(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱性基材の一方の面に粘着剤層を具備し、リードフレームに剥離可能に貼着される半導体装置製造用粘着シートにおいて、
前記粘着剤層が、平均分子量が１０，０００〜１，５００，０００のポリオルガノシロキサンを含有するシリコーン系粘着剤を用いて形成され、１５０〜２００℃における動的弾性率が１．０×１０4Ｐａ以上であることを特徴とする半導体装置製造用粘着シート。
【請求項２】
前記粘着剤層を１８０℃で１時間加熱したときの質量減少率が５％以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置製造用粘着シート。
【請求項３】
前記ポリオルガノシロキサンがポリジメチルシロキサンであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置製造用粘着シート。
【請求項４】
前記ポリオルガノシロキサンがポリアルキルアルケニルシロキサンであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置製造用粘着シート。
【請求項５】
前記シリコーン系粘着剤が、硬化剤としてポリアルキル水素シロキサンを含有することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置製造用粘着シート。
【請求項６】
前記ポリオルガノシロキサンがポリメチルフェニルシロキサンであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置製造用粘着シート。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リードフレームに剥離可能に貼着され、ＱＦＮ等の半導体装置（半導体パッケージ）を製造する際に用いて好適な半導体装置製造用粘着シートに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
携帯型パソコン、携帯電話等の電子機器の小型化、多機能化に伴い、電子機器を構成する電子部品の小型化、高集積化の他、電子部品の高密度実装技術が必要になっている。
このような背景下、従来のＱＦＰ（Quad Flat Package）やＳＯＰ（Small Outline Package）等の周辺実装型の半導体装置に代わって、高密度実装が可能なＣＳＰ（Chip Size Package）等の面実装型の半導体装置が注目されている。また、ＣＳＰの中でも特にＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）は、従来の半導体装置の製造技術を適用して製造できるため好適であり、主に１００ピン以下の少端子型の半導体装置として用いられている。
【０００３】
従来、ＱＦＮの製造方法として、概略下記の方法が知られている。
はじめに、粘着シート貼着工程において、リードフレームの一方の面に粘着シートを貼着し、次いで、ダイアタッチ工程において、リードフレームに複数形成された半導体素子搭載部（ダイパッド部）に、ＩＣチップ等の半導体素子を各々搭載する。次に、ワイヤボンディング工程において、リードフレームの各半導体素子搭載部の外周に沿って配設された複数のリードと半導体素子とをボンディングワイヤにより電気的に接続する。
次に、樹脂封止工程において、リードフレームに搭載された半導体素子を封止樹脂により封止し、その後、粘着シートをリードフレームから剥離することにより、複数のＱＦＮが配列されたＱＦＮユニットを形成することができ、このＱＦＮユニットを各ＱＦＮ毎にダイシングすることにより、複数のＱＦＮを同時に製造することができる。
【０００４】
以上概略説明したＱＦＮの製造方法において、リードフレームに貼着する粘着シートとしては、耐熱性フィルムを基材とし、この基材の一方の面に、アクリル系粘着剤やゴム系粘着剤からなる粘着剤層を具備するものが広く用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アクリル系粘着剤からなる粘着剤層を具備する粘着シートを用いた場合、ワイヤボンディング工程において、ボンディングワイヤとリードとの間の接続不良が発生することがあった。以下、ボンディングワイヤとリードとの接続不良のことを「ワイヤボンディング不良」と称する。また、樹脂封止工程において、粘着シートの貼着力が低下して、リードフレームと粘着シートとが部分的に剥離し、その結果、リードフレームと粘着シートとの間に封止樹脂が流入し、リードの外部接続用部分（リードの粘着シートを貼着した側の面）に封止樹脂が付着する、いわゆる「モールドフラッシュ」が発生することがあった。
