(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流駆動型の発光素子を用いたパネルサイズが２インチから５インチの表示装置であって、
前記発光素子に電流を供給するための配線として、
絶縁性基板上に、膜厚が２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下のモリブデンからなる第１の導電層と、膜厚が３００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下のアルミニウム合金からなる第２の導電層と、膜厚が２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下のモリブデンからなる第３の導電層と、がこの順で積層され、
前記第２の導電層のアルミニウム合金には、ネオジウムが３．５ａｔｏｍｉｃ％以上、５．０ａｔｏｍｉｃ％以下含まれることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第２の導電層に不純物として含有される鉄の重量換算濃度を５０ｐｐｍ以上、２００ｐｐｍ以下としたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２の導電層に不純物として含まれる酸素、窒素、および炭素の元素濃度をそれぞれ１×１０２０ｃｍ−３以下、５×１０１９ｃｍ−３以下、および１×１０１９ｃｍ−３以下とすることを特徴とする請求項１、又は２のいずれかに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、現在広く普及している液晶表示装置にかわる表示装置として期待されており、実用化開発が進んでいる。特に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor;以下単に「ＴＦＴ」と略す）をスイッチング素子として備えるアクティブマトリックス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に「有機ＥＬ表示装置」とも言う）は次世代平面表示装置の主役として考えられている。
【０００３】
図７に示すように、有機ＥＬ表示装置は、絶縁性基板１０上の表示領域２００に表示画素がマトリックス状に配置される。さらに、詳細は実施の形態で後述するが、各表示画素は陽極、有機材料および陰極を順に積層した有機ＥＬ素子およびそれを駆動するＴＦＴを備える。また、その表示領域２００の周辺には、走査信号を出力する走査ドライバ２１０、各表示画素に設定すべき輝度データを出力する輝度データドライバ２２０が備えられる。また、有機ＥＬ素子に供給する各信号は周辺の一端に設けた第１端子１００と第２端子１００ａから入力される。
【０００４】
そのような表示装置の表示画素に対する信号の入力に利用される配線構造が、特開２００１−２８２１３６号公報に開示されている。図８は、その配線構造の一例を示している。特に図８（ａ）は、図７において、Ａ−Ａ線に沿った断面図であり、陰極への電圧を供給する端子領域近傍の断面図である。
【０００５】
同図に示すように、絶縁性基板１０上にアルミニウムからなる第１端子１００、第２端子１００ａが形成される。なお、第１端子１００は陰極６７に電圧を供給する。また、第２端子１００ａは、陰極６７以外への信号入力端子として機能する。
【０００６】
各端子間には層間絶縁膜１５が配置されており、アルミニウムからなる各端子上にはＩＴＯ膜６１ａが積層される。このＩＴＯ膜６１ａは有機ＥＬ素子の陽極の形成と同時に設けられる。さらにその上に、陰極材料を積層して陰極６７と接続される。
【０００７】
ここで、ＩＴＯ膜６１ａは、有機ＥＬ素子の陽極を表示画素ごとに島状にエッチングする際に、アルミニウムからなる端子をエッチングしてしまうことを防止するために形成される。このＩＴＯ膜６１ａによって第１端子１００、第２端子１００ａがエッチングされることがない。
【０００８】
また、図８（ｂ）に示す構造は、図８（ａ）に示した配線構造において、特にＩＴＯ膜６１ａと端子１００との間に、高融点金属７０を設けることにより、接触抵抗を低減した構造である。この構造は第１端子１００を形成後、スパッタ法等を用いて、第１端子１００上に高融点金属７０が積層される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機ＥＬ表示装置の光学素子は電流駆動型であり、液晶表示装置のような光学素子が電圧駆動型である表示装置と比べ、その配線に対してより高い信頼性が求められる。
