(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
利得制御アンプと制御電圧に応じて該利得制御アンプのバイアス電流を生成するバイアス回路とを含む高周波電力増幅回路を備えた通信用半導体集積回路であって、
前記バイアス回路は、各々が前記制御電圧の所定の範囲において該制御電圧に応じて電流が直線的に変化し、かつ合成した電流が前記制御電圧に応じて指数関数的に変化するように各電流値が設定された複数の可変電流源と抵抗分圧回路とを有し、前記制御電圧に応じて前記複数の可変電流源に流される電流を合成した電流を前記バイアス電流として前記利得制御アンプに供給し、
前記複数の可変電流源は、各々が一対の差動トランジスタを有する差動回路からなり、前記一対の差動トランジスタのそれぞれの制御端子に前記抵抗分圧回路で生成された電圧が供給され、
前記抵抗分圧回路は、電源電圧端子と接地点との間に第１トランジスタと第１ラダー抵抗と第１電流源とが直列に接続された第１分圧手段と、電源電圧端子と接地点との間に第２トランジスタと第２ラダー抵抗と第２電流源とが直列に接続された第２分圧手段と、前記制御電圧を受け差動の信号を出力するバッファアンプとを備え、前記バッファアンプの第１出力が前記第１トランジスタの制御端子に供給され、前記バッファアンプの第２出力が前記第２トランジスタの制御端子に供給され、
前記第１分圧手段で生成された複数の電圧のそれぞれが前記可変電流源としての前記差動回路を構成する差動トランジスタのうち一方の制御端子に供給され、前記第２分圧手段で生成された複数の電圧のそれぞれが前記可変電流源としての前記差動回路を構成する差動トランジスタのうち他方の制御端子に供給されるようにされていることを特徴とする通信用半導体集積回路。
【請求項２】
前記バイアス回路は、前記制御電圧が「０」である場合に所定の電流を流すオフセット電流源を備えていることを特徴とする請求項１に記載の通信用半導体集積回路。
【請求項３】
前記差動回路は、該差動回路を構成する一対の差動トランジスタに共通接続された電流用トランジスタと直列抵抗とからなる電流源をそれぞれ備え、前記複数の可変電流源の電流比は前記電流用トランジスタのサイズ比と前記直列抵抗の抵抗比で決定されることを特徴とする請求項１または２に記載の通信用半導体集積回路。
【請求項４】
前記バイアス回路は基準となる電流を流す基準電流用トランジスタを備え、前記電流用トランジスタは前記基準電流用トランジスタとカレントミラー接続されていることを特徴とする請求項３に記載の通信用半導体集積回路。
【請求項５】
前記複数の可変電流源の各差動回路を構成する一対の差動トランジスタは、バイポーラ・トランジスタであり、それぞれ一方のトランジスタのコレクタ端子は電源電圧端子に接続され、他方のトランジスタのコレクタ端子は出力端子に接続されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の通信用半導体集積回路。
【請求項６】
前記第１分圧手段から前記差動回路を構成する差動トランジスタのうち一方の制御端子に供給される電圧と前記第２分圧手段から前記差動回路を構成する差動トランジスタのうち他方の制御端子に供給される対応する電圧との交差電位が、前記各可変電流源の直線的な電流変化範囲の中心電位となるように、前記第１ラダー抵抗の抵抗比および第２ラダー抵抗の抵抗比が設定されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の通信用半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波電力増幅回路のパワーコントロール信号電圧による出力電力の制御性さらには利得制御アンプの利得のリニア特性を向上させる技術に関し、特に高周波電力増幅回路を内蔵する通信用半導体集積回路およびこの通信用半導体集積回路を組み込んだ携帯電話機等の無線通信装置に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
