得られたヨウ化ビフェニル誘導体を一般式（ＶＩ）の化合物に換えて用いても差し支えない。
【００４１】
あるいは一般式（ＩＩ）の化合物は前述の一般式（ＶＩ’）の化合物をアセチル化した後、塩化チオニル等の塩素化剤と反応させ、次いで強塩基で脱塩化水素することによっても得ることができる。
【００４２】
また、一般式（ＩＩＩ）のアルケニルベンゼン誘導体は一般式（ＶＩＩ）
【００４３】
【化１４】
0004006800.tif 000014
【００４４】
（式中、Ｘ5及びＷは前述の意味を表し、Ｗ”は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニル基、メタンスルホニル基又はパラトルエンスルホニル基等の脱離基を表す。）で表される化合物に、一般式（ＶＩＩＩ）
【００４５】
【化１５】
0004006800.tif 000015
【００４６】
（式中、Ｒ及びｍは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表し、Ｍ’はＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ又はＬｉを表す。）の有機金属反応剤と反応させることにより得ることができる。
【００４７】
かくして得られる本発明の一般式（Ｉ）の化合物は大きいΔεを有し、前述の一般式（Ａ）のシクロヘキシルトラン誘導体に対して大きいΔｎを示し、一般式（Ｂ）のフェニルトラン誘導体に対して改善された相溶性を示し、さらに一般式（Ｃ）のフェニルトラン誘導体に対して改善された応答性を示す。また、シアノ基等の強い極性基が存在しないため、高い電圧保持率（ＨＲ）を得ることも容易である。従って、駆動電圧が低く、温度範囲が広く、粘性が小さく高速応答が可能で、かつ低温でも析出や相分離の生じにくい液晶組成物をより容易に調製することが可能であり、液晶材料として特に有用である。
【００４８】
本発明の化合物である３，４，５−トリフルオロ−４’−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル（Ｉ−１）
【００４９】
【化１６】
0004006800.tif 000016
【００５０】
は融点は６８℃とフェニルトラン誘導体としては低く、１１８℃以下でＮ（ネマチック）相を示す。この化合物の２０重量％及び温度範囲が広く低粘性で、特にアクティブマトリックス駆動用としても好適なホスト液晶（Ｈ）
【００５１】
【化１７】
0004006800.tif 000017
【００５２】
（式中、％は重量％を表す。）
の８０重量％からなる液晶組成物（Ｈ−１）を調製したところ１１４℃以下でＮ相を示した。この（Ｈ−１）を室温で保存したところ１週間以上経過しても結晶の析出や相分離は観察できなかった。次に（Ｈ−１）のΔεを測定したところ、５．７であった。また、（Ｈ−１）のΔｎは０．１３６であった。ホスト液晶（Ｈ）のΔｎは０．０９０であるので約０．０４５大きくすることができた。次にこの（Ｈ−１）を厚さ６．０μｍのＴＮセルに封入してその電気光学的応答（立ち上がり時間と、立ち下がり時間が等しくなるような電圧印加時）を測定したところ、２２．９ｍ秒であった。ホスト液晶（Ｈ）の応答が２５．３ｍ秒であるので約１０％も高速化されていることがわかる。
【００５３】
これに対して、一般式（Ａ）で表されるシクロヘキシルトラン誘導体である式（Ａ−１）
【００５４】
【化１８】
0004006800.tif 000018
【００５５】
の化合物をホスト液晶（Ｈ）に同量（２０重量％）添加して比較用液晶組成物（Ｈ−Ａ）を調製した。（Ｈ−Ａ）のＴN-Iは１１０．５℃で（Ｈ−１）より３．５°低くなった。また、この（Ｈ−Ａ）のΔｎは０．１１４であり、（Ｈ−１）に対して０．０２以上も小さくなった。さらに同様にして測定した電気光学的応答は２５．７ｍ秒とホスト液晶（Ｈ）よりも遅くなった。
【００５６】
次に、一般式（Ｂ）で表される化合物である式（Ｂ−１）
【００５７】
【化１９】
0004006800.tif 000019
【００５８】
の化合物をホスト液晶（Ｈ）に同量（２０重量％）添加して比較用液晶組成物（Ｈ−Ｂ）を調製した。（Ｈ−Ｂ）のＴN-Iは１１３℃で（Ｈ−１）に近く、Δｎも０．１３３と（Ｈ−１）に近い大きい値を示したが、室温で放置すると１日以内に結晶が析出してしまった。
【００５９】
さらに、一般式（Ｃ）で表され、本発明の式（Ｉ−１）の化合物と類似した構造を有する式（Ｃ−１）
【００６０】
【化２０】
0004006800.tif 000020
【００６１】
の化合物をホスト液晶（Ｈ）に同量（２０重量％）添加して比較用液晶組成物（Ｈ−Ｃ）を調製した。（Ｈ−Ｃ）のＴN-Iは１１２℃で（Ｈ−１）よりやや低く、Δｎは０．１３６と（Ｈ−１）と同じ値を示し、室温で放置しても結晶の析出は観察されなかった。しかしながら、同様にして電気光学的応答を測定したところ、２４．４ｍ秒とホスト液晶（Ｈ）よりは高速となったものの、（Ｈ−１）と比較するとかなり遅くなった。
【００６２】
以上のように、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は一般式（Ａ）のシクロヘキシルトラン誘導体と比較して大きいΔｎと、一般式（Ｂ）のフェニルトラン誘導体と比較して優れた相溶性、さらに一般式（Ｃ）のフェニルトラン誘導体と比較して優れた応答性をあわせ有することがわかる。
【００６３】
