(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
デオキシリボ核酸（ＤＮＡ）に電荷供給材料を結合させた導電性有機高分子であって、前記電荷供給材料が塩基に結合する電荷移動性物質及び電荷移動性物質に架橋剤を介して結合された電荷発生物質を含み、前記電荷移動性物質が白金錯体であり、前記電荷発生物質がアミン化合物であることを特徴とする導電性有機高分子。
【請求項２】
電荷移動性物質がＤＮＡの塩基に特異的に結合するものである請求項１記載の導電性有機高分子。
【請求項３】
電荷移動性物質がＤＮＡの所望の塩基に特異的に結合するものである請求項１記載の導電性有機高分子。
【請求項４】
白金錯体がシス−プラチナム（II）ジアミンジクロライドである請求項１記載の導電性有機高分子。
【請求項５】
アミン化合物のアミン基が、アミン化合物１分子あたり１〜１００個である請求項１記載の導電性有機高分子。
【請求項６】
アミン化合物が、コンゴーレッド、パラロザニリン及びチオニンから選ばれる１種または２種以上である請求項１又は５記載の導電性有機高分子。
【請求項７】
架橋剤が、４，４’−ジイソチオシアノ−２，２’−スチルベンジスルホン酸２ナトリウム塩（ＤＩＤＳ）又はエチレングリコール−Ｏ，Ｏ’−ビス（スクシンイミジルスクシネート（ＥＧＳ）である請求項１記載の導電性有機高分子。
【請求項８】
ＤＮＡが、塩基数２〜１０万のものである請求項１記載の導電性有機高分子。
【請求項９】
ＤＮＡが、一本鎖から四本鎖のものである請求項１又は８記載の導電性有機高分子。
【請求項１０】
ＤＮＡが、三つ又もしくは四つ又の分岐構造をもつものである請求項１、８又は９記載の導電性有機高分子。
【請求項１１】
２以上のＤＮＡが電荷供給材料により架橋されている構造である請求項１から１０のいずれか１項記載の導電性有機高分子。
【請求項１２】
２以上のＤＮＡが、塩基に結合する白金錯体を介して結合し、かつ、塩基に結合する白金錯体が架橋剤を介して結合している導電性有機高分子。
【請求項１３】
前記白金錯体は、所望の塩基に特異的に結合するものである請求項１２記載の導電性有機高分子。
【請求項１４】
白金錯体が、シス−プラチナム（II）ジアミンジクロライドである請求項１２又は１３記載の導電性有機高分子。
【請求項１５】
架橋剤が、４，４’−ジイソチオシアノ−２，２’−スチルベンジスルホン酸２ナトリウム塩（ＤＩＤＳ）又はエチレングリコール−Ｏ，Ｏ’−ビス（スクシンイミジルスクシネート（ＥＧＳ）である請求項１２記載の導電性有機高分子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＤＮＡを電子材料として利用する途を切り開く、ＤＮＡの導電率を向上させた導電性有機高分子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ワトソンとクリックにより決定されたデオキシリボ核酸（ＤＮＡ）は、アデニン、シトシン、グアニン、チミンの四種類の塩基の対とリン酸リボース鎖とからなる特異な二重螺旋構造をなしている。ＤＮＡは本来、生物の核の内部の染色体を構成する物質であり、主な遺伝情報はＤＮＡの塩基配列に記録されて、生命の遺伝情報を複製・伝達する機能をもった物質である。ＤＮＡの転写における誤差率は極めて低く、通常の磁気記憶ディスクの誤差率（１０-4％）の数千分の一以下と推測されている。また、ＤＮＡの太さは、わずか２ｎｍ程度であるが、細胞の核中に存在するＤＮＡは、伸ばした長さが数ｍにもおよび、かつ力学的には極めて強固な物質である。
【０００３】
このようなＤＮＡは、幾何学的構造がほぼ一次元に近いことから、低次元の伝導物質としても注目されている。また、ＤＮＡを電子回路上で使用することが可能になれば、微細な回路の構成要素として、従来のシリコンデバイス回路を越える集積度を実現できると考えられている。そのため、ＤＮＡを電子デバイスの材料として用いることも考えられてきており、特に、ＤＮＡの電気伝導性が着目されている。しかし、ＤＮＡ自体がどの程度電気を流すかどうかは正確にわかっておらず、現在でも議論されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
