(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサに所定の測定用直流電圧を印加する測定電圧印加工程と、測定電圧印加工程において、コンデンサに流れる電流を評価することによって、コンデンサの絶縁抵抗についての良否を判定する、電流挙動評価工程とを備える、コンデンサの良否判定方法であって、
測定電圧印加工程の前に、測定用直流電圧の２倍以上かつ１０倍以下の予備充電用直流電圧をコンデンサに印加して、コンデンサの誘電吸収成分を過充電状態にする予備充電工程と、次いで、コンデンサを放電する放電工程とをさらに備え、
放電工程における放電度合いは、放電時間を制御することにより、測定電圧印加工程において測定用直流電圧を印加したとき、予備充電工程において充電された電荷による電流と測定用直流電圧による電流との差し引きによって、良品のコンデンサに電流がほとんど流れないか、測定用直流電圧に対して負の電流が流れる、過充電状態が維持されるように設定され、
電流挙動評価工程は、測定電圧印加工程の途中であって、良品のコンデンサに電流がほとんど流れないか、測定用直流電圧に対して負の電流が流れる、過充電状態にある時点で実施される、コンデンサの良否判定方法。
【請求項２】
電流挙動評価工程は、コンデンサに流れる電流の方向を判定する工程を備え、測定用直流電圧に対して負の電流が流れているとき、良品と判定し、測定用直流電圧に対して正の電流が流れているとき、不良品と判定する、請求項１に記載のコンデンサの良否判定方法。
【請求項３】
電流挙動評価工程は、コンデンサに流れる電流値を測定する工程を備え、不良品における電流値の１／１０以下であるものを良品と判定する、請求項１に記載のコンデンサ良否判定方法。
【請求項４】
コンデンサは積層セラミックコンデンサである、請求項１ないし３のいずれかに記載のコンデンサの良否判定方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、コンデンサの良否判定方法に関するもので、特に、良否判定の能率化および信頼性の向上を図るための改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
たとえば積層セラミックコンデンサは、その製造過程において、空隙や内部電極とセラミック層との剥がれなどの欠陥が生じるという問題に遭遇することがある。これらの欠陥の大部分は、得られた積層セラミックコンデンサの絶縁抵抗を測定することによって検出することができ、したがって、このような絶縁抵抗の評価に基づいて、良品となるべき積層セラミックコンデンサを選別することが可能である。
【０００３】
一般に、コンデンサの絶縁抵抗についての良否を判定するため、図９に示すような手順が採用されている。
【０００４】
図９を参照して、まず、コンデンサに所定の測定用直流電圧を印加する測定電圧印加工程１が実施される。ついで、測定電圧印加工程１において十分に充電された後のコンデンサの漏れ電流を測定することによって、コンデンサの絶縁抵抗を測定する絶縁抵抗測定工程２が実施される。この絶縁抵抗の測定方法としては、ＪＩＳ−Ｃ５１０２で規定されている方法が知られている。
【０００５】
しかしながら、図９に示した方法では、測定電圧印加工程１において、コンデンサを十分な充電状態とするため、比較的長い時間が必要であり、そのため、絶縁抵抗測定工程２を終えるまでの時間が比較的長くなるという問題がある。
【０００６】
上記の充電時間についてより詳細に検討すると、コンデンサの等価回路は、良品では、図６に示すように、静電容量の主成分Ｃ0 、内部抵抗ｒ、絶縁抵抗Ｒ0 および誘電吸収成分Ｄをもって構成される。誘電吸収成分Ｄは、静電容量Ｃ1 および抵抗ｒ1 から構成される。
【０００７】
コンデンサに備える誘電体として強誘電体を用い、さらに誘電吸収成分Ｄが大きい場合には、測定電圧印加工程１において十分な充電状態を得るには、たとえば２分間以上の長い時間を必要とする。
【０００８】
この問題を解決するのに有効な方法が、特開平１０−２４６７４６号公報に記載されている。この公報に記載された方法が、図１０に示されている。
【０００９】
この方法では、図１０に示すように、予備充電工程３、放電工程４、測定電圧印加工程５および絶縁抵抗測定工程６が順次実施される。
