(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも下地層、磁性層、保護層を設けてなる磁気記録媒体において、
前記磁性層が下記の組成範囲を有するＣｏＣｒＴａＰｔＺの５元系材料からなり、ＺはＮｂであることを特徴とする磁気記録媒体。
Ｃｒ：ｗ  １０≦ｗ≦２０at％
Ｔａ：ｘ    ２≦ｘ≦  ７at％
Ｐｔ：ｙ    ３≦ｙ≦１０at％
Ｚ：ｚ  0.5 ≦ｚ＜  ２at％
Ｃｏ：残部
【請求項２】
前記下地層はＣｒは主成分とする材料からなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記下地層は、主成分がＣｒで、残部としてＭｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｉ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒの群から選ばれた少なくとも１種を３〜２０at％含む合金からなることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記下地層は、主成分がＣｒで、残部としてＭｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｉ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒの群から選ばれた少なくとも１種を４〜１０at％含む合金からなることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置等に使用される磁気記録媒体に関し、特に、保磁力、Ｓ／Ｎ比、ＰＷ特性等の磁気特性が良好な磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ハードディスク装置等の磁気記録装置における記録容量の向上はめざましく、それに伴い磁気記録媒体に関する高密度記録化の要請はますます厳しいものになってきている。
ここで、ハードディスク等の磁気記録媒体において、高密度記録のためには、高保磁力および高Ｓ／Ｎ比が要求される。そして、従来からこのような両特性を満足する磁気記録媒体として、磁性層の組成材料の改良等のさまざまな試みがなされている。その１つに特開平７−５０００８号公報に記載の技術があり、この技術は、磁性層をＣｏ６０〜８０at％と、Ｃｒ５〜２０at％と、Ｐｔ１〜２０at％と、Ｎｂ，Ｈｆ，Ｗ，Ｔｉ，Ｔａのうちの１種以上０．５〜６at％とからなる合金組成にすることによって、高保磁力、低ノイズ、低ビットシフトを満足する磁気記録媒体を実現しようとするものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述した従来の磁気記録媒体でも、保磁力が１７５０Ｏｅ以上、高Ｓ／Ｎ比、さらには高密度記録に必要なＰＷ50（孤立再生信号の半値幅) が３８５nm以下という特性を満足せず、近年の厳しい要請を必ずしも十分に満足するものではなかった。
本発明は上述した背景の下になされたものであり、保磁力、Ｓ／Ｎ比、ＰＷ特性等の磁気特性が良好な磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し上記目的を達成するために本発明の磁気記録媒体は、基板上に少なくとも下地層、磁性層、保護層を設けてなる磁気記録媒体において、前記磁性層が下記の組成範囲を有するＣｏＣｒＴａＰｔＺ（ただし、Ｚは、元素周期律表のIVａ，Ｖａ，VIａ族に属する元素のうちＣｒとＴａを除く残りの元素の１つ）の５元系材料からなることを特徴とするものである。
Ｃｒ：ｗ  １０≦ｗ≦２０at％
Ｔａ：ｘ    ２≦ｘ≦  ７at％
Ｐｔ：ｙ    ３≦ｙ≦１０at％
Ｚ：ｚ  0.5 ≦ｚ＜  ２at％
Ｃｏ：残部
ここで、Ｚとしては具体的にはＮｂを用いることができる。
