(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象物体に照射するＸ線を発生するＸ線源と、複数の方向から前記検査対象物体に前記Ｘ線を照射して前記検査対象物体を透過した透過Ｘ線を検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線源を前記検査対象物体の周囲で回転させる回転手段と、前記Ｘ線検出器の出力信号を収集する信号収集回路と、前記Ｘ線検出器及び前記信号収集回路の制御を行なう制御回路と、前記出力信号の演算処理を行ない前記検査対象物体のスライス面の断層像を求める演算処理装置とを具備し、
前記Ｘ線検出器は、前記回転の周方向に配置され前記透過Ｘ線を検出する複数の検出ブロックにより構成され、前記検出ブロックは、第１の方向及び該第１の方向に直交する第２の方向で相互に分離され前記透過Ｘ線を光に変換するシンチレータ素子及び前記光を電気信号に変換する光電変換素子を含む検出素子を具備し、前記検出素子は２次元に複数配置され、２次元に配置された複数の前記光電変換素子が形成された光電変換基板、前記検出素子から前記電気信号の読み出しの切り替えを行う素子選択部を有するスイッチングモジュール基板、及び前記検出素子から前記電気信号を読み出す配線が形成された検出ブロック基板とから構成され、前記シンチレータ素子は前記光電変換基板の第１の面と光学的に接合し、前記光電変換基板の第２の面は前記スイッチングモジュール基板の第１の面と電気的に接合し、前記スイッチングモジュール基板の第２の面は前記検出ブロック基板の第１の面と電気的に接合し、前記検出ブロック基板は、前記電気信号を読み出す前記検出素子を選択する選択信号を前記素子選択部に供給する選択用配線と、前記電気信号を前記信号収集回路に出力する出力用配線とを有し、前記選択用配線及び前記出力用配線は前記第１の面に設けられ、前記出力用配線は前記第１の方向に列をなす前記検出素子に対して共通に形成され、前記選択用配線は前記第２の方向に行をなす前記検出素子に対して共通に形成され、前記制御回路により、前記選択用配線に前記選択信号を入力して、前記電気信号を出力する前記検出素子を前記行毎に選択し、選択する前記行を切り換えて、前記信号収集回路により、前記出力用配線から前記行毎の前記検出素子からの前記電気信号を前記列毎に収集して、前記演算処理装置は、前記信号収集回路により収集された前記出力信号を用いて、複数の前記スライス面の位置での前記断層像を求めることを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置において、前記光電変換基板と前記スイッチングモジュール基板の少なくとも一方が複数のサブ基板から構成されてなることを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【請求項３】
請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置において、前記光電変換基板と前記スイッチングモジュール基板の少なくとも一方が前記検出素子毎に前記電気信号を増幅する増幅器を具備することを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【請求項４】
請求項２に記載のＸ線ＣＴ装置において、前記光電変換基板と前記スイッチングモジュール基板の少なくとも一方が複数のサブ基板から構成され、複数の前記サブ基板にまたがる複数の前記検出素子が、共通の前記信号用配線により電気的に接続されることを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【請求項５】
請求項２に記載のＸ線ＣＴ装置において、前記光電変換基板と前記スイッチングモジュール基板の少なくとも一方が複数のサブ基板から構成され、前記第１の方向、前記第２の方向の少なくとも一方向において、前記サブ基板の端面と、前記端面に最も近い位置にある前記光電変換素子の端面との距離が、前記サブ基板で隣接する前記光電変換素子の対向する端面の間隔の２分の１以下であることを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｘ線断層像を得るＸ線ＣＴ装置に係り、特に、マルチスライスＸ線ＣＴ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
Ｘ線ＣＴ装置のスキャン方式には、第３世代方式と第４世代方式がある。第３世代方式では、Ｘ線源を中心とした円弧状に複数のＸ線検出素子からなるＸ線検出器を配置し、Ｘ線源とＸ線検出器を対向させて回転して検査対象物体のＸ線投影像を計測する。第４世代方式では、複数のＸ線検出素子からなるＸ線検出器は検査対象物体を中心とする全円周に配置され、Ｘ線源を回転して検査対象物体のＸ線投影像を計測する。
【０００３】
Ｘ線ＣＴ装置は、回転（第３世代方式ではＸ線源とＸ線検出器の回転，第４世代方式ではＸ線源の回転）軸方向に複数行にわたって配列される複数のＸ線検出素子の配列行数（以下、このＸ線検出素子の配列行数を、Ｘ線検出器の段数と云う）で大別される。すなわち、段数が１段である場合をシングルスライス方式，複数段である場合をマルチスライス方式と呼んで区別している。
【０００４】
シングルスライス方式のＸ線ＣＴ装置による断層撮影では、回転軸に垂直な１つのスライス面での１つの断層像しか同時には得られない。複数の断層像を得るには、検査対象物体が搭載されている寝台天板を回転軸方向に移動させて複数のスライス面を選択して、順次時系列的に断層撮影を行なう。
【０００５】
シングルスライス方式のＸ線ＣＴ装置では、回転（第３世代方式ではＸ線源とＸ線検出器の回転，第４世代方式ではＸ線源の回転）と同時に寝台天板を回転軸方向に連続的に移動させて走査（スパイラル走査）を行ないながら断層撮影を行なうことによって、３次元的な断層像を得ることができる。
【０００６】
マルチスライス方式のＸ線ＣＴ装置では、スパイラル走査しない場合でも複数のスライス面での断層撮影が可能である。マルチスライス方式とスパイラル走査とを組み合わせて断層撮影を行なう場合には、シングルスライス方式のＸ線ＣＴ装置による場合に比べて、細かなサンプリング間隔で、短時間で複数のスライス面での断層撮影ができると云う利点がある。この利点のために、マルチスライス方式のＸ線ＣＴ装置が広く用いられている。近年では、Ｘ線検出器の段数が３段以上のマルチスライスＸ線ＣＴ装置も登場し、Ｘ線検出器の段数はさらに増える傾向にある。
【０００７】
上記で説明したＸ線ＣＴ装置のＸ線検出器としては、通常、シンチレータ素子と光電変換素子とで構成されるＸ線固体検出器が使用される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
