Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に動力を供給するように構成され、窒素が分離されて酸素濃度が高い外気流と燃料との燃焼によって生じ、窒素およびＮＯＸエミッションが少ない排気ガス流を生成する内燃エンジンであって、
内燃エンジンは、
燃焼室を形成する壁を備えた複数のシリンダを有するエンジンブロックと、
シリンダに流体接続し、吸気マニホールドから燃料の燃焼に用いる酸素濃度が高い外気が流れる一つまたはそれ以上の流路と、
内燃エンジンの動作に統合され、エンジンの吸気マニホールドと燃焼室とに流体接続された一つまたはそれ以上の空気分離デバイスと、を有し、
一つまたはそれ以上の空気分離デバイスが、燃料と混合する酸素分子を外気から分離し、窒素分子を外気に戻すように適合され構成され、
エンジンの吸気マニホールドの補助吸気弁が、開栓するためのエンジンのパフォーマンス要求に応答して動作し、エンジンの酸素要求が一つまたはそれ以上の空気分離デバイスを通過する酸素によって満たされない場合に外気を受け入れる、内燃エンジン。
【請求項２】
一つまたはそれ以上の空気分離デバイスが膜であって、
膜が一つまたはそれ以上のシリンダの壁内に配置され、
一つまたはそれ以上の膜が、酸素分子が空気流路から燃焼室内に移動するように流体接続する、請求項１の内燃エンジン。
【請求項３】
少なくとも一つの膜が各シリンダの壁内に配置されている、請求項２の内燃エンジン。
【請求項４】
一つまたはそれ以上の膜が、一つまたはそれ以上のシリンダにおいて、圧縮行程および膨張行程中に最大圧力が生じる領域から離れて配置されている、請求項２の内燃エンジン。
【請求項５】
チャンネルがマニホールド状であって、
一つまたはそれ以上の酸素分離デバイスがマニホールド内に配置されている、請求項１の内燃エンジン。
【請求項６】
複数の酸素分離デバイスが直列に配置され、
直列に配置された分離デバイスそれぞれにおいて、下流側でガス流内の酸素の割合が高い、請求項５の内燃エンジン。
【請求項７】
酸素分離デバイスがセラミック膜である、請求項２の内燃エンジン。
【請求項８】
膜は、窒素を通過させ、その被保持物が酸素濃度が高いガスである、請求項７の内燃エンジン。
【請求項９】
膜は、エンジンからの高温な排気ガスとの熱交換によって約８００°Ｆの温度に維持されている、請求項７の内燃エンジン。
【請求項１０】
膜は、酸素が透過可能な多孔質の電極を備える固体状のセラミック電解質であって、
その固体状電解質が電位を受けて酸素イオンを通過させる、請求項２の内燃エンジン。
【請求項１１】
内燃エンジンからの排気ガス流の一部が再循環されて吸気に混合される、請求項１の内燃エンジン。
【請求項１２】
排気ガス流によって駆動され、一つまたはそれ以上の分離デバイスの上流側で空気を圧縮するために外気に流体接続されているターボ過給機を有する、請求項２の内燃エンジン。
【請求項１３】
膜が、燃焼室からの窒素、ＮＯＸ、およびＣＯ２の通過を制限する、請求項２の内燃エンジン。
【請求項１４】
吸着材料が、ぺロブスカイト型セラミックであって、温度上昇に反応して保持する酸素を放出する、請求項７の内燃エンジン。
【請求項１５】
一つまたはそれ以上の酸素分離デバイスが、空気から放出可能に酸素を吸着する且つ非吸着ガスを外気に放出するために通過させる吸着材料を含む二つまたはそれ以上の固定床を有し、
床それぞれが、吸着酸素を放出するために酸素欠乏パージガスを受け入れるための入口と、燃料と混合する酸素濃度が高いガス流を供給するために一つまたはそれ以上のシリンダに流体接続された出口とを備える、請求項５の内燃エンジン。
【請求項１６】
パージガスが、内燃エンジンからの高温の排気ガスの一部である、請求項１５の内燃エンジン。
【請求項１７】
二つまたはそれ以上の固定床それぞれの酸素欠乏ガス流用出口に配置された少なくとも一つの酸素センサに動作可能に接続されたプロセッサ／コントローラと、
床それぞれの入口および出口に関連し、酸素欠乏ガス流内の酸素量に応答してプロセッサ／コントローラによって制御されて一つの床から少なくとも一つの他の床に空気を送るとともに床の出口から高濃度酸素流を放出するために吸着酸素を放出するパージガスを受け入れる少なくとも一つの弁と、を有する、請求項１５の内燃エンジン。
【請求項１８】
一つまたはそれ以上の空気分離デバイスが、圧力スイング吸着式窒素発生器である、請求項１の内燃エンジン。
【請求項１９】
一つまたはそれ以上の空気分離デバイスが、真空スイング吸着システムである、請求項１の内燃エンジン。
【請求項２０】
一つまたはそれ以上の空気分離デバイスが、ハイブリッド真空−圧力スイング吸着システムである、請求項１の内燃エンジン。
【請求項２１】
排気ガス流からのＣＯ２が、捕捉され、内燃エンジンによって駆動される車両上で一時的に貯蔵されるために高密度化プロセスを受ける、請求項１の内燃エンジン。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月4日(2016.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
木材系材料製の成形素子を軟質フィルム基材に接着結合するための方法であって、
・成形素子の接着結合させる側面を機械的に加工し、
・反応性一成分型または二成分型ポリウレタン接着剤を、該側面の中央領域に塗布し、
・ＥＶＡ、ＰＶＡｃ、ＰＶＯＨ系の水性接着剤を、少なくとも該側面の外側領域に塗布し
、
・該側面を縁塗りとして軟質基材に接着結合させる
方法。
【請求項２】
ポリウレタン接着剤として、流動性一成分型ポリウレタン接着剤を使用することを特徴
とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ポリウレタン接着剤を２０〜３００ｇ／ｍ２の量で塗布することを特徴とする、請求項
１または２に記載の方法。
【請求項４】
水性接着剤を、成形素子の側面全体および／または接着結合させる軟質基材の表面に塗
布することを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
軟質基材を接合前に加熱することを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の方法
。
【請求項６】
木材系材料は、木材、パーティクルボードパネル、ＭＤＦパネルから選択され、および
／または、軟質基材は化粧フィルム、プラスチックフィルム、またはプラスチックエッジ
ストリップから選択されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
基材を圧力下で接着結合させることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の方
法。
【請求項８】
木材系材料製の成形素子および軟質フィルム基材であって、反応性ポリウレタン接着剤
から作られた接着剤層を含む第１中央領域を有し、水性接着剤から作られた接着剤層を含
む、すぐに隣接する外側領域を有する接着剤層により該基材が接続されている、木材系材
料製の成形素子および軟質フィルム基材。
【請求項９】
中央領域中のポリウレタン接着剤層を発泡させることを特徴とする、請求項８に記載の
木材系材料製の成形素子。
【請求項１０】
