(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚肉部を周縁部に持つ薄肉部を有する基板上に、圧電／電歪層と、該圧電／電歪層に形成された少なくとも一対の電極とを有する圧電／電歪膜型素子において、
前記圧電／電歪層は、Ｐｂを含み、Ｐｂの２〜１５ｍｏｌ％をＳｒで置換したＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3系のペロブスカイト型圧電／電歪材料にＭｎをＭｎＯ2換算で０．１〜０．５ｗｔ％含むことを特徴とする圧電／電歪膜型素子。
【請求項２】
請求項１記載の圧電／電歪膜型素子において、
前記ペロブスカイト型圧電／電歪材料は、非化学量論組成であることを特徴とする圧電／電歪膜型素子。
【請求項３】
請求項１記載の圧電／電歪膜型素子において、
前記圧電／電歪層に印加される最小電界及び最大電界をそれぞれＥ１（Ｖ／ｍｍ）及びＥ２（Ｖ／ｍｍ）、抗電界をＥｃ（Ｖ／ｍｍ）としたとき、
−０．８Ｅｃ≦Ｅ１≦０
１０００≦Ｅ２≦４０００
を満足するように駆動されることを特徴とする圧電／電歪膜型素子。
【請求項４】
請求項１又は２記載の圧電／電歪膜型素子を、
前記圧電／電歪層に印加される最小電界及び最大電界をそれぞれＥ１（Ｖ／ｍｍ）及びＥ２（Ｖ／ｍｍ）、抗電界をＥｃ（Ｖ／ｍｍ）としたとき、
−０．８Ｅｃ≦Ｅ１≦０
１０００≦Ｅ２≦４０００
を満足するように駆動することを特徴とする圧電／電歪膜型素子の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、厚肉部を周縁部に持つ薄肉部を有する基板上に、圧電／電歪層と、該圧電／電歪層に形成された少なくとも一対の電極とを有する圧電／電歪膜型素子に関し、特に、インクジェットヘッド、ディスプレイ等に用いられる電気エネルギーを機械エネルギーに変換する圧電／電歪膜型素子及びその駆動方法、あるいは機械エネルギーを電気エネルギーに変換する圧電／電歪膜型素子及びその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、サブミクロンのオーダーで微小変位を制御できる素子として、圧電／電歪膜型素子が知られている。特に、圧電セラミックスによる圧電／電歪層と、電圧が印加される電極層を積層して構成した圧電／電歪膜型素子は、微小変位の制御に好適である他、高い電気／機械変換効率、高速応答性、耐久性、少消費電力等の特徴を有する。そして、このような特徴を有する圧電／電歪膜型素子は、圧電型圧力センサ、走査型トンネル顕微鏡のプローブ移動機構、超精密加工装置における直進案内機構、油圧制御用サーボ弁、ＶＴＲ装置のヘッド、フラットパネル型の画像表示装置を構成する画素、およびインクジェットプリンタのヘッド等として用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、圧電／電歪膜型素子をアクチュエータとして用いる場合に、一方の電極に正又は負の電圧を印加し、他方の電極を接地した場合、圧電／電歪層において圧電／電歪効果が発生し、積層方向への機械的変位が生ずることとなる。
【０００４】
そして、より大きい変位量を得るために、圧電／電歪層に印加される実効駆動電界を大きくすることが考えられ、電界のレンジとして負電界から正電界までの広い範囲とすることが試みられている。
【０００５】
しかし、負電界を含む駆動を長時間行った場合に、著しい変位量の低下が生じることがあった。このため、駆動電界を変位量の低下に応じて調整する特別な回路が必要となり、コストアップの要因になるおそれがある。また、このような圧電／電歪膜型素子を使用した各種装置の信頼性や耐用期間の低下を引き起こすおそれがある。更に、用途によっては、変位量が十分でない場合もある。
【０００６】
