(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式：（Ｃｏ１−ａＦｅａ）１００−ｙ−ｃＭ’ｙＸ’ｃ（原子％）で表され、式中、Ｍ’はＶ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，ＴａおよびＷから選ばれた少なくとも一種の元素、Ｘ’はＳｉおよびＢから選ばれた少なくとも1種の元素を示し、ａ，ｙおよびｃはそれぞれ０．００３≦ａ＜０．３５、１．５≦ｙ≦１５、４≦ｃ≦３０を満足する組成であり、化合物相が存在せず、かつ、組織の一部または全部が平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒からなり、磁界を印加しながら熱処理を行った比初透磁率が２０００以下であることを特徴とするＣｏ基磁性合金。
【請求項２】
Ｂ含有量が４原子％以上１５原子％以下であることを特徴とする請求項１に記載のＣｏ基磁性合金。
【請求項３】
アモルファス相が一部に存在することを特徴とする請求項１又は２に記載のＣｏ基磁性合金。
【請求項４】
平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒の少なくとも一部または全部が体心立方構造の結晶粒であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のＣｏ基磁性合金。
【請求項５】
平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒の少なくとも一部または全部が面心立方構造の結晶粒であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のＣｏ基磁性合金。
【請求項６】
平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒の少なくとも一部または全部が六方晶の結晶粒であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のＣｏ基磁性合金。
【請求項７】
ａ＜０．２であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のＣｏ基磁性合金。
【請求項８】
Ｃｏの一部をＮｉで置換したことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のＣｏ基磁性合金。
【請求項９】
ＣｏとＦｅの総量の１０原子％以下をＣｕ、Ａｕから選ばれた少なくとも一種の元素で置換したことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のＣｏ基磁性合金。
【請求項１０】
Ｍ’の一部をＣｒ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ａｇ，白金属元素，Ｍｇ，希土類元素，Ｎ，ＯおよびＳから選ばれた少なくとも一種の元素で置換したことを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載のＣｏ基磁性合金。
【請求項１１】
Ｘ’の一部をＣ，Ｇｅ，Ｇａ，ＡlおよびＰから選ばれた少なくとも一種の元素で置換したことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のＣｏ基磁性合金。
【請求項１２】
１ＭＨｚにおけるＱが４以上、角形比Ｂｒ・Ｂ8000-１が２０％以下であるであることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載のＣｏ基磁性合金。
【請求項１３】
