(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の絶縁基板と、この絶縁基板の上面において間隔を隔てて設けられた一対の上面電極と、これらの上面電極の全体を覆うとともにこれらの間をつなぎ、長手方向中間部が両端部より細幅とされた抵抗体と、上記絶縁基板の下面において間隔を隔てて設けられた一対の下面電極と、上記絶縁基板の端面を覆い、かつ上記上面電極と上記下面電極との間をつなぐ一対の端面電極と、を備えたチップ抵抗器を製造する方法であって、第１の方向に延びる第１切断ラインおよび上記第１の方向と直交する第２の方向に延びる第２切断ラインにより区画されたチップ抵抗器形成領域が、上記第１の方向および上記第２の方向に並ぶようにして複数設定された材料基板を用いてチップ抵抗器を製造する方法において、
金属有機物ペーストを用いた印刷・焼成により、上記材料基板に対して上記上面電極および上記下面電極に対応する上面導体膜および下面導体膜を厚膜形成する上面電極形成工程および下面電極形成工程と、
抵抗体成分を堆積させて上記抵抗体に対応する抵抗膜を薄膜形成する抵抗体形成工程と  、
導電性樹脂ペーストを用いて上記端面電極に対応する端面導体膜を厚膜形成する端面電極形成工程と、
を含むことを特徴とする、チップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
上記材料基板として、上面および下面のそれぞれが平坦面とされた分割溝を有しないものを用いる、請求項１に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
上記端面電極形成工程に先立って、上記材料基板を上記第１切断ラインに沿って切断し、上記材料基板を複数の短冊片とする切断工程をさらに含んでおり、
上記下面電極形成工程は、上記材料基板の下面に、上記第１切断ラインを覆うようにして上記第１の方向に一連に延びる帯状の導体膜を形成する作業を含んでいる、請求項２に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項４】
上記上面導体膜および下面導体膜は、厚みが２０００〜３０００Åに形成される、請求項１ないし３のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項５】
上記短冊片を上記第２切断ラインに沿って切断する追加の切断工程をさらに含んでおり、
上記追加の切断工程は、回転ブレードまたはレーザを用いて行われる、請求項３または４に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項６】
上記抵抗体の形成工程は、上記材料基板上の略全面に抵抗体材料を堆積させた後に、エッチング処理を施すことにより行われ、
上記エッチング処理は、上記上面導体膜の全体を上記抵抗膜により被覆した状態となるように行われる、請求項１ないし５のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項７】
上記抵抗体の形成工程は、開口部が形成されたマスクを上記材料基板上に位置させた状態で、上記開口部を介して上記材料基板上に抵抗体材料を堆積させることにより行われる、請求項１ないし５のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、抵抗体が薄膜として構成された角形のチップ抵抗器を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
角形のチップ抵抗器としては、従来より図１４および図１５に示したものがある。これらの図に示したチップ抵抗器９は、絶縁基板９０、一対の上面電極９１、抵抗体９２、一対の下面電極９３、端面電極９４、保護膜９５、めっき層９６を有している。このチップ抵抗器９は、縦横に延びる複数の分割溝が形成され、これらの分割溝によって縦方向および横方向に並ぶ複数のチップ抵抗器形成領域が設定された材料基板を用いて製造することができる。
【０００３】
