(57)【要約】【課題】本発明は、薄膜付き基板、例えばＳＯＩ基板の製造における、半導体薄膜上の欠陥の発生の少ない剥離方法を提供する。【解決手段】半導体基板と絶縁性基板を準備するステップと、前記半導体基板の表面から水素イオン若しくは希ガスイオン又はこれらの両イオンを注入して前記半導体基板中にイオン注入層を形成するステップと、前記半導体基板の前記イオンが注入された表面と前記絶縁性基板の表面を貼り合わせる前に、貼り合わせようとする表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施すステップと、前記半導体基板の前記イオンが注入された表面と、前記絶縁性基板の表面とを貼り合わせるステップと、前記半導体基板と前記絶縁性基板を貼り合わせた面に、熱処理を施すステップと、前記熱処理を施すステップ後、前記イオン注入層に振動を与えながら機械的衝撃を加えて前記イオン注入層を機械的に剥離し、前記絶縁性基板に半導体薄膜が転写される剥離転写ステップと、を少なくとも含む薄膜付き基板の製造方法を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と絶縁性基板を準備するステップと、
前記半導体基板の表面から水素イオン若しくは希ガスイオン又はこれらの両イオンを注入して前記半導体基板中にイオン注入層を形成するステップと、
前記半導体基板の前記イオンが注入された表面と前記絶縁性基板の表面を貼り合わせる前に、貼り合わせようとする表面の少なくとも一方に表面活性化処理を施すステップと、
前記半導体基板の前記イオンが注入された表面と、前記絶縁性基板の表面とを貼り合わせるステップと、
前記半導体基板と前記絶縁性基板を貼り合わせた面に、熱処理を施すステップと、
前記熱処理を施すステップ後、前記イオン注入層に振動を与えながら機械的衝撃を加えて前記イオン注入層を機械的に剥離し、前記絶縁性基板に半導体薄膜が転写される剥離転写ステップと、
を少なくとも含む薄膜付き基板の製造方法。
【請求項２】
前記剥離転写ステップにおける前記イオン注入層に与える振動の進行方向が、前記剥離の進行方向と同一である請求項１に記載の薄膜付き基板の製造方法。
【請求項３】
前記剥離転写ステップにおける前記イオン注入層に与える振動が、振動を与えない場合に形成される剥離痕の周期の１／１０以下に設定される請求項２に記載の薄膜付き基板の製造方法。
【請求項４】
前記剥離転写ステップにおける機械的衝撃が、前記イオン注入層の一端に前記イオン注入層に対して垂直方向の引っ張り力を与えながら前記一端側から加えられる請求項１〜３のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法。
【請求項５】
前記剥離転写ステップにおける振動が、前記絶縁性基板を回転させながら加えられる請求項１〜４のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板と前記絶縁性基板を準備するステップが、前記半導体基板又は前記絶縁性基板の少なくとも貼り合わせようとする表面に酸化膜を形成することを含む請求項１〜５のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法。
【請求項７】
前記熱処理を施すステップが、１００〜４００℃で熱処理することを含む請求項１〜６のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法。
【請求項８】
前記絶縁性基板が、石英基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ホウ珪酸ガラス基板、結晶化ガラス基板、単結晶シリコン基板、表面に酸化膜を有する単結晶シリコン基板、ＳｉＧｅ基板からなる群から選択される請求項１〜７のいずれかに記載の薄膜付き基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜付き基板、例えばＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の製造における、半導体薄膜上の欠陥の発生の少ない剥離方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の貼り合わせによるＳＯＩ基板の製造方法としては、Ｓｍａｒｔｃｕｔ法やＳｉＧｅｎ法などが知られている。
