Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月26日(2016.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支払端末として使用される装置に組み込むためのセキュア要素であって、該セキュア要素は、
前記装置のインターフェイスが支払装置から取得したデータを認証規格に従って処理するように構成されたＥｕｒｏｐａｙ、ＭａｓｔｅｒＣａｒｄ及びＶｉｓａ（ＥＭＶ）取引モジュールと、
前記ＥＭＶ取引モジュールにより提供されたデータをＥＭＶＣｏ規格のレベル１に従って処理するように構成されたオペレーティングシステム（ＯＳ）と、
を実行するための命令を含む、
ことを特徴とするセキュア要素。
【請求項２】
前記ＯＳは、Ｊａｖａ（登録商標）  Ｃａｒｄ及びグローバルプラットフォームの一方である、
ことを特徴とする請求項１に記載のセキュア要素。
【請求項３】
前記セキュア要素は、前記装置の回路に組み込まれたチップセット、加入者識別モジュール（ＳＩＭ）カード、セキュアデジタル（ＳＤ）カード、不揮発性メモリカード、及び前記装置にプラグ接続されたハウジングのうちの１つに組み込まれる、
ことを特徴とする請求項１に記載のセキュア要素。
【請求項４】
前記ＥＭＶ取引モジュールは、非接触取引モジュール及び接触取引モジュールの一方である、
ことを特徴とする請求項１に記載のセキュア要素。
【請求項５】
前記認証規格は、ＥＭＶＣｏ、ＭａｓｔｅｒＣａｒｄ（登録商標）、Ｖｉｓａ（登録商標）、Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｅｘｐｒｅｓｓ（登録商標）、ＪＣＢ（登録商標）、Ｄｉｓｃｏｖｅｒ（登録商標）及びＰＣＩ  ＳＳＣのうちの１つからの認証規格である、
ことを特徴とする請求項１に記載のセキュア要素。
【請求項６】
前記ＥＭＶ取引モジュールは、前記認証規格のレベル２及び前記認証規格のレベル３の少なくとも一方に従って認証される、
ことを特徴とする請求項５に記載のセキュア要素。
【請求項７】
前記ＥＭＶ取引モジュールは、
前記装置上で実行されるペイメント制御アプリケーションから、セキュアな金融取引を行うための要求を受け取ることと、
前記装置の前記インターフェイスを介して、支払装置から金融口座に関連するデータを取得することと、
前記装置の通信インターフェイスを介して、前記金融口座に関連する金融機関のサーバとのセキュアな通信チャネルを確立することと、
前記セキュアな通信チャネルを介して、前記金融口座に関連する前記データの少なくとも一部を含む、前記セキュアな金融取引を行うための許可要求を前記サーバに送信することと、
前記セキュアな通信チャネルを介して、前記サーバから前記許可要求に対する応答を受け取ることと、
前記許可要求に対する前記応答を処理して、前記セキュアな金融取引のステータスを生成することと、
前記ペイメント制御アプリケーションに前記セキュアな金融取引の前記ステータスを送信することと、
を実行することを特徴とする請求項１に記載のセキュア要素。
【請求項８】
前記セキュアな金融取引を行うための前記要求は、前記金融口座から引き落とされる購入金額を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載のセキュア要素。
【請求項９】
前記装置の前記インターフェイスは、データを非接触的に受け取るように構成された非接触インターフェイスであり、前記支払装置は、ペイメントカード及びモバイル装置の一方である、
ことを特徴とする請求項７に記載のセキュア要素。
【請求項１０】
前記装置の前記インターフェイスは、データを接触的に読み取るように構成されたスマートカードリーダであり、前記支払装置はペイメントカードである、
ことを特徴とする請求項７に記載のセキュア要素。
【請求項１１】
前記装置の前記インターフェイスは、データを接触的に読み取るように構成された磁気ストリップリーダであり、前記支払装置は、磁気ストリップ付きペイメントカードである、
ことを特徴とする請求項７に記載のセキュア要素。
【請求項１２】
前記金融口座に関連する前記データは、キー、証明書及びペイメントカード番号のうちの少なくとも１つを含む、
ことを特徴とする請求項７に記載のセキュア要素。
【請求項１３】
コンピュータにより実行可能な命令を含む、支払端末として使用される装置が実行するための不揮発性コンピュータ可読記憶媒体であって、前記コンピュータにより実行可能な命令は、前記装置による実行時に、
前記装置のインターフェイスが支払装置から取得したデータを認証規格に従って処理するように構成されたＥｕｒｏｐａｙ、ＭａｓｔｅｒＣａｒｄ及びＶｉｓａ（ＥＭＶ）取引モジュールと、
前記ＥＭＶ取引モジュールにより提供されたデータをＥＭＶＣｏ規格のレベル１に従って処理するように構成されたオペレーティングシステム（ＯＳ）と、
を実行させることを特徴とするコンピュータプログラム製品。
【請求項１４】
前記ＥＭＶ取引モジュールは、
前記装置上で実行されるペイメント制御アプリケーションから、セキュアな金融取引を行うための要求を受け取ることと、
前記装置の前記インターフェイスを介して、支払装置から金融口座に関連するデータを取得することと、
前記装置の通信インターフェイスを介して、前記金融口座に関連する金融機関のサーバとのセキュアな通信チャネルを確立することと、
前記セキュアな通信チャネルを介して、前記金融口座に関連する前記データの少なくとも一部を含む、前記セキュアな金融取引を行うための許可要求を前記サーバに送信することと、
前記セキュアな通信チャネルを介して、前記サーバから前記許可要求に対する応答を受け取ることと、
前記許可要求に対する前記応答を処理して、前記セキュアな金融取引のステータスを生成することと、
前記ペイメント制御アプリケーションに前記セキュアな金融取引の前記ステータスを送信することと、
を実行することを特徴とする請求項１３に記載の不揮発性コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
前記コンピュータプログラム論理は、セキュア要素により実行される、
ことを特徴とする請求項１４に記載の不揮発性コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１６】
前記セキュア要素は特定のハードウェアにより特徴付けられる処理エンティティである、請求項１から１２、１５のいずれか一項に記載のセキュア要素。
【請求項１７】
前記セキュア要素は認証を受けたソフトウェアコンポーネントによって特徴付けられる処理エンティティである、請求項１から１２、１５のいずれか一項に記載のセキュア要素。
【請求項１８】
前記セキュア要素は認証を受けたソフトウェアコンポーネント及び特定のハードウェアにより特徴付けられる処理エンティティである、請求項１から１２、１５のいずれか一項に記載のセキュア要素。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月1日(2016.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネッセント有機電界効果アンバイポーラトランジスタであって、
