(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向に伸びる複数の導電部と、これらの導電部を囲むよう形成された絶縁部と、この絶縁部を囲むよう形成された、面方向に半導電性を示す半導電部とを有してなり、
前記導電部は、その厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された導電性粒子により構成され、
前記半導電部は、弾性高分子物質よりなる基材中に導電性有機物質よりなる半導電性付与物質が含有されてなり、表面に静電気が生じて帯電することを防止または抑制することができるものであることを特徴とする異方導電性シート。
【請求項２】
導電性有機物質が脂肪族スルホン酸塩であることを特徴とする請求項１に記載の異方導電性シート。
【請求項３】
請求項１に記載の異方導電性シートを製造する方法であって、
貫通孔または開口が形成された、半導電性を示す半導電部用シートを用意し、この半導電部用シートにおける貫通孔または開口内に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる導電部用材料層を形成し、この導電部用材料層に対して、平行磁場または強度分布を有する平行磁場を当該導電部用材料層の厚み方向に作用させると共に、当該導電部用材料層を硬化処理する工程を有することを特徴とする異方導電性シートの製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の異方導電性シートを製造する方法であって、
硬化されて弾性高分子物質となる高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる導電部用材料層を形成し、この導電部用材料層に対して、平行磁場または強度分布を有する平行磁場を当該導電部用材料層の厚み方向に作用させると共に、当該導電部用材料層を硬化処理することにより、導電部とこの導電部を囲む絶縁部とを形成し、その後、この絶縁部を囲むよう、硬化性の高分子形成材料中に半導電性付与物質が含有されてなる半導電部用材料層を形成し、当該半導電部用材料を硬化処理する工程を有することを特徴とする異方導電性シートの製造方法。
【請求項５】
厚み方向に伸びる複数の導電部と、これらの導電部の各々を囲むよう形成された、面方向に半導電性を示す半導電部とを有してなり、前記導電部は、その厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された導電性粒子により構成され、前記半導電部は、弾性高分子物質よりなる基材中に導電性有機物質よりなる半導電性付与物質が含有されてなり、表面に静電気が生じて帯電することを防止または抑制することができるものである異方導電性シートを製造する方法であって、
貫通孔または開口が形成された、半導電性を示す半導電部用シートを用意し、この半導電部用シートにおける貫通孔または開口内に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる導電部用材料層を形成し、この導電部用材料層に対して、平行磁場または強度分布を有する平行磁場を当該導電部用材料層の厚み方向に作用させると共に、当該導電部用材料層を硬化処理する工程を有することを特徴とする異方導電性シートの製造方法。
【請求項６】
厚み方向に伸びる複数の導電部と、これらの導電部の各々を囲むよう形成された、面方向に半導電性を示す半導電部とを有してなり、前記導電部は、その厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された導電性粒子により構成され、前記半導電部は、弾性高分子物質よりなる基材中に導電性有機物質よりなる半導電性付与物質が含有されてなり、表面に静電気が生じて帯電することを防止または抑制することができるものである異方導電性シートを製造する方法であって、
硬化されて弾性高分子物質となる高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる導電部用材料層を形成し、この導電部用材料層に対して、平行磁場または強度分布を有する平行磁場を当該導電部用材料層の厚み方向に作用させると共に、当該導電部用材料層を硬化処理することにより、導電部を形成し、その後、この導電部を囲むよう、硬化性の高分子形成材料中に半導電性付与物質が含有されてなる半導電部用材料層を形成し、当該半導電部用材料を硬化処理する工程を有することを特徴とする異方導電性シートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば電子部品などの回路装置相互間の電気的接続や、プリント回路基板、半導体集積回路などの回路装置の検査装置におけるコネクターとして好ましく用いられる異方導電性シートおよびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
異方導電性エラストマーシートは、厚み方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電部を有するものであり、ハンダ付けあるいは機械的嵌合などの手段を用いずにコンパクトな電気的接続を達成することが可能であること、機械的な衝撃やひずみを吸収してソフトな接続が可能であることなどの特長を有するため、このような特長を利用して、例えば電子計算機、電子式デジタル時計、電子カメラ、コンピューターキーボードなどの分野において、回路装置、例えばプリント回路基板とリードレスチップキャリアー、液晶パネルなどとの相互間の電気的な接続を達成するためのコネクターとして広く用いられている。
【０００３】
また、プリント回路基板や半導体集積回路などの回路装置の電気的検査においては、検査対象である回路装置の一面に形成された被検査電極と、検査用回路基板の表面に形成された検査用電極との電気的な接続を達成するために、回路装置の被検査電極領域と検査用回路基板の検査用電極領域との間に異方導電性エラストマーシートを介在させることが行われている。
【０００４】
従来、このような異方導電性エラストマーシートとしては、種々の構造のものが知られており、例えば特開昭５１−９３３９３号公報等には、金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性エラストマーシートが開示され、また、特開昭５３−１４７７７２号公報等には、導電性磁性体粒子をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性エラストマーシートが開示され、更に、特開昭６１−２５０９０６号公報等には、導電路形成部の表面と絶縁部との間に段差が形成された異方導電性エラストマーシートが開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、異方導電性シートは、厚み方向に導電性を有するものであるが、面方向においては絶縁性を有するものであるため、その使用方法や使用環境によっては、当該異方導電性シートの表面に静電気が生じて帯電し、種々の問題が生じる。
