(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の圧電基板の両主面にそれぞれ振動電極を対向するように形成してなり、対向する振動電極間の圧電基板が振動部とされているとともに、前記振動電極が前記圧電基板の長さ方向両端部までそれぞれ引き出されている圧電共振子と、該圧電共振子の両端部が接合されるケース基板と、前記圧電共振子に被せられた金属製蓋とを具備してなる圧電共振装置であって、前記圧電基板の長さ方向両端部に、前記圧電基板の振動電極形成面と平行な面を有し、前記圧電基板の長さ方向両端部の厚みが前記振動部の厚みよりも薄いステップ部を、前記圧電基板の一方側主面のみに形成するとともに、前記振動部の厚みをＴ、ステップ部の厚みをＴ’とした時、Ｔ’／Ｔが０．９以下であり、かつ前記ステップ部が形成されていない前記圧電基板の他方側主面が前記ケース基板側となるように、前記圧電共振子が前記ケース基板に配置されており、前記圧電基板の両端部の前記ステップ部上まで塗布された導電性接着剤により前記圧電共振子が前記ケース基板に接合されていることを特徴とする圧電共振装置。
【請求項２】
厚み滑り振動モードで作動することを特徴とする請求項１記載の圧電共振装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電発振子や圧電フィルタなどに用いられる圧電共振装置に関する。
【０００２】
【従来技術】
従来、圧電発振子や帯域フィルタなどには、エネルギー閉じ込め型の圧電共振子が広く用いられている。
【０００３】
図９は、従来の厚み滑り振動モードを利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共振子を示す斜視図である。この圧電共振子１は、矩形板状の圧電セラミック基板２を有しており、圧電セラミック基板２は、長さ方向の一方端面２ａから他方端面２ｂ側に向かって分極処理されている（分極方向を矢印Ｐで示す）。圧電セラミック基板２の上面２ｃ上には共振電極３が、下面２ｄ上には共振電極４が形成されている。
【０００４】
共振電極３は、端面２ｂ側から中央部に向かって延設され、共振電極４は、端面２ａから中央部に向かって延設されており、共振電極３、４は、圧電セラミック基板２の中央部において、圧電セラミック基板２を介して表裏対向しており、この部分が振動部とされている。
【０００５】
このような圧電共振子１では、共振電極３、４に交流電圧を印加することにより、共振電極３、４が重なり合っている領域、すなわち振動部が厚み滑り振動モードで励振される。この場合、振動のエネルギーは、共振電極３、４が重なり合っている振動部に閉じ込められ、端面２ａ、２ｂ側にはあまり漏洩しないため、圧電共振子１は、厚み滑り振動モードを利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共振子として機能する。従って、端面２ａ、２ｂ近傍を機械的に保持することにより、ケース基板や回路基板等に固定することができる。
【０００６】
このようなエネルギー閉じ込め型の圧電共振子１では、振動のエネルギーは振動部に良好に閉じ込められることが必要である。さもないと、端面２ａ、２ｂ側の部分を機械的に保持した場合に振動が阻害され、所望の共振特性を得ることができない。
【０００７】
圧電共振子１において、振動エネルギーを良好に閉じ込めるには、圧電セラミック基板２の長さＬを長くする必要がある。また、圧電共振子１の共振周波数は、振動部の厚み、即ち圧電セラミック基板２の厚さＴに依存する。例えば、共振周波数が４ＭＨｚの圧電共振子１を得ようとした場合、圧電セラミック基板２の厚さＴは０．３ｍｍ程度となり、２ＭＨｚの圧電共振子１を得ようとした場合には厚さＴは０．６ｍｍとなる。
【０００８】
ところが、振動エネルギーを振動部に確実に閉じ込めるには、圧電セラミック基板２の厚さＴが大きくなるにつれ、圧電セラミック基板２の長さＬを長くしなければならない。例えば、４ＭＨｚのときには、厚さＴは０．３ｍｍであるが、この場合共振エネルギーを振動部に確実に閉じ込めるには、長さＬを５ｍｍ程度としなければならず、また２ＭＨｚの場合には厚さＴは０．６ｍｍとなるが、この場合には長さＬを１０ｍｍ程度まで長くしなければならなかった。
【０００９】
