(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を形成し、
前記第１のゲイト電極、及び前記第２のゲイト電極を覆うゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、
前記開口部において前記非晶質珪素膜と接するように、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた少なくとも１つの元素を有する層を形成し、加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記第１のマスクを介したドーピングにより、前記結晶性珪素膜のうち、前記第１のゲイト電極上の領域に１３族元素を添加し、
前記結晶性珪素膜をパターニングして、前記第１のゲイト電極上に第１の島状の結晶性珪素膜、及び前記第２のゲイト電極上に第２の島状の結晶性珪素膜を形成し、
前記第１の島状の結晶性珪素膜のうち、前記第１のゲイト電極上の領域上に第２のマスクを形成して、前記第１の島状の結晶性珪素膜にＮ型を付与する不純物元素を添加することによって、Ｎチャネル型のボトムゲイト型薄膜トランジスタを形成し、
前記第２の島状の結晶性珪素膜のうち、前記第２のゲイト電極上の領域上に第３のマスクを形成して、前記第２の島状の結晶性珪素膜にＰ型を付与する不純物元素を添加することによって、Ｐチャネル型のボトムゲイト型薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を形成し、
前記第１のゲイト電極、及び前記第２のゲイト電極を覆うゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、
前記開口部において前記非晶質珪素膜と接するように、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた少なくとも１つの元素を有する層を形成し、加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記第１のマスクを介したドーピングにより、前記結晶性珪素膜のうち、前記第１のゲイト電極上の領域に１３族元素を添加し、
レーザー光の照射またはＲＴＡにより、前記結晶性珪素膜に添加された前記１３族元素を活性化し、
前記結晶性珪素膜をパターニングして、前記第１のゲイト電極上に第１の島状の結晶性珪素膜、及び前記第２のゲイト電極上に第２の島状の結晶性珪素膜を形成し、
前記第１の島状の結晶性珪素膜のうち、前記第１のゲイト電極上の領域上に第２のマスクを形成して、前記第１の島状の結晶性珪素膜にＮ型を付与する不純物元素を添加することによって、Ｎチャネル型のボトムゲイト型薄膜トランジスタを形成し、
前記第２の島状の結晶性珪素膜のうち、前記第２のゲイト電極上の領域上に第３のマスクを形成して、前記第２の島状の結晶性珪素膜にＰ型を付与する不純物元素を添加することによって、Ｐチャネル型のボトムゲイト型薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に、第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を形成し、
前記第１のゲイト電極、及び前記第２のゲイト電極を覆うゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、
前記開口部において前記非晶質珪素膜と接するように、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた少なくとも１つの元素を有する層を形成し、加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記第１のマスクを介したドーピングにより、前記結晶性珪素膜のうち、前記第１のゲイト電極上の領域に１３族元素を添加し、
前記開口部において前記層と接した領域を除去するように前記結晶性珪素膜をパターニングして、前記第１のゲイト電極上に第１の島状の結晶性珪素膜、及び前記第２のゲイト電極上に第２の島状の結晶性珪素膜を形成し、
前記第１の島状の結晶性珪素膜のうち、前記第１のゲイト電極上の領域上に第２のマスクを形成して、前記第１の島状の結晶性珪素膜にＮ型を付与する不純物元素を添加することによって、Ｎチャネル型のボトムゲイト型薄膜トランジスタを形成し、
前記第２の島状の結晶性珪素膜のうち、前記第２のゲイト電極上の領域上に第３のマスクを形成して、前記第２の島状の結晶性珪素膜にＰ型を付与する不純物元素を添加することによって、Ｐチャネル型のボトムゲイト型薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に、第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を形成し、
前記第１のゲイト電極、及び前記第２のゲイト電極を覆うゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、
前記開口部において前記非晶質珪素膜と接するように、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた少なくとも１つの元素を有する層を形成し、第１の加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記第１のマスクを介したドーピングにより、前記結晶性珪素膜のうち、前記第１のゲイト電極上の領域に１３族元素を添加し、
前記結晶性珪素膜のうち前記開口部において露出した領域に１５族元素を添加し、第２の加熱処理により、前記Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた少なくとも１つの元素を当該領域にゲッタリングし、
前記結晶性珪素膜のうち当該領域を除去するように前記結晶性珪素膜をパターニングして、前記第１のゲイト電極上に第１の島状の結晶性珪素膜、及び前記第２のゲイト電極上に第２の島状の結晶性珪素膜を形成し、
前記第１の島状の結晶性珪素膜のうち、前記第１のゲイト電極上の領域上に第２のマスクを形成して、前記第１の島状の結晶性珪素膜にＮ型を付与する不純物元素を添加することによって、Ｎチャネル型のボトムゲイト型薄膜トランジスタを形成し、