【００１０】
予備充電工程３では、後の測定電圧印加工程５において印加される測定用直流電圧より高い予備充電用直流電圧がコンデンサに印加される。これによって、図６に示した誘電吸収成分Ｄに対する充電を短時間のうちに達成し、それによって、測定電圧印加工程５において十分な充電状態を得るための時間の短縮を図っている。
【００１１】
図１０に示した方法では、予備充電工程３と測定電圧印加工程５との間に放電工程４を設けることが、充電の高速化にとって重要であり、このことが、特開平１０−２４６７４６号公報において提案された発明の主要な特徴的構成となっている。このことを、図４を参照して説明する。
【００１２】
図４は、簡単に言えば、放電工程４を実施する放電時間をパラメータとして、測定電圧印加工程を開始してからの時間に対する、コンデンサに流れる電流の変化を示したものである。
【００１３】
図４において、「予備充電なし」は、図９に示した方法に対応している。この場合には、図４に示した範囲から右側に外れた領域で明確に現れるものであるが、この外れた領域で平坦となり、十分な充電状態が達成され、この平坦な部分で絶縁抵抗測定工程２が実施されることになる。
【００１４】
他方、図４において、たとえば「放電１秒」は、図１０に示した放電工程４が１秒間実施されたことを示しており、この場合には、上述した「予備充電なし」に比べて、より早く平坦になり、より早く十分な充電状態が達成されていることがわかる。したがって、絶縁抵抗測定工程６をより早い時点で実施することができる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】
上述した図１０に示した方法のように、予備充電工程３を実施し、測定電圧印加工程５における測定用直流電圧より高い予備充電用直流電圧を印加して、コンデンサの誘電吸収成分Ｄでの予備充電を行なうと、測定電圧印加工程５において、誘電吸収成分Ｄに測定用直流電圧より高い電圧が残っていると、絶縁抵抗測定工程６において、真の電流値より小さい電流値を測定してしまうことになり、不良品を良品と間違える可能性が高くなる。これを避けるためには、放電工程４において、放電を十分に行なう必要がある。
【００１６】
しかしながら、誘電吸収成分Ｄの時定数が比較的大きいため、放電回路のインピーダンスを低く設定しても、放電にはある程度の時間を要し、したがって、測定電圧印加工程５に入るまでに比較的長い時間待たなければならない。このようなことから、結局、予備充電工程３において、誘電吸収成分Ｄへの過充電が生じない条件を選ばなければならないことになり、絶縁抵抗の測定時間の短縮化に対する制約となっている。
【００１７】
また、絶縁抵抗測定工程６においては、微小な電流値を測定しなければならない。特に、対象となるコンデンサが積層セラミックコンデンサの場合、近年の積層セラミックコンデンサの大容量化に伴って、セラミック層の厚みが数μｍ、たとえば３μｍというように薄層化され、それに従って、定格電圧が低くなり、そのため、測定電圧印加工程５における測定用直流電圧も低くしなければならず、この理由によっても、検出されるべき電流値が小さくなってきている。
【００１８】
なお、低い定格電圧にかかわらず、高い電圧値で絶縁抵抗を測定することも考えられるが、測定用直流電圧が高くなると、セラミック層の厚みが薄いために電界強度も高くなり、良品のコンデンサであっても、破壊に至ることがある。
【００１９】
このようなことから、測定用直流電圧をそれほど高くすることができず、したがって、微小な電流値を測定しなければならないため、良品と不良品との間での絶縁抵抗値の差が小さくなり、その結果、良品と不良品との判別が困難になっている。
【００２０】
上述の問題は、図１０に示した方法に限らず、図９に示した方法においても遭遇する。
【００２１】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、コンデンサの良否判定方法を提供しようとすることである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
