(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方向に並ぶ複数のパターンを形成するリソグラフィ用の露光パターンの生成方法において，
当該所定方向に沿う前記複数のパターンのうち，奇数番目のパターンについては前記所定方向に沿った第１の方向に，偶数番目のパターンについては前記第１の方向と反対の第２の方向に，それぞれ辺を移動させて第１の拡大パターンを生成する工程と，
前記奇数番目のパターンについては前記第２の方向に，前記偶数番目のパターンについては第１の方向に，それぞれ辺を移動させて第２の拡大パターンを生成する工程とを有し，
前記第１及び第２の拡大パターンは，それぞれの拡大パターンによるリソグラフィ工程による元の複数のパターンの形成に使用されることを特徴とする露光パターンの生成方法。
【請求項２】
所定方向に並ぶ複数のパターンを形成するリソグラフィ用の露光パターンの生成装置において，
当該所定方向に沿う前記複数のパターンのうち，奇数番目のパターンについては前記所定方向に沿った第１の方向に，偶数番目のパターンについては前記第１の方向と反対の第２の方向に，それぞれ辺を移動させて第１の拡大パターンを生成する第１の生成ユニットと，
前記奇数番目のパターンについては前記第２の方向に，前記偶数番目のパターンについては第１の方向に，それぞれ辺を移動させて第２の拡大パターンを生成する第２の生成ユニットとを有し，
前記第１及び第２の拡大パターンは，それぞれの拡大パターンによるリソグラフィ工程による元の複数のパターンの形成に使用されることを特徴とする露光パターンの生成装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の拡大パターンとを論理積処理して両拡大パターンが重なる領域を有する論理積パターンを生成する論理積処理工程と，
元のパターンと前記論理積パターンとを排他的論理和処理して両者の排他的領域を有する排他的パターンを生成する排他的処理工程と，
前記第１の拡大パターンから当該排他的パターンを除外して新たな第１の拡大パターンを生成する除外処理工程とを有することを特徴とする請求項１記載の露光パターンの生成方法。
【請求項４】
前記第１及び第２の拡大パターンとを論理積処理して両拡大パターンが重なる領域を有する論理積パターンを生成する論理積処理ユニットと，
元のパターンと前記論理積パターンとを排他的論理和処理して両者の排他的領域を有する排他的パターンを生成する排他的処理ユニットと，
前記第１の拡大パターンから当該排他的パターンを除外して新たな第１の拡大パターンを生成する除外処理ユニットとを有することを特徴とする請求項２記載の露光パターンの生成装置。
【請求項５】
所定方向に並ぶ複数のパターンを有する半導体装置の製造方法において，
当該所定方向に沿う前記複数のパターンのうち，奇数番目のパターンについては前記所定方向に沿った第１の方向に，偶数番目のパターンについては前記第１の方向と反対の第２の方向に，それぞれ辺を移動させて第１の拡大パターンを生成する工程と，
前記奇数番目のパターンについては前記第２の方向に，前記偶数番目のパターンについては第１の方向に，それぞれ辺を移動させて第２の拡大パターンを生成する工程と，
前記第１の拡大パターンを有する第１のレチクルと，前記第２の拡大パターンを有する第２のレチクルとにより，基板上のパターンニング対象層とレジスト層に対して露光，現像，エッチングをそれぞれ行って，前記基板上に前記複数パターンに対応するパターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，半導体，液晶基板，プリント基板などのリソグラフィプロセス用の露光パターン生成方法及び露光パターン生成装置に係り，特に，複数のレチクルまたはマスク基板を使用してｉ線などのローテクノロジのステッパ装置で微細パターンを形成することを可能にする露光パターン生成方法及び露光パターン生成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体デバイスの微細化及び高精度化に伴い，デバイス特性を満たすために要求される精度で微細なパターンをウエハ上に形成する必要がある。そのため，ウエハの露光工程において使用されるフォトマスク（以下レチクルと称する。）にも，微細化，高精度化が求められている。ウエハ上に微細且つ高精度のパターンを形成する方法は多岐にわたり，それに伴いレチクルの価格や露光装置のコストの上昇を招いている。
【０００３】
従来の微細パターン（例えば設計ルール２００nm以下）を形成する方法として，設計データを電子ビーム露光装置のフォーマットに変換して露光パターンデータを生成する時に，近接露光効果を考慮して露光パターンに補正を加えるＯＰＣ処理（Optical Proximity Correction）を行ったり，位相シフトマスクを用いて，KrFエキシマレーザ光（２４８nm）やArFエキシマレーザ光（１９３nm）を搭載したステッパ装置によりパターンを形成したりすることが提案されている。
【０００４】
しかしながら，このような従来の方法は，ＯＰＣ処理のためのデータ処理に要する時間が長くなり，更に位相シフトマスクの高コスト，KrF, ArFエキシマレーザ光を搭載したステッパ装置の新たな導入の必要性などの理由から，十分な解決手段とはいえない。
【０００５】
従来から広く普及しているｉ線（３６５nm）のステッパ装置を利用して，微細パターンの形成を可能にするリソグラフィ方法として，形成パターンを複数（例えば２枚）のレチクルを利用した複数回のリソグラフィ工程により微細パターンを形成することが提案されている。例えば，J. Vac. Sci, Technol. B 18(1), Jan/Feb 2000 "Wavelength-independent optical lithography"に，２枚のレチクルにより２回露光，現像，エッチングを行い，２枚のレチクルの合成パターンで微細パターンを形成することが開示されている。
【０００６】
図１は，従来の一般的なリソグラフィ工程を示す図である。このリソグラフィ工程は，光透過孔Paを有するレチクル１を利用して，ウエハ基板１のパターンニング対象層３上に塗布したレジスト層４に光hvを照射する露光工程（ａ）と，レジストの現像工程（ｂ）と，そのレジストをマスクとするエッチング工程（ｃ）とを有する。光透過孔LTが微細になると，光透過孔Paのパターン幅ａ１と同じ形状にレジスト４を現像することができなくなる。これは，光のボケによるものであり，ｉ線のような長波長の光を利用したステッパ装置では，レジストを微細に加工することはできない。その結果，最終的なパターニング対象層３に形成されるパターン６は，レチクル１のパターン幅ａ１より小さくなる傾向にある。
【０００７】
図２は，上記の文献で提案されている光の波長に依存しないリソグラフィ工程を示す図である。このリソグラフィ工程は，微細パターンPaを第１の方向に拡大したパターンPaaを有するレチクルＡと，第２の方向に拡大したパターンPabを有するレチクルＢとでそれぞれ露光，現像，エッチングを行い，レチクルＡ，Ｂの合成により微細パターンPaを形成する。微細パターンPaを有するレチクルを利用した露光では，可視光などの長波長光のボケによりレジストを精度良くパターニングすることができないが，微細パターンPaをそれぞれ拡大したパターンを有するレチクルＡ，Ｂを利用した露光であれば，長波長光であってもレジストを精度良くパターニングすることができる。
