(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧印加に伴い被検出ガス中の余剰酸素を排出しつつその酸素濃度に応じた電流を流す第１セルと、同じく電圧印加に伴い余剰酸素排出後のガス成分から特定成分の濃度に応じた電流を流す第２セルとを含む複数のセルと、前記複数のセルを加熱するヒータとを備えるガス濃度センサを用いるガス濃度検出装置において、
前記複数のセルの内部抵抗を各々検出する検出手段と、
前記複数のセルの温度条件を判定する判定手段と、
前記判定結果に応じて、前記複数のセルの内部抵抗に基づくヒータ通電制御を選択的に実施する通電制御手段と
を備え、
前記通電制御手段は、冷間始動当初には前記複数のセルのうち、最も高温のセルについてその内部抵抗に基づくヒータ通電制御を行い、その後、前記第２のセルの内部抵抗に基づくヒータ通電制御に移行することを特徴とするガス濃度検出装置。
【請求項２】
電圧印加に伴い被検出ガス中の余剰酸素を排出しつつその酸素濃度に応じた電流を流す第１セルと、同じく電圧印加に伴い余剰酸素排出後のガス成分から特定成分の濃度に応じた電流を流す第２セルと、前記第１，第２セルを加熱するヒータとを備えるガス濃度センサを用いるガス濃度検出装置において、
前記第１セルの内部抵抗を検出する第１の検出手段と、
前記第２セルの内部抵抗を検出する第２の検出手段と、
前記検出した第１及び第２セルの内部抵抗の和又は平均を求め、該求めた内部抵抗の和又は平均が目標値になるように前記ヒータの通電を制御する通電制御手段と
を備えることを特徴とするガス濃度検出装置。
【請求項３】
前記検出した第１セルの内部抵抗に基づいて当該第１セルの印加電圧を制御する印加電圧制御手段を更に備える請求項１又は請求項２に記載のガス濃度検出装置。
【請求項４】
前記各セルの内部抵抗検出のためにセル印加電圧又は電流を一時的に変化させる装置において、
被検出ガス中の酸素濃度又はそれ以外のガス濃度に応じた電流信号を出力するための信号出力線の途中にサンプルホールド回路を設け、各セルの内部抵抗検出時には直前の信号出力を前記サンプルホールド回路によりホールドさせる請求項１〜請求項３のいずれかに記載のガス濃度検出装置。
【請求項５】
前記各セルに印加する電圧を変更する際、その変更速度を制限するための速度制限手段を備える請求項１〜請求項４のいずれかに記載のガス濃度検出装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば自動車用エンジンから排出される排ガス中の特性成分の濃度を検出するガス濃度センサを用いたガス濃度検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば車両用エンジンからの排ガスを原因とする大気汚染は現代社会に深刻な問題を引き起こしており、排ガス中の公害物質に対する浄化基準法規が年々厳しくなってきている。そのため、ガソリン若しくはディーゼルエンジンに対する燃焼制御や触媒コンバータを利用し、排ガス中の公害物質を低減するための検討が進められている。米国においては、ＯＢＤ−II（On Board Diagnostic −II）規制にて排ガス浄化用の触媒が適切であるかどうか判定する機能を要求している。
【０００３】
これに対し、触媒の上流側及び下流側に２つのＯ2 センサを設けてこの２つのＯ2 センサの検出結果を取り込む、いわゆる２Ｏ2 センサモニタシステムが導入されているが、この方法は公害物質の直接的な検出方法ではない。そのため、排ガス中の成分から公害物質が事実低減されたか否かといった、その正確な検出・判定が困難であった。
【０００４】
仮に排ガス中のＮＯｘ濃度を直接検出することで燃焼制御モニタ、触媒モニタ等が可能となれば、排ガス中の公害物質の低減がより正確で効果的なものとなる。すなわち、排ガス中のＮＯｘ濃度の知見により燃料噴射やＥＧＲ率などがフィードバック制御できれば、エンジンから排出される公害成分を低減することができる。また、ＮＯｘ濃度を検出するためのＮＯｘセンサを排ガス浄化用の触媒コンバータよりも下流側に設けることにより、当該コンバータに担持された触媒の劣化を容易に判定することも可能となる。
【０００５】
このような背景から、排ガス中のＮＯｘ濃度を精度良く検出することのできるＮＯｘセンサを提供すると共に、同ＮＯｘセンサを車両用エンジンに搭載する技術が望まれている。
【０００６】
この種の従来技術として、酸素濃度を予め低減し、ＮＯｘ濃度を検知するタイプのＮＯｘセンサがある（特開平８−２７１４７６号公報や特開平９−３１８５９６号公報）。これは拡散抵抗を介し排ガス雰囲気と隔離したチャンバ内のＯ2 をポンプセルにより排気し、残ったＮＯｘをセンサセルで分解・排気し、その分解電流値をＮＯｘ濃度出力とするものである。このＮＯｘセンサを動作させるためには、該ポンプセル及びセンサセルを所定温度以上に加熱し、酸素イオン伝導性固体電解質の活性を高める必要がある。このため、ＮＯｘセンサには素子加熱用のヒータがポンプセル及びセンサセルの近傍に設置される。
【０００７】
また上述したように、ＮＯｘセンサはエンジンの排ガス成分を検出するため、温度変動や流速の変動が非常に大きい排ガスに晒される。従ってＮＯｘセンサの精度を高めるためには、ＮＯｘセンサの温度を精度良く一定に保つことが要求される。
【０００８】
センサ温度制御方法の一の方法として、ヒータ抵抗を検出し、ヒータ抵抗値に応じて温度制御する方法がある。この方法では、ヒータの抵抗値を測定することによりヒータ温度を測定し、該測定温度をセル温度とほぼ等しいと見なしてヒータの温度を一定に保つように温度制御している。また同二の方法として、セルの内部インピーダンスを検出し、このインピーダンス値に応じて温度制御する方法がある。この方法では、ポンプセルのインピーダンスを検出し、ヒータの制御を実施している。例えばＳＡＥ−Ｎｏ．９７０８５８では、センサの第１，第２のポンプセルのうち、第２ポンプセルのインピーダンスを検出し、その検出値からヒータ制御を実施している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記一の方法では排ガスの温度が大きく変動する時や排ガスの流速が大きい時にセル温度とヒータ温度とが一致しなくなり、高精度にセンサセル温度を制御することができない。また上記二の方法では、やはり排ガスの温度が大きく変動する時や排ガスの流速が大きい時にポンプセル温度とセンサセル温度とが一致しなくなり、高精度にセンサセル温度を制御することができない。
【００１０】
そのためにセンサセルの温度が変動してしまい、ＮＯｘ濃度の検出精度が悪化する。そこで、ガス濃度検出精度が排ガスの温度変動や流速の変化によって悪化することなく検出可能な装置が必要となる。
【００１１】
本発明は、上記問題に着目してなされたものであって、その目的とするところは、被検出ガスの温度変動や流速の変化があっても常にガス濃度検出精度を確保することができるガス濃度検出装置を提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明では、電圧印加に伴い被検出ガス中の余剰酸素を排出しつつその酸素濃度に応じた電流を流す第１セルと、同じく電圧印加に伴い余剰酸素排出後のガス成分から特定成分の濃度に応じた電流を流す第２セルとを含む複数のセルと、前記複数のセルを加熱するヒータとを備えるガス濃度センサを用いるガス濃度検出装置において、前記複数のセルの内部抵抗を各々検出する検出手段と、前記複数のセルの温度条件を判定する判定手段と、前記判定結果に応じて、前記複数のセルの内部抵抗に基づくヒータ通電制御を選択的に実施する通電制御手段とを備える。
【００１６】
かかる場合、複数のセルの内部抵抗に基づくヒータ通電制御を選択的に実施することで、センサ構造等に起因して各セルの温度が異なる場合にも、ガス濃度検出精度の低下が抑制される。
【００１７】
そして、前記通電制御手段は、冷間始動当初には前記複数のセルのうち、最も高温のセルについてその内部抵抗に基づくヒータ通電制御を行い、その後、前記第２のセルの内部抵抗に基づくヒータ通電制御に移行する。これにより、例えば被検出ガス（排ガス）の温度が安定している時には、第２セルの内部抵抗に基づいてヒータ通電制御が行われ、被検出ガスが一時的に温度上昇する時には、温度変化の影響により最も温度上昇するセルの内部抵抗に基づいてヒータ通電制御が行われる。以上の構成により、各セル間の温度分布が変動しても、ガス濃度検出精度を確保することができる。
【００１８】
請求項２に記載の発明では、前記第１セルの内部抵抗を検出する第１の検出手段と、前記第２セルの内部抵抗を検出する第２の検出手段と、前記検出した第１及び第２セルの内部抵抗の和又は平均を求め、該求めた内部抵抗の和又は平均が目標値になるように前記ヒータの通電を制御する通電制御手段とを備える。
【００１９】
この場合、各セル間で温度差が生じて温度分布が相違しても、温度差の拡大が解消される。その結果、各セルの過昇温や不活性温度までの温度降下を抑制し、安定したガス濃度検出が可能となる。
【００２０】
請求項３に記載の発明では、前記検出した第１セルの内部抵抗に基づいて当該第１セルの印加電圧を制御する印加電圧制御手段を更に備える。この場合、第１セルの内部抵抗に応じて当該第１セルの印加電圧を制御することにより、印加電圧が適正に管理でき、酸素濃度の検出精度も確保できる。
【００２１】
請求項４に記載の発明では、前記各セルの内部抵抗検出のためにセル印加電圧又は電流を一時的に変化させる装置において、被検出ガス中の酸素濃度又はそれ以外のガス濃度に応じた電流信号を出力するための信号出力線の途中にサンプルホールド回路を設け、各セルの内部抵抗検出時には直前の信号出力を前記サンプルホールド回路によりホールドさせる。
