(57)【要約】【課題】燐光性化合物のホスト材料として、用いることのできる新たな有機化合物を提供する。また、当該有機化合物を有した発光素子を提供する。また、当該発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置を提供する。【解決手段】一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、有機化合物は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格と、置換基を２つ有したアミノ基と、がアリーレン基を介して結合し、置換基は、それぞれ独立に、アリール基、またはヘテロアリール基である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、
前記発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、
前記有機化合物は、
ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格と、置換基を２つ有したアミノ基と、がアリーレン基を介して結合し、前記置換基は、それぞれ独立に、アリール基、またはヘテロアリール基である発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記置換基の少なくとも一方が、カルバゾール骨格を含む発光素子。
【請求項３】
請求項１において、
前記ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格は、２位置換体であり、
前記ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格の２位がアリーレン基を介して前記アミノ基と、結合した発光素子。
【請求項４】
一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、
前記発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、
前記有機化合物は、一般式（Ｇ１）で表される発光素子。
【化１】
2013131743.tif 000055
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表し、ｎは、０または１を表す。また、Ａは、置換もしくは無置換の９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、または置換もしくは無置換の９−アリール−９Ｈ−カルバゾール−３−イル基を表す。）
【請求項５】
一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、
前記発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、
前記有機化合物は、一般式（Ｇ２−１）で表される発光素子。
【化２】
2013131743.tif 000056
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１９、およびＲ２１〜Ｒ２８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表す。）
【請求項６】
請求項５において、
前記αが、置換または無置換のパラ−フェニレン基である発光素子。
【請求項７】
一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、
前記発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、
前記有機化合物は、一般式（Ｇ３−１）で表される発光素子。
【化３】
2013131743.tif 000057
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１９、およびＲ３１〜Ｒ３７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立に、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表し、ｎは、０または１を表す。）
【請求項８】
請求項７において、
前記ｎが１であり、前記αが、置換または無置換のパラ−フェニレン基である発光素子。
【請求項９】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記Ａｒ１が、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基である発光素子。
【請求項１０】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記Ａｒ１が、置換または無置換のパラ−フェニレン基である発光素子。
【請求項１１】
一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、
前記発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、
前記有機化合物は、一般式（Ｇ２−２）で表される発光素子。
【化４】
2013131743.tif 000058
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ２１〜Ｒ２８、Ｒ４１〜Ｒ４４、及びＲ５１〜Ｒ５４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。）
【請求項１２】
一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、
前記発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、
前記有機化合物は、一般式（Ｇ３−２）で表される発光素子。
【化５】
2013131743.tif 000059
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ３１〜Ｒ３７、Ｒ４１〜Ｒ４４、及びＲ５１〜Ｒ５４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立に、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。）
【請求項１３】
一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、
前記発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、
前記有機化合物は、一般式（Ｇ３−３）で表される発光素子。
【化６】
2013131743.tif 000060
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ３１〜Ｒ３７、及びＲ４１〜Ｒ４４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立に、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。）
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載の発光素子を有する電子機器。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載の発光素子を有する照明装置。
【請求項１７】
一般式（Ｇ１）で表される有機化合物。
【化７】
2013131743.tif 000061
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表し、ｎは、０または１を表す。また、Ａは、置換もしくは無置換の９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、または置換もしくは無置換の９−アリール−９Ｈ−カルバゾール−３−イル基を表す。）
【請求項１８】
一般式（Ｇ２−１）で表される有機化合物。
【化８】
2013131743.tif 000062
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１９、およびＲ２１〜Ｒ２８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表す。）
【請求項１９】
請求項１８において、
前記αが、置換または無置換のパラ−フェニレン基である有機化合物。
【請求項２０】
一般式（Ｇ３−１）で表される有機化合物。
【化９】
2013131743.tif 000063
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１９、およびＲ３１〜Ｒ３７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立に、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表し、ｎは、０または１を表す。）
【請求項２１】
請求項２０において、
前記ｎが１であり、前記αが、置換または無置換のパラ−フェニレン基である有機化合物。
【請求項２２】
請求項１８乃至請求項２０のいずれか一において、
前記Ａｒ１が、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基である有機化合物。
【請求項２３】
請求項１８乃至請求項２０のいずれか一において、
前記Ａｒ１が、置換または無置換のパラ−フェニレン基である有機化合物。
【請求項２４】
一般式（Ｇ２−２）で表される有機化合物。
【化１０】
2013131743.tif 000064
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ２１〜Ｒ２８、Ｒ４１〜Ｒ４４、及びＲ５１〜Ｒ５４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。）
【請求項２５】
一般式（Ｇ３−２）で表される有機化合物。
【化１１】
2013131743.tif 000065
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ３１〜Ｒ３７、Ｒ４１〜Ｒ４４、及びＲ５１〜Ｒ５４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立に、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。）
【請求項２６】
一般式（Ｇ３−３）で表される有機化合物。
【化１２】
2013131743.tif 000066
（式中、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ３１〜Ｒ３７、及びＲ４１〜Ｒ４４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立に、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子、発光装置、電子機器、照明装置、及び有機化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光物質からの発光を得ることができる。
【０００３】
このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
【０００４】
そして、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、面状に発光を得ることができる。よって、大面積の素子を容易に形成することができる。このことは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００５】
そのエレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光物質が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって大別できる。発光物質に有機化合物を用い、一対の電極間に当該有機化合物を含む層を設けた有機ＥＬ素子の場合、発光素子に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔（ホール）がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、注入した電子及び正孔が有機化合物を励起状態に至らしめ、励起された有機化合物から発光を得るものである。
【０００６】
有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能であり、一重項励起状態（Ｓ＊）からの発光が蛍光、三重項励起状態（Ｔ＊）からの発光が燐光と呼ばれている。また、発光素子におけるその統計的な生成比率は、Ｓ＊：Ｔ＊＝１：３であると考えられている。
【０００７】
一重項励起状態を発光に変換する化合物（以下、蛍光性化合物と称す）では室温において、三重項励起状態からの発光（燐光）は観測されず、一重項励起状態からの発光（蛍光）のみが観測される。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子における内部量子効率（注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合）の理論的限界は、Ｓ＊：Ｔ＊＝１：３であることを根拠に２５％とされている。
【０００８】
一方、三重項励起状態を発光に変換する化合物（以下、燐光性化合物と称す）を用いれば、三重項励起状態からの発光（燐光）が観測される。また、燐光性化合物は項間交差（一重項励起状態から三重項励起状態へ移ること）が起こりやすいため、内部量子効率は１００％まで理論上は可能となる。つまり、蛍光性化合物より高い発光効率が可能となる。このような理由から、高効率な発光素子を実現するために、燐光性化合物を用いた発光素子の開発が近年盛んに行われている。
【０００９】
上述した燐光性化合物を用いて発光素子の発光層を形成する場合、燐光性化合物の濃度消光や三重項−三重項消滅による消光を抑制するために、他の化合物からなるマトリクス中に該燐光性化合物が分散するようにして形成することが多い。このとき、マトリクスとなる化合物はホスト材料、燐光性化合物のようにマトリクス中に分散される化合物はゲスト材料（ドーパント）と呼ばれる。
【００１０】
燐光性化合物をゲスト材料とする場合、ホスト材料に必要とされる性質は、該燐光性化合物よりも大きな三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）を有することである。また、正孔と電子の両方を受け取りやすく、正孔と電子を輸送できる性質（すなわちバイポーラ性）を有することである。
【００１１】
ホスト材料に用いる物質がバイポーラ性を有することで、効率良く正孔や電子を受け取ることできるため、このようなホスト材料を発光層に用いた発光素子は、駆動電圧を低くすることができる。
【００１２】
また、一重項励起エネルギー（基底状態と一重項励起状態とのエネルギー差）は、三重項励起エネルギーよりも大きいため、大きな三重項励起エネルギーを有する物質は大きな一重項励起エネルギーをも有する。したがって、上述したような大きな三重項励起エネルギーを有する物質は、蛍光性化合物を発光物質として用いた発光素子においても有益である。
【００１３】
燐光性化合物よりも大きな三重項励起エネルギー、及びバイポーラ性を有するホスト材料として、電子輸送性を有するヘテロ芳香環であるオキサジアゾール骨格、またはキノキサリン骨格と、正孔輸送性を有するカルバゾール骨格と、を同一分子に有するヘテロ芳香環を有するカルバゾール誘導体が開示されている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２０１０−２４１８０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
特許文献１において、報告されているように燐光性化合物のホスト材料の開発は、活発に行われている。しかし、発光素子としてみた場合、発光効率、信頼性、発光特性、合成効率、またはコストといった面で改善の余地が残されており、より優れた発光素子の開発が望まれている。
【００１６】
上記問題に鑑み、本発明の一態様は、燐光性化合物のホスト材料として、用いることのできる新たな有機化合物を提供することを目的の一とする。また、当該有機化合物を有した発光素子を提供することを目的の一とする。
【００１７】
また、本発明の一態様は、上記発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置を提供することを目的の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一態様は、一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、有機化合物は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格と、置換基を２つ有したアミノ基と、がアリーレン基を介して結合し、置換基は、それぞれ独立に、アリール基、またはヘテロアリール基であることを特徴とする発光素子である。
【００１９】
上記構成において、置換基の少なくとも一方が、カルバゾール骨格を含むと好ましい。また、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格は、２位置換体であり、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格の２位がアリーレン基を介してアミノ基と、結合すると好ましい。
【００２０】
電子輸送性の高いジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格と、ホール輸送性の高い置換基を２つ有したアミノ基と、がアリーレン基を介して結合することで、バイポーラ性を有する有機化合物とすることができる。バイポーラ性を有する有機化合物とすることで、効率良く正孔や電子を受け取ることができる。また、該有機化合物は、高い三重項励起エネルギーの準位（Ｔ１準位）も有している。したがって、このような有機化合物を発光層に用いた発光素子は、駆動電圧を低くすることができる。
【００２１】
また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、有機化合物は、一般式（Ｇ１）で表すことができる。なお、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物は、有用な新規化合物であり、本発明の一態様である。
【００２２】
【化１】
2013131743.tif 000002
【００２３】
一般式（Ｇ１）中、Ｒ１１〜Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表し、ｎは、０または１を表す。また、Ａは、置換もしくは無置換の９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、または置換もしくは無置換の９−アリール−９Ｈ−カルバゾール−３−イル基を表す。
【００２４】
また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、有機化合物は、一般式（Ｇ２−１）で表すことができる。なお、一般式（Ｇ２−１）で表される有機化合物は、有用な新規化合物であり、本発明の一態様である。
【００２５】
【化２】
2013131743.tif 000003
【００２６】
一般式（Ｇ２−１）中、Ｒ１１〜Ｒ１９、およびＲ２１〜Ｒ２８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表す。
【００２７】
また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、有機化合物は、一般式（Ｇ３−１）で表すことができる。なお、一般式（Ｇ３−１）で表される有機化合物は、有用な新規化合物であり、本発明の一態様である。
【００２８】
【化３】
2013131743.tif 000004
【００２９】
一般式（Ｇ３−１）中、Ｒ１１〜Ｒ１９、およびＲ３１〜Ｒ３７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立に、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表し、ｎは、０または１を表す。
