(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化珪素を主たる成分として含有する多孔質セラミック分離膜と、前記分離膜を担持する多孔質セラミック支持体を有し、前記支持体は、非酸化物系セラミックスを主たる成分として含有し、前記分離膜は、細孔径２ｎｍ以上のクヌッセン的分離が可能な寸法の微細孔を主として有することを特徴とする多孔質セラミック積層体。
【請求項２】
前記支持体は、少なくとも１以上の多孔質セラミック中間層を介して前記分離膜を担持することを特徴とする請求項１に記載の多孔質セラミック積層体。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれか一に記載の多孔質セラミック積層体を有することを特徴とする多孔質セラミックフィルタ。
【請求項４】
非酸化物系セラミックスを主たる成分として含有する多孔質セラミック支持体に担持され、焼成により窒化珪素を生成するセラミック前駆体を含有する成形体層を焼成する多孔質セラミック分離膜形成工程を少なくとも含み、前記分離膜形成工程において、細孔径２ｎｍ以上のクヌッセン的分離が可能な寸法の微細孔を主として有する多孔質セラミック分離膜を生成する温度で焼成することを特徴とする多孔質セラミック積層体の製造方法。
【請求項５】
前記成形体層を、少なくとも１以上の多孔質セラミック中間層を介して、前記支持体に担持させることを特徴とする請求項４に記載の多孔質セラミック積層体の製造方法。
【請求項６】
前記セラミック前駆体として、焼成により前記支持体の主たる成分を生成するセラミック前駆体を用い、前記支持体が前記中間層を有する場合には、前記中間層と前記支持体との主たる成分を同一にすることを特徴とする請求項４〜５のいずれか一に記載の多孔質セラミック積層体の製造方法。
【請求項７】
前記成形体層をディップコーティング法により形成することを特徴とする請求項４〜６のいずれか一に記載の多孔質セラミック積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多孔質セラミック積層体及びその製造方法に関する。より詳細には、本発明は、フィルタとして好適な、特に、精密濾過・限外濾過・ガス分離等、特に各種ガス及び蒸気のうちの１種以上を高効率かつ高性能に分離・精製するフィルタとして好適な多孔質セラミック積層体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多孔質体は、食品、医薬品、バイオテクノロジー等の産業分野で、例えば各種ガス・蒸気・有機溶媒の分離、濾過、濃縮等の工程で利用されている。また近年、環境問題が地球規模で一層深刻となり、各種環境汚染ガスの浄化装置用あるいは有毒ガスの検出用の触媒担体等としても利用されている。
【０００３】
各種ガス分離、蒸気分離等では、多成分混合ガスから特定成分濃縮ガスを分離・精製する方法として、膜分離法が検討されている。膜分離法に用いられる有機高分子膜は、耐熱性が低いため高温環境下の使用には不適当である。また、有機高分子膜は、使用流体による腐食の影響を受け易く、寿命の低下及び性能の低下等の問題を生じる。これに対し、膜分離法に用いられる無機膜は、耐久性、耐熱性、耐熱衝撃性等において有機高分子膜と比較して優れるため、有機高分子膜では適用不可能な環境で実用化が期待されるとともに、開発が進められている。
【０００４】
無数の極微細孔を有する各種のゼオライト膜、ゾル-ゲル膜、あるいはＣＶＤ膜等をガス分離等で使用する場合には、使用環境により機械的・熱的強度がある程度必要であるが、膜厚が大きいと効率は低下する。従って、多孔質セラミックフィルタでは、透過効率の低下を抑制し、薄膜部を強度付加するための非対称膜構造及び機能膜の薄膜化・無欠陥化技術等が必要となる。また高温等の過酷環境での使用に対し、耐圧強度、信頼性、シールの問題等の実用膜構造体の製造プロセスでの課題は多い。
【０００５】
