(57)【要約】【課題】電力用機器に用いられる絶縁媒体からのアセチレンガスの効率的な検出を図ったアセチレンガスセンサを提供する。【解決手段】アセチレンガスセンサが，１５１０ｎｍ〜１５４０ｎｍの少なくとも一部の波長を含む第１の波長域，およびこの第１の波長域から１００ｎｍ以内の波長を含む第２の波長域の光を出射する光源と，流体が封入され，かつ前記光が通過する空間を有する容器と，前記容器を通過した光を第１，第２の光に分岐する光分岐器と，前記第１の光が入射され，前記第１の波長域の光を通過し，前記第２の波長域の光を遮断する第１のフィルタと，前記第２の光が入射され，前記第２の波長域の光を通過し，前記第１の波長域の光を遮断する第２のフィルタと，を備える。【選択図】図１
2013053949.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１５１０ｎｍ〜１５４０ｎｍの少なくとも一部の波長を含む第１の波長域，およびこの第１の波長域から１００ｎｍ以内の波長を含む第２の波長域の光を出射する光源と，
前記光源から出射される光を伝達する第１の光ファイバと，
前記第１の光ファイバで伝達された光を平行光に変換する第１のレンズと，
流体が封入され，かつ前記第１のレンズから出射される光が通過する空間を有する容器と，
前記空間内を通過した平行光を収束光に変換する第２のレンズと，
前記第２のレンズから出射される光を伝達する第２の光ファイバと，
前記第２の光ファイバで伝達された光を第１，第２の光に分岐する光分岐器と，
前記第１の光が入射され，前記第１の波長域の光を通過し，前記第２の波長域の光を遮断する第１のフィルタと，
前記第２の光が入射され，前記第２の波長域の光を通過し，前記第１の波長域の光を遮断する第２のフィルタと，
前記第１のフィルタから出射される光を受光する第１の光検出器と，
前記第２のフィルタから出射される光を受光する第２の光検出器と，
前記第１，第２の光検出器それぞれからの第１，第２の電気信号に基づいて，前記流体中のアセチレンガス量を算出する信号処理器と，
を備えることを特徴とするアセチレンガスセンサ。
【請求項２】
前記光源が，前記第１，第２の波長域の赤外光を発光波長領域に含むスーパールミネッセンスダイオード（ＳＬＤ）である
ことを特徴とする請求項１記載のアセチレンガスセンサ。
【請求項３】
前記光源が，
前記第１の波長域の赤外光を発光波長領域に含む第１の赤外光レーザと，
前記第２の波長域の赤外光を発光波長領域に含む第２の赤外光レーザと，
前記第１，第２の赤外光レーザから出射される光を混合する混合器と，を有する
ことを特徴とする請求項１記載のアセチレンガスセンサ。
【請求項４】
前記容器が，互いに対向する第１，第２の面と，これら第１，第２の面それぞれに配置され，前記第１，第２の波長域の光を透過する材料からなる第１，第２の窓と，を有し，
前記第１，第２のレンズが，前記容器の外部に，前記第１，第２の窓と対向して配置される
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のアセチレンガスセンサ。
【請求項５】
前記第１，第２のレンズが，前記容器の内部に，互いに対向して配置される
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のアセチレンガスセンサ。
【請求項６】
前記容器が，電気機器およびこの電気機器を収納し絶縁媒体を充填する電気機器容器を含む，前記電力用機器に接続されるか，少なくとも前記電力用機器の一部であり，
前記流体が前記絶縁媒体である
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のアセチレンガスセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，アセチレンガスを検出するアセチレンガスセンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
