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【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスであって、
誘導的に結合される充電回路から受信した入力電圧と入力電流とに基づいてバッテリーをレギュレートするように構成される充電コントローラと、
前記充電コントローラへの前記入力電圧を調節するように第１のフィードバック信号を生成するために前記入力電圧を監視するように構成される第１のループコントローラと、
前記充電コントローラへの前記入力電圧を調節するように第２のフィードバック信号を生成するように構成され、制御変数を調節するように複数の基準から選択された１つの基準に関連する前記入力電流に基づいて前記第２のフィードバック信号を生成する第２のループコントローラと、
前記充電コントローラからの制御信号に基づいて前記バッテリにおける電圧と電流とをレギュレートするように前記入力電圧を受信する調整スイッチと、
選択コントローラと、
を含み、
前記充電コントローラが、前記選択された基準に関連する入力電流を監視する電流感知増幅器と、前記調整スイッチを制御するために出力電圧を監視する電圧感知増幅器とを含み、
前記選択コントローラが、前記電流感知増幅器に対して基準信号として提供される前記複数の基準の中の基準を制御するように構成され、前記調整スイッチを制御するために前記選択された基準信号が充電基準信号と事前充電基準信号と熱充電基準信号の何れかに対応する、デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記充電回路がトランスミッタ回路とレシーバ回路とを更に含み、前記トランスミッタ回路と前記レシーバ回路とが、前記入力電圧を前記充電コントローラに提供し、前記第１及び第２のループコントローラから前記第１及び第２のフィードバック信号を受信するためにエネルギーを誘導的に結合する、デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のデバイスであって、
前記トランスミッタ回路が、前記第１のフィードバック信号と第２のフィードバック信号とに基づいて電圧と電流とを制御するためにＰＩＤ（比例積分微分）アルゴリズムを実行する、デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記調整スイッチをバイアスするための電流源を更に含む、デバイス。
【請求項５】
デバイスであって、
誘導的に結合される充電回路から受信した入力電圧と入力電流とに基づいてバッテリーを充電するために出力電圧をレギュレートするように構成され、複数の基準の中の選択された１つの基準に基づいて前記出力電圧をレギュレートする充電コントローラと、
前記入力電圧を調節するように前記誘導的に結合される充電回路に対してフィードバック信号を生成するために前記入力電圧と前記入力電流との少なくと１つを監視するように構成されるループコントローラであって、前記ループコントローラが、電圧基準に関連する前記入力電圧に基づいて前記誘導的に結合される充電回路に対する第１のフィードバック信号を提供するための第１のループコントローラである、前記ループコントローラと、
前記選択された基準に関連する前記入力電流に基づいて前記入力電流をレギュレートするように前記誘導的に結合される充電回路に対して第２のフィードバック信号を提供するように構成される第２のループフィルタと、
前記充電コントローラと前記第２のループコントローラとにより利用される前記複数の基準の中の少なくとも１つを選択するように構成される選択コントローラと、
を含み、
前記誘導的に結合される充電回路が、前記充電コントローラに対する前記入力電圧を調節するように前記第１のフィードバック信号と前記第２のフィードバック信号とを処理するために制御アルギリズムを実行するように構成される、デバイス。
【請求項６】
請求項５に記載のデバイスであって、
前記複数の基準の中の少なくとも１つが、充電基準と事前充電基準と温度との少なくとも１つを表す変数に対応する、デバイス。
【請求項７】
請求項５に記載のデバイスであって、
前記誘導的に結合される充電回路からの前記入力電圧に従い、前記充電コントローラからの制御信号に基づき、前記バッテリーへの前記出力電圧をレギュレートするように構成される調整スイッチを更に含み、前記調整スイッチが前記充電コントローラにより駆動される、デバイス。
【請求項８】
請求項７に記載のデバイスであって、
前記充電コントローラが電流を監視するための第１の増幅器と電圧を監視するための第２の増幅器とを更に含み、前記それぞれの増幅器の出力が前記調整スイッチを制御するためにワイヤードＯＲ構成で接続される、デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載のデバイスであって、
前記調整スイッチの制御を促進するために前記ワイヤードＯＲ構成に電流を供給するための電流源を更に含む、デバイス。
【請求項１０】
請求項８に記載のデバイスであって、
電流を監視するための前記第１の増幅器が、前記調整スイッチの制御を促進するために、充電基準信号、プリチャージ基準信号又は熱的充電基準信号を含む、前記複数の基準の中の前記選択された基準に対応する、少なくとも１つの入力を受け取る、デバイス。
【請求項１１】
請求項５に記載のデバイスであって、
前記第１のループコントローラが、前記充電コントローラに対する基準電圧と前記誘導的に結合される充電回路に対する前記フィードバック信号とを供給するためのアナログデジタルコンバータを更に含む、デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信ネットワークにおけるピア発見の方法であって、
第1のクライアント局によって、要求を第2のクライアント局に送信するステップと、
前記第2のクライアント局の前記要求への応答を前記第1のクライアント局で受信するステップであって、前記要求が、前記第1のクライアント局のローカルIPアドレスを含み、および／または、前記応答が、前記第2のクライアント局のローカルIPアドレスを含む、受信するステップと、
前記ローカルIPアドレスに基づいて、前記第1のクライアント局と前記第2のクライアント局との間のトンネルダイレクトリンクセットアップ(TDLS)ダイレクトリンクを確立するステップと
を含み、
前記第1のクライアント局または前記第2のクライアント局は、前記TDLSダイレクトリンクを介して前記第2のクライアント局または前記第1のクライアント局からメディアコンテンツをそれぞれ受信するとともに、前記受信したメディアコンテンツをディスプレイデバイス上に表示させるための、前記ディスプレイデバイスまたはディスプレイデバイスにテザリングされるデバイスである、方法。
【請求項２】
前記要求が、
プローブ要求、
TDLS発見要求、
TDLSセットアップ要求、または、
プローブ要求フレーム
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記応答が、
プローブ応答、
TDLS発見応答、
TDLSセットアップ応答、または
プローブ応答フレーム
