(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式
Ｒ1−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2−Ｚ−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2−Ｒ2
（式中のＲ1及びＲ2は、たがいに同一又は異なった炭素数６〜１５のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基あるいはハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基若しくはアルコキシ基又はハロゲン化アルキル若しくはアルコキシ基で置換された炭素数６〜１５のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基、Ｚは炭素数１〜１０のアルキレン基である）
で表わされるビス（ジスルホニルジアゾメタン）化合物からなるレジスト用酸発生剤。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、新規なビス（ジスルホニルジアゾメタン）化合物からなるレジスト用酸発生剤に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子や液晶素子などの製造においては、化学増幅型レジスト組成物が使用されるようになってきた。この化学増幅型レジスト組成物は、放射線の照射により生成した酸の触媒作用を利用したレジストであって、高い感度と解像性を有し、放射線の照射により酸を発生する化合物すなわち酸発生剤の使用量が少なくてよいという利点を有している。
【０００３】
この化学増幅型レジストにはポジ型とネガ型の２つのタイプがあり、これらは、一般に、酸発生剤と、発生する酸の作用によりアルカリ水溶液に対する溶解性が変化する被膜形成成分とを基本成分としている。
【０００４】
前記ポジ型レジストにおいては、被膜形成成分として、通常ｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル基などの溶解抑制基で水酸基の一部を保護したポリヒドロキシスチレンなどが用いられており、一方、ネガ型レジストにおいては、被膜形成成分として、通常上記溶解抑制基で水酸基の一部を保護したポリヒドロキシスチレン、あるいはポリヒドロキシスチレンやノボラック樹脂などの樹脂成分に、メラミン樹脂や尿素樹脂などの酸架橋性物質を組み合わせたものが用いられている。
【０００５】
ところで、近年、化学増幅型ポジ型レジストを用いた０．２５μｍ付近の解像性を必要とするリソグラフィープロセスの実用化が図られる一方、半導体素子の微細化への要求は益々高まり、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）を用いた０．２５μｍ以下の微細パターンを必要とする次世代半導体素子の開発が進められている。
【０００６】
一方、−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2−基１つを有するジアゾメタン化合物は古くから知られており（例えば、米国特許第３３３２９３６号明細書、英国特許第１２３１７８９号明細書）、そして、このようなジアゾメタン化合物をＣＥＬ材（コントラストエンハンスト材料）や化学増幅型レジストの酸発生剤として用いた技術が数多く開示されている（特開平２−１１８６５５号公報、特開平２−８４６４８号公報、特開平２−１８７７６４号公報、特開平３−１０３８５４号公報、特開平４−２１０９６０号公報、特開平４−２１７２４９号公報）。
【０００７】
しかしながら、このようなジアゾメタン化合物は、今日の０．２５μｍ以下のレジストパターンを必要とする超微細なリソグラフィーにおいては、該化合物を用いて得られたレジストパターン形状及び解像性では、もはや満足しうるものではなくなってきている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような従来のジアゾメタン化合物からなるレジスト用酸発生剤がもつ欠点を克服し、解像性に優れると共に、断面形状の良好なレジストパターンを与える新規なレジスト用酸発生剤を提供することを目的としてなされたものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記の優れた機能を有するレジスト用酸発生剤を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、分子内に少なくとも２つの−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2−基を有する特定構造のジアゾメタン化合物は、放射線の照射により、従来のジアゾメタン化合物に比べて、より嵩高いスルホン酸を発生するので、このジアゾメタン化合物をレジスト用酸発生剤として用いると、露光後レジスト膜中における露光により発生した酸の移動度が抑制され、その結果、断面形状及び解像性に優れるレジストパターンを与えることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、一般式
Ｒ1−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2−Ｚ−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2−Ｒ2  （Ｉ）
