(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体記憶デバイスそれ自体の動作温度または半導体記憶デバイスの周辺環境温度を検出する温度検出手段と、
該温度検出手段の検出温度が所定の温度を上回っている時に前記半導体記憶デバイスを不能動化する不能動化手段と、
前記半導体記憶デバイスが不能動化されている間に当該半導体記憶デバイスに対してデータの書き込みが行われようとする場合にそのデータを前記半導体記憶デバイスに代わって記憶する代替記憶手段と、
前記半導体記憶デバイスの不能動化が解除された時または解除後に前記代替記憶手段にデータが記憶されていればそのデータを前記半導体記憶デバイスに書き込む書き込み手段と
を備えたことを特徴とする半導体記憶デバイスの制御装置。
【請求項２】
前記不能動化手段は、前記半導体記憶デバイスへの電源供給を遮断することにより、前記半導体記憶デバイスを不能動化することを特徴とする請求項１記載の半導体記憶デバイスの制御装置。
【請求項３】
前記不能動化手段は、前記半導体記憶デバイスへの電源供給を遮断するとともに、前記半導体記憶デバイスの少なくともデータ入出力端子をＬ論理レベルまたはハイインピーダンス状態とすることにより、前記半導体記憶デバイスを不能動化することを特徴とする請求項１記載の半導体記憶デバイスの制御装置。
【請求項４】
さらに、前記半導体記憶デバイスが不能動化されている間、外部からのプログラム停止信号またはリセット信号を受け付けないようにしたことを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれかに記載の半導体記憶デバイスの制御装置。
【請求項５】
半導体記憶デバイスそれ自体の動作温度または半導体記憶デバイスの周辺環境温度を検出するステップと、
前記検出温度が所定の温度を上回っている時に前記半導体記憶デバイスを不能動化するステップと、
前記半導体記憶デバイスが不能動化されている間に当該半導体記憶デバイスに対してデータの書き込みが行われようとする場合にそのデータを前記半導体記憶デバイスとは別の代替記憶手段に記憶させるステップと、
前記半導体記憶デバイスの不能動化が解除された時または解除後に前記代替記憶手段にデータが記憶されていればそのデータを前記半導体記憶デバイスに書き込むステップと
を含むことを特徴とする半導体記憶デバイスの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体記憶デバイスの制御装置及び半導体記憶デバイスの制御方法に関する。詳しくは、記憶データを電気的に書き換えできる不揮発性半導体記憶デバイス（正確な表現では“電気的書き換え可能不揮発性半導体記憶デバイス”）の制御装置及び制御方法に係り、特に、高温環境下で用いられる半導体記憶デバイスの制御装置及び制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
上記の「電気的書き換え可能不揮発性半導体記憶デバイス」に相当するものとしては、たとえば、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）またはフラッシュメモリなどがある。本明細書では、これらを総称して「ＥＥＰＲＯＭ等」ということにする。
【０００３】
ＥＥＰＲＯＭ等は、任意のデータを書き込むことができ、さらに、そのデータを別のデータで上書きすることができ、加えて、その書き込みデータを電源オフ後も保持することができる。ＥＥＰＲＯＭ等は、同様の機能を有する他の記憶装置、すなわち、データの書き込み、データの上書き及び電源オフ後のデータ保持を行うことができる、たとえば、ハードディスクなどの記憶装置と比べて、小型軽量で基板への実装がしやすい、電力消費がきわめて少ない、機構部分がなく耐衝撃性がある、等の数々の利点を持っており、とりわけ、小型の電子機器や過酷な環境下で用いられる各種制御機器にとって欠くことのできないデータ保持デバイスである。
【０００４】