前記第２の島状の結晶性珪素膜のうち、前記第２のゲイト電極上の領域上に第３のマスクを形成して、前記第２の島状の結晶性珪素膜にＰ型を付与する不純物元素を添加することによって、Ｐチャネル型のボトムゲイト型薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に、第１のゲイト電極及び第２のゲイト電極を形成し、
前記第１のゲイト電極、及び前記第２のゲイト電極を覆うゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上に開口部を有する第１のマスクを形成し、
前記開口部において前記非晶質珪素膜と接するように、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた少なくとも１つの元素を有する層を形成し、第１の加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記第１のマスクを介したドーピングにより、前記結晶性珪素膜のうち、前記第１のゲイト電極上の領域に１３族元素を添加し、
前記結晶性珪素膜のうち前記開口部において露出した領域に１５族元素を添加し、第２の加熱処理により、前記Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた少なくとも１つの元素を当該領域にゲッタリングすると同時に前記１３族元素を活性化し、
前記結晶性珪素膜のうち当該領域を除去するように前記結晶性珪素膜をパターニングして、前記第１のゲイト電極上に第１の島状の結晶性珪素膜、及び前記第２のゲイト電極上に第２の島状の結晶性珪素膜を形成し、
前記第１の島状の結晶性珪素膜のうち、前記第１のゲイト電極上の領域上に第２のマスクを形成して、前記第１の島状の結晶性珪素膜にＮ型を付与する不純物元素を添加することによって、Ｎチャネル型のボトムゲイト型薄膜トランジスタを形成し、
前記第２の島状の結晶性珪素膜のうち、前記第２のゲイト電極上の領域上に第３のマスクを形成して、前記第２の島状の結晶性珪素膜にＰ型を付与する不純物元素を添加することによって、Ｐチャネル型のボトムゲイト型薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記加熱処理は５５０〜６５０℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４または５において、前記第１の加熱処理は５５０〜６５０℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４または５において、前記第２の加熱処理は５５０〜６５０℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項４、５、７または８のいずれか一において、前記１５族元素はリンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記１３族元素はボロンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記第１のゲイト電極上の領域への前記１３族元素の添加は、１×１０１２〜１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ２のドーズ量で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記第１のゲイト電極上の領域への前記１３族元素の添加は、イオン注入法またはイオンドーピング法により行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記第１のマスクは５０〜２００ｎｍの厚さに形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】
本願発明は半導体薄膜を利用して作製された半導体装置およびその作製方法の構成に関する。具体的には、逆スタガ型に代表されるボトムゲイト型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の構成に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは半導体特性を利用して機能しうる装置全てを含む。即ち、本明細書に記載されたＴＦＴ、電気光学装置、半導体回路、電子機器等は全て半導体装置の範疇に含むものとする。
【０００３】
【従来の技術】
近年、アクティブマトリクス型液晶表示装置の需要が急速に高まり、ガラスまたは石英基板上に形成した半導体薄膜で薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略記する）を形成する技術が急がれている。ＴＦＴは画像表示のためのスイッチング素子として利用される。
【０００４】
同一基板上に百数十万個もの単位で形成されるＴＦＴは、構成する電気回路の機能に応じて所定の電気特性を示すものでなければならない。その様なＴＦＴの電気特性として、しきい値電圧（スレッショルドボルテージ：Ｖth）というパラメータがある。
【０００５】
しきい値電圧とは、そのＴＦＴのチャネル部分に反転層が形成される電圧として定義される。即ち、オフ状態にあるＴＦＴがオン状態に切り換わる電圧として考えれば良い。従って、しきい値電圧が高いほどそのＴＦＴの動作電圧は高いということができる。
【０００６】
このしきい値電圧は様々な外的要因によって変化してしまうという問題がある。例えば、活性層中の汚染不純物、ゲイト絶縁膜の固定電荷や可動電荷、活性層／ゲイト絶縁膜界面の界面準位、ゲイト電極と活性層との仕事関数差等が挙げられる。この場合、活性層中の汚染不純物やゲイト絶縁膜中の可動電荷等はプロセスの清浄化によってなくすことができるが、固定電荷、界面準位および仕事関数差等は素子の材質で決定されてしまうため容易に変更することはできない。
【０００７】
この様な外的要因の結果、しきい値電圧がプラス側にシフトしたりマイナス側にシフトしたりすることがある。例えば、ＮＴＦＴではマイナス側にシフトしてしまうとオフ状態（ゲイト電圧を印加しない状態）であるにも拘わらず、電流が流れてしまう（ノーマリオン状態と呼ばれる）といった問題が生じる。
【０００８】
この様な問題を解決するための手段としてチャネルドープと呼ばれる技術が知られている。チャネルドープとは活性層中に所定濃度の不純物を添加して強制的にしきい値電圧をシフトさせて所望のしきい値電圧に調節する技術である。
【０００９】
