(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された下地膜と、該下地膜上に平面的に成膜された下部磁気シールド膜及び該下部磁気シールド膜の段差を充填する充眞材と、該下部磁気シールド膜及び充眞材の上に成膜された下部磁気ギャップ膜と、該下部磁気ギャップ膜上の記録媒体対向面を臨む位置に成膜されたＭＲ素子と、該ＭＲ素子と記録媒体対向面と逆側で接合された電極膜と、前記電極膜の一部と接して前記逆側方向に延びる様に成膜された電極リード膜と、前記ＭＲ素子と電極膜と電極リード膜とを覆う様に成膜された上部磁気ギャップ膜と、該上部磁気ギャップ膜上に成膜された上部磁気シールド膜とを備える録再分離型薄膜ヘッドにおいて、
前記電極膜の上部ギャップ膜と接しない部分の厚みが、上部ギャップ膜と接する部分よりも薄いことを特徴とする録再分離型薄膜ヘッド。
【請求項２】
前記電極膜と前記電極リード膜の接合部分の厚みが、前記電極膜厚と前記電極リード膜厚との和よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の録再分離型薄膜ヘッド。
【請求項３】
前記下部磁気シールド膜を、前記ＭＲ素子及び電極膜の平面形状に覆われ、且つ前記平面形状より小さいことを特徴とする請求項１記載の録再分離型薄膜ヘッド。
【請求項４】
前記下部磁気シールド膜及び充眞材と下部磁気ギャップ膜との間に下部保護膜を含むこと、及び又は前記上部磁気ギャップ膜と上部磁気シールド膜との間に上部保護膜を含むことを特徴とする請求項３記載の録再分離型薄膜ヘッド。
【請求項５】
基板上に形成された下地膜と、該下地膜上に平面的に成膜された下部磁気シールド膜及び該下部磁気シールド膜の段差を充填する充眞材と、該下部磁気シールド膜及び充眞材の上に成膜された下部磁気ギャップ膜と、該下部磁気ギャップ膜上の記録媒体対向面を臨む位置に成膜されたＭＲ素子と、該ＭＲ素子と記録媒体対向面と逆側で接合された電極膜と、前記電極膜の一部と接して延びる様に成膜された電極リード膜と、前記ＭＲ素子と電極膜と電極リード膜とを覆う様に成膜された上部磁気ギャップ膜と、該上部磁気ギャップ膜上に成膜された上部磁気シールド膜とを備える録再分離型薄膜ヘッドの製造方法であって、
基板上に形成された下地膜上に平坦な下部磁気シールド膜及び非磁性の充填材を形成し、前記下部磁気シールド膜及び充填材上に下部ギャップ膜を成膜する第１のステップと、該下部ギャップ膜上の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子を成膜し、該ＭＲ素子と記録媒体対向面と逆側で接合された電極膜を成膜する第２のステップと、前記電極リード膜が形成される部分が開口部となるレジスト等のリフトオフパターンを形成する第３のステップと、該リフトオフパターンをマスクにして前記電極膜の上部ギャップ膜と接しない部分の厚みが上部ギャップ膜と接する部分よりも薄くなる様にイオンミリング等により膜厚を減らす加工を行う第４のステップと、前記リフトオフパターンをマスクとして前記電極膜上に電極リード膜を成膜する第５のステップと、前記リフトオフパターンを除去する第６のステップと、前記ＭＲ素子と電極膜と電極リード膜とを上部磁気ギャップ膜により覆う第７のステップとを含むことを特徴とする録再分離型薄膜ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第１のステップの下部磁気シールド膜を、前記ＭＲ素子及び電極膜の平面形状に覆われ且つ前記平面形状より小さい様に成膜することを特徴とする請求項５記載の録再分離型薄膜ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記第１のステップの下部磁気シールド膜及び充眞材と下部磁気ギャップ膜との間に下部保護膜を設けるステップ、及び又は前記第７のステップの上部磁気ギャップ膜と上部磁気シールド膜との間に上部保護膜を成膜するステップを含むことを特徴とする請求項６記載の録再分離型薄膜ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＭＲ素子を備えた録再分離型薄膜ヘッド及び該ヘッドの製造方法に係り、特に薄膜間の短絡を防止することができる録再分離型薄膜ヘッド及び該ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に磁気ディスク装置に使用されるＭＲ（磁気抵抗効果）素子を備えた録再分離型薄膜ヘッドは、データ記録用のインダクティブヘッド素子とデータ再生用のＭＲ素子とを一体的に形成したものであり、このＭＲ素子膜の接続端子間の電気抵抗は、熱雑音を抑え且つＳ/Nを低下させないために出きるだけ低い事が望まれている。このＭＲ素子膜の接続端子間の電気抵抗を低くする技術としては、例えば特開平１１−２３８２１１号公報に示されるようにＭＲ素子の電極膜（リード導体層）を２層化し、第２のリード導体層をＭＲ素子に近づけることが挙げられる。
【０００３】
一方、近年の薄膜ヘッドにおいては、磁気シールドとＭＲ素子との間隔を磁気記録密度の増加と共に狭小化する傾向にあり、通常この間隔はＭＲ素子の上下に形成される非磁性膜の厚さによって決められる。
【０００４】
従来技術による録再分離型薄膜ヘッドは、前記磁気シールドとＭＲ素子との間隔を狭少化した場合、電極膜と電極リード膜の厚みによって生じる段差によりスパッタ成膜を行う非磁性膜の付きまわりが悪くなり、膜厚が薄くなる部分が生じてシールド膜と電極リード膜間において短絡が発生し易くなり、薄膜ヘッドの製造歩留まりを低下させると言う不具合があった。
【０００５】
この不具合を解決する技術としては、例えば特開平６−３３３２１５号公報に記載されている如く、電極膜の段差部分を非常に滑らかなテーパ形状に形成し、絶縁膜（上シールドギャップ）の被覆性を向上させ、電極膜と上シールド膜との間における短絡の発生を防ぐ構造が提案されている。
【０００６】
これを具体的に説明すると、前記公報記載の録再分離型薄膜ヘッドは、該ヘッドの平面を示す図３の様に、ＭＲ素子膜１と、ＭＲ素子膜１の両端に接続される一対の電極膜２と、該電極膜２と導通する電極リード膜３と、これら膜を磁気的に遮断するための下部磁気シールド膜４及び上部磁気シールド膜５とを備えている。尚、図３中においては、記録用素子及び上部磁気シールド膜５を透視して、ＭＲ素子膜１、電極膜２、電極リード膜３、下部磁気シールド膜４を表わした図である。
【０００７】
この録再分離型薄膜ヘッドは、図３のＡ−Ａ断面を示す図２の如く、基板及び基板上に形成された下地膜（図示せず）の上に下部磁気シールド膜４及び下部磁気シールド膜の段差充眞材４１を形成し、該下部磁気シールド膜４及び充眞材４１の上層に下部磁気ギャップ膜７を積層し、その上層にＭＲ素子膜１を成膜し、ＭＲ素子膜１の斜面に電極膜２を接合するように成膜し、電極膜２の上層にリフトオフ法等により電極リード膜３を形成し、更にその上層に上部磁気ギャップ膜６及び上部磁気シールド５を積層したものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