従来からセラミック多孔質体あるいは支持体上にセラミック膜を製膜するプロセスについて様々な研究がなされ、上記用途に適する種々の多孔質セラミックフィルタが提案されている。例えば、アルミナ基板の細孔内及び表面に水熱合成法により緻密なゼオライト結晶膜を生成する方法（特開平７−１０９１１６号公報）、一定範囲の粒子径を持つ無機粒子及び結合剤を使用するセラミック多孔質体の製造方法（特開平４−１０４９７３号公報）、窒化珪素粉末及びポリシラザンを焼結するセラミックス組成物の製造方法（特開平２−１７５６５７号公報及び特開平２−１７５６５８号公報）、セラミックス粉体及びセラミック前駆体を使用し、均一な細孔径分布を有するセラミックス多孔質体の製造方法（特開平８−０５９３６４号公報）等が開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
前記公報に開示されている従来の方法において、特開平４−１０４９７３号公報等で開示された骨材を使用した方法では、得られる多孔質体の気孔の大きさは骨材の粒子径に依存する。従って、多孔体を得る際には細孔径の約３倍の粒径を持つ骨材での成形が必要であるが、極微細孔の場合では微細な骨材粒子で均質な成形体を得ることは大変難しく、微細孔を有するセラミックでの薄膜化は更に困難である。
【０００７】
特開平２−１７５６５７号公報で開示されたセラミックス組成物の製造方法は、アルミナ、イットリアなどの窒化珪素焼結助剤を併用する製造方法であるが、得られるセラミックス組成物は高密度の緻密体であり、多孔質セラミックスを得る製造方法でははい。
【０００８】
特開平２−１７５６５８号公報で開示された製造条件では、窒化珪素及び／又は炭化珪素粉及びセラミック前駆体（熱処理により窒化珪素及び炭化珪素になるセラミック前駆体）を固形分とする成形体を焼成し、高強度のセラミックス組成物を得ている。しかし、このセラミックス組成物は、実施例によれば、粗大細孔を持つ多孔体あるいは低気孔率の緻密体である。従って、これらの製造方法を適用しても、貫通孔が要求されるフィルタ用のセラミック多孔質膜を担持させた支持体を得ることは困難である。
【０００９】
特開平８−０５９３６４号公報で開示された製造条件では、所定混合比でセラミックス紛をセラミック前駆体と共に使用して成形後、最終焼成温度１３５０℃〜１６００℃で焼成して、上記従来の製造法よりも微細かつ均一な細孔径分布を有するセラミック多孔体を得ることが可能である。しかし、セラミック前駆体はセラミック粉体と共に比較的高温域で最終焼成するため、得られる細孔の寸法はガス分離等を可能にする極微細孔の範囲にはない。なお、この公報には、最終焼成温度を８００℃として製造した場合でも、気孔は殆ど存在せず、多孔質体を得ることはできなかった旨が記載されている（６頁の段落［００２６］）。
【００１０】
特開平７−１０９１１６号公報では、アルミナ基板の細孔内及び表面に水熱合成法により緻密なゼオライト結晶膜を生成する方法が開示されている。しかし、上記公報に記載の方法を含む従来手法では、支持体部と膜部との材質が異なるものが殆どであるために、高温分離膜として重要な因子である耐熱性、耐熱衝撃性に対する信頼性が低い。セラミック膜に高温分離膜として理想的な性質を持たせるためには、後のシール及びモジュール化方法と共に、支持体及び分離膜（中間層含）材質についても考慮した実用多孔質セラミック膜及び支持体開発が重要である。
【００１１】
また、分離膜を支持体表面上に製膜した非対称膜においては、多孔質支持体部の結晶粒径が大きい場合には比較的大きな支持体細孔内で分離膜が形成される。支持体細孔内での製膜だけでは膜の大面積化にともなう無欠陥化が困難なため、分離膜部の膜厚は無欠陥化及び強度付加のためにある程度厚くする必要があるが透過率は減少する。また、ゾル−ゲル膜においても多孔質支持体部分の結晶粒径が大きい場合には、支持体内へのゾルの浸透性が良好なためにゲル化あるいは膜形成が困難となり、膜の大面積化にともなう無欠陥化が更に困難になる等の問題が有る。
【００１２】
本発明は、上記のような従来技術の問題点のうちの少なくとも一を解決する多孔質セラミック積層体を提供することを目的とする。また、本発明は、上記のような従来技術の問題点のうちの少なくとも一を解決する多孔質セラミック積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、第１の視点において、窒化珪素を主たる成分として含有する多孔質セラミック分離膜と、前記分離膜を担持する多孔質セラミック支持体を有し、前記支持体は、非酸化物系セラミックスを主たる成分として含有し、前記分離膜は、細孔径２ｎｍ以上のクヌッセン的分離が可能な寸法の微細孔を主として有する多孔質セラミック積層体により上記目的を達成することができる。