【０００６】
また、ゴム系粘着剤からなる粘着剤層を具備する粘着シートを用いた場合、粘着シートとリードフレーム若しくは封止樹脂との間の貼着力が強くなりすぎ、粘着シートをリードフレームから剥離した後に、リードの外部接続用部分に粘着剤が残る「糊残り」が発生することがあった。
【０００７】
そこで、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ＱＦＮ等の半導体装置の製造に用いた場合に、ワイヤボンディング不良、モールドフラッシュ、糊残りを防止することができ、半導体装置の不良品化を防止することができる半導体装置製造用粘着シートを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置製造用粘着シート（以下、単に「粘着シート」と称すことがある。）は、耐熱性基材の一方の面に粘着剤層を具備し、リードフレームに剥離可能に貼着される半導体装置製造用粘着シートにおいて、前記粘着剤層が、平均分子量が１０，０００〜１，５００，０００のポリオルガノシロキサンを含有するシリコーン系粘着剤を用いて形成され、１５０〜２００℃における動的弾性率が１．０×１０4Ｐａ以上であることを特徴とする。
【０００９】
なお、本明細書において、「耐熱性基材」は、「本発明の粘着シートを用いてＱＦＮ等の半導体装置を製造する際のダイアタッチ工程、ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程における最高熱処理温度以上の耐熱性を有する基材」のことを意味するものとする。また、「シリコーン系粘着剤を用いて形成された層」とは、「シリコーン系粘着剤を乾燥してなる層」若しくは「シリコーン系粘着剤を硬化してなる層」のうちいずれかを意味するものとする。また、本明細書における粘着剤層の動的弾性率の測定方法については、「実施例」の項において説明する。
【００１０】
本発明者は、粘着剤層が耐熱性に優れたシリコーン系粘着剤からなると共に、粘着剤層の１５０〜２００℃における動的弾性率が１．０×１０4Ｐａ以上である本発明の粘着シートを用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、ワイヤボンディング不良を防止することができることを見出した。
なお、ワイヤボンディング工程においては、熱と超音波によりボンディングワイヤをリードフレームに圧着するが、粘着剤層を上記構成とすることにより、粘着剤層に超音波が吸収されにくくなり、その結果、リードフレームの振動が低減され、ワイヤボンディング不良を防止することができると考えられる。
【００１１】
また、平均分子量が１０，０００〜１，５００，０００のポリオルガノシロキサンを含有するシリコーン系粘着剤を用いて粘着剤層を構成することにより、粘着剤層の硬化後の剥離性を向上することができることを見出し、本発明の粘着シートを用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、粘着シートをリードフレームから良好に剥離することができ、粘着シートを剥離した後の糊残りを防止することができることを見出した。
【００１２】
さらに、上記構成を有する本発明の粘着シートが、１５０〜２００℃の高温下においても十分な貼着力を有することを見出し、本発明の粘着シートを用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、樹脂封止工程におけるリードフレームと粘着シートとの剥離を抑制することができ、モールドフラッシュを防止することができることを見出した。
【００１３】
また、前記粘着剤層を１８０℃で１時間加熱したときの質量減少率が５％以下であることが好ましく、かかる構成の本発明の粘着シートを用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、ダイアタッチ工程において、粘着剤層の熱分解により発生する分解物を低減し、分解物によるリードフレームの汚染を低減することができるので、後のワイヤボンディング工程におけるワイヤボンディング不良を防止することができることを見出した。なお、本明細書における質量減少率の測定方法については、「実施例」の項において説明する。
【００１４】
