(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１枚の記録媒体に磁気記録された情報を、前記記録媒体の記録面に対応して設けられたＭＲヘッドに電流供給手段からセンス電流を供給して読み出した後、これを信号復号手段によって復号する構成のＭＲヘッドを備えた磁気再生装置であって、
前記磁気再生装置の電源がオンされる時に、前記各ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定する抵抗値測定手段と、
予め測定された磁気抵抗効果素子の抵抗値と各抵抗値に対応する適切なセンス電流値を、変換テーブルの形で記憶する記憶手段と、
前記抵抗値測定手段によって測定された各抵抗値に対応するセンス電流値を前記記憶手段から読み出し、前記各ＭＲヘッドのセンス電流値として前記電流供給手段に設定するセンス電流設定手段と、
前記センス電流設定手段によって設定されたセンス電流値に基づいて前記電流供給手段から個々に電流が供給されたＭＲヘッドを使用して前記記録媒体に記録されたサーボ情報を読み込み、前記各ＭＲヘッドを前記記録媒体上の所定のトラックに位置決めするＭＲヘッドの位置決め手段と、
前記所定のトラックに記録された個々のＭＲヘッドの媒体解析情報を読み出し、該媒体解析情報中に登録されている各ＭＲヘッドのセンス電流情報を取り込んで記憶するセンス電流情報取込み手段と、
前記記録媒体から取り込んだ各センス電流情報を、前記各ＭＲヘッドのセンス電流の最適値として前記電流供給手段に再設定するセンス電流再設定手段と、を備えることを特徴とするＭＲヘッドを備えた磁気再生装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＭＲヘッドを備えた磁気再生装置であって、更に、
前記媒体解析情報に登録されている前記磁気再生装置の筐体番号と、前記磁気再生装置に取り付けられる制御回路基板上に搭載されている不揮発性の記憶手段に記憶されている前記磁気再生装置の筐体番号とを比較する筐体番号の比較手段と、
この比較結果が一致しない場合に、前記センス電流再設定手段による前記各ＭＲヘッドのセンス電流の再設定を禁止するセンス電流再設定禁止手段と、を備えることを特徴とするＭＲヘッドを備えた磁気再生装置。
【請求項３】
少なくとも１枚の記録媒体に磁気記録された情報を、前記記録媒体の記録面に対応して設けられたＭＲヘッドに電流供給手段からセンス電流を供給して読み出した後、これを信号復号手段によって復号する構成のＭＲヘッドを備えた磁気再生装置であって、
前記磁気再生装置の筐体の内部に設けられ、前記各ＭＲヘッドに流すセンス電流値が格納された不揮発性メモリと、
前記磁気再生装置の稼働時に、前記不揮発性メモリから前記各ＭＲヘッドに供給するセンス電流値を読み出し、読み出した各センス電流値を前記各ＭＲヘッドのセンス電流値として前記電流供給手段に設定するセンス電流設定手段と、
前記センス電流設定手段によって設定されたセンス電流値に基づいて前記電流供給手段から個々に電流が供給されたＭＲヘッドを使用して前記記録媒体に記録されたサーボ情報を読み込み、前記各ＭＲヘッドを前記記録媒体上の所定のトラックに位置決めするＭＲヘッドの位置決め手段と、
前記所定のトラックに記録された媒体解析情報を個々のＭＲヘッドによって読み出し、各媒体解析情報中に登録されている各ＭＲヘッドのセンス電流情報を取り込んで記憶するセンス電流情報取込み手段と、
前記記録媒体から取り込んだ各センス電流情報を、前記各ＭＲヘッドのセンス電流の最適値として前記電流供給手段に再設定するセンス電流再設定手段と、を備えることを特徴とするＭＲヘッドを備えた磁気再生装置。
【請求項４】
請求項３に記載のＭＲヘッドを備えた磁気再生装置であって、前記不揮発性メモリに、前記記録媒体の所定のトラックに記録された媒体解析情報を個々のＭＲヘッドによって読み出すためのプログラムが格納されていることを特徴とするＭＲヘッドを備えた磁気再生装置。
【請求項５】
請求項１に記載のＭＲヘッドを備えた磁気再生装置であって、
前記所定のトラックに記録された媒体解析情報中に登録されている各ＭＲヘッドのセンス電流情報が、各ＭＲヘッドの抵抗値であり、前記センス電流再設定手段がＭＲヘッドの抵抗値とこの抵抗値に応じた最適のセンス電流値との変換テーブルを持ち、前記センス電流再設定手段は、前記記憶媒体から取り込んだ各ＭＲヘッドの抵抗値情報を、前記各ＭＲヘッドのセンス電流に変換して前記電流供給手段に再設定することを特徴とするＭＲヘッドを備えた磁気再生装置。
【請求項６】
請求項１に記載のＭＲヘッドを備えた磁気再生装置であって、更に、
前記媒体解析情報に登録されている前記磁気再生装置の筐体番号と、前記磁気再生装置に取り付けられる制御回路基板上に搭載されている不揮発性の記憶手段に記憶されている前記磁気再生装置の筐体番号とを比較する筐体番号の比較手段と、
