(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ電極が形成された第１基板と第２基板との間に液晶層が封入されて構成され画素ごとの表示を行う表示装置であって、
前記第１基板は、
前記第２基板側の透明電極と仕事関数の類似した下地材料膜と、
前記下地材料膜を覆って形成され、前記液晶層に第２基板側から入射される光を反射する反射電極と、を有し、
前記反射電極には前記画素ごとに複数の微細な開口部が形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
それぞれ電極が形成された第１基板と第２基板との間に液晶層が封入されて構成され画素ごとの表示を行う表示装置であって、
前記第１基板は、
画素ごとに設けられたスイッチ素子と、
前記スイッチ素子を覆う絶縁膜の上に形成され、前記第２基板側の透明電極と仕事関数の類似した材料からなり、該スイッチ素子と接続された前記下地材料膜と、
前記下地材料膜を覆って形成され該下地材料膜を介して前記スイッチ素子に電気的に接続され、前記液晶層に第２基板側から入射される光を反射する反射電極と、を有し、
前記反射電極には前記画素ごとに複数の微細な開口部が形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の表示装置において、
前記下地材料膜の仕事関数と、前記第２基板側の透明電極の透明導電材料の仕事関数との差は、０．５ｅＶ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の表示装置において、
前記下地材料膜は、導電材料を用いて形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の表示装置において、
前記反射電極を備えた反射領域と、
前記反射電極を備えない透過領域と、
を有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、反射機能を備えた反射型あるいは半透過型表示装置などに関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置（以下ＬＣＤという）は薄型で低消費電力であるという特徴を備え、現在、コンピュータモニターや、携帯情報機器などのモニターとして広く用いられている。このようなＬＣＤは、一対の基板間に液晶が封入され、それぞれの基板に形成され電極によって間に位置する液晶の配向を制御することで表示を行うものであり、ＣＲＴ（陰極線管）ディスプレイや、エレクトロルミネッセンス(以下、ＥＬ）ディスプレイ等と異なり、原理上自ら発光しないため、観察者に対して画像を表示するには光源を必要とする。
【０００３】
そこで、透過型ＬＣＤでは、各基板に形成する電極として透明電極を採用し、液晶表示パネルの後方や側方に光源を配置し、この光源光の透過量を液晶パネルで制御することで周囲が暗くても明るい表示ができる。しかし、常に光源を点灯させて表示を行うため、光源による電力消費が避けられないこと、また昼間の屋外のように外光が非常に強い環境下では、十分なコントラストが確保できないという特性がある。
【０００４】
一方、反射型ＬＣＤでは、太陽や室内灯等の外光を光源として採用し、液晶パネルに入射するこれらの周囲光を、非観察面側の基板に形成した反射電極によって反射する。そして、液晶層に入射し反射電極で反射された光の液晶パネルからの射出光量を画素ごとに制御することで表示を行う。このように反射型ＬＣＤは、光源として外光を採用するため、外光がないと表示が見えないが、透過型ＬＣＤと異なり光源による電力消費がなく非常に低消費電力であり、また屋外など周囲が明るいと十分なコントラストが得られる。しかし、この反射型ＬＣＤは、従来においては、色再現性や表示輝度など一般的な表示品質の点で透過型と比較すると不十分であるという課題があった。
【０００５】
他方で、機器の低消費電力化に対する要求が一段と強まる状況下では透過型ＬＣＤよりも消費電力の小さい反射型ＬＣＤは有利であるため、携帯機器の高精細モニター用途などへの採用が試みられており、表示品質の向上のための研究開発が行われている。
【０００６】
図５は、各画素ごとに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を備えた従来のアクティブマトリクス型の反射型ＬＣＤの１画素あたりの平面構造（第１基板側）を示し、図６は、この図５のＣ−Ｃ線に沿った位置での反射型ＬＣＤの概略断面構造を示している。
【０００７】
