(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢａＴｉＯ３に換算して８９〜９７ｍｏｌ％のチタン酸バリウムと、
Ｙ２Ｏ３に換算して０．１〜１０ｍｏｌ％の酸化イットリウムと、
ＭｇＯに換算して０．１〜７ｍｏｌ％の酸化マグネシウムと、
Ｖ２Ｏ５に換算して０．０１〜０．３ｍｏｌ％の酸化バナジウムと、
ＭｎＯに換算して０．５ｍｏｌ％以下の酸化マンガンと、
（Ｂａ・Ｃａ)ＳｉＯ３に換算して０．５〜７ｍｏｌ％の珪酸バリウム・カルシウムとを含む主成分を有する誘電体磁器組成物であって、
前記主成分１００ｍｏｌ％に対して、添加物として、酸化ホウ素を Ｂ２Ｏ３に換算してａ重量％、酸化ケイ素をＳｉＯ２に換算してｂ重量％、酸化亜鉛をＺｎＯに換算してｃ重量％、リチウム化合物をＬｉ２Ｏに換算してｄ重量％含み、
０．０２≦ａ≦２．０、
０．０２≦ｂ≦１．５、
０．０１≦ｃ≦１．５、
０．０１≦ｄ≦５．０、
の範囲にあり、
さらに、酸化アルミニウムをＡｌ２Ｏ３に換算してｅ重量％、ナトリウム化合物をＮａ２Ｏに換算してｆ重量％含み、
０≦ｅ≦１．０
０≦ｆ≦０．５
の範囲にあり、且つ、
０＜ｅ+ｆおよび０．０６＜ａ+ｂ+ｃ+ｄ+ｅ+ｆ≦８．０であることを特徴とする誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記主成分１００ｍｏｌ％に対し、添加物として、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウムのうちの少なくともいずれか１種以上を、各々、ＣａＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＳｒＺｒＯ３に換算して、合計で０．１〜３重量％含有する請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
誘電体層を有する電子部品であって、
前記誘電体層が、
ＢａＴｉＯ３に換算して８９〜９７ｍｏｌ％のチタン酸バリウムと、
Ｙ２Ｏ３に換算して０．１〜１０ｍｏｌ％の酸化イットリウムと、
ＭｇＯに換算して０．１〜７ｍｏｌ％の酸化マグネシウムと、
Ｖ２Ｏ５に換算して０．０１〜０．３ｍｏｌ％の酸化バナジウムと、
ＭｎＯに換算して０．５ｍｏｌ％以下の酸化マンガンと、
（Ｂａ・Ｃａ)ＳｉＯ３に換算して０．５〜７ｍｏｌ％の珪酸バリウム・カルシウムとを含む主成分を有し、
前記主成分１００ｍｏｌ％に対して、添加物として、酸化ホウ素を Ｂ２Ｏ３に換算してａ重量％、酸化ケイ素をＳｉＯ２に換算してｂ重量％、酸化亜鉛をＺｎＯに換算してｃ重量％、リチウム化合物をＬｉ２Ｏに換算してｄ重量％含み、
０．０２≦ａ≦２．０、
０．０２≦ｂ≦１．５、
０．０１≦ｃ≦１．５、
０．０１≦ｄ≦５．０、
の範囲にあり、
さらに、酸化アルミニウムをＡｌ２Ｏ３に換算してｅ重量％、ナトリウム化合物をＮａ２Ｏに換算してｆ重量％含み、
０≦ｅ≦１．０
０≦ｆ≦０．５
の範囲にあり、且つ、
０＜ｅ+ｆおよび０．０６＜ａ+ｂ+ｃ+ｄ+ｅ+ｆ≦８．０であることを特徴とする電子部品。
【請求項４】
前記主成分１００ｍｏｌ％に対し、添加物として、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウムのうちの少なくともいずれか１種以上を、各々、ＣａＺｒＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＳｒＺｒＯ３に換算して、合計で０．１〜３重量％含有する請求項３に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ニッケル等の卑金属を内部電極として有する積層型セラミックコンデンサなどに用いられる耐還元性を有する誘電体磁器組成物と、積層セラミックコンデンサなどの電子部品とに係り、さらに詳しくは、ＥＩＡＪ（日本電子機械工業会規約）に規定するＸ８Ｒ特性（−５５℃〜＋１５０℃の温度範囲で、２５℃を基準に静電容量変化率が±１５％以内）を満足し、かつ、低い焼成温度で焼結可能な耐還元性の磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、積層型セラミックコンデンサは、小型、大容量、高信頼性化と共に低価格化の要求が厳しくなってきている。通常、積層型セラミックコンデンサは、誘電体磁器組成物シート上に内部電極となる導電性ペーストを印刷し、これを複数枚積層して熱圧着の後、この積層体を焼結させ、この積層体に端子電極を付けて製造される。この方法においては、積層体中の誘電体磁器組成物と内部電極材である導電性ペーストとが同時に焼成される。このため、内部電極として使用される導電性ペースト材は、誘電体磁器組成物の焼結する温度内で電極が形成され、かつ、大気中で焼成した場合に酸化が無いことと、誘電体磁器組成物との反応が無いことが要求される。
【０００３】
この条件を満足する導電性ペースト材として、従来では、白金、パラジウムおよびそれらの合金が使用されていた。しかし、これらの貴金属は高価であり、積層型セラミックコンデンサのコストアップの最大の要因となっている。そのため、近年では、安価なニッケル等の卑金属を電極材として使用し、コストの低減を図っている。このニッケルは、大気中あるいは酸化雰囲気中で焼成すると酸化し、また、その時に誘電体磁器組成物と反応して電極としての機能を果たさなくなってしまう。このため、ニッケルが酸化しないように中性あるいは還元性雰囲気中で焼成する必要がある。しかし、還元性雰囲気中で積層体を同時焼成すると、誘電体磁器組成物が還元されて比抵抗が低くなりコンデンサとして使用できなくなる。
【０００４】
また、高温での焼成では、ニッケルの電極層が球状化収縮して起こる電極切れや、デラミネーションなどの内部構造欠陥の原因ともなるため、低い温度での焼成が要求される。
【０００５】