自動車電話機、携帯電話機等の無線通信装置（移動体通信装置）の送信側出力部には、高周波電力増幅回路が組み込まれている。この高周波電力増幅回路は、最終段の半導体増幅素子がディスクリートの部品（出力パワーＭＯＳＦＥＴ等）で構成され、その前段にはリニアアンプと呼ばれる利得制御アンプ（利得制御アンプ）が接続された構成にされ、該リニアアンプおよびそのバイアス電流を与えるバイアス回路は１つの半導体チップ上に半導体集積回路として構成されることが多い。
【０００３】
また、一般に、携帯電話機では使用環境に合わせて基地局からのパワーレベル指示信号によって周囲環境に適応するように出力（送信パワー）を変えて通話を行ない、他の携帯電話機との間で混信を生じさせないようシステムが構成されている。例えば北米の９００ＭＨｚ帯の標準方式や欧州のＧＳＭ（Global System for Mobile Communication）方式等のセルラ方式携帯電話機における送信側出力段の高周波電力増幅器モジュールは、ＡＰＣ（Automatic Power Control）回路から出力される制御電圧ＶAPCによって通話に必要な出力電力となるように、出力パワー素子のゲートバイアス電圧が制御される構成になっている。
【０００４】
ところで、従来ＧＳＭやＤＣＳ（Digital Cellular System）方式の携帯電話機では、一般に利得制御アンプは段階的にゲインを切り替えるように構成されている。これに対し、ＣＤＭＡ（Code Division Multiple Access）方式の携帯電話機では、利得制御アンプ特に送信信号のレベルを制御するアンプは、ゲインをリニアに制御する必要がある。そこで、ベースバンド回路などから供給される出力制御電圧ＶAPCに対してアンプのゲインが直線的に変化するようなバイアス電流をアンプに与えるリニアゲイン変換回路が用いられている。
このリニアゲイン変換回路から出力されるバイアス電流は、制御電圧ＶAPCに対して指数関数的に変化することが必要とされる。そこで、従来は、例えば図８に示すようなバイポーラトランジスタＱａと、制御電圧ＶAPCに応じてＱａにベース電位を与える定電圧源ＶBBおよび減衰用アンプＡBBからなるリニアゲイン変換回路が使用されることがある。減衰用アンプＡBBを用いるのは、制御電圧ＶAPCの変動範囲が０〜２Ｖ程度であるのに対してトランジスタＱａのベース電圧の変動範囲は０．７〜０．９Ｖと小さいためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
図８のバイアス回路は、トランジスタのベース・エミッタ間ＰＮ接合に流れる電流が指数関数的に変化することを利用して、ベース電圧を制御することで出力電流Ｉｏｕｔが制御電圧ＶAPCに対して指数関数的に変化するようにしたものであるが、トランジスタＱａのベース・エミッタ間電圧ＶBEのバラツキや減衰用アンプＡBBのゲインバラツキに対して非常に敏感である。そのため、トランジスタの製造バラツキや温度変動によってリニアアンプのバイアス電流Ioutが大きく変化して、制御電圧ＶAPCとリニアアンプのゲインとの関係が一定にならなかったり、ゲインの可変範囲が製品によってばらついてしまうという課題があることが分かった。
【０００６】
本発明の目的は、利得制御アンプとその利得を直線的に変化させるようなバイアス電流を供給するバイアス回路とを含む高周波電力増幅回路を備えた通信用半導体集積回路およびそれを用いた無線通信装置において、利得制御アンプの利得のリニア特性を向上させることにある。
本発明の他の目的は、パワーコントロール信号に基づく出力電力の制御性に優れかつ電力効率が高い高周波電力増幅回路を提供することにある。
本発明の他の目的は、無線通信装置およびそれを用いた無線通信装置の通話時間および電池寿命を長くできる高周波電力増幅回路を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、通信用高周波電力増幅回路を構成するリニアアンプにバイアス電流を供給するバイアス電流生成回路を、各々電流値の大きさと開始レベルの異なる複数の可変電流源により構成し、これらの可変電流源を入力制御電圧により制御してそれらの電流を合成してバイアス電流となすとともに、この合成電流が入力制御電圧に対して指数関数的に変化するように構成したものである。
【０００８】
