Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月8日(2016.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチスレッドプロセッサの区分された共有キャッシュ(104)を更新する方法であって、
前記キャッシュに割り当てられるべき処理スレッドに関連付けられたキャッシュエントリの物理アドレスを受け取るステップ(402)と、
前記アドレスに関連付けられた前記処理スレッド内のデータ属性を判断するステップ(404)と、
複数のスレッド固有の構成レジスタから、前記処理スレッドに対応するスレッド固有の構成レジスタを選択するステップと、
区分レジスタに基づいて、キャッシュ区分を判断するステップ(408)と、
前記選択された構成レジスタに保持された値、および前記キャッシュ区分に基づいて、前記キャッシュエントリを前記キャッシュに割り当てるステップ(410)と
を含み、
前記値が、前記データ属性に基づくキャッシュ割当て、前記区分されたキャッシュのメイン部分へのキャッシュ割当て、および前記区分されたキャッシュの予備部分へのキャッシュ割当てのうちの1つを示す、方法。
【請求項２】
前記データ属性がページ属性である、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記データ属性が、ストリーミングデータ、ローカライズされたデータ、マルチユースデータ、共有、または非共有のうちの1つを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記キャッシュ区分がメイン部分および予備部分を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記キャッシュ区分が静的区分に基づく、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記キャッシュ区分が前記属性に基づく動的区分である、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記アドレスに関連付けられた前記属性を判断するためのメモリ管理ユニット(MMU)を構成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記属性に基づくキャッシュ割当て情報を用いて前記構成レジスタを設定するように前記MMUを構成するステップをさらに含む、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
区分レジスタを設定するように前記MMUを構成するステップと、前記区分レジスタに基づいて、前記キャッシュ区分を判断するステップとをさらに含む、請求項7に記載の方法。
【請求項１０】
前記属性に基づくキャッシュ割当てが、前記判断されたキャッシュ区分をオーバーライドするステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
区分された共有キャッシュ(104)と、
処理スレッド(T1)と、
前記キャッシュに割り当てられるべき前記処理スレッドに関連付けられたキャッシュエントリの物理アドレスに関連付けられた前記処理スレッド内のデータ属性を判断するためのメモリ管理ユニット(110)と、
複数のスレッド固有の構成レジスタ(CP 300_0)から、前記処理スレッドに対応するスレッド固有の構成レジスタを選択するための論理手段と、
前記キャッシュを2つ以上の部分に区分するための区分情報を含む区分レジスタ(DP 310)と、
前記処理スレッドに対応する前記構成レジスタに保持された値、および前記区分レジスタに基づいて、前記キャッシュエントリを前記キャッシュの前記部分のうちの1つに割り当てるための論理手段(312、308、314)と
を含み、
前記値が、前記データ属性に基づくキャッシュ割当て、前記区分されたキャッシュのメイン部分へのキャッシュ割当て、および前記区分されたキャッシュの予備部分へのキャッシュ割当てのうちの1つを示す、を含むマルチスレッド処理システム(100)。
【請求項１２】
請求項1から10のいずれか一項に記載の方法を実施するための手段を含む装置。
【請求項１３】
請求項1から10のいずれか一項に記載の方法をコンピュータまたはプロセッサに実行させるための少なくとも1つの命令を含む、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月8日(2016.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つのスタック内における複数の燃料電池プレートであって、前記スタックは、
空気入口面および／または空気出口面と、
２つの対向する係合面と
を画定する、複数の燃料電池プレートと、
前記空気入口または出口面を備える空気チャンバを画定するために、前記２つの係合面を解除可能に係合するように構成された取外し可能なカバーと
を備える、燃料電池組立体。
【請求項２】
非円形断面を有する２つのロッドをさらに備え、各ロッドは、前記係合面の１つに沿って延在し、前記取外し可能なカバーと前記それぞれの係合面との間に封止を解除可能に提供するように、回転可能である、請求項１に記載の燃料電池組立体。
【請求項３】
前記ロッドは、カム形状の断面、または平坦な縁部を備える円形の断面である、請求項２に記載の燃料電池組立体。
【請求項４】
前記取外し可能なカバーは、前記ロッドを受領するための凹部を備える、請求項２または３に記載の燃料電池組立体。
【請求項５】
前記複数の燃料電池プレートはそれぞれが２つの突起部を備え、それぞれの突起部は前記２つの係合面の１つに関連付けられ、前記取外し可能なカバーは、前記突起部に解除可能に係合するように構成される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の燃料電池組立体。
【請求項６】
前記２つの突起部は、前記空気入口または出口面を超えて前記係合面を延ばす、請求項５に記載の燃料電池組立体。
【請求項７】
前記２つの突起部は、ロッドの回転に応答して変形可能である、請求項５または６に記載の燃料電池組立体。
【請求項８】
前記突起部は弾性である、請求項７に記載の燃料電池組立体。
【請求項９】
前記取外し可能なカバーは２つの凹部を備え、それぞれの凹部は、前記２つのロッドのうちの１つおよび前記２つの突起部のうちの１つを受領するように構成され、前記凹部は前記それぞれの突起部を係合するための第１の内表面、および前記それぞれのロッドを係合するための第２の内表面を有する、請求項１４から直接的または間接的に従属する、請求項５〜８のいずれか１項に記載の燃料電池組立体。
【請求項１０】
各突起部は突起唇部を備え、各凹部は凹唇部を備え、前記突起唇部は、前記突起部が前記凹部から出る動きを制限するために、前記突起部が前記凹部内に配置される際に、前記凹唇部と係合するように構成される、請求項９に記載の燃料電池組立体。
【請求項１１】