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記要求は、前記第1のクライアント局の前記ローカルIPアドレスがその中に設けられるベンダ固有情報要素を含むプローブ要求フレームを備える、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
前記応答は、前記第2のクライアント局の前記ローカルIPアドレスがその中に設けられるベンダ固有情報要素を含むプローブ応答フレームを備える、請求項3に記載の方法。
【請求項６】
前記応答をアクセスポイントから受信する、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記応答を前記第2のクライアント局から受信する、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記ローカルIPアドレスは、対応するクライアント局がアクセスポイントに関連している場合のみ含められる、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記ローカルIPアドレスは、対応するクライアント局が前記ダイレクトリンクとしてTDLSを使用することを望む場合のみ含められる、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
通信ネットワークにおけるピア発見のための第1のクライアント局であって、
要求を第2のクライアント局に送信するための手段と、
前記第2のクライアント局の前記要求への応答を受信するための手段であって、前記要求が、前記第1のクライアント局のローカルIPアドレスを含み、および／または、前記応答が、前記第2のクライアント局のローカルIPアドレスを含む、受信するための手段と、
前記ローカルIPアドレスに基づいて、前記第1のクライアント局と前記第2のクライアント局との間のトンネルダイレクトリンクセットアップ(TDLS)ダイレクトリンクを確立するための手段と
を備え、
前記第1のクライアント局または前記第2のクライアント局は、前記TDLSダイレクトリンクを介して前記第2のクライアント局または前記第1のクライアント局からメディアコンテンツをそれぞれ受信するとともに、前記受信したメディアコンテンツをディスプレイデバイス上に表示させるための、前記ディスプレイデバイスまたはディスプレイデバイスにテザリングされるデバイスである装置。
【請求項１１】
前記要求がプローブ要求フレームを含む、請求項10に記載の装置。
【請求項１２】
前記応答がプローブ応答フレームを含む、請求項10に記載の装置。
【請求項１３】
前記プローブ要求フレームおよび／または前記プローブ応答フレームは、前記第2のクライアント局の前記ローカルIPアドレスがその中に設けられるベンダ固有情報要素を含む、請求項11または12に記載の装置。
【請求項１４】
プロセッサによって実行されたときに、前記プロセッサに請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法を行わせる命令をその中に有するコンピュータ可読記録媒体。
【請求項１５】
通信ネットワークにおけるピア発見の方法であって、
第1のクライアント局によって、前記第1のクライアント局のローカルIPアドレスを送信するステップと、
前記ローカルIPアドレスに基づいて、前記第1のクライアント局と第2のクライアント局との間のTDLSダイレクトリンクを確立するステップと
を含み、
前記第1のクライアント局または前記第2のクライアント局は、前記TDLSダイレクトリンクを介して前記第2のクライアント局または前記第1のクライアント局からメディアコンテンツをそれぞれ受信するとともに、前記受信したメディアコンテンツをディスプレイデバイス上に表示させるための、前記ディスプレイデバイスまたはディスプレイデバイスにテザリングされるデバイスである、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月15日(2015.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側表面を持つ反射器と少なくとも１つの固体発光要素とを有する反射器装置であって、前記反射器の前記内側表面は、角度αにおいて交差している平面内に延在する第１の内側表面部及び第２の内側表面部を有し、前記少なくとも１つの固体発光要素は、前記第１の内側表面部及び前記第２の内側表面部の一方に、前記少なくとも１つの固体発光要素から発される光の主な部分が前記第１の内側表面部及び前記第２の内側表面部の他方を照明するように、取り付けられ、前記第１の内側表面部及び前記第２の内側表面部がＶ字形の溝を規定していることを特徴とする、反射器装置。
【請求項２】
前記第１の内側表面部及び前記第２の内側表面部が平坦である、請求項１に記載の反射器装置。
【請求項３】
前記第１の内側表面部及び前記第２の内側表面部のそれぞれが、自由なサイドエッジを有し、前記自由なサイドエッジは反射器の開口を規定し、前記少なくとも１つの固体発光要素は、自身が取り付けられる前記内側表面部の自由なサイドエッジから離間されて取り付けられる、請求項１又は２の何れか一項に記載の反射器装置。
【請求項４】
前記第１の内側表面部及び前記第２の内側表面部の少なくとも一方は拡散反射性の部分又は鏡面反射性の部分を有する、請求項１乃至３の何れか一項に記載の反射器装置。
【請求項５】
各固体発光要素の発光部が前記反射器の内側表面から突出すると共に、各固体発光要素の前記発光部を支持する支持部が前記反射器の外面において位置決めされるように、前記少なくとも１つの固体発光要素は反射器を通って延在する、請求項１乃至４の何れか一項に記載の反射器装置。
【請求項６】
前記第１の内側表面部及び前記第２の内側表面部の少なくとも一方の少なくとも一部は、前記少なくとも１つの固体発光要素を収容するプリント回路基板の上面を構成している、請求項１乃至５の何れか一項に記載の反射器装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの固体発光要素は、前記第１の内側表面部及び前記第２の内側表面部の平坦な表面部間の交差軸に対して非垂直である中心発光方向を有するように配されている固体発光要素を有する、請求項１乃至６の何れか一項に記載の反射器装置。
【請求項８】
前記反射器の内側表面は、前記第１の内側表面部にされた第３の内側表面部であって、前記第１の内側表面部が延在している前記平面に対して垂直な平面内に延在している第３の内側表面部を更に有し、前記少なくとも１つの固体発光要素が前記第３の内側表面部に係合しており、前記少なくとも１つの固体発光要素の発光表面が第２の内側表面部に面している、請求項１乃至７の何れか一項に記載の反射器装置。
【請求項９】
前記第１の内側表面部は、断面がＵ字形である付加的な部分を備えており、前記付加的な部分は、前記第１の内側表面部の残りの部分から突出しており、平行に延在している第１の側壁及び第２の側壁であって、前記第１の内側表面部の前記残りの部分に対して垂直である第１の側壁及び第２の側壁と、前記第１の内側表面部の前記残りの部分と平行に延在している上部とを有し、前記少なくとも１つの固体発光要素は前記Ｕ字形の付加的な部分に配されている、請求項１乃至８の何れか一項に記載の反射器装置。
【請求項１０】
光透過性の光出口部と、請求項１乃至９の何れか一項に記載の反射器装置とを有する照明装置であって、光は、前記光出口部を通って照明装置から出る、照明装置。
