(57)【要約】      （修正有）【課題】障害物の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用される特定の太陽電池セルにおける出力の低下やホットスポット現象を防止し、信頼性に優れた太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】基板１１上に第一電極層１３、発電層１４、第二電極層１５を順に重ねてなる積層体１２を備え、発電層１４及び第二電極層１５がスクライブ線により区画されて複数の太陽電池セル２１とされ、隣接する位置にある太陽電池セル２１同士を直列に接続してなる太陽電池モジュール１０であって、太陽電池モジュール１０を構成し、直列に接続された太陽電池セル２１のうち、一方あるいは両方の端部領域に位置する特定の太陽電池セル２１は、障害物の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用されるものであり、特定の太陽電池セル２１は、第一電極層１３と第二電極層１５との間を短絡させる構造を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第一電極層、発電層、第二電極層を順に重ねてなる積層体を備え、前記発電層及び前記第二電極層がスクライブ線により区画されて複数の太陽電池セルとされ、隣接する位置にある該太陽電池セル同士を直列に接続してなる太陽電池モジュールであって、
前記太陽電池モジュールを構成し、直列に接続された前記太陽電池セルのうち、一方あるいは両方の端部領域に位置する特定の太陽電池セルは、障害物の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用されるものであり、
前記特定の太陽電池セルは、前記第一電極層と前記第二電極層との間を短絡させる構造を有することを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項２】
基板上に第一電極層、発電層、第二電極層を順に重ねてなる積層体を備え、前記発電層及び前記第二電極層がスクライブ線により区画されて複数の太陽電池セルとされ、隣接する位置にある該太陽電池セル同士を直列に接続してなる太陽電池モジュールであって、
前記太陽電池モジュールを構成し、直列に接続された前記太陽電池セルのうち、一方あるいは両方の端部領域に位置する特定の太陽電池セルは、障害物の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用されるものであり、
前記特定の太陽電池セル同士の間においては、前記スクライブ線を設けず、前記第二電極層が繋がった構造を有することを特徴とする太陽電池モジュール。
【請求項３】
前記障害物が、太陽電池モジュールと一体または別体をなす、雪止めであることを特徴とする請求項１または２に記載の太陽電池モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、日陰となる部分が存在しても、その影響を回避できる太陽電池モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
エネルギーの効率的な利用の観点から、近年、太陽電池はますます広く一般に利用されつつある。特に、シリコン単結晶を利用した太陽電池は単位面積当たりのエネルギー変換効率に優れている。しかし一方でシリコン単結晶を利用した太陽電池は、シリコン単結晶インゴットをスライスしたシリコンウエハを用いるため、インゴットの製造に大量のエネルギーが費やされ、製造コストが高い。特に屋外などに設置される大面積の太陽電池をシリコン単結晶を利用して実現しようとすると、相当にコストが掛かるのが現状である。そこで、より安価に製造可能なアモルファス（非晶質）シリコン薄膜を利用した太陽電池が、ローコストな太陽電池として普及している。
【０００３】
アモルファスシリコン太陽電池は、光を受けると電子とホールを発生するアモルファスシリコン膜（ｉ型）を、ｐ型およびｎ型のシリコン膜ではさんだｐｉｎ接合と呼ばれる層構造の半導体膜を用いて、この半導体膜の両面にそれぞれ電極を形成したものである。太陽光によって発生した電子とホールは、ｐ型・ｎ型半導体の電位差によって活発に移動し、これが連続的に繰り返されることで発電する。
【０００４】
