(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と裏面とを有し、少なくとも前記表面に配線パターンを備え、該表面の配線パターンにおける接続端子を絶縁体層を介して他の配線パターンと導通させる配線層間接続部が前記絶縁体層を加圧で貫挿した層間接続導体で構成された、複数層の配線パターンを有するベース配線基材を準備する工程と、
前記ベース配線基材の表面の配線パターン上に絶縁樹脂層を設ける工程と、
前記絶縁樹脂層の前記接続端子と対応する領域を選択的なレーザ光照射により焼却除去して前記接続端子を露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部の内壁面を含む前記絶縁樹脂層の表面に無電解メッキ処理を施し、前記接続端子と電気的に接続する導電性メッキ層を形成する工程と、
前記導電性メッキ層を配線パターニングする工程と、
を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
表面と裏面とを有し、少なくとも前記表面に配線パターンを備え、該表面の配線パターンにおける接続端子を絶縁体層を介して他の配線パターンと導通させる配線層間接続部が前記絶縁体層を加圧で貫挿した層間接続導体で構成された、複数層の配線パターンを有するベース配線基材を準備する工程と、
前記ベース配線基材の表面の配線パターン上に、絶縁樹脂層を介して導電体層を接合一体化する工程と、
前記絶縁樹脂層の前記接続端子と対応する領域を前記導電体層のエッチングにより露出させるべく前記導電体層上にレジストをパターニング形成する工程と、
前記パターニングされたレジストをマスクに前記導電体層を選択的にエッチングする工程と、
前記導電体層のエッチングで露出した前記絶縁樹脂層の前記接続端子と対応する領域を選択的なレーザ光照射により焼却除去して前記接続端子の露出する開口部を形成する工程と、
前記開口部の内壁面に無電解メッキ処理を施し、前記導電体層と前記接続端子とを電気的に接続する導電性メッキ層を形成する工程と、
前記導電体層を配線パターニングする工程と、
を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記導電体層が銅もしくは銅合金であることを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記無電解メッキ処理前に、真空乾燥処理によって不要残渣を取り除くことを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれか一記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は配線基板の製造方法および半導体装置に係り、さらに詳しくは高密度実装が可能な配線基板の製造方法、およびこの配線基板を使用した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体素子（もしくは半導体装置）などを実装する配線基板においては、実装回路のコンパクト化や高機能化などが要求されており、この要求に対応して、高密度配線化ないし微細な配線化が進められている。すなわち、半導体素子などの電子部品を高密度に実装するに当たっては、電子部品間の接続配線長を短く、かつ高密度な配線網が要求される一方、たとえば半導体素子自体の高密度化や多ピン化に対し、接続パッドの微細化ないし微小ピッチ化が必然的に望まれる。
【０００３】
ところで、この種の高密度実装用配線基板は、一般的に、セラミックスを絶縁体とした厚膜多層配線基板をベース配線基材とし、このベース配線基材の表面に、いわゆる薄膜技術で使用されるフォトリソグラフ技術および絶縁ワニスの塗布・乾燥ないし焼き付け操作を繰り返し、薄膜配線層を形成した配線基板が使用されている。
【０００４】
しかしながら、前記ベース配線基材がセラミックス系の場合は、表面平滑性
（平坦性）の確保が困難であるため、結果的に、薄膜配線層の高密度配線ないし微細ピッチの配線に限界がある。また、前記配線基板表面が平坦性に欠けることは、たとえばフリップチップの実装・位置精度や確実な接合などを困難にし易くするので、実装の高密度化、あるいは半導体装置の高機能化を十分に果たし得ないという不都合がある。
【０００５】
