(57)【要約】【課題】  赤色レーザダイオードと赤外レーザダイオードからなる２波長レーザと青紫レーザダイオードを横に並べて３波長半導体レーザ装置を構成する場合、２波長レーザの２つのレーザの発光点間の距離には制約があるためチップサイズが大きくなる。また、２波長レーザと青紫レーザを縦に積層した場合には、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなる。【解決手段】  発光点がチップ端近傍に形成された青紫レーザダイオードと２波長レーザダイオードを並べて実装して３波長半導体レーザ装置を構成する。３つの発光点間を近づけることが出来、且つ製造が容易な３波長半導体レーザ装置を提供することができる。【選択図】          図１
2013016585.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に第１の発振波長の光を出射する第１のレーザ部と第２の発振波長の光を出射する第２のレーザ部とを有する第１のレーザダイオードと、
第２の基板上に半導体積層構造が形成され、第３の発振波長の光を出射する第３のレーザ部を有し、前記第３のレーザ部の共振器が前記半導体積層構造の積層方向および共振器方向と垂直な方向における中央線から一端部方向へずれた位置に形成された第２のレーザダイオードと、
前記第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、
前記第２のレーザダイオードは前記一端部側で前記第１のレーザダイオードと隣接するようにサブマウント上に実装されていることを特徴とする多波長半導レーザ装置。
【請求項２】
第１の基板上に、第１の発振波長の光を出射する第１のレーザ部と、第２の発振波長の光を出射する第２のレーザ部を有する第１のレーザダイオードと、
第２の基板上に半導体積層構造を有し、第３の発振波長の光を出射する第２のレーザダイオードと、
前記第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、
前記第１のレーザダイオードと前記第２のレーザダイオードは隣接するように前記サブマウント上に実装されており、
前記第１のレーザダイオードは共振器側を前記サブマウント側に、前記第２のレーザダイオードは前記第２の基板側を前記サブマウント側にして実装されていることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記サブマウントに段差が形成されており、第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードの実装位置が共振器方向に対する鉛直断面上で異なる位置にあることを特徴とする請求項２に記載の多波長半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１のレーザダイオードのレーザ光軸と前記第２のレーザダイオードのレーザ光軸が共振器方向の一平面上に揃っていることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第１のレーザダイオードの一部分と前記第２のレーザダイオードの一部分が共振器方向に対する鉛直断面上で重なっていることを特徴とする請求項３に記載の多波長半導体レーザ装置。
【請求項６】
第１の基板上に、第１の発振波長の光を出射する第１のレーザ部と、第２の発振波長の光を出射する第２のレーザ部を有する第１のレーザダイオードと、
第２の基板上に半導体積層構造を有し、第３の発振波長の光を出射する第２のレーザダイオードと、
前記第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、
前記サブマウントが第１の平面部と概第１の平面部に対して内角を形成する第１の側面を有する第１の側壁部を有し、
前記第１のレーザダイオードを前記第１の平面部に実装し、前記第２のレーザダイオードを、前記第２の基板側が前記第１の側面と対向するように前記第１の側壁部に実装していることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。
【請求項７】
第１の基板上に、第１の発振波長の光を出射する第１のレーザ部と、第２の発振波長の光を出射する第２のレーザ部を有する第１のレーザダイオードと、
第２の基板上に半導体積層構造を有し、第３の発振波長の光を出射する第２のレーザダイオードと、
前記第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、
前記サブマウントが第２の平面部と概第２の平面部に対して外角を形成する第２の側面面を有する第２の側壁部を有し、
前記第１のレーザダイオードを前記第２の平面部に実装し、前記第２のレーザダイオードを、共振器側が前記第２の側面と対向するように前記第２の側壁部に実装していることを特徴とする多波長半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記サブマウントの前記第２の側壁部に凹部を有し、前記第２のレーザダイオードからの光が前記凹部を形成する側面との間に所定の間隔を有することを特徴とする請求項７に記載の多波長半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記凹部が溝状であることを特徴とする請求項８に記載の多波長半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記第２のレーザダイオードの共振器が端部近傍に形成されていることを特徴とする請求項２から９のいずれか１項に記載の多波長半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、波長の異なる光を放射する複数のレーザダイオードを有する多波長半導体レーザ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤ（Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ）などの光ディスクは、大容量の記録媒体として現在盛んに利用されている。