(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体であって、前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ）で表わされる化合物であることを特徴とする光記録媒体。
【化１】
0004018417.tif 000052
（前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは、電子供与性を有する基で、下記化学式（１ｃ）で表わされる含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。）
【化２】
0004018417.tif 000053
【請求項２】
光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラップ剤と、を含有する記録層を有し、前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体であって、前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ）で表わされる化合物であることを特徴とする光記録媒体。
【化３】
0004018417.tif 000054
（前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは、電子供与性を有する基であり、一方は、下記化学式（１ｃ）で表わされる含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。前記電子供与性を有する基の他方は、下記化学式（１ａ）で表わされる基である。）
【化４】
0004018417.tif 000055
【化５】
0004018417.tif 000056
（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていてもよく、アルキル基、フェニル基、またはベンゾチアゾリル基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は、アルキル基である。）
【請求項３】
前記一般式（Ａ）における共役系ＣＢ１は、以下に示す群から選択されることを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
【化６】
0004018417.tif 000057
（上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子または硫黄原子である。）
【請求項４】
前記一般式（Ａ）における共役系ＣＢ１は、以下に示す群から選択されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【化７】
0004018417.tif 000058
【請求項５】
前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて光学特性が変化する非線形光学材料をさらに含有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項６】
光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体であって、前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ’）で表わされる基を側鎖に有するポリマーであることを特徴とする光記録媒体。
【化８】
0004018417.tif 000059
（前記一般式（Ａ’）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは、電子供与性を有する基であり、一方は、下記化学式（１ｃ）で表わされる含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。前記電子供与性を有する基の他方は、下記化学式（１ａ）で表わされる基である。）
【化９】
0004018417.tif 000060
【化１０】
0004018417.tif 000061
（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていてもよく、アルキル基、フェニル基、またはベンゾチアゾリル基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は、アルキル基である。）
【請求項７】
前記一般式（Ａ’）における共役系ＣＢ１は、以下に示す群から選択されることを特徴とする請求項６に記載の光記録媒体。
【化１１】
0004018417.tif 000062
（上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子または硫黄原子である。）
【請求項８】
前記一般式（Ａ’）における共役系ＣＢ１は、以下に示す群から選択されることを特徴とする請求項６または７に記載の光記録媒体。
【化１２】
0004018417.tif 000063
【請求項９】
前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて光学特性が変化する非線形光学材料をさらに含有することを特徴とする請求項６ないし８のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項１０】
光源、前記光源から照射される光を２つに分割する手段、前記分割された光の一方に記録情報を付加する装置、光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体、前記光記録媒体の前記記録層に干渉縞を形成して記録を書き込むために、前記２つの光を前記媒体上で交差させる光学的装置、および前記干渉縞として記録された情報を再生するための光を検出する検出器を具備し、前記光記録媒体における前記記録層に含有される前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ）で表わされる化合物であることを特徴とする光記録装置。
【化１３】
0004018417.tif 000064
（前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは、電子供与性を有する基で、下記化学式（１ｃ）で表わされる含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。）
【化１４】
0004018417.tif 000065
【請求項１１】
光源、前記光源から照射される光を２つに分割する手段、前記分割された光の一方に記録情報を付加する装置、光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体、前記光記録媒体の前記記録層に干渉縞を形成して記録を書き込むために、前記２つの光を前記媒体上で交差させる光学的装置、および前記干渉縞として記録された情報を再生するための光を検出する検出器を具備し、前記光記録媒体における前記記録層に含有される前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ）で表わされる化合物であることを特徴とする光記録装置。
【化１５】
0004018417.tif 000066
（前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは、電子供与性を有する基であり、一方は、下記化学式（１ｃ）で表わされる含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。前記電子供与性を有する基の他方は、下記化学式（１ａ）で表わされる基である。）
【化１６】
0004018417.tif 000067
【化１７】
0004018417.tif 000068
（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていてもよく、アルキル基、フェニル基、またはベンゾチアゾリル基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は、アルキル基である。）
【請求項１２】
光源、前記光源から照射される光を２つに分割する手段、前記分割された光の一方に記録情報を付加する装置、光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体、前記光記録媒体の前記記録層に干渉縞を形成して記録を書き込むために、前記２つの光を前記媒体上で交差させる光学的装置、および前記干渉縞として記録された情報を再生するための光を検出する検出器を具備し、前記光記録媒体における前記記録層に含有される前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ’）で表わされる基を側鎖に有するポリマーであることを特徴とする光記録装置。
【化１８】
0004018417.tif 000069
（前記一般式（Ａ’）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは、電子供与性を有する基であり、一方は、下記化学式（１ｃ）で表わされる含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。前記電子供与性を有する基の他方は、下記化学式（１ａ）で表わされる基である。）
【化１９】
0004018417.tif 000070
【化２０】
0004018417.tif 000071
（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていてもよく、アルキル基、フェニル基、またはベンゾチアゾリル基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は、アルキル基である。）
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に係り、特に、光照射により内部電場が形成される記録層を有する光記録媒体、およびこうした光記録媒体に情報を記録する光記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高密度画像など容量の大きなデータを記録可能な媒体として、光記録媒体が知られている。従来、光記録媒体としては、光磁気記録媒体や光相変化型媒体などが開発されているが、光記録媒体に記録可能な情報量の高密度化に対する要求は高まる一方である。
【０００３】
このような光記録媒体に記録する情報量の高密度化を実現するための記録媒体として、ホログラフィックメモリが知られている。これは、光強度やその位相が二次元的に分布しているページデータと参照光とを干渉させ、記録層中にホログラムの形として情報を記録するものである。ホログラフィックメモリでは、記録層を厚くし、参照光の入射角や記録する位置をわずかに変化させて重なった領域に多数のホログラムを記録する。
【０００４】
このようなホログラフィックメモリの記録媒体としては、これまでは、無機物が検討されてきた。近年、結晶材料の作製や、特性制御の困難性を回避できることなどの理由から、有機高分子化合物を用いたフォトリフラクティブ媒体の開発が盛んになりつつある（例えば、米国特許第５，０６４，２６４号）。
【０００５】
このフォトリフラクティブ媒体は、電荷発生剤、電荷輸送剤、トラップ剤および非線形光学材料とを含有する記録層を有し、この記録媒体に互いに干渉しあう信号光と参照光とを照射して、両光の干渉縞の形で記録層に情報が記録される。記録に用いた参照光を記録層に照射することによって、信号光と同じ空間的特長をもつ再生光が再生される。
【０００６】
具体的には、記録層の光が照射された部分では、電荷発生剤から電荷が発生し、この電荷は電荷輸送剤によって分離される。分離した電荷をトラップ剤で保持することによって、記録層内に内部電場を形成する。この内部電場によって非線形光学材料の屈折率が変化する結果、互いに干渉し得る光を照射すると、照射された光の強度パターンが前記記録層中に屈折率の変化となって記録される。
【０００７】
しかしながら、熱エネルギーによる消去が生じないようにトラップ剤と電荷輸送剤との電子軌道のエネルギー差を大きくすると、電荷輸送剤からトラップ剤に電荷がホッピングしにくくなる。これは、電子軌道の運動量が電荷輸送剤とトラップ剤との間で大きく異なるためである。したがって、電荷をトラップ剤に捕獲させるために時間がかかり、記録に長い時間を費やすことになる。逆に、電荷輸送剤からトラップ剤に容易にホッピングさせようとすると、両者のエネルギー差が小さくなるので、熱エネルギーにより消去が起きやすくなってしまう。つまり、記録の寿命が短くなってしまう。
【０００８】
一方、光記録媒体に記録する情報量の高密度化を実現するための別の記録媒体として、多層型光記録媒体が知られている（Ｄ．Ａ．Ｐａｒｔｈｎｏｐｕｌｏｕｓ  ａｎｄ  Ｐ．Ｍ．Ｒｅｎｔｚｅｐｉｓ，Ｓｃｉｅｎｃｅ  ｖｏｌ．２４５，ｐｐ．８４３〜８４４（１９８９））。これは、文献に開示されているように、一様な光記録媒体内の任意の位置に記録光を集光し、その焦点付近のみに光学特性の変化を起こして記録する方法であり、記録層と非記録層とが交互に積層されたものとは異なる。
【０００９】
このような多層型光記録媒体としても、無機物が検討されてきた（Ｙ．Ｋａｗａｔａ，Ｈ．Ｉｓｈｉｂａｓｈｉ，ａｎｄ  Ｓ．Ｋａｗａｔａ，Ｏｐｔ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．１６，ｐｐ．７５６〜７５８（１９９８））。しかしながら、結晶材料の作製や特性制御の困難性を回避できることなどの理由から、近年、有機高分子化合物を用いたフォトリフラクティブ媒体の開発が盛んになってきている。フォトリフラクティブ媒体では、光学特性の変化は光強度に比例して変化するが、光強度に比例して変化するような記録媒体では、情報記録領域が深さ方向に広がって記録されてしまう。このため、隣り合う記録領域を十分に離す必要があり、高密度化の障害になっていた。深さ方向の間隔を狭める方法として、２光子吸収により電荷を生成する方法が検討されている（Ｄ．Ｄａｙ，Ｍ．Ｇｕ，ａｎｄＡ．Ｓｍａｌｌｒｉｄｇｅ，Ｏｐｔ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．２４，ｐｐ．２８８〜２９０（１９９９）。しかしながら、この方法では、２光子吸収により電荷を発生させるために非常に強い光源を必要とするため、一般の半導体レーザーでは記録できない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は、ホログラムとして情報が記録される光記録媒体であって、実用的な記録寿命を保ちつつ、記録に要する時間が短い光記録媒体を提供することを目的とする。
【００１１】
また本発明は、こうした光記録媒体に情報を記録する光記録装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明は、光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体であって、
前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ）で表わされる化合物であることを特徴とする光記録媒体を提供する。
【００１３】
【化２１】
0004018417.tif 000002
【００１４】
（前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは、電子供与性を有する基で、下記化学式（１ｃ）で表わされる含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。）
【００１５】
