(57)【要約】【課題】  本発明は、ＥＵＶ光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能な、反射型マスク用基板、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】  反射型マスク用基板の主面に、同一工程で位置決めされた深さの異なる２種のアライメントマークを形成し、一方を、ＥＵＶ光欠陥検査用アライメントマークとし、他方を、電子線描画用アライメントマークとすることにより、上記課題を解決する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ露光用の反射型マスクの基板に用いられる反射型マスク用基板であって、
その主面に、ＥＵＶ光検査用アライメントマークと、電子線描画用アライメントマークと、を有し、
前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク、および、前記電子線描画用アライメントマークのいずれもが、凹型の段差マークであって、
前記ＥＵＶ光検査用アライメントマークの深さが、前記電子線描画用アライメントマークの深さよりも浅いことを特徴とする反射型マスク用基板。
【請求項２】
前記電子線描画用アライメントマークが、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマークよりも基板の中心から外側に配設されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスク用基板。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかに記載の反射型マスク用基板と、前記反射型マスク用基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を有することを特徴とする反射型マスクブランクス。
【請求項４】
請求項１〜２のいずれかに記載の反射型マスク用基板と、前記反射型マスク用基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収体パターンと、を有することを特徴とする反射型マスク。
【請求項５】
前記吸収体パターンが、平面視上、前記反射層の位相欠陥を覆う位置に配設されていることを特徴とする請求項４に記載の反射型マスク。
【請求項６】
表面研磨された基板材料の主面に、ハードマスク層を形成する工程と、
前記ハードマスク層の上に、第１のレジスト層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層に、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク、および、電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを同一工程で形成する工程と、
前記第１のレジスト層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記ハードマスク層をエッチングして、前記ハードマスク層に、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク、および、前記電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを形成する工程と、
前記第１のレジスト層を除去する工程と、
前記ハードマスク層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記基板材料を、ドライエッチングする工程と、
前記ハードマスク層、および、前記ハードマスク層から露出する前記基板材料の上に、第２のレジスト層を形成する工程と、
前記第２のレジスト層に、前記電子線描画用アライメントマークのエッチングパターンを形成する工程と、
前記第２のレジスト層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記基板材料をドライエッチングする工程と、
前記第２のレジスト層を除去する工程と、
前記ハードマスク層を除去する工程と、
を順に有することを特徴とする反射型マスク用基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の反射型マスク用基板の製造方法により製造される反射型マスク用基板を用い、請求項６に記載の工程に続いて、前記反射型マスク用基板の主面の上に、多層膜からなる反射層を形成する工程と、前記反射層の上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成する工程と、を順に有することを特徴とする反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項８】
前記反射層を形成する工程と、前記吸収層を形成する工程と、の間に、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマークを用いて前記反射層の位相欠陥の位置をＥＵＶ光により検出する検査を行う工程を、有することを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の反射型マスクブランクスの製造方法により製造される反射型マスクブランクスを用い、請求項７に記載の工程に続いて、前記吸収層を部分的に除去して吸収体パターンを形成する工程を、有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の反射型マスクブランクスの製造方法により製造される反射型マスクブランクスを用い、請求項８に記載の工程に続いて、平面視上、前記検査により検出した前記位相欠陥を覆うレジストパターンを、前記電子線描画用アライメントマークを検出する電子線アライメント描画により形成する工程と、前記レジストパターンから露出する前記吸収層をエッチングすることにより、前記吸収層を部分的に除去して吸収体パターンを形成する工程と、を順に有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：以後、ＥＵＶと記す）を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスク用基板、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、ＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。
ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２ｎｍ〜１００ｎｍ程度の光のことであり、現在開発が進められているＥＵＶリソグラフィ技術においては、主に、波長が１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いる。
このＥＵＶ光は、既知の光学材料に対して透過率が極端に小さいため、ＥＵＶリソグラフィに用いられるマスクとしては、反射型マスクが提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
このような反射型マスクは、図９（ｂ）に示すように、少なくとも、基板材料１１１の主面上にＥＵＶ光を反射する多層膜からなる反射層１１２を有し、前記反射層１１２の上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収層１１３を、部分的に除去することにより吸収体パターン１１３Ａが形成されたものである。
なお、図示はしないが、反射層１１２の上には、反射層１１２を保護するためのキャッピング層や、吸収体パターン１１３Ａ形成時の反射層１１２へのエッチングダメージを防止するためのバッファ層が設けられていてもよい。
上記のような構成を有するため、反射型マスクに入射したＥＵＶ光は、吸収体がある部分では吸収され、吸収体がない部分では反射層により反射され、光像が反射光学系を通してウェハ等の被転写体上に転写される。
【０００４】
ここで、上述の反射型マスクの基板材料には、パターン位置精度を高精度に保持するために、低熱膨張係数を有し、さらに、高反射率や転写精度を得るために、平滑性、平坦度が高く、マスク製造工程の洗浄などに用いる洗浄液への耐性に優れた基板材料が求められ、例えば、石英ガラス、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系の低熱膨張ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどのガラス基板などが用いられている。
