【手続補正書】
【提出日】平成28年8月9日(2016.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
（ｉ）シリコン、少なくとも１種のｎ型ドープ剤及び少なくとも１種のｐ型ドープ剤を含有する液浴（１００）を用意するステップと、
（ｉｉ）対流拡散パラメータを変化させてｎドープシリコン層（１０１）とｐドープシリコン層（１０２）とを交互に成長させることで、方向（Ｉ）でのシリコンの指向性凝固に進むステップと、
（ｉｉｉ）前記ステップ（ｉｉ）完了時に得られる多層構造体からスライス（１０４）を、方向（Ｉ）に対して平行に切断することで期待されるウェハ（１０）を得るステップ
とを含む、
ｎドープ領域とｐドープ領域とを交互に示す垂直多接合（２）を有するモノリシックシリコンウェハ（１０）の作製方法。
【請求項２】
前記シリコンを凝固させるステップ（ｉｉ）を引き上げ法により行う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ｐ型ドープ剤を、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びこれらの混合物から選択する、請求項１〜２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記ｎ型ドープ剤を、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、スズ（Ｓｎ）及びこれらの混合物から選択する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ステップ（ｉｉ）が、前記ｎドープシリコン層（１０１）の成長と前記ｐドープシリコン層（１０２）の成長との間に中間層（１０３）の成長を含み、前記中間層（１０３）が８０Ω．ｍ以上の抵抗率を示す、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ステップ（ｉｉ）における対流拡散パラメータの変更を、シリコンの凝固速度の変化を通して行う、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記ステップ（ｉｉ）におけるシリコンの凝固を引き上げ法で行い、前記シリコンの凝固速度を引き上げ速度の制御を通して調節する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ステップ（ｉｉ）をサイクルＶ1−Ｖ3−Ｖ2−Ｖ3−の繰り返しにしたがって前記シリコンの凝固速度を変化させることで行い、Ｖ1がｎドープシリコンの成長を促す速度であり、Ｖ2がｐドープシリコンの成長を促す速度であり、Ｖ3がＶ1とＶ2との中間値の前記中間層の成長を促す速度である、請求項５〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ステップ（ｉｉ）における対流拡散パラメータの変更を、液浴の撹拌レベルの変更を通して行う、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ｎドープシリコン及びｐドープシリコンを凝固させるためのステップ（ｉｉ）におけるそれぞれの回数を、前記ステップ（ｉｉ）完了時に形成される前記ｎドープ層（１０１）及び前記ｐドープ層（１０２）が互いに独立して少なくとも２ｍｍの厚さを示すように調節する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの垂直切断面においてｎドープ領域（１１）及びｐドープ領域（１２）を交互に示し、各領域がウェハの厚さ全体（ｅ）に及び、また切断面において少なくとも２ｍｍの幅（Ｌ1、Ｌ2）を有する、垂直多接合（２）を有するモノリシックシリコンウェハ（１０）。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか一項で定義される方法にしたがって形成されることを特徴とする、請求項１１に記載のウェハ。