また本発明は、光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラップ剤と、を含有する記録層を有し、前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体であって、前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ）で表わされる化合物であることを特徴とする光記録媒体を提供する。
【化２１】
0004018417.tif 000003
【００１６】
（前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは、電子供与性を有する基であり、一方は、下記化学式（１ｃ）で表わされる含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。前記電子供与性を有する基の他方は、下記化学式（１ａ）で表わされる基である。）
【化２２】
0004018417.tif 000004
【化２３】
0004018417.tif 000005
（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていてもよく、アルキル基、フェニル基、またはベンゾチアゾリル基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は、アルキル基である。）
【００１７】
また本発明は、光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体であって、前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ’）で表わされる基を側鎖に有するポリマーであることを特徴とする光記録媒体を提供する。
【００１８】
【化１９】
0004018417.tif 000006
【００１９】
（前記一般式（Ａ’）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは、電子供与性を有する基であり、一方は、下記化学式（１ｃ）で表わされる含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。前記電子供与性を有する基の他方は、下記化学式（１ａ）で表わされる基である。）
【００２０】
【化２０】
0004018417.tif 000007
【化２１】
0004018417.tif 000008
【００２１】
（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていてもよく、アルキル基、フェニル基、またはベンゾチアゾリル基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は、アルキル基である。）
【００２２】
さらに本発明は、光源、前記光源から照射される光を２つに分割する手段、前記分割された光の一方に記録情報を付加する装置、光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体、前記光記録媒体の前記記録層に干渉縞を形成して記録を書き込むために、前記２つの光を前記媒体上で交差させる光学的装置、および前記干渉縞として記録された情報を再生するための光を検出する検出器を具備し、前記光記録媒体における前記記録層に含有される前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ）で表わされる化合物であることを特徴とする光記録装置を提供する。
【００２３】
【化２２】
0004018417.tif 000009
【００２４】
（前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは、電子供与性を有する基で、下記化学式（１ｃ）で表わされる含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。）
【００２５】
また本発明は、光源、前記光源から照射される光を２つに分割する手段、前記分割された光の一方に記録情報を付加する装置、光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体、前記光記録媒体の前記記録層に干渉縞を形成して記録を書き込むために、前記２つの光を前記媒体上で交差させる光学的装置、および前記干渉縞として記録された情報を再生するための光を検出する検出器を具備し、前記光記録媒体における前記記録層に含有される前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ）で表わされる化合物であることを特徴とする光記録装置を提供する。
【化２４】
0004018417.tif 000010
【００２６】
（前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは、電子供与性を有する基であり、一方は、下記化学式（１ｃ）で表わされる含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。前記電子供与性を有する基の他方は、下記化学式（１ａ）で表わされる基である。）
【化２５】
0004018417.tif 000011
【化２６】
0004018417.tif 000012
（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていてもよく、アルキル基、フェニル基またはベンゾチアゾリル基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は、アルキル基である。）
またさらに本発明は、光源、前記光源から照射される光を２つに分割する手段、前記分割された光の一方に記録情報を付加する装置、光の照射により電子および正孔を発生する電荷発生剤と、少なくとも前記正孔を輸送して前記電子および前記正孔を分離する電荷輸送剤と、前記正孔を保持するトラップ剤とを含有する記録層を有し、前記電子および前記正孔の空間分布の変化に応じて前記記録層の光学特性が変化する光記録媒体、前記光記録媒体の前記記録層に干渉縞を形成して記録を書き込むために、前記２つの光を前記媒体上で交差させる光学的装置、および前記干渉縞として記録された情報を再生するための光を検出する検出器を具備し、前記光記録媒体における前記記録層に含有される前記トラップ剤は、下記一般式（Ａ’）で表わされる基を側鎖に有するポリマーであることを特徴とする光記録装置を提供する。
【００２７】
【化２５】
0004018417.tif 000013
【００２８】
（前記一般式（Ａ’）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは、電子供与性を有する基であり、一方は、下記化学式（１ｃ）で表わされる含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。前記電子供与性を有する基の他方は、下記化学式（１ａ）で表わされる基である。）
【００２９】
【化２６】
0004018417.tif 000014
【化２７】
0004018417.tif 000015
【００３０】
（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていてもよく、アルキル基、フェニル基またはベンゾチアゾリル基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は、アルキル基である。）
【００３８】
【発明の実施の形態】
本発明者らは、ホログラム記録媒体の記録層について検討を重ねた結果、輸送された電荷を捕獲する基を有する分子の構造が、電荷輸送の速度に大きく影響することを見出した。
【００３９】
本発明の一実施形態にかかる光記録媒体を図１に示し、図１を用いて情報の記録・再生を説明する。まず、記録層２を有する光記録媒体に、レーザー光を照射して情報を記録する。このとき、記録層２の対向する２つの面に透明電極１および３を設けて、電極間に電圧を印加しながら記録してもよい。レーザー光は、情報をその空間的な強度分布や位相分布の形で含む信号光４と参照光５とに分けられ、２つの光は記録層中で干渉し合う。こうして、干渉縞の形で記録層２に情報が記録される。２つの光を遮断した後、記録したときと同一の条件で参照光５を記録層２に照射することによって、信号光と同じ空間的特徴をもつ再生光６が再生される。再生光６の強度分布や位相分布を検出することにより、情報を再生することができる。記録時に光記録媒体に電圧を印加した場合においても、再生時には必ずしも電圧を印加する必要はない。
【００４０】
フォトリフラクティブ材料とは、光の照射により電荷を発生させて、これを空間的に分離せしめ、それにより生じる電荷分布によって決定される内部電場によって屈折率が変化する材料である。図２を参照して、ホログラムの記録原理を説明する。図２（ａ）に示すような強度分布を有する光を媒体に照射すると、記録層中には、図２（ｂ）に示すような電荷分布が生じる。このうち、ホールのみが輸送され、次の条件を満たす場合には、図２（ｂ）中に点線で示されるように、ホールの分布は空間的に一様になる。具体的には、その干渉縞の波数ベクトル方向への平均自由行程が図２（ａ）に示すΛと半分程度かそれ以上の場合である。その結果、全電荷分布は図２（ｃ）で表される状態となる。一般に、フォトリフラクティブ媒体では外部電場が印加されているので、電場分布は図２（ｄ）に示すようになる。さらに、非線形光学材料が配合されている場合には、図２（ｄ）の電場強度に応じた屈折率変化が生じるため、結果として照射した光強度分布に応じた屈折率変化が生じる。こうして、記録層２に信号光４の強度分布あるいは位相分布あるいはその両方がホログラムの形で記録される。あるいは、非線形光学材料が配向している場合にも、図２（ｄ）に示した電場強度に比例した屈折率変化が生じる。
【００４１】
光照射により生成された電荷を再分布させる原理は、電荷の輸送と電荷の保持との２つからなる。電荷輸送剤は、光生成された電荷を外部電場によるドリフトと拡散とによるホッピング伝導により輸送する。また、トラップ剤は、電荷輸送剤により輸送されてきた電荷を捕獲する。このとき、トラップ剤から電荷輸送剤へ電荷がホッピングする確率は、電荷輸送剤からトラップ剤へホッピングする確率よりも小さい必要がある。これを実現するために、一般には、電荷輸送剤とトラップ剤との電子軌道のエネルギー差が利用されてきた。ここで比較すべき電子軌道は、ホッピングにより輸送される電荷に応じて異なる。すなわち、電子が輸送される場合には、ＬＵＭＯ（Ｌｏｗｅｓｔ  Ｕｎｏｃｃｕｌｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）であり、ホールが輸送される場合には、ＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ  Ｏｃｃｕｌｉｅｄ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｏｒｂｉｔａｌ）である。すなわち、電子が輸送される場合には、電荷輸送剤のＬＵＭＯはトラップ剤のＬＵＭＯより大きなエネルギーを有する必要があり、ホールが輸送される場合には、電荷輸送剤のＨＯＭＯはトラップ剤のＨＯＭＯよりも小さなエネルギーを有する必要がある。
【００４２】
ある電荷輸送剤から異なる電荷輸送剤に電荷が一回ホッピングする確率は、分子間の電子雲の重なり具合、ならびにポーラロン形成に要するエネルギーにより大きく左右される。この重なり積分は、同一の構造をもつ電荷供受性を有する基の間では大きいが、エネルギーや構造が大きく異なる電荷供受性を有する基の間では小さい。したがって、電荷輸送剤からトラップ剤に速やかに電荷を輸送するためには、電荷輸送剤とトラップ剤とが同一の電荷供受性を有する基をもつことが好ましい。
【００４３】
トラップ剤としては、少なくとも１つの含窒素複素環基が共役系に結合した化合物が挙げられる。この場合、含窒素複素環基は、その複素環の不飽和炭素原子を介して共役系に結合していなければならない。こうした条件を満たした化合物の一例を下記一般式(４)に示す。
【００４４】
【化３３】
0004018417.tif 000016
【００４５】
（上記化学式中、Ｒ1およびＲ2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイミダゾリル基、または水酸基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は水素原子、水酸基または脂肪族基である。なお、本明細書において水素原子は重水素を含む。）
前記一般式（４）で表わされる化合物の分子構造を、中性状態およびイオン化状態について計算し、各結合長を比較した。その結果、一般式（４）で表わされる化合物は、イオン化状態では下記一般式（４ａ）で示される状態に近くなることがわかった。
【００４６】
【化３４】
0004018417.tif 000017
【００４７】
（上記化学式中、Ｒ1およびＲ2は、上記一般式（４）中と同一である。）
一般に、結合長や結合角などの変数を横軸にとり、電荷のエネルギーを縦軸にとると、図３のグラフのように表わされる。図３中、曲線ａは中性状態のエネルギーを示し、曲線ｂはイオン化状態のエネルギーを示す。分子がイオン化した際に構造が大きく変わると、構造変化に際し格子振動などのかたちでエネルギーを失う。また、中性状態とイオン化状態で分子構造が大きく変化し、分子全体にわたる共役状態が強くなる場合には、図３に示すように、イオン化状態において中性状態よりも電荷エネルギーが分子構造に大きく依存する。つまり、イオン化状態にあるトラップ剤は、電荷を放出して中性状態に戻るために、より多くのエネルギーを要する。これらの理由のため、イオン化した際に分子構造が変化し、分子全体にわたる共役が強くなるトラップ剤を用いると、電荷を安定に保持することが可能となる。すなわち、こうしたトラップ剤は、長い電荷保持寿命を有する。このような構造変化を起こすために、本発明の一実施形態におけるトラップ剤は、共役系を有することが必要とされる。ここで、共役系とは、非共役結合によって寸断されることなく、連続した一連の共役結合をさす。さらに、構造変化の生じやすさのため、本発明の一実施形態にかかるトラップ剤は、含窒素複素環基を有し、この複素環構造内の不飽和炭素原子を介して共役系に結合されることが必要である。
【００４８】
共役系とは、−Ｃ＝Ｃ−、Ｃ原子の３重結合、パラ結合のベンゼン環、−Ｃ＝Ｎ−、ピロール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾール、１，３，４オキサジアゾール、１，３，４チアジアゾール、１Ｈ−１，２，４トリアゾール、あるいはこれらを数種結合したものなど、２つ以上の多重結合を有する骨格（原子団）をさす。具体的には、下記化学式に示すような結合が挙げられる。
【００４９】
【化３５】
0004018417.tif 000018
【００５０】
（上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子または硫黄原子である。）
特に、不対電子をもち電気的に活性な窒素原子が、共役系に含まれることが好ましい。あるいは、パラ接続のフェニル基も、中性状態とイオン化状態とで、両端の基の相対角を変化させることにより、分子構造を大きく変化させ得るので好ましい。
【００５１】
なお、共役系における任意の水素原子は、アルキル基、アルコキシル基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイミダゾリル基、ハロゲン原子、または水酸基などの任意の基で置換可能である。しかしながら、分子全体に構造変化が生じるのを妨げないためには、導入される置換基は小さいものであることが望まれる。例えば、メチル基、エチル基などの炭素数２以下のアルキル基、水酸基などが挙げられる。
【００５２】
上述したような共役系のなかで、環状基を含むものについては、少なくとも１つの含窒素複素環基を含む末端基が結合する位置が限られる。具体的には、環状基を含む共役系に末端基が結合される位置は、すでに説明したような一般式（４）および一般式（４ａ）に示した構造変化が可能な位置でなければならない。