本発明の半導体装置製造用粘着シートにおいて、シリコーン系粘着剤に含有されるポリオルガノシロキサンとしては、ポリジメチルシロキサン、ポリアルキルアルケニルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサンが、耐熱性が高く好適である。
また、シリコーン系粘着剤としては、ポリアルキルアルケニルシロキサンと、硬化剤であるポリアルキル水素シロキサンとを含有する付加反応型のシリコーン系粘着剤が特に好適であり、かかる構成の粘着剤を用いることにより、本発明の粘着シートを用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造した場合に、粘着シート貼着工程や、ダイアタッチ工程等において粘着剤の硬化反応が進行しても有機物等が発生する恐れがなく、リードフレームを汚染しないため好適である。
【００１５】
以上説明したように、本発明の粘着シートを用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、ワイヤボンディング不良、モールドフラッシュ、糊残りを防止することができ、半導体装置の不良品化を防止することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の半導体装置製造用粘着シート（粘着シート）の構造について詳述する。
図１に示すように、本発明の粘着シート１０は、耐熱性基材１１の一方の面に、シリコーン系粘着剤を用いて形成された粘着剤層１２を具備してなり、本発明において、粘着剤層１２の構造が特に特徴的なものとなっている。
【００１７】
ここで、耐熱性基材１１としては、粘着シート１０をリードフレームに貼着する際や剥離する際の取り扱い性が容易であることから、柔軟性を有する耐熱性フィルムが好適である。
粘着シート１０を用いてＱＦＮ等の半導体装置を製造する際に、粘着シート１０は１５０〜２００℃の高温に曝されるが、耐熱性基材１１として柔軟性を有する耐熱性フィルムを用いた場合、耐熱性基材１１の線膨張係数はガラス転位温度Ｔｇ以上になると急激に増加し、金属からなるリードフレームとの線膨張差が大きくなり、耐熱性基材１１とリードフレームに反りが発生する恐れがある。そして、このように、耐熱性基材１１とリードフレームに反りが発生した場合には、樹脂封止工程において、モールド金型の位置決めピンにリードフレームを装着することができず、位置ずれ不良を起こす恐れがある。
【００１８】
従って、耐熱性基材１１として柔軟性を有する耐熱性フィルムを用いる場合、用いる耐熱性フィルムのＴｇは１５０℃以上であることが好ましく、１８０℃以上であることがより好ましい。また、用いる耐熱性フィルムの１５０〜２００℃における線膨張係数が１０〜５０ｐｐｍ／℃であることが好ましく、１５〜４０ｐｐｍ／℃であることがより好ましい。かかる特性を有する耐熱性フィルムとしては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、トリアセチルセルロース、ポリエーテルイミド等からなるフィルムを例示することができる。
【００１９】
なお、本明細書における耐熱性フィルムの「線膨張係数」は、耐熱性フィルムを２００℃で１時間加熱した後、５×２５ｍｍに切断してＴＭＡ（Thermal Mechanical Analyzer、真空理工社製ＴＭ９３００）に装着し、荷重を１ｇとし、１５０℃から３℃／ｍｉｎで２００℃まで昇温した時に得られたデータに基づいて下記式（１）により算出されるものとする。
線膨張係数＝ΔＬ／Ｌ・Δｔ・・・（１）
但し、ΔＬはサンプルの伸びた長さ、Ｌはサンプルの基の長さ、Δｔは５０℃（２００℃−１５０℃）を示している。
【００２０】
次に、本発明の粘着シート１０を構成する粘着剤層１２の構造について詳述する。本発明において、粘着剤層１２は、平均分子量が１０，０００〜１，５００，０００、好ましくは１００，０００〜１，０００，０００のポリオルガノシロキサンを含有するシリコーン系粘着剤を用いて形成され、１５０〜２００℃における動的弾性率が１．０×１０4Ｐａ以上の層である。
【００２１】
シリコーン系粘着剤は、ポリオルガノシロキサンと、ポリオルガノシロキサンに架橋して粘着剤を硬化する硬化剤（架橋剤）とを主体として構成されるものであり、粘着剤層１２は、耐熱性基材１１の一方の面にシリコーン系粘着剤を塗布した後、シリコーン系粘着剤を乾燥若しくは硬化して得られる。なお、耐熱性基材１１上にシリコーン系粘着剤を塗布する方法としては、耐熱性基材１１上に直接粘着剤を塗布するキャスティング法や、粘着剤を離型性フィルム上に一旦塗布して、乾燥した後、耐熱性基材１１上にラミネート法により転写する方法等がある。