反射型ＬＣＤは所定ギャップ隔てて貼り合わされた第１基板１００と第２基板２００との間に液晶層３００が封入されて構成されている。第１及び第２基板１００及び２００としてはガラス基板やプラスチック基板などが用いられ、少なくともこの例では、観察面側に配置される第２基板２００には透明基板が採用されている。
【０００８】
第１電極１００の液晶側の面には、各画素ごとにＴＦＴ１１０が形成されている。このＴＦＴ１１０の能動層１２０の例えばドレイン領域には、層間絶縁膜１３４に形成されたコンタクトホールを介して各画素にデータ信号を供給するためのデータライン１３６が接続され、ソース領域は、層間絶縁膜１３４及び平坦化絶縁膜１３８を貫通するように形成されたコンタクトホールを介して、画素ごとに個別パターンに形成された第１電極（画素電極）１５０に接続されている。
【０００９】
上記第１電極１５０としては、反射機能を備えたＡｌ、Ａｇなどが用いられており、この反射電極１５０上に液晶層３００の初期配向を制御するための配向膜１６０が形成されている。
【００１０】
第１基板１００と対向配置される第２基板２００の液晶側には、カラー表示装置の場合カラーフィルタ（Ｒ，Ｇ，Ｂ）２１０が形成され、カラーフィルタ２１０の上に第２電極として、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料が用いられた透明電極２５０が形成されている。またこの透明電極２５０の上には、第１基板側と同様の配向膜２６０が形成されている。
【００１１】
反射型ＬＣＤは、上述のような構成を備えており、液晶パネルに入射され、反射電極１５０で反射され、再び液晶パネルから射出される光の量を、画素ごと制御して所望の表示を行う。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
反射型に限らず、ＬＣＤにおいては、焼き付き防止のため液晶を交流電圧駆動している。透過型ＬＣＤでは、第１基板上の第１電極及び第２基板上の第２電極のいずれも透明であることが求められており、双方とも電極材料としてＩＴＯが採用されている。従って、液晶の交流駆動に際して、第１及び第２電極は、互いに正、負電圧をほぼ同一の条件で液晶に印加することができる。
【００１３】
しかし、上記図６のように、第１電極１５０として金属材料からなる反射電極、第２電極２５０としてＩＴＯなどの透明金属酸化材料からなる透明電極を用いた反射型ＬＣＤでは、駆動条件によっては、表示のちらつき（フリッカ）が発生したり、液晶の焼き付きの問題が起こることがあった。これは、例えば最近報告されている限界フリッカ周波数（ＣＦＦ）以下で液晶を駆動した場合に顕著である。ＣＦＦ以下での駆動とは、ＬＣＤにおける一層の低消費電力化を目的として、液晶の駆動周波数（≒第１及び第２電極との対向領域にそれぞれ形成された画素それぞれにおける液晶（液晶容量）へのデータ書き込み周波数）を、例えばＮＴＳＣ規格などで基準とされている６０Ｈｚより低くするなど、人の目にフリッカとして感知される得るＣＦＦ以下、例えば４０Ｈｚ〜３０Ｈｚとする試みである。ところが、従来の反射型液晶パネルの各画素をこのようなＣＦＦ以下の周波数で駆動したところ、上記フリッカや液晶の焼き付きの問題は顕著となり、表示品質の大幅な低下を招くことがわかったのである。
【００１４】
図５、図６に示すような反射型ＬＣＤのフリッカや液晶焼き付き発生の原因について、出願人の研究の結果、これらは上述のような液晶層３００に対する第１及び第２電極の電気的性質についての非対称性が原因の一つであることが判明した。この非対称性は、第２電極２５０に用いられるＩＴＯなどの透明金属酸化物の仕事関数が４．７ｅＶ〜５．２ｅＶ程度であるのに対し、第１電極１５０に用いられるＡｌなどの金属の仕事関数が４．２ｅＶ〜４．３ｅＶ程度と差が大きいことに起因すると考えられる。仕事関数の相違は、同一電圧を各電極に印加した時に、実際に配向膜１６０，２６０を介して液晶界面に誘起される電荷に差を生じさせる。そして、このような液晶の配向膜界面に誘起される電荷の差により、液晶層内の不純物イオンなどが一方の電極側に偏り、結果として残留ＤＣ電圧が液晶層３００に蓄積される。液晶の駆動周波数が低くなればなるほど、この残留ＤＣが液晶に及ぼす影響が大きくなってフリッカや液晶の焼き付き発生が顕著となるため、特に、ＣＦＦ以下での駆動は実質的には困難であった。
【００１５】
