(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）上面及び下面を有するポリイミドテープ、前記ポリイミドテープの下面に形成される銅配線、前記銅配線を半導体チップに接続するため前記ポリイミドテープを貫通して形成される開口部、前記銅配線に対応するように前記ポリイミドテープを貫通して形成される複数の接続孔、ならびに前記銅配線の下面に取り付けられる弾性重合体を含むテープ配線基板を準備する段階と、
（ｂ）前記接続孔にプレフラックスを塗布する段階と、
（ｃ）前記開口部に露出した前記銅配線を金メッキしてビームリードを形成する段階と、
（ｄ）前記弾性重合体に前記半導体チップを取り付ける段階と、
（ｅ）前記半導体チップに前記ビームリードを接合する段階と、
（ｆ）前記半導体チップと前記ビームリードとの間の接合部分を封止する段階と、
（ｇ）前記接続孔に露出した前記各銅配線にソルダボールを取り付ける段階と
を含むことを特徴とするチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記（ｂ）段階のプレフラックスは、前記（ｇ）段階を行う前の全段階における熱的変形を防止するために温度耐久性を保つ有機溶剤からなることを特徴とする請求項１に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記（ｄ）段階は、前記弾性重合体の下面に熱を加えることにより、前記半導体チップが前記弾性重合体に直接取り付けられることを特徴とする請求項１に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記（ｄ）段階は、電極パッドが形成されている前記半導体チップの活性面が、前記弾性重合体の下面に取り付けられ、前記弾性重合体は、前記半導体チップの前記電極パッド周囲の内側領域に配置されることを特徴とする請求項３に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項５】
前記（ｆ）段階は、前記半導体チップと前記ビームリードとの間の接合部分を、所定の粘度を有する液状の封止樹脂で封止することにより行われることを特徴とする請求項１に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記（ｆ）段階は、前記液状の封止樹脂の流出を防ぐため、前記テープ配線基板の上面にカバーフィルムを予め取り付けた状態で行われることを特徴とする請求項５に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項７】
前記（ｇ）段階は、
（ｇ１）前記接続孔に塗布された前記プレフラックス上に前記ソルダボールを載置する段階と、
（ｇ２）リフローソルダリング工程により、前記接続孔に露出した前記銅配線に前記ソルダボールを取り付ける段階と、
（ｇ３）前記ソルダボールの周囲に残っている余りのプレフラックス及び残渣を洗浄する段階と
を含むことを特徴とする請求項１に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項８】
前記リフローソルダリング工程は、赤外線リフローまたはレーザーリフロー工程により行われることを特徴とする請求項７に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項９】
（ａ）上面及び下面を有するポリイミドテープ、前記ポリイミドテープの下面に形成される銅配線、前記銅配線を半導体チップに接続するため前記ポリイミドテープを貫通して形成される開口部、前記銅配線に対応するように前記ポリイミドテープを貫通して形成される複数の接続孔、ならびに前記銅配線の下面に取り付けられる弾性重合体を含むテープ配線基板を準備する段階と、
（ｂ）前記ポリイミドテープの上面に前記接続孔を覆うカバー膜を取り付ける段階と、
（ｃ）前記開口部に露出した前記銅配線を金メッキしてビームリードを形成する段階と、
（ｄ）前記ポリイミドテープから前記カバー膜を除去する段階と、
（ｅ）前記弾性重合体に前記半導体チップを取り付ける段階と、
（ｆ）前記半導体チップに前記ビームリードを接合する段階と、