【００２２】
シリコーン系粘着剤に含有されるポリオルガノシロキサンとしては、ポリジメチルシロキサン、ポリアルキルアルケニルシロキサン、ポリメチルフェニルシロキサンが、耐熱性が高く好適である。
シリコーン系粘着剤は、その硬化反応機構から、硬化剤として過酸化物を用いる有機過酸化物硬化型と、ポリオルガノシロキサンに付加反応により結合（架橋）して粘着剤を硬化する硬化剤を用いる付加反応型に分類されるが、有機過酸化物硬化型のシリコーン系粘着剤を用いた場合には、硬化反応過程でラジカルの残査である低分子の有機物が発生する。そのため、有機過酸化物硬化型のシリコーン系粘着剤からなる粘着剤層を具備する粘着シートを用いてＱＦＮ等の半導体装置を製造する場合には、粘着シート貼着工程や、ダイアタッチ工程等において、有機過酸化物硬化型のシリコーン系粘着剤の硬化反応が進行してリードフレームを汚染し、ワイヤボンディング不良が発生する恐れがある。従って、このような恐れのない付加反応型のシリコーン系粘着剤を用いることがより好ましい。
【００２３】
具体的には、ポリオルガノシロキサンとしてポリジメチルシロキサンを用いる場合には、ポリジメチルシロキサンが不飽和結合を有さず付加反応が進行しないため、硬化剤として過酸化物を用いる有機過酸化物硬化型のシリコーン系粘着剤のみが得られる。これに対して、ポリオルガノシロキサンとしてポリアルキルアルケニルシロキサンを用いる場合には、ポリアルキルアルケニルシロキサンが不飽和結合のあるビニル基を有するため、ビニル基と反応する活性水素基を有するポリアルキル水素シロキサン等を硬化剤として添加し、白金系触媒を添加することにより、付加反応型のシリコーン系粘着剤を得ることができる。この付加反応型のシリコーン系粘着剤は１００〜１４０℃で数分間加熱することにより硬化する。
【００２４】
また、上述のように、粘着剤層を形成するために用いるシリコーン系粘着剤に含有されるポリオルガノシロキサンの平均分子量は１０，０００〜１，５００，０００、好ましくは１００，０００〜１，０００，０００である。ポリオルガノシロキサンの平均分子量をこのように規定することにより、粘着剤層１２の硬化後の剥離性を向上することができ、本発明の粘着シート１０を用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、粘着シート１０をリードフレームから良好に剥離することができ、粘着シート１０を剥離した後の糊残りを防止することができる。
【００２５】
なお、ポリオルガノシロキサンの平均分子量が１０，０００未満では、粘着剤層１２が硬化した後の凝集力が低くなり、リードフレームから剥離する際に糊残りが発生する恐れがある。また、ポリオルガノシロキサンの平均分子量が１，５００，０００を超えた場合には、シリコーン系粘着剤を調製する際に、ポリオルガノシロキサンの有機溶剤への溶解性が低下し、均一な粘着剤が得られない恐れがあり、耐熱性基材１１上に均一に粘着剤層１２を形成することが困難になる。なお、粘着剤層１２の膜厚等が不均一になった場合には、粘着シート１０とリードフレームとの間の密着力が部分的に低下するため、樹脂封止工程においてモールドフラッシュが起こりやすくなり、好ましくない。
【００２６】
また、シリコーン系粘着剤として、ポリアルキルアルケニルシロキサンとポリアルキル水素シロキサンとを含有する付加反応型の粘着剤を用いる場合、ポリアルキル水素シロキサンの平均分子量は５００〜１０，０００であることが好ましい。ポリアルキル水素シロキサンの平均分子量が５００より小さい場合には、主剤であるポリアルキルアルケニルシロキサンと混合した際の反応性が高くなりすぎて、粘着剤を耐熱性基材１１に塗布する前に硬化反応が進行し、均一な粘着剤層１２を形成することが難しくなる恐れがある。また、ポリアルキル水素シロキサンの平均分子量が１０，０００を超えた場合には、ポリアルキルアルケニルシロキサンとの反応性が低くなりすぎて、粘着剤層１２が硬化した後の凝集力が低くなり、リードフレームから剥離する際に糊残りが発生する恐れがある。
【００２７】
