(57)【要約】【課題】光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況の状態に関するログ情報を光通信モジュールに残すことを可能にするとともに、そのログ情報の記録によって光通信モジュールの寿命を縮めることを防ぐ。【解決手段】本発明に係る光通信モジュールは、たとえば光トランシーバとして実現される。光トランシーバのコントローラ２０は、制御部２１と不揮発性メモリ２２とを含む。制御部２１は光トランシーバ１の異常を検知し、検知した異常に関するログ情報を生成して不揮発性メモリ２２に書き込む。不揮発性メモリ２２にログ情報を書き込んだ回数が所定の回数に達した後は、制御部２１は不揮発性メモリ２２にログ情報を書き込まない。これにより不揮発性メモリ２２の書き込み許容回数が大幅に低減することを防ぐことができる。【選択図】図３
2013131893.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールであって、
前記光通信モジュールの異常を検知するための制御部と、
不揮発性メモリとを備え、
前記制御部は、検知した異常に関するログ情報を生成して前記不揮発性メモリに書き込み、前記不揮発性メモリにログ情報を書き込んだ回数が所定の回数に達した後は、前記不揮発性メモリに対してログ情報を書き込まない、光通信モジュール。
【請求項２】
前記制御部は、前記制御部に与えられた消去指示に応じて、前記不揮発性メモリに書き込まれたログ情報を消去する、請求項１に記載の光通信モジュール。
【請求項３】
前記ログ情報は、少なくとも、前記光通信モジュールの異常の発生を特定する時刻に関する情報を含む、請求項１または２に記載の光通信モジュール。
【請求項４】
前記制御部によって検知される前記異常は、
前記光通信モジュールの温度に関する異常、前記光通信モジュールの通信光の強度に関する異常、前記光通信モジュールの電源電圧に関する異常のうちの少なくとも１つを含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の光通信モジュール。
【請求項５】
前記所定の回数は、１回、または、前記不揮発性メモリの書き込みの限界の回数よりも少ない複数回である、請求項１から４のいずれか１項に記載の光通信モジュール。
【請求項６】
ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールの異常を検知するステップと、
前記光通信モジュールに実装された不揮発性メモリに、前記光通信モジュールの異常に関するログ情報を書き込むステップと、
前記不揮発性メモリへのログ情報の書き込み回数が所定の回数に達した後は、前記不揮発性メモリへのログ情報の書き込みを禁止するステップとを備える、光通信モジュールのログ記録方法。
【請求項７】
光通信装置であって、
ホスト基板と、
第１の不揮発性メモリを含み、前記ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールとを備え、
前記光通信モジュールは、前記光通信モジュールの異常を検知して、当該検知した異常に関する第１のログ情報を、前記第１の不揮発性メモリに書き込み、
前記ホスト基板は、
前記光通信装置の状況を監視して、当該監視に関する第２のログ情報を生成する制御部と、
前記第２のログ情報を不揮発的に記憶する第２のメモリとを含み、
前記光通信モジュールは、第１のログ情報の書込回数が所定の回数に達した後は、前記第１の不揮発性メモリへの第１のログ情報の書き込みを行なわず、
前記第１および第２のログ情報の各々は、少なくとも時刻に関する情報を含む、光通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信モジュール、光通信モジュールのログ記録方法および光通信装置に関する。より特定的には、本発明は、ログ情報を記憶するように構成された光通信モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光トランシーバは、光通信モジュールの一種である。光トランシーバは、一般に、電気信号と光信号とを相互に変換する機能、光通信ケーブルから光信号を受信する機能、および光通信ケーブルに光信号を送信する機能を備える。光トランシーバが故障した場合に、メーカーの技術者は、その光トランシーバを解析することがある。特開２００４−２２２９２７号公報（特許文献１）あるいは国際公開公報ＷＯ２００５／１０７１０５（特許文献２）は、光トランシーバに関する情報を、光トランシーバの内部に保持するという方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２２９２７号公報
【特許文献２】国際公開公報ＷＯ２００５／１０７１０５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光通信に異常が生じた場合に、光通信システムの運用者にとって重要なことは光通信を速やかに正常な状態へと復帰させることである。多くの場合、１つのホスト基板には複数の光通信モジュール（多くの場合には光トランシーバ）が実装される。あるホスト基板が光通信の異常の原因であった場合、通常、運用者はホスト基板を交換することを検討する。したがって、ホスト基板に実装された複数の光通信モジュールに異常の原因があると推定される場合であっても、ホスト基板が交換されることがある。
【０００５】
このような運用を考慮して、ホスト基板には、そのホスト基板の全体の状態に関するログ情報を記憶するためのメモリ（たとえば不揮発性メモリ）が実装されていることがある。光通信モジュールのメーカーの技術者は、光通信モジュール自体を試験することで、その光通信モジュールが故障しているかどうかを判断することが可能である。しかし、その光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況を把握するためには、ホスト基板のメモリに保持されているログ情報を解析しなければならない。
【０００６】
この場合、メーカーの技術者は、ログ情報を、光通信モジュールに関係する情報と、そうでない情報とに区別しなければならない。その上で、メーカーの技術者は、光通信モジュールに関係するログ情報に基づいて、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況を推定しなければならない。したがって光通信モジュールのメーカーの技術者は、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況を知るために多くの労力を必要とする。
【０００７】
故障した光通信モジュールのみがメーカーの技術者に返却された場合には、メーカーの技術者は、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況を知ることができない。その理由は、光通信モジュールに関するログ情報がホスト基板のメモリに記憶されているためである。
【０００８】
このような課題を解決するために、上記の特開２００４−２２２９２７号公報（特許文献１）あるいは国際公開公報ＷＯ２００５／１０７１０５（特許文献２）に開示されたような、光トランシーバの内部に情報を保持するという方法を採用して光通信モジュールを構成することが考えられる。しかしながら、光通信モジュールの故障の原因の解析には、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関する情報がより重要であると考えられる。上記の特許文献１、２のいずれも、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関する情報を光通信モジュールの内部に残すための方法を記載していない。
