【手続補正書】
【提出日】平成27年11月13日(2015.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁場反転配位（ＦＲＣ）の磁場を生成し維持するシステムであって、
閉じ込めチャンバと、
前記閉じ込めチャンバに連結された第１および第２の直径方向に対向するＦＲＣ形成部分であって、前記形成部分は、ＦＲＣを生成するためのモジュール化された形成システムを備え、前記ＦＲＣを前記閉じ込めチャンバの中央平面に向かって移動させる、第１および第２の直径方向に対向するＦＲＣ形成部分と、
前記第１および第２の形成部分に連結された第１および第２のダイバータと、
前記第１および第２のダイバータ、前記第１および第２の形成部分ならびに前記閉じ込めチャンバに作動可能に連結された第１および第２の軸方向プラズマガンと、
前記閉じ込めチャンバに連結され、前記閉じ込めチャンバの前記軸に垂直に配向された複数の中性原子ビーム照射装置と、
前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに連結された磁気システムであって、前記磁気システムは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとの間の位置に第１および第２のミラープラグを含む、磁気システムと、
前記閉じ込めチャンバおよび前記第１および第２のダイバータに連結されたゲッタリング・システムと、
生成されたＦＲＣの電気的バイアスの開いた磁束表面に対する１つまたは複数のバイアス電極であって、前記１つまたは複数のバイアス電極は、前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータの１つまたは複数の内部に位置付けられる、１つまたは複数のバイアス電極と、
前記閉じ込めチャンバに連結された２つ以上のサドルコイルと、
前記閉じ込めチャンバに連結されたイオンペレット照射装置と
を備える、システム。
【請求項２】
前記システムは、磁場のない実質的に同じ半径（Ｒ）と割合Ｒ２／ρｉに実質的に依存する粒子閉じ込めスケーリングと有するＦＲＣの粒子閉じ込めより、少なくとも２倍の偏差だけ大きい粒子閉じ込めを有する、ＦＲＣを生成するように構成され、但し、ρｉは外部印加磁場において評価されたイオン・ラーモア半径である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記システムは、約１０−８トル以下の基準圧を有する真空を収容するように構築される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記磁気システムは、前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに沿った位置に軸方向に離間された、複数の疑似直流コイルを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記磁気システムは、前記閉じ込めチャンバの端部と前記第１および第２の形成部分との間に位置付けられた、ミラーコイルの第１のセットをさらに備える、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記ミラープラグは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間にミラーコイルの第２のセットを備える、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記ミラープラグは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間の通路内の収縮部を中心に巻き付けられた、ミラープラグのセットをさらに備える、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記ミラープラグコイルは、小型パルスミラーコイルである、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１および第２の形成部分は、細長い管を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記形成システムは、パルス電力形成システムである、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記形成システムは、前記第１および第２の形成部分の前記細長い管を中心に巻き付けられた、複数のストラップアセンブリの個々のコイルのセットを活性化するために、前記複数のストラップアセンブリの個々に連結された、複数の電力および制御ユニットを備える、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記複数の電力および制御ユニットのそれぞれは、トリガーおよび制御システムを備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記複数の電力および制御ユニットの前記それぞれの前記トリガーおよび制御システムは、前記ＦＲＣが形成され次いで照射される、静的ＦＲＣ形成、または前記ＦＲＣが形成され同時に移動される、動的ＦＲＣ形成を可能にするために同期可能である、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記複数の中性原子ビーム照射装置は、１つまたは複数のＲＦプラズマ源中性原子ビーム照射装置、および１つまたは複数のアーク源中性原子ビーム照射装置を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記複数の中性原子ビーム照射装置は、前記ＦＲＣのセパラトリックス内の目標トラッピング領域を備える前記ＦＲＣに接する照射通路で配向される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ゲッタリング・システムは、前記閉じ込めチャンバおよび前記第１および第２のダイバータのプラズマ対向面を被覆する、チタニウム成膜システムおよびリチウム成膜システムの１つまたは複数を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
バイアス電極は、開いた磁力線に接触するために、前記閉じ込めチャンバ内に位置付けられた１つまたは複数の点電極、方位的に対称の形で遠端磁束層に帯電させるための、前記閉じ込めチャンバと前記第１および第２の形成部分との間の環状電極のセット、複数の同心磁束層に帯電させるための、前記第１および第２のダイバータ内に位置付けられた複数の同心積層電極、ならびに開いた磁束を遮断するための前記プラズマガンの陽極の１つまたは複数を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
磁場反転配位（ＦＲＣ）の磁場を生成し維持するシステムであって、
閉じ込めチャンバと、
前記閉じ込めチャンバに連結された第１および第２の直径方向に対向するＦＲＣ形成部分と、
前記第１および第２の形成部分に連結された第１および第２のダイバータと、
複数のプラズマガンと、１つまたは複数のバイアス電極と、第１および第２のミラープラグとのうちの１つまたは複数であって、前記複数のプラズマガンは、前記第１および第２のダイバータ、前記第１および第２の形成部分ならびに前記閉じ込めチャンバに作動可能に連結された第１および第２の軸方向プラズマガンを含み、前記１つまたは複数のバイアス電極は、前記閉じ込めチャンバと、前記第１および第２の形成部分と、前記第１および第２のダイバータとのうちの１つまたは複数内に位置付けられ、前記第１および第２のミラープラグは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとの間に位置付けられている、複数のプラズマガンと、１つまたは複数のバイアス電極と、第１および第２のミラープラグとのうちの１つまたは複数と、
前記閉じ込めチャンバと前記第１および第２のダイバータとに連結されたゲッタリング・システムと、
前記閉じ込めチャンバに連結され、前記閉じ込めチャンバの前記軸に垂直に配向された複数の中性原子ビーム照射装置と、
前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータを中心に位置付けられた複数の疑似直流コイルを備える磁気システムであって、第１および第２のセットの疑似直流ミラーコイルは、前記閉じ込めチャンバと前記第１および第２の形成部分との間に位置付けられている、磁気システムと
を備える、システム。
【請求項１９】
前記システムは、磁場のない実質的に同じ半径（Ｒ）と割合Ｒ２／ρｉに実質的に依存する粒子閉じ込めスケーリングと有するＦＲＣの粒子閉じ込めより、少なくとも２倍の偏差だけ大きい粒子閉じ込めを有する、ＦＲＣを生成するように構成され、但し、ρｉは外部印加磁場において評価されたイオン・ラーモア半径である、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記ミラープラグは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間にミラーコイルの第３および第４のセットを備える、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２１】
前記ミラープラグは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間の通路内の収縮部を中心に巻き付けられた、ミラープラグのセットをさらに備える、請求項２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記第１および第２のダイバータ、前記第１および第２の形成部分ならびに前記閉じ込めチャンバに作動可能に連結された第１および第２の軸方向プラズマガンをさらに備える、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２３】
