(57)【要約】【課題】  先端開放線路や先端短絡線路などの伝送線路と、伝送線路に接続された可変容量素子を用いて構成されたイコライザにおいて、可変容量素子を接続する位置により、可変容量素子への印加電圧に対するイコライザの周波数特性の変化量が異なるため、温度や製造バラツキによるマイクロ波回路の振幅周波数特性の変化を広範囲かつ細かく補償することができない。【解決手段】  先端開放線路もしくは先端短絡線路などの伝送線路の先端に近い位置と、当該先端から遠い位置とに、それぞれ可変容量素子を接続することで、マイクロ波回路の振幅周波数特性の変化を広範囲かつ細かく補償して、振幅周波数特性を平坦にすることができる。【選択図】      図１
2013162262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主線路と、
上記主線路に並列に接続され、抵抗、伝送線路、及び接地されたインダクタからなる直列回路と、
上記直列回路の伝送線路とインダクタの間に接続された並列回路と、
を備え、
上記並列回路は、
先端開放線路からなる伝送線路と、
上記伝送線路の異なる位置で、直列に接続された複数の可変容量素子と、
上記可変容量素子に対し並列にそれぞれ接続され、バイアス端子に接続された抵抗もしくはインダクタと、
を有したイコライザ。
【請求項２】
主線路と、
上記主線路に並列に接続され、抵抗、伝送線路、及び接地されたインダクタからなる直列回路と、
上記直列回路の伝送線路とインダクタの間に接続された並列回路と、
を備え、
上記並列回路は、先端開放線路からなる第１の伝送線路と、
上記第１の伝送線路に直列に接続された第１の可変容量素子と、
上記第１の可変容量素子に直列に接続された第２の伝送線路と、
上記第２の伝送線路に直列に接続された第２の可変容量素子と、
上記第２の可変容量素子に直列に接続された第３の伝送線路と、
上記第１の伝送線路と第１の可変容量素子間に並列に接続され、第１のバイアス端子に接続される第１の抵抗もしくはインダクタと、
上記第２の伝送線路と第２の可変容量素子間に並列に接続され、第２のバイアス端子に接続される第２の抵抗もしくはインダクタと、
を有したイコライザ。
【請求項３】
主線路と、
上記主線路に並列に接続され、抵抗、伝送線路、及び接地されたインダクタからなる直列回路と、
上記直列回路の伝送線路とインダクタの間に接続された並列回路と、
を備え、
上記並列回路は、
先端開放線路もしくは先端短絡線路からなる伝送線路と、
上記伝送線路の異なる位置で、並列に接続された複数の可変容量素子と、
上記それぞれの可変容量素子に接続され、接地されたキャパシタと、
上記それぞれの可変容量素子とバイアス端子の間で、それぞれ直列に接続された抵抗もしくはインダクタと、
を有したイコライザ。
【請求項４】
主線路と、
上記主線路に並列に接続され、抵抗、伝送線路、及び接地されたインダクタからなる直列回路と、
上記直列回路の伝送線路とインダクタの間に接続された並列回路と、
を備え、
上記並列回路は、先端開放線路もしくは先端短絡線路からなる第１の伝送線路と、
上記第１の伝送線路に直列に接続された第２の伝送線路と、
上記第２の伝送線路に直列に接続された第３の伝送線路と、
上記第１、第２の伝送線路に並列に接続された第１の可変容量素子と、
上記第２、第３の伝送線路に並列に接続された第２の可変容量素子と、
上記第１の可変容量素子に接続され、接地された第１のキャパシタと、
上記第２の可変容量素子に接続され、接地された第２のキャパシタと、
上記第１の可変容量素子と第１のバイアス端子の間に直列に接続された第１の抵抗もしくはインダクタと、
上記第２の可変容量素子と第３のバイアス端子の間に直列に接続された第２の抵抗もしくはインダクタと、