以上のように、一般式（Ｉ）の化合物は、他のネマチック液晶化合物との混合物の状態で、特にＴＮ型あるいはＳＴＮ型といった電界効果型表示セルの材料として、好適に使用することができる。さらに一般式（Ｉ）の化合物は、分子内にシアノ基等の強い極性基を持たないので、大きい比抵抗と高い電圧保持率を得ることが容易であり、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構成成分としても有用である。本発明はこのように一般式（Ｉ）で表される化合物の少なくとも１種類をその構成成分として含有する特にネマチック液晶組成物をも提供するものである。
【００６４】
この組成物中において、一般式（Ｉ）の化合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息香酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４−置換フェニル、４−置換シクロヘキサンカルボン酸４’−置換ビフェニリル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換フェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロヘキシル、４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換テルフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジン及び上記各化合物においてベンゼン環が側方置換基を有する化合物等を挙げることができる。
【００６５】
このうちアクティブマトリックス駆動用としては４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−置換ベンゼン、４，４’−置換ビシクロヘキサン、１−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４−置換ベンゼン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、４，４”−置換テルフェニル、４−（４−置換シクロヘキシル）−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−（４−置換フェニル）−４’−置換ビシクロヘキサン、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］−４’−置換ビフェニル、４−［２−（４−置換シクロヘキシル）エチル］シクロヘキシル−４’−置換ベンゼン、４−［２−（４−置換フェニル）エチル］−４’−置換ビシクロヘキサン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−置換ベンゼン、１−（４−置換フェニルエチニル）−４−（４−置換シクロヘキシル）ベンゼン及び上記においてベンゼン環がフッ素置換されている化合物が適している。
【００６６】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００６７】
化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル（ＮＭＲ）、質量スペクトル（ＭＳ）及び赤外吸収スペクトル（ＩＲ）により確認した。また転移温度の測定はホットステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を併用して行った。なお、組成物の％は重量％を表す。
（参考例１）  ３，４，５−トリフルオロ−４’−ブロモビフェニルの合成
【００６８】
【化２１】
0004006800.tif 000021
【００６９】
乾燥したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）８ｍｌ中に削り状マグネシウム３．９ｇを加えた。これに１−ブロモ−３，４，５−トリフルオロベンゼン２８ｇのＴＨＦ１２０ｍｌ溶液を、穏やかな還流が持続する速度で滴下した。さらに還流温度で１時間加熱撹拌した。室温に放冷後、過剰未反応のマグネシウムを濾別してグリニヤール反応剤のＴＨＦ溶液を得た。
【００７０】
１−ヨード−４−ブロモベンゼン２５ｇ及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(0)２．０ｇをＴＨＦ１００ｍｌに溶解した。これに上記で得られたグリニヤール反応剤を室温で３時間かけて滴下し、さらに１時間室温で撹拌した。稀塩酸を水層が酸性になるまで加え、次に酢酸エチル３００ｍｌを加えた。有機層を分離後、水で洗滌し、無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した。溶媒を溜去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製して３，４，５−トリフルオロ−４’−ブロモビフェニルの白色結晶２０．２ｇを得た。
融点：６８℃
ＭＳ：ｍ／ｅ＝２８６（Ｍ＋）、２８８
（参考例２）  ３，４，５−トリフルオロ−４’−エチニルビフェニルの合成
【００７１】
【化２２】
0004006800.tif 000022
【００７２】
