【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＯＳトランジスタを備えるハイサイドスイッチと、前記ハイサイドスイッチはバッテリ供給電圧をインダクタに結合し、ここにおいて、前記インダクタはトラッキング供給電圧にさらに結合される、
前記インダクタを接地に結合するローサイドスイッチと、
前記ハイサイドスイッチを通って前記トラッキング供給電圧から前記バッテリ供給電圧への負電流フローを検出するように構成された負電流フロー検出ブロックと、ここにおいて、前記ハイサイドスイッチは負電流フローが検出されたときに不能にされるように構成可能である、
前記ＭＯＳトランジスタのボディダイオードに直列な第１の補助スイッチと、前記第１の補助スイッチは、負電流フローが検出されたときに不能にされるように構成される、
を備える装置。
【請求項２】
前記供給電圧より高いブーストされた供給電圧を生成するために、前記供給電圧に結合されたブースト変換器をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記ハイサイドスイッチはＰＭＯＳトランジスタを備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１の補助スイッチは、ＰＭＯＳトランジスタを備え、前記装置は前記ハイサイドスイッチのＮウエルを前記ブーストされた供給電圧に結合する第２の補助スイッチをさらに備え、ここにおいて、前記第１の補助スイッチのＮウエルは、前記ブーストされた供給電圧にさらに結合される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第１のスイッチのボディダイオードは前記ＰＭＯＳの前記ボディダイオードの極性とは逆の極性に置かれている、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記負電流フロー検出ブロックは、前記バッテリ供給電圧に結合された負端子と、前記バッテリ供給電圧の反対側の前記ハイサイドスイッチの端子に結合された正端子とを有する第１の比較器を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
バッテリ供給電圧をインダクタに結合するハイサイドスイッチと、ここにおいて、前記インダクタはトラッキング供給電圧にさらに結合される、
前記インダクタを接地に結合するローサイドスイッチと、
前記ハイサイドスイッチを通って前記トラッキング供給電圧から前記バッテリ供給電圧への負電流フローを検出するように構成された負電流フロー検出ブロックと、ここにおいて、前記ハイサイドスイッチは負電流フローが検出されたときに不能にされるように構成可能である、
前記トラッキング供給電圧に結合された正端子と前記バッテリ供給電圧に結合された負端子を有する比較器と、前記ハイサイドスイッチは、前記第２の比較器出力がハイであり、かつ負電流フローが検出されたときにのみ不能にされるようにさらに構成されている、
を備える装置。
【請求項８】
条件付きブロックをさらに備え、前記ハイサイドスイッチは、負電流が検出され、かつ前記トラッキング供給電圧が前記バッテリ供給電圧より高くなるときに前記ハイサイドスイッチが不能にされるように、信号を生成するように構成された前記条件付き論理ブロック（conditional logic block）によって制御され、そうでなければ、前記ハイサイドスイッチは切り替え電力ステージクロック信号に基づいて不能または有効にされる、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記条件付き論理ブロックは、負電流が検出され、かつ前記トラッキング供給電圧が前記バッテリ供給電圧より高くなるという、以前の表示をラッチするように構成されたＳＲラッチを備え、ここにおいて、前記ＳＲラッチは、前記トラッキング供給電圧が前記バッテリ供給電圧より低いことに応答してリセットされる、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記ハイサイドスイッチはＮＭＯＳトランジスタを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記ハイサイドスイッチは前記ブーストされた供給電圧に結合されることによってオフにされるように構成されている、請求項２に記載の装置。
【請求項１２】
ＭＯＳトランジスタを備えるハイサイドスイッチを用いてバッテリ供給電圧をインダクタに選択的に結合することと、ここにおいて、前記インダクタはトラッキング供給電圧にさらに結合される、
ローサイドスイッチを用いて前記インダクタを接地に選択的に結合することと、
