Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月20日(2016.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光線束を均質化するための光学システムであって、
光を均質化する円柱形状を有する細長い固体光学要素を備え、前記光学要素が、入射横断面と、出射横断面とを備え、前記入射面が、凸多角形として成形された周縁であって、ゼロ曲率の少なくとも２つの縁部と、前記少なくとも２つの縁部の任意の２つの隣接する端部の間の頂点とを備える周縁を有し、前記頂点の少なくとも１つが、正曲率を有する線分であり、前記線分の長さが、前記周縁の長さの少なくとも１％〜最大９０％を成し、
光学システムが更に、
前記入射面に配置され、前記光線束を前記入射面に指向する少なくとも１つの光源を備え、前記光線束が、
領域（ａ）前記入射面の前記周縁の近傍；
領域（ｂ）前記入射面の中心から頂点の中点に延びる第１の直線線分の少なくとも一部分の近傍；
領域（ｃ）前記入射面の中心から縁部の中点に延びる第２の直線線分の少なくとも一部分の近傍
のうちの少なくとも１つの幾何学的領域に指向される光学システム。
【請求項２】
領域（ｂ）が、偶数個の頂点を有する多角形として実質的に成形された入射面内に位置され、領域（ｃ）が、奇数個の頂点を有する多角形として実質的に成形された入射面内に位置される請求項１に記載の光学システム。
【請求項３】
前記光線束が、前記第２の直線線分の一部分の近傍に指向され、前記少なくとも一部分が、最長で、前記直線線分の中点と縁部の中点との間に延びる請求項１に記載の光学システム。
【請求項４】
前記光線束が、偶数の多角形の中心領域外に指向される請求項１に記載の光学システム。
【請求項５】
前記偶数の多角形の縁部の数が、４、６、又は８である請求項１に記載の光学システム。
【請求項６】
前記奇数の多角形の縁部の数が、３、５、又は７である請求項１に記載の光学システム。
【請求項７】
前記光線束が、奇数の多角形の中心領域外に指向され、前記奇数の多角形の縁部の数が、５又は７である請求項１に記載の光学システム。
【請求項８】
光線束を放出する少なくとも１つの光源を備える照明装置であって、前記少なくとも１つの光源が、
（ａ’）凸多角形の周縁；
（ｂ’）多角形の中心から頂点に延びる第１の直線線分の少なくとも一部分；及び
（ｃ’）多角形の中心から縁部の中点に延びる第２の直線線分の少なくとも一部分
のうちの少なくとも１つの幾何学的形状に沿って配置され、
前記凸多角形が、固体光学要素の入射面の形状と実質的に一致し、前記光学要素が、前記少なくとも１つの光源によって放出される光線束を均質化し、前記光学要素が、円柱形状を有し、入射横断面と、出射横断面とを備え、前記入射面が、凸多角形として成形された周縁であって、ゼロ曲率の少なくとも２つの縁部と、前記少なくとも２つの縁部の任意の２つの隣接する端部の間の頂点とを備える周縁を有し、前記頂点の少なくとも１つが、正曲率を有する線分であり、前記線分の長さが、前記周縁の長さの少なくとも１％〜最大９０％を成し、それにより、前記少なくとも１つの光源が、
領域（ａ）前記入射面の前記周縁の近傍；
領域（ｂ）前記入射面の中心から頂点の中点に延びる第１の直線線分の少なくとも一部分の近傍；及び
領域（ｃ）前記入射面の中心から縁部の中点に延びる第２の直線線分の少なくとも一部分の近傍
のうちの少なくとも１つの前記光学要素の幾何学的領域に前記光線束を指向する照明装置。
【請求項９】
光を均質化する細長い固体光学要素によって光線束を均質化するための方法であって、
円柱形状を有する細長い光学要素の入射横断面に前記光線束を指向するステップを含み、前記入射面が、凸多角形として成形された周縁であって、ゼロ曲率の少なくとも２つの縁部と、前記少なくとも２つの縁部の任意の２つの隣接する端部の間の頂点とを備える周縁を有し、前記頂点の少なくとも１つが、正曲率を有する線分であり、前記線分の長さが、前記周縁の長さの少なくとも１％〜最大９０％を成し、前記光線束が、
領域（ａ）前記入射面の前記周縁の近傍；
領域（ｂ）前記入射面の中心から頂点の中点に延びる第１の直線線分の少なくとも一部分の近傍；
領域（ｃ）前記入射面の中心から縁部の中点に延びる第２の直線線分の少なくとも一部分の近傍
のうちの少なくとも１つの幾何学的領域に指向され、
方法が更に、
前記光線束を前記光学要素の出射面から抽出するステップ
を含む方法。
【請求項１０】
領域（ｂ）が、奇数個の頂点を有する多角形として実質的に成形された入射面内に位置され、領域（ｃ）が、偶数個の頂点を有する多角形として実質的に成形された入射面内に位置される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記光線束が、前記第２の直線線分の一部分の近傍に指向され、前記少なくとも一部分が、最長で、前記第２の直線線分の中点と縁部の中点との間に延びる請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記光線束が、長方形である入射面の中心領域外に指向される請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記偶数の多角形の縁部の数が、４、６、又は８である請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記奇数の多角形の縁部の数が、３、５、又は７である請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記光線束が、奇数の多角形の中心領域外に指向され、前記奇数の多角形の縁部の数が、５又は７である請求項９に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年10月28日(2016.10.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
図２は、寸法４５に示されるように、形成された構造の同じ高さを維持することが追加された追加の設計ルールを用いた、実質的に光学的に等価なレンズと比較された、断面におけるフレネル・レンズの基本概念を示す。この設計ルールは、レンズの光学効率を最大化しうる。本明細書に開示された設計パラメータとともに、この設計ルールを利用することによって、このタイプのレンズを、回折レンズとして分類することができる。これらの一致した高さは、設計波長において、液晶による光波の遅れの整数倍として確立されうる。例えば、設計波長が５５０ナノメータであり、液晶が、オフ状態からオン状態へ、屈折率が１．７から１．５へ変化するのであれば、１波長の遅れは、２．７５ミクロン（すなわち、０．５５０／（１．７−１．５）＝２．７５）の高さ４５を必要としうる。２波長が、５．５ミクロンの高さ４５を必要としうる等でありうる（以下の表１のスプレッドシートの例を参照方）。例えば、コレステリック液晶を用いた場合、このいくつかのバリエーションは、光の通常の極性における屈折率と、液晶の通常の屈折率と異常な屈折率との平均との間のデルタが、波長を除するための値として使用されるだろう。