(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ複数のメモリセルがマトリクス状に配置され、列方向にビット線対が配置されたバンクを構成する複数のセルアレイと、
前記セルアレイの相互間にそれぞれ設けられ、ビット線対に接続され、行方向に配置された複数のセンスアンプを有する複数のセンスアンプアレイと、
２個の前記セルアレイの相互間に配置され、行方向に配置された複数の第１のデータ線対を有する複数の第１のデータバスと、
前記セルアレイにそれぞれ設けられ１つの行のメモリセルを選択するロウデコーダと、
前記各センスアンプアレイに設けられ、選択されたセンスアンプアレイのセンスアンプ回路を活性化するセンスアンプ活性化回路と、
信号アクセス動作において、アドレス信号を受け、少なくとも２個の前記ロウデコーダ及び４つの前記センスアンプ活性化回路を選択する選択手段と、
列方向に配置された複数の第２のデータ線対を有する第２のデータバスと、
前記第１のデータバスのそれぞれに対応して設けられ、前記複数の第１のデータ線対のうちの１対を前記第２のデータ線対のうちの１対に選択的に接続する複数のデータ線選択回路とを具備し、
前記複数のセルアレイは前記選択手段により１つおきに活性化され、活性化された前記セルアレイの両側に位置する２個の前記データ線選択回路は、活性化された前記セルアレイの両側に位置する前記複数の第１のデータ線対のうちの１対を前記第２のデータバスの異なる前記第２のデータ線対にそれぞれ接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の第１のデータ線対を有する第１のデータバスと、
複数の第２のデータ線対を有する第２のデータバスと、
複数の第３のデータ線対を有する第３のデータバスと、
複数の第４のデータ線対を有する第４のデータバスと、
複数の第５のデータ線対を有する第５のデータバスと、
前記第１、第２のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続され、前記第１、第２のデータ線対に選択的に接続される複数の第１のビット線対を有する第１のセルアレイと、
前記第２、第３のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続され、前記第２、第３のデータ線対に選択的に接続される複数の第２のビット線対を有する第２のセルアレイと、
前記第３、第４のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続され、前記第３、第４のデータ線対に選択的に接続される複数の第３のビット線対を有する第３のセルアレイと、
前記第４、第５のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続され、前記第４、第５のデータ線対に選択的に接続される複数の第４のビット線対を有する第４のセルアレイと、
第１のＩ／Ｏ線対、第２のＩ／Ｏ線対、第３のＩ／Ｏ線対、第４のＩ／Ｏ線対を有する第６のデータバスと、
前記第１のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第１のＩ／Ｏ線対と前記複数の第１のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第１の選択回路と、
前記第２のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第２のＩ／Ｏ線対と前記複数の第２のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第２の選択回路と、
前記第３のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第３のＩ／Ｏ線対と前記複数の第３のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第３の選択回路と、
前記第４のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第４のＩ／Ｏ線対と前記複数の第４のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第４の選択回路と、
前記第１のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第１のＩ／Ｏ線対と前記複数の第５のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第５の選択回路とを具備し、
