【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年9月20日(2016.9.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明の一態様では、複雑で可変性の三次元形状をもつ微細光学表面模様の製造方法は、
対象基板の表面をパターニングすることができる、ステップエンボス加工装置、ステップインプリント装置、チップボンディング装置、または対応装置を得る工程と、
微細光学構造をパターニングする対象基板を得る工程と、
装置で動作可能な複数の異なるスタンピングツール、各スタンピングツールが１つ以上の微細光学構造を画定する１つ以上の表面レリーフ形状を含む、を得る工程と、
装置によって前記複数のスタンピングツールからスタンピングツールを選択する工程と、
前記装置により制御され、エンボス加工中またはエンボス加工後に対象基板を形成および／または硬化するようにＵＶ（紫外線）光源によって必要に応じて加熱または支援される選択されたスタンピングツールにより対象基板をエンボス加工する工程と、
微細光学表面模様が基板上に完成されるまで前記選択工程および前記エンボス加工工程を繰り返す工程と、
を含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明の別の態様では、それぞれ情報を処理し格納するためのプロセッサおよびメモリと、スタンピングツールまたは対象基板を受けるための可動部材と、前記装置で動作可能であり、かつ、対象基板を関連微細光学表面レリーフ形状によりエンボス加工可能な多くのスタンピングツールとを含む、複雑で可変性の三次元形状をもつ微細光学表面模様を製造する機構は、
１つ以上のエンボス加工パラメータまたは対象基板に対する光学設計目標を画定する情報を得て、
情報に従って前記多くのスタンピングツールからスタンピングツールを選択し、
前記スタンピングツールにより対象基板の複数の所定領域をエンボス加工するように前記基板に対して前記スタンピングツールを動かし、
光学設計目標が完了するまで、前記多くのスタンピングツールから別のスタンピングツールを選択し、前記選択された別のスタンピングツールにより対象基板の１つ以上の所定領域をエンボス加工するように、情報に従って前記選択された別のスタンピングツールを動かす手順を繰り返すように構成されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
別の態様では、パターニング装置で動作可能な複数の異なるスタンピングツール、各スタンピングツールは１つ以上の微細光学構造を画定する１つ以上の表面レリーフ形状を含む、により対象基板の表面をパターニングすることができるステップエンボス加工装置、ステップインプリント装置、チップボンディング装置、または対応装置によって複雑で可変性の三次元表面模様による微細光学表面の製造を制御するためのコンピュータプログラムを提供し、コンピュータプログラム製品は、コンピュータ上で実行する際に、
１つ以上のエンボス加工パラメータまたは対象基板に対する光学設計目標を画定する情報を得る動作と、
情報に従って前記複数のスタンピングツールからスタンピングツールを選択する動作と、
前記スタンピングツールにより対象基板の複数の所定領域をエンボス加工するように対象基板に対する前記スタンピングツールの動きを制御する動作と、
光学設計目標が完了するまで、前記多くのスタンピングツールから別のスタンピングツールを選択し、前記選択された別のスタンピングツールにより対象基板の１つ以上の所定領域をエンボス加工するように、情報に従って前記選択された別のスタンピングツールの動きを制御する手順を繰り返す動作と、
を行うようになっているコード手段を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
本発明の有用性は、実施形態に依る複数の問題から生じる。まず、本発明の高機能ステップエンボス加工（ＡＳＥ）パターニング法は、大きなパターニング領域においても用途が広くかつ可変性の多次元表面レリーフパターンによる光変調をもたらすことができる。パターンの密度も容易に調整することができる。第２に、設計された構成は、管理し易く、修正し易い。さらに、即時調整を行い、実時間計測で完了することができるため、設計反復が無くなる；例えば、目標となる光ガイドの模様の一様性を固定し、後に、段階的に所望の層表面上にさらに微細光学パターンを加えることで達成することができる。ポリマー層／プラスチックシートなどのパターニングされた対象基板は、完全に機能的な微細光学サンプルまたは実際の最終製品を提供する。