【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年5月17日(2016.5.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶間結合ダイヤモンドのマトリックス相と、前記結合ダイヤモンド間に分散した複数の格子間領域と、を有するダイヤモンド本体を含むダイヤモンド結合構造体であって、前記ダイヤモンド本体は、ある位置における作業面と、別の位置に配置された界面表面とを有し、前記本体は、前記界面から前記作業面までのダイヤモンドの体積含有率の変化が１．５パーセントを超え、前記ダイヤモンド本体は、前記作業面でのダイヤモンドの体積含有率が、以下の基準すなわち、
前記ダイヤモンドの体積分率が（０．９０７７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0221）より高く、または
ダイヤモンドの体積分率が（０．９１８７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0183）より高く、または
ダイヤモンドの体積分率が（０．９２９１）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0148）より高く、
のうちの１つに準じ、前記ダイヤモンドの平均粒子サイズは、単位がマイクロメートルである、ダイヤモンド結合構造体。
【請求項２】
前記界面表面での前記ダイヤモンドの体積含有率は、９４体積パーセント未満であり、前記作業面で、それと大きさが同じまたはそれより大きいダイヤモンド粒子から形成される、請求項１に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項３】
前記ダイヤモンド本体は、前記格子間領域間に配置された触媒材料を含み、前記触媒材料の体積含有率は、前記本体内で、前記界面表面から前記作業面に向かって徐々に変化する、請求項１に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項４】
前記触媒材料の前記体積含有率は、前記作業面から前記界面表面に向かって高くなる、請求項３に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項５】
前記ダイヤモンド本体は、カーバイド、ニトリド、ホウ化物、オキシド、これらの組み合わせからなる群から選択される追加の材料を、前記格子間領域内に含む、請求項３に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項６】
前記追加の材料は、前記作業面から前記界面表面に向かって体積含有率が変化する、請求項５に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項７】
前記作業面における前記触媒材料の前記体積含有率は、６パーセント未満である、請求項３に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項８】
前記界面表面で前記ダイヤモンド本体に接合された母材をさらに含み、前記母材は、セラミック材料、金属材料、サーメット材料、これらの組み合わせからなる材料の群から選択される、請求項１に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項９】
前記ダイヤモンド本体の少なくとも一部は、高圧高温条件で前記本体を形成するのに用いられる触媒材料を実質的に含まない、請求項１に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項１０】
前記作業面から奥に延在する前記ダイヤモンド本体の部分領域は、前記触媒材料を実質的に含まない、請求項９に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項１１】
ビット本体に作動的に取り付けられた多数の切削要素を備え、前記切削要素の１つまたは２つ以上が、請求項１に記載の前記ダイヤモンド結合構造体を含む、地下層を掘削するためのビット。
【請求項１２】
結晶間結合ダイヤモンドのマトリックス相と、前記結合ダイヤモンド間に分散した複数の格子間領域と、を有するダイヤモンド本体を含むダイヤモンド結合構造体であって、前記ダイヤモンド本体は、ある位置における作業面と、別の位置に配置された界面表面とを有し、前記本体は、前記界面から前記作業面までのダイヤモンドの体積含有率の変化が１．５パーセントを超え、前記ダイヤモンド本体は、前記作業面でのダイヤモンドの体積含有率が、以下の基準すなわち、
焼結後のダイヤモンドの平均粒子サイズが２〜４ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９３％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが４〜６ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９４％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが６〜８ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９５％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが８〜１０ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９５．５％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが１０〜１２ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９６％を超えるか、