これらの光ディスクの記録・再生に用いられるレーザダイオード（以下、ＬＤという）の発振波長はそれぞれ異なり、ＣＤ用ＬＤの発振波長は７８０ｎｍ帯（赤外）、ＤＶＤ用ＬＤの発振波長は６５０ｎｍ帯（赤色）、ＢＤ用ＬＤの発振波長は４０５ｎｍ帯（青紫色）である。したがって、１つの光ディスク装置でＣＤ、ＤＶＤおよびＢＤの情報を取り扱うためには、赤外、赤色、青紫色の３つの光源が必要となる。
【０００３】
波長の異なるＬＤチップを横に並べて多波長半導体レーザ装置を構成する場合、特に赤色ＬＤと赤外ＬＤからなる２波長ＬＤと青紫ＬＤを横に並べて３波長半導体レーザ装置を構成する場合、２波長ＬＤの２つのレーザの発光点間の距離に、機器上の制約があるためチップサイズが大きくなる。そのため、従来の多波長半導体レーザ装置として、ヒートシンク上に設置された青紫色ＬＤ上に赤色ＬＤと赤外ＬＤを接着して並置することにより、１つの光ディスク装置でＣＤ、ＤＶＤおよびＢＤの情報を取り扱うことができるようにしたものがある（例えば、特許文献１  参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−５９４７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の多波長レーザ装置においては、赤外ＬＤと赤色ＬＤが青紫色ＬＤ上に接着して配置されているため、赤外ＬＤおよび赤色ＬＤが動作時に発する熱をヒートシンクに効率的に放熱することができないという問題があった。また、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなるという問題があった。
【０００６】
この発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、チップサイズが小さく光学設計が容易で、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る多波長半導体レーザ装置は、第１の基板上に第１の発振波長の光を出射する第１のレーザ部と第２の発振波長の光を出射する第２のレーザ部とを有する第１のレーザダイオードと、第２の基板上に半導体積層構造が形成され、第３の発振波長の光を出射する第３のレーザ部を有し、前記第３のレーザ部の共振器が前記半導体積層構造の積層方向および共振器方向と垂直な方向における中央線から一端部方向へずれた位置に形成された第２のレーザダイオードと、前記第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、前記第２のレーザダイオードは前記一端部側で前記第１のレーザダイオードと隣接するようにサブマウント上に実装されていることを特徴とするものである。
【０００８】
また、この発明に係る多波長半導体レーザ装置は、第１の基板上に、第１の発振波長の光を出射する第１のレーザ部と、第２の発振波長の光を出射する第２のレーザ部を有する第１のレーザダイオードと、第２の基板上に半導体積層構造を有し、第３の発振波長の光を出射する第２のレーザダイオードと、前記第１のレーザダイオードと第２のレーザダイオードと載置するサブマウントを備え、前記第１のレーザダイオードと前記第２のレーザダイオードは隣接するように前記サブマウント上に実装されており、前記第１のレーザダイオードは共振器側を前記サブマウント側に、前記第２のレーザダイオードは前記第２の基板側を前記サブマウント側にして実装されていることを特徴とするものである。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、チップサイズが小さく光学設計が容易で、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の一実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略斜視図である。
【図２】この発明の一実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。
【図３】この発明の一実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略側面図である。
【図４】この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略斜視図である。
【図５】この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略側面図である。
【図６】この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。
【図７】この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。
【図８】この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。
【図９】この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略側面図である。