例えば、異方導電性シートを回路装置の電気的検査に用いる場合には、異方導電性シートの表面に静電気が生じて帯電すると、当該静電気による引力によって、異方導電性シートに検査対象である回路装置が張りつくため、検査作業を円滑に行うことが困難となる。また、異方導電性シートの表面に高い電圧の静電気が蓄積されると、作業者の安全性の確保の点で不都合であり、特に、極めて高い電圧の静電気が蓄積されたときには、当該静電気が放電することによって、検査装置、異方導電性シートあるいは検査対象である回路装置に故障が生じることがある。
このような理由から、回路装置の電気的検査においては、定期的にあるいは異方導電性シートの表面に静電気の発生が観察されたときに必要に応じて、検査作業を中断し、除電ブラシなどを用いて異方導電性シートの除電作業を行うことが必要であり、そのため、検査効率が低下する、という問題がある。
【０００６】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その第１の目的は、表面に静電気が生じて帯電することを防止または抑制することができる異方導電性シートを提供することにある。
本発明の第２の目的は、表面に静電気が生じて帯電することを防止または抑制することができる異方導電性シートを製造することができる方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の異方導電性シートは、厚み方向に伸びる複数の導電部と、これらの導電部を囲むよう形成された絶縁部と、この絶縁部を囲むよう形成された、面方向に半導電性を示す半導電部とを有してなり、
前記導電部は、その厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有された導電性粒子により構成され、
前記半導電部は、弾性高分子物質よりなる基材中に導電性有機物質よりなる半導電性付与物質が含有されてなり、表面に静電気が生じて帯電することを防止または抑制することができるものであることを特徴とする。
【００１３】
本発明の異方導電性シートにおいては、導電性有機物質が脂肪族スルホン酸塩であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の異方導電性シートの製造方法は、貫通孔または開口が形成された、半導電性を示す半導電部用シートを用意し、この半導電部用シートにおける貫通孔または開口内に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる導電部用材料層を形成し、この導電部用材料層に対して、平行磁場または強度分布を有する平行磁場を当該導電部用材料層の厚み方向に作用させると共に、当該導電部用材料層を硬化処理する工程を有することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の異方導電性シートの製造方法は、硬化されて弾性高分子物質となる高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子が含有されてなる導電部用材料層を形成し、この導電部用材料層に対して、平行磁場または強度分布を有する平行磁場を当該導電部用材料層の厚み方向に作用させると共に、当該導電部用材料層を硬化処理することにより、導電部または導電部とこの導電部を囲む絶縁部とを形成し、その後、この導電部または絶縁部を囲むよう、硬化性の高分子形成材料中に半導電性付与物質が含有されてなる半導電部用材料層を形成し、当該半導電部用材料を硬化処理する工程を有することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の異方導電性シートの製造方法は、硬化されて弾性高分子物質となる高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子および半導電性付与物質が含有されてなるシート成形材料層を形成し、このシート成形材料層に対して、平行磁場を当該シート成形材料層の厚み方向に作用させると共に、当該シート成形材料層を硬化処理する工程を有することを特徴とする。
【００１８】
【作用】
本発明の異方導電性シートによれば、表面において面方向に半導電性を示す半導電部を有するため、当該半導電部を接地することにより、当該半導電部を介して除電され、その結果、表面に静電気が生じて帯電することが防止または抑制される。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
〈第１の実施の形態〉
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る異方導電性シートの構成を示す説明用断面図である。この異方導電性シート１０においては、それぞれ厚み方向に伸びる複数の柱状の導電部１１が、接続すべき電極のパターンに対応するパターンに従って面方向に沿って配置され、これらの導電部１１の各々を取り囲むよう、半導電部１２が形成されている。
【００２０】
この例における導電部１１は、弾性高分子物質よりなる基材中に、導電性粒子が当該異方導電性シート１０の厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されて構成されている。
【００２１】
導電部１１の基材を構成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する高分子物質が好ましい。架橋高分子物質を得るために用いることのできる硬化性の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができ、その具体例としては、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレン、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、シリコーンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴムなどが挙げられる。
以上において、得られる異方導電性シートに耐候性が要求される場合には、共役ジエン系ゴム以外のものを用いることが好ましく、特に、成形加工性および電気特性の観点から、シリコーンゴムを用いることが好ましい。
【００２２】
シリコーンゴムとしては、液状シリコーンゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコーンゴムは、その粘度が歪速度１０-1ｓｅｃで１０5 ポアズ以下のものが好ましく、縮合型のもの、付加型のもの、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのいずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリコーン生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。
