(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置面に近接もしくは載置して前記基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上において前記基板を昇降する昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンの先端部分は胴体部分よりも外径が小さく、かつ、前記昇降ピンの少なくとも先端部分は断面略十字形の形状を有していることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項２】
基板を載置面に近接して基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上に設けられ、基板を支持するプロキシミティピンと、前記加熱プレート上において基板を昇降して前記プロキシミティピンとの間で基板の受け渡しを行う昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンの先端部分はその胴体部分よりも外径が小さく、かつ、前記昇降ピンは、前記昇降ピンを降下させて基板を前記プロキシミティピン上に載置した状態において、前記胴体部分の上面が前記加熱プレートの上面と一致する高さに配置されることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項３】
前記昇降ピンの少なくとも先端部分は、断面略十字形の形状を有していることを特徴とする請求項２に記載の加熱処理装置。
【請求項４】
基板を載置面に近接もしくは載置して、前記基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上において前記基板を昇降する昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンは、側面を構成する筒状部材と前記筒状部材の中心孔から突出する支持部材とにより構成され、かつ、前記筒状部材が、前記加熱プレートと同一の材料で形成されていることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項５】
基板を載置面に近接もしくは載置して、前記基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上において前記基板を昇降する昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンは、側面を構成する筒状部材と前記筒状部材の中心孔から突出する支持部材とにより構成され、かつ、前記筒状部材が所定位置より下に下がらないように前記昇降ピンを位置決めするストッパが前記加熱プレートの裏面に配設されていることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項６】
前記ストッパは、前記昇降ピンを降下させた状態で前記筒状部材の上面が前記加熱プレートの上面と実質的に同じ高さとなるように、配置されていることを特徴とする請求項５に記載の加熱処理装置。
【請求項７】
基板を載置面に近接もしくは載置して、前記基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上において前記基板を昇降する昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンは、側面を構成する筒状部材と前記筒状部材の中心孔から突出する支持部材とにより構成され、かつ、前記筒状部材が所定位置より下に下がらないように前記筒状部材の上部端面が拡がった形状となっていることを特徴とする加熱処理装置。
【請求項８】
前記昇降ピンを降下させた状態で、前記筒状部材の上部端面は前記加熱プレートの上面と実質的に同じ高さとなっていることを特徴とする請求項７に記載の加熱処理装置。
【請求項９】
前記支持部材の少なくとも先端部分は、断面略十字形の形状を有することを特徴とする請求項３から請求項８のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばレジスト膜が表面に形成された液晶表示装置（ＬＣＤ）基板や半導体基板の熱処理に用いられる加熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の製造における、例えば、電極パターンの形成等の工程においては、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、各種パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術により所定のパターンが形成される。
【０００３】
フォトリソグラフィ技術を用いたこれら一連の処理工程においては、レジスト塗布後にレジスト膜と基板との密着性を向上させるための加熱処理（プリベーク）や、現像後の加熱処理（ポストベーク）等の加熱処理が行われている。これらの加熱処理は、通常、ヒータによって加熱される加熱プレート（ホットプレート）を備えてなるホットプレートユニット（以下、「ＨＰユニット」という。）を用いて行われる。
【０００４】