【図１０】この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。
【図１１】この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略側面図である。
【図１２】この発明のもう一つの実施の形態に係る多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る多波長半導体レーザ装置の斜視図である。また、図２は本実施の形態１の多波長半導体レーザ装置に搭載される２波長ＬＤと青紫ＬＤの積層構造を示す断面図である。また、図３は本実施の形態１の多波長半導体レーザ装置のレーザ光の出射方向に対して直交する一方向からみた側面図である。実施の形態における多波長半導体レーザ装置は、金属板材を円板状に成形したステム１０１と、ステム１０１の上面に載置されたブロック１０３と、ブロック１０３を構成する一平面に載置されたサブマウント１０５とを有する。サブマウント１０５上には、２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９が搭載される。２波長ＬＤ１０７は、第１の基板２０７上に半導体積層構造を有し、第１のレーザ部として波長７８０ｎｍの赤外レーザ光を出射する赤外レーザ部２０１と、第２のレーザ部として波長６５０ｎｍの赤色レーザ光を出射する赤色レーザ部２０３とがモノリシックに形成されている。裏面には第１の裏面ｎ側電極２０９が形成されている。青紫ＬＤ１０９は、第２の基板２１１上に窒化物系半導体が積層された第３のレーザ部２０５が形成されたもので、波長４０５ｎｍの青紫レーザ光を出射する。裏面には第２の裏面ｎ側電極２１３が形成されている。青紫ＬＤ１０９の共振器１１７は、共振器方向および半導体積層方向と垂直な方向においてチップの中央線２１５からチップの一端部２１７方向へずれた位置に形成されている。ステム１０１を貫通して設けられたリードピン１１１は、２波長ＬＤ１０７および青紫ＬＤ１０９とボンディングワイヤ１１３を介して電気的に接続され、接地ピン１１５はステム１０１を貫通し、ステム１０１と電気的に接続されている。
【００１２】
ブロック１０３は、銅合金等の熱伝導率の高い金属材料で形成されており、２波長ＬＤ１０７および青紫ＬＤ１０９で発生した熱を効率よく放熱する。
【００１３】
ブロック１０３に載置されたサブマウント１０５上に２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９が隣接してはんだ付けされている。青紫ＬＤ１０９は、中央線２１５からずれて共振器が形成された一端部２１７側が２波長ＬＤ１０７と隣接するようにサブマウント１０５上に搭載されている。２波長ＬＤ１０７および青紫ＬＤ１０９から放出されるレーザ光は、同一方向に放射されるように配置されている。なお、ブロック１０３、サブマウント１０５、２つのＬＤの設置順は特に限定されない。
【００１４】
リードピン１１１は、絶縁体を介してステム１０１を貫通しており、２波長ＬＤ１０７のｐ側電極３０１および青紫ＬＤ１０９のｐ側電極３０３とボンディングワイヤ１１３で電気的に接続される。
【００１５】
接地ピン１１５はステム１０１と溶接で接合されており、ステム１０１を介してブロック１０３およびサブマウント１０５は接地ピン１１５と電気的に接続されている。サブマウント１０５上にはＧＮＤ配線パターン３０５が形成されており、２波長ＬＤ１０７および青紫ＬＤ１０９は、ＧＮＤ配線パターン３０５と第１の裏面ｎ側電極２０９および第２のｎ側電極２１３が接続されるようにサブマウント１０５上に配置され、接地ピン１１５と電気的に接続されている。さらにサブマウント１０５上のＧＮＤ配線パターン３０５と接地ピン１１５とはボンディングワイヤ１１３で電気的に接続されている。
【００１６】
このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点間の距離の制約を満たした状態でチップサイズが小さい多波長半導体レーザ装置を得ることができる。
【００１７】
さらに本実施の形態１では、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの共振器と青紫ＬＤ１０９の共振器１１７は同方向となっており、また、図２に示すように２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３が共振器方向において同一平面上に揃っている。そのため、モニタＰＤの配置などの光学設計を容易にすることができる。また、２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９のの間隔を調整することにより、各発光点間の距離を等しくすることも可能である。
【００１８】
本実施の形態１によれば、多波長半導体レーザ装置を、２つのレーザの発光点間の距離に制約がある２波長ＬＤと発光点が中央からずれた青紫ＬＤを隣接して載置するように構成したので、各発光点間の距離を等しくすることができる。あるいは、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点間の距離の制約を満たした状態で光学系が小さくなるように設計することが可能な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。また、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの共振器と青紫ＬＤ１０９の共振器は同方向となっており、２波長ＬＤ１０７の２つの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３が共振器方向において同一平面上に揃っているので、光学設計を容易にすることができる。