プラスチックエッジストリップが軟質フィルム基材として使用され、ＭＤＦパネルまた
はパーティクルボードパネルが木材系材料として使用されることを特徴とする、請求項８
または９に記載の木材系材料製の成形素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
既知の非反応性水性接着剤が水性接着剤として適当であり、特にこれらはエチレンビニ
ルアセテート、ポリビニルアルコールまたはポリビニルアセテートに基づく分散体である
。ポリマーは、それ自体でまたは混合物において存在し得る。さらなる追加のポリマーお
よび通常の既知の添加剤が含まれていてもよい。このような接着剤の固形分は、たいてい３５〜７０重量％である。粘度は接着剤により影響され得り、適当な接着剤は２５００〜２０,０００ｍＰａｓの粘度を有する。このような接着剤は当業者に既知であり、市販され入手可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基材のためのポリマーコーティングであって、
ヘキサフルオロプロピレンオキシド誘導シランポリマーを含み、
ヘキサフルオロプロピレンオキシド誘導シランポリマーが、約５５００を超える分子量を有し、
ヘキサフルオロプロピレンオキシド誘導シランポリマーコーティングの水接触角が、１００００回の摩耗サイクル後に約２７％未満減少し、
ヘキサフルオロプロピレンオキシド誘導シランポリマーコーティングが、約２〜約１５ナノメートルの厚さを有し、
ヘキサフルオロプロピレンオキシド誘導シランポリマーコーティングが、約０．３５未満の一定摩擦係数を有する、ポリマーコーティング。
【請求項２】
ポリマーコーティングが、民生用電子機器上に適用される、請求項１に記載のポリマーコーティング。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月19日(2016.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に沿った第１端部、第２方向に沿った第２端部、および前記第１端部を前記第２端部に接続する中央湾曲部分を有する糸状形状記憶部品を含む少なくとも１つの感温システムを含み、
第１部分は第１接触部品に固定して取り付けられた末端部を有し、第２部分は第２接触部品によって継続的ではない方法で拘束された末端部を有する感温ラベルであって、
ラベルによって監視される臨界しきい値温度よりも高い同じ温度で、前記中央湾曲部分がマルテンサイト相であり、一方で第１部分および第２部分はオーステナイト相であり、
中央湾曲部分が第１の温度挙動を有し、第１部分および前記第２部分は各々、中央湾曲部分の第１の温度挙動とは異なる第２の温度挙動を有することを特徴とする感温ラベル。
【請求項２】
第１方向と第２方向との間の角度が１３０°よりも小さい、請求項１に記載の感温ラベル。
【請求項３】
前記糸状形状記憶部品が１から１００ｍｍの間の、好ましくは２から５０ｍｍの間の長さを有する、請求項１に記載の感温ラベル。
【請求項４】
前記糸状形状記憶部品が１５から１０００μｍの間の直径を有する、請求項１に記載の感温ラベル。
【請求項５】
糸状形状記憶部品の中央湾曲部分の長さが、全体の長さに対して１から４０％の間、好ましくは１から３０％の間である、請求項１に記載の感温ラベル。
【請求項６】
感温システムの状態を表示するように適合された、少なくとも光学フラグまたは透明窓をさらに含む、請求項１に記載の感温ラベル。
【請求項７】
接触部品とラベルの縁との間に延びる電気接続をさらに含む、請求項１に記載の感温ラベル。
【請求項８】
電気接続がＲＦＩＤ監視において使用されるのに適する回路に一体化される、請求項７に記載の感温ラベル。
【請求項９】
２つ以上の感温システムを含み、各々の１つがオーステナイト相とマルテンサイト相との間の異なる転移温度を有する糸状形状記憶部品を有することを特徴とする、請求項１に記載の感温ラベル。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
歳差運動共鳴周波数、歳差運動共鳴周期、および吸収共鳴周波数を有するスピン集団と、
第１の波長の第１の光を提供するための第１の光源であって、前記第１の光源が、前記スピン集団を照らすように位置決めされる、第１の光源と、
前記スピン集団からの光を検出するように位置決めされる検出器と、
前記第１の光源からの前記第１の光の電力スペクトルを変調し、変調信号を時間の関数として発生させるための変調器とを備える、量子力学的測定装置において、
前記スピン歳差運動共鳴周波数の１／３と前記スピン歳差運動共鳴周波数の２倍との間の周波数帯域での前記変調信号の電力は、前記変調信号の全電力（ＤＣを含まず）の半分未満である、量子力学的測定装置。
【請求項２】
前記変調器は、前記検出器から入力を受け取りかつ対象とする物理量の尺度を出力として提供するコントローラの一部である、請求項１に記載の量子力学的測定装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記検出器からの前記入力から磁場を計算し、前記スピン歳差運動共鳴周波数は、ラーモア周波数であり、前記スピン歳差運動共鳴周期は、ラーモア周期である、請求項２に記載の量子力学的測定装置。
【請求項４】
前記コントローラはさらに、フィードバック・ループとして前記変調器に提供される処理された信号を生成するために前記検出器からの信号を処理するためのプロセッサを備える、請求項１から３のいずれかに記載の量子力学的測定装置。
【請求項５】
第２の光を提供するための第２の光源をさらに備え、前記第２の光は、前記スピン集団を照らすように向けられ、前記第２の光源からの光は、前記検出器に向けられ、前記第１の光は、前記検出器に向けられない、請求項１から４のいずれかに記載の量子力学的測定装置。
【請求項６】
前記第１の波長は第２の波長と異なる、請求項５に記載の量子力学的測定装置。
【請求項７】
前記変調器は、自励発振フィードバック回路の一部である、請求項１から６のいずれかに記載の量子力学的測定装置。
【請求項８】
第１の波長の第１の光でスピン集団を照らすことによって前記スピン集団中のスピンを偏極させるステップであって、前記スピン集団が、歳差運動共鳴周波数、歳差運動共鳴周期、および吸収共鳴周波数を有する、ステップと、
前記第１の光の電力スペクトルを前記スピン集団の前記歳差運動共鳴周波数で変調するステップであって、
第１の光源からの前記第１の光の前記電力スペクトルの前記変調が、前記歳差運動共鳴周期の一部については前記吸収共鳴周波数またはその近くの周波数の前記第１の光を提供することおよび前記歳差運動共鳴周期の一部については前記吸収共鳴周波数の周りに複数の離散または連続周波数側波帯を有する前記第１の光を提供することを含む、ステップと、
前記スピン集団からの光を検出するステップと、
前記スピン集団の量子状態の量子力学的測定値を提供するために前記検出された光を使用するステップとを含む、量子力学的測定を行うための方法。
【請求項９】
第１の波長の第１の光でスピン集団を照らすことによって前記スピン集団中のスピンを偏極させるステップであって、前記スピン集団が、歳差運動共鳴周波数、歳差運動共鳴周期、および吸収共鳴周波数を有する、ステップと、
