(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱体の側に設けられた凹部を有するとともに前記被加熱体に当接する均熱板と、
該均熱板の凹部の底面に当接配置されたセラミックヒータと、を備え、
前記被加熱体の裏面と前記セラミックヒータの表面とが離間するように構成されていて、
前記セラミックヒータからの熱は、前記均熱板を通じた熱伝導と、セラミックヒータ自身からの輻射熱とによって前記被加熱体に加えられることを特徴とする、セラミック加熱装置。
【請求項２】
前記均熱板の裏面と前記セラミックヒータの表面との離間距離が、０．１乃至１．０ｍｍであることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック加熱装置。
【請求項３】
前記均熱板の凹部の側壁面と前記セラミックヒータの側面とが離間していて、当該離間距離が０．２乃至４．０ｍｍであることを特徴とする、請求項１又は２に記載のセラミック加熱装置。
【請求項４】
前記セラミックヒータに埋設された発熱抵抗体が、セラミックヒータの表面から０．３ｍｍ以上離れた位置に形成されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一つに記載のセラミック加熱装置。
【請求項５】
前記セラミックヒータは、その一側縁が、前記均熱板の側縁より外側に露出する位置に配置されていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一つに記載のセラミック加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、産業機器、電子部品機器及び一般家庭用機器等に使用されるセラミックヒータを含む加熱装置に関する。本発明は、特に、光合分波器を均一温度保持に用いるための加熱装置と、その加熱装置を配置した光合分波器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
セラミック加熱装置は、石油ファンヒータ、気化器、温水加熱ヒータなどの産業機器、電子部品及び一般家庭用機器などと共に、光通信に用いる光合分波器にも利用されている。
【０００３】
従来のセラミック加熱装置は、主に各種のセンサを一定温度に保持するために、また、ガスやその他の燃料を所定温度に加熱するために使用される例が多かったが、最近は比較的温度精度を要求される分野に用途が広がってきており、例えば光通信に用いる光合分波器の温度補償にも利用されている。
【０００４】
光合分波器については、近年、光通信やインターネットなどの通信情報システムの発展に伴い、ネットワーク伝送容量の急速な拡大要求に応じて、光通信回線用の高密度波長多重(ＤＷＤＭ)伝送用の光合分波器が普及している。ＤＷＤＭ伝送は、1本の光ファイバで複数の異なる波長光の信号を同時に伝送するものであり、光合分波器は、複数のファイバ光を複数の波長光の信号を合波して単一のファイバに合波し、又は、単一のファイバ内の複数の波長光をそれぞれの対応するファイバーに分波する装置である。
特に、この光合分波器のうち複数の波長を有する光信号を合分波できるアレイ導波路（ＡＷＧ）を用いたＡＷＧ合分波器が知られている（例えば、特開２０００−２９８２１９号公報参照）。
【０００５】
ＡＷＧ合分波器は、シリコン基板上にアレイ導波路及び入出射導波路が形成され、このＡＷＧ基板には、その下面に取着された温度制御装置を備えている。温度制御装置は、環境温度の変化による導波路材料の屈折率の変化やチップ基板及び導波路の熱膨張や収縮によって光の波長が変化するのを防止するもので、従来は、ペルチェ素子や薄膜ヒータが利用されていた。
【０００６】
ペルチェ電熱素子を用いた光合分波器が、特開２０００−３５２６３２号公報に開示されているが、図４を参照して、ＡＷＧチップ１０と光ファイバアレイ１８とが表面に設置された台座２２とこの台座２２の裏面に設置されたベルチェ素子２４とが、真空槽４２および蓋４４により密封されている。
【０００７】
ペルチェ素子２４は、室温付近での温度制御はできる利点があるが、非常にコストが高く、また冷却および加熱の効率が悪いため、大型化に対し不向きであるという欠点があった。また、ペルチェ素子２４の劣化を防止し高い耐久性を維持するため、導波路を窒素封入するような封止構造とする必要があり、取扱に注意を必要とするなどの欠点があった。