なお、反射型ＬＣＤとしては、従来、第１及び第２電極に透過型ＬＣＤのようにＩＴＯを用い、第１基板の外側（液晶との非対向側）に別途反射板を設ける構造も知られている。しかし、第１基板の外側に反射板を設けた場合、透明な第１電極１５０及び透明な第１基板の厚さ分だけ光路長が伸び、視差による表示品質の低下が発生しやすい。従って、高い表示品質の要求されるディスプレイ用途の反射型ＬＣＤでは、画素電極として反射電極を用いており、上述のように駆動周波数を低くするとフリッカ等を生ずるため、低消費電力化のために駆動周波数を低下させることはできなかった。
【００１６】
上記課題を解決するために本発明は、液晶層に対する第１及び第２電極の電気的特性をそろえ、フリッカや視差の影響がなく、表示品質が高くて低消費電力な反射機能を備えた表示装置を実現することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、それぞれ電極が形成された第１基板と第２基板との間に液晶層が封入されて構成され画素ごとの表示を行う表示装置であって、前記第１基板は、前記第２基板側の透明電極と仕事関数の類似した下地材料膜と、前記下地材料膜を覆って形成され、前記液晶層に第２基板側から入射される光を反射する反射電極と、を有し、前記反射電極には複数の微細な開口部が形成されている。
【００１８】
本発明の他の態様では、それぞれ電極が形成された第１基板と第２基板との間に液晶層が封入されて構成され画素ごとの表示を行う表示装置であって、前記第１基板は、画素ごとに設けられたスイッチ素子と、前記スイッチ素子を覆う絶縁膜の上に形成され、前記第２基板側の透明電極と仕事関数の類似した材料からなり、該スイッチ素子と接続された前記下地材料膜と、前記下地材料膜を覆って形成され該下地材料膜を介して前記スイッチ素子に電気的に接続され、前記液晶層に第２基板側から入射される光を反射する反射電極と、を有し、前記反射電極には複数の微細な開口部が形成されている。
【００１９】
以上のように第１基板側において第２基板側の透明電極と仕事関数の類似した下地材料膜の上に、微細な複数の開口部を有する反射電極を形成することで、透明電極と電気特性の異なる反射電極が液晶層側に配置される構成であっても、下地材料層の影響を反射電極表面に及ぼすことが可能となる。このため、液晶層を透明電極と反射電極とによって対称性よく駆動することができる。特に、各画素における液晶層の駆動周波数を例えば６０Ｈｚより低く設定した場合でも、フリッカなど発生することなく品質な表示が可能である。
【００２０】
本発明の他の態様では、上記表示装置において、前記開口部は、それぞれ直径が１０μｍ以下で、反射電極領域に対する前記複数の開口部の占める割合は２０％以下である。
【００２１】
開口部の直径が１０μｍ以下であれば、反射電極表面において開口部領域と非開口部領域との特性の差が過大となってかえって特性差による表示品質の低下が起こることを防止できる。特性とは、例えばフリッカや焼き付きの程度、光学条件などが挙げられる。また開口部の占める割合を２０％程度に抑えることで、反射電極の反射機能を維持することができる。
【００２２】
本発明の他の態様では、上記表示装置において、前記下地材料膜の仕事関数と、前記第２基板側の透明電極の透明導電材料の仕事関数との差は、０．５ｅＶ以下である。
【００２３】
本発明の他の態様では、上記表示装置において、前記下地材料膜は、導電材料を用いて形成されている。
【００２４】
本発明の他の態様では、上記表示装置において、各画素における液晶層の駆動周波数は、６０Ｈｚより低い。
【００２５】
以上のような下地材料膜を採用することで、反射電極表面（液晶層との対向面）における特性を第２基板側の透明電極に確実に近づけることができる。また、下地材料膜に導電材料を採用すれば、例えばスイッチ素子が設けられている場合に、反射電極よりも下層の下地材料膜をこのスイッチ素子に接続し、下地材料膜上に反射電極を形成すれば、反射電極とスイッチ素子とを特別な構成を設けることなく電気的に接続することも可能となり、下地材料膜と反射電極との積層構造を採用することによる工程の追加を最小限とすることができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の好適な実施の形態（以下実施形態という）について説明する。
【００２７】
図１は、本実施形態に係る反射型ＬＣＤとして反射型アクティブマトリクスＬＣＤの第１基板側の平面構成の一部、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った位置におけるＬＣＤの概略断面構成を示している。アクティブマトリクス型ＬＣＤでは、表示領域内にマトリクス状に複数の画素が設けられ、各画素に対してＴＦＴなどのスイッチ素子が設けられる。スイッチ素子は、第１及び第２基板の一方、例えば第１基板１００側に画素ごとに形成され、各スイッチ素子の上には層間絶縁膜３４及び平坦化絶縁膜３８が形成されており、本実施形態では、この平坦化絶縁膜３８の上に、第２基板２００の透明電極（共通電極）２５０と仕事関数が類似し、各画素毎に個別のパターンを有する下地材料膜５０が形成されている。
