(57)【要約】      （修正有）【課題】太陽電池セルの製造における、基板の拡散層のエッチングに於いて、所望のエッチングレートで基板の拡散層のエッチングを行える、効率的なエッチング液を提供する。【解決手段】半導体基板に形成された拡散層のエッチングを行うＨＮＯ３、ＨＦ及びＨ２Ｏからなるエッチング液であって、前記ＨＮＯ３、ＨＦ及びＨ２Ｏの配合重量比が以下の式（１）を満たす、エッチング液を用いてエッチングする。ＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：０．０５〜１．５：０を超え１６０以下・・・（１）【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された拡散層のエッチングを行うＨＮＯ３、ＨＦ及びＨ２Ｏからなるエッチング液であって、
前記ＨＮＯ３、ＨＦ及びＨ２Ｏの配合重量比が以下の式（１）を満たす、エッチング液。
ＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：０．０５〜１．５：０を超え１６０以下・・・（１）
【請求項２】
前記拡散層は前記半導体基板の受光面側に形成されるｎ型の拡散層及び／又は前記半導体基板の裏面側に形成されるｐ型の拡散層であり、
前記拡散層には複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、
前記高濃度拡散領域をマスクした状態で前記低濃度拡散領域のエッチングを行う際に用いられる、請求項１に記載のエッチング液。
【請求項３】
前記拡散層は前記半導体基板の受光面側に形成されるｐ型の拡散層及び／又は前記半導体基板の裏面側に形成されるｎ型の拡散層であり、
前記拡散層には複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、
前記高濃度拡散領域をマスクした状態で前記低濃度拡散領域のエッチングを行う際に用いられる、請求項１に記載のエッチング液。
【請求項４】
前記ＨＮＯ３、ＨＦ及びＨ２Ｏの配合重量比が以下の式（２）を満たす、請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング液。
ＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：０．０５〜１．５：３０〜１６０・・・（２）
【請求項５】
前記半導体基板は単結晶又は多結晶シリコンであり、その比抵抗は０．３〜５０Ω・ｃｍである、請求項１〜４のいずれかに記載のエッチング液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば太陽電池セルの製造において用いられるエッチング液に関するものであり、特に、エッチング液として用いられるフッ硝酸液（ＨＦ／ＨＮＯ３液）に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、クリーンなエネルギー源として近年需要が高まっており、それに伴い太陽電池セルの需要も高まっている。この太陽電池に用いられる太陽電池セルは、光エネルギーを電力に変換する半導体素子であり、ｐ−ｎ接合型、ｐｉｎ型、ショットキー型等があり、特にｐ−ｎ接合型が広く用いられている。また、太陽電池をその基板材料をもとに分類すると、シリコン結晶系太陽電池、アモルファス（非晶質）シリコン系太陽電池、化合物半導体系太陽電池の３種類に大きく分けられる。シリコン結晶系太陽電池は、さらに、単結晶系太陽電池と多結晶系太陽電池に分類される。太陽電池用シリコン結晶基板は比較的容易に製造できることから、シリコン結晶系太陽電池が最も普及している。
【０００３】
