【手続補正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程であって、該合金がシリコンとの二成分共晶系を形成する、工程；
該溶融金属合金からシリコンを析出させるために、該溶融金属合金の少なくとも一部を液相線温度より低くかつ共晶温度より高い温度まで冷却する工程；
該るつぼ内を該共晶温度より高い最低温度に維持するために、該るつぼ内の温度を制御する工程；
該るつぼの壁部より高い熱伝導性を有する熱伝導性材料を含む底面から優先的に、該るつぼを冷却する工程；および
析出した該シリコンを該溶融金属合金から分離する工程
を含む、方法。
【請求項２】
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、るつぼにおいてシリコン-アルミニウム合金を形成することを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、およそ60重量％〜22重量％がシリコンであり残りが実質的にアルミニウムである出発組成でシリコン-アルミニウム合金を形成することを含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、およそ50重量％〜30重量％がシリコンであり残りが実質的にアルミニウムである出発組成でシリコン-アルミニウム合金を形成することを含む、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
冷却する工程が、前記るつぼ内の温度をおよそ577℃〜1100℃の範囲に維持することを含む、請求項2に記載の方法。
【請求項６】
冷却する工程が、前記るつぼ内の温度をおよそ720℃〜1100℃の範囲に維持することを含む、請求項2に記載の方法。
【請求項７】
冷却する工程が、前記るつぼ内の温度をおよそ650℃〜960℃の範囲に維持することを含む、請求項2に記載の方法。
【請求項８】
前記るつぼ内の温度を制御する工程が、該るつぼの上部を覆うことを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程であって、該合金がシリコンとの二成分共晶系を形成する、工程；
該溶融金属合金からシリコンを析出させるために、該溶融金属合金を液相線温度より低くかつ共晶温度より高い温度まで冷却する工程；
該るつぼ内を該共晶温度より高い最低温度に維持するために、該るつぼを能動的に加熱する工程；
該るつぼの壁部より高い熱伝導性を有する熱伝導性材料を含む底面から優先的に、該るつぼを冷却する工程；および
析出した該シリコンを該溶融金属合金から分離する工程
を含む、方法。
【請求項１０】
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、るつぼにおいてシリコン-アルミニウムを形成することを含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記るつぼを能動的に加熱する工程が、該るつぼの上面を加熱することを含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記るつぼを能動的に加熱する工程が、該るつぼの側部を加熱することを含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１３】
前記るつぼを能動的に加熱する工程が、該るつぼの上面を加熱することを含む、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
複数のるつぼ内張り層を備え、該複数のるつぼ内張り層が、耐熱性内張りを有する金属シェルをSiC底部層とともに備える、るつぼと、
該るつぼの少なくとも一部内の温度を制御するための、該るつぼに隣接して位置する加熱システムと、
作動中の場合に該るつぼ内を二成分シリコン合金共晶温度より高い最低温度に維持するように構成された、加熱システムコントローラーと
を備える、シリコン精製システム。
【請求項１５】
前記加熱システムが上部ヒーターを備える、請求項14に記載のシリコン精製システム。
【請求項１６】
前記上部ヒーターが、金属シェル内に耐熱性層を備える、請求項15に記載のシリコン精製システム。
【請求項１７】
前記加熱システムが側部ヒーターを備える、請求項14に記載のシリコン精製システム。
【請求項１８】
前記加熱システムが上部ヒーターを備える、請求項16に記載のシリコン精製システム。
【請求項１９】
前記加熱システムが上部カバーを備える、請求項14に記載のシリコン精製システム。
【請求項２０】
前記加熱システムコントローラーが、およそ720℃〜1100℃の範囲内において作動するように構成されている、請求項14に記載のシリコン精製システム。
【請求項２１】
析出したシリコンを溶融二成分シリコン合金内から取り出すためのすくい上げシステムをさらに備える、請求項14に記載のシリコン精製システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
[本発明1001]
