(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極を接合する電極接合方法において、
不活性ガス或いは真空雰囲気で、前記第１及び第２の電極の各接合面の汚染物を除去する工程と、
不活性ガス或いは真空雰囲気で、前記第１及び第２の電極に被覆部材を被覆する工程と、
前記第１の電極と前記第２の電極とを圧接し、前記被覆部材を突き破って前記第１の電極と前記第２の電極とを固相接合させる工程と
を具備することを特徴とする電極接続方法。
【請求項２】
請求項１記載の電極接続方法において、
前記第１及び第２の電極の各接合面の汚染物除去は、前記接合面に形成されている酸化膜、又は水分、又は油脂分を除去することを特徴とする電極接続方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の電極接続方法において、
前記第１及び第２の電極の各接合面の汚染物を除去する処理として、プラズマ照射によるエッチングを用いたことを特徴とする電極接続方法。
【請求項４】
請求項１または２記載の電極接続方法において、
前記第１及び第２の電極の各接合面の汚染物を除去する処理として、蟻酸の還元作用を用いたことを特徴とする電極接続方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずかれ１項に記載の電極接続方法において、
前記汚染物が除去された状態を維持させるための被覆部材として、電気的絶縁性を有する接着フィルムを用いたことを特徴とする電極接続方法。
【請求項６】
前記被覆部材によって、前記汚染物の除去状態を維持することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電極接続方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずかれ１項に記載の電極接続方法において、
前記第１及び第２の電極は、基板上に突出形成された突起電極であることを特徴とする電極接続方法。
【請求項８】
電極表面から汚染物を除去する汚染物除去装置であって、
不活性ガス或いは真空雰囲気で、前記電極の接合面の酸化膜、又は水分、又は油脂分を除去することにより、前記接合面の汚染物を除去させる第１の装置と、
不活性ガス或いは真空雰囲気で、前記接合面の電極に被覆部材を被覆処理する第２の装置と
を具備することを特徴とする汚染物除去装置。
【請求項９】
請求項８記載の汚染物除去装置と、
該汚染物除去装置により汚染物が除去された接合面を有する一対の電極を圧接し、前記被覆部材を突き破って前記一対の電極を固相接合させる接合装置と
を具備することを特徴とする電極接続装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
【０００２】
本発明は電極接続方法及び汚染物除去装置及び電極表面活性化装置に係り、特に固相接合を用いて電極間を接続する電極接続方法及び汚染物除去装置及び電極表面活性化装置に関する。
【０００３】
近年の電子機器の小型化及び薄膜化に伴い、電子部品の高密度実装の要求が高まってきている。そこで、半導体チップなどの電子部品を基板に接続させる際、突起状の電極（バンプ）が設けられたベアチップを、基板にフリップチップ接合する実装方法が多く用いられている。このフリップチップ実装に使用する半導体チップの電極上には突起電極が形成されており、突起電極と基板上の配線とを電気的に接合する必要がある。
【従来の技術】
【０００４】
近年、高集積化、小型化の進んだ半導体デバイスを、高信頼性を持って低温かつ低加圧力で基板に実装する方法として、固相接合を用いることが注目されている。固相接合による具体的な接合方法としては、電極の接合面同士（例えば、半導体デバイスの電極と、これが接続される基板の電極）を直接密着させて加圧し固相接合する方法が知られている。
【０００５】
しかしながら、接合面に汚染物や酸化物などの酸化皮膜が存在すると、金属原子同士の強固な固相接合ができなくなる。そこで、固相接合を実施する際、接合面の酸化皮膜除去及び活性化を行なうことが行われている。
【０００６】
具体的な接合面の酸化皮膜除去及び活性化方法としては、不活性ガスイオンビーム或いは不活性ガス高速原子ビームを接合面へ照射する方法、接合面間に超音波を印加する方法、或いは接合面間に摩擦を与える方法等が用いられている。