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、実効駆動電界を負電界から正電界にわたる広い範囲に設定して長期間の駆動を行っても、変位量の低下は抑えられ、特別な回路を不要とし、信頼性の向上及び耐用期間の長期間化を達成させることができる圧電／電歪膜型素子及びその駆動方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る圧電／電歪膜型素子は、厚肉部を周縁部に持つ薄肉部を有する基板上に、圧電／電歪層と、該圧電／電歪層に形成された少なくとも一対の電極とを有する圧電／電歪膜型素子において、前記圧電／電歪層は、Ｐｂを含むペロブスカイト型圧電／電歪材料にＭｎをＭｎＯ2換算で０．１〜０．５ｗｔ％含むことを特徴とする。
【０００８】
これにより、実効駆動電界を負電界から正電界にわたる広い範囲に設定して長期間の駆動を行っても、変位量の低下を抑えることができる。
【０００９】
この場合、前記圧電／電歪層は、Ｐｂを含み、Ｐｂの一部をＳｒで置換したＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3系のペロブスカイト型圧電／電歪材料にＭｎをＭｎＯ2換算で０．１〜０．５ｗｔ％含むようにしてもよい。
【００１０】
また、前記ペロブスカイト型圧電／電歪材料は、非化学量論組成であることが好ましい。
【００１１】
そして、本発明に係る圧電／電歪膜型素子を駆動する場合は、前記圧電／電歪層に印加される最小電界及び最大電界をそれぞれＥ１（Ｖ／ｍｍ）及びＥ２（Ｖ／ｍｍ）、抗電界をＥｃ（Ｖ／ｍｍ）としたとき、
−０．８Ｅｃ≦Ｅ１≦０
１０００≦Ｅ２≦４０００
を満足するように駆動することが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る圧電／電歪膜型素子及びその駆動方法の実施の形態例を図１〜図１１を参照しながら説明する。
【００１３】
本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子１０は、図１に示すように、例えばセラミックスにて構成されたアクチュエータ基板１２と、電圧印加に伴って変位動作を行うアクチュエータ部１４とを有する。
【００１４】
アクチュエータ基板１２は、その内部のうち、アクチュエータ部１４が形成される部分に対応した位置に、それぞれ後述する振動部を形成するための空所１６が設けられている。各空所１６は、アクチュエータ基板１２の他端面に設けられた径の小さい貫通孔１８を通じて外部と連通されている。
【００１５】
アクチュエータ基板１２のうち、空所１６の形成されている部分が薄肉とされ、それ以外の部分が厚肉とされている。薄肉の部分は、外部応力に対して振動を受けやすい構造となって振動部２０として機能し、空所１６以外の部分は厚肉とされて前記振動部２０を支持する固定部２２として機能するようになっている。
【００１６】
つまり、アクチュエータ基板１２は、最下層である基板層１２Ａと中間層であるスペーサ層１２Ｂと最上層である薄板層１２Ｃの積層体であって、スペーサ層１２Ｂのうち、アクチュエータ部１４に対応する箇所に空所１６が形成された一体構造体として把握することができる。基板層１２Ａは、補強用基板として機能するほか、配線用の基板としても機能するようになっている。なお、前記アクチュエータ基板１２は、各層同時に焼成一体化してもよいし、各層順次焼成しながら積層して一体化してもよいし、各層個別に焼成した後、積層一体化してもよい。
【００１７】
一方、アクチュエータ部１４は、振動部２０と固定部２２のほか、該振動部２０上に直接形成された圧電／電歪層２４と、該圧電／電歪層２４の上面と下面に形成された一対の電極（上部電極２６ａ及び下部電極２６ｂ）とからなるアクチュエータ部本体２８を有する。
【００１８】
一対の電極としては、前記上部電極２６ａ及び下部電極２６ｂのほか、図２で示す第１の変形例に係る圧電／電歪膜型素子１０ａのように、圧電／電歪層２４の上面に例えば図３に示すような櫛型の一対の電極２６ａ及び２６ｂを形成するようにしてもよいし、図４で示す第２の変形例に係る圧電／電歪膜型素子１０ｂのように、圧電／電歪層２４と振動部２０との間に一対の電極２６ａ及び２６ｂを形成するようにしてもよい。
【００１９】