前記第１乃至第４のセルアレイは第１のバンクに属することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第１及び第３のセルアレイを同時に活性化する手段と、
前記第１及び第３のセルアレイが活性化されるとき、前記第１のビット線対を前記第１のデータ線対に接続すると同時に、前記第１のビット線対を前記第２のデータ線対に接続する第１の接続回路と、
前記第１及び第３のセルアレイが活性化されるとき、前記第２のビット線対と前記第２のデータ線対とを非接続とし、前記第２のビット線対と前記第３のデータ線対とを非接続とする第２の接続回路と、
前記第１及び第３のセルアレイが活性化されるとき、前記第３のビット線対を前記第３のデータ線対に接続し、前記第３のビット線対を前記第４のデータ線対に接続する第３の接続回路と
をさらに具備することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の第６のデータ線対を有する第６のデータバスと、
複数の第７のデータ線対を有する第７のデータバスと、
複数の第８のデータ線対を有する第８のデータバスと、
複数の第９のデータ線対を有する第９のデータバスと、
複数の第１０のデータ線対を有する第１０のデータバスと、
前記第６、第７のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続され、前記第６、第７のデータ線対に選択的に接続される複数の第５のビット線対を有する第５のセルアレイと、
前記第７、第８のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続され、前記第７、第８のデータ線対に選択的に接続される複数の第６のビット線対を有する第６のセルアレイと、
前記第８、第９のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続され、前記第８、第９のデータ線対に選択的に接続される複数の第７のビット線対を有する第７のセルアレイと、
前記第９、第１０のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続され、前記第９、第１０のデータ線対に選択的に接続される複数の第８のビット線対を有する第８のセルアレイと、
前記第１のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第１のＩ／Ｏ線対と前記複数の第６のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第６の選択回路と、
前記第２のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第２のＩ／Ｏ線対と前記複数の第７のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第７の選択回路と、
前記第３のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第３のＩ／Ｏ線対と前記複数の第８のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第８の選択回路と、
前記第４のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第４のＩ／Ｏ線対と前記複数の第９のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第９の選択回路と、
前記第１のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第１のＩ／Ｏ線対と前記複数の第１０のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第１０の選択回路と
を有し、前記第５乃至第８のセルアレイは第２のバンクに属し、前記第１、第２のバンクは交互に活性化されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
複数の第１のデータ線対を有する第１のデータバスと、
複数の第２のデータ線対を有する第２のデータバスと、
複数の第３のデータ線対を有する第３のデータバスと、
複数の第４のデータ線対を有する第４のデータバスと、
複数の第５のデータ線対を有する第５のデータバスと、
前記第１、第２のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続されるとともに前記第１、第２のデータ線対に選択的に接続される第１のビット線対を有する第１のセルアレイと、
