(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の支持基板と、第２の支持基板と、結合部材とを含み、積層セラミック電子部品を製造するために用いられる装置であって、
前記第１の支持基板及び前記第２の支持基板は、その面内に、厚み方向に貫通する多数の孔からなる導水路を有し、互いに対向しており、
前記結合部材は、前記第１の支持基板及び前記第２の支持基板を結合する、
積層セラミック電子部品の製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載された製造装置であって、前記支持基板は、網状である製造装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された製造装置であって、前記第１の支持基板及び前記第２の支持基板は、取り付け用孔を含み、前記結合部材は、棒状であり、前記取り付け用孔に挿入されている製造装置。
【請求項４】
第１の支持基板と、第２の支持基板と、結合部材と、弾性部材とを含み、積層セラミック電子部品を製造するために用いられる装置であって、
前記第１の支持基板及び前記第２の支持基板は、導水路を有し、互いに対向しており、
前記導水路は、前記第１の支持基板、及び、前記第２の支持基板の互いに対向する面まで導かれており、
前記結合部材は、棒状であり、前記第１の支持基板及び前記第２の支持基板に設けられた取り付け用孔に挿入され、一端がストッパーにより前記第１の支持基板に固定され、
前記弾性部材は、前記第２の支持基板をバネ押圧するように、前記結合部材に取り付けられ、前記第１の支持基板と前記第２の支持基板との間に備えられる積層体に、一軸加圧が加えられる、
積層セラミック電子部品の製造装置。
【請求項５】
請求項４に記載された製造装置であって、前記支持基板は、網状である製造装置。
【請求項６】
積層セラミック電子部品の製造方法であって、
内部電極を介してセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成し、
前記積層体を密閉化した後、製造装置を用いて、前記積層体に静水圧を加える工程を含み、
前記製造装置は、第１の支持基板と、第２の支持基板と、結合部材とを含み、
前記第１の支持基板及び前記第２の支持基板は、厚み方向に貫通する多数の孔からなる導水路を有し、互いに対向しており、
前記結合部材は、前記第１の支持基板及び前記第２の支持基板を結合しており、
前記積層体を、前記第１の支持基板と前記第２の支持基板との間に挟み込み、前記導水路及び前記支持基板を介して、前記積層体に静水圧を加え、前記積層体に対して、一軸加圧を加える、
工程を含む積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された製造方法であって、前記支持基板は、網状である製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載された製造方法であって、前記第１の支持基板及び前記第２の支持基板は、取り付け用孔を含み、前記結合部材は、棒状であり、前記取り付け用孔に挿入されている製造方法。
【請求項９】
積層セラミック電子部品の製造方法であって、
内部電極を介してセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成し、
前記積層体を密閉化した後、製造装置を用いて、前記積層体に静水圧を加える工程を含み、
前記製造装置は、第１の支持基板と、第２の支持基板と、結合部材と、弾性部材とを含み、
前記第１の支持基板及び前記第２の支持基板は、導水路を有し、互いに対向しており、
前記導水路は、前記第１の支持基板、及び、前記第２の支持基板の互いに対向する面まで導かれており、
前記結合部材は、棒状であり、前記第１の支持基板及び前記第２の支持基板に設けられた取り付け用孔に挿入され、一端がストッパーにより前記第１の支持基板に固定され、
前記弾性部材は、前記第２の支持基板をバネ押圧するように、前記結合部材に取り付けられ、
前記積層体を、前記第１の支持基板と前記第２の支持基板との間に挟み込み、前記導水路及び前記支持基板を介して、前記積層体に静水圧を加える、