さらに、コンデンサには、温度特性が良好であることも要求され、特に、用途によっては、厳しい条件下で温度特性が平坦であることが求められる。近年、自動車のエンジンルーム内に搭載するエンジン電子制御ユニット（ＥＣＵ）、クランク角センサ、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）モジュールなどの各種電子装置に積層セラミックコンデンサが使用されるようになってきている。これらの電子装置は、エンジン制御、駆動制御およびブレーキ制御を安定して行うためのものなので、回路の温度安定性が良好であることが要求される。
【０００６】
これらの電子装置が使用される環境は、寒冷地の冬季には−２０℃程度以下まで温度が下がり、また、エンジン始動後には、夏季では＋１３０℃程度以上まで温度が上がることが予想される。最近では電子装置とその制御対象機器とをつなぐワイヤハーネスを削減する傾向にあり、電子装置が車外に設置されることもあるので、電子装置にとっての環境はますます厳しくなっている。したがって、これらの電子装置に用いられるコンデンサは、広い温度範囲において温度特性が平坦である必要がある。
【０００７】
温度特性に優れた温度補償用コンデンサ材料としては、（Ｓｒ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３  系、Ｃａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３  系、Ｎｄ２  Ｏ３  −２ＴｉＯ２  系、Ｌａ２  Ｏ３  −２ＴｉＯ２  系等が一般に知られているが、これらの組成物は比誘電率が非常に低い（一般には１００以下）ので、容量の大きいコンデンサを作製することが実質的に不可能である。
【０００８】
誘電率が高く、平坦な容量温度特性を有する誘電体磁器組成物として、ＢａＴｉＯ３  を主成分とし、Ｎｂ２  Ｏ５  −Ｃｏ３  Ｏ４  、ＭｇＯ−Ｙ、希土類元素（Ｄｙ，Ｈｏ等）、Ｂｉ２  Ｏ３  −ＴｉＯ２  などを添加した組成が知られている。これらＢａＴｉＯ３  を主成分とする誘電体磁器組成物の温度特性は、ＢａＴｉＯ３  のキュリー温度が約１３０℃付近にあるため、それ以上の高温領域で容量温度特性のＲ特性（ΔＣ＝±１５％以内）を満足することが非常に難しい。このため、ＢａＴｉＯ３  系の高誘電率材料は、ＥＩＡＪ規格のＸ７Ｒ特性（−５５〜１２５℃、ΔＣ＝±１５％以内）を満足することしかできなかった。Ｘ７Ｒ特性を満足するだけでは、上記した厳しい環境で使用される自動車の電子装置には対応できない。上記電子装置には、ＥＩＡＪ規格のＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃、ΔＣ＝±１５％以内）を満足する誘電体磁器組成物が必要とされる。
【０００９】
従来、ＥＩＡＪ（日本電子機械工業会規約）に規定するＸ８Ｒ特性を満足する誘電体磁器組成物としては、特開平１０−２９７９６７号公報に示す組成物が提案されている。この公報では、ＢａＴｉＯ３ ：９４〜９９ｍｏｌ％、Ｔａ２  Ｏ５  ：０．０５〜３ｍｏｌ％、Ｎｂ２  Ｏ５ ：０．０５〜３ｍｏｌ％、ＺｎＯ：０．５〜３ｍｏｌ％を有する主成分を有する誘電体磁器組成物であって、この主成分１００ｍｏｌ％に対して、添加物として、ＣａＺｒＯ３  、ＳｒＺｒＯ３  、ＢａＺｒＯ３  のうちの１種以上を、０．２〜５重量％含有する高誘電率誘電電体組成物が開示してある。
【００１０】
また、特開平８−２９５５５９号公報には、ＢａＴｉＯ３  に、Ｎｂ２  Ｏ５  、Ｂｉ２  Ｏ３  などの化合物を主成分に含み、ＳｉＯ２  を含む第１副成分などを添加し、静電容量の温度特性を小さくした誘電体磁器組成物が提案されている。
【００１１】
しかしながら、これらの誘電体磁器組成物は、還元性雰囲気で焼成すると誘電体層が還元されてしまい、比抵抗がいちじるしく低くなりコンデンンサとして使用できない。また、特開平６−２１５９７９公報では、耐還元性磁器組成物として、ＢａＴｉＯ３  ＋ＭｇＯ＋Ｙ２  Ｏ３  ＋Ｖ２  Ｏ５  を主成分に、添加物としてＢａα ・Ｃａ（１−α）  ＳｉＯ３  を添加したものが提案されている。しかしながら、この公報に開示してある誘電体磁器組成物は、Ｘ８Ｒ特性を満足しない。
【００１２】
以上のように、中性または還元性雰囲気中においても誘電体磁器組成物が還元されることなく、ＥＩＡＪ（日本電子機械工業会規約）に規定するＸ８Ｒ特性（−５５℃〜＋１５０℃の温度範囲で、２５℃を基準に静電容量変化率が±１５％以内）を満足し、かつ、低い焼成温度で焼結可能な耐還元性誘電体磁器組成物は、現在のところ得られていない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、中性または還元性雰囲気中においても誘電体磁器組成物が還元されることなく、ＥＩＡＪ（日本電子機械工業会規約）に規定するＸ８Ｒ特性（−５５℃〜＋１５０℃の温度範囲で、２５℃を基準に静電容量変化率が±１５％以内）を満足し、かつ、低い焼成温度で焼結可能な耐還元性磁器組成物を提供することである。また、本発明の他の目的は、そのような誘電体磁器組成物で構成された誘電体層を有する電子部品を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る誘電体磁器組成物は、
ＢａＴｉＯ３ に換算して８９〜９７ｍｏｌ％のチタン酸バリウムと、
Ｙ２  Ｏ３  に換算して０．１〜１０ｍｏｌ％の酸化イットリウムと、
ＭｇＯに換算して０．１〜７ｍｏｌ％の酸化マグネシウムと、
Ｖ２  Ｏ５  に換算して０．０１〜０．３ｍｏｌ％の酸化バナジウムと、
ＭｎＯに換算して０．５ｍｏｌ％以下の酸化マンガンと、
（Ｂａ・Ｃａ)ＳｉＯ３  に換算して０．５〜７ｍｏｌ％の珪酸バリウム・カルシウムとを含む主成分を有する誘電体磁器組成物であって、
前記主成分１００ｍｏｌ％に対して、添加物として、酸化ホウ素を Ｂ２  Ｏ３ に換算してａ重量％、酸化ケイ素をＳｉＯ２  に換算してｂ重量％、酸化亜鉛をＺｎＯに換算してｃ重量％含み、
