(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する内側薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する、共振子を複数設けた圧電共振子において、
前記下部電極の下に、圧電薄膜または誘電薄膜を含む１層以上の外側薄膜部を有するとともに、前記振動部はｎ倍波（ただし、ｎは２以上の整数）の振動モードで振動し、且つ前記上部電極及び下部電極が、概略、前記ｎ倍波の腹の位置に設けられている、ことを特徴とする圧電共振子。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電共振子において、
前記ｎ倍波が、２倍波とされて、前記外側薄膜部の膜厚をｔｏ、前記内側薄膜部の膜厚をｔｉ、両薄膜部の膜厚比をｒ＝ｔｏ／ｔｉとしたとき、前記膜厚比ｒが、当該圧電共振子全体の共振周波数温度係数をゼロ付近にする値に設定されている、ことを特徴とする圧電共振子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の圧電共振子において、
前記内側薄膜部もしくは外側薄膜部の少なくとも一方で各薄膜が、互いに異なる共振周波数温度係数を有する組み合わせとされている、ことを特徴とする圧電共振子。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電共振子において、
前記外側薄膜部が、ＳｉＯ2薄膜を主成分とする薄膜、ＳｉＮ薄膜を主成分とする薄膜、Ａｌ2Ｏ3薄膜を主成分とする薄膜のうちの少なくとも１つ以上からなる、ことを特徴とする圧電共振子。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の圧電共振子において、
前記内側薄膜部が、ＺｎＯを主成分とする薄膜、ＡｌＮを主成分とする薄膜、チタン酸ジルコン酸鉛を主成分とする薄膜、チタン酸鉛を主成分とする薄膜、チタン酸バリウムを主成分とする薄膜のうちの少なくとも１つ以上からなる、ことを特徴とする圧電共振子。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電共振子において、
前記基板は開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部上に前記振動部が形成されていることを特徴とする圧電共振子。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の圧電共振子の複数を備え、それらの圧電共振子における電極同士をフィルタ回路の構成に接続してなる、ことを特徴とするフィルタ。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれかに記載の圧電共振子を複数、梯子型に接続してなることを特徴とするフィルタ。
【請求項９】
請求項７または８に記載のフィルタを用いて構成されることを特徴とするデュプレクサ。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれかに記載の圧電共振子の１つないしは複数を備え、それらの圧電共振子を電子通信動作に使用する、ことを特徴とする電子通信機器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電材料や誘電材料を薄膜にして多層構造として振動部位を形成する圧電共振子に係り、より詳しくは、フィルタや発振子などに使用されて、ＶＨＦ帯、ＵＨＦ帯、さらにそれ以上の超高周波帯において厚み縦振動する圧電共振子に関する。本発明はまた、この圧電共振子を用いたフィルタおよび電子通信機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
厚み縦振動を利用した圧電共振子の場合、その共振周波数が圧電膜の厚さに反比例する関係にあることを利用して、電極間に極めて膜厚の薄い圧電膜を介装した形態にして超高周波数帯域で共振応答を得るものがある。
