Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月12日(2016.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
組織修復特性を有する生体材料は、外科的適用、とくにデバイス−組織境界面において、関心対象である。例えば、いくらかの現在の材料は、治療終了後のデバイス除去に際して組織を損傷するかもしれず、かつ／または、組織部位において分解し材料の断片を置き去りにするかもしれない。これらの断片は、除去を要しうる。従って、生体材料及びデバイスは、１）デバイス−組織境界面に配置された場合、組織を治療するためのデバイスの機能及び構造が保持または改善されることを可能にし、２）デバイスの除去の間の組織損傷を減少させつつ、組織部位からのデバイスの除去の容易さを増強し、かつ３）デバイスの使用中及びデバイスが除去された後の修復を促進する必要がある。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許第７，２１６，６５１号明細書
（特許文献２）  米国特許出願公開第２０１２／０２６５２９７号明細書
（特許文献３）  米国特許出願公開第２０１１／０２６２４８９号明細書
（特許文献４）  米国特許出願公開第２０１２／００１６３２５号明細書
（非特許文献）
（非特許文献１）  ＷＡＮＧ，Ｒ  ｅｔ  ａｌ．‘Ｉｎｊｅｃｔａｂｌｅ  Ａｎｄ  Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｉｎｇ  Ｓｐｏｎｇｅ  Ａｓ  Ａ  Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ  Ｌａｙｅｒ  Ａｔ  Ｄｅｖｉｃｅ−Ｔｉｓｓｕｅ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ  Ｉｎ  Ｗｏｕｎｄ  Ｒｅｐａｉｒ’．ＢＭＥＳ，１２ｔｈ  Ａｎｎｕａｌ  Ｇｒａｄｕａｔｅ  Ｓｔｕｄｅｎｔ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ．Ｍａｙ  １６，２０１３，ｐａｇｅｓ  １４５−１４６；  ｆｉｇｕｒｅ  １；  ｃｏｌｕｍｎ  １，ｆｉｒｓｔ  ｐａｒａｇｒａｐｈ  ｔｏ  ｃｏｌｕｍｎ  ２，ｓｅｃｏｎｄ  ｐａｒａｇｒａｐｈ；  ｐａｇｅ  １４５
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月26日(2016.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティングデバイスが、ジオフェンスのサイズを特定するステップであって、前記ジオフェンスの前記サイズは、前記ジオフェンスにより包含される面積を含む、ステップと、
前記コンピューティングデバイスが、位置判定モジュールに関する位置不確定領域のサイズを特定するステップであって、前記位置不確定領域は、前記位置判定モジュールにより提供される、前記コンピューティングデバイスの位置の推定精度誤差に基づき、前記位置判定モジュールに固有である、ステップと、
前記コンピューティングデバイスが、ジオフェンス到達状態に関する信頼度値が閾信頼度値を満たすことに基づいて、前記ジオフェンスに関する１以上のジオフェンスイベントの発生を判定するステップであって、前記閾信頼度値は、前記ジオフェンスの前記サイズと前記位置不確定領域の前記サイズとの比率に少なくとも部分的に基づいて変化する、ステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記ジオフェンス到達状態に関する前記信頼度値が、前記閾信頼度値を満たしたことに応じて、前記コンピューティングデバイスが前記ジオフェンス内に存在すると判定するステップ
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記コンピューティングデバイスの前記位置に関する位置不確定領域と前記ジオフェンスとの重なり合っている領域の面積を使用して、前記ジオフェンス到達状態に関する前記信頼度値を生成するステップ
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記信頼度値は、前記ジオフェンスの前記サイズに関して前記位置判定モジュールの精度においてどれくらいの誤差を許容できるかを含み、
判定する前記ステップは、
前記ジオフェンスの前記サイズを所与として、複数の位置判定モジュールの中から、少なくとも許容可能な位置不確定領域を提供する１つの位置判定モジュールを選択するステップ
を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記コンピューティングデバイスが前記ジオフェンス内に存在することに応じて、前記ジオフェンスの前記サイズを所与として第１の許容可能な位置不確定領域を使用するステップと、
前記コンピューティングデバイスが前記ジオフェンス外に存在することに応じて、前記ジオフェンスの前記サイズを所与として第２の許容可能な位置不確定領域を使用するステップと、
をさらに含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
コンピューティングデバイスであって、
複数のジオフェンスに関するジオフェンスデータを記憶するよう構成されているデータ記憶部であって、各ジオフェンスに関する前記ジオフェンスデータは、前記各ジオフェンスの領域を特定するものである、データ記憶部と、
ハードウェアにより少なくとも部分的に実装されている１以上の位置判定モジュールであって、各位置判定モジュールは、前記コンピューティングデバイスの位置を提供するよう構成されており、前記コンピューティングデバイスの前記位置は、関連付けられた位置不確定領域を有する、１以上の位置判定モジュールと、
前記複数のジオフェンスのうちの少なくとも１つのジオフェンスのサイズであって、該サイズは、該ジオフェンスにより包含される面積である、サイズと、前記位置不確定領域のサイズと、の比率に少なくとも部分的に基づいて変化する信頼度レベルに基づいて、前記複数のジオフェンスのうちの少なくとも１つのジオフェンスに関する１以上のジオフェンスイベントの発生を検出するよう構成されているジオフェンスイベント検出モジュールと、
を備えたコンピューティングデバイス。
【請求項７】
変化する前記信頼度レベルは、１以上のジオフェンスの１以上の到達状態を検出するために、前記ジオフェンスイベント検出モジュールにより使用され、複数の位置判定モジュールのうちの１つの位置判定モジュールが、前記複数のジオフェンスのうちの少なくとも１つのジオフェンスのサイズを所与として、少なくとも許容可能な位置不確定領域を伴う位置を提供する前記１つの位置判定モジュールの能力に基づいて選択される、請求項６記載のコンピューティングデバイス。
【請求項８】
前記信頼度レベルは、ジオフェンスのジオフェンス到達状態を検出するために、決定されて閾信頼度レベルと比較され、
