(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁テープの第１の面にメッキ用給電リード、およびボンディングパッドおよび半田ボール用ランドを有した配線層を接着剤で接着し、前記絶縁テープのワイヤボンディング領域に前記メッキ用給電リードを切断して形成されたウィンドウホールを有するＢＧＡ構造のＴＡＢテープと、前記絶縁テープの第２の面に接着され、前記ウィンドウホールを介して前記ボンディングパッドとボンディングワイヤで接続された電極パッドを有した半導体チップを備え、
前記メッキ用給電リードは、前記ウィンドウホールに面する部分において３０μｍ以下の幅を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁テープの第１の面にメッキ用給電リード、およびボンディングパッドおよび半田ボール用ランドを有した配線層を接着剤で接着し、前記絶縁テープのワイヤボンディング領域に前記メッキ用給電リードを切断して形成されたウィンドウホールを有するＢＧＡ構造の半導体装置用ＴＡＢテープにおいて、
前記メッキ用給電リードは、前記ウィンドウホールに面する部分において３０μｍ以下の幅を有することを特徴とする半導体装置用ＴＡＢテープ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関し、特に、ウィンドウホールの形成時に発生する絶縁テープおよび接着剤のバリがワイヤボンディングに影響を与えないようにしたｍＢＧＡ（memory Ball Grid Array）構造の半導体装置および半導体装置用ＴＡＢテープに関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子機器の高性能化および小型軽量化等に伴い、これに使用される半導体装置には一層の小型化が要求されている。この要求に対応した半導体装置として、ｍＢＧＡタイプの半導体装置が知られている。
図２は、このタイプの半導体装置の構造を示し、半導体チップと同サイズに構成されたＣＳＰ（Chip Scale Package）の構造を示したものである。
【０００３】
図２の（ａ）において、１は絶縁テープ２の第１の面に接着剤３を介して所定のパターンの配線層４を形成したＴＡＢテープ、５は絶縁テープ２の第２の面に接着剤６を介して搭載された半導体チップ、７はＴＡＢテープ１の中央にワイヤボンディングのために形成され、その領域内に半導体チップ５の電極パッド８を位置させたウィンドウホールを示す。
【０００４】
９は配線層４のボンディングパッドと半導体チップ５の電極パッド８を接続したボンディングワイヤ、１０はワイヤボンディング部を覆うように形成された封止樹脂、１１は配線層４の半田ボール用ランドに搭載された半田ボール、１２は半田ボール１１のリフロー時の流れを防止するとともに配線層４を絶縁して保護するソルダレジスト層を示す。
【０００５】
図２の（ｂ）は、図２の（ａ）において、封止樹脂１０、半田ボール１１およびソルダレジスト層１２を取り除いたものの平面図を示し、このなかで配線層４は、所定の形状の配線リード４ａと、半田ボール用ランド４ｂと、ワイヤボンディングのためのボンディングパッド４ｃを有している。配線リード４ａとボンディングパッド４ｃの幅は、前者が６０μｍ程度、後者が１００μｍ程度に設定されるのが普通である。
【０００６】
絶縁テープ２を金型で打ち抜くことによって形成されたウィンドウホール７の中には、半導体チップ５の電極パッド８が配列されており、これらの電極パッド８とボンディングパッド４ｃが、この部分に施されるワイヤボンディングによるボンディングワイヤ９によって接続されている。
【０００７】
図３の（ａ）は、ウィンドウホール７が形成される前のＴＡＢテープ１の状態を示したもので、配線層４を構成する配線リード４ａ、半田ボール用ランド４ｂおよびボンディングパッド４ｃは、左右の群毎に互いに導通された形にあり、これに金型による打ち抜き加工が施されることによって図３の（ｂ）のようにウィンドウホール７が形成される。
【０００８】
図３の（ｃ）は、図３の（ｂ）のＡの部分を拡大して示したものである。
ボンディングパッド４ｃの先端には、発生リード４ａ、半田ボール用ランド４ｂおよびボンディングパッド４ｃにメッキを施すためのメッキ用給電リード４ｄの残片が残っている。配線リード４ａは、ウィンドウホール７の形成によるメッキ用給電リード４ｄの切断によって独立させられ、これによって所定のパターンを有した配線層４が形成され、ｍＢＧＡ型半導体装置のためのＴＡＢテープ１の構成となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来のＴＡＢテープに基づく半導体装置によると、ウィンドウホール７を打ち抜いたとき、メッキ用給電リード４ｄのウィンドウホール７に面する端末の両側縁部４ｄ′と隣接したａ、ｂの部分に絶縁テープ２および接着剤３のバリが発生し、このバリがボンディングパッド４ｃに位置したりするとワイヤボンディングに支障をきたすことがある。