【０００９】
また、特開２００４−２２２９２７号公報（特許文献１）は、故障に関する情報を記憶するためのメモリとして、揮発性記憶装置あるいは不揮発性記憶装置のいずれを用いてもよいと記載している。しかしながら、揮発性記憶装置を用いた場合、光通信モジュールへの電源電圧の供給が停止されると、揮発性記憶装置に記憶された情報が消失する。したがって、ホスト基板自体に異常が生じたことにより光通信モジュールへの電源電圧への供給が不能になった場合、あるいは、ホスト基板を光通信装置から取り外した場合に、光通信モジュールに記憶された情報が消失する可能性がある。
【００１０】
一方、光通信モジュールに不揮発性記憶装置を実装し、その不揮発性記憶装置が情報を記憶する場合、光通信モジュールをホスト基板から取り外しても、光通信モジュールが情報を保持することができる。不揮発性記憶装置としては、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）あるいはフラッシュＲＯＭを用いることが考えられる。しかしながら、このような不揮発性半導体メモリでは、一般に、書込回数に制限がある（たとえば数千回程度）。したがって、このような書込回数の制限を考慮することなく、不揮発性半導体メモリへの情報の書込みを設定した場合には、不揮発性半導体メモリの寿命が縮められる可能性がある。
【００１１】
たとえば、光通信モジュールの故障突入時の状態に関する情報を光通信モジュールの内部に残すために、光通信モジュールの異常の兆候に関する情報をログ情報として光通信モジュールに残すことが考えられる。しかし、光通信モジュールが異常を誤って検出した場合、所定の周期（たとえば１秒）ごとにログ情報を不揮発性半導体メモリに書き込む可能性が考えられる。このように不揮発性半導体メモリへの書込みが頻発した場合には、不揮発性半導体メモリの寿命に依存して光通信モジュールの寿命が縮まる可能性がある。
【００１２】
以上説明したように、光通信モジュールの故障突入時の状態に関する情報を光通信モジュールの内部に残すための技術は、これまでに提案されていなかった。さらに、特許文献１、２の技術を用いて光通信モジュールの内部に情報を残そうとすれば、不揮発性半導体メモリへの書込みが頻発した場合に光通信モジュールの寿命が短縮される可能性がある。
【００１３】
本発明の目的は、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況の状態に関するログ情報を光通信モジュールに残すことを可能にするとともに、そのログ情報の記録によって光通信モジュールの寿命を縮めることを防ぐことである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明のある局面に係る光通信モジュールは、ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールであって、光通信モジュールの異常を検知するための制御部と、不揮発性メモリとを備える。制御部は、検知した異常に関するログ情報を生成して不揮発性メモリに書き込み、不揮発性メモリにログ情報を書き込んだ回数が所定の回数に達した後は、不揮発性メモリに対してログ情報の書き込みを行なわない。
【００１５】
この構成によれば、制御部によって検知された異常に関するログ情報が不揮発性メモリに記憶される。したがって光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関するログ情報を光通信モジュール内に残すことができる。たとえば、光通信モジュールが故障する直前に、光通信モジュールの温度が異常に高かったということが分かる情報を、ログ情報として光通信モジュール内に残すことができる。さらに、不揮発性メモリにログ情報を書き込んだ回数が所定の回数に達した後は、ログ情報の新たな書き込みを行なわない。したがって、ログ情報が頻繁に不揮発性メモリに記録されることにより、不揮発性メモリの書き込み許容回数が大幅に低減することを防ぐことができる。不揮発性メモリの寿命が大幅に短縮されるのを防ぐことによって、光通信モジュールの寿命が不揮発性メモリの寿命に依存して短縮されることを防ぐことができる。「光通信モジュール」は、光トランシーバのように送信および受信の両方の機能を有するものでもよく、あるいは、送信機能および受信機能のいずれか一方のみを有するもの（例としては光レシーバあるいは光トランスミッタ）であってもよい。
【００１６】
好ましくは、制御部は、制御部に与えられた消去指示に応じて、不揮発性メモリ内のログ情報を消去する。
【００１７】
この構成によれば、制御部が誤って異常を検知し、それにより不揮発性メモリへのログ情報の書き込み回数が所定の回数に達した場合にも、光通信モジュールを再使用することができる。制御部に消去指示を与えるための方法は特に限定されるものではない。
【００１８】
好ましくは、ログ情報は、少なくとも、光通信モジュールの異常の発生を特定する時刻に関する情報を含む。
【００１９】
この構成によれば、光通信モジュールに異常が発生した時刻を把握することができる。たとえば、その時刻に発生した事象に関する情報を用いれば、光通信モジュールの故障の原因を解析することが可能になる。「異常の発生を特定する時刻」とは、異常が発生した時刻でもよく、ログ情報を生成した時刻でもよく、ログ情報を不揮発性メモリに書き込む時刻でもよい。
【００２０】
好ましくは、制御部によって検知される異常は、光通信モジュールの温度に関する異常、光通信モジュールの通信光の強度に関する異常、光通信モジュールの電源電圧に関する異常のうちの少なくとも１つを含む。
【００２１】
この構成によれば、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関する、より詳しい情報を得ることができる。たとえば複数の異常を検知する場合には、その複数の異常の少なくとも１つに関するログ情報を不揮発性メモリに書き込むことができる。「通信光」は、光通信モジュールの機能に対応して定義される。たとえば光通信モジュールが光レシーバとして実現される場合には、「通信光」は、その光レシーバの受信光である。たとえば光通信モジュールが光トランスミッタとして実現される場合には、「通信光」は、その光トランスミッタの送信光である。光通信モジュールが光トランシーバとして実現される場合には、「通信光」は、その光トランシーバの送信光および受信光の一方または両方でありえる。
【００２２】
好ましくは、所定の回数は、１回、または、不揮発性メモリの書き込みの限界の回数よりも少ない複数回である。
【００２３】
この構成によれば、不揮発性メモリの寿命が大幅に短縮されることを防ぐことができる。所定の回数が複数回である場合には、最初に発生した異常を含む、複数回発生した異常に関するログ情報を光通信モジュールに不揮発的に保存することができる。したがって、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関するログ情報を光通信モジュールに残すことができる。
【００２４】