【請求項１１】
光拡散器を有する請求項１０に記載の照明装置であって、前記光拡散器は、前記照明装置から出る前に前記光を拡散するように配されている、照明装置。
【請求項１２】
前記光拡散器は、光拡散特性を備えている前記光出口部を有している、請求項１１に記載の照明装置。
【請求項１３】
伸張されていると共に前記光出口部を含む管部分を有する、請求項１０乃至１２の何れか一項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の並列キャッシュのうちの少なくとも2つのキャッシュがアクティブであるかどうか判断し、
前記複数の並列キャッシュのうちのアクティブキャッシュに、前記複数の並列キャッシュのうちの1つまたは複数の他のキャッシュすべてがアクティブでない場合ライトバックキャッシュポリシーを適用するよう命令し、
前記複数の並列キャッシュのうちの前記アクティブキャッシュに、前記複数の並列キャッシュのうちの前記1つまたは複数の他のキャッシュのいずれかがアクティブである場合ライトスルーキャッシュポリシーを適用するよう命令し、
前記複数の並列キャッシュのうちの前記アクティブキャッシュに、前記複数の並列キャッシュのうちの前記1つまたは複数の他のキャッシュすべてが非アクティブになったとき前記ライトバックキャッシュポリシーを適用するよう命令するように構成された、キャッシュ書込みポリシーマネージャ。
【請求項２】
前記アクティブキャッシュに、前記複数の並列キャッシュのうちの前記1つまたは複数の他のキャッシュのいずれかがアクティブ化された場合すべてのダーティキャッシュラインをクリーニングするよう命令するようにさらに構成された、請求項1に記載のキャッシュ書込みポリシーマネージャ。
【請求項３】
前記アクティブキャッシュに、どのダーティキャッシュラインによって記憶されたデータも共有メモリに書き込むよう命令することによって、前記アクティブキャッシュに、すべてのダーティキャッシュラインをクリーニングするよう命令するように構成された、請求項2に記載のキャッシュ書込みポリシーマネージャ。
【請求項４】
前記1つまたは複数の他のキャッシュのいずれかにアクセスするように構成された1つまたは複数のプロセッサコアのうちのいずれかが電力供給されているかどうか判断することによって、前記複数の並列キャッシュのうちの前記1つまたは複数の他のキャッシュのいずれかがアクティブであるかどうか判断するように構成された、請求項1に記載のキャッシュ書込みポリシーマネージャ。
【請求項５】
前記1つまたは複数の他のキャッシュのいずれかにアクセスするように構成された1つまたは複数のプロセッサコアすべてが電力供給されていないかどうか判断することによって、前記複数の並列キャッシュのうちの前記1つまたは複数の他のキャッシュのすべてがアクティブでないかどうか判断するように構成された、請求項1に記載のキャッシュ書込みポリシーマネージャ。
【請求項６】
前記アクティブキャッシュが、前記ライトスルーキャッシュポリシーをデフォルトポリシーとして適用するように構成される、請求項1に記載のキャッシュ書込みポリシーマネージャ。
【請求項７】
処理コア、ハイパーバイザ、電力管理ユニット(PMU)、および半導体ダイのうち少なくとも1つに統合された、請求項1に記載のキャッシュ書込みポリシーマネージャ。
【請求項８】
前記キャッシュ書込みポリシーマネージャが統合されたセットトップボックス、娯楽機器、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、固定ロケーションデータユニット、モバイルロケーションデータユニット、モバイルフォン、セルラーフォン、コンピュータ、ポータブルコンピュータ、デスクトップコンピュータ、携帯情報端末(PDA)、モニタ、コンピュータモニタ、テレビ、チューナ、ラジオ、衛星ラジオ、音楽プレーヤ、デジタル音楽プレーヤ、ポータブル音楽プレーヤ、デジタルビデオプレーヤ、ビデオプレーヤ、デジタルビデオディスク(DVD)プレーヤ、およびポータブルデジタルビデオプレーヤからなるグループから選択されたデバイスをさらに含む、請求項1に記載のキャッシュ書込みポリシーマネージャ。
【請求項９】
キャッシュ用のハイブリッドなライトスルー/ライトバックキャッシュポリシーを提供するための方法であって、
複数の並列キャッシュのうちの少なくとも2つのキャッシュがアクティブであるかどうか判断するステップと、
前記複数の並列キャッシュのうちの前記アクティブキャッシュに、前記複数の並列キャッシュのうちの1つまたは複数の他のキャッシュすべてがアクティブでない場合ライトバックキャッシュポリシーを適用するよう命令するステップと、
前記複数の並列キャッシュのうちのアクティブキャッシュに、前記複数の並列キャッシュのうちの前記1つまたは複数の他のキャッシュのいずれかがアクティブである場合ライトスルーキャッシュポリシーを適用するよう命令するステップと、
前記複数の並列キャッシュのうちの前記アクティブキャッシュに、前記複数の並列キャッシュのうちの前記1つまたは複数の他のキャッシュすべてが非アクティブになったとき前記ライトバックキャッシュポリシーを適用するよう命令するステップとを含む、方法。
【請求項１０】
前記アクティブキャッシュに、前記複数の並列キャッシュのうちの前記1つまたは複数の他のキャッシュのいずれかがアクティブ化された場合すべてのダーティキャッシュラインをクリーニングするよう命令するステップをさらに含み、
前記アクティブキャッシュに、すべてのダーティキャッシュラインをクリーニングするよう命令するステップが、前記アクティブキャッシュに、どのダーティキャッシュラインによって記憶されたデータも共有メモリに書き込むよう命令するステップを含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記1つまたは複数の他のキャッシュのいずれかにアクセスするように構成された前記1つまたは複数のプロセッサコアのいずれかが電力供給されているかどうか判断することによって、前記複数の並列キャッシュのうちの前記1つまたは複数の他のキャッシュのいずれかがアクティブであるかどうか判断するステップを含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記1つまたは複数の他のキャッシュのいずれかにアクセスするように構成された前記1つまたは複数のプロセッサコアのすべてが電力供給されていないかどうか判断することによって、前記複数の並列キャッシュのうちの前記1つまたは複数の他のキャッシュのすべてがアクティブでないかどうか判断するステップを含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１３】
前記アクティブキャッシュに、前記ライトスルーキャッシュポリシーをデフォルトポリシーとして適用するよう命令するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１４】
複数の並列キャッシュと、
前記複数の並列キャッシュによって共有される共有メモリと、
請求項1から8のいずれか一項に記載のキャッシュ書込みポリシーマネージャとを備える、マルチプロセッサシステム。
【請求項１５】