チャネルドープに用いる不純物としては１３族元素であるＢ（ボロン）、Ｉｎ（インジウム）や１５続元素であるＰ（リン）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）などが挙げられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本願発明ではボトムゲイト型ＴＦＴ（代表的には逆スタガ型ＴＦＴ）に対してチャネルドープを行うための技術を提供することを課題とする。また、本願発明を利用した複数のボトムゲイト型ＴＦＴを構成に含む半導体装置及びその作製方法を提供することを課題とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に形成された複数のボトムゲイト型ＴＦＴを構成に含む半導体装置であって、
前記複数のボトムゲイト型ＴＦＴのうち、少なくともＮチャネル型で動作するＴＦＴのチャネル形成領域中にはしきい値電圧を制御するための不純物元素が意図的に含ませてあり、
前記チャネル形成領域中における前記不純物元素の濃度は、前記チャネル形成領域と当該チャネル形成領域に接したゲイト絶縁膜との界面に近づくほど減少していくことを特徴とする。
【００１２】
また、他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に形成された複数のボトムゲイト型ＴＦＴを構成に含む半導体装置の作製方法であって、
非晶質珪素膜を形成する工程と、
前記非晶質珪素膜に対してレーザー光または当該レーザー光と同等の強度を持つ強光を照射して結晶性珪素膜を得る工程と、
前記結晶性珪素膜の全面または一部に対してしきい値電圧を制御するための不純物元素を添加する工程と、
前記不純物元素を活性化させる工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１３】
また、他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に形成された複数のボトムゲイト型ＴＦＴを構成に含む半導体装置の作製方法であって、
非晶質珪素膜を形成する工程と、
前記非晶質珪素膜の全面または一部に対してしきい値電圧を制御するための不純物元素を添加する工程と、
前記非晶質珪素膜に対してレーザー光または当該レーザー光と同等の強度を持つ強光を照射して結晶性珪素膜を得る工程と同時に前記不純物元素の活性化を行う工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１４】
また、他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に形成された複数のボトムゲイト型ＴＦＴを構成に含む半導体装置の作製方法であって、
非晶質珪素膜を形成する工程と、
前記非晶質珪素膜の全面または一部に対して当該非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を保持または添加する工程と、
第１の加熱処理により前記非晶質珪素膜の全面または一部を結晶性珪素膜に変成させる工程と、
前記結晶性珪素膜に対して選択的にしきい値電圧を制御するための不純物元素を添加する工程と、
前記結晶性珪素膜に対して１５族から選ばれた元素を選択的に導入する工程と、
第２の加熱処理により前記１５族から選ばれた元素を導入した領域に前記触媒元素をゲッタリングさせると同時に前記しきい値電圧を制御するための不純物元素を活性化させる工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１５】
上記構成からなる本願発明について、以下に記載する実施例でもって詳細な説明を行うこととする。
【００１６】
【実施例】
〔実施例１〕
本願発明を利用してＮＴＦＴ（Ｎチャネル型ＴＦＴ）とＰＴＦＴ（Ｐチャネル型ＴＦＴ）とを相補的に組み合わせたＣＭＯＳ回路を作製する例を示す。なお、本実施例ではＮＴＦＴのみに１３族元素であるボロンを添加する例を示す。
【００１７】
まず、ガラス基板１０１上に酸化珪素膜でなる下地膜１０２を設け、その上にゲイト電極１０３、１０４を形成する。本実施例ではゲイト電極１０３、１０４として 200〜400 nm厚のクロム膜を使用するが、アルミニウム合金、タンタル、タングステン、モリブデン、導電性を付与した珪素膜等を用いても良い。
【００１８】
次に、ゲイト電極１０３、１０４上にゲイト絶縁膜１０５を 100〜200 nmの厚さに形成する。ゲイト絶縁膜１０５としては酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化珪素膜と窒化珪素膜との積層膜を用いる。また、ゲイト電極を陽極酸化して得られる陽極酸化膜をゲイト絶縁膜として利用することもできる。
【００１９】
次に、非晶質珪素膜１０６を10〜75nm（好ましくは15〜45nm）の厚さに形成する。非晶質珪素膜以外にも珪素を主成分とする半導体薄膜（例えばSix Ge1-x (0<X<1) で示されるシリコン・ゲルマニウム化合物）を用いることができる。
【００２０】
こうして図１（Ａ）の状態が得られたら、レーザー光またはレーザー光と同等の強度を持つ強光の照射を行い、非晶質珪素膜１０６を結晶化する。レーザー光としてはエキシマレーザー光が好ましい。エキシマレーザーとしては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌを光源としたパルスレーザーを利用すれば良い。
【００２１】
また、レーザー光と同等の強度を持つ強光としては、ハロゲンランプ又はメタルハライドランプからの強光、赤外光又は紫外光ランプからの強光を利用することができる。
【００２２】
本実施例では、線状に加工されたエキシマレーザー光を基板の一端から他端へ走査し、非晶質珪素膜１０６の全面を結晶化する。この時、レーザー光のスウィープ速度は1.2mm/s 、処理温度は室温、パルス周波数は30Hz、レーザーエネルギーは 300〜315mJ/cm2 とする。（図１（Ｂ））
【００２３】
こうして図１（Ｂ）に示す様に結晶性珪素膜１０７が得られる。次に、その上に酸化珪素膜でなるバッファ層１０８を50〜200 nm（好ましくは 100〜150 nm）の厚さに形成する。
【００２４】
そして、ＰＴＦＴとなる領域をレジストマスク１０９で隠し、イオン注入（イオンプランテーション）法（質量分離あり）又はイオンドーピング法（質量分離なし）によりボロンを添加する。このチャネルドープ工程によりボロン含有領域１１０が形成される。ボロンの代わりにインジウム等の１３族元素を添加しても良い。（図１（Ｃ））
