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【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年3月31日(2016.3.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
このようにして、本願発明者らは、少なくとも１つの実施形態が、酸素の還元および発生が起こる空気電極と、非ファラデー反応がその全体の比容量の少なくとも約５％に寄与する容量性電極と、イオン透過性セパレータと、電解質とを備える充電式エネルギー貯蔵デバイスを含む本発明を開示した。容量性電極に対して、非ファラデー反応は、全体の比容量の少なくとも約２０％に寄与することもある。非ファラデー反応が、全体の比容量の少なくとも約５０％または９０％に寄与することも可能である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイスであって、
酸素の還元および発生を含む電気化学プロセスが起こる空気電極と、
非ファラデー反応を通じてエネルギーを貯蔵する二重層電気化学キャパシタを含む容量性電極と、
イオン透過性であるセパレータと、
非ファラデー反応およびファラデー反応のためのイオンを含む電解質とを含み、
前記容量性電極は、活性炭、多孔質炭素、炭素発泡体、炭素繊維、カーボンナノチューブ、グラフェンおよびカーボンナノ粒子を含む電気不活性物質から選択される少なくとも１つの物質を含み、前記物質は非ファラデー反応を起こすような構造であり、
容量性電極プロセスは、前記容量性電極の全体の比容量の少なくとも２０％に寄与する非ファラデー反応を含むハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項２】
前記容量性電極プロセスが、前記容量性電極の全体の比容量の少なくとも５０％に寄与する非ファラデー反応を含む、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項３】
前記容量性電極プロセスが、前記容量性電極の全体の比容量の少なくとも９０％に寄与する非ファラデー反応を含む、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項４】
前記空気電極が正極であり、前記容量性電極が前記充電式エネルギー貯蔵デバイスの負極である、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項５】
前記空気電極が多孔質ガス拡散層を含み、酸素の出入が前記多孔質ガス拡散層により達成される、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項６】
前記空気電極が２つの分離された電極を含み、酸素の還元および発生が、個々の分離された電極で起こる、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項７】
前記空気電極が、酸素の還元および発生を可能にする１つ以上の触媒を含む、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項８】
前記空気電極が、酸素還元用に、金属、熱分解金属ポルフィリン、金属酸化物、金属水酸化物、金属窒化物および機能化炭素質物質から選択された少なくとも１つの触媒を含む、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項９】
前記空気電極が、酸素発生用に、金属、金属酸化物、金属硫化物、金属炭化物および金属リン酸塩から選択された少なくとも１つの触媒を含む、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項１０】
前記空気電極が、金属、熱分解金属ポルフィン、金属酸化物、金属水酸化物、金属窒化物および機能化炭素質物質を含む群から選択された少なくとも１つの二元機能触媒を含む、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項１１】
前記空気電極が、金属、導電性カーボン、導電性酸化物および導電性ポリマーから選択された導電性集電体を備える、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項１２】
前記容量性電極が、充電中、電解質からの金属陽イオンと合金を形成可能な金属、半金属、非金属、金属酸化物、金属ホウ酸塩、金属硫化物、金属セレン化物、金属リン化物、金属窒化物、フッ素化炭素、金属リン酸塩、金属フッ化物、金属硫酸塩、金属ホウ酸塩、金属バナジン酸塩、ポリオキソメタレート、導電性ポリマーおよびそれらの混合物を包含する電気活性物質から選択された少なくとも１つの物質を含み、前記物質がファラデー反応を起こす、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項１３】
前記容量性電極が、非ファラデー反応を起こす少なくとも１つの電気不活性電極物質およびファラデー反応を起こす少なくとも１つの電気活性電極物質の混合物または複合材料を含む、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項１４】
前記電解質が、塩基を含む水性液を含む、請求項１に記載の充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項１５】
前記電解質が、有機溶媒、ポリマーゲル、ポリマー、イオン性液体およびイオン伝導性固体から選択された非水性電解質を含む、請求項１に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項１６】
前記有機溶媒が、エチレンカーボネート、ジエチルカーボネート、プロピレンカーボネートおよびアセトニトリルを包含する、請求項１５に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項１７】
前記イオン伝導性固体が、リン酸チタンリチウムおよびペロブスカイト型、ＮＡＳＩＣＯＮ型およびＬｉ４ＳｉＯ４型の結晶構造を占める物質を含む、請求項１５に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項１８】
酸素の還元および発生のための少なくとも１つの触媒を含む正の空気電極と、
複合材料または化合物からなる少なくとも１つの電気活性物質を含む二重層電気化学キャパシタを含む負の容量性電極と、
イオン透過性セパレータと、
金属イオンを含む非水性電解質とを含み、
前記負の容量性電極は、活性炭、多孔質炭素、炭素発泡体、炭素繊維、カーボンナノチューブ、グラフェンおよびカーボンナノ粒子を含む電気不活性物質から選択される少なくとも１つの物質を含み、前記物質は非ファラデー反応を起こすような構造であり、
容量性電極プロセスは、前記容量性電極の全体の比容量の少なくとも２０％に寄与する非ファラデー反応を含むハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項１９】
前記容量性物質が、炭素質物質と、放電中に溶解しない半金属および金属から選択される物質とを含む、複合材料を含む、請求項１８に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【請求項２０】