（ｇ）前記半導体チップと前記ビームリードとの間の接合部分を封止する段階と、
（ｈ）前記接続孔に露出した前記各銅配線にソルダボールを取り付ける段階と
を含むことを特徴とするチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記（ｂ）段階は、前記開口部を除いた前記ポリイミドテープの上面に前記カバー膜を取り付けることを特徴とする請求項９に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記（ｂ）段階の前記カバー膜は、紫外線テープであることを特徴とする請求項９に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記（ｄ）段階は、前記カバー膜に紫外線を照射して前記カバー膜の接着力を弱化させた後、前記ポリイミドテープから前記カバー膜を除去することを特徴とする請求項１１に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記（ｅ）段階は、前記弾性重合体の下面に熱を加えて、前記弾性重合体に前記半導体チップが直接取り付けられることを特徴とする請求項９に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記（ｅ）段階は、電極パッドが形成されている前記半導体チップの活性面が前記弾性重合体の下面に取り付けられ、前記弾性重合体は前記半導体チップの前記電極パッド周囲の内側領域に配置されていることを特徴とする請求項１３に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記（ｇ）段階は、前記半導体チップと前記ビームリードとの間の接合部分を所定の粘度を有する液状の封止樹脂で封止することにより行われることを特徴とする請求項９に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記（ｇ）段階は、前記液状の封止樹脂が流れ出すことを防ぐため前記テープ配線基板の上面に前記カバー膜を予め取り付けた状態で行われることを特徴とする請求項１５に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項１７】
前記（ｈ）段階は、
（ｈ１）前記接続孔に露出した前記銅配線上にフラックスを塗布する段階と、
（ｈ２）前記フラックス上に前記ソルダボールを載置する段階と、
（ｈ３）リフローソルダリング工程により前記接続孔に露出した前記銅配線に前記ソルダボールを取り付ける段階と、
（ｈ４）前記ソルダボールの周囲に残っている余りのフラックス及び残渣を洗浄する段階と、
を含むことを特徴とする請求項９に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記リフローソルダリング工程は、赤外線リフローまたはレーザーリフロー工程により行われることを特徴とする請求項１７に記載のチップスケールパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップスケールパッケージの製造方法に関し、より詳しくは、基板とソルダボールとの間の接着力を向上させるため、ソルダボールが取り付けられるべきソルダボールパッドに金メッキ膜が形成されることを防ぐ段階を備えるチップスケールパッケージ（chip scale package：ＣＳＰ）の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子産業は、軽量化、小形化、高速化、多機能化及び高性能化され且つ高信頼性を有する製品を低いコストで製造することがその成り行きになっている。このような製品設計の目標達成を可能にする重要技術の一つがパッケージ組立技術であり、最近、開発されたパッケージの一種がいわゆるボールグリッドアレー（Ball Grid Array；ＢＧＡ）パッケージである。ＢＧＡパッケージは、通常的なプラスチックパッケージに比べて、母基板（mother board）に対する実装面積が縮小でき、電気的特性に優れているという長所を有する。
【０００３】