また、上記構成において、下地層としては、Ｃｒを主成分とする材料を用いることが好ましい。なお、ここでいう下地層とは、磁性層の下に形成した膜を言う。例えば、後述する、一般的に言って保磁力の向上などの目的で形成された第４下地層や、第１磁性膜と第２磁性膜との間に形成した非磁性スペーサ膜などを含む。その際、具体的には、主成分がＣｒで、残部としてＭｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｉ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒの群から選ばれた１種を３〜２０at％含む合金を用いることが好ましく、さらに残部の含有量は４〜１０at％とすることがより好ましい。
【０００５】
本発明の磁気記録媒体によれば、上述のように、磁性層を上記組成範囲のＣｏＣｒＴａＰｔＺ５元系材料で形成することにより、高保磁力、高Ｓ／Ｎ比、ＰＷ特性良好な磁気記録媒体が得られる。以下、詳細に各元素の組成範囲を限定した理由について述べる。
Ｃｒは、ＣｏＣｒＴａＰｔＺ磁性層の磁気特性において、Ｓ／Ｎ比およびＨｃ（保磁力）向上の役割を果たす。Ｃｒの含有量が１０at％未満の場合、粒の磁気的分離が不十分なためＳ／Ｎ比が悪くなるので好ましくない。また、２０at％を超えると、飽和磁束密度の低下に伴い、出力およびＨｃが低下するので好ましくない。
Ｔａは、ＣｏＣｒＴａＰｔＺ磁性層の磁気特性において、Ｓ／Ｎ比およびＨｃ向上の役割を果たす。Ｔａの含有量が２at％未満の場合、粒の微細化が不十分であり、その結果Ｓ／Ｎ比が悪くなるので好ましくない。また、７at％を超えると、ＨｃおよびＰＷ特性が低下するので好ましくない。
Ｐｔは、ＣｏＣｒＴａＰｔＺ磁性層の磁気特性において、保磁力向上の役割を果たす。Ｐｔの含有量が３at％未満の場合、保磁力が１７５０Ｏｅ未満となり十分な保磁力が得られないので好ましくない。また、１０at％を超えると、磁性層の格子定数が広がることにより磁化反転領域が太くなる影響でノイズが大きくなり、高いＳ／Ｎ比が得られないので好ましくない。
Ｎｂ等のＺは、ＣｏＣｒＴａＰｔＺ磁性層の磁気特性において、ＰＷおよびＳ／Ｎ比の特性向上の役割を果たす。Ｚの含有量が０．５at％未満の場合、十分なＳ／Ｎ比が得られないので好ましくない。また、２at％以上の場合、ＰＷ特性がＺの増加と共に低下していくので好ましくない。
【０００６】
また、本発明によれば、ＣｏＣｒＴａＰｔＺ磁性層の下地層として、Ｃｒを主成分とする材料を用いることも行われているが、これにより一層保磁力向上が図れる。この際、具体的には、上述のように、主成分がＣｒで、残部としてＭｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｉ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒの群から選ばれた少なくとも１種を３〜２０at％含む合金が下地層材料として使用されるが、この材料のＣｒ以外の残部の含有量が３at％未満の場合、下地層と磁性層の格子定数のマッチングが悪く、Ｓ／Ｎ比およびＨｃが低下するので好ましくなく、２０at％を超える場合も同様に下地層と磁性層の格子定数のマッチングが悪く、Ｓ／Ｎ比およびＰＷが低下するので好ましくない。なお、好ましくは、４〜１０at％が望ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態の磁気記録媒体を示す断面図である。この磁気記録媒体は、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂ５元系磁性層（第１磁性膜１７、第２磁性膜１９）を非磁性スペーサ膜１８で分割することにより、ノイズの低減を図ったものであり、ＭＲヘッド（磁気抵抗型ヘッド）またはＧＭＲヘッド（巨大磁気抵抗型ヘッド）用記録媒体として好適に使用することができる。
【０００８】
この磁気記録媒体は、円盤状の基板であるガラス基板１１の両表面上（図では一表面側のみを示す）にＡｌの第１下地層（膜厚５０Å）１２、Ｃｒの第２下地層（膜厚２００Å）１３、Ａｌの凹凸形成層（平均膜厚５０Å、表面粗さＲａ＝２．０ｎｍ、Ｒｍａｘ＝２１ｎｍ）１４、Ｃｒの第３下地層（膜厚１００Å）１５、ＣｒＭｏの第４下地層（膜厚４００Å）１６、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂ５元系材料からなる第１磁性膜（膜厚１２５Å）１７、ＣｒＭｏの非磁性スペーサ膜（膜厚５０Å）１８、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂ５元系材料からなる第２磁性膜（膜厚１２５Å）１９、Ｃｒのバッファ層（膜厚３０Å）２０、カーボンの保護層（膜厚１２０Å、膜中の水素濃度５％）２１、潤滑層（膜厚１０Å）２２が順に積層されて構成される。ここで、第１及び第２磁性膜１７，１９を形成するＣｏＣｒＴａＰｔＮｂ５元系材料の各元素の組成範囲は次の通りである。
