(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定形状の開口パターンが周期的に配列されたキャラクタ用アパーチャ上を荷電ビームで選択的に照射することにより開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する荷電ビーム描画方法であって、
前記試料上に描画すべき設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動させる工程と、該移動工程により得られたパターン間の重なりを除去して融合する工程と、該融合工程により得られたパターンを複数の長方形に分解する工程と、該分解工程により得られた各長方形データに基づいて荷電ビームを成形し、この成形ビームで前記アパーチャ上の開口パターンの複数個を照射する工程とを含むことを特徴とする荷電ビーム描画方法。
【請求項２】
前記設計パターンの辺の移動量が、パターン配置のスペース距離の２分の１であることを特徴とする請求項１記載の荷電ビーム描画方法。
【請求項３】
前記開口パターンは矩形状のコンタクトホールパターンであり、前記移動工程では、前記設計パターンの対向する各辺をそれぞれ指定の量だけ外側に移動させることを特徴とする請求項１又は２記載の荷電ビーム描画方法。
【請求項４】
前記キャラクタ用アパーチャに照射する荷電ビームの形状を制御するために、前記キャラクタ用アパーチャよりも荷電ビーム源側に配置された２枚のビーム成形用アパーチャの光学的重なりを制御することを特徴とする請求項１記載の荷電ビーム描画方法。
【請求項５】
所定形状の開口パターンが周期的に配列されたキャラクタ用アパーチャ上を荷電ビームで選択的に照射することにより開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する荷電ビーム描画方法に用いられ、キャラクタ用アパーチャに照射する荷電ビームの形状を定義付けるための描画データを作成する描画データ作成方法であって、
前記試料上に描画すべき設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動させる工程と、該移動工程により得られたパターン間の重なりを除去して融合する工程と、該融合工程により得られたパターンを長方形に分解する工程とを含み、該分解工程により得られた長方形を描画データとして出力することを特徴とする描画データ作成方法。
【請求項６】
前記設計パターンの辺の移動量が、パターン配置のスペース距離の２分の１であることを特徴とする請求項５記載の描画データ作成方法。
【請求項７】
前記開口パターンは矩形状のコンタクトホールパターンであり、前記移動工程では、前記設計パターンの対向する各辺をそれぞれ指定の量だけ外側に移動させることを特徴とする請求項５又は６記載の描画データ作成方法。
【請求項８】
荷電ビーム描画装置をコンピュータにより制御し、所定形状の開口パターンが周期的に配列されたキャラクタ用アパーチャ上を荷電ビームで選択的に照射することにより開口パターンの複数個を試料上に同時に転写させるためのプログラムであって、
前記試料上に描画すべき設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動させる第１ステップと、この第１ステップにより得られたパターン間の重なりを除去して融合する第２ステップと、この第２ステップにより得られたパターンを複数の長方形に分解する第３ステップと、この第３ステップにより得られた各長方形データに基づいて荷電ビームを成形し、この成形ビームで前記アパーチャ上の開口パターンの複数個を照射する第４ステップと、を実行するようにコンピュータを制御するためのコンピュータ読み取り可能なプログラム。
【請求項９】
所定形状の開口パターンが周期的に配列されたキャラクタ用アパーチャ上を荷電ビームで選択的に照射することにより開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する荷電ビーム描画方法に用いられ、キャラクタ用アパーチャに照射する荷電ビームの形状を定義付けるための描画データを作成するためのプログラムであって、