角形比Ｂｒ・Ｂ8000-１が８５％以上であるであることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載のＣｏ基磁性合金。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれかに記載のＣｏ基磁性合金から構成されていることを特徴とする磁性部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、大電流用の零相リアクトル、電磁シールド材料などのノイズ対策部品、インバータトランス、アクティブフィルタ用チョ−クコイル、アンテナ、平滑チョークコイル、可飽和リアクトル、レーザ電源、加速器用パルスパワー磁性部品等に用いられる高周波磁気特性に優れたＣｏ基磁性合金およびそれを用いた高性能磁性部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高周波用の磁性材料としてはフェライト、アモルファス合金やナノグラニュラー薄膜材料等が知られている。フェライト材料は飽和磁束密度が低く、温度特性が悪い問題があり、動作磁束密度が大きくなり発熱が大きくなる高周波帯のハイパワーの用途には不向きである。Ｆｅ基アモルファス合金は、磁歪が大きく応力により特性が劣化する問題や、可聴周波数帯の電流が重畳するような用途では騒音が大きいという問題がある。一方、Co基アモルファス合金は、熱的に不安定であるため、高周波特性が優れる用途に適する特性の材料をハイパワーの用途に使用した場合、経時変化が起こりやすく高周波磁気特性が劣化する問題がある。
【０００３】
Ｆｅ基ナノ結晶合金は優れた軟磁気特性を示すため、コモンモ−ドチョ−クコイル、高周波トランス、パルストランス等の磁心に使用されている。代表的組成系は特公平４-４３９３号公報（ＵＳＰ４８８１９８９号）や特開平１-２４２７５５号公報に記載のＦｅ-Ｃｕ-(Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ)-Ｓｉ-Ｂ系合金やＦｅ-Ｃｕ-(Ｎｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ)-Ｂ系合金等が知られている。これらのＦｅ基ナノ結晶合金は、通常液相や気相から急冷し非晶質合金とした後、これを熱処理により微結晶化することにより作製されている。液相から急冷する方法としては単ロ−ル法、双ロ−ル法、遠心急冷法、回転液中紡糸法、アトマイズ法やキャビテーション法等が知られている。また、気相から急冷する方法としては、スパッタ法、蒸着法、イオンプレ−ティング法等が知られている。Ｆｅ基ナノ結晶合金はこれらの方法により作製した非晶質合金を微結晶化したもので、非晶質合金にみられるような熱的不安定性がほとんどなく、Ｆｅ系アモルファス合金と同程度の高い飽和磁束密度と低磁歪で優れた軟磁気特性を示すことが知られている。更にナノ結晶合金は経時変化が小さく、温度特性にも優れていることが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
Ｆｅ基ナノ結晶軟磁性合金は従来の軟磁性材料に比べてほぼ同一の飽和磁束密度の材料で比較した場合、従来の軟磁性材料より透磁率が高く、磁心損失も低く軟磁気特性が優れている。しかし、トランス等に使用する場合の最適な使用周波数帯域は、薄帯材料では数１０ｋＨｚ付近であり、より高周波の用途では必ずしも十分な特性とは言えない。またノイズ対策部品に使用する場合も、特に効果が大きいのは１ＭＨｚ以下であり、より高い周波数帯域でも優れた特性を示す材料が望まれている。また、高電流用のノイズ対策部品の場合、磁心の飽和や動作が不安定になることを防ぐ観点から低角形比の磁化曲線を示し、かつより高周波の領域で優れた特性を示す材料が望まれている。このような用途では、低周波領域で比透磁率が数万というような高い透磁率の材料は、磁心材料が磁気的に飽和してしまう問題や高周波において十分な特性が得られない問題がある。
また、可飽和リアクトルや加速器などに使用される磁気スイッチの用途においては、制御性の向上、圧縮率の向上、効率向上のため、高角形比で低磁心損失の材料が磁心材料として望まれている。
【０００５】
このような課題を克服する方策として、薄膜化による渦電流損失の低減や高抵抗グラニュラー薄膜などが検討されている。しかし、高抵抗グラニュラー薄膜の場合は磁性材料の体積を増加するのに限界があり、高エネルギーを扱うパルスパワーや大容量インバータに使用されている磁気スイッチ、トランス、チョークコイルなどの磁心材料として使用するのは困難である。
したがって、磁心材料として体積を増加することが容易な薄帯材料やバルク材においても、より高周波における磁気特性に優れた材料の出現が強く望まれている。