複数の光電変換素子を１つの基板上に作製して複数の段数をもつ光電変換素子基板を製作して、複数の段数のＸ線固体検出器（以下、単にＸ線検出器と云う）を得る場合には、大面積の半導体基板が必要となる。しかし、半導体基板の面積が大きくなると、基板価格が高くなり、Ｘ線検出器が高価格になると云う問題がある。
【０００９】
この問題を解決する一方法として、段数の少ない光電変換素子基板を低価格で製作し、この少段数基板の複数個を段方向（回転軸方向）に近接させて配列することによって、多段数を持った光電変換素子基板の代用とする方法がある。然るに、この方法では、光電変換素子基板からの出力信号の読み出しの方法が問題となる。従来、この問題を解決するために、ラップジョイントの方法（米国特許第４，４６７，３４２号明細書），２層式タイルアレイの方法（米国特許第５，１０５，０８７号明細書）が提案されているが、これらの方法では、検出感度及び解像度の低下を招くと云う問題がある。
【００１０】
Ｘ線検出器の段数を増すにつれて、読み出し回路の規模が大幅に増大し、検出回路が大型となって、Ｘ線検出器の製造コストが高価となるため、実際に実用的に実現できるＸ線検出器の段数には限界があると云う問題がある。
【００１１】
従って、本発明の目的は、他段数のＸ線検出器における読み出し回路の規模を増大させずに、かつ検出感度及び解像度の低下を防止することのできるＸ線検出器を用いたマルチスライスＸ線ＣＴ装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のＸ線ＣＴ装置のＸ線検出器では、検出対象物を透過したＸ線がシンチレータ素子に入射して光に変換され、この光が光電変換素子に入射して光電変換され、該光電変換素子から電気信号として出力される。
【００１３】
本発明では、半導体基板上に複数の光電変換素子を複数段に配列形成してなる光電変換素子基板を作成し、この複数段構成の光電変換素子基板の背面（光入射面とは反対側の面）側に該光電変換素子基板からの出力電気信号を読み出すための信号読み出し基板を接合配置して、上記光電変換素子基板からの出力電気信号を上記光電変換素子基板の背面側から取り出す。
【００１４】
出力電気信号は、複数の光電変換素子の群に対して並列的に読み出され、光電変換素子の群を２次元的に順次切り換えて、出力電気信号の読み出しを行なう。複数の光電変換素子群の各々を複数のサブ基板上に作製し、この複数のサブ基板を互いに近接させて電気信号の読み出しを行なう信号読み出し基板上に接合配置して、上記した複数段構成の光電変換素子基板の背面側から電気信号（光電変換信号）を出力させるように構成することもできる。
【００１５】
本発明のＸ線ＣＴ装置におけるＸ線検出器を構成する検出ブロックは、複数の光電変換素子が配列形成された光電変換基板，検出ブロック基板，複数のシンチレータ素子を含む。検出ブロックは、シンチレータ素子及び光電変換素子から形成されるＸ線検出素子（以下単に検出素子と云う）の複数を含む。複数のシンチレータ素子は、光学的に光電変換基板に接合される。光電変換基板は、検出ブロック基板に電気的に接合される。光電変換基板または検出ブロック基板は、光電変換素子を選択して電気信号の読み出しを切り換える素子選択部を有する。検出ブロック基板の表面（第１面）側に、出力電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択するための素子選択信号を素子選択部に供給するための選択用配線，光電変換素子からの出力電気信号を出力するための出力用配線が形成される。上記の選択用配線及び出力用配線は、各層間が絶縁されてなる多層配線構造により形成される。
【００１６】
出力用配線は、第１の方向（スライス方向又はチャネル方向）に列をなす光電変換素子に対し共通に形成され、選択用配線は上記第１の方向に直交する第２の方向に行をなす光電変換素子に対し共通に形成される。制御回路から選択用配線へ光電変換素子を選択するための選択信号が入力され、上記第２の方向に選択用配線が共通配線された光電変換素子の群からの出力電気信号が上記の出力用配線から出力される。選択すべき光電変換素子の行を切り換えて光電変換素子の群を第１の方向へ順次切り換えて出力電気信号の読み出しを行なう。
【００１７】
上記した本発明による検出器構成により、同じ列に属する光電変換素子の出力電気信号を、共通の読み出し回路でもって読み出せるので、光電変換素子からの出力電気信号を読み出すための読み出し回路の回路規模の増大を抑え、回路規模の縮減を図ることができる。
【００１８】
また、光電変換基板の背面側から出力電気信号を検出ブロック基板上へと出力するので、光電変換素子形成領域の周囲に信号出力のための配線を形成するための配線スペースを必要としないがため、検出感度，解像度の低下を防止できる。光電変換素子間の空間が大きくなって、素子配列間隔が大きくなると、検出感度及び解像度の低下を招くことになるからである。
【００１９】
本発明のＸ線ＣＴ装置のＸ線検出器では、大きな半導体基板を用いずに、複数の光電変換素子の各々を複数のサブ基板により形成して複数の検出段を構成した光電変換素子基板を使用して、複数の検出段数をもったＸ線検出ブロックを実現できる。
【００２０】
光電変換基板が複数の検出素子が配列するチャネル方向（行方向）に複数配置される場合、複数の光電変換基板にまたがる複数の素子選択部が、共通の選択用配線により電気的に接続され、出力電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択するための配線を減少できる。
【００２１】
光電変換基板がスライス方向（列方向）に複数個配置される場合、これら複数個の光電変換基板間にまたがる複数の検出素子が共通の信号用配線により電気的に接続されため、読み出し回路の規模を小さくできる。
【００２２】
本発明のＸ線ＣＴ装置のＸ線検出器では、光電変換基板，検出ブロック基板の少なくとも一方に、光電変換素子からの出力電気信号を増幅するための増幅回路が配置される。読み出し回路内で発生するノイズはＳ／Ｎ比の低下の原因となるが、上記増幅回路の下段側での発生ノイズのＳ／Ｎ比への寄与は小さくなる。
【００２３】
本発明のＸ線ＣＴ装置のＸ線検出器では、光電変換基板，検出ブロック基板の少なくとも一方が複数の基板により構成される。例えば、検出ブロック基板は、選択素子を有し選択用配線が形成された選択用配線基板と、電気信号を読み出すための出力用配線が形成された出力用配線基板とから構成され、上記選択用配線基板上に増幅回路が配置される。
【００２４】