【０００８】
図２に示されるとおり，ウエハ２のパターニング対象層３上に，酸化膜などの保護層１０とレジスト4Aとを形成し，１回目の露光では，加工したいパターンPaを左上に拡大したパターンPaaを有する第１のレチクル1Aを利用して露光を行う（図２（ａ））。そして，現像を行ってレジスト4Aをパターニングする。透過孔Paaは，微細パターンではないので，露光時の光のボケがなく，精度良くパターンPaaをレジスト4Aに転写することができる。このレジスト4Aをマスクにして保護層１０をエッチングする（図２（ｃ））。保護層１０に形成されたパターンの幅b1は，加工したいパターンPaの幅a1より十分大きい。
【０００９】
次に，保護層１０上に再度レジスト4Bを形成してから，２回目の露光を行う。２回目の露光では，加工したいパターンPaを右下に拡大したパターンPabを有する第２のレチクル1Bを利用して露光を行う（図２（ｄ））。そして現像を行ってレジスト4Bをパターニングすると，そのパターンは，１回目の露光工程後に形成された保護層５のパターンと一部重複したパターンになる（図２（ｅ））。このパターン幅b2も，加工したいパターンPAの幅a1より十分に大きい。最後に，保護層５のパターンとレジスト4Bのパターンをマスクにして，パターニング対象層３をエッチングする（図２（ｆ））。その結果，パターニング対象層３には，レチクル1Aの拡大パターンPaaとレチクル1Bの拡大パターンPabとが重なった合成パターンにより，加工したいパターンPaが形成される。
【００１０】
図３は，図２で示したリソグラフィ工程に利用される２枚のレチクルパターンの発生方法を示す図である。図３（ａ）に示されるとおり，第１のレチクルであるレチクルＡのパターンは， 加工したいパターンＰａの左辺と上辺とを拡張した拡大パターンPaaである。そして，図３（ｂ）に示されるとおり，第２のレチクルであるレチクルＢのパターンは，加工したいパターンＰaの右辺と下辺とを拡張した拡大パターンPabである。そして，両レチクルＡ，ＢのパターンPaa, Pabとが重なり合った合成パターンが，加工したいパターンPaになる。
【００１１】
このように，２枚の拡大パターンを有するレチクルを利用して露光，現像を行えば良いので，ｉ線を利用したローテクノロジのステッパ装置を利用して，微細化パターンを形成することができる。但し，露光，現像，エッチング工程を２回実行する必要がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
図４は，上記のリソグラフィの問題点を示す図である。ここでは，縦長の４つの微細パターンPa,Pb,Pc,Pdに，上記のリソグラフィ方法を適用した例が示され，４つの微細パターンのうち，パターンPb,Pcが近接している。縦長の微細パターンの場合は，レチクルＡのパターンは，図４（ａ）に示されるとおり，左辺を拡大した拡大パターンPaa,Pba,Pca,Pdaとなり，レチクルＢのパターンは，図４（ｂ）に示されるとおり，右辺を拡大した拡大パターンPab,Pbb,Pcb,Pdbとなる。
【００１３】
その場合，図中の両パターンが重なり合うグレーパターンが加工したい微細パターンPa,Pb,Pc,Pdになるが，パターンPb,Pcが近接しているため，これらのパターンに対する拡大パターンPcaとPbbも一部重なり合い，最終的に形成されるパターンは，図４（ｃ）に示すとおり，微細パターンPb,Pcの間に誤りパターンPxが形成される。
【００１４】
この誤りパターンPxの発生を防止するためには，レチクルＡ，Ｂを形成する時の拡大する程度を小さくすれば良いが，そうすると元の微細パターンと同程度になり，露光時のボケによるパターン精度の低下を招いてしまう。
【００１５】
図５は，上記のリソグラフィの別の問題点を示す図である。この例は，Ｌ字の微細パターンを形成する例である。図５（ａ）に示されるとおり，Ｌ字の微細パターンは，２つの矩形パターンPa,Pbとで構成される。この２つの矩形パターンPa,Pbに対して，左上に拡大した拡大パターンPaa，Pbaとを有するレチクルＡと，右下に拡大した拡大パターンPab，Pbbとを有するレチクルＡＢを生成し，両レチクルで生成したパターンを合成する。合成結果は，図５（ｂ）に示されるとおりとなる。つまり，実線で示したレチクルＡの拡大パターンと，破線で示したレチクルＢの拡大パターンとが重なり合った領域（二重露光領域）が，最終的に形成されるパターンである。多重露光領域は，元の微細パターン以外の領域Pxにも発生し，誤りパターンPxとなる。
【００１６】
以上の通り，２つの拡大パターンによる多重露光により微細パターンを形成する方法では，微細パターンが近接したり，Ｌ字などの曲がったパターンの場合は，予定していない領域にも多重露光領域が形成され，誤りパターンが形成される。
【００１７】
そこで，本発明の目的は，上記問題点を解決して，予定していない多重露光領域の発生をなくすことができるリソグラフィ用の露光パターン生成方法及び露光パターン生成装置を提供する。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために，本発明の第１の側面では，所定方向に並ぶ複数のパターンを形成するリソグラフィ用の露光パターンの生成方法において，当該所定方向に沿って複数のパターンをカウントし，奇数番目のパターンについては前記所定方向に沿った第１の方向に，偶数番目のパターンについては第１の方向と反対の第２の方向に，それぞれ辺を移動させて第１の拡大パターンを生成する工程と，奇数番目のパターンについては前記第２の方向に，偶数番目のパターンについては第１の方向に，それぞれ辺を移動させて第２の拡大パターンを生成する工程とを有する。そして，第１及び第２の拡大パターンは，それぞれの拡大パターンによるリソグラフィ工程による元の複数のパターンの形成に使用される。
【００１９】
この方法では，隣接するパターンに対して，拡大パターン生成のための辺移動の方向を，それぞれ逆方向にする。それにより，第１の拡大パターンと第２の拡大パターンとが，元のパターン以外の領域で重なり合うことが防止され，誤りパターンの発生が防止される。
【００２４】
上記目的を達成するために，本発明の第１の側面において，第１及び第２の拡大パターンとを論理積処理して両拡大パターンが重なる領域を有する論理積パターンを生成する論理積処理工程と，元のパターンと論理積パターンとを排他的論理和処理して両者の排他的領域を有する排他的パターンを生成する排他的処理工程と，第１の拡大パターンから当該排他的パターンを除外して新たな第１の拡大パターンを生成する除外処理工程とを有する。
【００２５】