このように、これまでの研究成果では、ＤＮＡが伝導体であるかどうかの区別が付いておらず、正確な伝導率すら決定できていない。したがって、ＤＮＡに効率よく電気を流すような技術は皆無であった。
従って、本発明の目的は、ＤＮＡを用いて電子デバイスを実現しようとする上で必要な、ＤＮＡに電気を流すことが可能となる技術を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
斯かる実情に鑑み、本発明者は鋭意研究を行った結果、ＤＮＡに電荷供給材料を結合させた有機高分子が、高い電気伝導率を有し、かつ化学的ににも、熱的にも安定であることを見出し本発明を完成した。
【０００６】
すなわち、本発明は、
〈１〉デオキシリボ核酸（ＤＮＡ）に電荷供給材料を結合させた導電性有機高分子であって、前記電荷供給材料が塩基に結合する電荷移動性物質及び電荷移動性物質に架橋剤を介して結合された電荷発生物質を含み、前記電荷移動性物質が白金錯体であり、前記電荷発生物質がアミン化合物であることを特徴とする導電性有機高分子を提供するものである。
また、本発明は次のものも提供するものである。
〈２〉電荷移動性物質がＤＮＡの塩基に特異的に結合するものである〈１〉記載の導電性有機高分子。
〈３〉電荷移動性物質がＤＮＡの所望の塩基に特異的に結合するものである〈１〉記載の導電性有機高分子。
〈４〉白金錯体がシス−プラチナム（II）ジアミンジクロライドである〈１〉記載の導電性有機高分子。
〈５〉アミン化合物のアミン基が、アミン化合物１分子あたり１〜１００個である〈１〉記載の導電性有機高分子。
〈６〉アミン化合物が、コンゴーレッド、パラロザニリン及びチオニンから選ばれる１種または２種以上である〈１〉又は〈５〉記載の導電性有機高分子。
〈７〉架橋剤が、４，４’−ジイソチオシアノ−２，２’−スチルベンジスルホン酸２ナトリウム塩（ＤＩＤＳ）又はエチレングリコール−Ｏ，Ｏ’−ビス（スクシンイミジルスクシネート（ＥＧＳ）である〈１〉記載の導電性有機高分子。
〈８〉ＤＮＡが、塩基数２〜１０万のものである〈１〉記載の導電性有機高分子。
〈９〉ＤＮＡが、一本鎖から四本鎖のものである〈１〉又は〈８〉記載の導電性有機高分子。
〈１０〉ＤＮＡが、三つ又もしくは四つ又の分岐構造をもつものである〈１〉、〈８〉又は〈９〉記載の導電性有機高分子。
〈１１〉２以上のＤＮＡが電荷供給材料により架橋されている構造である〈１〉から〈１０〉のいずれか１に記載の導電性有機高分子。
〈１２〉２以上のＤＮＡが、塩基に結合する白金錯体を介して結合し、かつ、塩基に結合する白金錯体が架橋剤を介して結合している導電性有機高分子。
〈１３〉前記白金錯体は、所望の塩基に特異的に結合するものである〈１２〉記載の導電性有機高分子。
〈１４〉白金錯体が、シス−プラチナム（II）ジアミンジクロライドである〈１２〉又は〈１３〉記載の導電性有機高分子。
〈１５〉架橋剤が、４，４’−ジイソチオシアノ−２，２’−スチルベンジスルホン酸２ナトリウム塩（ＤＩＤＳ）又はエチレングリコール−Ｏ，Ｏ’−ビス（スクシンイミジルスクシネート（ＥＧＳ）である〈１２〉記載の導電性有機高分子。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明は、ＤＮＡに電荷供給材料を結合させ導電性を持たせたものである。前記電荷供給材料は塩基に結合する電荷移動性物質及び電荷移動性物質に架橋剤を介して結合された電荷発生物質を含み、前記電荷移動性物質が白金錯体であり、前記電荷発生物質がアミン化合物である。
本発明で用いるＤＮＡは特に限定されず、一本鎖から四本鎖のもののいずれでもよいし、三つ又もしくは四つ又の分岐構造をもつものであってもよい。また、その塩基の数も特に限定されないが、２個〜１０万個が好ましい。