一般的にＨＰユニットを用いた基板等の加熱処理においては、図８に示すように、まず、機械搬送された基板６１は加熱プレート６２から突出するように設けられた昇降ピン６３上に載置される。次に、基板６１が、加熱プレート６２の載置面に設けられたプロキシミティピン６４上に支持されるように、或いは直接に加熱プレート６２上に載置されるように、昇降ピン６３を降下させる。次いで、所定時間、所定温度の熱処理終了後に、再び昇降ピン６３を上昇させて基板６１を持ち上げ、次工程へ搬送させるという手段が採られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ここで、基板において昇降ピンが接触した部分は、他の非接触な部分と比較して加熱プレートからの伝熱の形態が異なることとなり、これにより部分的に基板に異なる熱履歴が発生することがあった。また、加熱プレートにおいて、昇降ピンが形成されている部分は、構造上、一様な性状を有する加熱プレート表面と比較して、基板への熱輻射の状態に差異が生ずることがあり、これによっても基板に部分的に異なる熱履歴が発生することがあった。このような熱履歴は、レジスト膜の厚みむらといった転写の発生の原因となり、外観を損なうばかりでなく、歩留まりの低下を引き起こす問題があった。
【０００６】
本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板に部分的に異なる熱履歴を発生させない昇降ピンを備えた加熱処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、第１の加熱処理装置として、基板を載置面に近接もしくは載置して前記基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上において前記基板を昇降する昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンの先端部分は胴体部分よりも外径が小さく、かつ、前記昇降ピンの少なくとも先端部分に、断面略十字形の柱状部材が用いられていることを特徴とする加熱処理装置、が提供される。なお、「断面略十字形」の「断面」とは、昇降ピンの長さ方向に垂直な断面を指し、十字型断面を有する部分は、加熱プレートの載置面から突出する部分のみでよい。
【０００８】
本発明によれば、第２の加熱処理装置として、基板を載置面に近接して基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上に設けられ、基板を支持するプロキシミティピンと、前記加熱プレート上において基板を昇降して前記プロキシミティピンとの間で基板の受け渡しを行う昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンの先端部分はその胴体部分よりも外径が小さく、かつ、前記昇降ピンは、前記昇降ピンを降下させて基板を前記プロキシミティピン上に載置した状態において、前記胴体部分の上面が前記加熱プレートの上面と一致する高さに配置されることを特徴とする加熱処理装置、が提供される。
この加熱処理装置でも、昇降ピンの少なくとも先端部分を断面略十字形とすることは好ましい。
【０００９】
本発明によれば、第３の加熱処理装置として、基板を載置面に近接もしくは載置して、前記基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上において前記基板を昇降する昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンは、側面を構成する筒状部材と前記筒状部材の中心孔から突出する支持部材とにより構成され、かつ、前記筒状部材が、前記加熱プレートと同一の材料で形成されていることを特徴とする加熱処理装置、が提供される。
【００１０】
本発明によれば、第４の加熱処理装置として、基板を載置面に近接もしくは載置して、前記基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上において前記基板を昇降する昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンは、側面を構成する筒状部材と前記筒状部材の中心孔から突出する支持部材とにより構成され、かつ、前記筒状部材が所定位置より下に下がらないように前記昇降ピンを位置決めするストッパが前記加熱プレートの裏面に配設されていることを特徴とする加熱処理装置、が提供される。
この加熱処理装置では、昇降ピンを降下させた状態で筒状部材の上面が加熱プレートの上面と実質的に同じ高さとなるように、ストッパを配置することが好ましい。
【００１１】
本発明によれば、第５の加熱処理装置として、基板を載置面に近接もしくは載置して、前記基板を加熱処理する加熱プレートと、前記加熱プレートの載置面上において前記基板を昇降する昇降ピンとを具備し、
前記昇降ピンは、側面を構成する筒状部材と前記筒状部材の中心孔から突出する支持部材とにより構成され、かつ、前記筒状部材が所定位置より下に下がらないように前記筒状部材の上部端面が拡がった形状となっていることを特徴とする加熱処理装置、が提供される。
この加熱処理装置では、昇降ピンを降下させた状態で、筒状部材の上部端面の高さを加熱プレートの上面の高さと実質的に同じすることが好ましい。また、第２から第５の加熱処理装置においても、支持部材の少なくとも先端部分を断面略十字形の形状とすることが好ましい。
【００１２】
本発明に係る加熱処理装置では、昇降ピンと基板との接触面積を小さくしているので、基板への熱輻射を均一にすることができ、こうして基板の熱履歴を面内で均一なものとすることができるので、転写の発生を防止することができる。また、第１の加熱処理装置においては、支持部材において基板と接する先端部分を熱伝導率の小さい材料で形成し、胴体部分を剛性の大きい材料で形成することも好ましい。これにより、基板の昇降に必要な機械的強度を確保することができる。第２〜第５の加熱処理装置では、筒状部材により基板の昇降に必要な機械的強度を確保することができ、筒状部材を加熱プレートと同じ材料で構成することで、基板への熱輻射を均一にすることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明の加熱処理装置が好適に適用されるＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図である。
