(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の電力半導体スイッチング素子と駆動部とを備えた電力半導体モジュールにおいて、該電力半導体モジュールの使用履歴を記憶する不揮発性の記憶手段と、該使用履歴を表示する表示手段とを備え、前記記憶手段が前記電力半導体モジュール出荷前における該電力半導体モジュールの特性評価結果である電力半導体モジュールの素子特性データをさらに記憶していることを特徴とする電力半導体モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の電力半導体モジュールにおいて、前記使用履歴が、前記電力半導体スイッチング素子のスイッチング回数、または前記電力半導体スイッチング素子の過電流検出回数、または電力半導体モジュールの温度上昇に関する情報の何れかを含むことを特徴とする電力半導体モジュール。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかに記載の電力半導体モジュールにおいて、前記記憶手段が電力半導体モジュールの製造日時または製造番号の何れかを含むことを特徴とする電力半導体モジュール。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の電力半導体モジュールにおいて、前記電力半導体モジュールが記憶入出力用端子と、記憶入出力時の電源端子の少なくとも一方を備えていることを特徴とする電力半導体モジュール。
【請求項５】
請求項２に記載の電力半導体モジュールにおいて、前記電力半導体スイッチング素子のスイッチング回数、または前記電力半導体スイッチング素子の過電流検出回数、または電力半導体モジュールの温度上昇に関する情報の何れか所定の条件を満たした場合に前記表示手段が作動することを特徴とする電力半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般産業機器用及び電力系統用に用いられる電力変換装置を構成する電力半導体モジュールと、該電力用半導体モジュールを備えた電力変換装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電力変換装置に、電流，電圧などの電気特性やメンテナンス履歴を記憶させて寿命診断する機能を持たせた従来技術として、特開平６−７０５５３号公報がある。この従来技術は、電力変換装置の制御装置内に、制御に用いた演算結果あるいはメンテナンス履歴を記憶させて電力変換装置の寿命を診断している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、電力半導体モジュールの使用履歴等に関する情報を制御装置内に記憶する場合では、電力半導体モジュール単独では使用履歴等の情報がわからない。そのため、電力変換装置で、電力半導体モジュール以外の部品の故障が発生した時には、それまでの使用履歴が引き継がれることなく、場合によっては、電力半導体モジュールも故障部品と同時に交換されることになる。このように、半電力半導体モジュールが有効に利用されずに廃棄されることは、廃棄物の増加につながり、環境面から考えて好ましくない。
【０００４】
さらに、通常各電力半導体モジュールには製造番号が記載しているが、多数の電力半導体モジュールを管理する場合にはこの記載番号だけでは管理に手間がかかり、そのため、場合によっては未使用品と一時使用品との区別がつかない場合もあり得る。
【０００５】
本発明の目的は、上記従来技術の課題を解決し、電力半導体モジュールが有している性能を最大限有効に利用し、また保管する際の管理にも利便性の高い電力半導体モジュールを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的は、電力半導体モジュールに使用履歴を記憶する機能を持たせ、また、使用履歴の少なくとも一部あるいは使用履歴がある条件を超えたことを表示する機能を持たせることによって達成できる。また、電力半導体モジュール自体にそのモジュールの特性評価結果を記憶することで、モジュール管理の利便性が向上できる。
