【手続補正書】
【提出日】平成28年6月9日(2016.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰イオンベースの中性ビーム入射器であって、
陰イオンビームを発生させるように適合されたイオン源と、
加速器であって、前記加速器は、前記イオン源と離間関係にあり、前記イオン源に間接に連結されている、加速器と、
前記イオン源に連結された中和器と
を備える、入射器。
【請求項２】
陰イオンベースの中性ビーム入射器であって、
陰イオンビームを発生させるように適合されたイオン源であって、前記イオン源は、プラズマボックスおよびプラズマドライバを含み、前記プラズマボックスおよびプラズマドライバの内壁は、約１５０〜２００℃の高温に維持できることにより、内壁の表面上へのセシウム蓄積を防止する、イオン源と、
前記イオン源に連結された加速器と、
前記イオン源に連結された中和器と
を備える、入射器。
【請求項３】
前記イオン源は、プラズマボックスおよびプラズマドライバを含み、前記プラズマボックスおよびプラズマドライバの内壁は、約１５０〜２００℃の高温に維持できることにより、内壁の表面上へのセシウム蓄積を防止する、請求項１に記載の入射器。
【請求項４】
前記加速器は、前記イオン源と離間関係にある、請求項２に記載の入射器。
【請求項５】
前記イオン源、加速器、および中和器は、約０．５０〜１．０ＭｅＶのエネルギーを伴う中性ビームを発生させるように適合されている、請求項１〜４のいずれかに記載の入射器。
【請求項６】
前記イオン源、加速器、および中和器は、約５ＭＷの電力を伴う中性ビームを発生させるように適合されている、請求項１〜４のいずれかに記載の入射器。
【請求項７】
前記イオン源は、約９Ａの陰イオンビームを発生させるように適合されている、請求項１〜４のいずれかに記載の入射器。
【請求項８】
前記加速器は、高エネルギー加速器であり、前記入射器は、前段加速器をさらに含む、請求項１〜４のいずれかに記載の入射器。
【請求項９】
前記前段加速器は、前記イオン源内の静電多開口グリッドである、請求項８に記載の入射器。
【請求項１０】
前記イオン源からのイオンは、前記高エネルギー加速器内への入射前に、前記前段加速器によって、１２０ｋＶまで事前加速される、請求項８に記載の入射器。
【請求項１１】
前記前段加速器と高エネルギー加速器との間に介在する一対の偏向磁石をさらに備え、前記一対の偏向磁石は、前記高エネルギー加速器に進入する前に、前記前段加速器からのビームを軸外にシフトさせる、請求項８に記載の入射器。
【請求項１２】
前記プラズマボックスおよびドライバは、流体マニホールドおよび通路を含むことにより、高温流体を循環させる、請求項２および３のいずれかに記載の入射器。
【請求項１３】
前記前段加速器のプラズマグリッド上にセシウムを直接に供給するための分配マニホールドをさらに備える、請求項８に記載の入射器。
【請求項１４】
前記前段加速器は、外部磁石を含むことにより、イオン抽出および事前加速領域内で共抽出された電子を偏向させる、請求項８に記載の入射器。
【請求項１５】
ガスを事前加速間隙から外へポンピングするポンピングシステムをさらに備える、請求項８に記載の入射器。
【請求項１６】
前記プラズマグリッドは、流動陽イオンを跳ね返すように正にバイアスされる、請求項１３に記載の入射器。
【請求項１７】
前記高エネルギー加速器は、低エネルギービーム輸送ラインを備える遷移ゾーンによって、前記イオン源から離間されている、請求項８に記載の入射器。
【請求項１８】
前記遷移ゾーンは、屈曲磁石、真空ポンプ、およびセシウムトラップを含む、請求項１７に記載の入射器。
【請求項１９】
前記屈曲磁石は、前記ビームを偏向させ、前記高エネルギー加速器の軸上に集束させる、請求項１８に記載の入射器。
【請求項２０】
前記高エネルギー加速器に続いて、磁気レンズをさらに備え、前記磁気レンズは、前記高エネルギー加速器内への過集束を補償し、準並列ビームを形成する、請求項８に記載の入射器。
【請求項２１】
前記中和器は、前記壁に高磁界永久磁石を伴う多カスププラズマ閉じ込めシステムに基づく、プラズマ中和器を含む、請求項８に記載の入射器。
【請求項２２】
前記中和器は、高反射壁を伴う円筒形空洞とレーザを用いたポンピングとに基づく、光子中和器を含む、請求項８に記載の入射器。
【請求項２３】
前記中和器は、高反射壁を伴う円筒形空洞とレーザを用いたポンピングとに基づく、光子中和器を含む、請求項２１に記載の入射器。
【請求項２４】
残留イオンエネルギー復熱器をさらに備える、請求項１〜４のいずれかに記載の入射器。
【請求項２５】
