(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブリッジ構成のスイッチング装置（２２、２４）を含むスイッチング変換器（２１）を有し、前記変換器を駆動するゲート駆動回路（４４）内の制御インダクタ（４８）を更に有する形式の自励発振ランプ安定器（１０）において、ホット再点弧保護回路（１１２）は、
第１の端末（１０１）と第２の端末（１０２）との間に結合され、前記制御インダクタ（４８）の両端電圧を検知する検知回路部（１６１、１６２、１６８、１６９、１８７、１８９）を有する検知回路網（１６０）と、
前記検知回路網と遮断回路網との間に結合されたラッチ回路部（１７４、１７５、１７６、１７８）を有する放電破壊回路網（１７０）と、
第３の端末（１０３）と第４の端末（１０４）との間に結合したスイッチング回路部（１８２、１８４、１８６、１８８）を有する前記ラッチ回路部と結合される遮断回路網（１８０）とを具備し、
前記ホット再点弧保護回路は、相互に結合され且つ前記制御インダクタの一端に結合される前記第１の端末（１０１）及び前記第３の端末（１０３）と、前記制御インダクタの他端に接続される前記第２の端末（１０２）と、前記変換器の前記スイッチング装置を接合する接合部に接続される前記第４の端末（１０４）とに前記制御インダクタを介して結合され、前記放電破壊回路網は、前記検知回路網が所定の閾値電圧を超える前記制御インダクタ両端電圧を検知する時に起動され、前記遮断回路網は、ランプの再起動用に再点弧パルスを提供するために、第２の所定の閾値電圧を超える時に前記スイッチング回路部をオンにすることによって起動され、これにより、前記制御インダクタを短絡し、ランプが再起動するのに十分に冷却されるまで前記変換器を停止するホット再点弧保護回路。
【請求項２】
前記検知回路網（１６０）は、ダイオード整流回路網（１６１、１６２、１８７、１８９）を具備する請求項１記載のホット再点弧保護回路。
【請求項３】
前記検知回路網は、相互の陰極で共に結合され、且つ前記一方のダイオード（１６１）の陽極が前記第１の端末（１０１）と、また前記他方のダイオード（１６２）の陽極が前記第２の端末（１０２）と結合するように更に結合される一対のダイオード（１６１、１６２）を具備し、前記検知回路網は前記スイッチング回路部の一体型ダイオードを更に具備する請求項１記載のホット再点弧保護回路。
【請求項４】
前記放電破壊回路網は、各ベースが他方のコレクタと接続するように結合する２つの相補形トランジスタ（１７４、１７５）を有するラッチ装置（１７２）を具備し、更に、互いに直列に接続するツェナーダイオード（１７８）及び抵抗器（１７６）を具備し、前記ツェナーダイオード及び抵抗器の直列接続は、前記ラッチ装置を介して結合される請求項１記載のホット再点弧保護回路。
【請求項５】
前記遮断回路は、前記第３の端末と前記第４の端末との間の半ブリッジ構成の一対のスイッチング装置（１８６、１８８）を具備し、ＲＣ回路（１８２、１８４）を更に具備する請求項１記載のホット再点弧保護回路。
【請求項６】
標準的ランプウォームアップ中に前記遮断回路網が起動するのを回避するために、前記ラッチ回路網の起動前に時間遅延を与えるＲＣ回路を更に具備する請求項１記載のホット再点弧保護回路。
【請求項７】
再点弧パルス間の時間間隔を制御するタイミング回路部（１６８〜１６９、１８２〜１８４）を更に具備する請求項１記載のホット再点弧保護回路。
【請求項８】
共振インダクタンス（３０）と共振キャパシタンス（３２、３４）とを有する共振負荷回路（２８）と、
前記共振負荷回路に結合され、前記スイッチング装置間で接合部と結合される制御インダクタ（４８）を含む半ブリッジ構成の一対の相補形スイッチング装置（２２、２４）を有し、前記共振負荷回路の交流電流を誘導するインバータ（２１）と、
前記インバータを駆動し、共振インダクタ（３０）と結合されたゲート駆動インダクタ（４６）を有するゲート駆動回路部（４４）と、