【０００３】
このような圧電共振子において、表裏面を貫通した開口を有する基板と、前記開口を覆う形態で該基板上に設けられたＳｉＯ2薄膜からなるダイヤフラムと、前記ダイヤフラム上に設けられた一対の対向電極間にＺｎＯ薄膜を介装してなる振動部位とを備えた厚み縦振動型のものがある。
【０００４】
そして、この種の圧電共振子には、上下一対の電極に圧電膜を挟んだ構造として、基本波の腹を電極に存在する形態として電極での共振エネルギのロスをなくしてその共振特性を良好にしたものがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の圧電共振子の場合、基本波を用いていたから、共振エネルギのロスが少なくなるとしても、基本波の場合、前記ＳｉＯ2薄膜とＺｎＯ薄膜との膜厚比変動で共振周波数温度係数が大きく変動するために、共振周波数が温度変化で大きく変化しやすく、したがって、温度変化に対する共振周波数の安定性が低いものである。
【０００６】
したがって、本発明は、電極での共振エネルギーのロスを低減し、かつ、温度変化に対する共振周波数の安定性を良好にすることを解決すべき課題としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する内側薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する、共振子を複数設けた圧電共振子において、前記下部電極の下に、圧電薄膜または誘電薄膜を含む１層以上の外側薄膜部を有するとともに、前記振動部はｎ倍波（ただし、ｎは２以上の整数）の振動モードで振動し、且つ前記上部電極及び下部電極が、概略、前記ｎ倍波の腹の位置に設けられていることを特徴とする。
【０００８】
本発明によると、上部電極及び下部電極が、概略、ｎ倍波の腹の位置に設けられているから、それら電極での共振エネルギのロスを低減できる。そして、本発明では、ｎ倍波の振動モードで振動するものとされていることにより、前記各薄膜部の膜厚比が多少変動しても共振周波数温度係数が大きく変動するようなことがない膜厚比領域が存在するから、膜厚比をその領域に設定することで温度変化に対して共振周波数を安定させられる。
【０００９】
本発明は、好ましくは、前記ｎ倍波が、２倍波とされて、前記外側薄膜部の膜厚をｔｏ、前記内側薄膜部の膜厚をｔｉ、両薄膜部の膜厚比をｒ＝ｔｏ／ｔｉとしたとき、前記膜厚比ｒが、当該圧電共振子全体の共振周波数温度係数をゼロ付近にする値に設定されている。
【００１０】
こうした場合、ｎ倍波が２倍波とされることで、さらに効果的に、温度変化に対して共振周波数を安定させられる。
【００１１】
本発明は、さらに好ましくは、前記内側薄膜部もしくは外側薄膜部の少なくとも一方で各薄膜が、互いに異なる共振周波数温度係数を有する組み合わせとされている。
【００１２】
この組み合わせは、内側薄膜部が複数の薄膜からなるときは、内側薄膜部を構成する各薄膜間での組み合わせ、外側薄膜部が複数の薄膜からなるときは、外側薄膜部を構成する各薄膜間での組み合わせ、内側薄膜部と外側薄膜部それぞれを構成する各薄膜間での組み合わせのいずれも含む。
【００１３】
こうした場合、さらに効果的に当該圧電共振子全体の共振周波数温度係数をゼロ付近に設定できるから、温度変化に対して共振周波数を一層安定させることができる。
【００１４】
本発明は、さらに好ましくは、前記外側薄膜部が、ＳｉＯ2薄膜を主成分とする薄膜、ＳｉＮ薄膜を主成分とする薄膜、Ａｌ2Ｏ3薄膜を主成分とする薄膜のうちの少なくとも１つ以上からなる。
【００１５】
本発明は、さらに好ましくは、前記内側薄膜部が、ＺｎＯを主成分とする薄膜、ＡｌＮを主成分とする薄膜、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を主成分とする薄膜、チタン酸鉛（ＰＴ）を主成分とする薄膜、チタン酸バリウム（ＢＴ）を主成分とする薄膜のうちの少なくとも１つ以上からなる。
【００１６】
