(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッドが表面に設けられた方形の半導体チップと、
前記半導体チップの前記表面に上面が接し、前記パッドの下に配置された第１の開口を有し、下面に前記パットと電気的に接続される配線が設けられた配線回路基板と、
前記第１の開口部に設けられたパッドを被覆する第１の樹脂と、
前記配線回路基板の前記上面に、前記半導体チップから離間して、前記半導体チップの角部近傍に設けられ、前記回路基板の上面からの高さが前記半導体チップの厚みと同等の高さを有する第２の樹脂
とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記回路基板が第２の開口を有し、前記第２の樹脂が前記第２の開口内に充填されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の開口が、前記半導体チップのそれぞれの角部に対応して複数個設けられることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ：Chip  Scale  Package）の半導体装置に関し、特に、半導体チップの表面が外部に露出している半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、半導体装置では高速度動作が求められ、集積度が高められている。特に、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）においては、数１００ＭＨｚレベルの高速動作が要求されている。このため、半導体チップの表面が外部に露出したフリップチップ型半導体装置が使用されている。また、この半導体装置では、小型化と薄型化が要求されている。このため、チップスケールのパッケージが可能なボールグリッドアレイ（ＢＧＡ：Ball  Grid  Array）タイプの半導体装置が製品化されている。これらの半導体装置は、より小型化と薄型化のため、半導体チップの一部のみを保護樹脂で覆っており、半導体チップの表面が外部に露出している。
【０００３】
しかし、従来の半導体装置では、半導体チップの角部が破損する場合があった。この破損により、半導体装置が電気的不良を起こす場合があった。この破損の原因は、半導体装置のいわゆる強度が低いためと考えられた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、半導体チップの表面が外部に露出しても、半導体チップの角部の破損の防止が可能なＣＳＰの半導体装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本願発明の態様によれば、パッドが表面に設けられた方形の半導体チップと、半導体チップの表面に上面が接し、パッドの下に配置された第１の開口を有し、下面にパットと電気的に接続される配線が設けられた配線回路基板と、第１の開口部に設けられたパッドを被覆する第１の樹脂と、配線回路基板の上面に、半導体チップから離間して、半導体チップの角部近傍に設けられ、回路基板の上面からの高さが半導体チップの厚みと同等の高さを有する第２の樹脂とを有する半導体装置が提供される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。
【０００８】
（構造Ａ）
構造Ａを有する半導体装置では、図１（ａ）に示すように、パッド５２が、半導体チップ５１の方形の第１の表面２４に設けられる。半導体チップ５１の第１の表面２４に配線回路基板５４の上面が接する。配線回路基板５４はパッド５２の下に開口部を有している。配線５６は、配線回路基板５４の下面に配置され、パット５２と電気的に接続する。第１の樹脂５７は、配線回路基板５４の開口部に埋め込まれ、パッド５２を被覆する。バンプ５８は配線５６の下に配置され、配線５６に電気的に接続する。配線回路基板５４は、積層構造を有している。上層にエラストマ５５が設けられている。エラストマ５５の下に絶縁性基材５９が設けられている。絶縁性基材５９の下には部分的に配線５６が設けられている。絶縁性基材５９と配線５６の下には、絶縁性保護膜６０が設けられている。
【０００９】
第２の樹脂５３は、配線回路基板５４の上面に設けられる。第２の樹脂５３の上面が半導体チップ５１の方形の角部から離れた場所でも半導体チップ５１の第２の表面２５と同程度の高さである。第２の樹脂５３の上面と、半導体チップ５１の第２の表面２５は、同一平面上に配置されている。第２の樹脂５３が、半導体チップ５１の第２の表面２５の外周部に接する。
