Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月18日(2016.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理装置から、第１アプリケーションから第２アプリケーションへの要求を送るステップと、
前記処理装置において、前記要求に対する応答を受け取るステップであって、前記応答は、前記第２アプリケーションによって信頼された認証発行元のリストを含む、ステップと、
前記処理装置において、前記第２アプリケーションによって信頼された認証発行元の前記リストを、前記第１アプリケーションに対して承認された認証発行元のリストと比較するステップと、
前記リスト間における認証発行元の一致を識別するステップと、
前記処理装置において、承認された認証発行元構成からのテナント識別子を用いて、認証発行元のためのトークンを組み立てるステップと、
前記トークンを用いて前記認証発行元から認証信任状を得るステップと、
前記処理装置において、前記認証信任状を用いて前記第２アプリケーションへの修正要求を生成するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記応答は、非認証要求を示す４０１応答であり、前記第２アプリケーションによって信頼された認証発行元の前記リストは、前記４０１応答のWWW-Authenticateヘッダで搬送される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
グローバル一意識別子（ＧＵＩＤ）を用いて、前記第２アプリケーションによって信頼された認証発行元が前記第１アプリケーションに対して承認された認証発行元と一致するか否かを判定するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
１組の入力パラメーターを生成するステップと、
前記入力パラメーターからのテナント識別子を用いて、認証発行元のためのトークンを組み立てるステップと、
を更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
承認された認証発行元構成に一致するグローバル一意識別子（ＧＵＩＤ）と、前記承認された認証発行元構成からのテナント識別子とを用いて、前記認証発行元のための自己発行トークンを作成するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記認証発行元から、前記自己発行トークンを用いて前記認証発行元によって生成された認証トークンを受け取るステップを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ハードウェア・プロセッサー上で動作しているアプリケーションにおいて、領域パラメーターとアプリケーション識別子パラメーターとを有するヘッダを備えた応答をパートナー・アプリケーションから受け取るステップと、
前記パートナー・アプリケーションの識別子を前記領域パラメーターと連結して連結値を生成するステップと、
前記連結値が構成されたパートナー・アプリケーションのリスト中のエントリーと一致するか否かを判定するステップと、
一致が存在することを判定したことに応答して、前記パートナー・アプリケーションまたは認証発行元のための自己発行トークンを生成するステップと、
を含む方法。
【請求項８】
一致が存在しないことを判定したことに応答して、前記応答の中の領域値が構成された認証発行元と一致するか否かを判定するステップと、
テナント識別子を用いて前記認証発行元のための自己発行トークンを生成するステップと、
を更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記自己発行トークンは、前記認証発行元によって用いられて認証トークンを生成するように適合されている、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
パートナー・アプリケーションと承認された認証発行元を識別するようにアプリケーションを構成するステップを更に含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
承認された認証発行元構成は、前記承認された認証発行元に対するグローバル一意識別子（ＧＵＩＤ）を識別するが、アプリケーションがオンライン・インストール向けに構成されている場合はテナント識別子を識別しない、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
承認された認証発行元構成は、前記承認された認証発行元に対するグローバル一意識別子（ＧＵＩＤ）を識別し、アプリケーションが構内インストール向けに構成されている場合はテナント識別子を識別する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
１または複数のプロセッサーと、
システム・メモリーと、
コンピューター実行可能命令が格納された１または複数のコンピューター読み取り可能記憶媒体と、を備え、
前記コンピューター実行可能命令は、前記１または複数のプロセッサーによって実行されると、認証信任状を生成するための方法を前記プロセッサーに実施させ、前記プロセッサーは、
第１アプリケーションから第２アプリケーションへの要求を送り、
前記要求に対する応答であって、前記第２アプリケーションによって信頼された認証発行元のリストを含む応答を受け取り、
前記第２アプリケーションによって信頼された認証発行元の前記リストを、前記第１アプリケーションに対して承認された認証発行元のリストと比較し、
両方のリストに一致する認証発行元を識別し、
承認された認証発行元構成からのテナント識別子を用いて、認証発行元のためのトークンを組み立て、
前記トークンを用いて前記認証発行元から認証信任状を取得し、
前記認証信任状を用いて前記第２アプリケーションへの修正要求を生成する、
ように動作する、コンピューター・システム。
【請求項１４】
前記応答は、非認証要求を示す４０１応答であり、前記第２アプリケーションによって信頼された認証発行元の前記リストは、前記４０１応答のWWW-Authenticateヘッダで搬送され、
前記プロセッサーは、更に、
グローバル一意識別子（ＧＵＩＤ）を用いて、前記第２アプリケーションによって信頼された認証発行元が前記第１アプリケーションに対して承認された認証発行元と一致するか否かを判定し、
承認された認証発行元構成からのテナント識別子を用いて、認証発行元のためのトークンを組み立てる、
ように動作する、請求項１３に記載のコンピューター・システム。
【請求項１５】
前記応答は、非認証要求を示す４０１応答であり、前記第２アプリケーションによって信頼された認証発行元の前記リストは、前記４０１応答のWWW-Authenticateヘッダで搬送され、
前記プロセッサーは、更に、
グローバル一意識別子（ＧＵＩＤ）を用いて、前記第２アプリケーションによって信頼された認証発行元が前記第１アプリケーションに対して承認された認証発行元と一致するか否かを判定し、
１組の入力パラメーターを生成し、
前記入力パラメーターからのテナント識別子を用いて、認証発行元のためのトークンを組み立てる、