のうちの１つに準じる、ダイヤモンド結合構造体。
【請求項１３】
前記格子間領域間に配置された触媒材料を含み、前記触媒材料の体積含有率は、前記本体内で、前記界面表面から前記作業面に向かって徐々に変化する、請求項１２に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項１４】
前記触媒材料の前記体積含有率は、前記作業面から前記界面表面に向かって高くなる、請求項１３に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項１５】
前記ダイヤモンド本体は、カーバイド、ニトリド、ホウ化物、オキシド、これらの組み合わせからなる群から選択される追加の材料を、前記格子間領域内に含む、請求項１２に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項１６】
前記追加の材料は、前記作業面から前記界面表面に向かって体積含有率が変化する、請求項１５に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項１７】
前記作業面における前記触媒材料の前記体積含有率は、６パーセント未満である、請求項１２に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項１８】
前記界面表面で前記ダイヤモンド本体に接合された母材をさらに含み、前記母材は、セラミック材料、金属材料、サーメット材料、これらの組み合わせからなる材料の群から選択される、請求項１２に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項１９】
前記ダイヤモンド本体の少なくとも一部は、高圧高温条件で前記本体を形成するのに用いられる触媒材料を実質的に含まない、請求項１２に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項２０】
前記作業面から奥に延在する前記ダイヤモンド本体の部分領域は、前記触媒材料を実質的に含まない、請求項９に記載のダイヤモンド結合構造体。
【請求項２１】
ビット本体に作動的に取り付けられた多数の切削要素を備え、前記切削要素の１つまたは２つ以上が、請求項１２に記載の前記ダイヤモンド結合構造体を含む、地下層を掘削するためのビット。
【請求項２２】
結晶間結合ダイヤモンドのマトリックス相と、前記結合ダイヤモンド間に分散した複数の格子間領域と、前記格子間領域内に配置された触媒材料と、を有するダイヤモンド本体を含むダイヤモンド構造体であって、前記ダイヤモンド本体は、ある位置における作業面と、別の位置に配置された界面表面とを有し、前記触媒材料の体積含有率は、前記本体内で、前記界面表面から前記作業面に向かって徐々に変化し、前記ダイヤモンド本体は、カーバイド、ニトリド、ホウ化物、オキシド、これらの組み合わせからなる群から選択される追加の材料を、前記格子間領域内に含み、前記作業面における前記触媒材料の前記体積含有率は、７パーセント未満であり、前記ダイヤモンド構造体は、
前記界面表面で前記ダイヤモンド本体に接合された母材をさらに含み、前記母材は、セラミック材料、金属材料、サーメット材料、これらの組み合わせからなる材料の群から選択される、ダイヤモンド構造体。
【請求項２３】
触媒材料の前記体積含有率は、作業面から界面表面に向かって高くなる、請求項２２に記載のダイヤモンド構造体。
【請求項２４】
前記ダイヤモンド本体内の追加の材料の体積は、前記界面表面から前記作業面に向かって大きくなる、請求項２２に記載のダイヤモンド構造体材料。
【請求項２５】
前記追加の材料はカーバイドであり、前記ダイヤモンド本体内のカーバイドの体積は、１パーセントから１０パーセントの範囲である、請求項２２に記載のダイヤモンド構造体。
【請求項２６】
前記本体は、前記界面から前記作業面までのダイヤモンドの体積含有率の変化が１．５パーセントを超え、前記作業面での前記ダイヤモンドの粒子サイズおよびダイヤモンドの体積含有率が、以下の基準すなわち、
焼結後のダイヤモンドの平均粒子サイズが２〜４ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９３％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが４〜６ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９４％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが６〜８ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９５％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが８〜１０ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９５．５％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが１０〜１２ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９６％を超えるか、
のうちの１つを満たす、請求項２２に記載のダイヤモンド構造体。
【請求項２７】
前記本体は、前記界面から前記作業面までのダイヤモンドの体積含有率の変化が１．５パーセントを超え、前記ダイヤモンド本体は、前記作業面でのダイヤモンドの体積含有率が、以下の基準すなわち、