【０００７】
また、上記の方法により電極を活性化した後、この電極同士を接合するまでの間、電極表面が活性化した状態を維持させる必要がある。これは、接合面の酸化皮膜除去及び活性化処理を行なっても、これを大気中に戻すと再び接合面の表面に酸化膜が形成されてしまうからである。
【０００８】
このため従来では、酸化皮膜除去及び活性化処理が終了すると、この活性化された電極を真空中または、不活性ガス雰囲気中にて保持することが行われており、また電極の接合処理も同雰囲気中で実施される構成とされていた。
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記した従来の方法を用いた場合、電極表面の活性化を行ってから電極を固相接合するまでの間、電極の活性化した状態を維持する必要があり、このため電極の接合面を真空中或いは不活性雰囲気中に保持させるための機構が必要となる。
【００１０】
このため、大気中で被接合部品同士を接合することが可能な、実装速度の高速なフリップチップボンダを使用することができず、よって電極の接続処理の効率が低下してしまうという問題点があった。また、接続処理の効率化のため、フリップチップボンダに不活性雰囲気を実現するための機構を設けた場合には、設備が複雑かつ高価となり設備コストが上昇してしまう。
【００１１】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、簡単にかつ安価に電極の固相接続を行ないうる電極接続方法及び汚染物除去装置及び電極接続装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１３】
請求項１記載の発明は、
第１の電極と、第２の電極を接合する電極接合方法において、
不活性ガス或いは真空雰囲気で、前記第１及び第２の電極の各接合面の汚染物を除去する工程と、
不活性ガス或いは真空雰囲気で、前記第１及び第２の電極に被覆部材を被覆する工程と、
前記第１の電極と前記第２の電極とを圧接し、前記被覆部材を突き破って前記第１の電極と前記第２の電極とを固相接合させる工程と
を具備することを特徴とするものである。
【００１４】
上記発明によれば、第１及び第２の電極の接合面の汚染物を除去した後、その接合面を被覆部材で封止するため、第１及び第２の電極を大気中に置いても、接合面の汚染物を除去した状態を維持することが可能となる。
【００１５】
また、第１及び第２の電極の各接合面を固相接合する際、各電極は被覆部材を突き破って固相接合するため、大気中での固相接合が可能となる。よって、大気中でフリップチップ方式による接合が適用可能となり、量産プロセスに対応することが可能となる。
【００１６】
また、請求項２記載の発明は、
請求項１記載の電極接続方法において、
前記第１及び第２の電極の各接合面の汚染物除去は、前記接合面に形成されている酸化膜、又は水分、又は油脂分を除去することを特徴とするものである。
【００１７】
また、請求項３記載の発明は、
請求項１または２記載の電極接続方法において、
前記第１及び第２の電極の各接合面の汚染物を除去する処理として、プラズマ照射によるエッチングを用いたことを特徴とするものである。
【００１８】
上記発明によれば、プラズマエッチングにより接合面の汚染物を除去するため、複数の電極を高いスループットで確実に汚染物除去することが可能となる。
【００１９】
また、請求項４記載の発明は、
請求項１または２記載の電極接続方法において、
前記第１及び第２の電極の各接合面の汚染物を除去する処理として、蟻酸の還元作用を用いたことを特徴とするものである。
【００２０】
上記発明によれば、蟻酸の還元作用を用いて接合面の汚染物を除去するため、安価な設備で複数の電極を確実に活性化することが可能となる。
【００２１】
また、請求項５記載の発明は、
請求項１乃至４のいずかれ１項に記載の電極接続方法において、
前記汚染物が除去された状態を維持させるための被覆部材として、電気的絶縁性を有する接着フィルムを用いたことを特徴とするものである。
【００２２】
上記発明によれば、被覆部材として電気的絶縁性を有する接着フィルムを用いたことにより、電極の汚染物が除去された状態を維持させるための被覆処理を容易に行なうことが可能となり、また電極の被覆処理の自動化にも容易に対応することができる。
【００２３】
また、請求項６記載の発明は、
