(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された透光性の材料からなる対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された透光性の材料からなる画素電極と該絶縁膜の上層に該画素電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記画素電極と交互に配置される対向電極が形成され、
前記各領域の各対向電極はドレイン信号線を被って形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記各領域に形成される前記絶縁膜のそれぞれは無機材料からなる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体から構成され、かつ対向電極のそれぞれは透光性の材料から構成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成され、
前記絶縁膜は前記他方の領域においてその層厚が前記一方の領域よりも厚く形成されていることによって、前記一方の領域の液晶層の層厚から前記他方の領域のそれよりも約３倍となっていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記一方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜で形成され前記他方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体から形成されているともに、前記対向電極は少なくともドレイン信号線を被っているものも含むことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成され、
前記絶縁膜は前記一方の領域においてその層厚が前記他方の領域よりも厚く形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記他方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜で形成され前記一方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体から形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、横電界方式と称される液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
横電界方式と称される液晶表示装置は、液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶側の面の画素領域に、画素電極とこの画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極とを備え、該電界のうち基板とほぼ平行な成分によって液晶を挙動させる構成となっている。
【０００３】
そして、このような構成をアクティブマトリクス型のものに適用させたものは、まず、前記一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれら各ゲート信号線と交差するようにして並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を前記画素領域としている。
【０００４】
そして、これら各画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線からの映像信号が供給される前記画素電極と、該映像信号に対して基準となる信号が供給される前記対向電極とが備えられている。
【０００５】
ここで、画素電極と対向電極はそれぞれ一方向に延在する帯状のパターンとして形成され、それら各電極は２個あるいはそれ以上の個数で形成して交互に配置させるのが通常である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このように構成された液晶表示装置は、その表示面の垂直方向に対して大きな角度を有する方向から表示を鮮明に観測できる特性、すなわち、広視野角に優れた特性を有するが、高速応答性に対して改善が望まれていた。
【０００７】
本発明は、このような事情に基づいてなされたもので、その目的は広視野角特性および高速応答性に優れた液晶表示装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０００９】
手段１．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された透光性の材料からなる対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成されていることを特徴とするものである。
【００１０】
手段２．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された透光性の材料からなる画素電極と該絶縁膜の上層に該画素電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記画素電極と交互に配置される対向電極が形成され、
前記各領域の各対向電極はドレイン信号線を被って形成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
手段３．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段２の構成を前提にし、前記各領域に形成される前記絶縁膜のそれぞれは無機材料からなる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体から構成され、かつ対向電極のそれぞれは透光性の材料から構成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
手段４．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
手段５．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成され、