電力用機器（電気機器およびこの電気機器を収納し絶縁媒体を充填する電気機器容器を含む）の異常や劣化を診断できる装置が提案されている（特許文献１，２参照）。
特許文献１記載の装置では，電気機器容器に連通するパイプの外側の開口を透明のガラス管で閉塞し，このガラス管の内部に絶縁媒体中に含まれる分解ガスを色変化により検知する検知管を配置する。検知管の変色を光センサで監視することで，電力用機器の異常や劣化の診断が可能となる。
【０００３】
特許文献２記載の装置では，光源から発せられた光を，測定対象ガスが入ったガス検知用セルを通過させた後，ビームスプリッタで２つに分ける。２つに分けた一方の光を，検出対象ガスの吸収波長を有する光のみを透過させる干渉フィルタを通し，他方の光を測定対象の吸収波長以外を透過させる干渉フィルタを透過させる。各々の干渉フィルタを透過した光をビームスプリッタによって再び結合し，結合により生じた干渉光を電気信号に変換し，その強弱により検出対象のガス濃度を検出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３７３８１３号公報
【特許文献２】実開平５−５５０５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし，特許文献１記載の装置においては，アセチレンガスに対する検知管の検出感度が問題となる。アセチレンガスは，特にア−ク放電や部分放電に起因するガスであり，検出量が微量でも，電気機器に異常があると判断される。
【０００６】
特許文献２記載の検出装置においては，光源として半導体レーザーを用いている。しかし，半導体レーザーは波長範囲が狭く，アセチレンガスの検出に適した波長範囲（例えば，信号光と参照光の波長として１３２０ｎｍ〜１５５０ｎｍの広い範囲）を持った半導体レーザーの作製が難しい。また，ビームスプリッタで分けた２つの光の光路長は干渉を生じるように適切に選ぶ必要があり，光路長が変化した場合には干渉光の明るさに変動を生じ，センサの検出精度を低下させる。
【０００７】
本発明は，電力用機器に用いられる絶縁媒体からのアセチレンガスの効率的な検出を図ったアセチレンガスセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係るアセチレンガスセンサは，１５１０ｎｍ〜１５４０ｎｍの少なくとも一部の波長を含む第１の波長域，およびこの第１の波長域から１００ｎｍ以内の波長を含む第２の波長域の光を出射する光源と，前記光源から出射される光を伝達する第１の光ファイバと，前記第１の光ファイバで伝達された光を平行光に変換する第１のレンズと，流体が封入され，かつ前記第１のレンズから出射される光が通過する空間を有する容器と，前記空間内を通過した平行光を収束光に変換する第２のレンズと，前記第２のレンズから出射される光を伝達する第２の光ファイバと，前記第２の光ファイバで伝達された光を第１，第２の光に分岐する光分岐器と，前記第１の光が入射され，前記第１の波長域の光を通過し，前記第２の波長域の光を遮断する第１のフィルタと，前記第２の光が入射され，前記第２の波長域の光を通過し，前記第１の波長域の光を遮断する第２のフィルタと，前記第１のフィルタから出射される光を受光する第１の光検出器と，前記第２のフィルタから出射される光を受光する第２の光検出器と，前記第１，第２の光検出器それぞれからの第１，第２の電気信号に基づいて，前記流体中のアセチレンガス量を算出する信号処理器と，を備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば，電力用機器に用いられる絶縁媒体からのアセチレンガスの効率的な検出を図ったアセチレンガスセンサを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態のアセチレンガスセンサを示す概略構成図である。
【図２】スーパールミネッセンスダイオードの発光スペクトルの一例を示す図である（Dense Light Semiconductor社SLD DL-CS5254Aの仕様表より引用）。