その結果、厚み滑り振動モードを利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共振子１では、共振周波数が低いものほど、圧電セラミック基板２の厚さＴ、長さＬが大きくならざるを得なかった。従って、従来の厚み滑り振動モードを利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共振子１を用いて、４ＭＨｚ以下の比較的低い共振周波領域で用いられるチップ型圧電共振部品を構成した場合、部品全体の寸法も大きくならざるを得なかった。
【００１０】
従来、エネルギー閉じ込め効率を高め、かつ全体の寸法を小型化する為に圧電共振子端部にベベル加工を施したり、圧電共振子に溝を形成することが提案されている。
【００１１】
例えば、特開２０００−２６９７７４号公報には、端部にベベル加工を施した圧電共振子が開示されている。この公報に開示された圧電共振子を図１０に示す。この圧電共振子２１は、厚み滑り振動モードを利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共振子であり、圧電基板２２は圧電セラミックスにより構成されており、圧電基板２２の長さ方向（図示の矢印Ｐ方向）に分極処理されている。
【００１２】
圧電基板２２の上面２２ａにおいては、圧電基板２２の長さ方向両端部近傍において、ベベル加工によりベベル面２２ｃ、２２ｄが形成されており、圧電基板２２の中央部から長さ方向端部側に向かうにつれて圧電基板２２の厚みが薄くなるように傾斜面が形成されている。
【００１３】
他方、圧電基板２２の上面２２ａの中央部には、第１の振動電極２３が形成され、圧電基板２２の下面２２ｂの中央には、第２の振動電極２４が形成されており、第１、第２の振動電極２３、２４は、圧電基板２２の長さ方向中央部において圧電基板２２を介して表裏対向するように形成されている。この振動電極２３、２４の表裏対向している部分が振動部とされている。
【００１４】
このような圧電素子２１では、圧電基板２２の長さ方向両端部に向かうにつれて厚みが小さくなるようにベベル面２２ｃ、２２ｄが形成されており、エネルギーの閉じ込め性を高めており、更に、長さモードや輪郭モードに起因するスプリアスを抑制することができるとされている。
【００１５】
また、特開平７−１４７５２７号公報には、溝を形成することによって厚み滑り振動モードのエネルギー閉じ込め効率を向上した圧電共振子が開示されている。図１１は、この公報に記載された圧電共振子３１を示すもので、この圧電共振子３１は、矩形板状の圧電セラミック基板３２を用いて構成されており、この圧電セラミック基板３２は、図の矢印Ｐ方向に分極軸が揃うように分極処理されている。
【００１６】
圧電セラミック基板３２の上面３２ａにおいては、端面３２ｃから長さ方向中央部に向けて共振電極３３が形成され、同様に、圧電セラミック基板３２の下面３２ｂ上では、端面３２ｄ側から中央部に向けて共振電極３４が形成されている。
【００１７】
また、圧電セラミック基板３２の上面３２ａには幅方向に延びる溝３５が、下面３２ｂ上にも幅方向に延びる溝３６が形成されている。そして、溝３５と溝３６とで挟まれた圧電セラミック基板部分において、上下の共振電極３３、３４が圧電セラミック基板３２を介して対向し、振動部が形成されている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
図１０に示した厚み滑り振動を利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共振子では、圧電基板２２にベベル面２２ｃ、２２ｄを形成することにより、長さ振動モードに起因するスプリアスを抑制し得るが、長さ振動モードに起因するスプリアスを抑制するために圧電基板２２の長さ方向両端部に所定の寸法形状のベベル面２２ｃ、２２ｄを形成することは、技術的にも難しく、また、特殊な加工プロセス・加工装置が必要であり、新たな設備投資を行う必要があり、圧電共振子が高価になるという問題があった。
【００１９】
この圧電共振子の製造する方法として、特開２００１-３８５９０号公報には、ベベル加工を施した共振子の製造方法及び製造装置が開示されているが、共振子の長さ寸法が短冊の幅となるような細長い短冊状のウェハー（圧電基板２２の成形体が一列に並んだもの）を作製し、片方ずつベベル面を形成する必要がある為に、従来のように、圧電基板の成形体が複数の行と列で形成されたマザー成形体を加工する場合よりも量産性が低く、共振子のコストが高くなる。
