(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置であり、前記基板支持台の昇降装置を備えており、該基板支持台及び基板支持台昇降装置が共に該真空チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出すことができることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記基板支持台に対し相対的に昇降して該基板支持台上方へ突出できる基板リフト部材及び該リフト部材の昇降装置を備えており、該基板リフト部材及び基板リフト部材昇降装置が共に前記チャンバ本体に着脱可能の前記チャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出すことができる請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記基板リフト部材は、リフト部材上端が前記基板支持台上面以下に位置するポジションと該リフト部材上端が該基板支持台上面より上方へ突出するポジションとの間を往復昇降可能に該基板支持台に搭載されており、前記基板リフト部材昇降装置は、
前記基板支持台の下方において前記チャンバ側壁構成部材に接続され、該チャンバ側壁構成部材の前記真空チャンバ本体への取り付けにより該チャンバ本体内に配置され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出される支持フレームと、
前記チャンバ側壁構成部材の外側に位置する正逆動作可能の駆動部と、
少なくとも一部が該支持フレームに搭載され、前記駆動部から動力を受けて前記リフト部材を駆動するリンク機構とを含んでいる請求項２記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記基板支持台昇降装置は、
前記基板支持台の下方において前記チャンバ側壁構成部材に接続され、該チャンバ側壁構成部材の前記真空チャンバ本体への取り付けにより該チャンバ本体内に配置され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出される支持フレームと、
前記チャンバ側壁構成部材の外側に位置する正逆動作可能の駆動部と、
少なくとも一部が該支持フレームに搭載され、前記駆動部から動力を受けて前記基板支持台を昇降させるリンク機構とを含んでいる請求項１、２又は３記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記真空チャンバ内において該チャンバ内へ導入されてくる所定のガスをプラズマ化するガスプラズマ形成のための放電電極を備えており、該電極が前記チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出すことができる請求項１から４のいずれかに記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記真空チャンバ内を所定真空状態にするための排気装置を備えており、該排気装置は該真空チャンバの側壁に形成された排気口に接続されている請求項１から５のいずれかに記載の真空処理装置。
【請求項７】
真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置を複数備えており、該複数の真空処理装置のうち少なくとも一つは請求項１から６のいずれかに記載の真空処理装置であるマルチチャンバ型真空処理装置。
【請求項８】
請求項１から６のいずれかに記載の真空処理装置を複数備えており、該複数の真空処理装置のうち少なくとも二つは上下方向に順次重ねて配置されているマルチチャンバ型真空処理装置。
【請求項９】
前記複数の真空処理装置に対し共通の基板搬送チャンバが設けられている請求項７又は８に記載のマルチチャンバ型真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所定減圧下で被処理基板に所定の処理を施す真空処理装置、例えば所定真空下で薄膜を形成する装置、所定真空下でエッチング処理を実施する装置、所定真空下でイオン注入を行う装置等の真空処理装置に関する。
また本発明は、かかる真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
プラズマＣＶＤ装置、真空蒸着装置等の所定真空下で薄膜を形成する薄膜形成装置、反応性イオンエッチング装置等の所定真空下でエッチング処理を実施するエッチング装置、所定真空下でイオン注入を行うイオン注入装置等の真空処理装置は、通常、被処理基板に所定の処理を施すための真空チャンバを備えており、該チャンバ内には被処理基板を支持する基板支持台が設置され、さらに目的とする処理に応じた処理を実施するための電極その他の機器等のいずれかが設置されている。
【０００３】
また、真空処理装置は、基板支持台と真空チャンバに接続された基板搬入及び（又は）搬出チャンバ内の基板搬送ロボットとの間で基板を受け渡しするために、通常、該基板支持台を昇降させる基板支持台昇降装置を備えている。或いはさらに基板を基板支持台から持ち上げるためのリフトピン等の基板リフト部材を備えている。
【０００４】
かかる基板支持台、基板支持台昇降装置、リフト部材等の従来例について、図１０を参照して説明する。
図１０（Ａ）は真空処理装置の１例であるプラズマＣＶＤ装置を示している。該プラズマＣＶＤ装置は、真空チャンバ９１を備えており、該チャンバ９１内には被処理基板Ｓを支持する基板支持台９２が設置されているとともに支持台９２の上方に放電電極９３が設置されている。支持台９２はこの例では電極を兼ねており、接地されている。電極９３にはマッチングボックス９４１を介して高周波電源９４が接続されている。また、チャンバ９１には成膜用のガスを供給するガス供給装置９５、チャンバから排気する排気装置９６等が接続されている。
【０００５】
この装置によると、基板支持台９２上に被処理基板Ｓを設置し、チャンバ９２内を排気装置９６にて所定圧力に減圧する一方、ガス供給装置９５から成膜用ガスをチャンバ９２内に供給し、電極９３に電源９４から高周波電力を印加することで供給されてきたガスをプラズマ化し、該プラズマのもとで基板Ｓ上に所定の薄膜を形成する。処理中、基板Ｓは図示を省略した加熱冷却装置により必要に応じ所定温度まで加熱又は冷却されることもある。
【０００６】
基板支持台９２は昇降装置９００により若干昇降できる。これにより真空チャンバ９１に接続された基板搬入及び（又は）搬出チャンバ（図示省略）内の基板搬送ロボットとの間で基板Ｓを受け渡しできる。
