(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成される、４条の磁気抵抗膜および該磁気抵抗膜に形成される短絡電極、とからなる４つの感磁部と、
を備え、
前記４つの感磁部は、それぞれ第１乃至第４の磁気抵抗部として４つの抵抗からなるブリッジ回路を構成し、
前記第１乃至第４の磁気抵抗部の一端側にはそれぞれ前記基板上に形成される第１乃至第４の一端側の素子電極がそれぞれ接続され、
前記第１乃至第４の磁気抵抗部の他端側にはそれぞれ前記基板上に形成される第１乃至第４の他端側の素子電極がそれぞれ接続され、
前記各磁気抵抗部全体と、前記各素子電極の一部を被覆する状態で保護膜が形成されてなり、
前記基板における前記磁気抵抗部の一端側において、前記第１の一端側の素子電極と前記第３の一端側の素子電極は、該第１の一端側の素子電極および該第３の一端側の素子電極上に形成された第１の引出し電極により互いに接続され、
前記第１の引出し電極よりも基板上で内方側にて、前記第２の一端側の素子電極と前記第４の一端側の素子電極は、該第２の一端側の素子電極および該第４の一端側の素子電極上に形成された第２の引出し電極および前記保護膜上に形成された電気線路により互いに接続され、
前記基板における前記磁気抵抗部の他端側において、前記第１の他端側の素子電極と前記第２の他端側の素子電極は、該第１の他端側の素子電極および該第２の他端側の素子電極上に形成された第３の引出し電極により互いに接続されているとともに、前記第３の他端側の素子電極と前記第４の他端側の素子電極は、該第３の他端側の素子電極および該第４の他端側の素子電極上に形成された第４の引出し電極により互いに接続されてなり、
前記第１ないし第４の引出し電極が、平面視で前記感磁部から外れた部位に設けられている、磁気抵抗素子。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気センサとして例えば回転や変位など各種の検出に供せられる磁気抵抗素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の磁気抵抗素子としては、例えば特開平１１−３４０５４０号公報に開示されているものが周知である。
【０００３】
この従来のものは、素子全体としてコンパクトに構成することを目的として、素子電極に接続される外部への引出し電極を感磁部や保護膜の形成された上面に回り込むようにして形成していた。
【０００４】
すなわち、図３に示すように、従来の磁気抵抗素子１は、基板２上に磁気抵抗膜３を形成するとともに、この磁気抵抗膜３上に複数の短絡電極４を形成して感磁部５を形成し、この感磁部５に接続される状態で素子電極６，７を基板２上に形成し、さらに、素子電極６，７の一部および感磁部５を被覆するように保護膜８を形成し、外部との接続を行うための引出し電極９を、保護膜８で覆われていない素子電極６，７部分とその素子電極６，７近くの保護膜８上とに形成していた。
【０００５】
これは、素子電極６，７だけでは外部への接続が困難であるとともに、その電極面積が小さいこともあるから比較的広い面積の電極領域を形成する必要があり、その一方素子全体としての面積を極力小さなもとすることを図るため、引出し電極９を保護膜８上に大きく張り出した状態で形成しているのである。
【０００６】
なお、素子電極６,７は、一部を感磁部３上に、一部を基板２上に形成されている場合もある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来の磁気抵抗素子１では、引出し電極９が保護膜８上に大きく張り出した状態となっているため、その引出し電極９は感磁部５の上まで回り込むように形成されている。
【０００８】
したがって、上記従来構造のものにあっては、素子を回路基板などに実装する際に、半田付けなどでその引出し電極９に加わった外力や熱、半田の硬化収縮による機械的ストレスが引出し電極９を通して保護膜８や感磁部５に応力として作用する可能性が高い。このため、感磁部５を破損させたり、あるいは保護膜８を破損させたりするおそれがあった。
【０００９】
また、その応力等が作用することによって、保護膜において捲り上がりなどの変形やクラックが生じることがあり、その場合、感磁部が外部に露出して外気にさらされる状態となので、例えばフラックスの侵入や外部からの湿気などが感磁部に悪影響を与え、信頼性を低下させるという問題があった。
