(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ１）フェノール性水酸基を有するポリヒドロキシスチレン樹脂のフェノール性水酸基の一部もしくは全部を一般式（Ｉ）で示される基で置換した、酸の作用によりアルカリ可溶性となる化合物、及び、
（ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
0003894260.tif 000076
上記一般式（Ｉ）中：
Ｘは、置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。
Ｙは、２価の連結基を表す。
Ｚは、置換されてもよいヘテロ環基（ただし、下記の基を除く）を表す。
【化２】
0003894260.tif 000077
【請求項２】
（ａ２）フェノール性水酸基を有するポリヒドロキシ化合物のフェノール性水酸基の一部もしくは全部を一般式（Ｉ）で示される基で置換した、酸の作用によりアルカリ可溶性となる化合物、
（ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、
（ｃ１）アルカリ可溶性樹脂
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化３】
0003894260.tif 000078
上記一般式（Ｉ）中：
Ｘは、置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。
Ｙは、２価の連結基を表す。
Ｚは、置換されてもよいヘテロ環基を表す。
【請求項３】
（ａ２）フェノール性水酸基を有するポリヒドロキシ化合物のフェノール性水酸基の一部もしくは全部を一般式（Ｉ）で示される基で置換した、酸の作用によりアルカリ可溶性となる化合物、
（ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、
（ｃ２）フェノール性水酸基を有するポリヒドロキシスチレン樹脂のフェノール性水酸基の一部もしくは全部を一般式（Ｉ）で示される基で置換した、酸の作用によりアルカリ可溶性となる化合物、
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化４】
0003894260.tif 000079
上記一般式（Ｉ）中：
Ｘは、置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。
Ｙは、２価の連結基を表す。
Ｚは、置換されてもよいヘテロ環基を表す。
【請求項４】
一般式（Ｉ）で示される基においてＺのヘテロ環が、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール、ピロリドンから選ばれることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路素子、集積回路製造用マスク、プリント配線板、液晶パネル等の製造に用いるポジ型フォトレジスト組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
ポジ型フォトレジスト組成物として、米国特許第4,491,628号明細書、欧州特許第29,139号明細書等に記載されている化学増幅系レジスト組成物がある。化学増幅型ポジレジスト組成物は、遠紫外光等の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、この酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させパターンを基板上に形成させるパターン形成材料である。
【０００３】
上記化学増幅型ポジレジスト組成物は、アルカリ可溶性樹脂、放射線露光によつて酸を発生する化合物（光酸発生剤）、及び酸分解性基を有するアルカリ可溶性樹脂に対する溶解阻止化合物から成る３成分系と、酸との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹脂と光酸発生剤からなる２成分系、更に酸との反応により分解しアルカリ可溶となる基を有する樹脂、酸分解性基を有する低分子溶解阻止化合物、及び光酸発生剤から成るハイブリット系に大別できる。
【０００４】
特開平２−１９８４７号公報にはポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）のフェノール性ヒドロキシル基を全部あるいは部分的にテトラヒドロピラニル基で保護した樹脂を含有することを特徴とするレジスト組成物が開示されている。
特開平４−２１９７５７号公報には同様にポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）のフェノール性ヒドロキシル基の２０〜７０％がアセタール基で置換された樹脂を含有することを特徴とするレジスト組成物が開示されている。
更に特開平５−２４９６８２号公報にも同様のアセタール保護された樹脂を用いたフォトレジスト組成物が示されている。また特開平８−１２３０３２号公報にはアセタール基で置換された基を含む三元共重合体を用いたフォトレジスト組成物が示されている。
更に、特開平８−２５３５３４号公報にはアセタール基で置換された基を含む、部分架橋ポリマーを用いたフォトレジスト組成物が示されている。
【０００５】
また、特開平１０−８７７２４号公報にはオキシ連結やエステル連結のアセタール基を導入した樹脂が開示されている。
【０００６】
しかしながら、これら従来の酸分解性基を有する樹脂を含有するフォトレジスト組成物は、定在波が強く残存し、また特に現像欠陥悪く、その改良が望まれていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、定在波、現像欠陥の発生が実質上無く、しかも高感度で高解像力の優れた化学増幅型ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、鋭意検討した結果、特定の構造の酸分解性基を有する化合物を含有するポジ型フォトレジスト組成物により、上記目的が達成され、本発明を完成るに到った。
すなわち、本発明に係わるポジ型フォトレジスト組成物は下記構成である。
（１）（ａ）下記一般式（Ｉ）で示される基を有し、かつ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する化合物、及び
（ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【０００９】
【化２】
0003894260.tif 000002
【００１０】
上記一般式（Ｉ）中：
Ｒ1、Ｒ2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｘは、置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。
Ｙは、２価の連結基を表す。
Ｚは、置換されていてもよいヘテロ環基を表す。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
（ａ）上記一般式（Ｉ）で示される基を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する化合物
一般式（Ｉ）におけるＲ1、Ｒ2の炭素数１〜４のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等を挙げることができる。Ｒ1、Ｒ2としては、水素原子及びメチル基が好ましい。
【００１２】
一般式（Ｉ）におけるＸの炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１０のアルキレン基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、ノニレン基、デカニレン基等が挙げられる。なかでも、エチレン、プロピレン基、ブチレン基等が好ましい。
【００１３】
上記アルキレン基は、置換されていてもよく、その置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、フェニル基、トリル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
【００１４】
上記Ｚのヘテロ環としては、チイラン、シクロチオラン、チオフェン、フラン、ピロール、ベンゾチオフェン、ベンゾフラン、ベンゾピロール、トリアジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアゾール、チアジアゾール、チアゾール、ピロリドン等が挙げられるが、一般にヘテロ環と呼ばれる構造（炭素とヘテロ原子で形成される環、あるいはヘテロ原子にて形成される環）であれば、これらに限定されない。
【００１５】