しかし、非晶質合金薄帯を熱処理により結晶化し製造したＦｅ基ナノ結晶軟磁性合金は、一般的に数１００ｋＨｚ以下の周波数帯では透磁率が高く、コイル部品用材料として重要な特性の一つである品質係数Ｑもそこそこ高い値を示すが、ＭＨｚ帯以上では磁界中熱処理などを行って誘導磁気異方性を付与しても十分高いＱが得られないという問題、直流重畳による材料の飽和や３相電源ライン用のチョークコイルなどに使用する場合は信号のアンバランスによる磁気的な飽和の問題がある。
Ｃｏ基のナノ結晶合金としては、特開平３−２４９１５１号公報（ＵＳＰ５１５１１３７号）に記載の合金が知られているが、ここに示されている合金はＢ化合物が多量に含まれており、磁界中熱処理を行っても高周波において高いＱと十分低い角形比あるいは十分高い角形比の特性が得にくいという問題がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために本発明者らは、鋭意検討の結果、一般式：（Ｃｏ１−ａＦｅａ）１００−ｙ−ｃＭ’ｙＸ’ｃ（原子％）で表され、式中、Ｍ’はＶ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，ＴａおよびＷから選ばれた少なくとも一種の元素、Ｘ’はＳｉおよびＢから選ばれた少なくとも1種の元素を示し、ａ，ｙおよびｃはそれぞれ０．００３≦ａ＜０．３５、１．５≦ｙ≦１５、４≦ｃ≦３０を満足する組成であり、化合物相が存在せず、かつ、組織の一部または全部が平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒からなり、磁界を印加しながら熱処理を行った比初透磁率が２０００以下のＣｏ基磁性合金がMHz帯域で優れた高周波磁気特性を示すことを見出し本発明に想到した。
【０００７】
本発明合金は、前記組成の溶湯を単ロ−ル法等の超急冷法により急冷し、一旦アモルファス合金を作製後、これを加工し結晶化温度以上に昇温して熱処理を行い平均粒径５０ｎｍ以下の微結晶を形成することにより作製する。熱処理前のアモルファス合金は結晶相を含まない方が望ましいが一部に結晶相を含んでも良い。熱処理は通常はアルゴンガス、窒素ガス、ヘリウム等の不活性ガス中で行なう。熱処理期間の少なくとも一部の期間合金が飽和するのに十分な強さの磁界を印加して磁界中熱処理を行い、誘導磁気異方性を付与する。合金磁心の形状にも依存するが一般には薄帯の幅方向(巻磁心の場合は磁心の高さ方向)に印加する場合は８ｋＡ／ｍ以上の磁界を印加する。磁路方向に磁界を印加して熱処理する場合は約８Ａ／ｍ以上の磁界を印加する。印加する磁界は、直流、交流、繰り返しのパルス磁界のいずれを用いても良い。磁界は３００℃以上の温度領域で通常は２０分以上印加し、昇温中、一定温度に保持中および冷却中も印加した方が高周波のＱあるいは角形比が向上しより好ましい結果が得られる。これに対して、無磁界で熱処理し、磁界中熱処理を適用しない場合は、高周波磁気特性が劣化する。熱処理は通常露点が−３０℃以下の不活性ガス雰囲気中で行なうことが望ましく、露点が−６０℃以下の不活性ガス雰囲気中で熱処理を行なうと、ばらつきが小さくより好ましい結果が得られる。熱処理の際の最高到達温度は結晶化温度以上であり、通常４５０℃から７００℃の範囲である。一定温度に保持する熱処理パターンの場合は、一定温度での保持時間は通常は量産性の観点から２４時間以下であり、好ましくは４時間以下である。熱処理の際の平均昇温速度は好ましくは０．１℃／ｍｉｎから２００℃／ｍｉｎ、より好ましくは０．１℃／ｍｉｎから１００℃／ｍｉｎ、平均冷却速度は好ましくは０．１℃/ｍｉｎから３０００℃/ｍｉｎ、より好ましくは０．１℃/ｍｉｎから１００℃/ｍｉｎであり、この範囲で特に高周波磁気特性に優れた合金が得られる。熱処理は１段ではなく多段の熱処理や複数回の熱処理を行なうこともできる。更には合金に直流、交流あるいはパルス電流を流して合金を発熱させ熱処理することもできる。
【０００８】
