(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムの少なくとも片面に、ガラス転位温度が１５０℃以上の、（メタ）アクリレートを主成分とし、該（メタ）アクリレートが少なくともイソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレートを含むものであり、該イソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレートの含有量が４０ｗｔ％以上である樹脂組成物を架橋して成るハードコート層を積層し、該ハードコート層の上にインジウム・スズ酸化物からなる透明導電膜を成膜したタッチパネル用透明導電性フィルム。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、耐ペン摺動性、耐薬品性、耐候性に優れた透明タッチパネル等に用いられる透明導電性フィルムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＣＲＴやＬＣＤなどの表示装置上に配置されて表示を見ながら指やペン等で押さえることによりデータや指示・命令を入力できる透明タッチパネルが普及している。従来はタッチパネル等の基板としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にアクリル樹脂などからなるアンダーコート（ＵＣ）を積層し、その上に透明導電膜としてインジウムと錫の複合酸化物（ＩＴＯ）を成膜した透明導電性フィルムが用いられてきた。しかし、ＩＴＯとハードコートの密着が悪いと、ＩＴＯの耐ペン摺動性や耐屈曲性が悪くなり実使用上の問題があった。
さらに、耐ペン摺動性等の耐久性が高いＩＴＯ膜を得るには、結晶質のＩＴＯ膜をフィルム上に積層させる必要がある。結晶質のＩＴＯ膜を得るには、特開昭６１−７９６４７号、特開２０００−１２７２８２号等に記載されているように低温で製膜した後加熱処理しなければならない。しかし、ガラス転移温度の低いＵＣでは成膜工程での熱でＵＣ表面がひずみ、室温に戻したときにＩＴＯとの密着が悪くなり、安定した導電膜が得られないことや、タッチパネル組立工程での銀電極の焼成でＩＴＯ抵抗値が安定しにくいという不具合があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ＩＴＯとの密着力があり、かつガラス転移温度が高いハードコートを積層することでＩＴＯを高結晶に加工できるタッチパネル用透明導電フィルムを提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、
（１）  フィルムの少なくとも片面に、ガラス転位温度が１５０℃以上の、（メタ）アクリレートを主成分とする樹脂組成物を架橋して成るハードコート層を積層し、該ハードコート層の上にインジウム・スズ酸化物からなる透明導電膜を成膜したタッチパネル用透明導電性フィルム。
（２）  前記（メタ）アクリレートが少なくともイソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレートを含むものである（１）のタッチパネル用透明導電性フィルム。
（３）  前記樹脂組成物におけるイソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレートの含有量が４０ｗｔ％以上である（２）のタッチパネル用透明導電性フィルム。
である。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明に用いられるフィルム基板は特に限定されるものではなく熱可塑性ポリエステル、芳香族ポリエーテルスルホン、熱可塑性芳香族ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、環状ポリオレフィン、ポリカーボネイト、及びそのコポリマー等があげられる。また、これらのフィルムは滑剤、耐熱安定剤、耐候安定剤、顔料、染料、無機質充填剤などを適宜ブレンドしても良い。また、高度の耐ペン摺動性が要求される用途では、インジウム・スズ酸化物が結晶化しやすい１５０℃以上のガラス転移温度を有していることが好ましく、タッチパネル製造上、耐熱性、透明性、加工性、耐衝撃性のバランスの良いポリエーテルスルホンが特に好ましい。
ハードコートは、ガラス転位温度が１５０℃以上の、（メタ）アクリレートを主成分とする樹脂組成物であれば特に限定はしないが、特にイソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレートを含むことが望ましい。樹脂ワニス中に含まれるイソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレートは樹脂成分の４０ｗｔ％以上であることが望ましい。イソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレートが４０ｗｔ％以上であればＩＴＯとハードコートの密着がさらに良好と成り、ＩＴＯの耐ペン摺動性や耐屈曲性が向上する。さらにハードコートのガラス転移温度も上がるので、ＩＴＯの高温成膜により高結晶化が期待できる。該樹脂ワニスに含まれるイソシアヌル酸ＥＯ変性トリ（メタ）アクリレート以外の樹脂としては、紫外線硬化性樹脂ならば特に制限するものでなく、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート等を挙げることができ、これらの樹脂は２種類以上を混合して用いても良い。