上記した手段によれば、バイアス電流の指数関数特性をトランジスタのベース・エミッタ間ＰＮ接合の電圧−電流特性を使用せずに、複数の電流源の電流を合成して実現するため、製造バラツキに伴なうトランジスタのベース・エミッタ間電圧のバラツキや温度変化に伴なうベース・エミッタ間電圧の変動によりバイアス電流が変化するのを回避することができる。これによって、安定した精度の高いバイアス電流をリニアアンプに供給するバイアス回路を実現できるようになる。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１は、通信用高周波電力増幅回路を構成する利得制御アンプとしてのリニアアンプに供給するバイアス電流を生成するバイアス回路の実施例の概略を示す。この実施例のバイアス回路２０は、各々電流値の大きさと開始レベルの異なる複数の可変電流源ＶＣ１，ＶＣ２……ＶＣｎを備え、これらの可変電流源ＶＣ１，ＶＣ２……ＶＣｎを入力制御電圧ＶAPCにより制御してそれらの電流を合成してバイアス電流となすとともに合成電流が入力制御電圧ＶAPCに対して指数関数的に変化するように構成したものである。
【００１０】
具体的には、可変電流源ＶＣ１，ＶＣ２……ＶＣｎはそれぞれ図２（Ａ）に示すような電圧‐電流特性を有するように構成される。１つ１つの可変電流源の特性は、図２（Ａ）から分かるように、それぞれ設定された基準電位ＶR1，ＶR2……ＶRnを中心に±ΔＶの範囲だけ電流が直線的に変化するとともに、前の電流源の電流飽和到達レベルが次の電流源の電流開始レベルとほぼ一致するようにつまり電流可変範囲が重ならないように設定され、また直線の傾きつまり電流の変化率が電流源Ｉ１，Ｉ２……Ｉｎの順に大きくなるように設定されている。そして、実施例のバイアス回路２０は、上記可変電流源ＶＣ１，ＶＣ２……ＶＣｎのすべての電流Ｉ１，Ｉ２……Ｉｎを合成してそれらの電流値の総和に等しい電流をバイアス電流Ioutとしてリニアアンプ１０に流すように構成されている。そして、この合成電流が入力制御電圧ＶAPCに対して指数関数的に変化する。これによって、リニアアンプ１０の利得（Ｐｏｕｔ／Ｐｉｎ）が入力制御電圧ＶAPCに応じて直線的に変化するように制御される。
【００１１】
図２（Ｂ）に、入力制御電圧ＶAPCに対するバイアス電流Ioutの変化の様子を実線で示す。図２（Ｂ）から分かるように、バイアス電流Ioutは折れ線グラフのように変化する。最初の分線Ａ１は電流源ＶＣ１の電流Ｉ１、次の分線Ａ２は電流源ＶＣ１とＶＣ２の電流Ｉ１，Ｉ２を加算したもの、次の分線Ａ３は電流源ＶＣ１とＶＣ２とＶＣ３の電流Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３を加算したもの、最後の分線Ａｎはすべての電流源の電流Ｉ１，Ｉ２……Ｉｎを加算したものに相当する。この実施例のバイアス回路２０では、図２（Ｂ）の折れ線が指数曲線と近似するように、各可変電流源の電流値Ｉ１，Ｉ２……Ｉｎが設定されている。
【００１２】
図３には、上記バイアス回路２０の具体的な回路例が示されている。図３に示されているように、各可変電流源ＶＣ１，ＶＣ２……ＶＣｎは、前記基準電位ＶR1，ＶR2……ＶRnのいずれかがベース端子に印加されたバイポーラトランジスタＱ１１,Ｑ２１,……Ｑｎ１と、これらのトランジスタとそれぞれ対をなすトランジスタＱ１２,Ｑ２２,……Ｑｎ２と、例えばＱ１１,Ｑ１２のように各対をなすトランジスタのエミッタ端子に抵抗Ｒ１１,Ｒ１２；Ｒ２１,Ｒ２２……Ｒｎ１，Ｒｎ２を介して接続された定電流源ＩＥ１，ＩＥ２，……ＩＥｎとから構成されている。そして、対をなす一方のトランジスタＱ１１,Ｑ２１,……Ｑｎ１のコレクタ端子は電源電圧Ｖｃｃに接続され、他方のトランジスタＱ１２,Ｑ２２,……Ｑｎ２のコレクタ端子は共通接続されて、Ｑ１２,Ｑ２２,……Ｑｎ２のコレクタ電流Ｉ１，Ｉ２，……Ｉｎを合成してバイアス電流Ioutを生成するように構成されている。
【００１３】
また、リニアアンプ１０の出力レベルを制御するための制御電圧ＶAPCに応じてトランジスタＱ１１,Ｑ２１……Ｑｎ１のベース電圧ＶR1，ＶR2，……ＶRnと、トランジスタＱ１２,Ｑ２２……Ｑｎ２のベース電圧ＶB1，ＶB2，……ＶBnを生成するための抵抗分圧回路２２が設けられている。さらに、上記可変電流源ＶＣ１，ＶＣ２……ＶＣｎとは別に、オフセット電流Ioffを流すため、トランジスタＱ０１，Ｑ０２と抵抗Ｒ０１，Ｒ０２、定電流用トランジスタＱｃ０とそのエミッタ抵抗Ｒｅ０とからなる電流源Ｃoffが設けられている。この電流源Ｃoffは、制御電圧ＶAPCが０Ｖであっても最小限のバイアス電流をリニアアンプ１０に流すために設けられたものである。
