(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス部材、金属部材、および前記セラミックス部材と前記金属部材とを接合する接合層を備えているセラミックス−金属接合体であって、
前記セラミックス部材と前記金属部材がプレート状であり、前記接合層が、流動性接着剤組成物の硬化物からなる接着部と、樹脂からなるスペーサー部とを含み、前記接合層中の同一平面内に前記接着部と前記スペーサー部がともに含まれており、前記スペーサー部が、前記セラミックス部材に接触する第一層、前記金属部材に接触する第二層、および前記第一層と前記第二層との間にある中間層を備えており、前記第一層と前記第二層とがそれぞれシリコーン樹脂またはアクリル樹脂からなることを特徴とする、セラミックス−金属接合体。
【請求項２】
複数の前記スペーサー部が互いに分離されており、かつ前記接着部によって包囲されていることを特徴とする、請求項１記載のセラミックス−金属接合体。
【請求項３】
前記接着部がシリコーン樹脂接着剤またはエポキシ樹脂接着剤からなることを特徴とする、請求項１または２記載のセラミックス−金属接合体。
【請求項４】
前記中間層がポリイミド樹脂からなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つの請求項に記載のセラミックス−金属接合体。
【請求項５】
前記セラミックス部材が半導体支持部材であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載のセラミックス−金属接合体。
【請求項６】
前記半導体支持部材が少なくとも静電チャック機能を備えていることを特徴とする、請求項５記載のセラミックス−金属接合体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体支持装置や電子部品などのセラミックス部材と金属部材の接合体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＣＶＤ法、スパッタリング法、エッチング法等の半導体プロセスにおいては、いわゆるサセプターの上に半導体ウエハーを設置し、このサセプターを加熱して半導体ウエハーを加熱している。この際、最近は、セラミックス製の静電チャックをサセプターとして使用し、半導体ウエハーをサセプターに対して吸着しながら加熱処理を行うことが開示されている。また、セラミックスヒーターをサセプターとして使用し、このセラミックスヒーターの上に半導体ウエハーを設置し、これを直接加熱することが知られている。しかし、半導体ウエハーの生産量を向上させるためには、サセプター上の半導体ウエハーの着脱サイクルにおける温度変化を抑制するために、加熱と冷却とを応答性良く行うことが必要であり、このためにはサセプターに対して冷却装置を結合する必要がある。
【０００３】
静電チャックを水冷式の金属冷却板に対して金属ボンディングによって結合する技術が提案されている（特開平３−３２４９号公報）。この技術においては、アルミナからなる静電チャックとアルミニウム製の水冷冷却板とをインジウムで結合している。また、特開平４−２８７３４４号公報においては、ペースト状のシリコーン樹脂からなる接着剤組成物を使用し、サセプターと金属冷却板とを接着している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、インジウムやシリコーン樹脂接着剤組成物を接合材として用い、セラミックス製静電チャックと金属製の水冷フランジとを接合する際には、接合時の圧力が小さいと、接合後に、静電チャックの半導体ウエハー吸着面の平坦度が低下することがあった。ウエハー処理時には、ウエハーが静電チャックの吸着面に対して吸着するので、吸着面の平坦度が低下すると使用できなくなり、歩留り低下の原因となる。また、静電チャックの表面側へとバックサイドガスを供給することが多いが、静電チャックと金属部材との間の接合部分の気密性を高く維持することは難しい問題である。特に半導体製造システムの内部では熱サイクルが印加されるが、熱サイクル印加後にも接合部分の蜜性を高度に維持することが求められている。一方、接合時の圧力を大きくすると、静電チャックと金属冷却板との界面から接着剤が外部へとはみ出すおそれがある。また、接着剤の厚さが不均一になったり、製品ごとに不揃いになったりするおそれがある。この場合には、半導体支持部材と金属部材との間の熱伝導性能が不均一になるので、製造歩留りが低下する。