前述の特開平１１−２３８２１１号公報に記載された録再分離型薄膜ヘッドは、電極リード膜（第２のリード導体層）をＭＲ膜側へ近づけるという構造をとった場合、電極膜（第１のリード導体膜）と電極リード膜（第２のリード導体層）の膜厚によりＭＲ膜側において大きな段差が生じ、この段差が上記磁気ギャップ膜の付きまわりを悪くすることにより、高密度記録化により狭小化する磁気ギャップ膜に対し不利であると言う不具合があった。
【０００９】
また後述の特開平６−３３３２１５号公報に記載された滑らかなテーパを形成する録再分離型薄膜ヘッドは、滑らかなテーパを形成した部分の膜厚（図２中の上部磁気ギャップ膜８の傾斜部分）が薄くなり、電気抵抗を小さくすることが困難であり、更に滑らかなテーパ部分においては、テーパー形状がばらつき、安定した抵抗を維持するのが困難である言う不具合があった。
【００１０】
即ち、後述の従来技術による録再分離型薄膜ヘッドは、電極膜２を形成したその上層に電極リード膜３を積層するため、電極膜と電極リード膜の積層部の段差の厚みｃが電極膜厚aと電極リード膜厚ｂの和となり、電極リード膜３がない場合に比べて厚みc（=a+b）が大きくなり、従って上部磁気ギャップ膜６を成膜する際に電極リード膜の上端部８への上部磁気ギャップ膜６のつきまわりが平坦部に比べて悪くなり、上部磁気シールド膜５との短絡の原因となり易いと言う不具合があった。
【００１１】
このように従来技術による録再分離型薄膜ヘッドは、ＭＲ素子膜側に接近させた電極リード膜を形成した構造のヘッドの接続端子間抵抗が小さくなり、安定した値とすることが難しいものであった。
【００１２】
本発明の目的は、前述の従来技術による不具合を除去することであり、電極膜及び電極リード膜と磁気シールド膜との間の短絡の発生を防止し、高い信頼性を有する低抵抗で高性能の、録再分離型薄膜ヘッド及び該ヘッドの製造方法を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本発明は、基板上に形成された下地膜と、該下地膜上に平面的に成膜された下部磁気シールド膜及び該下部磁気シールド膜の段差を充填する充眞材と、該下部磁気シールド膜及び充眞材の上に成膜された下部磁気ギャップ膜と、該下部磁気ギャップ膜上の記録媒体対向面を臨む位置に成膜されたＭＲ素子と、該ＭＲ素子と記録媒体対向面と逆側で接合された電極膜と、前記電極膜の一部と接して前記逆側方向に延びる様に成膜された電極リード膜と、前記ＭＲ素子と電極膜と電極リード膜とを覆う様に成膜された上部磁気ギャップ膜と、該上部磁気ギャップ膜上に成膜された上部磁気シールド膜とを備える録再分離型薄膜ヘッドにおいて、前記電極膜の上部ギャップ膜と接しない部分の厚みが、上部ギャップ膜と接する部分よりも薄く形成したことを第１の特徴とし、前記特徴の薄膜ヘッドにおいて、前記下部磁気シールド膜を、前記ＭＲ素子及び電極膜の平面形状に覆われ、且つ前記平面形状より小さいことを第２の特徴とし、前記特徴の薄膜ヘッドにおいて、前記下部磁気シールド膜及び充眞材と下部磁気ギャップ膜との間に下部保護膜を含むこと、及び又は前記上部磁気ギャップ膜と上部磁気シールド膜との間に上部保護膜を含むことを第３の特徴とする。
【００１４】
更に本発明は、基板上に形成された下地膜と、該下地膜上に平面的に成膜された下部磁気シールド膜及び該下部磁気シールド膜の段差を充填する充眞材と、該下部磁気シールド膜及び充眞材の上に成膜された下部磁気ギャップ膜と、該下部磁気ギャップ膜上の記録媒体対向面を臨む位置に成膜されたＭＲ素子と、該ＭＲ素子と記録媒体対向面と逆側で接合された電極膜と、前記電極膜の一部と接して延びる様に成膜された電極リード膜と、前記ＭＲ素子と電極膜と電極リード膜とを覆う様に成膜された上部磁気ギャップ膜と、該上部磁気ギャップ膜上に成膜された上部磁気シールド膜とを備える録再分離型薄膜ヘッドの製