さらに説明すると、基板支持台９２の中央部下面に昇降用軸９２１が突設されている。該軸９２１はチャンバ９１の底壁９１１を昇降可能に貫通している。軸９２１のチャンバ９１から外へ突出した部分は伸縮可能の気密ベローズ装置９２３に囲繞されており、該ベローズ装置の下端部材を介してチャンバ外の駆動モータ（ここではピストンシリンダ装置）９８に接続されている。駆動モータ９８の運転により基板支持台９２を若干昇降させることができる。また、チャンバ底壁９１１にはリフトピン９７が立設されており、該ピンは基板支持台９２まで延びており、台９２が下降することで相対的に台９２の上へ突出できる。
【０００７】
基板Ｓの搬入搬出は次のように行われる。すなわち、図１０（Ｂ）に示すように、基板搬入時、台９２は予め下降させられ、リフトピン９７が相対的に上方へ突出される。ロボットアームＲＡに支持された基板Ｓがピン９７の上方へ搬入され、次いで該アームＲＡが下降することで基板Ｓがピン９７に載置される。その後アームＲＡは後退する。そのあと台９２が上昇して、図１０（Ａ）に示すように基板Ｓを支持し、処理に供する。
【０００８】
処理後の基板Ｓは、台９２が下降することでピン９７に支持され、ピン９７に支持された基板Ｓと下降した台９２との間にロボットアームＲＡが挿入され、次いで該アームＲＡが上昇し、基板Ｓを支持し、その状態でアームＲＡが後退し、かくして基板Ｓが搬出される。
なお、昇降しないロボットアームＲＡを採用する等の理由で、リフトピン９７を昇降させる装置を設けることもある。
【０００９】
以上プラズマＣＶＤ装置を例にとって説明したが、他の真空処理装置においても概ね同様の基板支持台昇降装置或いはさらにリフト部材昇降装置を備えている。
そしてかかる基板支持台昇降装置やリフト部材昇降装置は、真空チャンバ底部の下方へ突出するように設けられている。
【００１０】
また半導体メモリ、液晶ディスプレイ用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＭＰＵ（マイクロプロセッサユニット）などの半導体デバイスや太陽電池等は、通常、基板に所定材料の薄膜を所定真空下で形成する処理、基板上の膜等を所定真空下でエッチングする処理などの複数の処理を所定の順序で基板に施すことで製造されている。
【００１１】
薄膜形成処理としては、真空蒸着法等のＰＶＤ法やプラズマＣＶＤ等のＣＶＤ法などが採用されており、エッチングについては、反応性イオンエッチング等のプラズマによるドライエッチング等が採用されている。
ところが、複数の処理を一つの基板に施すとき、ある処理チャンバにおいて所定の処理が施された基板を、次の処理を行うための処理チャンバに搬送するとき、その基板は大気に触れてしまい、その基板に塵埃などが付着したり、酸化したりするなどして汚染されてしまうことがある。そのため、次の処理を行う前に基板を洗浄するなどの処理が必要となり、それだけ時間と手間がかかり、生産効率が悪い。
【００１２】
そこで、複数の処理を所定の順序で効率的に行って生産性を向上させるため、或いは同一の処理を複数同時に並行してすすめることで生産性を向上させるため、また塵埃などの基板への付着を抑制するなどのために、一つの基板搬送チャンバを設け、その周囲に複数の真空処理装置や基板搬入のためのロードロック室、基板搬出のためのアンロードロック室、さらには必要に応じ基板予備加熱等の前処理を実施する前処理チャンバ等を接続したマルチチャンバ型の真空処理装置が提案されている。
【００１３】
かかるマルチチャンバ型真空処理装置における複数の真空処理装置のうち、薄膜形成、エッチング等のための真空処理装置については、図１０（Ａ）に示す真空処理装置のように、基板支持台と、ガスプラズマ形成のための放電電極とを備え、導入されてくる所定のガスを排気装置による排気減圧下に前記電極へ電力供給してプラズマ化し、該プラズマのもとで前記基板支持台に支持された被処理基板に所定の処理を施すプラズマ処理装置が主流である。
【００１４】
かかるプラズマ処理装置において、基板支持台は、図１０（Ａ）に示す装置のように、真空チャンバの底部に設置され、基板搬送ロボットとの基板の受け渡しのために昇降可能とされ、処理チャンバ底部下方へ突出するように基板支持台昇降装置が付設される。さらに、基板搬送ロボットとの基板の受け渡しのために、基板支持台だけでなく、基板支持台から基板を持ち上げるためのリフトピン等のリフト部材が昇降可能に設けられ、そのための昇降装置が処理チャンバ底部下方へ突出するように付設されることもある。
【００１５】
このように、基板支持台はチャンバ底部に設置されるが、その場合、ガスプラズマ形成のための電極は、該支持台上方（通常はチャンバ天井に近い領域）に設置され、チャンバ外から電力供給される。また、該電極には、基板面各部の均一な処理のために、基板面各部に対しガスをシャワー状に均一に供給するためのガス供給ノズルが組み込み形成され、それだけ重量が大きくなることが多い。
【００１６】
そして、単独の真空処理装置であれ、マルチチャンバ型の真空処理装置であれ、メンテナンスは、通常、真空チャンバの上部に開閉可能に設けられた蓋体を開けて行われる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の真空処理装置のメンテナンスは、既述のとおり、通常、真空チャンバの上蓋を開けてチャンバ上方より行われるため、基板支持台の下面（裏面部分）やリフト部材に付着した生成物の清掃、さらにはチャンバ内壁（特にチャンバ底壁内面）に付着した生成物の清掃は困難をきわめ、作業性がきわめて悪い。
【００１８】
また、被処理基板が例えば液晶表示装置用の大面積のガラス基板であるような場合、その大きさに合わせて真空チャンバも大きく、従って上蓋も大きくなるが、それにより上蓋重量が増大し、上蓋の開閉作業が困難となり、メンテナンス時の作業性が悪化する。場合によっては、人手で開閉できず、クレーンや電動リフタ等を必要とする場合もある。
【００１９】
目的とする処理を行うために必要な電極等が基板支持台の上方に配置される場合、例えば前記プラズマ処理装置のように基板支持台の上方にガスプラズマ形成のための電極が配置される場合であって、それらが上蓋に取り付けられる場合には、被処理基板が大面積化してくると、前記のとおり上蓋が大きくなってくるばかりか、該電極等も大形化してくるので、上蓋の開閉作業は一層困難となり、人手で開閉できず、クレーンや電動リフタ等を必要とする場合が多くなる。
【００２０】
また、従来の真空処理装置では、基板支持台昇降装置或いはさらにリフト部材昇降装置の大半の部分が真空チャンバ底壁下方に配置されるので、基板処理のスループットを向上させるために真空チャンバを複数採用しようとする場合において、装置設置面積の節約のために真空チャンバを上下方向に重ねて配置しようとしてもそれができない。