【００１０】
第２の樹脂５３が配置されることにより、半導体チップ５１の角部は検査装置やトレイにほとんど接触しない。そして、半導体チップ５１の角部の破損が防止できる。また、第２の樹脂５３の接する基板５４の上面は狭くできる。従って、第２の樹脂５３の量を減らすことができる。
【００１１】
（構造Ｂ）
構造Ｂを有する半導体装置は、構造Ａを有する半導体装置に比べて、図１（ｂ）に示すように、第２の樹脂６３の構造のみが異なる。
第２の樹脂６３は、配線回路基板５４の上面に設けられる。第２の樹脂６３の上面が半導体チップ５１の方形の角部から離れた場所でも半導体チップ５１の第２の表面２５と同程度の高さである。第２の樹脂６３の上面と、半導体チップ５１の第２の表面２５は、同一平面上に配置されている。第２の樹脂６３は、半導体チップ５１に接しない。特に、第２の表面２５の外周部に接しない。
【００１２】
第２の樹脂６３によっても、半導体チップ５１の角部は検査装置やトレイにほとんど接触しない。そして、半導体チップ５１の角部の破損が防止できる。
【００１３】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態では、構造Ａを有する半導体装置について詳細に説明する。
【００１４】
第１の実施の形態の半導体装置は、図２（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、パッド２が半導体チップ１の方形の第１の表面２４に設けられている。図２（ａ）は、第１の実施の形態の半導体装置の上面図である。図２（ｂ）は、下方からの透視図である。図２（ｃ）は、図２（ａ）（ｂ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。
【００１５】
半導体チップ１の第１の表面２４に配線回路基板４の上面が接している。パッド２の下に配線回路基板４は第１の開口部１２を有する。配線６は配線回路基板４の下面に配置され、パット２と電気的に接続する。第１の樹脂７は、第１の開口部１２に設けられ、パッド２とワイヤー２１を被覆する。第２の樹脂１０は、配線回路基板４の上面に設けられる。第２の樹脂１０の上面が半導体チップ１の方形の角部から離れた場所で半導体チップ１の第２の表面２５と同程度の高さである。半導体チップ１の第１の表面２４の方形の角部の付近の配線回路基板４に第２の開口部３が設けられる。第２の樹脂１０は、第２の開口部３にも埋め込まれている。第２の樹脂１０の上面と、半導体チップ１の第２の表面２５は、同一平面上に配置されている。第２の樹脂１０が、半導体チップ１の第２の表面２５の外周部に接する。第２の開口部３の上に半導体チップ１の第１の表面２４の方形の角部が配置されている。パッド２が半導体チップ１の第１の表面２４の方形の辺と垂直なこの方形の中心線の付近に設けられる。第２の開口部３の開口面の形状は、方形であるが、円又は多角形であってもかまわない。開口部ごとに形状が異なっていても良い。バンプ８は、配線６の下に配置され、配線６に電気的に接続する。パット２と配線６は、ワイヤ２１を介して電気的に接続される。配線６とワイヤー２１はボンディングパッド２２で接続される。
【００１６】
半導体チップ１の主表面２４は４辺を有する方形である。半導体チップ１には、その方形の長手方向に垂直の中心線付近の領域の表面上にセンターパッド２が複数個設けられている。センターパッド２が、２列に直線的に配置されている。
【００１７】
第２の樹脂１０が配置されることにより、半導体チップ１の角部は検査装置やトレイにほとんど接触しない。そして、半導体チップ１の角部の破損が防止できる。ここで、半導体チップ１の角部を保護する上で、半導体チップの第２の表面２５と、角部の第２の樹脂１０の上面が同一平面であることが好ましい。さらに、半導体チップ１の第２の表面２５よりも角部の第２の樹脂１０の表面が突出することが、好ましい。しかし、半導体装置が厚くなるので、この厚みの許容される範囲で、第２の樹脂１０の表面を突出させればよい。あまり突出しすぎると半導体装置をソケットに搭載する場合に、搭載の障害となる。突出の程度には制限があることが好ましい。
【００１８】
ここで、半導体記憶装置では、半導体基板中のメモリセルは高集積化に伴い、半導体基板の中心線付近以外の領域に形成され、周辺回路が半導体基板の中心線に沿って設けられているため、周辺回路からもっとも近い領域にパッドを設けるセンターパッド方式が配線長を短くする上で好適である。