【００２２】
つまり、第１又は第２セルを含む各セルの内部抵抗検出のためにセル印加電圧を一時的に変化させる装置では、その電圧変化の際に互いのセル間で電流が干渉したり、ガス濃度の信号出力が不用意に変動したりする。これに対し本発明では、各セルの内部抵抗検出時には直前の信号出力をサンプルホールド回路によりホールドさせるため、上記不具合が解消される。
【００２３】
請求項５に記載の発明では、前記各セルに印加する電圧を変更する際、その変更速度を制限するための速度制限手段を備える。この場合、印加電圧の発振が抑制される。
【００２４】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、この発明を具体化した第１の実施の形態を図面に従って説明する。本実施の形態におけるガス濃度検出装置は、自動車用ガソリンエンジンに適用されるものであって、同エンジンの空燃比制御システムにおいてはガス濃度検出装置による検出結果に基づいてエンジンへの燃料噴射量を所望の空燃比（Ａ／Ｆ）でフィードバック制御する。特に本実施の形態では、排ガス中の酸素濃度とＮＯｘ濃度とを同時に検出可能な、いわゆる複合型ガスセンサを用い、同センサからガス濃度情報を取得することとしている。
【００２５】
つまり本実施の形態の装置では、検出した酸素濃度により空燃比がフィードバック制御される一方、検出したＮＯｘ濃度によりエンジン排気管に取り付けられたＮＯｘ触媒（例えばＮＯｘ吸蔵還元型触媒）の制御が実施される。ＮＯｘ触媒の制御について略述すれば、ＮＯｘ触媒にて浄化されずに排出されるＮＯｘ量をガス濃度センサの検出結果から判定し、ＮＯｘ未浄化量が増大した時に、ＮＯｘ浄化能力を回復させるための再生処理を実行する。再生処理としては、ＮＯｘ触媒に対して一時的にリッチガスを供給し、同触媒に吸着したイオンを除去するようにすればよい。
【００２６】
本実施の形態におけるガス濃度検出装置の概要を図１のブロック図を用いて説明する。ガス濃度センサ１００は、酸素濃度を検出するためのポンプセル１１０と、ＮＯｘ濃度を検出するためのセンサセル１２０と、バッテリ電源＋Ｂからの給電により発熱するヒータ１０３とを備える。ＮＯｘ濃度検出手段Ｍ１は、ガス濃度センサ１００のセンサセル電極に接続され、センサセル１２０に電圧を印加すると共にＮＯｘ濃度に応じた電流信号を検出する共に外部に出力する機能を有する。インピーダンス検出手段Ｍ２は、センサセル１２０のインピーダンスに応じた電流を検出し、該検出したインピーダンスが所定の目標値になるようヒータ１０３の駆動信号を出力する機能を有する。
【００２７】
また、酸素濃度検出手段Ｍ３は、ガス濃度センサ１００のポンプセル電極に接続され、ポンプセル１１０に電圧を印加すると共に酸素濃度に応じた電流信号を検出する共に外部に出力する機能を有する。ヒータ駆動手段Ｍ４は、インピーダンス検出手段Ｍ２より出力された信号に応じてヒータ１０３を駆動する機能を有する。
【００２８】
以下に、ガス濃度検出装置の構成を詳細に説明する。先ずは図３を用いてガス濃度センサ１００の構成を説明する。ガス濃度センサ１００は２セル構造を有し、ＮＯｘ濃度の検出と同時に酸素濃度の検出が可能な、いわゆる複合型ガスセンサとして構成される。ガス濃度センサ１００は、ポンプセル１１０、多孔質拡散層１０１、センサセル１２０、大気ダクト１０２及びヒータ１０３を要件とし、これら各部材が積層されて成る。なお、同センサ１００は図の右端部にてエンジン排気管に取り付けられ、その上下面及び左面が排ガスに晒されるようになっている。
【００２９】
より詳細には、ポンプセル１１０は多孔質拡散層１０１と排ガス空間との間に設置される。ポンプセル１１０の排ガス側（図の上側）にはポンプ第１電極１１１が設置され、多孔質拡散層１０１側（図の下側）にはポンプ第２電極１１２が設置される。また、センサセル１２０は多孔質拡散層１０１と大気ダクト１０２との間に設置される。センサセル１２０の多孔質拡散層１０１側（図の上側）にはセンサ第１電極１２１が設置され、大気ダクト１０２側（図の下側）にはセンサ第２電極１２２が設置される。そして、多孔質拡散層１０１には図の左側から排ガスが導入されて図の右方へと流通する。
【００３０】
ポンプセル１１０及びセンサセル１２０は積層して形成された固体電解質を有し、これら固体電解質はＺｒＯ2 、ＨｆＯ2 、ＴｈＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 等にＣａＯ、ＭｇＯ、Ｙ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 等を安定剤として固溶させた酸素イオン伝導性酸化物焼成体からなる。また、多孔質拡散層１０１は、アルミナ、マグネシャ、ケイ石質、スピネル、ムライト等の耐熱性無機物質からなる。
【００３１】
ポンプセル１１０の排ガス側のポンプ第１電極１１１と、センサセル１２０のセンサ第１，第２電極１２１，１２２とは、白金Ｐｔ等の触媒活性の高い貴金属からなる。一方、ポンプセル１１０の多孔質拡散層１０１側のポンプ第２電極１１２は、ＮＯｘガスに不活性な（ＮＯｘガスを分解し難い）Ａｕ−Ｐｔ等の貴金属からなる。
【００３２】
ヒータ１０３は絶縁層１０４に埋設され、この絶縁層１０４とセンサセル１２０との間に大気ダクト１０２が構成される。基準ガス室を構成する大気ダクト１０２には外部から大気が導入され、その大気は酸素濃度の基準となる基準ガスとして用いられる。絶縁層１０４はアルミナ等にて形成され、ヒータ１０３は白金とアルミナ等のサーメットにて形成される。ヒータ１０３はポンプセル１１０やセンサセル１２０を含めセンサ全体（電極含む）を活性状態にすべく、外部からの給電により熱エネルギを発生させる。なお、ヒータ１０３の発熱によりポンプセル１１０及びセンサセル１２０が全体的に加熱されてセンサの温度分布が極力均一になるよう、同ヒータ１０３の発熱部分が拡げられて構成される。
【００３３】
上記構成のガス濃度センサ１００についてその動作を図４を用いて説明する。図４（ａ）に示されるように、多孔質拡散層１０１には図の左側から排ガス成分が導入され、その排ガスがポンプセル近傍を通過する際、ポンプセル１１０に電圧を印加することで分解反応が起こる。なお、排ガス中には酸素（Ｏ2 ）、窒素酸化物（ＮＯｘ）、二酸化炭素（ＣＯ2 ）、水（Ｈ2 Ｏ）等のガス成分が含まれる。
【００３４】
既述の通りポンプセル１１０のポンプ第２電極１１２はＮＯｘ不活性電極（ＮＯｘガスを分解し難い電極）で形成されている。従って、図４（ｂ）に示されるように、排ガス中の酸素（Ｏ2 ）のみがポンプセル１１０で分解され、ポンプ第１電極１１１から排ガス中に排出される。このとき、ポンプセル１１０に流れた電流が排ガス中に含まれる酸素濃度として検出される。
【００３５】
また、排ガス中の酸素（Ｏ2 ）はポンプセル１１０で完全に分解されず、その一部はそのままセンサセル近傍まで流通する。そして、図４（ｃ）に示されるように、センサセル１２０に電圧を印加することにより、残留酸素（Ｏ2 ）とＮＯｘとが分解される。つまり、Ｏ2 とＮＯｘとがそれぞれセンサセル１２０のセンサ第１電極１２１で分解され、センサセル１２０を介してセンサ第２電極１２２から大気ダクト１０２の大気中に排出される。このとき、センサセル１２０に流れた電流が排ガス中に含まれるＮＯｘ濃度として検出される。
【００３６】
次に、酸素濃度を検出するためのポンプセル１１０の特性と、ＮＯｘ濃度を検出するためのセンサセル１２０の特性とについて、図５及び図６を用いて説明する。先ずは、ポンプセル特性を図５を用いて説明する。
【００３７】
図５のＶ−Ｉ特性図に示されるように、ポンプセル特性は酸素濃度に対して限界電流特性を有する。なお、横軸のＶｐはポンプセル印加電圧を示し、縦軸のＩｐはポンプセル電流を示す。同図において、限界電流検出域はＶ軸に対して平行な直線部分からなり、その領域は酸素濃度が濃いほど正電圧側にシフトする。
【００３８】
ここで、酸素濃度が変化する際に印加電圧が一定値に固定されていると、上記限界電流検出域（Ｖ軸に平行な直線部分）を用いた正確な酸素濃度検出を行うことができない。またこれは、ポンプセル１１０で十分量の酸素を排出することができないことにもなり、センサセル１２０での残留酸素が増加し、ＮＯｘ濃度を検出するための電流にも大きな誤差を生じる。そこで、ポンプセルの直流抵抗成分（印加電圧増加に伴い増加する傾き部分）の角度と同等の電圧、すなわち図５の印加電圧線ＬＸ１に示すような電圧を印加する制御を行い、排ガス中の酸素濃度に関係なく常に所望のセンサ電流（限界電流）を検出可能とする。因みに、ポンプセル１１０のポンプ第２電極１１２（多孔質拡散層１０１側の電極）がＮＯｘ不活性電極であるために同ポンプセル１１０ではＮＯｘガスが分解されにくくなっているが、図５に示した通り一定の電圧以上になると、ＮＯｘが分解され、酸素濃度に応じたポンプセル電流に加えてＮＯｘ濃度に応じたポンプセル電流が流れる（図５の破線部分）。従って、印加電圧線ＬＸ１はＮＯｘガスを分解しない程度に設計される。
【００３９】