この発明は、コンデンサに所定の測定用直流電圧を印加する測定電圧印加工程と、測定電圧印加工程において、コンデンサに流れる電流を評価することによって、コンデンサの絶縁抵抗についての良否を判定する、電流挙動評価工程とを備える、コンデンサの良否判定方法に向けられるものであって、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００２３】
この発明に係るコンデンサの良否判定方法では、上述した測定電圧印加工程の前に、測定用直流電圧の２倍以上かつ１０倍以下の予備充電用直流電圧をコンデンサに印加して、コンデンサの誘電吸収成分を過充電状態にする予備充電工程と、次いで、コンデンサを放電する放電工程とが実施され、放電工程における放電度合いが次のように設定される。
【００２４】
すなわち、放電工程における放電度合いは、放電時間を制御することにより、測定電圧印加工程において測定用直流電圧を印加したとき、予備充電工程において充電された電荷による電流と測定用直流電圧による電流との差し引きによって、良品のコンデンサに電流がほとんど流れないか、測定用直流電圧に対して負の電流が流れる、過充電状態が維持されるように設定される。
そして、電流挙動評価工程は、測定電圧印加工程の途中であって、良品のコンデンサに電流がほとんど流れないか、測定用直流電圧に対して負の電流が流れる、過充電状態にある時点で実施される。
【００２５】
この発明において、電流挙動評価工程では、コンデンサに流れる電流の方向を判別することによって、測定用直流電圧に対して負の電流が流れているとき、良品と判定し、測定用直流電圧に対して正の電流が流れているとき、不良品と判定したり、あるいは、コンデンサに流れる電流値を測定することによって、不良品における電流値の１／１０以下であるものを良品と判定したりすることができる。
【００２７】
また、この発明にかかるコンデンサの良否判定方法は、積層セラミックコンデンサの良否判定方法において特に有利に適用される。
【００２８】
【発明の実施の形態】
図１は、この発明の一実施形態によるコンデンサの良否判定方法に備える工程を示す、図９または図１０に相当する図である。
【００２９】
この実施形態による良否判定方法は、図１に示すように、予備充電工程１１、放電工程１２、測定電圧印加工程１３および電流挙動評価工程１４を備えている。
【００３０】
図２は、この実施形態において印加される電圧と時間との関係を示している。図２において、Ｅｐは予備充電用直流電圧を示し、Ｅｍは測定用直流電圧を示している。また、Ｔｐは、予備充電工程１１を実施する予備充電時間を示し、Ｔｄは、放電工程１２を実施する放電時間を示し、Ｔｍは、測定電圧印加工程１３を実施する測定電圧印加時間を示している。
【００３１】
図１および図２に示すような良否判定方法を実施するため、たとえば、図３に示すような電流測定装置１５が用いられる。この電流測定装置１５は、本件特許出願人が特願平７−２９３４４２号（特開平９−１１３５４５号）において提案したものである。
【００３２】
電流特定装置１５は、直流測定電源１６および１７、スイッチ１８、測定されるべきコンデンサ１９、制限抵抗２０、対数増幅器２１、計測用増幅器２２、Ａ／Ｄ変換器２３および２４、ならびに演算処理装置（ＣＰＵ）２５を備えている。
【００３３】
充電初期においては、計測用増幅器２２によって電流値を計測し、所定のしきい値に達すると、対数増幅器２１に切り替え、それ以後は、対数増幅器２１によって電流値を計測する。
【００３４】
この電流測定装置１５は、コンデンサ１９の充電電流が幅広いレンジで変化しても、正確に電流値を測定することができるので、充電初期から充電終期までの電流値を連続的に計測することができる。
【００３５】
スイッチ１８は、ＣＰＵ２５によって切り替えられ、コンデンサ１９には、直流測定電源１６および１７のいずれか一方からの直流電圧が印加される。ここで、直流測定電源１６からの電圧は、予備充電用直流電圧Ｅｐに設定され、直流測定電源１７からの電圧は、測定用直流電圧Ｅｍに設定される。
【００３６】
また、スイッチ１８は、放電工程１２を実施するときには、アースに接続された接点に導通するように切り替えられる。
【００３７】