前記第２、第３のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続されるとともに前記第２、第３のデータ線対に選択的に接続される第２のビット線対を有する第２のセルアレイと、
前記第３、第４のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続されるとともに前記第３、第４のデータ線対に選択的に接続される第３のビット線対を有する第３のセルアレイと、
前記第４、第５のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続されるとともに前記第４、第５のデータ線対に選択的に接続される第４のビット線対を有する第４のセルアレイとによりバンクが構成され、
第１の駆動信号に応じて第１、第３のセルアレイが活性化され、第２の駆動信号に応じて前記第２、第４のセルアレイが活性化されるように前記第１乃至第４のセルアレイを選択的に活性化する活性化回路と、
列方向に配置された第６乃至第９のデータ線対を有する第６のデータバスと、
前記第１乃至第５のデータバスのそれぞれに対応して設けられ、前記複数の第１乃至第５のデータ線対のうちの１対を前記第２のデータ線対のうちの１対に選択的に接続する第１乃至第５のデータ線選択回路とを具備し、
前記活性化回路により前記第１、第３のセルアレイが活性化された場合、前記第１乃至第４のデータ線選択回路は複数の前記第１乃至第４のデータ線対のうちの各１対を前記第６乃至第９のデータ線対にそれぞれ接続し、前記活性化回路により前記第２、第４のセルアレイが活性化された場合、前記第２乃至第５のデータ線選択回路は複数の前記第２乃至第５のデータ線対のうちの各１対を前記第７乃至第９のデータ線対、及び第６のデータ線対にそれぞれ接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
複数の第１のデータ線対を有する第１のデータバスと、
複数の第２のデータ線対を有する第２のデータバスと、
前記第１、第２のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続されるとともに前記第１のデータ線対に選択的に接続される第１のビット線対を有し、且つ、複数のメモリセルに接続されるとともに前記第２のデータ線対に選択的に接続される第２のビット線対を有する第１のセルアレイと、
前記第１のセルアレイ内の前記第１、第２のビット線対を同時に選択する信号が供給されるカラムセレクト線と、
前記カラムセレクト線に接続され、前記第１のビット線対を前記第１のデータ線対に接続すると同時に、前記第２のビット線対を前記第２のデータ線対に接続する第１の接続回路と、
複数の第３のデータ線対を有する第３のデータバスと、
前記第２、第３のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続されるとともに前記第２のデータ線対に選択的に接続される第３のビット線対を有し、且つ、複数のメモリセルに接続されるとともに前記第３のデータ線対に選択的に接続される第４のビット線対を有する第２のセルアレイと、
前記第１の接続回路により第２のビット線対が前記第２のデータ線対に接続されるとき、前記第３のビット線対と前記第２のデータ線対とを非接続とし、前記第４のビット線対と前記第３のデータ線対とを非接続とする第２の接続回路と、
複数の第４のデータ線対を有する第４のデータバスと、
前記第３、第４のデータバスの相互間に配置され、複数のメモリセルに接続されるとともに前記第３のデータ線対に選択的に接続される第５のビット線対を有し、且つ、複数のメモリセルに接続されるとともに前記第４のデータ線対に選択的に接続される第６のビット線対を有する第３のセルアレイと、
前記第１の接続回路により前記第１のビット線対を前記第２のデータ線対に接続し、第２のビット線対を前記第２のデータ線対に接続するとき、前記第５のビット線対を前記第３のデータ線対に接続し、前記第６のビット線対を前記第４のデータ線対に接続する第３の接続回路とによりバンクが構成され、
第１のＩ／Ｏ線対、第２のＩ／Ｏ線対、第３のＩ／Ｏ線対、第４のＩ／Ｏ線対を有する第５のデータバスと、
前記第１のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第１のＩ／Ｏ線対と前記複数の第１のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第１の選択回路と、
前記第２のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第２のＩ／Ｏ線対と前記複数の第２のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第２の選択回路と、