【００１４】
また、各可変電流源ＶＣ１，ＶＣ２……ＶＣｎの定電流源ＩＥ１，ＩＥ２，……ＩＥｎは、それぞれバイポーラトランジスタＱｃ１，Ｑｃ２，……Ｑｃｎとエミッタ抵抗Ｒｅ１,Ｒｅ２,……Ｒｅｎとから構成されており、トランジスタＱｃ１，Ｑｃ２，……ＱｃｎおよびＱｃ０のベースには、これらとカレントミラー接続されたトランジスタＱｃｒのベース電圧と同一の電圧が印加されている。各可変電流源ＶＣｉ（ｉ＝１，２，……ｎ）の定電流源ＩＥｉがそれぞれバイポーラトランジスタＱｃｉとエミッタ抵抗Ｒｅｉとにより構成されることにより、エミッタ抵抗がないトランジスタ単独の電流源に比べてトランジスタのベース・エミッタ間電圧ＶBEのばらつきによる電流のばらつきが小さくされる。
【００１５】
上記トランジスタＱｃ０には基準電流IREFが流されるように構成されており、これによって各トランジスタＱｃ１，Ｑｃ２，……Ｑｃｎには基準電流IREFに比例した電流Ｉｅ１，Ｉｅ２，……Ｉｅｎ，Ｉoffが流れるようにされる。そして、その電流値はトランジスタＱｃ０のサイズ（特にエミッタ）とＱｃ１，Ｑｃ２，……Ｑｃｎのサイズ比、及び、抵抗Ｒｅ１,Ｒｅ２,……Ｒｅｎの比によって決定される。各トランジスタＱｃ１，Ｑｃ２，……Ｑｃｎに流れる電流Ｉｅ１，Ｉｅ２，……Ｉｅｎが、図１のバイアス回路の各可変電流源ＶＣ１，ＶＣ２……ＶＣｎの飽和電流となる。また、抵抗Ｒ01，Ｒ02；Ｒ11，Ｒ12……Ｒn1，Ｒn2の抵抗値によって、電流変化率（図２(Ｂ)の分線Ａ１,Ａ２……Ａｎの傾き）が決定される。さらに、各可変電流源ＶＣ１，ＶＣ２……ＶＣｎの電流可変範囲±ΔＶは、対を成すトランジスタのベース電位差によって決定される。
【００１６】
つまり、対を成すトランジスタのベース電位差が２ΔＶとなるように、抵抗分圧回路２２において、トランジスタＱ１１,Ｑ２１……Ｑｎ１のベース電圧ＶR1，ＶR2，……ＶRnと、トランジスタＱ１２,Ｑ２２……Ｑｎ２のベース電圧ＶB1，ＶB2，……ＶBnが生成される。また、制御電圧ＶAPCに応じて変化する電圧ＶR1，ＶR2，……ＶRnとＶB1，ＶB2，……ＶBnの交差電位が、図２の各電流波形の中心電位Ｖ１，Ｖ２……Ｖｎとなるように抵抗分圧回路２２を構成する抵抗の比が設定されている。
【００１７】
この実施例のバイアス回路では、各可変電流源ＶＣ１，ＶＣ２……ＶＣｎの電流変化率が抵抗Ｒ01，Ｒ02；Ｒ11，Ｒ12……Ｒn1，Ｒn2の抵抗値によって決まるので、抵抗がばらついても抵抗比はほぼ一定であるため、図２（Ｂ）に示されている合成電流として出力されるバイアス電流Ｉｏｕｔの指数関数曲線はほとんど変わらないという利点がある。
【００１８】
図４には、図１のリニアアンプ１０とバイアス回路２０を有する高周波電力増幅回路を適用して好適なＣＤＭＡ方式の携帯電話機の送信系回路の構成が示されている。図４において、破線で囲まれた回路ブロックは、単結晶シリコンのような１個の半導体チップ上に、半導体集積回路として形成される。ただし、最終段の出力パワーアンプ７０は別個のＩＣとして構成されていても良い。
【００１９】
この実施例における携帯電話機の送信系回路は、図４に示されているように、ベースバンド信号処理やシステム全体の制御等を行なうベースバンド回路１００と、ベースバンド回路１００で符号拡散されたＩ／Ｑ送信データをアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換回路３０、変調用の局部発振信号を生成する発振器（ＶＣＯ）４０と、該発振器４０で生成された局部発振信号を１／２に分周するとともに互いに位相が９０°ずれた発振信号φ１，φ０を生成する分周位相回路５０と、発振信号φ１，φ０に対して上記Ｉ,Ｑ信号で直交変調を行なう変調回路６０と、変調信号を電力増幅するリニアアンプ１０と、該リニアアンプ１０のバイアス電流を供給するバイアス回路２０と、リニアアンプ１０で増幅された信号をさらに増幅するパワーアンプ７０などから構成され、パワーアンプ７０で増幅された信号がアンテナ８０より送信される。Ｄ／Ａ変換回路３０はベースバンド回路１００と共に１つの半導体チップ上に半導体集積回路として構成することが可能である。
