(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つ以上の半導体素子を基板の片面又は両面に搭載してなる半導体装置において、前記基板の周辺部にその厚みを漸減する傾斜部を備え、当該半導体装置は電子内視鏡の先端ユニットの鏡枠内に組み込まれ、該傾斜部個所は外部信号線の配設に用いられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記基板の傾斜部は、基板の上面又は下面に形成した面取り部で構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板の傾斜部は、基板の上面及び下面に形成した面取り部で構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記面取り部は、その表面がほぼ平面状をなしていることを特徴とする請求項２又は３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記面取り部は、その表面が凹面状をなしていることを特徴とする請求項２又は３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記面取り部は、その表面が凸面状をなしていることを特徴とする請求項２又は３記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置に関し、特に電子内視鏡の先端部等の微小ユニット内に組み込まれて用いられる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、電子内視鏡の先端部等の微小ユニット内に組み込まれる半導体装置としては、例えば特開昭６３−３０８９５４号公報には、図６に示すような構成のものが開示されている。すなわち、図６において、１は基板で、該基板１上にはＩＣチップ２がボンディングワイヤ３で接続され、封止樹脂４で封止して搭載されており、また基板１には抵抗やコンデンサ等のチップ部品５が接続されて搭載され、半導体装置６を構成している。
【０００３】
そして、このように構成された半導体装置６が電子内視鏡の先端部ユニット内に組み込まれるときは、図７に示すように、該ユニットの鏡枠11内において、固体撮像素子等のパッケージ12の一方の端子13に、半導体装置６の基板１の一端が半田付けにより接続されて固着され、外部信号線15の一方が半導体装置６のチップ部品５に半田付けにより接続され、他方がパッケージ12の他方の端子14に半田付けにより接続されるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、このように電子内視鏡の先端部等のユニット内に半導体装置を組み込んだ場合、ユニットが大きい場合には問題は生じないが、ユニットが小さくなり半導体装置の配置スペースが限られてくると、図７に示すように、半導体装置に接続する外部信号線と鏡枠とが干渉しあい始めるばかりでなく、半導体基板の配設・接続作業が極めて困難となり、ユニットの小型化も困難である。これは、半導体装置を構成する基板がある一定の厚みをもっていることが一因となっており、したがって基板自体を薄くすることも考えられるが、基板自体を薄くすると基板強度が低下し、基板割れ等が発生する。
【０００５】
本発明は、従来の半導体装置における上記問題点を解消するためになされたもので、基板強度を損なうことなく小型化を図り、微小ユニット内への組み込みも精度よく且つ作業性よく行えるようにした半導体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため、請求項１記載の発明は、少なくとも１つ以上の半導体素子を基板の片面又は両面に搭載してなる半導体装置において、前記基板の周辺部にその厚みを漸減する傾斜部を備え、当該半導体装置は電子内視鏡の先端ユニットの鏡枠内に組み込まれ、該傾斜部個所は外部信号線の配設に用いられることを特徴とするものである。また請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体装置において、基板の傾斜部を基板の上面又は下面に形成した面取り部で構成するものであり、請求項３記載の発明は、請求項１記載の半導体装置において、基板の傾斜部を基板の上面及び下面に形成した面取り部で構成するものである。また請求項４，５，６記載の各発明は、請求項２又は３記載の半導体装置において、面取り部を、その表面がほぼ平面状あるいは凹面状あるいは凸面状をなすように構成するものである。
【０００７】
このように半導体装置を構成することにより、基板の強度を保持しながら、外部信号線等の他の部材との配置関係において実質的に厚さを薄くすることができ、小型化を図ることができる。特に面取り部の表面を凸面状とすることにより、面取り部によるエッジ部をなくすことができ、外部信号線の接触時の被覆破れや断線を有効に防止することが可能となる。
【０００８】
【発明の実施の形態及び実施例】