この比較結果が一致しない場合に、前記センス電流再設定手段による前記各ＭＲヘッドのセンス電流の再設定を禁止するセンス電流再設定禁止手段と、を備えることを特徴とするＭＲヘッドを備えた磁気再生装置。
【請求項７】
請求項１に記載のＭＲヘッドを備えた磁気再生装置であって、更に、
前記センス電流設定手段によって設定されたセンス電流値が個々に供給されたＭＲヘッドを使用して前記記録媒体に記録されたサーボ情報を読み込み、前記各ＭＲヘッドを前記記録媒体上の所定のトラックに位置決めするＭＲヘッドの位置決め手段と、
前記磁気再生装置に取り付けられる制御回路基板上に搭載され、ＭＲヘッドの組成とこの組成に応じた最適のセンス電流値の変換テーブルが記憶されている不揮発性メモリと、
前記所定のトラックに記録された媒体解析情報を個々のＭＲヘッドによって読み出し、各媒体解析情報中に登録されている各ＭＲヘッドの組成情報を取り込んで記憶するＭＲヘッドの組成情報取込み手段と、
前記記憶媒体から取り込んだ各ＭＲヘッドの組成情報に応じて、前記不揮発性メモリに記録された変換テーブルを用いて各ＭＲヘッドのセンス電流の最適値を読み出し、読み出した各ＭＲヘッドのセンス電流値を前記電流供給手段に再設定するセンス電流再設定手段と、を備えることを特徴とするＭＲヘッドを備えた磁気再生装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）を備えた磁気再生装置に関し、特に、磁気記録媒体に記録された情報を再生するＭＲヘッドに最適なセンス電流を流すことのできる磁気再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、磁気ディスク装置や磁気テープ装置等の磁気記録媒体に情報の記録、再生を行う磁気記録再生装置では巻線型薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）により記録媒体に記録を行い、ＭＲヘッドで再生を行う複合型ヘッドを備えたものが実用化されている。
【０００３】
このような複合型ヘッドにおけるＭＲヘッドは、素子の抵抗値が外部からの磁界に依存して変化することを利用して、記録媒体に記録された磁化反転からの洩れ磁界を検出するものであり、素子にセンス電流と呼ばれる電流を流して使用される。このＭＲヘッドの再生出力は、インダクティブヘッドに比べて、ヘッドと記録媒体との相対速度に依存せず、磁束量に比例した比較的大きな値として得られるので、高密度記録トラックの再生に極めて有利である。そして、ＭＲヘッドの素子に流すセンス電流を最適にすると、ディスクとヘッド間の相対速度に無関係に大きな再生信号が得られる。そのため、ＭＲヘッドは高密度磁気ディスク装置に好適に用いられることから、コンピュータの外部記憶装置として使用される磁気ディスク装置の大容量化の要求に伴い、近年、広く用いられるようになってきた。
【０００４】
このようなＭＲヘッドを備えた磁気再生装置は一般に、磁気ディスク、磁気ディスクの駆動系、複合ヘッドによって磁気ディスクに情報を読み書きするアクチュエータ、及びヘッド駆動ＩＣを内蔵する筐体と、この筐体の外部に取り付けられた制御基板とから構成されている。この制御基板には一般に、アクチュエータのヘッドを磁気ディスクの所望のトラックにトラッキングするサーボ系回路、磁気ディスクから読み出された情報の復調や、磁気ディスクに記録する情報の書き込みを行う読み書き回路、制御プログラムが書き込まれたＲＯＭや情報を一時的に格納するＲＡＭ等の記憶回路、及び、各種制御を行う制御回路等が設けられている。
【０００５】
このようなＭＲヘッドを備えた従来の磁気再生装置では、装置の電源が投入されると制御基板上の記憶回路からＭＲヘッドに流すセンス電流の値を読み込み、読み込んだセンス電流を各ＭＲヘッドに流すことによって、磁気ディスク上に記録された各種のデータの読み出しを行っていた。この記憶回路に予め記憶されているＭＲヘッドに流すセンス電流の値は、予め試験設備等で試験によって求められた最適値である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のＭＲヘッドを備えた磁気再生装置では、制御基板上の記憶回路に書き込まれているＭＲヘッドのセンス電流値を使用していたため、装置の修理等で制御基板を交換した場合に、筐体内に搭載されているＭＲヘッドのセンス電流値が最適値にならないという問題点があった。そして、この時にセンス電流値がＭＲヘッドに流す最適センス電流値よりも極端に大きい場合は、ＭＲヘッドの寿命を縮める恐れがあり、磁気再生装置の信頼性に係わる問題となっていた。
【０００７】
このような問題点に対して、制御基板の交換後は、交換した制御基板の記憶回路に書き込まれてるＭＲヘッドのセンス電流値を使用せずに、無条件に小さいセンス電流を各ＭＲヘッドに一律に流して磁気ディスク上に記録されている媒体解析情報（Surface Analysis情報、略してＳＡ情報とも呼ばれる) を読むことで対処しようとする試みがある。これは、磁気ディスク上に記録されたＳＡ情報にはＭＲヘッドのセンス電流値が記載されているからである。