造方法において、基板上に形成された下地膜上に平坦な下部磁気シールド膜及び非磁性の充填材を形成し、前記下部磁気シールド膜及び充填材上に下部ギャップ膜を成膜する第１のステップと、該下部ギャップ膜上の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子を成膜し、該ＭＲ素子と記録媒体対向面と逆側で接合された電極膜を成膜する第２のステップと、前記電極リード膜が形成される部分が開口部となるレジスト等のリフトオフパターンを形成する第３のステップと、該リフトオフパターンをマスクにして前記電極膜の上部ギャップ膜と接しない部分の厚みが上部ギャップ膜と接する部分よりも薄くなる様にイオンミリング等により膜厚を減らす加工を行う第４のステップと、前記リフトオフパターンをマスクとして前記電極膜上に電極リード膜を成膜する第５のステップと、前記リフトオフパターンを除去する第６のステップと、前記ＭＲ素子と電極膜と電極リード膜とを上部磁気ギャップ膜により覆う第７のステップとを含むことを第４の特徴とし、該特徴の録再分離型薄膜ヘッドの製造方法において、前記第１のステップの下部磁気シールド膜を、前記ＭＲ素子及び電極膜の平面形状に覆われ且つ前記平面形状より小さい様に成膜することを第５の特徴とし、該特徴の録再分離型薄膜ヘッドの製造方法において、前記第１のステップの下部磁気シールド膜及び充眞材と下部磁気ギャップ膜との間に下部保護膜を設けるステップ、及び又は前記第７のステップの上部磁気ギャップ膜と上部磁気シールド膜との間に上部保護膜を成膜するステップを含むことを第６の特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の原理を説明する。一般に薄膜ヘッドにおいては、ＭＲ素子膜及び電極膜、電極リード膜と磁気シールド膜との間の短絡の発生は、中間に形成した磁気ギャップ膜の最も膜厚の薄い部分によって決まり、この磁気ギャップ膜は電極リード膜やＭＲ素子膜の段差部分に成膜する必要があり、特に、基板にバイアス電位を印加したバイアススパッタリング法は、急峻な段差部分の下部においても緻密な膜が形成できるため、磁気ギャップ膜の作製に適している。
【００１６】
しかしながらバイアススパッタリング法で作製した膜は、イオンで表面をたたきながら成膜されるため、段差部の上端部（角の部分）は膜厚が薄くなってしまう。これは、段差の大きいほど顕著となる。このため、電極膜や電極リード膜及びＭＲ素子膜の端部では磁気ギャップ膜の厚みが薄くなりがちである。したがって２層化した電極膜の上部に磁気ギャップ膜を作製すると、この部分で短絡が起こりやすくなる。
【００１７】
これを避けるためには、磁気ギャップ膜を厚くすることが望ましいが、再生信号の分解能を高めるために、磁気媒体対向面の磁気ギャップ膜を薄くする必要があり、相反する。
【００１８】
そこで本発明は、電極膜と電極リード膜との積層部分において、積層部分を薄くした電極膜の上に、電極リード膜を積層形成することによって段差を低くし、これにより前述の不具合を解決でき、低抵抗で高性能高信頼性の録再分離型薄膜ヘッドを製造することができ、以下、本発明の一実施形態による録再分離型薄膜ヘッド及び該ヘッドの製造方法を説明する。
【００１９】
図１は、本実施形態による録再分離型薄膜ヘッドの断面を示す図である。この実施形態による録再分離型薄膜ヘッドは、図１の如く、基板及び基板上に形成された下地膜（図示せず）の上に下部磁気シールド膜４及び下部磁気シールド膜の段差充眞材４１を形成し、該下部磁気シールド膜４及び充眞材４１の上層に下部磁気ギャップ膜７を積層し、その上層にＭＲ素子膜１を成膜し、ＭＲ素子膜１の斜面に電極膜２を接合するように成膜し、電極膜２の上層にリフトオフ法等により電極リード膜３を形成し、更にその上層に上部磁気ギャップ膜６及び上部磁気シールド５を積層している。