【０００５】
そして、例えば図９（ａ）に示すように、上述のような基板材料の主面に、上記の反射層や吸収層などを形成したものを反射型マスクブランクスと呼ぶ。また、例えば図９（ｂ）に示すように、反射型マスクは、この反射型マスクブランクスの吸収層を、部分的に除去してマスクパターンとなる吸収体パターンを形成したものである。
吸収体パターンを形成するには、例えば、反射型マスクブランクスの吸収層の上にレジスト層を形成し、このレジスト層を電子線描画等によりマスクパターン状のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをエッチングマスクに用いて吸収層をエッチングする方法により、所望の吸収体パターンを得ることができる。
【０００６】
ここで、上述のような反射型マスクにおける重要な課題として、位相欠陥対策がある。
位相欠陥とは、光の位相変化を引き起こし、パターン転写に影響を与える欠陥のことであり、反射型マスクの場合には、露光に利用する光の波長の１／４の段差が前記反射層にあると、１８０度の位相差を与える位相欠陥となる。
すなわち、波長が１３．５ｎｍのＥＵＶ光の反射光を露光に利用する場合には、わずか３．４ｎｍの段差が１８０度の位相差を与える位相欠陥となってしまう。
【０００７】
そして、上述のような反射型マスクにおいては、マスク表面（反射層の最表面）のみならず、反射層の下の基板材料上に、異物や凹凸等の欠陥が存在すると、多層膜である反射層を形成するときに生じる各膜の凹凸形状が、表面にまで伝播されて位相欠陥になりうる。また、前記多層膜の成膜の途中で異物を混入した場合も、同様に位相欠陥となりうる。
さらに、ＥＵＶ光は多層膜の内部にまで浸透するため、例え、反射層の形成によりマスク表面が平滑化される場合であっても、反射層の内部の多層膜構造に乱れがある場合には、やはり位相欠陥となりうる恐れがある。
【０００８】
現状、上記のような位相欠陥を、完全に排除した反射型マスクブランクスを得ることは、技術的にも経済的にも困難である。ただし、反射型マスクにおいては、前記位相欠陥をマスクパターンである吸収体パターンで覆うことで、パターン転写への影響を回避することが可能である。
【０００９】
例えば、図１０（ａ）に示すように、基板材料１１１上の欠陥１３１に起因する位相欠陥１３２が、吸収体パターン１１３Ａから露出している反射型マスク１０３Ａの場合には、反射層１１２における位相欠陥１３２が存在する部位に入射したＥＵＶ光の反射光１４０Ａと、反射層１１２における位相欠陥１３２が存在しない部位に入射したＥＵＶ光の反射光１４０Ｂとの間には位相差が生じ、転写結果に影響を及ぼす恐れがあるが、図１０（ｂ）に示すように、位相欠陥１３２が吸収体パターン１１３Ａに覆われている反射型マスク１０３Ｂの場合には、反射層１１２に入射したＥＵＶ光の反射光１４０Ｃの位相は揃っており、転写結果に位相効果の影響を及ぼすことはない。
なお、吸収体パターン１１３Ａに入射したＥＵＶ光１４１は、吸収体パターン１１３Ａに吸収されるため、転写結果に位相効果の影響を及ぼすことはない。
【００１０】
そこで、吸収体パターンを位相欠陥の上に形成し、前記位相欠陥によるパターン転写への影響を回避する方法が提案されている。
例えば、図１１（ａ）に示すように、まず、基板材料１１１の主面にアライメントマーク１２２を凹型の段差マークとして形成した反射型マスク用基板１０１を用意し、この反射型マスク用基板１０１の主面に反射層１１２を形成した後に、アライメントマーク１２２を用いた欠陥検査により前記位相欠陥の位置およびサイズを検出しておき、その後、吸収層１１３を形成して、図１１（ｂ）に示すような、アライメントマーク１２２を有する反射型マスクブランクス１０２Ａを得る。
次に、前記反射型マスクブランクス１０２Ａの吸収層１１３の上にレジスト層を形成し、上記検査で検出した位相欠陥の上に吸収体パターンが形成されるように位置をシフトさせた描画パターンを、前記アライメントマーク１２２を用いてアライメント描画し、続いて、現像、および、吸収層１１３エッチングの工程を経ることによって、上記の図１０（ｂ）に示すような、吸収体パターンが前記検出した位相欠陥の上に形成された反射型マスク１０３Ｂを得る。
【００１１】
上記のような、アライメントマークを有する反射型マスク用基板や反射型マスクブランクスについて、例えば、特許文献２には、欠陥検査の検査光や電子線での走査に対して十分なコントラストを得る目的で、側壁が概ね直立した凹型の基準点マーク（アライメントマーク）が形成されている反射型マスク用多層反射膜付基板、反射型マスクブランク、および、それらの製造方法が記載されている。
【００１２】
上記のような凹型のアライメントマークを有する反射型マスクブランクスに、吸収体パターンをアライメント描画する際には、前記アライメントマークの上に反射層、吸収層、および、レジスト層が形成された状態で、前記アライメントマークを検出する必要がある。そして、マスク寸法精度の要求に応じるため、現在、このアライメント描画は電子線を用いて行われている。
すなわち、前記アライメント描画を精度良く達成するためには、アライメントマーク検出において、電子線の走査に対して十分なコントラストの検出信号を得る必要があり、それゆえ、前記凹型のアライメントマークの深さは、例えば１００ｎｍ〜５００ｎｍの深さであることが好ましい。
【００１３】
ここで、上記の欠陥検査の検査光として、フォトマスクの欠陥検査で用いられてきたＵＶ光（波長４８８ｎｍ〜１９３ｎｍ）を用いる場合には、前記の１００ｎｍ〜５００ｎｍの深さを有する電子線描画用のアライメントマークを、欠陥検査用のアライメントマークとして用いることが可能であった。
このように、欠陥検査用のアライメントマークと、電子線描画用のアライメントマークを同一にすることで、欠陥検査と電子線描画で相対的な位置ずれを生じ難くすることができる。それゆえ、検出した欠陥の上に、位置精度良く吸収体パターンを形成することができるものと期待されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開昭６３−２０１６５６号公報
【特許文献２】国際公開第２０１０／１１０２３７号パンフレット
【特許文献３】特開２００４−１９３２６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上記のＵＶ光を用いた欠陥検査においては、反射層の表面の凹凸を検出することは可能であるが、反射層の内部や反射層の下の基板材料の上に欠陥があるにもかかわらず、反射層の表面が平滑化されているような位相欠陥に対しては、検知できない。
また、上記のように、わずか３．４ｎｍの段差が、１８０度の位相差を与える位相欠陥となり得るのに対して、前記ＵＶ光の波長は２桁ほど大きい値であることから、検出限界の問題もある。
それゆえ、検査光として露光光と同じＥＵＶ光を用いることが提案されている（例えば、特許文献３）。検査光にＥＵＶ光を用いる場合、例え反射層の表面が平滑化されているような位相欠陥であっても検知可能であり、また、段差が数ｎｍレベルの欠陥も高感度に検出できるからである。
【００１６】
しかしながら、検査光にＥＵＶ光を用いる場合、数ｎｍレベルの段差も高感度に検出できることから、前記の１００ｎｍ〜５００ｎｍの深さを有するアライメントマークでは、アライメントマークからの信号が強すぎてサチュレーションを起こしてしまい、検出精度の低下や、場合によっては、検出光学系に損傷を生じてしまうという問題があった。
【００１７】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、ＥＵＶ光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能な、反射型マスク用基板、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明者は、種々研究した結果、反射型マスク用基板の主面に、同一工程で位置決めされた深さの異なる２種のアライメントマークを形成し、一方を、ＥＵＶ光欠陥検査用アライメントマークとし、他方を、電子線描画用アライメントマークとすることで、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１９】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、ＥＵＶ露光用の反射型マスクの基板に用いられる反射型マスク用基板であって、その主面に、ＥＵＶ光検査用アライメントマークと、電子線描画用アライメントマークと、を有し、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク、および、前記電子線描画用アライメントマークのいずれもが、凹型の段差マークであって、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマークの深さが、前記電子線描画用アライメントマークの深さよりも浅いことを特徴とする反射型マスク用基板である。