次に、センサセル特性を図６を用いて説明する。図６のＶ−Ｉ特性図に示されるように、センサセル特性はＮＯｘ濃度に対して限界電流特性を有する。なお、横軸のＶｓはセンサセル印加電圧を示し、縦軸のＩｓはセンサセル電流を示す。同図において、Ａ１部分では多孔質拡散層１０１を通じてセンサセル１２０に流れ込む残留酸素によりオフセット分の電流（オフセット電流）が流れ、Ａ２部分ではＮＯｘの分解電流が流れる。また、Ａ３部分ではＨ2 Ｏの分解電流が流れる。このとき、排ガス中のＮＯｘ濃度に対応する限界電流は「Ａ１＋Ａ２」の電流値で検出される。ＮＯｘ分解電流を規定する限界電流検出域はＶ軸に対して平行な直線部分からなり、その領域はＮＯｘ濃度が濃いほど僅かながら正電圧側にシフトする。ＮＯｘ濃度を検出する際、図６の印加電圧線ＬＸ２に沿って印加電圧を制御することで、排ガス中のＮＯｘ濃度に関係なく常に所望のセンサ電流（限界電流）が検出可能となる。
【００４０】
ここで、ガス濃度センサ１００の温度特性について説明する。図７（ａ）はポンプセルの温度（℃）と交流インピーダンスＺａｃ（Ω）との関係を示し、図７（ｂ）はセンサセルの温度（℃）と交流インピーダンスＺａｃ（Ω）との関係を示す。同図を見て明らかなように、何れのセルにおいてもセル温度と交流インピーダンスとは相関がある。
【００４１】
また、図８にはセンサセルの温度依存性を表す。このセンサ特性より明らかなように、ＮＯｘ濃度を検出するためのセンサセルは温度依存性があり、ＮＯｘ信号の感度を示す限界電流検出域（フラット領域）が非常に狭い。そのため、センサセルの温度変動に対し、ＮＯｘ濃度を検出するセンサ出力が大きく変化し不安定になる。従って、ＮＯｘ濃度の検出精度を確保するには、センサセルのインピーダンスを精度良く検出し、同インピーダンス値が一定になるようヒータ制御を行うことが不可欠になる。
【００４２】
前記図１を具体化したガス濃度検出装置の構成を図２に示す。図２の装置においては、ガス濃度センサ１００の多孔質拡散層１０１にリーンガスが導入されて同拡散層１０１側からポンプセル１１０を介して余剰酸素が排出される時を基準に（その時のポンプセル電流Ｉｐの向きを基準に）、ポンプセル１１０の正側端子及び負側端子が規定される。つまり、ポンプ第１電極１１１に接続される端子が正側端子、ポンプ第２電極１１２に接続される端子が負側端子として規定される。センサセル１２０側についても同様に、多孔質拡散層１０１にリーンガスが導入される時を基準に（その時のセンサセル電流Ｉｓの向きを基準に）、センサ第２電極１２２に接続される端子が正側端子、センサ第１電極１２１に接続される端子が負側端子として規定される。
【００４３】
ポンプセル１１０及びセンサセル１２０の共通の負側端子には基準電圧回路２０１及び増幅回路２０２が接続される。つまり、基準電圧回路２０１により電圧Ｖａが生成され、その電圧Ｖａが増幅回路２０２の非反転入力端子に入力される。増幅回路２０２の出力端子は同増幅回路２０２の反転入力端子に接続されており、ボルテージフォロワ構成として基準電圧回路２０１の電圧Ｖａがポンプ第２電極１１２（ポンプセル１１０の負側端子）とセンサ第１電極１２１（センサセル１２０の負側端子）とに印加される。これにより、各セル１１０，１２０の負側端子は、ＧＮＤ電圧（０Ｖ電圧）よりも浮いた基準電圧Ｖａとなる。
【００４４】
制御回路２００は、ＣＰＵ及びＡ／Ｄ，Ｄ／Ａコンバータを備えるマイクロコンピュータで構成され、各Ａ／Ｄコンバータ（Ａ／Ｄ０〜Ａ／Ｄ３）には図の各端子Ｖｃ，Ｖｅ，Ｖｄ，Ｖｂの電圧が各々入力される。また、Ｄ／Ａコンバータ（Ｄ／Ａ１，Ｄ／Ａ０）からはポンプ指令電圧Ｖｂ，センサ指令電圧Ｖｃが各々出力され、Ｄ／Ａコンバータ（Ｄ／Ａ２，Ｄ／Ａ３）からはＮＯｘ濃度信号，酸素濃度信号が各々出力される。
【００４５】
制御回路２００のＤ／Ａ１から出力される指令電圧Ｖｂは、増幅回路２１１の非反転入力端子に入力される。増幅回路２１１の出力端子は、酸素濃度に応じて流れるポンプセル電流Ｉｐを検出するための電流検出抵抗２１２の一端に接続され、電流検出抵抗２１２の他端はガス濃度センサ１００のポンプ第１電極１１１（ポンプセルの正側端子）に接続されると共に増幅回路２１１の反転入力端子に接続される。電流検出抵抗２１２の両端子は制御回路２００のＡ／Ｄ２，Ａ／Ｄ３に各々接続される。これにより、ポンプ第１電極１１１の電圧は常に指令電圧Ｖｂと同じ電圧になるよう制御される。
【００４６】
従って、制御回路２００のＤ／Ａ１からの指令電圧Ｖｂがポンプセル１１０に印加されると、電流検出抵抗２１２の両端子電圧Ｖｄ，Ｖｂの差及び電流検出抵抗２１２の抵抗値Ｒ１によりポンプセル電流Ｉｐ（酸素濃度）は、
Ｉｐ＝（Ｖｄ−Ｖｂ）／Ｒ１
として算出される。なお、制御回路２００と増幅回路２１１と電流検出抵抗２１２とから前記図１の酸素濃度検出手段Ｍ３が構成される。
【００４７】
一方、制御回路２００のＤ／Ａ０から出力される指令電圧Ｖｃは、ＬＰＦ（ローパスフィルタ）２３０を介して増幅回路２２１の非反転入力端子に入力される。ＬＰＦ２３０は例えば抵抗及びコンデンサからなる一次フィルタでよい。増幅回路２２１の出力端子は、ＮＯｘ濃度に応じて流れるセンサセル電流Ｉｓを検出するための電流検出抵抗２２２の一端に接続され、電流検出抵抗２２２の他端はガス濃度センサ１００のセンサ第２電極１２２（センサセルの正側端子）に接続されると共に増幅回路２２１の反転入力端子に接続される。電流検出抵抗２２２の両端子は制御回路２００のＡ／Ｄ０，Ａ／Ｄ１に各々接続される。これにより、センサ第２電極１２２の電圧は常に指令電圧Ｖｃと同じ電圧になるよう制御される。
【００４８】
従って、制御回路２００のＤ／Ａ０からの指令電圧Ｖｃがセンサセル１２０に印加されると、電流検出抵抗２２２の両端子電圧Ｖｅ，Ｖｃの差及び電流検出抵抗２２２の抵抗値Ｒ２によりセンサセル電流Ｉｓ（ＮＯｘ濃度）は、
Ｉｓ＝（Ｖｅ−Ｖｃ）／Ｒ２
として算出される。なお、制御回路２００と増幅回路２２１と電流検出抵抗２２２とから前記図１のＮＯｘ濃度検出手段Ｍ１が構成される。
【００４９】
また、制御回路２００は、掃引法を用いてセンサセル１２０の交流インピーダンスを検出する。つまり、センサセル１２０のインピーダンス検出時において、制御回路２００は、Ｄ／Ａ０にてセンサセル印加電圧を瞬間的に変化させる。この印加電圧はＬＰＦ２３０により正弦波的になまされつつセンサセル１２０に印加される。交流電圧の周波数は１０ＫＨｚ以上が望ましく、ＬＰＦ２３０の時定数は５μｓ程度で設定される。そして、電流検出抵抗２２２の両端子電圧Ｖｅ，Ｖｃの変化がＡ／Ｄ１，Ａ／Ｄ０で読み取られ、その時の電圧変化量と電流変化量とからセンサセル１２０の交流インピーダンスが算出される。
【００５０】
また、制御回路２００内のＣＰＵは、制御指令値ＤｕｔｙをＩ／Ｏポートから出力してＭＯＳＦＥＴドライバ３００を駆動する。このとき、ＭＯＳＦＥＴ３１０により電源３２０（例えばバッテリ電源）からヒータ１０３へ供給される電力がＰＷＭ制御される。
【００５１】
制御回路２００により実施される演算処理を図９〜図１２のフローチャートに従い説明する。図９のルーチンは、所定の時間間隔（例えば４ｍｓ周期）で制御回路２００内のＣＰＵにより実行されるメインルーチンを示す。
【００５２】
図９において、ステップ２００では、後述の図１０の手順に従いガス濃度センサ１００の印加電圧制御やガス濃度出力処理を行う。また、ステップ３００では、ガス濃度センサ１００のインピーダンス検出を行うべきタイミングであるか否かを判別し、例えば前回のインピーダンス検出時から所定時間が経過していればステップ３００を肯定判別してステップ３５０に進む。インピーダンス検出の周期は、エンジン始動時には１２８ｍｓ、定常運転時には２５６ｍｓというように可変に設定される。
【００５３】
ステップ３５０では、後述する図１１の手順に従いインピーダンス検出を実施する。また、続くステップ４００では、ガス濃度センサ１００のヒータ制御を行うべきタイミングであるか否かを判別し、例えば前回のヒータ制御時から所定時間（例えば１２８ｍｓ）が経過していればステップ４００を肯定判別してステップ４５０に進む。ステップ４５０では、後述する図１２の手順に従いヒータ制御を実施する。
【００５４】
ステップ２００の印加電圧制御について、図１０のフローチャートに従い説明する。図１０において、先ずステップ２０１，２０２では、電流検出抵抗２１２の両端子電圧Ｖｄ，ＶｂをそれぞれＡ／Ｄ２，Ａ／Ｄ３により読み取る。次に、ステップ２０３，２０４では、電流検出抵抗２２２の両端子電圧Ｖｅ，ＶｃをそれぞれＡ／Ｄ１，Ａ／Ｄ０により読み取る。
【００５５】
ステップ２０５ではポンプセル電流Ｉｐを算出し、続くステップ２０６では、図５に示した印加電圧線ＬＸ１を用い、前記算出したポンプセル電流Ｉｐに対応する目標印加電圧を求める（マップ演算する）。さらにステップ２０７では、前記求めた目標印加電圧を指令電圧ＶｂとしてＤ／Ａ１から出力する。次に、ステップ２０８ではセンサセル電流Ｉｓを算出し、続くステップ２０９では、図６に示した印加電圧線ＬＸ２を用い、前記算出したセンサセル電流Ｉｓに対応する目標印加電圧を求める（マップ演算する）。さらにステップ２１０では、前記求めた目標印加電圧を指令電圧ＶｃとしてＤ／Ａ０から出力する。
【００５６】
その後、ステップ２１１では、前記算出したセンサセル電流ＩｓをＮＯｘ濃度に応じた電流としてＤ／Ａ２からエンジン制御用マイコン等、外部装置に出力する。最後にステップ２１２では、前記算出したポンプセル電流Ｉｐを酸素濃度に応じた電流としてＤ／Ａ３からエンジン制御用マイコン等、外部装置に出力する。ステップ２１１，２１２でガス濃度信号を出力する際、シリアル通信を介して出力してもよい。
【００５７】
次に、図１１に示すセンサセル１２０のインピーダンス検出手順（図９のステップ３５０）について、図１３のタイムチャートを参照しつつ説明する。