この発明の他の局面に係る、光通信モジュールのログ記録方法は、ホスト基板に挿抜可能な光通信モジュールの異常を検知するステップと、光通信モジュールに実装された不揮発性メモリに、光通信モジュールの異常に関するログ情報を書き込むステップと、不揮発性メモリへのログ情報の書き込み回数が所定の回数に達した後は、不揮発性メモリへのログ情報の書き込みを禁止するステップとを備える。
【００２５】
この構成によれば、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関するログ情報を光通信モジュール内に残すことができる。さらに、ログ情報が頻繁に不揮発性メモリに記録されることにより、不揮発性メモリの書き込み許容回数が大幅に低減することを防ぐことができる。したがって光通信モジュールの寿命が不揮発性メモリの寿命に依存して短縮されることを防ぐことができる。
【００２６】
この発明のさらに他の局面に係る光通信装置は、ホスト基板と、光通信モジュールとを備える。光通信モジュールは、第１の不揮発性メモリを含み、ホスト基板に挿抜可能である。光通信モジュールは、光通信モジュール自身の異常を検知して、当該検知した異常に関する第１のログ情報を、第１の不揮発性メモリに書き込む。ホスト基板は、制御部と、第２のメモリとを含む。制御部は、光通信装置の状況を監視して、当該監視に関する第２のログ情報を生成する。第２のメモリは、第２のログ情報を不揮発的に記憶する。光通信モジュールは、第１のログ情報の書込回数が所定の回数に達した後は、不揮発性メモリへの第１のログ情報の書き込みを行なわない。第１および第２のログ情報の各々は、少なくとも時刻を含む。
【００２７】
この構成によれば、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関するログ情報を光通信モジュール内に残すことができる。さらに、第１のログ情報が頻繁に光通信モジュールの内部の不揮発性メモリに記録されることにより、その不揮発性メモリの書き込み許容回数が大幅に低減することを防ぐことができる。したがって光通信モジュールの寿命が不揮発性メモリの寿命に依存して短縮されることを防ぐことができる。さらに、第１および第２のログ情報を照合することによって、光通信モジュールの異常が発生したときに起きた事象の整合性を保つことができる。したがって、光通信モジュールが故障した場合に、その故障の原因を、より正確に把握することができる。「監視に関する第２のログ情報」に含まれる時刻の情報は、ホスト基板の状況を制御部が監視したことを示す。第２のログ情報は、時刻だけでなく、その時刻におけるホスト基板の状況の情報を含んでいてもよい。「第２のログ情報を不揮発的に記憶する」とは、第２のログ情報を第２のメモリから取り出すことができるように、第２のログ情報が第２のメモリ内に保持されている状態を指す。したがって、第２のメモリは、たとえばＥＥＰＲＯＭのような、電源の供給がなくとも情報を保持可能なメモリである。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、光通信モジュールが故障状態へと突入するときの状況に関するログ情報を光通信モジュールに残すことができる。さらに本発明によれば、その情報の記録によって光通信モジュールの寿命が縮まることを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光通信装置の概略的構成図である。
【図２】図１に示した光トランシーバ１の構成例を示したブロック図である。
【図３】図２に示したコントローラ２０の構成を示したブロック図である。
【図４】図３に示された不揮発性メモリのメモリマップの一例を示した図である。
【図５】図４に示されたログ情報記憶エリア４１に記憶されたログ情報４２の構成例を説明した図である。
【図６】実施の形態１に係る光トランシーバの起動時の処理を示したフローチャートである。
【図７】実施の形態１に係る光トランシーバのメインルーチンの処理を示したフローチャートである。
【図８】ＲＯＭプロテクトコードを８０ｈへと変更するための処理を説明するフローチャートである。
【図９】実施の形態２に係る光トランシーバのメインルーチンの処理を示したフローチャートである。
【図１０】実施の形態３に係る光トランシーバで検知可能な光トランシーバの異常を示した図である。
【図１１】実施の形態３に係る光トランシーバのメインルーチンの処理を示したフローチャートである。
【図１２】実施の形態３に係る光トランシーバのメインルーチンの処理の別の例を示したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、この発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００３１】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１に係る光通信装置の概略的構成図である。図１を参照して、光通信装置１０１は、複数の光トランシーバ１と、ホスト基板２と、筐体５とを備える。光トランシーバ１は、本発明に係る光通信モジュールの１つの具体的な形態として図１に示されている。
【００３２】
複数の光トランシーバ１は、ホスト基板２に実装される。複数の光トランシーバ１の各々は、プラガブル光トランシーバである。すなわち、光トランシーバ１は、ホスト基板２に対して挿抜可能に構成される。
【００３３】
光トランシーバ１は、ホスト基板２から送られた電気信号を光信号に変換して、その光信号を光ネットワークに出力する。また、光トランシーバ１は、光ネットワークを通じて送られた光信号を電気信号に変換して、その電気信号をホスト基板２に送る。図１では詳細に示されていないが、光通信ケーブルの端部に設けられたコネクタ（図示せず）が光トランシーバ１の前面１ａに着脱可能なように、光トランシーバ１の前面１ａが構成される。
【００３４】
ホスト基板２は、筐体５に設置される。筐体５は、たとえばラックでもよい。また、ホスト基板２の向きは特に限定されるものではない。複数の光トランシーバ１およびホスト基板２を分かりやすく示すために、図１は、ホスト基板２の表面を水平方向に平行にした配置を示す。図１に示すようにホスト基板２が配置されてもよく、ホスト基板２が縦置き（ホスト基板２が垂直方向に立てられる）であってもよい。
【００３５】
ホスト基板２には、ホストＣＰＵ（Central Processing Unit）３と、不揮発性メモリ４とが実装される。ホストＣＰＵ３と不揮発性メモリ４とは、ホスト基板２に実装される素子として代表的に示されたものである。
【００３６】
ホストＣＰＵ３は、複数の光トランシーバ１の各々と通信する。ホストＣＰＵ３は、さらに、ホストＣＰＵ３によるホスト基板２の状況の監視に関するログ情報を生成する。そのログ情報は不揮発性メモリ４に記憶される。不揮発性メモリ４に記憶されるログ情報は、少なくとも時刻の情報を含む。この時刻の情報は、ホスト基板２の状況をホストＣＰＵ３が監視したことを示している。なお、時刻だけでなく、その時刻におけるホスト基板２の状況も、ログ情報として不揮発性メモリ４に記憶してもよい。
【００３７】
不揮発性メモリ４は、情報の書き込みが可能であるとともに、その情報を不揮発的に保存可能なメモリである。不揮発性メモリ４は、たとえばＥＥＰＲＯＭによって実現される。ホストＣＰＵ３と不揮発性メモリ４とが集積化されていてもよい。
【００３８】
図２は、図１に示した光トランシーバ１の構成例を示したブロック図である。図２を参照して、光トランシーバ１は、光デバイス１１と、送信回路１４と、受信回路１７と、コントローラ２０とを備える。