を有したイコライザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、通信装置やレーダ装置に用いられるマイクロ波回路の振幅周波数特性を可変するイコライザに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、補償帯域近傍で直列共振特性をなす先端開放線路を有した直列共振回路と抵抗を、マイクロ波信号が伝搬する主線路と接地の間に順次直列に接続したイコライザがある。また、印加電圧により容量が変化する可変容量素子を先端開放線路に直列接続することで、印加電圧により周波数特性を変化させ、マイクロ波回路における温度や製造バラツキによる振幅周波数特性の変化を補償するイコライザも知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２８９７４９号公報（段落番号００１１及び００３１、第２図及び第６図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のイコライザは、先端開放線路や先端短絡線路などの伝送線路を用いて、マイクロ波回路の振幅周波数特性が平坦になるように、イコライザの特性を設定している。この際、可変容量素子の接続位置により、可変容量素子への印加電圧に対するイコライザの周波数特性の変化量が異なることが明らかになった。
【０００５】
例えば、可変容量素子を先端開放線路や先端短絡線路の先端から遠い位置に直列接続すると、可変容量素子に印加する電圧に対するイコライザの周波数特性の変化が大きくなる。この場合、マイクロ波回路の温度や製造バラツキによる振幅周波数特性の変化を広範囲に補償することができるが、イコライザの周波数特性の微調整が難しくなるため、マイクロ波回路の振幅周波数特性を精度よく補償できないという問題がある。
【０００６】
一方、可変容量素子を先端開放線路や先端短絡線路の先端に近い位置に直列接続すると、可変容量素子に印加する電圧に対するイコライザの周波数特性の変化が小さくなる。この場合、マイクロ波回路の振幅周波数特性の変化を精度よく補償できるが、温度や製造バラツキによりマイクロ波回路の振幅周波数特性が変化するのを広範囲に補償することができないという問題がある。
【０００７】
この発明は係る課題を解決するためになされたものであり、温度や製造バラツキによるマイクロ波回路の振幅周波数特性の変化を、広範囲かつ細かく補償するイコライザを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明によるイコライザは、主線路と、上記主線路に並列に接続され、抵抗、伝送線路、及び接地されたインダクタからなる直列回路と、上記直列回路の伝送線路とインダクタの間に接続された並列回路と、を備え、上記並列回路は、先端開放線路からなる伝送線路と、上記伝送線路の異なる位置で、直列に接続された複数の可変容量素子と、上記可変容量素子に対し並列にそれぞれ接続され、バイアス端子に接続された抵抗もしくはインダクタと、を有したものである。
【０００９】
また、主線路と、上記主線路に並列に接続され、抵抗、伝送線路、及び接地されたインダクタからなる直列回路と、上記直列回路の伝送線路とインダクタの間に接続された並列回路と、を備え、上記並列回路は、先端開放線路もしくは先端短絡線路からなる伝送線路と、上記伝送線路の異なる位置で、並列に接続された複数の可変容量素子と、上記それぞれの可変容量素子に接続され、接地されたキャパシタと、上記それぞれの可変容量素子とバイアス端子の間で、それぞれ直列に接続された抵抗もしくはインダクタと、を有しても良い。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、可変容量素子に印加する電圧により、イコライザの周波数特性を広範囲かつ細かく変化させることができるため、温度や製造バラツキによるマイクロ波回路の振幅周波数特性の変化を精度良く補償することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１による周波数イコライザの構成を示す図である。