他のバリエーションは、そこから液晶の屈折率を引くために、屈折率の一方の値として液晶をサポートしている基板材料の屈折率を利用し、設計波長を除すべき値が導出される。液晶が電場にさらされている場合、屈折率が、その電力状態へ変わりうるか、および／または、レンズの光路長が変動しうる。電場が除去されると、液晶は、非電力状態における屈折率に戻りうるか、および／または、レンズの光路長が、非電力状態における長さに戻りうる。光路長のこれら２つの値の差分は、光路差すなわちＯＰＤ（optical path difference）として知られている。本明細書において提供された典型的な方法、または、恐らくは、その他のある数学的方法を用いてレンズが正しく設計されている場合、レンズのＯＰＤは、ＯＰＤを光の設計波長で除したものに対応する商が乗じられた整数倍でありうる。レンズはこの設計ルールを用いて設計されているので、リングは、中心から離れるほど、リングの幅が小さくなりうる。図２に図示されるように、リング４０は中心からより離れているので、リング３５は、リング４０よりも広い。すべてのリングが、同じ高さ４５を有しうる。この設計ルールを用いると、所与の直径のレンズのための各特定高さで生成されうる屈折力の大きさに対する制限があり、これによって、リング構造がより密になり、これ以上効率的に機能することはない。リングがより密に詰められると、傾斜５０の角度が増加し、ある点において、一致高さ設計ルールに未だに準拠する、完全に形成されたリング構造の生成は、もはや可能ではないかもしれない。この問題に対する従来の解決策は、より高い構造を用いることであるが、これを行うと、電力需要を増加させ、レンズ・スイッチング速度をスロー・ダウンさせるだろう。これは、以下のパラグラフにおいて、より詳細に説明される。
【表１】
2015515640.tif 000001
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
図５は、図４ａおよび４ｂに記載された問題に対処して、より高い屈折力の可能性を提供するが、液晶において、光波長のより高い整数倍の厚みを持つ中心リングで開始される従来のアプローチで用いられるものと同じ液晶の量で、レンズに負荷をかける必要のない、典型的なレンズの断面プロファイルを図示する。第１の２つのリング９０では、１光波長設計高さが利用されうる。その後、中心からさらに離れたリングにおいて、光波長整数倍設計ルールが、より大きな整数（この例では、２波長）にインクリメントされ、結果として得られる深さ１０５は、第１のリングのために選択された深さ１００の２倍の深さになりうる。丸められたコーナを持たないリング９０の面幅長さに対する、丸められたコーナを含むリングの面幅の全体長さの比が、リング９５の同じ比と比較された場合、この比の変化は、図３および４に示されるほど大きくはない。面幅長さの比の変化が減少すると、光波長の整数倍の設計ルールからの乖離が減少しうる。これは、中心からより離れたリングの部分におけるレンズ効率の低下を減少および／または除去しうる。中心からさらに離れたレンズ効率が維持され、追加の液晶の量は、レンズ全体にわたって設計高さが増加されたとすれば利用される筈であった液晶の量よりも著しく低減されうる。その結果、スイッチング時間の低下が減少され、および／または、電力消費量の増加が減少しうる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
ある典型的な実施形態では、リング９０の最大断面高さは、レンズ基板材料の屈折率と、電気的な電力状態にある間の液晶の屈折率との減算の結果によって除された、光の予め定められた波長の第１の整数倍に等しくなりうる。同様に、リング９５の最大径方向断面高さは、レンズ基板材料の屈折率と、電気的な電力状態にある間の液晶の屈折率との減算の結果によって除された、光の予め定められた波長の第２の（異なる）整数倍に実質的に等しくなりうる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月14日(2016.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体分子を液体中の１種以上の他の成分から分離する方法であって、液体を固体支持体及び固体支持体に結合したポリマー鎖を含む分離マトリックスと接触させる工程を含み、ポリマー鎖が構造ＣＨ2＝ＣＨ−Ｌ−Ｘ（式中、Ｌは共有結合又は炭素原子数２〜６のアルキルエーテル又はヒドロキシ置換アルキルエーテル鎖であり、Ｘはスルホン酸又はホスホン酸基である。）の第１モノマーから誘導された単位を含む、方法。
【請求項２】
前記液体が、ａ）前クロマトグラフィー工程、例えばアフィニティー工程、イオン交換工程、マルチモード工程又は疎水性相互作用工程からの溶出液、又はｂ）分離マトリックス、例えばイオン交換マトリックス、マルチモードマトリックス又は疎水性相互作用マトリックスからのフロースルーである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記生体分子が、免疫グロブリン、免疫グロブリン小片又は免疫グロブリン含有タンパク質、例えば抗体、抗体小片、抗体複合体又は抗体融合タンパク質であり、生体分子の１％以上、例えば５％以上又は１０％以上が凝集体の形態である、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記ポリマー鎖がコポリマー鎖であり、さらにＮ−ビニルアミドのような第２非荷電モノマー、所望によりＮ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、Ｎ−ビニルホルムアミド及びＮ−ビニルアセトアミドからなる群から選択される第２非荷電モノマーから誘導された単位を含む、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
Ｌが共有結合又は−ＣＨ2−Ｏ−Ｌ’−であり、Ｌ’がＣ2−Ｃ4又はＣ3−Ｃ4アルキレン鎖、所望により少なくとも１つのヒドロキシル基で置換され、及び／又は第１モノマーがビニルスルホン酸、ビニルホスホン酸及びアリルオキシヒドロキシプロピルスルホン酸からなる群から選択される、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
固体支持体と該固体支持体に結合したコポリマー鎖とを含む分離マトリックスであって、前記コポリマー鎖が、
ａ）構造ＣＨ2＝ＣＨ−Ｌ−Ｘ（式中、Ｌは共有結合又は炭素原子数２〜６のアルキルエーテル又はヒドロキシ置換アルキルエーテル鎖であり、Ｘはスルホン酸又はホスホン酸基である。）の第１モノマーと
ｂ）第２非荷電モノマーと
から誘導された単位を含む、分離マトリックス。
【請求項７】
Ｌが共有結合又は・ＣＨ2−Ｏ−Ｌ’−であり、Ｌ’がＣ2−Ｃ4又はＣ3−Ｃ4アルキレン鎖、所望により少なくとも１つのヒドロキシル基で置換され、及び／又は少なくとも１つの荷電モノマーがビニルスルホン酸、ビニルホスホン酸及びアリルオキシヒドロキシプロピルスルホン酸からなる群から選択される、請求項６記載の分離マトリックス。
