(57)【要約】【課題】配線導体における伝送特性のバラツキをなくすことにより配線導体に高周波信号を伝送させた場合であっても半導体素子を正常に作動させることが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】半導体素子Ｓが搭載される搭載部１ａを有する絶縁基板１と、搭載部１ａの上面に、搭載部１ａの外周からの距離が異なるように配設された複数の半導体素子接続パッド４と、絶縁基板１の上面を半導体素子接続パッド４から搭載部１ａの外側にかけて延出する複数の配線導体２と、絶縁基板１の上面に被着されており、搭載部１ａにおける半導体素子接続パッド４の全ておよび配線導体２の一部を一括して露出させる開口部３ａを有するとともに配線導体２の残余の部分を被覆するソルダーレジスト層３とを具備して成る配線基板であって、開口部３ａは、半導体素子接続パッド４に接続された配線導体２の露出長さが同じとなる形状に形成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部の上面に、該搭載部の外周からの距離が異なるように配設された複数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面を前記半導体素子接続パッドから前記搭載部の外側にかけて延出する複数の配線導体と、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記搭載部における半導体素子接続パッドおよび配線導体の一部を一括して露出させる開口部を有するとともに前記配線導体の残余の部分を被覆するソルダーレジスト層とを具備して成る配線基板であって、前記開口部は、前記半導体素子接続パッドに接続された前記配線導体の露出長さが同じとなる形状に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記開口部は、その開口縁が前記配線導体を横切る角度が全て同じとなる形状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載するための配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための配線基板は、図３に示すように、上面中央部に半導体素子Ｓを搭載するための搭載部１１ａを有する絶縁基板１１と、絶縁基板１１上を搭載部１１ａから外周部にかけて延出するとともに絶縁基板１１の下面に導出する複数の配線導体１２と、絶縁基板１１の上面に被着されており、搭載部１１ａの配線導体１２を露出させる開口部１３ａを有するとともに搭載部１１ａよりも外周部側の配線導体１２を被覆するソルダーレジスト層１３とを具備している。
【０００３】
搭載部１１ａ上に露出する配線導体１２は、その先端部に半導体素子Ｓの電極Ｔが接続される半導体素子接続パッド１４を有している。また、絶縁基板１１の下面に露出する配線導体１２は、外部の電気回路基板に接続するための外部接続パッド１５を形成している。そして、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド１４に半田を介して接続するとともに、外部接続パッド１５を外部の電気回路基板の配線導体に半田を介して接続することにより半導体素子Ｓが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Ｓと外部の電気回路基板との間で配線導体１２に信号を伝送することにより半導体素子Ｓが作動する。
【０００４】
なお半導体素子接続パッド１４は、半導体素子Ｓの電極に対応するように配置されている。その例を図４に上面図で示す。この例では半導体素子接続パッド１４は、それぞれが同じ大きさの略正方形であり、搭載部１１ａの外周から近いものと、遠いものとが混在して配置されている。ソルダーレジスト層１３の開口部１３ａは略正方形であり、搭載部１１ａを取り囲んでいる。各半導体素子接続パッド１４からは搭載部１１ａの外側のソルダーレジスト層１３の下に向けて配線導体１２が延びている。そのため配線導体１２は、ソルダーレジスト１３からの露出長さが短い配線導体１２Ａと、長い配線導体１２Ｂとが存在する。また、開口部１３ａの開口辺に対して斜め方向に進入する配線導体１２Ｃが存在する場合もある。
【０００５】
ところで配線導体１２において、ソルダーレジスト層１３により被覆されている部位とソルダーレジスト層１３から露出している部位とでは、その特性インピーダンスに違いが生じる。これはソルダーレジスト層１３から露出する部位では、配線導体１２の上面側が誘電率の低い空気と接するので容量成分が小さくなり特性インピーダンスが高くなるのに対して、ソルダーレジスト層１３で覆われた部位では、配線導体１２の上面側が誘電率の高いソルダーレジスト層１３に接するので容量成分が大きくなり特性インピーダンスが低くなるからである。
【０００６】
そして、半導体素子接続パッド１４に接続された配線導体１２において、ソルダーレジスト層１３からの露出長さが異なったり、あるいはソルダーレジスト層１３の下への進入角度が異なったりすると、半導体素子接続パッド１４から特性インピーダンスの変化点までの距離や変化のしかたに違いが出てくる。これらの違いは、半導体素子接続パッド１４に接続された配線導体１２に高周波信号を伝送させた場合に、それぞれの配線導体１２における伝送特性にバラツキを生じさせてしまい、半導体素子Ｓを正常に作動させることができなくなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２７０３０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、半導体素子を搭載する搭載部の外周からの距離が異なる半導体素子接続パッドが混在する場合であっても、半導体素子接続パッドから延びる配線導体における特性インピーダンスの変化を均一なものとして、それぞれの配線導体における伝送特性のバラツキをなくすことにより配線導体に高周波信号を伝送させた場合であっても半導体素子を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の配線基板は、上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部の上面に、該搭載部の外周からの距離が異なるように配設された複数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面を前記半導体素子接続パッドから前記搭載部の外側にかけて延出する複数の配線導体と、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記搭載部における半導体素子接続パッドの全ておよび配線導体の一部を一括して露出させる開口部を有するとともに前記配線導体の残余の部分を被覆するソルダーレジスト層とを具備して成る配線基板であって、前記開口部は、前記半導体素子接続パッドに接続された前記配線導体の露出長さが同じとなる形状に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線基板によれば、搭載部における半導体素子接続パッドの全ておよび配線導体の一部を一括して露出させるソルダーレジスト層の開口部は、半導体素子接続パッドに接続された配線導体の露出長さが同じとなる形状に形成されていることから、半導体素子接続パッドから延びる配線導体における特性インピーダンスの変化を均一なものとすることができる。したがって、それぞれの配線導体における伝送特性のバラツキが小さくなり、それにより配線導体に高周波信号を伝送させた場合であっても、半導体素子を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の配線基板における実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示す配線基板の上面図である。