【００１４】
前記支持体は、少なくとも１以上の多孔質セラミック中間層を介して前記分離膜を担持することができる。前記分離膜と前記支持体とは、主たる成分を共通させることができ、前記中間層を有する場合には、前記中間層と前記支持体とは、主たる成分が共通するようにすることができる。これらの場合には、耐熱衝撃性に優れた構造にすることができる。また、前記分離膜及び最表面近傍の酸化物層又は非晶質層は、クヌッセン的分離が可能な寸法の微細孔を主として有することができる。本発明の多孔質セラミック積層体は、多孔質セラミックフィルタの少なくとも一部ないし全部として用いることができる。
【００１５】
また、第２の視点において、非酸化物系セラミックスを主たる成分として含有する多孔質セラミック支持体に担持され、焼成により窒化珪素を生成するセラミック前駆体を含有する成形体層を焼成する多孔質セラミック分離膜形成工程を少なくとも含み、前記分離膜形成工程において、細孔径２ｎｍ以上のクヌッセン的分離が可能な寸法の微細孔を主として有する多孔質セラミック分離膜を生成する温度で焼成する多孔質セラミック積層体の製造方法により上記目的を達成することができる。
【００１６】
本発明の多孔質セラミック積層体の製造方法において、前記成形体層を、少なくとも１以上の多孔質セラミック中間層を介して、前記支持体に担持させることができる。前記セラミック前駆体として、焼成により前記支持体の主たる成分を生成するセラミック前駆体を用い、前記支持体が前記中間層を有する場合には、前記中間層と前記支持体との主たる成分を同一にすることができる。これらの場合には、耐熱衝撃性に優れた多孔質セラミック積層体を製造することができる。前記成形体層をディップコーティング法により形成することができる。この場合には、欠陥がない大面積の多孔質セラミック分離膜を有する多孔質セラミック積層体を製造することができる。前記成形体層は、不活性雰囲気中で形成、乾燥したものにすることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
［多孔質セラミック積層体］
多孔質セラミック分離膜は、窒化珪素を主たる成分（好ましくは６０重量％以上の成分、より好ましくは７０重量％以上の成分、さらに好ましくは８０重量％以上の成分、特に好ましくは９０重量％以上の成分）として含有する。多孔質セラミック支持体は、非酸化物系セラミックス（好ましくは、窒化珪素及び炭化珪素のうちの１種以上）を主たる成分（好ましくは６０重量％以上の成分、より好ましくは７０重量％以上の成分、さらに好ましくは８０重量％以上の成分、特に好ましくは９０重量％以上の成分）として含有する。多孔質セラミック支持体は、高分子材料あるいは金属質材料等を含有することができる。
【００１８】
多孔質セラミック分離膜は、クヌッセン的分離が可能な寸法（少なくとも細孔径が１０ｎｍ未満、特に細孔径が２〜５ｎｍ）の微細孔を主として（全体の少なくとも７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上）有する。なお、細孔径が１０ｎｍ以下になると、ガス分子は互いの衝突よりも壁との衝突が支配的になるため、ガス分子の透過速度の差を利用した分離（濃縮）が可能になるが、これをクヌッセン的分離という。
【００１９】
多孔質膜の孔径が１０ｎｍ以下の領域では、ガス分子の平均自由行程（互いの衝突するまでに必要な距離）が多孔質膜の細孔径の大きさよりもかなり大きいという関係が成立し、その場合、ガス分子は、お互いに衝突するよりも頻繁に細孔の内壁と衝突するようになる。多孔質膜の前後に圧力差を与えると、分子量の大きいガス分子（例えば、Ｎ2）は、衝突により、運動量を、分子量の小さいガス分子（例えば、Ｈ2）と比較して、大きく失う。その結果、多孔質膜の細孔内でのガス分子の透過速度はＨ2＞Ｎ2となる。クヌッセンの領域は、一般に１０ｎｍ以下とされ、その場合、理論的に、Ｈ2／Ｎ2ガス分子の透過速度の比は、Ｈ2の透過速度／Ｎ2の透過速度＝（Ｎ2の分子量／Ｈ2の分子量）の正の平方根となり、この値はおよそ（２８／２）の正の平方根になり、この値はおよそ３．７になる。
【００２０】
多孔質セラミック中間層は、非酸化物系セラミックス（好ましくは、窒化珪素及び炭化珪素のうちの１種以上）を主たる成分（好ましくは６０重量％以上の成分、より好ましくは７０重量％以上の成分、さらに好ましくは８０重量％以上の成分、特に好ましくは９０重量％以上の成分）として含有することができる。