以上のようなプロセスを経て製造された本発明合金は、比初透磁率が２０００以下の特性を容易に得ることができ、しかも１ＭＨｚにおけるＱが４以上で角形比Ｂｒ・Ｂ8000-１が２０％以下の特性、あるいは角形比Ｂｒ・Ｂ8000-１が８５％以上の特性を容易に実現することができる。ここで、B8000は8000 Aｍ−１の磁界を印加した場合の磁束密度、B800は８００  Am-1の磁界を印加した際の磁束密度である。特に比初透磁率が１０００以下の場合、Qは特に高くなり好ましい結果が得られる。
【０００９】
本発明において、Ｆｅ量比０．００３≦ａ＜０．３５である必要があり、ａが０．３５以上では十分な誘導磁気異方性が付与できず、使用時に磁化する方向とほぼ垂直な方向に合金が飽和する十分な磁界を印加しながら熱処理を行なうと、１ＭＨｚにおけるＱの著しい低下を招き好ましくない。また、使用時に磁化する方向とほぼ同じ方向に合金が飽和する十分な磁界を印加しながら熱処理を行った場合は、ａが０．３５以上では角形比が低下しやすくなり好ましくない。特に好ましい範囲はａ＜０．２である。この範囲で磁歪が小さく高いＱあるいは、高い角形比が得られ、かつ応力による特性劣化も小さくなり、より好ましい結果が得られる。Ｍ’およびＸ’はアモルファス形成を促進する元素である。Ｍ’はＶ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｈｆ，ＴａおよびＷから選ばれた少なくとも一種の元素であり、Ｍ’量ｙは１．５≦ｙ≦１５、Ｘ’量ｃは４≦ｃ≦３０の範囲である。ｙが１．５原子％未満では熱処理後に微細な結晶粒組織が得られず、高いＱが得られず好ましくない。ｙが１５原子％を超えると温度特性が悪くなり好ましくない。Ｘ’はＳｉおよびＢから選ばれた少なくとも1種の元素である。Ｘ’量ｃが4原子％未満では熱処理後の結晶粒が微細化されにくく好ましくなく、ｃが３０原子％を越えると飽和磁束密度の低下を招くため好ましくない。特にＢ含有量が４原子％以上１５原子％以下の場合は誘導磁気異方性が大きくなり高いＱあるいは高角形比の優れた特性が得られる。平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒の残部は主としてアモルファス相である。結晶粒の割合が多い方が、誘導磁気異方性が大きくなり、より高周波のQが向上するが、一部にアモルファス相が存在した方が高い抵抗率を実現でき、結晶粒が微細になり軟磁気特性も改善されるため好ましい結果が得られる。
【００１０】
本発明合金は必要に応じてＳｉＯ２、ＭｇＯ、Ａl２Ｏ３等の粉末あるいは膜で合金薄帯表面を覆う、化成処理により表面を処理する、アノード酸化処理により表面に酸化物層を形成し層間絶縁が行なう等の処理を行なうとより好ましい結果が得られる。これは特に層間を渡る高周波における渦電流の影響を低減し、高周波におけるＱや磁心損失等の特性を改善する効果がある。この効果は表面状態が良好でかつ広幅の薄帯から構成された磁心に使用した場合に著しい。更に、本発明合金から磁心を作製する際に必要に応じて含浸やコーティング等を行なうこともできる。本発明合金は高周波の用途に最も性能を発揮できるが、センサーや低周波の磁性部品の用途にも使用可能である。特に、磁気飽和しやすい用途の場合に優れた特性を発揮できる。
【００１１】
使用時に磁化する方向とほぼ垂直な方向に磁界を印加しながら熱処理した本発明合金は、薄帯においても高周波において従来の薄帯材料よりも高いＱが得られるが、薄膜や粉末でも同様に優れた特性を得ることができる。Ｑは品質係数と呼ばれるもので、透磁率の実数部μ′と透磁率の虚数部μ″の比で表される。高周波における磁心材料としての性能を表す特性の一つであり、Ｑが高い程コイル部品にした場合、損失が少なくなり特性が優れる。
【００１２】
本発明Ｃｏ基磁性合金の磁化困難軸方向の直流Ｂ−Ｈループはフラットな傾斜した形状となり、その異方性磁界ＨＫは通常９５０Aｍ−１以上である。本合金は大きな磁界が加わっても材料が磁気的に飽和し難くなり、ハイパワーの用途に適する。比初透磁率は約２０００以下であり、比透磁率は従来のナノ結晶合金薄帯よりも同一板厚で比較すると高い周波数帯まで低下が少なくフラットな特性を示す。
【００１３】
本発明においてＣｏ，Ｆｅの総量の１０原子％以下をＣｕ、Ａｕから選ばれた少なくとも一種の元素で置換しても良い。Ｃｕ、Ａｕを置換することにより結晶粒がより微細化され高周波磁気特性がより向上する。特に好ましい置換量は０．１≦ｘ≦３（原子％）であり、この範囲で製造が容易でＱが高く特に優れた高周波磁気特性が可能となる。
