(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理槽内に貯留されたリンス液中に基板を浸漬させてリンス処理する工程と、
前記処理槽内に貯留されたリンス液中から基板を露出させる工程と、
前記処理槽内のリンス液中から露出させられる基板に対し有機溶剤の蒸気を供給して基板の表面で有機溶剤を凝縮させた後に、その有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥処理する工程と、
を含む基板処理方法において、
前記処理槽内のリンス液中から基板を露出させる前から、前記処理槽内のリンス液の液面に対し加熱された不活性ガスを供給して、リンス液の液面を加熱するとともにリンス液の液面付近を不活性ガス雰囲気にし、その加熱された不活性ガスの供給を開始した後に、前記処理槽内のリンス液中から露出させられる基板に対し有機溶剤の蒸気を供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
処理槽内に貯留されたリンス液中に基板を浸漬させてリンス処理する工程と、
前記処理槽内に貯留されたリンス液中から基板を露出させる工程と、
前記処理槽内のリンス液中から露出させられる基板に対し有機溶剤の蒸気を供給して基板の表面で有機溶剤を凝縮させた後に、その有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥処理する工程と、
を含む基板処理方法において、
前記処理槽内のリンス液中から基板を露出させる前から、前記処理槽内のリンス液の液面へ光を照射してリンス液の液面を加熱するとともに、前記処理槽内のリンス液の液面に対し不活性ガスを供給してリンス液の液面付近を不活性ガス雰囲気にし、前記処理槽内のリンス液の液面への光の照射およびリンス液の液面に対する不活性ガスの供給を開始した後に、前記処理槽内のリンス液中から露出させられる基板に対し有機溶剤の蒸気を供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
リンス液が貯留されそのリンス液中に基板が浸漬させられてリンス処理される処理槽と、
前記処理槽内に貯留されたリンス液中から基板を露出させる基板露出手段と、
前記処理槽内のリンス液中から露出させられる基板に対して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、
前記処理槽内のリンス液の液面に対して不活性ガスを供給するガス供給手段、および、前記ガス供給手段によって供給される不活性ガスを加熱するヒータを有し、前記処理槽内のリンス液の液面を加熱する加熱手段と、
前記基板露出手段によって前記処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる前に前記加熱手段を作動させ、前記加熱手段を作動させた後に前記蒸気供給手段による有機溶剤の蒸気の供給を開始するように制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
リンス液が貯留されそのリンス液中に基板が浸漬させられてリンス処理される処理槽と、
前記処理槽内に貯留されたリンス液中から基板を露出させる基板露出手段と、
前記処理槽内のリンス液中から露出させられる基板に対して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、
前記処理槽内のリンス液の液面へ光を照射する加熱用ランプを有し、前記処理槽内のリンス液の液面を加熱する加熱手段と、
前記処理槽内のリンス液の液面に対して不活性ガスを供給するガス供給手段と、
前記基板露出手段によって前記処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる前に前記加熱手段を作動させるとともに前記ガス供給手段による不活性ガスの供給を開始し、前記加熱手段を作動させるとともに前記ガス供給手段による不活性ガスの供給を開始した後に前記蒸気供給手段による有機溶剤の蒸気の供給を開始するように制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置等のフラットパネルディスプレイ用のガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板を純水等のリンス液でリンス処理した後に乾燥処理する基板処理方法、特に、処理槽内に貯