(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に実装された半導体素子の熱をヒートシンクを通じて放熱する構成の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子の下面に当該半導体素子の一部がはみ出した形態となるようにヒートシンクを接合してから、前記ヒートシンクを前記配線基板に形成された孔に挿入した状態で前記半導体素子における前記ヒートシンクからのはみ出し部位を前記配線基板に接着したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
配線基板上に実装された半導体素子の熱をヒートシンクを通じて放熱する構成の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の孔の内周面に金属膜を形成し、
前記半導体素子の下面に当該半導体素子の一部がはみ出した形態となるようにヒートシンクを接合してから、前記ヒートシンクを前記配線基板に形成された孔に挿入した状態で前記配線基板をはんだフローすることにより前記ヒートシンクと前記孔の内周面との隙間部にはんだを充填したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
配線基板上に実装された半導体素子の熱をヒートシンクを通じて放熱する構成の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の孔の内周面に金属膜を形成し、
前記半導体素子の下面に当該半導体素子の一部がはみ出した形態となるようにヒートシンクを接合してから、前記ヒートシンクの先端部にはんだペーストを塗布した状態で前記配線基板の孔に挿入してから前記配線基板をリフローすることにより前記ヒートシンクと前記孔の内周面との隙間部にはんだを充填したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板に実装された半導体素子の熱をヒートシンクを通じて放熱する手段を改善した半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、配線基板上に実装された半導体素子の熱を放熱する手段として、種々の手段が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この種の手段の一例として、配線基板に半導体素子を実装した構造において半導体素子が大電力用である場合には、配線基板の熱抵抗が大きいことから、半導体素子からの周囲への放熱性が問題になる。この問題に対処するために、特開平４−２７９０９７号公報、特開平９−６９５９２号公報のものがある。これらは、図１０に示すように配線基板１に熱伝導の良好なスルーホール２を形成したり、図１１に示すように配線基板１に熱伝導の良好な高熱伝導領域３を設けた上で、配線基板１上に半導体素子４を実装し、当該半導体素子４から発生した熱を、熱伝導の良好なスルーホール２或いは高熱伝導領域３を通じて配線基板１の裏面に設けられた放熱層５に逃がすことにより、放熱性を高めるものである。
【０００４】
しかしながら、このような構成では、配線基板１の裏面側に放熱層５を設ける構成であることから、その領域にはコンデンサ或いは抵抗等の部品を実装できないという問題がある。また、図１２に示すように放熱層５を配線基板１中に設け、表裏の両面に絶縁層６を形成する構成の場合は、裏面にも部品が実装できるものの、この絶縁層６により放熱性が低下してしまうという不具合を生じる。
【０００５】
一方、配線基板の放熱性を高める手段としては、図１３に示すように配線基板１上に接着剤でヒートシンク７を接着し、そのヒートシンク７上に接着剤で半導体素子４を接着する方法がある。さらに放熱性を向上させるために、特開平４−１７９２９８号公報のものがある。このものは、図１４に示すように配線基板１に角孔８を形成し、その角孔８にヒートシンク９を装着するというものである。このヒートシンク９の取付方法としては、シリコーン系の接着剤を使用し、脱落防止のためヒートシンク９の上部に０．２〜０．５ｍｍの鍔部を設けている。この場合、配線基板１とヒートシンク９の下面は同一面上に設定され、大形のヒートシンク１０を基板１の裏面に取付けることにより放熱性を向上している。尚、ヒートシンク９上には接着剤により半導体素子４が実装されており、当該半導体素子４がワイヤ１１により配線基板１上の配線パターンに電気的に接続されている。
【０００６】
しかしながら、このような構成では、ヒートシンク９が半導体素子４よりも大きいため、ワイヤ１１をヒートシンク９を避けて接続しなければならず、実装面積が広くなってしまう。また、脱落防止のための鍔部をヒートシンク９に一体に形成するので、ヒートシンク９のコストが高いという問題がある。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、配線基板上に実装された半導体素子の熱を簡単な形状で実装面積を小さくすることができるヒートシンクを通じて確実に放熱することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明によれば、まず、半導体素子の下面にヒートシンクを接合する。このとき、半導体素子の一部がヒートシンクからはみ出す形態となる。
続いて、ヒートシンクを配線基板に形成された孔に挿入する。このとき、半導体素子におけるヒートシンクからのはみ出し部位が配線基板に引掛かり、ヒートシンクを位置決めすることができるので、半導体素子のはみ出し部位を配線基板に接着する。
従って、ヒートシンクに鍔部を設ける必要がなくなり、ヒートシンクの形状を簡単化することができると共に、ボンディングワイヤ領域を小さくすることができるので、実装面積を小さくすることができる。
【０００９】
請求項２の発明によれば、配線基板の孔の内周面には金属膜が形成されているので、配線基板の孔にヒートシンクが挿入された状態ではんだフローすると、ヒートシンクと孔の内周面との隙間部をはんだが上昇する。これにより、ヒートシンクを配線基板に固定することができると共に、ヒートシンクによる放熱効率を高めることができる。
【００１０】
