【手続補正書】
【提出日】平成28年10月25日(2016.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の磁界検知素子であって、前記複数の磁界検知素子の各々が、ｘ−ｙ平面における磁界に応答してそれぞれのｘ−ｙ出力信号を生成するように構成された、複数の磁界検知素子と、
前記ｘ−ｙ出力信号を受け取るように結合され、ｘ−ｙ平面における前記磁界の角度を表す補正されていないｘ−ｙ角度値を生成するように構成された角度処理回路であって、前記補正されていないｘ−ｙ角度値が、第１の角度誤差成分を含む、角度処理回路と、
前記角度処理回路に結合され、前記補正されていないｘ−ｙ角度値の誤差を示すｘ−ｙ角度誤差値を生成するように構成された角度誤差補正モジュールであって、正弦波誤差関係を使用して前記磁界の角度について正弦波の前記第１の角度誤差成分を記述するように構成されたアルゴリズムモジュールを含む、角度誤差補正モジュールと、
前記角度誤差補正モジュールに結合され、複数の正弦値を記憶するように構成された正弦参照テーブルと、
前記角度誤差補正モジュールに結合され、前記正弦波誤差関係の振幅および位相を表す複数の補正係数を記憶するように構成された係数テーブルメモリであって、前記角度誤差補正モジュールは、前記複数の正弦値のうちの選択された正弦値および前記正弦波誤差関係における前記複数の補正係数のうちの選択された補正係数を使用して、前記ｘ−ｙ角度誤差値を決定するようにさらに構成される、係数テーブルメモリと、
前記補正されていないｘ−ｙ角度値を前記ｘ−ｙ角度誤差値と組み合わせて、前記第１の角度誤差成分より小さい第２の角度誤差成分を有する補正されたｘ−ｙ角度値を生成するように構成された組合せモジュールと、
を備える磁界センサ。
【請求項２】
前記複数の補正係数が、複数の温度区間のそれぞれの境界に関連付けられ、各温度区間が、温度の対によって境界され、
温度を表す温度信号を生成するように構成された温度センサを備え、前記角度誤差訂正モジュールは、
前記温度信号を表す温度値を受け取るように結合され、前記温度値が含まれる温度区間を識別するように構成された区間識別モジュールと、
前記識別された温度区間に関連付けられた複数の前記補正係数を受け取るように結合され、前記温度値を受け取るように結合され、前記温度値に従って前記補正係数の対の間を補間して複数の補間された補正係数を生成するように構成された補間モジュールと、
を備え、
前記アルゴリズムモジュールは、前記複数の補間された補正係数を受け取るように結合され、前記複数の補間された補正係数を使用してアルゴリズムを適用して前記ｘ−ｙ角度誤差値を生成するように構成される、請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項３】
前記複数の磁界検知素子は、円形縦型ホール（ＣＶＨ）素子として配置された複数の縦型ホール効果素子を含み、前記複数の縦型ホール効果素子の各々は、半導体基板の第１の主表面における共通円形注入および拡散領域の上に配置され、前記複数の縦型ホール効果素子は、前記半導体基板の前記第１の表面に平行なｘ−ｙ平面における方向成分を有する磁界に応答して、それぞれの複数のｘ−ｙ出力信号を生成するように構成され、前記ｘ−ｙ平面は、ｘ方向、および前記ｘ方向に直交するｙ方向を有し、前記複数のｘ−ｙ出力信号は、複数のサイクル周期で生成され、各サイクル周期は、前記ＣＶＨ検知素子の周りの１サイクルに対応し、前記サイクル周期は、サイクルレートで発生する、請求項２に記載の磁界センサ。
【請求項４】
前記選択された正弦値は、前記補正されていないｘ−ｙ角度値に従って選択される、請求項３に記載の磁界センサ。
【請求項５】
前記選択された正弦値は、前記ｘ−ｙ角度値に従って、および補間された位相補正係数に従って選択される、請求項３に記載の磁界センサ。
【請求項６】
前記アルゴリズムモジュールは、温度依存正弦波誤差関係を使用して、前記磁界の前記角度について正弦波の前記第１の角度誤差成分を記述するように構成され、前記複数の補正係数は、
対応する複数の異なる温度における前記正弦波誤差関係の１つまたは複数の高調波の振幅および位相を表す複数の補正係数を含む、請求項３に記載の磁界センサ。
【請求項７】
前記複数の補正係数は、前記対応する複数の異なる温度における前記正弦波誤差関係の第１および第２の高調波の振幅および位相を表す複数の補正係数をさらに含む、請求項６に記載の磁界センサ。
【請求項８】
前記複数の補正係数は、前記対応する複数の異なる温度における前記正弦波誤差関係の平均角度誤差の振幅を表す複数の補正係数をさらに含む、請求項６に記載の磁界センサ。
【請求項９】
プログラム制御値を受け取るように結合されたプログラム制御レジスタをさらに備え、前記補間モジュールは、前記プログラム制御値を表す値を受け取るように結合され、前記プログラム制御値に応答して、前記補間モジュールは、複数の正弦波誤差関係のうちから前記正弦波誤差関係を選択するように構成された、請求項６に記載の磁界センサ。