【００２０】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記電子線描画用アライメントマークが、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマークよりも基板の中心から外側に配設されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスク用基板である。
【００２１】
また、本発明の請求項３に係る発明は、請求項１〜２のいずれかに記載の反射型マスク用基板と、前記反射型マスク用基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を有することを特徴とする反射型マスクブランクスである。
【００２２】
また、本発明の請求項４に係る発明は、請求項１〜２のいずれかに記載の反射型マスク用基板と、前記反射型マスク用基板の主面の上に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収体パターンと、を有することを特徴とする反射型マスクである。
【００２３】
また、本発明の請求項５に係る発明は、前記吸収体パターンが、平面視上、前記反射層の位相欠陥を覆う位置に配設されていることを特徴とする請求項４に記載の反射型マスクである。
【００２４】
また、本発明の請求項６に係る発明は、表面研磨された基板材料の主面に、ハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層の上に、第１のレジスト層を形成する工程と、前記第１のレジスト層に、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク、および、電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを同一工程で形成する工程と、前記第１のレジスト層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記ハードマスク層をエッチングして、前記ハードマスク層に、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク、および、前記電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを形成する工程と、前記第１のレジスト層を除去する工程と、前記ハードマスク層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記基板材料を、ドライエッチングする工程と、前記ハードマスク層、および、前記ハードマスク層から露出する前記基板材料の上に、第２のレジスト層を形成する工程と、前記第２のレジスト層に、前記電子線描画用アライメントマークのエッチングパターンを形成する工程と、前記第２のレジスト層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記基板材料をドライエッチングする工程と、前記第２のレジスト層を除去する工程と、前記ハードマスク層を除去する工程と、を順に有することを特徴とする反射型マスク用基板の製造方法である。
【００２５】
また、本発明の請求項７に係る発明は、請求項６に記載の反射型マスク用基板の製造方法により製造される反射型マスク用基板を用い、請求項６に記載の工程に続いて、前記反射型マスク用基板の主面の上に、多層膜からなる反射層を形成する工程と、前記反射層の上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成する工程と、を順に有することを特徴とする反射型マスクブランクスの製造方法である。
【００２６】
また、本発明の請求項８に係る発明は、前記反射層を形成する工程と、前記吸収層を形成する工程と、の間に、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマークを用いて前記反射層の位相欠陥の位置をＥＵＶ光により検出する検査を行う工程を、有することを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクブランクスの製造方法である。
【００２７】
また、本発明の請求項９に係る発明は、請求項７に記載の反射型マスクブランクスの製造方法により製造される反射型マスクブランクスを用い、請求項７に記載の工程に続いて、前記吸収層を部分的に除去して吸収体パターンを形成する工程を、有することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
【００２８】
また、本発明の請求項１０に係る発明は、請求項８に記載の反射型マスクブランクスの製造方法により製造される反射型マスクブランクスを用い、請求項８に記載の工程に続いて、平面視上、前記検査により検出した前記位相欠陥を覆うレジストパターンを、前記電子線描画用アライメントマークを検出する電子線アライメント描画により形成する工程と、前記レジストパターンから露出する前記吸収層をエッチングすることにより、前記吸収層を部分的に除去して吸収体パターンを形成する工程と、を順に有することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、検査用アライメントマークをＥＵＶ光による検出に適した深さとすることができ、また、描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができるため、ＥＵＶ光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明に係る反射型マスク用基板の一例を示す説明図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図を示す。
【図２】本発明に係る反射型マスク用基板の他の例を示す概略平面図である。
【図３】本発明に係る反射型マスクブランクスの一例を示す概略断面図である。
【図４】本発明に係る反射型マスクの一例を示す説明図であり、（ａ）は全体の概略断面図、（ｂ）は位相欠陥と吸収体パターンとの関係を示す説明図である。
【図５】本発明に係る反射型マスク用基板の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図６】図５に続く本発明に係る反射型マスク用基板の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図７】本発明に係る反射型マスクブランクスの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図８】本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
【図９】従来の反射型マスクブランクスおよび反射型マスクの一例を示す説明図であり、（ａ）は反射型マスクブランクスの概略断面図、（ｂ）は反射型マスクの概略断面図を示す。
【図１０】位相欠陥と吸収体パターンとの関係を示す説明図である。
【図１１】従来のアライメントマーク付き反射型マスク用基板および反射型マスクブランクスの一例を示す説明図であり、（ａ）は反射型マスク用基板の概略断面図、（ｂ）は反射型マスクブランクスの概略断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
（反射型マスク用基板）
まず、本発明に係る反射型マスク用基板について説明する。
図１は、本発明に係る反射型マスク用基板の一例を示す説明図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図を示す。また、図２は、本発明に係る反射型マスク用基板の他の例を示す概略平面図である。
【００３２】
図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、本発明に係る反射型マスク用基板１は、ＥＵＶ露光用の反射型マスクの基板に用いられる反射型マスク用基板であって、その主面に、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と、電子線描画用アライメントマーク２２と、を有し、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１、および、前記電子線描画用アライメントマーク２２のいずれもが、凹型の段差マークであって、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１の深さが、前記電子線描画用アライメントマーク２２の深さよりも浅いことを特徴とする。
