(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の限界電流式酸素センサをそれぞれ構成する複数の多孔質酸素ガス律速体基板のマスタ部材となる一枚の被成膜マスタ基板上に、前記複数の多孔質酸素ガス律速体基板にそれぞれ対応して成膜された限界電流式酸素センサ用ヒータであって、
ヒータ電源供給用のリード線の基準ボンディング部位である基準ランド対と、
複数の階級にランク分けされた前記基準ランド対のヒータ抵抗範囲にそれぞれ対応して、前記ヒータ抵抗が抵抗規格に基づく所定の調整抵抗範囲に入るような位置にそれぞれ形成された複数の抵抗調整用ランド対と、を備え、
前記基準ランド対は、前記ヒータ両端部に形成され、
前記複数の抵抗調整用ランド対は、前記基準ランド対の内側に形成されており、
前記基準ランド対及び前記複数の抵抗調整用ランド対は、前記多孔質酸素ガス律速体基板の対向する両外側面に近接して形成されていることを特徴とする限界電流式酸素センサ用ヒータ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は限界電流式酸素センサ及びこの限界電流式酸素センサのヒータ抵抗調整方法に関し、特に、一枚の被成膜マスタ基板から取得される複数の多孔質酸素ガス律速体基板上に複数のヒータをスパッタリングにより成膜する際に生じるヒータ抵抗のバラツキを効果的に軽減させることを可能にした限界電流式酸素センサ及びこの限界電流式酸素センサのヒータ抵抗調整方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、限界電流式酸素センサの構成要素の一部である多孔質酸素ガス律速体基板は、一枚の被成膜マスタ基板から複数個、取得される。そして、これら複数の多孔質酸素ガス律速体基板それぞれに対応する複数のヒータは、被成膜マスタ基板が複数の酸素センサに分割される前に、同形状の複数のヒータパターンが形成されたスパッタ用マスクによりパターニングされて、スパッタリングにより一度に複数個分、成膜される。ところが、スパッタリングの特性上、膜厚分布が生じ、これに伴い複数のヒータ間の抵抗値にもバラツキが生じるという問題が発生していた。この問題を以下に図面を用いて説明する。
【０００３】
まず、スパッタリングにより成膜される上記ヒータを有する限界電流式酸素センサについて図４及び図５を用いて説明する。図４は、この種の限界電流式酸素センサの一例を示す外観斜視図である。図５は、図４の限界電流式酸素センサの背面図である。
【０００４】
図４及び図５に示すように、この種の限界電流式酸素センサは、薄膜状の陽極板１と、薄膜状の固体電解質膜２と、薄膜状の陰極板３と、多孔質酸素ガス律速体基板４とが上からこの順に積層されて構成される。上記陽極板１はＰｔ（白金）からなり、略正方形板状の主電極部１１と、リード線が接続される細長い鉤型板状の出力端子部１２から基本的に構成される。固体電解質膜２は、例えば、安定化ジルコニア（Ｙ2Ｏ3とＺｒＯ2からなる）の酸素イオン導電体の薄膜である。陰極板３もＰｔからなり、略正方形板状の主電極部と、リード線が接続される細長い鉤型板状の出力端子部３２から基本的に構成される。そして、上記出力端子部１２及び出力端子部３２にはそれぞれ、リード線６ａ及び６ｂが接続されており、これらリード線６ａ及び６ｂを介して、センサ出力信号が供給される。
【０００５】
多孔質酸素ガス律速体基板４は、例えば、多孔質アルミナ基板からなる一辺３〜４ｍｍの四角形板状に構成される。この多孔質酸素ガス律速体基板４の下おもて面には、おもて面のセンサ部を加熱するための発熱体であるＰｔからなるヒータ５が成膜される。このヒータ５の両端には、ヒータ電源を供給するためのリード線７ａ及び７ｂが接続される端子部５１ａ及び５１ｂがそれぞれ形成されている。この端子部５１ａ及び５１ｂは、後述する本発明の実施形態では、ランドとも呼んでいる。
【０００６】
上述のような構成の限界電流式酸素センサの陽極板１の出力端子部１２、及び陰極板３の出力端子部３２の間に流れるセンサ出力電流は、所定の印加電圧以上では略一定値となる。このときの電流値を限界電流とよび、この限界電流は酸素濃度に応じたものとなる。これを利用して酸素濃度が検出される。
【０００７】
ところで、上記多孔質酸素ガス律速体基板４は、多孔質酸素ガス律速体からなる一枚の被成膜マスタ基板から複数個、取得される。複数個の多孔質酸素ガス律速体基板４に対応する複数のヒータは、一枚の被成膜マスタ基板から分割される前に、同形状の複数のヒータパターンが形成されたスパッタ用マスクによりパターニングされて、複数個同時にスパッタリングにより成膜される。
【０００８】
例えば、４１．５ｍｍ×３８．５ｍｍ×０．３ｍｍの被成膜マスタ基板に対して、その縦辺を１０、横辺を１１に均等分割して、計１１０個の多孔質酸素ガス律速体基板４が取得されるが、この１１０個に分割される前に、スパッタ用マスクによりパターニングされて、長さの等しい１１０個のヒータが被成膜マスタ基板上に成膜されることになる。ところが、スパッタリングにより蒸着堆積される膜厚は、被成膜マスタ基板の中央部が最も大きく、中央部から周辺部に向かうにしたがって、小さくなっていく傾向があることが知られている。この傾向により、被成膜マスタ基板上に成膜される１１０個のヒータ５の抵抗値間にもバラツキが生じることになる。これについて、図６及び図７を用いて以下に説明する。