留されたリンス液中から基板を引き上げあるいは処理槽内からリンス液を排出し、基板に対しイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等の有機溶剤の蒸気を供給して基板を乾燥させる基板処理方法、ならびに、その方法を実施するために使用される基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体ウエハ等の基板を、処理槽内に収容されたリンス液、例えば純水中に浸漬させてリンス処理した後に乾燥処理する方法として、例えば特開平１０−２０９１０９号公報等には、処理槽内に貯留された純水中に基板を浸漬させてリンス処理した後に、処理槽内の純水の液面を不活性ガス、例えば窒素ガスの雰囲気にしつつ基板を純水中から引き上げ、窒素ガス等の不活性ガスをキャリアガスとして水溶性の有機溶剤、例えばＩＰＡの蒸気を、純水中から引き上げられた基板の周囲へ供給し、基板の表面上の気液界面で、ＩＰＡ蒸気を凝縮させて基板表面に付着した純水をＩＰＡに置換させた後、基板が収容された密閉チャンバ内を真空排気して密閉チャンバの内部を減圧状態にすることにより、基板の表面に凝縮したＩＰＡを蒸発させて、基板を速やかに乾燥させる、といった方法が開示されている。また、上記公報には、基板の表面でＩＰＡ蒸気が凝縮しやすくなるように基板の温度を低くするため、処理槽内の純水の液面を窒素ガス雰囲気にする際に、冷却器により窒素ガスを０℃〜常温、より好ましくは５℃程度の温度に冷却して、その冷却された窒素ガスをノズルから純水の液面に対して吹き付けることが記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
特開平１０−２０９１０９号公報に記載されている装置では、基板のリンス処理が行われる処理槽の上部開口面を囲み窒素ガス雰囲気にされる空間とＩＰＡ雰囲気とされ基板の乾燥処理が行われる乾燥室内とが、扉によって開通および遮断可能に隔てられており、純水中から引き上げられた基板は、窒素ガス雰囲気を介してＩＰＡ雰囲気とされた乾燥室内に移送され、その後に、処理槽の上部開口面を囲む空間と乾燥室内とは扉によって遮断され、その状態で基板の乾燥が行われる。このような構成であるため、処理槽内の純水の液面にはＩＰＡ蒸気が供給されない。しかしながら、処理槽の上部開口面を囲む空間と乾燥室内とを扉によって隔て、扉を開閉して処理槽側の空間と乾燥室内と開通させたり遮断したりするのは、装置の構成が複雑となり制御も煩雑となる。
【０００４】
一方、上記したような扉を設けずに、処理槽内の純水中から引き上げた基板を、処理槽の上部開口面を囲む空間内で乾燥させるような構成の装置では、乾燥処理時に処理槽内の純水の液面にもＩＰＡ蒸気が供給されるので、純水中にＩＰＡの一部が溶け込むことになる。この純水中に溶け込むＩＰＡ量が多くなると、処理槽内の純水の液面にＩＰＡの濃度斑が発生する。この結果、基板面内における乾燥状態にばらつきを生じたり、デバイスパーティクルが発生したり、ＩＰＡによってデバイス上のレジストの溶解を生じたりする、といった不都合を生じる。基板の表面でＩＰＡ蒸気が凝縮しやすくなるように基板の温度を低くする目的で、処理槽内の純水の液面に対して冷却された窒素ガスを吹き付けたりすると、純水中に溶け込むＩＰＡ量が増加して、余計に上記不都合を生じやすくなる。
【０００５】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、処理槽内に貯留されたリンス液中から露出させられた基板に対し有機溶剤の蒸気を供給して基板を乾燥させる場合において、リンス液中に溶け込む有機溶剤量を少なくして、リンス液の液面に有機溶剤の濃度斑が発生することを防止することができ、装置の構成や制御も比較的簡単である基板処理方法を提供すること、ならびに、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、処理槽内に貯留されたリンス液中に基板を浸漬させてリンス処理する工程と、前記処理槽内に貯留されたリンス液中から基板を露出させる工程と、前記処理槽内のリンス液中から露出させられる基板に対し有機溶剤の蒸気を供給して基板の表面で有機溶剤を凝縮させた後に、その有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥処理する工程と、を含む基板処理方法において、前記処理槽内のリンス液中から基板を露出させる前から、前記処理槽内のリンス液の液面に対し加熱された不活性ガスを供給して、リンス液の液面を加熱するとともにリンス液の液面付近を不活性ガス雰囲気にし、その加熱された不活性ガスの供給を開始した後に、前記処理槽内のリンス液中から露出させられる基板に対し有機溶剤の蒸気を供給することを特徴とする。