【０００３】
Ｓｍａｒｔｃｕｔ法は、貼り合わせ面側に水素イオンを注入したシリコン基板とシリコン基板や他の材料の基板とを貼り合わせ、４００℃以上の熱処理を施すことで熱剥離させてＳＯＩ基板を得る方法である（例えば、特許文献１や非特許文献１）。
【０００４】
また、ＳｉＧｅｎ法は、貼り合わせ面側に水素イオンを注入したシリコン基板とシリコン基板とを貼り合わせる前に、これらの基板の貼り合わせ面の双方又は一方の表面をプラズマ処理し、表面が活性化された状態で両基板を貼り合わせ、３５０℃で熱処理を施して接合強度を高めた後に、常温で機械的に剥離してＳＯＩ基板を得る方法である（例えば、特許文献２〜４）。
【０００５】
これら２つの方法の相違点は、主としてシリコン薄膜の剥離プロセスにあり、Ｓｍａｒｔｃｕｔ法はシリコン薄膜の剥離のために高温での処理を必要とするが、ＳｉＧｅｎ法は常温での剥離が可能である。
【０００６】
シリコン基板のような半導体基板と他の材料基板とを貼り合わせてＳＯＩ基板を作製する場合には、異種材料間で熱膨張率や固有の耐熱温度の相違などが生じ、これにより基板の割れや局所的なクラックなどが生じ易くなることから、可能な限り低温で剥離処理までの工程を実行することが望ましい。このため、低温剥離が可能なＳｉＧｅｎ法は、異種材料基板の貼り合わせによるＳＯＩ基板の製造方法として好ましいものと考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３０４８２０１号公報
【特許文献２】米国特許第６２６３９４１号明細書
【特許文献３】米国特許第６５１３５６４号明細書
【特許文献４】米国特許第６５８２９９９号明細書
【特許文献５】特開平１１−１４５４３８号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】A．J．Auberton-Herve et al.,“SMART CUT TECHNOLOGY：INDUSTRIAL STATUS of SOI WAFER PRODUCTION and NEW MATERIAL DEVELOPMENTS”(Electrochemical Society Proceedings Volume 99-3(1999)p.93-106).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上述のような手法で機械的に半導体薄膜の剥離を実行する場合、実際の剥離は連続的にスムーズには行われず、剥離進展面が少しずつ形成され剥離が進行していく。この剥離進展面の形跡は、剥離方向に対し図６のように形成され、基板表面に観察される。本明細書では、これを剥離痕と呼ぶ。図６は、微分干渉顕微鏡を用い、５０倍の倍率で基板表面の剥離痕を撮影したものである。
【００１０】
剥離は図７に示したように基板を相対的に離す方向に力を加えることで、イオン注入層１２に亀裂を進展させ行っていく。図８にその剥離中の引っ張り力の変化を示す。図８の様に、剥離面が進展する際に必要な力がかかると剥離面が新たに形成され、進展により引っ張り力が低下すると進展が止まり、再度進展に必要な力以上に高まるまで進展は止まったままとなる。ものを移動させる際の摩擦力と同様で、必要なエネルギーを超えると進み、足りないと超えるまで止まったままとなる。このため、剥離面が形成されたり、止まったりするため、図７のように剥離部の断面は平らにはならず、図６のように表面で剥離痕がみられるようになる。この剥離痕は、ひどい場合は部分的に貼り合わせ界面まで貫通し欠陥となる。剥離時の相対的に離れていく速度を速くすれば、断続的な剥離が連続に近づき、剥離痕が弱くなっていくが、異種基板の貼り合わせの場合、強度の弱い基板の方に力が集中し破損を招く。そのため、ある程度以上剥離の速度を上げることはできない。
【００１１】
