(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を吐出するノズルが連通する圧力発生室と、この圧力発生室の壁面を形成する振動板と、この振動板に対向する電極とを備え、前記振動板を静電気力で変形変位させて前記ノズルから液滴を吐出させる液滴吐出ヘッドにおいて、
前記振動板と電極との間のギャップを含む空間の短辺長が前記圧力発生室の短辺長よりも短く、
前記空間を形成する部分は、前記振動板と電極との間のギャップ長を規定する部位がウエットエッチングで形成され、
前記空間の短辺長を規定する部位を、前記ギャップ長を規定する部位の周囲にドライエッチングで前記電極の形成面よりも深い溝部として形成された
ことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出ヘッドを製造する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
前記振動板と電極との間のギャップ長を規定する部位を形成した後に、前記ギャップ長を規定する部位の周囲にドライエッチングで溝部を形成する
ことを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の液滴吐出ヘッドを製造する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、
前記空間の短辺長を規定する部位をドライエッチングで形成するときのマスクと前記電極を形成するときのマスクとが同一である
ことを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は液滴吐出ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、プリンタ、ファクシミリ、複写装置、プロッタ等の画像記録装置（画像形成装置を含む。）に用いられるインクジェット記録装置における液滴吐出ヘッドであるインクジェットヘッドとして、インク滴を吐出するノズルと、このノズルが連通する圧力発生室（吐出室、インク流路、インク室、圧力室、加圧室、加圧液室などとも称される。）と、この圧力発生室の壁面の一部を形成する振動板と、この振動板に対向する電極とを備えて、振動板を静電力で変形変位させることで圧力発生室内インクを加圧してノズルから液滴を吐出させる静電型インクジェットヘッドがあり、例えば、特開平７−１３２５９８号公報、特開平２−２８９３５１号公報などに開示されている。
【０００３】
このような静電型インクジェットヘッドにおいては、簡単なプロセスで高密度に圧力発生室を形成する方法として、マイクロマシニングの分野において技術が確立されている単結晶Ｓiの異方性ウェットエッチング、特に垂直壁が形成可能な結晶面方位（１１０）のＳi基板を圧力発生室などの流路を形成する流路基板に用いるようにしている。
【０００４】
この結晶面方位（１１０）のシリコン基板を流路基板に用いた従来の静電型インクジェットヘッドは、図１０に示すように、第一基板１０１に深さＤの圧力発生室１０２及びこの圧力発生室１０２の壁面となる第一電極を兼ねる振動板１０３を形成する凹部をエッチングで形成し、この第一基板１０１の下側に第二基板１０４を接合し、この電極基板１０４には深さＥの凹部１０５を形成して、この凹部１０５底面に振動板１０３にギャップ１０６を介して対向する幅Ｂの第二電極１０７を設けている。なお、第二電極１０７は絶縁膜１０８にて被覆している。
【０００５】
同図から分かるように、従来のインクジェットヘッドにおいては、圧力発生室１０２の振動板短手方向の幅（以下単に「幅」という。）Ａよりも第二電極１０７の幅Ｂが大きく、したがってまた、圧力発生室１０２の幅Ａよりも第二基板１０４に形成した凹部（溝）１０５の幅（ギャップ１０６を含む空間の幅）Ｃが大きい。これにより、圧力発生室１０２の壁面を形成する振動板１０３は全体が変位可能領域となってその短辺長は圧力発生室１０２の幅Ａと同じになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、静電型インクジェットヘッドにおいて、振動板の変位量δは、構造的には振動板厚さ、振動板短辺長、ギャップの関数となっている。したがって、チャンネル間の噴射特性のばらつきを抑えて安定的した液滴噴射特性を得るためには、これらの振動板のパラメータのばらつきを小さくすることが重要になってくる。
【０００７】