【００２１】
多孔質セラミック分離膜と多孔質セラミック支持体とは、主たる成分（好ましくは６０重量％以上の成分、より好ましくは７０重量％以上の成分、さらに好ましくは８０重量％以上の成分、特に好ましくは９０重量％以上の成分）を共通させることができる。また、本発明の多孔質セラミック積層体が多孔質セラミック中間層を有する場合には、前記中間層と前記支持体とは、主たる成分（好ましくは６０重量％以上の成分、より好ましくは７０重量％以上の成分、さらに好ましくは８０重量％以上の成分、特に好ましくは９０重量％以上の成分）を共通させることができる。
【００２２】
多孔質セラミック分離膜の厚さは、好ましくは２０μｍ以下（より好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以下）にすることができる。多孔質セラミック中間層の厚さは、好ましくは５０μｍ以下（より好ましくは２０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下）にすることができる。多孔質セラミック分離膜と多孔質セラミック中間層は、それぞれ、非晶質のものでも、結晶化したものでもよい。
【００２３】
多孔質セラミック支持体は、平均粒子径約０.０５〜５０μｍの無機粒子から形成することができ、好ましくは分布幅の狭い細孔径分布を有するものにする。多孔質セラミック支持体の気孔率は、好ましくは２０〜８０％にする。多孔質セラミック支持体の８００度での３点曲げ強度は、好ましくは３０ＭＰａ以上（より好ましくは６０ＭＰａ以上、さらに好ましくは９０ＭＰａ以上）にする。多孔質セラミック支持体の形状は、好ましくは、チューブ型、モノリス型、ハニカム型、少なくとも３辺以上を有する多角形平板型、立体型のいずれかにすることができる。
【００２４】
本発明の多孔質セラミック積層体は、ガス透過効率及び製膜性・再現性において良好であり、更に無機ガス透過に対して常温でクヌッセン分離が可能であり、後処理としての各種表面修飾による各種吸着挙動を発現させることができる。また、本発明の多孔質セラミック積層体は、多孔質セラミック支持体を様々な形状にすることができ、そのような支持体の表面又は細孔内、あるいは多孔質セラミック中間層の表面又は細孔内において超微細孔を有する多孔質セラミック分離膜を製膜したものにすることができる。
【００２５】
［多孔質セラミック積層体の製造方法］
本発明における多孔質セラミック分離膜形成工程では、焼成により非酸化物系セラミックスである窒化珪素を生成するセラミック前駆体を含有する成形体層が、焼成により多孔質セラミック分離膜になる。多孔質セラミック分離膜形成工程において、成形体層に含有させるセラミック前駆体は、焼成により非酸化物系セラミックスである窒化珪素を生成するものであり、好ましくはポリシラザンにする。
【００２６】
また、多孔質セラミック支持体は、非酸化物系セラミックスを主たる成分（好ましくは６０重量％以上の成分、より好ましくは７０重量％以上の成分、さらに好ましくは８０重量％以上の成分、特に好ましくは９０重量％以上の成分）として含有する。
【００２７】
本発明における多孔質セラミック分離膜形成工程では、クヌッセン的分離が可能な寸法の微細孔を主として（全体の少なくとも７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９５％以上）有する多孔質セラミック分離膜を生成する温度（少なくとも１２００℃以下、好ましくは１１００℃以下、より好ましくは１０００℃以下、さらに好ましくは２５０〜９００℃、特に好ましくは７００〜９００℃）で焼成する。
【００２８】
本発明における多孔質セラミック分離膜形成工程において、焼成後に分離膜になる成形体層を、前記セラミック前駆体を原料として成形した後、前記セラミック前駆体が非晶質化又は結晶化する温度範囲で焼成することにより、均質かつ緻密な多孔質薄膜とすることができる。
【００２９】
多孔質セラミック分離膜は、好ましくは、有機又は無機のセラミック前駆体及び溶媒を少なくとも含む原料溶液を、多孔質セラミック支持体又は多孔質セラミック中間層へコーティングして成形体層を形成し、焼成時において、主として不活性雰囲気で前記セラミック前駆体の熱分解を行わせて形成することができる。