【００１０】
バリは、メッキ用給電リード４ｄが形成された部分と形成されない部分を同時に打ち抜くために発生するもので、メッキ用給電リード４ｄの有無による打ち抜き性の違いを原因として発生する。即ち、メッキ用給電リード４ｄと隣接するために打ち抜き性のよくないａ、ｂの部分における絶縁テープ２と接着剤３の打ち抜きの残滓が、ウィンドウホール７の縁に生成し、これがバリとなるものである。
【００１１】
従って、本発明の目的は、ウィンドウホールを打ち抜いたときの打ち抜きバリによるワイヤボンディングへの悪影響をなくした半導体装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の目的を達成するため、絶縁テープの第１の面にメッキ用給電リード、ボンディングパッドおよび半田ボール用ランドを有した配線層を接着剤で接着し、前記絶縁テープのワイヤボンディング領域に前記メッキ用給電リードを切断して形成されたウィンドウホールを有するＢＧＡ構造の半導体装置用ＴＡＢテープにおいて、前記メッキ用給電リードは、前記ウィンドウホールに面する部分において３０μｍ以下の幅を有することにより、前記ウィンドウホールの形成時に発生する前記絶縁テープおよび前記接着剤のバリのサイズを所定の値以下に抑えたことを特徴とするＴＡＢテープと、このＴＡＢテープを用いた半導体装置を提供するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に、本発明による半導体装置の実施の形態を説明する。
図１の（ａ）は、図３の（ｂ）のＡに相当する部分を拡大して示したもので、メッキ用給電リード４ｄの全長の幅Ｂが２０μｍに設定されており、さらに、ポリイミドからなる絶縁テープ２と給電リード４ｄの厚さが、それぞれ７５μｍと１８μｍに設定されている。
【００１４】
このようにメッキ用給電リード４ｄの幅を３０μｍ以下に設定すると、ウィンドウホール７を打ち抜くとき、メッキ用給電リード４ｄが存在する部分と存在しない部分の打ち抜き性に差が生じないようになり、良好な打ち抜きが行えるようになる。
【００１５】
この結果、メッキ用給電リード４ｄの両側縁部４ｄ′に隣接した部分ａ、ｂにおけるバリの発生は、所定の水準以下に抑制され、良好なワイヤボンディングの実施が可能になる。メッキ用給電リード４ｄの幅を３０μｍを超えて設定する場合には、打ち抜き性への給電リード４ｄの影響が現れるようになり、ａ、ｂへのバリの生成が大きくなるので避ける必要がある。給電リード４ｄの最低幅としては、３μｍに設定することが好ましい。
【００１６】
図１の（ｂ）は、メッキ用給電リード４ｄの幅寸法と発生バリの大きさとの関係を示したもので、バリは、メッキ用給電リード４ｄの幅が大きくなるにしたがって大きくなる。小幅のメッキ用給電リードのもとにウィンドウホールを打ち抜いたＴＡＢテープを使用すれば、良好なワイヤボンディング性に基づいた良質な半導体装置を構成できることは、このグラフから明らかである。
【００１７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明による半導体装置によれば、ウィンドウホールに面する部分においてメッキ用給電リードの幅を３０μｍ以下に設定することで、絶縁テープと接着剤のバリの発生を抑制してワイヤボンディングへのバリの影響を抑制するものであり、実用性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明による半導体装置の実施の形態を示す説明図であり、（ａ）は図３のＡの部分の拡大図、（ｂ）はメッキ用給電リードの幅と発生バリの大きさとの関係を示す説明図である。
【図２】  半導体装置の構成を示す説明図であり、（ａ）は半導体装置の断面図、（ｂ）は（ａ）の半導体装置から封止樹脂、半田ボールおよびソルダレジスト層を取り除いた場合の平面図を示す。
【図３】  ＴＡＢテープの構成を示す説明図であり、（ａ）はウィンドウホールを打ち抜く前の平面図、（ｂ）はウィンドウホールを打ち抜いた後の平面図、（ｃ）は（ｂ）のＡの部分の拡大図を示す。
【符号の説明】
１  ＴＡＢテープ
２  絶縁テープ
３、６  接着剤
４  配線層
４ａ  配線リード
４ｂ  半田ボール用ランド
４ｃ  ボンディングパッド
４ｄ  メッキ用給電リード
５  半導体チップ
７  ウィンドウホール
８  電極パッド
９  ボンディングワイヤ
１１  半田ボール
Ｃ  メッキ用給電リードの中心軸
【図１】
0003896741.tif 000002
【図２】
0003896741.tif 000003
【図３】
0003896741.tif 000004