【００２０】
特に制限されるものでないが、この実施例では、リニアアンプ１０は図８に示されているトランジスタＱ１，Ｑ２からなる差動増幅回路が２段縦続接続され、各増幅回路に対してバイアス回路２０から制御電圧ＶAPCに応じて指数関数的に変化するバイアス電流Ｉoutが供給される。これによって、リニアアンプ１０のゲインは、制御電圧ＶAPCに応じて０ｄＢから５５ｄＢまで可変できるようにされている。
【００２１】
また、図４の実施例の送信系回路では、バイアス回路２０の前段に制御電圧ＶAPCのレベルを負の方向へシフトさせるレベルシフタ９０が設けられているとともに、リニアアンプ１０の後段の出力パワーアンプ７０はそのゲインを０ｄＢと２０ｄＢの２段階に切り替えられるように構成されている。そして、ベースバンド回路１００からのゲイン切替え制御信号ＧＳにより、パワーアンプ７０のゲインを０ｄＢから２０ｄＢへ切り替えるタイミングに合わせてバイアス回路２０に供給される制御電圧ＶAPCのレベルをレベルシフタ９０によりシフトさせ、リニアアンプ１０とパワーアンプ７０のトータルのゲインを制御電圧ＶAPCに応じて０ｄＢから７５ｄＢまで直線的に変化させることができるようにされている。これにより、トータルの消費電力の低減が可能になる。
【００２２】
具体的には、図５に示すように、制御電圧ＶAPCが徐々に増加してリニアアンプ１０のゲインＧRFが約３０ｄＢになるレベルＶ１に達した時（符号ｔ１）に、ゲイン切替え制御信号ＧＳによりパワーアンプ７０のゲインＧPAを０ｄＢから２０ｄＢへ切り替えるとともに、レベルシフタ９０におけるレベルシフト量を０Ｖから−Ｖ１に切り替える。すると、バイアス回路２０に供給される電圧が（ＶAPC−Ｖ１）となり、リニアアンプ１０のゲインＧRFは再び０ｄＢから変化されるようになる。そして、リニアアンプ１０のゲインＧRFが最大の５５ｄＢに達した時に、リニアアンプ１０とパワーアンプ７０を合わせたトータルゲインＧtotalが７５ｄＢになるように制御される。
【００２３】
携帯電話器の送信系回路に要求される高周波電力増幅回路の利得はＷ−ＣＤＭＡの場合０〜約７５ｄＢであり、この全範囲においてリニアアンプ１０とパワーアンプ７０の利得を同時にリニアに可変制御する方式も考えられる。一方、図４のようにリニアアンプ１０とパワーアンプ７０とからなる高周波電力増幅回路においては、一般にアンテナに近いパワーアンプ７０の消費電力の方がリニアアンプ１０の消費電力よりも大きい。そのため、パワーアンプ７０の利得を制御電圧ＶAPCに応じて上記のように２段階に切り替えるようにすれば、所望利得が低い範囲（３０ｄＢ以下）ではパワーアンプ７０はゲインが０ｄＢで動作されるため、トータルの消費電力がパワーアンプ７０とリニアアンプ１０のゲインを両方変化させる場合に比べて少なくて済む。
【００２４】
しかも、携帯電話器は平均して送信電力が小さくて済む基地局に近いところで使用される確率の方が、大きな送信電力が必要とされる基地局から離れた場所での使用確率よりも高いため、上記のように、パワーアンプ７０の利得を２段階に切り替え、所望利得が低い範囲では０ｄＢで動作させるようにすれば、消費電力の低減が可能となる。これによって特に低出力時の効率が向上し、消費電流が低減するので、携帯電話機の通話時間および電池寿命が長くなる。この傾向は今後基地局の数が増加するに従って高くなると予想されるので、本発明の適用による効果はより大きくなる。
【００２５】
図４には、Ｉ／Ｑ送信信号により直接送信周波数の局部発振信号を変調するダイレクトアップコンバージョン方式の携帯電話機の送信系回路の例を示した。図６には、Ｉ／Ｑ送信信号により中間周波数の局部発振信号を変調し、前段リニアアンプ１０Ａで増幅した後、ミクサＭＩＸで高周波発振器（ＲＦ−ＶＣＯ）からの発振信号φRFと合成して所望の送信周波数信号に変換し、これを後段リニアアンプ１０Ｂで増幅しさらにパワーアンプ７０で電力増幅してアンテナより送信する２ステップダイレクトアップコンバージョン方式の携帯電話機の送信系回路の例を示す。
【００２６】
