【手続補正書】
【提出日】平成28年4月27日(2016.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
１つ以上のフィーチャ開口と、フィーチャ側壁と、フィーチャ内部とを有するフィーチャを含む基板を準備することと、
前記フィーチャを第１のバルクタングステン層によって充填するために、前記フィーチャ内にタングステンをコンフォーマルに堆積させることと、
エッチングされたタングステン層を前記フィーチャ内に残すように、１つ以上の側壁からタングステンを除去することを含んで、前記第１のバルクタングステン層の一部を除去することと、
前記エッチングされたタングステン層の上に第２のバルクタングステン層を選択的に堆積させることと、を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記タングステンをコンフォーマルに堆積させることは、前記第１のバルクタングステン層内にボイドが形成されることを許容することを含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記第１のバルクタングステン層の一部を除去することは、前記ボイドを開口させることを含む、方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法であって、
前記タングステンをコンフォーマルに堆積させることは、前記フィーチャの軸に沿って前記第１のバルクタングステン層内にシームが形成されることを許容することを含む、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記第１のバルクタングステン層の一部を除去することは、シーム形成点まで前記第１のバルクタングステン層をエッチングすることを含む、方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチングされたタングステン層の上に第２のバルクタングステン層を選択的に堆積させることは、中間核形成層を形成することなく、前記エッチングされたタングステン層の上に前記第２のバルクタングステン層を堆積させることを含む、方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、
前記フィーチャは、前記基板の平面に対して垂直向きである、方法。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれかに記載の方法であって、
前記フィーチャは、前記基板の平面に対して水平向きである、方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の方法であって、
前記第1のバルクタングステン層の一部を除去することは、イオン種が略存在しないラジカル種に前記第１のバルクタングステン層を暴露することを含む、方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の方法であって、
前記第1のバルクタングステン層の一部を除去することは、リモート生成プラズマに前記第１のバルクタングステン層を暴露することを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１ないし８のいずれかに記載の方法であって、
前記第1のバルクタングステン層の一部を除去することは、インサイチュ・プラズマに前記第１のバルクタングステン層を暴露することを含む、方法。
【請求項１２】
請求項１ないし８のいずれかに記載の方法であって、
前記第1のバルクタングステン層の一部を除去することは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）発生器、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発生器、トランス結合プラズマ（ＴＣＰ）発生器、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）発生器、またはヘリコンプラズマ発生器を用いて発生させたプラズマに、前記第１のバルクタングステン層を暴露することを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の方法であって、
前記第1のバルクタングステン層の一部を除去することは、前記第１のバルクタングステン層の非コンフォーマルエッチングを含む、方法。
【請求項１４】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の方法であって、