さらに、このサンプルは、電気めっきによりツール作製用に利用することができる。さらなるマスタリング処理を必要としない。同一の基本スタンピングツールは、多くの光学模様およびパターンに適用することができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本解決策の実施形態は、極めて小さな光学要素（例：ＤＯレンズ）の製造を可能にでき、製造における光集積（例：集積ＬＥＤ光学）を支援する。プロセス工程数も低減し、プロセス全体の時間を削減し、コストを削減することができる。エンボス加工機能は、多くの既存のステップエンボス加工装置、インプリント装置、または例えばチップボンディング装置に部品の修正、追加、および／またはソフトウェア変更をほとんど施すことなく調整することができる。ＡＳＥパターニング法は、例えば、回折光学素子の作製に新しい機会を提供する。特殊なＤＯパターンを必要とするＬＥＤ照明の数多くの用途に適している。さらに２つの基本的な解決策は、例えば、微細光学、例：屈折および／またはＤＯ、の光ガイド要素や、対応する伝送要素である。これらの解決策は、例えば、移動端末、テレビ、携帯情報端末、リストコンピュータなどの消費者製品のみならず、自動車産業、広告、交通、または街路照明に適用される。別の実施形態では、本発明の方法または機構は、微細光学構造に加えてまたはその代わりに、光電子表面模様の製造に用いることができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
【図１】図１は、本発明の機構により得られる湾曲型バイナリ回折格子とリニア型ブレーズド回折格子を示す。
【図２】本発明の方法を実行可能な装置の一例を示す。
【図３ａ】本発明の一実施形態によるＡＳＥパターニング法の位相を開示する。
【図３ｂ】本発明によるＡＳＥ法の一実施形態の流れ図である。
【図３ｃ】本発明の一実施形態による装置のブロック図である。
【図４ａ】微細光学構造の複製を行うことができる様々な方法を示す。
【図４ｂ】ステップエンボス加工における圧力および深さ制御の１つの選択肢を示す。
【図５ａ】一実施形態によるスタンピングツールの製造におけるレーザアブレーションの利用を示す。
【図５ｂ】異なる単一構造のスタンピングツールを示す。
【図５ｃ】複数構造のスタンピングツールを示す。
【図５ｄ】異なる深さおよび／または加熱制御の解決策を示す。
【図６】入れ子複合構造を作成することができる本発明によるオーバーエンボス加工の一実施形態を開示する。
【図７】本発明によりパターニングされた光ガイドの一実施形態を開示する。
【図８ａ】本発明の二つの実施形態による微細光学レンズの複製を示す。
【図８ｂ】一実施形態によるレンズ作成用のスタンピングツールを示す。
【図９】光コリメーション特性に対する、先行技術レンズと本発明の実施形態の利用を介して得られたレンズとの間の違いを示す。
【図１０】基板上に光学構造の段階的リアル入力製造用のカメラを備えたステップエンボス加工システムの一実施形態を開示する。
【図１１】図１０の段階的リアル入力構成中に変えられる光学模様を示す。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
光学目標模様に対してエンボス加工を開始させるデータ、すなわち、必要なスタンピングツールの少なくとも予備定義を一般に含むデータが得られると、ソース模様に関連して主パターニングを作動させることができる。各模様は、通常、いくつかのスタンピングツールを使う必要があり、これらはいずれも、基板上に模様パターンを生成するため対応するエンボス加工座標（ビットマップ）を有する。ステップエンボス加工は、第１のスタンピングツールにより微細光学パターニング位相を開始し、それにリンクさせたプログラムされた全座標を横切ることができ、これにより、エンボス加工ツールによる不必要な回転（ｔｗｉｄｄｌｉｎｇ）を回避できる。別の実施形態では、プロセス中にツールを別のものに変え、後に前のものに戻すことができる。これは、例えば、複合パターンの製造に関連して行うことができる。第１のスタンピングツールによるエンボス加工が終了した後、第２のスタンピングツール等で作業を繰り返す。所望のパターンを作製するため、任意の組み合わせのツールを任意の順序で利用することができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