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電極接続方法
前記被覆部材によって、前記汚染物の除去状態を維持することを特徴とするものである。
【００２４】
上記発明によれば、各電極と被覆部材との間に電極酸化の原因となる空気が介在することがなくなり、電極の汚染物が除去された状態をより確実に維持することができる。
【００２５】
また、請求項７記載の発明は、
請求項１乃至６のいずかれ１項に記載の電極接続方法において、
前記第１及び第２の電極は、基板上に突出形成された突起電極であることを特徴とするものである。
【００２６】
上記発明によれば、第１及び第２の電極を突起電極により構成したことにより、被覆部材を突き破って第１及び第２の電極とを固相接合させる際、被覆部材を突き破る処理を確実に行なうことができ、電極間に被覆部材が残存することを防止できる。
【００２７】
また、請求項８記載の発明は、
電極表面から汚染物を除去する汚染物除去装置であって、
不活性ガス或いは真空雰囲気で、前記電極の接合面の酸化膜、又は水分、又は油脂分を除去することにより、前記接合面の汚染物を除去させる第１の装置と、
不活性ガス或いは真空雰囲気で、前記接合面の電極に被覆部材を被覆処理する第２の装置とを具備することを特徴とするものである。
【００２８】
上記発明によれば、第１の装置により電極の汚染物を除去し、第２の装置により被覆部材を被覆処理するため、被覆部材の電極への配設処理を簡単な構成で行なうことができる。
【００２９】
また、上記の汚染物除去装置において、
前記第１の装置は、前記電極の接合面の汚染物を除去させる際、前記接合面に形成されている酸化膜を除去して汚染除去を行なうよう構成してもよい。
【００３０】
また、上記の汚染物除去装置において、
前記第１の装置は、プラズマ照射によるエッチングを用いて、前記接合面の汚染物を除去する構成としてもよい。
【００３１】
また、上記の汚染物除去装置において、
前記第１の装置は、蟻酸の還元作用を用いて前記接合面の汚染物を除去する構成としてもよい。
【００３２】
また、上記の汚染物除去装置において、
前記活性状態を維持させるための被覆部材として、電気的絶縁性を有する接着フィルムを用いる構成としてもよい。
【００３３】
また、上記の汚染物除去装置において、
前記第２の装置は、不活性ガス雰囲気中で、前記電極に前記被覆部材を被覆する処理を実施する構成としてもよい。
【００３４】
また、請求項９記載の発明に係る電極接続装置は、
請求項８記載の汚染物除去装置と、
該汚染物除去装置により汚染物が除去された接合面を有する一対の電極を圧接し、前記被覆部材を突き破って前記一対の電極を固相接合させる接合装置と
を具備することを特徴とするものである。
【００３５】
上述の如く本発明によれば、汚染物除去装置により電極の接合面の汚染物を除去し、これを被覆部材により汚染除去された状態を維持したまま、接合装置において電極同士を接合させるため、低温かつ低荷重で接続信頼性の高い固相接合が可能となると同時に量産プロセスに対応可能となり、生産コストを大幅に低減することが可能となる。
【発明の実施の形態】
【００３６】
次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。
【００３７】
図１乃至図７は、本発明の一実施例である電極接続方法を説明するため工程図であり、また図８は本発明の一実施例である汚染物除去装置及び電極接続装置の概略構成図である。
【００３８】
尚、以下の説明では、電子部品１０に形成された部品側電極１２と、回路基板２０に形成された基板側電極２２を接合する例について説明する。但し、本発明の適用は電子部品１０と回路基板２０の接合に限定されるものではなく、電極の接合に広く適用できるものである。
【００３９】
図１は、電極接続処理を開始する前の電子部品１０及び回路基板２０を示している。電子部品１０は、例えば半導体チップであり、複数の部品側電極１２が形成されている。
【００４０】
また、回路基板２０は、電子部品１０が実装される基板である。この回路基板２０は、例えばフレキシブル基板であり、電子部品１０が実装される所定位置には、電子部品１０に対応した基板側電極２２が形成されている。
【００４１】