第１の端末（１０１）と第２の端末（１０２）との間に結合され、前記制御インダクタ（４８）の両端電圧を検知する検知回路部（１６１、１６２、１６８、１６９、１８７、１８９）を有する検知回路網（１６０）と、前記検知回路網と遮断回路網との間に結合されたラッチ回路部（１７４、１７５、１７６、１７８）を有する放電破壊回路網（１７０）と、第３の端末（１０３）と第４の端末（１０４）との間に結合したスイッチング回路部（１８６、１８８）を有する前記ラッチ回路部と結合される遮断回路網（１８０）とを具備し、相互に結合され且つ前記制御インダクタの一端に結合される前記第１の端末（１０１）及び前記第３の端末（１０３）と、前記制御インダクタの他端に接続される前記第２の端末（１０２）と、前記変換器の前記スイッチング装置を接合する接合部に接続される前記第４の端末（１０４）とに前記制御インダクタを介して結合され、前記放電破壊回路網が、前記検知回路網が所定の閾値電圧を超える前記制御インダクタ両端電圧を検知する時に起動され、前記遮断回路網が、ランプの再起動用に再点弧パルスを提供するために、第２の所定の閾値電圧を超える時に前記スイッチング回路部をオンにすることによって起動され、これにより、前記制御インダクタを短絡し、ランプが再起動するのに十分に冷却されるまで前記変換器を停止するホット再点弧保護回路とを具備するランプの自励発振安定器（１０）。
【請求項９】
前記検知回路網（１６０）は、ダイオード整流回路網（１６１、１６２、１８７、１８９）を具備する請求項８記載の安定器。
【請求項１０】
前記検知回路網は、相互の陰極で共に結合され、且つ前記一方のダイオード（１６１）の陽極が前記第１の端末（１０１）と、また前記他方のダイオード（１６２）の陽極が前記第２の端末（１０２）と結合するように更に結合される一対のダイオード（１６１、１６２）を具備し、前記検知回路網は前記スイッチング回路部の一体型ダイオードを更に具備する請求項８記載の安定器。
【請求項１１】
前記放電破壊回路網は、各ベースが他方のコレクタと接続するように結合する２つの相補形トランジスタ（１７４、１７５）を有するラッチ装置（１７２）を具備し、更に、互いに直列に接続するツェナーダイオード（１７８）及び抵抗器（１７６）を具備し、前記ツェナーダイオード及び抵抗器の直列接続は、前記ラッチ装置を介して結合される請求項８記載の安定器。
【請求項１２】
前記遮断回路は、前記第３の端末と前記第４の端末との間の半ブリッジ構成の一対のスイッチング装置（１８６、１８８）を具備し、ＲＣ回路（１８２、１８４）を更に具備する請求項８記載の安定器。
【請求項１３】
標準的ランプウォームアップ中に前記遮断回路網が起動するのを回避するために、前記ラッチ回路網の起動前に時間遅延を与えるＲＣ回路を更に具備する請求項８記載の安定器。
【請求項１４】
再点弧パルス間の時間間隔を制御するタイミング回路部（１６８〜１６９、１８２〜１８４）を更に具備する請求項８記載の安定器。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自励発振安定器、特に、自励発振安定器の保護回路に関する。
【０００２】
【発明の背景】
高輝度高出力（ＨＩＤ）ランプ、特にセラミックメタルハライド（ＣＭＨ）ランプのコールド点弧及びホット再発弧は、全く異なる動作特性及び必要条件を有する。コールドＣＭＨランプを始動させるためには、安定器は高圧パルス（例えば、約２，０００ボルト）を出力してガスをイオン化し、電極間でアーク放電を開始する必要がある。アーク放電開始又は放電破壊開始の直後、ランプ電圧がまだ比較的高い状態（例えば、約数百ボルト）にある間、ランプはグローモードとなる。その後、アークが定常放電電圧（例えば、約１００ボルト）になるまでウォームアップする間に、ランプはグローモードからアークモードへ遷移する。
【０００３】
