(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
箱型パッケージに取り付けられた光ガイドと、半導体レーザと、前記箱型パッケージ底面に取り付けられて半導体レーザを冷却するペルチェクーラと、光アイソレータと、光アイソレータを前記箱型パッケージ内に保持固定する保持部と、信号光の一部をモニタする受光器からなり、前記保持部は、前記箱型パッケージの外壁に隙間なく接触するよう成形され、前記光アイソレータを前記箱型パッケージ内に保持固定して、前記箱型パッケージの内部を半導体レーザ側のエリアと前記受光器配置側のエリアとに画成するとともに、前記保持部は、底面に溝が形成され、溝を除いた底部両端縁が前記パッケージ本体底面に当接することによって前記半導体レーザ側のエリアの迷光が前記保持部と前記箱型パッケージとの間を通過しないようにすることを特徴とする光ファイバ用複合モジュール。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光通信で使用される光ファイバアンプ用複合モジュールに関する。
【０００２】
【関連する背景技術】
光ファイバアンプは、伝送路の途中で減衰した信号光のパワーを増幅して再度、光伝送路に送出するためのもので、例えば、エルビウムドープファイバや光アイソレータ等の複数の光部品を融着接続して作製されている。近年、光通信の急速な発展に伴い、光ファイバアンプの低コスト化，組立作業時間の短縮化あるいは実装面積の低減化等の要求により、前記複数の光部品を１つのパッケージに集積化させた複合モジュールが用いられるようになってきた。
【０００３】
このようなパッケージ化された光ファイバアンプに使用される光学部品として、例えば、特開平１０−１０３５３号公報に記載されたものがある。この光ファイバアンプ８０は、図９に記載された構成から明らかなように、外光遮断用のケース８１を備え、ケース８１内に、アイソレータ素子８２及びビームスプリッタ８３が配置されると共に、アイソレータ素子８２とビームスプリッタ８３を挟む前後には、夫々発散用と集光用の一対のレンズ８４，８５及び入出射用の光ファイバ８６，８７が設けられている。又、ビームスプリッタ近傍には、フォトダイオード等の受光素子８８が配置されている。そして、ケース８１の内壁は、光を殆ど反射せずに吸収する特性を有する光吸収膜８１aで被覆されている。尚、光吸収膜８１aは、例えば、黒色塗料を塗布したり、黒アルマイト処理をしたりして形成されている。
【０００４】
光吸収膜８１aが形成されているので、励起光源から増幅用光ファイバを経由して逆走してきた励起光が光ファイバアンプ８０に入射された場合、ケース８１内で散乱された光が受光素子８８に受光されてしまうのを防止し、コントローラによって励起光源の出力を精度良くフィードバック制御することができる。
しかし、黒色塗装をケース内壁全体に行う作業は手間がかかり、完全に塗装しきれない場合がある。又、黒色塗装を多量に使用しなければならず、コストもかかる。更には、光ファイバアンプ８０の使用中に黒色塗装がはげ落ちてしまう恐れもある。又、アルマイト処理でも同様な問題が生じる。
【０００５】
その上、レーザ溶接、はんだ付け等によってパッケージ内に光学部品を固定する際、溶融した金属内に不純物が混入することで光学部品の固定強度や信頼性に悪影響を与えることがある。その為、ケース内壁全体に黒色塗装を塗布する方法では、光ファイバアンプ８０に十分な信頼性を与えることができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
以上のような不具合を防止するために、例えば、特公平６−５６４４５号公報に記載されているように、ケースに収容された各光部品を仕切り壁によって区切って各光部品が散乱光などの迷光によって悪影響を受けないようにする構成が考えられる。より具体的には、特公平６−５６４４５号公報に記載されたハイブリッド光合分波器９０は、図１０に示すように、ケース９１内に発光素子コリメータ９２、受光素子コリメータ９３、並びに光ファイバコリメータ９４とが仕切り壁９１aを介して画成された収容空間に夫々固定配置されている。仕切り壁９１aには、光通過孔が穿設されると共に、各光通過孔には、干渉フィルタ９５，９６，９７が配置されている。そして、仕切り壁９１aによって、パッケージ内の迷光が受光素子９３に到達するのを防止する。