【００５３】
これについて、下記一般式（６ａ）、（６ｂ）、（６ｃ）および（６ｄ）を参照して詳細に説明する。
【００５４】
【化３６】
0004018417.tif 000019
【００５５】
前記一般式（６ａ）で表わされる化合物は、２つの含窒素複素環基が共役結合で結合された分子であるので、イオン化した際には、前記一般式（６ｂ）で表わされる構造に近づき、分子全体にわたる構造変化が可能である。前記一般式（６ｃ）および（６ｄ）には、含窒素複素環基が結合する位置を変化させた構造を示した。このような一般式（６ｃ）または一般式（６ｄ）で表わされる分子では、含窒素複素環基が共役系で結合されていないので、分子全体にわたる構造変化は起こらない。
【００５６】
こうした理由から、本発明の一実施形態にかかるトラップ剤は、共役系を有していなければならない。
【００５７】
また、含窒素複素環基としては、以下に示す基が挙げられる。
【００５８】
【化３７】
0004018417.tif 000020
【００５９】
前記一般式で表わされる含窒素複素環基は、一般に電子供与性を有している。
こうした含窒素複素環基のなかでも、一般式（１ｃ）で表わされる基が特に好ましい。一般式（１ｃ）においては、電子供与性を有する窒素原子が、フェニル基の不飽和炭素原子を介して共役系にパラ位に結合する。したがって、共役系と相互作用しやすい。さらに、複素環構造内に飽和結合の炭素原子を有しているので、自由体積が大きくなり、構造変化を起こしやすい。すなわち、前記一般式（１ｃ）で表わされる基においては、一重結合の閉環構造をなす炭素原子が、フェニル基が存在する平面から離れて存在するため、十分な自由体積を有する。したがって、こうした基がホールを保持した場合、共役系を介した分子構造の変化が容易に生じる。
【００６０】
本発明の一実施形態にかかるトラップ剤は、下記一般式（Ａ）、（Ｂ）または（Ｃ）のいずれかで表わすことができる。
【００６１】
【化３８】
0004018417.tif 000021
【００６２】
（前記一般式（Ａ）中、ＣＢ１は共役系である。ＲaおよびＲbは同一でも異なっていてもよく、電子供与性を有する基であり、少なくとも一方は、含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記複素環基に結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。）
【化３９】
0004018417.tif 000022
【００６３】
（前記一般式（Ｂ）中、ＣＢ１は共役系である。Ｒcは含窒素複素環基であり、前記複素環の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。前記含窒素複素環に結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。）
【化４０】
0004018417.tif 000023
【００６４】
（前記一般式（Ｃ）中、ＣＢ２は以下に示す群から選択される共役系である。）
【化４１】
0004018417.tif 000024
【００６５】
（上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子または硫黄原子である。）
Ｒcは含窒素複素環基であり、前記複素環基の不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される。Ｒdは、不飽和炭素原子を介して前記共役系に結合される含窒素複素環基、または以下に示す群から選択される基である。
【００６６】
【化４２】
0004018417.tif 000025
【００６７】
（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイミダゾリル基、または水酸基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は水素原子、酸素原子または飽和炭素原子を介して窒素原子に結合される基である。
【００６８】
ＲcおよびＲdに含有される含窒素複素環に結合した水素原子は、任意の基で置換されてもよい。）
以下に、前記一般式（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）で表わされるそれぞれの化合物について説明する。
【００６９】
前記一般式（Ａ）で表わされる化合物においては、２つの電子供与性基が共役系によって結合されている。ただし、少なくとも一方の電子供与性基は、上述したような含窒素複素環基でなければならない。
【００７０】
前記一般式（Ａ）においてＣＢ１で表わされる共役系は、特に限定されないが、電子供与性を有することが好ましく、具体的には、以下に示すものがＣＢ１として好ましく用いられる。
【００７１】
【化４３】
0004018417.tif 000026
【００７２】
一方、前記一般式（Ａ）においてＲaおよびＲbとして導入される電子供与性を有する基の他方としては、アリルアルカン類；含窒素環式化合物；含酸素化合物；含硫黄誘導体、および以下に示す基からなる群から選択される少なくとも１種の基が挙げられる。
【００７３】
【化４４】
0004018417.tif 000027
【００７４】
（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイミダゾリル基、または水酸基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は水素原子、水酸基または飽和炭素原子を介して窒素原子に結合される基である。）
具体的には、含窒素環式化合物としては、例えば、以下に示す基、インドール、カルバゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、オキサジアゾール、ピラゾリン、チアチアゾールおよびトリアゾールなどが挙げられる。また、含酸素化合物としては、例えば、オキサゾールおよびその誘導体、オキサジアゾールおよびその誘導体などが挙げられる。また、含硫黄化合物としては、チアゾールおよびその誘導体、チアチアゾールおよびその誘導体などが挙げられる。
【００７５】
【化４５】
0004018417.tif 000028
【００７６】
こうした基のなかで、電荷輸送に与える影響が小さい部位に結合している水素原子は、アルキル基、アルコキシル基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイミダゾリル基、ハロゲン原子、または水酸基などの任意の基で置換可能である。しかしながら、分子全体に構造変化が生じるのを妨げないためには、導入される置換基は小さいものであることが望まれる。例えば、メチル基、エチル基などの炭素数２以下のアルキル基、水酸基などが挙げられる。こうした置換基が複数導入される場合、それは同一である必要はない。
【００７７】
共役系ＣＢ１で結合された２つの電子供与性基が同一の場合には、前記一般式（Ａ）で表わされる化合物は、分子全体として対称性を有することになる。こうした化合物は線対称な構造であってもよい。具体的には、例えば下記化学式で表わされる化合物である。
【００７８】
【化４６】
0004018417.tif 000029
【００７９】
なお、電子供与性基に代えて、２つの電子受容性基を共役系で結合した場合にも、トラップ剤としての作用を付与することができる。この場合には、共役系は電子受容性を有することが好ましい。
【００８０】
前記一般式（Ｂ）で表わされる化合物においては、上述したような含窒素複素環基が２つ、共役系によって結合されている。
【００８１】
前記一般式（Ｂ）においてＣＢ１として導入される共役系は、特に限定されないが、すでに一般式（Ａ）に関して説明したようなものが好ましく用いられる。一方、前記一般式（Ｂ）にＲcとして導入される含窒素複素環基としては、以下に示すものが挙げられる。
【００８２】
【化４７】
0004018417.tif 000030
【００８３】
特に、構造変化を起こしやすい点から、前記一般式（１ｃ）で表わされるものが好ましい。
【００８４】
共役系ＣＢ１で結合された２つの含窒素複素環基が同一の場合には、前記一般式（Ｂ）で表わされる化合物は、分子全体として対称性を有することになる。こうした化合物は線対称な構造であってもよい。
【００８５】
前記一般式（Ｃ）で表わされる化合物においては、含窒素複素環基Ｒcと特定の基Ｒdとが共役系によって結合されている。ただし、一般式（Ｃ）にＣＢ２として導入される共役系は、以下に示す群から選択されなければならない。
【００８６】
【化４８】
0004018417.tif 000031
【００８７】
（上記式中、Ｘは窒素原子、酸素原子または硫黄原子である。）
一方、Ｒdとして前記一般式（Ｃ）に導入されるのは、含窒素複素環基、または以下に示す一般式（１ａ）、（１ｂ）で表わされる基である。
【００８８】
【化４９】
0004018417.tif 000032
【００８９】
（上記一般式中、Ｒ1およびＲ2は同一でも異なっていてもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、フェニル基、ナフチル基、トリル基、ベンジル基、ベンゾチアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾピロル基、ベンゾイミダゾリル基、ナフトチアゾリル基、ナフトオキサゾリル基、ナフトピロル基、ナフトイミダゾリル基、または水酸基である。ただし、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は水素原子、酸素原子または飽和炭素原子を介して窒素原子に結合される基である。）
上述した一般式（Ａ）〜（Ｃ）で表わされる化合物に加えて、２つ以上の電子供与性を有する基が空間的に重なり合った構造を有する分子からなる化合物を、トラップ剤として用いることもできる。
【００９０】
空間的に重なり合った構造とは、２つの電子供与性を有する基が例えば平面的な構造を持ち、一方の電子供与性を有する基の平面に対して垂直方向からトラップ剤を投影した時に、２つの電子供与性を有する基が重なって観察される状態であり、２つの電子供与性を有する基が直接交差した構造ではない。
【００９１】
電子供与性を有する基が平面構造を示す場合に、２つの電子供与性を有する基が共役系を介して結合されていないときにも、構造変化により電荷の保持能が向上しうる。これは、以下のように説明される。中性状態では、電子供与性を有する基の対称軸がわずかにずれているとする。この分子では、２つの基の一方に電荷が注入された場合、中性状態での安定性が崩れるために、２つの基の対称軸が一致するような構造変化が起こりうる。２つの基の対称軸が一致すると、２つの基の間での相互作用が急増するために、２つの基が独立に存在しているときに比べて、そのエネルギーが大きく変化する。このために、このような構造では、電荷の保持能が向上する。
【００９２】
これについて、下記化学式（４１）および（４２）で表わされる化合物を例に挙げて説明する。
【００９３】
【化５０】
0004018417.tif 000033
【００９４】
上記化学式（４１）、（４２）で表わされる化合物は、平面構造を有する電子供与性基としてカルバゾリル基を有している。こうしたカルバゾリル基が空間的に重なり合っているか否かは、例えば、蛍光スペクトルから判別することができる。
【００９５】
これらの化合物の蛍光スペクトルを、図４（ａ）および（ｂ）に示す。図４（ｃ）には、Ｎ−エチルカルバゾールの蛍光スペクトルを示す。なお、蛍光スペクトルの測定は、３１０ｎｍの励起光源を用い、室温においてシクロヘキサン溶液中で行なった。
【００９６】
前記化学式（４１）および（４２）は、分子式は同じである。しかしながら、化学式（４１）で表わされる化合物においては、カルバゾリル基が空間的に重なり合っている。この構造の違いのために、これら２つの化合物は、図４（ａ）および（ｂ）に示されるように、明らかに異なる蛍光スペクトルを示す。
【００９７】
具体的には、化学式（４２）で表わされる化合物の場合（図４（ｂ））には、スペクトル幅が少し広がり、波長がわずかに長波長側にシフトしていることを除けば、Ｎ−エチルカルバゾール（図４（ｃ））の場合と同じ蛍光スペクトルを示す。したがって、化学式（４２）で示される分子では、２つのカルバゾリル基が、空間的に重なりをもたず、独立に機能していると考えられる。一方、化学式（４１）で示される分子の場合（図４（ａ））には、中心が（図４（ｃ））の場合よりも大きく長波長側にシフトし、その幅が大きく広がったスペクトルが観測される。これは、２つのカルバゾリル基が空間的に重なり合って存在しているために、それらの間で相互作用が生じたことを示している。
【００９８】
このように、該分子の蛍光スペクトルを観測したときに、注目している基単独の場合と、構造の異なるスペクトルが観測されたとき、該分子では、注目している基の間に相互作用があるといえる。
【００９９】
平面的な構造をもち、電子供与性を有する基としては、インドール、カルバゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、オキサジアゾール、ピラゾリン、チアチアゾール、トリアゾール、プリン、アクリジン、ピリジン、キノリンなどの含窒素環式化合物；オキサゾールおよびその誘導体、オキサジアゾールおよびその誘導体などの含酸素化合物；および、チアゾールおよびその誘導体、チアチアゾールおよびその誘導体などの含硫黄誘導体などが挙げられる。
【０１００】
上述したようなトラップ剤は、電荷を保持することによって分子構造が変化し、これに伴なって光学特性（屈折率、吸光度などの光学定数によって表わされる性質）が変化する。２つの電子供与性基または２つの含窒素複素環基が共役系で結合されたトラップ剤の場合には、この光学特性の変化を光記録に直接利用することもできる。この場合、光照射によって電荷発生剤が電荷を発生すると、この電荷は輸送された後、トラップ剤に保持される。トラップ剤は電荷を保持すると分子構造および光学特性が変化するので、電荷を保持したトラップ剤の分布として、記録層に情報が記録される。このため、こうした光記録媒体では、電場によって光学特性が変化する従来の非線形光学材料は必要とされない。
【０１０１】
このようにトラップ剤の光学特性の変化によって情報が記録される光記録媒体にも、従来と同様の手法により情報を記録・再生することができる。図２を参照して、照射した光強度の分布に応じて光記録媒体に光学特性の変化が生じる原理を説明する。
【０１０２】
従来のフォトリフラクティブ媒体と異なり、輸送されるホールの平均自由行程がΛに対して十分に小さい場合には、ホールの分布は殆ど変わらない。このため、図２（ｃ）に示したような電荷分布は生じない。したがって、外部電場の有無にかかわらず図２（ｄ）に示したような電場分布も生じないので、非線形光学材料を含有する媒体としても、光強度の分布に応じた光学特性の変化は生じない。トラップ剤の光学特性の変化によって情報が記録される光記録媒体では、例えば前記一般式（４）で表わされるトラップ剤が分散していると、光強度が強く電荷が多く生じた領域では、電荷を保持したトラップ剤が多く存在することになる。したがって、光強度が強い領域においてのみ、トラップ剤が電荷を保持し、その光学特性を変化させる。つまり、光強度の分布に応じた光学特性の変化が生じる。このとき、電荷の干渉縞の波数ベクトル方向への平均自由行程がΛと同程度になると、電荷を保持したトラップ剤の分布が図２（ｃ）と同様に一様になるので、光学特性の局所的な変化は生じない。
【０１０３】
光生成された電荷の平均自由行程の点で、上述したような光記録媒体は、非線形光学材料を含有するものとは異なる。
【０１０４】