【０００８】
薄膜ヒータは、薄膜ヒータを導波路の表面に形成して導波路全体の温度を調節するので、薄膜ヒータ自体に大きな熱的負荷がかかりやすく耐久性に問題があった。
【０００９】
そこで、上述の欠点を解消するたに安価で耐久性に優れているセラミックヒータを使用した加熱装置を使用することが提案されている。セラミックヒータは、酸化アルミニウム質焼結体から成るセラミック基体中に発熱抵抗体及び電極を埋設して形成されている。発熱抵抗体と電極をなす導電性ペーストとを所定のパターン形状に印刷したセラミックグリーンシートを作り、これに別のセラミックグリーンシートを積層してセラミック積層体を製作した後、一体的に焼成することによって得られている。セラミック基体中に埋設されている発熱抵抗体のパターン幅やパターン間を適切に調製して電力密度に変化をもたせセラミック基体の主面上に載置された被加熱物を均一に加熱するものである。
【００１０】
さらに、床暖房用のパネルヒータについてではあるが、アルミニウム板を均熱板として用いる加熱装置が知られている。特開２０００−６８０３７号公報にはは、アルミニウム板の表面に適当な溝を形成して、溝内に丸太線状の発熱体を埋設して、溝内に装入して発熱体を抑える金属蓋体を溶接して固定するものが開示されている。また、特開平１０−１８９２２４号公報には、アルミニウム板の加熱に使用する面の反対側の面に、発熱体を添着したヒートパネルを開示している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
合分波器は、その基板の広い範囲で温度差を±１．０℃以下に高精度に均一の均熱を維持することが要求されるが、セラミックヒータだけで被加熱物を加熱しようとするとその温度分布はどうしても周辺部で温度が低下する傾向があり、上記の均熱性を確保するのは非常に難しかった。さらに、大きな表面積を有するセラミックヒータを高熱伝導セラミックで製造すると、コストが非常に高くなるという問題があった。
【００１２】
発熱体をアルミニウム板の一方の主面に形成した従来の加熱装置は、比較的安価に作れる利点があるが、光合分波器の基板などの広い範囲で表面温度差±１．０℃以下の高精度の均熱性を維持することが困難であった。板厚みを大きくするとアルミニウム板の熱容量が大きく昇温速度が小さくなり、板厚みが薄くなると大きな表面積に対しアルミニウム板内の熱伝導速度が小さくなり、また、アルミニウム板の反対側から発せられる発熱体の熱が無駄になるという問題もあった。
【００１３】
本発明は、以上の問題に鑑みて、光合分波器の基板などの広い面域を有する被加熱体の表面を均一に特に、表面温度差±１．０℃以下の高精度の均熱性で加熱でき、安価で小型であり、熱応答性の高い加熱装置を提供するものである。
本発明は、光合分波器の基板の面域を均一な温度にするために特に適した加熱装置を提供するものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、アルミニウム板からなる均熱板の中央部に凹部を形成し、該凹部の底面にセラミックヒータを設置して、加熱装置と成し、セラミックヒータの表面が均熱板の周縁の表面より低くされて成るものである。
【００１５】
本発明の加熱装置は、被加熱体を加熱する際に、セラミックヒータの熱を輻射により被加熱体に間接的に加熱し且つアルミニウム板を介して被加熱体に熱伝導により加熱するようにしているので、被加熱体の接合裏面をその面域にわたって均一に加熱しやすくなる。
【００１６】
さらに、本発明の加熱装置は、アルミニウム板とセラミックヒータとの相対的な位置関係を規定して、セラミックヒータの表面を含む均熱板の表面上の温度分布の偏りを極めて小さくして、特に、被加熱体の面域全体で温度差±１．０℃以下の高精度の均熱性を確保するものである。
【００１７】
このために、特に、セラミックヒータの表面を、均熱板の周縁の表面より０．１ｍｍ〜１．０ｍｍだけ低くするのが好ましい。均熱板の周縁の表面に対してセラミックヒータの表面に上記範囲の段差を設けることにより、被加熱体の表面のへのセラミックヒータの直接加熱をわずかに抑制して、均熱板の加熱面により、被加熱体の表面を均一に加熱することができる。また、セラミックヒータの側縁部と均熱板の凹部の内側面との間隔を０．２〜４．０ｍｍの範囲とするのが好ましい。この間隔の設定により、セラミックヒータからの均熱板の凹部周縁での過熱が防止される。