【図３】図３は、従来の配線基板を示す概略断面図である。
【図４】図４は、図３に示す配線基板の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を添付の図面を参照して説明する。図１に示すように本例の配線基板は、主として絶縁基板１と配線導体２とソルダーレジスト層３とを具備している。
【００１３】
絶縁基板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させた樹脂系の電気絶縁材料からなる。絶縁基板１は、この例では単層構造であるが、同一または異なる電気絶縁材料から成る複数の絶縁層を多層に積層した多層構造であってもよい。
【００１４】
絶縁基板１は、その上面中央部に半導体素子Ｓが搭載される搭載部１ａを有している。搭載部１ａは半導体素子Ｓに対応する大きさおよび形状をしている。また、絶縁基板１の下面は、外部の電気回路基板と接続するための接続面となっている。
【００１５】
配線導体２は、絶縁基板１の上面を搭載部１ａから外周部にかけて延出するとともに絶縁基板１を貫通して絶縁基板１の下面に導出している。このような配線導体２は、例えば銅めっきからなり、周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法等によりに形成されている。
【００１６】
配線導体２は、搭載部１ａにおける先端部に半導体素子Ｓの電極Ｔが接続される半導体素子接続パッド４を有している。また、絶縁基板１の下面に導出した部位に外部の電気回路基板に接続するための外部接続パッド５を有している。そして、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド４に半田を介して接続するとともに、外部接続パッド５を外部の電気回路基板の配線導体に半田を介して接続することにより半導体素子Ｓが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Ｓと外部の電気回路基板との間で配線導体２に信号を伝送することにより半導体素子Ｓが作動する。
【００１７】
半導体素子接続パッド４は、図２に示すように、それぞれが同じ大きさの略正方形であり、搭載部１ａの外周から近いものと、遠いものとが混在して配列されている。そして各半導体素子接続パッド４からは搭載部１ａの外側に向けて配線導体２が延びている。そのため配線導体１２は、搭載部１ａにおける長さが短い配線導体２Ａと、長い配線導体２Ｂとが存在する。また、搭載部１ａの外側に斜め方向に延出する配線導体２Ｃも存在する。
【００１８】
ソルダーレジスト層３は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂を硬化させた電気絶縁材料からなる。ソルダーレジスト層３は、搭載部１ａにおける半導体素子接続パッド４の全ておよび配線導体２の一部を一括して露出させる開口部３ａを有しているとともに配線導体２の残余の部分を被覆している。これにより半導体素子接続パッド４に半導体素子Ｓの電極Ｔを接続可能とするとともに配線導体２の残余の部分を外部環境より保護している。
【００１９】
なお配線導体２において、ソルダーレジスト層３により被覆されている部位とソルダーレジスト層３から露出している部位とでは、その特性インピーダンスに違いが生じている。これはソルダーレジスト層３から露出する部位では、配線導体２の上面側が誘電率の低い空気と接するので容量成分が小さくなり特性インピーダンスが高くなるのに対して、ソルダーレジスト層３で覆われた部位では、配線導体２の上面側が誘電率の高いソルダーレジスト層３に接するので容量成分が大きくなり特性インピーダンスが低くなるからである。
【００２０】
そして本発明においては、ソルダーレジスト層３の開口部３ａは、半導体素子接続パッド４に接続された配線導体２の露出長さが同じとなる形状に形成されている。具体的には、搭載部１ａにおける長さが長い配線導体２Ｂに対しては、半導体素子接続パッド４側に突出する突出部を有する形状とすることにより、搭載部１ａにおける長さが短い配線導体２Ａと長い配線導体２Ｂとでソルダーレジスト層３からの露出長さが同じとなるようになっている。また、搭載部１ａの外側に斜め方向に延出する配線導体２Ｃに対しては、開口部３ａの開口縁が配線導体２Ｃの延在方向と垂直となるようになっている。これにより半導体素子接続パッド４から延出する全ての配線導体２が同じ長さで露出するとともに同じ角度でソルダーレジスト層３の下に進入することになる。
【００２１】
このように本発明の配線基板によれば、搭載部１ａにおける半導体素子接続パッド４の全ておよび配線導体２の一部を一括して露出させるソルダーレジスト層３の開口部３ａは、半導体素子接続パッド４に接続された配線導体２の露出長さが同じとなる形状に形成されていることから、半導体素子接続パッド４から延びる配線導体２における特性インピーダンスの変化を均一なものとすることができる。したがって、それぞれの配線導体２における伝送特性のバラツキが小さくなり、それにより配線導体２に高周波信号を伝送させた場合であっても、半導体素子２を正常に作動させることが可能な配線基板を提供することができる。なお、開口部３ａの開口縁が配線導体２を横切る角度を全て同じとしておくことで、それぞれの配線導体２における特性インピーダンスの変化の仕方が均一となるので伝送特性のバラツキをさらに小さなものとすることができる。
【符号の説明】
【００２２】
１    絶縁基板
２    配線導体
３    ソルダーレジスト層
３ａ    ソルダーレジスト層の開口部
４    半導体素子接続パッド
【図１】
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【図２】
2013131625.tif 000004
【図３】
2013131625.tif 000005
【図４】
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