（式中のＲ1及びＲ2は、たがいに同一又は異なった炭素数６〜１５のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基あるいはハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基若しくはアルコキシ基又はハロゲン化アルキル若しくはアルコキシ基で置換された炭素数６〜１５のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基、Ｚは炭素数１〜１０のアルキレン基である）
で表わされるビス（ジスルホニルジアゾメタン）化合物からなるレジスト用酸発生剤を提供するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明のビス（ジスルホニルジアゾメタン）化合物は、前記一般式（Ｉ）で表わされる文献未載の新規な化合物であって、この一般式（Ｉ）におけるＲ1及びＲ2で示される炭素数６〜１５の環状炭化水素基としては、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を挙げることができる。ここで、シクロアルキル基の例としては、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基を、アリール基の例としては、フェニル基やナフチル基などを、またアラルキル基の例としては、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基などを挙げることができる。これらの環状基は、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のようなハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ‐ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ‐ブチルのようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基のようなアルコキシ基、さらには上記アルキル基やアルコキシ基の水素原子１つ以上がハロゲン原子により置換されたハロゲノアルキル基やハロゲノアルコキシ基などにより置換されていてもよい。
このＲ1及びＲ2の環状炭化水素基としては、特にシクロヘキシル基やフェニル基が好適である。
【００１２】
一方、Ｚは、炭素数１〜１０のアルキレン基である。このアルキレン基は直鎖状、枝分れ状のいずれであってもよいが、特に直鎖状のものが好ましい。その例としてはメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基などが挙げられる。
【００１３】
この一般式（Ｉ）で表わされるビス（ジスルホニルジアゾメタン）化合物としては、例えば、以下に示す構造をもつ１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン（化合物Ａ、分解点１３５℃）、１，４‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタン（化合物Ｂ、分解点１４７℃）、１，６‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン（化合物Ｃ、融点１３２℃、分解点１４５℃）、１，１０‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカン（化合物Ｄ、分解点１４７℃）、１，２‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）エタン（化合物Ｅ、分解点１４９℃）、１，３‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン（化合物Ｆ、分解点１５３℃）、１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン（化合物Ｇ、融点１０９℃、分解点１２２℃）、１，１０‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカン（化合物Ｈ、分解点１１６℃）などを挙げることができる。
【００１４】
【化１】
0003935267.tif 000002
【化２】
0003935267.tif 000003
【００１５】
次に、前記一般式（Ｉ）で表わされるビス（ジスルホニルジアゾメタン）化合物の製造方法について、Ｒ1及びＲ2が共にフェニル基で、ｎが１の場合を例として反応式
【化３】
0003935267.tif 000004
（式中のＸはハロゲン原子、ｍは１〜１０の整数である）
に従い説明する。
【００１６】
すなわち、まず、α‐ハロゲノチオアニソール（ＩＩ）とα，ω‐アルカンジチオール（ＩＩＩ）とを、トルエンなどの芳香族炭化水素などの不活性溶媒中において、ハロゲン化水素捕捉剤の存在下に反応させて、一般式（ＩＶ）で表わされる化合物を得たのち、これを適当な溶媒中において、過酸化水素などの酸化剤により酸化して、α，ω‐ビス（フェニルスルホニルメチルスルホニル）アルカン（Ｖ）を得る。次に、この化合物（Ｖ）を、適当な溶媒中において、トシルアジドなどのジアゾ化剤によりジアゾ化したのち、生成物を公知の方法により、分離、精製することにより、目的の一般式（Ｉ−ａ）で表わされるα，ω‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）アルカンが得られる。
【００１７】
この反応において用いるハロゲン化水素捕捉剤としては、水酸化アルカリなどが好適である。また、一般式（ＩＶ）で表わされる化合物を過酸化水素により酸化してα，ω‐ビス（フェニルスルホニルメチルスルホニル）アルカン（Ｖ）に変換する場合には、タングステン酸アルカリなどの触媒を使用することができる。また、この化合物（Ｖ）をトシルアジドでジアゾ化して、α，ω‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）アルカン（Ｉ−ａ）に変換する場合には、通常、水酸化アルカリなどのアルカリの存在下でジアゾ化が行われる。