【００２０】
特に本実施形態による薄膜ヘッドは、図示の如く、電極膜２の上に電極リード膜３が乗り上げ、電極リード膜３の重なる部分の電極膜２の厚みが、重ならない部分の電極膜２の厚みより薄く形成している。これにより電極膜２と電極リード膜３との重なり接合部分の厚みｃが、電極膜厚aと電極リード膜厚ｂの和よりも小さくし、従って電極リード膜３の上端角部８への上部磁気ギャップ膜６のつきまわりを良くすることができる。これにより、本実施形態による磁気ヘッドは、上部磁気シールド膜５との短絡が防止でき、低抵抗のＭＲ再生素子を有する録再分離型磁気ヘッドを得ることができる。
【００２１】
更に本実施形態によれば、厚みcを小さくして段差（c-ａ）を小さくするので、電極リード膜上端部の上記ギャップ膜６の付きまわりを低下させることなく、電極リード膜端部の角度kを大きくすることができ、電極リード膜３とＭＲ素子膜１との距離ｆをより短くして、さらに抵抗を小さくすることが出来る。
【００２２】
次に、本発明の録再分離型ヘッドの製造方法を図４を参照して説明する。図４は、図１に対応した製造工程を説明する図である。
【００２３】
本実施形態による製造方法は、まず、図４(A)に示すように、基板上に形成されたアルミナ等の下地膜１１の上に、パーマロイ等の下部磁気シールド膜４を、めっき、スパッタ、イオンミリングによるエッチング等により形成し、続いて、アルミナ等を全面に堆積、表面を研磨、ラップ等で平坦化を行い、上面が下部磁気シールド膜４の上面とほぼ一致する非導通の充眞材４１を形成し、その上に、アルミナ、SiO２、SiC等の下部ギャップ膜７をスパッタ等により形成する。
【００２４】
次に、本製造方法は、図４(B)の如く、下部ギャップ膜７上にＭＲ素子膜１、電極膜２を形成し、その後、図４(C)の如く、電極リード膜３が形成される部分が開口部３２となっているレジスト等のリフトオフパターン３１を形成し、更に図４(D)に示すように前記リフトオフパターン３１をマスクにして、電極膜２をイオンミリング等により膜厚を減らす加工を行う。
【００２５】
次に本製造方法は、図４(E)に示す如く、全面にAu、Cu等などからなる電極リード膜３を堆積後にリフトオフパターン３１を除去し、図４(F)に示す如く、開口部３２にのみ電極リード膜３を形成し、次いで図４(Ｇ)に示す如く、該電極リード膜３等の上に上部磁気ギャップ膜６を成膜し、更に上部磁気シールド膜５及び記録用のインダクティブヘッド素子を形成することにより磁気ヘッドを製造する。
【００２６】
この様に本実施形態の製造方法においては、前述の図１に示した電極膜２の厚みcを小さくして段差（c-ａ）を小さくさせたことにより、電極リード膜上端部の上記ギャップ膜６の付きまわりを低下させることなく、電極リード膜端部の角度kを大きくすることができ、電極膜及び電極リード膜と上部磁気シールド膜との間の短絡の発生を防止することができる。
【００２７】
さて、前記のように本製法は電極膜等と上部磁気シールド膜と間の短絡を防止するものであるが、図１で図示したように、電極リード膜３が形成される部分のうち、電極膜２がない部分の下部磁気ギャップ膜７が電極膜２へのイオンミリング時に薄くなり、逆に下部磁気シールド膜４と電極リード膜５とが短絡を起こし易くなることが考えられる。
【００２８】