こうした光記録媒体においても、すでに説明したような化合物をトラップ剤として用いることができる。前述のように、一般式（４）で表わされる化合物は、電荷を保持した際に分子構造が変化するため、電荷を安定に捕獲することができる。電子供与性基または含窒素複素環基を分子中に２つ以上含むトラップ剤は、電荷を２つ保持することも可能である。このような場合には、電荷を１つ保持した場合よりも大きな構造変化を示す。具体的には、一般式（４ａ）で表わされる状態により近づき、分子全体にわたる共役系もより強くなる。このため、電荷が２つ保持された状態では、保持された電荷の寿命がさらに長く、しかも光学特性の変化も大きいという、理想的な状況が実現される。
【０１０５】
下記化学式（１６）で表わされる中性状態と、電荷を２つ保持した状態での吸収のピーク波長を調べたところ、次のような結果が得られた。中性状態では、２９０ｎｍ付近に吸収ピークが存在したのに対し、電荷を２つ保持した状態では、７１３ｎｍ付近に吸収ピークが存在した。このような吸収の変化は、Ｋｒａｍｅｒｓ−Ｋｒｏｎｉｇの関系により、屈折率の変化をともなう。このため、トラップ剤が電荷を保持して構造が変化することにより、吸収係数および屈折率といった光学特性が変化することがわかる。
【０１０６】
【化５１】
0004018417.tif 000034
【０１０７】
ただし、こうした光記録媒体において、トラップ剤をマトリックスポリマー中に分散した場合には、トラップ剤が電荷を受け取るごとに常に構造変化が生じるわけではない。一般的には、構造変化が起きた場合には、エネルギーを失って電荷がトラップ剤に安定に保持される。場合によっては、構造変化が生じるより早く、別の電子供与性を有する基に電荷が輸送されることもある。あるいは、複数のトラップ剤上を輸送されることもある。したがって、電荷発生剤が発生する電荷の分離がトラップ剤のみでも生じ得る。もちろん、電荷の分離をより効率よく生じさせるためには、トラップ剤とは別に電荷輸送剤を配合することが好ましい。
【０１０８】
このようなトラップ剤を含有する記録層に、可干渉な２つの光を照射すると、電荷の干渉縞の波数ベクトル方向への平均自由行程がΛよりも十分に小さい場合には、干渉縞と同じ周期をもつ光学定数の変化が生じる。したがって、干渉縞を形成した光の一方を遮断すると、回折光が観測される。
【０１０９】
また、こうした記録層に記録光を集光すると、焦点付近で電荷が多く発生するので、電荷の平均自由行程が最小ビーム径と同程度以下の場合には、焦点付近でより多くのトラップ剤が電荷を保持する。このため、焦点付近で光学特性が大きく変化することになる。特に、このような記録方法の場合には、焦点付近の非常に狭い領域に電荷を一斉に発生させるので、１つのトラップ剤に２つの電荷が保持される確率が高くなる。１つのトラップ剤に２つの電荷が保持される確率は、最も単純には電荷密度の二乗に比例する。一方、光照射によって生成される電荷数は光強度に比例するので、トラップ剤に２つの電荷が保持される確率は光強度の二乗に比例することになる。これによって、より狭い領域にのみ光学定数の変化を起こすことができる。
【０１１０】
光記録媒体中におけるトラップ剤の配合量は、トラップ機能を有するユニット間の平均ユニット間距離が所望の範囲内となるように決定することができる。光記録媒体の密度は、媒体の重量および体積から求められ、媒体中におけるトラップ剤のモル数は、トラップ剤の分子量および混合比から求めることができる。これらに基づいて、トラップ機能を有するユニット間の平均ユニット間距離が得られる。
【０１１１】
記録層が非線形光学材料を含有する場合には、電荷の平均輸送行程がΛ／２程度以上であることが要求される。このため、トラップ機能を有するユニットの平均ユニット間距離は１．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下であることが望ましい。トラップ剤の種類にもよるが、例えば、平均ユニット間距離が１．０ｎｍの場合には、含有量は記録層全体に対して４０重量％程度であり、４．０ｎｍの場合には１重量％程度である。トラップ剤の含有量が少なすぎる場合には、光生成された電荷がトラップ剤に捕獲されるまでに時間がかかり、記録に長時間を要してしまう。一方、トラップ剤が多すぎる場合には、生成された電荷が十分に分離する前にトラップされてしまうので、十分な内部電場を形成することが困難となる。
【０１１２】
一方、電荷の平均輸送行程がΛより十分小さい光記録媒体として用いる場合には、トラップ機能を有するユニットの平均ユニット間距離は、０．９ｎｍ以上１．３ｎｍ以下であることが望ましい。トラップ剤の種類にもよるが、例えば、平均ユニット間距離が０．９５ｎｍの場合には、含有量は記録層全体に対して６０重量％程度であり、１．３ｎｍの場合には２０重量％程度である。トラップ剤の含有量が少なすぎる場合には、電荷の平均自由行程が大きくなるので、光の強度分布に応じた光学特性の変化が十分に生じない。一方、トラップ剤が多すぎる場合には、トラップ剤同士が凝集・結晶化し、分子が均一に分散した記録層を形成できないおそれがある。光生成された電荷は、電荷発生剤から電荷輸送剤にホッピングし、さらに電荷輸送剤間をホッピングして、最終的にトラップ剤に捕獲される。電荷輸送剤の含有量が多すぎる場合には、電荷の平均自由行程が大きくなるため、光の強度分布に応じた光学特性の変化を起こすことが困難となる。
【０１１３】
なお、トラップ機能を有するユニットの平均ユニット間距離が１．０ｎｍ以上１．３ｎｍ以下となるようにトラップ剤が配合される場合には、電荷輸送剤との混合比を調整することによって、電荷の平均輸送行程を調整することが可能である。
【０１１４】
以下、使用される他の材料について詳細に説明する。
【０１１５】
電荷発生剤は、光照射した際にキャリアを発生するものである。例えば、セレンおよびセレン合金、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｓＳＳｅ、ＡｓＳｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、およびアモルファスシリコンなどの無機光導電体；チタニルフタロシアニン、バナジルフタロシアニンなどの各種結晶型（α、β、γ、δ、ε、ζ、η、θ、ι、κ、λ、μ、ν、ξ、ο、π、ρ、σ、τ、υ、φ、χ、ψ、ω、Ａ、Ｂ、Ｃ、ＸおよびＹ型など）の金属フタロシアニン顔料および各種液晶型の無金属フタロシアニン顔料；モノアゾ色素、ビスアゾ色素、トリスアゾ色素、およびテトラキスアゾ色素等のアゾ系色素および顔料；ペリレン酸無水物およびペリレン酸イミドなどのペリレン系染料および顔料；ペリノン顔料；インジゴ系染料および顔料；キナクリドン系顔料；アントラキノン、アントアントロンおよびジブロモアントロンなどの多環キノン系顔料；シアニン色素；ＴＴＦ−ＴＣＮＱなどの電子受容性物質と電子供与性物質とからなる電荷移動錯体；ピリリウム染料またはチアピリリウム染料とポリカーボネート樹脂とからなる共晶錯体；アズレニウム塩；Ｃ60、Ｃ70等のフラーレンおよびその誘導体；テレフタル酸ジメチル、テレフタル酸ジエチルなどのカルボニル基を有するテレフタル酸誘導体、キサンテン系染料および顔料、アズレニウム色素、およびスクアリリウム色素などが挙げられる。
【０１１６】
これらの電荷発生剤は、単独で使用しても、２種以上の化合物を使用してもよい。上述したように、発生する電荷の極性が異なり、励起される光の波長が異なる２種類の電荷発生剤を分散することもできる。このとき、一方の電荷発生剤は消去用として用いることができる。
【０１１７】
電荷発生剤は、記録層全体に対して０．００１〜４０重量％程度の割合で用いられることが好ましい。０．００１重量％未満の場合には、光照射により発生する単位体積当りの電荷が少なく、十分な内部電場の発生が困難となる。一方、４０重量％を越えると、電荷発生剤による光の吸収が大きくなり、記録層を光が透過できなくなるため、膜厚の大きな光記録媒体を作製するのが困難になる。
【０１１８】
電荷輸送剤としては、例えば、ホッピング伝導により電荷を輸送する機能を有する任意の材料を使用することができる。例えば、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびポリアニリンなどのπ共役系高分子やオリゴマー；ポリシラン、およびポリゲルマンなどのσ共役系高分子やオリゴマー；アントラセン、ピレン、フェナントレン、およびコロネンなどの多環芳香族化合物；インドール、カルバゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、オキサジアゾール、ピラゾリン、チアチアゾール、およびトリアゾールなどの含窒素環式化合物を有する化合物、またはこれらを主鎖または側鎖に有する化合物、ヒドラゾン化合物、アニリンおよびその誘導体、トリフェニルアミン類、トリフェニルメタン類、ブタジエン類、スチルベン類、ＴＣＮＱ、アントラキノン、ジフェノキノン等の誘導体などが挙げられる。
【０１１９】
より具体的には、例えば下記化学式（５ａ）〜（５ｃ）で表わされる化合物、トリフェニルアミン、クロロアニル、ブロモアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−テトラフルオレノン、２，４，７−トリニトロ−９−ジシアノメチレンフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−キサントン、２，４，９−トリニトロチオキサントン、Ｎ，Ｎ−ビス（３，５−ジメチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシイミド、ジフェノン、スチルベンゾキノンなどの低分子化合物、およびこれらの化合物を高分子化合物の主鎖または側鎖に導入した高分子化合物が挙げられる。
【０１２０】
【化５２】
0004018417.tif 000035
【０１２１】
特に、ホールを輸送する電荷輸送剤としては、前記化学式（５ａ）〜（５ｃ）で表される化合物、あるいはポリマーに溶解しやすくするために置換基をわずかに変えた化合物が、電荷輸送特性に優れるために好ましい。また、これらの化合物は、電荷発生剤としてＣ70を用いたときに、特に電荷発生効率が高いので好ましい。
【０１２２】
あるいは、下記一般式（８）で表わされるポリマーを電荷輸送剤として用いることもできる。
【０１２３】
【化５３】
0004018417.tif 000036
【０１２４】
前記化学式（８）で表わされるポリマーは、電荷輸送能を有する基を主鎖に含んでいるため、高い電荷輸送特性を有する。このため、本発明の一実施形態にかかるトラップ剤と組み合わせて用いることによって、記録時間を短縮することができる。
【０１２５】
電荷輸送剤は、記録層全体に対して０．０１重量％〜７０重量％程度の割合で用いることが好ましい。光生成された電荷は、電荷発生剤から電荷輸送剤にホッピングし、さらに電荷輸送剤間をホッピングして、最終的にトラップ剤に捕獲され、内部電場を形成することが望まれる。電荷輸送剤の含有量が０．０１重量％未満の場合には、電荷が電荷輸送剤に注入されることなく、電荷発生剤内で失活して、内部電場を生成することが困難となる。一方、電荷輸送剤の含有量が７０重量％を越えると、電荷輸送剤同士が凝集、結晶化して、異なる分子が分散した素子を形成できなくなるおそれがある。
【０１２６】
また、照射光の波長に吸収特性を有する電荷輸送剤を使用すれば、照射光によって電荷が発生するため、この場合、電荷輸送剤を電荷発生剤として兼用することもできる。
【０１２７】
なお、極性が異なる２種類の電荷を光記録媒体内に発生させる場合には、異なる極性の２種類の電荷を輸送するための電荷輸送剤を用いることができる。このとき、一方の電荷輸送剤は、消去用電荷輸送剤として機能する。
【０１２８】
非線形光学材料としては、例えば、１）Ｆｒａｎｚ−Ｋｅｌｄｙｓｈ効果により吸収係数や反射率が変化する物質、２）励起子効果により吸収係数、屈折率、または発光効率が変化する物質、３）ポッケルス効果により屈折率が変化する物質、４）励起状態の光学特性が変化し、かつ電場により励起状態の寿命が延びる物質などが挙げられる。
【０１２９】
具体的には、以下に示す化合物を使用することができる。例えば、スピロベンゾフラン系分子、フルギド分子、シクロフェン分子、ジアリールエテン系分子、アゾベンゼン系分子、高分子液晶にフォトクロミック分子を含有させたシアノビフェニル基を有するポリアクリレートまたはポリシロキサン、スピロベンゾフラン基を含むポリシロキサン等のフォトクロミズムを示す分子；およびｐ−アゾキシ安息香酸エチル、オレイン酸アンモニウム、およびｐ−アゾキシアニールなどの液晶を示す材料である。
【０１３０】
さらに、ウレアおよびその誘導体；チオウレアおよびその誘導体；ニトロベンゼン類；カルボニルベンゼン類；ベンゼンサルフォネート類などのπ共役系ベンゼン誘導体；ピリジンＮオキシド類；ニトロピリジン類などのピリジン誘導体；ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびポリアニリンなどのπ共役系高分子やオリゴマー；ポリシラン、およびポリゲルマンなどのσ共役系高分子やオリゴマー；アントラセン、ピレン、フェナントレン、およびコロネンなどの多環芳香族化合物；インドール、カルバゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イミダゾール、ピラゾール、オキサジアゾール、ピラゾリン、チアチアゾール、およびトリアゾールなどの含窒素環式化合物を有する化合物、またはこれらを主鎖または側鎖に有する化合物；ヒドラゾン化合物、トリフェニルアミン類、トリフェニルメタン類、ベンゼンアミン類、ブタジエン類、スチルベン類、オルフェン類、イミン類、ピペロナール、ＴＣＮＱ、アントラキノン、ジフェノキノン等の誘導体；Ｃ60、Ｃ70等のフラーレンならびにその誘導体などが挙げられる。
【０１３１】
またさらに、セレンおよびセレン合金、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＡｓＳｅ、ＺｎＯおよびアモルファスシリコンなどの無機光導電体、金属フタロシアニンおよび無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン色素および顔料、モノアゾ色素、シスアゾ色素、トリスアゾ色素およびテトラキスアゾ色素等のアゾ色素、ペリレン系染料および顔料、インジコ系染料および顔料、キナクリドン系染料および顔料、アントラキノン、アントアントロンなどの多環キノン系顔料、シアニン系顔料、例えばＴＴＦ−ＴＣＮＱで知られるような電子捕獲性物質と電子供与性物質とからなる電荷移動錯体、ピリリウム染料とポリカーボネート樹脂とからなる共晶錯体、アズレニウム塩などが挙げられる。
【０１３２】
これらの材料は、単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。また、その配合量は、記録層全体に対して０．０１重量％〜８０重量％程度であることが望ましい。非線形光学材料の含有量が０．０１重量％未満の場合には、光学特性の十分な変化を得ることが困難となる。一方、８０重量％を越えて多量に含有されると、非線形光学材料が凝集、結晶化して、異なる分子が分散した素子を形成できなくなるおそれがある。
【０１３３】
上述したような電荷発生剤、電荷輸送剤、トラップ剤、および必要に応じて配合される非線形光学材料は、所望の平均自由行程が得られるように適宜組み合わせて使用することができる。また、１分子で２つ以上の機能を有する化合物を用いてもよい。その場合には、前述の重量％に限定されることなく配合することができる。こうした化合物としては、例えば、下記化学式（Ｐ１）で表わされるポリマーが挙げられる。
【０１３４】
【化５４】
0004018417.tif 000037
【０１３５】
前記化学式（Ｐ１）で表わされるポリマーは、２種類の単位により主鎖が構成されている。第１の単位は、電荷輸送性の大きなカルバゾール基を側鎖に有し、第２の単位は、電荷保持性の高いカルバゾール基が２つ、共役系で結合された基を側鎖に有する。すなわち、化学式（Ｐ１）で表わされるポリマーは、前記一般式（Ｂ’）で表わされる基（トラップ剤）が側鎖に導入されている。第１の単位と第２の単位との比（ｙ／ｘ）は、所望される平均自由行程が得られるように調整することが望まれる。例えば、（ｙ／ｘ）は、０．００１以上０．５以下の範囲内とすることができる。（ｙ／ｘ）を０．１以上５以下とした場合には、平均自由行程をより小さくすることができる。このため、非線形光学材料を配合せずに、光記録媒体を作製することが可能である。