ＢＧＡパッケージは、通常的なプラスチックパッケージとは異なり、リードフレーム（lead frame）の代わりに印刷回路基板を用いる。印刷回路基板は、半導体チップが接着される面の反対側全面をソルダボール（solder ball）を配置することができる領域として提供できるので、母基板に対する実装密度に有利な面がある。しかしながら、印刷回路基板のサイズを縮小するには根本的な限界を有する。即ち、半導体チップを実装するためには、回路配線が設けられていない領域を要するので、印刷回路基板は半導体チップより大きいサイズを有することが不可避である。このような事情により提案されたのが、いわゆるチップスケールパッケージである。
【０００４】
チップスケールパッケージは、最近の数年間、アメリカ、日本及び韓国などの十数個の会社からいろいろな類型が紹介され、現在も活発に開発されている。アメリカのテセラ（Tessera）社で開発したマイクロボールグリッドアレー（μ−ＢＧＡ）パッケージが、その代表的な一例である。μ−ＢＧＡパッケージに適用される印刷回路基板は、厚さが薄く柔軟性を有するフレキシブル回路基板（flexible circuit board）のようなテープ配線基板である。また、μ−ＢＧＡパッケージの特徴の一つは、テープ配線基板に設けられたウィンド（window）としての開口部を介して、半導体チップの電極パッドにビームリード（beam lead）が一括的にボンディング（bonding）されるということである。
【０００５】
図１は、従来技術によるテセラ社のμ−ＢＧＡパッケージ２００を示す断面図である。図１に示すように、テープ配線基板１２０は上面及び下面を有するポリイミドテープ１２４、ポリイミドテープ１２４の下面に形成される銅配線１３０、ならびに銅配線１３０から延びるビームリード１６０を含む。弾性重合体１５０は、テープ配線基板１２０と半導体チップ１１０との間に介在している。ビームリード１６０は、半導体チップ１１０の電極パッド１１２に接合され、ポリイミドテープ１２４に形成された接続孔１２３を介して、ソルダボールパッド１３６に取り付けられたソルダボール１６８に接続される。ここで、ソルダボールパッド１３６は、接続孔１２３に露出した銅配線部分である。電極パッド１１２とビームリード１６０との間の接合部分は、封止樹脂１８９で封止されて外界から保護される。
【０００６】
一方、ビームリード１６０は、半導体チップ１１０の電極パッド１１２に接続される銅配線１３８であり、電極パッド１１２との良好な接続性のため、銅配線１３８の外表面に金メッキを施して金メッキ膜１６２を形成している。ところが、ビームリード１６０の銅配線１３８に金メッキを施す過程において、ポリイミドテープ１２４の外側に露出した銅配線に金メッキ膜１６２が形成され、且つ接続孔１２３に露出したソルダボールパッド１３６上にも金メッキ膜１６４が形成される。そこで、ソルダボール１６８は、実質的にソルダボールパッド１３６上の金メッキ膜１６４上に形成される。
【０００７】
図２は、図１のμ−ＢＧＡパッケージ２００において、ソルダボール１６８が基板１７０の基板パッド１７２にソルダリングされている状態を示す。基板１７０にμ−ＢＧＡパッケージ２００をソルダリングする方法としては、赤外線リフロー（infrared reflow）方式が通常的に利用される。一方、ソルダボール１６８は、錫（Ｓｎ）及び鉛（Ｐｂ）の合金であり、主に約６３％の錫と約３７％の鉛の組成比を有する。
【０００８】
上記のような構造を有するμ−ＢＧＡパッケージ２００を基板１７０にソルダリングする際、一般に２２０℃〜２３０℃の高熱が発生し、この高熱によりソルダボールパッド１３６にメッキされていた金メッキ膜１６４の金成分がソルダボール１６８への拡散反応を起こす。この拡散反応により、金はソルダボール１６８の主成分である錫及び鉛と結合して金属間化合物（１６８ａ：intermetallic compound）を生成し、ソルダボール１６８の表面を被覆する形態になる。