【図２】先端開放線路に可変容量素子を直列接続した回路、及びこの回路のリアクタンスの周波数特性を示す図である。
【図３】図１に示すイコライザの周波数特性を示す図である。
【図４】実施の形態２による周波数イコライザの構成を示す図である。
【図５】先端開放線路に可変容量素子を並列接続した回路、及びこの回路のリアクタンスの周波数特性を示す図である。
【図６】図４に示すイコライザの周波数特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１は、この発明に係る実施の形態１によるイコライザの構成を示す図である。図２は、先端開放線路に可変容量素子を直列接続した回路、及びこの回路のリアクタンスの周波数特性を示す図である。
【００１３】
図１において、実施の形態１のイコライザは、主線路３と、抵抗４と、伝送線路５と、インダクタ６と、伝送線路７と、伝送線路８と、先端開放線路９と、可変容量素子１０と、可変容量素子１１と、抵抗１２と、抵抗１３から構成される。主線路３の両端には、イコライザの入力端子１とイコライザの出力端子２がそれぞれ設けられている。主線路３と接地との間に、抵抗４、伝送線路５、及びインダクタ６が直列に接続されて直列回路を構成している。抵抗４の一端は主線路３の線路上に並列に接続され、抵抗４の他端は伝送線路５の一端に接続されている。伝送線路５の他端はインダクタ６の一端に接続され、インダクタ６の他端側は接地されている。なお、以下では抵抗１２、抵抗１３を用いて説明するが、抵抗１２、抵抗１３の代わりにそれぞれインダクタを用いても良い。
【００１４】
また、伝送線路５とインダクタ６の間には、伝送線路７、伝送線路８、及び先端開放線路９から構成される先端開放線路が、並列に接続される。伝送線路７、伝送線路８、及び先端開放線路９から構成される先端開放線路は、例えば主線路３を伝送されるＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号の所望周波数の波長に対して４分の１波長となる電気長を有している。また、伝送線路７と伝送線路８の間には可変容量素子１０が直列に接続され、伝送線路８と先端開放線路９の間には可変容量素子１１が直列に接続される。例えば、伝送線路７の一端は伝送線路５の他端とインダクタ６の一端との間に接続され、伝送線路７の他端は可変容量素子１０を構成するダイオードのアノードに接続される。伝送線路８の一端は可変容量素子１０を構成するダイオードのカソードに接続され、伝送線路８の他端は可変容量素子１１を構成するダイオードのアノードに接続される。先端開放線路９の一端は可変容量素子１１を構成するダイオードのカソードに接続される。
【００１５】
さらに、可変容量素子１０の容量を決める電圧を印加するために、可変容量素子１０の一端（カソード側）に抵抗１２の一端を並列に接続している。同様に、可変容量素子１１の容量を決める電圧を印加するために、可変容量素子１１の一端（カソード側）に抵抗１４の一端を並列に接続している。また、抵抗１２の他端にはバイアス端子１４が設けられ、抵抗１３の他端にはバイアス端子１５が設けられている。可変容量素子１０の容量は、バイアス端子１４と接地との間の電位差で決まる。可変容量素子１１の容量は、バイアス端子１４とバイアス端子１５との間の電位差で決まる。
【００１６】
伝送線路５、インダクタ６、伝送線路７、伝送線路８、先端開放線路９、可変容量素子１０及び可変容量素子１１で構成される回路は、所望の周波数（直列共振周波数）で直列共振するように構成されている。この直列共振周波数では、抵抗４から伝送線路５側をみた回路が短絡されるため、主線路３から抵抗４側をみたインピーンダンスは抵抗４の値と等しくなる。このとき、イコライザの入力端子１からみた入力インピーダンスが低くなるため、イコライザの通過損失は大きくなる。
【００１７】
入力端子１から入力される入力信号の周波数が直列共振周波数から離れるに従い、主線路３から抵抗４側をみた回路のインピーダンスが高くなり、イコライザの入力端子１からみた入力インピーダンスへの影響が小さくなるため、イコライザの通過損失は次第に小さくなる。
