(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に間隙をおいて配される複数の陽極層、高分子材料からなる高分子層、有機ＥＬ層、間隙をおいて配される複数の陰極層が順次積層されてなる有機ＥＬディスプレイパネルであって、前記高分子層のうちの前記間隙に対応し、かつ、前記陽極層のエッジにかかるギャップ領域は、前記陽極層に対応する領域と比べて導電性が低いように形成されることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項２】
前記高分子層の前記ギャップ領域は絶縁性を有するように形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項３】
基板上に所定の間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成し、さらに、その上に導電性高分子層、有機ＥＬ層、陰極層を順次積層して形成した有機ＥＬディスプレイパネルであって、前記導電性高分子層は、その積層を行った後に、前記間隙に対応し、かつ、前記陽極層のエッジにかかるギャップ領域の導電性を低下させる低導電性化工程が施されることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項４】
前記導電性高分子層の前記ギャップ領域は、前記低導電性化工程により絶縁性化されることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項５】
前記導電性高分子層は、ショウノウ−スルホン酸を混入したポリアニリンからなるとともに、前記低導電性化工程は前記導電性高分子層の前記ギャップ領域をアルカリ溶液に浸漬させることで行われることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項６】
基板上に間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成し、さらに、その上に導電性の付与が可能な非導電性高分子層を形成し、さらに、その上に有機ＥＬ層、陰極層を順次積層して形成した有機ＥＬディスプレイパネルであって、前記非導電性高分子層は、その積層を行った後に、前記陽極層に対応し、かつ、前記陽極層のエッジにかかる領域を除く通電領域に導電性を付与する導電性付与工程が施されることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項７】
前記非導電性高分子層はポリアニリンからなるとともに、前記導電性付与工程は前記通電領域を酸性溶液に浸漬させることで行われることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項８】
基板上に所定の間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成し、前記基板上に前記複数の陽極層を被覆するように導電性高分子層を積層し、その後、前記導電性高分子層のうちの前記間隙に対応し、かつ、前記陽極層のエッジにかかるギャップ領域の導電性を低下させる低導電性化工程が施され、さらに、前記導電性高分子層の上に有機ＥＬ層及び陰極層を順次積層することを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記低導電性化工程は前記ギャップ領域を絶縁性化するものであることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記導電性高分子層は、ショウノウ−スルホン酸を混入したポリアニリンからなるとともに、前記低導電性化工程は前記導電性高分子層の前記ギャップ領域をアルカリ溶液に浸漬させることで行われることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
基板上に所定の間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成し、前記基板上に前記複数の陽極層を被覆するように導電性の付与が可能な非導電性高分子層を積層し、その後、前記非導電性高分子層のうちの前記陽極層に対応し、かつ、前記陽極層のエッジにかかる領域を除く通電領域に導電性を付与する導電性付与工程が施され、さらに、前記導電性高分子層の上に有機ＥＬ層及び陰極層を順次積層することを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記非導電性高分子層はポリアニリンからなるとともに、前記導電性付与工程は前記通電領域を酸性溶液に浸漬させることで行われることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ（Electroluminecsence ）ディスプレイパネル及びその製造方法に関し、特に陽極層と有機ＥＬ層の間に導電性高分子層を用いた有機ＥＬディスプレイパネル及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、ガラス板、あるいは透明な有機フィルム上に形成した蛍光体に電流を流して発光させる有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称する）を用いたディスプレイパネルが知られている。有機ＥＬ素子としては、図４に示すように、ガラス等の透明な基板６上に、ＩＴＯ等の複数の透明電極からなる陽極層２、信頼性向上を図る導電性高分子層１０４、正孔輸送層及び発光層からなる有機ＥＬ層３、陽極層２に交差する複数の金属電極からなる陰極層１を順に積層して形成される。有機ＥＬ層３を挾持して互いに対向し対をなす陽極層２及び陰極層１とによって有機ＥＬ発光素子となる発光部が形成され、陽極層２及び陰極層１の各々が互いに対向して交差する交差領域部の発光部を１単位として１画素が形成される。
【０００３】
陰極層１には、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｇの合金等の仕事関数の小さな金属（例えばＡｌ−Ｌｉ合金）が用いられ、陽極層２にはＩＴＯ等の仕事関数の大きな導電性材料（ＩＴＯの仕事関数＝約５．０ｅＶ）又は金（Ａｕの仕事関数＝約５．１ｅＶ）等が用いられる。なお、金を電極材料として用いた場合には、電極は半透明の状態となる。
【０００４】
