【手続補正書】
【提出日】平成28年10月26日(2016.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ領域と、
光信号が裏側層を通って横切ることができるほど十分に薄い厚さを有する前記裏側層と
を含む第1のダイと、
前記第1のダイの前記裏側層と、前記第1のダイの前記アクティブ領域の少なくとも一部とを通る前記光信号を受信するように構成される光レシーバと
を備える、半導体デバイス。
【請求項２】
前記光信号が、第2のダイに結合された対応する光エミッタから発生する、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記光レシーバが、複数の光信号を受信するように構成される複数の光センサを含み、前記光レシーバが、前記複数の光信号の中から特定の光信号を特定の光センサと関連付けるようにさらに構成され、かつ/または、特定の光センサが、その光センサで受信した光信号を、特定の光エミッタから発生したと識別するように構成される、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
光エミッタを含む第2のダイをさらに備え、前記第2のダイが、前記第1のダイの前記裏側層に結合される、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
光エミッタを含む第2のダイと、
前記第1のダイと前記第2のダイとの間に位置する第3のダイであって、前記光レシーバが、前記第3のダイを通る特定の光信号を受信するように構成される、第3のダイと、
をさらに備える、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記光レシーバへ少なくとも1つの光信号を反射するように、かつ/または、少なくとも1つの光信号を分散させるように構成される反射部品をさらに備える、請求項1に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
アクティブ領域と、
光信号が裏側層を通って横切ることができるほど十分に薄い厚さを有する前記裏側層と
を含む第1のダイと、
前記第1のダイの前記裏側層と、前記第1のダイの前記アクティブ領域の少なくとも一部とを通る前記光信号を送信するように構成される光エミッタと
を備える、半導体デバイス。
【請求項８】
前記光信号が、第2のダイに結合された対応する光レシーバに宛てられる、請求項7に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記裏側層がダイ基板であり、かつ/または、前記光信号が前記裏側層の基板部分を横切る、請求項1または7に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記光レシーバ/光エミッタが、前記第1のダイの前記アクティブ領域の一部であり、前記光レシーバ/光エミッタが、前記第1のダイとは別個であり、かつ/または、前記アクティブ領域が、アクティブデバイス、パッシブデバイス、および/もしくは導電体層のうちの少なくとも1つを含む、請求項1または7に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記光エミッタが、複数の光トランスミッタを含む、請求項7に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
光レシーバを含む第2のダイをさらに備え、前記第2のダイが、前記第1のダイの前記裏側層に結合される、請求項7に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
光レシーバを含む第2のダイと、
前記第1のダイと前記第2のダイとの間に位置する第3のダイであって、前記光エミッタが、前記第3のダイを通る特定の光信号を送信するように構成される、第3のダイと、
をさらに備える、請求項7に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記光エミッタからの少なくとも1つの光信号を反射するように、かつ/または、少なくとも1つの光信号を分散させるように構成される反射部品をさらに備える、請求項7に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
半導体デバイスを製造するための方法であって、
(i)第1のアクティブ領域と、(ii)光信号が第1の裏側層を通って横切ることができるほど十分に薄い厚さを有する前記第1の裏側層とを含む第1のダイを設けるステップと、
第2のダイを前記第1のダイに結合するステップであって、前記第2のダイは、(i)第2のアクティブ領域と、(ii)光信号が第2の裏側層を通って横切ることができるほど十分に薄い厚さを有する第2の裏側層とを含み、前記第2のダイを前記第1のダイに結合するステップは、前記第1のダイの前記第1の裏側層が前記第2のダイの前記第2の裏側層に面するように前記第2のダイを前記第1のダイに結合するステップを含む、第2のダイを結合するステップと、
光レシーバを前記第1のダイに結合するステップであって、前記光レシーバが、前記第1のダイの前記第1の裏側層と、前記第1のダイの前記第1のアクティブ領域の少なくとも一部と、前記第2のダイの前記第2の裏側層とを通る少なくとも1つの光信号を受信するように構成される、光レシーバを結合するステップと
を含む、方法。
【請求項１６】
光エミッタを前記第2のダイに結合するステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。
【請求項１７】
前記光レシーバへ少なくとも1つの光信号を反射するように、かつ/または少なくとも1つの光信号を分散させるように構成される反射部品を設けるステップをさらに含む、請求項15に記載の方法。
【請求項１８】
半導体デバイスを製造するための方法であって、
(i)アクティブ領域と、(ii)光信号が第1の裏側層を通って横切ることができるほど十分に薄い厚さを有する前記第1の裏側層とを含む第1のダイを設けるステップと、
第2のダイを前記第1のダイに結合するステップであって、前記第2のダイは、(i)第2のアクティブ領域と、(ii)光信号が第2の裏側層を通って横切ることができるほど十分に薄い厚さを有する第2の裏側層とを含む、第2のダイを結合するステップと、
光エミッタを前記第1のダイに結合するステップであって、前記光エミッタが、前記第1のダイの前記第1の裏側層と、前記第1のダイの前記第1のアクティブ領域の少なくとも一部とを通る複数の光信号を送信するように構成される複数のトランスミッタを含む、光エミッタを結合するステップと
を含む、方法。
【請求項１９】
光レシーバを前記第2のダイに結合するステップであって、前記光レシーバが、前記複数のトランスミッタのうちの少なくとも1つのトランスミッタからの少なくとも1つの光信号を受信するように構成される、光レシーバを結合するステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
【請求項２０】
前記光エミッタからの少なくとも1つの光信号を反射するように、かつ/または少なくとも1つの光信号を分散させるように構成される反射部品を設けるステップをさらに含む、請求項18に記載の方法。
【請求項２１】
第1のダイと第2のダイとの間の少なくとも1つの光インターコネクトをキャリブレーションするための方法であって、
前記第1のダイ上のエミッタから光信号を送信するステップと、
複数のレシーバの中からどのレシーバが前記エミッタからの前記送信された光信号を受信するかに基づいて、前記第2のダイ上の複数のレシーバの中からレシーバを前記第1のダイ上の前記エミッタに関連付けるステップと
を含む、方法。
【請求項２２】
前記第1のダイが、複数のエミッタを含む、請求項21に記載の方法。
【請求項２３】
前記複数のエミッタの中から2つ以上のエミッタに対して前記送信するステップおよび前記関連付けるステップを繰り返し実行するステップをさらに含むか、または、前記レシーバを前記エミッタに前記関連付けるステップが、前記第1のダイが前記第2のダイに結合された後に実行される、請求項22に記載の方法。
【請求項２４】
プロセッサによって実行されたときに、前記プロセッサに、請求項21〜23のいずれか一項に記載の方法を実行させる、第1のダイと第2のダイとの間の少なくとも1つの光インターコネクトをキャリブレーションするための命令を含む機械可読記憶媒体。