・ゲート電極と、
・前記ゲート電極上に配される誘電体層と、
・エネルギーバンドが最高被占分子軌道ＨＯＭＯ−ＳＣｐ及び最低空分子軌道ＬＵＭＯ−ＳＣｐによって決定されるＰ型半導体層、エネルギーバンドが最高被占分子軌道ＨＯＭＯ−ＳＣｎ及び最低空分子軌道ＬＵＭＯ−ＳＣｎによって決定されるＮ型半導体層（ＳＣｎ）、並びに逆符号の電荷キャリアの再結合を可能にするように適合され、前記Ｐ型半導体層及び前記Ｎ型半導体層の中間に配される発光層を備え、前記発光層は代替的にエネルギーバンドが最高被占分子軌道ＨＯＭＯ−Ｒ及び最低空分子軌道ＬＵＭＯ−Ｒによって決定される単一の材料、または一つのホスト材料及び一つ以上のゲスト材料から構成されるホストーゲスト系から構成され、前記ホスト材料はエネルギーバンドが最高被占分子軌道ＨＯＭＯ−Ｈ及び最低空分子軌道ＬＵＭＯ−Ｈによって決定され、一つまたは複数の前記ゲスト材料は各エネルギーバンドが最高被占分子軌道ＨＯＭＯ−Ｇ及び最低空分子軌道ＬＵＭＯ−Ｇによってそれぞれ決定される、前記誘電体層上に配されるアンバイポーラチャンネルと、
・第一型の電荷を注入するのに適合されたソース電極及び第二型の電荷を注入するのに適合されたドレイン電極であって、前記ソース電極及びドレイン電極は、前記Ｐ型半導体層または前記Ｎ型半導体層の上層と接触し、前記Ｐ型半導体層または前記Ｎ型半導体層の底層は前記誘電体層と接触する電極と、を備える積層された層の構造を有し、
・前記Ｐ型半導体層または前記Ｎ型半導体層の前記上層及び前記発光層の界面における実行的な電界効果移動度の値と、前記Ｐ型半導体層または前記Ｎ型半導体層の前記底層及び前記誘電体層の界面における実行的な電界効果移動度の値との比が０．０５から２０の範囲内であり；
・前記Ｐ型半導体層が前記誘電体層と接触し、前記発光層が単一の材料から構成される場合には：
−ＨＯＭＯ−ＲレベルとＨＯＭＯ−ＳＣｎレベルの差は０．２ｅＶから１ｅＶであり、
−ＬＵＭＯ−ＲレベルとＬＵＭＯ−ＳＣｎレベルの差は０．２ｅＶから０．８ｅＶであり、
−ＨＯＭＯ−ＲレベルとＨＯＭＯ−ＳＣｐレベルの差は０ｅＶから０．５ｅＶであり、
−ＬＵＭＯ−ＲレベルとＬＵＭＯ−ＳＣｐレベルの差は−１ｅＶから０ｅＶであり；
・前記Ｎ型半導体層が前記誘電体層と接触し、前記発光層が単一の材料から構成される場合には：
−ＨＯＭＯ−ＲレベルとＨＯＭＯ−ＳＣｎレベルの差は０ｅＶから１ｅＶであり、
−ＬＵＭＯ−ＲレベルとＬＵＭＯ−ＳＣｎレベルの差は−０．５ｅＶから０ｅＶであり、
−ＨＯＭＯ−ＲレベルとＨＯＭＯ−ＳＣｐレベルの差は−０．２ｅＶから−０．８ｅＶであり、
−ＬＵＭＯ−ＲレベルとＬＵＭＯ−ＳＣｐレベルの差は−０．２ｅＶから−１ｅＶであり；
・前記Ｐ型半導体層が前記誘電体層と接触し、前記発光層がホスト―ゲスト系から構成される場合には：
−ＨＯＭＯ−ＨレベルとＨＯＭＯ−ＳＣｎレベルの差は０．２ｅＶから１ｅＶであり、
−ＬＵＭＯ−ＨレベルとＬＵＭＯ−ＳＣｎレベルの差は０．２ｅＶから３ｅＶであり、
−ＨＯＭＯ−ＨレベルとＨＯＭＯ−ＳＣｐレベルの差は０ｅＶから０．５ｅＶであり、
−ＬＵＭＯ−ＨレベルとＬＵＭＯ−ＳＣｐレベルの差は−１ｅＶから３ｅＶであり、
全てのゲスト材料に対して：
−ＬＵＭＯ−ＧレベルとＬＵＭＯ−ＳＣｎレベルの差は０．３ｅＶから−１ｅＶであり、
−ＨＯＭＯ−ＧレベルとＨＯＭＯ−Ｈレベルの差は０ｅＶから１ｅＶであり；
・前記Ｎ型半導体層が前記誘電体層と接触し、前記発光層がホスト―ゲスト系から構成される場合には：
−ＨＯＭＯ−ＨレベルとＨＯＭＯ−ＳＣｎレベルの差は−３ｅＶから１ｅＶであり、
−ＬＵＭＯ−ＨレベルとＬＵＭＯ−ＳＣｎレベルの差は−０．５ｅＶから０ｅＶであり、
−ＨＯＭＯ−ＨレベルとＨＯＭＯ−ＳＣｐレベルの差は−０．２ｅＶから−３ｅＶであり、
−ＬＵＭＯ−ＨレベルとＬＵＭＯ−ＳＣｐレベルの差は−０．２ｅＶから−１ｅＶであり、
全てのゲスト材料に対して：
−ＨＯＭＯ−ＧレベルとＨＯＭＯ−ＳＣｐレベルの差は−０．３ｅＶから１ｅＶであり、
−ＬＵＭＯ−ＧレベルとＬＵＭＯ−Ｈレベルの差は０ｅＶから−１ｅＶであることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
前記比が０．７から１．３の範囲内である、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記Ｐ型半導体層または前記Ｎ型半導体層の前記上層及び前記発光層の界面における前記実行的な電界効果移動度の値と、前記Ｐ型半導体層または前記Ｎ型半導体層の前記底層及び前記誘電体層の界面における前記実行的な電界効果移動度の値が、少なくとも１０−３ｃｍ２／Ｖｓである、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の距離が２０μｍから３００μｍである、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記発光層と、前記Ｐ型半導体層または前記Ｎ型半導体層のそれぞれとの界面における表面ラフネスが０．２ｎｍから１０ｎｍの範囲内である、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記表面ラフネスが０．２ｎｍから５ｎｍの範囲内である、請求項５に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記アンバイポーラチャンネルを形成する材料が９９．８％から９９．９９９％の間の純度を有する、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記純度が９９．９９％から９９．９９９％の間である、請求項７に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記ソース電極及び前記ドレイン電極が同じ材料からなる、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
前記Ｐ型半導体層が前記誘電体層と接触し、前記発光層が単一の材料から構成されている場合には：
−ＬＵＭＯ−ＲレベルとＬＵＭＯ−ＳＣｎレベルの差は０．２ｅＶから０．６ｅＶであり、
−ＨＯＭＯ−ＲレベルとＨＯＭＯ−ＳＣｐレベルの差は０．２ｅＶから０．５ｅＶであり、
−ＬＵＭＯ−ＲレベルとＬＵＭＯ−ＳＣｐレベルの差は−１ｅＶから−０．２ｅＶであり；
前記Ｎ型半導体層が前記誘電体層と接触し、前記発光層が単一の材料から構成されている場合には：
−ＨＯＭＯ−ＲレベルとＨＯＭＯ−ＳＣｎレベルの差は０．２ｅＶから１ｅＶであり、
−ＬＵＭＯ−ＲレベルとＬＵＭＯ−ＳＣｎレベルの差は−０．５ｅＶから−０．２ｅＶであり、
−ＨＯＭＯ−ＲレベルとＨＯＭＯ−ＳＣｐレベルの差は−０．２ｅＶから−０．６ｅＶである、請求項１に記載のトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層をエッチングすることなく、デバイスヘテロ構造の一セットの半導体層において半導体層に対するオーミックコンタクトを含む前記デバイスヘテロ構造を形成することを含む方法であって、
前記デバイスへテロ構造を形成することは、
前記半導体層の表面上の前記オーミックコンタクトに対応する一セットのコンタクト領域上にマスキング材料を適用し、
