Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月14日(2016.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の構成（component）と第二の構成（component）の間で動きを制御するために、前記第一の構成と前記第二の構成の間で連結するための引張スプリング保持部品（tension spring mount assembly）であって、
前記部品が、
前記第一の構成に取り付けるために形成される第一の固定具であって、支持台（abutment）を有する内端部と前記第一の構成に取り付けるために形成される外端部とを有する第一の固定具と、
前記第二の構成に取り付けるために形成される第二の固定具であって、前記第二の構成に取り付けるための内端部及び外端部を有する第二の固定具と、
前記第一及び前記第二の固定具の間で連結される第一の引張スプリングであって、前記第一の固定具に連結される第一の端部と前記第二の固定具に連結される第二の端部とを有する第一の引張スプリングと、
前記第一の引張スプリングの前記第一の端部を前記第一の固定具の内端部に連結する第一のスプリング取り付け具と、
前記第一の固定具、前記第一の構成、前記支持台、前記第二の固定具、前記第二の構成、及び前記第一の引張スプリング、前記第一のスプリング取り付け具の任意の二つ以上の間の摩擦抵抗性コーティングと、を含む引張スプリング保持部品。
【請求項２】
前記摩擦抵抗性コーティングが、ナイロン素材である、請求項１に記載の引張スプリング保持部品。
【請求項３】
前記摩擦抵抗性コーティングが、粉体塗装法（powder-coating technique）を使用して塗布される、請求項１に記載の引張スプリング保持部品。
【請求項４】
前記摩擦抵抗性コーティングが、約０．０１１インチの厚みである、請求項１に記載の引張スプリング保持部品。
【請求項５】
前記第一の固定具に固定される第一の内スプリング取り付け具と、
前記第一の内スプリング取り付け具に固定される第二のスプリングと、をさらに有し、
前記第二のスプリングが、前記第一のスプリングの中に、少なくとも部分的に入れ子にされている、請求項１に記載の引張スプリング保持部品。
【請求項６】
前記第一の内スプリング取り付け具が、前記第一のスプリング取り付け具を固定する前記支持台（abutment）である、請求項１に記載の引張スプリング保持部品。
【請求項７】
前記第一のスプリングと前記第二の固定具の間で連結される第二のスプリング取り付け具をさらに有し、
前記第二のスプリング取り付け具は、前記第一のスプリングが巻かれる外表面を有し、
前記第二のスプリング取り付け具は、前記第二の固定具の部分（portion）に滑り込み、
前記第二の固定具は、前記第二の固定具の前記内端部に向かう動きから前記第二のスプリング取り付け具を固定する支持台を有する、請求項１に記載の引張スプリング保持部品。
【請求項８】
前記第二の固定具に固定される第二の内スプリング取り付け具をさらに有し、
前記第二のスプリングは、前記第二の内スプリング取り付け具に固定される、請求項１に記載の引張スプリング保持部品。
【請求項９】
前記第一のスプリング取り付け具は、
前記第一の引張スプリングを受けるように形成される螺旋状の溝であって、前記第一の引張スプリングが巻かれる螺旋状の溝を有する円筒形体部（cylindrical body）と、
前記円筒形体部の第一の端部と、
前記第一の引張スプリングを受けるように形成される、前記第一の端部と反対の前記円筒形体部の第二の端部と、
少なくとも前記第二の端部の最終部に形成される前記摩擦抵抗性（friction-resistant）コーティングと、を含み、
前記溝は、装着された状態で（in a threaded manner）、前記第一の引張スプリングのスプリングコイルが前記溝の中に留まるように、前記スプリングコイルの直径（diameter）に対応する第一の半径（radius）を有し、
前記第二の端部の前記最終部における前記溝は、前記第一の半径（radius）より大きい第二の半径（radius）を有し、
前記摩擦抵抗性コーティングは、前記第一と前記第二の半径との間の差と略等しい厚みを有する、請求項１に記載の引張スプリング保持部品。
【請求項１０】
前記第一の端部が、鍵穴を有し、
前記鍵穴は、前記第一の固定具の前記外端部にそこを通り抜ける（therethrough）ことを許容するように形成される、請求項１に記載の引張スプリング保持部品。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月23日(2016.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定層と、自由層と、前記固定層と前記自由層との間のバリア層とを含む複数の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）層と、
前記複数のＭＴＪ層のうちの第１のＭＴＪ層に結合された第１の電極であって、前記複数のＭＴＪ層から横方向に離れる方向に延びる第１の細長い部分を含む、第１の電極と、
前記第１の電極の前記第１の細長い部分に結合された第１の接点ビアであって、前記第１の細長い部分と前記複数のＭＴＪ層との間の横方向の変位が、前記第１の接点ビアからのＭＴＪ層スイッチング電流によって誘起される磁場の第１の部分を前記複数のＭＴＪ層に通過させるように構成された第１の接点ビアと、
前記複数のＭＴＪ層のうちの第２のＭＴＪ層に結合された第２の電極であって、前記複数のＭＴＪ層から横方向に離れる方向に延びる第２の細長い部分を含む、第２の電極と、
前記第２の電極の前記第２の細長い部分に結合された第２の接点ビアであって、前記第２の接点ビアのフットプリントが、前記第２の細長い部分と前記複数のＭＴＪ層との間の横方向変位に垂直な方向において、前記第１の接点ビアのフットプリントと一直線に整列しており、前記複数のＭＴＪ層のうちの少なくとも一つの一部が前記第１の接点ビアと前記第２の接点ビアとの間に直接に配列されており、前記横方向変位が、前記ＭＴＪ層スイッチング電流によって誘起される前記磁場の第２の部分を前記複数のＭＴＪ層及び前記第２の接点ビアに通過させるように構成され、前記磁場の前記第２の部分が、前記磁場の前記第１の部分に加算され、前記複数のＭＴＪ層を通過する前記磁場が増強される、第２の接点ビアと、を備えるメモリセル。
【請求項２】
前記複数のＭＴＪ層は容易軸を形成し、前記第１の細長い部分および前記第２の細長い部分は、前記磁場を前記複数のＭＴＪ層の前記容易軸に平行に誘起するように構成される、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項３】
前記複数のＭＴＪ層は容易軸を形成し、前記第１の細長い部分および前記第２の細長い部分は、前記磁場を前記複数のＭＴＪ層の前記容易軸に垂直に誘起するように構成される、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項４】
前記複数のＭＴＪ層は容易軸を形成し、前記第１の細長い部分および前記第２の細長い部分は、前記磁場を前記複数のＭＴＪ層の前記容易軸に対してある角度に誘起するように構成される、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項５】
前記第１の電極と前記第２の電極は、実質的に同じパターンを有する、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項６】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定ロケーションデータユニットに統合される、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項７】