上記の方法によれば，第１，第２の拡大パターンによるリソグラフィ方法では，元のパターン以外に多重露光領域が発生する場合でも，その多重露光領域をあらかじめ予測して第１または第２の拡大パターンから除外することで，誤った多重露光領域が生成されることが防止される。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下，図面を参照して本発明の実施の形態例を説明する。しかしながら，本発明の保護範囲は，以下の実施の形態例に限定されるものではなく，特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
【００２７】
図６は，本実施の形態例における矩形パターンのレチクルＡ，Ｂの形成方法を示す図である。本実施の形態例では，元のパターンから第１の拡大パターンと第２の拡大パターンとを生成するが，簡単の為に，第１の拡大パターンをレチクルＡと，第２の拡大パターンをレチクルＢとそれぞれ称する。
【００２８】
図４に示した近接するパターン間の誤りパターンの発生を防止するために，本実施の形態例では，所定方向に並ぶ複数の矩形パターンのうち，隣接する矩形パターンの辺移動方向を逆方向にする。その為に，所定方向に並ぶ複数の矩形パターンをカウントして，偶数番目と奇数番目とに分ける。そして，偶数番目の矩形パターンの辺移動方向と奇数番目の矩形パターンの辺移動方向とを逆方向にする。
【００２９】
図６（ａ）は，縦長の矩形パターンについてのレチクルＡ，Ｂの生成方法を示す。偶数番目の矩形パターンPeに対しては，右辺をプラス方向（図中右方向）に移動させてレチクルＡのパターンPeaを形成し，左辺をマイナス方向（図中左方向）に移動させてレチクルＢのパターンPebを形成する。一方，奇数番目の矩形パターンPoに対しては，左辺をマイナス方向に移動させてレチクルＡのパターンPoaを形成し，右辺をプラス方向に移動させてレチクルＢのパターンPobを形成する。
【００３０】
図６（ｂ）は，横長の矩形パターンについてのレチクルＡ，Ｂの生成方法を示す。偶数番目の矩形パターンPeに対しては，上辺をプラス方向（図中上方向）に移動させてレチクルＡのパターンPeaを形成し，下辺をマイナス方向（図中下方向）に移動させてレチクルＢのパターンPebを形成する。一方，奇数番目の矩形パターンPoに対しては，下辺をマイナス方向に移動させてレチクルＡのパターンPoaを形成し，上辺をプラス方向に移動させてレチクルＢのパターンPobを形成する。
【００３１】
図７は，縦長の矩形パターンについてのレチクルＡ，Ｂの生成方法を示す図である。図７は，図６の生成方法を図４の４つの矩形パターンPa,Pb,Pc,Pdに適用した例である。４つの縦長の矩形パターンが横方向に並んでおり，各矩形パターンの奇数・偶数を検出するために検索原点(0,0)から横方向のプラス方向に矩形パターンをカウントすると，パターンPa,Pbが奇数パターンに，パターンPb,Pdが偶数パターンにそれぞれ分類される。
【００３２】
図７中には，検索原点(0,0)と，横方向の検索方向と縦方向の検索方向とが示される。水平方向に並んだ縦長の矩形パターンに対しては，検索原点から水平方向に検索することで，奇数パターンと偶数パターンとが検出される。逆に，図示しないが，垂直方向に並んだ横長の矩形パターンに対しては，検索原点から垂直方向に検索することで，奇数パターンと偶数パターンとが検出される。
【００３３】
そこで，図６のアルゴリズムを適用して，図７（ａ）に示されるとおり，奇数パターンPa,Pcの左辺をマイナス方向に移動した拡張パターンと，偶数パターンPb,Pdの右辺をプラス方向に移動した拡張パターンとを生成して，レチクルＡのパターンとする。逆に，図７（ｂ）に示されるとおり，奇数パターンPa,Pcの右辺をプラス方向に移動した拡張パターンと，偶数パターンPb,Pdの左辺をマイナス方向に移動した拡張パターンとを生成して，レチクルＢのパターンとする。
【００３４】
図４と同様に，図７の４つの矩形パターンのうち，パターンPb,Pc間の距離が比較的狭い。しかし，近接した矩形パターンPb,Pcの拡張方向がそれぞれ逆方向になっているので，近接パターンPb,PCの間の領域には，レチクルＡには拡張パターンが形成されるが，レチクルＢには拡張パターンは形成されない。従って，近接パターンPb,Pcの間の領域で，レチクルＡとＢとが重なり合うことはなく，多重露光が行われることはない。
【００３５】
図８は，上記の矩形パターンに対する露光パターン生成方法を利用した時の合成後のパターンを示す図である。元のパターン１０が，図示されるとおり，縦長の矩形パターンPa,Pb,Pc,Pdからなるとする。それぞれのパターンには，一部横幅が広くなる部分を有する。左側からカウントして，パターンPa,Pcが奇数パターン，パターンPb,Pdが偶数パターンに分類される。そして，レチクルＡの露光パターンは，拡張パターンPaa,Pba,Pca,Pdaからなり，レチクルＢの露光パターンは，拡張パターンPab,Pbb,Pcb,Pdbからなる。そして，レチクルＡを利用して露光，現像，エッチングし，更にレチクルＢを利用して露光，現像，エッチングすると，合成パターン１２が図示されるとおり生成される。つまり，合成パターン１２の白抜きパターンが，元のパターンPa,Pb,Pc,Pdとして再現される。
【００３６】
図８に示されるとおり，レチクルＡにより，奇数パターンPa,Pcは右側輪郭が，偶数パターンPb,Pdは左側輪郭がそれぞれ画定され，レチクルＢにより，奇数パターンPa,Pcは左側輪郭が，偶数パターンPb,Pdは右側輪郭がそれぞれ画定される。そして，合成パターンは，レチクルＡとＢで多重露光される領域となり，それぞれのパターンの左右の輪郭が画定される。パターン間には多重露光領域は存在せず，誤りパターンは生成されない。
【００３７】
図９は，Ｌ字パターンの露光パターン形成方法を示す図である。Ｌ字型のパターンは，図９に示されるとおり，それぞれ方向が異なる４種類のパターンLa,Lb,Lc,Ldを有する。
【００３８】
Ｌ字パターンLaは，時計の９時を示すパターンであり，縦長の矩形パターンLa1と横長の矩形パターンLa2とで構成される。この場合は，レチクルＡは，Ｌ字の外角側の辺を拡張して生成される。つまり，縦長矩形パターンLa1の右辺が右側に移動し，横長矩形パターンLa2の下辺が下側に移動して，拡張パターンLa1a,La2aが生成される。また，レチクルＢは，Ｌ字の内角側の辺を拡張して生成される。つまり，縦長矩形パターンLa1の左辺辺が左側に移動し，横長矩形パターンLa2の上辺が上側に移動して，拡張パターンLa1b,La2bが生成される。
【００３９】
そして，レチクルＡ，Ｂにより合成された多重露光領域は，元のパターンLa1,La2のみの領域になり，図５で示した誤りパターンの発生は防止される。
【００４０】
Ｌ字パターンLbは，時計の９時半に類似するパターンであり，縦長の矩形パターンLa1と横長の矩形パターンLa2とで構成される。この場合も，レチクルＡの露光パターンは，Ｌ字の外角側の辺を拡張して生成され，レチクルＢの露光パターンは，Ｌ字の内角側の辺を拡張して生成される。
【００４１】
更に，Ｌ字パターンLcは，時計の３時を示すパターンであり，Ｌ字パターンLdは，時計の３時半に類似するパターンである。それぞれ縦長パターンと横長パターンとで構成され，レチクルＡの露光パターンは，Ｌ字の外角側の辺を拡張して生成され，レチクルＢの露光パターンは，Ｌ字の内角側の辺を拡張して生成される。