【００２５】
この時、加速電圧は 5〜80keV （代表的には10〜30keV ）から選び、ドーズ量は 1×1012〜 1×1017atoms/cm2 （好ましくは 1×1013〜 1×1016atoms/cm2 ）とすれば良い。本実施例では、加速電圧を30keV とし、ドーズ量を 5×1013atoms/cm2 とする。
【００２６】
この時、結晶性珪素膜１０７は非常に薄いので直接イオン注入を行うと大きなダメージを受けて結晶性が崩れてしまう。また、非常に薄い膜に対してイオン注入を行う場合、不純物の濃度制御が非常に困難である。
【００２７】
しかしながら、本実施例では前述のバッファ層１０８を介したスルードーピングになるので、結晶性珪素膜１０７がイオン注入時に受ける損傷を抑制することができる。また、結晶性珪素膜１０７の上に厚めのバッファ層１０８が存在するので、結晶性珪素膜１０７中に添加する不純物濃度の制御が容易となる。
【００２８】
また、イオン注入により形成される結晶性珪素膜中におけるボロンの濃度プロファイルは、チャネルが形成される部分（チャネル形成領域とゲイト絶縁膜とが接する界面近傍）でボロン濃度が低くなる様に調節することが望ましい。この効果については後述する。
【００２９】
以上の様にして不純物元素の添加工程が終了したら、バッファ層１０８、レジストマスク１０９を除去した後、パターニングにより活性層１１１、１１２を形成する。その後、エキシマレーザー光を照射し、イオン注入工程で受けたダメージの回復と添加したボロンの活性化を行う。（図１（Ｄ））
【００３０】
次に、ゲイト電極１０３、１０４をマスクとした裏面露光を行うことでレジストマスク１１３、１１４を形成する。そして、Ｎ型を付与する不純物元素（代表的にはリン、砒素）を添加して 1×1017〜 5×1018atoms/cm3 程度の低濃度不純物領域１１５〜１１８を形成する。（図２（Ａ））
【００３１】
次に、レジストマスク１１３、１１４を除去した後、再びパターニングしてレジストマスク１１９、１２０を形成する。この時、ＰＴＦＴは完全に覆ってしまう。そして、再びＮ型を付与する不純物元素を図２（Ａ）の時よりも高濃度（ 1×1019〜 1×1020atoms/cm3 程度）に添加してＮＴＦＴのソース領域１２１、ドレイン領域１２２を形成する。
【００３２】
また、この時、１２３、１２４で示される領域は前述の低濃度不純物領域がそのまま残り、ＬＤＤ領域（Light Doped Drain ）として機能する。さらに１２５で示される領域はチャネル形成領域となる。（図２（Ｂ））
【００３３】
次に、レジストマスク１１９、１２０を除去した後、今度はＮＴＦＴを完全に覆う様にしてレジストマスク１２６、１２７を形成する。
【００３４】
そして、Ｐ型を付与する不純物元素（代表的にはボロン、インジウム）を 1×1019〜 1×1020atoms/cm3 程度の濃度となる様に添加し、ＰＴＦＴのソース領域１２８、ドレイン領域１２９を形成する。また、１３０で示される領域がチャネル形成領域となる。（図２（Ｃ））
【００３５】
次に、レジストマスク１２６、１２７を除去した後、エキシマレーザー光を照射することで添加したイオン注入時の損傷の回復と添加した不純物の活性化を行う。（図２（Ｄ））
【００３６】
レーザーアニールが終了したら、層間絶縁膜１３１を 300〜500 nmの厚さに形成する。層間絶縁膜１３１は酸化珪素膜、窒化珪素膜、有機性樹脂膜又はそれらの積層膜で構成される。
【００３７】
そして、その上に金属薄膜でなるソース電極１３２、１３３及びドレイン電極１３４を形成する。金属薄膜としてはアルミニウム、タンタル、チタン、タングステン、モリブデン又はそれらの積層膜を用いれば良い。膜厚は 100〜300 nmとすれば良い。（図２（Ｅ））
【００３８】
最後に、全体に対して水素雰囲気中、350 ℃２時間程度の加熱処理を行い、膜中（特にチャネル形成領域中）の不対結合手を水素終端する。以上の工程によって図２（Ｅ）に示す様な構造のＣＭＯＳ回路が完成する。
【００３９】
なお、本実施例の作製工程に従った場合、ＮＴＦＴはＬＤＤ構造となるがＰＴＦＴはＬＤＤ構造とならない。しかしながら、本実施例は本願発明の一実施例であり、本願発明を適用しうる構造は本実施例に限定されない。
【００４０】
即ち、公知の手段で構成される逆スタガ型ＴＦＴならば全てに適用することが可能である。また、本実施例ではＣＭＯＳ回路を例にとって説明しているが、ＮＴＦＴ又はＰＴＦＴの単体素子のみで構成される様な回路に適用することも可能であることは言うまでもない。
【００４１】
ここで、チャネルドープ工程においてチャネルが形成される部分のボロン濃度を低くすることの意義を説明する。
【００４２】
チャネルにしきい値電圧を制御するための不純物元素が多量に存在すると、多数キャリア（電子または正孔）が不純物と衝突して散乱する。このキャリアの不純物散乱はＴＦＴ特性の動作速度を支配する電界効果移動度（モビリティ）を低下させる要因となり好ましくない。
【００４３】
本願発明では、丁度チャネルが形成される部分の裏側からボロン等の不純物を添加することになるので、濃度プロファイルの勾配を利用してチャネルが形成される部分の不純物濃度を低くすることが可能である。換言すれば、チャネル形成領域中におけるボロン等の不純物濃度は、チャネル形成領域とゲイト絶縁膜との界面に近づくほど減少していく様な濃度勾配を有している。
【００４４】
そのため、チャネル形成領域において基板から遠い方の表面近傍では、上記不純物元素の濃度が 1×1017〜 1×1020atoms/cm3 で存在するが、ゲイト絶縁膜との界面に向かうに従って濃度は減少し、界面近傍では約1/10以下（代表的には 1×1016〜 5×1018atoms/cm3 ）となっている。
【００４５】
この様な濃度勾配の調節はイオン注入条件で制御されるが、イオン注入時に設けるバッファ層がその様な精密な濃度制御を容易なものとしている。
【００４６】
この様にして不純物散乱を極力避けた状態でしきい値電圧の制御を行うことで低い動作電圧で駆動可能であり、且つ、高いモビリティを有するＴＦＴを作製することが可能となる。
【００４７】
〔実施例２〕
本実施例では実施例１において、しきい値電圧制御のための不純物元素の添加工程と結晶化工程との順序を入れ換えた場合の例を示す。
【００４８】
図３（Ａ）において、３０１はガラス基板、３０２は下地膜、３０３、３０４はタンタル膜でなるゲイト電極、３０５は酸化珪素膜上に薄い窒化珪素膜を設けた積層膜でなるゲイト絶縁膜、３０６は非晶質珪素膜である。（図３（Ａ））