ように動作する、請求項１３に記載のコンピューター・システム。
【請求項１６】
前記プロセッサーは、更に、自己発行トークンを用いて前記認証発行元によって生成された認証トークンを前記認証発行元から受け取るように動作する、請求項１３に記載のコンピューター・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月15日(2016.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性粒子を用いた表示方法であって、
（ａ）磁性を有し、かつ所定のカラーを有する複数の粒子が溶媒に分散した状態で、前記複数の粒子に対して第１の磁場を印加して、前記複数の粒子を前記第１の磁場の方向と平行な方向に整列させることによって複数の粒子鎖を形成するステップと、
（ｂ）前記形成された複数の粒子鎖のうちの少なくとも一部に対して第２の磁場を印加し、前記複数の粒子鎖のうちの少なくとも一部を前記第２の磁場の印加される領域の表示面に近い方向に移動させることによって、前記表示面で前記所定のカラーを表示するステップとを含むことを特徴とする、磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項２】
前記複数の粒子は、強磁性物質を含み、
前記（ａ）ステップにおいて、前記第１の磁場が遮断されても、前記強磁性物質によって前記複数の粒子のそれぞれに形成された残留磁極により、前記複数の粒子鎖を維持するようにしたことを特徴とする、請求項１記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項３】
前記（ｂ）ステップにおいて、前記第２の磁場の強度、方向、印加時間、印加速度および磁力線のパターンのうちの少なくとも１つを調節して、前記第２の磁場の印加される領域の表示面に近い方向に移動する粒子鎖の、前記表示面との距離および前記表示面との角度のうちの少なくとも１つを変更することによって、前記表示面で表示される前記所定のカラーの明暗度を調整するようにしたことを特徴とする、請求項１記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項４】
前記複数の粒子が、飽和磁化値が互いに異なり、かつカラーが互いに異なる少なくとも２種類の粒子を含み、
前記（ｂ）ステップにおいて、前記第２の磁場の強度に応じて前記第２の磁場の印加される領域の表示面に近い方向に移動する粒子鎖の種類が異なるようにすることによって、前記表示面で表示されるカラーが異なるようにしたことを特徴とする、請求項１記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項５】
カラーが互いに異なる少なくとも２種類の粒子をそれぞれ含む少なくとも２つのセルを垂直に積層させ、前記少なくとも２つのセルに対して印加される前記第２の磁場の強度に応じて前記表示面に近い方向に移動する粒子鎖の種類が異なるようにすることによって、前記表示面で表示されるカラーが異なるようにしたことを特徴とする、請求項１記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項６】
カラーが互いに異なる少なくとも２種類の粒子をそれぞれ含む少なくとも２つのセルを水平に配列させ、前記少なくとも２つのセルに対して前記第２の磁場を独立的に印加することによって、前記表示面に近い方向に移動する粒子鎖の種類を前記少なくとも２つのセルごとに独立して調整するようにしたことを特徴とする、請求項１記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項７】
前記溶媒内における前記複数の粒子鎖の移動抵抗を調整することによって、前記（ｂ）ステップで前記第２の磁場が遮断された後も、前記第２の磁場が印加されていた領域の表示面に近い方向に移動していた粒子鎖の配列状態を所定範囲内で所定時間以上維持するようにしたことを特徴とする、請求項１記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項８】
前記溶媒の粘度、前記溶媒の比重および前記粒子の比重のうちの少なくとも１つを調節するか、または前記溶媒に添加剤を添加することによって、前記溶媒内における前記複数の粒子鎖の移動抵抗を調整するようにしたことを特徴とする、請求項１記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項９】
（ｃ１）前記表示面における前記第２の磁場の方向、強度、印加時間、印加速度および磁力線のパターンのうちの少なくとも１つを変化させ、前記（ｂ）ステップで前記第２の磁場が印加されていた領域の表示面に近い方向に移動していた粒子鎖を不規則に配列させることによって、前記表示面のうちの、前記変化が発生する領域でのみ前記所定のカラーの明暗度を低くするステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項１０】
（ｃ２）第３の磁場を印加して、前記複数の粒子鎖を前記表示面から遠い方向に移動させることによって、前記表示面で表示される前記所定のカラーの明暗度を低くするステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項１１】
前記複数の粒子および前記溶媒を光透過性媒質によってカプセル化し、フィルム形態に加工したことを特徴とする、請求項１記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項１２】
前記複数の粒子が、表面に互いに同じ符号の電荷を有し、かつ
前記（ｂ）ステップにおいて、電場をさらに印加し、前記複数の粒子鎖のうちの少なくとも一部を前記電場の印加される領域の表示面に近い方向に移動させるか、または前記表示面から遠い方向に移動させることによって、前記表示面で表示される前記所定のカラーの明暗度を調整するようにしたことを特徴とする、請求項１記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項１３】
前記（ｂ）ステップにおいて、前記表示面上に備えられたタッチセンサから入力される信号を参照して前記電場のパターンを調節することによって、前記表示面で表示される前記所定のカラーの明暗度を調整するようにしたことを特徴とする、請求項１２記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項１４】
（ｄ）光学スキャン技術を利用して、前記表示面で表示される前記所定のカラーに関する情報をコンピュータ読み取り可能な形態の情報に変換するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の磁性粒子を用いた表示方法。
【請求項１５】
磁性粒子を用いた表示装置であって、
磁性を有し、かつ所定のカラーを有する複数の粒子と、
前記複数の粒子が分散した溶媒と、
前記粒子および前記溶媒に対して第１の磁場を印加する第１の磁場印加部と、
前記粒子および前記溶媒に対して第２の磁場を印加する第２の磁場印加部とを含み、