前記第1のバルクタングステン層の一部を除去することは、前記第１のバルクタングステン層のコンフォーマルエッチングを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれかに記載の方法であって、
前記第1のバルクタングステン層の一部を除去することは、前記フィーチャをライニングしている下層であってその上に前記第１のバルクタングステン層が堆積された下層に対して、タングステンを選択的にエッチングすることを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１ないし１４のいずれかに記載の方法であって、
前記第1のバルクタングステン層の一部を除去することは、前記フィーチャをライニングしている下層であってその上に前記第１のバルクタングステン層が堆積された下層に対して、タングステンを非選択的にエッチングすることを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のいずれかに記載の方法であって、
接着層、ライナー層、およびバリア層から選択された薄層を、前記第２のバルクタングステン層の上に堆積させることを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
第３のバルクタングステン層を前記薄層の上に堆積させることを含む、方法。
【請求項１９】
請求項１ないし１８のいずれかに記載の方法であって、
前記第２のバルクタングステン層は、前記フィーチャに対して非コンフォーマルである、方法。
【請求項２０】
請求項１ないし１８のいずれかに記載の方法であって、
前記フィーチャは、１００％を超えるステップカバレッジを有するタングステンによって充填される、方法。
【請求項２１】
方法であって、
１つ以上のフィーチャ開口と、フィーチャ側壁と、フィーチャ内部とを有するフィーチャであって、該フィーチャの長さに沿って延びるフィーチャ軸を有するフィーチャ、を含む基板を準備することと、
前記フィーチャを第１のバルクタングステン層によって充填するために、前記フィーチャ軸に対して略垂直な粒成長によって、前記フィーチャ内にタングステンを堆積させることと、
エッチングされたタングステン層を前記フィーチャ内に残すように、前記第１のバルクタングステン層の一部を除去することと、
前記エッチングされたタングステン層の上に、前記フィーチャ軸に対して略平行な粒成長によって、第２のバルクタングステン層を選択的に堆積させることと、を含む方法。
【請求項２２】
方法であって、
１つ以上のフィーチャ開口と、フィーチャ側壁と、フィーチャ内部とを有するフィーチャを含む基板を準備することと、
前記フィーチャを第１のバルクタングステン層によって充填するために、前記フィーチャ内にタングステンをコンフォーマルに堆積させることと、
前記タングステンの一部が除去された後の、エッチングされたタングステン層を前記フィーチャが含む前記基板を受け取ることと、
前記エッチングされたタングステン層の上に、前記フィーチャに対して非コンフォーマルな第２のバルクタングステン層を選択的に堆積させることと、を含む方法。
【請求項２３】
方法であって、
フィーチャ開口と、フィーチャ側壁と、フィーチャ閉端部とを有するフィーチャであって、コンフォーマルなバルクタングステン層で充填されて、該コンフォーマルなバルクタングステン層に形成されたボイドおよび／またはシームを含むフィーチャ、を含む基板を受け取ることと、
タングステンが実質的に前記フィーチャ閉端部にのみ残るように前記フィーチャ側壁からタングステンを除去することを含んで、前記コンフォーマルなバルクタングステン層の一部をエッチングすることと、を含む方法。
【請求項２４】
方法であって、
２つのフィーチャ開口と、フィーチャ側壁と、フィーチャ内部とを有するフィーチャであって、コンフォーマルなバルクタングステン層で充填されて、該コンフォーマルなバルクタングステン層に形成されたボイドおよび／またはシームを含むフィーチャ、を含む基板を受け取ることと、
タングステンが実質的に前記フィーチャ内部にのみ残るように前記フィーチャ開口付近の前記フィーチャ側壁からタングステンを除去することを含んで、前記コンフォーマルなバルクタングステン層の一部をエッチングすることと、を含む方法。
【請求項２５】
方法であって、
１つ以上のフィーチャ開口と、フィーチャ側壁と、フィーチャ内部とを有するフィーチャを含む基板を準備することと、
前記フィーチャ内に第１のバルクタングステン層を堆積させることと、
エッチングされたタングステン層を形成するように、前記第１のバルクタングステン層をエッチングすることであって、前記１つ以上のフィーチャ開口からリセス深さまで及ぶ前記フィーチャ内の略全てのタングステンを除去することを含んで、前記第１のバルクタングステン層をエッチングすることと、