例えば特許文献１にはシリコン結晶基板を用いて製造される太陽電池セルとその製造方法が開示されている。この特許文献１は、太陽電池セルの製造において、基板に高濃度拡散領域と低濃度拡散領域を形成するものであり、基板の受光面全面の内、高濃度拡散領域を保持すべき部分にレジスト膜をマスクとして塗布し、その他の露出部分をフッ硝酸液（ＨＦ／ＨＮＯ３液）であるエッチング液によってエッチングを行い、低濃度拡散領域を形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１１８４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載されたエッチング液としてのフッ硝酸液（ＨＦ／ＨＮＯ３液）を用いた拡散層のエッチングでは以下のような問題点がある。例えば、エッチング液においてＨＦ（フッ化水素）の配合量が多すぎる場合には、反応熱が発生し、エッチングレートが早くなってしまうことにより、エッチング制御が困難になってしまうといった問題がある。加えて、ＨＦの消耗が早くなり、フッ硝酸液の劣化が促進されてしまい、エッチングにおいて基板表面が荒れて短絡電流密度（Ｊｓｃ）が低下してしまうといった問題や、エッチング液の寿命が短くなってしまうといった問題もある。
【０００６】
一方、エッチング液においてＨＦ（フッ化水素）の配合量が少なすぎる場合には、エッチングレートが遅くなり、エッチング液としての機能を果たさないために、エッチングを行うことが困難となってしまう。
【０００７】
従って、上記問題点に鑑み、太陽電池セルの製造において、基板の拡散層のエッチングを行うに際してフッ硝酸液（ＨＦ／ＨＮＯ３液）をエッチング液として用いる場合には、当該フッ硝酸液に含まれるＨＮＯ３（硝酸）、ＨＦ（フッ化水素）及びＨ２Ｏ（水）の割合を、所定の好ましい配合とする必要がある。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、太陽電池セルの製造において、基板の拡散層のエッチングで用いられるエッチング液としてのフッ硝酸液（ＨＦ／ＨＮＯ３液）の各成分の配合を所定のものとすることで、効率的にエッチング制御を行い、所望のエッチングレートでもって基板の拡散層のエッチングを行って太陽電池セルを製造することにある。また、当該太陽電池セルを用いて、従来よりも性能に優れた太陽電池を製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するため、本発明者らは太陽電池セルの製造に用いる基板の拡散層をエッチングする場合に用いるフッ硝酸液（エッチング液）の配合について鋭意研究を行い、当該フッ硝酸液に含まれるＨＮＯ３（硝酸）、ＨＦ（フッ化水素）及びＨ２Ｏ（水）における好適な配合比についての知見を得た。
【００１０】
上記知見に基づく本発明によれば、半導体基板に形成された拡散層のエッチングを行うＨＮＯ３、ＨＦ及びＨ２Ｏからなるエッチング液であって、前記ＨＮＯ３、ＨＦ及びＨ２Ｏの配合重量比が以下の式（１）を満たす、エッチング液が提供される。
ＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：０．０５〜１．５：０を超え１６０以下・・・（１）
【００１１】
前記拡散層は前記半導体基板の受光面側に形成されるｎ型の拡散層及び／又は前記半導体基板の裏面側に形成されるｐ型の拡散層であり、前記拡散層には複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、前記高濃度拡散領域をマスクした状態で前記低濃度拡散領域のエッチングを行う際に用いられても良い。
【００１２】
前記拡散層は前記半導体基板の受光面側に形成されるｐ型の拡散層及び／又は前記半導体基板の裏面側に形成されるｎ型の拡散層であり、前記拡散層には複数の高濃度拡散領域と、それら高濃度拡散領域間に位置する低濃度拡散領域が形成され、前記高濃度拡散領域をマスクした状態で前記低濃度拡散領域のエッチングを行う際に用いられても良い。
【００１３】
上記エッチング液において、前記ＨＮＯ３、ＨＦ及びＨ２Ｏの配合重量比が以下の式（２）を満たすものとしても良い。
ＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：０．０５〜１．５：３０〜１６０・・・（２）
【００１４】
また、前記半導体基板は単結晶又は多結晶シリコンであり、その比抵抗は０．３〜５０Ω・ｃｍであっても良い。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、太陽電池セルの製造において、基板の拡散層のエッチングで用いられるエッチング液としてのフッ硝酸液（ＨＦ／ＨＮＯ３液）の各成分の配合を所定のものとすることで、効率的にエッチング制御を行い、所望のエッチングレートでもって基板の拡散層のエッチングを行って太陽電池セルを製造することができる。また、当該太陽電池セルを用いて、従来よりも性能に優れた太陽電池を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】太陽電池セルの製造工程を示す説明図である。
