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【手続補正書】
【提出日】平成28年10月7日(2016.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性容器のパッケージであって、
複数の容器を複数の対応する容器受け穴内でユニット化するキャリアであって、前記複数の対応する容器受け穴は、少なくとも２つの列を有して複数の容器受け穴を形成するキャリアと、
頂縁から延設されている少なくとも１つのフラップを備えた複数の可撓性容器であって、各可撓性容器は、対応する容器受け穴内に係合し、前記少なくとも１つのフラップの下に位置付けられる複数の可撓性容器とを備える可撓性容器のパッケージ。
【請求項２】
複数の容器を、複数の対応する容器受け穴内でユニット化されたパッケージであって、該パッケージは、一列の容器受け穴を有し、各容器受け穴は、対応する容器の外縁の周囲に伸張し、前記対応する容器から下方に延設されているフラップの下に位置付けられる、ユニット化されたパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月7日(2016.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
適する吸着法によって定義される、少なくとも９０％のゼオライト含量を有することを特徴とする、緻密ゼオライトプリフォーム。
【請求項２】
ゼオライトＹ、ゼオライトＸまたはゼオライトＡに基づくことを特徴とする、請求項１に記載の緻密ゼオライトプリフォーム。
【請求項３】
板の形態、管の形態、中実円柱の形態またはハニカム構造のような形態であることを特徴とする、請求項１または２に記載の緻密ゼオライトプリフォーム。
【請求項４】
緻密ゼオライトプリフォームを製造するための方法であって、
ａ）ゼオライトと、１つ以上のゼオライト前駆体成分と、必要な場合には水と、必要な場合には１つ以上の有機添加剤とを含有する成形可能な混合物をプリフォームに加工する工程、
ｂ）このようにして得たプリフォームを熱処理に付す工程、および
ｃ）熱処理されたプリフォームに、給水し又は給水せずに、熟成させ、そして前記ゼオライト前駆体成分との組み合わせでゼオライトを製造することができるさらなる成分と接触させ、そしてゼオライトが前記さらなる成分および前記ゼオライト前駆体成分から形成する条件に曝露する工程
を特徴とする方法。
【請求項５】
ゼオライトおよび前記ゼオライト前駆体成分から造られる前記混合物を押出、プレスまたは鋳造によって成形することを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
カオリンを主ゼオライト前駆体成分として使用することを特徴とする、請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
工程ａ）の前記ゼオライトおよび前記ゼオライト前駆体成分が、１０：１から１：１０の重量比であることを特徴とする、請求項４から６に記載の方法。
【請求項８】
工程ｂ）における熱処理を５５０℃から８５０℃の温度で行うことを特徴とする、請求項４から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
工程ｂ）における熱処理後に工程ｃ）における給水が続くことを特徴とする、請求項４から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
ケイ酸ナトリウム溶液および／またはアルミン酸ナトリウムを工程ｃ）においてさらなる成分として使用することを特徴とする、請求項４から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記さらなる成分と前記ゼオライト前駆体成分を工程ｃ）において７５℃から１００℃の範囲の温度で接触させることを特徴とする、請求項４から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記さらなる成分と前記ゼオライト前駆体成分を１から４８時間にわたって接触させることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
工程ｃ）における前記さらなる成分と前記ゼオライト前駆体成分を接触させるプロセスが、１５から６０℃の温度での処理の前に０．５時間から２４時間にわたって、７５℃から１００℃での温度処理をさらに含むことを特徴とする、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
工程ｃ）による混合物を１つ以上の水酸化アルカリ溶液および水で洗浄し、２重量％未満の残留含水量まで乾燥して活性化することを特徴とする、請求項４から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項４から１４に記載の方法のいずれか１つに従って入手できる緻密ゼオライトプリフォーム。
【請求項１６】
吸着プロセスのための、または熱化学エネルギー貯蔵のための、または触媒としての、または触媒の成分としての、またはゼオライト膜用の支持材としての、請求項１から３および１５のいずれか一項に記載の緻密ゼオライトプリフォームの利用。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月7日(2016.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット及び１又は複数のリスク臓器を含む被検体身体領域の少なくとも一部のベースライン及びリアルタイム３Ｄ画像を生成するリアルタイム３Ｄイメージングユニットと、
被検体身体領域の計画画像及び前記ベースライン３Ｄ画像を変形可能に位置合わせし、前記計画画像内の組織の放射線吸収特性を前記ベースライン３Ｄ画像にマップする位置合わせユニットと、
放射線治療処置の間、前記リアルタイム３Ｄ画像に基づいて前記ターゲット及び前記リスク臓器の動きを測定する動きユニットと、
前記ベースライン３Ｄ画像又は前記計画画像から前記リアルタイム３Ｄ画像にマップされる組織放射線吸収特性に基づいて、前記ターゲット及び前記リスク臓器に供給されるリアルタイム放射線線量を計算するリアルタイム線量計算エンジンと、
を有する放射線治療システム。
【請求項２】
前記動きユニットは、前記マップされた放射線吸収特性をもつ前記ベースライン３Ｄ画像を、前記リアルタイム３Ｄ画像と位置合わせする、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ターゲットボリュームを横切るように被検体身体領域に放射線ビームを供給する放射線源を更に有し、各放射線ビームは、放射線治療計画に基づくサイズ、形状、方向、強度及び持続時間をもつ、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
被検体身体領域に供給される前記計算されたリアルタイム放射線線量は、前記計画画像の各ボクセルごとに計算された累積線量を含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項５】