【０００５】
本発明の課題は、セラミックス部材、金属部材、およびセラミックス部材と金属部材とを接合する接合層を備えているセラミックス−金属接合体において、セラミックス部材の表面の平坦度を向上させるのと共に、熱サイクル印加後にもセラミックス部材と金属部材との間の気密性を高く維持できるようにすることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、セラミックス部材、金属部材、およびセラミックス部材と金属部材とを接合する接合層を備えているセラミックス−金属接合体であって、接合層が、流動性接着剤組成物の硬化物からなる接着部と、樹脂からなるスペーサー部とを含み、接合層中の同一平面内に接着部とスペーサー部がともに含まれており、スペーサー部が、セラミックス部材に接触する第一層、金属部材に接触する第二層、および第一層と第二層との間にある中間層を備えており、第一層と第二層とがそれぞれシリコーン樹脂またはアクリル樹脂からなることを特徴とする。
【０００７】
本発明者は、セラミックス部材と金属部材との間の接合層を、流動性接着剤組成物によって形成する接合部と、樹脂からなる異相のスペーサー部とに機能分離することを想到した。このような構造を採用することによって、セラミックス部材と金属部材とを接合するのに際して、高い圧力を加えたときに、スペーサー部によって高い圧力がある程度吸収され、流動性接着剤組成物のはみ出しが抑制され、接着剤層の厚さを均一化することができる。この結果、セラミックス部材の表面の平面度を向上させることができ、かつ接着部における気密性が高くなり、熱サイクル印加後にも接着部における剥離や気密性の低下が生じにくい。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、図面を適宜参照しつつ、本発明を更に説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形態において使用する静電チャック１を概略的に示す断面図であり、図１（ｂ）は金属部材７の断面図である。
【０００９】
静電チャック１は、セラミックス製の基体２と、基体２内に埋設された静電チャック電極３とを備えている。電極３には端子６が接続されている。静電チャック１の吸着面２ａに半導体ウエハーを支持し、吸着する。
【００１０】
本例の金属部材７は、冷却機能を有する冷却フランジである。冷却フランジ７には貫通孔１８が設けられており、貫通孔１８からバックサイドガス、例えばアルゴンガスや窒素ガスを供給可能となっている。また、冷却フランジ７および静電チャック１には、半導体ウエハーを持ち上げるためのリフトピン用の貫通孔を形成できる（図示せず）。
【００１１】
本発明におけるセラミックス部材は特に限定されないが、半導体支持部材や電子部品が好ましい。半導体支持部材は、半導体ウエハーを設置するサセプターであればよく、種々の機能を有していてよい。例えば、基体の内部に静電チャック電極を設けた場合には、このセラミックス部材は静電チャックとして使用できる。また、基体の内部に抵抗発熱体を設けた場合には、この保持部材をセラミックスヒーターとして使用できる。更に、基体中にプラズマ発生用の電極を設けた場合には、この保持部材をプラズマ発生用電極として使用できる。好適な実施形態では半導体支持部材が静電チャックである。電子部品としては、放熱板を接合したＩＣチップ、特に発熱量が多いスーパーコンピューター用のＩＣチップなどを例示できる。
【００１２】
セラミックス部材の基体を構成するセラミックスとしては、アルミナのような酸化物系セラミックス、チタン酸カルシウム、チタン酸バリウム、窒化物セラミックスを例示できる。窒化物セラミックスとしては、窒化珪素およびサイアロンが、耐熱衝撃性の点で好ましい。また、窒化アルミニウムは、フッ素系腐食性ガスに対する耐蝕性、および熱伝導性の点で好ましい。
【００１３】
金属部材の種類は特に限定されない。好適な実施形態においては、金属部材が、冷却機構を備えた金属部材である。金属部材の材質は特に制限はないが、ハロゲン系腐食性ガスに対して冷却装置がさらされる場合には、アルミニウム、銅、ステンレス鋼、ニッケルまたはこれらの金属の合金を使用することが好ましい。