また、上述のように、粘着剤層１２の１５０〜２００℃における動的弾性率は１．０×１０4Ｐａ以上であり、かかる構成の本発明の粘着シート１０を用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、ワイヤボンディング工程において、粘着剤層１２に超音波が吸収されにくくなり、その結果、粘着剤層１２に接するリードフレームの振動が低減され、ワイヤボンディング不良を防止することができる。なお、粘着剤層１２の１５０〜２００℃における動的弾性率が１．０×１０4Ｐａ未満の場合には、ワイヤボンディング工程において、粘着剤層１２が超音波を吸収してリードフレームが振動し、ワイヤボンディング不良が発生する恐れがあるため、好ましくない。
【００２８】
また、以上のように粘着剤層１２を構成することにより、１５０〜２００℃においても粘着シート１０の粘着剤層１２に十分な貼着力を発現させることができ、本発明の粘着シート１０を用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、樹脂封止工程におけるリードフレームと粘着シートとの剥離を抑制することができ、モールドフラッシュを防止することができる。
【００２９】
また、粘着剤層１２を１８０℃で１時間加熱したときの質量減少率が５％以下であることが好ましく、３．５％以下であることがより好ましく、かかる構成の本発明の粘着シート１０を用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、ダイアタッチ工程において、粘着剤層１２の熱分解により発生する分解物を低減し、分解物によるリードフレームの汚染を低減することができるので、後のワイヤボンディング工程におけるワイヤボンディング不良を防止することができる。
【００３０】
また、平均分子量が１０，０００〜１，５００，０００のポリオルガノシロキサンを、１０質量％以上、好ましくは５０質量％以上、さらに好ましくは９０質量％以上含有するシリコーン系粘着剤を用いて粘着剤層１２を構成することが好ましく、かかる構成の本発明の粘着シート１０を用いてＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、ワイヤボンディング不良、モールドフラッシュ、糊残りを防止することができる。
【００３１】
本発明の粘着剤シート１０は以上のように構成され、本発明の粘着シート１０を用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、ワイヤボンディング不良、モールドフラッシュ、糊残りを防止することができ、半導体装置の不良品化を防止することができる。
【００３２】
なお、本発明の粘着シート１０の粘着剤層１２を形成するために用いるシリコーン系粘着剤には、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した以外の成分を適宜配合することができる。
例えば、粘着剤層１２の線膨張係数や熱伝導率、表面タックや貼着性を調整若しくは制御すること等を目的として、シリコーン系粘着剤に無機又は有機のフィラーを含有させることは好適である。無機フィラーとしては、粉砕型シリカ、溶融型シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、窒化チタン、窒化珪素、窒化硼素、硼化チタン、硼化タングステン、炭化珪素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデン、マイカ、酸化亜鉛、カーボンブラック、水酸化アルミニウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、三酸化アンチモン、あるいはこれらの表面にトリメチルシロキシル基等を導入したもの等を例示することができる。また、有機フィラーとしては、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ナイロン、他のシリコーン樹脂等を例示することができる。これらフィラーの配合量は、ポリオルガノシロキサン１００質量部に対して、１〜５００質量部が好ましく、３〜２００質量部がより好ましく、５〜１００質量部が特に好ましい。
【００３３】
また、本発明の粘着シート１０の粘着剤層１２上に剥離可能な保護フィルムを貼着し、半導体装置製造直前に保護フィルムを剥離する構成としても良い。この場合には、粘着シート１０が製造されてから使用されるまでの間に、粘着剤層１２が損傷されることを防止することができる。保護フィルムとしては離型性を有するものであればいかなるフィルムを用いても良く、例えばポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等のフィルムや、これらフィルムの表面をシリコーン樹脂又はフッ素化合物で離型処理したフィルム等を例示することができる。