【０００８】
本発明に用いる電荷供給材料は、ホール又は電子をＤＮＡに注入するものである。ここで用いる電荷供給材料はＤＮＡに結合するものであるため、ＤＮＡの塩基に特異的に結合するものが好ましい。また、電荷供給材料は、電荷発生物質が直接に塩基と結合するものであれば、電荷発生物質がそのまま電荷供給材料となるが、電荷発生物質が直接に塩基と結合しにくいものである場合は、電荷供給材料は、塩基に結合する電荷移動性物質及び電荷発生物質を含むものとすることが好ましい。
なお、電荷供給材料が、ＤＮＡの所望の塩基に特異的に結合するものであれば、ＤＮＡを構成する塩基配列に応じて導電率をコントロールすることや、ＤＮＡ間を接続する位置や結合数をコントロールすることができる。例えば、後記するシスプラチンを含む電荷供給材料は、グアニンに特異的に結合するので、このようなコントロールが可能となる。このときＤＮＡは、配列や数・塩基の位置等が利用上必要な程度わかっている自然物であっても、配列が設計された人工物であってもよい。
本発明で用いる電荷移動性物質は、電荷発生物質で発生したホール又は電子をＤＮＡまで伝達するものである。電荷移動性物質は白金錯体である。白金錯体としては、望ましくは化１に示すような制癌性白金錯体（シス−プラチナム（II）ジアミン  ジクロライド（以下シス−プラチンと略称する）、シス−［Ｐｔ（ＮＨ3）2Ｃｌ4］、トランス−ＤＤＰ、［Ｐｔ（ｄｉｅｎ）Ｃｌ］+、カルボプラチン、ＣＨＩＰ（イプロプラチン）、ＤＡＣＣＰ、マロナトプラチナム等が挙げられる。
【０００９】
【化１】
0004007000.tif 000002
【００１０】
電荷発生物質としては、アミン化合物が挙げられ、特にアミン化合物のアミン基が、アミン化合物１分子あたり１〜１００個であるものが好ましく、更に水溶性アミンが好ましい。特に望ましくは化２に示すようなコンゴーレッド、パラロザニリン、チオニン、ポルフィリン等が挙げられる。
【００１１】
【化２】
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【００１２】
塩基に結合する電荷移動性物質と電荷発生物質が、直接結合できない場合は、その間に架橋剤を介して結合させることができる。このような架橋剤としては、水溶性架橋剤が好ましく、特に化３に示すような水溶性イソチオシアネート（４，４’−ジイソチオシアノ−２，２’−スチルベンジスルホン酸２ナトリウム塩（以下ＤＩＤＳと略称する）、４−アセトアミド−４‘−イソチオシアノスチルベン−２，２’− ジスルホン酸２ナトリウム塩等）、化４に示すようなコハク酸イミドエステル（エチレングリコール−Ｏ，Ｏ’−ビス（スクシンイミジルスクシネート（以下ＥＧＳと略称する）等）が好ましい。
【００１３】
【化３】
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【００１４】
【化４】
0004007000.tif 000005
【００１５】
本発明の導電性有機高分子は、デオキシリボ核酸（ＤＮＡ）に単に電荷供給材料を結合させたものでもよいが、２以上のＤＮＡが電荷供給材料により架橋されている構造であってもよい。すなわち、ＤＮＡ−電荷供給材料−ＤＮＡといった構造でもよく、更に、ＤＮＡ−電荷供給材料−ＤＮＡ−電荷供給材料−ＤＮＡ−というように連続する構造であってもよい。このような架橋構造の場合のＤＮＡの数は、２個から１０万個とすることが好ましい。
【００１６】