【請求項１０】
プログラム制御値を受け取るように結合されたプログラム制御レジスタをさらに備え、前記補間モジュールは、前記プログラム制御値を表す値を受け取るように結合され、前記プログラム制御値に応答して、前記補間モジュールは、複数の補間タイプのうちから補間タイプを選択するように構成された、請求項３に記載の磁界センサ。
【請求項１１】
前記補間モジュールは、線形補間を生成するように構成された、請求項３に記載の磁界センサ。
【請求項１２】
前記補間モジュールは、非線形補間を生成するように構成された、請求項３に記載の磁界センサ。
【請求項１３】
前記複数の温度区間の境界は、不均等に温度間隔が空けられる、請求項３に記載の磁界センサ。
【請求項１４】
前記温度センサに結合された温度変化検出モジュールをさらに備え、前記温度変化検出モジュールは、温度の変化を検出し、温度の変化を示すまたは温度変化がないことを示す温度変化信号を生成するように構成され、前記補間モジュールは、前記温度変化モジュールに結合され、前記温度変化信号が温度の変化を示すときに前記複数の補間された補正係数を変更し、前記温度変化信号が温度変化がないことを示すときに前記複数の補間された補正係数を維持するように構成された、請求項３に記載の磁界センサ。
【請求項１５】
前記サイクルレートに関係付けられた制御信号を受け取るように結合され、前記サイクルレートに従ってサイクルレート補正値を生成するように構成された補正対レートモジュールと、
前記サイクルレート補正値を前記ｘ−ｙ角度誤差値と組み合わせて、前記第２の角度誤差成分より小さい第３の角度誤差成分を含むさらに補正されたｘ−ｙ角度値を生成するように構成された第２の組合せモジュールと、
をさらに備える、請求項３に記載の磁界センサ。
【請求項１６】
前記ＣＶＨ検知素子の電流スピンシーケンスに関係付けられた制御信号を受け取るように結合され、前記電流スピンシーケンスに従って電流スピンシーケンス補正値を生成するように構成された補正対電流スピンシーケンスモジュールと、
前記電流スピンシーケンス補正値を前記角度誤差値と組み合わせて、前記第２の角度誤差成分より小さい第３の角度誤差成分を含むさらに補正されたｘ−ｙ角度値を生成するように構成された第２の組合せモジュールと、
をさらに備える、請求項３に記載の磁界センサ。
【請求項１７】
前記磁界の振幅に関係付けられた制御信号を受け取るように結合され、前記磁界の前記振幅に従って磁界強度補正値を生成するように構成された補正対磁界強度モジュールと、
磁界強度補正値を前記角度誤差値と組み合わせて、前記第２の角度誤差成分より小さい第３の角度誤差成分を含むさらに補正されたｘ−ｙ角度値を生成するように構成された第２の組合せモジュールと、
をさらに備える、請求項３に記載の磁界センサ。
【請求項１８】
磁界センサの誤差を低減させる方法であって、
複数の磁界検知素子を提供するステップであって、前記複数の磁界検知素子の各々が、ｘ−ｙ平面における磁界に応答してそれぞれのｘ−ｙ出力信号を生成するように構成される、ステップと、
前記ｘ−ｙ出力信号を使用して、ｘ−ｙ平面における前記磁界の角度を表す補正されていないｘ−ｙ角度値を生成するステップであって、前記補正されていないｘ−ｙ角度値が、第１の角度誤差成分を含む、ステップと、
正弦波誤差関係を使用して前記磁界の角度について正弦波の前記第１の角度誤差成分を記述するステップと、
複数の正弦値を記憶するステップと、
前記正弦波誤差関係の振幅および位相を表す複数の補正係数を記憶するステップと、
前記複数の正弦値のうちの選択された正弦値および前記正弦波誤差関係における前記複数の補正係数のうちの選択された補正係数を使用して、前記ｘ−ｙ角度誤差値を決定するステップと、
前記補正されていないｘ−ｙ角度値を前記ｘ−ｙ角度誤差値と組み合わせて、前記第１の角度誤差成分より小さい第２の角度誤差成分を有する補正されたｘ−ｙ角度値を生成するステップと、
を含む方法。
【請求項１９】
前記複数の補正係数が、複数の温度区間のそれぞれの境界に関連付けられ、各温度区間が、温度の対によって境界され、前記ｘ−ｙ角度誤差値を生成するステップは、
温度を表す温度信号を生成するステップと、
前記温度値が含まれる温度区間を識別するステップと、
前記温度値に従って前記補正係数の対の間を補間して、複数の補間された補正係数を生成するステップと、
前記複数の補間された補正係数を使用してアルゴリズムを適用して、前記ｘ−ｙ角度誤差値を生成するステップと、
をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記複数の磁界検知素子は、円形縦型ホール（ＣＶＨ）素子として配置された複数の縦型ホール効果素子を含み、前記複数の縦型ホール効果素子の各々は、半導体基板の第１の主表面における共通円形注入および拡散領域の上に配置され、前記複数の縦型ホール効果素子は、前記半導体基板の前記第１の表面に平行なｘ−ｙ平面における方向成分を有する磁界に応答して、それぞれの複数のｘ−ｙ出力信号を生成するように構成され、前記ｘ−ｙ平面は、ｘ方向、および前記ｘ方向に直交するｙ方向を有し、前記複数のｘ−ｙ出力信号は、複数のサイクル周期で生成され、各サイクル周期は、前記ＣＶＨ検知素子の周りの１サイクルに対応し、前記サイクル周期は、サイクルレートで発生する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記選択された正弦値は、前記補正されていないｘ−ｙ角度値に従って選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記選択された正弦値は、前記補正されていないｘ−ｙ角度値に従って、および補間された位相係数に従って選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記アルゴリズムを適用するステップは、
温度依存正弦波誤差関係を使用して、前記磁界の前記角度について正弦波の前記第１の角度誤差成分を記述するステップを含み、前記複数の補正係数は、
対応する複数の異なる温度における前記正弦波誤差関係の１つまたは複数の高調波の振幅および位相を表す複数の補正係数を含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記複数の補正係数は、前記対応する複数の異なる温度における前記正弦波誤差関係の第１および第２の高調波の振幅および位相を表す複数の補正係数をさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記複数の補正係数は、前記対応する複数の異なる温度における前記正弦波誤差関係の平均角度誤差の振幅を表す複数の補正係数をさらに含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
プログラム制御値を受け取るステップと、
複数の正弦波誤差関係のうちから前記正弦波誤差関係を選択するステップと、
をさらに含む請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
プログラム制御値を受け取るステップと、
複数の補間タイプのうちから補間タイプを選択するステップと、
をさらに含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２８】
前記補間モジュールは、線形補間を生成するように構成された、請求項２０に記載の方法。
【請求項２９】
前記補間モジュールは、非線形補間を生成するように構成された、請求項２０に記載の方法。
【請求項３０】
前記複数の温度区間の境界は、不均等に温度間隔が空けられる、請求項２０に記載の方法。
【請求項３１】
温度の変化を検出するステップと、
温度の変化を示すまたは温度変化がないことを示す温度変化信号を生成するステップと、
前記温度変化信号が温度の変化を示すときに前記複数の補間された補正係数を変更し、前記温度変化信号が温度変化がないことを示すときに前記複数の補間された補正係数を維持するステップと、
をさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項３２】
前記サイクルレートに従ってサイクルレート補正値を生成するステップと、
前記サイクルレート補正値を、前記角度誤差値および前記補正されていない角度値と組み合わせて、前記第２の角度誤差成分より小さい第３の角度誤差成分を含むさらに補正されたｘ−ｙ角度値を生成するステップと、
をさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項３３】
電流スピンシーケンスに従って電流スピンシーケンス補正値を生成するステップと、
前記電流スピンシーケンス補正値を前記角度誤差値と組み合わせて、前記第２の角度誤差成分より小さい第３の角度誤差成分を含むさらに補正されたｘ−ｙ角度値を生成するステップと、
をさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項３４】
前記磁界の振幅に従って磁界強度補正値を生成するステップと、
前記磁界強度補正値を前記角度誤差値と組み合わせて、前記第２の角度誤差成分より小さい第３の角度誤差成分を含むさらに補正されたｘ−ｙ角度値を生成するステップと、
をさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項３５】
プログラム制御値を受け取るように結合されたプログラム制御レジスタをさらに備え、前記補間モジュールは、前記プログラム制御値を表す値を受け取るように結合され、前記プログラム制御値に応答して、前記補間モジュールは、前記プログラム制御値に従って、複数の正弦波誤差関係のうちから前記正弦波誤差関係を選択するように構成される、請求項１に記載の磁界センサ。
【請求項３６】
プログラム制御値を受け取るステップと、
前記プログラム制御値に従って、複数の正弦波誤差関係のうちから前記正弦波誤差関係を選択するステップと、
をさらに含む、請求項１８に記載の方法。