【００３３】
上記のように、本発明に係る反射型マスク用基板１は、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と、電子線描画用アライメントマーク２２の、深さの異なる２種類のアライメントマークを有しているため、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１をＥＵＶ光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができる。それゆえ、ＥＵＶ光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。
【００３４】
前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１の深さは、ＥＵＶ光を用いる欠陥検査装置がサチュレーションを起こさない範囲とすることが好ましく、例えば、１０ｎｍ〜３０ｎｍの範囲であることが好ましい。
一方、前記電子線描画用アライメントマーク２２の深さは、前記電子線描画用アライメントマーク２２の上に、反射層、吸収層、および、レジスト層が形成された状態で、電子線を用いて前記電子線描画用アライメントマーク２２を検出することができる深さとすることが好ましく、例えば、１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることが好ましい。
【００３５】
前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１の平面形状としては、ＥＵＶ光を用いる欠陥検査装置でアライメントマークとして検出できるものであれば用いることができ、例えば、十字型、Ｌ字型、矩形等の平面形状を有するアライメントマークが１個又は複数個組み合わされたものなどが挙げられる。
その平面サイズは、ＥＵＶ光を用いる欠陥検査装置で検出可能な大きさであり、例えば、前記十字型の場合、全長が１ｍｍ〜３ｍｍ程度であって、線幅が１μｍ〜１０μｍ程度である。
【００３６】
また、前記電子線描画用アライメントマーク２２の平面形状としては、電子線描画装置でアライメントマークとして検出できるものであれば用いることができ、例えば、十字型、Ｌ字型、矩形等の平面形状を有するアライメントマークが１個又は複数個組み合わされたものなどが挙げられる。
その平面サイズは、電子線描画装置で検出可能な大きさであり、例えば、前記十字型の場合、全長が１ｍｍ〜３ｍｍ程度であって、線幅が１μｍ〜１０μｍ程度である。
【００３７】
また、本発明に係る反射型マスク用基板においては、前記電子線描画用アライメントマークが、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマークよりも基板の中心から外側に配設されていることが好ましい。
【００３８】
例えば、図１（ａ）に示すように、反射型マスク用基板１の平面外形を構成する各辺の中心近傍に、上記の各アライメントマークが配設される形態においては、前記各辺により近い位置に電子線描画用アライメントマーク２２が配設され、基板の中心により近い位置にＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１が配設されることが好ましい。
【００３９】
また、図２（ａ）や図２（ｂ）に示すように、反射型マスク用基板１の平面外形の角部（四隅）近傍に、上記の各アライメントマークが配設される形態においては、前記各角部により近い位置に電子線描画用アライメントマーク２２が配設され、基板の中心により近い位置にＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１が配設されることが好ましい。
【００４０】
上述のように、電子線描画用アライメントマーク２２の深さは、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１の深さよりも格段に深いため、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１よりも電子線描画用アライメントマーク２２の中に異物が滞留し易い。そして、基板洗浄後のスピン乾燥等の工程の際に、前記異物が電子線描画用アライメントマーク２２から流出して、基板表面に付着する恐れがある。
【００４１】
ここで、上述のように、電子線描画用アライメントマーク２２が、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１よりも基板の中心から外側に配設されている場合には、スピン乾燥の際に前記電子線描画用アライメントマーク２２から流出する異物は、遠心力により基板の中心から外側の方向に付着するため、前記電子線描画用アライメントマーク２２よりも基板の内側に形成されている前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１が汚染されることを抑制することができる。
【００４２】
（反射型マスクブランクス）
次に、本発明に係る反射型マスクブランクスについて説明する。
図３は、本発明に係る反射型マスクブランクスの一例を示す概略断面図である。図３に示すように、本発明に係る反射型マスクブランクスは、上述の反射型マスク用基板１と、前記反射型マスク用基板１の主面の上に形成された多層膜からなる反射層１２と、前記反射層１２の上に形成された吸収層１３と、を有するものである。
【００４３】
本発明に係る反射型マスクブランクス２は、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と、電子線描画用アライメントマーク２２の、深さの異なる２種類のアライメントマークを有しているため、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１をＥＵＶ光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができる。それゆえ、ＥＵＶ光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。
【００４４】
（反射型マスク）
次に、本発明に係る反射型マスクについて説明する。
図４は、本発明に係る反射型マスクの一例を示す説明図であり、（ａ）は全体の概略断面図、（ｂ）は位相欠陥と吸収体パターンとの関係を示す説明図である。
図４（ａ）に示すように、本発明に係る反射型マスク３は、上述の反射型マスク用基板１と、前記反射型マスク用基板１の主面の上に形成された多層膜からなる反射層１２と、前記反射層１２の上に形成された吸収体パターン１３Ａと、を有するものである。
【００４５】
本発明に係る反射型マスク３は、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と、電子線描画用アライメントマーク２２の、深さの異なる２種類のアライメントマークを有しているため、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１をＥＵＶ光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマーク２２を電子線による検出に適した深さとすることができる。それゆえ、ＥＵＶ光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。
【００４６】
また、本発明に係る反射型マスクにおいては、前記吸収体パターンが、平面視上、前記反射層の位相欠陥を覆う位置に配設されていることが好ましい。
図４（ｂ）に示すように、位相欠陥３２が吸収体パターン１３Ａに覆われている場合には、吸収体パターン１３Ａに入射したＥＵＶ光４１は、吸収体パターン１３Ａに吸収されるため、転写結果に位相効果の影響を及ぼすことはなく、前記位相欠陥３２によるパターン転写への影響を、効果的に回避することができるからである。
なお、反射層１２の位相欠陥が無い領域に入射したＥＵＶ光の反射光４０は、その位相が揃っていることから、転写結果に位相効果の影響を及ぼすことはない。
【００４７】
ただし、上述のように、吸収体パターン１３Ａで位相欠陥３２を覆うためには、ＥＵＶ光による欠陥検査の結果に基づいて吸収体パターン１３Ａの配設位置をシフトし、検出された前記位相欠陥の位置に、吸収体パターン１３Ａを形成するためのレジストパターンを、位置精度良く形成する必要がある。