また、高分子層１０４には、ポリアニリンが用いられる。導電性高分子層により信頼性向上を図ることについては特開平９−４５４７６９号により開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
上記導電性高分子層による信頼性向上の技術をドットマトリクス等の陽極、陰極が複数に分割された構造を有するディスプレイパネルにおいて採用すると、導電性高分子層の抵抗が低いため、隣り合う陽極どうしが電気的に接続され、クロストークが発生する。すなわち、ある陽極層上の画素を非発光とすべくその陽極層に通電を行わない場合であっても、高分子層の電気抵抗が低いため隣り合う陽極層から電流が流れ込むため、非発光とすべき画素が発光してしまう。これにより、所望の画像を得ることができなくなるという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイパネルは、基板上に間隙をおいて配される複数の陽極層、高分子材料からなる高分子層、有機ＥＬ層、間隙をおいて配される複数の陰極層が順次積層されてなる有機ＥＬディスプレイパネルであって、高分子層のうちの間隙に対応し、かつ、前記陽極層のエッジにかかるギャップ領域は、陽極層に対応する領域と比べて導電性が低いように形成されることを特徴とする。
【０００７】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイパネルであって、高分子層のギャップ領域は絶縁性を有するように形成されることを特徴とする。
【０００８】
また、請求項３に記載の発明は、基板上に所定の間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成し、さらに、その上に導電性高分子層、有機ＥＬ層、陰極層を順次積層して形成した有機ＥＬディスプレイパネルであって、導電性高分子層は、その積層を行った後に、間隙に対応し、かつ、前記陽極層のエッジにかかるギャップ領域の導電性を低下させる低導電性化工程が施されることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の有機ＥＬディスプレイパネルであって、導電性高分子層のギャップ領域は、低導電性化工程により絶縁性化されることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項５に記載の発明は、請求項３又は請求項４に記載の有機ＥＬディスプレイパネルであって、導電性高分子層は、ショウノウ−スルホン酸を混入したポリアニリンからなるとともに、低導電性化工程は導電性高分子層のギャップ領域をアルカリ溶液に浸漬させることで行われることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項６に記載の発明は、基板上に間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成し、さらに、その上に導電性の付与が可能な非導電性高分子層を形成し、さらに、その上に有機ＥＬ層、陰極層を順次積層して形成した有機ＥＬディスプレイパネルであって、非導電性高分子層は、その積層を行った後に、陽極層に対応し、かつ、前記陽極層のエッジにかかる領域を除く通電領域に導電性を付与する導電性付与工程が施されることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の有機ＥＬディスプレイパネルであって、非導電性高分子層はポリアニリンからなるとともに、導電性付与工程は通電領域を酸性溶液に浸漬させることで行われることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項８に記載の発明は、有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に所定の間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成し、基板上に複数の陽極層を被覆するように導電性高分子層を積層し、その後、導電性高分子層のうちの間隙に対応し、かつ、前記陽極層のエッジにかかるギャップ領域の導電性を低下させる低導電性化工程が施され、さらに、導電性高分子層の上に有機ＥＬ層及び陰極層を順次積層することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法であって、低導電性化工程はギャップ領域を絶縁性化するものであることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項８又は請求項９に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法であって、導電性高分子層は、ショウノウ−スルホン酸を混入したポリアニリンからなるとともに、低導電性化工程は導電性高分子層のギャップ領域をアルカリ溶液に浸漬させることで行われることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項１１に記載の発明は、有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に所定の間隙をおいて配されるように複数の陽極層を形成し、基板上に複数の陽極層を被覆するように導電性の付与が可能な非導電性高分子層を積層し、その後、非導電性高分子層のうちの陽極層に対応し、かつ、前記陽極層のエッジにかかる領域を除く通電領域に導電性を付与する導電性付与工程が施され、さらに、導電性高分子層の上に有機ＥＬ層及び陰極層を順次積層することを特徴とする。
【００１７】
また、請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法であって、非導電性高分子層はポリアニリンからなるとともに、導電性付与工程は通電領域を酸性溶液に浸漬させることで行われることを特徴とする。
【００１８】
【作用】
本発明によれば、隣り合う陽極層の電気的な接続を回避できるので、高分子層を有するマトリクスディスクプレイにおいて、従来問題とされたクロストークを極力抑えることができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の第１の実施の形態を図１を参照しつつ説明する。
図１は、本発明における有機ＥＬディスプレイパネルの構造の部分断面を示している。
【００２０】