【図２】エッチング液のＨＮＯ３とＨ２Ｏの重量を固定し、ＨＦの配合比を変化させた場合の製造される太陽電池セルの変換効率（Ｅｆｆ）を測定したグラフである。
【図３】ＨＦの配合比を変えた場合の半導体基板表面のＳＥＭ画像である。
【図４】エッチング液のＨＮＯ３とＨＦの重量を固定し、Ｈ２Ｏの配合比を変化させた場合のｎ型拡散層のシート抵抗（ｎ＋層ρｓ［Ω／□］）の処理時間変化を測定したグラフである。
【図５】エッチング液のＨＮＯ３とＨＦの重量を固定し、Ｈ２Ｏの配合比を増加させた場合に、ｎ型拡散層のシート抵抗を８０Ω／□となるまでにかかる処理時間を測定したグラフである。
【図６】エッチング液の配合比を所定の比率に維持した状態で、低濃度拡散領域の形成を行うエッチングを複数回行った際の低濃度拡散領域のシート抵抗を測定したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。また、本実施の形態では、ｐ型の半導体基板の受光面側にｎ型の拡散層を形成する場合を例示して説明するが、本発明はこれに限られるものではなく、例えばｎ型の半導体基板の受光面側にｐ型の拡散層を形成する場合についても同様の手順で実施することが可能である。
【００１８】
図１（ａ）〜（ｅ）は、単結晶シリコン基板からなる半導体基板１を用いて太陽電池セル２０を製造する工程を示す説明図である。なお、図１において、上面が受光面である。先ず、図１（ａ）に示すように、例えばＣＺ法により作製された結晶面方位（１００）、１２．５ｃｍ角、厚さが３０〜５００μｍで、比抵抗が０．５〜５０Ω・ｃｍ（ドーパント濃度４×１０１５〜５×１０１６ｃｍ−３程度）の単結晶シリコン基板からなるｐ型（ボロンドープ）の半導体基板１が用意される。
【００１９】
次に、高濃度（１０ｗｔ％）の水酸化ナトリウム水溶液に半導体基板１（シリコン基板）を浸漬させ、ダメージ層を取り除いた。なお、ここでは半導体基板１のダメージ層除去のために水酸化ナトリウム水溶液を用いたが、水酸化カリウム等の強アルカリ水溶液を用いても構わない。またフッ硝酸などの酸水溶液でも同様の目的を達成することが可能である。
【００２０】
ここで、太陽電池は通常、表面に凸凹形状を形成するのが好ましい。その理由は、可視光域の反射率を低減させるために、できる限り２回以上の反射を受光面で行わせる必要があるためである。そこで、ダメージエッチングを行なった基板を、例えば３ｗｔ％の水酸化ナトリウムにイソプロピルアルコールを加えた水溶液に浸し、ウエットエッチングすることにより、ランダムテクスチャ構造を形成する。これら一つ一つの山のサイズは１〜２０μｍ程度である。他の代表的な表面凸凹構造としてはＶ溝、Ｕ溝が挙げられる。これらは研削機を利用して形成可能である。また、ランダムな凸凹構造を作るには酸エッチングやリアクティブ・イオン・エッチングなどが代替法として用いることが可能である。
【００２１】
次に、拡散炉においてオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）ガスを含有する雰囲気中で、半導体基板１が例えば８７０℃に加熱されることによって、図１（ｂ）に示すように、半導体基板１の上面（受光面）全面にリン（Ｐ）が拡散される。こうして、半導体基板１の表面（受光面）全面に高濃度拡散領域５が形成される。なお、本実施の形態における高濃度拡散領域５のシート抵抗は２５〜５０Ω／□（ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ）であることが好ましい。
【００２２】
続いて、図１（ｃ）に示すように、全面に高濃度拡散領域５が形成された半導体基板１の表面上に所定のパターンでレジスト膜７が例えば１０〜３０μｍの厚さで塗布される。このレジスト膜７のパターン形成は、例えばスクリーン印刷によって行われる。また、レジスト膜７として塗布されるレジスト剤としては、スクリーン印刷法にて印刷可能であり、耐ＨＦ（フッ化水素酸）性を有し、アルカリ性水溶液にて剥離が可能なレジスト剤を用いることが好ましい。