このような金属間化合物１６８ａは、ソルダボール１６８と基板パッド１７２のソルダリング性を低下させる要素として作用する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明の目的は、ポリイミドテープの接続孔を介して露出したソルダボールパッド上に金がメッキされることを防ぎ、ソルダボールパッドに接続されたソルダボールと基板パッド間のソルダリング力を向上させることができるチップスケールパッケージの製造方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達するため、本発明の請求項１〜６のいずれか記載のチップスケールパッケージの製造方法によると、（ａ）上面及び下面を有するポリイミドテープ、ポリイミドテープの下面に形成される銅配線、銅配線を半導体チップに接続するためポリイミドテープを貫通して形成される開口部、銅配線に対応するようにポリイミドテープを貫通して形成される複数の接続孔、ならびに銅配線の下面に取り付けられる弾性重合体を含むテープ配線基板を準備する段階と、（ｂ）接続孔にプレフラックス（pre-flux）を塗布する段階と、（ｃ）開口部に露出した銅配線を金メッキしてビームリードを形成する段階と、（ｄ）弾性重合体に半導体チップを取り付ける段階と、（ｅ）半導体チップにビームリードを接合する段階と、（ｆ）半導体チップとビームリードとの間の接合部分を封止する段階と、（ｇ）接続孔に露出した各銅配線にソルダボールを取り付ける段階とを含むことを特徴としている。（ｂ）段階のプレフラックスは、（ｇ）段階を行う前の全段階における熱的変形を防止するため温度耐久性を保つ有機溶剤からなることを特徴としている。
【００１１】
本発明の請求項７または８記載のチップスケールパッケージの製造方法によると、（ｇ）段階は（ｇ１）接続孔に塗布されたプレフラックス上にソルダボールを載置する段階と、（ｇ２）リフローソルダリング工程により接続孔に露出した銅配線にソルダボールを取り付ける段階と、（ｇ３）ソルダボールの周囲に残っているプレフラックス及び残渣を洗浄する段階とを含んでいる。
【００１２】
本発明の請求項９〜１８のいずれか記載のチップスケールパッケージの製造方法によると、（ａ）上面及び下面を有するポリイミドテープ、ポリイミドテープの下面に形成される銅配線、銅配線を半導体チップに接続するためポリイミドテープを貫通して形成される開口部、銅配線に対応するようにポリイミドテープを貫通して形成される複数の接続孔、ならびに銅配線の下面に取り付けられる弾性重合体を含むテープ配線基を準備する段階と、（ｂ）ポリイミドテープの上面にカバー膜を取り付ける段階と、（ｃ）開口部に露出した銅配線を金メッキしてビームリードを形成する段階と、（ｄ）ポリイミドテープからカバー膜を除去する段階と、（ｅ）弾性重合体に半導体チップを取り付ける段階と、（ｆ）半導体チップにビームリードを接合する段階と、（ｇ）半導体チップとビームリードとの間の接合部分を封止する段階と、（ｈ）接続孔に露出した各銅配線にソルダボールを取り付ける段階とを含んでいる。特に、（ｂ）段階は、開口部を除いたポリイミドテープの上面にカバー膜を取り付けることを特徴とする。また、カバー膜としては、紫外線を照射して除去することができる紫外線テープを用いることが好ましい。
【００１３】
本発明の請求項１７記載のチップスケールパッケージの製造方法によると、（ｈ）段階は（ｈ１）接続孔に露出した銅配線上にフラックスを塗布する段階と、（ｈ２）フラックス上にソルダボールを載置する段階と、（ｈ３）リフローソルダリング工程により接続孔に露出した銅配線にソルダボールを取り付ける段階と、（ｈ４）ソルダボールの周囲に残っているフラックス及び残渣を洗浄する段階とを含んでいる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ本発明の複数の実施例をより詳しく説明する。
（第１実施例）
図３は、接続孔をプレフラックスで塞ぐ段階を含むチップスケールパッケージの本発明の第１実施例による製造方法４０を示す流れ図である。また、図４〜図１２は、図３に示す製造方法４０の各段階を示す。図３〜図１２を参照して、本発明による製造方法４０の一実施例を説明する。図面において、同一符号は同一の構成要素を示す。
【００１５】