前記第１の磁場印加部により、前記溶媒中に分散した状態の前記複数の粒子に対して第１の磁場を印加して、前記複数の粒子を前記第１の磁場の方向と平行な方向に整列させることによって複数の粒子鎖を形成し、
前記第２の磁場印加部により、前記形成された複数の粒子鎖のうちの少なくとも一部に対して第２の磁場を印加して、前記複数の粒子鎖のうちの少なくとも一部を前記第２の磁場の印加される領域の表示面に近い方向に移動させることによって、前記表示面で前記所定のカラーが表示されるように構成したことを特徴とする、磁性粒子を用いた表示装置。
【請求項１６】
磁性粒子を用いたフィルムであって、
磁性を有し、かつ所定のカラーを有する複数の粒子と、
前記複数の粒子が分散した溶媒とを含み、
前記溶媒中に分散した状態の前記複数の粒子に対して第１の磁場が印加されると、前記複数の粒子が前記第１の磁場の方向と平行な方向に整列して複数の粒子鎖を形成し、
前記形成された複数の粒子鎖のうちの少なくとも一部に対して第２の磁場が印加されると、前記複数の粒子鎖のうちの少なくとも一部が前記第２の磁場の印加される領域の表示面に近い方向に移動し、これにより、前記表示面で前記所定のカラーが表示されるように構成したことを特徴とする、磁性粒子を用いたフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月13日(2016.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチスクリーンディスプレイであって、
可視イメージを提供するためのディスプレイモニタと、
超音波エネルギ波を放出するとともに反射された超音波エネルギを検出することが可能な超音波装置と、を備え、
前記超音波装置の超音波受信機は、前記ディスプレイモニタのピクセルを全体的に構成する光放出素子のグループ内に配置される、タッチスクリーンディスプレイ。
【請求項２】
各ピクセルは、超音波センサセルおよび３つの光放出セルのグループからなる請求項１記載のタッチスクリーンディスプレイ。
【請求項３】
前記ディスプレイモニタは、前記可視イメージを供給するための有機光放出ダイオードを含む請求項１または２記載のタッチスクリーンディスプレイ。
【請求項４】
前記ディスプレイモニタは、前記可視イメージを供給するための液晶ディスプレイを含む請求項１または２記載のタッチスクリーンディスプレイ。
【請求項５】
前記超音波装置は、前記超音波エネルギ波を放出するための圧電トランスミッタを含む請求項１〜４のいずれか一項記載のタッチスクリーンディスプレイ。
【請求項６】
前記超音波装置は、反射された超音波エネルギを検出するための圧電ハイドロホンアレイを含む請求項１〜５のいずれか一項記載のタッチスクリーンディスプレイ。
【請求項７】
前記超音波装置は、反射された超音波エネルギを検出するための薄膜トランジスタレシーバを含む請求項１〜６のいずれか一項記載のタッチスクリーンディスプレイ。
【請求項８】
前記ディスプレイモニタは層からなり、前記超音波装置は少なくとも１つの層からなり、前記超音波装置は前記ディスプレイモニタの前記層の１つに取り付けられる請求項１〜７のいずれか一項記載のタッチスクリーンディスプレイ。
【請求項９】
前記超音波装置は、前記ディスプレイモニタの内部層に取り付けられる請求項８記載のタッチスクリーンディスプレイ。
【請求項１０】
前記超音波装置は、反射された超音波エネルギを検出するための複数の受信機を含む請求項１〜９のいずれか一項記載のタッチスクリーンディスプレイ。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載のタッチスクリーンディスプレイと接触しているオブジェクトに関する情報を収集する方法であって、
超音波装置に、前記ディスプレイ装置の表面に向かって超音波エネルギ波を放出させることと、
前記表面から前記超音波エネルギの少なくともいくらかを反射することと、
前記反射された超音波エネルギを検出することと、を備える、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
［００２７］  本発明は、１つ以上の特定の実施形態について記述されたが、本願発明の精神および範囲から逸脱することなしに本発明の他の実施形態を作ることができることを理解されたい。すなわち、本発明は添付の特許請求の範囲およびそれの合理的な解釈のみによって限定されるべきである。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
タッチスクリーンディスプレイであって、
可視イメージを提供するためのディスプレイモニタと、
超音波エネルギ波を放出するとともに反射された超音波エネルギを検出することが可能な超音波装置と、を備えるタッチスクリーン装置。
［Ｃ２］
前記ディスプレイモニタは、前記可視イメージを供給するための光放出ダイオードを含むＣ１記載のタッチスクリーンディスプレイ。
［Ｃ３］
前記ディスプレイモニタは、前記可視イメージを供給するための液晶ディスプレイを含むＣ１記載のタッチスクリーンディスプレイ。
［Ｃ４］
前記超音波装置は、前記超音エネルギ波を放出するための圧電トランスミッタを含むＣ１記載のタッチスクリーンディスプレイ。
［Ｃ５］
前記超音波装置は、反射された超音波エネルギを検出するための圧電ハイドロホンアレイを含むＣ１記載のタッチスクリーンディスプレイ。
［Ｃ６］
前記超音波装置は、前記反射された超音波エネルギを検出するための薄膜トランジスタレシーバを含むＣ１記載のタッチスクリーンディスプレイ。
［Ｃ７］
前記ディスプレイモニタは層からなり、前記超音波装置は少なくとも１つの層からなり、前記超音波装置は前記ディスプレイモニタの前記層の１つに取り付けられるＣ１記載のタッチスクリーンディスプレイ。
［Ｃ８］
前記超音波装置は、反射された超音波エネルギを検出するための複数の受信機を含むＣ１記載のタッチスクリーンディスプレイ。
［Ｃ９］
各超音波エネルギレシーバは、ピクセルからなるディスプレイモニタの素子間に配置されるＣ８記載のタッチスクリーンディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月28日(2016.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−ａ）第１のキャリア表面及び第２のキャリア表面を有する金属フィルム又は金属ホイルの形態の導電性キャリア基板を提供するステップと、
−ｂ）少なくとも前記第１のキャリア表面の全領域にかけて絶縁材料のパターニングされた層を構築するステップであって、前記絶縁材料の層は、前記第１のキャリア表面の反対側に面する前記絶縁材料の層の上面から前記第１のキャリア表面への電気的アクセスが可能なように複数の孔によってパターニングされる、ステップと、
−ｃ）前記絶縁材料の上面にパターニングされた導電性コーティングを構築するステップであって、前記導電性コーティングは、前記孔に入り込み、前記絶縁材料の全領域を覆い、また、前記導電性コーティング内に複数の個別の第１の電極領域が形成されるようパターニングされる、ステップと、
−ｄ）少なくとも１つの前記第１の電極領域上に有機発光層を形成するステップと、
−ｅ）前記有機発光層上に第２の電極層を形成するステップと