こうしたアモルファスシリコン太陽電池の具体的な構成としては、例えば図７に示すように、受光面側となるガラス基板１１１にＴＣＯなどの透明電極を正の電極（表面電極とも呼ぶ）１１３として成膜し、この上にアモルファスシリコンからなる半導体膜１１４と、負の電極（裏面電極とも呼ぶ）１１５となるＡｇ薄膜などを形成してなる。このような上下電極１１３，１１５と半導体膜１１４からなる光電変換体１１２を備えたアモルファスシリコン太陽電池１１０は、基板上に広い面積で均一に各層を成膜しただけでは抵抗値の問題もあるため、例えば、光電変換体１１２を所定のサイズごとに区画した太陽電池セル１２１を形成し、互いに隣接する太陽電池セル１２１どうしを接続してなる。具体的には、基板１１１上に広い面積に形成した光電変換体１１２に、レーザー光などでスクライブ線（スクライブライン）１２０と称される溝を形成して多数の短冊状の太陽電池セル１２１とし、この太陽電池セル１２１どうしを直列に接続した構造とする。
【０００５】
このような太陽電池モジュール１００は、住宅等の建物の屋根に設置されて使用されるが、太陽電池モジュールはほとんど傾斜状に設置される。
【０００６】
そこで、太陽電池モジュールに雪止め対策をする場合、通常、方形をなす太陽電池モジュールの軒先側のフレームに対して板状の雪止め部材を太陽電池モジュールの表面と直交するように固定する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。具体的にこれを図８に基づいて説明すると、まず、屋根１１０を構成する野地板１２０及びその上の桟木１３０に太陽電池モジュール１００を支承する支持手段１５０を固定する。そして前記支持手段１５０に太陽電池モジュール１００の軒先側フレーム１６１を固定することにより、直方形の太陽電池モジュール１００を野地板１２０上に固定する。
【０００７】
このようにして建物上に太陽電池モジュール１００を複数枚配設して屋根１１０の全部又は一部分を太陽電池モジュール１００で葺いてから、屋根に対して雪止め１７０を施す。雪止め１７０は、軒先側フレーム１６１に設けられた嵌合溝１６１ａに対して嵌入可能な板状部１７１を有しており、その板状部１７１を、幅方向が太陽電池モジュール１００の表面１００ａと垂直になるように、前記嵌合溝１６１ａに直接嵌合することにより、前記板状部１７１に太陽電池モジュール１００上に降雪した雪１８０の滑り止め機能を発揮させる。
【０００８】
しかしながら、太陽電池モジュールを敷設した屋根に雪止め１７０を取り付けると、図７に示すように、この雪止め１７０（特に板状部１７１）の影が太陽電池モジュール１００の上にでき、これにより太陽光の入射が阻害され、一部の太陽電池セルの発電効率が低下するという問題が生じる。
【０００９】
このように雪止め１７０が光の入射面に影を形成して一部の太陽電池セル１２１の出力が低下した場合、直列構造をなす薄膜系シリコン太陽電池モジュール１００全体の出力は著しく低下する。さらに出力が低下した太陽電池セル１２１は、回路上の抵抗となり、その太陽電池セルの両端には逆方向に電圧（バイアス電圧）が印加され、局所的に加熱する現象（ホットスポット現象）が起き、問題となっていた。特に、基板の端部でホットスポット現象が起きると、基板が割れてしまう場合もあり、信頼性を低下させる原因となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２７７３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、障害物の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用される特定の太陽電池セルにおける出力の低下、及びそれに起因するモジュール全体の著しい出力低下やホットスポット現象を防止し、信頼性に優れた太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の請求項１に記載の太陽電池モジュールは、基板上に第一電極層、発電層、第二電極層を順に重ねてなる積層体を備え、前記発電層及び前記電極層がスクライブ線により区画された太陽電池セルとされ、隣接する位置にある該太陽電池セル同士を直列に接続してなる太陽電池モジュールであって、前記太陽電池モジュールを構成し、直列に接続された前記太陽電池セルのうち、一方あるいは両方の端部領域に位置する特定の太陽電池セルは、障害物の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用されるものであり、前記特定の太陽電池セルは、前記第一電極層と前記第二電極層との間を短絡させる構造を有することを