組織に供給される前記計算されたリアルタイム放射線線量は、前記計画画像の各ボクセルごとに計算された蓄積された線量と、放射線治療処置の残りの部分について放出される計算された累積線量と、を含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項６】
放射線供給が、前記計算されたリアルタイム累積線量に基づいて変更される、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項７】
前記リアルタイム３Ｄイメージングユニットが、
リアルタイム３Ｄ超音波画像を生成する超音波手段と、
前記リアルタイム３Ｄ超音波画像を生成するために、超音波を送受信する超音波プローブの位置及び／又は向きを制御するロボットと、
を有する、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
放射線吸収特性が組織の密度を含む、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項９】
前記計算されたリアルタイム累積放射線線量を、前記計画画像上に重ねて表示するディスプレイ装置を更に有する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記計算されたリアルタイム累積放射線線量と計画された放射線線量との間の差を、前記計画画像上に重ねて表示するディスプレイ装置を更に有する、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１１】
線形加速器と、
リアルタイムにロボット制御される超音波イメージングユニットと、
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のシステムを作動させる１又は複数のプロセッサと、
を有する放射線治療システム。
【請求項１２】
前記線形加速器が、被検体身体内の少なくとも１つのターゲットボリュームに向けられる複数の放射線ビームを生成し、各放射線ビームが、放射線治療計画に基づくサイズ、形状、方向、強度及び持続時間をもつ、請求項１１に記載の放射線治療システム。
【請求項１３】
前記超音波イメージングユニットが、複数の放射線ビームに曝露される少なくとも１つのターゲットボリューム及び周囲組織を含む被検体身体の領域の３Ｄ超音波画像を生成する、請求項１１に記載の放射線治療システム。
【請求項１４】
コンピュータトモグラフィ（ＣＴ）Ｘ線計画画像と、処置前に前記超音波イメージングユニットによって生成されたベースライン超音波画像とを変形可能に位置合わせし、３Ｄ組織密度マップを生成するために、ＣＴ計画画像に基づく組織密度を、ベースライン３Ｄ超音波画像にマップする位置合わせユニットと、
ターゲットボリューム及び周囲組織の動きを測定し、前記３Ｄ組織密度マップを、前記超音波イメージングユニットによって生成されるリアルタイム３Ｄ超音波画像と位置合わせする超音波動きユニットと、
前記３Ｄ組織密度マップ、前記リアルタイム３Ｄ超音波画像、及び前記測定された動きに基づいて、前記少なくとも１つのターゲットボリューム、リスク臓器及び周囲組織に供給されるリアルタイム放射線線量を計算する線量計算エンジンと、
を更に有する、請求項１１に記載の放射線治療システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
創傷活性ナノスケールポリマーマトリックスマイクロシートであって、
創傷活性ナノスケールポリマー層の中に創傷活性剤を組み込まれた前記創傷活性ナノスケールポリマー層と、
前記創傷活性ナノスケールポリマー層に隣接する第２のポリマー層と、
を含む、創傷活性ナノスケールポリマーマトリックスマイクロシート。
【請求項２】
前記創傷活性ナノスケールポリマー層は厚さ約０．５ｎｍ〜５０００ｎｍである、請求項１に記載のマイクロシート。
【請求項３】
前記創傷活性ナノスケールポリマー層は、高分子電解質、脂質、タンパク質、コラーゲン、ヒアルロン酸、キトサン、ケラチン、フィブロネクチン、ビトロネクチン、ラミニン、多糖、ポリ酸無水物、ポリ（乳酸−コ−グリコール酸）（ＰＬＧＡ）、ポリ（Ｌ−乳酸）（ＰＬＬＡ）、及びその組合せ又はその断片からなる群より選択されるポリマーを含む、請求項１に記載のマイクロシート。
【請求項４】
前記創傷活性ナノスケールポリマー層はポリマー多層である、請求項１に記載のマイクロシート。
【請求項５】
前記ポリマー多層は、少なくとも１つの正電荷の高分子電解質の層と少なくとも１つの負電荷の高分子電解質の層とを交互にすることによって形成され、
前記少なくとも１つの正電荷の高分子電解質は、ポリ（アリルアミン塩酸塩）（ＰＡＨ）、ポリＬ−リジン（ＰＬＬ）、ポリ（エチレンイミン）（ＰＥＩ）、ポリ（ヒスチジン）、ポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノアクリレート）、ポリ（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアミノアクリレートクロライド）、ポリ（メチアクリルアミドプロピルトリメチルアンモニウムクロライド）、及びキトサン等の天然又は合成多糖からなる群より選択され、
前記少なくとも１つの負電荷の高分子電解質は、ポリ（アクリル酸）（ＰＡＡ）、ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＳＳ）、アルギネート、ヒアルロン酸、ヘパリン、ヘパランスルフェート、コンドロイチンスルフェート、デキストランスルフェート、ポリ（メタ）アクリル酸、酸化セルロース、カルボキシメチルセルロース、ポリアスパラギン酸、及びポリグルタミン酸からなる群より選択される、請求項４に記載のマイクロシート。
【請求項６】
前記創傷活性剤は、前記創傷活性剤が前記ナノスケールポリマー多層の層内に散在するように、前記ナノスケールポリマー多層に組み込まれる、請求項１に記載のマイクロシート。
【請求項７】
前記創傷活性剤は、抗菌剤、抗バイオフィルム剤、成長因子、止血剤、生物活性ペプチド、生物活性ポリペプチド、鎮痛剤、抗凝固剤、抗炎症剤、及び薬物分子又は薬物化合物からなる群より選択される、請求項１に記載のマイクロシート。
【請求項８】
前記抗菌剤は、金属イオン抗菌剤、又は小分子抗菌剤であり、
前記金属イオン抗菌剤は、銀イオン、銀イオン塩、及び銀イオンナノ粒子からなる群より選択され、
前記小分子抗菌剤は、銀、クロルヘキシジン、抗生物質、ポリヘキサメチレンビグアナイド（ＰＨＭＢ）、ヨウ素、カデキソマーヨウ素、ポビドンヨウ素（ＰＶＩ）、過酸化水素、及び酢（酢酸）からなる群より選択される、請求項７に記載のマイクロシート。
【請求項９】
前記抗バイオフィルム剤は、小分子抗バイオフィルム剤、荷電小分子抗バイオフィルム剤、抗バイオフィルムポリペプチド、抗バイオフィルム酵素、金属粒子、及び金属イオン抗バイオフィルム剤からなる群より選択され、
前記金属イオン抗バイオフィルム剤は、ガリウムイオン、ガリウムイオン塩、ガリウムイオンナノ粒子、ガリウム合金、又はガリウム及び銀の合金である、請求項７に記載のマイクロシート。
【請求項１０】
前記第２のポリマー層は、厚さ１μｍ〜厚さ１０，０００μｍである、請求項１に記載のマイクロシート。
【請求項１１】
