(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶シリコン層を有する基板を基板保持部に載置する工程と，
前記基板保持部に対して枠体を相対的に移動させ，前記基板保持部と前記枠体の間に前記基板を挟持させることで，前記基板を底面とし，前記枠体を側面とする処理液槽を形成する工程と，
前記処理液槽内に陽極化成用の処理液を供給し，かつ前記多結晶シリコン層への電圧印加および光照射を同時に行うことで，この多結晶シリコン層に複数のポーラスを形成する工程と，
前記処理液槽内から前記陽極化成用の処理液を排出する工程と，
突起を有する蓋体を前記枠体に対し相対的に移動することで，前記処理槽上に前記蓋体を接続し，かつ前記基板と前記突起との間に第１の間隙を形成する工程と，
前記第１の間隙内に親水処理用の液体を供給することで，前記多結晶シリコン層表面を親水化する工程と，
前記枠体から前記蓋体を離間する工程と，
前記処理液槽内に陽極酸化用の処理液を供給し，前記多結晶シリコン層に電圧を印加することで，前記ポーラスが形成された多結晶シリコン層上に酸化層を形成する工程と，
前記処理液槽内から前記陽極酸化用の処理液を排出する工程と，
突起を有する蓋体を前記枠体に対し相対的に移動することで，前記処理槽上に前記蓋体を接続し，かつ前記基板と前記突起との間に第２の間隙を形成する工程と，
前記第２の間隙内に洗浄液を供給して，前記酸化層が形成された基板を洗浄する工程と，
前記第２の間隙内に気体を供給して，前記洗浄された基板を乾燥する工程と，
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記基板を洗浄する工程が，前記洗浄液に超音波振動を印加する工程を有することを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記気体が室温より高温であることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記親水処理用の液体がアルコールであることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板の処理を行う基板処理装置、および基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
多結晶シリコン層が形成された半導体基板等の基板に、陽極化成処理等の液処理を施すことがある。
電極を接続した基板を処理液に浸漬し、通電することで、基板の一部に対する液処理が行われる。
この液処理を施した基板を純水やアルコール等の洗浄液に浸漬して洗浄し、次工程の処理が行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来は洗浄液への浸漬、放置を繰り返し行うことで洗浄を行っていたことから、洗浄に時間を要していた。即ち、放置を所定時間例えば数分以上行わないと洗浄が進まず、しかもこれを複数回行うことを要していた。
以上に鑑み本発明は、液処理およびその後の洗浄等の流体による処理の双方を効率よく行える基板処理装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
（１）上記目的を達成するために、本発明に係る基板処理装置は、基板を処理する処理液を蓄積するための処理液槽の側部を構成する枠体と、前記枠体と接続して前記処理槽の底部を構成する基板を保持する基板保持体と、前記処理液を前記処理液槽内に供給する処理液供給手段と、前記処理液を前記処理液槽内から排出する処理液排出手段と、前記枠体と着脱可能に接続し、前記基板との間に流体通路を形成する第１の蓋体と、前記流体通路内に流体を供給する流体供給手段と、を具備することを特徴とする。
液処理後の基板を基板保持体に保持したまま、流体による処理を行える。また、処理液槽に第１の蓋体を接続して基板との間に流体通路を形成して流体を供給することで、流体による基板の処理を効率よく行える。
【０００５】
ａ．ここで、前記流体供給手段が、複数種類の流体を切りかえて供給可能とすることで、洗浄前に行われた液処理に応じた流体の選択が可能となる。
また、この流体を洗浄液とすることで基板の洗浄を、流体を気体とすることで基板の乾燥を行える。
なお、基板の乾燥には気体が室温より高温であることが好ましい。
【０００６】
ｂ．前記基板と電気的に接続するための第１の電極と、光源と第２の電極とを有する第２の蓋体と、前記第１の蓋体と、前記第２の蓋体とを交換して前記枠体に接続する交換手段と、をさらに具備してもよい。
第１、第２の蓋体を交換することで、基板を処理液槽から取り出すことなく、洗浄と光電気化学的な液処理の双方を行える。