【００１０】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであって、実装する際の機械的ストレスの影響が感磁部などに作用するのを抑制できる磁気抵抗素子を提供することを解決課題としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る磁気抵抗素子は、基板と、前記基板上に形成される、４条の磁気抵抗膜および該磁気抵抗膜に形成される短絡電極、とからなる４つの感磁部とを備え、前記４つの感磁部は、それぞれ第１乃至第４の磁気抵抗部として４つの抵抗からなるブリッジ回路を構成し、前記第１乃至第４の磁気抵抗部の一端側にはそれぞれ前記基板上に形成される第１乃至第４の一端側の素子電極がそれぞれ接続され、前記第１乃至第４の磁気抵抗部の他端側にはそれぞれ前記基板上に形成される第１乃至第４の他端側の素子電極がそれぞれ接続され、前記各磁気抵抗部全体と、前記各素子電極の一部を被覆する状態で保護膜が形成されてなり、前記基板における前記磁気抵抗部の一端側において、前記第１の一端側の素子電極と前記第３の一端側の素子電極は、該第１の一端側の素子電極および該第３の一端側の素子電極上に形成された第１の引出し電極により互いに接続され、前記第１の引出し電極よりも基板上で内方側にて、前記第２の一端側の素子電極と前記第４の一端側の素子電極は、該第２の一端側の素子電極および該第４の一端側の素子電極上に形成された第２の引出し電極および前記保護膜上に形成された電気線路により互いに接続され、前記基板における前記磁気抵抗部の他端側において、前記第１の他端側の素子電極と前記第２の他端側の素子電極は、該第１の他端側の素子電極および該第２の他端側の素子電極上に形成された第３の引出し電極により互いに接続されているとともに、前記第３の他端側の素子電極と前記第４の他端側の素子電極は、該第３の他端側の素子電極および該第４の他端側の素子電極上に形成された第４の引出し電極により互いに接続されてなり、前記第１ないし第４の引出し電極が、平面視で前記感磁部から外れた部位に設けられている。
【００１２】
請求項１に係る磁気抵抗素子によれば、引出し電極は平面視で感磁部から外れた部位にのみ設けているから、この磁気抵抗素子を実装するときの機械的ストレスが引出し電極に発生しても、その機械的ストレスは感磁部に作用しないものになり、その機械的ストレスによって感磁部が破損することは回避できることになる。よって、磁気抵抗素子としての信頼性が高いものになる。
【００１３】
なお、ここで、平面視とは便宜上の表現であって、感磁部が形成されている素子表面を見る方向、すなわち、感磁部と保護膜、または保護膜と引出し電極が積層される方向がこの平面視方向に相当する。したがって、素子の姿勢の如何にかかわらず、平面視とは上記の意味である。
【００１５】
また、従来例えば基板上に互いに離れて位置する素子同士を電気的に接続する場合に、外部電極として別途素子電極に接続される例えばリードフレーム間でその接続を行っていたのであるが、その場合、リードフレームの構造が複雑になるとともに、そのためにリードフレーム同士が短絡する経路が生じるおそれがあって、その絶縁処理などを行わなければならなかったものが、もともと絶縁層を成す保護膜上を引き回して接続するものとなっているので、構造簡単になるとともに、素子全体としてコンパクト化が図れ、安価に構成できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の詳細を図面に示す実施形態に基づいて説明する。
【００１７】
（参考例１）
図１および図２は、参考例１に係り、図１は、磁気抵抗素子を示す平面図（ａ）とこの平面図におけるＡ−Ａ'での縦断正面図（ｂ）、図２は、磁気抵抗素子を回路基板に半田付けした状態を示す縦断図である。
【００１８】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、磁気抵抗素子１は、例えばシリコン（Ｓｉ）やガリウム砒素（ＧａＡｓ）からなる基板２に、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）の薄膜からなる磁気抵抗膜３が形成されている。その磁気抵抗膜３上には、短絡電極４が適宜間隔で形成されて、この磁気抵抗膜３と短絡電極４とにより感磁部５が構成されている。さらに、この感磁部５の両端にそれぞれ接続される状態で一対の素子電極６，７が基板２上に形成されているとともに、素子電極６，７の一部及び感磁部５が絶縁素材からなる保護膜８で被覆されているとともに、各素子電極６，７上およびこの各素子電極６，７上の保護膜８上には引出し電極９が形成されている。
