【手続補正書】
【提出日】平成28年7月29日(2016.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチモードコンバータのパワートランジスタにおいて流れる電流を検知するための検知装置であって、
前記パワートランジスタの第１の端子と第１の回路ノードとの間に接続される第１の電界効果トランジスタであって、定電圧により駆動される第１のゲート端子を含む、前記第１の電界効果トランジスタと、
前記第１の回路ノードと前記パワートランジスタの第２の端子との間に接続される第２の電界効果トランジスタであって、前記第２の電界効果トランジスタが、前記パワートランジスタのゲート端子に接続される第２のゲート端子を含み、前記第１及び第２の電界効果トランジスタが、前記パワートランジスタに並列に直列回路分岐を形成する、前記第２の電界効果トランジスタと、
前記第１の電界効果トランジスタに結合される検知回路であって、前記第１の電界効果トランジスタの電圧に少なくとも部分的に基づいて前記パワートランジスタにおいて流れる前記電流を示す出力信号を提供し、前記パワートランジスタの前記第１の端子と第２の回路ノードとの間に接続される検知電界効果トランジスタを含み、前記検知電界効果トランジスタが、前記第１の電界効果トランジスタの前記第１のゲート端子に接続されて前記定電圧により駆動されるゲート端子を有する、前記検知回路と、
を含む、検知装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検知装置であって、
前記検知回路が、増幅器回路を更に含み、
前記増幅器回路が、
前記第２の回路ノードに結合される第１の入力と、前記第１の回路ノードに結合される第２の入力とを備えるオペアンプと、
前記オペアンプの出力に接続されるゲート端子と、前記第２の回路ノードに接続されるソース端子と、前記パワートランジスタにおいて流れる前記電流を示す増幅器出力における電流出力を提供するドレイン端子とを備える出力電界効果トランジスタと、
前記増幅器回路からの前記電流出力を受け取るように前記増幅器出力と回路接地との間に結合される少なくとも一つの抵抗と、
を含む、検知装置。
【請求項３】
請求項２に記載の検知装置であって、
前記第１の回路ノードと前記回路接地との間に結合されるキャパシタンスを更に含む、検知装置。
【請求項４】
請求項２に記載の検知装置であって、
前記第１の回路ノードと前記オペアンプの前記第２の入力との間に接続される第１のフィルタ抵抗と、
前記オペアンプの前記第２の入力と前記パワートランジスタの前記第１の端子との間に接続される第１のフィルタキャパシタンスと、
前記第２の回路ノードと前記オペアンプの前記第１の入力との間に接続される第２のフィルタ抵抗と、
前記オペアンプの前記第１の入力と前記パワートランジスタの前記第１の端子との間に接続される第２のフィルタキャパシタンスと、
を更に含む、検知装置。
【請求項５】
請求項２に記載の検知装置であって、
前記パワートランジスタと前記第１の電界効果トランジスタと前記第２の電界効果トランジスタと前記検知電界効果トランジスタとが、集積回路の半導体ボディに形成される対応する整数の数のマッチドトランジスタユニットを用いて個別に形成される、検知装置。
【請求項６】
請求項５に記載の検知装置であって、
前記パワートランジスタを形成する多数のマッチドトランジスタユニットの、前記第１の電界効果トランジスタを形成する多数のマッチドトランジスタユニットに対する比が５より大きい、検知装置。
【請求項７】
請求項２に記載の検知装置であって、
前記パワートランジスタと前記第１の電界効果トランジスタとが、集積回路の半導体ボディに形成される対応する整数の数のマッチドトランジスタユニットを用いて個別に形成され、前記パワートランジスタを形成する多数のマッチドトランジスタユニットの、前記第１の電界効果トランジスタを形成する多数のマッチドトランジスタユニットに対する比が５より大きい、検知装置。
【請求項８】
請求項２に記載の検知装置であって、
前記パワートランジスタと前記第１の電界効果トランジスタと前記第２の電界効果トランジスタとが、集積回路の半導体ボディに形成される対応する整数の数のマッチドトランジスタユニットを用いて個別に形成される、検知装置。
