(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＨＭＤＳガスによる膜とこのＨＭＤＳガスによる膜上に塗布されたレジスト膜とが形成された基板の基板周縁部に溶剤を吐出して、該周縁部のレジスト膜を除去するレジスト膜除去手段と、
前記レジスト膜が除去された基板周縁部に露出した前記ＨＭＤＳガスによる膜を除去するＨＭＤＳガスによる膜除去手段と
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記ＨＭＤＳガスによる膜は、アドヒージョン処理により形成される
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記ＨＭＤＳガスによる膜除去手段は、
前記露出したＨＭＤＳガスによる膜に、前記レジスト膜を露光するための露光光の波長成分を含む光を照射する手段
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記レジスト膜除去手段は、
前記溶剤を吐出する溶剤ノズルを保持した保持部材と、
前記保持部材を基板の周縁部に沿って移動させる周縁移動機構と
を具備し、
前記保持部材を前記周縁移動機構により移動させながら前記溶剤を吐出する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記保持部材に前記溶剤ノズルと一体的に取り付けられ、前記光を照射する光ファイバーを具備し、
前記ＨＭＤＳガスによる膜除去手段は、
前記保持部材を前記周縁移動機構により移動させながら光を照射する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記光ファイバーと溶剤ノズルとが、前記保持部材の移動方向とほぼ平行に配置されている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記保持部材を前記移動方向と直交する方向に移動させる直交方向移動機構と、
前記周縁部のレジスト膜を除去した後に、前記直交方向機構により前記保持部材を移動させ、該周縁部のＨＭＤＳガスによる膜を除去する手段と
を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記光ファイバーが前記溶剤ノズルよりも基板の外側に配置されている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置において、
前記保持部材を前記移動方向と直交する方向に移動させる直交方向移動機構を更に具備し、
保持部材を前記周縁移動機構及び直交方向移動機構によって交互に移動させつつ、前記周縁部のレジスト膜を除去するとともに、順次露出されていくＨＭＤＳガスによる膜を除去する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記光ファイバーの投光面に向けて洗浄液を噴出する洗浄ノズル
を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理装置において、
前記洗浄ノズルは、前記保持部材に取り付けられている
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記ＨＭＤＳガスによる膜を除去する際に当該ＨＭＤＳガスによる膜から発生するガスを排気する手段
を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理装置において、
前記排気手段は、
前記洗浄ノズルにより洗浄した後の光ファイバーの投光面を乾燥させる手段
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記光ファイバーの投光面は、一辺が、ほぼ前記露出したＨＭＤＳガスによる膜の幅と同じ長さを有する矩形でなる
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１５】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記光ファイバーによる光の照射は、前記レジスト膜が塗布された基板面の裏面側から行う
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記基板周縁部のＨＭＤＳガスによる膜を加熱する手段
を更に具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記ＨＭＤＳガスによる膜除去手段は、
前記露出したＨＭＤＳガスによる膜に、オゾン水を供給する手段
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１８】
ＨＭＤＳガスによる膜とこのＨＭＤＳガスによる膜上に塗布されたレジスト膜とが形成された基板の基板周縁部に溶剤を吐出して、該周縁部のレジスト膜を除去する工程と、
前記レジスト膜が除去された基板周縁部に露出した前記ＨＭＤＳガスによる膜を除去する工程と
を具備することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の基板処理方法において、
前記ＨＭＤＳガスによる膜は、アドヒージョン処理により形成される
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の基板処理方法において、
前記ＨＭＤＳガスによる膜の除去工程は、基板の露光処理前に行う
ことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２１】
請求項１８に記載の基板処理方法において、
前記ＨＭＤＳガスによる膜の除去工程は、
前記露出したＨＭＤＳガスによる膜に、前記露光処理における露光光の波長成分を含む光を照射する工程を含む
ことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示デバイス等に使用されるガラス基板に形成された処理膜等を除去する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）等の製造工程においては、被処理体であるＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用される。フォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これを露光し、さらに現像する。
【０００３】
また、これらレジスト塗布、露光及び現像の各工程の前後においては、所定の加熱処理や冷却処理を行っており、特に、レジストの塗布処理の前工程においては、アドヒージョン処理を行っている。このアドヒージョン処理とは、ガラス基板とレジスト膜との密着性を向上させるために、ガラス基板にアンモニア系のガス（一般にはＨＭＤＳガスが使用されている。）を蒸気状にして塗布している。
【０００４】
そして、このアドヒージョン処理後レジスト膜が塗布されるが、後にパーティクルの発生を防止するために、レジスト膜塗布処理後にガラス基板の周縁部に塗布された余分なレジスト膜をシンナ等の溶剤により除去している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この周縁部のレジスト除去処理がなされた後、ガラス基板は露光装置に搬送されて露光処理されるが、このとき露光装置における露光レンズやミラー等が白濁するといった問題が発生している。これは、レジスト膜の下に塗布されたＨＭＤＳガスによる膜が、基板周縁部のレジスト膜を除去した後に当該周縁部に露出し、この部分からＨＭＤＳガスを構成するアミン系のガス、例えば硫化アンモニウムが発生して、この発生したガスが露光装置のレンズやミラー等に付着することが原因と考えられる。このような問題により、例えば所定の露光量で露光できない等、露光処理に不具合が生じている。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、露光装置に悪影響を与えずに基板周縁部のレジスト膜を除去できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係る基板処理装置は、ＨＭＤＳガスによる膜とこのＨＭＤＳガスによる膜上に塗布されたレジスト膜とが形成された基板の基板周縁部に溶剤を吐出して、該周縁部のレジスト膜を除去するレジスト膜除去手段と、前記レジスト膜が除去された基板周縁部に露出した前記ＨＭＤＳガスによる膜を除去するＨＭＤＳガスによる膜除去手段とを具備することを特徴とする。
【０００８】
このような構成によれば、レジスト膜除去手段によってレジスト膜が除去された後、露出したＨＭＤＳガスによる膜がＨＭＤＳガスによる膜除去手段によって除去される。これにより、露光装置における露光レンズやミラー等が白濁する原因となる、例えばアドヒージョン処理により形成されたＨＭＤＳガスによる膜を除去することができるため、露光装置に悪影響を与えずに基板周縁部のレジスト膜を除去できる。
【０００９】
レジスト膜処理手段として、溶剤ノズルを基板周縁部に沿って移動させながら溶剤を吐出することによりレジスト膜を除去することが考えられる。また、ＨＭＤＳガスによる膜除去手段として、例えば光ファイバーを基板周縁部に沿って移動させながらこの光ファイバーから光を照射することによりＨＭＤＳガスによる膜を除去することが考えられ、さらにＨＭＤＳガスによる膜にオゾン水を供給することによって当該ＨＭＤＳガスによる膜を除去することも考えられる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、光ファイバーによる光は、前記レジスト膜を露光するための露光光の波長成分を含む光を用いることが好ましい。
【００１１】
また、レジスト膜を除去した後に露出するＨＭＤＳガスによる膜を加熱する加熱手段を有してもよい。このように、光の照射を行う前に予めＨＭＤＳガスによる膜を加熱しておくことにより、光照射によるＨＭＤＳガスによる膜の剥離作用を促進させることができる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記レジスト膜除去手段は、前記溶剤を吐出する溶剤ノズルを保持した保持部材と、前記保持部材を基板の周縁部に沿って移動させる周縁移動機構とを具備し、前記保持部材を前記周縁移動機構により移動させながら前記溶剤を吐出することを特徴とする。このような構成によれば、保持部材を移動させながら溶剤を吐出することができるため、効率良くレジスト膜及びＨＭＤＳガスによる膜を除去することができる。また、保持部材に光ファイバーが固定されている場合には、保持部材を移動させながら光を照射することができるため、効率良くＨＭＤＳガスによる膜を除去することができる。
【００１３】
この光ファイバーの投光面は、一辺が、ほぼ前記露出したＨＭＤＳガスによる膜の幅と同じ長さを有する矩形でなることが望ましい。これにより、例えば保持部材よる基板周縁部の１往路の移動のみにより、ＨＭＤＳガスによる膜が露出した領域を効率良く除去できる。また、光ファイバーによる光の照射は、前記レジスト膜が塗布された基板面の裏面側から行ってもよい。例えば基板がガラス基板である場合には、裏面側から光を照射してもガラス基板の表面側に光を透過させることができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記光ファイバーと溶剤ノズルとが、前記保持部材の移動方向とほぼ平行に配置されていることを特徴とする。この場合、保持部材に前記移動方向と直交する方向に移動させる直交移動機構を設けることが望ましい。これにより、保持部材を前記直交方向に移動させ、溶剤ノズル及び光ファイバーをＨＭＤＳガスによる膜上で、このＨＭＤＳガスによる膜の幅方向に移動させることができるようになる。従って、溶剤ノズル及び光ファイバーによってＨＭＤＳガスによる膜が除去される範囲が広くなり、的確にＨＭＤＳガスによる膜が除去されることとなる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記光ファイバーが前記溶剤ノズルよりも基板の外側に配置されていることを特徴とする。このような構成によれば、保持部材の基板周縁部に沿った移動のみを行い、基板周縁部のレジスト膜が除去された後に残ったレジスト膜を光ファイバーによる光照射により露光されてしまうことを防止することができる。