【００４２】
いずれの場合も，レチクルＡ，Ｂにより合成される多重露光領域は，元のパターンのみの領域となり，図５で示した誤りパターンの発生は防止される。
【００４３】
図１０は，パターンの辺移動を行う場合のパターンデータを説明する図である。矩形パターンは，通常，その左下頂点座標と，パターン幅Ｗ及びパターン高さＨを有するパターンデータにより表される。今仮に，パターンPaの右辺が右側方向に移動し，パターンPbの左辺が左側方向に移動して，それぞれの拡張パターンが生成されたとする。
【００４４】
パターンPaのパターンデータ「REC, (1,1), W2, H8」は，「REC, (1,1), W3, H8」に変更され，パターンPbのパターンデータ「REC, (8,1), W2, H8」は，「REC, (7,1), W3, H8」に変更され，レチクルＡの拡張パターンとなる。つまり，パターンPaの右辺の右移動ではパターン幅Ｗを変更し，パターンPbの左辺の左移動ではパターン頂点座標とパターン幅Ｗを変更することで，拡張パターンのパターンデータを生成することができる。
【００４５】
図１１は，交差パターンを矩形とＬ字パターンとに分割するアルゴリズムを示す図である。ＬＳＩのパターンには，矩形パターンやＬ字パターン以外に，それらの組合せからなる十字パターン，Ｆ字パターン，コの字パターンなどの交差パターンが存在する。この交差パターンは，矩形パターンとＬ字パターンとの組合せに分割することができる。従って，本実施の形態例では，交差パターンを検出して，矩形パターンとＬ字パターンとに分割し，矩形パターンと分割された矩形パターンの辺拡張方向を調節して，誤りパターンの生成を抑制する。
【００４６】
図１１（Ａ）の例は，十字パターンである。十字パターンは，４個の矩形パターンデータにより構成されるが，本実施の形態例の分割アルゴリズムでは，パターン頂点を結ぶベクトルを発生して十字のかたまりパターン２０を検出する。そして，そのベクトル形状２０が，基準ベクトル群２２と一致するか否かをチェックし，一致したら，Ｌ字パターンPaと，それに接続される２つの矩形パターンPb,Pcとに分割する。基準ベクトル群２２には，Ｌ字型の頂点間ベクトルを示すベクトル形状に加えて，ベクトル22aを余分に有することが特徴である。この余分なベクトル22aとベクトル22bの存在をチェックすることで，後述するＦ字パターンと区別することができる。
【００４７】
図１１（Ｂ）の例は，Ｆ字パターンである。Ｆ字パターンは，２つのＬ字パターンPa,Pbで構成される。この場合も同様に，パターン頂点を結ぶベクトル２４から，かたまりパターンを検出する。そして，そのベクトル形状２４の中に，基準ベクトル群２６と一致するものが検出されたら，Ｌ字パターンPbを分離する。そして，残ったパターンの頂点を結ぶベクトル形状から，更に，もう一つのＬ字パターンPaが検出される。この基準ベクトル群２６は，ベクトル26a,26bとを有し，十字パターンの基準ベクトル２２のベクトル22a,22bと区別可能である。
【００４８】
図１１（Ｃ）の例は，コの字パターンである。コの字パターンは，１個のＬ字パターンPaと１個の矩形パターンPbとで構成される。この場合も，パターン頂点を結ぶベクトル２８から，コの字のかたまりパターンを検出し，そのベクトルが，基準ベクトル群３０と一致したら，Ｌ字パターンPaと矩形パターンPbとに分割される。
【００４９】
図１２は，本実施の形態例における交差パターンのレチクル発生アルゴリズムを示す図である。図１２（Ａ）は，十字パターンのレチクル発生アルゴリズムを示す。図１１で示したとおり，十字パターン２０は，Ｌ字パターンPaと２つの矩形パターンPb,Pcとに分割される。そして，レチクルＡのパターンについて，Ｌ字パターンPaを内角方向に拡張して拡張パターンPaaを生成する場合は，Ｌ字パターンPaに接続される別の矩形パターンPbに対しては，右辺を右側に移動して拡張パターンPbaを，同別の矩形パターンPcに対しては，下辺を下側に移動して拡張パターンPcaを，それぞれ生成する。この様に，別の矩形パターンは，Ｌ字パターンPaの内角方向と反対方向に辺を拡張する。
【００５０】
更に，レチクルＢのパターンについて，Ｌ字パターンPaを外角方向に拡張して拡張パターンPabを生成する場合は，矩形パターンPbに対しては，左辺を左側に移動して拡張パターンPbbを，矩形パターンPcに対しては，上辺を上側に移動して拡張パターンPcbを，それぞれ生成する。つまり，矩形パターンPb,Pcには，Ｌ字パターンPaの外角方向と逆の方向への辺拡張が行われる。
【００５１】
このように，Ｌ字パターンの辺移動方向に合わせて，矩形パターンの辺移動方向を決定する。そうすることにより，Ｌ字パターンPaとそれに接続され内角領域を生成する矩形パターンPb,Pcとの間で，図５で示したような内角領域の誤りパターンの発生を防止することができる。また，図１２（Ａ）の例では，矩形パターンPb,Pcとの間でも，内角領域に誤りパターンが生成することが防止されている。
【００５２】
十字パターンのレチクルＡ，Ｂの生成は，矩形パターンの辺移動方向に基づいて他の矩形パターンとＬ字パターンの辺移動方向を決定して行うこともできる。例えば，矩形パターンPbについて，レチクルＡの生成に，右辺を右方向に移動して拡張パターンPbaを生成する場合は，レチクルＢの生成に，その左辺を左方向に移動して拡張パターンPbbを生成することになる。それに伴い，Ｌ字パターンPaの外角方向の辺移動は，レチクルＢの生成に利用され，内角方向の辺移動は，レチクルＡの生成に利用されることが決定する。同様に，矩形パターンPbと交差する矩形パターンPcのレチクルＡの生成は，両矩形パターンの内角方向に該当する下辺を下側に移動して拡張パターンPcaを生成することに決定され，レチクルＢの生成は，同外角方向に該当する上辺を上側に移動して拡張パターンPcbを生成することに決定される。
【００５３】
図１２（Ｂ）は，Ｆ字パターンのレチクル発生アルゴリズムを示す。図１１で説明したとおり，Ｆ字パターンは２つのＬ字パターンに分割される。そこで，第１のＬ字パターンPaのレチクルＡの発生において，外角方向に辺移動して拡張パターンPaaを生成する場合は，第１のＬ字パターンPaと交差するパターンを有する第２のＬ字パターンPbに対して，内角方向に辺移動して拡張パターンPbaを生成する。それに伴い，レチクルＢの発生において，第１のＬ字パターンPaに対して内角方向に辺移動して拡張パターンPabを生成し，第２のＬ字パターンPbに対して外角方向に辺移動して拡張パターンPbbを生成する。その結果，第１及び第２のＬ字パターンPa,Pbとにより形成される内角領域に，図４の如き誤りパターンが生成されることが防止される。
【００５４】
図１２（Ｃ）は，コの字パターンのレチクル発生アルゴリズムを示す。図１１で説明したとおり，コの字パターンは，Ｌ字パターンPaと矩形パターンPbとに分割される。そして，レチクルＡの生成において，Ｌ字パターンPaを外角方向に辺移動させて拡張パターンPaaを生成した場合は，矩形パターンPbの下辺を下側に辺移動させて拡張パターンPbaを生成する。更に，レチクルＢの生成において，Ｌ字パターンPbを内角方向に辺移動させて拡張パターンPabを生成し，矩形パターンPbの上辺を上側に辺移動させて拡張パターンPbbを生成する。