【００１８】
さらに、セラミックヒータに内蔵された発熱抵抗体が、セラミックヒータの表面から０．３ｍｍ以上の位置に形成されていることが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の加熱装置において、均熱板には、熱伝導率が高いので、アルミニウム板が利用され、アルミニウ板の表面には、ほぼ中央部に凹部を有している。凹部には、表面が平面であるセラミックヒータが配置されて、セラミックヒータの裏面が、アルミニウ板の底面に直接接触するか又は適当な熱媒体を介在させて取着するように設置されて、アルミニウム板との熱伝達を確保する。
【００２０】
セラミックヒータの表面は、均熱板であるアルミニウ板の表面より低く設定されて、セラミックヒータの表面とアルミニウ板の表面とから成る面域を、加熱装置の加熱面に利用する。使用時には、被加熱体が、その裏面を、上記加熱面に対面するように配置される。
【００２１】
以下の実施形態では、被加熱体として、光合分波器を利用する例を示すが、この場合、光合分波器の基板の裏面が、加熱装置の加熱面上に対面して搭載される。図１（Ａ、Ｂ）には、この実施形態の本発明の加熱装置１を示している。均熱板２としてのアルミニウム板の表面に座ぐり加工により凹部３が形成され、プレート状のセラミックヒータ４がその裏面４０を、その凹部３の底面３０に接するように取着されている。
【００２２】
セラミックヒータ４の表面４１は、均熱板２の表面２０より０．１〜１．０ｍｍだけ低くされている。このようなセラミックヒータ４の表面と均熱板２の表面との段差ａが０．１ｍｍより小さくなると、セラミックヒータ４からの熱伝導もしくは熱輻射により、光合分波器の基板の裏面がセラミックヒータ４から直接に多量に加熱されるようになり、基板上中央部位の温度が周辺よりも高くなる。
【００２３】
他方、その段差ａが１．０ｍｍより大きくなると、均熱板２周辺表面からの熱伝導量に比して、セラミックヒータ４の表面４１からの熱輻射量が減じて、光合分波器の基板の裏面中央部位がその周辺部位より低温になる。
【００２４】
アルミニウムは熱伝導率が２３８Ｗ／ｍ・Ｋと高いのでセラミックヒータ４の発熱による熱は、アルミニウム板の均熱板２に拡散して基板全体を均等に加熱できる。しかしながら、セラミックヒータ４が基板に近づき過ぎると、基板上の温度分布が悪くなってしまう。
【００２５】
また、セラミックヒータ４の側縁部４５と均熱板の凹部３の側面３５との間隔ｂ（図１（Ｂ）参照）を０．２〜４．０ｍｍの範囲とするのが好ましい。この間隔が０．２ｍｍより小さくなると、セラミックヒータ４の側縁部４５からの熱を、均熱板２であるアルミニウム板の凹部３の側面３５周縁の表面２０で直接受ける部分ができ、この部分が高温になり、従って、均熱板２上での温度分布が不等になるので好ましくない。この間隔ｂが４．０ｍｍを超えると、基板上にセラミックヒータ４からの熱輻射又は均熱板２からの熱伝導小さくなる部分ができて、温度分布が不均一になるので好ましくない。
【００２６】
このようにして、セラミックヒータ４の熱がセラミックヒータ４の裏面４０からアルミニウム板の均熱板２に伝わり、これにより熱伝導率が高いアルミニウム板が均一に加熱され、さらに基板が加熱されるという熱の流れになる。
【００２７】
均熱版２としてのアルミニウム板の厚みは、１．５〜４．０ｍｍの範囲が好ましい。厚み１．５ｍｍ未満では、均熱板２の表面からの放熱が大きいのに対し、均熱板２内の熱伝導による均熱化のバランスが取れず、温度分布が不等・不均一になってしまう。
【００２８】
また、厚みが４．０ｍｍを越えると、加熱装置１全体の熱容量が大きくなり外部の温度が低下した際には、応答速度が小さくなり、応答速度を高めるには、その温度変化を補うためのセラミックヒータ４の熱負荷が大きくなり、基板の温度分布を不均一にするので好ましくない。
【００２９】
セラミックヒータ４は、プレート状のセラミック焼結体に、発熱抵抗体５として、通常は、高融点金属が埋設されて成るものが利用できる。
【００３０】
セラミックヒータ４は、セラミック焼結体の厚みが、０．５〜３．０ｍｍの範囲が好ましい。厚み０．５ｍｍ未満では、セラミックヒータ表面４１の温度が基板の温度分布を不均一にして温度勾配を大きくする。
【００３１】