ところで、上述した従来のインクジェットヘッドにあっては、振動板の両端は圧力発生室を形成する第一基板に固定されており、振動板の短辺長は圧力発生室の幅Ａと一致する。この圧力発生室はインク流路の一部分でもあるため、高さ（深さ）Ｄをあまり小さく（低く）すると、流体抵抗値が増加して吐出効率が低下するので、高さ（深さ）Ｄをあまり低くすることができず、１００μｍ以上の高さを必要とし、圧力発生室の形成には、例えば第二電極を設ける第二基板の凹部を形成する場合と比較して、深堀（１００μｍ以上）のエッチングを行わなければならない。
【０００８】
ここで、一般的には、エッチング幅のばらつきは、エッチング深さに対してほぼ単調増加の関係を示す。そのため、第一基板に形成する高さＤが高い（１００μｍ以上の）圧力発生室の幅（液室幅）Ａのばらつきを抑えることは困難である。
【０００９】
また、圧力発生室は、シリコン基板の異方性エッチングで形成しているが、このエッチングで垂直な隔壁を形成するためには、結晶面方位（１１０）のシリコン基板を用いて、更にパターンを結晶軸に対して、正確に位置あわせする必要があり、この位置あわせがずれると、マスクパターンに対する仕上がり寸法のズレが大きくなる。ところが、フォトリソの段階で結晶軸を正確に特定することはきわめて難しく、圧力発生室の幅Ａのばらつきを抑制することには限界があり、特に量産工程でばらつきを±１μｍ以内に抑えることは難しい。
【００１０】
この圧力発生室の幅Ａのばらつきは振動板の短辺長のばらつきになるため、噴射特性のばらつきが大きくなり、安定した噴射特性を得られなくなるという課題がある。
【００１１】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、噴射特性のバラツキが少ない液滴吐出ヘッド及びその液滴吐出ヘッドを低コストで製造するための製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明に係る液滴吐出ヘッドは、振動板と電極との間のギャップを含む空間の短辺長が圧力発生室の短辺長よりも短く、空間を形成する部分は、振動板と電極との間のギャップ長を規定する部位がウエットエッチングで形成され、空間の短辺長を規定する部位を、ギャップ長を規定する部位の周囲にドライエッチングで電極の形成面よりも深い溝部として形成された構成とした。
【００１３】
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、本発明に係る液滴吐出ヘッドを製造する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、振動板と電極との間のギャップ長を規定する部位を形成した後に、ギャップ長を規定する部位の周囲にドライエッチングで溝部を形成する構成とした。
【００１４】
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、本発明に係る液滴吐出ヘッドを製造する方法であって、空間の短辺長を規定する部位をドライエッチングで形成するときのマスクと電極を形成するときのマスクとが同一である構成とした。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。図１は本発明に係る液滴吐出ヘッドであるインクジェットヘッドの分解斜視説明図、図２は同ヘッドの振動板長手方向の断面説明図、図３は同ヘッドの振動板短手方向の要部拡大断面図、図４は同ヘッドの要部断面説明図である。
【００１６】
このインクジェットヘッドは、シリコン基板を用いた第一基板である流路基板１と、この流路基板１の下側に設けたシリコン基板を用いた第二基板である電極基板２と、流路基板１の上側に設けた第三基板であるノズル板３とを備え、インク滴を吐出する複数のノズル４、各ノズル４が連通するインク流路である圧力発生室６、各圧力発生室６にインク供給路を兼ねた流体抵抗部７を介して連通する共通液室８などを形成している。
【００１７】
流路基板１にはノズル４が連通する複数の圧力発生室６及びこの圧力発生室６の底面を形成する振動板１０、圧力発生室６の側壁面６ａを形成する側壁部１１を形成する凹部を形成し、ノズル板３にはノズル４となる孔及び流体抵抗部７を形成する溝を形成し、また流路基板１と電極基板２には共通液室８を形成する貫通部を形成している。
【００１８】