【００４８】
ここで、本発明においては、上述のように、ＥＵＶ光検査用アライメントマークをＥＵＶ光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができるため、ＥＵＶ光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能である。
【００４９】
すなわち、本発明においては、まず、反射層１２を形成した後に、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１を用いてＥＵＶ光による欠陥検査を行うことで、位置精度良く位相欠陥３２を検出できる。
その後、反射層１２の上に吸収層１３を形成して本発明に係る反射型マスクブランクス１を製造し、次いで、前記吸収層１３の上に形成したレジスト層に、電子線描画装置で電子線描画用アライメントマーク２２を用いてアライメント描画することによって、前記検出した位相欠陥３２を覆うように配設位置をシフトしたレジストパターンを位置精度良く形成することができる。
そして、前記レジストパターンをエッチングマスクに用いて吸収層１３をエッチングすることにより、前記検出した位相欠陥３２の上に、吸収体パターン１３Ａが位置精度良く形成された反射型マスク３を得ることができる。
そして、本発明に係る反射型マスク３をＥＵＶ露光に用いることで、前記位相欠陥によるパターン転写への影響を、効果的に回避することができる。
【００５０】
次に、本発明に係る反射型マスク用基板、反射型マスクブランクス、または、反射型マスクを構成するその他の要素について説明する。
【００５１】
（反射層）
反射層１２は、ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を高い反射率で反射する材料が用いられ、Ｍｏ（モリブデン）層とＳｉ（シリコン）層からなる多層膜が多用されており、例えば、２．８ｎｍ厚のＭｏ層と４．２ｎｍ厚のＳｉ層を各４０層積層した多層膜よりなる反射層が挙げられる。それ以外には、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ｒｕ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｂｅ、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜およびＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜なども用いることができる。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。Ｍｏ層とＳｉ層からなる多層膜の場合、イオンビームスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いてＳｉ層を成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いてＭｏ層を成膜し、これを１周期として、３０〜６０周期、好ましくは４０周期積層されて、多層膜の反射層が得られる。上記のように、ＥＵＶ光を高い反射率で反射させるために、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０度で入射したときの反射層３の反射率は、通常、６０％以上を示すように設定されている。
【００５２】
（キャッピング層）
反射層１２の反射率を高めるには屈折率の大きいＭｏ層を最上層とするのが好ましいが、Ｍｏは大気で酸化され易く、反射率が低下するので、酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護層として、最上層を厚めのＳｉ層としたり、最上層にスパッタリング法などによりＲｕ（ルテニウム）層を成膜して、キャッピング層とすることが行われている。例えば、キャッピング層としてＳｉを用いる場合は、反射層１２の最上層に１１ｎｍの厚さで設けられ、キャッピング層としてＲｕを用いる場合は、反射層１２の最上層に２．５ｎｍの厚さで設けられる。
【００５３】
（バッファ層）
ＥＵＶ光を吸収する吸収層１３をドライエッチングなどの方法でパターンエッチングするときに、下層の反射層１２に損傷を与えるのを防止するために、反射層１２と吸収層１３との間にバッファ層が設けられる場合がある。バッファ層の材料としてはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ、ＣｒＮなどが用いられる。ＣｒＮを用いる場合は、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＣｒターゲットを用いてＮ2ガス雰囲気下で、上記の反射層の上にＣｒＮ膜を５ｎｍ〜１５ｎｍ程度の膜厚で成膜するのが好ましい。
【００５４】
（吸収層）
ＥＵＶ光を吸収する吸収層１３の材料としては、Ｔａ、ＴａＯ、ＴａＢ、ＴａＮ、ＴａＢＮなどのＴａを主成分とする材料や、Ｃｒ、Ｃｒを主成分としＮ、Ｏ、Ｃから選ばれる少なくとも１つの成分を含有する材料などが用いられる。吸収層１３の膜厚としては、２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の範囲の膜厚が用いられる。
【００５５】
（導電層）
基板材料１１における反射層１２が設けられた主面とは反対側の面（裏面）の上には、導電層が形成されていてもよい。この導電層は、反射型マスクの裏面を静電吸着するために設けられるものである。この導電層は、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜であって、例えば、クロム（Ｃｒ）や窒化クロム（ＣｒＮ）などを、厚さ２０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度に成膜して用いられる。
【００５６】
（反射型マスク用基板の製造方法）
次に、本発明に係る反射型マスク用基板の製造方法について説明する。
本発明に係る反射型マスク用基板の製造方法は、表面研磨された基板材料の主面に、ハードマスク層を形成する工程と、前記ハードマスク層の上に、第１のレジスト層を形成する工程と、前記第１のレジスト層に、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク、および、電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを同一工程で形成する工程と、前記第１のレジスト層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記ハードマスク層をエッチングして、前記ハードマスク層に、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク、および、前記電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを形成する工程と、前記第１のレジスト層を除去する工程と、前記ハードマスク層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記基板材料を、ドライエッチングする工程と、  前記ハードマスク層、および、前記ハードマスク層から露出する前記基板材料の上に、第２のレジスト層を形成する工程と、前記第２のレジスト層に、前記電子線描画用アライメントマークのエッチングパターンを形成する工程と、前記第２のレジスト層に形成した前記エッチングパターンから露出する前記基板材料をドライエッチングする工程と、前記第２のレジスト層を除去する工程と、前記ハードマスク層を除去する工程と、を、順に有するものである。
【００５７】
図５および図６は、本発明に係る反射型マスク用基板の製造方法の一例を示す模式的工程図である。
本発明に係る反射型マスク用基板１を製造するには、まず、図５（ａ）に示すように、表面研磨された基板材料１１を用意し、その主面の上にＣｒＮ（窒化クロム）等からなるハードマスク層５０を形成し（図５（ｂ））、さらにその上に、第１のレジスト層６０を形成する（図５（ｃ））。
【００５８】
次に、例えば、レーザ描画および現像により、前記第１のレジスト層６０に、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１、および、電子線描画用アライメントマーク２２の両方のエッチングパターンを同一工程で形成する（図５（ｄ））。
【００５９】