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の太陽電池モジュールは、基板上に第一電極層、発電層、第二電極層を順に重ねてなる積層体を備え、前記発電層及び前記電極層がスクライブ線により区画された太陽電池セルとされ、隣接する位置にある該太陽電池セル同士を直列に接続してなる太陽電池モジュールであって、前記太陽電池モジュールを構成し、直列に接続された前記太陽電池セルのうち、一方あるいは両方の端部領域に位置する特定の太陽電池セルは、障害物の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用されるものであり、前記特定の太陽電池セル同士の間においては、前記スクライブ線を設けず、前記第二電極層が繋がった構造を有することを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の太陽電池モジュールは、請求項１または２において、前記障害物が、太陽電池モジュールと別体をなす、雪止めであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の太陽電池モジュールでは、直列に接続された前記太陽電池セルのうち、一方あるいは両方の端部領域に位置し、障害物の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用される特定の太陽電池セルが、前記第一電極層と前記第二電極層との間を短絡させる構造を有しているので、該特定の太陽電池セルにおいては発電がなされない。これにより、障害物の影となる特定の太陽電池セルにおける出力の低下、及びそれに起因するモジュール全体の出力低下やホットスポット現象を防止し、信頼性に優れた太陽電池モジュールを提供することができる。
また、本発明の太陽電池モジュールにおいて、直列に接続された前記太陽電池セルのうち、一方あるいは両方の端部領域に位置し、障害物の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用される特定の太陽電池セルが、前記特定の太陽電池セル同士の間においては、前記スクライブ線を設けず、前記第二電極層が繋がった構造を有しているので、該特定の太陽電池セルにおいては発電がなされない。これにより本発明の太陽電池モジュールは、障害物の影となる特定の太陽電池セルにおける出力の低下、及びそれに起因するモジュール全体の出力低下やホットスポット現象を防止し、信頼性に優れた太陽電池モジュールを提供することができる。
また、レーザパターンを追加、又は削除するだけなので簡単に対策可能であり、外観が未対策モジュールと変わらない。モジュールの大きさを変えることでも対策可能であるが、生産ラインの大幅な変更が必要になるため現実的ではない。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の太陽電池モジュールの一例を示す斜視図。
【図２】図１中、Ｘ１−Ｘ２線における断面図。
【図３】図１に示す太陽電池モジュールの製造工程を示す断面図。
【図４】本発明の太陽電池モジュールの他の一例を示す斜視図。
【図５】図１中、Ｘ３−Ｘ４線における断面図。
【図６】図に示す太陽電池モジュールの製造工程を示す断面図。
【図７】従来の太陽電池モジュールの要部を示す断面図。
【図８】太陽電池モジュールに雪止めが取り付けられた状態を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係る太陽電池モジュールの最良の形態について、図面に基づき説明する。なお、本実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
また、本実施形態では、太陽電池モジュールへの太陽光の入射を阻害する障害物として、家などの建物の屋根に設置される雪止めの場合を例に挙げて説明するが、本発明はこれに限定されず、影を形成し太陽光の入射を阻害するものであれば、雪止め以外の物体についても適用可能である。
【００１６】
図１は、本発明のアモルファスシリコン型の太陽電池モジュール１０Ａ（１０）の一例を示す斜視図である。また、図２は図１の太陽電池モジュール１０Ａ（１０）の要部を示す断面図であり、図１中、Ｘ１−Ｘ２線における断面図である。
本発明の太陽電池モジュール１０Ａ（１０）は、基板１１の一面１１ａ上に第一電極層１３、発電層１４、バッファ層１５、第二電極層１５を順に重ねてなる積層体１２を備え、発電層１４及び第二電極層１５がスクライブ線２０により区画されて複数の太陽電池セル（区画素子）２１、２１…とされ、隣接する位置にある該太陽電池セル２１、２１…同士を直列に接続して構成される。