前記閉じ込めチャンバに連結された２つ以上のサドルコイルをさらに備える、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２４】
前記閉じ込めチャンバに連結されたイオンペレット照射装置をさらに備える、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２５】
前記形成部分は、ＦＲＣを生成するためのモジュール化された形成システムを備え、前記ＦＲＣを前記閉じ込めチャンバの中央平面に向かって移動させる、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２６】
バイアス電極は、開いた磁力線に接触するために、前記閉じ込めチャンバ内に位置付けられた１つまたは複数の点電極、方位的に対称の形で遠端磁束層に帯電させるための、前記閉じ込めチャンバと前記第１および第２の形成部分との間の環状電極のセット、複数の同心磁束層に帯電させるための、前記第１および第２のダイバータ内に位置付けられた複数の同心積層電極、ならびに開いた磁束を遮断するための前記プラズマガンの陽極の１つまたは複数を含む、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２７】
前記システムは、粒子、磁束またはエネルギー閉じ込めを有するＦＲＣを生成するように構成され、前記粒子、磁束またはエネルギー閉じ込めは、前記ＦＲＣ内に含有されるプラズマの電子の温度（Ｔｅ２）の二乗に比例する、請求項１〜１７に記載のシステム。
【請求項２８】
前記システムは、粒子、磁束またはエネルギー閉じ込めを有するＦＲＣを生成するように構成され、前記粒子、磁束またはエネルギー閉じ込めは、前記ＦＲＣ内に含有されるプラズマの電子の温度（Ｔｅ２）の二乗に比例する、請求項１８〜２６に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明のシステム、方法、特徴および利点は、以下の図および詳述を検討すると、当業者には明らかであり、または明らかになろう。すべてのこのような追加の方法、特徴および利点は、本明細書に含まれ、本発明の範囲内であり、添付の特許請求の範囲によって保護されることが意図される。また、本発明は、例示的実施形態の詳細を必要とするように限定されないことも意図される。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
磁場反転配位（ＦＲＣ）の磁場を生成し維持するシステムであって、
閉じ込めチャンバと、
前記閉じ込めチャンバに連結された第１および第２の直径方向に対向するＦＲＣ形成部分と、
前記閉じ込めチャンバに連結された複数の中性原子ビーム照射装置であって、前記システムは、割合Ｒ２／ρｉに実質的に依存する従来のＦＲＣ閉じ込めスケーリングより、少なくとも２倍の偏差だけ従来のＦＲＣの粒子閉じ込めより大きい前記粒子閉じ込めを有する、ＦＲＣを生成するように構成される、複数の中性原子ビーム照射装置と
を備える、システム。
（項目２）
前記第１および第２の形成部分に連結された、第１および第２のダイバータをさらに備える、項目１に記載のシステム。
（項目３）
前記第１および第２のダイバータは、軸方向に向いたプラズマガンを含む、項目２に記載のシステム。
（項目４）
ミラープラグをさらに備える、項目１に記載のシステム。
（項目５）
表面ゲッタリング・システムをさらに備える、項目１に記載のシステム。
（項目６）
前記閉じ込めチャンバに連結された複数のサドルコイルをさらに備える、項目１に記載のシステム。
（項目７）
ペレット照射装置をさらに備える、項目１に記載のシステム。
（項目８）
開いた磁束表面の電気的バイアスに対してバイアス電極をさらに備える、項目１に記載のシステム。
（項目９）
磁場反転配位（ＦＲＣ）の磁場を生成し維持するシステムであって、
閉じ込めチャンバと、
前記閉じ込めチャンバに連結された第１および第２の直径方向に対向するＦＲＣ形成部分であって、前記形成部分は、ＦＲＣを生成するためのモジュール化された形成システムを備え、前記ＦＲＣを前記閉じ込めチャンバの中央平面に向かって移動させる、第１および第２の直径方向に対向するＦＲＣ形成部分と、
前記第１および第２の形成部分に連結された第１および第２のダイバータと、
前記第１および第２のダイバータ、前記第１および第２の形成部分ならびに前記閉じ込めチャンバに作動可能に連結された第１および第２の軸方向プラズマガンと、
前記閉じ込めチャンバに連結され、前記閉じ込めチャンバの前記軸に垂直に配向された複数の中性原子ビーム照射装置と、
前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに連結された磁気システムであって、前記磁気システムは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとの間の位置に第１および第２のミラープラグを含む、磁気システムと、
前記閉じ込めチャンバおよび前記第１および第２のダイバータに連結されたゲッタリング・システムと、