複数の層を有する、電荷を磁気的に蓄積するための手段であって、前記複数の層が、固定層と、自由層と、前記固定層と前記自由層との間のバリア層とを含む手段と、
電荷を磁気的に蓄積するための前記手段の前記複数の層のうちの第１の層に結合された第１の電極であって、電荷を磁気的に蓄積するための前記手段から横方向に離れる方向に延びる第１の細長い部分を含む、第１の電極と、
前記第１の電極の前記第１の細長い部分に結合された第１の接点ビアであって、前記第１の細長い部分と電荷を磁気的に蓄積するための前記手段との間の横方向の変位が、前記第１の接点ビアからのスイッチング電流によって誘起される磁場の第１の部分を電荷を磁気的に蓄積するための前記手段に通過させるように構成された第１の接点ビアと、
電荷を磁気的に蓄積するための前記手段の前記複数の層のうちの第２の層に結合された第２の電極であって、電荷を磁気的に蓄積するための前記手段から横方向に離れる方向に延びる第２の細長い部分を含む、第２の電極と、
前記第２の電極の前記第２の細長い部分に直接に結合された第２の接点ビアであって、前記第２の接点ビアのフットプリントが、前記第２の細長い部分と前記複数の層との間の横方向変位に垂直な方向において、前記第１の接点ビアのフットプリントと一直線に整列しており、前記複数の層のうちの少なくとも一つの一部が前記第１の接点ビアと前記第２の接点ビアとの間に直接に配列されており、前記横方向変位が、前記スイッチング電流によって誘起される前記磁場の第２の部分を電荷を磁気的に蓄積するための前記手段及び前記第２の接点ビアに通過させるように構成され、前記磁場の前記第２の部分が、前記磁場の前記第１の部分に加算され、電荷を磁気的に蓄積するための前記手段を通過する前記磁場を増強する第２の接点ビアと、を備える装置。
【請求項８】
電荷を磁気的に蓄積するための前記手段が、携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定ロケーションデータユニットに組み込まれる、請求項７に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図３Ｂにおいて、ＭＴＪ３１０は矩形形状を有し、ＭＴＪ３１０の容易軸は矩形形状の長軸に相当する。本開示の一態様によれば、頂部電極３０６および底部電極３１２は、ＭＴＪ３１０に印加されたスイッチング電流によって誘起される磁場の相加的な部分Ｈ２およびＨ３がＭＴＪ３１０内をＭＴＪの容易軸に平行な方向に送られるように配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月31日(2016.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ドーパントでドープされた第１のドープ部分と、
前記第１のドープ部分の上側にある第２のドープ部分であって、前記第１ドーパントとは異なる第２ドーパントでドープされた第２のドープ部分と、
を備え、前記第１のドープ部分における第１ドーパントの濃度は、前記第１のドープ部分と前記第２のドープ部分との境界における第２ドーパントの濃度より高く、
前記第２ドーパントの濃度は、前記第２のドープ部分の少なくとも上側部分において第１ドーパントの濃度より高く、
前記第２のドープ部分は、前記第２ドーパントの傾斜したドーピング濃度を有する半絶縁性ＩＩＩ族窒化物。
【請求項２】
前記第１ドーパントは鉄であり、前記第１のドープ部分は鉄ドープ部分であり、前記第２ドーパントは炭素であり、前記第２のドープ部分は炭素ドープ部分である請求項１に記載の半絶縁性ＩＩＩ族窒化物。
【請求項３】
前記鉄ドープ部分の鉄のドーピング濃度は、１立方センチメートルあたりの原子数で、１０17個及び１０19個を含む１０17個から１０19個までの範囲にあり、前記炭素ドープ部分の少なくとも上側部分の炭素のドーピング濃度は、１立方センチメートルあたりの原子数で、１０18個以上である請求項２に記載の半絶縁性ＩＩＩ族窒化物。
【請求項４】
前記炭素ドープ部分の少なくとも上側部分の前記炭素のドーピング濃度は、１立方センチメートルあたりの原子数で、１０19個以上である請求項３に記載の半絶縁性ＩＩＩ族窒化物。
【請求項５】
前記第２のドープ部分の上側部分における鉄のドーピング濃度は、１立方センチメートルあたりの原子数で、５ｘ１０15個及び２ｘ１０16個を含む５ｘ１０15個から２ｘ１０16個までの範囲にある請求項２に記載の半絶縁性ＩＩＩ族窒化物。
【請求項６】
請求項１記載の半絶縁性ＩＩＩ族窒化物を、半絶縁性ＩＩＩ族窒化物バッファ層として備える半導体デバイスであって、
前記半導体デバイスは、電界効果トランジスタであり、
前記半絶縁性ＩＩＩ族窒化物バッファ層は、前記第１のドープ部分とは反対側の前記第２のドープ部分上に、チャネル部分をさらに備え、
前記電界効果トランジスタは、
前記第２のドープ部分とは反対側で、前記チャネル部分に隣接する、前記半絶縁性ＩＩＩ族窒化物バッファ層の表面上のバリア層と、
前記半絶縁性ＩＩＩ族窒化物バッファ層とは反対側の、前記バリア層上に位置するソースコンタクトと、ゲートコンタクトと、ドレインコンタクトと、
をさらに備える半導体デバイス。
【請求項７】
前記半絶縁性ＩＩＩ族窒化物バッファ層は、半絶縁性窒化ガリウムバッファ層であり、
前記第１ドーパントは鉄であり、
前記第１のドープ部分は鉄ドープ部分であり、
前記第２ドーパントは炭素であり、
前記第２のドープ部分は炭素ドープ部分である
請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第１ドーパント及び前記第２ドーパントは、夫々、前記第２のドープ部分において傾斜したドーピング濃度を有する請求項１記載の半絶縁性ＩＩＩ族窒化物。
【請求項９】
前記第２のドープ部分において、前記第１ドーパントの前記傾斜したドーピング濃度は、前記第１のドープ部分からの距離が増加するにつれて減少し、前記第２ドーパントの前記傾斜したドーピング濃度は、前記第１のドープ部分からの距離が増加するにつれて増加する請求項８記載の半絶縁性ＩＩＩ族窒化物。
【請求項１０】
前記第２のドープ部分は、前記第１のドープ部分からの距離が増加するにつれて増加する前記第２ドーパントの傾斜したドーピング濃度を有する請求項１記載の半絶縁性ＩＩＩ族窒化物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月12日(2016.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器（ＵＥ）のワイヤレス通信の方法であって、
全二重モードで動作している第１のワイヤレスデバイスからダウンリンク上で意図された信号を受信することと、
前記受信された意図された信号と同時に第２のワイヤレスデバイスから干渉信号を受信することと、前記第２のワイヤレスデバイスは、前記第１のワイヤレスデバイスにアップリンク上で前記干渉信号を送信し、前記第２のワイヤレスデバイスは別のＵＥであり、前記アップリンクおよび前記ダウンリンクは同じキャリア周波数を共有する、
前記受信された意図された信号の行列を前記干渉信号に関連する空間上に射影することによって、前記干渉信号によって引き起こされる前記受信された意図された信号の干渉を低減することとを備える方法。
【請求項２】
前記第２のワイヤレスデバイスに関するチャネル利得を決定することと、
前記チャネル利得に基づいて零空間を決定することと、をさらに備え、
ここにおいて、前記空間が前記零空間である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のワイヤレスデバイスに関する第１のチャネル利得と前記第２のワイヤレスデバイスに関する第２のチャネル利得とを決定することと、
前記第１のチャネル利得と前記第２のチャネル利得とに基づいて部分空間を決定することと、をさらに備え、