前記第１の光の電力スペクトルを前記スピン集団の前記歳差運動共鳴周波数で時間の関数としての変調信号を用いて変調するステップであって、
前記スピン歳差運動共鳴周波数の１／３と前記スピン歳差運動共鳴周波数の２倍との間の周波数帯域での前記変調信号の電力が、前記変調信号の全電力（ＤＣを含まず）の半分未満である、ステップと、
前記スピン集団からの光を検出するステップと、
前記スピン集団の量子状態の量子力学的測定値を提供するために前記検出された光を使用するステップとを含む、量子力学的測定を行うための方法。
【請求項１０】
物理量の測定値を推測するために前記量子状態の前記量子力学的測定値を使用するステップと、
前記測定された物理量の出力を提供するステップとをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
フィードバック・ループでの変調を制御するために前記検出された光からの信号を使用するステップをさらに含む、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記フィードバック・ループは、前記スピン集団のスピン偏極を維持するために使用される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
磁場測定値を提供するために前記量子状態の前記量子力学的測定値を使用するステップをさらに含み、前記スピン歳差運動周波数は、ラーモア周波数であり、前記スピン歳差運動周期は、ラーモア周期である、請求項９から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
第２の光で前記スピン集団を照らすステップをさらに含む、請求項９から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
請求項１から７に記載の量子力学的測定装置と、
前記検出器からの出力を受け取り、前記出力から磁場情報を決定するためのコントローラとを備えてなる、磁力計。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月5日(2016.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブスペース内の特徴を撮像し前記特徴までの距離を測定する３次元（３Ｄ）撮像システムであって、
前記アクティブスペースを少なくとも１つの光パルスで照明する光源と、
光学中心を有しそれぞれ第１及び第２の光センサーを備えた第１及び第２の３次元（３Ｄ）カメラであって、前記第１及び第２の光センサーは、前記カメラが前記特徴の距離画像を得るために前記少なくとも１つの光パルスから反射された光をその上に結像するピクセルを有し、前記第１及び第２の３Ｄカメラは、それぞれ広角及び狭角の視野（ＦＯＶ）を有し、前記広角及び狭角のＦＯＶは、オーバーラップして前記アクティブスペースを生じさせ、各カメラは、他方の３Ｄカメラとは無関係に前記アクティブスペース内の前記特徴の距離画像を得るように動作可能である、第１及び第２の３Ｄカメラと、
前記アクティブスペースを区域に分ける複数の範囲境界と、
前記特徴までの距離を決定するように前記距離画像を前記区域に応じて処理する制御器と、
を備えた３Ｄ撮像システム。
【請求項２】
前記範囲境界は、近方範囲下側境界「ＮＲＬ」、近方範囲上側境界「ＮＲＵ」、遠方範囲下側境界「ＦＲＬ」、及び遠方範囲上側境界「ＦＲＵ」を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記範囲境界は、関係ＮＲＬ＜ＦＲＬ＜ＮＲＵ＜ＦＲＵを満たし、前記アクティブスペースを、前記アクティブスペース内の特徴までの距離がそれぞれＮＲＬとＦＲＬの間、ＦＲＬとＮＲＵの間、及びＮＲＵとＦＲＵの間にある、近方区域、中間区域、及び遠方区域に分離する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記アクティブスペース内の特徴までの距離を含んだ範囲画像を提供するために、前記制御器は、
前記３Ｄカメラのうちの一方を主カメラ、他方を副カメラと指定し、
前記主カメラにおける複数のピクセルのそれぞれについて、前記ピクセル上に撮像される前記アクティブスペース内の特徴に対する試行距離を決定し、
前記主カメラが前記第１のカメラであり且つ前記決定された距離が前記近方区域内に存在するか、又は前記主カメラが前記第２のカメラであり且つ前記試行距離が前記遠方区域内に存在する場合、前記特徴までの距離を前記試行距離であると決定し、
前記主カメラが前記第１のカメラであり且つ前記決定された距離が前記近方区域内に存在しないか、又は前記主カメラが前記第２のカメラであり且つ前記試行距離が前記遠方区域内に存在しない場合、前記距離を、前記試行距離と前記副カメラにおけるピクセルによって与えられる距離とに応じて決定し、
前記主カメラのピクセルについて決定された前記距離を、前記範囲画像における距離に対して用いる、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記試行距離は前記中間区域にある、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記制御器は、前記特徴までの距離を前記試行距離と前記副カメラにおけるピクセルによって与えられる距離の平均として決定する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記主カメラが前記第１のカメラであり且つ前記試行距離が前記遠方区域にあるか、又は前記主カメラが前記第２のカメラであり且つ前記試行距離が前記近方区域にある、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記制御器は、前記副カメラにおけるどのピクセルが、前記主カメラにおけるピクセルと前記主カメラの光学中心とを通る直線に沿った点を撮像するかを判定する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記制御器は、前記副カメラにおける前記決定されたピクセルのそれぞれについての距離を、前記少なくとも１つの光パルスからの光を用いて前記ピクセルによって得られた距離画像に応じて決定する、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記制御器は、
前記副カメラの光学中心と前記決定されたピクセルとを通る直線に沿った所与の距離が前記決定されたピクセル上に撮像される特徴の前記副カメラからの実際の距離である確率分布を決定し、
前記主カメラにおける前記直線に沿った所与の距離が前記主カメラのピクセル上に撮像される特徴の前記主カメラからの実際の距離である確率分布を決定し、
前記確率分布を用いて前記主カメラのピクセル上に撮像される特徴の前記主カメラからの距離を決定する、請求項９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月12日(2016.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉの構造に対応する有機金属錯体：
【化１】
2015510502.tif 000001
式中、Ｒ１及びＲ３は存在する場合は独立してアルキルであり；
Ｒ２はアルキルであり；