一方、汎用性などを考慮した場合、比較的低コストに、また、量産的には、歩留まりよく製造できることが望まれる。こうした観点から、たとえばガラス・エポキシ樹脂を層間絶縁体とした一般的な多層配線基板をベース配線基材とし、このベース配線基材面に、いわゆる薄膜技術で使用されるフォトリソグラフ技術および絶縁ワニスの塗布・乾燥ないし焼き付け操作を繰り返して、薄膜配線層を形成した配線基板の使用が試みられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記ガラス・エポキシ樹脂などを層間絶縁体とするベース基材の場合、製造上の制約から次のような問題がある。すなわち、一般的な多層配線基板（ベース配線基材）は、配線パターン層間を電気的に接続するため、層間絶縁体層に接続用の孔（スルーホール）を穿設し、この孔の内壁面に、繁雑な工程を伴う無電解銅メッキ処理などを施して、孔の内壁面を導電体層化する構成を採っている。したがって、配線基板の製造に当たっては、少なくともスルーホール穿設領域面に配線、実装することを回避した構成とすることになる。
【０００７】
換言すると、ベース配線基材面に、フォトリソグラフ技術および絶縁ワニスの塗布・乾燥ないし焼き付け操作を繰り返し、薄膜配線層を形成するに当たっては、スルーホール穿設領域を除いた面に、配線を施す必要がある。
【０００８】
また、このときの接続スルーホールの形設は、できるだけ小径に設定されるが、電気的な接続の信頼性の確保などの点から、その微細化程度は配線ピッチ 150〜 200μm 、スルーホール径 300μm が限界（この場合でも穿設孔のピッチは、 600〜 700μm 程度となる）で、高密度実装化や高密度配線化の点で十分といえない。なお、ベース基材に、薄膜配線層を形成する際は、絶縁樹脂あるいは導電性樹脂で、ベース基材のスルーホールを予め埋める操作も必要である。
【０００９】
一方、平坦な導体回路（配線パターン）面化のために、層間接続部を導電体の充填で形成する構成が知られている（特開平6-314883号公報）。すなわち、層間絶縁層の所要位置に、層間接続形成用の孔を穿設し、この穿孔内に無電解メッキ層を成長させ、穿孔内を全体的に充填することによって、主面を全体的に平坦面化する手段が知られている。
【００１０】
しかし、前記無電解メッキ処理による接続スルーホールの形成は、層間絶縁体層に対する孔開け作業、繁雑なメッキ処理を前提とするため、ベース配線基材の生産性や接続の信頼性が劣るだけでなく、配線などの微細化にも限界があるため、実用的に十分満足できる手段とはいえない。
【００１１】
本発明は、上記事情に対処してなされたもので、高密度実装が可能で、かつ接続などの信頼性も高い配線基板の製造方法、および配線基板を使用した半導体装置の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、表面と裏面とを有し、少なくとも前記表面に配線パターンを備え、該表面の配線パターンにおける接続端子を絶縁体層を介して他の配線パターンと導通させる配線層間接続部が前記絶縁体層を加圧で貫挿した層間接続導体で構成された、複数層の配線パターンを有するベース配線基材を準備する工程と、前記ベース配線基材の表面の配線パターン上に絶縁樹脂層を設ける工程と、前記絶縁樹脂層の前記接続端子と対応する領域を選択的なレーザ光照射により焼却除去して前記接続端子を露出する開口部を形成する工程と、前記開口部の内壁面を含む前記絶縁樹脂層の表面に無電解メッキ処理を施し、前記接続端子と電気的に接続する導電性メッキ層を形成する工程と、前記導電性メッキ層を配線パターニングする工程と、を具備することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１３】
なお、この配線基板の製造方法において、無電解メッキ処理の前処理として、絶縁樹脂層表面を粗面化しておくことが望ましい。
【００１４】