ここにおいて、前記空間が前記部分空間であり、前記部分空間が、信号対干渉プラス雑音比（ＳＩＮＲ）を増加させるように構成された、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記部分空間がＨ*（ｐ×ｇｇH＋σ2Ｉ）-1として定義され、
ただし、Ｈは前記第１のチャネル利得であり、ｐは前記干渉信号の電力であり、ｇは前記第２のチャネル利得であり、ｇHはｇのエルミート共役であり、Ｉは単位行列であり、σ2は受信機における雑音の分散である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記干渉信号と前記受信された意図された信号とが前記同じキャリア周波数上で受信される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記受信された意図された信号が、前記第１のワイヤレスデバイスのアンテナの異なるセットから受信された複数の信号を備え、前記方法が、前記受信された複数の信号に基づいて前記行列を構成することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ワイヤレス通信のための装置であって、前記装置はユーザ機器（ＵＥ）であり、
全二重モードで動作している第１のワイヤレスデバイスから意図された信号を受信するための手段と、
前記受信された意図された信号と同時に第２のワイヤレスデバイスからダウンリンク上で干渉信号を受信するための手段と、前記第２のワイヤレスデバイスは、前記第１のワイヤレスデバイスにアップリンク上で前記干渉信号を送信し、前記第２のワイヤレスデバイスは別のＵＥであり、前記アップリンクおよび前記ダウンリンクは、同じキャリア周波数を共有する、
前記受信された意図された信号の行列を前記干渉信号に関連する空間上に射影することによって、前記干渉信号によって引き起こされる前記受信された意図された信号の干渉を低減するための手段と、を備える装置。
【請求項８】
前記第２のワイヤレスデバイスに関するチャネル利得を決定するための手段と、
前記チャネル利得に基づいて零空間を決定するための手段とをさらに備え、
ここにおいて、前記空間が前記零空間である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１のワイヤレスデバイスに関する第１のチャネル利得と、前記第２のワイヤレスデバイスに関する第２のチャネル利得とを決定するための手段と、
前記第１のチャネル利得と前記第２のチャネル利得とに基づいて部分空間を決定するための手段と、をさらに備え、
ここにおいて、前記空間が前記部分空間であり、前記部分空間が、信号対干渉プラス雑音比（ＳＩＮＲ）を増加させるように構成された、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記部分空間がＨ*（ｐ×ｇｇH＋σ2Ｉ）-1として定義され、
ただし、Ｈは前記第１のチャネル利得であり、ｐは前記干渉信号の電力であり、ｇは前記第２のチャネル利得であり、ｇHはｇのエルミート共役であり、Ｉは単位行列であり、σ2は受信機における雑音の分散である、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記干渉信号と前記受信された意図された信号とが前記同じキャリア周波数上で受信される、請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
前記受信された意図された信号が、前記第１のワイヤレスデバイスのアンテナの異なるセットから受信された複数の信号を備え、前記装置が、前記受信された複数の信号に基づいて前記行列を構成するための手段をさらに備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１３】
ユーザ機器（ＵＥ）においてワイヤレス通信のためのコンピュータ実行可能なコードを記憶するコンピュータ可読媒体であって、
全二重モードで動作している第１のワイヤレスデバイスからダウンリンク上で意図された信号を受信することと、
前記受信された意図された信号と同時に第２のワイヤレスデバイスから干渉信号を受信することと、前記第２のワイヤレスデバイスは、前記第１のワイヤレスデバイスにアップリンク上で前記干渉信号を送信し、前記第２のワイヤレスデバイスは別のＵＥであり、前記アップリンクおよび前記ダウンリンクは、同じキャリア周波数を共有する、
前記受信された意図された信号の行列を前記干渉信号に関連する空間上に射影することによって、前記干渉信号によって引き起こされる前記受信された意図された信号の干渉を低減することと、を行うためのコードを備えるコンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
前記コンピュータ可読媒体が、
前記第２のワイヤレスデバイスに関するチャネル利得を決定することと、
前記チャネル利得に基づいて零空間を決定することと、を行うためのコードをさらに備え、
ここにおいて、前記空間が前記零空間である、請求項１３に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１５】
前記コンピュータ可読媒体が、
前記第１のワイヤレスデバイスに関する第１のチャネル利得と、前記第２のワイヤレスデバイスに関する第２のチャネル利得とを決定することと、
前記第１のチャネル利得と前記第２のチャネル利得とに基づいて部分空間を決定することと、を行うためのコードをさらに備え、
ここにおいて、前記空間が前記部分空間であり、前記部分空間が、信号対干渉プラス雑音比（ＳＩＮＲ）を増加させるように構成された、請求項１３に記載のコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月26日(2016.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プライオリティキューにおける協働的同時並行性をサポートするための方法であって、
前記プライオリティキューにおける１つ以上の要求を主張するよう競合する１つ以上のスレッドを検出するステップと、
犠牲スレッドを介して、前記プライオリティキューにおける高速レーンに要求を配置するステップと、
前記犠牲スレッドを介して競合スレッドを解放するステップとを含み、前記解放された競合スレッドは、引き続き、前記高速レーンにおける前記要求を消費する、方法。
【請求項２】
前記プライオリティキューにカレンダーリングを含めるステップをさらに含み、前記カレンダーリングは、予め構成されたサービス品質（ＱｏＳ）未満の目標応答時間を有するさまざまな要求を格納するよう動作する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記予め構成されたサービス品質（ＱｏＳ）を約２秒となるように規定するステップをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
より高速にスキャンするために前記カレンダーリングと同期して更新されるビットマップを用いるステップをさらに含む、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
アウトライアリストを前記カレンダーリングに関連付けるステップをさらに含み、前記アウトライアリストは、前記予め構成されたサービス品質（ＱｏＳ）よりも長い目標応答時間を有する要求を格納するよう動作する、請求項２から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記カレンダーリングにおいて要求を見つけることができない場合、前記アウトライアリストにおける要求を前記カレンダーリングへとプロモートするステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
