(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、上記半導体素子の接続端子および外部と接続されるための金属パターンとを備える半導体装置において、
上記半導体素子が接続される面とは反対側の面に該金属パターンの全領域が露出しており、
上記金属パターンと該金属パターンに積層され、該金属パターンを電気的、外的に保護するための保護層とのみから構成されている領域を有しており、
上記半導体素子は、フェイスダウン方式のバンプにより上記金属パターンに接続されており、
上記保護層は、上記半導体素子以外の金属パターンの領域にコーティングされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記金属パターンの両面にメッキ処理が行われていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
上記金属パターンの厚さは５〜３５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
部品搭載領域を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
上記金属パターンは、ベースフィルムに接着または積層させた金属箔をパターニングすることによって形成され、上記金属パターンから上記ベースフィルムを剥離することによって、上記半導体素子が接続される面とは反対側の面に該金属パターンの全領域が露出している請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
フリップチップ実装方式で上記金属パターンの両面に半導体素子が実装されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
ベースフィルムに接着または積層させた金属箔をパターニングして、所定の金属パターンを備えるパターンフィルムを得る工程と、
半導体素子を搭載する領域以外の金属パターンの領域に保護層をコーティングする工程と、
上記半導体素子を、フェイスダウン方式のバンプにより上記金属パターンに接続する工程と、
上記パターンフィルムから上記ベースフィルムを剥離することにより上記半導体素子が接続される面とは反対側の面に該金属パターンの全領域を露出させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
上記ベースフィルムは、上記金属パターンの電気特性検査時に、リーク電流を生じないような面抵抗値を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
上記パターンフィルムから上記ベースフィルムを剥離した後、個別化加工することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＣＯＦ（Chip On Film）と呼ばれるフレキシブル配線基板上に半導体素子が接続・搭載されるテープキャリア（以下、単にＣＯＦという）、テープキャリアの製造方法、およびパッケージの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
フレキシブル配線基板上に連続して半導体素子が形成されるＴＣＰ（Tape Carrier Package）では、あらかじめ、半導体素子の搭載部分のテープキャリア材料に貫通孔（以下、単にデバイスホールという）が空けられ、片持ち形状に突き出したインナーリードと呼ばれる配線パターンの先端部分と半導体素子電極とが接合される。ＴＣＰは、例えば、液晶表示装置を駆動するための半導体素子を液晶パネルに接続する際などに広く用いられている。
【０００３】
近年、中小型の液晶パネル製品の分野では、モジュールの小型化と液晶パネルの大型化との両立が求められている。この要求に応えるためには、いわゆる実装エリア、つまり、液晶パネルとＴＣＰとの接合面積を縮小しなければならない。しかし、液晶パネルとＴＣＰとを単純に接続すると、出力端子部分を除くＴＣＰは液晶パネルのガラス縁からはみ出した状態となってしまう。ＴＣＰのはみだし量が大きいと、モジュールが大きくなり、モジュール面積に対するパネル表示面積の比率が低くなる。そこで、ＴＣＰのはみだし量を小さくするため、図５に示すように、ＴＣＰの液晶パネルの端部からのはみ出し部分を、液晶パネルのガラス側面から裏面に向けて折り曲げる実装方法が用いられるようになった。
【０００４】