【００１８】
このように、図１に示すイコライザの周波数特性は、直列共振周波数とその近傍で通過損失が大きくなる凹型の特性を有するため、このイコライザを、所望周波数で通過損失が小さくなる凸型の振幅周波数特性を有したマイクロ波回路に接続することにより、振幅周波数特性が平坦になる。
【００１９】
イコライザの直列共振周波数は、伝送線路７、伝送線路８、先端開放線路９、可変容量素子１０及び可変容量素子１１で構成される回路のリアクタンスに依存し、リアクタンスは可変容量素子１０及び可変容量素子１１の容量に依存する。そこで、可変容量素子１０及び可変容量素子１１による上記リアクタンスの変化について、図２を用いて以下に説明する。
【００２０】
図２（ａ）は、先端開放線路の先端から遠い位置に可変容量素子を直列接続した回路を示しており、符号１８は伝送線路、符号１９は先端開放線路、符号２０は可変容量素子を示している。また、図２（ｂ）は、先端開放線路の先端に近い位置に可変容量素子を直列接続した回路を示しており、符号２１は伝送線路、符号２２は先端開放線路を示している。ここで、伝送線路１８と先端開放線路１９の長さの和は、伝送線路２１と先端開放線路２２の長さの和と等しくなるようにしている。また、伝送線路１８は伝送線路２１より線路長が短く、先端開放線路１９は先端開放線路２２よりも線路長が長いものとする。説明を簡単にするため、可変容量素子２０に電圧を印加するバイアス回路は省略している。
【００２１】
図２（ｃ）は、可変容量素子２０の容量をパラメータとした場合における、図２（ａ）に示す回路のリアクタンスの周波数特性を示している。また、図２（ｄ）は、可変容量素子２０の容量をパラメータとした場合における、図２（ｂ）に示す回路のリアクタンスの周波数特性を示している。
【００２２】
図２（ｃ）及び図２（ｄ）では、可変容量素子２０の容量を同じだけ変化させているが、可変容量素子を先端開放線路の先端から遠い位置に直列接続した図２（ａ）の回路では、可変容量素子の容量に対するリアクタンスの増減が大きい。一方、可変容量素子を先端開放線路の先端に近い位置に直列接続した図２（ｂ）の回路では、可変容量素子の容量に対するリアクタンスの増減が小さい。そのため、図２（ａ）の回路をイコライザに用いると、イコライザの直列共振周波数を広範囲に変化させることができ、図２（ｂ）の回路を用いると、イコライザの直列共振周波数を細かく変化させることができる。
【００２３】
図３は、図１に示すイコライザの周波数特性を示している。図１に示すイコライザは、図２（ａ）と同様に可変容量素子１０を先端開放線路の先端から遠い位置に直列接続し、図２（ｂ）と同様に可変容量素子１１を先端開放線路の先端に近い位置に直列接続している。このため、図１に示すイコライザは、図２（ｃ）の特性と図２（ｄ）の特性を併せもった周波数特性を有する。ここで、伝送線路８及び先端開放線路９は図２（ａ）の先端開放線路１９に相当し、伝送線路７は図２（ａ）の伝送線路１８に相当し、可変容量素子１０は可変容量素子２０に相当する。また、先端開放線路９は図２（ｂ）の先端開放線路２２に相当し、伝送線路７及び８は図２（ｂ）の伝送線路２１に相当し、可変容量素子１１は図２（ｂ）の可変容量素子２０に相当する。
【００２４】
すなわち、可変容量素子１０は先端開放線路の先端から遠い位置に直列接続されているため、可変容量素子１０の容量を変化させると、図３の実線で示すように、イコライザの周波数特性を広範囲に変化させることができる。一方、可変容量素子１１は先端開放線路の先端に近い位置に直列接続されているため、可変容量素子１１の容量を変化させると、図３の点線で示すように、イコライザの周波数特性を細かく変化させることができる。
【００２５】