【００２１】
特に、真空処理装置は、通常、クリーンルームに設置されるところ、マルチチャンバ型真空処理装置において、個々の真空処理装置が大形化してくると、それら真空処理装置を前記中央の基板搬送チャンバの周囲において重ね配置できないから、個々の真空処理装置が大形化するに伴い中央の基板搬送チャンバを大形化しなければならず、そのため中央基板搬送チャンバの設置平面面積が増大し、ひいてはマルチチャンバ型真空処理装置全体の設置平面面積が増大し、これにともないクリーンルームの大形化が要求され、これらにより基板処理コストが増す。
【００２２】
そこで本発明は、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える真空処理装置を提供することを課題とする。
また本発明は、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンス、さらに基板支持台上方に配置される電極その他の部品のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える真空処理装置を提供することを課題とする。
【００２３】
また、本発明は、真空チャンバの底壁下方に基板支持台昇降装置の一部その他が大きく突設されることがなく、それだけ真空チャンバの上下方向の重ね配置が容易である真空処理装置を提供することを課題とする。
さらに本発明は、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置であって、該複数の真空処理装置のうち少なくとも一つについては、該装置の真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンスを従来のマルチチャンバ型真空処理装置よりも簡単、容易に行えるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することを課題とする。
【００２４】
また本発明は、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置であって、該複数の真空処理装置のうち少なくとも一つについては、該装置の真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンス、さらに基板支持台上方に配置される電極その他の部品のメンテナンスを従来のマルチチャンバ型真空処理装置よりも簡単、容易に行えるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することを課題とする。
【００２５】
さらに本発明は、設置平面面積を従来のマルチチャンバ型真空処理装置より小さくできるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することを課題とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため本発明は先ず、
真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置であり、前記基板支持台の昇降装置を備えており、該基板支持台及び基板支持台昇降装置が共に該真空チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出すことができることを特徴とする真空処理装置を提供する。
【００２７】
この真空処理装置によると、従来の真空処理装置と同様に基板支持台に被処理基板を設置して所定の処理を施すことができる。
また、この真空処理装置によると、基板支持台及び基板支持台昇降装置が共に真空チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出すことができるので、そのように引き出すことで、真空チャンバ内壁や基板支持台のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える。
【００２８】
真空チャンバ内に配置された電極等の部品のメンテナンスについても前記チャンバ側壁構成部材を取り外したあとにできる開口部から容易に行える。
かかる電極等の部品、例えば前記真空チャンバ内において該チャンバ内へ導入されてくる所定のガスをプラズマ化するプラズマ形成のための放電電極についても、真空チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続して、該側壁部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出せるようにしてもよい。
【００２９】
このようにすると、かかる電極等の部品についてのメンテナンスが一層簡単、容易になる。
なお、基板支持台を接続する側壁構成部材と電極を接続する側壁構成部材とは、同じ部材でもよく、別々に設けられていてもよい。
また、本発明の真空処理装置は、真空チャンバの底壁下方に基板支持台昇降装置の一部その他が大きく突設されることがないので、それだけ真空チャンバの上下方向の重ね配置が容易であり、真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ方式の真空処理装置を構成する場合において、該装置をその設置面積を節約できる構成にすることができ、ひいてはマルチチャンバ型真空処理装置を設置するクリーンルームをそれだけ床面積を小さくして安価にできる。
【００３０】
また、真空チャンバ内を所定の真空状態に排気する排気装置は該真空チャンバの側壁に形成された排気口に接続されていてもよい。このような真空処理装置については、その上又は下に別の真空処理装置を重ね配置し易くなる。
真空チャンバ内の前記基板支持台と通常該真空チャンバに接続される基板搬入及び（又は）搬出チャンバにおける基板搬送ロボットとの間で被処理基板を受け渡しするにあたり、該基板搬送ロボットの基板を支持するロボットアームが昇降しないものであるときは、前記基板支持台に対し相対的に昇降して該基板支持台上方へ突出できる基板リフト部材及び該リフト部材の昇降装置を備えることができる。
【００３１】
該基板リフト部材及び基板リフト部材昇降装置も共に前記チャンバ本体に着脱可能の前記チャンバ側壁構成部材に接続し、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出すことができるようにすればよい。