【００１９】
詳述すると、磁気抵抗膜３のインジウムアンチモン薄膜は、基板２に貼り合わせ、または、基板２に蒸着・スパッタなどにより成膜される。そして、短絡電極４、素子電極６，７としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などの電極、もしくは、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）などを二層以上形成したものからなる電極である。引出し電極９は、ニクロム／モネル／銀（Ａｇ）などが用いられる。
【００２０】
感磁部５を構成する短絡電極４と磁気抵抗膜３とは上下に対になっており、この対についてはノッドと称されている。このノッドは抵抗値を大きくするため、素子電極６，７間に直列に配列されており、その長さを稼ぐために素子電極６，７間において折れ曲がったものとなっている。そして、その感磁部５は、一対の素子電極６，７の互いの対向する辺a，aに対して直交する方向に沿う状態で素子電極６，７に接続されている。
【００２１】
さらに、図１に示すように、矩形状の基板２の長手方向での両端側に振り分けられて配置される素子電極６，７の互いに対向する辺と感磁部５との間に前記長手方向で所定の幅の非感磁領域１２が設定されている。保護膜８は、この非感磁領域１２も含めて素子電極６，７の一部と感磁部５上の全面とを被覆するように膜形成されている。
【００２２】
引出し電極９は、非感磁領域１２の上方にまで形成されているが、感磁部５の上方には形成されていない。すなわち、非感磁領域１２も含んで素子電極６，７の一部まで被覆する保護膜８部分まで引出し電極９が積層形成しているから、保護膜８の素子電極６，７側の端部は長手方向での所定幅において引出し電極９で保護される状態となっている。一方、図１に示すように、引出し電極９は、感磁部５の直上には形成されていない状態となっている。
【００２３】
この構成において、図２に示すように、この磁気抵抗素子１をベアチップとして、回路基板１０に半田付けするときには、各引出し電極９が回路基板１０のランド１１に半田付けされる。このとき、半田Ｈの熱収縮による応力が機械的ストレスとして引出し電極９に作用しても、感磁部５が引出し電極９とは積層方向で位置が一致するものでないので、その熱収縮による応力が感磁部５にはほとんど作用しない。したがって、素子としての信頼性を高くできる。
【００２４】
なお、従来、この参考例１と同様の構造のものにおいては、図３（ａ），（ｂ）に示すように、感磁部８の領域面積を極力大きくするために、磁気抵抗素子１の長手方向で素子電極６，７の側辺を成す互いの対向辺ａ，ａ近傍まで感磁部８を形成していて、その感磁部５の素子電極６，７に近い部分の直上まで引出し電極９が形成されていた。このため、従来においては、引出し電極９に半田の熱収縮応力が作用したときにその下方の感磁部５にも保護膜８を介して作用する可能性が高いとともに、保護膜８の感磁部５から素子電極６，７までの間隔が小さいから応力を受けたときに保護膜８が素子電極６，７などから捲り上がるなどのおそれがあったが、本発明ではそれらの不具合を解消できるものとなっている。
【００２５】
（参考例２）
次に、参考例２を、図４に基づいて説明する。
【００２６】
図４は、この参考例２に係る磁気抵抗素子を示す平面図（ａ）とこの平面図におけるＡ−Ａ'での縦断正面図（ｂ）である。
【００２７】
この磁気抵抗素子１は、図４に示すように、平面視矩形を成す基板２上の前後左右の各隅角部分のそれぞれに素子電極１３，１４，１５，１６を形成している。そして、右側の素子電極１４,１６に接続される状態でＩｎＳｂから成る磁気抵抗膜３を基板２上に形成し、また左側の素子電極１３，１５に接続される状態でＩｎＳｂから成る磁気抵抗膜３を基板２上に形成している。したがって、その二つの磁気抵抗膜３，３は、左右一対同一形状のものに形成されている。
【００２８】
詳述すると、この構成のものの場合、基板２上にこの基板２の長手方向に沿って６本の条をなすインジウムアンチモンからなる磁気抵抗膜３を形成している。
【００２９】
そして、外側に位置する磁気抵抗膜３の条は、金属導体膜と接続されてそれぞれ素子電極１３，１４，１５，１６を構成している。外側から２番目の磁気抵抗膜３の条に対して長手方向中間位置で対応する素子電極１３，１４，１５，１６と接続されている。
