(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが固定されるワークホルダーと、
ワークホルダーの背後に設けられて、ワークホルダーの傾きを調節する傾き調節部材と、
ワークホルダー及び傾き調節部材を覆う円筒状保護部材と、
ワークホルダーと保護部材との隙間をシールするシール部材とを備え、
半導体チップの試料面が保護部材に設けられた開口窓から突出状態で露出しているとともに、エッチング媒体の治具内部への侵入がシール部材で阻止されていることを特徴とする、半導体チップの平面研磨治具。
【請求項２】
少なくともその外表面が、耐エッチング性及び耐プラズマ性を有する材料からなることを特徴とする、請求項１記載の平面研磨治具。
【請求項３】
請求項１記載の平面研磨治具が研磨盤上で自公転するように組み込まれていることを特徴とする平面研磨装置。
【請求項４】
前記平面研磨治具の側周面が、前記研磨盤と略平行に延在する第１挟持アーム及び第２挟持アームによって摺動自在に挟持されているとともに、前記第１挟持アーム及び第２挟持アームが平面研磨装置に対して弾性的に支持されていることを特徴とする、請求項３記載の平面研磨装置。
【請求項５】
基板上に配線層及び層間絶縁膜が積層された多層構造の半導体チップを請求項１記載の平面研磨治具に取付けるステップと、
解析対象配線層の直上に位置する直上層間絶縁膜より上方に位置する配線層及び層間絶縁膜を、エッチング又は平面研磨によって適宜除去するステップと、
前記エッチングによって形成された段差を有する直上層間絶縁膜を解析対象配線層の手前まで平面研磨するステップと、
直上層間絶縁膜のエッチングによって解析対象配線層を露出させるステップとを備え、
前記各ステップを、半導体チップが前記平面研磨治具に取り付けられた状態で行なうことを特徴とする、半導体チップの解析用試料作成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップ中の配線層を露出させるための平面研磨治具に関する。本発明は、詳細には、平面研磨加工及びエッチング加工の両方を行なうことのできる平面研磨治具に関する。また、本発明は、該治具を用いた平面研磨装置及び該治具を用いた半導体チップの解析用試料作成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップに故障等が発生したときには、故障個所をある程度絞り込んだ後に、故障個所を有する配線層が光学または電子顕微鏡を用いて平面及び断面方向から観察され、異物等による配線パターンの異常や、配線のボイド等による断線、Ｔｒ素子の欠陥等が解析されて、その解析結果が製造工程にフィードバックされる。
【０００３】
半導体チップでは、高密度、高集積化に伴ってチップ面積が拡大されると共に、配線層が７層程度まで多層化される状況となっている。多層構造の半導体チップを解析するには、解析対象の配線層が平坦な状態であらわれるように、解析対象配線層より上方の層を除去する必要がある。積層された各層を除去するために、通常、乾式又は湿式のエッチング加工法が用いられている。
【０００４】
図１（Ａ）に示すように、半導体チップ１０１は、金属配線層９及び層間絶縁膜１０という異なった材料が交互に積層されている。エッチングばらつきによるエッチング残りを防ぐために、図１（Ｂ）に示すように、一般に、オーバーエッチング状態で、エッチング処理される。その結果、半導体チップ１０１の表面には、溝状の段差が形成される。下層側に向けてさらにエッチング処理されると、オーバーエッチングの累積によって、溝深さが大きくなる。そして、例えば、解析対象配線層（Ｍ３）より上層をエッチングする際に、図１（Ｃ）に示すように、下方に位置する解析対象配線層（Ｍ３）もエッチングされてしまう。不要なエッチングにより解析対象配線層（Ｍ３）にダメージが与えられて、解析対象の半導体チップ１０１は、解析用試料に供することができなくなる。このように、多層化によって除去すべき層数が増えた半導体チップ１０１においては、エッチングプロセス中に生成される段差溝１２によって、それよりも下方に位置する解析対象配線層（Ｍ３）が、層除去によるダメージを受け易くなっている。