【００１９】
半導体チップ１上の各パッド２が有る第１の表面に回路素子が形成される。半導体チップ１の回路素子が形成される第１の表面２４の反対側の第２の表面２５が上になる。パッド２は、配線回路基板４の裏面に設けられたボールバンプ８に電気的に接続される。半導体チップ１の４つの角部付近の配線回路基板４に開口部３が設けられている。センターパッド２とボールバンプ８とを、配線６は接続する。配線６とセンターパッド２とを第１の樹脂７が被覆している。
【００２０】
配線回路基板４中の４つの第２の開口部３と半導体チップ１の４つの角部を半導体チップ１の第２の表面２５まで第２の樹脂１０が被覆している。半導体チップ１の４つの角部周囲を第２の樹脂１０が被覆している。開口部３の開口面の四角形の一辺の大きさは、例えば１．６ｍｍ程度である。また、半導体チップ１の厚さは例えば約３８０μｍである。
【００２１】
次に、第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。なお、第１の実施の形態の半導体装置は、上下逆さまに配置することにより、その製造方法が理解しやすくなる。
【００２２】
（１）まず、図３（ａ）に示すように、半導体チップ１のパット２と配線回路基板４の第１の開口部１２を一致させる。半導体チップ１の第１あるいは第２の表面２４、２５の方形の角部の付近に配線回路基板４の第２の開口部３を配置する。そして、半導体チップ１の第１の表面２４と配線回路基板４の上面を接着する。あらかじめ、半導体チップ１の角部が配置される配線回路基板４の部分に開口部３を形成する。配線回路基板４と半導体チップ１を、エラストマ(接着剤)５により接合する。
【００２３】
（２）次に、図３（ｂ）に示すように、パッド２と配線回路基板４の配線６を電気的に接続する。パッド２と配線回路基板４の配線６をワイヤー２１を介して接続する。半導体チップ１のセンターパッド２と配線回路基板４とをビームリード又は金属ワイヤなどのワイヤー２１により接続する。
【００２４】
（３）図３（ｃ）に示すように、第１の開口部１２を第１の樹脂７で埋める。そして、パット２、ワイヤー２１とボンディングパット２２を封止する。同時に、配線回路基板４の上面に、第２の樹脂１０を形成する。第２の樹脂１０で第２の開口部３を埋める。配線回路基板４の絶縁性保護膜９の側から、第１の樹脂７を配線接合部４の開口部１２に、第２の樹脂１０を開口部３に埋め込む。第２の樹脂１０の上面の高さを、半導体チップ１の第１の表面２４の方形の角部から離れた場所で、半導体チップ１の第２の表面２５の高さと同程度の高さにする。このために、平面を有する金型２６を用いる。金型２６の平面を、半導体チップ１の第２の表面２５に密着させる。この密着の後に、第２の樹脂１０を、第２の開口部３に上方である基板４の下面から注入する。注入された第２の樹脂１０の一部は、半導体チップ１の側面と金型２６の平面に達する。第２の樹脂１０が金型２６に達することによって、第２の樹脂１０の上面を、半導体チップ１の第２の表面２５の方形の角部から離れた場所でも半導体チップ１の第２の表面２５と同程度の高さにできる。第１の樹脂７を埋め込むことと、第２の樹脂１０を埋め込むことは、基板４の下面から上面方向に埋め込む点で同じであるので、同時に埋め込むことができる。
【００２５】
（４）図３（ｄ）に示すように、配線６の上にボールバンプ８を接着する。そして、ボールバンプ８を電気的に接続する。外部接続端子であるボール８を配線回路基板４の配線６の上に形成する。なお、この（４）の工程は、（１）、（２）と（３）の工程に前後して行うことができる。
【００２６】
（３）の工程の樹脂封止によって、半導体チップ１の角部では、非導電性樹脂１０が十分に半導体チップ１の側面を覆う。このことにより、樹脂１０により半導体チップ１が保護され、破損することはない。なお、第２の樹脂の封止方法は、（３）の工程とは異なり、半導体チップ１の第２の表面の側からの方向、特に半導体チップ１の側面に向かう方向から樹脂を封止することもできる。
【００２７】
半導体チップ１が外部に露出する半導体装置において、配線回路基板４の半導体チップ１に覆われない部分に、半導体チップ１に全面を覆われない開口部３を設ける。このことにより、外部配線への接続部（ボールバンプ）８に側から保護樹脂１０を形成することができる。
【００２８】