本発明合金においてＣｏの一部をNiで置換しても良い。Ｎｉを置換することにより、耐食性の改善や誘導磁気異方性を調整することができる。
【００１４】
また、本発明合金において、Ｍ’の一部をＣｒ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ａｇ，白金属元素，Ｍｇ，希土類元素，Ｎ，ＯおよびＳから選ばれた少なくとも一種の元素で置換しても良い。Ｍ’の一部をＣｒ，Ｍｎ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，白金属元素，Ｍｇ，希土類元素，Ｎ，ＯおよびＳから選ばれた少なくとも一種の元素で置換することにより、耐食性を改善する、抵抗率を高める、磁気特性を調整する等の効果が得られる。特に、PdやPt等の白金属元素は誘導磁気異方性を大きくすることができ、より高い周波数帯のQ等の特性を向上することができる。また、Ｘ’の一部をＣ，Ｇｅ，Ｇａ，ＡlおよびＰから選ばれた少なくとも一種の元素で置換しても良い。Ｘ’の一部をＣ，Ｇｅ，Ｇａ，ＡlおよびＰから選ばれた少なくとも一種の元素で置換することにより、磁歪を調整する、結晶粒を微細化する等の効果がある。
【００１５】
本発明合金の一部には平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒が形成している。前記結晶粒は組織の３０％以上の割合であることが望ましく、より好ましくは５０％以上、特に好ましくは60%以上である。特に望ましい平均結晶粒径は２ｎｍから３０ｎｍであり、この範囲で１ＭＨｚ以上の高周波において特に高いＱが得られる。
前述の本発明合金中に形成する結晶粒は主にＣｏを主体とする結晶相であり、Ｓｉ，Ｂ，Ａl，ＧｅやＺｒ等を固溶しても良い。また、規則格子を含んでも良い。前記結晶相以外の残部は主にアモルファス相であるが、実質的に結晶相だけからなる合金も本発明に含まれる。ＣｕやAuを含む合金の場合は、一部にＣｕやＡｕを含む面心立方構造の相（fｃｃ相）も存在する場合がある。
また、アモルファス相が結晶粒の周囲に存在する場合、抵抗率が高くなり、結晶粒成長の抑制により、結晶粒が微細化されており軟磁気特性が改善されるためより好ましい結果が得られる。
本発明合金において化合物相が存在しない場合により優れた高周波磁気特性を示す。
【００１６】
また、本発明合金において、平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒の少なくとも一部または全部が体心立方構造（ｂｃｃ）の結晶粒である場合に誘導磁気異方性が大きくなり特に優れた高周波磁気特性を示す。本発明合金において、平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒の少なくとも一部または全部が面心立方構造（ｆｃｃ）の結晶粒であっても良く、優れた軟磁気特性と低磁歪特性が得られる。本発明合金において、平均粒径５０ｎｍ以下の結晶粒の少なくとも一部または全部が六方晶（ｈｃｐ）の結晶粒が含まれても良い。
【００１７】
もう一つの本発明は、前記Ｃｏ基磁性合金から構成されていることを特徴とする磁性部品である。前記本発明合金により巻磁心あるいは積層磁心を構成し導線を巻きチョークコイルを構成することにより、高周波において高いＱを示す低損失の高性能トランス、チョークコイルやインダクタの実現が可能である。また、前記本発明合金から構成されたシートは高周波磁気特性に優れるため、ノイズ対策用部品に好適である。また、同調式高周波加速空胴用コアとして使用した場合に高いＱを示すため優れた特性を発揮できる。また、高角形比の前記Ｃｏ基磁性合金から構成された磁性部品は磁気スイッチコアなどに優れた特性を実現できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下本発明を実施例にしたがって説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