【０００７】
従って、光ファイバアンプにおいても光アイソレータを保持する保持部が、励起光入射側のエリアと受光器配置側のエリアをパッケージ内に画成する仕切り壁としての役割を兼ね備えるようにして、ケース内に散乱した迷光が受光素子に入射されないようにする構成をとることも考えられる。
しかし、かかる場合においても部品加工精度の関係上、仕切り壁とパッケージとの間に若干の隙間ができる場合がある。この理由は、密封性を確保するために、パッケージは一般的に板状の合金をレーザ溶接や銀ろう付によってつなぎ合わせて構成されているので、パッケージが熱応力によってゆがんで形成されることがあるためである。
【０００８】
仕切り壁とパッケージとの間に隙間があると、発光素子側の迷光を受光素子側に導出してしまい、十分な遮光効果を得ることができない。又、光の通過を阻止する程の十分な厚さを有する仕切り壁によってパッケージ内に２つのエリアを画成しようとすると、パッケージの大型化やコストアップを招く原因となる。
一方、パッケージと仕切り壁との間に例えば黒色のシリコン樹脂材等を予め塗布しておき、パッケージと仕切り壁との隙間を閉塞することで迷光の通過を完全に防ぐ方法も考えられる。しかし、パッケージ内部は、光ファイバアンプの製品品質を維持するため、一般に窒素が充填されており、上述のようなシリコン樹脂材をパッケージ内部に塗布すると、その後の光ファイバアンプの長期間の使用によって窒素以外のガスが発生し、このガス成分が、フォトダイオード等、例えば、ＬＤ素子、ＰＤ素子内蔵の場合、キャンタイプを除いてこれらの光学部品に付着して出力特性に変動をきたす恐れがある。
【０００９】
本発明の目的は、励起光の迷光がフォトダイオードに到達するのを防止でき、動作の安定性及び信頼性を長期に亘って維持できる光ファイバアンプ用複合モジュールを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、本発明に係る光ファイバ用複合モジュールは、箱型パッケージに取り付けられた光ガイドと、半導体レーザと、前記箱型パッケージ底面に取り付けられて半導体レーザを冷却するペルチェクーラと、光アイソレータと、光アイソレータを前記箱型パッケージ内に保持固定する保持部と、信号光の一部をモニタする受光器からなり、前記保持部は、前記箱型パッケージの外壁に隙間なく接触するよう成形され、前記光アイソレータを前記箱型パッケージ内に保持固定して、前記箱型パッケージの内部を半導体レーザ側のエリアと前記受光器配置側のエリアとに画成するとともに、前記保持部は、底面に溝が形成され、溝を除いた底部両端縁が前記パッケージ本体底面に当接することによって前記半導体レーザ側のエリアの迷光が前記保持部と前記箱型パッケージとの間を通過しないようにすることを特徴とする。
この構成によれば、溝付き底面構造を備えた保持部により、迷光が遮断されると同時に、光アイソレータへの伝熱を最小限にすることができる。
【００１１】
合金でできた板材等を銀ろう付等によって結合してパッケージを形成する場合、熱応力によってパッケージが若干ひずんで形成されることがある。その結果、パッケージと保持部との間に隙間が生じても、好ましくないガスを発生する恐れのあるシリコン樹脂等を隙間に塗布することなく、励起光入射側エリアの迷光が受光器配置側エリアに入り込むのを確実に防止することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の光ファイバアンプ用複合モジュール（以下、「複合モジュール」という）の一実施形態として後方励起型の複合モジュールを図１に基づいて詳細に説明する。
ここで、本明細書において、後方励起とは、光増幅用ファイバ、例えばエルビウムドープファイバに対して励起光を信号光の伝送方向と逆方向に入射する場合をいい、前方励起とは、励起光を信号光の伝送方向と同一方向に入射する場合をいう。
【００１３】