本発明のＸ線ＣＴ装置では、光電変換基板は、電気信号出力のオン・オフ切り換えを行なうための選択素子と、該基板の第１の面（光入射面）側に形成される透明電極と、第２の面（光入射面と反対側の面）側に形成され電気信号の出力を行なう出力端子と、上記の第２の面側に形成され選択素子を制御する信号を入力するための選択端子とを有し、検出ブロック基板は、上記の透明電極に電気的に接続される基準電位用配線を有し、出力用配線は、上記の出力端子と電気的に接続され上記の第１の面側に形成される接続用出力端子と，該接続用出力端子と出力線により電気的に接続され上記光電変換基板とは接しない位置に形成されて信号収集回路と電気的に接続される外部出力端子と，信号線とを有し、第１の方向（スライス方向又はチャネル方向）に列をなす検出素子の群が対応する上記接続用出力端子は共通の出力線によって電気的に接続され、選択用配線は、選択端子と電気的に接続されて第１の面に形成される接続用選択端子と，制御回路と電気的に接続されて光電変換基板と接しない位置に形成される外部選択端子と，接続用選択端子と外部選択端子とを電気的に接続する選択線とを有し、上記第１の方向と直交する第２の方向（回転軸方向）に行をなす検出素子の群が対応する上記接続用選択端子は共通の選択線によって電気的に接続され、基準電位用配線は、光電変換基板と接しない位置に形成される基準電位入力端子と，該基準電位入力端子及び上記透明電極に電気的に接続される接続用基準電位端子とを有している。更に、上記光電変換基板の上記第２の面上に、上記接続用基準電位端子に電気的に接続される表面電極端子が形成されている。
【００２５】
若しくは、本発明のＸ線ＣＴ装置のＸ線検出器では、上記光電変換基板は上記第１の面側に形成される透明電極と上記第２の面側に形成され電気信号の出力を行なう出力端子とを有し、上記検出ブロック基板は、その第１の面側に形成され電気信号出力のオン・オフ切り換えを行なう選択素子と，上記透明電極に電気的に接続される基準電位用配線とを有し、上記選択素子は、上記の電気信号を入力する入力電極と，該入力電極に入力された上記電気信号を出力する出力電極と，上記電気信号出力のオン・オフ切り換えを行なう制御電極とを有し、上記の出力用配線は、上記入力電極と電気的に接続され上記第１の面に形成される接続用出力端子と，上記の出力線により上記出力電極に電気的に接続されて信号収集回路と電気的に接続される上記光電変換基板とは接しない位置に形成された外部出力端子と，信号線とを有し、上記の第１の方向に列をなす検出素子の群が対応する選択素子の出力電極は共通の出力線により互いに電気的に接続され、選択用配線は、制御回路と電気的に接続され光電変換基板と接しない位置に形成される外部選択端子と，制御電極と外部選択端子とを電気的に接続する選択線とを有してなり、上記第２の方向に行をなす検出素子の群が対応する選択素子の制御電極は共通の選択線によって互いに電気的に接続され、基準電位用配線は、光電変換基板と接しない位置に形成される基準電位入力端子と，上記透明電極に電気的に接続される接続用基準電位端子とを有している。更に、上記光電変換基板の上記第２の面に、上記接続用基準電位端子に電気的に接続される表面電極端子が形成されている。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明は、検出ブロックが周方向に円弧状に配置されてＸ線検出器が構成されており、回転手段によってＸ線源及びＸ線検出器を検査対象物体の周囲で回転させる第３世代方式のＸ線ＣＴ装置、および、検出ブロックが周方向に円状に配置されてＸ線検出器が構成されており、回転手段によってＸ線源を検査対象物体の周囲で回転させる第４世代方式のＸ線ＣＴ装置に対して適用される。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態につき、実施例を挙げ、図面を参照して詳細に説明する。
（実施例１）
図１に、本発明の実施例１になるＸ線ＣＴ装置の基本構成を示す。本Ｘ線ＣＴ装置は、寝台天板１２，Ｘ線源１１，Ｘ線検出器１０，回転体１６，信号収集回路９０，演算処理装置１３，表示装置１４，及び、制御回路１５から構成されている。検査対象物体Ｓは寝台天板１２上に搭載され、該検査対象物体Ｓを間に挟んでＸ線源１１とＸ線検出器１０とが対向して配置されている。Ｘ線源１１とＸ線検出器１０とは回転体１６上に固定保持されている。回転体１６は検査対象物体Ｓを略中心として回転方向１８に回転する。Ｘ線源１１からのＸ線を検査対象物体Ｓに照射してその透過Ｘ線を検出するＸ線断層撮影では、回転体１６の各回転角度で投影像を検出する。各回転角度で、検査対象物体Ｓを透過したＸ線をＸ線検出器１０で検出し電気信号（投影像）に変換する。この電気信号は、信号収集回路９０で収集され保存される。例えば、回転体１６の回転角度０．４°毎に上記投影像を検出した場合、回転体１６の１回転（３６０°回転）の間における検出投影像数は９００枚となる。
【００２８】
これら投影像の検出データは、静止系に置かれた演算処理装置１３に転送される。演算処理装置１３では、これら投影像の検出データに対しコンボルーション（畳み込み）の処理，バックプロジェクション（逆投影）の処理を行ない、検査対象物体Ｓの所望断面上でのＸ線吸収係数分布の画像（断層像）を再構成する。この再構成断層像が、表示装置１４に表示される。制御回路１５は、Ｘ線の照射タイミングの制御，Ｘ線検出器１０からの電気信号の読み出しタイミングの制御等を行なう。
【００２９】
図２に、本実施例１のＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックの構造を斜視図で示す。また、図３に、図２に示した検出ブロック２０のＸ線入射方向９２から見た回路構成を示す。
【００３０】
図１に示すＸ線検出器は、複数(Ｋ個)の検出ブロック２０を検出ブロック固定板９１上にチャネル方向２１に円弧状に固定配列した構造をしている。検出ブロック２０は、固定用ネジ穴４６を介してネジにより固定板９１上に固定されている。なお、ここでは、ｋ（＝１，２，…，Ｋ）を各検出ブロックの番号として、第ｋ番目の検出ブロック２０を２０−ｋで表わしている。
【００３１】
各検出ブロック２０は、シンチレータ素子２２，光電変換基板２３，検出ブロック基板２５を含む。光電変換基板２３は検出ブロック基板２５上に接して配置され、シンチレータ素子２２は光電変換基板２３の上に接して配置されている。検出素子は、Ｘ線を光に変換するシンチレータ素子２２と、この光を電気信号に変換する光電変換素子５９とから構成されている。各シンチレータ素子２２は、各光電変換素子５９に対応して光学的に分割されている。
【００３２】