【０００８】
しかしながら、この対策においては、ＭＲヘッドに流すセンス電流値が最適値ではないので、磁気ディスク上に記録されたＳＡ情報が正常に読み出せないという問題点があった。
そこで、本発明の目的は、前記従来の問題点を解消し、制御基板が交換された場合でも、常に磁気再生装置に搭載されたＭＲヘッドに適切なセンス電流を流すことができ、ＭＲヘッドへの悪影響を防止して耐久性、信頼性に優れたＭＲヘッドを備えた磁気再生装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成する本発明の特徴は、以下に第１から第７の発明として示される。
第１の発明の構成上の特徴は、少なくとも１枚の記録媒体に磁気記録された情報を、記録媒体の記録面に対応して設けられたＭＲヘッドに電流供給手段からセンス電流を供給して読み出した後に、これを信号復号手段によって復号する構成のＭＲヘッドを備えた磁気再生装置において、磁気再生装置の電源がオンされる毎に、各ＭＲヘッドの磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定する抵抗値測定手段と、予め測定された磁気抵抗効果素子の抵抗値と各抵抗値に対応する適切なセンス電流値を変換テーブルの形で記憶する記憶手段、及び、抵抗値測定手段によって測定された各抵抗値に対応するセンス電流値をこの記憶手段から読み出し、各ＭＲヘッドのセンス電流値として電流供給手段に設定するセンス電流設定手段とを設け、電流供給手段が設定されたセンス電流値に応じて各ＭＲヘッドにセンス電流を流すようにし、更に、センス電流設定手段によって設定されたセンス電流値が個々に供給されたＭＲヘッドを使用して記録媒体に記録されたサーボ情報を読み込み、各ＭＲヘッドを記録媒体上の所定のトラックに位置決めするＭＲヘッドの位置決め手段と、所定のトラックに記録された個々のＭＲヘッドの媒体解析情報を読み出し、媒体解析情報中に登録されている各ＭＲヘッドのセンス電流情報を取り込んで記憶するセンス電流情報取込み手段、及び、記憶媒体から取り込んだ各センス電流情報を各ＭＲヘッドのセンス電流の最適値として電流供給手段に再設定するセンス電流再設定手段とを設けたことにある。
【００１０】
これにより、ＭＲヘッドの抵抗値に応じたセンス電流が設定できるので、制御基板が交換された場合でも、ほぼ正確なセンス電流をＭＲヘッドに設定することができると共に、ＭＲヘッドに流すセンス電流が記録媒体に予め書き込まれている媒体解析情報に基づいて再設定されるので、制御基板が交換された場合でも、一層正確なセンス電流をＭＲヘッドに設定することができる。
【００１１】
第２の発明の構成上の特徴は、第１の発明において、更に、媒体解析情報に登録されている磁気再生装置の筐体番号と、磁気再生装置に取り付けられる制御回路基板上に搭載されている不揮発性の記憶手段に記憶されている磁気再生装置の筐体番号とを比較する筐体番号の比較手段、及び、この比較結果が一致しない場合に、センス電流再設定手段による各ＭＲヘッドのセンス電流の再設定を禁止するセンス電流再設定禁止手段とを設けたことにある。
【００１２】
第３の発明の構成上の特徴は、少なくとも１枚の記録媒体に磁気記録された情報を、記録媒体の記録面に対応して設けられたＭＲヘッドに電流供給手段からセンス電流を供給して読み出した後、これを信号復号手段によって復号する構成のＭＲヘッドを備えた磁気再生装置において、磁気再生装置の筐体の内部に各ＭＲヘッドに流すセンス電流値が格納された不揮発性メモリを設けると共に、磁気再生装置の稼働時に、不揮発性メモリから各ＭＲヘッドに供給するセンス電流値を読み出し、読み出した各センス電流値を各ＭＲヘッドのセンス電流値として電流供給手段に設定するセンス電流設定手段を設け、電流供給手段が設定されたセンス電流値に応じて各ＭＲヘッドにセンス電流を流すようにし、更に、電流供給手段からセンス電流値が個々に供給されたＭＲヘッドを使用して記録媒体に記録されたサーボ情報を読み込み、各ＭＲヘッドを記録媒体上の所定のトラックに位置決めするＭＲヘッドの位置決め手段と、所定のトラックに記録された媒体解析情報を個々のＭＲヘッドによって読み出し、各媒体解析情報中に登録されている各ＭＲヘッドのセンス電流情報を取り込んで記憶するセンス電流情報取込み手段と、記憶媒体から取り込んだ各センス電流情報を、各ＭＲヘッドのセンス電流の最適値として前記電流供給手段に設定するセンス電流再設定手段を設けたことにある。
【００１３】