【００１６】
本発明の一の形態によれば、前記保持部材を前記移動方向と直交する方向に移動させる直交方向移動機構を更に具備し、保持部材を前記周縁移動機構及び直交方向移動機構によって交互に移動させつつ、前記周縁部のレジスト膜を除去するとともに、順次露出されていくＨＭＤＳガスによる膜を除去することを特徴とする。このように、光ファイバーが後追いで溶剤吐出により順じ露出されていくＨＭＤＳガスによる膜を除去していくことにより、光ファイバーによってＨＭＤＳガスによる膜が除去される範囲が広くなり、的確にＨＭＤＳガスによる膜が除去されることとなり、レジスト膜及びＨＭＤＳガスによる膜を効率的かつ迅速に除去することができる。
【００１７】
本発明の一の形態によれば、前記光ファイバーの投光面に向けて洗浄液を噴出する洗浄ノズルを更に具備することを特徴とする。光が照射されることによりガス化したＨＭＤＳガスによる膜が光ファイバーの投光面に付着し当該光ファイバーの投光面を白濁させると、光ファイバーの投光面のその付着物によって、基板に一定した光照射が得られなくなる可能性が考えられる。本発明では、光ファイバーの投光面の白濁を洗浄液で洗浄することにより、かかる事態を回避することができる。また、本発明の洗浄ノズルは保持部材と一体的に移動できるように、保持部材に取り付けられていることもできる。
【００１８】
本発明の一の形態によれば、前記ＨＭＤＳガスによる膜を除去する際に当該ＨＭＤＳガスによる膜から発生するガスを排出する手段を更に具備することを特徴とする。このような構成によれば、光照射によってガス化したＨＭＤＳガスによる膜を排気することができる。これにより、上述した光ファイバーの投光面の白濁を防止することができ、又、装置や機器類の汚染を防止することができる。また、この排出する手段を設けることにより、当該洗浄の際に飛散する洗浄液を、除去されたレジスト膜やＨＭＤＳガスによる膜、このＨＭＤＳガスによる膜からの発生ガス等とともに排出することができ、更に、光ファイバーの投光面をも乾燥させることができる。
【００１９】
本発明に係る基板処理方法は、ＨＭＤＳガスによる膜とこのＨＭＤＳガスによる膜上に塗布されたレジスト膜とが形成された基板の基板周縁部に溶剤を吐出して、該周縁部のレジスト膜を除去する工程と、前記レジスト膜が除去された基板周縁部に露出した前記ＨＭＤＳガスによる膜を除去する工程とを具備することを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２１】
図１は本発明の搬送装置が適用されるＬＣＤ基板の塗布現像処理システムを示す平面図であり、図２はその正面図、また図３はその背面図である。
【００２２】
この塗布現像処理システム１は、複数のガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション２と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部３と、露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部４とを備えており、処理部３の両端にそれぞれカセットステーション２及びインターフェース部４が配置されている。
【００２３】
カセットステーション２は、カセットＣと処理部３との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構１０を備えている。そして、カセットステーション２においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送アーム１１によりカセットＣと処理部３との間で基板Ｇの搬送が行われる。
【００２４】
処理部３には、カセットステーション２におけるカセットＣの配列方向（Ｙ方向）に垂直方向（Ｘ方向）に延設された主搬送部３ａと、この主搬送部３ａに沿って、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）を含む各処理ユニットが並設された上流部３ｂ及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）１８を含む各処理ユニットが並設された下流部３ｃとが設けられている。
【００２５】
主搬送部３ａには、Ｘ方向に延設された搬送路３１と、この搬送路３１に沿って移動可能に構成されガラス基板ＧをＸ方向に搬送する搬送シャトル２３とが設けられている。この搬送シャトル２３は、例えば支持ピンにより基板Ｇを保持して搬送するようになっている。また、主搬送部３ａのインターフェース部４側端部には、処理部３とインターフェース部４との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット７が設けられている。
【００２６】