検出素子の数は、例えば、検出ブロック２０のチャネル方向２１に平行な方向（以後、行方向と云う）で１６個，スライス方向２６に平行な方向（以後、列方向と云う）で２４個である。即ち、検出ブロックは１６行２４列の検出素子から構成される。図２では、図を簡単にするため、４行２列の場合を例に示す。光電変換素子５９−ｋ−ｉ−ｊは、検出ブロック２０−ｋ中のｉ列，ｊ行の光電変換素子を示す。光電変換素子５９−ｋ−ｉ−ｊとシンチレータ素子２２−ｋ−ｉ−ｊは、同じ検出ブロック２０−ｋ上の同じｉ列，ｊ行に対応している。光電変換基板２３−ｋ−ｍは、ｍ番目の光電変換基板（サブ基板）を示す。なお、ｉ＝１，２，…，Ｉ，ｊ＝１，２，…，Ｊ，ｍ＝１，２，…，Ｍである。検出ブロック基板２５は、どの光電変換素子の電気信号を読み出すかを選択する機能と実際に読み出しを行なう機能とをもっている。
【００３３】
図３に示すように、検出ブロック２０は、光電変換回路４１，選択素子４３，選択線６１，信号線６０，外部選択端子５３，外部出力端子５２，基準電位入力端子５４を含む。選択素子４３は、例えばＭＯＳ型のトランジスタである。光電変換素子５９−ｋ−ｉ−ｊは、光電変換回路４１−ｋ−ｉ−ｊと選択素子４３−ｋ−ｉ−ｊを含む。光電変換回路４１及び選択素子４３は光電変換基板２３上に設けられる。選択線６１，信号線６０，外部選択端子５３，外部出力端子５２，及び基準電位入力端子５４は、検出ブロック基板２５上に設けられる。
【００３４】
同じｊ行上にある光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊの選択素子４３−ｋ−ｉ−ｊのゲート電極は、共通の選択線６１−ｋ−ｊに接続され、光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊの選択を行毎に行なう。また、同じｉ列上にある光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊの選択素子４３−ｋ−ｉ−ｊのソース電極は、共通の信号線６０−ｋ−ｉに接続される。光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊからの検出信号の読み出しは、列方向に共通の読み出し回路を用いて行なう。次に、読み出しの方法の詳細を説明する。
【００３５】
検出ブロック２０に入射したＸ線は、シンチレータ素子２２によって光に変換され、この光が光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊで電気信号に変換されて、この電気信号がそこに蓄積される。制御回路１５から外部選択端子５３−ｋ−ｊに、蓄積された電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択するための信号が入力されると、同じｊ行の選択素子４３−ｋ−ｉ−ｊがオンされる。これにより、同じｊ行の光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊに蓄積されている電気信号が、外部出力端子５２−ｋ−ｉから信号収集回路９０に、同時に出力される。次に電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択するための信号が外部選択端子５３−ｋ−（ｊ＋１）に入力されると、同じ（ｊ＋１）行の光電変換素子５９ｋ−ｉ−（ｊ＋１）に蓄積されている電気信号が、信号収集回路９０に、同時に出力される。
【００３６】
このように、蓄積電気信号を読み出すべき光電変換素子の行を順次切り換えることにより、検出ブロック２０の全ての光電変換素子からの蓄積電気信号の読み出しを実行できる。このようにして、１つの方向からのＸ線投影像の取得ができる。次に、各基板の詳細な構造を説明する。
【００３７】
図４に、本発明の実施例１における光電変換基板２３の詳細構造を示す。光電変換基板２３はシリコン基板１４０からなり、該基板上に光電変換素子が２次元的に形成される。図４には、２行２列の光電変換素子５９が形成されている場合を例示した。なお、図中の１４１は、光電変換基板２３の投影面を示している。
【００３８】
図５に、本発明の実施例１における光電変換基板２３の回路構成を示す。光電変換基板２３は、光電変換回路４１，選択素子４３，透明電極４２，透明電極端子３８，出力端子４５，選択端子４４を具備する。光電変換回路４１と選択素子４３とは光電変換素子毎に設けられている。透明電極４２は光電変換基板２３の第１の面（光入射面）３２上に形成される。第１の面３２は、シンチレータ素子２２と接合する面である。選択端子４４−ｋ−ｊは、選択素子４３−ｋ−ｉ−ｊのゲート電極と電気的に接続される。
【００３９】
出力端子４５−ｋ−ｉはソース電極と電気的に接続される。透明電極端子３８−ｋ−ｍは透明電極４２と電気的に接続される。これらの端子は、光電変換基板２３の第２の面３３上に形成される。第２の面３３は、検出ブロック基板２５と接合する面である。このように、検出ブロック基板２５と接合する光電変換基板２３の第２の面３３上にそれぞれの電極に接続する端子を設けるので、読み出し回路のためのスペースを検出ブロック基板２５との間に設ける必要が無い。
【００４０】
図６は本発明の実施例１における検出ブロック基板２５の構造を示す斜視図である。検出ブロック基板２５は光電変換基板２３を支持する。検出ブロック基板２５−ｋは光電変換基板２３−ｋ−ｍと接合領域２２０−ｋ−ｍで接合される。
【００４１】
図７に、本発明の実施例１における検出ブロック基板２５の回路構成を示す。検出ブロック基板２５は、出力用配線７０，選択用配線７１及び基準電位用配線７２を含む。出力用配線７０は、接続用出力端子５５−ｋ−ｉ，信号線６０−ｋ−ｉ及び外部出力端子５２−ｋ−ｉを含む。接続用出力端子５５−ｋ−ｉと外部出力端子５２−ｋ−ｉは信号線６０−ｋ−ｉによって電気的に接続される。選択用配線７１は、接続用選択端子５６−ｋ−ｊ，選択線６１−ｋ−ｊ，外部選択端子５３−ｋ−ｉを含む。基準電位用配線７２は、接続用基準電位端子５７−ｋ−ｍ，基準電位入力端子５４−ｋ及び信号線６２（６２−ｋ）を含む。
【００４２】
同じ列ｉの光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊに接続される接続用出力端子５５−ｋ−ｉは、共通の信号線６０−ｋ−ｉにより外部出力端子５２−ｋ−ｉに電気的に接続される。接続用選択端子５６−ｋ−ｉと外部選択端子５３−ｋ−ｉは選択線６１−ｋ−ｉによって電気的に接続される。同じ行ｊの光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊに接続される接続用選択端子５６−ｋ−ｊは、共通の選択線６１−ｋ−ｊにより外部選択端子５３−ｋ−ｊに電気的に接続される。接続用基準電位端子５７−ｋ−ｍは、基準電位入力端子５４−ｋと電気的に接続される。接続用出力端子５５−ｋ−ｉ，接続用選択端子５６−ｋ−ｊ及び接続用基準電位端子５７−ｋ−ｍは、接合領域２２０−ｋ−ｍの内部に設けられる。