前記トラッキング供給電圧から前記ハイサイドスイッチを通って前記バッテリ供給電圧への負電流フローがあるかどうかを検出することと、
前記負電流フローを前記検出することを含む少なくとも１つの条件に応答して、前記ハイサイドスイッチを用いて前記バッテリ供給電圧を前記インダクタから切り離すことと、
負電流フローが検出されたことに応答して前記ＭＯＳトランジスタのボディダイオードに直列のスイッチを不能にすることと、
を備える方法。
【請求項１３】
前記ハイサイドスイッチはＰＭＯＳトランジスタを備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記直列のスイッチは補助ＰＭＯＳトランジスタを備え、前記補助ＰＭＯＳトランジスタのボディダイオードは前記ＭＯＳトランジスタの前記ボディダイオードの極性とは逆の極性に置かれている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記負電流フローを前記検出することは、前記バッテリ供給電圧の反対側の前記ハイサイドスイッチの端子から前記バッテリ供給電圧への電圧降下を検出することを備える、請求項１２に記載の方法。 
【請求項１６】
前記少なくとも１つの条件は、前記トラッキング供給電圧が前記バッテリ供給電圧より大きいことを検出することをさらに備え、前記バッテリ供給電圧を前記切り離すことは前記２つの条件がともに真であるときのみに応答して実行される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの条件が満たされない場合、切り替え電力ステージクロック信号を使って前記ハイサイドスイッチを制御することをさらに備える、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
装置であって、
ハイサイドスイッチを用いてバッテリ供給電圧をインダクタに選択的に結合するための手段と、ここにおいて、前記インダクタはトラッキング供給電圧にさらに結合され、前記ハイサイドスイッチはＭＯＳトランジスタを備える、
ローサイドスイッチを用いて前記インダクタを接地に選択的に結合するための手段と、
前記ハイサイドスイッチを通って前記トラッキング供給電圧から前記バッテリ供給電圧への負電流フローがあるかどうかを検出するための手段と、
前記負電流フローを前記検出することを含む少なくとも一つの条件に応答して、前記ハイサイドスイッチを用いて、および前記ＭＯＳトランジスタのボディダイオードに直列な第１の補助スイッチを用いて、前記バッテリ供給電圧を前記インダクタから切り離すための手段と、前記第１の補助スイッチは、負電流フローが検出されたときに不能にされるように構成される、
を備える装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
[0065]  開示される例証的な態様の先の説明は、いかなる当業者であっても、本発明の製造または使用を可能にするよう提供される。これらの例示的な態様に対する様々な修正は、当業者には容易に明らかとなり、本明細書において定義される包括的な原理は、本発明の精神または範囲から逸脱することなく他の例示的な態様に適用され得る。したがって、本開示は、本明細書において提示される例示的な態様に限定されるよう意図されず、本明細書において開示される原理および新規な特徴と一致する最も広い範囲が付与されるべきである。
以下に本願発明の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
バッテリ供給電圧をインダクタに結合するハイサイドスイッチと、ここにおいて前記インダクタはトラッキング供給電圧にさらに結合される、
前記インダクタを接地に結合するローサイドスイッチと、
前記ハイサイドスイッチを通って前記トラッキング供給電圧から前記バッテリ供給電圧への負電流フローを検出するように構成された負電流フロー検出ブロックと、ここにおいて、前記ハイサイドスイッチは負電流フローが検出されたときに不能にされるように構成可能である、
を備える装置。
［Ｃ２］
前記供給電圧より高いブーストされた供給電圧を生成するために、前記供給電圧に結合されたブースト変換器をさらに備える、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ３］
前記ハイサイドスイッチはＰＭＯＳトランジスタを備える、Ｃ２に記載の装置。
［Ｃ４］
前記ＰＭＯＳトランジスタのボディダイオードに直列な第１の補助スイッチをさらに備え、ここにおいて、前記第１の補助スイッチは、負電流フローが検出されたときに不能にされるように構成された、Ｃ３に記載の装置。
［Ｃ５］
