Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月27日(2016.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００００００μｍ２以下の断面積を有する少なくとも１つの非不透明微小領域（３０）と、
前記非不透明微小領域（３０）の上に少なくとも部分的に重ねられたディジタル型の少なくとも１つの回折光学要素（４０）であって、前記回折光学要素（４０）から距離を置いて位置する像形成平面（６２）に少なくとも１つの干渉パターン（６６）を生成する前記少なくとも１つの回折光学要素（４０）と
を備えているセキュリティ構造（２）。
【請求項２】
前記非不透明微小領域（３０）は、実質的に不透明な材料の層（１８；２０）内における材料の不在によって画定されている、請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記非不透明微小領域（３０）は、２０００００μｍ２以下の断面積を有する、請求項１又は２に記載の構造。
【請求項４】
前記干渉パターン（６６）は、少なくとも部分的に、又は望ましくはその全体が、前記セキュリティ構造（２）又は前記セキュリティ構造（２）を微小穿孔（１９）によって生成されたパターンの形態で組み込んだ物品（１０）上で見つけられ、前記微小穿孔（１９）のうちの１つは、上記非不透明微小領域（３０）を画定している、請求項１〜３のいずれか一項に記載の構造。
【請求項５】
前記回折光学要素（４０）と前記非不透明微小領域（３０）を担持するサブ要素との間に配置された保護接着剤構造（４５）を備えている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の構造。
【請求項６】
前記保護接着剤構造（４５）は、少なくとも１つの微小穿孔を、少なくとも部分的に、又は望ましくは完全に、満たしている、請求項５に記載の構造。
【請求項７】
保護構造（４７）に関連付けられた接着剤構造（４６）であって、前記回折光学要素（４０）と前記非不透明微小領域（３０）を担持するサブ要素との間に配置された接着剤構造（４６）を備えている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の構造。
【請求項８】
前記接着剤構造（４６）は、前記非不透明微小領域（３０）を担持するサブ要素と前記保護構造（４７）との間に配置されている、請求項７に記載の構造。
【請求項９】
前記保護構造（４７）は、ＨＲＩ材料の層（４７ａ）と結合剤を含む層（４７ｂ）との重ね合わせから形成されており、結合剤を含む前記層（４７ｂ）は、ＨＲＩ材料の前記層（４７ａ）上に配置されている、請求項７又は８に記載の構造。
【請求項１０】
前記接着剤構造（４６）は、前記非不透明微小領域（３０）を担持する第２のサブ要素と、前記回折光学要素（４０）を担持する第１のサブ要素の、回折光学要素（４０）がない方の側との間に配置されている、請求項７〜９のいずれか一項に記載の構造。
【請求項１１】
前記接着剤構造は、少なくとも１つの微小穿孔を、少なくとも部分的に満たしている、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の構造。
【請求項１２】
複数の上記回折光学要素（４０）と、少なくとも１つのそれぞれの回折光学要素（４０）の少なくとも部分の上の複数の非不透明微小領域（３０）とを備えている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の構造。
【請求項１３】
前記非不透明微小領域（３０）と少なくとも部分的に重ね合わされた少なくとも１つの光学フィルター（８０）を備えている、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の構造。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載のセキュリティ構造（２）を備えているセキュア物品（１０）。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載のセキュリティ構造の認証方法であって、下記工程：
前記回折光学要素を光源（６０）を用いて照明する工程、
前記回折光学要素（４０）から距離を置いて位置する像形成平面（６２）における干渉パターン（６６）の存在を、特に前記非不透明微小領域を通して、検証する工程
を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月26日(2016.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的アセンブリであって、
‐  基底部分（２０）、および
‐  取り外し可能な仕方で、該基底部分（２０）に固定されるように構成された取り外し可能部分（１０）
を備え、
該基底部分（２０）は、
‐  漏れのない内部容積部（２４）を少なくとも部分的に境界付ける可撓性の膜（２２）、
‐  該膜（２２）により支えられ、且つ少なくとも部分的に該内部容積部（２４）内に延在している、少なくとも１つの可動電導性要素（２５）、および
‐  該内部容積部（２４）内で該可動電導性要素（２５）の下に置かれた少なくとも1つの内部電気接点（２８）
を備え、
該可動電導性要素（２５）は、該基底部分（２０）上の該取り外し可能部分（１０）の該アセンブリに関連した該膜の変形の間、該内部電気接点（２８）と接触して、それらの間の電気接続を確立し、且つ該基底部分上への該取り外し可能部分の固定が存在しない場合、該内部電気接点から離れている、
上記アセンブリ。
【請求項２】
該内部電気接点（２８）は、電気的デバイス（３０）、特に発電機または受電機へ接続されている、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
該取り外し可能部分（２０）および該基底部分（２０）の少なくとも１つは、浮き彫り（１９）を備え、それは該取り外し可能部分（１０）および該基底部分（２０）の内の他方を、漏れのない仕方で支持している、請求項１または２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
該取り外し可能部分（１０）は、専ら浮き彫り（１９）を通して該膜（２２）を支持している、請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項５】
該浮き彫り（１９）は、該可動電導性要素（２５）と内部電気接点（２８）の間の電気的接触の前に、漏れのない仕方で該膜に当てられている、請求項４に記載のアセンブリ。
【請求項６】
該可撓性の膜は、その変形の間、その周辺でカップ（２３）の範囲を画定する玉縁（２７）を形成する、請求項１〜５のいずれか１項に記載のアセンブリ。
【請求項７】
該可動電導性要素（２５）と該内部電気接点（２８）の間の該接触は、弾性的な変形を伴う、請求項１〜６のいずれか１項に記載のアセンブリ。
【請求項８】
該内部電気接点（２８）は、自身の上に折り曲げられた可撓性の板から成り立っている、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項９】