【００３０】
また、上述の一般式（Ｇ２−１）、及び（Ｇ３−１）で表される有機化合物において、Ａｒ１が、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基であると好ましい。
【００３１】
また、上述の一般式（Ｇ２−１）で表される有機化合物において、αが置換または無置換のパラ−フェニレン基であると好ましい。また、上述の一般式（Ｇ３−１）で表される有機化合物において、ｎが１であり、αが置換または無置換のパラ−フェニレン基であると好ましい。また、上述の一般式（Ｇ２−１）、及び（Ｇ３−１）で表される有機化合物において、Ａｒ１が、置換または無置換のパラ−フェニレン基であると好ましい。すなわち、一般式（Ｇ２−１）、及び（Ｇ３−１）で表される有機化合物は、それぞれ一般式（Ｇ２−２）、及び一般式（Ｇ３−２）で表すことができる。
【００３２】
したがって、本発明の他の一態様は、一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、有機化合物は、一般式（Ｇ２−２）で表すことができる。なお、一般式（Ｇ２−２）で表される有機化合物は、有用な新規化合物であり、本発明の一態様である。
【００３３】
【化４】
2013131743.tif 000005
【００３４】
一般式（Ｇ２−２）中、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ２１〜Ｒ２８、Ｒ４１〜Ｒ４４、及びＲ５１〜Ｒ５４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。
【００３５】
また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、有機化合物は、一般式（Ｇ３−２）で表すことができる。なお、一般式（Ｇ３−２）で表される有機化合物は、有用な新規化合物であり、本発明の一態様である。
【００３６】
【化５】
2013131743.tif 000006
【００３７】
一般式（Ｇ３−２）中、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ３１〜Ｒ３７、Ｒ４１〜Ｒ４４、及びＲ５１〜Ｒ５４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立に、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。
【００３８】
また、本発明の他の一態様は、一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、有機化合物は、一般式（Ｇ３−３）で表すことができる。なお、一般式（Ｇ３−３）で表される有機化合物は、有用な新規化合物であり、本発明の一態様である。
【００３９】
【化６】
2013131743.tif 000007
【００４０】
一般式（Ｇ３−３）中、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ３１〜Ｒ３７、及びＲ４１〜Ｒ４４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立に、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。
【００４１】
また、上記発光素子を用いた発光装置、電子機器、及び照明装置も本発明の範疇に含めるものとする。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、光源を含む。また、パネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、もしくはＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００４２】
本発明の一態様は、燐光性化合物のホスト材料として、用いることのできる新たな有機化合物を提供できる。また、当該有機化合物を有した発光素子を提供できる。また、本発明の一態様は、駆動電圧が低く、電流効率が高い発光素子を提供できる。本発明の一態様は、この発光素子を用いることにより、消費電力の低減された発光装置、電子機器、及び照明装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一態様の発光素子を説明する図。
【図２】本発明の一態様の発光素子を説明する図。
【図３】本発明の一態様の発光素子を説明する図。
【図４】本発明の一態様の発光素子を説明する図。
【図５】本発明の一態様の発光装置を説明する図。
【図６】本発明の一態様の電子機器を説明する図。
【図７】本発明の一態様の電子機器を説明する図。
【図８】本発明の一態様の照明装置を説明する図。
【図９】４−（ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＤＢｑ）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図１０】４−（ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＤＢｑ）のトルエン溶液の吸収スペクトル、及び発光スペクトルを示す図。
【図１１】４−（ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＤＢｑ）の薄膜の吸収スペクトル、及び発光スペクトルを示す図。
【図１２】実施例の発光素子を説明する図。
【図１３】発光素子１の電流密度−輝度特性を示す図。
【図１４】発光素子１の電圧−輝度特性を示す図。
【図１５】発光素子１の輝度−電流効率を示す図。
【図１６】発光素子１の電圧−電流特性を示す図。
【図１７】発光素子１の発光スペクトルを示す図。
【図１８】発光素子１の駆動時間−規格化輝度特性を示す図。
【図１９】発光素子２の電流密度−輝度特性を示す図。
【図２０】発光素子２の電圧−輝度特性を示す図。
【図２１】発光素子２の輝度−電流効率を示す図。
【図２２】発光素子２の電圧−電流特性を示す図。
【図２３】発光素子２の発光スペクトルを示す図。
【図２４】発光素子２の駆動時間−規格化輝度特性を示す図。
【図２５】励起錯体の概念を説明する図。
【図２６】３−（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＹＧＡＰＤＢｑ）の１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図２７】３−（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＹＧＡＰＤＢｑ）のトルエン溶液の吸収スペクトル、及び発光スペクトルを示す図。
【図２８】３−（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＹＧＡＰＤＢｑ）の薄膜の吸収スペクトル、及び発光スペクトルを示す図。
【図２９】３−（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＹＧＡＰＤＢｑ）のＬＣ／ＭＳ分析結果を示す図。
【図３０】発光素子３及び発光素子４の電流密度−輝度特性を示す図。
【図３１】発光素子３及び発光素子４の電圧−輝度特性を示す図。
【図３２】発光素子３及び発光素子４の輝度−電流効率を示す図。
【図３３】発光素子３及び発光素子４の電圧−電流特性を示す図。
【図３４】発光素子３及び発光素子４の駆動時間−規格化輝度特性を示す図。
【図３５】発光素子５及び発光素子６の電流密度−輝度特性を示す図。
【図３６】発光素子５及び発光素子６の電圧−輝度特性を示す図。
【図３７】発光素子５及び発光素子６の輝度−電流効率を示す図。
【図３８】発光素子５及び発光素子６の電圧−電流特性を示す図。
【図３９】発光素子５及び発光素子６の駆動時間−規格化輝度特性を示す図。
【図４０】発光素子７の電流密度−輝度特性を示す図。
【図４１】発光素子７の電圧−輝度特性を示す図。
【図４２】発光素子７の輝度−電流効率を示す図。
【図４３】発光素子７の電圧−電流特性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００４５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、一対の電極間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層に少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含む構成について、図１を用いて説明する。
【００４６】
本実施の形態に示す発光素子は、図１に示すように一対の電極（第１の電極１０１と第２の電極１０３）間に発光層１１３を含むＥＬ層１０２が挟まれており、ＥＬ層１０２は、発光層１１３の他に、正孔注入層１１１（ホール注入層ともいう）、正孔輸送層１１２（ホール輸送層ともいう）、電子輸送層１１４、電子注入層１１５、電荷発生層１１６などを含んで形成される。なお、本実施の形態においては、第１の電極１０１を陽極として用い、第２の電極１０３を陰極として用いる。また、第１の電極１０１は、基板１００上に形成されており、基板１００は、ガラス基板などを用いることができる。
【００４７】
このような発光素子に対して電圧を印加することにより、第１の電極１０１側から注入された正孔と第２の電極１０３側から注入された電子とが、発光層１１３において再結合し、燐光性化合物を励起状態にする。そして、励起状態の燐光性化合物が基底状態に戻る際に発光する。このように、本発明の一態様において燐光性化合物は、発光素子における発光物質として機能する。
【００４８】
また、発光層１１３において、少なくとも有機化合物と、燐光性化合物と、を含み、有機化合物は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格と、置換基を２つ有したアミノ基と、がアリーレン基を介して結合し、置換基は、それぞれ独立に、アリール基、またはヘテロアリール基である。
【００４９】
電子輸送性の高いジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格と、ホール輸送性の高い置換基を２つ有したアミノ基と、がアリーレン基を介して結合することで、バイポーラ性を有する有機化合物とすることができる。また、該有機化合物は、高いＴ１準位も有しているため、効率良く正孔や電子を受け取ることができる。したがって、このような有機化合物を発光層１１３に用いた発光素子は、駆動電圧を低くすることができる。
【００５０】
なお、ＥＬ層１０２における正孔注入層１１１は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層であり、アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が引き抜かれることにより正孔（ホール）が発生する。従って、正孔注入層１１１から正孔輸送層１１２を介して発光層１１３に正孔が注入される。
【００５１】
また、電荷発生層１１６は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層である。アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が引き抜かれるため、引き抜かれた電子が、電子注入性を有する電子注入層１１５から電子輸送層１１４を介して発光層１１３に注入される。
【００５２】
以下に本実施の形態に示す発光素子を作製する上での具体例について説明する。
【００５３】
第１の電極１０１および第２の電極１０３には、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、シリコンまたは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、その他、グラフェン等を用いることができる。なお、第１の電極１０１および第２の電極１０３は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。
【００５４】
正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、および電荷発生層１１６に用いる正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール化合物、４，４’，４’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）等のジベンゾチオフェン化合物、１，３，５−トリ（ジベンゾフラン−４−イル）−ベンゼン（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）等のジベンゾフラン化合物、９−［３，５−ジ−（フェナントレン−９−イル）−フェニル］−フェナントレン（略称：Ｐｎ３Ｐ）等の縮合環化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【００５５】
また、本発明の一態様である有機化合物は、ホール輸送性を有する材料であるため、正孔輸送層１１２に用いることもできる。
【００５６】
さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。
【００５７】
また、正孔注入層１１１および電荷発生層１１６は、上記正孔輸送性の高い物質と、アクセプター性を有する物質との混合層を用いてもよい。この場合、キャリア注入性が良好となり好ましい。用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。
【００５８】
発光層１１３は、燐光性化合物を発光物質となるゲスト材料として含み、この燐光性化合物よりも三重項励起エネルギーの大きい物質をホスト材料として用いて形成される層である。
【００５９】
ここで、上記ホスト材料として、本発明の一態様である有機化合物を用いることができる。本発明の一態様である有機化合物は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格と、置換基を２つ有したアミノ基と、がアリーレン基を介して結合し、置換基は、それぞれ独立に、アリール基、またはヘテロアリール基である。また、該置換基の少なくとも一方が、カルバゾール骨格を含むと好ましい。また、該ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格は、２位置換体であり、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格の２位がアリーレン基を介してアミノ基と、結合すると好ましい。
【００６０】
すなわち、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。また、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物は、本発明の一態様である。
【００６１】
【化７】
2013131743.tif 000008
【００６２】
一般式（Ｇ１）中、Ｒ１１〜Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表し、ｎは、０または１を表す。また、Ａは、置換もしくは無置換の９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、または置換もしくは無置換の９−アリール−９Ｈ−カルバゾール−３−イル基を表す。
【００６３】
なお、上述の一般式（Ｇ１）で表される有機化合物として、具体的には、一般式（Ｇ２−１）で表される構造が、より好ましい。また、一般式（Ｇ２−１）で表される有機化合物は、本発明の一態様である。
【００６４】
【化８】
2013131743.tif 000009
【００６５】
一般式（Ｇ２−１）中、Ｒ１１〜Ｒ１９、およびＲ２１〜Ｒ２８は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表す。
【００６６】
なお、上述の一般式（Ｇ１）で表される有機化合物として、具体的には、一般式（Ｇ３−１）で表される構造が、より好ましい。また、一般式（Ｇ３−１）で表される有機化合物は、本発明の一態様である。
【００６７】
【化９】
2013131743.tif 000010
【００６８】
一般式（Ｇ３−１）中、Ｒ１１〜Ｒ１９、およびＲ３１〜Ｒ３７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立に、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表し、ｎは、０または１を表す。
【００６９】
また、上述の一般式（Ｇ２−１）、及び（Ｇ３−１）で表される有機化合物において、Ａｒ１が、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基であると好ましい。
【００７０】
また、上述の一般式（Ｇ２−１）で表される有機化合物において、αが置換または無置換のパラ−フェニレン基であると好ましい。また、上述の一般式（Ｇ３−１）で表される有機化合物において、ｎが１であり、αが置換または無置換のパラ−フェニレン基であると好ましい。また、上述の一般式（Ｇ２−１）、及び（Ｇ３−１）で表される有機化合物において、Ａｒ１が、置換または無置換のパラ−フェニレン基であると好ましい。すなわち、一般式（Ｇ２−１）、及び（Ｇ３−１）で表される有機化合物は、それぞれ一般式（Ｇ２−２）、及び一般式（Ｇ３−２）で表すことができる。また、一般式（Ｇ２−２）、及び（Ｇ３−２）で表される有機化合物は、本発明の一態様である。
【００７１】
【化１０】
2013131743.tif 000011
【００７２】
一般式（Ｇ２−２）中、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ２１〜Ｒ２８、Ｒ４１〜Ｒ４４、及びＲ５１〜Ｒ５４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。
【００７３】
【化１１】
2013131743.tif 000012
【００７４】
一般式（Ｇ３−２）中、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ３１〜Ｒ３７、Ｒ４１〜Ｒ４４、及びＲ５１〜Ｒ５４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立に、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。
【００７５】
なお、上述の一般式（Ｇ１）、及び（Ｇ３−１）で表される有機化合物として、具体的には、一般式（Ｇ３−３）で表される構造が、より好ましい。また、一般式（Ｇ３−３）で表される有機化合物は、本発明の一態様である。
【化１２】
2013131743.tif 000013
【００７６】
一般式（Ｇ３−３）中、Ｒ１１〜Ｒ１９、Ｒ３１〜Ｒ３７、及びＲ４１〜Ｒ４４は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立に、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。
【００７７】
また、一般式（Ｇ１）、（Ｇ２−１）、及び（Ｇ３−１）中におけるＡｒ１の具体的な構造としては、例えば、構造式（Ａｒ−１）〜構造式（Ａｒ−１５）に示す置換基が挙げられる。
【００７８】
【化１３】
2013131743.tif 000014
【００７９】
また、一般式（Ｇ１）、（Ｇ２−１）、（Ｇ３−１）、（Ｇ２−２）、（Ｇ３−２）、及び（Ｇ３−３）中におけるＡｒ２、並びに一般式（Ｇ３−１）、（Ｇ３−２）、及び（Ｇ３−３）中におけるＡｒ３の具体的な構造としては、例えば、構造式（Ａｒ−１６）〜構造式（Ａｒ−２９）に示す置換基が挙げられる。
【００８０】
【化１４】
2013131743.tif 000015
【００８１】
また、一般式（Ｇ１）、（Ｇ２−１）、（Ｇ３−１）、（Ｇ２−２）、（Ｇ３−２）、及び（Ｇ３−３）中におけるＲ１１〜Ｒ１９、並びに一般式（Ｇ２−１）、及び（Ｇ２−２）中におけるＲ２１〜Ｒ２８、並びに一般式（Ｇ３−１）、（Ｇ３−２）、及び（Ｇ３−３）中におけるＲ３１〜Ｒ３７、並びに一般式（Ｇ２−２）、（Ｇ３−２）、及び（Ｇ３−３）中におけるＲ４１〜Ｒ４４、並びに一般式（Ｇ２−２）、及び（Ｇ３−２）中におけるＲ５１〜Ｒ５４の具体的な構造としては、構造式（Ｒ−１）〜（Ｒ−２３）に示す置換基が挙げられる。