（Ｃｏ０．８１Ｆｅ０．１９）bal.Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１５．５Ｂ６．５（原子％）の合金溶湯を単ロ−ル法により急冷し、幅５ｍｍ厚さ１８μｍのアモルファス合金薄帯を得た。このアモルファス合金薄帯を外径１９ｍｍ、内径１５ｍｍに巻回し、トロイダル磁心を作製した。
作製した磁心を窒素ガス雰囲気の熱処理炉に挿入し、図１に示す熱処理パタ−ンで熱処理を行った。熱処理の際、合金磁心の磁路と垂直方向（合金薄帯の幅方向）、すなわち磁心の高さ方向に２８０ｋＡｍ−１の磁界を印加した。熱処理後の合金は結晶化しており、電子顕微鏡観察の結果組織のほとんどが粒径２０ｎｍ程度の微細な体心立方構造の結晶粒からなっており結晶粒の割合は６５％程度と見積もられた。結晶相のほとんどは体心立方構造であった。残部のマトリックスは主にアモルファス相であった。図２にＸ線回折パターンを示す。Ｘ線回折パターンからは体心立方構造の相を示す結晶ピークが認められ、化合物相のピークは認められなかった。
次に、この合金磁心の直流Ｂ−Ｈループ、１ＭＨｚにおける品質係数Ｑ（＝μ′／μ″）を測定した。図３に直流Ｂ−Ｈループ、表１に得られた結果を示す。比較のため本発明外のＦｅbal.Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１５．５Ｂ６．５合金に同様の熱処理を行った後の特性も表１に示す。本発明合金磁心のＢ８０００は０．９７Ｔ、１ＭＨｚにおける交流比初透磁率μriacは２７０、Ｂｒ／Ｂ８０００は１％、１ＭＨｚにおけるＱは１８であり、本発明外の合金よりも高周波において高いＱを示し、かつ角形比が低く飽和しにくいＢ−Ｈループを示しているため高周波加速空胴用コアやノイズ対策用コイル部品に適している。また、本発明合金の１００ｋＨｚ、０．２Ｔにおける磁心損失は２６０ｋＷｍ−３であり、数１００ｋＨｚ以下の磁心損失も十分低いため、数１００ｋＨｚ以下で使用するトランスやチョークコイルにも使用可能である。一方、従来の合金は本発明合金よりもＱが低く劣っている。
【００１９】
【表１】
0004003166.tif 000002
【００２０】
（実施例２）
一般式：（Ｃｏ１−ａＦｅａ）bal.Ｃｕ０．６Ｎｂ２．６Ｓｉ９Ｂ９（原子％）で表される組成の合金溶湯を単ロ−ル法により急冷し、幅５ｍｍ厚さ１８μｍのアモルファス合金薄帯を得た。このアモルファス合金薄帯を外径１９ｍｍ、内径１５ｍｍに巻回し、トロイダル磁心を作製した。この合金磁心を実施例１と同様な熱処理パタ−ンで熱処理し磁気測定を行った。熱処理後の合金の組織中には粒径５０ｎｍ以下の極微細な結晶粒が形成していた。図４に飽和磁束密度Ｂｓ、角形比Ｂｒ／Ｂ８０００、１ｋＨｚにおける交流比初透磁率μriacのＦｅ量ａ依存性、図５に誘導磁気異方性定数ＫｕのＦｅ量ａ依存性、図６にＱのＦｅ量ａ依存性を示す。８０００Am-1における磁束密度B8000（≒Bs）は０．５５T以上であり、ａ≧０．１では１Ｔを超える高い値が得られる。角形比ＢｒＢ８０００−１はＦｅを含むことにより２０％以下の低い値を示す。特にａ＝０．１〜０．３５で低い角形比を示す。比初透磁率μｒｉａｃはＦｅ量の減少とともに低下しａ＜０．３５で２０００以下の低い値を示す。Ｋｕはａ＜０．３５で著しく大きくなり、ａ＝０．１付近で最大となる。Ｑはａ＜０．３５で著しく大きくなりａ＝０．１付近で最大値約１３を示す。
以上のようにａ＜０．３５において大きなＱが得られることが分る。特に大きいＱはａ＜０．２で得られる。
【００２１】
（実施例３）
表２に示す組成の合金溶湯を大気中あるいはＡr雰囲気中の単ロ−ル法により急冷し、幅１０ｍｍ、厚さ１５μｍのアモルファス合金薄帯を作製した。Ｚｒ，Ｈｆ等の活性な金属を含む合金はＡrガス雰囲気中で製造した。このアモルファス合金薄帯を外径１９ｍｍ、内径１５ｍｍに巻回し、トロイダル磁心を作製した。この合金磁心を図１に示す熱処理パタ−ンで熱処理した。熱処理中の磁界印加方向は磁心の磁路と垂直方向（合金薄帯幅方向）に印加した。熱処理後の合金中には粒径５０ｎｍ以下の極微細なbcc相、fcc相、hcp相などからなる結晶粒が形成していた。熱処理後の合金磁心の直流Ｂ−Ｈループ、１ｋＨｚにおける交流比初透磁率μriac、１ＭＨｚにおけるＱを測定した。表２に角形比Ｂｒ／Ｂ８０００、１ｋＨｚにおける交流比初透磁率μriac、１ＭＨｚにおけるＱ及び形成相を示す。