本発明は、さらに好ましくは、前記基板は開口部もしくは凹部を有し、前記開口部もしくは凹部上に前記振動部が形成されている。ここで、開口部とは、基板の表裏面を貫通した状態の空間部をいう。凹部は、基板の一面側に有底状に凹み形成された空間部をいう。このように、開口部もしくは凹部上に振動部が形成されていることによって、共振特性が向上する。
【００１７】
以上のことより、本発明によると、膜厚の変動に対して共振周波数温度係数の小さいつまり共振周波数の温度変化に対する変動を小さく抑制でき、温度変化に対して共振応答が極めて安定した圧電共振子を提供することができるものとなる。
【００１８】
なお、特開２００１−２０３５５８号公報には、上下一対の電極間に、負の共振周波数温度係数を有する圧電膜と、正の共振周波数温度係数を有する圧電膜とを挟んだ構造として、圧電共振子全体としての共振周波数温度係数をゼロに近づけて温度変化に対する共振応答の安定化を図ることが開示されている。
【００１９】
また、ＥＰ０９６３０４０Ａ２明細書には、上下一対の電極に圧電膜を挟んだ構造として、共振波の腹を電極に存在する形態として電極での共振エネルギのロスをなくしてその共振特性を良好にすることが開示されている。
【００２０】
また、特公平１−４８６９４号公報には、上下一対の電極間に一対の圧電膜間に該圧電膜と異符号の薄膜をその厚み方向中央に積層して共振周波数の温度特性を良好にすることが開示されている。
【００２１】
いずれの場合も、本発明のように、２倍波を用いておらず、かつ、振動波の腹が対向電極に位置していないから、本発明の効果を発揮することができない。
【００２２】
本発明に係るフィルタは、本発明に係る圧電共振子の複数を備え、それらの圧電共振子における電極同士をフィルタ回路の構成に接続なるフィルタである。
【００２３】
また、本発明に係るフィルタは、本発明に係る圧電共振子を複数、梯子型に接続してなるフィルタである。
【００２４】
本発明に係るデュプレクサは、上記本発明に係るフィルタを用いて構成される。
【００２５】
本発明に係る電子通信機器は、本発明に係る圧電共振子の１つないしは複数を備え、それらの圧電共振子を電子通信動作に使用する。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図面に示す実施の形態に基づいて説明する。
【００２７】
(圧電共振子の基本構造)
図１を参照して、本実施の形態の圧電共振子の基本構造を説明する。
【００２８】
１は、その圧電共振子全体を示す。圧電共振子１は、厚み縦振動型であって、基板２と、ダイヤフラム３と、振動部位４とを備える。
【００２９】
基板２は、例えば、Ｓｉ(シリコン)からなり、表裏面を貫通する開口部５を有する。
【００３０】
ダイヤフラム３は、外側薄膜部としてＳｉＯ2(酸化シリコン)薄膜からなり、前記開口部５を覆う形態で該基板２上に設けられている。
【００３１】
振動部位４は、ダイヤフラム３上に設けられており、上部電極４ｂと下部電極４ａとからなる上下一対の対向電極と、上部電極４ｂ及び下部電極４ａの間に介装された少なくとも圧電膜を含む１層以上の内側薄膜部４ｃとからなる。
【００３２】
対向電極４ａ，４ｂは、共に、例えば、Ａｌ(アルミニウム)から構成されている。
【００３３】
内側薄膜部４ｃは、例えば、ＺｎＯ(酸化亜鉛)薄膜からなる。
【００３４】
(圧電共振子の製造例)
上記構造の圧電共振子の製造例を簡単に説明する。基板２の両面を熱酸化して熱酸化ＳｉＯ2薄膜を形成する。基板２の表面側の熱酸化ＳｉＯ2薄膜はダイヤフラム３となる。基板２の裏面側の熱酸化ＳｉＯ2薄膜は、フォトリソグラフィ法を用いて前記開口部５に対応してパターニングされる。これによって、基板２の裏面側を露出する。この露出した基板２の裏面に対してアルカリ液を用いて異方性エッチングする。このエッチングは基板２の表面側のＳｉＯ2薄膜まで達することで基板２に開口部５を形成する。次いで、基板２表面のＳｉＯ2薄膜よりなるダイヤフラム３上にリフトオフ蒸着により下部電極４ａを形成する。次いで、この下部電極４ａおよびダイヤフラム３上にＺｎＯ薄膜からなる内側薄膜部４ｃをスパッタリング法やその他の成膜技術を用いて形成する。次いで、この内側薄膜部４ｃ上にリフトオフ蒸着により上部電極４ｂを形成する。