前記フィーチャ内に第２のバルクタングステン層を堆積させることと、を含む方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法であって、
前記第１のバルクタングステン層は、前記フィーチャを部分的にのみ充填する、方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法であって、
前記第１のバルクタングステン層をエッチングすることは、前記第１のバルクタングステン層の少なくとも一領域の横方向のエッチングを含む、方法。
【請求項２８】
請求項２５ないし２７のいずれかに記載の方法であって、
前記第２のバルクタングステン層は、前記エッチングされたタングステン層の上に選択的に堆積される、方法。
【請求項２９】
請求項２５ないし２７のいずれかに記載の方法であって、
前記第２のバルクタングステン層は、前記フィーチャ内にコンフォーマルに堆積される、方法。
【請求項３０】
方法であって、
前記フィーチャは狭窄部を含み、前記リセス深さは前記狭窄部を越えたところまで及ぶ、請求項２５ないし２９のいずれかに記載の方法。
【請求項３１】
請求項２５ないし３０のいずれかに記載の方法であって、
エッチングされたタングステン層を形成するように前記第１のバルクタングステン層をエッチングすることは、前記フィーチャ内に形成されたボイドを開口させることを含む、方法。
【請求項３２】
請求項２５ないし３１のいずれかに記載の方法であって、
前記エッチングと前記堆積のオペレーションを１回以上繰り返すことをさらに含む、方法。
【請求項３３】
請求項２５ないし３２のいずれかに記載の方法であって、
前記第１のバルクタングステン層は、前記フィーチャをライニングしている下層であってその上に前記第１のバルクタングステン層が堆積された下層に対して、選択的にエッチングされる、方法。
【請求項３４】
請求項２５ないし３２のいずれかに記載の方法であって、
前記第１のバルクタングステン層は、前記フィーチャをライニングしている下層であってその上に前記第１のバルクタングステン層が堆積された下層に対して、非選択的にエッチングされる、方法。
【請求項３５】
方法であって、
１つ以上のフィーチャ開口と、フィーチャ側壁と、フィーチャ内部とを有するフィーチャを含む基板を準備することと、
前記フィーチャ内にボロン層をコンフォーマルに堆積させることと、
前記フィーチャ内の前記ボロン層の一部を、残りのボロン層は前記フィーチャ内に残して、タングステンに転化させることと、
前記残りのボロン層はエッチングすることなく、前記タングステンを選択的にエッチングすることと、
前記残りのボロン層をタングステンに転化させることと、を含む方法。
【請求項３６】
請求項３５に記載の方法であって、
前記ボロン層は、１０ｎｍ以上の厚さに堆積される、方法。
【請求項３７】
方法であって、
１つ以上のフィーチャ開口と、フィーチャ側壁と、フィーチャ内部とを有するフィーチャを含む基板を準備することと、
少なくとも約５ｎｍの厚さを有するボロン層を、前記フィーチャ内にコンフォーマルに堆積させることと、
前記フィーチャの充填された部分が体積膨張を受けるように、前記フィーチャ内の前記ボロン層の前記厚さ全体をタングステンに転化させることと、
前記フィーチャを部分的または全体的にタングステンで充填するために、前記コンフォーマル堆積と前記転化のオペレーションを１回以上繰り返すことと、を含む方法。
【請求項３８】
方法であって、
１つ以上のフィーチャ開口と、フィーチャ側壁と、フィーチャ内部とを有するフィーチャを含む基板を準備することと、
前記フィーチャ内にフッ素フリー窒化タングステン層をコンフォーマルに堆積させることと、
前記フッ素フリー窒化タングステン層をフッ素フリータングステン層に転化させることと、を含む方法。
【請求項３９】
方法であって、
１つ以上のフィーチャ開口と、フィーチャ側壁と、フィーチャ内部とを有するフィーチャを含む基板を準備することと、
ハロゲン含有還元剤を用いて、前記フィーチャ内にタングステン層をコンフォーマルに堆積させることと、
ハロゲン含有副生成物を排出させることと、
前記コンフォーマルなタングステン層の上に、フッ素フリータングステン含有部を堆積させることと、を含む方法。
【請求項４０】
装置であって、
基板を支持するように構成された１つまたは複数のチェンバと、
前記チェンバのうち１つ以上の内部またはリモートで、プラズマを発生させるように構成されたプラズマ発生器と、
前記１つまたは複数のチェンバのそれぞれにガスを誘導するように構成されたガス導入口と、
コントローラであって、
前記１つまたは複数のチェンバに１種以上のガスを導入して、１種以上のエッチャントプラズマを発生させることで、請求項１ないし３９の方法のいずれかを実施する、ためのプログラム命令を含むコントローラと、を備える装置。