【００１０】
従来例の図８（ｂ）で示した構造により接触抵抗の低減が実現されているが、依然としてエレクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレーション耐性に優れた材料および配線構造に対する要求が残っている。
【００１１】
本発明は、こうした状況に鑑みなされたものであり、その目的は上述の二つのマイグレーション耐性に優れた配線構造を持つ表示装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明のある態様は、電流駆動型の発光素子を用いたパネルサイズが２インチから５インチの表示装置に関する。この表示装置は、絶縁性基板上に、膜厚が２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下のモリブデンからなる第１の導電層と、膜厚が３００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下のアルミニウム合金からなる第２の導電層と、膜厚が２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下のモリブデンからなる第３の導電層と、がこの順で積層された多層構造の配線を備える。
【００１３】
つまり、アルミニウム合金を高融点金属であるモリブデンで挟み、配線を多層構造とすることで、アルミニウム合金のマイグレーション耐性の向上が得られ、アルミニウム合金への拡散が少ない。
【００１４】
通常、電流は高融点金属の層と比べ抵抗値の低い第２の導電層であるアルミニウム合金を流れ、その際熱が発生するので、この熱を逃がすことが望まれる。一般に、絶縁性基板は熱伝導が小さいので、第１の導電層には放熱効果が期待できる高融点金属を用いる。これにより、第２の導電層における熱応力に起因するストレスマイグレーション発生の抑制が可能となる。一方、第３の導電層は、第２の導電層の保護膜としての機能と、ＩＴＯなどの端子との接触抵抗を抑える機能を持つ。
【００１５】
ここで、配線として各表示画素に設定すべき輝度データが印加されるデータ信号線や、輝度データを書き込むタイミング信号が印加される走査線や、各画素が備える光学素子に電源を供給する駆動電源線が例示できるが、これに限る趣旨ではない。また、絶縁性基板と第１の導電層、第１の導電層と第２の導電層、および第２の導電層と第３の導電層の間に介在層が存在してもよい。また、ここで、絶縁性基板とは、石英ガラスや無アルカリガラスが例示できるが、これに限る趣旨ではない。
【００１６】
また、６Ａ族に属する金属は、モリブデン単体であってもよいし、モリブデン合金であってもよい。モリブデンは、特に製造工程における加工が容易であるという特徴がある。
【００１７】
一般には、この配線構造は低温ポリシリコンＴＦＴなどを用いたアクティブマトリックス型表示装置の配線構造に用いられる。ただしこれに限る趣旨ではなく、この配線構造はパッシブ型表示装置における線状の陽極や陰極に用いられてよいし、広くＭＩＳ（Metal Insulator Semiconductor）が用いられる表示装置の配線に用いられてもよい。
【００１８】
また、第２の導電層のアルミニウム合金は、ネオジウム元素を含有するアルミニウムネオジウム合金であってもよい。さらにそのネオジウム濃度の含有量は２ａｔｏｍｉｃ％以上であってもよい。アルミニウムにネオジウム元素を含有させることで、エレクトロマイグレーションの発生を抑制できる。従来は、アルミニウム合金の比抵抗の上昇を考慮し、可能な限りネオジウムのような元素の添加を抑える傾向があった。
【００１９】
しかし、有機ＥＬ表示装置のように光学素子が電流駆動型である場合、液晶表示装置のように光学素子が電圧駆動型である表示装置と比べ、配線に対してより高い信頼性が求められる。アルミニウムにネオジウム元素を２％以上含有させることで、エレクトロマイグレーション耐性を向上でき、光学素子が電流駆動型である表示装置に適した配線が得られる。
【００２０】
また、その濃度の上限は特に制限はないが、例えば好ましくは１０ａｔｏｍｉｃ％以下、さらに好ましくは５ａｔｏｍｉｃ％以下であってもよい。この上限は、この配線を利用した表示装置の表示パネルの大きさに依存する。つまり、比抵抗が大きく、さらに適用する表示パネルが大きい場合、配線が長くなり両端の電位差が大きくなり所望の信号が画素に入力できない恐れがある。したがって、大きな表示パネルに当該配線構造を適用する場合、アルミニウム合金に含有されるネオジウム濃度は低く抑える。
