(57)【要約】【課題】気密信頼性の高い電子デバイス及びこの電子デバイスを備えた電子機器の提供。【解決手段】物理量センサー１００は、絶縁性を有する基板１と、基板１の主面１ａ側に配置されているセンサー素子２と、センサー素子２を内部空間７を介して覆い基板１の主面１ａに接合されている絶縁性を有する蓋体３と、を備え、基板１の主面１ａには、蓋体３との接合部分の外側に設けられたボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃと、センサー素子２とボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃとの間に設けられた配線部９ａ，９ｂ，９ｃと、を含み、基板１及び蓋体３の少なくとも一方には、基板１と蓋体３とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、接合パターンは、配線部９ａ，９ｂ，９ｃに平面視で交差する部分が開口した第１接合パターン１０と、開口に隣在し、開口の幅よりも大きい第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、を含むことを特徴とする。【選択図】図１
2013053896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有する基板と、
前記基板の主面の側に配置されている機能素子と、
前記機能素子上に配置され、前記主面に接合されている絶縁性を有する蓋体と、を備え、
前記主面には、平面視で前記蓋体が配置されている領域の外側に設けられている外部接続電極と、
前記機能素子と前記外部接続電極との間に設けられた配線パターンと、を含み、
前記基板及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記基板と前記蓋体とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、
前記接合パターンは、前記配線パターンに平面視で交差する部分が開口している第１接合パターンと、
前記開口に隣在し、前記開口の幅よりも大きい第２接合パターンと、を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記第２接合パターンは、前記配線パターンと交差して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記基板及び前記蓋体は、ガラスであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記基板及び前記蓋体は、互いに陽極接合されていることを特徴とする請求項３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記配線パターンと、前記第１接合パターン及び前記第２接合パターンとは、同じ導電性材料であり、且つ、前記基板の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記第１接合パターン及び前記第２接合パターンは、平面視で互いにパターンが嵌合するように設けられていることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記機能素子は、前記基板上に固定された固定電極と、前記基板上にバネ部を介して吊るされた可動部と、前記可動部に設けられ前記固定電極に間隙を介して配置された可動電極と、を含む物理量センサーであることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス及びこの電子デバイスを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子デバイスとして、例えば、シリコンからなる可動部及び固定部と、電極パッドとが導電材料で接続配線されているマイクロ構造体が知られている。また、マイクロ構造体をキャップ部材にて覆うことで気密封止し、内部の可動部及び固定部への水分や異物の混入などを防止した回路モジュールが知られている。
【０００３】
特許文献１には、シリコン基板を上部ガラス及び下部ガラスで気密封止したマイクロ構造体が開示されている。
また、特許文献２には、素子基板上に誘電体絶縁層をフォトリソグラフィー法にて形成し、導体薄膜配線を形成して外部接続電極と導通確保している構成の機能素子体（マイクロ構造体）及び機能素子体を備えた回路モジュールが開示されている。この回路モジュールは、封止外縁部において誘電体絶縁層と導体薄膜配線とが４層構成となっている。
さらに、特許文献３には、シリコン基板からなる３層構造のＭＥＭＳ構造体（マイクロ構造体）の配線引き出し構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−９４６６６号公報
【特許文献２】特開２００６−２１０５３０号公報
【特許文献３】特開２００９−０３３０９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１のマイクロ構造体の構成によれば、チップダイシング時における配線溝からの水や研削粒子がセンサー内部への侵入を防ぐことができるものの、切断工程が複雑であり、また、気密封止を確保する上では不十分であるという問題がある。
【０００６】
特許文献２の回路モジュールの構成によれば、寄生容量に関して、低誘電率の感光性有機樹脂を用いて、適正な樹脂厚みとする必要がある。また、有機材料を用いるため封止後の素子中空部は、例えば製品使用条件の最高温度が高い程、有機材料からのアウトガスにより製品の品質確保が困難になるという問題がある。
【０００７】
特許文献３のＭＥＭＳ構造体の構成によれば、以下の問題がある。
（１）可動部及び固定部とは別に気密封止部となる周辺部がシリコン構造体として必要になる。
（２）可動部、固定部、キャップ部に絶縁層と第１の導電層、第２の導電層、第３の導電層とを順次成膜して封止し、外縁部のパッド電極に電気導通させているため、製造工程が複雑となる。
（３）封止界面は金属同士による接合であるため、金属の拡散速度差に由来するボイド生成（カーケンダルボイド）により気密信頼性が低下する。
さらには、特許文献２と同様に、絶縁層（誘電体絶縁層）と導体層（導体薄膜配線）とをフォトリソグラフィー法により積層構成とし、基板間及び導通配線間同士の絶縁を確保するとしているので、絶縁層の誘電率や所定厚みを確保しないと寄生容量を低減することができないという問題がある。
