【手続補正書】
【提出日】平成28年6月6日(2016.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超紫外線（ＥＵＶ）レチクルの検査方法であって、
パターンが前記ＥＵＶレチクル上に形成される前に、前記ＥＵＶレチクル上のそれぞれの位相欠陥の位置を特定する、前記ＥＵＶレチクルの位相欠陥マップを得るために電磁波形を検出する検査工具を使用することと、
前記ＥＵＶレチクル上に前記パターンが形成された後に、前記位相欠陥マップにおいて特定するそれぞれの位相欠陥のそれぞれの位置に近接する、それぞれのレチクル部分の画像を得るために荷電粒子検査工具を使用することと、
前記パターンが前記ＥＵＶレチクル上に形成された後に、前記ＥＵＶレチクル上のそれぞれのパターン欠陥の位置を特定する、前記ＥＵＶレチクルのパターン欠陥マップを得るために荷電粒子検査工具を使用することと、
を含む、方法。
【請求項２】
フォトリソグラフィプロセスにおいて前記ＥＵＶレチクルを使用する前に、前記位相欠陥マップおよび前記パターン欠陥マップに基づく、前記ＥＵＶレチクル上のそれぞれのパターン欠陥および位相欠陥から生じる露光パターンを模擬することと、
フォトリソグラフィプロセスにおいて前記ＥＵＶレチクルを使用する前に、１つ以上のパターンまたは位相欠陥が、前記ＥＵＶレチクルで製作される装置において問題を引き起こすと予測されるかどうか、および、かかる問題が前記ＥＵＶレチクルの前記パターンを変更することによって軽減し得るかどうかを決定するために前記模擬露光パターンを分析することであって、前記模擬露光パターンを模擬および分析することが、前記ＥＵＶレチクルを製作するために利用された設計データベースの使用を伴わずに実施される、分析することと、
１つ以上のパターンまたは位相欠陥が、軽減し得る問題を引き起こすと予測される場合、前記問題を軽減するために前記ＥＵＶレチクルの前記パターンを変更することと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記それぞれの位相欠陥の位置が検査工具の第１のステージ座標系を基準とし、前記それぞれのパターン欠陥の位置が前記荷電粒子検査工具の第２のステージ座標系を基準とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１および第２のステージ座標系が、前記ＥＵＶレチクルの複数の基準マークに基づく、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記パターン欠陥マップが、前記ＥＵＶレチクルをフォトリソグラフィプロセスにおいて使用するときに同一露光パターンになるように設計し、前記フォトリソグラフィプロセスの少なくともフレア効果を補償するように設計する、レチクル部分間の設計差異を補償することによって得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記パターン欠陥マップが、前記ＥＵＶレチクルをわたって同時に走査する前記荷電粒子検査工具の複数のビームによって得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のビームが２５より多い数を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ＥＵＶレチクル上に前記パターンを形成する前に、前記ＥＵＶレチクル上の前記パターンを形成するために使用し得る、設計パターンに関して前記位相欠陥マップによって特定する複数の位相欠陥のそれぞれの位置を、かかる位相欠陥が前記ＥＵＶレチクルで製作する装置において、それが前記設計パターンでパターン化された後に問題を引き起こすと予測されるかどうか、およびかかる問題が、前記ＥＵＶレチクルの前記設計パターンを変更することによって軽減し得るかどうかを決定するために分析することと、
１つ以上の位相欠陥が軽減し得る問題を引き起こすと予測される場合、前記問題を軽減するために、前記ＥＵＶレチクル上にパターンを形成するため、前記設計パターンを変更することと、前記変更した設計パターンを使用することと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
レチクルを検査するための系であって、
非パターン化ＥＵＶレチクルを検査し、複数の位相欠陥および前記ＥＵＶレチクル上のそれらの関連する位置を特定する位相欠陥マップを生成するように構成される電磁波形を検出する検査工具と、
レチクルパターンがかかるＥＵＶレチクル上に形成された後に前記ＥＵＶレチクルを検査し、複数のパターン欠陥および前記ＥＵＶレチクル上のそれらの関連する位置を特定するパターン欠陥マップを得るように構成され、それぞれの位相欠陥の前記ＥＵＶレチクル上の関連する位置で画像を得るようにさらに構成される、前記荷電粒子検査工具と、
を含む、系。
【請求項１０】