ところで、ＥＥＰＲＯＭ等を高温環境下で使用する場合、記憶データの安定的な保持動作を保証し難い場合があることが知られている。これは、一般にＥＥＰＲＯＭ等を構成する記憶素子（不揮発性メモリトランジスタ）は、周囲を絶縁膜で囲まれたフローティングゲートと呼ばれる特殊な制御ゲートを有しており、そのフローティングゲートに電荷を注入し、しきい値電圧を制御することによって、二値論理（論理０と論理１）のいずれかのデータを記憶しているが、高温環境下で使用した場合は、フローティングゲート内の電荷が失われ易いという好ましくない特性を持っているからである。
【０００５】
データの消失（換言すれば保持データの破壊）は、高温環境下で顕著となるフレンケル・プール（Ｆｒｅｎｋｅｌ−Ｐｏｏｌｅ）電流などのリーク電流に起因するものと考えられており、リーク電流を減らした特殊用途品（耐温性を有する高温対応版のＥＥＰＲＯＭ等）も存在しているが、値段が高いため、安価な汎用品（非耐温性の常温対応版）を高温環境下でも使用できるようにすることが求められている。
【０００６】
＜第一の従来技術＞
上記の不具合を解決するために、従来より、たとえば、データが消失する前にデータの再書き込みを行うという対策があった。しかし、このような対策では、データ消失を回避できる反面、ＥＥＰＲＯＭ等は書き込み回数に一定の制限（上限）があるため、再書き込みに伴って書き込み可能回数が減ってしまい、結局、ＥＥＰＲＯＭ等のライフサイクル（寿命）が短くなるという欠点を有していた。
【０００７】
＜第二の従来技術＞
特開平１０−２１６９３号公報には、上記の欠点を克服することを意図した「半導体記憶装置」が記載されている。これによれば、ＥＥＰＲＯＭ等の使用環境温度を検出し、その検出温度が所定の温度を超えた場合（すなわち高温環境下）にだけ、データの再書き込みを行うことによって、再書き込み回数の減少を達成している。
【０００８】
すなわち、公報記載の「半導体記憶装置」は、前記の第一の従来技術（温度にかかわらずデータが消失する前にデータの再書き込みを行うもの）と違い、特定の高温環境下でのみ“限定的にデータの再書き込みを行う”ようにしたものである。このため、たとえば、自動車等の車載環境のように、常に高温環境下で使用されるとは限らない用途（つまり、常温環境や低温環境などの合間にしばしば高温環境が入る用途）にあっては、時々しかデータの再書き込みが行われないこととなり、その結果、再書き込みの回数を減らすことができ、それだけＥＥＰＲＯＭ等の寿命を延ばすことができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、両者（第一及び第二の従来技術）は、「データ消失回避のための再書き込みを行う」点で見た場合まったく同じである。したがって、第二の従来技術も、再書き込みの実行回数分だけ、ＥＥＰＲＯＭ等の書き込み「可能」回数が減ることに変わりなく、それだけ寿命が短くなるという同様の問題点を抱えている。
【００１０】
そこで本発明は、再書き込みを行わずに高温環境下のデータ消失を回避することができ、以て、再書き込みを行わない分だけ寿命を延ばすことができる半導体記憶デバイスの制御装置を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体記憶デバイスそれ自体の動作温度または半導体記憶デバイスの周辺環境温度を検出する温度検出手段と、
該温度検出手段の検出温度が所定の温度を上回っている時に前記半導体記憶デバイスを不能動化する不能動化手段と、
前記半導体記憶デバイスが不能動化されている間に当該半導体記憶デバイスに対してデータの書き込みが行われようとする場合にそのデータを前記半導体記憶デバイスに代わって記憶する代替記憶手段と、
前記半導体記憶デバイスの不能動化が解除された時または解除後に前記代替記憶手段にデータが記憶されていればそのデータを前記半導体記憶デバイスに書き込む書き込み手段とを備えたこととされているものである。
【００１２】