該可動電導性要素（２５）と該内部電気接点（２８）は、該膜（２２）の変形がないとき、０．３ｍｍ以上の間隔ｄで離れている、請求項１〜８のいずれか１項に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
該可動電導性要素（２５）は、該膜（２２）を貫通している、請求項１〜９のいずれか１項に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
該取り外し可能部分（１０）は、該取り外し可能部分（１０）が該基底部分（２０）に固定されるとき、該可動電導性要素（２５）と電気的に協働するように設計された外部接続要素（１５）を備えている、請求項１０に記載のアセンブリ。
【請求項１２】
該外部接続要素（１５）と該可動電導性要素（２５）の間の電気的な協働は、接触により達成される、請求項１１に記載のアセンブリ。
【請求項１３】
該内部電気接点（２８）は、第１電気デバイス（３０）へ接続され、該外部接続要素（１５）は、少なくとも該取り外し可能部分（１０）が該基底部分（２０）上に固定されているとき、第２電気デバイス（３５）へ接続されている、請求項１１および１２に記載のアセンブリ。
【請求項１４】
該外部接続要素（１５）は、永続的な仕方で、該第２電気的デバイス（３５）へ電気的に接続されている、請求項１３に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
該取り外し可能部分（１０）は、該基底部分（２０）に類似しており、
‐  漏れのない内部容積部（１４）を少なくとも部分的に画定する可撓性の膜（１２）、
‐  該膜（１２）により支持され且つ該膜（１２）を貫通する少なくとも１つの可動電導性要素（２５）、および
‐  該可動電導性要素（１５）の下で該内部容積部（１４）内に置かれた少なくとも１つの内部電気接点（１８）、
を備え、
該可動電導性要素（１５）は、該基定部分（２０）への該取り外し可能部分（１０）のアセンブリに関する該膜（１２）の変形の間、該内部電気接点（１８）に接触して、それらの間の電気的接続を確立し、且つ基底部分（２０）への該取り外し可能部分（２０）の固定が存在しない場合、該内部電気接点（１８）から離れている、
請求項１３に記載のアセンブリ。
【請求項１６】
該取り外し可能部分の該可撓性膜（１２）は、変形によって、その周辺でカップ（１３）の範囲を画定する玉縁（１７）を形成する、請求項１５に記載のアセンブリ。
【請求項１７】
基底部分への該取り外し可能部分（１０）のアセンブリの間、該玉縁（１７、２７）は、接触が該基底部分（２０）の該可動電導性要素（２５）と該取り外し可能部分（１０）の該可動電導性要素（１５）の間で確立されるところの中間容積部（３８）を画定するように相互に接触する、請求項１６および６に記載のアセンブリ。
【請求項１８】
該基底部分（２０）は、少なくとも２つの別々の可動電導性要素（２５）および少なくとも２つの別々の電気接点（２８）を備え、各可動電導性要素（２５）は、該取り外し可能部分（１０）および該基底部分（２０）がアセンブルされるとき、個々の内部電気接点（２８）と接触して、それらの間の電気的接続の確立する、請求項１〜１７のいずれか１項に記載のアセンブリ。
【請求項１９】
該可動電導性要素（２５）は貫通要素であり、該取り外し可能部分（１０）は、該該取り外し可能部分（１０）が該基底部分（２０）上に固定されるとき、該可動電導性要素（２５）の１つと各々が接触することを意図された少なくとも２つの外部接続要素（１５）を備えている、請求項１８に記載のアセンブリ。
【請求項２０】
該基底部分（２０）は、少なくとも２つの内部電気接点（２８）を備え、該可動電導性要素（２５）は、該取り外し可能部分（１０）を該基底部分（２０）上に固定するとき、該２つの内部電気接点（２８）と接触して、それらの間で閉電気回路を規定する、請求項１〜１９のいずれか１項に記載のアセンブリ。
【請求項２１】
該基底部分（２０）は、電気回路が閉じられているとき、該内部電気接点（２８）と直列に電気的に接続された外部コネクタ要素（６１）を備えている、請求項２０に記載のアセンブリ。
【請求項２２】
処理装置は、請求項１〜２１のいずれか１項に記載のアセンブリの該基底部分（２０）を規定するハンドピース、および該取り外し可能部分（１０）を規定するアクセサリを備え、このアクセサリは、該ハンドピースに固定されるとき、前記アセンブリを介して、内部の電源から該ハンドピースに、電気的に動力を与えられる、上記処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月22日(2016.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
哺乳動物の免疫抑制を低減又は軽減するための医薬組成物の製造におけるＣＤ９６阻害剤の使用であって、前記ＣＤ９６阻害剤は、前記哺乳動物の１つ又は複数の細胞におけるＣＤ９６活性を少なくとも部分的に阻害又は低減することにより、前記哺乳動物の、免疫抑制を軽減すること、又は、免疫監視を強化又は回復させること、又は、これらの両方を行う、使用。
【請求項２】
前記哺乳動物におけるＣＤ９６活性を少なくとも部分的に阻害又は低減することが、前記哺乳動物のＣＤ９６発現細胞を死滅させることを含まないか、又はそれに依存しない、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記ＣＤ９６阻害剤が、ＣＤ１５５へのＣＤ９６の結合及びＣＤ９６による細胞内シグナル伝達の少なくとも一方を少なくとも部分的に阻止又は阻害する、請求項１に記載の使用。
【請求項４】
前記ＣＤ９６阻害剤が、抗ＣＤ９６抗体又は抗体断片である、請求項３に記載の使用。
【請求項５】
前記医薬組成物は１つ又は複数の他の治療剤を更に含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の使用。
【請求項６】
前記１つ又は複数の他の治療剤が、化学療法剤と、ＰＤ１及びＣＴＬＡ４の少なくとも一方と結合する１つ又は複数の抗体又は抗体断片とを含む、請求項５に記載の使用。
【請求項７】
前記医薬組成物は、前記哺乳動物の１つ又は複数の細胞による、サイトカイン及びケモカインの少なくとも一方の発現、分泌、又はそれらの両方を増加又は増強する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の使用。
【請求項８】
前記サイトカイン及びケモカインの少なくとも一方が、ＭＩＰ−１α、ＭＩＰ−１β、ＲＡＮＴＥＳ、ＴＮＦ−α、及びＩＦＮ−γを含む、請求項７に記載の使用。
【請求項９】
前記サイトカインがインターフェロンγ（ＩＦＮ−γ）である、請求項８に記載の使用。
【請求項１０】
前記１つ又は複数の細胞が、ＣＤ４＋及びＣＤ８＋Ｔ細胞、γδＴ細胞、及びＮＫ  Ｔ細胞、及びナチュラルキラー（ＮＫ）細胞を含むＴ細胞である、請求項７〜９のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１１】
