(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の表面に構造複屈折体を具備する第１の基板と、
前記第１の基板と液晶層を介して対向配置された第２の基板とを具備し、
少なくとも前記第１の基板に、前記液晶層に電圧を印加するための電極が形成され、
前記電極が、前記液晶層に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体と、該複数の光反射体を電気的に導通する導通電極とを具備して構成され、前記構造複屈折体として機能し、
前記第２の基板が電極を具備するとともに、該電極が、前記液晶層に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体と、該複数の光反射体を電気的に導通する導通電極とを具備して構成され、構造複屈折体として機能し、
前記第１の基板、前記第２の基板のうち、前記第２の基板側から光が入射し、前記第１の基板側から出射された光を視認する構造とされ、
前記第１の基板が、前記構造複屈折体の視認側にさらに光吸収型の偏光子を具備することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
一方の表面に構造複屈折体を具備する第１の基板と、
前記第１の基板と液晶層を介して対向配置された第２の基板とを具備し、
少なくとも前記第１の基板に、前記液晶層に電圧を印加するための電極が形成され、
前記第１の基板がトランジスタ素子を具備し、
前記構造複屈折体が、前記液晶層に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体を具備するとともに、前記トランジスタ素子を構成する半導体層の前記液晶層側に配置され、
前記第２の基板側から前記液晶層に光が入射する構造とされ、
前記トランジスタ素子に電気的に接続された配線が、前記構造複屈折体と同一層で形成され、
前記第１の基板が、前記構造複屈折体の視認側にさらに光吸収型の偏光子を具備することを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
表示モードとしてＴＮモードが採用されるとともに、
前記第２の基板が一方の表面側に光吸収型若しくは光反射型の偏光子を具備し、
前記構造複屈折体を構成する各光反射体の延在方向が、前記偏光子の偏光軸に対して略平行若しくは略垂直とされたことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
光源と、前記光源からの光を変調する請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の液晶装置からなる光変調手段と、前記光変調手段により変調された光を投射する投射手段とを備えたことを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置及び投射型表示装置に係り、特に、耐久性に優れた透過型液晶装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
液晶プロジェクタ等の投射型表示装置に搭載される光変調手段や、携帯電話等に搭載される直視型表示装置として用いられる液晶装置は、液晶層を挟持して対向配置され、液晶層に電圧を印加するための電極を具備する一対の基板を主体として構成されている。液晶装置としては、一方の基板側から入射した光が、液晶層を透過し、他方の基板側から出射された光を視認する透過型液晶装置が知られており、透過型液晶装置においては、一対の基板の外側に、各々、特定の偏光のみを透過する偏光子を設けることにより、電圧無印加時、電圧印加時における液晶層内の液晶分子の配列を光学的に識別し、表示を行う構成になっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来の透過型液晶装置では、偏光子として、特定の偏光のみを透過し、それ以外の偏光を吸収する光吸収型偏光子が広く用いられている。しかしながら、光源として高輝度の光源を用いた場合には、偏光子に吸収される光量が多く、偏光子の温度が高くなり、その結果、偏光子が劣化して液晶装置の耐久性が低下するという恐れがあった。この問題は特に、強い光源を用いる投射型表示装置に搭載する場合に顕著な問題であった。また、偏光子の劣化の問題は、黒（暗）表示時において、液晶層を透過した光のほとんどすべてを吸収する必要があり、検光子として機能する視認側（光出射側）の偏光子において顕著な問題であった。
【０００４】
また、視認側の偏光子を、特定の偏光のみを透過し、それ以外の偏光を反射する光反射型偏光子により構成した場合には、偏光子での光吸収が起こらないため、上述の問題を回避することができるが、トランジスタ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置においては、視認側の偏光子により反射された光がトランジスタ素子の半導体層に入射し、光リーク電流を生じさせ、素子のスイッチング特性が低下する恐れがあった。
【０００５】
そこで、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、耐久性に優れた液晶装置、及びトランジスタ素子のスイッチング特性の低下を防止することができる液晶装置、並びに、これらの液晶装置を備えた投射型表示装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明者は上記課題を解決するべく検討を行った結果、以下の本発明の液晶装置及び投射型表示装置を発明するに到った。
本発明の液晶装置は、一方の表面に構造複屈折体を具備する第１の基板と、前記第１の基板と液晶層を介して対向配置された第２の基板とを具備し、前記第１の基板、前記第２の基板のうち少なくとも一方の基板に、前記液晶層に電圧を印加するための電極が形成されたことを特徴とする。
ここで、「構造複屈折体」とは、「入射する光の偏光方向により、有効屈折率が異なる構造体」のことを言い、構造複屈折体に入射する光の偏光方向により有効屈折率が異なることを利用し、特定の偏光のみを透過させ、特定の偏光のみを反射させることができる。
【０００７】
したがって、本発明の液晶装置を透過型液晶装置に適用した場合、第１の基板の表面に設けられた構造複屈折体を偏光子として機能させることができる。上述のように、構造複屈折体は有効屈折率の差異により、特定の偏光のみを透過し、特定の偏光のみを反射する機能を有するため、光吸収型偏光子に比較して吸収される光量が少なく、耐久性に優れる。
【０００８】
なお、本発明の液晶装置を透過型液晶装置に適用する場合、第２の基板側については、第１の基板側と同様に構造複屈折体により偏光子を構成しても良いし、従来用いられていた光吸収型若しくは光反射型の偏光子を用いても良いが、本発明によれば、少なくとも一方の基板側に、構造複屈折体からなる偏光子を設ける構成としているので、耐久性に優れた透過型液晶装置を提供することができる。
【０００９】
また、光吸収型偏光子を用いた従来の透過型液晶装置においては、光入射側に比較して視認側の偏光子の光吸収に起因する劣化が顕著であったことから、本発明は、第２の基板側から光が入射し、第１の基板側から出射された光を視認する構造の透過型液晶装置に適用する場合に特に好適であり、この場合には、視認側の偏光子を耐久性に優れた構造複屈折体により構成することができるので、より耐久性に優れた透過型液晶装置を提供することができる。
【００１０】
また、本発明の液晶装置は、光入射側と視認側とが同一の反射型液晶装置にも適用することができる。すなわち、第２の基板側を光入射側（視認側）とすることにより、構造複屈折体が液晶装置に入射した光のうち特定の偏光のみを反射する選択反射層として機能し、これによって反射型による表示を行うことができる。また、第１の基板側を光入射側（視認側）とし、第２の基板側に反射層を設けても良く、この場合には、構造複屈折体は偏光子として機能し、透過型液晶装置に適用する場合と同様に、耐久性に優れた反射型液晶装置を提供することができる。なお、構造複屈折体を選択反射層として機能させて反射型による表示を行うことができる理由については、「発明の実施の形態」の項で詳述する。
【００１１】
ここで、構造複屈折体の構造について具体的に説明する。
本発明の液晶装置に備えられる構造複屈折体としては、液晶層に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体を具備する構造のものが好適である。図２３に基づいて、このような構造を有する構造複屈折体が、特定の偏光のみを透過し、特定の偏光のみを反射することができる理由について説明する。
【００１２】
図２３に示すように、入射する光の波長よりも小さいピッチで、ストライプ状に配列された複数の媒質Ａ１０１を具備した構造の構造複屈折体１００において、隣接する媒質Ａ１０１の間隙には、媒質Ａ１０１と異なる屈折率を有する媒質Ｂ１０２が充填されていることが必要である。なお、媒質Ｂ１０２としては、固体、液体、気体を問わない。
【００１３】
このような構造の構造複屈折体１００においては、媒質Ａ１０１の屈折率ｎ1と媒質Ｂ１０２の屈折率ｎ2が異なるため、構造複屈折体１００に入射した光の偏光方向により有効屈折率が異なる。例えば、媒質Ａ１０１の屈折率ｎ1が媒質Ｂ１０２の屈折率ｎ2よりも大きい場合には、各媒質Ａ１０１の延在方向に対して略平行方向に振動する偏光Ａについての有効屈折率が、各媒質Ａ１０１の延在方向に対して略垂直方向に振動する偏光Ｂについての有効屈折率よりも大きくなる。
【００１４】
媒質Ａ、媒質Ｂが誘電体からなる場合、媒質Ａ１０１の厚みをａ、媒質Ｂ１０２の厚みをｂとすると、構造複屈折体１００に入射する光のうち、偏光Ａについての有効屈折率Ｎａ、偏光Ｂについての有効屈折率Ｎｂはそれぞれ下記式（１）、（２）により表されることが知られている（例えば、M.Born and E.Wolf : Principles of Optics, 1st ed. (Pergamon Press, New York, 1959) p.705-708）。下記式（１）、（２）から分かるように、媒質Ａ１０１の厚みａと媒質Ｂ１０２の厚みｂの比により、有効屈折率をｎ1〜ｎ2の範囲で変化させることができる。
【数１】
0003873693.tif 000002
【００１５】
以上、構造複屈折体が光の偏光状態によって異なる光学的性質を示すことを述べた。ここで、媒質Ａとして金属や半導体のような光反射体を用いる場合、誘電率を複素数として扱うことで、誘電体に対する有効屈折率を求める場合と同様に扱うことができる。但し、有効屈折率は複素数となる。Effective Medium Theory（例えば、Dominique Lemercier−lalanne:Journal of Modern Optics,1996,vol43,no.10,2063-2085）、より厳密にはRigorous Coupled-Wave Analysis(M.G.Moharam:J.Opt.Soc.Am.A,12(1995)1077 )を用いた数値計算により、媒質Ａとして金属を用いた場合、偏光Ａに対する構造複屈折体の有効屈折率の虚数部が大きな値となり、その結果、入射した偏光Ａは構造複屈折体により反射されることが知られている。一方、偏光Ｂに対する有効屈折率の虚数部は小さい値となり、偏光Ｂは構造複屈折体を透過することが知られている。
このように、２種類の媒質で、波長よりも小さい周期構造を形成することにより、光反射型偏光子と同じ作用、すなわち構造複屈折体の光軸（透過軸）と平行な偏光に対しては透過させ、垂直な偏光に対しては反射させる作用を持たせることができる。
【００１６】
また、媒質Ａ（光反射体）の屈折率と媒質Ｂの屈折率の差は大きい程、媒質Ａのピッチは小さい程好ましく、このような構造とすることにより、偏光Ａと偏光Ｂについての有効屈折率の差を大きくすることができる。その結果、偏光Ａの反射率を高く、偏光Ｂの透過率を高くすることができ、反射光、透過光における偏光Ａ、偏光Ｂ以外の偏光を低減し、消光比を大きくすることができるので、コントラストに優れた液晶装置を提供することができる。なお、消光比は、「光軸（透過軸）に平行な偏光の透過率／光軸（透過軸）に垂直な偏光の透過率」により定義されるものである。
【００１７】
ただし、光反射体のピッチを小さくする程、製造が困難になるため、第１の基板、第２の基板のうち一方の基板側から光が入射し、他方の基板側から出射された光を視認する透過型液晶装置においては、光反射体のピッチを、入射光の波長よりも小さく、かつ、安定して形成できる範囲に設定するとともに、第１の基板側であって、構造複屈折体の視認側にさらに光吸収型若しくは光反射型の偏光子を設ける構成としても良い。
【００１８】
このように、視認側については、構造複屈折体と、光吸収型若しくは光反射型の偏光子の２種類の偏光子を設ける場合には、構造複屈折体における消光比がそれ程大きくなくても、２種類の偏光子を合わせた時の消光比を大きくすることができ、コントラストに優れた透過型液晶装置を提供することができる。また、この場合には、構造複屈折体を安定して形成することができるので好適である。
【００１９】