また、特許文献２と同様に、有機材料を用いることにより、高温使用時のアウトガスの発生に伴い、品質確保が困難になるという問題がある。
【０００８】
本発明は、例えば、可動部及び固定部などを有する機能素子を内蔵する電子デバイスの気密信頼性を向上させ、寄生容量やアウトガスによる機能素子の特性への影響が少なく、また簡便な工程にて製造可能な電子デバイス及びこの電子デバイスを備えた電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例１］本適用例に係る電子デバイスは、絶縁性を有する基板と、前記基板の主面の側に配置されている機能素子と、前記機能素子上に配置され、前記主面に接合されている絶縁性を有する蓋体と、を備え、前記主面には、平面視で前記蓋体が配置されている領域の外側に設けられている外部接続電極と、前記機能素子と前記外部接続電極との間に設けられた配線パターンと、を含み、前記基板及び前記蓋体の少なくとも一方には、前記基板と前記蓋体とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、前記接合パターンは、前記配線パターンに平面視で交差する部分が開口している第１接合パターンと、前記開口に隣在し、前記開口の幅よりも大きい第２接合パターンと、を含むことを特徴とする。
【００１１】
これによれば、電子デバイスは、絶縁性を有する基板及び蓋体の少なくとも一方に、基板と蓋体とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、接合パターンが配線パターンに平面視で交差する部分が開口している（除去されている）第１接合パターンと、開口に隣在（近接）し、開口の幅よりも大きい第２接合パターンと、を含む。
これにより、電子デバイスは、基板と蓋体とが第１接合パターンと、第１接合パターンの開口に隣在し、開口の幅よりも大きい第２接合パターンとによって、配線パターンと第１接合パターンとの短絡を回避しつつ、接合される。
この結果、電子デバイスは、第１接合パターンの開口を経て各パターンに沿って内部空間に至るまでの経路が、例えば、第２接合パターンがない場合よりも長くなることから、内部空間への外気や水分、異物などの侵入が抑制され、基板と蓋体との接合の気密信頼性を向上させることができる。
【００１２】
また、電子デバイスは、基板及び蓋体が絶縁性を有し、接合パターンが導電性を有することから、例えば、基板及び蓋体にガラスを用い、接合パターンに低抵抗シリコンを用いることにより基板及び蓋体を陽極接合することが可能となる。
これにより、電子デバイスは、基板と蓋体との接合の気密信頼性を、より向上させることができる。
【００１３】
［適用例２］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記第２接合パターンは、前記配線パターンと交差して設けられていることが好ましい。
【００１４】
これによれば、電子デバイスは、第２接合パターンが配線パターンと交差して設けられていることから、各パターンに沿った経路が長くなってガラス間接合においても共有結合密度が高まり、内部空間への外気や水分、異物などの侵入が、配線パターンと交差する第２接合パターンによって更に抑制され、基板と蓋体との接合の気密信頼性を更に向上させることができる。
【００１５】
［適用例３］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記基板及び前記蓋体は、ガラスであることが好ましい。
【００１６】
これによれば、電子デバイスは、基板、蓋体がガラスであることから、高温環境下における内部空間へのアウトガスの発生が低減され、長期使用時の特性劣化を抑制することができる。
この結果、電子デバイスは、長期信頼性の向上など優れた品質を確保することができる。
【００１７】
また、電子デバイスは、基板及び蓋体がガラスであることから、導電性を有する接合パターンを介して基板と蓋体とを陽極接合することが可能となる。
この結果、電子デバイスは、基板と蓋体との接合がより強固となることから、基板と蓋体との接合の気密信頼性をより向上させることができる。
加えて、電子デバイスは、基板及び蓋体がガラスであることにより、基板及び蓋体の陽極接合時の静電引力が均一となることから、温度変化に伴う接合部の熱応力の低減を図ることができる。
【００１８】
［適用例４］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記基板及び前記蓋体は、互いに陽極接合されていることが好ましい。
【００１９】
これによれば、電子デバイスは、基板及び蓋体が互いに陽極接合されていることから、他の接合方法と比較して、基板と蓋体との接合がより強固となり、基板と蓋体との接合の気密信頼性をより向上させることができる。
【００２０】
［適用例５］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記配線パターンと、前記第１接合パターン及び前記第２接合パターンとは、同じ導電性材料であり、且つ、前記基板の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有することが好ましい。
【００２１】
これによれば、電子デバイスは、配線パターンと、第１接合パターン及び第２接合パターンとが、同じ導電性材料であり、且つ、基板の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有することから、一括処理が可能となることによって製造工程を簡便化できると共に、各パターンの温度変化に伴うクラックの発生などの不具合を低減することができる。
【００２２】
［適用例６］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記第１接合パターン及び前記第２接合パターンは、平面視で互いにパターンが嵌合するように設けられていることが好ましい。
【００２３】
これによれば、電子デバイスは、第１接合パターン及び第２接合パターンが、平面視で互いにパターンが嵌合するように設けられていることから、第１接合パターンの開口を経て各パターンに沿って内部空間に至るまでの経路を長くすることが可能となる。
この結果、電子デバイスは、内部空間への外気や水分、異物などの侵入が更に抑制され、基板と蓋体との接合の気密信頼性を更に向上させることができる。
【００２４】
［適用例７］上記適用例に係る電子デバイスにおいて、前記機能素子は、前記基板上に固定された固定電極と、前記基板上にバネ部を介して吊るされた可動部と、前記可動部に設けられ前記固定電極に間隙を介して配置された可動電極と、を含む物理量センサーであることが好ましい。
