(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置と、このマイクロ波発生装置より出力されたマイクロ波が内部の伝送空間を伝搬する導波管同軸変換器と、この導波管同軸変換器の伝送空間に配置され、内部に未架橋の被覆電線を通すことができる電線挿通管とを備え、前記電線挿通管は、誘電体であることを特徴とする電線架橋処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の電線架橋処理装置であって、前記電線挿通管は、前記導波管同軸変換器の伝送空間の終端位置からマイクロ波の（２ｎ−１）／４・管内波長（ｎ：自然数）の位置に沿って配置されたことを特徴とする電線架橋処理装置。
【請求項３】
マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置と、このマイクロ波発生装置より出力されたマイクロ波が内部の伝送空間を伝搬する導波管同軸変換器と、この導波管同軸変換器の伝送空間に配置され、内部に未架橋の被覆電線を通すことができ誘電体である電線挿通管とを備えた電線架橋処理装置の電線架橋処理方法であって、前記導波管同軸変換器の伝送空間にマイクロ波を入射し、前記電線挿通管内に未架橋の被覆電線を順次送り込むことを特徴とする電線架橋処理方法。
【請求項４】
請求項３記載の電線架橋処理方法であって、前記電線挿通管は、前記導波管同軸変換器の伝送空間の終端位置からマイクロ波の（２ｎ−１）／４・管内波長（ｎ：自然数）の位置に沿って配置されたことを特徴とする電線架橋処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、導体の外周に被せられた被覆絶縁体に熱を加え、熱収縮させて導体に密着させる架橋処理を行う電線架橋処理装置及び電線架橋処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電線架橋処理に適用できる技術として、特開平１０−６７０１８号公報に架橋ゴムホースの製造方法が開示されている。この製造方法を簡単に説明すると、導電性層を有するマンドレル上に架橋性ゴムを配置し、高周波を印加してマンドレルの導電層を加熱し、この熱により架橋性ゴムを加熱することにより架橋処理を行うものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前記従来例には高周波の具体的な印加方法が明確に記載されておらず、高周波印加装置は通常大がかりな装置となるため、このような技術を電線架橋処理に適用すると、装置が大型化する。
【０００４】
そこで、本発明は、前記した課題を解決すべくなされたものであり、装置をコンパクトに構成でき、且つ、連続的な架橋処理が可能である電線架橋処理装置及び電線架橋処理方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置と、このマイクロ波発生装置より出力されたマイクロ波が内部の伝送空間を伝搬する導波管同軸変換器と、この導波管同軸変換器の伝送空間に配置され、内部に未架橋の被覆電線を通すことができる電線挿通管とを備え、前記電線挿通管は、誘電体であるたことを特徴とする。
【０００６】
この電線架橋処理装置では、導波管同軸変換器の伝送空間にマイクロ波を入射し、電線挿通管内に未架橋の被覆電線を送り込むと、被覆電線の導体が同軸管構造の内部導体として作用し、マイクロ波がＴＥＭ波に変換され、ＴＥＭ波の電界によって被覆電線の導体に電流が流れ、このジュール熱により内側から被覆絶縁体が加熱されるものであり、少なくともマイクロ波発生装置と導波管同軸変換器とを備え、導波管同軸変換器内に被覆電線を配置できるスペースを確保すれば、被覆電線の架橋処理が可能である。又、被覆電線を電線挿通管内に順次送り込むことにより連続的な処理が可能である。さらに、電線挿通管が誘電体における電磁波の損失によって発熱し、この電線挿通管の熱により外側から被覆絶縁体が加熱され、被覆絶縁体が内外から加熱される。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１記載の電線架橋処理装置であって、前記電線挿通管は、前記導波管同軸変換器の伝送空間の終端位置からマイクロ波の（２ｎ−１）／４・管内波長（ｎ：自然数）の位置に沿って配置されたことを特徴とする。