【００２８】
反射電極４４は、反射特性のよい金属材料を用い、下地材料膜５０を覆って各画素毎に個別パターンに形成されている。そして、この反射電極４４には複数の微小な開口部４６が形成されている。
【００２９】
ここで、各画素のスイッチ素子として、本実施形態ではチャネル２０ｃ、ドレイン・ソース領域２０ｄ・２０ｓを含む能動層２０に多結晶シリコンを用いた多結晶シリコンＴＦＴ１１０を採用される。もちろん、多結晶シリコンに限らず、非晶質シリコンＴＦＴであってもよい。
【００３０】
下地材料膜５０としては、具体的には、仕事関数の差が例えば０．５ｅＶ程度以下の材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、透明電極２５０と同じＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）やＩＴＯ等の透明導電性材料、或いはモリブデンなどの導電性材料や、その他の非導電性材料が採用可能である。図１及び図２の例では、この下地材料膜５０としては、ＩＺＯなどの導電性材料を用い、また、層間絶縁膜３４に形成されたコンタクトホール内にもこの下地材料膜５０を形成することで、ＴＦＴ１１０のソース電極４０と電気的に接続している。
【００３１】
また、反射電極４４は、このような下地材料膜５０の上に直接形成されている。従って、本実施形態においては、反射電極４４はこの下地材料膜５０を介してＴＦＴ１１０のソース電極４０と電気的に接続されている。従って、ＴＦＴ１１０のゲート電極３２に、ゲート信号（走査信号）が印加されて、ＴＦＴ１１０がオンすると、例えばソース電極４０側の電圧が、ドレイン電極（データライン）３６に印加されているデータ信号電圧に等しくなり、このデータ信号電圧が、ソース電極４０及び下地材料膜５０を介して反射電極４４に印加されることになる。
【００３２】
第１及び第２基板１００，２００には、ガラスなどの透明基板が用いられ、第１基板１００と対向する第２基板２００側には、従来と同様に、カラータイプの場合にはカラーフィルタ２１０が形成され、カラーフィルタ２１０上に透明導電材料からなる透明電極２５０が形成されている。透明導電材料としては、上述の通りＩＺＯやＩＴＯなどが採用されている。なお、アクティブマトリクス型では、この透明電極２５０は各画素に対する共通電極として形成されている。また、このような透明電極２５０の上には、ポリイミドなどからなる配向膜２６０が形成されている。
【００３３】
以上のような構成の第２基板側に対向配置される第１基板１００側では、液晶との接触面に第２基板と同様、ポリイミドなどからなる配向膜６０が形成されている。この配向膜６０の下層には、上述のように反射電極４４が形成されている。反射電極４４には、上述の通り複数の微細な開口部４６が形成されており、この開口部４６の存在によって、反射電極４４の表面（液晶対向面）に、第２基板の透明電極２５０と電気的特性の類似した下地材料膜５０の影響を及ぼしている。従って、透明電極２５０とは本来的には電気的特性の異なる反射電極４４の表面の特性を透明電極２５０の特性に近づけることができ、透明電極２５０と反射電極４４とによって、液晶層３００を対称性よく交流駆動できる。このため、液晶の駆動周波数を上述のようなＣＦＦ以下とした場合であっても、フリッカや液晶の焼き付きなく、高品質な表示が可能となる。
【００３４】
反射電極４４としては、Ａｌ、Ａｇ、これらの合金（本実施形態ではＡｌ−Ｎｄ合金）など、反射特性に優れた材料を少なくともその液晶層側に用いている。この電極４４の厚さは、例えば１０００Å程度である。反射電極４４の複数の開口部４６は、下地材料膜５０の上に反射電極材料を積層し、これをフォトリソグラフィにより画素毎の個別パターンとする際、同時に形成することができる。つまり、反射電極を形成するためのパターンマスクに、開口部用のパターンも形成しておけば、特別な工程の追加なく反射電極４４のパターニングと同時に開口部４６を反射電極形成領域内に形成することができる。
【００３５】
各開口部４６が大きすぎると、開口部領域と非開口領域とで特性の違いが大きくなる。従って、開口部４６の大きさは、その直径を例えば１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下とすることが好適である。開口部４６の形状については特に限定されないが、開口しやすい（エッチングしやすい）形状、例えば図示するような円形が採用できる。
