(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（イ）基板の表面に設けられたキャビティと、
（ロ）前記キャビティ内に設けられた第１金属層と、
（ハ）該第１金属層内に設けられ該第１金属層により全面が囲まれている銅の層と、
（ニ）前記第１金属層の上面に設けられ、該第１金属層の金属の陽極酸化物である誘電体層と、
（ホ）該誘電体層の表面に設けられた第２金属層とを有するキャパシタ構造。
【請求項２】
前記第１金属層及び前記第２金属層の材料が、Ａｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、ＹおよびＺｒからなる群から選択された材料、又は該材料の合金であることを特徴とする請求項１に記載のキャパシタ構造。
【請求項３】
前記第１金属層及び前記第２金属層の材料がＴａＮであり、前記金属の酸化物が酸化タンタルであることを特徴とする、請求項１に記載のキャパシタ構造。
【請求項４】
前記第１金属層および第２金属層の材料が同じであることを特徴とする、請求項１に記載のキャパシタ構造。
【請求項５】
前記誘電体層と前記第２金属層との間に、ＳｉＮｘ及び二酸化シリコンの多層絶縁層が設けられていることを特徴とする、請求項１に記載のキャパシタ構造。
【請求項６】
（イ）基板の表面に設けられたキャビティと、
（ロ）前記キャビティ内に設けられたＴａからなる第１金属層と、
（ハ）該第１金属層内に設けられ該第１金属層により全面が囲まれている銅の層と、
（ニ）前記第１金属層の上面に設けられ、該第１金属層の金属の陽極酸化物である酸化タンタルからなる誘電体層と、
（ホ）該誘電体層の表面に設けられたＴａからなる第２金属層とを有するキャパシタ構造。
【請求項７】
前記誘電体層と前記第２金属層との間に、ＳｉＮｘ及び二酸化シリコンの多層絶縁層が設けられていることを特徴とする、請求項６に記載のキャパシタ構造。
【請求項８】
（イ）基板の表面に設けられたキャビティと、
（ロ）該キャビティの底部の一部分に露出するように前記基板内に設けられた金属ビアと、
（ハ）前記金属ビアに接続するように前記キャビティ内に設けられた第１金属層と、
（ニ）該第１金属層内に設けられ該第１金属層により全面が囲まれている銅の層と、
（ホ）前記第１金属層上に設けられ、該第１金属層の金属の陽極酸化物である誘電体層と、
（ヘ）該誘電体層上に設けられた第２金属層とを有するキャパシタ構造。
【請求項９】
前記第１金属層及び前記第２金属層の材料が、Ａｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、ＹおよびＺｒからなる群から選択された材料、又は該材料の合金であることを特徴とする請求項８に記載のキャパシタ構造。
【請求項１０】
前記第１金属層及び前記第２金属層の材料がＴａＮであり、前記金属の酸化物が酸化タンタルであることを特徴とする請求項８に記載のキャパシタ構造。
【請求項１１】
前記第１金属層および第２金属層の材料が同じであることを特徴とする、請求項８に記載のキャパシタ構造。
【請求項１２】
前記誘電体層と前記第２金属層との間に、ＳｉＮｘ及び二酸化シリコンの多層絶縁層が設けられていることを特徴とする、請求項８に記載のキャパシタ構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般にコンピュータ・チップ製造に関し、より詳細には、半導体基板上でＭＩＭ構造を作製する加工技法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
キャパシタ（コンデンサ）は、絶縁物材料によって分離された２枚の金属プレートで構成される。これらのデバイスは、半導体基板内に形成された回路内で広く使用されている。キャパシタを形成するための一般的なプロセスは、金属層を堆積し、絶縁物層を堆積し、第２の金属層を堆積し、最後にこの３層構造をエッチングして所望の場所にキャパシタを作製することによるものである。これはリソグラフィのマスキングを大量に要し、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）の加工では流れが悪く、ダマシン適用分野によっては実用的でないことがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、半導体基板内に金属・絶縁物・金属キャパシタ（ＭＩＭ  ｃａｐ）構造を作製するための低コストで効率的なプロセスを提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、第１の金属層が基板のキャビティ内に堆積される。