ホットランプを再発弧又は再点弧するためには、更に大きなエネルギーが必要であり、このため、耐圧はより大きく（例えば、１０，０００ボルトより大きく）なる。ホット再点弧中に保護回路がない場合、自励発振安定器は、電気応力が安定器の限界を超えるまで、過剰な高圧パルスを継続してランプに出力することがあり、その結果、臨界半導体部品が破壊される。
【０００４】
従って、ランプのホット再発弧又は再点弧中に安定器構成部品を保護するため、自励発振ランプ安定器に堅牢な保護回路網を備えることが望ましい。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
ホット再点弧保護（ＨＲＰ）回路は、スイッチング装置間の接合部で第２のインダクタ、すなわち制御インダクタと直列接続するゲート駆動インダクタを有するブリッジ構成である一対の相補形スイッチング装置を備える形式の自励発振高輝度高出力（ＨＩＤ）ランプ安定器に対して、遮断保護を提供する。ＨＲＰ回路は、制御インダクタを介して結合する３端子機器を有効に備えている。特に、ＨＲＰ回路は、制御インダクタ両端電圧を検知する検知回路網と、所定の制御インダクタ両端再点弧電圧閾値に達した時に放電破壊経路を提供する放電破壊回路網と、ランプが再始動するのに十分に冷却されるまで、安定器の動作を遮断する遮断回路網とを備えており、このため、ランプのホット再点弧又は再発弧中、安定器構成部品は保護される。
【０００６】
【発明の実施の形態】
図１は、直流電源１６によって発生される直流バス電圧から電力供給される高輝度高出力ランプ１４（例えば、ＣＭＨランプ）を動作させるのに適する自励発振安定器回路１０を示す。直流バス電圧は、バス導体１８と基準導体２０との間に発生する。安定器１０は、バス導体１８上の電圧を、ランプ１４の放電管内のアークを点弧するのに適する交流電圧に変換するための直流交流変換器、すなわちインバータ２１を備えており、点弧後のアークを維持する。特に、ランプ１４の放電管内のアークを開始するために、安定器１０は、放電管電極両端（不図示）に印加される一連の周期電圧パルスを発生させる。
【０００７】
変換器２１は、導体１８、２０間で直列に接続されたスイッチング装置２２、２４を備えるように図示される。図示される実施例において、スイッチング装置２２、２４の各々は、共通ノード２６で相互に接続するソース電極をそれぞれ有するｎチャンネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴ及びｐチャンネルエンハンスメント型ＭＯＳＦＥＴを備える。スイッチング装置は、ｐｎｐバイポーラ接合型トランジスタやｎｐｎバイポーラ接合型トランジスタ等の相補的導通モードを有する他の装置を備えても良い。インバータ２１の出力に結合される共振負荷回路２８は、共振動作の周波数を設定するための共振インダクタ３０及び共振キャパシタンス３２、３４を備える。キャパシタ３２は直流阻止キャパシタとしても機能する。
【０００８】
スイッチング装置２２、２４は、協働して共通ノード２６から共振インダクタ３０へ交流電流を供給する。スイッチング装置２２のゲート電極３８及びスイッチング装置２４の制御電極４０は、それぞれ制御ノード４２で接続する。ゲート駆動回路部４４は、スイッチング装置２２、２４の再生制御を実現するために、制御ノード４２と共通ノード２６との間に接続される。ゲート駆動インダクタ４６は、共振負荷回路２８内の電流の瞬時変化率と比例する電圧をインダクタ４６で誘導するための共振インダクタ３０と、相互に結合する。第２のインダクタすなわち制御インダクタ４８は、共通ノード２６と制御ノード４２との間で、インダクタ４６と直列に接続される。
【０００９】
双方向電圧クランプ５０は、ノード２６とノード４２との間に接続され、例えば、背面結合ツェナーダイオード５１、５２を備える。電圧クランプは、共振負荷回路両端電圧の基本周波数成分と共振インダクタ３０内の交流電流との間の位相角がランプ点弧中にゼロに接近する方法により、第２のインダクタ４８と協働する。図示の通り、直流阻止キャパシタ５３は、例えばノード２６とノード４２との間で、インダクタ４６、４８と直列に接続しても良い。