【００１７】
基板１１は、たとえば、ガラスや透明樹脂等、太陽光の透過性に優れ、かつ、耐久性のある絶縁材料からなる。この太陽電池モジュール１０では、基板１１の他面１１ｂ側から太陽光Ｓを入射させる。
【００１８】
積層体１２は、基板１１側から順に第一電極層（下部電極）１３、発電層（半導体層）１４、第二電極層（上部電極）１５を積層してなる。
第一電極層（下部電極）１３は、透明な導電材料、例えば、ＴＣＯ、ＩＴＯなどの光透過性の金属酸化物から形成されていればよい。
【００１９】
発電層（半導体層）１４は、例えば、図２の上部に示すように、ｐ型アモルファスシリコン膜１４ｐとｎ型アモルファスシリコン膜１４ｎとの間にｉ型アモルファスシリコン膜１４ｉを挟んだｐｉｎ接合構造を成す。そして、この発電層１４に太陽光が入射すると電子とホールが生じて、ｐ型アモルファスシリコン膜１４ｐとｎ型アモルファスシリコン膜１４ｎとの電位差によって活発に移動し、これが連続的に繰り返されることで第一電極層１３と第二電極層１５との間で発電する（光電変換）。
【００２０】
発電層１４と、該発電層１４上に配される第二電極層１５との間にバッファ層（図示略）が配されていてもよい。
発電層１４と第二電極層１５との間にバッファ層を配することにより、発電層１４中のシリコンが第二電極層１５中への拡散・反応を抑制することができる。このようなバッファ層は、例えばＺｎＯ等からなる。
【００２１】
第二電極層１５は、Ａｇ（銀）やＡｌ（アルミニウム）など導電性の光反射膜によって構成されれば良い。この第二電極層１５は、たとえばスパッタ法などにより形成することができる。
【００２２】
このような積層体１２において、発電層１４及び第二電極層１５は、スクライブ線２０（スクライブライン）２０によって、例えば外形が短冊状の多数の太陽電池セル２１，２１…に分割されている。この太陽電池セル２１α，２１β…は互いに隣接する太陽電池セル２１どうしの間で、直列に接続される。これにより、積層体１２は、太陽電池セル２１α，２１β…を全て直列に繋いだ形態となり、高い電位差の電流を取り出すことができる。スクライブ線２０は、例えば、基板１１の一面に均一に積層体１２を形成した後、レーザー光線などによって発電層１４及び第二電極層１５に所定の間隔で溝を形成することにより形成すれば良い。
【００２３】
ここで、太陽電池モジュールに雪止め対策をする場合、図１に示すように、雪止め（板状部）７０を、幅方向が太陽電池モジュール１０の表面と垂直になるように配することにより、前記雪止め７０に太陽電池モジュール１０上に降雪した雪の滑り止め機能を発揮させる。なお、このような雪止め７０は、太陽電池モジュール１０と別体をなすものである。
しかしながら、図１に示すように、直列に接続された前記太陽電池セル２１のうち、一方あるいは両方の端部領域に位置する特定の太陽電池セル２１（ここでは、端部から２つの特定の太陽電池セル２１α，２１βの場合を例として示している。）において、雪止め７０の影となり太陽光の入射が阻害されると、該特定の太陽電池セル２１α，２１βにおいて発電効率が低下してしまうだけでなく、モジュール全体の著しい出力低下やホットスポット現象が起きる。
【００２４】
このような雪止め７０の影が出来た場合、直列構造をなす太陽電池モジュール全体の出力は著しく低下する。さらに出力が低下した太陽電池セル２１α，２１βは、回路上の抵抗となり、その太陽電池セル２１α，２１βの両端には逆方向に電圧（バイアス電圧）が印加され、局所的に加熱する現象（ホットスポット現象）が起きる。
【００２５】
そこで本発明の太陽電池モジュール１０Ａ（１０）では、前記太陽電池モジュール１０を構成し、障害物（例えば雪止め７０など）の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用されるものであり、前記特定の太陽電池セル２１α，２１βは、前記第一電極層１３と前記第二電極層１５との間を短絡させる構造を有することを特徴とする。
【００２６】