【００１８】
また、Ｒ1、Ｒ2が共にシクロヘキシル基で、ｎが１の場合は、上記α‐ハロゲノチオアニソールに代えて、シクロヘキサンチオールとブロモクロロメタンを反応させて得られるシクロヘキシルメトキシメチルスルフィドとα，ω‐アルカンジチオールを硫酸存在下にて反応させて一般式（ＩＶ）のフェニル基がシクロヘキシル基に置き換わった化合物を得た後、以下同様にして酸化、ジアゾ化すればα，ω‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）アルカンが得られる。
【００１９】
従来、知られているビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタンは、放射線の照射により脱窒素化し、水の存在下で、以下に示すように転移反応することにより、スルホン酸を生成することが知られている。
【化４】
0003935267.tif 000005
【００２０】
これに対し、本発明の一般式（Ｉ）で表わされるビス（ジスルホニルジアゾメタン）化合物は、例えば、以下に示すような転移反応を起こすと推測される。
【００２１】
【化５】
0003935267.tif 000006
【００２２】
【００２３】
このように、ビス（ジスルホニルジアゾメタン）化合物は、従来公知の−ＳＯ2−Ｃ（Ｎ2）−ＳＯ2−基を１つ有するジアゾメタン化合物に比べて、より嵩高いスルホン酸が生成し、その結果、露光後の加熱処理により生成したスルホン酸の移動度が小さくなり、断面形状及び解像性に優れるレジストパターンが得られるものと思われる。
【００２４】
本発明の前記一般式（Ｉ）で表わされるビス（ジスルホニルジアゾメタン）化合物からなる酸発生剤は、被膜形成成分と混合し、化学増幅型レジスト組成物を調製することができる。この際の配合量としては、被膜形成成分１００重量部に対し、０．５〜２０重量部が適当である。
【００２５】
【実施例】
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
【００２６】
実施例１
１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン（化合物Ａ）の製造
水酸化カリウム１９．５ｇ（０．３５モル）とエタノール２００ｍｌの混合物に、１，３‐プロパンジチオール１６．２ｇ（０．１５モル）を２０〜３０℃で滴下したのち、同温度で１時間かきまぜた。次いで、これに、α‐クロロチオアニソール４７．６ｇ（０．３０モル）を３０〜５０℃で２０分間かけて滴下したのち、同温度で３０分間かきまぜた。この反応液に水１０００ｍｌを加えて希釈したのち、酢酸エチル７００ｍｌで抽出した。有機層を希塩酸、水の順で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで溶媒を留去することにより、１，３‐ビス（フェニルチオメチルチオ）プロパン４９．４ｇを淡黄色抽状物として得た（収率９４％）。
【００２７】
次に、上記１，３‐ビス（フェニルチオメチルチオ）プロパン４９．４ｇ（０．１４モル）と酢酸４２０ｍｌの混合物に、３５重量％過酸化水素水１６５．０ｇ（１．７０モル）を７０〜１００℃にて３０分間かけて滴下したのち、９０〜１００℃で１時間かきまぜた。その後、この反応液を室温まで冷却したのち、水７００ｍｌを加えて析出した結晶をろ取し、水洗、乾燥して１，３‐ビス（フェニルスルホニルメチルスルホニル）プロパン４８．１ｇを白色結晶として得た（収率７１％）。
【００２８】
このようにして得られた１，３‐ビス（フェニルスルホニルメチルスルホニル）プロパン４８．１ｇ（０．１０モル）とアセトニトリル１０００ｍｌの混合物に、６．２重量％水酸化カリウム水溶液２００ｇ（０．２２モル）を−１０〜０℃で５分間かけて滴下し、同温度で１５分間かきまぜた。さらにトシルアジド３７．５ｇ（０．１９モル）を−１０℃で加えたのち、−１０〜０℃で１０分間かきまぜた。次いで、これを水８０００ｍｌ中に注入し、析出した結晶をろ取したのち、アセトン／水で再結晶することにより、１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン（化合物Ａ）８．７ｇを淡黄色結晶として得た（収率１６％）。
この化合物Ａの分解点は１３５℃であった。また、化合物Ａのプロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトルを、それぞれ図１及び図２に示す。
【００２９】
実施例２
実施例１において、１，３‐プロパンジチオールの代わりに１，４‐ブタンジチオールを用い、実施例１に準じて１，４‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタン（化合物Ｂ）を製造した。
この化合物Ｂの分解点は１４７℃であった。また、化合物Ｂのプロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトルを、それぞれ図３及び図４に示す。
【００３０】
実施例３
実施例１において、１，３‐プロパンジチオールの代わりに１，６‐ヘキサンジチオールを用い、実施例１に準じて１，６‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン（化合物Ｃ）を製造した。
この化合物Ｃの融点は１３２℃、分解点は１４６℃であった。また、化合物Ｃのプロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトルを、それぞれ図５及び図６に示す。
【００３１】
実施例４
