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【手続補正書】
【提出日】平成28年7月20日(2016.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心波長を有する放出波長帯にわたって、前記波長帯にわたる出力パワースペクトルと平均放出パワーでチューナブル放射を放出するチューナブルレーザであって、
第１および第２のミラーを含む光共振器と、
前記第１および第２のミラー間に介在し、少なくとも１つの量子井戸を備える量子井戸ゲイン領域と、
同調領域と、
前記同調領域の光路長の調節手段と
を備え、
前記光共振器の自由スペクトル領域（ＦＳＲ）が前記中心波長の５％を超え、
前記チューナブルレーザが前記波長帯にわたって略単一縦横モードで動作し、
前記光路長の調節手段が約１ｋＨｚ超の６ｄＢ帯域幅の波長同調周波数応答を有し、
前記少なくとも１つの量子井戸のそれぞれが前記光共振器の光定常波パターンのピークとほぼ位置合わせされる、
チューナブルレーザ。
【請求項２】
前記量子井戸ゲイン領域が圧縮歪み材料の少なくとも１つの量子井戸を備える、
請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項３】
前記少なくとも１つの量子井戸がＡｌＩｎＧａＡｓから成る、
請求項２に記載のチューナブルレーザ。
【請求項４】
前記量子井戸ゲイン領域が圧縮歪みＡｌＩｎＧａＡｓのまさに３つの量子井戸を備える、
請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項５】
前記量子井戸ゲイン領域がＧａＩｎＮＡｓの少なくとも１つの量子井戸を備える、
請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項６】
前記チューナブルレーザが光ポンピングされ、前記少なくとも１つの量子井戸のそれぞれが別個の共振器内光定常波ピークに配置される、
請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項７】
前記チューナブルレーザが光ポンピングされ、３つの前記量子井戸すべてが単独の光定常波ピークにほぼ位置合わせされる、
請求項４に記載のチューナブルレーザ。
【請求項８】
前記チューナブルレーザが１４０〜１７０ｎｍの範囲のＦＳＲを有する、
請求項７に記載のチューナブルレーザ。
【請求項９】
前記量子井戸が２つの量子閉込状態を有する、
請求項７に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１０】
前記中心波長の範囲が７００〜１１００ｎｍである、
請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの量子井戸が圧縮歪みＩｎＧａＡｓから成る、
請求項１０に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの量子井戸が、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＡｓ、およびＩｎＧａＡｓＰから成る化合物群から選択される少なくとも１つである、
請求項１０に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１３】
前記量子井戸ゲイン領域が丁度３つの量子井戸を備える、
請求項１１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１４】
前記丁度３つの量子井戸が少なくとも２つの閉込量子状態を備える、
請求項１３に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１５】
前記ＩｎＧａＡｓ量子井戸が、引張り歪みＧａＡｓＰの少なくとも１つの障壁を有する、
請求項１１に記載のチューナブルレーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月7日(2016.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面上のシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）層パッドと、
コンタクトエッチストップ層上の層間誘電体（ＩＬＤ）層であって、前記コンタクトエッチストップ層が、前記ＳＴＩ層パッドから前記ＩＬＤ層を分離している、ＩＬＤ層と、
前記半導体基板を貫通し、且つ前記ＳＴＩ層パッドの中に部分的であって、貫通せずに延在している基板貫通ビアであって、導電性充填材料および側壁絶縁ライナー層を含み、前記側壁絶縁ライナー層が、前記ＳＴＩ層パッドの中に延びるが前記ＳＴＩ層パッドを貫通しない部分を有する、基板貫通ビアとを含む、半導体デバイス。
【請求項２】
前記側壁絶縁ライナー層の化学的な材料組成が、前記ＩＬＤ層内の前記少なくとも１つのコンタクトの化学的な材料組成または前記ＳＴＩ層パッドの化学的組成と異なる、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記側壁絶縁ライナー層が、ポリマー、窒化ケイ素、および酸化ケイ素からなる群から選択される材料で構成されている、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記基板貫通ビアの前記導電性充填材料に結合された再配線層をさらに含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置のデータユニット、およびコンピュータの少なくとも１つに組み込まれた、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面上のシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）層パッドと、
コンタクトエッチストップ層上の層間誘電体（ＩＬＤ）層であって、前記コンタクトエッチストップ層が、前記ＳＴＩ層パッドから前記ＩＬＤ層を分離している、ＩＬＤ層と、
基板を貫通する導通のための手段であって、前記半導体基板を貫通し、且つ前記ＳＴＩ層パッドの中に部分的であって、貫通せずに延在しており、前記導通手段の側壁を絶縁するための手段を含み、前記絶縁手段が、前記ＳＴＩ層パッドの中に延びるが前記ＳＴＩ層パッドを貫通しない部分を有している、手段とを含む、半導体デバイス。
【請求項７】
前記絶縁手段の化学的な材料組成が、前記ＩＬＤ層内の前記コンタクトの化学的な材料組成または前記ＳＴＩ層パッドの化学的組成と異なる、請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記絶縁手段が、ポリマー、窒化ケイ素、および酸化ケイ素からなる群から選択される材料を含む、請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