【０００９】
図６（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、従来のスパッタ用マスクの全体像を示す概略平面図及びスパッタ用マスクの一マスクユニットを示す概略平面図である。図７は、図６のスパッタ用マスクを用いて成膜される各ヒータの抵抗値の分布を示すグラフである。
【００１０】
図６（Ａ）に示すように、このスパッタ用マスクは、例えば、４１．５ｍｍ×３８．５ｍｍ×０．３ｍｍの被成膜マスタ基板に対応させて、その縦辺を縦番号Ｓ１〜Ｓ１０で示すように１０等分割し、横辺を横番号Ｔ１〜Ｔ１１で示すように１１等分割した、１１０個のマスクユニットＵに区画される。そして、これら１１０個のマスクユニットＵは共に、図６（Ｂ）に示すように、上記ヒータ５の形状に対応したヒータパターンＵ５が形成されている。１１０個のマスクユニットＵに形成されるそれぞれのヒータパターンＵ５は全て同形状をしている。すなわち、その長さ及び幅も等しい。例えば、ヒータパターンＵ５に含まれるジグザグ部は、２．４ｍｍ×１．４ｍｍに設定されている。なお、参照番号Ｕ５１ａ及びＵ５１ｂはそれぞれ、端子部５１ａ及び５１ｂに対応するランド形成部である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
このような１１０個のマスクユニットＵで構成されるスパッタ用マスクを利用して、公知のスパッタリングにより、前述した複数の多孔質酸素ガス律速体基板４に対応したヒータ５を成膜すると、Ｓ１〜Ｓ１０及びＴ１〜Ｔ１１で区画される各マスクユニットＵに含まれる各ヒータ５の抵抗値の分布は、図７に示すようになる。
【００１２】
前述したように、スパッタリングにより蒸着堆積される膜厚は、被成膜マスタ基板の中央部が最も大きく、中央部から周辺部に向かうにしたがって小さくなっていく傾向があるので、周辺部に区画されるマスクユニットＵの膜厚は、中央部のそれらより小さくなる。パターンＵ５の幅は、上述したように等しいので、膜厚が小さいほどパターンＵ５の断面積は狭くなり、よって図７に示すように、周辺部に近づくにしたがってパターンＵ５の抵抗値は大きくなることになる。
【００１３】
そうなると、１１０個のヒータ５それぞれの抵抗値もバラツキすることになり、最終的に１枚の被成膜マスタ基板から取得される１１０個の限界電流式酸素センサの加熱特性もバラツキし、限界電流式酸素センサの出力特性にバラツキが発生することになる。この対策としては、各ヒータの抵抗値のレーザトリミング、スパッタターゲットの大型化等が考えられるが、これらは大がかりで、コスト高になってしまう問題があった。
【００１４】
よって本発明は、上述した現状に鑑み、コスト高を招くことなく、容易にヒータ抵抗の調整が可能な限界電流式酸素センサ用ヒータ及び限界電流式酸素センサ用ヒータの抵抗調整方法を提供することを課題としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためになされた請求項１記載の限界電流式酸素センサ用ヒータは、複数の限界電流式酸素センサをそれぞれ構成する複数の多孔質酸素ガス律速体基板４のマスタ部材となる一枚の被成膜マスタ基板上に、前記複数の多孔質酸素ガス律速体基板４にそれぞれ対応して成膜された限界電流式酸素センサ用ヒータ８であって、ヒータ電源供給用のリード線７ａ、７ｂの基準ボンディング部位である基準ランド対８１ａ、８１ｂと、複数の階級にランク分けされた前記基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗範囲にそれぞれ対応して、ヒータ抵抗が抵抗規格に基づく所定の調整抵抗範囲に入るような位置にそれぞれ形成された複数の抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂとを含んでいる。そして、前記基準ランド対８１ａ、８１ｂは、ヒータ両端部に形成され、前記複数の抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂは、前記基準ランド対８１ａ、８１ｂの内側に形成されており、これら基準ランド対８１ａ、８１ｂ及び複数の抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂは、前記多孔質酸素ガス律速体基板４の対向する両外側面に近接して形成されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項１記載の発明によれば、本限界電流式酸素センサ用ヒータ８は、基準ランド対８１ａ、８１ｂ及び複数の抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂを含んでいる。基準ランド対８１ａ、８１ｂは、ヒータ電源供給用のリード線７ａ、７ｂの基準ボンディング部位である。この基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗の値は、複数の階級にランク分けされている。