なお、構造複屈折体の視認側に光吸収型偏光子を設けた場合においても、構造複屈折体を透過した偏光のみが、光吸収型偏光子に入射するため、光吸収型偏光子に吸収される光量は少なく、光吸収型偏光子が劣化する恐れは少ない。また、構造複屈折体の視認側に光反射型偏光子を設けた場合においても、構造複屈折体を透過した偏光のみが、光反射型偏光子に入射するため、光反射型偏光子により反射される光量は少なく、トランジスタ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置に適用する場合においても、トランジスタ素子のスイッチング特性の低下の恐れは少ない。
【００２０】
また、本発明の液晶装置は、特に、電圧無印加時における液晶層のツイスト角が９０°のＴＮ（Twisted Nematic）モードの透過型若しくは反射型液晶装置に好適に適用することができる。この場合には、構造複屈折体を構成する各光反射体の延在方向を、第２の基板側に設けられる偏光子の偏光軸に対して略平行若しくは略垂直とすることにより、表示を行うことができる。なお、本発明の液晶装置をＴＮモードに適用した時の表示機構については「発明の実施の形態」の項において詳述する。
【００２１】
また、第１の基板が電極を具備する場合には、該電極を、前記液晶層に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体と、該複数の光反射体を電気的に導通する導通電極とを具備する構造とすることにより、電極を構造複屈折体として機能させることができる。この場合には、構造複屈折体と電極とを同時に形成することができるため、製造工程の簡略化を図ることができる。なお、このように、電極を構造複屈折体として機能させる場合には、個々の光反射体が１個の電極として機能するのではなく、複数の光反射体により１個の電極が構成されるため、複数の光反射体を電気的に導通する導通電極が必要になる。
【００２２】
また、このように、第１の基板の電極を構造複屈折体により構成することにより、以下のように効果も得られる。
従来の液晶装置においては、電極材料として、透明導電性材料であるインジウム錫酸化物（以下、「ＩＴＯ」と略す。）が広く用いられているが、T.J.Dishoungh et al., ASME Journal of Electronic Packaging, Vol.121, pp.126(1999)に記載されているように、電極を構成するＩＴＯが次第に分解されて、インジウムが配向膜を通過して液晶層側に拡散すると共に、酸素が離脱されて液晶層内に気泡が発生し、画質劣化が生じる恐れがある。この問題は特に、すべての電極をＩＴＯにより構成する必要のある透過型液晶装置において顕著な問題である。
【００２３】
しかしながら、本発明では、透過型液晶装置においても、第１の基板の電極を構造複屈折体により構成することにより、第１の基板の電極の大部分を、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金等からなる光反射体により構成することができ、ＩＴＯの分解に起因した画質劣化の問題を大幅に低減し、高寿命化を図ることができる。
また、複数の光反射体と導通電極とを一体形成しても良く、かかる構成とした場合には、製造プロセスの簡略化を図ることができると共に、第１の基板の電極全体をＩＴＯ以外の材料により構成することができるので、ＩＴＯの分解に起因した画質劣化の問題を一層低減することができる。
【００２４】
また、本発明を透過型液晶装置に適用する場合には、前記第２の基板が電極を具備するとともに、該電極が、前記液晶層に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体と、該複数の光反射体を電気的に導通する導通電極とを具備して構成され、構造複屈折体として機能するように構成することがより好ましく、かかる構成とすることにより、透過型液晶装置を構成する一対の基板上に形成された電極の少なくとも大部分をＩＴＯ以外の材料により構成することができるので、ＩＴＯの分解に起因した画質劣化の問題を一層低減することができる。
【００２５】
また、本発明の液晶装置を、トランジスタ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置に適用する場合には、以下の構成を採用することが好ましい。
すなわち、第１の基板がトランジスタ素子を具備するとともに、構造複屈折体が、トランジスタ素子を構成する半導体層の液晶層側に配置され、第２の基板側から液晶層に光が入射する構造とすることが好ましい。このような構成とすることにより、構造複屈折体により反射された光がトランジスタ素子の半導体層に入射することを防止することができるので、光リーク電流に起因する素子のスイッチング特性の低下を防止することができる。
【００２６】
さらに、第２の基板側から入射した光がトランジスタ素子に入射することを防止するための遮光膜を、構造複屈折体と同一層で形成することが好ましく、このような構成とする場合には、第２の基板側から入射した光がトランジスタ素子に入射することを防止するための遮光膜と構造複屈折体とを同時に形成することができるため、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００２７】
また、第２の基板側から入射した光がトランジスタ素子に入射することを防止するための遮光膜を、構造複屈折体と同一層で形成する代わりに、トランジスタ素子に電気的に接続された配線を、構造複屈折体と同一層で形成する構成としても良く、このような構成とすることによっても、トランジスタ素子に電気的に接続された配線を構造複屈折体と同時に形成することができるので、製造工程の簡略化を図ることができる。なお、本明細書において、「トランジスタ素子に電気的に接続された配線」とは、具体的には、「データ線あるいは走査線」を意味している。また、本明細書において、「同一層で形成された層」とは、「同一工程で形成された層」を意味している。
【００２８】
また、第１の基板がトランジスタ素子を具備するとともに、構造複屈折体が、トランジスタ素子を構成する半導体層の液晶層と反対側に配置された構成としても良い。この場合には、構造複屈折体により反射された光がトランジスタ素子の半導体層に入射することを防止することはできないが、トランジスタ素子を形成する前に構造複屈折体を形成することができるので、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００２９】
以上の本発明の液晶装置を用いることにより、以下の本発明の投射型表示装置を提供することができる。
本発明の投射型表示装置は、光源と、前記光源からの光を変調する上記本発明の液晶装置からなる光変調手段と、前記光変調手段により変調された光を投射する投射手段とを備えたことを特徴とする。本発明の投射型液晶装置は、本発明の液晶装置を光変調手段として備えたものであるので耐久性に優れたものとなる。
【００３０】
【発明の実施の形態】
次に、本発明に係る実施形態について詳細に説明する。
[第１実施形態]
本発明に係る第１実施形態の液晶装置の構造について詳述する。
本実施形態の液晶装置は、スイッチング素子としてＴＦＴ（Thin-Film Transistor）素子（トランジスタ素子）を用いたアクティブマトリクス型の透過型液晶装置である。また、本実施形態では、表示モードとしてＴＮモードを採用した場合を例として説明する。
本発明の透過型液晶装置は、偏光子として機能する構造複屈折体を具備することが最大の特徴であるが、本実施形態では、画素電極により構造複屈折体を構成し、構造複屈折体が画素電極を兼ねる構成としている。したがって、本実施形態では、特に、画素電極の構造が特徴的なものとなっている。
【００３１】
以下、図１〜図４に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の構造について説明する。図１は本実施形態の透過型液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図、図２はデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図、図３（ａ）、（ｂ）は本実施形態の透過型液晶装置に備えられた画素電極のみを取り出して示す平面図、図４は本実施形態の透過型液晶装置の構造を示す断面図であって、図２のＡ−Ａ’線断面図である。なお、図４においては、図示上側が光入射側、図示下側が視認側（観察者側）である場合について図示している。また、各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００３２】
本実施形態の透過型液晶装置において、図１に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素には、画素電極９と当該画素電極９を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００３３】
また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００３４】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。
【００３５】
（平面構造）
次に、図２に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の平面構造について説明する。
図２に示すように、ＴＦＴアレイ基板上に、矩形状の画素電極９（点線部９Ａにより輪郭を示す）が複数、マトリクス状に設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３ｂが設けられている。本実施形態において、各画素電極９及び各画素電極９を囲むように配設されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域が画素であり、マトリクス状に配置された各画素毎に表示を行うことが可能な構造になっている。
なお、上述したように、本実施形態では、画素電極９により構造複屈折体が構成されており、画素電極９の平面構造も特殊なものであるが、画素電極９の詳細な構造については後述する。
【００３６】
データ線６ａは、ＴＦＴ素子３０を構成する例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ａのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ａのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ａのうち、後述のチャネル領域（図中左上がりの斜線の領域）に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはチャネル領域に対向する部分でゲート電極として機能する。
【００３７】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に伸びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。そして、図２中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の第１遮光膜１１ａが設けられている。
【００３８】
より具体的には、第１遮光膜１１ａは、各々、半導体層１ａのチャネル領域を含むＴＦＴ素子３０をＴＦＴアレイ基板側から見て覆う位置に設けられており、さらに、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に伸びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接する後段側（すなわち、図中下向き）に突出した突出部とを有する。第１遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向きの突出部の先端は、データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先端と重なっている。この重なった箇所には、第１遮光膜１１ａと容量線３ｂとを相互に電気的に接続するコンタクトホール１３が設けられている。すなわち、本実施形態では、第１遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３により前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続されている。
【００３９】
（断面構造）
次に、図４に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の断面構造について説明する。
図４に示すように、本実施形態の透過型液晶装置においては、ＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される対向基板２０との間に液晶層５０が挟持されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａとその液晶層５０側表面に形成された画素電極９、ＴＦＴ素子３０、配向膜１６を主体として構成されており、対向基板２０はガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体２０Ａとその液晶層５０側表面に形成された共通電極２１と配向膜２２とを主体として構成されている。