前記容量性物質が、金属酸化物、金属硫化物、金属セレン化物、金属リン化物、金属ホウ酸塩、金属窒化物およびそれらの混合物から選択される化合物を含む、請求項１８に記載のハイブリッド充電式エネルギー貯蔵デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月2日(2016.6.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成物であって、
（ａ）潤滑粘性のオイル、および
（ｂ）０．０００１〜１０重量パーセントの以下：
（ｉ）少なくとも、隣接する２つの炭素原子に結合しているかまたは順として１つの原子で分離されている２つの炭素原子に結合しているが芳香環上の互いにメタの位置には結合していない２つのカルボキシル基を有する芳香族ポリカルボン酸またはその混合物またはその反応性等価物であって、前記芳香族ポリカルボン酸またはその反応性等価物は、少なくとも１つのコハク酸基またはその反応性等価物によって置換された芳香環を含む、芳香族ポリカルボン酸またはその混合物またはその反応性等価物と、
（ｉｉ）６〜８０個の炭素原子を含有する脂肪族第１級アミンとの縮合生成物であって、前記縮合生成物は、イミドまたはアミドを含む、縮合生成物
を含む、組成物。
【請求項２】
前記脂肪族第１級アミンが、１２〜６０個の炭素原子を含有し、第２級もしくは第３級アミノ基またはエーテル基をさらに含有する第１級アミンを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記縮合生成物が環状イミドを含む、請求項１〜２のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項４】
前記芳香族ポリカルボン酸またはその反応性等価物が、少なくとも２つの芳香族炭素原子上に少なくとも２つのカルボン酸基またはその反応性等価物を有する芳香族基を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
前記芳香族ポリカルボン酸またはその反応性等価物が、隣接炭素原子上に少なくとも２つのカルボン酸基またはその反応性等価物を有するベンゼン環を含む、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記芳香族ポリカルボン酸またはその反応性等価物が、ナフタレン構造であって、前記ナフタレン構造の１位および８位に配置された２つのカルボン酸基またはその反応性等価物を有するナフタレン構造を含む、請求項４に記載の組成物。
【請求項７】
前記縮合生成物がジイミドを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
前記縮合生成物がピロメリット酸ジイミドを含む、請求項１〜３、４、５、または７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
前記脂肪族第１級アミンが、式：
Ｈ２Ｎ−（ＣｎＨ２ｎ）−Ｘ−Ｒ１
式中、ｎは２〜６であり、
ＸはＯまたはＮ−Ｒ２であり、
Ｒ１は、少なくとも８個の炭素原子のアルキル基であり、
Ｒ２はＨまたはアルキル基である；
によって示される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記脂肪族第１級アミンがＮ，Ｎ−ジアルキル−１，３−プロパンジアミンを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
前記Ｎ，Ｎ−ジアルキル−１，３−プロパンジアミンが、Ｎ，Ｎ−ジ−（水素化タロー）−１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジココ−１，３−プロパンジアミン、またはＮ，Ｎ−ジイソステアリル−１，３−プロパンジアミンを含む、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記縮合生成物が、
【化１２】
2014517106.tif 000001
式中、Ｒ１およびＲ３のそれぞれは、独立して、８〜２２個の炭素原子のアルキル基であり、Ｒ２およびＲ４のそれぞれは、独立して、水素または１〜２２個の炭素原子のアルキル基であり、但し、Ｒ１およびＲ２中の総炭素原子数が少なくとも１３であり、Ｒ３およびＲ４中の総炭素原子数が少なくとも１３であることを条件とする；
によって示される材料を含む、請求項１〜３、４、５、または７〜１１のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１３】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、およびＲ４が、タローアミン、ココアミン、またはイソステアリルアミンの特徴を示すアルキル基である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
有機ホウ酸エステル、有機ホウ酸塩、有機リンのエステル、有機リンの塩、無機リンの塩、および無機リンの酸からなる群から選択される少なくとも１つの添加剤をさらに含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の組成物。
【請求項１５】
機械的デバイスを潤滑する方法であって、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の組成物を前記デバイスに供給することを含む、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
芳香族ポリカルボン酸またはその反応性等価物は、二酸、三酸、四酸、または四酸を超える酸（ｈｉｇｈｅｒ  ａｃｉｄ）（または反応性等価物）であり得る。反応生成物がモノイミドである場合、ポリカルボン酸は、少なくとも２つの酸（または等価物）の基を含有する。反応生成物がジイミドである場合、ポリカルボン酸は、少なくとも４つの酸（または等価物）の基を含有する。酸の基は、５員または６員の環状イミドが形成されるように位置している。これは、酸の基が、例えば、芳香環上で相互にオルト位であり得るか、以下にさらに詳細に説明している他の関係を有してもよい（例えば、２つのカルボニル基が、隣接する２つの炭素原子に、または、順として１つの原子によって分離される２つの炭素原子に結合してもよいが、一般に、芳香環上の互いにメタの位置には結合しない）ことを意味する。しかし、この用語は、環状イミドがそれぞれの場合に必ず形成されることが必要であると解釈されるべきではない。例えば、アミドまたはエステルは環状イミド構造を形成しないが、前駆体の酸基の同一の幾何学的関係が適用可能である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年5月10日(2016.5.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２】
2014517978.tif 000001
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュメモリコントローラがフラッシュメモリに対してプログラムする過程において、一部の論理ページを選択的にスキップしてプログラムし、且つ異なる方向のＬＳＢページを選択的にスキップすることができ、
多層式記憶フラッシュメモリにおける物理ユニットのＭＳＢビットとＬＳＢビットがそれぞれＭＳＢページとＬＳＢページにマッピングされ、配置された論理ページの番号ｋに関して、