開口部３を半導体チップ１の側面に接するように設ける。ことにより、半導体チップ１の側面に保護樹脂１０が形成される。この保護樹脂１０は、半導体チップ１の破損を防ぎ、半導体装置の強度・信頼性を向上することができる。また、半導体チップ１の側面より離れた配線回路基板４の部分に開口部３を設けた場合でも、半導体チップ１が外部と接触しにくくなり半導体チップ１の角部の破損を防ぐことができる。
【００２９】
半導体チップ１の第１の表面２４の側から保護樹脂１０を形成する事が出来る。このことにより、樹脂１０の形成を、配線接続部２、２１、２２の樹脂７による封止と同一工程で行える。配線６とパット２の接続のために開口部１２が形成されている配線回路基板４においては、従来と同一の工程で開口部３を配線回路基板４に形成することができる。
【００３０】
動作速度の高速化の要求から、メモリ装置においては、パッド２を半導体チップ１の中央にまとめて配置する。実装基板４と半導体チップ１との電気的に接続する部分が半導体チップ１の中央のみとなる。このような半導体チップ１のパッド２の保護と、半導体チップ１の角部の保護とを、同一面側から樹脂７、１０を封入することで、工程数を増やすことなく達成できる。
【００３１】
なお、図２ではボール８が半導体チップ１の真下方向に全て収まっているファンイン型の例を示した。しかし、ボール８が半導体チップ１の真下方向の外側にも設けられているファンアウト型の半導体装置にも第１の実施の形態は適用できる。その場合、配線回路基板４に設けられる開口部３はボール８が設けられていない位置に設けられる。あるいは、ボール８は開口部３が設けられていない位置に設けられる。
【００３２】
（第１の実施の形態の変形例）
第１の実施の形態の変形例では、構造Ａを有する半導体装置について説明する。第１の実施の形態の変形例の半導体装置では、図４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、半導体チップ１の主表面２４は４辺を有する方形である。半導体チップ１には、その方形の長手方向に垂直の中心線付近の領域の表面上にセンターパッド２が複数個設けられている。第１の実施の形態の変形例の半導体装置は、第１の実施の形態の半導体装置とは異なり、センターパッド２が、１列に直線的に配置されている。センターパッド方式は、周辺回路からもっとも近い領域にパッドを設けることができる。センターパッド方式が配線長を短くする上で好適である。
【００３３】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態では、構造Ａを有する半導体装置について詳細に説明する。
【００３４】
第２の実施の形態の半導体装置は、図５（ａ）（ｂ）に示すように、第１の実施の形態の半導体装置とは異なり、第２の開口部３の開口面が円である。さらに、第２の樹脂１０の半導体チップ１の側面に接しない配線回路基板４の上の側面が、半導体チップ１の第２の表面２５に対して垂直である点が異なっている。図５（ａ）は、第２の実施の形態の半導体装置の上面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。
【００３５】
第２の樹脂１０が配置されることにより、半導体チップ１の角部は検査装置やトレイにほとんど接触しない。そして、半導体チップ１の角部の破損が防止できる。また、第２の樹脂１０の接する基板４の上面は狭くできる。従って、基板４の面積と半導体装置の面積を小さくできる。また、開口部３の開口面の形状を円形にすることで、第２の樹脂１０の埋め込みの際に気泡が発生しにくい。
【００３６】
次に、第２の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。第２の実施の形態の半導体装置の製造方法は、次の２点を変更することにより、第１の実施の形態の製造方法と同様に行うことができる。まず、１点目として、（１）の工程で、開口部３の開口面の形状を円形に変更する。２点目として、（３）の工程で、図６（ａ）（ｂ）に示すように、金型２６の形状を変更し、配置する。ここで、図６（ａ）は、金型２６を配置した第２の実施の形態の半導体装置の上方からの透視図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。金型２６に新たに側面２８を設ける。側面２８は、半導体チップ１の第２の表面２５に対して垂直に配置可能である。このために、側面２８は、半導体チップ１の第２の表面２５に接する金型２６の平面に対して垂直に配置する。側面２８の一端は基板４に接することが可能である。このために、側面２８の高さは、半導体チップ１の厚さと同じ大きさにする。