この交換手段は、処理液槽と第１、第２の蓋体との相対的位置関係を変更するものであり、処理液槽と蓋体のいずれかまたは双方を移動することによって第１、第２の蓋体の交換を行う。
【０００７】
ｃ．前記第１の蓋体が、前記枠体と着脱可能に接続する基体と、該基体に接続され、かつ該基体が該枠体に接続されたときに前記基板との間に間隙を形成する突起部とを有する第１の蓋体とを有してもよい。
処理液槽に第１の蓋体を接続して基板と突起部との間に形成された間隙を流体通路として用い、流体を供給することで、基板上における流体の流速を増加させ、基板をより効率よく処理できる。
【０００８】
ｄ．前記突起部が超音波振動子を有してもよい。
洗浄中の基板に超音波振動子からの超音波を照射することで、より効率よい処理が可能となる。
ｅ．前記突起部の底面と前記基板の被処理面とが略平行であってもよい。
略平行な２面によって間隙を形成することで、基板への処理の均一性の確保が可能となる。
ｆ．前記突起部が、前記基板の被処理面に略平行な面内で移動可能であってもよい。
突起部を基板の面積に応じて大型化することなく、効率よい処理が可能となり、特に基板が大面積の場合に有効である。
【０００９】
ｇ．前記流体通路内から流体を排出する流体排出手段をさらに具備してもよい。
流体の供給、排出を同時に行うことで、効率よい処理が容易になる。
このとき、前記流体供給手段および前記流体排出手段が、前記突起部を挟んで互いに対向してもよい。突起部全体を利用した処理が可能となる。例えば、突起部の底面と基板とで間隙が形成されているときに、この間隙全体への流体の流れの形成が可能となり、基板の広範囲に渡っての処理が可能となる。
また、前記流体供給手段、前記流体排出手段の少なくともいずれかが、前記突起部に設置されていてもよい。例えば、突起部の底面に洗浄液の流入口、流出口のいずれかを形成し、これに対応する流出口、流入口を突起部以外の例えば蓋体、枠体に形成することで、基板を広範囲に渡って洗浄できる。
さらに、突起部の底面に流体の流入口、流出口の双方を形成してもよい。このようにすると、比較的近接した流入口と流出口の間に流体を集中させ、より強力な処理が行えるようになる。なお、突起部の移動との併用によって、強力な処理をより広範囲に行うこともできる。
【００１０】
ｈ．前記第１の蓋体と前記枠体との間を封止する処理液槽封止手段をさらに具備してもよい。
蓋体と前記枠体からの洗浄液の漏れを防止し、洗浄力の向上に寄与することができる。
【００１１】
（２）本発明に係る基板処理方法は、処理槽内で基板を処理する処理工程と、前記処理槽上に蓋体を接続し、前記処理工程で処理された基板との間に流体通路を形成する流体通路形成工程と、前記流体通路形成工程で形成された流体通路内に流体を供給する流体供給工程と、を具備することを特徴とする。
処理後の基板を処理槽内から移動することなく、流体による処理を行える。また、蓋体と処理された基板との間に流体通路を形成し流体を供給することで、流体による基板の処理を効率よく行える。
【００１２】
ａ．ここで、この流体を洗浄液とすることで基板の洗浄を、流体を気体とすることで基板の乾燥を行える。
なお、前記洗浄液供給工程が、前記洗浄液に超音波振動を印加する工程を有することで、洗浄効率の向上が可能となる。また、基板の乾燥には気体が室温より高温であることが好ましい。
【００１３】
ｂ．本前記処理工程が、基板保持体に基板を載置する載置工程と、前記載置工程で前記基板が載置された前記基板に前記枠体を接続して処理液槽を構成する処理液槽構成工程と、前記処理液槽構成工程で構成された前記処理液槽内に処理液を供給して前記基板を液処理する液処理工程と、前記液処理工程で処理液が供給された前記処理液槽内から前記処理液を排出する処理液排出工程とを有してもよい。
基板保持体に基板を載置したままで液処理を行える。
【００１４】
ｃ．前記液処理工程が、前記基板への電圧印加および光照射を同時に行う工程を有してもよい。
光電気化学的な液処理後の洗浄を効率よく行える。
【００１５】
ｄ．前記流体通路形成工程が、前記処理工程で基板を処理した前記処理液槽内に突起を挿入し、前記基板と該突起との間に間隙を形成する間隙形成工程、を有することを特徴とする。
基板と突起部との間に形成された間隙を流体通路として流体を供給することで、基板を効率よく処理できる。しかも基板を処理液槽から取り出すことなく、液処理と効率よい洗浄の双方を実現できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明の１実施形態に係る基板処理装置１０を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１０の構成を表す側面図である。
