(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数の内側絶縁層と、
上記内側絶縁層を厚さ方向に貫通するスルーホールと、
上記スルーホールの内壁面に形成され、内部に貫通孔を有する筒状のスルーホール導体と、
上記スルーホール導体内の上記貫通孔内に充填された樹脂充填体と、
上記内側絶縁層の外側に積層された第１外側絶縁層と、
上記内側絶縁層と上記第１外側絶縁層との層間に形成され、上記樹脂充填体を覆うと共に、上記スルーホール導体と接続する蓋メッキ層と、
上記第１外側絶縁層を厚さ方向に貫通する、上記スルーホールより小径の第１ビアホールと、
上記第１ビアホール内に形成され、上記蓋メッキ層と接続する第１ビア導体と、
上記第１外側絶縁層の外側面に積層された第２外側絶縁層と、
上記第１外側絶縁層と上記第２外側絶縁層との層間に形成され、上記第１ビア導体と接続し、その周囲に延在する第１ビアランドと、
上記第２外側絶縁層を厚さ方向に貫通する第２ビアホールと、
上記第２ビアホール内に形成され、上記第１ビアランドと接続する第２ビア導体と、
を備える配線基板であって、
上記第１ビアホールの中心軸が上記スルーホールの中心軸と一致しないように、且つ上記第１ビアホールの中心軸が上記スルーホール内に含まれるようにされ、
上記第２ビアホールの中心軸が上記第１ビアホールの中心軸を起点として上記スルーホールの中心軸側に位置し、且つ上記第２ビアホールのうち上記第１ビアランド側端部の周縁が、上記第１ビアホールのうち上記第１ビアランド側端部の周縁よりこの第１ビアホールの径方向外側に位置する
配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板であって、
前記第１ビアホールの前記第１ビアランド側端部の周縁のうち、その径方向外側に前記第２ビアホールの上記第１ビアランド側端部の周縁が位置する部分と、前記スルーホールの中心軸とが交わる
配線基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板に関し、特に筒状のスルーホール導体とこれに接続するビア導体とを有する配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の配線基板としては、図３に示す配線基板１０のようなものが知られている。配線基板１０は、図３に示すように、内側絶縁層１７の外側（図中上方）に第１外側絶縁層１８、第２外側絶縁層１９、及びソルダーレジスト層２０が積層されている。内側絶縁層１７には、これを貫通するスルーホール１２が形成され、このスルーホール１２の内壁面には筒状のスルーホール導体２１が形成されている。さらに、スルーホール導体２１内には樹脂充填体１６が形成され、さらに内側絶縁層１７と第１外側絶縁層１８との層間には、樹脂充填体１６を覆うように蓋メッキ層２２が形成されている。第１外側絶縁層１８には、第１ビアホール１１が形成され、このビアホール１１内には蓋メッキ層２２と接続する第１ビア導体１３が形成されている。さらに、第１外側絶縁層１８と第２外側絶縁層１９との層間には、第１ビア導体１３の周囲を囲んで接続する第１ビアランド１４が形成されている。第２外側絶縁層１９には、第２ビアホール３１が形成され、この第２ビアホール３１内には第１ビアランド１４と接続する第２ビア導体３３が形成されている。さらに、第２外側絶縁層１９とソルダーレジスト層２０との層間には、第２ビア導体３３の周囲を囲んで接続する第２ビアランド３４が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、樹脂の熱膨張係数は、金属の熱膨張係数よりも大きい。従って、配線基板では、内側絶縁層及び樹脂充填体の熱膨張係数が、スルーホール導体の熱膨張係数より大きい。このため、配線基板の温度が上下すると、内側絶縁層及び樹脂充填体がスルーホール導体に比べて大きく伸縮する。