一対の上面電極９１、一対の下面電極９３および抵抗体９２は、厚膜印刷技術を用いて個別に形成することができる。たとえば材料基板上に材料ペーストを印刷した後に材料ペーストを焼成すれば、複数のチップ抵抗器形成領域に対して、上面電極９１、下面電極９３、あるいは抵抗体９２を一括して形成することができる。最終的には、個々のチップ抵抗器９は、分割溝に沿って材料基板を分割することにより形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
厚膜印刷では、材料ペーストとして鉛ガラスペーストに導体粒子を分散させたものが汎用されている。しかしながら、環境問題を考慮した場合、鉛入りのガラスペーストを使用するのは好ましくない。
【０００５】
また、分割溝を有する材料基板を使用した場合には、チップサイズの小型化に伴って次の問題が起こりうる。
【０００６】
第１の問題は、分割溝への材料ペーストの流れ込みにより生じる問題である。材料ペーストを印刷した場合、分割溝に材料ペーストが流れ込むことがある。たとえば上面電極用の材料ペーストが縦方向に延びる分割溝に流れ込んだ場合には、縦方向に隣接する上面電極９１の相互間が電気的に導通してしまうことがある。一方、材料基板上に抵抗体９２を形成した後には、抵抗体９２の抵抗値を測定した上で、抵抗体９２の抵抗値の調整が行われる。抵抗値の測定は、一対の上面電極９１の間にプローブを接触させた状態で行われる。このため、隣接する上面電極９１の間が導通したならば、当該上面電極９１間を繋ぐ抵抗体９２は並列回路を構成することとなって、当該抵抗体９２の抵抗値の測定を適切に行うことができない。とくに、チップサイズの小型化に伴って、材料基板上で隣接する上面電極９１の間の距離が小さくなれば、上述した不具合が起こりやすくなる。
【０００７】
一方、抵抗体用の材料ペーストや下面電極用の材料ペーストが分割溝に流れ込んだ場合には、分割溝に沿って材料基板を分割すれば、それが製品（チップ抵抗器）の周辺部に残り、体裁が悪い。分割溝に材料ペーストが流れ込んだ場合の不具合を解消するためには、材料ペーストを焼成した後にエッチングにより不要分を取り除くことが考えられる。しかしながら、チップサイズを小さくすることにともなって、分割溝の幅寸法が小さくなれば、分割溝に入り込んだ不要分を除去するのは困難であるばかりか、エッチング処理を行うのは作業効率が悪化し好ましくない。
【０００８】
第２の問題は、実装不良率が大きくなるという問題である。外力を作用させて分割溝に沿って材料基板を分割した場合には、チップに欠けなどが生じて形状が悪くなる。とくに、チップサイズが小さく場合には、欠けなどが形状に与える影響が大きく、実装不良が生じやすくなる傾向にある。
【０００９】
第３の問題は、歩留まりが低下するという問題である。チップを小型化する場合には、材料基板の厚みも小さくする必要がある。その場合には、材料ペーストの印刷や焼成などといった各工程において、材料基板に割れが生じやすくなる。その結果、不良率が多くなって歩留まりが低下し、製造コストが高くなってしまう。
【００１０】
本願発明は、このような事情のもとに考えだされたものであって、チップ抵抗器の鉛フリー化を実現しつつ、抵抗体の抵抗値の調整を適切に行うことができ、しかも小型化しても実装不良が生じにくく、歩留まりの低下を抑制することができる製造方法を提供することを課題としている。
【００１１】
【発明の開示】
本願発明では、上記した課題を解決するために次の技術的手段を講じている。
【００１２】