工程を含む積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載された製造方法であって、前記支持基板は、網状である製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、積層セラミック電子部品、その製造方法、及び、この製造方法の実施に直接用いられる製造装置に関する。更に詳しくは、静水圧による等方向加圧技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
積層コンデンサ、積層インダクタ、積層アルミナ基板、積層バリスタ、積層圧電（電歪）素子などの電子部品は、内部電極パターンを印刷したセラミックグリーンシート（未焼成セラミックシート）を所定枚数積層して積層体を構成し、積層体をラミネート（加熱圧縮一体化）し、その後、切断し、脱脂し、焼成する工程を経て製造される。
【０００３】
ラミネート前の積層体は、内部電極パターンを印刷したセラミックグリーンシートが積層された状態であるから、内部電極が備えられている部分と、内部電極が備えられていない部分との間に、密度差がある。この密度差は、焼成後の積層体の形状歪みや構造欠陥の原因となり、素体のポア、デラミネーション等の内部欠陥、外観不良、ショート不良等を引き起こし、歩留りの低下、及び、信頼性の低下を招く。
【０００４】
そこで、この問題を解決する手段として、ラミネート工程において、積層体に静水圧を等方向加圧することにより、積層体の内部の密度を均一にする技術が知られている。この種の技術としては、常温で静水圧を加圧するＣＩＰ（Cold Isostatic Pressing）や，高温で静水圧を加圧するＷＩＰ（Warm Isostatic Pressing）等がある。
【０００５】
例えば、特開平８−２５５７２８号公報は、積層体をポリエチレンなどのプラスチックフイルムのパックに入れて、真空で熱シールすることにより密閉し、その後に６０〜８５℃の温度で（１００〜３００）×９．８×１０4Ｐａの静水圧を等方向加圧する技術を開示している。
【０００６】
しかし、特開平８−２５５７２８号公報に記載の技術では、積層体の形状が大きく歪むので、十分な静水圧（例えば、３００×（９．８×１０4Ｐａ）以上）を加えることができず、構造欠陥の発生を十分に抑えることができなかった。
【０００７】
別の先行技術として、特開平１１−４０４５７号公報は、支持基板上に配置した積層体を密閉し、１０００×（９．８×１０4Ｐａ）以上の静水圧を加える技術を開示している。
【０００８】
しかし、特開平１１−４０４５７号公報に記載の技術は、積層体の下に支持基板を配置した状態で加圧しているので、積層体の上側のみに大きな静水圧が印加され、積層体の歪みが上側に集中する。
【０００９】
このため、積層体の上側のみが大きく歪むので、上側において構造欠陥が生じ易くなるという問題があった。また、積層体の上側のみが大きく歪むので、上下面の対称性が著しく悪くなり、外観不良が発生するという問題もあった。
【００１０】
特に、チップ積層コンデンサのような積層型電子部品を多層、薄層化して大容量化を図る際には、誘電体層の厚みが従来の５μｍから１〜２μｍに薄層化され、内部電極の厚みが、従来の２μｍから、０．３〜１μｍに薄層化され、積層数が５００〜１０００層に増加される。このため、内部電極が形成されている部分と形成されていない部分との間での密度差が大きくなり、その密度差が元で、形状の歪みや、内部に発生する構造欠陥が多数発生するようになった。
【００１１】
このため、例えば、積層コンデンサにおいて、積層体の積層数を増大（例えば、３００〜５００層以上）すると同時に、セラミックグリーンシートを内部電極と同程度に薄く（例えば、２μｍ以下）することにより、小型化と大容量化とを図った場合には、内部電極が形成されている部分と、形成されていない部分との間の密度差が非常に大きくなり、積層体の上側の歪みや構造欠陥が著しく大きくなっていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、構造欠陥の発生を抑え得る積層セラミック電子部品、その製造方法、及び、この製造方法の実施に直接用いられる製造装置を提供することである。