生成されたＦＲＣの電気的バイアスの開いた磁束表面に対する１つまたは複数のバイアス電極であって、前記１つまたは複数のバイアス電極は、前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータの１つまたは複数の内部に位置付けられる、１つまたは複数のバイアス電極と、
前記閉じ込めチャンバに連結された２つ以上のサドルコイルと、
前記閉じ込めチャンバに連結されたイオンペレット照射装置と
を備える、システム。
（項目１０）
前記システムは、割合Ｒ２／ρｉに実質的に依存する従来のＦＲＣ閉じ込めスケーリングより、少なくとも２倍の偏差だけ従来のＦＲＣの粒子閉じ込めより大きい前記粒子閉じ込めを有する、ＦＲＣを生成するように構成され、但し、Ｒは前記ＦＲＣの磁場のない半径であり、ρｉは外部印加磁場において評価されたイオン・ラーモア半径である、項目９に記載のシステム。
（項目１１）
前記システムは、約１０−８トル以下の基準圧を有する真空を収容するように構築される、項目９に記載のシステム。
（項目１２）
前記磁気システムは、前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに沿った位置に軸方向に離間された、複数の疑似直流コイルを含む、項目９に記載のシステム。
（項目１３）
前記磁気システムは、前記閉じ込めチャンバの端部と前記第１および第２の形成部分との間に位置付けられた、ミラーコイルの第１のセットをさらに備える、項目１２に記載のシステム。
（項目１４）
前記ミラープラグは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間にミラーコイルの第２のセットを備える、項目１３に記載のシステム。
（項目１５）
前記ミラープラグは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間の通路内の収縮部を中心に巻き付けられた、ミラープラグのセットをさらに備える、項目１４に記載のシステム。
（項目１６）
前記ミラープラグコイルは、小型パルスミラーコイルである、項目１５に記載のシステム。
（項目１７）
前記第１および第２の形成部分は、細長い管を備える、項目９に記載のシステム。
（項目１８）
前記細長い管は、ライナーを有する石英管である、項目１７に記載のシステム。
（項目１９）
前記ライナーは、超高純度石英で形成される、項目１８に記載のシステム。
（項目２０）
前記形成システムは、パルス電力形成システムである、項目１７に記載のシステム。
（項目２１）
前記形成システムは、前記第１および第２の形成部分の前記細長い管を中心に巻き付けられた、前記ストラップアセンブリの個々のコイルのセットを活性化するために、複数のストラップアセンブリの個々に連結された、複数の電力および制御ユニットを備える、項目１７に記載のシステム。
（項目２２）
前記複数の電力および制御ユニットのそれぞれは、トリガーおよび制御システムを備える、項目２１に記載のシステム。
（項目２３）
前記複数の電力および制御ユニットの前記それぞれの前記トリガーおよび制御システムは、前記ＦＲＣが形成され次いで照射される、静的ＦＲＣ形成、または前記ＦＲＣが形成され同時に移動される、動的ＦＲＣ形成を可能にするために同期可能である、項目２２に記載のシステム。
（項目２４）
前記複数の中性原子ビーム照射装置は、１つまたは複数のＲＦプラズマ源中性原子ビーム照射装置、および１つまたは複数のアーク源中性原子ビーム照射装置を備える、項目９に記載のシステム。
（項目２５）
前記複数の中性原子ビーム照射装置は、前記ＦＲＣのセパラトリックス内の目標トラッピング領域を備える前記ＦＲＣに接する照射通路で配向される、項目９に記載のシステム。
（項目２６）
前記ペレット照射装置は、前記閉じ込めチャンバに連結され、イオンペレットを前記ＦＲＣに直接配向する、１２バレルペレット照射装置である、項目２５に記載のシステム。
（項目２７）
前記ゲッタリング・システムは、前記閉じ込めチャンバおよび前記第１および第２のダイバータのプラズマ対向面を被覆する、チタニウム成膜システムおよびリチウム成膜システムの１つまたは複数を備える、項目９に記載のシステム。
（項目２８）
前記成膜システムは、蒸着技法を利用する、項目２７に記載のシステム。
（項目２９）
前記リチウム成膜システムは、ガイドノズルを備える複数の原子炉を備える、項目２７に記載のシステム。
（項目３０）
前記チタニウム成膜システムは、ガイドシュラウドを備える複数の中実の加熱球を備える、項目２７に記載のシステム。
（項目３１）
バイアス電極は、開いた磁力線に接触するために、前記閉じ込めチャンバ内に位置付けられた１つまたは複数の点電極、方位的に対称の形で遠端磁束層に帯電させるための、前記閉じ込めチャンバと前記第１および第２の形成部分との間の環状電極のセット、複数の同心磁束層に帯電させるための、前記第１および第２のダイバータ内に位置付けられた複数の同心積層電極、ならびに開いた磁束を遮断するための前記プラズマガンの陽極の１つまたは複数を含む、項目９に記載のシステム。
（項目３２）
磁場反転配位（ＦＲＣ）の磁場を生成し維持するシステムであって、
閉じ込めチャンバと、