すなわち、本願発明により提供されるチップ抵抗器の製造方法は、矩形状の絶縁基板と、この絶縁基板の上面において間隔を隔てて設けられた一対の上面電極と、これらの上面電極の全体を覆うとともにこれらの間をつなぎ、長手方向中間部が両端部より細幅とされた抵抗体と、上記絶縁基板の下面において間隔を隔てて設けられた一対の下面電極と、上記絶縁基板の端面を覆い、かつ上記上面電極と上記下面電極との間をつなぐ一対の端面電極と、を備えたチップ抵抗器を製造する方法であって、第１の方向に延びる第１切断ラインおよび上記第１の方向と直交する第２の方向に延びる第２切断ラインにより区画されたチップ抵抗器形成領域が、上記第１の方向および上記第２の方向に並ぶようにして複数設定された材料基板を用いてチップ抵抗器を製造する方法において、金属有機物ペーストを用いた印刷・焼成により、上記材料基板に対して上記上面電極および上記下面電極に対応する上面導体膜および下面導体膜を厚膜形成する上面電極形成工程および下面電極形成工程と、抵抗体成分を堆積させて上記抵抗体に対応する抵抗膜を薄膜形成する抵抗体形成工程と、導電性樹脂ペーストを用いて上記端面電極に対応する端面導体膜を厚膜形成する端面電極形成工程と、を含むことを特徴としている。
【００１４】
この製造方法では、上面電極および下面電極に対応する導体膜が金属有機物ペーストを用いた印刷・焼成により形成され、抵抗体に対応する抵抗膜が堆積法により形成され、好ましくは、端面電極に対応する導体膜が導電性樹脂ペーストにより形成される。金属有機物ペーストは、金属有機物を溶剤に溶かしてペースト状としたものであり、導電性樹脂ペーストは樹脂ペースト(樹脂を溶剤に溶かしたもの)に導電性物質を分散させたものである。このため、金属有機物や導電性樹脂では、金属や導電性物質として鉛を用いる必然性はなく、しかもバインダとして鉛ガラス以外のものを用いるため、上面電極、下面電極および端面電極が鉛を含まないものとして形成することができる。また、堆積法では、抵抗成分が直接的に膜形成されるため、抵抗体形成材料に鉛を含めなければ、抵抗体も鉛を含まないものとすることができる。このように、本願発明により得られるチップ抵抗器では、各電極や抵抗体が鉛を含まないものとすることができるため、鉛フリー化を実現できる。
【００１５】
好ましい実施の形態においては、上記材料基板として、上面および下面のそれぞれが平坦面とされた分割溝を有しないものを用いる。
【００１６】
この製造方法では、分割溝を有しない材料基板を用いてチップ抵抗器が製造されるため、分割溝への材料ペーストの流れ込みによる問題は生じ得ない。たとえば、材料基板上で隣接する上面電極間が電気的に導通しにくくなり、抵抗体の抵抗値の測定を適切に行えるようになる。また、チップ抵抗器の周辺部に材料ペーストに起因する不要分が残るようなことも起こりにくく、体裁の悪化も抑制できる。
【００１７】
そして、チップを小型化する場合には、材料基板の厚みも小さくする必要があるが、材料基板に分割溝が形成されていなければ、材料ペーストの印刷や焼成などといった各工程においても、材料基板が割れてしまうといった事態も生じにくくなる。その結果、不良率が小さくなって歩留まりが向上し、製造コストを低減することができるようになる。
【００１８】
好ましい実施の形態においては、上記端面電極形成工程に先立って、上記材料基板を上記第１切断ラインに沿って切断し、上記材料基板を複数の短冊片とする切断工程をさらに含んでおり、上記上面電極形成工程は、上記材料基板の上面に、上記第１切断ラインを覆うようにして上記第１の方向に一連に延びる帯状の導体層を複数形成する作業を含んでいる。
【００１９】
分割溝を有さず、仮想的な第１および第２切断ラインが設定された材料基板を用いる場合には、上面電極および下面電極形成工程において、分割溝や第１および第２切断ラインを基準としてマスクを載置することはできない。したがって、たとえば下面電極を第１の切断ラインの延びる方向に分散させて形成した場合には、マスクの位置ずれに起因して、所望通りに下面電極を形成できないことがある。このような状態で第２切断ラインに沿って短冊片を切断して個片化した場合には、各個片の下面電極がずれて形成されてしまい、回路基板などに実装できないものともなりかねない。つまり、歩留まりの低下が懸念される。
【００２０】
これに対して、材料基板に対して帯状に延びる導体層を形成すれば、切断工程において短冊片とした場合、短冊片の下面における両側部に帯状に延びる導体層が形成される。したがって、短冊片を第２切断ラインに沿って切断して個片とした場合には、各個片の下面における両端部に、これらの端部を横断するようにして一対の下面電極が帯状に形成される。つまり、分割溝などの位置決め基準がない材料基板を用いたとしても、下面電極の延びる方向に関しては、位置ずれが生じず、下面電極形成不良の製品数を低減して歩留まりの低下を抑制することができる。