【００２０】
さらに、ベベル面の加工は上記したように特殊な加工技術で行い、加工も困難であるため、左右のベベル面を等しく加工することは困難であり、ベベル面が不均一である場合には圧電共振子が非対称となり、帯域内にスプリアスが発生し易いという問題があった。このため、製造歩留まりが低下するという問題がある。
【００２１】
また、図１１に示した圧電共振子では、圧電セラミック基板３２に溝３５、３６を形成することは、上記したベベル加工よりも安価な工程で加工でき、圧電共振子を安価に製造できる。
【００２２】
しかしながら、交差電極部（振動部）の外側に溝３５、３６を形成する構造では、後述するように、長さ振動モードに起因するスプリアスを効果的に抑制することはできない。さらに、長さ振動モードに起因するスプリアスの周波数は、溝３５、３６を形成した方が、溝３５、３６を形成しない場合に比べて、低周波側へシフトする為に、溝３５、３６を形成した場合、共振周波数よりも高周波側に存在していたスプリアスが、厚み滑り振動モードの反共振周波数の極近傍、或いは共振周波数と反共振周波数の間に発生するという問題があった。
【００２３】
このように、スプリアスが反共振周波数の極近傍に発生すると、反共振抵抗が小さくなり、発振特性が劣化してしまうという問題となる。また、スプリアスが共振周波数と反共振周波数の間に発生した場合も同様に、発振特性が劣化したり、温度特性などの劣化の原因となったりする。
【００２４】
本発明は、安価な加工プロセスによって、エネルギー閉じ込め効率が良く、スプリアスを制御できる圧電共振装置を提供することを目的とする。
【００２５】
【課題を解決するための手段】
本発明の圧電共振装置は、矩形状の圧電基板の両主面にそれぞれ振動電極を対向するように形成してなり、対向する振動電極間の圧電基板が振動部とされているとともに、前記振動電極が前記圧電基板の長さ方向両端部までそれぞれ引き出されている圧電共振子と、該圧電共振子の両端部が接合されるケース基板と、前記圧電共振子に被せられた金属製蓋とを具備してなる圧電共振装置であって、前記圧電基板の長さ方向両端部に、前記圧電基板の振動電極形成面と平行な面を有し、前記圧電基板の長さ方向両端部の厚みが前記振動部の厚みよりも薄いステップ部を、前記圧電基板の一方側主面のみに形成するとともに、前記振動部の厚みをＴ、ステップ部の厚みをＴ’とした時、Ｔ’／Ｔが０．９以下であり、かつ前記ステップ部が形成されていない前記圧電基板の他方側主面が前記ケース基板側となるように、前記圧電共振子が前記ケース基板に配置されており、前記圧電基板の両端部の前記ステップ部上まで塗布された導電性接着剤により前記圧電共振子が前記ケース基板に接合されているものである。
【００２６】
本発明の圧電共振装置では、圧電基板の長さ方向両端部に、厚みが振動部の厚みよりも薄いステップ部を形成したので、厚み滑り振動モードで作動させた場合、エネルギー閉じ込め効率を向上でき、スプリアスを制御できるとともに、ステップ部は安価な加工プロセスによって形成できるため、低コスト化を図ることができる。
【００２８】
従来の図１０及び図１１の厚み滑り振動を利用した圧電共振子は、その両端部に導電性接着剤等を塗布し、ケース基板や回路基板へ接着固定していたが、低周波の圧電共振子の場合は圧電セラミック基板の厚さＴが厚くなり、安定に導電性接着剤で保持できないといった問題も生じていた。
【００２９】
即ち、低周波領域で用いられる厚み滑り振動を利用した圧電共振子では、厚みが大きく、導電性接着剤の塗布量が少ないと充分な保持強度が得られず、衝撃によって接着剤が剥がれ導通不良の原因となる。また、確実に接合しようとして、共振子上面にも接着剤を塗布した場合、接着剤が高くなり、圧電共振子を保護するための金属製のケースに接触してしまうといった問題が生じていた。金属製のケースとの接触を避けようとすると、大型化するという問題があった。
【００３０】