複合モジュール１０は、図１に示すように、箱型パッケージ（以下、「パッケージ」という）１２に第１ファイバ部品１３、第２ファイバ部品１４、第３ファイバ部品１５、干渉膜フィルタ１６、光アイソレータ１７、ビームスプリッタ１８及びフォトダイオード１９が設けられている。
パッケージ１２は、コバールや銅タングステン合金等の板材を銀ろう付によって箱型に形成したパッケージ本体１２bと、パッケージ本体１２bの開口部を閉塞するパッケージ蓋体１２cとからなる。そして、パッケージ本体１２bには、干渉膜フィルタ１６、ビームスプリッタ１８が収容配置されると共に、第１ファイバ部品１３、第２ファイバ部品１４、第３ファイバ部品１５、フォトダイオード１９が所定位置に取り付けられている。パッケージ本体１２bには更に、干渉膜フィルタ１６とビームスプリッタ１８との間に光アイソレータ１７及び光アイソレータ１７をパッケージ１２内に保持固定する保持部１１が配置されている。
【００１４】
保持部１１は、光アイソレータ１７を保持すると共にパッケージ１２内を励起光入射側となる第１エリアＡ1とフォトダイオード１９の配置側となる第２エリアＡ2 とに区画するもので、光アイソレータ１７を隙間なく保持するための円筒状の孔を有し、かつ、パッケージ１２の外壁に隙間なく接触するように鍔状もしくはブロック状に成形されている。
【００１５】
又、保持部１１の両側縁には溝１１b，１１cが形成され、図２に示すように、上縁にも溝１１dが形成されている。これにより、保持部１１の側部は、溝１１b，１１cを除いた側縁部でパッケージ本体１２bの内壁側面と当接し、保持部１１の上部も、溝１１d を除いた側縁部でパッケージ蓋体１２cと当接している。尚、溝１１b，１１c，１１d は、保持部１１とパッケージ１２との間に隙間Ｇがある場合、この僅かな隙間Ｇを通って第１エリアＡ1 の迷光が第２エリアＡ2に入り込むのを防止する光捕捉部１１sとして形成されている。
【００１６】
保持部１１の素材としては、例えば、波長λ1の信号光及び波長λ2の励起光を遮断する金属，セラミックス，不透明プラスチックあるいは表面に前記信号光及び励起光を遮断するコーティング膜を施したガラスを使用することができる。
保持部１１の外縁及び溝１１b，１１c，１１d 、並びにこれに対応するパッケージ本体１２bとパッケージ蓋体１２cの内壁面の一部には、光吸収膜（図示せず）が塗布されている。この光吸収膜は、例えば、黒色塗料を塗布したり、黒アルマイト処理をしたり、金ブラック、銀ブラックなどの金属膜を蒸着することにより形成されている。尚、光吸収膜は、パッケージ本体１２b及びパッケージ蓋体１２cの、保持部１１と当接する部分に塗布されていても良い。
【００１７】
図１に示す第１ファイバ部品１３は、波長λ1の信号光をパッケージ２内に入射するもので、光増幅用ファイバ、例えばエルビウムドープファイバもしくはそれに接続された通常の光ファイバ１３ａと、その端部に取り付けられるホルダ１３ｂとを有している。ホルダ１３ｂは、パッケージ１２の一側に取り付けられ、内部には信号光を平行にするレンズ等のコリメータ（図示せず）が収納されている。光増幅用ファイバとしては、希土類添加ファイバ、例えばエルビウムドープファイバを用いる。
【００１８】
第２ファイバ部品１４は、光ファイバ１４ａと、その端部に取り付けられるホルダ１４ｂとを有している。ホルダ１４ｂは、ホルダ１３ｂと同様に構成され、パッケージ１２の他側にホルダ１３ｂと対向させて取り付けられている。これにより、複合モジュール１０は、パッケージ１２内に第１ファイバ部品１３，干渉膜フィルタ１６，光アイソレータ１７，ビームスプリッタ１８及び第２ファイバ部品１４となる信号光の伝送路を形成している。
【００１９】
第３ファイバ部品１５は、波長λ2の励起光をパッケージ１２内に入射するもので、光ファイバ１５ａと、その端部に取り付けられるホルダ１５ｂとを有している。ホルダ１５ｂは、ホルダ１３ｂと同様に構成され、入射した励起光が干渉膜フィルタ１６で反射し、第１ファイバ部品１３側へ伝送されるようにパッケージ１２に取り付けられている。
【００２０】
干渉膜フィルタ１６は、ガラス等の表面に干渉膜を形成したフィルタで、反射した励起光が第１ファイバ部品１３側へ伝送されるよう、図１に示すように、励起光の光路に対して所定角度傾斜させて配置されている。