【０００８】
この電線架橋処理装置では、請求項１の発明の作用に加え、被覆電線がマイクロ波の電界の波の腹に位置することからマイクロ波が効率良くＴＥＭ波に変換される。
【００１１】
請求項３の発明は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置と、このマイクロ波発生装置より出力されたマイクロ波が内部の伝送空間を伝搬する導波管同軸変換器と、この導波管同軸変換器の伝送空間に配置され、内部に未架橋の被覆電線を通すことができ誘電体である電線挿通管とを備えた電線架橋処理装置の電線架橋処理方法であって、前記導波管同軸変換器の伝送空間にマイクロ波を入射し、前記電線挿通管内に未架橋の被覆電線を順次送り込むことを特徴とする。
【００１２】
この電線架橋処理方法では、被覆電線の導体が同軸管構造の内部導体として作用し、マイクロ波がＴＥＭ波に変換され、ＴＥＭ波の電界によって被覆電線の導体に電流が流れ、このジュール熱により内側から被覆絶縁体が加熱されるものであり、少なくともマイクロ波発生装置と導波管同軸変換器とを備え、導波管同軸変換器内に被覆電線を配置できるスペースを確保すれば、被覆電線の架橋処理が可能である。又、被覆電線を電線挿通管内に順次送り込むことにより連続的な処理が可能である。さらに、電線挿通管が誘電体における電磁波の損失によって発熱し、この電線挿通管の熱により外側から被覆絶縁体が加熱され、被覆絶縁体が内外から加熱される。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項３記載の電線架橋処理方法であって、前記電線挿通管は、前記導波管同軸変換器の伝送空間の終端位置からマイクロ波の（２ｎ−１）／４・管内波長（ｎ：自然数）の位置に沿って配置されたことを特徴とする。
【００１４】
この電線架橋処理方法では、請求項３の発明の作用に加え、被覆電線がマイクロ波の電界の波の腹に位置することからマイクロ波が効率良くＴＥＭ波に変換される。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１８】
図１〜図３は本発明の一実施形態を示し、図１は電線架橋処理装置１の概略構成図、図２は電線架橋処理装置１の導波管同軸変換器４の構成図、図３は導波管同軸変換器４の要部拡大断面図である。
【００１９】
図１に示すように、電線架橋処理装置１は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生装置２と、このマイクロ波発生装置２より発生したマイクロ波を伝送させるマイクロ波伝送装置３と、このマイクロ波伝送装置３により伝送されたマイクロ波が導かれ、この導かれたマイクロ波を内部空間で伝搬させる導波管同軸変換器４とから構成されている。
【００２０】
マイクロ波伝送装置３は、マイクロ波の入射側から第１方向結合器５、アイソレータ６，第２方向結合器７，ランスフォーマ８，自動整合器９及びランスフォーマ１０がこの順で連結されて構成されている。このように構成されたマイクロ波伝送装置３は、反射波を発生させることなくマイクロ波をＨ０１波（ＴＥ０１波）で導波管同軸変換器４に向かって伝搬する。
【００２１】
導波管同軸変換器４は、その内部の伝送空間４ａの終端側にショートプランジャ１１を有し、このショートプランジャ１１の可動短絡板１１ａの位置を可変することにより伝送空間４ａの終端位置を所望の位置に可変できるようになっている。導波管同軸変換器４は、矩形状の導波管本体部４ｂと、この導波管本体部４ｂに連通する分岐同軸管部４ｃとを有し、導波管本体部４ｂと分岐同軸管部４ｃの内部の伝送空間４ａには電線挿通管１２が配置されている。この電線挿通管１２は、可動短絡板１１ａの位置（伝送空間４ａの終端位置）からマイクロ波の１／４・λｇ（λｇ：管内波長）の位置に沿って配置されている。