台座２０上に基板保持体たる処理液槽底部３０が、処理液槽底部３０の上方に枠体たる処理液槽側部４０が設置されている。処理液槽側部４０は、台座２０から処理液槽底部３０を貫通して突き出た支柱２１によって保持されている。支柱２１は、台座２０内に設置されたエアシリンダー２２によって上下に伸縮する。支柱２１の伸縮によって、処理液槽側部４０は処理液槽底部３０と接続、あるいは離間できる。処理液槽側部４０が処理液槽底部３０と接続することで、処理液を蓄積する処理液槽５０が形成される。
処理液槽側部４０の上方に第１の蓋体たる洗浄用処理液槽蓋部６０と第２の蓋体たる液処理用処理液槽蓋部７０が設置される。洗浄用処理液槽蓋部６０と液処理用処理液槽蓋部７０は、移動機構８０に接続された支持棒８１，８２それぞれによって上方から吊り下げられている。
移動機構８０および支持棒８１，８２によって、洗浄用処理液槽蓋部６０と液処理用処理液槽蓋部７０のは、上下および平面的に移動される。この結果、洗浄用処理液槽蓋部６０と液処理用処理液槽蓋部７０のいずれかを自由に選択して、処理液槽５０の上面を覆うことが可能となる。即ち、移動機構８０は、洗浄用処理液槽蓋部６０と液処理用処理液槽蓋部７０との交換を行う交換手段として機能する。
【００１７】
（基板処理装置１０の構成の詳細）
図２〜５は、処理液槽底部３０、処理液槽側部４０、洗浄用処理液槽蓋部６０、および液処理用処理液槽蓋部７０それぞれの詳細を表す一部断面図である。また、図６は洗浄用処理液槽蓋部６０を処理液槽５０に設置した状態を表す一部断面図であり、図７は図６に示す線分Ａ−Ｂで処理液槽５０および洗浄用処理液槽蓋部６０を切断し処理液槽５０の上方から見た状態を表す断面図である。なお、図２，３において、支柱２１およびエアシリンダー２２は、見やすさのために記載を省略している。以下の図においても同様に、支柱２１およびエアシリンダー２２の記載を省略することとする。
既に述べたように、処理液槽底部３０と処理液槽側部４０とは、全体として液処理用の処理液（薬液）Ｌを蓄える処理液槽（薬液槽部）５０を構成する。
これら処理液槽底部３０、処理液槽側部４０、洗浄用処理液槽蓋部６０、および液処理用処理液槽蓋部７０の処理液あるいはそのミストが接触する表面は、処理液Ｌに侵されない耐食性の樹脂等から構成される。
基板処理装置１０は、複数の液処理、例えば陽極化成処理と陽極酸化処理を基板に対して行うことができる。
陽極化成処理用の処理液Ｌ１として還元剤例えば弗化水素と、界面活性剤例えばエチルアルコールと水との混合溶液を用い、陽極酸化処理用の処理液Ｌ２として酸化剤例えば硫酸水溶液を用いることができる。
【００１８】
（処理液槽底部３０の詳細構成）
処理液槽底部３０には基板たるガラス基板Ｇが保持される。即ち、処理液槽底部３０は、基板を保持する基板保持体として機能する。ガラス基板Ｇは、処理液槽底部３０上に保持され、処理液槽側部４０底面の開口部（後述する下方開口部４３）を通じて、その上面が処理液Ｌに接触する。
多結晶シリコン層が形成されたガラス基板Ｇを基板として用いた場合には必要に応じて、ガラス基板Ｇと多結晶シリコン層との間に通電のために電気の導体層が挟みこまれている。また、この導体層に電気的に接続された電極（基板側電極Ｅｇ）が基板の表面に露出される。
基板として、多結晶シリコン層が形成されたガラス基板Ｇ以外にも、多結晶シリコン層が形成されたシリコン、ＧａＡｓ等の半導体基板を用いることができる。
【００１９】
処理液槽底部３０上には、ガラス基板Ｇを持ち上げ、また持ち上げたガラス基板を降ろすための基板昇降機構３１が設置されている。この基板昇降機構３１は、ガラス基板Ｇを直接支持する基板支持部３２と基板支持部３２を上下に移動させる移動機構３３から構成される。
【００２０】
基板昇降機構３１は、例えばガラス基板Ｇの４隅と中央の５カ所に設置される。ガラス基板Ｇの隅、あるいは辺以外の例えば中央に対応して配置された基板支持部３２は、ガラス基板Ｇの底面の形状に対応した略平板形状をしている。これに対して、ガラス基板Ｇの辺あるいは隅に対応して配置された基板支持部３２は、その形状がガラス基板Ｇの辺あるいは隅の形状に対応している。
移動機構３３には、例えば圧縮空気によって駆動されるエアシリンダーを用いることができる。また、移動機構３３は電気で駆動される電動モータを用いても差し支えない。
【００２１】
処理液槽底部３０には、ガラス基板Ｇを固定する固定手段たる吸着機構３４が設置されている。吸着機構３４は、処理液槽底部３０に形成された孔でありこの孔から真空吸引を行うことで、ガラス基板Ｇを処理液槽底部３０に吸引し、固定できる。
