(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工基板上に、第１のレジスト材料を用いて下層レジスト層を形成する工程と、
前記下層レジスト上に、一般式（１）、即ち、
【化１】
0004006723.tif 000009
一般式（１）中で、
Ｒ：ケイ素含有ポリマの骨格であって、以下の一般式（３）、（４）、（５）、（６）      で表される。
ポリマ骨格Ｒは、一般式（３）、（４）、（５）、（６）で表される骨格構造の一      種か二種以上を有することができるが、少なくとも一般式（３）の骨格構造を一部      に含むものとする。
ｐ及びｑ：１以上の整数。
【化３】
0004006723.tif 000010
【化４】
0004006723.tif 000011
【化５】
0004006723.tif 000012
【化６】
0004006723.tif 000013
一般式（３）乃至（６）中で、
Ｒｆ：−Ｈ又は一価の有機基又はトリオルガノシリル基。
Ｒｇ：一価の有機基。
Ｒｈ、Ｒｈ’：同一或いは異なる一価の有機基。
Ｒｉ：二価の有機基。
であって、何れも、ｍ＞１、ｎ≧０のシロキサンポリマ骨格である。
一般式（１）中で、
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ：それぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アリール基または一般                    式（２）で表される物質の何れかであり、Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃの少な                    くとも一つは一般式（２）、即ち、
【化２】
0004006723.tif 000014
一般式（２）中で、
Ｒｄ：二価の有機基。
Ｒｅ：−Ｈ、一価の有機基又はオルガノシリル基、但し、一価の有機基又はオルガノ シリル基の場合は少なくとも一部は酸触媒及び加熱に依って離脱する官能基
ｒ：０または１
上記各一般式中で、
Ｒａ〜Ｒｅ：それぞれ一種類或いは複数種類の官能基として存在しても良い。
で表されるケイ素含有ポリマを含んでなる第２のレジスト材料を用いて上層化学増幅型レジスト層を形成する工程と、
前記上層化学増幅型レジスト層を露光、露光後のべーク、現像を行なってパターニングする工程と、
前記パターニングに依って残った前記上層化学増幅型レジスト層をマスクとして前記下層レジスト層をエッチングする工程と
を順に実施することを特徴とするケイ素含有ポリマを含む化学増幅型レジスト組成物を用いるパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、Ｏ2 プラズマ・エッチングに対する耐性が高く、また、アルカリ現像液で現像して微細なパターンが得られるレジストの主剤として有用なケイ素含有ポリマを含む化学増幅型レジスト組成物を用いるパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、半導体装置が高集積化されるに伴い、配線の微細化及び多層化が進行しつつあり、従って、リソグラフィ工程で用いられるレジストについても様々な要求がなされ、例えば、解像性向上の他、パターン寸法精度の維持などが重視されている。
【０００３】
また、今後、露光光源の短波長化が進行すれば、レジストに於ける光透過率の維持は難しくなる為、レジスト膜厚の薄膜化は必須であり、従って、エッチング耐性の向上は不可避である。
【０００４】
更にまた、配線の微細化に対応する高精度のフォト・マスクを製造する場合、或いは、近年、急速に高記録密度化が進んでいる磁気抵抗効果ヘッドの製造する場合などに於いても、半導体製造分野に於けるリソグラフィ技術と同様なリソグラフィ技術が適用されるので、レジストに対する要求は共通したものとなっている。
【０００５】
前記した問題を解消する技術としてサーフェスイメージングが提案され、なかでもケイ素含有ポリマからなるレジスト組成物を用いた二層レジスト法が有効であるとされている。
【０００６】
二層レジスト法は、有機樹脂を０．５〔μｍ〕の膜厚となるように塗布して下層レジスト膜を形成し、その上に膜厚０．１〔μｍ〕程度の上層レジスト膜を形成し、先ず、上層レジスト膜の露光及び現像を行なってパターンを形成し、その上層レジスト・パターンをマスクとして下層レジスト膜のエッチングを行なうことで、高アスペクト比のレジスト・パターンを得る技法である。