前記絶縁膜は前記他方の領域においてその層厚が前記一方の領域よりも厚く形成されていることによって、前記一方の領域の液晶層の層厚から前記他方の領域のそれよりも約３倍となっていることを特徴とするものである。
【００１４】
手段６．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段５の構成を前提として、前記一方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜で形成され前記他方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体から形成されているともに、前記対向電極は少なくともドレイン信号線を被っているものも含むことを特徴とするものである。
【００１５】
手段７．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される基板のうち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれらゲート信号線と交差して並設された複数のドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とし、
この画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動するスイッチング素子と、このスイッチング素子を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電極との間に電界を生じせしめる対向電極とを備え、
前記画素領域は区分された各領域からなり、一方の領域には絶縁膜の下層に該領域の僅かな周辺を除く中央に形成された反射電極を兼ねる対向電極と該絶縁膜の上層に該対向電極に重畳されて一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる画素電極が形成され、
他方の領域には絶縁層の下層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなる対向電極と該絶縁膜の上層に一方向に延在し該方向に交差する方向に並設される電極群からなり、前記対向電極と交互に配置される画素電極が形成され、
前記絶縁膜は前記一方の領域においてその層厚が前記他方の領域よりも厚く形成されていることを特徴とするものである。
【００１６】
手段８．
本発明による液晶表示装置は、たとえば、手段７の構成を前提として、前記他方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜で形成され前記一方の領域における絶縁膜は無機材料からなる保護膜と有機材料からなる保護膜との順次積層体から形成されていることを特徴とするものである。
【００１７】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による液晶表示装置の実施例を図面を用いて説明をする。
【００１９】
実施例１．
《全体の構成》
図２は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構成図である。同図は等価回路で示しているが実際の幾何学配置に対応させて描いている。
【００２０】
液晶を介して互いに対向配置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入されている。
【００２１】
シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成されている。
【００２２】
各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、これら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部ＡＲを構成するようになっている。
【００２３】
また、ｘ方向に並設される各画素領域のそれぞれにはそれら各画素領域内に走行された共通の対向電圧信号線ＣＬが形成されている。この対向電圧信号線ＣＬは各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像信号に対して基準となる電圧を供給するための信号線となるものである。
【００２４】
各画素領域には、その片側のゲート信号線ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジスタＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸが形成されている。
【００２５】
この画素電極ＰＸは、前記対向電圧信号線ＣＬと接続された対向電極ＣＴとの間に電界を発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させるようになっている。
【００２６】
前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成するようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板からの信号が入力されるようになっている。
【００２７】
垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００２８】
同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基板からの信号が入力されるようになっている。
【００２９】
この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線どおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれるようになっている。
【００３０】
また、ｘ方向に併設された各画素領域に共通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在され、その延在端において端子ＣＬＴを構成している。この端子ＣＬＴからは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるようになっている。
【００３１】
前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択されるようになっている。