【００３０】
ポリシラザンは、好ましくは、ジハロシラン(Ｒ１ＳｉＨＸ2)、前記ジハロシラン及び他のジハロシラン(Ｒ２Ｒ３ＳｉＸ2)を混合したジハロシラン混合物をアンモニアと反応させて得られる、いずれかのシラザンオリゴマーにおいて塩基性触媒下で珪素原子に隣接する窒素原子を脱水素反応させ、脱水素架橋して高分子量化したポリシラザン、あるいは他種のプロセスにて高分子量化した有機ポリシラザン又は無機ポリシラザンである。ここでＲ１、Ｒ２、Ｒ３は、それぞれ、１〜６までの炭素原子を有する低級アルキル基、置換アリル基、非置換アリル基、６〜１０までの炭素原子を有する非置換アリール基、トリアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基の群から選択できる。また、Ｒ１は水素でも良く、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、同じ又は異なることが可能である。Ｘはハロゲン基である。
【００３１】
本発明の多孔質セラミック積層体の製造方法は、多孔質セラミック分離膜形成工程の前に、多孔質セラミック支持体を形成する支持体形成工程と、この支持体形成工程で得られた多孔質セラミック支持体に１以上の多孔質セラミック中間層を形成する中間層形成工程を設けることができる。多孔質セラミック中間層は、多孔質セラミック分離膜形成工程において用いることができるセラミック前駆体と同様のものを用いて形成することができる。
【００３２】
前記中間層形成工程において、前記中間層は、好ましくは、前記セラミック前駆体に非酸化物系セラミックス紛体原料を、成形時に前記セラミック前駆体が非酸化物系セラミックス紛体の粒界を概略充填可能な量で混合し、成形して成形体を得て、得られた成形体を、前記非酸化物系セラミックス紛体の粒成長が大きく生じない温度域であり、かつ、前記セラミック前駆体が結晶化する温度以上で焼成して形成する。
【００３３】
多孔質セラミック分離膜を焼成により形成する際の焼成温度は、多孔質セラミック支持体を焼成により形成する際の焼成温度以下（好ましくは１１００℃以下、より好ましくは１０００℃以下、さらに好ましくは２５０〜９００℃）にする。また、多孔質セラミック中間層を焼成により形成する場合には、前記中間層を焼成により形成する際の焼成温度は、前記支持体を焼成により形成する際の焼成温度以下（好ましくは１８００℃以下、より好ましくは１６００℃以下、さらに好ましくは１４００℃以下）にし、前記分離膜を焼成により形成する際の焼成温度以上（好ましくは２５０℃以上、より好ましくは７００℃以上）にする。
【００３４】
本発明の多孔質セラミック積層体及びその製造方法について、さらに詳細に説明すれば次のとおりである。
【００３５】
高性能なプロセスを実際のガス・蒸気等の分離・精製プロセスで実現するために、支持体では流体透過に伴う圧力エネルギ損失を大きく生じないための細孔分布制御が必要となる。但し、種々の製膜プロセスにより各種分離膜を支持体表面上又は細孔内に薄く製膜する場合において、例えば比較的低強度なゼオライトの薄膜化では支持体内細孔は小さい方が強度付加に対して好都合であるが、支持体細孔内で結晶化されるために過大な支持体内細孔では大面積化にともなう膜の無欠陥化が困難になる。
【００３６】
無欠陥化及び強度付加のためには、分離膜を厚く形成する必要があるが、この場合には圧力エネルギ損失の発生及びフィルタの効率の低下につながる。ゾル-ゲル法では、過大の支持体内細孔ではゾルが支持体内部まで浸透してゲル化又は膜化が困難となる。このため中間層を介し、分離膜を繰返し製膜して無欠陥化する必要がある。
【００３７】
本発明では、高温で透過性・耐熱衝撃性に優れた分離膜を創製するために、ポリシラザンと呼ばれる有機珪素化合物の不活性雰囲気中での熱分解を利用し、窒化珪素表面に極微細孔に制御された窒化珪素燒結膜を形成することにより、支持体部と分離膜部との主な材質を合致させた。
【００３８】
特に、ディップコーティング法による分離膜の製膜工程では、原料溶液の濡れが悪いため成形時に原料液の多孔質支持体内への浸透を抑制でき、更に不活性雰囲気中でのセラミック前駆体の熱分解に伴うガス発生、キャピラリー圧力、焼成収縮等の影響による微細構造の破壊をスムーズに抑制できる。
【００３９】
