(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク上に形成されたパターンを感光基板上に投影するための投影光学系を有する露光装置を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する収差の影響を補正する投影光学系の収差補正方法であって、
予め測定された投影光学系の残留収差の測定結果に基づいて調整可能なＺｅｒｎｉｋｅ多項式の収差項に対する収差係数を仮想的に変化させたときに、所望のパターンの投影像に対する残留収差の影響が所望の領域内で最小となるようなＺｅｒｎｉｋｅ多項式の収差係数を計算によって求める工程と、
前記調整可能な収差項に関し、予め測定された収差係数と前記計算によって求められた収差係数との差に対応して、前記投影光学系の収差を移動させる工程と、
を有することを特徴とする投影光学系の収差補正方法。
【請求項２】
フォトマスク上に形成されたパターンを感光基板上に投影するための投影光学系を有する露光装置を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する収差の影響を補正する投影光学系の収差補正方法であって、
投影光学系の残留収差を測定する工程と、
前記投影光学系の残留収差の測定結果に基づいて調整可能なＺｅｒｎｉｋｅ多項式の収差項に対する収差係数を仮想的に変化させたときに、所望のパターンの投影像に対する残留収差の影響が所望の領域内で最小となるようなＺｅｒｎｉｋｅ多項式の収差係数を計算によって求める工程と、
前記調整可能な収差項に関し、前記測定工程によって得られた収差係数と前記計算によって求められた収差係数との差に対応して、前記投影光学系の収差を移動させる工程と、
前記投影光学系の収差を移動させた後に前記投影光学系の収差を測定する工程と、
を有することを特徴とする投影光学系の収差補正方法。
【請求項３】
フォトマスク上に形成されたパターンを感光基板上に投影するための投影光学系を有する露光装置を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する収差の影響を補正してフォトマスク上に形成されたパターンを半導体基板上の感光膜に投影する半導体装置の製造方法であって、
予め測定された投影光学系の残留収差の測定結果に基づいて調整可能なＺｅｒｎｉｋｅ多項式の収差項に対する収差係数を仮想的に変化させたときに、所望のパターンの投影像に対する残留収差の影響が所望の領域内で最小となるようなＺｅｒｎｉｋｅ多項式の収差係数を計算によって求める工程と、
前記調整可能な収差項に関し、予め測定された収差係数と前記計算によって求められた収差係数との差に対応して、前記投影光学系の収差を移動させる工程と、
前記収差を移動させた投影光学系によって、フォトマスク上に形成されたパターンを半導体基板上の感光膜に投影する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
フォトマスク上に形成されたパターンを感光基板上に投影するための投影光学系を有する露光装置を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する収差の影響を補正してフォトマスク上に形成されたパターンを半導体基板上の感光膜に投影する半導体装置の製造方法であって、
投影光学系の残留収差を測定する工程と、
前記投影光学系の残留収差の測定結果に基づいて調整可能なＺｅｒｎｉｋｅ多項式の収差項に対する収差係数を仮想的に変化させたときに、所望のパターンの投影像に対する残留収差の影響が所望の領域内で最小となるようなＺｅｒｎｉｋｅ多項式の収差係数を計算によって求める工程と、
前記調整可能な収差項に関し、前記測定工程によって得られた収差係数と前記計算によって求められた収差係数との差に対応して、前記投影光学系の収差を移動させる工程と、
前記投影光学系の収差を移動させた後に前記投影光学系の収差を測定する工程と、
前記収差を移動させた投影光学系によって、フォトマスク上に形成されたパターンを半導体基板上の感光膜に投影する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、投影光学系の収差補正方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、半導体装置を製造するために用いられる縮小投影露光装置において、投影レンズの残留収差によってデバイスパターンの変形やフォーカス裕度の低下等が引き起こされることが問題となってきている。このような残留収差によるデバイスパターンへの悪影響を補正する手法として、例えば特開平１１−５２５８２号公報に記載された方法が提案されている。