請求項２の発明は、表面と裏面とを有し、少なくとも前記表面に配線パターンを備え、該表面の配線パターンにおける接続端子を絶縁体層を介して他の配線パターンと導通させる配線層間接続部が前記絶縁体層を加圧で貫挿した層間接続導体で構成された、複数層の配線パターンを有するベース配線基材を準備する工程と、前記ベース配線基材の表面の配線パターン上に、絶縁樹脂層を介して導電体層を接合一体化する工程と、前記絶縁樹脂層の前記接続端子と対応する領域を前記導電体層のエッチングにより露出させるべく前記導電体層上にレジストをパターニング形成する工程と、前記パターニングされたレジストをマスクに前記導電体層を選択的にエッチングする工程と、前記導電体層のエッチングで露出した前記絶縁樹脂層の前記接続端子と対応する領域を選択的なレーザ光照射により焼却除去して前記接続端子の露出する開口部を形成する工程と、前記開口部の内壁面に無電解メッキ処理を施し、前記導電体層と前記接続端子とを電気的に接続する導電性メッキ層を形成する工程と、前記導電体層を配線パターニングする工程と、を具備することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項２記載の配線基板の製造方法において、前記導電体層が銅もしくは銅合金であることを特徴とする。
【００１６】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３いずれか一記載の配線基板の製造方法において、前記無電解メッキ処理前に、真空乾燥処理によって不要残渣を取り除くことを特徴とする。
【００１７】
なお、この請求項４の発明に係る配線基板の製造方法において、真空乾燥処理は、ケミカルドライエッチング、反応性イオンエッチングもしくは逆スパッタリングが好ましい。
【００１８】
さらに、上記請求項１ないし請求項５いずれか一記載の配線基板の製造方法において、層簡絶縁体層を加圧によって貫挿した層間接続導体は、銀粉末を含む導電性組成物、銅粉末を含む導電性組成物、金属銅あるいは半田で形成することが好ましい。また、絶縁樹脂層は、エポキシ樹脂もしくはエポキシ樹脂組成物で形成するのが望ましい。
【００１９】
本発明の配線基板の製造方法を用いた半導体装置は、例えば、配線基板と、前記配線基板面に搭載・実装された半導体素子とを具備する半導体装置であって、前記配線基板が、表面と裏面とを有し、少なくとも前記表面に配線パターンを備え、該表面の配線パターンにおける接続端子を絶縁体層を介して他の配線パターンと導通させる配線層間接続部が前記絶縁体層を加圧で貫挿した層間接続導体で構成された、複数層の配線パターンを有するベース配線基材と、前記ベース配線基材の表面の配線パターン上に設けられ前記接続端子と対応する領域に選択的なレーザ光照射による焼却除去によって形成された開口部が形成された絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層上に形成された配線パターンと、前記絶縁樹脂層の開口部の内壁面に形成された前記絶縁樹脂層上の配線パターンと前記接続端子とを接続する導電性メッキ層とを有することを特徴とする半導体装置である。
【００２０】
上記各発明において、ベース配線基材の配線パターン層間の絶縁体層としては、たとえば熱可塑性樹脂シート、硬化前の状態に保持される熱硬化性樹脂（プリプレグ）シートなどが挙げられ、その厚さは40〜 800μm 程度が好ましい。ここで、熱可塑性樹脂シートとしては、たとえばポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、４フッ化ポリエチレン樹脂、６フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂などのシート類が挙げられる。また、硬化前の状態に保持される熱硬化性樹脂（プリプレグ）シートとしては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノ一ル樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、あるいはブタジエンゴム、プチルゴム、天然ゴム、ネオプレンゴム、シリコーンゴムなどの生ゴムのシート類が挙げられる。
【００２１】
なお、これらの樹脂は、単独でもよいが絶縁性無機物や有機物系の充填物を含有してもよく、さらにガラスクロスやマット、有機合成繊維布やマット、あるいは紙などの補強材と組み合わせて成るシートであってもよい。
【００２２】
上記各発明のベース配線基材において、層間絶縁体層を加圧によって貫挿し、対向する配線パターン同士を電気的に接続する層間接続導体は、導電性組成物や導電性金属であり、次のような手段で形成配置することができる。たとえば、銅箔もしくは配線パターンの所定位置に、比較的厚いメタルマスクを用いた印刷法により、アスペクト比の高い突起（柱状体）を形成する。そして、その突起ないし柱状体の高さ、径、および分布は、形成する貫通型の導体配線部の構成に応じて適宜設定される。