【化１５】
2013131743.tif 000016
【００８２】
また、上述の一般式（Ｇ１）、（Ｇ２−１）、（Ｇ３−１）、（Ｇ２−２）、（Ｇ３−２）、及び（Ｇ３−３）で表される有機化合物の具体例としては、構造式（１００）〜構造式（１５７）、及び構造式（２００）〜構造式（２３５）に示される有機化合物を挙げることができる。
【００８３】
【化１６】
2013131743.tif 000017
【００８４】
【化１７】
2013131743.tif 000018
【００８５】
【化１８】
2013131743.tif 000019
【００８６】
【化１９】
2013131743.tif 000020
【００８７】
【化２０】
2013131743.tif 000021
【００８８】
【化２１】
2013131743.tif 000022
【００８９】
【化２２】
2013131743.tif 000023
【００９０】
【化２３】
2013131743.tif 000024
【００９１】
【化２４】
2013131743.tif 000025
【００９２】
【化２５】
2013131743.tif 000026
【００９３】
【化２６】
2013131743.tif 000027
【００９４】
【化２７】
2013131743.tif 000028
【００９５】
【化２８】
2013131743.tif 000029
【００９６】
【化２９】
2013131743.tif 000030
【００９７】
【化３０】
2013131743.tif 000031
【００９８】
【化３１】
2013131743.tif 000032
【００９９】
【化３２】
2013131743.tif 000033
【０１００】
また、本発明の一態様である有機化合物の合成方法としては種々の反応を適用することができる。例えば、以下に示す合成反応を行うことによって、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を合成することができる。なお、有機化合物の合成方法は、以下の合成方法に限定されない。
【０１０１】
≪一般式（Ｇ１）で表される有機化合物の合成方法≫
はじめに、合成スキーム（Ａ−１）を以下に示す。合成スキーム（Ａ−１）に示すように、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン誘導体のハロゲン化物（化合物１）と、アミン誘導体の有機ボロン化合物、またはアミン誘導体のボロン酸（化合物２）を、鈴木・宮浦反応によりカップリングさせることで、目的化合物である一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を合成することができる。
【０１０２】
【化３３】
2013131743.tif 000034
【０１０３】
なお、合成スキーム（Ａ−１）中、Ｒ１１〜Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ６０、及びＲ６１は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基のいずれかを表す。合成スキーム（Ａ−１）において、Ｒ６０とＲ６１は互いに結合して環を形成していても良い。また、Ｘ１は、ハロゲン、またはトリフラート基を表す。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表し、ｎは、０または１を表す。また、Ａは、置換もしくは無置換の９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、または置換もしくは無置換の９−アリール−９Ｈ−カルバゾール−３−イル基を表す。
【０１０４】
また、合成スキーム（Ａ−１）において、用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒は、これらに限られるものでは無い。
【０１０５】
また、合成スキーム（Ａ−１）において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリ（オルト−トリル）ホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒の配位子は、これらに限られるものでは無い。
【０１０６】
また、合成スキーム（Ａ−１）において、用いることができる塩基としては、ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いることができる塩基は、これらに限られるものでは無い。
【０１０７】
また、合成スキーム（Ａ−１）において、用いることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられるが、用いることができる溶媒は、これらに限られるものでは無い。また、トルエンと水、トルエンとエタノールと水の混合溶媒、またはエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒がより好ましい。
【０１０８】
また、合成スキーム（Ａ−１）に示すカップリング反応としては、化合物２で示される有機ホウ素化合物、またはボロン酸を用いる鈴木・宮浦反応の代わりに、有機アルミニウムや、有機ジルコニウム、有機亜鉛、有機スズ化合物等を用いるクロスカップリング反応を用いてもよい。しかし、これらに限定されるものではない。
【０１０９】
また、合成スキーム（Ａ−１）に示すカップリング反応において、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン誘導体の有機ホウ素化合物、またはジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン誘導体のボロン酸と、アミン誘導体のハロゲン化物、またはトリフラート置換体を、鈴木・宮浦反応によりカップリングしてもよい。
【０１１０】
また、以下の合成スキーム（Ａ−２）に示すように、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン誘導体のハロゲン化物（化合物３）と、アミン誘導体（化合物４）を、塩基存在下で金属触媒、金属、または金属化合物によりカップリングさせることにより、目的化合物である一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を合成することもできる。
【０１１１】
【化３４】
2013131743.tif 000035
【０１１２】
なお、合成スキーム（Ａ−２）中、Ｒ１１〜Ｒ１９は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ｘ２は、ハロゲン、またはトリフラート基を表し、ハロゲンとしてはヨウ素、または臭素が、より好ましい。また、Ａｒ１は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ａｒ２は、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリール基を表す。また、αは、置換もしくは無置換のフェニレン基、または置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表し、ｎは、０または１を表す。また、Ａは、置換もしくは無置換の９Ｈ−カルバゾール−９−イル基、または置換もしくは無置換の９−アリール−９Ｈ−カルバゾール−３−イル基を表す。
【０１１３】
また、合成スキーム（Ａ−２）において、ハートウィック・ブッフバルト反応を行う場合、用いることができるパラジウム触媒としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒は、これらに限られるものでは無い。
【０１１４】
また、合成スキーム（Ａ−２）において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−ヘキシル）ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒の配位子は、これらに限られるものでは無い。
【０１１５】
また、合成スキーム（Ａ−２）において、用いることができる塩基としては、ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いることができる塩基は、これらに限られるものでは無い。
【０１１６】
また、合成スキーム（Ａ−２）において、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン等が挙げられるが、用いることができる溶媒は、これらに限られるものでは無い。
【０１１７】
また、ハートウィック・ブッフバルト反応以外にも、ウルマン反応などを用いても良く、これらに限定されるものではない。
【０１１８】
以上によって、本発明の一態様である有機化合物を合成することができる。
【０１１９】
なお、発光層１１３において、上述した有機化合物（ホスト材料）と、燐光性化合物（ゲスト材料）と、を含んで形成することにより、発光層１１３からは、発光効率の高い燐光発光を得ることができる。
【０１２０】
また、本実施の形態においては、燐光性化合物を用いた発光素子について説明したが、これに限定されない。本発明の一態様である有機化合物は、ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン骨格と、置換基を２つ有したアミノ基と、がアリーレン基を介して結合し、置換基は、それぞれ独立に、アリール基、またはヘテロアリール基である。また、本発明の一態様である有機化合物は、高いＴ１準位を有しているため、高い一重項励起エネルギーの準位（Ｓ１準位）も有している。したがって、本発明の一態様である有機化合物は、可視域の蛍光発光材料のホスト材料としても用いることができる。
【０１２１】
また、発光物質（ゲスト材料）を分散させるための物質（ホスト材料）は、複数種用いることができる。よって、発光層１１３は、本発明の一態様である有機化合物以外に、第２のホスト材料（アシスト材料ともいう）を含んでいてもよい。なお、本発明の一態様である有機化合物を第２のホスト材料（アシスト材料）として用いてもよい。
【０１２２】
第２のホスト材料としては例えば、正孔輸送層１１２で用いた材料があげられる。
【０１２３】
電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層１１４には、Ａｌｑ３、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジン−ジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。
【０１２４】
また、電子輸送層１１４は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層したものとしてもよい。また、本発明の一態様である有機化合物は、電子輸送性を有する材料であるため、電子輸送層１１４に用いることもできる。
【０１２５】
電子注入層１１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１１５には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層１１４を構成する物質を用いることもできる。
【０１２６】
あるいは、電子注入層１１５に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１４を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【０１２７】
なお、上述した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５、電荷発生層１１６は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０１２８】
上述した発光素子は、第１の電極１０１および第２の電極１０３との間に生じた電位差により電流が流れ、ＥＬ層１０２において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。
【０１２９】
以上により説明した発光素子は、燐光性化合物に基づく燐光発光が得られることから、蛍光性化合物を用いた発光素子に比べて、高効率な発光素子を実現することができる。
【０１３０】
なお、本実施の形態で示した発光素子は、発光素子の構造の一例であるが、本発明の一態様である発光装置には、他の実施の形態で示す別の構造の発光素子を適用することもできる。また、上記発光素子を備えた発光装置の構成としては、パッシブマトリクス型の発光装置やアクティブマトリクス型の発光装置の他、別の実施の形態で説明する上記とは別の構造を有する発光素子を備えたマイクロキャビティー構造の発光装置などを作製することができ、これらは、いずれも本発明に含まれるものとする。
【０１３１】
なお、アクティブマトリクス型の発光装置の場合において、ＴＦＴの構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のＴＦＴを適宜用いることができる。また、ＴＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴからなるものでもよいし、Ｎ型のＴＦＴまたはＰ型のＴＦＴのいずれか一方のみからなるものであってもよい。さらに、ＴＦＴに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、その他、酸化物半導体膜等を用いることができる。
【０１３２】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
【０１３３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、燐光性化合物と、本発明の一態様である有機化合物と、他の２種類以上の有機化合物を発光層に用いた発光素子について図２、及び図２５を用いて説明する。
【０１３４】
本実施の形態に示す発光素子は、図２に示すように一対の電極（第１の電極２０１及び第２の電極２０２）間にＥＬ層２０３を有する構造である。なお、ＥＬ層２０３には、少なくとも発光層２０４を有し、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層などが含まれていても良い。なお、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層には、実施の形態１に示した物質を用いることができる。なお、本実施の形態においては、第１の電極２０１を陽極として用い、第２の電極２０２を陰極として用いる。
【０１３５】
本実施の形態に示す発光層２０４には、燐光性化合物２０５と、第１の有機化合物２０６、および第２の有機化合物２０７が含まれている。なお、燐光性化合物２０５は、発光層２０４におけるゲスト材料である。また、第１の有機化合物２０６、および第２の有機化合物２０７のうち、少なくとも一方に本発明の一態様である有機化合物が含まれており、発光層２０４に含まれる割合の多い方を発光層２０４におけるホスト材料とする。
【０１３６】
発光層２０４において、上記ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制し、発光素子の発光効率を高くすることができる。
【０１３７】
なお、第１の有機化合物２０６、及び第２の有機化合物２０７のそれぞれの三重項励起エネルギーの準位（Ｔ１準位）は、燐光性化合物２０５のＴ１準位よりも高いことが好ましい。第１の有機化合物２０６（または第２の有機化合物２０７）のＴ１準位が燐光性化合物２０５のＴ１準位よりも低いと、発光に寄与する燐光性化合物２０５の三重項励起エネルギーを第１の有機化合物２０６（または第２の有機化合物２０７）が消光（クエンチ）してしまい、発光効率の低下を招くためである。
【０１３８】
ここで、ホスト材料からゲスト材料へのエネルギー移動効率を高めるため、分子間の移動機構として知られているフェルスター機構（双極子−双極子相互作用）およびデクスター機構（電子交換相互作用）を考慮した上で、ホスト材料の発光スペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）とゲスト材料の吸収スペクトル（より詳細には、最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯におけるスペクトル）との重なりが大きくなることが好ましい。しかしながら通常の燐光性のゲスト材料の場合、ホスト材料の蛍光スペクトルを、ゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ねることは困難である。なぜならば、そのようにしてしまうと、ホスト材料の燐光スペクトルは蛍光スペクトルよりも長波長（低エネルギー）側に位置するため、ホスト材料のＴ１準位が燐光性化合物のＴ１準位を下回ってしまい、上述したクエンチの問題が生じてしまうからである。一方、クエンチの問題を回避するため、ホスト材料のＴ１準位が燐光性化合物のＴ１準位を上回るように設計すると、今度はホスト材料の蛍光スペクトルが短波長（高エネルギー）側にシフトするため、その蛍光スペクトルはゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ならなくなる。したがって、ホスト材料の蛍光スペクトルをゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ね、ホスト材料の一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることは、通常困難である。
【０１３９】
そこで本実施形態においては、第１の有機化合物２０６、および第２の有機化合物２０７は、励起錯体（エキサイプレックスとも言う）を形成する組み合わせであることが好ましい。これにより、発光層２０４において、第１の有機化合物２０６の蛍光スペクトルおよび第２の有機化合物２０７の蛍光スペクトルは、より長波長側に位置する励起錯体の発光スペクトルとして観測される。そして、励起錯体の発光スペクトルとゲスト材料（燐光性化合物２０５）の吸収スペクトルとの重なりが大きくなるように、第１の有機化合物２０６と第２の有機化合物２０７を選択すれば、一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることができる（図２５参照）。なお、三重項励起状態に関しても、ホスト材料ではなく励起錯体からのエネルギー移動が生じると考えられる。また、図２５には、第１の有機化合物２０６（又は第２の有機化合物２０７）の蛍光スペクトル２５１、第１の有機化合物２０６（又は第２の有機化合物２０７）の燐光スペクトル２５２、燐光性化合物２０５の吸収スペクトル２５３、励起錯体の発光スペクトル２５４、及び最も長波長側に位置する吸収帯２５５を示す。
【０１４０】
燐光性化合物２０５としては、例えば、燐光性イリジウム金属錯体等を用いることができる。例えば、青色系の発光材料として、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、緑色系の発光材料として、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス（１，２−ジフェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）３）などが挙げられる。また、黄色系の発光材料として、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス｛２−（４−メトキシフェニル）−３，５−ジメチルピラジナト｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｍｏｐｐｒ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、橙色系の発光材料として、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）３）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ））などが挙げられる。また、赤色系の発光材料として、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルア���トナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）等の有機金属錯体が挙げられる。また、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等の希土類金属錯体は、希土類金属イオンからの発光（異なる多重度間の電子遷移）であるため、燐光性化合物として用いることができる。また、第１の有機化合物２０６、及び第２の有機化合物２０７としては、電子を受け取りやすい化合物（電子トラップ性化合物）と、ホールを受け取りやすい化合物（正孔トラップ性化合物）と、を組み合わせることが好ましい。なお、本発明の一態様である有機化合物は、ホールを受け取りやすい化合物として用いることができる。