前記医薬組成物は、前記哺乳動物の癌又は癌転移を治療又は予防するための医薬組成物である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１２】
前記医薬組成物は、前記哺乳動物のウイルス感染症を治療又は予防するための医薬組成物である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１３】
前記哺乳動物がヒトである、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１４】
ＣＤ９６阻害剤を、スクリーニング、設計、遺伝子操作、又は他の手段で製造するための方法であって、候補分子が、ＣＤ９６活性を少なくとも部分的に阻害又は低減することにより、哺乳動物において免疫抑制を軽減すること、又は免疫監視を強化又は回復させること、又はそれらの両方が可能であるか否かを決定するステップを含む方法。
【請求項１５】
前記ＣＤ９６阻害剤が抗体又は抗体断片である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＣＤ９６阻害剤が抗癌剤である、請求項１４又は請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＣＤ９６阻害剤が抗ウイルス剤である、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記哺乳動物がヒトである、請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の方法により、スクリーニング、設計、遺伝子操作、又は他の手段で製造されたＣＤ９６阻害剤。
【請求項２０】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の使用に用いるための、請求項１９に記載のＣＤ９６阻害剤。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月21日(2016.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
キレート部分は、生物学的に適合可能で薬理学的に活性の金属イオンと可逆的に結合するのに適している、ペンダント官能基を有する任意の部分であり得る。このような生物学的に適合可能で薬理学的に活性の金属イオンの例として、限定するものではないが、銀、銅のイオン、または金属イオン性の抗腫瘍剤が挙げられる。好ましくは、抗腫瘍剤はイオン化した白金である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
用語「幹細胞の動員」は、変性された生体材料または組織への幹細胞の直接的または間接的な走化性を指す。この動員は、直接的であってもよく、この場合、変性した生体材料または組織中の幹細胞動員因子（たとえば細胞走化性を誘導するケモカイン）は、生体材料または組織から放出され、生体材料または組織に向かって遊走するように幹細胞を誘導する。一態様では、この動員は間接的であってもよく、この場合、変性した生体材料または組織中の幹細胞動員因子が生体材料または組織から放出され、これが近くの細胞を誘導し、生体材料または組織に向かって遊走するよう幹細胞を誘導する因子（たとえばケモカイン）を放出させる。さらに、幹細胞の動員に、直接的な因子および間接的な因子の両方を使用してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明のポリマーは、たとえば、ペンダント基としてまたは末端のいずれかに、アミン官能性モノマーをポリマーに導入することにより官能基化できる。ペンダントアミン官能性をポリマーに与えるための適切な方法は、ペンダントアミン官能性を含むモノマーを使用することである。ペンダントアミン官能性を含む適切なモノマーとして、２−アミノエチルアクリレート、２−アミノエチルメタクリラート、２−アミノエチルアクリルアミド、２‐アミノエチルメタクリルアミド、ジメチルアミノエチルメタクリル、アミノプロピル（メタ）アクリルアミドなどが挙げられる。ペンダントアミン官能性を含むモノマーが使用される場合、結果として得られるポリマーは、１つまたは複数のペンダントアミン基を含み得る。好ましくは、ポリマーに与えられるペンダントアミン官能性は、末端のペンダントアミン官能性である。末端のペンダントアミン官能性は、それらが連鎖移動剤として機能する場合、ペンダントアミン基を有する１つまたは複数の化合物を使用することにより、ポリマーに与えることができる。末端アミン官能性を与える好ましい化合物は、アミン−チオール、たとえばＮ−ブチルアミノエタンチオール、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエタンチオール、およびそれらの塩である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本発明のキレート化したポリマー−Ｐｔ構築物は、本発明の官能基化ポリマーと、Ｐｔ塩、好ましくはＰｔ（ＩＩ）塩を接触させることにより調製する。好ましくは、Ｐｔ塩は、シスジアミノＰｔ（ＩＩ）ジクロロ、またはさらにより好ましくは、シスジアミノＰｔ（ＩＩ）ジアクア塩である。例示的かつ非限定的な例を以下に示す。
【化５】
2016530217.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
よって、当業者は、脱水装置が、チャンバープレナムを介して循環する気流のわずかな正圧と、乾燥備品の内部チャネルにより移植片に適用される真空由来のわずかな負圧との間の差異から生じる差圧勾配により制御されることを理解するであろう。この勾配は、以下の式によって計算することができ、この真空乾燥装置の設計の特徴を介して乾燥を促進するよう操作できる。これは、少なくとも４つのパラメータ、すなわちボードの表面上の接触する穴の数、穴の大きさまたは直径、真空圧力、および乾燥ボードの総表面積の制御により達成される。上記式は、
【数１】
2016530217.tif 000002
であって、式中、
Ｆは、保持圧力であり、Ｐｖは真空圧力であり、Ａｈは組織との境界面（ボード全体）の穴の表面積の合計であり、およびＡｂは、ボードの表面積である。円形の断面を有する穴が同一の大きさを有する場合、以下の式
【数２】
2016530217.tif 000003
を使用してもよく、式中、Ｐｉは真空圧力であり、Ｒ２は穴の二乗半径であり、Ｎは、ボード全体の穴の数である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
材料および方法
標準的な遊走アッセイを、インサートの底部に孔８μｍのメンブレンフィルターを備える２４ウェルの細胞培養インサートで実施した（図３参照、ＢＤ  Ｂｉｏｓｃｉｅｎｃｅｓ）。実験を開始する２４時間前に、ヒトのＭＳＣ（１つのドナー、３継代）を無血清培地中で培養して、ＰＢＳ中、５μｇ／ｍｌのフィブロネクチン３００μｌを、各細胞培養インサートの中に入れて、細胞培養インサートの表面へフィブロネクチンを一晩かけて吸着させた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