本発明は上記事情に鑑み、薄膜付き基板、例えばＳＯＩ基板の製造における、半導体薄膜上の欠陥の発生の少ない剥離方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するため、本発明においては、半導体基板と絶縁性基板を準備するステップと、前記半導体基板の表面から水素イオン若しくは希ガスイオン又はこれらの両イオンを注入して前記半導体基板中にイオン注入層を形成するステップと、前記半導体基板の前記イオンが注入された表面と前記絶縁性基板の表面を貼り合わせる前に、貼り合わせようとする少なくとも一方に表面活性化処理を施すステップと、前記半導体基板の前記イオンが注入された表面と、前記絶縁性基板の表面とを貼り合わせるステップと、前記半導体基板と前記絶縁性基板を貼り合わせた面に、熱処理を施すステップと、前記熱処理を施すステップ後、前記イオン注入層に振動を与えながら機械的衝撃を加えて前記イオン注入層を機械的に剥離し、前記絶縁性基板に半導体薄膜が転写される剥離転写ステップと、を少なくとも含む薄膜付き基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、薄膜付き基板、例えばＳＯＩ基板の製造における、半導体薄膜上の欠陥の発生の少ない剥離方法を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】薄膜付き基板の製造方法例を示す説明図である。
【図２】シリコン基板の貼り合わせ面近傍の水素イオン注入界面からシリコン薄膜を機械的に剥離する手法を例示するための説明図である。
【図３】シリコン薄膜の剥離に用いられる従来の装置構造を示す側面概略図である。
【図４】剥離の動作を示す断面図である。
【図５】振動を与える装置構造の一例を示す側面概略図である。
【図６】剥離面の進展の断面図である。
【図７】剥離痕の観察例である。
【図８】剥離中の引っ張り力と経過時間の関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
絶縁性基板は、特に限定されないが、石英基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ホウ珪酸ガラス基板、結晶化ガラス基板、単結晶シリコン基板、表面に酸化膜を有する単結晶シリコン基板、ＳｉＧｅ基板等が挙げられる。好ましくは、単結晶シリコン基板、表面に酸化膜を有する単結晶シリコン基板、ＳｉＧｅ基板である。
絶縁性基板の好ましい厚さは、特に限定されないが、ＳＥＭＩ等で規定されているシリコン基板の厚さに近いものが望ましい。これは半導体装置がこの厚さの基板を扱うように設定されていることが多いためである。この観点から好ましくは３００〜９００μｍである。
【００１６】
半導体基板は、特に限定されるものではなく、単結晶シリコン基板、表面に酸化膜を有する単結晶シリコン基板等の化合物半導体基板が挙げられる。半導体基板は、必要とされる半導体薄膜の種類と同一のものを選択する。
半導体基板の厚さは、内部にイオン注入層を形成できる厚さであれば特に限定されないが、剥離時の力に耐える必要があるため、好ましくは４００μｍ以上である。
半導体薄膜としては、特に限定されるものではなく、単結晶シリコン薄膜等が挙げられ、例えば、チョクラルスキ法により育成された一般に市販されているものであり、その導電型や比抵抗率等の電気特性値や結晶方位や結晶径は、本発明の方法で製造されるＳＯＩ基板が供されるデバイスの設計値やプロセス又は製造されるデバイスの表示面積等に依存して適宜選択されてよい。
半導体薄膜の膜厚は、例えば、水素イオン注入された単結晶シリコン基板の表面から水素イオン注入層までの深さによって変化させることができ、特に限定されないが、好ましくは３００〜５００ｎｍ、さらに好ましくは４００ｎｍ程度である。
【００１７】
半導体基板又は絶縁性基板の少なくとも貼り合わせようとする表面に酸化膜を形成してもよい。
絶縁性基板と半導体薄膜の間に、例えば、半導体基板がシリコン基板である場合、シリコン薄膜を生じる単結晶シリコン基板の表面を熱により酸化させた酸化膜を形成してもよい。これは、例えば水素イオン注入等を行う際、酸化膜を通して注入を行えば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られるからである。また、デバイスを形成するシリコン層と直下の絶縁膜との間には安定した界面が必要であることに起因する。