以下、架橋構造を持つ本発明の伝導性有機高分子の例を挙げて、本発明をさらに詳細に説明する。これは、図１で示すような構造を持つ。この化学物質の特徴は、ＤＮＡのグアニン塩基に金属錯体、望ましくは化１に示すような制癌性白金錯体（シス−プラチン、シス−［Ｐｔ（ＮＨ3）2Ｃｌ4］、トランス−ＤＤＰ、［Ｐｔ（ｄｉｅｎ）Ｃｌ］+、カルボプラチン、ＣＨＩＰ（イプロプラチン）、ＤＡＣＣＰ、マロナトプラチナム等）を結合させ、さらに、水溶性架橋剤、望ましくは化３に示すような水溶性イソチオシアネート（ＤＩＤＳ、もしくは４−アセトアミド−４‘−イソチオシアノスチルベン−２，２’− ジスルホン酸２ナトリウム塩等）でチオ尿素結合、もしくは化４に示すようなＥＧＳ等）でアミド結合をおこない、それを介し、さらにアミン化合物、望ましくは水溶性アミン、特に望ましくは化２に示すようなコンゴーレッド、パラロザニリン、チオニン、ポルフィリン等の電荷発生物質を結合させる。
【００１７】
次に、ＤＮＡ／シス−プラチン／ＤＩＤＳ／コンゴーレッド／ＤＩＤＳ／シス−プラチン／ＤＮＡ（以下Ａ−１と略称する）（図２）の物質を例に取って具体的に説明する。ＤＮＡとシス−プラチンとを反応させた場合、シス−プラチンの塩素がはずれ、ＤＮＡのグアニン塩基のＮ７位と結合する（化５）。さらに、シス−プラチンの−ＮＨ3とＤＩＤＳのＮ＝Ｃ＝Ｓ基（チオイソシアネート基）が反応し、チオ尿素結合を構成する（化６）。このとき、同様なチオ尿素結合を構成しうるコンゴーレッドを同時に反応させれば（化７）、上記Ａ−１が生成することになる(化８）。
【００１８】
【化５】
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【００１９】
【化６】
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【００２０】
【化７】
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【００２１】
【化８】
0004007000.tif 000009
【００２２】
この物質は、コンゴーレッド分子内で電荷が分離し、生成されたホール（正孔）がＤＩＤＳ中のフェニル基と共役二重結合を伝達し、さらに、ＤＮＡのグアニン塩基に結合したシス−プラチンにより、ＤＮＡのグアニン基に特異的にホールが注入され、ＤＮＡ分子鎖内にホールが伝達できるようになる。ＤＮＡのグアニン塩基部でホールが注入されやすいのは、グアニンの酸化電位が、他の３種の塩基（アデニン、シトシン、チミン）より低いためである。それぞれの塩基の酸化電位は、水素電極電位を基準として、グアニンが１．４９Ｖ、アデニンが１．９６Ｖ、シトシンが２．１４Ｖ、チミンが２．１１Ｖという結果がＣ．Ａ．Ｍ．Ｓｅｉｄｅｌらによって報告されている（Ｊｏｕｎａｌ  ｏｆ  ＰｈｙｓｉｃａｌＣｈｅｍｉｓｔｒｙ，ｖｏｌ．１００，ｐ．５５４１−ｐ．５５５３，１９９６年のｐ．５５４４におけるＴａｂｌｅ２）。こうして、本発明物質の電気伝導度は向上する。
【００２３】
一般には、ＤＮＡの電気抵抗は極めて高く、分子内に電荷を生成させるような有機色素等をインターカレーションさせても、伝導率が極端に向上することはない。しかし、グアニン塩基に特異的にホールを注入し、ＤＮＡ内部の電荷濃度を高めれば、ＤＮＡ内部で電荷の移動が起き、電流が流れやすくなると解釈できる。
一方、電荷が電子の場合は、シトシン又はチミンに電子が注入される。
【００２４】
Ａ−１は、すべての分子に等価な結合位置が２つあり、化学的にも対称なので、ＤＮＡを基本鎖にして複雑な架橋構造を構成することが可能である。すなわち、ＤＮＡ／シス−プラチン／ＤＩＤＳ／コンゴーレッド／ＤＩＤＳ／シス−プラチン／ＤＮＡという構造である。このような構造にすれば、物質の耐熱温度が向上し、窒素雰囲気下の熱分解温度は約４５０℃以上にも昇り、きわめて化学的に安定な化合物とすることができる。
【００２５】
一方、通常のポリアセチレンやポリピロール等の導電性高分子は、大気による酸化等で不安定になりやすく、導電性を生み出すドーパントも化学的に不安定なヨウ素等を用いる必要がある。それに対し、本発明のＡ−１は、導電性を生み出すようなドーパントも必要なく、大気中でも安定で、作製後１ヶ月以上の大気中室温保持後でも、変質等は観測されない。
【００２６】