【００１０】
図示の通り、キャパシタ５４は、ノード２６とノード４２との間の制御電圧の変化率を制限するために、ノード２６とノード４２との間に設けられるのが望ましい。この方法において、不動作時間間隔は装置２２、２４のスイッチング動作中に設定され、両スイッチング装置がオフになる。
【００１１】
抵抗器５６、５８は、ゲート駆動回路部４４の再生動作を開始するために抵抗器５９と共に動作するため、導体１８と導体２０との間で直列に設けられる。特に、始動処理中、キャパシタ５３は、抵抗器５６、５８、５９を介して電源１６を通電する時に初期充電される。このとき、キャパシタ５３の両端電圧はゼロである。また始動処理中、インダクタ４６、４８は、キャパシタ５３を充電するための比較的長い時定数の結果としての短絡回路として、本質的に作用する。ほぼ同じ値の抵抗器５６、５８、５９に関して、例えば共通ノード２６上の電圧は、当初、バス電圧１８のほぼ１/３である。このように、キャパシタ５４は、スイッチング装置２２のゲートーソース電圧（例えば、２〜３ボルト）の閾値に達するまで、加速的に充電される。この時、スイッチング装置２２は導通モードに切り替わり、その結果、スイッチング装置２２によって電流が共振負荷回路に供給される。その後、この共振負荷回路内の電流により、スイッチング装置２２、２４の再生制御が行なわれる。このため、安定器は共振負荷回路２８を励起して、アーク放電を点弧するためにランプに印加されるパルス出力電圧を供給する。
【００１２】
安定器１０の定常動作中、共通ノード２６の電圧は、バス電圧１８のほぼ１/２となる。ノード４２の電圧も、バス電圧１８のほぼ１/２となり、このため、キャパシタ５３は定常動作中、スイッチング装置２２をオンするための始動パルスを再び発生させるように再度充電されることはない。定常動作中、キャパシタ５３の容量性リアクタンスは、ゲート駆動インダクタ４６及び第２のインダクタ４８の誘導性リアクタンスよりもかなり大きくなるため、キャパシタ５３はインダクタ４６、４８の動作に干渉しない。
【００１３】
図２は、図１のように、安定器に有用であり且つホット再点弧、すなわちホット再始動中、ランプ１４の放電管への望ましくない高圧の印加を回避する周知のホット再点弧保護（ＨＲＰ）回路１２を示す。ホット再点弧保護回路は、検知回路網６０、放電破壊回路網７０及び遮断回路網８０を有する。
【００１４】
検知回路網６０は、コンダクタ７１とコンダクタ７３との間で接合部１、２によりそれぞれ結合されてブリッジのダイオード対６１−６２、６３−６４をそれぞれ接合するダイオード６１〜６４のブリッジ構成と、ノード１とノード２との間に直列に接続される一対の背面結合ツェナーダイオード６５、６６と、ダイオードブリッジ６１〜６４と放電破壊回路網７０との間で接続される抵抗器６７と、検知回路網とコンダクタ７３との間で接続される抵抗器６８と、抵抗器６８を介して接続されるキャパシタ６９とを有する。背面結合ツェナーダイオード６５、６６は、ツェナーダイオードの耐圧値によって決定するＨＲＰ回路１２の両端電圧を制限することが望ましい。
【００１５】
放電破壊回路網７０は、例えば、相補形トランジスタ７４、７５を備えるラッチ装置７２を備える。トランジスタ７４はｐｎｐ装置として図示され、トランジスタ７５はｎｐｎ装置として図示される。このトランジスタ７４、７５は、各ベースが他方のコレクタと接続するように結合される。抵抗器７６は、トランジスタ７４のベースとエミッタとの間に結合され、また、ツェナーダイオード７８は、トランジスタ７５のベースとエミッタとの間に結合される。
【００１６】
