【手続補正書】
【提出日】平成28年9月9日(2016.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノスケールワイヤとの種の相互作用を決定する方法であって、前記方法は、
ソースと、ゲートと、ドレインとを備えている、ナノスケールワイヤの形の電界効果トランジスタを提供することと、
第１の周波数を有する第１の周期的電気信号を前記ソースに印加することと、
第２の周波数を有する第２の周期的電気信号を前記ゲートに印加することであって、前記第２の周波数は、前記第１の周波数とは異なる、ことと、
前記ゲートの電気的性質における変化を決定することであって、前記ナノスケールワイヤとの前記種の前記相互作用は、決定可能な変化を引き起こす、ことと
を含む、方法。
【請求項２】
前記第１の周期的電気信号および前記第２の周期的電気信号は、同時に印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１および第２の周期的電気信号は、各々、電圧である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電圧は、前記ドレインに対して生成される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の周波数および前記第２の周波数は、前記第１の周波数および前記第２の周波数のうちの大きい方に対して１０％以下だけ異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の周波数および前記第２の周波数は、前記第１の周波数および前記第２の周波数のうちの大きい方に対して１％以下だけ異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の周波数および前記第２の周波数は、前記第１の周波数および前記第２の周波数のうちの大きい方に対して０．１％以下だけ異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の周波数と前記第２の周波数とは、１０ｋＨｚ以下だけ異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の周波数と前記第２の周波数とは、１ｋＨｚ以下だけ異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の周波数と前記第２の周波数とは、１００Ｈｚ以下だけ異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記電気的性質は、コンダクタンスおよび／またはインピーダンスである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ナノスケールワイヤとの前記種の前記相互作用は、前記ナノスケールワイヤのコンダクタンスにおける決定可能な変化を引き起こす、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記相互作用は、結合相互作用である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記種は、タンパク質である、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記タンパク質は、前立腺特異抗原である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記相互作用は、前記種と相互作用することが可能な反応実体を介して起こる、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記反応実体は、抗体である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ナノスケールワイヤは、１マイクロメートル未満の直径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記ナノスケールワイヤは、２０％未満の平均直径の変動を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記ナノスケールワイヤは、半導体を備えている、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記ナノスケールワイヤは、シリコンを備えている、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の他の利点および新規特徴は、付随の図と併せて検討されることによって、本発明の種々の非限定的実施形態の以下の発明を実施するための形態から明白となるであろう。本明細書および参照することによって組み込まれる文書が、矛盾および／または非一貫した開示を含む場合、本明細書が、優先するものとする。参照することによって組み込まれる２つ以上の文書が、互に対して、矛盾および／または非一貫した開示を含む場合、より最新の発効日を有する文書が、優先するものとする。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
ソースと、ナノスケールワイヤを備えているゲートと、ドレインとを備えている電界効果トランジスタと、
前記ソースと電気的に連通している第１の周期的電圧発生器と、
前記ゲートと電気的に接続している第２の周期的電圧発生器と
を備えている、物品。
（項目２）
前記第１および第２の周期的電圧発生器は、各々、前記ドレインに対して電圧を生成する、項目１に記載の物品。
（項目３）
前記第１の周期的電圧発生器および前記第２の周期的電圧発生器と電気的に連通している周波数混合器をさらに備えている、項目１または２に記載の物品。
（項目４）
前記周波数混合器によって生成される信号を前記ドレインの電気的性質と比較するためのロックイン増幅器をさらに備えている、項目３に記載の物品。
（項目５）
前記周波数混合器と前記ロックイン増幅器との間に位置付けられている低域通過フィルタをさらに備えている、項目４に記載の物品。