導通のための前記手段に結合された再配線層をさらに含む、請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、娯楽ユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置のデータユニット、およびコンピュータの少なくとも１つに組み込まれた、請求項６に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月25日(2016.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本出願は、本主題の適応物及び変形物を包含するように意図される。上記の説明は実例となることを意図し、限定するためではないことを理解する必要がある。
本発明の実施態様の一部を以下の〔態様１〕−〔態様２１〕に記載する。
〔態様１〕
通信システムであって、
２個以上のモジュール式通信装置であって、各モジュール式通信装置が、
スピーカ及びユーザに取付けるように構成された取付部分を有する、スピーカキャリアと、
ハウジング及び前記ハウジング内に配置された無線トランシーバを含む、電子機器モジュールと、
を含み、前記スピーカキャリア及び前記電子機器モジュールの前記ハウジングが、分離可能に結合され、それにより、前記電子機器モジュールの前記無線トランシーバ及び前記スピーカキャリアの前記スピーカが、分離可能に結合されている、
２個以上のモジュール式通信装置と、
前記２個以上のモジュール式通信装置の間の通信を可能にするための無線トランシーバを含む基地局と、
を備える通信システム。
〔態様２〕
前記無線トランシーバのチャンネルを変更するためのユーザ入力装置を更に有する、態様１に記載の通信システム。
〔態様３〕
前記電子機器モジュールが、前記ユーザ入力装置を有する、態様２に記載の通信システム。
〔態様４〕
前記スピーカキャリアが、マイクロフォンを更に有する、態様１に記載の通信システム。
〔態様５〕
前記スピーカキャリアが、前記マイクロフォンが上に配置されたブームを更に有する、態様４に記載の通信システム。
〔態様６〕
前記スピーカキャリアが、１個以上の状態ランプを更に有する、態様１に記載の通信システム。
〔態様７〕
前記１個以上の状態ランプのうちの１個が、前記トランシーバと通信し、前記トランシーバが車両検出通知を受信したときに、点灯するように構成されている、態様６に記載の通信システム。
〔態様８〕
前記スピーカキャリアが、回路基板及びマイクロコントローラを更に備える、態様１に記載の通信システム。
〔態様９〕
前記スピーカキャリアが、認証プロトコルを更に備える、態様８に記載の通信システム。
〔態様１０〕
モジュール式通信装置であって、
スピーカ及び取付部分を含むスピーカキャリアと、
無線トランシーバを含む電子機器モジュールと、
を含み、
前記スピーカキャリアと前記電子機器モジュールとが、分離可能に結合されて、それにより、前記スピーカキャリアと前記電子機器モジュールとが結合されたときに、前記電子機器モジュールが前記スピーカに可聴信号を提供し、
前記スピーカキャリアが、前記電子モジュールに対して脱着可能であり、
前記モジュール式通信装置が、前記無線トランシーバのチャンネルを変更するためのユーザ入力装置を含む、
モジュール式通信装置。
〔態様１１〕
前記電子機器モジュールが、状態ライトを更に有する、態様１０に記載のモジュール式通信装置。
〔態様１２〕
前記電子機器モジュールが、認証プロトコルを更に備える、態様１０に記載のモジュール式通信装置。
〔態様１３〕
前記電子機器モジュールが、マルチメディア再生メモリを更に備える、態様１０に記載のモジュール式通信装置。
〔態様１４〕
前記電子機器モジュールが、ＵＳＢインタフェースを更に備える、態様１０に記載のモジュール式通信装置。
〔態様１５〕
前記電子機器モジュールが、録音メモリと録画メモリを更に備える、態様１０に記載のモジュール式通信装置。
〔態様１６〕
車両検出通知を受け取ったときに、装置ユーザに触覚フィードバックを提供するように構成されたアクチュエータを更に備える、態様１０に記載のモジュール式通信装置。
〔態様１７〕
前記取付部分が、ベルト取付構造物、静止構造物に結合するように構成された取付部分、締め綱、及びヘッドバンドの群のうちの１つを有する、態様１０に記載のモジュール式通信装置。
〔態様１８〕
前記スピーカキャリアが、マイクロフォンを更に有する、態様１０に記載のモジュール式通信装置。
〔態様１９〕
電子機器モジュールであって、
結合面上に１個以上の結合電気接点を有するハウジングであって、前記結合面がスピーカキャリアを受け取るように構成されている、ハウジングと、
前記ハウジング内に配置されたコントローラであって、１個以上の結合電気接点と通信するコントローラと、
前記コントローラと通信する認証プロトコルであって、前記スピーカキャリアを認証するように構成されている認証プロトコルと、
を含む電子機器モジュール。
〔態様２０〕
前記コントローラと通信するトランシーバを更に備える、態様１９に記載の電子機器モジュール。
〔態様２１〕
前記コントローラと通信する容量性スイッチと、
前記容量性スイッチと通信するユーザ入力装置と、を含む、態様１９に記載の電子機器モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムであって、
２個以上のモジュール式通信装置であって、各モジュール式通信装置が、
スピーカ及びユーザに取付けるように構成された取付部分を有する、スピーカキャリアと、
ハウジング及び前記ハウジング内に配置された無線トランシーバを含む、電子機器モジュールと、
を含み、前記スピーカキャリア及び前記電子機器モジュールの前記ハウジングが、分離可能に結合され、それにより、前記電子機器モジュールの前記無線トランシーバ及び前記スピーカキャリアの前記スピーカが、分離可能に結合されている、
２個以上のモジュール式通信装置と、
前記２個以上のモジュール式通信装置の間の通信を可能にするための無線トランシーバを含む基地局と、
を備える通信システム。
【請求項２】
モジュール式通信装置であって、
スピーカ及び取付部分を含むスピーカキャリアと、
無線トランシーバを含む電子機器モジュールと、
を含み、
前記スピーカキャリアと前記電子機器モジュールとが、分離可能に結合されて、それにより、前記スピーカキャリアと前記電子機器モジュールとが結合されたときに、前記電子機器モジュールが前記スピーカに可聴信号を提供し、
前記スピーカキャリアが、前記電子モジュールに対して脱着可能であり、
前記モジュール式通信装置が、前記無線トランシーバのチャンネルを変更するためのユーザ入力装置を含む、
モジュール式通信装置。
【請求項３】
電子機器モジュールであって、
結合面上に１個以上の結合電気接点を有するハウジングであって、前記結合面がスピーカキャリアを受け取るように構成されている、ハウジングと、
前記ハウジング内に配置されたコントローラであって、１個以上の結合電気接点と通信するコントローラと、
前記コントローラと通信する認証プロトコルであって、前記スピーカキャリアを認証するように構成されている認証プロトコルと、