【０００７】
この二層レジスト法に用いられるレジスト材料に要求される性能としては、酸素・反応性イオン・エッチング（Ｏ2   ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ：Ｏ2 −ＲＩＥ）に対する耐性の他、感度、解像性、保存安定性などが要求され、しかも、近年では、単層レジストで一般的に使用されているアルカリ現像を適用可能であることも要求されている。
【０００８】
現在、アルカリ可溶性のケイ素含有ポリマは公知であるが（要すれば「特許第２６１９３５８号」、「特許第２５７３９９６号」などを参照）、従来の技術に依るケイ素含有ポリマの合成は複雑であって、しかも、その感度及び解像性は不十分である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明では、Ｏ2 −ＲＩＥ耐性に優れ、また、アルカリ現像液に依る現像で微細なパターンが得られるレジストの主剤であるケイ素含有ポリマを含むレジスト組成物を用いてパターンを形成する方法を提供しようとする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のパターン形成方法を実施するのに用いるレジスト組成物に含まれるケイ素含有ポリマは、ポリマ骨格の末端にアルカリ可溶性基としてフェノールを有するか、或いは、露光または酸触媒などの添加剤の働きに依ってアルカリ可溶性を示すフェノール誘導体の何れかを有することが基本になっていて、そのケイ素含有ポリマを主剤とする化学増幅型レジスト組成物は大変優れた性能を発揮することができ、しかも、このケイ素含有ポリマは、ポリマ末端のシラノール基をフェノール誘導体を含むトリオルガノシリル基でシリル化することで簡単に合成することができるものであり、本発明は、前記レジスト組成物を用いてパターンを形成するのに極めて有効な方法である。
【００１１】
前記したところから、本発明に依るケイ素含有ポリマを含むレジスト組成物を用いるパターン形成方法に於いては、被加工基板上に、第１のレジスト材料を用いて下層レジスト層を形成する工程と、前記下層レジスト層上に、一般式（１）で表されるケイ素含有ポリマを含んでなる第２のレジスト材料を用いて上層レジスト層を形成する工程と、前記上層レジスト層を露光、露光後のベーク、現像を行なってパターニングする工程と、前記パターニングに依って残った前記上層レジスト層をマスクとして前記下層レジスト層をエッチングする工程とを順に実施することを特徴とする。
【００１２】
前記手段を採ることに依り、Ｏ2 −ＲＩＥ耐性に優れ、また、アルカリ現像液に依る現像で微細パターンが得られる優れた性能のケイ素含有ポリマを主剤とする化学増幅型レジスト組成物を用い、微細且つ精密なパターンを形成する方法が実現され、半導体装置の高集積化、或いは、磁気抵抗効果ヘッドの高記録密度化などに寄与することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明で用いるケイ素含有ポリマは前記一般式（１）で表され、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃの少なくとも一つは前記一般式（２）であり、そして、前記一般式（２）以外の二つは、それぞれ独立にアルキル基、アルケニル基、アリール基であって、好ましくは炭素数１〜３のアルキル基である。
【００１４】
一般式（２）に於けるＲｄは、二価の有機基であれば特に限定されないが、炭素数１〜１０の鎖状アルキレン基または環状アルキレン基、又は、これ等を組み合わせたものが好ましいのであるが、なかでも、炭素数１〜３の鎖状アルキレン基が望ましく、又、Ｒｄは複数種存在しても良く、一般式（２）中のｒは０又は１である。つまり、ｒ＝０では、二価の有機基Ｒｄを含まない。
【００１５】
一般式（２）に於けるＲｅは、−Ｈ、一価の有機基またはオルガノシリル基を表していて、このＲｅの少なくとも一部が、露光により酸発生剤から生じた酸の作用によって脱離する官能基である場合には、本発明に依るレジスト組成物は、同じく本発明に依るケイ素含有ポリマ及び光酸発生剤を必ず含んで化学増幅型レジストとなる。