図５に示した、ＴＣＰを折り曲げる構造の実装手順を簡単に説明する。まず、素子側ガラス１３および対向側ガラス１４からなる液晶パネルにおいて、素子側ガラス１３の端子部とＴＣＰを構成するフィルム１６をＡＣＦ１５（異方性導電性接着剤）等で接合する。この際、出力端子部分を除くフィルム１６は素子側ガラス１３の端部からはみ出すので、はみ出し部分を素子側ガラス１３の側面から裏面に向けて折り曲げる。次に、素子側ガラス１３の裏面側に折り曲げられたＴＣＰ側の配線パターン４と電源供給メイン基板１８の接続端子部とを半田付けおよびコネクタ等で接続する。フィルム１６にはＩＣチップ１が搭載され、樹脂２で固定されている他、配線パターン４とフィルム１６とは接着剤１７により接着されている。
【０００５】
なお、電源供給メイン基板１８の小型化を目的として、図６に示すように、ＴＣＰの、ＩＣチップ１と入力端子部との間に部品搭載領域９を設け、電源供給メイン基板１８のＴＣＰ側に、抵抗やコンデンサなどを搭載する場合もある。図６には、ＴＣＰと接続した液晶パネルの平面状態と、該ＴＣＰを折り曲げる前後における液晶パネルの側面状態とを説明する図が記載されている。
【０００６】
一方、大型の液晶パネル製品の分野では、液晶パネルを駆動するために、液晶パネルの縦、横方向に多数個のＴＣＰを実装する必要がある。このような場合には、ＴＣＰは単に折り曲げ可能であるだけでなく、折り曲げ時に発生する応力を小さく抑える必要がある。そこで、図５に示すように、あらかじめ、折り曲げ部分のみテープキャリア材料を切り抜けて、折り曲げ時に発生する応力を低減させると共に、折り曲げ部分のパターン断線を防止するために、カバーコートを行う構造のＴＣＰが用いられるようになった。
【０００７】
このような折り曲げタイプのＴＣＰでは、ＴＣＰのはみだし量は小さくできるものの、折り曲げたＴＣＰの厚みにより、液晶モジュールとしての厚みが増大する。したがって、製品の薄型化を優先する場合には、図７に示すフェースダウン実装方式、または、図８に示すフェースアップ実装方式のいずれかで、液晶パネルに対してフラットに実装するＴＣＰ構造が採用される。図７、図８において、フィルム１６にはカバーコート３、配線パターン４が積層され、接続リード１９により、ＩＣチップ１と配線パターン４とが接続されている。
【０００８】
このように、液晶パネルに対してＴＣＰ構造をフラットに実装する際には、ＩＣチップ１の厚み、接続リード１９のフォーミング深さ、樹脂２の厚みをコントロールすることでパッケージ厚を薄くし、さらに、パッケージデザインの単純縮小化を行うことにより、実装エリアを小さくしてきた。しかし、抗折強度の低下などの問題から、ＩＣチップ１の薄型化にも限界が生じているため、厚みが薄く折り曲げ可能なパッケージが求められていた。
【０００９】
ＣＯＦは、このような要請のもとに、ＴＣＰの機能を限定した低コスト製品として開発されたものであり、折り曲げタイプのＴＣＰと同一用途で使用できるように、４０μｍ程度の薄いフィルム状テープキャリア材料である薄膜化フィルムにより構成されている。ＣＯＦにはデバイスホールは無く、半導体素子電極と接合する配線パターンは、テープキャリア材料で裏打ちされている。
【００１０】
一般的なＣＯＦテープキャリアの作成工程を概説する。まず、薄膜化された２層構造である金属箔付フィルム材料に、搬送用キャリアテープを貼り付ける。次に、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離の各処理を行い、金属箔にパターンを形成する。さらに、露出した金属箔パターンのうち、半導体素子電極等と接続しない露出部分にレジストを塗布して絶縁する。最後に、金属箔パターンと半導体素子電極等の接続を安定化させるために、金属箔パターンの電極接続部分にメッキ処理を行う。
【００１１】
ＴＣＰと比較した場合のＣＯＦの長所は、テープキャリアの作成工程が簡略であることと、材料コストが低廉であることである。また、ＣＯＦはテープキャリア材料自体が柔軟であるため、半導体素子の搭載部周辺を除けば、どこででも折り曲げることができる。さらに、補強フィルムをテープキャリア裏面に貼り付ける構造とするならば、２５μｍ厚という極薄のフィルムを採用することもできる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
一方、ＴＣＰと比較した場合のＣＯＦの短所は、ＣＯＦはフィルム上にデバイスホールを持たないため、半導体素子の実装方向が、図９に示すようなフェースダウンに限定されることである。したがって、一平面上でパッケージデザインを設計する必要があり、テープキャリア材料の低減によるコストダウンや実装エリアの縮小を目的としてパッケージ面積を小さくするためには、配線パターンの細線化、半導体素子の面積縮小化などにより、実装効率を向上させるよりない。しかし、このような手段による実装効率の向上は、設計的限界に達しているため、最低必要なパッケージ面積は必然的に決まってしまい、大幅なパッケージ面積の縮小は望めないという問題点が生じていた。