前記スタックは、前記空気チャンバの２つの対向する端部を画定するために、前記取外し可能なカバーと係合するように構成された２つのエンドプレートを備える、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の燃料電池組立体。
【請求項１２】
前記取外し可能なカバーは、空気チャンバ入口および／または空気チャンバ出口を備え、前記取外し可能なカバーは、前記空気チャンバが前記空気入口もしくは空気出口に向かって延在するにつれて、変化する断面領域をもつ前記空気チャンバを画定するように構成される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の燃料電池組立体。 
【請求項１３】
前記取外し可能なカバーは、前記空気入口面を備える空気チャンバを画定するように構成された第１の取外し可能なカバーであり、前記燃料電池組立体は、前記空気出口面を備える空気チャンバを画定するために、２つの係合面を解除可能に係合するように構成された第２の取外し可能なカバーをさらに備える、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の燃料電池組立体。
【請求項１４】
前記空気チャンバと流体連通する熱交換器をさらに備える、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の燃料電池組立体。
【請求項１５】
前記熱交換器は前記カバーに直接取り付けられる、請求項１４に記載の燃料電池組立体。
【請求項１６】
前記燃料電池組立体のそれぞれの前記取外し可能なカバーは、別の燃料電池組立体の少なくとも１つの取外し可能なカバーと流体連通する、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の複数の燃料電池組立体。
【請求項１７】
燃料電池スタック組立体を組み立てる方法であって、
複数の燃料電池プレートを位置合わせすることであって、前記燃料電池プレートは、それぞれ空気入口面および／または空気出口面ならびに２つの対向する係合面を有する、位置合わせすることと、
取外し可能なカバーを前記燃料電池プレートの前記空気入口面または出口面の上に置くことと、
前記取外し可能なカバーを前記燃料電池プレートの前記係合面と解除可能に係合することであって、それによって前記空気入口面または出口面と前記取外し可能なカバーとの間に空気チャンバを画定することとを含む、方法。
【請求項１８】
燃料電池スタック組立体を組み立てる方法であって、
複数の燃料電池プレートをそれぞれの端部でエンドプレートと位置合わせすることであって、前記燃料電池プレートは、それぞれ空気入口面および／または空気出口面ならびに２つの対向する係合面を有する、位置合わせすることと、
取外し可能なカバーを前記燃料電池プレートの前記空気入口面または出口面の上に置くことと、
前記エンドプレートを前記取外し可能なカバーと係合するように、前記複数の燃料電池プレートを一緒に圧縮することと、
前記取外し可能なカバーと前記係合面との間にロッドを挿入することであって、前記ロッドは非円形断面を有する、挿入することと、
前記取外し可能なカバーおよび前記係合面を解除可能に係合するために前記ロッドを回転させることであって、それによって前記空気入口面または空気出口面、前記取外し可能なカバーおよび前記エンドプレートとの間に空気チャンバを画定することと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月20日(2016.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屋外照明ネットワークにおいて複数の照明ユニットを制御する方法であって、
前記複数の照明ユニットの少なくとも１つの照明ユニットにより感知範囲内の少なくとも１つの物体を検出するステップと、
検出の後に、前記少なくとも１つの物体の速度に基づいて応答範囲を動的に決定するステップと、
該決定された応答範囲に基づいて、複数のメッセージングプロトコルのうちの１つを選択するステップと、
前記複数の照明ユニットのうちの他の１以上の照明ユニットの照明レベルを制御するために、選択された１つのメッセージングプロトコルを用いて前記複数の照明ユニットのうちの該他の１以上の照明ユニットに対し制御メッセージを送信するステップと、
を有する、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの物体の検出が真であるかを確認するために、前記複数の照明ユニットのうちの前記少なくとも１つの照明ユニットの以前のローカル検出状態及び／若しくは以前の照明レベル状態、並びに／又は前記複数の照明ユニットのうちの他の照明ユニットから受信された状態データをチェックすることによって、前記少なくとも１つの物体の検出が真であるかを確認するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記応答範囲を決定するステップが、各々の物体に関するそれぞれの該応答範囲を適合させるために２以上の物体の速度を用いて該応答範囲を選択するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のメッセージングプロトコルのうちの１つを選択するステップが、前記応答範囲が第１範囲である場合に第１プロトコルを選択し、前記応答範囲が前記第１範囲より大きな第２範囲である場合に第２プロトコルを選択するステップを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のメッセージングプロトコルのうちの１つを選択するステップが、前記第２プロトコルの間において所定の条件が満たされない場合に第３プロトコルを選択するステップを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記複数のメッセージングプロトコルのうちの１つを選択するステップが、前記複数の照明ユニットのうちの他の１以上の照明ユニットの照明レベルを低下させるための第２のタイプの制御メッセージを送信するために前記第３プロトコルを選択するステップを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
複数の照明ユニットを含む屋外照明ネットワークのための方法であって、
前記複数の照明ユニットのうちの少なくとも１つにより感知範囲内の少なくとも１つの物体を検出するステップと、
前記複数の照明ユニットのうちの１以上の他の照明ユニットに対して制御メッセージを送信すべきかを、現在及び過去の監視期間からの当該照明ユニットに関する状態情報に基づいて、及び／又は前記複数の照明ユニットのうちの前記１以上の他の照明ユニットからの制御データに基づいて決定するステップと、
前記少なくとも１つの物体の少なくとも１つの速度に基づく応答範囲に基づいて、複数のメッセージングプロトコルのうちの１つを選択するステップと、
前記屋外照明ネットワークにおける照明を制御するために、前記複数の照明ユニットのうちの前記１以上の他の照明ユニットに対して前記制御メッセージを該選択されたメッセージングプロトコルを用いて送信するステップと、
