(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一連の工程からなる検査電極を有する配線回路基板の製造方法。
（ａ）配線回路基板上に絶縁樹脂層を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁樹脂層上にめっきレジスト層を形成する工程。
（ｃ）前記絶縁樹脂層及びめっきレジスト層にレーザ加工によって開口部を形成する工程。
（ｄ）前記開口部に導体電極を形成する工程。
（ｅ）前記導体電極の前記めっきレジスト層表面からはみ出した部分を除去して前記導体電極の先端部を平坦化する工程。
（ｆ）めっきレジスト層を除去して前記導体電極を検査電極とする工程。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置あるいは配線回路基板の導通検査をするために用いられる検査治具基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体装置や配線回路基板の導通検査には、ウェハプローブや布線検査で知られるように被検査体の電極部に針状の検査電極を接触させ導通テストを行っていた。また、比較的配線密度の低い配線回路基板では電極を有する検査用の配線回路基板を形成し、異方性導電シートを介して被検査体である配線回路基板との接触を採り、導通テストを行っている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来のウェハプローブや布線検査による半導体装置や配線回路基板の導通検査の方法では、針状の検査電極を接触させるため、被検査体に検査痕を残し重大な損傷を与える可能性がある。また、配線密度の増加や高集積化によっては、検査用のプローブの形成が困難になってきた。検査基板を用いる方法では、異方性導電シートの導通ピッチの関係などから２００μｍピッチ程度の被検査体には対応できるが、それ以上の微細ピッチの検査には対応することが困難である。
本発明は上記問題を解決するためになされたもので、微細ピッチの検査に対応した検査電極の構造及び形成法を改良した検査電極を有する配線回路基板及びその形成法を提供する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明において上記課題を解決するため、第１の形態において、絶縁樹脂層と導体層を積み重ねた構造を有する配線回路基板の電極及び配線回路に接続された検査電極であって、該検査電極の形状が先端にいくほど表面積が大きくなっており、且つ先端部が平坦になっていることを特徴とする検査電極を有する配線回路基板としたものである。
上記の検査電極構造を採ることによって今まで対応することが出来なかった微細ピッチにも対応することができ、さらに電極先端部を平坦にしたことで、検査時の被検査体への損傷を防止することができる。
また、回線回路基板を絶縁樹脂層と導体層を積み重ねた構造とするため、被検査体と電極の接触時に被検査体の凹凸を吸収することができる。
【０００５】
また、請求項１においては、以下の一連の工程からなる検査電極を有する配線回路基板
の製造方法としたものである。
（ａ）配線回路基板上に絶縁樹脂層を形成する工程。
（ｂ）前記絶縁樹脂層上にめっきレジスト層を形成する工程。
（ｃ）前記絶縁樹脂層及びめっきレジスト層にレーザ加工によって開口部を形成する工程。
（ｄ）前記開口部に導体電極を形成する工程。
（ｅ）前記導体電極の前記めっきレジスト層表面からはみ出した部分を除去して前記導体電極の先端部を平坦化する工程。
（ｆ）めっきレジスト層を除去して前記導体電極を検査電極とする工程。
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明の検査電極を有する配線回路基板は、上層に電極及び配線回路（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ）が形成された配線回路基板１０上に絶縁樹脂層１２を形成した後、さらにめっきレジスト層１３を形成し、めっきレジスト層１３及び絶縁樹脂層１２にレーザ加工によって開口部１４を形成する。この開口部１４に電解めっきによって導体電極１５を形成する。その後めっきレジスト層表面からはみ出した導体電極部分を除去し、先端部が平坦な導体電極１５ａを形成する。さらに、導体電極１５ａの先端部に金めっき層を形成して、めっきレジスト層１３ａを除去することにより配線回路基板１０上に検査電極１６を形成するものである。
以下、本発明の検査電極を有する配線回路基板の形成方法について述べる。（図１参照）。
【０００７】
上層に電極及び配線回路（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ）が形成された配線回路基板１０は、一般的に用いられている多層のプリント配線回路基板を用いることができる（図１（ａ）参照）。また、被検査基板と電極の接触時に被検査体の凹凸を吸収するためには、最近見かけられる一般的に用いられているプリント配線回路基板上に絶縁樹脂層と導体層を積み重ねた構造を有するビルドアップ基板を用いることが望ましい。さらにビルドアップに用いる絶縁樹脂層に柔軟性を持たせることにより、検査電極が被検査体に接触したときの吸収性は向上する。具体的には絶縁樹脂にゴムフィラーを入れたものを使用することで改善される。
【０００８】
配線回路基板１０上に絶縁樹脂層１２を形成する。絶縁樹脂には熱硬化型のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を使用することができる。この絶縁樹脂層１２には特に柔軟性は必要としないが、後の工程でレーザ加工によって開口部を形成するため、無機フィラーを含まないものが望ましい。しかし、無機フィラーの大きさが５μｍ程度で、含有量が１０% 程度であれば問題はない。絶縁樹脂層を形成した後、さらに絶縁樹脂層１２上にめっきレジスト層１３を形成する（図１（ｂ）参照）。このめっきレジスト層１３には特に感光性を必要としないため、幅広い材質選択が可能である。