前記ダイヤモンドの体積分率が（０．９０７７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0221）より高く、または
ダイヤモンドの体積分率が（０．９１８７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0183）より高く、または
ダイヤモンドの体積分率が（０．９２９１）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0148）より高く、
のうちの１つに準じ、前記ダイヤモンドの平均粒子サイズは、単位がマイクロメートルである、請求項２２に記載のダイヤモンド構造体。
【請求項２８】
前記界面表面での前記ダイヤモンドの体積含有率は、９４体積パーセント未満であり、前記作業面で、それと大きさが同じまたはそれより大きいダイヤモンド粒子から形成される、請求項２２に記載のダイヤモンド構造体。
【請求項２９】
触媒材料と追加のカーバイドとの比が、前記ダイヤモンド本体内で最適な熱安定性を促進するようバランスされる、請求項２２に記載のダイヤモンド構造体。
【請求項３０】
前記追加の材料はカーバイドであり、前記ダイヤモンド本体内での触媒材料とカーバイドとの前記比は、６：１から１：１０の範囲である、請求項２２に記載のダイヤモンド構造体。
【請求項３１】
前記追加の材料はカーバイドであり、前記ダイヤモンド本体内での触媒材料とカーバイドとの前記比は、３：１から１：６の範囲である、請求項２２に記載のダイヤモンド構造体。
【請求項３２】
前記追加の材料はカーバイドであり、前記作業面での触媒材料とカーバイドとの前記比は、４：１から１：４の範囲である、請求項２２に記載のダイヤモンド構造体。
【請求項３３】
本体と、前記本体に作動的に取り付けられた複数の切削要素と、を備える、地下層を掘削するためのビットであって、前記切削要素の少なくとも１つは、請求項２２に記載のダイヤモンド構造体を含む、ビット。
【請求項３４】
本体と、
前記本体に作動的に取り付けられた複数の切削要素と、を備える、地下層を掘削するためのビットであって、少なくとも１つの切削要素は、多結晶ダイヤモンド構造体を含み、前記多結晶ダイヤモンド構造体は、
互いに結合したダイヤモンド結晶のマトリックス相と、前記マトリックス相内の格子間に分散した複数の分散領域と、を有するダイヤモンド本体を含み、前記ダイヤモンド本体は、ある位置に作業面、別の位置に界面表面を有し、前記格子間領域内に触媒材料が配置され、前記触媒材料の体積含有率が、前記本体内で、前記界面表面から前記作業面に向かって徐々に低くなり、前記ダイヤモンド本体は、カーバイド、ニトリド、ホウ化物、オキシド、これらの組み合わせからなる群から選択される追加材料を、前記格子間領域に含み、前記作業面での前記触媒材料の前記体積含有率は６パーセント未満であり、前記ビットはさらに、
前記界面表面で前記ダイヤモンド本体に接合された母材を備え、前記母材は、セラミック材料、金属材料、サーメット材料、これらの組み合わせからなる群から選択される、ビット。
【請求項３５】
ダイヤモンドの前記体積含有率は、前記本体内で１．５パーセントを超えて変化する、請求項３４に記載のビット。
【請求項３６】
前記体積含有率ダイヤモンドは、前記本体内で２パーセントから６パーセントまで変化する、請求項３４に記載のビット。
【請求項３７】
前記本体は、前記界面から前記作業面までのダイヤモンドの体積含有率の変化が１．５パーセントを超え、前記ダイヤモンド本体は、前記作業面でのダイヤモンドの体積含有率が、以下の基準すなわち、
前記ダイヤモンドの体積分率が（０．９０７７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0221）より高く、または
ダイヤモンドの体積分率が（０．９１８７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0183）より高く、または
ダイヤモンドの体積分率が（０．９２９１）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0148）より高く、
のうちの１つに準じ、前記ダイヤモンドの平均粒子サイズは、単位がマイクロメートルである、請求項３４に記載のビット。
【請求項３８】
前記作業面での前記ダイヤモンドの粒子サイズおよびダイヤモンドの体積含有率は、以下の基準すなわち、
焼結後のダイヤモンドの平均粒子サイズが２〜４ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９３％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが４〜６ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９４％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが６〜８ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９５％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが８〜１０ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９５．５％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが１０〜１２ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９６％を超えるか、
のうちの１つを満たす、請求項３４に記載のビット。
【請求項３９】
前記本体の前記作業面に隣接する領域は、前記触媒材料を実質的に含まない、請求項３４に記載のビット。
【請求項４０】