処理液槽底部３０は、さらに図示しないガラス基板Ｇの温度を調節する温度調節手段を備えている。この温度調節手段は、恒温の液体を用いた熱交換器、あるいはペルチェ素子等から構成できる。
【００２２】
（処理液槽側部４０の詳細構成）
処理液槽側部４０は、処理液槽５０の内面の一部を構成する斜面４１、その上下に上方開口部４２，下方開口部４３を有する。この斜面４１は、処理液槽側部４０の上方開口部４２から下方開口部４３に向かって、４方向から傾斜している。即ち、斜面４１によって、上方開口部４２と下方開口部４３のそれぞれ上底、下底とする４角錐台の空間が形成される。
処理液槽側部４０の底面には、処理液槽側部４０とガラス基板Ｇとの間から処理液Ｌが漏洩するのを防止する基板封止手段たるシール用リング４４が設けられている。シール用リング４４は、断面が円形あるいは楕円形のＯリングであり、処理液槽側部４０の底面の内周およびガラス基板Ｇの周辺に沿って設けられ、ガラス基板Ｇの周縁を処理液から保護する。
このシール用リング４４は、耐薬品性のゴム等で形成され、処理液槽底部３０（ガラス基板Ｇ）によって押圧される。
【００２３】
処理液槽側部４０の底面には、シール用リング４４よりもやや外周寄りにガラス基板Ｇと電気的導通を行うための導通用電極４５が形成されている。導通用電極４５は、ガラス基板Ｇの基板側電極Ｅｇと対応して配置される。ここで、シール用リング４４が導通用電極４５より処理液槽５０の内部寄りに設置されていることから、導通用電極４５は処理液Ｌから保護される。
導通用電極４５は、処理液槽５０の外周側で処理液槽側部４０に固定され、処理液槽５０の内周側が移動可能ないわゆる片持ち梁となっている。導通用電極４５は、弾性と電気伝導性の双方を有する材料、例えば金属から構成される。
【００２４】
処理液槽側部４０には、処理液供給・排出用ポート４６、ミストトラップポート４７が設置さている。
処理液供給・排出用ポート４６は、処理液槽側部４０の底面近くに設けられ、処理液を処理液槽５０内に供給あるいは排出する。処理液供給・排出用ポート４６には、図示しない陽極化成処理用溶液、陽極酸化処理用溶液、および処理液槽５０内洗浄用の純水（イオン交換水）のそれぞれを満たしたタンクが接続されている。また、処理液供給・排出用ポート４６にはさらに処理液槽５０内の液体を吸引するためのポンプが接続されている。
処理液供給・排出用ポート４６は、ポンプとこれら３つのタンクとをバルブで切り替えることで、処理液槽５０内への３種類の液体の供給、処理液槽５０内の液体の排出のそれぞれを行うことができる。
処理液供給・排出用ポート４６が、複数備えられていることから、処理液槽５０への処理液Ｌの供給および排出が速やかに行われる。
【００２５】
ミストトラップポート４７は、処理液槽側部４０の上面近くに設けられ、処理液Ｌのミスト（霧）を捕獲し、処理液Ｌのミストが処理液槽５０の外部に飛散するのを防止する。ミストトラップポート４７には、ミスト捕獲用フィルターを用いて処理液Ｌのミスト（液体成分）を捕獲し（気液分離）、気体成分のみを排気することができる。
【００２６】
（洗浄用処理液槽蓋部６０の詳細構成）
洗浄用処理液槽蓋部６０は、基体６１，突起部６２，超音波振動子６３，処理液槽封止手段たる封止部材６４，洗浄液流入出管６５（洗浄液流入管６５ａ、洗浄液流出管６５ｂ）から構成される。
基体６１は、略長方形の平板からなる。突起部６２は、基体６１と一体に構成され、超音波振動子６３を内蔵する。突起部６２は、斜面４１およびガラス基板Ｇ（処理液槽底部３０の上面）のそれぞれに対応した形状の側面６６および底面６７を有する。その結果、処理液槽側部４０に洗浄用処理液槽蓋部６０を接続したときに、斜面４１と側面６６およびガラス基板Ｇと底面６７それぞれとの間に間隙（隙間）６８，６９が形成される。この間隙６８、６９は、後述するように流体の通路として機能する。超音波振動子６３は、底面６７（ひいてはガラス基板Ｇ）と振動面が平行になるように対向している。
【００２７】
封止部材６４は、基体６１の外周に沿って設けられ、外周と内周の双方が略長方形の平板リング形状である。洗浄液流入出管６５は、基体６１の対向する２辺に設置され、封止部材６４の外周と内周との間を貫通し、突起部６２を隔てて互いの開口部が対向する。間隙６８は、洗浄液流入管６５ａ、洗浄液流出管６５ｂのそれぞれに対応する間隙６８ａ、６８ｂに区分できる。なお、基体６１の４辺のうち洗浄液流入出管６５が設置されていない２面には、間隙６８が形成されず、斜面４１と側面６６が互いに接触している。
【００２８】