０．０２≦ａ≦２．０、
０．０２≦ｂ≦１．５、
０．０１≦ｃ≦１．５、
の範囲にあることを特徴とする。
【００１５】
更に、本発明に係る誘電体磁器組成物は、
ＢａＴｉＯ３  に換算して８９〜９７ｍｏｌ％のチタン酸バリウムと、
Ｙ２  Ｏ３  に換算して０．１〜１０ｍｏｌ％の酸化イットリウムと、
ＭｇＯに換算して０．１〜７ｍｏｌ％の酸化マグネシウムと、
Ｖ２  Ｏ５  に換算して０．０１〜０．３ｍｏｌ％の酸化バナジウムと、
ＭｎＯに換算して０．５ｍｏｌ％以下の酸化マンガンと、
（Ｂａ・Ｃａ)ＳｉＯ３  に換算して０．５〜７ｍｏｌ％の珪酸バリウム・カルシウムとを含む主成分を有する誘電体磁器組成物であって、
前記主成分１００ｍｏｌ％に対して、添加物として、リチウム化合物をＬｉ２  Ｏに換算してｄ重量％含み、
０．０１≦ｄ≦５．０
の範囲にあることを特徴とする。
【００１６】
好ましくは、本発明に係る誘電体磁器組成物は、
前記主成分１００ｍｏｌ％に対し、添加物として、さらに、酸化アルミニウムをＡｌ２  Ｏ３  換算してｅ重量％、ナトリウム化合物をＮａ２  Ｏに換算してｆ重量％含み、
０≦ｅ≦１．０
０≦ｆ≦０．５
の範囲にあり、且つ、
０．０６≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ≦８．０であることを特徴とする。
【００１７】
好ましくは、本発明に係わる誘電体磁器組成物は、
前記主成分１００ｍｏｌ％に対して、添加物として、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウムのうちの少なくともいずれか１種以上を、各々、ＣａＺｒＯ３  、ＢａＺｒＯ３  、ＳｒＺｒＯ３  に換算して、合計で０．１〜３重量％含有する。
【００１８】
本発明に係る電子部品は、誘電体層を有し、当該誘電体層が、上述した誘電体磁器組成物で構成してある。
【００１９】
【作用】
本発明の耐還元性誘電体磁器組成物は、中性あるいは還元性雰囲気中においても誘電体磁器組成物が還元されることなく、ＥＩＡＪ（日本電子機械工業会規約）に規定するＸ８Ｒ特性を満足し、かつ、たとえば１２００°Ｃ以下の低い焼成温度で焼結することができる。
【００２０】
また、本発明によれば、中性あるいは還元性雰囲気中で焼成した場合においても、誘電体層が還元されることなく、内部電極としてニッケルやニッケル合金などの卑金属が使用可能で、Ｘ８Ｒ特性を満足する積層セラミックコンデンサなどの電子部品を提供することができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。ここにおいて、
図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【００２２】
積層セラミックコンデンサ
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサ１は、誘電体層２と内部電極層３とが交互に積層された構成のコンデンサ素子本体１０を有する。このコンデンサ素子本体１０の両端部には、素子本体１０の内部で交互に配置された内部電極層３と各々導通する一対の外部電極４が形成してある。コンデンサ素子本体１０の形状に特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて適当な寸法とすればよいが、通常、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）程度である。
【００２３】
内部電極層３は、各端面がコンデンサ素子本体１０の対向する２端部の表面に交互に露出するように積層してある。一対の外部電極４は、コンデンサ素子本体１０の両端部に形成され、交互に配置された内部電極層３の露出端面に接続されて、コンデンサ回路を構成する。
【００２４】
誘電体層２
誘電体層２は、本発明の誘電体磁器組成物を含有する。
本発明の誘電体磁器組成物は、主成分として、チタン酸バリウムをＢａＴｉＯ３  に換算して８９〜９７ｍｏｌ％、好ましくは９１〜９４ｍｏｌ％、酸化イットリウムをＹ２  Ｏ３  に換算して０．１〜１０ｍｏｌ％、好ましくは１〜６ｍｏｌ％、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算して０．１〜７ｍｏｌ％、好ましくは０．５〜３ｍｏｌ％、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に換算して０．０１〜０．３ｍｏｌ％、好ましくは０．０５〜０．２ｍｏｌ％、酸化マンガンをＭｎＯに換算して０．５ｍｏｌ％以下、好ましくは０．０５〜０．３ｍｏｌ％、珪酸バリウム・カルシウムを（Ｂａ・Ｃａ）ＳｉＯ３  に換算して０．５〜７ｍｏｌ％、好ましくは１．５〜４ ｍｏｌ％を含有する。
【００２５】
また、本発明の誘電体磁器組成物には、添加物として、主成分１００ｍｏｌ％に対し、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に換算して０．０２〜２重量％、好ましくは０．１〜０．５重量％、酸化ケイ素をＳｉＯ２  に換算して０．０２〜１．５重量％、好ましくは０．１〜０．５重量％、酸化亜鉛をＺｎＯに換算して０．０１〜１．５重量％、好ましくは０．１〜０．５重量％含有する。組成物の製造に際しては、これらの添加物は、それぞれの酸化物を別々に主成分に添加しても良いが、これらの添加物の化合物であるホウ珪酸亜鉛ガラスを粉砕して所定の粒径にしたものを、主成分に添加しても良い。
【００２６】
また、本発明の誘電体磁器組成物には、添加物として、主成分１００ｍｏｌ％に対し、リチウム化合物Ｌｉ２  Ｏに換算して０．０１〜５重量％、好ましくは０．５〜１．５重量％含有する。
【００２７】