【０００３】
上記公開公報に記載された発明は、レベンソン型位相シフトマスクによるデバイスパターンの転写において、コマ収差検出用のマスクパターンを所定の縮小率でレジストに転写し、転写されたレジストパターンと元々のマスクパターンを所定の縮小率で単純に縮小したパターンとを直接比較することにより、コマ収差による影響の大きさを測定し、その測定結果に基づいてマスクを補正する、というものである。
【０００４】
上記公開公報に記載された発明は、実際のデバイスパターンをコマ収差検出用のマスクパターンとして用いた場合において、一般的に行われている最適マスクパターンの条件出し作業をレベンソン型マスクに適応した場合と何ら違いがない。通常のバイナリーマスクにおける最適マスクパターンの条件出し作業では、光近接効果（Optical Proximity Effect；ＯＰＥ）やレジストのプロセス効果に対する補正作業と同時に、収差の影響に対する補正作業が行われている。何故ならば、両者の補正作業は分離することができないからである。一方、レベンソン型位相シフトマスクの方がバイナリーマスクよりも収差の影響が大きいことは周知の事実であり、レベンソン型位相シフトマスクにおける最適マスクパターンの条件出し作業では、収差の影響を補正する作業の比率が相対的に高くなるのは当然であると言える。従って、上記公開公報に記載された発明は、このようなことを強調したものであると思われる。
【０００５】
ところで、例えばパターンの変形量等で表わされる収差の影響の度合いは、マスクの種類（バイナリーマスク，ハーフトーン型位相シフトマスク，レべンソン型位相シフトマスク）、照明条件（通常照明，小σ照明，輪帯照明，四つ目照明）、パターンのデザイン（形状，グランドルール，諸所の寸法）等の違いによって、千差万別である。従って、収差自体が大きければ収差の影響も大きいとは必ずしも言えず、収差の影響が小さければ収差自体も小さいとは必ずしも言えない。従って、収差を実際に測定しなければ、実際のところは何もわからないのが現実である。また一方で、完全に収差のない投影レンズが論理的に有り得ないことも事実であり、収差の問題は光リソグラフィが続く限り避けることはできない。
【０００６】
このような状況において実際の半導体装置を製造する場合、収差の影響を補正する手法として、いくつかの方法が考えられる。
【０００７】
第１に、先に示した公開公報と同様に、マスクパターンのデザインを収差の影響を加味して補正する方法が考えられる。この方法では、最初に理想的な状況を想定したデバイスマスクを作成し、このデバイスマスクのパターンを転写することによって得られた結果を用いて、最終的なデバイスマスクを作成しなければならない。従って、最初のマスクの精度が最終的なマスクの補正精度に大きく影響してしまうという問題がある。また、途中で照明条件を変更した場合には、それまでの情報は何の役にも立たず、最初から作業をやり直さなければならないという問題がある。さらに、収差による影響は、寸法の微妙な違いによっても変る可能性があり、許容範囲内にマスクデザインを収束させるためには、数回以上のマスク作製・修正が必要になると考えられる。
【０００８】
第２に、収差の影響が少なくなるように照明条件を変更する方法が考えられる。しかし、露光裕度が最大になるように初期の照明条件が設定されているため、このような理想的な照明条件下でのパターン転写に比べ、照明条件変更後は必ず露光裕度が減少してしまう。また、そもそも実用的な解が存在するか否かも不明であるため、確実な方法であるとは言い難い。
【０００９】
また、上述した方法はいずれも時間がかかる方法であり、迅速な対応は不可能である。現在及び将来において製造される半導体装置は、少量多品種が一般的であり、デバイスパターンの種類が飛躍的に増大している。従って、デバイスパターンへの収差の影響も多種多様になることが予想され、迅速な対応が可能な収差補正方法が必要となる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
このように、投影露光装置において、投影光学系の残留収差が大きな問題となってきている。しかしながら、マスクパターンを補正する方法や照明条件を補正する方法では迅速な対応が困難であり、少量多品種時代においては根本的な改善が必要となる。
【００１１】