上流部３ｂにおいて、カセットステーション２側端部には、基板Ｇに洗浄処理を施すスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０が設けられ、このスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０の上段に基板Ｇ上の有機物を除去するためのエキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９が配設されている。
【００２７】
スクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０の隣には、ガラス基板Ｇに対して熱的処理を行うユニットが多段に積み上げられた熱処理系ブロック２４及び２５が配置されている。これら熱処理系ブロック２４と２５との間には、垂直搬送ユニット５が配置され、搬送アーム５ａがＺ方向及び水平方向に移動可能とされ、かつθ方向に回動可能とされているので、両ブロック２４及び２５における各熱処理系ユニットにアクセスして基板Ｇの搬送が行われるようになっている。なお、上記処理部３における垂直搬送ユニット７についてもこの垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００２８】
図２に示すように、熱処理系ブロック２４には、基板Ｇにレジスト塗布前の加熱処理を施すベーキングユニット（ＢＡＫＥ）が２段、ＨＭＤＳガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２５には、基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。
【００２９】
熱処理系ブロック２５に隣接してレジスト処理ブロック１５がＸ方向に延設されている。このレジスト処理ブロック１５は、基板Ｇにレジストを塗布するレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）４９と、減圧により前記塗布されたレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４０と、本発明に係る基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）４８とが一体的に設けられて構成されている。このレジスト処理ブロック１５には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）４９からエッジリムーバ（ＥＲ）４８にかけて移動する図示しないサブアームが設けられており、このサブアームによりレジスト処理ブロック１５内で基板Ｇが搬送されるようになっている。
【００３０】
レジスト処理ブロック１５に隣接して多段構成の熱処理系ブロック２６が配設されており、この熱処理系ブロック２６には、基板Ｇにレジスト塗布後の加熱処理を行うプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が３段積層されている。
【００３１】
下流部３ｃにおいては、図３に示すように、インターフェース部４側端部には、熱処理系ブロック２９が設けられており、これには、クーリングユニット（ＣＯＬ）、露光後現像処理前の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００３２】
熱処理系ブロック２９に隣接して現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）１８がＸ方向に延設されている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）１８の隣には熱処理系ブロック２８及び２７が配置され、これら熱処理系ブロック２８と２７との間には、上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有し、両ブロック２８及び２７における各熱処理系ユニットにアクセス可能な垂直搬送ユニット６が設けられている。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）１８端部の上には、ｉ線処理ユニット（ｉ―ＵＶ）３３が設けられている。
【００３３】
熱処理系ブロック２８には、クーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇに現像後の加熱処理を行うポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。一方、熱処理系ブロック２７も同様に、クーリングユニット（ＣＯＬ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。
【００３４】
インターフェース部４には、正面側にタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２が設けられ、垂直搬送ユニット７に隣接してエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５が、また背面側にはバッファカセット３４が配置されており、これらタイトラー及び周辺露光ユニット（Ｔｉｔｌｅｒ／ＥＥ）２２とエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５とバッファカセット３４と隣接した露光装置３２との間で基板Ｇの受け渡しを行う垂直搬送ユニット８が配置されている。この垂直搬送ユニット８も上記垂直搬送ユニット５と同一の構成を有している。
【００３５】