【０１４１】
電子を受け取りやすい化合物としては、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）が挙げられる。
【０１４２】
上述した第１の有機化合物２０６、及び第２の有機化合物２０７は、励起錯体を形成できる組み合わせの一例であり、励起錯体の発光スペクトルが、燐光性化合物２０５の吸収スペクトルと重なり、励起錯体の発光スペクトルのピークが、燐光性化合物２０５の吸収スペクトルのピークよりも長波長であればよい。
【０１４３】
なお、電子を受け取りやすい化合物とホールを受け取りやすい化合物で第１の有機化合物２０６と第２の有機化合物２０７を構成する場合、その混合比によってキャリアバランスを制御することができる。具体的には、第１の有機化合物：第２の有機化合物＝１：９〜９：１の範囲が好ましい。
【０１４４】
本実施の形態で示した発光素子は、励起錯体の発光スペクトルと燐光性化合物の吸収スペクトルとの重なりを利用したエネルギー移動により、エネルギー移動効率を高めることができるため、外部量子効率の高い発光素子を実現することができる。
【０１４５】
なお、本発明に含まれる別の構成として、燐光性化合物２０５（ゲスト材料）の他の２種類の有機化合物として、正孔トラップ性のホスト分子、および電子トラップ性のホスト分子を用いて発光層２０４を形成し、２種類のホスト分子中に存在するゲスト分子に正孔と電子を導いて、ゲスト分子を励起状態とする現象（すなわち、Ｇｕｅｓｔ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  ｗｉｔｈ  Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｈｏｓｔｓ：ＧＣＣＨ）が得られるように発光層２０４を形成する構成も可能である。
【０１４６】
この時、正孔トラップ性のホスト分子、および電子トラップ性のホスト分子としては、それぞれ、上述した正孔を受け取りやすい化合物、および電子を受け取りやすい化合物を用いることができる。
【０１４７】
なお、本実施の形態で示した発光素子は、発光素子の構造の一例であるが、本発明の一態様である発光装置には、他の実施の形態で示す別の構造の発光素子を適用することもできる。また、上記発光素子を備えた発光装置の構成としては、パッシブマトリクス型の発光装置やアクティブマトリクス型の発光装置の他、別の実施の形態で説明する上記とは別の構造を有する発光素子を備えたマイクロキャビティー構造の発光装置などを作製することができ、これらは、いずれも本発明に含まれるものとする。
【０１４８】
なお、アクティブマトリクス型の発光装置の場合において、ＴＦＴの構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のＴＦＴを適宜用いることができる。また、ＴＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴからなるものでもよいし、Ｎ型のＴＦＴまたはＰ型のＴＦＴのいずれか一方のみからなるものであってもよい。さらに、ＴＦＴに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、その他、酸化物半導体膜等を用いることができる。
【０１４９】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
【０１５０】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様として、電荷発生層を挟んでＥＬ層を複数有する構造の発光素子（以下、タンデム型発光素子という）について説明する。
【０１５１】
本実施の形態に示す発光素子は、図３（Ａ）に示すように一対の電極（第１の電極３０１および第２の電極３０４）間に、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））を有するタンデム型発光素子である。
【０１５２】
本実施の形態において、第１の電極３０１は、陽極として機能する電極であり、第２の電極３０４は陰極として機能する電極である。なお、第１の電極３０１および第２の電極３０４は、実施の形態１と同様な構成を用いることができる。また、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））は、実施の形態１または実施の形態２で示したＥＬ層と同様な構成であっても良いが、いずれかが同様の構成であっても良い。すなわち、第１のＥＬ層３０２（１）と第２のＥＬ層３０２（２）は、同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態１または実施の形態２と同様なものを適用することができる。
【０１５３】
また、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））の間には、電荷発生層３０５が設けられている。電荷発生層３０５は、第１の電極３０１と第２の電極３０４に電圧を印加したときに、一方のＥＬ層に電子を注入し、他方のＥＬ層に正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第１の電極３０１に第２の電極３０４よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層３０５から第１のＥＬ層３０２（１）に電子が注入され、第２のＥＬ層３０２（２）に正孔が注入される。
【０１５４】
なお、電荷発生層３０５は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層３０５に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層３０５は、第１の電極３０１や第２の電極３０４よりも低い導電率であっても機能する。
【０１５５】
電荷発生層３０５は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
【０１５６】
正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性の高い有機化合物としては、例えば、ＮＰＢやＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
【０１５７】
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１５８】
一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、ＰＢＤやＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。また、ピリミジン骨格を含む有機化合物を用いても良い。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
【０１５９】
また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２、１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
【０１６０】
なお、上述した材料を用いて電荷発生層３０５を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【０１６１】
図３（Ａ）に示す発光素子においては、ＥＬ層を２層有する発光素子について説明したが、図３（Ｂ）に示すように、ｎ層（ただし、ｎは、３以上）のＥＬ層を積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数のＥＬ層を有する場合、ＥＬ層とＥＬ層との間に電荷発生層を配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能である。電流密度を低く保てるため、長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。
【０１６２】
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光と混合すると、白色発光を得ることができる。
【０１６３】
また、３つのＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第１のＥＬ層の発光色が赤色であり、第２のＥＬ層の発光色が緑色であり、第３のＥＬ層の発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
【０１６４】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１６５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、燐光性化合物と、本発明の一態様である有機化合物と、を発光層に含む発光素子を用いた発光装置について、図４を用いて説明する。
【０１６６】
本実施の形態に示す発光装置は、一対の電極間での光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティー）構造を有しており、図４に示す様に一対の電極（反射電極４５１及び半透過・半反射電極４５２）間に少なくともＥＬ層４５５を有する構造である発光素子を複数、有している。また、ＥＬ層４５５は、少なくとも発光領域となる第１の発光層４５４Ｒ、第２の発光層４５４Ｇ、及び第３の発光層４５４Ｂを有し、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層などが含まれていてもよい。なお、第１の発光層４５４Ｒ、第２の発光層４５４Ｇ、及び第３の発光層４５４Ｂの少なくとも一つの層には、燐光性化合物と、本発明の一態様である有機化合物と、が含まれている。
【０１６７】
本実施の形態では、図４に示すように構造の異なる発光素子（第１の発光素子４５０Ｒ、第２の発光素子４５０Ｇ、第３の発光素子４５０Ｂ）を有した発光装置について説明する。
【０１６８】
第１の発光素子４５０Ｒは、反射電極４５１上に第１の透明導電層４５３ａと、ＥＬ層４５５と、半透過・半反射電極４５２と、が順次積層された構造を有する。また、第２の発光素子４５０Ｇは、反射電極４５１上に第２の透明導電層４５３ｂと、ＥＬ層４５５と、半透過・半反射電極４５２と、が順次積層された構造を有する。また、第３の発光素子４５０Ｂは、反射電極４５１上にＥＬ層４５５と、半透過・半反射電極４５２と、が順次積層された構造を有する。
【０１６９】
なお、上記発光素子（第１の発光素子４５０Ｒ、第２の発光素子４５０Ｇ、及び第３の発光素子４５０Ｂ）において、反射電極４５１、ＥＬ層４５５、半透過・半反射電極４５２は共通である。
【０１７０】
また、ＥＬ層４５５は、第１の発光層４５４Ｒと、第２の発光層４５４Ｇと、第３の発光層４５４Ｂと、を含んだ構造である。なお、第１の発光層４５４Ｒは、６００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＲ）を発光し、第２の発光層４５４Ｇは、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＧ）を発光し、第３の発光層４５４Ｂは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λＢ）を発光する。これにより、いずれの発光素子（第１の発光素子４５０Ｒ、第２の発光素子４５０Ｇ、第３の発光素子４５０Ｂ）でも、第１の発光層４５４Ｒ、第２の発光層４５４Ｇ、および第３の発光層４５４Ｂからの発光が重ね合わされた、すなわち可視光領域に渡るブロードな光を発光させることができる。なお、上記より、波長の長さは、λＢ＜λＧ＜λＲとなる関係であるとする。
【０１７１】
本実施の形態に示す各発光素子は、それぞれ反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２との間にＥＬ層４５５を挟んでなる構造を有しており、ＥＬ層４５５に含まれる各発光層から全方向に射出される発光は、微小光共振器（マイクロキャビティー）としての機能を有する反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２とによって共振される。なお、反射電極４５１は、反射性を有する導電性材料により形成され、その膜に対する可視光の反射率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極４５２は、反射性を有する導電性材料と光透過性を有する導電性材料とにより形成され、その膜に対する可視光の反射率が２０％〜８０％、好ましくは４０％〜７０％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。
【０１７２】
また、本実施の形態では、各発光素子で、第１の発光素子４５０Ｒと第２の発光素子４５０Ｇにそれぞれ設けられた透明導電層（第１の透明導電層４５３ａ、第２の透明導電層４５３ｂ）の厚みを変えることにより、発光素子毎に反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２の間の光学的距離を変えている。つまり、各発光素子の各発光層から発光するブロードな光は、反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２との間において、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができるため、素子毎に反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２の間の光学的距離を変えることにより、異なる波長の光を取り出すことができる。
【０１７３】
なお、光学的距離（光路長ともいう）とは、実際の距離に屈折率をかけたものであり、本実施の形態においては、実膜厚にｎ（屈折率）をかけたものを表している。すなわち、「光学的距離＝実膜厚×ｎ」である。
【０１７４】
また、第１の発光素子４５０Ｒでは、反射電極４５１から半透過・半反射電極４５２までの光学的距離をｍλＲ／２（ただし、ｍは１以上の自然数）、第２の発光素子４５０Ｇでは、反射電極４５１から半透過・半反射電極４５２までの光学的距離をｍλＧ／２（ただし、ｍは１以上の自然数）、第３の発光素子４５０Ｂでは、反射電極４５１から半透過・半反射電極４５２までの光学的距離をｍλＢ／２（ただし、ｍは１以上の自然数）としている。
【０１７５】
以上より、第１の発光素子４５０Ｒからは、主としてＥＬ層４５５に含まれる第１の発光層４５４Ｒで発光した光（λＲ）が取り出され、第２の発光素子４５０Ｇからは、主としてＥＬ層４５５に含まれる第２の発光層４５４Ｇで発光した光（λＧ）が取り出され、第３の発光素子４５０Ｂからは、主としてＥＬ層４５５に含まれる第３の発光層４５４Ｂで発光した光（λＢ）が取り出される。なお、各発光素子から取り出される光は、半透過・半反射電極４５２側からそれぞれ射出される。
【０１７６】
また、上記構成において、反射電極４５１から半透過・半反射電極４５２までの光学的距離は、厳密には反射電極４５１における反射領域から半透過・半反射電極４５２における反射領域までの距離である。しかし、反射電極４５１や半透過・半反射電極４５２における反射領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１７７】
次に、第１の発光素子４５０Ｒにおいて、第１の発光層４５４Ｒからの発光のうち、反射電極４５１によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、第１の発光層４５４Ｒから半透過・半反射電極４５２に直接入射する光（第１の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４５１と第１の発光層４５４Ｒの光学的距離を（２ｎＲ−１）λＲ／４（ただし、ｎＲは１以上の自然数）に調節する。光学的距離を調節することにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ、第１の発光層４５４Ｒからの発光を増幅させることができる。
【０１７８】
なお、反射電極４５１と第１の発光層４５４Ｒとの光学的距離とは、厳密には反射電極４５１における反射領域と第１の発光層４５４Ｒにおける発光領域との光学的距離ということができる。しかし、反射電極４５１における反射領域や第１の発光層４５４Ｒにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４５１と第１の発光層４５４Ｒの任意の位置を、それぞれ反射領域、発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１７９】
次に、第２の発光素子４５０Ｇにおいて、第２の発光層４５４Ｇからの発光のうち、反射電極４５１によって反射されて戻ってきた光（第２の反射光）は、第２の発光層４５４Ｇから半透過・半反射電極４５２に直接入射する光（第２の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４５１と第２の発光層４５４Ｇの光学的距離を（２ｎＧ−１）λＧ／４（ただし、ｎＧは１以上の自然数）に調節する。光学的距離を調節することにより、第２の反射光と第２の入射光との位相を合わせ、第２の発光層４５４Ｇからの発光を増幅させることができる。
【０１８０】
なお、反射電極４５１と第２の発光層４５４Ｇとの光学的距離とは、厳密には反射電極４５１における反射領域と第２の発光層４５４Ｇにおける発光領域との光学的距離ということができる。しかし、反射電極４５１における反射領域や第２の発光層４５４Ｇにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４５１と第２の発光層４５４Ｇの任意の位置を、それぞれ反射領域、発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１８１】
次に、第３の発光素子４５０Ｂにおいて、第３の発光層４５４Ｂからの発光のうち、反射電極４５１によって反射されて戻ってきた光（第３の反射光）は、第３の発光層４５４Ｂから半透過・半反射電極４５２に直接入射する光（第３の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４５１と第３の発光層４５４Ｂの光学的距離を（２ｎＢ−１）λＢ／４（ただし、ｎＢは１以上の自然数）に調節する。光学的距離を調節することにより、第３の反射光と第３の入射光との位相を合わせ、第３の発光層４５４Ｂからの発光を増幅させることができる。
【０１８２】
なお、反射電極４５１と第３の発光層４５４Ｂとの光学的距離とは、厳密には反射電極４５１における反射領域と第３の発光層４５４Ｂにおける発光領域との光学的距離ということができる。しかし、反射電極４５１における反射領域や第３の発光層４５４Ｂにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４５１と第３の発光層４５４Ｂの任意の位置を、それぞれ反射領域、発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１８３】
なお、上記構成において、いずれの発光素子もＥＬ層に複数の発光層を有する構造を有しているが、本発明はこれに限られることはなく、例えば、実施の形態３で説明したタンデム型（積層型）発光素子の構成と組み合わせて、一つの発光素子に電荷発生層を挟んで複数のＥＬ層を設け、それぞれのＥＬ層に単数または複数の発光層を形成する構成としてもよい。
【０１８４】
本実施の形態で示した発光装置は、マイクロキャビティー構造を有しており、同じＥＬ層を有していても発光素子毎に異なる波長の光を取り出すことができるためＲＧＢの塗り分けが不要となる。従って、高精細化を実現することが容易であるなどの理由からフルカラー化を実現する上で有利である。また、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。この構成は、３色以上の画素を用いたカラーディスプレイ（画像表示装置）に適用する場合に、特に有用であるが、照明などの用途に用いてもよい。