本発明は上記従来の課題に対してなされたものであり、投影光学系の残留収差の影響を迅速に補正することが可能な方法を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る投影光学系の収差補正方法は、フォトマスク上に形成されたパターンを感光基板上に投影するための投影光学系を有する露光装置を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する収差の影響を補正する投影光学系の収差補正方法であって、予め測定された投影光学系の残留収差の測定結果に基づいて調整可能な収差項に対する収差係数を仮想的に変化させたときに、所望のパターンに対する残留収差の影響が所望の領域内で最小となるような収差係数を計算によって求める工程と、前記調整可能な収差項に関し、予め測定された収差係数と前記計算によって求められた収差係数との差に対応して、前記投影光学系の収差を移動させる工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、フォトマスク上に形成されたパターンを感光基板上に投影するための投影光学系を有する露光装置を用い、フォトマスク毎に投影光学系に残留する収差の影響を補正してフォトマスク上に形成されたパターンを半導体基板上の感光膜に投影する半導体装置の製造方法であって、予め測定された投影光学系の残留収差の測定結果に基づいて調整可能な収差項に対する収差係数を仮想的に変化させたときに、所望のパターンに対する残留収差の影響が所望の領域内で最小となるような収差係数を計算によって求める工程と、前記調整可能な収差項に関し、予め測定された収差係数と前記計算によって求められた収差係数との差に対応して、前記投影光学系の収差を移動させる工程と、前記収差を移動させた投影光学系によって、フォトマスク上に形成されたパターンを半導体基板上の感光膜に投影する工程と、を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明では、投影光学系の収差の影響を補正する場合に、従来のようにマスクパターン等を補正するのではなく、予め測定した残留収差の測定結果に基づいて残留収差の影響が最小となるような収差係数を計算し、その計算結果に基づいて投影光学系の収差を移動させるので、長時間が必要なマスク作製工程を何回も行う必要はなく、露光裕度を減少させることなく、収差の影響を迅速に補正することが可能である。また、露光装置の特性等により調整可能な収差（移動させやすい収差）と調整不能な収差（移動させにくい収差）があるが、本発明では移動させやすい収差を移動させることで、移動させにくい収差によって受ける影響を相殺することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の理解を容易にするため、収差について説明する。
【００１６】
収差は大きく二つに分類される。一つは画角内での異なる位置間を比較することで初めて確認できる収差（グローバル収差）であり、もう一つはＺｅｒｎｉｋｅ収差で表現できる収差（ローカル収差）である。
【００１７】
グローバル収差には、画角内でのフォーカスずれ分布を表わす像面彎曲と、画角内での転写パターンの横ずれ分布を表わすディストーションがある。ローカル収差、すなわちＺｅｒｎｉｋｅ収差は、レンズの回転方向における対称数と半径方向の次数に従って分類することができ、回転方向における対称数に従って順に、球面収差，コマ収差，非点収差，Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌ，Ｆｏｕｒ−ｆｏｉｌ，Ｆｉｖｅ−ｆｏｉｌ、……といった各成分に分類される。一般に、高次収差と呼ぶ場合は、回転方向における対称数が多い収差成分及び半径方向の次数の大きい収差成分の両方を指す。
【００１８】
一般に、低次収差ほど気圧や温度等の環境の変化或いは投影光学系を構成する個々のレンズユニットの微少移動に対して容易に変動する傾向があり、逆に高次の収差ほど状況の変化に対して変動し難い傾向にあると言われている。
【００１９】
以下、ローカル収差、すなわちＺｅｒｎｉｋｅ収差（Ｚｅｒｎｉｋｅ多項式）について簡単に説明する。
【００２０】
図１は、Ｚｅｒｎｉｋｅ多項式の各項を示したものである。各項は、
Ｚ1 ＝1
Ｚ2 ＝2ρcosθ
Ｚ3 ＝2ρsinθ
Ｚ4 ＝31/2 (2ρ2−1)
Ｚ5 ＝61/2 ρ2 cos2θ
Ｚ6 ＝61/2 ρ2 sin2θ
Ｚ7 ＝81/2 (3ρ2−2)ρcosθ
Ｚ8 ＝81/2 (3ρ2−2)ρsinθ
Ｚ9 ＝51/2 (6ρ4−6ρ2＋1)
Ｚ10＝81/2 ρ3 cos3θ
Ｚ11＝81/2 ρ3 sin3θ
Ｚ12＝101/2 (4ρ2−3)ρ2 cos2θ
Ｚ13＝101/2 (4ρ2−3)ρ2 sin2θ
Ｚ14＝121/2 (10ρ4−12ρ2＋3)ρcosθ
Ｚ15＝121/2 (10ρ4−12ρ2＋3)ρsinθ