図１１において、先ずステップ３５１，３５２では、電圧変化前の電流検出抵抗２２２の両端子電圧Ｖｅ，ＶｃをＡ／Ｄ１，Ａ／Ｄ０により読み取る（この電圧値をＶｅ１，Ｖｃ１とする）。その後、ステップ３５３では、現在のセンサセル印加電圧Ｖｓに対し所定の交流電圧ΔＶｓを加算した電圧（Ｖｓ＋ΔＶｓ）をＤ／Ａ０から出力する。このとき、図１３に示されるように、ＬＰＦ２３０の時定数に合わせ正弦波的に印加電圧（Ｖｃ，Ｖｅ端子電圧）が変化する。
【００５８】
さらにその後、ステップ３５４，３５５では、電圧変化後の電流検出抵抗２２２の両端子電圧Ｖｅ，ＶｃをＡ／Ｄ１，Ａ／Ｄ０により読み取る（この電圧値をＶｅ２，Ｖｃ２とする）。Ｖｅ２，Ｖｃ２のＡ／Ｄ読み取りは、電圧変化から２５μｓ程度だけ後に行えばよい。
【００５９】
ステップ３５６では、センサセル１２０のインピーダンスＺａｃを下式を用いて算出する。
Ｚａｃ＝（Ｖｃ２−Ｖｃ１）／｛（Ｖｅ２−Ｖｃ２）−（Ｖｅ１−Ｖｃ１）｝
最後に、ステップ３５７では、印加電圧を元の電圧値Ｖｓに戻すためのΔＶｓ２をＤ／Ａ０から出力し、センサセル１２０に印加する。
【００６０】
次に、ヒータ制御手順について図１２のフローチャートに従い説明する。図１２において、ステップ４５１では、センサセル１２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御を実行する条件が成立するか否かを判別する。ここで、例えばセンサセル１２０のインピーダンスＺａｃを用い、同Ｚａｃ値が所定の活性判定値（例えばセル温度＝６５０℃に相当する値）に達したか否かに応じてＦ／Ｂ制御の実行条件を判別する。ステップ４５１がＮＯの場合、ステップ４５２に進み、１００％通電によりヒータ通電を制御する。但し、各セル（センサ素子）の熱衝撃を緩和することが必要な場合には、電力一定（例えば４０Ｗ一定）制御等を行う。
【００６１】
電力一定制御をＰＩ制御で行う場合について、その具体例を以下に示す。つまり、比例項ＧＰ及び積分項ＧＩを、
ＧＰ＝ＫＰ・（Ｗ−ＷＴ）
ＧＩ＝ＧＩ＋ＫＩ・（Ｗ−ＷＴ）
から求める。但し、ＫＰは比例定数、ＫＩは積分定数、Ｗはヒータ電力の検出値、ＷＴはヒータ電力の目標値である。そして、「ＧＰ＋ＧＩ」を制御指令値Ｄｕｔｙとし、そのＤｕｔｙ値によりヒータ通電を制御する。
【００６２】
また、ステップ４５１がＹＥＳの場合、その状態で所定時間（例えば２０秒）が経過したか否かを判別する（ステップ４５３）。ステップ４５３がＮＯの場合、ステップ４５４でＰＩＤ制御手法を用いてインピーダンスＦ／Ｂ制御を実行し、ステップ４５３がＹＥＳの場合、ステップ４５５でＰＩ制御手法を用いてインピーダンスＦ／Ｂ制御を実行する。要するに、ガス濃度センサ１００の昇温途中においては、センサ昇温が終了する際の温度収束性を良くするべく、一定時間だけＰＩＤ制御を行い、その後、ＰＩ制御に移行する。但し、温度収束性に問題がなければステップ４５３，４５４の処理自体を省略してもよい。
【００６３】
ここで、インピーダンスＦ／Ｂ制御をＰＩＤ制御で行う場合（ステップ４５４）について、その具体例を以下に示す。つまり、比例項ＧＰ、積分項ＧＩ及び微分項ＧＤを、
ＧＰ＝ＫＰ・（Ｚａｃ−ＺａｃＴ）
ＧＩ＝ＧＩ＋ＫＩ・（Ｚａｃ−ＺａｃＴ）
ＧＤ＝ＫＤ・（Ｚａｃ−ＺａｃＢ）
から求める。但し、Ｚａｃはセンサセル１２０のインピーダンス検出値、ＺａｃＴはセンサセル１２０のインピーダンス目標値、ＺａｃＢはインピーダンス検出値の前回値である。また一例として、比例定数ＫＰ＝１．８％、積分定数ＫＩ＝０．１８％、微分定数ＫＤ＝１．３％とする。そして、「ＧＰ＋ＧＩ＋ＧＤ」を制御指令値Ｄｕｔｙとし、そのＤｕｔｙ値によりヒータ通電を制御する。
【００６４】
また、インピーダンスＦ／Ｂ制御をＰＩ制御で行う場合（ステップ４５５）には、比例項ＧＰ及び積分項ＧＩを、
ＧＰ＝ＫＰ・（Ｚａｃ−ＺａｃＴ）
ＧＩ＝ＧＩ＋ＫＩ・（Ｚａｃ−ＺａｃＴ）
から求める。そして、「ＧＰ＋ＧＩ」を制御指令値Ｄｕｔｙとし、そのＤｕｔｙ値によりヒータ通電を制御する。
【００６５】
以上詳述した本実施の形態によれば、以下に示す効果が得られる。
センサセル１２０（第２セル）のインピーダンスに基づいてヒータ通電を制御するようにしたので、当該センサセル１２０のインピーダンスが一定に制御できる。従って、排ガスの温度や流速の変化によって当該センサセル１２０の温度が不用意に変動し、ＮＯｘ濃度の検出精度が低下するといった不具合が解消される。その結果、常にガス濃度の検出精度を確保するという本発明の目的が達せられる。かかる場合、１つのヒータ１０３にて両方のセル１１０，１２０が適正に温度制御される。
【００６６】
また、図２に見られるように、ポンプセル１１０（第１セル）及びセンサセル１２０（第２セル）の負側端子を０Ｖ電圧から浮かすように構成したので、各セルにおいて負電流を流すことが可能となり、リーンガスの場合のみならず、リッチガスに対しても多孔質拡散層１０１内のガス濃度を一定に保つ（例えば酸素濃度を常にストイキ状態に保つ）ことができる。その結果、リッチガスの検出を可能にしてガス濃度の検出範囲を拡大させると共に、リッチガスからリーンガスへの復帰に際し、ガス濃度出力の応答遅れを改善することができる。
【００６７】
図１４は前記図２の構成に対しガス濃度出力をアナログ的に出力する構成例であり、前記図１に示すＮＯｘ濃度検出手段Ｍ１及び酸素濃度検出手段Ｍ３がアナログ回路で構成される。図１４では前記図２との相違点として、電流検出抵抗２１２の両端子電圧を、オペアンプ３０１ａ及び抵抗３０１ｂ〜３０１ｅからなる増幅回路３０１で差動増幅しており、増幅回路３０１により前記図１の酸素濃度検出手段Ｍ３の出力部が構成される。また、電流検出抵抗２２２の両端子電圧を、オペアンプ３０３ａ及び抵抗３０３ｂ〜３０３ｅからなる増幅回路３０３で差動増幅しており、増幅回路３０３により前記図１のＮＯｘ濃度検出手段Ｍ１の出力部が構成される。図１４の構成によれば、ガス濃度出力信号が連続的に出力できるため非常に高速にガス濃度信号が得られる。
【００６８】
次に、本発明における第２〜第５の実施の形態を説明する。但し、以下の各実施の形態の構成において、上述した第１の実施の形態と同等であるものについては図面に同一の記号を付すと共にその説明を簡略化する。そして、以下には第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００６９】
（第２の実施の形態）
上述したガス濃度センサ１００のように複数のセル１１０，１２０が設けられる場合、各セル毎にセル温度が相違し、センサ自体の温度分布が機能上無視できない状態になる。つまり、ガス濃度センサ１００はヒータの発熱部分を拡げて均一な加熱ができるよう構成されるものの、主にセンサセル付近のセンサ取付部における熱ひけが原因でポンプセル１１０よりもセンサセル１２０の方が若干温度が低くなる。例えばエンジンのアイドル時等、排ガスの温度や流速が安定している時でもポンプセル電極付近が約８００℃、センサセル電極付近が約７６０℃となり、約４０℃の温度差が生じる。
【００７０】
また、冷間始動時にセル温度が上昇する過程においては、ポンプセル側の昇温が速いために温度分布が平衡状態と異なり、ポンプセル１１０とセンサセル１２０との温度差が拡大する。このため、センサセル１２０のインピーダンスを検出し、その検出値を目標値に対してフィードバック制御しても、図１５に示されるようにポンプセル温度がオーバーシュートして過昇温してしまい、この過昇温に伴いポンプセル１１０の劣化を招くおそれがある。因みに図１５では、時刻ｔ１以前において１００％通電又は電力一定制御が実行され、時刻ｔ１以降においてセンサセル１２０のインピーダンスを一定に制御するインピーダンスＦ／Ｂ制御が実行される。
【００７１】
また、排ガス温度が極めて高い時や、長期間の燃料カット時等排ガス温が低い時にも、排ガス雰囲気に晒されやすい位置にあるポンプセル１１０が過昇温又は過降温してガス濃度センサ１００の温度分布が変化し、同センサ１００の機能が低下するという状態が発生する。
【００７２】
そこで本実施の形態では上記不具合を解消すべく、センサセル１２０のインピーダンス検出に加え、ポンプセル１１０のインピーダンス検出を行う。便宜上以下の記載では、センサセル１２０のインピーダンスを「Ｚｓ」、ポンプセル１１０のインピーダンスを「Ｚｐ」と記載する。そして、Ｚｓ値に基づくＦ／Ｂ制御と、Ｚｐ値に基づくＦ／Ｂ制御とを選択的に実施してヒータ通電を制御する。
【００７３】
本実施の形態におけるガス濃度検出装置の構成を図１６に示す。図１６の装置について前記図２との相違点を述べれば、ポンプセル１１０のインピーダンス検出時における印加電圧の交流的な変化をなますためのＬＰＦ２４０が追加して設けられる。制御回路２００は、既述したセンサセル１２０のインピーダンス検出に加え、Ａ／Ｄ２，Ａ／Ｄ３に取り込まれる電圧値Ｖｄ，Ｖｂの変化からポンプセル１１０のインピーダンス検出を実施する。
【００７４】
つまり、制御回路２００は、Ｄ／Ａ１にてポンプセル印加電圧を瞬間的に変化させる。この印加電圧はＬＰＦ２４０により正弦波的になまされつつ、ポンプセル１１０に印加される。交流電圧の周波数は１０ＫＨｚ以上が望ましく、ＬＰＦ２４０の時定数は５μｓ程度で設定される。そして、電流検出抵抗２１２の両端子電圧Ｖｄ，Ｖｂの変化がＡ／Ｄ２，Ａ／Ｄ３で読み取られ、その時の電圧変化量と電流変化量とからポンプセル１１０の交流インピーダンスが算出される。
【００７５】
ポンプセル１１０のインピーダンス検出手順は、基本的に前記図１１の処理に準ずるためここではその図示及び詳細な説明を省略する。但し略述すれば、電圧変化前及び変化後の電流検出抵抗２１２の両端子電圧Ｖｄ，ＶｂをＡ／Ｄ２，Ａ／Ｄ３により読み取り、該読み取った電圧変化前後のＶｄ，Ｖｂ値を基に、ポンプセル１１０のインピーダンスＺｐを算出する。Ｚｐ値の検出処理は、前記図９のメインルーチンにおいて、センサセル１２０のインピーダンス検出処理であるステップ３５０の直後に実施されればよい。