を有する、方法。
【請求項８】
２以上の物体がある場合に、前記決定するステップが、前記物体の２以上の速度を調べると共に、該速度の１以上が新たな速度であると判断された場合に前記制御メッセージを送信するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記決定するステップにおいて、前記少なくとも１つの物体の第１速度が他の物体から既に検出された第２速度に近いと見なされる場合に、どちらが大きいかに依存して前記第１速度又は第２速度により前記制御メッセージを送信する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記制御メッセージが、該制御メッセージを受信することを目的とする前記複数の照明ユニットのうちの前記１以上の他の照明ユニットのリスト、前記少なくとも１つの物体の速度情報、前記複数の照明ユニットのうちの前記少なくとも１つの状態情報を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記決定するステップにおいて、前記ローカル検出が前記物体を検出した前記複数の照明ユニットのうちの前記少なくとも１つにより現在の及び直前の過去の監視期間においてなされたかを先ずチェックし、もしそうなら、該ローカル検出が他の過去の監視期間においてもなされたかを次いでチェックし、もしそうなら、前記制御メッセージを送信することが決定される、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記決定するステップにおいて、前記他の過去の監視期間においてローカル検出が存在しない場合、前記複数の照明ユニットのうちの前記１以上の他の照明ユニットからの制御データが、前記物体が前記他の過去の監視期間において前記複数の照明ユニットのうちの前記１以上の他の照明ユニットにより検出されたかについてチェックされ、もし前記物体が検出されていたなら、前記制御メッセージを送信することが決定される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記決定するステップにおいて、前記ローカル検出が前記物体を検出した前記複数の照明ユニットのうちの前記少なくとも１つの照明ユニットにより現在の監視期間ではなされたが、直前の過去の監視期間においてはなされなかったかを先ずチェックし、もしそうなら、該ローカル検出が他の過去の監視期間においてもなされたかを次いでチェックし、もしそうなら、前記制御メッセージを送信することが決定される、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記決定するステップにおいて、前記他の過去の監視期間においてローカル検出が存在しない場合、前記複数の照明ユニットのうちの前記１以上の他の照明ユニットからの制御データが、前記物体が前記直前の過去の監視期間又は前記他の過去の監視期間において前記複数の照明ユニットのうちの前記１以上の他の照明ユニットにより検出されたかについてチェックされ、もし前記物体が検出されていたなら、前記制御メッセージを送信することが決定される、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月22日(2016.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光灯安定器からの第１信号を、光回路に供給するための第２信号に変換する変換回路であって、前記光回路は、少なくとも一つの発光ダイオードを有し、前記変換回路は、
‐前記第１信号を受信するための少なくとも２つの入力部を備える入力段と、
‐前記第２信号を供給するための２つの出力部を備える出力段と、
‐前記出力段を前記入力段に結合するためのリアクティブ段であって、一つ以上の前記第１信号の振幅を減少させるためのリアクティブ回路を有するリアクティブ段と、
‐整流回路と、
を有し、
前記変換回路は、更に、前記出力段に高周波フィルタを有する、変換回路。
【請求項２】
前記高周波フィルタが前記２つの出力部の間に結合されたコンデンサを有する、請求項１に記載の変換回路。
【請求項３】
前記リアクティブ回路は、前記入力段の一部及び前記出力段の一部に直列に結合されたインダクタを有する、請求項１に記載の変換回路。
【請求項４】
前記リアクティブ回路は、前記入力段の第１部分及び前記出力段の第１部分に直列に結合された第１インダクタと、前記入力段の第２部分及び前記出力段の第２部分に直列に結合された第２インダクタとを有する、請求項１に記載の変換回路。
【請求項５】
前記リアクティブ回路は、前記入力段及び前記出力段に並列に結合されたコンデンサを有する、請求項１に記載の変換回路。
【請求項６】
前記リアクティブ回路は、前記入力段に並列に結合されたコンデンサを有し、前記入力段の一部及び前記出力段の一部に直列に結合されたインダクタを有する、請求項１に記載の変換回路。
【請求項７】
前記少なくとも２つの入力部は、前記蛍光灯安定器の４つの出力部に結合される４つの入力部を有し、前記４つの入力部の第１入力部及び第２入力部は互いに結合され、前記４つの入力部の第３入力部及び第４入力部は互いに結合される、請求項１に記載の変換回路。
【請求項８】
前記少なくとも２つの入力部は、前記蛍光灯安定器の４つの出力部と結合される４つの入力部を有し、前記４つの入力部の第１入力部及び第２入力部は、第１抵抗及び第２抵抗の直列接続を介して互いに結合され、前記４つの入力部の第３入力部及び第４入力部は、第３抵抗及び第４抵抗の直列接続を介して互いに結合され、前記第１抵抗と前記第２抵抗との間の第１相互接続部と、前記第３抵抗と前記第４抵抗との間の第２相互接続部とは、前記リアクティブ段に結合される、請求項１に記載の変換回路。
【請求項９】
請求項１に記載の前記変換回路を有する蛍光灯安定器。
【請求項１０】
前記リアクティブ段は、一つ以上の前記第１信号及び前記第２信号の振幅を減少させるためのリアクティブ回路を有し、前記リアクティブ回路は、前記入力段の一部及び前記出力段の一部に直列に結合されたインダクタを有し、前記インダクタは、前記蛍光灯安定器の内部に位置付けられるか、又は、前記インダクタの第１部分は、前記蛍光灯安定器の内部に位置付けられ、前記インダクタの第２部分は、前記蛍光灯安定器の外部に位置付けられる、請求項９に記載の蛍光灯安定器。
【請求項１１】
前記リアクティブ段は、一つ以上の前記第１信号及び前記第２信号の振幅を減少させるためのリアクティブ回路を有し、前記リアクティブ回路は、前記入力段の第１部分及び前記出力段の第１部分に直列に結合された第１インダクタと、前記入力段の第２部分及び前記出力段の第２部分に直列に結合された第２インダクタとを有し、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタは、前記蛍光灯安定器の内部に位置付けられるか、又は、前記第１インダクタは、前記蛍光灯安定器の内部に位置付けられ、前記第２インダクタは、前記蛍光灯安定器の外部に位置付けられる、請求項９に記載の蛍光灯安定器。