前記試料上に描画すべき設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動させる第１ステップと、この第１ステップにより得られたパターン間の重なりを除去して融合する第２のステップと、この第２ステップにより得られたパターンを長方形に分解する第３ステップと、この第３ステップにより得られた長方形を描画データとして出力する第４ステップと、を実行するようにコンピュータを制御するためのコンピュータ読み取り可能なプログラム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細パターンを高精度かつ高スループットで描画するための技術に係わり、特にキャラクタアパーチャを用いて複数のパターンを一括露光する荷電ビーム描画方法及び描画データ作成方法、更には描画プログラムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造工程における光リソグラフィは、そのプロセス簡易性，低コストなどの利点により広くデバイス生産に用いられてきた。常に技術革新が続けられており、近年では短波長化（ＫｒＦエキシマレーザ光源）により０．２μｍ以下の素子の微細化が達成されつつある。さらに微細化を進めようと、より短波長のＡｒＦエキシマレーザ光源やレベンソン型の位相シフトマスクの開発が進められており、これらは０．１３μｍルール対応の量産リソグラフィツールとして期待されている。しかし、これを実現するための課題も多く、その開発に係わる時間が長期化しており、デバイスの微細化のスピードに追いつかなくなることが心配されつつある。
【０００３】
これに対して、ポスト光リソグラフィの第１候補である電子線リソグラフィは、細く絞ったビームを用いて０．０１μｍまでの加工ができることは実証済みである。微細化という観点では当面問題なさそうであるが、デバイス量産ツールとしてはスループットに問題がある。即ち、細かいパターンを一つ一つ順番に描いていくためにどうしても時間がかかってしまう。この描画時間を短縮するために、ＬＳＩパターンの繰り返し部分を部分的に一括して露光する部分一括露光方式（キャラクタプロジェクション方式：ＣＰ方式）などの露光方式を採用した幾つかの装置が開発されている。
【０００４】
しかしながら、これらの装置を用いても光リソグラフィのスループットに追いつくまでには至っていない。その理由は、繰り返しパターンの形にビームを成形するために用いるステンシルマスク（キャラクタアパーチャ）の数が、ロジックデバイスを実用的なスループットで露光するために必要な数（数百から数千個）に対して、装置で準備できる数（多いもので百個）が大幅に不足している点にある。
【０００５】
一方、本出願人は、部分一括露光方式の電子ビーム描画方法の発展形として、キャラクタアパーチャ上に設けたデバイスパターン形状をした開口の一部にビームを照射し、開口形状の一部分だけを転写露光する方式を既に提案している（特願２０００−８８９６７号）。この方式では、３枚のアパーチャを用い、第１及び第２のアパーチャ（ビーム成形用アパーチャ）で成形した矩形ビームを第３のアパーチャ（キャラクタアパーチャ）に照射し、開口形状の一部分を転写露光する。
【０００６】
この露光方式を半導体装置のコンタクトホール層に適用すると、任意の個数のホールパターンを一括転写することができ、ホールを１個ずつ描画する可変成形ビーム方式に比べて露光回数を大幅に低減できると期待される。しかしながら、この露光方式を実現するためにはキャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択的に照射するための描画データが必要であるが、このような描画データを作成する方法は未だ実現されていなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来、ビーム成形用の第１及び第２のアパーチャとキャラクタ用の第３のアパーチャを用いることにより、任意の個数のホールパターンを一括転写でき、通常の可変成形ビーム方式に比べて露光回数を大幅に低減できると期待されるが、この露光方式を実現するための描画データを作成する方法は未だ実現されていない。
【０００８】
本発明は、上記事情を考慮して成されたもので、その目的とするところは、キャラクタアパーチャ上を荷電ビームで選択的に照射するための描画データを簡易に作成することができ、描画効率の向上をはかり得る荷電ビーム描画方法及び描画データ作成方法、更には描画プログラムを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
（構成）
上記課題を解決するために本発明は次のような構成を採用している。
【００１０】
即ち本発明は、所定形状の開口パターンが周期的に配列されたキャラクタ用アパーチャ上を荷電ビームで選択的に照射することにより開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する荷電ビーム描画方法であって、設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動させる工程と、該移動工程により得られたパターン間の重なりを除去して融合する工程と、該融合工程により得られたパターンを複数の長方形に分解する工程と、該分解工程により得られた各長方形データに基づいて荷電ビームを成形し、この成形ビームで前記アパーチャ上の開口パターンの複数個を照射する工程とを含むことを特徴とする。