【図３】アセチレンガスの吸収スペクトルを示す図である（http://www.dartmouth.edu/~chem81/labs/C2H2.htmlより引用）。
【図４】第２の実施形態のアセチレンガスセンサを示す概略構成図である。
【図５】第３の実施形態のアセチレンガスセンサを示す概略構成図である。
【図６】第４の実施形態のアセチレンガスセンサを示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下，図面を参照して，本発明の実施の形態を詳細に説明する。
（第１の実施の形態）  
図１は第１の実施の形態のアセチレンガスセンサを示す概略構成図である。このアセチレンガスセンサは，スーパールミネッセンスダイオード（ＳＬＤ）２０，光ファイバ２１ａ〜２１ｄ，コリメーターレンズ２２ａ，２２ｂ，カプラ２３，帯域フィルタ２４ａ，２４ｂ，アバランシェフォトダイオ−ド（ＡＰＤ）２５ａ，２５ｂ，信号処理器２６，電気機器容器３０を有する。
【００１２】
図２に示すように，スーパールミネッセンスダイオード（ＳＬＤ）２０の発光スペクトルは，１５５５ｎｍ付近をピークとする，波長１５００〜１５９０［ｎｍ］の波長範囲である。ＳＬＤ２０は，１５１３〜１５４３［ｎｍ］の少なくとも一部の波長を含む波長域Ａ１，および波長域Ａ１から間隔Ｄの，波長域Ａ２の光を少なくとも出射する光源である。波長域Ａ１，Ａ２はそれぞれ，アセチレンによる吸収の検出（アセチレンの検出），アセチレン以外の物質（例えば，絶縁媒体（油）自体，絶縁媒体に起因する物質）による吸収の検出（アセチレン検出の較正（リファレンス））のために設定される。図２では，発光スペクトル内に波長域Ａ１，Ａ２が含まれ，波長域Ａ１，Ａ２，および間隔Ｄの一例として，１５１０〜１５４０［ｎｍ］，１５６０〜１５８０［ｎｍ］，および２０［ｎｍ］が示される。
【００１３】
波長域Ａ１は，アセチレンガスの吸収波長域に対応する。図３に示すように，アセチレンガスの吸収スペクトルの範囲は，波数表示で６４８０〜６６１０［cｍ−１］であり，波長表示だと１５１３〜１５４３［ｎｍ］である。波長域Ａ１は，この吸収波長域「１５１３〜１５４３［ｎｍ］」の全体を含んでも良いし，その一部のみでも良い。
【００１４】
図３に示すように，このアセチレンガスの吸収波長域には，吸収ピークＰ１（波長：１５２０．１［ｎｍ］，波数：６５７８．５［cｍ−１］），Ｐ２（波長：１５３０．３［ｎｍ］，波数：６５３４．５［cｍ−１］）が含まれる。このため，波長域Ａ１は，吸収ピークＰ１，Ｐ２の少なくとも何れかを含むことが好ましい。また，感度を確保するために，波長域Ａ１の幅Ｗ（波長域Ａ１の上下限λ１，λ２の差（Ｗ＝λ２−λ１））が，１０ｎｍ程度以上であることが好ましい（より好ましくは，幅Ｗが２０ｎｍ程度以上）。
【００１５】
波長域Ａ２は，アセチレンガスの吸収波長域「１５１３〜１５４３［ｎｍ］」の外に設定される。但し，アセチレン以外の物質による吸収の波長依存性を考慮すると，波長域Ａ２が波長域Ａ１から大きくずれることは好ましくない。このため，波長域Ａ２と，波長域Ａ１の間隔Ｄが，１００ｎｍ以内である（波長域Ａ２が，波長域Ａ１から１００ｎｍ以内の波長を含む）ことが好ましい（より好ましくは，間隔Ｄが，５０ｎｍ以内，さらに好ましくは，間隔Ｄが，２０ｎｍ以内））。
【００１６】
光ファイバ２１ａは，ＳＬＤ２０より出射された赤外光をコリメーターレンズ２２ａに伝達する。
【００１７】
コリメーターレンズ２２ａは，光ファイバ２１ａで伝達された赤外光を平行光に変換するレンズである。
【００１８】
電気機器容器３０は，検査対象の流体が封入され，かつコリメーターレンズ２２ａから出射される光が通過する空間を有する容器である。この流体は，アセチレンガスを含む気体または液体である。変圧器等の絶縁媒体（例えば，絶縁油）自体を検査対象とできる。また絶縁媒体に溶存する気体成分（アセチレン等）を抽出して検査対象としても良い。
【００１９】
電気機器容器３０は，互いに対向する側板３１ａ，３１ｂと，これら側板３１ａ，３１ｂそれぞれに配置される，石英ガラス３２ａ，３２ｂと，を有する。石英ガラス３２ａ，３２ｂは，波長域Ａ，Ａ２の光を透過する材料からなる窓として機能する。石英ガラス３２ａ，３２ｂの表面に反射防止コ−トを施して，石英ガラス３２ａ，３２ｂ表面からの赤外光の反射を防止することが好ましい。