以下、ｋが偶数の場合、当該ページは奇数物理ページであって、
（ｉ）ｋが０の場合、当該奇数物理ページのＷＬ０のＭＳＢページに位置し、或いは、
（ｉｉ）ｋが２５４の場合、ＷＬ６３のＬＳＢページに位置し、或いは、
（ｉｉｉ）ｋが２５４でなく、４の倍数でない場合、ＷＬ［（ｋ＋２）／４］のＭＳＢページに位置し、或いは、
（ｉｖ）ｋが０でなく、４の倍数の場合、ＷＬ［（１／４）ｋ−１］のＬＳＢページに位置し、
以下、ｋが奇数の場合、当該ページは偶数物理ページであって、
（ｖ）ｋが１の場合、ＷＬ０のＭＳＢページに位置し、或いは
（ｖｉ）ｋが２５５の場合、ＷＬ６３のＬＳＢページに位置し、或いは
（ｖｉｉ）ｋが２５５でなく、ｋ−１が４の倍数でない場合、ＷＬ［（ｋ＋１）／４］のＭＳＢページに位置し、或いは
（ｖｉｉｉ）ｋが１でなく、ｋ−１が４の倍数の場合、ＷＬ［（１／４）（ｋ−１）−１］のＬＳＢページに位置する
という規則で番号が付与され、
プログラミング過程において多層式記憶フラッシュメモリの物理ページにおける水平方向の隣接する１組のＬＳＢページを選択的にスキップしてプログラムし、多層式記憶フラッシュメモリアレイの水平方向のプログラム回数を減少し、前記スキップされる論理ページの番号Ｎｐａｓｓが、
【数１】
2014517978.tif 000002
であり、
式中、ｉが自然数であり、且つ１≦ｉ≦６４であるプログラム方式１と、
プログラミング過程において多層式記憶フラッシュメモリの物理ページにおける対角方向に隣接する２組のＬＳＢページをスキップし、多層式記憶フラッシュメモリアレイの対角方向のプログラム回数を減少し、前記スキップされる論理ページの番号Ｎｐａｓｓが、
【数２】
2014517978.tif 000003
或いは、
【数３】
2014517978.tif 000004
であり、
式中、ｎが自然数であり、且つ１≦ｎ≦３１であるプログラム方式２と、
プログラミング過程において多層式記憶フラッシュメモリの物理ページにおける物理列を挟んでいる隣接する２組のＬＳＢページをスキップし、多層式記憶フラッシュメモリアレイの垂直方向のプログラム回数を減少し、前記スキップされる論理ページの番号Ｎｐａｓｓが、
【数４】
2014517978.tif 000005
式中、ｎが整数であり、且つ０≦ｎ≦３１であるプログラム方式３、
或いは、
【数５】
2014517978.tif 000006
式中、ｎが自然数であり、且つ１≦ｎ≦３１であるプログラム方式３、
の３種類のプログラム方式を少なくとも含むこと、および
多層式記憶フラッシュメモリが使用され始める時、正常なプログラム方式を採用し、即ち、プログラムする時に多層式記憶フラッシュメモリブロックにおける全ての論理ページに対して書き込み操作を行うとともに、使用過程におけるエラー数を監視する工程と、
当該ブロックは使用過程においてエラーが第一の閾値に到達した時、コントローラはプログラム方式１を採用して多層式記憶フラッシュメモリに対してプログラム操作を行うとともに、続いて多層式記憶フラッシュメモリのエラー数を監視する工程と、
次の使用過程において、当該ブロックは使用過程におけるエラーが増加して第二の閾値に到達した時、コントローラのプログラム方式がプログラム方式１からプログラム方式２に切り替えられるとともに、続いてフラッシュメモリのエラー状況を監視する工程を備えること、
を特徴とするフラッシュメモリコントローラにより操作が完成される多層式記憶フラッシュメモリアレイのプログラム方式。
【請求項２】
前記プログラム方式２に切り替え、続いて多層式記憶フラッシュメモリに対してプログラム操作を行う過程において、エラー数が続いて増加して第三の閾値に到達した時、コントローラはプログラム方式３を採用してプログラムし、即ち、最適な方式で多層式記憶フラッシュメモリに対して操作を行う工程
を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の多層式記憶フラッシュメモリアレイプログラム方式の切替制御方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月29日(2016.6.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼科用レンズの製造プロセスを制御するための、コンピュータ計算手段によって実行される方法であって、
（i）基準面に対する前記眼科用レンズの被製造導出面の相対位置を規定する少なくとも６個の位置パラメータを決定するステップであって、
−  公称基準系で表される公称面であって、前記基準面に対する前記公称面の相対位置を規定する前記位置パラメータの公称値で製造されるべき理論的導出面に対応している公称面を提供する公称面提供ステップ（Ｓ１）と、
−  前記公称基準系で表される前記被製造導出面の被測定面を提供する被測定面提供ステップ（Ｓ２）と、
−  少なくとも１つの変形調整パラメータによって規定された少なくとも１つの変形面を提供する変形面提供ステップ（Ｓ３）と、
−  前記被測定面と前記変形面とを加えることによって被構成面を決定する被構成面決定ステップ（Ｓ４）と、
−  前記公称面と前記被構成面との間の差を最小限にすることによって、前記位置パラメータ及び少なくとも１つの変形パラメータを決定するパラメータ決定ステップ（Ｓ５）と、を含むステップ、を含み、
（ii）前記６個の位置パラメータを使用することによって前記基準面に対して位置決めされた前記被測定面と前記公称面との間の差に対応する誤差面を決定する、誤差面決定ステップと、
（iii）前記誤差面を制御する制御ステップと、
を更に含む、方法。
【請求項２】
前記パラメータ決定ステップが更にゾーン決定ステップを含み、前記ゾーン決定ステップでは、対象のゾーンを前記公称面において決定し、且つ前記対象のゾーンにおける前記公称面と前記被構成面との間の差を最小限にすることによって、前記位置パラメータ及び前記変形パラメータを決定する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パラメータ決定ステップを、減衰最小二乗プロセスを使用して実行する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記被測定面を光学的測定によって決定する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記被製造導出面は非対称の導出面である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも６個のパラメータが３個の平行移動係数及び３個の回転係数を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記変形面が、球面パラメータ、円柱面パラメータ及び軸パラメータによって規定された球−円環面に対応する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記変形面が、軸パラメータ及び角度パラメータによって規定された直円錐に対応する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
レンズ製造プロセスの制御方法であって、
ｅ）製造装置を使用して、製造プロセスに従ってマスターレンズを製造するステップと、
ｆ）請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法によって、ステップａ）の前記マスターレンズの前記少なくとも１つの変形パラメータを決定するステップと、