洗浄液は、洗浄液流入管６５ａから間隙６８ａに流入し、間隙６９を経由して間隙６８ｂに流入し、洗浄液流出管６５ｂから流出する。間隙６９ではガラス基板Ｇが下方開口部４３から露出しており、この露出したガラス基板Ｇ上を洗浄液が通過することで洗浄が行われる。間隙６９が形成されていることから洗浄液はガラス基板Ｇ上を高速で通過し、ガラス基板Ｇが速やかに洗浄される。この洗浄に際して超音波振動子６３からガラス基板Ｇに超音波を照射することで、より洗浄が速やかに行われる。
【００２９】
（液処理用処理液槽蓋部７０の詳細構成）
液処理用処理液槽蓋部７０には、カソード電極７１、ハロゲンランプ７２，アスピレーター７３が設置されている。
ハロゲンランプ７２は、５００〜１０００Ｗ程度の出力を有し、処理液槽底部３０に保持されたガラス基板Ｇの上面に４５０〜８００ｎｍ程度の波長域の光を照射する。この光の照射は、後述するようにガラス基板Ｇ上の多結晶シリコン層を陽極化成処理する際のポーラスシリコンの形成を促進する。
【００３０】
カソード電極７１は、ハロゲンランプ７２と処理液槽底部３０との間にあり、ハロゲンランプ７２からの光を遮らないように透光性を有する。
ここでいう透光性とは、カソード電極７１自体が透光性の材料から構成されることに限らず、カソード電極７１に開口部を設けたり、線状のカソード材料からカソード電極７１を構成したりすることをも意味する。このときには、カソード電極７１の材料として透光性のない白金を用いることができる。
【００３１】
導通用電極４５とカソード電極７１は、図示しない電源に接続されている。処理液槽５０に処理液Ｌを満たし、導通用電極４５を通じてガラス基板Ｇ上の多結晶シリコン層に電気を印加することで、陽極化成処理あるいは陽極酸化処理が行われる。
アスピレーター７３は、処理液槽５０の底面たる処理液槽底部３０に対して昇降可能なパイプから構成され、処理液供給・排出用ポート４６では排出しきれない処理液Ｌを処理液槽５０内から排出する。
【００３２】
（液処理工程の詳細）
図８は、基板処理装置１０を用いてガラス基板Ｇ上に形成された多結晶シリコン層に対して陽極化成処理、陽極酸化処理を連続的に行う場合の手順を表すフロー図である。また、図９から１８は、図８に表した各工程における基板処理装置１０の状態を表した一部断面図である。以下、図９〜１８を用いてこの手順を詳細に説明する。なお、既に述べたように、支柱２１およびエアシリンダー２２はその記載を省略している。
（１）基板処理装置１０が、ガラス基板Ｇを処理液槽底部３０上に載置するための待機状態となる（ステップ１０１及び図９）。
この待機状態において、処理液槽側部４０は支柱２１によって上昇され、処理液槽底部３０とは分離されている。また、基板支持部３２は移動機構３３によって上昇され、ガラス基板Ｇを載置すべく待ち受ける。
【００３３】
（２）処理液槽底部３０上にガラス基板Ｇが載置される（ステップ１０２および図１０）。
具体的には、基板支持部３２上にガラス基板Ｇが載置される。この載置は、図示しない基板搬送機構によって行われ、ガラス基板Ｇの被処理面（多結晶シリコンの形成面）が上面になるように載置される。
【００３４】
（３）ガラス基板Ｇを処理液槽底部３０上に保持、固定する（ステップ１０３および図１１）。
ガラス基板Ｇの処理液槽底部３０に対する固定は、次の２行程によって行われる。
▲１▼基板支持部３２が移動機構３３により降下してガラス基板Ｇの下面を処理液槽底部３０の上面に直接接触させる。
▲２▼ガラス基板Ｇを吸着機構３４により真空吸引して、ガラス基板Ｇを処理液槽底部３０上に固定する。
【００３５】
（４）処理液槽側部４０を支柱２１によって降下させ処理液槽底部３０に接続することで、ガラス基板Ｇによりシール用リング４４を押しつぶす。この結果、シール用リング４４とガラス基板Ｇの間における処理液の漏洩を防止するための封止が形成され、導通用電極４５と基板側電極Ｅｇが接触する（ステップ１０４および図１２）。
【００３６】
（５）液処理用処理液槽蓋部７０が降下し、処理液供給・排出用ポート４６により、陽極化成用の溶液（処理液Ｌ１）が処理液槽５０内に導入され、陽極化成処理が行われる（ステップ１０５および図１３）。
シール用リング４４の封止機能により、処理液Ｌ１を導入したときに、処理液槽側部４０と処理液槽底部３０（ガラス基板Ｇ）の間で処理液Ｌ１が漏れ出すことはない。処理液Ｌ１は、その液面が処理液槽５０に対して所定の位置になるように、制御される。この液面の位置制御は、例えば光方式の液面センサによる液面の測定、あるいは定量ポンプを用いた導入液量の制御によって行える。
【００３７】
処理液Ｌ２の導入が終了したら、導通用電極４５とカソード電極７１との間に電圧を印加し、陽極化成処理を行う。この電圧にはパルス成分やＡＣ成分が含まれていても差し支えない。時間平均として、導通用電極４５がプラス、カソード電極７１がマイナスとなるような電圧が印加されていればよい。