【００１３】
また、設計改善によって、一平面上のパッケージデザインで小さなパッケージを実現できたとしても、下記の新たな問題点が発生する。
▲１▼小さなパッケージに部品搭載エリアを設けると、搭載した部品同士の間隔が狭くなり、部品の修正、つまり部品の修理・交換などが困難となる。
▲２▼小さなパッケージでは、液晶パネルとパッケージの接合面積が少なくなるため、パッケージ折り曲げ時に発生する応力により接合部分が剥がれ易く、接合不良を招きやすい。対策としては、薄膜化フィルムをさらに薄くして応力を小さくする手法があるが、フィルムの薄膜化には一定の技術的限界がある。しかも、フィルムを薄くしすぎると、パッケージに腰が無くなり、取扱いおよび搬送が困難となるため、コストアップ要因である別の補強キャリアテープなどが必要となる。
【００１４】
これらの課題は、多出力化の要請に伴うパッケージの大型化や、配線のファインピッチ化が進み、パッケージに要求される性能が高くなるにつれて、ますます大きな問題となってきた。
【００１５】
本発明は、以上のような従来手法の問題点を解決するためになされたもので、その目的は、両面に半導体素子や回路部品を搭載することにより、小型化やコストダウンを図り、更には折り曲げ時の応力を小さくすることにより、外部との接続安定性を高めることのできるテープキャリア、パッケージとテープキャリアとの製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るテープキャリアは、半導体素子の一方の面の全体を覆う構造であり、かつ、該半導体素子の接続端子および外部と接続されるための金属パターンを備えるテープキャリアにおいて、上記半導体素子が接続される面とは反対側の面に該金属パターンが露出していることを特徴としている。
【００１７】
上記の発明によれば、テープキャリアが有する上下２面のうち、半導体素子が接続される面とは異なる面に露出している金属パターンに、半導体素子を含む回路素子が接続可能となる。
【００１８】
従来の、デバイスホールを持たず、半導体素子の一方の面の全体を覆う構成であるテープキャリアは、半導体素子が接続される面とは反対側の面は、ベースフィルムで覆われており、内部および外部と接続される金属パターンは露出していない。このようなテープキャリアは、デバイスホールを持つテープキャリアに比較して、製造コストが安い等の利点を有しているが、半導体素子の実装方向がフェースダウンに限定される。したがって、パッケージ回路全体をテープキャリアの片面上に構成せねばならず、テープキャリアやパッケージの小型化に限界が生じていた。
【００１９】
そこで、上記の発明によれば、半導体素子が接続される面とは反対側の面にも金属パターンが露出しているので、この面に回路素子を接続することができ、テープキャリアの両面を用いて、パッケージ回路を構成することが可能となる。これにより、パッケージが小型化され、従来構造に比べてコストダウンを図ることができる。また、所定大きさのパッケージであれば、従来より設計マージンにゆとりができるため、部品同士の間隔を広げることにより、部品の修正を容易に行うことができる。
【００２０】
更に、本発明のテープキャリアはベースフィルムを持たないため、ベースフィルムに起因する応力の分だけ、テープキャリアを折り曲げる際の応力は小さくなる。これにより、パッケージを折り曲げて外部との接合を行う場合、例えば、パッケージを折り曲げて液晶パネルの接続端子との接合を行う場合の、パッケージの曲げ応力に起因する接合不良を低減することができる。逆に、パッケージの曲げ応力が小さいため、液晶パネル等の接続端子との接合面積をより小さく設計することができることになり、更にパッケージの小型化を図ることができる。
【００２１】
また、上記テープキャリアは、上記金属パターンと該金属パターンに積層された保護層とのみから構成されている領域を有することが好ましい。本発明のテープキャリアは折り曲げた状態で外部との接合を行う場合が多い。そこで、上記テープキャリアは、上記金属パターンと該金属パターンに積層された保護層とのみから構成されている領域、つまり、接続配線としての金属パターンと該金属パターンを電気的、外的に保護するための保護層という最小限の構成からなる領域を有するため、該領域を応力の小さい、折り曲げ領域として使用することが可能となる。これにより、パッケージを折り曲げて外部との接合を行う場合、より効果的に、パッケージの曲げ応力に起因する接合不良を低減したり、外部の接続端子との接合面積を小さく設計することができるようになる。