前記基板支持台昇降装置としては、前記基板支持台の下方において前記チャンバ側壁構成部材に接続され、該チャンバ側壁構成部材の前記真空チャンバ本体への取り付けにより該チャンバ本体内に配置され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出される支持フレームと、前記チャンバ側壁構成部材の外側に位置する正逆動作可能の駆動部と、少なくとも一部が該支持フレームに搭載され、前記駆動部から動力を受けて前記基板支持台を昇降させるリンク機構とを含んでいるものを例示できる。
【００３２】
このような基板支持台昇降装置を採用する場合、前記基板支持台を昇降させるリンク機構としては、前記支持フレーム上に回転可能に搭載され、前記駆動部から動力を受けて正逆回転可能の軸棒と、該軸棒と前記基板支持台とに連結され、該軸棒の回転運動を該基板支持台の上下運動に変換するカム機構等の動作変換機構とを含むものを例示できる。このようなリンク機構を採用する場合、前記駆動部として、例えば、正逆回転可能のモータと、該モータの動力を前記軸棒に伝達する伝達機構とを含むものを例示できる。
【００３３】
いずれにしても、かかる軸棒は、その片側端部を気密に且つ回転可能に前記チャンバ側壁構成部材に嵌めておくことができる。その場合、真空回転シールをチャンバ側壁構成部材に設け、これに回転可能に且つ気密に前記軸棒を貫通させてもよい。
また、前記基板リフト部材は、例えば、リフト部材上端が前記基板支持台上面以下に位置するポジションと該リフト部材上端が該基板支持台上面より上方へ突出するポジションとの間を往復昇降可能に該基板支持台に搭載されているものを挙げることができる。この場合、前記基板リフト部材昇降装置として、例えば、前記基板支持台の下方において前記チャンバ側壁構成部材に接続され、該チャンバ側壁構成部材の前記真空チャンバ本体への取り付けにより該チャンバ本体内に配置され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ引き出される支持フレームと、
前記チャンバ側壁構成部材の外側に位置する正逆動作可能の駆動部と、
少なくとも一部が該支持フレームに搭載され、前記駆動部から動力を受けて前記リフト部材を駆動（通常は上下方向駆動）するリンク機構とを含んでいるものを挙げることができる。
【００３４】
前記リフト部材はその自重で下降できるようにしておいてもよいが、バネ手段により常時下降方向へ付勢されていてもよい。
いずれにしても、リフト部材を駆動するリンク機構としては、前記支持フレーム上に回転可能に搭載され前記駆動部から動力を受けて正逆回転できる軸棒と、該軸棒の回転運動を該リフト部材の上下方向運動に変換するカム機構等の動作変換機構とを含むものを例示できる。例えば、該軸棒に連結されてリフト部材下端面に当接し、該リフト部材をカム従動部材とするカム機構を例示できる。
【００３５】
いずれにしても、軸棒の回転運動を該リフト部材の上下方向運動に変換する機構を採用する場合、前記駆動部として、例えば、正逆回転可能のモータと、該モータの動力を前記軸棒に伝達する伝達機構とを含むものを例示できる。
なお、支持フレームについては、前記の基板支持台昇降装置を設けるための支持フレームとここに挙げる基板リフト部材昇降装置を設けるための支持フレームは、共通のものでも、別々に設けられてもよい。
【００３６】
既に若干触れたが、以上説明した本発明にかかるいずれの真空処理装置も、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置における該複数の真空処理装置のうちの少なくとも一つとして採用することができる。
また、マルチチャンバ型真空処理装置において、以上説明した本発明にかかるいずれの真空処理装置も複数採用することができる。その場合、該複数の真空処理装置のうち少なくとも二つは上下方向に順次重ねて配置してもよい。そうすることでマルチチャンバ型真空処理装置の設置平面面積をそれだけ節約できる。
【００３７】
またマルチチャンバ型真空処理装置においては、それを構成している複数の真空処理装置に対し共通の基板搬送チャンバを設けることができる。
このようなマルチチャンバ型真空処理装置によると、従来のマルチチャンバ型真空処理装置と同様に、被処理基板に対し複数の処理を所定の順序で効率的に行って、或いは複数の被処理基板について同様の処理を同時並行して実施して、目的とする物品の生産性を向上させることができる。
【００３８】
そして、複数の真空処理装置のうち、基板支持台等が真空チャンバ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材に接続され、該側壁構成部材の取り外しとともに該チャンバ本体外へ取り出すことができる真空処理装置については、該側壁構成部材をチャンバ本体から取り外すことで、それに接続された基板支持台等をチャンバ本体外へ取り出し、容易にメンテナンスできる。被処理基板のサイズが大きく、従って真空チャンバ、基板支持台等が大きいときでも、該基板支持台等をチャンバ本体外へ容易に取り出し、作業性よく容易にメンテナンスできる。従って、マルチチャンバ型真空処理装置全体としても、それだけ装置メンテナンスが容易である。
【００３９】
なお、マルチチャンバ型真空処理装置では、複数の真空処理装置のそれぞれを基板搬送チャンバの周囲に放射状に接続する、或いはその場合において複数の真空処理装置のうち少なくとも二つについては上下方向に重ね配置し、重ねられたチャンバについては、その重ねられた状態で共通の基板搬送チャンバに接続する、或いは全て真空処理装置を上下方向に重ね配置し、これらを共通の基板搬送チャンバに接続する等を例示できる。
【００４０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明に係る真空処理装置の１例であるプラズマＣＶＤ装置Ａの水平断面概略図である。図２は図１に示すプラズマＣＶＤ装置の図１におけるＸ−Ｘ線に沿う一部省略の概略断面図であり、図３、４はそれぞれ、本発明に係る真空処理装置Ａに設置されている基板支持台昇降装置２、基板リフトピン昇降装置４の１例の概略構成を示す図である。
【００４１】
前記プラズマＣＶＤ装置Ａは、直方体の真空チャンバＣを備えており、該チャンバ内には被処理基板Ｓを支持する基板支持台１が設置されているとともに支持台１の上方のチャンバ天井近辺に、ガスプラズマ形成のための放電電極５を備えている。基板支持台１は電極を兼ね、接地されており、放電電極５にはマッチングボックスＭＢを介して高周波電源ＰＳが接続されている。また、放電電極５には、被処理基板面各部の均一な処理のために、該基板面各部に対しガスをシャワー状に均一に供給するためのガス供給ノズル５１が組み込み形成されている。