前記閾信頼度レベルは、前記ジオフェンスの前記サイズ及び現在の位置不確定領域のサイズに応じて変化し、
現在位置に関する前記信頼度レベルは、前記ジオフェンス到達状態が満たされたかどうかを判定するために、前記閾信頼度レベルと比較される、請求項６記載のコンピューティングデバイス。
【請求項９】
前記ジオフェンスイベント検出モジュールは、前記ジオフェンスの前記サイズを所与として、複数の位置判定モジュールの中から、前記ジオフェンス到達状態を検出するために、許容可能な信頼度レベルを提供する不確定領域を伴う位置を提供することができる１つの位置判定モジュールを、前記位置判定モジュールとして選択するようさらに構成されている、請求項８記載のコンピューティングデバイス。
【請求項１０】
ジオフェンスのサイズを特定するステップであって、前記ジオフェンスの前記サイズは、前記ジオフェンスにより包含される面積を含む、ステップと、
前記ジオフェンスの前記サイズに基づいて、複数の位置判定モジュールの中から、１つの位置判定モジュールを選択するステップと、
前記の選択された１つの位置判定モジュールに関する位置不確定領域のサイズを特定するステップであって、前記位置不確定領域は、前記の選択された１つの位置判定モジュールにより提供される、コンピューティングデバイスの位置の精度の不確定量に基づく、ステップと、
前記位置不確定領域とともに、前記位置不確定領域と前記ジオフェンスとの重なり合っている領域の面積を使用して、ジオフェンスに到達したことの信頼度値を決定するステップと、
前記ジオフェンスの前記サイズと前記コンピューティングデバイスの現在位置の前記位置不確定領域の前記サイズとの比率に基づく式を使用して、ジオフェンス到達状態を示す閾信頼度値を決定するステップと、
前記信頼度値が前記閾信頼度値を満たす場合、前記コンピューティングデバイスが前記ジオフェンス内に存在すると判定し、前記信頼度値が前記閾信頼度値を満たさない場合、前記コンピューティングデバイスが前記ジオフェンス内に存在しないであろうと判定するステップと、
を含む方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年12月8日(2015.12.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
スロット３４は、軸対称ＲＦ電流経路を提供するために、チャンバライナー３０を通して対称に形成されている。上述したように、スロット３４のうちの１つは、スリットバルブトンネル１２２２と整列され、同時に他のスロット３４は、チャンバライナー３０の周りに、スリットバルブトンネル１２２２と整列したスロット３４の開口部のためにライナー３０上に存在するＲＦ電流密度及び／又は分布の変化を補償する位置に分布している。一実施形態では、スロット３４は、円形状配列に配置されており、実質的に水平方向に（すなわち、ライナーアセンブリ３の中心軸と直交する方向に）等間隔に離間させてもよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明の一実施形態によれば、対称スロットチャンバライナー３０を図３Ａに更に示すことができる。図３Ａは、本発明の一実施形態に係るチャンバライナーの斜視図を示す。図３Ａに示されるように、チャンバライナー３０は、対称的に形成された複数のスロット３４を有しており、スロット３４のうちの１つは、基板を搬送するための大きさに作られている。他のスロット３４は、例えば、プラズマプロセスにおける電気的な偏りを調整するために設計されており、これによって例えば、ライナーを通って基板搬送に利用されるスロット３４の端部でＲＦ電流密度の集中を補償する。スロットは、対称的に間隔をあけなければならず（すなわち、ライナー３０の中心線の周りに円形状配列でなければならず）、これによって電極から流され、チャンバライナー３０を通って電源に戻るＲＦ電流に対して、軸対称及び方位対称のＲＦ電流のリターンパスを提供することに留意すべきである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置内で使用するためのライナーアセンブリであって、
プラズマ処理装置の側壁の内側に滑入するような寸法に作られた外壁を有する円筒体を含み、貫通して形成され、円形状配列に配置された等しい大きさの３以上のスロットを円筒体は有し、少なくとも１つのスロットは、基板がライナーを通過できるように構成されるライナーアセンブリ。
【請求項２】
３以上のスロットは、等間隔に離間している請求項１記載のライナーアセンブリ。
【請求項３】
３以上のスロットは、同一平面上にある請求項１記載のライナーアセンブリ。
【請求項４】
３以上のスロットは、９０度間隔を空けた４つのスロットである請求項１記載のライナーアセンブリ。
【請求項５】
円筒体は、
外壁に結合された底部と、
底部に結合され、処理装置の基板支持体の上に滑入するような寸法に作られた内壁を更に含む請求項１記載のライナーアセンブリ。
【請求項６】
円筒体は、内部に形成されたクーラント通路を更に含む請求項１記載のライナーアセンブリ。
【請求項７】
側壁と底壁を有するチャンバ本体であって、チャンバの側壁と底壁は、プラズマを含むための処理容積を画定し、側壁は貫通して形成されたスリットバルブトンネルを有するチャンバ本体と、
チャンバ本体上に配置された蓋アセンブリと、
プラズマ処理装置の側壁の内側に滑入するような寸法に作られた外壁を有する円筒体を含むライナーアセンブリであって、貫通して形成され、円形状配列に配置された等しい大きさの３以上のスロットを円筒体は有し、少なくとも１つのスロットは、基板がライナーを通過できるように構成され、少なくとも１つのスロットは、ライナーアセンブリを介して軸対称ＲＦ帰還電流経路を生成するように配置されるライナーアセンブリを含むプラズマ処理装置。
【請求項８】
３以上のスロットは、等間隔に離間している請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
３以上のスロットは、同一平面上にある請求項８記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
３以上のスロットは、１２０度離間している請求項８記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
３以上のスロットは、ライナーアセンブリを貫通して形成され、９０度離間している４つのスロットである請求項８記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
ライナーアセンブリは、
チャンバ本体の側壁の内側に滑入するような寸法で作られた外壁と、
外壁に結合された底部を更に含む請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
ライナーアセンブリは、底部に結合され、基板支持体の上に滑入するような寸法で作られた内壁を更に含む請求項１２記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