【００２０】
コリメーターレンズ２２ｂは，電気機器容器３０の空間内を通過した平行光を収束光に変換して，光ファイバ２１ｂに入射させるレンズである。光ファイバ２１ｂのコアの直径程度まで，赤外光が絞られる。
【００２１】
光ファイバ２１ｂは，コリメーターレンズ２２ｂから出射される赤外光をカプラ２３へと伝達する。
【００２２】
カプラ２３は，光ファイバ２１ｂで伝達された赤外光を第１，第２の赤外光に分岐する光分岐器である。
光ファイバ２１ｃ，２１ｄは，カプラ２３で分岐された第１，第２の赤外光をそれぞれ，帯域フィルタ２４ａ，２４ｂに伝達する。
【００２３】
帯域フィルタ２４ａ，２４ｂはそれぞれ，カプラ２３で分岐された第１，第２の赤外光が入射される。帯域フィルタ２４ａはそれぞれ，波長域Ａ１，Ａ２の光のみを通過する（帯域フィルタ２４ａは，波長域Ａ１の光を通過し，波長域Ａ２の光を遮断する。帯域フィルタ２４ｂは，波長域Ａ２の光を通過し，波長域Ａ１の光を遮断する）。
【００２４】
ＡＰＤ２５ａ，２５ｂはそれぞれ，帯域フィルタ２４ａ，２４ｂから出射される光を受光する光検出器として機能する。
【００２５】
信号処理器２６は，ＡＰＤ２５ａ，２５ｂそれぞれからの第１，第２の電気信号Ｓ１，Ｓ２に基づいて，電気機器容器３０中の流体中のアセチレンガス量を算出する。後述のように，ＡＰＤ２５ａ，２５ｂからの信号強度Ｓ１，Ｓ２の比（Ｓ１／Ｓ２）またはその対数（ｌｏｇ（Ｓ１／Ｓ２））と，電気機器容器３０中の流体中のアセチレンガス量との関係を表すテーブルＴに基づき，電気機器容器３０中のアセチレンガス量を算出できる。
【００２６】
帯域フィルタ２４ａがアセチレンガスの吸収波長帯域に対応する波長域Ａ１の光のみを通過することから，ＡＰＤ２５ａからの信号Ｓ１の強度（例えば，ＡＰＤからの出力電流）は，アセチレンガスの吸収係数α１，アセチレンガスの濃度Ｎ１に従い低下する。一般に，信号Ｓ１の強度は，α１，Ｎ１，Ｌの関数となる。
α１：  アセチレンガスの吸収係数（波長域Ａ１での平均的な吸収係数）
Ｎ１：  電気機器容器３０の空間内でのアセチレンガスの濃度
Ｌ：    電気機器容器３０の空間内の光路長
【００２７】
但し，ここでは，アセチレン以外の物質による吸収が考慮されていない。アセチレンガス，およびアセチレン以外の物質による吸収を考慮すると，信号Ｓ１の強度は，α１，Ｎ１，Ｌに加えて，αｘ，Ｎｘ，Ａｘの関数となる。
αｘ：  電気機器容器３０の空間内でのアセチレンガス以外の物質の吸収係数（波長域Ａ１での平均的な吸収係数）
Ｎｘ：  電気機器容器３０の空間内でのアセチレンガス以外の物質の濃度
Ａｘ：  石英ガラス３２ａ，３２ｂの表面の汚れ等による波長域Ａ１での吸収率
【００２８】
帯域フィルタ２４ｂがアセチレンガスの吸収波長帯域に対応する波長域Ａ２の光のみを通過することから，ＡＰＤ２５ｂからの信号Ｓ２の強度（例えば，ＡＰＤからの出力電圧）は，αｘ’，Ｎｘ，Ａｘ’の関数となる。
αｘ’：  電気機器容器３０の空間内でのアセチレンガス以外の物質の吸収係数（波長域Ａ２での平均的な吸収係数）
Ａｘ’：  石英ガラス３２ａ，３２ｂの表面の汚れ等による波長域Ａ２での吸収率
【００２９】
既述のように，波長域Ａ２はアセチレンガスの吸収波長帯域を外れている。このため，信号Ｓ２には，アセチレンガスによる吸収（ＡＰＤ出力の電圧低下）は反映されず，絶縁媒体の汚れ，あるいは石英ガラス３２ａ，３２ｂの表面の汚れ等による吸収が反映される。即ち，信号Ｓ２は，経年変化等による通過光量の低下を表す。
【００３０】
信号処理器２６は，信号Ｓ１，Ｓ２間の比ΔＳを求める。
ΔＳ＝Ｓ１／Ｓ２
比ΔＳをとることで，アセチレンガス以外の物質による吸収の影響をキャンセルできる。波長域Ａ１，Ａ２の間隔Ｄが大きくないことから，吸収係数αｘ，αｘ’，吸収率Ａｘ，Ａｘ’の相違が小さい（αｘ〜αｘ’，Ａｘ〜Ａｘ’）ことによる。
【００３１】