【００４９】
次に、バッファ層３０７、レジストマスク３０８を設け、イオン注入法によりボロンを添加する。注入条件は実施例１に従えば良い。こうしてボロン含有領域３０９が形成され、図３（Ｂ）の状態が得られる。
【００５０】
次に、バッファ層３０７、レジストマスク３０８を除去した後、図３（Ｃ）に示す様にエキシマレーザー光を照射する。エキシマレーザー光の照射条件は実施例１に従えば良い。
【００５１】
この工程により非晶質珪素膜３０６は結晶化され、結晶性珪素膜３０９が得られる。また、同時に前述のイオン注入で添加されたボロンが活性化される。
【００５２】
そして、結晶性珪素膜３０９を島状にパターニングして活性層３１０、３１１が得られる。後の工程を実施例１に従えば、図２（Ｅ）に示した様な構造のＣＭＯＳ回路を作製することができる。
【００５３】
〔実施例３〕
本実施例では非晶質珪素膜の結晶化に際して、結晶化を助長する触媒元素（代表的にはニッケル）を利用する場合の例を示す。
【００５４】
まず、図４（Ａ）において、４０１はガラス基板、４０２は下地膜、４０３、４０４はクロム膜でなるゲイト電極、４０５はゲイト絶縁膜、４０６は非晶質珪素膜である。これらの詳細は実施例１で既に説明したので省略する。
【００５５】
本実施例では、非晶質珪素膜４０６の上にニッケルを含有した膜（以下、ニッケル含有層と呼ぶ）４０７を形成する。ニッケル含有層４０７の形成方法は本発明者らによる特開平7-130652号公報（特に実施例１）に記載された技術を利用すれば良い。（図４（Ａ））
【００５６】
なお、触媒元素としてはニッケル以外にも、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、鉛（Ｐｂ）等を用いることができる。
【００５７】
また、上記公報では触媒元素の添加工程をスピンコート法で行う例が示してあるが、イオン注入法またはプラズマドーピング法を用いることもできる。この場合、添加領域の占有面積の低減、横成長領域の成長距離の制御が容易となるので、微細化した回路を構成する際に有効な技術となる。
【００５８】
次に、触媒元素の添加工程が終了したら、500 ℃１時間程度の水素出しの後、不活性雰囲気、水素雰囲気または酸素雰囲気中において 500〜700 ℃（代表的には 550〜650 ℃）の温度で 4〜24時間の加熱処理（ファーネスアニール）を加えて非晶質珪素膜４０６の結晶化を行う。本実施例では窒素雰囲気で550 ℃４時間の加熱処理を行い、結晶性珪素膜４０８を得る。（図４（Ｂ））
【００５９】
次に、バッファ層４０９、レジストマスク４１０を設け、ＮＴＦＴとなる領域のみにボロンを添加する。添加方法及び条件は実施例１に示した条件に従えば良い。この工程によりボロン含有領域４１１が形成される。（図４（Ｃ））
【００６０】
次に、バッファ層４０９、レジストマスク４１０を除去し、パターニングにより活性層４１２、４１３を形成する。その後、エキシマレーザー光を照射してボロン添加時のダメージの回復、結晶性の改善（僅かに残存する非晶質成分の結晶化等）、ボロンの活性化を行う。（図４（Ｄ））
【００６１】
なお、本実施例では結晶性珪素膜４０８を島状に加工した後でレーザー光の照射を行っているが、レーザー光の照射を行った後に島状に加工して活性層を形成するのであっても良い。
【００６２】
そして、後の工程は実施例１に従えば、図２（Ｅ）に示した様な構造のＣＭＯＳ回路を作製することができる。
【００６３】
〔実施例４〕
本実施例では、実施例３と異なる手段で非晶質珪素膜の結晶化を行う場合の例について説明する。具体的には特開平8-78329 号公報に記載された技術を利用して結晶化を行う。
【００６４】
まず、図５（Ａ）において、５０１はガラス基板、５０２は下地膜、５０３、５０４はゲイト電極、５０５はゲイト絶縁膜、５０６は非晶質珪素膜である。これらの詳細は実施例１に従えば良い。
【００６５】
本実施例では、非晶質珪素膜５０６の上に複数の開口を有するマスク絶縁膜５０７を設け、その上からニッケル含有層５０８を形成する。即ち、ニッケル含有層５０８はマスク絶縁膜５０７に設けられた開口部においてのみ、非晶質珪素膜５０６と接する様な構成となる。なお、マスク絶縁膜５０７としては厚さ50〜200 nmの酸化珪素膜を用いると良い。（図５（Ａ））
【００６６】
次に、触媒元素の添加工程が終了したら、450 ℃１時間程度の水素出しの後、不活性雰囲気、水素雰囲気または酸素雰囲気中において 500〜700 ℃（代表的には 550〜650 ℃）の温度で 4〜24時間の加熱処理を加えて非晶質珪素膜５０６の結晶化を行う。本実施例では窒素雰囲気で570 ℃14時間の加熱処理を行う。
【００６７】
この時、非晶質珪素膜５０６の結晶化はニッケルを添加した領域５０９、５１０で発生した核から優先的に進行し、基板５０１の基板面に対してほぼ平行に成長した結晶領域５１１、５１２が形成される。（図５（Ｂ））
【００６８】
本発明者らはこの結晶領域５１１、５１２を横成長領域と呼んでいる。横成長領域５１１、５１２は比較的揃った状態で個々の棒状または偏平棒状結晶が集合しているため、全体的な結晶性に優れるという利点がある。
【００６９】
こうして結晶性珪素膜（横成長領域）５１１、５１２が得られたら、レジストマスク５１３を形成してボロンの添加工程を行い、ボロン含有領域５１４を形成する。（図５（Ｃ））
【００７０】
本実施例では触媒元素の添加工程に利用したマスク絶縁膜５０７をボロンの添加工程におけるバッファ層として活用する。これにより工程の簡略化を図ることができる。
【００７１】
こうして図５（Ｃ）の状態が得られたら、横成長領域５１１、５１２のみからなる活性層５１５、５１６を形成する。活性層５１５、５１６を形成する際、ニッケル添加領域５０９、５１０は完全に除去してしまうことが好ましい。
【００７２】
次に、エキシマレーザー光を照射することにより活性層５１５、５１６が受けたボロン添加時の損傷の回復、結晶性の改善、ボロンの活性化を行う。後の工程を実施例１に従えば、図２（Ｅ）に示した構造のＣＭＯＳ回路を作製することができる。
【００７３】
〔実施例５〕
本実施例では、実施例３において、結晶化に利用した触媒元素をゲッタリングして除去するための工程を加えた場合の例を示す。具体的には触媒元素（ニッケル）のゲッタリングに１５族から選ばれた元素によるゲッタリング効果を利用する。なお、１５族から選ばれた元素とては、Ｐ（リン）、Ｎ（窒素）、Ａｓ（砒素）、Ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）を用いることができるが、本実施例では代表的なリンを用いる場合を示す。