【００５５】
コの字パターンにおいても，矩形パターンのレチクルＡ，Ｂの生成アルゴリズムに対応して，Ｌ字パターンの辺拡張方向を決定しても良い。いずれにしても，Ｌ字パターンそのものは外角方向と内角方向とに辺移動して拡張パターンを生成するので，Ｌ字パターンの内角領域に誤りパターンが生成されることはない。従って，Ｌ字パターンと矩形パターンとで生成される内角領域に図５の如き誤りパターンが生成しないように，両者の辺移動方向を決定すれば良い。
【００５６】
図１３は，本実施の形態例における露光パターンデータ生成方法のフローチャート図である。コンピュータデザインにより生成されたパターンデータDB1から，その微細パターンを生成するためのレチクルＡ，Ｂの露光パターンデータDB2が生成される。
【００５７】
最初に，初期設定として，辺移動量が設定される（S10）。微細パターンの精細度や密度に応じて，最適な辺移動量が設定される。辺の移動量を大きく取りすぎると，予定していない多重露光領域が発生し，辺の移動量を小さく取りすぎると，微細パターンの高精度に形成することができなくなる。従って，両者の条件から，最適な辺の移動量が設定される。
【００５８】
次に，パターンデータが入力される（S12）。そして，入力された複数のパターンデータに対して，パターン検索基準が設定される（S14）。即ち，図７で説明したとおり，検索原点と検索方向とが設定される。
【００５９】
図１４は，パターンデータの構成例を示す図である。図１０で説明したとおり，パターンデータは，左下頂点座標（ｘ，ｙ）とパターン幅Ｗ及びパターン高さＨとで構成される。工程S12では，図１４のパターンデータベースDB1から，複数のパターンデータが入力される。
【００６０】
次に，パターンの外周を認識する（S16）。この工程では，パターンの頂点を結ぶベクトルを発生し，複数のベクトルが始点に戻ってくることにより，パターンのかたまりを認識する。図１４の例では，かたまりパターンデータPD1,PD2が，複数のパターンデータの集合で構成される。
【００６１】
そして，矩形パターンを，水平方向と垂直方向の一定の長さに分割する。或いは，交差パターンについては，図１１で説明したアルゴリズムにより，Ｌ字パターンと矩形パターンとに分割する。その結果，パターンが，複数の矩形パターンとＬ字パターンとに分割される（S18）。図１４の例では，十字パターンのかたまりパターンPD1が，９時の時計の針と同じ方向のＬ字パターンPa（属性データLa）と，水平矩形パターンPc（属性データRH）と，垂直矩形パターンPb（属性データRV）とに分割された例が示されている。Ｌ字パターンPaは，垂直矩形パターン（属性データLaV）と水平矩形パターン（属性データLaH）とに分割されている。
【００６２】
その後，分割されたパターンを，検索基準にしたがって，水平方向と垂直方向にカウントし，奇数番目と偶数番目とが判定される（S20）。その結果，図１４の例では，十字パターンから分割された４つのパターンに対して，奇数番目（O）と偶数番目（Ｅ）とに分類されている。
【００６３】
このように，分割されたパターンデータに対して，同じかたまりパターンを構成するか否か，また，Ｌ字パターンを構成するか（LaV, LaH），水平矩形パターンか（RH），垂直矩形パターンか（VH），そして，奇数番目か（Ｏ），偶数番目か（Ｅ）などの属性データが与えられる。
【００６４】
その状態で，各矩形パターンに対して辺移動を行って，レチクルＡのパターンの生成と保存（S22）及びレチクルＢのパターンの生成と保存（S24）が行われ，レチクルＡ，Ｂのそれぞれの拡張パターンデータDB2が生成される。
【００６５】
ここで生成されたレチクルA,Bのパターンは，露光装置に適合するフォーマットに変換された露光パターンデータである。従って，このレチクルパターンデータDB2を露光装置に入力することで，レチクルＡ，Ｂをそれぞれ形成することができる。その後，レチクルＡ，Ｂを利用したリソグラフィ方法は，図２にて説明した通りである。
【００６６】
尚，レチクルＡ，Ｂのパターンを生成した後，予期しない誤りパターンが発生した場合を想定して，誤りパターンをレチクルＡまたはＢから除去することが行われる（S26）。この誤りパターン除去方法については，後で詳述する。
【００６７】
図１５は，矩形パターンのレチクルＡ，Ｂを生成する方法のフローチャート図である。図７，８で示したように複数の矩形パターンが水平方向にまたは垂直方向に並んでいる場合は，パターンカウント工程S20で検出した奇数か偶数かにより，レチクルＡ，Ｂを生成するための辺移動の方向が異なる。
【００６８】
図１５中に示されるとおり，カウント値が奇数の場合は（S30），矩形パターンに対して第１の水平（又は垂直）方向に辺移動してレチクルＡを生成する（S32）。更に，同矩形パターンに対して第２の水平（又は垂直）方向に辺移動してレチクルＢを生成する（S34）。逆に，カウント値が偶数の場合は，奇数の矩形パターンとは辺移動の方向が逆方向になる（S36,S38）。上記の処理が，全ての矩形パターンが終了するまで繰り返される（S40）。
【００６９】
図１６は，Ｌ字パターンのレチクルＡ，Ｂを生成する方法のフローチャート図である。図９に示したとおり，Ｌ字パターンを構成する２個の分割された矩形パターンに対して，Ｌ字の外側または内側のうち第１の方向に辺移動してレチクルＡのパターンを生成し（S50），次に，それとは反対の第２の方向に辺移動してレチクルＢのパターンを生成する（S52）。
【００７０】
図１７は，分割後のパターンに，Ｌ字パターンと矩形パターンとが混在する場合のレチクルＡ，Ｂを生成する方法のフローチャート図である。混在する場合は，まず，かたまりパターンを分割したＬ字パターンと矩形パターンについて，レチクルＡ，Ｂの辺移動の方向を決定する。分割されたパターンデータが，図１４に示されるとおり，かたまりパターンでリンクされていることを利用して，図１２で説明したアルゴリズムにより，かたまりパターンを分割した後のＬ字パターンとそれに接続する矩形パターンの辺移動方向を決定する（S60）。
【００７１】
そして，その決定にしたがって，かたまりパターンを分割したＬ字パターンと矩形パターンについて，レチクルＡ，Ｂを生成するための辺移動を行う（S62）。その結果，Ｌ字パターン自体には，その内角領域に誤りパターンが生成されることは防止され，更に，Ｌ字パターンと接続する矩形パターンとの間の内角領域に誤りパターンが生成されることも防止される。
【００７２】
また，Ｌ字パターンを構成する矩形パターンが水平方向または垂直方向に近接している場合を想定して，その矩形パターンの奇数，偶数の属性データにしたがって，辺移動方向を決定しても良い。
【００７３】
そして，上記以外の矩形パターンについては，奇数，偶数の属性データにしたがって，レチクルＡ，Ｂのパターンを生成するための辺移動を行う（S64）。この方法は，図１５に示した通りである。