以上のように構成された塗布現像処理システム１の処理工程については、先ずカセットＣ内の基板Ｇが処理部３部における上流部３ｂに搬送される。上流部３ｂでは、エキシマＵＶ処理ユニット（ｅ−ＵＶ）１９において表面改質・有機物除去処理が行われ、次にスクラバ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２０において、基板Ｇが略水平に搬送されながら洗浄処理及び乾燥処理が行われる。続いて熱処理系ブロック２４の最下段部で垂直搬送ユニットにおける搬送アーム５ａにより基板Ｇが取り出され、同熱処理系ブロック２４のベーキングユニット（ＢＡＫＥ）にて加熱処理、アドヒージョンユニット（ＡＤ）にて、ガラス基板Ｇとレジスト膜との密着性を高めるため、基板ＧにＨＭＤＳガスを噴霧する処理が行われる。この後、熱処理系ブロック２５のクーリングユニット（ＣＯＬ）による冷却処理が行われる。
【００３６】
次に、基板Ｇは搬送アーム５ａから搬送シャトル２３に受け渡される。そしてレジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）に搬送され、レジストの塗布処理が行われた後、減圧乾燥処理ユニット（ＶＤ）にて減圧乾燥処理、エッジリムーバ（ＥＲ）４８にて基板周縁のレジスト除去処理が順次行われる。
【００３７】
次に、基板Ｇは搬送シャトル２３から垂直搬送ユニット７の搬送アームに受け渡され、熱処理系ブロック２６におけるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われた後、熱処理系ブロック２９におけるクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。続いて基板Ｇはエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）３５にて冷却処理されるとともに露光装置にて露光処理される。
【００３８】
次に、基板Ｇは垂直搬送ユニット８及び７の搬送アームを介して熱処理系ブロック２９のポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）に搬送され、ここで加熱処理が行われた後、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは垂直搬送ユニット７の搬送アームを介して、現像処理ユニット（ＤＥＶ）１８において基板Ｇは略水平に搬送されながら現像処理、リンス処理及び乾燥処理が行われる。
【００３９】
次に、基板Ｇは熱処理系ブロック２８における最下段から垂直搬送ユニット６の搬送アーム６ａにより受け渡され、熱処理系ブロック２８又は２７におけるポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）にて加熱処理が行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却処理が行われる。そして基板Ｇは搬送機構１０に受け渡されカセットＣに収容される。
【００４０】
図４及び図５は、レジスト処理ブロック１５を示す概略平面図及び概略側面図である。これらレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４９、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４０、及びエッジリムーバ（ＥＲ）４８は、図示するように同一のステージに一体的に並列されている。
【００４１】
減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４０は、下部チャンバ６１と、その上を覆うように設けられ、その内部の処理空間を気密に維持する上部チャンバ６２とを有している。下部チャンバ６１には、基板Ｇを載置するためのステージ６３が設けられ、下部チャンバ６１の各コーナー部には、４個の排気口６４が設けられ、この排気口６４に連通された排気管６５がターボ分子排気ポンプ等の排気ポンプ（図示略）に接続されている。そして、下部チャンバ６１と上部チャンバ６２とが密着した状態でその中の処理空間を排気することにより、所定の真空度に減圧されるように構成されている。
【００４２】
また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）４９のほぼ中央には、有底円筒状のカップ７１が配置され、カップ７１内にはガラス基板Ｇを固定保持するための保持部材である基板吸着テーブル５８が配置されている。
【００４３】
これらレジスト塗布ユニット（ＣＴ）４９、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４０、及びエッジリムーバ（ＥＲ）４８間における基板Ｇの搬送はアーム４１，４２により行われるようになっている。
【００４４】
次に本発明の一実施形態に係るエッジリムーバ（ＥＲ）４８について説明する。図６に示すように、ガラス基板Ｇを載置させるためのステージ９１が設けられている。このステージ９１にガラス基板Ｇが載置された状態において、ガラス基板Ｇの周縁部である四辺には、それぞれ、ガラス基板Ｇの周縁部のエッジから余分なレジストを除去するための４個のリムーバヘッド９３が基板Ｇの四辺に沿って移動可能に設けられている。この四辺に沿った移動は移動機構９４により行われるように構成されており、この移動機構９４は、各リムーバヘッド９３を支持する支持部材３６と、この支持部材３６を基板Ｇの四辺に平行に移動させる例えば図示しないベルト駆動機構とを有している。
【００４５】
図７、図８及び図９は上記リムーバヘッド９３の断面図、平面図及び正面図である。図７に示すように、リムーバヘッド９３は、上部ヘッド構成材９３ａと下部ヘッド構成材９３ｂを有し、これらを上下方向に対向させ処理空間Ｓを備えた断面略コ字状に形成されている。また、このリムーバヘッド９３は、このリムーバヘッド９３の基端部側に通じる吸引口９２を有し、この吸引口９２には、図示しない真空ポンプ等に接続され処理空間Ｓ内の雰囲気が吸引されるようになっている。
【００４６】