【００１１】
また本発明は、所定形状の開口パターンが周期的に配列されたキャラクタ用アパーチャ上を荷電ビームで選択的に照射することにより開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する荷電ビーム描画方法に用いられ、キャラクタ用アパーチャに照射する荷電ビームの形状を定義付けるための描画データを作成する描画データ作成方法であって、設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動させる工程と、該移動工程により得られたパターン間の重なりを除去して融合する工程と、該融合工程により得られたパターンを長方形に分解する工程とを含み、該分解工程により得られた長方形を描画データとして出力することを特徴とする。
【００１２】
ここで、本発明の望ましい実施態様としては次のものが挙げられる。
(1) 設計パターンの辺の移動量が、パターン配置のスペース距離の２分の１であること。
(2) 開口パターンは矩形状のコンタクトホールパターンであり、移動工程では設計パターンの対向する各辺をそれぞれ指定の量だけ外側に移動させること。
(3) キャラクタ用アパーチャに照射する荷電ビームの形状を制御するために、キャラクタ用アパーチャよりも荷電ビーム源側に配置された２枚のビーム成形用アパーチャの光学的重なりを制御すること。
【００１３】
また本発明は、荷電ビーム描画装置をコンピュータにより制御し、所定形状の開口パターンが周期的に配列されたキャラクタ用アパーチャ上を選択的に荷電ビームで照射することにより開口パターンの複数個を試料上に同時に転写させるためのコンピュータ読み取り可能なプログラムであって、前記プログラムは、前記試料上に描画すべき設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動させる第１ステップと、この第１ステップにより得られたパターン間の重なりを除去して融合する第２ステップと、この第２ステップにより得られたパターンを複数の長方形に分解する第３ステップと、この第３ステップにより得られた各長方形データに基づいて荷電ビームを成形し、この成形ビームで前記アパーチャ上の開口パターンの複数個を照射する第４ステップと、を行わせるようにコンピュータを制御することを特徴とする。
【００１４】
また本発明は、所定形状の開口パターンが周期的に配列されたキャラクタ用アパーチャ上を選択的に荷電ビームで照射することにより開口パターンの複数個を試料上に同時に転写する荷電ビーム描画方法に用いられ、キャラクタ用アパーチャに照射する荷電ビームの形状を定義付けるための描画データを作成するためのコンピュータ読み取り可能なプログラムであって、前記プログラムは、前記試料上に描画すべき設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動させる第１ステップと、この第１ステップにより得られたパターン間の重なりを除去して融合する第２のステップと、この第２ステップにより得られたパターンを長方形に分解する第３ステップと、この第３ステップにより得られた長方形を描画データとして出力する第４ステップと、を行わせるようにコンピュータを制御することを特徴とする。
【００１５】
（作用）
本発明によれば、設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動させ、得られたパターン間の重なりを除去して融合し、得られた融合パターンを複数の長方形に分解するという比較的簡単な工程で、キャラクタ用アパーチャ上の複数の開口パターンを同時選択するための描画データを作成することができる。
【００１６】
例えば、コンタクトホール層に代表されるホールアレイパターンにおいては、キャラクタアパーチャにホールアレイ開口を設けておき、その一部にビームを照射して任意の配列数のホール形状ビームを発生させるための描画データを容易に作成することができる。即ち、任意のアレイ数のホール形状ビームを、１種類のキャラクタ開口から発生することができる。その結果、１回のビーム照射で任意のアレイ数のホールパターンを一括露光することが可能となり、従来の１回に１個のホールパターンを露光していた可変成形ビーム方式の場合に比べて大幅に露光回数を低減することが可能となる。
【００１７】