【０００７】
電力半導体モジュールの寿命を支配する要因として、モジュール内部の温度上昇があり、温度変化の幅が大きいほど寿命は短くなる。そのため、内部温度上昇から寿命診断することが必要である。電力半導体モジュールに使用履歴として温度変化の情報を記憶させておけば、その情報を得ることにより寿命診断が可能となる。
【０００８】
本発明の電力半導体モジュールは、１つ以上の電力半導体スイッチング素子と駆動部とを備え、電力半導体モジュールの使用履歴を記憶する不揮発性の記憶手段と、該使用履歴を表示する表示手段とを備えていて、前記使用履歴が、前記電力半導体スイッチング素子のスイッチング回数、または前記電力半導体スイッチング素子の過電流検出回数、または電力半導体モジュールの温度上昇に関する情報の何れかを含む。
【０００９】
また、本発明の電力モジュールはさらに、前記記憶手段が電力半導体モジュールの素子特性データを記憶している。
【００１０】
本発明の電力モジュールは、電力半導体スイッチング素子のスイッチング回数、または前記電力半導体スイッチング素子の過電流検出回数、または電力半導体モジュールの温度上昇に関する情報の何れか所定の条件を満たした場合に前記表示手段が作動する。
【００１１】
本発明の電力変換装置は、１つ以上の電力半導体スイッチング素子と駆動部とを備えた電力半導体モジュールと、電源部と、モジュール制御部とを備え、前記電力半導体モジュールが該電力半導体モジュールの使用履歴を記憶する不揮発性の記憶手段と、該使用履歴を前記電力半導体モジュール外に出力する出力手段とを備え、前記使用履歴が、前記電力半導体スイッチング素子のスイッチング回数、または前記電力半導体スイッチング素子の過電流検出回数、または電力半導体モジュールの温度上昇に関する情報の何れかを含み、前記電力半導体モジュールを複数個備えていて、前記電力半導体スイッチング素子が絶縁ゲート型バイポーラトランジスタである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【００１３】
（実施例１）
図１に本実施例の電力半導体モジュール（以後、半導体モジュールと略す。）の構成例を示す。半導体モジュール１は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）で代表される半導体スイッチング素子２，スイッチング素子を駆動するゲート駆動部３，電流検出を行う電流センスＩＧＢＴ４及び還流ダイオード５を備え持ち、一般的にＩＰＭ（インテリジェントパワーモジュール）と呼ばれている半導体モジュールの構成をとっている。
【００１４】
半導体モジュール１には、主電流が流れるコレクタ（Ｃ）端子６０１，エミッタ（Ｅ）端子６０２の他に、制御用端子である電源（ＶＳ）端子６１１，エラー出力（Ｆｏ）端子６１２，制御信号（ＳＮ）端子６１３及びグランド（ＶＥ）端子６１４とを備えている。
【００１５】
電源端子６１１とグランド端子６１４との間に所定の電源を接続して、制御信号端子６１３に信号パルスを印加して、半導体スイッチング素子２のオン，オフを制御している。電流検出を行う電流センスＩＧＢＴ４により、過電流検出を行い、また、測温体７１により温度上昇検出を行っており、異常状態となった場合にはエラー出力端子６１２で外部制御回路から検知できる。
【００１６】
以上は、一般のＩＰＭと同じ構成であるが、本実施例では、以下の機能がある。すなわち、測温体７１の信号より温度に関する履歴を記憶する温度履歴記憶部７１０，エラー出力を検知しその履歴を記憶する故障履歴記憶部７２０，制御信号よりスイッチング回数に関する履歴を記憶するスイッチング回数記憶部７３０を備えており、記憶した履歴を記憶入出力装置７００により不揮発性メモリ８に記憶している。また、不揮発性メモリ８に記憶した内容を外部に入出力するインターフェイスである入出力及び表示装置９と履歴評価端子６１５がある。このような構成により、本実施例の半導体モジュール１の履歴情報を外部から把握できる。