【００１６】
また、この場合のＲｅとしては、例えばトリオルガノシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基、２−アルキルアダマンチル基などの四級炭素の官能基を挙げることができる。
【００１７】
ここで、酸の作用で脱離するＲｅ基は、全Ｒｅ基のうちのゼロより大きい任意の割合を占めることができ、その割合は当該ポリマを含むレジスト組成物に求められる特性に応じて決定される。
【００１８】
また、酸の作用で脱離しないＲｅは、−Ｈ、一価の有機基またはオルガノシリル基であり、一価の有機基としては炭素数１〜３のアルキル基とし、そして、オルガノシリル基を炭素数１〜３のアルキル基を有するシリル基とすることが好ましい。尚、Ｒｅは複数種が存在して良い。
【００１９】
更にまた、Ｒｅの少なくとも一部が−Ｈである場合には、本発明に依るレジスト組成物は、同じく本発明に依るケイ素含有ポリマ及び光酸発生剤及び架橋剤を必ず含んで化学増幅型レジストとなる。
【００２０】
−Ｈは、全Ｒｅ基のうちのゼロより大きい任意の割合を占めることができ、その割合は、当該ポリマを含むレジスト組成物に求められる特性に応じて決定される。
【００２１】
このとき、−Ｈ以外のＲｅは、一価の有機基又はオルガノシリル基であり、一価の有機基は特に限定されることはないが、オルガノシリル基としては炭素数１〜３のアルキル基を有するシリル基が好ましい。尚、Ｒｅは複数種が存在して良い。
【００２２】
一般式（１）のケイ素含有ポリマは、これを主剤とし、酸発生剤を添加して化学増幅型ポジ型レジスト組成物、更には、架橋剤を添加すると化学増幅型ネガ型レジストとなる。
【００２３】
酸発生剤としては、ジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩などのオニウム塩、或いは、ベンジルトシレート、ベンジルスルホネートなどのスルホン酸エステル、ジブロモビスフェノールＡ、トリスジブロモプロピルイソシアヌレートなどのハロゲン化有機化合物が好ましいが、使用可能な酸発生剤はこれ等に限られない。
【００２４】
酸発生剤の添加量は、本発明に依るケイ素含有ポリマの１００重量部に対して０．１〜２０重量部の範囲が好ましく、これより添加量が少ない場合には、化学増幅型ポジ型レジストとしての感度が充分に得られず、また、多い場合には、成膜性や解像度の低下を招来する。
【００２５】
架橋剤としては、アルキル化メチロールメラミンやそのオリゴマ、又は、ビスヒドロキシメチルフェノールやエポキシ化合物を用いることが好ましく、その添加量は、本発明に依るケイ素含有ポリマの１００重量部に対して１〜４０重量部の範囲が好ましく、これより添加量が少ない場合には、化学増幅型ネガ型レジストとしての感度が充分に得られず、また、多い場合には、成膜性や解像度の低下を招来する。
【００２６】
一般式（１）で表される本発明に依るケイ素含有ポリマに於いて、ポリマ骨格部分Ｒとしては、
▲１▼  一般式（３）で表されるＲｆが−Ｈ、一価の有機基、トリオルガノシリル基の何れかであって、ｍ＞１、ｎ≧０である四官能シロキサンポリマ骨格であるか、
【化３】
0004006723.tif 000002
或いは、
【００２７】
▲２▼  一般式（４）で表されるＲｆが−Ｈ、一価の有機基、トリオルガノシリル基の何れかであって、Ｒｇが一価の有機基であり、更に、ｍ＞１、ｎ≧０である三官能シロキサンポリマ骨格であるか、
【化４】
0004006723.tif 000003
或いは、
【００２８】
▲３▼  一般式（５）で表されるＲｆが−Ｈ、一価の有機基またはトリオルガノシリル基のいずれかであって、Ｒｈ、Ｒｈ′が同一でも相異なっても良い一価の有機基であり、更に、ｍ＞１、ｎ≧０である二官能シロキサンポリマ骨格であるか、
【化５】
0004006723.tif 000004
或いは、
【００２９】
▲４▼  一般式（６）で表されるＲｆが−Ｈ、一価の有機基またはトリオルガノシリル基のいずれかであって、Ｒｉが二価の有機基であり、更に、ｍ＞１、ｎ≧０であるシロキサンポリマ骨格である。
【化６】
0004006723.tif 000005
【００３０】
尚、本発明に依るケイ素含有ポリマは、そのポリマ骨格Ｒとして、上掲の一種か二種以上を有することができる。
【００３１】