前記荷電粒子検査工具の一部を形成する分析器と、
を含み、前記分析器は、１つ以上のパターンまたは位相欠陥が、前記ＥＵＶレチクルで製作される装置において問題を引き起こすかどうかを予想するために前記位相欠陥マップ及び前記パターン欠陥マップを分析するように構成される、請求項９に記載の系。
【請求項１１】
前記荷電粒子検査工具および前記検査工具が、統合クラスタ系の形態である、請求項９に記載の系。
【請求項１２】
前記荷電粒子検査工具が、複数のビームカラムを形成するように構成され、１つ以上のパターンまたは位相欠陥が軽減し得る問題を引き起こすと予測される場合、前記ＥＵＶレチクルを修正するためのレチクル修正工具をさらに含む、請求項９に記載の系。
【請求項１３】
前記ビームカラムが、前記ビームカラムのそれぞれにレンズ場を製造するために大規模Ｂ場を混乱させる複数のボアを有する磁束バイパスプレートを使用することによって形成され、前記荷電粒子検査工具が複数のボアを有する前記磁束バイパスプレートを含む、請求項１２に記載の系。
【請求項１４】
前記荷電粒子検査工具が、２５個より多いビームカラムを形成するように構成される、請求項１２に記載の系。
【請求項１５】
前記それぞれの位相欠陥の位置が、前記検査工具の第１のステージ座標系を基準とし、前記それぞれのパターン欠陥の位置が、前記荷電粒子検査工具の第２のステージ座標系を基準とし、前記第１および第２のステージ座標系が前記ＥＵＶレチクルの複数の基準マークに基づく、請求項９に記載の系。
【請求項１６】
ＥＵＶレチクルの検査結果をレビューするための装置であって、
画像を表示するためのディスプレイと、
コントローラであって、以下の操作：
パターンがＥＵＶレチクル上で形成される前に得られた、前記ＥＵＶレチクル上のそれぞれの位相欠陥の位置を特定する、前記ＥＵＶレチクルの位相欠陥マップを受信することと、
前記ディスプレイ上に、前記位相欠陥マップにおいて特定するそれぞれの位相欠陥のそれぞれの位置に近接するそれぞれのレチクル部分の画像を表示することと、
前記パターンが前記ＥＵＶレチクル上に形成された後、前記ＥＵＶレチクル上のそれぞれのパターン欠陥の位置を特定する、前記ＥＵＶレチクルのパターン欠陥マップを得ることと、
を実施するように構成されるコントローラと、を含む、装置。
【請求項１７】
前記パターン欠陥マップを、前記ＥＵＶレチクルを修正するかまたは廃棄するかどうかを決定するために、前記位相欠陥マップおよびそれぞれの位相欠陥のそれぞれの位置に近接するそれぞれのレチクル部分の１つ以上の画像と関連して分析することと、を実施するようにさらに構成され、
前記分析操作が、
フォトリソグラフィプロセスにおいて前記ＥＵＶレチクルを使用する前に、前記位相欠陥マップおよび前記パターン欠陥マップに基づく、前記ＥＵＶレチクル上のそれぞれのパターン欠陥および位相欠陥から生じ得る露光パターンを模擬することと、
フォトリソグラフィプロセスにおいて前記ＥＵＶレチクルを使用する前に、１つ以上のパターンまたは位相欠陥が、前記ＥＵＶレチクルで製作する装置において問題を引き起こすと予測されるかどうか、および、かかる問題が前記ＥＵＶレチクルの前記パターンを変更することによって軽減し得るかどうかを決定するために、前記模擬露光パターンを分析することであって、前記模擬露光パターンの模擬および分析が、前記ＥＵＶレチクルを製作するために利用された設計データベースの使用を伴わずに実施される、分析することと、をさらに含む、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記それぞれの位相欠陥の位置が、検査工具の第１のステージ座標系を基準とし、前記それぞれのパターン欠陥の位置が、前記荷電粒子検査工具の第２のステージ座標系を基準とし、前記第１および第２のステージ座標系が前記ＥＵＶレチクルの複数の基準マークに基づく、請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】
前記パターン欠陥マップが、前記ＥＵＶレチクルをフォトリソグラフィプロセスにおいて使用するときに同一露光パターンになるように設計し、前記フォトリソグラフィプロセスの少なくともフレア効果を補償するように設計する、レチクル部分間の設計差異を補償することによって得られる、請求項１６に記載の装置。
【請求項２０】
荷電粒子検査工具の形態の前記装置が、前記ＥＵＶレチクルをわたって同時に走査するための複数のカラムを形成するように構成される、請求項１６に記載の装置。
【請求項２１】
前記複数のカラムが２５より多い数を有する、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記複数のカラムが、前記ビームカラムのそれぞれにレンズ場を製造するために大規模Ｂ場を混乱させる複数のボアを有する磁束バイパスプレートを使用することによって形成され、前記荷電粒子検査工具が複数のボアを有する前記磁束バイパスプレートを含む、請求項２１に記載の装置。