本発明合金は１ＭＨｚにおけるＱが４以上と大きく、角形比Ｂｒ／Ｂ８０００が低く、ハイパワー用途の高周波用チョークコイルやトランス用の磁心材料やパルスパワー用コア材料などに好適である。一方、本発明外のナノ結晶合金は１ＭＨｚにおけるＱが低く１ＭＨｚを超えるような高周波領域の特性に劣っている。また、本発明合金の低周波側の透磁率は２０００以下と低く、飽和しにくいＢ−Ｈループを示し、フェライトなどに比べると高飽和磁束密度で温度特性も良好なため、磁気的に飽和しにくいため大電流の用途に使用する磁性部品に特に適している。また高周波のＱが高いためアンテナ用磁心などにも適している。
【００２２】
【表２】
0004003166.tif 000003
【００２３】
（実施例４）
（Ｃｏ０．８Ｆｅ０．２）bal.Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９（原子％）の合金溶湯を単ロ−ル法により急冷し、幅２５ｍｍ厚さ１８μｍのアモルファス合金薄帯を得た。このアモルファス合金薄帯を外径２５ｍｍ、内径２０ｍｍに巻回し、トロイダル磁心を作製した。この合金磁心を磁心の高さ方向（合金薄帯幅方向）に磁界を印加しながら磁界中熱処理を行った。熱処理は実施例１と同様なパターンで行い磁界は全期間印加した。この合金は粒径１０〜２０ｎｍの体心立方構造の結晶粒が形成していることを透過電子顕微鏡とＸ線回折により確認した。また、直流磁気特性とＱを測定した結果、角形比ＢｒＢ８０００−１は１％、Ｑは１０であった。次にこの磁心に三相インバータの導線を貫通させ、三相用の零相リアクトルを構成した。比較のために、同組成で磁界中熱処理を行なわず化合物が形成した合金を用いた零相リアクトルと従来のＦｅ基ナノ結晶合金（Ｆｅbal.Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９（原子％））を用いた三相用零相リアクトルを作製した。比較のため作製した同組成の従来合金の角形比ＢｒＢ８０００−１、１ＭＨｚのＱはそれぞれ４５％と１．５、従来のＦｅ基ナノ結晶合金（Ｆｅbal.Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９（原子％））の角形比ＢｒＢ８０００−１、１ＭＨｚのＱはそれぞれ１％と０．６５であった。インバータ回路に実装して測定したノイズ減衰量は、本発明の零相リアクトルでは１ＭＨｚにおいて−７ｄＢ、無磁界熱処理で化合物相が形成したＣｏ基ナノ結晶合金では、−１．１ｄＢ、従来のＦｅ基ナノ結晶合金を使用した零相リアクトルでは−４．５ｄＢであり、本発明の合金を用いた。
【００２４】
（実施例５）
表３に示す組成の合金溶湯を大気中あるいはＡr雰囲気中の単ロ−ル法により急冷し、幅１０ｍｍ、厚さ１２μｍのアモルファス合金薄帯を作製した。Ｚｒ，Ｈｆ等の活性な金属を含む合金はＡrガス雰囲気中で製造した。このアモルファス合金薄帯を外径１９ｍｍ、内径１５ｍｍに巻回し、トロイダル磁心を作製した。この合金磁心を図１に示す熱処理パタ−ンで熱処理した。熱処理中の磁界印加方向は磁心の磁路方向（合金薄帯長手方向）に印加した。熱処理後の合金中には粒径５０ｎｍ以下の極微細な結晶粒が形成していた。熱処理後の合金磁心の直流Ｂ−Ｈループ及び比初透磁率μriacを測定した。表３に角形比Ｂｒ／Ｂ８００、比初透磁率μriac及び形成相を示す。本発明合金は角形比が８５％以上と高く、９０％以上の角形比も得られるためパルスパワー用の磁気スイッチなどの用途に好適である。
【００２５】
【表３】
0004003166.tif 000004
【００２６】
(実施例６)
Ｃｏ70Ｆｅ9.4Ｚｒ2.6Ｓｉ9Ｂ9の組成の合金溶湯をＨｅ雰囲気中の単ロ−ル法により急冷し、幅５ｍｍ、厚さ１５μｍのアモルファス合金薄帯を作製した。このアモルファス合金薄帯を外径１９ｍｍ、内径１５ｍｍに巻回し、トロイダル磁心を作製した。この合金磁心を図１に示す熱処理パタ−ンで熱処理した。熱処理中の磁界印加方向は磁心の磁路と垂直方向（合金薄帯幅方向）に印加した。熱処理後の合金中には粒径約８ｎｍの極微細な結晶粒が形成していた。熱処理後の合金磁心の直流Ｂ−Ｈループを測定し、誘導磁気異方性定数Ｋｕを求めた。得られた結果を図７に示す。熱処理温度が高くなるに伴いＫｕは増加した。結晶の体積分率Ｘを見積もりＫｕとＸの関係をプロットした。得られた結果を図８に示す。体積分率の増加に伴いＫｕが大きくなり、結晶相の割合が多い方程Ｋｕが大きくなり高周波の用途には好ましいことが分った。