また、必要に応じて、本発明の誘電体磁器組成物には、添加物として、主成分１００ｍｏｌ％に対し、酸化アルミニウムをＡｌ２  Ｏ３  に換算して１重量％以下、好ましくは０．０３〜０．２重量％、ナトリウム化合物をＮａ２  Ｏに換算して０．５重量％以下、好ましくは０．０３〜０．２重量％含有させても良い。組成物の製造に際しては、これらの添加物は、前記、添加物としてのホウ珪酸亜鉛ガラス中に添加しても良い。あるいは、別に主成分に対して添加しても良い。
【００２８】
これらの添加物を添加することにより、低い焼成温度（１２００℃以下）での焼結が可能となり、ＥＩＡＪ（日本電子機械工業会規約）に規定するＸ８Ｒ特性（−５５℃〜１５０℃の温度範囲で、２５℃を基準に静電容量変化率が±１５％以内）を満足する。
【００２９】
チタン酸バリウムがＢａＴｉＯ３  に換算して８９ｍｏｌ％未満になると、比誘電率が低くなり、またＸ８Ｒ特性を満足しない。しかも、焼結性が悪くなってしまう。チタン酸バリウムがＢａＴｉＯ３  に換算して９７ｍｏｌ％を超えると、Ｘ８Ｒ特性を満足しない。
【００３０】
酸化イットリウムがＹ２  Ｏ３  に換算して１０ｍｏｌ％を超えると、比誘電率が低くなり、また、Ｘ８Ｒ特性を満足せず、しかも、焼結性が悪くなる。また、０．１ｍｏｌ％未満になると、誘電損失（ｔａｎδ）が悪くなり、また、Ｘ８Ｒ特性を満足しない。
【００３１】
酸化マグネシウムがＭｇＯに換算して７ｍｏｌ％を超えると、比誘電率が低くなる。０．１ｍｏｌ％未満になると、誘電損失（ｔａｎδ）が悪くなり、また、Ｘ８Ｒ特性を満足しない。
【００３２】
酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に換算して０．３ｍｏｌ％を超えると、比誘電率が低くなり、また、Ｘ８Ｒ特性を満足しない。０．０１ｍｏｌ％未満になると、Ｘ８Ｒ特性を満足しない。
【００３３】
珪酸バリウム・カルシウムを（Ｂａ・Ｃａ）ＳｉＯ３  に換算して７ｍｏｌ％を超えると、比誘電率が低くなり、また、誘電損失が悪くなる。しかも、Ｘ８Ｒ特性を満足しない。０．５ｍｏｌ％未満になると、焼結性が悪くなりＸ８Ｒ特性を満足しない。
【００３４】
酸化マンガンをＭｎＯに換算して０．５ｍｏｌ％以下含有することによって、誘電損失（ｔａｎδ）が良くなる。０．５ｍｏｌ％を超えると、Ｘ８Ｒ特性を満足しない。
【００３５】
上記チタン酸バリウム、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、酸化バナジウム、酸化マンガン、珪酸バリウム・カルシウムを、各々、ＢａＴｉＯ３  、Ｙ２  Ｏ３  、ＭｇＯ、Ｖ２  Ｏ５  、ＭｎＯ、（Ｂａ・Ｃａ）ＳｉＯ３  に換算した主成分１００ｍｏｌ％に対して、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に換算して２重量％を超えると、比誘電率が低くなり、誘電損失（ｔａｎδ）も悪い。０．０２重量％未満になると、１３５０℃でも焼結困難である。
【００３６】
酸化ケイ素をＳｉＯ２  に換算して１．５重量％を超えると、比誘電率が低くなり、誘電損失（ｔａｎδ）も悪い。０．０２重量％未満になると、１３５０℃でも焼結困難である。
【００３７】
酸化亜鉛をＺｎＯに換算して１．５重量％を超えると、誘電損失（tanδ）が悪くＸ８Ｒ特性を満足しない。０．０１重量%未満になると、１３５０℃でも焼結困難である。
【００３８】
また、チタン酸バリウム、酸化イットリウム、酸化マグネシウム、酸化バナジウム、酸化マンガン、珪酸バリウム・カルシウムを、各々、ＢａＴｉＯ３  、Ｙ２  Ｏ３  、ＭｇＯ、Ｖ２  Ｏ５  、ＭｎＯ、（Ｂａ・Ｃａ）ＳｉＯ３  に換算した主成分１００ｍｏｌ％に対して、リチウム化合物をＬｉ２  Ｏに換算して５重量％を超えると、比誘電率が低くなり、誘電損失（ｔａｎδ）も悪い。０．０１重量％未満になると、１３５０℃でも焼結困難である。
【００３９】
酸化アルミニウムをＡｌ２  Ｏ３  に換算して１重量％以下含有することによって、焼成温度を低くすることができる。１重量％を超えると、誘電損失（ｔａｎδ）が悪くなり、Ｘ８Ｒ特性を満足しない。
【００４０】
ナトリウム化合物をＮａ２  Ｏに換算して０．５重量％以下含有することによって、焼成温度を低くすることができる。０．５重量％を超えると、比誘電率が低くなり、誘電損失（ｔａｎδ）が悪い。
【００４１】
また、Ｂ２  Ｏ３  、ＳｉＯ２  、ＺｎＯ、Ｌｉ２  Ｏ、Ａｌ２  Ｏ３  、Ｎａ２  Ｏ、の総量が０．０６重量％未満では、焼結困難となり、８重量％を超えると比誘電率が低く誘電損失（ｔａｎδ）も悪く、さらに、Ｘ８Ｒ特性も満足しない。よって、Ｂ２  Ｏ３  、ＳｉＯ２  、ＺｎＯ、Ｌｉ２  Ｏ、Ａｉ２  Ｏ３  、Ｎａ２  Ｏ、の総量は、０．０６重量％以上８重量％以内にあることが好ましい。
【００４２】
ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウムの一種以上を、主成分１００ｍｏｌ％に対し、ＣａＺｒＯ３  、ＢａＺｒＯ３  、ＳｒＺｒＯ３  に換算して合計０．１重量％未満または３重量％を超えると、Ｘ８Ｒ特性を満足しない。よって、これらの合計は、０．１重量％以上３重量％以内にあることが好ましい。
【００４３】
なお、Ｓｒ，ＺｒおよびＳｎの少なくとも１種が、ペロブスカイト構造を構成する主成分中のＢａまたはＴｉを置換している場合、キュリー温度が低温側にシフトするため、１２５℃以上での容量温度特性が悪くなる。このため、これらの元素を含むＢａＴｉＯ３  ［例えば（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３  ］を主成分として用いないことが好ましい。ただし、不純物として含有されるレベル（誘電体磁器組成物全体の０．１ｍｏｌ％程度以下）であれば、特に問題はない。
【００４４】