【００７６】
図１７及び図１８は本実施の形態におけるヒータ制御サブルーチンを示すフローチャートであり、同ルーチンは前記図１２の処理に置き換えて実行される。以下、図１７及び図１８に示すヒータ制御手順を図１９及び図２０のタイムチャートを参照しつつ説明する。
【００７７】
図１７において、先ずステップ５０１では、センサセルＦ／ＢフラグＦＳＳが「１」であるか否かを判別する。センサセルＦ／ＢフラグＦＳＳは、センサセル１２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御が実行されているかどうかを表すフラグであって、同Ｆ／Ｂ制御の実施以前は「０」に（初期状態）、同Ｆ／Ｂ制御の開始以降は「１」に操作される。
【００７８】
例えばエンジン始動時においてＦＳＳ＝０であればステップ５０２に進み、冷間始動時か否かを判別する。この判別はポンプセル１１０のインピーダンスＺｐに基づいて行われればよく、同インピーダンスＺｐが所定の判定値（例えばセル温度＝２００℃に相当する値）以上であれば同ステップが肯定判別される。又は、エンジン運転情報に基づいてステップ５０２の判別を行うようにしてもよい。
【００７９】
ステップ５０２がＹＥＳであればステップ５０３に進み、ポンプセル１１０のインピーダンスＺｐが所定の判定値（例えばセル温度＝６５０℃に相当する値）未満であるか否かを判別する。ステップ５０３がＮＯであれば、ステップ５０４で１００％通電又は電力一定制御を実行する。
【００８０】
また、ステップ５０３がＹＥＳの場合、その時点でポンプセルＦ／ＢフラグＦＰＳが「１」でなければ直ちにＦＰＳ＝１とする（ステップ５０５，５０６）。ポンプセルＦ／ＢフラグＦＰＳは、冷間始動時からの昇温途中の過程においてポンプセル１１０のインピーダンスＦ／Ｂ制御が実行される旨を表すフラグである。
【００８１】
その後、ステップ５０７では、ＦＰＳ＝１の操作以後、所定時間（例えば３０秒）が経過したか否かを判別する。そして、ステップ５０７がＮＯであればステップ５０８に進み、ポンプセル１１０のインピーダンスＦ／Ｂ制御を実行する。同ステップ５０８ではＰＩ又はＰＩＤ制御手法を用いてヒータ通電が制御される。ステップ５０４又は５０８の処理後、後述する図１８のステップ５１８に進む。また、ステップ５０７がＹＥＳになるとステップ５０９に進み、センサセルＦ／ＢフラグＦＳＳに「１」をセットした後、図１８のステップ５１０に進む。
【００８２】
一方、前記ステップ５０１がＹＥＳの場合には、そのまま図１８のステップ５１０に進み、前記ステップ５０２がＮＯの場合には、ステップ５０９でセンサセルＦ／ＢフラグＦＳＳに「１」をセットした後、図１８のステップ５１０に進む。
【００８３】
上記処理によれば図１９のタイムチャートに示されるように、エンジンの冷間始動直後に各セル１１０，１２０の温度が上昇する際、ポンプセル温度が６５０℃に達する時刻ｔ１１では、ポンプセルＦ／ＢフラグＦＰＳが「１」に操作される共に、ポンプセル１１０のインピーダンスＦ／Ｂ制御が開始される（図１７のステップ５０６，５０８）。時刻ｔ１１後にポンプセル温度が目標値に達する時、ポンプセル１１０のインピーダンスＦ／Ｂ制御が実施されているため、前記図１５のような過昇温（オーバーシュート）が生ずることはない。また、ポンプセル１１０のインピーダンスＦ／Ｂ制御の開始から所定時間（３０秒）が経過する時刻ｔ１２では、センサセルＦ／ＢフラグＦＳＳが「１」に操作される（図１７のステップ５０９）。
【００８４】
図１８のステップ５１０では、ポンプセル温度ＴＰＳとセンサセル温度ＴＳＳとの差から温度差Ｔｘを求める（Ｔｘ＝ＴＰＳ−ＴＳＳ）。ここで、各セル温度ＴＰＳ，ＴＳＳは、各セルのインピーダンスＺｐ，Ｚｓを変換して算出される値である。
【００８５】
そして、ステップ５１１〜５１７では、セル間の温度差Ｔｘに応じて「ポンプセル１１０のインピーダンスＦ／Ｂ制御」と「センサセル１２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御」とを選択的に実行する。つまり、ステップ５１１ではＴｘ≧９０℃であるか否かを判別し、ステップ５１２ではＴｘ≦７０℃であるか否かを判別する。Ｔｘ≧９０℃であればステップ５１４に進み、ポンプセル１１０のインピーダンスＦ／Ｂ制御を実行する。また続くステップ５１５で温度差発生フラグＦＨｉに「１」をセットする。
【００８６】
また、Ｔｘ≦７０℃であればステップ５１６に進み、センサセル１２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御を実行する。また続くステップ５１７で温度差発生フラグＦＨｉを「０」にクリアする。さらに、７０℃＜Ｔｘ＜９０℃であればステップ５１３に進み、温度差発生フラグＦＨｉの状態に応じてステップ５１４，５１６の処理を選択的に実行する。
【００８７】
上記ステップ５１１〜５１７の処理によれば、図２０のタイムチャートに示されるように、温度差Ｔｘが９０℃になる以前（時刻ｔ２１以前）は温度差発生フラグＦＨｉが「０（初期値）」で保持され、このとき、センサセル１２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御が実行される（図１８のステップ５１６）。また、温度差Ｔｘが９０℃に達する時刻ｔ２１では温度差発生フラグＦＨｉが「１」に操作され、ポンプセル１１０のインピーダンスＦ／Ｂ制御が開始される（図１８のステップ５１４）。その後、温度差Ｔｘが７０℃まで低下する時刻ｔ２２では温度差発生フラグＦＨｉが「０」にクリアされ、センサセル１２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御が再開される（図１８のステップ５１６）。
【００８８】
要するに、例えば排ガスの温度が安定していて温度差Ｔｘが比較的小さい時には、センサセル１２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御が実行される。また、例えば排ガスが一時的に温度上昇する時には、ポンプセル１１０が温度変化の影響を受けて温度差Ｔｘが比較的大きくなるために、ポンプセル１１０のインピーダンスＦ／Ｂ制御が実行される。なお、ステップ５１１〜５１７の処理によれば、温度差Ｔｘの判定値にヒステリシスが設けられるため、制御動作のハンチングが抑制される。
【００８９】
図１８の処理に戻りステップ５１８〜５２５では、セル温度のガード処理を実行する。詳細には、ステップ５１８では、ポンプセル１１０のインピーダンスＺｐを温度変換したポンプセル温度ＴＰＳが所定の上限値（例えば９００℃）未満であるか否かを判別し、ＴＰＳ＜上限値であれば、ステップ５１９で同ポンプセル温度ＴＰＳが所定の下限値（例えば６５０℃）を超えるか否かを判別する。そして、ＴＰＳ＞下限値であれば、ステップ５２０でセンサ不活性フラグＦＮを「０」にクリアし、ＴＰＳ≦下限値であれば、ステップ５２１でセンサ不活性フラグＦＮに「１」をセットする。センサ不活性フラグＦＮが「０」にクリアされることは、ポンプセル温度が降下してガス濃度センサ１００が正常に機能しない状態にあることを意味する。
【００９０】
また、ＴＰＳ≧上限値の場合、ステップ５２２でセンサ保護を図るべくヒータ通電を強制的にＯＦＦし、続くステップ５２３でセンサセル１２０のインピーダンスＺｓを温度変換したセンサセル温度ＴＳＳが所定の下限値（例えば６５０℃）を超えるか否かを判別する。そして、ＴＳＳ＞下限値であれば、ステップ５２４でセンサ不活性フラグＦＮを「０」にクリアし、ＴＳＳ≦下限値であれば、ステップ５２５でセンサ不活性フラグＦＮに「１」をセットする。但し、上記ステップ５１８，５１９，５２３の判別はインピーダンスＺｐ又はＺｓを用いて行ってもよい。
【００９１】
また一方で、上記の通り排ガス温による加熱等でセンサ温度分布が変化すると、ポンプセル特性の直流抵抗成分を表す傾きが変化する。より具体的には、図２１のＶ−Ｉ特性図において、ポンプセル温度が上昇すると、直流抵抗成分を表す傾きが大きくなり（図の（Ａ））、ポンプセル温度が降下すると、直流抵抗成分を表す傾きが小さくなる（図の（Ｂ））。このとき、厳密にはＶ−Ｉ特性上の限界電流検出域がＶ軸に対して僅かに右上がりとなり、ポンプセル印加電圧を設定するための本来の印加電圧点が限界電流検出域内のほぼ中央に存在することから、図の（Ａ）の変化により印加電圧点が図の左寄りにずれ、図の（Ｂ）の変化により印加電圧点が図の右寄りにずれる。
【００９２】
そこで本実施の形態では、図２２に示されるように、既述の印加電圧線ＬＸ１に加えて印加電圧線ＬＸａ，ＬＸｂ，ＬＸｃを新たに設け、ポンプセル１１０のインピーダンス値に応じて複数の印加電圧線を切り換えて使用する。具体的には、直流抵抗成分を表す傾きが大きくなるポンプセル高温時には印加電圧線ＬＸａを使い、直流抵抗成分を表す傾きが小さくなるポンプセル低温時には印加電圧線ＬＸｂ又はＬＸｃを使うこととする。これにより、ポンプセル印加電圧を設定するための本来の印加電圧点が図の左右にずれても、印加電圧が適切に設定できる。
【００９３】
図２３は、図２２中の複数の印加電圧線ＬＸ１，ＬＸａ〜ＬＸｃを選択的に用いてポンプセル印加電圧を可変に設定するための手順を示すフローチャートであり、同処理は例えば前記図１０のステップ２０４，２０５の間に挿入されて実施される。
【００９４】