【００２７】
(実施例７)
Ｃｏ70Ｆｅ8.8Ｃｕ0.6Ｚｒ2.6Ｓｉ9Ｂ9の組成の合金溶湯をＨｅ雰囲気中の単ロ−ル法により急冷し、幅５ｍｍ、厚さ１８μｍのアモルファス合金薄帯を作製した。このアモルファス合金薄帯を外径１９ｍｍ、内径１５ｍｍに巻回し、トロイダル磁心を作製した。この合金磁心を図１に示す熱処理パタ−ンで熱処理した。熱処理中の磁界印加方向は磁心の磁路と垂直方向（合金薄帯幅方向）に印加した。熱処理後の本発明合金中には粒径約８ｎｍの極微細なＣｏ、Ｆｅ及びＳｉを主に含むbcc相を主体とする結晶粒が形成していた。熱処理後の本発明合金磁心の磁心損失Ｐcvの周波数依存性を図９に示す。また比較のために、従来のチョークコイル用低透磁率磁心の磁心損失Ｐcvの周波数依存性も図９に示す。本発明合金からなる磁心は従来の磁心よりも著しくＰcvが低く優れている。図１０に本発明合金からなる磁心及び従来のチョークコイル用磁心の直流重畳特性を示す。本発明磁心は比較的良好な直流重畳特性を示すことが分る。前述の低磁心損失の特徴と良好な直流重畳特性、またギャップを形成する必要がないという特徴から高周波用のチョークコイルに適していることが分る。
【００２８】
図１１に複素透磁率及び品質係数Qの周波数依存性を示す。μ′（実数部）は数ＭＨｚまでほぼ一定であり、μ″（虚数部）が最大となる周波数は１０ＭＨｚを超え周波数特性に優れている。Ｑはこの周波数帯では単調に減少するが、１ＭＨｚにおいても１０以上の高い値を示す。図１２に本発明合金と従来のナノ結晶軟磁性合金のＱの周波数依存性を比較して示す。本発明合金は従来のナノ結晶合金よりも１００ｋＨｚからＭＨｚ帯にかけてＱが高く優れており、アンテナや高周波用インダクタなどの部品に適していることが分る。
また、熱処理中の磁界印加方向は磁心の磁路と垂直方向（合金薄帯幅方向）に印加し、熱処理した本発明合金は、飽和しにくい特徴から、高周波帯だけでなく低周波帯（商用周波数帯）の電流センサやリアクトルなどの部品にも使用可能である。更には、各種センサや電磁シールド部材にも使用可能である。
【００２９】
【発明の効果】
本発明によれば、大電流用の零相リアクトル、電磁シールド材料などのノイズ対策部品、インバータトランス、アクティブフィルタ用チョ−クコイル、アンテナ、平滑チョークコイル、レーザ電源、加速器用パルスパワー磁性部品等に好適なＣｏ基磁性合金およびそれを用いた高性能磁性部品を実現できるためその効果は著しいものがある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる熱処理パタ−ンの一例を示した図である。
【図２】本発明に係わる合金のＸ線回折パターンの一例を示した図である。
【図３】本発明に係わる合金の直流Ｂ−Ｈループの一例を示した図である。
【図４】本発明に係わる合金の飽和磁束密度Ｂｓ、角形比Ｂｒ／Ｂ８０００、比初透磁率μｉのＦｅ量ａ依存性を示した図である。
【図５】本発明に係わる合金の誘導磁気異方性定数ＫｕのＦｅ量ａ依存性を示した図である。
【図６】本発明に係わる合金のＱのＦｅ量ａ依存性を示した図である。
【図７】本発明に係わる誘導磁気異方性定数Ｋｕの熱処理温度依存性を示した図である。
【図８】本発明に係わる誘導磁気異方性定数Ｋｕの結晶の体積分率Ｘ依存性を示した図である。
【図９】熱処理後の本発明合金磁心及び従来のチョークコイル用低透磁率磁心の磁心損失Ｐcvの周波数依存性を示した図である。
【図１０】本発明合金からなる磁心及び従来のチョークコイル用磁心の直流重畳特性を示す。
【図１１】本発明合金の複素透磁率及び品質係数Ｑの周波数依存性を示した図である。
【図１２】本発明合金と従来のナノ結晶軟磁性合金の品質係数Qの周波数依存性を示した図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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