を含む、ＯＬＥＤの製造方法。
【請求項２】
前記構築ステップｂ）は、
−ｂ１）前記絶縁材料の層によって少なくとも前記第１のキャリア表面の全領域をコーティングするステップと、
−ｂ２）前記絶縁材料の層内に前記複数の孔を形成することによって前記絶縁材料の層をパターニングするステップと
を含み、且つ／又は、前記構築ステップｃ）は、
−ｃ１）前記導電性コーティングが前記孔に入り込み、前記絶縁材料の全領域を覆うよう、前記絶縁材料の上面に前記導電性コーティングを形成するステップと、
−ｃ２）前記複数の個別の第１の電極領域が前記導電性コーティング内に形成されるよう前記導電性コーティングをパターニングするステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記導電性コーティングのパターニングは、少なくとも１つの前記個別の第１の電極領域が、前記絶縁材料の複数の孔を介して前記導電性キャリア基板とガルバニック接触するよう実行される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記導電性コーティングのパターニングの後、前記導電性コーティング内のギャップが絶縁材料によって充填される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記導電性コーティングと前記導電性キャリア基板との間のコンタクトが、前記導電性コーティングが前記第２の電極層とガルバニック接触する接触領域において除去される、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記コンタクトが除去された領域が絶縁材料によって充填され、当該絶縁材料は好ましくは請求項４において述べられた前記絶縁材料と同じ絶縁材料である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記パターニングステップｂ２）及び／又はｃ２）は、レーザーパターニング処理、又はフォトリソグラフィック・パターニング処理、及び／又はエッチング処理を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
前記絶縁材料の層のパターニングは、直径が最大で５００μｍ、好ましくは２００μｍ、最も好ましくは５０μｍの孔を設けるパターニング処理を含む、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記絶縁材料の層のパターニングは、前記孔が一般的な分布に配置されるパターニング処理を含む、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記絶縁材料の層のパターニングは、前記孔が、２つの隣接する孔の間の最大距離が３０ｍｍ、好ましくは２０ｍｍ、最も好ましくは１０ｍｍで配置されるパターニング処理を含む、請求項１乃至９のいずれか一項、特に請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
好ましくは銀、アルミニウム、及び／又はモリブデンを含む追加の導電層が前記導電性キャリア基板、前記導電性コーティング、及び／又は前記第２の電極層上に配置される、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
少なくともステップａ）及びｂ）、並びに、導電性コーティングが前記孔内に入り込み、前記絶縁材料の全領域を覆うよう前記絶縁材料の上面に前記導電性コーティングを構築するステップを含むプロセスにおいて半製品が製造され、前記半製品が後に別個のプロセスにおいて処理され、前記別個のプロセスは前記ステップｃ）〜ｅ）から選択される残りのステップを含む、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記導電性コーティングは透明又は半透明導電性コーティングである、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
ＯＬＥＤ素子の生産のための半製品であって、
−ａ）第１のキャリア表面及び第２のキャリア表面を有する金属フィルム又は金属ホイルの形態の導電性キャリア基板と、
−ｂ）少なくとも前記第１のキャリア表面の全領域上にコーティングされた絶縁材料の層であって、前記絶縁材料の層は、好ましくは前記第１のキャリア表面を前記絶縁材料によって完全に覆うようにコーティングされ、また、前記絶縁材料の層は、前記第１のキャリア表面の反対側に面する前記絶縁材料の層の上面から前記第１のキャリア表面への電気的アクセスが可能なように複数の孔を含むパターンを有する、絶縁材料の層と、
−ｃ）前記孔内に入り込み、前記絶縁材料の全領域を覆う、前記絶縁材料の前記上面における導電性コーティングと
を含む、半製品。
【請求項１５】
−ａ）第１のキャリア表面及び第２のキャリア表面を有する金属フィルム又は金属ホイルの形態の導電性キャリア基板と、
−ｂ）少なくとも前記第１のキャリア表面の全領域上にコーティングされた絶縁材料の層であって、前記絶縁材料の層は、前記第１のキャリア表面の反対側に面する前記絶縁材料の層の上面から前記第１のキャリア表面への電気的アクセスが可能なように、複数の孔を含むパターンを有する、絶縁材料の層と、
−ｃ）前記絶縁材料の前記上面における導電性コーティングであって、前記導電性コーティングは前記孔内に入り込み、前記絶縁材料の全領域を覆い、また、前記導電性コーティング内に複数の個別の第１の電極領域が形成されるようなパターンを有する、導電性コーティングと、
−ｄ）少なくとも１つの前記第１の電極領域上の有機発光層と、
−ｅ）前記有機発光層上に形成された第２の電極層と
を含む、ＯＬＥＤ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月29日(2016.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線ネットワーク内で動作するように構成され、少なくとも１つの下位送信ノードに連結するように構成されたマクロセル装置であって、
無線信号を送受信するように構成された無線送受信器と、プロセッサと、
１つ以上のコンピュータプログラム命令を含む永続的コンピュータ可読媒体と、を備え、
前記コンピュータプログラム命令は、前記プロセッサによって実行されると、前記マクロセル装置に、
前記マクロセルに対応する第１の特定スクランブル・シーケンスでスクランブルされた１つ以上の第１のスクランブルされた基準信号を送信させ、
少なくとも１つ以上の第２のスクランブル・シーケンスを前記少なくとも１つの下位送信ノードに割り当てさせる、ように構成され、前記少なくとも１つ以上の第２のスクランブル・シーケンスの前記割り当てが、前記少なくとも１つの下位送信ノードに、前記割り当てられた１つ以上の第２のスクランブル・シーケンスでスクランブルさせ、
前記少なくとも１つの下位送信ノードの識別情報が、前記少なくとも１つ以上の第２のスクランブル・シーケンスから判定され、