前記第２のポリマー層は、抗菌剤、抗バイオフィルム剤、成長因子、止血剤、生物活性ペプチド、生物活性ポリペプチド、鎮痛剤、抗凝固剤、抗炎症剤、及び薬物分子又は薬物化合物からなる群より選択される、創傷活性剤を含む、請求項１に記載のマイクロシート。
【請求項１２】
前記創傷活性剤は、前記創傷活性ナノスケールポリマー層の中の前記創傷活性剤が５、１０、２０、２５、又は３０日間まで、１日当り約０．０１〜１００μｇ／ｃｍ２の率で放出されるような量で提供される、請求項１に記載のマイクロシート。
【請求項１３】
前記マイクロシートが表面に適用された場合、前記第２のポリマー層が水分に曝されると溶解し、前記表面上に前記ナノスケールポリマー層を残す、請求項１に記載のマイクロシート。
【請求項１４】
前記第２のポリマー層は、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリアクリル酸（ＰＡＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、又はポリビニルアセテート（ＰＶＡｃ）からなる群より選択される、ポリマーを含む、請求項１に記載のマイクロシート。
【請求項１５】
請求項１に記載のマイクロシートを含む、医療デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月6日(2016.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験者に疼痛を報告するように訓練する方法であって、
ａ）誘発させた疼痛刺激に対して前記被験者の報告された疼痛しきい値および許容値を求めることと、
ｂ）標準疼痛報告尺度を用いて、自発疼痛指標に対する前記被験者の報告された疼痛を求めることと、
ｃ）標準疼痛報告尺度を用いて、前記被験者の前記疼痛しきい値と許容値との間の強度の有害刺激に対する前記被験者の応答プロファイルを求めることと、
ｄ）（ａ）、（ｂ）および（ｃ）において収集したデータの分析によって、前記被験者の前記疼痛報告の精度および／または信頼性を判定することと、
ｅ）疼痛報告の前記精度および前記信頼性に関して、前記被験者に教育的フィードバックを提供することと、
ｆ）ステップ（ａ）〜（ｅ）を１回以上繰り返すことと、を含む方法。
【請求項２】
ステップ（ｆ）は、望ましい報告の精度が得られるまで繰り返される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（ｆ）は、所定の回数繰り返される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
疼痛を正確に報告する被験者を特定する方法であって、
ａ）誘発させた疼痛刺激に対して前記被験者の報告された疼痛しきい値および許容値を求めることと、
ｂ）標準疼痛報告尺度を用いて、自発疼痛指標に応じて前記被験者の報告された疼痛を求めることと、
ｃ）標準疼痛報告尺度を用いて、前記被験者の前記疼痛しきい値と許容値との間の疼痛を誘発する有害刺激に対する前記被験者の応答プロファイルを求めることと、
ｄ）（ａ）、（ｂ）および（ｃ）において得られたデータの分析によって、前記被験者の前記疼痛報告の精度および／または信頼性の判定をすることと、を含み、
疼痛を正確に報告する被験者は、所望のしきい値を上回る疼痛の報告の精度および／または信頼性を有することによって特定される、方法。
【請求項５】
前記被験者の前記疼痛のしきい値および許容値は、機械的圧力または熱刺激に対して求められる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記疼痛指標が変形性関節症による膝痛である、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記有害刺激が機械的圧力を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記有害刺激がランダムな強度で加えられる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記有害刺激は、前記被験者のしきい値と許容値との間で等間隔に置かれた抑制された間隔レベルで加えられる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記有害刺激は、間隔レベル５〜９で加えられる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
１回のセッションの間に有害刺激の各間隔レベルが３〜７回前記被験者に加えられる、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記標準疼痛報告尺度は、数値評価尺度（ＮＲＳ）または言語式アナログ尺度（ＶＡＳ）である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記被験者の前記疼痛報告の精度および／または信頼性が、変動係数、クラス内相関係数、精神物理的関数に対する最小二乗近似から求めるＲ２曲線近似統計量、および／または「三角法」を用いた前記予測疼痛評点と実際の疼痛評点との間の残差を用いて求められる、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
疼痛を正確に報告する被験者は、変動係数が１未満であり、クラス内相関係数は、０．８超であり、Ｒ２は０．５超であり、および／または三角法の残差は、使用される前記応答尺度範囲の２０％未満の範囲であることによって特定される、請求項４または１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月17日(2016.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記スカルペットアレイの少なくとも１つの寸法は、前記ダーマトームの少なくとも１つの寸法に一致するように構成する工程を含む、請求項２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記複数のスカルペットの各スカルペットを斜角を有する表面で構成する工程を含む、請求項２に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記スカルペットアレイの少なくとも１つの寸法は、前記ドラムダーマトームのドラムの少なくとも１つの寸法に一致するように構成する工程を含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５２】
前記ダーマトームは、ドラムを含むドラムダーマトームである、請求項５１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月24日(2016.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