【請求項１２】
請求項１に記載の前記変換回路を有する光回路であって、前記光回路は、少なくとも一つの発光ダイオードを有する、光回路。
【請求項１３】
前記リアクティブ段は、一つ以上の前記第１信号及び前記第２信号の振幅を減少させるためのリアクティブ回路を有し、前記リアクティブ回路は、前記入力段の一部及び前記出力段の一部に直列に結合されたインダクタを有し、前記インダクタは、前記光回路の内部に位置付けられるか、又は、前記インダクタの第１部分は、前記光回路の内部に位置付けられ、前記インダクタの第２部分は、前記光回路の外部に位置付けられる、請求項１２に記載の光回路。
【請求項１４】
前記リアクティブ段は、一つ以上の前記第１信号及び前記第２信号の振幅を減少させるためのリアクティブ回路を有し、前記リアクティブ回路は、前記入力段の第１部分及び前記出力段の第１部分に直列に結合された第１インダクタと、前記入力段の第２部分及び前記出力段の第２部分に直列に結合された第２インダクタとを有し、前記第１インダクタ及び前記第２インダクタは、前記光回路の内部に位置付けられるか、又は、前記第１インダクタは、前記光回路の内部に位置付けられ、前記第２インダクタは、前記光回路の外部に位置付けられる、請求項１２に記載の光回路。
【請求項１５】
放電ランプを少なくとも一つの発光ダイオードを有する光回路で置き換えるための方法であって、前記方法は、蛍光灯安定器と前記光回路との間に請求項１に記載の変換回路を設置するステップを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月6日(2016.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ装置であって、
バックライトと、
複数の開口を画定する、前記バックライトの前面に配置された開口層と、
前記ディスプレイ装置上に画像を形成するために、前記開口を通る前記バックライトによって発せられた光を変調するように構成されたマイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）光変調器と
を含み、前記ＭＥＭＳ光変調器はシャッターを含み、前記シャッターは、
開口層向き表面および前向き表面を有する遮光部分と、
前記遮光部分に形成された少なくとも１つの窪みと
を有し、前記少なくとも１つの窪みの幅は、前記シャッターの２つの辺を分離する距離の５０％以上を占め、
前記遮光部分は、前記遮光部分に形成された前記少なくとも１つの窪みの側壁から離れる方向であって、前記遮光部分に確定されたシャッター開口に向かう方向に延設する最上面を含み、前記最上面は、前記シャッター開口と前記少なくとも１つの窪みの側壁との間に配置され、
前記最上面は、前記側壁の、前記少なくとも１つの窪みの底部とは反対方向の端部に配置された、ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの窪みは、前記開口層の方に開いている、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの窪みは、幅が深さよりも大きくなるように長さ、幅および深さを有する、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
前記シャッター開口は、開位置において光が前記シャッターを通ることを可能にするように構成され、
前記シャッターの前記２つの辺は、前記シャッターの外周囲辺および前記シャッター開口の辺を含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
前記シャッターは、前記シャッターの前記外周囲辺と前記シャッター開口の前記辺との間に少なくとも２つの窪みを含む、請求項４に記載のディスプレイ装置。
【請求項６】
前記シャッター開口は、開位置において光が前記シャッターを通ることを可能にするように構成され、
前記シャッターは、前記窪みの長さが前記シャッター開口の長さに対して直角になるように前記シャッター開口と前記シャッターの側面との間に配置された側面窪みをさらに含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの窪みは、少なくとも１つの縦窪み部分および少なくとも１つの横窪み部分を含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項８】
前記シャッターは、少なくとも約２０度である前記ディスプレイの法線に対する角度を有する周囲面を含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項９】
前記ディスプレイの法線に対する前記周囲面の前記角度は約７０度未満である、請求項８に記載のディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記遮光部分に形成された前記少なくとも１つの窪みは、前記開口層における対応する開口よりも広い、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記窪みが前記シャッターの前記２つの辺のうちの一方に、前記２つの辺の他方よりも近くなるように、前記窪みは前記シャッターの前記２つの辺の間の中心位置から外れている、請求項４に記載のディスプレイ装置。
【請求項１２】
画像データを処理するように構成されたプロセッサと、
前記プロセッサと通信するように構成されたメモリデバイスと
を含む、請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記ＭＥＭＳ光変調器および前記バックライトのうちの１つに少なくとも１つの信号を送るように構成されたドライバ回路
をさらに含み、
前記プロセッサは、前記ドライバ回路に前記画像データの少なくとも一部分を送るようにさらに構成される、請求項１２に記載のディスプレイ装置。
【請求項１４】
入力データを受信し、前記入力データを前記プロセッサに通信するように構成された入力デバイス
をさらに含む、請求項１２に記載のディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
照明サブシステム１００は、複数の発光デバイス１１０を具備しうる。発光デバイス１１０は、例えば、ＬＥＤデバイスでありうる。複数の発光デバイスから選択されたものは、放射出力（radiant output）２４を提供するように実装される。放射出力２４は、ワークピース２６に向けられる。戻り放射線（returned radiation）２８は、ワークピース２６から（例えば、放射出力２４の反射によって）照明サブシステム１００に向けて戻される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