【００３２】
また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞれには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給されるようになっている。
【００３３】
なお、上述した実施例では、垂直走査駆動回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であってもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成される場合、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンからなる半導体素子を配線層とともに形成されたものであってもよい。
【００３４】
《画素の構成》
図１（ａ）は、前記画素領域の構成の一実施例を示す平面図である。また、同図（ａ）のｂ−ｂ線における断面を図１（ｂ）に、ｃ−ｃ線における断面を図１（ｃ）に示している。
【００３５】
各図において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対のゲート信号線ＧＬが形成されている。
【００３６】
これらゲート信号線ＧＬは後述の一対のドレイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようになっており、この領域を画素領域として構成するようになっている。
【００３７】
そして、この画素領域はそのほぼ中央を図中ｘ方向に走行する仮想の線で画される二つの領域（図中上方の領域を領域Ａ、下方の領域を領域Ｂとする）に区分されるようになっている。
【００３８】
また、ゲート信号線ＧＬと平行に対向電圧信号線ＣＬが形成され、この対向電圧信号線ＣＬはたとえば画素領域の領域Ａ側においてその上部に位置づけられるようになっている。
【００３９】
さらに、この対向電圧信号線ＣＬは、画素領域内において後述のドレイン信号線ＤＬに隣接しかつ該ドレイン信号線ＤＬに延在して形成されるとともに、それらは画素領域の領域Ｂの上部にて互いに接続されるパターンとして形成されている。
【００４０】
すなわち、画素領域の領域Ａにおいてその四方辺に、領域Ｂにおいて下側の部分を除く三方辺に対向電圧信号線ＣＬが一体に形成されている。
【００４１】
さらに、画素領域の領域Ｂにはそのほぼ中央に図中ｙ方向に延在するたとえば１個の対向電極ＣＴが対向電圧信号線ＣＬと一体に形成されている。
【００４２】
この領域Ｂにおいては、ドレイン信号線ＤＬに隣接して配置される対向電圧信号線ＣＬも対向電極ＣＴとして機能し、上述した対向電極ＣＴと合わせて合計３個の対向電極ＣＴが形成されている。
【００４３】
そして、画素領域の領域ＡにはたとえばITO(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)等からなる透光性の導電膜が形成されその四辺のそれぞれは対向電圧信号線ＣＬに重畳されて形成されることにより該対向電圧信号線ＣＬと電気的に接続されている。
【００４４】
この透光性の導電膜はこの領域Ａにおいて対向電極ＣＴとして機能するようになっている。
【００４５】
このようにゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬ（対向電極ＣＴ）が形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬ（対向電極）をも被って形成されている。
【００４６】
この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬおよび対向電圧信号線ＣＬに対する層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての機能を、後述の容量素子Ｃｓｔｇの形成領域においてはその誘電体膜としての機能を有するようになっている。
【００４７】
そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたとえばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成されている。
【００４８】
この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS型トランジスタを構成することができる。
【００４９】
ここで、前記ドイレン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。
【００５０】
すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース電極ＳＤ２が形成されている。
【００５１】
このソース電極ＳＤ２は半導体層ＡＳ面から画素領域側の絶縁膜ＧＩの上面に及んで延在され画素電極ＰＸが一体に形成されている。
【００５２】
この画素電極ＰＸは、まず、領域Ｂにおいて、その領域における各対向電極ＣＴのそれぞれの間にｙ方向に延在されて２個形成され、それらは領域Ａとの境界に形成された対向電圧信号線ＣＬ上にて互いに一体的に接続されている。
【００５３】
これにより、画素領域の領域Ｂにおいては、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸとが交互に、すなわち、一方のドレイン信号線ＤＬ側から、対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴ、画素電極ＰＸ、対向電極ＣＴというように形成されている。
【００５４】
また、該画素電極ＰＸは、領域Ａにおいて、その領域における対向電極ＣＴに重畳するようにｙ方向に延在されｘ方向に並設された複数の電極群からなり、それら各電極は領域Ｂとの境界に形成された前記対向電圧信号線ＣＬ上にて互いに一体的に接続されている。
【００５５】
この領域Ａにおける画素電極ＰＸの本数は領域Ｂにおける画素電極ＰＸのそれよりも多く形成されている。領域Ａにおいては、該画素電極ＰＸはその辺部（エッジ部）と対向電極ＣＴとの間に集中して電界が発生するからである。
【００５６】
該対向電圧信号線ＣＬ上において各画素電極ＰＸの接続部は比較的大きな面積を有し、この部分において該対向電圧信号線ＣＬとの間に前記絶縁膜ＧＩを誘電体膜とする容量素子Ｃｓｔｇが形成されるようになっている。