また、図５で示す第３の変形例に係る圧電／電歪膜型素子１０ｃのように、上部電極２６ａを複数の帯状電極２６ａ１及び２６ａ２にて形成し、下部電極２６ｂを単一の平膜状に形成するようにしてもよい。あるいは、図６で示す第４の変形例に係る圧電／電歪膜型素子１０ｄのように、圧電／電歪層２４に櫛型の一対の電極２６ａ及び２６ｂを埋め込んで形成するようにしてもよい。この場合、一対の電極２６ａ及び２６ｂの下面が共に振動部２０に接するように形成される。
【００２０】
図２〜図５に示す構造の場合、消費電力を低く抑えることができるという利点があり、図６に示す構造は、歪み、発生力の大きな電界方向の逆圧電効果を効果的に利用できる構造であることから、大変位の発生に有利になる。
【００２１】
次に、本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子１０の各構成部材、特に各構成部材の材料等の選定について説明する。
【００２２】
まず、振動部２０は、高耐熱性材料であることが好ましい。その理由は、アクチュエータ部本体２８を有機接着剤等の特性を劣化させる材料を用いずに振動部２０に積層させるには、少なくとも圧電／電歪層２４の形成時に熱処理が行われることがあり、このとき、振動部２０が変質しないようにするため、振動部２０は、高耐熱性材料であることが好ましい。
【００２３】
また、振動部２０は、アクチュエータ基板１２上に形成される上部電極２６ａに通じる配線と下部電極２６ｂに通じる配線との電気的な分離を行うために、電気絶縁材料であることが好ましい。
【００２４】
従って、振動部２０は、高耐熱性の金属あるいはその金属表面をガラス等のセラミック材料で被覆したホーロウ等の材料であってもよいが、セラミックスが最適である。
【００２５】
振動部２０を構成するセラミックスとしては、例えば安定化された酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、スピネル、ムライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、ガラス、これらの混合物等を用いることができる。安定化された酸化ジルコニウムは、振動部２０の厚みが薄くても機械的強度が高いこと、靭性が高いこと、圧電／電歪層２４並びに一対の電極２６ａ及び２６ｂとの化学反応性が小さいこと等のため、特に好ましい。安定化された酸化ジルコニウムとは、安定化酸化ジルコニウム及び部分安定化酸化ジルコニウムを包含する。安定化された酸化ジルコニウムでは、立方晶等の結晶構造をとるため、相転移を起こさない。
【００２６】
一方、酸化ジルコニウムは、１０００℃前後で、単斜晶と正方晶とで相転移し、この相転移のときにクラックが発生する場合がある。安定化された酸化ジルコニウムは、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、酸化スカンジウム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム又は希土類金属の酸化物等の安定化剤を、１〜３０ｍｏｌ％含有する。振動部２０の機械的強度を高めるために、安定化剤が酸化イットリウムを含有することが好ましい。このとき、酸化イットリウムは、好ましくは１．５〜６ｍｏｌ％含有し、更に好ましくは２〜４ｍｏｌ％含有することであり、更に０．１〜５ｍｏｌ％の酸化アルミニウムが含有されていることが好ましい。
【００２７】
また、結晶相は、立方晶＋単斜晶の混合相、正方晶＋単斜晶の混合相、立方晶＋正方晶＋単斜晶の混合相などであってもよいが、中でも主たる結晶相が、正方晶、又は正方晶＋立方晶の混合相としたものが、強度、靭性、耐久性の観点から最も好ましい。
【００２８】
振動部２０がセラミックスからなるとき、多数の結晶粒が振動部２０を構成するが、振動部２０の機械的強度を高めるため、結晶粒の平均粒径は、０．０５〜２μｍであることが好ましく、０．１〜１μｍであることが更に好ましい。
【００２９】
固定部２２は、セラミックスからなることが好ましいが、振動部２０の材料と同一のセラミックスでもよいし、異なっていてもよい。固定部２２を構成するセラミックスとしては、振動部２０の材料と同様に、例えば、安定化された酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、スピネル、ムライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、ガラス、これらの混合物等を用いることができる。