プロセッサに、請求項9から13のいずれか一項に記載の方法を実施させるように構成された、コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月21日(2015.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マシンにより実施される方法であって、
コンピュータデバイスのプライマリユーザアカウントにおいて、コンピュータアプリケーションのプレデセサバージョンを実行するステップと、
前記プライマリユーザアカウントのための、前記コンピュータアプリケーションのサクセサバージョンをインストールするステップと、
前記コンピュータデバイスのセカンダリユーザアカウントが前記プレデセサバージョンを有している間に、前記プライマリユーザアカウントにおいて、前記コンピュータアプリケーションの前記サクセサバージョンを実行するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
アップデータモジュールを用いて、完全なサクセサバージョンをダウンロードするステップと、
ユーザの目に見えないように、前記アップデータモジュールを実行するステップと、
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記サクセサバージョンのインストールが実行されている間、前記プレデセサバージョンの実行を維持するステップ
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記プレデセサバージョンから前記サクセサバージョンへの切り替えを実行するステップと、
前記切り替えの間、前記コンピュータアプリケーションのユーザインターフェースのプレゼンテーションを維持するステップと、
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記プレデセサバージョン及び前記サクセサバージョンを同時に実行するステップ
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
システム再起動の間に、前記プレデセサバージョンのアンインストール操作をスケジュールするステップ
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記サクセサバージョンを実行している間に、前記プレデセサバージョンをアンインストールするステップ
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
コンピュータデバイスのプライマリユーザアカウントのプライマリファイルネームにより参照されている、コンピュータアプリケーションのプレデセサバージョンを実行するステップと、
前記プレデセサバージョンを無視するアップデータモジュールを用いて、完全なサクセサバージョンをダウンロードするステップと、
前記プライマリファイルネームにより参照される、前記コンピュータアプリケーションの前記完全なサクセサバージョンをクリーンサクセサデータストレージロケーションにインストールするステップと、
を含む方法をプロセッサに実行させるコンピュータプログラム。
【請求項９】
コンピュータアプリケーションの完全なサクセサバージョンをダウンロードする通信インターフェースと、
前記コンピュータアプリケーションのプレデセサバージョンをプレデセサデータストレージロケーションに記憶し、前記完全なサクセサバージョンをクリーンサクセサデータストレージロケーションに記憶するデータストレージと、
セカンダリユーザアカウントが前記プレデセサバージョンを有している間に、プライマリユーザアカウントにおいて、前記プレデセサバージョンを実行し、前記コンピュータアプリケーションの前記完全なサクセサバージョンをインストールするプロセッサと、
を備えた、アプリケーションアップデータ。
【請求項１０】
前記完全なサクセサバージョンのインストールが実行されている間、前記プロセッサは、前記プレデセサバージョンの実行を維持する、請求項９記載のアプリケーションアップデータ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月16日(2015.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力表面を備えるキャビティと、
前記キャビティの中へ光を注入するために配設された１つ以上の光源と、
前記キャビティ内に少なくとも部分的に配設された光学素子と、
前記光学素子に光学的に結合されたセンサと、を備え、
前記光学素子が、前記１つ以上の光源からの光の第１部分を前記出力表面に指向させ、前記１つ以上の光源からの光の第２部分を前記センサに指向させるように構成され、
光の前記第２部分が光の前記第１部分から離れた方向に指向する、光学装置。
【請求項２】
前記キャビティが、前記出力表面に実質的に平行に配設される背面反射体を更に備える、請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記キャビティが、前記出力表面に実質的に直交するように配設される少なくとも２つの側面反射体を更に備える、請求項１に記載の光学装置。
【請求項４】
所望の光学的特徴を有する光を生成する方法であって、
出力表面を備えるキャビティと、
前記キャビティの中へ光を注入するために配設された１つ以上の光源と、
前記キャビティ内に少なくとも部分的に配設された光学素子と、
前記光学素子に光学的に結合されたセンサと、を備える光学装置を準備するステップであって、
前記光学素子が、前記１つ以上の光源からの光の第１部分を前記出力表面に指向させ、前記１つ以上の光源からの光の第２部分を前記センサに指向させるように構成される、光学装置を準備するステップと、
光の前記第１部分の所望の第１の光学的特徴を選択するステップと、
前記センサを使って、光の前記第２部分の第２の光学的特徴を検出するステップと、
前記１つ以上の光源からの注入光を調整して、光の前記第１部分に前記所望の第１の光学的特徴を与えるステップと、を備える、方法。
【請求項５】
光の前記第２部分が光の前記第１部分の電力の１０％以下の電力を含む、請求項１に記載の光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月26日(2015.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直データ記録媒体であって、
ベース基板の上に形成された多層記録構造を備え、前記多層記録構造は前記層に対して実質的に垂直な区域に磁気ビット列を磁気的に記憶するように適合され、さらに、
前記多層記録構造の上部を磁気的に安定させるために前記多層記録構造上に形成された薄い磁気安定化層を備える、媒体。
【請求項２】
前記磁気安定化層は、約４０〜６０オングストロームの厚みを有する連続的な硬質磁性材料の薄い層を含む、請求項１に記載の媒体。
【請求項３】
前記磁気安定化層は、ホウ素（Ｂ）含有量がゼロではなく約６％未満である、請求項１または２に記載の媒体。
【請求項４】
前記磁気安定化層はさらに、白金（Ｐｔ）含有量が約２０〜２５％である、請求項３に記載の媒体。
【請求項５】
前記磁気安定化層は、約６００ｅμ／ｃｍ２よりも大きな磁気飽和レベルおよび約１５，０００エルステッド（Ｏｅ）よりも大きな異方性磁界強度（Ｈｋ）をもたらす、請求項１〜４のいずれか１項に記載の媒体。