【００１７】
ここで、温度履歴記憶部７１０は、温度検出判定装置７１１と、２つの計数装置７１２１,７１２２と、２つのメモリ７１３１,７１３２とで構成している。温度検出判定装置７１１は、測温体７１の温度情報により温度Ｔが所定の温度ｔ１を超えた時に、計数装置７１２１に信号を送り、計数装置７１２１でその回数を数え、メモリ７１３１に記憶する。同様にｔ２を超えた時に、計数装置７１２２に信号を送り、計数装置７１２２でその回数を数え、メモリ７１３２に記憶する。
【００１８】
また、故障履歴記憶部７２０では、ゲート駆動部３から出た故障信号を検出する故障信号検出装置７２１で検出した回数を計数装置７２２で数え、その回数をメモリ７２３に記憶する。さらに、スイッチング回数記憶部７３０では、外部から入力される制御信号をスイッチング検出装置７３１で検出した回数を計数装置７３２で数え、その回数をメモリ７３３に記憶する。これらのメモリ７１３１，７１３２，７２３，７３３の記憶情報を記憶入出力装置７００によって不揮発性メモリ８に記憶する。なお、半導体モジュールを装置から取り外すと電源供給が停止するので、電源供給がなくても記憶が残るように不揮発性メモリを用いる。
【００１９】
図２に本実施例の半導体モジュール１の外観を示す。図２のように、コレクタ端子６０１及びエミッタ端子６０２と、制御用端子として、電源端子６１１，エラー出力端子６１２，制御信号端子６１３，グランド端子６１４及び履歴評価端子６１５がある。また、半導体モジュール１に温度履歴表示装置９１１及び故障履歴表示装置９１２を備えている。
【００２０】
図３に入出力及び表示装置９及び履歴評価端子６１５の構成を示す。半導体モジュール１のグランド端子６１４と履歴評価端子６１５とにモジュール履歴評価装置９００を接続した時の温度履歴表示装置９１１及び故障履歴表示装置９１２により、半導体モジュール１の履歴を評価する。すなわち、不揮発性メモリ８の記憶内容から、温度履歴に関する情報をメモリ読取装置９１１３で電圧信号に変換して、履歴判断装置９１１２により、スイッチ９１１０を制御する。例えば半導体モジュールの温度履歴、すなわち設定温度を超えた回数が所定の回数未満ならば、履歴判断装置９１１２は、スイッチ９１１０をオンさせることにより、電流制限抵抗９１１１及び温度履歴表示装置９１１に通電して、温度履歴表示装置９１１が発光する。故障履歴表示装置９１２についても同様に、メモリ読取装置９１２３，履歴判断装置９１２２，スイッチ９１２０及び電流制限抵抗９１２１により、表示できる。
【００２１】
上記構成にすることで、電力変換装置の制御装置から半導体モジュール１を分離しても、半導体モジュール１の使用履歴について評価できるため、使いかけの半導体モジュール１を有効利用できる。一般に電力変換装置では、半導体モジュール１あるいは平滑コンデンサの寿命が支配的であるため、半導体モジュール１のみ再利用することはあまりない。しかし、電気自動車やハイブリッド自動車では、電動機駆動に半導体モジュールを使用しており、自動車の事故の場合などでは、電力変換装置全体が故障しても、半導体モジュールには全然影響無いことも考えられる。このような場合に、自動車の走行距離からも、ある程度の使用履歴を把握できるが、半導体モジュール内部の温度に関する使用履歴までは走行距離だけでは正確に把握できない。従って、半導体モジュール自体に、その使用履歴を記憶させておくことで、半導体モジュールの再使用が可能になる。
【００２２】