３０２で、対象基板の表面をパターニングすることができるステップエンボス加工装置、ステップインプリント装置、チップボンディング装置、または対応装置などのパターニング装置を得て構成する。例えば、装置の制御ロジックは、対象基板の表面を微細光学パターニングできるように調整することができる。座標情報、または、温度、速度、スタンピングツール、圧力、または別の制御データなどの他のエンボス加工パラメータを得ることができる。光学模様固有の調整情報または一般的な（例えば、デフォルトのパラメータ値）調整情報を、例えば、ユーザまたはデータインターフェースを介して装置に入力することができる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
３０６で、前記装置で動作可能な複数の異なるスタンピングツールを得る。各スタンピングツールは、微細光学構造を画定する１つ以上の表面レリーフ形状を含む。すなわち、各スタンピングツールは単一構造スタンプまたは複数構造スタンプのいずれかである。所望の表面レリーフ形状をもつ新たなスタンピングツールを特定の光学模様用に製造しなくてはならないこともある。以下に示すレーザアブレーション技術を製造に利用してもよいし、あるいは、従来のリソグラフィ、微細加工、またはその組み合わせを用いてスタンピングツールを設けてもよい。スタンピングツールまたはツールの少なくともスタンピング表面は、ニッケルまたは銅などの金属材料を含んでもよい。ＵＶエンボス加工では、シリコーンスタンピングツールを用いてもよい。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
参照符号３０８は、本方法の実行時に行ってもよい任意のアクティビティに関する。例えば、本発明の一実施形態では、段階的なプロセシング中に、例えば、カメラによって現在の模様を解析し、スタンピングツール選択および／またはエンボス加工位置などのエンボス加工手順に応じて調整するパターニング装置に、所望の光学目標模様の１つ以上のパラメータが提供される。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
図３ｃは、本発明の一実施形態によるエンボス加工装置の内部の機能ブロック図である。装置は、マイクロプロセッサ、ＤＳＰ（デジタルシグナルプロセッサ）、マイクロコントローラ、プログラマブルロジック、または複数の上記エンティティなどのプロセシングユニット３３２を備える。プロセシングユニット（単数または複数）３３２は、１つ以上の揮発性および／または不揮発性メモリチップ、メモリカード、ハードディスクドライブなどを含むメモリ３３６に保存することができる指示に従って、装置により行われる動作を制御する。指示、例えば、エンボス加工装置制御プログラム、または所望の光学模様作製用の複数の指示パラメータデータを含むパターニングプログラムを、無線または有線のネットワークアダプタなどのデータインターフェース３３４を通じて、あるいは、メモリカード、光学ディスク、フロッピー（登録商標）ディスクなどの物理的キャリア上に提供してもよい。ＵＩ（ユーザインターフェース）３３０は、ローカルおよび／またはリモート制御できるように、あるいは、装置の機能性を監視できるように配置してもよい。ＵＩ３３０は、例えば、ボタン（単数または複数）、マウス、キーパッド、キーボード、ディスプレイ、プロジェクタ、タッチスクリーン、音声認識インターフェース、触覚インターフェースなどを含んでいてもよい。リモート機能の場合、かかるものをデータインターフェース３３４上に提供することができる。制御手段３３８は、装置に応じて、例えば、マニピュレータアームおよびスタンピングヘッド、工作台、加熱器、明かり（単数または複数）、ディスペンサ、カメラ、および、圧力、距離、および温度センサーなどの種々の他のセンサーを含む場合がある。装置は、図中の点状の矢印で表されるように、例えば、データインターフェース３３４を介して外部要素を制御することができる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
図７は、本発明の教示に従ってエンボス加工した光ガイドの一実施形態を示す。光ガイド、すなわち、所望の光出射面を通じた光ガイドからの効率的な出力光カップリングは、表面全体が可変、かつ、複雑な微細光学模様を包含するように、多くの微細光学表面レリーフ構造を用いて指示する。視覚化したパターンは、可能な表面レリーフ形状の例である。ＬＥＤなどの光源を光ガイドの側面に設けてもよい。本発明による特定の１つの模様を用いることにより得られた光放射パターンおよび指向曲線から、提案されたエンボス加工の解決策により、高指向性、すなわち、所望の方向、例えば、出口表面の表面法線であってもよい、に対して出力光を効率的にコリメートすること、をもつ光学模様を作製することができることが分かる。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
