(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
１）電気光学結晶に誘電体反射膜を堆積させた電気光学素子と、
２）該電気光学素子の誘電体反射膜に対向するように設けられた回路基板の載置部と、
３）該回路基板の回路パターン間に電圧を印加する電圧印加装置と、
４）該電気光学素子に光を照射するレーザ光源及びビームエキスパンダと、
５）該ビームエキスパンダと電気光学素子の間に設けられ、直線偏光を作る第一偏光板と、
６）該誘電体反射膜で反射された光を検出する光検出部（ＣＣＤカメラ）と、
７）該電気光学素子と該光検出部（ＣＣＤカメラ）の間に設けられ、前記第一偏光板の偏光と直交する偏光を作るよう配置された第二偏光板と、
８）上記第一偏光板及び第二偏光板を回転させ偏光状態を制御する偏光制御機構と、
９）光検出部（ＣＣＤカメラ）で検出された光の偏光状態から回路パターン間の電界のベクトル成分を得る画像処理装置と、
１０）得られた回路パターン間の電界のベクトル成分と、予め用意された電界のベクトル成分の情報とを比較し、回路基板が良品か否かを判定する判定装置と、
１１）上記電圧印加装置、光検出部、偏光制御機構、画像処理装置、判定装置を制御する制御装置と、
を具備することを特徴とする回路基板の検査装置。
【請求項２】
電気光学素子を回路基板に対向配置し、回路基板の回路パターン間に電圧を印加した状態で複数の偏光状態の光を電気光学素子に照射し、反射光の偏光状態から該回路パターン間の平面での電界のベクトル成分を各ベクトル成分ごとに検出して検査を行う回路基板の検査方法であって、前記電気光学素子に照射される光は第一偏光板によって作られた直線偏光であり、前記検出される光は、前記第一偏光板の偏光と直交する偏光を作るよう配置された第二偏光板を通した光であることを特徴とする回路基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、回路基板の回路パターンを電気試験する装置及び方法に関するものであり、特に、高密度な回路パターンを非接触で電気試験する装置及び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
回路基板は高集積化が進み、従来の専用治具のスプリングプローブを回路パターンのパッドへ接触させて電気的性質を検査する方法では、確実な物理的接触が難しくなってきている。また、パッド数の増加、高集積化とともに治具の値段が高騰している。更には、鋭利なスプリングプローブをパッドに接触することによるパッドの損傷も問題となっており、専用治具を用いず、非接触で電気的性質を検査する装置及び方法が望まれる。
【０００３】
従来の非接触で電気試験をする装置としては、例えば、特開平６−１８０３５３号公報に開示されているように、検査対象となる回路基板の回路パターンに電圧を加え、回路基板に対向し隣接して配置した、誘電体反射膜を堆積させた電気光学変調手段に偏光した光を照射して、電気光学変調手段によって変調された偏光を検出することにより電気試験するものがある。
【０００４】
また、例えば、特開平５−２５６７９２号公報に開示されている検査装置においては、検査対象となる液晶基板と電気光学素子との間に通電すると、液晶基板における欠陥の有無や状況に応じて各画素電極が発生させる電場が変化し、それに伴って電気光学素子の光学的性質が種々に変化し、照射された光の反射光を解析することによって液晶基板の欠陥の有無や状況を知り得るものである。
【０００５】
しかし、特開平５−２５６７９２号公報では、一方向の電界のベクトル成分を検出するものであり、平面内で電界のベクトル成分を検出することができない。
そのため、電界の各ベクトル成分が異常でも、光の変調の度合いが等しければ電気試験では異常と判定されないものとなる。
また、例えば、高集積化された回路基板の回路パターンの電気的性質を非接触で、平面内の各ベクトル成分ごとの試験が必要な際には、回路基板と電気光学素子の相対的な向きを変えて２回測定する必要があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、その課題とするところは、高集積化された回路基板の電気試験において、非接触で電界のベクトル成分を検出する際に、平面内で電界の各ベクトル成分ごとに容易に検出することができる回路基板の検査装置、及び回路基板の検査方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、１）電気光学結晶に誘電体反射膜を堆積させた電気光学素子と、
２）該電気光学素子の誘電体反射膜に対向するように設けられた回路基板の載置部と、
３）該回路基板の回路パターン間に電圧を印加する電圧印加装置と、