また平均細孔径が小さく、分布幅の狭い細孔分布を有する多孔質支持体又は中間層表面上に、分離膜部を製膜する場合、厳密な製膜条件を必要としないために分離膜での欠陥発生を大きく抑制できる。これにより中間層無しでも薄く微細孔を有する無欠陥膜を得ることが可能になる。
【００４０】
支持体・分離層の構成が分離性能に及ぼす影響を常温でのガス透過試験で検証した結果、多孔質窒化珪素支持体の表面に直接に、分離膜部としてセラミック前駆体を薄く成形後、８００℃程度の低温域で最終焼成することで常温でクヌッセン的分離を可能にする程度の微細孔を有し、欠陥発生を抑制して薄い均質かつ緻密な多孔質分離膜を得た。
【００４１】
従って、本発明の多孔質セラミック積層体は、主な材質が支持体と分離膜部又は中間層部で合致しており熱的剥離を生じ難い構造を有し、耐熱性・耐熱衝撃性が要求される高温での分離・精製プロセスに適し、合成プロセスにおいては大面積化が容易かつ安定であり、常温にてクヌッセン的分離及び非常に優れた透過効率を示す高温用実用分離膜としての理想的性質を持つことが期待できる。これと付随して、本実施例と異なる種々材質の支持体及び膜に対しても、相互の材質を変更して本発明は適用が可能である。
【００４２】
尚、本発明は、各種プロセスに影響を及ぼす支持体の主因子として特に高温強度、細孔径分布、気孔率等を想定したものであり、従来の多孔質セラミックフイルタのうち分離層及び支持体材質の構成と支持体・分離膜又は中間層部の製造方法に関するもので、その他は従来の方法と同じである。
【００４３】
【実施例】
［実施例］
〈多孔質窒化珪素支持体の作製〉
窒化珪素粉末(宇部興産製ＳＮ−Ｅ１０)９０重量部、アルミナ粉末(住友化学工業製ＡＫＰ−１０)５重量部、イットリア粉末(三菱化学工業製Ｙ−Ｆ)５重量部に水８０重量部加え、このような調合のスラリーをアルミナポット（径φ３０ｍｍ玉石使用）で２４時間混合した。このスラリーにワックス系有機バインダー１０重量部、ワックスエマルジョン４重量部を添加して１６時間混合し、スプレードライにより顆粒体を作製した。
【００４４】
次に、ゴム型に加振しつつ顆粒体を密に充填した。顆粒を充填したゴム型は、ＣＩＰ（冷間静水圧プレス、以下同様。）成形、チューブ形状(外径φ１１.５×内径φ９.０×長さＬ４０〜４８０（ｍｍ）)に生加工して支持体用生加工チューブとし、前記支持体用生加工チューブを脱脂後、焼成して、チューブ形状の多孔質窒化珪素支持体を得た。
【００４５】
得られた多孔質窒化珪素支持体の主要物性を表１に示す。表１中の多孔質窒化珪素支持体の細孔径（平均細孔直径）及び気孔率は、水銀圧入法により測定した。１４５０℃で最終焼成した多孔質窒化珪素は、気孔率約４０％、製膜面である素焼面の８００℃での高温３点曲げ強度は約７０ＭＰａ以上であり、高温分離膜用支持体に十分適していることを確認した。
【００４６】
また、１４００℃で最終焼成したものでは、気孔率約５０％、８００℃での高温３点曲げ強度は約７０ＭＰａとなり、これについても高温分離膜用支持体に十分適していることが確認できた。なお、この場合には、細孔径分布の幅は、たいへん狭く、組織的にα−Ｓｉ3Ｎ4と安定である。低温焼成で得られるこの支持体では、中間層の製膜を必要とせず、分離層を直接製膜できる。以下の製膜には、１４００℃にて得た支持体チューブを適用した。
【００４７】
【表１】
0003971546.tif 000002
【００４８】
〈中間層の製膜〉
体積濃度比でポリシラザン粉末(チッソ製ＮＣＰ−２００、東燃製Ｎ−Ｎ５１０、東燃製Ｎ−Ｌ７１０のいづれか)：窒化珪素粉末(宇部興産製ＳＮ-Ｅ１０)を１６０：１００とし、固形分濃度が表２中の各値となるように各種溶媒量を調製してスラリーを得た。
【００４９】
ポリシラザン原料は、材料（有機又は無機）あるいは収率の異なる３種類を検討した。各スラリーの調製条件（中間層製膜用浸液の調合）を表２に示す。各スラリーは、超音波で攪拌した。
【００５０】
【表２】
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【００５１】
ＣＩＰ成形し１４００℃で焼成して得た前記チューブ形状の多孔質窒化珪素支持体を、前記超音波で約１時間攪拌後のスラリー中に浸漬し、前記支持体の外側表面にポリシラザン粉末と窒化珪素粉末を含有する前記スラリーの薄膜を被覆した。このスラリーの薄膜を被覆した前記支持体を、４８時間室温乾燥後、抵抗加熱式真空・加圧焼結炉にて常圧・窒素雰囲気中にて１３５０℃で焼成した。