【００３０】
この外側から２番目の磁気抵抗膜３と外側から３番目の磁気抵抗膜３とは、図４に示すように、その長手方向の両端で接続されている。この外側から２番目と３番目の磁気抵抗膜３上には所定間隔おきに短絡電極４を形成している。短絡電極４とこの短絡電極４が設けられている磁気抵抗膜３とによって感磁部５が構成されている。したがって、この参考例２の場合は、各素子電極１３，１４，１５，１６の前記長手方向に沿う側辺ａに沿って感磁部５が形成されている状態で、その感磁部５が各素子電極１３，１４，１５，１６に接続される。また、短絡電極４の形成されていない外側の磁気抵抗膜３の条は感磁部５を構成するものでないとともに、感磁部５としての機能も有しない。
【００３１】
そして、感磁部５上全体を被覆するように保護膜８が形成されている。この保護膜８は、外側の磁気抵抗膜３の幅方向でのほぼ半分、すなわち各素子電極１３，１４，１５，１６の一部をも被覆する状態で形成されている。さらに、各素子電極１３，１４，１５，１６およびこれら素子電極１３，１４，１５，１６上の保護膜８上にはそれぞれ引出し電極１７，１８，１９，２０が形成されている。ただし、引出し電極１７，１８，１９，２０は、感磁部５の直上からは外れて位置するものとなっている。
【００３２】
これによって、この磁気抵抗素子１を、上記参考例１と同様に回路基板に実装した場合、引出し電極１７，１８，１９，２０において半田の熱収縮による応力が作用しても、各引出し電極１７，１８，１９，２０の直下に感磁部５がないので、感磁部５に対して各引出し電極１７，１８，１９，２０から応力が働くような不具合は回避できるものとなっている。
【００３３】
なお、この参考例２と類似構造を成す磁気抵抗素子１の従来構造は、図６（ａ），（ｂ）に示すように、引出し電極１７，１８，１９，２０が感磁部５を成す外側から２番目の磁気抵抗膜３上にまで達するものとなっていたため、その引出し電極１７，１８，１９，２０に半田の熱収縮による応力が作用したときに、その外側から２番目の磁気抵抗膜３に対してもその応力が作用して感磁部５を破損するおそれがあったが、本発明では感磁部５の直上に引出し電極が無いため、そのような不具合を回避できるものとなっている。
【００３４】
（参考例３）
次に、参考例３を、図５に基づいて説明する。
【００３５】
図５は、この参考例３に係る磁気抵抗素子を示す平面図とこの平面図におけるＡ−Ａ'での縦断正面図である。
【００３６】
この参考例３は、上記参考例２の磁気抵抗素子１とほぼ同様の構造を成すものであって、その違いのみを説明すると、上記参考例２では、保護膜８は、最も外側の磁気抵抗膜３の条の幅方向でのほぼ半分までしか被覆していなかったものが、この参考例３では、最も外側の磁気抵抗膜３の条の全幅も被覆する構成となっている。これにより、参考例２のものと比較して、保護膜５の引出し電極１７，１８，１９，２０で覆われる範囲が大きくなるので、保護膜５に例え応力が作用しても保護膜５が捲り上がりにくくなっている。
【００３７】
（実施の形態）
次に、本発明の実施の形態を、図７に基づいて説明する。
【００３８】
図７は、この実施の形態に係る磁気抵抗素子を示す平面図（ａ）、この平面図におけるＡ−Ａ’での縦断正面図（ｂ）、平面図におけるＢ−Ｂ’での縦断側面図（ｃ）、平面図におけるＣ−Ｃ’での縦断側面図（ｄ）である。
【００３９】
図７に示すように、この磁気抵抗素子１は、基板２に幅方向に４条並設される状態で磁気抵抗膜３の条を長手方向に沿って形成し、各磁気抵抗膜３上に短絡電極４を所定間隔ごとに形成している。その短絡電極４の形成された各磁気抵抗膜３の条は、感磁部５を構成するとともに、それぞれ図７における左から順に磁気抵抗部Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４として４つの抵抗からなるブリッジ回路を構成している（図８参照）。
【００４０】
磁気抵抗部Ｒ１〜Ｒ４の一端側には基板２上に形成される素子電極ａ１〜ａ４が接続され、磁気抵抗部Ｒ１〜Ｒ４の他端側には基板２上に形成される素子電極ｂ１〜ｂ４が接続されている。
【００４１】
各磁気抵抗部Ｒ１〜Ｒ４全体と、各素子電極ａ１〜ａ４，ｂ１〜ｂ４の一部を被覆する状態で保護膜８を形成している。
【００４２】