ところで、図３に示すように、従来の配線基板１０では、第１ビアホール１１とスルーホール１２とが同軸に形成されていた。上述のように、配線基板１０の温度が上下すると、内側絶縁層１７及び樹脂充填体１６がスルーホール導体２１に比べて大きく伸縮する。このために、配線基板１０では、第１ビア導体１３と第１ビアランド１４との境界部１４ｂに応力が集中して、図３に破断線で示すように、この境界部１４ｂにクラックが生じることがあった。
【０００４】
このため、第１ビア導体１３と第１ビアランド１４との間の抵抗が大きくなることがあった。従って、第１ビアランド１４を介して第１ビア導体１３と接続する第２ビア導体３３と第１ビア導体１３との間の抵抗が大きくなることがあった。特に、第１ビア導体１３と第２ビア導体３３とを最短距離で結ぶ経路中に位置する境界部１４ｂにクラックが生じると、両者を結ぶ経路が長くなり、また細くなるから、両者間の抵抗が大きくなりやすい。さらに極端な場合には、環状の境界部１４ｂを一周するクラックが生じて、第１ビア導体１３と第１ビアランド１４とが断線することがあった。従って、第１ビア導体１３と第２ビア導体３３とが断線してしまうことがあった。
【０００５】
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであって、第１ビア導体と第１ビアランドとの間の抵抗や第１ビア導体と第２ビア導体との間の抵抗が大きくなりにくく、また、断線が生じ難く信頼性の高い配線基板を提供する。
【０００６】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
その解決手段は、１または複数の内側絶縁層と、上記内側絶縁層を厚さ方向に貫通するスルーホールと、上記スルーホールの内壁面に形成され、内部に貫通孔を有する筒状のスルーホール導体と、上記スルーホール導体内の上記貫通孔内に充填された樹脂充填体と、上記内側絶縁層の外側に積層された第１外側絶縁層と、上記内側絶縁層と上記第１外側絶縁層との層間に形成され、上記樹脂充填体を覆うと共に、上記スルーホール導体と接続する蓋メッキ層と、上記第１外側絶縁層を厚さ方向に貫通する、上記スルーホールより小径の第１ビアホールと、上記第１ビアホール内に形成され、上記蓋メッキ層と接続する第１ビア導体と、上記第１外側絶縁層の外側面に積層された第２外側絶縁層と、上記第１外側絶縁層と上記第２外側絶縁層との層間に形成され、上記第１ビア導体と接続し、その周囲に延在する第１ビアランドと、上記第２外側絶縁層を厚さ方向に貫通する第２ビアホールと、上記第２ビアホール内に形成され、上記第１ビアランドと接続する第２ビア導体と、を備える配線基板であって、上記第１ビアホールの中心軸が上記スルーホールの中心軸と一致しないように、且つ上記第１ビアホールの中心軸が上記スルーホール内に含まれるようにされ、上記第２ビアホールの中心軸が上記第１ビアホールの中心軸を起点として上記スルーホールの中心軸側に位置し、且つ上記第２ビアホールのうち上記第１ビアランド側端部の周縁が、上記第１ビアホールのうち上記第１ビアランド側端部の周縁よりこの第１ビアホールの径方向外側に位置する配線基板である。
【０００７】
本発明の配線基板では、第１ビアホールの中心軸がスルーホールの中心軸と一致しないように、且つ第１ビアホールの中心軸がスルーホール内に含まれるようにしている。つまり、第１ビアホールの中心軸をスルーホールの中心軸からずらし、しかも、これがスルーホール内に含まれるようにしている。従って、第１ビアランドと第１ビア導体との境界部のうち、第１ビアホールの中心軸よりスルーホールの中心軸側の部分は、その反対側の部分に比してスルーホールの中心軸の近くに位置するようになる。
ところで、内側絶縁層及び樹脂充填体とスルーホール導体との熱膨張係数の違いによる応力は、スルーホール導体を第１外側絶縁層側に延ばした筒状の領域内で最も高くなり、それよりもスルーホールの径方向内側及び外側にずれるにしたがって減少すると考えられる。このため、本発明の配線基板では、第１ビアランドと第１ビア導体との境界部のうち第１ビアホールの中心軸よりスルーホールの中心軸側の部分では、その反対側の部分よりも相対的に応力が低くなる。従って、少なくとも、上記境界部のうちビアホールの中心軸よりもスルーホールの中心軸側の部分では、クラックが生じにくくなる。