【００７４】
まず、実施例３の工程に従って図４（Ｃ）の状態を得る。そして、バッファ層４０９、レジストマスク４１０を除去した後、新たに複数の開口部を有するレジストマスク６０１を形成する。この開口部は、後に活性層として利用しない（除去してしまう）領域が露出する様な位置に形成する。
【００７５】
次に、レジストマスク６０１をマスクとしてリンの添加工程を行う。この添加工程はイオン注入法又はイオンドーピング法を用いる。添加条件はＲＦ電力を20Ｗ、加速電圧を 5〜30keV （代表的には10keV ）に設定し、リンのドーズ量は 1×1013atoms/cm2 以上（好ましくは 5×1013〜 5×1015atoms/cm2 ）とする。
【００７６】
添加するリン濃度の目安としては、結晶性珪素膜４０８中に含まれるニッケル濃度よりも１桁以上高い濃度を添加すると良い。実施例３の工程では結晶性珪素膜４０８中に約 1×1019atoms/cm3 のニッケルが含まれるので、その場合には 1×1020atoms/cm3 程度のリンを添加することが好ましい。
【００７７】
こうして、結晶性珪素膜４０８の内部にはリンが添加された領域（ゲッタリング領域）６０２〜６０４が形成される。（図６（Ａ））
【００７８】
次に、レジストマスク６０１を除去した後、ニッケルをゲッタリングするための加熱処理を行う。この加熱処理により被ゲッタリング領域６０５、６０６に含まれるニッケルは矢印で示される様にゲッタリング領域６０２〜６０４に捕獲されていく。（図６（Ｂ））
【００７９】
この加熱処理は不活性雰囲気、水素雰囲気、酸化性雰囲気またはハロゲン元素を含む酸化性雰囲気におけるファーネスアニールで良い。また、処理温度は 400〜700 ℃（好ましくは 550〜650 ℃）とし、処理時間は２時間以上（好ましくは４〜１２時間）とすれば良い。処理温度は高い方がより短時間で済むし、ゲッタリング効果も高いが、ガラス基板の耐熱性を考慮すると650 ℃以下にすることが望ましい。
【００８０】
また、後にＮＴＦＴとなる被ゲッタリング領域６０５にはしきい値電圧を制御するためにボロンが添加されているが、上記ファーネスアニールによってボロン添加時の損傷の回復とボロンの活性化とが同時に果たされる。なお、上記温度範囲ならばボロンの拡散は非常に小さく、問題とはならない。
【００８１】
こうしてゲッタリング領域６０２〜６０４にニッケルをゲッタリングしたら、結晶性珪素膜をパターニングして、被ゲッタリング領域６０５、６０６のみからなる活性層６０７、６０８を形成する。この際、ゲッタリング領域６０２〜６０４及びその近傍は高濃度にニッケルを含んでいるため、活性層には利用しないで完全に除去することが望ましい。
【００８２】
ゲッタリング処理を行って得られた活性層６０７、６０８中に存在するニッケル濃度は 5×1017atoms/cm3 以下にまで低減されていることがＳＩＭＳ（質量二次イオン分析）によって確かめられている。（本明細書中における濃度はＳＩＭＳ測定値の最小値で定義されている。）
【００８３】
現状では検出下限の問題で 5×1017atoms/cm3 以下としか判明していないが、実際には少なくとも 1×1014atoms/cm3 程度までには到達していると考えている。なお、実験的にはニッケル濃度が 5×1017atoms/cm3 以下であればＴＦＴ特性に影響を与えないことが判っている。
【００８４】
以上の様にして図６（Ｃ）に示す状態が得られる。後は、実施例３と同様に、実施例１に示した工程に従えば、図２（Ｅ）の様な構造のＣＭＯＳ回路を作製することが可能である。
【００８５】
なお、本実施例は実施例３の場合だけでなく、実施例４に示した結晶化手段を用いた場合にも適用することは容易である。その場合、ニッケル添加に利用したマスク絶縁膜５０７を、ボロン添加時にマスクとしてだけでなく、本実施例に示したリン添加時のマスクとして活用することも可能である。その場合、大幅な工程簡略化が実現される。
【００８６】
また、本実施例ではリンの添加手段としてイオン注入法またはイオンドーピング法を用いる例を示しているが、リンを含む雰囲気中でのアニール（気相法）、リンを含む絶縁膜中へのゲッタリング（固相法）を利用しても良い。
【００８７】
〔実施例６〕
本実施例では、実施例１とは異なる構造の逆スタガ型ＴＦＴを作製する場合の例を示す。説明には図７を用いる。
【００８８】
まず、実施例１の工程に従って図１（Ｄ）の状態を得る。そして、活性層１１１、１１２の上にチャネルストッパー７０１、７０２を形成する。チャネルストッパー７０１、７０２としては、30〜150 nmの厚さの窒化珪素膜又は酸化珪素膜を用いることができる。（図７（Ａ））
【００８９】
次に、Ｎ型導電性を有する結晶性珪素膜（以下、Ｎ型導電膜と略記する）７０３を形成し、その上に金属薄膜７０４を形成する。Ｎ型導電膜７０３にはリンを添加した多結晶状態、微結晶状態の珪素膜が用いられる。また、金属薄膜７０４は実施例１においてソース／ドレイン電極を構成した金属薄膜と同一のもので良い。（図７（Ｂ））
【００９０】
なお、Ｎ型導電膜７０３と金属薄膜７０４とを連続成膜すると非常に良好なオーミックコンタクトを実現できるので好ましい。
【００９１】
次に、まず、金属薄膜７０４をエッチングして必要な箇所の分断を行う。そして、次に金属薄膜７０４をマスクとして自己整合的にＮ型導電膜７０３をエッチングする。この時、チャネルストッパー７０１、７０２がエッチングストッパーとして機能する。
【００９２】
こうして、ＮＴＦＴのソース電極７０５、７０６、ＰＴＦＴのソース電極７０７、７０８及びＮＴＦＴとＰＴＦＴの共通ドレイン電極７０９、７１０が形成される。これらの電極上に窒化珪素膜や有機性樹脂膜でなるパッシベーション膜を設けた構成としても良い。以上の様にして図７（Ｃ）に示す構造のＣＭＯＳ回路が実現される。
【００９３】
なお、チャネルストッパーを利用したタイプの逆スタガ型ＴＦＴは本実施例に限定されることはない。本願発明は他の構造のタイプに対しても容易に適用することが可能である。
【００９４】
〔実施例７〕
本実施例では、実施例１、６とは異なる構造の逆スタガ型ＴＦＴを作製する場合の例を示す。説明には図８を用いる。
【００９５】
まず、実施例１の工程に従って図１（Ｄ）の状態を得る。そして、活性層１１１、１１２の上にＮ型導電膜８０１を形成し、その上に金属薄膜８０２を形成する。これら薄膜については実施例６で説明しているのでここでの説明は省略する。（図８（Ａ））