【００１４】
冷却装置において使用できる冷媒は、水、シリコンオイル等の液体であってよく、また空気、不活性ガス等の気体であってもよい。
【００１５】
ここで、セラミックス部材１の接着面２ｂと、金属部材７の接着面７ａとの一方または双方に、所定パターンに従って流動性接着剤組成物４Ａ、４Ｂを設ける。好ましくは、セラミックス部材１の接着面２ｂと、金属部材７の接着面７ａとの双方に流動性接着剤組成物４Ａ、４Ｂを設ける。
【００１６】
流動性接着剤組成物の種類は、後述するスペーサー部の材質を劣化させないような温度で硬化可能であれば、特に限定されないが、好ましくは樹脂である。特に好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂である。
【００１７】
シリコーン樹脂組成物としては、特開平４−２８７３４４号公報に記載の組成物を利用できるし、また他の公知の樹脂組成物を利用できる。一般的には、シリコーン樹脂は、シロキサン結合を主骨格とする珪素化合物重合体であって、未架橋、部分架橋、未架橋の各重合体を含む。例えば、下式のいずれかの繰り返し単位を主要な繰り返し単位とする。ここで、Ｒは、水素原子、炭化水素基、あるいは芳香族基であり、好ましくは水素原子、置換または未置換のアルキル基、または置換または未置換のフェニル基であり、特に好ましくは、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基である）
【００１８】
【化１】
0004003932.tif 000002
【００１９】
【化２】
0004003932.tif 000003
【００２０】
アクリル樹脂組成物も特に限定されない。一般的には、アクリル樹脂は、アクリル酸およびアクリル酸の誘導体の重合体の総称であり、ホモポリマーとコポリマーとの両者を含み、架橋物、部分架橋物、未架橋物のいずれも含む。アクリル酸の誘導体は、アクリル酸エステル、アクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリル酸、メタクリル酸エステルを含む。
【００２１】
エポキシ樹脂組成物も特に限定されない。
【００２２】
セラミックス部材の接着面、金属部材の接着面に流動性接着剤組成物を設ける方法は特に限定されず、公知の塗布方法、印刷方法を利用できる。例えば、スクリーン印刷法、はけ塗り法、霧吹き法を例示できる。
【００２３】
流動性接着剤組成物中には、熱伝導性の高い材質からなるフィラーを充填することによって、セラミックス部材と金属部材との間の熱伝導を促進することが好ましい。このフィラーの形態、材質は特に限定されない。フィラーの形態は、例えば粒子状、鱗片状、ウィスカー状であってよい。フィラーの材質は、セラミックスや金属が好ましい。このセラミックスとしては、アルミナ，窒化アルミニウム、炭化珪素が好ましく、金属としてはアルミニウムおよびアルミニウム合金が好ましい。フィラーの粒径は、０．５〜５０μｍが好ましい。また、流動性接着剤組成物中におけるフィラーの含有量は、接着部分の熱伝導を促進するという観点からは、１０ｖｏｌ％以上が好ましく、２０ｖｏｌ％以上が更に好ましい。また、接着部分の気密性を一層向上させるという観点からは、６０ｖｏｌ％        以下が好ましい。
【００２４】
次いで、図２（ａ）に示すように、金属部材７の接着面７ａ上に、流動性接着剤組成物４Ｂのない領域に、スペーサー部８、８Ａを設ける。スペーサー部８、８Ａは、セラミックス部材の接着面２ｂ上に設けることもできる。
【００２５】
ポリイミド樹脂は、主鎖中に酸イミド結合を有する重合体であり、好ましくは下式で表される繰り返し単位を、重合体全体の５０ｍｏｌ％以上有する。ここで、Ａｒ１は、少なくとも一個の芳香環を有する化合物である。イミド環を形成する２つのカルボニル基は、この芳香環上の隣接する炭素原子に結合している。Ａｒは有機官能基であり、好ましくは芳香環を含む官能基である。
【００２６】
【化３】
0004003932.tif 000004
【００２７】
更に好ましくは、ポリイミド樹脂は、下式で表される繰り返し単位を、重合体全体の５０ｍｏｌ％以上有している。
【００２８】
【化４】
0004003932.tif 000005
【００２９】