ｇ）前記少なくとも１つの変形パラメータの値を記録するステップと、
ｈ）ステップａ）〜ｃ）を定期的に繰り返し、前記少なくとも１つの変形パラメータの進化を、時間を経て確認するステップと、
を含み、
前記レンズ製造プロセス中に使用された前記製造装置の少なくとも１つのパラメータの前記進化を、時間を経て確認し、且つ前記マスターレンズの前記少なくとも１つの変形パラメータの時間経過の前記進化は、前記製造装置の前記少なくとも１つのパラメータの時間経過の進化と関連している、方法。
【請求項１０】
製造装置を使用してレンズを製造する製造方法であって、
−  レンズブランクを提供するステップと、
−  前記レンズブランクをブロック化するステップと、
−  前記レンズブランクの少なくとも一方の面を表面仕上げするステップと、
を含む方法において、
前記製造方法を、請求項９に記載の方法によって確認することを特徴とする、方法。
【請求項１１】
前記方法が、眼下用累進レンズ表面仕上げプロセス、例えばデジタル表面仕上げプロセスを含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
データ処理装置用のコンピュータプログラム製品であって、前記データ処理装置にロードされると、前記データ処理装置に請求項１〜１１の何れか一項に記載の方法のステップを実行させる一連の命令を含むコンピュータプログラム製品。
【請求項１３】
請求項１２に記載のコンピュータプログラム製品の１つ以上の一連の命令を保持するコンピュータ可読媒体。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８９】
例えば、本発明人らは、球−円環変形面の球面パラメータ、円柱面パラメータ及び軸パラメータと、製造装置の中で光学レンズがブロック化される方法との間の相関関係を観察した。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年8月9日(2016.8.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
触媒を、３０容量％のエチレン、８．０容量％の酸素、３．０容量％の二酸化炭素、少量のエチルクロリドモデレーター及び窒素バラストを含むフィード混合物において、２０５℃、２２５℃、２４５℃及び２６５℃で操作した。各温度においてガス時間空間速度を、生成物流体が１．０容量％のＥＯ、２．０容量％のＥＯもしくは３．０容量％のＥＯを含むように変化させた。収集したすべてのデータについて、塩化物モデレーターは、目標生産量において最大のもしくは「最適化された」選択率を達成するように調整した。これらのデータをコンピューターにより曲線適合させてバニシング限界値即ち「０％ＥＯ」における選択率に近似させた。一連の全ての選択率データを図１に示す。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレンのエポキシ化に使用される担持された高選択性銀含有触媒の選択率を改善するための方法であって、
（ａ）スタートアップに続く始動期間の間、所望の処理量を達成するように、前記担持された高選択性銀含有触媒を含む触媒床を、ある濃度のエチレン（Ｅ１）、ある濃度の酸素（Ｏ１）、２．０容量％未満のある濃度の二酸化炭素（Ｃ１）及びある濃度の塩化物モデレーター（Ｍ１）を含むフィードガスと接触させるステップであって、２４０℃未満の第１の触媒運転温度Ｔ１が得られるものであるステップ；
（ｂ）エチレン濃度Ｅ１を、より低い新たな制約濃度Ｅ２に低下させること；及び／又は酸素濃度Ｏ１を、より低い新たな制約濃度Ｏ２に低下させること、及び／又は二酸化炭素濃度Ｃ１を、より高い新たな制約濃度Ｃ２に増加させることにより、フィード組成を調整し、並びに／あるいは塩化物モデレーターの濃度をより高い濃度もしくはより低い濃度に調整して、前記始動期間の間、特定の所望の処理量における運転しながら、特定の高選択率銀含有触媒に関する触媒の運転温度を、より高い触媒運転温度Ｔ２に引き上げるステップであって、Ｔ２はＴ１より５から３０℃高いステップであり；及び
（ｃ）触媒活性が自然に低下するのに合わせて、所望の処理量及び運転温度Ｔ２を維持するように、エチレン濃度を増加させ、及び／又は酸素濃度を増加させ、及び／又は二酸化炭素濃度を低下させてフィード組成を徐々に調整し、並びに／あるいはモデレーター組成を調整するステップ
を含む、方法。
【請求項２】
担持された高選択性銀含有触媒が、α−アルミナ担体上に銀及びレニウム促進剤を含む、請求項１の方法。
【請求項３】
担持された高選択性銀含有触媒は、さらに第１の共促進剤及び第２の共促進剤を含み、
担体上に堆積されたレニウム促進剤の量が、触媒の重量に対して１ミリモル／ｋｇより多く、
第１の共促進剤が、硫黄、リン、ホウ素、及びこれらの混合物から選択され、
第２の共促進剤が、タングステン、モリブデン、クロム及びこれらの混合物から選択される、
請求項２の方法。
【請求項４】
担持された高選択性銀含有触媒が、さらに、窒素、フッ素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、バナジウム、タリウム、トリウム、タンタル、ニオブ、ガリウム及びゲルマニウム並びにこれらの混合物からなる群から選択される別の元素を含む、請求項３の方法。
【請求項５】
担持された高選択性銀含有触媒の銀含有量が、１５０から５００ｇ・銀／ｋｇ・触媒である、請求項２の方法。
【請求項６】
触媒が、セシウム共促進剤、リチウム共促進剤及びタングステン共促進剤も含む、請求項５の方法。
【請求項７】
塩化物モデレーターが、エチルクロリド、ビニルクロリド、エチレンジクロリド及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１の方法。
【請求項８】
Ｔ２が、２４０から２５５℃である、請求項７の方法。
【請求項９】
Ｔ２が、２４０から２５０℃である、請求項７の方法。
【請求項１０】
ステップ（ｃ）に続いて、フィード組成が非制約運転のための所望の濃度に達した時点で、運転温度が徐々にＴ２を超えるレベルに上昇される、請求項２の方法。
【請求項１１】
ステップ（ｃ）に続いて、フィード組成がステップ（ａ）とおよそ同じ濃度に戻った時点で、運転温度が徐々にＴ２を超えるレベルに上昇される、請求項２の方法。
【請求項１２】
Ｔ２のレベルが、最適な暫定的運転温度を確立するための実験によって決定される、請求項２の方法。
【請求項１３】
ｉ）請求項１に記載の方法によりエチレンオキシドを調製し、
ｉｉ）エチレンオキシドを１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、１，２−カルボナート、もしくはアルカノールアミンに転化することを含む、１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、１，２−カルボナート、もしくはアルカノールアミンの調製方法。
【請求項１４】
炭酸化触媒の存在下に、エチレンオキシドを二酸化炭素と反応させて、エチレンカルボナートを含有する反応溶液を形成させる、請求項１３の方法。
【請求項１５】
反応溶液中のエチレンカルボナートを加水分解することによって、エチレンカルボナートを含有する反応溶液をエチレングリコール水溶液に転化する、請求項１４の方法。
【請求項１６】