【００１４】
この塗布・現像処理システムは、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置（図示せず。）との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを備えており、処理部２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイス部３が配置されている。
【００１５】
カセットステーション１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション１においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００１６】
処理部２は、前段部２ａと中段部２ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送路１２・１３・１４を有し、これら搬送路の両側に各処理ユニットが配設されている。そして、これらの間には中継部１５・１６が設けられている。
【００１７】
前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂが配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射ユニット（ＵＶ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが２段に重ねられた処理ブロック２５、加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２６および冷却ユニット（ＣＯＬ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２７が配置されている。
【００１８】
また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２および基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、搬送路１３の他方側には、加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック２８、加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる処理ブロック２９、およびアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）と冷却ユニット（ＣＯＬ）とが上下に重ねられてなる処理ブロック３０が配置されている。
【００１９】
さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４の一方側には、３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃが配置されており、搬送路１４の他方側には加熱処理ユニット（ＨＰ）が２段に重ねられてなる処理ブロック３１、およびともに加熱処理ユニット（ＨＰ）と冷却処理ユニット（ＣＯＬ）が上下に重ねられてなる処理ブロック３２・３３が配置されている。
【００２０】
なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２、現像処理ユニット２４ａのようなスピナー系ユニットのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する構造となっている。
【００２１】
また、中継部１５・１６のスピナー系ユニット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置されており、さらに主搬送装置のメンテナンスを行うためのスペース３５が設けられている。
【００２２】
主搬送装置１７・１８・１９は、それぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞれ基板Ｇを支持するアーム（図示せず。）を有している。
【００２３】
主搬送装置１７は、搬送機構１０のアーム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。また、主搬送装置１８は中継部１５との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、中段部２ｂの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには中継部１６との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。さらに、主搬送装置１９は中継部１６との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｃの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらにはインターフェイス部３との間の基板Ｇの受け渡しを行う機能を有している。なお、中継部１５・１６は冷却プレートとしても機能する。
【００２４】
インターフェイス部３は、処理部２との間で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエクステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バッファーカセットを配置する２つのバッファステージ３７と、これらと露光装置（図示せず。）との間の基板Ｇの搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構３８はエクステンション３６およびバッファステージ３７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９により処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２５】