本発明の誘電体磁器組成物の平均結晶粒径は、特に限定されず、誘電体層の厚さなどに応じて例えば０．１〜３．０μｍの範囲から適宜決定すればよい。容量温度特性は、誘電体層が薄いほど悪化し、また、平均結晶粒径を小さくするほど悪化する傾向にある。このため、本発明の誘電体磁器組成物は、平均結晶粒径を小さくする必要がある場合に、具体的には、平均結晶粒径が０．１〜０．５μｍである場合に特に有効である。また、平均結晶粒径を小さくすれば、絶縁抵抗寿命が長くなり、また、直流電界下での容量の経時変化が少なくなるため、この点からも平均結晶粒径は上記のように小さいことが好ましい。
【００４５】
本発明の誘電体磁器組成物のキュリー温度（強誘電体から常誘電体への相転移温度）は、組成を選択することにより変更することができるが、Ｘ８Ｒ特性を満足するためには、好ましくは１２０℃以上、より好ましくは１２３℃以上とする。なお、キュリー温度は、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）などによって測定することができる。
【００４６】
本発明の誘電体磁器組成物から構成される誘電体層の厚さは、一層あたり、通常、４０μｍ以下、特に３０μｍ以下である。厚さの下限は、通常、２μｍ程度である。本発明の誘電体磁器組成物は、このような薄層化した誘電体層を有する積層セラミックコンデンサの容量温度特性の改善に有効である。なお、誘電体層の積層数は、通常、２〜３００程度とする。
【００４７】
本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、８０℃以上、特に１２５〜１５０℃の環境下で使用される機器用電子部品として用いて好適である。そして、このような温度範囲において、容量の温度特性がＥＩＡＪ規格のＲ特性を満足し、さらに、Ｘ８Ｒ特性も満足する。また、ＥＩＡＪ規格のＢ特性［−２５〜８５℃で容量変化率±１０％以内（基準温度２０℃）］、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性（−５５〜１２５℃、ΔＣ＝±７．５％以内）も同時に満足することが可能である。
【００４８】
積層セラミックコンデンサでは、誘電体層に、通常、０．０２Ｖ／μｍ以上、特に０．２Ｖ／μｍ以上、さらには０．５Ｖ／μｍ以上、一般に５Ｖ／μｍ程度以下の交流電界と、これに重畳して５Ｖ／μｍ以下の直流電界とが加えられるが、このような電界が加わっても、容量の温度特性は極めて安定である。
【００４９】
内部電極層３
内部電極層３に含有される導電材は特に限定されないが、誘電体層２の構成材料が耐還元性を有するため、卑金属を用いることができる。導電材として用いる卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。
【００５０】
なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。
【００５１】
内部電極層の厚さは用途等に応じて適宜決定すればよいが、通常、０．５〜５μｍ、特に０．５〜２．５μｍ程度であることが好ましい。
【００５２】
外部電極４
外部電極４に含有される導電材は特に限定されないが、本発明では安価なＮｉ，Ｃｕや、これらの合金を用いることができる。
【００５３】
外部電極の厚さは用途等に応じて適宜決定されればよいが、通常、１０〜５０μｍ程度であることが好ましい。
【００５４】
積層セラミックコンデンサの製造方法
本発明の誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、従来の積層セラミックコンデンサと同様に、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法によりグリーンチップを作製し、これを焼成した後、外部電極を印刷または転写して焼成することにより製造される。以下、製造方法について具体的に説明する。
【００５５】
誘電体層用ペーストは、誘電体原料と有機ビヒクルとを混練した有機系の塗料であってもよく、水系の塗料であってもよい。
【００５６】
誘電体原料には、上記した酸化物やその混合物、複合酸化物を用いることができるが、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物、例えば、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物等から適宜選択し、混合して用いることができる。誘電体原料中の各化合物の含有量は、焼成後に上記した誘電体磁器組成物の組成となるように決定すればよい。
【００５７】
誘電体原料は、通常、平均粒径０．１〜３μｍ程度の粉末として用いられる。
【００５８】
有機ビヒクルとは、バインダを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いるバインダは特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール等の通常の各種バインダから適宜選択すればよい。また、用いる有機溶剤も特に限定されず、印刷法やシート法など、利用する方法に応じて、テルピネオール、ブチルカルビトール、アセトン、トルエン等の各種有機溶剤から適宜選択すればよい。
【００５９】
また、誘電体層用ペーストを水系の塗料とする場合には、水溶性のバインダや分散剤などを水に溶解させた水系ビヒクルと、誘電体原料とを混練すればよい。水系ビヒクルに用いる水溶性バインダは特に限定されず、例えば、ポリビニルアルコール、セルロース、水溶性アクリル樹脂などを用いればよい。
【００６０】
内部電極層用ペーストは、上記した各種誘電性金属や合金からなる導電材、あるいは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、上記した有機ビヒクルとを混練して調製する。
外部電極用ペーストは、上記した内部電極層用ペーストと同様にして調製すればよい。
【００６１】