示される実施形態では、回折格子１２０の局所的周期は、Λ＝ｆλ／ｒにより与えられ、Λは、周期であり、ｆは、回折面の焦点距離であり、ｒは、光軸からの距離であり、λは、光波長である。焦点距離および周期Λは、エシェレット格子１２２の曲率半径に依存する。上記に説明されるように、輪帯１１２、１１４、１１６、および１１８の曲率半径は、異なる。したがって、また、焦点距離および格子周期は、輪帯１１２、１１４、１１６、および１１８のそれぞれで異なる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼科用レンズであって、
前面と、
後面と、
光軸と、
前記前面および前記後面のうちの少なくとも１つの上に配置された少なくとも１つの回折格子パターンであって、前記光軸からの複数の距離範囲に対応する複数の輪帯を含み、前記複数の輪帯のそれぞれが、焦点距離に対応する曲率半径を有する複数のエシェレット格子を有し、前記複数の輪帯の少なくとも一部のそれぞれの前記曲率半径が、前記複数の輪帯の前記少なくとも一部の別のものの前記曲率半径とは異なる、回折格子パターンと、を含む、眼科用レンズ。
【請求項２】
前記複数のエシェレット格子のそれぞれが、高さを有し、前記複数の輪帯のそれぞれの前記高さが、前記複数の輪帯の別のものの前記高さと等しい、請求項１に記載の眼科用レンズ。
【請求項３】
前記複数の輪帯のそれぞれの前記曲率半径に対応する前記焦点距離が、前記光軸からの輪帯距離と共に単調に変化する、請求項１に記載の眼科用レンズ。
【請求項４】
前記複数の輪帯のそれぞれの前記曲率半径が、前記光軸からの輪帯距離と共に単調に変化する、請求項１に記載の眼科用レンズ。
【請求項５】
前記複数の輪帯のそれぞれの前記曲率半径がさらに、前記眼科用レンズの球面収差の原因となるように構成される、請求項１に記載の眼科用レンズ。
【請求項６】
前記眼科用レンズが、シリコーン、ハイドロゲル、アクリル、およびＡｃｒｙＳｏｆ（登録商標）のうちの少なくとも１つから製作される、請求項１に記載の眼科用レンズ。
【請求項７】
前記複数の輪帯のうちの前記１つの輪帯が、第１の被写界深度を有し、眼科用レンズが、前記複数の輪帯に対応する第２の被写界深度を有し、前記第２の被写界深度が、前記第１の被写界深度より大きい、請求項１に記載の眼科用レンズ。
【請求項８】
前記第２の被写界深度が、前記第１の被写界深度の少なくとも２倍である、請求項７に記載の眼科用レンズ。
【請求項９】
前記第２の被写界深度が、前記第１の被写界深度の少なくとも３倍である、請求項７に記載の眼科用レンズ。
【請求項１０】
眼科用装置であって、
前面、後面、光軸、ならびに前記前面および前記後面のうちの少なくとも１つの上に配置された少なくとも１つの回折パターンを有する、眼科用レンズであって、前記少なくとも１つの回折格子パターンが、前記光軸からの複数の距離範囲に対応する複数の輪帯を含み、前記複数の輪帯のそれぞれが、焦点距離に対応する曲率半径を有する複数のエシェレット格子を有し、前記複数の輪帯の少なくとも一部のそれぞれの前記曲率半径が、前記複数の輪帯の前記少なくとも一部の別のものの前記曲率半径とは異なる、眼科用レンズと、
前記眼科用レンズと連結された複数のハプティックと、を含む、眼科用装置。
【請求項１１】
前記複数のエシェレット格子のそれぞれが、高さを有し、前記複数の輪帯のそれぞれの前記高さが、前記複数の輪帯の別のものの前記高さと等しい、請求項１０に記載の眼科用装置。
【請求項１２】
前記複数の輪帯のそれぞれの前記曲率半径に対応する前記焦点距離が、前記光軸からの輪帯距離と共に単調に変化する、請求項１０に記載の眼科用装置。
【請求項１３】
前記複数の輪帯のそれぞれの前記曲率半径が、前記光軸からの輪帯距離と共に単調に変化する、請求項１０に記載の眼科用装置。
【請求項１４】
前記複数の輪帯のそれぞれの前記曲率半径がさらに、前記眼科用レンズの球面収差の原因となるように構成される、請求項１０に記載の眼科用装置。
【請求項１５】
前記眼科用レンズが、シリコーン、ハイドロゲル、アクリル、およびＡｃｒｙＳｏｆ（登録商標）のうちの少なくとも１つから製作される、請求項１０に記載の眼科用装置。
【請求項１６】
前記複数の輪帯のうちの前記１つの輪帯が、第１の被写界深度を有し、眼科用レンズが、前記複数の輪帯に対応する第２の被写界深度を有し、前記第２の被写界深度が、前記第１の被写界深度より大きい、請求項１０に記載の眼科用装置。
【請求項１７】
前記第２の被写界深度が、前記第１の被写界深度の少なくとも２倍である、請求項１６に記載の眼科用装置。
【請求項１８】
前記第２の被写界深度が、前記第１の被写界深度の少なくとも３倍である、請求項１６に記載の眼科用装置。
【請求項１９】
患者の眼の病態の治療方法であって、
前記患者の眼内への埋め込みのための眼科用装置を選択することであって、前記眼科用装置が、前面、後面、光軸、ならびに前記前面および前記後面のうちの少なくとも１つの上に配置された少なくとも１つの回折パターンを有する、眼科用レンズを含み、前記少なくとも１つの回折格子パターンが、前記光軸からの複数の距離範囲に対応する複数の輪帯を含み、前記複数の輪帯のそれぞれが、焦点距離に対応する曲率半径を有する複数のエシェレット格子を有し、前記複数の輪帯の少なくとも一部のそれぞれの前記曲率半径が、前記複数の輪帯の前記少なくとも一部の別のものの前記曲率半径とは異なる、選択することと、
前記患者の前記眼内に前記眼科用装置を埋め込むことと、を含む、治療方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月21日(2016.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な支持体の上のナノワイヤのアレイを備えるＬＥＤ構造を物質によって処理する方法であって、物質源で前記物質を生成し、前記物質を線に沿って前記アレイまで移動させることを含み、
（ｉ）前記物質がたどる前記線と前記支持体の平面とが成す角度は、前記支持体の中心から測定した場合に９０°未満であり、且つ
（ｉｉ）前記物質は、前記物質により処理される前と比較して前記ナノワイヤの部分を非導電性にさせるか又は前記部分の導電率を低下させることが可能であることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記物質は絶縁体であり、前記ナノワイヤの前記部分を被覆することにより、前記部分を非導電性にさせるか又は前記部分の導電率を低下させるか、
前記物質はＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２又はそれらの組み合わせ又は合金を含むか、
前記物質はＳｉＯ２、ＳｉＣＯＨ、ＳｉＮ又はＴｉＯ２を含むか、又は
前記物質はＨ＋原子又はＨ２＋分子を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ナノワイヤの前記部分を非導電性にさせるか又は前記部分の導電率を低下させるために、前記物質は前記部分と反応することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記物質はＨｅ＋、Ｎ＋、Ｎ２＋又はＡｒ＋を含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記角度は４５°未満であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記物質は、物理気相成長（ＰＶＤ）により形成され且つ前記ナノワイヤまで移動されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ナノワイヤは先端部及び側壁を備え、前記アレイは縁部ナノワイヤ及び中央部ナノワイヤを備え、前記角度は、前記中央部ナノワイヤが前記先端部で非導電性にされ且つ前記側壁の全体ではなく一部に沿って非導電性にされるような角度であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記方法は、Ａｌ２Ｏ３又は他の何らかの誘電体の成膜を含み、前記ナノワイヤの先端部におけるＡｌ２Ｏ３の深さは５０〜２００ｎｍの間であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ナノワイヤは、第１の導電型のナノワイヤコアと、第２の導電型のナノワイヤシェルとを備え、