図２及び図３では、使用履歴として温度履歴及び故障履歴の評価結果を表示させたが、さらにスイッチング回数の評価結果を表示させてもよい。また、図２及び図３では表示装置として、電気的な信号を視覚情報に変換することが容易なＬＥＤを利用したが、これに限ったことではない。ここでは、表示手段であるＬＥＤと、メモリ読取装置９１１３，９１２３と、履歴判断装置９１１２，9122との電源を、履歴評価端子６１５を介して供給している。そのかわりにこれらの電源を電源端子６１１から供給させる構成も可能である。その場合は、履歴評価端子６１５が不要になるため、モジュール実装面で有利である。なお、モジュール履歴評価装置専用に履歴評価端子６１５を設けると、モジュール動作中のＬＥＤ点灯分の電力を削減できる。
【００２３】
図２に示す半導体モジュール１は、温度履歴表示装置９１１と故障履歴表示装置９１２をコレクタ端子６０１，エミッタ端子６０２，電源端子６１１，エラー出力端子６１２，制御信号端子６１３，グランド（ＶＥ）端子６１４と同じ面に設置した。半導体モジュール製作において、樹脂をモジュール枠に流し込み硬化させるので、樹脂から突出している部分は１つの面になっている方が好ましいことから、このように配置している。製作上の問題がなければ、半導体モジュール１の側面に温度履歴表示装置９１１及び故障履歴表示装置９１２を取りつけても構わない。また、図３に示すようにＬＥＤをこれらの表示装置に用いた場合には、半導体モジュール１の樹脂が透明であればモジュールの内部にＬＥＤがあっても構わない。
【００２４】
（実施例２）
本実施例を図４に示す。図４における半導体モジュール１には、図１の場合と同様に、主電流が流れるコレクタ端子６０１，エミッタ端子６０２の他に、制御用として電源端子６１１，エラー出力端子６１２，制御信号端子６１３及びグランド端子６１４とを備えている。
【００２５】
電源端子６１１とグランド端子６１４との間に所定の電源を接続し、制御信号端子６１３に信号パルスを印加して、半導体スイッチング素子２のオン，オフを制御する。電流検出を行う電流センスＩＧＢＴ４により、過電流検出を行い、また、測温体７１により温度上昇検出を行っており、異常状態となった場合にはエラー出力端子６１２で外部制御回路から検知できる。本実施例ではさらに、メモリ入出力装置９０，不揮発性メモリ８，履歴情報信号端子６１６及び履歴情報制御端子６１７を備えており、半導体モジュール１外部から、内部の不揮発性メモリ８の記憶情報の読み書きができる。
【００２６】
制御装置１００は、機器全体制御部１０１，変換器制御部１０２，電源部1021，モジュール制御部１０２２及び情報管理部１０２３とから構成している。ここでは、図の簡略化のために、半導体モジュール１，電源部１０２１，モジュール制御部１０２２及び情報管理部１０２３を１個ずつしか記載していない。
【００２７】
機器全体制御部１０１は、変換器制御部１０２の上位制御部分であり、機器全体の制御を行い、変換器制御部１０２に指令を与えるとともに、変換器制御部１０２からの信号を読み取る。また、半導体モジュール１を制御するモジュール制御部１０２２は、その上位制御部分である変換器制御部１０２からの指令に応じて、半導体モジュール１の制御信号端子６１３に制御信号を与える。また、モジュール制御部１０２２は、半導体モジュールのエラー出力端子６１２からの故障信号を検出して、変換装置全体及び機器全体の保護動作を行えるように変換器制御部１０２に故障信号を伝送する。
【００２８】
スイッチング回数や故障信号検出は、モジュール制御部１０２２でも可能であり、その履歴情報は、情報管理部１０２３及び半導体モジュール１内部のメモリ入出力装置９０を介して、半導体モジュール内蔵の不揮発性メモリ８に記憶される。この情報伝達は、モジュール制御部１０２２からのゲート信号に比べて、情報伝達の間隔が大きくあいていても構わず、これによって、変換器制御部１０２及び機器全体制御部１０１にかける負担が低い。一般的な産業機器では、多くの場合、休止期間があるので、休止期間に記憶情報の伝達を行えば、本来の制御性能に影響を及ぼすことはない。例えば、電気自動車あるいはハイブリッド自動車においては、走行終了後に運転手がキーを抜いた瞬間に履歴情報を不揮発性メモリ８に書きこみ、次にキーを差し込んだ時に、履歴情報を読み取り、そこからさらに履歴情報を加算すれば良い。このようにすれば、図１より、半導体モジュール１の内部構成が簡単になる。