【００３９】
光デバイス１１は、レーザダイオード（ＬＤ）１２と、フォトダイオード（ＰＤ）１３とを含む。レーザダイオード１２は、送信回路１４から供給された電源電圧および制御電圧を受ける。レーザダイオード１２は、送信回路１４から送られた電気信号（送信信号）を光信号に変換して、その光信号を、図示しない光ケーブルを介して光ネットワークに出力する。
【００４０】
フォトダイオード１３は、受信回路１７から供給された電源電圧および制御電圧を受ける。フォトダイオード１３は、図示しない光ケーブルを介して光ネットワークから光信号を受信して、その光信号を電気信号に変換する。フォトダイオード１３は、その電気信号を受信信号として受信回路１７に出力する。
【００４１】
送信回路１４は、レーザダイオード１２に電源電圧および制御電圧を供給するためのドライバ１５を含む。さらに、送信回路１４は、Ｄ／Ａコンバータ（ＤＡＣ）１６を含む。Ｄ／Ａコンバータ１６は、ホストＣＰＵ３から送られたデジタルの送信信号を、アナログ信号に変換する。ドライバ１５は、そのアナログ信号をレーザダイオード１２に供給する。さらに送信回路１４は、送信回路１４あるいはレーザダイオード１２の状態を表わすモニタ電圧を、コントローラ２０に出力する。このモニタ電圧は、たとえばレーザダイオード１２の出力光強度を示す電圧である。
【００４２】
受信回路１７は、フォトダイオード１３に電源電圧および制御電圧を供給する。受信回路１７は、アンプ１８およびＡ／Ｄコンバータ（ＡＤＣ）１９を含む。アンプ１８は、フォトダイオード１３から送られた受信信号（アナログ信号）を増幅する。Ａ／Ｄコンバータ１９は、その増幅されたアナログ信号をデジタル信号に変換する。受信回路１７は、そのデジタル信号をホストＣＰＵ３に出力する。さらに受信回路１７は、受信回路１７あるいはフォトダイオード１３の状態を表わすモニタ電圧をコントローラ２０に出力する。このモニタ電圧は、たとえばフォトダイオード１３の受信光強度を示す電圧である。
【００４３】
コントローラ２０は、光トランシーバ１を統括的に制御する。このために、コントローラ２０は、送信回路１４および受信回路１７の各々に制御信号および制御電圧を供給する。さらにコントローラ２０は、送信回路１４および受信回路１７の各々からのモニタ電圧に基づいて、光トランシーバ１の状態を監視する。さらにコントローラ２０は、ホストＣＰＵ３からの要求に応じて、光トランシーバ１の状態に関する情報をホストＣＰＵ３に送信する。
【００４４】
図３は、図２に示したコントローラ２０の構成を示したブロック図である。図３に示された構成は複数の半導体集積回路、または単一の半導体集積回路のいずれでも実現可能である。
【００４５】
図３を参照して、コントローラ２０は、制御部２１と、不揮発性メモリ２２と、揮発性メモリ２３と、バス２４と、Ａ／Ｄコンバータ２５と、Ｄ／Ａコンバータ２６と、データバスインタフェース２７と、ロジックポート２８と、データバスインタフェース２９と、温度センサ３０と、電圧センサ３１とを備える。
【００４６】
制御部２１は、コントローラ２０の全体の動作を制御する。不揮発性メモリ２２は、情報の書込みおよび情報の読出しが可能なだけでなく、書き込まれた情報を不揮発的に記憶することが可能なメモリである。不揮発性メモリ２２は、電源電圧の供給がない場合にも情報を保持することができ、たとえばＥＥＰＲＯＭによって実現される。
【００４７】
揮発性メモリ２３は、情報の書込みおよび読出しが可能である。しかし揮発性メモリ２３への電源電圧の供給が停止した場合、揮発性メモリ２３に記憶された情報が消失する。揮発性メモリ２３は、たとえばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）あるいはＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）などによって実現される。
【００４８】
バス２４は、たとえば制御部２１と不揮発性メモリ２２との間、あるいは制御部２１と揮発性メモリ２３との間で情報を伝送するためのものである。
【００４９】
Ａ／Ｄコンバータ２５は、たとえば図２に示された送信回路１４あるいは受信回路１７から送られたモニタ電圧をデジタル信号に変換する。Ａ／Ｄコンバータ２５は、そのデジタル信号を制御部２１へ出力する。Ｄ／Ａコンバータ２６は、たとえば制御部２１から送られるデジタルの制御信号をアナログの制御信号に変換する。Ｄ／Ａコンバータ２６は、そのアナログの制御信号を、図２に示された送信回路１４あるいは受信回路１７へと出力する。
【００５０】
データバスインタフェース２７は、たとえば図２に示された送信回路１４あるいは受信回路１７と制御部２１との間でデータを授受するための回路である。ロジックポート２８は、たとえば制御部２１が送信回路１４あるいは受信回路１７に対してデジタルの制御信号を送信するための回路である。データバスインタフェース２７は、たとえば図２に示された送信回路１４あるいは受信回路１７と制御部２１との間でデータを授受するための回路である。データバスインタフェース２９は、たとえば制御部２１がホストＣＰＵ３あるいはホスト基板２に実装された他の素子（たとえば、別の光トランシーバ）との間でデータを授受するための回路である。
【００５１】
温度センサ３０は、光トランシーバ１の温度を検出して、その温度を示す信号を制御部２１へと出力する。温度センサ３０は光トランシーバ１の内部に配置されていればよいので、温度センサ３０はコントローラ２０とは別に設けられていてもよい。
【００５２】
電圧センサ３１は、光トランシーバ１に供給される電源電圧を検出して、その電源電圧を示す信号を制御部２１へと出力する。
【００５３】
制御部２１は、光トランシーバ１の状態を監視する。制御部２１は、光トランシーバ１の異常を検知した場合には、その異常に関するログ情報４２を生成する。制御部２１は、そのログ情報４２を不揮発性メモリ２２に書き込む。この実施の形態では、光トランシーバ１の温度がある基準値（所定の上限値）を超えた状態が、光トランシーバ１の異常として制御部２１により検知される。
【００５４】
検知した異常に関するログ情報４２を不揮発性メモリ２２に書き込むことができる回数は予め定められている。ログ情報４２の書込回数が所定の回数に達するまでは、制御部２１はログ情報４２を不揮発性メモリ２２に書き込むことができる。ログ情報４２の書込回数が所定の回数に達した場合、不揮発性メモリ２２はログ情報４２の書き込みが不可能な状態となる。
【００５５】
この実施の形態においては、不揮発性メモリ２２へのログ情報４２の書き込みが可能な回数（すなわち上記の「所定の回数」）は１である。通常は不揮発性メモリ２２にはログ情報４２は記録されていない。つまり光トランシーバ１の起動後に最初に発生した異常に関するログ情報が不揮発性メモリ２２に記録される。そのログ情報４２が記録された後、制御部２１は、不揮発性メモリ２２を書き込み不可の状態に設定する。
【００５６】
不揮発性メモリ２２が書き込み不可の状態に設定された後は、光トランシーバ１に新たな異常が発生したとしても、不揮発性メモリ２２には、ログ情報４２が新たに書き込まれない。不揮発性メモリ２２にログ情報４２を新たに書き込まないための具体的方法は、たとえば制御部２１がログ情報を生成しないという方法である。あるいは、制御部２１がログ情報を生成しても、不揮発性メモリ２２はそのログ情報を受け付けないという方法でもよい。これらの方法によって、不揮発性メモリ２２に新たなログ情報が書き込まれない状態を作ることができる。