【００５２】
欠陥の有無・製膜特性を検討するため、断面・製膜面でのＥＤＸ分析（エネルギー分散型Ｘ線分析）、純ガス透過試験等を行った。その結果として、各種純ガスの透過流束、ピンホール・クラック等の有無、製膜表面でのＥＤＸ分析(測定時間１００（ｓ）,加速電圧２０（ｋＶ）)から得た元素分析結果を表３に示す。
【００５３】
【表３】
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【００５４】
本プロセスで得られた中間層は、窒化珪素をマトリックスとして窒化珪素の隙間をポリシラザンが埋める微構造を有する。表面及び断面のＳＥＭ（走査電子顕微鏡）観察から、得られた中間層の表面に少なくともサブミクロンオーダーの表面欠陥は生じていないことを確認した。
【００５５】
但し、各中間層の製膜条件において、スラリーの固形分濃度が低い場合は、窒化珪素の隙間をポリシラザンで完全に埋めた緻密層は表面付近だけだったため、膜の大面積化時に欠陥を生じ易くなると予想される。これは原料浸液の支持体内への浸透が過剰なことによるものである。本プロセスで作製した中間層は、多孔質窒化珪素支持体への密着性に非常に優れ、各種製膜条件の相違によるガス透過性の差がみられないことを確認した。
【００５６】
〈分離層の製膜〉
ポリシラザン粉末(チッソ製ＮＣＰ−２００、東燃製Ｎ−Ｎ５１０、東燃製Ｎ−Ｌ７１０のいづれか)に対して、固形分濃度がそれぞれ１,５,１０(重量％)となるように溶媒量を調製して、各種コーティング用溶液を得た。ポリシラザン原料は、材料（有機又は無機）あるいは収率の異なる３種類を検討した。分離層形成用の各コーティング液（分離層製膜用浸液の調合）の調製条件を表４に示す。各溶液は、超音波で約１時間攪拌した。
【００５７】
【表４】
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【００５８】
ＣＩＰ成形し１４００℃で焼成して得た前記チューブ形状の多孔質窒化珪素支持体又はこれに前記中間層を形成して成る非対称チューブを、それぞれ前記分離層形成用のコーティング液中に浸漬させ、前記チューブ形状の多孔質窒化珪素支持体又は非対称チューブの外側表面のみにポリシラザンを含むコーティング液の薄膜を被覆した。この薄膜を被覆した前記支持体又は前記非対称チューブを、４８時間室温乾燥後、抵抗加熱式真空・加圧焼結炉にて常圧・窒素雰囲気中にて８００℃で焼成した。
【００５９】
欠陥の有無、分離性能の評価は、単成分ガスの透過試験で実施した。これにより本合成プロセスで無欠陥化あるいは当初計画通りの膜特性が実現可能かどうかを検討した。分離層の各種製膜条件での結果（ガス透過特性値）を表５に示す。ＴＥＭ観察で膜厚を確認し、窒素吸着法により分離層部分での平均細孔径を確認した。
【００６０】
【表５】
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【００６１】
透過率Ｑi及び透過係数比α*は、式Ｑi＝Ａ／［（Ｐｒ−Ｐｐ）・Ｓ・ｔ］及び式α*＝Ｑ2／Ｑ1により算出した。ここでＱiはガス透過率(ｍｏｌ/ｍ2・ｓ・Ｐａ)、α*は透過係数比、Ａは透過量(ｍｏｌ)、Ｐｒは供給側圧力(Ｐａ)、Ｐｐは透過側圧力(Ｐａ)、Ｓは断面積(ｍ2)、ｔは時間(ｓ)を表す。（ガス種：ｉ＝１、２）
【００６２】
その結果、原料浸液におけるポリシラザンと窒化珪素の重量比、固形分濃度を一定として各種中間層・分離層を製膜した場合、分離層・中間層の材質、原料溶液濃度、分離層のコーティング回数による常温ガス透過性能への顕著な影響はなかった。すなわち支持体作製・中間層製膜から分離層製膜に至る、実施例に示される範囲の各種プロセス条件に対し、製造条件・雰囲気（製膜・乾燥）をある程度厳密に制御することにより、上記本膜で得られる性能は安定することを確認した。分離層では特にフレキシブルな製膜が可能であることが予想される。これはスケールアップに対し大変有効な意味合いを持つ。実際にスケールアップした場合では、性能的には低下したが、これは測定方法での影響（ガス透過側での下流部分での濃縮）が含まれており、これらを考慮すると、スケールアップで性能劣化が発生しにくいことがわかった。
【００６３】