Ｃｒ：ｗ  １０≦ｗ≦２０at％
Ｔａ：ｘ    ２≦ｘ≦  ７at％
Ｐｔ：ｙ    ３≦ｙ≦１０at％
Ｎｂ：ｚ  0.5 ≦ｚ＜  ２at％
Ｃｏ：残部
また、第４下地層１６と非磁性スペーサ膜１８を形成するＣｒＭｏは、Ｍｏを３〜２０at％含み、残りがＣｒである。
【０００９】
このような磁気記録媒体は次のようにして製造される。まず、イオン交換によって化学強化したアルミノシリケイトガラスからなる２．５インチ径、厚さ０．６３５mmのガラス基板の両主表面及び側面を精密研磨によって表面粗さ（Ｒａ）が２．５Å程度の鏡面とする。ここで、ガラス基板としては、ＳｉＯ2 ：６２〜７５重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：５〜１５重量％、Ｌｉ2 Ｏ：４〜１０重量％、Ｎａ2 Ｏ：４〜１２重量％、ＺｒＯ2 ：５．５〜１５重量％を主成分として含有するとともに、Ｎａ2 Ｏ／ＺｒＯ2 の重量比が０．５〜２．０、Ａｌ2 Ｏ3 ／ＺｒＯ2 の重量比が０．４〜２．５である化学強化用ガラスをイオン交換によって化学強化したものを使用した。このような化学強化ガラス基板は、耐熱性に優れ、加熱に際しＮａの析出がないとともに平坦性を維持し、ヌープ硬度にも優れる。
【００１０】
次に、上記ガラス基板を基板ホルダ（パレット）に装着し、インライン型ＤＣマグネトロンスパッタ装置に導入する。図２は、そのインライン型ＤＣマグネトロンスパッタ装置を示す図である。このスパッタ装置１００は、仕込室１１０、第１真空チャンバ１２０、第２真空チャンバ１３０、第３真空チャンバ１４０ならびに仕込室１５０の五つの部屋で構成されている。これらの各部屋は仕切板１０２，１０５とポート１０３，１０４とで仕切られている。そして、パレット１０１に搭載されたガラス基板が、図の左から右に向かって移動するような機構になっている。以下に、各部屋の構成をパレット１０１の搬送方向に沿って説明する。
【００１１】
仕込室１１０は、空気の排気を行い内部の環境を真空にするための部屋である。次の第１真空チャンバ１２０、第２真空チャンバ１３０及び第３真空チャンバ１４０は、スパッタリングを行うための部屋である。第１真空チャンバ１２０には、磁性材料の保磁力を高めるためのヒータ１２１ａ，１２１ｂ、Ａｌのターゲット１２２ａ，１２２ｂ、Ｃｒのターゲット１２３ａ，１２３ｂ及びＡｌのターゲット１２４ａ，１２４ｂが設けられている。第２真空チャンバ１３０には、磁性材料の保磁力を高めるためのランプヒータ１３１ａ，１３１ｂ、Ｃｒのターゲット１３２ａ，１３２ｂ、ＣｒＭｏのターゲット１３３ａ，１３３ｂ、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂのターゲット１３４ａ，１３４ｂ、ＣｒＭｏのターゲット１３５ａ，１３５ｂ、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂのターゲット１３６ａ，１３６ｂ及びＣｒのターゲット１３７ａ，１３７ｂが設けられている。第３真空チャンバ１４０には、Ｃ（カーボン）のターゲット１４１ａ，１４１ｂが設けられている。最後の仕込室１５０は、仕込室１１０と同様に、空気の排気を行い内部の環境を真空にするための部屋である。
【００１２】
以上のようなスパッタ装置１００を用い、まず、ガラス基板が装着されたパレット１０１を仕込室１１０に導入する。そして、仕込室１１０内を大気状態からスパッタ室（第１真空チャンバ）１２０の真空度と同等になるまで真空排気する。その後、仕切板１０２を開放してパレット１０１を第１真空チャンバ１２０内に導入する。
【００１３】