本実施例の製造方法４０は、弾性重合体５０が取り付けられたテープ配線基板２０の準備段階（段階４１）から始まる。テープ配線基板２０は、ポリイミドテープ２４に銅薄膜を接着した状態で、フォトリソグラフィー（photolithography）を利用して製造され、図４及び図５に示すように、ポリイミドテープ２４と、接着剤２１によりポリイミドテープ２４の下面に取り付けられた銅配線３０とを含んでいる。ここで、テープ配線基板２０は、複数の単位テープ配線基板（図示せず）が所定の間隔を隔てて格子状にポリイミドテープ２４上に形成されている構造を有している。図４は、テープ配線基板の一部を示す平面図であり、図５は図４の５−５線における断面図である。
【００１６】
ポリイミドテープ２４は、複数の接続孔２３が形成される内部テープ２４ａと、内部テープ２４ａの外周に沿って不連続的に形成された開口部としてのウィンド２２と、ウィンド２２の外側に形成された外部テープ２４ｂとからなる。ここで、内部テープ２４ａは、ウィンド２２に形成された支持テープ２４ｃにより外部テープ２４ｂと連結されている。接続孔２３は内部テープ２４ａを貫通し、銅配線３０のソルダボールパッド３６に対応する位置に形成されている。接続孔２３は、ソルダボールが形成されている部分であり、ソルダボールと半導体チップとを連結する電気的連結通路である。
【００１７】
銅配線３０は、内部テープ２４ａの下面に形成された複数のソルダボールパッド３６と、複数のソルダボールパッド３６に各々連結されポリイミドテープ２４の下部で四方に延びる配線パターン３９とを含む。配線パターン３９は、ソルダボールパッド３６に連結され且つ内部テープ２４ａの下面に形成される内部配線３７と、内部配線３７に連結され且つウィンド２２に露出する外部配線３８と、外部配線３８に連結され且つ外部配線３８を支持する支持配線３５とを含む。支持配線３５は、外部テープ２４ｂの下面に形成される。一方、ウィンド２２に露出する各外部配線３８において、外部テープ２４ｂに近接する部分には、ビームリードボンディング工程で外部配線を容易に切るための切欠部（３８ａ）が形成されている。外部テープ２４ｂは、内部テープ２４ａを支持する枠となる。外部配線３８は、約２０μｍの厚さを有し、金メッキにより半導体チップの電極パッドに連結されるべきビームリードとして形成される部分である。
【００１８】
弾性重合体５０は、内部テープ２４ａの下面に形成される緩衝手段であり、スクリーンプリント法を用いて、または内部テープ２４ａの下面にシート状の弾性重合体５０を取り付けることにより形成される。
次の段階で従来は金メッキが行われたが、本発明による実施例では、接続孔２３に露出したソルダボールパッド３６上に金メッキ膜が形成されることを防ぐため、接続孔２３を塞ぐ工程を実施する。その後、金メッキ工程を実施する。
【００１９】
本発明の第１実施例による接続孔２３を塞ぐ工程は、図６に示すように、接続孔２３にプレフラックス８２を塗布して（段階４２）、ソルダボールパッド３６が外部に露出することを防止している。図６において、プレフラックス８２はスクリーンプリント法により接続孔２３に塗布され、ソルダボールパッド３６が外部に露出することを防いでいる。プレフラックス８２としては、ソルダボールを形成する工程を行う前の全段階における熱的変形を防止するため、温度耐久性を保つ有機溶剤からなるフラックスを用いることが好ましい。
【００２０】
次に、図７に示すように、ウィンド２２に露出した外部配線３８に約１μｍの金メッキをすることにより（段階４３）、ビームリード６０を形成する。この際、接続孔２３はプレフラックス８２で塞いでいるため、ソルダボールパッド３６の上部は金メッキされない。ここで、図面符号６２は、外部配線３８に形成された金メッキ膜を示す。
【００２１】
次の段階は、図８に示すように、弾性重合体５０の下面を半導体チップ１０の活性面１４に接着する工程である（段階４４）。この際、接着工程は別途の接着手段を用いることもできるが、約１４０℃の熱を加え弾性重合体５０の下面が半導体チップの活性面１４に直接接着させることが好ましい。
本実施例による半導体チップ１０は、ウィンド２２に露出したビームリード６０に対応する電極パッド１２が活性面１４上に形成されており、電極パッド１２には弾性重合体５０が取り付けられるべき領域の外側に形成されるため、エッジパッド（edge pad）型半導体チップ１０に適用することができる。
【００２２】