また、Ｚにおける上記のヘテロ環基の更なる置換基としては、水酸基、ハロゲン原子（フツ素、塩素、臭素、ヨウ素）、ニトロ基、シアノ基、上記のアルキル基、メトキシ基・エトキシ基・ヒドロキシエトキシ基・プロポキシ基・ヒドロキシプロポキシ基・ｎ−ブトキシ基・イソブトキシ基・ｓｅｃ−ブトキシ基・ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル基・エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンジル基・フエネチル基・クミル基等のアラルキル基、アラルキルオキシ基、ホルミル基・アセチル基・ブチリル基・ベンゾイル基・シアナミル基・バレリル基等のアシル基、ブチリルオキシ基等のアシロキシ基、上記のアルケニル基、ビニルオキシ基・プロペニルオキシ基・アリルオキシ基・ブテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基、上記のアリール基、フエノキシ基等のアリールオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアリールオキシカルボニル基を挙げることができる。
【００１６】
Ｙの２価の連結基としては、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＳＯ−、−Ｓｅ−、及び炭素数１〜４のアルキレン基等を挙げることができる。これらは単独で、また２種類以上組み合わせて用いることができる。
【００１７】
Ｙの２価の連結基の例としては、好ましくは、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｓｅ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ2−である。
【００１８】
一般式（Ｉ）で示される基の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【００１９】
【化３】
0003894260.tif 000003
【００２０】
【化４】
0003894260.tif 000004
【００２１】
【化５】
0003894260.tif 000005
【００２２】
【化６】
0003894260.tif 000006
【００２３】
上記のような一般式（Ｉ）で示される基を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する化合物としては、一般式（Ｉ）で示される基を含有するアルカリ可溶性樹脂（ポリマー型溶解阻止化合物）及び非ポリマー型溶解阻止化合物を含むものである。
本発明のポジ型フォトレジスト組成物の好ましい態様としては以下に示すものが挙げられる。
▲１▼光酸発生剤とポリマー型溶解阻止化合物
▲２▼光酸発生剤と非ポリマー型溶解阻止化合物とアルカリ可溶性樹脂
▲３▼光酸発生剤とポリマー型溶解阻止化合物と非ポリマー型溶解阻止化合物
▲４▼光酸発生剤とポリマー型溶解阻止化合物と非ポリマー型溶解阻止化合物とアルカリ可溶性樹脂
【００２４】
以下、ポリマー型溶解阻止化合物について説明する。
本発明におけるポリマー型溶解阻止化合物とは、モノマ−を重合して得られる、分子量分布を有する化合物に、一般式（Ｉ）で示される酸分解性基を導入した構造を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる化合物のことである。
ポリマー型溶解阻止化合物としては、樹脂の主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、一般式（Ｉ）で示される基を有する樹脂である。この内、一般式（Ｉ）で示される基を側鎖に有する樹脂がより好ましい。
次に、一般式（Ｉ）で示される基が側鎖として結合する場合の母体樹脂としては、側鎖に−ＯＨもしくは−ＣＯＯＨ、好ましくは−Ｒ０−ＣＯＯＨもしくは−Ａ−ＯＨ基を有するアルカリ可溶性樹脂である。例えば、後述する酸分解性基を含有していないアルカリ可溶性樹脂を挙げることができる。
【００２５】
本発明において好ましい母体樹脂としては、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂である。
本発明に用いられるフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂は、ｏ−、ｍ−又はｐ−ヒドロキシスチレン（これらを総称してヒドロキシスチレンと言う）、あるいはｏ−、ｍ−又はｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレン（これらを総称してヒドロキシ−α−メチルスチレンと言う）に相当する繰り返し単位を少なくとも３０モル％、好ましくは５０モル％以上含有する共重合体又はそのホモポリマー、あるいは該単位のベンゼン核が部分的に水素添加された樹脂であることが好ましく、ｐ−ヒドロキシスチレンホモポリマーがより好ましい。
上記共重合体を共重合により調製するためのヒドロキシスチレン及びヒドロキシ−α−メチルスチレン以外のモノマーとしては、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、無水マレイン酸、スチレン、α−メチルスチレン、アセトキシスチレン、アルコキシスチレン類が好ましく、スチレン、アセトキシスチレン、ｔ−ブトキシスチレンがより好ましい。
【００２６】
本発明では、このような樹脂中における一般式（Ｉ）で示される基を有する繰り返し単位の含有量としては、全繰り返し単位に対して５モル％〜５０モル％が好ましく、より好ましくは５モル％〜４０モル％である。
本発明において上記のポリマー型溶解阻止化合物中には、上記一般式（Ｉ）で示される基以外に、他の酸分解性基を含んでいてもよい。
【００２７】
上記一般式（Ｉ）で示される基を含有するポリマー型溶解阻止化合物は、対応するビニルエーテルを合成し、テトラヒドロフラン等の適当な溶媒に溶解したフェノール性水酸基含有アルカリ可溶性樹脂と既知の方法により反応させることで得ることができる。反応は、通常酸性の触媒、好ましくは、酸性イオン交換樹脂や、塩酸、ｐ−トルエンスルホン酸あるいは、ピリジニウムトシレートのような塩の存在下実施される。
【００２８】
上記一般式（Ｉ）で示される基を含有するポリマー型溶解阻止化合物の重量平均分子量は３,０００〜８０,０００が好ましく、より好ましくは７,０００〜５０,０００である。分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の範囲は、１．０１〜４．０であり、好ましくは１．０５〜３．００である。このような分子量分布のポリマーを得るにはアニオン重合、ラジカル重合等の手法を用いることが好ましい。
【００２９】
このようなポリマー型溶解阻止化合物の具体的構造を以下に例示するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３０】
【化７】
0003894260.tif 000007
【００３１】
【化８】
0003894260.tif 000008
【００３２】
【化９】
0003894260.tif 000009
【００３３】
【化１０】
0003894260.tif 000010
【００３４】
【化１１】
0003894260.tif 000011
【００３５】
【化１２】
0003894260.tif 000012
【００３６】
【化１３】
0003894260.tif 000013
【００３７】
次に、非ポリマー型溶解阻止化合物について説明する。
非ポリマー型溶解阻止化合物とは、３,０００以下の一定の分子量を有し、単一の構造を有する化合物に、上記一般式（Ｉ）で示される基を導入した構造を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性となる化合物のことである。
本発明に使用される上記非ポリマー型溶解阻止化合物は、酸分解性基として上記一般式（Ｉ）で示される基を少なくとも１種有する。
各化合物中、酸分解性基はそれぞれその構造中に少なくとも２個存在し、該酸分解性基間の距離が最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも１０個、好ましくは少なくとも１１個、更に好ましくは少なくとも１２個経由する化合物、又は酸分解性基を少なくとも３個有し、該酸分解性基間の距離が最も離れた位置において、酸分解性基を除く結合原子を少なくとも９個、好ましくは少なくとも１０個、更に好ましくは少なくとも１１個経由する化合物を使用するのが有利である。
【００３８】
非ポリマー型溶解阻止化合物は、アルカリ可溶性樹脂のアルカリへの溶解性を抑制し、露光を受けると発生する酸により酸分解性基が脱保護され、逆に樹脂のアルカリへの溶解性を促進する作用を有する。
【００３９】
本発明において、好ましい非ポリマー型溶解阻止化合物は、１分子中にアルカリ可溶性基を３個以上有する分子量３０００以下の単一構造化合物の該アルカリ可溶性基の１／２以上を一般式（Ｉ）で示される基を有する１価の酸分解性基で保護した化合物をあげることができる。このようなアルカリ可溶性基を残した非ポリマー型溶解阻止化合物を用いることにより、非ポリマー型溶解阻止化合物の溶剤溶解性が向上し、本発明の効果を更に高めるという点で好ましい。
【００４０】
また、本発明において、上記結合原子の好ましい上限は５０個、更に好ましくは３０個である。
本発明において、非ポリマー型溶解阻止化合物が、酸分解性基を３個以上、好ましくは４個以上有する場合、又酸分解性基を２個有するものにおいても、該酸分解性基が互いにある一定の距離以上離れている場合、アルカリ可溶性樹脂に対する溶解阻止性が著しく向上する。
【００４１】
なお、本発明における酸分解性基間の距離は、酸分解性基を除く、経由結合原子数で示される。例えば、以下の化合物（１），（２）の場合、酸分解性基間の距離は、各々結合原子４個であり、化合物（３）では結合原子１２個である。
【００４２】