【００４２】
真空チャンバＣは本体側壁ｃ１に排気口７を備え、排気口７に該チャンバ内を所定の真空状態に排気する真空排気装置Ｅｘが接続されている。また、排気口７と向かい合っている側壁ｃ２に基板搬入搬出用開口８を有している。開口８には、基板搬入搬出用チャンバＲがゲート弁Ｖを介して接続されている。
図２に示すように、排気口７及び基板搬入搬出用開口８が設けられていないチャンバ側壁ｃ３、ｃ４には、それぞれ開口部ｃ３１、ｃ４１が形成されている。開口部ｃ３１は、チャンバ本体の天井壁ｃ６近傍に設けられており、着脱可能の上部チャンバ側壁構成部材６１で閉じることができる。開口部ｃ４１は底壁ｃ５近傍に設けられており着脱可能の下部チャンバ側壁構成部材６２で閉じることができる。
【００４３】
上部チャンバ側壁構成部材６１には、上部支持プレート６１１がその片側端部で接続されており、プレートに絶縁物５２を介して前記放電電極５が固定されている。チャンバＣの天井壁ｃ６内面に、上部チャンバ側壁構成部材６１の着脱時に上部支持プレート６１１の出入の位置決めをするとともに、たわみ等の変形を防止するためのガイドローラ６１２が架設されている。ガイドローラ６１２は、上部支持プレート６１１の大きさに合わせて、且つ、支持プレート６１１の出入方向に沿う各プレート側端部下面に対し３個ずつ、計６個設置されている。かくしてプレート６１１は（従って電極５は）ガイドローラ６１２に支持され、側壁構成部材６１をチャンバＣ本体から取り外すことで、プレート６１１を電極５と共に外へ引き出すことができる。或いはこれらをチャンバＣ内へ設置して部材６１をチャンバ本体に接続固定することができる。
【００４４】
また、側壁構成部材６１には放電電極５へ電力を供給するための電力供給端子６１４と、ガス供給ノズル５１にガスを供給するためのガス供給装置接続口部６１３を設けてある。電極５は端子６１４に接続されており、ノズル５１はその内側空洞部が接続口部６１３に配管接続されている。チャンバ外部の電源ＰＳはマッチングボックスＭＢを介して端子６１４に接続され、ガス供給装置ＧＳは接続口部６１３に接続され、プレート６１１や電極５を外へ引き出すときは、必要に応じ、電源ＰＳ及びマッチングボックスＭＢやガス供給装置ＧＳが外される。
【００４５】
下部チャンバ側壁構成部材６２には、基板支持台１及び基板支持台昇降装置２が接続されている。基板支持台昇降装置２は下部支持プレート６２１を含んでおり、プレート６２１は片側端部でチャンバ側壁構成部材６２に接続固定されている。基板支持台１はプレート６２１の上方に配置されている。チャンバＣの底壁ｃ５の内面には下部支持プレート６２１の大きさに合わせて片側３個ずつ、計６個の支持ローラ６２３が設置されており（図２、図３、図４参照）、さらに底壁ｃ５内面には下部支持プレート６２１の出入の位置決めをする側方ガイド部材６２２が片側２個ずつ、計４個設置されている（図１、図３、図４参照）。
【００４６】
かくして、側壁構成部材６２をチャンバ本体から取り外すことで、プレート６２１を該プレート６２１や部材６２に取り付けられた部品と共に外へ引き出すことができる。或いは、それら部品をチャンバ内に設置して、部材６２をチャンバ本体に接続固定することができる。
昇降装置２はさらに、プレート６２１上に搭載された一対の回転軸（以下「シャフト」という。）２１、シャフト２１の回転運動を基板支持台１の昇降運動に変換するカム機構２３０、及び、シャフト２１に動力を付与する駆動部２５等を備えている。
【００４７】
一対のシャフト２１はプレート６２１の出し入れ方向に互いに平行に配置され、各シャフトに対して２個ずつの軸受２２にてプレート６２１上に回転可能に支持されている。カム機構２３０は、各シャフト２１に２個ずつ嵌着されたカム２３と、各カム２３の自由端に回転自在に取り付けられたローラ２３１とを含んでいる。カム２３は合計４個あるが、２個ずつが、プレート出し入れ方向に直交する方向に対をなすように揃えられており、各対のカム２３に対応させて基板支持台１の下面から脚体１１が突設されている。各脚体１１の両端部にはそれぞれカム従動部としての横溝部１１１が設けられており、前記のローラ２３１はこの横溝部１１１に転動可能に嵌合している。そして、各対のカム２３は側壁構成部材６２側からみて左右対称に配置されている。
【００４８】
また、各シャフト２１は図１に示すように、側壁構成部材６２に設けられた孔６２４から外部に突出しており、この突出端部に前記の駆動部２５が接続されている。すなわち、各シャフト２１には、側壁構成部材６２の外側において回転導入装置２４が気密に嵌まっており、装置２４は側壁構成部材６２の外面に気密に接続固定されている。各シャフト２１の装置２４から突出した部分は、図１及び図５に示すように、ウォームギアボックス２５３内のウォームホイールに嵌着されており、両ギアボックス２５３中のウォームは共通の１本の軸棒２５１の両端部に形成されている。さらに、この軸棒２５１は正逆回転可能のモータ２５２で回転駆動可能である。モータ２５２は図示を省略した部材を介して側壁構成部材６２に支持されている。
【００４９】
かくして、モータ２５２を運転することでプレート６２１上の１対のシャフト２１を、従って各対における２つのカム２３を互いに反対方向に回すことができ、カム２３が回転することで、基板支持台１が昇降する。
なお、各対のカム２３は左右対称にではなく、互いに平行に配置して、一対のシャフト２１を同方向に回すことで、各対のカム２３を昇降回動させるようにしてもよい。
【００５０】
前記基板搬入搬出用チャンバＲ内には基板搬送ロボットが設置されており、ロボットアームＲＡ（図３参照）を利用して真空チャンバＣ内の基板支持台１に、基板Ｓを渡したり、基板支持台１から基板Ｓを受け取ったりできる。基板Ｓを受け渡しするとき、ロボットアームＲＡを基板Ｓの下方に挿入するのであるが、そのための間隙を作るため、基板Ｓを持ち上げる複数の基板リフトピン３と、基板リフトピン３を昇降させる基板リフトピン昇降装置４を備えている。
【００５１】
リフトピン３は前記の一対のシャフト２１と平行方向に沿って複数本（ここでは４本）ずつ２列に配列され、各リフトピン３は基板支持台１に上下方向に貫通する孔１２に昇降可能に嵌合されている。各ピン３はピン本体３１の上下端にそれぞれ抜け落ち防止のためのストッパ３２及びバネストッパ３４を有している。ピン３は孔１２の下方へ突出しており、その突出部分にピンを常時下降方向へ付勢するバネ３３が嵌められ、バネストッパ３４に支えられている。上側のストッパ３２はリフトピン３がバネ３３に付勢されて下降位置にあるとき、台１上面の凹所に嵌入して、支持台上面以下の位置をとる。
【００５２】