前記第１の特定スクランブル・シーケンスと、前記少なくとも１つ以上の第２のスクランブル・シーケンスとは同じである、マクロセル装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの下位送信ノードが基地局、フェムトセル、又はリモート無線ヘッド（ＲＨ）を含む、請求項１に記載のマクロセル装置。
【請求項３】
前記１つ以上の伝送が、下位送信ノード特定基準信号を１つ以上含む、請求項１に記載のマクロセル装置。
【請求項４】
前記少なくとも１つの下位送信ノードが、少なくとも１つのマクロセル特定基準信号を前記第１の特定スクランブル・シーケンスとスクランブルするように更に構成された、請求項３に記載のマクロセル装置。
【請求項５】
前記１つ以上の伝送が１つ以上のモバイルデバイス特定基準信号を含む、請求項１に記載のマクロセル装置。
【請求項６】
前記第１の特定スクランブル・シーケンスが、マクロセル用に確保されるスクランブル・シーケンスのセットから選択される、請求項１に記載のマクロセル装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つ以上の第２のスクランブル・シーケンスが、下位送信ノード用に確保されたスクランブル・シーケンスのセットから選択される、請求項６に記載のマクロセル装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの下位送信ノードと直接通信するように構成されたピアツーピアネットワークインターフェースを更に備える、請求項１に記載のマクロセル装置。
【請求項９】
無線ネットワークのマクロセル内で動作するように構成されたモバイルデバイスであって、前記マクロセルは少なくとも１つの下位送信ノードを含み、
無線信号を送受信するように構成された無線送受信器と、
プロセッサと、
１つ以上の命令を備える永続的コンピュータ可読媒体と、を備え、前記命令は、前記プロセッサによって実行されると、前記モバイルデバイスに、
前記マクロセルに対応する第１の特定スクランブル・シーケンスでスクランブルされた１つ以上の第１のスクランブルされた基準信号を受信させ、
前記受信した１つ以上の第１のスクランブルされた基準信号を前記第１の特定スクランブル・シーケンスでデスクランブルさせ、
前記少なくとも１つの下位送信ノードと対応する第２の特定スクランブル・シーケンスとスクランブルされた１つ以上の第２のスクランブルされた基準信号を受信させ、前記少なくとも１つの下位送信ノードの識別情報が、前記少なくとも１つ以上の第２のスクランブル・シーケンスから判定され、
前記受信した１つ以上の第２のスクランブルされた基準信号を前記第２の特定スクランブル・シーケンスでデスクランブルさせ、前記第１の特定スクランブル・シーケンスと、前記少なくとも１つ以上の第２のスクランブル・シーケンスとは同じである、ように構成された、モバイルデバイス。
【請求項１０】
前記１つ以上の第１の特定スクランブル・シーケンスが、マクロセルと関連付けられたスクランブル・シーケンスの第１のセットから選択される、請求項９に記載のモバイルデバイス。
【請求項１１】
前記１つ以上の第２の特定スクランブル・シーケンスが、下位送信ノードと関連付けられたスクランブル・シーケンスの第２のセットから選択される、請求項１０に記載のモバイルデバイス。
【請求項１２】
前記１つ以上の第２の特定スクランブル・シーケンスが前記マクロセルによって前記少なくとも１つの下位送信ノードに割り当てられており、前記第２の特定スクランブル・シーケンスが下位送信ノードと関連付けられたスクランブル・シーケンスの第２のセットから選択される、請求項１１に記載のモバイルデバイス。
【請求項１３】
前記１つ以上の第１のスクランブル基準信号及び１つ以上の第２のスクランブル基準信号が、規定されたリソースブロックエレメントと共に送信される、請求項９に記載のモバイルデバイス。
【請求項１４】
初期システム情報を取得する方法であって、
１つ以上の基準信号を受信することと、
前記受信した１つ以上の基準信号の、マクロセルに対応する第１のスクランブル・シーケンスを決定することと、
前記受信した１つ以上の基準信号の、少なくとも１つの下位送信ノードに対応する第２のスクランブル・シーケンスを決定することと、を含み、
前記第１及び第２のスクランブル・シーケンスが、前記受信した１つ以上の基準信号の少なくとも１つ以上の部分を復号するのに用いられ、
前記少なくとも１つの下位送信ノードの識別情報が、前記少なくとも１つ以上の第２のスクランブル・シーケンスから判定され、
前記第１の特定スクランブル・シーケンスと、前記少なくとも１つ以上の第２のスクランブル・シーケンスとは同じである、方法。
【請求項１５】
前記第１のスクランブル・シーケンスが、マクロセルと関連付けられたスクランブル・シーケンスの第１のセットから選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２のスクランブル・シーケンスが、下位送信ノードと関連付けられたスクランブル・シーケンスの第２のセットから選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２のスクランブル・シーケンスが、前記マクロセルによって、前記少なくとも１つの下位送信ノードに割り当てられる、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のイントリンシックボディダイオードを含む第１のＰ型電界効果トランジスタ（ＰＦＥＴ）と、
前記第１のＰＦＥＴのソースに結合される静電放電（ＥＳＤ）サブ回路と、
そのアノードが前記第１のＰＦＥＴのゲートに結合される、逆バイアス電圧要素と、
前記逆バイアス電圧要素のカソードに結合されるソースを有する第２のＰＦＥＴと、
前記第２のＰＦＥＴのゲートに結合されるキャパシタと、
前記第２のＰＦＥＴのゲートに結合される第１のレジスタと、
を含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１のＰＦＥＴのドレインと前記第１のボディダイオードのアノードとに結合される入力ノードを更に含む、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
出力ノードを更に含み、
前記ＥＳＤサブ回路が前記出力ノードと接地との間に結合される、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
前記第１のＰＦＥＴのゲートと前記接地との間に結合される第２のレジスタを更に含む、装置。
【請求項５】
請求項３に記載の装置であって、
前記第１のレジスタが前記接地に結合される、装置。
【請求項６】
請求項３に記載の装置であって、
前記キャパシタが、前記第２のＰＦＥＴのドレインと前記第２のＰＦＥＴの前記ゲートとの間に並列に結合される、装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、
前記装置が単一の集積回路内に具現化される、装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、
前記逆バイアス電圧要素がツェナーダイオードである、装置。
【請求項９】
第１のボディダイオードを有する第１のＰＦＥＴと、
前記第１のＰＦＥＴのソースに結合されるＥＳＤサブ回路と、