【０００７】
請求項２に係る発明は、処理槽内に貯留されたリンス液中に基板を浸漬させてリンス処理する工程と、前記処理槽内に貯留されたリンス液中から基板を露出させる工程と、前記処理槽内のリンス液中から露出させられる基板に対し有機溶剤の蒸気を供給して基板の表面で有機溶剤を凝縮させた後に、その有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥処理する工程と、を含む基板処理方法において、前記処理槽内のリンス液中から基板を露出させる前から、前記処理槽内のリンス液の液面へ光を照射してリンス液の液面を加熱するとともに、前記処理槽内のリンス液の液面に対し不活性ガスを供給してリンス液の液面付近を不活性ガス雰囲気にし、前記処理槽内のリンス液の液面への光の照射およびリンス液の液面に対する不活性ガスの供給を開始した後に、前記処理槽内のリンス液中から露出させられる基板に対し有機溶剤の蒸気を供給することを特徴とする。
【０００８】
【０００９】
【００１０】
請求項３に係る発明は、リンス液が貯留されそのリンス液中に基板が浸漬させられてリンス処理される処理槽と、前記処理槽内に貯留されたリンス液中から基板を露出させる基板露出手段と、前記処理槽内のリンス液中から露出させられる基板に対して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記処理槽内のリンス液の液面に対して不活性ガスを供給するガス供給手段、および、前記ガス供給手段によって供給される不活性ガスを加熱するヒータを有し、前記処理槽内のリンス液の液面を加熱する加熱手段と、前記基板露出手段によって前記処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる前に前記加熱手段を作動させ、前記加熱手段を作動させた後に前記蒸気供給手段による有機溶剤の蒸気の供給を開始するように制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
請求項４に係る発明は、リンス液が貯留されそのリンス液中に基板が浸漬させられてリンス処理される処理槽と、前記処理槽内に貯留されたリンス液中から基板を露出させる基板露出手段と、前記処理槽内のリンス液中から露出させられる基板に対して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記処理槽内のリンス液の液面へ光を照射する加熱用ランプを有し、前記処理槽内のリンス液の液面を加熱する加熱手段と、前記処理槽内のリンス液の液面に対して不活性ガスを供給するガス供給手段と、前記基板露出手段によって前記処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる前に前記加熱手段を作動させるとともに前記ガス供給手段による不活性ガスの供給を開始し、前記加熱手段を作動させるとともに前記ガス供給手段による不活性ガスの供給を開始した後に前記蒸気供給手段による有機溶剤の蒸気の供給を開始するように制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
請求項１に係る発明の基板処理方法によると、処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる前から、処理槽内のリンス液の液面に対し加熱された不活性ガスが供給されることにより、リンス液の液面および液面付近の温度が上昇するとともに、リンス液の液面付近が不活性ガス雰囲気となる。このように、処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる際にリンス液の液面および液面付近の温度が上昇するので、リンス液中に溶け込む有機溶剤量が少なくなって、リンス液の液面に有機溶剤の濃度斑が発生することが抑えられる。このとき、処理槽内のリンス液は処理槽上部から連続して溢れ出る状態にされるので、リンス液の液中温度が上昇することはない。したがって、リンス液中の基板の温度が上昇することはないので、リンス液中から露出させられた基板の表面への有機溶剤蒸気の凝縮は支障無く行われる。また、処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる際にリンス液の液面付近が不活性ガス雰囲気となるので、リンス液の液面へ供給される有機溶剤の量が少なくなって、リンス液中に溶け込む有機溶剤量がより少なくなる。