前記閉じ込めチャンバに連結された第１および第２の直径方向に対向するＦＲＣ形成部分と、
前記第１および第２の形成部分に連結された第１および第２のダイバータと、
前記第１および第２のダイバータ、前記第１および第２の形成部分ならびに前記閉じ込めチャンバに作動可能に連結された第１および第２の軸方向プラズマガンと、
前記閉じ込めチャンバに連結され、前記閉じ込めチャンバの前記軸に垂直に配向された複数の中性原子ビーム照射装置と、
前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに連結された磁気システムであって、前記磁気システムは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとの間の位置に第１および第２のミラープラグを含む、磁気システムと
を備える、システム。
（項目３３）
前記システムは、割合Ｒ２／ρｉに実質的に依存する従来のＦＲＣ閉じ込めスケーリングより、少なくとも２倍の偏差だけ従来のＦＲＣの粒子閉じ込めより大きい前記粒子閉じ込めを有する、ＦＲＣを生成するように構成され、但し、Ｒは前記ＦＲＣの磁場のない半径であり、ρｉは外部印加磁場において評価されたイオン・ラーモア半径である、項目３２に記載のシステム。
（項目３４）
前記磁気システムは、前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに沿った位置に軸方向に離間された、複数の疑似直流コイルを含む、項目３２に記載のシステム。
（項目３５）
前記磁気システムは、前記閉じ込めチャンバの端部と前記第１および第２の形成部分との間に位置付けられた、ミラーコイルの第１のセットをさらに備える、項目３４に記載のシステム。
（項目３６）
前記ミラープラグは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間にミラーコイルの第２のセットを備える、項目３５に記載のシステム。
（項目３７）
前記ミラープラグは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間の通路内の収縮部を中心に巻き付けられた、ミラープラグのセットをさらに備える、項目３６に記載のシステム。
（項目３８）
前記ミラープラグコイルは、小型パルスミラーコイルである、項目３７に記載のシステム。
（項目３９）
前記閉じ込めチャンバに連結され、前記閉じ込めチャンバの前記軸に垂直に配向された複数の中性原子ビーム照射装置をさらに備える、項目３２に記載のシステム。
（項目４０）
前記第１および第２のダイバータ、前記第１および第２の形成部分ならびに前記閉じ込めチャンバに作動可能に連結された第１および第２の軸方向プラズマガンをさらに備える、項目３９に記載のシステム。
（項目４１）
前記閉じ込めチャンバおよび前記第１および第２のダイバータに連結されたゲッタリング・システムをさらに備える、項目３９に記載のシステム。
（項目４２）
生成されたＦＲＣの電気的バイアスの開いた磁束表面に対する１つまたは複数のバイアス電極であって、前記１つまたは複数のバイアス電極は、前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータの１つまたは複数の内部に位置付けられる、１つまたは複数のバイアス電極をさらに備える、項目３９に記載のシステム。
（項目４３）
前記閉じ込めチャンバに連結された２つ以上のサドルコイルをさらに備える、項目３９に記載のシステム。
（項目４４）
前記閉じ込めチャンバに連結されたイオンペレット照射装置をさらに備える、項目３９に記載のシステム。
（項目４５）
前記形成部分は、ＦＲＣを生成するためのモジュール化された形成システムを備え、前記ＦＲＣを前記閉じ込めチャンバの中央平面に向かって移動させる、項目３９に記載のシステム。
（項目４６）
磁場反転配位（ＦＲＣ）の磁場を生成し維持するシステムであって、
閉じ込めチャンバと、
前記閉じ込めチャンバに連結された第１および第２の直径方向に対向するＦＲＣ形成部分と、
前記第１および第２の形成部分に連結された第１および第２のダイバータと、
前記閉じ込めチャンバに連結され、前記閉じ込めチャンバの前記軸に垂直に配向された複数の中性原子ビーム照射装置と、
前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに連結された磁気システムと、
生成されたＦＲＣの電気的バイアスの開いた磁束表面に対する１つまたは複数のバイアス電極であって、前記１つまたは複数のバイアス電極は、前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータの１つまたは複数の内部に位置付けられる、１つまたは複数のバイアス電極と
を備える、システム。
（項目４７）
前記システムは、割合Ｒ２／ρｉに実質的に依存する従来のＦＲＣ閉じ込めスケーリングより、少なくとも２倍の偏差だけ従来のＦＲＣの粒子閉じ込めより大きい前記粒子閉じ込めを有する、ＦＲＣを生成するように構成され、但し、Ｒは前記ＦＲＣの磁場のない半径であり、ρｉは外部印加磁場において評価されたイオン・ラーモア半径である、項目４６に記載のシステム。