ライナーアセンブリが、内部に形成されたクーラント流路を更に含む請求項７記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
基板をプラズマ処理する方法であって、
プラズマ処理装置の側壁の内側に滑入するような寸法に作られた外壁を有する円筒体を含むライナーアセンブリを有するプラズマ処理装置のチャンバ本体内に基板を搬送する工程であって、貫通して形成され、円形状配列に配置された等しい大きさの３以上のスロットを円筒体は有し、少なくとも１つのスロットは、基板がライナーを通過できるように構成され、スロットは、処理中にライナーアセンブリを通るＲＦ電流の流れの対称的な分布を提供するように選択される工程と、
ガス供給源からチャンバ本体内に処理ガスを導入する工程と、
電力を電極に結合して、チャンバ本体内で処理ガスをプラズマに励起する工程と、
プラズマの存在下で基板を処理する工程を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
当業者は、より具体的に添付の請求項に記載した本開示の趣旨及び範囲から逸脱せずに、本開示への他の修正及び変更を行うことが可能である。様々な実施形態の態様を様々な実施形態の他の態様と部分的若しくは全体的に互換すること又は組み合わせることが可能であることが理解される。特許証のための上記の出願において引用された、参照文献、特許、又は特許出願はいずれも一貫性を有するようにそれらの全容を参照することにより本明細書に援用される。これらの援用文献の一部と本出願との間に不一致又は矛盾がある場合、上記の説明文における情報が優先するものとする。特許請求される開示を当業者が実施することを可能ならしめるために示される上記の説明は、特許請求の範囲及びその全ての均等物によって規定される本開示の範囲を限定するものとして解釈されるべきではない。
本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［１１］に記載する。
［項目１］
その上に所定のパターンを有する基材を提供する方法であって：
印刷ロール、第１のインクディスペンサー、及び第２のインクディスペンサーを準備する工程であって、前記第１のインクディスペンサー及び前記第２のインクディスペンサーは、第１のインク及び第２のインクを前記印刷ロール上にそれぞれ別々の第１及び第２の区域において分注するように配置される、工程と、
選択された溶剤に可溶性の前記第１のインクを前記第１の区域の中に前記第１のインクディスペンサーにより分注し、前記選択された溶剤に不溶性である前記第２のインクを前記第２の区域の中に前記第２のインクディスペンサーにより分注する工程と、
前記基材を前記印刷ロールに対して前進させて、基準マークを前記基材上に前記第２のインクにより印刷し、併せて前記所定のパターンを前記基材上に前記第１のインクにより同時に印刷する工程と、
導電性材料の層を前記基材上に前記所定のパターンにわたってスパッタリングする工程と、
前記基材を前記選択された溶剤によりすすいで、前記第１のインク及び前記所定のパターンを除去し、併せて前記基準マークを前記基材上に残す工程とを含む、方法。
［項目２］
前記選択される溶剤が水である、項目１に記載の方法。
［項目３］
前記第２のインクがＵＶ硬化性であり、かつ前記方法が前記第２のインクを紫外線により硬化させる工程を更に含む、項目１に記載の方法。
［項目４］
前記印刷ロールが、少なくとも前記第１の区域においてフレキソ、グラビア、デュアルオフセット及びアニロックスのロールからなる群から選択されるロールである、項目１に記載の方法。
［項目５］
前記所定のパターンが大きさにおいて２０マイクロメートル未満の寸法を有する機構を含む、項目１に記載の方法。
［項目６］
前記基準マーク及び前記所定のパターンが２０マイクロメートル未満の寸法精度で位置合わせされている、項目１に記載の方法。
［項目７］
前記導電性材料が金属及び導電性金属酸化物からなる群から選択される、項目１に記載の方法。
［項目８］
その上に所定のパターンを有する基材を提供する方法であって：
印刷ロール、第１のインクディスペンサー、及び第２のインクディスペンサーを準備する工程であって、前記第１のインクディスペンサー及び前記第２のインクディスペンサーは、第１及び第２のインクを前記印刷ロール上にそれぞれ別々の第１及び第２の区域において分注するように配置される、工程と、
低コントラストインクを前記第１の区域の中に、視認可能なインクを前記第２の区域の中に分注する工程と、
前記基材を前記印刷ロールに対して前進させて、基準マークを前記基材上に前記視認可能なインクにより印刷し、併せて第１の所定のパターンを前記基材上に前記低コントラストインクにより同時に印刷する工程と、
引き続いて、前記基準マークをガイドとして用いて、２次的なパターンを前記第１の所定のパターンと位置合わせして前記基材上に配置する工程とを含む、方法。
［項目９］
前記印刷ロールが、少なくとも前記第１の区域においてフレキソ、グラビア、デュアルオフセット及びアニロックスのロールからなる群から選択されるロールである、項目８に記載の方法。
［項目１０］
前記所定のパターンが大きさにおいて２０マイクロメートル未満の寸法を有する機構を含む、項目８に記載の方法。
［項目１１］
前記基準マーク及び第１の所定のパターンが２０マイクロメートル未満の寸法精度で位置合わせされている、項目８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
その上に所定のパターンを有する基材を提供する方法であって：
印刷ロール、第１のインクディスペンサー、及び第２のインクディスペンサーを準備する工程であって、前記第１のインクディスペンサー及び前記第２のインクディスペンサーは、第１のインク及び第２のインクを前記印刷ロール上にそれぞれ別々の第１及び第２の区域において分注するように配置される、工程と、
選択された溶剤に可溶性の前記第１のインクを前記第１の区域の中に前記第１のインクディスペンサーにより分注し、前記選択された溶剤に不溶性である前記第２のインクを前記第２の区域の中に前記第２のインクディスペンサーにより分注する工程と、
前記基材を前記印刷ロールに対して前進させて、基準マークを前記基材上に前記第２のインクにより印刷し、併せて前記所定のパターンを前記基材上に前記第１のインクにより同時に印刷する工程と、
導電性材料の層を前記基材上に前記所定のパターンにわたってスパッタリングする工程と、
前記基材を前記選択された溶剤によりすすいで、前記第１のインク及び前記所定のパターンを除去し、併せて前記基準マークを前記基材上に残す工程とを含む、方法。
【請求項２】