【００７４】
上記のアルゴリズムでは，予期しない誤りパターンが生成されることを完全に防止できない場合があるかもしれない。そのような予期しない誤りパターンの発生に対応するために，混在パターンの場合は，誤りパターンを抽出して，レチクルＡまたはＢからその誤りパターンを除去する（S66）。この誤りパターンの除去工程は，図１３の誤りパターン除去工程S26と同じである。次に，誤りパターン除去の方法について説明する。
【００７５】
図１８，１９は，誤りパターン除去方法を説明する図である。図１８は，誤りパターンが発生する例を示す。図１８（１）に示されるとおり，３つのパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３が，近接して配置されている。この場合，それぞれのパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３に対して，左側の辺を左側に移動してレチクルＡのパターンを，右側の辺を右側に移動してレチクルＢのパターンをそれぞれ生成したとする。説明を簡単にするために，ここではパターンの奇数，偶数に基づくアルゴリズムは使用していない。
【００７６】
その結果，図１８（２）に示されるとおり，それぞれのパターンに対してレチクルＡ用の拡張パターンP1A,P2A,P3Aと，レチクルＢ用の拡張パターンP1B,P2B,P3Bとが生成される。パターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３が近接して配置しているため，拡張パターンP1BとP2Aとが一部重なり，拡張パターンP2BとP3Aとが一部重なる。その結果，図１８（３）に示されるとおり，両レチクルＡ，Ｂを利用してリソグラフィ処理を行った結果，元のパターンＰ１，Ｐ２，Ｐ３に加えて，誤りパターンPX1,PX2がそれぞれ生成されてしまう。
【００７７】
上記説明してきたアルゴリズムによりレチクルＡ，Ｂのパターン形成を行っても，複雑なＬＳＩのパターンなどにおいては，かかる誤りパターンの例外的な発生を避けることができないことが予想される。従って，本実施の形態例では，かかる例外的に発生する誤りパターンをなくすために，次の誤りパターンの除去方法を提供する。
【００７８】
図１９は，その誤りパターンの除去方法を示す。この方法は，データ処理によりレチクルＡ，Ｂにより生成される誤りパターンを抽出して，それをレチクルＡ，Ｂのいずれかから除去する。図１９（１）に示されるとおり，元のパターンに対して生成したレチクルＡとＢのパターンPA,PBのAND処理を行って，レチクルＡ，Ｂを利用したリソグラフィ処理を行った場合に生成される合成パターンP10を生成する。この合成パターンP10には，誤りパターンが含まれる。
【００７９】
次に，図１９（２）に示されるとおり，合成パターンP10と元のパターンP12との排他的論理和処理を行い，両パターンの不一致領域を抽出する。これにより誤りパターンP14のみが抽出される。そして，図１９（３）に示されるとおり，レチクルＡのパターンPAから誤りパターンP14を除去するサブトラクション処理を行う。その結果生成されたレチクルＡのパターンPAAとレチクルＢのパターンPBを利用してリソグラフィ処理を行うことで，誤りパターンの生成が防止できる。上記のサブトラクション処理は，レチクルＢのパターンPBから誤りパターンP14を除去しても良い。
【００８０】
図１３，１７で示したとおり，誤りパターン除去工程（S26，S66）を最後に行うことで，例外的に発生するかもしれない誤りパターンの発生を未然に防ぐことができる。
【００８１】
図２０，図２１は，斜めパターンのレチクルＡ，Ｂの生成方法を示す図である。図２０（１）は，例として複数の斜めパターンが繰り返し配列されたオリジナルパターンを示す。ＬＳＩのメモリセル領域などには，このような繰り返しパターンが含まれることが多い。かかる斜めパターンは，前述の外周認識工程により，斜めのかたまりパターンであることが認識される。更に，前述の検索工程により，垂直方向に並んだ奇数番目と偶数番目の斜めパターンとして認識される。
【００８２】
そこで，辺移動量を設定し，奇数番目と偶数番目の辺移動方向を逆にするという前述のアルゴリズムにしたがって，レチクルＡ，Ｂの辺拡張方向を決定する。
【００８３】
その結果，図２０（２）に示されるとおり，レチクルＡのパターン生成は，奇数番目と偶数番目に応じて，斜めパターンの上辺を上側に辺移動するか，または下辺を下側に辺移動する。図２０（３）が，それにより生成されたレチクルＡのパターンである。辺移動方向が奇数と偶数とで逆になっているので，一部パターンがオーバーラップしている。
【００８４】
更に，図２１（１）に示されるとおり，レチクルＢのパターン生成は，レチクルＡとは逆方向に辺移動することで行われる。図２１（２）が生成されたレチクルＢのパターンである。この場合も，一部でパターンがオーバーラップしている。
【００８５】
そして，レチクルＡとＢを利用したリソグラフィ処理を行った結果生成される合成パターンは，図２１（３）に示される通りである。このように，多少斜めになっていても，横長の矩形パターンと同様に，奇数番目と偶数番目を認識してから，それに依存して辺移動を行ってレチクルＡ，Ｂのパターンを生成することができる。これにより，斜めパターンが近接して配置されていても，誤りパターンが生成されることは防止される。
【００８６】
半導体製造工程において，コンピュータデザインにより生成された設計データは，所定のフォーマットからなるパターンデータである。かかるパターンデータは，電子ビームやレーザービームの露光装置で処理可能な露光パターンデータに変換される。このフォーマット変換は，汎用のコンピュータにフォーマット変換用のソフトウエアをインストールした露光パターン生成装置により行われる。露光装置は，変換後の露光パターンデータに従って，レチクルやフォトマスクを生成する。そして，これらレチクルやフォトマスクを利用して，ステッパにより半導体ウエハ上に微細パターンが形成される。
【００８７】
図２２は，本実施の形態例における露光パターンの生成装置の構成図である。この露光パターン生成装置は，汎用のコンピュータシステムに，露光パターン生成プログラム５０がインストールされた露光パターン生成専用装置である。従って，装置は，プロセッサユニット５２と，演算時にプログラムを一時的に格納したり演算データを一時的に格納するＲＡＭ５４と，露光パターン生成プログラムがインストールされたファイル５０とを有する。
【００８８】
露光パターン生成装置によるレチクルＡ，Ｂのパターンデータの生成は，図１３などで説明した通りである。即ち，設計データから生成されたパターンデータDB1を入力して，パターン外周認識工程S16，かたまりパターンの分割工程S18，分割パターンをカウントする奇数・偶数判定工程S20，レチクルＡのパターン生成工程S22，レチクルＢのパターン生成工程S24，誤りパターン除去工程S26とが，コンピュータであるプロセッサユニット５２により実行される。各レチクルの詳細なパターン生成は，前述した通りである。
【００８９】
以上，実施の形態例をまとめると以下の付記の通りである。