前記第３のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第３のＩ／Ｏ線対と前記複数の第３のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第３の選択回路と、
前記第４のＩ／Ｏ線対に設けられ、前記第４のＩ／Ｏ線対と前記複数の第４のデータ線対のうちの１対とを選択的に接続する第４の選択回路と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、バーストデータ転送を行う半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図１０に示すような基本的な構成の従来のＤＲＡＭにおいては、図１１に示すように、ワード線により選択されたメモリセルから読み出されたデータはビット線を介してセンスアップに与えられ、センスアップによってセンス増幅された１対のデータは、カラムセレクト線ＣＳＬの信号により導通制御される１対のＦＥＴ１０１を介して出力バッファへと読み出される。
【０００３】
このようなＤＲＡＭに対して、従来のシンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）のひとつのアーキテクチャの一部構成を図１２に示す。図１２に示す構成はひとつのデータ入出力に対してシンクロナス動作を行うためのデータ転送の経路を示したものである。以下簡単に動作を説明する。
【０００４】
一連のシリアルデータの出力に際して、先頭のデータのアドレスが与えられるとカラムセレクト線ＣＳＬ１〜２の対応する隣接した２つのＣＳＬが選択されて、４つのデータが４ペアのＤＢ線に読み出される。２クロックサイクルの内に同時に２カラムから読み出されたデータがシリアルに出力されるのがＳＤＲＡＭの２ビットプリフェッチのシステムであるから、この４ペアのＤＢ線からシリアルアクセスのアドレッシングに合う２ペアのＤＢ線が選択される。この選択を行うのがＤＢセレクトである。
【０００５】
選ばれた２ペアのＤＢ線のデータは２ペアのＲＷＤ線に転送される。２ペアのＲＷＤ線のデータは、最初の２サイクルのデータについてはレジスタＲ１、Ｒ２に格納され、次の２サイクルのデータはＲ３、Ｒ４に格納される。この際、ＲＷＤ線のデータをどの順序でレジスタに格納するのかを決めるのがＲＷＤスイッチ１、２である。このスイッチを経てデータは２サイクル毎に交互に開くレジスタトランスファゲート１、２によってレジスタＲ１〜Ｒ４にアクセス順に格納されて高速なデータ出力が実現される。
【０００６】
図１２に示すＲＷＤスイッチ１、２及びレジスタトランスファゲート１、２は、例えばＦＥＴからなるゲートにより構成され、レジスタＲ１、Ｒ４に格納されたデータは、例えば図１３に示すように、シフトレジスタ１０２の各出力に対応して導通制御されるＦＥＴゲート１０３を介して出力バッファへと読み出される。
【０００７】
上述したデータ転送の状態を時間を追ってみたのが図１４のタイミング図である。図１４ではバースト長８、アドレス設定からのレイテンシー３のデータ転送を示している。
【０００８】
図１４には図１２の各部の状態が示されているが、これを順を追って説明する。
【０００９】
まず、クロックサイクル（ＣＬＫ）において／ＣＡＳがＬになり、一連のバーストデータの先頭のアドレスが設定されアクセスが開始される。先頭のアドレスが決まると後はデータのバーストアクセスのアドレッシング順に従って２サイクル毎に内部アドレスが発生されて２本ずつのカラムセレクト線ＣＳＬが立ち上がりアクセス動作を行う。
【００１０】
カラムセレクト線ＣＳＬが立ち上がるとＤＢ線ペアはすぐにｂｕｓｙ状態になる。ＤＢ線ペアにデータが充分確定した頃ＤＢセレクタが作用して４ペアのＤＢ線の２ペアからデータをＲＷＤ線ペアに転送して、ＲＷＤ線を２サイクル毎にｂｕｓｙ状態にする。ＲＷＤ線に充分データを確定すると、ＲＷＤスイッチ及びレジスタトランスファゲートの１または２の一方が動作してレジスタにデータを格納する。
【００１１】
この動作の際に、ＲＷＤスイッチはバーストデータのアドレッシングにより１または２の適当な方が選択されてオン、レジスタトランスファゲートの方は常に１と２が交互にオンしてデータをレジスタに格納していく。それぞれのレジスタトランスファゲートがオンするとすぐにレジスタの内容は書き換えられてｂｕｓｙ状態となりＯＵＴＰＵＴからデータがシリアルに出力される。
【００１２】
これらのバーストデータ転送の制御の際、内部の動作は２クロックサイクルを周期として行われるために、一連のデータバーストのアクセスが終了した後の新たなバーストアクセスの開始クロックサイクルには制限がでてくる。バースト終了後任意のサイクルから新たなアクセスを開始しようとするには制限がでてくる。バースト終了後任意のサイクルから新たなアクセスを開始しようとする、クロック周期の制御を一旦リセットして新たに２クロックサイクルを開始する必要がある。