この第１真空チャンバ１２０内では、パレット１０１に装着したガラス基板をランプヒータ１２１ａ，１２１ｂによって３７５℃、４分間の加熱条件で加熱した後、パレット１０１を６０cm／min の搬送速度で移動させ、放電状態にあるＡｌのターゲット１２２ａ，１２２ｂ、Ｃｒのターゲット１２３ａ，１２３ｂ及びＡｌのターゲット１２４ａ，１２４ｂの間を通過させる。すると、配置されたターゲットの順番通りにガラス基板の両面にＡｌの第１下地層（膜厚５０Å）、Ｃｒの第２下地層（膜厚２００Å）、Ａｌの凹凸形成層（平均膜厚５０Å、表面粗さＲａ＝２．０ｎｍ、Ｒｍａｘ＝２０ｎｍ）の順で積層される。このとき、第１真空チャンバ１２０内の到達圧力は、２×１０-6Torr以下とし、Ａｒガスを導入して４×１０-8Torrでスパッタを行った。
【００１４】
次に、パレット１０１をポート１０３を介して第２真空チャンバ１３０に移動し、第２真空チャンバ１３０内に配置されたヒータ１３１ａ，１３１ｂで基板を再び加熱する。加熱条件は、３５０℃、２分間とする。
【００１５】
その後、放電状態にある各ターゲット（Ｃｒターゲット１３２ａ，１３２ｂ、ＣｒＭｏターゲット１３３ａ，１３３ｂ、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂターゲット１３４ａ，１３４ｂ、ＣｒＭｏターゲット１３５ａ，１３５ｂ、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂターゲット１３６ａ，１３６ｂ、Ｃｒターゲット１３７ａ，１３７ｂ）間を、６０cm／min の搬送速度でパレット１０１を通過させる。これにより、この配置されたターゲットの順番通りにＣｒの第４下地層（膜厚１００Å）、ＣｒＭｏの第５下地層（膜厚４００Å）、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂの第１磁性膜（膜厚１２５Å）、ＣｒＭｏの非磁性スペーサ膜（膜厚５０Å）、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂの第２磁性膜（膜厚１２５Å）、Ｃｒのバッファ層（膜厚３０Å）の各膜が順に両面に積層される。
【００１６】
なお、ＣｒＭｏのターゲット１３３ａ，１３３ｂ，１３５ａ，１３５ｂおよびＣｏＣｒＴａＰｔＮｂのターゲット１３４ａ，１３４ｂ，１３６ａ，１３６ｂの組成比は、それぞれ所望の膜組成となるように適宜ターゲットを交換し、調整した。また、真空チャンバ内の到達圧力は２×１０-6Torrとし、Ａｒガスを導入して４×１０-8Torrでスパッタを行った。
【００１７】
次に、パレット１０１をポート１０４を介して第３真空チャンバ１４０に移動し、この第３真空チャンバ１４０内に配置された放電状態にあるＣターゲット１４１ａ，１４１ｂの間をパレット１０１を６０cm／min の搬送速度で通過させる。これにより、Ｃｒバッファ層上にカーボン保護層（膜厚１２０Å）が積層される。この際、第３真空チャンバ１４０内にはＡｒガスとＨ2 ガス（Ｈ2 ：５％）を導入してスパッタを行った。
【００１８】
最後に、この保護層上をパーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤（モンテジソン社製ＡＭ２００１）でディップ処理して厚さ１０Åの潤滑層を形成する。
【００１９】
図３は、本発明の第２の実施の形態の磁気記録媒体を示す。この磁気記録媒体は、磁性層を単層としたもので、円盤状の基板であるガラス基板３１の両表面上（図では一表面側のみを示す）にＡｌの第１下地層（膜厚５０Å）３２、Ｃｒの第２下地層（膜厚２００Å）３３、ＣｒＭｏの第３下地層（膜厚２００Å）３４、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂ５元系材料からなる磁性層（膜厚２８０Å）３５、カーボンの保護層（膜厚１２０Å、膜中の水素濃度５％）３６、潤滑層（膜層１０Å）３７が順に積層されて構成される。
【００２０】
この磁気記録媒体において、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂ５元系材料からなる磁性層３５の各元素の組成範囲は、図１の磁気記録媒体の第１、第２磁性膜（ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂ５元系材料からなる）１７，１９の各元素の組成範囲と同一で、下記の通りである。
Ｃｒ：ｗ  １０≦ｗ≦２０at％
Ｔａ：ｘ    ２≦ｘ≦  ７at％