ここで、「不能動化」とは、前記半導体記憶デバイスの持つ機能のうちデータの保持機能のみを生かし、他の機能（データの書き込み機能と読み出し機能）を停止することをいう。この不能動化は、たとえば、半導体記憶デバイスへの電源供給を遮断することによって行い得る。この場合、不能動化の解除、言い換えれば、他の機能（データの書き込み機能と読み出し機能）の停止状態を解除して能動化する操作は、電源供給の再開によって行い得る。
【００１３】
また、「半導体記憶デバイス」は、記憶データを電気的に書き換えできる不揮発性半導体記憶デバイスであって、特に高温環境下で使用する場合に、記憶データの安定的な保持動作を保証し難い場合があるもの、たとえば、ＥＥＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭまたはフラッシュメモリなどである。
また、「代替記憶手段」は、前記半導体記憶デバイスへの書き込みデータの一時保存領域として利用できるものであればよく、たとえば、ＲＡＭなどの揮発性半導体記憶デバイスそれ自体またはその記憶領域の一部を使用することができる。
【００１４】
この発明によれば、半導体記憶デバイスそれ自体の動作温度または半導体記憶デバイスの周辺環境温度が所定の温度を上回っている場合に、当該半導体記憶デバイスが不能動化される。そして、その不能動化されている期間中に、当該半導体記憶デバイスにデータが書き込まれようとした時は、そのデータが代替記憶手段に待避され、その後、前記半導体記憶デバイスそれ自体の動作温度または半導体記憶デバイスの周辺環境温度が所定の温度を上回らなくなった時に前記の不能動化が解除されると共に、代替記憶手段に待避されていたデータが半導体記憶デバイスに書き込まれる（書き戻される）。
【００１５】
したがって、半導体記憶デバイスそれ自体の動作温度または半導体記憶デバイスの周辺環境温度が所定の温度を上回っている場合、すなわち、高温環境下においては、半導体記憶デバイスの不能動化を行うだけであるから、言い換えれば、前記従来技術のような「再書き込み動作」をまったく行わないから、書き込み可能回数の無用な消費を回避することができる。しかも、高温環境下のデータ消失も回避することができ、以て、再書き込みを行わない分だけ寿命を延ばすことができる有益な半導体記憶デバイスの制御装置を提供することができる。
【００１６】
なお、この発明のより好ましい構成は、前記不能動化手段は、前記半導体記憶デバイスへの電源供給を遮断することにより、前記半導体記憶デバイスを不能動化することとされているものである。
このような構成であると、半導体記憶デバイスの不能動化により、データ消失の一層の抑制を図ることができる。
【００１７】
また、この発明のより好ましい構成は、前記不能動化手段は、前記半導体記憶デバイスへの電源供給を遮断するとともに、前記半導体記憶デバイスの少なくともデータ入出力端子をＬ論理レベルまたはハイインピーダンス状態とすることにより、前記半導体記憶デバイスを不能動化することとされているものである。
このような構成であると、データ入出力端子から入り込む信号電流も遮断でき、信号電流の印加に伴うチップの発熱も抑制できる。
【００１８】
また、この発明のより好ましい構成は、さらに、前記半導体記憶デバイスが不能動化されている間、外部からのプログラム停止信号またはリセット信号を受け付けないようにしたこととされているものである。
このような構成であると、たとえば、データの待避先（代替記憶手段）にＲＡＭなどの揮発性半導体記憶デバイスを利用した場合、不用意なプログラム停止信号またはリセット信号によって、当該代替記憶手段に記憶された待避データが失われることがない。これにより、システム動作の安定性を確保することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、たとえば、「ＥＥＰＲＯＭ」への適用を例にして図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明における様々な細部の特定ないし実例および数値や文字列その他の記号の例示は、本発明の思想を明瞭にするための、あくまでも参考であって、それらのすべてまたは一部によって本発明の思想が限定されないことは明らかである。また、周知の手法、周知の手順、周知のアーキテクチャおよび周知の回路構成等（以下「周知事項」）についてはその細部にわたる説明を避けるが、これも説明を簡潔にするためであって、これら周知事項のすべてまたは一部を意図的に排除するものではない。かかる周知事項は本発明の出願時点で当業者の知り得るところであるので、以下の説明に当然含まれている。