Ｒ４は存在する場合は独立してアルキル、アルケニル及びアルキニルからなる群から選択され；
ｘ及びｚは、独立して０、１又は２であり；
ｙは０又は１であり；
ｎは１〜４であり、ここで、ｎが１の場合、Ｒ１又はＲ３は、存在する場合には、Ｃ２〜Ｃ８のアルキルである。
【請求項２】
Ｒ１、Ｒ３及びＲ４が、存在する場合には、独立して、Ｃ１〜Ｃ８のアルキルであり、Ｒ２はアルキルであり、及び、ｎが１の場合、Ｒ１又はＲ３は、存在する場合には、Ｃ２〜Ｃ８のアルキルである、請求項１に記載の有機金属錯体。
【請求項３】
ｎが１である、請求項１又は請求項２に記載の有機金属錯体。
【請求項４】
ｎが２〜４である、請求項１又は請求項２に記載の有機金属錯体。
【請求項５】
ｘ及びｚが０である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機金属錯体。
【請求項６】
ｙが１である、請求項５に記載の有機金属錯体。
【請求項７】
前記錯体が以下：
【化２】
2015510502.tif 000002
の構造である、請求項１の有機金属錯体。
【請求項８】
式Ｉに構造が対応する少なくとも１種の有機金属錯体を気化させることを含む、モリブデンを含有する膜を蒸着法によって形成する方法：
【化３】
2015510502.tif 000003
式中、Ｒ１及びＲ３は存在する場合は独立してアルキルであり；
Ｒ２はアルキルであり；
Ｒ４は存在する場合は独立してアルキル、アルケニル及びアルキニルからなる群から選択され；
ｘ及びｚは、独立して０、１又は２であり；
ｙは０又は１であり；
ｎは０〜５である。
【請求項９】
Ｒ１、Ｒ３及びＲ４が、存在する場合には、独立して、Ｃ１〜Ｃ８のアルキルであり、かつＲ２がＣ１〜Ｃ８のアルキルである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
Ｒ１、Ｒ３及びＲ４が、存在する場合には、独立して、Ｃ１〜Ｃ４のアルキルであり、かつＲ２はＣ１〜Ｃ４のアルキルである、請求項８又は請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ｎが０又は１である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ｎが２〜５である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
ｘ及びｚは０である、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
ｙが０である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記有機金属錯体が下記：
【化４】
2015510502.tif 000004
からなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
前記蒸着法が化学蒸着である、請求項８〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記化学蒸着がパルス化学蒸着又は連続流化学蒸着である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記化学蒸着が液体注入化学蒸着である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記蒸着法が原子層堆積である、請求項８〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記原子層堆積が、液体注入原子層堆積又はプラズマ強化原子層堆積である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの有機金属錯体が、酸素源のパルスと交互のパルスで基板に送られ、金属酸化物膜を形成する、請求項８〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記酸素源がＨ２Ｏ、空気、Ｏ２及びオゾンからなる群から選択される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
さらに、少なくとも１つの共有機金属錯体を気化させ金属酸化物膜を形成させることを含む、請求項８〜２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
更に、水素、水素プラズマ、酸素、空気、水、アンモニア、ヒドラジン、ボラン、シラン、オゾン及びこれらいずれか２種以上の組み合わせから群から選択される少なくとも１つの共反応剤を気化させることを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
更に、ヒドラジンを共反応剤として気化させることを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記ヒドラジンがヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）又はＮ，Ｎ−ジメチルヒドラジンである、請求項２５の方法。
【請求項２７】
前記方法がＤＲＡＭ又はＣＭＯＳの用途に用いられる、請求項８〜２６のいずれか１項の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月1日(2016.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の化合物又は薬学上許容可能なその塩：
【化１】
2015510508.tif 000001
（Ｉ）
（式中、
Ｒ1は、−ＣＯ2Ｈ、−ＣＯ2（Ｃ1−Ｃ4）−アルキル、又はアリールであり；
Ｒ2は、水素又は−（Ｃ1−Ｃ4）−アルキルであり；
Ｒ3は、水素、−（Ｃ1−Ｃ4）−アルキル、−（Ｃ1−Ｃ4）−アルキル−アリール−（Ｃ1−Ｃ4）−アルキル−ＯＲ10、又は
【化２】
2015510508.tif 000002
であり；
Ｒ4は−（Ｃ1--Ｃ4）−アルキル、−（ＣＨ2）−ヘテロアリールであり、その際、前記ヘテロアリールは、１以上の−（Ｃ1--Ｃ2）−アルキル基によって任意で置換され、又はＲ4はそれが結合する炭素原子と共に−（Ｃ4--Ｃ8）−シクロアルキル環を形成し；
Ｒ5は、−（Ｃ1--Ｃ6）−アルキル−Ｒ6、−（Ｃ2-Ｃ5）−アルケニル、−（Ｃ2-Ｃ5）−アルキニル、−（ＣＨ2）n−アリール、又は−（ＣＨ2）n−ヘテロアリールであり、その際、前記アリール又はヘテロアリールは任意で、１以上のＲ7基によって置換され；
Ｒ6は、−Ｎ（Ｒ10）Ｃ（Ｏ）Ｒ8、−Ｎ（Ｒ10）Ｓ（Ｏ）2Ｒ8、−Ｎ（Ｒ10）Ｃ（ＮＨ）Ｎ（Ｒ10）2であり；
Ｒ7は独立して、ハロゲン、−（Ｃ1--Ｃ3）−アルキル、アリール、メチレンジオキシフェニル、−Ｓ（Ｏ）2Ｎ（Ｒ10）2、又は−Ｓ（Ｏ）2Ｎ（Ｒ10）2であり、その際、前記アリールは任意で、１以上のＲ9基によって置換され；
Ｒ8は、−（Ｃ1--Ｃ6）−アルキル−Ｒ11又はアリールであり、その際、アリールは任意で、１以上のＲ9基によって置換され；
Ｒ9は独立して、水素、ハロゲン、−（Ｃ1--Ｃ4）−アルキル、−（Ｃ1--Ｃ4）−ハロアルキル、−（Ｃ2-Ｃ4）−アルキニル、ＣＮ、ＮＯ2、−Ｓ（Ｏ）2Ｎ（Ｒ10）2、又は