動作中に光を発生する活性領域を提供するｐｎ接合又はｐｉｎ接合を形成するために、前記第１の導電型の半導体ナノワイヤコアは、前記第２の導電型の半導体シェルにより取り囲まれるか、又は、
前記支持体の層は反射層を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ｎ−ＧａＮバッファ層及び非導電性基板層を備える支持体と、前記支持体上のナノワイヤのアレイとを備え、前記ナノワイヤがｐ−ＧａＮシェルにより取り囲まれたｎ−ＧａＮコアを備えるＬＥＤ構造であって、
（ｉ）前記ｎ−ＧａＮバッファ層と電気的に接触する金属コンタクトを備えるｎ電極領域と、
（ｉｉ）ｐ電極領域と
を備え、前記ｐ電極領域は、
（ａ）ナノワイヤの先端部及び第１グループのナノワイヤの側壁の第１の部分を含むが、前記第１グループのナノワイヤの前記側壁の第２の部分を含まない非導電層と、
（ｂ）前記第１グループのナノワイヤの前記側壁の前記第２の部分と電気的に接触する導電層と、
（ｃ）前記導電層と電気的に接触する金属コンタクトと
を備えることを特徴とするＬＥＤ構造。
【請求項１１】
前記非導電層は、第２グループのナノワイヤのすべての側壁を含み、前記第１グループのナノワイヤは前記ナノワイヤのアレイの内側にあり且つ前記第２グループのナノワイヤは前記ナノワイヤのアレイの外側縁部にあることを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１２】
前記非導電層は、前記先端部の最上部及び前記側壁の各部の絶縁材料層を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１３】
前記非導電層は、導電率を低下させるか又は零にするために改質されたｐ−ＧａＮシェルの改質部分を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１４】
前記金属コンタクトは、Ａｌの層、Ｔｉの層及びＡｕの層を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ構造。
【請求項１５】
前記Ａｌの層は、前記ｎ電極では前記ｎ−ＧａＮバッファ層と直接接触し、前記ｐ電極では前記導電層と直接接触していることを特徴とする請求項１４に記載のＬＥＤ構造。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年9月1日(2016.9.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手側コネクタを固定すると共に、相手側コネクタをコネクタハウジングから押し出すラッチであって、
前記ラッチをコネクタハウジングに枢動可能に取り付けるように構成されたヒンジ部分と、
前記ヒンジ部分の第１の側部から第１の方向に沿って延在するアーム部分と、
前記ヒンジ部分の反対側の第２の側部から、前記第１の方向とは異なる第２の方向に沿って延在する、一対の個別の離間したヒンジアームと、
前記アーム部分から、前記第１の方向とは異なる第４の方向に沿って延在すると共に、ユーザによって押されると前記ラッチを作動させるように適合された、作動部分と、を備え、
前記ヒンジアームが、前記コネクタハウジングの底壁及び側壁を通って延在する一対の対応する離間したラッチ開口部を通って、前記相手側コネクタを押し出すように構成され、
前記アーム部分と前記作動部分との間の作動角度が９０°以下である、ラッチ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
少なくとも一実施形態では、本体部分１０２は、その側面１４６上に配設された偏り要素１４４を更に含む。偏り要素１４４は、例えば、コネクタハウジング６００の偏り開口部６２８（図１６ａ〜図１６ｅ）など、相手側コネクタの偏り開口部と係合するように構成される。偏り要素１４４は、挿入方向Ａで延在する背の高い隆起１４８を含む。背の高い隆起１４８は、偏り開口部内に配設されるように構成される。偏り要素１４４及び偏り開口部はその組み合わせによって、相手側電気コネクタ１が間違って、即ち挿入方向Ａを中心にして１８０°回転されて、相手側コネクタに嵌合されることを防ぐ。少なくとも一実施形態では、偏り要素１４４は、挿入方向Ａで延在する背の低い隆起１５０を更に含む。背の低い隆起１５０は、例えばコネクタハウジング６００の内表面６５２（図１６ａ〜図１６ｅ）など、相手側コネクタの表面を摩擦係合するように構成される。少なくとも一態様では、これにより、相手側電気コネクタ１を相手側コネクタにしっかりと取り付けることが可能になり、別個のラッチ留め／押出し機構がないときに特に有用である。偏り要素１４４は、本体部分１０２のどちら側の任意の好適な位置にあってもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
少なくとも一実施形態では、側壁６０６は、側壁６０６の中央に偏り開口部６２８を含む。偏り開口部６２８は、例えば、相手側電気コネクタ１のコネクタハウジング１００の偏り要素１４４など、相手側コネクタの偏り要素の一部を受け入れるように構成される。偏り開口部６２８及び偏り要素はその組み合わせによって、相手側電気コネクタが間違って、即ち挿入方向Ａを中心にして１８０°回転させて、電気コネクタ２に嵌合されるのを防止する。少なくとも一実施形態では、側壁６０６は、偏り開口部６２８内へと延在する一対の係合要素６５０を含む。係合要素６５０は、例えば相手側電気コネクタ１のコネクタハウジング１００の偏り要素１４４など、相手側コネクタの偏り要素と摩擦係合するように構成された内表面６５２を含む。この例では、内表面６５２は、偏り要素１４４のより低い隆起１５０と摩擦係合するように構成される。少なくとも一態様では、これにより、相手側コネクタを電気コネクタ２にしっかりと取り付けることが可能になり、これは、別個のラッチ留め／押出し機構がないときに特に有用である。少なくとも一実施形態では、側壁６０８は、側壁６０８の内表面６０８ａから延在する係合斜面６３０を含む。係合斜面６３０は、例えば相手側電気コネクタ１など、相手側コネクタと係合するように構成される。少なくとも一態様では、相手側電気コネクタ１をコネクタハウジング６００に挿入する間、側壁６０８上の係合斜面６３０は、相手側電気コネクタ１を側壁６０６の方へ導いて、偏り要素１４４のより低い隆起１５０が側壁６０６上の係合要素６５０の内表面６５２と適切に摩擦係合することを確保する。偏り開口部６２８、係合要素６５０、及び係合斜面６３０は、どちらかの側壁上の、任意の好適な位置にあってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月11日(2016.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャルシリコンと、
