【手続補正書】
【提出日】平成28年2月5日(2016.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素およびラクチド含有ブロックコポリマーを合成する方法であって、
ａ．第１および第２のモノマーを準備するステップであって、前記第１のモノマーがケイ素原子を含み、前記第２のモノマーが、重合することができるケイ素を欠いた、ラクチドベースのモノマーであるステップ；
ｂ．前記第２のモノマーの反応性ポリマーが形成されるような条件下で前記第２のモノマーを処理するステップ；
ｃ．前記ケイ素含有ブロックコポリマーが合成されるような条件下で、前記第１のモノマーを、前記第２のモノマーの前記反応性ポリマーと反応させるステップを含み、ならびにｄ．両ブロックのガラス転移が室温より上である方法。
【請求項２】
前記ブロックの少なくとも１つが架橋性である、請求項１に記載の製品。
【請求項３】
第３のモノマーが準備され、前記ブロックコポリマーがトリブロックコポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ブロックコポリマーが、リソグラフィックパターニングプロセスにおいてエッチングマスクとして使用することができるナノ構造材料を形成する、請求項１に記載の製品。
【請求項５】
前記ブロックコポリマーが、ラクチドの少なくとも１つのブロックと、少なくとも１０重量％のケイ素を有する、ケイ素含有ポリマーまたはオリゴマーの少なくとも１つのブロックとで構成される、請求項４に記載の製品。
【請求項６】
前記ブロックコポリマーがエンドキャップされる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ブロックコポリマーが官能基でエンドキャップされる、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ブロックコポリマーが、エチレンオキシドとの反応により、ヒドロキシル官能基でエンドキャップされる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ブロックの１つがポリトリメチルシリルスチレンである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のモノマーがトリメチルシリルスチレンである、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のモノマーがケイ素含有メタクリレートである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のモノマーがメタクリルオキシメチルトリメチルシランである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２のモノマーがラクチドである、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２のモノマーがＤＬ−ラクチドである、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
ｆ）基材を前記ブロックコポリマーでコーティングして、ブロックコポリマー膜を作るステップ、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記基材がケイ素を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記基材がシリコンウェハーである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記基材が、２つのブロックのエネルギーの間の表面エネルギーを有する基材表面エネルギー中和層でコーティングされる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記基材表面エネルギー中和層が、
（ａ）高Ｔｇポリマー、（ｂ）架橋ポリマー、（ｃ）蒸気蒸着したポリマー、例えば、パリレン、（ｄ）シリル化剤の小分子誘導体、および（ｅ）ポリマーを基材に末端付加させることによるポリマーブラシ
からなる群から選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
ｇ）ナノ構造が形成するような条件下で前記膜を処理するステップ、
をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記処理がアニーリングを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記アニーリングが溶媒蒸気への曝露による、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記アニーリングが加熱による、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記ナノ構造が、ラメラ、シリンダー、垂直に整列しているシリンダー、水平に整列しているシリンダー、球、ジャイロイド、ネットワーク構造、および階層ナノ構造からなる群から選択される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記ナノ構造がシリンダー状構造を含み、前記シリンダー状構造が前記表面の面に対して実質的に垂直に整列している、請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
前記処理が、前記コーティングされた表面をアセトン、ＴＨＦ、シクロヘキサン、または他の蒸散剤またはこれらの組合せの飽和雰囲気に曝露することを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】
前記表面がシリコンウェハー上にある、請求項１５に記載の方法。
【請求項２８】
前記基材が、ステップｆ）の前に、表面エネルギー中和層で前処理されていない、請求項１５に記載の方法。
【請求項２９】
前記基材が、ステップｆ）の前に、表面エネルギー中和層で前処理されている、請求項１５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のフィーチャーおよび利点をさらに完全に理解するため、付随する図と共に発明の詳細な説明についてここで言及する。
本発明の実施形態において、例えば以下の項目が提供される。
（項目１）
ケイ素およびラクチド含有ブロックコポリマーを合成する方法であって、
ａ．第１および第２のモノマーを準備するステップであって、前記第１のモノマーがケイ素原子を含み、前記第２のモノマーが、重合することができるケイ素を欠いた、ラクチドベースのモノマーであるステップ；