【請求項８】
第２非荷電モノマーがＮ−ビニルアミドであり、所望によりＮ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、Ｎ−ビニルホルムアミド及びＮ−ビニルアセトアミドからなる群から選択される、請求項６又は請求項７記載の分離マトリックス。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか１項記載の分離マトリックスの製造方法であって、
ａ）共重合可能なＣ＝Ｃ二重結合を有する部分又はフリーラジカルを形成しやすい部分を含む固体支持体を用意する工程と、
ｂ）固体支持体を第１及び第２モノマーを含有する混合物と接触させる工程と、
ｃ）ラジカル重合を開始する工程と
を含む方法。
【請求項１０】
共重合可能なＣ＝Ｃ二重結合を有する部分がアリル基、例えばアリルエーテル基又はアリルヒドロキシプロピルエーテル基である、請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月26日(2016.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のエッジ点灯フラットパネルと、
第１のエッジ点灯フラットパネルに重ねられた第２のエッジ点灯フラットパネルと、
第１のエッジ点灯フラットパネルと視覚的に整列して配置された第３のエッジ点灯フラットパネルと
を備える照明器具であって、
各々のエッジ点灯フラットパネルが透光性材料で形成されていて、第１の平面と、第１の平面と反対側でかつ第１の平面から離隔した第２の平面と、第２の平面と結合した光学素子とを含んでおり、
第１のエッジ点灯フラットパネルの光学素子が、第１のエッジ点灯フラットパネルの像の所望の形状を形成するとともにその第１の平面を通して第１のエッジ点灯フラットパネル内で配光される光を反射するように構成されており、
第２のエッジ点灯フラットパネルの光学素子が、第２のエッジ点灯フラットパネルの像の所望の形状を形成するとともにその第１の平面を通して第２のエッジ点灯フラットパネル内で配光される光を反射するように構成されており、
第３のエッジ点灯フラットパネルの光学素子が、第３のエッジ点灯フラットパネルの像の所望の形状を形成するとともにその第１の平面を通して第３のエッジ点灯フラットパネル内で配光される光を反射するよう構成されており、
第１のエッジ点灯フラットパネルの光学素子が第１の像を完全には画成せず、第３のエッジ点灯フラットパネルの光学素子が第１の像を完全には画成せず、第１のエッジ点灯フラットパネルの光学素子によって形成された像が、第３のエッジ点灯フラットパネルの光学素子によって形成される像と組合せたときに、完全な第１の像を画成し、
第１のエッジ点灯フラットパネルの光学素子が第２の像を完全には画成せず、第２のエッジ点灯フラットパネルの光学素子が第２の像を完全には画成せず、第１のエッジ点灯フラットパネルの光学素子によって形成された像が、第２のエッジ点灯フラットパネルの光学素子によって形成される像と組合せたときに、完全な第２の像を画成し、
完全な第１の像と完全な第２の像とが異なる、照明器具。
【請求項２】
当該照明器具が、給電したときに、完全な第１の像と完全な第２の像を順次投射する、請求項１記載の照明器具。
【請求項３】
第１のエッジ点灯フラットパネル、第２のエッジ点灯フラットパネル及び第３のエッジ点灯フラットパネルの各々と結合した光源をさらに備える、請求項１又は請求項２記載の照明器具。
【請求項４】
前記光源が、第１及び第３のエッジ点灯フラットパネル又は第１及び第２のエッジ点灯フラットパネルのみを照明又は選択的に照明するように構成及び配置される、請求項３記載の照明器具。
【請求項５】
前記光源がＰＣＢ含有発光ダイオードのストリップを含む、請求項３記載の照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月22日(2016.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブなヘテロダイン検波システムであって、
赤外線放射を放出する連続同調可能なレーザー光源と、
連続スペクトル範囲にわたるヘテロダイン検波のための検波器と、
前記赤外線放射を第１の部分と第２の部分とに分割する手段と、
前記第１の部分と前記第２の部分との間に周波数シフトを付与する手段と、
前記赤外線放射の前記第１の部分をターゲットに向ける手段であって、前記赤外線放射の前記第２の部分が局部発振光として提供される手段と、
前記ターゲットからの赤外光の前記第１の部分の散乱成分を収集する手段と、
前記散乱成分と前記局部発振光とを混合して、前記検波器に送る手段と、を含む、検波システム。
【請求項２】
前記レーザー光源が量子カスケードレーザーである請求項１に記載の検波システム。
【請求項３】
前記レーザー光源が、波長選択および同調のための回折格子を有する、外部共振器構成で提供される、請求項１又は２に記載の検波システム。
【請求項４】
周波数シフト手段が音響光学変調器である請求項１〜３の何れか一項に記載の検波システム。
【請求項５】
前記音響光学変調器のゼロ次モードが、前記レーザー光源を監視するために使用される請求項４に記載の検波システム。
【請求項６】
前記周波数シフトが、前記赤外線放射の前記第２の部分に適用され、前記音響光学変調器の一次モードが、前記局部発振光として使用され、
又は、
前記周波数シフトが、前記赤外線放射の前記第１の部分に適用され、前記音響光学変調器の一次モードが、前記ターゲットに向けられる請求項４または５に記載の検波システム。
【請求項７】
前記レーザー光源の出力の監視が、前記レーザー光源と前記音響光学変調器との間の減衰器として機能する偏光器を制御するために使用される請求項４〜６の何れか一項に記載の検波システム。
【請求項８】
前記レーザー光源が、ペルチェ冷却器によって冷却される冷却板上に取り付けられ、前記ペルチェ冷却器が前記冷却板から吊るされている請求項１〜７の何れか一項に記載の検波システム。
【請求項９】
前記レーザー光源を冷却板に取付けるためのマウントは、１つ以上のファイバーグラスクランプを含む請求項１〜８の何れか一項に記載の検波システム。
【請求項１０】
前記レーザー光源を前記冷却板に固定させるために複数の点接触を提供するように、前記１つ以上のファイバーグラスクランプ上に複数のセラミック要素が設けられている請求項９に記載の検波システム。
【請求項１１】
方向に向け、収集し、混合するための前記手段が反射型光学系を含む請求項１〜１０の何れか一項に記載の検波システム。
【請求項１２】
前記反射型光学系が１つ以上のビームスプリッターを含む請求項１１に記載の検波システム。
【請求項１３】
アクティブなヘテロダイン検波の方法であって、
赤外線放射を放出して連続スペクトル範囲を走査するためにレーザー光源を同調する工程と、
前記赤外線放射を第１の部分と第２の部分とに分割する工程と、