【００５７】
制御部２１は、さらに、制御部２１に入力された消去指示に応じて、不揮発性メモリ２２内のログ情報を消去することができる。
【００５８】
図４は、図３に示された不揮発性メモリのメモリマップの一例を示した図である。図４を参照して、メモリマップ４０の一部の記憶領域がログ情報記憶エリア４１として割り当てられる。他の記憶領域の用途は特に限定されるものではない。制御部２１のみがログ情報記憶エリア４１にログ情報を書き込むことができる。ログ情報記憶エリア４１に記憶されたログ情報は、たとえば制御部２１のみが読み出し可能であってもよく、制御部２１およびホストＣＰＵ３の両方が読み出し可能であってもよい。
【００５９】
図５は、図４に示されたログ情報記憶エリア４１に記憶されたログ情報４２の構成例を説明した図である。図４および図５を参照して、ログ情報４２は、秒カウント値４２ａと、ステータス４２ｂと、アラーム情報４２ｃと、温度モニタ情報４２ｄとを含む。さらに、ログ情報記憶エリア４１には、ＲＯＭプロテクトコード４３が記憶される。
【００６０】
ＲＯＭプロテクトコードにはアドレスＡ１が割り当てられる。秒カウント値４２ａ、ステータス４２ｂ、アラーム情報４２ｃ、および温度モニタ情報４２ｄには、Ａ２〜Ａ５がそれぞれ割り当てられる。アドレスＡ１〜Ａ５は、ＲＯＭプロテクトコード４３、ログ情報の各項目のサイズに応じて決定される。
【００６１】
ＲＯＭプロテクトコード４３は、ログ情報記憶エリア４１へのログ情報の書き込みの可能および不可、ならびにログ情報の消去を示すコードである。たとえば、以下の３種類のコードがＲＯＭプロテクトコード４３として設定される。なお「ｈ」は１６進数を示す。
【００６２】
（１）「ＦＦｈ」：ログ情報が書込不可であることを示す。
（２）「００ｈ」：ログ情報が書込可能であることを示す。
【００６３】
（３）「８０ｈ」：ログ情報の消去（ログ情報記憶エリア４１の初期化）を示す。初期化は、光トランシーバ１の再起動時（たとえば光トランシーバ１への電源の再投入時）に実行される。
【００６４】
秒カウント値４２ａは、異常の発生を特定する時刻を示す情報である。この時刻は、異常が発生した時刻でもよく、制御部２１がログ情報を生成した時刻でもよく、制御部２１がログ情報を不揮発性メモリに書き込むときの時刻でもよい。秒カウント値は、光トランシーバ１の起動から異常の発生を特定する時刻までの経過秒数を表わす数値である。
【００６５】
秒カウント値４２ａは、光トランシーバ１の内部によって生成される。たとえば制御部２１は、１秒ごとにカウント値をインクリメントするカウンタ機能を有する。秒カウント値４２ａの精度を高めるために補正が行なわれてもよい。たとえばホスト基板２がリアルタイムクロック回路を備える場合には、制御部２１は、そのリアルタイムクロック回路の出力するクロック信号を用いて秒カウント値を補正し、その補正された秒カウント値をログ情報に含めてもよい。
【００６６】
ステータス４２ｂは、ログ情報４２が記録されるときの光トランシーバ１の状態を示すコードである。アラーム情報４２ｃは、光トランシーバ１の異常が生じたことを示す情報である。光トランシーバ１の温度が基準値を超えた場合に、そのことを示すフラグ（たとえば「１」）がアラーム情報４２ｃとして記憶される。温度モニタ情報４２ｄは、光トランシーバ１の温度が基準値を超えたときのその温度を示す情報である。制御部２１は温度センサ３０の出力に基づいて温度測定値を生成し、その温度測定値を温度モニタ情報４２ｄとしてログ情報４２に含める。
【００６７】
なお、ログ情報４２は、少なくとも秒カウント値４２ａを含んでいればよい。その場合、光トランシーバ１に異常が発生した時刻を把握することができる。たとえば、その時刻に発生した事象に関する情報を用いれば、光トランシーバ１の異常の原因を解析することが可能になる。この実施の形態では、制御部２１によって監視される異常は１種類である。したがって、ログ情報４２に時刻が含まれていれば、その時刻に発生した異常を特定することができる。
【００６８】
図６は、実施の形態１に係る光トランシーバの起動時の処理を示したフローチャートである。図６を参照して、光トランシーバ１への電源の投入により光トランシーバ１の起動が開始される。ステップＳ１において、制御部２１は、秒カウント値の値を０にする。ステップＳ２において、制御部２１は、揮発性メモリ２３（ＲＡＭ）および不揮発性メモリ２２（ＲＯＭ）をチェックする。
【００６９】
ステップＳ３において、制御部２１は、不揮発性メモリ２２に記憶されたＲＯＭプロテクトコード４３を参照する。ステップＳ４において、制御部２１は、ＲＯＭプロテクトコード４３が「８０ｈ」であるかどうかを判断する。ＲＯＭプロテクトコード４３が「８０ｈ」である場合、処理はステップＳ５に進む。一方、ＲＯＭプロテクトコード４３が「８０ｈ」以外の場合（すなわち「００ｈ」または「ＦＦｈ」である場合）、処理はステップＳ７に進む。
【００７０】
ステップＳ５において、制御部２１は、ログ情報記憶エリア４１（図４を参照）のすべての値を「ＦＦｈ」で上書きする。これによりログ情報記憶エリア４１に記憶されたログ情報が消去される。ログ情報が消去された後、ステップＳ６において、制御部２１は、ＲＯＭプロテクトコードを「８０ｈ」から「００ｈ」へと変更する。以後、不揮発性メモリ２２は、ログ情報が書き込み可能な状態となる。
【００７１】
ステップＳ７において、制御部２１は、各種の初期化処理を実行する。ステップＳ７の処理が終了すると、光トランシーバ１の処理はメインルーチンへと移行する。
【００７２】
図７は、実施の形態１に係る光トランシーバのメインルーチンの処理を示したフローチャートである。図７を参照して、メインルーチンの処理が開始される。ステップＳ１１において、制御部２１は、温度センサ３０の測定値を受けることにより、光トランシーバ１の温度を監視する。さらにステップＳ１１において、制御部２１は、制御部２１の内部に記憶されたステータスを更新する。
【００７３】
ステップＳ１２において、制御部２１は、温度測定値（温度センサ３０の測定値）が基準値を超えたかどうかを判断する。温度測定値が基準値以下の場合（ステップＳ１２においてＮＯ）、処理はステップＳ１１に戻る。つまり、温度測定値が基準値以下の場合には、ステップＳ１１およびＳ１２の処理が繰り返される。温度測定値が基準値を超えた場合（ステップＳ１２においてＹＥＳ）、処理はステップＳ１３に進む。
【００７４】
ステップＳ１３において、制御部２１は、ログ情報の記録条件が発生したと判断する。ステップＳ１４において、制御部２１は、不揮発性メモリ２２に記憶されたＲＯＭプロテクトコード４３を参照する（読み出す）。
【００７５】
ステップＳ１５において、制御部２１は、ＲＯＭプロテクトコード４３が「００ｈ」であるかどうかを判断する。ＲＯＭプロテクトコード４３が「００ｈ」以外の場合（すなわち「ＦＦｈ」または「８０ｈ」である場合）、処理はステップＳ１１に戻る。すなわち、ＲＯＭプロテクトコード４３が「００ｈ」以外の場合には、ログ情報の記録条件が発生しても、制御部２１は、不揮発性メモリ２２にログ情報を書き込まない。
【００７６】
ＲＯＭプロテクトコード４３が「００ｈ」である場合、処理はステップＳ１６に進む。ステップＳ１６において、制御部２１は、ログ情報４２を不揮発性メモリ２２（ＲＯＭ）に書き込む。ステップＳ１７において、制御部２１は、ＲＯＭプロテクトコード４３を「００ｈ」から「ＦＦｈ」へと変更する。なお、ステップＳ１６，Ｓ１７の処理は、１回の書き込み処理の中で連続的に行なわれる。