【００２１】
ここで、上面電極および下面電極となるべき上面導体膜および下面導体膜の厚みは、たとえば２０００〜３０００Åとするのが好ましい。この程度の厚みでれば、回転ブレードまたはレーザを用いれば、材料基板とともに導体膜を適切に切断し、材料基板を短冊片とすることができるようになる。また、本願発明では、短冊片を上記第２切断ラインに沿って切断する追加の切断工程をさらに含んでおり、この場合にも、回転ブレードまたはレーザを用いて短冊片を適切に切断することができる。そして、外力を作用させずに、回転ブレードやレーザを用いて材料基板や短冊片を分割した場合には、チップに欠けなどが生じにくくなってチップの外形が安定し、回路基板などにチップ抵抗器を実装する場合の不良が生じにくくなる。
【００２２】
好ましい実施の形態においては、上記抵抗体の形成工程は、上記抵抗体の形成工程は、上記材料基板上の略全面に抵抗体材料を堆積させた後に、エッチング処理を施すことにより行われ、上記エッチング処理は、上記上面導体膜の全体を上記抵抗膜により被覆した状態となるように行われる。上記抵抗体の形成工程は、開口部が形成されたマスクを上記材料基板上に位置させた状態で、上記開口部を介して上記材料基板上に抵抗体材料を堆積した後、マスクを除去することにより行ってもよい。
【００２３】
上面導体膜の全体を覆った状態でエッチング処理を行う場合には、抵抗膜の形成において、上面導体膜が腐食してしまうことはない。一方、マスクを用いて抵抗材料を堆積させる方法では、エッチング処理する必要がないために、抵抗膜の形成において、上面導体膜が腐食してしまうことを懸念する必要はない。このため、上述した抵抗膜の形成方法では、金などの腐食しにくい材料を積極的に使用する必要がなくなり、上面導体膜を形成する際に使用する金属有機物としては、比較的に安価なレジネート銀などを使用することができるようになる。その結果、製造コストを低く抑えることができるようになる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して具体的に説明する。
【００２５】
図１および図２に示したチップ抵抗器Ｘは、本願発明に係る製造方法により得られるものである。チップ抵抗器Ｘは、絶縁基板１０、一対の上面電極１１、抵抗体１２、下面電極１３、端面電極１４、保護膜１５、およびめっき層１６を有している。
【００２６】
絶縁基板１０は、アルミナなどの絶縁材料により、一定厚みを有する長矩形状の形態を有している。一対の上面電極１１は、絶縁基板１０の上面１０ａにおいて間隔を隔てて設けられている。抵抗体１２は、これらの上面電極１１の間をつなぐように絶縁基板１０の上面１０ａに設けられている。抵抗体１２の端部１２ａは、上面電極１１の全体を覆っている。抵抗体１２の中央部１２ｂは、端部１２ａに比べて細幅とされている。ただし、抵抗体の形状は、図示したパターンには限定されず、たとえば単一幅やその他のパターンとしても良い。一対の下面電極１３は、絶縁基板１０の下面１０ｃにおいて間隔を隔てて設けられている。端面電極１４は、絶縁基板１０の両端面１０ｄに形成され、かつ上面電極１１と下面電極１３との間をつなぐようにして設けられている。
【００２７】
保護膜１５は、抵抗体１２の中央部１２ｂを覆うようにして設けられている。保護膜１５は、抵抗体１２の中央部１２ｂを外力などから保護するとともにめっき層１６を形成する際に導体成分が付着するのを防止し、さらには抵抗体１２の剥離などを抑制するためのものである。めっき層１６は、保護膜１５により覆われていない抵抗体１２の端部１２ａ、端面電極１４および下面電極１３を覆っている。めっき層１６は、抵抗体１２の端部１２ａ、端面電極１４および下面電極１３を外力などから保護し、抵抗体１２の剥離などを抑制する。めっき層１６はさらに、チップ抵抗器Ｘのはんだ濡れ性を改善しつつも、チップ抵抗器Ｘを回路基板などに実装した場合の端面電極１４や下面電極１３の電極食われを抑制する役割を果たすものである。