外科手術部位を、幹細胞の解析のために植え込みから３日後、７日後、１４日後、および２８日後に摘出した。各時点で１群４匹の動物を使用した。幹細胞を、２つの別々の方法（蛍光活性化セルソーティング（ＦＡＣＳ）および免疫組織化学的検査（ＩＨＣ））を用いて同定した。ＦＡＣＳ解析では、全ての細胞を羊膜および関連する再生組織から単離した。細胞を、特異的幹細胞マーカーに対する抗体で蛍光標識した。各細胞の種類の同定およびその数を、フローサイトメーターを用いて決定した。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
免疫組織化学解析では、膜および関連する再生組織を固定し、スライド用に薄片化し、幹細胞に対して特異的な抗体で染色した。２つの抗体を、免疫組織化学検査で使用した。このうち抗‐ＣＤ３４は、造血前駆細胞（ＨＰＣ）を特異的に検出し、皮膚前駆細胞、内皮細胞、樹状細胞と反応し、抗‐ＣＤ３１は内皮細胞を検出する。染色した組織切片を顕微鏡で観察し、特異的な幹細胞タイプの存在および数を測定した。実験的な解析では、各細胞タイプの相対数を計測した。この結果を、各細胞タイプのパーセンテージとして計算した（免疫染色された細胞数／細胞の総数）。２つの領域、すなわちインプラント周辺組織とインプラントそのものを、細胞動員のため免疫化学的に解析した。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月27日(2016.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質を含む液体中に０．０１ｎＭを越える濃度を有する複数の貴金属ナノ粒子を備えるコロイド状懸濁液であって、
前記コロイド状懸濁液は、閾値未満に前記コロイド状懸濁液の電気伝導率が減少すると、前記貴金属ナノ粒子の平均粒度の増加を示すコロイド状懸濁液。
【請求項２】
前記電解質は、少なくとも一つの陰イオン又は陽イオンを含む有機塩又は無機塩である請求項１に記載のコロイド状懸濁液。
【請求項３】
前記少なくとも一つの陰イオン又は陽イオンは、周期表における第１族元素、周期表における第２族元素、周期表における第１５族元素、周期表における第１６族元素、周期表における第１７族元素、及び有機酸基からなる群から選択された少なくとも一つの元素を含む請求項２に記載のコロイド状懸濁液。
【請求項４】
前記貴金属ナノ粒子の平均粒度が増加するために必要な前記電気伝導率の前記閾値は、２０μＳ／ｃｍ以下である請求項１〜３の何れか一項に記載のコロイド状懸濁液。
【請求項５】
前記貴金属ナノ粒子の平均粒度は、約１０ｎｍ以上である請求項１〜４の何れか一項に記載のコロイド状懸濁液。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載の貴金属ナノ粒子のコロイド状懸濁液よりなる分光法システム。
【請求項７】
基板上に配置されたキャストフィルムを備える分光法システムであって、前記キャストフィルムは、請求項１〜５の何れか一項に記載のコロイド状懸濁液と分析物との混合物から得られる貴金属の粒子を備える分光法システム。
【請求項８】
請求項１〜５の何れか一項に記載のコロイド状懸濁液から得られる貴金属ナノ粒子を備える、免疫クロマトグラフィー分析法のための装置。
【請求項９】
分析物が混合された請求項１〜５の何れか一項に記載のコロイド状懸濁液から得られる貴金属ナノ粒子を備える画像形成剤。
【請求項１０】
前記コロイド状懸濁液は、前記コロイド状懸濁液の前記電気伝導率が減少すると、前記コロイド状懸濁液中の前記貴金属ナノ粒子の平均粒度の増加を示す請求項１に記載のコロイド状懸濁液。
【請求項１１】
前記コロイド状懸濁液は、前記コロイド状懸濁液の前記電気伝導率が２０μＳ／ｃｍ以下の量だけ初期の値から減少すると、前記コロイド状懸濁液中の前記貴金属ナノ粒子の平均粒度の増加を示す請求項１０に記載のコロイド状懸濁液。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年10月31日(2016.10.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
これは本発明によれば、噴射された水の量が、無機化合物粒子を加湿するのに且つ無機化合物粒子及び水相液滴と共に形成された雲霧を発生するのに、必要な水の量でしかないことにも起因する。液滴として前記噴射された水相と前記噴射された粉末状無機化合物との間の重量比は、１．２以下、好ましくは１以下、特に０．８以下である。前述の重量比は、０．１以上、特に０．２以上でもある。したがって、微細な液滴として噴射された水相は、処理される煙道ガスの温度にほとんど影響がなく、熱回収のための後続の可能性のあるステップを乱さない。本発明によれば、煙道ガスは、無機化合物及び液体としての水相の噴射後に、ｎからｎ−１０℃の間、好ましくはｎからｎ−８℃の間、好ましくはｎからｎ−５℃の間、特にｎ−３℃を含む温度を有し、ｎは、無機化合物及び前記水相を噴射する前の煙道ガスの温度である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月29日(2016.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのチャネルを有する手術器具を、洗浄液を用いて洗浄する方法であって、
前記洗浄液に圧力（６１）を加えることと、
前記洗浄液を用いて前記チャネル（３０）をフラッシングすることと、
前記フラッシング中に前記圧力（６１）を変化させることと
の処理工程を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記圧力（６１）は、前記フラッシング中に繰り返し変化される
ことを特徴とする、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記圧力（６１）は、時間の経過とともに一定の間隔で、繰り返し変化される
ことを特徴とする、方法。
【請求項４】
請求項１〜３のうちの１つに記載の方法であって、
前記圧力（６１）は、周期式ポンプデバイス（２４；７０）を用いて前記洗浄液に加えられる
ことを特徴とする、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記周期式ポンプデバイス（７０）は、ダイヤフラムポンプ（７０）である
ことを特徴とする、方法。
【請求項６】
請求項１〜５のうちの１つに記載の方法であって、
追加的な処理工程が、前記チャネル（３０）の洗浄チェックを備えること
を特徴とする、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記チャネル（３０）の前記洗浄チェックは、流量を測定すること、および／または前記チャネル（３０）内における圧力低下を測定することにより、行われる
ことを特徴とする、方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の方法であって、
前記洗浄チェック中に一定の圧力（６１）が前記洗浄液に加えられること
を特徴とする、方法。
【請求項９】