Ｒｆ、Ｒｇ、Ｒｈ、Ｒｈ′の一価の有機基としては、炭素数１〜１０のアルキル基並びにそれ等の置換基を用いることが好ましく、また、Ｒｉの二価の有機基としては、炭素数１〜３のアルキレン基を用いることが好ましい。
【００３２】
本発明で用いるケイ素含有ポリマの重量平均分子量は、ポリスチレン換算で、１５００〜１００００００が好ましく、これより低分子量では耐熱性が低下し、また、高分子量であればレジストとして解像性が悪くなる。
【００３３】
本発明で用いるケイ素含有ポリマを用いてレジスト材料を作成し、そのレジスト材料を用いてレジスト・パターンを形成するには、被加工基板上に本レジスト層を直接形成する手段を採るか、或いは、被加工基板上に第一のレジスト（下層レジスト）層を形成し、引き続き、本発明によるレジスト材料を用いて第二のレジスト（上層レジスト）層を形成し、この上層レジスト層を露光及び現像してパターンを形成し、得られた上層レジスト・パターンをマスクとして下層レジスト膜のエッチングを行なってレジスト・パターンを形成すれば良い。
【００３４】
下層レジスト層の材料としては、有機材料、例えば、ノボラック樹脂、ビニルフェノール樹脂からなる市販のレジスト材料、ポリアニリン系やポリチオフェン系の導電性材料を用いることができ、また、その厚さは０．１〔μｍ〕〜１０．０〔μｍ〕の範囲で選択するが、０．２〔μｍ〕〜１．０〔μｍ〕の範囲にすると好結果が得られる。
【００３５】
また、上層レジスト層を形成する為に本発明に依るレジスト材料を塗布する場合、必要に応じて溶剤を用いて良く、その溶剤としては、有機溶剤、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ｎ−ブチルエーテル、メチルイソブチルケトンなどを使用することができる。
【００３６】
本発明で用いるレジスト材料を塗布する方法は、通常のレジスト材料を塗布する方法と何ら変わるところはなく、例えばスピン・コート法などを適用することができ、そのレジスト材料の塗布厚さは０．０３〔μｍ〕〜１．０〔μｍ〕の範囲で選択すれば良く、これよりも薄いとエッチング時の寸法変動が大きくなり、厚いと解像性が低下することになり、好ましくは、塗布厚さを０．０５〔μｍ〕〜０．２〔μｍ〕の範囲とする。
【００３７】
露光を行なう場合の放射線源としては、可視光、紫外線、ＫｒＦエキシマ・レーザ、ＡｒＦエキシマ・レーザ、Ｆ2 エキシマ・レーザなど、ＶＵＶ、ＥＵＶ、電子線、イオン・ビームなどを用いて良い。
【００３８】
本発明で用いるレジスト材料を現像するには、アルカリ現像液としてテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液、水酸化カリウム水溶液などが使用可能である。
【００３９】
また、下層レジスト層をエッチングする場合、酸素を含むガスのプラズマ・エッチングを適用することができ、特に、酸素と二酸化硫黄の混合ガスに依るエッチングが好ましく、また、プラズマ・エッチング装置としては高密度プラズマ・エッチング装置を用いると良い。
【００４０】
本発明で用いるレジスト材料の具体例、及び、参考例を挙げて説明する。
【００４１】
例１（ケイ素含有ポリマに関する例）
ケイ素含有ポリマを合成する場合について説明する。
【００４２】
還流管及び温度計を取り付け、且つ、窒素フローした四つ口フラスコを準備し、一般式（７）で表されるシロキサンポリマ５〔ｇ〕（分子量５０００）をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１００〔ｍｌ〕に溶解し、攪拌し、油浴で７０〔℃〕に加熱した。
【化７】
0004006723.tif 000006
【００４３】
滴下ロートからターシャリブトキシカルボニルオキシフェニルエチルジメチルクロロシランを３．５〔ｇ〕と、これと等モルのピリジンを３０〔分〕とを３０〔分〕で滴下し、４〔時間〕反応を行なった。
【００４４】
室温まで放冷した後、分液ロートに移して水層が中性になるまで水洗してから、有機層を液層分離濾紙で濾過して前記四つ口フラスコに移し、共沸に依り水抜きして目的とするポリマのＭＩＢＫ溶液を得た。
【００４５】
前記ＭＩＢＫ溶液を濃縮した後、アセトニトリルで低分子量成分を除去し、一般式（８）のポリマを得た。このポリマに於ける分子量は１００００、分散度は２．４であった。
【化８】
0004006723.tif 000007
【００４６】