Ｚ16＝71/2 (20ρ6−30ρ4＋12ρ2−1)
Ｚ17＝101/2 ρ4 cos4θ
Ｚ18＝101/2 ρ4 sin4θ
Ｚ19＝121/2 (5ρ2−4)ρ3 cos3θ
Ｚ20＝121/2 (5ρ2−4)ρ3 sin3θ
Ｚ21＝141/2 (15ρ4−20ρ2＋6)ρ2 cos2θ
Ｚ22＝141/2 (15ρ4−20ρ2＋6)ρ2 sin2θ
Ｚ23＝4 (35ρ6−60ρ4＋30ρ2−4)ρcosθ
Ｚ24＝4 (35ρ6−60ρ4＋30ρ2−4)ρsinθ
Ｚ25＝3 (70ρ8−140ρ6＋90ρ4−20ρ2−1)
Ｚ26＝121/2 ρ5 cos5θ
Ｚ27＝121/2 ρ5 sin5θ
Ｚ28＝141/2 (6ρ2−5)ρ4 cos4θ
Ｚ29＝141/2 (6ρ2−5)ρ4 sin4θ
Ｚ30＝4 (21ρ4−30ρ2＋10)ρ3 cos3θ
Ｚ31＝4 (21ρ4−30ρ2＋10)ρ3 sin3θ
Ｚ32＝181/2 (56ρ6−105ρ4＋60ρ2−10)ρ2 cos2θ
Ｚ33＝181/2 (56ρ6−105ρ4＋60ρ2−10)ρ2 sin2θ
Ｚ34＝201/2 (126ρ8−280ρ6＋210ρ4−60ρ2＋5)ρcosθ
Ｚ35＝201/2 (126ρ8−280ρ6＋210ρ4−60ρ2＋5)ρsinθ
Ｚ36＝111/2 (252ρ10−630ρ8＋650ρ6−210ρ4＋30ρ2−1)
と表すことができる。
【００２１】
各列は回転方向における対称数に従って分類されており、左から順に、球面収差（デフォーカスを含む）、コマ収差（像シフトを含む）、非点収差、Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌ、Ｆｏｕｒ−ｆｏｉｌ、Ｆｉｖｅ−ｆｏｉｌ、と並んでいる。また、下側ほど半径方向の次数が大きな収差を表わしている。一般的なローカル収差は、これらの各Ｚｅｒｎｉｋｅ多項式の線形和で表現することができる。従って、各収差の大きさは各項の係数によって表現される。また、図１において、左上ほど低次の収差すなわち変化が容易な収差を表わし、右下ほど高次の収差すなわち変化し難い収差を表わしている。
【００２２】
以下、本発明の実施形態の詳細を図２に示したフローチャートを参照して説明する。
【００２３】
本実施形態では、具体的なマスクパターンの例として、図３に示したようなウイグル付き２本パターンを採用した。このパターンは、２本ずつペアになったラインパターンが周期的に並んでおり、投影レンズの収差の影響によって、図４に示すように左右の線幅が非対称に転写されるという問題がある。本実施形態では、このような左右の線幅差をマスク全面において低減させるための方法を例にあげて説明する。
【００２４】
図１１に、比較例として、従来技術に基づく補正方法を示すフローチャートを示した。従来技術では、「マスクパターンのＣＡＤデータ（デザインデータ）作成」の後、「マスク作製」「露光」「収差の影響を測定」の一連の工程を行い、その後、測定した収差の影響に基づいて「マスクの補正」を行って再び「マスク作製」からやり直すか、或いは、「露光装置の収差を補正」して再び「露光」からやり直す。このようにして、許容されるパターンが得られるまで、これらの補正工程を繰り返している。
【００２５】
これに対し、図２に示した本実施形態のフローチャートでは、予め「収差係数の測定」（Ｓ３）を行っておくことで、「マスクパターンのＣＡＤデータ作成」（Ｓ１）が終了した時点で、作成されたＣＡＤデータを用いて、「所望パターンに対する各収差の影響計算」（Ｓ５）と「マスク作製」（Ｓ２）に移行し、「マスク作製」が終了した段階で「露光」（Ｓ９）を行い、充分に許容されるパターンを得ることができる。特に「マスク作製」はこれらの工程の中で最も時間のかかる工程であり、「マスク作製」を繰り返す従来技術に比べ、本実施形態では１回の「マスク作製」しか行わないために、充分に迅速であると言える。
【００２６】
次に、図２に示した本実施形態のフローチャートに従って各工程について説明する。
【００２７】
まず、「収差係数の測定」（Ｓ３）について説明する。収差係数の測定には、特開平１１−２３７３１０号公報、或いは文献１「Ａｐｐｌ．Ｏｐｔ．３７，ｐｐ１１３６−１１４７（２０００）」に記載の方法を採用した。この方法は測定結果を直接Ｚｅｒｎｉｋｅ係数に変換できる利点がある。特に、図４に示すようなラインパターンの左右線幅差に注目した場合、球面収差や非点収差等の偶関数的な関数で表わされる収差に関しては、ほとんど影響されないことがわかっているので、本例ではコマ収差やＴｈｒｅｅ−ｆｏｉｌ等の奇関数的な関数で表わされる収差のみに着目した。
【００２８】