捕捉された放射パターンおよび／または他の測定または導出された情報を用いて、ツールライブラリ１０１０を形成する。ここで、情報は照合されるか、あるいは要素１００６ベースで構成される。得られた情報は、例えば、各スタンピングツールに関して提供することができる。ツールライブラリは、エンボス加工装置で動作しているコンピュータアプリケーションとして実装してもよい。ツールライブラリ１０１０は、特定の表面レリーフ構造または模様を、特定の一群のパラメータ値および／または特定の放射パターンとリンクさせてもよい。さらに、あるいはまた、例えば、所定の学習アルゴリズム（例：バックプロパゲーション）を用いてニューラルネットワークまたはある他のインテリジェントマッピングツールを設定し、入力として提供されたある種の放射パターンに対する特定のスタンピングツール（例：そのｉｄ）および／または他のパラメータ値を出力するようにすることができる。ライブラリ１０１０は、ライブラリまたは少なくともライブラリからの情報をプロセス制御目的用に例えば通信接続を介して転送するか、あるいは、遠隔からアクセスできる別のコンピュータによってホスティングされていてもよい。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
かかるプロセス制御の一実施形態を図１１に示す。ここでは、未完成、例えば、０〜８０％完成した光学模様１１０２を光源により照射し、２次元（通常、より速く、多くの用途では、十分な測定）または３次元の放射パターンを１１０４で捕捉する。当該模様に関する目標１１００、例えば、所望の所定放射パターンおよび／または他の照明関連パラメータを、カメラ装置をさらに備えたエンボス加工装置などの実行システムに提供することもできる。リアル入力解析１１０８では、結像１１０４経由で（および／または他のパラメータとともに）捕捉した放射パターン１１０６と目標を比較し、所望の設計目標が達成されたかどうか、達成されていなければ、さらなるプロセシングにより最終成果物をさらに高めることができるかどうかを評価することができる。１１１０で、放射パターンおよび／またはツールライブラリに保存されたパラメータ（値）は、１つ以上のスタンピング構造および／または他のプロセスパラメータ１１１２、例えば、関連エンボス加工座標を見つけるため、ニューラルネットワークまたはある好適なパターン認識技術を介して知的に横断させるのが好ましい。これは、それと所望の設計目標との差を有利に縮めるように、現在の未完成の模様の現在の放射パターンにプラス効果をもたらす。かかるスタンピングツールを選択し、新たなエンボス加工ラウンド１１１４を開始させ、その間に所定の光学模様部分をエンボス加工する。得られた模様１１１６を１１１８で再結像し、得られた放射パターン１１２０を設計目標と比較する。所望の光学精度レベルが達成され、模様ができあがるまで、かかる手順を継続することができる。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複雑な三次元形状をもつ微細光学表面模様を製造するための方法であって、
ステップエンボス加工装置、ステップインプリント装置、チップボンディング装置、または対象基板の選択領域をスタンピングツールによりエンボス加工するように、前記対象基板の表面をパターニングすることができ、かつ前記対象基板に対して前記スタンピングツールを実際のエンボス加工方向である垂直方向およびエンボス加工位置間方向である水平方向の両方に動かすことができる類似装置を得る工程（３０２）と、
既存の溝にオーバーエンボス加工をするための微細光学構造をパターニングする前記対象基板を得る工程（３０４）と、
前記装置で動作可能な複数の異なるスタンピングツールを得る工程（３０６）であって、各スタンピングツールが１つ以上の微細光学構造を画定する１つ以上の表面レリーフ形状を含む、工程（３０６）と、
前記対象基板の現在の光学的特性と所望の光学模様の目標とを比較し、前記所望の光学模様の目標が達成されたかどうかを解析し、もし前記所望の光学模様の目標が達成されていなければ、前記対象基板の現在の光学的特性を前記所望の光学模様の目標と整合させるためにスタンピングツール選択およびエンボス加工を行う前記基板上に１つ以上のエンボス加工位置を選択するためのパラメータを提供する工程（３０８）と、