【００３７】
側面２８を設けることにより、第２の樹脂１０の厚さを任意の厚さに設定することができる。このことにより、第２の樹脂１０の厚さを、半導体チップ１の角部の破損が防止可能な最小膜厚に設定できる。そして、第２の樹脂１０の接する基板４の上面は狭くできる。さらには、基板４の面積と半導体装置の面積を小さくできる。
【００３８】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態では、構造Ａを有する半導体装置について詳細に説明する。
【００３９】
第３の実施の形態の半導体装置は、図７（ａ）（ｂ）に示すように、第１の実施の形態の半導体装置とは異なり、半導体チップ１の角部の第２の表面２５の上に第２の樹脂１０が設けられる。図７（ａ）は、第３の実施の形態の半導体装置の上面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。
【００４０】
第２の樹脂１０が半導体チップ１の第２の表面２５の上にも配置されることにより、半導体チップ１の角部は第２の樹脂１０により完全に覆われ、検査装置やトレイに接触することはない。そして、半導体チップ１の角部の破損が防止できる。
【００４１】
次に、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。第３の実施の形態の半導体装置の製造方法は、（３）の工程で、図８（ａ）（ｂ）に示すように、金型２６の形状を変更し配置することにより、第１の実施の形態の製造方法と同様に行うことができる。ここで、図８（ａ）は、金型２６を配置した第３の実施の形態の半導体装置の上方からの透視図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。金型２６に新たに側面２８を設ける。側面２８の一端は、半導体チップ１の第２の表面２５の上で、第２の表面２５の角部の近くに配置することが可能である。すなわち、金型２６は、半導体チップ１の第２の表面２５に、第２の表面２５の角部の近くでは接することなく、第２の表面２５の角部から離れると接することが可能である。
【００４２】
側面２８の高さを変えることにより、半導体チップ１の第２の表面２５の上の第２の樹脂１０の厚さを任意の厚さに設定することができる。このことにより、半導体チップ１の第２の表面２５の上の第２の樹脂１０の厚さを、半導体装置をソケットに搭載する場合に搭載の障害とならない最大膜厚に設定できる。そして、半導体チップ１の角部の破損をより確実に防止できる。
【００４３】
（第４の実施の形態）
第４の実施の形態では、構造Ａを有する半導体装置について詳細に説明する。
【００４４】
第４の実施の形態の半導体装置は、図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、第１の実施の形態の半導体装置とは異なり、第１の開口部２９の長さが、半導体チップ１の長さより長い。このことにより、第１の開口部２９の上に半導体チップ１の第１の表面２４の方形の辺を配置することが可能である。第１の樹脂７は、第１の開口部２９に設けられる。そして、第１の樹脂７は、半導体チップ１の側面に配置される。
【００４５】
また、第３の開口部１３が、半導体チップ１の第１及び第２の表面２４、２５の方形の辺の付近の配線回路基板４の上に設けられる点が異なっている。第３の樹脂３０は、第３の開口部１３に設けられる。そして、第３の樹脂３０は、半導体チップ１の側面に配置される。図９（ａ）は、第４の実施の形態の半導体装置の上面図である。図９（ｂ）は、下方からの透視図である。図９（ｃ）は、図９（ａ）（ｂ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。
【００４６】
半導体チップ１の角部以外の側面部にも、側面部に対応した第３の開口部１３を配線回路基板４中に設けることにより、封止樹脂３０を施す。この樹脂３０は、第１の実施の形態の第１と第２の樹脂７、１０の埋め込みと同様の工程により開口部１３に埋め込まれる。なお、センターパッド２付近の配線６、第１の樹脂７の構成は第１の実施の形態と同様である。第１乃至第３の各開口部２９、３、１３に設けられる第１乃至第３の樹脂７、１０、３０の上面が、半導体チップ１の第２の表面２５の方形の角部から離れた場所で、半導体チップ１の第２の表面２５と同程度の高さである。すなわち、半導体チップ１の厚さに相当する厚さを有する第１乃至第３の樹脂７、１０、３０が第１乃至第３の開口部２９、３、１３に設けられている。