この携帯電話機に対しても図４の実施例におけるゲイン制御（図５）をそのまま適用して、制御電圧ＶAPCが所定のレベルＶ１に達した時はパワーアンプ７０のゲインＧPAを０ｄＢから２０ｄＢへ切り替えるとともに、レベルシフタ９０におけるレベルシフト量を０Ｖから−Ｖ１に切り替える。このようにして、バイアス回路２０Ａ，２０Ｂから出力されるバイアス電流Ｉｏｕｔを指数関数的に制御して、前段リニアアンプ１０Ａのゲインと後段リニアアンプ１０Ｂのゲインを直線的に変化させ、例えば前段リニアアンプ１０Ａで２０ｄＢ、後段リニアアンプ１０Ｂで３５ｄＢを分担させてトータルで５５ｄＢをカバーし、パワーアンプ７０と合わせたトータルゲインＧtotalが７５ｄＢになるように制御することができる。
【００２７】
なお、図６には、リニアアンプ１０Ａ，１０Ｂに応じて２つのバイアス回路２０Ａ，２０Ｂを設けた構成が示されているが、図３のようなバイアス回路を１つだけ設け、その出力部にカレントミラー回路を設けてリニアアンプ１０Ａと１０Ｂに同一もしくは比例したバイアス電流Iout１、Iout２を供給するように構成することも可能である。
【００２８】
次に、本発明のバイアス回路を、ポーラーループ方式のリニア送信回路を有する携帯電話機に適用する場合の実施例を、図７を用いて説明する。ポーラーループは、ＧＭＳＫ変調の位相シフトにさらに振幅シフトを加えたＥＤＧＥ（Enhanced Data Rates for GMS Evolution）と呼ばれる方式でデータ通信を行なう送信回路のアーキテクチャの１つであり、位相を制御するフィードバックループ（位相ループ）と振幅を制御するフィードバックループ（振幅ループ）の２つのループを備える。
【００２９】
図７の実施例のポーラーループでは、直交変調回路６０において中間周波数の発振器ＩＦ−ＶＣＯで生成された中間発振信号をＩ／Ｑ信号で変調した信号に位相成分と振幅成分とが含まれており、そのうち振幅成分を検出する振幅検出回路ＡＭ‐ＤＴＣ１、変調信号にフィードバック信号を掛け合わせて位相成分を抽出するミクサＭＩＸ１、ミクサＭＩＸ１の出力に帯域制限をかけて直流電圧を生成するロウパスフィルタＬＰＦ、送信信号を生成する送信用発振器Ｔｘ−ＶＣＯ、送信信号に振幅変調をかける振幅変調回路ＡＭ−ＭＯＤ、パワーアンプ７０の出力レベルを検出するカプラＣＰＬ、カプラＣＰＬの出力とＲＦ−ＶＣＯの発振信号を合成するミクサＭＩＸ２、ミクサＭＩＸ２の出力を増幅する利得制御アンプＶＧＡ１、増幅された信号から振幅成分を検出する振幅検出回路ＡＭ‐ＤＴＣ２、振幅検出回路ＡＭ‐ＤＴＣ２の出力と前記振幅検出回路ＡＭ‐ＤＴＣ１の出力との誤差を増幅する誤差アンプＥＲ−ＡＭＰ、該誤差アンプＥＲ−ＡＭＰの出力を増幅し前記振幅変調回路ＡＭ−ＭＯＤにフィードバックする利得制御アンプＶＧＡ２などを備える。
【００３０】
上記カプラＣＰＬ−ミクサＭＩＸ２−利得制御アンプＶＧＡ１−振幅検出回路ＡＭ‐ＤＴＣ２−誤差アンプＥＲ−ＡＭＰ−振幅変調回路ＡＭ−ＭＯＤにより振幅制御ループが構成される。また、上記ミクサＭＩＸ２の出力をミクサＭＩＸ１にフィードバックすることにより位相をロックさせる位相制御ループが構成される。具体的には、変調回路６０の出力信号とミクサＭＩＸ２からのフィードバック信号に位相差が生じていると、この誤差を減少させるような電圧が送信用発振器Ｔｘ−ＶＣＯの周波数制御端子に供給され、ミクサＭＩＸ２からのフィードバック信号の位相が変調回路６０の出力信号の位相と一致するようになる。この位相ループにより、送信用発振器Ｔｘ−ＶＣＯの出力の位相が電源電圧変動や温度変化に対してずれないような制御が行われる。なお、送信用発振器Ｔｘ−ＶＣＯの振幅は一定である。
【００３１】
振幅制御ループにおいては、カプラＣＰＬにより検出されたパワーアンプ７０の出力がミクサＭＩＸ２により中間周波数帯（ＩＦ）に変換されたフィードバック信号は、利得制御アンプＶＧＡ１により増幅されてから、振幅検出回路ＡＭ−ＤＴＣ２により検波され、振幅成分が出力される。一方、位相変調回路６０により変調された送信信号が振幅検出回路ＡＭ−ＤＴＣ１により検波され、振幅成分が出力される。振幅検出回路ＡＭ−ＤＴＣ１により検出された送信信号の振幅成分とＡＭ−ＤＴＣ２により検出されたフィードバック信号の振幅成分は、誤差アンプＥＲ−ＡＭＰで比較されて誤差分が増幅され、その出力は、利得制御アンプＶＧＡ２により再び増幅されて、振幅変調回路ＡＭ−ＭＯＤの振幅制御端子に入力される。