上記した各ペースト中の有機ビヒクルの含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、バインダは１〜５重量％程度、溶剤は１０〜５０重量％程度とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、１０重量％以下とすることが好ましい。
【００６２】
印刷法を用いる場合、誘電体層用ペーストおよび内部電極層用ペーストを、ＰＥＴ等の基板上に積層印刷し、所定形状に切断した後、基板から剥離してグリーンチップとする。
【００６３】
また、シート法を用いる場合、誘電体層用ペーストを用いてグリーンシートを形成し、この上に内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを積層してグリーンチップとする。
【００６４】
焼成前に、グリーンチップに脱バインダ処理を施す。脱バインダ処理は、通常の条件で行えばよいが、内部電極層の導電材にＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、特に下記の条件で行うことが好ましい。
昇温速度：５〜３００℃／時間、特に１０〜１００℃／時間、
保持温度：１８０〜４００℃、特に２００〜３００℃、
温度保持時間：０．５〜２４時間、特に５〜２０時間、
雰囲気：空気中。
【００６５】
グリーンチップ焼成時の雰囲気は、内部電極層用ペースト中の導電材の種類に応じて適宜決定されればよいが、導電材としてＮｉやＮｉ合金等の卑金属を用いる場合、焼成雰囲気中の酸素分圧は、１０−８〜１０−１５  気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると、内部電極層の導電材が異常焼結を起こし、途切れてしまうことがある。また、酸素分圧が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化する傾向にある。
【００６６】
また、焼成時の保持温度は、好ましくは１１００〜１４００℃、より好ましくは１１００〜１３００℃、さらに好ましくは１１００〜１２００℃である。保持温度が前記範囲未満であると緻密化が不十分となり、前記範囲を超えると、内部電極層の異常焼結による電極の途切れや、内部電極層構成材料の拡散による容量温度特性の悪化、誘電体磁器組成物の還元が生じやすくなる。
【００６７】
上記条件以外の各種条件は、下記範囲から選択することが好ましい。
昇温速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間、
温度保持時間：０．５〜８時間、特に１〜３時間、
冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に２００〜３００℃／時間。
なお、焼成雰囲気は還元性雰囲気とすることが好ましく、雰囲気ガスとしては、例えば、Ｎ２  とＨ２  との混合ガスを加湿して用いることが好ましい。
【００６８】
還元性雰囲気中で焼成した場合、コンデンサ素子本体にはアニールを施すことが好ましい。アニールは、誘電体層を再酸化するための処理であり、これによりＩＲ寿命を著しく長くすることができるので、信頼性が向上する。
【００６９】
アニール雰囲気中の酸素分圧は、１０−９気圧以上、特に１０−６〜１０−９気圧とすることが好ましい。酸素分圧が前記範囲未満であると誘電体層の再酸化が困難であり、前記範囲を超えると内部電極層が酸化する傾向にある。
【００７０】
アニールの際の保持温度は、１１００℃以下、特に５００〜１１００℃とすることが好ましい。保持温度が前記範囲未満であると誘電体層の酸化が不十分となるので、ＩＲが低く、また、ＩＲ寿命が短くなりやすい。一方、保持温度が前記範囲を超えると、内部電極層が酸化して容量が低下するだけでなく、内部電極層が誘電体素地と反応してしまい、容量温度特性の悪化、ＩＲの低下、ＩＲ寿命の低下が生じやすくなる。なお、アニールは昇温過程および降温過程だけから構成してもよい。すなわち、温度保持時間を零としてもよい。この場合、保持温度は最高温度と同義である。
【００７１】
上記条件以外の各種条件は、下記範囲から選択することが好ましい。
温度保持時間：０〜２０時間、特に６〜１０時間、
冷却速度：５０〜５００℃／時間、特に１００〜３００℃／時間
なお、雰囲気用ガスには、加湿したＮ２  ガス等を用いることが好ましい。
【００７２】
上記した脱バインダ処理、焼成およびアニールにおいて、Ｎ２  ガスや混合ガス等を加湿するには、例えばウェッター等を使用すればよい。この場合、水温は５〜７５℃程度が好ましい。
【００７３】
脱バインダ処理、焼成およびアニールは、連続して行なっても、独立に行なってもよい。これらを連続して行なう場合、脱バインダ処理後、冷却せずに雰囲気を変更し、続いて焼成の際の保持温度まで昇温して焼成を行ない、次いで冷却し、アニールの保持温度に達したときに雰囲気を変更してアニールを行なうことが好ましい。一方、これらを独立して行なう場合、焼成に際しては、脱バインダ処理時の保持温度までＮ２  ガスあるいは加湿したＮ２  ガス雰囲気下で昇温した後、雰囲気を変更してさらに昇温を続けることが好ましく、アニール時の保持温度まで冷却した後は、再びＮ２  ガスあるいは加湿したＮ２  ガス雰囲気に変更して冷却を続けることが好ましい。また、アニールに際しては、Ｎ２  ガス雰囲気下で保持温度まで昇温した後、雰囲気を変更してもよく、アニールの全過程を加湿したＮ２  ガス雰囲気としてもよい。
【００７４】
上記のようにして得られたコンデンサ素子本体に、例えばバレル研磨やサンドブラストなどにより端面研磨を施し、外部電極用ペーストを印刷または転写して焼成し、外部電極４を形成する。外部電極用ペーストの焼成条件は、例えば、加湿したＮ２  とＨ２  との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることが好ましい。そして、必要に応じ、外部電極４表面に、めっき等により被覆層を形成する。
