(57)【要約】【課題】ＰｏＰ構造を有する半導体装置の製造を容易にし、過酷な使用環境である車載用途においても、放熱性、接続信頼性に優れる高信頼なＰｏＰ型半導体装置を提供する。【解決手段】複数の半導体装置を平面的かつ高さ方向に立体的に積層して、電気的に接続してなるパッケージオンパッケージ型半導体装置であって、第一の半導体装置は、パッケージの底面に接続端子を有するエリアアレイ型表面実装パッケージであり、前記接続端子と対抗する前記パッケージ上側には、前記パッケージ樹脂より露出するようリードフレームが埋没しており、前記リードフレーム上には、第二の半導体装置が搭載され、前記第一の半導体装置と前記第二の半導体装置は前記パッケージ樹脂により電気的に絶縁されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体装置を平面方向および高さ方向に立体的に積層して、前記複数の半導体装置を電気的に接続したパッケージオンパッケージ型半導体装置であって、
前記複数の半導体装置は、第一の半導体装置と第二の半導体装置とを有し、
前記第一の半導体装置は、パッケージ樹脂の底面に接続端子を有するエリアアレイ型表面実装パッケージであり、
前記底面と対抗する面には、外部接続用のリードフレームの一部が前記パッケージ樹脂より露出するよう埋没しており、
前記リードフレームの露出面には、前記第二の半導体装置が搭載され、
前記第一の半導体装置と前記第二の半導体装置は前記パッケージ樹脂により電気的に絶縁されていることを特徴とするパッケージオンパッケージ型半導体装置。
【請求項２】
複数の半導体装置を平面方向および高さ方向に立体的に積層して、前記複数の半導体装置を電気的に接続したパッケージオンパッケージ型半導体装置であって、
前記複数の半導体装置は、第一の半導体装置と第二の半導体装置とを有し、
前記第一の半導体装置は、パッケージ樹脂の底面に接続端子を有するエリアアレイ型表面実装パッケージであり、
前記底面と対抗する面には、外部接続用のリードフレームの一部が前記パッケージ樹脂より露出するよう埋没しており、
前記リードフレームの前記パッケージ樹脂に埋没している側の面には、前記第二の半導体装置が搭載され、
前記第一の半導体装置と前記第二の半導体装置は前記パッケージ樹脂により電気的に絶縁されていることを特徴とするパッケージオンパッケージ型半導体装置。
【請求項３】
前記第二の半導体装置は、トランジスタ、ダイオードからなるパワー系半導体と、ツェナーダイオードからなる過電圧保護素子と、のうち少なくとも一つ以上であることを特徴とした請求項１乃至２何れか一に記載のパッケージオンパッケージ型半導体装置。
【請求項４】
前記リードフレームは、前記第一の半導体装置の対向方向にそれぞれ伸展した外部リードを少なくとも一対具備しており、前記第一の半導体装置の前記接続端子と前記リードフレームの外部リードが電気的につながり、電子回路を形成していることを特徴とした請求項１乃至３何れか一に記載のパッケージオンパッケージ型半導体装置。
【請求項５】
前記リードフレームは、ボンデイングワイヤにより接合しており、前記第一の半導体装置の前記接続端子と前記リードフレームが電気的につながり、電子回路を形成していることを特徴とした請求項１乃至３何れか一に記載のパッケージオンパッケージ型半導体装置。
【請求項６】
前記リードフレームは、銅、銅合金、もしくは、鉄合金であることを特徴とした請求項１乃至５何れか一に記載のパッケージオンパッケージ型半導体装置。
【請求項７】
前記リードフレームは、前記第一の半導体装置の四隅箇所で外部基板と接続されるように伸展していることを特徴とした請求項１乃至６何れか一に記載のパッケージオンパッケージ型半導体装置。
【請求項８】
前記リードフレームは、エッチング処理により表面が粗化されていることを特徴とした請求項１乃至７何れか一に記載のパッケージオンパッケージ型半導体装置。
【請求項９】
前記接続端子は半田ボールであり、前記半田ボールの融点よりも高い高温半田または導電性ペーストを用いて前記第一の半導体装置上の素子が実装されていることを特徴とした請求項１乃至８何れか一に記載のパッケージオンパッケージ型半導体装置。
【請求項１０】
前記パッケージ樹脂は、トランスファモールド、もしくは、コンプレッションモールドにより前記リードフレームの一部が一体となるように成形されていることを特徴とするパッケージオンパッケージ型半導体装置。
【請求項１１】
インタポーザの一方の面に複数の素子を実装する第一の工程と、
前記一方の面と外部接続用のリードフレームの一部とを一体でトランスファモールド、もしくは、コンプレッションモールドにより樹脂成形する第二の工程と、
前記インタポーザの他方の面に半田ボールを搭載する第三の工程と、
前記リードフレームの樹脂成形されていない露出面に第二の半導体装置を搭載する第四の工程と、