【００２５】
これによれば、電子デバイスは、機能素子が固定電極と、可動部と、可動部に設けられ固定電極に間隙を介して配置された可動電極と、を含む物理量センサーであることから、上述した気密信頼性の向上、アウトガスの低減などにより良好な性能が維持され、長期信頼性に優れた物理量センサーを提供することができる。
【００２６】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする。
【００２７】
これによれば、本構成の電子機器は、上記適用例のいずれか一例に記載の電子デバイスを備えたことから、上記適用例のいずれか一例に記載の効果を奏する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施形態１に係る物理量センサーの概略構成を示す模式平断面図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線での断面図、（ｃ）は、（ａ）の要部拡大図。
【図２】実施形態２に係る物理量センサーの概略構成を示す模式平断面図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線での断面図。
【図３】実施形態３に係る物理量センサーの概略構成を示す模式要部平面図であり、（ａ）は構成要素を分離した状態を示す要部平面図、（ｂ）は（ａ）の構成要素を積層し接合した状態を示す要部平面図。
【図４】図３（ｂ）のＣ−Ｃ線での模式断面図。
【図５】変形例１に係る物理量センサーの概略構成を示す模式要部平面図。
【図６】変形例２に係る物理量センサーの概略構成を示す模式要部平面図。
【図７】物理量センサーを備えた電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図。
【図８】物理量センサーを備えた電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図。
【図９】物理量センサーを備えた電子機器としてのデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各構成要素を認識可能な程度の大きさにするため、各構成要素の尺度を実際とは異ならせてある。また、図中のＸ、Ｙ、Ｚの各軸は、互いに直交している。
【００３０】
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係る電子デバイスとしての物理量センサーの概略構成を示す模式平断面図である。図１（ａ）は、平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線での断面図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）の要部拡大図である。なお、平面図は、説明の便宜上、透視図となっている。
【００３１】
まず、実施形態１に係る物理量センサー１００の概略構成について説明する。
物理量センサー１００は、絶縁性を有する基板１と、基板１の主面１ａ側に配置されている機能素子としてのセンサー素子２と、センサー素子２を内部空間７を介して覆い基板１の主面１ａに接合されている絶縁性を有する蓋体３と、を備えている。
基板１には、例えば、厚みが約０．５ｍｍのホウケイ酸ガラスが用いられている。なお、このガラスの熱膨張係数（線膨張係数）は、一例として３．３×１０-6／ｋである。
基板１は、略矩形平板状であり、主面１ａの蓋体３との接合部分の外側（＋Ｘ側）の外縁部には外部接続電極としてのボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃがＹ軸方向に並んで設けられている。
基板１の主面１ａには、平面形状（Ｚ軸方向から見た形状）が略矩形の凹部５が形成されている。
【００３２】
センサー素子２は、基板１上に支持（固定）された支持部２ａ，２ｂと、基板１上に固定された固定電極２ｃ，２ｄと、基板１上にバネ部２ｅ，２ｆを介して吊るされた可動部２ｇと、可動部２ｇに設けられ、固定電極２ｃ，２ｄと間隙を介して配置された可動電極２ｈと、を備えている。
センサー素子２は、例えば、基板１の主面１ａに凹部５を覆うように接合された低抵抗のシリコン基板などの半導体基板を、フォトリソグラフィー法を用いたエッチングにより加工することで各構成要素が一括して形成される。
センサー素子２は、可動部２ｇのＸ軸方向への変位（揺動）に伴う固定電極２ｃ，２ｄと可動電極２ｈとの間の静電容量の変化により、例えば、加速度などの物理量の検出が可能な構成となっている。
【００３３】
蓋体３には、例えば、厚みが約０．３ｍｍのホウケイ酸ガラスが用いられている。
蓋体３は、略矩形平板状であり、基板１の主面１ａと接合される接合封止面６の＋Ｚ側に凹形状の内部空間７が形成されている。内部空間７は、平面形状が略矩形であって、平面視でセンサー素子２を収容可能な大きさとなっている。
物理量センサー１００は、基板１の凹部５と蓋体３の内部空間７とにより、センサー素子２の可動空間（センサー素子２の動作（揺動）が可能な空間）が形成されている。
【００３４】
基板１の凹部５より＋Ｘ側の主面１ａには、センサー素子２の可動電極２ｈ（支持部２ａ）と接続されている電極８ａと、センサー素子２の固定電極２ｃと接続されている電極８ｂと、センサー素子２の固定電極２ｄと接続されている電極８ｃとが、Ｙ軸方向に並んで設けられている。
電極８ａ，８ｂ，８ｃは、基板１の主面１ａをフォトリソグラフィー法により、例えば、約０．５μｍエッチングして形成された凹溝内に設けられた配線パターンとしての配線部９ａ，９ｂ，９ｃと導通されている。
配線部９ａ，９ｂ，９ｃは、センサー素子２とボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃとの間に設けられている。詳述すると、配線部９ａ，９ｂ，９ｃは、電極８ａ，８ｂ，８ｃからＸ軸に沿って＋Ｘ方向に延び、Ｙ軸方向に延びる蓋体３の接合封止面６と平面視で交差して、基板１のボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃとそれぞれ導通されている。
【００３５】
配線部９ａ，９ｂ，９ｃは、例えば、スパッタリング法などにより低抵抗シリコンウエハーをターゲットとして成膜され、その後ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ）法により基板１の主面１ａと平坦化されている。なお、配線部９ａ，９ｂ，９ｃには、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉなどの金属材料を用いてもよい。