【化３】
2015510508.tif 000003
であり；
Ｒ10は独立して、水素又は−（Ｃ1--Ｃ4）−アルキルであり；
Ｒ11は水素、
【化４】
2015510508.tif 000004
であり；
ｎは０〜４の整数であり、
ｐは０〜３の整数であって、Ｒ3がイソプロピル、
【化５】
2015510508.tif 000005
である場合、Ｒ1は−ＣＯ2Ｈではなく；Ｒ2及びＲ3が双方とも水素である場合、Ｒ1は−ＣＯ2−エチルではない）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月17日(2015.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類とジルコニアを含む酸化物の廃棄物から、再利用可能な形態で希土類ミネラルを回収する方法であって、
ａ．硫酸アンモニウムの粉末と上記酸化物の廃棄物を含む粉末とを混合する工程と、
ｂ．上記混合物を、上記酸化物の廃棄物を分解するのに十分な温度で焼き、これにより水溶液に溶け易い残滓を作る工程と、
ｃ．上記残滓を水に溶かして、塩の形態の希土類成分を含む溶液を得る工程と、
ｄ．少なくとも１つの分離方法を用いて上記溶液から希土類成分を分離する工程であって、シュウ酸塩沈殿剤を用いた希土類の沈殿により溶液中のジルコニアから希土類成分を分離する工程と、
ｅ．原料として用いるのに適した分離された希土類成分を収集する工程と、
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
上記廃棄物が、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、エルビウム、イッテルビウムの酸化物及びその混合物からなる群から選択されたものと、ジルコニアとのコンパウンドを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記廃棄物が、溶射コーティング、電子ビーム蒸着、歯科材料のグリーンマシニング、キュービックジルコニウムの宝石の製造の群から選択されたプロセスの副産物であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記廃棄物がコーティングを含み、部品からのコーティングの除去が、
ａ．コーティングされた部品を４００°Ｃ以上で加熱する工程と、
ｂ．コーティングされた部品の少なくとも一部に、十分な量の硫酸アンモニウムを供給して溶かし、上記部品の上記部分をほぼ覆う液層を形成する工程と、
ｃ．４００°Ｃ以上の温度を少なくとも１０分間維持する工程と、
ｄ．上記部品を上記加熱から離脱させ、冷却し洗浄する工程と、
ｅ．上記ａ〜ｄの工程を繰り返して、上記部品から全てのコーティングを除去する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記工程（ｂ）では、上記混合物が３５０〜５００℃の温度で焼かれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記酸化物の廃棄物材料と硫酸アンモニウムを、混合前に別々に微粉状にすることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記酸化物の廃棄物材料と硫酸アンモニウムを混合した後に、一緒に固めることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
上記酸化物の廃棄物材料と硫酸アンモニウムを、上記酸化物の廃棄物６モルに対して硫酸アンモニウムを少なくとも１モルの割合で、混合することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記希土類沈殿物を、シュウ酸アンモニウムを含む溶液で少なくとも１回洗浄することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
シュウ酸塩沈殿剤を用いた希土類の沈殿により溶液中のジルコニアから希土類成分を分離する時に生成された濾過液から、
ａ．上記濾過液を水酸化アンモニウムと反応させて、水和ジルコニア沈殿物を得、
ｂ．上記水和ジルコニア沈殿物を洗浄し、
ｃ．洗浄した水和ジルコニア沈殿物を約１０００°Ｃでか焼して酸化ジルコニウムを得ることにより、
ジルコニアを回収することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
さらに、硫酸アンモニウムの回収を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
希土類廃棄物から希土類ミネラルを回収する方法であって、
ａ．硫酸アンモニウム粉末と上記希土類廃棄物を含む粉末とを混合する工程と、
ｂ．上記混合物を、上記希土類廃棄物を分解するのに十分な温度で焼き、これにより残滓を作り、この残滓の少なくとも一部を水溶液に溶解可能とする工程と、
ｃ．上記残滓の水溶性の部分を水に溶かして、希土類成分を塩の形態で含有する溶液を得る工程と、
ｄ．希土類成分を少なくとも１つの分離法を用いて上記溶液から分離する工程と、
ｅ．原料として用いるのに適した分離された希土類成分を収集する工程と、
を備え、
上記希土類廃棄物が、電球式蛍光灯およびその他の蛍光体を含む製品から回収された蛍光体、希土類―鉄合金の磁石、マンガン酸ランタンの燃料電池電極、希土類を含有する触媒、希土類を含有する電子セラミック、ＮｉＭＨ電池により構成される群から選択された、プロセスの副産物であることを特徴とする方法。
【請求項１３】
上記希土類廃棄物が、スカンジウム、イットリウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、エルビウム、イッテルビウムからなる群から選択されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
上記希土類廃棄物をすり潰す方法、および酸化物でない廃棄物を酸化物に変換する酸化条件で加熱する方法から選択された少なくとも１つの方法により、廃棄物を利用可能な形態に変換することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
シュウ酸塩沈殿剤を用いた希土類の沈殿により、上記工程（ｄ）において、上記希土類成分を溶液から分離することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
上記工程（ｂ）では、３５０〜５００℃の温度で混合物が焼かれることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年10月20日(2016.10.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
風力を電気に変換するための風力タービン軸方向磁束発電機であって、
軸の周囲を回転可能な発電機回転部と、
固定子と、
を備え、前記発電機回転部と前記固定子との一方が磁石を備え、他方が、発電機回転部と固定部間の相対的な動きにより電気を誘発する電気巻線を備え、
前記発電機がさらに、
前記電気巻線の風上側に前記電気巻線の風上側の前記電気巻線と前記磁石の少なくとも一部との間の風上空隙と、
