【手続補正書】
【提出日】平成28年4月22日(2016.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．第１面と、第２面とを有する第１の電気絶縁層、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含み、かつ前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含む回路基板であって、
接合層が、前記第１の像形成された金属層と前記第１のポリイミドカバーレイとの間に存在せず、かつ
前記第１のポリイミドカバーレイが、３４０℃以上の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ2）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ2）の圧力において、前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１面の露出した領域に積層される際に、前記第１のポリイミドカバーレイが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、かつ
前記第１の電気絶縁層が３４０℃以上の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である
ことを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含む、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１の電気絶縁層の第２面上に第２の像形成された金属層をさらに含む、請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含み、かつ前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイをさらに含んでなり、
接合層が、前記第２の像形成された金属層と前記第２のポリイミドカバーレイとの間に存在せず、かつ
前記第２のポリイミドカバーレイが、３４０℃以上の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ2）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ2）の圧力において、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２面の露出した領域に積層される際に、前記第２のポリイミドカバーレイが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する、請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
前記第１の電気絶縁層が、
ｉ）８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、
ｉｉ）１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、および１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリン、または
ｉｉｉ）３８０℃以上の温度で積層される場合、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン
から誘導されるポリイミドを含む、請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記第１の電気絶縁層が、
ｉ）８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、
ｉｉ）１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、および１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリン、または
ｉｉｉ）３８０℃以上の温度で積層される場合、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン
から誘導されるポリイミドを含む、請求項１に記載の回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９９】
利益、他の利点および問題への解決策は、具体的な実施形態に関して上記された。しかしながら、利益、利点、問題への解決策、ならびにいずれかの利益、利点または解決策が生じるか、もしくはより強調されるようになるいずれの要素も、いずれかまたは全ての請求の範囲の重要な、必要な、または本質的な特徴もしくは要素として解釈されるべきではない。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  ａ．第１面と、第２面とを有する第１の電気絶縁層、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含み、かつ前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含む回路基板であって、
接合層が、前記第１の像形成された金属層と前記第１のポリイミドカバーレイとの間に存在せず、かつ
前記第１のポリイミドカバーレイが、３４０℃以上の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ2）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ2）の圧力において、前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１面の露出した領域に積層される際に、前記第１のポリイミドカバーレイが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、および
前記第１の電気絶縁層が３４０℃以上の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である
ことを特徴とする回路基板。
［２］  前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの、熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含む、［１］に記載の回路基板。
［３］  前記第１のポリイミドカバーレイが顔料を含む、［１］に記載の回路基板。
［４］  前記顔料が、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックである、［３］に記載の回路基板。
［５］  前記顔料が、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料である、［３］に記載の回路基板。
［６］前記第１のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含む、［１］に記載の回路基板。
［７］  前記艶消し剤がポリイミド粒子である、［６］に記載の回路基板。
［８］  前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイに存在する、［６］に記載の回路基板。
［９］  前記第１の電気絶縁層の第２面上に第２の像形成された金属層をさらに含む、［１］に記載の回路基板。
［１０］  ８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含み、および前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイをさらに含み、
接合層が、前記第２の像形成された金属層と前記第２のポリイミドカバーレイとの間に存在せず、および
前記第２のポリイミドカバーレイが、３４０℃以上の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ2）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ2）の圧力において、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２面の露出した領域に積層される場合、前記第２のポリイミドカバーレイが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する
ことを特徴とする［９］に記載の回路基板。
［１１］  前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたはそれらの両方が顔料を含む、［１０］に記載の回路基板。
［１２］  前記顔料が、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックである、［１１］に記載の回路基板。
［１３］  前記顔料が、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料である、［１１］に記載の回路基板。
［１４］  前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたはそれらの両方が顔料および艶消し剤を含む、［１０］に記載の回路基板。
［１５］  前記艶消し剤がポリイミド粒子である、［１４］に記載の回路基板。
［１６］  前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイに存在する、［１４］に記載の回路基板。
［１７］  前記第１の電気絶縁層が、
ｉ）８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、
ｉｉ）１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、および１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリン、または
ｉｉｉ）３８０℃以上の温度で積層される場合、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン
から誘導されるポリイミドを含む、［１０］に記載の回路基板。
［１８］  前記第１の電気絶縁層が、
ｉ）８０〜９０モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１０〜２０モル％の４，４’−オキシジフタル酸無水物、および１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン、
ｉｉ）１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリン、または
ｉｉｉ）３８０℃以上の温度で積層される場合、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジン
から誘導されるポリイミドを含む、［１］に記載の回路基板。