【００２３】
これらの中で、ビニル基を含有する液状シリコーンゴム（ビニル基含有ポリジメチルシロキサン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジアルコキシシランを、ジメチルビニルクロロシランまたはジメチルビニルアルコキシシランの存在下において、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。
また、ビニル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、オクタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止剤として例えばジメチルジビニルシロキサンを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することにより得られる。ここで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。
このようなビニル基含有ポリジメチルシロキサンは、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。以下同じ。）が１００００〜４００００のものであることが好ましい。また、得られる導電路素子の耐熱性の観点から、分子量分布指数（標準ポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。以下同じ。）が２．０以下のものが好ましい。
【００２４】
一方、ヒドロキシル基を含有する液状シリコーンゴム（ヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジアルコキシシランを、ジメチルヒドロクロロシランまたはジメチルヒドロアルコキシシランの存在下において、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。
また、環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止剤として、例えばジメチルヒドロクロロシラン、メチルジヒドロクロロシランまたはジメチルヒドロアルコキシシランなどを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することによっても得られる。ここで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。
このようなヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサンは、その分子量Ｍｗが１００００〜４００００のものであることが好ましい。また、得られる導電路素子の耐熱性の観点から、分子量分布指数が２．０以下のものが好ましい。
本発明においては、上記のビニル基含有ポリジメチルシロキサンおよびヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサンのいずれか一方を用いることもでき、両者を併用することもできる。
【００２５】
本発明においては、高分子物質形成材料を硬化させるために適宜の硬化触媒を用いることができる。このような硬化触媒としては、有機過酸化物、脂肪酸アゾ化合物、ヒドロシリル化触媒などを用いることができる。
硬化触媒として用いられる有機過酸化物の具体例としては、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシクロベンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチルなどが挙げられる。
硬化触媒として用いられる脂肪酸アゾ化合物の具体例としては、アゾビスイソブチロニトリルなどが挙げられる。
ヒドロシリル化反応の触媒として使用し得るものの具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。
硬化触媒の使用量は、高分子物質形成材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、高分子物質形成材料１００重量部に対して３〜１５重量部である。
【００２６】
また、導電部１１の基材中には、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。このような無機充填材を含有させることにより、導電部１１を形成するための材料のチクソトロピー性が確保され、その粘度が高くなり、しかも、導電性粒子の分散安定性が向上すると共に、高い強度を有する導電部１１が得られる。
このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、多量に使用すると、磁場による導電性粒子の配向を十分に達成することができなくなるため、好ましくない。
【００２７】
導電部１１の基材中に含有される導電性粒子としては、磁場を作用させることによって容易に異方導電性シート１０の厚み方向に並ぶよう配向させることができる観点から、磁性を示す導電性粒子を用いることが好ましい。このような導電性粒子の具体例としては、ニッケル、鉄、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性体のメッキを施したもの、あるいは芯粒子に、導電性磁性体および導電性の良好な金属の両方を被覆したものなどが挙げられる。  これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金などの導電性の良好な金属のメッキを施したものを用いることが好ましい。
芯粒子の表面に導電性金属を被覆する手段としては、特に限定されるものではないが、例えば化学メッキまたは電解メッキにより行うことができる。
【００２８】
導電性粒子として、芯粒子の表面に導電性金属が被覆されてなるものを用いる場合には、良好な導電性が得られる観点から、粒子表面における導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の０．５〜５０重量％であることが好ましく、より好ましくは１〜３０重量％、さらに好ましくは３〜２５重量％、特に好ましくは４〜２０重量％である。被覆される導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の２．５〜３０重量％であることが好ましく、より好ましくは３〜２０重量％、さらに好ましくは３．５〜１５重量％、特に好ましくは４〜１０重量％である。また、被覆される導電性金属が銀である場合には、その被覆量は、芯粒子の３〜５０重量％であることが好ましく、より好ましくは４〜４０重量％、さらに好ましくは５〜３０重量％、特に好ましくは６〜２０重量％である。