前記本体から外方向に突出する多数のブレードを備え、前記切削要素は、前記ブレードに取り付けられている、請求項３４に記載のビット。
【請求項４１】
前記本体から外方向に延在する多数の脚と、前記脚に回転可能に装着されたコーンと、を備え、前記切削要素は、前記コーンに取り付けられている、請求項３４に記載のビット。
【請求項４２】
結晶間結合ダイヤモンドのマトリックス相と、前記マトリックス相内に配置された格子間領域と、を有する焼結されたダイヤモンド本体を形成するために、ひとかたまりのダイヤモンド粒子を、触媒材料の存在下にて、高圧高温条件下におく工程を含み、前記触媒材料は、前記格子間領域内に配置され、前記触媒材料の体積含有率は、前記本体内で、作業面から界面表面に向かって徐々に変化し、
前記高圧高温プロセスは、６，２００ＭＰａを超える圧力であり、
前記作業面での前記ダイヤモンドの体積含有率は、９４パーセントを超える、ダイヤモンド構造体を製造するための方法。
【請求項４３】
前記高圧高温条件下におく工程の前に、前記ダイヤモンド塊を、カーバイド、ニトリド、ホウ化物、オキシド、これらの組み合わせからなる群から選択される追加の材料と組み合わせる、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
前記追加の材料の前記体積含有率は、前記界面表面から前記作業面に向かって徐々に高くなる、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記高圧高温条件下におく工程の前に、前記ダイヤモンド塊を、ひとかたまりの触媒粉末と混合し、前記触媒粉末の量は、前記作業面から前記界面表面に向かって徐々に変化する、請求項４２に記載の方法。
【請求項４６】
前記ダイヤモンド本体は、体積含有率の差が、１．５パーセントを超える、請求項４２に記載の方法。
【請求項４７】
前記ダイヤモンド本体は、体積含有率の差が、２から６パーセントの範囲である、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
前記高圧高温条件下におく工程の前に、前記ダイヤモンド塊を、構成要素として前記触媒材料を含む母材に隣接して配置し、前記高圧高温条件下におく工程の間に、前記母材を前記ダイヤモンド本体に取り付ける、請求項４２に記載の方法。
【請求項４９】
前記高圧高温条件下におく工程の後に、前記本体は、前記界面から前記作業面までのダイヤモンドの体積含有率の変化が１．５パーセントを超え、前記作業面でのダイヤモンドの粒子サイズおよびダイヤモンドの体積含有率は、以下の基準すなわち、
焼結後のダイヤモンドの平均粒子サイズが２〜４ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９３％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが４〜６ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９４％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが６〜８ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９５％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが８〜１０ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９５．５％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが１０〜１２ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９６％を超えるか、
のうちの１つを満たす、請求項４２に記載の方法。
【請求項５０】
前記高圧高温条件下におく工程の後に、前記本体は、前記界面から前記作業面までのダイヤモンドの体積含有率の変化が１．５パーセントを超え、前記ダイヤモンド本体は、前記作業面でのダイヤモンドの体積含有率が、以下の基準すなわち、
前記ダイヤモンドの体積分率が（０．９０７７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0221）より高く、または
ダイヤモンドの体積分率が（０．９１８７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0183）より高く、または
ダイヤモンドの体積分率が（０．９２９１）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0148）より高く、
のうちの１つに準じ、前記ダイヤモンドの平均粒子サイズは、単位がマイクロメートルである、請求項４２に記載の方法。
【請求項５１】
混合物を形成するために、ひとかたまりのダイヤモンド粒子を、カーバイド材料と組み合わせる工程であって、前記混合物中のカーバイド材料の体積が、前記構造体の作業面になる部分から離れるにつれて変化する、前記工程と、
母材材料を、前記混合物の作業面以外の表面で、前記混合物に隣接して配置する工程であって、前記混合物と母材とがアセンブリを構成する、前記工程と、
前記アセンブリを高圧高温条件下におく工程と、を含み、前記高圧高温条件下におく工程の間に、前記ダイヤモンド粒子は、多結晶ダイヤモンド本体を形成するための触媒材料の存在下で互いに結晶間結合し、前記多結晶ダイヤモンド本体は、前記作業面での触媒含有率が６パーセント未満であり、前記高圧高温条件下におく工程の間に、前記母材は、前記ダイヤモンド本体に取り付けられる、多結晶ダイヤモンド構造体を製造するための方法。
【請求項５２】
ダイヤモンド本体は、触媒材料の傾斜体積含有率を有する、請求項５１に記載の方法。