請求項１〜８のうちの１つに記載の方法であって、
前記手術器具は、内視鏡である
を特徴とする、方法。
【請求項１０】
少なくとも１つのチャネルを有する手術器具を、洗浄液を用いて洗浄するための装置（１）であって、
前記洗浄液により前記チャネル（３０）をフラッシングするための、前記洗浄液用のポンプ装置（２４、２６；７０）および前記チャネル（３０）用の連結部（２１）を備え、
前記ポンプ装置（２４、２６；７０）は、前記チャネル（３０）のフラッシング中に、前記洗浄液に変動圧力を加えるように構成されている、装置（１）。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置（１）であって、
前記ポンプ装置（２４、２６；７０）は、周期式ポンプデバイス（２４；７０）を備える
ことを特徴とする、装置（１）。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置（１）であって、
前記周期式ポンプデバイス（７０）は、ダイヤフラムポンプ（７０）である
ことを特徴とする、装置（１）。
【請求項１３】
請求項１０に記載の装置（１）であって、
前記ポンプ装置（２４、２６；７０）は、連続式ポンプデバイス（２６）を備える
ことを特徴とする、装置（１）。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置（１）であって、
前記ポンプ装置（２４、２６；７０）は、前記連続式ポンプデバイスの出力圧を変化させるための自動制御装置を備える
ことを特徴とする、装置（１）。
【請求項１５】
請求項１０〜１４のうちの１つに記載の装置（１）であって、
前記ポンプ装置（２４、２６；７０）は、少なくとも２つのポンプデバイス（２４；２６；７０）を備える
ことを特徴とする、装置（１）。
【請求項１６】
請求項１５に記載の装置（１）であって、
前記ポンプデバイス（２４；２６；７０）のうちの１つは、周期式ポンプデバイス（２４；７０）として構成され、前記ポンプデバイス（２４；２６；７０）のうちの別の１つは、連続式ポンプデバイス（２６）として構成されている
ことを特徴とする、装置（１）。
【請求項１７】
請求項１０〜１６のうちの１つに記載の装置（１）であって、
前記装置（１）は、それぞれが１つのチャネル（３０）用である複数の連結部（２１）を有する、連結部群（２０）を備える
ことを特徴とする、装置（１）。
【請求項１８】
請求項１０〜１７のうちの１つに記載の装置（１）であって、
前記装置（１）は、複数の連結部（２１）または複数の連結部群（２０）を備え、前記ポンプ装置（２４、２６；７０）は、１つの連結部（２１）または１つの連結部群（２０）に専用に割り当てられた少なくとも１つのポンプデバイス（２４；２６；７０）を備える
ことを特徴とする、装置（１）。
【請求項１９】
請求項１０〜１８のうちの１つに記載の装置（１）であって、
連結部（２１）または連結部群（２０）は、前記連結部（２１）または連結部群（２０）に連結可能なチャネル（３０）の洗浄をチェックするための制御装置（２２）を備える
ことを特徴とする、装置（１）。
【請求項２０】
請求項１９に記載の装置（１）であって、
前記制御装置（２２）は、前記チャネル（３０）内における流量を測定すること、および／または圧力低下を測定することにより、前記チャネル（３０）の洗浄をチェックする
ことを特徴とする、装置（１）。
【請求項２１】
周期式ポンプデバイス（２４；７０）および連続式ポンプデバイス（２６）を使用して、手術器具のチャネル（３０）を洗浄する、方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の方法であって、
前記周期式ポンプデバイス（７０）は、ダイヤフラムポンプ（７０）である
ことを特徴とする、方法。
【請求項２３】
請求項２１または請求項２２に記載の方法であって、
前記連続式ポンプデバイス（２６）は、往復ポンプである
ことを特徴とする、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月18日(2016.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容積型ポンプの、少なくとも一つの物理変数を決定する方法であって、前記容積型ポンプは、吸引ラインと圧力ラインとに弁で接続されている計量室を区画する可動のディスプレーサ要素を有し、前記ディスプレーサ要素の揺動運動により、前記吸引ラインでの供給流体の前記計量室への吸引と、前記圧力ラインでの前記計量室からの吐出とが交互に実行され、前記ディスプレーサ要素を揺動運動させる電磁駆動装置が設けられ、前記ディスプレーサ要素のために物理モデルに基づく微分方程式が確立され、少なくとも前記ディスプレーサ要素の位置が測定され、前記微分方程式によって前記物理変数が決定され、容積型ポンプの計量室内の供給流体の流体圧力ｐが、前記物理変数として決定される方法において、実際の流体圧力が、所定の最大値に達する又はこれを超える場合、警告信号が出力され、好適には、前記警告信号の受信により、流量調節ポンプを停止するよう構成された自動停止機構へと前記警告信号が送信されることを特徴とする方法。
【請求項２】
容積型ポンプの、少なくとも一つの物理変数を決定する方法であって、前記容積型ポンプは、吸引ラインと圧力ラインとに弁で接続されている計量室を区画する可動のディスプレーサ要素を有し、前記ディスプレーサ要素の揺動運動により、前記吸引ラインでの供給流体の前記計量室への吸引と、前記圧力ラインでの前記計量室からの吐出とが交互に実行され、前記ディスプレーサ要素を揺動運動させる電磁駆動装置が設けられ、前記ディスプレーサ要素のために物理モデルに基づく微分方程式が確立され、少なくとも前記ディスプレーサ要素の位置が測定され、前記微分方程式によって前記物理変数が決定され、容積型ポンプの計量室内の供給流体の流体圧力ｐが、前記物理変数として決定される方法において、前記ディスプレーサ要素の移動サイクルにおいて、目標流体圧力曲線、前記ディスプレーサ要素の目標位置曲線及び/又は前記電磁駆動装置を流れる目標電流パターンが提供され、実際の流体圧力は目標流体圧力と比較され、前記ディスプレーサ要素の実際の位置は前記ディスプレーサ要素の目標位置と比較され、及び/又は前記電磁駆動装置を流れる実際の電流は前記電磁駆動装置を流れる目標電流と比較され、実際の値と目標値との差が所定基準を満たす場合、警告信号が出力されることを特徴とする方法。
【請求項３】
容積型ポンプの、少なくとも一つの物理変数を決定する方法であって、前記容積型ポンプは、吸引ラインと圧力ラインとに弁で接続されている計量室を区画する可動のディスプレーサ要素を有し、前記ディスプレーサ要素の揺動運動により、前記吸引ラインでの供給流体の前記計量室への吸引と、前記圧力ラインでの前記計量室からの吐出とが交互に実行され、前記ディスプレーサ要素を揺動運動させる電磁駆動装置が設けられ、前記ディスプレーサ要素のために物理モデルに基づく微分方程式が確立され、少なくとも前記ディスプレーサ要素の位置が測定され、前記微分方程式によって前記物理変数が決定される方法において、前記ディスプレーサ要素の質量ｍ、前記ディスプレーサ要素に予応力をかけるばねのばね定数ｋ、前記電磁駆動装置の減衰ｄ及び/又は電気抵抗ＲCuが物理変数として決定されることを特徴とする方法。