前記マスキング材料を適用した後に、前記半導体層の表面の一セットのマスクされていない領域を覆う隆起領域を形成し、
前記一セットのコンタクト領域上に一セットの高導電性半導体層を形成し、
前記隆起領域の形成後に前記一セットの高導電性半導体層上にオーミックコンタクトを形成することを含み、
前記一セットの高導電性半導体層を形成することは、前記一セットのコンタクト領域からの距離に関して前記一セットの高導電性半導体層を形成する材料の少なくとも１つの元素のモル分率に傾斜を持たせることを含み、
前記オーミックコンタクトを形成することは、デバイスヘテロ構造に前記一セットの半導体層のいずれかを形成する材料の品質が損なわれる温度範囲よりも低い処理温度において実施されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記オーミックコンタクトを形成する前に、前記隆起領域上に少なくとも１つの追加の半導体層を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記オーミックコンタクトを形成する前に、前記一セットのコンタクト領域のそれぞれから前記マスキング材料を除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記オーミックコンタクトを形成する前に、前記一セットのマスクされていない領域に対応する前記デバイスヘテロ構造の表面にマスキング材料を適用することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記一セットの高導電性半導体層がＩＩＩ族窒化物材料で形成され、
前記一セットの高導電性半導体層が、前記半導体層と前記一セットの高導電性半導体層との界面において前記半導体層と格子整合される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記一セットの高導電性半導体層を形成することが、前記一セットの高導電性半導体層をデルタドーピングする工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記一セットの高導電性半導体層が、ＩＩＩ族窒化物材料で形成され、
前記傾斜を持たせることが、前記一セットのコンタクト領域から離れる方向にアルミニウムのモル分率が増加することである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記傾斜を持たせることが、前記一セットのコンタクト領域から離れる方向にインジウムのモル分率が減少することである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記傾斜が、前記一セットのコンタクト領域において逆キャリアの蓄積の誘起を避けるように構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記デバイスヘテロ構造の前記一セットの半導体層がＩＩＩ族窒化物材料で形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
デバイスヘテロ構造の一セットの半導体層において半導体層に対するオーミックコンタクトを含むデバイスヘテロ構造を含むデバイスであって、
前記オーミックコンタクトが、前記半導体層の一セットのコンタクト領域上に形成された一セットの高導電性半導体層を含み、
前記一セットの高導電性半導体層が、前記半導体層と前記一セットの高導電性半導体層との界面において前記半導体層と格子整合されることを特徴とするデバイス。
【請求項１２】
前記オーミックコンタクトが、半導体層をエッチングすることなく形成され、
前記オーミックコンタクトを形成することは、、
前記半導体層の表面上に、前記オーミックコンタクトに対応する一セットのコンタクト領域上にマスキング材料を適用し、
前記マスキング材料を適用した後に、前記半導体層の表面の一セットのマスクされていない領域を覆う隆起領域を形成し、
前記隆起領域の形成後に前記一セットのコンタクト領域上にオーミックコンタクトを形成することを含み、
前記オーミックコンタクトを形成することは、デバイスヘテロ構造に前記一セットの半導体層のいずれかを形成する材料の品質が損なわれる温度範囲よりも低い処理温度において実施される、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記一セットの高導電性半導体層がＩＩＩ族窒化物材料で形成される、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記一セットの高導電性半導体層がデルタドーピングされる、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記一セットの高導電性半導体層が、前記一セットのコンタクト領域からの距離に関して前記一セットの高導電性半導体層を形成する材料の少なくとも１つの元素の傾斜したモル分率を有する、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記傾斜が、前記一セットのコンタクト領域での逆キャリアの蓄積の誘起を避けるように構成される、請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
半導体層をエッチングすることなく、デバイスヘテロ構造の一セットの半導体層において該半導体層に対するオーミックコンタクトを含む前記デバイスヘテロ構造を形成するための製造システムを含むシステムであって、
前記デバイスへテロ構造を形成することは、
前記半導体層の表面上に該オーミックコンタクトに対応する一セットのコンタクト領域上にマスキング材料を適用し、
前記マスキング材料を適用した後に、前記半導体層の表面の一セットのマスクされていない領域を覆う隆起領域を形成し、
前記一セットのコンタクト領域上に一セットの高導電性半導体層を形成し、
前記隆起領域の形成後に前記一セットの高導電性半導体層上にオーミックコンタクトを形成することを含み、
前記一セットの高導電性半導体層を形成することは、前記一セットのコンタクト領域からの距離に関して前記一セットの高導電性半導体層を形成する材料の少なくとも１つの元素のモル分率に傾斜を持たせることを含み、
前記オーミックコンタクトを形成することは、デバイスヘテロ構造に前記一セットの半導体層のいずれかを形成する材料の品質が損なわれる温度範囲よりも低い処理温度において実施されることを特徴とするシステム。
【請求項１８】
前記デバイスヘテロ構造を形成することが、前記オーミックコンタクトを形成する前に、前記隆起領域上に少なくとも１つの追加の半導体層を形成することをさらに含む、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記一セットの高導電性半導体層が、ＩＩＩ族窒化物材料で形成され、
前記傾斜を持たせることが、前記一セットのコンタクト領域から離れる方向にアルミニウムのモル分率が増加することおよび前記一セットのコンタクト領域から離れる方向にインジウムのモル分率が減少することの少なくとも一つである、請求項１７に記載のシステム。
【請求項２０】