比ΔＳの対数「ｌｏｇ（Ｓ１／Ｓ２）」とアセチレンガスの濃度Ｎ１には比例関係がある。このため，例えば，電気機器容器３０の空間内にアセチレンガスの濃度が判った流体を封入し，ＡＰＤ２５ａ，２５ｂからの信号強度Ｓ１，Ｓ２を測定することで，信号強度Ｓ１，Ｓ２の比（Ｓ１／Ｓ２）またはその対数と電気機器容器３０中の流体中のアセチレンガス量との関係を表すテーブルＴを作成できる。作成されたテーブルＴは，信号処理器２６内に記憶され，アセチレンガス量の算出に利用できる。
【００３２】
（第１の実施形態のアセチレンガスセンサの動作）
以下，アセチレンガスセンサの動作を説明する。
ＳＬＤ２０より発せられた赤外光は，光ファイバ２１ａによって伝達され，コリメーターレンズ２２ａにより平行光に変換される。この平行赤外光は，電気機器容器３０の石英ガラス３２ａ，３２ｂを介し，電気機器容器３０内の絶縁媒体を通過する。絶縁媒体を通過した赤外光は，コリメーターレンズ２２ｂにより，絞られ，光ファイバ２１ｂに入射，伝達される。
【００３３】
カプラ２３により赤外光は二分割され，帯域フィルタ２４ａ，２４ｂを介してアバランシェフォトダイオ−ド（ＡＰＤ）２５ａ，２５ｂで電気信号Ｓ１，Ｓ２に変換される。
【００３４】
既述のように，テーブルＴおよび信号Ｓ１，Ｓ２に基づいて，信号処理器２６が絶縁媒体中のアセチレンガス量（濃度Ｎ１）を算出する。即ち，信号処理器２６において，ＡＰＤ２５ｂからの信号Ｓ２を用いて，エチレンガス以外での吸収の影響を低減できる（ＡＰＤ２５ａからの信号Ｓ１が補正される）。この結果，電気機器異常と判断される絶縁媒体中のアセチレンガスを，経年変化を考慮して感度良く検出できる。
【００３５】
（第２の実施の形態）
図４は第２の実施の形態の構成図である。第１の実施の形態と同一の構成には同一の符号を付し，重複する説明は省略する。第１の実施の形態においてスーパールミネッセンスダイオード２０の代わりにレーザー４１ａ，４１ｂを用いるように変形した実施の形態である。
【００３６】
レーザー４１ａは，アセチレンガスの吸収波長に対応する１５１３〜１５４３［ｎｍ］の少なくとも一部の波長を含む波長域Ａ１の赤外光を出射する光源である。
【００３７】
レーザー４１ｂは，アセチレンガスの吸収波長に対応せず，波長域Ａ１から間隔Ｄ（例えば，１００ｎｍ以内）の波長を含む波長域Ａ２の赤外光（レーザー４１ａの経年変化を監視する参照光）を出射する光源である。
【００３８】
第１の実施形態では光源がスーパールミネッセンスダイオード（ＳＬＤ）２０であったため，波長域Ａ１，Ａ２の幅Ｗ１，Ｗ２が広かった。
これに対して，本実施形態では，光源がレーザー４１ａ，４１ｂであることから，波長域Ａ１，Ａ２の幅Ｗ１，Ｗ２が狭くなる。レーザー４１ａの発光波長をアセチレンガスの吸収ピークＰ１，Ｐ２に対応させることで，高感度なアセチレンの検出が可能となる。
【００３９】
光ファイバ２１ｅ，２１ｆはそれぞれ，レーザー４１ａ，４１ｂから発せられたレーザー光を伝達する。
カプラ２３ａは，光ファイバ２１ｅ，２１ｆによって伝達されたレーザ光を合成し，１つのビームの光とするものであり，レーザー４１ａ，４１ｂから出射される光を混合する混合器として機能する。
【００４０】
干渉フィルタ４２ａ，４２ｂはそれぞれ，レーザー４１ａ，４１ｂからの出射光に対応した波長を通過させる通過波長帯域を持つフィルタである。帯域フィルタと干渉フィルタは設計時に設定された波長の光を透過させる点では同じであるが，レーザー用に特に狭い窓で意図した波長を選び出すフィルタを干渉フィルタと一般に呼ぶ。
【００４１】
第１の実施形態と同様，信号処理器２６は，ＡＰＤ２５ａ，２５ｂそれぞれからの第１，第２の電気信号Ｓ１，Ｓ２に基づいて，電気機器容器３０中の流体中のアセチレンガス量を算出する。後述のように，ＡＰＤ２５ａ，２５ｂからの信号強度Ｓ１，Ｓ２の比（Ｓ１／Ｓ２）またはその対数と，電気機器容器３０中の流体中のアセチレンガス量との関係を表すテーブルＴに基づき，電気機器容器３０中のアセチレンガス量を算出できる。
【００４２】