前記装置によって、前記工程（３０８）によって提供されたパラメータを用いて前記複数のスタンピングツールからスタンピングツールを選択し、かつ／または、それと関連するエンボス加工パラメータを調整する工程（３１０）であって、前記エンボス加工パラメータが、温度、位置、および位置合わせのうち少なくとも１つを含む、工程（３１０）と、
前記装置により制御されるとおりに選択されたスタンピングツールにより前記対象基板をエンボス加工する工程（３１２）であって、前記選択されたスタンピングツールは、エンボス加工中またはエンボス加工後に前記対象基板の表面を形成するように加熱されるか、またはＵＶ（紫外線）光源とともに使用される、工程（３１２）と、
前記工程（３１２）の後に、前記対象基板の現在の光学的特性と前記所望の光学模様の目標とを比較し、前記所望の光学模様の目標が達成されたかどうかをリアルタイムで解析し、解析結果に基づいて前記微細光学表面模様が前記基板上に完成されるまで前記工程（３１０）および前記工程（３１２）を繰り返す工程（３１４）であって、得られた微細光学製品の帰着する微細光学表面模様が、前記既存の溝を設けられた基板上に形成されたより大きな微細光学表面レリーフ構造を画定しており、前記より大きな微細光学表面レリーフ構造が、複数の第１のより小さな微細光学表面レリーフ形状と、前記第１のより小さな微細光学表面レリーフ形状とは異なる第２のより小さな微細光学表面レリーフ形状と、を有し、前記第１のより小さな微細光学表面レリーフ形状および前記第２のより小さな微細光学表面レリーフ形状が、前記工程（３１０）および前記工程（３１２）の繰り返しによって得られる、工程（３１４）と、
前記基板上に配置された部材によって、または前記スタンピングツールと関連して、あるいは前記装置の別の要素と関連して、前記選択されたスタンピングツールの１つ以上の微細光学構造が、所定の深さを超えて前記基板を貫通するのを止める工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記得る工程（３０６）が、微細加工、リソグラフィ、およびレーザアブレーションからなる群から選択される少なくとも１つの技術によって、前記複数のスタンピングツールに属する少なくとも１つのスタンピングツールを製造する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記工程（３１０）が、
スタンピングヘッドおよび／またはマニピュレータアームによって所定の位置からスタンピングツールを取り出す工程と、
前記所望のスタンピングツールが選択されるように複数のスタンピングツールを含む要素を回転させる工程と、
からなる群から選択される少なくとも１つの動作を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記工程（３０８）が、コノスコープ、およびカメラからなる群から選択される少なくとも１つの要素の利用を含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
解析およびその後のスタンピングツール選択のために、前記対象基板に対する照射性能指標を得る工程（１１１８、１１２０）を含み、前記照射性能指標が、輝度、明度、一様性、および放射パターンのうち少なくとも１つを含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記対象基板に対する前記性能指標と、前記１つ以上のスタンピングツールの照射性能指標とに関する比較測定によりスタンピングツールを選択できるように、前記複数の異なるスタンピングツールの１つ以上のスタンピングツールに対する照射性能指標（１０１０）を得る工程を含み、前記照射性能指標が、輝度、明度、一様性、または放射パターンのうち少なくとも１つを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記対象基板が、所定の微細光学表面レリーフ形状を含み、前記エンボス加工が、前記所定の微細光学表面レリーフ形状のうち少なくとも２つに隣接するかまたはその上部に新たな微細光学表面レリーフ形状をエンボス加工することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板上に配置された部材によって、または前記スタンピングツールと関連して、あるいは前記装置の別の要素と関連して、前記装置から現在のエンボス加工領域に隣接する前記基板領域への熱伝導を減らす工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