【００４７】
第２の実施の形態においては、第１の実施の形態の効果に加えて、半導体チップ１の側面部からの応力に基づいた破損も保護できる。さらに、配線回路基板４と半導体チップ１のハガレ強度もより強くすることができる。また、半導体チップ１の第２の表面２５に荷重を掛けても、側面部と角部に複数個設けられた樹脂７、１０、３０により、荷重により生じる応力が分散される。このことにより、半導体チップ１の破壊を防止することができる。
【００４８】
次に、第４の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。第４の実施の形態の半導体装置の製造方法は、（１）の工程で、配線回路基板４に、開口部１３と２９を配置することにより、第１の実施の形態の製造方法と同様に行うことができる。（３）の工程でも、第１の実施の形態と同じ金型２６を使用することができる。
【００４９】
（第５の実施の形態）
第５の実施の形態では、構造Ｂを有する半導体装置について詳細に説明する。
【００５０】
第５の実施の形態の半導体装置は、図１０（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、第１の実施の形態の半導体装置とは異なり、第２の樹脂１７が、半導体チップ１に接しない。特に、第２の樹脂１７が、第２の表面２５の外周部に接しない。このことは、第２の開口部１５の上に半導体チップ１の第１の表面２４の方形の角部が配置されていないことに起因している。このことによっても、半導体チップ１の角部の破損を防止することが可能である。また、第２の開口部１５が、２つの開口部を有する点で異なっている。このことにより、配線回路基板１の強度の低下を少なくすることができる。図１０（ａ）は、第５の実施の形態の半導体装置の上面図である。図１０（ｂ）は、下方からの透視図である。図１０（ｃ）は、図１０（ａ）（ｂ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。
【００５１】
第２の開口部１５に設けられる第２の樹脂１７の上面は、半導体チップ１の第２の表面２５の方形の角部から離れた場所で、半導体チップ１の第２の表面２５と同程度の高さである。すなわち、半導体チップ１の厚さに相当する厚さを有する第２の樹脂１７が第２の開口部１５に設けられている。
【００５２】
第２の開口部１５は半導体チップ１の角部にひとつずつ設けるのではなく、各角部に複数の開口部を設ける。各角部ごとに設けられた第２の開口部１５の面積の和は、第１の実施の形態において設けられた各角部の開口部の面積に近い。
【００５３】
半導体チップ１から離間した位置の配線回路基板１４に第２の開口部１５が設けられる。この第２の開口部１５中に第２の樹脂１７が封止されている。半導体チップ１の角部は第２の樹脂１７に接していない。第２の樹脂１７の高さは、半導体チップ１の第２の表面２５の高さと同じ高さである。第２の樹脂１７は、配線回路基板１４の半導体チップ１が搭載される面と反対側の面から第１の樹脂７と同時に注入される。このため、配線回路基板１４の半導体チップ１が搭載される面の上には、第２の樹脂１７が、底面が第２の開口部１５よりも大きい突起となっている。なお、センターパッド２付近の配線６、第１の樹脂７の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００５４】
配線回路基板１４の中央部付近には、半導体チップ１が搭載されている。配線回路基板１４の周囲には、半導体チップ１から離間して４つの突起１７が設けられている。第２の樹脂１７は半導体チップ１の厚みと同等もしくはそれに近い高さの突起１７を有する。この突起１７により、半導体チップ１が外部と接触しにくくなり、半導体チップ１の破損を防ぐことができる。
【００５５】
次に、第５の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。第５の実施の形態の半導体装置の製造方法は、（１）の工程で、配線回路基板１４に、開口部１５を配置することにより、第１の実施の形態の製造方法と同様に行うことができる。（３）の工程でも、第１の実施の形態と同じ金型２６を使用することができる。
【００５６】
（第６の実施の形態）