【０００８】
しかも、本発明では、第２ビアホールの中心軸を第１ビアホールの中心軸を起点としてスルーホールの中心軸側に位置させ、且つ上記第２ビアホールのうち上記第１ビアランド側端部の周縁を、上記第１ビアホールのうち上記第１ビアランド側端部の周縁よりこの第１ビアホールの径方向外側に位置させている。ここで、第１ビアホールの中心軸を起点としてスルーホールの中心軸側とは、スルーホールの中心軸と第１ビアホールの中心軸とを含む平面と直交する平面のうち、第１ビアホールを含む平面を境界としたとき、スルーホールの中心軸が含まれる側の領域をいう。また、第１ビアホールのうち第１ビアランド側端部の周縁よりこの第１ビアホールの径方向外側とは、第１ビアホールのうち第１ビアランド側端部の周縁から第１ビアホールの径方向外側の領域のことをさす。
従って、第１ビアランドと第１ビア導体との境界部のうちクラックが生じにくい部分を通って、第１ビア導体と第２ビア導体とが最短距離で結ばれることになる。このため、たとえ上記境界部のうち反対側の部分にクラックが生じたとしても、このクラックが第１ビア導体と第２ビア導体との間の抵抗に及ぼす影響は小さい。また、クラックが境界部の全周にわたって生じ、断線となることも防止できる。
【０００９】
さらに、上記配線基板であって、前記第１ビアホールの前記第１ビアランド側端部の周縁のうち、その径方向外側に前記第２ビアホールの上記第１ビアランド側端部の周縁が位置する部分と、前記スルーホールの中心軸とが交わる配線基板とすると良い。
【００１０】
本発明の配線基板では、第１ビアランドと第１ビア導体との境界部のうち、第１ビアホールの径方向外側に第１ビアランドと第２ビア導体との接続部が位置する部分と、スルーホールの中心軸とが交わる。
ところで、内側絶縁層及び樹脂充填体とスルーホール導体との熱膨張係数の違いによる応力は、スルーホール導体を第１外側絶縁層側に延ばした筒状の領域よりも内側の領域では、スルーホールの中心軸上が最も低いと考えられる。このため、上述のように配置することで、第１ビアランドと第１ビア導体との境界部のうち、その径方向外側に第１ビアランドと第２ビア導体との接続部が位置する部分にかかる応力を最も低くできるので、この部分にクラックが生じる危険性を最も低くできる。従って、本発明の配線基板は、第１ビア導体と第２ビア導体との最短経路にクラックが生じる危険性を最も低くできるので、抵抗安定性が高く、断線の危険性を最も低くすることができる。
なお、本明細書において、ビアホールの径とは、ビアホールの開口径（直径）のうち最も大きな部分を差す。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態を、図面を参照しつつ説明する。図１に示す配線基板１００は、コア基板１１０（内側絶縁層）、コア主面１１０ｂ側に積層された第１樹脂絶縁層１２０（第１外側絶縁層）、第２樹脂絶縁層１３０（第２外側絶縁層）、及びソルダーレジスト層１４０を有する。さらに、図示しないが、コア裏面側にも同様に、第１樹脂絶縁層、第２樹脂絶縁層、及びソルダーレジスト層が積層されている。
コア基板１１０は、厚さ８００μｍのガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、この厚さ方向を貫通する内径１００μｍのスルーホール１１１が多数形成されている。さらに、スルーホール１１１内には、厚さ１８ｍｍの円筒状のスルーホール導体１１２が形成されている。さらに、スルーホール導体１１２の貫通孔１１２ｂ内には樹脂充填体１１３が充填されている。
【００１２】