【００３４】
次に、図２、図３に基づいて、以上の本発明の粘着シート１０を用いて、半導体装置を製造する方法の一例について簡単に説明する。以下、半導体装置としてＱＦＮを製造する場合を例として説明する。なお、図２はリードフレームを半導体素子を搭載する側から見た時の概略平面図であり、図３（ａ）〜（ｆ）は、図２に示すリードフレームからＱＦＮを製造する方法を示す工程図であって、リードフレームを図２のＡ−Ａ’線に沿って切断した時の拡大概略断面図である。
【００３５】
はじめに、平面視、図２に示す概略構成のリードフレーム２０を用意する。リードフレーム２０は、ＩＣチップ等の半導体素子を搭載する島状の複数の半導体素子搭載部（ダイパッド部）２１を具備し、各半導体素子搭載部２１の外周に沿って多数のリード２２が配設されたものである。
【００３６】
次に、図３（ａ）に示すように、粘着シート貼着工程において、リードフレーム２０の一方の面上に、本発明の粘着シート１０を粘着剤層１２（図示略）側がリードフレーム２０側となるように貼着する。なお、粘着シート１０をリードフレーム２０に貼着する方法としては、ラミネート法等が好適である。
次に、図３（ｂ）に示すように、ダイアタッチ工程において、リードフレーム２０の半導体素子搭載部２１に、粘着シート１０が貼着されていない側からＩＣチップ等の半導体素子３０を、ダイアタッチ剤（図示略）を用いて搭載する。
【００３７】
次に、図３（ｃ）に示すように、ワイヤボンディング工程において、半導体素子３０とリードフレーム２０のリード２２とを、金ワイヤ等のボンディングワイヤ３１を介して電気的に接続する。
次に、図３（ｄ）に示すように、樹脂封止工程において、図３（ｃ）に示す製造途中の半導体装置を金型内に載置し、封止樹脂（モールド剤）を用いてトランスファーモールド（金型成型）することにより、半導体素子３０を封止樹脂４０により封止する。
次に、図３（ｅ）に示すように、粘着シート１０をリードフレーム２０から剥離することにより、複数のＱＦＮ５０が配列されたＱＦＮユニット６０を形成することができる。最後に、図３（ｆ）に示すように、ＱＦＮユニット６０を各ＱＦＮ５０毎にダイシングすることにより、複数のＱＦＮ５０を製造することができる。
【００３８】
このように本発明の粘着シート１０を用いてＱＦＮ等の半導体装置を製造することにより、ワイヤボンディング不良、モールドフラッシュ、糊残りを防止することができ、半導体装置の不良品化を防止することができる。
【００３９】
【実施例】
次に、本発明に係る実施例及び比較例について説明する。
各実施例、比較例において、粘着剤を調製して粘着シートを作製し、得られた粘着剤や粘着シートの評価を行った。なお、耐熱性基材としては、いずれもＴｇが４９０℃、１５０〜２００℃における線膨張係数が１２ｐｐｍ／℃、厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを用いた。以下、各実施例、比較例における粘着剤及び粘着シートの調製方法、並びに得られた粘着剤や粘着シートの評価項目と評価方法について説明する。
【００４０】
（実施例１）
平均分子量が５００，０００のポリアルキルアルケニルシロキサンと白金触媒とを含有する溶液（ＴＳＲ−１５１２、固形分濃度６０％、ＧＥ東芝シリコーン社製）とポリアルキル水素シロキサン（ＣＲ−５１、平均分子量１３００、ＧＥ東芝シリコーン社製）とを質量比１００：１で混合して、付加反応型のシリコーン系粘着剤を調製した。
次いで、耐熱性基材上に、乾燥後の厚さが８μｍになるように上記粘着剤を塗布して粘着剤層を形成した後、１６０℃で１５分間加熱することにより、粘着剤層を乾燥及び硬化させて、本発明の粘着シートを得た。
【００４１】
（実施例２）
平均分子量４００，０００のポリアルキルアルケニルシロキサンと白金触媒とを含有する溶液（ＴＳＲ−１５１６、固形分濃度６０％、ＧＥ東芝シリコーン社製）とポリアルキル水素シロキサン（ＣＲ−５０、平均分子量２０００、ＧＥ東芝シリコーン社製）を質量比１００：１で混合して、付加反応型のシリコーン系粘着剤を調製した。
次いで、耐熱性基材上に、乾燥後の厚さが８μｍになるように上記粘着剤を塗布して粘着剤層を形成した後、１６０℃で１５分間加熱することにより、粘着剤層を乾燥及び硬化させて、本発明の粘着シートを得た。
【００４２】
（実施例３）
ポリジメチルシロキサン（ＫＲ−１０１−１０、平均分子量２４０，０００、信越化学社製）とベンジルパーオキサイド（ナイバーＢ、日本油脂社製）を質量比１００：１で混合して、有機過酸化物硬化型のシリコーン系粘着剤を調製した。