これにより、ＭＲヘッドに流すセンス電流が装置の筐体内に設けられている不揮発性メモリに記憶されたセンス電流値に基づいて設定されるので、制御基板が交換された場合でも、最適なセンス電流をＭＲヘッドに流すことができ、また、ＭＲヘッドに流すセンス電流が記録媒体に予め書き込まれている媒体解析情報に基づいて再設定されるので、制御基板が交換された場合でも、一層正確なセンス電流をＭＲヘッドに設定することができる。
【００１４】
第４の発明の構成上の特徴は、第３の発明において、不揮発性メモリに、記録媒体の所定のトラックに記録された媒体解析情報を個々のＭＲヘッドによって読み出すためのプログラムを格納したことにある。
【００１５】
第５の発明の構成上の特徴は、第１の発明において、所定のトラックに記録された媒体解析情報中に登録されている各ＭＲヘッドのセンス電流情報が各ＭＲヘッドの抵抗値であり、センス電流再設定手段がＭＲヘッドの抵抗値と抵抗値に応じた最適のセンス電流値との変換テーブルを持ち、センス電流再設定手段が、記憶媒体から取り込んだ各ＭＲヘッドの抵抗値情報を、各ＭＲヘッドのセンス電流に変換して前記電流供給手段に再設定することにある。
【００１６】
第６の発明の構成上の特徴は、第１の発明において、更に、媒体解析情報に登録されている磁気再生装置の筐体番号と、磁気再生装置に取り付けられる制御回路基板上に搭載されている不揮発性の記憶手段に記憶されている磁気再生装置の筐体番号とを比較する筐体番号の比較手段、及び、この比較結果が一致しない場合に、センス電流再設定手段による各ＭＲヘッドのセンス電流の再設定を禁止するセンス電流再設定禁止手段とを設けたことにある。
【００１７】
第７の発明の構成上の特徴は、第１の発明において、更に、センス電流設定手段によって設定されたセンス電流値が個々に供給されたＭＲヘッドを使用して記録媒体に記録されたサーボ情報を読み込み、各ＭＲヘッドを記録媒体上の所定のトラックに位置決めするＭＲヘッドの位置決め手段と、磁気再生装置に取り付けられる制御回路基板上に搭載され、ＭＲヘッドの組成とこの組成に応じた最適のセンス電流値の変換テーブルが記憶されている不揮発性メモリと、所定のトラックに記録された媒体解析情報を個々のＭＲヘッドによって読み出し、各媒体解析情報中に登録されている各ＭＲヘッドの組成情報を取り込んで記憶するＭＲヘッドの組成情報取込み手段と、記憶媒体から取り込んだ各ＭＲヘッドの組成情報に応じて、不揮発性メモリに記録された変換テーブルを用いて各ＭＲヘッドのセンス電流の最適値を読み出し、読み出した各ＭＲヘッドのセンス電流値を電流供給手段に再設定するセンス電流再設定手段とを設けたことにある。
【００１８】
これにより、ＭＲヘッドの組成に応じた最適なセンス電流が設定される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下添付図面を用いて本発明の実施形態を具体的な実施例に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例の磁気再生装置１の構成を示すものであり、この実施例では磁気再生装置１はＭＲヘッド２を備えた磁気ディスク装置である。
【００２０】
この実施例の磁気ディスク装置１はその筐体１０の中に、少なくとも１枚の記録媒体である磁気ディスク３が同じ回転軸４に取り付けられて設けられており、この回転軸４はスピンドルモータ５によって回転駆動される。また、磁気ディスク３の各記録面に対向する部位には、磁気ディスク３に磁気記録された情報を読み取るＭＲヘッド２が設けられている。ＭＲヘッド２はキャリッジ６の先端部に取り付けられており、キャリッジ６はボイスコイルモータ（ＶＣＭ）７によって駆動される。ＭＲヘッド２によって読み取られた磁気ディスク３上のデータは、フレキシブルケーブル８によって取り出され、筐体１０内に設けられたヘッドＩＣに入力される。
【００２１】
図２(a) は図１の磁気再生装置１に磁気ディスク３が３枚取り付けられている実施例を示すものであり、図１で説明した部材と同じ構成部材には同じ符号を付してある。この実施例は筐体１０がバスタブ型であるので、筐体１０の上側に上蓋１１が取り付けられている。また、図２に示すように、筐体１０の底面には磁気再生装置１内のＭＲヘッド２の位置決めやＭＲヘッド２によって読み出されたデータの復号を行う回路等が搭載された制御基板９が取り付けられている。筐体１０の内部の回路とこの制御基板９とは図示しないフレキシブルケーブル等で接続されている。
【００２２】
図２(b) は典型的なＭＲヘッド２の構成を拡大して示すものである。図２(b) において３が磁気ディスクであり、ＭＲヘッド２はこの磁気ディスク３に対向するように設けられている。そして、ＭＲヘッド２は、ＭＲ膜２１、軟磁性膜２２、非磁性分離膜２３、引き出し導体層２４、磁気シールド２５ａ, ２５ｂ、及び、非磁性絶縁層２６から構成されている。ＭＲ膜２１は素子に入る磁束の変化を素子に流れる電流の変化として検出するデバイスであり、強磁性体ＮｉＦｅから構成されている。軟磁性膜２２はＭＲ効果が小さい軟磁性ＣｏＺｒ膜から構成される。非磁性分離膜２３は導電性の中間膜であるＴｉ膜などで構成され、導電性の材料又は絶縁性の材料の何れを使用してもかまわない。これらの３つの膜は積層構造となって電気的に接合している。また、引き出し導体層２４はＡｕ膜から構成され、磁気シールド２５ａ, ２５ｂはＮｉＦｅ膜などで構成されている。