【００２１】
また、アルミニウムネオジウム合金からなる第２の導電層に不純物として含まれる鉄の重量換算濃度を５０ｐｐｍ以上、２００ｐｐｍ以下としてもよい。一般には、不純物が含まれると、配線の比抵抗は上昇するが、鉄が上述の濃度範囲で微量に含まれる場合、ピニング効果により比抵抗が減少する。
【００２２】
また、アルミニウムネオジウム合金からなる第２の導電層に含まれる酸素、窒素、および炭素の元素濃度がそれぞれ１×１０２０ｃｍ−３以下、５×１０１９ｃｍ−３以下、１×１０１９ｃｍ−３以下であってもよい。各元素の含有濃度が、高すぎると比抵抗が上昇するので、酸素、窒素および炭素の元素濃度をそれぞれ上述の値に抑えるのがよい。
【００２３】
また、前記配線は、電流駆動型の光学素子に接続されてもよい。上述のとおり、この配線構造は、有機ＥＬ表示装置のように光学素子が電流駆動型である場合に特に有効である。
【００２４】
以上、本発明によれば、絶縁性基板とアルミニウム合金からなる第２の導電層の間に、高融点金属、特にモリブデンを用いた第１の導電層を設けることでストレスマイグレーションの発生を抑制できる。また、第２の導電層の上に高融点金属を設けることで、第２の導電層と外部の端子を接続する際の接触抵抗を抑えることができる。
【００２５】
さらにまた、第２の導電層のアルミニウム合金を、アルミニウム合金とし、含有されるネオジウム元素の濃度を２ａｔｏｍｉｃ％以上とすることで、エレクトロマイグレーションの発生を抑制できる。その際、配線の比抵抗が上昇し熱の発生が多くなる。したがって、上述のようにモリブデン層を絶縁性基板とアルミニウム合金の間に設けることは有効となる。これら特徴を組み合わせることで、特に有機ＥＬ表示装置のように光学素子が電流駆動型である表示装置に有効な配線構造が実現できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
まず最初に有機ＥＬ表示装置の一般的な表示画素の構造について説明する。図２に有機ＥＬ表示装置の一表示画素の平面図を示し、図３（ａ）に図２中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図３（ｂ）に図２中のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。
【００２７】
図２に示すように、表示画素はゲート信号線５１とドレイン信号線５２とに囲まれた領域に形成される。両信号線の左上の交点付近にはスイッチング素子である第１ＴＦＴ３０が備えられる。この第１ＴＦＴ３０のソース電極１３ｓは、後述の保持容量電極５４との間で容量をなす容量電極５５を兼ねるとともに、有機ＥＬ素子６０を駆動する第２ＴＦＴ４０のゲート電極４２に接続される。第２ＴＦＴ４０のソース電極４３ｓは有機ＥＬ素子の陽極６１に接続され、他方のドレイン電極４３ｄは有機ＥＬ素子を駆動する駆動電源に接続された駆動電源線５３に接続される。
【００２８】
また、二つのＴＦＴに挟まれる領域には、ゲート信号線５１と並行に保持容量電極５４が配置される。この保持容量電極５４はクロム等からなり、ゲート絶縁膜を介して第１ＴＦＴ３０のソース電極１３ｓと一体形成された容量電極５５との間で電荷を蓄積して保持容量９０をなす。この保持容量９０は、第２ＴＦＴ４０のゲート電極４２に印加される電圧を保持するために設けられる。
【００２９】
図３（ａ）をもとに第１ＴＦＴ３０について説明する。石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板１０上に、非晶質シリコン膜にレーザを照射して多結晶化した多結晶シリコン膜から成る能動層１３が形成される。この能動層１３にはいわゆるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造が設けられる。即ち、ゲート電極１１の両側に低濃度領域１３ＬＤとその外側に高濃度領域のソース電極１３ｓおよびドレイン電極１３ｄが設けられる。また、ゲート電極１１の真下にあり低濃度領域１３ＬＤに挟まれた領域に、チャンネル１３ｃが設けられる。
【００３０】
能動層１３の上にゲート絶縁膜１２、さらにその上にクロムやモリブデンなどの高融点金属からなり図２に示したゲート信号線５１の一部をなすゲート電極１１が形成される。このとき同時に、保持容量電極５４が形成される。
【００３１】