図２に示すように、本実施形態の太陽電池モジュール１０Ａ（１０）においては、直列に接続された前記太陽電池セル２１のうち、一方あるいは両方の端部領域に位置し、障害物（雪止め７０）の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用される特定の太陽電池セル２１α，２１βにおいて、発電層１４に設けられた開口部１４ａを通じて、第二電極層１５と第一電極層１３とが短絡させられた構造を有している。これにより、該特定の太陽電池セル２１においては発電がなされない。すなわち、この特定の太陽電池セル２１α，２１βにおいては、障害物（雪止め７０）の影となり太陽光の入射が阻害されても、その影響を受けない。
その結果、本発明の太陽電池モジュール１０Ａ（１０）は、障害物の影となる特定の太陽電池セル２１α，２１βにおける出力の低下、及びそれに起因するモジュール全体の出力低下やホットスポット現象を防止し、信頼性に優れたものとなる。
なお、セルの一部分のみ、或いは一部の時間帯のみ、障害物の影となるような太陽電池セル２１についても本発明の対策を適用することが好ましい。
【００２７】
次に、上述したような構成の太陽電池モジュール１０Ａ（１０）を製造するための製造方法について工程順に説明する。
図３は、本実施形態の太陽電池モジュール１０Ａ（１０）の製造工程を順に示す断面図である。
まず、図３（ａ）に示すように、第一電極層１３として透明導電膜が成膜された絶縁性透明基板１１を準備する。
【００２８】
次いで、図３（ｂ）に示すように、第一電極層１３上に、発電層１４のｐ型アモルファスシリコン膜１４ｐ、ｉ型アモルファスシリコン膜１４ｉ、ｎ型アモルファスシリコン膜１４ｎと、を各々別々のプラズマＣＶＤ反応室内で形成する。
このとき、一方あるいは両方の端部領域に位置し、障害物（雪止め７０）の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用される特定の太陽電池セル２１α，２１βとなる部位において、パターニングにより発電層１４に開口部１４ａを形成しておく。
【００２９】
次に、図３（ｃ）に示すように、前記発電層１４上に、バッファ層（図示略）、第二電極層１５を順に形成する。
これらバッファ層及び第二電極層１５は、例えばインライン型のスパッタ装置を用いて、同一装置内で連続して形成（成膜）される。
【００３０】
このとき、一方あるいは両方の端部領域に位置し、障害物（雪止め７０）の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用される特定の太陽電池セル２１α，２１βにおいて、発電層１４に設けられたスクライブ線１４ａを通じて、第二電極層１５と第一電極層１３とが短絡させられた構造となり、該特定の太陽電池セル２１α，２１βにおいては発電がなされない。
【００３１】
次に、図３（ｄ）に示すように、発電層１４及び第二電極層１５に向けて、例えばレーザー光線などを照射して、スクライブ線２０（スクライブライン）２０を形成する。これにより、積層体１２は短冊状の多数の太陽電池セル２１α，２１β…に分割される。この太陽電池セル２１α，２１β…は互いに隣接する太陽電池セル２１同士の間で、直列に接続される。
最後に、第二電極層１５上に例えばスパッタ法等により保護層（図示略）を形成してもよい。
【００３２】
これにより、図１及び図２に示すような太陽電池モジュール１０Ａ（１０）が得られる。このようにして、障害物の影となる特定の太陽電池セル２１α，２１βにおける出力の低下、及びそれに起因するモジュール全体の出力低下やホットスポット現象を防止し、信頼性に優れた太陽電池モジュール１０Ａ（１０）を簡便に製造することができる。
【００３３】
＜第二実施形態＞
次に、本発明の太陽電池モジュール及びその製造方法の第二実施形態について説明する。なお、以下の説明では、上述した第一実施形態と異なる部分について主に説明し、第一実施形態と同様の部分についてはその説明を省略する。
【００３４】
図４は、本実施形態の太陽電池モジュール１０Ｂ（１０）の一例を示す斜視図である。また、図５は図４の太陽電池モジュール１０Ｂ（１０）の要部を示す断面図であり、図４中、Ｘ３−Ｘ４線における断面図である。
本実施形態の太陽電池モジュール１０Ｂ（１０）は、太陽電池モジュールを構成し、直列に接続された前記太陽電池セル２１のうち、一方あるいは両方の端部領域に位置する特定の太陽電池セル２１α，２１βは、障害物（例えば雪止め７０など）の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用されるものであり、前記特定の太陽電池セル２１α，２１βどうしの間においては、前記スクライブ線２０を設けず、前記第二電極層１５が繋がった構造を有することを特徴とする。
【００３５】