基板リフトピン昇降装置４は、基板支持台１の下方に配置されており、２本のシャフト４１とリンク機構４４を備えている。２本のシャフト４１は前記の一対のシャフト２１の間に、且つ、該シャフト２１と平行に配置され、各シャフト４１はそれぞれ２個の軸受４２により前記下部支持プレート６２１に回動可能に支持されている。各シャフト４１には、各リフトピン３に対応させてカム４３が嵌着されており、各ピン３は、前記のバネ３３に付勢されて、対応するカム４３にバネストッパ３４の部分で当接できる。
【００５３】
片方のシャフト４１は下部側壁構成部材６２に開けられた孔６２５（図１参照）に対し設けられた気密シール構成の回転導入機６２６に連結されている。回転導入機６２６は側壁構成部材６２の外面に気密に固定され、基板リフトピン駆動用の正逆回転可能のモータ４１１に接続されている。モータ４１１も図示を省略した部材を介して側壁構成部材６２に支持されている。
【００５４】
前記リンク機構４４は、図６に示される構造になっている。すなわち、２本のシャフト４１のうちモータ４１１に回転導入機６２６を介して連結されたシャフト４１ａの回転をリンクアーム４４１、４４２、４４３を介して他方のシャフト４１ｂに伝えるものである。リンクアーム４４１はシャフト４１ａに、アーム４４３はシャフト４１ｂにそれぞれ嵌着されている。また、各リンクアーム４４１〜４４３は接続ピン４４４によって互いに回動可能に連結されている。シャフト４１ａとシャフト４１ｂの回転方向は互いに反対方向である。かくして、モータ４１１の運転にて、各シャフト４１（４１ａ、４１ｂ）を、従ってそれに嵌着されているカム４３をそれぞれ反対方向に、且つ、ピン３を上昇させる方向に回転駆動することで、各ピン３をバネ３３に抗して基板支持台１の上面の上方へ突出させることができる。モータ４１１を逆運転することで、カム４３を逆方向に回し、それにより各ピン３がバネ３３で基板支持台１の上面以下の位置へ下降することを許すことができる。
【００５５】
なお、リンク機構４４は側壁構成部材６２の外側に設けられていてもよい。また、リンク機構４４における左右のカム４３は互いに平行に配置して、同方向に回せるようにしてもよい。
以上説明した真空処理装置（プラズマＣＶＤ装置）Ａによると次のように被処理基板Ｓに膜形成処理を施すことができる。
【００５６】
先ず図４に示すように、基板搬入時、基板支持台１を予め、図４に実線で示す下限位置ｐ１に配置しておき、基板リフトピン３は基板支持台１内に下降させておく。次に基板搬送チャンバＲ内に予め搬入されて、該チャンバ内のロボットアームで支持された被処理基板Ｓを該ロボットアームで装置ＡのチャンバＣ内の基板リフトピン３の上方へ搬入する。この基板の搬入にあたってはゲート弁Ｖを開ける。
【００５７】
次いでリフトピン昇降装置４におけるモータ４１１の運転にて同装置における各カム４３を回動させ、それにより各ピン３をバネ３３に抗して持ち上げ、基板支持台１の上面上方へ突出させ、突出したピン３に搬入されてきた基板Ｓを支持させる。その後、ロボットアームを後退させ、ゲート弁Ｖを閉じる。
また、ロボットアームが後退した後、モータ４１１を逆回転させ、ピン３がバネ３３の弾性復元力で基板支持台１内へ下降することを許すとともに、基板支持台昇降装置２におけるモータ２５２を運転して一対のシャフト２１、それに嵌着されたカム２３を回動させて支持台１を上昇させる。かくして基板Ｓは基板支持台１に設置されるとともに該支持台が図３に実線で示す上限位置ｐ２に配置されることで基板処理位置に配置される。
【００５８】
この状態で、或いはこの状態を得るに先立って、チャンバＣ内から排気装置Ｅｘにて真空排気し、チャンバＣ内を所定の成膜気圧にする。また、ガス供給装置ＧＳから成膜用ガスをチャンバＣ内へ導入するとともに電源ＰＳから放電電極５に高周波電力を印加して導入したガスをプラズマ化し、該プラズマのもとで被成膜基板Ｓ表面に所定の膜を形成する。
【００５９】
膜形成後は、基板支持台昇降装置２においてモータ２５２を逆回転させ、それにより一対のシャフト２１及びそれに支持されているカム２３を逆回動させることで支持台１を当初の位置ｐ１へ下降させる一方、基板リフトピン３を前記と同様にして支持台１の上方へ突出させ、処理済基板Ｓを該ピンに支持させる。
ここで、ゲート弁Ｖを開け、ロボットアームを該基板Ｓと支持台１との間へ挿入し、次いでピン３を支持台１内へ下降させることで基板Ｓをロボットアームに支持させ、その後ロボットアームを基板搬送チャンバＲへ後退させることで基板Ｓを搬出し、ゲート弁Ｖを閉じる。基板搬送チャンバＲへ搬出された基板Ｓはその後チャンバＲ外へ搬出されるか、或いは次の処理のための図示しないチャンバ内へ搬入される。
【００６０】
以上説明したプラズマＣＶＤ装置Ａによると、基板支持台１及び基板支持台昇降装置２並びにリフトピン３及びその昇降装置４が共に真空チャンバＣ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材６２に接続され、側壁構成部材６２の取り外しとともにチャンバＣ本体外へ引き出すことができるので、そのように引き出すことで、真空チャンバＣの内壁、基板支持台１、リフトピン３、これらの昇降装置２、４のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える。
【００６１】
また、放電電極５やそれに組み合わされたガス供給ノズル５１については真空チャンバＣ本体に着脱可能のチャンバ側壁構成部材６１に接続され、側壁構成部材６１の取り外しとともにチャンバＣ本体外へ引き出すことができるので、そのように引き出すことで、電極５等のメンテナンスも従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える。
【００６２】
被処理基板のサイズが大きく、従って真空チャンバ、電極、基板支持台等が大きいときでも、該電極、基板支持台等をチャンバ本体外へ容易に取り出し、作業性よくメンテナンスできる。
また、このプラズマＣＶＤ装置Ａでは、真空チャンバＣの底壁下方に基板支持台昇降装置２やリフトピン昇降装置４が突設されることがないので、それだけ真空チャンバＣの上下方向の重ね配置が容易であり、真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置を構成する場合において、該装置をその設置面積を節約できる構成にすることができ、ひいてはマルチチャンバ型真空処理装置を設置するクリーンルームをそれだけ床面積を小さくして安価にできる。
【００６３】
また、真空チャンバＣ内を所定の真空状態に排気する排気装置Ｅｘは真空チャンバＣの側壁ｃ１に形成された排気口７に接続されているので、この点からもチャンバＣの上又は下に別の真空処理装置を重ね配置し易い。