【００３６】
基板１の主面１ａにおける蓋体３の接合封止面６と対向する部分には、第１接合パターン１０が、接合封止面６の平面形状に倣って略四角い枠状に形成されている。第１接合パターン１０の配線部９ａ，９ｂ，９ｃと交差する部分は、開口（除去）され、第１接合パターン１０と配線部９ａ，９ｂ，９ｃとの重なりが回避されている。
したがって、配線部９ａと配線部９ｂとの間、及び配線部９ｂと配線部９ｃとの間の第１接合パターン１０は、略矩形の島状に形成されている。つまり、第１接合パターン１０は、配線部９ａ，９ｂ，９ｃ近傍で部分的に途切れた形状で設けられている。
【００３７】
第１接合パターン１０は、基板１の主面１ａをフォトリソグラフィー法により、例えば、約０．５μｍエッチングして形成された凹溝内に、例えば、スパッタリング法などにより低抵抗シリコンウエハーをターゲットとして成膜され、その後ＣＭＰ法によって基板１の主面１ａと平坦化されている。
なお、第１接合パターン１０には、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉなどの金属材料、及びそれらを主成分とした合金を用いてもよい。
第１接合パターン１０と配線部９ａ，９ｂ，９ｃとの間には、それぞれ、例えば、約２０μｍの間隔Ｓ１が設けられている。第１接合パターン１０の幅は、例えば、蓋体３の接合封止面６の約２００μｍの幅に対して、約８０μｍとなっている。
【００３８】
また、図１（ｃ）に示すように、配線部９ａの近傍には、第１接合パターン１０のセンサー素子２側に隣在（近接）して、第１接合パターン１０に沿うように（平行に）第２接合パターン１１ａが設けられている。
第２接合パターン１１ａは、第１接合パターン１０の開口の幅（配線部９ａの＋Ｙ側の第１接合パターン１０の端部と、配線部９ａの−Ｙ側の第１接合パターン１０の端部とのＹ軸方向の距離）よりもＹ軸方向に大きく（長く）形成され、第１接合パターン１０の開口を塞ぐような位置に配線部９ａと交差して（ここでは直交して）設けられている。
第２接合パターン１１ａは、第１接合パターン１０と同様に、基板１の主面１ａをフォトリソグラフィー法により、例えば、約０．５μｍエッチングして形成された凹溝内に、例えば、スパッタリング法などにより低抵抗シリコンウエハーをターゲットとして成膜され、その後ＣＭＰ法によって基板１の主面１ａと平坦化されている。なお、第２接合パターン１１ａは、本実施形態では配線部９ａと一体化して形成されている。
なお、第２接合パターン１１ａには、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉなどの金属材料、及びそれらを主成分とした合金を用いてもよい。
【００３９】
第２接合パターン１１ａの幅（Ｘ軸方向のサイズ）は、例えば、約８０μｍであり、第１接合パターン１０との間隔（Ｘ軸方向の距離）Ｓ２は、約２０μｍである。
配線部９ｂ，９ｃの近傍には、第２接合パターン１１ａと同様の構成で、第２接合パターン１１ｂ，１１ｃが設けられている。
図１（ａ）に示すように、第２接合パターン１１ａと第２接合パターン１１ｂとの間、第２接合パターン１１ｂと第２接合パターン１１ｃとの間には、約２０μｍの間隔Ｓ３が設けられている。
物理量センサー１００は、これらの間隔Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を設けたことにより、配線部９ａ，９ｂ，９ｃ間の寄生容量が無視できるレベルにまで低減されている。
【００４０】
なお、配線部９ａ，９ｂ，９ｃ、第１接合パターン１０及び第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃに用いられている低抵抗シリコンの熱膨張係数（線膨張係数）は、一例として３．８×１０-6／ｋであり、基板１に用いられているガラスの熱膨張係数（３．３×１０-6／ｋ）以上の値となっている。
なお、配線部９ａ，９ｂ，９ｃ、第１接合パターン１０、第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃに低抵抗シリコン以外のＡｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉなどの金属材料、及びそれらを主成分とした合金を用いる場合でも、その熱膨張係数は、基板１に用いられているガラスの熱膨張係数（３．３×１０-6／ｋ）以上の値となっていることが好ましい。
【００４１】
内部空間７を有する蓋体３は、基板１上に配置されたセンサー素子２を内部空間７を介して覆い、センサー素子２を外部環境の外気や水分、異物から保護する機能を果たす。
そして、蓋体３は、物理量センサー１００が例えば、加速度センサーであれば、内部空間７が窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガスが充填された状態で気密封止され、ジャイロセンサー（角速度センサー）であれば、内部空間７が真空状態（減圧状態）で気密封止される。
【００４２】
図１（ｂ）に示すように、蓋体３（例えば、ホウケイ酸ガラス）の接合封止面６は、第１接合パターン１０（例えば、低抵抗シリコン）、第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ（例えば、低抵抗シリコン）が形成されている基板１（例えば、ホウケイ酸ガラス）の主面１ａに、陽極接合法を用いて接合される。
詳述すると、基板１と基板１上に位置合わせされて配置された蓋体３とは、例えば、ヒーター３１上で３５０℃程度に加熱された状態で、蓋体３上に載置された電極板３０と、基板１の第１接合パターン１０及び第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃとの間に、接合電源３２から８００ボルト程度の電圧が印加されることにより、陽極接合される。
【００４３】
基板１の主面１ａは、配線部９ａ，９ｂ，９ｃ及びその近傍でも、配線部９ａ，９ｂ，９ｃ及び島状の第１接合パターン１０が、主面１ａと平坦化されて設けられていることから、陽極接合時の静電引力により、対向する蓋体３の接合封止面６と気密接合が可能である。なお、配線部９ａ，９ｂ，９ｃと島状の第１接合パターン１０との間隔Ｓ１（約２０μｍ）は、気密接合に対して支障がない寸法設定となっている。
【００４４】
この陽極接合の際、配線部９ａ，９ｂ，９ｃ、第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び第１接合パターン１０に用いられた低抵抗シリコンは、対向する蓋体３に用いられたホウケイ酸ガラスに対して、大きな静電引力によって分子レベルまで表面が近接し、接合される。