【化１４】
0003894260.tif 000014
【００４３】
また、本発明における非ポリマー型溶解阻止化合物は、１つのベンゼン環上に複数個の酸分解性基を有していても良いが、好ましくは、１つのベンゼン環上に１個の酸分解性基を有する骨格から構成される化合物である。更に、本発明の非ポリマー型溶解阻止化合物の分子量は３，５００以下であり、好ましくは５００〜３，０００、更に好ましくは１，０００〜２，５００である。本発明の非ポリマー型溶解阻止化合物の分子量が上記範囲であると高解像力の点で好ましい。
【００４４】
好ましい非ポリマー型溶解阻止化合物は、特開平１−２８９９４６号、特開平１−２８９９４７号、特開平２−２５６０号、特開平３−１２８９５９号、特開平３−１５８８５５号、特開平３−１７９３５３号、特開平３−１９１３５１号、特開平３−２００２５１号、特開平３−２００２５２号、特開平３−２００２５３号、特開平３−２００２５４号、特開平３−２００２５５号、特開平３−２５９１４９号、特開平３−２７９９５８号、特開平３−２７９９５９号、特開平４−１６５０号、特開平４−１６５１号、特開平４−１１２６０号、特開平４−１２３５６号、特開平４−１２３５７号、特願平３−３３２２９号、特願平３−２３０７９０号、特願平３−３２０４３８号、特願平４−２５１５７号、特願平４−５２７３２号、特願平４−１０３２１５号、特願平４−１０４５４２号、特願平４−１０７８８５号、特願平４−１０７８８９号、同４−１５２１９５号等の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物のフエノール性ＯＨ基の一部もしくは全部を上記一般式（Ｉ）で示される基を有する１価の酸分解性基で保護した化合物が含まれる。
【００４５】
更に好ましくは、特開平１−２８９９４６号、特開平３−１２８９５９号、特開平３−１５８８５５号、特開平３−１７９３５３号、特開平３−２００２５１号、特開平３−２００２５２号、特開平３−２００２５５号、特開平３−２５９１４９号、特開平３−２７９９５８号、特開平４−１６５０号、特開平４−１１２６０号、特開平４−１２３５６号、特開平４−１２３５７号、特願平４−２５１５７号、特願平４−１０３２１５号、特願平４−１０４５４２号、特願平４−１０７８８５号、特願平４−１０７８８９号、同４−１５２１９５号の明細書に記載されたポリヒドロキシ化合物を用いたものが挙げられる。
【００４６】
より具体的には、下記一般式［Ｉ］〜［ＶIII］で表される化合物が挙げられる。
【００４７】
【化１５】
0003894260.tif 000015
【００４８】
【化１６】
0003894260.tif 000016
【００４９】
ここで、
Ｒ101、Ｒ102、Ｒ108、Ｒ130：同一でも異なっていても良く、水素原子、前記一般式（Ｉ）で示される酸分解性基を構成する基を表す。
Ｒ100：−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＳＯ3−もしくは下記式で示される基を表す。
【００５０】
【化１７】
0003894260.tif 000017
【００５１】
上記式中、
Ｇは２〜６の整数である。但しＧが２のときはＲ150、Ｒ151のうち少なくとも一方はアルキル基である。
Ｒ150、Ｒ151：同一でも異なっていても良く、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＮ、ハロゲン原子、−Ｒ152−ＣＯＯＲ153もしくは−Ｒ154−ＯＨを表す。
Ｒ152、Ｒ154：アルキレン基を表す。
Ｒ153：水素原子、アルキル基、アリール基もしくはアラルキル基を表す。
Ｒ99、Ｒ103〜Ｒ107、Ｒ109、Ｒ111〜Ｒ118、及びＲ131〜Ｒ134：同一又は異なって、水素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アラルキルオキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、カルボキシル基、シアノ基もしくは−Ｎ（Ｒ155）（Ｒ156）（Ｒ155、Ｒ156：Ｈ、アルキル基もしくはアリール基である）を表す。
Ｒ110：単結合、アルキレン基もしくは下記式で示される基を表す。
【００５２】
【化１８】
0003894260.tif 000018
【００５３】
上記式中、
Ｒ157、Ｒ159：同一又は異なって、単結合、アルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−もしくはカルボキシル基を表す。
Ｒ158：水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、ニトロ基、水酸基、シアノ基もしくはカルボキシル基である。但し、水酸基が上記一般式（Ｉ）で示される基を含む１価の酸分解性基で置き換ってもよい。
【００５４】
Ｒ119、Ｒ120：同一又は異なって、メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメチレン基もしくはハロアルキル基である。ここで、低級アルキル基とは炭素数１〜４個のアルキル基を表す。
Ａ：メチレン基、低級アルキル置換メチレン基、ハロメチレン基もしくはハロアルキル基を表す。
a〜v，g1〜n1は、複数のとき、括弧内の基は同一でも異なっていてもい。
a〜q、s,t,v,g1〜i1,k1〜m1：０もしくは１〜５の整数である。
r,u：０もしくは１〜４の整数である。
j1,n1,：０もしくは１〜３の整数である。
ここで、
(a+b),(e+f+g),(k+l+m),(q+r+s),(g1+h1+i1+j1)≧２、
(j1+n1)≦３、
(r+u)≦４、
(a+c),(b+d),(e+h),(f+i),(g+j),(k+n),(l+o),(m+p),(q+t),(s+v),(g1+k1),(h1+l1),(i1+m1)≦５、
を満たす。
【００５５】
【化１９】
0003894260.tif 000019
【００５６】
ここで、
Ｒ160：有機基、単結合、−Ｓ−、−ＳＯ−、もしくは−Ｓ(＝Ｏ)２−を表す。
Ｒ161：水素原子、一価の有機基もしくは下記式で示される基を表す。
【００５７】
【化２０】
0003894260.tif 000020
【００５８】
上記式中、
Ｒ162〜Ｒ166：同一又は異なって、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、もしくは一般式（Ｉ）で示される基を構成する基である。但し、少なくとも２つは一般式（Ｉ）で示される基を構成する基である。
また、各４もしくは６個の同一記号の置換基は同一の基でなくても良い。
Ｘ：２価の有機基を表す。
e2 :０もしくは１を表す。
【００５９】
【化２１】
0003894260.tif 000021
【００６０】
ここで、
Ｒ167〜Ｒ170：同一又は異なって、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、もしくはアルケニル基である。但し、各４〜６個の同一記号の置換基は同一の基ではなくても良い。
Ｒ171,Ｒ172：水素原子、アルキル基もしくは下記式で示される基である。
【００６１】
【化２２】
0003894260.tif 000022
【００６２】
上記式中、
Ｒ173：少なくとも２つは一般式（Ｉ）で示される基を構成する基であり、その他は水酸基である。
f2,h2：０もしくは１〜４の整数である。
g2 :０もしくは１〜４の整数である。
【００６３】
【化２３】
0003894260.tif 000023
【００６４】
ここで、
Ｒ174〜Ｒ180：同一又は異なって、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールカルボニル基、アシロキシ基、アシル基、アラルキルオキシ基、もしくはアリールオキシ基を表す。但し、各６個の同一記号の置換基は同一の基でなくても良い。
Ｒ181：少なくとも２つは一般式（Ｉ）で示される基を構成する基であり、その他は水酸基である。
好ましい化合物骨格の具体例を以下に示す。
【００６５】
【化２４】
0003894260.tif 000024
【００６６】
【化２５】
0003894260.tif 000025
【００６７】
【化２６】
0003894260.tif 000026
【００６８】
【化２７】
0003894260.tif 000027
【００６９】
【化２８】
0003894260.tif 000028
【００７０】
【化２９】
0003894260.tif 000029
【００７１】
【化３０】
0003894260.tif 000030
【００７２】
【化３１】
0003894260.tif 000031
【００７３】
【化３２】
0003894260.tif 000032
【００７４】
【化３３】
0003894260.tif 000033
【００７５】
【化３４】
0003894260.tif 000034
【００７６】
【化３５】
0003894260.tif 000035
【００７７】
【化３６】
0003894260.tif 000036
【００７８】
【化３７】
0003894260.tif 000037
【００７９】
【化３８】
0003894260.tif 000038
【００８０】
【化３９】
0003894260.tif 000039
【００８１】
【化４０】
0003894260.tif 000040
【００８２】