なお、図１および図２に示した方法を実施するため、図３に示した電流測定装置１５以外の電流測定装置を用いることもできる。すなわち、互いに異なる少なくとも２つの直流電圧をコンデンサに印加するための回路とコンデンサを放電するための回路とを備えるものであれば、どのような電流測定装置であって、これを用いることができる。
【００３８】
この実施形態では、図１および図２に示すように、まず、測定電圧印加工程１３において印加される測定用直流電圧Ｅｍの２倍以上かつ１０倍以下の予備充電用直流電圧Ｅｐをコンデンサに印加する予備充電工程１１が実施される。これによって、図６に示した誘電吸収成分Ｄが意図的に過充電の状態にされる。
【００３９】
次に、放電工程１２が実施される。この放電工程１２では、放電時間Ｔｄを制御することにより、次の測定電圧印加工程１３においても、上述の過充電の状態を維持するようにされる。
【００４０】
次に、測定電圧印加工程１３において、コンデンサに測定用直流電圧Ｅｍが印加され、この測定電圧印加工程１３の途中の適当な段階で、電流挙動評価工程１４が実施される。
【００４１】
電流挙動評価工程１４では、誘電吸収成分Ｄの過充電状態を利用して、コンデンサに流れる電流が評価される。すなわち、コンデンサの誘電吸収成分Ｄにおいて充電された電荷による電流は、測定用直流電圧Ｅｍに対して負の電流であり、そのため、予備充電工程１１において充電された電荷による電流と測定用直流電圧Ｅｍによる電流との差し引きによって、測定電圧印加工程１３では、コンデンサに電流がほとんど流れないか、測定用直流電圧Ｅｍに対して負の電流が流れる状態が得られる。
【００４２】
上述のことは、コンデンサが良品である場合に当てはまるものが、コンデンサが不良品の場合には、図７に示すように、不良部分による抵抗Ｒd が並列に挿入された等価回路が構成される。したがって、不良品の場合には、不良部分による抵抗Ｒd を流れる電流が大きくなるため、測定電圧印加工程１３において、コンデンサには、測定用直流電圧Ｅｍに対して正の電流が流れる。
【００４３】
このようなことから、測定電圧印加工程１３において、コンデンサが良品の場合に測定用直流電圧Ｅｍに対して負の電流が流れる場合には、電流挙動評価工程１４において、コンデンサに流れる電流の方向を判定するようにすれば、測定用直流電圧Ｅｍに対して負の電流が流れているとき、良品と判定し、測定用直流電圧Ｅｍに対して正の電流が流れているとき、不良品と判定することができる。
【００４４】
他方、測定電圧印加工程１３において、コンデンサが良品の場合に、測定用直流電圧Ｅｍに対して負の電流が流れるだけでなく、正の電流がわずかに流れることがある状況の下では、電流挙動評価工程１４において、コンデンサに流れる電流値を測定し、この測定結果から、たとえば、不良品における電流値の１／１０以下であるものを良品と判定すればよい。
【００４５】
上述したいずれの判定方法によっても、判定の感度を上げることが容易であり、誤り率の低い判定が可能である。
【００４６】
図１および図２に示した各工程において、好ましい特定的な実施例では、予備充電用直流電圧Ｅｐは、測定用直流電圧Ｅｍの２倍以上かつ１０倍以下とされ、放電時間Ｔｄは予備充電時間Ｔｐの５０％以下とされ、かつ１０秒間以下とされ、また、測定用直流電圧Ｅｍは２０Ｖ以下とされる。
【００４７】
前述した図４を再び参照する。図４は、Ｅｐ＝４０ＶＤＣ、Ｔｐ＝１．０秒、Ｅｍ＝６．３ＶＤＣとした条件下で、放電時間Ｔｄをパラメータとして、測定電圧印加時間Ｔｍに対する、測定電圧印加工程１３におけるコンデンサに流れる電流Ｉｍの変化を示したものである。ここで用いたコンデンサは、ニッケルを主成分とする内部電極を備え、ＪＩＳによる温度特性Ｂの積層セラミックコンデンサであって、静電容量が１０μＦのものである。
【００４８】
図４を参照して、前述したように、「予備充電なし」は図９に示した方法に対応し、「放電１秒」は、図１０に示した方法に対応している。
【００４９】
これに対して、放電時間Ｔｄを、「放電０．５秒」、「放電０．２秒」、「放電０．１秒」というように、より短くしていくと、電流Ｉｍはより急激に低下していることがわかる。図４において、縦軸の電流Ｉｍは、対数目盛で示しているが、「放電０．５秒」以下の場合、実際には、測定用直流電圧Ｅｍとは逆方向の負の電流が現れている。
【００５０】