この結果、配線部９ａ，９ｂ，９ｃ、第１接合パターン１０及び第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ、に挟まれたホウケイ酸ガラス表面間（基板１の主面１ａの間隔Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３部分と、対向する蓋体３の接合封止面６との間）においても水酸基が与る脱水縮合反応により共有結合が形成され、強固で気密性に優れた接合封止がなされる。
なお、島状の第１接合パターン１０は、例えば、蓋体３の外側に引き出された図示しない配線によって、第１接合パターン１０本体に接続されている。これにより、島状の第１接合パターン１０部分と蓋体３との間においても確実に陽極接合がなされる。
【００４５】
なお、本実施形態では、第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、第１接合パターン１０と同じパターン幅として説明したが、配線部９ａ，９ｂ，９ｃ近傍の第１接合パターン１０と平面視で重畳しない範囲で、蓋体３の接合封止面６下でパターン幅を拡げてもよいし、パターンの一部が内部空間７側に露出した形態としてもよい。
【００４６】
また、第１接合パターン１０のパターン幅は、約８０μｍとしたが接合封止面６より外側（ボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃ側）に一部を露出させた形態であってもよく、この場合でも前述した陽極接合が可能であり、気密性が確保される。
なお、図１（ｂ）に示すように、複数個取りされた物理量センサー１００は、分割線１３の位置で個別に分割される。
【００４７】
以上述べたように、本実施形態に係る物理量センサー１００によれば、以下の効果を得ることができる。
物理量センサー１００は、絶縁性を有する基板１及び蓋体３の内、基板１に基板１と蓋体３とを接合するための導電性を有する接合パターンが設けられ、接合パターンが配線部９ａ，９ｂ，９ｃに平面視で交差する部分が開口した（除去された）第１接合パターン１０と、開口に隣在（近接）し、開口の幅よりも大きい第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと、を含んで構成されている。
これにより、物理量センサー１００は、基板１と蓋体３とが第１接合パターン１０と、第１接合パターン１０の開口に隣在し、開口の幅よりも大きい第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃとによって、各接合パターンを介した配線部９ａ，９ｂ，９ｃ間の短絡を回避しつつ、接合される。
この結果、物理量センサー１００は、第１接合パターン１０の開口から配線部９ａ，９ｂ，９ｃや各接合パターンに沿って内部空間７に至るまでの経路が、例えば、第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃがない場合よりも長くなる。
したがって、物理量センサー１００は、第１接合パターン１０の開口から内部空間７への外気や水分、異物などの侵入が抑制され、基板１と蓋体３との接合の気密信頼性を向上させることができる。
【００４８】
また、物理量センサー１００は、基板１及び蓋体３が絶縁性を有し、第１接合パターン１０が導電性を有することから、例えば、基板１及び蓋体３にガラス（ホウケイ酸ガラス）を用い、第１接合パターン１０及び第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃに低抵抗シリコンを用いることにより基板１及び蓋体３を陽極接合することが可能となる。
これにより、物理量センサー１００は、基板１と蓋体３との接合の気密信頼性を、より向上させることができる。
【００４９】
また、物理量センサー１００は、第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃが配線部９ａ，９ｂ，９ｃと交差して設けられていることから、配線部９ａ，９ｂ，９ｃに沿っての内部空間７への外気や水分、異物などの侵入が、第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃによって更に抑制され、基板１と蓋体３との接合の気密信頼性を更に向上させることができる。
【００５０】
また、物理量センサー１００は、基板１、蓋体３及び第１接合パターン１０及び第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃが無機材料を含んでなることから、高温環境下における内部空間７へのアウトガスの発生が低減され、長期使用時の特性劣化を抑制することができる。
この結果、物理量センサー１００は、長期信頼性の向上など優れた品質を確保することができる。
【００５１】
また、物理量センサー１００は、基板１及び蓋体３がガラスであることから、導電性を有する第１接合パターン１０及び第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃを介して基板１と蓋体３とを陽極接合することが可能となる。
この結果、物理量センサー１００は、基板１と蓋体３との接合が、他の接合方法と比較して、より強固となることから、基板１と蓋体３との接合の気密信頼性をより向上させることができる。
加えて、物理量センサー１００は、基板１及び蓋体３がガラスであることにより、基板１及び蓋体３の陽極接合時の静電引力が均一となることから、温度変化に伴う両者の接合部の熱応力の低減を図ることができる。
【００５２】
また、物理量センサー１００は、配線部９ａ，９ｂ，９ｃと、第１接合パターン１０及び第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃとが、同じ導電性材料であり、且つ、基板１の熱膨張係数以上の熱膨張係数を有することから、一括処理が可能となるなどにより製造工程を簡便化できると共に、配線部９ａ，９ｂ，９ｃ、第１接合パターン１０及び第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃの温度変化に伴うクラックの発生などの不具合を低減することができる。
【００５３】
また、物理量センサー１００は、絶縁性を有するホウケイ酸ガラスからなる基板１の主面１ａに平坦化された第１接合パターン１０を設け、絶縁性を有するホウケイ酸ガラスからなる蓋体３で基板１の主面１ａを覆う構成となっていることから、配線部９ａ，９ｂ，９ｃ間における寄生容量を低くすることができる。