そのアノードが前記第１のＰＦＥＴのゲートに結合される、逆バイアス電圧要素と、
第２のボディダイオードを有し、前記逆バイアス電圧要素のカソードに結合されるソースを有する、第２のＰＦＥＴと、
前記第２のＰＦＥＴのゲートに結合される第１のレジスタと、
前記第１のＰＦＥＴのゲートと接地との間に結合される第２のレジスタと、
前記第２のＰＦＥＴのゲートに結合されるキャパシタと、
を含む装置であって、
前記キャパシタが、前記第２のＰＦＥＴのドレインと前記第２のＰＦＥＴの前記ゲートとの間に並列に結合され、
前記第１のレジスタが前記接地にも結合される、装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、
前記第１のＰＦＥＴの前記ソースに結合される出力ノードを更に含む、装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の装置であって、
正の電流のスパイクが、少なくとも部分的に前記第１のボディダイオードを介して及び前記ＥＳＤサブ回路を介して前記接地まで通る、装置。
【請求項１２】
請求項９に記載の装置であって、
前記第１のＰＦＥＴの前記ドレインに結合されるノードを更に含み、
負の電流のスパイクが、前記ＥＳＤサブ回路を介し、その後前記第１のＰＦＥＴを介して、前記ノードまで通る、装置。
【請求項１３】
請求項９に記載の装置であって、
前記第１のＰＦＥＴの前記ドレインと前記ソースとの間のツェナーダイオードの少なくとも逆バイアス電圧の電圧降下を更に含む、装置。
【請求項１４】
請求項９に記載の装置であって、
前記装置が単一の集積回路内に具現化される、装置。
【請求項１５】
請求項９に記載の装置であって、
前記第２のボディダイオードが電圧降下を前記逆バイアス電圧要素の前記カソードに搬送する、装置。
【請求項１６】
請求項９に記載の装置であって、
前記第１のレジスタと前記キャパシタとが、入力ノード上で負の電圧スパイクが生じる時間の経過後に前記第２のＰＦＥＴをオフにするため時定数を作成するように構成される、装置。
【請求項１７】
請求項９に記載の装置であって、
前記逆バイアス電圧要素がツェナーダイオードである、装置。
【請求項１８】
第１のボディダイオードを有する第１のＰＦＥＴと、
前記第１のＰＦＥＴのソースに結合されるＥＳＤサブ回路と、
そのアノードが前記第１のＰＦＥＴのゲートに結合される、逆バイアス電圧要素と、
第２のボディダイオードを有し、前記逆バイアス電圧要素のカソードに結合されるソースを有する、第２のＰＦＥＴと、
前記第２のＰＦＥＴのゲートに結合される第１のレジスタと、
前記第１のＰＦＥＴのゲートと接地との間に結合される第２のレジスタと、
前記第２のＰＦＥＴのゲートに結合されるキャパシタと、
前記第１のＰＦＥＴのドレインに結合される第１のノードと、
を含む装置であって、
前記キャパシタが、前記第２のＰＦＥＴのドレインと前記第２のＰＦＥＴの前記ゲートとの間に並列に結合され、
前記第１のレジスタが前記接地にも結合され、
前記第１のノードが、前記第２のＰＦＥＴのドレインと前記キャパシタとに結合される、装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の装置であって、
前記第１のＰＦＥＴのソースに結合される出力ノードを更に含む、装置。
【請求項２０】
請求項１８に記載の装置であって、
前記キャパシタが可変容量を有する、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の単一固定磁気層と、
前記第１の単一固定磁気層上の第１の磁気バリア層であって、前記第１の磁気バリア層が第１の複数の個別の磁気バリアアイランドを含むことを特徴とする、第１の磁気バリア層と、
前記第１の複数の個別の磁気バリアアイランド上に配設された第１の複数の自由磁気アイランドを備える第１の自由磁気層と、
前記第１の単一固定磁気層の上の電磁分離材料の複数の領域であって、隣接する前記自由磁気アイランドが電磁分離材料の領域によって分離され、前記第１の複数の磁気バリアアイランド及び前記電磁分離材料の第１の複数の領域が、前記第１の単一固定磁気層と接触する同一平面上の第１の表面を有する、電磁分離材料の複数の領域と、
前記第１の複数の自由磁気アイランド及び前記電磁分離材料の第１の複数の領域上に重なり、直接接続された単一キャップ層とを備える、スピントルクトランスファ（ＳＴＴ）磁気トンネル接合（ＭＴＪ）メモリ。
【請求項２】
前記第１の単一固定磁気層の、前記第１の磁気バリア層と反対側の面上で前記第１の単一固定磁気層に隣接する、第１の反強磁性層を含む、請求項１に記載のＳＴＴ−ＭＴＪメモリ。
【請求項３】
前記第１の反強磁性層に隣接し、第１の線に電気的に接続された接続層を含み、前記ＳＴＴ−ＭＴＪメモリは前記キャップ層に電気的に接続された第２の線を含む、請求項２に記載のＳＴＴ−ＭＴＪメモリ。
【請求項４】
前記キャップ層と前記第１の自由磁気層との間の第２の単一固定磁気層と、前記第２の単一固定磁気層と前記第１の自由磁気層との間の第２の磁気バリア層とを含む、請求項１に記載のＳＴＴ−ＭＴＪメモリ。
【請求項５】
前記第２の磁気バリア層が、前記第１の複数の自由磁気アイランドの、前記第１の磁気バリア層と反対側の面上で前記第１の複数の自由磁気アイランドに接続される、請求項４に記載のＳＴＴ−ＭＴＪメモリ。
【請求項６】
前記第２の単一固定磁気層と前記キャップ層との間に第２の反強磁性層を含む、請求項４に記載のＳＴＴ−ＭＴＪメモリ。
【請求項７】
前記第２の単一固定磁気層と前記第１の単一固定磁気層との間の少なくとも１つの追加の単一固定磁気層と、少なくとも１つの追加の複数の自由磁気アイランドを備える少なくとも１つの追加の自由磁気層とを含む、請求項４に記載のＳＴＴ−ＭＴＪメモリ。
【請求項８】
前記第２の磁気バリア層と前記第１の自由磁気層との間に第２の複数の自由磁気アイランドを備える第２の自由磁気層を含む、請求項４に記載のＳＴＴ−ＭＴＪメモリ。
【請求項９】
前記第１の自由磁気層と前記第２の自由磁気層との間の第３の単一固定磁気層と、前記第３の単一固定磁気層と前記第２の自由磁気層との間の第３の磁気バリア層と、前記第３の単一固定磁気層と前記第１の自由磁気層との間の第４の磁気バリア層とを含む、請求項８に記載のＳＴＴ−ＭＴＪメモリ。
【請求項１０】
少なくとも１つの半導体ダイに組み込まれる、請求項１に記載のＳＴＴ−ＭＴＪメモリ。
【請求項１１】
セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスに組み込まれる、請求項１に記載のＳＴＴ−ＭＴＪメモリ。
【請求項１２】
スピントルクトランスファ（ＳＴＴ）磁気トンネル接合（ＭＴＪ）メモリを形成する方法であって、
第１の単一固定磁気層を設けるステップと、
前記第１の単一固定磁気層上に第１の磁気バリア層を形成するステップと、を含み、
前記方法が、
前記第１の磁気バリア層内に複数の磁気バリアアイランドを形成するステップと、
前記複数の第１の磁気バリアアイランド上に複数の自由磁気アイランドを備える第１の自由磁気層を形成するステップと、