【００９６】
次に、金属薄膜８０２をエッチングして必要な箇所の分断を行い、続いて自己整合的にＮ型導電膜８０１をエッチングする。この時、Ｎ型導電膜８０１と下の活性層１１１、１１２とは選択比が取れないため、活性層１１１、１１２の内部にまでエッチングが進行する。
【００９７】
従って、この部分だけは活性層の膜厚が薄くなっており、この薄膜化された部分が実効的なチャネル形成領域として機能する。
【００９８】
こうして、ＮＴＦＴのソース電極８０３、８０４、ＰＴＦＴのソース電極８０５、８０６及びＮＴＦＴとＰＴＦＴの共通ドレイン電極８０７、８０８が形成される。最後にパッシベーション膜として窒化珪素膜８０９を形成して図８（Ｂ）に示す構造のＣＭＯＳ回路が実現される。
【００９９】
なお、例えばアクティブマトリクス型液晶表示装置の様に、同一基板上に周辺駆動回路と画素マトリクス回路とを作製する場合、窒化珪素膜８０９の代わりに有機性樹脂膜が設けられる場合もある。その様な場合には有機性樹脂膜がパッシベーション膜として機能する。この事は実施例６でも同様に言える。
【０１００】
また、本実施例の構造とする場合、図８（Ａ）に示した段階で後のチャネル形成領域にＮ型導電膜８０１が接してしまう。この時、活性層１１１に添加してあるボロンとＮ型導電膜８０１中のリンとが相互拡散して相殺しあい、チャネル形成領域が実質的に真性になったり、Ｎ型に反転したりして所望のしきい値電圧が得られないといった問題が起こりうる。
【０１０１】
その様な問題が起こる場合、チャネルドープ工程（しきい値電圧を制御するためにボロンを添加する工程）の際に前述のＮ型導電膜８０１に含まれるリン濃度よりも高い濃度のボロンを添加しておけば良い。こうしておけば、互いに相殺したとしてもボロンの絶対量の方が多いため、Ｐ型を維持することができる。勿論、最終的に残存するボロン濃度を予め見越した上で所望のしきい値電圧が得られる様にチャネルドープを行う必要がある。
【０１０２】
なお、本願発明は本実施例に示した様な構造以外の逆スタガ型ＴＦＴに対しても容易に適用することが可能である。
【０１０３】
〔実施例８〕
実施例１〜７ではチャネルドープ工程でバッファ層を利用する例を示しているが、ボロン添加条件の最適化を行えばバッファ層を用いない構成も可能である。その場合、珪素膜の受ける添加時のダメージは大きくなるが、後のファーネスアニールまたはレーザーアニールで回復できる程度ならば問題にはならない。
【０１０４】
〔実施例９〕
実施例１〜７に示した構成ではＣＭＯＳ回路を作製する上でＮＴＦＴのみにボロンを添加する例を示しているが、ＮＴＦＴとＰＴＦＴの両方に添加しても良いことは言うまでもない。
【０１０５】
実施例１〜７でしきい値電圧を制御するために１３族から選ばれた元素であるボロン（インジウムでも良い）を添加するのは、マイナス側にシフトしたしきい値電圧をプラス側に強制的にシフトさせ、所望のしきい値電圧を示す様に制御するためである。従って、ＰＴＦＴもプラス側にシフトさせる必要があれば当然ＰＴＦＴにもボロンを添加することは有効である。
【０１０６】
また、同様にＣＭＯＳ回路を作製する上でＰＴＦＴのみに本願発明を適用することも可能である。
【０１０７】
〔実施例１０〕
実施例１〜７ではしきい値電圧をプラス側にシフトさせるために１３族元素を利用しているが、マイナス側にシフトさせる必要がある場合には、チャネルドープ用不純物元素として１５族から選ばれた元素（リン、砒素またはアンチモン）を用いれば良い。
【０１０８】
この場合、例えばリンをイオン注入した時におけるリンの濃度プロファイルはボロンの濃度プロファイルとは異なるので、ドーズ量その他の諸条件は実験的に最適値を求める必要がある。
【０１０９】
ただし、実施例５のリンによるゲッタリングと組み合わせる場合、本実施例の構成ではチャネル形成領域にもリンが入ってしまうのでゲッタリング効果はあまり期待することはできない。
【０１１０】
〔実施例１１〕
実施例１〜７に示した構成では、チャネルドープ工程後の不純物の活性化をエキシマレーザー光の照射による例を示している。本願発明では、レーザーアニールの代わりにＲＴＡ（ラピッドサーマルアニール）に代表されるランプアニールを利用することもできる。
【０１１１】
ＲＴＡ処理を行う場合、 500〜1150℃（好ましくは 800〜1000℃）の温度で数秒の処理を行い、ガラス基板の変形を招くことなく薄膜のアニールを行うことができる。また、そのためスループットが格段に向上する。
【０１１２】
勿論、 500〜600 ℃程度のファーネスアニールで不純物の活性化を行うのであっても構わないが、生産性を高めるにはＲＴＡ処理が有効である。
【０１１３】
〔実施例１２〕
本実施例では実施例１〜１１に示した構成の半導体装置を用いてガラス基板上に回路を形成し、電気光学装置を作製する場合の例を示す。代表的には液晶表示装置、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置、ＥＣ（エレクトロクロミクス）表示装置、イメージセンサ、ＣＣＤ等を作製することが可能である。
【０１１４】
なお、本明細書において電気光学装置とは、電気信号を光学的信号に変換する装置またはその逆を行う装置と定義する。
【０１１５】
図９（Ａ）に示すのは液晶表示装置（液晶モジュール）である。１１はアクティブマトリクス基板であり、ガラス基板上に本願発明のＴＦＴで構成された画素マトリクス回路１２、ソース側駆動回路１３、ゲイト側駆動回路１４、ロジック回路１５で構成される。
【０１１６】
ソース側駆動回路１３は主にシフトレジスタ回路、サンプリング回路、バッファ回路、レベルシフタ回路等から構成される。また、ゲイト側駆動回路１４は主にシフトレジスタ回路、バッファ回路等から構成される。ロジック回路１５は各種信号処理を行う回路全てを含み、クロック発生回路、メモリ回路、演算回路、信号変換回路等から構成される。
【０１１７】
以上の様な構成でなるアクティブマトリクス基板１１と、対向基板１６との間には液晶層（図示せず）がシール材によって封入されている。また、アクティブマトリクス基板１１と対向基板１６とは一辺を除いて全ての端面が揃う様に貼り合わされており、その一辺ではアクティブマトリクス基板１１の一部が露出する様に対向基板１６が除去されている。
【０１１８】