を含む電子機器モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月26日(2016.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、細長いカソード面を有するカソードと、
前記チャンバ内に配置され、前記細長いカソード面に対向する細長いアノード面を有するアノードであって、該細長いアノード面と該細長いカソード面の間の空間が、該チャンバ内の放電区域を定め、該アノードが、約１００ｐｐｍから約１，０００ｐｐｍの燐を含有する黄銅で形成され、該黄銅が、４００Ｘの倍率で可視の微孔隙を持たない前記アノードと、
を含む、レーザシステム。
【請求項２】
前記黄銅は、約１２０ｐｐｍから約３７０ｐｐｍの燐を含有する、請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項３】
前記黄銅は、２９．７重量パーセントから３０．３重量パーセントの亜鉛と残りの量の銅とを含有するカートリッジ黄銅である、請求項２に記載のレーザシステム。
【請求項４】
前記カートリッジ黄銅内の不純物の総量が、１００ｐｐｍ未満である、請求項３に記載のレーザシステム。
【請求項５】
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、細長いカソード面を有するカソードであって、該カソードが、約１００ｐｐｍから約１，０００ｐｐｍの燐に含有する黄銅で形成され、該黄銅が、４００Ｘの倍率で可視の微孔隙を持たない前記カソードと、
前記チャンバ内に配置され、前記細長いカソード面に対向する細長いアノード面を有するアノードであって、該細長いアノード面と該細長いカソード面の間の空間が、該チャンバ内の放電区域を定める前記アノードと、
を含む、レーザシステム。
【請求項６】
前記黄銅は、約１２０ｐｐｍから約３７０ｐｐｍの燐を含有する、請求項５に記載のレーザシステム。
【請求項７】
前記黄銅は、２９．７重量パーセントから３０．３重量パーセントの亜鉛と残りの量の銅とを含有するカートリッジ黄銅である、請求項６に記載のレーザシステム。
【請求項８】
前記カートリッジ黄銅内の不純物の総量が、１００ｐｐｍ未満である、請求項７に記載のレーザシステム。
【請求項９】
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、細長いカソード面を有するカソードと、
前記チャンバ内に配置され、前記細長いカソード面に対向する細長いアノード面を有するアノードであって、該細長いアノード面と該細長いカソード面の間の空間が、該チャンバ内の放電区域を定め、該アノードが、２９．７重量パーセントから３０．３重量パーセントの亜鉛、１２０ｐｐｍから３７０ｐｐｍの燐、１００ｐｐｍ未満の不純物、及び残りの量の銅から基本的に構成される材料で形成され、該材料が、４００Ｘの倍率で可視の微孔隙を持たない前記アノードと、
を含む、レーザシステム。
【請求項１０】
チャンバと、
前記チャンバ内に配置され、細長いカソード面を有するカソードであって、該カソードが、２９．７重量パーセントから３０．３重量パーセントの亜鉛、１２０ｐｐｍから３７０ｐｐｍの燐、１００ｐｐｍ未満の不純物、及び残りの量の銅から基本的に構成される材料で形成され、該材料が、４００Ｘの倍率で可視の微孔隙を持たない前記カソードと、
前記チャンバ内に配置され、前記細長いカソード面に対向する細長いアノード面を有するアノードであって、該細長いアノード面と該細長いカソード面の間の空間が、該チャンバ内の放電区域を定める前記アノードと、
を含む、レーザシステム。
【請求項１１】
レーザシステムにレーザ光を発生させる方法であって、
プラズマ腐食に対する黄銅の抵抗を増大させる処理を受けた黄銅から電極を形成することと、
前記電極をレーザシステムに使用してレーザ光を発生させることと、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記電極は、アノードである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
プラズマ腐食に対する前記黄銅の前記抵抗を増大させる前記処理は、該黄銅を約１２０ｐｐｍから３７０ｐｐｍの燐でドープすることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
プラズマ腐食に前記黄銅の前記抵抗を増大させる前記処理は、該黄銅に厳しい塑性変形を受けさせることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記黄銅に厳しい塑性変形を受けさせることは、該黄銅に剪断押し出し法を受けさせることを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記電極は、カソードである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
プラズマ腐食に対する前記黄銅の前記抵抗を増大させる前記処理は、該黄銅を約１２０ｐｐｍから３７０ｐｐｍの燐でドープすることを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
プラズマ腐食に対する前記黄銅の前記抵抗を増大させる前記処理は、該黄銅に厳しい塑性変形を受けさせることを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記黄銅に厳しい塑性変形を受けさせることは、該黄銅に剪断押し出し法を受けさせることを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記アノードは、前記チャンバ内に移動可能に配置される、請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項２１】
前記アノードは、前記チャンバ内に移動可能に配置される、請求項９に記載のレーザシステム。
【請求項２２】
約１００ｐｐｍから約１，０００ｐｐｍのヒ素又はアンチモンを含有する黄銅で形成された細長い面を有する電極の基体を備え、該黄銅が、４００Ｘの倍率で可視の微孔隙を持たず、該黄銅が、ヒ素又はアンチモンがドープされていないカートリッジ黄銅と比べてプラズマ腐食に対して増大した抵抗を示す、
電極。
【請求項２３】
細長い面を有する電極の基体を備え、該電極の基体が、２９．７重量パーセントから３０．３重量パーセントの亜鉛、１２０ｐｐｍから３７０ｐｐｍのヒ素又はアンチモン、１００ｐｐｍ未満の不純物、及び残りの量の銅から基本的に構成される材料で形成され、該材料が、４００Ｘの倍率で可視の微孔隙を持たず、該材料が、ヒ素又はアンチモンがドープされていないカートリッジ黄銅と比べてプラズマ腐食に対して増大した抵抗を示す、
電極。
【請求項２４】
約１００ｐｐｍから約１，０００ｐｐｍのヒ素又はアンチモンを含有する黄銅で形成された細長い面を有する電極の基体を備え、該黄銅が、１ｍｍ2当たり３０個未満の含有物を有し、各含有物は、約５ミクロンを超えない直径を有し、該黄銅が、ヒ素又はアンチモンがドープされていないカートリッジ黄銅と比べてプラズマ腐食に対して増大した抵抗を示す、