前記第１の部分と前記第２の部分との間に周波数シフトを付与する工程と、
前記赤外線放射の前記第１の部分をターゲットに向ける工程と、
前記赤外線放射の前記第２の部分を局部発振光として提供する工程と、
前記ターゲットからの赤外光の前記第１の部分の散乱成分を収集する工程と、
前記散乱成分と前記局部発振光とを混合して、ヘテロダイン検波のために検波器に送る工程と、
連続スペクトル範囲にわたって出力を提供するために検出された信号を処理する工程と、を含む、方法。
【請求項１４】
前記レーザー光源を同調することが、前記レーザー光源の注入電流を変調するために鋸歯状波形を提供することを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記処理する工程が出力を提供するために、最適推定法を使用することを含む請求項１３または１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含む、サンプル内の酵素の活性を定量化する方法；
ここで酵素はタンパク質またはペプチドへの官能基の添加を含む反応を触媒する、
（ｉ）第１のサンプルからの内因の修飾ペプチドと第２のサンプルからの内因の修飾ペプチドを以下のパラメータ類の１つにより、一つのグループに分類すること：
（ａ）同じ酵素によって修飾される修飾部位を持っている内因の修飾ペプチド；
または
（ｂ）同じ修飾モチーフの一部である修飾部位を持っている内因の修飾ペプチド；
（ｉｉ）グループにおける第２のサンプルからの内因の修飾ペプチドと比較して、第１のサンプルからの内因の修飾ペプチドの富化を計算すること；および
（ｉｉｉ）前記富化の統計的有意性について計算すること；
ここで、統計的に有意な富化は、第２のサンプルと比べて、第１のサンプルで酵素が活性化されていることを示している。
【請求項２】
富化は以下のいずれかの方法により計算される請求項１記載の方法：
（ａ）第１のサンプルにおいて第２のサンプルにおけるよりも存在量の多いグループ内の、内因の修飾ペプチドの数を数え、
第１のサンプルにおいて第２のサンプルにおけるよりも存在量の少ないグループ内の、内因の修飾ペプチドの数を数え、
第１のサンプルにおいて第２のサンプルにおけるよりも存在量の多いグループ内の内因の修飾ペプチドの数から、第１のサンプルにおいて第２のサンプルにおけるよりも存在量の少ないグループ内の内因の修飾ペプチドの数を引くことにより計算される、
（ｂ）第１のサンプルからのグループ内の内因の修飾ペプチドのすべての平均（算術平均）存在量と、第２のサンプルからのグループ内の内因の修飾ペプチドのすべての平均存在量を計算し、
第１のサンプルからのグループ内の内因の修飾ペプチドのすべての平均存在量を、第２のサンプルからのグループ内の内因の修飾ペプチドのすべての平均存在量で割ることにより計算される、または
（ｃ）グループにおける内因の修飾ペプチドのすべてのフォールド変化の平均と、全体の実験における内因の修飾ペプチドのすべてのフォールド変化の平均を計算し、
次に前記のグループにおける内因の修飾ペプチドのすべてのフォールド変化の平均を、全体の実験における内因の修飾ペプチドのすべてのフォールド変化の平均で割ることにより計算される。
【請求項３】
ハイパージオメトリックテスト、ペアードｔ−テスト、Ｚ−テスト、 コルモゴロフ-スミルノフ検定、カイ二乗検定、フィッシャーの正確確率検定、またはウィルコクソンの符号順位検定により統計的有意性が計算され、任意に多重検定法をさらに行うい、任意に多重検定法が、ベンジャミニ  ホッホバーグ  フォールス  ディスカバリー  レイト（ＦＤＲ）法である、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
酵素が、プロテインキナーゼである、請求項１から３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
工程（ｉ）の前に、質量分析法（ＭＳ）を使用して第１のサンプルおよび第２のサンプル中の内因の修飾ペプチドを同定する工程を含む、請求項１から４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
第１のサンプルおよび第２のサンプル中の内因の修飾ペプチドの同定が、以下の工程を含む方法を使用して行われる、請求項５記載の方法：
（ａ）  サンプルから内因のペプチド類を得る工程；
（ｂ）  参照修飾ペプチドを工程（ａ）で得られたペプチドに加え、内因のペプチド類と参照修飾ペプチドの混合物を得る工程；
（ｃ）  前記内因のペプチド類と参照修飾ペプチドの混合物について質量分析（ＭＳ）を行い、サンプル内の内因のペプチド類に関するデータを得る工程；および
（ｄ）  サンプル内の内因のペプチド類に関するデータと、修飾ペプチドに関するデータベース中のデータとを、コンピュータプログラムを使用して比較する工程；
ここで、修飾ペプチドに関するデータベースが、以下を含む方法によってコンパイルされる；
ｉ）  サンプルからペプチド類を得ること；
ｉｉ）  工程ｉで得られたペプチド類からの修飾ペプチドを富化すること；
ｉｉｉ）  工程ｉｉで得られた富化された修飾ペプチドについて、液体クロマトグラフィー−タンデム質量分析（ＬＣ−ＭＳ／ＭＳ）を行うこと；
ｉｖ）修飾ペプチドを同定するために、工程ｉｉｉで検出された修飾ペプチドを、公知のリファレンスデータベースと比較すること：および
ｖ）  工程ｉｖで同定された修飾ペプチドに関連するデータを、データベースにコンパイルすること。
【請求項７】
工程（ｂ）は、内因のペプチド類と参照修飾ペプチドの混合物から修飾ペプチドを富化し、富化された修飾ペプチドの混合物を製造することを含み、工程（ｃ）は、富化された修飾ペプチドの混合物に質量分析法（ＭＳ）を行い、サンプル中の内因の修飾ペプチド類に関連したデータを得ることを含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
修飾ペプチドの富化工程が、以下のいずれかの方法で行われる請求項７記載の方法：
（ａ）クロマトグラフィーを使用して行われ、任意に該クロマトグラフィーが、固定された金属イオンアフィニティークロマトグラフィー（ＩＭＡＣ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）クロマトグラフィー、および二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）クロマトグラフィーから成る群から選択される、または
（ｂ）抗体に基づく方法を使用することで行われる。
【請求項９】
サンプル中の修飾ペプチド類に関連したデータが、ペプチド類の質量／電荷（ｍ／ｚ）比、電荷（ｚ）、および相対保持時間を含み、および／または工程（ｃ）における質量分析法（ＭＳ）は液体クロマトグラフィー−質量分析法（ＬＣ−ＭＳ）である、請求項６から８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