図２３のステップ６０１では、ポンプセル１１０のインピーダンスＺｐを温度変換したポンプセル温度ＴＰＳが所定の判定値（８２０℃）未満であるか否かを判別し、ステップ６０２では同ポンプセル温度ＴＰＳが所定の判定値（７８０℃）未満であるか否かを判別し、ステップ６０３では同ポンプセル温度ＴＰＳが所定の判定値（７３０℃）未満であるか否かを判別する。そして、
・ステップ６０１がＮＯであれば、ステップ６０４で図２２の印加電圧線ＬＸａを選択し、
・ステップ６０２がＮＯであれば、ステップ６０５で図２２の印加電圧線ＬＸ１を選択し、
・ステップ６０３がＮＯであれば、ステップ６０６で図２２の印加電圧線ＬＸｂを選択し、
・ステップ６０３がＹＥＳであれば、ステップ６０７で図２２の印加電圧線ＬＸｃを選択する。
【００９５】
換言すれば、ＴＰＳ≧８２０℃の場合には印加電圧線ＬＸａが、ＴＰＳ＝７８０〜８２０℃の場合には印加電圧線ＬＸ１が、ＴＰＳ＝７３０〜７８０℃の場合には印加電圧線ＬＸｂが、ＴＰＳ＜７３０℃の場合には印加電圧線ＬＸｃが、それぞれ選択的に使われる。但し、上記ステップ６０１〜６０３の判別はインピーダンスＺｐを用いて行ってもよい。
【００９６】
なお本実施の形態では、前記図１７，図１８のステップ５０３，５１１〜５１３が請求項記載の判定手段に相当し、前記図１７，図１８のステップ５０８，５１４，５１６が通電制御手段に相当する。
【００９７】
以上第２の実施の形態によれば、上記第１の実施の形態と同様に、排ガスの温度や流速の変化によってもＮＯｘ濃度の検出精度が確保できることに加え、以下の効果が得られる。つまり、各セル１１０，１２０の活性状態に関わる温度条件を判定し（図１７，図１８）、その判定結果に応じてポンプセル１１０のインピーダンスＦ／Ｂ制御と、センサセル１２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御とを選択的に実施するようにしたので、センサ構造等に起因して各セルの温度特性が異なる場合にも、ガス濃度検出精度の低下が抑制される。その結果、各セル間の温度分布が変動してもガス濃度検出精度を確保することができる。
【００９８】
実際には、冷間始動当初には複数のセル１１０，１２０のうち、高温側のセル（本実施の形態ではポンプセル１１０）についてインピーダンスＦ／Ｂ制御を行い、その後、センサセル１２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御に移行するようにした。また、セル間の温度差が比較的大きい時には高温側のセル（本実施の形態ではポンプセル１１０）についてインピーダンスＦ／Ｂ制御を行い、セル間の温度差が比較的小さい時にはセンサセル１２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御を行うようにした。これにより、排ガスの温度が安定している時には、センサセル１２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御が行われ、排ガスが一時的に温度上昇する時には、温度変化の影響により最も温度上昇するセルのインピーダンスＦ／Ｂ制御が行われる。以上の構成により、各セル間の温度分布が変動しても、ガス濃度検出精度を確保することができる。
【００９９】
また、ポンプセル１１０，センサセル１２０の温度を所定の上限値及び下限値でガードするようにしたので、過昇温に伴うセンサ劣化や温度降下に伴うセンサ機能の低下といった問題が回避できる。
【０１００】
さらに、ポンプセル１１０のインピーダンスに応じて当該セル１１０の印加電圧を制御するようにしたので、ポンプセル印加電圧が適正に管理でき、酸素濃度の検出精度も確保できる。酸素濃度の検出精度が向上すれば、ＮＯｘ濃度の検出精度もより一層向上する。
【０１０１】
（第３の実施の形態）
上記第２の実施の形態の如く、ポンプセル１１０及びセンサセル１２０の両方について掃引法によるインピーダンス検出を行う場合、インピーダンス検出するセルの印加電圧を交流的に変化させると、その時の電流変化がインピーダンス検出しない他側セルに干渉する問題がある。つまり、例えばポンプセルのインピーダンスを検出する場合、当該ポンプセルへの交流電圧の印加に同期してセンサセル側にも電流が流れ、センサセル電流Ｉｓが不用意に変動してしまう（数μＡ程度）。同様に、センサセルのインピーダンスを検出する場合、当該センサセルへの交流電圧の印加に同期してポンプセル側にも電流が流れ、ポンプセル電流Ｉｐが不用意に変動してしまう（数μＡ程度）。
【０１０２】
そこで本実施の形態では、インピーダンス検出時において他側セルへの影響が及ばないように、酸素濃度又はＮＯｘ濃度を出力する信号経路の途中にサンプルホールド手段を設け、セル間の電流出力の干渉を抑制することとしている。
【０１０３】
本実施の形態におけるガス濃度検出装置の構成を図２４に示す。図２４の装置について前記図１６との相違点を述べれば、電流検出抵抗２１２の両端にはオペアンプ３０１ａ及び抵抗３０１ｂ〜３０１ｅからなる増幅回路３０１が接続され、その出力側にはＳ／Ｈ（サンプルホールド）回路３０２が接続される。Ｓ／Ｈ回路３０２は、酸素濃度検出時におけるポンプセル電流Ｉｐをサンプルし、信号ＳＧ１がオンとなる所定のゲートオン期間内においてサンプル値を逐次更新して出力する。
【０１０４】
また、電流検出抵抗２２２の両端にはオペアンプ３０３ａ及び抵抗３０３ｂ〜３０３ｅからなる増幅回路３０３が接続され、その出力側にはＳ／Ｈ（サンプルホールド）回路３０４が接続される。Ｓ／Ｈ回路３０４は、ＮＯｘ濃度検出時におけるセンサセル電流Ｉｓをサンプルし、信号ＳＧ２がオンとなる所定のゲートオン期間内においてサンプル値を逐次更新して出力する。
【０１０５】
かかる構成において、図２５のタイムチャートに示されるように、制御回路２００からＤ／Ａ１信号（指令電圧Ｖｂ）が出力されてポンプセル側のインピーダンス検出が行われる時、信号ＳＧ２によりセンサセル側（他側）のＳ／Ｈ回路３０４をホールド状態とする。これにより、センサセル電流Ｉｓに応じたＮＯｘ濃度出力がゲートＯＦＦ直前の値（インピーダンス検出直前の値）で保持され、セル干渉による出力変動が抑制される。
【０１０６】
また同様に、制御回路２００からＤ／Ａ０信号（指令電圧Ｖｃ）が出力されてセンサセル側のインピーダンス検出が行われる場合、信号ＳＧ１によりポンプセル側（他側）のＳ／Ｈ回路３０２をホールド状態とする。これにより、ポンプセル電流Ｉｐに応じた酸素濃度出力がゲートＯＦＦ直前の値（インピーダンス検出直前の値）で保持され、セル干渉による出力変動が抑制される。
【０１０７】
図示は省略するが、インピーダンス検出側のセルについてもその検出期間内でガス濃度出力の更新を一時的に取り止め、インピーダンス検出直前の値でガス濃度出力をホールドするようにしてもよい。これにより、何れのガス濃度出力に対しても不用意な出力変動が抑制される。
【０１０８】
以上第３の実施の形態によれば、新たに次の効果が得られる。つまり、ポンプセル１１０又はセンサセル１２０のインピーダンス検出のためにセル印加電圧を一時的に変化させる装置では、その電圧変化の際に互いのセル間で電流が干渉したり、ガス濃度の信号出力が不用意に変動したりする。これに対し本実施の形態では、インピーダンス検出時には直前の信号出力をＳ／Ｈ回路３０２，３０４によりホールドさせるため、上記不具合が解消される。
【０１０９】
（第４の実施の形態）
本実施の形態では、ポンプセル１１０及びセンサセル１２０の各インピーダンスを検出すると共に、それら両方の値の和（又は平均値）を使ってヒータ１０３のインピーダンスＦ／Ｂ制御を実行する。
【０１１０】
例えばポンプセル温度＝８００℃、センサセル温度＝７６０℃が各セルの目標温度である場合、その和＝１５６０℃をインピーダンスＦ／Ｂ制御の目標値とする。ここで、センサセル温度が目標値（７６０℃）で一定制御される時に、ガス濃度センサ１００の温度分布が変化してポンプセル温度が目標温度よりも１１０℃高い９１０℃まで上昇すると、セル間の温度差が「＋１５０℃」となる。この状態ではポンプセル１１０が過昇温の状態にある。そこで、各セルの温度の和が目標値（１５６０℃）になるようにヒータ通電を制御し、それぞれのセル温度を５５℃ずつ降下させてセンサセル温度を７０５℃、ポンプセル温度を８５５℃とする。これにより、ポンプセル１１０の過昇温状態が解消される。
【０１１１】
一方、同じくセンサセル温度が目標値（７６０℃）で一定制御される時に、ガス濃度センサ１００の温度分布が変化してポンプセル温度が目標温度よりも１９０℃低い６１０℃まで降下すると、セル間の温度差が「−１５０℃」となる。この状態ではポンプセル１１０が不活性状態にあり、センサとして正常に機能しない。そこで、各セルの温度の和が目標値（１５６０℃）になるようにヒータ通電を制御し、それぞれのセル温度を９５℃ずつ上昇させてセンサセル温度を８５５℃、ポンプセル温度を７０５℃とする。これにより、ポンプセル１１０の不活性状態が解消される。
【０１１２】
上記の如くポンプセル１１０及びセンサセル１２０の温度が何れも変動するため、各セルのインピーダンスに応じて印加電圧を制御する。例えば前記図２２及び図２３で説明した手法を用い、ポンプセル１１０のインピーダンスＺｐに基づいて複数の印加電圧線を選択的に使うようにするとよい。
【０１１３】
或いは、図２６に示す通り、センサセル１２０の印加電圧線をＬ１１，Ｌ１２Ｌ１３のように複数設定しておき、同センサセル１２０のインピーダンスＺｓに基づいて印加電圧線を選択的に使うようにするとよい。例えばセンサセル温度＝８００℃の時は印加電圧線Ｌ１１を、センサセル温度＝７５０℃の時は印加電圧線Ｌ１２を、センサセル温度＝７００℃の時は印加電圧線Ｌ１３を、それぞれ使い印加電圧を制御する。