次いで、耐熱性基材上に、乾燥後の厚さが８μｍになるように上記粘着剤を塗布して粘着剤層を形成した後、１６０℃で１５分間加熱することにより、粘着剤層を乾燥及び硬化させて、本発明の粘着シートを得た。
【００４３】
（比較例１）
アクリル系共重合体（ＳＫダイン１１３１Ｂ、固形分濃度４０％、総研化学社製）にイソシアネート（コロネートＬ−４０、日本ポリウレタン社製）を質量比１００：１で混合して、アクリル系粘着剤を調製した。
次いで、耐熱性基材上に、乾燥後の厚さが８μｍになるように上記粘着剤を塗布して粘着剤層を形成した後、１００℃で５分間加熱することにより、粘着剤層を乾燥させ、さらに、３０℃で７日間放置して硬化させて、粘着シートを得た。
【００４４】
（比較例２）
エポキシ樹脂（エピコート８２８、油化シェル社製）、エポキシ硬化剤（レヂトップＰＳＭ４２６１、群栄化学社製）、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ニッポール１００１、日本ゼオン社製）を質量比４０：３０：３０で混合して、ゴム系粘着剤を調製した。
次いで、耐熱性基材上に、乾燥後の厚さが８μｍになるように上記粘着剤を塗布して粘着剤層を形成した後、１３０℃で５分間加熱することにより、粘着剤層を乾燥させて、粘着シートを得た。
【００４５】
（比較例３）
ポリアルキルアルケニルシロキサン（平均分子量５０，０００）とポリアルキル水素シロキサン（平均分子量２，０００）と白金触媒を質量比１００：１：０．１で混合して、付加反応型のシリコーン系粘着剤を調製した。
次いで、耐熱性基材上に、乾燥後の厚さが８μｍになるように上記粘着剤を塗布して粘着剤層を形成した後、１２０℃で５分間加熱することにより、粘着剤層を乾燥及び硬化させて、粘着シートを得た。
【００４６】
なお、上記実施例、比較例において、シリコーン系粘着剤を調製したものについては、用いたシリコーン樹脂の平均分子量を以下のように測定した。
すなわち、テトラヒドロフランを溶剤として、０．２質量％のシリコーン樹脂溶液を調整し、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィ）装置を用い、樹脂分離用のカラムにＫＦ−８０６Ｌ（昭和電工社製）を直列に２本並べて測定を行い、平均分子量を求めた。
【００４７】
（評価項目及び評価方法）
＜動的弾性率＞
各実施例、比較例において得られた粘着剤を表面が平滑なテフロン（登録商標）シート上に厚さ１ｍｍになるように塗布して粘着剤層を形成し、各実施例、比較例において粘着シートを作製した時と同じ条件で、粘着剤層の乾燥若しくは硬化を行い、粘着剤層付きテフロン（登録商標）シートを作製した。
得られたサンプルを直径７ｍｍの円盤状に切断し、弾性率測定装置（レオストレス、ｈａａｋｅ社製）を用い、周波数を１Ｈｚ、昇温速度を３℃／ｍｉｎ、温度範囲を１５０〜２００℃、荷重を３Ｎとして、粘着剤層の動的弾性率の測定を行った。
【００４８】
＜質量減少率＞
粘着剤層の動的弾性率測定と同様に、粘着剤層付きテフロン（登録商標）シートを作製した後、粘着剤層のみを剥離し、剥離した粘着剤層を示差熱天秤（セイコーインスツルメンツ社製、ＴＧ／ＤＴＡ３２０）を用い、１８０℃で１時間加熱したときの質量減少率を測定した。
【００４９】
＜ワイヤボンディング性＞
各実施例、比較例において得られた粘着シートを、外寸２００×６０ｍｍのＱＦＮ用リードフレーム（Ａｕ−Ｐｄ−ＮｉメッキＣｕリードフレーム、８×３２個（計２５６個）のマトリックス配列、パッケージサイズ５×５ｍｍ、モールドエリア１８０×４０ｍｍ、３２ピン）にラミネート法により貼着した。次いで、エポキシ系ダイアタッチ剤を用いてアルミが蒸着されたダミーチップ（３ｍｍ□、厚さ０．４ｍｍ）をリードフレームの半導体素子搭載部に搭載した後、ワイヤボンダー（ＦＢ１３１、カイジョー社製）を用い、加熱温度を１８０℃、周波数を６０ｋHz、荷重を１５０ｇｆ、処理速度を１０ｍｓｅｃ／ピンとして、ダミーチップとリードとを金ワイヤにより電気的に接続した。得られたパッケージ２５６個を検査し、リード側接続不良が発生したパッケージ数を、ワイヤボンディング不良の発生個数として検出した。
【００５０】
＜モールドフラッシュ＞
ワイヤボンディング性の評価後のパッケージをエポキシ系モールド剤（O-クレゾールノボラックエポキシ系、フィラー量８５質量％）を用い、加熱温度を１８０℃、圧力を１０ＭＰａ、処理時間を３分間として、トランスファーモールド(金型成型)により、ダミーチップをモールド剤により封止した。