続いて、ゲート電極１１およびゲート絶縁膜１２上の全面には、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜およびＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５が設けられる。さらに、ドレイン電極１３ｄに対応して設けられたコンタクトホールにアルミニウム等の金属が充填されドレイン信号線５２の一部をなすドレイン電極１６が設けられる。さらに全面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７が設けられる。さらにその上には、絶縁膜６８、第１ホール輸送層６２、第２ホール輸送層６３、電子輸送層６５および陰極６７が積層される。
【００３２】
次に、図３（ｂ）をもとに、有機ＥＬ素子６０の駆動用のＴＦＴである第２ＴＦＴ４０について説明する。絶縁性基板１０上に、第１ＴＦＴ３０の能動層１３の形成と同時に、多結晶シリコン膜から成る能動層４３が形成される。その能動層４３には、ゲート電極４２下方に真性又は実質的に真性であるチャネル４３ｃと、このチャネル４３ｃの両側に、ｐ型不純物のイオンドーピングを施してソース電極４３ｓおよびドレイン電極４３ｄが設けられ、ｐ型チャネルＴＦＴが構成される。その能動層４３の上にゲート絶縁膜１２、およびクロムやモリブデンなどの高融点金属からなるゲート電極４２が設けられる。このゲート電極４２は、第１ＴＦＴ３０のソース電極１３ｓに接続される。
【００３３】
そして、ゲート絶縁膜１２およびゲート電極４２上の全面には、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜およびＳｉＯ２膜の順に積層された層間絶縁膜１５が形成され、ドレイン電極４３ｄに対応して設けられたコンタクトホールにアルミニウム等の金属が充填され駆動電源に接続された駆動電源線５３が配置される。さらに全面に、例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化絶縁膜１７が形成される。その平坦化絶縁膜１７のソース電極４３ｓに対応した位置にコンタクトホールが形成される。そして、このコンタクトホールを介してソース電極４３ｓとコンタクトしたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成る透明電極、即ち有機ＥＬ素子６０の陽極６１が平坦化絶縁膜１７上に設けられる。
【００３４】
有機ＥＬ素子６０は、ＩＴＯ等の透明電極から成る陽極６１、発光素子層６６、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極６７がこの順番で下から積層形成された構造を持つ。また、発光素子層６６は、ＭＴＤＡＴＡ（4,4’,4’’-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine）から成る第１ホール輸送層６２、ＴＰＤ（N,N’-diphenyl-N,N’-di(3-methylphenyl)-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine）からなる第２ホール輸送層６３、キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（bis (10-hydroxybenzo[h]quinolinato) beryllium）から成る発光層６４およびＢｅｂｑ2から成る電子輸送層６５がこの順番で下から積層形成された構造を持つ。
【００３５】
これら第１ホール輸送層６２、第２ホール輸送層６３、電子輸送層６５および陰極６７は、各表示画素に備えた有機ＥＬ素子６０に共通に形成されている。発光層６４は、陽極６１に対応して島状に形成される。また、陽極６１の周辺に絶縁膜６８（点線で示す領域の外側）が形成される。これは、陽極６１の厚みによる段差に起因する発光素子層６６の断ち切れによって生じる陰極６７と陽極６１との短絡を防止するために設けられる。そして、陽極６１上に前述の各層の材料が堆積され第１ホール輸送層６２が形成される。
【００３６】
なお、有機ＥＬ素子６０は、陽極６１から注入されたホールと、陰極６７から注入された電子とが発光層６４の内部で再結合し、発光層６４を形成する有機分子を励起して励起子が生じる。この励起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この光が透明な陽極６１から透明な絶縁性基板を介して外部へ放出されて有機ＥＬ素子６０は発光する。
【００３７】