【請求項６】
前記多層記録構造は、軟質下地層と、少なくとも１つの中間層と、少なくとも１つの磁気記録層とを含み、前記磁気安定化層は、前記少なくとも１つの磁気記録層の最上部の層の上に形成される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の媒体。
【請求項７】
前記磁気安定化層は、前記多層記録構造の全厚の１０％以下の厚みを有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の媒体。
【請求項８】
前記磁気安定化層の上に形成された炭素オーバーコート層をさらに備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の媒体。
【請求項９】
垂直データ記録媒体であって、
多層記録構造を備え、前記多層記録構造は前記層に対して実質的に垂直な区域に磁気ビット列を磁気的に記憶するように適合され、さらに、
前記多層記録構造の上部を磁気的に安定させるために、前記多層記録構造上に薄い硬質磁気層を備える、媒体。
【請求項１０】
前記薄い硬質磁気層は、前記多層記録構造の全厚の１０％以下の厚みを有する、請求項９に記載の媒体。
【請求項１１】
前記薄い硬質磁気層は、ホウ素（Ｂ）含有量がゼロではなく約６％未満である、請求項９または１０に記載の媒体。
【請求項１２】
前記薄い硬質磁気層はさらに、白金（Ｐｔ）含有量が約２０〜２５％である、請求項１１に記載の媒体。
【請求項１３】
前記薄い硬質磁気層は、前記媒体に対して、約６００ｅμ／ｃｍ２よりも大きな磁気飽和レベルおよび約１５，０００エルステッド（Ｏｅ）よりも大きな異方性磁界強度（Ｈｋ）をもたらす、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の媒体。
【請求項１４】
前記多層記録構造は、軟質下地層と、少なくとも１つの中間層と、少なくとも１つの磁気記録層とを含み、前記薄い硬質磁気層は、前記少なくとも１つの磁気記録層の最上部の層の上に形成される、請求項９〜１３のいずれか１項に記載の媒体。
【請求項１５】
前記薄い硬質磁気層の上に形成された炭素オーバーコート層をさらに備える、請求項９〜１４のいずれか１項に記載の媒体。
【請求項１６】
垂直データ記録媒体であって、
多層記録構造を備え、前記多層記録構造は前記層に対して実質的に垂直な区域に磁気ビット列を磁気的に記憶するように適合され、さらに、
前記多層記録構造の上部を磁気的に安定させるための手段を備える、媒体。
【請求項１７】
前記多層記録構造の上部を磁気的に安定させるための手段は、前記多層記録構造の全厚の１０％以下の厚みを有する薄い硬質磁気層を前記多層記録構造上に含む、請求項１６に記載の媒体。
【請求項１８】
前記薄い硬質磁気層は、ホウ素（Ｂ）含有量がゼロではなく約６％未満であり、かつ、白金（Ｐｔ）含有量が約２０〜２５％であり、前記薄い硬質磁気層は、前記媒体に対して、約６００ｅμ／ｃｍ２よりも大きな磁気飽和レベルおよび約１５，０００エルステッド（Ｏｅ）よりも大きな異方性磁界強度（Ｈｋ）をもたらす、請求項１７に記載の媒体。
【請求項１９】
前記多層記録構造は、ＥＣＣ＋ＣＧＣ記録構造である、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図３は、他の実施例に係る記録媒体３００の断面図である。層は、概して描写的なものであり、必ずしもある縮尺で描かれているわけではない。層は、基板３０２と、ＳＵＬ  ３０４と、ＩＬ  ３０６と、ＲＬ  ３０８と、安定化層３１０と、ＣＯＣ  ３１２と、潤滑剤層３１４とを含む。安定化層（例えば層２０６，３１０）は、任意の好適な形態をとり得る。いくつかの実施例においては、安定化層は、ホウ素（Ｂ）含有量が少なくかつ白金（Ｐｔ）含有量が比較的多く設けられる。このような構成は、ＭｓおよびＨｋレベルを大幅に上昇させることが分かった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図６および図７は、上部磁気層においてＢの含有量が少ないがＰｔの含有量が異なる媒体のＨｃおよびＭｒｔ応答を示す。Ｂが少ないだけの媒体とＢが少なくかつＰｔが多い媒体は両方とも同様のＭｒｔ応答を有し、これは、これら２つの上部磁気層のＭｓ性質が高いことを示している。Ｂが少なくかつＰｔが多い媒体のＨｃは、下にある記録層（例えば３０８）よりも少なくとも１００倍薄い上部磁気層（例えば３１０）が４０〜６０Åの厚み範囲において、３００〜４００Ｏｅ程度高い。Ｐｔが多い上部磁気層を有する媒体の核形成磁界（Ｈｎ）は、同一の厚み範囲では、２００〜３００Ｏｅ程度高い。ＨｃおよびＨｎが高いことは、Ｂが少なくかつＰｔが多い上部磁気層のＨｋが高いことに関連する。以下の表１は、これらのそれぞれの媒体構成についてのパラメータ性能測定値を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
より高い白金（Ｐｔ）パーセンテージ（Ｐｔ％）を用いることにより、一般に、Ｐｔ％の範囲においてＨｋが増加する。しかし、Ｂ％が高い（〜１０〜１５％）長手タイプの連続的な合金では、Ｈｋは約１０％Ｐｔの上方で平坦化し、最大Ｈｋを〜１２Ｋに制限する。このＨｋの制限は約６〜８％までのホウ素のパーセンテージ（Ｂ％）に対して当てはまることが本開示において分かった。上記のように、Ｂ％が低くなると、Ｍｓが増加し、Ｈｅｘも増加することが分かったが、そのうちの後者は、一般に、完全な連続粒状複合（ＣＧＣ）層にはよくないことが分かる。また、それは、高いＭｓからの反磁界の増加を打ち消すようにＨｋを増加させることはなく、そのため、材料は消去が容易になり過ぎ、書込みが容易になり過ぎる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2015503817.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月17日(2015.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を洗浄する方法であって、
その中に配置された複数のフィラメントを有する第１のチャンバに水素含有ガスを供給することと、
前記複数のフィラメントの中に電流を流し、前記複数のフィラメントの温度を前記水素含有ガスの少なくとも一部を分解するのに十分なプロセス温度まで上昇させることと、
分解された前記水素含有ガスから形成された水素原子に前記基板を暴露することによって前記基板の前記表面を洗浄することとを含む、方法。
【請求項２】
前記水素含有ガスは、水素（Ｈ２）、水素（Ｈ２）及び窒素（Ｎ２）、又はアンモニア（ＮＨ３）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
予熱チャンバとは異なる洗浄チャンバ内で前記基板の前記表面を洗浄する前に、前記予熱チャンバ内で前記基板を予熱すること、又は