図６を再び参照して、静電容量の主成分Ｃ0 を有するコンデンサの充電時間は、この等価回路のインピーダンスによって決まる。通常、コンデンサの充電は５０ｍＡの電流に制限されるので、これを基準に適当な回路インピーダンスを設定すると、時定数は数ｍ秒程度となる。他方、Ｃ1 −ｒ1 成分すなわち誘電吸収成分Ｄは、前述したように、強誘電体特有のものであり、時定数は十数秒から数十秒に達し、充電するのに非常に長い時間を要する。
【００５１】
図４において「放電０．５秒」以下のパラメータにおいて、電流Ｉｍが急激な減少を示している理由は、図６の誘電吸収成分Ｄが、測定用直流電圧Ｅｍより高い予備充電用直流電圧Ｅｐで充電され、その後の放電工程１２において、測定用直流電圧Ｅｍと同レベルになる前に放電が終了されたためである。
【００５２】
図５は、積層セラミックコンデンサの特定のセラミック層に欠陥を有する不良品と良品とについて、図４と同様の方法で測定電圧印加時間Ｔｍとコンデンサに流れる電流Ｉｍとの関係を示したものである。図５に示したデータは、Ｅｐ＝４０ＶＤＣ、Ｔｄ＝０．２５秒、Ｅｍ＝６．３ＶＤＣの条件の下で求められたものである。
【００５３】
図５からわかるように、良品と不良品とを比較すれば、約１秒以降において大きな差が現れている。したがって、このように現れた大きな差を利用すれば、良品と不良品とを誤ることなく判別することができる。
【００５４】
たとえば図５において、良品は約１秒を越えたところで電流が下降して消えているが、この後、一旦、０より下のところで平坦になり、負の電流がなくなったところで、正の電流位置に回復して、そこで再び平坦になる。この０より下のところで平坦になった時点で電流Ｉｍを測定すれば、良品では負の電流が流れていることから、正の電流が流れている不良品との判別をより確実に行なうことができる。
【００５５】
不良品において、誘電吸収成分Ｄでの十分な放電を行なわなくても、ほぼ正しい絶縁抵抗の評価が可能である理由を説明する。
【００５６】
不良品は、前述したように、図７に示すような等価回路で表される。誘電吸収成分Ｄでの放電が測定用直流電圧Ｅｍに達しない条件で、測定電圧印加工程１３において測定用直流電圧Ｅｍを印加しながら、電流挙動評価工程１４において電流を評価しても、不良部分に流れる電流値が誘電吸収成分Ｄにおける負の電流値より十分大きければ、不良品を判別することが可能である。
【００５７】
すなわち、図２に示した予備充電用直流電圧Ｅｐ、予備充電時間Ｔｐ、放電時間Ｔｄおよび測定用直流電圧Ｅｍを、上述のように、不良品の絶縁抵抗の評価に影響しない範囲であって、良品に対してのみ誘電吸収成分Ｄにおける負の電流が影響する範囲で設定することにより、図５に示すように、良品と不良品との間での特性差を拡大することができる。
【００５８】
上述した予備充電用直流電圧Ｅｐ、予備充電時間Ｔｐ、放電時間Ｔｄおよび測定用直流電圧Ｅｍの各々の好ましい条件は、実験によって求めることができ、図８には、その一例が示されている。
【００５９】
図８は、良品に対してのみ誘電吸収成分Ｄにおける負の電流が影響し得る範囲を示すもので、より具体的には、測定用直流電圧Ｅｍをパラメータとし、予備充電用電圧Ｅｐに対する、好ましい放電時間Ｔｄの上限値を示している。この図８に示したデータを得るための実験において、予備充電時間Ｔｐは１．０秒間とした。
【００６０】
図８に示すような上限値を超える放電時間Ｔｄを採用すると、図１０を参照して説明した特開平１０−２４６７４６号公報に記載されたように、測定電圧印加工程５を時間短縮しながら、絶縁抵抗測定工程６を実施することができる。
【００６１】
逆に、図８に示した上限値以下の放電時間Ｔｄを採用すれば、この発明に係る良否判定方法を実施でき、良品と不良品とを、より短時間で、かつより正確に判別することができる。
【００６２】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、測定電圧印加工程の前に測定用直流電圧より高い予備充電用直流電圧をコンデンサに印加して、コンデンサの誘電吸収成分を過充電状態にする予備充電工程と、次いで、コンデンサを放電する放電工程とを実施しながら、測定電圧印加工程において測定用直流電圧を印加したとき、予備充電工程において充電された電荷による電流と測定用直流電圧による電流との差し引きによって、良品のコンデンサに電流がほとんど流れないか、測定用直流電圧に対して負の電流が流れる、過充電状態が維持されるように、放電工程における放電度合いが設定されるので、微小な電流値を測定して絶縁抵抗値を求めるのではなく、測定電圧印加工程における負の電流による電流の挙動の差によって、良品と不良品との判別を行なうことができ、したがって、誤りなく確実にコンデンサの良否判定を行なうことができる。
