【手続補正書】
【提出日】平成28年1月12日(2016.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の集積回路（ＩＣ）ダイと、
前記第１のＩＣダイに対してスタック型配置にある第２のＩＣダイであって、前記第２のＩＣダイにおける基板貫通ビア（ＴＳＶ）によって前記第１のＩＣダイに電気的に結合するように構成された入力／出力（Ｉ／Ｏ）ノードを有する第２のＩＣダイと、
前記Ｉ／Ｏノードに電気的に結合するように構成された前記第２のＩＣダイのアクティブ表面上のヒューズと、
を含み、
前記ヒューズは、静電放電（ＥＳＤ）電流サージがグランドに直接行き、前記第２のダイの増幅器回路をバイパスすることを可能にし、前記ＥＳＤ電流サージによって生じるダメージから前記増幅器回路を保護するように構成されており、
前記増幅器回路は、前記Ｉ／Ｏノードをグランドから電気的に切断し、前記ヒューズを閉状態から開状態に遷移させるためのヒューズ破断電流を生成し、且つ前記Ｉ／Ｏノードで出力信号を提供及び／または入力信号を受け取るように構成されている、マルチチップモジュール。
【請求項２】
前記ヒューズは、前記第１のＩＣダイを前記第２のＩＣダイに電気的に結合することに応答して起こる前記ＥＳＤによって生じるダメージから前記第２のＩＣダイを保護するように構成される、請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項３】
前記ヒューズは、前記Ｉ／Ｏノードに結合された第１の端子と、グランドに結合された第２の端子とを含む、請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項４】
前記ヒューズは、閉状態である場合、前記Ｉ／Ｏノードからグランドへの短絡回路パスを提供する、請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項５】
前記増幅器回路は、増幅器入力端子および／または増幅器出力端子を含み、前記増幅器出力端子および前記増幅器入力端子のうちの１つは、前記Ｉ／Ｏノードに電気的に結合するように構成される、請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項６】
前記ヒューズは、５０マイクロ秒（μｓ）〜２００μｓ続く１ミリアンペア（ｍＡ）〜１００ｍＡのパラメータ、１０μｓ〜２００μｓ続く５ｍＡ〜１００ｍＡのパラメータ、または１０μｓ〜２００μｓ続く１０ｍＡ〜１００ｍＡのパラメータを有する前記ヒューズ破断電流に応答して前記閉状態から前記開状態に遷移する、請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項７】
前記ヒューズは、前記ＥＳＤによって生成された、前記Ｉ／Ｏノードにおける前記電流サージに応答して閉状態のままであり、前記第２のＩＣダイの前記増幅器回路によって生成されたヒューズ破断電流に応答して開状態に遷移する、請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項８】
前記ヒューズは、ダイオードが無いＥＳＤ保護回路の一部である、請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項９】
前記ヒューズは、金属ヒューズまたはポリシリコンヒューズである、請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１０】
前記ヒューズは、開状態である場合、前記Ｉ／Ｏノードとグランドとの間に１０メガオームよりも大きいかまたはそれに等しい抵抗値を提供する、請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１１】
前記マルチチップモジュールは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１２】
前記ヒューズが開状態になり、前記Ｉ／Ｏノードがグランドから電気的に切断されるとき、前記Ｉ／Ｏノードに電気的に結合されたＩ／Ｏバッファは、前記Ｉ／Ｏノードを経て前記出力信号を提供および／または前記入力信号を受け取る、請求項１に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１３】
前記第１のＩＣダイが前記第２のＩＣダイに電気的且つ物理的に結合されるとき、前記ＥＳＤ電流サージが起こらず、且つ前記ヒューズが前記閉状態のままである場合、前記Ｉ／Ｏバッファは前記ヒューズを前記閉状態から前記開状態へ遷移させる電流の流れを生成する、請求項１２に記載のマルチチップモジュール。
【請求項１４】
マルチチップモジュールを製造する方法であって、
第１の集積回路（ＩＣ）ダイを提供するステップと、
前記第１のＩＣダイに対してスタック型配置にある第２の集積回路ダイを提供するステップと、
前記第２のＩＣダイに基板貫通ビア（ＴＳＶ）を提供し、前記ＴＳＶを経て、前記第２のＩＣダイの入力／出力（Ｉ／Ｏ）ノードから前記第１のＩＣダイへの電気的パスを提供するステップと、
前記第２のＩＣダイのアクティブ表面上にヒューズを形成するステップと
を含み、
前記ヒューズは、前記Ｉ／Ｏノードに電気的に結合されており、静電放電（ＥＳＤ）電流サージがグランドに直接行き、前記第２のダイの増幅器回路をバイパスすることを可能にし、前記ＥＳＤ電流サージによって生じるダメージから前記増幅器回路を保護しており、
