(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック原料と可塑剤とを含有したセラミック層と電極とを交互に積層して積層体を作製する第１の工程と、前記積層体から可塑剤を除去する第２の工程と、前記積層体を研磨する第３の工程と、前記積層体を焼成する第４の工程とを備え、前記第１の工程において積層体は電子部品を実装する表面およびプリント基板に実装する裏面に電極を有すると共に前記表面角部に保護膜を設けることにより、前記第３の工程で前記積層体の角部の曲率半径を前記表面側の方が前記裏面側よりも小さくなるようにしたセラミック基板の製造方法。
【請求項２】
保護膜は樹脂で形成し、この保護膜を第４の工程で消失させる請求項１に記載のセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極とセラミック層とを積層したセラミック基板とその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来のセラミック基板について説明する。
【０００３】
まず、ガラスセラミック原料と、可塑剤などの有機物とを混合して作製したセラミックシート上に金属ペーストを印刷することにより所望の電極を形成する。
【０００４】
次に、このセラミックシートを積層し、電極とセラミック層とが交互に積層された積層体ブロックを得る。この積層体ブロックは、少なくとも表面に電極を有するものである。
【０００５】
次いで、この積層体ブロックを個々の積層体に切断し、熱処理することにより積層体中の可塑剤を除去する。
【０００６】
その後、バレル研磨を行い角部を曲面状にし、焼成することによりセラミック基板を得る。
【０００７】
このセラミック基板は、表面の導体上にコンデンサやコイルなどのチップ部品を実装し、携帯電話などの電子機器に組込まれる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
通常バレル研磨を行う、セラミック基板の角部はチップ部品実装側もそうでない側も同様に研磨されることになる。
【０００９】
さて、携帯電話などの小型電子機器においては、落下などの衝撃に対する強度が求められる。つまり、中に組込まれるセラミック基板にも衝撃に対する強度が求められることになる。
【００１０】
従って、衝撃に対する強度を確保するために、セラミック基板の角部は曲率半径の小さな曲面とすることが望ましいのであるが、小さくするとチップ部品の実装面積も小さくなり、チップ部品の実装が困難になるという問題点を有していた。
【００１１】
そこで本発明は、耐衝撃性を確保しつつ、十分な実装面積を有するセラミック基板を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、以下の構成を有するものである。
【００１３】
本発明の請求項１に記載の発明は、特に、セラミック原料と可塑剤とを含有したセラミック層と電極とを交互に積層して積層体を作製する第１の工程と、前記積層体から可塑剤を除去する第２の工程と、前記積層体を研磨する第３の工程と、前記積層体を焼成する第４の工程とを備え、前記第１の工程において積層体は電子部品を実装する表面およびプリント基板に実装する裏面に電極を有すると共に前記表面角部に保護膜を設けることにより、前記第３の工程で前記積層体の角部の曲率半径を前記表面側の方が前記裏面側よりも小さくなるようにしたものであり、耐衝撃性を確保しつつ、十分な実装面積を有するセラミック基板を得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて本発明について説明する。
【００１５】
図１は、本実施の形態におけるセラミック基板の斜視図、図２は図１に示すセラミック基板の側面図、図３は、本実施の形態における積層体の上面図、図４は図３において丸で囲んだ部分の上面図、図５〜図７は図１に示すセラミック基板の横断面図、図８は図１に示すセラミック基板の裏面図である。
【００１６】