【０１１４】
以上第４の実施の形態によれば、各セル１１０，１２０間で温度差が生じて温度分布が相違しても、温度差の拡大が解消される。その結果、各セル１１０，１２０の過昇温や不活性温度までの温度降下を抑制し、安定したガス濃度検出が可能となる。
【０１１５】
（第５の実施の形態）
ポンプセル１１０又はセンサセル１２０のインピーダンスを検出する装置において、当該セル１１０，１２０への印加電圧を変化させる際に、インピーダンス検出が原因でガス濃度の検出精度が悪化するのを防ぐ方法を提案する。
【０１１６】
要するに、前述の通りガス濃度センサ１００への指令電圧（印加電圧）は電圧波形をなますためのＬＰＦ（例えば図１６の符号２３０，２４０）に通されるが、このＬＰＦの時定数はインピーダンス検出に適した値で設定される。そのため、その構成のままでガス濃度検出を行うと、ガス濃度の検出誤差が大きくなるおそれがある。ガス濃度の検出誤差が生じる理由を図２７を用いて説明する。
【０１１７】
図２７において、空燃比がリッチからリーンへ移行する際、各セルに対して出力される指令電圧は破線のようにステップ状に変化するのに対し、ＬＰＦを通過した電圧は実線のように破線の指令電圧をなました波形で変化する。そのため、電圧印加に伴って流れる限界電流は、破線で示す真値よりも大きい方向にずれを生じる。従って、印加電圧を切り替えた直後の限界電流、すなわち図２７中の（●）のタイミングでガス濃度を検出する場合にはガス濃度の検出誤差が生じないのに対し、図の（○）のタイミングで限界電流を検出する場合には同電流値が真値から大きくずれ、結果としてガス濃度の検出誤差が生じる。
【０１１８】
そこで本実施の形態では、ガス濃度検出時にはインピーダンス検出時よりも大きい時定数のＬＰＦに切り換えることにより、図２７で見られたガス濃度の検出誤差を小さくする。ここで、ＬＰＦの時定数を大きくすることは、ガス濃度センサ１００の印加電圧変化の周波数を小さくすることに相当する。かかる場合には交流インピーダンス成分が大きくなり、印加電圧を変化させた時の電流変化が小さくなる。よって、限界電流の真値からのずれ量も図２８に示すように小さくなり、ガス濃度の検出誤差も低減できる。
【０１１９】
以上のことから、前記図２や前記図１６等におけるＬＰＦ２３０，２４０について、その時定数をインピーダンス検出時とガス濃度検出時とで変更する。その簡易的な構成として、ＬＰＦ２３０，２４０を図２９のように構成することが考えられる。つまり、図２９では、スイッチＳＷを使用してＬＰＦ２３０，２４０の抵抗値をＲ１又はＲ２（但し、Ｒ１＞Ｒ２）のいずれかに切り換え、時定数を変更する。より具体的には、ガス濃度検出時には図示の状態に操作して時定数を大きくし、インピーダンス検出時にはスイッチＳＷを切り換えて時定数を小さくする。なお、コンデンサ容量値を変化させて時定数を変更することも可能である。
【０１２０】
以上第５の実施の形態によれば、ガス濃度の検出誤差をなくし、その検出精度を向上させることができる。また、速度制限手段としてのＬＰＦ２３０，２４０により印加電圧の変更速度が制限されるため、印加電圧の発振が抑制される。因みに、印加電圧の発振を防止する他の構成としては、制御回路２００（ＣＰＵ）により印加電圧の変更速度を制限する構成でもよい。具体的には、通常５ｍＶ／４ｍｓの変更速度を、５ｍＶ／３０ｍｓ程度に遅くする。
【０１２１】
なお、本発明は、上記以外に次の形態にて具体化できる。
（他の形態１）上記第１の実施の形態において、ポンプセル１１０及びセンサセル１２０の両方についてインピーダンスを検出し、センサセル１２０のインピーダンスに応じてヒータ１０３のＦ／Ｂ制御を実施すると共に、ポンプセル１１０のインピーダンスに応じて当該セル１１０の印加電圧を制御する。この場合、第１の実施の形態で説明した効果に加え、ポンプセル印加電圧を適正に管理して酸素濃度の検出精度が確保できるという効果が得られる。
【０１２２】
（他の形態２）ポンプセル１１０及びセンサセル１２０の両方のインピーダンスを検出する装置では、例えば前記図１６に見られるように、Ｄ／ＡコンバータとＬＰＦとがそれぞれ２個ずつ必要になる。そこで、図３０に示されるように、ガス濃度センサ１００の共通の負側端子（基準電圧側）に、ＬＰＦ２６０と増幅回路２６１とを設け、Ｄ／Ａ０からＬＰＦ２６０に対して指令電圧を出力する。各セルのインピーダンス検出には、Ｄ／Ａ０出力を交流的に変化させ、その時の電圧変化量と電流変化量とからインピーダンスを検出する。この構成によれば、Ｄ／ＡコンバータとＬＰＦとが１つずつでよく、回路構成が簡素化できる。
【０１２３】
（他の形態３）図３１に示されるように、前記図３０の構成の一部を変更し、電流検出抵抗２１２の端子Ｖｄに増幅回路３１１及びＳ／Ｈ回路３１２を設けると共に、電流検出抵抗２２２の端子Ｖｅに増幅回路３１３及びＳ／Ｈ回路３１４を設ける。かかる場合、各セルのインピーダンス検出期間において、Ｓ／Ｈ回路３１２，３１４がインピーダンス検出直前の出力値を保持することにより、ガス濃度出力の不用意な出力変動が抑制され、信号出力が安定する。実際には、ポンプセル１１０のインピーダンス検出時に酸素濃度出力をホールドし、また、センサセル１２０のインピーダンス検出時にＮＯｘ濃度出力をホールドする。因みに、図３１の構成では、共通端子の印加電圧を変化させるため、インピーダンス検出時に各セルの電流が干渉するという問題はない。
【０１２４】
（他の形態４）上記各実施の形態では、ポンプセル１１０及びセンサセル１２０の共通の負側端子（ポンプ第２電極１１２，センサ第１電極１２１）をＧＮＤ電圧（０Ｖ電圧）よりも浮いた基準電圧Ｖａとしたが、この構成を変更する。例えば一方のセル（例えば図１のセンサセル１２０）の負側端子のみをＧＮＤ電圧から浮かすと共に他方のセル（図１のポンプセル１１０）の負側端子をＧＮＤ接地させたり、或いは両方のセルの負側端子をＧＮＤ接地させてもよい。
【０１２５】
（他の形態５）上記第２の実施の形態では、図２２に示されるように４本の印加電圧線を設定し、これら印加電圧線をポンプセルのインピーダンスに応じて選択的に用いることとしたが、この構成を変更する。例えば図２２のＶ−Ｉ特性図において、３本以下又は５本以上となる複数の印加電圧線を設定し、これらを選択的に使用してもよい。また、標準の印加電圧線をＬＸ１のみとし、ポンプセルのインピーダンスに応じてＬＸ１の傾きを補正するようにしてもよい。
【０１２６】
（他の形態６）上記第４の実施の形態では、ポンプセル１１０及びセンサセル１２０のインピーダンスの和が目標値になるようヒータ通電を制御したが、これに代えて、各セル１１０，１２０のインピーダンスの平均が目標値になるようヒータ通電を制御してもよい。この場合にも同様の効果が得られる。
【０１２７】
（他の形態７）上記各実施の形態では、各セルの内部抵抗を検出する手法として、掃引法を用いてセル印加電圧を一時的に変化させ、その時の電流変化から交流インピーダンスを検出したが、他の手法に変更してもよい。例えば抵抗検出時において、セル電流を一時的に変化させ、その時の電圧変化から交流インピーダンスを検出する。実際には、図３２の構成を用いる。なお図３２は、前記図２の構成の一部を変更したものである。
【０１２８】
図３２では、前記図２との相違点として、ガス濃度センサ１００のセンサ第２電極１２２と電流検出抵抗２２２との間にスイッチＳＷ１が設けられる。そして、同スイッチＳＷ１の接点ａには定電流Ｉｃｓｔを発生する定電流源３５０が接続され、接点ｂには電流検出抵抗２２２が接続される。通常はスイッチＳＷ１が接点ｂ側に操作される。また、インピーダンス検出時には制御回路２００によりスイッチＳＷ１が接点ａ側に切り換えられ、一時的にセンサセル１２０に定電流Ｉｃｓｔを流すよう構成される。なお、センサ第２電極１２２への印加電圧はＶｐで与えられる。
【０１２９】
実際の動作を図３３を用いて説明する。時刻ｔ３１以前は、スイッチＳＷ１が接点ｂ側に操作されており、それにより、センサセル１２０の両電極１２１，１２２には例えば０．５Ｖの電圧が印加される（Ｖｐ−Ｖａ＝０．５Ｖ）。時刻ｔ３１〜ｔ３２では、スイッチＳＷ１が開放状態で所定時間（２００μｓ程度）保持され、その時のＶｐ電圧がＡ／Ｄ０にて読み取られる（その値をＡＤ１とする）。
【０１３０】
また、時刻ｔ３２では、スイッチＳＷ１が接点ａ側に切り換えられてセンサセル１２０に定電流Ｉｃｓｔが流れる。時刻ｔ３２から所定時間経過後（例えば２５μｓ経過後）に、その時のＶｐ電圧がＡ／Ｄ０にて読み取られる（その値をＡＤ２とする）。そして、定電流Ｉｃｓｔと電圧変化量ΔＶ（ＡＤ２−ＡＤ１）とから、
インピーダンス＝ΔＶ／Ｉｃｓｔ
としてインピーダンスが検出される。その後、時刻ｔ３３ではスイッチＳＷ１が接点ｂ側に戻される。以上、センサセル１２０を例に取り、同セル１２０のインピーダンス検出について説明したが、勿論ポンプセル１１０についても同様にインピーダンス検出が可能となる。
【０１３１】
又は、各セルの内部抵抗として直流素子抵抗を検出し、この直流素子抵抗に応じてヒータＦ／Ｂ制御や印加電圧制御を実行する。なお直流素子抵抗は、センサＶ−Ｉ特性座標の抵抗支配域上に電圧（例えば負の電圧）を印加し、その時に流れる電流値（負の電流値）から検出すればよい。
【０１３２】