前記増幅器回路は、前記Ｉ／Ｏノードをグランドから電気的に切断し、前記ヒューズを閉状態から開状態に遷移させるためのヒューズ破断電流を生成し、且つ前記Ｉ／Ｏノードで出力信号を提供および／または入力信号を受け取るように構成されている、
方法。
【請求項１５】
前記ヒューズは、前記第１のＩＣダイを前記第２のＩＣダイに電気的に結合することに応答して起こる前記ＥＳＤによって生じるダメージから前記第２のＩＣダイを保護する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ヒューズの第１の端子を前記Ｉ／Ｏノードに結合するステップと、
前記ヒューズの第２の端子をグランドに結合するステップと
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記ヒューズが閉状態である間、前記Ｉ／Ｏノードからグランドへの短絡回路パスを提供するステップ
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記増幅器回路は、増幅器出力端子および／または増幅器入力端子を含み、前記増幅器出力端子および前記増幅器入力端子のうちの１つは、前記Ｉ／Ｏノードに電気的に結合されている、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記ヒューズ破断電流は、５０マイクロ秒（μｓ）〜２００μｓ続く１ミリアンペア（ｍＡ）〜１００ｍＡのパラメータ、１０μｓ〜２００μｓ続く５ｍＡ〜１００ｍＡのパラメータ、または１０μｓ〜２００μｓ続く１０ｍＡ〜１００ｍＡのパラメータを有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記ヒューズは、前記ＥＳＤによって生成された、前記Ｉ／Ｏノードにおける電流サージに応答して閉状態であり、前記第２のＩＣダイの増幅器回路によって生成されたヒューズ破断電流に応答して開状態である、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記マルチチップモジュールは、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、固定位置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記ヒューズが開状態になり、前記Ｉ／Ｏノードがグランドから電気的に切断されるとき、前記Ｉ／Ｏノードに電気的に結合されたＩ／Ｏバッファは、前記Ｉ／Ｏノードを経て前記出力信号を提供および／または前記入力信号を受け取る、請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１のＩＣダイが前記第２のＩＣダイに電気的且つ物理的に結合されるとき、前記ＥＳＤ電流サージが起こらず、且つ前記ヒューズが前記閉状態のままである場合、前記Ｉ／Ｏバッファは前記ヒューズを前記閉状態から前記開状態へ遷移させる電流の流れを生成する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
第１の集積回路（ＩＣ）ダイと、
前記第１のＩＣダイに対してスタック型配置にあり、入力／出力（Ｉ／Ｏ）ノードを有する第２のＩＣダイと、
前記第１のＩＣダイに電気的に結合するように前記第２のＩＣダイの前記Ｉ／Ｏノードを構成するための手段と、
静電放電（ＥＳＤ）電流サージがグランドへ直接行き、前記第２のＩＣダイの増幅器回路をバイパスすることを可能にすることによって、前記ＥＳＤ電流サージによって生じるダメージから前記増幅器回路を保護するための手段であって、前記第２のＩＣダイのアクティブ表面上に配置された保護するための手段と、を含み、
前記増幅器回路は、前記Ｉ／Ｏノードをグランドから電気的に切断し、保護するための前記手段を有効状態から無効状態に遷移させるためのヒューズ破断電流を生成するように、且つ前記Ｉ／Ｏノードで出力信号を提供及び／または入力信号を受け取るように構成されている、マルチチップモジュール。
【請求項２５】
保護するための前記手段は、前記第１のＩＣダイを前記第２のＩＣダイに電気的に結合することに応答して起こる前記ＥＳＤによって生じるダメージから前記第２のＩＣダイの前記増幅器回路を保護するように構成されている、請求項２４に記載のマルチチップモジュール。
【請求項２６】
前記第２のＩＣダイの前記増幅器回路を保護するための前記手段は、前記Ｉ／Ｏノードに結合された第１の端子と、グランドに結合された第２の端子とを有するヒューズである、請求項２４に記載のマルチチップモジュール。
【請求項２７】
前記ヒューズは、閉状態である場合、前記Ｉ／Ｏノードからグランドへの短絡回路パスを提供する、請求項２６に記載のマルチチップモジュール。
【請求項２８】
前記ヒューズは、前記ＥＳＤによって生成された、前記Ｉ／Ｏノードにおける電流サージに応答して閉状態のままであり、前記増幅器回路によって生成されたヒューズ破断電流に応答して開状態に遷移する、請求項２６に記載のマルチチップモジュール。
【請求項２９】
前記ヒューズが開状態になり、前記Ｉ／Ｏノードがグランドから電気的に切断されるとき、前記Ｉ／Ｏノードに電気的に結合されたＩ／Ｏバッファは、前記Ｉ／Ｏノードを経て前記出力信号を提供および／または前記入力信号を受け取る、請求項２４に記載のマルチチップモジュール。
【請求項３０】
前記第１のＩＣダイが前記第２のＩＣダイに電気的且つ物理的に結合されるとき、前記ＥＳＤ電流サージが起こらず、且つ前記ヒューズが前記閉状態のままである場合、前記Ｉ／Ｏバッファは前記ヒューズを前記閉状態から前記開状態へ遷移させる電流の流れを生成する、請求項２９に記載のマルチチップモジュール。