前記半田ボールと前記リードフレームとを同一のリフロー工程で外部基板へ接合する第五の工程と、を有するパッケージオンパッケージ型半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第一の工程で用いられる半田の融点は、前記第五の工程で用いられる半田の融点よりも高いことを特徴とするパッケージオンパッケージ型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型化、高密度実装を可能にするパッケージオンパッケージを構成する半導体装置の実装構造に係り、特に、高信頼性が必要とされる車載用途に好適な半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化と高機能化に伴い、それに使用される半導体装置は、高密度実装、高速動作が要求されている。
【０００３】
半導体装置の高密度実装に関して、半導体パッケージの実装方式でみると、ＤＩＰ（Dual In-Line Package）に代表されるピン挿入実装型からＱＦＰ（Quad Flat Package）に代表される表面実装型、ＢＧＡ（Ball Grid Array）に代表されるエリアアレイ実装型へと変遷し、さらに、現在は、ＰｏＰ（Package on Package）やＳｉＰ（Sytem in Package）に代表されるような３次元実装が実施されている。３次元実装は、平面的な実装から、縦方向に立体的に実装することで、実装密度の向上と信号配線長の短縮による動作の高速化を図ることができる。
【０００４】
複数の機能を集約し、１チップにしたシステムＬＳＩに対して、ＰｏＰやＳｉＰは、複数の半導体素子を任意に組み合わせることができ、多様化する市場ニーズへの対応するための開発期間の短縮や、すでに量産されている半導体素子を使用することにより、コストの低減が可能であるとう利点を有している。
【０００５】
したがって、製品サイクルが短く、小型・軽量化が必要な携帯電話等の民生機器にはよく使用されている。
【０００６】
ところで、半導体パッケージを積層して、ＰｏＰ構造を構成する場合、積層されたパッケージ間を電気的に接続する手法の一つには、半田ボールによる接続がある。半田ボールによる接続は、ワイヤボンディングを使った接続手法と比較し、配線長を短くできるため、高速動作や小型化には有利である。
【０００７】
しかし、かかる構造は、基板、半導体素子、封止樹脂等の異種材料の積層構造であるため、各材料間の線膨張係数差に起因した熱応力による歪が、半田ボールの接続箇所にかかることによって、クラックの発生や断線といった接合信頼性が悪いことが問題になることがあった。接合信頼性を高める手段として、半田ボールの接合箇所の隙間を樹脂組成物で封止し、接合部の接合信頼性を向上させるアンダーフィル技術が広く知られている（特許文献１）。
【０００８】
さらに、半導体パッケージの放熱性向上の観点から、発生する熱を放熱させるため放熱構造にするのが一般的であり、大電流を通電するような発熱の量の大きなパワー系の素子には有効である。これは、素子の上方もしくは下方の少なくともどちらか一方に、半導体素子が発熱する熱を逃がす放熱経路を形成することが実施されている。素子の上方に放熱経路を設けた例として特許文献２には、発熱する素子の上に熱伝導率の高いグリースや接着剤を塗布して、ヒートシンクとなる冷却部材と半導体素子を接着する構造がある。
【０００９】
素子の下方に放熱経路を設けた例として特許文献３には、半導体素子を搭載する配線基板にヒートシンクを半田や熱伝導性の接着剤により搭載している。配線基板には熱伝導材を充填した貫通孔が有り、半導体素子とヒートシンクの間に放熱経路を形成している。
【００１０】
さらに、特許文献４、５には、半導体装置において、ヒートシンクとなる金属部材に直接半導体素子や電子部品を実装する構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００８−２３９８２２号公報
【特許文献２】特開２０１０−１８２８５５号公報
【特許文献３】特開２０１１−９６８３０号公報
【特許文献４】特開平６−２９１３６２号公報
【特許文献５】特許第２７４０９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
民生用途に限らず、車載用の電子制御モジュール例えばＥＣＵ（エンジンコントロールユニット）においても小型化が要求されている。ＥＣＵの筐体のサイズは、電子回路の規模で決まるといっても過言ではなく、ＥＣＵの小型化を実現するには、電子回路の高密度実装を可能にするＰｏＰやＳｉＰの実装技術が必要とされる。
【００１３】
しかし、ＥＣＵのような車載用電子制御モジュールは、その設置場所が車室内からエンジンルーム内、さらには、エンジン直付けが求められ、環境温度が厳しくなっている。したがって、半導体素子を３次元的に積層してＰｏＰ構造にするには、高い接続信頼性が求められるのである。特許文献１にあるアンダーフィル技術により、半田ボールの隙間を樹脂組成物で埋める方法は、半田ボールの接続箇所が狭ピッチになると、隙間に均一に充填することが難しく、製造プロセスに課題があった。