【００２０】
図１は、制御装置１のブロック図である。この制御装置１は、常にではないが“高温環境下”で使用される可能性があるもの、たとえば、車載用途の各種制御ユニット（エンジン制御ユニット、電動パワステ制御ユニット、キーレスエントリーシステム制御ユニット、その他の制御ユニットなど）をその具体例とすることができる。
【００２１】
これらの車載用制御ユニットは、特に夏場の炎天下の駐車中などの場合に相当な高温に晒されることがあるからであり、しかも、エアコンを効かせることによって、または、走行を開始することによって、若しくは、地下駐車場などに移動することによって、かかる高温環境から脱することができるからである。言い換えれば、これらの車載用制御ユニットは、特定の条件（夏場の炎天下の駐車中など）の下でのみ、高温環境下に置かれ、且つ、その特定の条件は永続的ではなく、散発的（「まれに」または「時々」若しくは「しばしば」）に発生するケースだからである。
【００２２】
本発明の技術は、かかる例示の制御ユニット（車載用途のもの）を思想の外縁としない。散発的に高温環境下で用いられる可能性がある、あらゆる種類・用途の制御ユニットまたはそれに類するものを包含する。
【００２３】
以下においては、説明の便宜上、車載用のキーレスエントリーシステム制御ユニットへの適用を例にする。すなわち、図示の制御機器１は、恣意的に変化させることが出来ない人体の生物学的特徴（例：顔貌、指紋、網膜の血管パターン）を利用して本人認証を行う、いわゆるバイオメトリック認証システムを用いたキーレスエントリーシステムの制御ユニットとして機能するものである。
【００２４】
この場合、制御機器１は、たとえば、指紋センサなどからのデータを入力したり、本人認証の結果を示すデータをキーレスエントリーシステムに出力したりする入出力インターフェース２と、マイクロコンピュータなどを用いた中央処理部（以下「ＣＰＵ」と略す）３と、揮発性半導体記憶デバイス（以下「ＲＡＭ」と略す）４と、不揮発性半導体記憶デバイス（以下「ＲＯＭ」と略す）５と、書き換え可能データ保持部６と、それら各部を結ぶバス７（データバス及びコントロールバスを含む）と、それら各部に電源を供給する電源部８とを備えている。
【００２５】
ＣＰＵ３は発明の要旨に記載の「不能動化手段」、「書き込み手段」として機能し、ＲＡＭ４は同要旨に記載の「代替記憶手段」として機能し、ＥＥＰＲＯＭ９は同要旨に記載の「半導体記憶デバイス」として機能する。
【００２６】
また、書き換え可能データ保持部６は、冒頭で説明した「ＥＥＰＲＯＭ等」に相当する、電気的書き換え可能不揮発性半導体記憶デバイス（以下「ＥＥＰＲＯＭ」と略す）９と、そのＥＥＰＲＯＭ９の動作温度（ＥＥＰＲＯＭ９それ自体の動作温度またはＥＥＰＲＯＭ９の取り付け基板温度や制御機器１の内部温度若しくは制御機器１の周辺環境温度；以下、これらを総称して「ＥＥＰＲＯＭ９の動作温度」という）を検出して、その動作温度に相関した値を持つ電気信号Ｔｍｐを生成出力する温度センサ１０とを有し、さらに、入出力インターフェース２からの所定の制御信号Ｃｓｗに従って、ＥＥＰＲＯＭ９の電源供給ラインの電気的導通を接／断（オン／オフ）するスイッチ１１を有する。
【００２７】
以下、このスイッチ１１は、制御信号Ｃｓｗが“アクティブ”の時に図示のとおりのオン状態となり、制御信号Ｃｓｗが“インアクティブ”の時にオフ状態となるものとする。温度センサ１０は発明の要旨に記載の「温度検出手段」として機能し、スイッチ１１は同要旨に記載の「不能動化手段」として機能する。