化合物（１）〜（６３）中のＲは、水素原子、及び下記式で表される基
【００８３】
【化４１】
0003894260.tif 000041
【００８４】
から選ばれる。但し、化合物中の少なくとも２個もしくは構造により少なくとも３個のＲは、水素原子以外の基であり、そして少なくとも１個は前記一般式（Ｉ）で表される基を含む基である。複数個存在する各置換基Ｒは同一の基でなくてもよい。
【００８５】
本発明において、一般式（Ｉ）で示される基を有する、酸の作用に分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する化合物の組成物中の添加量を、以下に示す。
▲１▼光酸発生剤とポリマー型溶解阻止化合物を含む場合のポリマー型溶解阻止化合物の含有量は、組成物の全重量（固形分換算で）に対して５〜５０重量％が好ましく、より好ましくは１０〜４０重量％である。
▲２▼光酸発生剤と非ポリマー型溶解阻止化合物とアルカリ可溶性樹脂を含む場合の非ポリマー型溶解阻止化合物の含有量は、組成物の全重量（固形分換算で）に対して３〜５０重量％が好ましく、より好ましくは５〜３５重量％である。
【００８６】
▲３▼光酸発生剤とポリマー型溶解阻止化合物と非ポリマー型溶解阻止化合物を含む場合の非ポリマー型溶解阻止化合物の含有量が、組成物の全重量（固形分換算で）に対して３〜４０重量％が好ましく、より好ましくは５〜３０重量％であり、ポリマー型溶解阻止化合物の含有量が、組成物の全重量（固形分換算で）に対して２〜５０重量％が好ましく、より好ましくは５〜４０重量％である
▲４▼光酸発生剤とポリマー型溶解阻止化合物と非ポリマー型溶解阻止化合物とアルカリ可溶性樹脂を含む場合、非ポリマー型溶解阻止化合物の含有量が、組成物の全重量（固形分換算で）に対して３〜４０重量％が好ましく、より好ましくは５〜３０重量％であり、ポリマー型溶解阻止化合物の含有量が、組成物の全重量（固形分換算で）に対して２〜４０重量％が好ましく、より好ましくは５〜３０重量％である
【００８７】
本発明において、組成物中に酸分解性基を含有していないアルカリ可溶性樹脂を用いることができ、これにより感度が向上する。上記酸分解性基を含有していないアルカリ可溶性樹脂（以下単にアルカリ可溶性樹脂と言う）は、アルカリに可溶な樹脂であり、ポリヒドロキシスチレン、ノボラック樹脂及びこれらの誘導体を好ましく挙げることができる。またｐ−ヒドロキシスチレン単位を含有する共重合樹脂もアルカリ可溶性であれば用いることができる。なかでもポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ／ｍ−ヒドロキシスチレン）共重合体、ポリ（ｐ／ｏ−ヒドロキシスチレン）共重合体、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−スチレン）共重合体が好ましく用いられる。更に、ポリ（４−ヒドロキシ−３−メチルスチレン）樹脂、ポリ（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルスチレン）樹脂のようなポリ（アルキル置換ヒドロキシスチレン）樹脂、上記樹脂のフェノール性水酸基の一部がアルキル化又はアセチル化された樹脂もアルカリ可溶性であれば好ましく用いられる。
【００８８】
更に上記樹脂のフェノール核の一部（全フェノール核の３０ｍｏｌ％以下）が水素添加されている場合は、樹脂の透明性が向上し、感度、解像力、プロファイルの矩形形成の点で好ましい。
本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、例えばノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂、ポリヒドロキシスチレン、アルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ポリ（ヒドロキシスチレン−Ｎ−置換マレイミド）共重合体、ポリヒドロキシスチレンの一部Ｏ−アルキル化物もしくはＯ−アシル化物、ポリ（スチレン−無水マレイン酸）共重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹脂及びその誘導体、ポリ（スチレン−ヒドロキシスチレン）共重合体、水素化ポリヒドロキシスチレンを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００８９】
本発明に用いられる特に好ましいアルカリ可溶性樹脂は、ノボラック樹脂、ｐ−ヒドロキシスチレンの単位を含有するアルカリ可溶性樹脂（好ましくはポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）、ポリ（ｐ／ｍ−ヒドロキシスチレン）共重合体、ポリ（ｐ／ｏ−ヒドロキシスチレン）共重合体、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−スチレン）共重合体、ポリ（４−ヒドロキシ−３−メチルスチレン）樹脂、ポリ（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルスチレン）樹脂のようなポリ（アルキル置換ヒドロキシスチレン）樹脂、上記樹脂のフェノール性水酸基の一部がアルキル化又はアセチル化された樹脂、部分水添ポリヒドロキシスチレン樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂、部分水添ノボラック樹脂、部分水添ポリヒドロキシスチレン樹脂である。
【００９０】
本発明において、ポリヒドロキシスチレンとは、ｐ−ヒドロキシスチレンモノマー、ｍ−ヒドロキシスチレンモノマー、ｏ−ヒドロキシスチレンモノマー及び上記モノマーの水酸基の結合位置からオルソ位が炭素数１〜４のアルキルで置換されたヒドロキシスチレンモノマーからなる群から選ばれた少なくとも一種のモノマーを重合して得られたポリマーを示す。
【００９１】
前記ノボラック樹脂は所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。
【００９２】
所定のモノマーとしては、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のクレゾール類、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレノール、２，３−キシレノール等のキシレノール類、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ｐ−オクチルフエノール、２，３，５−トリメチルフェノール等のアルキルフェノール類、ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、３，５−ジメトキシフェノール、２−メトキシ−４−メチルフェノール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−プロポキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−ブトキシフェノール、ｐ−ブトキシフェノール等のアルコキシフェノール類、２−メチル−４−イソプロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトール等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは２種類以上混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。
【００９３】
アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール及びこれらのアセタール体等を使用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒドを使用するのが好ましい。
これらのアルデヒド類は、単独でもしくは２種類以上組み合わせて用いられる。
【００９４】
酸性触媒としては硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸等を使用することができる。
【００９５】
酸分解性基を含有していないアルカリ可溶性樹脂の含有量としては、該樹脂と酸分解性基含有樹脂との合計に対して、９０重量％以下、好ましくは８０重量％以下、更に好ましくは７０重量％以下である。
【００９６】
本発明で用いられる光酸発生剤（ｂ）は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。
本発明で使用される活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている公知の光（４００〜２００ｎｍの紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光）、ＡｒＦエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、分子線又はイオンビームにより酸を発生する化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
【００９７】