前記一セットのコンタクト領域と前記一セットの高導電性半導体層との界面において、前記アルミニウムのモル分率が０である、請求項１９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体プロセスチャンバで使用するための加熱ランプであって、
加熱ランプ外囲器内に配置されたフィラメントを有する前記加熱ランプ外囲器と、
前記加熱ランプ外囲器を支持するために前記加熱ランプ外囲器に結合された基部と、
改善された握り部をユーザに与えるために前記基部に形成された１つまたは複数の凹部と
を備える加熱ランプ。
【請求項２】
半導体プロセスチャンバで使用するための加熱ランプアレイであって、
複数の請求項１に記載の加熱ランプであり、隣接する加熱ランプ基部間の距離が約０．０２インチ〜約０．０８インチである、複数の加熱ランプ
を備える、加熱ランプアレイ。
【請求項３】
円形アレイに配置された複数のソケットをさらに含み、前記複数の加熱ランプのそれぞれの加熱ランプが前記複数のソケットの対応するソケットに結合される、請求項２に記載の加熱ランプアレイ。
【請求項４】
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配置された加熱ランプアレイであり、円形アレイに配置された複数のソケットと、前記複数のソケットにそれぞれ結合される複数の請求項１に記載の加熱ランプとを含み、隣接する加熱ランプ基部間の距離が約０．０２インチ〜約０．０８インチである、加熱ランプアレイと
を備えるプロセスチャンバ。
【請求項５】
前記１つまたは複数の凹部が、前記基部の対置する側に配置された２つの凹部である、請求項１から４のいずれかに記載の加熱ランプ。
【請求項６】
前記１つまたは複数の凹部が、前記基部の幅に沿って中央に配置される、請求項１から４のいずれかに記載の加熱ランプ。
【請求項７】
前記１つまたは複数の凹部が、前記基部の両側に形成された２つの凹部であり、前記２つの凹部は、互いに平行でありかつ前記基部から前記加熱ランプ外囲器の先端に延びる前記加熱ランプの主軸に実質的に垂直であるそれぞれの直線軸を有する、請求項１から４のいずれかに記載の加熱ランプ。
【請求項８】
前記１つまたは複数の凹部が、前記基部の両側に配置された２つの凹形チャネルである、請求項１から４のいずれかに記載の加熱ランプ。
【請求項９】
前記１つまたは複数の凹部が、約１０ｍｍ〜約１５ｍｍの幅と、約０．３ｍｍ〜約１ｍｍの深さとを有する、請求項１から４のいずれかに記載の加熱ランプ。
【請求項１０】
前記基部が、約４３ｍｍ〜約４５ｍｍの幅と、約２５ｍｍ〜約２８ｍｍの長さと、約４３ｍｍ〜約４６ｍｍの厚さとを有する、請求項１から４のいずれかに記載の加熱ランプ。
【請求項１１】
前記基部は、前記基部の１つまたは複数の側面の少なくとも一部分に配置され、前記少なくとも一部分から延びる複数のフィンを含む、請求項１から４のいずれかに記載の加熱ランプ。
【請求項１２】
前記凹部が、前記フィンの少なくともいくつかに少なくとも部分的に配置される、請求項１１に記載の加熱ランプ。
【請求項１３】
前記複数のフィンが、前記加熱ランプ外囲器に隣接する前記基部の第１の端部から前記１つまたは複数の凹部を越える点まで延び、前記複数のフィンが、前記基部の反対側の端部に達する前に終了する、請求項１２に記載の加熱ランプ。
【請求項１４】
前記基部が酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）から製作される、請求項１から４のいずれかに記載の加熱ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月7日(2016.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ上顕著な欠陥を識別するためにフォトリソグラフィマスクを検査するための方法であって、
複数の印刷可能特徴および複数の非印刷可能特徴を含むマスクであって、リソグラフィシステムを使用して前記印刷可能特徴の基板上へのリソグラフィ転写を達成するように構成される、マスクを提供することと、
１つ以上の検査システムにより、前記マスクの透過像および反射像を生成することと、
前記１つ以上の検査システムによって導入される雑音を低減するために、前記透過像および反射像に基づいて帯域限定スポット像を構築することと、
前記帯域限定スポット像に基づき、前記非印刷可能特徴のための非印刷可能特徴地図および前記印刷可能特徴のための印刷可能特徴地図を生成することと、
そのようなマスク上の欠陥を検出するために前記マスクの１つ以上の試験像を分析することであって、欠陥検出の感度レベルが、前記非印刷可能特徴地図によって定義されない前記１つ以上の試験像の区域と比較して、前記非印刷可能特徴地図によって定義される前記１つ以上の試験像の区域において低減される、分析することと、を含む、方法。
【請求項２】
マスク像に細線化プロセスを実施して骨格像を生成することと、
線幅をどこで測定するかを判定するために前記骨格像を使用して、前記マスク像内のそのような線幅を測定することと、をさらに含み、
前記測定された線幅を使用して、それぞれ指定されたしきい値未満またはそれと等しいまたはそれより上である測定された線幅間を区別することによって、前記非印刷可能および印刷可能特徴地図を生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記帯域限定スポット像を構築することが、選択された係数で前記反射および透過像を線形方程式に結合して、高周波期間を互いに取り消し合うようにすることによって達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
校正データを使用して前記スポット像を処理して、前記スポット像からさらなる光学的収差を除去することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
事前定義しきい値より低い測定された線幅を有する各特徴は、そのような特徴が、前記事前定義しきい値以上の測定された線幅を有する別の特徴に対する事前定義距離以内である場合のみ、前記非印刷可能特徴地図内に含まれる、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記スポット像をマスク像に復元することにより、ぼけ除去された前記マスク像および前記マスクのより本当の像を得る、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記１つ以上の試験像の前記分析は、前記１つ以上の試験像を、前記マスクを製作するための設計データベースから取得される参照像と比較することによって達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記１つ以上の試験像の前記分析は、前記１つ以上の試験像を参照ダイから取得される参照像と比較することによって達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記非印刷可能特徴は副解像度補助特徴（ＳＲＡＦ）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記スポット像に基づき、そして幾何学的特徴を、縁、角、および線端から成る群から選択される１つ以上の幾何学的特徴形式に分類するために、幾何学的地図を構築することをさらに含み、前記１つ以上の試験像の前記分析は前記幾何学的地図にさらに基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