上部ヘッド構成材９３ａには、上部ヘッド構成材９３ａと下部ヘッド構成材９３ｂとの間の処理空間Ｓ内に基板Ｇの周縁部を位置させた際に、不要なレジスト膜７０を除去する部分に向けて溶剤を吐出するための溶剤ノズル９５が固定されている。溶剤ノズル９５には、別設の例えばタンク等を備えた溶剤供給源９６から、供給管２１を介して窒素ガス等による圧送により溶剤、例えばシンナが所定圧で供給されるようになっている。これにより、各リムーバヘッド９３は、基板Ｇの各辺に沿って移動してシンナを吐出しながら、基板Ｇの四辺のエッジに付着した余分なレジスト膜７０を取り除くことができる。
【００４７】
溶剤ノズル９５は、細い線材の中に吐出口と同径の流通部（図示せず）が形成されてなる中空構造を有する。一般的に使用されている例えば溶剤ノズル９５の吐出口の直径は約２６０μｍ程度である。そしてタンク９６に加えられる窒素ガスの圧力は、約１ｋｇ／ｃｍ２程度であり、これによって毎分４０ｍｌ程度の溶剤が基板Ｇの表裏面の周縁部に対して吐出され、不要なレジスト膜７０が溶解され基板Ｇ上から除去されるようになっている。本実施形態では、例えば図８に示すように基板Ｇの端部から０．５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲でレジスト膜を除去することが可能となっている。また、吐出された溶剤や溶解したレジスト液は、上記吸引口９２から吸引されて外部へと排出されるようになっている。
【００４８】
また、上部ヘッド構成材９３ａには、光ファイバー８１がその投光面８１ａを基板Ｇ側に向けて固定されており、図示しない光源に接続されている。この光ファイバー８１と溶剤ノズル９５との位置関係は、例えば図８に示すように、基板Ｇの一辺とほぼ平行とされている。この光ファイバー８１は、レジスト膜７０の下層に形成された基板周縁部の処理膜８０を除去する目的で設けられ、各リムーバヘッド９３が基板Ｇの各辺に沿って移動することにより、例えば光ファイバー８１により紫外線を照射しながら、基板Ｇの四辺の周縁部に付着した余分な処理膜８０が除去されるようになっている。ここで用いる紫外線は、例えば、上記露光装置３２の露光処理で使用する露光波長成分を含む光を使用することが好ましい。なお、各リムーバヘッド９３の移動、溶剤ノズル９５からのシンナの供給及び停止、光ファイバー８１による紫外線の照射及び停止等は、図示しない制御部により制御されるようになっている。
【００４９】
次に、このように構成されたエッジリムーバ（ＥＲ）４８の作用について説明する。
【００５０】
レジスト膜が形成されたガラス基板Ｇが、エッジリムーバ（ＥＲ）４８におけるステージ９１に載置される。そして、各リムーバヘッド９３がそれぞれ基板Ｇの角部の所定の位置に配置され、図１０（ａ）に示すように、移動機構９４により溶剤ノズル９５からシンナを吐出しながら基板Ｇの各辺に沿って、例えば２往復又は３往復程度移動させることにより、基板Ｇの周縁部のみのレジスト膜７０を取り除き、処理膜８０を露出させる。このとき、除去されたレジスト膜がレジスト溶解に使用されたシンナとともに、吸引口９２より吸引され排出される。この処理膜８０は、上記アドヒージョン処理が行われた際に形成されたＨＭＤＳガスによる処理膜である。
【００５１】
次に、図１０（ｂ）に示すように、光ファイバー８１により紫外線を照射しながら基板Ｇの各辺に沿って、例えば２往復又は３往復程度移動させることにより、基板Ｇの周縁部のみに露出した処理膜８０を除去する。このように処理膜８０が除去される際に処理膜８０からガスが発生するが、これは吸引口９２からの吸引により当該ガスを排気することができる。このような１つの吸引口９２により、レジスト膜及び処理膜からのガスの両者を効率的に排出することができる。
【００５２】
本実施形態によれば、この後の工程で露光装置３２へ基板Ｇが搬送されても、従来のように、基板周縁部に露出した処理膜８０からアミン系ガスを発生させることがないので露光装置３２における露光レンズやミラー、その他の機器類を白濁させることを防止でき、露光装置３２に対する悪影響を回避できる。また、露光装置３２でなく、レジスト塗布処理の直後のプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）や、露光処理後の現像処理ユニット（ＤＥＶ）等の装置や機器に対する悪影響を回避することができる。
【００５３】
また、本実施形態においては、図１１に示すように、移動機構９４により移動する支持部材３６に例えばエアシリンダ３０を取り付けるようにしてもよい。そしてこのエアシリンダ３０のピストン３０ａにリムーバヘッド９３の基端部側を図示するように取り付けることにより、移動機構９４による基板周縁部に沿った支持部材３６の移動方向に対して直交する方向にリムーバヘッド９３を移動させることができる。
【００５４】
このような構成することにより、例えば、先ず図１０（ａ）に示すように、リムーバヘッド９３を基板周縁部に沿って例えば２往復又は３往復程度移動させることにより、基板Ｇの周縁部のみのレジスト膜７０を取り除き、処理膜８０を露出させる。そして次に、エアシリンダ３０により、例えばリムーバヘッド９３を基板Ｇから離間させる方向（図１１に示すＸ方向）に所定距離だけ移動させる。そして、光ファイバー８１により紫外線を照射しながら基板Ｇの各辺に沿って、例えば２往復又は３往復程度移動させることにより、基板Ｇの周縁部のみに露出した処理膜８０を除去する。
【００５５】
これにより、例えば、溶剤ノズル９５によるシンナ吐出と光ファイバー８１による紫外線照射とが、基板周縁部に沿った移動方向と同一移動直線状で行われることを防止できる。すなわち、溶剤ノズル９５によりレジスト膜が除去された後の周縁部以外に残ったレジスト膜の際部分を光ファイバー８１による紫外線照射により露光されてしまうことを防止することができる。
【００５６】