【００２９】
また、導電性粒子の粒子径は、１〜１０００μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜５００μｍ、さらに好ましくは５〜３００μｍ、特に好ましくは１０〜２００μｍである。
また、導電性粒子の粒子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１．０１〜７、さらに好ましくは１．０５〜５、特に好ましくは１．１〜４である。
このような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、得られる導電部１１は、加圧変形が容易なものとなり、また、当該導電性粒子間に十分な電気的接触が得られる。
また、導電性粒子の形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子による塊状のものであることが好ましい。
【００３０】
また、導電性粒子の含水率は、５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下、さらに好ましくは２％以下、とくに好ましくは１％以下である。このような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、高分子物質形成材料を硬化処理する際に気泡が生ずることが防止または抑制される。
【００３１】
また、導電性粒子として、その表面がシランカップリング剤などのカップリング剤で処理されたものを適宜用いることができる。導電性粒子の表面がカップリング剤で処理されることにより、当該導電性粒子と弾性高分子物質との接着性が高くなり、その結果、得られる導電部１１は、繰り返しの使用における耐久性が高いものとなる。
カップリング剤の使用量は、導電性粒子の導電性に影響を与えない範囲で適宜選択されるが、導電性粒子表面におけるカップリング剤の被覆率（導電性芯粒子の表面積に対するカップリング剤の被覆面積の割合）が５％以上となる量であることが好ましく、より好ましくは上記被覆率が７〜１００％、さらに好ましくは１０〜１００％、特に好ましくは２０〜１００％となる量である。
【００３２】
導電部１１には、導電性粒子が体積分率で１０〜５０％、好ましくは２０〜４０％となる割合で含有されていることが好ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電部１１が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電部１１は脆弱なものとなりやすく、導電部として必要な弾性が得られないことがある。
また、導電部１１の厚み方向における電気抵抗は、当該導電部１１を厚み方向に加圧した状態において、１００ｍΩ以下であることが好ましい。
【００３３】
半導電部１２は、面方向に半導電性を示すものであって、高分子物質よりなる基材中に半導電性付与物質が含有されることによって、或いは半導電性を示す高分子物質によって構成されている。
ここで、「半導電性」とは、体積固有抵抗が１０-7〜１０4 Ωｍの値を示すものをいい、異方導電性シートの厚さとのかねあいで、表面固有抵抗が１０-1〜１０10Ω／□の値を示すものをいう。
【００３４】
半導電部１２の基材を構成する高分子物質としては、前述の導電部１１の基材を構成する弾性高分子物質として例示したものを用いることができ、その他に、種々の熱可塑性樹脂や、放射線、熱、イオン、酸などによって硬化し得る硬化性樹脂を用いることもできる。
【００３５】
半導電部１２の基材中に含有される半導電性付与物質としては、それ自体導電性または半導電性を示す物質（以下、「自己導電性物質」ともいう。）、吸湿することによって導電性または半導電性が発現される物質（以下、「吸湿導電性物質」ともいう。）などを用いることができる。
自己導電性物質としては、一般的には、金属結合により導電性を示す物質、余剰電子の移動によって電荷の移動が起こるもの、空孔の移動によって電荷の移動が起こるもの、イオンを生成し、そのイオンが電荷を運ぶもの、主鎖に沿ってπ結合を持ち、その相互作用により導電性を示す物質、側鎖にある基の相互作用によって電荷の移動を起こす物質などから選択して用いることができる。具体的には、白金、金、銀、銅、ニッケル、コバルト、鉄、アルミウニム、マンガン、亜鉛、錫、鉛、インジウム、モリブデン、ニオブ、タンタル、クロムなどを含む金属粒子；二酸化銅、酸化亜鉛、酸化錫などの導電性金属酸化物；ゲルマニウム、珪素、インジウム燐、硫化亜鉛などの半導電性物質；カーボンブラック、グラファイトなどの炭素系の物質；第４級アンモニウム塩、アミン系化合物などの陽イオンを生成する物質；脂肪族スルホン酸塩、高級アルコール硫酸エステル塩、高級アルコールエチレンオキサイド付加硫酸エステル塩、高級アルコール燐酸エステル塩、高級アルコールエチレンオキサイド付加燐酸エステル塩などの陰イオンを生成する物質；ベタインなどの陽イオンおよび陰イオンの両方を生成する物質；ポリアセチレン系ポリマー、アクリル系ポリマー、ポリフェニレン系ポリマー、複素環ポリマー、ラダーポリマー、ネットワークポリマー、イオン性ポリマーなどの導電性高分子物質などを用いることができる。以上において、イオンを生成する物質は、界面活性剤として総称されることもある。また、ポリアセチレン系ポリマー、アクリル系ポリマー、ポリフェニレン系ポリマー、ラダーポリマー、ネットワークポリマーなどのポリマーにおいては、金属イオンなどをドープすることによって導電性をコントロールすることも可能である。
吸湿導電性物質としては、一般的には、吸湿性の大きい物質であることが好ましく、極性の大きい基である、水酸基やエステル基などを持つ物質であることが好ましい。具体的には、クロルポリシロキサン、アルコキシシラン、アルコキシポリシラン、アルコキシポリシロキサンなどの珪素化合物；導電性ウレタン、ポリビニルアルコールまたはその共重合体などの高分子物質、高級アルコールエチレンオキサイド、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、多価アルコール脂肪酸エステルなどのアルコール系界面活性剤、多糖類などを用いることができる。また、これらのうち、導電性高分子物質は、半導電部１２を構成する基材として用いることができる。
【００３６】
この例における異方導電性シート１０は、隣接する導電部１１同士が半導電部１２によって接続された状態にあるため、当該半導電部１２の表面固有抵抗が１０5 〜１０10であることが好ましく、特に１０6 〜１０8 Ω／□であることが好ましい。表面固有抵抗が１０5 Ω／□未満である場合には、隣接する導電部１１間における所要の絶縁性が得られないことがある。一方、表面固有抵抗が１０10Ω／□を超える場合には、当該異方導電性シート１０の表面の帯電を十分にまたは防止または抑制することが困難となることがある。