【００２９】
（実施例３）
本実施例を図５を用いて説明する。図４と同様に、不揮発性メモリ８，メモリ入出力装置９０，履歴情報信号端子６１６及び履歴情報制御端子６１７を備えている半導体モジュールを製造（８０００）し、モジュール特性評価（８００１）を実施した後に評価結果の記憶（８００２），モジュール出荷（８００３）を行う。次いで、機器へモジュール組込（８００４），モジュール稼働（８００５）させる。機器が期待された期間よりも前に、何らかの理由で装置が停止した場合には、装置の解体（８００６）を行い、記憶情報呼出（８００７）を行い、モジュール特性再評価及び出荷時特性との比較（８００８）を行い、著しい劣化等がなければ別装置へ組込（８００９Ａ）、著しく劣化している場合などは再利用不可（８００９Ｂ）と判定する。このような構成によって、半導体モジュールの有効利用と信頼性の確保が両立できる。
【００３０】
なお、特性評価項目には、飽和電圧（オン電圧），漏れ電流やスイッチング特性などがあり、この他に製造日などの情報を追加しても良い。これらの特性評価情報を、図１や図４で示した構成のような使用履歴情報による判断に追加することで、半導体モジュールを再使用する場合の信頼性が一層向上する。
【００３１】
（実施例４）
本実施例を図６に示す。本実施例の半導体モジュール１０は、スイッチング素子２１，還流ダイオード５及び非可逆接点７５と、コレクタ端子６０１，エミッタ端子６０２，ゲート（Ｇ）端子６１８，補助エミッタ（ＳＥ）端子６１９及び履歴評価端子６１５とを備えている。
【００３２】
この半導体モジュール１０は図６(ａ)に示すように、ゲート端子６１８と補助エミッタ端子６１９との間に、半導体スイッチング素子２を駆動できるようなパルス電圧を印加させるためのゲート駆動回路１０３１で制御される。本実施例では図１と異なり電源が含まれていない。そのためここでは、ある回数の温度上昇サイクルを繰り返すと開放する非可逆接点７５を用いて、一定の電源が無くても使用履歴をモジュールに記憶させる。モジュール履歴の評価の一例として、非可逆接点７５に直列にＬＥＤ等の温度履歴表示装置９１１，電流制限抵抗９１１１が接続された回路に、モジュール履歴評価装置９００から、履歴評価端子６１５を介して電圧を印加する。半導体スイッチング素子２の温度上昇サイクルが少なく、非可逆接点７５が開放していない時には、図６（ｂ）のように温度履歴表示装置９１１が表示するが、温度上昇サイクルが所定の回数に達すると、非可逆接点７５が開放するため、図６（ｃ）のように温度履歴表示装置９１１が表示できず、この場合は、半導体モジュール１０を再利用しない。
【００３３】
（実施例５）
本実施例を図７と図８を用いて説明する。図７の半導体モジュール１０は、非可逆接点７５１〜７５３(図７中Ｓ１〜Ｓ３)及び履歴検出用抵抗７４１〜７４３(図中７Ｒ１〜Ｒ３)の直列体が３組並列接続された回路に履歴検出用抵抗７４０（図７中Ｒ０）を直列接続した構成である。モジュール履歴評価装置９００は、半導体モジュール１０の補助エミッタ端子６１９と履歴評価時入力端子６１５１に電圧Ｖｓを印加した時の、履歴評価時入力端子６１５１と履歴評価時出力端子６１５２との間の電圧Ｖｏを測定し評価する。
【００３４】