図１に示すように、有機ＥＬディスプレイパネルは、ガラス等からなる透明な基板６上には、ＩＴＯ等からなる複数の陽極層２、高分子層４、発光層を形成する正孔輸送層及び発光層からなる有機ＥＬ層３、陽極層２に交差する複数の金属電極からなる陰極層１を順に積層して形成される。複数の陽極層２は、各々が略帯状であり、所定の間隙をおいて互いに平行となるように配される。
複数の陰極層１も、陽極層２と同様に、各々が略帯状であり所定の間隙をおいて平行となるように配されている。陰極層１と陽極層２はその伸長方向が略垂直に直交しており、これらが交差する領域、すなわち、有機ＥＬ層３が陰極層１と陽極層２とによって挟まれている領域が発光領域となり、ディスプレイの１画素に対応する。
【００２１】
陰極層１には、Ａｌ、Ｉｎの合金等の仕事関数が小さな金属（例えば、Ａｌ−Ｌｉ合金）を用いる。また、陽極層２には、ＩＴＯ等の仕事関数の大きな導電性材料又は金等を用いることができる。なお、金を電極材料として用いた場合には、電極は半透明の状態となる。
【００２２】
高分子層４は、陽極層２に対面する領域（通電領域）が導電性を有するように形成され、隣り合う陽極層２の間隙に対応する領域（ギャップ領域）が導電性を有しないように形成される。
これによれば、発光領域における陰極層１と陽極層２間の抵抗を大きくすることなく、隣り合う陽極層を電気的に隔離された状態とできるので、ディスプレイの発光特性を劣化させることなく、クロストークは回避できる。
ここで図示されるように、高分子層４のギャップ領域が陽極層２のエッジにかかるようにすることで、エッジからの電流の漏れ出しを抑えられる。
【００２３】
次に、図２を参照して本発明の高分子層４の製造工程について説明する。
（第１の実施の形態）
第１の実施形態は、一旦導電性の高分子層を形成し、その後、形成された高分子層の陽極層２の間隙に対応する領域の導電性を低下させる工程をとるものである。図２（ａ）に示すように陽極層２を形成するＩＴＯがストライプ上にパターニングされたガラス等の透明な基板６を十分洗浄した後、パターニングされた陽極層２を含む基板６上に導電性高分子層４として、ショウノウ−スルホン酸（ＣＳＡ）を混入したポリアニリン（ＰＡｎ）溶液をスピンコート等により積層し、クリーンオーブンにより乾燥し、５００オングストロームのＣＳＡドープＰＡｎ層を成膜する。
【００２４】
次に、フォトレジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００ＬＢ）１１ａをスピンコート等により積層し、所定の工程で画素部分にフォトレジストパターンを形成する（図２（ｂ））。このようにして作製した基板をアンモニア水に浸漬し、画素以外の部分のＣＳＡドープＰＡｎ層脱ドープを行う（図２（ｃ））。
最後にフォトレジスト１１ａを剥離させることで高分子層４の形成は終了する（図２（ｄ））。その後は、発光層を含む有機ＥＬ層、陰極層を順次積層する。
【００２５】
上記脱ドープにより導電性高分子層４のうち、陽極の間隙に対応する部分Ｑが陽極に対応する部分Ｐよりも導電性が低下するようになる。
【００２６】
最後に封止を行い、有機ＥＬディスプレイパネルが完成する。上述した製造方法により２５６×６４ドットの有機ＥＬディスプレイパネルの試作を行って表示動作を行った結果、クロストークのない良好な発光状態を得た。
【００２７】
（第２の実施の形態）
第２の実施形態は、一旦非導電性の高分子層を形成し、その後、形成された高分子層の陽極層に対面する領域に導電性を付与する工程をとるものである。
図３（ａ）に示すように陽極層２を形成するＩＴＯがストライプ上にパターニングされたガラス等の透明な基板６を十分洗浄した後、パターニングされた陽極層２を含む基板６上に非導電性高分子層４として、ポリアニリン（ＰＡｎ）溶液をスピンコート等により積層し、クリーンオーブンにより乾燥し、５００オングストロームのＰＡｎ層を成膜する。
【００２８】
次に、フォトレジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００ＬＢ）１１ｂをスピンコート等により積層し、所定の工程で隣接陽極間のギャップ領域にフォトレジストパターンを形成する（図３（ｂ））。
このようにして作製した基板を硫酸に浸漬し、画素部分のＰＡｎ層のドープを行う（図３（ｃ））。
最後にフォトレジスト１１ａを剥離させることで高分子層４の形成は終了する（図３（ｄ））。その後は、発光層を含む有機ＥＬ層、陰極層を順次積層する。
【００２９】
上記ドープにより非導電性高分子層４のうち、陽極に対応する部分Ｐが導電性化され、陽極の間隙に対応する部分Ｑは非導電性のままとなる。
【００３０】
最後に封止を行い、有機ＥＬディスプレイパネルが完成する。上述した製造方法により２５６×６４ドットの有機ＥＬディスプレイパネルの試作を行って表示動作を行った結果、クロストークのない良好な発光状態を得た。
なお、高分子層４の非導電性化された領域（ギャップ領域）は、絶縁性を有することが最も望ましいが、導電性化された領域（通電領域）に比べて低導電性であれば、少なくとも従来に比べてクロストークの発生を抑えることができる。
また、高分子層４の導電性化された領域（通電領域）を、陰極層１と陽極層２が交差する発光領域に対応させ、その他の領域をすべて非導電性化しても良い。
【００３１】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明によれば、高分子層を有するマトリクスディスプレイにおいて隣り合う陽極層間の通電を極力回避できるので、クロストークを極力抑えることができ、従来に比べてより良い画像を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における有機ＥＬディスプレイパネルの構造を示す部分断面図である。
【図２】本発明における有機ＥＬディスプレイパネルの第１の実施の形態の製造工程を示す図である。
【図３】本発明における有機ＥＬディスプレイパネルの第２の実施の形態の製造工程を示す図である。
【図４】従来の有機ＥＬディスプレイパネルの部分断面図である。
【符号の説明】
１・・・・陰極層
２・・・・陽極層
３・・・・有機ＥＬ層
４，１０４・・・・高分子層
６・・・・基板
１１ａ，１１ｂ・・・・フォトレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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