【００２８】
電源部８は、外部電源（この場合は車両のバッテリ）の供給を受けて、その外部電源から少なくとも二種類の内部電源ＶＣＣａ、ＶＣＣｂを発生し、それらの内部電源ＶＣＣａ、ＶＣＣｂを各部（入出力インターフェース２、ＲＡＭ４、ＲＯＭ５及び書き換え可能データ保持部６）に供給する。
【００２９】
本実施の形態における特徴の一つは、書き換え可能データ保持部６のＥＥＰＲＯＭ９の動作に必要な内部電源（図ではＶＣＣｂ）の供給経路と、他の部分（ＥＥＰＲＯＭ９以外の入出力インターフェース２、ＲＡＭ４、ＲＯＭ５及び温度センサ１０）の動作に必要な内部電源（図ではＶＣＣａ）の供給経路とを別系統とし、且つ、ＶＣＣｂの供給経路中にスイッチ１１を挿入した点にある。
【００３０】
この特徴により、たとえば、Ｃｓｗを“インアクティブ”にしてスイッチ１１をオフにし、ＥＥＰＲＯＭ９の動作に必要な内部電源ＶＣＣｂの供給を絶つことができる。その結果、ＥＥＰＲＯＭ９のデータ保持機能のみを許容した状態、すなわち、データの読み出し機能と上書き機能とを停止させた「不能動化」の状態にすることができる。
【００３１】
なお、ＣＰＵ３、ＲＡＭ４、ＲＯＭ５及びＥＥＰＲＯＭ９の役割は一般的に以下のとおりである。ＲＯＭ５は、その制御機器１に必要な制御プログラムや固定データなどの電子データを半永久的に保持する。通常は、制御機器１の工場出荷時に一度だけ電子データの書き込みが行われ、ＲＯＭ５に書き込まれたデータの変更はできない。ＲＡＭ４は、ＣＰＵ３のワークメモリとして動作する。ＣＰＵ３は、バス７を介してＲＯＭ５から所要の電子データ（制御プログラム等）を読み込み、それをＲＡＭ４に展開（ロード）して実行する。
【００３２】
さて、ＣＰＵ３で様々な処理を実行していく過程で、可変的な電子データが生成されることがある。そして、その可変データを事後に必要となる時まで保存しておかなければならないことがある。たとえば、キーレスエントリーシステムであれば、事前にシステムに登録する本人の照合情報（指紋情報など）はその可変データに相当する。ＥＥＰＲＯＭ９は、こうした可変データを記憶するための構成要素である。ＣＰＵ３は、可変データが生成されるたびに、バス７を介してＥＥＰＲＯＭ９にアクセスし、ＥＥＰＲＯＭ９にその可変データを書き込む。
【００３３】
先に説明したとおり、ＥＥＰＲＯＭ９は、電源オフ後も記憶データを保持し続けるため、ＥＥＰＲＯＭ９に書き込まれた可変データは長期に渡って失われない。これにより、キーレスエントリーシステムは、ＥＥＰＲＯＭ９に書き込まれた照合情報を長期保存しつつ、必要に応じて、照合対象者の指紋読み取り情報とＥＥＰＲＯＭ９から読み出した照合情報とのマッチングをとり、システムに登録された本人であるか否かを判定することができる。
【００３４】
図２（ａ）は、ＥＥＰＲＯＭ９の端子配列図である。なお、この端子配列は、実際の配列の一部しか示していない。すなわち、アドレス端子や他の制御端子（モード指定のための端子など）は省略してある。また、いうまでもなくこの端子配列は、説明のための便宜例の一つにすぎない。
【００３５】
図において、ＥＥＰＲＯＭ９は、チップセレクト端子ＣＳ、システムクロック端子ＳＫ、データ入力端子ＤＩ、データ出力端子ＤＯ、電源端子ＶＣＣ、及び、共通電位端子ＧＮＤなどを備えている。なお、電源端子ＶＣＣと共通電位端子ＧＮＤの間に挿入されたコンデンサ１２は、電源配線経由で入り込む（または自分自身から外部に出力する）パルス状のノイズ成分を取り除くためのバイパスコンデンサである。
【００３６】
今、図示のとおりにスイッチ１１がオンになっている時、ＶＣＣ端子には電源部８からの内部電源ＶＣＣｂが加えられている。このため、ＥＥＰＲＯＭ９は、データの書き込み、読み出し及びデータ保持のいずれの機能も制限されない「能動化」の状態にある。
【００３７】