図において１１はセラミック層、１２は表面電極、１３は保護膜、１４はグランド電極、１５はコンデンサ電極、１６はコイル電極、１７は裏面電極、１８は端面電極、１９はチップ部品である。
【００１７】
以下、本実施の形態のセラミック基板の製造方法について説明する。
【００１８】
まず、セラミック層１１を４枚積層し、その表面に図５に示すグランド電極１４を形成する。
【００１９】
次に、この上にセラミック層１１を２枚積層して、図６のコンデンサ電極１５を形成する。
【００２０】
次いで、その上面にセラミック層１１を２８枚積層して図７のコイル電極１６を形成する。
【００２１】
その後、所定の位置に貫通孔を設けたセラミック層１１をその上に更に積層する。
【００２２】
これら各セラミック層１１は、ガラスセラミック原料に可塑剤、バインダなどの有機物を混合して形成したものであり、その大きさは縦、横それぞれ７０ｍｍ、厚み５０μｍである。
【００２３】
またグランド電極１４、コンデンサ電極１５、コイル電極１６は銀ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、乾燥することにより形成している。さらに貫通孔にも銀ペーストを充填し、表面に露出するようにした。
【００２４】
次に、図３、図４に示すように表面電極１２及び保護膜１３を銀ペーストをスクリーン印刷することにより形成する。
【００２５】
保護膜１３は各角部に設けている。
【００２６】
次いで、裏面に図８に示すように、裏面電極１７を表面電極１２と同様に形成して積層体ブロックを得る。
【００２７】
そして、積層体ブロックを４０℃、８ＭＰａの圧力で１分間熱圧着した。
【００２８】
この積層体ブロックを縦７ｍｍ、横５ｍｍのサイズに、ブレード刃を用いて切断し、多数の積層体を得る。これを、乾燥機で、大気中、２００℃、３時間熱処理し、グリーンシート中の可塑剤を乾燥させた。
【００２９】
次に、６００ｍｌのポリポットに、直径３ｍｍのアルミナボール、水を加えて１００ｒｐｍの速度で１時間回転させることにより、積層体の研磨（バレル研磨）を行った。
【００３０】
このように研磨した場合、従来の保護膜１３を有しない積層体は各角部が均等に研磨される。しかしながら、本実施の形態の積層体は、保護膜１３により、図２に示すように表面側、裏面側で角部の研磨量が異なる。
【００３１】
この研磨工程後の表面側と裏面側の角部の曲率半径を（表１）に示す。
【００３２】
【表１】
0003922092.tif 000002
【００３３】
次に、この積層体を乾燥後、大気中、５００℃で熱処理してバインダを焼却した後、９００℃で３０分保持して焼成した。焼成後の角部の曲率半径を（表２）に示す。
【００３４】
【表２】
0003922092.tif 000003
【００３５】
（表１）、（表２）を見ると分かるように、保護膜１３を設けることにより、積層体の表面側と裏面側の研磨量を変えることができる。また、保護膜１３の形成場所が端部から離れるほど研磨量は多くなる。
【００３６】
次いで、積層体の側面に市販のガラスフリット入り銀ペーストを塗布し、８００℃で１０分間保持して焼き付け、端面電極１８を形成し、セラミック基板を得た。
【００３７】
このようにして得たセラミック基板は、表面にコンデンサやコイルなどのチップ部品１９を実装した後、プリント基板などに実装して用いるのであるが、プリント基板側の角部の曲率半径をＲ１（μｍ）とするとＲ１≧８０で、その反対側に表面電極２０，２１，２２，２３を設け、チップ部品１９を実装する側の角部の曲率半径はＲ２（μｍ）とすると、Ｒ２≦Ｒ１−２０とすることにより、落下などの衝撃にも強く、かつ十分な部品実装面積を有するものとなる。
【００３８】
なお、保護膜１３は、銀に限らず、金、銅、白金、パラジウム粉末など他の金属を用いて形成したとしても同様の効果が得られる。
【００３９】
また、保護膜１３を独立して設けなくとも、表面電極１２を角部にまで延長して保護膜とすることにより同様の効果が得られる。
【００４０】
さらに、積層体から可塑剤を除去した後、バインダ除去前に研磨を行ったが、これはバインダ除去後の積層体は脆弱になっているので研磨を行うと破壊してしまうからである。
【００４１】