【００４０】
より詳細には、ＴＦＴアレイ基板１０において、基板本体１０Ａの液晶層５０側表面には画素電極９が設けられ、各画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が設けられている。
画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａ、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２、データ線６ａ、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００４１】
また、上記走査線３ａ上、ゲート絶縁膜２上を含む基板本体１０Ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線６ａ上及び第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第３層間絶縁膜７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。
【００４２】
また、本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００４３】
また、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの液晶層５０側表面において、各画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０が形成された領域には、ＴＦＴアレイ基板１０を透過し、ＴＦＴアレイ基板１０の図示下面（ＴＦＴアレイ基板１０と空気との界面）で反射されて、液晶層５０側に戻る戻り光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース、ドレイン領域（ＬＤＤ領域）１ｂ、１ｃに入射することを防止するための第１遮光膜１１ａが設けられている。また、第１遮光膜１１ａと画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０との間には、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０を構成する半導体層１ａを第１遮光膜１１ａから電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。また、図２に示したように、ＴＦＴアレイ基板１０に第１遮光膜１１ａを設けるのに加えて、コンタクトホール１３を介して第１遮光膜１１ａは、前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。
【００４４】
また、画素電極９が形成された以外の領域には、対向基板２０側から入射した光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ’及び低濃度ソース、ドレイン領域（ＬＤＤ領域）１ｂ、１ｃに侵入することを防止するための第２遮光膜２３ａが形成されており、この第２遮光膜２３ａは、第３層間絶縁膜７上に画素電極９と同一層で形成されている。
【００４５】
また、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側最表面、すなわち、画素電極９及び第２遮光膜２３ａ上には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を規制するための配向膜１６が形成されている。また、基板本体１０Ａの液晶層５０と反対側には、偏光子１７が設けられている。
【００４６】
他方、対向基板２０においては、基板本体２０Ａの液晶層５０側表面に、そのほぼ全面に渡って、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等からなる共通電極２１が形成され、その液晶層５０側には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を規制するための配向膜２２が形成されている。また、基板本体２０Ａの液晶層５０と反対側には偏光子２４が形成されている。
【００４７】
（画素電極）
ここで、図３、図４に基づいて、画素電極９の構造について詳述する。
画素電極９は、光反射性を有する導電性材料、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金等により構成されている。さらに、図３（ａ）に１個の画素電極９のみを取り出して示すように、各画素電極９には多数のスリット状の開孔部９ｂが形成されており、これによって、各画素電極９は、ストライプ状に配列された複数の光反射体９ａを具備する構造になっている。なお、図面上は光反射体９ａの幅及びピッチを大きく図示しているが、光反射体９ａは液晶層５０に入射する光の波長よりも小さいピッチで多数配列されており、例えば、光反射体９ａの幅は５０〜９０ｎｍ、ピッチは１００〜１５０ｎｍに設定される。
【００４８】
各画素電極９において、すべての光反射体９ａは、各画素電極９の周縁部に環状に形成された導通電極９ｃを介して電気的に導通されており、導通電極９ｃは、コンタクトホール８を介してＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されている。本実施形態では、各画素電極９において、すべての光反射体９ａと導通電極９ｃとは一体形成されている。また、各画素電極９において、上述したように光反射体９ａは微細なピッチで配列され、開孔部９ｂは非常に微細であるため、全体として見れば、画素電極９の電極としての機能は、開孔部のない画素電極とほとんど変わらない。
【００４９】
なお、各画素電極９は、液晶層５０に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された多数の光反射体９ａと、すべての光反射体９ａを電気的に導通する導通電極９ｃを具備するものであれば、いかなる構造を有するものであってもよく、例えば、図３（ｂ）に示すように、各画素電極９において、導通電極９ｃを平面視コ字状に設ける構成としても良い。
【００５０】
また、図４に示すように、各画素電極９において、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０及び蓄積容量７０が形成された領域を除く領域に、光反射体９ａ及び開孔部９ｂは形成されている。また、本実施形態において、光反射体９ａは、走査線３ａの延在方向に対して略平行方向に延在している。しかしながら、光反射体９ａの延在方向はこれに限定されるものではなく、偏光子２４の偏光軸や電圧無印加時における液晶層５０の配向状態によって適宜設定される。
【００５１】
また、図４に示すように、隣接する光反射体９ａ間、すなわち開孔部９ｂには配向膜１６の一部が充填されている。そして、各光反射体９ａは光反射性材料からなるのに対し、配向膜１６はポリイミド等の高分子材料や酸化シリコン等の無機材料からなり、光反射体９ａよりも屈折率の低い、透光性を有する材料により構成されている。
【００５２】
このように、画素電極９を液晶層５０に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された多数の光反射体９ａにより構成するとともに、隣接する光反射体９ａ間には、光反射体９ａよりも屈折率の低い材料からなる配向膜１６の一部を充填する構成とすることにより、画素電極９を構造複屈折体とすることができる。そして、画素電極９に入射した光のうち、光反射体９ａの延在方向に対して略平行方向に振動する偏光については反射させ、光反射体９ａの延在方向に対して略垂直方向に振動する偏光については透過させることができ、画素電極９を偏光子として機能させることができる。
【００５３】
また、光反射体９ａの屈折率と配向膜１６の屈折率の差は大きい程、光反射体９ａのピッチは小さい程好ましく、このような構造とすることにより、画素電極９における消光比を大きくすることができるので、コントラストに優れた透過型液晶装置を提供することができる。
【００５４】
しかしながら、光反射体９ａのピッチを小さくする程、製造が困難になるため、本実施形態では、光反射体９ａのピッチを、液晶層５０に入射する光の波長よりも小さく、かつ、安定して形成できる範囲に設定するとともに、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０と反対側に、さらに偏光子１７を設け、視認側に２種類の偏光子を設ける構成としている。ただし、光反射体９ａのピッチを微小にしても安定して形成することができ、画素電極９における消光比を大きくすることができる場合には、偏光子１７を設けなくても良い。
【００５５】
なお、上記構造とすることにより、画素電極９を構造複屈折体とすることができ、偏光子として機能させることができる理由、及び光反射体９ａの屈折率と配向膜１６の屈折率の差は大きい程、光反射体９ａのピッチは小さい程好ましい理由については、先の「課題を解決するための手段」の項で述べたので、説明は省略する。
【００５６】
また、本実施形態では、各画素電極９において、隣接する光反射体９ａ間、すなわち開孔部９ｂに配向膜１６の一部を充填する構成としたが、本発明はこれに限定されるものではなく、光反射体９ａよりも屈折率の低い材料であれば、開孔部９ｂにいかなる材料を充填しても良い。なお、開孔部９ｂに充填する材料としては、固体、液体、気体を問わない。例えば、配向膜１６を形成しなくても液晶層５０の配向を制御できる場合には、配向膜１６を形成せず、開孔部９ｂに液晶層５０を直接に充填することもできる。
【００５７】
（表示機構）
次に、図５に基づいて、上記構造を有する本実施形態の透過型液晶装置の表示機構について説明する。図５は、本実施形態の透過型液晶装置の概略断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成する基板本体１０Ａと偏光子１７と画素電極９、対向基板２０を構成する基板本体２０Ａと偏光子２４、及び液晶層５０のみを取り出して示す断面図であり、図示左半分が電圧無印加時、図示右半分が電圧印加時の状態を示している。
なお、本明細書において、「電圧無印加時」、「電圧印加時」とは、それぞれ「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧未満である時」、「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧以上である時」を意味しているものとする。
【００５８】
本実施形態において、対向基板２０側、すなわち、光入射側に設けられた偏光子２４を、Ｓ偏光（紙面に対して垂直方向に振動する偏光）のみを透過し、それ以外の偏光を吸収する光吸収型偏光子により構成する。
また、各画素電極９において、光反射体９ａを、その延在方向が偏光子２４の偏光軸に対して略平行になるように配列させる。各画素電極９において光反射体９ａをこのように配列させることにより、画素電極９を、光反射体９ａの延在方向に対して略平行方向に振動するＳ偏光を反射し、光反射体９ａの延在方向に対して略垂直方向に振動するＰ偏光（図示左右方向に振動する偏光）を透過する構造とすることができる。
また、ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光子１７を、Ｐ偏光（図示左右方向に振動する偏光）のみを透過し、それ以外の偏光を吸収する光吸収型偏光子により構成する。
【００５９】
さらに、本実施形態では、ＴＮモードを採用しているため、電圧無印加時の液晶層５０のツイスト角が９０°に設定されるが、電圧無印加時の対向基板２０側の液晶分子の配向方向を偏光子２４の偏光軸に対して略平行方向、すなわち、紙面に対して垂直方向に設定し、ＴＦＴアレイ基板１０側の液晶分子の配向方向をそれよりも９０°ずれた、図示左右方向に設定する。
【００６０】
以上のような構成を採用した場合の、入射側の偏光子２４を透過する偏光、液晶層５０入射時、出射時の偏光、液晶層５０から出射された光が構造複屈折体である画素電極９を透過するかどうか、及び表示の色（明るさ）について、電圧無印加時、電圧印加時についてそれぞれまとめて表１に記載する。
【００６１】
上記構成を採用した場合、図５、表１に示すように、電圧無印加時においては、対向基板２０側から入射した光のうち、紙面に対して垂直方向に振動するＳ偏光のみが偏光子２４を透過し、液晶層５０に入射する。液晶層５０に入射したＳ偏光は、９０°ツイストされて配列された液晶分子の長軸方向に沿って、偏光方向が変化し、液晶層５０を出射する際には、Ｓ偏光に対して９０°ずれたＰ偏光に変換される。そして、液晶層５０から出射されたＰ偏光は、構造複屈折体である画素電極９、偏光子１７を透過して、観察者側に出射され、視認される。したがって、電圧無印加時には白（明）表示になる。
【００６２】
これに対して、電圧印加時においては、液晶層５０内の液晶分子が画素電極９と共通電極２１との間に形成される縦電界に沿って配列を変更するため、液晶層５０に入射したＳ偏光は偏光方向を変換することなく、Ｓ偏光のまま出射される。液晶層５０から出射されたＳ偏光は、構造複屈折体である画素電極９により反射され、観察者側に出射されず、視認されない。したがって、黒（暗）表示になる。
