(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルにおける放電空間を区画する隔壁を形成する方法であって、
パネル材料である基板の上に、基板表面における表示領域とその外側の非表示領域とを覆う隔壁材を設け、
サンドブラストのためのマスクを、前記隔壁材の上における前記表示領域とその外側で切削材の噴射口と基板との相対的な移動方向である第１方向の両側に形成されている非表示領域とに設け、その際に前記マスクにおける前記表示領域のパターンを前記隔壁に対応したパターンとし、かつ前記マスクにおける前記非表示領域のパターンを、前記表示領域の前記第１方向の両端を定める端縁に沿って格子状に区画するパターンとし、
前記マスクによって部分的に覆われた前記隔壁材をサンドブラストによってパターニングし、
パターニングされた隔壁材を焼成する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項２】
サンドブラストによる前記隔壁材のパターニングにおいて、前記切削材の噴射口と前記基板とを相対的に前記第１方向に往復移動させる
請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項３】
前記マスクの形成と同時に、前記マスクの前記第１方向の外側に前記マスクと離して補助マスクを形成する
請求項２記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項４】
前記補助マスクにおける前記第１方向と直交する第２方向の両端が、前記マスクに対して突出する
請求項３記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項５】
前記補助マスクのパターンは、前記第２方向に長い複数の帯が平行に並ぶストライプパターンである
請求項４記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項６】
前記補助マスクのパターンは、前記第２方向に長い複数の細い帯が平行に並び、かつ少なくとも前記マスクに最も近い帯の両端が前記マスクに対して突出しないストライプパターンである
請求項４記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項７】
前記補助マスクのパターンは、前記第２方向に細長いリングパターンである
請求項４記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項８】
前記マスクの隅部は円弧状である
請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項９】
前記補助マスクのパターンは、前記表示領域における前記第２方向の全長よりも短い多数の帯が、互いに平行な複数の不連続の線のように前記第２方向に沿って並ぶパターンである
請求項４記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項１０】
前記補助マスクのパターンにおける前記複数の不連続の線どうしで不連続点の前記第２方向の位置がずれている
請求項９記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項１１】
前記補助マスクのパターンにおける前記帯の長さが、０．０５ｍｍから２００ｍｍの範囲内の値である
請求項９記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項１２】
前記補助マスクのパターンにおける前記帯の幅および長さがともに２４０μｍより小さい値である
請求項９記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項１３】
前記マスクにおける前記表示領域の外側に配置される部分の格子状パターンを構成する帯の幅は、１６０μｍから３２０μｍの範囲内の値である
請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【請求項１４】
複数のプラズマディスプレイパネルのそれぞれにおける放電空間を区画する隔壁を同時に形成する方法であって、
前記複数のプラズマディスプレイパネルのそれぞれに対応した表示領域が一列に並ぶ大きさのパネル材料である基板の上に、基板表面における複数の表示領域とこれら表示領域のそれぞれの外側の非表示領域とを覆う隔壁材を設け、