【００２３】
具体的には、最終的に構成する貫通型の層間接続部の配置・構造などを考慮して決められる。たとえば合成樹脂系シートが、ガラスクロス入りの Bステージエポキシ樹脂層の場合、両面側から圧入する形態のときは Bステージエポキシ樹脂層厚の80〜 200％程度、片面側から圧入する形態のときは Bステージエポキシ樹脂層厚の 180〜 400％程度の高さが好ましい。
【００２４】
なお、前記突起（柱状体）の配置は、たとえば厚さ 5mm程度のステンレス板の所定位置に、 0.3mmの孔が明けられたマスクを筐体の前面に配置し、この筐体内に収容した導電性組成物（ペースト）を加圧して、マスクの孔から押し出す構成のスタンプ方式などで形成される。
【００２５】
ここで、導電性組成物（ペースト）としては、たとえば銀、金、銅、半田粉などの導電性粉末、これらの合金粉末もしくは複合（混合）金属粉末と、樹脂バインダー成分とを混合して調製されたペースト類が挙げられる。なお、樹脂バインダー成分としては、たとえばポリカーボネート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂などの熱可塑性樹脂、フェノ一ル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などが一般的に挙げられる。
【００２６】
その他、メチルメタアクリレート、ジエチルメチルメタアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジエチレングリコールジエチルアクリレート、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ジエチレングリコールエトキシレート、ε−カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールのアクリレートなどのアクリル酸エステル、メタアクリル酸エステルなどの紫外線硬化型樹脂もしくは電子線照射硬化型樹脂などが挙げられる。
【００２７】
上記各発明に係るベース配線基材は、その製造工程において、導電性の突起
（柱状体）を形設した支持基体面に、絶縁体層および導電体層（導電体箔）を順次積層・配置して成る積層体を加熱・加圧・一体化する。このとき、両側に当て板として、寸法や変形の少ない金属板もしくは耐熱性樹脂板、たとえばステンレス板、真鍮板、ポリイミド樹脂板（シート）、ポリテトラフロロエチレン樹脂板（シート）などを使用することが、より平滑な面を呈するベース配線基材化する上で望ましい。
【００２８】
また、加熱によって絶縁体層の樹脂分が柔らかくなった状態で、積層体の加圧を行うと、導電性の突起（柱状体）が絶縁体層を貫挿し易くなる。
【００２９】
上記各発明に係る積み上げ層の形成は、通常のプリント配線板の製造工程と一般的な薄膜プロセス、およびレーザー加工技術を合わせた方法によって行われる。たとえば、プリント配線基板の製造工程からは積層プレス技術、メッキ技術などを用いており、薄膜プロセスからはフォトリソグラフ技術、真空ドライ（真空乾燥）処理技術などを用いており、積み上げ層への層間接続穴の形成には、レーザー加工技術などを用いている。
【００３０】
また、上記各発明に係るベース配線基材の表面導体パターンは、積み上げ層への接続端子（もしくは接続パッド）部を除き、表面ほぼ全体に導体パターン（好ましくはメッシュ状）を有することが望ましい。つまり、ベース配線基材面が接続端子の他に、メッシュ状パターンなどが配置されることにより積み上げ層形成面の平滑化が図られる。加えて、半導体素子を搭載・実装した場合、メッシュ状パターンをリファレンスプレーン（安定電位）として扱うことにより、半導体素子の高速化に伴う積み上げ信号配線の電気的な特性制御が可能となり、半導体装置の高性能化が図られる。
【００３１】
さらに、上記メッシュ状パターンなどをベース配線基材面に配置した場合は、積み上げ層における信号配線の接地容量を低減できるので、前記積み上げ層の薄膜化が可能となって、材料費の低減化などコストダウンも図られる。
【００３２】
請求項１〜４の発明では、配線基板の高密度配線、微小ピッチ配線、および層間接続の微細化が容易であるとともに、ベース配線基材が主面の平坦性も良好で、かつスルホール接続部など形成する切り欠き（孔）など露出していないため、主面が全体的に配線領域や実装領域として使用できる。つまり、ベース配線基材の良好な平坦性に伴って、その面上に形成される積み上げ層の配線パターンなども、容易に微細化できるとともに、実装・接続の信頼性など確保し易くなるので、高密度実装用の配線基板として機能する。