酸化膜の膜厚は、好ましくは５０〜５００ｎｍである。これはあまり薄いと、膜厚の制御が難しい場合があり、またあまり厚いと熱酸化処理に時間が掛かりすぎたり、膜厚分布が悪化して半導体層の厚みの制御が悪くなる場合があるためである。
【００１８】
以下、本発明の薄膜付き基板の製造方法を図１に示す例に基づき説明する。なお、本発明はこれに限定されるものではない。
図１（Ａ）に示すように、半導体基板１０と絶縁性基板１１を準備する。
半導体基板１０と絶縁性基板１１を準備するステップが、半導体基板１０又は絶縁性基板１１の少なくとも貼り合わせようとする表面に酸化膜を形成してもよい。酸化膜は、一般的な酸化法により形成することができる。これは、例えば水素イオン注入を行う際、酸化膜を通して注入を行えば、注入イオンのチャネリングを抑制する効果が得られるからである。また、デバイスを形成するシリコン層と直下の絶縁膜との間には安定した界面が必要であることに起因する。
【００１９】
次に、図１（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、半導体基板１０の表面から水素イオン若しくは希ガスイオン又はこれらの両イオンを注入してイオン注入層１２を形成する。この際、例えば、半導体基板の温度を２５０〜４５０℃とし、その表面から所望の深さに水素イオン注入層を注入できるような注入エネルギーで、所定の線量の水素イオンを注入する。このときの条件として、例えば注入エネルギーは５０〜１００ｋｅＶ、注入線量は２×１０１６〜１×１０１７／ｃｍ２とできる。
注入される水素イオンとしては、２×１０１６〜１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）のドーズ量の水素イオン（Ｈ＋）、又は１×１０１６〜５×１０１６（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）のドーズ量の水素分子イオン（Ｈ２＋）が好ましい。特に好ましくは、８．０×１０１６（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）のドーズ量の水素イオン（Ｈ＋）、又は４．０×１０１６（ａｔｏｍｓ／ｃｍ２）のドーズ量の水素分子イオン（Ｈ２＋）である。このドーズ量で作製したものが、後の剥離転写ステップでの好適な脆弱性を有するからである。
水素イオン注入された半導体基板の表面から水素イオン注入層までの深さは、絶縁性基板上に設ける半導体薄膜の所望の厚さに依存するが、好ましくは３００〜５００ｎｍ、さらに好ましくは４００ｎｍ程度である。また、水素イオン注入層の厚さは、機械衝撃によって容易に剥離できる厚さがよく、好ましくは２００〜４００ｎｍ、さらに好ましくは３００ｎｍ程度である。
【００２０】
次に、図１（Ｄ）に示すように、半導体基板１０のイオン注入層１２が形成された表面と絶縁性基板１１の表面を貼り合わせる前に、貼り合わせようとする少なくとも一方に表面活性化処理を施す。この表面活性化処理を施すことにより、後の機械的剥離等に十分耐え得るレベルの接合強度を得ることができる。
表面活性化処理としては、特に限定されず、例えば、プラズマ活性化処理やオゾン処理を使用できる。
プラズマ活性化処理を行う場合、例えば、真空チャンバ中に半導体基板及び／又は絶縁性基板を載置し、プラズマ用ガスを導入した後、１００Ｗ程度の高周波プラズマに５〜１０秒程度さらし、表面をプラズマ処理する。プラズマ用ガスとしては、絶縁性基板及び表面が酸化された基板には窒素ガス、半導体基板には窒素ガス又は酸素ガスを使用することが好ましい。
オゾンで処理をする場合は、大気を導入したチャンバ中に半導体基板及び／又は絶縁性基板を載置し、窒素ガス、アルゴンガス等のプラズマ用ガスを導入した後、高周波プラズマを発生させ、大気中の酸素をオゾンに変換することで、表面をオゾン処理する。プラズマ処理とオゾン処理とはどちらか一方又は両方行うことができる。
【００２１】
次に、図１（Ｅ）に示すように、半導体基板１０のイオンが注入された表面と、絶縁性基板１１の表面とを貼り合わせ、貼り合わせ基板１３が得られる。
【００２２】
次に、図１（Ｆ）に示すように、半導体基板１０と絶縁性基板１１を貼り合わせた面に、熱処理を施す。この熱１４を加えることにより、半導体基板と絶縁性基板との接合強度を高めることができる。