【００３５】
以上により圧電共振子１の製造が完了する。
【００３６】
(圧電共振子の特徴構造)
そして、本実施の形態では、以上の構成において、第１に、基本波に対して図１中破線で示される形態を備えた２倍波の振動モードで振動するものとされており、かつ、上部電極４ｂ及び下部電極４ａが、概略、２倍波の腹の位置に設けられている。この２倍波の節は、内外両薄膜部３，４ｃ内に存在している。
【００３７】
これによって、２倍波の腹が上部電極４ｂ及び下部電極４ａに存在する形態とされているから、電極４ａ，４ｂでの共振エネルギのロスが少なくなり共振特性が良好になる。
【００３８】
本実施の形態は、第２に、ダイヤフラム３と振動部位４それぞれの各薄膜が、互いに異符号の共振周波数温度係数を有する組み合わせとされている。そのうえで、ダイヤフラム３であるＳｉＯ2薄膜の膜厚をｔｏ、振動部位４におけるＺｎＯ薄膜の膜厚をｔｉ、両薄膜の膜厚比をｒ＝ｔｏ／ｔｉとしたとき、前記膜厚比ｒが、当該圧電共振子１全体の共振周波数温度係数をゼロ付近にする値に設定されている。
【００３９】
前記第２について図２を参照して説明する。
【００４０】
図２において、横軸は、前記膜厚比ｒであり、縦軸は、共振周波数温度係数ＴＣＦを示す。また、▲１▼は、基本波、▲２▼は、２倍波を示す。そして、本実施の形態における振動部位４は、２倍波による厚み縦共振モードで励振されるよう各薄膜の膜厚比ｒが設定されており、その膜厚比ｒは０．６〜１．３の範囲とされている。
【００４１】
膜厚比ｒがこの範囲であると、共振周波数温度係数ＴＣＦはほぼ＋１０〜−１０ｐｐｍ／℃となる。したがって、膜厚比ｒの前記範囲内における設定で共振周波数温度係数ＴＣＦをほぼゼロに設定することができる。これによって、圧電共振子１における振動周波数の温度変化に対して安定化させることができる。
【００４２】
この場合、前記膜厚比ｒ調整で、共振周波数温度係数をゼロに近付けることができるのは、外側薄膜部３が正の共振周波数温度係数を有するＳｉＯ2薄膜とされ、内側薄膜部４ｃが負の共振周波数温度係数を有するＺｎＯ薄膜とされているからである。つまり、図２において膜厚比ｒが１である場合において、正の共振周波数温度係数ＴＣＦを有する外側薄膜部３の膜厚ｔｏを負の共振周波数温度係数ＴＣＦを有する内側薄膜部４ｃに対して大きくして膜厚比ｒを１以上に大きくすると、膜厚比ｒが１．３付近までは共振周波数温度係数ＴＣＦがゼロに近づく。さらに、外側薄膜部３の膜厚ｔｏを大きくして膜厚比ｒが１．３以上になると、共振周波数温度係数ＴＣＦがゼロから離れてプラス側に大きくなる。また、外側薄膜部３の膜厚ｔｏを小さくして膜厚比ｒを小さくする場合、０．６付近までは共振周波数温度係数ＴＣＦがゼロに近づく。さらに、外側薄膜部３の膜厚ｔｏを小さくして膜厚比ｒを０．６以下にすると、共振周波数温度係数ＴＣＦがゼロから離れてプラス側に大きくなる。
【００４３】
このようにして本実施の形態では、膜厚比ｒの設定で共振周波数温度係数ＴＣＦをほぼゼロに調整することによって、圧電共振子１における共振周波数の温度変化に対して安定化させることができる。
【００４４】
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく種々な応用や変形が考えられる。
【００４５】
なお、この場合、以下の実施形態では、そのいずれも、２倍波を用いること、および上部電極４ｂ及び下部電極４ａに対して２倍波の腹をほぼ位置付けることを前提とするから、外側薄膜部３と内側薄膜部４ｃとの膜厚比調整で、図２で示される共振周波数の温度変化が少ない領域を使用することができる。
【００４６】
(１)図１の実施形態では２倍波であったが、これに限定されるものではなく、ｎ倍波(ただし、ｎは２以上の整数)の振動モードで振動するものとされ、かつ、上部電極４ｂ及び下部電極４ａが、概略、ｎ倍波の腹の位置に設けられているものとしてよい。