前記エピタキシャルシリコンの上に形成された少なくとも１つの転送ゲートと、
前記少なくとも１つの転送ゲートに隣接して前記エピタキシャルシリコン内に形成されたピンドフォトダイオードと、
前記エピタキシャルシリコンに注入されたマルチピンド（ＭＰ）インプラント層であって、前記ピンドフォトダイオードは前記ＭＰインプラント層の部分を備え、前記ＭＰインプラント層の他の部分は前記少なくとも１つの転送ゲートの下方にある、マルチピンド（ＭＰ）インプラント層と、
前記少なくとも１つの転送ゲートのうちの少なくとも１つに近接し、前記ＭＰインプラント層の中に少なくとも部分的に延在するセンスノードと、
を備えるＣＭＯＳピクセル。
【請求項２】
前記ＭＰインプラント層は、前記少なくとも１つの転送ゲートが反転状態にあるときに前記少なくとも１つの転送ゲート下方の前記ＭＰインプラント層内の暗電流の不動態化を促進し、転送状態にあるときに電荷転送状態を助長する、
請求項１に記載のＣＭＯＳピクセル。
【請求項３】
前記ＭＰインプラント層は、前記エピタキシャルシリコンの表面を、前記ＣＭＯＳピクセル内の複数の場所において前記ＭＰインプラント層によって確立されたピンニング電位にピンニングするように動作する、
請求項１に記載のＣＭＯＳピクセル。
【請求項４】
前記複数の場所は、少なくとも前記ピンドフォトダイオード及び前記少なくとも１つの転送ゲートである、
請求項３に記載のＣＭＯＳピクセル。
【請求項５】
前記少なくとも１つの転送ゲートは、第１のゲート及び第２のゲートを含み、
前記ピンドフォトダイオードに隣接する前記第２のゲートは、前記第２のゲートの下方に前記ＭＰインプラント層の一部を有する、
請求項１に記載のＣＭＯＳピクセル。
【請求項６】
前記第２のゲートに近接し、前記ＭＰインプラント層の中に少なくとも部分的に延在して形成されたドレインを更に備える、
請求項５に記載のＣＭＯＳピクセル。
【請求項７】
前記少なくとも１つの転送ゲートのうちの少なくとも１つに電位を印加するための制御回路を更に備え、前記電位は、前記少なくとも１つの転送ゲートのうちの少なくとも１つを反転させて、暗電流を不動態化する、
請求項５に記載のＣＭＯＳピクセル。
【請求項８】
前記電位は、前記エピタキシャルシリコンの電位の約０．５ボルト以内である、
請求項７に記載のＣＭＯＳピクセル。
【請求項９】
エピタキシャルシリコンと、
前記エピタキシャルシリコンの上に形成された少なくとも１つの転送ゲートと、
前記少なくとも１つの転送ゲートに隣接して前記エピタキシャルシリコン内に形成されたピンドフォトダイオードと、
前記エピタキシャルシリコンに注入されたマルチピンド（ＭＰ）インプラント層であって、前記ピンドフォトダイオードは前記ＭＰインプラント層の部分を備え、前記ＭＰインプラント層の他の部分は前記少なくとも１つの転送ゲートの下方にあり、前記ＭＰインプラント層は、ＣＭＯＳピクセルの実質的に全体にわたって延在する、マルチピンド（ＭＰ）インプラント層と、
を備えるＣＭＯＳピクセル。
【請求項１０】
前記ＭＰインプラント層は、少なくとも４５０オングストロームの深さまで注入されている、
請求項１に記載のＣＭＯＳピクセル。
【請求項１１】
前記ＭＰインプラント層は、約２０ＫｅＶ〜約３０ＫｅＶのエネルギーで、約１×１０１２イオン／ｃｍ２のドーズ量まで注入することにより形成されている、
請求項１に記載のＣＭＯＳピクセル。
【請求項１２】
前記エピタキシャル層内に形成された障壁インプラントを更に備え、前記障壁インプラントは、前記ピンドフォトダイオードに更なる電荷収集能力を与えるために前記少なくとも１つの転送ゲートの下に少なくとも部分的に延在する、
請求項１に記載のＣＭＯＳピクセル。
【請求項１３】
前記ＭＰインプラント層は、前記ピンドフォトダイオードの中に、かつ前記少なくとも１つの転送ゲート下方に、部分的にのみ延在する、
請求項１に記載のＣＭＯＳピクセル。
【請求項１４】
前記ＣＭＯＳピクセルは、ＰＭＯＳピクセル又はＮＭＯＳピクセルである、
請求項１に記載のＣＭＯＳピクセル。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月4日(2016.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【表３】
2015536550.tif 000001
本発明のまた別の態様は、以下のとおりであってもよい。
〔１〕ポリマー繊維を含む少なくとも１つの不織布シートを含む電気化学セルのためのセパレーター材料であって、前記不織布シートが、０．５〜１．５ｍ2／ｇの表面積を有し、前記セパレーターが、スルホン化を受けないときの前記材料に比べてその縦方向（ＭＤ）の引張強さの少なくとも７０％を保持する、セパレーター材料。
〔２〕前記ポリマー繊維がスルホン化され、少なくとも０．６７重量％の硫黄を含有する、前記〔１〕に記載のセパレーター材料。
〔３〕前記ポリマー繊維が、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリアラミド、ポリスルホン、ポリイミド、フッ素化ポリマーおよびそれらの組み合わせからなる群から選択されるポリマーを含む、前記〔１〕に記載のセパレーター材料。
〔４〕前記ポリマー繊維が、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブチレンおよびポリメチルペンテンからなる群から選択されるポリオレフィンポリマーから製造される、前記〔３〕に記載のセパレーター材料。
〔５〕前記ポリマー繊維が、円形でない断面を有する、前記〔１〕に記載のセパレーター材料。
〔６〕前記ポリマー繊維が、プレキシフィラメント状繊維ストランドである、前記〔１〕に記載のセパレーター材料。
〔７〕前記不織布シートが、前記縦方向に一軸延伸された不織布シートである、前記〔１〕に記載のセパレーター材料。
〔８〕前記不織布シートが、０．５〜１．０ｍ2／ｇの表面積を有する、前記〔１〕に記載のセパレーター材料。
〔９〕前記不織布シートが、繊維の１００％に対して繊維の数平均直径が１マイクロメートル超である繊維からなる、前記〔１〕に記載のセパレーター材料。
〔１０〕前記不織布シートが、０．２０ｍｍｏｌｅ／ｇのアンモニア捕捉量および少なくとも１６ニュートン／センチメートル（Ｎ／ｃｍ）の縦方向引張強さの残率を有する、前記〔１〕に記載のセパレーター材料。
〔１１〕前記不織布シートが、平均流れ細孔径の２．５倍以上であり最小細孔径の１１倍超である最大細孔径を有する、前記〔１〕に記載のセパレーター材料。
〔１２〕電気化学セルのためのセパレーター材料を製造するための方法であって、
ノルマルペンタンとシクロペンタンとの混合物からなる紡糸剤中の１２重量％〜２４重量％のポリエチレンの溶液を２０５℃〜２２０℃の紡糸温度においてフラッシュ紡糸してプレキシフィラメント状繊維ストランドを形成し、前記プレキシフィラメント状繊維ストランドを非接着ウェブ状に集める工程と、