また、物理量センサー１００は、配線部９ａ，９ｂ，９ｃによりセンサー素子２からボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃへと電気的な導通確保がなされ、且つ、陽極接合による静電引力により密着したガラス表面間（基板１の主面１ａと蓋体３の接合封止面６との間）の接合もなされるため、気密信頼性の高い配線部９ａ，９ｂ，９ｃの封止が可能である。
【００５４】
また、物理量センサー１００は、配線部９ａ，９ｂ，９ｃ、第１接合パターン１０及び第２接合パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃ部分が積層構造を必要としない構成であり、複雑なプロセスを要しないことから、製造コストの大幅な低減が可能である。
【００５５】
なお、本実施形態において、複数の電極８ａ，８ｂ，８ｃを内部空間７の矩形形状の一辺側に集中配置した構成としたが、複数辺への分散配置としても構わない。
また、電極８ａ，８ｂ，８ｃは、配線部９ａ，９ｂ，９ｃとの電気的導通に支障がなければ、基板１の主面１ａの凹溝内ではなく、主面１ａ上に設けられてもよい。
【００５６】
（実施形態２）
次に、実施形態２に係る電子デバイスとしての物理量センサーの概略構成について説明する。
図２は、実施形態２に係る物理量センサーの概略構成を示す模式平断面図である。図２（ａ）は、平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線での断面図である。なお、実施形態１と同一の構成要素については、同一の符号を付し重複する説明は省略する。
【００５７】
図２に示すように、物理量センサー２００は、第２接合パターン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃが蓋体３の接合封止面６の凹溝内に形成されている。
第２接合パターン１１１ａは、第１接合パターン１０の開口の幅（配線部９ａの＋Ｙ側の第１接合パターン１０の端部と、配線部９ａの−Ｙ側の第１接合パターン１０の端部とのＹ軸方向の距離）よりもＹ軸方向に大きく（長く）形成され、平面視で開口を塞ぐような位置に配線部９ａと交差して設けられている。
第２接合パターン１１１ｂ，１１１ｃは、第２接合パターン１１１ａと同様に形成され、それぞれ配線部９ｂ，９ｃと交差して設けられている。
【００５８】
加えて、物理量センサー２００は、接合封止面６における内部空間７側の縁部に沿って第３接合パターン１１２が凹溝内に形成されている。
第３接合パターン１１２は、第２接合パターン１１１ａの近傍から内部空間７側の縁部に沿って内部空間７を囲むように第２接合パターン１１１ｃの近傍まで延設されている。また、第３接合パターン１１２は、平面視で第１接合パターン１０と重ならないように形成されている。
第２接合パターン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃ及び第３接合パターン１１２は、実施形態１の第１接合パターン１０などと同様の方法で接合封止面６の凹溝内に形成され、接合封止面６と平坦化されている。
【００５９】
第２接合パターン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃ及び第３接合パターン１１２は、例えば、厚みが約０．５μｍ（凹溝の深さ約０．５μｍ）、パターン幅が約８０μｍに形成されている。なお、第３接合パターン１１２と第２接合パターン１１１ａ，１１１ｃとの間には、約２０μｍの間隔が設けられている。
これにより、図２（ｂ）に示すように、蓋体３の、例えば、約２００μｍ幅の接合封止面６は、基板１の主面１ａに設けられた、例えば、約８０μｍ幅の第１接合パターン１０と、例えば、約２０μｍ幅の間隔Ｓ１０２を設けて蓋体３の接合封止面６に設けられた、例えば、約８０μｍ幅の第２接合パターン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃ及び第３接合パターン１１２とにより、対向する基板１の主面１ａと陽極接合によって接合される。
【００６０】
換言すれば、基板１側の配線部９ａ，９ｂ，９ｃ及び第１接合パターン１０と、対向する蓋体３との間、蓋体３側の第２接合パターン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃ及び第３接合パターン１１２と、対向する基板１との間で、陽極接合が可能である。
【００６１】
なお、第１接合パターン１０と第２接合パターン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃとの間隔Ｓ１０２は、約２０μｍとしたが、これは、基板１と蓋体３との積層工程におけるアライメント精度（位置合わせ精度）などを考慮して設定されたものである。
詳述すると、間隔Ｓ１０２は、基板１の第１接合パターン１０と、蓋体３の第２接合パターン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃとの接触に起因する、第１接合パターン１０及び第２接合パターン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃを介した配線部９ａ，９ｂ，９ｃ間の短絡を回避する観点から、例えば、±５μｍのアライメント精度であれば、少なくとも６μｍ以上、できれば１０μｍ以上を確保することが好ましい。
したがって、本実施形態では、間隔Ｓ１０２の設定値としては、他の寸法公差も加味して２０μｍとしてある。
【００６２】
以上述べたように、本実施形態に係る物理量センサー２００によれば、実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
物理量センサー２００は、第１接合パターン１０及び第２接合パターン１１１ａ，１１１ｂ，１１１ｃに加え、第３接合パターン１１２が蓋体３の接合封止面６に設けられて陽極接合されているので、各接合パターン（１１２など）と基板１の主面１ａ及び蓋体３の接合封止面６との陽極接合時の静電引力の強度が強まる。
これにより、物理量センサー２００は、より信頼性の高い気密封止を実現しつつ、内部空間７のセンサー素子２（電極８ａ，８ｂ，８ｃ）と、ボンディングパッド４ａ，４ｂ，４ｃとの電気的導通を可能としている。
この結果、物理量センサー２００は、基板１と蓋体３との接合の気密信頼性を実施形態１よりも向上させることができる。