遮断回路網８０は、放電破壊回路網７０と導体７３との間に結合される抵抗器８２及びキャパシタ８４の並列接続と、ゲート及びソースが相互に接続された２つのＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ８６、８８とを有する。ＭＯＳＦＥＴ８６のドレインはノード３の位置にあり、ＭＯＳＦＥＴ８８のドレインはノード４の位置にある。
【００１７】
ＨＲＰ回路１２の動作中、ノード１、３が相互に接続し、ノード２、４が相互に接続するため、これら２つの共通ノードを有する装置は、検知機能、遮断機能の両方を実行するために、インダクタ４８（図１）の両端に接続される。特に、ＨＲＰ回路１２は、所定の電圧より高い電圧が所定時間インダクタ４８に印加される時に起動するように構成される。この状態は、例えば、ランプが回路から取り外された時、又は、寿命末期のランプが（特に、例えばランプ電極で）過熱された時に発生しうる。ＨＲＰ回路１２は、インダクタ４８の両端電圧をノード１−２、ノード３−４を介して検知し、この電圧は整流ブリッジ６１〜６４によって整流され、その後キャパシタ６９を充電するために使用される。キャパシタ６９の電圧がツェナーダイオード７８の耐圧を超えたとき、電流はツェナーダイオード７８及び抵抗器７６で形成された経路を流れ、ラッチ７２を起動する。ラッチ７２の起動は、インダクタ４８の両端の電圧降下を引き起こし、その後、この電圧により安定器回路１０の周波数は共振回路２８の共振周波数を超えて増加する。この回路周波数の増加は、結果として、ランプ１４に供給される電流を減少させる。
【００１８】
ラッチ７２は、トランジスタ間に直接結合帰還を形成するように、相補形トランジスタ７４、７５によって構成される。ラッチ回路ループ内の全てのポイントでの電流の変化が増幅し、同じ位相で開始位置に戻るため、この帰還は正である。ラッチ７２は、常に２つの状態、つまり開成か閉成のうちの１つの状態で動作する。ラッチ７２が開成状態の場合、入力電流がラッチ７２を閉成するまで、開成状態が維持される。閉成状態の場合、入力電流又はシステム電圧降下がラッチ７２を開成するまで、閉成状態で動作し続ける。
【００１９】
ラッチ７２を閉成する１つの方法は、トリガパルスをトランジスタ７４のベースに与え、このベースを瞬間的に順バイアスすることである。正帰還が大きいため、正帰還する増幅電流は元の入力電流よりもかなり大きい。この時、トランジスタ７５のコレクタはベース電流をトランジスタ７４に供給し、トリガパルスは必要なくなる。始動後、この動作は持続するため、この動作は再生帰還である。再生帰還は、急速に両トランジスタを飽和状態とし、この時点でループ利得は一単位に降下する。
【００２０】
ラッチ７２を開成する１つの方法は、負トリガパルスをトランジスタ７４のベースに印加し、トランジスタ７５を飽和状態から解放することである。この後、再生が引き継ぎ、トランジスタ７５が急速にカットオフする。ラッチ７２を開成するもう１つの方法は、低電流ドロップアウトである。これは、図２のＨＲＰ回路の検知端子１、２の両端電圧を十分に低減することによって、トランジスタ７４、７５を飽和状態から解放し、カットオフ状態に遷移させることによって起こる。
【００２１】
高圧状態の発生とラッチ７２の起動との間で、一定の遅延が発生する。特に、キャパシタ８４の必要充電時間により、高電圧の発生からラッチ７２が起動するまでの時間遅延が発生する。また、ツェナーダイオード７８の耐圧により、ＨＲＰ回路１２がラッチ７２をトリガする高電圧値が確定される。
【００２２】
ゲートインダクタ４８を短絡するためにＨＲＰ回路１２のスイッチング装置８６、８８がオンする場合、ＨＲＰ回路１２は、ゲート駆動電圧を消滅させて安全器インバータをオフするように、ゲート共振の停止を試みる。しかし不都合なことに、インダクタ４８が短絡されても、インダクタ４８と直列接続した共振変流器２８の２次漏れインダクタンスは、ゲート共振を維持しようとする。これにより、安定器インバータを完全に遮断することはできないため、安定器回路構成部品は完全には保護されない。