リソグラフィ上顕著な欠陥を識別するためにマスクを検査するための検査システムであって、以下の動作：
複数の印刷可能特徴および複数の非印刷可能特徴を含むマスクであって、リソグラフィシステムを使用して前記印刷可能特徴の基板上へのリソグラフィ転写を達成するように構成される、マスクを提供することと、
前記マスクの透過像および反射像を生成することと、
前記検査システムによって導入される雑音を低減するために、前記透過および反射像に基づいて帯域限定スポット像を構築することと、
前記帯域限定スポット像に基づき、前記非印刷可能特徴のための非印刷可能特徴地図および前記印刷可能特徴のための印刷可能特徴地図を生成することと、
そのようなマスク上の欠陥を検出するために前記マスクの１つ以上の試験像を分析することであって、欠陥検出の感度レベルが、前記非印刷可能特徴地図によって定義されない前記１つ以上の試験像の区域と比較して、前記非印刷可能特徴地図によって定義される前記１つ以上の試験像の区域において低減される、分析することと、を実施するように構成される少なくとも１つのメモリおよび少なくとも１つのプロセッサを備える、検査システム。
【請求項１２】
マスク像に細線化プロセスを実施して骨格像を生成することと、
線幅をどこで測定するかを判定するために前記骨格像を使用して、前記マスク像内のそのような線幅を測定することと、をさらに含み、
前記測定された線幅を使用して、それぞれ指定されたしきい値未満またはそれと等しいまたはそれより上である測定された線幅間を区別することによって、前記非印刷可能および印刷可能特徴地図を生成する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
選択された係数で前記反射および透過像を線形方程式に結合して高周波期間を互いに取り消し合うようにすることによって、前記帯域限定スポット像を構築することが達成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
校正データを使用して前記スポット像を処理して、前記スポット像から光学的収差をさらに除去することをさらに含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
事前定義しきい値より低い測定された線幅を有する各特徴は、そのような特徴が、前記事前定義しきい値以上の測定された線幅を有する別の特徴に対する事前定義距離以内である場合のみ、前記非印刷可能特徴地図内に含まれる、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１６】
前記スポット像をマスク像に復元することにより、ぼけ除去された前記マスク像および前記マスクのより本当の像を得る、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１７】
１つ以上の試験像を分析することは、前記１つ以上の試験像を、前記マスクを製造するための設計データベースから得られた参照像と比較することにより達成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１８】
１つ以上の試験像を分析することは、前記１つ以上の試験像を、参照ダイから得られた参照像と比較することにより達成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記非印刷可能特徴は、副解像度補助特徴（ＳＲＡＦ）を含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項２０】
前記少なくとも１つのメモリおよび少なくとも１つのプロセッサは、前記スポット像に基づいて幾何学地図を構築し、幾何学特徴を、縁、角、線端から選択された１つ以上の幾何学的特徴タイプに分類するように構成され、１つ以上の試験像を分析することは、前記幾何学地図に基づくものである、請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
共有文書の少なくとも２人の同時コラボレーターの存在情報を決定する動作と、
前記共有文書における編集を同期させる更新通信頻度を、前記少なくとも２人の同時コラボレーターの前記存在情報に基づいて決定する動作と、
前記決定した更新通信頻度にしたがって、前記同時コラボレーターの内少なくとも１人に更新通信を通信する動作であって、各更新通信が、一人以上の他の同時コラボレーターが行う前記共有文書のページに対する編集を示す、動作と、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記少なくとも２人の同時コラボレーターの前記存在情報が存在条件を満たすとき、高更新通信頻度を決定し、
前記少なくとも２人の同時コラボレーターの前記存在情報が前記存在条件を満たさないときとは、基準更新通信頻度を決定する、方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記更新通信頻度を決定する動作は、
存在条件を満たす相対的な存在情報に基づくより高い更新通信頻度へ、前記相対的な存在情報が前記存在条件を満たさないときに用いられる標準の更新通信頻度から遷移すること、
を含む方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記存在情報を決定する動作は、
前記少なくとも２人の同時コラボレーター間における相対的な存在条件を評価する動作、
を含む方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記更新通信を通信する動作は、
前記少なくとも２人の同時コラボレーターが前記共有文書の前記ページにアクセスしているときは、前記少なくとも２人の同時コラボレーターが前記共有文書の互いに異なったページにアクセスしているときよりもより高い頻度で前記更新通信を通信する動作、
を含む方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法において、前記少なくとも２人の同時コラボレーターの前記存在情報は、前記少なくとも２人の同時コラボレーターによる前記共有文書内におけるアクセスの位置を示す、方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法において、前記少なくとも２人の同時コラボレーターの前記存在情報は、前記共有文書内における前記少なくとも２人の同時コラボレーターの行動またはステータスの内少なくとも１つを示す、方法。
【請求項８】
コンピューター・システムであって、
コンピューター実行可能命令を実行するためのプロセッサーと、
コンピューター実行可能命令を格納するメモリーと、
を含み、前記コンピューター実行可能命令が前記プロセッサーにより実行されると、