そして、基板２の長手方向一端側において、素子電極ａ１と素子電極ａ３は、これら電極ａ１，ａ３上および基板２上に形成される引出し電極２５により互いに接続されている。この引出し電極２５よりも基板２上で内方側に位置する前記素子電極ａ２上と、素子電極ａ４上に形成された引出し電極２６とが電気線路２７によって接続されている。この電気線路２７は、金属薄膜であって、保護膜５上に形成されている。ただし、この電気線路２７に関しては半田付けなどを行うものでなく、通常何ら外力がかからないものとしている。
【００４３】
引出し電極２５と素子電極２１とに接続される状態で磁気抵抗部Ｒ１の延長線上に沿うようにリード２８が設けられている。また、素子電極２２と引出し電極２６とに接続される状態で磁気抵抗部Ｒ４の延長線上に沿うようにリード２９が設けられている。
【００４４】
基板２の長手方向他端側において、素子電極ｂ１と素子電極ｂ２は、これら電極ｂ１，ｂ２上に形成された引出し電極３０により互いに接続されているとともに、素子電極ｂ３と素子電極ｂ４は、これら電極ｂ３，ｂ４上に形成された引出し電極３１により互いに接続されている。
【００４５】
また、引出し電極３０と、引出し電極３１とには、それぞれ幅方向中央位置で外方へ延設されるようにリード３２，３３を接続している。
【００４６】
なお、各引出し電極２５，２６，３０，３１は、各素子電極上にそれぞれ形成されているとともに、一部保護膜８上にも形成されているものであるが、感磁部５上には形成されていない。
【００４７】
上記構成において、素子電極ａ２と素子電極ａ４とが絶縁層も成している保護膜８上に迂回するように形成された電気線路２７を介して接続されているので、素子外部にそのような迂回する電気線路を形成する場合よりも素子全体としてコンパクトなものにできるとともに、特別な絶縁手段を設けなくても良い。
【００４８】
すなわち、従来は、例えば、磁気抵抗素子１の平面図として示される図９（ａ）に示すように、基板２の一方側端部において、素子電極ａ１と素子電極ａ３とに共通に接続されるリードフレーム４０を設け、素子電極ａ２と素子電極ａ４とに共通に接続されるリードフレーム４１を設け、図９（ａ）のＡ１−Ａ'断面図として示される図９（ｂ）に示すように、これらリードフレーム４０，４１の平面視で重なる部分には互いを絶縁するために絶縁テープ４２などの絶縁体を設けていたため、構造的に複雑になっていたが、本発明のこの実施の形態のように構成すると、リード形状が簡易になるとともに、特別な絶縁構造を設けなくても良いことになる。なお、図中、４３，４４は、入力用のリードである。
【００４９】
【実施例】
本発明者は、従来品と、本発明品についてＰＣＴ試験（プレッシャクッカテスト）並びにＨＳＴ（ヒートサイクルテスト）試験を行って、図１０，図１１に示すようなデータを得た。
【００５０】
各試験について詳述すると、まず試験用のワークとして、前述の図４，図５，図６に示すものを用意した。この場合、図６に示すものが従来構造の磁気抵抗素子に相当するのであって、図４，図５に示すものがそれぞれ本発明に係る磁気抵抗素子の一例である。ここで、保護膜８の端部から感磁部５までの距離が図４のものでは７５μｍに設定され、図５のものでは１００μｍに設定され、図６のものでは、７５μｍに設定されている。
【００５１】
まず、ＰＣＴ試験（加速試験）は、雰囲気温度１２１℃、湿度８５〜１００％、２気圧の条件下で所定時間経過ごとの感磁部の抵抗の変化率を測定したものである。
【００５２】
その結果、図１０に示すように、感磁部の抵抗が５％以下になるのに要する経過時間が、従来の磁気抵抗素子および図４に示す磁気抵抗素子については、ほぼ２４時間くらいであったが、図５に示す磁気抵抗素子については、２４０時間まで改善できた。図１０において測定結果を白抜き丸で示すグラフが図４に示す磁気抵抗素子（図１０において改善−１としている）であり、測定結果を黒丸で示すグラフが図５に示す磁気抵抗素子（図１０において改善−２としている）であり、測定結果を三角形で示すグラフが図６に示す従来の磁気抵抗素子である。
【００５３】
これは、図５に示すものの場合、引出し電極で覆われている保護膜部分の端部とその保護膜の露出部分との間の距離が比較的長いものとなっているため、水分等が感磁部に侵入しにくくなっているためであると推定される。
【００５４】
次に、ＨＳＴ試験は、図４，図５，図６に示されるそれぞれの磁気抵抗素子の５０個を、温度調節可能な恒温室内に環境温度を８５℃にして３０分おいておき、その後環境温度を−５５℃にして３０分おいておくことを１サイクルとして、複数サイクルその負荷を与えて、それぞれ１００サイクルごとに感磁部が導通しない開放状態となったか否かを検出する試験であり、５００サイクルまでその試験を行った。その結果を図１１のグラフに示す。