圧力、熱、およびエンボス加工時間からなる群から選択される少なくとも１つの要素によってエンボス加工深さを制御する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記対象基板を用いて、発光ダイオードを含む光学装置用の１つ以上の微細光学レンズの少なくとも一部を形成する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
パターニング用の装置が、前記微細光学表面模様を得るように、対象基板の表面をパターニングするために複数のスタンピングツールを連続的に付与するように構成されたチップボンディング装置を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
複雑な三次元形状をもつ微細光学表面模様を製造するための機構であって、前記機構は、それぞれ情報を処理し格納するためのプロセッサ（３３２）およびメモリ（３３６）と、スタンピングツールまたは対象基板を受けるための可動部材（２０２、２０４、３３８）と、前記装置で動作可能であり、かつ、対象基板を関連微細光学表面レリーフ形状によりエンボス加工可能な多くの異なるスタンピングツールと、選択されたスタンピングツールの微細光学表面レリーフ形状が、所定の深さを超えて前記基板を貫通することを防止するための接触部材と、前記対象基板の選択領域をスタンピングツールによりエンボス加工するように、前記対象基板の表面をパターニングすることができ、かつ前記対象基板に対して前記スタンピングツールを実際のエンボス加工方向である垂直方向およびエンボス加工位置間方向である水平方向の両方に動かすことができる類似装置と、を含み、前記機構は、
既存の溝にオーバーエンボス加工をするための微細光学構造をパターニングする前記対象基板を得る第１の工程と、
１つ以上のエンボス加工パラメータまたは前記対象基板に対する所望の光学模様の目標を定義する情報を得る第２の工程と、
前記対象基板の現在の光学的特性と前記所望の光学模様の目標とを比較し、前記所望の光学模様の目標が達成されたかどうかを解析し、もし前記所望の光学模様の目標が達成されていなければ、前記対象基板の現在の光学的特性を前記所望の光学模様の目標と整合させるためにスタンピングツール選択およびエンボス加工を行う前記基板上に１つ以上のエンボス加工位置を選択するためのパラメータを提供する第３の工程と、
前記情報に従って、前記第３の工程によって提供されたパラメータを用いて前記多くの異なるスタンピングツールからスタンピングツールを選択し、かつ／または、それと関連するエンボス加工パラメータを調整する第４の工程であって、前記エンボス加工パラメータが、温度、位置、および位置合わせのうち少なくとも１つを含む、第４の工程と、
前記スタンピングツールにより前記対象基板の複数の所定領域をエンボス加工するように前記基板に対して前記スタンピングツールを動かす第５の工程と、
前記第５の工程の後に、前記対象基板の現在の光学的特性と前記所望の光学模様の目標とを比較し、前記所望の光学模様の目標が達成されたかどうかをリアルタイムで解析し、解析結果に基づいて前記所望の光学模様の目標が達成されるまで、前記多くの異なるスタンピングツールから別のスタンピングツールを選択し、選択された別のスタンピングツールにより前記対象基板の１つ以上の所定領域をエンボス加工するように、前記情報に従って前記選択された別のスタンピングツールを動かす手順を繰り返す第６の工程であって、それにより、得られた微細光学製品の帰着する微細光学表面模様が、前記既存の溝を設けられた基板上に形成されたより大きな微細光学表面レリーフ構造を画定しており、前記より大きな微細光学表面レリーフ構造が、複数の第１のより小さな微細光学表面レリーフ形状と、前記第１のより小さな微細光学表面レリーフ形状とは異なる第２のより小さな微細光学表面レリーフ形状と、を有し、前記第１のより小さな微細光学表面レリーフ形状および前記第２のより小さな微細光学表面レリーフ形状が、前記選択および前記エンボス加工の繰り返しによって得られる、第６の工程と、
前記基板上に配置された部材によって、または前記スタンピングツールと関連して、あるいは前記装置の別の要素と関連して、前記選択されたスタンピングツールの１つ以上の微細光学構造が、所定の深さを超えて前記基板を貫通するのを止める第７の工程と、
を実行するように構成されている、機構。
【請求項１３】
熱エンボス加工のために所定の温度にスタンピングツールを加熱するための加熱器をさらに含む請求項１２に記載の機構。
【請求項１４】
紫外光硬化性の対象基板を硬化するための紫外線光源をさらに含む請求項１２に記載の機構。