【０１３６】
前記一般式（Ａ’）で表わされる基が側鎖として、ポリマー主鎖に導入されていてもよい。さらに、前記一般式（Ｃ）で表わされる化合物が、ＲcまたはＲdを介してポリマー主鎖に導入されていてもよい。
【０１３７】
このように、トラップ剤をポリマーの側鎖として導入することによって、トラップ剤の析出を防ぐことができる。したがって、より高濃度でトラップ剤を添加することが可能となる。また、ポリマーの側鎖として導入することにより、大きな自由体積が得られるため、電荷を保持した際の構造の変化が生じやすいという長所もある。
【０１３８】
なお、電荷輸送剤などの成分がポリマーでない場合には、前述の成分にポリマーを混合することもできる。使用され得るポリマーとしては、光学的に不活性であり、分子量のばらつきが小さいものが好ましいが、特に限定されない。例えば、ポリエチレン樹脂、ナイロン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ブチラール樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ポリスルホン樹脂、アクリル樹脂、酢酸ビニル、ポリオレフィンオキシド樹脂、アルキド樹脂、スチレン−無水マレイン酸共重合体樹脂、フェノール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリエステルカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセタール、ポリアリレート、およびパラフィンワックスなどが挙げられる。これらは、単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１３９】
また、記録層のガラス転移点を低下させるために、可塑剤と呼ばれる分子量の小さな分子を分散させてもよい。ガラス転移点を低下させることによって、トラップ剤の構造をより容易に変化させることができる。
【０１４０】
さらに、高分子酸化防止剤、紫外線吸収剤として一般的に知られる化合物を、上述した成分に加えて使用することもできる。こうした化合物としては、例えば、ヒンダート・フェノール類、芳香族アミン類、有機硫黄化合物、亜リン酸エステル、キレート化剤、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、およびニッケル錯体などが挙げられる。これらの成分の配合量は、例えば、記録層全体に対して０．０００１〜５重量％とすることが好ましい。
【０１４１】
本発明の一実施形態にかかる光記録媒体における記録層は、上述した成分を含有する組成物を溶剤に溶解し、成膜することにより形成することができる。溶剤としては、種々の有機溶剤を使用することができ、例えば、アルコール類、ケトン類、アミド類、スルホキシド類、エーテル類、エステル類、芳香族ハロゲン化炭化水素類、および芳香族炭化水素などが挙げられる。
【０１４２】
記録層は、例えば、スピンコーティング法、浸漬塗布法、ローラ塗布法、スプレー塗布法、ワイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法、ローラコーティング法等の各種の塗布法、キャスト法、真空蒸着法、スパッタリング法などにより形成することができる。さらには、グロー放電を利用した、例えばプラズマＣＶＤ法により形成してもよい。キャスト法を採用する場合は、溶液をキャストするのみならず、溶液から溶媒を気化させた後に、粉末状の混合材料を加熱溶融して記録層を形成することもできる。
【０１４３】
こうして形成される記録層の膜厚は、通常０．０５〜１０ｍｍ程度であり、０．５〜１ｍｍであることが好ましい。なお、記録層の膜厚は、記録容量や光透過性などの光記録媒体に要求される特性や組成に応じて、適宜選択することができる。
【０１４４】
前述の成分を含有する組成物を含む溶液を、適切な支持体の上に塗布することにより、記録層が成膜される。支持体としては、適切な厚さ、および硬さを備え、取り扱いのために充分な強度を有している任意の材料を使用することができる。
【０１４５】
この支持体は、成膜用としてのみならず、光記録媒体の基板として使用することもできる。すなわち、本発明の一実施形態にかかる光記録媒体は、基板と、この基板上に形成された記録層とを有する構成としてもよい。この場合の基板は、使用される光の波長域で、ある程度透明であることが望まれる。なお、光の波長は、半導体レーザーの場合には、例えば７８０ｎｍ、６５０ｎｍ、４０５ｎｍである。通常の樹脂は、可視域である４００〜６００ｎｍの範囲内の波長の光に対して透明であり、長波長域である８００ｎｍ付近まで透明性を維持しているものも多い。したがって、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、アクリル樹脂、およびポリイミド等が好ましい。
【０１４６】
これらの基板材料は、平板状として、あるいは必要に応じて円筒状シートとして使用することができる。なお、円筒状シートとして用いる場合には、基板は適切な屈曲性を有していることが要求される。
【０１４７】
前述の基板の記録層側には、必要に応じて電極となる層を形成してもよい。電極層を形成する材質は、基板と同様に、使用される光の波長域においてある程度透明であることが望まれる。このため、酸化スズインジウムやアルミニウムなどが好ましく使用される。また、電極のシート抵抗は、５０Ωｃｍ-2以下であることが望まれる。
【０１４８】
必要に応じて、記録層の上に保護層を形成することもできる。保護層を形成するための材料としては、任意のものを用いることができる。例えば、アクリル樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂、光硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、Ｘ線硬化樹脂、およびＵＶ硬化樹脂などが挙げられる。
【０１４９】
このような保護層中には、酸化防止剤、紫外線吸収剤、老化防止剤などの添加剤を少量添加してもよい。使用し得る添加剤としては、例えば、ヒンダード・フェノール類、芳香族アミン類、有機硫黄化合物、亜リン酸エステル、キレート化剤、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、およびニッケル錯体などが挙げられる。
【０１５０】
また、非線形光学材料が含有される記録層には、予めポーリング処理を施してもよい。この場合には、記録層を、そのガラス転移点程度の温度に加熱し、さらに外部電場を加える。これによって、永久双極子モーメントの大きな分子、特に非線形光学材料を外部電場の方向に配向させて、光に対する非線形性を増大させることができる。
【０１５１】
次に、上述したような光記録媒体をホログラムメモリとして用いる場合、すなわち、媒体に情報を記録し、記録した情報を再生する方法について説明する。
【０１５２】
本発明の一実施形態にかかる光記録媒体に情報を記録する記録装置の一例を、図５に示す。
【０１５３】
図５に示されるように、直方体状の光記録媒体７を作製しておく。この光記録媒体７の一方の側に、画像表示素子１５を配置し、光記録媒体７をはさんで反対側には、読み取り装置１９を設置する。読み取り装置１９は、画像表示素子１５から光記録媒体７に照射される光の光軸に垂直になるよう配置することが好ましい。画像表示素子１５としては、例えば、液晶素子、ディジタルミラーアレイ、Ｐｏｃｋｅｌｓ  Ｒｅａｄｏｕｔ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ、Ｍｕｌｔｉ−ｃｈａｎｎｎｅｌ  Ｓｐａｔｉａｌ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ、Ｓｉ−ＰＬＺＴ素子、変形表面型素子、ＡＯまたはＥＯ変調素子、および磁気光学効果素子などを用いることがきる。また、読み取り装置１９としては、任意の光電変換素子を使用することができる。例えば、ＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサー、フォトダイオード、Ｐｈｏｔｏｒｅｃｅｐｔｏｒ、およびフォトマルチプライヤーチューブなどが挙げられる。
【０１５４】
図５においては、光が画像表示素子１５を透過することを仮定しているが、画像表示素子１５は光を反射させるタイプでもよい。
【０１５５】
光記録媒体への情報の記録は、例えば、以下の手順で行なうことができる。記録に用いる光源は、レーザーに代表される可干渉な光であることが必要とされる。ここでは、レーザーを用いた場合について説明する。レーザーの波長は、用いる光記録媒体の成分に応じて選択することができ、具体的には、電荷発生剤に応じて選択される。トラップ剤が電荷を保持したときに、光学特性が変化する現象を応用した光記録媒体の場合には、トラップ剤に応じて波長が選択される。レーザー１０としては、既存の気体レーザー、液体レーザー、固体レーザー、または半導体レーザーの任意のものを用いることができる。レーザー１０からの出力を、例えばビームスプリッター１２を用いて２つに分割する。一方を参照光５とし、他方は画像表示素子１５を透過させ信号光４として用いる。
【０１５６】
このような構成で情報を記録するに当たっては、信号光４と参照光５とが記録層内で交わるように、光記録媒体７に入射する。これは、具体的には、以下のような手法により行なわれる。レーザー１０からの光を、例えばビームエキスパンダー１１で平行光に広げた後、例えばビームスプリッター１２により２つに分割する。記録したい情報は予めデジタル化し、それに応じた画像パターンを画像表示素子１５に入力しておく。ビームスプリッター１２で二つに分割した光の一方を、ミラー１３を介して画像表示素子１５に照射し、例えば光の強度分布を記録するデータに応じて空間的に変調して信号光４とする。さらに、信号光４をレンズ１６で集光して、光記録媒体７に照射する。レンズ１６の焦点距離をｆ１としたとき、画像表示素子１５とレンズ１６との距離はｆ１に等しいことが好ましく、光記録媒体７とレンズ１６との距離はｆ１にほぼ等しいことが好ましい。そのとき、同時に参照光５が記録層内で交わるように、参照光５を光記録媒体７に照射する。参照光５は、ミラー１４で反射させた後、レンズ１７で集光して照射する。
【０１５７】
信号光４と参照光５との重ね合わせで生じた干渉縞により内部電場が発生し、光学特性の変調が起こって、回折格子が形成される。このとき、参照光の入射角度、信号光の入射角度、あるいはその両方を変化させることによって、重なり合う領域に複数の干渉縞を形成することが可能である。あるいは、入射される光の方向に対して光記録媒体７を回転させることによって、参照光および信号光の入射角度を変化させることができる。またさらに、信号光と参照光との重なり合う領域に対して１／２〜１／１０００程度、レーザー光の照射される位置をずらすことによって、２つの光の重なり合う領域に同様に複数の干渉縞を記録することができる。
【０１５８】
記録された情報の読み取りに当たっては、まず、信号光４を遮断し、参照光５のみを光記録媒体７に照射する。すなわち、参照光５は読み出し光として用いることもできる。このとき、記録された干渉縞により信号光４と同じ空間的強度分布をもった再生光が再生されるので、レンズ１８を透過させた後、読み取り装置１９で読み取ることができる。読み取った光の強度分布により、記録された情報の再生が可能となる。レンズ１８の焦点距離をｆ２としたとき、レンズ１６からレンズ１８までの距離はｆ１＋ｆ２に等しいことが好ましく、レンズ１８から読み取り装置１９までの距離は、ｆ２に等しいことが好ましい。
【０１５９】
ここでは、記録時と読み取り時に同じ波長の光源を用いているが、これに限定されるものではない。記録層の膜厚が０．５ｍｍ程度以下の場合には、記録時とわずかに異なる波長を有する光源を用いても、記録された情報の読み取りは可能である。このような場合、回折光強度が大きくなるように、記録時とはわずかに異なる角度で読み出し光を入射させてもよい。このときも、読み取り装置１９は、読み取りに用いる光の光軸に垂直に配置することが望ましい。
【０１６０】
またここでは、参照光５もレンズ１７を用いて集光しているが、参照光は必ずしも集光する必要はない。ビームエキスパンダー１１を、レーザー１０から画像表示素子１５の間のいずれかの位置に配置することによって、レンズ１７を省略することができる。
【０１６１】
記録した情報の読み取りに当たっては、位相共役再生も可能である。これに関して、図６を参照して説明する。図６においては、記録に用いたときと同一の波長の可干渉な光が、記録時とは逆向きに照射される。
【０１６２】
すなわち、記録に用いた光と同一の波長の光を発振するレーザー２０からの光を、例えばビームエキスパンダー２１で光径を広げた後、レンズ２２を用いて、参照光を照射したときとは全くの逆向きに光記録媒体７に照射する。光記録媒体７に記録された回折格子により、信号光４が進んだのとは全く逆向きに虚像が再生される。虚像がレンズ１６を透過した後、例えば、ビームスプリッター２３で反射させ、読み取り装置１９で読み取る。記録時と同様にこの場合も、レンズ１６から読み取り装置１９までの距離は、レンズ１６の焦点距離に等しくすることが好ましい。位相共役再生においても、記録時とはわずかに異なる波長をもつ、可干渉な光を読み出し光として用いることができる。このときは、虚像の光軸が信号光４の光軸と完全に一致するように、読み出し光の入射角をわずかに調整することが好ましい。
【０１６３】
記録時に参照光５を集光していない場合には、位相共役再生時においても、ビームスプリッター２１およびレンズ２２を省略することができる。
【０１６４】
光記録媒体に記録された情報は、場合によっては消去することができる。例えば、記録領域よりも広い領域にわたって一様な強度分布を有する光を照射することによって、あるいは光記録媒体をガラス転移点より低い温度まで加熱することによって、記録は消去される。あるいは、中性状態のトラップ剤は吸収しないが、イオン化状態のトラップ剤が吸収する波長の光を一様に照射することによっても、記録の消去が可能である。
【０１６５】
本発明の一実施形態にかかる光記録媒体への情報の記録方法および再生方法は、上述した例に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。例えば、信号光４と参照光５とは、光記録媒体７に対して異なる面から入射してもよい。
【０１６６】
情報がデジタルデータとして記録される場合、画像表示素子１５の複数の画素でひとつのデータを表わしても構わない。
【０１６７】
また、情報を信号光の強度分布で与える場合には、明部と暗部との光強度は、ビーム径全般にわたって一様でなくともよい。すなわち、画像表示素子における光の透過率を、中央部分で低くし、中央から離れた部分では高くしておくことも可能である。これによって、再生信号の中央部よりも中央から離れた部分で再生光が弱められることを、予め補正することができる。あるいは、中央付近で吸収係数が大きく、中央から離れると吸収係数の小さいような光強度変調素子を、読み取り装置１９の前に配置しても同様である。
【０１６８】
次に、本発明の一実施形態にかかる光記録媒体を多層型光記録媒体として用いる場合、すなわち、媒体中の複数の層に情報を記録し、記録した情報を再生する方法について図７を用いて説明する。
【０１６９】
半導体レーザー３１からの光を、コリメートレンズ３２で平行光にした後、対物レンズ３３を用いて記録層内に集光する。半導体レーザー３１への注入電流を適当な時間大きくすることにより、適当な時間レーザー光を照射して、焦点付近のみに光学定数の変化として情報を記録する。焦点位置を媒体内の任意の位置に配することにより、光学定数の変化がある領域３４とない領域という形で情報を記録することができる。