【００３０】
特に、このセラミック素子で用いられるアクチュエータ基板１２は、酸化ジルコニウムを主成分とする材料、酸化アルミニウムを主成分とする材料、又はこれらの混合物を主成分とする材料等が好適に採用される。その中でも、酸化ジルコニウムを主成分としたものが更に好ましい。
【００３１】
なお、焼結助剤として粘土等を加えることもあるが、酸化珪素、酸化ホウ素等のガラス化しやすいものが過剰に含まれないように、助剤成分を調節する必要がある。なぜなら、これらガラス化しやすい材料は、アクチュエータ基板１２と圧電／電歪層２４とを接合させる上で有利ではあるものの、アクチュエータ基板１２と圧電／電歪層２４との反応を促進し、所定の圧電／電歪層２４の組成を維持することが困難となり、その結果、素子特性を低下させる原因となるからである。
【００３２】
即ち、アクチュエータ基板１２中の酸化珪素等は重量比で３％以下、更に好ましくは１％以下となるように制限することが好ましい。ここで、主成分とは、重量比で５０％以上の割合で存在する成分をいう。
【００３３】
圧電／電歪層２４の上面及び下面に形成される上部電極２６ａ及び下部電極２６ｂ、あるいは図２に示すように、圧電／電歪層２４の上面に形成される一対の電極２６ａ及び２６ｂ、あるいは図４に示すように、圧電／電歪層２４と振動部２０との間に形成される一対の電極２６ａ及び２６ｂ、あるいは図５に示すように、上部電極２６ａを複数の帯状電極２６ａ１及び２６ａ２にて形成し、下部電極２６ｂを単一の平膜状に形成した場合の前記上部電極２６ａ及び下部電極２６ｂ、あるいは図６に示すように、圧電／電歪層２４に埋め込まれて形成された一対の電極２６ａ及び２６ｂは、用途に応じて適宜な厚さとするが、０．０１〜５０μｍの厚さであることが好ましく、０．１〜５μｍが更に好ましい。
【００３４】
図１における下部電極２６ｂ、あるいは図４における一対の電極２６ａ及び２６ｂ、あるいは図５における下部電極２６ｂ、あるいは図６における一対の電極２６ａ及び２６ｂについての電極材料としては、白金族の単体、あるいは白金族の単体と金及び／又は銀との合金、白金族の合金、又は白金族の合金と金及び／又は銀との合金を含む。好ましくは、白金を主成分とする材料である。
【００３５】
なお、上部電極２６ａは、室温で固体であって、導電性の金属で構成されていることが好ましい。例えば、アルミニウム、チタン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、銀、スズ、タンタル、タングステン、イリジウム、白金、金、鉛等を含有する金属単体又は合金が挙げられる。これらの元素を任意の組合せで含有していてもよいことはいうまでもない。
【００３６】
下部電極２６ｂ及び上部電極２６ａの形成には、公知の各種の膜形成手法が用いられる。具体的には、イオンビーム、スパッタリング、真空蒸着、ＣＶＤ、イオンプレーティング、メッキ等の薄膜形成手法や、スクリーン印刷、スプレー、ディッピング等の厚膜形成手法が適宜選択される。これらの中でも、特にスパッタリング法およびスクリーン印刷法が好適に選択される。さらに、必要に応じて熱処理が行われる。
【００３７】
ところで、通常の圧電／電歪膜型素子では、圧電／電歪層２４への印加電界に対するアクチュエータ部１４の変位パターンは、図７Ａに示すように、ヒステリシス特性となっている。これは、電界の極性が異なっていても、電界の大きさの絶対値が等しければ、アクチュエータ部１４の圧電／電歪層２４において発現する変位は等しいことを示している。
【００３８】
そして、アクチュエータ部１４においてより大きい変位量を得るために、圧電／電歪層２４に印加される実効駆動電界を大きくすることが考えられる。例えば、図７Ｂに示すように、圧電／電歪層２４に印加される最小電界及び最大電界をそれぞれＥ１（Ｖ／ｍｍ）及びＥ２（Ｖ／ｍｍ）、抗電界をＥｃ（Ｖ／ｍｍ）としたとき、
−０．８Ｅｃ≦Ｅ１≦０
１０００≦Ｅ２≦４０００