【００１５】
請求項２に係る発明の基板処理方法によると、処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる前から、処理槽内のリンス液の液面へ光が照射されることにより、輻射熱でリンス液の液面が加熱されてリンス液の液面および液面付近の温度が上昇するとともに、処理槽内のリンス液の液面に対し不活性ガスが供給されることにより、リンス液の液面付近が不活性ガス雰囲気となる。このように、処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる際にリンス液の液面および液面付近の温度が上昇するので、リンス液中に溶け込む有機溶剤量が少なくなって、リンス液の液面に有機溶剤の濃度斑が発生することが抑えられる。このとき、処理槽内のリンス液は処理槽上部から連続して溢れ出る状態にされるので、リンス液の液中温度が上昇することはない。したがって、リンス液中の基板の温度が上昇することはないので、リンス液中から露出させられた基板の表面への有機溶剤蒸気の凝縮は支障無く行われる。また、処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる際にリンス液の液面付近が不活性ガス雰囲気となるので、リンス液の液面へ供給される有機溶剤の量が少なくなって、リンス液中に溶け込む有機溶剤量がより少なくなる。
【００１６】
【００１７】
【００１８】
請求項３に係る発明の基板処理装置においては、基板露出手段によって処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる前から、ヒータによって加熱された不活性ガスがガス供給手段によって処理槽内のリンス液の液面に対し供給されることにより、リンス液の液面および液面付近の温度が上昇するとともに、リンス液の液面付近が不活性ガス雰囲気となる。このように、処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる際にリンス液の液面および液面付近の温度が上昇するので、リンス液中に溶け込む有機溶剤量が少なくなって、リンス液の液面に有機溶剤の濃度斑が発生することが抑えられる。このとき、処理槽内のリンス液は処理槽上部から連続して溢れ出る状態にされるので、リンス液の液中温度が上昇することはない。したがって、リンス液中の基板の温度が上昇することはないので、リンス液中から露出させられた基板の表面への有機溶剤蒸気の凝縮は支障無く行われる。また、処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる際にリンス液の液面付近が不活性ガス雰囲気となるので、リンス液の液面へ供給される有機溶剤の量が少なくなって、リンス液中に溶け込む有機溶剤量がより少なくなる。
【００１９】
請求項４に係る発明の基板処理装置においては、基板露出手段によって処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる前から、加熱用ランプから処理槽内のリンス液の液面へ光が照射されることにより、輻射熱でリンス液の液面が加熱されてリンス液の液面および液面付近の温度が上昇するとともに、ガス供給手段によって処理槽内のリンス液の液面に対し不活性ガスが供給されることにより、リンス液の液面付近を不活性ガス雰囲気となる。このように、処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる際にリンス液の液面および液面付近の温度が上昇するので、リンス液中に溶け込む有機溶剤量が少なくなって、リンス液の液面に有機溶剤の濃度斑が発生することが抑えられる。このとき、処理槽内のリンス液は処理槽上部から連続して溢れ出る状態にされるので、リンス液の液中温度が上昇することはない。したがって、リンス液中の基板の温度が上昇することはないので、リンス液中から露出させられた基板の表面への有機溶剤蒸気の凝縮は支障無く行われる。また、処理槽内のリンス液中から基板が露出させられる際にリンス液の液面付近が不活性ガス雰囲気となるので、リンス液の液面へ供給される有機溶剤の量が少なくなって、リンス液中に溶け込む有機溶剤量がより少なくなる。