【請求項１３】
前記ｎドープ領域が、互いに独立して、切断面において２ｍｍ〜１０ｃｍの幅（Ｌ1）を示す、請求項１１〜１２のいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項１４】
前記ｐドープ領域が、互いに独立して、切断面において２ｍｍ〜１０ｃｍの幅（Ｌ2）を示す、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項１５】
前記ｎドープ領域（１１）及び前記ｐドープ領域（１２）を互いから少なくとも１つの中間領域（１３）で隔て、前記中間領域（１３）が８０Ω．ｍ以上の抵抗率を示す、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項１６】
前記中間領域（１３）のそれぞれが、切断面において５０μｍ〜５ｍｍの幅（Ｌ3）を示す、請求項１５に記載のウェハ。
【請求項１７】
請求項１１〜１６のいずれか一項で定義されるシリコンウェハを備える光起電性デバイス。
【請求項１８】
請求項１７に記載の光起電性デバイスを複数備える光起電性系であって、前記デバイスが、前記系に関係するインバータの入力電圧を調節できるように直列及び／又は並列につながれている、光起電性系。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
ｉｉｉ．ウェハの切断
成長工程が完了したら、インゴットを（研削材としてＳｉＣ粒を使用する慣用の切断法）厚さ２５０μｍ、長さ２０ｃｍのスライスに切断し、得られるウェハは２つのｐ型領域及び２つのｎ型領域を備え、これらの領域は補償領域により隔てられ且つ結合されている。
本発明のまた別の態様は、以下のとおりであってもよい。
〔１〕少なくとも、
（ｉ）シリコン、少なくとも１種のｎ型ドープ剤及び少なくとも１種のｐ型ドープ剤を含有する液浴（１００）を用意するステップと、
（ｉｉ）対流拡散パラメータを変化させてｎドープシリコン層（１０１）とｐドープシリコン層（１０２）とを交互に成長させることで、方向（Ｉ）でのシリコンの指向性凝固に進むステップと、
（ｉｉｉ）前記ステップ（ｉｉ）完了時に得られる多層構造体からスライス（１０４）を、方向（Ｉ）に対して平行に切断することで期待されるウェハ（１０）を得るステップ
とを含む、
ｎドープ領域とｐドープ領域とを交互に示す垂直多接合（２）を有するモノリシックシリコンウェハ（１０）の作製方法。
〔２〕前記シリコンを凝固させるステップ（ｉｉ）を引き上げ法、特にはチョクラルスキー又はブリッジマン引き上げ法により行う、前記〔１〕に記載の方法。
〔３〕前記ｐ型ドープ剤を、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びこれらの混合物、特にはホウ素から選択する、先行の態様のいずれか一項に記載の方法。
〔４〕前記ｎ型ドープ剤を、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、スズ（Ｓｎ）及びこれらの混合物、特にはアンチモンから選択する、先行の態様のいずれか一項に記載の方法。
〔５〕前記ｐ型ドープ剤がホウ素であり、前記ｎ型ドープ剤がアンチモンである、先行の態様のいずれか一項に記載の方法。
〔６〕前記ステップ（ｉｉ）が、前記ｎドープシリコン層（１０１）の成長と前記ｐドープシリコン層（１０２）の成長との間に中間層（１０３）の成長を含み、前記中間層（１０３）が８０Ω．ｍ以上、特には４００Ω．ｍ以上、好ましくは２０００Ω．ｍ以上の抵抗率を示す、先行の態様のいずれか一項に記載の方法。
〔７〕前記ステップ（ｉｉ）における対流拡散パラメータの変更を、シリコンの凝固速度の変化を通して、特には少なくともｎドープシリコンの成長を促す値Ｖ1とｐドープシリコンの成長を促す値Ｖ2との間で行う、先行の態様のいずれか一項に記載の方法。
〔８〕前記ステップ（ｉｉ）におけるシリコンの凝固を引き上げ法で行い、前記シリコンの凝固速度を引き上げ速度の制御を通して調節する、先行の態様に記載の方法。