【００４３】
接続用出力端子５５−ｋ−ｉと出力端子４５−ｋ−ｉが、接続用選択端子５６−ｋ−ｊと選択端子４４−ｋ−ｊが、接続用基準電位端子５７−ｋ−ｍと透明電極端子３８−ｋ−ｍとがそれぞれ電気的に接続されるように、検出ブロック基板２５と光電変換基板２３−ｋ−ｍとを接合する。制御回路１５からの信号を外部選択端子５３−ｋ−ｉに入力することによって、同じ行ｊの光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊの電気信号を読み出し、この読み出した電気信号を外部出力端子５２−ｋ−ｉから信号収集回路９０に並列に出力できる。
【００４４】
図８に、本発明の実施例１における検出ブロックを構成する検出ブロック基板２５の多層配線の断面構造を示す。検出ブロック基板２５は、出力用配線７０を構成する上層２３０，基準電位用配線７２を構成する中層２３１及び選択用配線７１を構成する下層２３２の３層と、各層間の絶縁層２３３とから構成される。
接続用選択端子５６−ｋ−ｊ，接続用出力端子５５−ｋ−ｉ及び接続用基準電位端子５７−ｋ−ｍは、上記の各層から検出ブロック基板２５の第１面３４の表面まで貫通し、光電変換基板２３と電気的に接続される。  外部選択端子５３−ｋ−ｉ，外部出力端子５２−ｋ−ｉ及び基準電位入力端子５４−ｋは上記各層から検出ブロック基板２５の第１面３４の表面まで貫通し、制御回路１５および信号収集回路９０と電気的に接続される。
【００４５】
図９から図１２は本発明の実施例１における検出ブロック２０−ｋの作製方法を説明する斜視図である。図９に示すように、光電変換基板２３を検出ブロック基板２５に接合する。図９に示す例では、２行２列の光電変換基板２３−ｋ−ｍを２枚（ｍ＝１，２）用いて、４行２列の検出ブロック２０−ｋを製作する。
【００４６】
光電変換基板２３−ｋ−ｍの第２の面側に形成される出力端子４５−ｋ−ｍ−ｉと検出ブロック基板２５−ｋ上に形成される接続用出力端子５５−ｋ−ｍ−ｉとが、光電変換基板２３−ｋ−ｍの第２の面側に形成される選択端子４４−ｋ−ｍ−ｊと検出ブロック基板２５−ｋ上に形成される接続用選択端子５６−ｋ−ｍ−ｊとが、光電変換基板２３−ｋ−ｍの端面（側面）に形成される透明電極端子３８−ｋ−ｍと検出ブロック基板２５−ｋに形成される接続用基準電位端子５７−ｋ−ｍとが、それぞれハンダにて電気的に接続される。
【００４７】
図１０に示すように、シンチレータ２２−ｋは、光電変換基板２３−ｋ−ｍの第１の面３２上に、シンチレータ２２で発生する光を透過させ得る透光性接着剤を用いて、光学的に接合する。また、図１１に示すように、シンチレータ２２と光電変換基板２３とに溝１５０を形成する。なお、このうちスライス方向に平行な溝は、シンチレータ２２を貫通して光電変換基板２３の一部にまで及んで形成される。また、チャネル方向に平行な溝は、シンチレータ２２をほぼ貫通して形成されるが、光電変換基板２３に及んでは形成されない。
【００４８】
図１２に示すように、光反射膜が形成されたＣｕ又はＭｏからなるセパレータ２７を溝１５０内に挿入する。このセパレータ２７により、各シンチレータ素子２２−ｋ−ｉ―ｊは光学的に相互に分離される。
【００４９】
以下、実施例１における可能な変形例を説明する。（１）上記で説明した第３世代方式のＸ線ＣＴ装置に代えて、第４世代方式のＸ線ＣＴ装置に適用することができる。（２）列方向に並列に電気信号の読み出しを行ない行方向に順次切り換える代りに、行方向に並列に電気信号の読み出しを行ない、列方向に順次切り換えを行なうよう構成することもできる。（３）複数の光電変換基板（サブ基板）をスライス方向２６に配列する代りに、チャネル方向２１に複数の光電変換基板（サブ基板）を配置するか、または、両方向２６，２１に複数の光電変換基板（サブ基板）を配置することができる。（４）１つの信号線６０が複数の光電変換基板（サブ基板）にまたがって接続用出力端子５５と電気的に接続される代りに、１つの選択線６１が複数の光電変換基板（サブ基板）にまたがって接続用選択端子５６と電気的に接続されるように構成することもできる。（５）透明電極４２を列毎に分割する代りに、透明電極４２を行毎に分割するか、または、透明電極４２を行毎及び列毎の双方で分割するか、あるいはまた、透明電極４２を行および列の双方で分割しない構成とすることもできる。（６）シンチレータ素子２２−ｋ−ｉ―ｊを２次元的に分割して構成する代りに、チャネル方向２１又はスライス方向２６の一方向で分割するか、または、いずれの方向にも分割しない構成（シンチレータ素子が連続したシンチレータ板構成）とすることもできる。（７）透明電極４２と接続用基準電位端子５７との電気的な接続を透明電極端子３８を経て行なう代りに、透明電極４２と接続用基準電位端子５７とをボンディングにより直接電気的に接続することもできる。（８）透明電極端子３８と透明電極４２とを接続する配線を光電変換基板２３の端面（側面）上に形成する代りに、光電変換基板２３を貫通して透明電極端子３８と透明電極４２とを接続する配線を形成することもできる。（９）透明電極を複数の光電変換基板にまたがって共通に設ける構成とすることもできる。（１０）光電変換基板の隣接した面で、複数の光電変換基板の透明電極が電気的に接触する構成とすることもできる。
（実施例２）
本実施例２になるＸ線ＣＴ装置は、先の実施例１の装置構成において、図１３に示す回路構成をもつ光電変換基板２３と、図１４に示す回路構成をもつ検出器ブロック基板２５とを使用する。
【００５０】
図１３に示すように、光電変換基板２３は、光電変換回路４１，透明電極４２，透明電極端子３８，及び出力端子４５を含む。光電変換回路４１及び出力端子４５は、光電変換素子毎に配置される。透明電極４２はシンチレータ素子２２と接合される光電変換基板の第１の面（光入射面）３２上に形成される。透明電極４２は光電変換回路４１内の１つの電極である。
【００５１】
出力端子４５−ｋ−ｉ−ｊは光電変換回路４１−ｋ−ｉ−ｊの電極と電気的に接続される。透明電極端子３８−ｋ−ｍは透明電極４２と電気的に接続される。出力端子４５−ｋ−ｉ−ｊ及び透明電極端子３８−ｋ−ｍは、検出ブロック基板２５と接合される光電変換基板の第２の面（背面）３３上に形成される。このように、検出ブロック基板２５と接合される光電変換基板の背面（第２の面）上に各端子を形成するので、読み出し回路形成のためのスペースを光電変換基板２３と検出ブロック基板２５との間に確保する必要が無い。
【００５２】