以上のように、可変容量素子１０及び１１を、伝送線路７、伝送線路８、先端開放線路９から構成される先端開放線路の異なる位置に接続することにより、それぞれの可変容量素子の容量変化に対して、イコライザの周波数特性を広範囲かつ細かく変化させることができる。このため、温度や製造バラツキによるマイクロ波回路の振幅周波数特性の変化に対して精度よく補償することができる。
【００２６】
このように実施の形態１によるイコライザは、主線路３と、上記主線路３に並列に接続され、抵抗４、伝送線路５、及び接地されたインダクタ６からなる直列回路と、上記直列回路の伝送線路５とインダクタ６の間に接続された並列回路と、を備え、上記並列回路は、先端開放線路からなる伝送線路７、８、９と、上記伝送線路７、８、９における先端に近い位置及び先端から遠い位置の異なる位置で、直列に接続された複数の可変容量素子１０、１１と、上記可変容量素子１０、１１に対し並列にそれぞれ接続され、バイアス端子１４、１５にそれぞれ接続された抵抗１２、１３と、を有したことを特徴とする。
【００２７】
また、主線路３と、上記主線路３に並列に接続され、抵抗４、伝送線路５、及び接地されたインダクタ６からなる直列回路と、上記直列回路の伝送線路５とインダクタ６の間に接続された並列回路と、を備え、上記並列回路は、先端開放線路からなる第１の伝送線路９と、上記第１の伝送線路９に直列に接続された第１の可変容量素子１１と、上記第１の可変容量素子１１に直列に接続された第２の伝送線路８と、上記第２の伝送線路８に直列に接続された第２の可変容量素子１０と、上記第２の可変容量素子１０に直列に接続された第３の伝送線路７と、上記第１の伝送線路９と第１の可変容量素子１１間に並列に接続され、第１のバイアス端子１５に接続される第１の抵抗１３と、上記第２の伝送線路８と第２の可変容量素子１０間に並列に接続され、第２のバイアス端子１４に接続される第２の抵抗１２と、を有したものである。
【００２８】
これによって、可変容量素子に印加する電圧により、イコライザの周波数特性を広範囲かつ細かく変化させることができるため、温度や製造バラツキによるマイクロ波回路の振幅周波数特性の変化を精度良く補償することができる。
【００２９】
実施の形態２．
図４は、この発明に係る実施の形態２によるイコライザの構成を示す図である。図５は、先端開放線路に可変容量素子を並列接続した回路、及びこの回路のリアクタンスの周波数特性を示す図である。なお、図４において、符号１〜１５は図１に示すものと同じものであるが、可変容量素子１０及び可変容量素子１１の接続配置が図１と異なり、加えてキャパシタ１６及び１７が設けられている。
【００３０】
図４において、実施の形態２のイコライザは、主線路３と、抵抗４と、伝送線路５と、インダクタ６と、伝送線路７と、伝送線路８と、先端開放線路９と、可変容量素子１０と、可変容量素子１１と、抵抗１２と、抵抗１３と、キャパシタ１６と、キャパシタ１７から構成される。主線路３の両端には、イコライザの入力端子１とイコライザの出力端子２がそれぞれ設けられている。主線路３と接地との間に、抵抗４、伝送線路５、及びインダクタ６が直列に接続されて直列回路を構成している。抵抗４の一端は主線路３の線路上に並列に接続され、抵抗４の他端は伝送線路５の一端に接続されている。伝送線路５の他端はインダクタ６の一端に接続され、インダクタ６の他端側は接地されている。なお、以下では先端開放線路９を用いて説明するが、先端開放線路９の代わりに先端短絡線路を用いても良い。また、以下では抵抗１２、抵抗１３を用いて説明するが、抵抗１２、抵抗１３の代わりにそれぞれインダクタを用いても良い。
【００３１】