熱処理温度は、好ましくは１００〜４００℃である。熱処理時間は、熱処理温度と材料に応じて決められ、好ましくは１〜４８時間の範囲からで選択される。
【００２３】
次に、図１（Ｇ）に示すように、半導体基板１０のイオン注入層１２に機械的衝撃を加えるとともに、イオン注入層１２、好ましくは貼り合わせた絶縁性基板１１に振動を加えることによりイオン注入層１２に振動を与えながらイオン注入層１２を機械的に剥離し、貼り合わせた絶縁性基板１１に半導体薄膜１５が転写され、薄膜付き絶縁性基板１６が得られる。半導体基板１０ではなく絶縁性基板１１に振動を加えてイオン注入層１２に振動を付与することが好ましい理由は、振動により瞬間的に剥離の進展部分へ力が加わるため、必要以上の力が進展部分に溜まらないからである。
【００２４】
イオン注入層に機械的衝撃を加える方法は、特に限定されるものではなく、例えば、図２（Ａ）に示すように、楔（くさび）２５を水素のイオン注入層１２（注入界面）に挿入し、楔２５による変形でへき開を進行させて剥離する方法であってもよい。この方法の使用に際しては、楔２５が接触する部分での傷やパーティクルの発生や、楔２５を打ち込むことにより生じる基板（１０、１１）の過大な変形による基板割れの発生を回避するように留意する。
【００２５】
図２（Ｂ）に示すように、基板の周囲から中心部へ向かってへき開を進行させるのではなく、基板の一端にイオン注入層に対して垂直方向の引っ張り力を加えながら、その引っ張り力を与えている端部に楔や高圧流体などの衝撃付与手段２９により衝撃を与えて、片側の端部からもう一方の端部へとへき開を進行させて剥離する方法であってもよい。この方法は、へき開が一方向にのみ生じるため、へき開の制御が容易である。
【００２６】
イオン注入層に機械的衝撃を加える装置は、特に限定されるものではなく、例えば、図３に示すような装置であってもよい。
１０及び１１は貼り合わされた２枚の基板をそれぞれ指し、一方は水素イオンが注入されたシリコン基板であり、貼り合わせ基板１３の外面（１０及び１１の裏面）のそれぞれは、剥離装置３１の保持具３２ａ及び３２ｂに設けられた吸着部（３４ａ及び３５ａ、３４ｂ及び３５ｂ）などにより、好ましくは、シリコン結晶のへき開の開始部近傍（３４ａ及び３４ｂ）と終了部分近傍（３５ａ及び３５ｂ）が保持される（図３（Ａ））。
この状態でシリコン基板（例えば１０）のへき開開始部（図中の矢印で示された部分）に楔や高圧の流体(空気、窒素ガス、純水)などを打ち込んでへき開の開始点（起点）を形成した後、剥離装置３１の回転軸３３を中心とした保持具３２ａ及び３２ｂの相対的に離れていく分離運動によってシリコン基板１０の水素イオン注入層にて剥離を生じさせ、他方基板１１の主面上にＳＯＩ層を均一に形成する（図３（Ｂ））。
この分離運動は、貼り合わせ基板１３をへき開開始部から引き剥がすための運動である。へき開開始部に楔等を打ち込み、剥離装置３１の保持具３２ａ及び３２ｂに引っ張り力を加え、その力により剥離が進行する。
剥離の動作については、図４に示すように、例えば、図３に示すような装置を用いた場合、まず、貼り合わせ基板１３のへき開開始部に楔２５等を打ち込み、へき開の開始点を形成する（図４（Ａ））。次に、剥離装置のモータ（図示せず）の回転により保持具（図示せず）に引っ張り力が加わり、その力により徐々に剥離が進行する（図４（Ｂ）〜（Ｄ））。その後、剥離は完了する（図４（Ｅ））。
保持具３２ａ及び３２ｂが相対的に離れていく運動は、順方向のねじと逆方向のねじを組み合わせたシャフト３６がモータ３７の回転により回り、そのねじに合わせたねじ穴を持った連結部材（３８ａ、３８ｂ）が、ねじの動きに合わせ移動することで、連結された保持具（３２ａ、３２ｂ）が動くことにより行われる。このとき、順方向のねじと逆方向のねじのピッチを同じにすると、保持具（３２ａ、３２ｂ）の移動量を同じにすることができる。なお、このような保持具３２ａ及び３２ｂが相対的に離れていく運動は、モータによるのではなくエアシリンダにて行っても良く、具体的な機構については限定されない。
【００２７】