（項目６）
前記ナノスケールワイヤは、マイクロ流体チャネル内に含まれている、項目１〜５のいずれか１項に記載の物品。
（項目７）
前記マイクロ流体チャネルは、約２ｍｍ以下の最大断面寸法を有する、項目６に記載の物品。
（項目８）
前記ナノスケールワイヤは、捩れている、項目１〜７のいずれか１項に記載の物品。
（項目９）
前記ナノスケールワイヤは、半導体を備えている、項目１〜８のいずれか１項に記載の物品。
（項目１０）
前記ナノスケールワイヤは、シリコンを備えている、項目１〜９のいずれか１項に記載の物品。
（項目１１）
ソースと、ナノスケールワイヤを備えているゲートと、ドレインとを備えている電界効果トランジスタを提供することと、
第１の周波数を有する第１の周期的電気信号を前記ソースに印加することと、
第２の周波数を有する第２の周期的電気信号を前記ゲートに印加することであって、前記第２の周波数は、前記第１の周波数とは異なる、ことと
を含む、方法。
（項目１２）
前記第１の周期的電気信号および前記第２の周期的電気信号は、同時に印加される、項目１１に記載の方法。
（項目１３）
前記第１および第２の周期的電気信号は、各々、電圧である、項目１１または１２に記載の方法。
（項目１４）
前記電圧は、前記ドレインに対して生成される、項目１３に記載の方法。
（項目１５）
前記第１の周波数および前記第２の周波数は、前記第１の周波数および前記第２の周波数のうちの大きい方に対して約１０％以下だけ異なる、項目１１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１６）
前記第１の周波数および前記第２の周波数は、前記第１の周波数および前記第２の周波数のうちの大きい方に対して約１％以下だけ異なる、項目１１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１７）
前記第１の周波数および前記第２の周波数は、前記第１の周波数および前記第２の周波数のうちの大きい方に対して約０．１％以下だけ異なる、項目１１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８）
前記第１の周波数と前記第２の周波数とは、約１０ｋＨｚ以下だけ異なる、項目１１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
（項目１９）
前記第１の周波数と前記第２の周波数とは、約１ｋＨｚ以下だけ異なる、項目１１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
（項目２０）
前記第１の周波数と前記第２の周波数とは、約１００Ｈｚ以下だけ異なる、項目１１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
（項目２１）
前記ゲートの電気的性質を決定することをさらに含む、項目１１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
（項目２２）
前記電気的性質は、コンダクタンスである、項目２１に記載の方法。
（項目２３）
前記電気的性質は、インピーダンスである、項目２１に記載の方法。
（項目２４）
前記電気的性質に基づいて、前記ナノスケールワイヤとの種の相互作用を決定することをさらに含む、項目２１〜２３のいずれか１項に記載の方法。
（項目２５）
前記ナノスケールワイヤとの前記種の前記相互作用は、前記ナノスケールワイヤの電気的性質における決定可能な変化を引き起こす、項目２４に記載の方法。
（項目２６）
前記ナノスケールワイヤとの前記種の前記相互作用は、前記ナノスケールワイヤの前記コンダクタンスにおける決定可能な変化を引き起こす、項目２４または２５に記載の方法。
（項目２７）
前記相互作用は、結合相互作用である、項目２４〜２６のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８）
前記結合は、特異的である、項目２７に記載の方法。
（項目２９）
前記種は、タンパク質である、項目２４〜２８のいずれか１項に記載の方法。
（項目３０）
前記タンパク質は、前立腺特異抗原である、項目２９に記載の方法。
（項目３１）
前記相互作用は、前記種と相互作用することが可能な反応実体を介して起こる、項目２４〜３０のいずれか１項に記載の方法。
（項目３２）
前記反応実体は、抗体である、項目３１に記載の方法。
（項目３３）
前記ナノスケールワイヤは、半導体を備えている、項目１１〜３２のいずれか１項に記載の方法。
（項目３４）
前記ナノスケールワイヤは、シリコンを備えている、項目１１〜３３のいずれか１項に記載の方法。
（項目３５）
前記ナノスケールワイヤは、約１マイクロメートル未満の直径を有する、項目１１〜３４のいずれか１項に記載の方法。
（項目３６）
前記ナノスケールワイヤは、約２０％未満の平均直径の変動を有する、項目１１〜３５のいずれか１項に記載の方法。
（項目３７）
前記ナノスケールワイヤは、捩れている、項目１１〜３６のいずれか１項に記載の方法。
（項目３８）
ソースと、ナノスケールワイヤを備えているゲートと、ドレインとを備えている電界効果トランジスタと、
異なる電圧を前記ソースおよび前記ゲートに印加することが可能な電圧発生器装置と、
前記電圧発生器および前記電界効果トランジスタの前記ドレインと電気的に連通している、ロックイン増幅器と
を備えている、物品。
（項目３９）
前記ロックイン増幅器は、前記電圧発生器の基準信号を前記ドレインの電気的性質と比較することができる、項目３８に記載の物品。
（項目４０）
ソースと、ナノスケールワイヤを備えているゲートと、ドレインとを備えている電界効果トランジスタを備えているデバイスを提供することと、
第１の周期的電圧信号を前記ソースに印加することと、
第２の周期的電圧信号を前記ゲートに印加することと、
前記ドレインによって生成される電圧信号を決定することと、
前記ドレインによって生成される前記電圧信号の変化を決定することによって、前記ゲートの変更を決定することと
を含む、方法。