【００２８】
図１および図２に示したチップ抵抗器Ｘは、図３に示す工程Ａ〜Ｉを経て製造することができる。図４（ａ）に示したように、各工程Ａ〜Ｉは、上面２０および裏面２１のそれぞれが平坦面とされた材料基板２を用いて製造される。つまり、材料基板２には、分割溝が形成されていない。この材料基板２には、第１および第２切断ライン２２，２３が設定されており、これらのライン２２，２３によって囲まれる長矩形領域がチップ抵抗器形成領域２４とされている。このチップ抵抗器形成領域２４は、材料基板２の縦横に複数個ずつ並んでいる。材料基板２は、たとえばアルミナなどの絶縁材料により厚みが０．１〜０．３ｍｍに形成されている。また、抵抗器形成領域２４の大きさは、５０〜１００ｍｍ×５０〜１００ｍｍとされる。なお、第１および第２切断ライン２２，２３は、仮想的なものであり、材料基板２上に描かれているわけではない。もちろん、材料基板上に切断ラインを描いてもよい。
【００２９】
上面電極形成工程Ａおよび下面電極形成工程Ｂは、金属有機物ペーストを印刷・焼成することにより行われる。金属有機物としては、レジネート金やレジネート銀を使用することができる。もちろん、その他の金属有機物を使用することもできる。
【００３０】
金属有機物ペーストの印刷は、材料基板２の上面２０または下面２１上に、開口部が形成されたマスクを載置した状態において、開口部内に金属有機物ペーストを充填した後にマスクを除去することにより行われる。焼成は、加熱炉内に印刷後の材料基板２を搬入し、たとえば８００〜９００℃で１０〜６０分加熱することにより行われる。本実施の形態では、たとえば図４（ｂ）に示したように、上面電極１１（図１および図２参照）に対応する上面導体膜３０は、チップ形成領域２４おいて、第２切断ライン２３の延びる方向の両端部に位置するように、第１切断ライン２２を横切って第２切断ライン２３の延びる方向に間隔を隔てて複数設けられている。一方、図４（ｃ）に示したように、下面電極１３に対応する下面導体膜３１は、第１切断ライン２２に沿って延びる帯状に形成される。上面導体膜３０および下面導体膜３１は、たとえば厚みが２０００〜３０００Åに形成される。
【００３１】
抵抗体形成工程Ｃでは、図５に示したように、上面導体膜３０の全体を覆いつつも、第２の切断ライン２３の延びる方向に並ぶ上面導体膜３０を一連に覆うようにして抵抗体１２（図１および図２参照）に対応する抵抗膜３２が形成される。このような抵抗膜３２は、図６および図７（ａ）に示したように材料基板２の上面の略全域にわたって抵抗膜３２Ａを形成した上で被膜４を形成し、図７（ｂ）に示したように抵抗膜３２Ａにおける被膜４で覆われていない部分にエッチングにより除去することにより形成することができる。抵抗膜３２Ａは、たとえばスパッタや蒸着により、厚みが１０００〜２０００ÅのＮｉ−Ｃｒ層やＴａ層を成膜することにより形成することができる。被膜４は、フォトリソグラフィの手法により形成することができる。また、図８および図９（ａ）に示したように、上面電極３０を収容しうる開口部４１が複数形成されたマスク４０を材料基板２上に載置した状態で、図９（ｂ）に示したように抵抗膜３２Ｂを形成した後、図９（ｃ）に示したようにマスク４０を除去することにより形成することもできる。抵抗膜３２Ｂは、たとえばスパッタや蒸着により、厚みが１０００〜２０００ÅのＮｉ−Ｃｒ層やＴａ層を成膜することにより形成することができる。
【００３２】
上面導体膜３０の全体を覆うように抵抗膜３２を形成する場合、エッチング処理によって、抵抗膜３２の形成において、上面導体膜３０が腐食してしまうことはない。一方、マスク４０を用いて抵抗膜３２Ｂを成膜する方法では、エッチング処理する必要がないために、抵抗膜３２の形成において、上面導体膜３０が腐食してしまうことを懸念する必要はない。このため、上述した抵抗体形成工程では、金などの腐食しにくい材料を積極的に使用する必要はなく、上面導体膜３０の形成の際に使用する金属有機物としては、比較的に安価なレジネート銀などを使用することができるようになる。その結果、製造コストを低く抑えることができるようになる。