参考例１で得られた３，４，５−トリフルオロ−４’−ブロモビフェニル１０．０ｇと２−メチル−３−ブチン−２−オール３．９ｇをジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）５０ｍｌ及びトリエチルアミン１０ｍｌに溶解した。テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)０．４ｇ及びヨウ化銅(I)０．１ｇを加え、７０℃で１時間攪拌した。室温まで放冷し、トルエン５０ｍｌを加え、水、飽和食塩水で、順次洗滌した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去し、トルエン５０ｍｌとナトリウムメトキシド０．４ｇを加え、１時間加熱還流させた。室温まで放冷し、水、飽和食塩水で順次洗滌した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、３，４，５−トリフルオロ−４’−エチニルビフェニル４．７ｇを得た。
（実施例１）３，４，５−トリフルオロ−４’−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル（Ｉ−１）の合成
【００７３】
【化２３】
0004006800.tif 000023
【００７４】
参考例２で得られた３，４，５−トリフルオロ−４’−エチニルビフェニル４．０ｇをＤＭＦ２０ｍｌ及びトリエチルアミン４ｍｌに溶解した。テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)０．２ｇ及びヨウ化銅(I)０．１ｇを加え、４−ヨード−１−（３−ブテニル）ベンゼン５．０ｇ（この化合物は４−ブロモ−１−（３−ブテニル）ベンゼンから調製したグリニヤール反応剤をヨウ素と反応させることにより合成した。）のＤＭＦ１６ｍｌ溶液を２０から３０℃を保つ速度で滴下した。さらに２５℃で１時間攪拌した後、トルエン５０ｍｌを加え、水、飽和食塩水で順次洗滌した。無水硫酸ナトリウムで脱水乾燥した後、溶媒を溜去して、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製して、さらにエタノールから再結晶して３，４，５−トリフルオロ−４’−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニルの白色結晶４．５ｇを得た。この化合物の融点は６８℃であり、１１８℃までＮ（ネマチック）相を示した。
【００７５】
同様にして以下の化合物を得た。
３，４，５−トリフルオロ−４’−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，４，５−トリフルオロ−４’−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，４，５−トリフルオロ−４’−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
（実施例２）  ３，４−ジフルオロ−４’−［２−（４−プロピル）フェニル］エチニル］ビフェニル（Ｉ−２）の合成
参考例１において１−ブロモ−３，４，５−トリフルオロベンゼンに換えて、１−ブロモ−３，４−ジフルオロベンゼンを用いることにより３，４−ジフルオロ−４’−ブロモビフェニルを得た。これを参考例２における３，４，５−トリフルオロ−４’−ブロモビフェニルに換えて用い、さらに実施例１と同様に反応させることにより３，４−ジフルオロ−４’−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニルの白色結晶を得た。
【００７６】
同様にして以下の化合物を得た。
３，４−ジフルオロ−４’−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，４−ジフルオロ−４’−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，４−ジフルオロ−４’−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，４’−ジフルオロ−４−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，４’−ジフルオロ−４−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，４’−ジフルオロ−４−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニルビフェニル
２，４’−ジフルオロ−４−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，３’，４’−トリフルオロ−４−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，３’，４’−トリフルオロ−４−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，３’，４’−トリフルオロ−４−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，３’，４’−トリフルオロ−４−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６，４’−トリフルオロ−４−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６，４’−トリフルオロ−４−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６，４’−トリフルオロ−４−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６，４’−トリフルオロ−４−