【００３３】
本発明の配線基板の製造方法を用いることで、配線基板における実装・接続の信頼性などを確保し易さと相俟って、歩留まりよく、コンパクトで高性能な実装回路的な半導体装置の提供が可能となる。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下図１、図２ (a)〜 (g)および図３ (a)〜 (e)を参照して実施例を説明する。  実施例１
図１は、この実施例に係る配線基板の製造で使用するベース基材の要部構成を示す断面図である。図１において、１はベース配線基材で、層間絶縁体層２を介して配置された配線パターン層３、前記層間絶縁体層２を貫挿して配線パターン３同士を電気的に接続する層間接続部４を有する構造と成っている。ここで、層間絶縁体層２は、たとえばガラス・エポキシ樹脂系であり、また、配線パターン３は、たとえば銅箔をパタ−ニングしたものである。さらに、層間接続部４は、たとえばエポキシ樹脂をバインダとして銀粉末を分散含有する導電性組成物であり、前記層間絶縁体層２を加圧・貫挿して配線パターン３同士を電気的に接続している。
【００３５】
次に、図２ (a)〜 (g)を参照し、この実施例の実施態様を説明する。
【００３６】
先ず、前記図１に図示した構造のベース配線基材１の一主面に、厚さ30μm 程度の絶縁体層５を介して厚さ12μm 程度の導体層（銅箔）６を積層し、一般的な配線基板の製造工程に準じて、図２ (a)に断面的に示すように加圧一体化する。ここで、絶縁体層５は、たとえばエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂などであり、前記銅箔６の一主面に、ほぼ一様な厚さに塗布されている。なお、銅箔６は、できるだけ薄いものが好ましく、また、印刷配線板用として市販されている樹脂膜（層）付きの銅箔を使用することができる。
【００３７】
上記ベース配線基板１に対して銅箔６を積層・一体化した後、ベース配線基材１面の接続端子ないしパターン（図示せず）と、銅箔５との電気的接続部を形成する開口部を設けるため、図２ (b)に断面的に示すごとく、一体化した導体層を成す銅箔６面上に、感光性のレジストによってパターニング７を行う。ここで、パターニング７する感光性のレジストは、たとえばノボラック樹脂系の液体レジスト、ドライフィルム、電着レジストなどが挙げられるが、ほとんどのレジストを使用できる。また、このレジストパターニング７による開口7a径は、たとえば50μm など、絶縁体層５の厚さ、銅箔６の厚み、または必要な電流密度などによって適宜選択する。
【００３８】
次いで、前記レジストパターニング７した銅箔６をエッチング処理し、露出面（開口7a部）を選択的にエッチング除去する。ここで、エッチャントとしては、たとえば塩化銅や塩化鉄などの水溶液が使用できるが、銅をエッチングできるものであれば特に限定されない。その後、図２ (c)に断面的に示すごとく、レジストパターン７を除去する。
【００３９】
次に、一部を選択的にエッチング除去して残った銅箔６をマスクにし、レーザー光を使用（レーザー光照射）して、図２ (d)に断面的に示すごとく、絶縁体層５の露出した領域を選択的に焼却・除去する。この絶縁体層５の選択的な焼却・除去によって、絶縁体層５の一部が開口5aし、ベース配線基材１面の接続端子ないしパターンが露出する。ここで、照射するレーザー光は、たとえば炭酸ガスレーザー、 YAGレーザーなど挙げられるが、絶縁体層５の成分および下地（ベース基材の接続端子ないし接続パッド）の材料によって決められる。
【００４０】
なお、このレーザー光による絶縁体層５の選択的に焼却・除去後、要すれば、たとえば酸素プラズマによるアッシング方法、ケミカルドライエッチング方法、反応性イオンエッチング方法、逆スパッタリング方法などのドライエッチングによって、前記絶縁体層５の焼却・除去で形成した穴（開口部）5aの底に残存する樹脂を除去することが望ましい。
【００４１】
上記絶縁体層５にベース配線基板と連通する開口部（穴）5aを形設した後、前記開口部（穴）5aを含めて銅箔６上に無電解銅メッキ層８を形成する。ここで、無電解銅メッキ層８の厚みは、たとえば10μm 程度に設定するが、信頼性、絶縁体層５や銅箔６の厚さ、銅メッキ層厚の制御性、メッキ層８のパタ−ニングの容易性などによって任意に変更・設定できる。