図５に示すように、本実施形態の太陽電池モジュールにおいては、直列に接続された前記太陽電池セル２１のうち、一方あるいは両方の端部領域に位置し、障害物（雪止め７０）の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用される特定の太陽電池セル２１において、前記特定の太陽電池セル２１α，２１β同士の間においては、前記スクライブ線２０を設けず、前記第二電極層１５が繋がった構造を有している。これにより、該特定の太陽電池セル２１α，２１βにおいては発電がなされない。
その結果、本発明の太陽電池モジュール１０Ｂ（１０）は、モジュール全体の出力低下やホットスポット現象を防止し、信頼性に優れたものとなる。
【００３６】
このような本実施形態の太陽電池モジュール１０Ｂ（１０）は、上述した第一実施形態の太陽電池モジュール１０Ａ（１０）とほぼ同様にして製造することができる。
図６は、本実施形態の太陽電池モジュール１０Ｂ（１０）の製造工程を順に示す断面図である。
まず、図６（ａ）に示すように、第一電極層１３として透明導電膜が成膜された絶縁性透明基板１１を準備する。
【００３７】
次いで、図６（ｂ）に示すように、第一電極層１３上に、発電層１４のｐ型アモルファスシリコン膜１４ｐ、ｉ型アモルファスシリコン膜１４ｉ、ｎ型アモルファスシリコン膜１４ｎと、を各々別々のプラズマＣＶＤ反応室内で形成する。
次に、図６（ｃ）に示すように、前記発電層１４上に、バッファ層（図示略）、第二電極層１５を順に形成する。
【００３８】
次に、図６（ｄ）に示すように、第一電極層１３及び発電層１４に向けて、例えばレーザー光線などを照射して、スクライブ線２０（スクライブライン）２０を形成し、直列に接続された多数の太陽電池セル２１，２１…に分割する。
このとき、直列に接続された前記太陽電池セル２１のうち、一方あるいは両方の端部領域に位置し、障害物の影となり太陽光の入射が阻害される環境下に設置されて使用される特定の太陽電池セル２１α，２１βの間においては、スクライブ線２０を設けない。これにより、特定の太陽電池セル２１α，２１βの間においては前記第二電極層１５が繋がった構造となり、該特定の太陽電池セル２１α，２１βにおいては発電がなされない。
最後に、第二電極層１５上に例えばスパッタ法等により保護層（図示略）を形成してもよい。
【００３９】
これにより、図３及び図４に示すような太陽電池モジュール１０Ｂ（１０）が得られる。このようにして、モジュール全体の出力低下やホットスポット現象を防止し、信頼性に優れた太陽電池モジュール１０Ｂ（１０）を簡便に製造することができる。
【００４０】
以上、本発明の太陽電池モジュールについて説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
例えば、本発明の太陽電池モジュールは、図で例示したものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、適宜構成の一部を変更しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、アモルファスシリコン型の（薄膜シリコンを用いた）太陽電池モジュールに適用した事例を詳細に説明したが、本発明の骨子である「特定の太陽電池セルにおいては、障害物の影となり太陽光の入射が阻害されても、その影響を受けない（発電がなされない）構成を備えること」は、アモルファスシリコン型の太陽電池（セル）に限定されるものではない。
本発明が適用される太陽電池モジュールは、基板上に第一電極層、発電層、第二電極層を順に重ねてなる積層体が、薄膜形成され、レーザースクライブによりセル形成されるものであれば、太陽電池の種類は問わない。
すなわち、太陽電池（セル）を薄膜シリコン系とした場合でも、アモルファスシリコン以外に、微結晶シリコン、多接合型、としても構わない。また、太陽電池（セル）をシリコン系に代えて、化合物系（ＩＩＩ−Ｖ族多接合、ＣＩＧＳ、ＣｄＴｅ等）や有機系（色素増感、有機半導体）としても、本発明の骨子は有効である。
【符号の説明】
【００４２】
１０Ａ，１０Ｂ（１０）  太陽電池モジュール、１１  基板、１２  積層体、１３  第一電極層、１４  発電層、１４ａ  開口部、１５  第二電極層、２０  スクライブ線、２１  太陽電池セル、７０  雪止め（障害物）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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