これに対して、本発明では、ステップ部が形成されていない圧電基板の他方側主面をケース基板に配置し、導電性接着剤で接合することができ、ケース基板側の面が平坦であるため、安定してケース基板に固定できるとともに、圧電基板の一方側主面の両端部は中央部よりも低いため、導電性接着剤で圧電共振子の両端部をケース基板に接合する場合には、圧電基板の両端部上面まで導電性接着剤を塗布して接合できるためケース基板への接合強度を向上できるとともに、圧電基板の両端部上面まで導電性接着剤を塗布したとしても、圧電基板中央部の厚みは両端部よりも高いため、圧電共振子に金属製の蓋体を被せたとしても、この金属製の蓋体に導電性接着剤が当接して導通することがなく、接続信頼性を向上できるとともに、圧電共振装置として低背化を実現できる。
【００３１】
また、本発明の圧電共振装置では、振動部の厚みをＴ、ステップ部の厚みをＴ’とした時、Ｔ’／Ｔが０．９以下とされている。これにより、厚み滑りモードのエネルギーの閉じ込めを向上でき、Ｐ／Ｖを向上できるとともに、圧電共振子の実装時において導電性接着剤の高さを共振子の中央部上面よりも低くでき、この圧電共振子に金属製の蓋をする場合においても蓋と導通することがない。
【００３２】
【発明の実施の形態】
（形態１）
図１は、本発明の圧電共振子を示す斜視図であり、この圧電共振子４１は、厚み滑り振動モードを利用したエネルギー閉じ込め型の圧電共振子である。圧電共振子４１は、細長い矩形状の圧電基板４２を用いて構成されており、圧電基板４２はチタン酸鉛系圧電セラミックスにより構成され、図１の矢印Ｐ方向、即ち、圧電基板４２の上面４２ａ及び下面４２ｂと平行な方向であって、圧電基板４２の長さ方向に沿って分極処理されている。
【００３３】
圧電基板４２は、チタン酸鉛系セラミックス以外の他の圧電セラミックスにより構成されていてもよく、あるいは水晶などの圧電単結晶により構成されていてもよい。また、圧電基板４２として、板状ではなく棒状の圧電基板を用いてもよい。
【００３４】
圧電基板４２の上面４２ａ側においては、圧電基板４２の長さ方向両端近傍において、ステップ部４２ｅ、４２ｆが形成されている。即ち、圧電基板４２の上面４２ａの両端部を削り取ることにより、ステップ部４２ｅ、４２ｆが形成されている。
【００３５】
共振子４１にステップ部４２ｅ、４２ｆを形成する方法については、特に限定されないが、例えば、ダイシングソーを用いて、圧電基板４２の上面４２ａの両端近傍部分を研削して形成することができる。ダイシングソーは、簡単な加工技術であり、左右のステップ部４２ｅ、４２ｆを等しく加工することが容易であり、共振子の対称性を保つことができ、帯域内スプリアスも発生しにくい。
【００３６】
ステップ面４２ｅ、４２ｆは、圧電基板４２の上面４２ａのみに形成されており、下面４２ｂ側にはステップ面が形成されておらず、平坦である。よって、ケース基板やプリント回路基板などに圧電基板４２の下面４２ｂを当接するようにして安定して載置し、実装することができる。
【００３７】
ステップ部４２ｅ、４２ｆにおける圧電基板４２の厚さＴ’が圧電基板４２の中央部の厚さＴよりも薄くなるように構成されており、Ｔ’／Ｔが０．９以下とされている。
【００３８】
このようにＴ’／Ｔを０．９以下とすることにより、厚み滑り振動モードのエネルギーの閉じ込めを向上でき、Ｐ／Ｖを向上できるとともに、圧電共振子の実装時において導電性接着剤の高さを共振子中央部よりも低くでき、この圧電共振子に金属製の蓋をする場合においても蓋と導通することがない。Ｔ’／Ｔは、強度向上という点から０．７以上であることが望ましい。
【００３９】
また、圧電基板４２の上面４２ａの中央部には、第１の振動電極４３が形成され、圧電基板４２の下面４２ｂの中央部には、第２の振動電極４４が形成されており、それぞれの振動電極４３、４４は圧電基板４２の端部に向けて引き出されている。第１、第２の振動電極４３、４４は、圧電基板４２の長さ方向中央部において圧電基板４２を介して表裏対向するように形成されており、振動電極４３、４４間の圧電基板４２が振動部とされている。
【００４０】
さらに、ステップ部４２ｅ、４２ｆでは、その表面が、圧電基板４２の振動電極形成面と平行な面とされている。
【００４１】
この圧電共振子４１では、圧電基板４２が長さ方向（矢印Ｐ方向）に分極処理されているので、振動電極４３、４４間に交流電圧を印加することにより、厚み滑り振動モードを利用した圧電共振子として動作させることができる。特に、本発明の圧電共振子では、４ＭＨｚ以下、特には２〜４ＭＨｚの比較的低周波領域で用いることが望ましい。