ここで、流路基板１には、結晶面方位（１１０）のｐ型又はｎ型にドーズされたシリコン基板（所謂ベース基板）２１にシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）２２を介してｐ型又はｎ型にドースされた振動板１０の厚みを有するシリコン基板（所謂活性層基板）２３を接合してなるシリコン基板を用いて、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）２２をエッチングストップ層としてシリコン基板２１をエッチングして圧力発生室６となる凹部を形成し、その後、その凹部底面のシリコン酸化膜２３を除去してシリコン基板からなる振動板１０を形成している。
【００１９】
なお、振動板１０は、上述したようにｐ型又はｎ型にドーズされたＳＯＩ基板のシリコン基板を用いて形成しているが、Ｓi基板やセラミック基板上にＣＶＤやスパッタリングなどの薄膜形成プロセスによって形成されたＳiエピタキシャル層／多結晶膜、または金属薄膜などであってもよい。流路基板もシリコンやセラミックだけでなく、微細加工が可能で液室としての剛性が得られるのであれば、樹脂やＳＵＳなど金属を流路形成部材の一部として用いることもできる。
【００２０】
電極基板２には、ｐ型又はｎ型の導電性を有するシリコン基板を用いて、このシリコン基板の主平面上に熱酸化等によって酸化膜層１２を形成し、この酸化膜層１２に凹部１３を形成し、この凹部１３間の隔壁１４上端面を流路基板１との接合面とし、この凹部１３の底面に振動板１０にギャップ１６を置いて対向する電極１５を配置し、これらの振動板１０と電極１５とにより振動板１０を静電力で変形変位させるマイクロアクチュエータを構成している。
【００２１】
電極１５表面にはＳｉＯ2膜などの酸化膜系絶縁膜、Ｓｉ3Ｎ4膜などの窒化膜系絶膜からなる誘電絶縁膜（電極保護層）１７を成膜している。なお、電極１５表面に絶縁膜１７を形成しないで、振動板１０側に絶縁膜を形成することもできる。また、電極基板２にはパイレックスガラス（硼珪酸ガラス）を用いることができ、この場合には絶縁性を有しているので、そのまま凹部１３を形成する。同様に、電極基板２にはセラミック基板を用いることもできる。
【００２２】
また、電極基板２の電極１５としては、金又は通常半導体素子の形成プロセスで一般的に用いられるＡｌ、Ｃｒ、Ｎｉ等の金属材料や、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ等の高融点金属、または不純物により低抵抗化した多結晶シリコン材料などを用いることができる。この電極１５は外部に延設して接続部（電極パッド部）１５ａとし、これにヘッド駆動回路であるドライバＩＣをワイヤボンドによって搭載したＦＰＣケーブルを異方性導電膜などを介して接続している。
【００２３】
ここで、流路基板１で形成する圧力発生室６の短辺長（幅）Ａは側壁６ａの間隔で規定される。また、振動板１０は電極基板２に接合しているので、振動板１０の変位可能領域の短辺長は第二電極１５を設けるギャップ１６を含む空間である凹部１３の側壁面１３ｂで規定される振動板短手方向の長さ（幅）Ｃで規定される。そこで、電極基板２の凹部１３の幅Ｃを圧力発生室６の幅Ａよりも短くする（Ｃ＜Ａ）ことにより、振動板１０の変形可能領域の短辺長が圧力発生室６の振動板短手方向の幅Ａよりも短くなるようにしている。
【００２４】
そして、電極基板２のギャップ１６を含む空間を形成する凹部１３は、振動板１０と電極１５との間のギャップ長を規定する部位（凹部１３の底面）１３ａと、凹部１３の短辺長（幅）Ｃを規定する部位（凹部１３の側壁面）１３ｂとを異なる工程で形成している。すなわち、電極基板２の酸化膜層１２にギャップ長を規定する部位１３ａを底面とする凹部１３を形成する工程（第１工程）を行い、このギャップ長を規定する部位１３ａの周囲に垂直壁を有する電極１５を形成する面（部位１３ａ）より深い溝部１９を形成することで凹部１３の側壁面１３ｂを形成する工程（第２工程）とを行ったものである。
【００２５】
これらの流路基板１と電極基板２との接合は、流路基板１及び電極基板２をいずれもシリコン基板で形成したときには直接接合で接合することができる。この直接接合は１０００℃程度の高温化で実施することもできる。また、電極基板２をシリコンで形成して、陽極接合を行うこともでき、この場合には、電極基板２と流路基板１との間にパイレックスガラスを成膜し、この膜を介して陽極接合を行うこともできる。さらに、流路基板１と電極基板２にシリコン基板を使用して金等のバインダーを接合面に介在させた共晶接合で接合することもできる。
【００２６】
ノズル板３には、多数のノズル４を形成するとともに、共通液室８と圧力発生室６を連通するための流体抵抗部７を形成する溝部を形成している。ここでは、インク吐出面（ノズル４表面側）には撥水性皮膜を成膜している。このノズル板３にはステンレス基板（ＳＵＳ）を用いているが、この他、エレクトロフォーミング（電鋳）工法によるニッケルメッキ膜、ポリイミド等の樹脂にエキシマレーザー加工をしたもの、金属プレートにプレス加工で穴加工をしたもの等でも用いることができる。