【０１７０】
記録した情報は、例えば、光軸上にアイリス３５を配置し、光検出器３５を用いてアイリスを通過した光強度を測定すると再生することができる。つまり、読み出し光の光軸が光学定数の変化した領域を通過するようにして照射し、焦点位置を記録層の深さ方向に走査すると、観測される透過光強度Ｉは深さ方向の位置Ｚ（ここでは、光学特性の変化した領域の中心をＺ＝０とする）の関数として図８のようになる。これは、記録光の焦点近傍で媒体の屈折率が変化し、レンズ効果が生じたためである。光学定数の変化のない領域を走査した場合には、透過光強度の変化はないので、透過光強度の変化の有無により、光学定数が変化した領域かそうでないかがわかる。あらかじめ記録する領域を決めておけば、該領域近傍における透過光強度の変動の有無により、情報を再生することができる。
【０１７１】
ただし、情報の再生の際に新たに光学特性の変化が生じないように、読み出し光の光強度が記録光の１／２から１／１００程度となるように注入電流を調整するのが望ましい。
【０１７２】
あるいは、より簡単な再生方法として、記録位置近傍の透過光強度の検出によって記録位置の記録情報を再生することも可能である。つまり、情報を記録した位置に対し、深さ方向に図８中に示すＺ0だけ離れた位置の透過光強度を検出することによって、情報を再生することができる。情報を記録していない領域から深さ方向にＺ0だけずれた位置に読み出し光の焦点があるときには、透過光強度はＩ0の値を示すが、情報を記録した領域から深さ方向にＺ0だけずれた位置に焦点があるときには、透過光強度はＩ0＋ΔＩとなるので、この透過光強度の検出によって読み出し光の焦点からＺ0だけずれた位置の記録情報が再生される。信号を再生したい領域から光軸方向にＺ0だけずれた位置における透過光強度によって、情報を再生することができる。
【０１７３】
膜厚が十分大きい場合や、記録層の対物レンズ側にガラス基板が設けられている場合には、対物レンズとしてはＮＩＫＯＮ社製のＣＦ  ＩＣ  ＬＣＤ  Ｐｌａｎ  ＣＲ  １００倍などのように動作距離が長いものを用いるのが好ましい。また、記録層の上下に基板を設ける場合には、対物レンズ側の基板は０．５ｍｍ以下であることが好ましい。あるいは、記録層の対物レンズ側には基板を設けなくてもよい。この場合には、記録層に傷が付くことを防ぐために、記録層をディスケット内に収めてもよい。
【０１７４】
本発明の一実施形態にかかる光記録媒体への情報の記録方法および再生方法は、上述した例に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。例えば、情報の再生は、共焦点顕微鏡と同様に行なうこともできる。あるいは、光記録媒体の対物レンズとは反対の側に反射面を配置し、反射光を用いて情報を再生してもよい。
【０１７５】
本発明における光記録媒体は、上述に限定されるものではなく、その主旨を逸脱しない範囲において種々変形して用いることができる。例えば、光記録媒体の記録層が十分な強度を有する場合には、支持基盤を設けずに単独で用いることもできる。
【０１７６】
本発明の一実施形態にかかる光記録媒体は、共役系と少なくとも１つの含窒素複素環化合物とを記録層中に含有し、この複素環化合物は、不飽和炭素原子を介して共役系に結合される。したがって、従来の光記録媒体よりも応答速度が速く、記録寿命が短い光記録媒体が得られた。
【０１７７】
【実施例】
まず、本発明の一実施形態にかかるトラップ剤と、従来のトラップ剤とを比較して説明する。
【０１７８】
下記化学式（１６）で表わされる化合物と、下記化学式（５１）で表わされる化合物との吸収スペクトルを図９に示す。図９中、曲線ｃは化学式（１６）で表わされる化合物の吸収スペクトルを表わし、曲線ｄは、化学式（５１）で表わされる化合物の吸収スペクトルを表わす。
【０１７９】
【化５５】
0004018417.tif 000038
【０１８０】
前記化学式（１６）で表わされる化合物は、本発明の一実施形態にかかるトラップ剤であり、前記化学式（５１）で表わされる化合物は、文献“Ｐｈｏｔｏｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ  ｐｏｌｙｍｅｒｓ  ｗｉｔｈ  ｌｏｗ  ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ｔｒａｐ  ｄｅｎｓｉｔｙ”，  Ｈ．  Ｊ．  Ｂｏｌｉｎｋ，  Ｖ．  Ｖ．Ｋｒａｓｎｉｋｏｖ，  ａｎｄ  Ｇ．  Ｈａｄｚｉｉｏａｎｎｏｕ，  Ｐｒｏｃ．  ＳＰＩＥ，  ｖｏｌ．  ３１４４  Ｐ．Ｐ．  １２４−１３３  （１９９７）で用いられているトラップ剤である。
【０１８１】
図９から明らかなように、化学式（５１）で示される化合物（曲線ｄ）は、化学式（１６）で示される化合物（曲線ｃ）よりも長波長側に広がった吸収を示す。このため、記録光として、６３３ｎｍや５３２ｎｍの光源を用いようとした場合、光記録媒体の記録層の膜厚が大きくなると、トラップ剤の吸収により回折光強度が減少するという欠点を有する。複素環構造を有する電子供与性基と、電子受容性を有する基とを共役系により結合した化合物も、可視域に強い吸収を持つ場合が多い（例えば、文献“ Ｅｆｆｅｃｔ  ｏｆ  ｔｈｅ  ｃｈｒｏｍｏｐｈｏｒｅ  ｄｏｎｏｒ  ｇｒｏｕｐ  ａｎｄ  ｆｅｒｒｏｃｅｎｅ  ｄｏｐｉｎｇｏｎ  ｔｈｅ  ｄｙｎａｍｉｃ  ｒａｎｇｅ，  ｇａｉｎ，  ａｎｄ  ｐｈａｓｅ  ｓｈｉｆｔ  ｉｎ  ｐｈｏｔｏｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ  ｐｏｌｙｍｅｒｓ”，Ｅ．Ｈｅｎｄｒｉｃｋｘ，Ｄ．Ｖ．Ｓｔｅｅｎｗｉｎｃｋｅｌ，Ａ．Ｐｅｒｓｏｏｎｓ，Ｃ．Ｓａｍｙｎ，Ｄ．Ｂｅｌｊｏｎｎｅ，ａｎｄ  Ｊ−Ｌ．Ｂｒｅｄａｓ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．ｖｏｌ．１１３，ｐ．ｐ．５４３９−５４４７（２０００））。
【０１８２】
次に、前記化学式（１６）で示される化合物と、下記化学式（５２）で示される化合物の電荷保持能を帯電光減衰法で測定した。
【０１８３】
【化５６】
0004018417.tif 000039
【０１８４】
前記化学式（５２）で表わされる化合物は、含窒素複素環基が共役系に結合していない以外は、前述の化学式（１６）で表わされる化合物と同様の構造である。
【０１８５】
電荷保持能の測定方法を図１０を参照して説明する。まず、適当な混合比で試料を調製しておく。一方、ＩＴＯ膜１１２およびＡｌ膜１１３をガラス基板１１１上に順次蒸着し、その上に試料をスピナー製膜して測定膜１１４を作製する。次に、測定膜１１４表面をプラスにコロナ帯電させた後、測定膜１１４表面側から光を照射する。光照射により生成した電荷は、接地された対向電極側に輸送される。電荷が測定膜１１４表面付近で生成して、電子が電荷発生サイトから輸送されなければ、試料表面の電位は、輸送されたホールの数に比例して減衰する。具体的には、図１１中の曲線ｅで表わされるように、電位は減衰する。一方、ホールを保持するトラップ剤が試料内に分散されている場合には、トラップ剤にホールが保持されると、輸送される距離が短くなる。このため、表面電位は０まで減衰せずに、図１１中の曲線ｆで表わされるように一定の値に漸近する。したがって、漸近した表面電位の値は、トラップされたホール数の目安になる。このとき、光照射終了後の表面電位の暗減衰は、トラップされたホールが脱トラップされたことによると考えられる。
【０１８６】
ＴＰＤ２５重量％、ＰＳ６９．５重量％、Ｃ70  ０．５重量％、およびトラップ剤５重量％を含むトルエン溶液を作製した。トラップ剤としては、前記化学式（１６）、（５２）、および下記化学式（５３）で表わされる化合物をそれぞれ用いた。
【０１８７】
【化５７】
0004018417.tif 000040
【０１８８】
得られたトルエン溶液を用いて、スピナー製膜によりほぼ５ｎｍの膜厚を有する試料を作製した。試料を＋２００Ｖ程度に帯電させた後、波長５００ｎｍの光を６０秒照射し、その際の表面電位の暗減衰を図１２に示す。
【０１８９】
図１２中、プロットｇ，ｈ，ｉは、それぞれ前記化学式（１６）、（５２）、および（５３）で表わされる化合物をトラップ剤として含有する試料についての結果である。
【０１９０】
図１２に示されるように、化学式（１６）で表わされる化合物を分散した試料（プロットｇ）は、化学式（５２）で表わされる化合物を分散した試料（プロットｈ）よりも表面電位の減衰が小さい。化学式（１６）で表わされる化合物は化学式（５２）で表わされる化合物に比べて、複素環構造部（ジュロリジン基）が強いドナー性を有する。このために、高い電荷保持能を示したと理解できる。
【０１９１】
同様に、化学式（１６）で表わされる化合物と化学式（５３）で表わされる化合物の電荷保持能を比較した。化学式（５３）で表わされる化合物は、ドナー性の高い複素環構造を有する基と輸送性の高いトリフェニルアミンとを非共役結合を介して結合している。
【０１９２】
図１２より明らかに、化学式（１６）で表わされる化合物を分散した試料（プロットｇ）は、化学式（５３）で表わされる化合物を分散した試料（プロットｉ）よりも表面電位の暗減衰が小さいことがわかる。
【０１９３】
化学式（５３）で表わされる化合物では、電子供与性を有する２つの基が共役系で結合されていない。したがって、このような化合物は正孔を保持しても、分子全体にわたる共役状態の変化、あるいは構造の変化を生じることがない。このため、化学式（５３）で表わされる化合物は、化学式（１６）で表わされる化合物よりも電荷保持能が低い。
【０１９４】
なお、共役系が長くなりすぎると、電荷を保持しても分子全体に共役状態が広がりにくくなる。この場合には、高い電荷保持能を実現することが困難になるので、共役系は短いほうが好ましい。
【０１９５】
以下、実施例および比較例を示して本発明をさらに詳細に説明する。
【０１９６】
（実施例１）
まず、以下のようにして光記録媒体を作製した。
【０１９７】
フラーレン（Ｃ70）：０．５重量％、輸送剤としてのポリＮビニルカルバゾール（ＰＶＫ）：４４．５重量％、可塑剤としてのＮ−エチルカルバゾール（ＥｔＣｚ）：７．５重量％、Ｂｉｓ−カルバゾリルプロパン（ＢｉｓＣｚＰｒｏ）：７．５重量％、非線形光学材料としてのＮ−［［４−（ジメチルアミノ）フェニル］−メチレン］−２−メチル−４−ニトロベンゼンアミン（ＤＢＭＮＡ）：３５重量％、および下記化学式（１１）で表わされる化合物５重量％をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）とトルエンに溶解して共溶媒溶液を調製した。化学式（１１）で表わされる化合物は、トラップ剤として作用する。化学式に示されるように、この化合物は電子供与性を有する基であるカルバゾール基を２つ有し、これらの間は共役系で結合されている。
【０１９８】
【化５８】
0004018417.tif 000041
【０１９９】
ガラス基板の表面にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜を形成して、基板を準備した。この基板上に前述の共溶媒溶液をキャスト法により塗布することにより記録層を形成した。記録層の膜厚は、テフロン（登録商標）製のスペーサーを用いて５０μｍに調整した。さらに、８０℃において両電極を３ｋＶの電源に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２００】
図１３に示す構成の記録装置を用いて、この光記録媒体にホログラムを記録再生した。図示する装置においては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（出力３０ｍＷ）１０から出射された光は、まず、ビームスプリッター１２で二つに分割される。ビームスプリッター１２で反射された光は、ビームエキスパンダー１１を用いて光径を広げた後、画像表示素子としての液晶フィルター１５を透過する。液晶フィルター１５は、予め記録したい情報に応じてその透過率を変調しておき、透過光を信号光４とする。信号光４を、レンズ１６（焦点距離１５０ｍｍ）を用いて集光する。レンズ１６と光記録媒体７との距離は、１３５ｍｍとした。
【０２０１】
一方、ビームスプリッター１２を透過した光は、そのまま参照光５として光記録媒体７に照射した。このとき、光記録媒体上で信号光４が集光された領域を参照光が覆うように、参照光５の光路を調整する。信号光４と参照光５とが光記録媒体７に入射される角度を光記録媒体７の外で測定したところ、光記録媒体の法線方向に対し、それぞれ４０°および５０°であった。
【０２０２】
光記録媒体７の基板は、３ｋＶの外部電源（図示せず）に接続されているので、６０Ｖ／μｍの外部電場が加えられている。このようにして１０秒光を照射することにより、光記録媒体７にホログラムを記録することができた。
【０２０３】
続いて、記録された情報を再生した。再生に当たっては、信号光４の光路をシャッターで遮断し、ビームスプリッター１２を透過した光を読み出し光として光記録媒体７に照射したところ、回折光が観測された。レンズ１６と同様のレンズ１８（焦点距離１５０ｍｍ）を透過させた後、回折光を読み取り装置としてのＣＣＤ１９に入射することによって、信号光４の強度分布と同様の強度分布を有する再生光が検出された。レンズ１８は、レンズ１６から３００ｎｍの位置に、光軸がレンズ１８の中央部を通るよう、光軸に垂直に配置した。ＣＣＤ１９もまた、光軸に垂直に配置した。レンズ１８からＣＣＤ１９までの距離は、レンズ１８の焦点距離に等しくした。
【０２０４】
記録された情報は、１ヶ月経過しても再生することが可能であった。
【０２０５】
（実施例２）
トラップ剤を下記化学式（１２）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例１と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２０６】
【化５９】
0004018417.tif 000042
【０２０７】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、８０℃において、両電極を１ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２０８】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時間１０秒で十分に記録を行なうことができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができた。
【０２０９】
（実施例３）
トラップ剤を下記化学式（１３）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例１と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２１０】
【化６０】
0004018417.tif 000043
【０２１１】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２１２】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時間５秒で十分に記録を行なうことができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができた。
【０２１３】
（実施例４）
非線形光学材料を下記化学式（１４）で表わされる化合物（７−ＤＣＳＴ）に変更し、トラップ剤を下記化学式（１５）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例１と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２１４】
【化６１】
0004018417.tif 000044