残留イオンエネルギー復熱器をさらに備える、請求項８に記載の入射器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
例示的実施形態の他のシステム、方法、特徴、および利点は、以下の図および発明を実施するための形態の検討に応じて、当業者に明白である、または明白となるであろう。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
陰イオンベースの中性ビーム入射器であって、
陰イオンビームを発生させるように適合される、イオン源と、
加速器と、
中和器と、
を備え、前記イオン源、加速器、および中和器は、約５ＭＷの電力を伴う中性ビームを発生させるように適合される、入射器。
（項目２）
陰イオンベースの中性ビーム入射器であって、
陰イオンビームを発生させるように適合される、イオン源と、
加速器と、
中和器と、
を備え、前記イオン源、加速器、および中和器は、約０．５０〜１．０ＭｅＶのエネルギーを伴う中性ビームを発生させるように適合される、入射器。
（項目３）
前記イオン源、加速器、および中和器は、約０．５０〜１．０ＭｅＶのエネルギーを伴う中性ビームを発生させるように適合される、項目１に記載の入射器。
（項目４）
前記イオン源、加速器、および中和器は、約５ＭＷの電力を伴う中性ビームを発生させるように適合される、項目２に記載の入射器。
（項目５）
前記イオン源は、約９Ａの陰イオンビームを発生させるように適合される、項目１から４に記載の入射器。
（項目６）
前記加速器は、前記イオン源と離間関係にある、項目１から４に記載の入射器。
（項目７）
前記加速器は、前段加速器および高エネルギー加速器を含む、項目６に記載の入射器。
（項目８）
前記前段加速器は、前記イオン源内の静電多開口グリッドである、項目７に記載の入射器。
（項目９）
前記イオン源からのイオンは、前記高エネルギー加速器内への入射前に、前記前段加速器によって、１２０ｋＶまで事前加速される、項目７に記載の入射器。
（項目１０）
前記前段加速器と高エネルギー加速器との間に介在する一対の偏向磁石をさらに備え、前記一対の偏向磁石は、前記高エネルギー加速器に進入する前に、前記前段加速器からのビームを軸外にシフトさせる、項目７に記載の入射器。
（項目１１）
前記イオン源は、プラズマボックスおよびプラズマドライバを含む、項目７に記載の入射器。
（項目１２）
前記プラズマボックスおよびプラズマドライバの内壁は、約１５０〜２００℃の高温に維持され、その表面上へのセシウム蓄積を防止する、項目１１に記載の入射器。
（項目１３）
前記プラズマボックスおよびドライバは、流体マニホールドおよび通路を含み、高温流体を循環させる、項目１２に記載の入射器。
（項目１４）
直接、前記加速器のプラズマグリッド上にセシウムを供給するための分配マニホールドをさらに備える、項目７に記載の入射器。
（項目１５）
前記前段加速器は、外部磁石を含み、イオン抽出および事前加速領域内で共抽出された電子を偏向させる、項目７に記載の入射器。
（項目１６）
ポンピングシステムをさらに備え、ガスを事前加速間隙からポンピングする、項目７に記載の入射器。
（項目１７）
前記プラズマグリッドは、流動陽イオンを跳ね返すように正にバイアスされる、項目１４に記載の入射器。
（項目１８）
前記高エネルギー加速器は、低エネルギービーム輸送ラインを備える遷移ゾーンによって、前記イオン源から離間される、項目７に記載の入射器。
（項目１９）
前記遷移ゾーンは、屈曲磁石、真空ポンプ、およびセシウムトラップを含む、項目１８に記載の入射器。
（項目２０）
前記屈曲磁石は、前記ビームを偏向させ、前記高エネルギー加速器の軸上に集束させる、項目１９に記載の入射器。
（項目２１）
前記加速器に続いて、磁気レンズをさらに備え、前記加速器内への過集束を補償し、準並列ビームを形成する、項目７に記載の入射器。
（項目２２）
前記中和器は、前記壁に高磁界永久磁石を伴う多カスププラズマ閉じ込めシステムに基づく、プラズマ中和器を含む、項目７に記載の入射器。
（項目２３）
前記中和器は、高反射壁を伴う円筒形空洞および高効率レーザを用いたポンピングに基づく、光子中和器を含む、項目７に記載の入射器。
（項目２４）
前記中和器は、高反射壁を伴う円筒形空洞および高効率レーザを用いたポンピングに基づく、光子中和器を含む、項目２２に記載の入射器。
（項目２５）
残留イオンエネルギー復熱器をさらに備える、項目１および２に記載の入射器。
（項目２６）
残留イオンエネルギー復熱器をさらに備える、項目６に記載の入射器。
（項目２７）
残留イオンエネルギー復熱器をさらに備える、項目７に記載の入射器。