このポリマのＭＩＢＫ溶液をＳｉウエハに回転塗布し、ホット・プレート上で９０〔℃〕／６０〔秒〕のベーキングを行なって試料を作成し、これを２．３８〔％〕テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液に浸漬しても溶解しないことを確認した。
【００４７】
例２（ケイ素含有ポリマに関する参考例）
ケイ素含有ポリマを合成する場合の参考例について説明する。
【００４８】
還流管及び温度計を取り付け、且つ、窒素フローした四つ口フラスコを準備し、一般式（７）で表されるシロキサンポリマ５〔ｇ〕（分子量５０００）をメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）１００〔ｍｌ〕に溶解し、攪拌し、油浴で７０〔℃〕に加熱した。
【００４９】
滴下ロートからターシャリブトキシカルボニルオキシフェニルエチルジメチルクロロシランを３．５〔ｇ〕と、これと等モルのピリジンを３０〔分〕とを３０〔分〕で滴下し、４〔時間〕反応を行なった。
【００５０】
室温まで放冷した後、分液ロートに移して水層が中性になるまで水洗してから、有機層を液層分離濾紙で濾過して前記四つ口フラスコに移し、共沸に依り水抜きして目的とするポリマのＭＩＢＫ溶液を得た。
【００５１】
前記ＭＩＢＫ溶液を濃縮した後、アセトニトリルで低分子量成分を除去し、このポリマを再度１００〔ｍｌ〕のＭＩＢＫに溶解し、油浴で７０〔℃〕に加熱した。
【００５２】
ピペットで塩酸２．０〔ｇ〕を滴下し、３〔時間〕反応を行なった。
【００５３】
室温まで放冷した後、分液ロートに移して水層が中性になるまで水洗してから、有機層を液層分離濾紙で濾過して前記四つ口フラスコに移し、共沸に依り水抜きして目的とするポリマのＭＩＢＫ溶液を得た。
【００５４】
前記ＭＩＢＫ溶液を濃縮した後、ヘキサンで低分子量成分を除去し、一般式（９）のポリマを得た。このポリマの分子量は１００００、分散度は２．４であった。
【化９】
0004006723.tif 000008
【００５５】
このポリマのＭＩＢＫ溶液をＳｉウエハに回転塗布し、ホット・プレート上で９０〔℃〕／６０〔秒〕のベーキングを行なって試料を作成し、これを２．３８〔％〕テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液に浸漬したところ迅速に溶解した。
【００５６】
例３（レジスト組成物に関する例）
レジスト組成物を作成する場合について説明する。
【００５７】
例１で得た分子量１００００でｔ−ブトキシカルボニル基を有するケイ    素含有ポリマ１００重量部と、酸発生剤として５重量部のトリフェニルスルフォニウムトリフレートをＭＩＢＫに溶解してレジスト溶液を調製した。
【００５８】
Ｓｉウエハ上にノボラック樹脂ベースの溶液を回転塗布し、窒素フローしたオーブン中で２８０〔℃〕、３０〔時間〕のベーキングを行ない、０．４〔μｍ〕の下層レジスト層を形成した。
【００５９】
再び、前記調製したレジスト溶液を下層レジスト層上に回転塗布し、１１０〔℃〕、６０〔秒〕のプリ・ベーキングを行なって０．１〔μｍ〕の上層レジスト層を形成した。
【００６０】
電子線露光後、直ちに１００〔℃〕／６０〔秒〕のポストエクスポージャベーキングを行ない、２．３８〔％〕ＴＭＡＨ水溶液で現像を行なったところ、現像液への溶解速度は、露光部で３００〔Å／ｓ〕以上、未露光部で５〔Å／ｓ〕以下であって、この溶解速度の差から０．３〔μｍ〕のパターンを解像した。
【００６１】
また、平行平板型のＲＩＥ（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ）装置を用い、ＲＦパワー：０．１６〔Ｗ／ｃｍ2 〕、酸素流量：１０〔ｓｃｃｍ〕、ガス圧１０〔ｍＴｏｒｒ〕でエッチング・レートを測定したところ、下層のノボラック系レジストに比較して約１００倍高いＯ2 −ＲＩＥ耐性を示した。
【００６２】
例４（レジスト組成物に関する参考例）
レジスト組成物を作成する場合の参考例について説明する。
【００６３】
例２で得た分子量８５００でフェノール基を有するケイ素含有ポリマ１００重量部と、架橋剤として２０重量部のメトキシメテルメラミンと、酸発生剤として３重量部のトリフェニルスルフォニウムトリフレートをＭＩＢＫに溶解してレジスト溶液を調製した。
【００６４】