第６の実施の形態では、構造Ａと構造Ｂの中間の構造を有する半導体装置について詳細に説明する。
【００５７】
第６の実施の形態の半導体装置は、図１１（ａ）（ｂ）に示すように、第１の実施の形態の半導体装置とは異なり、第２の樹脂１７が、半導体チップ１に接するが、第２の表面２５の外周部には接しない。このことは、第２の開口部１５の上に半導体チップ１の第１の表面２４の方形の角部が配置されていないことに起因している。このことによっても、半導体チップ１の角部の破損を防止することが可能である。図１１（ａ）は、第６の実施の形態の半導体装置の上面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。
【００５８】
第２の樹脂１７の上部は、半導体チップ１の第２の表面２５の方形の角部から離れた場所で、半導体チップ１の第２の表面２５と同程度の高さである。すなわち、半導体チップ１の厚さに相当する厚さを第２の樹脂１７が有する。この第２の樹脂１７により、半導体チップ１が外部と接触しにくくなり、半導体チップ１の破損を防ぐことができる。
【００５９】
次に、第６の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。第６の実施の形態の半導体装置の製造方法は、次の２点を変更することにより、第１の実施の形態の製造方法と同様に行うことができる。まず、１点目として、（１）の工程で、配線回路基板１４に、開口部１５を配置する。２点目として、（３）の工程で、図１２（ａ）（ｂ）に示すように、金型２６の形状を変更し、配置する。ここで、図１２（ａ）は、金型２６を配置した第６の実施の形態の半導体装置の上方からの透視図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の金型２６を配置した第６の実施の形態の半導体装置の断面図である。金型２６に新たに側面２８を設ける。側面２８は、半導体チップ１の第２の表面２５に対して垂直に配置可能である。このために、側面２８は、半導体チップ１の第２の表面２５に接する金型２６の平面に対して垂直に配置する。側面２８の一端は第２の開口部１５の下に配置することが可能である。このことにより、側面２８に第２の樹脂１７を配置することができる。側面２８の一端は基板４に接することが可能である。このために、側面２８の高さは、半導体チップ１の厚さと同じ大きさにする。
【００６０】
（第７の実施の形態）
第７の実施の形態では、構造Ａを有する半導体装置について詳細に説明する。
【００６１】
第７の実施の形態の半導体装置は、図１３（ａ）（ｂ）と図１４（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように、第１の実施の形態の半導体装置とは異なり、半導体チップ１００のパッド１０１が、半導体チップ１００の第１の表面２４の方形の辺の付近に設けられている。そして、第１の開口部１０３が、第１の開口部１２と第２の開口部３を兼ねている。また、第３の開口部１０４が、半導体チップ１００の第１の表面２４の方形の辺の付近の配線回路基板１０２に設けられている点が異なっている。第１の樹脂１０７が、第１の開口部１０３と第３の開口部１０４に設けられる。第１の樹脂１０７が半導体チップ１００の側面に配置される。第３の開口部１０４の開口面の形状は、円、方形、又は多角形であってもよい。第３の開口部１０４は複数の開口部を有していてもよい。
【００６２】
ここで、図１３（ａ）は、第７の実施の形態の半導体装置の上面図である。図１３（ｂ）は、下方からの透視図である。図１４（ａ）は、図１３（ａ）（ｂ）のＩ−Ｉ方向の断面図である。図１４（ｂ）は、図１３（ａ）（ｂ）のＩＩ−ＩＩ方向の断面図である。図１４（ｃ）は、図１３（ａ）（ｂ）のＩＩＩ−ＩＩＩ方向の断面図である。
【００６３】
第１の樹脂１０７が配置されることにより、半導体チップ１の角部は検査装置やトレイにほとんど接触しない。そして、半導体チップ１の角部の破損が防止できる。
【００６４】
複数のパッド１０１が半導体チップ１００の第１の表面２４の上の周辺に設けられている。半導体チップ１００は、配線回路基板１０２に搭載されている。半導体チップ１００の４辺に対応して配線回路基板１０２中に開口部１０３と１０４が設けられている。半導体チップ１００と配線回路基板１０２上の接続ボール１０８との間の配線１０８を樹脂１０７で被覆して保護している。
【００６５】