また、任意の数のホール形状ビームを発生するために１種類のキャラクタ開口だけしか必要としないため、限られた数のキャラクタ開口しか配置できないキャラクタアパーチャ上の占有率を大幅に低減することができ、空いたスペースを別のキャラクタ開口に割り当てることで、従来以上にパターンをキャラクタビームで露光することができるようになる。その結果、描画効率は大幅に改善され、パターン描画時間は大幅に短縮される。
【００１８】
【発明の実施の形態】
実施形態を説明する前に、本出願人が既に提案した電子ビーム描画装置について説明しておく。
【００１９】
図１は、３枚のアパーチャを用いた部分一括露光方式の電子ビーム露光装置の構成を説明するための概略図である。この図を用いて、キャラクタ・アパーチャ上に設けたデバイスパターン形状をした開口の一部にビームを照射し、開口形状の一部分を転写露光する電子ビーム露光装置の基本動作を説明する。
【００２０】
電子銃１０１から放射された電子ビーム１０２は第１コンデンサレンズ１０３及び第２コンデンサレンズ１０４で電流密度及びケーラー照明条件が調整され、第１成形アパーチャ１０５を均一に照明する。この第１成形アパーチャ１０５のアパーチャ像は、第１投影レンズ１０６により、第２成形アパーチャ１０７上に結像される。第１成形アパーチャ１０５を通過した電子ビーム１０２が、第２成形アパーチャ１０７上を照射する位置は、成形偏向系によって制御する。その結果、第２成形アパーチャ１０７を通過する電子ビーム１０２の大きさを制御することができる。この成形偏向系は、成形偏向器１０８，成形偏向アンプ１２２，成形偏向アンプに偏向データを送るパターンデータデコーダ１１９から構成されている。
【００２１】
さらに、第２成形アパーチャ１０７の像は、第２投影レンズ１２７により、第３成形アパーチャ（キャラクタアパーチャ）１０９上に結像される。第３成形アパーチャ１０９上には、基本パターン形状をした開口（これを以下、キャラクタ開口と呼ぶ）が複数個設けられており、描画データに定義された順番に従って、これらのキャラクタ開口が順次選択されてビームで照射される。このキャラクタ開口の選択は、キャラクタ選択偏向系によってビームを偏向してアパーチャ上のビーム照射位置を制御することで行われる。キャラクタ選択偏向系は、キャラクタ選択偏向器１１０，キャラクタ選択偏向アンプ１２１，キャラクタ選択偏向アンプ１２１に偏向データを送るパターンデータデコーダ１１９から構成されている。
【００２２】
第２成形アパーチャ１０７を通過した電子ビームは、キャラクタ開口上の照射位置をキャラクタ選択偏向器１１０によって制御される。また、照射領域は、第１，第２成形アパーチャ１０５，１０７の各アパーチャの光学的重なりを成形偏向器１０８によって制御することにより決定される。これにより、キャラクタ開口の一部だけを照射することが可能となり、一つのキャラクタ開口から種類の異なる形状の電子ビームを発生することが可能となる。
【００２３】
キャラクタアパーチャ１０９を通過した電子ビーム１０２は、縮小レンズ１１１及び対物レンズ１１３により縮小され試料１１５上に結像される。そして、電子ビーム１０２の試料面上の位置は対物偏向器１１２により試料１１５上に設定される。試料１１５上の電子ビーム１０２の位置は、位置データを送るパターンデータデコーダ１１９、対物偏向器１１２に電圧を印加する対物偏向アンプ１２０で制御される。試料１１５は、ファラデーカップ１１６，電子ビーム寸法測定用マーク台１１７と共に可動ステージ１１４上に設置される。そして、可動ステージ１１４を移動することで、試料１１５，ファラデーカップ１１６，又は電子ビーム寸法測定用マーク台１１７を選択することができるようになっている。
【００２４】
試料１１５上の電子ビーム１０２の位置を移動する場合、試料１１５上の不必要な場所に露光されないように、電子ビーム１０２をブランキング電極１２８で電子ビーム１０２を偏向し、ブランキングアパーチャ１２９で電子ビーム１０２をカットして試料面上に到達しないようにする。ブランキング偏向器１２８への偏向電圧の制御はブランキングアンプ１２３で制御される。
【００２５】
なお、全ての描画制御データはパターンデータメモリ１１８に格納されており、このメモリ１１８の内容をパターンデータデコーダ１１９で読み出して、各種の制御を行うようになっている。また、図中の１２４はクロスオーバ像、１２５は重金属粒子、１２６は反射電子検出器を示している。
【００２６】
この露光方式を半導体装置のコンタクトホール層に適用する場合、キャラクタアパーチャ１０９上にホールアレイの開口を設け、その一部にビームを照射することにより、任意の個数のホールパターンを一括転写することができる。これにより、ホールを１個ずつ露光する可変成形ビーム方式に比べて露光回数を大幅に低減できる。また、ホールの配列数に応じて別々のキャラクタ開口を用意する場合に比べて、１個の開口を用意するだけで任意の個数のホールアレイに対応可能であり、アパーチャ上に配置するキャラクタ種類数を増やし、ひいてはキャラクタビームを用いて露光するパターンの比率を大幅に高め、ビーム照射回数の低減、描画スループットの向上を図ることができる。