【００５７】
この容量素子Ｃｓｔｇは、たとえば画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等の機能をもたせるようになっている。
【００５８】
このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイレン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる保護膜ＰＳＶが形成されている。この保護膜ＰＳＶは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性劣化を防止せんとするようになっている。
【００５９】
なお、前記保護膜ＰＳＶとしては、たとえば樹脂からなる有機材料層、あるいは無機材料層と有機材料層との積層体で構成してもよい。このようにした場合、その表面を平坦化できその上に形成する配向膜のラビング性を良好にできる。
【００６０】
そして、この保護膜ＰＳＶの上面には配向膜（図示せず）が形成されている。この配向膜は液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるようになっている。
【００６１】
このように構成された液晶表示装置は、各画素領域に領域Ａと領域Ｂとを備え、領域Ａにおいては、画素電極ＰＸの絶縁膜ＧＩを介した直下にその周辺をも含めて対向電極ＣＴとの間に電界を発生せしめるようになる。この場合、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の距離は前記絶縁膜ＧＩのほぼ厚さ分となり、比較的強度の大きな電界を形成することができることから高速応答性を向上させることができるようになる。
【００６２】
なお、液晶を駆動させる電界は前記画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間に発生する電界のうち透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分である。このことから、この領域Ａにおける各画素電極ＰＸは隣接する画素電極ＰＸとの間の距離を比較的狭くし、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に透明基板ＳＵＢ１とほぼ平行な成分の電界を多くするように構成している。したがって、領域Ａにおける画素電極ＰＸは領域Ｂにおける画素電極ＰＸの本数よりも多くの本数で形成されている。
【００６３】
一方、領域Ｂにおいては、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは前記絶縁膜ＧＩを介してそれらが交互に配置されそれらの離間距離が比較的大きいことから、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間に発生する電界は透明基板ＳＵＢ１にほぼ平行な成分が多くなる。このことは、液晶の前記成分による挙動の性質から広視野角特性に優れたものとなる。
【００６４】
このように、領域ＡとＢで電極の本数を制御することにより、広視野角、高速応答、高開口率の両立を図ることができる。
【００６５】
したがって、このように構成された液晶表示装置は、広視野角特性および高速応答性を共に備えたものとして画像表示がされるようになる。
【００６６】
実施例２．
図３は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
【００６７】
図１の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ａにおいて画素電極ＰＸは保護膜ＰＳＶの上面に形成していることにある。
【００６８】
この場合、該画素電極ＰＸは画素領域の中央をｘ方向に走行する対向電圧信号線ＣＬ上で互いに共通に接続され、その接続部の一部は保護膜ＰＳＶ、絶縁膜ＧＩに貫通して形成されたスルーホールＴＨを通して該対向電圧信号線ＣＬに電気的に接続されている。
【００６９】
また、前記画素電極ＰＸは金属等の非透光性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で形成してもよいことはもちろんである。
【００７０】
このように構成した場合にも、広視野角特性および高速応答性を得られることができる。
【００７１】
実施例３．
図４は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
【００７２】
図１の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ａおよび領域Ｂにおいて各画素電極ＰＸは保護膜ＰＳＶの上面に形成していることにある。
【００７３】
これにより、領域間で本数が大幅に異なり、エッチングの残渣の生じ易い画素電極ＰＸを最上層とできるため、ドレイン信号線ＤＬや対向電極ＣＴ等の他の導電層との短絡不良を低減することができる。
【００７４】
この場合、薄膜トランジスタＴＦＴに近接して配置される画素電極ＰＸの一端は保護膜ＰＳＶ、絶縁膜ＧＩに貫通して形成されたスルーホールＴＨを通して該薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極に電気的に接続されている。
【００７５】
また、前記画素電極ＰＸは金属等の非透光性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で形成してもよいことはもちろんである。
【００７６】
このように構成した場合にも、広視野角特性および高速応答性を得られることができる。
【００７７】
実施例４．
図５は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
【００７８】
図１の場合と比較して異なる構成は、まず、画素電極ＰＸが絶縁膜ＧＩの上面に形成され、対向電極ＣＴが保護膜ＰＳＶの上面に形成されていることにある。
【００７９】
すなわち、画素電極ＰＸは、領域Ｂにおいて、薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＤ２と一体に形成され、領域Ａとの境界部にて互いに電気的な接続がされている。領域Ａにおける画素電極ＰＸはその領域の僅かな周辺を除く中央部にて矩形状に形成され、その材料はたとえばＩＴＯ等の透光性の導電層から構成されている。