また、伝送線路５とインダクタ６の間には、伝送線路７、伝送線路８、及び先端開放線路９から構成される先端開放線路が、並列に接続される。伝送線路７、伝送線路８、及び先端開放線路９から構成される先端開放線路は、例えば主線路３を伝送されるＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号の所望周波数の波長に対して４分の１波長となる電気長を有している。可変容量素子１０は、伝送線路７、伝送線路８、及び先端開放線路９から構成される先端開放線路の伝送線路７と８の間に並列接続され、可変容量素子１１は、伝送線路７、伝送線路８、及び先端開放線路９から構成される先端開放線路の伝送線路８と先端開放線路９の間に並列接続される。例えば、伝送線路７の一端は伝送線路５の他端とインダクタ６の一端との間に接続され、伝送線路７の他端は伝送線路８の一端及び可変容量素子１０を構成するダイオードのアノードに接続される。伝送線路８の他端は伝送線路９の一端及び可変容量素子１１を構成するダイオードのアノードに接続される。
【００３２】
さらに、可変容量素子１０の容量を決める電圧を印加するために、可変容量素子１０の一端（カソード側）に抵抗１２の一端を直列に接続している。抵抗１２の他端はバイアス端子１４に接続される。また、可変容量素子１１の容量を決める電圧を印加するために、可変容量素子１１の一端（カソード側）に抵抗１３の一端を直列に接続している。抵抗１３の他端はバイアス端子１５に接続される。可変容量素子１０の容量は、バイアス端子１４と接地との間の電位差で決まる。可変容量素子１１の容量は、バイアス端子１５と接地との間の電位差で決まる。キャパシタ１６は、可変容量素子１０の一端をマイクロ波帯で短絡するために接続している。同様に、キャパシタ１７は、可変容量素子１１の一端をマイクロ波帯で短絡するために接続している。
【００３３】
イコライザの基本的な動作は実施の形態１で説明したため、ここでは省略する。以下の説明では、伝送線路７、伝送線路８、先端開放線路９、可変容量素子１０、可変容量素子１１、キャパシタ１６及びキャパシタ１７で構成される回路のリアクタンスの変化について説明する。
【００３４】
図５（ａ）は、先端開放線路の先端から遠い位置に可変容量素子を並列接続した回路を示している。図５（ａ）において、符号１８は伝送線路、符号１９は先端開放線路、符号２０は可変容量素子を示しており、符号１８及び符号１９は図２（ａ）で説明したものと同じである。また、図５（ｂ）は、先端開放線路の先端に近い位置に可変容量素子を並列接続した回路を示している。図５（ｂ）において、符号２１は伝送線路、符号２２は先端開放線路を示しており、符号２１及び符号２２は図２（ｂ）に示すものと同じである。ここで、伝送線路１８と先端開放線路１９の長さの和は、伝送線路２１と先端開放線路２２の長さの和と等しい。また、伝送線路１８は伝送線路２１より短く、先端開放線路１９は先端開放線路２２よりも長いものとする。簡単のため、可変容量素子２０に印加するバイアス回路は省略している。
【００３５】
図５（ｃ）は、可変容量素子２０の容量をパラメータとした場合における、図５（ａ）に示す回路のリアクタンスの周波数特性を示している。また、図５（ｄ）は、可変容量素子２０の容量をパラメータとした場合における、図５（ｂ）に示す回路のリアクタンスの周波数特性を示している。
【００３６】
図５（ｃ）及び図５（ｄ）では、可変容量素子２０の容量を同じだけ変化させているが、可変容量素子を先端開放線路の先端から遠い位置に並列接続した図５（ａ）の回路では、可変容量素子の容量に対するリアクタンスの増減が小さい。一方、可変容量素子を先端開放線路の先端に近い位置に並列接続した図５（ｂ）の回路では、可変容量素子の容量に対するリアクタンスの増減が大きい。そのため、図５（ａ）の回路をイコライザに用いると、イコライザの直列共振周波数を細かく変化させることができ、図５（ｂ）の回路を用いると、イコライザの直列共振周波数を広範囲に変化させることができる。
【００３７】
図６は、図４に示すイコライザの周波数特性を示している。図４に示すイコライザは、図５（ａ）と同様に可変容量素子１０を先端開放線路の先端から遠い位置に並列接続し、図５（ｂ）と同様に可変容量素子１１を先端開放線路の先端に近い位置に並列接続している。このため、図４に示すイコライザは、図５（ｃ）の特性と図５（ｄ）の特性を併せもった周波数特性を有する。ここで、伝送線路８及び先端開放線路９は図５（ａ）の先端開放線路１９に相当し、伝送線路７は図５（ａ）の伝送線路１８に相当し、可変容量素子１０は可変容量素子２０に相当する。また、先端開放線路９は図５（ｂ）の先端開放線路２２に相当し、伝送線路７及び８は図５（ｂ）の伝送線路２１に相当し、可変容量素子１１は図５（ｂ）の可変容量素子２０に相当する。