【００３２】
本実施例においては、上記利得制御アンプＶＧＡ１とＶＧＡ２に対応して、これらの回路に出力制御電圧ＶAPCに応じたバイアス電流Ｉout1，Ｉout2を供給するバイアス回路２０Ａと２０Ｂが設けられており、これらのバイアス回路２０Ａと２０Ｂは図３の回路と同様な構成を有するようにされる。ただし、電圧−電流特性は、利得制御アンプＶＧＡ１に対応するバイアス回路２０Ａのみ図２の実線で示すような指数関数的に変化されるバイアス電流Ｉout1を生成し、バイアス回路２０Ｂは、図２に破線で示すように、指数関数的に減少すなわち（ｌｏｇＩout1＋ｌｏｇＩout2）＝一定となるように変化するバイアス電流Ｉout2を生成するように可変電流源ＩＥ１〜ＩＥｎが構成される。そのため、ベースバンド回路１００から出力される出力制御信号ＶAPCに基づいて、利得制御アンプＶＧＡ１とＶＧＡ２に対する差動制御信号Ｖapc，／Ｖapcを生成する差動アンプＤ−ＡＭＰが設けられている。これにより、利得制御アンプＶＧＡ１のゲインとＶＧＡ２のゲインとの和が一定になるように制御される。
【００３３】
上記送信系回路においては、振幅変調回路ＡＭ−ＭＯＤは送信用発振回路Ｔｘ−ＶＣＯの出力を利得制御アンプＶＧＡ２の出力に応じて変化させるが、利得制御アンプＶＧＡ１の出力と位相変調回路６０の出力に振幅誤差が生じていると、この誤差を減少させるような信号が利得制御アンプＶＧＡ２から出力される。従って、利得制御アンプＶＧＡ１のゲインを減衰または増加させると、振幅変調回路ＡＭ−ＭＯＤの出力はその分増幅または減衰され、フィードバック信号の振幅と位相変調回路６０の出力の振幅とが一致する。
このとき、パワーアンプ７０の出力は送信用発振回路Ｔｘ‐ＶＣＯの一定振幅の出力を振幅変調回路ＡＭ−ＭＯＤとパワーアンプ７０で増幅した信号になるので、利得制御アンプＶＧＡ１のゲインを制御することで、パワーアンプ７０の出力振幅を制御できる。しかも、利得制御アンプＶＧＡ２のゲインは、ＶＧＡ１のゲインとＶＧＡ２のゲインとの合計が一定になるように制御される。つまり、利得制御アンプＶＧＡ１のゲインが減少または増加すれば、そのゲインの変化分だけ、利得制御アンプＶＧＡ２のゲインが増加または減少される。このように制御することで、発振を防止してループの安定性を保つことができる。
【００３４】
このようにポーラーループでは、位相制御ループと振幅制御ループの相乗作用により、パワーアンプ７０の出力の位相と振幅を正確に制御できるので、ＧＳＭとＥＤＧＥの両方式に対応したデュアルモードの送信回路に適した方式と考えられている。これは、ＧＭＳＫ変調方式を採用するＧＳＭが位相成分のみに送信情報を持たせているのに対し、ＥＤＧＥ方式は、転送レートを高めるために振幅成分にも情報を持たせているためで、従来ＧＳＭ方式のみに対応していた送信回路では、パワーアンプ７０の出力振幅が一定になるように制御をかけていたため、ＥＤＧＥのように振幅が変化する方式には対応できなかったからである。ポーラーループでは、先に述べたように、パワーアンプ７０の出力からのフィードバック信号と位相変調回路６０の出力を比較し、利得制御アンプでゲインを調整するので、ＥＤＧＥによる振幅の変調成分に影響を与えることなくパワーアンプ出力(正確にはパワーアンプの平均出力電力)を制御できる。従って、振幅の変調成分を持たないＧＳＭも同時に対応できることになる。
【００３５】
しかし、ＧＳＭ、ＥＤＧＥどちらの方式の場合においても、パワーアンプの出力は電源や温度変動及び素子ばらつきに対し、感度が低くなければならない。ＧＳＭ方式の規格では、アンテナ端において、立ち上がり(ランプアップ)期間、立下り(ランプダウン)期間及び、データ送信期間の電力は、図８に示すようなタイムマスクに常に収まらなければならないと規定されている。ポーラーループにおいて、このような出力電力の制御を行うためには、ループ内の回路特性に変動が少ないことが要求され、特に利得制御アンプＶＧＡ１、ＶＧＡ２は、広いゲインの可変範囲(約５０ｄＢ)を確保し、その全範囲でばらつきを抑えることが要求される。このため、その実現は非常に困難になる。もしばらつきが許容できない場合は、ばらつき情報をベースバンド回路に取り込み、ばらつきを補正するように利得制御アンプＶＧＡ１、ＶＧＡ２のゲインを制御する方式も考えられるが、このようにすると、ベースバンドＩＣの製造コストを引き上げてしまうので、好ましくない。また、利得制御アンプのゲインが制御信号に対し非線形な場合も、ベースバンド回路に対する負担が増え、製造コストが上がってしまうので、ゲイン制御は線形であることが望まれる。