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６，３’，４’−テトラフルオロ−４−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６，３’，４’−テトラフルオロ−４−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６，３’，４’−テトラフルオロ−４−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６，３’，４’−テトラフルオロ−４−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，４，５，２’−テトラフルオロ−４’−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，４，５，２’−テトラフルオロ−４’−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，４，５，２’−テトラフルオロ−４’−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，４，５，２’−テトラフルオロ−４’−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６，３’，４’，５’−ペンタフルオロ−４−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６，３’，４’，５’−ペンタフルオロ−４−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６，３’，４’，５’−ペンタフルオロ−４−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６，３’，４’，５’−ペンタフルオロ−４−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３−フルオロ−４−クロロ−４’−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３−フルオロ−４−クロロ−４’−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３−フルオロ−４−クロロ−４’−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３−フルオロ−４−クロロ−４’−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，５−ジフルオロ−４−クロロ−４’−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，５−ジフルオロ−４−クロロ−４’−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，５−ジフルオロ−４−クロロ−４’−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，５−ジフルオロ−４−クロロ−４’−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４’−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４’−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４’−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４’−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４’−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４’−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４’−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシ−４’−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６−ジフルオロ−４’−クロロ−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６−ジフルオロ−４’−クロロ−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６−ジフルオロ−４’−クロロ−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６−ジフルオロ−４’−クロロ−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６−ジフルオロ−４’−  トリフルオロメトキシ−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６−ジフルオロ−４’−  トリフルオロメトキシ−［２−［４−（４−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６−ジフルオロ−４’−  トリフルオロメトキシ−［２−［４−（トランス−３−ペンテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