実施例１において、１，３‐プロパンジチオールの代わりに１，１０‐デカンジチオールを用い、実施例１に準じて１，１０‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカン（化合物Ｄ）を製造した。
この化合物Ｄの分解点は１４７℃であった。また、化合物Ｄのプロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトルを、それぞれ図７及び図８に示す。
【００３２】
実施例５
ブロモクロロメタン６００ｇとメタノール１００ｍｌとの混合液に、シクロヘキサンチオール５８．１ｇ（０．５０モル）、９５重量％ナトリウムメトキシド７１．０ｇ（１．２５モル）、メタノール３００ｍｌの混合物を、３０〜３５℃で３時間かけて滴下し、さらに同温度で２時間かきまぜた。この反応液に水７００ｍｌを注入し、分液したのち、有機層を希水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄した。次いで、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を留去し、シクロヘキシルメトキシメチルスルフィド８０．１ｇを無色油状物として得た（見かけ収率１００％、純度６０％）。
【００３３】
次に、上記シクロヘキシルメトキシメチルスルフィド８０．１ｇ（純度換算０．３０モル）、１，６‐ヘキサンジチオール２２．５ｇ（０．１５モル）、アセトニトリル２２０ｍｌの混合物に、９８％硫酸１４．９ｇ（０．１５モル）を１５〜２０℃で１５分間かけて滴下し、さらに同温度で１時間かきまぜた。この反応液に水５００ｍｌを加えて希釈し、酢酸エチル７００ｍｌで抽出した。有機層を希水酸化ナトリウム水溶液、水の順で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、次いで溶媒を留去することにより、１，６‐ビス（シクロヘキシルチオメチルチオ）ヘキサン８６．３ｇを無色油状物として得た（見かけ収率１４２％、純度３７％）。
【００３４】
次に、上記１，６‐ビス（シクロヘキシルチオメチルチオ）ヘキサン８５．４ｇ（純度換算０．０８モル）、タングステン酸ナトリウム１．０ｇ、酢酸１２００ｍｌの混合物に、３０重量％過酸化水素水５６０ｇ（４．９４モル）を５０〜６０℃で１．５時間かけて滴下し、さらに６０〜６５℃で６時間かきまぜた。この反応液を室温まで冷却したのち、水４３０ｍｌを加えて析出した結晶をろ取し、水洗、乾燥して粗結晶６０ｇを得た。これをクロロホルム、エタノールの順で懸濁精製し、１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルメチルスルホニル）ヘキサン２９．０ｇを黄色結晶として得た（見かけ収率７０％、純度９２％）。
【００３５】
このようにして得られた１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルメチルスルホニル）ヘキサン２６．７ｇ（０．０５モル）、トシルアジド１９．７ｇ（０．１０モル）、アセトニトリル２００ｍｌの懸濁液に水酸化カリウム６．２ｇ（０．１１モル）の水溶液を０〜５℃で１時間かけて滴下し、さらに５〜１５℃で３時間かきまぜた。析出した結晶をろ取し、水洗、乾燥して得た粗結晶１０ｇをアセトニトリル／水より再結晶することにより、１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン８．４ｇを微黄色結晶として得た（収率２８．７％、純度９７％）。
【００３６】
この化合物の融点は１０９℃、分解点は１２２℃であった。また、この化合物のプロトン核磁気共鳴スペクトル（1Ｈ−ＮＭＲ）及び赤外吸収スペクトルを、それぞれ図９及び図１０に示す。
【００３７】
応用例１
水酸基の水素原子３３モル％を１‐エトキシエチル基で置換した分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）４．０、重量平均分子量８，０００のポリヒドロキシスチレン５５重量部、水酸基の水素原子３３モル％をｔｅｒｔ‐ブトキシカルボニル基で置換した分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）４．０、重量平均分子量８，０００のポリヒドロキシスチレン４５重量部、実施例１で得られた１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパン３．２重量部、トリエチルアミン０．１１重量部、サリチル酸０．６０重量部及びジメチルアセトアミド２．３重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５２５重量部に溶解したのち、孔径０．２μｍのメンブレンフィルターをとおしてろ過し、化学増幅型ポジ型レジスト溶液を得た。
【００３８】
一方、６インチシリコンウエーハ上に上記ポジ型レジスト溶液をスピンコートし、ホットプレート上９０℃で９０秒間乾燥することにより、膜厚０．７４μｍのレジスト層を形成した。
次いで、縮小投影露光装置ＦＰＡ−３０００ＥＸ３（キャノン社製）により、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）を選択的に照射したのち、１００℃で９０秒間加熱（ＰＥＢ）処理し、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃にて６０秒間パドル現像した。次いで純水で３０秒間リンスし、最後に１００℃で６０秒間ポストベークし、ポジ型のレジストパターンを得た。
【００３９】
このようにして得られた露光部膜厚が０となる最小露光量を感度として評価したところ、８ｍＪ／ｃｍ2であり、０．２０μｍラインアンドスペースパターンが良好な矩形状で形成された。また、０．２０μｍラインアンドスペースパターンが得られる焦点深度幅は１．０μｍであった。