【００６３】
このように、各画素電極９（構造複屈折体）において、光反射体９ａの延在方向を光入射側の偏光子２４の偏光軸に対して略平行とし、視認側の偏光子１７の偏光軸を偏光子２４の偏光軸に対して略垂直とすることにより、表示を行うことができる。
【００６４】
なお、本実施形態の透過型液晶装置は、同じ構成のまま、光入射側と視認側が同一（対向基板側が視認側）の反射型液晶装置としても利用することができる。本実施形態の透過型液晶装置を反射型液晶装置に適用する場合には、表１に合わせて記載するように、電圧無印加時においては、対向基板２０側に光が出射されないため、黒（暗）表示となり、電圧印加時においては、画素電極９により反射されたＳ偏光が観察者側に出射されて、視認されるため、白（明）表示となり、表示を行うことができる。なお、反射型液晶装置に適用する場合には、構造複屈折体である画素電極９は偏光子として機能せず、液晶層５０に入射した光のうち特定の偏光のみを反射する選択反射層として機能する。また、ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光子１７は不要である。
【００６５】
【表１】
0003873693.tif 000003
【００６６】
以上、画素電極９の光反射体９ａの延在方向が、光入射側の偏光子２４の偏光軸に対して略平行な場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、画素電極９の光反射体９ａの延在方向を、光入射側の偏光子２４の偏光軸に対して略垂直としても良い。この場合の表示機構について、図５と同様の図６を参照して説明する。なお、図６において、図５と同じ構成要素には同じ参照符号を付し、説明は省略する。
【００６７】
この場合には、例えば、画素電極９の構造を図５に示した構造とし、光入射側の偏光子２４を光反射体９ａの延在方向に対して略垂直な方向に振動するＰ偏光のみを透過する光吸収型偏光子により構成すればよい。
また、電圧無印加時の対向基板２０側の液晶分子の配向方向を偏光子２４の偏光軸に対して略平行方向に設定し、ＴＦＴアレイ基板１０側の液晶分子の配向方向をそれよりも９０°ずれた方向に設定すればよい。また、ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光子１７の偏光軸を偏光子２４の偏光軸に対して略垂直とすればよい。
【００６８】
以上のような構成を採用した場合の、入射側の偏光子２４を透過する偏光、液晶層５０入射時、出射時の偏光、液晶層５０から出射された光が構造複屈折体である画素電極９を透過するかどうか、及び表示の色（明るさ）について、電圧無印加時、電圧印加時についてそれぞれまとめて表２に記載する。
【００６９】
上記構成を採用した場合には、図６、表２に示すように、電圧無印加時においては、対向基板２０側から入射した光のうち、Ｐ偏光のみが偏光子２４を透過し、液晶層５０に入射する。液晶層５０に入射したＰ偏光は、９０°ツイストされて配列された液晶分子の長軸方向に沿って、偏光方向が変化し、液晶層５０を出射する際には、Ｐ偏光に対して９０°ずれたＳ偏光に変換される。そして、液晶層５０から出射されたＳ偏光は、構造複屈折体である画素電極９により反射されて対向基板２０側に出射される。したがって、透過型で表示を行う場合には、観察者側に出射されず、黒（暗）表示となり、反射型で表示を行う場合には、観察者側に出射され、白（明）表示となる。
【００７０】
これに対して、電圧印加時においては、液晶層５０内の液晶分子が画素電極９と共通電極２１との間に形成される縦電界に沿って配列を変更するため、液晶層５０に入射したＰ偏光は偏光方向を変換することなく、Ｐ偏光のまま出射される。液晶層５０から出射されたＰ偏光は、構造複屈折体である画素電極９及び偏光子１７を透過し、ＴＦＴアレイ基板１０側から出射される。したがって、透過型で表示を行う場合には、観察者側に出射され、白（明）表示となり、反射型で表示を行う場合には、観察者側に出射されず、黒（暗）表示となる。
このように、画素電極９の光反射体９ａの延在方向を光入射側の偏光子２４の偏光軸に対して略垂直としても、略平行とした場合と白表示、黒表示が反転するだけで、全く同様に表示を行うことができる。
【００７１】
【表２】
0003873693.tif 000004
【００７２】
なお、本実施形態では、各画素電極９において、光反射体９ａの延在方向を紙面に対して垂直方向に設定し、各画素電極９がＳ偏光を反射し、Ｐ偏光を透過する場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、光反射体９ａの延在方向を図示左右方向に設定しても良い。この場合には、画素電極９はＳ偏光を透過し、Ｐ偏光を反射する構造となり、同様に、表示を行うことができる。
【００７３】
以上説明した本実施形態の透過型液晶装置によれば、以下の効果を得ることできる。
光吸収型偏光子を用いた従来の透過型液晶装置においては、光入射側に比較して視認側の偏光子の光吸収に起因する劣化が顕著であった。
これに対して、本実施形態では、視認側の偏光子を構造複屈折体である画素電極９と光吸収型の偏光子１７の２種類により構成し、さらに、光吸収型の偏光子１７を構造複屈折体である画素電極９の視認側に設ける構成とした。
【００７４】
構造複屈折体である画素電極９は、有効屈折率の差異により、特定の偏光のみを透過し、特定の偏光のみを反射する機能を有するため、光吸収型偏光子に比較して吸収される光量は少なく、耐久性に優れる。また、光吸収型の偏光子１７を構造複屈折体である画素電極９よりも視認側に設ける構成としているため、構造複屈折体である画素電極９を透過した偏光のみが、光吸収型の偏光子１７に入射するため、光吸収型の偏光子１７に吸収される光量は少なく、光吸収型の偏光子１７が劣化する恐れは少ない。したがって、本実施形態によれば、耐久性に優れた透過型液晶装置を提供することができる。
【００７５】
また、視認側の偏光子を構造複屈折体である画素電極９と光吸収型の偏光子１７の２種類により構成することにより、構造複屈折体である画素電極９における消光比がそれ程大きくなくても、２種類の偏光子を合わせた消光比を大きくすることができ、コントラストに優れた透過型液晶装置を提供することができる。
【００７６】
また、本実施形態では、各画素電極９にスリット状の開孔部９ｂを形成することにより、光反射体９ａと導通電極９ｃとを一体形成し、これらをアルミニウムアルミニウム合金、銀、銀合金等からなる光反射性材料により構成したので、画素電極をＩＴＯにより構成した従来の液晶装置に比較して、T.J.Dishoungh et al., ASME Journal of Electronic Packaging, Vol.121, pp.126(1999)に記載されているようなＩＴＯの分解に起因する画質劣化の問題を大幅に低減することができ、高寿命化を図ることができる。
【００７７】
なお、本実施形態では、各画素電極９において、光反射体９ａと導通電極９ｃとを一体形成する場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。光反射体９ａのピッチは非常に微細であるため、光反射体９ａと導通電極９ｃとを一括形成することが難しい場合には、これらを一体形成せず、別工程で形成しても良い。このように、各画素電極９において、光反射体９ａと導通電極９ｃとを別工程で形成する場合には、これらを同一材料で構成しても良いが、導通電極９ｃは光反射体９ａを電気的に導通するために設けられるものであるので、光反射体９ａとは異なる材料、すなわち光反射性を有しない導電性材料により構成することもできる。光反射性を有しない導電性材料としては、ＩＴＯ等の透明導電性材料や、クロム等の光吸収性材料を例示することができる。
【００７８】
導通電極９ｃをＩＴＯ等の透明導電性材料により構成する場合には、画素の開口率を向上することができ、表示の明るさを向上することができるので、好適である。なお、画素電極９の大部分は光反射体９ａにより構成されており、画素電極９全体における導通電極９ｃの割合は小さいため、導通電極９ｃをＩＴＯにより構成しても、ＩＴＯの分解に起因した画質劣化の問題が生じる恐れは極めて小さい。
【００７９】
図７、図８に基づいて、各画素電極９において、光反射体９ａと導通電極９ｃとが一体形成されていない場合のその他の構造例について説明する。図７、図８は、図３に相当する図であり、１個の画素電極のみを取り出して示す平面図である。但し、これらの図においては、光反射体９ａを図３の光反射体３ａよりも細く直線状に図示している。
図７（ａ）に示すように、各画素において、コンタクトホール８を通るように、データ線６ａの延在方向に対して略平行方向（図示上下方向）に直線状に導通電極９ｃを形成し、この導通電極９ｃの延在方向に対して略垂直方向に、導通電極９ｃを跨るように各光反射体９ａを形成し、画素電極９を構成しても良い。
【００８０】
また、図７（ｂ）に示すように、各画素において、コンタクトホール８を通るように、走査線３ａの延在方向に対して略平行方向（図示左右方向）に直線状に導通電極９ｃを形成し、この導通電極９ｃに少なくとも一部分が重なるように、導通電極９ｃの延在方向に対して略垂直方向に、各光反射体９ａを形成し、画素電極９を構成しても良い。なお、かかる構成とした場合には、図８（ａ）に示すように、コンタクトホール８及びその近傍に位置する導通電極９ｃを部分的に拡幅させ、コンタクトホール８を完全に埋めるように、導通電極９ｃを形成することが好ましい。コンタクトホール８が形成された部分は凹部となっており、コンタクトホール８の内壁等には導通電極９ｃを形成することが難しく、光反射体９ａと導通電極９ｃとが部分的に断線してしまう恐れがあるが、図８（ａ）に示すように、コンタクトホール８の周囲に導通電極９ｃを形成することにより、光反射体９ａと導通電極９ｃとが断線することを防止することができる。
また、導通電極９ｃを、透光性を有しない材料により構成する場合には、導通電極９ｃ全体を拡幅させる場合に比較して、画素の開口率の低下を抑えることができるという効果も得られる。
【００８１】
さらに、導通電極９ｃをアルミニウムやクロム等の光反射性材料や光吸収性材料（透光性を有しない材料）により構成する場合には、図８（ｂ）に示すように、導通電極９ｃの大部分を第２遮光膜２３ａの直下に配置し、コンタクトホール８の近傍部分のみを拡幅させて、導通電極９ｃがコンタクトホール８を介してＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されるように構成することが好ましく、かかる構成とすることにより画素の開口率を向上し、表示の明るさを向上することができる。
【００８２】
また、本実施形態では、光入射側、視認側の偏光子２４、１７をいずれも光吸収型偏光子により構成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特定の偏光のみを透過し、それ以外の偏光を反射する光反射型偏光子により構成しても、本実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、このような構成とした場合においても、本実施形態では、構造複屈折体である画素電極９を透過した光のみが視認側の偏光子１７に入射するため、偏光子１７により反射される光量は少なく、光リーク電流に起因するＴＦＴ素子３０のスイッチング特性の低下の恐れは少ない。
【００８３】
また、本実施形態では、画素電極９により構造複屈折体からなる偏光子を構成するとともに、対向基板２０側から入射した光がＴＦＴ素子３０に入射することを防止するための第２遮光膜２３ａを構造複屈折体である画素電極９と同一層で形成する構成としているので、画素電極９と構造複屈折体と第２遮光膜２３ａとを同時に形成することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００８４】
さらに、このような構成とした場合には、対向基板２０側にＴＦＴ素子３０への光入射を防止するための遮光膜が不要になるため、液晶装置を製造する際に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０のアライメントが容易になるという効果も得られる。
【００８５】
また、本実施形態では、画素電極９により構造複屈折体を構成し、構造複屈折体をＴＦＴ素子３０の半導体層１ａよりも液晶層５０側に配置する構成を採用しているため、構造複屈折体である画素電極９により反射された光がＴＦＴ素子３０の半導体層１ａに入射することを防止することができ、光リーク電流に起因するＴＦＴ素子３０のスイッチング特性の低下を防止することができる。
また、上述のように、本実施形態の透過型液晶装置は、同じ構造のまま反射型液晶装置としても利用することができ、好適である。
【００８６】
[第２実施形態]
次に、本発明に係る第２実施形態の透過型液晶装置の構造について説明する。本実施形態の透過型液晶装置の基本構造は、第１実施形態と同様であるが、第１実施形態では、対向基板側には偏光子として光吸収型若しくは光反射型の偏光子のみを設ける構成としたのに対して、本実施形態では、対向基板についても、共通電極を構造複屈折体により構成し、偏光子として機能させる点が異なっている。
【００８７】