Ｐｔ：ｙ    ３≦ｙ≦１０at％
Ｎｂ：ｚ  0.5 ≦ｚ＜  ２at％
Ｃｏ：残部
また、第３下地層３４を形成するＣｒＭｏのＭｏの含有量は、図１の磁気記録媒体の第５下地層１６および非磁性スペーサ膜１８のＣｒＭｏのＭｏの含有量と同一で、３〜２０at％であり、残りがＣｒである。さらに、この第２の実施の形態の磁気記録媒体は、図２と同様なスパッタ装置を用いて図１の磁気記録媒体と同様にして製造される。
【００２１】
【実施例】
下記の表１は、図１の第１の実施の形態において、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂ５元系磁性層（第１、第２磁性膜１７，１９）の各元素の組成比を、上述本発明の組成範囲内で種々に変えて、実施例１〜８として磁気記録媒体を製造した場合の、各磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ、Ｓ／Ｎ比、ＰＷ50特性を示す。この表１には、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂ５元系磁性層の各元素の組成比が本発明の組成範囲から外れた場合を比較例１〜８として同時に示す。
【表１】
0003894343.tif 000002
【００２２】
表２は、図３の第２の実施の形態において、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂ５元系磁性層３５の各元素の組成比を上述本発明の組成範囲内で変えて、実施例９，１０として磁気記録媒体を製造した場合の、各磁気記録媒体の保磁力Ｈｃ、Ｓ／Ｎ比、ＰＷ50特性を示す。
【表２】
0003894343.tif 000003
【００２３】
なお、上記実施例および比較例において、下地層および非磁性スペーサ膜のＣｒＭｏは、各表の左上部にも記したように、Ｍｏが６at％で、Ｃｒが残りの量である。
【００２４】
また、保磁力Ｈｃの測定は、製造した磁気記録媒体から８mmφの試料を切り出して、膜面方向に磁場を印加し、振動試料型磁力計により最大外部印加磁場１０ｋＯｅで測定した。
【００２５】
さらに、記録再生特性（媒体ノイズ）の測定は次のようにして行った。即ち、磁気ヘッド浮上量が０．０５５μｍのＭＲヘッドを用いて、ＭＲヘッドと磁気ディスクの相対速度を１０ｍ／sec として線記録密度１６３kfc1（１インチあたり１６３０００ビットの線記録密度）における記録再生出力を測定した。また、キャリア周波数３２．５ＭＨｚで、測定帯域を３６．７ＭＨｚとしてスペクトラムアナライザにより、信号記録再生時のノイズスペクトラムを測定した。本測定に用いたＭＲヘッドは、書き込み／読み取り側にそれぞれトラック幅２．４／１．８μｍ、磁気ヘッドギャップ長０．４／０．２μｍである。
【００２６】
また、ＰＷ50（孤立再生信号の半値幅）の測定は次のようにして行った。すなわち、ＰＷ50測定用のＭＲヘッドを搭載した電磁変換特性測定機（ＧＵＺＩＫ）で孤立再生信号を抽出し、グランド（０）に対する出力信号のピーク値の５０％における孤立波形の幅をＰＷ50とした。
【００２７】
表１および表２に示すように、ＣｏＣｒＴａＰｔＮｂ５元系磁性層の各元素の組成比を本発明の組成範囲内とした実施例１〜１０によれば、保磁力Ｈｃが１７５０Ｏｅ以上、Ｓ／Ｎ比が１６．０以上、ＰＷ50が３８５nm以下というように、保磁力とＳ／Ｎ比とＰＷ特性の３つについて揃って良好な結果が得られている。これに対して、いずれかの元素の含有量が本発明の組成範囲から外れた比較例１〜８によれば、例えば保磁力が２５５０Ｏｅ以上と高保磁力であってもＰＷ50が３９５nmと大きすぎるというように（比較例６）、ＨｃとＳ／Ｎ比とＰＷ50のいずれかが悪いとか、あるいは３つの特性のすべてが良くないという結果となっている。
【００２８】
なお、高記録密度のためには、ＰＷ50が小さければ小さい程良い。これは、パルス幅が狭いと、同一面積上に、より多くのパルス（信号）を書き込めることになるからである。また、ＰＷ50が大きいと、隣り合うパルス同士が干渉し合い、信号を読み出すときにエラーとなって現れる。この波形干渉がエラーレートを悪くする。これらから、ＰＷ50は３８５nm以下にする必要がある。
【００２９】