【００７７】
ステップＳ１７の処理が終了すると、処理はステップＳ１１に戻る。この場合、ＲＯＭプロテクトコード４３が「００ｈ」から「ＦＦｈ」へと変更されているため、不揮発性メモリ２２は書き込み不可の状態になる。したがって次回以後の処理では、温度測定値が基準値を超えた場合（ステップＳ１２においてＹＥＳ）であっても、処理はステップＳ１５からステップＳ１１へと戻る。
【００７８】
図８は、ＲＯＭプロテクトコードを８０ｈへと変更するための処理を説明するフローチャートである。なお、変更前のＲＯＭプロテクトコードは、たとえば「ＦＦｈ」であるが、「００ｈ」であってもよい。図８を参照して、ステップＳ２１において、制御部２１は、消去指示を受信する。消去指示は、たとえば以下の方法により制御部２１に送られる。
【００７９】
光トランシーバ１は試験用の基板のソケットに挿される。その基板は、たとえば試験装置に接続される。たとえばその光トランシーバ１のメーカーの技術者が試験装置を操作することにより、試験装置から基板を介して光トランシーバ１の制御部２１に消去指示が送られる。
【００８０】
ステップＳ２２において、制御部２１は、消去指示に応じて不揮発性メモリ２２のＲＯＭプロテクトコードを８０ｈに変更する。ステップＳ２２の処理が終了すると、図８に示された処理は終了する。次に光トランシーバ１が起動された場合には、図６に示された処理が実行される。
【００８１】
この実施の形態によれば、ホスト基板２に挿抜可能な光トランシーバ１の内部に、光トランシーバの異常に関するログ情報が不揮発的に記憶される。したがって、当該光トランシーバが故障した光トランシーバである場合、その故障した光トランシーバの内部に、故障状態に突入するときの状況に関する情報を残すことができる。
【００８２】
図１に示されるように、ホスト基板２に複数の光トランシーバ１が接続され、その複数の光トランシーバ１のうちの１つが故障した場合、光通信装置１０１からホスト基板２ごと取り外して返却しなくてもよく、故障した光トランシーバ１のみを返却すればよい。したがって、光通信システムの運用者にとって、故障した光トランシーバ１の返却に要する手間を小さくすることができる。
【００８３】
さらに、光通信に異常が生じた場合、その原因が光トランシーバにあるのか、上位装置（ホスト基板）にあるのかを容易に判別できる。たとえば、光通信の運用者は、故障した光トランシーバを新しい（正常な）光トランシーバに交換する。これにより光通信が復旧すれば、異常の原因が光トランシーバにあることを容易に判断できる。
【００８４】
さらに、故障した光トランシーバ１の内部には、ログ情報が不揮発的に記憶される。これにより、最終的に光トランシーバ１への電源供給が停止するような故障が発生した場合にも、光トランシーバ１内にログ情報が残る確率が高くなる。たとえばメーカーの技術者は、故障のために返却された光トランシーバの内部に記憶されたログ情報を解析することによって、その光トランシーバが故障状態へと突入するときの状況を把握することができる。
【００８５】
さらに、この実施の形態では、ログ情報の記録回数が１回に制限される。光トランシーバの通常の動作時には、ログ情報が不揮発性メモリ２２には記録されていない。つまり、光トランシーバが故障に至るような異常が発生したときに初めて不揮発性メモリ２２にログ情報が記録される。したがって光トランシーバ１の内部に、その光トランシーバ１が故障状態へと突入するときの状況に関する情報を残すことができる。さらに、ＥＥＰＲＯＭのように書き込み回数が制限された不揮発性メモリにログ情報を書き込んでも、不揮発性メモリの寿命を著しく短縮することを防ぐことができる。これにより、不揮発性メモリの書き込みの限界に起因して光トランシーバ１の寿命が短縮される可能性を小さくすることができる。
【００８６】
さらに、この実施の形態では、不揮発性メモリに一旦書き込んだログ情報を消去することができる。たとえば光トランシーバに異常が生じていないにもかかわらず誤って異常が検出された場合を仮定する。この場合、光トランシーバの機能は正常である。しかし不揮発性メモリには、ログ情報が書き込まれている。
【００８７】
この実施の形態では、不揮発性メモリにログ情報を記憶されている場合、不揮発性メモリへの新たなログ情報の書込みが禁止される。この実施の形態では、さらに、不揮発性メモリに記憶されたログ情報を消去することができる。したがって、たとえば光トランシーバ１の周囲温度のみ異常であり、光トランシーバ１の機能自体が正常であるならば、不揮発性メモリに記憶されたログ情報を消去することによって、光トランシーバ１を再使用することができる。
【００８８】
また、光トランシーバの製造段階において、光トランシーバ１の調整および検査が行なわれる。光トランシーバの調整時に、たとえば温度センサ３０の測定値、レーザダイオード１２のバイアス電流、Ｄ／Ａコンバータ１６の設定値等、各種のパラメータが最適値となるように補正が実行される。たとえば、温度センサ３０の測定値を補正するためのパラメータが最適値となるまでは、温度センサ３０の測定値が実際の温度とずれている可能性が高い。温度センサの測定値を補正する間、温度センサ３０の測定値がエラーとなる（たとえば基準値を超える）可能性が考えられる。すなわち、光トランシーバ１が異常を誤って検出する。
【００８９】
この実施の形態によれば、不揮発性メモリ２２へのログ情報の書込回数が所定の回数に達すると、以後、ログ情報が不揮発性メモリ２２に書き込まれない。したがって、パラメータの補正時に不揮発性メモリ２２の書込回数が増大することを防ぐことができる。これにより、不揮発性メモリ２２の書込回数に依存して光トランシーバ１の寿命が縮まることを防ぐことができる。
【００９０】
また、この実施の形態によれば、ＲＯＭプロテクトコードによって、パラメータの補正時には、不揮発性メモリ２２にログ情報が全く書き込まれないようにすることもできる。たとえば、温度測定値が正しくなるように温度測定値を補正する。この段階では、ＲＯＭプロテクトコードは「ＦＦｈ」（書き込み不可)である。図７のフローチャートに従って光トランシーバ１が動作する。温度測定値が正しくなるまでの間、温度測定値が基準値を超えたとしてもログ情報の記録処理はスキップされる。
【００９１】
調整および検査の終了後に光トランシーバ１を再起動する。温度測定値が正しいことを確認した後、ＲＯＭプロテクトコードを「００ｈ」（書き込み可）に変更する。ＲＯＭプロテクトコードを変更するための指示は、たとえば上述の試験装置を用いて制御部２１に送られる。光トランシーバ１がホスト基板２に実装された後には、図６および図７のフローチャートに従って処理が実行される。
【００９２】
故障の解析のために光トランシーバ１が返却された場合には、光トランシーバ１の不揮発性メモリに記憶されたログ情報を読み出す。そのログ情報に基づいて解析が行なわれる。その光トランシーバ１の再出荷が可能である場合、必要に応じて光トランシーバ１の調整および検査が行なわれる。ＲＯＭプロテクトコードを「８０ｈ」に設定し、光トランシーバ１を再起動する。これにより図６のフローチャートに示された処理が実行されて、ログ情報記憶エリア４１（図４を参照）に記憶された値（ログ情報）が全て「ＦＦｈ」に書き換えられる。その後にＲＯＭプロテクトコードが「００ｈ」（書き込み可）に変更される。
【００９３】