図５は、本例で用いた収差測定用マスクのパターンを示したものである。この収差測定用マスクのパターンはＡマークとＢマークで構成され、レジストが塗布された基板上にこれらのＡ，Ｂ両マークの中心が重なるように続けて露光することで、現像後に図６に示すような所望の測定マークを得ることができる。このようにして得られたレジストパターンからなる測定マークは、通常のオーバーレイ検査装置を用いることで、外側のボックスパターンと内側の微細パターンの相対的な転写位置ずれを測定することができる。また、０°，３０°，６０°に回転したマークを測定することで、コマ収差だけでなく、Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌやＦｉｖｅ−ｆｏｉｌも同時に測定することが可能である。
【００２９】
図７は、開口数（ＮＡ）０．６８でＫｒＦエキシマレーザー光を光源とするスキャンタイプの露光装置を用いて露光を行ったときの測定結果を示したものである。この露光装置は、通常は長方形のスリットをスキャンしながら露光を行うが、今回はレンズの収差測定を目的としているため、スリットを固定して露光を行った。図７中の長方形はスリットを表わしている。測定したマークの内側を構成する微細パターンの１周期長は、０．９μｍ，０．６μｍ及び０．４５μｍである。この周期長はレンズの半径と反比例の関係があるため、周期長が短いほどレンズの外側の収差を測定していることになる。また、上段はコマ収差、下段はＴｈｒｅｅ−ｆｏｉｌに対応し、それぞれスリット内での収差の分布を表わしている。
【００３０】
以上の測定結果から、スリット内における各測定位置でのＺｅｒｎｉｋｅ係数を先に示した文献１に示される方法に従って算出した。実際の数値データに関してはデータ数が膨大であるため省略する。
【００３１】
なお、本実施形態では、上述した特開平１１−２３７３１０号公報或いは文献１に記載された収差測定方法を採用したが、本発明はこれらの収差測定方法に限定されるものではなく、フィゾータイプの干渉計を用いた収差測定方法、或いはＵＳＰ５，９７８，０８５に記載された収差測定方法を用いてもよい。なお、投影光学系を構成するレンズユニットを移動させることで収差を所望の状態に変化させた後、収差が正しく変化したか否かを確認するために改めて収差を測定することが望ましいが、両収差測定については同一の測定方法を用いた方がよいことは言うまでもない。
【００３２】
次に、「調整可能な収差と不可能な収差の分別」（Ｓ４）について説明する。今回使用した露光装置はコマ収差のみ変えることが可能な装置である。従って、低次のコマ収差Ｚ７及びＺ８、Ｚ１４及びＺ１５、Ｚ２３及びＺ２４、……を、各レンズユニットを微少に移動させることで意識的に変える機能がある。ただし、調整可能な大きさは低次の収差ほど大きく、高次の収差ほど小さい。また、収差はスリット内で任意に変えられるわけではなく、同心円状の分布に限られている。一方、Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌやＦｉｖｅ−ｆｏｉｌに関しては全く調整機能を有していない。従って、今回は移動させる収差をＺ７とＺ８に限定した。本実施形態では、収差測定に文献１に記載の方法を用いたが、この方法は、測定データ自体が予めコマ収差，Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌ及びＦｉｖｅ−ｆｏｉｌを分離して表現しているため、露光装置の機能と比較することで、測定の段階で調整可能な収差と不可能な収差を分別することが容易である。
【００３３】
次に、「所望パターンに対する各収差の影響計算」（Ｓ５）について説明する。Ｚｅｒｎｉｋｅ多項式で表現される各収差係数の図３に示すウイグル付き２本パターンへの影響について調べた。このパターンの左右線幅差は、各収差係数×影響度の線形和で近似的に表現できることがわかっている。従って、各収差係数を単独に旦つ一律に想定したときの左右線幅差をフーリエ計算より算出した。その結果を図８に示す。今回は、左右線幅差が各収差係数×影響度の線形和で表わされることがわかっていたため、考慮するＺｅｒｎｉｋｅ係数の数だけの計算でよいが、パターンの寸法等の場合は二つ以上の係数のクロスタームを考慮しなければならない場合もある。このような場合は、収差の影響度を示すグラフの横軸にはクロスタームも追加しなければならない。
【００３４】