本発明のハードコートは、樹脂ワニスを塗布し、加熱乾燥後、光により硬化させることで積層できる。
【０００６】
フィルム基板上にインジウム・スズ酸化物からなる透明導電膜を積層させる方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＤＶ法等が挙げられるが特に限定はしない。
【０００７】
【実施例】
（実施例１）
ポリエーテルサルフォンフィルム（厚み２００μｍ）の片面上に、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート５０重量部、光重合開始剤として、イルガキュアー９０７(チバスぺシャリティケミカルズ製)２重量部、酢酸ブチル４８重量部の混合液をグラビアコート法により塗布し、120℃で５分間加熱して溶媒を除去後、高圧水銀灯を用いて紫外線を３５０ｍＪ／ｃｍ2照射し、厚さ４μｍのハードコート層を形成した。ハードコート層のガラス転移温度は２４０℃であった。
１８０℃に加熱した状態でハードコートを施したフィルム面上にＤＣマグネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴンガス４％の混合ガスを導入し、１×１０-1Ｐａの条件下において成膜し、Ｉｎ／Ｉｎ＋Ｓｎの原子比が０．９８であるＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2からなる酸化物の導電性層を得た。測定の結果、表面抵抗は２３０Ω/□であり、膜厚は３０Åであった。
このようにして得られた透明導電フィルムを用いて、アナログ式タッチパネルを作成した。耐ペン摺動性試験で１０万回（荷重：２．２Ｎ）摺動したところ、抵抗変化率Ｒ／Ｒ0は１．１であった。
【０００８】
（実施例２）
ポリカーボネートフィルム（厚み２００μｍ）の片面上に、ハードコートとしてイソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート４０重量部、エポキシアクリレート６重量部、ウレタンアクリレート４重量部、光重合開始剤として、イルガキュアー９０７(チバスぺシャリティケミカルズ製)２重量部、酢酸ブチル４８重量部の混合液をグラビアコート法により塗布し、120℃で５分間加熱して溶媒を除去後、高圧水銀灯を用いて紫外線を３５０ｍＪ／ｃｍ2照射し、厚さ４μｍの保護層を形成した。ハードコートのガラス転移温度は２３０℃であった。
１５０℃に加熱した状態でハードコートを施したフィルム面上にＤＣマグネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴンガス４％の混合ガスを導入し、１×１０-1Ｐａの条件下において成膜し、Ｉｎ／Ｉｎ＋Ｓｎの原子比が０．９８であるＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2からなる酸化物の導電性層を得た。測定の結果、表面抵抗は２３０Ω/□であり、膜厚は３０Åであった。
このようにして得られた透明導電フィルムを用いて、アナログ式タッチパネルを作成した。耐ペン摺動性試験で１０万回（荷重：２．２Ｎ）摺動したところ、抵抗変化率Ｒ／Ｒ0は１．２であった。
【０００９】
（比較例１）
ポリエステルフィルム（厚み１８８μｍ）の片面上に、ハードコートとして、エポキシアクリレート３０重量部、ウレタンアクリレート２０重量部、光重合開始剤として、イルガキュアー９０７(チバスぺシャリティケミカルズ製)２重量部、酢酸ブチル４８重量部の混合液をグラビアコート法により塗布し、120℃で５分間加熱して溶媒を除去後、高圧水銀灯を用いて紫外線を３５０ｍＪ／ｃｍ2照射し、厚さ４μｍの保護層を形成した。ハードコートのガラス転移温度は１４０℃であった。
１５０℃に加熱した状態でハードコートを施したフィルム面上にＤＣマグネトロン法により初期真空度３×１０-4Ｐａに引き、酸素／アルゴンガス４％の混合ガスを導入し、１×１０-1Ｐａの条件下において成膜し、Ｉｎ／Ｉｎ＋Ｓｎの原子比が０．９８であるＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2からなる酸化物の導電性層を得た。測定の結果、表面抵抗は２３０Ω/□であり、膜厚は３０Åであった。
このようにして得られた透明導電フィルムを用いて、アナログ式タッチパネルを作成した。耐ペン摺動性試験で１０万回（荷重：２．２Ｎ）摺動したところ、抵抗変化率Ｒ／Ｒ0は５．７であった。
【００１０】
【発明の効果】
本発明により、ＩＴＯとの密着力があり、かつガラス転移温度が高いハードコートをもつことでＩＴＯを高結晶に加工できるタッチパネル用透明導電フィルムを提供することができる。