【００２２】
また、上記テープキャリアの金属パターンの両面にメッキ処理が行われていることが好ましい。上記金属パターンは外部および内部と接続される領域を含むものであるが、金属パターンの両面にメッキ処理を行うことにより、金属パターンの接続領域も、両面メッキ状態となっている。それゆえ、該接続領域のいずれの面においても半導体素子や回路部品を良好かつ安定な状態で接続することができる。これにより、パッケージの両面に半導体素子を含む回路部品を配置する場合に、パッケージの両面において、信頼性の高い部品接続を行うことができる。更に、金属パターンを形成する前に、金属膜の全両面にメッキ処理を行う工程を採用することができるため、メッキ処理が簡素化できると共にメッキ層の汚染も少なくすることができる。
【００２３】
また、上記金属パターンの厚さは５〜３５μｍであることが好ましい。上記金属パターンは上記テープキャリアの主要な構成を占めているため、金属パターンの厚みを上記のように限定することによって、テープキャリアは腰を失わない程度に薄く、折り曲げやすい構造となる。それゆえ、テープキャリアを折り曲げた状態で外部と接続する場合の、テープキャリアの応力が小さくなる。これにより、テープキャリアの外部との接合安定性を高めて接続不良の発生を低減することができる。
【００２４】
また、上記テープキャリアは、部品搭載領域を備えることも好ましい。例えば、半導体素子と金属パターンの外部接続領域との間に、部品搭載領域を設けることにより、テープキャリアに抵抗やコンデンサなどの部品を搭載することができる。本発明のテープキャリアは、金属パターンの両面に実装可能であるため、該部品搭載領域を設けても、比較的小さなパッケージを実現することができる。これにより、パッケージに接続される電源供給メイン基板の回路の一部をパッケージ側に設けることができ、小さなパッケージと電源供給メイン基板の小型化とを両立することができる。
【００２５】
また、上記テープキャリアは、剥離容易なベースフィルム層を備えることも好ましい。テープキャリアに、剥離容易なベースフィルム層を備えておけば、ベースフィルム層のついた強度の高い状態で搬送や取扱いを行い、その後にベースフィルム層を剥離して、金属パターンに回路部材を取り付けたり、外部との接続を行うことができる。
【００２６】
これにより、テープキャリアの搬送や取扱いが容易になる。また、従来はベースフィルムが最終パッケージに含まれる構造であったので、ベースフィルムとして、信頼性や折り曲げ性能などの性能が高い、非常に限定された材料を選定する必要があった。しかし、本発明の場合は、ベースフィルムは最終的に剥離、除去されるのであるから、一般的な材料を使用することができるようになり、コストダウンも図ることができる。
【００２７】
また、上記テープキャリアは、フリップチップ実装方式で上記金属パターンの両面に半導体素子が実装されていることも好ましい。ここで、フリップチップ実装方式で上記金属パターンの両面に半導体素子が実装されているとは、半導体素子が接合された金属パターンの逆面に、別の半導体素子がフェースダウンで接合され、スタックド構造とされていることをあらわす。それゆえ、キャリアに複数の半導体素子を実装する場合でも、該半導体素子がパッケージ上に占有する面積を小さくすることができ、実装効率が向上する。これにより、複数の半導体素子を実装する場合でも、パッケージの小型化やこれに伴うコストダウンを図ることができる。
【００２８】
本発明のパッケージの製造方法は、上記テープキャリアを個別化加工する工程を含むことを特徴としている。例えば、上記テープキャリアに、個別化加工である打ち抜き加工を行うことにより、パッケージが製造される。これにより、上記テープキャリアの持つ技術的効果をそのまま実現できるパッケージが得られる。
【００２９】
本発明のテープキャリアの製造方法は、ベースフィルムに接着または積層させた金属箔をパターニングして、所定の金属パターンを備えるパターンフィルムを得る工程と、上記パターンフィルムから上記ベースフィルムを剥離する工程とを含むことを特徴としている。
【００３０】
上記の発明によれば、ベースフィルムに、半導体素子の接続端子および外部と接続されるための金属パターンが積層形成され、該金属パターンから、ベースフィルムが剥離される。それゆえ、上記方法により製造されたテープキャリアは、従来のテープキャリアと比較して、ベースフィルムが除去されている分、テープキャリアを折り曲げた際の応力を大幅に低減することができる。これにより、テープキャリアを打ち抜いて得たパッケージを折り曲げて外部との接合を行う場合、例えば、パッケージを折り曲げて液晶パネルの接続端子との接合を行う場合の、パッケージの曲げ応力に起因する接合不良を低減することができる。逆に、パッケージの曲げ応力が小さいため、液晶パネル等の接続端子との接合面積をより小さく設計でき、更にパッケージの小型化を図ることができる。