光アイソレータ１７は、信号光を矢印方向にのみ伝送させる光部品で、保持部１１によりパッケージ１２内の略中央に保持固定されている。ここで、保持部１１は、上述のように、パッケージ１２内を仕切り、第１エリアＡ1と第２エリアＡ2とに区画している。
【００２１】
ビームスプリッタ１８は、光アイソレータ１７を通った信号光を第２ファイバ部品１４側へ透過させると共に、信号光の一部を反射させてフォトダイオード１９側へ反射させる光部品で、第２ファイバ部品１４と光アイソレータ１７との間に信号光の伝送路に対して所定角度傾斜させて配置されている。ビームスプリッタ１８の反射率は、通常１〜１０％程度の範囲内で選ばれるが、反射率が低い程、信号光の損失が減少し、より高効率の特性の複合モジュールを得ることができる。
【００２２】
フォトダイオード１９は、ビームスプリッタ１８で反射された一部の信号光をモニタする。フォトダイオード１９は、一部の信号光をモニタする機能を有し、本発明の目的に合致したものであれば特に限定されることはなく、またフォトダイオードに限定されるものでないことは言うまでもない。
本実施形態の複合モジュール１０は以上のように構成され、光ファイバアンプの後方励起に際して以下のようにして使用される。
【００２３】
先ず、第３ファイバ部品１５から波長λ2 の励起光をパッケージ１２内に入射すると、干渉膜フィルタ１６で反射して第１ファイバ部品１３に入射する。
すると、第１ファイバ部品１３においては、光ファイバ１３ａ内での誘導放出によって増幅された波長λ1 の信号光がパッケージ１２内に出射される。
この信号光は、干渉膜フィルタ１６，光アイソレータ１７及びビームスプリッタ１８を通って第２ファイバ部品１４へと入射すると共に、ビームスプリッタ１８で一部が反射されてフォトダイオード１９に出射され、信号光のモニタに利用される。
【００２４】
しかし、実際には、パッケージ１２の第１エリアＡ1 においては、励起光の干渉膜フィルタ１６やホルダ１３ｂ等との反射に伴う第３ファイバ部品１５から第１ファイバ部品１３への結合ロスが存在する。この結合ロスを１０％と見積もると、第１ファイバ部品１３及び第３ファイバ部品１５から、例えば、それぞれ１００ｍＷ以上の信号光及び励起光が出射される場合、第１エリアＡ1 において１０ｍＷ程度の迷光が存在することになる。一方、ビームスプリッタ１８の反射率を１％程度に選ぶと、フォトダイオード１９に入射する信号光は１ｍＷ程度であり、この信号光に較べて迷光の強度がかなり大きく、フォトダイオード１９が迷光の影響を受けやすいことが分かる。
【００２５】
一方、パッケージ１２と保持部１１との間には、図２に示すように、僅かな隙間Ｇが生じる場合がある。これは、パッケージ本体１２bが上述の通り合金等からなる板材を銀ろう付によって箱型に形成したものであり、銀ろう付の工程においてパッケージ本体１２bに熱応力が発生し、パッケージ本体１２bが若干変形したまま形成されることがあるためである。このように変形したパッケージ本体１２bに保持部１１や光学部品（図示せず）を取り付け、更にパッケージ蓋体１２cで密封すると、保持部１１の外縁形状とパッケージ１２の内周形状とが一致せず、隙間Ｇが生じてしまう。尚、この隙間Ｇは、保持部１１とパッケージ蓋体１２cとの間で顕著に生じる傾向がある。
【００２６】
かかる隙間Ｇを経由して第１エリアＡ1 の迷光が第２エリアＡ2に入り込もうとするが、この迷光は、保持部１１の外縁に形成された溝１１b，１１c，１１dによって捕らえられ、図２及び図３に点線で示すように溝１１b，１１c，１１d内で散乱しながらしだいに減衰するので、第２エリアＡ2に迷光が到達することがない。従って、光レベルがモニタ光に比べて１０倍程度大きい迷光によりフォトダイオード９が誤動作するのを確実に防止することができる。
【００２７】
尚、上述の実施形態において、保持部１１の外縁及び溝１１b，１１c，１１d並びにこれに対応するパッケージ本体１２bとパッケージ蓋体１２cの内壁面には必ずしも光吸収膜が形成されていなくても良い。即ち、保持部１１の外縁に溝１１b，１１c，１１dが形成されているだけで、第１エリアＡ1 から第２エリアＡ2に向かう迷光を捕捉できることが十分可能である。しかし、好ましくは光吸収膜が上述の所定位置に形成されているのが良く、これによって迷光をより確実に捕捉することができる。