前記選択される溶剤が水である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のインクがＵＶ硬化性であり、かつ前記方法が前記第２のインクを紫外線により硬化させる工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記所定のパターンが大きさにおいて２０マイクロメートル未満の寸法を有する機構を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基準マーク及び前記所定のパターンが２０マイクロメートル未満の寸法精度で位置合わせされている、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
その上に所定のパターンを有する基材を提供する方法であって：
印刷ロール、第１のインクディスペンサー、及び第２のインクディスペンサーを準備する工程であって、前記第１のインクディスペンサー及び前記第２のインクディスペンサーは、第１及び第２のインクを前記印刷ロール上にそれぞれ別々の第１及び第２の区域において分注するように配置される、工程と、
低コントラストインクを前記第１の区域の中に、視認可能なインクを前記第２の区域の中に分注する工程と、
前記基材を前記印刷ロールに対して前進させて、基準マークを前記基材上に前記視認可能なインクにより印刷し、併せて第１の所定のパターンを前記基材上に前記低コントラストインクにより同時に印刷する工程と、
引き続いて、前記基準マークをガイドとして用いて、２次的なパターンを前記第１の所定のパターンと位置合わせして前記基材上に配置する工程とを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月24日(2016.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機コア及び表面改質基を含む、表面改質されたナノ粒子であって、
前記表面改質基が、構造−Ｚ−ＮＨＲ１−Ｂ（Ｒ２）３［式中、Ｚが二価有機基であり、Ｒ１がＨ又は有機基であり、各Ｒ２が独立して、炭素原子を介して前記ホウ素原子と結合した有機基である。］を有する少なくとも１個のトリオルガノボラン−アミン複合体を含む、ナノ粒子。
【請求項２】
Ｚが、１〜３０個の炭素原子を有する二価有機基であり、
Ｒ１がＨ、アルキル基、又はシクロアルキル基であり、
各Ｒ２が独立して、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアルカリル基である、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項３】
Ｚが、１〜２０個の炭素原子を有する二価有機基であり、
Ｒ１が、Ｈ又は（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル基又は（Ｃ４〜Ｃ８）シクロアルキル基であり、
各Ｒ２が独立して、（Ｃ１〜Ｃ２０）アルキル基、（Ｃ４〜Ｃ８）シクロアルキル基、（Ｃ６〜Ｃ１４）ａｒ（Ｃ１〜Ｃ１０）アルキル基、又は（Ｃ１〜Ｃ１０）ａｌｋ（Ｃ６〜Ｃ１４）アリール基である、請求項２に記載のナノ粒子。
【請求項４】
前記表面改質基が、トリオルガノボランとの複合体ではないアミン官能性有機基を更に含む、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項５】
前記表面改質基が、前記ナノ粒子と結合した安定化有機基を更に含む、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項６】
前記無機コアが少なくとも５ナノメートルの粒径を含む、請求項１に記載のナノ粒子。
【請求項７】
液体中の、表面改質された複数の請求項１に記載のナノ粒子の分散液。
【請求項８】
表面改質されたナノ粒子を作製する方法であって、
前記方法が、
液体中に分散されるとき、複数のアミン官能性無機ナノ粒子を安定化するように選択される結合した安定化有機基を含む、アミン官能性無機ナノ粒子を提供することと、
式Ｂ（Ｒ２）３［式中、各Ｒ２が、炭素原子を介して前記ホウ素原子と結合した有機基である。］で表されるトリオルガノボラン化合物を提供することと、
表面改質されたナノ粒子を形成するために有効な条件下で、前記アミン官能性無機ナノ粒子と、前記トリオルガノボラン化合物とを組み合わせることであって、各表面改質されたナノ粒子が、無機コア及び表面改質基を含み、前記表面改質基が、構造−Ｚ−ＮＨＲ１−Ｂ（Ｒ２）３［式中、Ｚが二価有機基であり、Ｒ１がＨ又は有機基であり、各Ｒ２が独立して、炭素原子を介して前記ホウ素原子と結合した有機基である。］を有する、少なくとも１個のトリオルガノボラン−アミン複合体を含むことと、を含み、
前記アミン官能性無機ナノ粒子を提供することが、液体中に分散されるとき、複数の前記ナノ粒子を安定化するように選択される結合した安定化有機基を含む無機ナノ粒子を提供することと、アミン官能性化合物を提供することと、結合した安定化有機基を含むアミン官能性無機ナノ粒子を形成するために有効な条件下で、前記アミン官能性化合物と結合した安定化有機基を含む無機ナノ粒子とを組み合わせることと、を含む、方法。
【請求項９】
前記アミン官能性無機ナノ粒子と前記トリオルガノボラン化合物とを組み合わせることが、溶媒中でそれらを混合することによって起こり、
前記溶媒が、その後、結果として得られる、無機コア及び前記表面改質基を含む前記表面改質されたナノ粒子から除去される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
重合性成分及び表面改質されたナノ粒子を含む重合性組成物であって、
各表面改質されたナノ粒子が、無機コア及び表面改質基を含み、
前記表面改質基が、構造−Ｚ−ＮＨＲ１−Ｂ（Ｒ２）３［式中、Ｚが二価有機基であり、Ｒ１がＨ又は有機基であり、各Ｒ２が独立して、炭素原子を介して前記ホウ素原子と結合した有機基である。］を有する少なくとも１個のトリオルガノボラン−アミン複合体を含む、重合性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月28日(2016.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外線（ＥＵＶ）光源内の第１の光学素子に対する増幅光ビームの位置を調整する方法であって、
前記第１の光学素子に隣接し前記第１の光学素子とは別個の監視対象の素子の温度を表す第１の温度分布にアクセスすることであって、前記第１の温度分布は、複数の温度分布を含み、前記複数の温度分布の各々は、前記監視対象の素子上の複数の異なる空間位置の一つの温度を表す少なくとも一つの数値を含み、前記第１の光学素子は、前記増幅光ビームを受光する位置にあり、前記監視対象の素子上の複数の異なる空間位置の各々の温度は、前記第１の光学素子の複数部分の一つの温度の間接的な測定値であることと、
前記複数の温度分布の各々から温度メトリックを判定することであって、各温度メトリックは、前記監視対象の素子上の前記異なる空間位置の一つに関連することと、
前記複数の判定された温度メトリックを相互に比較することと、
前記増幅光ビームが前記第１の光学素子の中央にあるか否かを判定することであって、前記複数の判定された温度メトリックが実質的に同一であるときに前記増幅光ビームが前記第１の光学素子の中央にあり、前記複数の判定された温度メトリックが実質的に同一でないときに前記増幅光ビームが前記第１の光学素子の中央から外れていることと、