【００３６】
また、反射電極４４において開口部４６の占める割合が大きすぎると反射電極４４による反射面積が減少するため、反射率が低下して反射機能が損なわれる。従って、反射電極４４の形成領域内（開口部を形成しなかった場合の反射電極面積）に対する開口部４６の割合は、２０％以下、より好ましくは１０％以下とすることが望ましい。ここで、下地材料膜５０として、上述のように透明電極２５０と仕事関数の類似した不透明のＭｏ等の高融点金属層を採用することも可能である。Ｍｏ等であればＩＺＯなどと異なり光反射機能を備えるため、開口部領域においても下地材料膜５０によって光を反射することができる。しかし、反射電極材料に用いられるＡｌ等と比較するとＭｏ等の反射率は低く、やはり開口部４６の占める割合は２０％程度に止めることが好適である。
【００３７】
なお、反射電極４４内における開口部４６の配置は、規則的であってもランダムであっても良いが、モアレ縞などの干渉が発生し難い配置とすることが好ましい。従って、ある程度ランダムな配置の方が好ましい。
【００３８】
下地材料膜５０として、ＩＺＯ、ＩＴＯなどの透明導電性材料を採用した場合、この下地材料膜５０は、透過型ＬＣＤの透明画素電極の形成工程までを利用して形成できる。また、後述するように半透過型ＬＣＤを実現する場合には、透明な下地材料膜５０を１画素全域に形成し、反射電極４４の面積を反射型の場合と比較して小さいパターンに変更することで対応できる。また、ＩＺＯ等の下地材料膜５０の上層にＡｌなどからなる反射電極４４を形成した場合、特別な処理をすることなく下地材料膜５０と反射電極４４とをオーミックコンタクトさせることができる。
【００３９】
一方、Ｍｏ等の高融点金属材料を下地材料膜５０に用いた場合、例えばＭｏはその下層の平坦化絶縁膜３８との親和性が高く、また、ソース電極４０及び反射電極４４とのコンタクト性にも優れるため、表示装置としての信頼性向上を図ることができる。また、下地材料膜５０としてＭｏ等を採用した場合、この材料膜５０は透明導電材料などと比較して高い導電率を有しているため、反射電極４４を薄くした場合にも、ＴＦＴ１１０と反射電極４４との間の電気抵抗を十分低く抑えることができる。従って、例えば開口部４６を設けることに代え、或いは開口部４６を形成すると共に、反射電極４４の厚さを減ずることで下地材料膜５０の特性の影響を反射電極４４の表面に及ぼす構成が採用可能である。このような構成は、例えば反射電極４４の厚さを１００Å〜２００Å程度とし、下地材料膜５０としてのＭｏ膜を５００Å程度の厚さとすることで対応できる。
【００４０】
なお、図２の構成では、平坦化絶縁膜３８の各画素領域内に所望の角度の傾斜面が形成されており、この平坦化絶縁膜３８を覆って下地材料膜５０が形成され、その上に反射電極４４が積層されている。そして、反射電極４４の表面には平坦化絶縁膜３８と同様な傾斜が形成されている。このような傾斜面を最適な角度、位置で形成すれば、各画素毎に外光を集光して射出することができ、例えばディスプレイの正面位置での表示輝度の向上を図ることが可能である。もちろん、このような傾斜面は必ずしも存在しなくてもよい。
【００４１】
次に、上記構成の半透過型ＬＣＤへの適用例について説明する。図３は、アクティブマトリクス型の半透過型ＬＣＤの概略平面構成を示している。上記図１の構成と相違する点は、透明導電性材料からなる下地材料膜５０の上の反射電極４４の形成領域が１画素領域よりも小さく、反射電極４４の形成されていない領域では下地材料膜５０が広がって表示電極として機能している点であり、他は共通する。このような半透過型ＬＣＤにおいても、下地材料膜５０の上に形成される反射電極４４には微細な複数の開口部４６を形成し、反射電極４４の表面の電気特性を共通電極２５０の特性に近づけることができる。また反射領域の特性を透過領域の特性に近づけることもできる。従って、液晶層３００を対称性よく駆動でき、かつ透過領域と反射領域との間の特性の差を小さくでき、周囲光の強さ等に応じて光源を切り替えることで、反射表示、透過表示のいずれも高い表示品質を実現できる。
【００４２】
以上、反射層４４を備える反射または半透過型のＬＣＤについて説明したが、本発明に係るスイッチ素子（ＴＦＴ）、下地材料膜５０及び、開口部４６を備えた反射電極４４の構成はＥＬディスプレイにも適用でき、これにより基板側の電極に反射機能を持たせることができる。図４は本実施形態に係るアクティブマトリクス型のＥＬディスプレイの各画素における部分断面構造を示す。
【００４３】