また、抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂは、ランク分けされた基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗範囲にそれぞれ対応して、ヒータ抵抗が抵抗規格に基づく所定の調整抵抗範囲に入るような位置にそれぞれ形成されている。このように、本発明は、複数の階級にランク分けされた基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗範囲にそれぞれ対応して、ヒータ抵抗が所定の調整抵抗範囲に入るような位置にそれぞれ形成された複数の抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂを含んでいるので、基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗に基づき、リード線７ａ、７ｂをボンディングすべき所望のヒータ抵抗を有するランド対を容易に選択できる。そして、基準ランド対８１ａ、８１ｂは、ヒータ両端部に形成され、抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂは、基準ランド対８１ａ、８１ｂの内側に形成されている。このため、ヒータ抵抗がヒータ長に依存することを利用して、抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂの位置を設定するのが容易になる。また、基準ランド対８１ａ、８１ｂ及び複数の抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂは、多孔質酸素ガス律速体基板４の対向する両外側面に近接して形成されているので、リード線７ａ、７ｂのボンディングが容易になる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の限界電流式酸素センサ用ヒータの一実施形態を示す平面図である。図２は、図１の限界電流式酸素センサ用ヒータを成膜する際に用いるスパッタ用マスクの一マスクユニットを示す概略平面図である。図３は、本限界電流式酸素センサ用ヒータの抵抗調整方法に用いる基準ランド対抵抗値範囲、ランク、設定ランド位置、及び調整抵抗範囲の対応関係を示す説明図である。なお、本実施形態を利用して形成される限界電流式酸素センサは、ヒータを除いては、前述の図４で説明したものと同等の構成になるので、ここではその説明を省略する。
【００２６】
図１に示すように、本実施形態の限界電流式酸素センサ用ヒータ８（又は単にヒータ８とよぶ）は、多孔質酸素ガス律速体基板４のうら面に成膜される。この多孔質酸素ガス律速体基板４は、図４を用いて前述したように、一枚のマスタ部材が、例えば、一辺３〜４ｍｍの四角形板状に、複数個に均等分割されて形成されるものである。但し、ヒータ８は、この分割前に図２で示すようなスパッタ用マスクを用いて成膜される。
【００２７】
このヒータ８は、多孔質酸素ガス律速体基板４のおもて面のセンサ部を効率的に加熱するために、ジグザグ状のＰｔ膜から構成される。このジグザグ状のヒータ８の両端には、ヒータ電源供給用のリード線７ａ、７ｂの基準ボンディング部位である基準ランド対８１ａ、８１ｂ（又は単にランド対８１ａ、８１ｂとよぶ）が形成されている。また、この基準ランド対８１ａ、８１ｂの内側には、複数の抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂ（又は単にランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂとよぶ）が形成されている。これらのランド対８１ａ〜８５ａ、８１ｂ〜８５ｂは、四角形板状の多孔質酸素ガス律速体基板４の対向する両外側面に近接して、並設されている。なお、参照番号８１ａは８１ｂと対になっていることを示し、同様に、８２ａは８２ｂと、８３ａは８３ｂと、８４ａは８４ｂと、そして８５ａは８５ｂと対になっていることを示す。
【００２８】
このように、基準ランド対８１ａ、８１ｂは、ヒータ両端部に形成され、抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂは、基準ランド対８１ａ、８１ｂの内側に形成されているので、抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂの位置を設定するのが容易になる。また、基準ランド対８１ａ、８１ｂ及び複数の抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂは、多孔質酸素ガス律速体基板４の対向する両外側面に近接して形成されているので、リード線７ａ、７ｂのボンディングが容易になる。
【００２９】
上述のような構成の限界電流式酸素センサ用ヒータ８は、図２に示すようなマスクユニットＵで構成されるスパッタ用マスクを用いて成膜される。このスパッタ用マスクは、図６（Ａ）で示したと同様、例えば、４１．５ｍｍ×３８．５ｍｍ×０．３ｍｍの被成膜マスタ基板を、縦辺を１０等分割し、横辺を１１等分割して、１１０個のマスクユニットＵに区画するものである。すなわち、１枚の被成膜マスタ基板から、１１０個の限界電流式酸素センサが取得されることになる。