共有文書の同時コラボレーターにより行われる前記共有文書に対する編集を通信するように構成された同期サービス・コントローラーであって、該同期サービス・コントローラーが、前記同時コラボレーターについての存在情報に基づいて、編集を送るための異なる同期頻度を決定する、同期サービス・コントローラー、
を実施する、コンピューター・システム。
【請求項９】
請求項８記載のコンピューター・システムにおいて、
前記同時コラボレーターの前記存在情報が存在条件を満たすとき、高更新通信頻度を決定し、
前記同時コラボレーターの前記存在情報が前記存在条件を満たさないときとは、基準更新通信頻度を決定する、
コンピューター・システム。
【請求項１０】
コンピューター実行可能命令を格納するメモリーを有する１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体であって、前記コンピューター実行可能命令がコンピューター・システムにより実行されると、前記コンピューター・システムにコンピューター・プロセスを実行させ、前記コンピューター・プロセスが、
共有文書の同時コラボレーターについての存在情報を決定すること、
前記共有文書の同時コラボレーター間で同期させるべき前記共有文書内の編集を示す更新通信を通信することであって、前記更新通信が、前記同時コラボレーターについての前記存在情報に依存する異なる更新通信頻度にしたがって通信されること、
を含む、１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光デバイスと、第２の発光デバイスと、前記第１の発光デバイス及び前記第２の発光デバイスを収容するフレームであって、照明器具の更なる照明器具用素子に物理的且つ電気的に接続する少なくとも１つの接続インターフェースを備えるフレームとを備え、前記第１の発光デバイス及び前記第２の発光デバイスが前記フレーム内に配置されて、前記第１の発光デバイスが前記照明器具用素子の第１の側部に放射し、前記第２の発光デバイスが前記照明器具用素子の第２の側部に放射する、照明器具向けの照明器具用素子であって、第１の極性の空間的に分離した電極接点領域を結合するための第１の導電性接点結合領域、及び第２の極性の電極接点領域を結合するための第２の導電性接点結合領域を有する層要素を更に備え、前記第１の接点結合領域が前記第２の接点結合領域から電気的に絶縁され、前記層要素が、前記発光デバイスと前記フレームのフランジ部分との間に収容される、照明器具用素子。
【請求項２】
前記発光デバイスが有機発光デバイスを備える、請求項１に記載の照明器具用素子。
【請求項３】
前記第１の発光デバイス及び前記第２の発光デバイスが、前記フレーム内で背中合わせの構成で配置される、請求項１又は２に記載の照明器具用素子。
【請求項４】
前記発光デバイスが、少なくとも１つのアノード接点領域、及び少なくとも１つのカソード接点領域を含み、接点領域が前記発光デバイスの縁部に沿って配置される、請求項１乃至３の何れか一項に記載の照明器具用素子。
【請求項５】
前記フレームが、前記フレーム内に配置された発光デバイスの電極接点領域を、前記フレームの外面にまで電気的に拡張するための電極接点拡張領域を含む、請求項１乃至４の何れか一項に記載の照明器具用素子。
【請求項６】
前記フレームが、前記第１の発光デバイスと前記第２の発光デバイスとの間の空洞に延在するフランジ部分を備える、請求項１乃至５の何れか一項に記載の照明器具用素子。
【請求項７】
前記接続インターフェースが、照明器具内の更なるフレームの溝に接続する舌状物、又は、前記照明器具内の更なるフレームの舌状物に接続する溝を備える、請求項１乃至６の何れか一項に記載の照明器具用素子。
【請求項８】
前記照明器具用素子が、前記フレームの接続インターフェースによって物理的且つ電気的に接続され、前記フレーム内に含まれる前記発光デバイスの電極接点が、前記フレームの電極接点拡張領域によって電気的に接続される、請求項１乃至７の何れか一項に記載の複数の照明器具用素子を備える照明器具。
【請求項９】
複数の接続インターフェースを有する組立体要素を備え、前記組立体要素の接続インターフェースが、前記照明器具用素子の前記フレームの前記接続インターフェースに接続する、請求項８に記載の照明器具。
【請求項１０】
複数の接続インターフェースを備える組立体要素であって、前記組立体要素の接続インターフェースが、請求項１乃至７の何れか一項に記載の照明器具用素子の前記フレームの前記接続インターフェースに接続する、組立体要素。
【請求項１１】
少なくとも１つの電極導電領域を備え、前記電極導電領域が、前記組立体要素によって物理的に接続された、隣接する発光照明器具用素子の前記フレームの電極接点拡張領域を電気的に接続する、請求項１０に記載の組立体要素。
【請求項１２】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の複数の照明器具用素子を備える照明器具キットであって、前記照明器具用素子が、前記フレームの接続インターフェースによって物理的且つ電気的に接続可能であり、前記フレーム内に含まれる前記発光デバイスの電極接点が、前記フレームの電極接点拡張領域、及び任意選択的に、照明器具用素子を接続するための請求項１０又は１１に記載の複数の組立体要素によって電気的に接続される、照明器具キット。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属イオン電池で用いるための、第１の粒子成分および第２の粒子成分を含む複合粒子であって、
（ａ）前記第１の粒子成分が本体部および表面部を備え、前記表面部が１つまたは複数の構造特徴および１つまたは複数のボイドを含み、前記表面部および前記本体部が、合わせて構造化粒子を画成し、
（ｂ）前記第２の成分が除去可能なフィラーを含み、
（ｉ）前記本体部および前記表面部のいずれかまたは両方が電気活性材料を含み、（ｉｉ）前記フィラーが、前記第１の成分の前記表面部内に含まれる１つまたは複数のボイド内に含まれ、（ｉｉｉ）前記フィラーが少なくとも５０℃の昇華または崩壊温度を有し、かつ／あるいはイオン液体または電解質溶液に可溶である、複合粒子。
【請求項２】
前記フィラーが、少なくとも０．７Ｍ、任意に０．７Ｍ〜２Ｍの塩濃度を有する電解質溶液に可溶であるか、または
前記フィラーが、７０℃〜２００℃の範囲内、任意に７０℃〜１１０℃の範囲内の温度で昇華または分解される、請求項１に記載の複合粒子。
【請求項３】
前記フィラーが、Ｎ−メチルピロリドン、プロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、γ−ブチロラクトン、１，２−ジメトキシエタン、２−メチルテトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、１，３−ジオキソラン、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ニトロメタン、蟻酸メチル、酢酸メチル、リン酸トリエステル、トリメトキシメタン、スルホラン、メチルスルホランおよび１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンを含む群から選択された溶液に可溶である、請求項１または２記載の複合粒子。