この能動化の状態において、ＣＰＵ３がＥＥＰＲＯＭ９を使用（アクセス）する場合は、まず、バス７を介してチップセレクト端子ＣＳをアクティブにする。ＥＥＰＲＯＭ９は、チップセレクト端子ＣＳがインアクティブからアクティブに変更されると、データ入出力端子ＤＩ、ＤＯの状態をフローティング状態（バス７との間の電気的接続が絶たれた状態のこと。または、ハイインピーダンス状態ともいう）からデータ入出力可能状態へと遷移する。これにより、ＥＥＰＲＯＭ９は、バス７を介して伝えられた書き込みデータを入力端子ＤＩから取り込み（書き込みモードの時）、または、内部に保存されていたデータを出力端子ＤＯからバス７に取り出す（読み出しモードの時）。なお、アドレスの指定については説明を割愛する。
【００３８】
図２（ｂ）は、温度センサ１０の一例回路図である。この例の場合、温度センサ１０は、温度依存性を有する第一の抵抗素子１０ａと、非温度依存性（または無視できる程度の弱温度依存性を有していてもよい）の第二の抵抗素子１０ｂとを、内部電源ＶＣＣａと共通電位との間に直列接続して構成されている。この温度センサ１０は、接地電位を便宜的に０Ｖとすると、内部電源ＶＣＣａの電位を二つの抵抗値（第一の抵抗素子１０ａと第二の抵抗素子１０ｂの抵抗値）で分圧した電気信号Ｔｍｐ（第二の抵抗素子１０ｂの両端電圧）を出力する。今、第一の抵抗素子１０ａの温度依存性が、たとえば、温度が高くなるほどその抵抗値が減少する「負の温度依存性」であると仮定すると、高温になるほど、第一の抵抗素子１０ａの電圧降下が減少し、その減少分だけ第二の抵抗素子１０ｂの両端電圧（Ｔｍｐ）が増加するから、結局、電気信号Ｔｍｐの値は温度に比例して変化する相関性を持つことになる。
【００３９】
次に、以上の電気信号Ｔｍｐやスイッチ１１を利用しつつ、高温環境下におけるＥＥＰＲＯＭ９のデータ喪失対策を講じるためのアルゴリズムについて説明する。
【００４０】
図３は、そのアルゴリズムを含むプログラムのフローチャートである。このフローチャートは、制御機器１のＣＰＵ３で実行される制御プログラム（ＲＯＭ５にあらかじめ格納された制御プログラム）の一部を示すものである。初期化処理（ステップＳ１０）や通常処理（ステップＳ１１）は、その制御プログラムの本来機能部分、たとえば、キーレスエントリーシステムを例にすれば、システムの初期化処理や本人認証のための事前登録処理、及び、その登録情報に基づく本人認証処理などを周期的に行うためのコア部分である。これに対して、波線で囲んだ部分は、ＥＥＰＲＯＭ９のデータ喪失対策を講じるためのサブ部分であり、このサブ部分に本発明の特徴が含まれている。
【００４１】
コア部分からサブ部分への分岐は、たとえば、ＥＥＰＲＯＭ９へのアクセス要求に応答させて行ってもよい。または、割り込みに応答させて行ってもよい。コア部分からサブ部分に処理の実行が移ると、ＣＰＵ３は、まず、入出力インターフェース２から電気信号Ｔｍｐを取り込む（ステップＳ１２）。次に、Ｔｍｐと所定の判定基準値ＳＬとを比較して、ＴｍｐがＳＬを越えているか否かを判定する（ステップＳ１３）。
【００４２】
既述のとおり、Ｔｍｐの値は温度に比例して変化する。今、ＥＥＰＲＯＭ９の動作に悪影響を与える可能性がある高温域の下限温度（たとえば、８５度程度）のときのＴｍｐの値を便宜的に「ＴｍｐＨｉ」ということにし、且つ、上記の判定基準値ＳＬをＴｍｐＨｉに合わせることにする。なお、ＴｍｐＨｉは発明の要旨に記載の所定の温度に相当する。
【００４３】
この場合、ＥＥＰＲＯＭ９の動作温度がＳＬ（＝ＴｍｐＨｉ）を上回っていない場合、すなわち、非高温環境下の場合は、ステップＳ１３の判定結果が“肯定”（ＹＥＳ）となり、一方、ＥＥＰＲＯＭ９の動作温度がＳＬ（＝ＴｍｐＨｉ）を上回っている場合、すなわち、高温環境下の場合は、ステップＳ１３の判定結果が“否定”（ＮＯ）となる。以下、それぞれの判定結果ごとの処理を説明する。
【００４４】
＜高温環境下の場合の処理＞