【００４２】
なお、この実施例では、全面を銅メッキしているが、場合によっては、周囲を含む開口部（開口穴）5a領域のみを無電解メッキしてもよい。たとえば前記レジストパターン７によるマスキングなどを利用し、必要な部分のみに銅メッキ層８を形成してもよい。このとき、開口部（開口穴）5a領域の被メッキ面を粗面がしておくと、メッキ被膜の付着強度を上げることができる。このように銅メッキ層８を選択的に形成すると、銅箔６の開口部以外の厚みが肉盛りされないため、微細パターンを形成する上で有利となる。
【００４３】
次に、図２ (f)に断面的に示すごとく、前記銅箔６に肉盛りした銅メッキ層８を含む銅メッキ層８面に、所望の導体パターンを形成するためのレジストパターニングン９を行う。ここで、レジストパターニング９は、前記銅箔６の選択エッチングにおけるレジストパターン７形成の場合と同様に行われる。
【００４４】
上記、レジストパターニング９後、このレジストパターン９をマスクとし、銅メッキ層８および銅箔６を選択エッチングすることによって、図２ (g)に断面的に示すような配線基板10を得る。ここでの選択エッチングは、前記銅箔６の選択エッチングにおける場合と同様に行われる。
【００４５】
上記製造した配線基板は、平坦性の良好なベース配線基材１面に、薄い絶縁体層５およびベース配線基材１面と電気的に接続する薄い配線パターンで形成する表面配線層が一体的に設けられている。ここで、薄い表面配線層が形成されることは、この表面配線層とベース配線基材１面側との層間接続部を微細化できることになり、表面の平坦性と相俟って、配線の高密度化、接続パッドの微細・高密度化による高密度実装が可能となる。
【００４６】
すなわち、前記表面配線層を成す絶縁体層が薄いことは、レーザ光による微細な穿孔などを可能として、層間接続部の微細化を容易にするとともに、表面配線層の配線パターンを形成する導体層が薄いことは、その導体層のファインパターン化を容易にする。そして、これら相互の作用によって、高密度な配線パター網の形成、あるいは半導体素子（ベアチップなどを含む）との微細な電気的接続の達成となって、信頼性の高い高密度実装に適する配線基板として機能する。
【００４７】
なお、上記実施例において、ベース配線基材として、図３に示すように、その表面の接続端子（もしくは接続パッド）部領域1aを除き、表面ほぼ全体に導体パターン（好ましくはメッシュ状）1bを有する構成とした場合は、ベース配線基材１面が接続端子の他に、メッシュ状パターン1bなどが配置されることにより積み上げ層形成面の平滑化が図られる。また、半導体素子を搭載・実装した場合、メッシュ状パターン1bをリファレンスプレーン（安定電位）として扱うことにより、半導体素子の高速化に伴う積み上げ信号配線の電気的な特性制御が可能となって、半導体装置の高性能化が図られる。
【００４８】
実施例２
図４ (a)〜 (e)は、第２の実施例に係る配線基板の製造方法の実施態様を模式的に示す断面図である。この実施例では、先ず、図４ (a)に示すごとく、ベース配線基材１の一主面に絶縁性樹脂から成る絶縁体層５を形成する。ここで、絶縁体層５を成す絶縁性樹脂の成分は、前記実施例１の場合と同様であり、また、その絶縁体層５の厚さも同様に選択される。
【００４９】
なお、絶縁体層５の形成は、たとえば塗布・乾燥による方法、印刷・乾燥による方法、転写方法などがあり、一般的に、前記形成方法順に、形成する絶縁体層５の厚さが厚くなるので、適宜選択することができる。
【００５０】
次に、ベース配線基材１面の接続端子ないしパターン（図示せず）との接続予定位置に対応した絶縁体層５領域をレーザー光で選択的に照射し、前記レーザー光の照射領域の絶縁体層５を選択的に焼却・除去して、図４ (b)に示すごとく、絶縁体層５に接続用の穴明け（開口化）を行う。ここで、レーザー光は、前記実施例１の場合と同様で、たとえば炭酸ガスレーザー、 YAGレーザーなどが用いられ、また、開口（穴明け）は、たとえばレーザー光用マスクを使用する方法、プリズムなどを使用して直接描画する方法などが使用される。
【００５１】