【０００９】
次に、めっきレジスト層１３及び絶縁樹脂層１２にレーザ加工によりテーパーを有する開口部１４を形成する（図１（ｃ）参照）。ここで、開口部１４の形状は後工程の検査電極の形状に反映されるので、検査電極の形状によって加工法及び加工条件を設定する。ここで用いるレーザ加工は、エキシマレーザ加工あるいは短パルスの炭酸ガスレーザ加工などが使用できるが、特にこれらに限定されるものではない。また、これらのレーザ加工は形成する電極の大きさによって選択することが望ましい。電極径が１００〜２００μｍの場合には炭酸ガスレーザ加工が良いが、１００μｍ以下の場合にはエキシマレーザ加工が適している。レーザ加工を用いた場合には、光学系にマスクを入れることにより様々な形状の開口部１４を形成できるため、これによって電極形状を選択することが出来る。
【００１０】
次に、開口部１４に導体電極１５を形成する（図１（ｄ）参照）。導体電極１５の形成法としては電解めっき法、無電解めっき法、導電ペーストを使った印刷法または注入法があるが、導体電極１５の形状再現性、配線回路基板との電気的導通信頼性等により適宜選択して使い分けることができ、特に制限されるものではない。ここでは、形状再現性及び導通信頼性に優れた電解めっき法にて導体電極１５を形成する。
【００１１】
次に、めっきレジスト層１３ａ表面部からはみ出した導体電極部分を除去し、先端が平坦化処理された導体電極１５ａを形成する（図１（ｅ）参照）。具体的には表面研磨によって削り取る方法が適している。
【００１２】
次に、先端部が平坦化処理された導体電極１５ａの表面に、電解金めっきによって金めっき層（特に図示せず）を形成する。この金めっき層を形成することで被検査体との接触抵抗を大幅に低減することができる。
【００１３】
次に、めっきレジスト層１３ａを除去して、配線回路基板１０上に検査電極１６を形成する（図１（ｆ）参照）。めっきレジスト層１３の除去は使用する各レジスト層によって異なり、各めっきレジスト層の適正条件で行う。
これらの工程によって、本発明の検査電極を有する配線回路基板を形成することができる。
【００１４】
【実施例】
以下、実施例について図１（ａ）〜（ｆ）を用いて詳細に説明する。
【００１５】
０．４ｍｍ厚の両面銅箔付きガラスエポキシ積層板に片面２層のビルドアップ配線を行って、最上層に電極及び配線回路（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ）を形成した配線回路基板１０を作製した（図１（ａ）参照）。
【００１６】
次に、配線回路基板１０上に熱硬化型エポキシ樹脂をスクリーン印刷し、加熱硬化して２５μｍ厚の絶縁樹脂層１２を形成した。さらに絶縁樹脂層１２上に４０μｍ厚のドライフィルムレジスト（ＤＦＲ：日立化成工業( 株) 製）をラミネートして、めっきレジスト層１３を形成した（図１（ｂ）参照）。
【００１７】
次に、めっきレジスト層１３及び樹脂絶縁層１２にエキシマレーザ加工を用いて表面径５０μｍφのテーパーを有する開口部１４を形成した（図１（ｃ）参照）。
ここで、開口部１４は、後工程で形成される導体電極が確実に電気的接続が行えるように、配線回路基板１０上の電極及び配線回路（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ）に位置合わせして形成した。
エキシマレーザ加工の条件は、エネルギ密度１．０Ｊ／ｃｍ2 であった。
【００１８】
次に、配線回路基板１０の上層に形成された電極及び配線回路（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ）をめっき電極にして電解銅めっき（電解銅めっき浴：硫酸銅２０ｇ／ｌ、硫酸７０ｇ／ｌ、塩酸５０ｐｐｍ、電流密度２Ａ／ｄｍ2 ）を行い、開口部１４に導体電極１５を形成した（図１（ｄ）参照）。
【００１９】
次に、めっきレジスト層１３ａ表面部からはみ出した導体電極１５の先端部分を除去して、先端部が平坦化処理された導体電極１５ａを形成した（図１（ｅ）参照）。
導体電極１５の先端部の除去は研磨機を用いて、表面研磨によって削り取った。
【００２０】
次に、先端部が平坦化処理された導体電極１５ａの先端部に、電解金めっきによって金めっき層（特に図示せず）を形成した。金めっき層の厚さは１〜５μｍとした。
【００２１】
次に、５% の水酸化ナトリウム溶液に基板を浸せきし、めっきレジスト層１３ａを除去し、配線回路基板１０上に検査電極１６を形成した（図１（ｆ）参照）。
これらの工程によって本発明の検査電極を有する配線基板を形成することができた。
【００２２】
【発明の効果】
本発明の検査電極を有する配線回路基板は、検査電極形状が電極先端部に向かって表面積の大きい形状を有しているため、被検査体の接触電極との位置ズレが緩和される。さらに、本発明の検査電極の形成法は、微細ピッチの電極の形成が可能であり、めっきレジスト層の厚みを変えることによって電極高さの制御が容易になり、且つ、電極高さにバラツキを生じないため検査精度及び接触信頼性を上げることができる。
また、検査電極形状も比較的自由に設定できるため、従来よりも基板設計の自由度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の検査電極を有する配線回路基板の構成及び製造工程を示す部分断面図である。
【符号の説明】
１０……配線回路基板
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ……電極及び配線回路
１２……絶縁樹脂層
１２ａ……開口部が形成された絶縁樹脂層
１３……めっきレジスト層
１３ａ……開口部が形成されためっきレジスト層
１４……開口部
１５……導体電極
１５ａ……平坦化処理された導体電極
１６……検査電極
【図１】
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