【００４２】
以上のように構成された圧電共振子は、図２に示すように、ケース基板９１に形成された、振動空間９４を設ける為の半田バンプ９２の上に圧電共振子４１を載せ、導電性接着剤９３で圧電共振子４１の両端部を固定することによりケース基板９１に実装され、圧電共振子４１が蓋９５で被われている。
【００４３】
本発明の圧電共振子４１では、両端部にステップ部４２ｅ、４２ｆが形成されているため、ケース基板９１への固定部分の圧電基板４２の厚さがＴ’と薄くなっており、導電性接着剤９３がステップ部４２ｆの上まで塗布され、強固に共振子４１を保持することができる。この場合は、共振子上面４２ａよりも導電性接着剤９３の高さを低くすることができるため、共振子４１に金属製の蓋９５を被せる場合においても導電性接着剤９３に蓋９５が接触せず、小型化を達成できる。
【００４４】
通常、導電性接着剤９３とケース９５が接触しないように、十分なマージンを設けて蓋９５の設計を行うため、蓋９５の高さが高くなるが、本発明では、ステップ部４２ｅ、４２ｆに、導電性接着剤９３の盛り上がりが収められるため、蓋９５の高さに十分なマージンをとる必要がなく、低背化できる。
【００４５】
また、比較的低周波領域で使用される場合、圧電磁器４２の厚みが厚くなるが、本発明では、ステップ部４２ｅ、４２ｆを形成したので、ケース基板等へ接合される部分を薄くでき、接合を良好に行うことができる。
【００４６】
図３、図４に従来の共振子をケース基板９１に搭載し、導電性接着剤で固定した時の断面図を示す。図３では、共振子上面よりも導電性接着剤が高く盛りあがっている為に、金属製の蓋を被せる場合はこの部分に接触しないように蓋を高めに設計する必要があり、大型化する。また、図４の場合は、導電性接着剤が共振子上面よりも低くなっており、蓋に接触することはないが、導電性接着剤と共振子の接合面積が小さい為に接着強度が低く、衝撃力が加わった時には共振子が外れることが考えられ、信頼性が低い。
【００４７】
図５は、図１の圧電共振子４１のインピーダンスの周波数特性を示すものである。ここで、圧電共振子４１として、圧電基板４２がチタン酸鉛圧電セラミックスからなり、長さ４．３ｍｍ、幅０．６ｍｍ、厚さＴ０．６２ｍｍであって、ステップ面４２ｅ、４２ｆの長さ方向寸法を０．８ｍｍ、ステップ面と圧電振動子上面４２ａとの段差を０．０８ｍｍ（Ｔ’＝０．５４ｍｍ）としたものを用い、振動電極４３、４４の対向面積は１．２ｍｍ2とした。また、ステップ部４２ｅ、４２ｆにおける圧電基板４２の厚さＴ’、圧電基板４２中央部の厚さＴとの比Ｔ’／Ｔは、０．８７であった。
【００４８】
また、比較例として、ステップ部を形成しない以外は上記と同一の圧電共振子に溝を形成した図１１の圧電共振子におけるインピーダンスの周波数特性を、図６に示す。
【００４９】
図６から、溝構造の圧電共振子では、反共振周波数ｆａ近傍に、長さ方向の振動モードに起因するスプリアス（ＳＰ）が発生しており、反共振抵抗が低くなり、発振器用共振子の特性に要求されるＰ／Ｖ値が小さい。一方、本発明の圧電共振子では、図５から、長さ方向の振動モードに起因したスプリアスは、反共振周波数ｆａよりも高周波側に移動しており、反共振抵抗を下げたり、Ｐ／Ｖ値を劣化させることもなく良好なインピーダンス特性を有することがわかる。
【００５０】
従って、溝を形成することで、共振子の低周波化に伴い共振子厚さＴが大きくなっても、共振子長さＬを増大させること無く、厚み滑り振動モードのエネルギーを閉じ込めることができるが、反共振周波数ｆａ近傍に生じるスプリアスの原因となる長さ方向の振動モードの場合には、溝よりも外側の削り残した部分が負荷質量として働く為に、長さ方向の振動モードの共振周波数を低下させることとなり、結果として、反共振周波数ｆａの極近傍にスプリアスが発生する事となった。
【００５１】
一方、本発明の共振子の場合は、ステップ状に削り取る為に、負荷質量として働く部分が無く、長さ方向の振動モードの共振周波数を高くすることができ、反共振周波数ｆａから遠ざけることができている。
【００５２】
以上より、本発明の圧電共振子は、長さ方向振動モードに起因するスプリアスの影響を受けることが無く、また、ケース基板等に実装する際も、高い信頼性を確保しながら、コンパクトに保持固定することが可能となる。また、ダイシングソー等を用いて容易にステップ面を形成する為に、製造コストも低く抑えることができる。