３個の非可逆接点７５１〜７５３（図７中Ｓ１〜Ｓ３）の特性を図８に示す。図８は、横軸が温度上昇幅ΔＴで縦軸が回数Ｎであって、各曲線の右側領域になると非可逆接点が開放となる。従って、図８中の領域Ｃ０の使用履歴であれば、全ての接点が導通なので、評価出力電圧Ｖｏ／入力電圧Ｖｓは（式１）に示すようになる。また、図８中の領域Ｃ１では、接点Ｓ１のみ開放で、（式２）となり、さらに領域Ｃ２では、接点Ｓ１及びＳ２が開放されるため（式３）に示すようになる。領域Ｃ３の状態になると全接点が開放されるためＶｏ＝０となる。このようにして評価出力電圧Ｖｏから半導体モジュールの使用履歴を知ることができる。なお、図７では非可逆接点と抵抗との直列体で構成したが、履歴検出用抵抗７４１〜７４３の代りに３個のＬＥＤを接続して、それぞれのＬＥＤの状態から使用履歴情報を得る構成でも良い。また、並列接続する非可逆接点の数を増やして、３つ以上の異なる領域の使用履歴で開閉するようにしても良い。
【００３５】
【数１】
0003873696.tif 000002
【００３６】
【数２】
0003873696.tif 000003
【００３７】
【数３】
0003873696.tif 000004
【００３８】
（実施例６）
本実施例を図９に示す。図９では、図６に示した半導体モジュール１０の構成に、ＩＣチップ入力コイル４２，ＩＣチップ８２及びＩＣチップ読取装置９２を追加した。ＩＣチップ入力コイル４２は、ある電流を超える電流が流れた場合に電磁誘導等を利用してＩＣチップ８２に入力信号を与えて通電履歴情報を記憶できる。また、ＩＣチップ読取装置９２により、記憶した情報を読み取り、その情報より半導体モジュール１０の再利用可否を判断する。このような構成にすれば、一定電圧部を内部に持たない半導体モジュール１０でも、簡単な履歴情報が記憶できる。
【００３９】
本実施例の半導体モジュールの外観を図１０に示す。半導体モジュール１０には、通電するためのコレクタ端子６０１及びエミッタ端子の他に、制御用端子としてゲート端子６１８及び補助エミッタ端子６１９を持っている。また、温度履歴情報のための非可逆接点７５，温度履歴表示装置９１１であるＬＥＤ，電流制限抵抗９１１１及び履歴評価端子６１５も有する。ここでは、ＩＣチップ入力コイル４２だけでは、温度履歴情報で判断することができないために、両方を併用する構成とした。ＩＣチップの位置は図示する限りではないが、ＩＣチップ読取装置９２との距離が近くなるように半導体モジュール１０の側面若しくは側面に近接した場所に内蔵してある。
【００４０】
なお、図６，図７及び図９のような一定電源を得ることがない半導体モジュール１０でも、半導体スイッチング素子２のゲートとエミッタの間に並列に回路が接続されてもスイッチング特性に影響がなければ、ゲート端子６１８と補助エミッタ端子６１９との間に印加されているパルス電圧を平滑して電源としてもよい。さらに、回路構成が若干複雑となり、モジュールが若干大型化してもよければ、半導体スイッチング素子２がオフ状態では、コレクタ端子６０１とエミッタ端子６０２との間には電圧が印加されているので、これを電源として利用してもよい。
【００４１】
（実施例７）
本実施例を図１１に示す。図１１に示す半導体モジュール１０は、不揮発性メモリ８を内蔵しており、これに外部のメモリ入出力装置９０より、メモリ入出力端子６２０を介して情報の入出力を行っている。この不揮発性メモリ８に記憶される情報は、特性評価結果や外部で演算した履歴情報などである。
【００４２】
図１２に本実施例の半導体モジュール１０の外観を示す。ここでは、図９の場合と同様にコレクタ端子６０１，エミッタ端子６０２，ゲート端子６１８，補助エミッタ端子６１９，履歴評価端子６１５及び温度履歴表示装置９１１の他に、メモリ入出力端子６２０を備えている。電力変換装置の運転中には、メモリ入出力端子６２０は端子にカバーをかけた状態にしておき、何らかのトラブルで不揮発性メモリ８に電圧が印加されて記憶内容が破壊されることを防いでいる。
【００４３】
以上、本発明の実施例において、半導体スイッチング素子として、ＩＧＢＴを例に用いて説明したが、これに限ったことではない。また、モジュール外観も、図示した形状に限ったことではなく広く電力半導体モジュールに適用できる。また、半導体モジュールにスイッチング素子が１個の場合を例に説明したが、複数のスイッチング素子を内蔵した半導体モジュールにも当然適用できる。