この電子部品１０に形成された部品側電極１２、及び回路基板２０に形成された基板側電極２２は、共に例えば無電解めっき法メッキ法により形成された突起電極である。従って、各電極１２，２２は、電子部品１０の電極形成面及び回路基板２０の電極形成面から突出した構成となっている。
【００４２】
ここで、上記構成とされた電子部品１０と回路基板２０とを接続するのに用いる電極接続装置４０について説明する。
【００４３】
図８は、電極接続装置４０の概略構成図である。電極接続装置４０は、大略すると電極表面活性化装置４１（汚染物除去装置）と接合装置４２とにより構成されている。また、電極表面活性化装置４１は、大略すると活性化装置４４，被覆装置４５，及びフィルムローダ４６等により構成されている。
【００４４】
活性化装置４４は、後述するように部品側電極１２及び基板側電極２２の表面である部品側接合面１２ａ，基板側接合面２２ａの表面酸化物の除去及び活性化を行なう装置である。本実施例では、活性化装置４４内にプラズマエッチング装置を用いている。
【００４５】
被覆装置４５は、後述するように活性化装置４４で活性化された部品側電極１２及び基板側電極２２に接着フィルム３０を被覆させる装置である。このため、被覆装置４５には、接着フィルム３０を被覆装置４５に供給するためのフィルムローダ４６が接続されている。接着フィルム３０は、搬送装置４７Ｃにより被覆装置４５に搬送される。
【００４６】
一方、接合装置４２は、後述するように活性化された部品側電極１２の部品側電極１２と、基板側電極２２の基板側接合面２２ａとを固相接合するものである。本実施例では、接合装置４２としてフリップチップボンダを用いている。
【００４７】
ローダ４３は、図１に示した状態の電子部品１０及び回路基板２０が収納されるものであり、所定のタイミングで活性化装置４４に向け搬送される。また、アンローダ４８は部品側電極１２基板側電極２２が固相接合することにより、一体化した状態の電子部品１０及び回路基板２０が格納されるものである。また、搬送装置４７Ａ〜４７Ｅは搬送装置であり、各装置４２〜４８間で電子部品１０，回路基板２０，或いは接着フィルム３０を搬送するものである。
【００４８】
次に、図２乃至図７を参照し、図８に示した電極接続装置４０を用いて実施する電子部品１０と回路基板２０との接続処理について詳述する。
【００４９】
図１に示す電子部品１０及び回路基板２０は、図８に示す電極接続装置４０のローダ４３に収納されている。そして、所定のタイミングで、搬送装置４７Ａにより電子部品１０及び回路基板２０は、電極表面活性化装置４１を構成する活性化装置４４に搬送される。
【００５０】
活性化装置４４はプラズマエッチング装置であり、電子部品１０及び回路基板２０はアルゴンプラズマが照射可能な雰囲気を維持したチャンバ内に搬送される。そして、この活性化装置４４内において、部品側電極１２の部品側接合面１２ａ及び基板側電極２２の基板側接合面２２ａにアルゴンプラズマを照射させてエッチング処理を実施する。図２は、部品側接合面１２ａ及び基板側接合面２２ａに、アルゴンプラズマを照射している状態を示している。
【００５１】
このようにプラズマエッチング処理を実施することにより、各電極１２，２２の表面に存在する酸化膜、水分、油脂分等の汚染物は除去され、各電極１２，２２の接合面１２ａ，２２ａは活性化される。また、本実施例のようにプラズマエッチングにより部品側接合面１２ａ及び基板側接合面２２ａを活性化することにより、複数の電極１２，２２の各接合面１２ａ，２２ａを高いスループットで確実に活性化することができる。
【００５２】
また、この各接合面１２ａ，２２ａの酸化物を除去し活性化を行なう方法は、上記したプラズマエッチング処理に限られるものではない。例えば、加熱したカルボン酸（例えば２５０℃の蟻酸）の蒸気を各電極１２，２２の表面に吹き付け、カルボン酸の還元作用により汚染物を除去し、各電極１２，２２の各接合面１２ａ，２２ａを活性化させることも可能である。この活性化方法を採用した場合には、プラズマエッチングに比べて設備コストを低減することができる。
【００５３】
上記の活性化処理が終了すると、電子部品１０及び回路基板２０は、活性化された各接合面１２ａ，２２ａの活性状態を維持するため、活性化装置４４内を不活性ガスでパージさせる。そして、搬送路内が不活性ガス雰囲気とされた搬送装置４７Ｂを用いて、電子部品１０及び回路基板２０を被覆装置４５に搬送する。
【００５４】