【００４７】
(２)図３で示すように、外側薄膜部３を熱酸化ＳｉＯ2膜３ａとＳｉＮ(窒化シリコン)３ｂとの２層構造としてもよい。
【００４８】
この外側薄膜部３の場合、共振周波数温度係数が異なる２層の膜３ａ，３ｂで構成されるから、前記両膜３ａ，３ｂそれぞれの膜厚比を適宜に変更することで、外側薄膜部３全体の共振周波数温度係数を調整することができるようになる。この調整により、圧電共振子１全体の共振周波数の温度変化率を小さくして温度変化に対しての安定性を高めることができる。
【００４９】
(３) 図４で示すように、外側薄膜部３を、熱酸化ＳｉＯ2膜３ｃとスパッタ法で成膜したＳｉＯ2膜３ｄとの２層構造としてもよい。
【００５０】
この外側薄膜部３の構成によると、外側薄膜部３を構成する前記両膜３ｃ，３ｄ全体の共振周波数の温度特性を調整して、内側薄膜部４ｃの共振周波数の温度特性を補償することができる。
【００５１】
(４) 図５で示すように、内側薄膜部４ｃを、ＡｌＮ(窒化アルミニウム)膜４ｃ１とＺｎＯ膜４ｃ２との２層構造としてもよい。
【００５２】
この内側薄膜部４ｃの構成によると、ＡｌＮ膜４ｃ１は、正の共振周波数温度係数を有し、ＺｎＯ膜４ｃ２は、負の共振周波数温度係数を有する。そのためＡｌＮ膜４ｃ１とＺｎＯ膜４ｃ２との２層構造により熱酸化ＳｉＯ2からなる外側薄膜部３の共振周波数温度係数を補償して圧電共振子１全体の共振周波数温度係数をゼロに近付けるような内側薄膜部４ｃを得ることができる。その結果、圧電共振子１は、共振周波数温度係数を小さく温度特性が安定したものとなる。
【００５３】
(５)図６で示すように、外側薄膜部３を熱酸化ＳｉＯ2膜３ｃとスパッタ法で成膜したＳｉＯ2膜３ｄとの２層構造とし、内側薄膜部４ｃをＡｌＮ膜４ｃ１とＺｎＯ膜４ｃ２との２層構造としてもよい。こうすると、前記と同様の作用効果を同時に達成することができる。
【００５４】
(６)図７で示すように、外側薄膜部３をＳｉＮ膜で、内側薄膜部４ｃをＡｌＮ膜で構成してもよい。この場合も、前記(３)(４)の作用効果を同時に達成することができる。
【００５５】
(７)図８で示すように、外側薄膜部３をＡｌＮ膜３ｅとＡｌ2Ｏ3(酸化アルミニウム)膜３ｆとの２層構造とし、内側薄膜部４ｃをＡｌＮの単層構造としてもよい。この場合も、前記(３)(４)の作用効果を同時に達成することができる。
【００５６】
(８)なお、振動部位における内側薄膜部４ｃが、ＺｎＯを主成分とする薄膜、ＡｌＮを主成分とする薄膜以外にも、ＰＺＴ(チタン酸ジルコン酸鉛)を主成分とする薄膜、ＰＴ(チタン酸鉛)を主成分とする薄膜、ＢＴ(チタン酸バリウム)を主成分とする薄膜のうちの少なくとも１つ以上からなるものとしてよい。
【００５７】
(９)本実施の形態の圧電共振子１は、図９(ａ)で示すようなπ型ラダーフィルタ、図９(ｂ)で示すようなＬ型ラダーフィルタ、図９(ｃ)で示すようなＴ型ラダーフィルタ、図１０（ａ）で示すようなＬ型ラダーフィルタ、図１０（ｂ）に示すようなＬ型ラダーフィルタのフィルタ素子として組み込んで使用することができる。このようなフィルタの場合、温度変化に対して安定したフィルタ特性のものとなる。なお、このような各フィルタは、上述した圧電共振子１を基板２上に複数設け、これら基板２上の各圧電共振子１どうしをそれぞれの電極を接続することで、周囲の温度変化に対する動作特性を安定させられたフィルタを完成することができる。
【００５８】
(１０)本実施の形態の圧電共振子１は、携帯電話や無線ＬＡＮやその他、あらゆる各種電子通信機器に搭載されることで、当該電子通信機器の電子通信動作に使用する場合、周囲の温度変化に対する動作特性を安定させることができる。
【００５９】
（１１）本実施の形態の圧電共振子１は、通信機器などに搭載されるデュプレクサの素子として用いられても良い。このデュプレクサ３１は、図１１に示すように、アンテナ端子３２、受信側端子３３及び送信側端子３４が設けられている。このデュプレクサ３１は、受信側端子３３及び送信側端子３４と、アンテナ端子３２との間に所要周波数帯域の高周波信号の通過のみ許す本発明に係る圧電共振子または上記（９）で示されたようなフィルタが含まれる構成となっている。