次に本発明に係る真空処理装置の他の例について図７を参照して説明する。
図７に示す真空処理装置Ａ’は、図１等に示す装置Ａと同様にプラズマＣＶＤ装置であり、装置Ａにおいて、真空チャンバＣの側壁ｃ３に開口ｃ３１を設け、これに対しチャンバ側壁構成部材６１を着脱可能に設けるとともに、側壁ｃ４に開口ｃ４１を設け、これに対しチャンバ側壁構成部材６２を着脱可能に設けたことに代えて、片方の側壁ｃ４に大きい開口ｃ４２を設け、これに対し大きい側壁構成部材６２’を着脱自在に設け、この側壁構成部材６２’の上部に、装置Ａで示したガス供給ノズル５１を組み合わせた放電電極５等を接続するとともに、側壁構成部材６２’の下部に、基板支持台１、その昇降装置２、リフトピン３、その昇降装置４等を接続したものである。その他の点は、部品の配置位置や向き等の若干の点を除けばプラズマＣＶＤ装置Ａと実質上同じ構成のものである。装置Ａにおけると同じ部品については同じ参照符号を付してある。
【００６４】
図７のプラズマＣＶＤ装置Ａ’によると、側壁構成部材６２’をチャンバＣの本体から取り外すことで、上側の放電電極５等と、下側の基板支持台１等を同時にチャンバＣ外へ引き出すことができ、また、側壁構成部材６２’をチャンバＣの本体に接続固定することで、上側の放電電極５等と、下側の基板支持台１等を同時にチャンバＣ内に設置することができる。
【００６５】
このように側壁構成部材６２’の着脱は、装置Ａの場合と異なり真空チャンバＣの片側から行えるので、メンテナンススペースとしてチャンバＣの両サイドを考慮する必要がなく、それだけ装置置き場所の制約を受けにくい。
なお、以上説明した装置ＡやＡ’は真空チャンバＣ内に導入するガスとしてエッチング用ガスを採用することでプラズマによるエッチング処理にも応用できる。また、プラズマによる他の処理にも応用できる。
【００６６】
次に本発明に係るマルチチャンバ型真空処理装置の１例について図８及び図９を参照して説明する。
図８は被処理基板Ｓに複数の処理を順次施すことのできる複数の真空処理装置Ａａ、Ａｂ、Ａｃを備えるマルチチャンバ型真空処理装置ＡＭの概略平面図である。図９は図８に示すマルチチャンバ型真空処理装置ＡＭのＹ−Ｙ線に沿う概略断面図である。
【００６７】
マルチチャンバ型真空処理装置ＡＭは、真空処理装置Ａａ〜Ａｃ、基板搬入チャンバＣｉ、基板搬出チャンバＣｏ、基板搬送チャンバＲ’を備えている。真空処理装置Ａａ〜Ａｃは、前記プラズマＣＶＤ装置Ａと実質上同構造の装置であり、処理装置Ａａは真空チャンバＣａを、処理装置Ａｂは真空チャンバＣｂを、処理装置Ａｃは真空チャンバＣｃを備えており、これら真空チャンバは上下方向に順次重ね配置されている。
【００６８】
そして基板搬送チャンバＲ’はこれら重ね配置された真空チャンバＣａ、Ｃｂ、Ｃｃに対し共通の一つの基板搬送チャンバとなっており、チャンバＣａ、Ｃｂ、Ｃｃの側壁開口８ａ、８ｂ、８ｃにそれぞれゲート弁Ｖｃ、Ｖｄ、Ｖｅを介して接続されている。
また、基板搬入チャンバＣｉ及び基板搬出チャンバＣｏも重ね配置されており、これらチャンバは、一方で基板搬送チャンバＲ’にゲート弁Ｖｂ、Ｖｆを介して接続されており、他方でそれぞれゲート弁Ｖａ、Ｖｇを介して外部に臨んでいる。
【００６９】
各処理装置についてさらに説明すると、処理装置Ａａは、図８及び図９に示すように、ガス供給ノズルを組み合わせた放電電極５ａ等を備えており、これは真空チャンバＣａの本体側壁開口に対し着脱可能に設けられた側壁構成部材６１ａに、前記の装置Ａにおける場合と同様に接続されている。また、側壁構成部材６１ａを介して電極５ａにマッチングボックスＭＡａ及び電源ＰＳａが順次接続されているとともにガス供給ノズルにガス供給装置ＧＳａが接続されている。
【００７０】
また、基板支持台１ａや基板リフトピン３ａ、これらの昇降装置（前記装置Ａにおけると同様の昇降装置）も備えており、これらは真空チャンバＣａのもう一つの本体側壁開口に対し着脱可能に設けられた側壁構成部材６２ａに前記装置Ａの場合と同様に接続されている。なお、図８において２５ａは基板支持台昇降装置における駆動部であり、４１１ａはリフトピン昇降装置におけるモータであり、Ｅｘａは排気装置である。
【００７１】
他の処理装置Ａｂ、Ａｃについても処理装置Ａａと実質上同じ構成である。図９において、処理装置Ａｂにおける５ｂは放電電極、１ｂは基板支持台、３ｂはリフトピン、Ｅｘｂは排気装置であり、処理装置Ａｃにおける５ｃは放電電極、１ｃは基板支持台、３ｃはリフトピン、Ｅｘｃは排気装置である。図示を省略したが、チャンバＲ’、Ｃｉ、Ｃｏにも排気装置が接続されている。
【００７２】
基板搬送チャンバＲ’中には、回動、伸縮、昇降可能なロボットアームＲＡ’が設置されている。このアームは全体の図示を省略したロボット本体の一部である。
なお、特に断らないかぎり、基板搬送チャンバＲ’に接続された搬入チャンバＣｉ、搬出チャンバＣｏ及び各真空チャンバＣａ〜Ｃｃへの基板Ｓの搬入や、各チャンバからの基板の搬出は、それぞれのチャンバと基板搬送チャンバＲ’の間に配置された各ゲート弁を、また、処理装置ＡＭ外部より搬入チャンバＣｉへの搬入や、搬出チャンバＣｏより処理装置ＡＭ外部への搬出は、各チャンバＣｉ、Ｃｏと処理装置ＡＭ外部とを仕切っている各ゲート弁を、その都度開閉させて行われる。
【００７３】
このマルチチャンバ型真空処理装置ＡＭにおいては、次のようにして所定の複数の処理を施すことができる。
まず、搬入チャンバＣｉのゲート弁Ｖａを開けて、搬入チャンバＣｉ内に被処理基板Ｓを搬入する。ゲート弁Ｖａを閉じ、搬入チャンバＣｉ内を所定の圧力にする。また、基板搬送チャンバＲ’や複数の真空チャンバＣａ〜Ｃｃ、或いはさらに搬出チャンバＣｏ内はそれぞれに対して設けられた排気装置で予め所定の圧力にしておく。
【００７４】
基板搬送チャンバＲ’内に配置されたロボットアームＲＡ’で、搬入チャンバＣｉ内の被処理基板Ｓを始めの処理の真空処理装置（例えばＡａ）の真空チャンバに搬入する。真空処理装置（Ａａ）での被処理基板Ｓの搬入搬出の手順については、装置Ａの場合と同様である。装置Ａａにおける基板への処理が終了すると該基板はロボットアームＲＡ’で一度基板搬送チャンバＲ’に取り出されその後、次の処理を施す処理装置（例えばＡｂ）の真空チャンバに搬入される。この操作を繰り返し、最後の処理を終了した後、被処理基板Ｓを真空チャンバＣｃから基板搬送チャンバＲ’に搬出し、搬出チャンバＣｏ内に該基板を搬入する。さらに、ゲート弁Ｖｆを閉じ、搬出チャンバＣｏ内の圧力を大気圧にして、搬出チャンバＣｏと外部とを分けているゲート弁Ｖｇを開き該基板Ｓを外部に取り出すことで、基板への処理が終了する。