次に、「調整可能な収差の移動量を算出」（Ｓ６）について説明する。実際に測定した収差係数と図８の各収差の影響度を示すグラフから、スリット内全面における左右線幅差の分布を算出し、同時に、調整を行う収差（Ｚ７とＺ８、ただしＺ８については影響度は無視できるくらい小さいため、今回はＺ７のみ）を露光装置の機能に従って変化させ、スリット全面で最も線幅差が小さくなるような変化量を算出した。なお、今回はスリット全面を想定したが、所望パターンが露光領域内で限られている場合は、所望の領域に限定して変化量を算出してもよい。また、このようにして算出された収差の変化量を中心に、その近傍で収差量を変化させて所望パターンを露光し、さらに最適な変化量を露光結果に基いて補正してもよい。
【００３５】
次に、「調整可能な収差を移動」（Ｓ７）及び「収差係数の測定」（Ｓ８）について説明する。前述した工程で算出した移動量に基づいて収差を移動した結果、収差が所望通り移動しているかどうかについて再度収差を測定した。図９に収差調整後の測定結果を示した。また、図１０には、初期状態（図７）と調整後（図９）との差を示した。図１０に示すように、Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌは測定誤差精度の違いしか見られず（図示しないが、Ｆｉｖｅ−ｆｏｉｌも同様）、今回の調整によってほとんど動いていないことが確認できた。一方、コマ収差に関しては、周期長が小さくなるに従って同心円状に且つ内向きに分布しており、所望の変化が正しく行われていることが確認できた。なお、今回の調整に伴い、球面収差や非点収差等の偶関数的な収差や、グローバル収差である像面彎曲やディストーションに関しても、半導体装置の製造に支障が無い程度の変化であったことは、別途確認した。
【００３６】
このような一連の収差調整の後に、半導体基板上に形成されたレジスト上に所望のパターンを投影して露光を行った結果、露光領域全面で良好なパターンを形成することができた。また、このような調整を行った上で製造した半導体装置は、従来の方法によって製造した半導体装置に比べ、露光領域内での線幅分布が小さい良好な半導体装置であった。なお、本実施形態においては、調整不可能なＴｈｒｅｅ−ｆｏｉｌに対して調整可能なコマ収差を変化させて、Ｔｈｒｅｅ−ｆｏｉｌの影響を相殺させたが、本発明はＴｈｒｅｅ−ｆｏｉｌとコマ収差の関係に限定されるものではなく、如何なる収差の関係においても有効であることは言うまでもない。
【００３７】
露光装置には、複数種類のフォトマスクを随時選択して露光しているため、個々のフォトマスクに対応した露光レシピが用意されている。この露光レシピには、使用するフォトマスク、露光量やフォーカスオフセット等の露光条件、露光領域の指定、ウエハ内での露光位置の指定、アライメント情報等が登録されている。本発明の方法を迅速に行うためには、この露光レシピ内に収差の変化量に対応する情報も追加されていることが望ましい。また、「調整可能な収差の移動」が、露光レシピ内の収差情報に関連して、露光レシピの選択に対応して自動で行なわれることが望ましい。
【００３８】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出され得る。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば発明として抽出され得る。
【００３９】
【発明の効果】
本発明によれば、投影光学系の収差の影響を補正する場合に、従来のようにマスクパターン等を補正するのではなく、投影光学系の調整可能な収差を移動させることにより、露光裕度を減少させることなく、収差の影響を迅速に補正することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ローカル収差に関連するＺｅｒｎｉｋｅ多項式の各項を説明するための図。
【図２】本発明の実施形態に係る収差補正方法について示したフローチャート。
【図３】本発明の実施形態において採用したマスクパターンを示した図。
【図４】図３に示したマスクパターンを用いて露光を行った場合の転写パターンを示した図。
【図５】本発明の実施形態において収差測定に用いたマスクパターンを示した図。
【図６】本発明の実施形態において収差測定に用いたレジストパターンを示した図。
【図７】本発明の実施形態において初期状態の収差分布を測定した結果を示した図。
【図８】図３に示したマスクパターンに対する各収差係数の影響度を示した図。
【図９】本発明の実施形態において調整後の収差分布を測定した結果を示した図。
【図１０】本発明の実施形態において調整によって動いた収差分布を示した図。
【図１１】従来技術を示したフローチャート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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