【００１３】
本発明のもう一つの課題は、外観不良の発生を抑え得る積層セラミック電子部品、その製造方法、及び、この製造方法の実施に直接用いられる製造装置を提供することである。
【００１４】
本発明の更にもう一つの課題は、作業性に優れた積層セラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【００１５】
本発明の更にもう一つの課題は、本発明の積層セラミック電子部品の製造に適した、積層セラミック電子部品の製造装置を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明は、積層セラミック電子部品、積層セラミック電子部品の製造方法、及び、積層セラミック電子部品の製造装置を開示する。
【００１７】
１．積層セラミック電子部品
本発明の積層セラミック電子部品は、セラミック基体と、内部電極とを含む。
【００１８】
内部電極は、複数であり、それぞれは、セラミック基体の厚み方向に間隔を隔てて、その内部に層状に埋設されている。
【００１９】
セラミック基体の厚み方向の中心を基準として、上側に備えられた内部電極と、下側に備えられた内部電極とは、互いに反対方向に湾曲している。
【００２０】
上述した本発明の積層セラミック電子部品によれば、次のような作用及び効果が得られる。
【００２１】
まず、内部電極は、複数であり、セラミック基体の内部に、層状に備えられている。このため、セラミック基体の有する特性に応じた各種のセラミック電子部品を得ることができる。たとえば、誘電体セラミック基体を用いた場合には積層コンデンサ、フェライトでなるセラミック基体を用いた場合には、積層インダクタ、電圧非直線性セラミック基体を用いた場合には積層バリスタ、圧電セラミック基体を用いた場合は積層圧電（電歪）素子など、各種のセラミック電子部品を得ることができる。
【００２２】
セラミック基体の厚み方向の中心を基準として、上側に備えられた内部電極は、下側に備えられた内部電極と反対方向に湾曲しているので、湾曲が上側と下側とに分散される。このため、上側又は下側の一方のみが湾曲する場合よりも、歪み量が略１／２になるので、構造欠陥の発生を抑えることができる。また、上下面がほぼ対称形状になるので、外観不良が低減する。
【００２３】
したがって、例えば、積層コンデンサにおいて、積層体の積層数を増大（例えば、５００層以上）すると同時に、セラミックグリーンシートを内部電極と同程度に薄く（例えば、２μｍ以下）することにより、小型化と大容量化とを図った場合でも、歪み量が略１／２になるので、構造欠陥の発生を抑え、また、外観不良を低減することができる。
【００２４】
２．積層セラミック電子部品の製造方法
本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、内部電極を介してセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する。そして、積層体を密閉化した後、これを、少なくとも２つの支持基板の間に配置する。支持基板は、導水路を含み、導水路は、外部から積層体を支持する面まで導かれている。そして、導水路及び支持基板を介して、積層体に静水圧を加える。
【００２５】
上述した本発明の積層セラミック電子部品の製造方法によれば、次のような作用及び効果が得られる。
【００２６】
まず、積層体を密閉化しているので、静水圧を加えるための水等の媒体が積層体の内部に侵入することがない。
【００２７】
次に、密閉化された積層体を少なくとも２つの支持基板間に配置し、積層体に静水圧を加えるから、静水圧が積層体の両面にほぼ対称的に印加される。したがって、積層体に歪みや、反り等の不具合が生じにくなる。このため、構造欠陥の発生を抑え、また、外観不良を低減することができる。
【００２８】
しかも、支持基板は、導水路を含み、導水路は、外部から積層体を支持する面まで導かれている。このため、支持基板のみならず、導水路を介しても、積層体に静水圧が加えられる。すなわち、積層体の上下面のうち、支持基板に接している部分は、支持基板から受ける静水圧によって加圧され、また、導水路に接している部分は、導水路を通って印加される静水圧によって加圧される。このため、積層体に対する静水圧の対称性が一層向上し、積層体における歪みや、反り等の不具合の発生が、更に効果的に抑制される。