【請求項１５】
前記機構が、１つ以上のスタンピングツールおよび前記基板の照射性能指標を得るためのコノスコープまたはカメラをさらに含み、前記照射性能指標が放射パターンを含む請求項１２に記載の機構。
【請求項１６】
前記基板上にすでに存在する１つ以上の微細光学表面レリーフ形状に隣接するかまたはその上部に１つ以上の新たな微細光学表面レリーフ形状をエンボス加工するように構成されている請求項１２に記載の機構。
【請求項１７】
前記機構から現在のエンボス加工領域に隣接する基板領域への熱伝導を軽減するための断熱材を含む請求項１２に記載の機構。
【請求項１８】
圧力、熱、およびエンボス加工時間からなる群から選択される少なくとも１つの制御要素によってエンボス加工深さを制御するように構成されている請求項１２に記載の機構。
【請求項１９】
ステップエンボス加工装置、ステップインプリント装置、チップボンディング装置、または対象基板の選択領域をスタンピングツールによりエンボス加工するように、パターニング装置で動作可能な複数の異なるスタンピングツールで前記対象基板の表面をパターニングすることができ、かつ前記対象基板に対して前記スタンピングツールを実際のエンボス加工方向である垂直方向およびエンボス加工位置間方向である水平方向の両方に動かすことができる類似装置により、複雑な三次元表面模様による微細光学表面の製造を制御するためのコンピュータプログラムであって、各スタンピングツールは１つ以上の微細光学構造を画定する１つ以上の表面レリーフ形状を含み、前記コンピュータプログラムは、コンピュータ上で実行される際に、
既存の溝にオーバーエンボス加工をするための微細光学構造をパターニングする前記対象基板を得る第１の動作と、
１つ以上のエンボス加工パラメータまたは前記対象基板に対する所望の光学模様の目標を定義する情報を得る第２の動作と、
前記対象基板の現在の光学的特性と前記所望の光学模様の目標とを比較し、前記所望の光学模様の目標が達成されたかどうかを解析し、もし前記所望の光学模様の目標が達成されていなければ、前記対象基板の現在の光学的特性を前記所望の光学模様の目標と整合させるためにスタンピングツール選択およびエンボス加工を行う前記基板上に１つ以上のエンボス加工位置を選択するためのパラメータを提供する第３の動作と、
前記情報に従って、前記第３の動作によって提供されたパラメータを用いて多くの異なるスタンピングツールからスタンピングツールを選択し、および／または、それと関連するエンボス加工パラメータを調整する第２の動作であって、前記エンボス加工パラメータが、温度、位置、および位置合わせのうち少なくとも１つを含む、第４の動作と、
前記スタンピングツールにより前記対象基板の複数の所定領域をエンボス加工するように前記基板に対する前記スタンピングツールの動きを制御する第５の動作と、
前記５の動作の後に、前記対象基板の現在の光学的特性と前記所望の光学模様の目標とを比較し、前記所望の光学模様の目標が達成されたかどうかをリアルタイムで解析し、解析結果に基づいて前記所望の光学模様の目標が達成されるまで、前記多くの異なるスタンピングツールから別のスタンピングツールを選択し、選択された別のスタンピングツールにより前記対象基板の１つ以上の所定領域をエンボス加工するように、前記情報に従って前記選択された別のスタンピングツールの動きを制御する手順を繰り返す第６の動作であって、それにより、得られた微細光学製品の帰着する微細光学表面模様が、前記既存の溝を設けられた基板上に形成されたより大きな微細光学表面レリーフ構造を画定しており、前記より大きな微細光学表面レリーフ構造が、複数の第１のより小さな微細光学表面レリーフ形状と、前記第１のより小さな微細光学表面レリーフ形状とは異なる第２のより小さな微細光学表面レリーフ形状と、を有し、前記第１のより小さな微細光学表面レリーフ形状および前記第２のより小さな微細光学表面レリーフ形状が、前記選択および前記エンボス加工の繰り返しによって得られる、第６の動作と、
前記基板上に配置された部材によって、または前記スタンピングツールと関連して、あるいは前記装置の別の要素と関連して、前記選択されたスタンピングツールの１つ以上の微細光学構造が、所定の深さを超えて前記基板を貫通するのを止める第７の動作と、
を行うように構成されているコード手段を含むコンピュータプログラム。
【請求項２０】
請求項１９に記載のコンピュータプログラムを含むキャリア媒体。
【請求項２１】
フロッピー（登録商標）ディスク、光ディスク、メモリカード、およびハードディスクからなる群から選択される要素を含む請求項２０に記載のキャリア媒体。