また、同様の理由により、異方導電性シート１０の厚みが例えば１ｍｍであるときには、半導電部１２の電気伝導度（体積固有抵抗の逆数）は、１０-3〜１０-5Ω-1ｍ-1であることが好ましい。
【００３７】
このような異方導電性シート１０は、例えば以下の方法（イ）乃至方法（ハ）のいずれかの方法によって製造することができる。
【００３８】
〔方法（イ）〕
この方法（イ）においては、図２に示すような金型が用いられる。この金型は、上型５０およびこれと対となる下型５５が、枠状のスペーサー５４を介して互いに対向するよう配置されて構成されている。
上型５０においては、強磁性体基板５１の下面に、目的とする異方導電性シート１０の導電部１１の配置パターンに対掌なパターンに従って強磁性体部分５２が形成され、この強磁性体部分５２以外の個所には非磁性体部分５３が形成されている。
一方、下型５５においては、強磁性体基板５６の上面に、目的とする異方導電性シート１０の導電部１１の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体部分５７が形成され、この強磁性体部分５７以外の個所には非磁性体部分５８が形成されている。
上型５０および下型５５の各々における強磁性体基板５１，５６および強磁性体部分５２，５７を構成する材料としては、鉄、ニッケル、コバルトまたはこれらの合金などを用いることができる。
また、上型５０および下型５５の各々における非磁性体部分５３，５８を構成する材料としては、銅などの非磁性金属、ポリイミドなどの耐熱性樹脂などを用いることができる。
【００３９】
そして、この方法（イ）においては、上記の金型を用い、次のようにして異方導電性シート１０が製造される。
先ず、硬化処理によって弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に、磁性を示す導電性粒子および半導電性付与物質が分散されてなる流動性のシート成形材料を調製し、図３に示すように、このシート成形材料を金型内に注入してシート成形材料層１０Ａを形成する。
次いで、図４に示すように、上型５０における強磁性体基板５１の上面および下型５５における強磁性体基板５６の下面に一対の電磁石５９Ａ，５９Ｂを配置し、当該電磁石５９Ａ，５９Ｂを作動させることにより、強度分布を有する平行磁場、すなわち上型５０の強磁性体部分５２とこれに対応する下型５５の強磁性体部分５７との間において大きい強度を有する平行磁場をシート成形材料層１０Ａの厚み方向に作用させる。その結果、シート成形材料層１０Ａにおいては、当該シート成形材料層１０Ａ中に分散されている導電性粒子が、上型５０の強磁性体部分５２とこれに対応する下型５５の強磁性体部分５７との間に位置する部分に集合すると共に、厚み方向に並ぶよう配向する。
【００４０】
そして、この状態において、シート成形材料層１０Ａを硬化処理することにより、図５に示すように、上型５０の強磁性体部分５２とこれに対応する下型５５の強磁性体部分５７との間に配置された、弾性高分子物質中に導電性粒子が密に充填された導電部１１と、弾性高分子物質中に半導電性物質が含有され、導電性粒子が全くあるいは殆ど存在しない半導電部１２とよりなる異方導電性シート１０が製造される。
【００４１】
以上において、シート成形材料層１０Ａの硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うこともできるが、平行磁場の作用を停止させた後に行うこともできる。
シート成形材料１０Ａに作用される平行磁場の強度は、平均で２００〜１００００ガウスとなる大きさが好ましい。
また、平行磁場を作用させる手段としては、電磁石の代わりに永久磁石を用いることもできる。永久磁石としては、上記の範囲の平行磁場の強度が得られる点で、アルニコ（Ｆｅ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金）、フェライトなどよりなるものが好ましい。
シート成形材料層１０Ａの硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、シート成形材料層１０Ａを構成する高分子物質形成材料などの種類、導電性粒子の移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。
【００４２】
〔方法（ロ）〕
この方法（ロ）においては、図６に示すように、例えば弾性高分子物質、熱可塑性樹脂または硬化性樹脂中に半導電性付与物質が含有されてなる、あるいは半導電性を示す高分子物質よりなる半導電部用シート１０Ｂを用意し、この半導電部用シート１０Ｂに、図７に示すように、形成すべき導電部１１のパターンに対応するパターンに従って複数の貫通孔１１Ｈを形成する。
ここで、半導電部用シート１０Ｂに貫通孔１１Ｈを形成する手段としては、レーザー加工による手段、パンチなどを用いた打ち抜きによる手段、ドリル加工による手段などを利用することができる。
一方、高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる流動性の導電部用材料を調製し、この導電部用材料を半導電部用シート１０Ｂに貫通孔１１Ｈ内に充電することにより、図８に示すように、当該貫通孔１１Ｈ内に導電部用材料層１１Ａを形成する。
【００４３】
その後、この導電部用材料層１１Ａに対して、電磁石または永久磁石によって平行磁場を当該導電部用材料層１１Ａの厚み方向に作用させることにより、当該導電部用材料層１１Ａ中に分散されている導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向する。
そして、この状態において、導電部用材料層１１Ａを硬化処理することにより、弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる導電部１１が形成され、以て、図１に示す構成の異方導電性シート１０が製造される。
【００４４】
〔方法（ハ）〕
この方法（ハ）においては、先ず、例えば図２に示すような金型を用意し、図９に示すように、上型５０の強磁性体部分５２と、下型５５の強磁性体部分５７との間に、高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる導電部用材料層１１Ａを形成する。このような導電部用材料層１１Ａを形成するためには、上型５０の強磁性体部分５２および下型５５の強磁性体部分５７のいずれか一方または両方の表面に、導電部用材料を塗布した後、上型５０および下型５５を重ね合わせればよい。導電部用材料を塗布する手段としては、スクリーン印刷などの印刷法を利用することができる。