このように、第１ＴＦＴ３０のソース電極１３ｓから印加された電荷が保持容量９０に蓄積されるとともに第２ＴＦＴ４０のゲート電極４２に印加されてその電圧に応じて有機ＥＬ素子６０は発光する。ところで、有機ＥＬ装置の各信号はその周辺部の一端に配置した端子から供給される。有機ＥＬ素子６０の陰極６７への電圧も端子から入力される。
【００３８】
以上の有機ＥＬ表示装置の表示画素の構造をもとに、本発明の特徴を以下に説明する。本発明の実施の形態において、アクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の各表示画素に含まれるＴＦＴを駆動する信号線や走査線用の配線材料、および有機ＥＬ素子に電力を供給する駆動電源線にアルミニウムネオジウム合金を用いる。また、そのアルミニウムネオジウム合金の上下をモリブデン金属で挟む多層構造にする。
【００３９】
図１は、上述の多層構造を持つ配線の断面図である。これは、特に図８（ｂ）に示した断面構造において、高融点金属７０をとくにモリブデンとし、さらに
絶縁性基板１０とアルミニウムからなる第１端子１００の間に高融点金属であるモリブデンによる層を設けた。
【００４０】
ガラスからなる絶縁性基板１０の上に、下からモリブデンの膜からなる第１モリブデン層７２、アルミニウムネオジウム合金の膜からなるアルミニウム導電層７６、モリブデンの膜からなる第２モリブデン層７４が積層される。
【００４１】
エレクトロマイグレーションの観点では、アルミニウムにネオジウムを添加することで、比抵抗は上昇するがエレクトロマイグレーションに対する信頼性は向上する。また、ストレスマイグレーションの観点では、ガラスからなる絶縁性基板１０上に第１モリブデン層７２を設けることで、これに放熱機能を持たせることができ、熱応力に起因するストレスマイグレーションに対する信頼性を向上できる。
【００４２】
以下に、上述の３層の好ましい膜厚を以下に例示する。
第１モリブデン層７２：      ２０〜  ２００ｎｍ
アルミニウム導電層７６：  ３００〜１０００ｎｍ
第２モリブデン層７４：      ２０〜  ２００ｎｍ
である。各層の膜厚を、上記に示す範囲にすることで、配線はストレスマイグレーション耐性に優れた構造となる。
【００４３】
図４は、アルミニウム導電層７６に含まれるネオジウム濃度と比抵抗の関係の測定結果を示した特性図である。試験条件として、アルミニウム導電層７６を膜厚２００ｎｍの単層配線とし、アルミニウムに含まれるネオジウムの濃度を、０、１．３、２．０、３．５、５．０ａｔｏｍｉｃ％の５種類とした。図４の特性図に示したグラフの横軸は、アルミニウム中に含まれるネオジウム濃度を示しており、縦軸は配線の比抵抗を示している。この濃度は、２次イオン質量分析法により測定した。
【００４４】
ネオジウムの濃度が、０、１．３、２．０、３．５、５．０ａｔｏｍｉｃ％の場合、比抵抗はそれぞれ、９．６、１３．５、２１．５、３１．４μΩ・ｃｍとなり、ネオジウムの濃度が１．３ａｔｏｍｉｃ％以上で線形的になり、２．０ａｔｏｍｉｃ％以上でより線形的に上昇する。
【００４５】
ここで、測定に用いた配線のエレクトロマイグレーションに関する検証をする。ネオジウムの濃度が１．３ａｔｏｍｉｃ％未満の場合、この配線の信頼性が欠けてしまうが、２．０ａｔｏｍｉｃ％以上であれば信頼性が十分に得られるという結果が得られた。したがって、アルミニウム中に含まれるネオジウムの濃度の下限は、好ましくは１．３ａｔｏｍｉｃ％以上、より好ましくは２．０ａｔｏｍｉｃ％以上とする。
【００４６】
一方、ネオジウムの濃度の上限については配線の比抵抗の上昇に関する制限が加わる。比抵抗が大きい場合、配線を長くすると、その配線の両端の電位差が大きくなり、これが原因となって表示画面全体で均一の輝度が得られない恐れがある。また、配線間の寄生容量と抵抗値の積が表示画像の画質やコントラスト比に悪影響を与える。この観点からも、比抵抗は小さい方が好ましい。
【００４７】
したがって、配線の比抵抗の上限を抑える観点から、表示装置のパネルサイズで許容されるネオジウム濃度の上限が決定する。実際の製造を考慮すると、パネルサイズが２から５インチであれば比抵抗が３０μΩ・ｃｍ程度、つまりネオジウム濃度は５．０ａｔｏｍｉｃ％程度まで許容される。他方、パネルサイズが１５インチと大きい場合、比抵抗は１５μΩ・ｃｍ、つまりネオジウム濃度は２．５ａｔｏｍｉｃ％以下にする。
【００４８】
図５は、配線中に含まれる不純物の濃度と配線抵抗の抵抗変化率の関係を示した特性図である。ここで示す関係により、不純物として許容される単位体積当たりに含まれる酸素、窒素、炭素原子数の含有量を規定する。これら不純物は一般に配線の積層工程中に混入する。ここでは、通電する前の初期状態の抵抗値を基準抵抗値Ｒ０とした。