【００２９】
また、上述した静水圧印加作用により、例えば、超高圧（５００〜５０００）×９．８×１０4Ｐａを加えることも可能になる。内部電極、及び、セラミックグリーンシートが薄くなり（例えば、２μｍ以下）、変形しやすくなった場合でも、超高圧（５００〜５０００）×９．８×１０4Ｐａを加えることができる。
【００３０】
更に、上述したように、静水圧が積層体の両面にほぼ対称的に印加されるから、一枚の支持基板上に積層体を配置した従来技術との対比において、積層体の歪み量が略１／２になる。このため、構造欠陥の発生を抑えることができる。また、上下面がほぼ対称形状になるので、外観不良が低減する。
【００３１】
したがって、例えば、積層コンデンサにおいて、積層体の積層数を増大（例えば、５００層以上）すると同時に、セラミックグリーンシートを内部電極と同程度に薄く（例えば、２μｍ以下）することにより、小型化と大容量化とを図った場合でも、構造欠陥の発生を抑え、また、外観不良を低減することができる。
【００３２】
積層体に静水圧を等方向加圧する方法としてＷＩＰを用いた場合には、積層体のセラミックグリーンシートを形成する有機バインダーが柔らかくなるので、セラミックグリーンシートと内部電極との境界面まで十分に加圧することが可能となる。このため、構造欠陥の発生を更に抑えることができる。
【００３３】
ＷＩＰを施す場合の加熱温度は、有機バインダの主成分のガラス転移点（転移点が定かで無い場合は軟化点）よりも６０℃低い温度からガラス転移点よりも３０℃高い温度の範囲が好ましい。
【００３４】
このような加熱温度を用いた場合は、加熱温度が低すぎないので、有機バインダが十分に柔らかくなり、等方向加圧の効果が十分に出る。また、加熱温度が高すぎないので、積層体に含まれている溶剤がガス化し、デラミネーション等の構造欠陥を発生させることがない。更に、加熱温度が高すぎないので、有機バインダが柔らかくなりすぎず、積層体の変形量を所定範囲内に抑えることができ、次の切断工程で、歩留まりの低下を抑えることができる。
【００３５】
３．積層セラミック電子部品の製造装置
本発明の積層セラミック電子部品を製造する装置は、第１の支持基板と、第２の支持基板と、結合部材とを含む。
【００３６】
第１の支持基板及び第２の支持基板は、導水路を有し、互いに対向している。導水路は、第１の支持基板、及び、第２の支持基板の互いに対向する面まで導かれている。結合部材は、第１の支持基板及び第２の支持基板を結合している。
【００３７】
この製造装置は、本発明に係る製造方法の実施に直接用いることができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】
１．積層セラミック電子部品
図１は本発明に係る積層セラミック電子部品の正面断面図、図２は図１の２−２断面図である。図１、図２に示した積層セラミック電子部品は、積層コンデンサである。本発明に係る積層セラミック電子部品は、積層インダクタ、積層アルミナ基板、積層バリスタ、積層圧電（電歪）素子などであってもよい。
【００３９】
図１において、本実施例に係る積層セラミック電子部品は、セラミック基体１１と、内部電極２０１、２０２と、外部電極２２１、２２２とを含む。外部電極２２１、２２２は、セラミック基体１１の側面に備えられている。セラミック基体１１は、上面２１３の形状と下面２１４の形状とが、ほぼ等しく、太鼓形状である。
【００４０】
内部電極２０１、２０２は、例えば５００本（図１においては、１０本）であり、セラミック基体１１の内部に埋設され、端部が細くなっている。内部電極２０１は外部電極２２１に接続され、内部電極２０２は外部電極２２２に接続されている。内部電極２０１、２０２は、交互に配置され、セラミック基体１１の厚み方向に間隔を隔てて層状に備えられている。例えば、内部電極２０１、２０２は、５００層（図１においては、１０層）である。
【００４１】