次いで、金型内に形成された導電部用材料層１１Ａに対して、電磁石または永久磁石によって平行磁場を当該導電部用材料層１１Ａの厚み方向に作用させることにより、当該導電部用材料層１１Ａ中に分散されている導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向する。そして、この状態において、導電部用材料層１１Ａを硬化処理することにより、図１０に示すように、上型５０の強磁性体部分５２と、下型５５の強磁性体部分５７との間に、弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる導電部１１が形成される。
【００４５】
そして、金型内に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料または硬化性樹脂材料中に半導電性付与物質が含有されてなる半導電部用材料を注入することにより、図１１に示すように、上型５０の非磁性体部分５３と下型５５の非磁性体部分５８との間に、導電部１１を取り囲むよう、半導電部用材料層１２Ａが形成される。その後、半導電部用材料層１２Ａを硬化処理することにより、弾性高分子物質または硬化性樹脂中に導電性付与物質が含有されてなる半導電部１２が形成され、以て図１に示す構成の異方導電性シート１０が製造される。
【００４６】
以上のような異方導電性シート１０によれば、面方向に半導電性を示す半導電部１２が、導電部１１の各々を取り囲むよう形成されているため、当該半導電部１２を接地することにより、当該半導電部１２を介して除電され、その結果、表面に静電気が生じて帯電することを防止または抑制することができる。
【００４７】
〔第２の実施の形態〕
図１２は、本発明の第２の実施の形態に係る異方導電性シートの構成を示す説明用断面図である。この異方導電性シート１０においては、それぞれ厚み方向に伸びる複数の柱状の導電部１１が小さいピッチで高い密度で配置された高密度導電部領域１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃが形成され、この高密度導電部領域１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃには、導電部１１を取り囲むよう絶縁部１３が形成されている。そして、高密度導電部領域１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃにおける絶縁部１３を取り囲むよう、半導電部１２が形成されている。
絶縁部１３を構成する材料としては、前述の導電部１１の基材を構成する弾性高分子物質として例示したものを用いることができ、その他に、種々の熱可塑性樹脂や、放射線、熱、イオン、酸などによって硬化し得る硬化性樹脂を用いることもできる。
また、導電部１１および半導電部１２の構成は、前述の第１の実施の形態と同様である。
【００４８】
このような異方導電性シート１０においては、半導電部１２とこれに最も接近した導電部１１との間の離間距離ｄが５ｍｍ以下であることが好ましく、特に、０．１〜２ｍｍであることが好ましい。この離間距離ｄが１０ｍｍを超える場合には、導電部１１と半導電部１２との間に面積の大きい領域が形成されるため、当該領域において静電気が生じて帯電しやすくなる。一方、この離間距離が過小である場合には、半導電部１２の材質によっては、面方向における所要の絶縁性が得られないことがある。
また、同様の理由により、高密度導電部領域１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃにおける隣接する導電部１１間における離間距離Ｄは、３ｍｍ以下、特に、０．１〜１ｍｍであることが好ましい。
【００４９】
このような異方導電性シート１０は、例えば以下の方法（ニ）または方法（ホ）によって製造することができる。
【００５０】
〔方法（ニ）〕
この方法（ニ）においては、図６に示すように、弾性高分子物質、熱可塑性樹脂または硬化性樹脂中に半導電性付与物質が含有されてなる、あるいは半導電性を示す高分子物質よりなる半導電部用シート１０Ｂを用意し、この半導電部用シート１０Ｂに、図１３に示すように、形成すべき高密度導電部領域１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃに対応するパターンに従って複数の開口１１Ｋを形成する。
ここで、半導電部用シート１０Ｂに開口１１Ｋを形成する手段としては、前述の方法（ロ）における半導電部用シート１０Ｂに貫通孔１１Ｈを形成する手段と同様の手段を利用することができる。
次いで、図１４に示すように、半導電部用シート１０Ｂの開口１１Ｋ内に、高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる流動性の導電部用材料を充電することにより、当該開口１１Ｋ内に導電部用材料層１１Ａを形成すると共に、当該導電部用材料層１１Ａが形成された半導電部用シート１０Ｂを、図２に示す金型内に配置する。
【００５１】
その後、この導電部用材料層１１Ａに対して、電磁石または永久磁石によって強度分布を有する平行磁場、すなわち上型５０の強磁性体部分５２とこれに対応する下型５５の強磁性体部分５７との間において大きい強度を有する平行磁場を当該導電部用材料層１１Ａの厚み方向に作用させることにより、導電部用材料層１１Ａ中に分散されている導電性粒子が、上型５０の強磁性体部分５２とこれに対応する下型５５の強磁性体部分５７との間に位置する部分に集合すると共に、厚み方向に並ぶよう配向する。
そして、この状態において、導電部用材料層１１Ａを硬化処理することにより、上型５０の強磁性体部分５２とこれに対応する下型５５の強磁性体部分５７との間に配置された、弾性高分子物質中に導電性粒子が密に充填された導電部１１が形成されると共に、導電性粒子が全くあるいは殆ど存在しない弾性高分子物質よりなる絶縁部１３が導電部１１を取り囲むよう形成され、以て図１２に示す異方導電性シート１０が得られる。
【００５２】
〔方法（ホ）〕
この方法（ホ）においては、先ず、例えば図２に示すような金型を用意し、図１５に示すように、上型５０と下型５５との間において、形成すべき高密度導電部領域１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃに対応する領域に、高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる導電部用材料層１１Ａを形成する。このような導電部用材料層１１Ａを形成するためには、上型５０および下型５５のいずれか一方または両方の表面における形成すべき高密度導電部領域１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃに対応する領域に、流動性の導電部用材料を塗布した後、上型５０および下型５５を重ね合わせればよい。導電部用材料を塗布する手段としては、スクリーン印刷などの印刷法を利用することができる。