冷却スブシステム１８は、照明サブシステム１００の熱挙動を管理するように実装されうる。例えば、一般に、冷却サブシステム１８は、このようなサブシステム１００、さらに具体的には半導体デバイス１１０の冷却を提供する。冷却サブシステム１８はまた、ワークピース２６および／またはワークピース２６と光反応システム１０（例えば、特に、照明サブシステム１００）との間のスペースを冷却するように実装されうる。例えば、冷却サブシステム１８は、空気または他の流体（例えば、水）冷却システムでありうる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
したがって、図２に示された回路は、アレイ２０の両端間の電圧降下を制御するために電圧レギュレータに電圧フィードバックを提供する。例えば、アレイ２０の動作はアレイ２０の両端間に電圧降下を生ずるので、電圧レギュレータ２０４による電圧出力は、アレイ２０と可変抵抗器２２０との間の所望の電圧にアレイ２０の両端間の電圧降下をプラスしたものである。アレイ２０を通る電流フローを減少させるために可変抵抗器２２０の抵抗が増加されると、電圧レギュレータ出力は、アレイ２０と可変抵抗器２２０との間に所望の電圧を維持するように調節される（例えば、減少される）。他方、アレイ２０を通る電流フローを増加させるように可変抵抗器２２０の抵抗が減少されると、電圧レギュレータ出力はアレイ２０と可変抵抗器２２０との間に所望の電圧を維持するように調節される（例えば、増加される）。このようにして、アレイ２０の両端間の電圧とアレイを通る電流は、アレイ２０から所望の光強度出力（light intensity output）を提供するように同時に調節される。この例では、アレイ２０を通る電流フローは、アレイ２０の下流に（例えば、電流の方向に）かつ接地基準２６０の上流に設置または配置されたデバイス（例えば、可変抵抗器２２０）によって調節される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月20日(2016.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を生成する光源と、
前記光源の光軸と拡散要素の長手軸とによって規定される拡散平面において、生成された光を側方に拡散して、前記拡散平面に直交しかつ前記拡散要素の前記長手軸に平行な平面における単位面積当たりに基本的に均一な光量を与える、前記拡散要素と、
側方拡散光を収集する収集面と、収集した光を放射する放射面とを備える、光方向転換要素と、
を含み、
前記光方向転換要素は、収集した光を前記放射面から基本的に均一に放射し、
前記放射面は、長手方向の平面であり、
前記収集面は、側方拡散光を収集する複数の個別の側方屈折ゾーンを含み、個別の側方屈折ゾーンは、特定の入射角範囲を有する光部分を収集する収集面と、前記放射面を通るように前記光部分を屈折させる屈折体とを含む、
照明装置。
【請求項２】
前記光源は、発光ダイオードを含む、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記平面放射面の長さは、前記平面放射面の幅を、少なくとも３倍上回る、請求項１又は２に記載の照明装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の照明装置における使用のための照明要素であって、
光を生成する光源と、
前記光源の光軸と拡散要素の長手軸とによって規定される拡散平面において生成された光を側方に拡散して、前記拡散平面に直交し前記拡散要素の前記長手軸に平行な平面における単位面積当たりに基本的に均一な光量を与える、前記拡散要素と、
を含む、照明要素。
【請求項５】
前記拡散要素は、前記拡散要素の前記長手軸に沿って配置される２つの個別のローブを含み、前記拡散要素は、前記２つのローブ間に基本的に対称に前記光源を収容するように配置される、請求項４に記載の照明要素。
【請求項６】
前記光源を含むための容器を含み、前記容器は反射表面を含み、前記容器及び前記拡散要素は、前記光軸の片側の前記拡散平面の１つの半分における第１の側方拡散部分と、前記拡散平面のもう１つの半分における第２の側方拡散部分とを含む光出力分布を獲得し、前記光出力分布の側方拡散部分は、前記光軸からなす第１の角度と、前記光軸からなす第２の角度とによって境界付けられる、請求項４又は５に記載の照明要素。
【請求項７】
前記第１の角度は、前記光軸から少なくとも３５°をなす角度を含む、請求項６に記載の照明要素。
【請求項８】
前記第２の角度は、最大で２５°、前記第１の角度を上回る角度を含む、請求項６又は７に記載の照明要素。
【請求項９】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の照明装置における使用に適した光方向転換要素。
【請求項１０】
前記光方向転換要素は収集した光を放射平面に屈折させ、前記放射平面は前記拡散平面の延長を含む、請求項９に記載の光方向転換要素。
【請求項１１】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の照明装置を含む自動車用照明ユニットであって、前記光方向転換要素の前記長手方向の前記平面放射面は、長矩形の放射面を含む、自動車用照明ユニット。
【請求項１２】
ディスプレイプレートの外周に配置された幾つかの入射面を有する前記ディスプレイプレートと、
請求項１乃至３の何れか一項に記載の照明装置の前記平面放射面が前記ディスプレイプレートの１つの入射面に向けられるように配置される、複数の照明装置と、
を含む、ディスプレイイルミネーション装置。
【請求項１３】
従来の蛍光照明ユニットの寸法に対応するハウジングと、前記ハウジング内に配置される複数の、請求項１乃至３の何れか一項に記載の照明装置とを含む、レトロフィット照明ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
モジュール１２は、縦方向（図３のｚ方向）に互いに堆積されたいくつかの構成要素（Ｐ、Ｓ、Ｏ）を含む。縦方向（ｚ方向）に垂直なｘ−ｙ平面（図２参照）における方向は、「横方向」と称される。モジュール１２は、上下に堆積された基板Ｐと、隔離部材Ｓと、光学部材Ｏとを含む。いくつかの実現例において、光学部材上に配置されたバッフル部材をさらに含んでもよい。基板Ｐは、たとえば印刷回路板（ＰＣＢ）組立体である。ＰＣＢ組立体の印刷回路基板は、インターポーザーと呼ばれることがある。ＰＣＢの上面に、光を発光するための発光部材Ｅ（たとえば、赤外光または近赤外光を発光するための発光ダイオードなどを含む光送信器ダイ）と、発光部材Ｅによって出射された周波数／波長（または周波数範囲／波長範囲）の光を検出するための検出部材Ｄ（たとえば、赤外光または近赤外光を検出するための発光ダイオードなどを含む光受信器ダイ）とを搭載することができる。光は、一般的には電磁放射線を指し、たとえば電磁スペクトルにおいて赤外線、可視光または紫外線（ＵＶ）部分の電磁放射を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