また、その他の本発明に用いられる活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物としては、たとえば S.I.Schlesinger,Photogr.Sci.Eng.,18,387(1974)、T.S.Bal etal,Polymer,21,423(1980)等に記載のジアゾニウム塩、米国特許第4,069,055号、同4,069,056号、同 Re 27,992号、特開平3-140,140号等に記載のアンモニウム塩、D.C.Necker etal,Macromolecules,17,2468(1984)、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)、米国特許第4,069,055号、同4,069,056号等に記載のホスホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977) 、Chem.&Eng.News,Nov.28,p31(1988)、欧州特許第104,143 号、同339,049号、同第410,201号、特開平2-150,848号、特開平2-296,514 号等に記載のヨードニウム塩、J.V.Crivello etal,Polymer J.17,73(1985)、J.V.Crivello etal.J.Org.Chem.,43,3055(1978)、W.R.Watt etal,J.Polymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,22,1789(1984)、J.V.Crivello etal,Polymer Bull.,14,279(1985)、J.V.Crivello etal,Macromorecules,14(5),1141(1981)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed.,17,2877(1979)、欧州特許第370,693 号、同161,811号、同410,201号、同339,049号、同233,567号、同297,443号、同297,442号、米国特許第4,933,377号、同3,902,114号、同4,760,013号、同4,734,444号、同2,833,827号、獨国特許第2,904,626号、同3,604,580号、同3,604,581号等に記載のスルホニウム塩、J.V.Crivello etal,Macromorecules,10(6),1307(1977)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed., 17,1047(1979)等に記載のセレノニウム塩、C.S.Wen etal,Teh,Proc.Conf.Rad.Curing ASIA,p478 Tokyo,Oct(1988)等に記載のアルソニウム塩等のオニウム塩、米国特許第3,905,815号、特公昭46-4605号、特開昭48-36281号、特開昭55-32070号、特開昭60-239736号、特開昭61-169835号、特開昭61-169837号、特開昭62-58241号、特開昭62-212401号、特開昭63-70243号、特開昭63-298339号等に記載の有機ハロゲン化合物、K.Meier et al,J.Rad.Curing,13(4),26(1986) 、T.P.Gill et al,Inorg.Chem.,19,3007(1980)、D.Astruc,Acc.Chem.Res.,19(12),377(1896)、特開平2-161445号等に記載の有機金属／有機ハロゲン化物、S.Hayase etal,J.Polymer Sci.,25,753(1987)、E.Reichmanis etal,J.Pholymer Sci.,Polymer Chem.Ed.,23,1(1985)、Q.Q.Zhu etal,J.Photochem.,36,85,39,317(1987)、 B.Amit etal,Tetrahedron Lett.,(24)2205(1973)、D.H.R.Barton etal,J.Chem Soc.,3571(1965)、P.M.Collins etal, J.Chem.SoC.,Perkin I,1695(1975)、M.Rudinstein etal,Tetrahedron Lett.,(17),1445(1975)、J.W.Walker etalJ.Am.Chem.Soc.,110,7170(1988)、S.C.Busman etal,J.Imaging Technol.,11(4),191(1985)、H.M.Houlihan etal,Macormolecules,21,2001(1988)、 P.M.Collins etal,J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,532(1972)、S.Hayase etal,Macromolecules,18,1799(1985)、E.Reichmanis etal,J.Electrochem.Soc.,Solid State Sci.Technol.,130(6)、F.M.Houlihan etal,Macromolcules,21,2001(1988)、欧州特許第0290,750号、同046,083号、同156,535号、同271,851号、同0,388,343号、米国特許第3,901,710号、同4,181,531号、特開昭60-198538号、特開昭53-133022号等に記載の０−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、M.TUNOOKA etal,Polymer Preprints Japan,35(8)、G.Berner etal,J.Rad.Curing,13(4)、 W.J.Mijs etal,Coating Technol.,55(697),45(1983),Akzo、H.Adachi etal,Polymer Preprints,Japan,37(3)、欧州特許第0199,672号、同84515号、同044,115号、同618,564号、同0101,122号、米国特許第4,371,605号、同4,431,774 号、特開昭64-18143号、特開平2-245756号、特開平3-140109号等に記載のイミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物、特開昭61-166544号等に記載のジスルホン化合物を挙げることができる。
【００９８】
また、これらの光により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、M.E.Woodhouse etal,J.Am.Chem.Soc.,104,5586(1982)、S.P.Pappas etal,J.Imaging Sci.,30(5),218(1986)、S.Kondo etal,Makromol.Chem.,Rapid Commun.,9,625(1988)、Y.Yamadaetal,Makromol.Chem.,152,153,163(1972)、J.V.Crivello etal,J.PolymerSci.,Polymer Chem.Ed.,17,3845(1979)、米国特許第3,849,137号、獨国特許第3914407、特開昭63-26653号、特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-146038 、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853号、特開昭63-146029号等に記載の化合物を用いることができる。
【００９９】
さらにV.N.R.Pillai, Synthesis,(1),1(1980)、A.Abad et al,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、D.H.R.Barton et al,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国特許第3,779,778号、欧州特許第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
【０１００】
上記活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられるものについて以下に説明する。
（１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ１）で表されるオキサゾール誘導体又は一般式（ＰＡＧ２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。
【０１０１】
【化４２】
0003894260.tif 000042
【０１０２】
式中、Ｒ201は置換もしくは未置換のアリール基、アルケニル基、Ｒ202は置換もしくは未置換のアリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）３をしめす。Ｙは塩素原子又は臭素原子を示す。
具体的には以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
【０１０３】
【化４３】
0003894260.tif 000043
【０１０４】
【化４４】
0003894260.tif 000044
【０１０５】
【化４５】
0003894260.tif 000045
【０１０６】