図９は、テープ配線基板２０のウィンド２２上に露出されたビームリード６０が、ボンディングツール８７により半導体チップ１０の電極パッド１２に接合される段階４５を示す。ビームリード６０が切断される部分は、図４に示すような切欠部３８ａが設けられ、ボンディングツール８７の押圧力によりビームリード６０が容易に切断される。
図１０は、次の段階の封止段階４６を示す。封止段階４６は、外部に露出している半導体チップの活性面１４、及びビームリード６０の接合部分などを保護するために必要であり、所定の粘度を有する液状の封止樹脂８９を塗布して硬化させる。封止樹脂８９を塗布する前、テープ配線基板２０のポリイミドテープの上面にカバーフィルム８６を取り付け、封止樹脂８９の流出を防止する。封止樹脂８９が硬化した後、カバーフィルム８６は除去される。
【００２３】
カバーフィルム８６が除去されると、接続孔２３が外部に露出するため、ソルダボール６８は、接続孔２３を介してソルダボールパッド３６に取り付けられる。図１１は、テープ配線基板２０の接続孔２３にソルダボール６８が形成される段階段階４７を示す。接続孔２３にプレフラックス８２が塗布されているので、別途にフラックスを塗布することなく、球形のソルダボール６８を接続孔２３を介してソルダボールパッド３６に実装し、リフローソルダリングによりソルダボールパッド３６に取り付けることができる。リフローソルダリング工程は、赤外線リフローまたはレーザーリフロー工程により行われる。また、ポリイミドテープ２４に残っているプレフラックス成分及び残渣は、洗浄工程により除去される。
【００２４】
ソルダボール６８が形成されると、最後の段階として図１２に示すように、個別パッケージに分離される段階４８が行われる。即ち、分離手段８５にて封止樹脂８９の外郭を切断することにより、個別チップスケールパッケージ１００が得られる。
前述のようなプレフラックス８２を塗布する段階４２を実施する場合、ソルダボールパッド３６に金メッキ膜が形成されていないので、ソルダボール６８を形成する工程で、ソルダボール６８が直接ソルダボールパッド３６上に形成され、フラックスの塗布工程を省略することができる。
【００２５】
（第２実施例）
図１３は、カバー膜８４で接続孔２３を塞ぐ段階を含むチップスケールパッケージの本発明の第２実施例による製造方法を示す流れ図である。図１４は、接続孔２３が形成された内部テープ２４ａにカバー膜８４が接着される段階９２を示し、図１５は外部配線３８に金をメッキする段階９３を示す。
【００２６】
図１３に示すように、本発明の第２実施例においては、接続孔２３を塞ぐためにカバー膜８４を内部テープ２４ａに接着する段階９２と、外部配線３８を金メッキする段階９３と、カバー膜８４を除去する段階９４とを含んでいる。他の段階は、前述した第１実施例による製造段階と同様である。
図１４に示すように接続孔２３を含む内部テープ２４ａの上面にカバー膜８４が接着され、これにより接続孔２３に露出したソルダボールパッド３６に金メッキ膜が形成されることを防止する。
【００２７】
次に、図１５に示すように、ウィンド２２に露出した外部配線３８の表面に約１μｍの金メッキ膜６２を形成して、ビームリード６０を形成する。一方、カバー膜８４は金メッキ段階の後、容易に除去することができる材質の膜を用いることが好ましい。例えば、カバー膜８４として紫外線テープを用いることができる。紫外線テープは、紫外線を照射するとテープの接着性が劣化し、内部テープ２４ａから容易に除去することができるテープである。
【００２８】
次に、半導体チップ接着段階９５、ビームリード接着段階９６及び封止段階９７が、本発明の第１実施例による製造工程と同様に実施される。
次に、ソルダボールを形成する工程を実施する（段階９８）。本発明の第１実施例においては、接続孔にプレフラックスが塗布されていたため、別途のフラックス塗布工程は実施しなかったが、第２実施例のソルダボールを形成する段階９８は、通常的なソルダボールの形成工程と同様に実施される。即ち、接続孔にフラックスを塗布した後、球形のソルダボールを載置しリフローさせることにより、ソルダボールが実装される。リフローソルダリング段階は、赤外線リフローまたはレーザーリフロー段階により実施される。ポリイミドテープに残っているフラックス及び残渣は、洗浄段階により除去される。