【請求項４】
前記一時フィラーが、ｏ−クレゾールおよびｐ−クレゾール、３−ノナノール、１−メチルシクロヘキサノール、ｐ−トルニトリル、２−メトキシフェノール、２−フェノール−２−プロパノール、２，３−ジメチルアニソール、フェノール、２，４−ジメチルフェノール、３，４，４−トリメチルペンタノール、ブタンジオール、シュウ酸、界面活性剤ならびに天然ワックスまたは１２−ヒドロキシステアリン酸、低分子量ポリエチレン、パラフィンワックスなどの石油ワックス、およびマイクロクリスタリンワックスを含む群から選択された合成ワックスを含む群から選択される、請求項１〜３のいずれか一に記載の複合粒子。
【請求項５】
前記第１の粒子成分が、ピラー付き粒子であり、
前記表面部が、本体部上に分布する１つまたは複数のピラーを含み、
任意に、前記表面部の前記ボイドが、本体部から粒子境界に延伸するチャネルを含む、請求項１〜４のいずれか一に記載の複合粒子。
【請求項６】
前記第１の粒子成分が、それを貫通して分布するボイドを有する多孔性粒子であり、
任意に、前記多孔性粒子が、小さい方の寸法が少なくとも１０ｎｍである、ファイバー、ワイヤ、スレッド、チューブ、フレーク、またはリボンであり、
任意に、前記ボイドが前記粒子の表面に分布する、請求項１〜４のいずれか一に記載の複合粒子。
【請求項７】
前記粒子の主要径が０．５μｍ〜１０μｍの範囲内である、請求項１〜６のいずれか一に記載の複合粒子。
【請求項８】
前記本体部および前記表面部が一体形成され、前記本体部を含む前記電気活性材料が、前記表面部の前記電気活性材料と同一であるかもしくは類似するか、または、
前記本体部の前記電気活性材料が、前記表面部の前記電気活性材料と異なる、請求項１〜７のいずれか一に記載の複合粒子。
【請求項９】
前記電気活性材料が、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム、鉛、アルミニウム、スズ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂ、Ｐ、２成分系金属酸化物、ＢＣ、ＢＳｉ、Ｓｉ−Ｃ、ＳｉＧｅ、ＳｉＳｎ、ＧｅＳｎ、ＷＣ、ＳｉＯｘ、チタン酸リチウム、ＴｉＯ２、ＢＮ、ＢＡｓ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＢｅＳｅ、ＢｅＴｅ、ＧｅＳ、ＧｅＳｅ、ＧｅＴｅ、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＯ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＡｇＦ、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、Ａｇｌ、ＢｅＳｉＮ２、ＺｎＧｅＰ２、ＣｄＳｎＡｓ２、ＺｎＳｎＳｂ２、ＣｕＧｅＰ３、ＣｕＳｉ２Ｐ３、Ｓｉ３Ｎ４、Ｇｅ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、Ａｌ２ＣＯまたはその酸化物、窒化物、水素化物、フッ化物、混合物もしくは合金を含む群から選択された電気活性材料であり、
好ましくは、前記電気活性材料が、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム、スズ、鉛、アルミニウム、ならびにその酸化物、窒化物、水素化物、フッ化物、合金および混合物を含む群から選択され、
好ましくは、前記電気活性材料が、シリコン、シリコン合金、または電気活性シリコン化合物である、請求項１〜８のいずれか一に記載の複合粒子。
【請求項１０】
金属イオン電池で用いるための複合粒子の形成方法であって、
前記複合粒子が請求項１〜９のいずれか一に規定される複合粒子であり、
第１の粒子成分を液状のフィラーと混合する工程を備え、
好ましくは、前記フィラーを、溶液の形態で供給することにより、前記フィラーの前記ボイドへの注入を促進し、溶媒を気化によって制御可能に除去する、請求項１〜９のいずれか一に記載の複合粒子の形成方法。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか一に規定される複合粒子およびバインダーを含み、
任意に、請求項１〜９のいずれか一で規定した複合粒子以外の電気活性炭素、導電性炭素および電気活性成分から選択された１つまたは複数の成分をさらに含む、金属イオン電池で用いるための複合材料。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれか一に記載の複合粒子または請求項１１に記載の複合材料と、集電体とを含む電極。
【請求項１３】
アノードとしての請求項１２に記載の電極と、カソードとを備える、電気化学電池。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれか一に記載の複合粒子または請求項１１に記載の複合材料の安定懸濁液を液体担体中に含み、
任意に、前記フィラーが界面活性剤を含むことにより、安定懸濁液内に前記複合粒子を維持する、組成物。
【請求項１５】
電気化学電池、金属イオン電池、燃料電池、熱電池、光起電力素子、太陽電池、電気キャパシタ、および誘電体絶縁素子を含む群から選択された１つまたは複数のデバイスの作製における、請求項１〜９のいずれか一に記載の複合粒子または請求項１１に記載の複合材料の使用。
【請求項１６】
複合電極の作成中における劣化および凝集に対する電気活性粒子の抵抗を改善するための除去可能なフィラーの使用であって、
前記電気活性粒子が本体部および表面部を備え、前記表面部が１つまたは複数の構造特徴および１つまたは複数のボイドを含み、前記表面部および前記本体部が、合わせて構造化粒子を画成し、（ｉ）前記本体部および前記表面部のいずれかまたは両方が電気活性材料を含み、（ｉｉ）前記フィラーが、前記第１の成分の前記表面部内に含まれる１つまたは複数のボイド内に含まれ、（ｉｉｉ）前記フィラーが少なくとも５０℃の昇華または崩壊温度を有し、かつ／あるいはイオン液体または電解質溶液に可溶である、使用。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月25日(2015.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層状加熱体の温度を検出し、且つ、制御するためのシステムであって、
層状加熱体であって、
基板と、
前記基板の上に配置された第１の誘電体層と、
センサ終端を有し、前記第１の誘電体層の上に配置されたセンサ層と、
前記センサ層の上に配置された第２の誘電体層と、
加熱体終端を有し、前記第２の誘電体層の上に配置された抵抗加熱層と、
前記抵抗加熱層の上に配置された第３の誘電体層と
を備える層状加熱体と、
前記抵抗加熱層に動作接続される超過温度検出回路であって、
抵抗体と、
前記センサ層と、
前記センサ層と並列の電気機械継電器と
を備える超過温度検出回路と
を備え、前記制御システムの応答時間が約１秒未満になるよう、前記センサ層が比較的大きいＴＣＲを有する材料を画定し、また、前記抵抗加熱層が比較的小さいＴＣＲを有する材料を画定するシステム。
【請求項２】