【００１４】
また、半田リフロー時の半田ボールが一度溶融したときに潰れてしまい、積層した半導体装置間の高さを一定に確保することが難しかった。
【００１５】
さらに、ＥＣＵの電子回路は、発熱の小さい小信号系回路と発熱の大きなパワー系の回路からなり、発熱の大きなパワー系の素子と発熱の小さい小信号系素子を組み合わせてＰｏＰ構造にするには、放熱構造を設ける必要がある。
【００１６】
特許文献２、３のようにヒートシンクとなる冷却部材を設けるには、構造とプロセスが複雑になることが課題である。また、冷却部材を接着するときに使用する接着剤は、熱抵抗が増大するので厚さや、ボイドの管理が必要となる。また、特許文献４、５は、複数の入出力回路を有し、外部入出力端子が数百ピンを超えるような場合は想定されていない。
【００１７】
本発明はこうした課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、ＰｏＰ構造を有する半導体装置の製造を容易にし、過酷な使用環境である車載用途においても、使用可能な高信頼なＰｏＰ型半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明では、複数の半導体装置を平面方向および高さ方向に立体的に積層して、前記複数の半導体装置を電気的に接続したパッケージオンパッケージ型半導体装置であって、前記複数の半導体装置は、第一の半導体装置と第二の半導体装置とを有し、前記第一の半導体装置は、パッケージ樹脂の底面に接続端子を有するエリアアレイ型表面実装パッケージであり、前記底面と対抗する面には、外部接続用のリードフレームの一部が前記パッケージ樹脂より露出するよう埋没しており、前記リードフレームの露出面には、前記第二の半導体装置が搭載され、前記第一の半導体装置と前記第二の半導体装置は前記パッケージ樹脂により電気的に絶縁されていることを特徴とするようパッケージオンパッケージ型半導体装置を構成する。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように、本発明によれば、ＰｏＰ構造を有する半導体装置の製造を容易にし、過酷な使用環境である車載用途においても、放熱性、接続信頼性に優れる高信頼なＰｏＰ型半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る半導体装置の実施例１の外観を示す鳥瞰図である。
【図２】図１に示される半導体装置１の内部の一部を示す一部断面図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の実施例２の外観を示す鳥瞰図である。
【図４】図３に示される半導体装置の内部の一部を示す一部断面図である。
【図５】図３に示される半導体装置の断面図である。
【図６】本発明に係る半導体装置の実施例３の外観を示す鳥瞰図である。
【図７】図６に示される半導体装置の封止樹脂で覆う工程を説明した図である。
【図８】実施例１の半導体装置の製造工程を示す概略図である。
【図９】実施例１の半導体装置の一部断面図で、半田ボールの接合高さを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明である半導体装置の実装構造の実施例を図面を参照しながら説明する。先ず、本発明に係わる第１の実施例を、図１、図２、図８を用いて説明する。
【００２２】
図１は、本発明に係る半導体装置の実施例１の外観を示す鳥瞰図であり、図２は図１に示される第一の半導体装置１の内部の一部を示す一部断面図である。実施例１の半導体装置の構成は、大きくは、パッケージの底面に接続端子を有するエリアアレイ型表面実装パッケージの第一の半導体装置１と、第一の半導体装置１のパッケージ樹脂３より露出するよう埋没したリードフレーム４と、リードフレーム４上に搭載された第二の半導体装置２とで構成されている。実施例１の半導体装置の製造工程を図８の実施例１の半導体装置の製造工程を示す概略図により説明する。
【００２３】
始めに、図８の８−Ａに示すように、第一の半導体装置１を製造すべく、ベアチップ７、とチップコンデンサ９、または、チップ抵抗からなる受動素子を高温半田や銀ペーストのような導電性ペーストによりインタポーザ５に実装する。ベアチップ７には、外部と電気的に接続するためのＡｕワイヤ８によるボンディングを行う。
【００２４】
なお、高温半田としたのは、この後工程で、第一の半導体装置１の半田ボール６の接続のために再度リフロー工程を通すため、鉛フリーのリフロープロファイルの最高温度以上の融点を有する半田でないと、再び溶融してしまうためである。従って、２４０℃以上の融点を有する半田であればよく、１度硬化すると不溶である熱硬化性樹脂組成物からなる銀ペーストのような導電ペーストでもよい。