洗浄チャンバ内で前記基板の前記表面を洗浄する前に、前記洗浄チャンバ内で前記基板を予熱することのうちの１つを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のチャンバは、前記基板表面が洗浄されるのと同じチャンバであるか、又は前記第１のチャンバは、前記基板の前記表面が洗浄されるのとは異なるチャンバであり、前記第１のチャンバ内で形成される前記水素原子は、前記基板の前記表面が洗浄される前記チャンバに供給される、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記水素含有ガスを前記第１のチャンバに供給する前に、
水素含有予備処理ガスを前記第１のチャンバに供給し、
前記複数のフィラメントを第１の予備処理温度まで加熱し、
前記複数のフィラメントを第２の予備処理温度まで冷却することによって、前記複数のフィラメントを予備処理することを更に含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記水素含有予備処理ガスは、水素（Ｈ２）ガス、水素（Ｈ２）及び窒素（Ｎ２）、又はアンモニア（ＮＨ３）を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のフィラメントを前記第１の予備処理温度まで加熱することと、前記複数のフィラメントを前記第２の予備処理温度まで冷却することとを繰り返すことを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
基板洗浄システムであって、
内部容積空間を有するプロセスチャンバと、
前記プロセスチャンバの前記内部容積空間内に配置され、前記プロセスチャンバ内で洗浄される基板を支持する基板支持体と、
動作中に前記基板の表面に原子水素を供給するように構成される原子水素源であって、複数のフィラメントと、前記複数のフィラメントを水素ガスから原子水素を生成するのに十分な温度まで加熱するために、前記複数のフィラメントを電源に結合する端子とを備える、原子水素源と、
前記原子水素源に結合され、前記原子水素源に水素ガスを供給する水素ガス源とを備える、基板洗浄システム。
【請求項９】
前記原子水素源によって供給される原子水素がガス分配プレートを通り抜け、前記プロセスチャンバの前記内部容積空間に達するように、前記原子水素源と前記プロセスチャンバの前記内部容積空間との間に配置された前記ガス分配プレートを更に備える、請求項８に記載の基板洗浄システム。
【請求項１０】
前記原子水素源は前記プロセスチャンバから離れている、請求項８に記載の基板洗浄システム。
【請求項１１】
前記原子水素源は前記プロセスチャンバ内に配置されている、請求項８に記載の基板洗浄システム。
【請求項１２】
前記原子水素源は前記プロセスチャンバに取外し可能に結合可能であるプロセスチャンバ蓋内に組み込まれる、請求項８に記載の基板洗浄システム。
【請求項１３】
前記プロセスチャンバ蓋は、
本体であって、前記本体の下面内に形成された凹部を有し、前記凹部内に前記複数のフィラメントが配置される、本体と、
前記複数のフィラメントの上方に配置され、前記複数のフィラメントに前記水素ガスを供給するガス注入口と、
前記複数のフィラメントの下で前記本体に結合されたガス分配プレートであって、前記ガス分配プレートは前記凹部を前記内部容積空間に流体結合するための複数の穴を有する、ガス分配プレートとを備える、請求項１２に記載の基板洗浄システム。
【請求項１４】
前記プロセスチャンバ蓋は、前記凹部の内面上に配置されるライナを更に備える、請求項１３に記載の基板洗浄システム。
【請求項１５】
前記複数のフィラメントは、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）又はイリジウム（Ｉｒ）、及び任意でシリコン（Ｓｉ）ドーパントを含む、請求項８に記載の基板洗浄システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月27日(2015.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザシステムであって、
シードビームを生成するように構成される発振器と、
拡張器−圧縮器であって、
前記シードビームを受信し、かつ
前記シードビームのシードパルスの持続時間を拡張するように構成される、拡張器−圧縮器と、
調節可能シードビーム制限器であって、
前記拡張器−圧縮器の拡張器面に横方向調節可能に取り付けられ、かつ
前記発振器によって生成される前記シードビームの前記拡張器−圧縮器への入射を制限するように構成される、調節可能シードビーム制限器と、
増幅器であって、
前記拡張器−圧縮器から前記拡張されたシードパルスを受信し、
増幅された拡張されたパルスを作り出すように、選択される拡張されたシードパルスの振幅を増幅し、かつ
増幅された拡張されたパルスのレーザビームを出力する、
ように構成される、増幅器と、を備え、
前記拡張器−圧縮器は、
前記増幅された拡張されたパルスのレーザビームを受信し、
前記増幅された拡張されたパルスの持続時間を圧縮し、かつ
圧縮されたパルスのレーザビームを出力するように構成され、
当該レーザシステムは増幅ビーム制限器をさらに備え、該増幅ビーム制限器は、前記拡張器−圧縮器の圧縮器面に横方向調節可能に取り付けられ、かつ増幅されたビームの前記拡張器−圧縮器への入射を制限するように構成される、レーザシステム。
【請求項２】
前記拡張器−圧縮器は、
チャープ体積ブラッグ格子
を備える、請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項３】
前記調節可能シードビーム制限器は、
前記シードビームの前記拡張器−圧縮器への入射スポットを制限するように構成される拡張開口
を備える、請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項４】
前記調節可能シードビーム制限器は、部分的ビーム遮断器、ビーム減衰器、マスク、およびレンズのうちの少なくとも１つを備える、
請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項５】
前記調節可能シードビーム制限器は、前記拡張器−圧縮器の光軸に対して横方向の寸法を調節可能である、
請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項６】
前記調節可能シードビーム制限器は、前記拡張器−圧縮器の光軸に対して、２つの横方向の寸法を調節可能である、
請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項７】
前記拡張器−圧縮器は、
前記調節可能シードビーム制限器の前記拡張器−圧縮器への調節可能な装着に適応するように構成される、１つ以上の調節締結具
を備える、請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項８】
前記拡張器−圧縮器は、
筐体を備え、
前記筐体は、拡張器面を備え、
前記調節締結具は、前記拡張器面に取り付けられる、
請求項７に記載のレーザシステム。
【請求項９】
前記調節可能シードビーム制限器は、
前記拡張器−圧縮器の前記調節締結具に調節可能に取り付け可能であるように構成される、１つ以上の調節ポート
を備える、請求項７に記載のレーザシステム。
【請求項１０】
前記調節締結具は、可動式締結具、ねじ、ボルトおよびナットの組み合わせ、ならびに滑動部のうちの少なくとも１つ
を備える、請求項７に記載のレーザシステム。