この被覆装置４５の内部も不活性ガス雰囲気とされており、よって活性化装置４４から被覆装置４５への搬送過程において、各接合面１２ａ，２２ａの活性状態が劣化するようなことはない。尚、活性化装置４４，被覆装置４５，及び搬送装置４７Ｂの雰囲気は、必ずしも不活性ガス雰囲気に限定されるものではなく、各接合面１２ａ，２２ａの活性状態が維持できれば他の雰囲気（例えば、真空雰囲気）としてもよい。
【００５５】
前記したように、被覆装置４５にはフィルムローダ４６が接続されている。このフィルムローダ４６は、被覆装置４５に対し接着フィルム３０Ａ，３０Ｂを供給する構成とされている。
【００５６】
このフィルムローダ４６が接続された被覆装置４５では、活性化された部品側電極１２をフィルムローダ４４から送られた接着フィルム３０Ａにより被覆する処理と、活性化された基板側電極２２を接着フィルム３０Ｂにより被覆する処理が実施される（尚、接着フィルム３０Ａ，３０Ｂを総称するときは接着フィルム３０という）。
【００５７】
具体的には、図３に示すように、フィルムローダ４６から供給された接着フィルム３０Ａ，３０Ｂを電子部品１０及び回路基板２０の電極形成面上に配置し、続いて図示しない加圧板により接着フィルム３０Ａ，３０Ｂを電子部品１０及び回路基板２０に向け加圧した後、被覆装置４５内を減圧する。
【００５８】
これにより、半導体チップ及び回路基板２０に形成された各電極１２，２２は、図４に示すように接着フィルム３０Ａ，３０Ｂに被覆される。この被覆処理の際、加圧および加熱を合わせて実施することにより、接着フィルム３０Ａ，３０Ｂを各電極１２，２２により確実に密着させることができる。この接着フィルム３０Ａ，３０Ｂはフィルム状の樹脂であり、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはこれらの混合物を用いることができる。
【００５９】
上記のように、活性化された部品側電極１２及び基板側電極２２（部品側接合面１２ａ及び基板側接合面２２ａ）を接着フィルム３０Ａ，３０Ｂにより被覆することにより、電子部品１０及び回路基板２０を電極表面活性化装置４１から取り出し大気中に置いても封止効果が持続される。このため、各接合面１２ａ，２２ａの活性化状態は、接着フィルム３０Ａ，３０Ｂにより維持される。
【００６０】
また、前記したように被覆装置４５は不活性ガス雰囲気とされているため、各電極１２，２２と接着フィルム３０Ａ，３０Ｂとの間に電極酸化の原因となる空気が介在することはなく、電極１２，２２の活性状態を確実に維持することができる。更に、接着フィルム３０Ａ，３０Ｂを用いて各接合面１２ａ，２２ａの活性化状態を維持する構成であるため、他の被覆処理（例えば、コーティング，メッキ，スパッタ等）に比べて処理が容易となり、各電極１２，２２の被覆処理の自動化にも容易に対応することが可能となる。
【００６１】
尚、各電極１２，２２を接着フィルム３０Ａ，３０Ｂで封止した後、後述する固相接合を実施すまで比較的長い時間がある場合には、接着フィルム３０Ａ，３０Ｂを被覆した電子部品１０及び回路基板２０を真空デシケータ等に収納する等して、大気を遮断した環境に保存することが望ましい。
【００６２】
接合装置４２は、前記したようにフリップチップボンダである。この接合装置４２において、電子部品１０と回路基板２０との接続処理が実施される。この接合装置４２を構成するフリップチップボンダは、一般に半導体製造工程等で用いられるものである。
【００６３】
よって、活性化装置４４及び被覆装置４５と異なり、接合装置４２には不活性ガス雰囲気或いは真空雰囲気とするための機構は設けられていない。このため、電子部品１０と回路基板２０とを接続する設備コストが軽減されると共に、接続処理のスループットが向上し、量産プロセスに対応することが可能となる。
【００６４】
接合装置４２内に電子部品１０及び回路基板２０が搬送されると、接着フィルム３０Ａが被覆された電子部品１０と、接着フィルム３０Ｂが被覆された回路基板２０は、図５に示すように、部品側電極１２と基板側電極２２とが対向するよう位置決めされる。続いて、電子部品１０と回路基板２０は、図６に示すように、加熱されつつ圧接される。この際、電子部品１０及び回路基板２０に反りが発生しないよう矯正を行ないつつ圧接処理を行なう。
【００６５】
これにより、部品側電極１２及び基板側電極２２は、接着フィルム３０Ａ，３０Ｂを突き破り固相接合される。この際、接着フィルム３０Ａ，３０Ｂが各電極１２，２２間に入り込むことなしに硬化され、接続抵抗の低い固相接合が可能となる。