作業負荷が集中している場合に、前記カレンダーリングについての競合を低減させるために、盗まれた要求のリストを用いるステップをさらに含み、前記盗まれた要求のリストは、同じカレンダーエントリ上にある１つ以上の要求を含む、請求項２から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
シーケンサを用いて、１つ以上の競合スレッドを順序付けるステップをさらに含む、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
引き続き、前記犠牲スレッドを介して、前記カレンダーリングにおける別の要求を主張するステップをさらに含む、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記プライオリティキューが空である場合に継続渡しをサポートするステップをさらに含む、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
機械読取可能な命令を含むコンピュータプログラムであって、前記機械読取可能な命令は、実行されると、システムに、請求項１から１０のいずれかに記載の方法を実行させる、コンピュータプログラム。
【請求項１２】
プライオリティキューにおける協働的同時並行性をサポートするためのシステムであって、
１つ以上のマイクロプロセッサと、
前記１つ以上のマイクロプロセッサ上に延びるプライオリティキューとを含み、前記プライオリティキューは、
前記プライオリティキューにおける１つ以上の要求を主張するよう競合する１つ以上のスレッドを検出するステップと、
犠牲スレッドを介して前記プライオリティキューにおける高速レーンに要求を配置するステップと、
前記犠牲スレッドを介して競合スレッドを解放するステップとを実行するよう動作し、前記解放された競合スレッドは引き続き前記高速レーンにおける前記要求を消費する、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月27日(2016.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＤ１２３キメラ抗原受容体（ＣＤ１２３ＣＡＲ）ポリペプチドをコードする核酸分子であって、
該ポリペプチドは、
抗ＣＤ１２３ｓｃＦｖ領域と、
Ｓ２２８Ｐアミノ酸置換、Ｌ２３５Ｅアミノ酸置換、およびＮ２９７Ｑアミノ酸置換からなる群から選択される１つまたは複数のアミノ酸置換を有する修飾ＩｇＧヒンジ領域と、
膜貫通ドメインおよびＴ細胞受容体（ＴＣＲ）ゼータ鎖のシグナル伝達ドメインと
を含む、前記核酸分子。
【請求項２】
修飾ＩｇＧヒンジ領域が、Ｌ２３５Ｅアミノ酸置換およびＮ２９７Ｑアミノ酸置換を有する、請求項１に記載の核酸分子。
【請求項３】
修飾ＩｇＧヒンジ領域が、修飾ＩｇＧ１ヒンジ領域、修飾ＩｇＧ２ヒンジ領域、修飾ＩｇＧ３ヒンジ領域、および修飾ＩｇＧ４ヒンジ領域からなる群から選択される、請求項１に記載の核酸分子。
【請求項４】
抗ＣＤ１２３ｓｃＦｖ領域が、ヒト化されている、請求項１に記載の核酸分子。
【請求項５】
ＣＤ１２３ＣＡＲポリペプチドが、ＣＤ２７共刺激シグナル伝達ドメイン、ＣＤ２８共刺激シグナル伝達ドメイン、４−１ＢＢ共刺激シグナル伝達ドメイン、ＯＸ４０共刺激シグナル伝達ドメイン、またはこれらの任意の組合せから選択される少なくとも１つの共刺激シグナル伝達ドメインをさらに含む、請求項１に記載の核酸分子。
【請求項６】
膜貫通ドメインが、修飾ＣＤ２８膜貫通ドメインである、請求項１に記載の核酸分子。
【請求項７】
修飾ＩｇＧヒンジ領域が、Ｓ２２８Ｐアミノ酸置換、Ｌ２３５Ｅアミノ酸置換、およびＮ２９７Ｑアミノ酸置換からなる群から選択される１つまたは複数のアミノ酸置換を有する配列番号１３のアミノ酸配列を含む、請求項１に記載の核酸分子。
【請求項８】
ＣＤ１２３ＣＡＲポリペプチドが、配列番号９、配列番号１０、配列番号１１、および配列番号１２からなる群から選択されるアミノ酸配列を含む、請求項１に記載の核酸分子。
【請求項９】
配列番号１、配列番号２、配列番号３、および配列番号４からなる群から選択されるヌクレオチド配列を含む、請求項１に記載の核酸分子。
【請求項１０】
ＣＤ１２３キメラ抗原受容体（ＣＤ１２３ＣＡＲ）ポリペプチドをコードする核酸配列を含む発現カセットであって、
該ポリペプチドは、
抗ＣＤ１２３ｓｃＦｖ領域と、
Ｓ２２８Ｐアミノ酸置換、Ｌ２３５Ｅアミノ酸置換、およびＮ２９７Ｑアミノ酸置換からなる群から選択される１つまたは複数のアミノ酸置換を有する修飾ＩｇＧヒンジ領域と、
Ｔ細胞受容体（ＴＣＲ）ゼータ鎖のシグナル伝達ドメインと
を含む、前記発現カセット。
【請求項１１】
切断型上皮成長因子受容体（ＥＧＦＲｔ）、切断型ＣＤ１９（ＣＤ１９ｔ）、またはカスパーゼ９からなる群から選択されるアクセサリー遺伝子をコードするヌクレオチド配列をさらに含む、請求項９に記載の発現カセット。
【請求項１２】
ＣＤ１２３キメラ抗原受容体（ＣＤ１２３ＣＡＲ）ポリペプチドをコードするヌクレオチド配列を含む発現カセットを含むウイルスベクターにより形質導入されたヒトＴ細胞集団であって、
該ポリペプチドは、
抗ＣＤ１２３ｓｃＦｖ領域と、
Ｓ２２８Ｐアミノ酸置換、Ｌ２３５Ｅアミノ酸置換、およびＮ２９７Ｑアミノ酸置換からなる群から選択される１つまたは複数のアミノ酸置換を有する修飾ＩｇＧヒンジ領域と、
Ｔ細胞受容体（ＴＣＲ）ゼータ鎖のシグナル伝達ドメインと
を含む、前記ヒトＴ細胞集団。
【請求項１３】
対象におけるＡＭＬを処置するための医薬組成物であって、ＣＤ１２３キメラ抗原受容体（ＣＤ１２３ＣＡＲ）ポリペプチドをコードするヌクレオチド配列を含む発現カセットを含むウイルスベクターにより形質導入されたヒトＴ細胞集団を含み、
該ポリペプチドは、
抗ＣＤ１２３ｓｃＦｖ領域と、
Ｓ２２８Ｐアミノ酸置換、Ｌ２３５Ｅアミノ酸置換、およびＮ２９７Ｑアミノ酸置換からなる群から選択される１つまたは複数のアミノ酸置換を有する修飾ＩｇＧヒンジ領域と、
Ｔ細胞受容体（ＴＣＲ）ゼータ鎖のシグナル伝達ドメインと
を含む、前記医薬組成物。
【請求項１４】
Ｔ細胞が、自己のＴ細胞である、請求項１３に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月24日(2016.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサ；および
前記プロセッサと電子通信するメモリを含むユーザ装置（ＵＥ）であって、前記メモリにストアされている命令は：
セルのための第１時分割デュプレキシング（ＴＤＤ）アップリンク／ダウンリンク（ＵＬ／ＤＬ）構成および前記セルのための第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成を受信するため、
無線リソース制御（ＲＲＣ）メッセージでシグナリングされる前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて、ダウンリンク（ＤＬ）基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成を確定するため、
少なくとも前記ＤＬ基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて、物理ダウンリンクシェアドチャネル（ＰＤＳＣＨ）オペレーションを実行するため、
システム情報ブロック（ＳＩＢ）またはＲＲＣメッセージでシグナリングされる、前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて、アップリンク（ＵＬ）基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成を確定するため、及び、