【００２７】
また、撥水性皮膜は、フッ素系樹脂微粒子であるポリテトラフルオロエチレン微粒子を分散させた電解又は無電解ニッケル共析メッキ（ＰＴＦＥ−Ｎi共析メッキ）によるメッキ皮膜で形成することもできる。
【００２８】
このインクジェットヘッドは、ノズル４を二列配置し、この各ノズル４に対応して圧力発生室６、振動板１０、電極１５なども二列配置し、各ノズル列の中央部（ヘッド中央部）に共通液室８を配置して、共通液室８から左右の圧力発生室６にインクを振り分けて供給する構成を採用している。これにより、各圧力発生室６へのインク供給を均等に配分することができ、各吐出室の駆動状態の緩衝をほとんど受けることなく、均一なインク滴吐出特性を確保することができて、簡単なヘッド構成で多数のノズル４を有するマルチノズルヘッドを構成することができる。このノズル４の配列密度で規定されるこのヘッドの吐出密度は３００ｄｐｉとしている。
【００２９】
このように構成したインクジェットヘッドにおいては、振動板１０を共通電極とし電極１５を個別電極として、振動板１０と電極１５との間に駆動波形を印加することにより、振動板１０と電極１５との間に静電力（静電吸引力）が発生して、振動板１０が電極１５側に変形変位する。これにより、圧力発生室６の内容積が拡張されて内圧が下がるため、流体抵抗部７を介して共通液室８から圧力発生室６にインクが充填される。
【００３０】
次いで、電極１５への電圧印加を断つと、静電力が作用しなくなり、振動板１０はそれ自身のもつ弾性によって復元する。この動作に伴い圧力発生室６の内圧が上昇し、ノズル４からインク滴が吐出される。再び電極に電圧を印加すると、再び静電吸引力によって振動板は電極側に引き込まれる。なお、振動板１０を第二電極１５（実際には絶縁保護膜１７表面）に当接するまで変位させる方式を当接駆動方式、振動板１０を第二電極１５に当接させない位置まで変位させる方式を非当接駆動方式と称し、いずれの方式でも駆動することができる。
【００３１】
ここで、固体振動板を面屈曲振動させてインク滴を吐出させる静電型インクジェットヘッドにおいて、振動板の厚さをｔ、振動板の固定端の短辺長をａ、静電実効ギャップをｈ、ギャップ（振動板−電極間）への印加電圧をＶとしたとき、振動板の変位（振動変位）δは、短辺長ａの４乗、印加電圧Ｖの２乗に比例し、実効ギャップｈの２乗、振動板厚さｔの３乗に反比例することが知られている。したがって、振動板１０の短辺長のばらつきを低減することが滴吐出特性のばらつきの低減につながる。
【００３２】
ところで、圧力発生室６の高さＤを低くすると、流体抵抗値が増加し、吐出効率が低下することから、圧力発生室６の高さＤは１００μｍ以上にすることが好ましく、そのため、液室基板１に異方性エッチングで圧力発生室６を形成する場合には、深さ１００μｍ以上のエッチングが必要となる。ところが、前述したように、一般的にエッチング幅のばらつきは、エッチング深さに対してほぼ単調増加の関係を示し、特に１００μｍを越えるような深堀のエッチングでは圧力発生室６の幅Ａのばらつきを抑えることが困難になる。
【００３３】
圧力発生室６をシリコン基板の異方性エッチングで形成するときに、垂直な隔壁（壁面）を形成するためには、パターンを結晶軸に対して、正確に位置あわせする必要があり、この位置あわせがずれると、マスクパターンに対する仕上がり寸法のズレが大きくなる。しかし、フォトリソの段階で結晶軸を正確に特定することはきわめて難しく、この点からも圧力発生室６の幅Ａのばらつきを抑制することには困難である。そのため、量産工程で圧力発生室６の幅Ａのばらつきを±１μｍ以内に抑えることは難しかった。
【００３４】
そこで、このインクジェットヘッドでは、電極基板２のギャップ１６を含む空間を形成する凹部１３の側壁面１３ｂで規定される短辺長（幅）Ｃを流路基板１で形成する圧力発生室６の幅Ａよりも短く（Ｃ＜Ａ）することで、振動板１０の実質的な変形可能領域の短辺長を電極基板２の凹部１３の幅Ｃで規定している。
【００３５】
この場合、振動板１０と電極１５との間のギャップ長は１μｍ程度であるので、電極基板２に形成する電極１５を設けるための凹部１３の深さＥは１μｍ程度と極めて浅いので、サイドエッチング量をほぼ一定に管理することができる。したがって、凹部１３の幅Ｃのばらつきは、±０．１μｍを越えないレベルまで低減することができる。これにより、振動板１０の変位可能領域の短辺長のばらつきが極めて小さくなり、吐出特性のばらつきの少ないヘッドを得ることができる。