【０１８５】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
【０１８６】
（実施の形態５）
本実施の形態では、燐光性化合物と、本発明の一態様である有機化合物と、を有した発光素子を有する発光装置について図５を用いて説明する。
【０１８７】
また、本発明の一態様である発光素子を用いた発光装置は、パッシブマトリクス型の発光装置でもアクティブマトリクス型の発光装置でもよい。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施形態で説明した発光素子を適用することが可能である。
【０１８８】
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を用いた発光装置として、アクティブマトリクス型の発光装置について図５を用いて説明する。
【０１８９】
なお、図５（Ａ）は、発光装置を示す上面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示すＡ−Ａ’で切断した断面図に相当する。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板５０１上に設けられた画素部５０２と、駆動回路部（ソース線駆動回路）５０３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）５０４と、を有する。画素部５０２、駆動回路部５０３、及び駆動回路部５０４は、シール材５０５によって、素子基板５０１と封止基板５０６との間に封止されている。
【０１９０】
また、素子基板５０１上には、駆動回路部５０３、及び駆動回路部５０４に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線５０７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ５０８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣ５０８しか図示されていないが、このＦＰＣ５０８にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１９１】
次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。素子基板５０１上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部５０３と、画素部５０２が示されている。
【０１９２】
駆動回路部５０３は、ｎチャネル型ＴＦＴ５０９とｐチャネル型ＴＦＴ５１０とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。
【０１９３】
また、画素部５０２は、スイッチング用ＴＦＴ５１１と、電流制御用ＴＦＴ５１２と電流制御用ＴＦＴ５１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極５１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極５１３の端部を覆って絶縁物５１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。なお、本実施の形態においては、第１の電極５１３を陽極として用い、第２の電極５１６を陰極として用いる。
【０１９４】
また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物５１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物５１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物５１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物５１４として、ネガ型の感光性樹脂、またはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等、の両者を使用することができる。
【０１９５】
第１の電極５１３上には、ＥＬ層５１５及び第２の電極５１６が積層形成されている。ＥＬ層５１５は、少なくとも発光層が設けられており、発光層には、燐光性化合物と、本発明の一態様である有機化合物が含まれている。また、ＥＬ層５１５には、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を適宜設けることができる。
【０１９６】
なお、第１の電極５１３、ＥＬ層５１５及び第２の電極５１６との積層構造で、発光素子５１７が形成されている。第１の電極５１３、ＥＬ層５１５及び第２の電極５１６の用いる材料としては、実施の形態１に示す材料を用いることができる。また、ここでは図示しないが、第２の電極５１６は外部入力端子であるＦＰＣ５０８に電気的に接続されている。
【０１９７】
また、図５（Ｂ）に示す断面図では発光素子５１７を１つのみ図示しているが、画素部５０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部５０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
【０１９８】
さらに、シール材５０５で封止基板５０６を素子基板５０１と貼り合わせることにより、素子基板５０１、封止基板５０６、およびシール材５０５で囲まれた空間５１８に発光素子５１７が備えられた構造になっている。なお、空間５１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材５０５で充填される構成も含むものとする。
【０１９９】
なお、シール材５０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板５０６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０２００】
以上のようにして、アクティブマトリクス型の燐光発光に基づく発光装置を得ることができる。
【０２０１】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０２０２】
（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態に示す本発明の一態様の発光装置をその一部に含む電子機器について説明する。電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、スマートフォン、携帯型ゲーム機、電子書籍、またはタブレット型端末等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的には、Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器の具体例について、図６、及び図７を用いて説明する。
【０２０３】
図６（Ａ）は、本発明の一態様に係るテレビ装置であり、筐体６１１、支持台６１２、表示部６１３、スピーカー部６１４、ビデオ入力端子６１５等を含む。このテレビ装置において、表示部６１３には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減されたテレビ装置を得ることができる。
【０２０４】
図６（Ｂ）は、本発明の一態様に係るコンピュータであり、本体６２１、筐体６２２、表示部６２３、キーボード６２４、外部接続ポート６２５、ポインティングデバイス６２６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部６２３には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減されたコンピュータを得ることができる。
【０２０５】
図６（Ｃ）は、本発明の一態様に係る携帯電話であり、本体６３１、筐体６３２、表示部６３３、音声入力部６３４、音声出力部６３５、操作キー６３６、外部接続ポート６３７、アンテナ６３８等を含む。この携帯電話において、表示部６３３には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減された携帯電話を得ることができる。
【０２０６】
図６（Ｄ）は、本発明の一態様に係るカメラであり、本体６４１、表示部６４２、筐体６４３、外部接続ポート６４４、リモコン受信部６４５、受像部６４６、バッテリー６４７、音声入力部６４８、操作キー６４９、接眼部６５０等を含む。このカメラにおいて、表示部６４２には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減されたカメラを得ることができる。
【０２０７】
図７は、本発明の一態様に係るタブレット型端末の一例であり、図７（Ａ−１）、図７（Ａ−２）、及び図７（Ａ−３）は、タブレットＰＣ５０００を示し、図７（Ｂ）は、タブレットＰＣ６０００を示している。
【０２０８】
図７（Ａ−１）、図７（Ａ−２）、及び図７（Ａ−３）に示すタブレットＰＣ５０００において、図７（Ａ−１）は正面図を、図７（Ａ−２）は側面図を、図７（Ａ−３）は背面図を、それぞれ示している。また、図７（Ｂ）に示すタブレットＰＣ６０００においては、正面図を示している。
【０２０９】
タブレットＰＣ５０００は、筐体５００１、表示部５００３、電源ボタン５００５、前面カメラ５００７、背面カメラ５００９、第１の外部接続端子５０１１、及び第２の外部接続端子５０１３などにより構成されている。
【０２１０】
また、表示部５００３は、筐体５００１に組み込まれており、タッチパネルとしても用いることができる。例えば、表示部５００３上にアイコン５０１５等を表示させて、メールや、スケジュール管理といった作業を行うことができる。また、筐体５００１には、正面側に前面カメラ５００７が組み込まれており、使用者側の映像を撮影することができる。また、筐体５００１には、背面側に背面カメラ５００９が組み込まれており、使用者と反対側の映像を撮影することができる。また、筐体５００１には、第１の外部接続端子５０１１、及び第２の外部接続端子５０１３を備えており、例えば、第１の外部接続端子５０１１により、イヤホン等に音声を出力し、第２の外部接続端子５０１３により、データの移動等を行うことができる。
【０２１１】
次に、図７（Ｂ）に示すタブレットＰＣ６０００は、第１の筐体６００１、第２の筐体６００３、ヒンジ部６００５、第１の表示部６００７、第２の表示部６００９、電源ボタン６０１１、第１のカメラ６０１３、第２のカメラ６０１５などにより構成されている。
【０２１２】
また、第１の表示部６００７は、第１の筐体６００１に組み込まれており、第２の表示部６００９は、第２の筐体６００３に組み込まれている。第１の表示部６００７、及び第２の表示部６００９は、例えば、第１の表示部６００７を表示用パネルとして使用し、第２の表示部６００９をタッチパネルとする。第１の表示部６００７に表示されたテキストアイコン６０１７を確認し、第２の表示部６００９に表示させたアイコン６０１９、またはキーボード６０２１（第２の表示部６００９に表示されたキーボード画像）を用いて、画像の選択、または文字の入力等を行うことができる。もちろん、第１の表示部６００７がタッチパネルであり、第２の表示部６００９が表示用パネルといった構成や、第１の表示部６００７、及び第２の表示部６００９ともにタッチパネルといった構成としてもよい。
【０２１３】
また、第１の筐体６００１と、第２の筐体６００３は、ヒンジ部６００５により接続されており、第１の筐体６００１と、第２の筐体６００３と、を開閉することができる。このような構成とすることにより、タブレットＰＣ６０００を持ち運ぶ際に、第１の筐体６００１に組み込まれた第１の表示部６００７と、第２の筐体６００３に組み込まれた第２の表示部６００９と、を合わせることで、第１の表示部６００７、及び第２の表示部６００９の表面（例えば、プラスチック基板等）を保護することができるので好適である。
【０２１４】
また、第１の筐体６００１と第２の筐体６００３は、ヒンジ部６００５により、分離できる構成としても良い（所謂コンバーチブル型）。このような構成とすることで、例えば、第１の筐体６００１を縦置きとし、第２の筐体６００３を横置きとして使用するといったように、使用範囲が広がるので好適である。
【０２１５】
また、第１のカメラ６０１３、及び第２のカメラ６０１５により、３Ｄ画像の撮影を行うこともできる。
【０２１６】
また、タブレットＰＣ５０００、及びタブレットＰＣ６０００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。例えば、無線により、インターネット等に接続し、所望の情報を購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。
【０２１７】
また、タブレットＰＣ５０００、及びタブレットＰＣ６０００は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。また、外光の光量に応じて表示の輝度を最適にすることができる光センサや、ジャイロ、加速度センサの傾きを検出するセンサなどといった検出装置を内蔵させてもよい。
【０２１８】
タブレットＰＣ５０００の表示部５００３、並びにタブレットＰＣ６０００の第１の表示部６００７、または／および第２の表示部６００９において、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減されたタブレット型端末を得ることができる。
【０２１９】
以上のように、本発明の一態様の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明の一態様の発光装置を用いることにより、消費電力の低減された電子機器を得ることができる。
【０２２０】
また、本発明の一態様の発光装置は、照明装置として用いることもできる。照明装置の具体例について、図８を用いて説明する。
【０２２１】
図８（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図８（Ａ）に示した液晶表示装置は、筐体７０１、液晶層７０２、バックライト７０３、筐体７０４を有し、液晶層７０２は、ドライバＩＣ７０５と接続されている。また、バックライト７０３は、本発明の一態様の発光装置が用いられおり、端子７０６により、電流が供給されている。このように本発明の一態様の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、低消費電力のバックライトが得られる。また、本発明の一態様の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化も可能である。従って、低消費電力であり、大面積化された液晶表示装置を得ることができる。
【０２２２】
図８（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図８（Ｂ）に示す電気スタンドは、筐体８０１と、光源８０２を有し、光源８０２として、本発明の一態様の発光装置が用いられている。低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、低消費電力の電気スタンドを得ることが可能となる。
【０２２３】
図８（Ｃ）は、本発明の一態様の発光装置を、室内の照明装置９０１として用いた例である。本発明の一態様の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、低消費電力の照明装置を得ることが可能となる。このように、本発明の一態様の発光装置を、室内の照明装置９０１として用いた部屋に、図６（Ａ）で説明したような、本発明の一態様のテレビ装置９０２を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。
【０２２４】
なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
【実施例１】
【０２２５】
本実施例では、本発明の一態様である有機化合物として、実施の形態１の構造式（１００）に示される、４−（ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＤＢｑ）の合成方法について説明する。
【０２２６】
【化３５】
2013131743.tif 000036
【０２２７】
≪４−（ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＤＢｑ）の合成≫
４−（ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＤＢｑ）の合成スキームを（Ｂ−１）に示す。
【０２２８】
【化３６】
2013131743.tif 000037
【０２２９】
５０ｍＬ三口フラスコに、２−クロロジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン０．２３ｇ（０．８７ｍｍｏｌ）、４−｛Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝フェニルボロン酸０．５０ｇ（０．９４ｍｍｏｌ）、トルエン５ｍＬ、エタノール１ｍＬ、２Ｍの炭酸カリウム水溶液１．５ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で撹拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）２０ｍｇ（１７μｍｏｌ）を加えた。この混合物を窒素気流下、８０℃で２０時間撹拌した。所定時間経過後、この混合物に水とトルエンを加え、得られた水層をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせて、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：ヘキサン＝１：１）により精製し、さらにトルエン／メタノールにより再結晶したところ、目的物の黄色粉末を収量０．５３ｇ、収率８５％で得た。
【０２３０】
得られた４−（ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミンの粉末０．５２ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力４．２Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎの条件で、４−（ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミンを３２０℃で加熱して行った。昇華精製後４−（ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミンの黄色粉末を０．４３ｇ、回収率８３％で得た。
【０２３１】
核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である４−（ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＤＢｑ）であることを確認した。
【０２３２】
得られた物質の１Ｈ  ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．１４（ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１Ｈ）、７．２９−７．８３（ｍ、２４Ｈ）、８．２０（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．２７（ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ、２Ｈ）、８．３７（ｓ、１Ｈ）、８．６６（ｄ、Ｊ＝８．１Ｈｚ、２Ｈ）、９．２０−９．２４（ｍ、１Ｈ）、９．３６（ｓ、１Ｈ）、９．４０（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１Ｈ）。
【０２３３】
また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図９に示す。なお、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜９．５ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
【０２３４】