本発明では、スペーサー部が、例えば図２（ｂ）に示すように、セラミックス部材１に接触する第一層８ａ、金属部材７に接触する第二層８ｃ、および第一層８ａと第二層８ｃとの間にある中間層８ｂを備えている。第一層８ａと第二層８ｃとがそれぞれシリコーン樹脂またはアクリル樹脂からなる。特に好ましくは、中間層８ｂがポリイミド樹脂からなる。このような積層構造を採用すると、接合時に高い圧力を印加可能であり、熱サイクル後の接合部分の信頼性が一層向上する。
【００３０】
スペーサー部は、金属部材やセラミックス部材の各接合面に対して、粘着性や接着性を有している必要はない。しかし、図２に示すようにスペーサー部８、８Ａを固定する際には、下地となる接合面に対する粘着性や接着性を有していることが好ましい。
【００３１】
本発明においては、複数のスペーサー部が接着部によって互いに分離されていることが好ましい。言い換えると、平面的に見て、接着部が連続相を構成しており、複数のスペーサー部がそれぞれ接着部によって分離された分離相を形成していることが好ましい。例えば、図５に示す例においては、接着部７は連続相を構成しており、各スペーサー部１５、１５Ａは分離相を構成している。
【００３２】
図２（ａ）に示すように、セラミックス部材１を支持棒９によって支持し、セラミックス部材１の接着面２ｂを金属部材７の接着面７ａに対向させる。この時点で、接着面２ｂ上の流動性接着剤組成物４Ａと、接着面７ａ上の流動性接着剤組成物４Ｂとが、平面的に見て同じ位置にくるように位置決めする。
【００３３】
次いで、図３に示すように、セラミックス部材１と金属部材７とを積層して積層体２８を作製する。そして、積層体２８を加熱および加圧し、接合する。この時点においては、積層体２８を等方加圧しながら加熱することが好ましい。ここで、積層体の等方加圧方法や加熱方法は特に限定されない。典型的には、図３に示すように、積層体２８を被膜１９内に真空パックし、不活性雰囲気の充填された密閉容器内に収容し、この密閉容器内で不活性雰囲気によって積層体を等方加圧する。しかし、液体によって積層体を等方加圧することも可能である。また、流動性接着剤組成物が真空中で加熱しても硬化しにくい場合は、積層体２８を被膜１９内に大気圧でパックすることも可能である。
【００３４】
被膜１９の材質は、弾性および加熱温度での耐熱性を有する限り、特に限定されない。不活性気体としては、窒素、アルゴン、窒素とアルゴンとの混合気体を例示できる。また、不活性気体の圧力は、接合体において充分な気密性が得られる程度の圧力であれば良い。一般的に、接合体の気密性を向上させるという観点からは、密閉容器内と被膜１９内の差圧が０．２ａｔｍ以上とすることが好ましく、０．５ａｔｍ以上とすることが更に好ましい。密閉容器内と被膜１９内の差圧の上限は特にないが、実用的には２０ａｔｍ以下が好ましく、１０ａｔｍ以下が更に好ましい。
【００３５】
密閉容器は特に限定されないが、好適な実施形態においてはオートクレーブである。
【００３６】
本発明においては、少なくとも、加熱時の最高温度時に等方加圧を行っていることが好ましい。即ち、図６に示すように、加熱時の最高温度（Ｔ１）時（時間ｔ２からｔ３の間）には、圧力が所定圧力Ｐ１に達している必要がある。
【００３７】
好適な実施形態においては、最高温度Ｔ１からの降温時（ｔ３以降）にも等方加圧を継続する。特に好適な実施形態においては、室温ＴＲへの温度降下時（ｔ４）まで等方加圧を継続する。これによって、接合後のセラミックス部材の表面の平坦度が一層向上する。
【００３８】
流動性接着剤組成物の加熱温度Ｔ１は、特に限定されないが、セラミックス部材の支持面２ａの平面度を向上させるという観点からは、１５０℃以下であることが好ましく、１２０℃以下であることが更に好ましい。なお、流動性接着剤組成物の種類によっては、加熱は必ずしも必要なく、あるいは５０℃以下の低温加熱でも十分に硬化する場合がある。
【００３９】
この結果、図４に示すような接合体１１が得られる。図５は、図４の接合体（半導体支持装置）１１において、金属部材７の接着面７ａ上の接合層２７の平面的パターンを示す図であり、従ってセラミックス部材２は図示省略してある。
【００４０】