コア基板１１０と第１樹脂絶縁層１２０との層間には、樹脂充填体１１３を覆いつつスルーホール導体１１２と接続する、厚さ１５μｍの蓋メッキ層１１５が形成されている。第１樹脂絶縁層１２０は、厚さ３０μｍのエポキシ樹脂からなり、多数の第１ビアホール１２１が形成されている。さらに、第１ビアホール１２１内には、蓋メッキ層１１５と接続する肉厚１５μｍの第１ビア導体１２２が形成されている。さらに、第１樹脂絶縁層１２０と第２樹脂絶縁層１３０との層間には、第１ビア導体１２２の周囲に位置し、これと接続する第１ビアランド１３１が形成されている。第２樹脂絶縁層１３０は、厚さ３０μｍのエポキシ樹脂からなり、多数の第２ビアホール１３５が形成されている。さらに、第２ビアホール１３５内には、第１ビアランド１３１と接続する肉厚１５μｍの第２ビア導体１３６が形成されている。さらに、第２樹脂絶縁層１３０とソルダーレジスト層１４０との層間には、第２ビア導体１３６の周囲に位置し、これと接続する第２ビアランド１４１が形成されている。さらに、図示してないが、ソルダーレジスト層１４０には貫通孔が形成されており、第２ビアランド１４１と接続する配線層の一部を露出させてパッドを形成している。配線基板１００には、このパッドを利用して、図示しないＩＣチップ等の電子部品が搭載される。
【００１３】
さらに、本実施形態の配線基板１００では、第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２がスルーホール１１１の中心軸Ｃ１と一致しないように、且つ第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２がスルーホール１１１内に含まれるようにしている。つまり、上面視した位置関係を図２に示すように、第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２をスルーホール１１１の中心軸Ｃ１からずらし、しかも、これがスルーホール１１１内に含まれるようにしている。従って、第１ビアランド１３１と第１ビア導体１２２との境界であるリング状の境界部１３１ｂのうち、第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２よりスルーホール１１１の中心軸Ｃ１側（図中右側）の部分である中心軸Ｃ１側境界部１３１ｆは、その反対側の部分である反対側境界部１３１ｇに比してスルーホール１１１の中心軸Ｃ１の近くに位置するようになる。
【００１４】
ところで、配線基板１００では、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなるコア基板１１０の厚さ方向の熱膨張係数、及びエポキシ樹脂からなる樹脂充填体１１３の熱膨張係数が約４０ｐｐｍ、銅からなるスルーホール導体１１２の熱膨張係数が約１８ｐｐｍとなっている。従って、コア基板１１０及び樹脂充填体１１３の熱膨張係数がスルーホール導体１１２の熱膨張係数よりもおよそ２倍以上大きいために、配線基板１００の温度が上下すると、コア基板１１０及び樹脂充填体１１３がスルーホール導体１１２に比べて大きく伸縮する。このため、コア基板１１０及び樹脂充填体１１３とスルーホール導体１１２との熱膨張係数の違いによる応力は、スルーホール導体１１２を樹脂絶縁層１２０側に延ばした筒状の領域で最も高くなり、それよりもスルーホール１１１の径方向内側及び外側にずれるにしたがって減少すると考えられる。
このため、中心軸Ｃ１側境界部１３１ｆは、反対側境界部１３１ｇよりも相対的に応力が低くなる。従って、少なくとも、中心軸Ｃ１側境界部１３１ｆでは、クラックが生じにくくなる。
【００１５】
しかも、本実施形態の配線基板１００では、図２に示すように、第２ビアホール１３５の中心軸Ｃ３を第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２を起点としてスルーホール１１１の中心軸Ｃ１側（図中右側）の領域に位置させ、且つ第２ビアホール１３５のうち第１ビアランド１３１側端部の周縁部１３５ｂを、第１ビアホール１２１のうち第１ビアランド１３１側端部の周縁部１２１ｆより第１ビアホール１２１の径方向外側の領域に位置させている。ここで、第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２を起点としてスルーホール１１１の中心軸Ｃ１側の領域とは、スルーホールの中心軸Ｃ１と第１ビアホールの中心軸Ｃ２とを含む平面Ｆ２と直交する平面のうち、第１ビアホールＣ２を含む平面Ｆ１を境界としたとき、スルーホール１１１の中心軸Ｃ１が含まれる側の領域のことをいう。つまり、図２において、平面Ｆ１より右側の領域を差す。