【００２３】
次に、図１（ｄ）に示すように、所定のパターンに形成されたレジスト膜７をマスクとして、露出した部分についてフッ硝酸液（ＨＦ／ＨＮＯ３液）をエッチング液として用いた湿式エッチングが行われる。これにより、高濃度拡散領域５の一部（マスクされていない部分）がエッチングされ、低濃度拡散領域９が形成される。即ち、このエッチングにおいてマスクされていた箇所については高濃度拡散領域５が形成されたままとなり、半導体基板１の表面（受光面）は、高濃度拡散領域５と低濃度拡散領域９が所定のパターンでもって混在する状態となる。
【００２４】
そして、図１（ｅ）に示すように、例えばアルカリ性水溶液によってレジスト膜７が除去される。
【００２５】
次に、図１（ｆ）に示すように、プラズマＣＶＤ装置を用いて半導体基板１の表面に表面保護膜（パッシベーション膜）兼反射防止膜１２として例えば窒化膜を堆積させると共に、各高濃度拡散領域５の上に受光面グリッド電極１４が形成される。上記反射防止膜１２としては、窒化膜以外に酸化膜、二酸化チタン膜、酸化亜鉛膜、酸化スズ膜等が例示される。また、反射防止膜１２の形成法は上記プラズマＣＶＤ装置による方法以外にも、リモートプラズマＣＶＤ法、コーティング法、真空蒸着法等が例示されるが、経済的な観点からプラズマＣＶＤ法が好ましい。さらに、上記反射防止膜１２上にトータルの反射率が最も小さくなるような条件、例えば二フッ化マグネシウム膜といった屈折率が１から２の間の膜を形成すれば、反射率がさらに低減し、生成電流密度が高くなる。また、受光面グリッド電極１４は、例えばＡｇを含有する導電性ペーストをスクリーン印刷で各高濃度拡散領域５上に塗布することにより形成される。
【００２６】
一方、半導体基板１の裏面においては、図１（ｆ）のように、裏面電極１６がスクリーン印刷機によって印刷・乾燥される。裏面電極１６は、例えばＡｇを含有する導電性ペーストをスクリーン印刷によって半導体基板１の裏面側に印刷することにより形成される。
【００２７】
そして、焼成を行うことで受光面グリッド電極１４や裏面電極１６を焼結させ、半導体基板１の裏面において裏面電極１６以外の部分にＡＬ−ＢＳＦ（Ａｌ−Ｂａｃｋ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｆｉｅｌｄ）１０を形成させ、太陽電池セル２０が製造される。
【００２８】
図１を参照して上述した工程によって太陽電池セル２０は製造されるが、本発明者らは、図１（ｃ）、（ｄ）において示した低濃度拡散領域９を形成するフッ硝酸液を用いたエッチング（以下、エッチング工程とも呼称する）において、ＨＮＯ３、ＨＦ及びＨ２Ｏからなるエッチング液としてのフッ硝酸液の各成分の配合比を好適に制御することで、エッチング制御を行うことが可能であることを見出し、最終製品である太陽電池の性能を向上させるための好適な配合比について鋭意研究を行った。以下には、その好適な配合比について説明する。なお、以下に説明する配合比の数値は全て重量比（ｗｔ％）でもって示している。
【００２９】
図２は、エッチング工程においてエッチング液（フッ硝酸液）のＨＮＯ３とＨ２Ｏの重量を固定し、ＨＦの配合比を変化させた場合の製造される太陽電池セルの変換効率（Ｅｆｆ）を測定したグラフである。なお、図２においてＨＮＯ３とＨ２Ｏの配合比はＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１００：６８で固定して測定を行っている。
【００３０】
図２に示されるように、ＨＦの配合比を、重量比でＨＮＯ３：ＨＦ＝１００：０．０５よりも少なくした場合には、エッチングレートが遅くなってしまい、製造される太陽電池セルの変換効率が低下している。一方、ＨＦの配合比を、重量比でＨＮＯ３：ＨＦ＝１００：１．５よりも多くした場合には、半導体基板表面が荒れて短絡電流密度（Ｊｓｃ）が低下し、製造される太陽電池セルの変換効率が低下してしまう。ここで、図３はＨＦの配合比を変えた場合の半導体基板表面のＳＥＭ画像であり、図３（ａ）はＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：０．０５〜１．５：６８とした場合の画像であり、図３（ｂ）はＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：２：６８とした場合の画像である。図３（ａ）と図３（ｂ）を比較すると、図３（ｂ）の場合の方が半導体基板表面が荒れていることが分かる。