このようにして製造された本発明の積層セラミックコンデンサは、ハンダ付等によりプリント基板上などに実装され、各種電子機器等に使用される。
【００７５】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００７６】
たとえば、上述した実施形態では、本発明に係る電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、本発明に係る電子部品としては、積層セラミックコンデンサに限定されず、上記組成の誘電体磁器組成物で構成してある誘電体層を有するものであれば何でも良い。
【００７７】
【実施例】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００７８】
出発原料として、ＢａＴｉＯ３  、Ｙ２  Ｏ３  、ＭｇＯ、Ｖ２  Ｏ５  、ＭｎＯ、（Ｂａ・Ｃａ）ＳｉＯ３  、Ｂ２  Ｏ３  、ＳｉＯ２  、ＺｎＯ、Ａｌ２  Ｏ３  、Ｎａ２  Ｏ、Ｌｉ２  Ｏ、ＣａＺｒＯ３  、ＢａＺｒＯ３  ・ＳｒＺｒＯ３  の粉末（平均粒径０．１〜１μｍ）を、下記の表１および表２に示す組成となるように秤量し、ボールミルで湿式混合し、スラリーを得た。その後、このスラリーを脱水・乾燥した。
【００７９】
【表１】
0003878778.tif 000002
【００８０】
【表２】
0003878778.tif 000003
【００８１】
次に、このスラリーに、アクリル樹脂と、塩化メチレンと、酢酸エチルと、ミネラルスピリットと、アセトンとを加え、ボールミルで混合し、ペースト化した。そして、このペーストをドクターブレード法により、厚さ２０μｍでフィルム上に塗布し、誘電体磁器組成物のグリーンシートを成形した。
【００８２】
得られた誘電体磁器組成物のグリーンシートに、内部電極材料であるニッケルペーストを印刷した。ニッケルペーストは、平均粒径０．２〜０．８μｍのＮｉ粒子と、有機ビヒクル（エチルセルロースをブチルカルビトールに溶解したもの）と、ブチルカルビトールとを３本ロールにより混練し、ペースト化して得られたものを用いた。次に、ニッケルペーストを塗布したグリーンシートを５層に積層し、熱圧着し積層体を得た。得られた積層体を、長さ３．２ｍｍ×１．６ｍｍである３２１６形状に切断し、グリーンチップを得た。
【００８３】
次に、これらのグリーンチップを、大気中２５０〜３００℃の温度で、１０時間安定させ脱バインダー処理を行った。次に、これらのグリーンチップを、酸素分圧を７×１０−９〜９×１０−１３  ａｔｍに制御し、焼成温度１１６０℃〜１３５０℃で２時間、安定させて焼成した。その後、これらのチップを、中性雰囲気中で、９００〜１０００℃で安定させて９時間、再酸化処理を行った。
【００８４】
得られたチップの両端部に、インジウム−ガリウム（Ｉｎ−Ｇａ）合金の端子電極を取り付け、積層セラミックコンデンサの試料番号１〜５９を得た。
【００８５】
これらのコンデンサ試料番号１〜５９の各比誘電率および誘電損失（tanδ）について、ＬＣＲメータにより、周波数１ＫＨｚ、１Ｖ、室温２０℃の条件で測定した。絶縁抵抗については、５０Ｖ、１分値、室温２０℃の条件で測定した。静電容量の温度変化率（△Ｃ／Ｃ２５ ）については、ＬＣＲメータを用い、周波数１ＫＨｚ、１Ｖの条件で、規定の温度条件で測定した。
【００８６】
測定結果の評価にあたり、比誘電率は１５００以上、誘電損失（ｔａｎδ）は３．０％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）は１×１０１０以上、静電容量の温度特性はＥＩＡＪ（日本電子機械工業会規約）に規定されたＸ８Ｒ特性（−５５〜１５０℃の温度範囲で、２５℃を基準に静電容量変化率が±１５以内）を満足するものを良好と判定し、それ以外のものを不良であると判定した。
【００８７】
比誘電率の基準を１５００以上としたのは、それ未満では、誘電層の薄膜化による耐圧を十分にとれないおそれがあるためである。また、誘電損失の基準を３．０％以下としたのは、それを超えると、誘電体層の薄膜化による材料の発熱が大きくなるおそれがあるためである。さらに、絶縁抵抗（ＩＲ）の基準を１×１０１０以上としたのは、それ未満では、誘電体層の薄膜化による絶縁不良のおそれが増大するからである。
【００８８】
また、焼結性は、焼結密度測定方法により測定した。その評価は、焼結密度が５．５ｇ／ｃｍ３  以上を○とし、５．５ｇ／ｃｍ３  未満を×とした。これらの結果を表３および表４に示した。
【００８９】
【表３】
0003878778.tif 000004
【００９０】
【表４】
0003878778.tif 000005
【００９１】
前述した評価基準で判定した結果、試料番号１，２，４，６，９，１０，１１，１４，１５，１７，１８，１９，２２，２４，２５，２８，２９，３２，３３，３６，３７，３９，４１，４４，４５，４７，４９，５０，５３，５４，５７，５８のものが良好と判定された。また、試料番号３，５，７，８，１２，１３，１６，２０，２１，２３，２６，２７，３０，３１，３４，３５，３８，４０，４２，４３，４６，４８，５１，５２，５５，５６，５９のものが不良と判定された。
【００９２】
なお、表１および表２において、＊マークが付いている数値は、本発明の好ましい組成範囲から外れている数値であり、表３および表４においては、＊マークが付いている数値は、前述した評価基準から外れている数値を示す。また、表３および表４において、焼結困難とは、焼成温度が１３５０°Ｃにおいて、磁器とならなかったことを意味する。
【００９３】
表１〜表４に示す結果から、試料番号３に着目することで、チタン酸バリウムがＢａＴｉＯ３  に換算して８９ｍｏｌ％未満になると、比誘電率が低くなり、またＸ８Ｒ特性を満足せず、しかも、焼結性が悪くなってしまうことが確認された。また、試料番号７に着目することで、チタン酸バリウムがＢａＴｉＯ３  に換算して９７ｍｏｌ％を超えると、誘電損失が悪化すると共に、Ｘ８Ｒ特性を満足しないことが確認された。