本実施形態でも，既述のように，テーブルＴおよび信号Ｓ１，Ｓ２に基づいて，信号処理器２６が絶縁媒体中のアセチレンガス量（濃度Ｎ１）を算出する。即ち，信号処理器２６において，ＡＰＤ２５ｂからの信号Ｓ２を用いて，アセチレンガス以外での吸収の影響を低減できる（ＡＰＤ２５ａからの信号Ｓ１が補正される）。この結果，電気機器異常と判断される絶縁媒体中のアセチレンガスを，経年変化を考慮して感度良く検出できる。
【００４３】
（第３の実施の形態）
図５は第３の実施の形態の構成図である。第１の実施の形態と同一の構成には同一の符号を付し，重複する説明は省略する。
【００４４】
ここでは，第１の実施の形態と異なり，石英ガラス３２ａ，３２ｂは使用せず，光ファイバ２１をシ−ル部３３ａ，３３ｂを介して，コリメーターレンズ２２ａ，２２ｂを電気機器容器３０内部に配置する。コリメーターレンズ２２ａ，２２ｂ間に，石英ガラス３２ａ，３２ｂを配置しないことで，石英ガラス３２ａ，３２ｂによる反射や光の損失を低減できる。この結果，絶縁媒体中のアセチレンガスをさらに感度良く検出できる。
【００４５】
（第４の実施の形態）
図６は第４の実施の形態の構成図である。第１の実施形態と同一の構成には同一の符号を付し，重複する説明は省略する。
【００４６】
ここでは，前記第１の実施の形態のアセチレンガスセンサを電力用機器の一つとして変圧器に取り付けている。電気機器容器５０中に鉄心５１，巻線５２が配置され，電気機器容器５０の上部にフランジ５３が取り付けられている。このフランジ５３は，両側に石英ガラス３２ａ，３２ｂを配置したセンサ容器５４のフランジ５５と接続される。フランジ５５は，センサ容器５４の，石英ガラス３２ａ，３２ｂの設置面と異なる面に配置される。石英ガラス３２ａ，３２ｂの外部に発光部と受光部を設置することで変圧器内の絶縁油中のアセチレンガスの検出が可能となる。
なお，フランジ５５は，変圧器タンクに設けたボスに固定しても良い。
【００４７】
フランジ５３，５５によってセンサ容器５４が電気機器容器５０に接続される。この結果，センサ容器５４を簡単にとりはずすことが可能になり，石英ガラス３２ａ，３２ｂ表面の汚れの除去や交換等が容易にできる。また，既設の変圧器への取り付けも容易になる。
【００４８】
また，第３の実施の形態のようにコリメーターレンズ２２をセンサ容器内に設置することも可能である。この場合，第３の実施の形態と同様に，設置・点検が容易となる。
【００４９】
（その他の実施の形態）
本発明の実施形態は上記の実施形態に限られず拡張，変更可能であり，拡張，変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【００５０】
例えば，第１，第２，第３の実施の形態における電気機器容器３０，第４の実施の形態における電気機器容器５０については，アセチレンガスの検出を行う対象で，絶縁媒体が封入された電力機器を持つ電力用機器であれば何でもよく変圧器，計器用変成器，ブッシング，リアクトルなどにしてもよい。
また，センサの取り付け位置を変更したり，センサの取り付け数を変更したりしても良い。
実施形態では，信号Ｓ１を信号Ｓ２で除算することで（比（Ｓ１／Ｓ２）を求める），信号Ｓ１を補正している。これ以外の手法で信号Ｓ１を補正しても良い。
【符号の説明】
【００５１】
２０   スーパールミネッセンスダイオード
２１ａ〜２１ｆ       光ファイバ
２２ａ，２２ｂ コリメーターレンズ
２３ａ カプラ
２４ａ，２４ｂ 帯域フィルタ
２５ａ，２５ｂ       ＡＰＤ
２６   信号処理器
３０   電気機器容器
３１ａ，３１ｂ       側板
３２ａ，３２ｂ       石英ガラス
３３ａ，３３ｂ シール部
４１ａ，４１ｂ レーザー
４２ａ，４２ｂ 干渉フィルタ
５０   電気機器容器
５１   鉄心
５２   巻線
５３   フランジ
５４   センサ容器
５５   フランジ
【図１】
2013053949.tif 000003
【図２】
2013053949.tif 000004
【図３】
2013053949.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2013053949.tif 000008