【００３１】
図２及び図３から得られる知見によれば、製造された太陽電池セルの変換効率を低下させること無くエッチングを行うことが可能なＨＦの配合比はＨＮＯ３：ＨＦ＝１００：０．０５〜１．５であることが分かる。ここに、本検討において固定重量としているＨ２Ｏの配合比も記載することで、エッチング液の好適な配合比として以下の式（３）が得られる。
ＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：０．０５〜１．５：６８・・・（３）
【００３２】
また、図４はエッチング工程においてエッチング液（フッ硝酸液）のＨＮＯ３とＨＦの重量を固定し、Ｈ２Ｏの配合比を変化させた場合のｎ型拡散層のシート抵抗（ｎ＋層ρｓ［Ω／□］）の処理時間変化を測定したグラフである。また、図５は、エッチング工程においてエッチング液（フッ硝酸液）のＨＮＯ３とＨＦの重量を固定し、Ｈ２Ｏの配合比を増加させた場合に、ｎ型拡散層のシート抵抗を８０Ω／□となるまでにかかる処理時間（エッチングに要する時間）を測定したグラフである。なお、図４及び図５においてＨＮＯ３とＨＦの配合比はＨＮＯ３：ＨＦ＝１００：０．２４（重量比）で固定して測定を行っている。
【００３３】
図４に示されるように、ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏの配合比を１００：６７、１００：１２７、１００：３０８とそれぞれ変化させた場合には、Ｈ２Ｏの配合比を増加させる程エッチングレートが低下し、ｎ型拡散層のシート抵抗を所望の値まで上昇させるのに処理時間が長くかかってしまう。また、同様に、図５に示されるように、エッチングによってｎ型拡散層のシート抵抗を所定の値（８０Ω／□）にするための処理時間が、Ｈ２Ｏの配合比を増加させるほど長時間となってしまう。
【００３４】
図４及び図５から得られる知見によれば、ｎ拡散層のシート抵抗を所定の値にするための処理時間は、エッチング液中のＨ２Ｏの配合比が少ない程好ましい。また、通常太陽電池セルの製造において行われるエッチング処理時間は１０ｍｉｎ以内が望ましいことが知られている。これは、ＰＶ工場の薬液工程は、通常５〜１０ｍｉｎタクトで行われており、１０ｍｉｎを超えると、処理槽を直列的にもう一槽設ける必要があるため、装置コストの増大といった問題が生じるためである。従って、図５の結果からエッチングの処理時間が１０ｍｉｎ（６００ｓｅｃ）以下で済むためには、エッチング液中のＨ２Ｏの配合比をＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１００：０を超え１６０以下とすることが望ましいことが分かる。ここに、本検討において固定重量としているＨＦの配合比も記載することで、エッチング液の好適な配合比として以下の式（４）が得られる。
ＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：０．２４：０を超え１６０以下・・・（４）
【００３５】
以上、図２〜図５を参照して検討した結果から得られる式（３）及び式（４）の両方を満たすエッチング液の配合比が、最適な条件として以下の式（１）に示される。
ＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：０．０５〜１．５：０を超え１６０以下・・・（１）
【００３６】
また、一般的にフッ硝酸液（ＨＦ／ＨＮＯ３液）を作製する場合には、フッ酸と硝酸が含まれる水溶液をそれぞれ用意し、それら水溶液を混合することでフッ硝酸液を得る。即ち、作製されるフッ硝酸液は水溶液となり、Ｈ２Ｏが必ず含まれる。一般的に市販されているフッ酸を含む水溶液と硝酸を含む水溶液とを混合した場合、フッ硝酸液におけるＨ２Ｏの配合比は以下の式（５）に示すようになることが知られている。
ＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：０．０５〜１．５：３０〜（３０以上）・・・（５）
【００３７】