樹脂封止後のパッケージ２５６個を検査し、リードの外部接続用部分（リードの粘着シート側の面）にモールド剤が付着しているパッケージ数を、モールドフラッシュの発生個数として検出した。
【００５１】
＜糊残り＞
モールドフラッシュ評価と同様にダミーチップをモールド剤により封止した後、粘着シートをリードフレームから剥離速度５００ｍｍ／ｍｉｎの条件で剥離した。粘着シート剥離後のパッケージ２５６個を検査し、リードの外部接続用部分（リードの粘着シートを貼着した側の面）に粘着剤が付着しているパッケージ数を、糊残りの発生個数として検出した。
【００５２】
（結果）
各実施例、比較例において得られた評価結果を表１に示す。但し、表１において、動的弾性率は１５０〜２００℃で測定した時の粘着剤層の動的弾性率の最小値を示している。
表１に示すように、平均分子量が１０，０００〜１，５００，０００のポリオルガノシロキサンを含有するシリコーン系粘着剤を用いて粘着剤層を形成し、粘着剤層の１５０〜２００℃における動的弾性率が１．０×１０4Ｐａ以上である粘着シートを作製した実施例１〜３において、得られた粘着剤層の質量減少率は０．８〜３．２％と小さく、得られた粘着シートを用いて評価を行った結果、ワイヤボンディング不良、モールドフラッシュ、糊残りは全く発生しないか、発生してもその発生個数は極めて少なかった。
【００５３】
これに対して、アクリル系粘着剤を用いて粘着剤層を形成し、粘着剤層の１５０〜２００℃における動的弾性率が１．０×１０4Ｐａ未満である粘着シートを作製した比較例１においては、粘着剤層の質量減少率は５．６％と大きく、得られた粘着シートを用いて評価を行った結果、高い確率でワイヤボンディング不良、モールドフラッシュ、糊残りが発生した。
【００５４】
また、ゴム系粘着剤を用いて粘着剤層を形成し、粘着剤層の１５０〜２００℃における動的弾性率が１．０×１０4Ｐａ以上である粘着シートを作製した比較例２においては、粘着剤層の質量減少率は３．８％と小さく、得られた粘着シートを用いて評価を行った結果、ワイヤボンディング不良の発生個数を少なくすることができ、モールドフラッシュが全く発生しなかったものの、高い確率で糊残りが発生した。
【００５５】
また、平均分子量が１０，０００〜１，５００，０００のポリオルガノシロキサンを含有するシリコーン系粘着剤を用いて粘着剤層を形成し、粘着剤層の１５０〜２００℃における動的弾性率が１．０×１０4Ｐａ未満である粘着シートを作製した比較例３においては、粘着剤層の質量減少率は１．８％と小さかったものの、得られた粘着シートを用いて評価を行った結果、高い確率でワイヤボンディング不良、モールドフラッシュ、糊残りが発生した。
【００５６】
以上の結果から、本発明の粘着シートを用いて半導体装置を製造することにより、ワイヤボンディング不良、モールドフラッシュ、糊残りを防止し、半導体装置の不良品化を防止することができることが判明した。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の半導体装置製造用粘着シートにおいては、平均分子量が１０，０００〜１，５００，０００のポリオルガノシロキサンを含有するシリコーン系粘着剤を用いて粘着剤層を形成し、かつ粘着剤層の１５０〜２００℃における動的弾性率を１．０×１０4Ｐａ以上とする構成を採用した。
かかる構成を採用することにより、本発明の半導体装置製造用粘着シートを用いて、ＱＦＮ等の半導体装置を製造する際に、ワイヤボンディング不良、モールドフラッシュ、糊残りを防止し、半導体装置の不良品化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図１は、本発明の半導体装置製造用粘着シートの構造を示す概略断面図である。
【図２】  図２は、本発明の半導体装置製造用粘着シートを用いてＱＦＮを製造する際に用いて好適なリードフレームの構造を示す概略平面図である。
【図３】  図３（ａ）〜（ｆ）は、本発明の半導体装置製造用粘着シートを用いてＱＦＮを製造する方法の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
１０  半導体装置製造用粘着シート
１１  耐熱性基材
１２  粘着剤層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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