さらにまた、保護膜１３の形状は、図４に示すように積層体端部に最も近い２辺が角部を構成する２辺と平行となるように、かつ端部からの距離が等しくなるようにすることにより、研磨状態にばらつきがなく耐衝撃性に優れたものとなる。
【００４２】
（実施の形態２）
以下、実施の形態２を用いて本発明について説明する。
【００４３】
実施の形態１と異なる点は、保護膜１３である。
【００４４】
実施の形態１では表面電極１２と同様に、銀ペーストを用いて印刷形成した。しかしながら、本実施の形態では、表面電極１２を形成した後に、表面角部に樹脂ペーストを印刷することにより保護膜１３を形成するものである。樹脂としてブチラール樹脂を使用した。
【００４５】
次に、実施の形態１と同様にして積層体を得、研磨した。この研磨工程後の表面側と裏面側の角部の曲率半径を（表３）に示す。
【００４６】
【表３】
0003922092.tif 000004
【００４７】
次に、この積層体を乾燥後、大気中、５００℃で熱処理してバインダを焼却した後、９００℃で３０分保持して焼成した。この焼成により保護膜１３は消失してしまう。焼成後の角部の曲率半径を（表４）に示す。
【００４８】
【表４】
0003922092.tif 000005
【００４９】
その後、実施の形態１と同様にしてセラミック基板を得た。
【００５０】
本実施の形態のセラミック基板も実施の形態１のセラミック基板と同様に、表面にコンデンサやコイルなどのチップ部品１９を実装した後、プリント基板などに実装して用いるのであるが、プリント基板側の角部の曲率半径をＲ１（μｍ）とするとＲ１≧８０で、その反対側に表面電極１２を設け、チップ部品を実装する側の角部の曲率半径はＲ２（μｍ）とすると、Ｒ２≦Ｒ１−２０とすることにより、落下などの衝撃にも強く、かつ十分な部品実装面積を有するものとなる。
【００５１】
なお、保護膜１３を形成する樹脂は、ブチラール樹脂に限らず、所望状態に研磨できればどのような樹脂を用いても構わない。
【００５２】
また、積層体から可塑剤除去後、バインダ除去前に研磨を行ったが、これはバインダ除去後の積層体は、脆弱になっているので研磨を行うと破壊してしまうからである。
【００５３】
さらに、表面電極１２を形成してから、樹脂ペーストを印刷して保護膜１３を形成することにより、保護膜１３よりも形状が複雑な表面電極１２を精度良く形成することができる。
【００５４】
さらにまた、保護膜１３の形状は、積層体端部に最も近い２辺が角部を構成する２辺と平行となるように、かつ積層体端部からの距離が等しくなるようにすることにより、研磨状態にばらつきがなく耐衝撃性に優れたものとなる。
【００５５】
【発明の効果】
以上、本発明によると、チップ部品を実装する側よりもプリント基板に実装する側の曲率半径を大きくすることにより、耐衝撃性に優れると共に、十分な実装面積を有するセラミック基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１におけるセラミック基板の斜視図
【図２】  同側面図
【図３】  本発明の実施の形態１，２における積層体の上面図
【図４】  図３において丸で囲んだ部分の拡大上面図
【図５】  図１に示すセラミック基板の横断面図
【図６】  図１に示すセラミック基板の横断面図
【図７】  図１に示すセラミック基板の横断面図
【図８】  図１に示すセラミック基板の裏面図
【符号の説明】
１１  セラミック層
１２  表面電極
１３  保護膜
１４  グランド電極
１５  コンデンサ電極
１６  コイル電極
１７  裏面電極
１８  端面電極
１９  チップ部品
【図１】
0003922092.tif 000006
【図２】
0003922092.tif 000007
【図３】
0003922092.tif 000008
【図４】
0003922092.tif 000009
【図５】
0003922092.tif 000010
【図６】
0003922092.tif 000011
【図７】
0003922092.tif 000012
【図８】
0003922092.tif 000013