電極。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月29日(2016.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池モジュールの製造方法であって、
半導体基板の背面にエミッタコンタクト及びベースコンタクト、並びに、エミッタコンタクト上に塗布される半田パッド配列及びベースコンタクト上に塗布される半田パッド配列を有する背面接触太陽電池を提供し、
前記半導体基板の長手方向軸に対し垂直な直線に沿って各前記背面接触太陽電池を第１セル部及び第２セル部に分離し、
前記第２セル部が前記第１セル部に対して１８０°方向に配置されるように、且つ、前記第１セル部のエミッタコンタクトの半田パッド配列及びベースコンタクトの半田パッド配列が前記第２セル部のエミッタコンタクトの半田パッド配列及びベースコンタクトの半田パッド配列とそれぞれ一列に整列されるように、直線に沿って、複数の第１セル部及び第２セル部を交互に配置し、
各第１セル部のエミッタコンタクトの直線状の半田パッド配列上、及び、各第１セル部の片側に隣接する第２セル部のベースコンタクトの揃えられた直線状の半田パッド配列上に線状リボン型コネクタストリップを配置し、
各第１セル部のベースコンタクトの直線状の半田パッド配列上、及び、各第１セル部の反対側に隣接する第２セル部のエミッタコンタクトの揃えられた直線状の半田パッド配列上に線状リボン型コネクタストリップを配置し、且つ、
前記線状リボン型コネクタストリップを下にある前記エミッタコンタクトの半田パッド配列及び前記ベースコンタクトの半田パッド配列に電気的に接続することにより、
前記背面接触太陽電池の複数の第１セル部及び第２セル部を直列に電気的に接続する方法であって、
各エミッタコンタクトの半田パッド配列及びベースコンタクトの半田パッド配列は、直線状に配置された１以上の半田パッドを備え、
各エミッタコンタクトの半田パッド配列及びベースコンタクトの半田パッド配列は、前記半導体基板の背面に、前記半導体基板の長手方向軸に対して非対称に配置されている太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項２】
絶縁層が、各前記線状リボン型コネクタストリップと、前記エミッタコンタクト及びベースコンタクトとの間に介在されていない請求項１に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記背面接触太陽電池を分離する前、前記エミッタコンタクトの前記半田パッド配列は、前記半導体基板の第１エッジの近くに配置された第１端から前記半導体基板の中央領域を介して前記半導体基板の第２エッジの近くに配置された第２端にわたって連続的に延び、前記第１端及び第２端は、それぞれ、前記第１エッジ及び第２エッジから第１エッジ及び第２エッジの間の距離の２〜４８％ずつ離間している請求項１または２に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記背面接触太陽電池は、前記半導体基板内に線状溝をレーザスクライブし、次いで、前記線状溝に沿って、前記背面接触太陽電池を機械的に折ることにより、第１セル部及び第２セル部に分離される請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項５】
各背面接触太陽電池は、１００×１００ｍｍ２以上のサイズを有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記線状リボン型コネクタストリップは、下にあるエミッタコンタクトの前記半田パッド配列およびベースコンタクトの半田パッド配列に半田付けされる請求項１〜５のいずれか１項に記載の太陽電池モジュールの製造方法。
【請求項７】
長手方向軸に沿って配置された背面接触太陽電池の複数の第１セル部及び第２セル部を備える太陽電池モジュールであって、
各前記第１セル部及び第２セル部は、各エミッタコンタクトの上に半田パッド配列及び各ベースコンタクトの上に半田パッド配列を有し、エミッタコンタクトの半田パッド配列及びベースコンタクトの半田パッド配列はそれぞれ、直線状に配置された１以上の半田パッドを有し、且つ、前記エミッタコンタクトの半田パッド配列及び前記ベースコンタクトの半田パッド配列は、前記半導体基板の背面上に前記半導体基板の長手方向軸に対し非対称に配置され、
前記背面接触太陽電池の複数の第１セル部及び第２セル部は、前記第２セル部が前記第１セル部に対して１８０°方向に配置されるように、且つ、前記第１セル部のエミッタコンタクトの半田パッド配列及びベースコンタクトの半田パッド配列が、前記第２セル部のベースコンタクトの半田パッド配列及びエミッタコンタクトの半田パッド配列とそれぞれ一列に整列されるように、直線に沿って、交互に配置され、
前記背面接触太陽電池の複数の第１セル部及び第２セル部は、各第１セル部のエミッタコンタクトの直線状の半田パッド配列上、及び、各第１セル部の片側に隣接する第２セル部のベースコンタクトの揃えられた直線状の半田パッド配列上に配置された線状リボン型コネクタストリップ、及び、各第１セル部のベースコンタクトの直線状の半田パッド配列上、及び、各前記第１セル部の反対側に隣接する第２セル部のエミッタコンタクトの揃えられた直線状の半田パッド配列上に配置された線状リボン型コネクタストリップにより直列に接続され、
絶縁層が、各前記線状リボン型コネクタストリップと、エミッタコンタクト及びベースコンタクトとの間に介在されていない太陽電池モジュール。
【請求項８】
前記背面接触太陽電池は、メタルラップスルー太陽電池である請求項７に記載の太陽電池モジュール。
【請求項９】
各前記第１セル部及び第２セル部は、矩形であり、５０×１００ｍｍ２以上のサイズを有する請求項７または８に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１０】
エミッタコンタクトの前記半田パッド配列は、第１セル部及び第２セル部の第１エッジの近位で、かつ、一定距離離間した第１端から前記第１セル部及び第２セル部の前記第１エッジの反対側に位置する第２エッジの近位に配置された第２端へ連続的に延び、前記第１端は、前記第１エッジと、前記第１エッジ及び第２エッジの間の距離の４〜９６％ずつ離間している請求項７〜９のいずれか１項に記載の太陽電池モジュール。
【請求項１１】
金属フィンガは、エミッタコンタクトの前記連続した半田パッド配列の片側に配置されたベースコンタクトの半田パッド配列から、エミッタコンタクトの前記連続した半田パッド配列と前記第１エッジとの間のギャップを介し、前記エミッタコンタクトの前記連続した半田パッド配列の反対側の領域にわたって延びる請求項１０に記載の太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月14日(2016.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末内の2つのデバイスのうちの少なくとも1つにおいて動作可能なデータ転送方法であ