【００７５】
以上説明したマルチチャンバ型真空処理装置ＡＭにおいては、各真空処理装置Ａａ、Ａｂ、Ａｃを上下に重ねて配置したことにより、次の利点がある。
すなわち、従来のマルチチャンバ型真空処理装置では、基板搬送チャンバを中心に各処理装置が放射状に配置されているが、ここでは各真空処理装置が上下に重ねて配置されているので、従来装置に対し設置平面面積が大幅に低減され、従って、該装置が設置されるクリーンルームの床面積をそれだけ小さくでき、これらにより基板一枚あたりの処理コストを低減できる。
【００７６】
また、放電電極、基板支持台、真空チャンバ内壁等のメインテナンスは側壁構成部材を横方向に取り外して簡単、容易に行える。
【００７７】
【発明の効果】
本発明によると、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える真空処理装置を提供することができる。
【００７８】
また本発明によると、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置であって、真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンス、さらに基板支持台上方に配置される電極その他の部品のメンテナンスを従来の真空処理装置よりも簡単、容易に行える真空処理装置を提供することができる。
【００７９】
また本発明によると、真空チャンバの底壁下方に基板支持台昇降装置の一部その他が大きく突設されることがなく、それだけ真空チャンバの上下方向の重ね配置が容易である真空処理装置を提供することができる。
さらに本発明によると、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置であって、該複数の真空処理装置のうち少なくとも一つについては、該装置の真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンスを従来のマルチチャンバ型真空処理装置よりも簡単、容易に行えるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することができる。
【００８０】
また本発明によると、真空チャンバ内の基板支持台に設置される被処理基板に所定真空下で所定の処理を施す真空処理装置を複数備えたマルチチャンバ型真空処理装置であって、該複数の真空処理装置のうち少なくとも一つについては、該装置の真空チャンバ内壁や基板支持台或いはさらに基板リフト部材のメンテナンス、さらに基板支持台上方に配置される電極その他の部品のメンテナンスを従来のマルチチャンバ型真空処理装置よりも簡単、容易に行えるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することができる。
【００８１】
さらに本発明によると、設置平面面積を従来のマルチチャンバ型真空処理装置より小さくできるマルチチャンバ型真空処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る真空処理装置の１例であるプラズマＣＶＤ装置の水平断面概略図である。
【図２】図１に示すプラズマＣＶＤ装置のＸ−Ｘ線に沿う、一部省略の概略断面図である。
【図３】図１及び図２に示すプラズマＣＶＤ装置に設置されている基板支持台昇降装置の概略構成を示す図である。
【図４】図１及び図２に示すプラズマＣＶＤ装置に設置されている基板リフトピン昇降装置の概略構成を示す図である。
【図５】図３に示す基板支持台昇降装置の駆動部の正面図である。
【図６】図４に示す基板リフトピン昇降装置に含まれるリンク機構の構成を示す図である。
【図７】本発明に係る真空処理装置の他の例であるプラズマＣＶＤ装置の概略断面図である。
【図８】本発明に係るマルチチャンバ型真空処理装置の１例の平面図である。
【図９】図９に示すマルチチャンバ型真空処理装置のＹ−Ｙ線に沿う断面図である。
【図１０】図（Ａ）は従来例の概略構成を示す図であり、図（Ｂ）は図（Ａ）に示す装置における基板搬送動作の説明図である。
【符号の説明】
Ａ、Ａ’  プラズマＣＶＤ装置
ＡＭ  マルチャンバ型真空処理装置
Ｃ、Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃ  真空チャンバ
ＭＡ、ＭＡａ  マッチングボックス
ＰＳ、ＰＳａ  高周波電源
ＧＳ、ＧＳａ  ガス供給装置
Ｓ  被処理基板
Ｅｘ  真空排気装置
１、１ａ、１ｂ、１ｃ  基板支持台
１１  脚体
１１１  横溝部
１２  基板リフトピン装着用孔
２  基板支持台昇降装置
２１  シャフト
２２  軸受
２３  カム
２４  回転導入装置
２５、２５ａ  駆動部
２５１  軸棒
２５２  モータ
２５３  ギアボックス
３  基板リフトピン
３１  リフトピン本体
３２  ストッパ
３３  バネ
３４  バネストッパ
４  基板リフトピン昇降装置
４１（４１ａ、４１ｂ）  シャフト
４１１  モータ
４２  軸受
４３  カム
４４  リンク機構
４４１、４４２、４４３  リンクアーム
４４４  接続ピン
５  放電電極
５１  ガス供給ノズル
５２  絶縁体
６  チャンバ側壁構成部材
６１、６１ａ  上側チャンバ側壁構成部材
６２、６２ｂ  下側チャンバ側壁構成部材
６１１  上部支持プレート（支持フレームの一例）
６１２  ガイドローラ
６１４  電力供給端子
６１３  ガス供給装置接続口部
６２１  下部支持プレート（支持フレームの一例）
６２２  ガイド部材
６２３  支持ローラ
６２４  シャフト用孔
６２５  シャフト用孔
６２６  回転導入機
７、７ａ、７ｂ、７ｃ  排気口
８、８ａ、８ｂ、８ｃ  基板搬入搬出用開口
Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃ、Ｖｄ、Ｖｅ、Ｖｆ、Ｖｇ  ゲート弁
Ｒ、Ｒ’  基板搬送室
Ｃｉ  搬入チャンバ
Ｃｏ  搬出チャンバ
ＲＡ、ＲＡ’ロボットアーム
【図１】
0004010068.tif 000002
【図２】
0004010068.tif 000003
【図３】
0004010068.tif 000004
【図４】
0004010068.tif 000005
【図５】
0004010068.tif 000006
【図６】
0004010068.tif 000007
【図７】
0004010068.tif 000008
【図８】
0004010068.tif 000009
【図９】
0004010068.tif 000010
【図１０】
0004010068.tif 000011