【０２１５】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２１６】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時間１秒で十分に記録を行なうことができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができた。
【０２１７】
（実施例５）
トラップ剤を前記化学式（１６）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例４と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２１８】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、１００℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２１９】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時間１０秒で十分に記録を行なうことができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができた。
【０２２０】
（実施例６）
Ｃ70：０．５重量％、ポリスチレン（ＰＳ）：３４．５重量％、電荷輸送剤としての前記化学式（５ｂ）で表わされる化合物：３０重量％、７−ＤＣＳＴ：３０重量％、およびトラップ剤としての前記化学式（１６）で表わされる化合物５重量％をＴＨＦとトルエンに溶解して共溶媒溶液を調製した。
【０２２１】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２２２】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時間１秒で十分に記録を行なうことができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができた。
【０２２３】
（実施例７）
トラップ剤を下記化学式（１７）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例６と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２２４】
【化６２】
0004018417.tif 000045
【０２２５】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２２６】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時間１秒で十分に記録を行なうことができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができた。
【０２２７】
（実施例８）
電荷輸送剤の含有量を２５重量％に変更し、可塑剤としてのトリフェニルアミン５重量％を加え、トラップ剤を下記化学式（１８）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例６と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２２８】
【化６３】
0004018417.tif 000046
【０２２９】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２３０】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時間１秒で十分に記録を行なうことができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができた。
【０２３１】
（実施例９）
トラップ剤を下記化学式（１９）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例６と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２３２】
【化６４】
0004018417.tif 000047
【０２３３】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２３４】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時間１秒で十分に記録を行なうことができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができた。
【０２３５】
（実施例１０）
Ｃ70：０．５重量％、前記一般式（Ｐ１）で表わされるコポリマー（ｙ／ｘ＝０．０５）：４９．５重量％、ＥｔＣｚ：７．５重量％、ＢｉｓＣｚＰｒｏ：７．５重量％、７−ＤＣＳＴ：３５重量％を、ＴＨＦとトルエンに溶解して共溶媒溶液を得た。一般式（Ｐ１）で表わされるコポリマーは、電荷輸送剤およびトラップ剤の両方の作用を有する。トラップ剤としての含有量は、５重量％程度である。
【０２３６】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２３７】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時間１０秒で十分に記録を行なうことができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができた。
【０２３８】
（実施例１１）
Ｃ70：０．５重量％、下記一般式（Ｐ２）で表わされるコポリマー（ｙ／ｘ＝０．０５）：６４．５重量％、およびＤＢＭＮＡ：３５重量％を、ＴＨＦとトルエンに溶解して共溶媒溶液を得た。一般式（Ｐ２）で表わされるコポリマーは、電荷輸送剤、トラップ剤および非線形光学材料の作用を有する。トラップ剤としての含有量は４重量％程度である。
【０２３９】
【化６５】
0004018417.tif 000048
【０２４０】
化学式（Ｐ２）で表わされるポリマーは、前記一般式（Ａ’）で表わされる基（トラップ剤）が側鎖に導入されている。具体的には、Ｒbとして含窒素複素環基を含む。
【０２４１】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成し、光記録媒体を作製した。
【０２４２】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録時間１０秒で十分に記録を行なうことができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができた。
【０２４３】
（実施例１２）
トラップ剤を下記化学式（２０）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例１と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２４４】
【化６６】
0004018417.tif 000049
【０２４５】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２４６】
ここでトラップ剤として用いた化学式（２０）で表わされる化合物は、電子供与性を有する基としてのカルバゾール基を１分子中に２つ含むが、それらの間は共役系で結ばれていない。しかしながら、化学式（２０）で表わされる物質の吸収スペクトルから、この分子における２つのカルバゾール基は、空間的に重なり合って存在していることが確認されている。すなわち、一方のカルバゾール基にホールが注入された場合には、空間的に重なり合って存在する他方のカルバゾール基との電子雲の重なりが大きくなる。
【０２４７】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録には１０秒を要したが、記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することができた。
【０２４８】
（比較例１）
トラップ剤を４−（ジメチルアミノ）ベンズアルデヒド−ジフェニルヒドラゾン（ＤＥＨ）に変更した以外は、前述の実施例４と同様の処方により共溶媒溶液溶液を調製した。
【０２４９】
得られた共溶媒溶液溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２５０】
実施例１と同様の条件で記録を行なったところ、記録には３０秒を要した。これは、ＰＶＫの電荷受容性を有する基とＤＥＨの電子供与性を有する基とは、イオン化ポテンシャルが大きく異なることに起因して、ＰＶＫからＤＥＨへの電荷の移動が起こりにくかったためと考えられる。にもかかわらず、記録された情報は３０分で再生できなくなった。ＤＥＨでは、電子供与性を有するアミノ基にフェニル基が直接２個結合しているため、ポリマー内で十分な分子構造の変化を起こすことができず、電荷の保持寿命が長くないためである。
【０２５１】
（比較例２）
トラップ剤を下記化学式（２１）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例４と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２５２】
【化６７】
0004018417.tif 000050
【０２５３】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２５４】
この光記録媒体に実施例１と同様の条件で記録を試みた。
【０２５５】
その結果、記録光の照射を停止して数秒で、再生光は観測されなくなった。ここでトラップ剤として用いた化学式（２１）で表わされる化合物においては、カルバゾール基間が共役系で結合されていないためである。ＰＶＫから化学式（２１）で表わされる物質への電荷の移動は起こりやすいものの、化学式（２１）で表わされる物質上で電荷が安定に存在することができないために、こうした現象が生じたものと考えられる。
【０２５６】
（比較例３）
トラップ剤を下記化学式（２２）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例４と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。本比較例においては、化学式（２２）で表わされる化合物がトラップ剤として作用する。
【０２５７】
【化６８】
0004018417.tif 000051
【０２５８】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成した。さらに、８０℃において、両電極を３ｋＶの電極に接続してポーリング処理を施すことにより、光記録媒体を作製した。
【０２５９】
この光記録媒体に実施例１と同様の条件で記録を試みた。
【０２６０】
ここでトラップ剤として用いた化学式（２２）で表わされる化合物は、前述の化学式（２０）で表わされる化合物と構造が類似している。しかしながら、その吸収スペクトルから、カルバゾール基同士が空間的に重なり合わずに存在していることが確認されている。つまり、一方のカルバゾール基にホールが注入されても、電子雲の重なりは生じない。
【０２６１】
この光記録媒体に実施例１と同様の条件で情報の記録を行なったところ、記録光を遮断すると数秒で、再生光は観測されなくなった。
【０２６２】
（実施例１３）
Ｃ70：０．４重量％、ＰＶＫ：３９．６重量％、ＥｔＣｚ：１５重量％、ＢｉｓＣｚＰｒｏ：１５重量％、および前記化学式（１１）で表わされる化合物：３０重量％をＴＨＦとトルエンに溶解して共溶媒溶液を調製した。化学式（１１）で表わされる化合物はトラップ剤として機能する。この化合物が３０重量％配合されているので、光の照射によりトラップ剤の光学特性が変化し、情報を記録することができる。
【０２６３】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
【０２６４】
図５に示す構成の記録装置を用いて、この光記録媒体にホログラムを記録再生した。図示する装置においては、Ｈｅ−Ｎｅレーザー（出力３０ｍＷ）１０から出射された光は、まず、ビームスプリッター１２で二つに分割される。ビームスプリッター１２で反射された光は、ビームエキスパンダー１１を用いて光径を広げた後、画像表示素子としての液晶フィルター１５を透過する。液晶フィルター１５は、予め記録したい情報に応じてその透過率を変調しておき、透過光を信号光４とする。その透過光を、レンズ１６（焦点距離１５０ｍｍ）を用いて集光する。レンズ１６と光記録媒体７との距離は、１３５ｍｍとした。
【０２６５】
一方、ビームスプリッター１２を透過した光は、レンズ１７（焦点距離１５０ｍｍ）で集光して参照光５とした。レンズ１７と光記録媒体との距離は７０ｍｍとし、光記録媒体上で信号光４が集光された領域を参照光が覆うように、参照光５の光路を調整する。信号光４と参照光５とが光記録媒体７に入射される角度を光記録媒体７の外で測定したところ、光記録媒体７の法線方向に対し、それぞれ３０°および６０°であった。
【０２６６】
光記録媒体７の基板は、３ｋＶの外部電源（図示せず）に接続されているので、６０Ｖ／μｍの外部電場が加えられている。このようにして１秒光を照射することにより、光記録媒体７にホログラムを記録することができた。
【０２６７】
続いて、記録された情報を再生した。再生に当たっては、信号光４の光路をシャッターで遮断し、ビームスプリッター１２を透過した光を読み出し光として光記録媒体７に照射したところ、回折光が観測された。レンズ１６と同様のレンズ１８（焦点距離１５０ｍｍ）を透過させた後、回折光を読み取り装置としてのＣＣＤ１９に入射することによって、信号光４の強度分布と同様の強度分布を有する再生光が検出された。レンズ１８は、レンズ１６から３００ｎｍの位置に、光軸がレンズ１８の中央部を通るよう、光軸に垂直に配置した。ＣＣＤ１９もまた、光軸に垂直に配置した。また、レンズ１８からＣＣＤ１９までの距離は、レンズ１８の焦点距離に等しくした。
【０２６８】
記録された情報は、１ヶ月経過しても再生することができた。
【０２６９】
（実施例１４）
Ｃ70：０．３重量％、ＰＳ：４４．７重量％、前記化学式（５ａ）で表わされる化合物：１５重量％、トリフェニルアミン：５重量％、および前記化学式（１５）で表わされる化合物：３５重量％をＴＨＦとトルエンに溶解して共溶媒溶液を調製した。化学式（１５）で表わされる化合物はトラップ剤として機能する。この化合物が３０重量％配合されているので、光の照射によりトラップ剤の光学特性が変化し、情報を記録することができる。
【０２７０】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
【０２７１】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間５秒で十分に記録することができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２７２】
（実施例１５）
前述の実施例１４で作製した共溶媒溶液を、ＩＴＯ膜を形成していないガラス基板上にキャスト法により塗布し、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
【０２７３】
得られた光記録媒体に対し、外部電場を印加しないことを除いて前述の実施例１３と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間６０秒を要したが記録することができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２７４】
（実施例１６）
Ｃ70：０．３重量％、ＰＳ：４９．７重量％、前記化学式（５ａ）で表わされる化合物：１５重量％、および前記化学式（１６）で表わされる化合物：３５重量％をＴＨＦとトルエンに溶解して共溶媒溶液を調製した。化学式（１６）で表わされる化合物はトラップ剤として機能する。この化合物が３０重量％配合されているので、光の照射によりトラップ剤の光学特性が変化し、情報を記録することができる。