エチレングリコール水溶液を蒸留して、精製されたエチレングリコール溶液を形成する、請求項１５の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年5月19日(2016.5.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一つに記載の接着テープと、熱可塑性プラスチック、ＥＰＤＭまたは他のゴム状材料から成る物体とを含む複合品を製造するための請求項１〜１３のいずれか一つに記載の両面接着テープの使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年9月7日(2016.9.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３７】
放射標識したＳｈＫ−１８６の類似体を用いたＡＤＭＥ試験の結果  ＳｈＫ−１８６は、２３位に単一のヨウ素化可能なチロシンを含有する。しかしながら、環内へのヨウ素の取り込みは、Ｋｖ１．３チャネルのポア領域内で相互作用することが予想され（Ｐｅｎｎｉｎｇｔｏｎ  ｅｔ  ａｌ．，Ｂｉｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ３５：１６４０７−１６４１１，１９９６）、薬物のチャネル結合特性の障害を引き起こす。したがって、ＤＯＴＡキレートのカルボン酸のうちの１つにペプチド結合を介して結合する６炭素リンカーでＳｈＫ−１９８のアミノ末端を修飾した（図２Ａ）。ＳｈＫ−２２１と表されるＤＯＴＡコンジュゲートは、インジウムまたはガドリニウムと容易に配位され（図２Ｂ〜Ｃ）、親分子の完全な活性を保持した（図３）。１１１Ｉｎで標識したＳｈＫ−２２１を調製し、皮下注射によりスプラーグドーリーラット（１．０ｍＣｉ、１００μｇ／ｋｇ）およびリスザル（０．８３ｍＣｉ、３５μｇ／ｋｇ）に投与した。ＨＰＬＣによって測定されたように、放射標識の効率は、一連の実験にわたり８９〜９８％の範囲であった。放射標識したＳｈＫ−２２１の体内分布は、ＳＰＥＣＴ画像により、投与後の最初の１時間、次いで、４、８、２４、４８、７２、１２０、および１６０時間目に連続的に評価した。検出システムのバックグラウンドレベルは、約０．１μＣｉ／ｍ３（最初の時点で約５ｎｇ／ｍ３のＳｈＫ−２２１、最後の時点では２６ｎｇ／ｍ３）であった。各走査後に血液試料を収集し、シンチレーションカウンターにより全血中の総放射活性を測定した。各時点でコンピュータ断層撮影を行い、放射標識と主要な解剖学的構造との共局在を可能にした。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｉｎ  ｖｉｖｏでの診断用途に好適な薬学的組成物であって、
配列Ｔｙｒ−ＡＥＥＡ−Ａｒｇ−Ｓｅｒ−Ｃｙｓ−Ｉｌｅ−Ａｓｐ−Ｔｈｒ−Ｉｌｅ−Ｐｒｏ−Ｌｙｓ−Ｓｅｒ−Ａｒｇ−Ｃｙｓ−Ｔｈｒ−Ａｌａ−Ｐｈｅ−Ｇｌｎ−Ｃｙｓ−Ｌｙｓ−Ｈｉｓ−Ｓｅｒ−Ｍｅｔ−Ｌｙｓ−Ｔｙｒ−Ａｒｇ−Ｌｅｕ−Ｓｅｒ−Ｐｈｅ−Ｃｙｓ−Ａｒｇ−Ｌｙｓ−Ｔｈｒ−Ｃｙｓ−Ｇｌｙ−Ｔｈｒ−Ｃｙｓ−ＮＨ２を有するＳｈＫポリペプチドの薬学的に許容される塩を含み、
前記ＳｈＫポリペプチドは、インジウム−１１１（Ｉｎ１１１）の１，４，７，１０−テトラアザシクロドデカン−１，４，７，１０−四酢酸（ＤＯＴＡ）−キレートまたはガドリニウム（Ｇｄ）のＤＯＴＡ−キレートを含む検出可能な標識に結合している、薬学的組成物。
【請求項２】
長期保存用に調合される、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項３】
滅菌ガラスバイアルに収容され、−７０℃で保存されるように指示される、請求項２に記載の薬学的組成物。
【請求項４】
請求項１に記載の薬学的組成物を収容する滅菌条件下で調製された少なくとも１つのガラスバイアルを備える、薬学的用途のための製造キットであって、前記ガラスバイアル内の前記薬学的組成物は、−７０℃で少なくとも６か月間安定であり、ヒトに投与するために前記薬学的組成物を希釈および調製するための指示書をさらに備える、製造キット。
【請求項５】
請求項１に記載の薬学的組成物を収容する少なくとも１つの滅菌注射器を備える、薬学的用途のための製造キットであって、前記注射器内の前記薬学的組成物は、−７０℃で少なくとも６か月間安定であり、前記薬学的組成物をヒトに投与するための指示書をさらに備える、製造キット。
【請求項６】
配列Ａｒｇ−Ｓｅｒ−Ｃｙｓ−Ｉｌｅ−Ａｓｐ−Ｔｈｒ−Ｉｌｅ−Ｐｒｏ−Ｌｙｓ−Ｓｅｒ−Ａｒｇ−Ｃｙｓ−Ｔｈｒ−Ａｌａ−Ｐｈｅ−Ｇｌｎ−Ｃｙｓ−Ｌｙｓ−Ｈｉｓ−Ｓｅｒ−Ｘａａ−Ｌｙｓ−Ｔｙｒ−Ａｒｇ−Ｌｅｕ−Ｓｅｒ−Ｐｈｅ−Ｃｙｓ−Ａｒｇ−Ｌｙｓ−Ｔｈｒ−Ｃｙｓ−Ｇｌｙ−Ｔｈｒ−Ｃｙｓ（配列番号１）を有するＳｈＫポリペプチドの薬学的に許容される塩を含み、前記ＳｈＫポリペプチドは、アニオン電荷を有する有機または無機化学物質に結合し、Ｃ末端は、酸またはアミドである、薬学的組成物であって、
前記組成物のｐＨは５〜７であり、かつ前記ＳｈＫポリペプチドを水性担体に溶解するのに有効な量の界面活性剤をさらに含む、薬学的組成物。
【請求項７】
滅菌ガラスバイアルに収容され、−７０℃で保存されるように指示される、請求項６に記載の薬学的組成物。
【請求項８】
皮下投与用に調合される、請求項６に記載の薬学的組成物。
【請求項９】
請求項６に記載の薬学的組成物を収容する滅菌条件下で調製された少なくとも１つのガラスバイアルを備える、薬学的用途のための製造キットであって、前記ガラスバイアル内の前記薬学的組成物は、−７０℃で少なくとも６か月間安定であり、ヒトに投与するために前記薬学的組成物を希釈および調製するための指示書をさらに備える、製造キット。
【請求項１０】
請求項６に記載の薬学的組成物を収容する少なくとも１つの滅菌注射器を備える、薬学的用途のための製造キットであって、前記注射器内の前記薬学的組成物は、−７０℃で少なくとも６か月間安定であり、前記薬学的組成物をヒトに投与するための指示書をさらに備える、製造キット。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月30日(2016.6.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
ＱＴ間隔は、幾つかの膜イオンチャンネル及びトランスポーターに関与する心室脱分極及び再分極の持続時間の測定値である。多くの場合において、遅延整流性Ｋ＋流（ＩＫｒ）（ヒト遅延整流性カリウムイオンチャネル遺伝子（ｈＥＲＧ）カリウムチャンネルに関与する）の阻害は、薬物により誘導されるＱＴ延長に繋がる。それ故、ｈＥＲＧチャンネルの阻害を用いて、化合物により誘導されるＱＴ延長のリスクを予測する。式Ｉの化合物は、好ましいｈＥＲＧチャンネル阻害特性を有する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月2日(2016.6.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