【００４４】
【発明の効果】
本発明により、半導体モジュール自体がその使用履歴を記憶しており、その情報を表示しているので、モジュールの性能を最大限利用できる。また、保管の際にも使用履歴や素子特性をモジュール自体から知ることができるため、モジュール管理においても利便性が高い。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１における半導体モジュール内部概略構成を示す。
【図２】実施例１における半導体モジュール外観を示す。
【図３】実施例１における履歴情報入出力及び表示装置の構成例を示す。
【図４】実施例２における概略構成を示す。
【図５】実施例３における素子特性記憶情報利用の流れを示す。
【図６】実施例４における半導体モジュールの内部概略構成を示す。
【図７】実施例５における半導体モジュールの内部概略構成を示す。
【図８】実施例５における非可逆接点の特性例を示す。
【図９】実施例６における半導体モジュールの内部概略構成を示す。
【図１０】実施例６における半導体モジュール外観を示す。
【図１１】実施例７における半導体モジュールの内部概略構成を示す。
【図１２】実施例７における半導体モジュール外観を示す。
【符号の説明】
１…半導体モジュール、２…半導体スイッチング素子、３…ゲート駆動部、４…電流センスＩＧＢＴ、５…還流ダイオード、８…不揮発性メモリ、９…入出力及び表示装置、１０…半導体モジュール、４２…ＩＣチップ入力コイル、７１…測温体、７５…非可逆接点、８２…ＩＣチップ、９０…メモリ入出力装置、９２…ＩＣチップ読取装置、１００…制御装置、１０１…機器全体制御部、１０２…変換器制御部、６０１…コレクタ端子、６０２…エミッタ端子、６１１…電源端子、６１２…エラー出力端子、６１３…制御信号端子、６１４…グランド端子、６１５…履歴評価端子、６１６…履歴情報信号端子、６１７…履歴情報制御端子、６１８…ゲート端子、６１９…補助エミッタ端子、６２０…メモリ入出力端子、７００…記憶入出力装置、７１０…温度履歴記憶部、７１１…温度検出判定装置、７２０…故障履歴記憶部、７２１…故障信号検出装置、７２２，７３２，７１２１，７１２２…計数装置、７２３，７３３，７１３１，７１３２…メモリ、７３０…スイッチング回数記憶部、７３１…スイッチング検出装置、７４０，７４１，７４２，７４３…履歴検出用抵抗、７５１，７５２，７５３…非可逆接点、９００…モジュール履歴評価装置、９１１…温度履歴表示装置、９１２…故障履歴表示装置、１０２１…電源部、１０２２…モジュール制御部、１０２３…情報管理部、１０３１…ゲート駆動回路、６１５１…履歴評価時入力端子、6152…履歴評価時出力端子、９１１０，９１２０…スイッチ、９１１１，９１２１…電流制限抵抗、９１１２，９１２２…履歴判断装置、９１１３，９１２３…メモリ読取装置。
【図１】
0003873696.tif 000005
【図２】
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【図３】
0003873696.tif 000007
【図４】
0003873696.tif 000008
【図５】
0003873696.tif 000009
【図６】
0003873696.tif 000010
【図７】
0003873696.tif 000011
【図８】
0003873696.tif 000012
【図９】
0003873696.tif 000013
【図１０】
0003873696.tif 000014
【図１１】
0003873696.tif 000015
【図１２】
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