図１４に示すように、検出ブロック基板２５は、選択素子４３，出力用配線７０，選択用配線７１，基準電位用配線７２を含む。出力用配線７０は、接続用出力端子５５−ｋ−ｉ−ｊ，信号線６０−ｋ−ｉ，外部出力端子５２−ｋ−ｉを含む。選択用配線７１は、選択線６１−ｋ−ｊ及び外部選択端子５３−ｋ−ｉを含む。基準電位用配線７２は、接続用基準電位端子５７−ｋ−ｍ及び基準電位入力端子５４−ｋを含む。選択素子４３，出力用配線７０，選択用配線７１，基準電位用配線７２は、検出ブロック基板２５の第１の面（上面）３４に形成される。選択素子４３及び接続用出力端子５５は、光電変換素子毎に配置される。
【００５３】
接続用出力端子５５−ｋ−ｉ−ｊは、出力端子４５−ｋ−ｉ−ｊ，及び選択素子４３−ｋ−ｉ−ｊのドレイン電極に電気的に接続される。選択素子４３−ｋ−ｉ−ｊのソース電極と外部出力端子５２−ｋ−ｉは、信号線６０−ｋ−ｉにより電気的に接続される。同じ列ｉの光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊに接続された選択素子４３−ｋ−ｉ−ｊのソース電極は、共通の信号線６０−ｋ−ｉにより互いに電気的に接続される。
【００５４】
選択素子４３−ｋ−ｉ−ｊのゲート電極と外部選択端子５３−ｋ−ｉは、選択線６１−ｋ−ｉにより電気的に接続される。同じ行ｊの光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊに接続された選択素子４３−ｋ−ｉ−ｊのゲート電極は、共通の選択線６１−ｋ−ｉにより互いに電気的に接続される。
【００５５】
接続用基準電位端子５７−ｋ−ｍは、基準電位入力端子５４−ｋに電気的に接続される。接続用出力端子５５−ｋ−ｉ，接続用選択端子５６−ｋ−ｊ，接続用基準電位端子５７−ｋ−ｍは、接合領域２２０−ｋ−ｍの内部に配置される。
【００５６】
接続用出力端子５５−ｋ−ｉと出力端子４５−ｋ−ｉが、接続用選択端子５６−ｋ−ｊと選択端子４４−ｋ−ｊが、接続用基準電位端子５７−ｋ−ｍと透明電極端子３８−ｋ−ｍが、それぞれ電気的に接続されるように、検出ブロック基板２５−ｋと光電変換基板２３−ｋ−ｍとを接合する。制御回路１５からの信号を外部選択端子５３−ｋ−ｉに入力することにより、同じ行ｊの光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊの電気信号を読み出し、該電気信号を外部出力端子５２−ｋ−ｉから信号収集回路９０に並列に出力できる。
（実施例３）
本実施例３のＸ線ＣＴ装置は、先の実施例１の装置構成において、図１５に示す検出ブロック２０を使用する。検出ブロック２０の光電変換基板２３は、光電変換を行なう機能を有する光電変換素子基板２００と、電気信号を出力すべき光電変換素子の選択を行なう機能をもつスイッチングモジュール基板２０１とから構成される。
【００５７】
図１６に示すように、光電変換素子基板２００の第２の面（背面）３５をスイッチングモジュール基板２０１の第１の面（上面）３６に接合する。光電変換素子基板２００の第１の面（光入射面）３２はシンチレータ素子２２の下面に接合される。スイッチングモジュール基板２０１の第２の面（下面）３３は検出ブロック基板２５に接合される。
【００５８】
図１７に本実施例３における光電変換素子基板２００の回路構成を示す。光電変換素子基板２００は、光電変換回路４１，透明電極４２，第２の接続用透明電極端子２０４，及び第２の接続用出力端子２０２を含む。透明電極４２は、光電変換素子基板２００の第１の面（光入射面）３２上に形成される。第２の接続用透明電極端子２０４及び第２の接続用出力端子２０２は光電変換素子基板２００の第２の面（下面）３５上に形成される。第２の接続用透明電極端子２０４は、透明電極４２に電気的に接続される。第２の接続用出力端子２０２−ｋ−ｉ―ｊは、光電変換回路４１−ｋ−ｉ―ｊの出力電極に電気的に接続される。
【００５９】
図１８に本実施例３におけるスイッチングモジュール基板２０１の回路構成を示す。スイッチングモジュール基板２０１は、選択素子４３，選択端子４４，出力端子４５，透明電極端子３８，第２の接続用透明電極端子２０５，及び第２の接続用出力端子２０３を含む。選択端子４４，出力端子４５，透明電極端子３８は、スイッチングモジュール基板２０１の第２の面３３上に形成される。
【００６０】
第２の接続用透明電極端子２０５と第２の接続用出力端子２０３は、スイッチングモジュール基板２０１の第１の面３６上に形成される。第２の接続用出力端子２０３−ｋ−ｉ―ｊは、選択素子４３−ｋ−ｉ―ｊのドレイン電極と電気的に接続される。第２の接続用出力端子２０３は、透明電極端子３８と電気的に接続される。選択端子４４−ｋ−ｉ―ｊは選択素子４３−ｋ−ｉ―ｊのゲート電極に電気的に接続される。
【００６１】
出力端子４５−ｋ−ｉ―ｊは選択素子４３−ｋ−ｉ―ｊのソース電極に電気的に接続される。第２の接続用透明電極端子２０５−ｋ−ｉ―ｊと第２の接続用透明電極端子２０４−ｋ−ｉ―ｊとが、第２の接続用出力端子２０３−ｋ−ｉ―ｊと第２の接続用出力端子２０２−ｋ−ｉ―ｊとが、それぞれ電気的に接続されるように、光電変換素子基板２００−ｋ−ｍとスイッチングモジュール基板２０１−ｋ−ｍを接合する。本実施例３のＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロック２０は、先の実施例２における検出ブロックの検出ブロック基板２５を２つの機能をもつ基板により構成したものと見做せる。
（実施例４）
本実施例４のＸ線ＣＴ装置は、先の実施例１の装置構成において、さらに光電変換基板２３で発生した電気信号を増幅する機能を具備させてなるものである。
【００６２】
図１９に、本実施例３における光電変換基板２３の回路構成を示す。光電変換基板２３は、先の実施例１における光電変換基板２３の構成に加えて、増幅回路１６４，リセット電力端子１６３，リセット選択端子１６７及び定電圧入力端子１６６を含む。増幅回路１６４は、光電変換回路４１毎に配置される。リセット電力端子１６３，リセット選択端子１６７，定電圧入力端子１６６は、光電変換基板の第２の面（下面）３３上に形成される。
【００６３】
図２０に、本実施例４における増幅回路１６４とその周辺の回路構成を示す。
増幅回路１６４はトランジスタ１６５とリセット選択素子１６８を含む。トランジスタ１６５のドレイン電極１６０は定電圧入力端子１６６と接続され、ソース電極１６１は選択素子４３のドレイン電極と電気的に接続される。トランジスタ１６５のゲート電極１６２は、光電変換回路４１の電気信号出力を行なう電極と接続され、リセット選択素子１６８の接続用定電圧入力端子１７１と電気的に接続される。
【００６４】
リセット選択電極１６９はリセット選択端子１６７に、リセット電力電極１７０はリセット電力端子１６３に、それぞれ電気的に接続される。同じ行ｊの光電変換素子５９ｋ−ｉ−ｊに接続される増幅回路１６４−ｋ−ｉ−ｊのリセット選択電極１６９−ｋ−ｉ−ｊは、共通のリセット選択端子１６７−ｋ−ｊに電気的に接続される。