【００３１】
また、上記方法により製造されたテープキャリアはデバイスホールを持たず、半導体素子の一方の面の全体を覆う構成であっても、上記半導体素子が接続される面とは反対側の面に金属パターンが露出しているため、半導体素子が接続される面とは反対側の面にも回路素子を接続することができ、テープキャリアの両面を用いて、パッケージ回路を構成することが可能となる。
【００３２】
これにより、従来構造に比較して、パッケージを小型化することが容易になり、コストダウンを図ることができる。更に、所定大きさのパッケージであれば、従来より設計マージンにゆとりができるため、部品同士の間隔を広げることにより、部品の修正を容易にすることができる。
【００３３】
また、上記製造方法によれば、ベースフィルム層を備えた、強度の高い状態でテープフィルムの搬送や取扱いを行い、その後にベースフィルムを剥離して、金属パターンに回路部材を取り付けたり外部との接続を行うことができる。これにより、テープキャリアの搬送や取扱いが容易になる。
【００３４】
更に、従来はベースフィルムが最終パッケージに含まれる構造であったので、ベースフィルムとして、信頼性や折り曲げ性能などの性能が高い、非常に限定された材料を選定する必要があった。しかし、上記製造方法の場合は、ベースフィルムは最終的に剥離、除去されるのであるから、一般的な材料を使用することができるようになり、コストダウンを図ることもできる。
【００３５】
また、上記製造方法において、ベースフィルムは、上記金属パターンの電気特性検査時に、リーク電流を生じないような面抵抗値を有することが好ましい。このように、ベースフィルムに電気抵抗値の高い材料を採用することにより、配線パターン部分などに比べてベースフィルム部分の導電性は無視できるほど小さくなる。したがって、ベースフィルムを引き剥がす前に、配線パターンと半導体素子等との電気的、機械的接続性を確認したり、独立した配線パターン同士の絶縁性を確認するための検査工程を設けた場合においても、ベースフィルム部分のリーク電流による誤判定を避けることができ、検査を確実かつ容易に行うことができる。
【００３６】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の一形態について、図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００３７】
図２（ａ）〜（ｆ）は、本発明のＣＯＦ（テープキャリアおよびパッケージ）を製造する際の工程フローチャート、および、各工程におけるＣＯＦのＡ−Ａ断面またはＢ−Ｂ断面の状態を示している。
【００３８】
まず、図２（ａ）に示すように、原材料である金属箔１０の両面に、錫または金でメッキ処理を行う。金属箔１０は長尺の銅箔であり、代表的な厚みの仕様として、５μｍ厚、８μｍ厚、１２μｍ厚、１５μｍ厚、１８μｍ厚、３５μｍ厚がある。
【００３９】
金属箔１０として厚み５〜３５μｍのものを採用することにより、本発明のＣＯＦは腰を失わない程度に薄く、折り曲げやすい構造となる。それゆえ、ＣＯＦを折り曲げた状態で外部と接続する場合の、ＣＯＦの応力が小さくなる。これにより、ＣＯＦの外部との接合安定性を高めて接続不良の発生を低減することができる。３５μｍより厚い金属箔１０はパッケージの小型化に不利である一方、厚み５μｍ未満のものは製造困難である。なお、本工程におけるメッキ処理を省略して、図２（ｃ）に示す後工程のパターン形成時にメッキ処理を行ってもよい。
【００４０】
次に、図２（ｂ）に示すように、長尺の薄膜化フィルム６（ベースフィルム）に、金属箔１０を貼り合わせた後、搬送用および位置決め用の孔であるスプロケットホール８を空ける。薄膜化フィルム６は厚み４０μｍのポリイミド系の絶縁性フィルム（面抵抗値は１０9 〔Ω／ｍ2 〕以上）である。薄膜化フィルム６と金属箔１０とを貼り合わせる手段としては、接着剤の他、蒸着、圧着を適宜組み合わせて用いることができる。後工程で薄膜化フィルム６を剥離するので、金属箔１０と薄膜化フィルム６との接着強度は強過ぎず、剥離容易であることが望ましい。剥離工程をスムーズに行うために好ましい接着強度は、ピール強度試験、つまり、金属箔１０に貼り合わせた薄膜化フィルム６を接着面に垂直な方向に引き剥がす強度試験において５０〜２００ｇ相当の接着強度である。
【００４１】