本実施形態の透過型液晶装置の平面構造は第１実施形態と同様であるので、図９に本実施形態の透過型液晶装置の断面図を示し、この図に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の構造について説明する。なお、図９は、第１実施形態で示した図４に相当する図であり、図４と同じ構成要素については同じ参照符号を付し、説明は省略する。また、本実施形態においても、第１実施形態と同様、図示上側が光入射側、図示下側が視認側（観察者側）である場合について図示している。
【００８８】
本実施形態では、対向基板２０を構成する共通電極３１が、ストライプ状に配列された、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金等からなる複数の光反射体３１ａを具備する構造になっている。図面上は光反射体３１ａの幅及びピッチを大きく図示しているが、光反射体３１ａは、画素電極９を構成する光反射体９ａと同様に、液晶層５０に入射する光の波長よりも小さいピッチで多数配列されており、例えば、光反射体３１ａの幅は５０〜９０ｎｍ、ピッチは１００〜１５０ｎｍに設定される。また、すべての光反射体３１ａは、導通電極（図示略）を介して電気的に導通されており、全体として、１個の共通電極３１として機能するようになっている。なお、光反射体３１ａは微細なピッチで配列されており、隣接する光反射体３１ａの間隔は非常に微細であるため、画素電極９と同様、全体として見れば、共通電極３１の電極としての機能は、第１実施形態の透過型液晶装置の共通電極とほとんど変わらない。
【００８９】
また、光反射体３１ａは、画素電極９を構成する光反射体９ａの延在方向と同一方向、すなわち、走査線３ａの延在方向に対して略平行方向に延在している。また、隣接する光反射体３１ａ間には配向膜２２の一部が充填されている。そして、各光反射体３１ａは光反射性材料からなるのに対し、配向膜２２はポリイミド等の高分子材料や酸化シリコン等の無機材料からなり、光反射体９ａよりも屈折率の低い、透光性を有する材料により構成されている。
【００９０】
このように、共通電極３１を液晶層５０に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された多数の光反射体３１ａにより構成するとともに、隣接する光反射体３１ａ間には、光反射体３１ａよりも屈折率の低い材料からなる配向膜２２の一部を充填する構成とすることにより、共通電極３１を構造複屈折体とすることができる。そして、共通電極３１に入射した光のうち、光反射体３１ａの延在方向に対して略平行方向に振動する偏光については反射させ、光反射体３１ａの延在方向に対して略垂直方向に振動する偏光については透過させることができ、共通電極３１を偏光子として機能させることができる。
【００９１】
なお、本実施形態では、共通電極３１を構成する光反射体３１ａと、画素電極９を構成する光反射体９ａとが同一方向に延在する構成としたので、共通電極３１と画素電極９が反射（透過）する偏光は同一となる。したがって、例えば、共通電極３１、画素電極９がいずれも、Ｓ偏光を反射し、Ｐ偏光を透過するように構成した場合には、第１実施形態において図６に基づいて説明したように、表示を行うことができる。
【００９２】
また、共通電極３１を構成する光反射体３１ａの延在方向を、画素電極９を構成する光反射体９ａの延在方向に対して略垂直方向としても良く、かかる構成とした場合には、共通電極３１を透過する偏光を画素電極９が反射し、共通電極３１により反射される偏光が画素電極９を透過する。したがって、例えば、共通電極３１がＳ偏光を透過し、Ｐ偏光を反射し、画素電極９がＳ偏光を反射し、Ｐ偏光を透過するように構成した場合には、第１実施形態において図５に基づいて説明したように、表示を行うことができる。
【００９３】
画素電極９を構造複屈折体とする場合と同様に、光反射体３１ａの屈折率と配向膜２２の屈折率の差は大きい程、光反射体３１ａのピッチは小さい程好ましく、このような構造とすることにより、共通電極３１における消光比を大きくすることができるので、コントラストに優れた透過型液晶装置を提供することができる。したがって、本実施形態では、対向基板２０側に光吸収型や光反射型の偏光子が設けられていない。
【００９４】
第１実施形態で説明したように、構造複屈折体は、有効屈折率の差異により、特定の偏光のみを透過し、特定の偏光のみを反射する機能を有するため、光吸収型偏光子に比較して吸収される光量は少なく、耐久性に優れる。したがって、本実施形態によれば、光入射側と視認側の双方に構造複屈折体を設け、偏光子として機能させているので、第１実施形態の透過型液晶装置に比較して一層耐久性に優れた透過型液晶装置を提供することができる。
【００９５】
なお、本実施形態では、対向基板２０側に光吸収型や光反射型の偏光子を設けない構成としているが、共通電極３１を構成する光反射体３１ａのピッチを小さくする程、製造が困難になるため、光反射体３１ａのピッチを、液晶層５０に入射する光の波長よりも小さく、かつ、安定して形成できる範囲に設定するとともに、共通電極３１の液晶層５０側に、さらに光吸収型若しくは光反射型の偏光子を設け、光入射側にも２種類の偏光子を設ける構成としても良い。共通電極３１の液晶層５０側に光吸収型偏光子を設けた場合においても、構造複屈折体である共通電極３１を透過した光のみが光吸収型偏光子に入射するため、光吸収型偏光子に吸収される光量は極めて微少である。また、共通電極３１の液晶層５０側に光反射型偏光子を設けた場合においても、光反射型偏光子はＴＦＴ素子３０よりも光入射側に位置するため、光反射型偏光子により反射された光がＴＦＴ素子３０のスイッチング特性に影響を及ぼす恐れもない。
【００９６】
また、本実施形態では、共通電極３１と画素電極９の双方をアルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金等からなる光反射性材料により構成したので、第１実施形態の透過型液晶装置に比較して、T.J.Dishoungh et al., ASME Journal of Electronic Packaging, Vol.121, pp.126(1999)に記載されているようなＩＴＯの分解に起因する画質劣化の問題を一層低減することができる。また、本実施形態では、共通電極３１により構造複屈折体を構成したので、共通電極３１と構造複屈折体とを同時に形成することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００９７】
しかしながら、本発明はかかる構成に限定されるものではない。上述の効果を得ることはできないが、共通電極をＩＴＯ等の透明導電性材料により構成すると共に、対向基板２０に、共通電極とは独立して、構造複屈折体を設ける構成としても良い。なお、対向基板２０に、共通電極とは独立して構造複屈折体を設ける場合には、構造複屈折体を、共通電極よりも液晶層５０側に設けても良いし、共通電極よりも光入射側に設けても良い。
また、本実施形態の透過型液晶装置についても第１実施形態と同様、同じ構造のまま、反射型透過型液晶装置として利用することができ、好適である。
【００９８】
以上、第１、第２実施形態においては、対向基板２０側から入射した光がＴＦＴ素子３０に入射することを防止する第２遮光膜２３ａと画素電極９とを同一層で形成する場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、第２遮光膜を画素電極９とを同時に形成することができるという効果は得られないが、第２遮光膜を対向基板２０側に形成する構成としても良い。例えば、第２実施形態の透過型液晶装置に、このことを適用する場合には、例えば図１０に示すような構成とすれば良い。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０に第２遮光膜を設ける代わりに、対向基板２０の基板本体２０Ａと共通電極２１との間であって、ＴＦＴ素子３０、蓄積容量７０が形成された領域に対応させて第２遮光膜２３ｂを形成すれば良い。
【００９９】
[第３実施形態]
次に、本発明に係る第３実施形態の透過型液晶装置の構造について説明する。本実施形態の透過型液晶装置の基本構造は、第１実施形態と同様であるが、第１実施形態では、画素電極により構造複屈折体を構成したのに対して、本実施形態では、画素電極とは独立させて構造複屈折体を設け、かつ、ＴＦＴ素子の半導体層と液晶層との間に構造複屈折体を設ける構成としている。
【０１００】
本実施形態の透過型液晶装置の平面構造は第１実施形態と同様であるので、図１１に本実施形態の透過型液晶装置の断面図を示し、この図に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の構造について説明する。なお、図１１は、第１実施形態で示した図４に相当する図であり、図４と同じ構成要素については同じ参照符号を付し、説明は省略する。また、本実施形態においても、第１実施形態と同様、図示上側が光入射側、図示下側が視認側（観察者側）である場合について図示している。
【０１０１】
第１、第２実施形態では、画素電極を、微細なピッチでストライプ状に配列された複数の光反射体と、該複数の光反射体を電気的に導通する導通電極とにより構成し、画素電極を構造複屈折体として構成した。これに対して、本実施形態では、画素電極９をＩＴＯ等の透光性を有する導電性材料により構成するとともに、画素電極９には開孔部を設けず、第２層間絶縁膜４の液晶層５０側表面であって、ＴＦＴ素子３０、蓄積容量７０が形成されていない領域に構造複屈折体１９を設ける構成としている。
【０１０２】
すなわち、本実施形態では、構造複屈折体１９はデータ線６ａと同一層で形成されている。また、本実施形態において、データ線６ａ及び構造複屈折体１９は同一材料からなり、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金等の光反射性を有する導電性材料からなっている。
構造複屈折体１９は、液晶層５０に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された多数の光反射体１９ａからなり、隣接する光反射体１９ａ間には、光反射体１９ａよりも屈折率の低い、透光性を有する第３層間絶縁膜７の一部が充填されている。このような構成を採用することにより、構造複屈折体１９を偏光子として機能させることができる。また、構造複屈折体１９において、光反射体１９ａの延在方向は、走査線３ａの延在方向に対して略平行方向に設定されている。
【０１０３】
なお、本発明は、隣接する光反射体１９ａ間に第３層間絶縁膜７の一部を充填する場合に限定されるものではなく、光反射体１９ａよりも屈折率の低い材料であれば、いかなる材料を充填しても良い。また、光反射体１９ａの延在方向も上述のものに限定されるものではなく、偏光子２４の偏光軸や電圧無印加時における液晶層５０の配向状態によって適宜設定される。
【０１０４】
また、第１実施形態では、対向基板２０側から入射した光がＴＦＴ素子に入射することを防止する第２遮光膜を画素電極と同一層で形成したのに対して、本実施形態では、第２遮光膜２３ｂは対向基板２０側に設けられている。すなわち、対向基板２０の基板本体２０Ａと共通電極２１との間であって、ＴＦＴ素子３０、蓄積容量７０が形成された領域に対応させて第２遮光膜２３ｂが形成されている。
【０１０５】
本実施形態によれば、第１、第２実施形態と同様、視認側の偏光子を構造複屈折体１９と光吸収型の偏光子１７の２種類により構成し、さらに、光吸収型の偏光子１７を構造複屈折体１９の視認側に設ける構成としたので、第１実施形態と同様の効果を得ることができ、耐久性に優れた透過型液晶装置を提供することができる。
【０１０６】
また、視認側の偏光子を構造複屈折体１９と光吸収型の偏光子１７の２種類により構成しているので、構造複屈折体１９における消光比がそれ程大きくなくても、２種類の偏光子を合わせた消光比を大きくすることができ、コントラストに優れた透過型液晶装置を提供することができる。
【０１０７】
また、本実施形態においても、構造複屈折体１９をＴＦＴ素子３０の半導体層１ａよりも液晶層５０側に配置する構成を採用したので、構造複屈折体１９により反射された光がＴＦＴ素子３０の半導体層１ａに入射することを防止することができ、光リーク電流に起因するＴＦＴ素子３０のスイッチング特性の低下を防止することができる。
【０１０８】
さらに、本実施形態では、構造複屈折体１９とデータ線６ａとを同一層で形成する構成としているため、構造複屈折体１９とデータ線６ａとを同時に形成することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
また、本実施形態の透過型液晶装置についても第１、第２実施形態と同様、同じ構造のまま、反射型透過型液晶装置として利用することができ、好適である。なお、反射型液晶装置として利用する場合には、構造複屈折体１９は、液晶層５０に入射した光のうち特定の偏光のみを反射する選択反射層として機能する。
【０１０９】
[第４実施形態]
次に、本発明に係る第４実施形態の透過型液晶装置の構造について説明する。本実施形態の透過型液晶装置の基本構造は第３実施形態と同様であるが、第３実施形態では、ＴＦＴ素子を構成する半導体層と液晶層との間に構造複屈折体を設ける構成としたのに対し、本実施形態では、ＴＦＴ素子を構成する半導体層の液晶層と反対側に構造複屈折体を設ける構成としている。