前記増幅光ビームが前記第１の光学素子の中央から外れている場合に、前記増幅光ビームが前記第１の光学素子の中央に近付くまで前記第１の光学素子に対する前記増幅光ビームの位置を調整することと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記増幅光ビームの位置を調整することは、前記増幅光ビームの前記位置への調整を表す表示を生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記表示が、第２の光学素子に機械的に結合されたアクチュエータ用の入力を含み、
前記第２の光学素子が、前記増幅光ビームを受光する位置にある能動領域を含み、
前記アクチュエータへの前記入力が、前記アクチュエータが前記能動領域を少なくとも一方向に移動させるのに十分である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記アクチュエータに前記入力を提供することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記アクチュエータに前記入力を提供した後、複数の第２の温度分布にアクセスすることであって、前記複数の第２の温度分布の各々は、前記監視対象の素子上の前記複数の異なる空間位置の一つの温度を表することと、
前記複数の第２の温度分布から前記複数の温度メトリックを判定することと、
前記第２の温度分布から判定された前記温度メトリックを、前記第１の温度分布の１つ以上と、又は相互に比較することと、
をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の光学素子の前記能動領域が、前記増幅光ビームを受光する反射部を有するミラーを備え、移動すると、前記第１の光学素子に対する前記増幅光ビームの前記位置を変更させる、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記インジケータが、前記ＥＵＶ光源内の第３の光学素子に結合された第２のアクチュエータ用の入力をさらに含み、
前記第２のアクチュエータへの前記入力は、前記第２のアクチュエータが前記第３の光学素子を少なくとも一方向に移動させるのに十分である、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記監視対象の素子上の前記異なる空間位置の各々の温度は、少なくとも２つの異なる時間に測定される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記複数の温度分布の各々が、前記監視対象の素子に機械的に結合された熱センサから受信した温度測定値を表すデータを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の光学素子が、前記増幅光ビームが通過するレンズを備え、
前記監視対象の素子が、前記レンズの外縁を囲うレンズシールドを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記温度分布が、異なる時間に測定される前記監視対象の素子上の前記異なる空間位置の複数の温度を含み、
前記温度メトリックが、前記複数の温度の変動、前記複数の温度の平均、又は、前記複数の温度のうちの少なくとも２つの間の変化率、のうち１つ以上を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記温度メトリックが、前記複数の温度の空間変動を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の温度メトリックが、前記監視対象の素子上の前記異なる空間位置で測定される前記複数の温度の空間変動をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記温度メトリックが、前記監視対象の素子の測定温度の時間的変化を表す値を含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月28日(2016.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラスタ内でのワークシェアリング多重化をサポートするためのシステムであって、
１つ以上のマイクロプロセッサと、
１つ以上のセレクタとを備え、各前記セレクタは読込み準備ファイルディスクリプタのキューを含み、さらに、
共有キューを備え、各前記セレクタは共有キューへと空にされ、さらに、
１つ以上のマイクロプロセッサ上で実行され、前記共有キューからワークを得るように動作する複数のマルチプレクサスレッドを備える、システム。
【請求項２】
クラスタ内でのワークシェアリング多重化をサポートするための方法であって、
１つ以上のセレクタを提供することを含み、各前記セレクタは読込み準備ファイルディスクリプタのキューを含み、さらに、
共有キューを提供することを含み、各前記セレクタは共有キューへと空にされ、さらに、
１つ以上のマイクロプロセッサ上で実行される複数のマルチプレクサスレッドが前記共有キューからワークを得ることを可能にすることを含む、方法。
【請求項３】
１つ以上の読込み準備ファイルディスクリプタを含むファイルディスクリプタキャッシュを提供することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ファイルディスクリプタキャッシュ上のスキャンが完了するのを待機しているときに、前記セレクタと関連付けられたスレッドがブロックされるように構成することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記セレクタと関連付けられたスレッドを、前記１つ以上の読込み準備ファイルディスクリプタを前記１つ以上のセレクタにコピーするように構成することをさらに含む、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
処理している読込み準備ソケットのスレッドローカルリストを維持するように各前記マルチプレクサスレッドを構成することをさらに含む、請求項２〜５のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記クラスタ内の異なるサーバからの１つ以上のリクエストを処理することができるリクエストマネージャを提供することをさらに含む、請求項２〜６のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記複数のマルチプレクサスレッドによって準備された前記１つ以上のリクエストが追加される複数のキューを含むように前記リクエストマネージャを構成することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記セレクタよりも多くの前記マルチプレクサスレッドを提供することをさらに含む、請求項２〜８のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記セレクタから読込み準備ソケットを連続的に取得し、サスペンドされるかまたはコンテキストスイッチを行なう必要なしにそれらを処理するように１つ以上の前記マルチプレクサスレッドを構成することをさらに含む、請求項２〜９のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