基板はシリコン、砒化ゲルマニウム、または何らかの他の材料でよいが、（ダマシン加工で考えられるような）二酸化シリコン層、または半導体デバイスの代替絶縁層でもよい。基板の性質に関わらず、本発明では、基板を半導体製作で使用される任意の材料であるものと見なす。第１金属層を堆積した後、上面を酸化して金属酸化物オーバー・コート層を形成する。酸化は、陽極酸化によって最適に実現できる。金属酸化物オーバー・コート層を形成した後で、窒化シリコンおよび酸化シリコン（たとえば、二酸化シリコン）などの追加絶縁層を追加できるが、第２の金属層を金属酸化物オーバー・コート層の上部に直接堆積することもできる。第１金属層と第２金属層は同じであることが好ましいが、製作する構成要素の要件を満たすため、異なる場合もある。これらのプロセスには、かなりの数の変形形態を使用できる。
【０００５】
本発明の上記その他の目的、態様および利点は、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態についての以下の詳しい説明を読めば、よりよく理解できよう。
【０００６】
【発明の実施の形態】
図１は、上面内にキャビティ１２が形成された基板１０を示す。基板１０は、それだけには限らないが、シリコン、二酸化シリコン、砒化ゲルマニウムなどを含め、半導体製作で使用される材料とすることができる。図１に示す実施形態では、金属プラグ１４がキャビティ１２の下部に位置付けられているが、その他の接点構成が本発明の実施範囲内で使用できることを理解されたい。当然ながら、図１に示す構造全体を別の半導体基板（図示せず）の上部に載置できる。図１に示す構造は、典型的なダマシンＣＭＯＳバック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）基板として見ることができる。基板内にキャビティ１２（凹部）を形成するためには、リソグラフィ・マスクが１つ必要なだけである。
【０００７】
図２は、第１の金属層１６が堆積された後であって、金属酸化物層１８が第１金属層１６の上部に形成された後の基板１０を示す。堆積は、第１金属層が基板１０の表面と共形となり、キャビティ１２内へ降り、キャビティ側壁を上がって、基板１０の上面を覆って延びるような化学気相堆積（ＣＶＤ）技法または他のプロセスによって進めることができる。金属酸化物層１８は、第１金属層１６から形成する。したがって、金属酸化物層１８は第１金属層１６との適合性が一層高く、後続の加工条件の中で第１金属層に貼着し、分離しない可能性が高い。金属酸化物層１８を形成することに適したプロセスは、陽極酸化によるものである。
【０００８】
Berry等による「Thin Film Technology」, Van Nostrand Reinhold Co., 1968年に説明されているように、陽極酸化は、電解液内での金属陽極の電気化学酸化によって金属酸化物被膜を形成することである。陽極酸化可能な金属は、その陽極酸化物の整流特性のため、「バルブ金属」と呼ばれることが多い。陽極酸化中は、金属陽極が酸化され、形成された金属陽イオンが電解液内の水酸化物イオンの酸素と直接反応して連続的な非晶質膜を形成する。ワーク・ピースの陽極酸化に使用できる電解槽は、電解液、バルブ金属陽極、不活性な陰極、電源を具備する。ウェハ・スケールの陽極酸化は、電気めっきに使用されるものなど、従来湿式加工で使用されているツールを使用して実施できる。陽極と陰極は、両方の電極に電気接触を加えた状態で電解液に浸漬できる。
【０００９】
図３は、第２の金属層２０が金属酸化物層１８の上に被覆された後の基板１０を示す。好ましくは第２金属層２０が第１金属層１６と同じとなるため、この第２金属層２０もまた、金属酸化物層１８に適合性がある利点を有し、貼着する能力が高まる。しかし、第１金属層と第２金属層が互いに異なる適用分野がおそらく数多くあろう。加えて、製作物によっては、第２金属層２０の堆積前に、金属酸化物層の上部に追加絶縁層（図示せず）を堆積することが有利な可能性がある。たとえば、二酸化シリコンおよび窒化シリコンを堆積できる。
【００１０】
図４は、たとえば化学的機械的研磨によって、上面の３層構造が除去された後の基板１０を示す。他の技法を使用して基板１０を図４に示すように平坦化することもできる。最終的には、好ましくは第１金属層を陽極酸化して形成される絶縁物によって分離された２枚の金属プレートを有するＭＩＭｃａｐ構造が得られる。
【００１１】
表１は、本発明の実施範囲内で第１および第２金属層として使用できる代表的な金属と、陽極酸化によって作製される対応する酸化物のリストである。
【表１】
0003873133.tif 000002