４）該電気光学素子に光を照射するレーザ光源及びビームエキスパンダと、
５）該ビームエキスパンダと電気光学素子の間に設けられ、直線偏光を作る第一偏光板と、
６）該誘電体反射膜で反射された光を検出する光検出部（ＣＣＤカメラ）と、
７）該電気光学素子と該光検出部（ＣＣＤカメラ）の間に設けられ、前記第一偏光板の偏光と直交する偏光を作るよう配置された第二偏光板と、
８）上記第一偏光板及び第二偏光板を回転させ偏光状態を制御する偏光制御機構と、
９）光検出部（ＣＣＤカメラ）で検出された光の偏光状態から回路パターン間の電界のベクトル成分を得る画像処理装置と、
１０）得られた回路パターン間の電界のベクトル成分と、予め用意された電界のベクトル成分の情報とを比較し、回路基板が良品か否かを判定する判定装置と、
１１）上記電圧印加装置、光検出部、偏光制御機構、画像処理装置、判定装置を制御する制御装置と、
を具備することを特徴とする回路基板の検査装置である。
【０００８】
また、本発明は、電気光学素子を回路基板に対向配置し、回路基板の回路パターン間に電圧を印加した状態で複数の偏光状態の光を電気光学素子に照射し、反射光の偏光状態から該回路パターン間の平面での電界のベクトル成分を各ベクトル成分ごとに検出して検査を行う回路基板の検査方法であって、前記電気光学素子に照射される光は第一偏光板によって作られた直線偏光であり、前記検出される光は、前記第一偏光板の偏光と直交する偏光を作るよう配置された第二偏光板を通した光であることを特徴とする回路基板の検査方法である。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１は、本発明による回路基板の検査装置の一実施例の概念を示す説明図である。
図１に示すように、本発明による回路基板の検査装置は、電気光学素子（５）、回路基板の載置部（１８）、電圧印加装置（７）、レーザ光源（１）及びビームエキスパンダ（２）、第一偏光板（４）、誘電体反射膜で反射された光を検出する光検出部（ＣＣＤカメラ）（１０）、第二偏光板（８）、偏光状態を制御する偏光制御機構（３）、光検出部（ＣＣＤカメラ）で検出された光の偏光状態から回路パターン間の電界のベクトル成分を得る画像処理装置（１１）、回路基板が良品か否かを判定する判定装置（１２）、上記電圧印加装置、光検出部、偏光制御機構、画像処理装置、判定装置を制御する制御装置（９）で構成されたものである。
【００１０】
まず、レーザ光源（１）から発するレーザ光をビームエキスパンダ（２）によって面状の光とする。偏光制御機構（３）で第一偏光板（４）を制御することにより、電気光学素子（５）へ照射する光の偏光状態を制御する。
電圧印加装置（７）で回路基板（６）に電圧を印加することにより回路基板から電界が発生する。回路基板と電気光学素子は、数十μｍ程度の微少間隔をおいて配置する。
【００１１】
電気光学素子（５）は、電気光学結晶（５ａ）に誘電体反射膜（５ｂ）を堆積させている。レーザ光源（１）から発するレーザ光が電気光学結晶（５ａ）で変調を受け、誘電体反射膜（５ｂ）で反射されるようにする。
電気光学結晶（５ａ）には、光と垂直な電界に感度を有するＬｉＮｂＯ3 やＬｉＴａＯ3 の他、同様の効果を有する電気光学結晶を用いることができる。
【００１２】
回路基板（６）から発生した電界が微少間隔をおいて配置した電気光学素子（５）に染み出し、電気光学結晶（５ａ）は、電気光学効果により複屈折率が変化する。
レーザ光源（１）から照射されたレーザ光は第一偏光板（４）によって偏光となり、電気光学結晶（５ａ）を透過して誘電体反射膜（５ｂ）によって反射される際に偏光状態が変化する。第二偏光板（８）によって、電気光学素子（５）で位相変調されたレーザ光を振幅変調する。
光検出部（ＣＣＤカメラ）（１０）によって電気光学素子から反射されたレーザ光を撮像し、画像処理装置（１１）にて回路基板（６）から放射された電界画像を得る。
【００１３】
すなわち、第一偏光板（４）で直線偏光の光を作りだし、入射させると、電気光学結晶（５ａ）で位相がずれ、楕円偏光となった光を第一偏光板（４）の偏光と直交する偏光を作りだすように配置された第二偏光板（８）によってベクトル成分を検出するものである。
【００１４】
次に、偏光制御機構（３）で制御して複数の偏光状態を入射し、複数の電界画像を得ることによって平面での電界のベクトル成分を検出する。そして、判定装置（１２）において良品の回路基板の電界画像と比較することによって、回路基板の電気試験が実施できるものとなる。
【００１５】
回路基板の回路パターンにおいて、隣接する電気的に絶縁されている回路パターン間に電位を発生させると、隣接する回路パターン間の距離に反比例して、回路パターンが密集しているほど高い電界が発生するため高感度で測定できる。