セラミック基体１１の厚み方向の中心を基準として、上側に備えられた内部電極２０１、２０２は、下側に備えられた内部電極２０１、２０２とは互いに反対方向に湾曲している。好ましくは、上側に備えられた内部電極２０１、２０２は、下側に備えられた内部電極２０１、２０２と、ほぼ対称形状であり、弧状に湾曲し、凹曲面が向きあっている。
【００４２】
セラミック基体１１において、内部電極２０１、２０２が形成された部分は、内部電極２０１、２０２の分だけ、内部電極２０１、２０２が形成されていない部分よりも厚くなる。例えば、内部電極２０１、２０２の厚みをｂ、内部電極２０１、２０２間の厚みをａとすると、セラミック基体１１の厚み方向の中心からｎ層目の厚みは、内部電極２０１、２０２が形成されていない部分がｎａ、内部電極２０１、２０２が形成された部分がｎ（ａ＋ｂ）となる。したがって、セラミック基体１１の厚み方向の中心からｎ層目の内部電極２０１、２０２の湾曲の大きさは、ｎｂとなる。この湾曲の大きさは、セラミック基体１１の厚み方向の中心から離れるほど大きくなる。
【００４３】
図示実施例に示すように、内部電極２０１、２０２は、複数であり、セラミック基体１１の内部に、層状に備えられている。このため、セラミック基体１１の有する特性に応じた各種のセラミック電子部品を得ることができる。たとえば、誘電体セラミック基体を用いた場合には積層コンデンサ、フェライトでなるセラミック基体を用いた場合には、積層インダクタ、電圧非直線性セラミック基体を用いた場合には積層バリスタ、圧電セラミック基体を用いた場合は積層圧電（電歪）素子など、各種のセラミック電子部品を得ることができる。
【００４４】
セラミック基体１１の厚み方向の中心を基準として、上側に備えられた内部電極２０１、２０２は、下側に備えられた内部電極２０１、２０２と反対方向に湾曲しているので、湾曲が上側と下側とに分散される。このため、上側又は下側の一方のみが湾曲する場合よりも、歪み量が略１／２になるので、構造欠陥の発生を抑えることができる。また、上下面がほぼ対称形状になるので、外観不良が低減する。
【００４５】
したがって、例えば、積層コンデンサにおいて、積層体３の積層数を増大（例えば、５００層以上）すると同時に、セラミックグリーンシート１を内部電極２０１、２０２と同程度に薄く（例えば、２μｍ以下）することにより、小型化と大容量化とを図った場合でも、歪み量が略１／２になるので、構造欠陥の発生を抑え、また、外観不良を低減することができる。
【００４６】
２．積層セラミック電子部品の製造装置
図３は本発明に係る積層セラミック電子部品の製造装置の正面図である。図３において、積層セラミック電子部品の製造装置８は、第１の支持基板４１と、第２の支持基板４２と、結合部材６１とを含む。第１の支持基板４１と第２の支持基板４２とは、互いに対向している。結合部材は、第１の支持基板及び第２の支持基板を結合している。図示実施例では、更に、弾性部材６２を含んでいる。
【００４７】
図４は図３に示した製造装置に含まれる第１及び第２の支持基板の平面図、図５は図４に示した第１及び第２の支持基板の正面断面図である。第１の支持基板４１は、図４及び図５に示すように、導水路４１５と、取り付け用孔４１１〜４１４とを有する。第２の支持基板４２は、導水路４２５と、取り付け用孔４２１〜４２４とを有する。
【００４８】
導水路４１５（４２５）は、第１の支持基板４１又は第２の支持基板４２の厚み方向に貫通する円形の孔であり、第１の支持基板４１及び第２の支持基板４２の互いに対向する面まで導かれている。
【００４９】
再び図３において、結合部材６１は、棒状であり、取り付け用孔４１１〜４１４、４２１〜４２４に挿入され、ストッパー６１１で固定されている。弾性部材６２は、第１の支持基板４１、及び、第２の支持基板４２の少なくとも一方をバネ押圧する。これにより、第１の支持基板４１と第２の支持基板４２との間に備えられる積層体には、一軸加圧Ｐ１が施される。
【００５０】
支持基板４１、４２は、例えば、５０００×（９．８×１０4Ｐａ）の静水圧に対しても形状変化が５％以内に納められるような剛性を有することが望ましい。また、支持基板４１、４２は、多孔質の焼結金属、金属網、セラミックまたは硬質プラスチックで構成することが好ましい。
【００５１】