次に、図２（ｃ）に示すように、金属箔１０にレジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離の各処理を行うことによって、配線パターン４（金属パターン）が形成された状態の薄膜化フィルム６（パターンフィルム）が得られる。さらに、電気的および外的な保護を目的として、配線パターン４が形成された状態の薄膜化フィルム６のうち、ＩＣチップ１の搭載部、部品搭載領域９、接続部以外の領域に、ポリイミド系樹脂からなるカバーコート３（保護層）をコーティングする。
【００４２】
次に、図２（ｄ）に示すように、配線パターン４とＩＣチップ１の電極端子とをフェイスダウン方式のバンプにより接続した後、樹脂２で封止固定する。さらに、部品搭載領域９に抵抗やコンデンサなどの部品１２を適宜搭載する。なお、本工程の後に検査工程を行ってもよい。本実施形態のように、薄膜化フィルム６として、電気抵抗値の高い材料（面抵抗値は１０9 〔Ω／ｍ2 〕以上）を採用した場合には、配線パターン４などに比べて薄膜化フィルム６の導電性は無視できるほど小さくなる。したがって、薄膜化フィルム６を引き剥がす前に、配線パターン４とＩＣチップ１等との電気的、機械的接続性を確認したり、独立した配線パターン４同士の絶縁性を確認するための検査工程を設けた場合においても、薄膜化フィルム６のリーク電流による誤判定を避けることができ、検査を確実かつ容易に行うことができる。
【００４３】
次に、図２（ｅ）に示すように、薄膜化フィルム６を剥離して、金属箔１０の配線パターン４を露出させる。これにより、配線パターン４のうち、外部と接続される外部接続領域には、カバーコート３のみが積層されていることになる。なお、あらかじめ、配線パターン４やカバーコート３とは選択的にエッチング可能な材料を薄膜化フィルム６として採用しておき、本工程にて薄膜化フィルム６のみをエッチングすることにより、薄膜化フィルム６を除去するなどしてもよい。
【００４４】
次に、図２（ｆ）に示すように、ＣＯＦを最終的な外形サイズとするために、所望の大きさに打ち抜き加工（個別化加工）してパッケージ化する。もちろん、図２（ｅ）の薄膜化フィルム６を剥離した状態で、最終的な外形サイズとしてよい場合には本工程は省略できる。また、図２（ｆ）で打ち抜いた単品状態より、薄膜化フィルム６のついた図２（ｄ）の状態の方が強度があり、長尺で取扱いが容易なので、図２（ｅ）（ｆ）の工程は、ユーザーへの送付後に行われてもよい。
【００４５】
図１に、完成したＣＯＦの断面図を示す。ただし、ＩＣチップ１と配線パターン４との接続部は図示を省略している。同様に、図２（ｄ）に示した工程で部品１２を搭載したＣＯＦの断面図を図４に示す。
【００４６】
図１から判るように、本発明のＣＯＦのパッケージ厚さは、ＩＣチップ１と配線パターン４と接続部との厚さの合計値で決まる。したがって、図９に示す従来のＣＯＦと比較すると、図１に示す本発明のＣＯＦは、薄膜化フィルム６の厚さ分だけパッケージを薄くすることができる。ただし、図４に示した構成で、部品１２の厚さがＩＣチップ１より厚い場合には、パッケージの厚さは主に部品１２の厚みに基づいて決まることになる。
【００４７】
図９に示すように、従来のＣＯＦでは、配線パターン４に実装部材を取り付けることのできる領域は、ＩＣチップ１の横側に位置していた。図１０も従来のＣＯＦを示しているが、同図では、図１に対応する形式で、上記領域を実装可能エリア５として図示している。一方、本発明のＣＯＦでは、図１に示したように、ＩＣチップ１との接続に使用されている配線パターン４の下部が露出しているため、該露出部分を実装可能エリア５として、外部との接続に利用できる。したがって、ＩＣチップ１の直下部分において、液晶表示装置などの外部装置に実装できることになり、実装効率を高めることができると共に、パッケージ工程で発生する搬送不良および取扱不良も低減することができる。
【００４８】
また、本発明のＣＯＦは、ＩＣチップ１や部品１２の周辺領域以外は、配線パターン４とカバーコート３とのみから構成されている領域を有する。したがって、本発明のＣＯＦは、配線パターン４とカバーコート３とのみから構成されている領域を応力の小さい、折り曲げ領域として使用することが可能となる。
【００４９】
また、図３に示すように、ＩＣチップ１の他に、更なるＩＣチップ７を配線パターン４の両面にフリップチップ実装方式で実装することもできる。つまり、ＩＣチップ１が接合された配線パターン４の逆面に、ＩＣチップ７をフェースダウンで接合して、スタックド構造とすることができる。このようにすれば、ＩＣチップ１とＩＣチップ７のような、複数の半導体素子をパッケージに搭載する場合でも、パッケージ上で半導体素子が占有する面積を小さくすることができ、実装効率を更に、向上することができる。
【００５０】