【請求項５３】
触媒材料の前記体積含有率は、前記作業面から前記母材に向かって高くなる、請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
前記組み合わせる工程の間、前記触媒材料は、前記ひとかたまりのダイヤモンド粒子に添加される、請求項５１に記載の方法。
【請求項５５】
前記高圧高温条件下におく工程の間に、前記触媒材料は、前記ダイヤモンド粒子に溶浸し、体積が前記母材を形成する、請求項５１に記載の方法。
【請求項５６】
前記ダイヤモンド本体内のカーバイド材料の体積は、１０から７０パーセントの範囲である、請求項５１に記載の方法。
【請求項５７】
前記高圧高温条件下におく工程の間に、前記アセンブリの少なくとも一部を、６．２００ＭＰａを超える圧力に曝露する、請求項５１に記載の方法。
【請求項５８】
前記高圧高温条件下におく工程の間に、前記アセンブリの少なくとも一部を、６，２００ＭＰａ未満の圧力に曝露する、請求項５７に記載の方法。
【請求項５９】
前記高圧高温条件下におく工程の後に、前記本体は、前記界面から前記作業面までのダイヤモンドの体積含有率の変化が１．５パーセントを超え、前記作業面での前記ダイヤモンドの粒子サイズおよびダイヤモンドの体積含有率は、以下の基準すなわち、
焼結後のダイヤモンドの平均粒子サイズが２〜４ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９３％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが４〜６ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９４％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが６〜８ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９５％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが８〜１０ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９５．５％を超えるか、
焼結後の平均粒子サイズが１０〜１２ミクロンの範囲内であり、ダイヤモンドの体積分率が９６％を超えるか、
のうちの１つを満たす、請求項５１に記載の方法。
【請求項６０】
前記高圧高温条件下におく工程の後に、前記本体は、前記界面から前記作業面までのダイヤモンドの体積含有率の変化が１．５パーセントを超え、前記ダイヤモンド本体は、前記作業面でのダイヤモンドの体積含有率が、以下の基準すなわち、
前記ダイヤモンドの体積分率が（０．９０７７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0221）より高く、または
ダイヤモンドの体積分率が（０．９１８７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0183）より高く、または
ダイヤモンドの体積分率が（０．９２９１）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0148）より高く、
のうちの１つに準じ、前記ダイヤモンドの平均粒子サイズは、単位がマイクロメートルで
ある、請求項５１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本明細書に開示のダイヤモンド結合構造体は、たとえば、６，２００ＭＰａから１０，０００ＭＰａなどの高圧ＨＰＨＴ処理によって形成されてもよい。このように形成されるダイヤモンド構造体は、ダイヤモンドの体積分率ｖ．平均粒子サイズの関係が、使用される高圧の点で特徴的なものであり、このように形成されたダイヤモンド結合構造体を、従来の圧力ＨＰＨＴプロセスで焼結された従来のダイヤモンド結合構造体と識別および区別するよう動作する。一実施態様では、高圧ＨＰＨＴプロセスで形成されるダイヤモンド結合構造体は、作業面でのダイヤモンドの体積含有率が、以下の基準のうちの１つに準じるものであってもよい。すなわち、前記ダイヤモンドの体積分率が（０．９０７７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0221）より高く、またはダイヤモンドの体積分率が（０．９１８７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0183）より高く、またはダイヤモンドの体積分率が（０．９２９１）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0148）より高い。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
したがって、常圧よりも高い圧力での焼結によって形成される、ダイヤモンド含有率の高いＰＣＤを、以下のようにして識別できる（平均粒子サイズの単位はミクロンである）。
ダイヤモンドの体積分率が（０．９０７７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0221）より高い、ＰＣＤまたは
ダイヤモンドの体積分率が（０．９１８７）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0183）より高い、ＰＣＤまたは
ダイヤモンドの体積分率が（０．９２９１）×（ダイヤモンドの平均粒子サイズ0.0148）より高い、ＰＣＤ
ダイヤモンドの体積分率が、以下の値のうちの１つより高く、対応する範囲内の平均粒子サイズより大きいＰＣＤ
2014505162.tif 000001