【００２０】
【００２１】
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の好適な実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２３】
図１は、この発明に係る基板処理方法を実施するのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。この基板処理装置は、リンス液、例えば純水が貯留されその純水中に基板Ｗが浸漬させられてリンス処理される処理槽１０、および、処理槽１０の周囲を取り囲む処理チャンバ１２を備えている。
【００２４】
処理槽１０は、その詳細な図示および説明を省略するが、下部に純水供給口を有するとともに上部に純水が溢れ出す溢流部を有し、底部に排水口が設けられている。処理チャンバ１２は、蓋（図示せず）を開閉させることにより基板Ｗの搬入および搬出を行うことができるともに密閉することが可能である。処理チャンバ１２の内部には、昇降駆動されるリフタ１４が配設されており、このリフタ１４は、処理チャンバ１２内へ搬入された基板Ｗを受け取って処理槽１０の内部へ搬入し、処理槽１０内で基板Ｗを支持し、処理が終わった基板Ｗを処理槽１０内から取り出す。また、処理チャンバ１２の底部には、気液排出口１６が設けられており、気液排出口１６に、開閉弁２０が介挿された排気管１８、および、開閉弁２４が介挿された排水管２２がそれぞれ連通している。
【００２５】
また、処理チャンバ１２内の上部には、蒸気供給ノズル２６が設けられている。蒸気供給ノズル２６には、不活性ガス、例えば窒素ガスをキャリアガスとして有機溶剤、例えばＩＰＡの蒸気を供給する蒸気供給管２８が連通して接続されており、蒸気供給管２８には、開閉弁３０が介在して設けられている。また、処理チャンバ１２の内部には、処理槽１０内の純水の液面に対して不活性ガス、例えば窒素ガスを供給するガス供給ノズル３２が設けられている。ガス供給ノズル３２には、窒素ガスの供給源に接続されたガス供給管３４が連通して接続されており、ガス供給管３４には、開閉弁３６が介在して設けられている。また、ガス供給管３４には、ヒータ３８が介在して設けられており、ガス供給管３４を通ってガス供給ノズル３２へ供給される窒素ガスをヒータ３８で加熱、例えば５０℃以上の温度に加熱することができるように構成されている。
【００２６】
また、排気管１８および排水管２２にそれぞれ介挿された開閉弁２０、２４の開閉動作、リフタ１４の昇降動作、ならびに、蒸気供給管２８およびガス供給管３４にそれぞれ介挿された開閉弁３０、３６の開閉動作を制御するために、図２に示すように、タイマ４２を具備した制御部４０が設けられている。
【００２７】
次に、上記した構成の基板処理装置を使用してリンス処理後に行われる基板の乾燥処理操作の１例について説明する。
【００２８】
処理槽１０内に貯留された純水中に基板Ｗが浸漬させられて基板Ｗのリンス処理が行われ、そのリンス処理が終了すると、ヒータ３８が駆動され、開閉弁３６が開かれて、ガス供給管３４を通ってガス供給ノズル３２へ５０℃以上の温度に加熱された窒素ガスが送られ、ガス供給ノズル３２から処理槽１０内の純水の液面に対し加熱された窒素ガスが供給される。これにより、処理槽１０内の純水の液面付近が窒素ガス雰囲気になり、また、純水の液面および液面付近の温度が上昇する。
【００２９】
加熱された窒素ガスの供給が開始された後、例えば窒素ガスの供給開始時から１０秒以上経過した後に、図３にタイムチャートを示すように、開閉弁３０が開かれ、窒素ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ蒸気が蒸気供給管２８を通って蒸気供給ノズル２６へ送られ、蒸気供給ノズル２６から処理槽１０内へＩＰＡ蒸気が供給される。このとき、処理槽１０内の純水の液面付近は窒素ガス雰囲気となっており、また、純水の液面および液面付近の温度が上昇しているので、純水中へのＩＰＡ蒸気の溶け込みが抑えられる。したがって、処理槽１０内の純水の液面にＩＰＡの濃度斑が発生することはない。また、処理槽１０内の純水は、処理槽１０上部の溢流部から連続して溢れ出る状態にされるので、純水の液中温度が上昇することはなく、純水中の基板Ｗの温度は上昇しない。
【００３０】