さらに、本実施形態のＣＯＦでは、図４に示すように、本発明のテープキャリアは、金属パターンの両面に実装可能であるため、部品１２や部品１２を固定するための半田１１を搭載する領域を設けても、比較的小さなパッケージを実現することができる。これにより、パッケージに接続される電源供給メイン基板の回路の一部をパッケージ側に設けることができ、小さなパッケージと電源供給メイン基板の小型化とを両立することができる。
【００５１】
【発明の効果】
本発明に係るテープキャリアは、以上のように、半導体素子の一方の面の全体を覆う構造であり、かつ、該半導体素子の接続端子および外部と接続されるための金属パターンを備えるテープキャリアにおいて、上記半導体素子が接続される面とは反対側の面に該金属パターンが露出していることを特徴としている。
【００５２】
それゆえ、半導体素子が接続される面とは反対側の面にも金属パターンが露出しているので、この面に回路素子を接続することができ、テープキャリアの両面を用いて、パッケージ回路を構成することが可能となる。
【００５３】
これにより、パッケージが小型化され、従来構造に比べてコストダウンを図ることができる。また、所定大きさのパッケージであれば、従来より設計マージンにゆとりができるため、部品同士の間隔を広げることにより、部品の修正を容易に行うことができる。更に、本発明のテープキャリアはベースフィルムを持たないため、ベースフィルムに起因する応力がなく、外部との接合不良を低減することができるという効果を奏する。
【００５４】
また、上記テープキャリアは、上記金属パターンと該金属パターンに積層された保護層とのみから構成されている領域を有することが好ましい。そうすれば、上記テープキャリアは、上記金属パターンと該金属パターンに積層された保護層とのみから構成されている領域、つまり、接続配線としての金属パターンと該金属パターンを電気的、外的に保護するための保護層という最小限の構成からなる領域を有するため、該領域を応力の小さい、折り曲げ領域として使用することが可能となる。これにより、パッケージを折り曲げて外部との接合を行う場合、より効果的に、パッケージの曲げ応力に起因する接合不良を低減したり、外部の接続端子との接合面積を小さく設計することができるようになるという効果を奏する。
【００５５】
また、上記テープキャリアの金属パターンの両面にメッキ処理が行われていることが好ましい。そうすれば、該接続領域のいずれの面においても半導体素子や回路部品を良好かつ安定な状態で接続することができる。これにより、パッケージの両面に半導体素子を含む回路部品を配置する場合に、パッケージの両面において、信頼性の高い部品接続を行うことができる。更に、金属パターンを形成する前に、金属膜の全両面にメッキ処理を行う工程を採用することができるため、メッキ処理が簡素化できると共にメッキ層の汚染も少なくすることができるという効果を奏する。
【００５６】
また、上記金属パターンの厚さは５〜３５μｍであることが好ましい。上記金属パターンは上記テープキャリアの主要な構成を占めているため、金属パターンの厚みを上記のように限定することによって、テープキャリアは腰を失わない程度に薄く、折り曲げやすい構造となる。それゆえ、テープキャリアを折り曲げた状態で外部と接続する場合の、テープキャリアの応力が小さくなる。これにより、テープキャリアの外部との接合安定性を高めて接続不良の発生を低減することができるという効果を奏する。
【００５７】
また、上記テープキャリアは、部品搭載領域を備えることも好ましい。本発明のテープキャリアは、金属パターンの両面に実装可能であるため、該部品搭載領域を設けても、比較的小さなパッケージを実現することができる。これにより、パッケージに接続される電源供給メイン基板の回路の一部をパッケージ側に設けることができ、小さなパッケージと電源供給メイン基板の小型化とを両立することができるという効果を奏する。
【００５８】
また、上記テープキャリアは、剥離容易なベースフィルム層を備えることも好ましい。テープキャリアに、剥離容易なベースフィルム層を備えておけば、ベースフィルム層のついた強度の高い状態で搬送や取扱いを行い、その後にベースフィルム層を剥離して、金属パターンに回路部材を取り付けたり、外部との接続を行うことができる。
【００５９】
これにより、テープキャリアの搬送や取扱いが容易になる。また、ベースフィルムは最終的に剥離、除去されるのであるから、ベースフィルムとして一般的な材料を使用することができるようになり、コストダウンも図ることができるという効果を奏する。
【００６０】