【００３６】
ただし、この電極基板２に形成する電極形成用溝（凹部）を図５に示すような単純な凹み形状の凹部２３として、一工程で、凹部２３の幅Ｃのばらつきが±０．１μｍを越えないレベルまで低減して形成することは、製造工程上の管理が難しくなる。
【００３７】
すなわち、図７に示すように、電極基板２の酸化膜層１２上にフォトレジストで形成したエッチングマスク２４を用いてエッチングを行うことで凹部２３を形成する場合、通常は、ウェットエッチングなどのような深さ制御の良いエッチング方法でエッチングを行う。このとき、エッチングマスク２４となるフォトレジストと酸化膜層１２との間の密着が十分であれば、同図に破線で示すように、マスク２４の端面からの凹部２３の側壁面２３ｂの最大後退量Ｆは、エッチング深さＧとほぼ同量となる。
【００３８】
しかしながら、マスク２４となるフォトレジストと酸化膜層１２との密着性が十分でない場合には、同図に実線で示すように、マスク２４の端面からの凹部２３の側壁面２３ｂの最大後退量Ｆが大幅に増加する。この凹部２３の側壁面２３ｂは振動板１０の変動可能領域の短辺長Ｃを規定するものであるので、後退量Ｆのバラツキは振動板１０の変動可能領域の短辺長Ｃのばらつきにつながる。
【００３９】
したがって、一工程で短辺長Ｃのバラツキの少ない凹部を形成するためにはエッチングマスクと酸化膜層との密着性の管理を行わなければならないが、このような管理は困難であり、実質的に後退量Ｆのプロセス的なマージンは狭く、制御が難しく、低コスト化を図れない。なお、パターンズレを制御する方法として、ドライエッチングのような異方性エッチングを用いる方法があるが、異方性エッチングでは深さの管理（ギャップ長の管理となる。）が難しくなる。
【００４０】
そこで、このインクジェットヘッドにおいては、振動板１０と電極１５との間のギャップ長を規定する部位１３ａと、凹部１３の短辺長（幅）Ｃを規定する部位１３ｂとを異なる工程で形成する。
【００４１】
これにより、ギャップ長を規定する部位１３ａ（凹部１３の底面）を形成する工程にはウエットエッチングなどの深さ制御性の良い形成工程を用い、凹部１３の短辺長（幅）Ｃを規定する部位１３ｂ（側壁面）を形成する工程はドライエッチング、異方性エッチングなどの幅の制御性の良い形成工程を用いることができ、ギャップ深さと振動板幅（変位可能領域の幅）という、静電アクチュエータにとって最も重要な２つのパラメータを制御性良く得ることができ、滴吐出特性のバラツキを低コストで大幅に低減することができる。
【００４２】
そこで、このインクジェットヘッドにおける電極基板２の製造工程の一例について図８及び図９を参照して説明する。なお、図８は同基板の振動板短手方向に沿う断面説明図、図９は同基板の平面説明図である。
図８（ａ）及び図９（ａ）に示すように、ｎ型導電性を有する電極基板２となるシリコン基板上には酸化膜層（シリコン酸化膜）１２を形成し、この酸化膜層１２にＨＦ（フッ化水素）系のエッチャントを用いてギャップ長に対応する深さを有する凹部３１を形成し、この凹部３１を含めて全面に個別電極層となるＴｉＮ層３２を成膜する。このとき、図示しないマスク層には通常のフォトリソグラフィーによるレジストマスクを用いる。
【００４３】
ここで、この凹部３１の底部面が振動板１０と電極１５との間のギャップ長を規定する部位１３ａとなる。そして、ＨＦ系エッチャントを用いて酸化膜層１２をウエットエッチングする場合、温度や濃度を管理することにより、エッチング深さ及びその均一性をばらつき１％以下に制御することができるので、高精度なギャップ長を得ることができる。
【００４４】
その後、通常のフォトリソグラフィーによって電極１５となる部分及び流路基板１との接合面となる部分を覆い、上述したウェットエッチングでできた凹部３１の側壁面である傾斜面３３を含んで開口するパターンを有するレジストマスク３４を形成する。
【００４５】
そして、各図（ｂ）に示すように、このレジストマスク３４でＴｉＮ層３２のエッチングを行って電極１５を形成し、更にこの同一のマスク３４を用いて、酸化膜層１２をＲＩＥドライエッチング法を用いて異方性のエッチングを行って、電極１５の周囲に溝部１９を形成する。これにより、凹部３１と溝部１９とで形成される凹部１３が得られ、この溝部１９の形成工程で凹部１３の側壁面１３ｂが形成されることになる。なお、このように電極１５を形成するマスクと溝部１９を形成するマスクとを同じマスク３４とすることにより、凹部１３の形成工程を二工程に分けてもマスク形成のためのフォトリソ工程の増加を招くことがなく、コストの上昇を抑えることができる。
