【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年12月15日(2015.12.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリデバイスのための物理メモリインタフェースを制御するための方法であって、
第１および第２の電力コンテキストを格納することと、
前記メモリデバイスからのデータ読取りおよび前記メモリデバイスへのデータ書込みのためにタイミング遅延を提供するように構成された複数の調整可能な遅延素子を提供することであって、各調整可能な遅延素子が、前記第１および第２の電力コンテキストのうちの選択された１つに応答する遅延時間を有する、複数の調整可能な遅延素子を提供することと、
電力コンテキスト変更要求を受信することと、
前記電力コンテキスト変更要求に基づいて、前記第１および第２の電力コンテキストのうちの１つを選択することと
を含む方法。
【請求項２】
前記第１および第２の電力コンテキストのうちの１つを選択する前に、前記メモリデバイスに関連したセルフリフレッシュモードを選択するように構成されたセルフリフレッシュ出力を生成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の電力コンテキストを格納するように構成された第１のセットのレジスタを提供することと、
前記第２の電力コンテキストを格納するように構成された第２のセットのレジスタを提供することと、
前記電力コンテキスト変更要求に応答して、前記第１および前記第２のセットのレジスタのうちの１つを選択することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電力コンテキスト変更要求に応答して、前記物理インタフェースの少なくとも１つのドライバに対する選択可能なドライブ強度を調整することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記電力コンテキスト変更要求に応答して、前記物理インタフェースの少なくとも１つの受信器に対する選択可能な終端インピーダンスを調整することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１のメモリトレーニング段階を経て前記第１の電力コンテキストを生成することと、
第２のメモリトレーニング段階を経て前記第２の電力コンテキストを生成することとをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
電力制御インタフェース（ＡＣＰＩ）Ｓ３電力状態から復帰すると、前記第１および第２の電力コンテキストのうちの少なくとも１つを復元することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１および第２の電力コンテキストをサウスブリッジ上のメモリ位置から取り出すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１および第２の電力コンテキストをノースブリッジ上のメモリ位置から取り出すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
メモリデバイスのための物理メモリインタフェースであって、
第１の電力コンテキストおよび第２の電力コンテキストを受信するように構成された複数のレジスタと、
前記第１および第２の電力コンテキストのうちの１つを選択するように構成された選択回路と、
前記メモリデバイスからのデータ読取りおよび前記メモリデバイスへのデータ書込みのためにタイミング遅延を提供するように構成された複数の調整可能な遅延素子であって、各調整可能な遅延素子が、前記第１および第２の電力コンテキストのうちの前記選択された１つに応答する遅延時間を有する、複数の調整可能な遅延素子と
を含む、物理メモリインタフェース。
【請求項１１】
前記選択回路が、前記第１および第２の電力コンテキストのうちの前記選択された１つをメモリ位置から取り出す、請求項１０に記載の物理メモリインタフェース。
【請求項１２】
前記第１の電力コンテキストを格納するように構成された第１のセットのレジスタと、
前記第２の電力コンテキストを格納するように構成された第２のセットのレジスタとをさらに含み、
前記選択回路が前記第１と第２のセットのレジスタとの間で選択するように構成されている、請求項１０に記載の物理メモリインタフェース。
【請求項１３】
各々が、前記第１および第２の電力コンテキストのうちの前記選択された１つに応答して選択可能なドライブ強度を有する、複数のドライバをさらに含む、請求項１０に記載の物理メモリインタフェース。
【請求項１４】
各々が前記第１および第２の電力コンテキストのうちの前記選択された１つに応答して選択可能な終端インピーダンスを有する複数の受信器をさらに含む、請求項１０に記載の物理メモリインタフェース。
【請求項１５】
前記第１の電力コンテキストが第１のメモリトレーニング段階を経て決定され、かつ、前記第２の電力コンテキストが第２のメモリトレーニング段階を経て決定される、請求項１０に記載の物理メモリインタフェース。
【請求項１６】
物理メモリデバイスの複数のチャネルのためのインタフェースをさらに含む、請求項１０に記載の物理メモリインタフェース。
【請求項１７】
前記物理メモリインタフェースが、中央処理装置（ＣＰＵ）のダイ上に配置されている、請求項１０に記載の物理メモリインタフェース。