【００２３】
図３は、ホット再点弧動作中、安定器インバータを完全にオフするために都合よく動作するＨＲＰ回路１１２の好適な実施例を示す。ＨＲＰ回路１１２は、検知回路網１６０、放電破壊回路網１７０及び遮断回路網１８０を備える。検知回路網１６０は、ノード１０１とノード１０２との間に直列に接続する一対の背面結合ツェナーダイオード１６５、１６６と、ノード１０１と抵抗器１６７との間に接続するダイオード１６１と、陰極がダイオード１６１の陰極に接続され、陽極がノード１０２に接続されるダイオード１６２と、抵抗器１６７を接合する接合部と放電破壊回路網１７０との間に接続し、他方の端子が導体１７３に接続する抵抗器１６８及びキャパシタ１６９の並列接続とを有する。
【００２４】
放電破壊回路網１７０は、例えば相補形トランジスタ１７４、１７５を有するラッチ装置１７２を備える。トランジスタ１７４はｐｎｐ装置として、またトランジスタ１７５はｎｐｎ装置として図示され、これらのトランジスタ１７４、１７５は、それぞれのベースが他方のコレクタと接続するように結合される。抵抗器１７６は、トランジスタ１７４のベースとエミッタとの間に結合され、ツェナーダイオード１７８は、トランジスタ１７５のベースとエミッタとの間に結合される。
【００２５】
遮断回路網１８０は、放電破壊回路網１７０と導体１７３との間に結合された抵抗器１８２及びキャパシタ１８４の並列接続と、ゲート及びソースを相互に接続された２つのＮチャンネルＭＯＳＦＥＴ１８６、１８８とを有する。ＭＯＳＦＥＴ１８６のドレインはノード１０３の位置にあり、ＭＯＳＦＥＴ１８８のドレインはノード１０４の位置にある。図３もまた、装置１８６の一体型ダイオード１８７と、装置１８８の一体型ダイオード１８９とを示す。一体型ダイオード１８７、１８９は、検知機能の実行時に、ダイオード１６１、１６２と共に都合よく動作し、回路構成部品の数は図２の場合よりも減少する。
【００２６】
ＨＲＰ回路１１２は、相互に接続し且つキャパシタ５３とインダクタ４８との間で接合部に接続するノード１０１、１０３を有する図１の安定器１０と共に使用される。しかしながら、ノード１０２、１０４は相互に接続されず、ノード１０２はインダクタ４８とインダクタ４６との間で接合部と接続し、ノード１０４は安定器インバータの中間、すなわちスイッチング装置２２とスイッチング装置２４との間の接合部に接続する。その結果、ＨＲＰ回路１１２は、３端子機器として効果的であり、検知ノード及び遮断ノード、検知機能及び遮断機能を分離する。
【００２７】
都合がよいことには、ＨＲＰ回路１１２の動作中、ＨＲＰ遮断回路１８０のスイッチング装置１８６、１８８が起動された場合、２次漏れインダクタンスを含む全ゲート共振インダクタンスが効果的に短絡し、それによってゲート共振が消滅し、安定器インバータが完全にオフとなる。
【００２８】
ＨＲＰ回路１１２は、インバータによってランプの放電管に印加される出力電圧の振幅を（例えば、ほぼ２．０ｋＶに）制限するために動作する。更に、主安定器に接続されたＨＲＰ回路１１２は、短時間（例えば、約５０マイクロ秒）、パルスのバースト間に所定の間隔（例えば、１秒）をおいて、パルスのバースト（例えば、２．０ｋＶ）としての出力電圧を与える。このパルスのバーストは、ランプが点弧可能となるまで十分に冷却される間、ほぼ２ｋＶのコールドスタート電圧で周期的に継続する。
【００２９】