【０００５】
解析対象配線層を露出させる方法として、特願平７-３３９３３５号公報に記載された平面研磨加工法がある。前記公報には、半導体チップ全面を平坦に研磨することが可能であると記載されている。しかしながら、半導体チップが材質の異なる複数の金属配線層及び層間絶縁膜で形成されている、材質の硬度差や層の粗密差が存在する、あるいは半導体チップが傾斜状態で研磨治具に貼り付ける可能性がある等の理由により、平面研磨加工法だけで、数十ｍｍ角のチップ全面を均一に研磨することは、現実には容易ではない。また、平面研磨加工法だけで半導体チップの積層部を研磨する場合には、各構成層の厚みが１μｍに満たない積層部の研磨量の制御が難しい、軟らかい金属配線層に研磨傷が残って表面観察が困難になる等の問題がある。
【０００６】
【発明が解決短絡する課題】
したがって、本発明が解決しようとする技術的課題は、多層構造の半導体チップにおいて、解析対象の配線層を平坦に且つ均一に露出させることのできる平面研磨治具、該治具を用いた平面研磨装置及び半導体チップの解析用試料作成方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用・効果】
本発明は、上記技術的課題を解決するために、半導体チップが固定されるワークホルダーと、ワークホルダーの背後に設けられて、ワークホルダーの傾きを調節する傾き調節部材と、ワークホルダー及び傾き調節部材を覆う円筒状保護部材と、ワークホルダーと保護部材との隙間をシールするシール部材とを備え、半導体チップの試料面が保護部材に設けられた開口窓から突出状態で露出している平面研磨治具を提供するものである。
【０００８】
上記構成によれば、半導体チップの固定されたワークホルダーの傾きを調節する傾き調節部材が、円筒状保護部材で覆われているとともに、開口窓から突出した半導体チップがシール状態でワークホルダーに固定されている。半導体チップを平面研磨治具に取付けた状態で、半導体チップの試料面を乾式又は湿式でエッチングしても、エッチング媒体の侵入がシール部材で阻止されて、円筒状保護部材で覆われた傾き調節部材が腐食等によって使用不能になることがない。また、平面研磨治具に取付けた半導体チップの試料面が研磨盤と平行になるように、傾き調節部材で試料面の傾斜を調節することができるので、半導体チップ全面を均一に研磨することができる。したがって、平面研磨治具に取付けた半導体チップは、エッチング加工及び平面研磨加工の両方に供せられる。
【０００９】
このような平面研磨治具を用いて、半導体チップの解析用試料が作成される。
【００１０】
すなわち、解析用試料の作成は、基板上に配線層及び層間絶縁膜が積層された多層構造の半導体チップを平面研磨治具に取付けるステップと、解析対象配線層の直上に位置する直上層間絶縁膜より上方に位置する配線層及び層間絶縁膜を、エッチング又は平面研磨によって適宜除去するステップと、前記エッチングによって形成された段差を有する直上層間絶縁膜を解析対象配線層の手前まで平面研磨するステップと、直上層間絶縁膜のエッチングによって解析対象配線層を露出させるステップとを備え、前記各ステップを、半導体チップが前記平面研磨治具に取り付けられた状態で行なう。
【００１１】
解析対象配線層の直上に位置する直上層間絶縁膜より上方に位置する層が、エッチング又は平面研磨によって適宜除去されたあと、エッチングによる段差を有する直上層間絶縁膜が解析対象配線層の手前までわずかに平面研磨される。直上層間絶縁膜のみをわずかに研磨するので、高い平面性が得られる。そのあと、平面性の高い直上層間絶縁膜をわずかにエッチングすることによって、解析対象配線層が平坦で均一な状態で露出する。
【００１２】
平面研磨治具は、乾式及び湿式のエッチング処理に曝されるので、少なくともその外表面が、耐エッチング性及び耐プラズマ性を有する材料からなることが好ましい。
【００１３】
上述した平面研磨治具は、研磨盤上で自公転するように平面研磨装置に組み込まれる。
【００１４】