図６は図３に示した製造装置に含まれる第１及び第２の支持基板の平面図、図７は図６に示した第１及び第２の支持基板の正面断面図である。図６、図７において、図３乃至図５に現われた構成部分と同一の部分については、同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００５２】
図６、図７において、導水路４１５（４２５）は、第１（第２）の支持基板４１（４２）の厚み方向に貫通する菱形の孔である。
【００５３】
図８は図３に示した製造装置に含まれる第１及び第２の支持基板の平面図、図９は図８に示した第１及び第２の支持基板の正面断面図である。図８、図９において、図３乃至図５に現われた構成部分と同一の部分については、同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００５４】
図８、図９において、導水路４１５（４２５）は、第１（第２）の支持基板４１（４２）に設けられた凹溝である。
【００５５】
上述した本実施例の積層セラミック電子部品の製造装置は、棒状の結合部材６１が、取り付け用孔４１１〜４１４、４２１〜４２４に挿入されている。このため、第１の支持基板４１及び第２の支持基板４２をスライドさせることにより、第１の支持基板４１と第２の支持基板４２との間に積層体を確実に保持できる。また、弾性部材６２を用いて、積層体に一軸加圧Ｐ１を施すこともできる。
【００５６】
３．積層セラミック電子部品の製造方法
次に上述した製造装置を用いた積層セラミック電子部品の製造方法について図１０〜図１７を参照して、詳しく説明する。
【００５７】
本発明の積層セラミック電子部品の製造方法は、まず、図１０に示すように、下部保護層１１０の上に、内部電極２０１、２０２を有するセラミックグリーンシート１を複数枚積層し、最後に、上部保護層１２０を積層する。セラミックグリーンシート１は、例えば、平面積２００ｍｍ×２００ｍｍ、厚さ４μｍである。例えば、セラミックグリーンシート１は、５００枚積層される。
【００５８】
図１０に示した積層工程を経ることにより、図１１に示すように、下部保護層１１０、セラミックグリーンシート１、及び、上部保護層１２０が積層され、積層体３が形成される。この積層体３は、例えば、一軸油圧プレスを用いて、１００×（９．８×１０4Ｐａ）で加圧し、予備プレスすることが望ましい。予備プレスを行なうと、１０００×（９．８×１０4Ｐａ）以上の超高圧でＣＩＰ処理を行なった場合でも、積層体自身の歪みや変形等の発生がなく、後の切断工程におけるパターンズレによる特性不良や、焼成時におけるデラミネーション等の発生を防止し、高品質の積層セラミックコンデンサを製造することができる。
【００５９】
また、積層体３は、積層工程において、上側の層と、下側の層とを別々に積層し、上側の層の上下面を反転させて下側の層に重ね合せることが更に好ましい。このように積層することにより、積層体３は、予備プレス後の上下方向の密度分布が対称となる。このため、ＣＩＰ処理による積層体３の反りや変形を更に防ぐことができる。
【００６０】
次に、図１２に示すように、積層体３を、包装用フイルム６で覆う。包装用フイルム６としては、例えば、ポリエチレン、サランラップ（登録商標）等の有機材料を用いることができる。
【００６１】
次に、図１３に示すように、包装用フィルム６を真空密閉することにより、積層体３に包装用フィルム６密着させ、真空包装体７を得る。
【００６２】
次に、図１４に示すように、積層セラミック電子部品の製造装置８（図３参照）を用意し、密閉化した積層体３を支持基板４１−４２の間に配置する。積層体３の上下面には、支持基板４１、４２から一軸加圧Ｐ１が加えられる。この一軸加圧Ｐ１は、上述した予備プレス（１００×（９．８×１０4Ｐａ））よりも小さい圧力であることが好ましい。
【００６３】
次に、ＣＩＰを施す。図１４において、金型９２は、加圧媒体となる水９３を収納する受け金型であり、金型９１は、加圧用金型である。真空包装体７、及び、積層セラミック電子部品の製造装置８は、金型９２内に収納され、金型９１から等方向加圧（静水圧）Ｐ２が加えられる。これにより、積層体３の上下面は、導水路４１５、４２５及び支持基板４１、４２を介して、加圧される。すなわち、積層体の上下面のうち、支持基板４１、４２に接している部分は、支持基板４１、４２からＰ１＋Ｐ２で加圧され、導水路４１５、４２５に接している部分は、導水路４１５、４２５からＰ２で加圧される。本発明において、静水圧は、（５００〜５０００）×９．８×１０4Ｐａであることが好ましい。本実施例において、静水圧は１０００×（９．８×１０4Ｐａ）である。