って、前記2つのデバイスは前記2つのデバイスの間の通信リンクを有し、前記リンクは、物理インタフェースの複数のタイプと、少なくとも2つの符号化方式をサポートするように構成された少なくとも1つのインタフェースを備え、前記方法は、
前記2つのデバイス間で通信するために使用されるべきであり、前記2つのデバイスのう
ちの少なくとも1つによってサポートされる物理インターフェースの前記複数のタイプのうちの1つである、物理インターフェースのタイプを決定するステップと、
前記2つのデバイス間で通信するために使用されるべき、物理インターフェースの前記
タイプに整合する符号化データを生成するためのエンコーダを選択するステップと、
前記エンコーダから前記符号化データを受信し、前記2つのデバイス間で通信するため
に使用されるべき物理インターフェースの前記タイプに従って前記2つのデバイスを通信
可能に結合する複数のコネクタを駆動するように、複数のドライバを構成するステップと
を含む、データ転送方法。
【請求項２】
前記エンコーダの出力を前記複数のドライバに結合するために複数のスイッチを制御す
るステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記符号化データを受信するために前記複数のドライバを構成するステップが、前記選択されたエンコーダとは異なる、異なるエンコーダの1つまたは複数の出力を高インピーダンスモードに入らせるステップを含む、請求項1または2に記載の方法。
【請求項４】
前記エンコーダが、前記符号化データを差動符号化された信号で供給するように構成された第1のエンコーダと、前記コネクタの第1のペアの位相状態と、コネクタの第2のペアの極性と、電流が供給されない少なくとも1つの非駆動コネクタの選択との組合せを使用して、データをシンボルのシーケンスで符号化するように構成されたN相エンコーダである第2のエンコーダとを含む複数のエンコーダから選択される、請求項1乃至3の何れか1項に記載の方法。
【請求項５】
処理回路のプロセッサに、請求項1乃至4の何れか1項に記載の方法を前記処理回路に実施させるように指示するための、コンピュータ・プログラム。
【請求項６】
第1の集積回路(IC)デバイスを端末内の第2のICデバイスに通信可能に結合する複数のコネクタであって、前記2つのデバイスは前記2つのデバイスの間の通信リンクを有し、前記リンクは、物理インタフェースの複数のタイプと、少なくとも2つの符号化方式をサポートするように構成された少なくとも1つのインタフェースを備える、複数のコネクタと、
前記端末内の2つのデバイス間で通信するために使用されるべきであり、前記2つのデバイスのうちの少なくとも1つによってサポートされる物理インターフェースの複数のタイプの
うちの1つである、物理インターフェースのタイプを決定するための手段と、
前記2つのデバイス間で通信するために使用されるべき物理インターフェースの前記タ
イプと整合しており、データを異なる様式で符号化するように構成された少なくとも2つ
のエンコーダを含む、符号化データを生成するための手段と、
前記少なくとも2つのエンコーダのうちの1つから前記符号化データを受信し、前記2つ
のデバイス間で通信するために使用されるべき物理インターフェースの前記タイプに従っ
て前記2つのデバイスを通信可能に結合する複数のコネクタを駆動するように、複数のド
ライバを構成するための手段とを含む、装置。
【請求項７】
前記複数のドライバを構成するための手段が、前記少なくとも2つのエンコーダのうちの前記1つの出力を前記複数のドライバに選択的に接続する複数のスイッチを備える、請求項6に記載の装置。
【請求項８】
前記少なくとも2つのエンコーダが、前記符号化データを差動符号化された信号で供給するように構成された第1のエンコーダと、前記コネクタの第1のペアの位相状態と、コネクタの第2のペアの極性と、電流が供給されない少なくとも1つの非駆動コネクタの選択との組合せを使用して、データをシンボルのシーケンスで符号化するように構成されたN相エンコーダである第2のエンコーダとを含む、請求項6または7に記載の装置。
【請求項９】
複数のドライバを構成するための前記手段が、選択されたエンコーダとは異なる前記少なくとも2つのエンコーダのうちの異なる1つの1つまたは複数の出力を高インピーダンスモードに入らせるように構成される、請求項6または7に記載の装置。
【請求項１０】
前記複数のドライバを構成するための手段が、差動エンコーダの1つまたは複数の出力を高インピーダンスモードに入らせるように構成される、請求項6乃至9の何れか１項に記載の装置。
【請求項１１】
端末内の2つのデバイスを通信可能に結合する複数のコネクタであって、前記2つのデバイスは前記2つのデバイスの間の通信リンクを有し、前記リンクは、物理インタフェースの複数のタイプと、少なくとも2つの符号化方式をサポートするように構成された少なくとも1つのインタフェースを備える、複数のコネクタと、
処理回路とを備え、前記処理回路が、
前記2つのデバイス間で通信するために使用されるべきであり、前記2つのデバイスの
うちの少なくとも1つによってサポートされる物理インターフェースの複数のタイプのう
ちの1つである、物理インターフェースのタイプを決定することと、
前記2つのデバイス間で通信するために使用されるべき物理インターフェースの前記
タイプに整合する符号化データを生成するためのエンコーダを選択することと、
前記エンコーダから前記符号化データを受信し、前記2つのデバイス間で通信するた
めに使用されるべき物理インターフェースの前記タイプに従って前記2つのデバイスを通
信可能に結合する複数のコネクタを駆動するように、複数のドライバを構成することとを
行うように構成される、装置。
【請求項１２】
前記処理回路が、前記エンコーダの出力を前記複数のドライバに結合するために複数のスイッチを制御するように構成される、請求項11に記載の装置。
【請求項１３】
前記処理回路が、前記符号化データを差動符号化された信号で供給するように構成された第1のエンコーダと、前記コネクタの第1のペアの位相状態と、コネクタの第2のペアの極性と、電流が供給されない少なくとも1つの非駆動コネクタの選択との組合せを使用して、データをシンボルのシーケンスで符号化するように構成されたN相エンコーダである第2のエンコーダとを含む複数のエンコーダから前記エンコーダを選択するように構成される、請求項11または12に記載の装置。
【請求項１４】
前記処理回路が、前記エンコーダを選択したときに、差動エンコーダの1つまたは複数の出力を高インピーダンスモードに入らせるように構成される、請求項11乃至13の何れか1項に記載の装置。
【請求項１５】
前記符号化データが、前記2つのデバイスのうちの1つによって制御されるカメラまたはディスプレイに関連する、請求項11乃至14の何れか1項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月28日(2016.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充填物を有する放電空間を囲む容器壁を持つセラミック放電容器と、