【００３６】
従って、前記実施例（図２）のような構成を有するバイアス回路を用いることで、広いゲイン可変範囲を確保しつつ、電源や温度変動及び素子ばらつきに対し感度が低く、且つゲイン制御の線形性も良好な利得制御アンプを実現でき、ベースバンド回路への負担を低減できるので、ベースバンドＩＣの製造コストを引き下げることができる。
【００３７】
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３８】
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野であるＣＤＭＡ方式やＥＤＧＥ方式の無線通信装置に適用されるバイアス回路について説明したが、本発明はそれに限定されるものでなく、利得制御アンプをリニア制御する方式の無線通信装置に適用されるバイアス回路に広く利用することができる。
【００３９】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、利得制御アンプとその利得を直線的に変化させるようなバイアス電流を供給するバイアス回路とを含む高周波電力増幅回路を備えた通信用半導体集積回路およびそれを用いた無線通信装置において、製造バラツキに伴なうトランジスタのベース・エミッタ間電圧のバラツキや温度変化に伴なうベース・エミッタ間電圧の変動によりバイアス電流が変化するのを回避することができるため、安定した精度の高いバイアス電流を利得制御アンプに供給するバイアス回路を実現できるようになる。これによって、利得制御アンプの利得のリニア特性が向上されるようになる。
【００４０】
また、利得制御アンプと出力パワーアンプを有する高周波電力増幅回路において、出力パワーアンプのゲインを２段階に切り替えられるように構成し、出力要求レベルが低い時は出力パワーアンプのゲインを低い方へ切り替えて利得制御アンプのみでゲインを調整するようにしたため、低出力時の電力効率が向上するようになる。その結果、本発明の高周波電力増幅回路を使用した携帯電話機においては、通話時間および電池寿命が長くなるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態である高周波電力増幅回路の要部の構成図である。
【図２】図１の高周波電力増幅回路のバイアス回路における出力制御電圧と各電流源の電流およびそれらを合成したバイアス電流との関係を示すグラフである。
【図３】図１の高周波電力増幅回路のバイアス回路の具体的な回路構成例を示す回路図である。
【図４】実施例のバイアス回路を適用して好適な携帯電話機の送信系回路の構成例を示すブロック図である。
【図５】図４のシステムにおける出力制御電圧とリニアアンプのゲインおよびパワーアンプのゲインとの関係を示すグラフである。
【図６】実施例のバイアス回路を適用して好適な携帯電話機の送信系回路の他の構成例を示すブロック図である。
【図７】実施例のバイアス回路を適用して好適なポーラーループ方式の送信系回路の構成例を示すブロック図である。
【図８】従来の高周波電力増幅回路におけるバイアス回路の一例を示す回路構成図である。
【符号の説明】
１００  ベースバンド回路
１０    高周波増幅用リニアアンプ
２０    バイアス回路
３０    Ｄ／Ａ変換器
４０    局部発振器
６０    直交変調回路
７０    出力パワーアンプ
９０    レベルシフタ
【図１】
0003942013.tif 000002
【図２】
0003942013.tif 000003
【図３】
0003942013.tif 000004
【図４】
0003942013.tif 000005
【図５】
0003942013.tif 000006
【図６】
0003942013.tif 000007
【図７】
0003942013.tif 000008
【図８】
0003942013.tif 000009