【００２３】
以上のように構成されたＭＲヘッド２は引き出し導体層２４にセンス電流を流して使用される。そして、前述のようにＭＲヘッド２に流すセンス電流を最適にすると、ディスクとヘッド間の相対速度に無関係に大きな再生信号が得られるので、ＭＲヘッド２には適切なセンス電流を流すことが必要である。
図３は図２(a) で説明した制御基板９に搭載された磁気再生装置１の制御回路の構成の一例を示すものである。制御回路は磁気ディスク３を回転させるスピンドルモータ５の回転やＭＲヘッド２の位置決めを行うＶＣＭ７を駆動、或いは、ヘッドＩＣ１２等を駆動するための駆動コントローラ３０と、ＳＣＳＩコントローラ４０（ＳＣＳＩはSmall Computer System Interface の略) から構成されている。磁気再生装置１の筐体１０内には不揮発性メモリ１３が設けられることもある。駆動コントローラ３０にはユーザロジック３１、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）３２、サーボドライバ３３、サーボディモジュレータ３４や読み書き回路３５等があり、ＳＣＳＩコントローラ４０にはＭＣＵ４１、フラッシュメモリ４２、プログラムメモリ４３、ハードディスクコントローラ４４、及びデータバッファ４５等がある。これらの構成要素の動作は従来周知であるので、本発明においてＭＲヘッド２のセンス電流を決定する特徴的な部分のみの構成を図４を用いて説明する。
【００２４】
図４は本発明においてＭＲヘッド２のセンス電流を決定する特徴的な部分のみの構成を示すものである。この実施例でもスピンドルモータ５によって回転させられる回転軸４には複数枚の磁気ディスク３が取り付けられており、この磁気ディスク３の各記録面に対向する位置にＭＲヘッド２が設けられているものとする。各ＭＲヘッド２には直列にオンオフスイッチ１４が接続されており、各ＭＲヘッド２とオンオフスイッチ１４の組は並列接続されてセンス電流供給回路１５に接続されている。センス電流供給回路１５には電源１６からセンス電流を流すための電流が供給される。
【００２５】
また、本発明にはセンス電流をセンス電流供給回路１５に設定するためのセンス電流設定回路２０があり、このセンス電流設定回路２０には、制御部２５、ＭＲ素子の抵抗値とセンス電流との変換テーブルの記憶部２６を含む主記憶部２７、及び、抵抗値測定部２８がある。また、センス電流設定回路２０の動作に係わるものとして、信号復号部２９がある。ＭＲヘッド２に直接に接続されたオンオフスイッチ１４は制御部２５からの信号によってオンオフされる。また、各ＭＲヘッド２に共通に抵抗値測定用スイッチ１７とデータ復調スイッチ１８が接続されており、抵抗値測定用スイッチ１７はオンするとＭＲヘッド２の出力を抵抗値測定部２８に入力し、データ復調スイッチ１８はオンするとＭＲヘッド２の出力を信号復号部２９に入力する。これら抵抗値測定用スイッチ１７とデータ復調スイッチ１８も制御部２５の出力によってオンオフされる。
【００２６】
ここで、以上のように構成されたＭＲヘッド２のセンス電流を決定する回路において、制御部２５が各ＭＲヘッド２のセンス電流値をセンス電流供給回路１５に設定する手順の第１の実施例を図４を参照しながら図５のフローチャートに基づいて説明する。
図４の回路において、磁気再生装置１の電源スイッチ１９がオンされると、センス電流設定回路２０はまず抵抗値測定用スイッチ１７をオンしてＭＲヘッド２の出力が抵抗値測定部２８に入力されるようにする。この状態で、図５に示す第１の実施例の手順が実行される。以後、ｉ番目のＭＲヘッド２をＭＲヘッド♯ｉと記す。なお、電源スイッチ１９がオンされた時点では、初期値としてｉ＝０となっている。
【００２７】
ステップ５０１ではＭＲヘッド♯ｉの番号の更新が行われる。ｉの初期値は０であるので、最初は♯ｉ＝１となる。従って、続くステップ５０２では、制御回路２５は１番目のＭＲヘッド♯１に接続するオンオフスイッチ１４をオンし、ＭＲヘッド♯１にセンス電流供給回路１５から抵抗値測定用の規定の電流を流す。ステップ５０３ではＭＲヘッド♯１の抵抗値を抵抗値測定部２８が測定する。測定した抵抗値は制御部２５に入力される。
【００２８】
ステップ５０４では制御部２５が主記憶部２７の抵抗値−センス電流変換テーブル記憶部２６にある変換テーブルを参照し、抵抗値に応じたセンス電流値を変換テーブルから読み出す。そして、続くステップ５０５において、制御部２５は読み出したセンス電流をＭＲヘッド♯１のセンス電流として電流供給回路１５に設定する。
【００２９】