まず、入出力インターフェース２からスイッチ１１に出力されている制御信号Ｃｓｗを“インアクティブ”にし、スイッチ１１をオフにしてＥＥＰＲＯＭ９への内部電源ＶＣＣｂの供給を遮断する（ステップＳ１４）。これにより、ＥＥＰＲＯＭ９は、不能動化の状態となって自分自身の電力消費をゼロにし、少なくともその電力消費分に相当する発熱を抑えてデータの消失を回避する。ところで、ＥＥＰＲＯＭ９が不能動化している間は、ＥＥＰＲＯＭ９へのデータの書き込みが一切できなくなる。そこで、このアルゴリズムでは、不能動化の期間中にＥＥＰＲＯＭ９へのデータ書き込みが行われる場合は、その書き込みデータをＲＡＭ４の一時領域（後述）に待避させるようにしている（ステップＳ１５）。
【００４５】
＜非高温環境下の場合の処理＞
一方、ステップＳ１３の判定結果が“否定”（ＮＯ）となった場合、すなわち、ＴｍｐＨｉを下回る非高温環境下（常温または低温環境下）の場合は、まず、制御信号Ｃｓｗを“アクティブ”にし、スイッチ１１をオンにしてＥＥＰＲＯＭ９への内部電源ＶＣＣｂの供給を許容する（ステップＳ１６）。これにより、ＥＥＰＲＯＭ９は、不能動化を解除して、データの読み出し、書き込み及びデータ保存を可能とする能動化の状態となる。次に、ＲＡＭ４の一時領域を調べ、そこに待避データが保存されているか否かを判定する（ステップＳ１７）。そして、待避データがあれば、そのデータをＥＥＰＲＯＭ９に書き込み（ステップＳ１８）、最後に、ＥＥＰＲＯＭ９のアクセスを実行する（ステップＳ１９）。
【００４６】
図４は、上記の高温環境下の処理と非高温環境下の処理とを模式化した図である。非高温環境下の場合は、同図（ａ）に示すように、ＣＰＵ３からのＥＥＰＲＯＭ９への書き込みデータは、（イ）そのままＥＥＰＲＯＭ９に書き込まれるが、高温環境下の場合は、同図（ｂ）に示すように、ＣＰＵ３からのＥＥＰＲＯＭ９への書き込みデータは、不能動化されたＥＥＰＲＯＭ９には書き込まれず、（ロ）一端、ＲＡＭ４の一時領域４ａに書き込まれる（データの待避）。そして、その後、温度が低下して非高温環境下に戻った時に、（ハ）ＲＡＭ４の一時領域４ａに書き込まれていたデータを読み出し、それを能動化状態にあるＥＥＰＲＯＭ９に書き込むという全体の流れになる。
【００４７】
以上のとおりであるから、本実施の形態によれば、（Ａ）高温環境下ではＥＥＰＲＯＭ９を不能動化とすることにより、データの消失を回避することができる。また、（Ｂ）そのデータ消失回避の効果により、上来技術のようなデータの再書き込みを行う必要がなくなるため、書き込みの実行回数を減らしてＥＥＰＲＯＭ９の延命化を図ることができる。また、（Ｃ）ＥＥＰＲＯＭ９に安価な汎用品を利用できるため、システムコストの削減を図ることができる。さらに、（Ｄ）ＥＥＰＲＯＭ９の不能動化中に、ＥＥＰＲＯＭ９へのデータ書き込みが生じた場合は、そのデータをＲＡＭ４に待避しておき、その後、非高温環境下に復帰したときにＲＡＭ４からＥＥＰＲＯＭ９へとデータを書き戻すので、データの保持作用を損なうこともない。
【００４８】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、発明の技術思想の範囲において、様々な態様への変形が可能である。たとえば、ＥＥＰＲＯＭ９の不能動化は、電源電圧の遮断によって行われるだけでなく、さらに、入出力端子ＤＩ、ＤＯのフローティング状態（ハイインピーダンス状態）を併用してもよい。このようにすると、電源電流に加えて、入出力端子ＤＩ、ＤＯを経由して流入する信号電流も遮断することができる。または、フローティング状態の代わりに入出力端子ＤＩ、ＤＯをＬ論理レベルにしてもよく、あるいは、入出力端子ＤＩ、ＤＯのみならず、他の端子（アドレス端子や制御端子など）についても、フローティング状態やＬ論理レベルにしてもよい。
【００４９】
また、上記の実施の形態では、高温環境下におけるＥＥＰＲＯＭ９への書き込みデータの待避先を、ＲＡＭ４に確保された一時領域４ａとしているが、一時領域４ａ以外の記憶領域であってもよく、または、ＲＡＭ４に限らず他の記憶デバイス（当然、耐温性のあるもの）の記憶領域であってもよい。
【００５０】