もちろん、架橋構造を構成しない物質の構成もあり、それは、ＤＮＡ／シス−プラチン／ＤＩＤＳの先に結合させる物質がモノアミン色素の場合であり、この場合、架橋構造は構成せず、繊維状のＤＮＡ構造を維持したままの物質となる。また、ＤＮＡのみと反応させることには限らず、ＤＮＡ分子とタンパク分子をシス−プラチン／ＤＩＤＳ／（ジアミン化合物）／ＤＩＤＳ／で結合させることも可能である。
【００２７】
コンゴーレッドは、吸収波長は約５７０ｎｍで、蛍光がほとんど出ないので、電荷発生材料としても期待できる。したがって、合成したＡ−１が極めて安定な光センサーを構成することが可能となる。さらに、コンゴーレッドは、アミロイドタンパクを特異的に染色する染色剤であることから、合成したＡ−１がβシート構造を多く持つのアミロイドタンパク（β型プリオン等）を検出する電子センサーに用いることも期待できる。
【００２８】
２以上のＤＮＡが、塩基に結合する電荷移動性物質を介して結合しているもの、又は、その塩基に結合する電荷移動性物質が架橋剤を介して結合しているものでもＤＮＡそれ自体よりは伝導特性が高まることが判った。ここでいう電荷移動性物質及び架橋剤は上記と同様なものである。このようなものの例としては、ＤＮＡ／シス−プラチン／ＤＩＤＳ／シス−プラチン／ＤＮＡ構造を有する物質が挙げられ、これは、架橋構造を構成し、ＤＮＡそれ自体よりは伝導特性が高まる。
【００２９】
【実施例】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
水はＭＩＬＬＩＰＯＲＥ社製超純水製造装置ＭＩＬＬＩＱで精製した超純水（抵抗値１０18Ω以上）を用いた。ＤＮＡは、バクテリオファージ  λｃｌ857  Ｓａｍ７ 由来のλＤＮＡ（宝酒造製）を用いた。λＤＮＡ はＴＥバッファー （Ｔｒｉｓ：１０ｍＭ、ＥＤＴＡ：１ｍＭ、ｐＨ＝８）中に濃度０．４ｍｇ／ｍｌで溶解している。始めにλＤＮＡのバッファー溶液１ｍｌをとり、濃度２．５ｍｇ／ｍｌのシス−プラチン（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）水溶液８０μｌと混合した。さらに、濃度１ｍｇ／ｍｌのＤＩＤＳ（同仁化学社製）水溶液３０１μｌと濃度０．５ｍｇ／ｍｌのコンゴーレッド（和光純薬製）水溶液４００μｌを加え、５５℃で三日間保温した。化８に示した架橋構造体の生成は次に示す結果から確認した。天然のＤＮＡの紫外可視吸収スペクトルでは，極大吸収波長は２６０ｎｍであるがＰｔ錯体が結合すると極大吸収波長が約１０ｎｍレッドシフトする事が知られている（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，  １９８０年，１０２巻，Ｐ．５５６５−５５７２，  Ｃｈｏｔｔａｒｄ  ｅｔ  ａｌ．中のｐ．５５６７の左側カラム下から８行目）。図３にＤＮＡとシス−プラチンを反応させた時の紫外可視吸収スペクトルを示す。図３を見ると、単独のＤＮＡでは２６０ｎｍに極大吸収があるのに対し、シス−プラチンと反応させた場合には極大吸収が２７０ｎｍにある。すなわち極大吸収波長が約１０ｎｍレッドシフトしていることが分かる。この結果からシス−プラチンはＤＮＡと結合することが確かめられた。図４にＤＩＤＳとシス−プラチンを反応させたときの赤外吸収スペクトルを示す。図５に示したＤＩＤＳの赤外吸収スペクトル、図６に示したシス−プラチンの赤外吸収スペクトルと比較すると，Ｎ＝Ｃ＝Ｓ基に由来する２１４０ｃｍ-1のピークが消失し，新たにＮ−Ｃ＝Ｓ基に由来する１３０２ｃｍ-1の吸収ピークが現れたことが分かる。この結果からシス−プラチンとＤＩＤＳは結合することが確かめられた。図７にＤＩＤＳとコンゴーレッドを反応させたときの赤外吸収スペクトルを示す。図８にコンゴーレッドの赤外吸収スペクトルを示す。ＤＩＤＳのＮ＝Ｃ＝Ｓ基に由来する２１４０ｃｍ-1のピークが消失していること、１６４５，１５４５ｃｍ-1のチオ尿素結合のピークが強くなっていることからＤＩＤＳとコンゴーレッドは結合することを確認した。図９に示した全体のスペクトルにおいても、ＤＩＤＳのＮ＝Ｃ＝Ｓ基に由来する２１４０ｃｍ-1のピークが消失していることと、１６４５，１５４５ｃｍ-1のチオ尿素結合のピークが強くなっていることから，化８に示す架橋構造体（Ａ−１）の生成を確認した。