前記電気巻線の風下側に前記電気巻線の風下側の前記電気巻線と前記磁石の少なくとも一部との間の風下空隙と、
前記風上空隙と前記風下空隙の両方を通る、前記電気巻線の前記風上側と風下側の両方からの前記電気巻線を冷却するための気流となるような方向に前記風の向きを方向づける少なくとも１つの風ガイドと、
を備えた発電機。
【請求項２】
前記軸を含む平面における断面において、前記少なくとも１つの風ガイドの長さが、少なくとも１つの前記空隙の半径の長さの少なくとも１５パーセントである、請求項１に記載の風力タービン発電機。 
【請求項３】
風速が少なくとも１４ｍ／秒である場合、前記少なくとも１つの風ガイドが少なくとも速度１５ｍ／秒で前記空隙を通る空気の流れを発生させる、請求項１または２に記載の風力タービン発電機。
【請求項４】
前記空隙のそれぞれが内側開口部および外側開口部を有し、前記外側開口部が前記内側開口部から外に向かって放射状に配置され、前記発電機が、前記空隙の前記外側開口部を前記風から少なくとも一部保護するように配列された外側風ガイドを有し、使用中に前記風が空気を前記外側開口部に流れ込まないようにしてある、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発電機。
【請求項５】
前記外側風ガイドが前記発電機回転部に固定されている、請求項４に記載の発電機。
【請求項６】
前記空隙のそれぞれが内側開口部および外側開口部を有し、前記外側開口部が前記内側開口部から外に向かって放射状に配置され、前記発電機が、空気が前記風から少なくとも１つの前記内側開口部の方に向かうように配列された内側風ガイドを有している、請求項１〜５のいずれか１項に記載の発電機。
【請求項７】
前記内側風ガイドが前記発電機回転部に固定されている、請求項６に記載の風力タービン発電機。
【請求項８】
前記内側風ガイドが前記発電機回転部の内側のエッジに固定され、外側に向かって前記固定子から離れるように湾曲し、流れてくる風に向かうような方向に配置されている、請求項７に記載の風力タービン発電機。
【請求項９】
前記内側風ガイドが前記固定子に固定されている、請求項６に記載の風力タービン発電機。
【請求項１０】
さらに、前記風を前記風下空隙に風を方向づける下流風ガイドを備える、請求項１〜９のいずれか１項に記載の風力タービン発電機。
【請求項１１】
前記下流風ガイドが前記固定子に固定されている、請求項１０に記載の風力タービン発電機。
【請求項１２】
前記下流風ガイドが前記発電機回転部と接触するブラシを備える、請求項１１に記載の風力タービン発電機。
【請求項１３】
前記下流風ガイドが前記発電機回転部に固定されている、請求項１０に記載の風力タービン発電機。
【請求項１４】
前記下流風ガイドが前記固定子と接触するブラシを備える、請求項１３に記載の風力タービン発電機。
【請求項１５】
前記固定子が、前記風の少なくとも一部が固定子を通るようにし、前記下流風ガイドが、前記固定子の前記風下の少なくとも一部に配置され、少なくとも一部の風が前記固定子から前記風下空隙へと通るようにする、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の風力タービン発電機。
【請求項１６】
前記固定子が、前記電気巻線または磁石を支持する１つの固定子支持枠をそなえ、固定子支持枠により支持される電気巻線または磁石内部に放射状に配置され、前記固定子支持枠と、固定子支持枠により支持される電気巻線または磁石との間に少なくとも若干の間隔が提供され、前記下流風ガイドが、前記間隔を通る前記風の少なくとも一部が前記風下空隙を通るように配置されている、請求項１５に記載の風力タービン発電機。
【請求項１７】
前記下流風ガイドが前記固定子支持枠に取り付けられている、請求項１６に記載の風力タービン発電機。
【請求項１８】
前記固定子が放射状に延びるスポークを備え、前記下流風ガイドが、前記スポーク間の間隔を通った少なくとも一部の風を前記風下空隙を通るような向きにするよう配置されている、請求項１０〜１７のいずれか１項に記載の風力タービン発電機。 
【請求項１９】
前記固定子を通る前記風の少なくとも一部が前記固定子を通れるようにする開口部を備え、前記固定子を通った前記風の少なくとも一部が、前記風下の空隙に向かうよう向きを強制する固定子の風下側に前記下流風ガイドが提供される、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の風力タービン発電機。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの風ガイドが少なくとも２つの風ガイドを備える、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の風力タービン発電機。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの風ガイドが少なくとも３つの風ガイドを備える、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の風力タービン発電機。
【請求項２２】
請求項４または５に直接的または間接的に従属している場合に、前記外側の風ガイドが前記電気巻線を超えておよび／または前記固定子を超えて外側に突出している、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の風力タービン発電機。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月15日(2016.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフェンを形成する方法であって、該方法は、
基板を用意するステップと、
前記基板を減厚環境に置くステップと、
キャリアガスを供給するステップと、
炭素源を供給するステップと、
前記基板の少なくとも一部を前記キャリアガス、前記炭素源および少なくとも１つの雰囲気ガスに晒すステップと、
前記基板の少なくとも一部ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスを行うステップと、
ＣＭＯＳ互換成長プロセスにより、前記炭素源の一部を前記基板の前記少なくとも一部上でグラフェンに変換するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記基板は銅箔を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスは高周波プラズマエッチングプロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記キャリアガスは水素を含み、前記炭素源はメタンを含み、前記ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスは高周波水素プラズマプロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記キャリアガスの供給と前記炭素源の供給は同時に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記炭素源は、前記キャリアガス、前記炭素源および前記少なくとも１つの雰囲気ガスを含む流れの０．６％未満を構成する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの雰囲気ガスは窒素ガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスを行うステップは、前記基板をエッチングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスは、室温表面処理プロセスを含み、