しかし、従来の、電界と光の進行方向が平行な場合の非接触の電気試験方法では、回路パターンが密集すると、電圧を印加した回路パターンと隣接する回路パターンとの間の電界を分解能よく測定することが難しくなる。
本発明によれば、同一のシステム構成で、偏光方向を変えるだけで電界のベクトル成分が容易に検出できる。
【００１６】
【実施例】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
＜実施例１＞
電気光学結晶には、ＬｉＮｂＯ3 やＬｉＴａＯ3 などのＣ３Ｖ形の晶族の結晶を用いる。ここでは、ＬｉＮｂＯ3 を例に説明する。
ｙカットのＬｉＮｂＯ3 に、ｙ方向からレーザ光を入射する。このとき、ｘ−ｚ面において屈折率楕円体は以下に示す数式（１）にて表される。
（１／ｎ02＋γ13ＥZ ）ｘ2 ＋（１／ｎe 2 ＋γ33ＥZ ）ｚ2 ＋２γ51ＥX ｘｚ＝１          ・・・・・・・・・・・（１）
【００１７】
図２（ａ）に示すように、数式（１）の関係より、ｘ−ｚ面において自然複屈折率によって生ずる屈折率１３に対して、電界Ｅｚが印加されると、電界Ｅｚ印加時の屈折率１４となる。ｘ軸から４５度の偏光状態でレーザ光を入射すると、電界Ｅｚによって、ｘ軸方向の屈折率差１５と、ｚ軸方向の屈折率差１６が生じ、レーザ光の楕円偏光の状態が変化するので電界Ｅｚを検出することができる。
【００１８】
図２（ｂ）に示すように、数式（１）の関係より、電界Ｅｘは屈折率楕円体の楕円の主軸の方向を変化させる。そこで、レーザ光の偏光状態をｘ軸方向、またはｚ軸方向に平行に入射しても、電気光学結晶を透過したレーザ光は、電界Ｅｘによって主軸方向が変化する。
この効果は電界Ｅｘだけの影響を受け、電界ベクトルの成分である電界Ｅｘの検出が可能となる。このように複数の偏光状態の光を照射することによって、電界のベクトル成分を検出することができる。
【００１９】
次に、用意した電界のベクトル成分と比較することにより、回路基板が良品か否かを判定する。電界のベクトル成分の情報は、例えば、複数の回路基板を検査し、そのうち多数が一致する電界のベクトル成分の情報を良品の情報とみなして基準としてもよい。
【００２０】
従来の、非接触での電気的性質に関する試験方法は、数式（１）の関係において、ｘ軸に対して４５度の偏光状態で光を電気光学結晶に入射するだけなので、平面内で電界のベクトル成分を検出することができない。
そのため、電界の各ベクトル成分が異常でも、数式（１）の複屈折率の変化によって生ずる光の変調の度合いが等しければ電気試験では異常と判定されない。
本発明によれば、ＬｉＮｂＯ3 のような電気光学結晶で、カット面、光の入射方向、偏光方向を工夫することにより電界の各ベクトル成分を容易に検出できる。
【００２１】
【発明の効果】
本発明は、電気光学素子、回路基板の載置部、電圧印加装置、レーザ光源及びビームエキスパンダ、第一偏光板、誘電体反射膜で反射された光を検出する光検出部（ＣＣＤカメラ）、第二偏光板、偏光状態を制御する偏光制御機構、検出された光の偏光状態から回路パターン間の電界のベクトル成分を得る画像処理装置、回路基板が良品か否かを判定する判定装置、制御装置を具備する回路基板の検査装置であるので、高集積化された回路基板の電気試験において、非接触で電界のベクトル成分を検出する際に、平面内で電界の各ベクトル成分ごとに容易に検出することができる回路基板の検査装置となる。
【００２２】
また、本発明は、電気光学素子を回路基板に対向配置し、回路基板の回路パターン間に電圧を印加した状態で複数の偏光状態の光を電気光学素子に照射し、反射光の偏光状態から回路パターン間の平面での電界のベクトル成分を各ベクトル成分ごとに検出して検査を行うので、高集積化された回路基板の電気試験において、非接触で電界のベクトル成分を検出する際に、平面内で電界の各ベクトル成分ごとに容易に検出することができる回路基板の検査方法となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による回路基板の検査装置の一実施例の概念を示す説明図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、実施例１の説明図である。
【符号の説明】
１…レーザ光源
２…ビームエキスパンダ
３…偏光制御機構
４…第一偏光板
５…電気光学素子
５ａ…電気光学結晶
５ｂ…誘電体反射膜
６…回路基板
７…電圧印加装置
８…第二偏光板
９…制御装置
１０…光検出部（ＣＣＤカメラ）
１１…画像処理装置
１２…判定装置
１３…自然複屈折率によって生ずる屈折率
１４…電界Ｅz 印加時の屈折率
１５…ｘ軸方向の屈折率差
１６…ｚ軸方向の屈折率差
【図１】
0004003371.tif 000002
【図２】
0004003371.tif 000003