さらにこの実施の形態によれば、光トランシーバ１とホスト基板２とでそれぞれ、少なくとも時刻を含むログ情報を記憶する。光トランシーバ１とホスト基板２の各々のログ情報を参照することによって、光トランシーバ１の異常が発生したときに起きた事象の整合性を保つことができる。したがって、光トランシーバ１の異常の原因を、より正確に把握することができる。
【００９４】
［実施の形態２］
実施の形態１では、光トランシーバ内部の不揮発性メモリへのログ情報の書込回数が１回に制限される。実施の形態２では、ログ情報の書込可能回数は複数回である。なお、ログ情報の書込可能回数は、不揮発性メモリの書き込みの限界の回数よりは少ない。すなわち、実施の形態２でも実施の形態１と同様に、不揮発性メモリへのログ情報の書込回数が制限される。
【００９５】
実施の形態２に係る光トランシーバの構成は、図２および図３に示された構成と同じである。したがって実施の形態２に係る光トランシーバの構成についての詳細な説明は繰り返さない。
【００９６】
図９は、実施の形態２に係る光トランシーバのメインルーチンの処理を示したフローチャートである。図７および図９を比較すると、実施の形態２に係る光トランシーバのメインルーチンの処理は、ステップＳ１８，Ｓ１９の処理が追加される点で実施の形態１に係る光トランシーバのメインルーチンの処理と異なる。ステップＳ１８，Ｓ１９の処理は、ステップＳ１６およびステップＳ１７の間に実行される。以下ではステップＳ１８，Ｓ１９の処理について詳細に説明し、他のステップの処理についての詳細な説明は繰り返さない。
【００９７】
この実施の形態では、制御部２１は、ログ情報の不揮発性メモリ２２への書込回数を保持する。書込回数の初期値は０である。ステップＳ１６において制御部２１はログ情報を不揮発性メモリ２２（ＲＯＭ）に書き込む。ステップＳ１８において、制御部２１は、書込回数を１増やす。
【００９８】
ステップＳ１９において、制御部２１は、書込回数が所定の回数に達したかどうかを判断する。この実施の形態では「所定の回数」は複数回であるが、特に限定されるものではない（たとえば５回）。なお、所定の回数を１に設定した場合、図９に示された処理は、実質的に実施の形態１の処理と同じになる。
【００９９】
書込回数が所定の回数に達していない場合（ステップＳ１９においてＮＯ）、処理はステップＳ１１に戻る。書込回数が所定の回数に達した場合（ステップＳ１９においてＹＥＳ）、処理はステップＳ１７に進む。
【０１００】
ステップＳ１８，Ｓ１９の処理が追加されることによって、不揮発性メモリ２２にログ情報を複数回書き込むことができる。なお、図４に示されたログ情報記憶エリア４１では、新しいログ情報が書き込まれることによって、現在記憶されているログ情報に新しいログ情報が追加される。
【０１０１】
制御部２１は、ログ情報４２を不揮発性メモリ２２に書き込むことができる残り回数を保持してもよい。残り回数の初期値は上述の「所定の回数」（たとえば５回）に等しい。この場合、ステップＳ１８において、制御部２１は、残り回数を１つ減少させる。ステップＳ１９において制御部２１は、残り回数が０に等しいかどうかを判断する。残り回数が０より大きい場合には処理はステップＳ１１に戻る。残り回数が０に等しい場合には処理はステップＳ１７に進む。
【０１０２】
なお、この実施の形態では、光トランシーバを起動したときの処理は、基本的には図６に示された処理と同じである。ただし、ステップＳ６において、制御部２１はＲＯＭプロテクトコードを「００ｈ」に変更する処理に加えて、制御部２１が記憶する書込回数（あるいは残り回数）を初期値に戻す処理を実行する。
【０１０３】
また、この実施の形態では、１回の書き込み処理で、ステップＳ１６，Ｓ１８の処理、あるいは、ステップＳ１６，Ｓ１８，１７の処理が実行される。
【０１０４】
実施の形態２によれば、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。特に実施の形態２によれば、最初に発生した異常を含む、複数回発生した異常に関するログ情報を光トランシーバに不揮発的に保存することができる。これにより、たとえば故障した光トランシーバがメーカーの技術者に返還された場合に、メーカーの技術者は、光トランシーバが故障状態へと突入するときの状況に関する、より詳しい情報を得ることができる。たとえば技術者は、そのログ情報から、光トランシーバ１が最終的に故障へと至るまでの光トランシーバ１の状態の時間的な変化を知ることができる。
【０１０５】
［実施の形態３］
実施の形態１および実施の形態２では、光トランシーバの温度が基準値を超えたことが、光トランシーバの異常として検出される。実施の形態３では、複数の種類の異常が検知される。あるいは、光トランシーバの温度の異常に代わる別の異常が検知される。
【０１０６】
実施の形態３に係る光トランシーバの構成は、図２および図３に示された構成と同じである。したがって実施の形態３に係る光トランシーバの構成についての詳細な説明は繰り返さない。
【０１０７】
図１０は、実施の形態３に係る光トランシーバで検知可能な光トランシーバの異常を示した図である。図３および図１０を参照して、光トランシーバ１のコントローラ２０は、光トランシーバ１の温度、レーザダイオード１２の出力光強度、フォトダイオード１３の受信光強度、および光トランシーバ１に供給される電源電圧を監視する。光トランシーバ１の温度を制御部２１により監視する方法は、実施の形態１，２に係る方法と同じである。
【０１０８】
レーザダイオード１２の出力光強度およびフォトダイオード１３の受信光強度の監視は、たとえば以下のように実行される。送信回路１４は、レーザダイオード１２の出力光強度を示すモニタ電圧をコントローラ２０に出力する。受信回路１７は、フォトダイオード１３の受信光強度を示すモニタ電圧をコントローラ２０に出力する。コントローラ２０は、送信回路１４から出力されたモニタ電圧および受信回路１７から出力されたモニタ電圧を、Ａ／Ｄコンバータ２５によってＡＤ変換する。Ａ／Ｄコンバータ２５から出力されたデジタル信号は、出力光強度を示すモニタ値、あるいは受信光強度を示すモニタ値である。制御部２１は、これらのモニタ値を受信する。これにより、制御部２１は、レーザダイオード１２の出力光強度およびフォトダイオード１３の受信光強度を監視する。
【０１０９】
電源電圧の監視は、以下のように実行される。電圧センサ３１（図３を参照）は、電源電圧の大きさを示す信号（モニタ値）を制御部２１に出力する。これにより制御部２１は、電源電圧を監視する。
【０１１０】
制御部２１は、温度、出力光強度、受信光強度、および電源電圧の各々のモニタ値を、そのモニタ値に対応する基準値と比較することによって、異常を検出する。基準値としては、予め定められた上限値、予め定められた下限値あるいは、その両方が用いられる。
【０１１１】
温度の異常について、制御部２１は、光トランシーバの温度が基準値（予め定められた上限値）よりも高いことを検出する。温度が高い場合、光トランシーバの構成部品（たとえばレーザダイオード）が損傷する可能性がある。あるいは、制御部２１は、光トランシーバの温度が別の基準値（予め定められた下限値）よりも低いことを異常として検出する。たとえば下限値は０に設定される。すなわち、制御部２１は、光トランシーバの温度が上限値を超えた場合だけでなく、０度より低下した場合（氷点下の場合）にも、光トランシーバの温度に関する異常を検出する。
【０１１２】