（他の形態８）本発明は、上記したガス濃度センサ１００以外にも適用できる。例えば図３４の構成のガス濃度センサに適用する。図３４に示すガス濃度センサ１５０では前記図３のガス濃度センサ１００と比較して、ポンプセルとセンサセルの設置場所が逆になっている。つまり、排ガス中の酸素濃度を検出するためのポンプセル１６０は多孔質拡散層１０１と大気ダクト１０２との間に設けられ、排ガス中のＮＯｘ濃度を検出するためのセンサセル１７０は多孔質拡散層１０１と排ガス空間との間に設けられる。各セル１６０，１７０に設置されるポンプ第１，第２電極１６１，１６２及びセンサ第１，第２電極１７１，１７２のうち、多孔質拡散層１０１側のポンプ第１電極１６１のみが、Ａｕ−Ｐｔ等、ＮＯｘガスに不活性な貴金属で形成される電極（ＮＯｘガスを分解し難い電極）であり、その他の電極は白金等、触媒活性の高い貴金属で形成される。ガス濃度センサ１５０（セル１６０，１７０）によるガス濃度の検出原理や出力特性については既述のセンサ１００と殆ど同じであるため、その説明を省略する。
【０１３３】
（他の形態９）上記各実施の形態では、２セル構造のガス濃度センサについてその具体例を示したが、それ以外に、３セル構造のガス濃度センサや、ポンプセルやセンサセルを複数に分割して設け、それにより４個以上のセルを持つガス濃度センサにも適用できる。以下には、３セル構造のガス濃度センサを用いたガス濃度検出装置への適用例を説明する。
【０１３４】
図３５を参照しつつ３セル構造のガス濃度センサ４００の構成を説明する。ガス濃度センサ４００は主要な構成として、排ガス中の酸素を排出することで酸素濃度を検出するポンプセル４１０（第１セル）と、酸素分圧を検知するリファレンスセル４３０と、ＮＯｘガスを分解しその酸素イオンを排出することでＮＯｘ濃度を検出するセンサセル４２０（第２セル）と、ヒータ４４０とを有する。
【０１３５】
エンジンから排出された排ガスは、第１多孔質拡散層４０１を介して第１チャンバ４０５に導入される。ポンプセル４１０は、リファレンス第１電極４３１とリファレンス第２電極４３２との間の電圧によりモニタしたリファレンスセル４３０の電圧に基づき、第１チャンバ４０５内に存在する酸素をＮＯｘが分解しないレベルで汲み出し制御する。すなわち、ポンプ第１電極４１１とポンプ第２電極４１２との間に電圧を印加することで酸素が汲み出され、この時に流れる電流を計測することで酸素濃度が検出される。
【０１３６】
酸素が汲み出された排ガスは、第２多孔質拡散層４０４を介して第２チャンバ４０６に導入される。第２チャンバ４０６内に存在するＮＯｘガスは、センサセル４２０を用いて分解し汲み出されるように制御される。すなわち、センサ第１電極４２１とセンサ第２電極４２２との間に電圧を印加することでＮＯｘガスが汲み出され、この時に流れる電流値を計測することでＮＯｘ濃度が検出される。
【０１３７】
例えば第１チャンバ４０５内の排ガスがリーンである程（酸素が多く含まれる状態）、リファレンスセル４３０の起電力が低減され、リファレンス第２電極４３２の電圧は低下する。このとき、第１チャンバ４０５内の酸素がポンプセル４１０を介して排ガス側（図の上側）に排出される。また、第１チャンバ４０５内の排ガスの酸素濃度が非常に低い場合、リファレンスセル４３０の起電力が上昇し、リファレンス第２電極４３２の電圧が上昇する。このとき、第１チャンバ４０５内の酸素の排出が少なくなる。その際のポンプセル電流を計測することにより、排ガス中の酸素濃度が検出できる。
【０１３８】
一方、排ガス中の酸素を排出された後のガスは第２多孔質拡散層４０４を介して第２チャンバ４０６に導入される。センサセル４２０に所定の電圧が印加されると、同センサセル４２０はＮＯｘガスを分解し、酸素イオンを第２チャンバ４０６から大気ダクト４０７側に排出する。その際のセンサセル電流を計測することにより、排ガス中のＮＯｘ濃度が検出できる。
【０１３９】
ヒータ４４０は、絶縁層４４１，４４２に埋設されており、上記各セル４１０，４２０，４３０を含めセンサ全体（電極含む）を活性状態にすべく、外部からの給電により熱エネルギを発生させる。
【０１４０】
そして、上記構成のガス濃度センサ４００において、例えば第１の実施の形態のように、センサセル４２０（第２セル）のインピーダンスに基づいてヒータ通電を制御することで、当該センサセル４２０のインピーダンスが一定に制御できるようになる。従って、排ガスの温度や流速の変化によって当該センサセル４２０の温度が不用意に変動し、ＮＯｘ濃度の検出精度が低下するといった不具合が解消される。その結果、常にガス濃度の検出精度を確保するという本発明の目的が達せられる。
【０１４１】
或いは、第２の実施の形態のように、各セル４１０，４２０，４３０のインピーダンスを検出すると共に、当該各セル４１０〜４３０の活性状態に関わる温度条件を判定し、その判定結果に応じて各セル４１０〜４３０のインピーダンスＦ／Ｂ制御を選択的に実施する。これにより、センサ構造等に起因して各セルの温度特性が異なる場合にも、ガス濃度検出精度の低下が抑制される。その結果、各セル間の温度分布が変動してもガス濃度検出精度を確保することができる。
【０１４２】
実際には、エンジンの冷間始動当初には複数のセル４１０〜４３０のうち、最も高温のセルについてインピーダンスＦ／Ｂ制御を行い、その後、センサセル４２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御に移行する。また、セル間の温度差が比較的大きい時には最も高温のセルについてインピーダンスＦ／Ｂ制御を行い、セル間の温度差が比較的小さい時にはセンサセル４２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御を行うようにする。これにより、排ガスの温度が安定している時には、センサセル４２０のインピーダンスＦ／Ｂ制御が行われ、排ガスが一時的に温度上昇する時には、温度変化の影響により最も温度上昇するセルのインピーダンスＦ／Ｂ制御が行われる。以上の構成により、各セル間の温度分布が変動しても、ガス濃度検出精度を確保することができる。
【０１４３】
（他の形態１０）酸素濃度とＮＯｘ濃度とを検出可能なガス濃度センサの他、酸素濃度と、ＨＣ濃度又はＣＯ濃度とを検出可能なガス濃度センサにも適用できる。ＨＣ濃度又はＣＯ濃度を検出する場合、ポンプセルにて排ガス（被検出ガス）中の余剰酸素を排出し、センサセルにて余剰酸素排出後のガス成分からＨＣ又はＣＯを分解する。これにより、酸素濃度に加え、ＨＣ濃度又はＣＯ濃度が検出できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ガス濃度検出装置の基本構成を示すブロック図。
【図２】第１の実施の形態におけるガス濃度検出装置を示す全体構成図。
【図３】ガス濃度センサの構成を示す要部断面図。
【図４】ガス濃度センサの動作原理を説明するための図。
【図５】ガス濃度センサのポンプセル特性を説明するためのＶ−Ｉ特性図。
【図６】ガス濃度センサのセンサセル特性を説明するためのＶ−Ｉ特性図。
【図７】ポンプセル及びセンサセルの温度特性を示す図。
【図８】センサセルの温度依存性を説明するためのＶ−Ｉ特性図。
【図９】メインルーチンを示すフローチャート。
【図１０】印加電圧制御サブルーチンを示すフローチャート。
【図１１】インピーダンス検出サブルーチンを示すフローチャート。
【図１２】ヒータ制御サブルーチンを示すフローチャート。
【図１３】インピーダンス検出時における信号の変化を示す波形図。
【図１４】他の形態においてガス濃度検出装置を示す全体構成図。
【図１５】エンジン始動時からのセル温度の推移を示すタイムチャート。
【図１６】第２の実施の形態におけるガス濃度検出装置を示す全体構成図。
【図１７】第２の実施の形態においてヒータ制御サブルーチンを示すフローチャート。
【図１８】図１７に続き、ヒータ制御サブルーチンを示すフローチャート。
【図１９】エンジン始動時におけるセル温度の推移を示すタイムチャート。
【図２０】インピーダンスＦ／Ｂ制御の切り換えを説明するためのタイムチャート。
【図２１】温度変化に伴うポンプセル特性の変化を示すＶ−Ｉ特性図。
【図２２】複数の印加電圧線を設定するためのＶ−Ｉ特性図。
【図２３】印加電圧制御の一部を示すフローチャート。
【図２４】第３の実施の形態におけるガス濃度検出装置を示す全体構成図。
【図２５】信号波形を示すタイムチャート。
【図２６】温度変化に伴うセンサセル特性の変化を示すＶ−Ｉ特性図。
【図２７】印加電圧と限界電流との推移を示すタイムチャート。
【図２８】印加電圧と限界電流との推移を示すタイムチャート。
【図２９】ＬＰＦの構成を示す電気回路図。
【図３０】他の形態においてガス濃度検出装置を示す全体構成図。
【図３１】他の形態においてガス濃度検出装置を示す全体構成図。
【図３２】他の形態においてガス濃度検出装置を示す全体構成図。
【図３３】インピーダンス検出時における電圧変化を示す波形図。
【図３４】他の形態においてガス濃度センサの構成を示す要部断面図。
【図３５】他の形態においてガス濃度センサの構成を示す要部断面図。
【符号の説明】
１００，１５０，４００…ガス濃度センサ、１０３…ヒータ、１１０，１６０…第１セルとしてのポンプセル、１２０，１７０…第２セルとしてのセンサセル、２００…検出手段，第１の検出手段，第２の検出手段，通電制御手段，判定手段を構成する制御回路、２１２，２２２…電流検出抵抗、２３０，２４０…速度制限手段を構成するＬＰＦ（ローパスフィルタ）、３０２，３０４，３１２，３１４…Ｓ／Ｈ回路（サンプルホールド回路）、４００…ガス濃度センサ、４４０…ヒータ、４１０…第１セルとしてのポンプセル、４２０…第２セルとしてのセンサセル、４３０…リファレンスセル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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