〔９〕前記ステップ（ｉｉ）をサイクルＶ1−Ｖ3−Ｖ2−Ｖ3−の繰り返しにしたがって前記シリコンの凝固速度を変化させることで行い、Ｖ1がｎドープシリコンの成長を促す速度であり、Ｖ2がｐドープシリコンの成長を促す速度であり、Ｖ3がＶ1とＶ2との中間値の前記中間層の成長を促す速度である、前記〔６〕〜〔８〕のいずれか一項に記載の方法。
〔１０〕前記ステップ（ｉｉ）における対流拡散パラメータの変更を、特には少なくともｎドープシリコンの成長を促す値Ｂ1とｐドープシリコンの成長を促す値Ｂ2との間での液浴の撹拌レベルの変更を通して行う、前記〔１〕〜〔６〕のいずれか一項に記載の方法。
〔１１〕前記液浴の撹拌レベルを、撹拌系を使用して、特にはチョクラルスキータイプの引き上げ法において結晶及び／又はるつぼの強制回転により、交番磁場、回転又は摺動、機械ブレード、プロペラ又はディスクを使用して調節する、先行の態様に記載の方法。
〔１２〕前記ステップ（ｉｉ）中に、液浴に固形又は液状のシリコンを、シリコンが凝固するにつれて液浴の富化をｎドーパント及びｐドーパントで補償できるような量で添加する、先行の態様のいずれか一項に記載の方法。
〔１３〕前記ｎドープシリコン及びｐドープシリコンを凝固させるためのステップ（ｉｉ）におけるそれぞれの回数を、前記ステップ（ｉｉ）完了時に形成される前記ｎドープ層（１０１）及び前記ｐドープ層（１０２）が互いに独立して少なくとも２ｍｍ、特には２ｍｍ〜１０ｃｍ、とりわけ５ｍｍ〜５ｃｍの厚さを示すように調節する、先行の態様のいずれか一項に記載の方法。
〔１４〕少なくとも１つの垂直切断面においてｎドープ領域（１１）及びｐドープ領域（１２）を交互に示し、各領域がウェハの厚さ全体（ｅ）に及び、また切断面において少なくとも２ｍｍの幅（Ｌ1、Ｌ2）を有する、垂直多接合（２）を有するモノリシックシリコンウェハ（１０）。
〔１５〕前記〔１〕〜〔１３〕のいずれか一項で定義される方法にしたがって形成されることを特徴とする、先行の態様に記載のウェハ。
〔１６〕前記ｎドープ領域（１１）が、互いに独立して、電子タイプの電荷キャリア密度１０14〜１０17ｃｍ-3、特には５．１０14〜５．１０16ｃｍ-3を示す、前記〔１４〕又は〔１５〕に記載のウェハ。
〔１７〕前記ｎドープ領域が、互いに独立して、切断面において２ｍｍ〜１０ｃｍ、特には５ｍｍ〜５ｃｍの幅（Ｌ1）を示す、前記〔１４〕〜〔１６〕のいずれか一項に記載のウェハ。
〔１８〕前記ｐドープ領域（１２）が、互いに独立して、ホールタイプの荷電キャリア密度１０14〜１０17ｃｍ-3、特には５．１０14〜５．１０16ｃｍ-3を示す、前記〔１４〕〜〔１７〕のいずれか一項に記載のウェハ。
〔１９〕前記ｐドープ領域が、互いに独立して、切断面において２ｍｍ〜１０ｃｍ、特には５ｍｍ〜５ｃｍの幅（Ｌ2）を示す、前記〔１４〕〜〔１８〕のいずれか一項に記載のウェハ。
〔２０〕前記ｎドープ領域（１１）及び前記ｐドープ領域（１２）を互いから少なくとも１つの中間領域（１３）で隔て、前記中間領域（１３）が８０Ω．ｍ以上、特には４００Ω．ｍ以上、好ましくは２０００Ω．ｍ以上の抵抗率を示す、前記〔１４〕〜〔１９〕のいずれか一項に記載のウェハ。
〔２１〕前記中間領域（１３）のそれぞれが、切断面において５０μｍ〜５ｍｍ、特には１００μｍ〜５００μｍの幅（Ｌ3）を示す、前記〔２０〕に記載のウェハ。
〔２２〕１００〜５００μｍ、特には１５０〜３００μｍの厚さ（ｅ）を示す、前記〔１４〕〜〔２１〕のいずれか一項に記載のウェハ。
〔２３〕切断面において１０〜３０ｃｍ、特には１５〜２０ｃｍの全長（Ｌ）を示す、前記〔１４〕〜〔２２〕のいずれか一項に記載のウェハ。
〔２４〕前記〔１４〕〜〔２３〕のいずれか一項で定義されるシリコンウェハを備える光起電性デバイス。
〔２５〕前記〔２４〕に記載の光起電性デバイスを複数備える光起電性系であって、前記デバイスが、前記系に関係するインバータの入力電圧を調節できるように直列及び／又は並列につながれている、光起電性系。