【００３３】
抵抗値修正工程Ｄは、たとえば抵抗膜３２の所定部位の抵抗値を測定しつつ、抵抗体３２に対してレーザを照射することにより行われる。抵抗値の修正は、材料基板２を切断して個片化した場合に、抵抗体１２（図１および図２参照）となるべき個々の領域に対して個別に行われる。
【００３４】
保護膜形成工程Ｅは、絶縁性の高い熱硬化性樹脂を印刷した後に、これを熱硬化させることにより行われる。保護膜３４は、図１０に示したように抵抗体３２の細幅の部分を覆うようにして行われる。熱硬化性樹脂としては、たとえばエポキシ樹脂が好ましく使用される。
【００３５】
第1次切断工程Ｆは、レーザや回転ブレードを用いて、第１切断ライン２２に沿って材料基板２を切断することにより行われる。これにより、図１１に示したように材料基板２は複数の短冊片２Ａに分割される。このとき、図１１および図１２（ａ）に示したように、上面導体膜３０および下面導体膜３１が分割されて上面導体膜３０ａおよび下面導体膜３１ａとされるが、下面導体膜３１が帯状に形成されているために、下面導体膜３１ａも帯状とされる。一方、分割溝を有さず、仮想的な第１および第２切断ライン２２，２３が設定された材料基板２を用いる場合には、下面導体膜３１の形成工程において、分割溝や第１および第２切断ライン２２，２３を基準としてマスクを載置することはできない。したがって、上面導体膜３０のように第２切断ライン２３の延びる方向に分散させて下面導体膜を形成した場合には、マスクの位置ずれに起因して、図１２（ｂ）および（ｃ）に示したように、所望通りに下面導体膜３１ａ′，３１ａ″を形成できないことがある。このような状態で第２切断ライン２３′，２３″に沿って短冊片２Ａ′，２Ａ″を切断して個片化した場合には、各個片の下面電極がずれて形成されてしまい、回路基板などに実装できないものともなりかねない。つまり、歩留まりの低下が懸念される。
【００３６】
これに対して、短冊片２Ａの下面２１ａにおいて帯状に延びるように下面導体膜３１ａが形成されていれば、短冊片２Ａを第２切断ライン２３に沿って切断したとしても、各個片の下面における両端部に、これらの端部を横断するようにして一対の下面電極が帯状に形成される。つまり、分割溝などの位置決め基準がない材料基板を用いたとしても、下面電極の延びる方向に関しては、位置ずれが生じず、回路基板などに実装した場合の不良製品数を低減して歩留まりの低下を抑制することができる。
【００３７】
端面電極形成工程Ｇは、たとえば短冊片の端面２ａに導電性樹脂ペーストを印刷した後に、それを乾燥させることにより行うことができる。この工程により、図１３に示したように短冊片２Ａの端面２ａの端面導体膜３４が形成され、この端面導体膜３４により上面導体膜３０ａと下面導体膜３１ａとの間が接続される。端面導体膜３４の厚みは、たとえば１０〜３０μｍとされる。
【００３８】
第２次切断工程Ｈでは、第２切断ライン２３に沿って短冊片２Ａが切断され、複数の個片とされる。第２次切断工程Ｈは、第１次切断工程Ｆと同様にレーザや回転ブレードを用いて行うことができる。レーザや回転ブレードでの切断では、分割溝を有する材料基板を用いる場合のように、材料基板に外力を作用させる必要はない。そのため、チップに欠けなどが生じにくくなってチップの外形が安定し、回路基板などにチップ抵抗器Ｘを実装する場合の不良が生じにくくなる。
【００３９】
めっき工程Ｉは、電解めっきにより行うことができる。電解めっきでは、抵抗膜３２における保護膜３３により覆われていない部分や端面導体膜３４および下面導体膜３１ａの表面にめっき層３５が形成される。めっき層３５は、ＮｉイオンやＳｎイオンを含む電解液を用いることにより、Ｎｉ層やＳｎ層として形成することができる。Ｎｉ層やＳｎ層の厚みは、たとえば１〜１０μｍとされる。
【００４０】