平面研磨治具の側周面が、前記研磨盤と略平行に延在する第１挟持アーム及び第２挟持アームによって摺動自在に挟持されているとともに、前記第１挟持アーム及び第２挟持アームが研磨装置に対して弾性的に支持されている。研磨時に異物等が研磨盤と試料研磨面との間に混入して、研磨抵抗力が生じることがある。平面研磨治具を摺動自在に挟持する挟持アームの弾性支持構造によって、平面研磨治具に取付けられた半導体チップに働く研磨抵抗力が分散される。したがって、平面性の高い試料面が得られる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係る平面研磨治具２２、該治具２２を用いた平面研磨装置及び半導体チップ１の解析用試料作成方法について、図２〜１４を参照しながら説明する。
【００１６】
図２は、半導体チップ１を平面研磨するための平面研磨治具２２の構成を示している。
【００１７】
半導体チップ１がエポキシ系ダイボンド材等の接着剤２０でワークホルダー１５上に固定されている。ワークホルダー１５は、テーブル１６にネジ等で一体的に固定されている。テーブル１６の背後すなわち上面側には４つの球状支持体が埋め込まれており、テーブル１６は、傾き調節部材としてのマイクロメーター１７に対して各球状支持体を介して接続されている。各マイクロメーター１７は、円筒状筐体２７に組込まれている。各マイクロメーター１７を動かすことによって、半導体チップ１の試料面が平面研磨装置の研磨盤に対して平行に、すなわち水平になるように調節される。したがって、テーブル１６が円筒状筐体２７に対して傾動自在となっている。筐体２７の上面側には、おもり載置部材３２が取付けられており、筐体２７がおもり載置部材３２で蓋をされた状態になっている。おもり載置部材３２の突出部におもり３２ａが適宜装着されて、研磨荷重が調節される。なお、傾き調節部材としてマイクロメーターの代りに圧電体デバイスを用いて、テーブル１６の傾きを電気的に調節することもできる。
【００１８】
ワークホルダー１５、テーブル１６及びおもり載置部材３２が筐体２７に取付けられたあと、筐体２７がそれより一回り大きな円筒状保護部材１８に組み入れられる。保護部材１８は底壁に開口窓１８ａを有する。開口窓１８ａからは、半導体チップ１の試料面が突出状態で露出している。シール部材としてのОリング１９が、半導体チップ１を囲むように、保護部材１８の底壁上面とワークホルダー１５の下面との間に配設されている。保護部材１８とワークホルダー１５との間が、Оリング１９を介してシールされている。Оリング１９は、耐エッチング性（耐薬品性）や耐プラズマ性や伸縮性を有する材料、例えばフロロシリコーン系ゴム、フッ素系ゴム、クロロプレン系ゴム、ネオプレン系ゴム又はブチル系ゴム等からなる。
【００１９】
平面研磨治具２２は、フッ酸や熱燐酸等のエッチング液や、ＣＦ４ガス及びＯ２ガス等が混合されたエッチングガスを含むプラズマ中に曝露される。したがって、ワークホルダー１５や保護部材１８等の外部に露出される部材の少なくとも表面は、プラスチックやセラミックスからなり、好ましくはフッ素系樹脂からなり、研磨液、エッチング処理によるプラズマやエッチング液に耐えるように構成されている。
【００２０】
図３を参照しながら、半導体チップ１の平面研磨治具２２への取付けから平面研磨加工までの流れを説明する。
【００２１】
高耐熱性及び高接着強度を持ったエポキシ系ダイボンド材を半導体チップ１に塗布してワークホルダー１５に貼り合わせたあと、例えば、温度１８０℃、１分間硬化させることによって、半導体チップ１がワークホルダー１５に接着固定される。円筒状筐体２７に対して傾動自在に取付けられたテーブル１６に対して、半導体チップ１の接着固定されたワークホルダー１５がネジ止めされる。
【００２２】