実行されると請求項２〜１０のうちいずれか１項に記載の方法をシステムに実行させるマシン読取可能な命令を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月27日(2016.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラウドソーシングの方法であって、
モバイルデバイスの環境を監視することと、
前記モバイルデバイスの前記環境に従って１つまたは複数のモバイルデバイス生成パラメータを決定することと、
前記１つまたは複数のモバイルデバイス生成パラメータに従ってクラウドソーシングのレベルを決定することと、ここにおいて、前記１つまたは複数のモバイルデバイス生成パラメータに従ってクラウドソーシングのレベルを決定することが、
前記環境に関する前記モバイルデバイスの水平推定位置誤差（ＨＥＰＥ）を監視することを備える、
決定されたクラウドソーシングの前記レベルに従ってクラウドソーシングを実行することと
を備える、方法。
【請求項２】
クラウドソーシングの前記レベルが、
前記モバイルデバイスによって収集されるべきクラウドソーシングデータの量、
前記モバイルデバイスによって実行されるべきクラウドソーシング動作の頻度、または、
収集されたクラウドソーシングデータに適用されるべき量子化のタイプとのうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＨＥＰＥが第１のしきい値よりも大きいことに応答して、クラウドソーシングの前記レベルを増加させることと、
前記ＨＥＰＥが第２のしきい値よりも小さいことに応答して、クラウドソーシングの前記レベルを減少させることと
をさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数のモバイルデバイス生成パラメータに従ってクラウドソーシングのレベルを決定することが、
対応する前に取得された走査リスト中で識別されたアクセスポイントの数に対する現在取得された走査リスト中で識別されたアクセスポイントの数の比を計算すること、または、
対応する前に取得された複数の走査リスト中で識別されたアクセスポイントの前記数に対する現在取得された複数の走査リスト中で識別されたアクセスポイントの平均数の比を計算すること、
のうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
対応する前に取得された走査リスト中で識別されたアクセスポイントの数に対する現在取得された走査リスト中で識別されたアクセスポイントの数の前記比と、対応する前に取得された複数の走査リスト中で識別されたアクセスポイントの前記数に対する現在取得された複数の走査リスト中で識別されたアクセスポイントの平均数の前記比とのうちの少なくとも１つのためのしきい値を選択することと、
対応する前に取得された走査リスト中で識別されたアクセスポイントの数に対する現在取得された走査リスト中で識別されたアクセスポイントの数の前記比が第１のしきい値よりも大きいことに応答して、クラウドソーシングの前記レベルを増加させることと、
対応する前に取得された走査リスト中で識別されたアクセスポイントの数に対する現在取得された走査リスト中で識別されたアクセスポイントの数の前記比が第２のしきい値よりも小さいことに応答して、クラウドソーシングの前記レベルを減少させることと
をさらに備える、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記１つまたは複数のモバイルデバイス生成パラメータに従ってクラウドソーシングのレベルを決定することが、
タイルのデータサイズを監視すること
を備え、ここにおいて、タイルの前記データサイズが前記タイル中のアクセスポイントの数を示し、ここにおいて、前記タイルが前記環境の所定のエリアを表す、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記データサイズが第１のしきい値よりも大きいことに応答して、クラウドソーシングの前記レベルを減少させることと、
前記データサイズが第２のしきい値よりも小さいことに応答して、クラウドソーシングの前記レベルを増加させることと
をさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記１つまたは複数のモバイルデバイス生成パラメータに従ってクラウドソーシングのレベルを決定することが、
複数の測位方法の結果を比較すること
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ＧＮＳＳ測位方法の結果がＷｉＦｉ（登録商標）測位方法の結果よりも正確であることに応答して、クラウドソーシングの前記レベルを増加させること
をさらに備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つまたは複数のモバイルデバイス生成パラメータに従ってクラウドソーシングのレベルを決定することが、
１つまたは複数のタイル中の前記モバイルデバイスの使用の履歴を監視することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記モバイルデバイスが、第１のしきい値よりも高い使用頻度を有するタイル中にあることに応答して、クラウドソーシングの前記レベルを増加させることと、
前記モバイルデバイスが、第２のしきい値よりも低い使用頻度を有するタイル中にあることに応答して、クラウドソーシングの前記レベルを減少させることと
をさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記１つまたは複数のモバイルデバイス生成パラメータに従ってクラウドソーシングのレベルを決定することが、
前記モバイルデバイスにおいて対話式にクラウドソーシングレベルを受信することを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
受信された前記クラウドソーシングレベルが現在のクラウドソーシングレベルよりも高いことに応答して、クラウドソーシングの前記レベルを増加させることと、
受信された前記クラウドソーシングレベルが現在のクラウドソーシングレベルよりも低いことに応答して、クラウドソーシングの前記レベルを減少させることと
をさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