この装置１１においては、セラミックス部材２の接着面２ｂと金属部材７の接着面７ａとが接合層２７によって接合されている。接合層２７は、流動性接着剤組成物４の硬化物からなる接着部１３と、樹脂からなるスペーサー部１５、１５Ａとからなる。スペーサー部の構成は本発明に従う。ここで、図５に示すように、スペーサー部１５は略円形をしており、接着面７上にほぼ一定の密度で規則的に配列されている。スペーサー部１５Ａはそれぞれリング状をしており、ガス供給孔１８の周囲を包囲するか、あるいはリフトピン孔１９の周囲を包囲している。このように、孔部の周囲をリング状のスペーサー部１５Ａによって包囲することで、流動性接着剤組成物の孔部へのはみ出しを防止し、孔部の周囲における熱伝導の不良や剥離を防止できる。
【００４１】
本発明において、セラミックス部材の表面２ａの平坦度は、好ましくは３０μｍ以下であり、更に好ましくは１０μｍ以下である。
【００４２】
接合層の厚さは、接合後のセラミックス部材表面の平面度を良好とするという観点からは、０．０３ｍｍ以上であることが好ましく、０．０５ｍｍ以上であることが好ましい。また、セラミックス部材と金属部材との間の熱伝導を良好とするという観点からは、０．５ｍｍ以下とすることが好ましく、０．２ｍｍ以下とすることが更に好ましい。
【００４３】
（参考例１）
図１〜図４を参照しつつ説明した方法に従って、図４、図５に示す装置を製造した。具体的には、静電チャック１と水冷フランジ７とを準備した。静電チャック１の基体２は、直径φ３００ｍｍ、厚さ１０ｍｍの円板形状をしている。基体２は窒化アルミニウムからなり、基体２の内部にモリブデン製の金網からなる電極３が埋設されている。水冷フランジ７はアルミニウム合金製であり、寸法φ３００ｍｍ、厚さ３０ｍｍの円板形状をしている。水冷フランジ７の内部には水冷溝が形成されており、かつ端子用の孔、リフトピン用の貫通孔、バックサイドガス用の貫通孔が設けられている。静電チャック１の吸着面２ａの平坦度は１０μｍである。接着面２ｂ、７ａの平坦度は３０μｍ以下である。静電チャックは、アセトン、イソプロピルアルコールおよび純水の順番で超音波洗浄した。
【００４４】
付加反応形のシリコーン樹脂組成物を使用した。この組成物中には、平均粒径２０μｍのアルミナ粒子からなるフィラーが、３０ｖｏｌ％添加されている。この組成物を、真空容器中で１Ｔｏｒｒで２０分間保持することによって真空脱泡した。次いで、２００メッシュのスクリーンを使用し、接着剤組成物を接着面２ｂ、７上にスクリーン印刷した。この際に、図５に示すような平面的パターンのマスクを使用した。一方、ポリイミドテープ（「カプトンテープ」３Ｍ製：厚さ５０〜１００μｍ）を切断し、図５に示すような形態の円形あるいはリング状のスペーサー部を作製した。次いで、図２に示すように、各スペーサー部８、８Ａを設置した。スペーサー部の厚さは７０μｍである。
【００４５】
次いで、真空容器中に水冷フランジ７を設置し、その上に静電チャック２を対向させて保持し、真空吸引して０．１Ｔｏｒｒとした。次いで、静電チャック２と水冷フランジ７とを貼り合わせて積層体２８を得た。この積層体を真空パックし、オートクレーブ中に収容し、１２０℃、３ａｔｍで２時間加熱および加圧し、シリコーン樹脂を硬化させた。なお、シリコーン樹脂の場合には、真空中で硬化しないことがあるので、その場合には大気中でパックする。
【００４６】
得られた半導体支持装置について、初期と熱サイクル印加後との双方について、ウエハー吸着面の平面度とヘリウムリーク量とを測定した。ただし、熱サイクル印加時には、室温から５０℃まで２０℃／分で温度を上昇させ、次いで５０℃で３０分間保持し、−２０℃まで２０℃／分で温度を降下させた。これを１サイクルとし、１００サイクル繰り返した。
【００４７】
静電チャックの吸着面の平坦度は、以下のように測定した。定盤の上に接合体を設置する。この際、吸着面が上向きになるようにする。そして、吸着面の各測定点の高さをハイトゲージによって測定する。吸着面の中心点を測定するのと共に、中心点からＸ軸方向に沿って８点選択して測定し、中心点からＹ軸方向に沿って８点選択して測定する。合計１７点についての高さの測定値を得た後、最高高さと最低高さとの差を算出し、平坦度とする。
【００４８】
また、バックサイドガス用の貫通孔１８を利用し、ヘリウムリーク試験を行った。製造条件を表１に示し、測定結果を表２に示す。
【００４９】
【表１】
0004003932.tif 000006
【００５０】
【表２】
0004003932.tif 000007