そこで本実施形態では、この対策として、図４の如く、下部磁気シールド膜４の長さｄを電極膜２の長さｅ（何れも図１参照）よりも記録媒体対向面側へ短く、下部磁気シールド膜４の形状を電極リード膜形成部の電極膜２の平面形状よりも小さくすることにより、下部磁気シールド膜４を電極膜２により覆い、前記イオンミリングにより下部磁気ギャップ膜７が薄くなっても前記短絡の発生を防止し、これにより信頼性に優れた薄膜ヘッドを得ることができる。
【００２９】
次に本発明の他の実施形態による録再分離型薄膜ヘッド及びその製造方法を図５以降を参照して説明する。
【００３０】
まず、図５に示す録再分離型薄膜ヘッドの図１の実施形態と比べて異なる点は、下部磁気シールド膜の長さd＞電極膜の長さeとした点と、下部磁気ギャップ膜７と下部磁気シールド膜４の間に下部保護膜１２を介在させた点である。この下部保護膜１２は、アルミナ、ＳｉＯ2、ＳｉＣ等の非磁性膜であり、ＭＲ素子膜１の下を除く部分に形成する。
【００３１】
この様に構成した薄膜ヘッドは、電極リード膜３形成時に、イオンミリング等により膜べりした下部ギャップ膜７の膜厚を補い下部磁気シールド膜４と電極リード膜３との短絡の発生を防止することが出来る。尚、下部保護膜１２は下部ギャップ膜の上に形成しても良い。
【００３２】
この薄膜ヘッドの製造方法は、図８に示す如く、まず、図８(A)に示すように、基板上に形成されたアルミナ等の下地膜１１の上に、パーマロイ等の下部磁気シールド膜４を、めっき、スパッタ、イオンミリングによるエッチング等により形成し、続いて、アルミナ等を全面に堆積、表面を研磨、ラップ等で平坦化を行い、上面が下部磁気シールド膜４の上面とほぼ一致する非導通の充眞材４１を形成し、その上に、アルミナ、ＳｉＯ2、ＳｉＣ等の非磁性の下部保護膜１２を成膜し、更にアルミナ、ＳｉＯ2、ＳｉＣ等の下部ギャップ膜７をスパッタ等により形成する。
【００３３】
次に本製造方法は、図８(B)の如く、下部ギャップ膜７上にＭＲ素子膜１、電極膜２を形成し、その後、図８(C)の如く、電極リード膜３が形成される部分が開口部３２となっているレジスト等のリフトオフパターン３１を形成し、更に図８(D)に示すように前記リフトオフパターン３１をマスクにして、電極膜２をイオンミリング等により膜厚を減らす加工を行し、次に図８(E)に示す如く、全面にAu、Cu等などからなる電極リード膜３を堆積後にリフトオフパターン３１を除去し、図８(F)に示す如く、開口部３２にのみ電極リード膜３を形成し、次いで図８(Ｇ)に示す如く、該電極リード膜３等の上に上部磁気ギャップ膜６を成膜し、更に上部磁気シールド膜５及び記録用のインダクティブヘッド素子を形成することにより磁気ヘッドを製造する。
【００３４】
この様に本実施形態の製造方法においては、電極膜２の厚みcを小さくして段差（c-ａ）を小さくさせて、電極膜及び電極リード膜と上部磁気シールド膜との間の短絡の発生を防止すると共に、下部保護膜１３により下部磁気シールド膜との短絡も防止することができる。
【００３５】
更に他の実施形態の録再分離型薄膜ヘッド及び製法を図６を参照して説明する。この実施形態による薄膜ヘッドの図１の実施形態と比べて異なる点は、上部ギャップ膜６と上部磁気シールド膜５の間に上部保護膜１３を介在させた点である。この上部保護膜１３は、アルミナ、ＳｉＯ2、ＳｉＣ等の非磁性膜であり、上部保護膜１３の端縁は、電極リード膜３よりＭＲ素子膜１の側にあり、ＭＲ素子膜１の上に乗り上げない位置とする。
【００３６】
前記上部保護膜１３を設けた理由は、前述の実施形態同様に電極リード膜の段差c-ａを小さく、且つ外部引き出し端子間の電気抵抗を小さくするために電極リード膜３をＭＲ素子膜１側に接近させた場合、電極リード膜３と電極膜２との厚みからなる段差が大きくなり、これによって磁気ギャップ膜６の付きまわりが悪くなり、上部磁気シールド膜５と電極リード膜３が短絡し易くなることが考えられ、これを防止するためである。尚、上部保護膜１３は、上部ギャップ膜６の下に形成しても良く、同様の効果が得られる。