【請求項９】
請求項８に記載の検知装置であって、
前記パワートランジスタを形成する多数のマッチドトランジスタユニットの、前記第１の電界効果トランジスタを形成する多数のマッチドトランジスタユニットに対する比が５より大きい、検知装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の検知装置であって、
前記スイッチモードコンバータがバックコンバータを含み、前記パワートランジスタが、コンバータ入力に結合される前記第１の端子と、前記スイッチモードコンバータのスイッチノードに結合される前記第２の端子とを備えるハイサイドパワーＦＥＴであり、前記集積回路が、前記スイッチノードに結合される第１の電力端子と、前記回路接地に結合される第２の電力端子とを備えるローサイドパワーＦＥＴ又は整流器を更に含む、検知装置。
【請求項１１】
請求項８に記載の検知装置であって、
前記スイッチモードコンバータがブーストコンバータを含み、前記パワートランジスタが、ブーストコンバータインダクタに結合される前記第１の端子とブーストコンバータ出力に結合される前記第２の端子とを備えるハイサイドパワーＦＥＴである、検知装置。
【請求項１２】
スイッチモードコンバータのパワートランジスタにおいて流れる電流を検知するための方法であって、
第２の電界効果トランジスタに直列に接続される第１の電界効果トランジスタの電圧を検知することであって、前記第１及び第２の電界効果トランジスタが前記パワートランジスタに並列に直列回路分岐を形成し、前記第１の電界効果トランジスタが一定の電圧により駆動されるゲートを有する、前記電圧を検知することと、
前記パワートランジスタにおいて流れる前記電流を示すために前記第１の電界効果トランジスタの前記検知された電圧に少なくとも部分的に従って出力信号を提供することと、
前記パワートランジスタの第１の端子と第２の回路ノードとの間に接続される検知電界効果トランジスタのゲート端子を制御することであって、前記検知電界効果トランジスタが、前記第１の電界効果トランジスタのゲート端子に接続されて前記一定の電圧により駆動されるゲート端子を有する、前記ゲート端子を駆動することと、
を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記スイッチモードコンバータのドライバ回路からのパルス幅変調信号に従って前記直列回路分岐に接続される前記パワートランジスタと第２の電界効果トランジスタとを同時にオンにすることと、
前記第１の電界効果トランジスタの前記電圧を検知することと、
を更に含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記パワートランジスタにおいて流れる前記電流を示す電流出力を提供するために前記第１の電界効果トランジスタの前記検知された電圧に少なくとも部分的に従ってオペアンプを用いて出力電界効果トランジスタのゲート端子を制御することを更に含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記検知電界効果トランジスタのゲート端子が前記パワートランジスタの前記第１の端子と前記出力電界効果トランジスタとの間に接続され、
前記検知電界効果トランジスタのゲート端子を制御することが、前記第１の電界効果トランジスタの電圧を検知する間に前記検知電界効果トランジスタのゲート端子を前記一定の電圧で制御することを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の方法であって、
前記電流前記パワートランジスタにおいて流れる前記電流を示す電流出力を提供するために前記第１の電界効果トランジスタの前記検知された電圧に少なくとも部分的に従ってオペアンプを用いて出力電界効果トランジスタのゲート端子を制御することを更に含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記検知電界効果トランジスタのゲート端子が前記パワートランジスタの前記第１の端子と前記出力電界効果トランジスタとの間に接続され、
