【手続補正書】
【提出日】平成27年12月21日(2015.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上にバリヤー層を製造するための方法であって、該方法が
基材上に０．３〜１０容積％の細孔容積を有する無機酸化物層を提供し；そして
続いて、無機酸化物層を有する該基材を、大気グロー放電プラズマ中で、処理空間において１０Ｗ／ｃｍ２以上の電力密度を用いて、局部付着速度を５ｎｍ／秒以下に制御することにより、処理して封止層を形成する；
ことを含み、
該プラズマは、少なくとも２つの電極により、該少なくとも２つの電極の間に形成される処理空間において発生させ、
該処理空間は、操作中に酸素および２〜５０ｐｐｍの量の前駆体材料を含むガスの混合物を含む、
前記方法。
【請求項２】
無機酸化物層を有する基材の処理空間における処理を１５０℃未満の温度で行う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
無機酸化物層を有する基材の処理空間における処理を２０分未満の時間中に行う、請求項１〜２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
基材がＰＥＴまたはＰＥＮなどのフレキシブルポリマー基材である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前駆体材料が、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）、ＨＭＤＳＮ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＤＳＯ（テトラメチルジシロキサン）またはＴＭＣＴＳ（テトラメチルシクロテトラシロキサン）を含む群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
無機層を基材上に大気グロー放電プラズマを用いて提供する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法であって、前記プラズマを、少なくとも２つの電極により、該少なくとも２つの電極の間に形成される処理空間において発生させ、該処理空間が、操作中に酸素および前駆体材料を含むガスを含む、前記方法。
【請求項７】
ガスが、５％を超える濃度の酸素と、２５０〜５０００ｐｐｍの量の前駆体材料を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
基材上にバリヤー層を製造するための装置であって、該装置が、以下：
少なくとも２つの電極を含む大気圧グロー放電（ＡＰＧＤ）プラズマ装置、これに関し、該少なくとも２つの電極は、前記２つの電極の間に形成される処理空間において大気圧グロー放電プラズマが発生するように配置されている、
少なくとも２つの電極に接続されている制御ユニット、および
処理空間と連通しているガス供給ユニット、
を含み、
該制御ユニットおよびガス供給源が、
基材上に０．３〜１０容積％の細孔容積を有する無機酸化物層を提供し、そして
続いて、無機酸化物層を有する該基材を、処理空間において１０Ｗ／ｃｍ２以上の電力密度を用いて、局部付着速度を５ｎｍ／秒以下に制御することにより、処理して封止層を形成する、
これに関し、該処理空間は、操作中に酸素および２〜５０ｐｐｍの量の前駆体材料を含むガスの混合物を含む、
ように配置されている、前記装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
【表２】
2015528051.tif 000001
本発明は以下の態様を含む。
［１］
基材（１；１ａ、１ｂ）上にバリヤー層を製造するための方法であって、該方法が
基材（１；１ａ、１ｂ）上に０．３〜１０容積％の細孔容積を有する無機酸化物層（１１）を提供し；そして
続いて、無機酸化物層（１１）を有する該基材（１；１ａ、１ｂ）を、大気グロー放電プラズマ中で、処理空間（５）において１０Ｗ／ｃｍ２以上の電力密度を用いて、局部付着速度を５ｎｍ／秒以下に制御することにより、処理して封止層（１２）を形成する；
ことを含み、
該プラズマは、少なくとも２つの電極（２、３）により、該少なくとも２つの電極（２、３）の間に形成される処理空間（５）において発生させ、
該処理空間（５）は、操作中に酸素および２〜５０ｐｐｍの量の前駆体材料を含むガスの混合物を含む、
前記方法。
［２］
無機酸化物層（１１）を有する基材（１；１ａ、１ｂ）の処理空間（５）における処理を、１５０℃未満、例えば１００℃未満の温度で行う、［１］に記載の方法。
［３］
無機酸化物層（１１）を有する基材（１；１ａ、１ｂ）の処理空間（５）における処理を２０分未満の時間中に行う、［１］〜［２］のいずれか一項に記載の方法。
［４］
基材（１、１ａ、１ｂ）がＰＥＴまたはＰＥＮなどのフレキシブルポリマー基材である、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の方法。
［５］
前駆体材料が、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、ＨＭＤＳＯ（ヘキサメチルジシロキサン）、ＨＭＤＳＮ（ヘキサメチルジシラザン）、ＴＭＤＳＯ（テトラメチルジシロキサン）またはＴＭＣＴＳ（テトラメチルシクロテトラシロキサン）を含む群から選択される、［１］〜［４］のいずれか一項に記載の方法。
［６］
無機層（１１）を基材（１；１ａ、１ｂ）上に大気グロー放電プラズマを用いて提供する、［１］〜［５］のいずれか一項に記載の方法であって、前記プラズマを、少なくとも２つの電極（２、３）により、該少なくとも２つの電極（２、３）の間に形成される処理空間（５）において発生させ、該処理空間（５）が、操作中に酸素および前駆体材料を含むガスを含む、前記方法。
［７］
無機層（１１）が０．３〜３容積％の細孔容積を有する、［６］に記載の方法。
［８］
基材（１；１ａ、１ｂ）上での無機層（１１）の提供を２０分未満の時間で行う、［６］または［７］に記載の方法。
［９］
ガスが、５％を超える濃度の酸素と、２５０〜５０００ｐｐｍの量の前駆体材料を含む、［６］、［７］または［８］に記載の方法。
［１０］
処理空間（５）における無機層（１１）の提供を、１５０℃未満、例えば１００℃未満の温度で行う、［６］〜［９］のいずれか一項１に記載の方法。
［１１］
基材上にバリヤー層を製造するための装置であって、該装置が、以下：
少なくとも２つの電極（２、３）を含む大気圧グロー放電（ＡＰＧＤ）プラズマ装置、これに関し、該少なくとも２つの電極（２、３）は、前記２つの電極（２、３）の間に形成される処理空間（５）において大気圧グロー放電プラズマが発生するように配置されている、
少なくとも２つの電極（２、３）に接続されている制御ユニット（４）、および
処理空間（５）と連通しているガス供給ユニット（８）、
を含み、
該制御ユニット（４）およびガス供給源（８）が、
基材（１；１ａ、１ｂ）上に０．３〜１０容積％の細孔容積を有する無機酸化物層（１１）を提供し、そして
続いて、無機酸化物層（１１）を有する該基材（１；１ａ、１ｂ）を、処理空間（５）において１０Ｗ／ｃｍ２以上の電力密度を用いて、局部付着速度を５ｎｍ／秒以下に制御することにより、処理して封止層（１２）を形成する、
これに関し、該処理空間（５）は、操作中に酸素および２〜５０ｐｐｍの量の前駆体材料を含むガスの混合物を含む、
ように配置されている、前記装置。
［１２］
制御ユニット（４）およびガス供給源（８）が、［２］〜［１０］のいずれか一項に記載の方法が実行されるように配置されている、［１１］に記載の装置。
［１３］
基材（１；１ａ、１ｂ）、０．３〜１０容積％の細孔容積を有する無機層（１１）、および［１］〜［５］のいずれか一項に従って製造される封止層（１２）を含む、フレキシブル基材組成物。
［１４］
無機層（１１）を［６］〜［１０］のいずれか一項に従って製造する、［１３］に記載のフレキシブル基材組成物。