【００６３】
（実施形態３）
次に、実施形態３に係る電子デバイスとしての物理量センサーの概略構成について説明する。
図３は、実施形態３に係る物理量センサーの概略構成を示す模式要部平面図である。図３（ａ）は、構成要素を分離した状態を示す要部平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の構成要素を積層し接合した状態を示す要部平面図である。図４は、図３（ｂ）のＣ−Ｃ線での模式断面図である。なお、図３は、説明の便宜上、透視図としてある。また、上記各実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付し重複する説明は省略する。
【００６４】
図３に示すように、物理量センサー３００は、基板１の第１接合パターン２１０と蓋体３の第２接合パターン２１１ａ，２１１ｂとが、平面視で互いにパターンが所定の間隔を有して嵌合するように設けられている。なお、図３では図示しないが、配線部９ｃ（図２参照）と交差する第２接合パターン（２１１ｃ）（第２接合パターン２１１ｂの＋Ｙ側に位置し、実施形態２の第２接合パターン１１１ｃに相当する）も同様である。
【００６５】
詳述すると、図３（ａ）の紙面右側に示す基板１では、配線部９ａの−Ｙ側の第１接合パターン２１０の−Ｘ側に凹部（切り欠き）が形成され、配線部９ａの＋Ｙ側の第１接合パターン２１０の島状に形成された部分（以降、説明の便宜上、第１接合パターン２１０ａとする）の−Ｘ側に凹部が形成され、この凹部の中央部分から−Ｘ方向に突出する凸部２１０ｂが形成されている。
一方、図３（ａ）の紙面左側に示す蓋体３の接合封止面６では、基板１の配線部９ａと交差する位置関係にある第２接合パターン２１１ａの＋Ｘ側に凹部が形成され、同様に、図示しない配線部９ｂと交差する位置関係にある第２接合パターン２１１ｂの＋Ｘ側に凹部が形成され、同様に、図示しない配線部９ｃと交差する位置関係にある第２接合パターン（２１１ｃ）の＋Ｘ側に凹部が形成されている。
【００６６】
そして、図３（ｂ）に示すように、基板１に蓋体３が積層されて接合されると、平面視で蓋体３の接合封止面６内では、第２接合パターン２１１ａの凹部内に、配線部９ａの−Ｙ側の第１接合パターン２１０の凹部の縁部分（凹んでいない部分）と、配線部９ａの＋Ｙ側の第１接合パターン２１０ａの凹部の−Ｙ側の縁部分とが、配線部９ａを挟んで嵌合している。
さらに、配線部９ａの−Ｙ側の第１接合パターン２１０の凹部内に、第２接合パターン２１１ａの凹部の−Ｙ側の縁部分が嵌合している。また、第２接合パターン２１１ａと第２接合パターン２１１ｂとの間には、第１接合パターン２１０ａの凸部２１０ｂが嵌合している（挟まれるように配置されている）。
加えて、第１接合パターン２１０ａの凹部における凸部２１０ｂより＋Ｙ側には、第２接合パターン２１１ｂの凹部の−Ｙ側の縁部分が嵌合している。
図３では図示しないが、配線部９ｂ，９ｃでも配線部９ａと同様に、第２接合パターン２１１ｂ，（２１１ｃ）と第１接合パターン２１０とが互いに嵌合するように設けられている。
【００６７】
なお、第２接合パターン２１１ａ，２１１ｂ，（２１１ｃ）は、基板１に蓋体３が積層されることにより、それぞれ配線部９ａ，９ｂ，９ｃと接触し、陽極接合の際の電圧印加時には配線部９ａ，９ｂ，９ｃと同電位となる。
第１接合パターン２１０，２１０ａ及び第２接合パターン２１１ａ，２１１ｂ，（２１１ｃ）は、陽極接合の際に陽極電位とされ、基板１及び蓋体３は、図示しない陰極電極板（電極板）に挟持されて、加熱下にて陽極接合される。
なお、図４に示すように、第１接合パターン２１０，２１０ａ及び第２接合パターン２１１ａ，２１１ｂ，（２１１ｃ）の所定の間隔部分（各パターンが形成されていない部分）では、基板１の主面１ａと蓋体３の接合封止面６との間で、水酸基が与る脱水縮合反応により共有結合が形成され、強固で気密性に優れた接合封止がなされる。
【００６８】
また、図３（ｂ）に示すように、接合封止面６における第１接合パターン２１０と第１接合パターン２１０ａとの開口から、各パターン（２１１ａなど）に沿って内部空間７に至るまでの経路は、各パターン同士の嵌合によって、上記各実施形態よりも長くなっている。
これにより、物理量センサー３００は、第１接合パターン２１０と第１接合パターン２１０ａとの開口から内部空間７への外気や水分、異物などの侵入が更に抑制され、優れた気密信頼性を確保することが可能である。
また、図４に示すように、陽極接合後、第１接合パターン２１０，２１０ａと第２接合パターン２１１ａ，２１１ｂ，（２１１ｃ）とが絶縁確保され、不要な寄生容量の発生も付加されない状態となっている。
【００６９】
以上述べたように、本実施形態に係る物理量センサー３００によれば、実施形態２での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
物理量センサー３００は、基板１の主面１ａの凹溝内に平坦化して設けられた第１接合パターン２１０，２１０ａと、蓋体３の接合封止面６の凹溝内に平坦化して設けられた第２接合パターン２１１ａ，２１１ｂ，（２１１ｃ）とを、平面視で互いに嵌合する（以下、パターン嵌合ともいう）形状としている。
これにより、物理量センサー３００は、第１接合パターン２１０と第１接合パターン２１０ａとの開口から内部空間７までの各パターンに沿った経路が長くなることから、ガラス間接合における共有結合密度が高まり、内部空間７への外気や水分、異物などの侵入が更に抑制され、優れた気密信頼性を確保することが可能である。
【００７０】
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されず、上述した各実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。
上記実施形態３では、図３のように、第１接合パターン２１０，２１０ａ及び第２接合パターン２１１ａ，２１１ｂ，（２１１ｃ）が、パターン嵌合された一例について説明したが、この構成に限定されるものではない。
【００７１】
（変形例１）
図５は、実施形態３の変形例１に係る物理量センサーの概略構成を示す模式要部平面図である。なお、上記各実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００７２】
以下、変形例１に係る物理量センサー３０１の概略構成について説明する。
図５に示すように、物理量センサー３０１では、第１接合パターン３１０，３１０ａの凹部と、配線部９ａと交差する第２接合パターン３１１ａの凹部とが複数形成され、これら複数の凹部と凹部の縁部分とが互いに嵌合している構成となっている。