【００３８】
この陽極化成処理の結果、多結晶シリコンはその一部が処理液Ｌ１に溶けだし、微細な空洞が多数形成されたいわゆるポーラスシリコンとなる。この陽極化成処理に付随して、ガラス基板Ｇ上の多結晶シリコン層に対してハロゲンランプ７２による光の照射が行われる。この光照射は、多結晶シリコン層内に正孔を形成することで、シリコンの溶出を促進しポーラスシリコンの形成を補助する。なお、多結晶シリコン層がｐ型であるときには多結晶シリコン層内にもともと正孔が存在していることから、必ずしも光の照射は必要とされない。
【００３９】
（６）陽極酸化処理が完了すると処理液Ｌ１が処理液槽５０内から排出され（図１４）、その後、液処理用処理液槽蓋部７０に換え洗浄用処理液槽蓋部６０が処理液槽に設置される（ステップ１０６）。
処理液Ｌ１の排出は処理液供給・排出用ポート４６から行われる。さらに、必要に応じてアスピレーター７３が降下し、処理液Ｌ１を吸引し、ガラス基板Ｇ上に残留する処理液Ｌ１の量の低減が図られる。
液面センサ等により降下した液面の位置、および処理液Ｌ１の残存量の検出が行われ、所定の基準値以下となったときに、移動機構８０によって液処理用処理液槽蓋部７０に換え洗浄用処理液槽蓋部６０が処理液槽５０に設置される。
【００４０】
（７）洗浄液を洗浄液流入管６５ａから流入し洗浄液流出管６５ｂから流出することによって、ガラス基板Ｇ上の陽極化成された多結晶シリコン層の洗浄および親水化処理が行われる（ステップ１０７および図１５）。このとき処理液供給・排出用ポート４６およびミストトラップポート４７の開口部は、弁等により閉じられているものとする。
ステップＳ１０５で陽極化成処理された多結晶シリコン層は微細なポーラスを有する多孔質構造を有する。このため、処理液Ｌ１がポーラス内に入り込み、その除去を困難としている。
ステップ１０７では、ポーラス内の処理液Ｌ１を洗浄液で置換することを速やかに行うことをも目的とする。次に示すように、ガラス基板Ｇ上の陽極化成された多結晶シリコン層上に洗浄液を高速で通過させることで、洗浄を速やかに行っている。
【００４１】
洗浄液は、例えばアルコールを用いることができる。洗浄液は、洗浄液流入管６５ａから間隙６８ａに流入し間隙６９を経由して、間隙６８ｂを通って洗浄液流出管６５ｂから流出する。間隙６９ではガラス基板Ｇ上の陽極化成された多結晶シリコン層が下方開口部４３から露出しており、この露出した陽極化成多結晶シリコン層上を洗浄液が通過することで洗浄が行われる。間隙６９が形成されていることから洗浄液は多結晶シリコン層（ガラス基板Ｇ）上を高速で通過し、陽極化成多結晶シリコンが速やかに洗浄される。
なお、この洗浄中に超音波振動子６３からガラス基板Ｇに超音波を照射することで、より洗浄が速やかに行われる。
アルコールは、陽極化成多結晶シリコン層（ガラス基板Ｇ）を洗浄する洗浄液であると共に、その表面に親水性を付与する界面活性剤でもある。多結晶シリコン層の表面が界面活性剤たるアルコールで濡らされ、親水性になることで、陽極化成の結果生成されたポーラスシリコンの乾燥が防止され、後の陽極酸化処理の均一性が確保される。
【００４２】
ここで、ステップＳ１０７を洗浄工程と親水化工程の２工程に区分しても差し支えない。例えば、洗浄剤として純水（イオン交換水）を用いて洗浄を行い、その後に界面活性剤としてアルコールを用いてもよい。
洗浄工程において、純水を洗浄液流入管６５ａから流入し洗浄液流出管６５ｂから流出することで、洗浄を効率よく行える。この洗浄に際し超音波振動子６３による超音波の照射を併用できる。
親水化工程は、洗浄液流入管６５ａからアルコールを流入し、多結晶シリコン層の表面を濡らすことで行える。これに換えて、洗浄用処理液槽蓋部６０にアスピレーター等を設置し多結晶シリコン層へのアルコールの滴下を行っても差し支えない。
【００４３】
（８）その後、陽極酸化処理が行われる（ステップ１０８および図１６）。
陽極酸化処理に先だって、洗浄用処理液槽蓋部６０に換えて液処理用処理液槽蓋部７０が処理液槽５０上に設置される。さらに処理液供給・排出用ポート４６から陽極酸化処理用溶液（処理液Ｌ２）が所定の液面となるように処理液槽５０内に導入される。その後、導通用電極４５とカソード電極７１間に電圧が印加され、陽極酸化処理が行われる。なお、この電圧はすでにステップＳ１５で述べたように時間平均して、導通用電極４５が陽極、カソード電極７１が陰極となっていればよく、必ずしも完全なＤＣ成分のみとする必要はない。
この陽極酸化処理の結果、陽極化成処理によって形成されたポーラスシリコンの表面に酸化層が形成される。