第１金属層と第２金属層の金属は同じであることが好ましい。金属は、純粋な形態で、合金の組み合わせとして（たとえば、ＴｉＡｌ）、窒化物の形態で（たとえば、ＴａＮ）、またはその他の形態で堆積できる。指針となる原理は、陽極酸化材料が、陽極酸化前に存在した「親」材料によく固着する可能性が高いことである（たとえば、Ｔａ2Ｏ5は、銅（Ｃｕ）など他の金属よりもＴａＮxまたはＴａによく固着する可能性が高い）。必要とされる層が少ないため、製作が一層容易でもある。
【００１２】
一般に容量値の式はＣ＝８．８５×１０-12（ｋＡ／Ｓ）であり、Ｃは単位ファラドのキャパシタの値、ｋはプレート間の絶縁物の誘電率、Ａは単位Ｍ2のプレートの共通面積、Ｓは単位Ｍのプレート間の間隔である。本発明のキャパシタは、ほぼどのようなサイズにもできるが、好ましくは５×５μｍ程度であろう。最大サイズは、平坦化能力（たとえば、ＣＭＰ）に応じて決まる。ＣＭＰを使用してプレート面積が数平方ミリメートルの金属を平坦化することができるため、本発明のプレート面積は、数平方ミリメートルとすることができる。誘電体の厚みは、典型的には５００Å前後とすることができる。一般に誘電絶縁層は５０Åから１０００Åの範囲にすべきである。
【００１３】
例示のためにすぎないが、図１から４に示すプロセスは、以下のようにたどることができる。典型的なダマシンＣＭＯＳ  ＢＥＯＬから始めて、単一のリソグラフィ・マスクを使用して誘電体内に凹部を形成し、これを金属ライン・レベルと共に行うことができる。ＭＩＭ用の凹部は、深さ約２０００Åである。次いで、ＴａＮを厚さ１０００Åで基板の上と凹部内に堆積できる。次いで、約２５０Åから３００Åを陽極酸化してＴａＯ5を形成する。次いで、ＴａＮの別の層を厚さ約８００Åで堆積する。ＣＭＰを使用して表面を研磨する。凹部に残ったものは、下にあるビアまたはスタッドが接触するＴａＮの下部プレートである。加えて、上部プレートを形成するＴａＮの薄い最終層を有するＴａＯ5の薄い誘電体層がある。ＴａＯ5に加えて、ＳｉＮXおよび二酸化シリコンなど多層の絶縁物を堆積でき、これらの層の厚みは、デバイスの要件に応じて好ましくは５０Åから１００Å間の範囲とすることができる。これは、研磨を１ステップではなく２ステップで行い、それによってキャパシタの下部プレートを密封することが必要になろう。
【００１４】
本発明は、多数の異なるデバイス形態と共に実施できる。たとえば、図５はカプセル化された銅プレートを示し、銅４０が、上述したＴａまたはいずれかの他の材料など、層４２を形成する金属層でオーバー・コートされている。誘電体層４４は陽極酸化によって形成し、第２の金属層がプレート４６（除去エッチングまたは他の機構によって作製）を形成する。金属ビア５０、５２および５４は、２枚のプレートに接する。他の例として、図６は積み重ねられたシングル・ダマシンを示し、銅６０が、上述したＴａまたは任意の他の材料などの金属層６２内にカプセル化され、誘電体６４が陽極酸化によって形成される。さらに他の例として、図７は、上述したＴａまたはいずれかの他の材料などの金属層７２でカプセル化された銅３０を示す。酸化タンタルなどの陽極酸化された誘電体層７４があり、たとえばタンタルからなる上部金属プレート７６を有する。酸化タンタル７４は、Ｔａプレート７６の側壁を陽極酸化して作製できる。上部プレート７６は、二酸化シリコンなどの絶縁周辺部７８内に位置付ける。図８から１０は、デュアル・ダマシン・デバイスを示す。図８では、下部プレート８０をＴａＮの共形堆積によって作製できる。後続の陽極酸化により誘電体８２を形成し、金属上部プレート８４が誘電体８２によって画定された空間内に堆積される。金属上部プレート８４は、Ｔａまたは上記で指摘したいずれかの金属など任意の金属とすることができる。図９は、金属ライナ８６が誘電体８２の上部に追加され、残りの部分が異なる金属８８で充填された変形形態を示す（たとえば、図９はＴａ、酸化タンタル、銅インレイ（inlay）を有するＴａレイアップ（layup）を有するビアを示すことができる）。図１０は、ビア・レベルを使用して上部プレートを形成した積み重ねデュアル・ダマシン構成を示す。
【００１５】
以上本発明をその好ましい実施形態に関して述べたが、修正を加えれば、添付の特許請求の範囲の精神および範囲内で本発明を実施できることを当業者なら理解するであろう。
【００１６】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００１７】
（１）基板内にキャパシタ構造を形成するための方法であって、
基板の上面の上と前記上面上のキャビティ内に第１の金属層を堆積するステップと、
前記第１金属層の上部上の金属酸化物層を、前記金属酸化物層を形成するための前記第１金属層内の金属を使用して形成するステップと、