【００８０】
保護膜ＰＳＶは、たとえばＳｉＮ等の無機材料からなる保護膜ＰＳＶ１と樹脂等の有機材料からなる保護膜ＰＳＶ２の順次積層体から構成されている。
【００８１】
対向電極ＣＴは、領域Ｂにおいて各画素電極ＰＸを間に配置させるように形成され、領域Ａにおいて前記画素電極ＰＸと重畳するようにしてｙ方向に延在しｘ方向に並設される多数の電極群から構成されている。
【００８２】
また、これら各対向電極ＣＴは、ゲート信号線ＧＬを被う部分、ドレイン信号線ＤＬを被う部分、および領域Ａと領域Ｂとを画する部分に形成された同一の材料層に一体的に形成されている。
【００８３】
ここで、ドレイン信号線ＤＬを被う前記材料層は上述した対向電極ＣＴと同様に対向電極ＣＴの機能を有するとともに、ドレイン信号線ＤＬからの電界による電気力線を終端させるようにして隣接する画素電極ＰＸへの該電気力線の終端を回避している。該画素電極ＰＸへの該電気力線の終端はそれがノイズとして表示に影響を及ぼすからである。
【００８４】
このため、ドレイン信号線ＤＬを被う前記材料層はその中心軸が該ドレイン信号線のそれとほぼ一致づけられ、その幅は該ドレイン信号線のそれよりも大きくなるように形成されている。
【００８５】
また、前記対向電極ＣＴは金属等の非透光性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で形成してもよいことはもちろんである。
【００８６】
このように構成した場合にも、広視野角特性および高速応答性を得られることができる。
【００８７】
本実施例では対向電極ＣＴを最上層としたことにより、領域Ａ、Ｂで該対向電極ＣＴを一体かつマトリクス状に形成できるため、給電抵抗を低減することができる。さらに、ドレイン信号線ＤＬ上の対向電極ＣＴを各領域毎に開口率への影響なく最適化することができ、開口率が向上する。
【００８８】
実施例５．
図６は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１に対応した図となっている。
【００８９】
図１の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ａにおける対向電極ＣＴを光反射率の良好な金属層に代え、この領域Ａを画素領域の光反射部として形成している。すなわち、前記対向電極ＣＴに反射電極を兼ねるようにして形成している。
【００９０】
ちなみに領域Ｂは図１の場合と同様の構成を用い光透過部としている。
【００９１】
なお、領域Ａの対向電極ＣＴは対向電圧信号線ＣＬと一体に形成するようにしてもよく、この実施例ではそのように構成している。
【００９２】
また、この実施例では、画素領域の領域Ａおよび領域Ｂにおける各画素電極ＰＸは該画素領域の上部に形成された対向電圧信号線ＣＬに重畳させて形成する容量素子Ｃｓｔｇの他方の電極から、領域Ａに及んで形成する電極と領域Ｂにまで及んで形成する電極とで構成するようにしている。
【００９３】
また、前記画素電極ＰＸは金属等の非透光性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で形成してもよいことはもちろんである。
【００９４】
このように構成した場合にも、広視野角特性および高速応答性を得られることができる。
【００９５】
本実施例では、領域Ａを反射領域とすることで、領域Ｂを反射領域とした場合より透過率と反射率の双方を向上でき、一見相反する高反射率、高開口率を同時に実現できる。
【００９６】
実施例６．
図７は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図となっている。
【００９７】
図６の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ａにおける画素電極ＰＸと領域Ｂにおける画素電極ＰＸは、それぞれ該各領域の境界部に形成された対向電圧信号線ＣＬに重畳させて形成する容量素子Ｃｓｔｇの他方の電極から、それぞれ領域Ａに及んで形成する電極と領域Ｂに及んで形成する電極とで構成するようにしている。
【００９８】
このように構成した場合、容量素子Ｃｓｔｇの他方の電極は画素領域のほぼ中央をｘ方向に延在するように形成され、これが遮光膜としての機能を有するようになる。このため、領域Ａおよび領域Ｂのそれぞれの表示において光の混在をなくすことができるようになる。
【００９９】
また、前記画素電極ＰＸは金属等の非透光性の材料で形成しても、またＩＴＯ等の透光性の材料で形成してもよいことはもちろんである。
【０１００】
このように構成した場合にも、広視野角特性および高速応答性を得られることができる。
【０１０１】
実施例７．
図８は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図７に対応した図となっている。
【０１０２】
図７の場合と比較して異なる構成は、光反射部を構成する領域Ａと光透過部を構成する領域Ｂとを逆にして構成したものである。
【０１０３】
このような構成は、実施例５においても同様に適用できることはもちろんである。
【０１０４】
画素電極ＰＸの多い領域Ａでは、画素電極ＰＸ間のエッチング残渣の発生率は領域Ｂより相対的に高いものとなる。そして、薄膜トランジスタＴＦＴの近傍は構造が複雑なため、より発生しやすい。しかし、本実施例では、反射領域が薄膜トランジスタＴＦＴ側にあるため、残渣発生部は反射部となるため、反射率の低下を招くことはなく、反射率を安定して確保することができる。
【０１０５】
実施例８．
図９は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図となっている。
【０１０６】
図６の場合と比較して、画素領域の領域Ａは同様の構成となっている。しかし、領域Ｂにおいては、保護膜ＰＳＶ１の上面に保護膜ＰＳＶ２が形成され、この保護膜ＰＳＶ２の上面に対向電極ＣＴが形成されている。
【０１０７】
光反射部である領域Ａにおいて光は液晶層を２回通過するのに対し、光透過部である領域Ｂにおいて１回通過することによる光透過率の差異による不都合を回避するため、該領域Ｂにおいては１次の複屈折モードにし領域Ａにおいては２次の複屈折モードにするように構成されている。
【０１０８】