続くステップ５０６では、ＭＲヘッドの番号♯ｉが最大値♯ｍａｘか否かを判定する。即ち、全てのＭＲヘッド２の抵抗値の測定が終了したか否かをステップ５０６で判定する。♯ｉが最大値♯ｍａｘでない場合はステップ５０１に戻り、ＭＲヘッド♯ｉの番号を１つ大きくしてステップ５０１からステップ５０６の手順を繰り返す。ステップ５０１からステップ５０６の手順はステップ５０６において全てのＭＲヘッド２の抵抗値の測定が終了したことを判定した時点で終了する。
【００３０】
このようにして、制御部２５はＭＲヘッド２のオンオフスイッチ１４を順番にオンし、センス電流供給回路１５から各ＭＲヘッド２に順に規定電流を流して各ＭＲヘッド２の抵抗値を測定し、抵抗値から各ＭＲヘッド２に流すセンス電流の大きさを決定してその値をセンス電流供給回路１５に設定する。全てのＭＲヘッド２のセンス電流値がセンス電流供給回路１５に設定されると、制御部２５はオンオフスイッチ１７をオフし、代わりにデータ復調スイッチ１８をオンする。これにより、ＭＲヘッド２で検出された磁気ディスク３上のデータが信号復号部２９に入力され、信号復号部２９においてサーボ信号とデータ信号が復号される。これらサーボ信号とデータ信号は制御部２５に入力される。
【００３１】
図６は各ＭＲヘッド２のセンス電流値をセンス電流供給回路１５に設定する手順の本発明の第２の実施例を示すフローチャートである。第２の実施例の手順においては、制御部２５が磁気再生装置１の電源１９がオンされた時に各ＭＲヘッド２に順に規定電流を流して抵抗値を測定し、その測定値に基づいて変換テーブルから得られるセンス電流値をセンス電流供給回路１５に設定するまでは全く同じである。即ち、図５で説明した第１の実施例のステップ５０１からステップ５０６の手順は第２の実施例においても全く同じである。従って、同じ制御手順には同じステップ番号を付してその説明を省略する。
【００３２】
第２の実施例が第１の実施例と異なる点は、第１の実施例によってセンス電流供給回路１５に設定されたセンス電流を使用してＭＲヘッド２を磁気ディスク３上に位置決めし、磁気ディスク３に記録された媒体解析情報を読み出して各ＭＲヘッド２のセンス電流をセンス電流供給回路１５に再設定する点である。
従って、ステップ５０６で全てのＭＲヘッド２のセンス電流値がその抵抗値から決められた後に、第２の実施例ではステップ６０１においてｋ番目のＭＲヘッド♯ｋにステップ５０５で設定されたセンス電流をセンス電流供給回路１５から供給する。ステップ５０６における判定がＹＥＳとなった後は、制御部２５により抵抗測定用スイッチ１７がオフされ、データ復調スイッチ１８がオンになっているものとする。
【００３３】
続くステップ６０２では、センス電流が供給されたＭＲヘッド♯ｋによって磁気ディスク３から読み出したデータから信号復号部２９がサーボ情報を復号し、これを制御部２５に供給してＭＲヘッド♯ｋの位置決めを行う。ＭＲヘッド♯ｋが所定のトラック上に位置決めされると、他のＭＲヘッドも同一シリンダ上で位置決めが行われる。このようにしてＭＲヘッド♯ｋが所定のトラック上に位置決めされると、ステップ６０３においてＭＲヘッド♯ｋで磁気ディスク３から媒体解析情報を読み出す。この媒体解析情報には各ＭＲヘッドの最適なセンス電流の情報が含まれる。
【００３４】
従って、制御部２５はステップ６０４において媒体解析情報から各ＭＲヘッドのセンス電流情報を取り込むと、続くステップ６０５において取り込んだセンス電流を各ＭＲヘッドの最適なセンス電流値としてセンス電流供給回路１５に再設定を行う。この結果、以後は各ＭＲヘッドが最適のセンス電流で駆動される。
図７は各ＭＲヘッド２のセンス電流値をセンス電流供給回路１５に設定する手順の本発明の第３の実施例を示すフローチャートである。第３の実施例の手順は第２の実施例の手順とほぼ同じであり、第３の実施例の手順が第２の実施例の手順と異なる点は、第２の実施例のステップ６０３とステップ６０４の間に、ステップ７０１とステップ７０２が挿入されている点のみである。従って、同じ制御手順には同じステップ番号を付してその説明を省略する。
【００３５】
第３の実施例では、第２の実施例におけるステップ６０３において磁気ディスクから媒体解析情報を読み出した後、ステップ７０１でこの媒体解析情報から磁気再生装置１の筐体番号を検出する。そして、続くステップ７０２において、媒体解析情報から検出した筐体番号が、制御基板９に設けられた不揮発性メモリ等に記録されている磁気再生装置１の筐体番号と一致するか否かを検出する。そして、２つの筐体番号が一致しない場合は、第２の実施例と同様にステップ６０４とステップ６０５を実行して、媒体解析情報から各ＭＲヘッドのセンス電流情報を取り込んだ後に、取り込んだセンス電流を各ＭＲヘッドの最適なセンス電流値としてセンス電流供給回路１５に再設定を行う。
【００３６】