前記第１の単一固定磁気層上に電磁分離材料の第１の複数の領域を形成するステップであって、隣接する自由磁気アイランドが電磁分離材料の領域によって分離され、前記第１の複数の磁気バリアアイランド及び前記電磁分離材料の第１の複数の領域が、第１の単一固定磁気層に接触する同一平面上の第１の表面を有する、前記第１の単一固定磁気層上に電磁分離材料の第１の複数の領域を形成するステップと、
前記第１の複数の自由磁気アイランド及び前記電磁分離材料の第１の複数の領域に重なり、直接に接続された単一キャップ層を設けるステップとを含むことを特徴とする、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブ顕微鏡のプローブを照射するための装置であって、
放射ビームを受信しそれを前記プローブ上に方向付けるように構成されたレンズと、
前記レンズの光軸に相対的な、前記ビームが前記レンズに進入する入射角度を時間とともに変化させるための走査システムと、
を備え、
前記ビームは、反射された検出ビームを生成するために前記プローブから反射される検出ビームであり、
前記装置は、更に、前記反射された検出ビームを前記プローブから受信し前記反射された検出ビームから前記プローブの移動を検出するように構成された検出システムを備え、
前記レンズは、作動放射ビームを受信しそれを前記プローブ上に方向付けるようにも構成され、
前記装置は、更に、前記作動放射ビームの強度を変調させるための変調システムを備える装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記装置は、前記プローブを駆動するための作動システムであり、
前記装置は、更に、前記放射ビームの強度を変調させるための変調システムを備える装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の装置であって、
前記走査システムは、前記プローブの移動を追跡するために、前記ビームを移動させるように構成される、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、更に、
前記プローブを試料表面にわたって移動させるように動作可能であるプローブドライバを備え、
前記追跡システムは、前記ドライバによって引き起こされる前記プローブの移動を追跡するために、前記レンズの光軸に相対的な、前記ビームが前記レンズに進入する入射角度を時間とともに変化させるように構成される、装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の装置であって、
前記走査システムは、前記ビームを前記レンズに向かって反射させるビーム操縦ミラー
と、前記ビーム操縦ミラーを回転させるためのミラーアクチュエータとを含む、装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の装置であって、
前記走査システムは、前記検出ビーム及び前記作動放射ビームの両方を前記レンズに向かって反射させるビーム操縦ミラーを有する、装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の装置であって、
前記走査システムは、電気光学変調器又は音響光学変調器を含む、装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の装置であって、更に、
前記レンズを平行移動させるためのレンズドライバを備える装置。
【請求項９】
請求項４及び請求項８に記載の装置であって、
前記レンズドライバは、前記プローブドライバによって引き起こされる前記プローブの移動を追跡するために、前記レンズを平行移動させるように構成される、装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか一項に記載の装置であって、
前記走査システムは、前記プローブが試料から情報を得るのに伴って、前記レンズの光軸に相対的な、前記ビームが前記レンズに進入する入射角度を時間とともに変化させるように構成される、装置。
【請求項１１】
走査型プローブ顕微鏡であって、
プローブと、
請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の装置と、
を備える走査型プローブ顕微鏡。
【請求項１２】
請求項１１に記載の顕微鏡であって、
前記プローブは、前記ビームが前記プローブを加熱し前記プローブを光熱効果によって変形させるように構成された、熱膨張係数が異なる２つ以上の材料を含む、顕微鏡。
【請求項１３】
プローブ顕微鏡のプローブを照射する方法であって、
放射ビームを生成することと、
前記ビームをレンズによって受信することと、
前記ビームを前記レンズによって前記プローブ上に方向付けることと、
前記レンズの光軸に相対的な、前記ビームが前記レンズに進入する入射角度を時間とともに変化させることと、
を備え、
前記ビームは、反射された検出ビームを生成するために前記プローブから反射される検出ビームであり、
前記方法は、更に、
前記反射された検出ビームを前記プローブから受信し前記反射された検出ビームから前記プローブの移動を検出することと、
前記レンズにおいて作動放射ビームを受信しそれを前記プローブ上に方向付けることと、
前記作動放射ビームの強度を変調させることと、
前記レンズの光軸に相対的な、前記作動放射ビームが前記レンズに進入する入射角度を時間とともに変化させることと、
を備える方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記方法は、前記プローブを駆動する方法であり、
前記方法は、更に、前記放射ビームの強度を変調させることを備える方法。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の方法であって、
前記ビームは、前記プローブを加熱し、前記プローブを光熱効果によって変形させる、方法。
【請求項１６】
請求項１３、１４、又は１５に記載の方法であって、更に、
前記プローブを移動させることと、
前記プローブの前記移動を追跡するために、前記ビームの入射角度を時間とともに変化させることと、
を備える方法。
【請求項１７】
請求項１３ないし１６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記プローブは、試料の表面の上を移動され、前記ビームの強度は、前記試料の表面の形状をたどるように変調される、方法。
【請求項１８】
請求項１３ないし１７のいずれか一項に記載の方法であって、
前記レンズの光軸に相対的な、前記ビームが前記レンズに進入する入射角度は、前記ビームの中心を前記プローブ上のそれぞれ異なる場所に順次方向付けるために変化される、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記検出ビームは、前記反射された検出ビームから異なるモードの運動を検出するために、前記プローブ上のそれぞれ異なる場所に順次方向付けられる、方法。
【請求項２０】
請求項１３ないし１９のいずれか一項に記載の方法であって、更に、
前記プローブによって走査される試料から情報を得ることを備え、
前記プローブが前記試料から情報を得るのに伴って、前記レンズの光軸に相対的な、前記ビームが前記レンズに進入する入射角度が時間とともに変化される、方法。
【請求項２１】