（項目４８）
バイアス電極は、開いた磁力線に接触するために、前記閉じ込めチャンバ内に位置付けられた１つまたは複数の点電極、方位的に対称の形で遠端磁束層に帯電させるための、前記閉じ込めチャンバと前記第１および第２の形成部分との間の環状電極のセット、複数の同心磁束層に帯電させるための、前記第１および第２のダイバータ内に位置付けられた複数の同心積層電極、ならびに開いた磁束を遮断するための前記プラズマガンの陽極の１つまたは複数を含む、項目４６に記載のシステム。
（項目４９）
前記磁気システムは、前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに沿った位置に軸方向に離間された、複数の疑似直流コイルを含む、項目４６に記載のシステム。
（項目５０）
前記磁気システムは、前記閉じ込めチャンバの端部と前記第１および第２の形成部分との間に位置付けられた、ミラーコイルの第１のセットをさらに備える、項目４９に記載のシステム。
（項目５１）
前記磁気システムは、第１および第２のミラープラグをさらに備え、ミラープラグの前記第１および第２のセットは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間にミラーコイルの第２のセットを備える、項目５０に記載のシステム。
（項目５２）
前記第１および第２のミラープラグは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間の通路内の収縮部を中心に巻き付けられた、ミラープラグのセットをさらに備える、項目５１に記載のシステム。
（項目５３）
前記ミラープラグコイルは、小型パルスミラーコイルである、項目５２に記載のシステム。
（項目５４）
前記第１および第２の形成部分は、細長い石英管を備える、項目４６に記載のシステム。
（項目５５）
前記形成部分は、前記石英管に連結されたパルス電力形成システムを備える、項目５４に記載のシステム。
（項目５６）
前記形成システムは、前記第１および第２の形成部分の前記細長い管を中心に巻き付けられた、前記ストラップアセンブリの個々のコイルのセットを活性化するために、複数のストラップアセンブリの個々に連結された、複数の電力および制御ユニットを備える、項目５５に記載のシステム。
（項目５７）
前記複数の電力および制御ユニットのそれぞれは、トリガーおよび制御システムを備える、項目５６に記載のシステム。
（項目５８）
前記複数の電力および制御ユニットの前記それぞれの前記トリガーおよび制御システムは、前記ＦＲＣが形成され次いで照射される、静的ＦＲＣ形成、または前記ＦＲＣが形成され同時に移動される、動的ＦＲＣ形成を可能にするために同期可能である、項目５７に記載のシステム。
（項目５９）
前記複数の中性原子ビーム照射装置は、前記ＦＲＣのセパラトリックス内の目標トラッピング領域を備える前記ＦＲＣに接する照射通路で配向される、項目４６に記載のシステム。
（項目６０）
前記閉じ込めチャンバに連結されたイオンペレット照射装置をさらに備える、項目４６に記載のシステム。
（項目６１）
前記閉じ込めチャンバに連結された２つ以上のサドルコイルをさらに備える、項目４６に記載のシステム。
（項目６２）
前記閉じ込めチャンバおよび前記第１および第２のダイバータに連結されたゲッタリング・システムをさらに備える、項目４６に記載のシステム。
（項目６３）
前記第１および第２のダイバータ、前記第１および第２の形成部分ならびに前記閉じ込めチャンバに作動可能に連結された第１および第２の軸方向プラズマガンをさらに備える、項目４６に記載のシステム。
（項目６４）
磁場反転配位（ＦＲＣ）の磁場を生成し維持するシステムであって、
閉じ込めチャンバと、
前記閉じ込めチャンバに連結された第１および第２の直径方向に対向するＦＲＣ形成部分と、
前記第１および第２の形成部分に連結された第１および第２のダイバータと、
前記第１および第２のダイバータ、前記第１および第２の形成部分ならびに前記閉じ込めチャンバに作動可能に連結された第１および第２の軸方向プラズマガンと、
前記閉じ込めチャンバに連結され、前記閉じ込めチャンバの前記軸に垂直に配向された複数の中性原子ビーム照射装置と、
前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに連結された磁気システムと
を備える、システム。
（項目６５）
前記システムは、割合Ｒ２／ρｉに実質的に依存する従来のＦＲＣ閉じ込めスケーリングより、少なくとも２倍の偏差だけ従来のＦＲＣの粒子閉じ込めより大きい前記粒子閉じ込めを有する、ＦＲＣを生成するように構成され、但し、Ｒは前記ＦＲＣの磁場のない半径であり、ρｉは外部印加磁場において評価されたイオン・ラーモア半径である、項目６４に記載のシステム。
（項目６６）
前記第１および第２の形成部分のそれぞれは、細長い管、および前記細長い管に連結されたパルス電力形成システムを備える、項目６４に記載のシステム。
（項目６７）