（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表されるヨードニウム塩、又は一般式（ＰＡＧ４）で表されるスルホニウム塩。
【０１０７】
【化４６】
0003894260.tif 000046
【０１０８】
ここで式Ａｒ1、Ａｒ2は、各々独立、に置換もしくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基としては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカプト基及びハロゲン原子が挙げられる。
【０１０９】
Ｒ203、Ｒ204、Ｒ205は、各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましくは、炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８のアルキル基及びそれらの置換誘導体である。好ましい置換基としては、アリール基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数１〜８のアルキル基、シクロアルキル基、ニトロ基、カルボキシル基、メルカプト基、ヒロドキシ基及びハロゲン原子であり、アルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基である。
【０１１０】
Ｚ-は対アニオンを示し、例えばＢＦ４-、ＡｓＦ６-、ＰＦ６-、ＳｂＦ６-、ＳｉＦ６2-、ＣｌＯ４-、ＣＦ３ＳＯ３-等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナフタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。
【０１１１】
またＲ203、Ｒ204、Ｒ205のうちの２つ及びＡｒ1、Ａｒ2はそれぞれの単結合又は置換基を介して結合してもよい。
【０１１２】
また、露光後加熱処理までの経時での性能変化（Ｔ−Ｔｏｐ形成、線幅変化等）が少ないような光酸発生剤が好ましい。そのような光酸発生剤としては例えば、上記一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ｒ203〜Ｒ205が置換あるいは未置換のアリール基を表し、Ｚ-が、光の照射により酸として発生したときにレジスト膜中で拡散性が比較的小さいものである。具体的には、Ｚ-が、分岐状又は環状の炭素数８個以上のアルキル基又はアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも１個有するか、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数４〜７個のアルキル基又はアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少なくとも２個有するか、もしくは直鎖状又は分岐状の炭素数１〜３個のアルキル基又はアルコキシ基の群の中から選ばれる基を少くとも３個有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸又はアントラセンスルホン酸のアニオンを示す。
【０１１３】
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１４】
【化４７】
0003894260.tif 000047
【０１１５】
【化４８】
0003894260.tif 000048
【０１１６】
【化４９】
0003894260.tif 000049
【０１１７】
【化５０】
0003894260.tif 000050
【０１１８】
【化５１】
0003894260.tif 000051
【０１１９】
【化５２】
0003894260.tif 000052
【０１２０】
【化５３】
0003894260.tif 000053
【０１２１】
【化５４】
0003894260.tif 000054
【０１２２】
【化５５】
0003894260.tif 000055
【０１２３】
【化５６】
0003894260.tif 000056
【０１２４】
一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示される上記オニウム塩は公知であり、例えばJ.W.Knapczyk etal,J.Am.Chem.Soc.,91,145(1969)、A.L.Maycok etal, J.Org.Chem.,35,2532,(1970)、E.Goethas etal ,Bull.Soc.Chem.Belg.,73,546,(1964) 、H.M.Leicester、J.Ame.Chem.Soc.,51,3587(1929)、J.V.Crivello etal,J.Polym.Chem.Ed.,18,2677(1980)、米国特許第2,807,648 号及び同4,247,473号、特開昭53-101,331号等に記載の方法により合成することができる。
【０１２５】
（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表されるジスルホン誘導体又は一般式（ＰＡＧ６）で表されるイミノスルホネート誘導体。
【０１２６】
【化５７】
0003894260.tif 000057
【０１２７】
式中、Ａｒ3、Ａｒ4は各々独立に置換もしくは未置換のアリール基を示す。Ｒ206は置換もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基を示す。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２８】
【化５８】
0003894260.tif 000058
【０１２９】
【化５９】
0003894260.tif 000059
【０１３０】
【化６０】
0003894260.tif 000060
【０１３１】
【化６１】
0003894260.tif 000061
【０１３２】
【化６２】
0003894260.tif 000062
【０１３３】
【化６３】
0003894260.tif 000063
【０１３４】
（４）下記一般式（ＰＡＧ７）で表されるジアゾジスルホン誘導体。
【０１３５】
【化６４】
0003894260.tif 000064
【０１３６】
ここでＲは、直鎖、分岐又は環状アルキル基、あるいは置換してもよいアリール基を表す。
具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１３７】
【化６５】
0003894260.tif 000065
【０１３８】
本発明において、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（ｂ）が、オニウム塩、ジスルホン、４位ＤＮＱスルホン酸エステル、トリアジン化合物であることが好ましい。また、これらの化合物は２種以上を混合させてもよく、その場合、オニウム塩同士のような類似構造同士を混合させても、オニウム塩とジスルホン等異なる骨格の化合物を混合させてもよい。
【０１３９】
これらの活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物（ｂ）の添加量は、本発明のポジ型フォトレジスト組成物の全重量（塗布溶媒を除く）を基準として通常０．００１〜４０重量％の範囲で用いられ、好ましくは０．０１〜２０重量％、更に好ましくは０．１〜５重量％の範囲で使用される。活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する化合物の添加量が、０．００１重量％より少ないと感度が低くなり、また添加量が４０重量％より多いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロファイルの悪化や、プロセス（特にベーク）マージンが狭くなり好ましくない。
【０１４０】
本発明の組成物に有機塩基性化合物を用いることができる。これにより、保存時の安定性向上及びＰＥＤによる線巾変化が少なくなるため好ましい。
本発明で用いることのできる好ましい有機塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。
好ましい化学的環境として、下記式（Ａ）〜（Ｅ）構造を挙げることができる。
【０１４１】
【化６６】
0003894260.tif 000066
【０１４２】
ここで、Ｒ250、Ｒ251及びＲ252は、同一又は異なり、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアミノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基又は炭素数６〜２０の置換もしくは非置換のアリール基であり、ここでＲ251とＲ252は互いに結合して環を形成してもよい。
【０１４３】
【化６７】
0003894260.tif 000067
【０１４４】
（式中、Ｒ253、Ｒ254、Ｒ255及びＲ256は、同一又は異なり、炭素数１〜６のアルキル基を示す）
更に好ましい化合物は、窒素含有環状化合物あるいは一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化合物である。
窒素含有環状化合物としては、多環構造であることがより好ましい。窒素含有多環環状化合物の好ましい具体例としては、下記一般式（Ｆ）で表される化合物が挙げられる。