【０２７５】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
【０２７６】
この光記録媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間１秒で十分に記録することができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２７７】
（実施例１７）
トラップ剤を前記化学式（１７）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例１４と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２７８】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
【０２７９】
この光記録媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間５秒で十分に記録することができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２８０】
（実施例１８）
トラップ剤を前記化学式（１８）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例１６と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２８１】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
【０２８２】
この光記録媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間１秒で十分に記録することができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２８３】
（実施例１９）
トラップ剤を前記化学式（１９）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例１６と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２８４】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
【０２８５】
この光記録媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間１秒で十分に記録することができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２８６】
（実施例２０）
トラップ剤を前記化学式（２０）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例１３と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２８７】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
【０２８８】
この光記録媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間１０秒で十分に記録することができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２８９】
これは、実施例１２で述べたように、化学式（２０）で表わされる化合物がトラップ剤として機能するためである。
【０２９０】
（実施例２１）
実施例５で作製した光記録媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間１０秒で十分に記録することができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２９１】
（実施例２２）
実施例１１で作製した光記録媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報を記録したところ、記録時間１０秒で十分に記録することができた。記録された情報は、１ヶ月を経過した後にも再生することが可能であった。
【０２９２】
（比較例４）
トラップ剤をＤＥＨに変更した以外は、前述の実施例１３と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２９３】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
【０２９４】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報の記録を試みたが、記録を行なうことができなかった。ＤＥＨでは、電子供与性を有するアミノ基に、構造が大きなフェニル基が２個直接結合している。このため、ポリマー内で十分な構造変化を起こすことができない。したがって、電荷を保持した際の構造変化が小さく、光学特性の十分な変化を生じさせることができなかったためである。
【０２９５】
（比較例５）
トラップ剤を前記化学式（２１）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例１３と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２９６】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
【０２９７】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報の記録を試みたが、記録を行なうことができなかった。化学式（２１）で表わされる化合物は、電子供与性を有する２つのカルバゾールは共役系で結合されていない。このため、電荷を保持した際に光学特性の十分な変化を生じさせることができなかったためである。
【０２９８】
（比較例６）
トラップ剤を前記化学式（２２）で表わされる化合物に変更した以外は、前述の実施例１３と同様の処方により共溶媒溶液を調製した。
【０２９９】
得られた共溶媒溶液を用いて、実施例１と同様の手法により膜厚５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。
【０３００】
得られた光記録媒体に対し、前述の実施例１３と同様の条件で情報の記録を試みたが、記録を行なうことができなかった。化学式（２２）で表わされる化合物では、電子供与性を有する２個のカルバゾールが相互作用しないためである。
【０３０１】
本発明の一実施例にかかる光記録媒体は、多層にわたって情報を記録・再生することができる。これに関する実施例を以下に示す。
【０３０２】
（実施例２３）
多層型光記録用の光記録媒体を作製するために、ガラス基板の表面にＩＴＯ（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜を形成して基板を準備した。この基板上に、前述の実施例１で調製した共溶媒溶液を滴下し、キャスト法により塗布することにより記録層を形成して光記録媒体を得た。記録層の膜厚は、テフロン（登録商標）製のスペーサーを用いて２５０μｍに調整した。対物レンズ側のガラス基板を急冷して取り除き、光記録媒体とした。
【０３０３】
図７に示す構成の記録装置を用いて、情報の記録・再生を行なった。半導体レーザーからの出力光をコリメータレンズを用いて平行光とした後、対物レンズで光記録媒体内に集光する。ここでは深さ方向の任意の位置に集光できるように、動作距離が長く且つＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）が大きい対物レンズとして、ＮＩＫＯＮ社製レンズ（商品名：ＣＦ  ＩＣ  ＬＣＤ  Ｐｌａｎ  ＣＲ、１００倍）を用いた。
【０３０４】
まず、半導体レーザーへの注入電流を小さくして照射光強度を十分に下げた状態で、半導体レーザーが集光される位置を記録層の表面に合わせた。続いて、光を照射しない状態でステージを移動させ、記録層表面から１０μｍの位置に焦点を配置した。
【０３０５】
この後、所定の時間注入電流を大きくして記録光を照射した。さらに、深さ方向の異なる位置に情報を記録するために、光を照射しない状態で、ステージを用いて３０μｍ深い位置に焦点位置を移動させた。この位置に情報を記録するために、やはり流入電流を変調して記録光を照射した。これを繰り返して、記録層内の異なる深さに４つのデータを記録した。このようにして、光を照射しない状態でステージを用いて焦点位置を所望の位置に移動した後に記録光を所定の時間照射することにより、記録層内の任意の位置に情報を記録することができる。
【０３０６】
続いて、光を照射しない状態で、光軸が記録領域中心をとおり、記録領域から５μｍ深い領域に焦点位置が配置されるようにステージを用いて光記録媒体を移動させる。記録光よりも１／１００程度小さい光量になるように注入電流を変調し、この位置で光軸上における透過光強度Ｉｓを測定した。この光強度Ｉｓと、あらかじめ記録層に同じ光量で測定した透過光強度Ｉｒとの比、Ｉｓ／Ｉｒを求めると１．２であった。一方、焦点位置を記録領域から十分離した場合には、Ｉｓ／Ｉｒは１．０であった。
【０３０７】
（実施例２４）
Ｃ70：０．５重量％、ＰＳ：３４．５重量％、前記化学式（５ｂ）で表わされる電荷輸送剤：３０重量％、ＤＢＭＮＡ：３０重量％、およびトラップ剤としての前記化学式（１６）で表わされる化合物：５重量％をＴＨＦとトルエンに溶解して共溶媒溶液を得た。
【０３０８】
得られた共溶媒溶液を用いて、前述の実施例２３と同様の方法により膜厚２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光照射を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３０９】
続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉｓ／Ｉｒの値は１．３であった。
【０３１０】
（実施例２５）
前述の実施例５で調製した共溶媒溶液を用いて、実施例２３と同様の方法により膜厚２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光照射を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３１１】
続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉｓ／Ｉｒの値は１．４であった。
【０３１２】
（実施例２６）
前述の実施例１１で調製した共溶媒溶液を用いて、実施例２３と同様の方法により膜厚２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光照射を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３１３】
続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉｓ／Ｉｒの値は１．２であった。
【０３１４】
（実施例２７）
前述の実施例１６で調製した共溶媒溶液を用いて、実施例２３と同様の方法により膜厚２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光照射を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３１５】
続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉｓ／Ｉｒの値は１．３であった。
【０３１６】
（比較例７）
前述の比較例４で調製した共溶媒溶液を用いて、実施例２３と同様の方法により膜厚２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光照射を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３１７】
続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉｓ／Ｉｒの値はほぼ１であった。
【０３１８】
（比較例８）
前述の比較例５で調製した共溶媒溶液を用いて、実施例２３と同様の方法により膜厚２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光照射を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３１９】
続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉｓ／Ｉｒの値はほぼ１であった。
【０３２０】
（比較例９）
前述の比較例６で調製した共溶媒溶液を用いて、実施例２３と同様の方法により膜厚２５０μｍの記録層を形成して光記録媒体を作製した。この光記録媒体に、実施例２３と同様に１秒間の光照射を繰り返して、連続して４つのデータを記録した。
【０３２１】
続けて、情報の再生を行なったところ、Ｉｓ／Ｉｒの値はほぼ１であった。
【０３２２】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、ホログラムとして情報が記録される光記録媒体であって、実用的な記録寿命を保ちつつ、記録に要する時間が短い光記録媒体が提供される。また本発明によれば、こうした光記録媒体に情報を記録する光記録装置が提供される。
【０３２３】
本発明の光記録媒体は、高密度記録を実現するために有効であり、その工業的価値は絶大である。
【図面の簡単な説明】
【図１】光記録媒体を説明する概略図。
【図２】ホログラムの記録原理を説明する図。
【図３】トラップ剤の構造によるエネルギー変化を説明する図。
【図４】カルバゾリル基を有する化合物の蛍光スペクトル。
【図５】本発明の一実施例に係る光記録媒体にホログラムを記録する装置の一例の構成を表わす概略図。
【図６】本発明の一実施例に係る光記録媒体に記録されたホログラムを再生する装置の一例の構成を表わす概略図。
【図７】本発明の一実施例に係る光記録媒体に情報を多層記録する装置の構成の一例を表わす概略図。
【図８】本発明の一実施例に係る光記録媒体に情報を多層記録した場合のデータの再生を説明する図。
【図９】トラップ剤の吸収スペクトル図。
【図１０】電荷保持能の測定方法を説明する図。
【図１１】試料表面の電位の変化を示すグラフ図。
【図１２】試料表面の電位の変化を示すグラフ図。
【図１３】本発明の一実施例にかかる光記録媒体にホログラムを記録する装置の他の例の構成を表わす概略図。
【符号の説明】
１…電極
２…記録層
３…電極
４…信号光
５…参照光
６…再生光
７…光記録媒体
１０…レーザー
１１…ビームエキスパンダー
１２…ビームスプリッター
１３，１４…ミラー
１５…画像表示素子
１６，１７，１８…レンズ
１９…読み取り装置
２０…レーザー
２１…ビームエキスパンダー
２２…レンズ
２３…ビームスプリッター
３１…半導体レーザー
３２…コリメートレンズ
３３…対物レンズ
３４…光学定数が変化した領域
３５…アイリス
３６…検出器
１１１…ガラス基板
１１２…ＩＴＯ膜
１１３…Ａｌ膜
１１４…測定膜
【図１】
0004018417.tif 000072
【図２】
0004018417.tif 000073
【図３】
0004018417.tif 000074
【図４】
0004018417.tif 000075
【図５】
0004018417.tif 000076
【図６】
0004018417.tif 000077
【図７】
0004018417.tif 000078
【図８】
0004018417.tif 000079
【図９】
0004018417.tif 000080
【図１０】
0004018417.tif 000081
【図１１】
0004018417.tif 000082
【図１２】
0004018417.tif 000083
【図１３】
0004018417.tif 000084