このように各処理ユニットを集約して一体化することにより、省スペース化および処理の効率化を図ることができる。
【００２６】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの処理ブロック２５の紫外線照射ユニット（ＵＶ）で表面改質・洗浄処理が行われ、冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ・２１ｂでスクラバー洗浄が施され、処理ブロック２６のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）で加熱乾燥された後、処理ブロック２７のいずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００２７】
その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、レジストの定着性を高めるために、処理ブロック３０の上段のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）にて疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）され、下段の冷却処理ユニット（ＣＯＬ）で冷却後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２でレジストが塗布され、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３で基板Ｇの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇは、中段部２ｂの中の加熱処理ユニット（ＨＰ）の一つでプリベーク処理され、処理ブロック２９または３０の下段の冷却ユニット（ＣＯＬ）で冷却される。
【００２８】
その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、必要に応じて後段部２ｃの処理ブロック３１・３２・３３のいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）でポストエクスポージャーベーク処理を施した後、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ・２４ｂ・２４ｃのいずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成される。現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれかの加熱処理ユニット（ＨＰ）にてポストベーク処理が施された後、いずれかの冷却ユニット（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１９・１８・１７および搬送機構１０によってカセットステーション１上の所定のカセットに収容される。
【００２９】
次に、上述した処理システムに適用される本発明の加熱処理装置（前述の加熱処理ユニット（ＨＰ）と同義。）の実施の形態について、図面を参照しながら詳述する。図２は本発明の加熱処理装置の一実施形態を示す断面図であるが、ここで図２は加熱処理装置の概略構成を示すものであって、加熱処理装置を構成する種々の部材については、適宜、構成や形状等の変更が可能であることはいうまでもない。
【００３０】
加熱処理装置５２には、主搬送装置１７・１８・１９の搬送アームにより搬入された基板Ｇを加熱処理する処理室４０が形成されている。処理室４０には、基板Ｇを加熱する発熱体４１を内蔵した加熱プレート４２が備えられており、加熱プレート４２はアルミニウム等の金属や窒化アルミ等の熱伝導性の良好なセラミックス等で形成される。そして、加熱プレート４２の外周側には、加熱プレート４２の周辺部を包囲するシャッタ４３が備えられている。
【００３１】
シャッタ４３は、昇降シリンダ４４の作動により上下動自在であり、シャッタ４３が上昇した際には、シャッタ４３と上部中央に排気口４５を有するカバー４６から垂下したストッパ４７とが接触して、処理室４０内が気密に維持されるように構成されている。また、ストッパ４７には、給気口が設けられており、この給気口から処理室４０に内に流入した空気は排気口４５から排気されるように構成されている。なお、この給気口から流入された空気は処理室４０内の基板Ｇに直接に触れないために、基板Ｇを所定の処理温度で加熱処理することができるように構成されている。
【００３２】
処理室４０内には、基板Ｇを支持可能な昇降ピン４８が備えられている。昇降ピン４８は、モータ４９等の駆動で上下動自在に形成されており、基板Ｇを２点鎖線で示す位置で支持することができるように形成されている。また、この状態から昇降ピン４８を下降させると、基板Ｇは実線で示される位置において、加熱プレート４２上に載置される。この際、基板Ｇはプロキシミティピン５１上に支持されるように構成することができる。
【００３３】
本発明の加熱処理装置５２に用いられる昇降ピン４８の一実施形態として、図３に示される昇降ピン４８ａのように、先端部分４８Ｐが胴体部分４８Ｑよりも外径が小さくなるように構成されたものが挙げられる。ここで、図３（ａ）は、昇降ピン４８ａを下降させて基板Ｇをプロキシミティピン５１上に載置した状態を示し、図３（ｂ）は、昇降ピン４８ａを上昇させた状態を示している。先端部分の外径を胴体部分の外径よりも小さく構成することにより、基板Ｇと昇降ピン４８ａとの接触面積が低減され、従って、昇降ピン４８ａから基板Ｇへの熱伝達が抑制されて、基板Ｇの面内における部分的な熱履歴の発生が抑制される。