筐体２７に取付けられた半導体チップ１の試料面は、必ずしも水平となっていない。そこで、図３（Ａ）に示すように、半導体チップ１の試料面が光学顕微鏡２１で観察される。半導体チップ１の試料面が光学顕微鏡２１で対角線状に観察される。半導体チップ１の試料面が水平から傾いていると、図３（Ｂ）に示すように、円筒状筐体２７に組込まれた４つのマイクロメーター１７を動かして、水平出しが行なわれる。水平出しの行なわれた半導体チップ１付き筐体２７をひっくり返して、おもり載置部材３２及び保護部材１８が半導体チップ１付き筐体２７にセットされて、平面研磨治具２２となる。図３（Ｃ）に示すように、平面研磨治具２２に取付けられた半導体チップ１の試料面が、保護部材１８の開口窓１８ａから突出状態で露出して、研磨盤４の表面に平行に当接している。
【００２３】
平面研磨治具２２に取付けられた半導体チップ１は、平面研磨加工及びエッチング加工の両方に供せられる。
【００２４】
図４は、平面研磨装置及び平面研磨治具２２を用いて、半導体チップ１の試料面を研磨加工している様子を示している。図４に示した平面研磨装置は、研磨面が水平に回動する研磨盤４と研磨液を適量供給する研磨液供給ノズル６とを有し、一般的に使用される平面研磨装置と同様の構成をしてなるが、平面研磨治具２２が左右２本のアーム２８で挟持されながら自公転することが特徴的である。
【００２５】
各アーム２８の一端はアーム固定ネジ３０で平面研磨装置のコーナー支持部に固定されている。各アーム２８の他端は、円柱状の平面研磨治具２２を受け入れるように平面視略Ｃ字形状をしている。略Ｃ字部分の内周面には、多数のベアリング２９が配設されている。したがって、円柱状の平面研磨治具２２は、略Ｃ字部分で摺動しながら自公転する。各アーム２８は、前部分と後部分との２つの部分から構成されている。前部分及び後部分は関節状に連結されている。前部分と後部分との間に板バネ３１やねじりバネ等の弾性体が設けられている。したがって、アーム２８の前部分は後部分から弾性的に支持されている。なお、左右２本のアーム２８は、それぞれ、一本の連続アームであって平面研磨装置のコーナー支持部で弾性的に支持される構成であってもよい。
【００２６】
各層の研磨量は、光学顕微鏡２１を用いて確認される。すなわち、試料面と解析対象配線層とに焦点を合わして焦点値を求め、両者の焦点値の差が研磨すべき厚みとなる。両者の焦点値の差がゼロになるまで研磨が行なわれる。研磨時間と研磨量との関係が予め求められており、この検量線を参照しながら研磨時間によって研磨量が管理される。
【００２７】
図５を参照しながら、エッチング加工について説明する。
【００２８】
半導体チップ１は金属配線層９と層間絶縁膜１０とが基板１４の上に交互に積層された構造をしており、除去すべき層の材質に応じて、適切なエッチング液やエッチングガスが選択される。一般的に、金属配線層９としてはＡｌが用いられており、Ａｌの金属配線層９は熱燐酸によって除去される。層間絶縁膜１０は純水で薄めたフッ酸で除去できるが、金属配線層９も同時に除去されるために、乾式エッチングで処理することが望ましい。
【００２９】
図５（Ａ）に示すように、湿式エッチング処理の場合、エッチング液２３をビーカー等の容器２４に入れ、必要に応じてエッチング液２３が加熱される。半導体チップ１を下向きにした平面研磨治具２２がエッチング液２３中に浸漬される。エッチング液２３は、Ｏリング１９によって保護部材１８の内部には侵入しないので、筐体２７に取付けられたマイクロメータ１７にダメージが与えられることはない。湿式エッチングのエッチング量は時間で管理される。
【００３０】
層間絶縁膜１０を除去する場合、図５（Ｂ）に示すように、半導体チップ１を上面にして乾式エッチング装置２５内の下部電極２６上に平面研磨治具２２が載置される。エッチング時間とエッチング量との関係が事前の条件出しで求められ、エッチング時間を管理してプラズマ処理が行なわれる。乾式エッチングのガスとして、ＣＦ４及びＯ２が混合された混合ガスが一般的に使用されるが、使用された層間絶縁膜１０によってエッチングガス種が適宜変更される。上記乾式エッチングは異方性エッチングである。平面研磨治具２２は保護部材１８に覆われているのでダメージはない。
【００３１】
次に、図６〜１４を参照しながら、半導体チップ１の解析用試料作成方法について説明する。
【００３２】