【００６５】
本実施例４の光電変換基板２３では、次のようにして、電気信号の読み出しとリセットの動作を行なう。まず、リセット選択端子１６７−ｋ−ｊに、電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択するための信号を入力する。この時、リセット電力端子１６３−ｋに或る電圧をバイアス印加しておくと、光電変換回路４１−ｋ−ｉ−ｊの電極間での電位差を一意に決めることができる。
【００６６】
次に、リセット選択端子１６７−ｋ−ｊに入力していた電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択するための信号を切る（入力オフとする）。この時、光電変換回路４１−ｋ−ｉ―ｊにＸ線が入射すると、光電変換により発生する電気信号が蓄積されているので、ゲート電極１６２の電位が変化する。そのため、定電圧入力端子１６６−ｋ−ｍに定電圧をバイアスしておくと、発生した電気信号に依存する電流がソース電極１６１−ｋ−ｉ−ｊに流れる。
【００６７】
電気信号の読み出しでは、選択端子４４−ｋ−ｉ―ｊに、電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択するための信号を入力して、蓄積されている電流を出力端子４５−ｋ−ｉから出力する。次に、選択端子４４−ｋ−ｉ―ｊに入力していた信号を切って、リセット選択端子１６７−ｋ−ｊに、電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択するための信号を入力する。これにより、光電変換回路４１−ｋ−ｉ−ｊの電極間の電位差を元に戻してリセットできる。以上の動作を繰り返して、入射Ｘ線量に依存した電気信号を繰り返し収集する。
【００６８】
図２１に、本実施例４における検出ブロック基板２５の回路構成を示す。検出ブロック基板２５は、先の実施例１において示した検出ブロック基板２５の構成に加えて、接続用定電圧入力端子１７１，外部定電圧入力端子１７２，接続用リセット電力端子１７３，外部リセット電力端子１７４，接続用リセット選択端子１７５，外部リセット選択端子１７６を含む。接続用定電圧入力端子１７１，接続用リセット電力端子１７３及び接続用リセット選択端子１７５は、接合領域２２０−ｋ−ｍの内側に配置される。接合領域２２０−ｋ−ｍは、光電変換基板２３−ｋ−ｍと接合される位置である。
【００６９】
接続用定電圧入力端子１７１は外部定電圧入力端子１７２に、接続用リセット電力端子１７３は外部リセット電力端子１７４に、接続用リセット選択端子１７５は外部リセット選択端子１７６に、それぞれ電気的に接続される。接続用定電圧入力端子１７１は定電圧入力端子１６６に、接続用リセット電力端子１７３はリセット電力端子１６３に、接続用リセット選択端子１７５はリセット選択端子１６７に、それぞれ電気的に接続される。外部定電圧入力端子１７２，外部リセット電力端子１７４，外部リセット選択端子１７６は、制御回路１５に接続される。
【００７０】
本実施例４の検出ブロック２０−ｋでは、次のように読み出し動作を行なう。
まず、制御回路１５から、電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択するための信号を選択端子４４−ｋ−ｊに入力する。これにより、同一の行ｊに属する光電変換回路４１−ｋ−ｉ―ｊからの出力信号を、出力端子４５−ｋ−ｉから並列に取り出すことができる。次に、電気信号を読み出すべき光電変換素子の行をｊから（ｊ＋１）に変えると共に、リセット選択端子１６７−ｋ−ｉ―ｊに、電気信号を読み出すべき光電変換素子を選択する信号を入力する。この時、光電変換回路４１−ｋ−ｉ−（ｊ＋１）の信号を読み出すと同時に、光電変換回路４１−ｋ−ｉ―ｊの電極間の電位差をリセットする。このように電気信号を２次元的に順次読み出しながら、順次リセットを行なう。
【００７１】
本実施例では、増幅回路１６４の増幅率を光電変換素子の位置により変化させる。この増幅率は、光電変換回路４１で発生した電気信号に対してトランジスタ１６５のソース電極１６１を流れる電流の割合である。例えば、検査対象物体Ｓを透過しない直接Ｘ線がＸ線検出器１０に入射する場合には、この直接Ｘ線が入射する光電変換素子の位置での増幅回路１６４の増幅率は低くする。検査対象物体Ｓの中心を透過した強度が弱いＸ線が入射する光電変換素子の位置では、増幅回路１６４の増幅率を高くする。
【００７２】
この結果、強いＸ線の入射位置では読み出し回路での信号の飽和を防止でき、弱いＸ線が入射する光電変換素子の位置では後段の読み出し回路のノイズがＳ／Ｎ比へ与える影響を小さくできる。また、増幅回路１６４の増幅率を光電変換基板２３毎に又は検出ブロック毎に異ならせて、上記と同様の効果を実現できる。
【００７３】
本実施例４では、光電変換基板２３を機能の異なる複数の基板により構成してもよい。特に、光電変換回路４１が形成される基板と、増幅回路１６４と選択素子４３が形成される基板とにより光電変換基板２３を構成することが望ましい。
（実施例５）
本実施例５におけるＸ線ＣＴ装置では、先の実施例１から実施例４において示した装置構成において、光電変換基板２３の複数により光電変換素子が等間隔に配置される。
【００７４】
図２２に、本実施例５における光電変換基板２３の配置位置関係を示す。隣接する２つの光電変換基板２３の光電変換素子の間の距離と、光電変換基板２３の端面と光電変換素子５９の端部との距離との関係を説明する図である。
【００７５】
２つの光電変換基板２３が、スライス方向２６において、隣接面２１２で隣接する。隣接面２１２と光電変換素子５９ｋ−２−２との間隔２１１は、光電変換素子５９ｋ−２−１と光電変換素子５９ｋ−２−２との間隔２１０の（１／２）となるように配置される。光電変換素子５９ｋ−２−２と光電変換素子５９ｋ−３−２との間隔２１３は、上記の間隔２１０と等しく設定される。
【００７６】
上述のように、光電変換素子間の間隔を光電変換素子の位置によらずに等しく設定しているので、解像度の低下を防止できる。なお、間隔２１１を間隔２１０の（１／２）未満として、隣接面２１２において２つの光電変換基板の端面（側面）間の間隔を調整して、間隔２１３を間隔２１０と等しくしても、上記と同様の効果が得られる。
【００７７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、読み出し回路の規模の増大を抑えて、検出感度及び解像度の低下を防止することのできるマルチスライスＸ線ＣＴ装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１によるＸ線ＣＴ装置の基本構成を示す図。
