【手続補正書】
【提出日】平成28年6月15日(2016.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドープ領域を有する光起電力構造と、
１つ又は複数の電気めっき金属層を含む前面金属グリッドと、
を含む太陽電池であって、前記電気めっき金属層は、接着層を介して前記ドープ領域に電気的に接続される金属シード層に接続され、前記前面金属グリッドは、１つ又は複数のフィンガーラインを含み、各フィンガーラインの端部が追加の金属ラインを介して隣接するフィンガーラインの対応する端部に連結されることによって、前記各フィンガーラインが開放端を有さないことを確実にする、太陽電池。
【請求項２】
前記追加の金属ラインは、前記太陽電池の縁端付近に位置し、前記追加の金属ラインは、前記各フィンガーラインの幅よりも大きな幅を有する、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記追加の金属ラインと前記各フィンガーラインとの交差部は、丸みが付けられる又は面取りがされる、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記金属接着層は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、窒化チタン（ＴｉＮｘ）、チタンタングステン（ＴｉＷｘ）、ケイ化チタン（ＴｉＳｉｘ）、ケイ化窒化チタン（ＴｉＳｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮｘ）、ケイ化窒化タンタル（ＴａＳｉＮｘ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、窒化タングステン（ＷＮｘ）、及びこれらの組み合わせの内の１つ又は複数を含む、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記光起電力構造は、透明導電酸化物（ＴＣＯ）層を含み、前記金属接着層は、直接前記ＴＣＯ層と接している、請求項４に記載の太陽電池。
【請求項６】
前記電気めっき金属層は、
Ｃｕ層、
Ａｇ層、及び
Ｓｎ層
の内の１つ又は複数を含む、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記電気めっき金属層はＣｕからなる、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記金属シード層は、蒸着及びスパッタリング堆積の一方を含む物理的気相成長（ＰＶＤ）技術を用いて形成される、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記各フィンガーラインの所定の縁端部分は、前記各フィンガーラインの中心部分の幅よりも大きな幅を有する、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記光起電力構造は、
Ｓｉを含むベース層と、
前記ベース層の一方の面上に位置するエミッタ層と、
を含み、前記エミッタ層は、
前記ベース層内に位置するドーパントを拡散させた領域、
前記ベース層の前記一方の面上に位置するドーパントを拡散させたポリＳｉ層、及び
前記ベース層の前記一方の面上に位置するドープされたアモルファスＳｉ（ａ−Ｓｉ）層
の内の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１１】
前記ドーパントは、
リン、及び
ホウ素
の一方を含む、請求項１０に記載の太陽電池。
【請求項１２】
１つ又は複数の電気めっき金属層及び１つ又は複数のフィンガーラインを含む裏面金属グリッドをさらに含み、各フィンガーラインの端部は、追加の金属ラインを介して隣接するフィンガーラインの対応する端部に連結されることによって、前記各フィンガーラインが開放端を有さないことを確実にする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項１３】
半導体構造の上に透明導電酸化物（ＴＣＯ）層を堆積させることによって、ドープ領域を有する光起電力構造を形成するステップと、
前記光起電力構造の上に前面金属グリッドを形成するステップと、
を含む太陽電池の製造方法であって、前記前面金属グリッドは、１つ又は複数の電気めっき金属層を含み、前記電気めっき金属層は、接着層を介して前記ドープ領域に電気的に接続される電気シード層に接続され、前記前面金属グリッドは、１つ又は複数のフィンガーラインを含み、各フィンガーラインの端部が追加の金属ラインを介して隣接するフィンガーラインの対応する端部に連結されることにより、前記各フィンガーラインが開放端を有さないことを確実にする、太陽電池の製造方法。
【請求項１４】
前記追加の金属ラインは、前記太陽電池の縁端付近に位置し、前記追加の金属ラインは、前記各フィンガーラインの幅よりも大きな幅を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記追加の金属ラインと前記各フィンガーラインとの交差部は、丸みが付けられる又は面取りがされる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属接着層は、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、窒化チタン（ＴｉＮｘ）、チタンタングステン（ＴｉＷｘ）、ケイ化チタン（ＴｉＳｉｘ）、ケイ化窒化チタン（ＴｉＳｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮｘ）、ケイ化窒化タンタル（ＴａＳｉＮｘ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、窒化タングステン（ＷＮｘ）、及びこれらの組み合わせの内の１つ又は複数を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記電気めっき金属層は、
Ｃｕ層、
Ａｇ層、及び
Ｓｎ層
の内の１つ又は複数を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
電気めっき金属層はＣｕからなる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記電気めっき金属層の形成ステップは、
前記金属シード層の上にパターニングされたマスキング層を堆積させるステップであって、前記マスキング層の開口部は、前記前面電極グリッドの位置に対応し、前記マスキング層は電気絶縁性である、ステップと、
前記太陽電池を電解質溶液中に沈めることによって、前記パターニングされたマスキング層を覆って１つ又は複数の金属層を電気めっきするステップと、
前記パターニングされたマスキング層を除去するステップと、
エッチングプロセスを行うことによって、前記電気めっき金属層によって覆われていない前記金属シード層の部分を除去するステップと、
を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記各フィンガーラインの所定の縁端部分は、前記各フィンガーラインの中心部分の幅よりも大きな幅を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項２１】
前記光起電力構造の形成ステップは、低濃度ドープベース層の一方の面上にエミッタ層を形成するステップをさらに含み、前記エミッタ層の形成ステップは、
Ｓｉを含む前記低濃度ドープベース層にドーパントを拡散させるステップ、
前記ベース層の前記一方の面上に位置するポリＳｉ層にドーパントを拡散させるステップ、及び
ドープされたアモルファスＳｉ層を堆積させるステップ
の内の少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記ドーパントは、
リン、及び
ホウ素
の一方を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
１つ又は複数の電気めっき金属層及び１つ又は複数のフィンガーラインを含む裏面金属グリッドを形成するステップをさらに含み、各フィンガーラインの端部は、追加の金属ラインを介して隣接するフィンガーラインの対応する端部に連結されることによって、前記各フィンガーラインが開放端を有さないことを確実にする、請求項１３に記載の方法。
【請求項２４】
ドープ領域を有する光起電力構造と、
１つ又は複数の電気めっき金属層を含む前面金属グリッドと、
を含む太陽電池であって、前記電気めっき金属層は、接着層を介して前記ドープ領域に電気的に接続される金属シード層に接続され、前記前面金属グリッドは、１つ又は複数のフィンガーラインを含み、各フィンガーラインの各端部が追加の金属ラインを介して隣接するフィンガーラインの対応する端部に連結されることによって、前記各フィンガーラインが開放端を有さないことを確実にする、太陽電池。