【請求項４】
前記容積型ポンプは、電磁駆動される流量調節ポンプであり、好適には、電磁駆動されるダイアフラムポンプであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ディスプレーサ要素の位置以外に、前記電磁駆動装置を流れる電流が測定され、前記微分方程式は、前記ディスプレーサ要素の位置と、前記電磁駆動装置を流れる電流とを測定変数として使用し、好適には、前記微分方程式が検出対象となる測定変数を持たないことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記目標値からの相対偏差の加重和が決定され、前記加重和が所定値を超えた場合、警告信号が出力されるように前記基準が選択されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項７】
複数の基準が事前に決められ、不具合事象が各基準と関連付けられ、基準が満たされると、前記関連付けられた不具合事象が診断されることを特徴とする請求項２又は６に記載の方法。
【請求項８】
モデルベース閉ループ制御が前記電磁駆動装置に使用され、好適には、前記微分方程式が前記モデルベース閉ループ制御に使用されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
非線形状態空間モデルが前記モデルとして選択され、非線形閉ループ制御が、制御−リアプノフ関数、フラットベースプリ制御によるフラットベース閉ループ制御方法、インテグレータバックステップ方法、スライドモード方法、又は予測閉ループ制御のいずれかにより実行され、制御−リアプノフ関数による非線形閉ループ制御が好適であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ディスプレーサ要素の前記検出された実際の位置プロファイルと、前記ディスプレーサ要素の所定目標位置プロファイルとの差が、吸引−圧力サイクル時に検出され、前記検出された差の少なくとも一部と、前記所定目標位置プロファイルとの差が、次の吸引−圧力サイクルの目標位置プロファイルとして使用されることを特徴とする請求項８又は９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記容積型ポンプの油圧パラメータが決定され、油圧系統のために前記油圧パラメータと共に物理モデルが確立され、前記ディスプレーサ要素の位置に加えて、前記計量室内の流体に対して前記ディスプレーサ要素がかける力、又は前記計量室内の圧力が決定され、少なくとも一つの油圧パラメータが最適化演算により算出されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記計量室内の流体の密度及び/又は粘度が前記油圧パラメータとして決定されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記吸引ラインの弁が開状態でかつ前記圧力ラインの弁が閉状態である場合、及び/又は前記吸引ラインの弁が閉状態でかつ前記圧力ラインの弁が開状態である場合に、前記物理モデルが設定され、前記吸引ラインの弁が開状態でかつ前記圧力ラインの弁が閉状態であって前記吸引ラインの弁が閉状態でかつ前記圧力ラインの弁が開状態である場合に、開弁時間が決定され、前記開弁時間の決定結果により、前記物理モデルが選択されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記油圧パラメータの決定後、前記供給流体により、前記ディスプレーサ要素にかかる力の判定に前記物理モデルが使用され、前記判定された力が前記ディスプレーサ要素の移動に対する閉ループ制御に使用されることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月18日(2016.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼機関から排出された排気ガスを処理する後処理システムであって、
前記燃焼機関から排出された排気ガスを濾過するように構成された微粒子フィルタと、
前記微粒子フィルタより上流の前記排気ガスの流れに還元剤を注入するように構成された還元剤注入システムと、
前記微粒子フィルタより下流の前記排気ガス流のアンモニア濃度を検出するように構成されたアンモニアセンサと、
前記微粒子フィルタより上流の排気ガス流のＮＯＸ濃度を検出するよう構成されたＮＯＸセンサと、
前記アンモニアセンサおよび前記ＮＯＸセンサと通信する制御モジュールと、を含み、
前記制御モジュールは、
前記還元剤注入システムと通信し、前記フィルタより下流において所望のアンモニア濃度を得るために、前記排気ガスの流れに注入される還元剤の量を調整し、
前記還元剤の注入量を調整することによって前記所望のアンモニア濃度を生成した後、前記微粒子フィルタより上流において検出されたＮＯＸ濃度を求め、
前記アンモニアセンサおよびＮＯＸセンサから受け取ったデータに基づいて、前記微粒子フィルタのすす取込量を求める、後処理システム。
【請求項２】
前記微粒子フィルタより上流に配置され、かつ前記制御モジュールと通信する再生装置をさらに含み、前記制御モジュールは、前記微粒子フィルタの前記すす取込量が所定の閾値を超えていると前記制御モジュールが判断するのに応じて、前記再生装置を作動させる、請求項１に記載の後処理システム。
【請求項３】
前記再生装置は、炭化水素インジェクタ、またはバーナ、または前記炭化水素インジェクタおよび前記バーナを含む、請求項２に記載の後処理システム。
【請求項４】
前記制御モジュールは、予測アンモニアスリップ値と比較した実際のアンモニアスリップ値に基づいて、前記微粒子フィルタの前記すす取込量を求める、請求項１に記載の後処理システム。
【請求項５】
前記微粒子フィルタは、選択的接触還元コーティングを含む、請求項１に記載の後処理システム。
【請求項６】
前記制御モジュールは、実際のアンモニアスリップ値が、所定の値に対して所定の範囲内になるまで、注入する還元剤の注入比を調整するように前記還元剤注入システムを制御する、請求項１に記載の後処理システム。
【請求項７】
前記制御モジュールは、注入した還元剤の前記注入比に基づいてα比を計算し、および前記α比に基づいてすす取込量を求める、請求項６に記載の後処理システム。
【請求項８】
前記制御モジュールは、前記制御モジュールのメモリに保存された参照テーブルから前記すす取込量を求める、請求項７に記載の後処理システム。
【請求項９】
前記制御モジュールは、最後のフィルタ再生事象からの時間、または前記微粒子フィルタの経年数に基づいて、重み係数を前記すす取込量に適用する、請求項１に記載の後処理システム。
【請求項１０】
前記制御モジュールは、所定の閾値を超える前記求められたすす取込量に基づいて、ある事象を開始する、請求項１に記載の後処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月13日(2016.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同時複数試料光散乱（ＳＭＳＬＳ）検出装置であって、