前記センサ層が、独立して制御することができる複数のゾーンを画定する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記独立して制御することができるゾーンが、同じサイズ及び同じ材料を画定する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記センサ層の前記独立して制御することができる複数のゾーンが異なる材料を画定する、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記抵抗加熱層がトラックをさらに画定し、前記抵抗加熱層が熱噴霧プロセスによって形成され、前記トラックがレーザ除去プロセスによって形成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記センサ層が、前記抵抗加熱層のトラックに対してほぼ直角に配向されるトラックを画定し、前記トラックが前記抵抗加熱層トラックの幅より細い幅を有し、且つ、約ゼロから約４８ＶＤＣ／ＡＣまでの電圧及び約ゼロから約１アンペアまでのアンペア数を画定する、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記センサ・トラック及び前記抵抗加熱層トラックがレーザ除去プロセスによって形成される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記センサ層トラックが、前記抵抗加熱層のトラックに対してほぼ直角に配向され、前記センサ層の前記トラックが前記抵抗加熱層トラックの幅より細い幅を有し、且つ、約ゼロから約４８ＶＤＣ／ＡＣまでの電圧及び約ゼロから約１アンペアまでのアンペア数を画定する、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記超過温度検出回路は、熱遮断または熱スイッチとして機能する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記センサ層は、ニッケル、銅、ニッケル合金、銅合金、アルミニウム合金、タングステン、および白金からなるグループから選択された１つを含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１、第２、第３の誘電体層は、１×１０６オーム以上の抵抗を持つ、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１、第２、第３の誘電体層は、それぞれ別々に、アルミナ、マグネシア、酸化ジルコニウム、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ホウ素、窒化ホウ素、磁器、凍石岩、キン青石、ムライトからなるグループから選択された１つを含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記センサ層は、抵抗温度係数（TCR）が約１０，０００ppm/℃である材料から成り、前記抵抗加熱層は、抵抗温度係数（TCR）が−１０，０００ppm/℃から約１ppm/℃の範囲にある材料から成る、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
層状加熱体の温度を検出し、且つ、制御するためのシステムであって、
層状加熱体であって、
基板と、
前記基板の上に配置された第１の誘電体層と、
センサ終端を有し、前記第１の誘電体層の上に配置されたセンサ層であって、幅Wsの複数のトラックを含み、比較的高い抵抗温度係数（TCR）を持つ材料により形成されているセンサ層と、
前記センサ層の上に配置された第２の誘電体層と、
加熱体終端を有し、前記第２の誘電体層の上に配置された抵抗加熱層であって、幅Wrの複数のトラックを含み、比較的低い抵抗温度係数（TCR）を持つ材料により形成されている抵抗加熱層と、
前記抵抗加熱層の上に配置された第３の誘電体層と
を備える層状加熱体と、
前記抵抗加熱層に動作接続される超過温度検出回路であって、
抵抗体またはポテンショメータと、
前記センサ層と、
前記センサ層と並列の電気機械継電器と
を備える超過温度検出回路と
を備え、
WrがWsより大きく、前記センサ層のトラックが前記抵抗加熱層のトラックと交差するシステム。
【請求項１５】
Wsが約１ｍｍであり、Wrが約５ｍｍである、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記センサ層のトラックが前記抵抗加熱層のトラックに対してほぼ直角に配向される、請求項１４記載のシステム。
【請求項１７】
前記センサ層のトラックは電圧12V電流１００mAであり、前記抵抗加熱層のトラックは電圧２３０VAC電流１０Aである、請求項１５記載のシステム。
【請求項１８】
前記第１、第２、第３の誘電体層は、１×１０６オーム以上の抵抗を持つ、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１９】
前記超過温度検出回路は、熱遮断または熱スイッチとして機能する、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２０】
前記センサ層は、抵抗温度係数（TCR）が約１０，０００ppm/℃である材料から成り、前記抵抗加熱層は、抵抗温度係数（TCR）が−１０，０００ppm/℃から約１ppm/℃の範囲にある材料から成る、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２１】
前記センサ層は、複数の独立して制御することができるゾーンを定義する、請求項１４に記載のシステム。
【請求項２２】
前記複数の独立して制御することができるゾーンは、同じ大きさで同じ材料である、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記センサ層の前記複数の独立して制御することができるゾーンが、それぞれ異なる材料からなる、請求項２１に記載のシステム。
【請求項２４】
層状加熱体の温度を検出し、且つ、制御するためのシステムであって、
層状加熱体であって、
基板と、
前記基板の上に配置された第１の誘電体層と、
センサ終端を有し、前記第１の誘電体層の上に配置されたセンサ層であって、複数の独立して制御することができるゾーンを定義し、幅Wsの複数のトラックを含み、抵抗温度係数（TCR）が約１０，０００ppm/℃である材料から形成されるセンサ層と、
前記センサ層の上に配置された第２の誘電体層と、
加熱体終端を有し、前記第２の誘電体層の上に配置された抵抗加熱層であって、幅Wrの複数のトラックを含み、抵抗温度係数（TCR）が−１０，０００ppm/℃から約１ppm/℃の範囲にある材料から形成される、抵抗加熱層と、
前記抵抗加熱層の上に配置された第３の誘電体層と
を備える層状加熱体と、
前記抵抗加熱層に動作接続される超過温度検出回路であって、
抵抗体またはポテンショメータと、
前記センサ層と、
前記センサ層と並列の電気機械継電器と
を備える超過温度検出回路と
を備え、WrがWsより大きく、前記センサ層のトラックが前記抵抗加熱層のトラックと交差し、前記抵抗加熱層のトラックに対しほぼ直角に配向される、システム。