【図２】実施例１によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックの構造を示す図。
【図３】実施例１によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックの回路構成を示す図。
【図４】実施例１によるＸ線ＣＴ装置に使用される光電変換基板の構造を示す図。
【図５】実施例１によるＸ線ＣＴ装置に使用される光電変換基板の回路構成を示す図。
【図６】実施例１によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロック基板の構造を示す図。
【図７】実施例１によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロック基板の回路構成を示す図。
【図８】実施例１によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロック基板の多層配線構造を示す図。
【図９】実施例１によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックの作製手順を説明する図。
【図１０】実施例１によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックの作製手順を説明する図。
【図１１】実施例１によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックの作製手順を説明する図。
【図１２】実施例１によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックの作製手順を説明する図。
【図１３】本発明の実施例２によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックにおける光電変換基板の回路構成を示す図。
【図１４】実施例２によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックにおける検出ブロック基板の回路構成を示す図。
【図１５】本発明の実施例３によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックの構成を示す図。
【図１６】実施例３によるＸ線ＣＴ装置に使用される光電変換素子基板の構造を示す図。
【図１７】実施例３によるＸ線ＣＴ装置に使用される光電変換素子基板の回路構造を示す図。
【図１８】実施例３によるＸ線ＣＴ装置に使用されるスイッチングモジュール基板の回路構成を示す図。
【図１９】本発明の実施例４によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックにおける光電変換基板の回路構成を示す図。
【図２０】実施例４によるＸ線ＣＴ装置に使用される増幅回路とその周辺の回路構成を示す図。
【図２１】実施例４によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックにおける検出ブロック基板の回路構成を示す図。
【図２２】本発明の実施例５によるＸ線ＣＴ装置に使用される検出ブロックにおける光電変換基板の配置関係を説明する図。
【符号の説明】
１０…Ｘ線固体検出器，１１…Ｘ線源，１２…寝台天板，１３…演算処理装置，１４…表示装置，１５…制御回路，１６…回転体，１８…回転方向，２０…検出ブロック，２１…チャネル方向，２２…シンチレータ素子，２３…光電変換基板，２５…検出ブロック基板，２６…スライス方向，２７…セパレータ，３２…光電変換基板の第１の面（光入射面），３３…光電変換基板の第２の面（背面），３４…検出ブロック基板の第１の面（上面），３５…光電変換素子基板の第２の面（下面），３６…スイッチングモジュール基板の第１の面（上面），３８…透明電極端子，４１…光電変換回路，４２…透明電極，４３…選択素子，４４…選択端子，４５…出力端子，４６…固定用ネジ穴，５２…外部出力端子，５３…外部選択端子，５４…基準電位入力端子，５５…接続用出力端子，５６…接続用選択端子，５７…接続用基準電位端子，５９…光電変換素子，６０…信号線，６１…選択線，６２…信号線，７０…出力用配線，７１…選択用配線，７２…基準電位用配線，９０…信号収集回路，９１…検出ブロック固定板，９２…Ｘ線入射方向，１４０…シリコン基板，１４１…光電変換基板の投影面，１５０…溝，１６０…ドレイン電極，１６１…ソース電極，１６２…ゲート電極，１６３…リセット電力端子，１６４…増幅回路，１６５…トランジスタ，１６６…定電圧入力端子，１６７…リセット選択端子，１６８…リセット選択素子，１６９…リセット選択電極，１７０…リセット電力電極，１７１…接続用定電圧入力端子，１７２…外部定電圧入力端子，１７３…接続用リセット電力端子，１７４…外部リセット電力端子，１７５…接続用リセット選択端子，１７６…外部リセット選択端子，２００…光電変換素子基板，２０１…スイッチングモジュール基板，２０２…第２の接続用出力端子，２０３…第２の接続用出力端子，２０４…第２の接続用透明電極端子，２０５…第２の接続用透明電極端子，２１０…間隔，２１１…間隔，２１２…隣接面，２１３…間隔，２２０…接合領域，２３０…上層，２３１…中層，２３２…下層，２３３…絶縁層，Ｓ…検査対象物体。
【図１】
0003947376.tif 000002
【図２】
0003947376.tif 000003
【図３】
0003947376.tif 000004
【図４】
0003947376.tif 000005
【図５】
0003947376.tif 000006
【図６】
0003947376.tif 000007
【図７】
0003947376.tif 000008
【図８】
0003947376.tif 000009
【図９】
0003947376.tif 000010
【図１０】
0003947376.tif 000011
【図１１】
0003947376.tif 000012
【図１２】
0003947376.tif 000013
【図１３】
0003947376.tif 000014
【図１４】
0003947376.tif 000015
【図１５】
0003947376.tif 000016
【図１６】
0003947376.tif 000017
【図１７】
0003947376.tif 000018
【図１８】
0003947376.tif 000019
【図１９】
0003947376.tif 000020
【図２０】
0003947376.tif 000021
【図２１】
0003947376.tif 000022
【図２２】
0003947376.tif 000023