また、上記テープキャリアは、フリップチップ実装方式で上記金属パターンの両面に半導体素子が実装されていることも好ましい。そうすれば、キャリアに複数の半導体素子を実装する場合でも、該半導体素子がパッケージ上に占有する面積を小さくすることができ、実装効率が向上する。これにより、複数の半導体素子を実装する場合でも、パッケージの小型化やこれに伴うコストダウンを図ることができるという効果を奏する。
【００６１】
本発明のパッケージの製造方法は、上記テープキャリアを個別化加工する工程を含む構成である。例えば、上記テープキャリアに、個別化加工である打ち抜き加工を行うことにより、パッケージが製造される。これにより、上記テープキャリアの持つ技術的効果をそのまま実現できるパッケージが得られるという効果を奏する。
【００６２】
本発明のテープキャリアの製造方法は、ベースフィルムに接着または積層させた金属箔をパターニングして、所定の金属パターンを備えるパターンフィルムを得る工程と、上記パターンフィルムから上記ベースフィルムを剥離する工程とを含む構成である。それゆえ、ベースフィルムに、半導体素子の接続端子および外部と接続されるための金属パターンが積層形成され、該金属パターンから、ベースフィルムが剥離される。この結果、上記方法により製造されたテープキャリアは、従来のテープキャリアと比較して、ベースフィルムが除去されている分、テープキャリアを折り曲げた際の応力を大幅に低減することができる。これにより、テープキャリアを打ち抜いて得たパッケージを折り曲げて外部との接合を行う場合、例えば、パッケージを折り曲げて液晶パネルの接続端子との接合を行う場合の、パッケージの曲げ応力に起因する接合不良を低減することができる。逆に、パッケージの曲げ応力が小さいため、液晶パネル等の接続端子との接合面積をより小さく設計でき、更にパッケージの小型化を図ることができるという効果を奏する。
【００６３】
また、上記方法により製造されたテープキャリアは、半導体素子が接続される面とは反対側の面にも回路素子を接続することができ、テープキャリアの両面を用いて、パッケージ回路を構成することが可能となる。これにより、従来構造に比較して、パッケージを小型化することが容易になり、コストダウンを図ることができる。更に、所定大きさのパッケージであれば、従来より設計マージンにゆとりができるため、部品同士の間隔を広げることにより、部品の修正を容易にすることができるという効果を奏する。
【００６４】
また、上記製造方法において、ベースフィルムは、上記金属パターンの電気特性検査時に、リーク電流を生じないような面抵抗値を有することが好ましい。このように、ベースフィルムに電気抵抗値の高い材料を採用することにより、配線パターン部分などに比べてベースフィルム部分の導電性は無視できるほど小さくなる。したがって、ベースフィルムを引き剥がす前に、配線パターンと半導体素子等との電気的、機械的接続性を確認したり、独立した配線パターン同士の絶縁性を確認するための検査工程を設けた場合においても、ベースフィルム部分のリーク電流による誤判定を避けることができ、検査を確実かつ容易に行うことができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るＣＯＦパッケージの断面構造をあらわす説明図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施形態に係るパッケージの製造工程をあらわす説明図である。
【図３】本発明の実施形態に係るパッケージをスタックド構造にした場合の断面構造をあらわす説明図である。
【図４】本発明の実施形態に係るパッケージを部品搭載型にした場合の断面構造をあらわす説明図である。
【図５】折り曲げ構造である従来のパッケージを液晶パネルに実装した状態をあらわす説明図である。
【図６】部品搭載型である従来のパッケージを液晶パネルに実装した状態をあらわす説明図である。
【図７】フェースダウン方式で実装した従来のパッケージの断面構造をあらわす説明図である。
【図８】フェースアップ方式で実装した従来のパッケージの断面構造をあらわす説明図である。
【図９】フェースダウン方式で実装した従来のＣＯＦパッケージの断面構造をあらわす説明図である。
【図１０】従来のＣＯＦパッケージの断面構造をあらわす説明図である。
【符号の説明】
１    ＩＣチップ（半導体素子）
２    樹脂
３    カバーコート（保護層）
４    配線パターン（金属パターン）
５    実装可能エリア
６    薄膜化フィルム（ベースフィルム）
７    ＩＣチップ（半導体素子）
１０  金属箔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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