サンドブラストのためのマスクを、前記隔壁材の上における前記複数の表示領域とこれら表示領域のそれぞれの外側で切削材の噴射口と基板との相対的な移動方向である第1方向の両側に形成されている非表示領域とに設け、その際に前記マスクにおける前記表示領域のパターンを前記隔壁に対応したパターンとし、かつ前記マスクにおける前記非表示領域のパターンを、前記表示領域の前記第1方向の両端を定める端縁に沿って格子状に区画するパターンとし、
前記マスクの形成と同時に、少なくとも隣り合う前記マスクにおける格子状に区画する前記パターンどうしの間に、前記マスクと離して補助マスクを形成し、
前記マスクおよび前記補助マスクによって部分的に覆われた前記隔壁材をサンドブラストによってパターニングし、
パターニングされた隔壁材を焼成する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの隔壁形成方法。
【発明の詳細な説明】
技術分野
この発明は、表示領域内に隔壁を有したプラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）を製造するための隔壁形成方法に関し、サンドブラスト法による隔壁形成に適用される。
背景技術
カラー表示に用いられる面放電型ＰＤＰは、隣り合うセルどうしの間の放電干渉を防止するための隔壁を有する。隔壁の配置パターンには、表示領域をマトリクス表示の列（カラム）ごとに区画するストライプパターンと、セルごとに区画するメッシュパターンとがある。ストライプパターンを採用する場合には、平面視帯状の複数の隔壁が表示領域に配置される。メッシュパターンを採用する場合には、全てのセルを個々に囲む平面視形状をもった１つの隔壁（いわゆるボックスリブ）が表示領域に配置される。
一般に隔壁は低融点ガラスの焼成体であり、サンドブラスト法を用いて形成される。第１２図は従来の隔壁形成方法を示す。同図における隔壁パターンはストライプパターンである。隔壁は次の手順で形成される。（Ａ）ガラス基板１０１上に低融点ガラスペーストを均一な厚みで塗布して乾燥させ、乾燥したペーストからなる層状の隔壁材１０２ａをマスク材料である感光性レジスト膜１０３ａで被覆する。（Ｂ）パターン露光および現像を含むフォトリソグラフィによって、隔壁に対応したパターンのマスク１０３を形成する。（Ｃ）切削材を吹き付けて隔壁材１０２ａのマスキングされていない部分を切削する。このとき、マスクパターンにおける複数の帯の長さ方向に沿って噴射ノズルを往復移動させて広範囲の隔壁材１０２ａを均等に少しずつ掘り下げる。（Ｄ）パターニングされた隔壁材１０２ｂの上に残ったマスク１０３を除去する。（Ｅ）隔壁材１０２ｂの焼成によって隔壁１１２を得る。焼成においてはバインダの消失に伴って隔壁材１０２ｂの体積が減少する。
第１２図（Ｃ）のように、サンドブラストではマスク１０３のノズル移動方向の端部において、隔壁材１０２ｂがマスク１０３の下方へ入り込むように抉られるサイドカットが生じる。これはノズルから噴出された切削材の一部が、ガラス基板１０１で反射し、かつノズルから出たものとぶつかることにより、ノズル移動方向と平行な移動成分をもつようになり、このような成分をもった切削材が隔壁端部を抉るためである。サイドカット量は切削レートを高くするほど多くなる。その理由として、単位時間あたりの切削材の噴出する量を増やした場合、上記成分の割合が多くなるためと考えられる。以下、サイドカットを引き起こす上記の成分を噴流と呼ぶ。このサイドカットは、パターニング不良の原因である切削途中でのマスク剥離を引き起こす。加えて、サイドカットは、均一な高さの隔壁１１２を形成することを妨げる。第１２図（Ｄ）のように端面が湾曲した隔壁材１０２ｂを焼成すると、第１２図（Ｅ）のように隔壁１１２の端部が他の部分よりも高くなる。具体的には、高さの設計値が１４０μｍの隔壁においては、焼成前は約２００μｍの高さを有しており、焼成により高さが約７０％に減少するとともに端部が他の部分よりも３０μｍ高くなる。この現象は“跳ね上がり”と呼ばれ、その原因は底部はガラス基板１０１に密着して収縮が拘束されるのに対し、頂部は自由であることにより生じるものである。跳ね上がりは、隔壁１１２を有した基板と他の基板とを重ねるＰＤＰの組み立てにおいて、基板どうしの密着を不完全にする。密着すべき面どうしの間に隙間があるＰＤＰでは、表示のための高周波駆動電圧の印加にともなう静電吸引によって基板が局部的に振動し、それによって微かな動作音（バズ音）が生じる。この現象は、パネル各部の跳ね上がり量との相関を調べたところ、跳ね上がり量を現状の約１／２である１６μｍ以下、製造のばらつきを考えると望ましくは１２μｍ以下にすることにより防止できることが判明した。