【００６４】
次に、図１５に示すように、真空包装体７から積層体３を取り出す。この積層体３に対しては、更に、切断、焼成工程等が施され、図１に示した積層セラミック電子部品が製造される。ＣＩＰを施した後の工程は周知であるので、説明は省略する。
【００６５】
図１６、図１７は、積層体が加圧される様子を示すイメージ図である。図１６は、本実施例の積層セラミック電子部品の製造方法を用いたものであり、図１７は、特開平１１−４０４５７号公報に記載の技術を用いたものである。図１６、図１７において、一点鎖線は、セラミックグリーンシート１の変形を示している。
【００６６】
図１６に示すように、本実施例の積層セラミック電子部品の製造方法によれば、湾曲が上側と下側とに分散されので、上側のみが湾曲する図１７に示した製造方法と比べて、歪み量が略１／２になる。
【００６７】
上述した本実施例の積層セラミック電子部品の製造方法によれば、次のような作用及び効果が得られる。
【００６８】
まず、積層体３を密閉化しているので、静水圧Ｐ２を加えるための水９３等の媒体が積層体の内部に侵入することがない。
【００６９】
次に、密閉化された積層体３を少なくとも２つの支持基板４１−４２の間に配置し、積層体３に静水圧Ｐ２を加えるから、静水圧Ｐ２が積層体３の両面にほぼ対称的に印加される。したがって、積層体３に歪みや、反り等の不具合が生じにくなる。このため、構造欠陥の発生を抑え、また、外観不良を低減することができる。
【００７０】
しかも、支持基板４１、４２は、導水路４１５、４２５を含み、導水路４１５、４２５は、外部から積層体３を支持する面まで導かれている。このため、支持基板４１、４２のみならず、導水路４１５、４２５を介しても、積層体３に静水圧Ｐ２が加えられる。すなわち、積層体３の上下面のうち、支持基板４１、４２に接している部分は、支持基板４１、４２から受ける静水圧Ｐ２によって加圧され、また、導水路４１５、４２５に接している部分は、導水路４１５、４２５を通って印加される静水圧Ｐ２によって加圧される。このため、積層体３に対する静水圧Ｐ２の対称性が一層向上し、積層体３における歪みや、反り等の不具合の発生が、更に効果的に抑制される。
【００７１】
また、上述した静水圧印加作用により、例えば、超高圧（５００〜５０００）×９．８×１０4Ｐａを加えることも可能になる。内部電極２０１、２０２、及び、セラミックグリーンシート１が薄くなり（例えば、２μｍ以下）、変形しやすくなった場合でも、超高圧（５００〜５０００）×９．８×１０4Ｐａを加えることができる。
【００７２】
更に、上述したように、静水圧Ｐ２が積層体３の両面にほぼ対称的に印加されるから、一枚の支持基板４１、４２上に積層体３を配置した従来技術との対比において、積層体３の歪み量が略１／２になる。このため、構造欠陥の発生を抑えることができる。また、上下面がほぼ対称形状になるので、外観不良が低減する。
【００７３】
したがって、例えば、積層コンデンサにおいて、積層体の積層数を増大（例えば、５００層以上）すると同時に、セラミックグリーンシート１を内部電極２０１、２０２と同程度に薄く（例えば、２μｍ以下）することにより、小型化と大容量化とを図った場合でも、構造欠陥の発生を抑え、また、外観不良を低減することができる。
【００７４】
積層体３に静水圧Ｐ２を等方向加圧する方法としてＷＩＰを用いた場合には、積層体のセラミックグリーンシート１を形成する有機バインダーが柔らかくなるので、セラミックグリーンシート１と内部電極２０１、２０２との境界面まで十分に加圧することが可能となる。このため、構造欠陥の発生を更に抑えることができる。
【００７５】
ＷＩＰを施す場合の加熱温度は、有機バインダの主成分のガラス転移点（転移点が定かで無い場合は軟化点）よりも６０℃低い温度からガラス転移点よりも３０℃高い温度の範囲が好ましい。
【００７６】