【００３０】
各マスクユニットＵは同形状のヒータパターンＵ８を有し、ヒータパターンＵ８は上述したランド対８１ａ〜８５ａ、８１ｂ〜８５ｂを形成するためのランド対形成部Ｕ８１ａ〜Ｕ８５ａ、Ｕ８１ｂ〜Ｕ８５ｂを有している。
【００３１】
このヒータパターンＵ８の幅は、例えば、１５０μｍ程度に設定され、ヒータパターンＵ８に含まれるジグザグ部は、２．４ｍｍ×１．４ｍｍに設定されている。また、ランド対８１ａ〜８５ａ、８１ｂ〜８５ｂのボンディング部位の幅は、３００μｍ〜４００μｍ程度に設定されている。また、Ｐｔの膜厚は、４．０μｍを目標値としてスパッタリングする。
【００３２】
上述のようなスパッタ用マスクを用いて成膜された限界電流式酸素センサ用ヒータ８の基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗値範囲は、図３に示すように、１〜５のランクが設定されている。例えば、基準ランド対抵抗値範囲が５．３５００〜５．８５００Ωの際にはランク１に相当し、同様に、基準ランド対抵抗値範囲が、５．８５０１〜５．９５００Ω、５．９５０１〜６．１８００Ω、６．１８０１〜６．４１００Ω及び６．４１０１〜６．６４００Ωの際には、それぞれランク２、３、４及び５に相当する。
【００３３】
そして、これらランク１〜５にそれぞれ対応した調整抵抗範囲を有する上記ランド対８１ａ〜８５ａ、８１ｂ〜８５ｂが形成される。すなわち、ヒータ断面積を一定とするとヒータ抵抗はヒータ長に比例するので、これを利用して、ランド対８１ａ〜８５ａ、８１ｂ〜８５ｂが並設される。上記調整抵抗範囲は、求められる抵抗規格、例えば、５．３５００〜５．８５００Ωに基づいて設定される。例えば、設定ランド位置１、すなわち、ランド対８１ａ、８１ｂの調整抵抗範囲は５．３５００〜５．８５００Ωに設定され、設定ランド位置２、すなわち、ランド対８２ａ、８２ｂの調整抵抗範囲は５．６２０１〜５．７２００Ωに設定される。同様に、設定ランド位置３、４及び５、すなわち、ランド対８３ａ、８３ｂ、８４ａ、８４ｂ、及び８５ａ、８５ｂの調整抵抗範囲は共に、５．４６０１〜５．７２００Ωに設定される。但し、ランド対８１ａ、８１ｂは、請求項中の基準ランド対としても機能する。
【００３４】
このように、本実施形態の限界電流式酸素センサ用ヒータ８は、複数の階級にランク分けされた基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗範囲にそれぞれ対応して、ヒータ抵抗が所定の調整抵抗範囲に入るような位置にそれぞれ形成された複数の抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂを含むので、基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗に基づき、リード線７ａ、７ｂをボンディングすべき所望のヒータ抵抗を有するランド対を容易に選択できる。もちろん、基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗が許容範囲であれば、基準ランド対８１ａ、８１ｂをボンディングすべきランド対として選択することもできる。この結果、限界電流式酸素センサ用ヒータ８のバラツキを調整することが可能になり、限界電流式酸素センサの出力特性のバラツキも抑制することが可能になる。また、上述のようにヒータ抵抗が調整可能になるので、従来、規格外とされていた限界電流式酸素センサ用ヒータも使用可能になる。
【００３５】
上述のような構成の限界電流式酸素センサ用ヒータ８の抵抗調整方法を以下に説明する。
【００３６】
まず、基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗値を測定する（請求項３の抵抗測定工程に相当）。例えば、このときのヒータ抵抗値は、６．５０Ωであったとする。
【００３７】
次に、測定された上記基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗値に基づき、ランクを決定する（請求項３のランク決定工程に相当）。例えば、ヒータ抵抗値は、上述したように６．５０Ωであるので、ランクは５と決定される。
【００３８】
そして、決定された上記ランクに基づき、複数の抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂのうちから、リード線７ａ、７ｂのボンディング部位となるランド対を選択する（請求項３の抵抗調整用ランド対選択工程に相当）。例えば、上述のように決定されたランクは５であるので、リード線７ａ、７ｂのボンディング部位となるランド対としては、設定ランド位置５、すなわち、ランド対８５ａ、８５ｂが選択される。このときの抵抗範囲は、例えば、５．６４Ωであり、これにより、基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗が６．５０Ωであるにもかかわらず、抵抗規格を満たす限界電流式酸素センサ用ヒータ８を得ることができる。