【００３０】
合成した架橋構造体の精製を行うためにエタノール沈殿を行った。反応溶液２００μｌをサンプルチューブに取り出し、濃度３ｍｏｌ／ｌの酢酸ナトリウム水溶液２０μｌとエタノール４００μｌを加えてよく混合した。室温で一時間放置したのち、４℃、１３２００ｒｐｍの条件で３０分間の遠心分離を行い、上ずみ液と沈殿物を分離した。回収した沈殿物を再び１０μｌの超純水に溶解した。ガラス基板上に電極間距離１０μmで作製した金電極上にこの水溶液をマイクロシリンジで一滴垂らして、窒素雰囲気下で一晩乾燥させた。これにより、金電極上にサンプルの薄膜を作製することができた。
【００３１】
このサンプル薄膜の電流電圧特性の評価をした。電流電圧特性は、ＨＥＷＷＬＥＴＴ  ＰＡＣＫＡＲＤ社のｐＡ  ＭＥＴＥＲ／ＤＣ  ＶＯＬＴＡＧＥ  ＳＯＵＲＣＥ  ４１４０Ｂ（電流検出感度１０-12Ａ）を用いて測定した。結果を図１０に示す。λＤＮＡは電流が検出できず、抵抗値が１０ＧΩ以上あることがわかった。一方、架橋構造体は２Ｖの時に０．１Ａ／ｍ2（５×１０-1Ｓ／ｍ）で、これは、本方法によりＤＮＡの導電率が向上したことを示している。
【００３２】
（実施例２）
濃度０．３２ｍｇ／ｍｌのλＤＮＡバッファー溶液４００μｌに濃度５ｍｇ／ｍｌのシス−プラチン水溶液１２μｌ、濃度１ｍｇ／ｍｌのＤＩＤＳ水溶液３００μｌを加えてよく混合し、５５℃で三日間保温した。実施例１と同様に紫外可視吸収スペクトル、赤外吸収スペクトルから図１１に示した架橋構造体（Ａ−２）の生成を確認した。合成した架橋構造体の精製を行うためにエタノール沈殿を行った。反応溶液２００μｌをサンプルチューブに取り出し、濃度３ｍｏｌ／ｌの酢酸ナトリウム水溶液２０μｌとエタノール４００μｌを加えてよく混合した。室温で一時間放置したのち、４℃、１３２００ｒｐｍの条件で３０分間の遠心分離を行い、上ずみ液と沈殿物を分離した。回収した沈殿物を再び１０μｌの超純水に溶解した。ガラス基板上に電極間距離１０μmで作製した金電極上にこの水溶液をマイクロシリンジで一滴垂らして、窒素雰囲気下で一晩乾燥させた。これにより、金電極上にサンプルの薄膜を作製した。電流電圧特性の評価を行った結果を図１２に示す。しかしながらここで合成した架橋構造体は、１０μmの電極間距離では電流が検出できず、抵抗値が１０ＧΩ以上あることがわかった。
そこで、電極間距離をさらに短くして電流電圧特性を測定した。測定には、Dual Probe AFM（特願２００１−００６２８４）を使用した。測定結果を図１３に示す。その結果、電極間隔を５０ｎｍ程度まで小さくすると３Ｖの時に約４ｎＡの電流を流れることが分かった。図１４に示したように、天然のλＤＮＡでは５０ｎｍの電極間隔でも電流が検出できないことから、本方法により５０ｎｍ以内における導電性を付与できることを示した。
【００３３】
（実施例３）
配列番号１〜４に示す四種類の１２０塩基の一本鎖ＤＮＡ（以下ｓｓＤＮＡとする）を、それぞれｓｓＤＮＡ１〜ｓｓＤＮＡ４とし、これらをApplied Biosystems社製ＤＮＡ合成機Expedite８９０９を使い、ホスホロアミダイト法で合成した。ここで、ｓｓＤＮＡ１とｓｓＤＮＡ２、ｓｓＤＮＡ３とｓｓＤＮＡ４はそれぞれ互いに相補的な塩基配列であり、ハイブリダイゼーションをすることで水素結合により二本鎖ＤＮＡを形成することができる。ハイブリダイゼーションは、それぞれのｓｓＤＮＡのモル比が１：１となるように混合し、９７℃で５分間保温した後、ゆっくりと室温に戻すことで行った。ハイブリダイゼーションを行い二本鎖ＤＮＡとしたのち，エタノール沈殿で精製を行った。ｓｓＤＮＡ１とｓｓＤＮＡ２から形成される二本鎖ＤＮＡをＧ０、ｓｓＤＮＡ３とｓｓＤＮＡ４から形成される二本鎖ＤＮＡをＧ１００とした。