前記検知電界効果トランジスタのゲート端子を制御することが、前記第１の電界効果トランジスタの電圧を検知する間に前記検知電界効果トランジスタのゲート端子を前記一定の電圧で制御することを含む、方法。
【請求項１８】
集積回路であって、
第１及び第２の電力端子とゲート端子とを有するパワートランジスタを含むスイッチモードコンバータ回路と、
前記パワートランジスタの前記第１の電力端子と第１の回路ノードとの間に接続される第１の電界効果トランジスタであって、定電圧により駆動される第１のゲート端子を含む、前記第１の電界効果トランジスタと、
前記第１の回路ノードと前記パワートランジスタの前記第２の電力端子との間に接続される第２の電界効果トランジスタであって、前記第２の電界効果トランジスタが、前記パワートランジスタの前記ゲート端子に接続される第２のゲート端子を含み、前記第１及び第２の電界効果トランジスタが、前記パワートランジスタに並列に直列回路分岐を形成する、前記第２の電界効果トランジスタと、
前記第１の電界効果トランジスタに結合される検知回路であって、前記第１の電界効果トランジスタの電圧に少なくとも部分的に基づいて前記パワートランジスタにおいて流れる前記電流を示す出力信号を提供する、前記検知回路と、
を含み、
前記検知回路が、前記パワートランジスタの第１の端子と第２の回路ノードとの間に接続される感知電界効果トランジスタを含み、前記感知電界効果トランジスタが前記第１の電界効果トランジスタの第１のゲート端子に接続されるゲート端子を有する、集積回路。
【請求項１９】
請求項１８に記載の集積回路であって、
前記検知回路が増幅器回路を更に含み、
前記増幅器回路が、
前記第２の回路ノードに結合される第１の入力と前記第１の回路ノードに結合される第２の入力とを備えるオペアンプと、
前記オペアンプの出力に接続されるゲート端子と前記第２の回路ノードに接続されるソース端子と前記パワートランジスタにおいて流れる前記電流を示す増幅器出力における電流出力を提供するドレイン端子とを備える出力電界効果トランジスタと、
前記増幅器回路からの前記電流出力を受け取るように前記増幅器出力と回路接地との間に結合される少なくとも一つの抵抗と、
を含む、集積回路。
【請求項２０】
集積回路であって、
半導体ボディと、
第１及び第２の電力端子とゲート端子とを有するパワートランジスタを含むスイッチモードコンバータ回路と、
前記パワートランジスタの前記第１の電力端子と第１の回路ノードとの間に接続される第１の電界効果トランジスタであって、定電圧により駆動される第１のゲート端子を含む、前記第１の電界効果トランジスタと、
前記第１の回路ノードと前記パワートランジスタの前記第２の電力端子との間に接続される第２の電界効果トランジスタであって、前記第２の電界効果トランジスタが、前記パワートランジスタの前記ゲート端子に接続される第２のゲート端子を含み、前記第１及び第２の電界効果トランジスタが、前記パワートランジスタに並列に直列回路分岐を形成する、前記第２の電界効果トランジスタと、
前記パワートランジスタにおいて流れる前記電流を示す出力信号を提供する検知回路と、
を含み、
前記検知回路が、
前記パワートランジスタの前記第１の電力端子と第２の回路ノードとの間に接続される検知電界効果トランジスタであって、前記第１の電界効果トランジスタの前記第１のゲート端子に接続されるゲート端子を有する、前記検知電界効果トランジスタと、
前記第２の回路ノードに結合される第１の入力と前記第１の回路ノードに結合される第２の入力とを備えるオペアンプと、
前記オペアンプの出力に接続されるゲート端子と前記第２の回路ノードに接続されるソース端子と前記パワートランジスタにおいて流れる前記電流を示す増幅器出力における電流出力を提供するドレイン端子とを備える出力電界効果トランジスタと、
前記電流出力を受け取るように前記増幅器出力と回路接地との間に結合される少なくとも一つの抵抗と、
を含み、
前記パワートランジスタと前記第１の電界効果トランジスタと前記第２の電界効果トランジスタと前記検知電界効果トランジスタとが、個別に、前記半導体ボディに形成される対応する整数の数のマッチドトランジスタユニットを含む、集積回路。