また、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）のトルエン溶液の吸収スペクトルを図１０（Ａ）に、発光スペクトルを図１０（Ｂ）にそれぞれ示す。また、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）の薄膜の吸収スペクトルを図１１（Ａ）に、発光スペクトルを図１１（Ｂ）にそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。また、吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。
【０２３５】
なお、図１０、及び図１１において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２８２ｎｍ、３２５ｎｍ、及び４１６ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、４８３ｎｍ付近であった。また、薄膜の場合では２５４ｎｍ、３３３ｎｍ、及び４２５ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは５２２ｎｍ付近であった。
【実施例２】
【０２３６】
本実施例では、本発明の一態様である有機化合物として、実施の形態１の構造式（２０１）に示される、３−（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＹＧＡＰＤＢｑ）の合成方法について説明する。
【０２３７】
【化３７】
2013131743.tif 000038
【０２３８】
≪３−（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＹＧＡＰＤＢｑ）の合成≫
３−（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＹＧＡＰＤＢｑ）の合成スキームを（Ｃ−１）に示す。
【０２３９】
【化３８】
2013131743.tif 000039
【０２４０】
２００ｍＬ３口フラスコに２−（３−ブロモフェニル）ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン１．１ｇ（２．９ｍｍｏｌ）、９−［４−（Ｎ−フェニルアミノ）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール１．０ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム  ｔｅｒｔブトキシド０．６０ｇ（６．２ｍｍｏｌ）を加えた。このフラスコ内を減圧下で窒素置換した。この混合物にキシレン３０ｍＬを加え、減圧下で攪拌する事で脱気した。この混合物に、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．２ｍＬ、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）５５ｍｇ（９６μｍｏｌ）を加えた。この混合物を、窒素気流下１４０℃で７時間還流した。所定時間経過後、得られた混合物に水を加え、水層をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた混合物を自然濾過し、濾液を濃縮して油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：ヘキサン＝１：２）で精製して油状物を得た。得られた油状物にメタノールを加え、超音波を照射し、析出した固体を吸引濾過により回収したところ、目的物の黄色粉末を収量０．５７ｇ、収率３０％で得た。
【０２４１】
得られた２−（３−｛Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝フェニル）ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリンの黄色粉末０．５５ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力３．０Ｐａ、アルゴン流量５．０ｍＬ／ｍｉｎの条件で、２−（３−｛Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝フェニル）ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリンを３００℃で１６時間加熱して行った。昇華精製後２−（３−｛Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝フェニル）ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリンの黄色ガラス状物質を０．４５ｇ、回収率８２％で得た。
【０２４２】
核磁気共鳴法（１Ｈ  ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物である３−（ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＹＧＡＰＤＢｑ）であることを確認した。
【０２４３】
得られた物質の１Ｈ  ＮＭＲデータを以下に示す。
１Ｈ  ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，３００ＭＨｚ）：δ＝７．２１−７．５１（ｍ、１４Ｈ）、７．６０−７．７３（ｍ、４Ｈ）、７．８１−７．９２（ｍ、３Ｈ）、８．１８（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．２５−８．３０（ｍ、３Ｈ）、８．８８（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、２Ｈ）、９．０８（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、９．１５（ｄ、Ｊ＝７．８Ｈｚ、１Ｈ）、９．６５（ｓ、１Ｈ）。
【０２４４】
また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図２６に示す。なお、図２６（Ｂ）は、図２６（Ａ）における７．０ｐｐｍ〜１０．０ｐｐｍの範囲を拡大して表したチャートである。
【０２４５】
また、ｍＹＧＡＰＤＢｑ（略称）のトルエン溶液の吸収スペクトルを図２７（Ａ）に、発光スペクトルを図２７（Ｂ）にそれぞれ示す。また、ｍＹＧＡＰＤＢｑ（略称）の薄膜の吸収スペクトルを図２８（Ａ）に、発光スペクトルを図２８（Ｂ）にそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。また、吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。
【０２４６】
なお、図２７、及び図２８において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は強度（任意単位）を表す。トルエン溶液の場合では、２１５ｎｍ、２８０ｎｍ、２９３ｎｍ、及び３７２ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは、５０２ｎｍ付近であった。また、薄膜の場合では２４４ｎｍ、２６１ｎｍ、２８８ｎｍ、３１３ｎｍ、及び３７７ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは５００ｎｍ付近であった。
【０２４７】
次に、本実施例で得られたｍＹＧＡＰＤＢｑ（略称）を液体クロマトグラフ質量分析（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ，略称：ＬＣ／ＭＳ分析）によって分析した。
【０２４８】
ＬＣ／ＭＳ分析は、ウォーターズ社製Ａｃｑｕｉｔｙ  ＵＰＬＣおよびウォーターズ社製Ｘｅｖｏ  Ｇ２  Ｔｏｆ  ＭＳを用いて行った。
【０２４９】
ＭＳ分析では、エレクトロスプレーイオン化法（ＥｌｅｃｔｒｏＳｐｒａｙ  Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ、略称：ＥＳＩ）によるイオン化を行った。この時のキャピラリー電圧は３．０ｋＶ、サンプルコーン電圧は３０Ｖとし、検出はポジティブモードで行った。さらに、以上の条件でイオン化された成分を衝突室（コリジョンセル）内でアルゴンガスと衝突させてプロダクトイオンに解離させた。アルゴンを衝突させる際のエネルギー（コリジョンエネルギー）は７０ｅＶとした。なお、測定する質量範囲はｍ／ｚ＝１００〜１２００とした。
【０２５０】
ＭＳ分析した測定結果を図２９に示す。図２９の結果から、本発明の一態様であるｍＹＧＡＰＤＢｑ（略称）は、主としてｍ／ｚ＝１６７付近、ｍ／ｚ＝２４３付近、ｍ／ｚ＝３９４付近、ｍ／ｚ＝４４５付近、及びｍ／ｚ＝４７２付近にプロダクトイオンのピークが、ｍ／ｚ＝６３９付近にプレカーサーイオン由来のピークが、それぞれ検出されることがわかった。ここで、付近とは、ＬＣ／ＭＳ分析において、水素イオンの存在の有無や同位体の存在によりプロダクトイオンやプレカーサーイオンの数値の変化を表しており、この数値の変化を許容範囲とすることを意味するものとする。なお、図２９に示す結果は、ｍＹＧＡＰＤＢｑ（略称）に由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれるｍＹＧＡＰＤＢｑ（略称）を同定する上での重要なデータであるといえる。
【実施例３】
【０２５１】
本実施例では、燐光性化合物と、実施の形態１、及び実施例１に示した構造式（１００）で表される有機化合物と、を発光層に用いた発光素子１について評価を行った。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。
【０２５２】
【化３９】
2013131743.tif 000040
【０２５３】
発光素子１について、図１２を用いて説明する。以下に、本実施例の発光素子１の作製方法を示す。
【０２５４】
（発光素子１）
まず、基板１１００上に、シリコン、または酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ化合物（ＩＴＯ−ＳｉＯ２、以下ＩＴＳＯと略記する。）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、用いたターゲットの組成は、Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２：ＳｉＯ２＝８５：１０：５［重量％］とした。また、第１の電極１１０１の膜厚は、１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。ここで、第１の電極１１０１は、発光素子の陽極として機能する電極である。
【０２５５】
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
【０２５６】
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
【０２５７】
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、４，４’，４’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と酸化モリブデンを共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、４０ｎｍとし、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ（略称）と酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン）となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で、複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。
【０２５８】
次に、正孔注入層１１１１上に、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。
【０２５９】
さらに、実施例１にて合成した４−（ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＤＢｑ）と、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（別名：ビス［２−（６−フェニル−４−ピリミジニル−κＮ３）フェニル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ））（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）と、を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。ここで、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）、及び［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］（略称）の重量比は、１：０．０５（＝ＰＣＢＡＰＤＢｑ：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。
【０２６０】
なお、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］（略称）は、燐光性化合物であり、発光層１１１３におけるゲスト材料（ドーパント）である。また、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）は、発光層１１１３におけるホスト材料である。
【０２６１】
次に、発光層１１１３上に２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）を膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
【０２６２】
次に、第１の電子輸送層１１１４ａ上にバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を膜厚２０ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
【０２６３】
さらに、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
【０２６４】
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子１を作製した。
【０２６５】
以上により得られた発光素子１の素子構造を表１に示す。
【０２６６】
【表１】
2013131743.tif 000041
【０２６７】
次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子１が大気に曝されないように封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）を行った後、当該発光素子１の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２６８】
発光素子１の電流密度−輝度特性を図１３に示す。図１３において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、発光素子１の電圧−輝度特性を図１４に示す。図１４において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、発光素子１の輝度−電流効率特性を図１５に示す。図１５において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子１の電圧−電流特性を、図１６に示す。図１６において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は電流（ｍＡ）を表す。
【０２６９】
図１３、及び図１５より、発光素子１は、高効率な発光素子であることがわかった。また、図１３、図１４、及び図１６より、発光素子１は、低駆動電圧、低消費電力な発光素子であることがわかった。
【０２７０】
次に、発光素子１の輝度７７０ｃｄ／ｍ２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表２に示す。
【０２７１】
【表２】
2013131743.tif 000042
【０２７２】
また、発光素子１の電流密度を、２．５ｍＡ／ｃｍ２とした際の発光スペクトルを図１７に示す。図１７に示す通り、発光素子１の発光スペクトルは、５８３ｎｍにピークを有している。
【０２７３】
また、表２に示す通り、発光素子１の輝度が、７７０ｃｄ／ｍ２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．５６，０．４３）であった。これらのことから、ドーパント由来の発光が得られていることがわかった。
【０２７４】
以上のように、燐光性化合物と、本発明の一態様の有機化合物であるＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）と、を発光層として用いた発光素子１は、橙色の波長領域の光を、効率よく発光させることができると示された。そのため、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）は、橙色を含む橙色より長波長で発光する発光材料のホスト材料として好適であることがわかった。
【０２７５】
次に、上記発光素子１について、信頼性試験の評価を行った。信頼性試験の結果を図１８に示す。
【０２７６】
図１８において、信頼性試験の測定方法は、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子１を駆動した。横軸は素子の駆動時間（ｈ）を、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を表す。図１８から、発光素子１の規格化輝度が５７％まで劣化する駆動時間は、約５１０時間となった。
【０２７７】
このように図１８より、発光素子１は長寿命な発光素子であることがわかった。
【０２７８】
以上の結果から、燐光性化合物と、本発明の一態様の有機化合物であるＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）と、を発光層として用いた発光素子１は、高効率、低駆動電圧、低消費電力、及び長寿命な発光素子であることがわかった。
【実施例４】
【０２７９】
本実施例では、燐光性化合物と、実施の形態１、及び実施例１に示した構造式（１００）で表される有機化合物と、を発光層に用いた発光素子２について評価を行った。なお、本実施例で示す発光素子２は、先の実施例３で示した発光素子１と発光層の構成が異なる。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。
【０２８０】
【化４０】
2013131743.tif 000043
【０２８１】
発光素子２について、図１２を用いて説明する。以下に、本実施例の発光素子２の作製方法を示す。
【０２８２】
（発光素子２）
まず、基板１１００上に、シリコン、または酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ化合物（ＩＴＯ−ＳｉＯ２、以下ＩＴＳＯと略記する。）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、用いたターゲットの組成は、Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２：ＳｉＯ２＝８５：１０：５［重量％］とした。また、第１の電極１１０１の膜厚は、１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。ここで、第１の電極１１０１は、発光素子の陽極として機能する電極である。
【０２８３】
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
【０２８４】
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
【０２８５】