【請求項１８】
電力制御インタフェース（ＡＣＰＩ）Ｓ３電力状態から復帰すると、前記第１および第２の電力コンテキストのうちの少なくとも１つを取り出すように構成されたメモリインタフェースをさらに含む、請求項１０に記載の物理メモリインタフェース。
【請求項１９】
前記第１および第２の電力コンテキストをメモリ位置からロードするように構成されたメモリインタフェースをさらに含む、請求項１０に記載の物理メモリインタフェース。
【請求項２０】
前記物理メモリインタフェースに結合されたメモリデバイスをさらに含み、前記メモリデバイスが、前記第１および第２の電力コンテキストのうちの前記選択された１つに関連する前記タイミング遅延を用いて、データの読取りおよび書込みのために構成されている、請求項１０に記載の物理メモリインタフェース。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
別の実施形態では、Ｐｈｙインタフェースは、第１の電力コンテキストを格納するように構成された第１のセットのＣＳＲおよび第２の電力コンテキストを格納するように構成された第２のセットのＣＳＲを含む。Ｐｈｙインタフェースは、各々が、選択された電力コンテキストに応答する選択可能なドライブ強度を有する複数のドライバも含む。Ｐｈｙインタフェースは、各々が、選択された電力コンテキストに応答する選択可能な終端インピーダンスを有する複数の受信器も含む。電力コンテキスト間での切替えは、１つまたは複数のドライバ／受信器のドライブ強度および／または終端インピーダンスの調整という結果になり得る。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
Ｐｈｙインタフェースは、また、送信器のドライブ強度および受信器の終端インピーダンスの調整または選択も行い得る。固定のタイミング遅延、送信器ドライブ強度および受信器終端インピーダンスを使用するよりも、これらのパラメータは、コンピュータシステムが作動されるたびに調整され得る。これは、通常、トレーニングプログラムの支援を受けて達成される。トレーニングプログラムは、通常、基本入出力システム（ＢＩＯＳ）メモリデバイス２６に格納されるが、装置ハードウェア内にも実装され得る。トレーニングプログラムは、パワーオンセルフテスト（ＰＯＳＴ）中にアルゴリズムを実行し、それが、多数のメモリインタフェース信号に関連した、適切なタイミング遅延、ドライブ強度および終端インピーダンスを決定する。これらのパラメータは、Ｐｈｙへの、およびＰｈｙからの様々な信号経路の全体的なタイミングを定義する複数のレジスタでＰｈｙインタフェース内に保存される。別の方法では、これらのパラメータは、別の場所（例えば、ノースブリッジ１４またはサウスブリッジ１６内）に格納され得る。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
図２に示すように、ＤＱ  ３２（データ）およびＤＱＳ  ３４（ストローブ）線は双方向である。各ＤＩＭＭは、複数のＤＱ線（例えば、６４データビット）および複数のＤＱＳ線を有することを理解すべきである。これらの線の各々は、Ｐｈｙインタフェース２２内に、関連するドライバ５２、５６および受信器５４、５８を有する。図２では、明確にするために、単一のドライバ／受信器の対を示す。各ドライバは、選択可能または調整可能なドライブ出力を有する。同様に、各受信器は、選択可能または調整可能な終端インピーダンス（例えば、オンダイ終端（ｏｎ  ｄｉｅ  ｔｅｒｍｉｎａｔｉｏｎ））を有する。ＤＱおよびＤＱＳ線３２、３４は、遅延ロックループ（ＤＬＬ）７２、７４、７６などの遅延素子にも関連する。遅延素子（例えば、７０〜７６）、ドライブ強度または終端インピーダンス値に対する調整は、以下でさらに詳細に説明するように、適切な値を、関連するＣＳＲ  ４２の適切なフィールド内にプログラミングすることによって達成される。ＣＳＲ間の論理結合および遅延素子、ドライブ強度または終端インピーダンスにおける調整は、一般に、点線で示される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
Ｐｈｙインタフェースは、所望の性能レベルに基づき、その要求される電力を調整し得る。電力コンテキストをいつ変更すべきかの決定は、様々な情報源に由来し得ることを理解すべきである。例えば、オペレーティングシステムは、コンテキスト変更が要求されることを（例えば、アイドル時間の設定期間後、ユーザーコマンド、時間スケジュールまたは同様のものによって）判断し得る。別の方法では、コンテキスト変更がいつ要求されるかを判断するためにハードウェアが使用され得る。コンテキスト変更は、異なる電力状態に関連する、異なるセットのＰｈｙインタフェースパラメータ間で切り替えることにより達成される。例えば、高電力状態（例えば、より高いメモリ速度）および低電力状態（例えば、より低いメモリ速度）。各電力状態は、Ｐｈｙインタフェースパラメータまたはコンテキストの関連するセット（つまり、各信号線に対する遅延素子設定、ドライブ強度および終端インピーダンス）を有する。以降で詳述するように、電力状態間の切替えは、いくつかの方法で達成され得る。本明細書で開示するように、複数の電力状態間の切替えは、任意のメモリタイプに適用でき、以下の例で使用されるように、ＤＤＲメモリとの使用に限定されないことを理解すべきである。