該技術の幾つかの実施形態は、ＧＬＳの下流に配置できるＸＹ型コレクタアームに取り付け可能なコレクタアームアダプタ（例えば図３Ａを参照）をさらに備える。このコレクタアームアダプタの機能は、ひとたび流体フローが常圧条件、例えば流体フローがロボットアームのコレクタ先端部を離れる位置を受けると、発生するエアロゾルを抑制および／または低減することである。例えばコレクタアーム・アダプタは、ＧＬＳを通過した後に、微量の残留量のＣＯ２（例えば０．００１％から１％、０．０１％から０．１％）がフローストリーム中に残存する場合に適切である。コレクタアームアダプタは、試料をコレクタラックに分散させる先端部を包囲するカバーを含む。コレクタアームアダプタは包囲部を形成して、複合ストリームがＧＬＳを通過した後に非圧縮性流体中に残った微量残留ＣＯ２の結果として発生し得るいずれの残存エアロゾルも捕捉する。ＧＬＳをコレクタアームアダプタに連結することにより、ストリームがコレクタを出るスペースとコレクタの下のコンテナとの間の、流体フローストリーム周囲の非常に限定された範囲内に、著しく縮小した規模でエアロゾルを十分に封じ込めることができる。幾つかの実施形態において、エアロゾルは完全に低減され、この設計では見ることができない。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超臨界流体クロマトグラフィーシステムであって、
圧縮性流体を含む第１のフローストリームを圧送するための第１のポンプ、
調節剤流体を含む第２のフローストリームを圧送するための第２のポンプであって、前記第１のポンプと並列になっている第２のポンプ、
複合フローストリーム中に位置するカラムであって、前記カラムが前記第１および第２のポンプの下流に位置して、前記複合フローストリームが前記第１のフローストリーム、前記第２のフローストリームおよび試料を含む、カラム、
前記カラムの下流に位置する検出器、
前記検出器の下流に位置する気液分離器であって、試料損失と交差汚染を回避するために、前記試料の大部分を保持しながら、前記圧縮性流体の大部分を排出し、残存フローとするように構成されている、気液分離器、
前記気液分離器の下流に位置するコレクタアーム、
前記コレクタアームに連結されたコレクタアームアダプタであって、前記残存フローが常圧条件にある場合に、エアロゾルを減少させるように構成されている、コレクタアームアダプタ、ならびに
前記気液分離器の後に位置する開放型ＸＹ型コレクタ、
を備える、超臨界流体クロマトグラフィーシステム。
【請求項２】
請求項１に記載の超臨界流体クロマトグラフィーシステムであって、前記開放型ＸＹ型コレクタに連結された、調節可能なコンテナラックをさらに備える、超臨界流体クロマトグラフィーシステム。
【請求項３】
請求項１に記載の超臨界流体クロマトグラフィーシステムであって、前記気液分離器がステンレス鋼、ポリマーまたはガラスから作製されている、超臨界流体クロマトグラフィーシステム。
【請求項４】
請求項１に記載の超臨界流体クロマトグラフィーシステムであって、前記気液分離器の上流に背圧調整器をさらに備える、超臨界流体クロマトグラフィーシステム。
【請求項５】
請求項１に記載の超臨界流体クロマトグラフィーシステムであって、前記圧縮性流体が二酸化炭素（ＣＯ２）である、超臨界流体クロマトグラフィーシステム。
【請求項６】
超臨界流体クロマトグラフィー（ＳＦＣ）で複数の試料を回収する方法であって、
圧縮性流体を含む第１のフローストリームを圧送するステップ、
非圧縮性流体を含む第２のフローストリームを圧送するステップ、
試料を前記第２のフローストリームに注入するステップ、
前記第１および第２のフローストリームを合せて複合フローストリームを形成するステップ、
前記フローストリームにＳＦＣ条件を受けさせるステップ、
前記複合フローストリームをクロマトグラフィーカラムに流すステップ、
気液分離器を使用して、前記圧縮性流体の少なくとも一部を前記複合フローストリームから除去することにより残存フローを形成するステップ、
および
コレクタアームおよび前記コレクタアームに連結されたコレクタアームアダプタであって、前記残存フローが常圧条件にある場合に、エアロゾルを減少させるように構成されている、コレクタアームアダプタを使用して、前記残存フローを、開放型ＸＹ型コレクタに送達するステップ
を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記圧縮性流体がＣＯ２である、方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法であって、前記試料のエアロゾル化が前記開放型ＸＹコレクタへの前記試料の回収中に防止される、方法。
【請求項９】
請求項６に記載の方法であって、前記圧縮性流体の少なくとも一部を前記複合フローストリームから除去するステップが、前記圧縮性流体の少なくとも９９％を除去することを含む、方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図５】
2014517323.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔に接触する近位側フランジ又は側と、遠位側対向面又は側とを有するマスクシールを含み、
前記マスクシールがさらに、上部と下部を含み、前記上部が前記下部に対して回動可能であり、前記上部が、鼻梁部と、第一の境界と第二の境界との間に位置付けられた、より低剛性の領域と、を含み、前記第一の境界が前記より低剛性の領域より高い剛性によって画定され、前記第二の境界が、前記より低剛性の領域より高い剛性によって画定されるマスクアセンブリであって、
前記第一の境界が前記第二の境界に向かって移動されると、前記マスクシールの前記下部に対する前記マスクシールの前記鼻梁部の移動を容易にするために、前記より低剛性の領域が１つの方向に曲がり、前記第一の境界が前記第二の境界に向かって移動し続けるに従い、前記顔に接触するフランジ又は側から離れるように大きさが増加する材料湾曲部を画定するマスクアセンブリ。
【請求項２】
前記第二の境界が、前記マスクシールの前記上部と前記下部との間に位置付けられる、請求項１に記載のマスクアセンブリ。
【請求項３】
前記マスクアセンブリが、前記マスクシールに対して高い剛性を有するマスクシールクリップをさらに含み、前記マスクシールクリップは、当該マスククリップシールが前記マスクシールから分離出来なくなるように、前記マスクシール内に一体にされている、請求項２に記載のマスクアセンブリ。
【請求項４】
前記マスクシールは、前記マスクシールクリップの上に多層射出成形で形成されている、請求項３に記載のマスクアセンブリ。
【請求項５】
前記第二の境界は、前記マスクシールクリップと、前記マスクシールの前記より低剛性の領域の間の前記マスクシールの部分に沿って画定されている、請求項３又は４に記載のマスクアセンブリ。
【請求項６】
前記マスクシールの前記上部は、前記マスクアセンブリを横切る回動軸回りで、前記マスクシールの前記下部に対して回動できる、請求項３乃至５の何れか１項に記載のマスクアセンブリ。
【請求項７】
前記マスクシールは、前記回動軸と前記マスクシールの第一の交差点から上方に前記マスクシールを通過し、再び下に向かって前記回動軸と前記マスクシールの第二の交差点まで延びるように画定された弧長を備え、
前記マスクシールの前記弧長は、前記第二の境界から前記第一の境界に向けて増加する、請求項６に記載のマスクアセンブリ。
【請求項８】
前記マスクシールは、少なくとも第一の弧長を有し、当該第一の弧長は、第一の弧長に隣接する前記マスクシールクリップの弧長よりも長い、請求項６又は７に記載のマスクアセンブリ。
【請求項９】
前記マスクシールの前記上部は、側面から見ると、前記回動軸から変化する半径を含み、前記半径は、前記顔に接触する近位側フランジ又は側から遠位側対向面又は側に向けて減少する、請求項６乃至８の何れか１項に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１０】