【０１４５】
【化６８】
0003894260.tif 000068
【０１４６】
上記式（Ｆ）中、Ｙ、Ｚは、同一又は異なって、直鎖、分岐、あるいは環状アルキレン基を表す。これらアルキレン基はヘテロ原子を含んでいてもよいし、置換されていてもよい。ここで、ヘテロ原子としては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が挙げられる。
アルキレン基としては、炭素数２〜１０のものが好ましく、より好ましくは炭素数２〜５のものである。アルキレン基の置換基としては、炭素数１〜６個のアルキル基、アリール基、アルケニル基の他、ハロゲン原子、ハロゲン置換アルキル基が挙げられる。
一般式（Ｆ）で示される化合物の具体例としては、下記に示す化合物が挙げられる。
【０１４７】
【化６９】
0003894260.tif 000069
【０１４８】
上記の中でも、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデカ−７−エン、１，５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕ノナ−５−エンが特に好ましい。
【０１４９】
一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化合物としては、特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基を有する化合物である。
好ましい具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダーゾル、置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げられる。
好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。
【０１５０】
特に好ましい化合物として、グアニジン、１，１−ジメチルグアニジン、１，１，３，３，−テトラメチルグアニジン、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジン、３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モルフォリン、トリメチルイミダゾール、トリフェニルイミダゾール、メチルジフェニルイミダゾール等が挙げられるがこれに限定されるものではない。
【０１５１】
これらの含窒素塩基性化合物は、単独であるいは２種以上一緒に用いられる。含窒素塩基性化合物の使用量は、ポジ型フォトレジスト組成物（溶媒を除く）１００重量部に対し、通常、０．００１〜１０重量部、好ましくは０．０１〜５重量部である。０．００１重量部未満では上記効果が得られない。一方、１０重量部を超えると感度の低下や非露光部の現像性が悪化する傾向がある。
【０１５２】
本発明のポジ型フォトレジスト組成物には必要に応じて、更に界面活性剤、染料、顔料、可塑剤、光増感剤及び現像液に対する溶解性を促進させるフエノール性ＯＨ基を２個以上有する化合物等を含有させることができる。
【０１５３】
本発明の感光性樹脂組成物には、界面活性剤を含有することが好ましい。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７３，Ｆ１７６，Ｆ１８９，Ｒ０８（大日本インキ（株）製）、フロラ−ドＦＣ４３０，ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）やアクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）等を挙げることができる。
これらの界面活性剤の中でも、フッ素系またはシリコン系界面活性剤が塗布性、現像欠陥低減の点で好ましい。
これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。界面活性剤の添加量は、組成物中の全固形分に対して、０．０１〜２重量％、好ましくは０．０１〜１重量％である。
【０１５４】
好適な染料としては油性染料及び塩基性染料がある。具体的にはオイルイエロー＃１０１、オイルイエロー＃１０３、オイルピンク＃３１２、オイルグリーンＢＧ、オイルブルーＢＯＳ，オイルブルー＃６０３、オイルブラックＢＹ、オイルブラックＢＳ、オイルブラックＴ−５０５（以上オリエント化学工業株式会社製）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４２５５５）、メチルバイオレット（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２０００）、メチレンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げることができる。
【０１５５】
さらに、下記に挙げるような分光増感剤を添加し、使用する光酸発生剤が吸収を持たない遠紫外より長波長領域に増感させることで、本発明のポジ型フォトレジスト組成物をｉ又はｇ線に感度を持たせることができる。好適な分光増感剤としては、具体的にはベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−テトラメチルジアミノベンゾフェノン、ｐ，ｐ’−テトラエチルエチルアミノベンゾフェノン、２−クロロチオキサントン、アントロン、９−エトキシアントラセン、アントラセン、ピレン、ペリレン、フェノチアジン、ベンジル、アクリジンオレンジ、ベンゾフラビン、セトフラビン−Ｔ、９，１０−ジフェニルアントラセン、９−フルオレノン、アセトフェノン、フェナントレン、２−ニトロフルオレン、５−ニトロアセナフテン、ベンゾキノン、２−クロロ−４−ニトロアニリン、Ｎ−アセチル−ｐ−ニトロアニリン、ｐ−ニトロアニリン、、Ｎ−アセチル−４−ニトロ−１−ナフチルアミン、ピクラミド、アントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−tert−ブチルアントラキノン１，２−ベンズアンスラキノン、３−メチル−１，３−ジアザ−１，９−ベンズアンスロン、ジベンザルアセトン、１，２−ナフトキノン、３，３’−カルボニル−ビス（５，７−ジメトキシカルボニルクマリン）及びコロネン等であるがこれらに限定されるものではない。
【０１５６】
現像液に対する溶解性を促進させるフェノール性ＯＨ基を２個以上有する化合物としては、ポリヒドロキシ化合物が挙げられ、好ましくはポリヒドロキシ化合物には、フェノール類、レゾルシン、フロログルシン、フロログルシド、２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、α，α' ，α''−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンがある。
【０１５７】
本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、上記各成分を溶解する溶媒に溶かして支持体上に塗布するものであり、使用することのできる溶媒としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用する。
【０１５８】
本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、精密集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行い現像することにより良好なレジストパターンを得ることができる。
【０１５９】
本発明のポジ型フォトレジスト組成物の現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、リン酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第１アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第２アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第３アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、ホルムアミドやアセトアミド等のアミド類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリブチルメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエタノールアンモニウムヒドロキシド、メチルトリエタノールアンモニウムヒドロキシド、ベンジルメチルジエタノールアンモニウムヒドロキシド、ベンジルジメチルエタノールアンモニウムヒドロキシド、ベンジルトリエタノールアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン等のアルカリ類の水溶液等がある。
【０１６０】
【実施例】
以下、本発明によって更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
〔合成例Ｉ−１：アルカリ可溶性樹脂Ｒ−１の合成〕