最後に、分離手段を利用して、個別パッケージに分離する段階が実施される（段階９９）。
【００２９】
本発明において、その他に種々の変形例が可能なことはいうまでもない。例えば、本発明では、半導体チップの両側面と外部テープの一部分が封止樹脂により封止されたが、半導体チップの活性面及びビームリードの接合部分だけを覆うように封止樹脂を塗布してパッケージを形成することもできる。そこで、本発明において、接続孔を塞いで、金メッキ工程で接続孔に露出されるソルダボールパッドに金メッキ膜が形成されることを防ぐ工程を含む変形例は、本発明の技術的思想の範囲を免れるものではなく、本発明の実施例は例示するためのものであり、本発明を制限しようとするものではない。
【００３０】
【発明の効果】
本発明の製造方法によると、接続孔に露出するソルダボールパッド上に金メッキ膜が形成されることを防止するので、ソルダボール形成工程でソルダボールとソルダボールパッド間の接続性が向上され、そのため、ソルダボールと基板パッド間のソルダリング性が向上される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来のテセラ社のμ−ＢＧＡパッケージを示す断面図である。
【図２】  図１のμ−ＢＧＡパッケージが基板に実装された状態を示す部分断面図である。
【図３】  本発明の第１実施例によるチップスケールパッケージの製造方法において、接続孔をプレフラックスで塞ぐ段階を含む製造方法を示す流れ図である。
【図４】  本発明の第１実施例によるチップスケールパッケージの製造方法において、テープ配線基板を示す部分切欠平面図である。
【図５】  図４の５−５線における断面図である。
【図６】  本発明によるチップスケールパッケージの製造方法において、テープ配線基板の接続孔にフラックスが塗布される段階を示す断面図である。
【図７】  図６のテープ配線基板のウィンド上に露出した銅配線に金がメッキされる段階を示す断面図である。
【図８】  本発明によるチップスケールパッケージの製造方法において、テープ配線基板の下面の弾性重合体が半導体チップの活性面に接着される段階を示す断面図である。
【図９】  本発明によるチップスケールパッケージの製造方法において、テープ配線基板のウィンド上に露出されたビームリードが半導体チップの電極パッドと接合される段階を示す断面図である。
【図１０】  本発明によるチップスケールパッケージの製造方法において、封止段階を示す断面図である。
【図１１】  本発明によるチップスケールパッケージの製造方法において、テープ配線基板の接続孔にソルダボールが形成される段階を示す断面図である。
【図１２】  本発明によるチップスケールパッケージの製造方法において、個別パッケージに分離される段階を示す断面図である。
【図１３】  本発明の第２実施例であるチップスケールパッケージの製造方法において、カバー膜で接続孔を塞ぐ段階を含む製造方法を示す流れ図である。
【図１４】  本発明の第２実施例であるチップスケールパッケージの製造方法において、テープ配線基板にカバー膜が接着される段階を示す断面図である。
【図１５】  図１４のテープ配線基板のウィンドに露出された銅配線に金がメッキされる段階を示す断面図である。
【符号の説明】
１０    半導体チップ
２０    テープ配線基板
２１    接着剤
２２    ウィンド
２３    接続孔
２４    ポリイミドテープ
２４ａ  内部テープ
２４ｂ  外部テープ
３０    銅配線
３５    支持配線
３６    ソルダボールパッド
３７    内部配線
３８    外部配線
３８ａ  切欠部（notch）
３９    配線パターン
５０    弾性重合体
６０    ビームリード
６２    金メッキ膜
６８    ソルダボール
８２    プレフラックス
８４    カバー膜
８６    カバーフィルム
８９    封止樹脂
１００    チップスケールパッケージ
【図１】
0003942299.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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