隔離部材Ｓは、いくつかの機能を果たすことができる。隔離部材Ｓは、（縦方向の延長によって）基板Ｐと光学部材Ｏとの間の特定の距離を確保することができ、よって、発光部材Ｅから光学部材Ｏを介してモジュール１２の外部までの特定の光路およびモジュール１２の外部から光学部材Ｏを介して検出部材Ｄまでの特定の光路を達成することに寄与する。また、隔離部材Ｓは、検出部材Ｄが通常検出可能な光に対して少なくとも実質的に不透明であり、かつ、モジュール１２の外壁の一部を形成しているため、検出部材Ｄによって検出されるべきではない光から検出部材Ｄを保護することができる。さらに、隔離部材Ｓは、検出部材Ｄが通常検出可能な光に対して少なくとも実質的に不透明であり、かつ、発光部材Ｅと検出部材Ｄとの間に壁を形成しているため、発光部材Ｅから出射され、検出部材Ｄに到達すべきではない光から検出部材Ｄを保護することができ、よって、発光部材Ｅと検出部材Ｄとの間の光学干渉を低減する。その結果、モジュール１２内部の反射光および発光部材Ｅに由来する迷光は、検出部材Ｄに到達しないように防止される。いくつかの実現例では、隔離部材Ｓは、ポリマー材料、たとえばエポキシ樹脂のような硬化性（たとえば、熱硬化性）ポリマー材料から作れる。隔離部材は、たとえば、カーボンブラックまたは他の顔料を含有するエポキシから作ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月11日(2016.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスデューサ構造であって、
或る導電型と表面領域とを有する基板と、
前記基板に接する後構造であって、頂部表面を有し、非導電性である前記後構造と、
前記後構造の前記頂部表面に接する第１の導電構造であって、前記第１の導電構造が、頂部表面を有し、前記基板の前記表面領域の上にあって前記表面領域から離間しており、前記第１の導電構造の前記頂部表面が、中央領域と周りの周辺領域とを有する、前記第１の導電構造と、
前記第１の導電構造の前記周辺領域に接する第２の導電構造であって、前記第１の導電構造の前記頂部表面の前記中央領域を露出させるように前記第２の導電構造を完全に貫通して延びる開口を有する、前記第２の導電構造と、
を含み、
前記第２の導電構造が前記後構造の前記頂部表面に接する、トランスデューサ構造。
【請求項２】
請求項１に記載のトランスデューサ構造であって、
前記第２の導電構造が頂部表面を有し、前記第２の導電構造の前記頂部表面が接合パッド領域を有する、トランスデューサ構造。
【請求項３】
請求項１に記載のトランスデューサ構造であって、
前記第１の導電構造が、シリコン膜と、前記シリコン膜に接して前記シリコン膜に重なる、金属シリサイドプレートとを含む、トランスデューサ構造。
【請求項４】
請求項１に記載のトランスデューサ構造であって、
前記基板の前記表面領域に接する非導電構造を更に含む、トランスデューサ構造。
【請求項５】
請求項４に記載のトランスデューサ構造であって、
前記シリコン膜と前記非導電構造との間にあり、前記シリコン膜と前記非導電構造とに接する、真空密封キャビティを更に含む、トランスデューサ構造。
【請求項６】
請求項１に記載のトランスデューサ構造であって、
前記基板に接する金属シリサイドパッドと、
前記金属シリサイドパッドに接する導電接合パッドと、
を更に含み、
前記後構造が、前記導電接合パッドの一部に接し、前記導電接合パッドの前記一部を水平方向に囲む、トランスデューサ構造。
【請求項７】
請求項１に記載のトランスデューサ構造であって、
前記第２の導電構造に接するパッシベーション構造を更に含み、前記パッシベーション構造が、前記第１の導電構造の前記中央領域を露出させる開口を有する、トランスデューサ構造。
【請求項８】
請求項１に記載のトランスデューサ構造であって、
前記基板の底部表面に接する導電接合パッドを更に含む、トランスデューサ構造。
【請求項９】
請求項１に記載のトランスデューサ構造であって、
前記後構造が前記表面領域を横方向に囲む、トランスデューサ構造。
【請求項１０】
トランスデューサ構造を形成する方法であって、
基板に接する後構造を形成することであって、前記後構造が頂部表面を有し非導電性であり、前記基板が或る導電型及び表面領域を有する、前記後構造を形成することと、
前記後構造の前記頂部表面に接する第１の導電構造を形成することであって、前記第１の導電構造が、頂部表面を有し、前記基板の前記表面領域の上にあって前記表面領域から離間されており、前記第１の導電構造の前記頂部表面が中央領域と周りの周辺領域とを有する、前記第１の導電構造を形成することと、
前記第１の導電構造の前記周辺領域に接する第２の導電構造を形成することであって、前記第２の導電構造が、前記第１の導電構造の前記頂部表面の前記中央領域を露出させるように前記第２の導電構造を完全に貫通して延びる開口を有する、前記第２の導電構造を形成することと、
を含み、
前記第２の導電構造が前記後構造の前記頂部表面に接する、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第１の導電構造を形成することが、
膜を形成するように前記後構造に接する基板構造をエッチングすることと、
前記第１の導電構造を形成するように前記膜をシリサイド化することと、
を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第１の導電構造が、シリコン膜と、前記シリコン膜に接して前記シリコン膜に重なる金属シリサイドプレートとを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１０に記載の様にあって、
前記基板の前記表面領域に接する非導電構造を形成することを更に含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記シリコン膜と前記非導電構造の間にあって前記シリコン膜と前記非導電構造に接する真空密封キャビティを形成することを更に含む、方法。
【請求項１５】
請求項１０に記載の方法であって、
前記基板に接する金属シリサイドパッドを形成することと、
前記金属シリサイドパッドに接する導電接合パッドを形成することと、
を更に含み、
前記後構造が、前記導電接合パッドの一部に接し、前記導電接合パッドの前記一部を水平方向に囲む、方法。
【請求項１６】
請求項１０に記載の方法であって、
前記第２の導電構造に接するパッシベーション構造を形成することを更に含み、前記パッシベーション構造が、前記第１の導電構造の前記中央領域を露出させる開口を有する、方法。
【請求項１７】
請求項１０に記載の方法であって、
前記基板の底部表面に接する導電接合パッドを形成することを更に含む、方法。
【請求項１８】
請求項１０に記載の方法であって、
前記後構造が前記表面領域を横方向に囲む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化物半導体層の電気伝導性を所定の位置で増加させる方法であって、
所定の位置で金属酸化物半導体層に物理的に接触するように還元剤を提供する工程と、