【０１１０】
したがって、第３実施形態で示した図１１と同様の図１２に基づいて、本実施形態の透過型液晶装置の構造について説明する。なお、図１１と同じ構成要素については同じ参照符号を付し、説明は省略する。また、本実施形態でおいても、第２実施形態と同様、図示上側が光入射側、図示下側が視認側（観察者側）である場合について図示している。
【０１１１】
本実施形態では、第１〜第３実施形態と異なり、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａと第１層間絶縁膜１２との間であって、ＴＦＴ素子３０、蓄積容量７０が形成されていない領域に構造複屈折体２９を設ける構成としている。すなわち、本実施形態では、構造複屈折体２９は第１遮光膜１１ａと同一層で形成されている。また、本実施形態において、第１遮光膜１１ａ及び構造複屈折体２９は同一材料からなり、光反射性を有するアルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金等からなっている。
【０１１２】
構造複屈折体２９は、液晶層５０に入射する光の波長よりも小さいピッチでストライプ状に配列された多数の光反射体２９ａからなり、隣接する光反射体２９ａ間には、光反射体２９ａよりも屈折率の低い、透光性を有する第１層間絶縁膜１２の一部が充填されている。このような構成を採用することにより、構造複屈折体２９を偏光子として機能させることができる。また、構造複屈折体２９において、光反射体２９ａの延在方向は、走査線３ａの延在方向に対して略平行方向に設定されている。
【０１１３】
なお、本発明は、隣接する光反射体２９ａ間に第１層間絶縁膜１２の一部を充填する場合に限定されるものではなく、光反射体２９ａよりも屈折率の低い材料であれば、いかなる材料を充填しても良い。また、光反射体２９ａの延在方向も上述のものに限定されるものではなく、偏光子２４の偏光軸や電圧無印加時における液晶層５０の配向状態によって適宜設定される。
【０１１４】
本実施形態によれば、第１〜第３実施形態と同様、視認側の偏光子を構造複屈折体２９と光吸収型の偏光子１７の２種類により構成し、さらに、光吸収型の偏光子１７を構造複屈折体２９の視認側に設ける構成としたので、第１〜第３実施形態と同様の効果を得ることができ、耐久性に優れた透過型液晶装置を提供することができる。
【０１１５】
また、視認側の偏光子を構造複屈折体２９と光吸収型の偏光子１７の２種類により構成しているので、構造複屈折体２９における消光比がそれ程大きくなくても、２種類の偏光子を合わせた消光比を大きくすることができ、コントラストに優れた透過型液晶装置を提供することができる。
【０１１６】
また、第１〜第３実施形態では、ＴＦＴ素子を形成した後に構造複屈折体を形成する必要があるため、平坦性の低い下地上に構造複屈折体を形成する必要がある。これに対して、本実施形態では、第１〜第３実施形態と異なり、構造複屈折体２９を、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａの直上に設ける構成としている。したがって、平坦な基板本体１０Ａ上に構造複屈折体２９を形成し、その上に第１層間絶縁膜１２を形成してその表面を平坦化した後、ＴＦＴ素子３０を形成することができる。すなわち、本実施形態では、構造複屈折体２９、ＴＦＴ素子３０の双方を平坦性の高い下地上に形成することができ、第１〜第３実施形態に比較して、製造工程を簡略化することができる。
【０１１７】
ただし、本実施形態では、ＴＦＴ素子３０を構成する半導体層１ａの液晶層５０と反対側に構造複屈折体２９を設ける構成としているため、構造複屈折体２９により反射された光がＴＦＴ素子３０の半導体層１ａに入射し、ＴＦＴ素子３０のスイッチング特性が低下する恐れがある。しかしながら、ＴＦＴ素子３０の高さ位置と構造複屈折体２９の高さ位置の違いはそれほど大きくないことから、構造複屈折体２９による反射光のうち半導体層１ａに入射する光量は微少である。それゆえ光リーク電流による影響は、光反射型偏光子をＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０と反対側に配置した場合に比べて極めて小さい。
【０１１８】
また、本実施形態では、構造複屈折体２９と第１遮光膜１１ａとを同一層で形成する構成としているため、構造複屈折体２９と第１遮光膜１１ａとを同時に形成することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
また、本実施形態の透過型液晶装置についても第１〜第３実施形態と同様、同じ構造のまま、反射型液晶装置として利用することができ、好適である。なお、反射型液晶装置として利用する場合には、構造複屈折体２９は、液晶層５０に入射した光のうち特定の偏光のみを反射する選択反射層として機能する。
【０１１９】
以上、上記第１〜第４実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板側の構造複屈折体を画素電極と一体に形成する場合、あるいは、データ線若しくは第１遮光膜と同一層で形成する場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、ＴＦＴアレイ基板側の構造複屈折体を走査線と同一層で形成する、あるいはＴＦＴアレイ基板の基板本体の視認側（液晶層と反対側の外面）に形成する構成としても良い。また、第１〜第４実施形態では、対向基板側が光入射側である場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＴＦＴアレイ基板側が光入射側である場合にも適用することができる。このように、少なくとも一方の基板に構造複屈折体からなる偏光子を設けることにより、耐久性に優れた透過型液晶装置を提供することができる。
【０１２０】
また、反射型液晶装置については、構造複屈折体を選択反射層として機能させる場合についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、光入射側に構造複屈折体を設ける場合には偏光子として機能させることができ、光入射側の基板と対向する基板に別途反射層を設ければ、耐久性に優れた反射型液晶装置を提供することができる。
【０１２１】
また、第１〜第４実施形態においては、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、ＴＦＤ（Thin-Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置やパッシブマトリクス型液晶装置等、いかなる構造の液晶装置にも適用することができる。
【０１２２】
[液晶装置の製造方法]
次に、上記第１実施形態の透過型液晶装置を取り上げて、本発明の液晶装置を製造する方法の一例について、図１３〜図１８を参照して説明する。なお、図１３〜図１８は、各工程におけるＴＦＴアレイ基板の一部分を、図４と同様に、図２のＡ−Ａ’断面に対応させて示す工程図である。
【０１２３】
はじめに、石英、ハードガラス等からなる基板本体１０Ａを用意し、基板本体１０Ａを好ましくはＮ2等の不活性ガス雰囲気下、約８５０〜１３００℃、より好ましくは約１０００℃の高温でアニール処理する。すなわち、後の工程において処理される最高温に合わせて、基板本体１０Ａを同じ温度かそれ以上の温度で熱処理する。
【０１２４】
次に、図１３（ａ）に示すように、基板本体１０Ａ表面の全面に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びＰｂのうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド等を、スパッタリング法、ＣＶＤ法、電子ビーム加熱蒸着法などにより堆積した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、第１遮光膜１１ａを形成する。第１遮光膜１１ａの膜厚は１５０〜２００ｎｍが好ましい。
【０１２５】
次に、第１遮光膜１１ａを形成した基板本体１０Ａ表面に、酸化シリコン、シリケートガラス等をスパッタリング法、ＣＶＤ法などにより堆積した後、表面をＣＭＰ（化学的機械研磨）法等を用いて研磨することにより、第１層間絶縁膜１２を形成する。第１層間絶縁膜１２の膜厚は約４００〜１０００ｎｍが好ましく、約８００ｎｍがより好ましい。
【０１２６】
次に、図１３（ｂ）に示すように、約４５０〜５５０℃、好ましくは約５００℃の比較的低温環境中で、モノシランガス、ジシランガス等を用いた減圧ＣＶＤ法等により、アモルファスシリコン膜を成膜し、その後、窒素雰囲気中、約６００〜７００℃で、約１〜７２時間、好ましくは約４〜６時間、アニール処理を施すことにより、結晶粒を成長させてポリシリコン膜とする。得られたポリシリコン膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングして、半導体層１ａ及び半導体層１ａから延設された第１蓄積容量電極１ｆを形成する。
【０１２７】
次に、図１３（ｃ）に示すように、半導体層１ａ及び第１蓄積容量電極１ｆを約８５０〜１３００℃、好ましくは約１０００℃で約７２分熱酸化することにより、約６０ｎｍの比較的薄い厚さの熱酸化シリコン膜を形成し、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０のゲート絶縁膜２と共に容量形成用のゲート絶縁膜２を形成する。この結果、半導体層１ａ及び第１蓄積容量電極１ｆの膜厚は、約３０〜１７０ｎｍ、ゲート絶縁膜２の膜厚は、約６０ｎｍとなる。
【０１２８】
次に、図１４（ａ）に示すように、図示を省略するＮチャネルの半導体層１ａに対応する位置にレジスト膜３０１を形成し、Ｐチャネルの半導体層１ａにＰなどのＶ族元素のドーパント３０２を低濃度で（例えば、Ｐイオンを７０ｋｅＶの加速電圧、２×１０11／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープする。
【０１２９】
次に、図１４（ｂ）に示すように、Ｐチャネルの半導体層１ａに対応する位置にレジスト膜を形成し、Ｎチャネルの半導体層１ａにＢなどのIII族元素のドーパント３０３を低濃度で（例えば、Ｂイオンを３５ｋｅＶの加速電圧、１×１０12／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープする。
【０１３０】
次に、図１４（ｃ）に示すように、Ｐチャネル、Ｎチャネル毎に各半導体層１ａのチャネル領域１ａ’の端部を除く基板本体１０Ａの表面にレジスト膜３０５を形成し、Ｐチャネルについて、図１４（ａ）に示した工程の約１〜１０倍のドーズ量のＰなどのＶ族元素のドーパント３０６、Ｎチャネルについて図１４（ｂ）に示した工程の約１〜１０倍のドーズ量のＢなどのIII族元素のドーパント３０６をドープする。
【０１３１】
次に、図１４（ｄ）に示すように、半導体層１ａを延設して形成された第１蓄積容量電極１ｆを低抵抗化するため、基板本体１０Ａの表面の走査線３ａ（ゲート電極）に対応する部分にレジスト膜３０７を形成し、これをマスクとしてその上からＰなどのＶ族元素のドーパント３０８を低濃度で（例えば、Ｐイオンを７０ｋｅＶの加速電圧、３×１０14／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープする。
【０１３２】
次に、図１５（ａ）に示すように、第１層間絶縁膜１２に第１遮光膜１１ａに至るコンタクトホール１３を反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより或いはウエットエッチングにより形成する。
次に、図１５（ｂ）に示すように、減圧ＣＶＤ法等によりポリシリコン膜３を約３５０ｎｍの厚さで成膜した後、リン（Ｐ）を熱拡散し、ポリシリコン膜３を導電化する。
次に、図１５（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いてポリシリコン膜３をパターニングし、図２に示したパターンの走査線３ａと容量線３ｂを形成する。
【０１３３】
次に、図１５（ｄ）に示すように、半導体層１ａにＰチャネルのＬＤＤ領域を形成するために、Ｎチャネルの半導体層１ａに対応する位置をレジスト膜３０９で覆い、走査線３ａ（ゲート電極）を拡散マスクとして、まずＢなどのIII族元素のドーパント３１０を低濃度で（例えば、ＢＦ2イオンを９０ｋｅＶの加速電圧、３×１０13／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープし、Ｐチャネルの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成する。
【０１３４】
続いて、図１５（ｅ）に示すように、半導体層１ａにＰチャネルの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、Ｎチャネルの半導体層１ａに対応する位置をレジスト膜３０９で覆った状態で、かつ、図示はしていないが走査線３ａよりも幅の広いマスクでレジスト層をＰチャネルに対応する走査線３ａ上に形成した状態、同じくＢなどのIII族元素のドーパント３１１を高濃度で（例えば、ＢＦ2イオンを９０ｋｅＶの加速電圧、２×１０15／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープする。