ここで、上述の「ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１、および、電子線描画用アライメントマーク２２の両方のエッチングパターンを同一工程で形成する」とは、例えば、パターン形成手段としてレーザ描画装置を用いる場合には、レーザ描画装置に搭載された基板材料１１を途中で取り出したりせずに、前記基板材料１１のハードマスク層５０の上に形成された第１のレジスト層６０に、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と電子線描画用アライメントマーク２２の両方のエッチングパターンを一回の工程でレーザ描画し、その後、前記基板材料１１をレーザ描画装置から取り出して、通常の現像工程（現像、リンス、乾燥）を施すことにより、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と電子線描画用アライメントマーク２２の両方のエッチングパターンを有するレジストパターンを形成することをいう。
【００６０】
このような工程で、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と電子線描画用アライメントマーク２２の両方のエッチングパターンが形成されるため、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と電子線描画用アライメントマーク２２の各エッチングパターンの相互の位置関係は、高い精度で設計どおりに保たれることになる。
【００６１】
なお、本発明においては、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１、および、電子線描画用アライメントマーク２２の両方のエッチングパターンを同一工程で形成することによって、両者の相対的位置関係を高精度に保つことができればよく、例えば、上記のパターン形成手段として、レーザ描画装置に替えて電子線描画装置を用いても良い。
【００６２】
次に、前記第１のレジスト層６０に形成した前記エッチングパターンから露出する前記ハードマスク層５０をエッチングして、前記ハードマスク層５０に、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１、および、前記電子線描画用アライメントマーク２２の両方のエッチングパターンを形成し（図５（ｅ））、その後、第１のレジスト層６０を剥離除去する（図５（ｆ））。
【００６３】
上記のハードマスク層５０のエッチングは、ドライエッチングであってもよく、ウェットエッチングであってもよい。
例えば、ドライエッチングの場合には、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることができ、ウェットエッチングの場合には、硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸の混合液を用いることができる。
【００６４】
次に、図６（ｇ）に示すように、ハードマスク層５０に形成した前記エッチングパターンから露出する基板材料１１をドライエッチングして、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１、および、凹型構造体２２Ａを形成する。
ここで、前記凹型構造体２２Ａは、電子線描画用アライメントマーク２２と同じ位置に形成され、電子線描画用アライメントマーク２２と略同一の平面形状を有するものであるが、その深さはＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と略同一な構造体である。
【００６５】
上記の基板材料１１のエッチングは、ドライエッチングが好ましい。等方性エッチングであるウェットエッチングに比べて、ドライエッチングでは側壁を垂直に形成しやすく、ＥＵＶ光を用いた欠陥検査において、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１のエッジを検出することが、より容易になるからである。
また、後述するように、凹型構造体２２Ａをさらにエッチングして電子線描画用アライメントマーク２２を形成する際にも、凹型構造体２２Ａの側壁が垂直であれば、電子線描画用アライメントマーク２２の側壁も垂直に形成しやすく、電子線を用いたアライメント描画において、電子線描画用アライメントマーク２２のエッジを検出することが、より容易になるからである。
上記の基板材料１１のドライエッチングには、例えば、フッ素系のガスを用いることができる
【００６６】
次に、図６（ｈ）に示すように、前記ハードマスク層５０、および、前記ハードマスク層５０から露出する前記基板材料１１の上に、第２のレジスト層６１を形成し、次いで、例えば、レーザ描画および現像により、前記第２のレジスト層６１に、前記電子線描画用アライメントマーク２２のエッチングパターンを形成する。なお、前記レーザ描画に替えて電子線描画を用いても良い。
【００６７】
ここで、前記第２のレジスト層６１に形成された前記エッチングパターンは、電子線描画用アライメントマーク２２と略同一の平面形状を有する必要は無く、電子線描画用アライメントマーク２２の平面形状よりも十分に大きな開口パターンであることが好ましい。
さらに言えば、本工程においては、前記第２のレジスト層６１で被覆される部位は、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１が形成された部位だけであっても良い。レジスト層６１は、電子線描画用アライメントマーク２２を形成するためのエッチングから、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１を保護する目的で形成されるものだからである。
なお、電子線描画用アライメントマーク２２を形成するためのエッチングにおけるエッチングマスクの機能は、ハードマスク層５０が担うことになる。
そして、前記第２のレジスト層６１に形成された前記エッチングパターンが、上記のような開口パターンであれば、例えば、基板材料１１の外形を基準とした精度の低いアライメント描画であっても、前記凹型構造体２２Ａを前記第２のレジスト層６１から露出させることができる。
【００６８】
次に、前記第２のレジスト層６１に形成した前記エッチングパターンから露出する前記凹型構造体２２Ａをさらにドライエッチングして、所望の深さの電子線描画用アライメントマーク２２を形成し（図６（ｉ））、その後、第２のレジスト層６１を剥離除去する（図６（ｊ））。
【００６９】
最後に、ハードマスク層５０を除去して、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と電子線描画用アライメントマーク２２を有する反射型マスク用基板１を得る（図６（ｋ））。
【００７０】
以上説明したように、本発明の反射型マスク用基板の製造方法によれば、ＥＵＶ光検査用アライメントマークと、電子線描画用アライメントマークと、を有し、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマークの深さが、前記電子線描画用アライメントマークの深さよりも浅い反射型マスク用基板を得ることができる。
【００７１】
また、本発明によれば、ＥＵＶ光検査用アライメントマークをＥＵＶ光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができ、ＥＵＶ光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。
【００７２】
また、上述のように、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク、および、電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを同一工程で形成できるため、ＥＵＶ光検査用アライメントマークと電子線描画用アライメントマークの相互の位置関係を、高い精度で設計どおりに保つことができる。
それゆえ、本発明に係る反射型マスク用基板を用いて、反射型マスクを製造する場合、ＥＵＶ光による欠陥検査で検出した位相欠陥の上に、位置精度良く吸収体パターンを形成することができ、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な反射型マスクを得ることができる。
【００７３】
（反射型マスクブランクスの製造方法）
次に、本発明に係る反射型マスクブランクスの製造方法について説明する。