【００６３】
また、この発明によれば、電流挙動評価工程は、測定電圧印加工程の途中であって、良品のコンデンサに電流がほとんど流れないか、測定用直流電圧に対して負の電流が流れる、過充電状態にある時点で実施される。したがって、従来の絶縁抵抗値の測定の場合には、測定電圧印加工程において充電が十分に進むまで、絶縁抵抗値の測定を待たなければならないが、この発明によれば、充電が十分に進なくても、電流の挙動差を生じさせることができるので、早い段階で良否判定を行なうことができる。
【００６４】
電流挙動評価工程において、コンデンサに流れる電流の方向を判定するようにし、測定用直流電圧に対して負の電流が流れているとき、良品と判定し、測定用直流電圧に対して正の電流が流れているとき、不良品と判定するようにすれば、微小な電流値を高精度に測定する必要がないので、たとえば、電流増幅回路やＳ／Ｎ比の向上のためのフィルタ回路等を必要とせず、簡単なコンパレータ回路等によって、誤りなく正確に良否を判定することが可能となる。
【００６５】
他方、電流挙動評価工程において、コンデンサに流れる電流値を測定し、不良品における電流値の１／１０以下であるものを良品と判定するようにした場合であっても、良品と不良品との差が大きいため、微小な電流値を高精度に測定する必要がなく、上述の場合と同様、簡単なコンパレータ回路等を用いて、誤りなく正確に良否判定を行なうことができる。
【００６６】
また、この発明によれば、放電工程における放電度合いを制御するため、放電時間を制御するようにしているので、放電度合いの制御を簡易にかつ高い信頼性をもって行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態によるコンデンサの良否判定方法に備える工程を順次示す図である。
【図２】図１に示した予備充電工程１１、放電工程１２および測定電圧印加工程１３の各々においてコンデンサに印加される電圧と時間との関係を説明するための図である。
【図３】この発明において用いられる電流測定装置の一例を示す回路図である。
【図４】図２に示した放電時間Ｔｄをパラメータとして、測定電圧印加時間Ｔｍに対する、コンデンサに流れる電流Ｉｍの変化を示す図である。
【図５】図４に相当する図であって、特定の放電時間Ｔｄを採用したときの測定電圧印加時間Ｔｍに対する、コンデンサに流れる電流Ｉｍの変化を示す図である。
【図６】良品としてのコンデンサの等価回路図である。
【図７】不良品としてのコンデンサの等価回路図である。
【図８】測定用直流電圧Ｅｍをパラメータとして、この発明において採用される予備充電用電圧Ｅｐと放電時間Ｔｄの上限値との関係を示す図である。
【図９】この発明にとって興味ある第１の従来技術によるコンデンサの良否判定方法に備える工程を示す図である。
【図１０】この発明にとって興味ある第２の従来技術によるコンデンサの良否判定方法に備える工程を示す図である。
【符号の説明】
１１  予備充電工程
１２  放電工程
１３  測定電圧印加工程
１４  電流挙動評価工程
Ｅｐ  予備充電用直流電圧
Ｅｍ  測定用直流電圧
Ｔｐ  予備充電時間
Ｔｄ  放電時間
Ｔｍ  測定電圧印加時間
【図１】
0003925136.tif 000002
【図２】
0003925136.tif 000003
【図３】
0003925136.tif 000004
【図４】
0003925136.tif 000005
【図５】
0003925136.tif 000006
【図６】
0003925136.tif 000007
【図７】
0003925136.tif 000008
【図８】
0003925136.tif 000009
【図９】
0003925136.tif 000010
【図１０】
0003925136.tif 000011