を満足するように駆動することが考えられる。
【００３９】
しかし、この駆動を長時間繰り返して行うと、図７Ｃに示すように、電界に対するアクチュエータ部１４の変位パターンが変化し、アクチュエータ部１４の変位量の低下が発生する。
【００４０】
そこで、本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子１０は、実効駆動電界として負電界から正電界にわたる広いレンジにして長期間の駆動を行っても、変位量の低下を有効に抑えることができるようにしたものである。
【００４１】
つまり、本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子１０は、前記圧電／電歪層２４が、Ｐｂを含むペロブスカイト型圧電／電歪材料にＭｎをＭｎＯ2換算で０．１〜０．５ｗｔ％含む材料にて構成されている。
【００４２】
具体的には、前記圧電／電歪層２４は、Ｐｂを含み、Ｐｂの一部をＳｒで置換したＰｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3系のペロブスカイト型圧電／電歪材料にＭｎをＭｎＯ2換算で０．１〜０．５ｗｔ％含む材料にて構成されている。
【００４３】
このような圧電／電歪材料の調製は、例えば酸化物混合法を使用することができる。例えばＰｂＯ、ＳｒＣＯ3、ＭｇＣＯ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＭｎＯ2等の原料粉末を所定の組成になるように秤量して、混合、仮焼、粉砕する方法によって調製することができる。他の方法としては、共沈法やアルコキシド法等が好適に用いられる。
【００４４】
また、振動部２０の上に圧電／電歪層２４を形成する方法としては、スクリーン印刷法、ディッピング法、塗布法、電気泳動法等の各種厚膜形成法や、イオンビーム法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）、めっき等の各種薄膜形成法を用いることができる。
【００４５】
この実施の形態においては、振動部２０上に圧電／電歪層２４を形成するにあたっては、スクリーン印刷法やディッピング法、塗布法、電気泳動法等による厚膜形成法が好適に採用される。
【００４６】
これらの手法は、平均粒径０．０１〜５μｍ、好ましくは０．０５〜３μｍの圧電セラミックスの粒子を主成分とするペーストやスラリー、又はサスペンション、エマルジョン、ゾル等を用いて形成することができ、良好な圧電作動特性が得られるからである。
【００４７】
特に、電気泳動法は、膜を高い密度で、かつ、高い形状精度で形成することができることをはじめ、「電気化学および工業物理化学  Ｖｏｌ．５３，Ｎｏ．１（１９８５），ｐ６３〜６８  安斎和夫著」あるいは「第１回電気泳動法によるセラミックスの高次成形法  研究討論会  予稿集（１９９８），ｐ５〜６，ｐ２３〜２４」等の技術文献に記載されるような特徴を有する。従って、要求精度や信頼性等を考慮して、適宜、手法を選択して用いるとよい。
【００４８】
また、前記振動部２０の厚みと圧電／電歪層２４の厚みは、同次元の厚みであることが好ましい。なぜなら、振動部２０の厚みが極端に圧電／電歪層２４の厚みより厚くなると（１桁以上異なると）、圧電／電歪層２４の焼成収縮に対して、振動部２０がその収縮を妨げるように働くため、圧電／電歪層２４とアクチュエータ基板１２の界面での応力が大きくなり、はがれ易くなる。反対に、厚みの次元が同程度であれば、圧電／電歪層２４の焼成収縮にアクチュエータ基板１２（振動部２０）が追従し易くなるため、一体化には好適である。具体的には、振動部２０の厚みは、１〜１００μｍであることが好ましく、３〜５０μｍが更に好ましく、５〜２０μｍが更になお好ましい。一方、圧電／電歪層２４は、その厚みとして５〜１００μｍが好ましく、５〜５０μｍが更に好ましく、５〜３０μｍが更になお好ましい。
【００４９】
このように形成された圧電／電歪層２４は必要に応じて熱処理され、アクチュエータ基板１２上に形成されている下部電極２６ｂと一体化される。
【００５０】