【００１３】
このために、一連のバーストアクセスが終了してこのバーストのアクセスの制御が不要になった時点でデータバースト終了信号を内部で発生する。この信号が発生しているクロックサイクルから制御系をリセットする。図１４ではクロックサイクル９である。リセットが終了しなければ新たなバーストサイクルは開始できないのと、リセットには十数ｎｓの時間が必要であるため、新たな開始アドレスの設定はクロックサイクル１１からとなる。このため、クロックサイクル９と１０は新たなバーストアクセスの設定はできない。したがって、図１４の太い点線からの新たなバーストデータの出力はできず、細い点線のみからのデータ出力となる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
一方、従来のシンクロナスＤＲＡＭにおいては、セルアレイとデータ転送系統とが最適に配置されておらず、チップ面積の大型化を招いていた。
【００１５】
本発明は、上記課題を解決するものであり、その目的とするところは、セルアレイとデータ転送系統との配置構成を最適化することにより、チップ面積の大型化を防止し得る半導体装置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、それぞれ複数のメモリセルがマトリクス状に配置され、列方向にビット線対が配置されたバンクを構成する複数のセルアレイと、前記セルアレイの相互間にそれぞれ設けられ、ビット線対に接続され、行方向に配置された複数のセンスアンプを有する複数のセンスアンプアレイと、２個の前記セルアレイの相互間に配置され、行方向に配置された複数の第１のデータ線対を有する複数の第１のデータバスと、前記セルアレイにそれぞれ設けられ１つの行のメモリセルを選択するロウデコーダと、前記各センスアンプアレイに設けられ、選択されたセンスアンプアレイのセンスアンプ回路を活性化するセンスアンプ活性化回路と、信号アクセス動作において、アドレス信号を受け、少なくとも２個の前記ロウデコーダ及び４つの前記センスアンプ活性化回路を選択する選択手段と、列方向に配置された複数の第２のデータ線対を有する第２のデータバスと、前記第１のデータバスのそれぞれに対応して設けられ、前記複数の第１のデータ線対のうちの１対を前記第２のデータ線対のうちの１対に選択的に接続する複数のデータ線選択回路とを具備し、前記複数のセルアレイは前記選択手段により１つおきに活性化され、活性化された前記セルアレイの両側に位置する２個の前記データ線選択回路は、活性化された前記セルアレイの両側に位置する前記複数の第１のデータ線対のうちの１対を前記第２のデータバスの異なる前記第２のデータ線対にそれぞれ接続する。
【００１７】
【作用】
本発明において、バンクを構成する複数のセルアレイは、それぞれ複数のメモリセルがマトリクス状に配置され、列方向にビット線対が配置されている。複数のセンスアンプアレイは、セルアレイの相互間にそれぞれ設けられ、ビット線対に接続され、行方向に配置された複数のセンスアンプを有している。複数の第１のデータバスは、２個の前記セルアレイの相互間に配置され、行方向に配置された複数の第１のデータ線対を有している。ロウデコーダは、前記セルアレイにそれぞれ設けられ１つの行のメモリセルを選択する。センスアンプ活性化回路は、前記各センスアンプアレイに設けられ、選択されたセンスアンプアレイのセンスアンプ回路を活性化する。選択手段は、信号アクセス動作において、アドレス信号を受け、少なくとも２個の前記ロウデコーダ及び４つの前記センスアンプ活性化回路を選択する。第２のデータバスは、列方向に配置された複数の第２のデータ線対を有している。複数のデータ線選択回路は、前記第１のデータバスのそれぞれに対応して設けられ、前記複数の第１のデータ線対のうちの１対を前記第２のデータ線対のうちの１対に選択的に接続する。複数のセルアレイは前記選択手段により１つおきに活性化され、活性化された前記セルアレイの両側に位置する２個の前記データ線選択回路は、活性化された前記セルアレイの両側に位置する前記複数の第１のデータ線対のうちの１対を前記第２のデータバスの異なる前記第２のデータ線対にそれぞれ接続する。したがって、セルアレイとデータ転送系統との配置構成を最適化でき、チップ面積の増大を防止できる。
【００１８】
【実施例】
以下、図面を用いてこの発明の実施例を説明する。
【００１９】
図１は、本発明の一実施例に係わるシンクロナスＤＲＡＭの構成を示す図である。
【００２０】