本発明は、基板どうしの密着に支障となる突起を生じさせることなく、表示領域にパターンおよび高さが設計どおりの隔壁を形成することを目的としている。
発明の開示
本発明による隔壁形成方法は、部分的にマスキングした隔壁材を切削材の吹き付けによってパターニングする際に、表示領域の外側に表示領域の中の隔壁（メイン隔壁）と繋がったサブ隔壁を形成するように隔壁材をマスキングし、それによってサイドカットを表示領域の外側で生じさせ、加えて、サブ隔壁を格子状パターンとしてサイドカットの起き易い部位を広範囲にすることによってサイドカットの深さを低減する。サイドカットが軽微であれば、マスク剥離は起こりにくく、かつ焼成時の跳ね上がりはほとんどない。
また、より好ましい実施形態では、サブ隔壁のサイドカットをより低減する補助隔壁をサブ隔壁の外側に形成するように隔壁材をマスキングする。補助隔壁の端縁を表示領域より突出させると、切削時におけるサブ隔壁を保護する効果が大きい。補助隔壁についても、基板の密着に支障が生じないようにするために跳ね上がりを防止する。防止策として、補助隔壁パターンをリングパターンとする。環状であれば、熱収縮の応力集中が緩和されて跳ね上がりが起こりにくい。他の防止策として、パターンの寸法を一定値以下とする。具体的には２４０μｍ以下とする。厚さ２００μｍの隔壁材を焼成して高さ１４０μｍの隔壁を形成する場合に、サイドカットの深さ方向のパターン寸法が２４０μｍ以下であれば、サイドカット深さが５０μｍであっても跳ね上がりはごく僅かである。複数個のＰＤＰの隔壁を同時に形成する場合には、基板の中央部では端部と比べて切削材の逃げが少なくてサイドカットが進み易いので、少なくとも隣り合う表示領域の間に補助隔壁を設けるのが好ましい。本発明による隔壁形成方法の他の種々の構成については図面を参照しながら後述する。
発明を実施するための最良の形態
添付の図面に従って、本発明をより詳細に説明する。
第１図は本発明の実施に用いるサンドブラスト装置の概略図である。サンドブラスト装置９０は、コンベア９１、４つのノズル（ブラストガンともいう）９２，９３，９４，９５、流量制御ブロック９６、フィルタ９７、およびサイクロン９８を備えている。コンベア９１は、加工室に搬入されたワークをゆっくりと図の左から右へ移動させる。ノズル９２，９３，９４，９５は、ワークの搬送方向に対して直交する方向に往復移動する。流量制御ブロック９６は、切削材を圧縮ガスに混合してノズル９２，９３，９４，９５へ送る。切削材は、ノズル９２，９３，９４，９５の先端から噴出してワークを削る。飛散した切削材は切削屑とともに回収されてフィルタ９７に送られる。フィルタ９７は、切削材より大きい切削屑を取り除く役割をもつ。サイクロン９８は、フィルタ９７を通過した切削材と微小な切削屑とを分離する。サイクロン９８で分離された切削材は、再利用するために流量制御ブロック９６へ送られる。微小な切削屑は集塵機へ送られる。
（第１実施形態）
第２図は第１実施形態のマスクパターンを示す平面図である。第１実施形態のＰＤＰの隔壁パターンはストライプパターンである。隔壁は、基本的には第１２図の従来例と同様に、パネル材料であるガラス基板１の全面を覆う層状の隔壁材２をサンドブラストによってパターニングし、その後に隔壁材２を焼成する手順で形成される。従来例との差異は、パターニングに用いるマスク３０が表示領域１０とその両側の非表示領域１１とに跨ることである。表示領域１０とは、ガラス基板１におけるセルが形成される領域であり、完成したＰＤＰの表示面に対応する。なお、隔壁材２の形成については、従来例と同様に低融点ガラスペーストをガラス基板１に塗布して乾燥させる方法、および低融点ガラスのグリーンシートをガラス基板１に貼り付ける方法がある。マスク３０は感光性レジストからなる。ガラス基板１のサイズは、例えば３２インチサイズのＰＤＰを製造する場合において１０３０ｍｍ×６５０ｍｍである。
マスク３０における表示領域１０に配置される部分（以下、メインマスクという）３のパターンは形成すべき隔壁に対応したストライプパターンであり、図の上下方向に沿った複数の真っ直ぐな帯からなる。マスク３０における表示領域１０の外側に配置される部分（以下、サブマスクという）４のパターンは、表示領域１０の端縁に沿った帯状の領域１３を格子状に区画するパターンであり、表示領域１０のパターンの延長に相当する帯とそれらと直交する複数の帯とからなる。