５ｃｍ〜３０ｃｍ離して配置された１２４℃〜１５４℃の温度の加熱引取ロールの間で前記非接着ウェブを縦方向に一軸延伸して３％〜２５％延伸し、延伸ウェブを形成する工程と、
前記延伸ウェブを１２４℃〜１５４℃の温度の加熱接着ロールの間で接着して不織布シートを形成する工程であって、前記不織布シートが、０．５〜約１．５ｍ2／ｇの表面積を有し、平均流れ細孔径の２．５倍超であり最小細孔径の１１倍超である最大細孔径を有する工程とを含む、方法。
〔１３〕前記延伸ウェブを接着した後に前記不織布シートをスルホン化する工程をさらに含む、前記〔１２〕に記載のセパレーター材料を製造するための方法。
〔１４〕バッテリーまたはキャパシタのどちらかである、前記〔１〕に記載の電気化学セル。
〔１５〕ポリマー繊維を含む少なくとも１つの不織布シートをさらに含むセパレーター材料を含むアルカリバッテリーである電気化学セルであって、前記不織布シートが、０．５〜１．５ｍ2／ｇの表面積を有し、前記不織布シートが、平均流れ細孔径の２．５倍以上であり最小細孔径の１１倍超である最大細孔径を有し、前記ポリマー繊維がスルホン化され、少なくとも０．６７重量％の硫黄を含有し、前記セパレーターが、スルホン化を受けないときの前記材料に比べてその縦方向（ＭＤ）の引張強さの少なくとも７０％を保持する、電気化学セル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー繊維を含む少なくとも１つの不織布シートを含む電気化学セルのためのセパレーター材料であって、前記不織布シートが、０．５〜１．５ｍ2／ｇの表面積を有し、前記セパレーターが、スルホン化を受けないときの前記材料に比べてその縦方向（ＭＤ）の引張強さの少なくとも７０％を保持する、セパレーター材料。
【請求項２】
電気化学セルのためのセパレーター材料を製造するための方法であって、
ノルマルペンタンとシクロペンタンとの混合物からなる紡糸剤中の１２重量％〜２４重量％のポリエチレンの溶液を２０５℃〜２２０℃の紡糸温度においてフラッシュ紡糸してプレキシフィラメント状繊維ストランドを形成し、前記プレキシフィラメント状繊維ストランドを非接着ウェブ状に集める工程と、
５ｃｍ〜３０ｃｍ離して配置された１２４℃〜１５４℃の温度の加熱引取ロールの間で前記非接着ウェブを縦方向に一軸延伸して３％〜２５％延伸し、延伸ウェブを形成する工程と、
前記延伸ウェブを１２４℃〜１５４℃の温度の加熱接着ロールの間で接着して不織布シートを形成する工程であって、前記不織布シートが、０．５〜約１．５ｍ2／ｇの表面積を有し、平均流れ細孔径の２．５倍超であり最小細孔径の１１倍超である最大細孔径を有する工程とを含む、方法。
【請求項３】
ポリマー繊維を含む少なくとも１つの不織布シートをさらに含むセパレーター材料を含むアルカリバッテリーである電気化学セルであって、前記不織布シートが、０．５〜１．５ｍ2／ｇの表面積を有し、前記不織布シートが、平均流れ細孔径の２．５倍以上であり最小細孔径の１１倍超である最大細孔径を有し、前記ポリマー繊維がスルホン化され、少なくとも０．６７重量％の硫黄を含有し、前記セパレーターが、スルホン化を受けないときの前記材料に比べてその縦方向（ＭＤ）の引張強さの少なくとも７０％を保持する、電気化学セル。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月18日(2016.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
深度カメラから１つまたは複数の深度画像を受信するステップであって、前記深度画像が、前記深度画像の各ピクセルによってイメージされた表面の深度を示す、ステップと、
手の関節と頭の関節とを含む仮想的な骨格によって、前記深度画像によってイメージされた人間の対象をモデリングするステップと、
前記仮想的な骨格の前記頭の関節の周りの領域において顔認識を実行して、前記仮想的な骨格によってモデリングされる前記人間の対象の識別情報を判定するステップと、
前記深度画像のうちの１つまたは複数の中で、制御デバイスから発せられたビーコンを認識するステップと、
前記発せられたビーコンに最も近い手の関節を見つけるステップと、
前記ビーコンを発した前記制御デバイスを、前記発せされたビーコンに最も近い前記手の関節を含む仮想的な骨格によってモデリングされる前記人間の対象の前記識別情報に関連付けるステップとを含む方法。
【請求項２】
前記顔認識を実行するステップが、可視光カメラでとらえられた画像の領域に対して顔認識を実行するステップを含み、前記領域は前記頭の関節の位置に対応する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記制御デバイスを前記人間の対象の前記識別情報に関連付けるステップが、前記仮想的な骨格のジェスチャ入力および前記制御デバイスの制御入力を同じソースに帰するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記制御デバイスの位置が前記仮想的な骨格の前記手の関節の閾値の距離以内にある場合に、前記制御デバイスが、前記人間の対象の前記識別情報に関連付けられる請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ビーコンが、赤外線信号である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記制御デバイスが、オーディオヘッドフォンを含み、前記方法が、前記オーディオヘッドフォンの位置に基づいて、前記オーディオヘッドフォンに音声を提供するアプリケーションのオーディオ出力を調整するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記制御デバイスを前記人間の対象の前記識別情報に関連付けるステップが、前記制御デバイスによって制御されるアプリケーションに前記人間の対象の設定プロファイルを適用するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記制御デバイスを前記人間の対象の前記識別情報に関連付けるステップが、前記制御デバイスによって制御されるアプリケーションを介してユーザに固有のコンテンツを提示するステップであって、前記ユーザに固有のコンテンツが前記人間の対象のために選択される、ステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
深度カメラから深度画像を受信するための深度カメラインターフェースであって、前記深度画像が、前記深度画像の各ピクセルによってイメージされた表面の深度を示す、深度カメラインターフェースと、
前記深度カメラインターフェースと有効な通信をする論理マシンと、
前記論理マシンと有効な通信をするストレージマシンであって、
前記深度カメラから１つまたは複数の深度画像を受信し、
手の関節と頭の関節とを含む仮想的な骨格によって、前記深度画像によってイメージされた人間の対象をモデリングし、
前記仮想的な骨格の前記頭の関節の周りの領域において顔認識を実行して、前記仮想的な骨格によってモデリングされる前記人間の対象の識別情報を判定し、
ビーコンを発することを制御デバイスに要求するメッセージを前記制御デバイスに出力し、