【００５１】
（参考例２）
参考例１と同様にして、図４、図５に示す装置１１を製造した。ただし、実施例１において、室温硬化型のエポキシ樹脂組成物を使用した。この組成物中には、平均粒径２０μｍのアルミナ粒子からなるフィラーが、３０vol％添加されている。接合時の温度は３０℃とし、圧力は１ｋｇ／ｃｍ２とした。測定結果を表２に示す。
【００５２】
（参考例３）
参考例１と同様にして、図４、図５に示す装置１１を製造した。ただし、実施例１において、室温硬化型のアクリル樹脂組成物を使用した。この組成物中には、平均粒径２０μｍのアルミナ粒子からなるフィラーが、３０vol％添加されている。接合時の温度は３０℃とし、圧力は１ｋｇ／ｃｍ２とした。測定結果を表２に示す。
【００５３】
（比較例１）
参考例１において、スペーサー部を使用せず、静電チャックおよび水冷フランジの各接着面の全体にシリコーン樹脂組成物を印刷した。そして、両者の積層体を真空パックしてオートクレーブに収容する工程は行わず、積層体上に１５ｇ／ｃｍ２の圧力のおもりを乗せた状態で、１２０℃で接合した。測定結果を表２に示す。
【００５４】
（比較例２）
参考例１において、シリコーン樹脂接着剤組成物およびスペーサー部を使用しなかった。その代わりに、ポリイミドテープ（「カプトンテープ」：厚さ５０〜１００μｍ）を水冷フランジの接着面上に設置し、その上に静電チャックを対向させて保持し、真空吸引して０．１Ｔｏｒｒとした。次いで、静電チャックと水冷フランジ７とを貼り合わせて積層体を得た。この積層体を真空パックし、オートクレーブ中に収容し、１２０℃、１４ｋｇ／ｃｍ２で２時間加熱および加圧した。
【００５５】
参考例１、２、３においては、初期、熱サイクル後共に吸着面の平面度が高く、ヘリウムリーク量が１０−１０Ｐａ・ｍ３／ｓ以下である。比較例１においては、初期、熱サイクル後ともに吸着面の平面度が低い。比較例２においては、吸着面の平面度が十分に高くなるような加圧は可能であった。しかし、熱サイクル後のヘリウムリーク量が大きくなり、気密性が低下していた。
【００５６】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、セラミックス部材、金属部材、およびセラミックス部材と金属部材とを接合する接合層を備えている半導体支持装置において、セラミックス部材の表面の平坦度を向上させるのと共に、熱サイクル印加後にもセラミックス部材と金属部材との間の気密性を高く維持できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態で使用するセラミックス部材１を概略的に示す断面図であり、（ｂ）は、金属部材７を概略的に示す断面図である。
【図２】（ａ）は、接合直前のセラミックス部材１と金属部材７とを概略的に示す断面図であり、（ｂ）は、三層構造のスペーサー部を示す図である。
【図３】セラミックス部材１と金属部材７との接合体２８を概略的に示す断面図である。
【図４】半導体支持装置１１を概略的に示す断面図である。
【図５】図４の接合体（半導体支持装置）１１において、金属部材７の接着面７ａ上の接合層２７の平面的パターンを示す図である（半導体支持部材２は図示省略してある）。
【図６】接合時の圧力および温度スケジュールの一例を示す。
【符号の説明】
１  セラミックス部材（静電チャック）        ２  基体      ２ａ  表面（吸着面）        ２ｂ  接着面        ３  電極        ４Ａ、４Ｂ  流動性接着剤組成物        ６  端子        ７  金属部材（冷却フランジ）        ７ａ  接着面        ８、８Ａ  スペーサー部（接合前）        １１  半導体支持装置        １３  接着部        １５、１５Ａ  スペーサー部        １８  ガス供給孔        ２７  接合層        Ａ  加圧の方向  Ｂ  ガスの流れ
【図１】
0004003932.tif 000008
【図２】
0004003932.tif 000009
【図３】
0004003932.tif 000010
【図４】
0004003932.tif 000011
【図５】
0004003932.tif 000012
【図６】
0004003932.tif 000013