【００１６】
従って、第１ビアランド１３１と第１ビア導体１２２との境界部１３１ｂのうちクラックが生じにくい中心軸Ｃ１側境界部１３１ｆを通って、第１ビア導体１２２と第２ビア導体１３６とが最短距離で結ばれることになる。このため、たとえ反対側境界部１３１ｇにクラックが生じたとしても、このクラックが第１ビア導体１２２と第２ビア導体１３６との間の抵抗に及ぼす影響は小さい。また、クラックが境界部１３１ｂの全周にわたって生じ、断線となることも防止できる。
【００１７】
特に、本実施形態の配線基板１００では、図２に示すように、第１ビアホール１２１の第１ビアランド１３１側端部の周縁部１２１ｆのうち、その径方向外側に第２ビアホール１３５の第１ビアランド１３１側端部の周縁部１３５ｂが位置する部分１２１ｄと、スルーホール１１１の中心軸Ｃ１とが交わるように、スルーホール１１１、第１ビアホール１２１、及び第２ビアホール１３５を配置している。ここで、第１ビアホール１２１の第１ビアランド１３１側端部の周縁部１２１ｆのうち、その径方向外側に第２ビアホール１３５の第１ビアランド１３１側端部の周縁部１３５ｂが位置する部分とは、図２において、周縁部１２１ｆのうち、太破線で示す第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２から周縁部１３５ｂに引いた接線Ｔ１とＴ２に挟まれた部分１２１ｄを指す。従って、第１ビアランド１３１と第１ビア導体１２２との境界部１３１ｂのうち、その径方向外側に第１ビアランド１３１と第２ビア導体１３６との接続部１３６ｂが位置する部分である接続側境界部１３１ｄと、スルーホール１１１の中心軸Ｃ１とが交わる。
【００１８】
ところで、コア基板１１０及び樹脂充填体１１３とスルーホール導体１１２との熱膨張係数の違いによる応力は、スルーホール導体１１２を第１樹脂絶縁層１２０側に延ばした筒状の領域よりもスルーホール１１１の径方向内側の領域では、スルーホール１１１の中心軸Ｃ１上が最も低いと考えられる。このため、上記のように配置することで、接続側境界部１３１ｄにかかる応力を最も低くできるので、接続側境界部１３１ｄにクラックが生じる危険性を最も低くできる。従って、第１ビア導体１２２と第２ビア導体１３６との最短経路にクラックが生じる危険性を最も低くできるので、抵抗安定性が高くなり、断線の危険性を最も低くした信頼性の高い配線基板とすることができる。なお、コア裏面側にもビア導体、ビアランド、配線層等が、コア主面１１０ｂ側と同様に形成されている。
【００１９】
このような配線基板１００は、次のようにして製造する。なお、ここではコア裏面側についての説明を省略するが、コア裏面側についてもコア主面１１０ｂ側と同様に形成するものとする。
まず、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、両面に銅箔を張り付けた、厚さ約１．０ｍｍのコア基板１１０を用意する。そして、コア基板１００の所定の位置に、ドリルまたはレーザによって、これを貫通する多数のスルーホール１１１を穿孔する。その後、公知の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃｕメッキによって、スルーホール１１１内にスルーホール導体１１２を形成する。次いで、スルーホール導体１１２の貫通孔１１２ｂ内に樹脂ペーストを印刷充填し、熱硬化させて樹脂充填体１１３を形成する。次に、コア主面１１０ｂ上に、樹脂充填体１１３を覆いつつスルーホール導体１１２と接続するような、直径１８０μｍ、厚さ１５μｍの蓋メッキ層１１５をエッチングにより形成する。
【００２０】
次いで、コア主面１１０ｂ及び蓋メッキ層１１５上に、第１ビアホール１２１を有する第１樹脂絶縁層１２０を形成する。具体的には、未硬化感光性樹脂を貼り付け、フォトリソグラフィ技術により、露光・現像・硬化させて、第１ビアホール１２１を有する第１樹脂絶縁層１２０を形成する。なお、第１ビアホール１２１は、中心軸Ｃ２をスルーホール１１１の中心軸Ｃ１から３０μｍずらし、第１樹脂絶縁層１２０の主面１２０ｂ側の内径を６０μｍとして、蓋メッキ層１１５に近づくにつれて内径が小さくなるテーパ状に形成する。このとき、図２に示すように、ビアホール１２１のうち第１樹脂絶縁層１２０の主面１２０ｂ側の周縁部１２１ｆと、スルーホール１１１の中心軸Ｃ１とが交わる。