【００４０】
応用例２
応用例１において、実施例１で得られた１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパンの代わりに、実施例２で得られた１，４‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタンを用いた以外は、応用例１と同様にして、ポジ型のレジストパターンを形成した。その結果、感度は８ｍＪ／ｃｍ2であり、０．２０μｍのラインアンドスペースパターンの形状は矩形状であった。焦点深度幅は１．２μｍであった。
【００４１】
応用例３
水酸基の水素原子３０モル％をテトラヒドロピラニル基で置換した分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．２、重量平均分子量８０００のポリヒドロキシスチレン３０重量部、水酸基の水素原子３９モル％を１‐エトキシエチル基で置換した分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）１．２、重量平均分子量８０００のポリヒドロキシスチレン７０重量部、酸発生剤として実施例５で得た１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサン５．９重量部、トリブチルアミン０．１２重量部、トリイソプロパノールアミン０．１２重量部、マロン酸０．０５３重量部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５２５重量部に溶解したのち、孔径０．２μｍのメンブレンフィルターをとおしてろ過し、化学増幅型ポジ型レジスト溶液を得た。
【００４２】
一方、６インチシリコンウエーハ上に反射防止膜形成用塗布液ＳＷＫ−ＥＸ２（東京応化工業社製）を塗布、乾燥し、その後２００℃で９０秒間加熱し、膜厚１２０ｎｍの有機系反射防止膜を設けた。
該反射防止膜の上に上記ポジ型レジスト溶液をスピンコートし、ホットプレート上９０℃で９０秒間乾燥することにより、膜厚０．６３μｍのレジスト層を形成した。
次いで、縮小投影露光装置ＦＰＡ−３０００ＥＸ３（キャノン社製）により、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）を選択的に照射したのち、１１０℃で９０秒間加熱（ＰＥＢ）処理し、２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃にて６０秒間パドル現像した。次いで純水で３０秒間リンスし、最後に１００℃で６０秒間ポストベークし、ポジ型のレジストパターンを得た。
【００４３】
このようにして０．２５μｍラインアンドスペースパターンが得られる露光量は６１ｍＪ／ｃｍ2であり、その際の限界解像度は０．１７μｍで矩形に近い断面形状であった。また、同じ露光量において、アイソレートパターンを形成したところ、０．１７μｍのレジストパターンが膜減りが少なく矩形に近い断面形状で得られた。
【００４４】
【発明の効果】
本発明で用いるビス（ジスルホニルジアゾメタン）化合物は、文献未載の化合物であり、これを化学増幅型レジストの酸発生剤として用いることにより、解像性に優れると共に、断面形状の良好なレジストパターンを与える化学増幅型レジストが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  実施例１で得た１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパンのプロトン核磁気共鳴スペクトル図。
【図２】  実施例１で得た１，３‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）プロパンの赤外吸収スペクトル図。
【図３】  実施例２で得た１，４‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタンのプロトン核磁気共鳴スペクトル図。
【図４】  実施例２で得た１，４‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ブタンの赤外吸収スペクトル図。
【図５】  実施例３で得た１，６‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサンのプロトン核磁気共鳴スペクトル図。
【図６】  実施例３で得た１，６‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサンの赤外吸収スペクトル図。
【図７】  実施例４で得た１，１０‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカンのプロトン核磁気共鳴スペクトル図。
【図８】  実施例４で得た１，１０‐ビス（フェニルスルホニルジアゾメチルスルホニル）デカンの赤外吸収スペクトル図。
【図９】  実施例５で得た１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサンのプロトン核磁気共鳴スペクトル図。
【図１０】  実施例５で得た１，６‐ビス（シクロヘキシルスルホニルジアゾメチルスルホニル）ヘキサンの赤外吸収スペクトル図。
【図１】
0003935267.tif 000007
【図２】
0003935267.tif 000008
【図３】
0003935267.tif 000009
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003935267.tif 000014
【図９】
0003935267.tif 000015
【図１０】
0003935267.tif 000016