例３と同様にして形成した層厚０．４〔μｍ〕の下層レジスト層上に前記調製したレジスト溶液を回転塗布し、１１０〔℃〕、６０〔秒〕のプリ・ベーキングを行なって０．１〔μｍ〕の上層レジスト層を形成した。
【００６５】
電子線露光後、直ちに１１０〔℃〕／１２０〔秒〕のポストエクスポージャベーキングを行なった後、２．３８〔％〕ＴＭＡＨ水溶液で現像したところ、現像液への溶解速度は、露光部で１〔Å／ｓ〕以下、未露光部で１０００〔Å／ｓ〕以上であって、この溶解速度の差から０．３５〔μｍ〕のパターンを解像した。
【００６６】
また、前記と同様、平行平板型のＲＩＥ装置を用い、ＲＦパワー：０．１６〔Ｗ／ｃｍ2 〕、酸素流量：１０〔ｓｃｃｍ〕、ガス圧１０〔ｍＴｏｒｒ〕でエッチング・レートを測定したところ、下層のノボラック系レジストに比較して約１００倍高いＯ2 −ＲＩＥ耐性を示した。
【００６７】
本発明の構成要件は、特許請求の範囲に記載した通りであるが、それを逸脱しない範囲で、多くの改変を実現することができるので、以下に挙げる。尚、ここでは、請求項１に記載された本発明の構成要件を記号（ａ）で代表させる。
【００６８】
（ｂ）
（ａ）に於けるＲｅが酸触媒及び加熱に依って離脱する官能基であることを特徴とするケイ素含有ポリマを用いること。
【００６９】
（ｃ）
（ａ）又は（ｂ）に於いて、ケイ素含有ポリマの骨格部分が一般式（３）で表される四官能シロキサンポリマ骨格部分であるケイ素含有ポリマを用いること。尚、一般式（３）中に於けるＲｆは−Ｈ、一価の有機基、トリオガノシリル基の何れかを表し、ｍ＞１、ｎ≧０である。
【００７０】
（ｄ）
（ａ）又は（ｂ）に於いて、ケイ素含有ポリマの骨格部分が一般式（４）で表される三官能シロキサンポリマ骨格部分であるケイ素含有ポリマを用いること。尚、一般式（４）中でＲｆは−Ｈ、一価の有機基またはトリオルガノシリル基のいずれか、Ｒｇは一価の有機基を表し、ｍ＞１、ｎ≧０である。
【００７１】
（ｅ）
（ａ）又は（ｂ）に於いて、ケイ素含有ポリマの骨格部分が一般式（５）で表される二官能シロキサンポリマ骨格部分であるケイ素含有ポリマを用いること。尚、一般式（５）中でＲｆは−Ｈ、一価の有機基またはトリオルガノシリル基のいずれか、Ｒｈ、Ｒｈ′は同一でも異なっても良く、それぞれ一価の有機基を表し、ｍ＞１、ｎ≧０である。
【００７２】
（ｆ）
（ａ）又は（ｂ）に於いて、ケイ素含有ポリマの骨格部分が一般式（６）で表されるシロキサンポリマ骨格部分であるケイ素含有ポリマを用いること。尚、一般式（６）中でＲｆは−Ｈ、一価の有機基またはトリオルガノシリル基のいずれか、Ｒｉは二価の有機基を表し、ｍ＞１、ｎ≧０である。
【００７３】
（ｇ）
（ａ）乃至（ｆ）に示したケイ素含有ポリマを単独、又は、複数同時に含むレジスト組成物を用いること。
【００７４】
（ｈ）
光酸発生剤を含む（ｇ）のレジスト組成物を用いること。
【００７５】
（ｉ）
架橋剤、溶解抑止剤を含む（ｈ）のレジスト組成物を用いること。
【００７６】
（ｊ）
（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）に示したレジスト組成物を用い、被加工基板上にレジスト層を形成し、このレジスト層の露光、必要に応じて実施する露光後ベーク、現像を行なってレジスト・パターンを形成すること。
【００７７】
前記改変例は、何れも電子デバイスの製造は勿論のこと、磁気ヘッドの製造、フォト・マスクの製造などに適用して有効である。
【００７８】
【発明の効果】
本発明に依るケイ素含有ポリマを含む化学増幅型レジスト組成物を用いるパターン形成方法に於いては、被加工基板上に、第１のレジスト材料を用いて下層レジスト層を形成し、下層レジスト層上に、一般式（１）で表されるケイ素含有ポリマを含んでなる第２のレジスト材料を用いて上層化学増幅型レジスト層を形成し、上層化学増幅型レジスト層を露光、露光後のベーク、現像を行ってパターニングし、パターニングに依って残った上層化学増幅型レジスト層をマスクとして下層レジスト層をエッチングする。
【００７９】
前記構成を採ることに依り、Ｏ2 −ＲＩＥ耐性に優れ、また、アルカリ現像液に依る現像で微細パターンが得られる優れた性能のケイ素含有ポリマを主剤とする化学増幅型レジスト組成物を用い、微細且つ精密なパターンを形成する方法が実現され、半導体装置の高集積化、或いは、磁気抵抗効果ヘッドの高記録密度化などに寄与することができる。