【００４９】
特性図に示したグラフの横軸は、不純物の濃度を自然対数で表示したものであり、縦軸は配線の抵抗変化率を示したものである。図１に示した第１モリブデン層７２、アルミニウム導電層７６、第２モリブデン層７４の各膜厚を２００ｎｍとし、配線の幅は５μｍとした。また、アルミニウム導電層７６のネオジウム濃度は２．０ａｔｏｍｉｃ％とした。また、測定条件は、加速条件として温度を８０℃、通電した電流を１００ｍＡ、通電時間を２０時間とした。この濃度は、２次イオン質量分析法により測定した。
【００５０】
酸素、窒素、および炭素原子の濃度がそれぞれ、１×１０２０、５×１０１９、１×１０１９ａｔｏｍｉｃ％近辺から配線の抵抗変化率が上昇した。したがって、それぞれの元素の不純物としての濃度は、上記の値を上限とすることが適当となる。
【００５１】
図６は、図５に示したものと同様に、配線膜中に含まれる鉄の濃度と配線抵抗の抵抗変化率の関係を示した特性図である。ただし、上述の酸素、窒素、炭素原子の濃度はそれぞれ１×１０１９ａｔｏｍｉｃ％以下とした。鉄の濃度が５０から２００ｐｐｍの間で抵抗値は最小値を示しており、この抵抗値を基準抵抗値Ｒ０１とし、各濃度における抵抗値Ｒとの比である抵抗変化Ｒ／Ｒ０１を求めた。濃度が低い５ｐｐｍでは抵抗変化は１．２と抵抗値が２０％上昇し、逆に濃度が高い２６０ｐｐｍでも抵抗変化は１．３と抵抗値が３０％上昇した。したがって、鉄の不純物としての濃度は５０ｐｐｍ以上、かつ２００ｐｐｍ以下の範囲とすることが好ましい。この濃度も、２次イオン質量分析法により測定した。
【００５２】
以上、実施の形態によれば、アルミニウムネオジウム合金をモリブデン合金で挟む多層構造にし、アルミニウムネオジウム合金に含まれる不純物濃度を適当に設定することで信頼性の高い配線が実現される。また、この配線構造を用いることで高速動画に適した有機ＥＬ表示装置が実現可能となる。
【００５３】
以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それら各構成要素の組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲であることは当業者に理解されるところである。
【００５４】
実施の形態では、図１に示したように、本発明の配線構造は第１端子１００のみに適用されたが、第２端子１００ａにも適用されてもよい。
【００５５】
【発明の効果】
本発明によれば、配線の構造を多層化することでマイグレーション耐性に優れた配線を持つ表示装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本実施の形態に係る配線構造を模式的に示した断面図である。
【図２】  アクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の一表示画素の平面図である。
【図３】  アクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の一表示画素の断面図である。
【図４】  アルミニウム配線中のネオジウム濃度と配線の比抵抗の関係を示した特性図である。
【図５】  アルミニウム配線中に不純物として存在する酸素、窒素、および炭素原子の濃度と配線の抵抗変化率の関係を示した特性図である。
【図６】  アルミニウム配線中に不純物として存在する鉄の濃度と配線の比抵抗の関係を示した特性図である。
【図７】  アクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の平面図を示した図である。
【図８】  アクティブマトリックス型有機ＥＬ表示装置の入力端子の断面図である。
【符号の説明】
１０  絶縁性基板、  ３０  第１ＴＦＴ、  ４０  第２ＴＦＴ、  ５１  ゲート信号線、  ５２  ドレイン信号線、  ５３  駆動電源線、  ６０  有機ＥＬ素子、  ６１  陽極、  ６４  発光層、  ６６  発光素子層、  ７２  第１モリブデン層、  ７４  第２モリブデン層、  ７６  アルミニウム導電層。
【図１】
0003953330.tif 000002
【図２】
0003953330.tif 000003
【図３】
0003953330.tif 000004
【図４】
0003953330.tif 000005
【図５】
0003953330.tif 000006
【図６】
0003953330.tif 000007
【図７】
0003953330.tif 000008
【図８】
0003953330.tif 000009