【００９０】
（付記１）所定方向に並ぶ複数のパターンを形成するリソグラフィ用の露光パターンの生成方法において，
当該所定方向に沿う前記複数のパターンのうち，奇数番目のパターンについては前記所定方向に沿った第１の方向に，偶数番目のパターンについては前記第１の方向と反対の第２の方向に，それぞれ辺を移動させて第１の拡大パターンを生成する工程と，
前記奇数番目のパターンについては前記第２の方向に，前記偶数番目のパターンについては第１の方向に，それぞれ辺を移動させて第２の拡大パターンを生成する工程とを有し，
前記第１及び第２の拡大パターンは，それぞれの拡大パターンによるリソグラフィ工程による元の複数のパターンの形成に使用されることを特徴とする露光パターンの生成方法。
【００９１】
（付記２）付記１において，
前記複数のパターンが垂直方向に延びる細長パターンの時は，前記所定方向は水平方向であり，前記複数のパターンが水平方向に延びる細長パターンの時は，前記所定方向は垂直方向であることを特徴とする露光パターンの生成方法。
【００９２】
（付記３）付記１において，
前記複数のパターンが，斜め方向に延びる細長パターンの時は，前記所定方向は当該複数の細長パターンが並ぶ方向であることを特徴とする露光パターンの生成方法。
【００９３】
（付記４）所定方向に並ぶ複数のパターンを形成するリソグラフィ用の露光パターンの生成装置において，
当該所定方向に沿う前記複数のパターンのうち，奇数番目のパターンについては前記所定方向に沿った第１の方向に，偶数番目のパターンについては前記第１の方向と反対の第２の方向に，それぞれ辺を移動させて第１の拡大パターンを生成する第１の生成ユニットと，
前記奇数番目のパターンについては前記第２の方向に，前記偶数番目のパターンについては第１の方向に，それぞれ辺を移動させて第２の拡大パターンを生成する第２の生成ユニットとを有し，
前記第１及び第２の拡大パターンは，それぞれの拡大パターンによるリソグラフィ工程による元の複数のパターンの形成に使用されることを特徴とする露光パターンの生成装置。
【００９４】
（付記５）Ｌ字パターンを形成するリソグラフィ用の露光パターン生成方法において，
前記Ｌ字パターンの辺をＬ字パターンの外角方向に移動させて第１の拡大パターンを生成する工程と，
前記辺をＬ字パターンの内角方向に移動させて第２の拡大パターンを生成する工程とを有し，
前記第１及び第２の拡大パターンは，それぞれの拡大パターンによるリソグラフィ工程による元のＬ字パターンの形成に使用されることを特徴とする露光パターンの生成方法。
【００９５】
（付記６）Ｌ字パターンを形成するリソグラフィ用の露光パターン生成装置において，
前記Ｌ字パターンの辺をＬ字パターンの外角方向に移動させて第１の拡大パターンを生成する第１の生成ユニットと，
前記辺をＬ字パターンの内角方向に移動させて第２の拡大パターンを生成する第２の生成ユニットとを有し，
前記第１及び第２の拡大パターンは，それぞれの拡大パターンによるリソグラフィ工程による元のＬ字パターンの形成に使用されることを特徴とする露光パターンの生成装置。
【００９６】
（付記７）交差パターンを形成するリソグラフィ用の露光パターン生成方法において，
前記交差パターンをＬ字パターンとそれ以外の別のパターンとに分割する工程と，
前記Ｌ字パターンの辺をＬ字パターンの外角方向に移動させ，更に当該Ｌ字パターンに接続される別のパターンの辺を前記外角方向と反対方向に移動させて第１の拡大パターンを生成する工程と，
前記Ｌ字パターンの辺をＬ字パターンの内角方向に移動させ，更に当該Ｌ字パターンに接続される別のパターンの辺を前記内角方向と反対方向に移動させて第２の拡大パターンを生成する工程とを有し，
前記第１及び第２の拡大パターンは，それぞれの拡大パターンによるリソグラフィ工程による元の交差パターンの形成に使用されることを特徴とする露光パターンの生成方法。
【００９７】
（付記８）請求項７において，
前記交差パターンは十字パターンまたはコの字パターンを有し，当該十字パターンまたはコの字パターンは，Ｌ字パターンとそれにつながる矩形パターンとに分割され，前記別のパターンが当該矩形パターンであることを特徴とする露光パターンの生成方法。
【００９８】
（付記９）請求項７において，
前記交差パターンはＦ字パターンを有し，当該Ｆ字パターンは，２つのＬ字パターンに分割され，前記別のパターンが当該２つのＬ字パターンのいずれかであることを特徴とする露光パターンの生成方法。
【００９９】
（付記１０）交差パターンを形成するリソグラフィ用の露光パターン生成装置において，
前記交差パターンをＬ字パターンとそれ以外の別のパターンとに分割する分割ユニットと，
前記Ｌ字パターンの辺をＬ字パターンの外角方向に移動させ，更に当該Ｌ字パターンに接続される別のパターンの辺を前記外角方向と反対方向に移動させて第１の拡大パターンを生成する第１の生成ユニットと，
前記Ｌ字パターンの辺をＬ字パターンの内角方向に移動させ，更に当該Ｌ字パターンに接続される別のパターンの辺を前記内角方向と反対方向に移動させて第２の拡大パターンを生成する第２の生成ユニットとを有し，
前記第１及び第２の拡大パターンは，それぞれの拡大パターンによるリソグラフィ工程による元の交差パターンの形成に使用されることを特徴とする露光パターンの生成装置。
【０１００】
（付記１１）複数のパターンを形成するリソグラフィ用の露光パターンの生成方法において，
元のパターンの辺を第１の方向に移動させて第１の拡大パターンを生成する工程と，
前記元のパターンの辺を第１の方向と逆の第２の方向に移動させて第２の拡大パターンを生成する工程と，
前記第１及び第２の拡大パターンとを論理積処理して両拡大パターンが重なる領域を有する論理積パターンを生成する論理積処理工程と，
前記元のパターンと論理積パターンとを排他的論理和処理して両者の排他的領域を有する排他的パターンを生成する排他的処理工程と，
前記第１の拡大パターンから当該排他的パターンを除外して新たな第１の拡大パターンを生成する除外処理工程とを有することを特徴とする露光パターンの生成方法。
【０１０１】
（付記１２）付記１１において，
付記１に記載の露光パターン生成方法に従って，前記第１及び第２の拡大パターンが生成されることを特徴とする露光パターンの生成方法。
【０１０２】
（付記１３）付記１１において，
付記５に記載の露光パターン生成方法に従って，前記第１及び第２の拡大パターンが生成されることを特徴とする露光パターンの生成方法。
【０１０３】
（付記１４）付記１１において，
付記７に記載の露光パターン生成方法に従って，前記第１及び第２の拡大パターンが生成されることを特徴とする露光パターンの生成方法。
【０１０４】
（付記１５）複数のパターンを形成するリソグラフィ用の露光パターンの生成装置において，
元のパターンの辺を第１の方向に移動させて第１の拡大パターンを生成する第１の生成ユニットと，
前記元のパターンの辺を第１の方向と逆の第２の方向に移動させて第２の拡大パターンを生成する第２の生成ユニットと，
前記第１及び第２の拡大パターンとを論理積処理して両拡大パターンが重なる領域を有する論理積パターンを生成する論理積処理ユニットと，