ストライプパターンの切削では、帯の長さ方向に沿ってノズルを移動させるのが効果的である。図の上下方向がノズル移動方向である。ノズルと隔壁材２とを相対的に往復移動させる切削工程において、サブマスク４はストライプパターンにおける個々の帯の両端の過剰切削を防止する。サブマスク４の外端縁は表示領域１０における左右方向（つまり、切削時の搬送方向）の全長にわたって連続しているので、サブマスク４の端面に直接に噴射される単位面積当たりの切削材の量は不連続の場合よりも少ない。これにより、サブマスク４の端面のサイドカットは軽減される。そして、サブマスク４の存在によって、サブマスク４で跳ね返った切削材とノズルから直接に飛来した切削材とが相互に干渉するので、メインマスク３の両端部における切削の進行と中央部の進行とが均等になる。
サイドカットの軽減によってマスク剥離が起こりにくくなるとともに、焼成における跳ね上がりが軽微になるので、基板どうしの密着に支障のないように、表示領域にパターンおよび高さが設計どおりの隔壁を形成することができるとともに、表示領域の外側にサブ隔壁を設けることによって基板どうしの密着が不完全になることもない。
第３図はマスクパターンの帯幅と跳ね上がり量との関係を示すグラフである。図のように跳ね上がり量はサブマスク４のパターン（サブパターン）における帯幅に依存する。メインマスク３のパターン（メインパターン）における帯幅が８０μｍ、１６０μｍいずれの場合にも、サブパターンの帯幅、つまりストライプ状隔壁と直交する方向に形成した隔壁の帯幅を２４０μｍとすれば、跳ね上がり量が最小となる。サブパターンの帯幅を１６０μｍ〜３２０μｍの範囲内の値に選定すれば、跳ね上がりを低減することができる。なお、第３図の場合はサイドカット深さが５０μｍの場合であるが、後述の補助隔壁などによりサイドカット量をほとんど０にすると、サブパターンの帯幅を２４０μｍとした場合において、跳ね上がり量を１２μｍ以下にすることができる。
（第２実施形態）
第４図は第２実施形態のマスクパターンを示す平面図、第５図は第２実施形態のマスクパターンの部分拡大図である。第２実施形態のＰＤＰの隔壁パターンもストライプパターンである。隔壁は、第１実施形態と同様に、メインマスク３ｂとサブマスク４ｂとが一体になったマスク３０ｂを用いてガラス基板１ｂの全面を覆う層状の隔壁材２ｂをサンドブラストによってパターニングし、その後に隔壁材２ｂを焼成する手順で形成される。第２実施形態は次の３つの特徴をもつ。
（１）マスク３０ｂの形成と同時に、マスク３０ｂの両側にマスク３０ｂと離して補助マスク５を形成する。
（２）サブマスク４ｂのパターンを構成する帯で、ストライプ状隔壁と直交する方向に形成した隔壁のうち最外周の帯がメインマスク３ｂのパターンを構成する帯よりも太い。
（３）サブマスク４ｂの隅部は円弧状である。
補助マスク５は、サブマスク４ｂでマスキングされる部分のサイドカットをより確実に低減するために、ノズル移動方向の噴流を調整する役割をもつ。片側の補助マスク５のパターンは、搬送方向に長い７本の帯が平行に並ぶストライプパターンであり、補助マスク５の左右の両端はマスク３０ｂに対して長さＬ１１だけ突出している。この突出は噴流調整の効果を高める。
また、マスク３０ｂのパターンを構成する帯の幅について次の関係がある。
Ｌ２＞Ｌ１＞Ｌ３
ここで、Ｌ１は表示領域１０における配列の両端以外の帯の幅であり、Ｌ２は最外周の帯の幅であり、Ｌ３は非表示領城１１における最外周以外の帯の幅である。このように最外周の帯幅を最も大きくすることにより、隔壁パターンにおける最外周の部分が消失してしまうパターニング不良を防ぐことができる。
切削に際しては上述したとおり図の上下方向にノズルを移動させる。ノズルの移動に伴って、最初に上側または下側の非表示領域１１に配置された補助マスク５に切削材が噴射され、次にサブマスク４ｂへ切削材が噴射され、さらにメインマスク３ｂへ切削材が噴射される。切削はマスクのパターン間隙が大きいほど速く進むので、補助マスク５に対する切削作用が最も大きい。補助マスク５はサブマスク４ｂに対する過度の切削を防止する機能をもつ。補助マスク５が剥離して吹き飛ばされた場合には、サブマスク４ｂがメインマスク３ｂに対する過度の切削を防止する。