図４のＥＬディスプレイにおいて採用された素子は、発光材料として有機化合物を用いた有機ＥＬ素子９０であり、陽極８０と陰極８６との間に有機素子層８８が形成されている。有機素子層８８は、少なくとも有機発光機能分子を含む発光層８３を備え、有機化合物の特性、発光色などにより単層構造、２層、３層またはそれ以上の多層構造から構成することができる。図４の例では、有機素子層８８は、基板側１００に配置される陽極８０側から正孔輸送層８２／発光層８３／電子輸送層８４がこの順に形成され、発光層８３は陽極８０と同様に画素ごとに個別パターンとされ、正孔輸送層８２及び電子輸送層８４が陰極８６と同様に全画素共通で形成されている。なお、隣接する画素間で各陽極８０を絶縁し、また陽極８０のエッジ領域において上層の陰極８６とのショートを防止する目的で、隣接画素の陽極間領域には平坦化絶縁膜３９が形成されている。
【００４４】
この有機ＥＬ素子９０は、陽極８０から注入される正孔と陰極８６から注入される電子とが発光層８３で再結合して有機発光分子が励起され、これが基底状態に戻る際に光が放射される。有機ＥＬ素子９０は電流駆動型の発光素子であり、陽極８０は、有機素子層８８に対して十分な正孔注入能力を備える必要があり、通常、仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電材料が用いられる。このため、発光層８３からの光は、透明な陽極８０側から透明な基板１００を透過して外部に射出される。これに対し、図４に示すアクティブマトリクス型有機ＥＬディスプレイでは、仕事関数の高いＩＴＯ、ＩＺＯ、或いはＭｏなどからなる下地材料膜５０と、この上に形成された開口部４６付きの反射電極４４との積層により光反射性の陽極８０を実現している。即ち、反射電極４４の有機素子層８８との界面に、開口部４６を介して下地時材料膜５０の高い仕事関数の影響が及ぶことで、単独では正孔注入能力の低い反射電極４４から、有機素子層８８に正孔を注入することができる。また、発光層８３で得られた光を高い反射率を備えた反射電極４４の表面で上方に向けて反射することができる。
【００４５】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明では、反射型または半透過型ＬＣＤのように一方の基板側に反射電極を必要とする場合に、反射電極に複数の開口部を設けることでその表面特性を下地材料膜の特性、つまり他方の透明電極の特性に近づけることが可能である。従って、簡易な構成で、液晶を対称性よく交流駆動することができ、液晶の駆動周波数を例えばＣＦＦ以下に設定したような場合であっても、フリッカの発生なく、また焼き付きを発生させることなく高品質な表示を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス型の反射型ＬＣＤの第１基板側の概略平面構成を示す図である。
【図２】  図１のＡ−Ａ線に沿った位置における反射型ＬＣＤの概略断面構成を示す図である。
【図３】  本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス型の半透過型ＬＣＤの第１基板側の概略平面構成を示す図である。
【図４】  本発明のアクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイの概略断面構造を示す図である。
【図５】  従来のアクティブマトリクス型の反射型ＬＣＤにおける第１基板側の一部平面構造を示す図である。
【図６】  図５のＣ−Ｃ線に沿った位置における従来の反射型ＬＣＤの概略断面構造を示す図である。
【符号の説明】
２０  能動層（ｐ−Ｓｉ層）、３０  ゲート絶縁膜、３２  ゲート電極（ゲートライン）、３４  層間絶縁膜、３６，３７  ドレイン電極（データライン）、３８，３９  平坦化絶縁膜、４０  ソース電極、４４  反射電極、４６  開口部、５０  下地材料膜、６０，２６０  配向膜、８０  陽極、８２  正孔輸送層、８３  発光層、８４  電子輸送層、８６  陰極、８８  有機素子層、９０  有機ＥＬ素子、１００  第１基板、１１０  ＴＦＴ、２００  第２基板、２１０  カラーフィルタ、２５０  第２電極、３００  液晶層。
【図１】
0003953340.tif 000002
【図２】
0003953340.tif 000003
【図３】
0003953340.tif 000004
【図４】
0003953340.tif 000005
【図５】
0003953340.tif 000006
【図６】
0003953340.tif 000007