このような加熱温度を用いた場合は、加熱温度が低すぎないので、有機バインダが十分に柔らかくなり、等方向加圧の効果が十分に出る。また、加熱温度が高すぎないので、積層体に含まれている溶剤がガス化し、デラミネーション等の構造欠陥を発生させることがない。更に、加熱温度が高すぎないので、有機バインダが柔らかくなりすぎず、積層体の変形量を所定範囲内に抑えることができ、次の切断工程で、歩留まりの低下を抑えることができる。
【００７７】
更に、積層体３の上下面が歪むことにより、積層体３の上下面に凹凸が生じた場合には、支持基板４１、４２が積層体３の上下面に生じた凸部と接し、凸部に一軸加圧Ｐ１を与えることになる。このため、単に静水圧Ｐ２を加えた場合よりも、積層体３の上下面に生じる凸凹が低減し、外観不良が更に低減する。また、次の切断工程で、歩留まりの低下を抑えることができる。
【００７８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（Ａ）構造欠陥の発生を抑え得る積層セラミック電子部品、その製造方法、及び、この製造方法の実施に直接用いられる製造装置を提供することができる。
（Ｂ）外観不良の発生を抑え得る積層セラミック電子部品、その製造方法、及び、この製造方法の実施に直接用いられる製造装置を提供することができる。
（Ｃ）作業性に優れた積層セラミック電子部品の製造方法を提供することができる。
（Ｄ）本発明の積層セラミック電子部品の製造に適した、積層セラミック電子部品の製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る積層セラミック電子部品の正面断面図である。
【図２】図１の２−２断面図である。
【図３】本発明に係る積層セラミック電子部品の製造装置の正面図である。
【図４】図３に示した第１（第２）の支持基板の平面図である。
【図５】図３に示した第１（第２）の支持基板の正面断面図である。
【図６】図３に示した第１（第２）の支持基板の別の平面図である。
【図７】図３に示した第１（第２）の支持基板の別の正面断面図である。
【図８】図３に示した第１（第２）の支持基板の更に別の平面図である。
【図９】図３に示した第１（第２）の支持基板の更に別の正面断面図である。
【図１０】本発明の積層セラミック電子部品の製造方法の工程を説明する図である。
【図１１】図１０に示した工程を経て得られた積層体を示す図である。
【図１２】図１０に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１３】図１２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１４】図１３に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１５】図１４に示した工程の後の工程を示す図である。
【図１６】積層体が加圧される様子を示すイメージ図である。
【図１７】積層体が加圧される様子を示す別のイメージ図である。
【符号の説明】
１１                  セラミック基体
２０１、２０２        内部電極
２２１、２２２        外部電極
２１３                上面
２１４                下面
【図１】
0003922436.tif 000002
【図２】
0003922436.tif 000003
【図３】
0003922436.tif 000004
【図４】
0003922436.tif 000005
【図５】
0003922436.tif 000006
【図６】
0003922436.tif 000007
【図７】
0003922436.tif 000008
【図８】
0003922436.tif 000009
【図９】
0003922436.tif 000010
【図１０】
0003922436.tif 000011
【図１１】
0003922436.tif 000012
【図１２】
0003922436.tif 000013
【図１３】
0003922436.tif 000014
【図１４】
0003922436.tif 000015
【図１５】
0003922436.tif 000016
【図１６】
0003922436.tif 000017
【図１７】
0003922436.tif 000018