【請求項１１】
前記調節可能シードビーム制限器は、滑動部、レバー、マイクロモータ、電気機械調節器、およびＰＺＴ制御調節器のうちの少なくとも１つを備える調節器によって、調節することができる、
請求項７に記載のレーザシステム。
【請求項１２】
レーザ性能を改善する方法であって、
シードビーム制限器をチャープパルス増幅レーザの拡張器−圧縮器の拡張器面に横方向調節可能に取り付けることと、
前記チャープパルス増幅レーザの発振器によって生成されるシードパルスのシードビームを前記拡張器面に方向付けることと、
前記シードビーム制限器の横方向座標が変化する際に、前記拡張器−圧縮器によって返される拡張されたビームのビーム品質を監視することと、
前記拡張されたビームの前記監視されるビーム品質が所定の品質基準を満足する、前記シードビーム制限器の品質−横方向座標を判定することと、
前記シードビーム制限器を前記拡張器面の前記判定される横方向品質−横方向座標に装着することと、
増幅ビーム制限器を前記チャープパルス増幅レーザの前記拡張器−圧縮器の圧縮器面に横方向調節可能に取り付けることと、
前記チャープパルス増幅レーザの増幅器によって生成される増幅された拡張されたパルスの増幅されたビームを前記圧縮器面に方向付けることと、
前記増幅ビーム制限器の横方向座標が変化する際に、前記拡張器−圧縮器によって返される圧縮されたビームの圧縮されたパルスの圧縮特徴を監視することと、
前記監視される圧縮特徴が所定の圧縮基準を満足する、前記増幅ビーム制限器の圧縮−横方向座標を判定することと、
前記増幅ビーム制限器を前記圧縮器面の前記判定される圧縮−横方向座標に装着することと、
を含む、方法。
【請求項１３】
前記シードビーム制限器の品質−横方向座標を判定することは、
前記監視されるビーム品質および前記監視される圧縮特徴の両方を使用すること
を含む、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月27日(2015.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
４５〜５５ガロンの液体クロロホルムを、温度３５℃〜４０℃で、３００〜５００ミリミクロンの波長を有する４００ワットのＨ１水銀蒸気ランプを使用して塩素化した。三角形の塩素バブラー及び３ライトウェル（ｔｈｒｅｅ−ｌｉｇｈｔ  ｗｅｌｌ）を有する３０インチＩＤのニッケルタンク内で反応を行った。液体生成物内のテトラクロロメタンの割合を、比重を用いて決定した。Ｃｌ２を３００ｌｂ（１３６ｋｇ）加えた後、生成物混合物中に９５ｍｏｌ％のテトラクロロメタンが得られた。以下、本発明の実施形態を列記する。
〔１〕部分的に塩素化されたメタンを含む供給流の塩素化を、フリーラジカル触媒で触媒することを含む、テトラクロロメタンの製造方法。
〔２〕反応を液相中で行う、項目１に記載の方法。
〔３〕反応を溶媒中で行う、項目２に記載の方法。
〔４〕製造されたテトラクロロメタンが上記溶媒として働く、項目３に記載の方法。
〔５〕上記供給流が、クロロホルム、塩化メチレン、塩化メチル、又はこれらの組合せを含む、項目１に記載の方法。
〔６〕上記供給流がメタンを含まない、項目５に記載の方法。
〔７〕上記フリーラジカル開始剤が、紫外線、アゾビスイソブチロニトリル、１，１’―アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、ジ―ｔｅｒｔ―ブチルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、メチルエチルケトンペルオキシド、アセトンペルオキシド、又はこれらの任意の数の組合せを含む、項目１に記載の方法。
〔８〕上記フリーラジカル開始剤がＡＩＢＮを含む、項目７に記載の方法。
〔９〕上記フリーラジカル開始剤がＡＩＢＮ及び紫外線を含む、項目８に記載の方法。
〔１０〕方法を１５０℃未満の温度で行う、項目２又は３のいずれかに記載の方法。
〔１１〕方法を１４０ｐｓｉｇ（９６５ｋＰａゲージ圧）未満の圧力で行う、項目１又は１０のいずれかに記載の方法。
〔１２〕副生成物としてＨＣｌが生じ、無水ＨＣｌとして回収する、項目１に記載の方法。
〔１３〕塩素原子源が塩素、塩化スルフリル、又はこれらの組合せを含む、項目１に記載の方法。
〔１４〕未反応の上記部分的に塩素化されたメタンを塩素化反応器へとリサイクルすることを更に含む、項目１に記載の方法。
〔１５〕リサイクル流がテトラクロロメタンを含む、項目１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩化メチレン、クロロホルム、及び／又は塩化メチルを含んでおり、メタンを含まない供給流の塩素化を、フリーラジカル開始剤で触媒して、クロロホルム及びテトラクロロメタンを４：１〜１：２の比率で含む生成物の流れを生ずることを含む、テトラクロロメタンの製造方法。
【請求項２】
前記方法で製造されたテトラクロロメタンを含む溶媒中で反応を行う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記フリーラジカル開始剤が、紫外線、アゾビスイソブチロニトリル、１，１’―アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、ジ―ｔｅｒｔ―ブチルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、メチルエチルケトンペルオキシド、アセトンペルオキシド、又はこれらの任意の数の組合せを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
方法を１５０℃未満の温度、及び１４０ｐｓｉｇ（９６５ｋＰａゲージ圧）未満の圧力で行う、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
未反応の塩化メチレン、クロロホルム、及び／又は塩化メチルを塩素化反応器へとリサイクルすることを更に含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月10日(2015.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．関心の抗体および種々の混入物を含む組成物を、イオン交換膜に通し、前記抗体のｐＩとは十分に異なるｐＨを有するバッファを含む操作条件で、前記抗体および前記膜は反対電荷を有して、前記抗体の前記電荷およびバッファイオンによる電荷の遮蔽を防止するのに有効な低イオン強度を高め、前記抗体および少なくとも１つの前記混入物を前記膜に結合させ、
ｂ．少なくとも１つの前記混入物が前記膜に結合したままで、前記関心の抗体が主に溶出液中にあるように、前記イオン交換膜を１０００〜５０００ｇ／Ｌの負荷密度にオーバーロードさせ、
ｃ．前記関心の抗体を含む、前記イオン交換膜からの前記溶出液を採取し、
ｄ．前記関心の抗体を含む、前記膜溶出液に対して、先の膜と類似の電荷のイオン交換クロマトグラフィー工程を行い、
ｅ．精製された前記抗体を、帯電させた前記イオン交換クロマトグラフィー工程の前記溶出液から回収することを含む、抗体の精製のための下流のクロマトグラフィー工程の効率を高める方法。
【請求項２】