図１では、具体的に６４Ｍ（メガ）ビット構成のシンクロナスＤＲＡＭを考えている。図１は６４ＭシンクロナスＤＲＡＭを４０９６行×５１２列×８Ｉ／Ｏ４バンクとして構成した実施例である。
【００２１】
各バンクは１Ｍビットのアレイペア１が８つの二つのブロックから構成される。更に詳しくは、この１Ｍビットのセルアレイペア１はセンスアンプを挟んだ１０２４列×５１２行セルアレイ２つによって構成されている。各バンクにおいて、各ブロックは４Ｉ／Ｏづつのデータバス２を持っている。このようにバンクを２つのブロックに分けて半分づつのＩ／Ｏに対応させることで４Ｉ／Ｏ分のバスで８Ｉ／Ｏに対応できる。
【００２２】
また、セルアレイの活性化は例えばバンク１の場合は斜線の入った１Ｍセルアレイペア１が活性化されて、各セルアレイペア１が２Ｉ／Ｏづつのデータに対応する。Ｉ／Ｏバス２は４Ｉ／Ｏづつで構成されており、隣接する二つのバンク間で共用される。これは、シンクロナスＤＲＡＭの仕様上二つのバンクと同時にデータ転送を行うことはないからである。
【００２３】
次に、セルアレイとＩ／Ｏバスの間のデータ転送路についてその構成を説明する。図２は図１のセルアレイペア１（斜線部）の詳細な構成を示した図である。
【００２４】
図２において、セルアレイ３は１０２４列×５１２行からなり、センスアンプ（Ｓ／Ａ）４は両側のセルアレイ３に共有されて活性化されたセルアレイ３のセンス動作を行う。選択された活性化されたセルアレイ３の両側に並ぶＳ／Ａ４がこのセルアレイ３のビット線のセンス動作を行う。データバス線のＤＢ１１、１２、１３、１４、２１、２２、２３、２４のペアはセルアレイ３の間に４ペアあり、これから２ペアがＤＢセレクタ５によって選択されてデータ転送が行われるのは図１２の説明と同じである。
【００２５】
なお、図２には示されていないが、点線で表示したビット線６とＳ／Ａ４の接続は活性化されていないセルアレイのものとは切り離されるようなスイッチ回路がビット線とＳ／Ａの間に挿入されている。
【００２６】
ひとつのセルアレイ３のビット線６は二つづつ左右に振り分けられて異なるＩ／Ｏを構成している。カラムセレクト線ＣＳＬ１とＣＳＬ２はクロックサイクル毎に同時に選択される隣接した２つのカラム選択線を表している。これによって、セルアレイ３の両側にある各Ｉ／Ｏに４ペアづつのＤＢ線がＳ／Ａ４と接続される。
【００２７】
次に、Ｉ／Ｏバスを構成するＲＷＤ線との接続の様子を図３に示す。図３は図１の点線で囲まれた部分に対応している。
【００２８】
図３ではバンク１とバンク２に共有の各Ｉ／ＯのＲＷＤ線が示されている。バンク１の斜線部１が選択活性化されているとしている。セルアレイ１の詳細は拡大して示してあるように、一つおきに二つのセルアレイ３が活性化されている。活性化されるＤＢセレクタ５も斜線で示したが、バンクを構成する図示された半分のブロックでは端から順にＩ／Ｏ１、２、３、４のＲＷＤ線に接続されている。また、図示されていないバンクの残りの半分のブロックではＩ／Ｏ５、６、７、８のＲＷＤ線に接続されている。ＤＢ線が両側のセルアレイ３で共用されているのでセルアレイ３の活性化は一つおきに行うことによって、このようなデータ転送経路の接続を行えば、各Ｉ／Ｏのアドレスをセルアレイに無駄なく割り付けることができる。
【００２９】
したがって上記実施例のセルアレイ、データ転送線経路の構成によれば、バンクをブロックに分けてＩ／Ｏの割り付けを２分し、時分割使用不可能なデータバスは空間的になるべく局在して分離し、バンク間などで時分割使用可能なデータバスはデータ転送経路がセルアレイ、バンクなどで共有し、データ転送経路によるシステムの面積増加を最小に抑えて大容量のシンクロナスＤＲＡＭを構成できる。
【００３０】
なお、上記実施例では１つのバンクを２分割したが、例えば図４に示すように、１つのバンクを４つのブロックに分割して、それぞれのブロックに２Ｉ／Ｏバスを対応させるようにしてもよい。
【００３１】
また、図１に示す配置構成において、それぞれのＩ／Ｏバス２に対応したＩ／Ｏバッファ（図示せず）は、図５に示すように、Ｉ／Ｏバッド（図示せず）に隣接させてパッドの配置領域６内に設けるようにすれば、Ｉ／ＯバッファとＩ／Ｏパット間の配線経路が短縮されて、チップ面積の縮小化を図ることが可能となる。
【００３２】
図６は、データの転送を制御する内部クロックについて従来例において説明したリセットによる制限の緩和のためのアーキテクチャを示すものであり、内部動作を制御するクロックの系統のブロック図である。
【００３３】
図６において、太い線で示されているのが一つの信号経路であり、この系統の一連の動作が終わると点線のようにリセット及び切り替え信号が各ブロックに伝えられる。
【００３４】