図７は、参考例の圧電共振子の斜視図を示すもので、この圧電共振子５１では、圧電基板５２の上面５２ａ側においては、一方の長さ方向端部側の側面５２ｆ近傍にステップ部５２ｅが形成されており、下面５２ｂにおいては、側面５２ｃ側にステップ部５２ｄが形成されている。従って、上記形態１の場合と同様に、長さ振動モードに起因するスプリアスを反共振周波数から遠ざけることができる。
【００５３】
この圧電共振子５１では、振動電極５３を端部に引き出す引出電極５４は、圧電基板５２の上面５２ａにのみ形成されており、振動電極５５を端部に引き出す引出電極５６についても圧電基板５２の平坦な下面５２ｂにのみ形成されている。従って、ステップ部５２ｅ、５２ｄに引出電極を形成する必要がないため、引出電極５４、５６の形成を容易に行うことができる。
【００５４】
また、この圧電共振子５１においては、表面側及び裏面側の構造が同一であるため、自動機に方向を選別することなく、挿入することができ、実装の自動化を容易に行うことができる。
図８は、他の参考例の圧電共振子を示すもので、この圧電共振子６１では、圧電基板６２の上面６２ａだけでなく、下面６２ｂにおいても、その長さ方向両端近傍にステップ部６２ｅ、６２ｆが形成されている。即ち、圧電基板６２の上面６２ａ側にステップ部６２ｈ、６２ｉが形成されているだけでなく、下面６２ｂ側においてもステップ部６２ｅ、６２ｆが形成されている。ステップ部６２ｈ、６２ｉは、ステップ部６２ｅ、６２ｆと圧電基板６２に対して対称に形成されている。
【００５５】
このような圧電共振子６１では、上記形態１、２と同様に、長さ振動モードに起因するスプリアスを反共振周波数から遠ざけることができるとともに、この圧電共振子６１では、圧電基板６２の上面側及び下面側の形状がほぼ同様とされており、対称性を有するため、自動挿入機などに方向性を選別することなく供給することができ、プリント回路基板やケース基板などへの実装の自動化及び実装に際しての作業性の向上を図ることができる。
【００５６】
また、上記形態２、３では、圧電共振子が対称性を有する構造であるため、帯域内のスプリアスは発生しない。
【００５７】
【発明の効果】
本発明の圧電共振装置では、圧電基板の長さ方向両端部に、圧電基板の振動電極形成面と平行な面を有し、圧電基板の長さ方向両端の厚みが振動部の厚みよりも薄いステップ部を形成してなるため、長さ振動モードに起因するスプリアスを反共振周波数から遠ざけることができ、エネルギー閉じ込め性に優れ、かつ不要スプリアスの影響が少ない、共振特性やフィルタ特性に優れた圧電共振装置を安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】圧電基板の上面にのみステップ部を形成した本発明の圧電共振子を示す斜視図である。
【図２】図１の圧電共振子をケース基板に実装した状態を示す説明図である。
【図３】従来の図１１の圧電共振子をケース基板に実装した状態を示す説明図である。
【図４】従来の図１１の圧電共振子をケース基板に実装した状態を示す説明図である。
【図５】図１の本発明の圧電共振子のインピーダンス特性図である。
【図６】図１１の従来の圧電共振子のインピーダンス特性図である。
【図７】参考例の圧電共振子を示す斜視図である。
【図８】他の参考例の圧電共振子を示す斜視図である。
【図９】従来の厚み滑り振動モードを利用した圧電共振子の一例を示す斜視図である。
【図１０】ベベル面を形成した従来の圧電共振子を示す斜視図である。
【図１１】溝を形成した従来の圧電共振子を示す斜視図である。
【符号の説明】
４１、５１、６１・・・圧電共振子
４２、５２、６２・・・圧電基板
４３、４４、５３、５５・・・振動電極
４２ｅ、４２ｆ、５２ｅ、５２ｄ、６２ｅ、６２ｆ、６２ｈ、６２ｉ・・・ステップ部
【図１】
0003894771.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0003894771.tif 000010
【図１０】
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【図１１】
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