他方、セラミックヒータ４の厚みが３ｍｍを越えると、アルミニウム板の均熱板２の厚みもそれに合わせて厚くなり、セラミックヒータ４および均熱板２の熱容量が大きくなるので、外部の温度が低下した際にその温度変化を補うためのセラミックヒータ４の熱負荷が大きくなり、被加熱体の基板の温度勾配を大きくするので好ましくない。
【００３２】
セラミックヒータ４の表面４１に対するセラミックヒータ４の発熱抵抗体５の距離ｃを、０．３ｍｍ以上とするのが好ましい。その理由は、０．３ｍｍ未満では、発熱抵抗体５が、表面４１側に近づきすぎて、セラミックヒータ４が、周辺の均熱板２よりも、被加熱体の温度を高めるからである。他方、絶縁性の点から、発熱抵抗体５は、セラミックヒータ４の表面４１からの深さを０．２ｍｍ以上とすることが好ましい。
【００３３】
均熱板２の面積とセラミックヒータ４の面積に好ましい比率がある。均熱板２の表面２０の全体の面積１（凹部面積を含めて）に対して、セラミックヒータ４の表面４１の面積が０．１〜０．８の比になるように設定される。その理由は、面積比が０．１より小さいと、広い均熱板２を加熱するためにセラミックヒータ４に熱負荷がかかりすぎて均熱性が低くなる。この面積比が、０．８より大きいと基板上の温度分布が、セラミックヒータ４の温度分布に支配されるので、均熱性が低下する。均熱板２の面積に対するセラミックヒータ４の面積の上記の比は、特に、好ましくは、０．２〜０．６の範囲である。
【００３４】
均熱板２のアルミニウム板は、熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であれば、多少の不純物を有する金属アルミニウム材料も利用できる。均熱板２に形成する凹部３は、セラミックヒータ４を設置した際に、セラミックヒータ４との間隔ｂが０．２〜４．０ｍｍの範囲になるように寸法を調整することが好ましい。凹部３の深さは、セラミックヒータ４を設置した際にセラミックヒータの表面４１が均熱板２の表面２０より０．１〜１．０ｍｍ低くなるように加工する。通常は、凹部３は、研削加工される。
【００３５】
凹部３の底面３０には、セラミックヒータ４を配置するが、セラミックヒータの裏面４０が凹部３の底面３０に接触するように接面されてもよく、また、熱伝導性の充填剤、例えば、窒化ホウ素ＢＮの微紛を分散させるか、シリコーングリースの薄い層を介在させ、あるいは、接着剤やハンダ合金などの接合層で接着ないし接合してもよい。
凹部３の底面３０は、特に、セラミックヒータ４との接触を良好にするため、表面粗さＲａは０．５μｍ以下、平坦度は１００μｍ以下とすることが好ましい。セラミックヒータ４の裏面４０も同程度の平坦度と平滑度に研摩するのが好ましい。
【００３６】
他方のセラミックヒータ４は、セラミック焼結層とこの層に埋設された発熱抵抗体５の金属膜から成るものが好ましく利用される。セラミック焼結層は、熱伝導性のよい種々のセラミック材料から選ぶことができるが、コストの面からアルミナ質材料が好ましい。アルミナ質セラミックスには、２〜５重量％のＳｉＯ２、０．５〜３重量％のＭｇＯ、０．５〜３重量％のＣａＯ、また必要に応じて２重量％以下のＺｒＯ２を含有し、残部を実質的にＡｌ２Ｏ３ の組成が利用できる。発熱抵抗体５は、セラミックスの焼結体中に埋設されている。発熱抵抗体５は、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｅなどの高融点金属の膜が、断面内でパターン形成され、所望の抵抗値に調整してある。
【００３７】
セラミックヒータ４は、次のような方法で作ることができる。上記のような組成のセラミック原料をボールミルで混合し、適量のバインダおよび可塑剤を加え、テープキャスティングを用いて、適当な厚みのグリーンシート４ａにする。
グリーンシート４ａには、所定の大きさに切断した後、図２に示すように、その表面にＷ、Ｍｏ、Ｒｅなどの高融点金属を含む発熱抵抗体５とリード部５１を印刷する。
【００３８】
この印刷したグリーンシート４ａの上に、別のグリーンシート４ｂを重ねて密着させる。この際、リード部５１の端部が露出するように、グリーンシート４ｂの一部に切り欠き部４２を形成しておく。積層したグリーンシート４ａ，４ｂは、還元雰囲気中、１５００〜１６５０℃の温度で焼成して、焼結体を得る。
【００３９】