前記ＣＭＯＳ互換成長プロセスは室温で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスを行うステップおよび前記炭素源の一部をグラフェンに変換するステップは同時に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記グラフェンに対するラマンスペクトルは、グラファイトに関連する第２のラマンピークに対する、欠陥に関連する第１のラマンピークの比が１未満であることにより特徴付けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
グラフェンフィルムを形成する方法であって、該方法は、
基板を処理チャンバ中で低減された圧力下に置くステップと、
前記基板の少なくとも一部にＣＭＯＳ互換表面処理プロセスを行うステップと、
炭素含有材料を前記処理チャンバ中に供給するステップと、
前記基板を前記炭素含有材料に曝すステップと、
ＣＭＯＳ互換成長プロセスにより、前記炭素含有材料の一部を前記基板上で前記グラフェンフィルムに変換するステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
水素ガスを供給するステップと、
前記ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスを行う前に前記基板を前記水素ガスに曝すステップと、
をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスは、高周波水素プラズマ洗浄プロセスを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板は銅箔を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記低減された圧力は、２５ｍＴｏｒｒ〜５００ｍＴｏｒｒである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記炭素含有材料は、メタン、エタン、プロパンおよびブタンの少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスは、室温表面処理プロセスを含み、
前記ＣＭＯＳ互換成長プロセスは室温で行われる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
少なくとも１つの雰囲気ガスを前記処理チャンバ中に供給するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの雰囲気ガスは窒素ガスを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスを行うステップは、前記基板をエッチングするステップを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】
前記ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスは、前記ＣＭＯＳ互換成長プロセスにより、前記炭素含有材料の一部を前記グラフェンフィルムに変換する前に行われる、請求項１２に記載の方法。
【請求項２３】
前記グラフェンフィルムに対するラマンスペクトルは、グラファイトに関連する第２のラマンピークに対する、欠陥に関連する第１のラマンピークの比が１未満であることにより特徴付けられる、請求項１２に記載の方法。
【請求項２４】
グラフェン製造のためのシステムであって、該システムは、
複数のガス源と、
複数の質量流量計であって、該複数の質量流量計の各々は前記複数のガス源の１つに結合されている、質量流量計と、
前記複数の質量流量計と流体的に連絡されている処理チャンバと、
前記処理チャンバ中でプラズマを形成するように動作可能なプラズマ源と、
前記処理チャンバと流体的に連絡されている真空ポンプと、
プロセッサと、
複数のコンピュータ可読命令を含む非固定コンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令は前記コンピュータ可読記憶媒体に実体的に実装され、データプロセッサにより処理される時にグラフェン製造のために前記複数の命令を提供し、該複数の命令は、
前記データプロセッサに基板を低減された圧力環境に置かせる命令と、
前記データプロセッサにキャリアガスおよび炭素源を供給させる命令と、
前記データプロセッサに前記基板の少なくとも一部を前記キャリアガス、前記炭素源および少なくとも１つの雰囲気ガスに曝させる命令と、
前記データプロセッサに前記基板の前記少なくとも一部にＣＭＯＳ互換表面処理プロセスを行わせる命令と、
前記データプロセッサに、ＣＭＯＳ互換成長プロセスにより、前記基板の前記少なくとも一部上で前記炭素源の一部をグラフェンに変換させる命令とを含む、非固定コンピュータ可読記憶媒体と、
を備えるシステム。
【請求項２５】
前記ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスは、室温表面処理プロセスを含み、
前記ＣＭＯＳ互換成長プロセスは室温で行われる、請求項２４に記載のシステム。
【請求項２６】
前記基板は銅箔を備える、請求項２４に記載のシステム。
【請求項２７】
前記キャリアガスは水素を含み、前記ＣＭＯＳ互換表面処理プロセスは高周波水素プラズマ洗浄処理プロセスを含む、請求項２４に記載のシステム。
【請求項２８】
前記少なくとも１つの雰囲気ガスは窒素を含む、請求項２４に記載のシステム。
【請求項２９】
前記キャリアガスの供給および前記炭素源の供給は同時に行われる、請求項２４に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本開示の様々な修正及び変更は、本開示の範囲及び原理から逸脱することなく当業者には明白であり、また、本開示は、本明細書に記載した例示的な実施形態に不当に制限されるものではないと理解すべきである。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［１９］に記載する。
［１］
ベース部に取り付けられたスタッドを備える、基材に対してスタッドを適用するためのアンカーであって、前記ベース部は実質的に紫外線透過性であるアンカー。
［２］
前記ベース部は紫外線硬化性接着剤を有する、項目１に記載のアンカー。
［３］
前記紫外線硬化性接着剤は液体である、項目２に記載のアンカー。
［４］
前記紫外線硬化性接着剤は固体又はゲルである、項目２に記載のアンカー。
［５］
前記ベース部は感圧性接着剤を有する、項目１に記載のアンカー。
［６］
前記感圧性接着剤はリング状にパターニングされている、項目５に記載のアンカー。
［７］