前記放電空間内で互いに反対の位置に配設され、前記放電容器の長手方向軸を規定する第１及び第２電極と、
両方ともガス密に封止されるようにして前記容器壁を通って延在する第１及び第２フィードスルーであって、各々の電極が前記フィードスルーに取り付けられる第１及び第２フィードスルーと、
壁部及びチャンバを有するＵＶエンハンサであって、前記チャンバが、前記ＵＶエンハンサの前記壁部及び前記容器壁の末端部によって囲まれているＵＶエンハンサとを有し、
前記ＵＶエンハンサの前記壁部は、前記容器壁の前記末端部上に収縮焼結されている、高圧ガス放電ランプ。
【請求項２】
前記ＵＶエンハンサは、円筒カップ状壁部を持つことを特徴とする請求項１に記載の高圧ガス放電ランプ。
【請求項３】
前記フィードスルーのうちの１つが、前記ＵＶエンハンサの内部電極を形成し、前記内部電極が、前記チャンバを通って延在し、且つガス密に封止されるようにして前記壁部を通って延在することを特徴とする請求項１又は２に記載の高圧ガス放電ランプ。
【請求項４】
前記ＵＶエンハンサが、管状であり、且つ前記ＵＶエンハンサを通って延在する前記長手方向軸と同心であることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の高圧ガス放電ランプ。
【請求項５】
前記第１フィードスルー及び前記第２フィードスルーのうちの少なくとも１つが、前記末端部において封止される第１部分と、前記壁部において封止される第２部分とを有し、前記第１部分が、前記第２部分と導電性接触していることを特徴とする請求項１に記載の高圧ガス放電ランプ。
【請求項６】
前記第１部分と前記第２部分との間の前記導電性接触が溶接を含まないことを特徴とする請求項５に記載の高圧ガス放電ランプ。
【請求項７】
前記第１部分が、イリジウムで作成され、前記第２部分が、ニオブで作成されることを特徴とする請求項６に記載の高圧ガス放電ランプ。
【請求項８】
前記第２部分が、小径部及び大径部を持つニオブのワイヤを有し、前記ニオブのワイヤが、その大径部で前記壁部において封止されることを特徴とする請求項６に記載の高圧ガス放電ランプ。
【請求項９】
前記容器壁が、外側容器表面を持ち、前記壁部が、外側壁表面を持ち、前記外側容器表面及び前記外側壁表面の上に、アクティブアンテナが延在することを特徴とする請求項１に記載の高圧ガス放電ランプ。
【請求項１０】
前記外側容器表面が、前記ＵＶエンハンサの前記外側壁表面と同じ高さにあることを特徴とする請求項９に記載の高圧ガス放電ランプ。
【請求項１１】
高圧ガス放電ランプを製造する方法であって、
密封放電容器を、その放電空間に、充填物、並びに各々の第１及び第２フィードスルー部に取り付けられた第１及び第２電極を設け、前記第１及び第２フィードスルー部を前記放電容器の容器壁においてガス密に封止することによって、製造するステップと、
前記第１及び第２フィードスルーのうちの１つの部分を、凹状ＵＶエンハンサ部のセラミック壁において、前記セラミック壁を通って延在するように封止すると同時に、又は前記フィードスルーの前記部分を、封止ガラスを用いて、前記ＵＶエンハンサ部の前記セラミック壁部において封止する別のステップの前に、前記凹状ＵＶエンハンサ部の前記セラミック壁部を、約60%の密度まで収縮焼結するステップと、
前記ＵＶエンハンサ部を約98%の密度まで、選ばれたガス雰囲気下で前記放電容器上に収縮焼結して、ガスが充填されたＵＶエンハンサの密閉壁を形成するステップとを有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月5日(2016.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶接システムであって、
第１の摺動トラック及び第２の摺動トラックを有するフレームであって、前記摺動トラックは互いに対して略平行であるフレームと、
前記第１の摺動トラック内を摺動するように構成される第１の組のタブと、前記第２の摺動トラック内を摺動するように構成される第２の組のタブとを有するカバー片とを備える溶接システム。
【請求項２】
溶接システムであって、該溶接システムはフロントパネル組立体を備え、該フロントパネル組立体は、開放位置から閉鎖位置に、該フロントパネル組立体に対して垂直方向に摺動するように構成されるカバー片を備える溶接システム。
【請求項３】
溶接システムであって、
第１の摺動トラック及び第２の摺動トラックを有するフレームと、
前記第１の摺動トラック内を摺動するように構成される第１の組のタブと、前記第２の摺動トラック内を摺動するように構成される第２の組のタブとを有するカバー片であって、前記第１の組のタブ及び前記第２の組のタブは該カバー片の互いに反対側に配置され、該カバー片は窪みを有し、該窪みは、該カバー片が開放位置に摺動すると、前記フレームのファンルーバーから突出するデテントと嵌合するように構成されるカバー片と、
複数の電気接続部であって、前記カバー片は、該カバー片が前記摺動トラック内を閉鎖位置に摺動する場合、該複数の電気接続部を実質的にカバーし、前記カバー片が前記摺動トラック内を前記開放位置に摺動する場合、該複数の電気接続部は完全に露出する、複数の電気接続部とを備える溶接システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月5日(2016.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料からなる、確定的な表面テクスチャを有する平板製品において、前記表面テクスチャが、２から１４μｍの範囲の深さの複数のくぼみを有し、当該くぼみが、Ｉ字形、Ｈ字形、十字形、Ｃ字形、またはＸ字形に設計され、前記表面テクスチャは、４５から１８０  １／ｃｍの範囲のピークカウントＲＰｃと、０．３から３．６μｍの範囲の算術平均粗さＲａと、０．０５から０．６５μｍの範囲の算術平均うねりＷｓａとを有することを特徴とする平板製品。
【請求項２】
請求項１に記載の平板製品において、前記表面テクスチャの算術平均粗さＲａが、１．０から２．５μｍの範囲であることを特徴とする平板製品。
【請求項３】
請求項１または２に記載の平板製品において、前記表面テクスチャが、３から１３μｍの範囲の深さの複数のくぼみを具えることを特徴とする平板製品。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の平板製品において、前記くぼみが、互いに対して繰り返しのパターンで配列されていることを特徴とする平板製品。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の平板製品において、前記Ｉ字形のくぼみが、それぞれ互いに平行に延びるＩ字形のくぼみからなる複数のペアを規定するように配列されていることを特徴とする平板製品。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の平板製品において、互いに平行に延びるＩ字形のくぼみからなるペア、またはＨ字形のくぼみが、互いにチェス盤のパターンで配列されていることを特徴とする平板製品。