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程であって、該合金がシリコンとの二成分共晶系を形成する、工程；
該溶融金属合金からシリコンを析出させるために、該溶融金属合金の少なくとも一部を液相線温度より低くかつ共晶温度より高い温度まで冷却する工程；
該るつぼ内を該共晶温度より高い最低温度に維持するために、該るつぼ内の温度を制御する工程；
該るつぼの壁部より高い熱伝導性を有する熱伝導性材料を含む底面から優先的に、該るつぼを冷却する工程；および
析出した該シリコンを該溶融金属合金から分離する工程
を含む、方法。
[本発明1002]
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、るつぼにおいてシリコン-アルミニウム合金を形成することを含む、本発明1001の方法。
[本発明1003]
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、およそ60重量％〜22重量％がシリコンであり残りが実質的にアルミニウムである出発組成でシリコン-アルミニウム合金を形成することを含む、本発明1002の方法。
[本発明1004]
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、およそ50重量％〜30重量％がシリコンであり残りが実質的にアルミニウムである出発組成でシリコン-アルミニウム合金を形成することを含む、本発明1002の方法。
[本発明1005]
冷却する工程が、前記るつぼ内の温度をおよそ577℃〜1100℃の範囲に維持することを含む、本発明1002の方法。
[本発明1006]
冷却する工程が、前記るつぼ内の温度をおよそ720℃〜1100℃の範囲に維持することを含む、本発明1002の方法。
[本発明1007]
冷却する工程が、前記るつぼ内の温度をおよそ650℃〜960℃の範囲に維持することを含む、本発明1002の方法。
[本発明1008]
前記るつぼ内の温度を制御する工程が、該るつぼの上部を覆うことを含む、本発明1001の方法。
[本発明1009]
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程であって、該合金がシリコンとの二成分共晶系を形成する、工程；
該溶融金属合金からシリコンを析出させるために、該溶融金属合金を液相線温度より低くかつ共晶温度より高い温度まで冷却する工程；
該るつぼ内を該共晶温度より高い最低温度に維持するために、該るつぼを能動的に加熱する工程；
該るつぼの壁部より高い熱伝導性を有する熱伝導性材料を含む底面から優先的に、該るつぼを冷却する工程；および
析出した該シリコンを該溶融金属合金から分離する工程
を含む、方法。
[本発明1010]
るつぼにおいて溶融金属合金を形成する工程が、るつぼにおいてシリコン-アルミニウムを形成することを含む、本発明1009の方法。
[本発明1011]
前記るつぼを能動的に加熱する工程が、該るつぼの上面を加熱することを含む、本発明1009の方法。
[本発明1012]
前記るつぼを能動的に加熱する工程が、該るつぼの側部を加熱することを含む、本発明1009の方法。
[本発明1013]
前記るつぼを能動的に加熱する工程が、該るつぼの上面を加熱することを含む、本発明1012の方法。
[本発明1014]
複数のるつぼ内張り層を備え、該複数のるつぼ内張り層が、耐熱性内張りを有する金属シェルをSiC底部層とともに備える、るつぼと、
該るつぼの少なくとも一部内の温度を制御するための、該るつぼに隣接して位置する加熱システムと、
作動中の場合に該るつぼ内を二成分シリコン合金共晶温度より高い最低温度に維持するように構成された、加熱システムコントローラーと
を備える、シリコン精製システム。
[本発明1015]
前記加熱システムが上部ヒーターを備える、本発明1014のシリコン精製システム。
[本発明1016]
前記上部ヒーターが、金属シェル内に耐熱性層を備える、本発明1015のシリコン精製システム。
[本発明1017]
前記加熱システムが側部ヒーターを備える、本発明1014のシリコン精製システム。
[本発明1018]
前記加熱システムが上部ヒーターを備える、本発明1016のシリコン精製システム。
[本発明1019]
前記加熱システムが上部カバーを備える、本発明1014のシリコン精製システム。
[本発明1020]
前記加熱システムコントローラーが、およそ720℃〜1100℃の範囲内において作動するように構成されている、本発明1014のシリコン精製システム。
[本発明1021]
析出したシリコンを溶融二成分シリコン合金内から取り出すためのすくい上げシステムをさらに備える、本発明1014のシリコン精製システム。
本発明の鋳型、鋳型システム、および関連する方法のこれらの例および他の例ならびに特徴については、以下の詳細な説明においてその一部を説明する。これらの概説は、本発明の主題の非限定的な例を提供することを意図するものであり、排他的または包括的な説明を提供することを意図するものではない。以下の詳細な説明は、本発明の鋳型、鋳型システム、および方法についてのさらなる情報を提供するために含められている。