前記感圧性接着剤はＣ字型の弧状にパターニングされている、項目５に記載のアンカー。
［８］
前記ベース部は感圧性接着剤及び紫外線硬化性接着剤を有する、項目１に記載のアンカー。
［９］
前記感圧性接着剤はリング状にパターニングされている、項目８に記載のアンカー。
［１０］
前記ベース部は、紫外線硬化性接着剤である感圧性接着剤を有する、項目１に記載のアンカー。
［１１］
ａ）ベース部に取り付けられたスタッドを備えるアンカーを提供する工程であって、前記ベース部は実質的に紫外線透過性である、工程と、
ｂ）紫外線硬化性接着剤を前記ベース部に適用する工程と、
ｃ）前記アンカーを基材に適用する工程と、
ｄ）前記紫外線硬化性接着剤を、紫外線の適用によって、硬化させる工程と、を含む、スタッドを基材に適用する方法。
［１２］
工程ｂ）から工程ｃ）に進む、項目１１に記載の方法。
［１３］
工程ｃ）から工程ｂ）に進む、項目１１に記載の方法。
［１４］
ａ）ベース部に取り付けられたスタッドを備えるアンカーを提供する工程であって、前記ベース部は実質的に紫外線透過性であり、かつ、前記ベース部は紫外線硬化性接着剤を有する、工程と、
ｂ）前記アンカーを基材に適用する工程と、
ｃ）前記紫外線硬化性接着剤を、紫外線の適用によって、硬化させる工程と、を含む、スタッドを基材に適用する方法。
［１５］
ａ）ベース部に取り付けられたスタッドを備えるアンカーを提供する工程であって、前記ベース部は実質的に紫外線透過性であり、かつ、前記ベース部は感圧性接着剤を有する、工程と、
ｂ）紫外線硬化性接着剤を前記ベース部に適用する工程と、
ｃ）前記アンカーを基材に適用する工程と、
ｄ）前記紫外線硬化性接着剤を、紫外線の適用によって、硬化させる工程と、を含む、スタッドを基材に適用する方法。
［１６］
工程ｂ）から工程ｃ）に進む、項目１５に記載の方法。
［１７］
工程ｃ）から工程ｂ）に進む、項目１５に記載の方法。
［１８］
前記感圧性接着剤はＣ字型の弧状にパターニングされている、項目１７に記載の方法。
［１９］
ａ）ベース部に取り付けられたスタッドを備えるアンカーを提供する工程であって、前記ベース部は実質的に紫外線透過性であり、かつ、前記ベース部は、紫外線硬化性接着剤である感圧性接着剤を有する、工程と、
ｂ）前記アンカーを基材に適用する工程と、
ｃ）前記紫外線硬化性接着剤を、紫外線の適用によって、硬化させる工程と、を含む、スタッドを基材に適用する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部に取り付けられたスタッドを備える、基材に対してスタッドを適用するためのアンカーであって、前記ベース部は実質的に紫外線透過性であり、前記ベース部は紫外線硬化性接着剤及び感圧性接着剤を有する、アンカー。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月22日(2015.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カットシート材を処理するためのコロナ処理装置であって、
当該コロナ処理装置は：
互いに近接したコロナ電極及び対極を含み、シートの表面にコロナプラズマ処理を施すためのコロナ手段；
前記コロナ手段に亘って且つ前記コロナ電極と前記対極との間に位置する搬送経路の方向に、前記シートを搬送するためのシート搬送手段；及び
前記コロナ電極に沿って前記シートをガイドするための複数のシートガイド要素；
を含み、
前記複数のシートガイド要素が前記コロナ電極と前記搬送経路との間に位置しているため、前記搬送経路と前記コロナ電極との間に所定の距離がもたらされ、
前記複数のシートガイド要素は、シート搬送方向の平面内で該シート搬送方向に対して第１の角度の方向に伸びた第１のシートガイド要素を少なくとも含み、前記シートガイド要素の前記シート搬送方向の前記平面内の第１の角度は、前記シートガイド要素の幅Ｗｇｕｉｄと共に、前記コロナ手段の前記シート搬送方向の処理長Ｌｃｏｒｏｎａのうちどの部分が前記シート搬送方向の前記平面内で前記シートガイド要素に覆われるかを規定し、前記コロナ手段の前記処理長Ｌｃｏｒｏｎａのうち最大で２０％が覆われる、コロナ処理装置。
【請求項２】
前記所定の距離は１ｍｍ〜３ｍｍの範囲にある、請求項１に記載のコロナ処理装置。
【請求項３】
前記複数のシートガイド要素のそれぞれはセラミック材料を含む、請求項１に記載のコロナ処理装置。
【請求項４】
前記シートガイド要素の前記幅Ｗｇｕｉｄは０．３ｍｍ〜１ｍｍの範囲にあり、前記コロナ手段の前記処理長は少なくとも１０ｍｍである、請求項１に記載のコロナ処理装置。
【請求項５】
前記複数のシートガイド要素は、前記シート搬送方向の前記平面内で、前記シート搬送方向に対して第２の角度の方向に伸びた第２のシートガイド要素を含み、該第２の角度は前記第１の角度とは異なる、請求項１に記載のコロナ処理装置。
【請求項６】
前記第２の角度は、前記シート搬送方向に対して、前記シート搬送方向の前記平面内の前記第１の角度と反対方向にある、請求項５に記載のコロナ処理装置。
【請求項７】
前記複数のシートガイド要素は、前記第１のシートガイド要素又は前記第２のシートガイド要素と平行に配置された第３のシートガイド要素を含む、請求項１に記載のコロナ処理装置。
【請求項８】
前記複数のシートガイド要素の少なくとも１つが少なくとも１つの支持要素に支持され、該少なくとも１つの支持要素は前記コロナ電極と実質的に平行に配置され、特に、前記複数のシートガイド要素の少なくとも１つが、該支持要素である前記コロナ電極によって支持される、請求項１に記載のコロナ処理装置。
【請求項９】
前記複数のシートガイド要素の少なくとも１つがワイヤで構成され、該ワイヤはパーフルオロアルキレンポリマーを含み、特に、該ワイヤはパーフルオロアルキレンポリマーを含む表面コーティングを含む、請求項１に記載のコロナ処理装置。
【請求項１０】
前記シート搬送手段は、前記コロナ手段に沿って前記シートを搬送する間に前記シートを支持するためのシート支持面をさらに含み、該シート支持面は前記搬送経路と前記対向電極との間に配置される、請求項１に記載のコロナ処理装置。
【請求項１１】
前記シート搬送手段はシート入力ピンチローラーをさらに含み、特に、前記シート搬送手段は、前記シートの一部を前記シート支持面に押し付けるための押さえフットをさらに含み、該押さえフットは、前記シート搬送方向に対して前記シート入力ピンチローラーから下流側に位置している、請求項１０に記載のコロナ処理装置。
【請求項１２】
前記シートガイド要素は、前記シート搬送手段の前記押さえフットの一部である、請求項１１に記載のコロナ処理装置。
【請求項１３】
前記コロナ手段は、前記搬送経路と前記対極との間に配置された電気絶縁層をさらに含む、請求項１に記載のコロナ処理装置。
【請求項１４】
前記対極はその軸の周りを回転可能な円筒電極であり、前記対極はその外面に電気絶縁層を任意で含む、請求項１に記載のコロナ処理装置。
【請求項１５】
カットシート材を処理するための印刷システムであって、
前記カットシート材の表面をプラズマ処理するための請求項１乃至１４のいずれか一項に記載のコロナ処理装置；
前記カットシート材にマーキング材料を適用するための少なくとも１つのマーキングステーション；
カットシート供給ステーション；及び
カットシート配送ステーション；
を含む印刷システム。