各種プロセス条件で得られた本膜構造の一例として、純ガス透過試験(流量測定：ＳＴＥＣ製 ＳＥＦ-３００；Ｎ2ガス補正)により特徴付けした、常温での各種純ガス透過特性(透過率−差圧依存性)、透過率−分子量(分離対象ガスの分子量)依存性の結果(表５中のＮｏ．１３)を図１〜２に示す。
【００６４】
その結果、本法の分離膜・中間層の製造条件は、全ておよそ好適なプロセス条件の範囲内にある。本発明の膜構造では、各種純ガス透過(Ｈｅ、Ｈ2、Ｏ2、Ｎ2、ＣＯ2、ＣＨ4、Ｃ2Ｈ6、Ｃ3Ｈ8、ｎ−Ｃ4Ｈ10、ｉ−Ｃ4Ｈ10)の結果から、提示したプロセス条件において概略安定したクヌッセン的分離性能及び従来無機膜と比較して非常に高い透過率を示すことを確認した。これから本膜の細孔径は、大部分がクヌッセン拡散域(１０ｎｍ以下)に分布していると予想できた。窒素吸着法により、実際に本膜の分離層部分を削りとり平均細孔径を測定したところ、平均細孔径は３〜５ｎｍにピークがあることが確認された。また、分離層部分の膜厚は５μｍ程度であることが確認された。本発明では、これらをまとめて分離層と記載した。但し、有機ガスの透過では、何らかの理由で透過が若干阻害された傾向を示したがＩＧＣＣ、ＭＣＦＣ発電プラント等を対象としたＨ2／ＣＯ分離、Ｈ2／ＣＨ4分離等、高温域での無機ガス分離では特に問題は無い。
【００６５】
本発明では、不活性雰囲気中でのセラミックス前駆体の熱分解を利用して、平均細孔径が小さく、分布幅の狭い細孔分布を有する多孔質支持体又は中間層表面に極微細孔に制御された燒結膜を形成した。これにより支持体部と分離膜部との主な材質を合致させた。特にディップコーティング法による分離膜の製膜工程では、原料液の濡れが悪いため成形時の支持体内への浸透を抑制でき、更に不活性雰囲気中でのセラミック前駆体の熱分解に伴うガス発生、焼成収縮等の影響による微細構造の破壊を厳密な製膜条件無しでスムーズに抑制できた。これにより中間層無でも薄く微細孔を有する無欠陥膜を得ることが可能になる。
【００６６】
また支持体・分離層の構成が分離性能に及ぼす影響を常温でのガス透過試験で検証した。その結果、多孔質窒化珪素支持体の表面に分離膜部としてセラミック前駆体を薄く形成することで、常温でクヌッセン的分離を可能にする程度の微細孔を有し、欠陥発生を抑制した薄い均質かつ緻密な多孔質分離膜を得ることが出来た。
【００６７】
従って、本発明の多孔質セラミック積層体は、合成プロセスにおいて大面積化が容易かつ安定であり、主な材質が支持体と分離膜部又は中間層部で合致しており熱的剥離を生じ難い構造を有するため、耐熱性・耐熱衝撃性が要求される高温での分離・精製プロセスに適し、かつ常温にてクヌッセン的分離及び非常に優れた透過効率を示す高温用実用分離膜としての理想的性質を持つことが期待できる。これと付随して、本実施例と異なる種々材質の支持体及び膜に対しても、相互の材質を変更しての本発明の適用が期待できる。
【００６８】
【発明の効果】
本発明の多孔質セラミック積層体は、窒化珪素を主たる成分として含有する多孔質セラミック分離膜と、前記分離膜を担持する多孔質セラミック支持体を有し、前記支持体は、非酸化物系セラミックスを主たる成分として含有し、前記分離膜は、細孔径２ｎｍ以上のクヌッセン的分離が可能な寸法の微細孔を主として有するので、精密濾過・限外濾過・ガス分離等、特に各種ガス及び蒸気を分離・精製するフィルタとして好適である。
【００６９】
本発明の多孔質セラミック積層体の製造方法は、非酸化物系セラミックスを主たる成分として含有する多孔質セラミック支持体に担持され、焼成により窒化珪素を生成するセラミック前駆体を含有する成形体層を焼成する多孔質セラミック分離膜形成工程を少なくとも含み、前記分離膜形成工程において、細孔径２ｎｍ以上のクヌッセン的分離が可能な寸法の微細孔を主として有する多孔質セラミック分離膜を生成する温度で焼成するので、前記本発明の多孔質セラミック積層体を簡単に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、差圧と透過率との関係（透過率−差圧依存性）を示す図である。
【図２】図２は、分子量と透過率との関係（透過率−分子量依存性）を示す図である。
【図１】
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【図２】
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