また、ＲＡＭ４などの揮発性記憶デバイスは、たとえば、ＣＰＵ３で初期化処理（図３のステップＳ１０）を実行した場合、その初期化処理の内容によっては、記憶データ（待避データ）を失ってしまうことがある。したがって、この場合は、事後にＥＥＰＲＯＭ９への待避データの書き込みができなくなるので、待避先をＲＡＭ４とする場合は、安定した動作を確保するために何らかの対策を講じておくことが望ましい。この対策としては、たとえば、待避データをＲＡＭ４に保管している間は、初期化処理を実行する可能性がある外部信号（とりわけ、プログラム停止信号やリセット信号）を受け付けないようにすることができる。
【００５１】
また、以上の実施の形態では、制御機器１の用途として、キーレスエントリーシステムへの適用を例示したが、これ以外の、たとえば、電動パワステ制御システムへの適用も可能である。特にこの用途（電動パワステ制御システム）の場合は、システム制御ユニット内部に発熱部分（パワステモータ駆動回路；詳しくはＰＷＭ制御用のブリッジ回路）が存在し、元々、その発熱状態をモニタするための温度検出素子（サーミスタなど）が備えられているため、その温度検出素子からの検出信号を、前記実施の形態におけるＴｍｐの代用とすることができる。
【００５２】
【発明の効果】
この発明によれば、半導体記憶デバイスそれ自体の動作温度または半導体記憶デバイスの周辺環境温度が所定の温度を上回っている場合に、当該半導体記憶デバイスが不能動化される。そして、その不能動化されている期間中に、当該半導体記憶デバイスにデータが書き込まれようとした時は、そのデータが代替記憶手段に待避され、その後、前記半導体記憶デバイスそれ自体の動作温度または半導体記憶デバイスの周辺環境温度が所定の温度を上回らなくなった時に前記の不能動化が解除されると共に、代替記憶手段に待避されていたデータが半導体記憶デバイスに書き込まれる（書き戻される）。
【００５３】
したがって、半導体記憶デバイスそれ自体の動作温度または半導体記憶デバイスの周辺環境温度が所定の温度を上回っている場合、すなわち、高温環境下においては、半導体記憶デバイスの不能動化を行うだけであるから、言い換えれば、前記従来技術のような「再書き込み動作」をまったく行わないから、書き込み可能回数の無用な消費を回避することができる。しかも、高温環境下のデータ消失も回避することができ、以て、再書き込みを行わない分だけ寿命を延ばすことができる有益な半導体記憶デバイスの制御装置を提供することができる。
【００５４】
また、この発明のより好ましい構成によれば、半導体記憶デバイスそれ自体の電力消費に伴う発熱を抑えることができ、チップ温度の低下を図り、データの消失を一層抑制することができる。
また、この発明のより好ましい構成によれば、データ入出力端子から入り込む信号電流も遮断でき、信号電流の印加に伴うチップの発熱も抑制できる。
また、この発明のより好ましい構成によれば、たとえば、データの待避先（代替記憶手段）にＲＡＭなどの揮発性半導体記憶デバイスを利用した場合、不用意なプログラム停止信号またはリセット信号によって、当該代替記憶手段に記憶された待避データが失われることがない。これにより、システム動作の安定性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】制御装置１のブロック図である。
【図２】ＥＥＰＲＯＭ９の端子配列部分図及び温度センサ１０の一例回路図である。
【図３】制御機器１のＣＰＵ３で実行される制御プログラム（ＲＯＭ５にあらかじめ格納された制御プログラム）の一部のフローチャートを示す図である。
【図４】高温環境下の処理と非高温環境下の処理の模式図である。
【符号の説明】
１・・・・制御機器（半導体記憶デバイスの制御装置）
３・・・・ＣＰＵ（不能動化手段、書き込み手段）
４・・・・ＲＡＭ（代替記憶手段）
９・・・・ＥＥＰＲＯＭ（半導体記憶デバイス）
１０・・・・温度センサ（温度検出手段）
１１・・・・スイッチ（不能動化手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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