すなわち、複屈折モードで表示する場合、一般に、一軸性複屈折性媒体を直交配置した２枚の偏光板の間に挿入した際の光透過率Ｔ／Ｔ０は次式（１）で表される。
【０１０９】
【数１】
Ｔ／Ｔ０＝ｓｉｎ２（２χｅｆｆ）・ｓｉｎ２（πｄｅｆｆ・Δｎ／λ）……（１）
ここで、χｅｆｆは液晶組成物の実効的な光軸方向（光軸と変更透過軸とのなす角）、ｄｅｆｆは複屈折性を有する実効的な液晶組成物層の厚み、Δｎは屈折率異方性、λは光の波長を示している。
【０１１０】
ここで、液晶組成物層の光軸方向を実効的な値とした理由は、実際のセル内で界面上で液晶分子は固定されており、電界印加時にはセル内で全ての液晶分子が互いに平行かつ一様に配向しているのではなく、特に界面近傍では大きな変形が起こっていることから、それらの平均値として一様状態を想定した際の見かけの値で取り扱うことにしたからである。
【０１１１】
たとえば低電圧印加時に暗状態に高電圧印加時に明状態となるノーマリクローズ特性を得るため、偏光板の配置として一方の偏光板の透過軸（あるいは吸収軸）を液晶分子配向方向（ラビング方向）にほぼ平行に、他方の偏光板の透過軸を該液晶分子配向方向にほぼ垂直にすればよいことになる。
【０１１２】
電界無印加時には上式（１）のχｅｆｆが０であるのでＴ／Ｔ０は０となる。一方、電界印加時にはその強度に応じてχｅｆｆの値が増大し、４５°の際に最大となる。
【０１１３】
この場合、光の波長をたとえば０．５５５μｍとすると無彩色でかつ透過率を最大とするには実効的なｄｅｆｆ・Δｎを２分の１波長である０．２８μｍとすればよい。
【０１１４】
このことは、１次の複屈折モードを用いる領域Ｂの液晶層に対して２次の複屈折モードを用いる領域Ａの液晶層の厚さは約３倍、すなわち２．５倍から３．５倍程度とすることによって、それら各領域の表示を最適なものとすることができる。
【０１１５】
なお、図９において、対向電極ＣＴはドレイン信号線ＤＬを被うようにして形成されるものを含み、上述したように該ドレイン信号線ＤＬからの電界による電気力線を終端させる機能をももたせている。この対向電極ＣＴは保護膜ＰＳＶ２、保護膜ＰＳＶ１、および絶縁膜ＧＩを貫通するスルーホールを通して、領域Ａに形成され領域Ｂ側に若干延在されて形成されている対向電極ＣＴに電気的な接続がなされている。
【０１１６】
実施例９．
図１０は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図９に対応した図となっている。
【０１１７】
図９の場合と比較して異なる構成は、まず、画素領域の領域Ｂに形成した保護膜ＰＳＶ２を領域Ａにも形成し、この領域Ａの該保護膜ＰＳＶ２にその僅かな周辺を除く中央部に開口を設けた構成としている。
【０１１８】
そして、該保護膜ＰＳＶ２の表面に形成する対向電極は領域Ａ側のドレイン信号線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬをも被って形成している。
【０１１９】
このことから、ドレイン信号線ＤＬはその全体にわたってシールド機能を有する対向電極ＣＴに被われ、開口率の向上、縦スメアの低減等の効果を奏するようになる。
【０１２０】
実施例１０．
図１１は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１０（ａ）に対応した図となっている。
【０１２１】
図１０（ａ）の場合と比較して異なる構成は、保護膜ＰＳＶ２の上面に形成される対向電極ＣＴを金属のような非透光性の材料層で構成したことにある。
【０１２２】
これにより、この対向電極ＣＴは低抵抗の材料を選択し、直接に対向電圧信号を供給することができるため、スルーホールが存在しない構成とすることができる。
【０１２３】
また、対向電極ＣＴ自体をブラックマトリクスとしての機能を兼ねることができるようになる。
【０１２４】
実施例１１．
図１２は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１１に対応した図となっている。
【０１２５】
図１１の場合と比較して異なる構成は、保護膜ＰＳＶ２の上面に形成される対向電極ＣＴと、領域Ａにおいて絶縁膜ＧＩの下層に形成される対向電極ＣＴとを保護膜ＰＳＶ２、保護膜ＰＳＶ１、および絶縁膜ＧＩを貫通するスルーホールＴＨを通して接続されている。
【０１２６】
図１１に示したように、保護膜ＰＳＶ２の上面に形成される対向電極ＣＴに直接に対向電圧信号を供給することによって、図１１に示した対向電圧信号線ＣＬを形成しなくてもよい効果を奏する。
【０１２７】
実施例１２．
図１３は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図７に対応した図となっている。
【０１２８】
図７の場合と比較して異なる構成は、光反射部である領域Ａにおいてその保護膜ＰＳＶ１の上面に保護膜ＰＳＶ２が形成されていることにある。
【０１２９】
光反射部の液晶層の厚さを光透過部のそれよりも小さく構成するためである。
【０１３０】
光反射部において光を液晶層を２回通過することから、その分だけ液晶層の層厚を小さくするようにしたものである。
【０１３１】
これにより、領域Ａ、Ｂの双方を一次の複屈折モードを用いて表示を行なうことができる。これには保護膜ＰＳＶ２の厚みが液晶層の厚みの１／２〜３／２であることが望ましい。領域Ａ、Ｂそれぞれの透過率、反射率を最大化するためである。
【０１３２】
実施例１３．
図１４は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１３に対応した図となっている。
【０１３３】
図１３の場合と比較して異なる構成は、光反射部である領域Ａに形成された保護膜ＰＳＶ２の上面に画素電極ＰＸを形成した構成としていることにある。この画素電極ＰＸは透光性の材料層で構成してもよい。
【０１３４】
この場合、各画素電極ＰＸは光透過部である領域Ｂとの境界部で互いに電気的接続がなされているとともに、保護膜ＰＳＶ１に形成されたスルーホールを通して領域Ｂの画素電極ＰＸと電気的な接続がなされている。
【０１３５】
実施例１４．
図１５は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１４に対応した図となっている。
【０１３６】