従って、上記式（１）に示されるエッチング液の配合条件に、式（５）に示した条件を加えることで、より好ましいエッチング液の配合比として以下の式（２）の条件が導き出される。
ＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：０．０５〜１．５：３０〜１６０・・・（２）
【００３８】
以上説明した式（１）あるいは式（２）で示される配合比のフッ硝酸液を、低濃度拡散領域９を形成する場合のエッチング液として用いた場合、エッチングレートの低下が回避され、半導体基板１において形成される低濃度拡散領域９のシート抵抗を所定の値にするための処理時間を長時間化することなく、効率的にエッチングを行うことができる。また、エッチング後の低濃度拡散領域９のシート抵抗を例えば７０〜９０Ω／□程度の所定の値に安定的且つ効率的に制御することが可能となるため、最終的に製造される太陽電池セルの性能を従来に比べ向上させることが可能となる。更には、当該太陽電池セルを用いて太陽電池を製造することで、従来よりも性能の優れた太陽電池を製造することができる。なお、上記シート抵抗の安定化や太陽電池セルの性能の向上については、後述する実施例において具体的に説明する。
【００３９】
以上、本発明の実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００４０】
上記実施の形態では、ｐ型の半導体基板１の受光面側にｎ型の拡散層（高濃度拡散領域５、低濃度拡散領域９）を形成する場合を説明したが、ｎ型の半導体基板の受光面側にｐ型の拡散層を形成する場合についても同様の手順で実施できる。また、拡散層については半導体基板１の受光面側にのみ形成する場合を例示して説明したが、例えば半導体基板１の受光面側と裏面側の両方に拡散層を形成する場合について、その両方の拡散層に対して本願発明は適用可能である。
【実施例】
【００４１】
（実施例）
本発明者らは、実施例として、本発明にかかるエッチング液を用いてエッチングを行うことで、エッチングレートを維持し、半導体基板の低濃度拡散領域におけるシート抵抗を安定して所望の値とすることができることを実証する実験を行った。図６はこの実験結果を示すものであり、エッチング液の配合比（ＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ）を所定の比率に維持した状態で、半導体基板上に低濃度拡散領域の形成を行うためのエッチングを複数回行った際のバッチ処理ごとのエッチング後の低濃度拡散領域のシート抵抗を測定したグラフである。なお、本実施例におけるエッチング液の配合比はＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１００：０．２４：６７とし、当該配合比を維持するために、適宜ＨＦをエッチング液に加えることとした。また、バッチ処理回数は２５回とした。
【００４２】
図６に示すように、エッチング液の配合比（ＨＮＯ３：ＨＦ：Ｈ２Ｏ）を所定の比率に維持してエッチングを行うことで、エッチング後の低濃度拡散領域のシート抵抗は常に所望の範囲内の値（７０〜９０Ω／□）とすることが可能であった。ここで、エッチング後の低濃度拡散領域のシート抵抗を７０〜９０Ω／□、より好ましくは約８０Ω／□とするのは、低濃度拡散領域のシート抵抗が６０〜１０５Ω／□の範囲である場合に太陽電池セルの変換効率が良好であることが知られており、特に当該シート抵抗が約８０Ω／□である場合に太陽電池セルの変換効率が良好であることが知られているからである（特許文献１参照）。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、例えば太陽電池セルの製造において用いられるエッチング液に関するものであり、特に、エッチング液として用いられるフッ硝酸液（ＨＦ／ＨＮＯ３液）に適用できる。
【符号の説明】
【００４４】
１…半導体基板
５…高濃度拡散領域
７…レジスト膜
９…低濃度拡散領域
１０…ＡＬ−ＢＳＦ
１２…反射防止膜
１４…受光面グリッド電極
１６…裏面電極
２０…太陽電池セル
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図３】
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