前記形成システムは、前記第１および第２の形成部分の前記細長い管を中心に巻き付けられた、前記ストラップアセンブリの個々のコイルのセットを活性化するために、複数のストラップアセンブリの個々に連結された、複数の電力および制御ユニットを備える、項目６６に記載のシステム。
（項目６８）
前記複数の電力および制御ユニットのそれぞれは、トリガーおよび制御システムを備える、項目６７に記載のシステム。
（項目６９）
前記複数の電力および制御ユニットの前記それぞれの前記トリガーおよび制御システムは、前記ＦＲＣが形成され次いで照射される、静的ＦＲＣ形成、または前記ＦＲＣが形成され同時に移動される、動的ＦＲＣ形成を可能にするために同期可能である、項目６８に記載のシステム。
（項目７０）
生成されたＦＲＣの電気的バイアスの開いた磁束表面に対する１つまたは複数のバイアス電極をさらに備える、項目６４に記載のシステム。
（項目７１）
前記１つまたは複数のバイアス電極は、開いた磁力線に接触するために、前記閉じ込めチャンバ内に位置付けられた１つまたは複数の点電極、方位的に対称の形で遠端磁束層に帯電させるための、前記閉じ込めチャンバと前記第１および第２の形成部分との間の環状電極のセット、複数の同心磁束層に帯電させるための、前記第１および第２のダイバータ内に位置付けられた複数の同心積層電極、ならびに開いた磁束を遮断するための前記プラズマガンの陽極の１つまたは複数を含む、項目７０に記載のシステム。
（項目７２）
前記磁気システムは、前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに沿った位置に軸方向に離間された、複数の疑似直流コイル、ならびに前記閉じ込めチャンバの端部と前記第１および第２の形成部分との間に位置付けられた、ミラーコイルの第１のセットを含む、項目６４に記載のシステム。
（項目７３）
前記磁気システムは、第１および第２のミラープラグをさらに備え、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間のミラーコイルの第２のセットを備える、項目７２に記載のシステム。
（項目７４）
前記ミラープラグは、前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間の通路内の収縮部を中心に巻き付けられた、小型パルスミラープラグコイルのセットをさらに備える、項目７３に記載のシステム。
（項目７５）
前記複数の中性原子ビーム照射装置は、前記ＦＲＣのセパラトリックス内の目標トラッピング領域を備える前記ＦＲＣに接する照射通路で配向される、項目６４に記載のシステム。
（項目７６）
前記閉じ込めチャンバに連結されたイオンペレット照射装置をさらに備える、項目６４に記載のシステム。
（項目７７）
前記閉じ込めチャンバに連結された２つ以上のサドルコイルをさらに備える、項目６４に記載のシステム。
（項目７８）
前記閉じ込めチャンバおよびゲッタリング材料の層を有する前記第１および第２のダイバータの前記プラズマ対向面を被覆するように構成されたゲッタリング・システムをさらに備える、項目４６に記載のシステム。
（項目７９）
磁場反転配位（ＦＲＣ）の磁場を生成し維持するシステムであって、
閉じ込めチャンバと、
前記閉じ込めチャンバに連結された第１および第２の直径方向に対向するＦＲＣ形成部分と、
前記第１および第２の形成部分に連結された第１および第２のダイバータと、
前記閉じ込めチャンバに連結され、前記閉じ込めチャンバの前記軸に垂直に配向された複数の中性原子ビーム照射装置と、
前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに連結された磁気システムと、
前記閉じ込めチャンバおよびゲッタリング材料の層を有する前記第１および第２のダイバータの前記プラズマ対向面を被覆するように構成されたゲッタリング・システムと
を備える、システム。
（項目８０）
前記システムは、割合Ｒ２／ρｉに実質的に依存する従来のＦＲＣ閉じ込めスケーリングより、少なくとも２倍の偏差だけ従来のＦＲＣの粒子閉じ込めより大きい前記粒子閉じ込めを有する、ＦＲＣを生成するように構成され、但し、Ｒは前記ＦＲＣの磁場のない半径であり、ρｉは外部印加磁場において評価されたイオン・ラーモア半径である、項目７９に記載のシステム。
（項目８１）
前記ゲッタリング・システムは、前記閉じ込めチャンバおよび前記第１および第２のダイバータのプラズマ対向面を被覆する、チタニウム成膜システムおよびリチウム成膜システムの１つまたは複数を備える、項目７９に記載のシステム。
（項目８２）
前記成膜システムは、蒸着技法を利用する、項目８１に記載のシステム。
（項目８３）
前記リチウム成膜システムは、ガイドノズルを備える複数の原子炉を備える、項目８１に記載のシステム。
（項目８４）
前記チタニウム成膜システムは、ガイドシュラウドを備える複数の中実の加熱球を備える、項目８１に記載のシステム。
（項目８５）
前記第１および第２のダイバータ、前記第１および第２の形成部分ならびに前記閉じ込めチャンバに作動可能に連結された第１および第２の軸方向プラズマガンをさらに備える、項目７９に記載のシステム。