【００３７】
本実施形態による薄膜ヘッドは、前述の電極リード膜の段差c-ａを小さくして上部磁気シールドの短絡を防止すると共に、前記寸法ｆを小さくした電気抵抗を低減し且つ上部保護膜１３により上部磁気シールド膜５と電極リード膜３の短絡を防止することができる。
【００３８】
この薄膜ヘッドの製造方法は、図９に示す如く、まず、図９(A)に示すように、基板上に形成されたアルミナ等の下地膜１１の上に、パーマロイ等の下部磁気シールド膜４を、めっき、スパッタ、イオンミリングによるエッチング等により形成し、続いて、アルミナ等を全面に堆積、表面を研磨、ラップ等で平坦化を行い、上面が下部磁気シールド膜４の上面とほぼ一致する非導通の充眞材４１を形成し、その上に、アルミナ、ＳｉＯ2、ＳｉＣ等の下部ギャップ膜７をスパッタ等により形成する。
【００３９】
次に本製造方法は、図９(B)の如く、下部ギャップ膜７上にＭＲ素子膜１及び電極膜２を形成し、その後、図９(C)の如く、電極リード膜３が形成される部分が開口部３２となっているレジスト等のリフトオフパターン３１を形成し、更に図９(D)に示すように前記リフトオフパターン３１をマスクにして、電極膜２をイオンミリング等により膜厚を減らす加工を行う。
【００４０】
次に本製造方法は、図９(E)に示す如く、全面にAu、Cu等などからなる電極リード膜３を堆積後にリフトオフパターン３１を除去し、図９(F)に示す如く、開口部３２にのみ電極リード膜３を形成し、次いで図９(Ｇ)に示す如く、該電極リード膜３等の上に上部磁気ギャップ膜６を成膜し、更に本実施形態の特徴であるアルミナ、ＳｉＯ2、ＳｉＣ等の非磁性の上部保護膜１３を成膜し、更に上部磁気シールド膜５及び記録用のインダクティブヘッド素子を形成することにより磁気ヘッドを製造する。
【００４１】
更に他の実施形態の録再分離型薄膜ヘッド及び製法を図７を参照して説明する。この実施形態による薄膜ヘッドの図１の実施形態と比べて異なる点は、上部保護膜１３及び下部保護膜１２の両者を設けた点である。この薄膜ヘッドは、前記上部及び下部保護膜を設けたことにより、本実施形態の特徴である電極膜２の厚みcを小さくして段差（c-ａ）を小さくさせた際の下部磁気シールド膜との短絡と、電気抵抗を小さくするために電極リード膜３をＭＲ素子膜１側に接近させた際の上部磁気シールド膜５との短絡とを防止することができる。
【００４２】
この薄膜ヘッドの製造方法は、まず図１０(A)に示すように、基板上に形成されたアルミナ等の下地膜１１の上に、パーマロイ等の下部磁気シールド膜４を、めっき、スパッタ、イオンミリングによるエッチング等により形成し、続いて、アルミナ等を全面に堆積、表面を研磨、ラップ等で平坦化を行い、上面が下部磁気シールド膜４の上面とほぼ一致する非導通の充眞材４１を形成し、その上に、本実施形態の特徴であるアルミナ、ＳｉＯ2、ＳｉＣ等の非磁性の下部保護膜１２を成膜し、更にアルミナ、ＳｉＯ2、ＳｉＣ等の下部ギャップ膜７をスパッタ等により形成し、次いで前述の製造方法における工程Ｂ〜Ｆによって電極リード膜３等の上に上部磁気ギャップ膜６を成膜し、更に本実施形態の特徴であるアルミナ、ＳｉＯ2、ＳｉＣ等の非磁性の上部保護膜１３を成膜し、更に上部磁気シールド膜５及び記録用のインダクティブヘッド素子を形成することにより磁気ヘッドを製造するものである。
【００４３】
尚、本発明は次に挙げる実施形態としても表すことができる。
＜実施形態１＞