ｂ．前記第２のモノマーの反応性ポリマーが形成されるような条件下で前記第２のモノマーを処理するステップ；
ｃ．前記ケイ素含有ブロックコポリマーが合成されるような条件下で、前記第１のモノマーを、前記第２のモノマーの前記反応性ポリマーと反応させるステップを含み、ならびにｄ．両ブロックのガラス転移が室温より上である方法。
（項目２）
前記ブロックの少なくとも１つが架橋性である、項目１に記載の製品。
（項目３）
第３のモノマーが準備され、前記ブロックコポリマーがトリブロックコポリマーである、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記ブロックコポリマーが、リソグラフィックパターニングプロセスにおいてエッチングマスクとして使用することができるナノ構造材料を形成する、項目１に記載の製品。
（項目５）
前記ブロックコポリマーが、ラクチドの少なくとも１つのブロックと、少なくとも１０重量％のケイ素を有する、ケイ素含有ポリマーまたはオリゴマーの少なくとも１つのブロックとで構成される、項目４に記載の製品。
（項目６）
前記ブロックコポリマーがエンドキャップされる、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記ブロックコポリマーが官能基でエンドキャップされる、項目６に記載の方法。
（項目８）
前記ブロックコポリマーが、エチレンオキシドとの反応により、ヒドロキシル官能基でエンドキャップされる、項目７に記載の方法。
（項目９）
ｅ）前記ケイ素含有ブロックコポリマーを沈殿させるステップ、をさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目１０）
前記ケイ素含有ブロックコポリマーがメタノール中に沈殿される、項目９に記載の方法。
（項目１１）
前記ブロックの１つがポリトリメチルシリルスチレンである、項目１に記載の方法。
（項目１２）
前記第１のモノマーがトリメチルシリルスチレンである、項目１に記載の方法。
（項目１３）
前記第１のモノマーがケイ素含有メタクリレートである、項目１に記載の方法。
（項目１４）
前記第１のモノマーがメタクリルオキシメチルトリメチルシランである、項目１３に記載の方法。
（項目１５）
前記第２のモノマーがラクチドである、項目１に記載の方法。
（項目１６）
前記第２のモノマーがＤＬ−ラクチドである、項目１に記載の方法。
（項目１７）
ｆ）基材を前記ブロックコポリマーでコーティングして、ブロックコポリマー膜を作るステップ、をさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目１８）
前記基材がケイ素を含む、項目１７に記載の方法。
（項目１９）
前記基材がシリコンウェハーである、項目１８に記載の方法。
（項目２０）
前記基材がクオーツである、項目１７に記載の方法。
（項目２１）
前記基材がガラスである、項目１７に記載の方法。
（項目２２）
前記基材がプラスチックである、項目１７に記載の方法。
（項目２３）
前記基材が透明な基材である、項目１７に記載の方法。
（項目２４）
前記基材がロールツーロール基材である、項目１７に記載の方法。
（項目２５）
前記基材が、２つのブロックのエネルギーの間の表面エネルギーを有する基材表面エネルギー中和層でコーティングされる、項目１７に記載の方法。
（項目２６）
前記基材表面エネルギー中和層が、
（ａ）高Ｔｇポリマー、（ｂ）架橋ポリマー、（ｃ）蒸気蒸着したポリマー、例えば、パリレン、（ｄ）シリル化剤の小分子誘導体、および（ｅ）ポリマーを基材に末端付加させることによるポリマーブラシ
からなる群から選択される、項目２５に記載の方法。
（項目２７）
ｇ）ナノ構造が形成するような条件下で前記膜を処理するステップ、
をさらに含む、項目１７に記載の方法。
（項目２８）
前記処理がアニーリングを含む、項目２７に記載の方法。
（項目２９）
前記アニーリングが溶媒蒸気への曝露による、項目２７に記載の方法。
（項目３０）
前記アニーリングが加熱による、項目２７に記載の方法。
（項目３１）
前記ナノ構造が、ラメラ、シリンダー、垂直に整列しているシリンダー、水平に整列しているシリンダー、球、ジャイロイド、ネットワーク構造、および階層ナノ構造からなる群から選択される、項目２７に記載の方法。
（項目３２）
前記ナノ構造が球状の構造を含む、項目２７に記載の方法。
（項目３３）
前記ナノ構造がシリンダー状構造を含み、前記シリンダー状構造が前記表面の面に対して実質的に垂直に整列している、項目２７に記載の方法。
（項目３４）
前記処理が、前記コーティングされた表面をアセトン、ＴＨＦ、シクロヘキサン、または他の蒸散剤またはこれらの組合せの飽和雰囲気に曝露することを含む、項目２７に記載の方法。
（項目３５）
前記表面がシリコンウェハー上にある、項目１７に記載の方法。
（項目３６）
前記表面がガラスである、項目１７に記載の方法。
（項目３７）
前記表面がクオーツである、項目１７に記載の方法。
（項目３８）
前記基材が、ステップｅ）の前に、表面エネルギー中和層で前処理されていない、項目１７に記載の方法。
（項目３９）
前記基材が、ステップｅ）の前に、表面エネルギー中和層で前処理されている、項目１７に記載の方法。
（項目４０）
第３のモノマーが準備され、前記ブロックコポリマーがトリブロックコポリマーである、項目１に記載の方法。
（項目４１）
項目２７に記載のプロセスに従い作製された膜。
（項目４２）
ａ．ケイ素およびラクチド含有ブロックコポリマーブロックコポリマーと、表面とを準備するステップ；
ｂ．前記ブロックコポリマーを前記表面上にスピンコーティングして、コーティングされた表面を作るステップ；ならびに
ｃ．ナノ構造が前記表面上に形成されるような条件下で、前記コーティングされた表面を処理するステップ
を含む、表面上にナノ構造を形成する方法。
（項目４３）
前記ナノ構造が、シリンダー状構造を含み、前記シリンダー状構造が表面の面に対して実質的に垂直に整列している、項目４２に記載の方法。
（項目４４）
前記処理が、前記コーティングされた表面をアセトンまたはＴＨＦの飽和雰囲気へ曝露することを含む、項目４２に記載の方法。
（項目４５）
前記表面がシリコンウェハー上にある、項目４２に記載の方法。
（項目４６）
前記表面がガラスである、項目４２に記載の方法。
（項目４７）
前記表面がクオーツである、項目４２に記載の方法。
（項目４８）
前記表面が、ステップｂ）の前に、基材中和層で前処理されていない、項目４２に記載の方法。
（項目４９）
前記表面が、ステップｂ）の前に、架橋ポリマーで前処理される、項目４２に記載の方法。
（項目５０）
項目４２に記載のプロセスに従い作製された膜。
（項目５１）
ｅ）前記ナノ構造を含有する、コーティングされた表面をエッチングするステップ、をさらに含む、項目４２に記載の方法。