さらに、焼結体には、露出したリード部５１の表面にＮｉなどの金属からなるメッキ層を形成し、Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金などの材質からなるリード線５２またはリード板を、Ａｇ、Ａｇ−Ａｕ、Ａｕ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｎｉなどの材質からなるロウ材でロウ付けして、セラミックヒータとする。
【００４０】
本発明の加熱装置は、均熱性か高いので、光合分波器の熱・温度補償装置として利用される。光合分波器には、例えば、シリコン基板の表面に、石英を主成分とするガラスからなる光導波が形成されているものが利用される。このような基板は、面導波回路ＰＬＣ（planar lightwave circuit）基板と呼ぶ。
【００４１】
図３（Ａ）には、本発明の加熱装置を用いた光合分波器の構造の一例を示した。中央部に形成された凹部３にセラミックヒータ４を設置した均熱板２からなる加熱装置１の上に、光導波路を形成したシリコン基板９が設置されており、この加熱装置を用いることにより基板９を±１℃程度の精度で安定して温度調節することが可能となる。
【００４２】
図３（Ｂ）は、本発明の実施形態の加熱装置を装着した光合分波器の例を示すが、光合分波器は、基板９上に、入力導波路９２と出力側導波路９２との間には、スラブ導波路９４、９４を介して、アレー導波路９６が接続されている。この例は、基板９上に両方の入出力側導波路９２、９２が曲折して、スラブ導波路９４とアレー導波路９６とが大きく湾曲して配置されている。この実施形態の加熱装置１は、その均熱板２上に、光合分波器の該基板９の裏面を載置して固定し、且つ、凹部内のセラミックヒータ４が、基板９の裏面に対向している。この例の加熱装置は、図１に示したように、セラミックヒータ４が、均熱板２上の中心より偏心して、セラミックヒータ４の一側縁が、均熱板２の側縁より外側に露出して配し、発熱抵抗体５とリード部５１の接続を容易にしている。図３（Ｂ）の例において、均熱板凹部内のセラミックヒータ４が、光合分波器基板９の縁部に近い入力導波路と出力側導波路との間に配置されている。このような配置であっても、アルミニウム板の均熱板２により、基板９の上面全面を均一に加熱することができる。
【００４３】
【実施例】
［実施例１］
加熱装置の均熱板２の表面２０と均熱板２の凹部３に設置したセラミックヒータ４の表面４１との段差ａと均熱板２の上に設置した基板の温度分布との関係を調査した。
【００４４】
均熱板２は、一辺５０ｍｍ×４０ｍｍの四角形で、厚み２．５ｍｍのアルミニウム板を使用した。均熱板２のほぼ中央部に、四角形状の凹部３を、寸法が一辺約２０ｍｍ×２５ｍｍで、深さ１．１ｍｍ、１．３ｍｍ、１．５ｍｍおよび、２．０ｍｍの４水準として作った。凹部３の側面３５とセラミックヒータ４の側縁部４５との間の間隔ｂは、０．３ｍｍとした。
【００４５】
これに対応して、セラミックヒータ４は、アルミナ質セラミックスに、タングステン膜の発熱抵抗体５を埋設したもので、外形２０ｍｍ×２５ｍｍの四角形、厚みを1．０ｍｍの一定とした。
【００４６】
加熱装置の組み立てに際して、凹部３の底面にシリコーングリースを介してセラミックヒータ４を塗着密着させ、均熱板２の上にシリコンウエハの基板を載せ、セラミックヒータを加熱して、基板表面の温度分布を調査した。
【００４７】
上記のようにして調整した加熱装置の試料は、均熱板２の凹部３側の表面２０と凹部３に対して反対側の裏面とに、４５ｍｍ×３５ｍｍ×厚さ０．３ｍｍのシリコンウエハの基板をそれぞれ、配置し、基板の外形は、均熱板２の外形よりわずかに小さくされている。試験においては、２０℃の恒温室中で、上記のように組み合わせた試料のセラミックヒータ４を加熱し、基板温度を７０℃に保持するように調整し、３０分後の基板の表面温度とその分布を赤外線サーモビュアにより測定した。結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
0003873096.tif 000002
セラミックヒータ厚み  １．０ｍｍ  一定
【００４９】
表１から判るように、均熱板２の表面２０とセラッミクヒータ４表面４１との間の段差ａが０．２０〜０．９ｍｍの範囲では、基板上の温度差が小さくなっている。段差ａが０．０３ｍｍ程度に小さいときは、基板におけるセラミックヒータ直上の部位の温度が均熱板２の上部の部位より高温になる。また、表１から、均熱板２の裏面側に添付した基板は、セラミックヒータ４が接触している均熱板２のアルミニウム板を介して過熱されるので、その表面面域の温度差が大きくなることが判る。このことから、適度の段差ａは、即ち、セラミックヒータ４と基板との間に空気断熱層を形成して、過熱を防止していることが理解できよう。