【００５５】
その結果、本発明に係る磁気抵抗素子についてはどちらも５００サイクル環境変化を与えても感磁部は開放状態にならなかった（図１１のグラフでは互いに重なっている）のに対して、従来品の磁気抵抗素子については、５０個中１個が２００サイクルで開放となる不良が生じ、その後サイクル数が増えるに従い、不良数が増加していった。この不良品を分解して解析した結果、引出し電極下の感磁部においてインジウムアンチモン膜が開放状態となっており、その部分にクラックを確認することができた。このことから、ＨＳＴによるストレスにより、そのインジウムアンチモン膜にクラックが発生したと推定される。
【００５６】
本発明は、上記実施の形態に限定されるものでなく、例えば以下のような変形例や応用例であってもよく、また、これらの構造に限定されるものでもない。
【００５７】
（１）上記実施の形態では、外部端子としてリードを設ける磁気抵抗素子において、素子電極同士を接続する電気線路を保護膜上に形成するものを示したが、そのようなリードを設けないタイプの磁気抵抗素子において電極同士を接続する電気線路を保護膜上に形成するようにしてもよい。
【００５８】
【発明の効果】
本発明によれば、引出し電極は平面視で感磁部から外れた部位にのみ設けているから、この磁気抵抗素子を実装するときの機械的ストレスが引出し電極に発生しても、その機械的ストレスは感磁部に作用しないものになり、その機械的ストレスによって感磁部が破損することは回避できることになって、磁気抵抗素子としての信頼性が高いものになるという効果を奏する。
【００５９】
また、素子電極を一部被覆する保護膜を含めて引出し電極がその素子電極上に形成されているから、引出し電極に被覆される保護膜の範囲を比較的大きくとることができ、磁気抵抗素子の実装に伴う半田付けなどにより機械的ストレスが引出し電極に生じても、保護膜については、捲り上がりやクラックが生じないように引出し電極が覆い被さった状態となり、よって、保護膜が捲り上がるようなことがないので感磁部は被覆状態を維持でき、素子としての信頼性を良好に保つことができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の参考例１に係る磁気抵抗素子の平面図（ａ）とこの平面図でのＡ−Ａ'断面正面図（ｂ）
【図２】  本発明の参考例１に係る磁気抵抗素子を回路基板に実装した様子を示す縦断正面図
【図３】  従来の磁気抵抗素子の一例の平面図（ａ）とこの平面図でのＡ−Ａ'断面正面図
【図４】  本発明の参考例２に係る磁気抵抗素子の平面図（ａ）とこの平面図でのＡ−Ａ'断面正面図（ｂ）
【図５】  本発明の参考例３に係る磁気抵抗素子の平面図（ａ）とこの平面図でのＡ−Ａ'断面正面図（ｂ）
【図６】  従来の磁気抵抗素子の一例の平面図（ａ）とこの平面図でのＡ−Ａ'断面正面図（ｂ）
【図７】  本発明の実施の形態に係る磁気抵抗素子の平面図（ａ）とこの平面図でのＡ−Ａ'断面正面図（ｂ）、Ｂ−Ｂ'断面側面図（ｃ）、Ｃ−Ｃ'断面側面図（ｄ）
【図８】  本発明の実施の形態に係る磁気抵抗素子の等価回路図
【図９】  従来の磁気抵抗素子の一例の平面図（ａ）とこの平面図でのＡ−Ａ'断面正面図
【図１０】  本発明及び従来の磁気抵抗素子に係るＰＣＴ試験による時間と感磁部の抵抗変化率を示すグラフ
【図１１】  本発明及び従来の磁気抵抗素子に係るＨＳＴ試験によるサイクル数と故障個数との関係を示すグラフ
【符号の説明】
１      磁気抵抗素子
２      基板
３      磁気抵抗膜
４      短絡電極
５      感磁部
６，７  素子電極
８      保護膜
９      引出し電極
【図１】
0003873735.tif 000002
【図２】
0003873735.tif 000003
【図３】
0003873735.tif 000004
【図４】
0003873735.tif 000005
【図５】
0003873735.tif 000006
【図６】
0003873735.tif 000007
【図７】
0003873735.tif 000008
【図８】
0003873735.tif 000009
【図９】
0003873735.tif 000010
【図１０】
0003873735.tif 000011
【図１１】
0003873735.tif 000012