前記マスクシールクリップは、前記回転軸からの半径を含み、当該半径は、側面から見ると、前記マスクシールの半径よりも小さく、段差を形成する、請求項６乃至９の何れか１項に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１１】
前記マスクシールの前記上部は、前記回動軸よりも垂直方向に高い位置にある、請求項６乃至１０の何れか１項に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１２】
前記第一の境界が補強用構成要素に沿って画定される、請求項１に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１３】
前記補強用構成要素が、周囲の領域に比べて高い剛性を有する、前記マスクシールの前記上部によって画定されるバンドを含む、請求項１２に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１４】
前記バンドは、前記より剛性の低い領域と比べて増加した厚さを有する、前記マスクシールの前記上部の一部によって画定されており、前記バンドを画定する前記一部は、前記マスクシールを形成する材料と同一の材料によって形成されている、請求項１３に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１５】
前記より低剛性の領域が、前記第一の境界に対して薄い厚さで画定される、請求項１に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１６】
前記第二の境界が、小半径の角によって画定され、又は前記より剛性の低い領域に関して増加した厚さを有する前記マスクシールの一部によって画定されている、請求項１に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１７】
前記マスクシールの前記上部の前記材料湾曲部は、前記マスクアセンブリの外表面を覆って湾曲するように構成されている、請求項１乃至１６の何れか１項に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１８】
前記マスクシールの前記上部の前記材料湾曲部が、前記マスクシールの別の一部を覆って延びる、請求項１に記載のマスクアセンブリ。
【請求項１９】
前記マスクシールは、鼻梁領域及び口領域を取り囲むように構成され、
前記マスクシールの前記鼻梁領域部分は、前記鼻梁領域に及ぼされた力が一定に保たれ、かつ前記口領域に及ぼされた力が増加するように、前記マスクシールの前記下部に対して移動できるように構成されている、請求項１乃至１８の何れか１項に記載のマスクアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人のプライミング装置であって、
人が所定の行動を示す又は示すべきときを検出するための検出器と、
人に感覚的刺激を与えるための刺激ユニットと、
人が所定の行動を示すことが検出されたときに、人に感覚的刺激を与えるために、及び人が前記所定の行動を示すべきことが検出されたときに、同じ人に同じ前記感覚的刺激を与えるために、前記刺激ユニットを制御するための制御ユニットと、
を有する装置。
【請求項２】
前記検出器は、運動をする、スポーツをする、眠る、起きる、食べる、食べるのをやめる、又は働くこと、を含む行動のグループ中の、１以上の行動を検出する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記検出器は、人が、前記所定の行動を示す又は示すべきときを、生体計測信号又は行動信号の測定により検出する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記検出器は、人が、前記所定の行動を示す又は示すべきときを、人の行動計画又は予定表から自動的に検出する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
人に関する情報及び／又は前記所定の行動に関する情報を、受信及び／又は送信するためのインターフェースを更に有する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記所定の行動に関するパラメータを監視するためのセンサを更に有する、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記刺激ユニットは、人に、嗅覚刺激、味覚刺激、可聴刺激、視覚刺激、又は触覚刺激を含む感覚的刺激のセットのうちの、１以上の感覚的刺激のグループを与える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記刺激ユニットは、人が所定の行動を示すことが検出されたときに、前記刺激のグループから１以上の感覚的刺激のサブグループを無作為に選択して与える、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記制御ユニットは、各刺激、刺激のグループ又はサブグループの、前記所定の行動を引き出すことにおける有効性を評価する、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記制御ユニットは、人に、同じ人の異なる行動に対して、異なる感覚的刺激を与えるために、前記刺激ユニットを制御する、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
所定の行動に対する刺激の選択を可能とする、選択ユニットを更に有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記刺激ユニットは、
香料のセットを入れるための芳香容器、
芳香分配ユニット、及び
前記芳香分配ユニットによって分配される、前記芳香容器内の香料の配合を制御するための芳香制御ユニット
を有する芳香ユニットである、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記検出器は、運動検出器、具体的には、加速度計、画像処理ユニット、又はモーションセンサを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
人のプライミング方法であって、
人が、所定の行動を示す又は示すべきときを検出するステップ、
人が所定の行動を示すことが検出されたときに、人に感覚的刺激を与えるステップ、及び
人が前記所定の行動を示すべきことが検出されたときに、同じ人に同じ前記感覚的刺激を与えるステップ
を有する方法。
【請求項１５】
コンピュータプログラムであって、前記コンピュータプログラムがコンピュータ上で実行されるときに、前記コンピュータに、請求項１４に記載の方法の前記ステップを実行させるための、プログラム・コード手段を有する、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月16日(2016.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザーインターフェイスサービスサーバーであって、
前記ユーザーインターフェイスサービスサーバー及びアプリケーションサーバーを通信可能に結合するアプリケーションサーバー通信インターフェイスであって、アプリケーションを実行する前記アプリケーションサーバーからアプリケーションデータを受け取るように構成される、アプリケーションサーバー通信インターフェイスと、