７層の金属配線層９が積層された半導体チップ１の不良個所３３が、Ｍ３の金属配線層９（解析対象配線層）に存在している。図６に示すように、半導体チップ１の表面は、表面保護膜１１で被覆されている。図５（Ｂ）に示したように研磨治具２２を乾式エッチング装置２５内にセットしたあと、半導体チップ１の表面に、エッチングガス含有のプラズマが所定時間照射されて、表面保護膜１１が除去される。その結果、Ｍ７の金属配線層９が露出する。
【００３３】
図５（Ａ）に示したように、平面研磨治具２２が熱せられたエッチング液中に浸漬されて、Ｍ７の金属配線層９が除去される。乾式エッチングと湿式エッチングとが、図７に示すように、Ｍ５の金属配線層９が露出するまで繰り返し行なわれる。
【００３４】
Ｍ５の金属配線層９が露出したあたりから、乾式エッチングのエッチングムラによって、半導体チップ１の表面に段差溝３４ができている。段差溝３４が表面にできた状態で乾式エッチング及び湿式エッチングを繰り返すと、従来技術のところで説明したように、下層のＭ３の金属配線層９（解析対象配線層）にダメージが残る。このことを防止するために、図４に示した平面研磨装置を用いて、図８に示すように、Ｍ４の金属配線層９が露出する手前まで平面研磨が行なわれる。平面研磨加工によって、半導体チップ１の表面は、凹凸のない均一な平坦面となる。半導体チップ１の表面が均一な平坦面となったので、乾式エッチング及び湿式エッチングが再開される。
【００３５】
図９に示すように、乾式エッチングでＭ４の金属配線層９を露出させたあと、図１０に示すように、Ｍ４の金属配線層９が湿式エッチングで除去される。図１１に示すように、Ｍ３の金属配線層９（解析対象配線層）とＭ４の金属配線層９との間を接続する層間接続配線層１３が選択性のある湿式エッチングによって除去される。そして、図１２に示すように、Ｍ３の金属配線層９（解析対象配線層）が露出する手前まで、層間絶縁膜１０がわずかに平面研磨されて、半導体チップ１の表面が平坦化される。
【００３６】
最後に、乾式エッチが行なわれると、図１３に示すように、不良個所３３を有するＭ３の金属配線層９（解析対象配線層）が露出する。半導体チップ１の表面が最終的に乾式エッチングで仕上げられるので、Ｍ３の金属配線層９（解析対象配線層）には研磨キズ等が発生することはない。また、解析対象であるＭ３の金属配線層９及びそれより下の層にダメージが残ることがない。したがって、光学顕微鏡や電子顕微鏡で、不良個所３３を有するＭ３の金属配線層９が詳細に観察される。
【００３７】
図１４は、上記解析用試料作成方法によって不良個所３３があらわれた半導体チップ１の解析例を示している。リーク系不良の場合、Ｔｒ素子自体の問題や金属配線層９間の短絡が予想される。液晶法を用いると、金属配線層９間の短絡により短絡箇所３６が発熱していることが観察され、リークしていることが推定される。本発明の場合、不良個所３３を有する金属配線層９の手前で研磨を停止させて光学顕微鏡２１で不良個所３３を目視検査することができる。したがって、金属配線層９を露出させる前に、異物３７や短絡箇所３８を検出することができる。また、乾式エッチングで金属配線層９を露出させるので、金属配線層９のパターニング不良等が明瞭に観察される。ＥＤＸ等による異常個所の元素分析も容易に行うことができる。
【００３８】
金属配線層９の上に異物３７が付着している場合、金属配線層９が露出した際に、異物３７がなくなってしまう恐れがある。この場合、集束イオンビーム（ＦＩＢ）が用いて断面を露出させたあと、側面方向から異物３７の状況を観察することが好ましい。金属配線層９間を接続する層間接続配線１３の付近が接触不良であると予想される場合、乾式エッチングにて層間接続配線１３を完全に露出させたあと、表面や斜め方向から観察される。
【００３９】
金属配線層９の末端部において配線細り３９による接触不良が生じている場合などは、電子顕微鏡観察が行なわれる。金属配線層９の形状異常が認められない場合には、集束イオンビーム（ＦＩＢ）で断面を露出させたあと、側面方向から接触状況を観察することが好ましい。このように、集束イオンビーム（ＦＩＢ）で、電子顕微鏡または透過電子顕微鏡による観察に適した試料形態に容易に加工することができる。そして、詳細な観察情報が得られる。
【００４０】