【００４４】
（９）陽極酸化処理が完了すると処理液Ｌ２が処理液槽５０内から排出され（図１７）、その後、液処理用処理液槽蓋部７０に換え洗浄用処理液槽蓋部６０が処理液槽に設置される（ステップ１０９）。
処理液Ｌ２の排出は処理液供給・排出用ポート４６から行われる。さらに、必要に応じてアスピレーター７３が降下し、処理液Ｌ２を吸引し、ガラス基板Ｇ上に残留する処理液Ｌ１の量の低減が図られる。
液面センサ等により降下した液面の位置、および処理液Ｌ２の残存量の検出が行われ、所定の基準値以下となったときに、液処理用処理液槽蓋部７０に換え洗浄用処理液槽蓋部６０が処理液槽に設置される。
【００４５】
（１０）洗浄液を洗浄液流入管６５ａから流入し洗浄液流出管６５ｂから流出することによって、ガラス基板Ｇ上の陽極化成された多結晶シリコン層が洗浄される（ステップ１１０および図１８）。このとき処理液供給・排出用ポート４６およびミストトラップポート４７の開口部は、弁等により閉じられているものとする。
ステップ１０８で陽極酸化処理された多結晶シリコン層は微細なポーラスを有する多孔質構造を有するため、処理液Ｌ２がポーラス内に入り込んでいる。ステップＳ１１０では、次に示すように、多結晶シリコン層上に洗浄液を高速で通過させることで、ポーラス内の処理液Ｌ２を洗浄液で速やかに置換し、洗浄を促進している。
洗浄液には例えば純水を用いる。純水を洗浄液流入管６５ａから間隙６８ａに流入し、間隙６９を経由して間隙６８ｂに流入し、洗浄液流出管６５ｂから流出することで、洗浄液が陽極酸化された多結晶シリコン層上を通過し、洗浄が行われる。
洗浄液は、間隙６９内、即ち陽極酸化多結晶シリコン層（ガラス基板Ｇ）上を高速で通過し、速やかな洗浄が行われる。この洗浄中に超音波振動子６３からガラス基板Ｇに超音波を照射することで、より洗浄が速やかに行えることは、ステップＳ１０７と同様である。
この洗浄工程は、処理液Ｌ１が処理液Ｌ２に変わったこと、および親水化処理を行わないことがステップＳ１０７と異なる。
【００４６】
（１１）洗浄されたガラス基板Ｇの表面を乾燥する（ステップＳ１１１）。この乾燥は、図１８において洗浄液に換えて窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスを流入、流出することによって行える。流入前に不活性ガスの温度を上げておくことで、より乾燥を効率よく行うことができる。
なお、ガラス基板Ｇ表面の乾燥は、例えばエアーナイフ、スピンドライ等によってガラス基板Ｇ上に残留した洗浄液を吹き飛ばすことによっても行える。
【００４７】
（１２）処理液槽側部４０を上昇することで、シール用リング４４によるガラス基板Ｇの封止および導通用電極４５と基板側電極Ｅｇとの電気的接続を解除する（ステップＳ１１２および図１１）。
その後、吸着機構３４による処理液槽底部３０へのガラス基板Ｇの吸着が停止される。さらに、基板支持部３２が移動機構３３により上昇し、図示しない基板搬送機構によりガラス基板Ｇが基板支持部３２上から取り去られる。
【００４８】
（その他の実施形態）
本発明の実施形態は既述の実施形態には限られず、拡張、変更でき、拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）例えば、上記実施形態の洗浄工程（ステップＳ１０７，Ｓ１１０）において、洗浄液流入管６５ａ、洗浄液流出管６５ｂは、上方開口部４２の近傍に設置されているが、これを他の位置に設置することもできる。
この１例を図１９に示す。図１９において洗浄液は、洗浄液流入管６５ｃを通じて洗浄用処理液槽蓋部９０の底面６７の中央近傍の開口から間隙６９に流入し、洗浄液流出管６５ｄ、６５ｅを通じて流出する。このときも間隙６９内を高速で通過する洗浄液でガラス基板Ｇ（陽極化成多結晶シリコン層ないし陽極酸化多結晶シリコン層）が速やかに洗浄される。
洗浄液の流れはこの逆であっても差し支えない。即ち、洗浄液流出管６５ｄ、６５ｅを洗浄液流入管として、洗浄液流入管６５ｃを洗浄液流出管としてそれぞれ用いて洗浄を行える。また、底面６７の開口は複数であっても差し支えない。
【００４９】
（２）洗浄用処理液槽蓋部６０の一部が平面的に移動可能であってもよい。
例えば、図２０に示す洗浄用処理液槽蓋部１００を移動可能な突起部１０１と突起部１０１を平面的に移動する移動機構を備えた基体１０２から構成する。突起部１０１の内部には、その底面１０３に平行に設置された超音波振動子１０４および底面１０３の対向する２辺の近傍に設置された洗浄液の流入口１０５ａ、流出口１０５ｂが備えられている。