１つまたは複数のコンピュータシステムが実行するための命令を記憶する非一時的媒体であって、前記命令が、前記１つまたは複数のコンピュータシステムに、請求項１から請求項１３に記載の方法を実行させるためのコードを備える、非一時的媒体。
【請求項１５】
モバイルデバイスの環境を監視するための手段と、
前記モバイルデバイスの前記環境に従って１つまたは複数のモバイルデバイス生成パラメータを決定するための手段と、
前記１つまたは複数のモバイルデバイス生成パラメータに従ってクラウドソーシングのレベルを決定するための手段と、ここにおいて、前記１つまたは複数のモバイルデバイス生成パラメータに従ってクラウドソーシングのレベルを決定することが、
前記環境に関する前記モバイルデバイスの水平推定位置誤差（ＨＥＰＥ）を監視することを備える、
決定されたクラウドソーシングの前記レベルに従ってクラウドソーシングを実行するための手段と
を備える、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月12日(2016.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも1本の畝を含むパターンで内面に溝が切られ、該少なくとも1本の畝の少なくとも一部が粗面化されていることを特徴とする溝付き管。
【請求項２】
請求項１に記載の溝付き管において、該溝付き管には継ぎ目がないことを特徴とする溝付き管。
【請求項３】
請求項１または２に記載の溝付き管において、前記少なくとも1本の畝の粗面化部分は複数のくぼみを含み、該複数のくぼみの大きさは、該くぼみの深さが0.0001mm〜0.01mmの範囲となるよう、および前記畝の底部の平面部における前記くぼみの開口部の寸法が0.0001mm〜0.01mmの範囲となるように規定されることを特徴とする溝付き管。
【請求項４】
請求項３に記載の溝付き管において、前記くぼみの深さは0.001mm〜0.005mmの範囲であり、前記畝の前記底部の平面部における該くぼみの開口部の寸法は0.001mm〜0.005mmの範囲であることを特徴とする溝付き管。
【請求項５】
請求項１または２に記載の溝付き管において、前記少なくとも1本の畝の粗面化部分は複数の突起部を含み、該複数の突起部の大きさは、突起部の高さが0.0001mm〜0.01mmの範囲となるよう、および突起部の底面の断面の寸法が0.0001mm〜0.01mmの範囲となるように規定されることを特徴とする溝付き管。
【請求項６】
請求項５に記載の溝付き管において、前記突起部の高さは0.001mm〜0.005mmの範囲であり、該突起部の底面の断面の寸法は0.001mm〜0.005mmの範囲であることを特徴とする溝付き管。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の溝付き管において、前記少なくとも1本の畝は、上部、側面部および底部を有し、該少なくとも1本の畝の該上部および該側面部は滑らかであり、該少なくとも1本の畝の底部の少なくとも一部は粗面化されていることを特徴とする溝付き管。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の溝付き管において、該管は銅または銅合金からなることを特徴とする溝付き管。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の溝付き管において、前記少なくとも1本の畝は該管の前記内面にらせん状に構成されることを特徴とする溝付き管。
【請求項１０】
請求項３ないし４のいずれかに記載の溝付き管において、前記少なくとも1本の畝の粗面化部分は、表面の少なくとも一部が粗面化された金型を使用して該管を引抜き加工して、該少なくとも1本の畝の少なくとも一部が粗面化されることを特徴とする溝付き管。
【請求項１１】
請求項７ないし１０のいずれかに記載の溝付き管において、前記少なくとも1本の畝の粗面化部分は、該少なくとも1本の畝の粗面化すべき部分に金属粒子を焼結させることで形成されることを特徴とする溝付き管。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月3日(2016.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管（２）の外側に配置された固定子（１０）と、軸が長尺方向に変位可能となるように管（２）の中に取付けられた可動子（３０）であって、少なくとも部分的に常磁性及び／又は強磁性の材料の可動子（３０）であり、かつ電磁界をかけることによって第１の位置（６）と第２の位置（８）との間を可逆的に移動可能である可動子（３０）とを備え、固定子（１０）は軸方向に逆方向に分極された２つのリング永久磁石（１２、１４）と、電磁界を発生させるためのコイル（１６）と、２つの固定子の磁極片（２０、２２）を有する磁気戻り要素（１８）とを備え、固定子の磁極片（２０、２２）を有する磁気戻り要素（１８）は、コイル（１６）を囲み、固定子の磁極片（２０、２２）はコイル（１６）の両側で、コイル（１６）とリング永久磁石（１２、１４）との間に配置され、可動子（３０）は可動子の２つの磁極片（３２、３４）を有し、固定子の磁極片（２０、２２）の軸方向の幅は、可動子の磁極片（３２、３４）の軸方向の幅よりも小さいことを特徴とする、外科器具のための双安定電磁アクチュエータ（１）。
【請求項２】
前記固定子の磁極片（２０、２２）の前記軸方向の幅は、前記第１の位置（６）および前記第２の位置（８）の間のアクチュエータ（１）の軸方向のストロークより小さいことを特徴とする、請求項１に記載の双安定電磁アクチュエータ（１）。
【請求項３】
前記可動子の磁極片（３２、３４）を有する前記可動子（３０）は、前記固定子の磁極片（２０、２２）の軸方向における外側の間隔よりも大きい軸方向の全長を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の双安定  電磁アクチュエータ（１）。
【請求項４】
前記可動子の磁極片（３２、３４）間の軸方向の中央平面（４０、４２）の間隔は、前記固定子の磁極片（２０、２２）間の軸方向の中央平面（２６、２８）の間隔よりも大きいことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の双安定電磁アクチュエータ（１）。
【請求項５】
前記固定子の磁極片（２０、２２）は、互いに同一の軸方向の幅を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の双安定電磁アクチュエータ（１）。
【請求項６】
前記可動子の磁極片（３２、３４）は互いに同一の軸方向の幅を有することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の双安定電磁アクチュエータ（１）。
【請求項７】
前記固定子（１０）及び／又は前記可動子（３０）は、それぞれ対称面（２４、３８）を挟んで対称的に設計されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の双安定電磁アクチュエータ（１）。