イオン注入層に振動を与える方法は、特に限定されないが、例えば、絶縁性基板に固定用の支持板を取り付け、その支持板へ振動モータ（モータの回転軸から重心をずらした重りを付けたモータ）を取り付け、剥離中にそのモータより基板へ振動を伝える。相対的に引き離す運動時に剥離進展面が形成される周期より短い周期の振動を基板に与えることにより、過度の引っ張り力を必要とせずに剥離を実施し、剥離痕の影響を軽減することができる。それにより、良質な結晶を得ることができる。また、ゲーム機のコントローラの振動に使われるような振動モータ、超音波発振子等も用いることができる。
図５に示すように、例えば、貼り合わせ基板１３と保持具３２ｂに設けられた吸着部３４ｂ、３５ｂとの間に、振動を与える振動付与機構を取り付けたチャック部材３９を設け、貼り合わせ基板１３に振動を与えることも可能である。この際、吸着部（３４ａ及び３５ａ、３４ｂ及び３５ｂ）は、ゴム製の吸盤（真空吸着用カップ）等を用いることが好ましい。吸着部が完全に固定されず遊びのある材質を用いれば、振動の振幅が小さくなることはなく、上述したような効果を得ることができる。
【００２８】
イオン注入層に与える振動の進行方向は、貼り合わせ基板に対して垂直方向であることが好ましい。貼り合わせ基板に対して上下動を加えることによって、剥離進展面に引っ張り力（剥離力）を細かい周期で与えることができる。
イオン注入層に与える振動は、貼り合わせ基板を回転させながら与えられることが好ましい。
【００２９】
イオン注入層に与える振動は、振動を与えない場合に形成される剥離痕の周期の好ましくは１／１０以下に設定する。与える振動の周期と剥離痕の周期が同じ場合や近い場合は、タイミングによっては逆に剥離の際引っ張り力が高まりダメージを助長することがあるからである。与える振動の周期の調整方法は、特に限定されない。
イオン注入層に振動を与える場合、振動を与えない場合に比べて剥離の速度を上げることができる。
【００３０】
以上の工程により、薄膜付き基板１６が得られる（図１（Ｈ））。
得られる薄膜付き基板は、半導体薄膜上の欠陥の発生が少ないため、ＣＭＯＳ回路等の微細な半導体回路への利用が可能である。
【実施例】
【００３１】
以下、実施例等を用いて本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
【００３２】
（実施例１）
直径１５０ｍｍの単結晶シリコンウェーハ（厚さ６２５μｍ）の表面から水素イオンを注入エネルギー５０ｋｅＶ、注入線量８×１０１６／ｃｍ２という条件で注入し、表面から３２５ｎｍの位置に２００ｎｍの厚さの水素イオン注入層を形成させた。単結晶シリコンウェーハの水素イオン注入層が形成された表面及びサファイアウェーハ（京セラ社製）の表面に、プラズマガスとして窒素を導入し、高周波プラズマを用いて３０秒間の活性化処理を施した後、両者を貼り合わせた。この貼り合わせウェーハに２００℃で４８時間の熱処理を施した。その後、ウェーハに加える機械的衝撃手段として紙切りバサミの刃を貼り合わせウェーハの側面に対角位置において数回楔を打ち込み、水素イオン注入層に振動を与えながら、単結晶シリコンウェーハを水素イオン注入界面で機械的に剥離した。このとき、水素イオン注入層に与える振動の進行方向が、剥離の進行方向と同一となるように、振動モーターを取り付け、ウェーハに振動を伝えながら剥離した。このような方法により、欠陥の発生の少ない薄膜付きウェーハを得ることができた。
【００３３】
（比較例１）
水素イオン注入界面で剥離する際に、水素イオン注入層に振動を与えなかったこと以外は、実施例１と同様にして薄膜付きウェーハを作製した。得られた薄膜付きウェーハは、剥離面において部分的に貼り合わせ界面にまで剥離痕が存在し、結果として欠陥が多数発生してしまった。
【符号の説明】
【００３４】
１０  半導体基板
１１  絶縁性基板
１２  イオン注入層
１３  貼り合わせ基板
１４  熱
１５  半導体薄膜
１６  薄膜付き基板
２５  楔
２９  衝撃付与手段
３１  剥離装置
３２ａ、３２ｂ  保持具
３３  回転軸
３４ａ、３４ｂ、３５ａ、３５ｂ  吸着部
３６  シャフト
３７  モータ
３８ａ、３８ｂ  連結部材
３９  チャック部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図６】
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