少なくとも前記ＵＬ基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて物理アップリンクシェアドチャネル（ＰＵＳＣＨ）オペレーションを実行するために実行可能であり、
前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成および前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成の全ての組み合わせのうちの一部の組み合わせのみが、前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成および前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成のサポートされる組み合わせとして定められている、
ＵＥ。
【請求項２】
前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成および前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成の組み合わせは、動的ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ再構成のためのＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成のセットを定義する、請求項１に記載のＵＥ。
【請求項３】
プロセッサ；および
前記プロセッサと電子通信するメモリを含む発展型ノードＢ（ｅＮＢ）であって、前記メモリにストアされた命令は：
セルのための第１時分割デュプレキシング（ＴＤＤ）アップリンク／ダウンリンク（ＵＬ／ＤＬ）構成および前記セルのための第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成を送信するため、
少なくともダウンリンク（ＤＬ）基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて、物理ダウンリンクシェアドチャネル（ＰＤＳＣＨ）オペレーションを実行するため、及び、
少なくともアップリンク（ＵＬ）基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて、物理アップリンクシェアドチャネル（ＰＵＳＣＨ）オペレーションを実行するために実行可能であり、
前記ＤＬ基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成は、無線リソース制御（ＲＲＣ）メッセージでシグナリングされる前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて確定されるものであり、
前記ＵＬ基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成は、システム情報ブロック（ＳＩＢ）またはＲＲＣメッセージでシグナリングされる前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて確定されるものであり、
前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成および前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成の全ての組み合わせのうちの一部の組み合わせのみが、前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成および前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成のサポートされる組み合わせとして定められている、
ｅＮＢ。
【請求項４】
前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成および前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成の組み合わせは、動的ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ再構成のためのＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成のセットを定義する、請求項３に記載のｅＮＢ。
【請求項５】
セルのための第１時分割デュプレキシング（ＴＤＤ）アップリンク／ダウンリンク（ＵＬ／ＤＬ）構成および前記セルのための第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成を受信することを含む、ユーザ装置（ＵＥ）によって実行される方法であって、
無線リソース制御（ＲＲＣ）メッセージでシグナリングされる前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて、ダウンリンク（ＤＬ）基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成を確定すること、
少なくとも前記ＤＬ基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて、物理ダウンリンクシェアドチャネル（ＰＤＳＣＨ）オペレーションを実行すること、
システム情報ブロック（ＳＩＢ）またはＲＲＣメッセージでシグナリングされる、前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて、アップリンク（ＵＬ）基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成を確定すること、及び、
少なくとも前記ＵＬ基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて物理アップリンクシェアドチャネル（ＰＵＳＣＨ）オペレーションを実行することをさらに含み、
前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成および前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成の全ての組み合わせのうちの一部の組み合わせのみが、前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成および前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成のサポートされる組み合わせとして定められている、
方法。
【請求項６】
前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成および前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成の組み合わせは、動的ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ再構成のためのＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成のセットを定義する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
セルのための第１時分割デュプレキシング（ＴＤＤ）アップリンク／ダウンリンク（ＵＬ／ＤＬ）構成および前記セルのための第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成を送信することを含む、発展形ノードＢ（ｅＮＢ）により実行される方法であって、
少なくともダウンリンク（ＤＬ）基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて、物理ダウンリンクシェアドチャネル（ＰＤＳＣＨ）オペレーションを実行すること、及び、