【請求項８】
前記可動子（３０）は、第１及び／又は第２の位置（６、８）においてストッパ（４４、４６）に当接する位置にあることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の双安定電磁アクチュエータ（１）。
【請求項９】
終端位置において、該終端位置に配置された前記可動子の磁極片（３２、３４）は、少なくとも部分的に、該可動子の磁極片に対向する前記固定子の磁極片（２０、２２）を軸方向に覆い、該終端位置に配置された該可動子の磁極片（３２、３４）の中央平面（４０、４２）は、軸方向に該終端位置に向かって、該可動子の磁極片に対向する前記固定子の磁極片（２０、２２）の中央平面（２６、２８）を越えて延出することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の双安定電磁アクチュエータ（１）。
【請求項１０】
終端位置において、該終端位置に配置されていない前記可動子の磁極片（３２、３４）は、該可動子の磁極片に対向する前記固定子の磁極片（２０、２２）を軸方向に完全に覆い、該終端位置に配置されていない該可動子の磁極片（３２、３４）の中央平面（４０、４２）は、軸方向に該終端位置に向かって、該可動子の磁極片に対向する前記固定子の磁極片（２０、２２）の中央平面（２６、２８）を越えて延出することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の双安定電磁アクチュエータ（１）。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の双安定電磁アクチュエータ（１）を有する外科器具。
【請求項１２】
前記終端位置は前記第１の位置（６）あるいは第２の位置（８）であることを特徴とする、請求項９に記載の双安定電磁アクチュエータ（１）。
【請求項１３】
前記外科器具は内視鏡であることを特徴とする、請求項１１に記載の外科器具。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月18日(2016.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心臓弁を置換するための経カテーテル移植用のステント弁であって、ステント弁は、送達のために圧縮状態へと圧縮可能であり、かつ、移植のために動作状態へと拡張可能であり、ステント弁は、ステント（１２）と、人工弁を規定するための複数の小葉（１４）と、周囲の組織に対して封止するための弁周囲シール（４０）とを含み、シールはスカート（１５０）を含み、少なくともその第１の部分（１６０）は、ステントに対して係留され、少なくともその第２の部分（１６２）は、ステントに対して自由に留置するかまたは浮くことができる、ステント弁。
【請求項２】
スカートは、ステントの外部上で担持された外側スカート（１５０）である、請求項１に記載のステント弁。
【請求項３】
ステント弁は入口端（１５２）と出口端（１５６）とを有し、ステント弁はさらに、小葉と通じ、ステントの内部上で担持された内側スカート（３０）を含み、
外側スカート（１５０）は、内側スカート（３０）と外側スカート（１５０）との間の血液の漏れを妨げるために、ステント弁の出口端（１５６）に最も近い外側スカートの端（１５４）から隔てられた１つ以上の取付け位置（１５２）で、内側スカート（３０）に直接取付けられ、
外側スカート（１５０）の第１の部分（１６０）は、１つ以上の取付け位置（１５２）からステント弁の入口端に向かって延在し、
外側スカート（１５０）の第２の部分（１６２）は、１つ以上の取付け位置（１５２）からステント弁の出口端に最も近い外側スカートの端（１５４）へと延在し、
使用時、第２の部分は、血液の背圧または逆流を受けて周囲の組織に対して封止するように外向きに膨張可能である、請求項２に記載のステント弁。
【請求項４】
内側および外側スカートは部分的に重複し、外側スカート（１５０）は、内側スカート（３０）よりも、ステント弁の入口端（１５２）でのステントの末端に向かってさらに延在する、請求項３に記載のステント弁。
【請求項５】
内側スカート（３０）は、外側スカート（１５０）よりも、ステント弁の出口端（１５６）でのステントの末端に向かってさらに延在する、請求項３または４に記載のステント弁。
【請求項６】
外側スカートの第２の部分は、第２の部分が裏返ることを防止する１つ以上の制御取付け（１６６）によってステントに取付けられる、請求項３、４または５に記載のステント弁。
【請求項７】
ステント弁の出口端に最も近い外側スカートの端（１５４）は、ステントに取付けられる、請求項３から６のいずれかに記載のステント弁。
【請求項８】
外側スカートの第２の部分（１６２）は、血液の背圧または逆流を受けて外向きに膨張することができるポケットまたはフラップを規定する、請求項３から７のいずれかに記載のステント弁。
【請求項９】
内側および外側スカート（３０，１５０）は、生物材料でできている、請求項３から８のいずれかに記載のステント弁。
【請求項１０】
内側および外側スカート（３０，１５０）は、布でできている、請求項３から８のいずれかに記載のステント弁。
【請求項１１】
ステントは、下方管状部分（１６）、上方クラウン部分（１８）、複数の直立交連支持体（２０）、および複数の安定化アーチ（２２）を含む、請求項３から１０のいずれかに記載のステント弁。
【請求項１２】
下方管状部分（１６）は上方クラウン部分（１８）および交連支持体（２０）と通じており、交連支持体（２０）は上方クラウン部分（１８）に対して直立しており、安定化アーチ（２２）は交連支持体（２０）と通じている、請求項１１に記載のステント弁。
【請求項１３】
ステント弁の出口端（１５６）に最も近い外側スカートの端（１５４）は、上方クラウン部分（１８）の末端と下方管状部分（１６）の末端との間のステントの胴部に位置付けられる、請求項１１または１２に記載のステント弁。
【請求項１４】
外側スカート（１５０）は、上方クラウン部分（１８）と下方管状部分（１６）との接合部から垂下する、請求項１３に記載のステント弁。
【請求項１５】
上方クラウン部分は、第２のスカート部分を少なくとも部分的に外向きに付勢する、請求項１１から１４のいずれかに記載のステント弁。
【請求項１６】
上方クラウン部分は、上方クラウン部分と下方管状部分との間の胴部に対して、第２の部分を少なくとも部分的に外向きに付勢する、請求項１５に記載のステント弁。
【請求項１７】
上方クラウン部分は片持ち梁要素を含み、各片持ち梁要素は、片持ち梁要素の尖部で接する１対の支柱を含む、請求項１５または１６に記載のステント弁。
【請求項１８】
外側スカート（１５０）は、上方クラウン部分（１８）の少なくとも一部が外側スカートによって実質的に覆い隠されないままにしておくように位置付けられる、請求項１１から１４のいずれかに記載のステント弁。
【請求項１９】
外側スカート（１５０）は、上方クラウン部分（１８）が外側スカートによって実質的に覆い隠されないままにしておくように位置付けられる、請求項１８に記載のステント弁。