その後、前記開口（穴明け）した絶縁体層５面に、開口部5aを含めて銅の無電解メッキ処理を行い、図４ (c)に示すように、所望の厚みまで銅を成長させて導電体層６′を形成する。なお、この無電解メッキ処理は、前記実施例１の場合と同様であるが、この実施例では、開口部およびその周辺のみを無電解メッキすると表面導体パターンを形成できないため、全面的に無電解銅メッキ層６′を形成する。また、この無電解銅メッキ処理に当たっては、無電解銅メッキ処理に先立って、絶縁体層５の表面処理（たとえば表面を荒らすなど）を施すことが好ましい。
【００５２】
次いで、前記形成した銅メッキ層６′を所望の導体パターン化するために、図４ (d)に示すごとく、レジストパターニング９を行なって、このレジストパター９をマスクとした無電解銅メッキ層６′のエッチング処理を、前記実施例１の場合に準じて行って、図４ (e)に示すような配線基板10を製造する。
【００５３】
また、表面層の導体パターンは、次のような手段で形成することもできる。すなわち、絶縁体層５の選択的な焼却・除去による接続用の穴明け（開口化）までは同様であるが、その後、所要の導体パターン形成部以外の領域をレジストパターニングする。次いで、無電解銅メッキ処理を行ってから、前記レジストパターンを膨潤・溶解させて剥離すると、所要の導体パターンが残り、不要な銅メッキ層はレジストパターンとともに除去される。
【００５４】
この実施例の場合は、上記実施例１の場合に比べて、製造工程の短縮化ないし簡略化を図ることができる。また、この配線基板の場合も、実施例１の場合と同様に、平坦性が良好なベース配線基材面に、薄い絶縁体層およびベース基材面と電気的に接続する薄い配線パターンで形成する表面配線層が一体的に設けられている。
【００５５】
そして、薄い表面配線層が形成されることに伴って、表面配線層とベース配線基材面側との層間接続部を微細化できるので、表面の平坦性と相俟って、配線の高密度化、接続パッドの微細・高密度化による高密度実装が可能となる。たとえば、前記配線基板の表面配線層に、常套的な手段で、半導体素子（ベアチップを含む）を搭載・実装して構成した半導体装置（もしくは実装回路装置）は、コンパクトで信頼性の高いものであった。
【００５６】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものでなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形を採ることができる、たとえばベース基材の構成、すなわち配線パターン層の数や層間絶縁体層の材質などは、配線基板の用途に応じて適宜選択することができる。
【００５７】
【発明の効果】
請求項１〜４の発明によれば、ベース基材の良好な平坦性に伴って、その面上に形成される積み上げ層の配線パターンなども、容易に微細化できるとともに、実装・接続の信頼性など確保し易い配線基板を容易に製造することができる。すなわち、高密度配線、微小ピッチ配線、および層間接続の微細化が容易であるとともに、ベース基材が主面の平坦性も良好で、かつスルホール接続部など形成する切り欠き（孔）など露出していないため、主面が全体的に配線領域や実装領域として使用できる配線基板を提供できる。
【００５８】
本発明の配線基板の製造方法を用いて半導体装置を製造する場合には、高密度実装に適する配線基板を使用するので、コンパクトで、高性能・高信頼性の半導体装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例で使用したベース配線基材の要部構成を示す断面図。
【図２】  (a) ，(b) ，(c) ，(d) ，(e) ，(f) ，(g) は、第１の実施例の実施態様を工程順に模式的にそれぞれ示す断面図。
【図３】他のベース配線基材の要部構成を示す上面図。
【図４】  (a) ，(b) ，(c) ，(d) ，(e) は、第２の実施例の実施態様を工程順に模式的にそれぞれ示す断面図。
【符号の説明】
１……ベース配線基材
1a……ベース配線基材の接続端子部領域
1b……ベース配線基材面のメッシュ状パターン
２……層間絶縁体層
３……配線パターン層
４……層間接続部
５……絶縁体層
６，６′……銅箔（導体層）
７，９……レジストパターン（レジストパターニング）
7a……開口
８……銅メッキ層
10……配線基板
【図１】
0003894640.tif 000002
【図２】
0003894640.tif 000003
【図３】
0003894640.tif 000004
【図４】
0003894640.tif 000005