なお、図５では図示しないが、配線部９ｂ，９ｃでも配線部９ａと同様の構成で、配線部９ｂ，９ｃと交差する第２接合パターンと、第１接合パターン３１０とが、互いに嵌合するように形成されている。
【００７３】
これによれば、物理量センサー３０１は、基板１と蓋体３とに陽極接合時の静電引力をより強く働かせることが可能となると共に、第１接合パターン３１０と第１接合パターン３１０ａとの開口から各パターンに沿って内部空間７に至るまでの経路が実施形態３よりも更に長くなることから、ガラス間接合における共有結合密度が高まり、内部空間７への外気や水分、異物などの侵入が更に抑制され、優れた気密信頼性を確保することが可能である。
【００７４】
（変形例２）
図６は、実施形態３の変形例２に係る物理量センサーの概略構成を示す模式要部平面図である。なお、上記各実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００７５】
以下、変形例２に係る物理量センサー３０２の概略構成について説明する。
図６に示すように、物理量センサー３０２では、第１接合パターン４１０，４１０ａと、配線部９ａと交差する第２接合パターン４１１ａとのパターン嵌合が、対向する２つの鋸の刃が互いに噛み合うような構成（換言すれば、対向する２つのＹ軸方向に連続した三角形状の凸部の、山と谷とが嵌合する構成）となっている。
なお、図６では図示しないが、配線部９ｂ，９ｃでも配線部９ａと同様の構成で、配線部９ｂ，９ｃと交差する第２接合パターンと第１接合パターン４１０とが、互いに嵌合するように形成されている。
【００７６】
これによれば、物理量センサー３０２は、変形例１と同様に、基板１と蓋体３とに陽極接合時の静電引力をより強く働かせることが可能となると共に、第１接合パターン４１０と第１接合パターン４１０ａとの開口から各パターンに沿って内部空間７に至るまでの経路が実施形態３よりも更に長くなることから、ガラス間接合における共有結合密度が高まり、内部空間７への外気や水分、異物などの侵入が更に抑制され、優れた気密信頼性を確保することが可能である。
【００７７】
なお、上記各変形例において、嵌合部分の各パターンの外形形状は、直線形状に限定されず曲線形状でもよい。これによれば、第１接合パターン３１０（４１０）と第１接合パターン３１０ａ（４１０ａ）との開口から各パターンに沿って内部空間７に至るまでの経路が更に長くなることから、更に優れた気密信頼性を確保することが可能である。
なお、この構成は、実施形態３にも適用可能である。
【００７８】
（電子機器）
次に、上記各実施形態及び各変形例の電子デバイスとしての物理量センサーを備えた電子機器を説明する。
図７は、物理量センサーを備えた電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
図７に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０３を有する表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１００が内蔵されている。なお、パーソナルコンピューター１１００には、物理量センサー１００に代えて物理量センサー２００，３００，３０１，３０２のいずれかが内蔵されていてもよい。
【００７９】
図８は、物理量センサーを備えた電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
図８に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０５が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、物理量センサー１００が内蔵されている。なお、携帯電話機１２００には、物理量センサー１００に代えて物理量センサー２００，３００，３０１，３０２のいずれかが内蔵されていてもよい。
【００８０】
図９は、物理量センサーを備えた電子機器としてのデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図９には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面（図中手前側）には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中奥側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００８１】
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
このようなデジタルスチルカメラ１３００には、物理量センサー１００が内蔵されている。なお、デジタルスチルカメラ１３００には、物理量センサー１００に代えて物理量センサー２００，３００，３０１，３０２のいずれかが内蔵されていてもよい。
【００８２】
このような電子機器は、気密信頼性が高く長期信頼性に優れた物理量センサー１００または物理量センサー２００，３００，３０１，３０２のいずれかを備えるので、優れた性能を発揮することができる。
なお、上記物理量センサーを備えた電子機器は、図７のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図８の携帯電話機、図９のデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーターなどに適用することができる。
【符号の説明】
【００８３】
１…基板、１ａ…主面、２…機能素子としてのセンサー素子、２ａ，２ｂ…支持部、２ｃ，２ｄ…固定電極、２ｅ，２ｆ…バネ部、２ｇ…可動部、２ｈ…可動電極、３…蓋体、４ａ，４ｂ，４ｃ…外部接続電極としてのボンディングパッド、５…凹部、６…接合封止面、７…内部空間、８ａ，８ｂ，８ｃ…電極、９ａ，９ｂ，９ｃ…配線パターンとしての配線部、１０…第１接合パターン、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…第２接合パターン、１３…分割線、３０…電極板、３１…ヒーター、３２…接合電源、１００…電子デバイスとしての物理量センサー、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…間隔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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