工程（ｉｉ）が、以下のいずれかで行われる請求項６から９いずれか１項記載の方法：
（ａ）多次元クロマトグラフィーを使用することで行われ、任意に多次元クロマトグラフィーは、強カチオン交換高速液クロマトグラフ（ＳＣＸ−ＨＰＬＣ）、固定された金属イオンアフィニティークロマトグラフィー（ＩＭＡＣ）、および二酸化チタン（ＴｉＯ２）クロマトグラフィー、または陰イオン交換高速液クロマトグラフ（ＳＡＸ−ＨＰＬＣ）、固定された金属イオンアフィニティークロマトグラフィー（ＩＭＡＣ）または二酸化チタン（ＴｉＯ２）クロマトグラフィーを使用して行われる、または
（ｂ）抗体に基づく方法を使用することで行われる。
【請求項１１】
工程（ｉｖ）は、マスコットサーチエンジンを使用することで行われる、請求項６から１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
工程（ｉｖ）により同定された修飾ペプチドに関連するデータは、修飾ペプチドのアイデンティティ、質量／電荷（ｍ／ｚ）比、電荷（ｚ）および相対保持時間から成る群から選択される、６から１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
ＭＳテクニックが、定量のためにアイソトープラベルを使用する、請求項５記載の方法。
【請求項１４】
ＭＳテクニックが、代謝標識または化学誘導体を使用する、請求項１３記載の方法。 
【請求項１５】
前記代謝標識が培地内の安定なアイソトープラベルされたアミノ酸（ＳＩＬＡＣ））であり、前記化学誘導体がＴＲＡＱ、ＩＣＡＴまたはＴＭＴである、請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮想環境内でシグナリング方法をサポートするための方法であって、
１つ以上の物理サーバ上の管理ドメインにマッピングテーブルを提供するステップと、
サブネット管理者からの、ネットワーク内のパス記録変更イベントを表わすメッセージを前記管理ドメインで受信するステップと、
前記マッピングテーブルに基づいて、受信した前記メッセージを前記管理ドメインを介して前記管理ドメインに関連付けられた１つ以上の仮想マシンに転送するステップとを含む、方法。
【請求項２】
仮想環境内でシグナリング方法をサポートするためのシステムであって、
１つ以上のマイクロプロセッサと、
前記１つ以上のマイクロプロセッサにより実現される１つ以上の物理サーバとを含み、
前記１つ以上の物理サーバは、マッピングテーブルを備える管理ドメインを含み、
前記管理ドメインは、サブネット管理者からの、ネットワーク内のパス記録変更イベントを表わすメッセージを受信することと、前記マッピングテーブルに基づいて、前記管理ドメインに関連付けられた１つ以上の仮想マシンに受信した前記メッセージを転送することとをするように稼働する、システム。
【請求項３】
前記１つ以上の物理サーバは、パス記録変更に関する通知を受信するために、サブネット管理者（ＳＡ）に登録を申込むように稼働する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記１つ以上の物理サーバは、ユーザドメインが追加された場合、管理ドメイン内のマッピングテーブルを更新するように稼働する、請求項２または３に記載のシステム。
【請求項５】
前記１つ以上の物理サーバは、パス再設定／不設定通知を用いて、ＳＡエージェントキャッシュでＬＩＤ／ｖＧＵＩＤマッピングを更新するように稼働する、請求項２〜４のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項６】
前記１つ以上の物理サーバは、前記管理ドメインに関連付けられた物理機能（ＰＦ）を介してトンネルされるように、すべてのＭＡＤトラフィックを設定するように稼働する、請求項２〜５のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項７】
前記１つ以上の物理サーバは、ＶＭが１つのホストから別のホストに移行された後、そのＶＭに関連付けられたｖＧＵＩＤを保存するように動作し、前記ＶＭが別のＶＭピアと通信している、請求項２〜６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項８】
最新のパス記録をカプセル化したメッセージが、前記ＶＭピアに転送することができる、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
各サーバは、各々の物理ポートＧＵＩＤを用いて前記パス再設定通知を受信するができる、請求項２〜８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
サブネットマネージャは、仮想マシン作成イベントと仮想マシン移行イベントとを識別するように稼働する、請求項２〜９のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１１】
機械読取可能なプログラムであって、
その指令が実行されると、
１つ以上の物理サーバ上の管理ドメインにマッピングテーブルを提供するステップと、
サブネット管理者からの、ネットワーク内のパス記録変更イベントを表わすメッセージを前記管理ドメインで受信するステップと、
前記マッピングテーブルに基づいて、受信した前記メッセージを前記管理ドメインを介して前記管理ドメインに関連された１つ以上の仮想マシンに転送するステップとをシステムに実行させる、機械読取可能なプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
たとえばＶＭａ１０３のようなＶＭは、１つのホストたとえばホストＡ１０１から別のホストたとえばホストＢ１０２に（ＶＭａ１０４として）移行することができる。移行前に、ＶＭａ１０３には、ＶＦ１１５のようなＶＦを加えることができる。ＶＦ１１５は、たとえばＱＰＡ１０７のようなキューペアに接続されている。さらに、ＶＭａ１０３は、ＶＭｃ１０５と通信することができる。ＶＭｃ１０５は、ＱＰｃ１０９に関連している。移行後、ＶＭａ１０４には、たとえばＶＦ１１６のような新しいＶＦを加えることができる。ＶＦ１１６は、ＱＰｃ１０９との通信を再構築することができるＱＰａ′１０８のようなキューペアに関連付けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月2日(2016.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力装置の処理システムであって、
第１の電位と第２の電位との間で駆動されたときに第１の送信器信号を発するように構成された第１の送信器電極に結合された、ドライバ回路を備えるドライバモジュールであって、前記第１の送信器電極を前記第１の電位と前記第２の電位との間にある中間電位から前記第２の電位に駆動するように構成され、前記第１の送信器電極が、前記第１の送信器電極を前記中間電位に駆動するように構成された電子蓄積装置にさらに結合される、ドライバモジュールと、