【００２７】
このような露光方式を実現するためにはキャラクタアパーチャ上を電子ビームで選択的に照射するための描画データが必要である。そこで本発明では、以下の実施形態のようにして描画データを作成する。
【００２８】
図２は、本発明の一実施形態に係わる描画データ作成方法及び電子ビーム描画方法を説明するためのフローチャートである。
【００２９】
まず、第１の工程として、設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動させる（Ｐ１）。コンタクトホールパターンの場合は、全ての辺を指定量だけ外側に移動させる。次いで、第２の工程として、Ｐ１工程によって得られたパターン間の重なりを除去し、パターンを融合処理する（Ｐ２）。続いて、第３の工程として、Ｐ２工程により得られた融合パターンを複数の長方形に分解する（Ｐ３）。そして、第４の工程として、Ｐ３工程により得られた長方形データに基づいて電子ビームを成形し、この成形した電子ビームを用いてキャラクタアパーチャ１０９上のデバイスパターン開口を部分的に照射する（Ｐ４）。
【００３０】
次に、図３に示した半導体デバイスのコンタクトホール層のパターンを例に、本実施形態の各工程の作用をより具体的に説明する。図３に示した設計パターンは、ホール寸法と配置ピッチとが１：２の比率で配置されている例であるが、この比率は必ずしも１：２である必要はない。
【００３１】
図３に示す設計パターンに対しＰ１工程を施すことにより、図４に示すように、設計データ中の各ホールパターン１０の辺はパターン外側方向に移動される。本実施形態では、ホールパターン間の距離の２分の１だけ辺を移動した。その結果、隣り合ったホールパターン同士は互いに接することになる。次いで、Ｐ２工程を施すことにより、図５に示すように、パターンの重なりが除去され、ホールパターン１０は融合され、１つの融合パターン２０が形成される。次いで、この融合されたパターン２０に対しＰ３工程を施すことにより、図６に示すように融合パターン２０は複数の長方形２１，２２，２３に分解される。
【００３２】
そして、Ｐ４工程において、Ｐ３工程で得られた長方形データに基づいて、電子ビームを成形し、キャラクタアパーチャ上のキャラクタ開口を照射する。前記図１の装置では、成形偏向器１０８により第１，第２成形アパーチャ１０５，１０７の各アパーチャの光学的重なりを制御し、成形されたアパーチャ像（電子ビーム）をキャラクタ選択偏向器１１０によりキャラクタアパーチャ１０９上の所定の領域に照射する。
【００３３】
図７は、マトリックス配置されたキャラクタ開口（ａ）と、ビーム照射状態（ｂ）を説明するための図である。このように設計パターンのホール寸法と配置ピッチに対応したキャラクタ開口がキャラクタアパーチャ上に設けられており、描画時にはその一部に電子ビームが照射され、キャラクタ開口の一部が試料面上に転写される。
【００３４】
なお、図７の塗りつぶし部分３０はコンタクトホール、ハッチング部分４１，４２，４３は長方形ビームを示している。（ｂ）の（b1）は長方形ビーム２１、（b2）は長方形ビーム２２、（b3）は長方形ビーム２３に対応している。何れの場合も、図の左下を長方形ビームの座標原点としている。また、キャラクタアパーチャは必ずしも図７（ａ）のようなコンタクトホールのみが形成されたものである必要はなく、図８に示すように、複数の領域にピッチの異なるコンタクトホール群を設けたものであってもよい。
【００３５】
このように本実施形態によれば、複数のホールパターンを囲む長方形データを容易に発生することができる。そして、この長方形データに基づいて、その大きさに電子ビームを成形し、キャラクタ開口上の一部を１種類の開口から多種類の形状を切り出す制御データを容易に作成することが可能となる。
【００３６】
図７では、３種類の転写を例として示しているが、各々１回のビーム照射で、１２個、８個、３個のホールパターンを転写している。可変成形ビーム方式で１個ずつ露光する場合には２３回のビーム照射が必要だが、本実施形態では３回のビーム照射で露光を終了することができ、８分の１に露光回数を減らすことができる。
【００３７】