２，６−ジフルオロ−４’−  トリフルオロメトキシ−［２−［４−（５−ヘキセニル）フェニル］エチニル］ビフェニル
（実施例３）液晶組成物の調製
温度範囲が広く、低粘性で高速応答が可能であり、アクティブマトリックス駆動用としても好適であるホスト液晶（Ｈ）
【００７７】
【化２４】
0004006800.tif 000024
【００７８】
を調製した。このホスト液晶（Ｈ）の融点は１１℃であり、ネマチック相上限温度（ＴN-I）は１１６．７℃であった。その物性値およびこれを用いて作成したセル厚６μｍのＴＮセルにおける電気光学的応答時間（τ）ならびに閾値電圧（Ｖｔｈ）は以下の通りであった。
【００７９】
誘電率異方性（Δε）        ４．８
屈折率異方性（Δｎ）        ０．０９０
応答時間（τ）            ２５．３ｍ秒
閾値電圧（Ｖｔｈ）          ２．１４Ｖ
ここで応答時間は立ち上がり時間（τｒ）と立ち下がり時間（τｄ）とが等しくなるような電圧印加時の測定値である。
【００８０】
このホスト液晶（Ｈ）の８０％と実施例１で得られた３，４，５−トリフルオロ−４’−［２−［４−（３−ブテニル）フェニル］エチニル］ビフェニル（Ｉ−１）
【００８１】
【化２５】
0004006800.tif 000025
【００８２】
２０％からなる液晶組成物（Ｈ−１）を調製した。同様にして測定したＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその特性値は以下の通りとなった。
ＴN-I              １１４．０℃
Δε                    ５．７
Δｎ                    ０．１３６
τ                    ２２．９ｍ秒
Ｖｔｈ                  ２．１３Ｖ
このようにΔｎはホスト液晶（Ｈ）と比較して約０．０４５も大きくすることが可能となり、応答時間もホスト液晶（Ｈ）に対して約１０％も短縮高速化することができた。さらにＴN-Iは約７゜上昇しているうえに、Ｖｔｈは約０．２Ｖも低減されていることがわかる。
【００８３】
次に、この（Ｈ−１）を室温で保存したところ１週間以上経過しても結晶の析出や相分離は観察できなかった。従って、本発明の式（Ｉ−１）の化合物はホスト液晶（Ｈ）に対して良好な溶解性を待つことがわかる。
（比較例１）
前述の一般式（Ａ）で表されるシクロヘキシルトラン誘導体であって本発明の式（Ｉ−１）の化合物と比較的類似構造を有する式（Ａ−１）
【００８４】
【化２６】
0004006800.tif 000026
【００８５】
の化合物をホスト液晶（Ｈ）に同量（２０％）添加して比較用液晶組成物（Ｈ−Ａ）を調製した。（Ｈ−Ａ）のＴN-Iは１１０．５℃で（Ｈ−１）より３．５°低くなった。また、この（Ｈ−Ａ）のΔｎは０．１１４であり、（Ｈ−１）に対して０．０２以上も小さくなった。さらに同様にして測定した電気光学的応答は２５．７ｍ秒とホスト液晶（Ｈ）よりも遅くなった。従って、本発明の一般式（Ｉ）の化合物のΔｎ増大効果及び応答改善効果は一般式（Ａ）の化合物よりはるかに優れていることがわかる。
（比較例２）
前述の一般式（Ｂ）で表されるフェニルトラン誘導体であって本発明の式（Ｉ−１）の化合物と比較的類似構造を有する式（Ｂ−１）
【００８６】
【化２７】
0004006800.tif 000027
【００８７】
の化合物をホスト液晶（Ｈ）に同量（２０％）添加して比較用液晶組成物（Ｈ−Ｂ）を調製した。（Ｈ−Ｂ）のＴN-Iは１１３℃で（Ｈ−１）に近く、Δｎも０．１３３と（Ｈ−１）に近い大きい値を示した。しかしながら、室温で放置すると１日以内に結晶が析出してしまった。従って、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は一般式（Ｂ）のフェニルトラン誘導体と比較して非常に改善された従来液晶に対する相溶性を有することがわかる。
（比較例３）
前述の一般式（Ｃ）で表されるフェニルトラン誘導体であって本発明の式（Ｉ−１）の化合物と類似構造を有する式（Ｃ−１）
【００８８】
【化２８】
0004006800.tif 000028
【００８９】
の化合物をホスト液晶（Ｈ）に同量（２０％）添加して比較用液晶組成物（Ｈ−Ｃ）を調製した。（Ｈ−Ｃ）のＴN-Iは１１２℃で（Ｈ−１）よりやや低く、Δｎは０．１３６と（Ｈ−１）と同じ値を示し、室温で放置しても結晶の析出は観察されなかった。しかしながら、同様にして電気光学的応答を測定したところ、２４．４ｍ秒とホスト液晶（Ｈ）よりは高速となったものの、（Ｈ−１）と比較するとかなり遅くなった。従って、本発明の一般式（Ｉ）の化合物の応答改善効果は一般式（Ｃ）の化合物と比較してより優れていることがわかる。
【００９０】
以上のように、本発明の一般式（Ｉ）の化合物は一般式（Ａ）のシクロヘキシルトラン誘導体と比較して大きいΔｎと、一般式（Ｂ）のフェニルトラン誘導体と比較して優れた相溶性、さらに一般式（Ｃ）のフェニルトラン誘導体と比較して優れた応答性をあわせ有することがわかる。
【００９１】
【発明の効果】
本発明により提供されるフェニルトラン誘導体は、実施例にも示したように工業的にも容易に製造することができる。得られたフェニルトラン誘導体は液晶性に優れ、従来の３環性トラン誘導体と比較して、屈折率異方性が大きく、汎用のホスト液晶との相溶性にも優れ、応答性の改善効果に優れるといった特長を併せ有する。従って、温度範囲が広く、低電圧駆動と高速応答が可能な液晶組成物を調製する上において極めて有用である。