請求項３の発明によれば、ヒートシンクの先端部にはんだペーストを塗布した状態で配線基板の孔に挿入すると、ヒートシンクと配線基板の孔との隙間部ははんだペーストが拡散するので、配線基板をリフローすることによりヒートシンクと配線基板の孔との隙間部にはんだを充填することができる。これにより、ヒートシンクを配線基板に固定することができると共に、ヒートシンクによる放熱効率を高めることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態を図１乃至図３を参照して説明する。
図１は半導体装置の断面、図２は半導体装置を斜視して示している。これらの図１及び図２において、プリント基板３１（配線基板に相当）には孔３２が形成されており、その孔３２にＩＣチップ３３と一体化されたヒートシンク３４が挿入されている。この孔３２は、ヒートシンク３４よりも大きく且つＩＣチップ３３よりも小さく形成されている。また、ＩＣチップ３３上の電極とプリント基板３１上の電極とはワイヤ３５により接続されていると共に、ＩＣチップ３３全体が封止樹脂３６で封止されている。
【００１２】
ここで、上記構成の半導体装置の製造方法について説明する。まず、図３に示すようにプリント基板３１の孔３２よりも０．０５ｍｍ程度小さく形成したヒートシンク３４とＩＣチップ３３とを高熱伝導接着剤又ははんだにより予め接着しておく。このようにＩＣチップ３３とヒートシンク３４とが一体化した形態では、ＩＣチップの一部がヒートシンクからはみ出した形態となっている。
【００１３】
そして、ヒートシンク３４をプリント基板３１の孔３２に挿入した状態で、ＩＣチップ３３におけるヒートシンク３４からのはみ出し部位をプリント基板３１に接着剤で接着する。このとき、ＩＣチップ３３における突出部位は鍔部として機能し、ヒートシンク３４がプリント基板３１から脱落してしまうことを防止することができる。
続いて、ＩＣチップ３３上の電極とプリント基板３１上の電極とをワイヤ３５で接続してから、ワイヤ３５及びＩＣチップ３３全体を封止樹脂３６で充填して保護する。
【００１４】
このような構成によれば、ヒートシンク３４はＩＣチップ３３より小さいので、ワイヤ３５のボンディングワイヤ領域を小さい領域に設定でき、封止樹脂３６の範囲を狭くしたまま放熱性を高めることができる。
【００１５】
（第２の実施の形態）
次に本発明の第２の実施の形態を図４を参照して説明するに、第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。この第２実施の形態は、ヒートシンクをはんだによりプリント基板に接合したことを特徴とする。
即ち、プリント基板３１に形成された孔３２の内周壁には金属メッキ３７が施されている。また、プリント基板３１の内層には銅箔の配線３８が施されており、孔３２の金属メッキ３７と電気的に接続している。
【００１６】
このようなプリント基板３１を用いて、ＩＣチップ３３と一体化されたヒートシンク３４をプリント基板３１の孔３２に挿入した状態でＩＣチップ３３をプリント基板３１に接着してから、ワイヤ３５を接続すると共に封止樹脂３６で封止する。
ここで、ヒートシンク３４と孔３２の内周面との間には隙間部が形成されていることから、プリント基板３１をはんだフローすると、はんだが表面張力により隙間部に上昇して充填される。これにより、ヒートシンク３４と孔３２の金属メッキ３７とがはんだで接合されてそれらの間の熱伝導を高めることができる。
【００１７】
このような構成によれば、ヒートシンク３４とプリント基板３１の配線３８とをはんだで接合することができるので、ＩＣチップ３３からの熱をヒートシンク３４を通じてプリント基板３１の内層である銅箔の配線３８に効率よく拡がるようになり、放熱性が向上する。
この場合、プリント基板３１にはリード部品を実装するためのはんだフローの工程が本来的に必要であることから、工程が増加してしまうことはない。
【００１８】
ところで、この第２の実施の形態では、はんだフローを利用していることから、ヒートシンク３４と孔３２の内周面との隙間部が完全に埋まらず、ボイドが発生することがある。
そこで、図５に示すように、ＩＣチップ３３を取付けたヒートシンク３４の下部にはんだペースト３９を付着し、それをプリント基板３１の孔３２に挿入してから、はんだフローする。この場合、はんだペースト３９は隙間部全体に拡散するので、これをはんだフローすることにより、ヒートシンク３４と孔３２の金属メッキ３７とをはんだで完全に接合することができ、放熱性をさらに高めることができる。
【００１９】
尚、上記各実施の形態においてＩＣチップ３３よりも大なるヒートシンク３４を用いるようにしてもよい。つまり、図６に示すようにＩＣチップ３３におけるワイヤ３５の接合方向を例えば図示上下方向に揃え、長尺状のヒートシンク３４の長手方向を図示左右方向に設定したり、図７に示すようにヒートシンク３４をＩＣチップ３３に対して傾けた状態で接合することにより、封止樹脂３６の塗布範囲を拡大することなくヒートシンク３４の形状を大きくすることができることから、放熱性を向上することができる。
【００２０】
また、ヒートシンク３４の下部は図８に示すようにプリント基板３１の下面から突出するようにしてもよく、さらにその突出部の表面を凹凸状に形成することにより、放熱性をさらに向上することができる。
さらに、図９に示すようにヒートシンク３４の下部或いはプリント基板３１の裏面に大形の放熱用の金属部材４０を接着することによりさらに放熱性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の第１の実施の形態における半導体装置の断面を示す模式図
【図２】  半導体装置の斜視図
【図３】  一体化されたＩＣチップとヒートシンクの側面図
【図４】  本発明の第２の実施の形態における半導体装置の断面を示す模式図
【図５】  変形の形態におけるＩＣチップ及びヒートシンクを示す側面図
【図６】  変形の形態におけるＩＣチップ及びヒートシンクの平面図
【図７】  変形の形態を示す図６相当図
【図８】  変形の形態を示す図４相当図
【図９】  変形の形態を示す図４相当図
【図１０】  従来例における半導体装置の断面を示す模式図
【図１１】  他の従来例を示す図１０相当図
【図１２】  他の従来例を示す図１０相当図
【図１３】  他の従来例を示す図１０相当図
【図１４】  他の従来例を示す図１０相当図
【符号の説明】
３１はプリント基板（配線基板）、３３はＩＣチップ（半導体素子）、３４はヒートシンクである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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