【００２２】
電線挿通管１２は、間隔を置いて配置された銅板フランジ部１３ａ，１３ｂによって導波管同軸変換器４に隙間なく固定されており、一方の銅板フランジ部１３ａは分岐同軸管部４ｃの伝送空間４ａの終端を構成している。電線挿通管１２は、その内部１２ａに未架橋の被覆電線Ｗを通すことができるようになっている。電線挿通管１２は、材質が誘電体であり、ガラス（例えばバイレックスガラス）、石英、セラミックスなどによって形成されている。又、被覆電線Ｗは、図３に示すように、銅材にて形成された線状の導体２０と、この導体２０の外周を被う被覆絶縁体２１とから構成されている。未架橋の被覆電線Ｗは、被覆絶縁体２１が導体２０の外周を単に被っているだけで導体２０に密着されていない。
【００２３】
このように構成された電線架橋処理装置１の電線架橋処理作業を説明する。導波管同軸変換器４の伝送空間４ａにマイクロ波を入射し、電線挿通管１２内に未架橋の被覆電線Ｗを送り込むと、被覆電線Ｗの導体２０が同軸管構造の内部導体として作用し、マイクロ波がＴＥＭ波に変換され、ＴＥＭ波の電界によって被覆電線Ｗの導体２０に電流が流れ、このジュール熱により内側から被覆絶縁体２１が加熱される。この電線架橋処理装置１では、少なくともマイクロ波発生装置２と導波管同軸変換器４とを備え、導波管同軸変換器４内に被覆電線Ｗを配置できるスペースを確保すれば、被覆電線Ｗの架橋処理が可能であるため、電線架橋処理装置１をコンパクトに構成できる。又、被覆電線Ｗを電線挿通管１２内に順次送り込むことにより連続的な処理が可能である。
【００２４】
この実施形態では、電線挿通管１２は、導波管同軸変換器４の伝送空間４ａの終端位置からマイクロ波の（２ｎ−１）／４・管内波長（ｎ：自然数）の位置に沿って配置されているので、被覆電線Ｗがマイクロ波の電界の波の腹に位置することからマイクロ波が効率良くＴＥＭ波に変換されるため、大きな電界により大きな電流が導体２０に流れ、被覆絶縁体２１への加熱が迅速に行われる。
【００２５】
この実施形態では、電線挿通管１２は誘電体であるので、電線挿通管１２が誘電体における電磁波の損失によって発熱し、この電線挿通管１２の熱により外側から被覆絶縁体２１が加熱され、被覆絶縁体２１が内外から加熱されるため、架橋処理にエネルギーを効率良く利用できる。
【００２６】
前記実施形態では、導波管同軸変換器４の伝送空間４ａの終端位置が可動短絡板１１ａの位置であるため、可動短絡板１１ａの位置を可変することにより電線挿通管１２を１／４・λｇの位置に容易に配置できる。
【００２７】
前記実施形態では、電線挿通管１２を１／４・λｇの位置に配置したが、（２ｎ−１）／４・λｇ（但し、ｎ：自然数）の位置に配置すれば良い。つまり、この配置位置であれば被覆電線Ｗをマイクロ波の電界の波の腹に位置させることができ、マイクロ波を効率良くＴＥＭ波に変換できる。
【００２８】
前記実施形態では、分岐同軸管部４ｃの長さ寸法Ｌは、伝搬されるマイクロ波に反射波が発生しない寸法（この実施形態では６２ｍｍ）に設定されているが、６２ｍｍ単位で伸ばすことにより、マイクロ波に反射波を発生させることなく電線架橋処理範囲を拡大することができ、架橋処理速度を向上させることができる。
【００２９】
尚、前記実施形態では、導波管同軸変換器４の導波管本体部４ｂは、矩形状にて形成されているが、円筒形状等によって形成しても良いことはもちろんである。
【００３０】
尚、前記実施形態では、マイクロ波伝送装置３はマイクロ波をＨ０１波（ＴＥ０１波）で伝搬するが、Ｈ０１波（ＴＥ０１波）以外のＨ波（ＴＥ波）で伝搬しても、又は、Ｅ波（ＴＭ波）で伝搬しても良く、マイクロ波の伝搬状態はマイクロ波伝送路の形態によって適宜決定される。
【００３１】