本発明に係る反射型マスクブランクスの製造方法は、上述の反射型マスク用基板の製造方法により製造される反射型マスク用基板を用い、上述の工程に続いて、前記反射型マスク用基板の主面の上に、多層膜からなる反射層を形成する工程と、前記反射層の上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を形成する工程と、を、順に有するものである。
【００７４】
図７は、本発明に係る反射型マスクブランクスの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
本発明に係る反射型マスクブランクス２を製造するには、まず、図７（ａ）に示すように、上述の反射型マスク用基板の製造方法により製造された反射型マスク用基板１を用意し、その主面の上に、多層膜からなる反射層１２を形成し（図７（ｂ））、次いで、前記反射層１２の上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１３を形成する（図７（ｃ））。
【００７５】
前記反射層１２を形成するには、例えば、反射型マスク用基板１の主面に、イオンビームスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いてＳｉ層を４．２ｎｍ成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いてＭｏ層を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として、３０〜６０周期、好ましくは４０周期積層することで、多層膜からなる反射層１２を形成することができる。
【００７６】
また、前記吸収層１３を形成するには、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＮ膜を２０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さで形成することができる。
【００７７】
なお、図示はしないが、反射層１２の上には、反射層１２を保護するためのキャッピング層や、吸収層１３を部分的に除去して吸収体パターン１３Ａを形成する際の反射層１２へのエッチングダメージを防止するためのバッファ層を設けてもよい。
【００７８】
また、本発明においては、前記反射層１２を形成する工程と、前記吸収層１３を形成する工程と、の間に、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１を用いて前記反射層１２の位相欠陥の位置をＥＵＶ光により検出する検査を行う工程を有することが好ましい。
ＥＵＶ光は吸収層１３に吸収されてしまうため、反射層１２の上に吸収層１３を形成した後に、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１を用いて前記反射層１２の位相欠陥の位置をＥＵＶ光により検出する検査を行うことは困難だからである。
【００７９】
以上説明したように、本発明の反射型マスクブランクスの製造方法によれば、ＥＵＶ光検査用アライメントマークと、電子線描画用アライメントマークと、を有し、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマークの深さが、前記電子線描画用アライメントマークの深さよりも浅く形成されている反射型マスク用基板の主面の上に、多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収層と、を有する反射型マスクブランクスを得ることができる。
【００８０】
また、本発明によれば、ＥＵＶ光検査用アライメントマークをＥＵＶ光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができることから、ＥＵＶ光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。
【００８１】
また、上述のように、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク、および、電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを同一工程で形成できるため、ＥＵＶ光検査用アライメントマークと電子線描画用アライメントマークの相互の位置関係を、高い精度で設計どおりに保つことができる。
それゆえ、本発明に係る反射型マスクブランクスを用いて、反射型マスクを製造する場合、ＥＵＶ光による欠陥検査で検出した位相欠陥の上に、位置精度良く吸収体パターンを形成することができ、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な反射型マスクを得ることができる。
【００８２】
（反射型マスクの製造方法）
次に、本発明に係る反射型マスクの製造方法について説明する。
本発明に係る反射型マスクの製造方法は、上述の反射型マスクブランクスの製造方法により製造される反射型マスクブランクスを用い、上述の工程に続いて、前記吸収層を部分的に除去して吸収体パターンを形成する工程を、有するものである。
【００８３】
そして、本発明の前記吸収体パターンを形成する工程においては、平面視上、前記検査により検出した前記位相欠陥を覆うレジストパターンを、前記電子線描画用アライメントマークを検出する電子線アライメント描画により形成する工程と、前記レジストパターンから露出する前記吸収層をエッチングすることにより、前記吸収層を部分的に除去して吸収体パターンを形成する工程と、を順に有することが好ましい。
【００８４】
上記のような工程を有する製造方法により、前記吸収体パターンが、平面視上、前記反射層の位相欠陥を覆う位置に配設されている本発明に係る反射型マスクを製造することができるからである。
【００８５】
図８は、本発明に係る反射型マスクの製造方法の一例を示す模式的工程図である。
本発明に係る反射型マスク３を製造するには、まず、図８（ａ）に示すように、上述の反射型マスクブランクスの製造方法により製造された反射型マスクブランクス２を用意する。なお、この反射型マスクブランクス２は、前記反射層の位相欠陥の位置およびサイズをＥＵＶ光により検査済みのものである。
【００８６】
次に、前記反射型マスクブランクス２の吸収層１３の上に電子線レジスト層６２を形成し（図８（ｂ））、次いで、上記検査で検出した位相欠陥の上に吸収体パターンが形成されるように位置をシフトさせた描画パターンを、電子線描画用アライメントマーク２２を用いてアライメント描画し、現像することにより、平面視上、前記検査により検出した前記位相欠陥を覆うレジストパターン６２Ａを形成する（図８（ｃ））。
【００８７】
ここで、電子線描画用アライメントマーク２２は、上述のように、電子線による検出に適した深さに形成されているため、例え、反射層１２、吸収層１３、および、電子線レジスト層６２が形成された上からでも、電子線描画用アライメントマーク２２を良好に検出でき、それゆえ、電子線によるアライメント描画を位置精度良く行うことができる。
【００８８】
次に、前記レジストパターン６２Ａから露出する前記吸収層１３をエッチングすることにより、前記吸収層１３を部分的に除去して吸収体パターン１３Ａを形成し（図８（ｄ））、その後、前記レジストパターン６２Ａを剥離除去して、前記吸収体パターン１３Ａが、平面視上、前記反射層１２の位相欠陥を覆う位置に配設されている本発明の反射型マスク３を得る。
【００８９】
以上説明したように、本発明の反射型マスクの製造方法によれば、ＥＵＶ光検査用アライメントマークと、電子線描画用アライメントマークと、を有し、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマークの深さが、前記電子線描画用アライメントマークの深さよりも浅く形成されている反射型マスク用基板の主面の上に、多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成された吸収体パターンと、を有する反射型マスクを得ることができる。
【００９０】
また、本発明によれば、ＥＵＶ光検査用アライメントマークをＥＵＶ光による検出に適した深さとすることができ、また、電子線描画用アライメントマークを電子線による検出に適した深さとすることができることから、ＥＵＶ光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となる。
【００９１】
また、上述のように、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク、および、電子線描画用アライメントマークの両方のエッチングパターンを同一工程で形成できるため、ＥＵＶ光検査用アライメントマークと電子線描画用アライメントマークの相互の位置関係を、高い精度で設計どおりに保つことができる。