前記元のパターンと論理積パターンとを排他的論理和処理して両者の排他的領域を有する排他的パターンを生成する排他的処理ユニットと，
前記第１の拡大パターンから当該排他的パターンを除外して新たな第１の拡大パターンを生成する除外処理ユニットとを有することを特徴とする露光パターンの生成装置。
【０１０５】
（付記１６）所定方向に並ぶ複数のパターンを有する半導体装置の製造方法において，
当該所定方向に沿う前記複数のパターンのうち，奇数番目のパターンについては前記所定方向に沿った第１の方向に，偶数番目のパターンについては前記第１の方向と反対の第２の方向に，それぞれ辺を移動させて第１の拡大パターンを生成する工程と，
前記奇数番目のパターンについては前記第２の方向に，前記偶数番目のパターンについては第１の方向に，それぞれ辺を移動させて第２の拡大パターンを生成する工程と，
前記第１の拡大パターンを有する第１のレチクルと，前記第２の拡大パターンを有する第２のレチクルとにより，基板上のパターンニング対象層とレジスト層に対して露光，現像，エッチングをそれぞれ行って，前記基板上に前記複数パターンに対応するパターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１０６】
（付記１７）Ｌ字パターンを有する半導体装置の製造方法において，
前記Ｌ字パターンの辺をＬ字パターンの外角方向に移動させて第１の拡大パターンを生成する工程と，
前記辺をＬ字パターンの内角方向に移動させて第２の拡大パターンを生成する工程と，
前記第１の拡大パターンを有する第１のレチクルと，前記第２の拡大パターンを有する第２のレチクルとにより，基板上のパターンニング対象層とレジスト層に対して露光，現像，エッチングをそれぞれ行って，前記基板上に前記Ｌ字パターンに対応するパターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１０７】
（付記１８）交差パターンを有する半導体装置の製造方法において，
前記交差パターンをＬ字パターンとそれ以外の別のパターンとに分割する工程と，
前記Ｌ字パターンの辺をＬ字パターンの外角方向に移動させ，更に当該Ｌ字パターンに接続される別のパターンの辺を前記外角方向と反対方向に移動させて第１の拡大パターンを生成する工程と，
前記Ｌ字パターンの辺をＬ字パターンの内角方向に移動させ，更に当該Ｌ字パターンに接続される別のパターンの辺を前記内角方向と反対方向に移動させて第２の拡大パターンを生成する工程と，
前記第１の拡大パターンを有する第１のレチクルと，前記第２の拡大パターンを有する第２のレチクルとにより，基板上のパターンニング対象層とレジスト層に対して露光，現像，エッチングをそれぞれ行って，前記基板上に前記交差パターンに対応するパターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１０８】
【発明の効果】
以上，本発明によれば，レチクルＡとレチクルＢの拡大パターン形成のためのオリジナルパターンの辺移動方向を，それぞれ適切に制御することにより，レチクルＡ，Ｂの合成パターンに誤りパターンが生成されることが防止される。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の一般的なリソグラフィ工程を示す図である。
【図２】光の波長に依存しないリソグラフィ工程を示す図である。
【図３】図２で示したリソグラフィ工程に利用される２枚のレチクルパターンの発生方法を示す図である。
【図４】リソグラフィの問題点を示す図である。
【図５】リソグラフィの別の問題点を示す図である。
【図６】本実施の形態例における矩形パターンのレチクルＡ，Ｂの形成方法を示す図である。
【図７】本実施の形態例における縦長の矩形パターンについてのレチクルＡ，Ｂの生成方法を示す図である。
【図８】矩形パターンに対する露光パターン生成方法を利用した時の合成後のパターンを示す図である。
【図９】本実施の形態例におけるＬ字パターンの露光パターン形成方法を示す図である。
【図１０】パターンの辺移動を行う場合のパターンデータを説明する図である。
【図１１】交差パターンを矩形とＬ字パターンとに分割するアルゴリズムを示す図である。
【図１２】本実施の形態例における交差パターンのレチクル発生アルゴリズムを示す図である。
【図１３】本実施の形態例における露光パターンデータ生成方法のフローチャート図である。
【図１４】パターンデータの構成例を示す図である。
【図１５】矩形パターンのレチクルＡ，Ｂを生成する方法のフローチャート図である。
【図１６】Ｌ字パターンのレチクルＡ，Ｂを生成する方法のフローチャート図である。
【図１７】分割後のパターンに，Ｌ字パターンと矩形パターンとが混在する場合のレチクルＡ，Ｂを生成する方法のフローチャート図である。
【図１８】誤りパターンの発生を示す図である。
【図１９】本実施の形態例における誤りパターン除去方法を説明する図である。
【図２０】斜めパターンのレチクルＡ，Ｂの生成方法を示す図である。
【図２１】斜めパターンのレチクルＡ，Ｂの生成方法を示す図である。
【図２２】本実施の形態例における露光パターンの生成装置の構成図である。
【符号の説明】
Pa, Pb, Pc, Pd          矩形パターン
Paa, Pba, Pca, Pda      レチクルＡ，第１の拡大パターン
Pab, Pbb, Pcb, Pdb      レチクルＢ，第２の拡大パターン
１２                    合成パターン
【図１】
0003998458.tif 000002
【図２】
0003998458.tif 000003
【図３】
0003998458.tif 000004
【図４】
0003998458.tif 000005
【図５】
0003998458.tif 000006
【図６】
0003998458.tif 000007
【図７】
0003998458.tif 000008
【図８】
0003998458.tif 000009
【図９】
0003998458.tif 000010
【図１０】
0003998458.tif 000011
【図１１】
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【図１２】
0003998458.tif 000013
【図１３】
0003998458.tif 000014
【図１４】
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【図１５】
0003998458.tif 000016
【図１６】
0003998458.tif 000017
【図１７】
0003998458.tif 000018
【図１８】
0003998458.tif 000019
【図１９】
0003998458.tif 000020
【図２０】
0003998458.tif 000021
【図２１】
0003998458.tif 000022
【図２２】
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