（項目８６）
前記第１および第２の形成部分のそれぞれは、細長い管、および前記細長い管に連結されたパルス電力形成システムを備える、項目７９に記載のシステム。
（項目８７）
前記形成システムは、前記第１および第２の形成部分の前記細長い管を中心に巻き付けられた、前記ストラップアセンブリの個々のコイルのセットを活性化するために、複数のストラップアセンブリの個々に連結された、複数の電力および制御ユニットを備える、項目８６に記載のシステム。
（項目８８）
生成されたＦＲＣの電気的バイアスの開いた磁束表面に対する１つまたは複数のバイアス電極をさらに備える、項目７９に記載のシステム。
（項目８９）
前記１つまたは複数のバイアス電極は、開いた磁力線に接触するために、前記閉じ込めチャンバ内に位置付けられた１つまたは複数の点電極、方位的に対称の形で遠端磁束層に帯電させるための、前記閉じ込めチャンバと前記第１および第２の形成部分との間の環状電極のセット、複数の同心磁束層に帯電させるための、前記第１および第２のダイバータ内に位置付けられた複数の同心積層電極、ならびに開いた磁束を遮断するための前記プラズマガンの陽極の１つまたは複数を含む、項目８８に記載のシステム。
（項目９０）
前記磁気システムは、前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに沿った位置に軸方向に離間された、複数の疑似直流コイル、前記閉じ込めチャンバの端部と前記第１および第２の形成部分との間に位置付けられた、ミラーコイルの第１のセット、ならびに前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間のミラーコイルの第２のセットを含む、項目７９に記載のシステム。
（項目９１）
前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間の通路内の収縮部を中心に巻き付けられた、小型パルスミラーコイルのセットをさらに備える、項目７９に記載のシステム。
（項目９２）
磁場反転配位（ＦＲＣ）の磁場を生成し維持するシステムであって、
閉じ込めチャンバと、
前記閉じ込めチャンバに連結された第１および第２の直径方向に対向するＦＲＣ形成部分と、
前記第１および第２の形成部分に連結された第１および第２のダイバータと、
前記閉じ込めチャンバに連結され、前記閉じ込めチャンバの前記軸に垂直に配向された複数の中性原子ビーム照射装置と、
前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに連結された磁気システムであって、前記磁気システムは、前記閉じ込めチャンバの前記中央平面の各側面上に前記閉じ込めチャンバに連結された２つ以上のサドルコイルを備える、磁気システムと
を備える、システム。
（項目９３）
前記システムは、割合Ｒ２／ρｉに実質的に依存する従来のＦＲＣ閉じ込めスケーリングより、少なくとも２倍の偏差だけ従来のＦＲＣの粒子閉じ込めより大きい前記粒子閉じ込めを有する、ＦＲＣを生成するように構成され、但し、Ｒは前記ＦＲＣの磁場のない半径であり、ρｉは外部印加磁場において評価されたイオン・ラーモア半径である、項目９２に記載のシステム。
（項目９４）
前記第１および第２のダイバータ、前記第１および第２の形成部分ならびに前記閉じ込めチャンバに作動可能に連結された第１および第２の軸方向プラズマガンをさらに備える、項目９２に記載のシステム。
（項目９５）
前記第１および第２の形成部分のそれぞれは、細長い管、および前記細長い管に連結されたパルス電力形成システムを備える、項目９２に記載のシステム。
（項目９６）
生成されたＦＲＣの電気的バイアスの開いた磁束表面に対する１つまたは複数のバイアス電極をさらに備える、項目９２に記載のシステム。
（項目９７）
前記１つまたは複数のバイアス電極は、開いた磁力線に接触するために、前記閉じ込めチャンバ内に位置付けられた１つまたは複数の点電極、方位的に対称の形で遠端磁束層に帯電させるための、前記閉じ込めチャンバと前記第１および第２の形成部分との間の環状電極のセット、複数の同心磁束層に帯電させるための、前記第１および第２のダイバータ内に位置付けられた複数の同心積層電極、ならびに開いた磁束を遮断するための前記プラズマガンの陽極の１つまたは複数を含む、項目９６に記載のシステム。
（項目９８）
前記磁気システムは、前記閉じ込めチャンバ、前記第１および第２の形成部分、ならびに前記第１および第２のダイバータに沿った位置に軸方向に離間された、複数の疑似直流コイル、前記閉じ込めチャンバの端部と前記第１および第２の形成部分との間に位置付けられた、ミラーコイルの第１のセット、ならびに前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間のミラーコイルの第２のセットを含む、項目９２に記載のシステム。
（項目９９）
前記第１および第２の形成部分と前記第１および第２のダイバータとのそれぞれの間の通路内の収縮部を中心に巻き付けられた、小型パルスミラーコイルのセットをさらに備える、項目９８に記載のシステム。