受信器電極に結合され、前記受信器電極を用いて、前記第１の送信器信号に対応する影響を含む結果信号を受信するように構成された受信器モジュールと、
前記結果信号に基づいて前記入力装置の感知領域における入力物体の位置情報を求めるように構成された決定モジュールとを備える、処理システム。
【請求項２】
前記電子蓄積装置がコンデンサを備える、請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記電子蓄積装置が、第２の送信器信号を発するように構成される第２の送信器電極を備え、前記第１の送信器電極を前記中間電位に駆動することが、前記第１の送信器電極を前記第２の送信器電極と結合することを含む、請求項１に記載の処理システム。
【請求項４】
入力装置であって、
第１の電位と第２の電位との間で駆動されたときに第１の送信器信号を発するように構成された第１の送信器電極を備える複数の送信器電極と、
第１の受信器電極を備える複数の受信器電極と、
前記第１の送信器電極に結合され、前記第１の送信器電極を前記第１の電位と第２の電位との間にある中間電位に駆動するように構成された電子蓄積装置と、
前記中間電位と前記第２の電位との間で前記第１の送信器電極を駆動し、前記第１の受信器電極を用いて前記第１の送信器電極信号に対応する影響を含む結果信号を受信し、前記結果信号に基づいて前記入力装置の感知領域における入力物体の位置情報を求めるように構成された、前記第１の送信器電極及び前記第１の受信器電極に結合された処理システムとを備える、入力装置。
【請求項５】
前記電子蓄積装置が、第２のセンサ電極と選択的に結合されるように構成されるコンデンサを備える、請求項４に記載の入力装置。
【請求項６】
前記電子蓄積装置が、第２の送信器信号を発するように構成される第２の送信器電極を備え、前記第１の送信器電極を前記中間電位に駆動することが、前記第１の送信器電極を前記第２の送信器電極と結合することを含む、請求項４に記載の入力装置。
【請求項７】
入力装置を動作させる方法であって、
第１の電位と第２の電位との間で第１の送信器電極を駆動することによって、前記第１の送信器電極を用いて送信器信号を送信するステップであって、前記第１の電位と前記第２の電位との間で前記第１の送信器電極を駆動するステップが、第２のセンサ電極を用いて前記第１の送信器電極を前記第１の電位と第２の電位との間にある中間電位に駆動するステップ及びドライバを用いて前記第１の送信器電極を前記中間電位から前記第２の電位に駆動するステップを含む、前記ステップと、
受信器電極を用いて前記第１の送信器電極信号に対応する影響を含む結果信号を受信するステップとを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月19日(2016.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に対する入力物体の三次元（３Ｄ）位置を、それぞれが位置および深度値を有する画素を備えた３Ｄ画像データーに基づいて判定するステップであって、
前記３Ｄ画像データー内の画素を、背景画素に関する第１グループ、前記表面に対する接触ゾーン内の画素に関する第２グループ、および前記表面に対するホバリング・ゾーン内の画素に関する第３グループに入れるステップと、
同じ物体の一部であると思われる前記３Ｄ画像データー内の画素の候補グループを、それぞれの位置および深度値に基づいて検出するステップと、
前記候補グループの第１を前記入力物体であるとして選択するステップと、
前記選択されたグループ内の画素が前記接触ゾーンにあるか否かを判定するステップと、
前記選択されたグループ内の画素が前記ホバリング・ゾーンにあるか否かを判定するステップと、
を含むステップと、
前記表面に対する前記物体の３Ｄ位置に基づいて、電子デバイスに関連するディスプレイ上にユーザー入力エレメントをレンダリングするステップと、
前記表面に対する前記物体の３Ｄ位置に基づいて、前記電子デバイスに対するユーザー入力を受け取るステップであって、前記選択されたグループの画素が前記接触ゾーンにある場合にタッチ・イベントを生成するステップと、前記選択されたグループの画素が前記ホバリング・ゾーンにある場合にホバリング・イベントを生成するステップとを含む、ステップと、
を含む方法。
【請求項２】
表面に対する物体の３Ｄ位置を３Ｄ画像データーに基づいて判定する前記ステップは、
前記選択されたグループ内の画素が前記接触ゾーンにあるか否かに基づいて、前記物体が前記表面にタッチしている、またはほぼタッチしているか否かを判定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ユーザー入力は、前記ディスプレイ上に提示されたエレメントに関連する選択である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ユーザー入力エレメントをレンダリングする前記ステップは、
前記表面をタッチしているまたはほぼタッチしている前記物体としてのユーザーの手の部分を表現するために、前記ユーザー入力エレメントの一部を強調表示するステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
表面に対する物体の３Ｄ位置を３Ｄ画像データーに基づいて判定する前記ステップは、
前記選択されたグループ内の画素が前記ホバリング・ゾーンにあるか否かに基づいて、前記物体が前記表面の上方においてホバリング・ゾーン内でホバリングしているか否かを判定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ユーザー入力は、前記ユーザー入力エレメントが前記ディスプレイ上でホバリングしているエレメントに関連するホバリング・イベントである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ユーザー入力エレメントをレンダリングする前記ステップは、
ユーザーの手が前記表面の上方において前記ホバリング・ゾーン内にあることを表現するために、前記ディスプレイ上の前記ユーザー入力エレメントを強調表示するステップを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
３Ｄカメラと、
ディスプレイと、
前記３Ｄカメラおよび前記ディスプレイに結合された処理ロジックと、
を備える装置であって、
前記処理ロジックは、
前記３Ｄカメラからの画像データーに基づいて表面の位置を判定し、
前記３Ｄカメラからの３Ｄ画像データーに基づいて前記表面に対するユーザーの手の３Ｄ位置を判定し、
前記表面に対する前記ユーザーの手の前記３Ｄ位置に基づいて、前記ディスプレイ上の画像の上に前記ユーザーの手の透過表現をレンダリングし、
前記表面に対する前記ユーザーの手の前記３Ｄ位置に基づいてユーザー入力を受け取る、
ように構成され、
前記３Ｄ画像データーは、それぞれが位置および深度値を有する画素を備え、
前記処理ロジックが前記３Ｄ位置を判定するように構成されることは、前記処理ロジックが、