Ｇ０は両端からそれぞれ１０塩基対の領域以外は，全てアデニン−チミンの塩基対で構成されている。一方、Ｇ１００は両端からそれぞれ１０塩基対の領域以外は，全てグアニン−シトシンの塩基対で構成されている。Ｇ１００とＧ０を用いて，実施例１と同様な架橋構造体を以下の手順で合成した．濃度０．４ｍｇ／ｍｌに調製した二本鎖ＤＮＡのバッファー溶液1mlをとり、濃度２．５ｍｇ／ｍｌのシス−プラチナム(II) ジアミン  ジクロライド水溶液８０μｌと混合した。さらに、濃度１ｍｇ／ｍｌのＤＩＤＳ水溶液３０１μｌと濃度０．５ｍｇ／ｍｌのコンゴーレッド水溶液４００μｌを加え、５５℃で三日間保温した。反応溶液２００μｌをサンプルチューブに取り出し、濃度３ｍｏｌ／ｌの酢酸ナトリウム水溶液２０μｌとエタノール４００μｌを加えてよく混合した。室温で一時間放置したのち、４℃、１３２００ｒｐｍの条件で３０分間の遠心分離を行い、上ずみ液を抜き取り沈殿物を回収した。合成した架橋構造体の精製を行うためにエタノール沈殿を行った。反応溶液２００μｌをサンプルチューブに取り出し、濃度3ｍｏｌ／ｌの酢酸ナトリウム水溶液２０μｌとエタノール４００μｌを加えてよく混合した。室温で一時間放置したのち、４℃、１３２００ｒｐｍの条件で３０分間の遠心分離を行い、上ずみ液と沈殿物を分離した。回収した沈殿物を再び１０μｌの超純水に溶解した。ガラス基板上に電極間距離１０μmで作製した金電極上にこの水溶液をマイクロシリンジで一滴垂らして、窒素雰囲気下で一晩乾燥させた。これにより、金電極上にサンプルの薄膜を作製した。
【００３４】
Ｇ１００架橋構造体とＧ０架橋構造体の電流電圧特性の評価を行った結果を図１５、１６に示す。電極間隔１０μmにおいては、Ｇ０架橋構造体では電流が検出できず、Ｇ１００架橋構造体では４Ｖの時に４Ａ／ｍ2（１０Ｓ／ｍ）（図１５）、最高値では４Ｖの時に３８００Ａ／ｍ2（１０4Ｓ／ｍ）（図１６）の電流を流すことが分かった。Ｄｕａｌ  Ｐｒｏｂｅ  ＡＦＭによるＧ１００架橋構造体の電流電圧特性を図１７に示す。Ｇ１００架橋構造体では５００ｎｍの電極間隔において１Ｖの時に５ｎＡの電流を流すことが分かった。Ｄｕａｌ  Ｐｒｏｂｅ  ＡＦＭによるＧ０架橋構造体の電流電圧特性を図１８に示す。Ｇ０架橋構造体は１５０ｎｍの電極間隔でも電流を検出できなかった。
【００３５】
（比較例１）
実施例３で合成した二本鎖ＤＮＡのＧ０、Ｇ１００に以下の手順でシス−プラチンを付加した。濃度０．４ｍｇ／ｍｌに調製した二本鎖ＤＮＡのバッファー溶液１ｍｌをとり、濃度２．５ｍｇ／ｍｌのシス−プラチン水溶液８０μｌと混合し、５５℃で三日間保温した。精製するためにエタノール沈殿を行った。反応溶液２００μｌをサンプルチューブに取り出し、濃度３ｍｏｌ／ｌの酢酸ナトリウム水溶液２０μｌとエタノール４００μｌを加えてよく混合した。室温で一時間放置したのち、４℃、１３２００ｒｐｍの条件で３０分間の遠心分離を行い、上ずみ液を抜き取り沈殿物を回収した。実施例１と同様に紫外可視吸収スペクトルから、ＤＮＡにシス−プラチンが付加したことを確認した。Ｄｕａｌ  Ｐｒｏｂｅ  ＡＦＭによる電流電圧特性の評価の結果を図１９、２０に示す。その結果、Ｇ１００とＧ０にシス−プラチンを付加しただけでは電流を検出できず、その抵抗値は１０ＧΩ以上であることが分かった。
【００３６】
（実施例４）
ＤＮＡはサケの精液から取り出したもの（和光純薬製）を使った。始めに、エタノール沈殿による精製を行った。２ｍｇ／ｍｌの濃度に調製したＤＮＡのＴEバッファー溶液２００μｌをサンプルチューブに取り出し、濃度３ｍｏｌ／ｌの酢酸ナトリウム水溶液２０μｌとエタノール４００μｌを加えてよく混合した。室温で一時間放置したのち、４℃、１３２００ｒｐｍの条件で３０分間の遠心分離を行い、上ずみ液を抜き取った。残った沈殿物に７０％エタノールを２００μｌ加え、再び４℃、１３２００ｒｐｍの条件で５分間の遠心分離を行い、上ずみ液を抜き取り、沈殿した精製ＤＮＡを回収した。