それゆえ、本発明によれば、ＥＵＶ光による欠陥検査で検出した位相欠陥の上に、位置精度良く吸収体パターンを形成することができ、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な反射型マスクを得ることができる。
【００９２】
以上、本発明に係る反射型マスク用基板、反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００９３】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００９４】
（実施例１）
基板材料１１として、光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板を用い、その主面の上に、ＣｒＮ（窒化クロム）を１００ｎｍの厚さにスパッタ成膜してハードマスク層５０を形成し、
その上に、第１のレジスト層６０（東京応化工業、ＩＰ３５００）を厚さ４５０ｎｍで塗布形成し、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と電子線描画用アライメントマーク２２の両方のエッチングパターンを一回の工程でレーザ描画し、その後、前記基板材料１１をレーザ描画装置（米国ＥＴＥＣ社、ＡＬＴＡ３５００）から取り出して、通常の現像工程（現像、リンス、乾燥）を施すことにより、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と電子線描画用アライメントマーク２２の両方に相当する位置が開口したパターンを有するレジストパターンを形成した。
【００９５】
ここで、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１の平面形状、および、電子線描画用アライメントマーク２２の平面形状は、いずれも十字型とし、その全長は２ｍｍ、線幅は２μｍとした。
また、各アライメントマークの配置は、図２（ａ）に示すように、基板材料１１の対角線上の四隅にそれぞれ各１個（それぞれ計４個）配置し、電子線描画用アライメントマーク２２が、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１よりも基板材料１１の中心から外側になるように配置した。ここで、各電子線描画用アライメントマーク２２の中心位置と、各ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１の中心位置との距離は、Ｘ方向に４ｍｍ、Ｙ方向に４ｍｍ、離して配置した。
【００９６】
次に、前記レジスト層６０に形成した前記エッチングパターンから露出する前記ＣｒＮ層を、塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いてドライエッチングし、前記ＣｒＮ層に、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１、および、前記電子線描画用アライメントマーク２２の両方のエッチングパターンを形成し、その後、第１のレジスト層６０を剥離除去した。
【００９７】
次に、前記ＣｒＮ層に形成した前記エッチングパターンから露出する基板材料１１を、ＣＦ4ガスとＨｅガスの混合ガスを用いてドライエッチングし、深さが２０ｎｍのＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１、および、凹型構造体２２Ａを形成した。
【００９８】
次に、前記ＣｒＮ層、および、前記ＣｒＮ層から露出する基板材料１１の上に、第２のレジスト層６１（東京応化工業、ＩＰ３５００）を厚さ４５０ｎｍで塗布形成し、次いで、レーザ描画および現像により、前記第２のレジスト層６１から前記凹型構造体２２Ａを露出させた。
【００９９】
次に、露出した前記凹型構造体２２Ａを、さらにＣＦ4ガスとＨｅガスの混合ガスを用いてドライエッチングし、深さ３００ｎｍの電子線描画用アライメントマーク２２を形成し、その後、第２のレジスト層６１を剥離除去し、次いで、前記ＣｒＮ層を除去して、ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１と電子線描画用アライメントマーク２２を有する本発明の反射型マスク用基板１を得た。
【０１００】
次に、上記の反射型マスク用基板１の主面の上に、イオンビームスパッタ法により、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層してＭｏとＳｉの多層膜よりなる反射層１２を形成した後、最表面のＭｏ膜の上に、Ｒｕ層を２．５ｎｍ成膜してキャッピング層を形成した。
【０１０１】
その後、前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１を用いて反射層１２における位相欠陥の位置およびサイズを検出する検査を行った。検査には、ＥＵＶ露光と同じ波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いた。
本実施例における前記ＥＵＶ光検査用アライメントマーク２１の深さは２０ｎｍであり、サチュレーションを起こすことなく、高精度に欠陥検査することができた。
【０１０２】
次に、上記のＲｕ膜の上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＮ膜を６０ｎｍの厚さで形成して吸収層１３とし、本発明に係る反射型マスクブランクス２を得た。
【０１０３】
次に、上記の反射型マスクブランクス２を用い、ＴａＮ膜からなる吸収層１３の上に電子線レジスト層６２（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ、ＦＥＰ１７１）を厚さ２００ｎｍで塗布形成し、電子線描画用アライメントマーク２２を用いて電子線描画装置（日本電子、ＪＢＸ９０００）でアライメント描画して、前記検査により検出した前記位相欠陥を覆うようにレジストパターン６２Ａを形成した。
本実施例における前記電子線描画用アライメントマーク２２の深さは３００ｎｍであり電子線による検出に適した深さに形成されているため、反射層１２、Ｒｕ層、ＴａＮ層、および電子線レジスト層６２を形成した上からでも、上記電子線描画装置の電子線走査に対して十分なコントラストの検出信号を得ることができた。
【０１０４】
次に、前記ＴａＮ層を塩素ガスでドライエッチングして、Ｒｕからなるキャッピング層を露出させ、吸収体パターン１３Ａを形成し、その後、電子線レジスト層６２を剥離除去して、本発明に係る反射型マスク３を得た。
【０１０５】
その後、上記の反射型マスク３の吸収体パターン１３Ａから露出する反射層を、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いたＥＵＶ顕微鏡で観察した。
上記の観察の結果、ＴａＮ層形成前のＥＵＶ光を用いた欠陥検査で検出された位相欠陥は全て吸収体パターン１３Ａで覆われており、露出する反射層（厳密には、最上層にＲｕ膜を備えた反射層）において、位相欠陥は見つからなかった。
【０１０６】
上述のように、本発明によれば、ＥＵＶ光による欠陥検査を高精度に行うことと、電子線によるアライメント描画を高精度に行うことの両方が可能となり、前記各アライメントマークを用いた欠陥検査およびアライメント描画により、位相欠陥によるパターン転写への影響を回避することが可能な反射型マスクを得ることができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１・・・反射型マスク用基板
２・・・反射型マスクブランクス
３・・・反射型マスク
１１・・・基板材料
１２・・・反射層
１３・・・吸収層
１３Ａ・・・吸収体パターン
２１・・・ＥＵＶ光検査用アライメントマーク
２２・・・電子線描画用アライメントマーク
２２Ａ・・・凹型構造体
３１・・・欠陥
３２・・・位相欠陥
４０・・・反射光
４１・・・ＥＵＶ光
５０・・・ハードマスク層
６０、６１、６２・・・レジスト層
６２Ａ・・・レジストパターン
１０１・・・反射型マスク用基板
１０２、１０２Ａ・・・反射型マスクブランクス
１０３、１０３Ａ、１０３Ｂ・・・反射型マスク
１１１・・・基板材料
１１２・・・反射層
１１３・・・吸収層
１１３Ａ・・・吸収体パターン
１２２・・・アライメントマーク
１３１・・・欠陥
１３２・・・位相欠陥
１４０Ａ、１４０Ｂ、１４０Ｃ・・・反射光
１４１・・・ＥＵＶ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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