【００１９】
また本実施の形態１では、サブマウント１０５のＧＮＤ配線パターン３０５と接地ピン１１５とがボンディングワイヤ１１３で電気的に接続されているが、接地ピン１１５とステム１０１とが溶接で接合されており、ステム１０１およびブロック１０３およびサブマウント１０５は電気的に接続されているので、サブマウント１０５上のＧＮＤ配線パターン３０１と接地ピン１１５との間のボンディングワイヤ１１３を省くこともできる。
【００２０】
実施の形態２．
図４は本発明の他の実施の形態２に係る多波長半導体レーザ装置の斜視図である。また、図５は本実施の形態２の多波長半導体レーザ装置のレーザ光の出射方向に対する側面図である。
【００２１】
本実施の形態２に係る多波長半導体レーザ装置は、２波長ＬＤ１０７をサブマウント１０５上に積層する際に、２つの発光点２１９、２２１側をサブマウント１０５側に、基板２０７の第１のｎ側電極２０９がサブマウント１０５から離れる方向とするジャンクションダウンで積層している。２波長ＬＤ１０７は発熱量が大きくジャンクションダウンで実装することにより共振器から発生する熱をサブマウント１０５を介して効率的に放熱することが可能となる。放熱の問題が２波長ＬＤ１０７と比較して少ない青紫ＬＤ１０９は組立てが容易なジャンクションアップで実装する。青紫ＬＤ１０９の光軸の水平位置を２波長ＬＤ１０７の各光軸から切り離し、２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９の光学設計を分けて行う場合には、青紫ＬＤ１０９の共振器をチップ中央からずれた位置に形成する必要はない。サブマウント１０５上には２波長ＬＤ１０７用の信号パターン５０１と青紫ＬＤ１０９用にＧＮＤパターン５０３が形成されている。サブマウント１０５とサブマウント１０５上の信号パターン５０１とは絶縁膜などで電気的に絶縁されている。本実施の形態２のその他の構成は、実施の形態１と同様である。２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点間の距離および青紫ＬＤ１０９の光学系に制約がある場合には、実施の形態１と同様に青紫ＬＤ１０９の共振器をチップ中央からずれた位置に形成することで外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。
【００２２】
本実施の形態２によれば、多波長半導体レーザ装置を、２波長ＬＤ１０７をジャンクションダウンとし、青紫ＬＤ１０９をジャンクションアップで実装したので、放熱に優れ組立てが容易な多波長半導体レーザ装置を得ることができる。
【００２３】
実施の形態３．
図６は本発明の他の実施の形態３の多波長半導体レーザ装置に搭載される２波長ＬＤと青紫ＬＤの積層構造を示す断面図である。本実施の形態３に係る多波長半導体レーザ装置は、２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９を実装するサブマウント１０５に段差６０１が形成されており、２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９の実装位置が共振器方向に対する鉛直断面上で異なる位置にある。本実施の形態３のその他の構成は、実施の形態２と同様である。また、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３が共振器方向において同一平面上に揃っている。本実施の形態３のその他の構成は、実施の形態２と同様である。
【００２４】
このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。また、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向において同一平面上に揃えることも可能で、モニタＰＤの配置などの光学設計を容易にすることができる。
【００２５】
実施の形態４．
図７は本発明の他の実施の形態４の多波長半導体レーザ装置に搭載される２波長ＬＤと青紫ＬＤの積層構造を示す断面図である。本実施の形態４に係る多波長半導体レーザ装置は、段差が形成されたサブマウント１０５上に搭載された２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９の一部が、上下に重なり部分７０１を有している。本実施の形態４のその他の構成は、実施の形態２と同様である。
【００２６】
このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。
【００２７】
実施の形態５．
図８および図９は本発明の他の実施の形態５の多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略図である。図８は本実施の形態５の多波長半導体レーザ装置の概略断面図、図９は概略側面図である。本実施の形態５に係る多波長半導体レーザ装置は、２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９を実装するサブマウント１０５に第１の平面部８０１と概第１の平面部に対して内角θ１を形成する第１の側面８０３を有する第１の側壁部８０５が形成されている。２波長ＬＤ１０７は第１の平面部８０１に実装され、青紫ＬＤ１０９は第２の基板側が第１の側面８０３と対向するように第１の側壁部８０５に実装されている。第１の平面部８０１および第１の側壁部８０５には信号配線パターン８０７およびＧＮＤ配線パターン８０９が形成されている。