図１４の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ａにおいて、画素電極ＰＸはドレイン信号線ＤＬと同層に形成され、対向電極ＣＴは保護膜ＰＳＶ２の表面に形成されている。
【０１３７】
この場合の対向電極ＣＴは該領域におけるドレイン信号線ＤＬをも被って形成され、たとえば非透光性の金属から構成されて反射電極を兼ねるようになっている。
【０１３８】
この結果、領域Ａの対向電極ＣＴと領域Ｂの対向電極ＣＴはそれぞれ層を異ならしめ、それぞれの対応する画素電極ＰＸとの関係で最適設定が可能となる。
【０１３９】
また、この実施例では、領域Ｂにおける保護膜ＰＳＶ２の開口部の側壁面に領域Ａに形成されている保護膜ＰＳＶ２上の対向電極ＣＴが延在され、該側壁面を被った構成となっている。
【０１４０】
対向電極ＣＴはたとえば金属等の非透光性の材料で形成されていることから遮光膜として機能し、該保護膜ＰＳＶ２の側壁面におけるリバースチルトドメインの発生を抑制することができる。
【０１４１】
実施例１５．
図１６は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図６に対応した図となっている。
【０１４２】
図６の場合と比較して、画素領域の領域Ａにおいては図６の場合と同様であるが、領域Ｂにおいては、その部分における対向電極ＣＴは該領域の僅かな周辺を除いた中央部にたとえばＩＴＯ等の透光性の材料で形成され、画素電極ＰＸは領域Ａの各画素電極ＰＸをそれぞれそのまま延在させて構成されていることにある。
【０１４３】
実施例１６．
図１７は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１６に対応した図となっている。
【０１４４】
図１６の場合と比較して異なる構成は、保護膜ＰＳＶ１の上面に有機材料からなる保護膜ＰＳＶ２が形成され、かつ、画素領域の領域Ｂにおいてその僅かな周辺を除く中央部に開口が形成された構成となっている。
【０１４５】
実施例１７．
図１８は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１７に対応した図となっている。
【０１４６】
図１７の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ｂにおける画素電極ＰＸの本数が一部取り除かれた構成となっている。
【０１４７】
実施例１８．
図１９は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１８に対応した図となっている。
【０１４８】
図１８の場合と比較して、画素領域の領域Ｂにおける画素電極ＰＸの数は領域Ａにおけるそれよりも少なく構成されているが、該画素電極ＰＸのそれぞれの間隔を等しく設定するようになっている。
【０１４９】
実施例１９．
図２０は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１９に対応した図となっている。
【０１５０】
図１９の場合と比較して異なる構成は、画素領域の領域Ａにおいて、画素電極ＰＸをドレイン信号線ＤＬと同層に形成するとともに、金属等の非透光性の材料で構成している。
【０１５１】
そして、保護膜ＰＳＶ１の上面に有機材料からなる保護膜ＰＳＶ２をさらに形成し、その上面に対向電極ＣＴを形成している。この場合の対向電極ＣＴはその領域のドレイン信号線ＤＬを被うようにして形成し、金属等の非透光性の材料で構成している。
【０１５２】
【発明の効果】
以上説明したことから明らかになるように、本発明による液晶表示装置によれば、広視野角特性および高速応答性に優れたものを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を示す構成図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構成図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１１】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す平面図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１４】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１６】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１７】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１８】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図１９】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【図２０】本発明による液晶表示装置の画素の他の実施例を示す構成図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ１，２…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、ＤＬ…ドレイン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＴＦＴ…薄膜トランジスタ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電極、Ｃｓｔｇ…容量素子、ＧＩ…絶縁膜、ＰＳＶ１…保護膜（無機材料）、ＰＳＶ２…保護膜（有機材料）。
【図１】
0004002105.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
0004002105.tif 000015
【図１５】
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【図１６】
0004002105.tif 000017
【図１７】
0004002105.tif 000018
【図１８】
0004002105.tif 000019
【図１９】
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【図２０】
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