【００９４】
試料番号３に着目することで、酸化イットリウムがＹ２  Ｏ３  に換算して１０ｍｏｌ％を超えると、比誘電率が低くなり、また、Ｘ８Ｒ特性を満足せず、しかも、焼結性が悪くなることが確認できた。また、試料番号５に着目することで、酸化イットリウムがＹ２  Ｏ３  に換算して０．１ｍｏｌ％未満になると、誘電損失（ｔａｎδ）が悪くなり、また、Ｘ８Ｒ特性を満足しないことが確認できた。
【００９５】
試料番号８に着目することで、酸化マグネシウムがＭｇＯに換算して７ｍｏｌ％を超えると、比誘電率が低くなることが確認できた。また、試料番号７に着目することで、酸化マグネシウムがＭｇＯに換算して０．１ｍｏｌ％未満になると、誘電損失（ｔａｎδ）が悪くなり、また、Ｘ８Ｒ特性を満足しないことが確認できた。
【００９６】
試料番号１３に着目することで、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に換算して０．３ｍｏｌ％を超えると、比誘電率が低くなり、また、Ｘ８Ｒ特性を満足しないことが確認された。また、試料番号１２に着目することで、酸化バナジウムをＶ２  Ｏ５  に換算して０．０１ｍｏｌ％未満になると、Ｘ８Ｒ特性を満足しないことが確認された。
【００９７】
試料番号２０に着目することで、珪酸バリウム・カルシウムを（Ｂａ・Ｃａ）ＳｉＯ３  に換算して７ｍｏｌ％を超えると、比誘電率が低くなり、また、誘電損失が悪くなり、しかも、Ｘ８Ｒ特性を満足しないことが確認された。また、試料番号２１に着目することで、珪酸バリウム・カルシウムを（Ｂａ・Ｃａ）ＳｉＯ３  に換算して０．５ｍｏｌ％未満になると、焼結性が悪くなると共にＸ８Ｒ特性を満足しないことが確認された。
【００９８】
試料番号１５に着目することで、酸化マンガンをＭｎＯに換算して０．５ｍｏｌ％以下含有することによって、誘電損失（ｔａｎδ）が良くなることが確認された。また、試料番号１６から、酸化マンガンをＭｎＯに換算して０．５ｍｏｌ％を超えて含有すると、絶縁抵抗が低下すると共に、Ｘ８Ｒ特性を満足しないことが確認された。
【００９９】
試料番号２６に着目することで、ＢａＴｉＯ３  、Ｙ２  Ｏ３  、ＭｇＯ、Ｖ２  Ｏ５  、ＭｎＯ、（Ｂａ・Ｃａ）ＳｉＯ３  に換算した主成分１００ｍｏｌ％に対して、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に換算して２重量％を超えて含有させると、比誘電率が低くなり、誘電損失（ｔａｎδ）も悪くなることが確認された。また、試料番号２３に着目することで、酸化ホウ素をＢ２  Ｏ３  に換算して０．０２重量％未満含有させただけでは、１３５０℃でも焼結困難であることが確認された。
【０１００】
試料番号３０に着目することで、酸化ケイ素をＳｉＯ２  に換算して１．５重量％を超えて含有させると、比誘電率が低くなり、誘電損失（ｔａｎδ）も悪いことが確認された。また、試料番号２７に着目することで、酸化ケイ素をＳｉＯ２  に換算して０．０２重量％未満で含有させた場合には、１３５０℃でも焼結困難であることが確認された。
【０１０１】
試料番号３４に着目することで、酸化亜鉛をＺｎＯに換算して１．５重量％を超えて含有させることで、誘電損失（tanδ）が悪くＸ８Ｒ特性を満足しないが確認された。また、試料番号３１に着目することで、酸化亜鉛をＺｎＯに換算して０．０１重量％未満で含有させた場合には、１３５０℃でも焼結困難であることが確認された。
【０１０２】
試料番号３８に着目することで、リチウム化合物をＬｉ２  Ｏに換算して５重量％を超えて含有させると、比誘電率が低くなり、誘電損失（ｔａｎδ）も悪いことが確認された。また、試料番号３５に着目することで、リチウム化合物をＬｉ２  Ｏに換算して０．０１重量％未満で含有させた場合には１３５０℃でも焼結困難であることが確認された。
【０１０３】
試料番号３２と３９とを比較することで、酸化アルミニウムをＡｌ２  Ｏ３  に換算して１重量％以下含有することによって、焼成温度を低くすることができることが確認された。また、試料番号４０に着目することで、酸化アルミニウムをＡｌ２  Ｏ３  に換算して１重量％を超えて含有させると、誘電損失（ｔａｎδ）が悪くなり、Ｘ８Ｒ特性を満足しないことが確認された。
【０１０４】
試料番号３２と４１を比較することで、ナトリウム化合物をＮａ２  Ｏに換算して０．５重量％以下で含有させることによって、焼成温度を低くすることができることが確認された。また、試料番号４２に着目することで、ナトリウム化合物をＮａ２  Ｏに換算して０．５重量％を超えて含有させると、比誘電率が低くなり、誘電損失（ｔａｎδ）が悪いことが確認された。
【０１０５】
また、試料番号４３に着目することで、Ｂ２  Ｏ３  、ＳｉＯ２  、ＺｎＯ、Ｌｉ２  Ｏ、Ａｌ２  Ｏ３  、Ｎａ２  Ｏの総量が０．０６重量未満では、焼結困難となることが確認された。また、試料番号４６に着目することで、その総量が８重量％を超えると、比誘電率が低く誘電損失（ｔａｎδ）も悪く、さらに、Ｘ８Ｒ特性も満足しないことが確認された。
【０１０６】
また、試料番号４７〜５９を比較することで、本発明の誘電体磁器組成物には、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸ストロンチウムの一種以上を添加してもよいことが確認された。ただし、これらを添加する場合には、主成分１００ｍｏｌ％に対し、ＣａＺｒＯ３  、ＢａＺｒＯ３  、ＳｒＺｒＯ３  に換算して合計０．１重量％未満または３重量％を超えて添加させると、Ｘ８Ｒ特性を満足しないことが確認された。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの断面図である。
【符号の説明】
１…積層セラミックコンデンサ
１０…コンデンサ素子本体
２…誘電体層
３…内部電極層
４…外部電極
【図１】
0003878778.tif 000006