還元剤と金属酸化物半導体層との間で化学的還元反応を誘起し、これにより所定の位置で金属酸化物半導体層の化学組成に影響を与える工程と、
リンス工程を行い、これにより還元剤と、還元反応の反応副生産物とを除去する工程とを含む方法。
【請求項２】
金属酸化物半導体層は、ガリウム・インジウム・亜鉛・酸化物（ＧＩＺＯ）、または他の金属酸化物系半導体、例えば以下の化合物：ＺｎＯ、ＺｎＳｎＯ、ＩｎＯ、ＩｎＺｎＯ、ＩｎＺｎＳｎＯ、ＬａＩｎＺｎＯ、ＧａＩｎＯ、ＨｆＩｎＺｎＯ、ＭｇＺｎＯ、ＬａＩｎＺｎＯ、ＴｉＯ、ＴｉＩｎＳｎＯ、ＳｃＩｎＺｎＯ、ＳｉＩｎＺｎＯ、およびＺｒＩｎＺｎＯ、ＺｒＺｎＳｎＯを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
金属酸化物半導体層は、５ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚を有する請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
所定の位置で金属酸化物半導体層に物理的に接触するように還元剤を提供する工程は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、または双方のタイプの金属の合金を含む還元剤を、所定の位置で金属酸化物半導体層に物理的に接触するように提供する工程を含み、
還元剤と金属酸化物半導体層との間で化学的還元反応を誘起する工程は、還元層と金属酸化物半導体層との間で化学的還元反応を誘起する工程を含み、
リンス工程は、還元層と、還元反応の反応副生成物とを除去する工程である請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
還元層は、Ｃａを含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
還元層は、約１ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲の膜厚を有する請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
還元層と金属酸化物半導体層との間で化学的還元反応を誘起する工程は、１分間〜６０分間の間、約２０℃〜約２００℃の範囲の温度で行うアニール工程を含む請求項４〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
アニール工程は、不活性雰囲気中または真空中で行われる請求項７に記載の方法。
【請求項９】
還元層と金属酸化物半導体層との間で化学的還元反応を誘起する工程は、還元層を形成した後に所定の時間待つ工程を含み、所定の時間は１分〜５時間の範囲である請求項４〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
待つ工程は、還元層が形成されたチャンバ中にサンプルを保持する工程を含む請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
待つ工程は、真空中、または約１．３３×１０−４Ｐａ〜約１．３３×１０−６Ｐａの範囲で、約−５０℃〜約＋５０℃の温度で行われる請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
待つ工程に続いて、約２０℃〜約２００℃の範囲の温度で、１分〜６０分間アニール工程を行う請求項９〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
リンス工程は、水またはアルコール中でリンスする工程を含む請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
所定の位置で金属酸化物半導体層に物理的に接触するように還元剤を提供し、還元剤と金属酸化物半導体層との間で化学的還元反応を誘起する工程は、金属酸化物半導体層を、所定の位置で、溶液中に溶けた化学的還元剤に物理的に接触させる工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
所定の位置で金属酸化物半導体層に物理的に接触するように還元剤を提供し、還元剤と金属酸化物半導体層との間で化学的還元反応を誘起する工程は、金属酸化物半導体層を、所定の位置で、気相の化学的還元剤に物理的に接触させる工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
ＰＥＴタイプ、ＰＥＮタイプ、またはＰＣタイプの低コストのフレキシブル基板上で行われる請求項１〜１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
所定の位置で金属酸化物半導体層の化学組成に影響を与える工程は、金属酸化物半導体層の酸素含有量を減少させる工程を含む請求項１〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
金属酸化物半導体層の電気伝導性を増加させる工程は、金属酸化物半導体層の表面部分で電気伝導性を増加させる工程を含み、表面部分は約１０ｎｍ〜約４０ｎｍの膜厚を有する請求項１〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
金属酸化物半導体層の電気伝導性を増加させる工程は、金属酸化物半導体層の全膜厚を通して電気伝導性を増加させる工程を含む請求項１〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
更に、絶縁層の上に金属酸化物半導体層を形成する工程を含み、金属酸化物半導体層の電気伝導性を増加させる工程は、金属酸化物半導体層の全膜厚を通して、または絶縁層の少なくとも一部で電気伝導性を増加させる工程を含む請求項１〜１９のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月25日(2016.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
詳細には、変圧器１０が図１または図２の変圧器１と比較される場合で、同じ性能を提供するように設計されると仮定すると、次の仮定が行われ得る：
・導電性材料：Ｑは変圧器１の３つの単相変圧器のうちの１つのコイルにおける導電性材料の量であるとする。したがって、変圧器１のコイルにおける導電性材料の量は、３Ｑである。
・磁性材料：各列について同じ磁気抵抗Ｒｅが関係する場合には、変圧器１の各単相変圧器は、２Ｒｅに近い磁気回路の全磁気抵抗を有する。変圧器１０については、磁気回路の全磁気抵抗は、３／２Ｒｅに近い。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月19日(2016.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力トランジスタモジュールであって、
電力トランジスタであって、
共通の第１の電力ノードと、
第１の制御セグメントと第２の制御セグメントとを備えるスプリット制御ノードと、