【００２８】
又、溝は、必ずしも保持部１１の側方縁及び上方縁の全てに亘って形成されている必要はない。即ち、保持部外縁とパッケージ１２との間で最も隙間の生じ易い保持部外縁の部分、例えば、保持部上方の外縁にのみ溝１１dが形成されていても良い。これにより、第１エリアＡ1 から第２エリアＡ2に向かう迷光を大部分捕捉でき、十分な効果を挙げることができる。
【００２９】
更に、図３に示すように、保持部２１の外周縁に光捕捉用の溝２１x，２１yを２重に形成しても良い。これにより、図中矢印で示すように、溝内で迷光をより確実に散乱させることができる。
尚、上述の実施形態と異なり、図４に示すように、保持部３１の外縁に迷光捕捉用の溝を形成するのではなく、パッケージ蓋体１２cの、保持部３１の上方縁に対応する位置に溝１２sを形成し、パッケージ本体１２bにパッケージ蓋体１２cを固定した時、溝１２sに保持部３１の上方縁が入り込むようにしても良い。これによって、パッケージ１２が銀ろう付によって多少ゆがんで形成されても、パッケージ蓋体１２cと保持部１１の上方縁との間に迷光が通過する隙間が形成されることはない。即ち、図４の点線で示すように、第１エリアＡ1の迷光は、保持部１１で反射し第１エリアＡ1から出ることはない。
【００３０】
更に、図５及び図６に示すように、溝１２tを複数箇所（図中、３箇所）パッケージ本体１２bの内壁底面に形成すると共に、溝１２uをパッケージ蓋体１２cに形成し、これらの溝１２t，１２uに遊嵌できる突起部を備えた保持部４１によって光アイソレータ１７を保持すると共に、第１エリアＡ1 と第２エリアＡ2とを仕切るようにしても良い。これによって、第１エリアＡ1の迷光が第２エリアＡ2に到達する可能性をより低くすることができる。
【００３１】
更に又、図７に示すように、保持部５１の底面に幅広の溝５１sを形成し、保持部５１がその底部両端縁５１a，５１bのみでパッケージ本体底面に当接支持されるようにしても良い。これによって、幅広溝５１sが迷光を捕捉する役目を果たすと同時に、光アイソレータ１７への伝熱を最小限にするという効果を有する。より詳細に説明すると、半導体レーザＬＲ及びペルチェクーラ（図１２にのみ図示）ＰＣが保持部に隣接してパッケージ内に収容配置されている場合、図１１に示すように、保持部の底面全体がパッケージ本体の底面に当接固定されていると、図１２に矢印で示すように、半導体レーザＬＲを冷却するペルチェクーラＰＣから放熱した熱量の大部分が保持部の底面全体を経由して光アイソレータに伝達し、光アイソレータの特性を低下させてしまう。しかし、図７に示すように、保持部５１の底面に幅広溝５１sを形成し、保持部５１がその底部両端縁５１a，５１bのみでパッケージ本体５２bの底面に当接支持されるようにすると、図８に示すように、ペルチェクーラＰＣから放熱した熱量はごく少量だけ保持部５１に伝わり、残りの大部分の熱量はパッケージ５２の筐体全体に広がり、自然冷却される。
【００３２】
従って、保持部５１の底面に幅広溝５１sを形成することで、保持部５１の底面とパッケージ１２の底面との間に隙間が生じても幅広溝５１sで迷光を捕捉できると共に、保持部５１の近傍に半導体レーザＬＲ及びペルチェクーラＰＣが配置されていても、これによる熱影響を最小限に抑えることができる。
尚、保持部５１の底部両端縁５１a，５１b、幅広溝５１s及びこれに対応するパッケージ本体１２の部分に上述した光吸収膜を形成しても良い。
【００３３】
又、上述の実施形態に係る光ファイバアンプ用複合モジュールは前方励起型複合モジュールであったが、本発明はこれに限定されず、後方励起型複合モジュールにも適用できることは言うまでもない。