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、４，４’，４’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と酸化モリブデンを共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、４０ｎｍとし、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ（略称）と酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン）となるように調節した。
【０２８６】
次に、正孔注入層１１１１上に、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。
【０２８７】
さらに、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）と、実施例１にて合成した４−（ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン−２−イル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＤＢｑ）と、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（別名：ビス［２−（６−フェニル−４−ピリミジニル−κＮ３）フェニル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ））（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）と、を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。ここで、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ（略称）、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）、及び［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］（略称）の重量比は、０．６：０．４：０．０５（＝２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＡＰＤＢｑ：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。
【０２８８】
なお、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］（略称）は、燐光性化合物であり、発光層１１１３におけるゲスト材料（ドーパント）である。また、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ（略称）は、発光層１１１３におけるホスト材料である。また、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）は、発光層１１１３におけるアシスト材料である。
【０２８９】
次に、発光層１１１３上に２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ（略称）を膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
【０２９０】
次に、第１の電子輸送層１１１４ａ上にバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を膜厚２０ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
【０２９１】
さらに、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
【０２９２】
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子２を作製した。
【０２９３】
以上により得られた発光素子２の素子構造を表３に示す。
【０２９４】
【表３】
2013131743.tif 000044
【０２９５】
次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子２が大気に曝されないように封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）を行った後、当該発光素子２の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２９６】
発光素子２の電流密度−輝度特性を図１９に示す。図１９において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、発光素子２の電圧−輝度特性を図２０に示す。図２０において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、発光素子２の輝度−電流効率特性を図２１に示す。図２１において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子２の電圧−電流特性を図２２に示す。図２２において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は電流（ｍＡ）を表す。
【０２９７】
図１９、及び図２１より、発光素子２は、高効率な発光素子であることがわかった。また、図１９、図２０、及び図２２より、発光素子２は、低駆動電圧、低消費電力な発光素子であることがわかった。
【０２９８】
次に、発光素子２の輝度１０９７ｃｄ／ｍ２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表４に示す。
【０２９９】
【表４】
2013131743.tif 000045
【０３００】
また、発光素子２の電流密度を、２．５ｍＡ／ｃｍ２とした際の発光スペクトルを図２３に示す。図２３に示す通り、発光素子２の発光スペクトルは、５８４ｎｍにピークを有している。
【０３０１】
また、表４に示す通り、発光素子２の輝度が、１０９７ｃｄ／ｍ２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．５６，０．４４）であった。これらのことから、ドーパント由来の発光が得られていることがわかった。
【０３０２】
以上のように、燐光性化合物と、本発明の一態様の有機化合物であるＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）と、を発光層として用いた発光素子２は、橙色の波長領域の光を、効率よく発光させることができると示された。そのため、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）は、橙色を含む橙色より長波長で発光する発光材料のアシスト材料として好適であることがわかった。
【０３０３】
次に、上記発光素子２について、信頼性試験の評価を行った。信頼性試験の結果を図２４に示す。
【０３０４】
図２４において、信頼性試験の測定方法は、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子２を駆動した。横軸は素子の駆動時間（ｈ）を、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を表す。図２４から、発光素子２の規格化輝度が７２％まで劣化する駆動時間は、約１０００時間となった。
【０３０５】
このように図２４より、発光素子２は、長寿命な発光素子であることがわかった。
【０３０６】
以上の結果から、燐光性化合物と、本発明の一態様の有機化合物であるＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）と、を発光層として用いた発光素子２は、高効率、低駆動電圧、低消費電力、及び長寿命な発光素子であることがわかった。
【実施例５】
【０３０７】
本実施例では、燐光性化合物と、実施の形態１、及び実施例１に示した構造式（１００）で表される有機化合物と、を発光層に用いた発光素子３、及び比較用の比較発光素子４について評価を行った。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。
【０３０８】
【化４１】
2013131743.tif 000046
【０３０９】
まず、発光素子３について、図１２を用いて説明する。以下に、本実施例の発光素子３の作製方法を示す。
【０３１０】
（発光素子３）
まず、基板１１００上に、シリコンまたは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ化合物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、用いたターゲットの組成は、Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２：ＳｉＯ２＝８５：１０：５［重量％］とした。また、第１の電極１１０１の膜厚は、１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。ここで、第１の電極１１０１は、発光素子の陽極として機能する電極である。
【０３１１】
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
【０３１２】
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
【０３１３】
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ（略称）と酸化モリブデンを共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、３０ｎｍとし、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ（略称）と酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン）となるように調節した。
【０３１４】
次に、正孔注入層１１１１上に、ＢＰＡＦＬＰ（略称）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。
【０３１５】
次に、実施例１にて合成したＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）と、（ジピバロイルメタナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））と、を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。ここで、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）、及びＩｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）（略称）の重量比は、１：０．０５（＝ＰＣＢＡＰＤＢｑ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。
【０３１６】
なお、Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）（略称）は、燐光性化合物であり、発光層１１１３におけるゲスト材料（ドーパント）である。また、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）は、発光層１１１３におけるホスト材料である。
【０３１７】
次に、発光層１１１３上にＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）を膜厚２０ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
【０３１８】
次に、第１の電子輸送層１１１４ａ上にＢＰｈｅｎ（略称）を膜厚２０ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
【０３１９】
次に、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
【０３２０】
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子３を作製した。
【０３２１】
（比較発光素子４）
比較発光素子４の発光層１１１３は、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）と、Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）（略称）と、を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。ここで、ＰＣＢＡ１ＢＰ（略称）、及びＩｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）（略称）の重量比は、１：０．０５（＝ＰＣＢＡ１ＢＰ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。
【０３２２】
なお、比較発光素子４は、発光層１１１３以外発光素子３と同様に作製した。
【０３２３】
以上により得られた発光素子３及び比較発光素子４の素子構造を表５に示す。
【０３２４】
【表５】
2013131743.tif 000047
【０３２５】
次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子３及び比較発光素子４が大気に曝されないように封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）を行った後、当該発光素子３及び比較発光素子４の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０３２６】
発光素子３及び比較発光素子４の電流密度−輝度特性を図３０に示す。図３０において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、発光素子３及び比較発光素子４の電圧−輝度特性を図３１に示す。図３１において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、発光素子３及び比較発光素子４の輝度−電流効率特性を図３２に示す。図３２において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子３及び比較発光素子４の電圧−電流特性を図３３に示す。図３３において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は電流（ｍＡ）を表す。
【０３２７】
図３０、及び図３２より、発光素子３は、比較発光素子４と比べ高効率な発光素子であることがわかった。また、図３０、図３１、及び図３３より、発光素子３は、比較発光素子４と比べ低駆動電圧、低消費電力な発光素子であることがわかった。
【０３２８】
次に、発光素子３及び比較発光素子４の輝度１０００ｃｄ／ｍ２付近のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表６に示す。
【０３２９】
【表６】
2013131743.tif 000048
【０３３０】
また、表６に示す通り、発光素子３の輝度が、１１５２ｃｄ／ｍ２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３４）であった。また、比較発光素子４の輝度が、１０２９ｃｄ／ｍ２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．４４，０．４６）であった。これらのことから、本発明の一態様の発光素子３は、ドーパント由来の発光が得られていることがわかった。
【０３３１】
以上のように、燐光性化合物と、本発明の一態様の有機化合物であるＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）と、を発光層として用いた発光素子３は、赤色の波長領域の光を、効率よく発光させることができると示された。そのため、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）は、橙色を含む橙色より長波長で発光する発光材料のホスト材料として好適であることがわかった。
【０３３２】
次に、上記発光素子３及び比較発光素子４について、信頼性試験の評価を行った。信頼性試験の結果を図３４に示す。
【０３３３】
図３４において、信頼性試験の測定方法は、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子３及び発光素子４を駆動した。横軸は素子の駆動時間（ｈ）を、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を表す。図３４から、発光素子３の規格化輝度が８０％まで劣化する駆動時間は、９７時間であった。また、比較発光素子４の規格化輝度が５０％まで劣化する駆動時間は、９５時間であった。
【０３３４】
このように、図３４より発光素子３は、比較発光素子４と比べ、長寿命な発光素子であることが確認された。
【０３３５】
以上の結果から、燐光性化合物と、本発明の一態様の有機化合物であるＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）と、を発光層として用いた発光素子３は、高効率、低駆動電圧、低消費電力、及び長寿命な発光素子であることがわかった。
【実施例６】
【０３３６】
本実施例では、燐光性化合物と、実施の形態１、及び実施例１に示した構造式（１００）で表される有機化合物と、を発光層に用いた発光素子５、及び比較用の比較発光素子６について評価を行った。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。
【０３３７】
【化４２】
2013131743.tif 000049
【０３３８】
まず、発光素子５について、図１２を用いて説明する。以下に、本実施例の発光素子５の作製方法を示す。
【０３３９】
（発光素子５）
まず、基板１１００上に、シリコンまたは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ化合物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、用いたターゲットの組成は、Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２：ＳｉＯ２＝８５：１０：５［重量％］とした。また、第１の電極１１０１の膜厚は、１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。ここで、第１の電極１１０１は、発光素子の陽極として機能する電極である。
【０３４０】
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
【０３４１】
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
【０３４２】
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ（略称）と酸化モリブデンを共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、４０ｎｍとし、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ（略称）と酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン）となるように調節した。
【０３４３】
次に、正孔注入層１１１１上に、ＢＰＡＦＬＰ（略称）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。
【０３４４】
次に、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ（略称）と、実施例１にて合成したＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）と、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］（略称）と、を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。ここで、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ（略称）、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）、及び［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］（略称）の重量比は、０．８：０．２：０．０５（＝２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＡＰＤＢｑ：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。