外部クロックＣＬＫはスイッチＳ１を経て、図１２に示すレジスタＲ１〜Ｒ４の出力を制御する信号を生成する内部クロック系１に伝えられる。内部クロック系１は外部信号／ＣＡＳ信号を受けて制御用の内部クロックを外部クロックＣＬＫから発生する。内部クロックはスイッチＷ１を通り、データのアクセスのバーストを制御するバースト制御部７を駆動する。
【００３５】
一連のバーストアクセスがバースト制御部７によって終了するか、又はバーストアクセスを途中で中断させるバーストインタラプト信号が外部から入力されると、ＥＮＤ信号がバースト制御部７からリセット及び切り替え信号を発生するブロックＥＳ８に出力される。ブロックＥＳ８はＥＮＤ信号を受ける度に交互に信号Ｒ１または信号Ｒ２を出力する。図６では、信号Ｒ１が立ち上がる場合を示した。この時信号Ｒ２は立ち上がる。これによって、スイッチＳ１はオフ、スイッチＳ２はオンし、内部クロック系１はリセット状態に入り内部クロック系２は待機状態になる。
【００３６】
次に、／ＣＡＳ信号が入力されると、外部クロックＣＬＫに従いいつでも内部クロック系２は動作可能となる。また、スイッチＷ１はオフしスイッチＷ２はオンとなる。これにより、次のバースト制御は内部クロック系２から行われることになる。
【００３７】
このように、今まで使用していた内部クロック系のリセット終了を待たずに次の動作を他の内部クロック系を使用して行うことができるため、従来のような制限は生じない。
【００３８】
図６に示すスイッチＳ１、Ｓ２、Ｗ１、Ｗ２、内部クロック系１、２及びバースト制御部７は、例えば図７に示すように構成されており、スイッチＳ１、Ｓ２、Ｗ１、Ｗ２は相補型のＦＥＴからなり、内部クロック系１、２は、レジスタＲ１〜Ｒ４からデータを出力制御するトランスファゲート９を順次導通制御する制御信号を生成するシフトレジスタ１０と、シフトレジスタ１０で生成された内部クロック系１又は内部クロック系２の制御信号をブロックＥＳ８から出力される切換え信号Ｒ１又はＲ２により選択してトランスファゲート９に与えるトランスファゲート１１とからなり、バースト制御部７は、一連のバーストデータ転送の長さをカウントして終了を判別するカウンタ１２と、カウンタ１２の出力又はバーストインタラプト信号の入力によりＥＮＤ信号を出力するＯＲゲート１３とから構成されている。
【００３９】
また、ブロックＥＳ８は、例えば図８に示すように構成されており、図８に示すクロックトインバータ１４はそこの記入されている信号が立ち上がるとインバータとして作用し、立ち下がると出力が高インピーダンスになる。／ＥＮＤはＥＮＤ信号の相補的な信号であるから、ＥＮＤ信号が供給される度に信号Ｒ１とＲ２が図９に示すように交互に立ち上がる。
【００４０】
このように、データ転送を制御する内部クロック系を２系統設け、これを交互に使用することによってクロック系のリセットに掛かる時間によるデータ転送に関する制限を無くすことができる。また、図１に示す構成と組み合わせることで、システムに必要な面積を小さくすることによるコスト低下と、データ転送に関わる制限の緩和による使い勝手のよさとを合わせ持った大容量ＳＤＲＡＭを提供できる。
【００４１】
【発明の効果】
以上、詳述したように本発明によれば、セルアレイとデータ転送機構との最適な配置構成が可能となり、構成の小型化を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係わる半導体装置の構成を示す図である。
【図２】図１に示すセルアレイとデータバスの関係を示す図である。
【図３】図１に示すデータ転送経路とバンクの関係を示す図である。
【図４】図１の変形例を示す構成図である。
【図５】本発明の一実施例に係わり、Ｉ／Ｏバッファの配置例を示す図である。
【図６】本発明に適用される制御回路の一例を示す図である。
【図７】図６に示す構成の一部の具体例を示す図である。
【図８】図６に示す構成の一部の具体例を示す図である。
【図９】図８に示す構成の動作タイミングを示す図である。
【図１０】従来のＤＲＡＭの基本構成を示す図である。
【図１１】図１０の一部構成を示す図である。
【図１２】従来のシンクロナスＤＲＡＭのバーストデータ転送に係わる一部構成を示す図である。
【図１３】図１２の一部構成を示す図である。
【図１４】図１２に示す構成の動作タイミングを示す図である。
【符号の説明】
３  セルアレイペア
２  Ｉ／Ｏバス
４  センスアンプ
５  ＤＢセレクタ
６  Ｉ／Ｏバス、Ｉ／Ｏバッドの配置領域
７  バースト制御部
８  ブロックＥＳ
９、１１  トランスファーゲート
１０  シフトレジスタ
Ｓ１、Ｓ２、Ｗ１、Ｗ２  スイッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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