【００６６】
また、図７に示すように、部品側電極１２と基板側電極２２とが接合された状態において、電子部品１０と回路基板２０との間には接着フィルム３０が介在することとなり、この接着フィルム３０はアンダーフィルレジンとして機能する。よって、部品側電極１２と基板側電極２２との接合を強化することができる。
【００６７】
また、上記のように本実施例では、各電極１２，２２が突起電極（バンプ）により構成されているため、固相接合時において接着フィルム３０Ａ，３０Ｂを突き破る処理を確実に行なうことができる。よって、部品側電極１２と基板側電極２２との間に接着フィルム３０Ａ，３０Ｂが残存することを確実に防止でき、両電極１２，２２の固相接合を確実に行なうことができる。
【００６８】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
【００６９】
(付記１）  第１の電極と、第２の電極を接合する電極接合方法において、
不活性ガス或いは真空雰囲気で、前記第１及び第２の電極の各接合面の汚染物を除去する工程と、
不活性ガス或いは真空雰囲気で、前記第１及び第２の電極に被覆部材を被覆する工程と、
前記第１の電極と前記第２の電極とを圧接し、前記被覆部材を突き破って前記第１の電極と前記第２の電極とを固相接合させる工程と
を具備することを特徴とする電極接続方法。
【００７０】
(付記２）  付記１記載の電極接続方法において、
前記第１及び第２の電極の各接合面の汚染物除去は、前記接合面に形成されている酸化膜、又は水分、又は油脂分を除去することを特徴とする電極接続方法。
【００７１】
(付記３）  付記１または２記載の電極接続方法において、
前記第１及び第２の電極の各接合面の汚染物を除去する処理として、プラズマ照射によるエッチングを用いたことを特徴とする電極接続方法。
【００７２】
(付記４）  付記１または２記載の電極接続方法において、
前記第１及び第２の電極の各接合面の汚染物を除去する処理として、蟻酸の還元作用を用いたことを特徴とする電極接続方法。
【００７３】
(付記５）  付記１乃至４のいずかれ１項に記載の電極接続方法において、
前記汚染物が除去された状態を維持させるための被覆部材として、電気的絶縁性を有する接着フィルムを用いたことを特徴とする電極接続方法。
【００７４】
(付記６）  付記１乃至５のいずかれ１項に記載の電極接続方法において、
前記被覆部材によって、前記汚染物の除去状態を維持することを特徴とする電極接続方法。
【００７５】
(付記７）  付記１乃至６のいずかれ１項に記載の電極接続方法において、
前記第１及び第２の電極は、基板上に突出形成された突起電極であることを特徴とする電極接続方法。
【００７６】
(付記８）  電極表面から汚染物を除去する汚染物除去装置であって、
不活性ガス或いは真空雰囲気で、前記電極の接合面の酸化膜、又は水分、又は油脂分を除去することにより、前記接合面の汚染物を除去させる第１の装置と、
不活性ガス或いは真空雰囲気で、前記接合面の電極に被覆部材を被覆処理する第２の装置と
を具備することを特徴とする汚染物除去装置。
【００７７】
(付記９）  付記８記載の汚染物除去装置において、
前記第１の装置は、
前記電極の接合面の汚染物を除去する際、前記接合面に形成されている酸化膜を除去して汚染物除去を行なうことを特徴とする汚染物除去化装置。
【００７８】
(付記１０）  付記８または９記載の汚染物除去装置において、
前記第１の装置は、
プラズマ照射によるエッチングを用いて、前記接合面の汚染物を除去を行ことを特徴とする電極表面活性化装置。
【００７９】
(付記１１）  付記８または９記載の汚染物除去装置において、
前記第１の装置は、
蟻酸の還元作用を用いて前記接合面の汚染物を除去ことを特徴とする電極表面活性化装置。
【００８０】
(付記１２）  付記８乃至１１のいずかれ１項に記載の汚染物除去装置において、
前記汚染物除去状態を維持させるための被覆部材として、電気的絶縁性を有する接着フィルムを用いたことを特徴とする汚染物除去装置。
【００８１】
(付記１３）  付記８乃至１２のいずかれ１項に記載の汚染物除去装置において、
前記第２の装置は、
不活性ガス雰囲気中で、前記電極に前記被覆部材を被覆する処理を実施することを特徴とする汚染物除去装置。
【００８２】