前記３Ｄ画像データー内の画素を、背景画素に関する第１グループ、前記表面に対する接触ゾーン内の画素に関する第２グループ、および前記表面に対するホバリング・ゾーン内の画素に関する第３グループに入れ、
同じ物体の一部であると思われる前記３Ｄ画像データー内の画素の候補グループを、それぞれの位置および深度値に基づいて検出し、
前記候補グループの第１を前記ユーザーの手であるとして選択し、
前記選択されたグループ内の画素が前記接触ゾーンにあるか否かを判定し、
前記選択されたグループ内の画素が前記ホバリング・ゾーンにあるか否かを判定する、
ように構成されることを含み、
前記処理ロジックが前記ユーザー入力を受け取るように構成されることは、前記処理ロジックが、前記選択されたグループの画素が前記接触ゾーンにある場合にタッチ・イベントを生成し、前記選択されたグループの画素が前記ホバリング・ゾーンにある場合にホバリング・イベントを生成するように構成されることを含む、
装置。
【請求項９】
前記処理ロジックは、
前記表面上においてタッチ領域を判定し、
前記タッチ領域内の一部を前記ディスプレイ上の位置に相関付ける、
ように構成される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記処理ロジックは、
前記選択されたグループ内の画素が前記接触ゾーンにあるか否かに基づいて、前記ユーザーの手が、前記接触ゾーン内にあって前記表面にタッチしているまたはほぼタッチしているか否かを判定し、
前記選択されたグループ内の画素が前記ホバリング・ゾーンにあるか否かに基づいて、前記ユーザーの手が、前記表面の上方において前記ホバリング・ゾーン内でホバリングしているか否かを判定する、
ように構成される、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記処理ロジックは、
前記表面をタッチしているまたはほぼタッチしている前記ユーザーの手の部分を表現するために、前記ディスプレイ上における前記ユーザーの手の表現の一部を強調表示し、
前記ユーザーの手が前記表面の上方において前記ホバリング・ゾーン内でホバリングしていることを表現するために、前記ディスプレイ上における前記ユーザーの手の表現の少なくとも一部を強調表示する、
ように構成される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記処理ロジックは、前記ユーザーの手が前記表面からどのくらい離れているかを表現するために、仮想光源に基づいて前記ディスプレイ上に前記ユーザーの手の表現の影をレンダリングするように構成される、請求項１０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月21日(2016.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サービス提供システム（２０）に対してクライアントシステム（１０）を認証する方法であって、
ａ）ＩＤ提供システム（３０）によって生成され、名前、ＩＤ番号、クレジットカード番号、指紋、生体認証記録などのＩＤ項目（１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）からなる少なくとも１種のＩＤトークン（１１）がセキュアストレージシステム（１２）としての暗号化データベースに記憶されているかあるいはあらかじめ記憶させておき、
ｂ）クライアントシステム（１０）によってサービス提供システム（２０）にサービスを要求する要求（２１）を送り、
ｃ）サービス提供システム（２０）がＩＤ提供システム（３０）による少なくとも１種のＩＤトークン（１１）の有効性検査を含むＩＤ認証処理（２２、２３）を開始し、
ｄ）ＩＤ提供システム（３０）が検査した少なくとも１種のＩＤトークン（１１）の有効性検査に基づいてサービス提供システム（２０）が要求されたサービスを提供または拒否（２４）することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１の方法であって、セキュアストレージシステム（１２）が、
ａ）ユーザーがデータベースにアクセスするのを認証する機能と、
ｂ）データベースに格納されたＩＤトークンのリスト（１１）の呼び出す機能と、
ｃ）ＩＤトークン（１１）のデータベースへの格納する機能と、
ｄ）一意の識別子を使用してデータベースに格納されたＩＤトークン（１１）の呼び出す機能と、
ｅ）一意の識別子を使用してデータベース内のＩＤトークン（１１）を削除する機能
を備えたデータベース管理システム（７１）に、あるいは特にこれらの機能のみを備えたデータベース管理システム（７１）に接続されていることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２の方法であって、少なくとも１種のＩＤトークン（１１）を含んだセキュアストレージシステム（１２）が携帯電話、メモリスティック、ＲＦＩＤ機器などを特に含む移動可能な装置（５０）に保存されていることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの方法であって、ＩＤトークン（１１）を含むセキュアストレージシステム（１２）がパーソナルコンピュータ、自動車などの車両のいずれかに格納されていることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかの方法であって、セキュアストレージシステム（１２）が実行可能ファイルの一部であることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかの方法であって、セキュアストレージシステム（１２）が鍵導出関数手段を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかの方法であって、１種以上のＩＤトークン（１１）のＩＤ項目（１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）が署名、暗号化、各種レベルのセキュリティなどを特に含むセキュリティ対策に関連付けられたものであることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかの方法であって、データベースの部分的な復号化ができるようセキュアストレージシステム（１２）が出力フィードバックモードを使用した暗号化法ないし復号化法を用いることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかの方法であって、サービスの要求（２１）が、ブラウザ（４０）、ＨＴＴＰ対応ブラウザ（４０）、電子メール、ＦＴＰクライアントなどを特に含む、伝送プロトコルによって有効となるエンティティの少なくともひとつを介して送信されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかの方法であって、クライアントシステム（１０）がユーザーの携帯する装置と対応付けられていることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかの方法であって、クライアントシステム（１０）を介して、あるいは直接ＩＤ提供システム（３０）に、あるいはその両方でＩＤ提供システム（３０）に要求を送信することによって、サービス提供システム（２０）がＩＤ提供システム（３０）によるＩＤトークン（１１）の有効性検査を含むＩＤ認証プロセス（２２、２３）を開始することを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかの方法であって、クライアントシステム（１０）、サービス提供システム（２０）、ＩＤ提供システム（３０）のうちの少なくとも二者間の通信が少なくとも部分的にインターネット、電話網、高周波数ネットワークの少なくともひとつで行われることを特徴とする方法。