【００３８】
すなわち、可変容量素子１０は先端開放線路の先端から遠い位置に並列接続されているため、可変容量素子１０の容量を変化させると、図６の実線で示すように、イコライザの周波数特性を細かく変化させることができる。一方、可変容量素子１１は先端開放線路の先端に近い位置に並列接続されているため、可変容量素子１１の容量を変化させると、図６の点線で示すように、イコライザの周波数特性を広範囲に変化させることができる。
【００３９】
以上のように、可変容量素子１０及び１１を、伝送線路７、伝送線路８、先端開放線路９から構成される先端開放線路の異なる位置に接続することにより、それぞれの可変容量素子の容量変化に対して、イコライザの周波数特性を広範囲かつ細かく変化させることができる。このため、温度や製造バラツキによるマイクロ波回路の振幅周波数特性の変化に対して精度よく補償することができる。
【００４０】
このように実施の形態２によるイコライザは、主線路３と、上記主線路３に並列に接続され、抵抗４、伝送線路５、及び接地されたインダクタ６からなる直列回路と、上記直列回路の伝送線路５とインダクタ６の間に接続された並列回路と、を備え、上記並列回路は、先端開放線路もしくは先端短絡線路からなる伝送線路７、８、９と、上記伝送線路７、８、９における先端に近い位置及び先端から遠い位置の異なる位置で、並列に接続された複数の可変容量素子１０、１１と、上記それぞれの可変容量素子１０、１１に接続され、接地されたキャパシタ１６、１７と、上記それぞれの可変容量素子１０、１１とバイアス端子１５、１６の間で、それぞれ直列に接続された抵抗１３、１４と、を有したことを特徴とする。
【００４１】
また、主線路３と、上記主線路３に並列に接続され、抵抗４、伝送線路５、及び接地されたインダクタ６からなる直列回路と、上記直列回路の伝送線路５とインダクタ６の間に接続された並列回路と、を備え、上記並列回路は、先端開放線路もしくは先端短絡線路からなる第１の伝送線路９と、上記第１の伝送線路９に直列に接続された第２の伝送線路８と、上記第２の伝送線路８に直列に接続された第３の伝送線路７と、上記第１、第２の伝送線路９、８に並列に接続された第１の可変容量素子１１と、上記第２、第３の伝送線路８、７に並列に接続された第２の可変容量素子１０と、上記第１の可変容量素子１１に接続され、接地された第１のキャパシタ１７と、上記第２の可変容量素子１０に接続され、接地された第２のキャパシタ１６と、上記第１の可変容量素子１１と第１のバイアス端子１５の間に直列に接続された第１の抵抗１３と、上記第２の可変容量素子１０と第３のバイアス端子１４の間に直列に接続された第２の抵抗１２と、を有したものである。
【００４２】
これによって、可変容量素子に印加する電圧により、イコライザの周波数特性を広範囲かつ細かく変化させることができるため、温度や製造バラツキによるマイクロ波回路の振幅周波数特性の変化を精度良く補償することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１  イコライザの入力端子、２  イコライザの出力端子、３  主線路、４  抵抗、５  伝送線路、６  インダクタ、７  伝送線路、８  伝送線路、９  先端開放線路、１０  可変容量素子、１１  可変容量素子、１２  抵抗、１３  抵抗、１４  バイアス端子、１５  バイアス端子、１６  キャパシタ、１７  キャパシタ、１８  伝送線路、１９  先端開放線路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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