以上、説明したように、本発明に係る、平面研磨治具２２、該治具２２を用いた研磨装置及び半導体チップ１の解析用試料作成方法で、多層構造をした半導体チップ１における、任意の金属配線層９、特に、不良個所を有する金属配線層９（解析対象配線層）が観察される。平面研磨治具２２がシール構造を有することによって、湿式エッチング及び乾式エッチングによる平面研磨治具２２の劣化が防止される。また、解析用試料作成時に半導体チップ１をワークホルダー１５から取り外すことが不要になっている。
【００４１】
また、不良個所を有する解析対象配線層９の直上に位置する直上層間絶縁膜１０より上方に位置する層が、エッチング又は平面研磨によって適宜除去されたあと、エッチングによる段差溝１２を有する直上層間絶縁膜１０が解析対象配線層９の手前までわずかに平面研磨される。直上層間絶縁膜１０のみをわずかに研磨するので、高い平面性が得られる。そのあと、平面性の高い直上層間絶縁膜１０をわずかにエッチングすることによって、不良個所を有する解析対象配線層９が平坦で均一な状態で露出する。したがって、不良個所を有する解析対象配線層９がキズ付けられていないので、半導体チップ１の不良個所を詳細に観察することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  従来技術に係るエッチング処理だけで半導体チップ中の配線層を露出させる様子を示す説明断面図である。
【図２】  本発明に係る平面研磨治具の分解図である。
【図３】  図２に示した平面研磨治具を研磨装置に準備する様子を示す説明断面図である。
【図４】  図２に示した平面研磨治具を用いて研磨加工している様子を示す説明図である。
【図５】  図２に示した平面研磨治具を用いてエッチング加工している様子を示す説明断面図である。（Ａ）は湿式エッチングを示し、（Ｂ）は乾式エッチングを示す。
【図６】  本発明に係る平面研磨治具を用いて積層部が除去される半導体チップの説明断面図である。
【図７】  図６に示した半導体チップにおいて、Ｍ５配線層より上層がエッチングで除去されたことを示す説明断面図である。
【図８】  図７に示した半導体チップにおいて、Ｍ４配線層より上の層間絶縁膜が平面研磨で除去されたことを示す説明断面図である。
【図９】  図８に示した半導体チップにおいて、層間絶縁膜がオーバーエッチングされたことを示す説明断面図である。
【図１０】  図９に示した半導体チップにおいて、Ｍ４配線層がエッチングで除去されたことを示す説明断面図である。
【図１１】  図１０に示した半導体チップにいて、層間接続層がエッチングで除去されたことを示す説明断面図である。
【図１２】  図１１に示した半導体チップにおいて、Ｍ３配線層より上の層間絶縁膜が平面研磨で除去されたことを示す説明断面図である。
【図１３】  図１２に示した半導体チップにおいて、解析対象であるＭ３配線層が露出したことを示す説明断面図である。
【図１４】  図１３に示した半導体チップにおいて、露出したＭ３配線層に存在する各種欠陥を示す説明図である。
【符号の説明】
１  半導体チップ
４  研磨盤
６  研磨液供給ノズル
９  金属配線層
１０  層間絶縁膜
１１  保護膜
１２  段差溝
１３  層間接続配線
１４  基板
１５  ワークホルダー
１６  テーブル
１７  マイクロメータ
１８  保護部材
１８ａ  開口窓
１９  Оリング
２０  接着剤
２１  光学顕微鏡
２２  平面研磨治具
２３  エッチング液
２４  容器
２５  乾式エッチング装置
２６  下部電極
２７  筐体
２８  挟持アーム
２９  ベアリング
３０  アーム固定ネジ
３１  板バネ
３２  おもり載置部材
３２ａ  おもり
３３  不良箇所
３４  段差溝
３６  短絡箇所
３７  異物付着
３９  配線細り
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
0003935352.tif 000013
【図１３】
0003935352.tif 000014
【図１４】
0003935352.tif 000015