第２の電力ノードと、
を含み、
前記第１の制御セグメントが前記電力トランジスタの第１の部分を介する電流を変調し、前記第２の制御セグメントが前記電力トランジスタの第２の部分を介する電流を変調するように、前記共通の第１の電力ノードと前記スプリット制御ノードと前記第２の電力ノードとが、相対的に寸法付けて構成され、前記第１の部分の面積が、前記第１の部分と前記第２の部分との組み合わされた面積の５〜７５％となる、前記電力トランジスタと、
前記電力トランジスタの前記第１の部分の上の前記第２の電力ノードに電気的に接続される第１のクリップと、
前記電力トランジスタの前記第２の部分の上の前記第２の電力ノードに電気的に接続される第２のクリップと、
前記第１のトランジスタ部分に直列に電気的に接続されるシャントと、
を含む、電力トランジスタモジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の電力トランジスタモジュールであって、
前記第１の制御セグメントが、前記シャントの電圧降下のために前記第１の制御セグメントにおいて制御バイアスを補償する回路に結合される、電力トランジスタモジュール。
【請求項３】
請求項１に記載の電力トランジスタモジュールであって、
前記第２の制御セグメントが、前記シャントの電圧降下のために前記第２の制御セグメントにおいて制御バイアスを補償する回路に結合される、電力トランジスタモジュール。
【請求項４】
請求項１に記載の電力トランジスタモジュールであって、
前記第２の電力ノードが第１のセグメントと第２のセグメントとに分けられ、
前記第１及び第２のセグメントが、
前記第２の電力ノードの前記第１のセグメントが前記電力トランジスタの前記第１の部分の一部であり、
前記第１の制御セグメントにより変調される前記電流が前記第２の電力ノードの前記第１のセグメントを介して導かれるように、前記第２の電力ノードの前記第１のセグメントが前記第１の制御セグメントと整合され、
前記第２の電力ノードの前記第２のセグメントが前記電力トランジスタの前記第２の部分の一部であり、
前記第２の制御セグメントにより変調される前記電流が前記第２の電力ノードの前記第２のセグメントを介して導かれるように、前記第２の電力ノードの前記第２のセグメントが前記第２の制御セグメントと整合される、
ように相対的に構成され及び寸法付けされる、電力トランジスタモジュール。
【請求項５】
請求項１に記載の電力トランジスタモジュールであって、
前記第２の電力ノードが、前記電力トランジスタの前記第１の部分に及び前記電力トランジスタの前記第２の部分に共通である、電力トランジスタモジュール。
【請求項６】
請求項１に記載の電力トランジスタモジュールであって、
前記電力トランジスタが縦型金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタであり、前記第１の電力ノードがドレインノードであり、前記制御ノードがゲートノードであり、前記第１の制御セグメントが第１のゲートセグメントであり、前記第２の制御セグメントが第２のゲートセグメントである、電力トランジスタモジュール。
【請求項７】
請求項１に記載の電力トランジスタモジュールであって、
前記シャントが前記電力トランジスタと同じ種類のトランジスタである、電力トランジスタモジュール。
【請求項８】
請求項１に記載の電力トランジスタモジュールであって、
前記電力トランジスタが、金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタであり、
前記制御ノードが、複数の個別のゲート要素を含むゲートであり、
前記第１の制御セグメントが、前記ゲート要素のうち少なくとも一つを含む第１のゲートセグメントであり、
前記第２の制御セグメントが、前記ゲート要素のうち少なくとも一つを含む第２のゲートセグメントであり、
前記第１のクリップが、前記第１のゲートセグメントの前記ゲート要素の上の前記第２の電力ノードに電気的に接続され、
前記第２のクリップが、前記第２のゲートセグメントの前記ゲート要素の上の前記第２の電力ノードに電気的に接続され、
前記第１のゲートセグメントの前記ゲート要素が、第１の制御回路に電気的に接続され、
前記第２のゲートセグメントの前記ゲート要素が、第２の制御回路に電気的に接続される、電力トランジスタモジュール。
【請求項９】
請求項１に記載の電力トランジスタモジュールであって、
前記第１の電力ノードが、導電性のトランジスタパッドに取り付けられ且つ電気的に接続される、電力トランジスタモジュール。
【請求項１０】
請求項１に記載の電力トランジスタモジュールであって、
前記電力トランジスタの前記第１の電力ノードが、中間クリップに電気的に取り付けられ、
前記中間クリップが、第２の電力トランジスタの第２の電力ノードに電気的に取り付けられ、
前記第２の電力トランジスタの第１の電力ノードが、導電性のトランジスタパッドに電気的に取り付けられる、電力トランジスタモジュール。
【請求項１１】
請求項１に記載の電力トランジスタモジュールであって、
コントローラを更に含み、前記コントローラが前記シャントにワイヤボンドされている、電力トランジスタモジュール。
【請求項１２】
請求項１に記載の電力トランジスタモジュールであって、
コントローラを更に含み、前記コントローラが前記第１の制御セグメントに及び前記第２の制御セグメントにワイヤボンドされている、電力トランジスタモジュール。
【請求項１３】
電力トランジスタモジュールであって、
電力トランジスタであって、
共通の第１の電力ノードと、
第１の制御セグメントと第２の制御セグメントとを備えるスプリット制御ノードと、
第２の電力ノードと、
を含み、
前記第１の制御セグメントが前記電力トランジスタの第１の部分を介する電流を変調し、前記第２の制御セグメントが前記電力トランジスタの第２の部分を介する電流を変調するように、前記共通の第１の電力ノードと前記スプリット制御ノードと前記第２の電力ノードとが、相対的に構成されて寸法付けされ、前記第１の部分の面積が、前記第１の部分と前記第２の部分との組み合わされた面積の５〜７５％である、前記電力トランジスタと、
シャントであって、前記電力トランジスタの前記第１の部分の上の前記第２の電力ノードに電気的に接続される、前記シャントと、
第２のクリップであって、前記電力トランジスタの前記第２の部分の上の前記第２の電力ノードに電気的に接続される、前記第２のクリップと、
を含む、電力トランジスタモジュール。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電力トランジスタモジュールであって、
前記第１の制御セグメントが、前記シャントの電圧降下のために前記第１の制御セグメントにおいて制御バイアスを補償する回路に結合される、電力トランジスタモジュール。
【請求項１５】
請求項１３に記載の電力トランジスタモジュールであって、
前記第２の制御セグメントが、前記シャントの電圧降下のために前記第２の制御セグメントにおいて制御バイアスを補償する回路に結合される、電力トランジスタモジュール。