【０３４５】
なお、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］（略称）は、燐光性化合物であり、発光層１１１３におけるゲスト材料（ドーパント）である。また、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ（略称）は、発光層１１１３におけるホスト材料である。また、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）は、発光層１１１３におけるアシスト材料である。
【０３４６】
次に、発光層１１１３上に２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ（略称）を膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
【０３４７】
次に、第１の電子輸送層１１１４ａ上にＢＰｈｅｎ（略称）を膜厚２０ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
【０３４８】
次に、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
【０３４９】
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子５を作製した。
【０３５０】
（比較発光素子６）
比較発光素子６の発光層１１１３は、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ（略称）と、４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−４’−（３−フェニルキノキサリン−２−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＰＱ）と、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］（略称）と、を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。ここで、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ（略称）、ＰＣＢＡ１ＰＱ（略称）、及び［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］（略称）の重量比は、０．８：０．２：０．０５（＝２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＡ１ＰＱ：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。
【０３５１】
なお、比較発光素子６は、発光層１１１３以外発光素子５と同様に作製した。
【０３５２】
以上により得られた発光素子５及び比較発光素子６の素子構造を表７に示す。
【０３５３】
【表７】
2013131743.tif 000050
【０３５４】
次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子５及び比較発光素子６が大気に曝されないように封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）を行った後、当該発光素子５及び比較発光素子６の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０３５５】
発光素子５及び比較発光素子６の電流密度−輝度特性を図３５に示す。図３５において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、発光素子５及び比較発光素子６の電圧−輝度特性を図３６に示す。図３６において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、発光素子５及び比較発光素子６の輝度−電流効率特性を図３７に示す。図３７において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子５及び比較発光素子６の電圧−電流特性を図３８に示す。図３８において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は電流（ｍＡ）を表す。
【０３５６】
図３７より、発光素子５は、比較発光素子６と比べ電流効率が高い発光素子であることがわかった。
【０３５７】
次に、発光素子５及び比較発光素子６の輝度１０００ｃｄ／ｍ２付近のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表８に示す。
【０３５８】
【表８】
2013131743.tif 000051
【０３５９】
また、表８に示す通り、発光素子５の輝度が、１１０１ｃｄ／ｍ２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．５６，０．４３）であった。また、比較発光素子６の輝度が、１００８ｃｄ／ｍ２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．５６，０．４３）であった。これらのことから、ドーパント由来の発光が得られていることがわかった。
【０３６０】
以上のように、燐光性化合物と、本発明の一態様の有機化合物であるＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）と、を発光層として用いた発光素子５は、橙色の波長領域の光を、効率よく発光させることができると示された。そのため、ＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）は、橙色を含む橙色より長波長で発光する発光材料のアシスト材料として好適であることがわかった。
【０３６１】
次に、上記発光素子５及び発光素子６について、信頼性試験の評価を行った。信頼性試験の結果を図３９に示す。
【０３６２】
図３９において、信頼性試験の測定方法は、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子５及び比較発光素子６を駆動した。横軸は素子の駆動時間（ｈ）を、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を表す。図３９から、発光素子５の規格化輝度が７３％まで劣化する駆動時間は、７９０時間であった。また、比較発光素子６の規格化輝度が７０％まで劣化する駆動時間は、５１０時間であった。
【０３６３】
このように、図３９より発光素子５は、比較発光素子６と比べ、長寿命な発光素子であることが確認された。
【０３６４】
以上の結果から、燐光性化合物と、本発明の一態様の有機化合物であるＰＣＢＡＰＤＢｑ（略称）と、を発光層として用いた発光素子５は、高効率、及び長寿命な発光素子であることがわかった。
【実施例７】
【０３６５】
本実施例では、燐光性化合物と、実施の形態１、及び実施例２に示した構造式（２０１）で表される有機化合物と、を発光層に用いた発光素子７について評価を行った。本実施例で用いた材料の化学式を以下に示す。
【０３６６】
【化４３】
2013131743.tif 000052
【０３６７】
発光素子７について、図１２を用いて説明する。以下に、本実施例の発光素子７の作製方法を示す。
【０３６８】
（発光素子７）
まず、基板１１００上に、シリコンまたは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ化合物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、用いたターゲットの組成は、Ｉｎ２Ｏ３：ＳｎＯ２：ＳｉＯ２＝８５：１０：５［重量％］とした。また、第１の電極１１０１の膜厚は、１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。ここで、第１の電極１１０１は、発光素子の陽極として機能する電極である。
【０３６９】
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
【０３７０】
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
【０３７１】
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ（略称）と酸化モリブデンを共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、２０ｎｍとし、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ（略称）と酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン）となるように調節した。
【０３７２】
次に、正孔注入層１１１１上に、ＢＰＡＦＬＰ（略称）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。
【０３７３】
次に、実施例２で合成したｍＹＧＡＰＤＢｑ（略称）と、ＰＣＢＮＢＢ（略称）と、Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）（略称）と、を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。ここで、ｍＹＧＡＰＤＢｑ（略称）、ＰＣＢＮＢＢ（略称）、及びＩｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）（略称）の重量比は、０．８：０．２：０．０５（＝ｍＹＧＡＰＤＢｑ：ＰＣＢＮＢＢ：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ））となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は３０ｎｍとした。
【０３７４】
なお、Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）（略称）は、燐光性化合物であり、発光層１１１３におけるゲスト材料（ドーパント）である。また、ｍＹＧＡＰＤＢｑ（略称）は、発光層１１１３におけるホスト材料である。また、ＰＣＢＮＢＢ（略称）は、発光層１１１３におけるアシスト材料である。
【０３７５】
次に、発光層１１１３上にｍＹＧＡＰＤＢｑ（略称）を膜厚２５ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。
【０３７６】
次に、第１の電子輸送層１１１４ａ上にＢＰｈｅｎ（略称）を膜厚２５ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。
【０３７７】
次に、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。
【０３７８】
最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子７を作製した。
【０３７９】
以上により得られた発光素子７の素子構造を表９に示す。
【０３８０】
【表９】
2013131743.tif 000053
【０３８１】
次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子７が大気に曝されないように封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）を行った後、当該発光素子７の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０３８２】
発光素子７の電流密度−輝度特性を図４０に示す。図４０において、横軸は、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、発光素子７の電圧−輝度特性を図４１に示す。図４１において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を表す。また、発光素子７の輝度−電流効率特性を図４２に示す。図４２において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）を表す。また、発光素子７の電圧−電流特性を図４３に示す。図４３において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は電流（ｍＡ）を表す。
【０３８３】
図４０、及び図４２より、発光素子７は、高効率な発光素子であることがわかった。また、図４０、図４１、及び図４３より、発光素子７は、低駆動電圧、低消費電力な発光素子であることがわかった。
【０３８４】
次に、発光素子７の輝度６７２ｃｄ／ｍ２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、輝度（ｃｄ／ｍ２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表１０に示す。
【０３８５】
【表１０】
2013131743.tif 000054
【０３８６】
また、表１０に示す通り、発光素子７の輝度が、６７２ｃｄ／ｍ２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．６５，０．３５）であった。これらのことから、ドーパント由来の発光が得られていることがわかった。
【０３８７】
以上のように、燐光性化合物と、本発明の一態様の有機化合物であるｍＹＧＡＰＤＢｑ（略称）と、を発光層として用いた発光素子７は、赤色の波長領域の光を、効率よく発光させることができると示された。そのため、ｍＹＧＡＰＤＢｑ（略称）は、発光材料のホスト材料として好適であることがわかった。
【符号の説明】
【０３８８】
１００    基板
１０１    第１の電極
１０２    ＥＬ層
１０３    第２の電極
１１１    正孔注入層
１１２    正孔輸送層
１１３    発光層
１１４    電子輸送層
１１５    電子注入層
１１６    電荷発生層
２０１    第１の電極
２０２    第２の電極
２０３    ＥＬ層
２０４    発光層
２０５    燐光性化合物
２０６    第１の有機化合物
２０７    第２の有機化合物
３０１    第１の電極
３０２    ＥＬ層
３０４    第２の電極
３０５    電荷発生層
４５０Ｒ    第１の発光素子
４５０Ｇ    第２の発光素子
４５０Ｂ    第３の発光素子
４５１    反射電極
４５２    半透過・半反射電極
４５３ａ    第１の透明導電層
４５３ｂ    第２の透明導電層
４５４Ｒ    第１の発光層
４５４Ｇ    第２の発光層
４５４Ｂ    第３の発光層
４５５    ＥＬ層
５０１    素子基板
５０２    画素部
５０３    駆動回路部
５０４    駆動回路部
５０５    シール材
５０６    封止基板
５０７    配線
５０８    ＦＰＣ
５０９    ｎチャネル型ＴＦＴ
５１０    ｐチャネル型ＴＦＴ
５１１    スイッチング用ＴＦＴ
５１２    電流制御用ＴＦＴ
５１３    第１の電極
５１４    絶縁物
５１５    ＥＬ層
５１６    第２の電極
５１７    発光素子
５１８    空間
６１１    筐体
６１２    支持台
６１３    表示部
６１４    スピーカー部
６１５    ビデオ入力端子
６２１    本体
６２２    筐体
６２３    表示部
６２４    キーボード
６２５    外部接続ポート
６２６    ポインティングデバイス
６３１    本体
６３２    筐体
６３３    表示部
６３４    音声入力部
６３５    音声出力部
６３６    操作キー
６３７    外部接続ポート
６３８    アンテナ
６４１    本体
６４２    表示部
６４３    筐体
６４４    外部接続ポート
６４５    リモコン受信部
６４６    受像部
６４７    バッテリー
６４８    音声入力部
６４９    操作キー
６５０    接眼部
７０１    筐体
７０２    液晶層
７０３    バックライト
７０４    筐体
７０５    ドライバＩＣ
７０６    端子
８０１    筐体
８０２    光源
９０１    照明装置
９０２    テレビ装置
１１００    基板
１１０１    第１の電極
１１０３    第２の電極
１１１１    正孔注入層
１１１２    正孔輸送層
１１１３    発光層
１１１４ａ    第１の電子輸送層
１１１４ｂ    第２の電子輸送層
１１１５    電子注入層
５０００    タブレットＰＣ
５００１    筐体
５００３    表示部
５００５    電源ボタン
５００７    前面カメラ
５００９    背面カメラ
５０１１    第１の外部接続端子
５０１３    第２の外部接続端子
５０１５    アイコン
６０００    タブレットＰＣ
６００１    第１の筐体
６００３    第２の筐体
６００５    ヒンジ部
６００７    第１の表示部
６００９    第２の表示部
６０１１    電源ボタン
６０１３    第１のカメラ
６０１５    第２のカメラ
６０１７    テキストアイコン
６０１９    アイコン
６０２１    キーボード
【図１】
2013131743.tif 000067
【図２】
2013131743.tif 000068
【図３】
2013131743.tif 000069
【図４】
2013131743.tif 000070
【図５】
2013131743.tif 000071
【図６】
2013131743.tif 000072
【図７】
2013131743.tif 000073
【図８】
2013131743.tif 000074
【図９】
2013131743.tif 000075
【図１０】
2013131743.tif 000076
【図１１】
2013131743.tif 000077
【図１２】
2013131743.tif 000078
【図１３】
2013131743.tif 000079
【図１４】
2013131743.tif 000080
【図１５】
2013131743.tif 000081
【図１６】
2013131743.tif 000082
【図１７】
2013131743.tif 000083
【図１８】
2013131743.tif 000084
【図１９】
2013131743.tif 000085
【図２０】
2013131743.tif 000086
【図２１】
2013131743.tif 000087
【図２２】
2013131743.tif 000088
【図２３】
2013131743.tif 000089
【図２４】
2013131743.tif 000090
【図２５】
2013131743.tif 000091
【図２６】
2013131743.tif 000092
【図２７】
2013131743.tif 000093
【図２８】
2013131743.tif 000094
【図２９】
2013131743.tif 000095
【図３０】
2013131743.tif 000096
【図３１】
2013131743.tif 000097
【図３２】
2013131743.tif 000098
【図３３】
2013131743.tif 000099
【図３４】
2013131743.tif 000100
【図３５】
2013131743.tif 000101
【図３６】
2013131743.tif 000102
【図３７】
2013131743.tif 000103
【図３８】
2013131743.tif 000104
【図３９】
2013131743.tif 000105
【図４０】
2013131743.tif 000106
【図４１】
2013131743.tif 000107
【図４２】
2013131743.tif 000108
【図４３】
2013131743.tif 000109