【００６０】
（１２）本発明に係る圧電共振子の変形例として、図１２に示す構成のものでも良い。図１２に示される圧電共振子５１は、シリコン基板５２の上側に凹部５３を形成するとともに、シリコン基板５２上面及びその凹部５３を覆う状態で、熱酸化ＳｉＯ2膜５４ａとＳｉＮ（窒化珪素）膜５４ｂとの２層から成る外側薄膜部としてのダイヤフラム５４が成膜されている。このダイヤフラム５４の上には、振動部位５５が設けられている。この振動部位５５は、上部電極５８と下部電極５６とからなる上下一対の対向電極と、この上部電極５８と下部電極５６とに挟み込まれた少なくとも圧電膜を１層以上含む内側薄膜部５７とからなる。
【００６１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板と、前記基板に形成されている、少なくとも１層以上の圧電薄膜を有する内側薄膜部の上下面を少なくとも一対の上部電極及び下部電極を対向させて挟む構造の振動部とを有する、共振子を複数設けた圧電共振子において、前記下部電極の下に、圧電薄膜または誘電薄膜を含む１層以上の外側薄膜部を有するとともに、前記振動部はｎ倍波（ただし、ｎは２以上の整数）の振動モードで振動し、且つ前記上部電極及び下部電極が、概略、前記ｎ倍波の腹の位置に設けられているから、電極での共振エネルギーのロスを低減できる。そして、本発明では、ｎ倍波の振動モードで振動するものとされているから、前記各薄膜部の膜厚比が多少変動しても共振周波数温度係数が大きく変動するようなことがない膜厚比領域が存在するから、膜厚比をその領域に設定することで温度変化に対して共振周波数を安定させられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る圧電共振子の断面図
【図２】図１の圧電共振子における膜厚比と共振周波数温度係数との特性図
【図３】本発明の他の実施形態に係る圧電共振子の断面図
【図４】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子の断面図
【図５】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子の断面図
【図６】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子の断面図
【図７】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子の断面図
【図８】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子の断面図
【図９】本発明の圧電共振子を用いたフィルタの回路図
【図１０】本発明の圧電共振子を用いたフィルタの回路図
【図１１】本発明の圧電共振子を用いたデュプレクサの概略説明図
【図１２】本発明のさらに他の実施形態に係る圧電共振子の断面図
【符号の説明】
１  圧電共振子
２  基板
３  ダイヤフラム
４  振動部位
４ａ  下部電極
４ｂ  上部電極
４ｃ  圧電膜
【図１】
0003903842.tif 000002
【図２】
0003903842.tif 000003
【図３】
0003903842.tif 000004
【図４】
0003903842.tif 000005
【図５】
0003903842.tif 000006
【図６】
0003903842.tif 000007
【図７】
0003903842.tif 000008
【図８】
0003903842.tif 000009
【図９】
0003903842.tif 000010
【図１０】
0003903842.tif 000011
【図１１】
0003903842.tif 000012
【図１２】
0003903842.tif 000013