ｐ−アセトキシスチレン３２．４ｇ（０．２モル）を酢酸ブチル１２０ｍｌに溶解し、窒素気流及び撹拌下、８０℃にてアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）０．０３３ｇを２．５時間置きに３回添加し、最後に更に５時間撹拌を続けることにより、重合反応を行った。反応液をヘキサン１２００ｍｌに投入し、白色の樹脂を析出させた。得られた樹脂を乾燥後、メタノール１５０ｍｌに溶解した。これに水酸化ナトリウム７．７ｇ（０．１９モル）／水５０ｍｌの水溶液を添加し、３時間加熱還流することにより加水分解させた。その後、水２００ｍｌを加えて希釈し、塩酸にて中和し白色の樹脂を析出させた。この樹脂を濾別し、水洗・乾燥させた。更にテトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解し、５Ｌの超純水中に激しく撹拌しながら滴下、再沈を行った。この再沈操作を３回繰り返した。得られた樹脂を真空乾燥器中で１２０℃、１２時間乾燥し、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）アルカリ可溶性樹脂Ｒ−１を得た。
得られた樹脂の重量平均分子量（ＧＰＣ法により測定されたポリスチレン換算値）は１５,０００であった。
【０１６１】
〔アルカリ可溶性樹脂Ｒ−２〕
日本曹達株式会社製、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（ＶＰ８０００）をアルカリ可溶性樹脂Ｒ−２とした。重量平均分子量は９８００であった。
【０１６２】
〔合成例II-1〕
＜２−チエニルメチルカルボニルオキシエチルビニルエーテル（Ｘ−１）の合成＞
１００ｇのチオフェン−２−酢酸を５００ｍ１のＤＭＡｃ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド）に溶解し、３１ｇの水酸化ナトリウムを加えて室温で１０分撹拌した。そこへ２−クロロエチルビニルエーテル１１２ｇを加えて、１２０度で２時間撹伴した（塩が析出）。反応液に水と酢酸エチルを加えて、分液操作を行い、水洗を３回行った。得られた有機相を乾燥後、濃縮し、減圧蒸留によって上記目的物（Ｘ−１）を得た。目的物はＮＭＲにて同定した。
【０１６３】
〔合成例II−２〕
＜チエニルカルボニルオキシエチルビニルエーテル（Ｘ−２）の合成＞
原料にテノイル酸を用いた以外は合成例II-1と同様の操作によって、上記目的物（Ｘ−２）を得た。
【０１６４】
〔合成例II-３〕
＜ビニルオキシエチルピロリドン（Ｘ−３）の合成＞
原料に２−ピロリドンを用いた以外は合成例II-1と同様の操作によって、目的物（Ｘ−３）を得た。
【０１６５】
〔合成例II-４〕
＜２−チエニルエチルビニルエーテル（Ｘ−４）の合成＞
原料に２−チエニルリチウム又は２−チエニルマグネシウムブロミドを用いた以外は合成例II-1と同様の操作によって、上記目的物（Ｘ−４）を得た。
【０１６６】
〔合成例II-５〕
＜２−フリルカルボニルオキシエチルビニルエーテル（Ｘ−５）の合成＞
原料に２−フリルカルボン酸を用いた以外は合成例II-1と同様の操作によって、目的物（Ｘ−５）を得た。
〔合成例II-６〕
＜２−チエニルチオエチルビニルエーテル（Ｘ−６）の合成＞
原料に２−チエニルチオールを用いた以外は合成例II-1と同様の操作によって、目的物（Ｘ−６）を得た。
【０１６７】
上記で合成したビニルエーテル（Ｘ−１）〜（Ｘ−６）の構造を下記する。
【０１６８】
【化７０】
0003894260.tif 000070
【０１６９】
〔合成例III−１〕
合成例Ｉ−１で得られたアルカリ可溶性樹脂Ｒ−１（２０ｇ）をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解し、減圧留去により脱水した後、合成例II-1で合成したＸ−１（１１ｇ）とｐ−トルエンスルホン酸４０ｍｇを添加して室温下２時間撹拌した。反応液に４２ｍｇのトリエチルアミンを添加し、その後超純水と酢酸エチルを添加して分液し、さらに水洗３回行った。
得られた有機相を減圧留去することによって、酢酸エチルと水を留去し、本発明に係わる置換基を有するアルカリ可溶性樹脂（Ｂ−１）を得た。
【０１７０】
〔合成例III−２〜III−６〕
下記表１に記載されるように樹脂とビニルエーテルを変えて、合成例III−１と同様の方法で樹脂（Ｂ−２）〜（Ｂ−６）を合成した。
【０１７１】
〔合成例III−７〕
合成例Ｉ−１で得られたアルカリ可溶性樹脂Ｒ−１（２０g）をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）に溶解し、減圧留去により脱水した後、ビニルエーテルＸ−１（１１ｇ）とＰ一トルエンスルホン酸４０ｍｇを添加して室温下２時間撹拌した。反応液にピリジン２．０ｇと無水酢酸２．１ｇを添加し、１時間撹伴した。その後、超純水と酢酸エチルを添加して分液操作を行い、さらに水洗を３回行った。得られた有機相を減圧留去することによって、酢酸エチルと水を除去し、本発明に係わる置換基を有するアルカリ可溶性樹脂（Ｂ−７）を得た。
【０１７２】
〔合成例III−８〜III−１２〕
表１に示されるように樹脂とビニルエーテルを変え、合成例III−７と同様の方法で樹脂（Ｂ−８）〜（Ｂ−１２）を合成した。
〔合成例III−１３〜III−１８〕
合成例III−１〜III−６の原料としてＲ−２を用いて合成したものを樹脂（Ｂ−１３）〜（Ｂ−１８）とした。
〔合成例III−１９〜III−２４〕
合成例III−７〜III−１２の原料としてＲ−２を用いて合成したものを樹脂（Ｂ−１９）〜（Ｂ−２４）とした。
【０１７３】
〔合成例III−２５〕
樹脂としてアルカリ可溶性樹脂Ｒ−１を用い、これとエチルビニルエーテルとを合成例III−１と同様な方法で、樹脂Ｃ−１を得た。
【０１７４】
【表１】
0003894260.tif 000071
【０１７５】
（実施例１〜３２、比較例１）
〔感光性組成物の調製と評価〕
下記表２に示す各素材をＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート）８ｇに溶解し、０．２μｍのフィルターで濾過してレジスト溶液を作成した。このレジスト溶液を、スピンコーターを利用して、シリコンウエハー上に塗布し、１３０℃、６０秒間真空吸着型のホットプレートで乾燥して、膜厚０．８μｍのレジスト膜を得た。
【０１７６】
【表２】
0003894260.tif 000072
【０１７７】
【表３】
0003894260.tif 000073
【０１７８】
上記表２において、非ポリマー型溶解阻止化合物は、前記骨格の具体例である化合物（４４）であり、下記（ｇ−１）で示される構造を有する。また、実施例、比較例に用いた各光酸発生剤及び有機塩基性化合物を以下に示す。
【０１７９】
【化７１】
0003894260.tif 000074
【０１８０】
このレジスト膜に、２４８ｎｍＫｒＦエキシマレーザーステッパー（ＮＡ＝０．４５）を用いて露光を行った。露光後１００℃ホットプレートで６０秒間加熱を行い、直ちに０．２６Ｎテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間浸漬し、３０秒間水でリンスして乾燥した。このようにして得られたシリコンウェハー上のパターンを走査型電子顕微鏡で観察し、レジストの性能を評価した。その結果を表３に示す。
【０１８１】
〔感度〕：０．３０μｍのラインアンドスペースのマスクパターンを再現する最低露光量を表す。
〔解像力〕：０．３０μｍのラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量における限界解像力を表す。
〔定在波の残存〕：０．３０μｍのラインアンドスペースのマスクパターンで得られたレジストパターンの側壁を走査型電子顕微鏡により観察し、下記の４段階評価を行った。
〇：定在波が全くなく、パターン側壁がきれいな場合
△：定在波が若干見られるか、あるいはパターン側壁に凹凸が見られる場合×：定在波が明らかに確認できる場合
××：定在波が非常に強く確認できる場合
【０１８２】
〔現像欠陥〕：６インチのＢａｒｅ  Ｓｉ基板上に各レジスト膜を０．５μｍに塗布し、真空吸着式ホットプレートで１３０℃、６０秒間乾燥した。次に、０．３５μｍコンタクトホールパターン（Ｈｏｌｅ  Ｄｕｔｙ比＝１：３）のテストマスクを介してＮｉｋｏｎ  ステッパーＮＳＲ−１５０５ＥＸにより露光した後、露光後加熱を１３０℃で９０秒間行った。引き続き２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）で６０秒間のパドル現像後、純水で３０秒間水洗しスピン乾燥した。こうして得られたサンプルをケーエルエー・テンコール（株）製ＫＬＡ−２１１２機により現像欠陥数（ＫＬＡによる現像欠陥）を測定し、得られた１次データ値を現像欠陥数とした。ＳＥＭで確認して、下記の３段階評価を行った。
〇：全く認められないか、１〜２個レベルで確認される場合
△：１０個以下程度確認される場合
×：１０個を上回る数が確認される場合
【０１８３】
【表４】
0003894260.tif 000075
【０１８４】
表３の結果から明らかなように、各実施例のポジ型フォトレジスト組成物は、それぞれ満足すべき結果を得たが、各比較例のフォトレジスト組成物は、定在波が残存し、現像欠陥に劣るものであった。
【０１８５】
【発明の効果】
本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、定在波の発生が実質上無く、現像欠陥が良好であり、しかも高感度で高解像力である。