【００３４】
なお、図３（ａ）では、基板Ｇがプロキシミティピン５１上に載置した状態において、胴体部分４８Ｑの上面が加熱プレート４２の載置面よりも低い場所に位置する構造となっているが、図３（ｃ）に示すように、胴体部分４８Ｑの上面が、加熱プレート４２の載置面と一致するように形成して、加熱プレート４２における基板Ｇの載置面からの熱輻射の均一化を図ることも好ましい。
【００３５】
昇降ピン４８ａにおいて、先端部分４８Ｐと胴体部分４８Ｑは、同一材料で形成されていてもよく、また、異なる材料で形成されていてもよい。ここで、昇降ピン４８ａを構成する材料としては、蓄熱し難く熱伝導性の低いもの、また、比熱の小さいものを用いることが好ましいが、昇降ピン４８ａには、基板Ｇを安定に上下に数十ミリメートルほどは昇降させるに十分な機械的強度もまた必要とされる。
【００３６】
そこで、このような昇降ピン４８ａが満足すべき熱的特性および機械的特性を考慮すれば、例えば、昇降ピン４８ａにおいて、基板Ｇと接触する先端部分４８Ｐについては、フッ素樹脂やＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）等の熱伝導性の低い小さい材料で形成し、胴体部分４８Ｑについては、加熱プレート４２と同じ材料であるアルミニウムや窒化アルミ等の機械的強度に優れた材料で構成することも、好ましい。胴体部分４８Ｑに加熱プレート４２と同じ材料を用いた場合には、加熱プレート４２の載置面からの熱輻射の均一化が図られる。
【００３７】
昇降ピン４８ａにおいて、先端部分４８Ｐの外径は、好ましくは１ｍｍφ以下とされ、少なくともモータ４９等の駆動により加熱プレート４２の載置面から突出することとなる部分の外径を１ｍｍφ以下とすることが、より好ましい。つまり、昇降ピン４８ａでは、胴体部分４８Ｑの外径もまた１ｍｍφ以下であると、より好ましい形態となり、このとき、先端部分４８Ｐと胴体部分４８Ｑの外径を同じものとすることも可能である。
【００３８】
このように、昇降ピン４８ａの各部分の外径を小さくした場合には、基板Ｇとの接触面積が小さくなることに加えて、昇降ピン４８ａ自体が有することとなる熱容量も小さくなり、こうして昇降ピン４８ａを通じての基板Ｇへの熱の移動が小さく抑えられる。また、昇降ピン４８ａが、加熱プレート４２からの輻射熱の伝達を乱し難くなり、基板Ｇにおける部分的に異なる熱履歴の発生を抑えて、転写の発生を抑制することができるようになる。さらに、昇降ピン４８ａの直径を極力小さくすることにより、加熱プレート４２に形成される昇降ピン穴径も小さくすることができる。これにより、昇降ピン穴部分での加熱プレート４２の熱変化を小さくなり、基板Ｇへの輻射熱の伝達を均一して、転写の発生をさらに抑制することができるようになる。
【００３９】
さらに、昇降ピン４８ａから基板Ｇへの熱移動を小さく抑えるためには、昇降ピン４８ａの先端形状、つまり、先端部分４８Ｐの先端形状を、図４の各断面図に示すように、球面形状、楕円球面等の曲面形状（図４（ａ））としたり、円錐や角錐等の尖塔形状（図４（ｂ））として、昇降ピン４８ａと基板Ｇとが、点接触するような形態とすることが好ましい。ここで、図４（ｂ）のような尖塔形状では、基板Ｇの載置による摩耗や損傷が起こり易くなることから、図４（ｃ）に示すように、最先端部分が平面状もしくは曲面状に形成された略尖塔形状に形成することも好ましい。なお、図４（ｄ）に示すように、先端部４８Ｐの先端がさらに外径が細くなるように、段差を形成することも可能である。
【００４０】
次に、加熱処理装置５２に好適に用いられる昇降ピンの別の形態について、図５の各断面図を参照しながら説明する。図５（ａ）に示された昇降ピン４８ｂは、側面を構成する筒状部材９１と筒状部材９１の中心孔９２から突出する支持部材９３とにより構成されている。昇降ピン４８ｂの使用に当たっては、図５（ａ）・（ｂ）の状態間を遷移するように、筒状部材９１については、好ましくは、その上部端面が加熱プレート４２の基板載置面より下方に下がらないように注意しつつ昇降し、かつ、筒状部材９１が基板Ｇ等に直接に触れることのないように支持部材９３を筒状部材９１の上部端面から所定長さほど突出させた状態として、基板Ｇ等の昇降を行う。
【００４１】
従って、昇降ピン４８ｂにおいては、筒状部材９１もまた加熱プレートから突出するようにして用いられることから、筒状部材９１により機械的強度の確保が図られる。また、支持部材９３のみが直接に基板Ｇと接触することから、支持部材９３からのからの熱伝導が小さく抑えられ、また、支持部材９３からの輻射熱をも小さく抑えられる。
【００４２】
支持部材９３の外径、正確には支持部材９３において筒状部材９１の上部端面から突出することとなる部分の外径は、先に説明した昇降ピン４８ａの場合と同様に１ｍｍφ以下とすることが好ましい。また、支持部材９３には、前述した昇降ピン４８ａと同じ材料を用いることができ、その先端形状についても昇降ピン４８ａと同様の構造を採用することができる。
【００４３】
一方、筒状部材９１の外径は、基板Ｇを保持するために機械的強度の確保が十分に図られ、また、加熱プレート４２から基板Ｇへの輻射熱の状態に与える悪影響が小さい範囲で任意に定められ、最も好ましくは１ｍｍφ以下とされる。これは、筒状部材９１からも加熱プレート４２と同様に、熱輻射が起こるためである。従って、筒状部材９１を加熱プレート４２と同じ材料から構成すると、筒状部材９１の端面からの熱輻射が加熱プレート４２からの熱輻射の状態を外乱し難くなり、好ましい。