ここで、１つの実験例を示す。比較例１〜７並びに実施例１〜２１において、それぞれ駆動電界を印加し、そのときの初期変位量と、繰り返し駆動後の変位量の変化挙動を測定した。繰り返し駆動の時間は、５０時間、１５０時間及び５００時間とした。測定結果を図８に示す。
【００５１】
この図８において、変位量の推移の欄の数字は、比較例１の初期変位量を１００とした相対値で表記してある。また、かっこ内の数字は、初期変位量に対する変位量減少率（％）を示す。
【００５２】
駆動条件は、約２０μｍの圧電／電歪層に対し、駆動電圧の波形をパルス状とし、最低印加電圧を−１０Ｖ、最高印加電圧を５５Ｖ、電圧波形のデューティー比（−１０Ｖの印加時間／５５Ｖの印加時間）を１／９、周波数を６０Ｈｚ、環境温度を４５℃とした。各圧電／電歪膜型素子の変位量の測定は、室温下において６０Ｖを印加した際の変位量を測定することによって行った。
【００５３】
また、比較例及び実施例における組成の欄のＡ／Ｂは、（Ｐｂ、Ｓｒ）（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3，Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3において、ＡをＰｂ及びＳｒ、ＢをＭｇ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔｉとしたときのモル比率を示す。なお、化学量論組成の場合には、Ａ／Ｂ＝１となる。なお、組成の欄のＳｒ置換量は、Ｐｂに対するｍｏｌ％で表記した。
【００５４】
そして、比較例１〜３並びに実施例１〜５は、共にＳｒ置換量を０とした場合であって、特に、比較例１は、圧電／電歪層２４の構成材料にＭｎＯ2を添加しない場合を示し、比較例２は、圧電／電歪層２４の構成材料にＭｎＯ2を０．０５ｗｔ％だけ添加した場合を示し、比較例３は、圧電／電歪層２４の構成材料にＭｎＯ2を１．０ｗｔ％だけ添加した場合を示す。
【００５５】
実施例１〜５は、圧電／電歪層２４の構成材料にＭｎＯ2をそれぞれ０．１ｗｔ％、０．２ｗｔ％、０．３ｗｔ％、０．４ｗｔ％及び０．５ｗｔ％だけ添加した場合を示す。
【００５６】
比較例４〜６並びに実施例６〜１０は、共にＳｒ置換量を１０とした場合を示し、ＭｎＯ2の添加量については、上述した比較例１〜３並びに実施例１〜５と同様である。
【００５７】
比較例７並びに実施例１１〜１３は、ＭｎＯ2の添加量を０．２ｗｔ％とした場合であって、比較例７はＳｒ置換量を２０とし、実施例１１〜１３は、Ｓｒ置換量をそれぞれ２、５及び１５とした場合を示す。
【００５８】
実施例１４〜１９は、ＭｎＯ2の添加量を０．２ｗｔ％、Ｓｒ置換量を１０とした場合であって、Ａ／Ｂを徐々に大きくした場合を示す。
【００５９】
実施例２０及び２１は、ＭｎＯ2の添加量を０．２ｗｔ％、Ｓｒ置換量を０とした場合であって、Ａ／Ｂをそれぞれ０．９６及び１．０２とした場合を示す。
【００６０】
図８の結果から、ペロブスカイト型圧電／電歪材料として化学量論組成を使用した場合は、Ｓｒ置換量が０〜１５の範囲において、ＭｎＯ2の添加量が０．１〜０．５ｗｔ％の範囲であれば、初期段階並びに繰り返し駆動後において、１００を超える変位量を得ることができ、変位量減少率も最大で１３．７という少ない値であることがわかる。
【００６１】
また、Ｓｒ置換量が０よりも１０の方が、初期変位量が高く、しかも、変位量の低下を抑えることができる。
【００６２】
実施例１４〜２１の結果からもわかるように、ペロブスカイト型圧電／電歪材料として非化学量論組成を使用すれば、初期変位量がより高く、しかも、変位量の低下を更に抑えることができる。
【００６３】
このように、本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子１０においては、前記圧電／電歪層２４が、Ｐｂを含むペロブスカイト型圧電／電歪材料にＭｎをＭｎＯ2換算で０．１〜０．５ｗｔ％含むようにしたので、実効駆動電界として、図７Ｂに示すように、負電界から正電界にわたる広いレンジにして長期間の駆動を行っても、図７Ｃに示すような変位量の低下は抑えられ、図７Ｂの変位特性をほぼ維持させることができる。従って、駆動電界を変位量の低下に応じて調整する特別な回路を不要とすることができると共に、信頼性の向上及び耐用期間の長期間化を達成させることができる。