この領域はソース／ゲイト側駆動回路１３、１４やロジック回路１５に外部からの信号を伝達するための端子が剥き出しになっており、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）１７を接続するための領域となる。
【０１１９】
また、図９（Ｂ）に示すのはソース側駆動回路１３の回路構成を簡略化したものである。１８はシフトレジスタ回路であり、複数のインバータ回路（ＣＭＯＳ回路）１９でフリップフロップ回路が組まれている。
【０１２０】
また、バッファ回路２０を挟んでサンプリング回路２１が複数のアナログスイッチ２２によって組まれている。
【０１２１】
本願発明はチャネルドープの効果によってしきい値電圧が調節されているので低い動作電圧に対しても容易に対応可能である。さらに、チャネル部において不純物によるキャリアの散乱が非常に小さいため、しきい値電圧を制御しているにも拘わらず高いモビリティを実現できる。
【０１２２】
従って、低い動作電圧と高い動作速度とを要求するロジック回路１５、シフトレジスタ回路１８等を構成するには本願発明のＴＦＴは有効である。
【０１２３】
また、しきい値電圧の制御によってＣＭＯＳ回路の特性バランスが是正されているので、アナログスイッチ２２の様にＮＴＦＴとＰＴＦＴとの特性バランスを揃えることが重要な回路を構成するにも好適である。
【０１２４】
〔実施例１３〕
実施例１２に示した電気光学装置は、様々な電子機器のディスプレイとして利用される。なお、本実施例に挙げる電子機器とは、液晶モジュールに代表される電気光学装置を搭載した製品と定義する。
【０１２５】
その様な電子機器としては、ビデオカメラ、スチルカメラ、プロジェクター、プロジェクションＴＶ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ（ノート型を含む）、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話等）などが挙げられる。それらの一例を図１０に示す。
【０１２６】
図１０（Ａ）は携帯電話であり、本体２００１、音声出力部２００２、音声入力部２００３、表示装置２００４、操作スイッチ２００５、アンテナ２００６で構成される。本願発明は音声出力部２００２、音声入力部２００３、表示装置２００４等に適用することができる。
【０１２７】
図１０（Ｂ）はビデオカメラであり、本体２１０１、表示装置２１０２、音声入力部２１０３、操作スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０６で構成される。本願発明は表示装置２１０２、音声入力部２１０３、受像部２１０６に適用することができる。
【０１２８】
図１０（Ｃ）はモバイルコンピュータ（モービルコンピュータ）であり、本体２２０１、カメラ部２２０２、受像部２２０３、操作スイッチ２２０４、表示装置２２０５で構成される。本願発明は受像部２２０３、表示装置２２０５等に適用できる。
【０１２９】
図１０（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイであり、本体２３０１、表示装置２３０２、バンド部２３０３で構成される。本発明は表示装置２３０２に適用することができる。
【０１３０】
図１０（Ｅ）はリア型プロジェクターであり、本体２４０１、光源２４０２、表示装置２４０３、偏光ビームスプリッタ２４０４、リフレクター２４０５、２４０６、スクリーン２４０７で構成される。本発明は表示装置２４０３に適用することができる。
【０１３１】
図１０（Ｆ）はフロント型プロジェクターであり、本体２５０１、光源２５０２、表示装置２５０３、光学系２５０４、スクリーン２５０５で構成される。本発明は表示装置２５０３に適用することができる。
【０１３２】
以上の様に、本願発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。また、他にも電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【０１３３】
【発明の効果】
本願発明を利用することによりボトムゲイト型ＴＦＴのしきい値電圧を効果的に制御することが可能となる。また、その様な半導体装置を利用することで様々な電気光学装置及び電子機器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】    薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図２】    薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図３】    薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図４】    薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図５】    薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図６】    薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図７】    薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図８】    薄膜トランジスタの作製工程を示す図。
【図９】    電気光学装置の構成を示す図。
【図１０】  電子機器の構成を示す図。
【符号の説明】
１０１            ガラス基板
１０２            下地膜
１０３、１０４    ゲイト電極
１０５            ゲイト絶縁膜
１０６            非晶質珪素膜
１０７            結晶性珪素膜
１０８            バッファ層
１０９            レジストマスク
１１０            ボロン含有領域
１１１、１１２    活性層
【図１】
0003942699.tif 000002
【図２】
0003942699.tif 000003
【図３】
0003942699.tif 000004
【図４】
0003942699.tif 000005
【図５】
0003942699.tif 000006
【図６】
0003942699.tif 000007
【図７】
0003942699.tif 000008
【図８】
0003942699.tif 000009
【図９】
0003942699.tif 000010
【図１０】
0003942699.tif 000011