【請求項７】
請求項１乃至６に記載の平板製品において、当該製品が、鋼板または鋼片であることを特徴とする平板製品。
【請求項８】
請求項７に記載の平板製品において、前記鋼板または鋼片に、耐食コーティングが設けられているを特徴とする平板製品。
【請求項９】
請求項８に記載の平板製品において、前記耐食コーティングが、亜鉛ベースのコーティングであることを特徴とする平板製品。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項により形成された平板製品の使用であって、塗料層でコーティングされた部品を製造するための平板製品の使用。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか１項により形成される平板製品の製造用のロールであって、当該ロールの表面が確定的な表面テクスチャを具え、前記表面テクスチャが複数の重複するディンプルを有し、当該ディンプルが、前記ロールの表面を、二重のＩ字形、Ｈ字形、十字形、Ｃ字形、またはＸ字形の材料のテクスチャに区切るように配列され、ロール軸の方向に測定された前記ロールの表面テクスチャが、８０から１８０  １／ｃｍの範囲のピークカウントＲＰｃと、２．５μｍから３．５μｍの範囲の算術平均粗さＲａと、０．０８から１．０μｍの範囲の算術平均うねりＷｓａとを有することを特徴とするロール。
【請求項１２】
請求項１１に記載のロールにおいて、当該ロールの表面テクスチャが、複数の重複するディンプルを有し、各ディンプルが実質的にガウスプロファイルまたはトップハットプロファイルを有することを特徴とするロール。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載のロールにおいて、前記二重のＩ字形またはＨ字形の材料テクスチャが、互いに対してチェス盤のパターンで配列されていることを特徴とするロール。
【請求項１４】
請求項１２に記載のロールにおいて、前記重複するディンプルが、ロールの表面をＩ字形の材料テクスチャに区切るように配列されており、線形の材料テクスチャが、互いに対してヘリンボーン状のパターンで配列されていることを特徴とするロール。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載のロールにおいて、前記ディンプルが、６から１４μｍの範囲の深さを有することを特徴とするロール。
【請求項１６】
請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載のロールにおいて、前記ディンプルが、２０から８０μｍの範囲の平均の直径を有することを特徴とするロール。
【請求項１７】
請求項１乃至９のいずれか１項により形成される平板製品の製造方法であって、金属材料からなる平板製品が提供され、少なくとも請求項１乃至６のいずれか１項により画定される表面テクスチャが設けられる表面が、最大３．０μｍの算術平均粗さＲａを有し、提供される前記平板製品がスキンパスロールにかけられ、請求項１１乃至１６のいずれか１項により形成されたロールが、平板製品が請求項１乃至６のいずれか１項により得られて画定される表面テクスチャを有するように、請求項１乃至６のいずれか１項による表面テクスチャが設けられる表面に作用することを特徴とする平板製品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月8日(2016.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部成長領域と外部供給領域を分ける少なくとも１つの壁を有している坩堝であって、壁は内部成長領域と外部供給領域の間に制限された流体連結を供給する開口部を有している坩堝；
坩堝の外部供給領域に突き出ていてシリコンを含んでいる固体原料をそこに供給する送達地点を有している供給装置を含んでいる固体原料供給システム；及び
固体原料が坩堝の内部成長領域に入るのを実質的に防いでいる少なくとも１つの粒子遮断装置：
を含んでいるチョクラルスキー成長装置。
【請求項２】
粒子遮断装置が、少なくとも一部分が坩堝の内部成長領域を覆っている粒子遮蔽板である、請求項１に記載のチョクラルスキー成長装置。
【請求項３】
粒子遮断装置が、内部成長領域に突き出ている坩堝の壁の上に位置している粒子遮蔽板である、請求項１に記載のチョクラルスキー成長装置。
【請求項４】
粒子遮断装置が、坩堝の壁の開口部に位置している粒子遮蔽板である、請求項１に記載のチョクラルスキー成長装置。
【請求項５】
粒子遮断装置が、少なくともその一部が供給装置の送達地点の周りに或いはその中に位置している粒子遮蔽板である、請求項１に記載のチョクラルスキー成長装置。
【請求項６】
粒子遮断装置が、供給装置内に位置しているスリーブであって、スリーブが少なくともその一部分が供給装置の送達地点の下に伸びていて坩堝の外部供給領域内に位置している下縁を有している、請求項５に記載のチョクラルスキー成長装置。
【請求項７】
装置がさらに、坩堝の内部成長領域の上に位置している断熱遮蔽板をさらに含んでいる、請求項１に記載のチョクラルスキー成長装置。
【請求項８】
断熱遮断板と壁が隙間によって分かれていて、粒子遮断装置が固体原料が隙間を通ることを実質的に防ぐ、請求項７に記載のチョクラルスキー成長装置。
【請求項９】
粒子遮断装置が、坩堝の壁の上に位置し、内部成長領域の中に突き出て、断熱遮蔽板に隣接している位置まで伸びている、粒子遮蔽板である、請求項７に記載のチョクラルスキー成長装置。
【請求項１０】
ｉ）内部成長領域及び外部供給領域を分ける少なくとも１つの壁を有している坩堝をチョクラルスキー成長装置内に備えること、ここで壁は内部成長領域及び外部供給領域の間に流体結合を提供する少なくとも１つの開口部を有している；
ｉｉ）シリコンを含んでいる固体の前装入物を坩堝の内部成長領域及び外部供給装置内に提供すること；
ｉｉｉ）内部成長領域及び外部供給装置内の固体前装入物を溶解すること；
ｉｖ）内部成長領域からシリコンインゴットの成長を開始すること；
ｖ）シリコンを含んでいる固体原料を、シリコンインゴットを成長させながら、シリコン送達システムから外部供給領域内へ送達すること、ここでシリコン送達システムは坩堝の外部供給領域に突き出ている送達地点を有していて固体シリコンをそこへ送達する；及び
ｖｉ）チョクラルスキー成長装置からシリコンインゴットを除去すること：
のプロセスを含んでいるシリコンインゴットのチョクラルスキー成長方法であって、ここでチョクラルスキー成長装置は、固体シリコンが坩堝の内部成長領域内に入ることを実質的に防ぐ少なくとも１つの粒子遮断装置を含んでいる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月1日(2016.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  ４５〜５５０ｍ２／ｇ、特に７０〜３７０ｍ２／ｇ、とりわけ８０〜３００ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積、