ＩＰＡ蒸気の供給が開始された後、リフタ１４が駆動され、リフタ１４により基板Ｗが処理槽１０内の純水中からゆっくりと引き上げられる。そして、純水中から引き上げられた基板Ｗの表面では、ＩＰＡ蒸気が凝縮して、基板Ｗ表面に付着した純水がＩＰＡに置換されていく。基板Ｗが純水中から完全に引き上げられると、ガス供給管３４に介挿された開閉弁３６が閉じられ、加熱された窒素ガスの供給が停止される。その後に、蒸気供給管２８に介挿された開閉弁３０が閉じられ、処理チャンバ１２内へのＩＰＡ蒸気の供給が停止される。この時点では、基板Ｗの表面はＩＰＡによって完全に置換された状態となる。
【００３１】
リフタ１４により処理槽１０内の純水中から基板Ｗが完全に引き上げられると、処理槽１０内からの排水や窒素ガスによる処理チャンバ１２内のパージを行うなどした後、密閉された処理チャンバ１２の内部に基板Ｗを保持したまま、排気管１８を通して処理チャンバ１２の内部を真空排気し、処理チャンバ１２内に保持された基板Ｗを速やかに減圧乾燥させる。これにより、基板Ｗの表面からＩＰＡが完全に蒸発して除去され、基板Ｗの乾燥が終了する。基板Ｗの乾燥処理が終了すると、真空排気を停止した後、処理チャンバ１２の蓋を開けて基板Ｗを処理チャンバ１２内から搬出する。以上の一連の処理動作は、制御部４０によって制御される。
【００３２】
上記した実施形態では、処理槽１０内の純水の液面を加熱するのに、ガス供給ノズル３２から処理槽１０内の純水の液面に対し加熱された窒素ガスを供給するようにしたが、図４に示すように、処理チャンバ１２の内部に加熱用ランプ４４を配設し、その加熱用ランプ４４から処理槽１０内の純水の液面に向かって近赤外光〜遠赤外光を照射し、輻射熱によって純水の液面を加熱するような装置構成とすることもできる。図４中において、図１で使用した符号と同一符号を付した各部材は、図１に示した装置に関して説明した上記各部材と同一機能を有するものである。また、図４に示した基板処理装置において、ガス供給ノズル３２から処理槽１０内の純水の液面に対し常温の窒素ガスを供給するようにする。
【００３３】
また、上記実施形態では、リンス処理が終了した基板Ｗをリフタ１４によって引き上げることにより、処理槽１０内の純水中から基板Ｗを露出させるようにしたが、リンス処理後の基板Ｗを処理槽１０内で静止させたままにし、処理槽１０内からゆっくりと排水して処理槽１０内の純水の液面を低下させることにより、純水中から基板Ｗを露出させるようにしてもよい。
【００３４】
【発明の効果】
請求項１および請求項２に係る各発明の基板処理方法により、処理槽内に貯留されたリンス液中から露出させられた基板に対し有機溶剤の蒸気を供給して基板を乾燥させるときは、リンス液中に溶け込む有機溶剤量を少なくして、リンス液の液面に有機溶剤の濃度斑が発生することを防止することができる。このため、基板面内における乾燥状態にばらつきを生じたり、デバイスパーティクルが発生したり、デバイス上のレジストの溶解を生じたりする、といった不都合を無くすことができる。そして、装置の構成や制御も比較的簡単である。
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
請求項３および請求項４に係る各発明の基板処理装置を使用すると、リンス液中に溶け込む有機溶剤量を少なくして、リンス液の液面に有機溶剤の濃度斑が発生することを防止することができ、このため、基板面内における乾燥状態にばらつきを生じたり、デバイスパーティクルが発生したり、デバイス上のレジストの溶解を生じたりする、といった不都合を無くすことができる。そして、装置の構成や制御も比較的簡単である。
【図面の簡単な説明】
【図１】  この発明に係る基板処理方法を実施するのに使用される基板処理装置の概略構成の１例を示す模式図である。
【図２】  図１に示した基板処理装置の制御系の概略構成を示す図である。
【図３】  図１に示した基板処理装置を使用してリンス処理後に行われる基板の乾燥処理操作のタイムチャートである。
【図４】  この発明に係る基板処理装置の概略構成の別の例を示す模式図である。
【符号の説明】
１０  処理槽
１２  処理チャンバ
１４  リフタ
１６  気液排出口
１８  排気管
２０、２４、３０、３６  開閉弁
２２  排水管
２６  蒸気供給ノズル
２８  蒸気供給管
３２  ガス供給ノズル
３４  ガス供給管
３８  ヒータ
４０  制御部
Ｗ  基板
【図１】
0003869670.tif 000002
【図２】
0003869670.tif 000003
【図３】
0003869670.tif 000004
【図４】
0003869670.tif 000005