前記ユーザーインターフェイスサービスサーバー及びクライアントデバイスを通信可能に結合するクライアントデバイス通信インターフェイスであって、
前記クライアントデバイス上で前記アプリケーションのためのデバイス依存のユーザーインターフェイスをレンダリングするために、制御構造の情報を前記クライアントデバイスに送り、前記制御構造の情報は、前記アプリケーションデータに基づき、前記デバイス依存のユーザーインターフェイスにおけるユーザーインターフェイスコントロールのレイアウトを規定し、
前記クライアントデバイス上の前記デバイス依存のユーザーインターフェイスとのインタラクションの指示を前記クライアントデバイスから受け取る
ように構成される、クライアントデバイス通信インターフェイスと、
前記受け取られた指示に基づき且つ前記制御構造の情報に対する追加の変更を特定するデルタを生成するように構成されるプロセッサーであって、前記クライアントデバイス通信インターフェイスは、前記クライアントデバイス上で前記デバイス依存のユーザーインターフェイスをレンダリングするために、前記デルタを前記クライアントデバイスに送るように構成される、プロセッサーと
を備えるユーザーインターフェイスサービスサーバー。
【請求項２】
前記制御構造の情報は、前記デバイス依存のユーザーインターフェイスのユーザーインターフェイスフローを規定する請求項１に記載のユーザーインターフェイスサービスサーバー。
【請求項３】
前記プロセッサーは、
前記インタラクションに少なくとも部分的に基づいてコマンドを生成し、
前記アプリケーションサーバー通信インターフェイスを利用して前記コマンドを前記アプリケーションサーバーに送り、
前記アプリケーションサーバーから受け取られる前記コマンドに対する応答に基づいて、前記デルタを生成する
ように構成される請求項１に記載のユーザーインターフェイスサービスサーバー。
【請求項４】
各々が異なるアプリケーションに関連付けられる複数の制御構造を格納するデータストアをさらに備える請求項１に記載のユーザーインターフェイスサービスサーバー。
【請求項５】
ユーザーインターフェイス上のフィールドを特定する制御構造に基づいてクライアントデバイス上で前記ユーザーインターフェイスをレンダリングするためのデバイス依存の命令を生成するように構成される、ユーザーインターフェイスコンポーネントと、
前記デバイス依存の命令を前記クライアントデバイスに送り、前記フィールドの値の変化の指示を前記クライアントデバイスから受け取るように構成される通信インターフェイスと、
コンピューターのコンポーネントであり、前記値の変化に少なくとも部分的に基づいて前記フィールドの状態の変化を特定する状態情報を生成するように構成される、プロセッサーであって、前記通信インターフェイスは、前記変化した状態を持つ前記フィールドを有する前記ユーザーインターフェイスをレンダリングするために、前記状態情報を前記クライアントデバイスに送るように構成される、プロセッサーと
を備えるコンピューターによって実施されるシステム。
【請求項６】
前記制御構造は、ビジネスロジックに少なくとも部分的に基づいて、前記ユーザーインターフェイスのページのフローを特定する請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記プロセッサーは、アプリケーションサーバーに送られる作成、読み取り、更新、及び削除コマンドを生成する請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
クライアントデバイス上でユーザーインターフェイスを生成する際に前記クライアントデバイスによって利用されるように構成される制御構造の指示を前記クライアントデバイスに送るステップであって、前記制御構造は前記ユーザーインターフェイス上のユーザーインターフェイスコントロールのレイアウトを規定する、ステップと、
前記ユーザーインターフェイスとのインタラクションの指示を前記クライアントデバイスから受け取るステップと、
前記インタラクションの指示に応答して、前記制御構造とは別個であって、前記ユーザーインターフェイスコントロールのレイアウトに対する追加の変更又は前記ユーザーインターフェイスのフローに対する変更のうちの少なくとも１つを特定する、デルタを生成するために、コンピューターのコンポーネントであるプロセッサーを利用するステップと、
前記デルタを前記クライアントデバイスに送るステップと
を含む方法。
【請求項９】
前記ユーザーインターフェイスのフィールドに対する変更の指示を受け取るステップと、
前記フィールドの状態の変化を特定するデルタを送るステップと
をさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記インタラクションに応答して、コマンドを生成するステップと、
前記コマンドの指示をアプリケーションサーバーに送るステップと、
前記アプリケーションサーバーから受け取られる前記コマンドに対する応答に基づいて、前記デルタを生成するステップと
をさらに含む請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月1日(2016.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料アプリケーターにおいて、
粘性材料を回路基板上に堆積させる印刷装置と、
前記印刷装置に接続され複数のシステム構成要素を制御する制御装置とを具備し、
前記システム構成要素が前記印刷装置を作動させるオペレーティングシステム構成要素と、
前記オペレーティングシステム構成要素と、該オペレーティングシステム構成要素の能力を拡張する少なくとも１つのプラグインアプリケーションとの間でプリンター作動データを交換するリモートインターフェース構成要素とを含み、該材料アプリケーターは、粘性材料を回路基板上に堆積させるステンシルプリンターおよび前記粘性材料を前記回路基板上に堆積させる吐出機のうちの一方を含み、
前記制御装置は、前記少なくとも１つのプラグインアプリケーションから受信される前記プリンター作動データの一部分を用いて、前記材料アプリケーターの少なくとも１つの機能の動作を管理し、
前記制御装置は、更に、前記オペレーティングシステム構成要素と前記少なくとも１つのプラグインアプリケーションとの間の前記プリンター作動データの交換をアービトレートする材料アプリケーター。
【請求項２】
材料アプリケーターを作動させる方法において、
前記材料アプリケーターに作動的に接続された通信ネットワークを介して、前記材料アプリケーターと少なくとも１つのコンピューターとの間に少なくとも１つの仮想接続を確立することと、
前記材料アプリケーターと、前記少なくとも１つのコンピューター上で実行されるように構成された少なくとも１つのプラグインアプリケーションとの間で、前記少なくとも１つの仮想接続を通じてリアルタイムでプリンター作動データを交換することとを含み、
前記材料アプリケーターは、粘性材料を回路基板上に堆積させるステンシルプリンターおよび前記粘性材料を前記回路基板上に堆積させる吐出機のうちの一方を含んでおり、
該方法は、更に、前記少なくとも１つのプラグインアプリケーションから受信される前記プリンター作動データの一部分を用いて、前記材料アプリケーターの少なくとも１つの機能の動作を管理することと、
前記オペレーティングシステム構成要素と前記少なくとも１つのプラグインアプリケーションとの間の前記プリンター作動データの交換をアービトレートすることとを更に含む材料アプリケーターを作動させる方法。