【００５３】
次いで、金型内に形成された導電部用材料層１１Ａに対して、電磁石または永久磁石によって強度分布を有する平行磁場、すなわち上型５０の強磁性体部分５２とこれに対応する下型５５の強磁性体部分５７との間において大きい強度を有する平行磁場を当該導電部用材料層１１Ａの厚み方向に作用させることにより、導電部用材料層１１Ａ中に分散されている導電性粒子が、上型５０の強磁性体部分５２とこれに対応する下型５５の強磁性体部分５７との間に位置する部分に集合すると共に、厚み方向に並ぶよう配向する。
そして、この状態において、導電部用材料層１１Ａを硬化処理することにより、図１６に示すように、上型５０の強磁性体部分５２とこれに対応する下型５５の強磁性体部分５７との間に配置された、弾性高分子物質中に導電性粒子が密に充填された導電部１１が形成されると共に、導電性粒子が全くあるいは殆ど存在しない弾性高分子物質よりなる絶縁部１３が形成される。
【００５４】
その後、図１７に示すように、金型内に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料または硬化性樹脂材料中に半導電性付与物質が含有されてなる流動性の半導電部用材料を注入することにより、絶縁部１３を取り囲むよう半導電部用材料層１２Ａを形成し、この半導電部用材料層１２Ａを硬化処理することにより、弾性高分子物質または硬化性樹脂中に導電性付与物質が含有されてなる半導電部１２が形成され、以て図１２に示す異方導電性シート１０が製造される。
【００５５】
以上のような異方導電性シート１０によれば、前述の第１の実施の形態に係る異方導電性シート１０と同様の効果が得られると共に、絶縁部１３が導電部１１を取り囲むよう形成されているため、隣接する導電部１１間における所要の絶縁性を確実に達成することができる。
【００５６】
〔第３の実施の形態〕
図１８は、本発明の第３の実施の形態に係る異方導電性シートの構成を示す説明用断面図である。
この異方導電性シート１０においては、それぞれ厚み方向に伸びる複数の柱状の導電部１１が、接続すべき電極のパターンに対応するパターンに従って面方向に沿って配置され、これらの導電部１１の各々を取り囲むよう、筒状の絶縁部１３が形成されており、この絶縁部１３を取り囲むよう、半導電部１２が形成されている。
ここで、半導電部１２とこれに最も接近した導電部１１との間の離間距離ｄは、前述の第２の実施の形態と同様である。
このような異方導電性シート１０は、前述の第２の実施の形態における方法（ニ）または方法（ホ）に準じて製造することができる。
そして、この第３の実施の形態に係る異方導電性シート１０によれば、前述の第２の実施の形態に係る異方導電性シート１０と同様の効果が得られる。
【００５７】
〔第４の実施の形態〕
図１９は、本発明の第４の実施の形態に係る異方導電性シートの構成を示す説明用断面図である。この異方導電性シート１０は、面方向に半導電性を示すシート基体１４中に、導電性粒子が当該シート基体１４全体にわたってその厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されて構成されており、シート基体１４は、弾性高分子物質中に半導電性付与物質が含有されて構成されている。この異方導電性シート１０は、例えばシート基体１４の表面における任意の個所を厚み方向に加圧することにより、当該加圧した個所において導電性粒子によって導電路が形成されるものである。
【００５８】
このような構成の異方導電性シート１０においては、導電性粒子がシート基体１４中に体積分率で３〜３０％、特に５〜１５％となる割合で含有されていることが好ましい。この割合が３％未満である場合には、十分に電気抵抗の小さい導電路を形成することが困難となることがある。一方、この割合が５０％を超える場合には、得られる異方導電性シート１０は脆弱なものとなったり、面方向にも導電性を示すようになって必要とされる異方導電性を示さなくなったりすることがある。
【００５９】
この異方導電性シート１０においては、シート基体１４の表面固有抵抗が１０6 〜１０10Ω／□であることが好ましく、特に１０7 〜１０9 Ω／□であることが好ましい。表面固有抵抗が１０6 Ω／□未満である場合には、例えばシート基体１４の表面を加圧することによって形成される導電路間間における所要の絶縁性が得られないことがある。一方、表面固有抵抗が１０10Ω／□を超える場合には、当該異方導電性シート１０の表面の帯電を十分にまたは防止または抑制することが困難となることがある。
また、同様の理由により、シート基体１４の電気伝導度（体積固有抵抗の逆数）は、１０-4〜１０-6Ω-1ｍ-1であることが好ましい。
【００６０】
このような異方導電性シート１０は、例えば以下の方法によって製造することができる。
先ず、硬化処理によって弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に、磁性を示す導電性粒子および半導電性付与物質が分散されてなる流動性のシート成形材料を調製し、このシート成形材料を強磁性体よりなる磁性板の表面に塗布することにより、シート成形材料層を形成する。ここで、半導電性付与物質としては、非磁性のものが用いられる。
次いで、形成されたシート成形材料層に対して、電磁石または永久磁石によって平行磁場をシート成形材料層の厚み方向に作用させる。その結果、シート成形材料層においては、当該シート成形材料層中に分散されている導電性粒子が、厚み方向に並ぶよう配向する。
そして、この状態において、シート成形材料層を硬化処理することにより、シート基体１４が形成され、以て、図１９に示す構成の異方導電性シート１０が製造される。
【００６１】
以上のような異方導電性シート１０によれば、シート基体１４が面方向に半導電性を示すものであり、従って、シート基体１４全体が半導電部となるため、当該シート基体１４を接地することにより、表面に静電気が生じて帯電することを防止または抑制することができる。
【００６２】
《異方導電性シートの使用方法》
本発明の異方導電性シートは、回路装置の電気的検査に好適に用いることができる。以下、上記の第１の実施の形態異方導電性シート１０を使用して回路装置の電気的検査を行う場合について説明する。
回路装置の電気的検査においては、図２０に示すように、検査対象である回路装置（以下、「被検査回路装置」ともいう。）１の被検査電極２と対掌なパターンに従って配置された接続用電極４１を表面に有し、接続用電極４１に配線部４３を介して電気的に接続された、例えばピッチが２．５４ｍｍ、１．８０ｍｍ若しくは１．２７ｍｍの格子点配列に従って配置された端子電極４２を裏面に有するコネクター板４０が用意される。そして、このコネクター板４０の表面上に、異方導電性シート１０が、その導電部１１が接続用電極４１上に位置されるよう配置され、この異方導電性シート１０上に、被検査回路装置１が、その被検査電極２が当該異方導電性シート１０の導電部１１上に位置されるよう配置される。ここで、異方導電性シート１０における半導電部１２は適宜の手段により接地されている。