また、このようなエアシリンダ３０を設ける代わりに、溶剤ノズル９５と光ファイバー８１との位置関係を、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、光ファイバー８１を溶剤ノズル９５より基板Ｇの外側ずらして配置させることによっても、リムーバヘッド９３のＹ方向の移動のみを行えばよく、上記したような周縁部以外に残ったレジスト膜の際部分７０ａを光ファイバー８１による紫外線照射により露光されてしまうことを防止することができる。
【００５７】
更に、図１１及び図１２に示す形態を組み合わせて、図１３に示すように、溶剤ノズル９５によるシンナの吐出及び光ファイバー８１による紫外線照射を同時に行いながら、ガラス基板Ｇの角部Ａから順に、矢印方向にＢ→Ｃ→Ｄ→Ｅ→・・・というようにリムーバヘッド９３を移動させ、レジスト膜７０及び処理膜８０を除去することもできる。この場合は、位置Ａから位置Ｂの移動である最初のリムーバヘッド９３の移動時には、溶剤ノズル９５によるシンナの吐出のみ行ってレジスト膜を除去し、位置Ｂから位置Ｄの移動以降の移動においては、溶剤ノズル９５によるシンナの吐出及び光ファイバー８１による紫外線照射を同時に行うことにより、光ファイバー８１が後を追うことでシンナ吐出により順じ露出されていく処理膜８０を除去していくことができる。また、この場合、位置Ａから位置Ｂまで及び位置Ｃから位置Ｄまでの移動を移動機構９４により行い、位置Ｂから位置Ｃまで及び位置Ｄから位置Ｅまでの移動をエアシリンダ３０により行わせるように制御する。
【００５８】
このようなレジスト膜７０の除去及び処理膜８０の除去を同時に行うことにより、処理時間が短縮され、スループットの向上を図ることができる。なお、この場合は、リムーバヘッド９３の基板周縁部に沿った移動速度を通常のリムーバヘッド９３の速度より低くする等することにより、確実にレジスト膜７０を除去し、また確実に処理膜８０も除去することができる。
【００５９】
次に、図１４を参照して、本発明の別の実施形態について説明する。なお、図１４において、図７、図８及び図９における構成要素と同一のものについては同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。
【００６０】
図１４を参照して、リムーバヘッド９３の下部ヘッド構成材９３ｂには、光ファイバー８１の投光面８１ａに向けて洗浄液を噴出する洗浄ノズル６６が取り付けられている。この洗浄ノズル６６は、洗浄液供給管６７を介して浄液供給源６８に接続されており、これによりノズル６６まで洗浄液を供給できるようになっている。また、洗浄液としては、例えば純水等を用いている。
【００６１】
これにより、紫外線を照射して処理膜８０を除去する際に発生するガスが、光ファイバー８１の投光面８１ａに付着し投光面８１ａが白濁して汚染されても、例えば処理膜８０の除去処理が終了した後に、基板ごとに、又は所定の基板の枚数ごとに、洗浄ノズル６６により投光面８１ａに向けて洗浄液を噴出することにより、当該投光面８１ａの白濁を除去することができる。これにより、例えば光ファイバー８１から照射される紫外線の強度が、投光面８１ａの付着物によって減少することを回避することができる。
【００６２】
また、リムーバヘッド９３に設けられている吸引口９２からの吸引により、当該洗浄の際に飛散する洗浄液を、除去されたレジスト膜７０や処理膜８０、この処理膜８０からの発生ガス等とともに排出することができ、この吸引口９２からの吸引の効果は大きい。
【００６３】
なお、洗浄ノズル６６は、必ずしもリムーバヘッド９３に固定されていなくてもよく、特に図示しないアーム等別途固定する手段等を設けるようにしてもよい。
【００６４】
図１５は、更に別の実施形態に係るエッジリムーバ（ＥＲ）４８を示す概略斜視図である。本実施形態では、図６に示すエッジリムーバ（ＥＲ）４８に加えて更にヒータ７５が備えられている。このヒータ７５は、例えばガラス基板Ｇの大きさとほぼ同一の大きさの長方形の枠状をなす中空の枠状部材８８と、この枠状部材８８を支持する支持部７３と、枠状部材８８を上下に昇降させるためのモータ７２とを有している。
【００６５】
図１６は枠状部材８８の断面図である。枠状部材８８は、図示しない気体供給源から気体を取り入れる気体供給口７４と、取り入れた気体を加熱する気体加熱室７６と、加熱した気体をガラス基板Ｇ上の処理膜８０に吹き付けるための気体噴出口８５とを有する。また、気体を加熱する手段として、例えば気体加熱室７６にニクロム線７８を有する。
【００６６】
本実施形態では、上記実施形態と同様に、先ず、溶剤ノズル９５からシンナが吐出され、ガラス基板Ｇの周縁部の不要なレジスト膜が除去された後、リムーバヘッド９３がガラス基板Ｇから離間し、一旦退去する。このリムーバヘッド９３のガラス基板Ｇから離間は、上記したように図１１で示すエアシリンダ３０等により行わせることができる。
【００６７】
次に、ヒータ７５がガラス基板Ｇの上方からモータ７２によって下降し、ガラス基板Ｇに近づく。そして、図１７に示すようにヒータ７５から温風又は熱風が噴出され、ガラス基板Ｇの周縁部を覆うアドヒージョン処理による処理膜を加熱する。
【００６８】
次に、処理膜８０が十分に加熱されたら、ヒータ７５はモータ７２によって上昇し、ガラス基板Ｇから遠ざかる。そして、再びリムーバヘッド９３がガラス基板Ｇ周縁部の所定の位置まで接近し、光ファイバー８１から射出される紫外線によって加熱された処理膜８０の除去が行われる。
【００６９】
このように、紫外線照射を行う前に予め処理膜８０を加熱しておくことにより、紫外線照射による処理膜８０の剥離作用を促進させることができる。
【００７０】