【００４６】
このようにドライエッチングを用いた異方性のエッチングではレジストマスクに対してパターンの後退なくエッチングすることができるので、凹部１３の側壁面１３ｂを高精度に形成することができる。したがって、振動板１０の変形可能領域の短辺長Ｃのばらつきが極めて低減する。さらに、ドライエッチングでは、ウェットエッチングに比べて、マスク３４を形成するレジストと被着面の密着性の影響を受けにくく、高い均一性を安定して得ることができる。
【００４７】
次に、各図（ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン残存しているＴｉＮ膜３２、電極１５、異方性エッチングで露出した溝部１９をなす酸化膜層１２の全面にシリコン酸化膜層３５を成膜した後、各図（ｄ）に示すように、シリコン酸化膜層３５をエッチングでパターニングして絶縁保護膜１７を形成し、更にその後アルカリ系溶液を用いて、残存しているＴｉＮ膜３２を除去する。なお、このとき、電極１５はシリコン酸化膜層３５に覆われているためエッチングされずに、その他の部分のＴｉＮ膜３２のみが除去される。
【００４８】
なお、上記実施形態においては、本発明を振動板変位方向とインク滴吐出方向が同じになるサイドシュータ方式のインクジェットヘッドに適用したが、振動板変位方向とインク滴吐出方向と直交するエッジシュータ方式のインクジェットヘッドにも同様に適用することができる。さらに、インクジェットヘッドだけでなく液体レジスト等を吐出させる液滴吐出ヘッドなどにも適用できる。また、振動板と流路基板とを同一基板から形成したが、振動板と流路基板とを別体にして接合することもできる。
【００４９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る液滴吐出ヘッドによれば、振動板と電極との間のギャップを含む空間の短辺長が圧力発生室の短辺長よりも短く、空間を形成する部分は、振動板と電極との間のギャップ長を規定する部位がウエットエッチングで形成され、空間の短辺長を規定する部位を、ギャップ長を規定する部位の周囲にドライエッチングで電極の形成面よりも深い溝部として形成された構成としたので、ギャップの深さと振動板の変位可能領域の幅を高精度に形成することができ、噴射特性のバラツキの低減することができ、しかも低コストで安定して製造することが可能になる。
【００５０】
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、本発明に係る液滴吐出ヘッドを製造する液滴吐出ヘッドの製造方法であって、振動板と電極との間のギャップ長を規定する部位を形成した後に、ギャップ長を規定する部位の周囲に異方性エッチングで溝部を形成する構成としたので、低コストで噴射特性のバラツキの少ないヘッドを製造することができる。
【００５１】
本発明に係る液滴吐出ヘッドの製造方法は、本発明に係る液滴吐出ヘッドを製造する方法であって、空間の短辺長を規定する部位をドライエッチングで形成するときのマスクと電極を形成するときのマスクとが同一である構成としたので、低コストで噴射特性のバラツキの少ないヘッドを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るインクジェットヘッドの分解斜視説明図
【図２】同ヘッドの振動板長手方向の断面説明図
【図３】同ヘッドの振動板短手方向の断面説明図
【図４】同ヘッドの振動板短手方向の要部拡大断面図
【図５】同ヘッドの流路部分の拡大平面説明図
【図６】同ヘッドの作用説明に供する他の構造を説明する振動板短手方向の断面説明図
【図７】図６の構造を形成するときの工程の説明に供する説明図
【図８】同ヘッドのアクチュエータの製造工程の説明に供する振動板短手方向の断面説明図
【図９】同ヘッドのアクチュエータの製造工程の説明に供する平面説明図
【図１０】従来の静電型インクジェットヘッドの断面説明図
【符号の説明】
１…流路基板、２…電極基板、３…ノズル板、４…ノズル、６…圧力発生室、７…流体抵抗部（インク供給路）、８…共通液室、１０…振動板、１２…酸化膜層、１３…凹部、１４…隔壁（凹部の短辺長を規定する部位）、１５…電極、１６…ギャップ、１８…ギャップ長を規定する部位。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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