少なくともアップリンク（ＵＬ）基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて、物理アップリンクシェアドチャネル（ＰＵＳＣＨ）オペレーションを実行することをさらに含み、
前記ＤＬ基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成は、無線リソース制御（ＲＲＣ）メッセージでシグナリングされる前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて確定されるものであり、
前記ＵＬ基準ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成は、システム情報ブロック（ＳＩＢ）またはＲＲＣメッセージでシグナリングされる前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成に基づいて確定されるものであり、
前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成および前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成の全ての組み合わせのうちの一部の組み合わせのみが、前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成および前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成のサポートされる組み合わせとして定められている、
方法。
【請求項８】
前記第１ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成および前記第２ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成の組み合わせは、動的ＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ再構成のためのＴＤＤ  ＵＬ／ＤＬ構成のセットを定義する、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月19日(2016.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そのような多層容器を製造するため、当該容器の成形元であるパリソンは多層状態で共押出成形される。これは、異なるポリマー樹脂を受容する複数のポートを備える環状空間を有するフローヘッドにより達成できる。前記異なるポリマー樹脂は、前記ポートを通じて加圧され、前記フローヘッドに入る。上述した３層の例において、前記最内層を形成する樹脂は最上流点に入り、前記環状空間に適合して管を形成する。この樹脂管は、前記フローヘッド内を流れ続け、中間樹脂は、さらに下流に配置されたポートを通じて環状空間に入る。前記中間層は、前記環状空間内へ付勢されて、上述の管を取り囲む第２の管を形成する（前記環状空間は、第２の層を受容するよう比較的大きい）。最後に、前記最外層を形成する樹脂が、前記第２のポートより下流にある第３のポートを通じて前記環状空間に導入され、はじめの２つの管を取り囲む第３の管を形成する。このように形成された３層パリソンは、前記フローヘッドから連続的に出て、前記パリソンの一部が上述した連続工程で金型により捕捉され、前記容器が作製される。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許出願公開第２００７／０４５９０４号明細書
（特許文献２）  米国特許第５，２０４，１２０号明細書
（特許文献３）  米国特許第５，５２３，０４５号明細書
（特許文献４）  欧州特許出願公開第０２９８９０８号明細書
（特許文献５）  欧州特許出願公開第０４８６７３５号明細書
（特許文献６）  米国特許第６，９９４，８２１号明細書
（特許文献７）  米国特許第４，９４０，４０３号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月12日(2016.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのプロセッサを有するデータ処理システムにより実行される熱管理のための方法であって、
構造物の修理範囲の構造組成についての構造情報を受信することであって、前記修理範囲は、損傷したエリアを含む修理エリア（２１４）を含む、受信することと、
前記構造情報を使用して前記修理範囲のマップを生成することであって、前記マップは、前記修理エリア（２１４）の表示を含む、生成することと、
前記修理エリア付近の温度センサの提案配置を決定するために前記構造情報を分析することであって、前記温度センサは、ホットボンダー（２１０）及び関連付けられたヒートブランケット（２１２）を制御するために使用される、分析することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記構造情報は、前記修理範囲を走査するように適合されるスキャナから受信される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スキャナは、ジオメトリスキャナ（３２５）である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記データ処理システムのスクリーン（２２６）上に、前記修理範囲の前記マップに対して前記温度センサの前記提案配置を表示することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記データ処理システムの前記スクリーン（２２６）上に、前記修理エリア（２１４）の前記表示を含む、前記修理範囲の前記マップを表示することを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記データ処理システムに連結されるプロジェクタ（４０８）に、前記温度センサの前記提案配置を前記修理範囲上に投影させることを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記スキャナから、前記修理エリア（３１４）付近の前記温度センサの実際の配置を示す温度センサ配置情報を受信することであって、前記スキャナは、前記修理エリア（３１４）付近の前記温度センサの前記実際の配置を検出するように適合される、受信することと、
温度センサインジケーターを生成することであって、各温度センサインジケーターは、前記スキャナにより検出された温度センサと関連し、前記温度センサインジケーターの各々は、前記修理範囲の前記マップ上の位置と関連付けられる、生成することと、
前記データ処理システムの前記スクリーン上に、前記修理エリアの前記マップに対して前記温度センサインジケーターを表示することと
を更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも一つのプロセッサを有するデータ処理システムにより実行される熱管理のための方法であって、
構造物の修理範囲のマップを生成することであって、前記修理範囲は、損傷したエリアを含む修理エリア（２１４）を含む、生成することと、
前記修理エリア（２１４）付近に配置される複数の温度センサから温度を受信することと、
一つ又は複数の断熱提案を決定するために前記修理エリアの前記マップ及び前記温度を分析することであって、各断熱提案は、前記温度センサのうちの一つ又は複数の表示若しくは前記修理範囲の断熱エリアの表示を含む、分析することと
を含む、方法。
【請求項９】
修理管理システムであって、