以上説明したように、請求項１の発明によれば、マイクロ波発生装置と、マイクロ波が内部の伝送空間を伝搬する導波管同軸変換器と、この導波管同軸変換器の伝送空間に配置され、内部に未架橋の被覆電線を通すことができる電線挿通管とを備えたので、導波管同軸変換器の伝送空間にマイクロ波を入射し、電線挿通管内に未架橋の被覆電線を送り込むと、被覆電線の導体が同軸管構造の内部導体として作用し、マイクロ波がＴＥＭ波に変換され、ＴＥＭ波の電界によって被覆電線の導体に電流が流れ、このジュール熱により内側から被覆絶縁体が加熱されるものであり、少なくともマイクロ波発生装置と導波管同軸変換器とを備え、導波管同軸変換器内に被覆電線を配置できるスペースを確保すれば、被覆電線の架橋処理が可能であるため、電線架橋処理装置をコンパクトに構成できる。又、被覆電線を電線挿通管内に順次送り込むことにより連続的な処理が可能である。さらに、電線挿通管は誘電体であるので、電線挿通管が誘電体における電磁波の損失によって発熱し、この電線挿通管の熱により外側から被覆絶縁体が加熱され、被覆絶縁体が内外から加熱されるため、架橋処理にエネルギーを効率良く利用できる。
【００３２】
請求項２の発明によれば、請求項１記載の電線架橋処理装置であって、電線挿通管は、導波管同軸変換器の伝送空間の終端位置からマイクロ波の（２ｎ−１）／４・管内波長（ｎ：自然数）の位置に沿って配置されたので、請求項１の発明の効果に加え、被覆電線がマイクロ波の電界の波の腹に位置することからマイクロ波が効率良くＴＥＭ波に変換されるため、大きな電界により大きな電流が導体に流れ、被覆絶縁体への加熱が迅速に行われる。
【００３４】
請求項３の発明によれば、マイクロ波発生装置と、マイクロ波が内部の伝送空間を伝搬する導波管同軸変換器と、この導波管同軸変換器の伝送空間に配置され、内部に未架橋の被覆電線を通すことができる電線挿通管とを備えた電線架橋処理装置の電線架橋処理方法であって、導波管同軸変換器の伝送空間にマイクロ波を入射し、電線挿通管内に未架橋の被覆電線を順次送り込むので、被覆電線の導体が同軸管構造の内部導体として作用し、マイクロ波がＴＥＭ波に変換され、ＴＥＭ波の電界によって被覆電線の導体に電流が流れ、このジュール熱により内側から被覆絶縁体が加熱されるものであり、少なくともマイクロ波発生装置と導波管同軸変換器とを備え、導波管同軸変換器内に被覆電線を配置できるスペースを確保すれば、被覆電線の架橋処理が可能であるため、電線架橋処理装置をコンパクトに構成できる。又、被覆電線を電線挿通管内に順次送り込むことにより連続的な処理が可能である。さらに、電線挿通管は誘電体であるので、電線挿通管が誘電体における電磁波の損失によって発熱し、この電線挿通管の熱により外側から被覆絶縁体が加熱され、被覆絶縁体が内外から加熱されるため、架橋処理にエネルギーを効率良く利用できる。
【００３５】
請求項４の発明によれば、請求項３記載の電線架橋処理方法であって、電線挿通管は、導波管同軸変換器の伝送空間の終端位置からマイクロ波の（２ｎ−１）／４・管内波長（ｎ：自然数）の位置に沿って配置されたので、請求項４の発明の効果に加え、被覆電線がマイクロ波の電界の波の腹に位置することからマイクロ波が効率良くＴＥＭ波に変換されるため、大きな電界により大きな電流が導体に流れ、被覆絶縁体への加熱が迅速に行われる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態を示し、電線架橋処理装置の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施形態を示し、電線架橋処理装置の導波管同軸変換器の構成図である。
【図３】本発明の一実施形態を示し、導波管同軸変換器の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
１  電線架橋処理装置
２  マイクロ波発生装置
４  導波管同軸変換器
４ａ  伝送空間
１２  電線挿通管
１２ａ  電線挿通管の内部
Ｗ  被覆電線
【図１】
0003998482.tif 000002
【図２】
0003998482.tif 000003
【図３】
0003998482.tif 000004