前記深度画像のうちの１つまたは複数の中で、前記制御デバイスから発せられた前記ビーコンを認識し、
前記発せられたビーコンに最も近い手の関節を見つけ、
前記ビーコンを発した前記制御デバイスを、前記発せされたビーコンに最も近い前記手の関節を含む仮想的な骨格によってモデリングされる前記人間の対象の前記識別情報に関連付けるために、前記論理マシンによって実行可能な命令を記憶する、ストレージマシンとを含むコンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月15日(2016.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に取り付けられる電子メモリを含む電子識別手段、およびＨＦ帯電子識別手段から得られたデータを読み取るおよび／または書き込むことができる読み取り装置を含む、誘導式車両検出および識別システムであって、
ここで、電子車両識別手段は、車両のナンバープレートに統合され、および外部の交流磁場によって誘導された電流によって動力が供給されるマイクロチップに接続された多重巻フレームと、少なくともナンバープレート番号を含む車両の識別データを保存することが可能な不揮発性メモリユニットとを含む共振器として与えられ、
ここで、読み取り装置は、車道下の約１ｍに設置された誘電体ケーシングに入れられた、１／５乃至１／２の周辺対波長の比率を備えた磁気フレームを装備しており、
ここで、前記フレームは、フレームに到達する信号が最大で１Ｗの動力で励起される際に、その検出および識別適用範囲を構成する交流磁場を生成し、
ここで、読み取り装置が、電子識別手段によって生成された別々の反応を読み取り、かつ車両を識別するのに必要とする最小時間は、２５ミリ秒を超えず、最大で２５０ｋｍ／時の車両速度に比例し、および、
ここで、電子識別手段と読み取り装置は、データアクセスを制限すると同様に、データを符号化および復号化することができる、誘導式車両検出および識別システム。
【請求項２】
マイクロチップは、不揮発性メモリユニットを含む単一のケースにおける積分回路ベースを含むＣＰＵとして与えられ、マイクロチップは信号の変調器および復調器の両方として動作する、請求項１に記載の誘導式車両検出および識別システム。
【請求項３】
ナンバープレートは、プレートの周辺に沿って多重巻フレームによって囲まれた長方形の誘電性プレートとして与えられ、その外部表面は視覚的に読み取られる文字と数字の識別用の組み合わせで覆われている、請求項１に記載の誘導式車両検出および識別システム。
【請求項４】
読み取り装置と電子識別手段は、少なくとも１Ｋｂｉｔ／秒の速度で、互いにデータを交換することができる、請求項１に記載の誘導式車両検出および識別システム。
【請求項５】
読み取り装置がその識別コードを受け取るとすぐに車両は検知される、請求項１に記載の誘導式車両検出および識別システム。
【請求項６】
視覚的に読み取られる文字と数字の識別用の組み合わせを載せた長方形の誘電性のプレートとして与えられる誘導車両のナンバープレートであって、
前記ナンバープレートは、車両の識別データ、少なくともそのナンバープレート番号、を保存するために、少なくとも６４ビットの容量を有する不揮発性メモリユニットおよびマイクロチップを組み込み、前記プレートは、プレートの周辺に沿って多重巻フレームによって囲まれており、
ここで、フレームがマイクロチップに接続されることにより少なくとも２０のＱファクターを備えたＨＦ帯電磁振動共振器を構成し、共振器は、共振器の共振周波数の外部磁場の平均強度が少なくとも１０ｍＡ／ｍであるときに、マイクロチップの電源としても機能し、および、
ここで、マイクロチップは、共振器の交流電流の振動を調節するために変調信号の生成を維持し、および、
ここで、マイクロチップは、信号の符号化／復号化と同様に共振器の電気振動の調節と復調の両方を維持し、不揮発性メモリに保存されたデータの利用を制限する、誘導車両のナンバープレート。
【請求項７】
マイクロチップはＣＰＵベースの積分回路として与えられる、請求項６記載の誘導車両のナンバープレート。
【請求項８】
不揮発性メモリユニットは、共振器の交流電流を調節するために用いられる車両識別データの保管を維持し、かつ再プログラムすることができる、請求項６に記載の誘導車両のナンバープレート。
【請求項９】
多重巻フレームとマイクロチップの間の接続は直流電気接続または変圧器接続である、請求項６に記載の誘導車両のナンバープレート。
【請求項１０】
多重巻フレームは、長方形の外形または丸い外形をした金属帯またはチューブのような導電材料、あるいは複雑な外形をした導体で作られる、請求項６に記載の誘導車両のナンバープレート。
【請求項１１】
多重巻フレームは、その端からギャップを設けて周囲に沿ってプレートを形成している、請求項６に記載の誘導車両のナンバープレート。
【請求項１２】
誘導ナンバープレートの表面は視覚的に読み取られる文字や数字の識別用の組み合わせで覆われており、反射性である、請求項６に記載の誘導車両のナンバープレート。
【請求項１３】
マイクロチップは衝突防止のＩＳＯ  １５６９３、１８００−３プロトコル、および適合するプロトコルを実装することができる、請求項６に記載の誘導車両のナンバープレート。
【請求項１４】
マイクロチップによって生成された変調信号のスペクトル幅は少なくとも１Ｋｂｉｔ／秒のデータ交換速度でメッセージの生成と一致する、請求項６に記載の誘導車両のナンバープレート。
【請求項１５】
車道下に置かれた磁気フレームを含む誘導読み取り装置であって、
ここで、読み取り装置は、信号生成および処理ノードと、前記フレームに接続された一致するノードを組み込み、および、
ここで、フレームは、１０−１００ｍｍの外側表面の外形の周辺を含む導電材料で作られた長方形のＨＦ帯発振回路として与えられ、一方で、その短い側とその長い側の間の比率は１／３〜１／８であり、その周辺と波長の間の比率が１／５〜１／２であり、および、
ここで、フレームは、その長い側が車線を横切って方向づけられるように置かれ、および、
ここで、フレームは誘電性のケースで囲まれ、少なくとも５０ｍｍの高さの箱として与えられ、車道下およそ１０００ｍｍに置かれ、
ここで、フレームを環境と分ける誘電性のケース層は少なくとも５０ｍｍの幅であり、および、
ここで、信号生成および処理ノードは、信号の変調／復調と、符号化／復号化信号、および、データアクセス制限を維持する、誘導読み取り装置。
【請求項１６】
フレームの誘電性ケースは、１−５の誘電係数を有し、その誘電正接は１０−２−１０−３未満である、請求項１５に記載の誘導読み取り装置。
【請求項１７】
磁気フレームは金属帯で作られ、幅は少なくとも０．１ｍｍである、請求項１５に記載の誘導読み取り装置。
【請求項１８】
誘導読み取り装置の発振回路は自動調整ができる、請求項１５に記載の誘導読み取り装置。
【請求項１９】
磁気フレームのケースは、振動、落下、腐食性流体および媒体、砂塩混合物、石油、カビに強く、車道下に設置されている間に少なくとも１７０°Ｃの温度に耐えることができる、請求項１５に記載の誘導読み取り装置。
【請求項２０】
磁気フレームのケースは、ホイールセットの少なくとも１０トンの圧力に耐えることができる、請求項１５に記載の誘導読み取り装置。