修理エリア付近に配置されるように適合される複数の温度センサであって、前記修理エリアは、損傷した構造のエリアを含む、複数の温度センサと、
前記構造物の修理範囲を走査するように適合されるスキャナであって、前記修理範囲は、前記修理エリア（２１４）及び前記修理エリアを取り囲みかつ前記修理エリアの下にある構造物の部分を含み、
前記スキャナは、前記修理範囲の構造組成についての構造情報を出力する、スキャナと、
前記温度センサ及び前記スキャナに連結されるデータ処理システムであって、前記データ処理システムは、
前記構造情報を前記スキャナから受信し、
前記修理エリア（２１４）のマップを生成し、
前記修理エリア付近の前記温度センサの提案された配置を決定するために前記構造情報を分析する
ためのコンピュータコードを実行するプロセッサを含む、データ処理システムと
を備える、修理管理システム。
【請求項１０】
修理管理システムであって、
修理エリア（２１４）付近に配置される複数の温度センサであって、前記修理エリア（２１４）は、損傷した構造物のエリアを含む、複数の温度センサと、
前記修理エリアを走査するように適合される走査システムと、
前記温度センサ及びスキャナに連結されるデータ処理システムであって、前記データ処理システムは、
前記走査システムから受信される情報に基づき、前記修理エリア（２１４）のマップを生成し、
温度を前記複数の温度センサから受信し、
一つ又は複数の断熱提案を決定するために前記修理エリア（２１４）の前記マップ及び前記温度を分析し、各断熱提案は、前記温度センサのうちの一つ又は複数の表示若しくは断熱で覆われるべき修理範囲の断熱エリアの表示を含む
ためのコンピュータコードを実行するプロセッサを含む、データ処理システムと
を備える、修理管理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月1日(2016.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスを分析する方法であって、
基板の堆積面上に活性層を形成する工程と、
活性層の上に誘電体層を形成する工程と、
少なくとも誘電体層をエッチングして、誘電体層の少なくとも４０％を除去してエッチングされた誘電体層を生成する工程であって、エッチャントは、誘電体層よりも速く活性層をエッチングする工程と、
活性層を用いてエッチングされた誘電体層のピンホール密度を光学的に測定する工程を含む方法。
【請求項２】
デバイスを分析する方法であって、
基板の堆積面上に活性層を形成する工程であって、活性層はＩＧＺＯを含む工程と、
活性層の上に誘電体層を形成する工程と、
少なくとも誘電体層をエッチングして、誘電体層の少なくとも４０％を除去してエッチングされた誘電体層を生成する工程と、
活性層を用いてエッチングされた誘電体層のピンホール密度を光学的に測定する工程を含む方法。
【請求項３】
ピンホールを検出する方法であって、
処理チャンバ内に基板を位置決めする工程であって、基板は、
活性層と、
厚さを有する誘電体層を含む工程と、
ハロゲン含有エッチャントを誘電体層へ送り、誘電体層の厚さを活性層の厚さとほぼ等しくなるようにエッチングする工程であって、活性層の一部が、ハロゲン含有エッチャントによって露出される工程と、
活性層の露出された部分をエッチングして、１以上のボイド領域を生成する工程と、
活性層内にボイド領域が無いか基板を検査する工程であって、ボイド領域の各々は、誘電体層内のピンホールに対応する工程を連続して含む方法。
【請求項４】
形成時の誘電体層は、活性層の約２倍の厚さを有する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
ハロゲン含有エッチャントは、フッ化水素酸である、請求項３記載の方法。
【請求項６】
エッチャントは、誘電体層よりも速く活性層をエッチングする、請求項３記載の方法。
【請求項７】
検査は、光学的測定である、請求項３記載の方法。
【請求項８】
誘電体層は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、窒化ケイ素、酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸化タンタル（ＴａＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）、又はそれらの組み合わせを含む、請求項３記載の方法。
【請求項９】
活性層は、ＩＧＺＯを含む、請求項３記載の方法。
【請求項１０】
デバイスを分析する方法であって、
処理チャンバ内に堆積面を有する基板を位置決めする工程と、
堆積面上にＩＧＺＯ活性層を形成する工程であって、ＩＧＺＯ層は、第１の厚さまで堆積される工程と、
ＩＧＺＯ活性層の上に酸化ケイ素層を第２の厚さまで形成する工程と、
ＨＦを含むエッチャントを酸化ケイ素層へ送る工程であって、エッチャントは、酸化ケイ素層の第２の厚さの約５０％を除去し、ＩＧＺＯ活性層の一部が、エッチャントに曝露される工程と、
ＩＧＺＯ活性層の曝露された部分をエッチングして、１以上のボイド領域を生成する工程と、
ＩＧＺＯ活性層内でエッチャントによって形成されたボイド領域が無いか基板を検査する工程であって、ボイド領域の各々は、酸化ケイ素層内のピンホールに対応する工程を含む方法。
【請求項１１】
第１の厚さは、約５００Å〜２０００Åの厚さである、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
形成時の酸化ケイ素層は、１０００Å〜４０００Åの厚さである、請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
ボイド領域は、光学顕微鏡を用いて見ることができる、請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月15日(2016.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ中のプロセッサによって実行されるコンピュータ実装プロセスであって、
前記コンピュータ上で動作するアプリケーションのリストをメモリに受け入れるステップと、
前記アプリケーションのリストのグラフィック表現として、部分表示状態、非表示状態、又は、全体表示状態で表される表示状態を有するデータ構造によって表される切替えリストを生成するステップと、
第１のジェスチャに応答して、部分表示状態のために前記切替えリストの状態を設定し、ディスプレイの縁部に全体表示されたときの前記切替えリストの幅より小さい幅の前記切替えリストを前記ディスプレイの縁部に部分表示するステップと、
第２のジェスチャに応答して、全体表示状態のために前記切替えリストの状態を設定し、前記切替えリストを前記ディスプレイの縁部に全体表示するステップとを含む、コンピュータ実装プロセス。
【請求項２】
前記第１のジェスチャが、アプリケーションの選択を示す、請求項１に記載のコンピュータ実装プロセス。
【請求項３】
前記第２のジェスチャが、アプリケーションを前記切替えリストに戻すというユーザの意図を示す、請求項１に記載のコンピュータ実装プロセス。
【請求項４】
前記第２のジェスチャが、前記切替えリストが部分表示されているときに、戻りしきい値を超えて前記切替えリストに向かってオブジェクトを移動させることを含む、請求項３に記載のコンピュータ実装プロセス。
【請求項５】
前記第１のジェスチャが、前記切替えリストが非表示であるときに、アプリケーションを選択し、前記選択したアプリケーションのグラフィック表現を前記ディスプレイ上で移動させることを含む、請求項１に記載のコンピュータ実装プロセス。
【請求項６】
前記第１のジェスチャが、前記切替えリストが全体表示されているときに、前記切替えリスト中でアプリケーションを選択し、前記選択したアプリケーションのグラフィック表現を前記切替えリストから遠ざけるようにしきい値を超えて移動させることを含む、請求項１に記載のコンピュータ実装プロセス。