前記金属酸化物層の上に第２の金属層を堆積するステップとを含む方法。
（２）前記形成するステップが、前記第１金属層を陽極酸化することによって行われる請求項１に記載の方法。
（３）前記２つの堆積するステップと前記形成するステップで前記キャビティより上に延びる３層構造が作製され、前記基板の前記上面より上から前記３層構造を除去するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
（４）前記除去するステップが化学的機械的研磨によって行われる請求項３に記載の方法。
（５）前記第１および第２金属層が同一である請求項１に記載の方法。
（６）前記第１および第２金属層がＡｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、ＹおよびＺｒからなる群、同金属の合金から選択され、前記第１および第２金属層が同じであることも異なることもできる請求項１に記載の方法。
（７）前記第１および第２金属層が金属窒化物の形態で存在する請求項６に記載の方法。
（８）前記形成するステップが、５０Åないし１０００Åの範囲の厚みを有する金属酸化物層を形成するように行われる請求項１に記載の方法。
（９）前記金属酸化物層上に絶縁層を追加するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
（１０）前記第１および第２金属層が合金の形態で存在する請求項６に記載の方法。
（１１）半導体基板内のキャパシタ構造であって、
前記半導体基板のキャビティ内に位置付けられる第１の金属層と、
前記第１金属層上に位置付けられ、前記第１金属層と同じ金属で形成される金属酸化物層と、
前記金属酸化物層上に位置付けられる第２の金属層とを含むキャパシタ構造。
（１２）前記金属酸化物層が陽極酸化された第１金属層である請求項１１に記載のキャパシタ構造。
（１３）前記第１金属層および第２金属層が同一である請求項１１に記載のキャパシタ構造。
（１４）前記第１および第２金属層がＡｌ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、ＹおよびＺｒからなる群、同金属の合金から選択され、前記第１および第２金属層が同じであることも異なることもできる請求項１１に記載のキャパシタ構造。
（１５）前記第１および第２金属層のうち少なくとも１つが窒化物として存在する請求項１４に記載のキャパシタ構造。
（１６）前記第１および第２金属層のうち少なくとも１つが合金として存在する請求項１４に記載のキャパシタ構造。
【図面の簡単な説明】
【図１】上面内にキャビティを有するパターン付き基板の横断面図である。
【図２】第１の金属下部層（たとえば、ＴａＮ）と酸化物層（たとえば、ＴａＮを陽極酸化して作製したＴａＯ5）とを有する図１のパターン付き基板の横断面図である。
【図３】酸化物層上に第２の金属層を堆積した図２のパターン付き基板の横断面図である。
【図４】基板から上部３層構造を研磨した後の図３のパターン付き基板の横断面図である。
【図５】本発明によるＭＩＭ構造の一例の横断面図である。
【図６】本発明によるＭＩＭ構造の他の例の横断面図である。
【図７】金属酸化物がカプセル化された酸化シリコン層内に位置付けられた、本発明によるＭＩＭ構造の他の例の横断面図である。
【図８】ビア・レベルを使用して上部プレートを形成したデュアル・ダマシン構造の横断面図である。
【図９】ビア・レベルを使用して上部プレートを形成したデュアル・ダマシン構造の横断面図である。
【図１０】ビア・レベルを使用して上部プレートを形成したデュアル・ダマシン構造の横断面図である。
【符号の説明】
１０  基板
１２  キャビティ
１４  プラグ
１６  第１金属層
１８  金属酸化物層
２０  第２金属層
４０  銅
４２  層
４４  誘電体層
４６  プレート
５０  金属ビア
５２  金属ビア
５４  金属ビア
６０  銅
６２  金属層
６４  誘電体
７０  銅
７２  金属層
７４  酸化タンタル
７６  上部プレート
７８  絶縁周辺部
８０  下部プレート
８２  誘電体
８４  金属上部プレート
８６  金属ライナ
８８  金属
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
0003873133.tif 000006
【図５】
0003873133.tif 000007
【図６】
0003873133.tif 000008
【図７】
0003873133.tif 000009
【図８】
0003873133.tif 000010
【図９】
0003873133.tif 000011
【図１０】
0003873133.tif 000012