【０１３５】
次に、図１６（ａ）に示すように、半導体層１ａにＮチャネルのＬＤＤ領域を形成するために、Ｐチャネルの半導体層１ａに対応する位置をレジスト膜（図示せず）で覆い、走査線３ａ（ゲート電極）を拡散マスクとして、ＰなどのＶ族元素のドーパント６０を低濃度で（例えば、Ｐイオンを７０ｋｅＶの加速電圧、６×１０12／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープし、Ｎチャネルの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃを形成する。
【０１３６】
続いて、図１６（ｂ）に示すように、半導体層１ａにＮチャネルの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを形成するために、走査線３ａよりも幅の広いマスクでレジスト６２をＮチャネルに対応する走査線３ａ上に形成した後、同じくＰなどのＶ族元素のドーパント６１を高濃度で（例えば、Ｐイオンを７０ｋｅＶの加速電圧、４×１０15／ｃｍ2のドーズ量にて）ドープする。
【０１３７】
次に、図１６（ｃ）に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０における走査線３ａと共に容量線３ｂ及び走査線３ａを覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等により、シリケートガラス、窒化シリコン、酸化シリコン等からなる第２層間絶縁膜４を成膜する。第２層間絶縁膜４の膜厚は約５００〜１５００ｎｍが好ましく、約８００ｎｍがより好ましい。
この後、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを活性化するために約８５０℃のアニール処理を２０分程度行う。
【０１３８】
次に、図１６（ｄ）に示すように、データ線６ａに対するコンタクトホール５を、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより或いはウエットエッチングにより形成する。また、走査線３ａや容量線３ｂを図示しない配線と接続するためのコンタクトホールも、コンタクトホール５と同一の工程により第２層間絶縁膜４に開孔する。
【０１３９】
次に、図１７（ａ）に示すように、第２層間絶縁膜４の上に、スパッタリング法等により、遮光性のアルミニウム等の低抵抗金属や金属シリサイド等を堆積し、約１００〜７００ｎｍ、好ましくは約３５０ｎｍの膜厚の金属膜６を成膜する。更に、図１７（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて金属膜６をパターニングし、データ線６ａを形成する。
【０１４０】
次に、図１７（ｃ）に示すように、データ線６ａ上を覆うように、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等を用いて、シリケートガラス、窒化シリコン、酸化シリコン等からなる第３層間絶縁膜７を成膜する。第３層間絶縁膜７の膜厚は、約５００〜１５００ｎｍが好ましく、約８００ｎｍがより好ましい。
【０１４１】
次に、図１８（ａ）に示すように、画素スイッチング用ＴＦＴ素子３０において、画素電極９と高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的に接続するためのコンタクトホール８を、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより形成する。
【０１４２】
次に、図１８（ｂ）に示すように、第３層間絶縁膜７の上に、スパッタリング法等により、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金等の光反射性を有する導電性材料を約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積して、導電性薄膜９０を成膜し、更に図１８（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて導電性薄膜９０をパターニングし、ストライプ状に配列された光反射体９ａを有する画素電極９（構造複屈折体）及び第２遮光膜２３ａを同時に形成する。続いて、画素電極９及び第２遮光膜２３ａの上に配向膜形成用の塗布液を塗布した後、ラビング処理を施すことにより、配向膜１６を形成し（図示略）、ＴＦＴアレイ基板１０が製造される。ただし、配向膜１６の下地である画素電極９（構造複屈折体）の凹凸により液晶層５０の配向を充分に規制できる場合には、配向膜１６のラビング処理を省略することができる。
【０１４３】
なお、ストライプ構造の光反射体９ａを形成する方法としては、上述の方法以外に、開孔部のない画素電極９を形成した後、画素電極９に電子ビームにより開孔部９ｂを形成してストライプ構造の光反射体９ａを形成する方法や、２光束干渉露光法等を採用することもできる。
【０１４４】
一方、対向基板２０については、ガラス等からなる基板本体２０Ａを用意し、基板本体２０Ａ表面の全面に、スパッタリング法等によりＩＴＯ等の透明導電性材料を約５０〜２００ｎｍの厚さに堆積し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、基板本体２０Ａのほぼ全面に共通電極２１を形成する。更に、共通電極２１表面の全面に、配向膜形成用の塗布液を塗布した後、ラビング処理を施すことにより、配向膜２２を形成し、対向基板２０が製造される。
【０１４５】
上述のように製造されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを、配向膜１６及び２２が互いに対向するようにシール材（図示略）を介して貼り合わせ、真空吸引法などの方法により、両基板間の空間に液晶を吸引して、液晶層５０を形成する。最後に、ＴＦＴアレイ基板１０、対向基板２０の外側にそれぞれ偏光子１７、２４を貼り合わせて、第１実施形態の透過型液晶装置が製造される。
【０１４６】
以上説明した液晶装置の製造方法によれば、構造複屈折体である画素電極９と第２遮光膜２３ａとを同時に形成することができるので、製造工程を簡略化することができ、好適である。すなわち、従来と比較して構造複屈折体が付加されていても、画素電極９を形成する際に使用するフォトマスクのパターンを変更するだけで済み、製造プロセス上は従来と何ら変える必要がない。
【０１４７】
なお、以上説明した液晶装置の製造方法においては、構造複屈折体である画素電極９（及び第２遮光膜２３ａ）を１段階のフォトリソグラフィー法により形成する場合について説明したが、光反射体９ａのピッチは非常に微細であるため、構造複屈折体である画素電極９を一段階のフォトリソグラフィー法で形成するのは困難な場合には、３段階のフォトリソグラフィー法により画素電極９を形成することが好ましい。
【０１４８】
以下、図７（ｂ）に示した構造の画素電極９を形成する場合を例として、図１９〜図２１に基づいて、画素電極９を３段階のフォトリソグラフィー法により形成する方法について説明する。なお、図１９〜図２１は、形成途中の１個の画素電極及びその近傍を取り出して示す平面図であり、図７（ｂ）に相当する図である。また、これらの図においては、最終的に形成する画素電極９の輪郭を符号９Ａで示している。また、第２遮光膜２３ａについては、導通電極９ｃと同一工程で形成すれば良いので、説明は省略する。
【０１４９】
図１９に基づいて、画素電極９を３段階のフォトリソグラフィー法により形成する第１の方法について、説明する。
はじめに、図１９（ａ）に示すように、第３層間絶縁膜７が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上の全面に、スパッタリング法等により導通電極材料を堆積し、導通電極形成用導電性薄膜を成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、各画素に導通電極９ｃを形成する。
【０１５０】
次に、図１９（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、スパッタリング法等により光反射体材料を堆積し、光反射体形成用導電性薄膜を成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、ストライプ状に配列された光反射体９ａを形成する。
最後に、図１９（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて光反射体９ａをパターニングし、隣接する画素電極９間に形成された光反射体９ａを除去することにより、光反射体９ａと導通電極９ｃとを具備する画素電極９を形成することができる。
【０１５１】
次に、図２０に基づいて、画素電極９を３段階のフォトリソグラフィー法により形成する第２の方法について、説明する。
はじめに、図２０（ａ）に示すように、第１の方法と同様に、第３層間絶縁膜７が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上の各画素に導通電極９ｃを形成する。次に、図２０（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、スパッタリング法等により光反射体材料を堆積し、光反射体形成用薄膜９１を成膜した後、フォトリソグラフィー法を用い、光反射体形成用薄膜９１を各画素の形状にパターニングする。
最後に、図２０（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて光反射体形成用導電性薄膜９１をパターニングし、各画素に、ストライプ状に配列された光反射体９ａを形成することにより、光反射体９ａと導通電極９ｃとを具備する画素電極９を形成することができる。
【０１５２】
なお、以上の第１、第２の方法では、図１９（ｂ）又は図２０（ｂ）に示した工程において、光反射体形成用薄膜をエッチングする際に、除去したい部分の光反射体形成用薄膜のエッチングを完全に行うために、多少オーバーエッチングになる傾向があるが、光反射体９ａと導通電極９ｃとが同一材料からなる場合には、光反射体形成用薄膜のみならず、導通電極９ｃまで大きくエッチングされる可能性がある。しかしながら、第３層間絶縁膜７の表面が露出した時点をエッチングの終点とすれば、光反射体形成用薄膜の膜厚に略等しい膜厚分だけエッチングすることになるので、導通電極９ｃが大きくエッチングされることを防止することができる。なお、光反射体９ａと導通電極９ｃとが異なる材料からなる場合には、光反射体形成用薄膜をエッチングするエッチングガスやエッチング液では導通電極９はエッチングされず、エッチングストッパとして機能する。したがって、導通電極９ｃの表面が露出した時点で、光反射体形成用薄膜のエッチングは自然終結し、導通電極９ｃが大きくエッチングされる恐れはない。
【０１５３】
また、導通電極９ｃがアルミニウムからなる場合には、導通電極９ｃを形成した後、光反射体材料をスパッタリングするまでの間に、ＴＦＴアレイ基板１０を窒素等の不活性雰囲気下に置いておくことが好ましい。アルミニウムからなる導通電極９ｃを空気雰囲気下等に置くと、アルミニウムが自然酸化されて酸化アルミニウムとなり、導通電極９ｃと光反射体９ａとの導通性が低下する恐れがあるため、好ましくない。
【０１５４】
次に、図２１に基づいて、画素電極９を３段階のフォトリソグラフィー法により形成する第３の方法について説明する。
はじめに、図２１（ａ）に示すように、第３層間絶縁膜７が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上の全面に、スパッタリング法等により光反射体材料を堆積し、光反射体形成用導電性薄膜を成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、ストライプ状に配列された光反射体９ａを形成する。
次に、図２１（ｂ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、スパッタリング法等により導通電極材料を堆積し、導通電極形成用導電性薄膜を成膜した後、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより、各画素に導通電極９ｃを形成する。
最後に、フォトリソグラフィー法を用いて光反射体９ａをパターニングし、隣接する画素電極９間に形成された光反射体９ａを除去することにより、光反射体９ａと導通電極９ｃとを具備する画素電極９を形成することができる。
【０１５５】
このように、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に光反射体９ａを形成した後、導通電極９ｃを形成しても、光反射体９ａと導通電極９ｃとを具備する画素電極９を形成することができる。