一方、ステップ７０２で媒体解析情報から検出した筐体番号が、制御基板９に設けられた不揮発性メモリ等に記録されている磁気再生装置１の筐体番号と一致した場合はこのルーチンを終了する。従って、この場合は、ステップ５０５で各ＭＲヘッド２の抵抗値から設定したセンス電流が以後も各ＭＲヘッド２のセンス電流として使用される。
【００３７】
図８は各ＭＲヘッド２のセンス電流値をセンス電流供給回路１５に設定する手順の本発明の第４の実施例を示すフローチャートである。第４の実施例では、図３に示した磁気再生装置１の筐体１０の中に不揮発性メモリ１３が設けられており、この不揮発性メモリ１３の中に、各ＭＲヘッド２のセンス電流値が記憶されているものとする。なお、この実施例でも図４の電源スイッチ１９がオンされた時点では、初期値としてｉ＝０となっているものとする。
【００３８】
ステップ８０１ではＭＲヘッド♯ｉの番号の更新が行われる。ｉの初期値は０であるので、最初は♯ｉ＝１となる。従って、続くステップ８０２では、制御回路２５は不揮発性メモリ１３のＭＲヘッド♯１のセンス電流値を読み出し、続くステップ８０３において、制御部２５は読み出したセンス電流をＭＲヘッド♯１のセンス電流として電流供給回路１５に設定する。
【００３９】
続くステップ８０４ではＭＲヘッド２の番号♯ｉが最大値♯ｍａｘか否かを判定する。即ち、全てのＭＲヘッド２の読み出しが終了したか否かをステップ８０４で判定する。♯ｉが最大値♯ｍａｘでない場合はステップ８０１に戻り、ＭＲヘッド♯ｉの番号を１つ大きくしてステップ８０１からステップ８０４の手順を繰り返す。ステップ８０１からステップ８０４の手順はステップ８０４で全てのＭＲヘッド２のセンス電流の読み出しが終了したことを判定した時点で終了する。
【００４０】
このようにして、制御部２５は筐体１０の中にある不揮発性メモリ１３からＭＲヘッド２のセンス電流値を順番に読み出し、その値をセンス電流供給回路１５に設定する。全てのＭＲヘッド２のセンス電流値がセンス電流供給回路１５に設定されると、制御部２５はデータ復調スイッチ１８をオンする。これにより、ＭＲヘッド２で検出された磁気ディスク３上のデータが信号復調部２９に入力され、信号復号部２９においてサーボ信号とデータ信号が復号される。これらサーボ信号とデータ信号は制御部２５に入力される。
【００４１】
図９は各ＭＲヘッド２のセンス電流値をセンス電流供給回路１５に設定する手順の本発明の第５の実施例を示すフローチャートである。第５の実施例の手順においては、第４の実施例で各ＭＲヘッド２のセンス電流値が筐体１０の中にある不揮発性メモリ１３の値を読み出して設定された後に、第２の実施例で説明したステップ６０１からステップ６０５が実行される。
【００４２】
即ち、第５の実施例では第４の実施例のステップ８０１からステップ８０４が実行された後に、第２の実施例と同様に、センス電流供給回路１５に設定されたセンス電流を使用してＭＲヘッド２を磁気ディスク３上に位置決めし、磁気ディスク３に記録された媒体解析情報を読み出して各ＭＲヘッド２のセンス電流をセンス電流供給回路１５に再設定する。従って、同じ制御手順には同じステップ番号を付してその説明を省略する。
【００４３】
図１０は各ＭＲヘッド２のセンス電流値をセンス電流供給回路１５に設定する手順の本発明の第６の実施例を示すフローチャートである。第６の実施例の手順は第５の実施例の手順とほぼ同じであり、第６の実施例の手順が第５の実施例の手順と異なる点は、第５の実施例のステップ６０３とステップ６０４の間に第３の実施例におけるステップ７０１とステップ７０２が挿入されている点のみである。即ち、第６の実施例では、第３の実施例と同様に、ステップ７０２において、媒体解析情報から検出した筐体番号が、制御基板９に設けられた不揮発性メモリ等に記録されている磁気再生装置１の筐体番号と一致する時のみ第５の実施例と同様にステップ６０４とステップ６０５を実行し、一致しない時はステップ６０４とステップ６０５を実行しない。従って、同じ制御手順には同じステップ番号を付してその説明を省略する。
【００４４】
図１１は各ＭＲヘッド２のセンス電流値をセンス電流供給回路１５に設定する手順の本発明の第７の実施例を示すフローチャートである。第７の実施例の手順は第２の実施例の手順とほぼ同じであり、第７の実施例の手順が第２の実施例の手順と異なる点は、第２の実施例のステップ６０４とステップ６０５がステップ１１０１〜ステップ１１０３に置き換えられている点のみである。従って、ステップ５０１からステップ６０３までの制御は、同じ制御手順に同じステップ番号を付してその説明を省略する。
【００４５】
第７の実施例では、図３で説明した筐体１０の内部の不揮発性メモリ１３、或いは、制御基板９に設けられた不揮発性メモリに、ＭＲヘッド２の組成に応じた最適のセンス電流値のテーブルが用意されており、各ＭＲヘッド２の組成に関する情報が磁気ディスクの媒体解析情報に含まれているものとする。