本実施の形態では、上面電極１１および下面電極１３が金属有機物ペーストを用いて形成され、端面電極１４が導電性樹脂ペーストを用いて形成され、抵抗体１２が堆積法により形成されている。金属有機物ペーストは、金属有機物を溶剤に溶かしてペースト状としたものであり、導電性樹脂ペーストは樹脂ペースト(樹脂を溶剤に溶かしたもの)に導電性物質を分散させたものである。このため、金属有機物や導電性樹脂では、金属や導電性物質として鉛を用いる必然性はなく、しかもバインダとして鉛ガラス以外のものを用いるため、上面電極１１、下面電極１３および端面電極１４が鉛を含まないものとして形成することができる。また、堆積法では、抵抗成分が直接的に膜形成されるため、抵抗体形成材料に鉛を含めなければ、抵抗体１２も鉛を含まないものとすることができる。このように、本願発明により得られるチップ抵抗器Ｘでは、各電極１１，１３，１４や抵抗体１２が鉛を含まないものとすることができるため、鉛フリー化を実現できる。
【００４１】
また、本実施の形態では、分割溝を有しない材料基板２を用いてチップ抵抗器Ｘが製造される。そのため、分割溝への材料ペーストの流れ込みによる問題は生じ得ない。たとえば、材料基板上で隣接する上面電極３０，３０間が電気的に導通しにくくなり、抵抗膜３２の抵抗値の測定を適切に行えるようになる。また、チップ抵抗器Ｘの周辺部に材料ペーストに起因する不要分が残るようなことも起こりにくく、体裁の悪化も抑制できる。そして、チップを小型化する場合には、材料基板２の厚みも小さくする必要があるが、材料基板２に分割溝が形成されていなければ、材料ペーストの印刷や焼成などといった各工程においても、材料基板２が割れてしまうといった事態も生じにくくなる。その結果、不良率が小さくなって歩留まりが向上し、製造コストを低減することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明に係る製造方法により得られるチップ抵抗器の一例を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】本願発明に係るチップ抵抗器の製造方法を説明するための製造フロー図である。
【図４】上面電極形成工程および下面電極形成工程を説明するための斜視図である。
【図５】抵抗体形成工程を説明するための平面図である。
【図６】抵抗体形成工程を説明するための平面図である。
【図７】（ａ）は図６のVIIａ−VIIａ線に沿う断面図であり、（ｂ）はエッチング後における図６のVIIａ−VIIａ線に沿う断面に相当する断面図である。
【図８】抵抗体形成工程を説明するための平面図である。
【図９】（ａ）は図８のIVａ−IVａ線に沿う断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した状態からさらに膜形成した後における図８のIVａ−IVａ線に沿う断面に相当する断面図であり、（ｃ）は（ｂ）に示した状態からさらにマスク除去した後における図８のIVａ−IVａ線に沿う断面に相当する断面図である。
【図１０】保護膜形成工程を説明するための平面図である。
【図１１】第１次分割工程を説明するための平面図である。
【図１２】下面電極形成方法の利点を説明するための要部平面図である。
【図１３】端面電極形成工程を説明するための斜視図である。
【図１４】従来の製造方法により得られるチップ抵抗器の一例を示す平面図である。
【図１５】図１４のXV−XV線に沿う断面図である。
【符号の説明】
Ｘ  チップ抵抗器
１０  絶縁基板
１０ａ  上面（絶縁基板の）
１０ｂ  下面（絶縁基板の）
１０ｄ  端面（絶縁基板の）
１１  上面電極
１２  抵抗体
１３  下面電極
１４  端面電極
２  材料基板
２２  第１切断ライン
２３  第２切断ライン
３０  上面導体膜（材料基板に形成された）
３１  下面導体膜（材料基板に形成された）
３２  抵抗膜
３４  端面導体膜
４０  マスク（抵抗膜形成用の）
４１  開口部（マスクの）
【図１】
0003869273.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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