サブマスク４ｂの隅部を円弧状にすることは、跳ね上がりの低減に有効である。その理由として、焼成時の収縮による応力を分散させ、局部的に生じていた跳ね上がりを分散させ平均化することが重要であると考えられる。隅部のパターンについては第６図に示す変形例がある。第６図（Ａ）のサブマスク４ｃの隅部は、外縁が直角で格子の１つのマスが埋まった形状である。第６図（Ｂ）のサブマスク４ｄの隅部は、格子間隔の２倍の半径をもつ大きな円弧状である。第６図（Ｃ）のサブマスク４ｅの隅部は、左右に長い楕円弧状である。第７図に示すとおり、跳ね上がり量は隅部の形状に依存する。隅部が角張っているよりも円弧の方が跳ね上がり量は少なく、半径の小さい円弧よりも半径の大きい円弧の方が跳ね上がり量は少ない。半径の小さい円弧でも動作音の低減に効果的な１６μｍ以下の跳ね上がりを実現することができるが、製造のばらつきを考えると、半径の大きな円弧にして跳ね上がり量を１２μｍ以下にしておくことが望ましい。
第８図は補助マスクパターンの第１変形例を示す平面図である。補助マスク５ｂのパターンは、半円弧と直線とで構成される左右に細長い３重のリングパターンである。ただし、各リングの両端の半円弧にスリット５１ａが形成されているので、厳密には補助マスク５ｂのパターンは部分的に途切れたリングパターンである。スリット５１ａによってリングが分断されているので、１つのリングの全体が切削途中で部分的なマスク剥離が生じたときに、吹き飛ばされるのは１つのリングの一部に限られ、１つのリングの全体が吹き飛ばされることは起こりにくい。
リングパターンはストライプパターンにおける帯の両端を連結したパターンであり、ストライプパターンと比べて剥離が起こりにくい。最も内側のリングを含めて全てのリングの両端がマスク３０ｂに対して突出しているので、マスク３０ｂを保護する機能が大きい。
第９図は補助マスクパターンの第２変形例を示す平面図である。この例において表示領域１０に配置される隔壁マスク３ｂのパターンはメッシュパターンである。補助マスク５ｃは、メインマスク３ｂとサブマスク４ｂとで構成されるマスク３０ｃの近傍に配置される。補助マスク５ｃのパターンは、表示領域１０における左右方向の全長より短い複数の帯が、互いに平行な複数の不連続の線のように搬送方向に沿って並ぶストライプパターンである。このパターンでは、ストライプの帯を分断するスリット５５の幅の設定によって噴流を制御できる。マスク剥離が生じたときに吹き飛ばされる部分が少ないという効果もある。スリット５５は複数の不連続の線どうしで不連続点がずれるように配置され、これによってサブマスク４ｂにおいて局所的に噴流が強まるのが防止される。
補助マスク５ｃの両端はマスク３０ｂに対して長さＬ１１だけ突出している。しかし、ストライプパターンを構成する帯のうち、マスク３０ｂに最も近い帯はマスク３０ｂに対して突出していない。その理由は、マスク３０ｂの保護に最も寄与する帯の剥離を起こりにくくするためである。この帯が早期に剥離してしまうと、他の帯が剥離する場合と比べて、サブ隔壁のサイドカット量が多くなる。帯の端をマスク３０ｂに対して突出させないことにより、帯の端における噴流圧力が弱まる。なお、マスク３０ｂに最も近い帯の形状は、第５図に示す実施形態の補助マスクにおいても適用可能である。
第１０図は補助マスクパターンの第３変形例を示す平面図である。この例においても隔壁パターンはメッシュパターンである。補助マスク５ｄのパターンは、表示領域１０における搬送方向の全長より十分に短い多数の帯が、互いに平行な複数の不連続の線のように搬送方向に沿って並ぶストライプパターンである。このパターンにおいては、ストライプの帯の長さを０．０５ｍｍ〜２００ｍｍの範囲内の値にすることが重要である。帯が長いほど、吹き飛ばされたときにコンベア９１（第１図参照）の可動機構に絡みつき易い。マスク片の絡みつきは搬送の安定とコンベア９１の清掃の観点において好ましくない。上述の範囲は、絡みつきがなく且つフィルタ９７で容易に回収可能な条件である。線状に並ぶ短い帯どうしの間隔としては、帯の長さの１／５程度が好適である。さらに、跳ね上がりの低減を加味した好ましい条件は、帯の幅および長さが２４０μｍ（＝０．２４ｍｍ）より小さいことである。この条件を満たすと、幅方向と長さ方向とを問わず、深さ５０μｍのサイドカットが生じても、跳ね上がり量が数μｍ以下になることが実験によって確認された。これは帯が２４０μｍより長いと、長い部分の収縮により端部が引っ張られて跳ね上がりとなって現れるが、短いと引っ張る部分が存在しないので、ほとんど跳ね上がらないと説明することができる。
（第３実施形態）