前記第１の補助スイッチは、ＰＭＯＳトランジスタを備え、前記装置は前記ハイサイドスイッチのＮウエルを前記ブーストされた供給電圧に結合する第２の補助スイッチをさらに備え、ここにおいて、前記第１の補助スイッチのＮウエルは、前記ブーストされた供給電圧にさらに結合される、Ｃ４に記載の装置。
［Ｃ６］
前記第１のスイッチのボディダイオードは前記ＰＭＯＳのボディダイオードの極性とは逆の極性に置かれている、Ｃ４に記載の装置。
［Ｃ７］
前記負電流フロー検出ブロックは、前記バッテリ供給電圧に結合された負端子と、前記バッテリ供給電圧の反対側の前記ハイサイドスイッチの端子に結合された正端子とを有する第１の比較器を備える、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ８］
前記トラッキング供給電圧に結合された正端子と前記バッテリ供給電圧に結合された負端子を有する第２の比較器をさらに具備し、前記ハイサイドスイッチは、前記第２の比較器出力がハイであり、かつ負電流フローが検出されたときにのみ不能にされるようにさらに構成されている、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ９］
前記ハイサイドスイッチは、負電流が検出され、かつ前記トラッキング供給電圧が前記バッテリ供給電圧より高くなるときに前記ハイサイドスイッチが不能にされるように、信号を生成するように構成された条件付き論理ブロック（conditional logic block）によって制御され、そうでなければ、前記ハイサイドスイッチは切り替え電力ステージクロック信号に基づいて不能または有効にされる、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ１０］
前記条件付き論理ブロックは、負電流が検出され、かつ前記トラッキング供給電圧が前記バッテリ供給電圧より高くなるという、以前の表示をラッチするように構成されたＳＲラッチを具備し、ここにおいて前記ＳＲラッチは、前記トラッキング供給電圧が前記バッテリ供給電圧より低いことに応答してリセットされる、Ｃ９に記載の装置。
［Ｃ１１］
前記ハイサイドスイッチはＮＭＯＳトランジスタを備える、Ｃ１に記載の装置。
［Ｃ１２］
前記ハイサイドスイッチは前記ブーストされた供給電圧に結合されることによってオフにされるように構成されている、Ｃ２に記載の装置。 
［Ｃ１３］
ハイサイドスイッチを用いてバッテリ供給電圧をインダクタに選択的に結合することと、ここにおいて、前記インダクタはトラッキング供給電圧にさらに結合される、
ローサイドスイッチを用いて前記インダクタを接地に選択的に結合することと、
前記トラッキング供給電圧から前記ハイサイドスイッチを通って前記バッテリ供給電圧への負電流フローがあるかどうかを検出することと、
前記負電流フローを検出することを含む少なくとも１つの条件に応答して、前記ハイサイドスイッチを用いて前記バッテリ供給電圧を前記インダクタから切り離すことと、
を備える方法。
［Ｃ１４］
前記ハイサイドスイッチはＰＭＯＳトランジスタを備える、Ｃ１３に記載の方法。
［Ｃ１５］
負電流フローが検出されたことに応答して前記ＰＭＯＳトランジスタのボディダイオードに直列のスイッチを不能にすることをさらに備える、Ｃ１４に記載の方法。
［Ｃ１６］
前記直列のスイッチは補助ＰＭＯＳトランジスタを備え、前記補助ＰＭＯＳトランジスタのボディダイオードは前記ＰＭＯＳトランジスタのボディダイオードの極性とは逆の極性に置かれている、Ｃ１５に記載の方法。
［Ｃ１７］
前記負電流フローを検出することは、前記バッテリ供給電圧から前記バッテリ供給電圧の反対側の前記ハイサイドスイッチの端子への負電圧降下を検出することを備える、Ｃ１３に記載の方法。 
［Ｃ１８］
前記少なくとも１つの条件は、前記トラッキング供給電圧が前記バッテリ供給電圧より大きいことを検出することをさらに具備し、前記バッテリ供給電圧を切り離すことは前記２つの条件がともに真であるときのみに応答して実行される、Ｃ１３に記載の方法。
［Ｃ１９］
前記少なくとも１つの条件が満たされない場合、切り替え電力ステージクロック信号を使って前記ハイサイドスイッチを制御することをさらに備える、Ｃ１８に記載の方法。
［Ｃ２０］
装置であって、
ハイサイドスイッチを用いてバッテリ供給電圧をインダクタに選択的に結合する手段と、ここにおいて、前記インダクタはトラッキング供給電圧にさらに結合される、
ローサイドスイッチを用いて前記インダクタを接地に選択的に結合する手段と、
前記ハイサイドスイッチを通って前記トラッキング供給電圧から前記バッテリ供給電圧への負電流フローがあるかどうかを検出する手段と、
前記負電流フローを検出することを含む少なくとも一つの条件に応答して、前記ハイサイドスイッチを用いて前記バッテリ供給電圧を前記インダクタから切り離す手段と、
を備える装置。