【００２１】
その後、公知の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃｕメッキ及びエッチングによって、第１ビアホール１２１内に肉厚１５μｍの第１ビア導体１２２を形成し、第１樹脂絶縁層１２０の主面１２０ｂに第１ビアランド１３１を形成する。第１ビアランド１３１は、図２に示すような厚さ１５μｍの小判形状で、ビア導体１２２の周囲に位置してこれと接続する。次いで、第１樹脂絶縁層１２０と同様な形成手法で、第１樹脂絶縁層１２０の主面１２０ｂ及び第１ビアランド１３１上に、第１ビアホール１２１と同形状の第２ビアホール１３５を有する第２樹脂絶縁層１３０を形成する。なお、図２に示すように、第２ビアホール１３５の中心軸Ｃ３が、スルーホール１１１の中心軸Ｃ１及び第１ビアホール１２１の中心軸Ｃ２と一直線上に並ぶように、第２ビアホール１３５を形成する。
【００２２】
その後、公知の無電解Ｃｕメッキ、電解Ｃｕメッキ及びエッチングによって、第２ビアホール１３５内に肉厚１５μｍの第２ビア導体１３６を形成し、第２樹脂絶縁層１３０の主面１３０ｂに第２ビアランド１４１、及びこれと接続する図示しない配線層を形成する。第２ビアランド１４１は、外径１００μｍ、厚さ１５μｍのリング形状で、第２ビア導体１３６の周囲に位置してこれと接続する。
次いで、ソルダーレジスト層１４０を積層し、露光・現像して所定の位置に図示しない貫通孔を形成すると共に、上記配線層の一部をこの貫通孔から露出させた図示しないパッドを形成する。このようにして、配線基板１００が完成する。
【００２３】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、内側絶縁層を１層のコア基板１１０として、これらを貫通するスルーホール１１１を形成したが、内側絶縁層を複数の絶縁層として、この複数の絶縁層を貫通するスルーホールを形成しても良い。
また、コア基板１１０の両面に樹脂絶縁層１２０、第１ビア導体１２２等を形成したが、コア基板１１０の主面１１０ｂ側のみに形成しても良い。
また、第１ビア導体１２２としては、第１ビアホール１２１を充填しない非充填ビア導体としたが、第１ビアホール１２１を導体により完全に充填する充填ビア導体としても良い。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施形態にかかる配線基板１００の要部を示す部分断面図である。
【図２】  実施形態にかかる配線基板１００の要部を示す上面透視図である。
【図３】  従来の配線基板１０の要部を示す部分断面図である。
【符号の説明】
１０，１００  配線基板
１７，１１０  コア基板（内側絶縁層）
１２，１１１  スルーホール
２１，１１２  スルーホール導体
１１２ｂ  貫通孔
１６，１１３  樹脂充填体
２２，１１５  蓋メッキ層
１８，１２０  第１樹脂絶縁層（第１外側絶縁層）
１９，１３０  第２樹脂絶縁層（第２外側絶縁層）
１１，１２１  第１ビアホール
３１，１３５  第２ビアホール
１２１ｄ  第１ビアホールの第１ビアランド側端部の周縁のうち、その径方向外側に第２ビアホールの第１ビアランド側端部の周縁が位置する部分
１３，１２２  第１ビア導体
１４，１３１  第１ビアランド
３３，１３６  第２ビア導体
３４，１４１  第２ビアランド
１４ｂ，１３１ｂ  境界部
１３６ｄ  接続部
１３１ｄ  接続側境界部
Ｃ１  スルーホール１１１の中心軸
Ｃ２  第１ビアホール１２１の中心軸
Ｃ３  第２ビアホール１３５の中心軸
【図１】
0003959267.tif 000002
【図２】
0003959267.tif 000003
【図３】
0003959267.tif 000004