【請求項７】
前記ディスプレイが複数のモニタを含み、前記切替えリストが表示されているモニタから別のモニタにオブジェクトが移動したときに、前記切替えリストが非表示になる、請求項１に記載のコンピュータ実装プロセス。
【請求項８】
コンピュータ記憶媒体と、
前記コンピュータ記憶媒体に記憶されたコンピュータプログラム命令であって、処理デバイスによって処理されたときに、前記処理デバイスに、
コンピュータ上で動作するアプリケーションのリストをメモリに受け入れるステップ、
前記アプリケーションのリストのグラフィック表現として、部分表示状態、非表示状態、又は、全体表示状態で表される表示状態を有するデータ構造によって表される切替えリストを生成するステップ、
第１のジェスチャに応答して、部分表示状態のために前記切替えリストの状態を設定し、ディスプレイの縁部に全体表示されたときの前記切替えリストの幅より小さい幅の前記切替えリストを前記ディスプレイの縁部に部分表示するステップ、および
第２のジェスチャに応答して、全体表示状態のために前記切替えリストの状態を設定し、前記切替えリストを前記ディスプレイの縁部に全体表示するステップを含むプロセスを実行するように命令するコンピュータプログラム命令とを含む、製品。
【請求項９】
メモリと、
コンピュータ上で動作するアプリケーションのリストをメモリに受け入れ、
前記アプリケーションのリストのグラフィック表現として、部分表示状態、非表示状態、又は、全体表示状態で表される表示状態を有するデータ構造によって表される切替えリストを生成し、
第１のジェスチャに応答して、部分表示状態のために前記切替えリストの状態を設定し、ディスプレイの縁部に全体表示されたときの前記切替えリストの幅より小さい幅の前記切替えリストを前記ディスプレイの縁部に部分表示し、
第２のジェスチャに応答して、全体表示状態のために前記切替えリストの状態を設定し、前記切替えリストを前記ディスプレイの縁部に全体表示するようにプログラムされた、前記メモリに接続されたプロセッサとを含む、コンピュータ。
【請求項１０】
前記第１のジェスチャが、前記切替えリストが非表示であるときに、アプリケーションを選択し、前記選択したアプリケーションのグラフィック表現を前記ディスプレイ上で移動させることを含む、請求項９に記載のコンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月15日(2016.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロボット清掃装置（１０）であって、
主要本体（１１）と、
清掃される表面を横切って前記ロボット清掃装置（１０）を移動するように構成された少なくとも１つの駆動ホイール（１２、１３）と、
清掃される前記表面を横切って前記ロボット清掃装置（１０）を移動するために前記少なくとも１つの駆動ホイール（１２、１３）を回転するべく制御するように構成された駆動手段（２９）と、
誘導情報に応じて清掃される前記表面を横切って前記ロボット清掃装置を移動するように前記駆動手段（２９）を制御するべく構成された制御手段（３０）と、
清掃される前記表面からごみ屑を除去するために前記主要本体の底側に配置された清掃部材（１５）であって、前記主要本体の前記前端部分（１６）に配置された清掃部材（１５）と
を含み、
前記主要本体（１１）が、前端部分（１６）に水平突出部材（３３）を備えて構成され、前記水平突出部材（３３）にブラシ（２４）が配置される、
ロボット清掃装置（１０）。
【請求項２】
前記ブラシが回転ブラシである、請求項１に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項３】
前記主要本体（１１）が円形の形状を有する、請求項１または２に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項４】
前記主要本体（１１）が、前端壁（１７）を有する前端部分（１６）と、後端部分（２０）と、前記前端壁（１７）および前記後端部分（２０）を接続する右側壁（１８）と、前記前端壁（１７）および前記後端部分（２０）を接続する左側壁（１９）とを有する、請求項１または２に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項５】
前記主要本体（１１）がさらに、その幅（Ａ）が、前記水平突出部材（３３）の最も外側の地点（３２）と、反対側に配置された側壁（１８、１９）との間で最大になるように構成され、前記最大幅（Ａ）が前記主要本体（１１）の前記前端部分（１６）に配置される、請求項４に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項６】
前記右側壁（１８）および前記左側壁（１９）が湾曲されるように構成される、請求項４または５に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項７】
前記右側壁（１８）と前記左側壁（１９）を接続する前記主要本体（１１）の後端壁（３１）が実質的に平坦であるように構成される、請求項４〜６のいずれか一項に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項８】
前記清掃部材（１５）が、前記主要本体（１１）の前記底側の前記開口に垂直に配置された回転ブラシロールを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項９】
前記清掃部材（１５）が前記前端壁（１７）に隣接して配置されかつ前記前端壁（１７）のより長い部分に沿って前記主要本体（１１）の前記開口内に横方向に延在する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項１０】
妨害物検出手段（２８）をさらに含み、前記妨害物検出手段（２８）が妨害物を検出し、前記ロボット清掃装置（１０）の誘導を可能にするために前記誘導情報を前記制御手段（３０）に提供するように構成される、請求項１〜９のいずれか一項に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項１１】
前記主要本体（１１）の少なくとも前記前端部分（１６）を囲む柔軟性バンパ（２３）をさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項１２】
前記妨害物検出手段（２８）が、
前記柔軟性バンパ（２３）と少なくとも１つのセンサとを含み、前記柔軟性バンパ（２３）は、前記ロボット清掃装置（１０）が妨害物と接触していることを登録するために前記少なくとも１つのセンサと協働するように構成され、前記センサが前記制御手段（３０）に前記誘導情報を伝えるように構成される、
請求項１０または１１に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの駆動ホイール（１２、１３）が、少なくとも一対の同軸状に配置された駆動ホイール（１２、１３）を含み、各ホイールが前記主要本体（１１）の各側壁（１８、１９）に配置される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項１４】
前記駆動ホイール（１２、１３）が同軸状に配置される駆動シャフト（１４）の回転軸まで前記柔軟性バンパ（２３）が前記主要本体（１１）に沿って延在する、請求項１１または１２に記載のロボット清掃装置（１０）。
【請求項１５】
前記突出部材（３３）に隣接して前記主要本体（１１）の前記前端部分（１６）に配置された窪み（２５）、
をさらに含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のロボット清掃装置（１０）。