ポリマーまたはコロイド溶液を含むように構成された複数の光散乱セルと；
前記複数の光散乱セルのうちの少なくとも１つの光散乱セルと結合されたストレッサーモジュールであって、前記少なくとも１つの光散乱セルに含まれる前記ポリマーまたはコロイド溶液にストレッサーを導入するように構成されたストレッサーモジュールと；
前記複数の光散乱セルのうちの前記少なくとも１つの光散乱セルに結合し散乱光を検出するように構成された光検出器と、を備えた、ＳＭＳＬＳ検出装置。
【請求項２】
前記ストレッサーモジュールが攪拌装置を備えた請求項１に記載のＳＭＳＬＳ検出装置。
【請求項３】
前記ストレッサーモジュールが、前記複数の光散乱セルのうちの前記少なくとも１つの光散乱セルの中の温度を調節するように構成された温度修正装置である、請求項１に記載のＳＭＳＬＳ検出装置。
【請求項４】
前記ストレッサーモジュールが、前記複数の光散乱セルのうちの前記少なくとも１つの光散乱セルの中に、物質を導入するように構成されている、請求項１に記載のＳＭＳＬＳ検出装置。
【請求項５】
前記ストレッサーモジュールが、前記複数の光散乱セルのうちの前記少なくとも１つの光散乱セルの中に、エネルギー源を導入するように構成されている、請求項１に記載のＳＭＳＬＳ検出装置。
【請求項６】
さらに、前記複数の光散乱セルに入射光を供給するように構成された入射光源と、
前記複数の光散乱セルのうちの前記少なくとも１つの光散乱セルに結合され、前記入射光を通って制御されたパターンで前記少なくとも１つの光散乱セルを動かすように構成されているラスタリング装置と、を備え、
前記光検出器は、ラスターされた前記光散乱セルを通って放出された前記散乱光を検出するようにさらに構成されている請求項１に記載のＳＭＳＬＳ検出装置。
【請求項７】
さらに、前記散乱光の測定に基づいて前記ポリマーまたはコロイド溶液の特性をコンピュータに判断させるためのコンピュータによって解釈され得るコンピュータ可読命令を保存しているコンピュータ可読媒体を備えた、請求項１に記載のＳＭＳＬＳ検出装置。
【請求項８】
さらに、前記複数の光散乱セルから取得された前記ポリマーまたはコロイド溶液の特性に対応するデータをセルベースで保存するためのデータベースを備えた請求項７に記載のＳＭＳＬＳ検出装置。
【請求項９】
ポリマーまたはコロイド溶液の１以上の特性を検出するための方法であって、
複数の光散乱セルに含まれるポリマーまたはコロイド溶液にストレッサーを導入することと、
前記複数の光散乱セルに入射光源を導入することと、
前記複数の光散乱セルに結合された複数の光検出器を用いて前記散乱光を測定することを含む、方法。
【請求項１０】
前記ストレッサーが、前記ポリマーまたはコロイド溶液の制御された攪拌である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記攪拌が、最小限に対流的である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
さらに、前記ストレッサーの応答に基づいて、前記ポリマーまたはコロイド溶液の特性を処理装置を用いて決定することを含む請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記ストレッサーが、固体物質である請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記ストレッサーが、液体である請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記ストレッサーが、ガスである請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記ストレッサーが、前記ポリマーまたはコロイド溶液の凍結融解サイクルである請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
前記ストレッサーが、光またはその他の電磁波照射である請求項９に記載の方法。
【請求項１８】
前記ストレッサーが、イオン化照射である請求項９に記載の方法。
【請求項１９】
前記ストレッサーが、滴定剤である請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】同時複数試料光散乱検出装置及びその方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月20日(2016.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心波長を有する放射波長帯にわたって、前記波長帯にわたる出力パワースペクトルと平均放射パワーでチューナブル放射光を放射するチューナブルレーザであって、
第１および第２のミラーを含む光共振器と、
前記第１および第２のミラーの間に介在するゲイン領域と、
空隙同調領域と、
前記波長帯にわたって透光性であり剛体の支持構造に装着される変形可能誘電メンブレンを備えた、前記空隙を調節するＭＥＭＳ駆動機構と
を備え、
前記光共振器の自由スペクトル領域（ＦＳＲ）が前記中心波長の５％を超え、
前記チューナブルレーザが前記波長帯にわたって略単一縦横モードで動作し、
前記ＭＥＭＳ駆動機構が約１ｋＨｚ超の６ｄＢ帯域幅の波長同調周波数応答を有する、
チューナブルレーザ。
【請求項２】
前記ＭＥＭＳチューナブル駆動機構が８つの支柱を有する、
請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項３】
前記ＭＥＭＳチューナブル駆動機構が、明確に線引きされた支柱を持たない有孔メンブレンから成る、
請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項４】
前記メンブレンがドープされて導電性を高める、
請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項５】
前記メンブレンが窒化ケイ素である、
請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項６】
前記窒化ケイ素がケイ素を豊富に含み高い導電率をサポートする、
請求項５に記載のチューナブルレーザ。
【請求項７】
前記窒化ケイ素メンブレンが１００〜１０００ＭＰａの範囲の引張り応力値を有する、
請求項５に記載のチューナブルレーザ。
【請求項８】
前記窒化ケイ素メンブレンが１００〜１０００ＭＰａの範囲の圧縮応力を有する、
請求項５に記載のチューナブルレーザ。
【請求項９】
前記メンブレンが前記第１および第２のミラーの一方と一体化される、
請求項５に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１０】
前記メンブレンの厚さが、前記メンブレンの屈折率で除算した前記中心波長の１／４の奇数倍に略等しい、
請求項９に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１１】