下部磁気シールド膜と上部磁気シールド膜との間の、磁気ギャップ内の記録媒体対向面を臨む位置にＭＲ素子を配置した再生用素子と、前記上部磁気シールド膜を下部コアと兼用して、または、上部磁気シールド膜と分離した下部コアと上部コアとの間にコイルを配置し、かつ、当該上部コアと当該下部コアとの間の前記記録媒体対向面を臨む位置に書き込みギャップ膜を形成した記録用素子とを積層配置した録再分離型薄膜ヘッドにおいて、
再生用素子は、電極膜と該電極膜上に重なる電極リード膜を有し、電極リード膜の下の部分の電極膜の厚みは、他の部分の電極膜の厚みより薄く形成されており、電極膜の膜厚をa、電極リード膜の膜厚をb、電極膜と電極リード膜が重なる部分の厚みをｃとしたとき、c<a+b であることを特徴とした録再分離型薄膜ヘッド。
＜実施形態２＞
前記実施形態１に記載の磁気ヘッドにおいて、下部磁気シールド膜形状が、電極リード膜形成部の電極膜平面形状よりも小さくしたことを特徴とする録再分離型薄膜ヘッド。
＜実施形態３＞
電極リード膜の形成される部分が開口しているレジストを電極膜上に形成し、該レジストをマスクにして、開口部の電極膜を厚み方向に部分的に除去する工程と、電極リード膜材料を、該レジストと該開口部に堆積する工程と、該レジストと該レジスト上の電極リード膜材料をリフトオフし電極リード膜を形成する工程とを含む実施形態１に記載の録再分離型磁気ヘッドの製造方法。
【００４４】
【発明の効果】
以上述べた如く本発明は、電極膜の上部ギャップ膜と接しない部分の厚みを上部ギャップ膜と接する部分よりも薄く形成したこと、下部磁気シールド膜を前記ＭＲ素子及び電極膜の平面形状に覆い、且つ前記平面形状より小さくしたこと、下部磁気シールド膜及び充眞材と下部磁気ギャップ膜との間に下部保護膜を含むこと、及び又は前記上部磁気ギャップ膜と上部磁気シールド膜との間に下部保護膜を含むことによって、ＭＲ素子膜の接続端子間のＭＲ抵抗を低下させ、電極膜及び電極リード膜と、磁気シールド膜との間の短絡を回避できるヘッド構造が達成できるため、高性能、高信頼性の録再分離型薄膜磁気ヘッドを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドの断面図。
【図２】従来の薄膜磁気ヘッドの断面図。
【図３】薄膜磁気ヘッド構造の平面図。
【図４】本発明の一実施形態による薄膜磁気ヘッドの製造方法説明するめたの図。
【図５】本発明の第２の実施形態による薄膜磁気ヘッドを説明するめたの図。
【図６】本発明の第３の実施形態による薄膜磁気ヘッドを説明するめたの図。
【図７】本発明の第４の実施形態による薄膜磁気ヘッドを説明するめたの図。
【図８】本発明の第２の実施形態による薄膜磁気ヘッドの製造方法説明するめたの図。
【図９】本発明の第３の実施形態による薄膜磁気ヘッドの製造方法説明するめたの図。
【図１０】本発明の第４の実施形態による薄膜磁気ヘッドの製造方法説明するめたの図。
【符号の説明】
１・・・ＭＲ素子膜、２・・・電極膜、３・・・電極リード膜、４・・・下部磁気シールド膜、５・・・上部磁気シールド膜、６・・・上部磁気ギャップ膜、７・・・下部磁気ギャップ膜、８・・・電極リード膜の上端部（角部）、１１・・・下地膜、１２…下部保護膜、１３・・・上部保護膜、３１・・・リフトオフパターン、３２・・・開口部、３３・・・充眞材、 a…電極膜厚、b…電極リード膜厚、c…電極膜と電極リード膜の接合部の厚み、d…下部磁気シールドの長さ、e…電極パターンの長さ、ｆ…ＭＲ素子と電極膜との距離、k…電極リード膜端部の角度。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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