本実施の形態５では２波長ＬＤ１０７をジャンクションダウンで実装し、青紫ＬＤ１０９をジャンクションアップで実装しているので、第１の平面部８０１には信号配線パターン８０７を形成し、第１の側壁部８０５にはＧＮＤ配線パターン８０９が形成されている。信号配線パターン８０７およびＧＮＤ配線パターン８０９はボンディングワイヤ１１３によってリードピン１１１あるいは接地ピン１１５と接続されている。本実施の形態５のその他の構成は、実施の形態１と同様である。さらに第１の平面部８０１と第１の側壁部８０５の間に第１の凹部８１１を形成することで、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向において同一平面上に揃えることも可能となる。本実施の形態５では、第１の側面８０３は、第１の平面部８０１に対して鉛直面としているが、第１の側面８０３は、第１の平面部８０１に対して必ずしも鉛直である必要はなく、内角θ１は９０度以上であってもよい。内角θ１を９０度以上にした場合には内角θ１を９０度とした場合より、青紫ＬＤ１０９へのワイヤボンディングが容易となる。
【００２８】
このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。
【００２９】
実施の形態６．
図１０および図１１は本発明の他の実施の形態６の多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略図である。図１０は本実施の形態６の多波長半導体レーザ装置の概略断面図、図１１は概略側面図である。本実施の形態６に係る多波長半導体レーザ装置は、サブマウント１０５の第２の平面部１００１と概第２の平面部１００１に対して外角θ２をなす面である第２の側壁部１００３に、それぞれ２波長ＬＤ１０７と青紫ＬＤ１０９が実装されている。第２の平面部１００１および第２の側壁部１００３には信号配線パターン１００５が形成されている。本実施の形態５では２波長ＬＤ１０７および青紫ＬＤ１０９をジャンクションダウンで実装しているので、第２の平面部１００１および第２の側壁部１００３には信号配線パターン１００５が形成されているが、ジャンクションアップで実装した場合には、その実装部分にＧＮＤ配線パターンが形成される。信号配線パターン１００５はボンディングワイヤ１１３によってリードピン１１１と接続され、２波長ＬＤ１０７の第１の裏面ｎ電極２０９および青紫ＬＤ１０９の第２の裏面ｎ電極２１３がボンディングワイヤ１１３によって接地ピン１１５と接続されている。本実施の形態６のその他の構成は、実施の形態１と同様である。さらに本実施の形態６に係る多波長半導体レーザ装置は、青紫ＬＤ１０９の実装位置を調節することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向において同一平面上に揃えることも可能となる。
【００３０】
このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。
【００３１】
実施の形態７．
図１２は本発明の他の実施の形態７の多波長半導体レーザ装置の構造を示す概略断面図である。本実施の形態７に係る多波長半導体レーザ装置は、サブマウント１０５の第２の側壁部１００３に、第２の凹部１２０１が形成されている。この第２の凹部１２０１は、第２の凹部１２０１を形成する凹部側面１２０３と青紫ＬＤ１０９からの光との間に所定の間隔を有するように形成されている。この第２の凹部１２０１によって青紫ＬＤ１０９からの光とサブマウント１０５とが所定の間隔を有して分離されており、サブマウント１０５上の実装位置によって青紫ＬＤ１０９からの光にサブマウント１０５が与える影響を小さくすることが可能となる。本実施の形態７のその他の構成は、実施の形態６と同様である。
【００３２】
このように多波長半導体レーザ装置を構成することにより、２波長ＬＤ１０７の２つのレーザの発光点２１９、２２１と青紫ＬＤ１０９の発光点２２３を共振器方向に対する鉛直断面上で近づけることが可能となり、さらにサブマウント１０５が光に与える影響を小さくし、外部の光学系のサイズを小さくすることが可能で放熱に優れた多波長半導体レーザ装置を得ることができる。
【００３３】
本明細書の各実施の形態では、赤外レーザおよび赤色レーザの２波長ＬＤと青紫ＬＤを搭載することで多波長半導体レーザ装置を構成したが、各レーザの波長はこれに限定されない。例えば赤色、緑色、青色の三つの波長のレーザを組み合わせて本発明の多波長半導体レーザ装置を構成してもよい。
【００３４】
なお、図面および明細書では本発明の典型的な好ましい実施形態を開示しており、特定の用語を使用しているが、それらは一般的かつ記述的な意味合いでのみ使用しており、本明細書に記載の特許請求の範囲を限定することを目的とするものではないことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００３５】
１０５  サブマウント
１０７  ２波長ＬＤ
１０９  青紫ＬＤ
１１７  共振器
２０１  第１のレーザ部
２０３  第２のレーザ部
２０５  第３のレーザ部
２０７  第１の基板
２１１  第２の基板
２１５  中央線
２１７  一端部
２１９、２２１、２２３  発光点
６０１  段差
７０１  重なり部分
８０１  第１の平面部
８０３  第１の側面
８０５  第１の側壁部
１００１  第２の平面部
１００３  第２の側壁部
１２０１  第２の凹部
１２０３  凹部側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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