前記イオン交換膜は、０．１から１００μｍのポアサイズを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記イオン交換膜はモノリスまたはデプスフィルターにより置き換えられる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ａ．関心の抗体および種々の混入物を含む組成物を、陽イオン交換膜に通し、前記抗体のｐＩを下回る約１から約５ｐＨユニットのｐＨを有するバッファ、および、約４０ｍＳ／ｃｍ以下の伝導率を含む操作条件で、前記抗体および前記膜は反対電荷を有して、前記抗体および少なくとも１つの前記混入物を前記膜に結合させ、
ｂ．少なくとも１つの前記混入物が前記膜に結合したままで、前記関心の抗体が主に溶出液中にあるように、前記陽イオン交換膜を１０００〜５０００ｇ／Ｌの負荷密度にオーバーロードさせ、
ｃ．前記関心の抗体を含む、前記陽イオン交換膜からの前記溶出液を採取し、
ｄ．前記関心の抗体を含む、前記膜の溶出液に対して、陽イオン交換クロマトグラフィー精製工程を行い、
ｅ．精製された前記抗体を、前記陽イオン交換クロマトグラフィー精製工程の前記溶出液から回収することを含む、抗体の精製のための下流のクロマトグラフィー工程の効率を高める方法。
【請求項５】
前記ｐＨは、前記抗体の前記ｐＩを下回る約１から約４ｐＨユニットである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ｐＨは、前記抗体の前記ｐＩを下回る約１から約３ｐＨユニットである、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記ｐＨは、前記抗体の前記ｐＩを下回る約１から約２ｐＨユニットである、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記ｐＨは、前記抗体の前記ｐＩを下回る約１ｐＨユニットである、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記伝導率は約２０ｍＳ／ｃｍ以下である、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記伝導率は約１０ｍＳ／ｃｍ以下である、請求項４に記載の方法。
【請求項１１】
前記陽イオン交換膜は、陽イオン交換モノリスまたはデプスフィルターである、請求項４に記載の方法。
【請求項１２】
ａ．関心の抗体および種々の混入物を含む組成物を、陰イオン交換膜に通し、前記抗体のｐＩを上回る約１から約５ｐＨユニットのｐＨを有するバッファ、および、約４０ｍＳ／ｃｍ以下の伝導率を含む操作条件で、前記抗体および前記膜は反対電荷を有して、前記抗体および少なくとも１つの前記混入物を前記膜に結合させ、
ｂ．少なくとも１つの前記混入物が前記膜に結合したままで、前記関心の抗体が主に溶出液中にあるように、前記陰イオン交換膜を１０００〜５０００ｇ／Ｌの負荷密度にオーバーロードさせ、
ｃ．前記関心の抗体を含む、前記陰イオン交換膜からの前記溶出液を採取し、
ｄ．前記関心の抗体を含む、前記膜の溶出液に対して、陰イオン交換クロマトグラフィー精製工程を行い、
ｅ．精製された前記抗体を、前記陰イオン交換クロマトグラフィー精製工程の前記溶出液から回収することを含む、抗体の精製のための下流のクロマトグラフィー工程の効率を高める方法。
【請求項１３】
前記ｐＨは、前記抗体の前記ｐＩを上回る約１から約４ｐＨユニットである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ｐＨは、前記抗体の前記ｐＩを上回る約１から約３ｐＨユニットである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ｐＨは、前記抗体の前記ｐＩを上回る約１から約２ｐＨユニットである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記ｐＨは、前記抗体の前記ｐＩを上回る約１ｐＨユニットである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記伝導率は約２０ｍＳ／ｃｍ以下である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記伝導率は約１０ｍＳ／ｃｍ以下である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記陰イオン交換膜は、陰イオン交換モノリスまたはデプスフィルターに置き換えられる、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記膜は混合モードの吸着材である、請求項１から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記混入物は宿主細胞のタンパク質である、請求項１から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記宿主細胞のタンパク質はチャイニーズハムスター卵巣タンパク質（ＣＨＯＰ）である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記宿主細胞のタンパク質は大腸菌タンパク質（ＥＣＰ）である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記混入物はアミノグリコシド系抗生物質である、請求項１から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
前記アミノグリコシド系抗生物質はゲンタマイシンである、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記混入物はイオンポリマーである、請求項１から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記イオンポリマーはポリエチレンイミン（ＰＥＩ）である、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記抗体はモノクローナル抗体である、請求項１から２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
さらなる前記精製工程がイオン交換クロマトグラフィーを含む、請求項１から２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
前記ａからｅの工程の間に、さらなる前記精製工程が継続的に行われ、前記精製工程はイオン交換クロマトグラフィーである、請求項１から２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３１】
前記イオン交換クロマトグラフィーは陽イオン交換カラムを含む、請求項２９または請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記イオン交換クロマトグラフィーは陰イオン交換カラムを含む、請求項２９または請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
精製した前記抗体を薬学的に許容可能な担体と組み合わせることにより、薬学的組成物を調製することをさらに含む、請求項１から３２のいずれか一項に記載の方法。