配線回路基板１０２は、エラストマ１０９と絶縁性基材１０５の積層構造を有している。配線回路基板１０２は、半導体チップ１００の対向する一対の辺のそれぞれの下方に配置可能な第１の開口部１０３を有している。そして、この第１の開口部１０３の上方には、電極パッド１０１が配置可能である。配線回路基板１０２は、半導体チップ１００の対向する他の一対の辺のそれぞれの付近に配置可能な第３の開口部１０４を有している。
【００６６】
配線回路基板１０２の下側から開口部１０３と封止用開口部１０４を介して、封止樹脂１０７を塗布する。このように、半導体チップ１００の４つの側面特に角部を封止樹脂1０７にて覆っている。
【００６７】
半導体チップ１００上のパッド１０１に配線１０８が接続されている。この配線１０８は半導体基板１００と配線回路基板１０２を電気的に接続する。配線１０８は、エラストマ１０９の下に設けられ、ハンダバンプ１１０に電気的に接続される。半導体チップ１００の第２の表面２５が上になるように、半導体チップ１００は配線回路基板１０２の上に配置されている。半導体チップ１００の第１の表面２４に回路素子が形成されている。
【００６８】
次に、第７の実施の形態の半導体装置の製造方法を説明する。第７の実施の形態の半導体装置の製造方法は、（１）の工程で、配線回路基板１０２に、開口部１０３と１０４を配置することにより、第１の実施の形態の製造方法と同様に行うことができる。（３）の工程でも、図１５（ａ）（ｂ）に示すように、第１の実施の形態と同じ金型２６を使用することができる。ここで、図１５（ａ）は、金型２６を配置した第７の実施の形態の半導体装置の上方からの透視図である。図１５（ｂ）は、図１５（ａ）の金型２６を配置した第７の実施の形態の半導体装置の断面図である。
【００６９】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、半導体チップの表面が外部に露出しても、半導体チップの角部の破損の防止が可能なＣＳＰの半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体基板の角部の破損を防止可能な半導体装置の断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の上面図、下面図と断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。
【図４】第１の実施形態の変形例に係る半導体装置の上面図、下面図と断面図である。
【図５】第２の実施形態に係る半導体装置の上面図と断面図である。
【図６】第２の実施形態に係る半導体装置の製造途中の下方からの透視図と断面図である。
【図７】第３の実施形態に係る半導体装置の上面図と断面図である。
【図８】第３の実施形態に係る半導体装置の製造途中の下方からの透視図と断面図である。
【図９】第４の実施形態に係る半導体装置の上面図、下面図と断面図である。
【図１０】第５の実施形態に係る半導体装置の上面図、下面図と断面図である。
【図１１】第６の実施形態に係る半導体装置の上面図と断面図である。
【図１２】第６の実施形態に係る半導体装置の製造途中の下方からの透視図と断面図である。
【図１３】第７の実施形態に係る半導体装置の上面図と下面図である。
【図１４】第７の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１５】第７の実施形態に係る半導体装置の製造途中の下方からの透視図と断面図である。
【符号の説明】
１、４１、５１、１００  半導体チップ
２、４２、５２  センターパッド
３、１２、１３、１５、２９、３１、１０３、１０４  開口部
４、１１、１４、４４、５４、１０２  配線回路基板
５、４５、５５、１０９  エラストマ
６、４６、５６、１０８  配線
７、４７、５７、１０７  第１の樹脂
８、４８、５８、１１０  ボール
９、５０、６０  絶縁性保護膜
１０、３０、４３  第２の樹脂
１７  突起（第２の樹脂）
２１  ワイヤー
２２  ボンディングパッド
２３、４９、５９、１０５  絶縁性基材
２４  半導体チップの第１の表面
２５  半導体チップの第２の表面
２６  金型
２７  空気抜き穴
２８  金型の側面
１０１  周辺パット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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