下記の表３は、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ５元系磁性層の下地層としてのＣｒＭｏのＭｏの含有量ｘが、本発明で好ましいとした３〜２０at％の場合（実施例１１〜１６）と、それ以外の場合（比較例９，１０）とで、保磁力Ｈｃ、Ｓ／Ｎ比およびＰＷ50がどのように変化するかを試験した表である。ただし、この試験は、下記表の右上部にも記すように、磁性層の組成がＣｏＣｒ13Ｐｔ6 Ｔａ3 Ｎｂ1 の組成の下に行った。
【表３】
0003894343.tif 000004
【００３０】
この表３から分るように、ＣｒＭｏのＭｏの含有量ｘが本発明で好ましいとした３〜２０at％の場合（実施例１１〜１６）は、１８００Ｏｅ以上の高保磁力を得ることができるとともに、Ｓ／Ｎ比も１６．０以上、ＰＷ50も３８５nm以下というように、Ｓ／Ｎ比とＰＷ特性についても良好な結果が得られているが、Ｍｏの含有量ｘが好ましい範囲から外れた２at％あるいは２１at％にした比較例９，１０においては、保磁力が１７００，１７５０と低下するとともに、Ｓ／Ｎ比も１５．５と低下し、かつＰＷ50も３８９nmと大きくなり（比較例１０）、Ｓ／Ｎ比およびＰＷ特性を悪化させている。このことから、Ｍｏの含有量を３〜２０at％にすることが好ましいことが分る。特に好ましいＭｏの含有量は４〜１０at％が望ましい。
【００３１】
以上、本発明の実施の形態および実施例について説明した。これら実施の形態および実施例では、ＣｏＣｒＴａＰｔＺ５元系磁性層のＺとしてＮｂを用いたが、Ｎｂ以外の元素周期律表IVａ，Ｖａ，VIａ族に属する元素（例えばＴｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｍｏ，Ｗ等）のうちの１つ（ただし、ＣｒとＴａを除く）を用いてもよく、同様の結果を得ることができる。また、第１の実施の形態において、第１磁性膜と第２の磁性膜の各組成比、膜厚が同じ例を挙げたが、これに限らず、本発明で規定する範囲内で第１、第２磁性膜の組成が異なっても、また膜厚が異なっていても良い。また、下地層を、Ｃｒを主成分とする材料で形成する場合、Ｃｒに添加する元素として、Ｍｏ以外に、Ｔｉ，Ｖ，Ｎｉ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒを加えてもよく、その際、Ｍｏも候補の１つとして複数の元素を添加することもできる。そのようにしても、実施例と同様の結果を得ることができる。
【００３２】
また、上述の実施の形態および実施例では、基板材料としてガラスを用いたが、これに限らず、セラミック、カーボン、シリコンなどの非磁性基板材料や、アルミニウム（合金）、チタンなどの金属材料であっても良い。中でも、機械的強度、平滑性の良好なガラス基板が良い。なお、そのガラス基板の表面粗さは、Ｒａで５Å以下が好ましく、さらに好ましくは３Å以下が望ましい。ガラス基板をより平滑化することによって、下地層、磁性層の結晶成長が安定化し、Ｓ／Ｎ比、ＰＷ特性が良好になるからである。また、第１の実施の形態において、第４下地層１６と非磁性スペーサ膜１８の各組成比が同じ例を挙げたが、これに限らず、第４下地層と非磁性スペーサ膜の組成比が異なっていても良い。
【００３３】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明の磁気記録媒体によれば、磁性層を所定の組成範囲のＣｏＣｒＴａＰｔＺ５元系材料で形成することにより、保磁力、Ｓ／Ｎ比およびＰＷ特性のすべてにおいて磁気特性を良好にすることができ、高密度記録に適した高性能な磁気記録媒体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の第１の実施の形態を示す断面図。
【図２】図１の磁気記録媒体を製造するためのスパッタ装置を示す断面図。
【図３】本発明の磁気記録媒体の第２の実施の形態を示す断面図。
【符号の説明】
１６    凹凸形成層
１７    第１磁性膜
１９    第２磁性膜
２１    保護層
３４    第３下地層
３５    磁性層
３６    保護層
【図１】
0003894343.tif 000005
【図２】
0003894343.tif 000006
【図３】
0003894343.tif 000007