(付記１４）  付記８乃至１３のいずかれ１項に記載の汚染物除去装置と、
該汚染物除去装置により汚染物が除去された接合面を有する一対の電極を圧接し、前記被覆部材を突き破って前記一対の電極を固相接合させる接合装置と
を具備することを特徴とする電極表面活性化装置。
【発明の効果】
【００８３】
上述の如く本発明によれば、次に述べる種々の効果を実現することができる。
【００８４】
請求項１記載の発明によれば、第１及び第２の電極の接合面の汚染物を除去した後、その接合面を被覆部材で封止するため、第１及び第２の電極を大気中に置いても、接合面の汚染物除去した状態を維持することが可能となる。また、大気中でのフリップチップ方式による接合が適用可能となり、量産プロセスに対応することが可能となる。
【００８５】
また、請求項２記載の発明によれば、電子部品の電極表面に形成される酸化物を除去した状態のままで電極同士を接合できるため、低温かつ低荷重で接続信頼性の高い固相接合が可能となり接続処理における歩留り向上を実現できる。
【００８６】
また、請求項３記載の発明によれば、プラズマエッチングにより接合面の汚染物を除去するため、複数の電極を高いスループットで確実に活性化することが可能となる。
【００８７】
また、請求項４記載の発明によれば、蟻酸の還元作用を用いて接合面の汚染物を除去するため、安価な設備で複数の電極を確実に活性化することが可能となる。
【００８８】
また、請求項５記載の発明によれば、電極の汚染物が除去された状態を維持させるための被覆処理を容易に行なうことが可能となり、また電極の被覆処理の自動化にも容易に対応することができる。
【００８９】
また、請求項６記載の発明によれば、各電極と被覆部材との間に電極酸化の原因となる空気が介在することがなくなり、電極の汚染物が除去された状態をより確実に維持することができる。
【００９０】
また、請求項７記載の発明によれば、被覆部材を突き破って第１及び第２の電極とを固相接合させる際、被覆部材を突き破る処理を確実に行なうことができ、電極間に被覆部材が残存することを防止できる。
【００９１】
また、請求項８記載の発明によれば、被覆部材の電極への配設処理を簡単な構成で行なうことができる。
【００９２】
また、請求項９記載の発明によれば、低温かつ低荷重で接続信頼性の高い固相接合が可能となると同時に量産プロセスに対応可能となり、生産コストを大幅に低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の一実施例である電極接続方法を説明するための図であり、汚染物除去処理を行なう前の電子部品及び回路基板を示す図である。
【図２】  本発明の一実施例である電極接続方法を説明するための図であり、電極に対して汚染物除去処理を行っている状態を示す図である。
【図３】  本発明の一実施例である電極接続方法を説明するための図であり、汚染物が除去された電極に接着フィルムを貼着する様子を示す図である。
【図４】  本発明の一実施例である電極接続方法を説明するための図であり、汚染物が除去された電極が接着フィルムに被覆された状態を示す図である。
【図５】  本発明の一実施例である電極接続方法を説明するための図であり、電子部品の電極と回路基板の電極が対向するよう位置決めした状態を示す図である。
【図６】  本発明の一実施例である電極接続方法を説明するための図であり、電子部品の電極と回路基板の電極を加熱・加圧している状態を示す図である。
【図７】  本発明の一実施例である電極接続方法を説明するための図であり、電子部品の電極と回路基板の電極とが接合された状態を示す図である。
【図８】  本発明の一実施例である汚染物除去装置及び電極接続装置を説明するための図である。
【符号の説明】
１０  電子部品
１２  部品側電極
１２ａ  部品側接合面
２０  回路基板
２２  基板側電極
２２ａ  基板側接合面
３０，３０Ａ，３０Ｂ  接着フィルム
４０  電極接続装置
４１  電極表面活性化装置（汚染物除去装置）
４２  接合装置
４４  活性化装置
４５  被覆装置
４６  フィルムローダ
４７Ａ〜４７Ｅ  搬送装置
５０  電極表面活性化装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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