【００３４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る光ファイバアンプ用複合モジュールは、信号光を導入する第１の光ガイド、信号光を導出する第２の光ガイド及び励起光を導入する第３の光ガイドが箱型パッケージに取り付けられ、箱型パッケージは、光アイソレータ及び信号光の一部をモニタする受光器を含む複数の光部品が集積化されると共に、前記光アイソレータを前記箱型パッケージ内に保持固定する保持部により内部が前記励起光入射側のエリアと前記受光器配置側のエリアとに画成され、前記保持部又は前記箱型パッケージの少なくともいずれか一方に、前記保持部と前記箱型パッケージとの間を光が通過しないようにする光捕捉部が形成されていることを特徴としている。
【００３５】
合金を銀ろう付等によって結合し、パッケージを形成する場合、例えば、ＬＤ素子、ＰＤ素子内蔵の場合、熱応力によってパッケージが若干ひずんで形成され、パッケージと保持部との間に隙間が生じても、好ましくないガスを発生する恐れのあるシリコン樹脂等を隙間に塗布することなく、第１エリアＡ1の迷光が第２エリアＡ2に入り込むのを防止することができる。
【００３６】
又、半導体レーザ及びペルチェクーラが保持部に隣接してパッケージ内に収容配置されている場合、第１エリアＡ1の迷光が第２エリアＡ2に入り込むのを防止するだけでなく、半導体レーザ及びペルチェクーラから発生した熱量が保持部を介して光アイソレータに伝達することがなく、その結果、光ファイバアンプ用複合モジュールの動作の安定性及び信頼性を長期に亘って確保することができる。
【００３７】
更に又、光吸収膜を塗布する場合であっても、従来の光ファイバアンプ用複合モジュールのように、パッケージ内側全体に亘って塗布する必要はなく、保持部外縁及び溝とこれらに対応するパッケージ内周面にのみ塗布すれば良いので、コスト面で有利である。更には、レーザ溶接、はんだ付け等によりパッケージ内部に光学部品を固定する際、溶融した金属内に光吸収膜に含有する不純物が混入するおそれが殆どなく、パッケージの固定強度や信頼性等に悪影響を及ぼさずに済む。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る光ファイバアンプ用複合モジュール１０を、パッケージ蓋体１２bを取り付けていない状態で示した平面図である。
【図２】図１の光ファイバアンプ用複合モジュール１０の一部を側方から示した一部断面図である。
【図３】図１の光ファイバアンプ用複合モジュール１０の変形例を示す、図２に対応する図である。
【図４】図１の光ファイバアンプ用複合モジュール１０の別の変形例を示す、図２に対応する図である。
【図５】図１の光ファイバアンプ用複合モジュール１０の更に別の変形例を示す、図２に対応する図である。
【図６】図５の光ファイバアンプ用複合モジュールのVI-VI断面図である。
【図７】図１の光ファイバアンプ用複合モジュール１０の他の変形例を部分的に（保持部のみ）示す斜視図である。
【図８】図７の光ファイバアンプ用複合モジュール５０の伝熱状態を説明するための部分的な断面図である。
【図９】従来の光ファイバアンプ用複合モジュール８０を示す、図１に対応する平面図である。
【図１０】従来のハイブリッド光合分波器９０を示す、図１に対応する平面図である。
【図１１】パッケージ面に底面全体が当接固定される保持器を示す斜視図である。
【図１２】図１１に示す保持器が固定され、且つこれに隣接して半導体レーザ及びペルチェクーラが配置された場合の伝熱状態を説明するための一部断面図である。
【符号の説明】
１０    複合モジュール
１１    保持部
１１b，１１c，１１d   溝
１１s   光捕捉部
１２    パッケージ
１２a   パッケージ本体
１２b   パッケージ蓋体
１３    第１ファイバ部品
１４    第２ファイバ部品
１５    第３ファイバ部品
１６    干渉膜フィルタ
１７    光アイソレータ
１８    ビームスプリッタ
１９    フォトダイオード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
0003976912.tif 000009
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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