【００５０】
［実施例２］
セラミックヒータ４の側縁部４５と均熱板２の凹部３の側面３５との間隔ｂと、シリコンウエハの基板の温度分布との関係を調べた。実施例１と同様にして、凹部３の深さを１．５ｍｍとし、凹部３の寸法を、その間隔ｂを、０．０５ｍｍ、０．２ｍｍ、０．５ｍｍ、０．８ｍｍ、１．２ｍｍ、２．０ｍｍ、４．０ｍｍ及び５．０ｍｍに変更して、均熱板２であるアルミニウム板の表面に載せた基板の温度分布を測定した。試験結果を表２に示す。
【００５１】
【表２】
0003873096.tif 000003
均熱板２厚み：２．５ｍｍ，凹部深さ１．５ｍｍ
ラミックヒータ厚み：１．０ｍｍ，
【００５２】
表２に示すように、セラミックヒータ４の側縁部４５と均熱板の凹部３の側面２５との間隔ｂを０．２〜４．０ｍｍの範囲に確保することにより、基板上面の温度差を２℃以下にすることができることが判る。
【００５３】
［実施例３］
セラミックヒータ４の表面４１から発熱抵抗体５までの距離ｃと、基板の温度分布の関係を調べた。セラミックヒータ４の作製の際に、アルミナ質セラミックから調製したグリーンシートの厚みを適宜変更したものを準備し、厚み方向に発熱抵抗体５の位置が異なる試料を作った。セラミックヒータ５全体の厚みは１．０ｍｍとし、該セラミックヒータ４の表面４１から発熱抵抗体５までの距離ｂを０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍおよび０．５ｍｍとしたセラミックヒータ４を調製し、均熱板２の表面２０からセラミックヒータ４の表面４１までの段差ａを０．３ｍｍとして、均熱板２の上に設置した上記同様のシリコンウエハの基板の表面温度分布を測定した。結果を表３に示す。
【００５４】
【表３】
0003873096.tif 000004
【００５５】
表３から判るように、セラミックヒータ４の表面４１と発熱体５との距離ｃを、０．３ｍｍ以上に設定することにより、基板上の温度差を非常に小さくできる。
【００５６】
【発明の効果】
本発明の加熱装置は、セラミックヒータが、均熱板の凹部内に配置されて、セラミックヒータの表面が均熱板の表面より低くされているので、均熱板上に配置される被加熱体の面域をほぼ均一に加熱して、その表面に均一な温度分布を与えることができる。
【００５７】
セラミックヒータの表面の高さが均熱板の表面より０．１〜１．０ｍｍだけ低くすることにより、特に被加熱体の表面に優れた温度均一性を与えることができる。
【００５８】
さらに、セラミックヒータの側縁部と均熱板の凹部の側面との間隔を０．２〜４．０ｍｍの範囲とすることにより、特に被加熱体の表面に優れた温度均一性を与えることができる。さらに、セラミックヒータに内蔵された発熱抵抗体が、セラミックヒータの表面から０．３ｍｍ以上の位置に配置することにより、優れた被加熱体の表面に優れた温度均一性を与えることができる。
【００５９】
本発明の加熱装置を、光合分波器を形成する基板を載置して加熱保持するに使用することにより、基板上の温度差を極めて小さい範囲に調製することができる。しかも構造が簡単で小型に構成できるので、光合分波器の環境温度の変化に対して、比較的応答速度を高くすることができ、しかも小型で安価に製造供給することができる利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施形態に係る加熱装置の平面図（Ａ）と、Ｘ−Ｘ断面図（Ｂ）とを示す。
【図２】  本発明の実施形態に係る加熱装置に用いるセラミックヒータの展開斜視図である。
【図３】  本発明の実施形態に係る加熱装置を用いた光合分波器を示す断面図（Ａ）と、本発明の別の実施形態での加熱装置上に光合分波器の基板を配置して成る光合分波器の上面図（Ｂ）を示す。
【図４】  従来の温度補償された光合分波器の断面図を示す。
【符号の説明】
１    加熱装置
２    均熱板
３    凹部
４    セラミックヒータ
５    発熱抵抗体
【図１】
0003873096.tif 000005
【図２】
0003873096.tif 000006
【図３】
0003873096.tif 000007
【図４】
0003873096.tif 000008