【００３９】
なお、測定された上記基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗値が、既に抵抗規格に適合している場合には、基準ランド対８１ａ、８１ｂをリード線７ａ、７ｂのボンディング部位として選択する（請求項４の基準ランド対選択工程に相当）。この場合、即座にリード線７ａ、７ｂのボンディング部位が決定できるので、最適な限界電流式酸素センサ用ヒータの抵抗調整が更に容易になる。
【００４０】
このように、本実施形態の限界電流式酸素センサ用ヒータ８の抵抗調整方法によれば、複数のランド対８１ａ〜８５ａ、８１ｂ〜８５ｂのうちのいずれかひとつのランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗を測定し、この測定したヒータ抵抗に基づいて、複数のランド対８１ａ〜８５ａ、８１ｂ〜８５ｂのうちから所望のランド対を選択するようにしているので、限界電流式酸素センサ用ヒータの抵抗が容易に調整可能になる。この結果、限界電流式酸素センサの出力特性のバラツキを抑制することが可能になる。また、上述のようにヒータ抵抗が調整可能になるので、従来、規格外とされていた限界電流式酸素センサ用ヒータも使用可能になる。
【００４１】
なお、上述してきた実施形態ではランド対８１ａ、８１ｂを基準としているが、本発明はこれに限定するものではなく、他のランド対を基準としてもよい。また、ランクやランド対の数も実施形態では５としているが、本発明はこれに限定するものではなく、用途や抵抗規格に応じて変更可能である。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１記載の発明によれば、複数の階級にランク分けされた基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗範囲にそれぞれ対応して、ヒータ抵抗が所定の調整抵抗範囲に入るような位置にそれぞれ形成された複数の抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂを含むので、基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗に基づき、リード線７ａ、７ｂをボンディングすべき所望のヒータ抵抗を有するランド対を容易に選択できる。もちろん、基準ランド対８１ａ、８１ｂのヒータ抵抗が許容範囲であれば、基準ランド対８１ａ、８１ｂをボンディングすべきランド対として選択することもできる。この結果、限界電流式酸素センサ用ヒータ８のバラツキを調整することが可能になり、限界電流式酸素センサの出力特性のバラツキも抑制することが可能になる。また、上述のようにヒータ抵抗が調整可能になるので、従来、規格外とされていた限界電流式酸素センサ用ヒータも使用可能になる。そして、基準ランド対８１ａ、８１ｂは、ヒータ両端部に形成され、抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂは、基準ランド対８１ａ、８１ｂの内側に形成されているので、抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂの位置を設定するのが容易になる。また、基準ランド対８１ａ、８１ｂ及び複数の抵抗調整用ランド対８２ａ〜８５ａ、８２ｂ〜８５ｂは、多孔質酸素ガス律速体基板４の対向する両外側面に近接して形成されているので、リード線７ａ、７ｂのボンディングが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の限界電流式酸素センサ用ヒータの一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１の限界電流式酸素センサ用ヒータを成膜する際に用いるスパッタ用マスクの一マスクユニットを示す概略平面図である。
【図３】本限界電流式酸素センサ用ヒータの抵抗調整方法に用いる基準ランド対抵抗値範囲、ランク、設定ランド位置、及び調整抵抗範囲の対応関係を示す説明図である。
【図４】この種の限界電流式酸素センサの一例を示す外観斜視図である。
【図５】図５は、図４の限界電流式酸素センサの背面図である。
【図６】図６（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、従来のスパッタ用マスクの全体像を示す概略平面図及びスパッタ用マスクの一マスクユニットを示す概略平面図である。
【図７】図６のスパッタ用マスクを用いて成膜される各ヒータの抵抗値の分布を示すグラフである。
【符号の説明】
１  陽極板
２  固体電解質膜
３  陰極板
４  多孔質酸素ガス律速体基板
７ａ、７ｂ  リード線
８  ヒータ
８１ａ〜８５ａ、８１ｂ〜８５ｂ  ランド対
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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