【００６４】
このようなことから、本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子１０の使用形態として、例えば図９に示すように、アクチュエータ部１４の上部に、このアクチュエータ部１４の変位を例えば上方に伝えるための変位伝達部材３０を載置、あるいは形成することによって様々な分野に応用させることができる。即ち、前記変位伝達部材３０は、本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子１０の実施態様に応じて様々なものを使用することができる。
【００６５】
例えばこの圧電／電歪膜型素子１０をディスプレイの画素として使用する場合は、図１０に示すように、光導波板４０をアクチュエータ基板１２と対向させて配置し、更に、光導波板４０とアクチュエータ基板１２間に複数の桟４２を形成し、各画素に対応させてアクチュエータ部１４を配置するという構成を採用することができる。図１０では、光導波板４０と桟４２との間にそれぞれ光遮蔽層４４を形成した例を示す。
【００６６】
各アクチュエータ部１４上には例えば白色散乱体４６、着色層４８及び透明層５０という樹脂による積層体にて構成された画素構成体５２が形成され、この画素構成体５２は、アクチュエータ部１４の変位動作に応じて光導波板４０に対して接触離隔することとなる。
【００６７】
この光導波板４０には、図示しない光源から光が導入されており、アクチュエータ部１４の変位動作によって画素構成体５２の端面が接触することで、光導波板４０の前面（表示面）のうち、前記画素構成体５２に対応した位置から光が発することになる。つまり、画素構成体５２の光導波板４０への接触の有無により、表示面における光の発光（漏れ光）の有無を制御することで、表示面に画像が表示されることになる。
【００６８】
ところで、例えば図９及び図１０の構成において、前記薄板層１２Ｃの厚みとしては、アクチュエータ部１４を大きく変位させるために、通常５０μｍ以下とされ、好ましくは３〜２０μｍ程度とされる。
【００６９】
スペーサ層１２Ｂは、アクチュエータ基板１２に空所１６を構成するものとして存在していればよく、その厚みは特に制限されるものではない。しかし一方で、空所１６の利用目的に応じてその厚みを決定してもよく、その中でもアクチュエータ部１４が機能する上で必要以上の厚みを有さず、例えば図１１に示すように、薄い状態で構成されていることが好ましい。即ち、スペーサ層１２Ｂの厚みは、利用するアクチュエータ部１４の変位の大きさ程度であることが好ましい。
【００７０】
このような構成により、薄肉の部分（振動部２０の部分）の撓みが、その撓み方向に近接する基板層１２Ａにより制限され、意図しない外力の印加に対して、前記薄肉部分の破壊を防止するという効果が得られる。なお、基板層１２Ａによる撓みの制限効果を利用して、アクチュエータ部１４の変位を特定値に安定させることも可能である。
【００７１】
また、スペーサ層１２Ｂを薄くすることで、アクチュエータ基板１２自体の厚みが低減し、曲げ剛性を小さくすることができるため、例えばアクチュエータ基板１２を別体に接着・固定するにあたって、相手方（例えば光導波板４０）に対し、自分自身（この場合、アクチュエータ基板１２）の反り等が効果的に矯正され、接着・固定の信頼性の向上を図ることができる。
【００７２】
加えて、アクチュエータ基板１２が全体として薄く構成されるため、アクチュエータ基板１２の製造にあたっての原材料使用量を低減することができ、製造コストの観点からも有利な構造である。従って、スペーサ層１２Ｂの具体的な厚みとしては、３〜５０μｍの厚みとすることが好ましく、中でも３〜２０μｍとすることが好ましい。
【００７３】
一方、基板層１２Ａの厚みとしては、上述したスペーサ層１２Ｂを薄く構成することから、アクチュエータ基板１２全体の補強目的として、一般に５０μｍ以上、好ましくは８０〜３００μｍ程度とされる。
【００７４】