【００４４】
続いて、図６は、上述した支持部材と筒状部材を用いた昇降ピンのさらに別の実施の形態を示した断面図である。図６（ａ）に示した昇降ピン４８ｃにおいて、筒状部材９８ａは外径が一様な円筒形状を有しているが、加熱プレート４２の下面にストッパ９６が配設されていることから、筒状部材９８ａは所定位置より下方に下がることはない。一方、図６（ｂ）の昇降ピン４８ｄにおける筒状部材９８ｂは、その上部端面の面積が大きくなるように拡がった形状としたものであり、この拡がり部分がストッパの役割を果たして、下方への落下が防止される。従って、ストッパ９６の配設は不要となる。筒状部材９８ａ・９８ｂは、加熱プレート４２と同じ材料で形成することが好ましい。
【００４５】
支持部材９５は、ピン９５ａと作動バー９５ｂの２部材から構成されており、基板Ｇと接する部材であるピン９５ａは、前述した昇降ピン４８ａの先端部分４８Ｐや昇降ピン４８ｂにおける支持部材９３と同様の材料を用いて構成され、その外径は好ましくは１ｍｍφ以下とされ、先端形状は球面状または略尖塔形状とすることが好ましい。作動バー９５ｂは、ピン９５ａの昇降方向における位置決め、すなわち、ピン９５ａの筒状部材９８ａ・９８ｂからの突出長さの制御を行うものであり、内蔵されたバネ９７の力によって、所定長さほどピン９５ａを筒状部材９８ａ・９８ｂの端面から突出させることができる。
【００４６】
作動バー９５ｂを上昇させると、図６（ａ）・（ｂ）の構造から明らかなように、ピン９５ａが筒状部材９８ａ・９８ｂから所定長さほど突出した状態で、筒状部材９８ａ・９８ｂが作動バー９５ｂとともに上方に押し上げられ、筒状部材９８ａ・９８ｂもまた加熱プレート４２から突出した状態へと移行する。これに対し、作動バー９５ｂを下方へ引き下げた場合には、まず、ピン９５ａが筒状部材９８ａ・９８ｂから所定長さほど突出した状態で、昇降ピン４８ｃ・４８ｄは筒状部材９８ａ・９８ｂとともに下降し、筒状部材９８ａ・９８ｂは加熱プレート４２内に収容される。その後、さらに作動バー９５ｂを下降させると、内部に備えられたバネ９７が縮み、ピン９５ａの筒状部材９８ａ・９８ｂ上面からの突出長さを短くすることができる。
【００４７】
以上、昇降ピン４８の種々の実施形態である昇降ピン４８ａ〜４８ｄについて説明してきたが、昇降ピン４８の形状としては、円柱状のものが好適に用いられるが、例えば、多角柱状ものを用いることも可能である。多角柱状の昇降ピンにおいては、最も長くなる対角線の長さを、その外径と考えることができる。
【００４８】
さて、前述した昇降ピン４８ａや、昇降ピン４８ｂにおける支持部材９３、昇降ピン４８ｃ・４８ｄにおけるピン９５ａの形状は、図７の斜視図に示すような断面略十字形の柱状とすることも好ましい。ここで、「断面略十字形」とは、長さ方向に垂直な断面の形状が略十字形であることをいう。このような形状とすることにより、昇降ピンの熱容量を低減して昇降ピンから基板への熱伝達を低減しつつ、機械的強度の向上を図ることも可能となる。
【００４９】
この場合、昇降ピン４８ａでは先端部分４８Ｐ、昇降ピン４８ｂにおける支持部材９３では筒状部材９１の端面から突出することとなる部分、昇降ピン４８ｃ・４８ｄにおけるピン９５ａでは筒状部材９８ａ・９８ｂの端面から突出する部分、の各部分が断面略十字型であることが好ましく、必ずしも昇降ピン４８ａ〜４８ｄ全体が断面略十字型である必要はない。
【００５０】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態ではレジスト塗布・現像処理システムに本発明の加熱装置を適用した場合について説明したが、これに限るものではない。また、被処理基板としてＬＣＤ基板について説明してきたが、半導体ウエハ、ＣＤ基板等の他の基板についても用いることが可能である。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、昇降ピンの熱容量が低減されて、また、基板と昇降ピンとの接触面積が低減されるとともに、昇降ピンの外径を制限することによって昇降ピンにより遮られる加熱プレートからの輻射熱が従来よりも低減され、また、昇降ピンからの熱輻射が加熱プレートからの熱輻射へ悪影響を及ぼし難い構造とすることができる。その結果、基板に局部的な熱履歴の差が生じ難く、基板における転写の発生が有効に回避される。これにより、生産効率を高め、処理コストの低減が図られるという顕著な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の対象となる加熱処理装置が適用されるレジスト塗布・現像処理システムを示す平面図。
【図２】本発明の加熱処理装置の一実施形態を示す断面図。
【図３】本発明の加熱処理装置に適用される昇降ピンの一実施形態を示す断面図。
【図４】本発明の加熱処理装置に適用される昇降ピンの先端形状の一実施形態を示す断面図。
【図５】本発明の加熱処理装置に適用される昇降ピンの別の実施形態を示す断面図。
【図６】本発明の加熱処理装置に適用される昇降ピンのさらに別の実施形態を示す断面図。
【図７】本発明の加熱処理装置に適用される昇降ピンの先端形状の別の実施形態を示す斜視図。
【図８】加熱処理装置における基板等の移動経路を示す説明図。
【符号の説明】
４０；処理室
４１；発熱体
４２；加熱プレート
４３；シャッタ
４４；昇降シリンダ
４５；排気口
４６；カバー
４７；ストッパ
４８〜４８ｄ；昇降ピン
５２；加熱処理装置
９１；筒状部材
９３；支持部材、
９５；支持部材
９６；ストッパ
９７；バネ
９８ａ・９８ｂ；筒状部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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