２ｍｇ／ｍｌの濃度に調製した精製ＤＮＡ水溶液５．６ｍｌに、濃度２．５ｍｇ／ｍｌのシス−プラチナム(II)ジアミン  ジクロライド水溶液２．２４ｍｌ、濃度１ｍｇ／ｍｌのＤＩＤＳ水溶液２．２４ｍｌを加えてよく混合し、55℃で三日間保温した。反応溶液２００μｌをサンプルチューブに取り出し、濃度３ｍｏｌ／ｌの酢酸ナトリウム水溶液２０μｌとエタノール４００μｌを加えてよく混合した。室温で一時間放置したのち、４℃、１３２００ｒｐｍの条件で３０分間の遠心分離を行い、上ずみ液を抜き取り沈殿物を回収した。こうして合成した架橋構造体の熱分解温度を調べた。測定には、パーキンエルマー製熱分析装置  ＴＧＡ−７を使用した。得られた熱重量曲線を図２１に示す。熱分解温度は４５０℃であることが分かった。一方、ＤＮＡの熱分解温度は図２２に示したように２５０℃であった。
【００３７】
（実施例５）
実施例１、実施例３のＧ１００及び実施例３のＧ０のそれぞれの電流を実施例１の方法で比較した。結果を図２３に示す。この図の左下の点は実施例３のＧ０、中間の線は実施例１、右上の線は実施例３のＧ１００の結果を示している。この図から、ＤＮＡ中のグアニンの濃度により、電流が上昇することが判る。
【００３８】
本発明の導電性有機高分子は、ＤＮＡに導電性を持たせたものであり、これによれば、単分子内で電荷分離状態の実現が可能となり、分子レベルの電子デバイスを動作させる上で、工業的有用性は極めて高い。
【配列表】
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【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は本発明の構造の一例を示す図面である。
【図２】  図２は本発明の構造の一例（Ａ―１）を示す図面である。
【図３】  図３はＤＮＡとシスプラチンの反応前後の紫外可視吸収スペクトルを示す図面である。
【図４】  図４はシスプラシンとＤＩＤＳ反応物の赤外線スペクトルを示す図面である。
【図５】  図５はＤＩＤＳの赤外線スペクトルを示す図面である。
【図６】  図６はシスプラシンの赤外線スペクトルを示す図面である。
【図７】  図７はＤＩＤＳとコンゴーレッドの反応物の赤外線スペクトルを示す図面である。
【図８】  図８はコンゴーレッドの赤外線スペクトルを示す図面である。
【図９】  図９はＤＮＡとシスプラチンとＤＩＤＳとコンゴーレッドの反応物の赤外線スペクトルを示す図面である。
【図１０】  図１０は架橋構造体（Ａ−１）の電流密度―電圧特性の関係を示す図である。
【図１１】  図１１は架橋構造体（Ａ−２）の構造を示す図である。
【図１２】  図１２は架橋構造体（Ａ−２）の電流密度―電圧特性の関係を示す図である。
【図１３】  図１３は架橋構造体（Ａ−２）の電流―電圧特性の関係を示す図である。
【図１４】  図１４はλＤＮＡの電流−電圧特性を示す図である。
【図１５】
図１５はＧ１００架橋構造体とＧ０架橋構造体の電流密度―電圧特性を示す図である。
【図１６】  図１６はＧ１００架橋構造体とＧ０架橋構造体の電流密度―電圧特性を示す図である。
【図１７】  図１７はＧ１００架橋構造体の電流―電圧特性を示す図である。
【図１８】  図１８はＧ０架橋構造体の電流―電圧特性を示す図である。
【図１９】  図１９はＧ１００−シスプラチンの電流−電圧特性を示す図である。
【図２０】  図２０はＧ０−シスプラチンの電流−電圧特性を示す図である。
【図２１】  図２１はＤＮＡとシスプラチンとＤＩＤＳとコンゴーレッドの反応物の熱重量曲線を示す図面である。
【図２２】  図２２はＤＮＡの熱重量曲線を示す図面である。
【図２３】  図２３はグアニンの濃度と電流の関係を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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