−  少なくとも０．１５重量％の、特に少なくとも０．２０重量％の、全炭素として表される、ポリカルボン酸＋相当するカルボキシレ−トの含有率（Ｃ）、
−  少なくとも０．２０重量％の、特に少なくとも０．２５重量％のアルミニウム（Ａｌ）含有率
を有することを特徴とする、沈澱シリカ。
【請求項２】
１００〜２４０ｍ２／ｇ、特に１２０〜１９０ｍ２／ｇのＢＥＴ比表面積を有することを特徴とする、請求項１に記載の沈澱シリカ。
【請求項３】
少なくとも０．２５重量％の、特に少なくとも０．３０重量％の、全炭素として表される、ポリカルボン酸＋相当するカルボキシレ−トの含有率（Ｃ）を示すことを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の沈澱シリカ。
【請求項４】
少なくとも０．３０重量％の、特に少なくとも０．３３重量％のアルミニウム（Ａｌ）含有率を示すことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の沈澱シリカ。
【請求項５】
４３ｍＪ／ｍ２未満の、特に４２ｍＪ／ｍ２未満の表面エネルギーの分散成分
2015527293.tif 000001
を示すことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の沈澱シリカ。
【請求項６】
４０ｍＪ／ｍ２未満の表面エネルギーの分散成分
2015527293.tif 000002
を示すことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の沈澱シリカ。
【請求項７】
６％超の、特に７％超の吸水量を示すことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の沈澱シリカ。
【請求項８】
−  少なくとも１つのシリケートが、沈澱シリカの懸濁液を得るために、少なくとも１つの酸性化剤と反応させられ、
−  沈澱シリカの前記懸濁液が、濾過ケーキを得るために、濾過され、
−  前記濾過ケーキが、アルミニウム化合物の添加を含む液状化操作にかけられ、
−  前記液状化操作後に、乾燥工程が好ましくは実施される
沈澱シリカの製造方法であって、
ジカルボン酸およびトリカルボン酸から選択されるポリカルボン酸が、前記アルミニウム化合物の添加後に前記濾過ケーキに添加されることを特徴とする方法。
【請求項９】
シリケートと酸性化剤との間の沈澱反応を含み、それによって沈澱シリカの懸濁液が得られるタイプの、特に請求項１〜７のいずれか一項に記載の沈澱シリカの製造方法であって、次の工程：
−  前記沈澱反応が次の方式：
（ｉ）前記反応に関与する前記シリケートの総量の少なくとも一部と電解質とを含む初期容器端部が形成され、前記初期容器端部におけるシリケートの濃度（ＳｉＯ２として表される）が１００ｇ／Ｌ未満であり、好ましくは、前記初期容器端部における電解質の濃度が１９ｇ／Ｌ未満であり、
（ｉｉ）前記酸性化剤が、少なくとも７．０の、特に７．０〜８．５の反応媒体のｐＨについての値が得られるまで前記容器端部に添加され、
（ｉｉｉ）酸性化剤および、適切な場合、同時にシリケートの残りの量が、前記反応媒体に添加される
方式で実施される工程と、
−  得られた前記シリカ懸濁液が濾過される工程と、
−  前記濾過の終わりに得られた濾過ケーキが、アルミニウム化合物の添加を含む液状化操作にかけられる工程と、
−  最大でも２５重量％の固形分を好ましくは示す、このようにして得られた前記濾過ケーキが乾燥させられる工程と
を含むことを特徴とし、
前記方法が、前記アルミニウム化合物の添加後の前記液状化操作中か、または前記液状化操作後および前記乾燥工程の前かのいずれかで、ジカルボン酸およびトリカルボン酸から選択されるポリカルボン酸が前記濾過ケーキに添加されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記ポリカルボン酸が、前記液状化操作後の砕解濾過ケーキに添加される、請求項８または９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記液状化操作中に、前記アルミニウム化合物が、前記ポリカルボン酸の添加前に前記濾過ケーキに添加される、請求項８または９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ポリカルボン酸がコハク酸である、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
用いられる前記ポリカルボン酸の一部またはすべてが、酸無水物、エステル、アルカリ金属塩（カルボキシレ−ト）またはアンモニウム塩（カルボキシレ−ト）形態にある、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記アルミニウム化合物がアルカリ金属アルミン酸塩である、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の、または請求項８〜１４のいずれか一項に記載の方法によって得られる沈澱シリカの、ポリマー用の、特にタイヤ用の強化充填材としての使用。
【請求項１６】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の、または請求項８〜１４のいずれか一項に記載の方法によって得られる沈澱シリカの、ポリマー組成物での前記組成物の粘度を下げるための使用。
【請求項１７】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の、または請求項８〜１４のいずれか一項に記載の方法によって得られる沈澱シリカを含むポリマー組成物。
【請求項１８】
請求項１７に記載の少なくとも１つの組成物を含む物品であって、この物品が、履物底、床仕上げ材、ガスバリア、難燃性材料、空中ケーブル用のローラー、家庭電化製品用のシール、液体またはガスパイプ用のシール、ブレーキシステムシール、パイプ、被覆材料、ケーブル、エンジンサポート、電池セパレーター、コンベヤーベルト、伝動ベルトまたは、好ましくは、タイヤからなる物品。
【請求項１９】
請求項１８に記載のタイヤ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
（Ｒ）で示される比は、次の関係：
2015527293.tif 000003
［式中：
−  Ｎは、ポリカルボン酸のカルボキシル官能基の数（たとえば、Ｎはコハク酸の場合には２に等しい）であり、
−  （Ｃ）および（Ａｌ）は、上に定義されたような含有率であり、
−  ＣＴは、ポリカルボン酸の炭素含有率であり、
−  ＭＡｌは、アルミニウムの分子量であり、
−  ＭＡｃは、ポリカルボン酸の分子量である］
で求められる。