第１１図は第３実施形態のマスクパターンを示す平面図である。第３実施形態は、１枚の基板の上に複数個のＰＤＰの隔壁を一括に形成し、その後に基板を分割する多面取り形式の製造工程に適用される。第１１図の例は３個のＰＤＰの隔壁を一括形成する例を示し、図中の３つの表示領域１０ａ，１０ｂ，１０ｃのそれぞれが１つのＰＤＰの隔壁部分に対応している。第３実施形態のＰＤＰの隔壁パターンもストライプパターンである。隔壁は、第１実施形態と同様に、メインマスクとサブマスクとが一体になったマスク３０ｂを用いてガラス基板１ｃの全面を覆う層状の隔壁材２ｃをサンドブラストによってパターニングし、その後に隔壁材２ｃを焼成する手順で形成される。ガラス基板１ｃのサイズは、例えば３２インチサイズのＰＤＰを製造する場合において１４６０ｍｍ×１０５０ｍｍである。
表示領域１０ａ，１０ｂ，１０ｃは図の上下方向に沿って間隔をあけて並び、それぞれに１つのマスク３０ｂが配置される。そして、隣り合う表示領域の間の非表示領域１１ａ，１１ｂに、マスク３０ｂの形成と同時に補助マスク６ａ，７ａ，６ｂ，７ｂが形成される。補助マスク６ａ，７ａ，６ｂ，７ｂはマスク３０ｂによって形成されるサブ隔壁に対する噴流圧力を緩和する。表示領域の配列方向にノズルを移動させる場合には、移動方向におけるガラス基板１ｃの両端部よりも中間部の方が大きな噴流圧力を受ける。両端部では噴流の約半分がガラス基板１ｃの外側へ逃げるからである。大きな噴流圧力を受ける部位に補助マスク６ａ，７ａ，６ｂ，７ｂを配置することにより、マスク３０ｂの剥離を防止することができ、それによって設計どおりの隔壁を表示領域１０ａ，１０ｂ，１０ｃに形成することができる。なお、３つのマスク３０ｂおよび補助マスク６ａ，７ａ，６ｂ，７ｂを形成するためのフォトリソグラフィ工程においては、１個のＰＤＰに対応する大きさの１つのフォトマスクを３回用いるステッパ形式のパターン露光を行う。このため、実際には図示のようにいずれの表示領域１０ａ，１０ｂ，１０ｃについても同様にそれぞれの両側に補助マスクが形成される。
以上、本発明を適用することにより、表示部を基準とした跳ね上がりに関して、サブ隔壁部およびその隅部、補助隔壁部を含む、隔壁形成部全域にわたって跳ね上がり量を１２μｍ以下、製造される複数のパネル間のばらつきを考慮に入れても１６μｍ以下に抑えることができ、パネル駆動時の振動に伴う動作音（バズ音）を抑制することができる。
以上、本発明を種々の実施形態及び変形例を用いて説明したが、本発明はこれらの実施形態に限らず、種々の形態で実施することが可能である。
産業上の利用可能性
以上のように、本発明による隔壁形成方法は、基板どうしの密着に支障となる突起を生じさせることなく、表示領域にパターンおよび高さが設計どおりの隔壁を形成することができるので、パターニング不良によるプラズマディスプレイパネルの製造の歩留まりを高め、且つ基板どうしの密着不良による振動音が生じないプラズマディスプレイパネルを提供する上で有用である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施に用いるサンドブラスト装置の概略図である。
第２図は第１実施形態のマスクパターンを示す平面図である。
第３図はマスクパターンの帯幅と跳ね上がり量との関係を示す図である。
第４図は第２実施形態のマスクパターンを示す平面図である。
第５図は第２実施形態のマスクパターンの部分拡大図である。
第６図（Ａ）はサブマスクパターンの第１変形例を示す図である。
第６図（Ｂ）はサブマスクパターンの第２変形例を示す図である。
第６図（Ｃ）はサブマスクパターンの第３変形例を示す図である。
第７図はサブマスクの隅部の形状と跳ね上がり量との関係を示す図である。
第８図は補助マスクパターンの第１変形例を示す平面図である。
第９図は補助マスクパターンの第２変形例を示す平面図である。
第１０図は補助マスクパターンの第３変形例を示す平面図である。
第１１図は第３実施形態のマスクパターンを示す平面図である。
第１２図（Ａ）は従来の隔壁形成の第１段階を示す図である。
第１２図（Ｂ）は従来の隔壁形成の第１段階を示す図である。
第１２図（Ｃ）は従来の隔壁形成の第１段階を示す図である。
第１２図（Ｄ）は従来の隔壁形成の第１段階を示す図である。
第１２図（Ｅ）は従来の隔壁形成の第１段階を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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