【００６３】
そして、例えばコネクター板４０を被検査回路装置１に接近する方向に移動させることにより、異方導電性シート１０が被検査回路装置１とコネクター板４０とにより加圧された状態となり、この加圧力により、異方導電性シート１０の導電部１１にその厚み方向に伸びる導電路が形成され、その結果、被検査回路装置１の被検査電極２とコネクター板４０の接続用電極４１との間の電気的接続が達成され、この状態で所要の電気的検査が行われる。
そして、被検査回路装置１の電気的検査が終了した後、この被検査回路装置１が別の被検査回路装置に交換され、当該被検査回路装置に対して、上記と同様の操作を繰り返すことによって電気的検査が行われる。
【００６４】
而して、本発明の異方導電性シート１０を用いることにより、多数の回路装置の電気的検査を連続して行っても、当該異方導電性シート１０の表面に静電気が生じて帯電することが防止または抑制されるので、検査作業を中断して異方導電性シート１０の除電作業を行うことが不要となり、その結果、高い時間的効率で、多数の回路装置の電気的検査を行うことができる。
【００６５】
本発明の異方導電性シートは、上記の実施の形態に限定されるものではなく種々の変更を加えることが可能である。
例えば、厚み方向に伸びる複数の導電部を有する異方導電性シートを構成する場合には、図２１に示すように、導電部１１が半導電部１２の表面から突出した状態に形成されていてもよい。
また、図２２に示すように、異方導電性シート１０は、例えば回路装置の電気的検査に用いられるコネクター板４０の表面に一体的に設けられたものであってもよい。
【００６６】
【発明の効果】
本発明の異方導電性シートによれば、面方向に半導電性を示す半導電部を有するため、当該半導電部を接地することにより、当該半導電部を介して除電され、その結果、表面に静電気が生じて帯電することを防止または抑制することができる。従って、本発明の異方導電性シートを、プリント回路基板や半導体集積回路などの回路装置の電気的検査に用いる場合には、検査作業を中断して異方導電性シートの除電作業を行うことが不要となるため、高い時間的効率で、回路装置の電気的検査を行うことができる。
【００６７】
本発明の異方導電性シートの製造方法によれば、表面に静電気が生じて帯電することを防止または抑制することができる異方導電性シートを容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る異方導電性シートの構成を示す説明用断面図である。
【図２】本発明の異方導電性シートを製造するために用いられる金型の一例における構成を示す説明用断面図である。
【図３】図２に示す金型内にシート成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図４】シート成形材料層に磁場を作用させた状態を示す説明用断面図である。
【図５】シート形成材料層が硬化処理されて導電部および半導電部が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図６】半導電部用シートを示す説明用断面図である。
【図７】半導電部用シートに貫通孔が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図８】半導電部用シートの貫通孔内に導電部用材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図９】金型内に導電部用材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１０】金型内において導電部が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１１】金型内において導電部を取り囲むよう半導電部用材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態に係る異方導電性シートの構成を示す説明用断面図である。
【図１３】半導電部用シートに開口が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１４】半導電部用シートの貫通孔内に導電部用材料層が形成され、当該半導電部用シートが金型内に配置された状態を示す説明用断面図である。
【図１５】金型内に導電部用材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１６】金型内において導電部およびこれを取り囲む絶縁部が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１７】金型内において絶縁部を取り囲むよう半導電部用材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態に係る異方導電性シートの構成を示す説明用断面図である。
【図１９】本発明の第４の実施の形態に係る異方導電性シートの構成を示す説明用断面図である。
【図２０】第１の実施の形態に係る異方導電性シートが、検査対象である回路装置とコネクター板との間に介在された状態を示す説明用断面図である。
【図２１】半導電部の表面から突出した状態で導電部が形成された本発明に係る異方導電性シートの一例における構成を示す説明用断面図である。
【図２２】コネクター板の表面に一体的に設けられた本発明に係る異方導電性シートの一例における構成を示す説明用断面図である。
【符号の説明】
１  回路装置            ２  被検査電極
１０  異方導電性シート  １０Ａ  シート成形材料層
１０Ｂ  半導電部用シート
１１  導電部            １１Ａ  導電部用材料層
１１Ｈ  貫通孔          １１Ｋ  開口
１２  半導電部          １２Ａ  半導電部用材料層
１３  絶縁部            １４  シート基体
１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ  高密度導電部領域
４０  コネクター板      ４１  接続用電極
４２  端子電極          ４３  配線部
５０  上型              ５１  強磁性体基板
５２  強磁性体部分      ５３  非磁性体部分
５４  スペーサー        ５５  下型
５６  強磁性体基板      ５７  強磁性体部分
５８  非磁性体部分      ５９Ａ，５９Ｂ  電磁石
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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