さらに、図７に示した６×６個のアレイ形状のキャラクタ開口からは、その一部にビームを照射することにより、３６種類の形状のビームを発生することができる。従来のキャラクタプロジェクション方式では、これと同じ種類のキャラクタビームを発生しようとすると、３６種類のキャラクタ開口をキャラクタアパーチャ上に形成しなければならなかった。本実施形態で想定した改良型キャラクタプロジェクション方式描画装置の場合には、１種類の開口だけを用いて３６種類のビームが発生できるため、従来の装置に比べてキャラクタアパーチャ上に３５個の空きスペースが生まれる。その空きスペースに他の形状の開口（例えば、ホール寸法が異なったり、配置ピッチが異なる開口）を作ることが可能となり、さらに多種類の形状のビームを発生させることが可能となる。このため、描画装置のスループットを大幅に向上させることが可能となる。その結果、キャラクタを用いて露光できるパターンの割合が増え、露光回数を大幅に削減することができる。
【００３８】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。実施形態では、キャラクタアパーチャに形成するパターンとしてコンタクトホールを用いたが、ライン＆スペースのパターンに適用することもできる。この場合はＰ１工程において、パターンの全ての辺を外側に広げる必要はなく、ライン方向と平行な辺のみを外側に広げるようにすればよい。また、本発明に用いる描画装置は図１に何ら限定されるものではなく、仕様に応じて適宜変更可能である。さらに、本発明は電子ビーム描画装置に限らず、イオンビーム描画装置に適用することも可能である。
【００３９】
また、実施形態において記載した手法は、コンピュータに実行させることのできるプログラムとして、例えば磁気ディスク（フロッピーディスク，ハードディスク等）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ等）、半導体メモリなどの記録媒体に書き込んで各種装置に適用したり、通信媒体により伝送して各種装置に適用することも可能である。本発明を実現するコンピュータは、記録媒体に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されることにより、上述した処理を実行するものであればよい。
【００４０】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【００４１】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、設計パターンの少なくとも一組の対向する辺を指定の量だけ外側に移動させ、得られたパターン間の重なりを除去して融合し、得られたパターンを複数の長方形に分解するという比較的簡単な工程で、キャラクタ用アパーチャ上の複数の開口パターンを同時選択するための描画データを作成することができる。従って、キャラクタアパーチャ上を荷電ビームで選択的に照射するための制御データを簡易に作成することができ、描画効率の向上をはかることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】電子ビーム描画装置の基本構成とその動作を説明するための概略図。
【図２】本発明の一実施形態に係わる電子ビーム描画データの作成手順を示すフローチャート。
【図３】描画すべきコンタクトホールの設計パターンの一例を示す図。
【図４】Ｐ１工程によりパターンの辺を配置ピッチの４分の１だけ外側方向に移動させた状態を示す図。
【図５】Ｐ２工程によりパターンの重なりを除去して融合させた状態を示す図。
【図６】Ｐ３工程により融合パターンを長方形に分解した状態を示す図。
【図７】キャラクタ開口と長方形ビームの照射状態を説明するための図。
【図８】複数種のコンタクトホール群を配置したキャラクタアパーチャの例を示す図。
【符号の説明】
１０…コンタクトホールパターン
２０…融合パターン
２１，２２，２３…長方形パターン
３０…コンタクトホール
４１，４２，４３…長方形ビーム
１０１…電子銃
１０２…電子ビーム
１０３…第１コンデンサレンズ
１０４…第２コンデンサレンズ
１０５…第１成形アパーチャ
１０６…第１投影レンズ
１０７…第２成形アパーチャ
１０８…成形偏向器
１０９…第３成形アパーチャ（キャラクタアパーチャ）
１１０…キャラクタ選択偏向器
１１１…縮小レンズ
１１２…対物偏向器
１１３…対物レンズ
１１４…可動ステージ
１１５…試料
１１６…ファラデーカップ
１１７…ビーム寸法測定用マーク台
１１８…パターンデータメモリ
１１９…パターンデータデコーダ
１２０…対物偏向アンプ
１２１…キャラクタ選択偏向アンプ
１２２…成形偏向アンプ
１２３…ブランキングアンプ
１２４…クロスオーバ像
１２５…重金属粒子
１２６…検出器
１２７…第２投影レンズ
１２８…ブランキング電極
１２９…ブランキング用アパーチャ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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