請求項１３ないし２０のいずれか一項に記載の方法であって、更に、
前記レンズを平行移動させることを備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月18日(2016.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイムピースムーブメントの一部である少なくとも１つの原石を有するタイムピースに関するタイムピース識別子を作成して記憶するための方法であって、
前記タイムピースムーブメントの前記少なくとも１つの原石の１つ以上の特性を測定するステップ（２０１０）と、
前記タイムピースにおける前記少なくとも１つの原石の相対位置を検出するステップと、
前記タイムピースムーブメントの前記少なくとも１つの原石の前記１つ以上の特性のうちの少なくとも１つおよび前記少なくとも１つの原石のそれぞれの前記相対位置に基づいて前記タイムピースに関する前記タイムピース識別子を作成するステップ（２０２０）と、
データベースまたは装置に前記タイムピース識別子を記憶するステップ（２０２５）とを含む方法。
【請求項２】
前記識別子が一意的な識別子である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つ以上の特性が発光特性を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
１つ以上の特性を測定する前記ステップが、１つ以上のスペクトル間隔においてスペクトル特性を測定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
１つ以上の特性を測定する前記ステップが、２つ以上の時間間隔において発光を測定することを含み、前記２つ以上の時間間隔にわたって、前記発光が測定される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記１つ以上の特性を測定する前記ステップが、発光のスペクトル特性および前記発光の減衰時間のうちの少なくとも一方を測定することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記スペクトル特性が、前記発光の強度および波長範囲のうちの少なくとも一方を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記１つ以上の特性が、前記少なくとも１つの原石の向きを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
１つ以上の特性を測定する前記ステップが、前記少なくとも１つの原石の前記向きを測定するために、前記少なくとも１つの原石の複屈折特性を測定することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
１つ以上の特性を測定する前記ステップが、前記少なくとも１つの原石の前記複屈折特性を測定するために、偏光および偏光フィルタ、あるいは複数の偏光フィルタを使用することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
原石のそれぞれの前記向きが、前記原石のそれぞれの光軸のうちの１つ以上の向きに基づいて識別される、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの原石が、コランダムを含み、前記コランダムが、最大で数パーセントの濃度の、元素周期表の第４周期の１種類以上のドーパント金属イオン、好ましくはＣｒ３＋をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの原石が、ガーネットを含み、前記ガーネットが、好ましくはＮｄ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｍ、およびＨｏからなる群のうちの、レアアース金属由来の１種類以上のドーパント金属イオンをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
タイムピースの鑑定および／または識別のための方法であって、
タイムピースムーブメントの一部である少なくとも１つの原石の１つ以上の特性を測定するステップ（２１１０）と、
前記タイムピースにおける前記少なくとも１つの原石の相対位置を検出するステップと、
前記タイムピースムーブメントの前記少なくとも１つの原石の前記１つ以上の特性のうちの少なくとも１つおよび前記タイムピースにおける前記少なくとも１つの原石のそれぞれの相対位置に基づいて前記タイムピースに関するタイムピース識別子を作成するステップ（２１２０）と、
前記タイムピースが本物または偽物のいずれであるかを判定するために、前記作成されたタイムピース識別子と１つ以上の記憶されているタイムピース識別子とを比較するステップとを含む方法。
【請求項１５】
原石のそれぞれの前記相対位置を検出する前記ステップが、前記タイムピースに関連付けられた座標系に関して前記原石のそれぞれの座標（ａ１，ｂ１）を測定することを含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
タイムピースムーブメントの一部である少なくとも１つの原石を有するタイムピースからタイムピース識別子を決定するためのシステム（１９００）であって、
前記タイムピースにおける前記少なくとも１つの原石の１つ以上の特性を測定するように構成された少なくとも１つのリーダと、
前記タイムピースにおける前記少なくとも１つの原石の相対位置を測定するように動作可能な位置測定ツールと、
前記少なくとも１つの原石の前記１つ以上の特性のうちの少なくとも１つおよび前記タイムピースにおける前記少なくとも１つの原石のそれぞれの前記相対位置に基づいて前記タイムピースに関する前記識別子を作成するためのプロセッサと、
前記識別子を記憶するように構成された記憶システムとを備えるシステム。
【請求項１７】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法ステップを実行するようになっている、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
本物および偽物のいずれかとして前記タイムピースを識別するために、前記識別子と１つ以上の記憶されている識別子とを比較するように構成された比較器をさらに備える、請求項１６又は１７に記載のシステム。
【請求項１９】
タイムピースムーブメントの一部である少なくとも１つの原石を有するタイムピースを作製する方法であって、
少なくとも１つの原石を組み込むステップであり、該少なくとも１つの原石が、該少なくとも１つの原石の１つ以上の特性および前記タイムピースにおける前記少なくとも１つの原石のそれぞれの相対位置に基づいて前記タイムピースに関する識別子を作成するように選択され、および／または特定の向きに配置される、ステップを含み、前記識別子が、１つ以上の所定の要素を含み、前記少なくとも１つの原石が、前記１つ以上の特性および前記タイムピースにおける前記少なくとも１つの原石のそれぞれの相対位置の検出時に前記１つ以上の所定の要素を示すように選択される、方法。