【請求項１３】
クライアントシステム（１０）とのコンピュータ通信システムであって、
ＩＤ提供システム（３０）によって生成され、名前、ＩＤ番号、クレジットカード番号、指紋、生体認証記録などのＩＤ項目（１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）からなる少なくとも１種のＩＤトークン（１１）がセキュアストレージシステム（１２）としての暗号化データベースに記憶されているかあるいはあらかじめ記憶させてあり、
ａ）クライアントシステム（１０）によってサービス提供システム（２０）へのサービスの要求（２１）を送る手段と、
ｂ）ＩＤ提供システム（３０）による少なくとも１種のＩＤトークン（１１）の有効性検査を含むＩＤ認証プロセス（２２、２３）を開始させ、サービス提供システム（２０）にできるようにする手段と、
ｃ）ＩＤ提供システム（３０）によって検査された少なくとも１種のＩＤトークン（１１）の有効性検査に基づいてサービス提供システム（２０）が要求されたサービスを提供するか拒否するか（２４）の決定を受信するための手段
を備えたことを特徴とするコンピュータ通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月20日(2016.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア材（１００）中に、スマートカード本体（１０）の少なくとも１つのリードフレーム（１１）を形成し、前記スマートカード本体（１０）は少なくとも１つの材料細片（１５）を介して前記キャリア材（１００）に接続され、そしてケーシング（１３）で前記リードフレーム（１１）を囲むことによって半導体チップを受け入れるためのキャビティ（１４）を有する電気絶縁の前記ケーシング（１３）が形成される、前記半導体チップを受け入れる前記スマートカード本体の製造方法であって、以下の工程を有することを特徴とする：
前記ケーシング（１３）を形成する前またはその間に、キャリア材（１００）にリードフレーム（１１）を接続する１または複数の材料細片（１５）が分離され、その結果、１または複数の材料細片（１５）が、キャリア材（１００）に接続される第１の細片部分（１５ａ）およびリードフレーム（１１）に接続される第２の細片部分（１５ｂ）へそれぞれ分離され、それによって、隙間（１６）を形成し、そして前記ケーシング（１３）を形成する際に、前記１または複数の材料細片（１５）の第１の細片部分（１５ａ）および同様に第２の細片部分（１５ｂ）が、それぞれ前記ケーシング（１３）を構成する。
【請求項２】
前記隙間（１６）を形成するために、少なくとも１つの材料細片（１５）の、少なくとも１つの第２の細片部分（１５ｂ）、および少なくとも１つの第１の細片部分（１５ａ）の変形が起こることを特徴とする、請求項１の方法。
【請求項３】
少なくとも１つの第２の細片部（１５ｂ）および少なくとも１つの第１の細片部（１５ａ）が、折れ曲がって隙間（１６）を形成することを特徴とする、請求項２の方法。
【請求項４】
１つの材料細片または複数の材料細片（１５）を１つの第１の細片部（１５ａ）および第２の細片部（１５ｂ）にそれぞれ分離する前に、少なくとも１つの細片部（１５ａ、１５ｂ）にスタンプ（刻印、１７）が導入されることを特徴とする、請求項２または３の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの第１の接触領域（１２ａ）が、キャリア材（１００）の第１の面（１００ａ）上に形成され、そしてリードフレーム（１１）の少なくとも１つの第２の接触領域（１２ｂ）が、当該第１の面（１００ａ）の反対側の第２の面（１００ｂ）上に形成されることを特徴とする、請求項１〜４の何れかの方法。
【請求項６】
複数のスマートカード本体（１０）がキャリア材（１００）中に作られ、キャリア材（１００）から取り外し可能であることを特徴とする、請求項１〜５の何れかの方法。
【請求項７】
請求項１〜６の何れかの方法によって製造されたスマートカード本体（１０）において、半導体チップは前記スマートカード本体（１０）のキャビティ（１４）に挿入され、そして第２の接触領域（１２ｂ）に電気的に接続され、前記キャビティ（１４）は閉じられ、前記スマートカードは、キャリア材（１００）から前記請求項１〜６の何れか１項の製造方法によって製造されたスマートカード本体（１０）に衝撃を与えることによって取り外され、この衝撃によってキャリア材（１００）を有するスマートカード本体（１０）に接続する細片部（１５ａ）がスマートカード本体（１０）のケーシング（１３）から取り外されることを特徴とする、スマートカードを製造する方法。
【請求項８】
スマートカード本体（１０）がキャリア材（１００）によって形成される少なくとも１つのリードフレームを有し、前記リードフレームはキャリア材（１００）と接続され、第第1の面（１００ａ）上に第１の接触領域（１２ａ）の複数および第２の面（１００ｂ）上に第２の接触領域（１２ｂ）の複数を有し、接触領域（１２ａ、１２ｂ）はスマートカード本体（１０）のキャビティ（１４）内に受け入れられる半導体チップの接続箇所に接続可能で、スマートカード本体（１０）はキャビティ（１４）を含む電気的に絶縁されたケーシング（１３）を有する、半導体チップを受け入れるためのスマートカード本体であって、スマートカード本体（１０）は、第１の細片部（１５ａ）および第１の細片部（１５ａ）から離れた第２の細片部（１５ｂ）を有する少なくとも１つの材料細片（１５）を含み、第２の細片部（１５ｂ）は、スマートカード本体（１０）のリードフレーム（１１）に接続され、第１の細片部（１５ａ）はキャリア材（１００）に接続されており、さらにスマートカード本体（１０）のケーシング（１３）は第１の細片部（１５ａ）および第２の細片部（１５ｂ）を囲んでいることを特徴とするスマートカード本体。
【請求項９】
半導体チップ、および請求項８のスマートカード本体（１０）を備えるスマートカードで、前記半導体チップはスマートカード本体（１０）のキャビティ（１４）に受け入れられるものである。
【請求項１０】
予備スタンプのキャリア材が前記キャリア材（１００）として用いられることを特徴とする、請求項６の方法。