図１８は、光ファイバー部分の他の実施形態を示す。例えば円筒部材８２には、多数の光ファイバーが束ねて設けられており、この円筒部材８２の投光面には、光ファイバーの射出用の窓部８２ａが形成されている。この窓部は８２ａの一辺は、ガラス基板Ｇ周縁部のレジスト膜が除去され、処理膜が露出した破線で示す領域３９の幅と同一又はこれ以下である矩形に形成されている。このような窓部８２ａの形状により、例えば、リムーバヘッドによる基板周縁部の１往路の移動のみにより、アドヒージョン処理による処理膜が露出した領域３９を効率良く除去できる。これにより処理時間も低減しスループットの向上が図れる。
【００７１】
図１９では、光ファイバー８１がリムーバヘッド９３の下部ヘッド構成材９３ｂに取り付けられており、その投光面８１ａを上部ヘッド構成材９３ａに向けて配置されている。この場合、基板Ｇはガラス基板であるので、この光ファイバー８１により、ガラス基板Ｇの裏面Ｇａ側から紫外線を透過させ、基板Ｇの表面に形成された処理膜８０に照射することができる。これにより、例えば処理膜８０に紫外線を照射させた際に発生するガスが、光ファイバー８１の投光面８１ａを白濁させること等の悪影響を防止できる。
【００７２】
本発明は以上説明した実施形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００７３】
例えば、上記各実施形態において、アドヒージョン処理による処理膜を除去する手段として光ファイバー８１を例としてあげてきたが、例えば、当該処理膜にオゾン水を供給することによってこれを除去することもできる。
【００７４】
また、上記図１５〜図１７において処理膜を加熱する手段として温風又は熱風を用いることとしたが、これに限られることなく、例えば赤外線等によって加熱してもよい。
【００７５】
また、処理膜８０を除去するための光ファイバー８１の移動は基板Ｇの一辺の往復でなく、１往路の移動のみであってもよい。また、レジスト膜を除去するためのリムーバヘッド９３の移動回数が予め決められているのであれば、光ファイバー８１を溶剤ノズル９５に対して、リムーバヘッド９３がレジスト膜除去のために最後に移動する進行方向の後方側に配置し、リムーバヘッド９３が当該最後に移動する際に同時に光ファイバー８１により紫外線を照射するようにしてもよい。これにより、更に処理時間を低減しスループットを向上させることができる。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、露光装置の露光レンズやミラー等の機器を白濁させることを防止できる等、露光装置に対する悪影響を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【図２】図１に示す塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１に示す塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】一実施形態に係るレジスト処理ブロックを示す平面図である。
【図５】図４に示すレジスト処理ブロックの側面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係るエッジリムーバの概略斜視図である。
【図７】一実施形態に係るリムーバヘッドを示す断面図である。
【図８】図７に示すリムーバヘッドの平面図である。
【図９】図７に示すリムーバヘッドの正面図である。
【図１０】（ａ）は、基板周縁部のレジスト膜除去作用、（ｂ）はアドヒージョン処理による処理膜の除去作用を示す断面図である。
【図１１】リムーバヘッドにエアシリンダを取り付けた状態を示す側面図である。
【図１２】（ａ）は、溶剤ノズルと光ファイバーとの位置関係を示す平面図であり、（ｂ）は、その処理膜の除去作用を示す側面図である。
【図１３】基板周縁部をリムーバヘッドにより走査させる状態を示す平面図である。
【図１４】洗浄ノズルを設けたリムーバヘッドの断面図である。
【図１５】別の実施形態に係るエッジリムーバの概略斜視図である。
【図１６】図１５に示す枠状部材の断面図である。
【図１７】ヒータの基板周縁部に対する加熱作用を示す斜視図である。
【図１８】他の実施形態を示す光ファイバー部分の拡大斜視図である。
【図１９】更に別の実施形態に係るリムーバヘッドの断面図である。
【符号の説明】
Ｇ…ガラス基板
Ｓ…処理空間
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ…位置
Ｇａ…裏面
４８…エッジリムーバ
６６…洗浄ノズル
７０…レジスト膜
７０ａ…際部分
７５…ヒータ
８０…処理膜
８１…光ファイバー
８１ａ…投光面
８２ａ…窓部
９２…吸引口
９３…リムーバヘッド
９３ａ…上部ヘッド構成材
９３ｂ…下部ヘッド構成材
９４…移動機構
９５…溶剤ノズル
【図１】
0003959612.tif 000002
【図２】
0003959612.tif 000003
【図３】
0003959612.tif 000004
【図４】
0003959612.tif 000005
【図５】
0003959612.tif 000006
【図６】
0003959612.tif 000007
【図７】
0003959612.tif 000008
【図８】
0003959612.tif 000009
【図９】
0003959612.tif 000010
【図１０】
0003959612.tif 000011
【図１１】
0003959612.tif 000012
【図１２】
0003959612.tif 000013
【図１３】
0003959612.tif 000014
【図１４】
0003959612.tif 000015
【図１５】
0003959612.tif 000016
【図１６】
0003959612.tif 000017
【図１７】
0003959612.tif 000018
【図１８】
0003959612.tif 000019
【図１９】
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