次に実施例について説明する。図１は本発明に係る半導体装置の第１実施例を示す断面図であり、図６に示した従来例と同一又は対応する部材には同一符号を付して示している。図１において、21は基板でセラミック，ガラス繊維強化エポキシ樹脂，ガラス，金属等で構成され、一端の下面には面取り部22が形成されている。面取り部22の形成手段としては、比較的エッチング処理のしやすいガラス，シリコン，金属を用いている場合は、乾式あるいは湿式のエッチング処理により面取り部を形成する。一方エッチング処理が難しいセラミックやガラス繊維強化エポキシ樹脂を用いている場合は、例えばグラインダー等の機械的加工により面取り部を形成する。厚さ0.4 mm，長さ５mm程度の基板においては、面取り部の面取り深さは0.1 〜0.3 mm程度、面取り部の長さは端面より0.8 〜1.0 mm程度が望ましい。
【０００９】
そして、このように下面に面取り部22を形成した基板21の表面には、信号処理用ＩＣ，演算用ＩＣ，メモリー用ＩＣ等のＩＣチップ２をボンディングワイヤ３で接続し、エポキシ，フェノール，シリコン等の封止樹脂４で封止して搭載し、また抵抗やコンデンサ等のチップ部品５を接続して搭載し、半導体装置６を構成している。
【００１０】
このように構成された半導体装置を、図２に示すように、電子内視鏡の先端部ユニット内に組み込んで用いる場合には、従来例と同様に、該ユニットの鏡枠11内において、固体撮像素子等のパッケージ12の一方の端子13に、半導体装置６の基板１の一端が半田付けにより接続されて固着され、外部信号線15の一方が半導体装置６のチップ部品５に半田付けにより接続され、他方がパッケージ12の他方の端子14に半田付けにより接続されるようになっている。その際、半導体装置を構成している基板21には面取り部22が形成されているので、基板21の強度を損なわずに実質的に薄くでき、外部信号線15が鏡枠11と干渉する度合いが少なくなり、外部信号線15の引回し等もスムーズに行え、微小ユニット内への組み込みを精度よく且つ作業性よく行うことができる。なお、上記実施例ではＩＣチップ２の基板21への接続をワイヤーボンド方式としたものを示したが、フリップチップ方式としてもよいことは勿論である。また、外部信号線15は通常２〜10本程度で構成されており、パッケージ12の端子14及び半導体装置６のチップ部品５の他に、半導体装置６の基板21にも半田付けにより接続されている。
【００１１】
図３は、本発明の第２実施例を示す断面図である。この実施例は、面取り部22を基板21の上面に形成したもので、第１実施例と同様な効果が得られる。また、面取り部22は第１又は第２実施例に示したように基板21の下面又は上面にのみ設ける代わりに、基板の両面に設けることができ、この場合は基板の更に薄型化を図ることができる。
【００１２】
図４は、第３実施例を示す断面図であり、この実施例は、基板21の下面に設けた面取り部22ａの表面を凹面状としたものである。このように構成することにより第１実施例と同様の効果が得られると共に、ユニット内に配置する場合に、更に配置の自由度の向上を図ることができる。
【００１３】
図５は、第４実施例を示す断面であり、この実施例は、基板21の下面に設けた面取り部22ｂの表面を凸面状としたものである。このように構成することにより面取り部22ｂの境界にはエッジ部が形成されないため、ユニット内に組み込んだ場合、基板21の面取り部22ｂに外部信号線15が接触しても、被覆が破れたり、断線が生じたりするのを有効に防止することができる。
【００１４】
【発明の効果】
以上実施例に基づいて説明したように，本発明によれば、基板の強度を損なわずに実質的に基板を薄型化することができ、半導体装置の小型化を図ることができ、微小ユニット内への組み込みも精度よく且つ作業性よく行うことが可能となる。また特に基板に設ける面取り部の表面を凸面状とすることにより、エッジ部をなくし外部信号線の接触時の被覆破れや断線を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体装置の第１実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示した第１実施例の半導体装置を電子内視鏡の先端部ユニット内に組み込んだ態様を示す図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の第３実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の第４実施例を示す断面図である。
【図６】従来の半導体装置の構成例を示す断面図である。
【図７】図６に示した半導体装置を電子内視鏡の先端部ユニット内に組み込んだ態様を示す図である。
【符号の説明】
１  基板
２  ＩＣチップ
３  ボンディングワイヤ
４  封止樹脂
５  チップ部品
６  半導体装置
11  鏡枠
12  パッケージ
13，14  端子
15  外部信号線
21  基板
22  面取り部
22ａ  凹面状面取り部
22ｂ  凸面状面取り部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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