通常では、出力光強度が一定になるように、たとえばペルチェ素子などによってレーザダイオードの温度が管理されている。しかし、レーザダイオードの温度と、その周囲の温度との間の差が大きくなりすぎると、レーザダイオードの温度を一定に管理することが困難になる。このためレーザダイオードの出力光強度を一定に保つことが難しくなる。したがって、光トランシーバの温度が下限値を下回る場合にも制御部２１は、光トランシーバ１の異常を検出する。
【０１１３】
出力光強度の異常について、制御部２１は、出力光強度が予め定められた上限値よりも高いことを検出する。出力光強度が高すぎることは、たとえば安全性（たとえば人間の目に対する安全性）の観点から好ましくない。あるいは、制御部２１は、出力光強度が予め定められた下限値よりも低いことを異常として検出する。出力光強度が下限値よりも低い場合には、レーザダイオード１２が寿命に達した可能性がある。たとえば、予め想定された寿命よりも実際の寿命が短い場合には、レーザダイオード１２あるいはレーザダイオード１２を駆動するドライバ１５（図２参照）の異常が考えられる。
【０１１４】
受信光強度の異常について、制御部２１は、受信光強度が予め定められた上限値よりも高いことを検出する。通常、光通信には高感度を有するフォトダイオードが用いられる。光通信用のフォトダイオードに入力される光信号の強度が大きすぎると、フォトダイオードが損傷する可能性がある。したがって、光通信用のフォトダイオードに入力される光信号の強度が上限値を上回る場合に、制御部２１は、光トランシーバ１の異常を検出する。
【０１１５】
電源電圧の異常について、制御部２１は、電源電圧が予め定められた上限値よりも高いことを検出する。電源電圧が上限値よりも高い場合、たとえば光トランシーバの構成要素（たとえばコントローラ２０）が損傷する可能性がある。あるいは、制御部２１は、電源電圧が予め定められた下限値よりも低いことを異常として検出する。電源電圧が下限値よりも低い場合には、たとえばレーザダイオード１２の出力光強度が低下する可能性がある。あるいはコントローラ２０の動作が不安定になることが起こりえる。したがって、電源電圧が下限値を下回る場合に、制御部２１は、光トランシーバ１の異常を検出する。
【０１１６】
図１１は、実施の形態３に係る光トランシーバのメインルーチンの処理を示したフローチャートである。図７および図１２を比較すると、実施の形態３に係る光トランシーバのメインルーチンの処理は、ステップＳ１１，Ｓ１２の処理に代えてステップＳ１１Ａ，Ｓ１２Ａの処理が実行される点で実施の形態２に係る光トランシーバのメインルーチンの処理と異なる。以下ではステップＳ１１Ａ，Ｓ１２Ａの処理について詳細に説明し、他のステップの処理についての説明は繰り返さない。
【０１１７】
ステップＳ１１Ａにおいて、制御部２１は、温度、出力光強度、受信光強度、および電源電圧の各々のモニタ値を監視する。具体的には、制御部２１は、そのモニタ値を、対応する基準値（上限値、または下限値あるいはその両方）と比較する。ステップＳ１２Ａにおいて、制御部２１は、異常が発生したかどうかを判断する。たとえば温度、出力光強度、受信光強度、および電源電圧のモニタ値の少なくとも１つが、上限値を上回る、あるいは下限値を下回る場合に、異常が発生したと判断される。この場合（ステップＳ１２ＡにおいてＹＥＳ）、処理はステップＳ１３に進む。一方、各モニタ値が上限値以下である場合、あるいは下限値以上である場合、あるいは、上限値以下であり下限値以上である場合、異常が発生していないと判断される。この場合（ステップＳ１２ＡにおいてＮＯ）、処理はステップＳ１１Ａに戻される。
【０１１８】
図１１に示された処理によれば、温度、出力光強度、受信光強度、および電源電圧の少なくとも１つに異常が発生した場合に、ログ情報の記録条件が発生する（ステップＳ１３）。その異常に関するログ情報が不揮発性メモリ２２に書き込まれる（ステップＳ１６）。以後、ログ情報の不揮発性メモリ２２への書き込みが禁止される（ステップＳ１７）。不揮発性メモリ２２に記憶されたログ情報は１つの異常あるいは複数の異常に関する情報を含み得る。したがって、たとえば故障した光トランシーバがメーカーの技術者に返却された場合に、メーカーの技術者は、光トランシーバ１が故障状態へと突入するときの状況に関する、より詳しい情報を得ることができる。
【０１１９】
図１２は、実施の形態３に係る光トランシーバのメインルーチンの処理の別の例を示したフローチャートである。図１２に示された処理は、基本的には、図９に示された処理と同じである。ステップＳ１１，Ｓ１２の処理に代えてステップＳ１１Ａ，Ｓ１２Ａの処理が実行される。図１２に示されたフローチャートによれば、不揮発性メモリ２２に複数回のログ情報の書き込みが可能である。メーカーの技術者は、光トランシーバ１が故障状態へと突入するときの状況に関する、より詳しい情報を得ることができる。
【０１２０】
さらに、ステップＳ１１Ａ，Ｓ１２Ａにおいて、制御部２１が検出する異常を１種類の異常に固定してもよい。実施の形態１および実施の形態２では、光トランシーバの温度が基準値を超えたことが、光トランシーバの異常として検出される。したがって、この実施の形態では、図１０に示された複数種類の異常のうち、温度が高いという異常以外の１種類の異常をステップＳ１１Ａ，Ｓ１２Ａにおいて検出してもよい。
【０１２１】
さらに、光トランシーバの異常は、図１０に示された異常の種類に限定されるものではない。図１０に示された複数の種類の異常のいずれかに代えて、あるいは図１０に示された複数の種類の異常に加えて、別の種類の異常を検出してもよい。
【０１２２】
本明細書では、本発明に係る光通信モジュールの１つの具体的な形態として光トランシーバを示した。しかしながら、本発明に係る光通信モジュールは、光トランシーバのように送信機能および受信機能の両方を備えるものと限定されるものではない。本発明に係る光通信モジュールは、送信機能および受信機能のうちのいずれか一方のみを有するものでもよい。したがって、本発明に係る光通信モジュールは、光レシーバあるいは光トランスミッタであってもよい。
【０１２３】
今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内で全ての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１２４】
１  光トランシーバ、１ａ  前面（光トランシーバ）、２  ホスト基板、３  ホストＣＰＵ、４，２２  不揮発性メモリ、５  筐体、１１  光デバイス、１２  レーザダイオード、１３  フォトダイオード、１４  送信回路、１５  ドライバ、１６，２６  Ｄ／Ａコンバータ、１７  受信回路、１８  アンプ、１９，２５  Ａ／Ｄコンバータ、２０  コントローラ、２１  制御部、２３  揮発性メモリ、２４  バス、２７，２９  データバスインタフェース、２８  ロジックポート、３０  温度センサ、３１  電圧センサ、４０  メモリマップ、４１  ログ情報記憶エリア、４２  ログ情報、４２ａ  秒カウント値、４２ｂ  ステータス、４２ｃ  アラーム情報、４２ｄ  温度モニタ情報、４３  ＲＯＭプロテクトコード、１０１  光通信装置。
【図１】
2013131893.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2013131893.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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