上述の実施の形態では、圧電／電歪材料として、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−ＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3系のペロブスカイト型圧電／電歪材料を用いたが、その他、一般にＰＺＴ系と称されるＰｂＺｒＯ3−ＰｂＴｉＯ3系のペロブスカイト型圧電／電歪材料を用いるようにしてもよい。あるいは、前記Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3に代えて、Ｐｂ（Ｎｉ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3、Ｐｂ（Ｙｂ1/2Ｎｂ1/2）Ｏ3、Ｐｂ（Ｓｃ1/2Ｔａ1/2）Ｏ3等の複合ペロブスカイト型圧電／電歪材料を用いてもよい。また、これらＰｂを含むペロブスカイト型圧電／電歪材料には、特性や焼結性等の向上のために、ＬａやＮｉ等による置換や添加が行われてもよい。
【００７５】
なお、この発明に係る圧電／電歪膜型素子及びその駆動方法は、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
【００７６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る圧電／電歪膜型素子及びその駆動方法によれば、実効駆動電界として負電界から正電界にわたる広いレンジにして長期間の駆動を行っても、変位量の低下を抑えることができ、特別な回路を不要とし、信頼性の向上及び耐用期間の長期間化を達成させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子を示す断面図である。
【図２】本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子の第１の変形例を示す断面図である。
【図３】第１の変形例に係る圧電／電歪膜型素子の電極構造を平面から見て示す図である。
【図４】本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子の第２の変形例を示す断面図である。
【図５】本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子の第３の変形例を示す断面図である。
【図６】本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子の第４の変形例を示す断面図である。
【図７】図７Ａはアクチュエータ部のヒステリシス特性を示す図であり、図７Ｂは負電界から正電界にわたる広いレンジにして駆動する場合の変位特性を示す図であり、図７Ｃは変位量の低下した状態の変位特性を示す図である。
【図８】実験例（駆動電界を印加したときの初期変位量と、繰り返し駆動後の変位量の変化挙動の測定）の結果を示す表図である。
【図９】本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子のアクチュエータ部上に変位伝達部材を載置、又は形成した状態を示す構成図である。
【図１０】本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子をディスプレイに適用した例を一部省略して示す構成図である。
【図１１】本実施の形態に係る圧電／電歪膜型素子をディスプレイに適用した他の例を一部省略して示す構成図である。
【符号の説明】
１０、１０ａ〜１０ｄ…圧電／電歪膜型素子
１２…アクチュエータ基板            １４…アクチュエータ部
２０…振動部                        ２２…固定部
２４…圧電／電歪層                  ２６ａ、２６ｂ…一対の電極
２６ａ…上部電極                    ２６ｂ…下部電極
３０…変位伝達部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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