前記メンブレンの厚さが、前記メンブレンの屈折率で除算した前記中心波長の３／４に略等しい、
請求項９に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１２】
波長の関数である単一周波数スペクトル強度変動が１％未満の振幅を有する、
請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１３】
前記第１および第２のミラーのうち少なくとも一方が９９．９％を超える理論的に無損失の反射率を有する、
請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１４】
３０ミクロン超のグリットサイズで裏側をラッピングした支持基板をさらに備える、
請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月8日(2016.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の電極を備えた基板上の光電子デバイスであって、
前記第１の電極は、前記基板上に配設されており、前記第２の電極は対向電極を形成し、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に、少なくとも１つの光活性な層系が配設されており、当該層系は、有機材料を含む少なくとも１つのドナー−アクセプター系を備える光電子デバイスであって、
前記対向電極（１）は、少なくとも１つの第１の層（２）と、当該第１の層（２）と前記光電子デバイスの光活性な層系との間に配設されている１つの第１の中間層（３）と、当該第１の層（２）上に配設されている１つの第２の層（４）とを備え、当該第１の層（２）は、金属、または銀を含む合金を含み、当該第１の中間層（３）はＣａ，Ｍｇ，またはＭｏＯxを含み、当該第２の層（４）は、１０〜１００ｎｍの層厚および２より大きい屈折率を有する、
ことを特徴とするデバイス。
【請求項２】
前記第１の電極と前記第２の電極との間には、少なくとも１つのドーピングされた輸送層，部分的にドーピングされた輸送層，またはドーピングされていない輸送層が配設されていることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１の層（２）は、ＡｇおよびＣａから成る合金、またはＡｇおよびＭｇから成る合金を含み、好ましくはＡｇまたはＣａまたはＭｇの割合は、少なくとも３０％であることを特徴とする、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記対向電極の前記第１の中間層（３）は、０．１〜１００ｎｍの層厚を有し、熱的蒸着によって堆積されていることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項５】
前記対向電極（１）の前記第１の層（２）は、３〜２０ｎｍの層厚を有し、好ましくは５〜１０ｎｍの層厚を有することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第２の層（４）は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属，金属酸化物または有機材料を含むことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第２の層（４）は、窒化物，セレン化物，硫化物，酸化物，テルル化物，またはポリマーを含むことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記第２の層（４）は、２．２より大きい屈折率を有することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項９】
前記第２の層（４）上に、酸化物を含みかつ層厚が１００ｎｍより大きい保護層（５）が配設されていることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第１の中間層（３）と前記対向電極の前記第１の層（２）との間に、金属または金属酸化物からなる第２の中間層（６）が挿入されており、当該第２の中間層（６）は、０．０５〜３０ｎｍの層厚を有することを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記対向電極（１）の前記第１の層（２）と前記第２の層（４）との間には、金属または金属酸化物から成るもう１つの中間層（７）が挿入されていることを特徴とする、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記基板は不透明または透明に実装されていることを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記基板は可撓に実装されていることを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記光電子デバイスは、有機太陽電池セルであることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記デバイスは、ｐｉｎシングルセル，ｐｉｎタンデムセル，ｐｉｎ多層セル，ｎｉｐシングルセル，ｎｉｐタンデムセル，またはｎｉｐ多層セルであることを特徴とする、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項１６】
少なくとも１つの第１の層（２）と、１つの第１の中間層（３）と、１つの第２の層（４）を含む層系から成る、光電子デバイス用の電極構造体であって、当該第１の層（２）は、金属または合金から成り、当該第１の中間層（３）は、光活性な層と前記第１の層（２）との間に配設されており、当該第２の層（４）は当該第１の層（２）上に配設され、２より大きい屈折率を有することを特徴とする電極構造体。
【請求項１７】
前記電極構造体は、前記第２の層（４）上に配設されている保護層（５）か、または前記第１の中間層（３）と前記第２の層（２）との間に配設され、金属または金属酸化物を含む第２の中間層（６）か、または前記第１の層（２）と前記第２の層（４）との間に配設され、金属または金属酸化物を含むもう１つの中間層（７）を含むことを特徴とする、請求項１６に記載の電極構造体。
【請求項１８】
光電子デバイスにおける、請求項１６または１７に記載の電極構造体の使用。
【請求項１９】
光電子デバイス用の電極構造体の製造方法であって、少なくとも
デバイスの光活性な層系上に、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または金属酸化物から成る第１の中間層（３）を熱的蒸着を用いて堆積するステップと、
前記第１の中間層（３）上に、電子ビーム蒸着，レーザービーム蒸着，アーク蒸着，分子線エピタキシー，スパッタリング，イオンビームアシスト堆積，イオンプレーティング，ＩＣＢ技術から成るグループから選択された堆積技術によって、金属または合金から成る第１の層（２）を堆積するステップと、
前記第１の層（２）上に第２の層（４）を堆積するステップと、
を備えることを特徴とする方法。