底面１０３がガラス基板Ｇに近接し略平行になるように保持しながら、流入口１０５ａから洗浄液を流入して流出口１０５ｂから流出する。この結果、流入口１０５ａと流出口１０５ｂとの間に高速な洗浄液Ｌｃの流れが形成され、ガラス基板Ｇが洗浄される。そして、底面１０３のガラス基板Ｇへの近接した平行状態を維持しながら、移動機構によって突起部１０１を移動することで、下方開口部４３に露出したガラス基板Ｇ全体の洗浄を行える。
【００５０】
（３）上記実施形態では、洗浄液は上方開口部４２の２辺に対応した２つの開口部から流入、流出しているが、上方開口部４２の４辺全てに開口部を形成して洗浄液の流入、流出を行ってもよい。
また、洗浄液を下方開口部４３に対応した開口部、例えば処理液供給・排出用ポート４６から流入、流出させても差し支えない。
【００５１】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、処理液槽底部に基板たるガラス基板を設置して液処理を行える。そして、ガラス基板を設置したまま、処理液槽蓋部の突起部とガラス基板Ｇとの間に間隙を形成し、この間隙に洗浄液を流入、流出させることで、ガラス基板Ｇの洗浄を効率よく行える。この結果、液処理と洗浄の双方の効率化が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  第１実施形態に係る基板処理装置を表した一部断面図である。
【図２】  図１に示した処理液槽底部の構成の詳細を表す一部断面図である。
【図３】  図１に示した処理液槽側部の構成の詳細を表す一部断面図である。
【図４】  図１に示した洗浄用処理液槽蓋部の構成の詳細を表す一部断面図である。
【図５】  図１に示した液処理用処理液槽蓋部の構成の詳細を表す一部断面図である。
【図６】  洗浄用処理液槽蓋部を処理液槽に設置した状態を表す一部断面図である。
【図７】  処理液槽および洗浄用処理液槽蓋部を切断し処理液槽の上方から見た状態を表す断面図である。。
【図８】  第１実施形態に係る基板処理装置を用いて、陽極化成処理、陽極酸化処理を連続的に行う場合の手順の１例を表すフロー図である。
【図９】  待機状態の第１の実施形態に係る基板処理装置のを表す一部断面図である。
【図１０】  処理液槽底部上にガラス基板Ｇが載置された状態の第１の実施形態に係る基板処理装置のを表す一部断面図である。
【図１１】  処理液槽底部上にガラス基板Ｇを固定した状態の第１の実施形態に係る基板処理装置を表す一部断面図である。
【図１２】  ガラス基板Ｇの封止および電気的導通を行った状態の第１の実施形態に係る基板処理装置を表す一部断面図である。
【図１３】  陽極化成処理を行っている状態の第１の実施形態に係る基板処理装置を表す一部断面図である。
【図１４】  陽極化成処理液の排出を行っている状態の第１の実施形態に係る基板処理装置を表す一部断面図である。
【図１５】  ガラス基板の洗浄および親水化処理を行っている状態の第１の実施形態に係る基板処理装置を表す一部断面図である。
【図１６】  陽極酸化処理を行っている状態の第１の実施形態に係る基板処理装置を表す一部断面図である。
【図１７】  陽極酸化処理液の排出を行っている状態の第１の実施形態に係る基板処理装置を表す一部断面図である。
【図１８】  ガラス基板Ｇの洗浄を行っている状態の第１の実施形態に係る基板処理装置を表す一部断面図である。
【図１９】  洗浄用処理液槽蓋部の変形例を表す一部断面図である。
【図２０】  洗浄用処理液槽蓋部の他の変形例を表す一部断面図である。
【符号の説明】
１０…基板処理装置
２０…台座
２１…支柱
２２…エアシリンダー
３０…処理液槽底部
３１…基板昇降機構
３２…基板支持部
３３…移動機構
３４…吸着機構
４０…処理液槽側部
４１…斜面
４２…上方開口部
４３…下方開口部
４４…シール用リング
４５…導通用電極
４６…処理液供給・排出用ポート
４７…ミストトラップポート
５０…処理液槽
６０…洗浄用処理液槽蓋部
６１…基体
６２…突起部
６３…超音波振動子
６４…封止部材
６５ａ、６５ｃ…洗浄液流入管
６５ｂ、６５ｄ…洗浄液流出管
６６…側面
６７…底面
６８（６８ａ，６８ｂ）、６９…間隙
７０…液処理用処理液槽蓋部
７１…カソード電極
７２…ハロゲンランプ
７３…アスピレーター
８０…移動機構
８１、８２…支持棒
９０…洗浄用処理液槽蓋部
１００…洗浄用処理液槽蓋部
１０１…突起部
１０２…基体
１０３…底面
１０４…超音波振動子
１０５ａ…流入口
１０５ｂ…流出口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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