従って、第７の実施例では、ステップ６０３においてＭＲヘッド♯ｋを用いて媒体解析情報を読み出した後、ステップ１１０１において、この媒体解析情報から各ＭＲヘッドの組成情報を取り込む。続くステップ１１０２において、制御部２５は不揮発性メモリ中の変換テーブルからＭＲヘッド２の組成に応じたセンス電流を読み出す。そして、読み出したセンス電流を各ＭＲヘッド２のセンス電流最適値として制御部２５が電流供給回路１５に再設定する。
【００４６】
この結果、各ＭＲヘッド２にはその組成に応じた最適のセンス電流が供給されることになり、ＭＲヘッド２の再生効率が向上する。
なお、以上の実施例において、磁気ディスク３の媒体解析情報を読み出して、その中からＭＲヘッドのセンス電流情報を取り込む制御プログラム、媒体解析情報の中から筐体番号を検出して取り込む制御プログラム、及び、媒体解析情報の中からＭＲヘッドの組成を検出して取り込む制御プログラム等は、図３のプログラムメモリ４３等に格納しておけば良い。
【００４７】
なお、以上の実施例では、ハードディスクの例を説明したが、ＭＲヘッドが使用される磁気ディスク装置であれば、ハードディスクに特に限定されるものではない。
【００４８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＭＲヘッドを備えた磁気再生装置によれば、以下のような効果がある。
(1) 磁気再生装置の電源の投入毎に各ＭＲヘッドの抵抗値を測定して、測定値に応じたセンス電流値を変換テーブルから読み出して設定する場合には、ＭＲヘッドの抵抗値に応じたセンス電流が設定でき、制御基板が交換された場合でも、ほぼ正確なセンス電流をＭＲヘッドに設定することができる。
【００４９】
(2) 磁気再生装置の電源の投入毎に各ＭＲヘッドの抵抗値を測定して、測定値に応じたセンス電流値を変換テーブルから読み出して設定し、このセンス電流を流したＭＲヘッドによって記録媒体から媒体解析情報中を取り込み、媒体解析情報に登録されている各ＭＲヘッドのセンス電流情報で各ＭＲヘッドのセンス電流を再設定する場合には、制御基板が交換された場合でも、一層正確なセンス電流をＭＲヘッドに設定することができる。
【００５０】
(3) 磁気再生装置の筐体の内部に設けられた各ＭＲヘッドに流すセンス電流値を格納した不揮発性メモリから、各ＭＲヘッドのセンス電流値を読み出して設定する場合には、制御基板が交換された場合でも、常に最適なセンス電流をＭＲヘッドに流すことができる。
(4) 磁気再生装置に取り付けられる制御回路基板上に搭載された不揮発性メモリにあるＭＲヘッドの組成に応じたセンス電流の変換テーブルを用いて、ＭＲヘッドの組成に応じた最適のセンス電流値を読み出す場合には、ＭＲヘッドの組成に応じた最適なセンス電流が設定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の磁気再生装置の構成を示す平面図である。
【図２】  (a) は本発明の一実施例の磁気再生装置の縦断面図であり、(b) はＭＲヘッドの構成を拡大して示す断面図である。
【図３】図２に示した磁気再生装置の制御基板に搭載される制御回路の構成の一例を示すブロック回路図である。
【図４】  本発明におけるＭＲヘッドのセンス電流を決定する特徴的な回路部分のみを抜き出して示す回路図である。
【図５】各ＭＲヘッドのセンス電流値をセンス電流供給回路に設定する手順の第１の実施例を示すフローチャートである。
【図６】各ＭＲヘッドのセンス電流値をセンス電流供給回路に設定する手順の第２の実施例を示すフローチャートである。
【図７】各ＭＲヘッドのセンス電流値をセンス電流供給回路に設定する手順の第３の実施例を示すフローチャートである。
【図８】各ＭＲヘッドのセンス電流値をセンス電流供給回路に設定する手順の第４の実施例を示すフローチャートである。
【図９】各ＭＲヘッドのセンス電流値をセンス電流供給回路に設定する手順の第５の実施例を示すフローチャートである。
【図１０】各ＭＲヘッドのセンス電流値をセンス電流供給回路に設定する手順の第６の実施例を示すフローチャートである。
【図１１】各ＭＲヘッドのセンス電流値をセンス電流供給回路に設定する手順の第７の実施例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１…磁気再生装置
２…ＭＲヘッド
３…磁気ディスク
９…制御基板
１０…筐体
１３…不揮発性メモリ
１４…オンオフスイッチ
１５…センス電流供給回路
１７…抵抗測定用スイッチ
１８…データ復調スイッチ
１９…電源スイッチ
２０…センス電流設定回路
２５…制御部
２６…抵抗値−センス電流変換テーブル記憶部
２７…主記憶部
２８…抵抗値測定部
２９…信号復号部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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