光反射体９ａと導通電極９ｃとが同一材料からなる場合には、図２１（ｂ）に示した工程において、導通電極形成用薄膜をエッチングする際に、光反射体９ａまで大きくエッチングされてしまう可能性があるが、第１、第２の方法と同様に、導通電極形成用薄膜をエッチングする際に、第３層間絶縁膜７の表面が露出した時点をエッチングの終点とすれば、光反射体９ａが大きくエッチングされることを防止することができる。但し、このような制御が難しく、光反射体９ａが大きくエッチングされる恐れがある場合には、光反射体９ａの反射率が低下して構造複屈折体としての性能が低下する、画素電極９の抵抗が増大する等の問題が発生するため、このような恐れのない第１、第２の方法を採用することが好ましい。
【０１５６】
以上、第１実施形態の透過型液晶装置の製造方法についてのみ説明したが、第２実施形態の透過型液晶装置を製造する場合には、構造複屈折体である共通電極３１を形成する際に、構造複屈折体である画素電極９と同様に形成すればよい。また、第３実施形態の透過型液晶装置を製造する場合には、データ線６ａを形成する際に、構造複屈折体１９を同時に形成すれば良く、第４実施形態の透過型液晶装置を製造する場合には、第１遮光膜１１ａを形成する際に、構造複屈折体２９を同時に形成すればよい。
【０１５７】
［投射型表示装置］
上記第１〜第４実施形態の透過型液晶装置のうちいずれかの液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置の構成について、図２２を参照して説明する。
図２２は、第１〜第４実施形態の透過型液晶装置のうちいずれかの液晶装置を３個用意し、それぞれＲＧＢ用の液晶ライトバルブ９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂとして用いた投射型表示装置１１００の光学系の概略構成図である。
【０１５８】
投射型表示装置１１００の光学系には、光源装置９２０と、均一照明光学系９２３が採用されている。そして、投射型表示装置１１００は、この均一照明光学系９２３から出射される光束Ｗを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に分離する色分離手段としての色分離光学系９２４と、各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂを変調する光変調手段としての３つの液晶ライトバルブ９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂと、変調された後の色光束を再合成する色合成手段としての色合成プリズム９１０と、合成された光束を投射面１００の表面に拡大投射する投射手段としての投射レンズユニット９０６を備えている。また、青色光束Ｂを対応する液晶ライトバルブ９６２Ｂに導く導光系９２７をも備えている。
【０１５９】
均一照明光学系９２３は、２つのレンズ板９２１、９２２と反射ミラー９３１を備えており、反射ミラー９３１を挟んで２つのレンズ板９２１、９２２が直交する状態に配置されている。均一照明光学系９２３の２つのレンズ板９２１、９２２は、それぞれマトリクス状に配置された複数の矩形レンズを備えている。光源装置９２０から出射された光束は、第１のレンズ板９２１の矩形レンズによって複数の部分光束に分割される。そして、これらの部分光束は、第２のレンズ板９２２の矩形レンズによって３つの液晶ライトバルブ９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂ付近で重畳される。従って、均一照明光学系９２３を用いることにより、光源装置９２０が出射光束の断面内で不均一な照度分布を有している場合でも、３つの液晶ライトバルブ９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂを均一な照明光で照明することが可能となる。
【０１６０】
色分離光学系９２４は、青緑反射ダイクロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー９４２と、反射ミラー９４３から構成される。まず、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において、光束Ｗに含まれている青色光束Ｂおよび緑色光束Ｇが直角に反射され、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向かう。赤色光束Ｒはこのミラー９４１を通過して、後方の反射ミラー９４３で直角に反射されて、赤色光束Ｒの出射部９４４からプリズムユニット９１０の側に出射される。
【０１６１】
次に、緑反射ダイクロイックミラー９４２において、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において反射された青色、緑色光束Ｂ、Ｇのうち、緑色光束Ｇのみが直角に反射されて、緑色光束Ｇの出射部９４５から色合成光学系の側に出射される。緑反射ダイクロイックミラー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光束Ｂの出射部９４６から導光系９２７の側に出射される。また、均一照明光学素子の光束Ｗの出射部から、色分離光学系９２４における各色光束の出射部９４４、９４５、９４６までの距離がほぼ等しくなるように設定されている。
【０１６２】
色分離光学系９２４の赤色、緑色光束Ｒ、Ｇの出射部９４４、９４５の出射側には、それぞれ集光レンズ９５１、９５２が配置されている。したがって、各出射部から出射した赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、これらの集光レンズ９５１、９５２に入射して平行化される。
このように平行化された赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、液晶ライトバルブ９６２Ｒ、９６２Ｇに入射して変調され、各色光に対応した画像情報が付加される。すなわち、これらの液晶ライトバルブでは、図示を省略している駆動手段によって画像情報に応じてスイッチング制御されて、これにより、ここを通過する各色光の変調が行われる。一方、青色光束Ｂは、導光系９２７を介して対応する液晶ライトバルブ９６２Ｂに導かれ、ここにおいて、同様に画像情報に応じて変調が施される。
【０１６３】
導光系９２７は、青色光束Ｂの出射部９４６の出射側に配置した集光レンズ９５４と、入射側反射ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７２と、これらの反射ミラーの間に配置した中間レンズ９７３と、液晶ライトバルブ９６２Ｂの手前側に配置した集光レンズ９５３とから構成されている。集光レンズ９４６から出射された青色光束Ｂは、導光系９２７を介して液晶ライトバルブ９６２Ｂに導かれて変調される。各色光束の光路長、すなわち、光束Ｗの出射部から各液晶ライトバルブ９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂまでの距離は青色光束Ｂが最も長くなり、液晶ライトバルブ９６２Ｂの照明される条件が他の色と異なってしまう。しかし、導光系９２７を介在させることにより、他の色と同じ照明条件に補正することができる。
【０１６４】
各液晶ライトバルブ９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂを通って変調された各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、色合成プリズム９１０に入射され、ここで合成される。そして、この色合成プリズム９１０によって合成された光が投射レンズユニット９０６を介して所定の位置にある投射面１００の表面に拡大投射されるようになっている。
以上のように構成された投射型表示装置１１００は、上記実施形態の透過型液晶装置を光変調手段として備えたものであるので、耐久性に優れたものとなる。
【０１６５】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、少なくとも一方の基板に、偏光子として機能する構造複屈折体を設ける構成としたので、耐久性に優れた液晶装置及びこれを備えた投射型表示装置を提供することができる。
また、本発明の液晶装置を、トランジスタ素子を具備するアクティブマトリクス型液晶装置に適用する場合には、構造複屈折体を、トランジスタ素子を構成する半導体層の液晶層側に配置するとともに、トランジスタ素子が形成された基板と対向する基板側から光を入射する構成とすることが好ましく、このような構成とすることにより、構造複屈折体により反射された光がトランジスタ素子の半導体層に入射することを防止することができるので、光リーク電流に起因する素子のスイッチング特性の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等の等価回路図である。
【図２】  図２は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置のＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図である。
【図３】  図３（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置に備えられた画素電極のみを取り出して示す平面図である。
【図４】  図４は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置の構造を示す断面図である。
【図５】  図５は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置における表示機構を説明するための図である。
【図６】  図６は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置における表示機構を説明するための図である。
【図７】  図７（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置において、画素電極のその他の構造を示す平面図である。
【図８】  図８（ａ）、（ｂ）は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置において、画素電極のその他の構造を示す平面図である。
【図９】  図９は、本発明に係る第２実施形態の透過型液晶装置の構造を示す断面図である。
【図１０】  図１０は、本発明に係る第２実施形態の透過型液晶装置のその他の構造を示す断面図である。
【図１１】  図１１は、本発明に係る第３実施形態の透過型液晶装置の構造を示す断面図である。
【図１２】  図１２は、本発明に係る第４実施形態の透過型液晶装置の構造を示す断面図である。
【図１３】  図１３（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置の製造方法を示す工程図である。
【図１４】  図１４（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置の製造方法を示す工程図である。
【図１５】  図１５（ａ）〜（ｅ）は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置の製造方法を示す工程図である。
【図１６】  図１６（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置の製造方法を示す工程図である。
【図１７】  図１７（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置の製造方法を示す工程図である。
【図１８】  図１８（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る第１実施形態の透過型液晶装置の製造方法を示す工程図である。
【図１９】  図１９（ａ）〜（ｃ）は、構造複屈折体である画素電極を３段階のフォトリソグラフィー法により形成する方法を示す工程図である。
【図２０】  図２０（ａ）〜（ｃ）は、構造複屈折体である画素電極を３段階のフォトリソグラフィー法により形成するその他の方法を示す工程図である。
【図２１】  図２１（ａ）〜（ｃ）は、構造複屈折体である画素電極を３段階のフォトリソグラフィー法により形成するその他の方法を示す工程図である。
【図２２】  図２２は、本発明に係る第１〜第４実施形態の透過型液晶装置を備えた投射型表示装置の構成図である。
【図２３】  図２３は、構造複屈折体が、特定の偏光のみを透過し、特定の偏光のみを反射することができる理由を説明するための図である。
【符号の説明】
１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、１０Ａ、２０Ａ…基板本体
１ａ…半導体層、１１ａ…第１遮光膜、２３ａ、２３ｂ…第２遮光膜
１２…第１層間絶縁膜、４…第２層間絶縁膜、７…第３層間絶縁膜
３０…画素スイッチング用ＴＦＴ素子（トランジスタ素子）
９…画素電極（構造複屈折体）、２１…共通電極
３１…共通電極（構造複屈折体）、１９、２９…構造複屈折体
９ａ、１９ａ、２９ａ、３１ａ…光反射体
６ａ…データ線、３ａ…走査線、５０…液晶層、１７、２４…偏光子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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