ＨＲＰ回路１１２は、ホット再点弧中に有効な遮断を確実に実行し、更に標準的なランプウォームアップに干渉することなく再点弧時間を確定するＲＣ回路網を備える。通常のランプウォームアップ動作中に必要とされる高圧パルスの大きさは、ホット再点弧中に必要とされるパルスの大きさに比べてかなり小さい。このため、抵抗器１６８及びキャパシタ１６９を備えるＲＣ回路は、キャパシタ１６９の両端電圧を標準的なランプウォームアップ中にツェナーダイオード１７８の耐圧まで増大できないように構成されており、これにより、ＨＲＰ回路１１２がウォームアップ点弧に影響を与えないことが確実となる。そのため、抵抗器１６８及びキャパシタ１６９の値は、所望の再点弧パルス幅によって選択される。その他のＲＣ回路（抵抗器１６８とキャパシタ１６９、抵抗器１８２とキャパシタ１８４）は、再点弧パルス間の時間間隔を制御するように構成されている。コールドスタートに必要な大きさとほぼ同じ大きさの再点弧パルスによって、アークを点弧するのに十分な程度までランプ１４の放電管が冷却された後、アークの点弧は発生する。アークをコールドスタート電圧で再点弧するのに十分な程度まで放電管が冷却されなかった場合、管は冷却し続け、他の再点弧パルスが所定時間間隔後に印加される。
【００３０】
ホット再点弧中、キャパシタ１６９の両端電圧はツェナーダイオード１７８の耐圧より大きくなり、抵抗器１７６の両端電圧は増加を開始する。抵抗器１７６の両端電圧が所定値（例えば、０．７Ｖ）を超える場合、スイッチング装置１７４、１７５はオンする。装置１７４のベース電流は増幅し、装置１７５のベースに供給される。装置１７５のベース電流は増幅し、装置１７４のベースに供給される。このため、装置１７４、１７５は、ラッチされ、装置１７４の両端電圧降下及び装置１７５の両端電圧降下は、ほぼゼロとなる。この方法により、キャパシタ１８４は、キャパシタ１６９の両端電圧を検知する。キャパシタ１６９の両端閾値電圧で、装置１８６、１８８はオンとなり、安定器１０を遮断するゲート共振回路４４を短絡する。
【００３１】
安定器の遮断後、キャパシタ１６９は抵抗器１６８を介して放電し、キャパシタ１８４は抵抗器１８２を介して放電する。キャパシタ１８４の両端電圧が装置１８６、１８８の閾値電圧より低い場合、装置１８６、１８８はオフになるため、ゲート共振回路が開放され、安定器が再び発振を開始する。この時、ＣＭＨランプが十分に冷却されていれば、安定器始動電圧（例えば、ほぼ２ｋＶ）は、ＨＲＰ回路１１２によって再度遮断される前にランプを点弧するのに十分に高くなる。しかしながら、ＣＭＨランプがまだ高温の場合、安定器は再び遮断され、上記の動作は、ランプが再点弧されるのに十分に冷却されるまで継続する。
【００３２】
図４は、ＨＲＰ回路１１２に対する、安定器出力電圧２００、抵抗器１７６の両端電圧２０２、放電破壊回路網１７０の両端電圧２０４、キャパシタ１８４の両端電圧２０６、キャパシタ１６９の両端電圧２０８のシミュレーション結果を示す。
【００３３】
本発明の好ましい実施例が示され、説明されたが、これらの実施例が単に例示として提供されていることは明らかである。この発明の趣旨から逸脱せずに、数々の変形、変更及び置換を行えることは、当業者にとっては明らかなことである。従って、本発明は後述する特許請求の範囲によってのみ限定される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  ＣＭＨランプの相補形自励発振安定器の概略図。
【図２】  従来のホット再点弧保護回路の概略図。
【図３】  本発明におけるホット再点弧保護回路の実施例の概略図。
【図４】  図３のＨＲＰ回路のシミュレーション結果の特性図。
【符号の説明】
１０…自励発振ランプ安定器、２１…スイッチング変換器、２２、２４…スイッチング装置、４８…制御インダクタ、４４…ゲート駆動回路、１０１…第１の端子、１０２…第２の端子、１０３…第３の端子、１０４…第４の端子、１１２…ホット再点弧保護回路、１６０…検知回路網、１６１、１６２、１６８、１６９、１８７、１８９…検知回路、１７０…放電破壊回路網、１７４、１７５、１７６、１７８…ラッチ回路、１８０…遮断回路網、１８２、１８４、１８６、１８８…スイッチング回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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