【００２５】
インタポーザ５は、厚さ０.６mmの４層のビルドアップのガラス−エポキシ基板を用いたが、他の樹脂系の有機基板、セラミック基板のような無機基板、金属基板のように金属に絶縁層を貼り合わせたものでもよく、材質や大きさは特に限定されるものではない。
【００２６】
続いて、図８の８−Ｂに示すように、第一の半導体装置１を厚さ０.６４mmの銅合金からなるリードフレーム４と一体でトランスファモールド成形による片面封止を行う。リードフレーム４は銅、銅合金、鉄合金からなるものを使用すればよく、樹脂との密着性をあげるため、化学的なエッチング処理により表面を粗化している。封止する成形方法は、樹脂の流動するランナー部分が無く、余分な樹脂が出ないコンプレッションモールドでも行うことができる。パッケージ樹脂３は熱硬化性樹脂組成物であり、樹脂成分のうち７０重量％以上の無機質フィラを含むエポキシ系複合材料である。
【００２７】
このパッケージ樹脂３は、モールド成形前（常温）は固形、液状の何れのものでも良く、成形方法に応じて使い分ければ良い。パッケージ樹脂３の物性値は、モールド成形時の反りを低減するため、硬化収縮率の小さなものが好適である。
【００２８】
また、パッケージ樹脂３の硬化後に半田リフロープロセスを通すので、ガラス転移温度が高く、吸水率が低いものが良い。本実施例で使用したパッケージ樹脂３の物性値は、１７５℃での硬化時の硬化収縮率が０.１％、硬化後のガラス転移温度が１７５℃、硬化後の飽和吸水率が０.３５％である。
【００２９】
トランスファモールド成形は、１７５℃の金型温度内に、第一の半導体装置１とリードフレーム４をセットし、成形時間２分、成形圧力１０ＭＰａの条件で行い、離型後、１８０℃で５時間、恒温槽内に成形体を置いてアフターキュアを行う。
【００３０】
インサート成形は、モールドの金型構造が複雑になるが、耐熱性が１７０℃以上ある熱剥離シートを使用して、リードフレーム４を上金型に貼り付けておけば簡易に成形できる。成形後にリードフレーム４上に流動した樹脂が流れ込むことがあるが、その場合は樹脂を研磨してリードフレーム４の表面を露出させる。
【００３１】
なお、図８では１製品の状態で図示してあるが、インタポーザ５およびリードフレーム４は、半導体のＭＡＰ（Mold Array Package）方式のように、１度の成形で複数の成形体ができる複数個取りにすることで、生産性の向上、製造コストの低減を図ることができる。
【００３２】
続いて、図８の８−Ｃに示すように、リードフレーム４の外部リード１０を曲げる工程であり、曲げ後、半田接合箇所には半田の濡れ性を向上させるため、Ｎｉ（厚さ１μｍ以上）めっきにＳｎめっき（厚さ８μｍ）処理を施す。
【００３３】
そして、図８の８−Ｄに示すように、インタポーザ５に半田ボール６を搭載し、第一の半導体装置１が完成する。半田ボール６はＳｎ−Ａｇの鉛フリーの半田ボールで直径が７５０μｍである。半田ボール数は一個当たり２２５個であるが、回路の入出力数に応じた半田ボールを搭載すればよい。
【００３４】
次に、リードフレーム４に鉛フリーの半田ペーストを塗布後、図８の８−Ｅに示すように第二の半導体装置２を搭載する工程からなる。
【００３５】
第二の半導体装置２は、発熱量の大きいパワー系の半導体素子で、スイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）等のトランジスタ、もしくは、ダイオードと、これら素子から過電圧保護をするツェナーダイオードが、少なくとも１つ以上実装される。実施例１では、ＭＯＳＦＥＴ２ａが２個とツェナーダイオード２ｂが２個搭載されている。第二の半導体装置２は、予めパッケージングされた半導体素子を搭載することができるため、第二の半導体装置２はモールド成形の必要が無い。
【００３６】
これら第二の半導体装置２から発生する熱は、リードフレーム４へ直接広がるため、搭載するリードフレーム４の表面積は、大きくすることで放熱効果は高まる。図２に示す如く、ＭＯＳＦＥＴ２ａのゲート電極部は、ヒートシンク２ａ−１がついており、ＭＯＳＦＥＴ２ａのゲート電極部と接合するリードフレーム４の接合箇所は、可能な限り表面積を大きくしている。
【００３７】
かかる工程によりできたパッケージオンパッケージ型半導体装置は、図８の８−Ｆに示すように、マザーボード１１に搭載する時のリフロー工程で、第二の半導体装置２と第一の半導体装置１の半田ボール６、リードフレーム４の外部リード１０を全て１回の同一プロセスにて接合可能である。これにより、製造時間の短縮を図ることが可能となる。
【００３８】
この時、図９に示す如く、半田ボール６とマザーボード１１との接合高さＬは、外部リード１０との接合高さｈにより決まるため、半田ボールが潰れることなく、一定の接合高さを確保することが可能になるのである。
【００３９】
なお、外部リード１０とマザーボード１１の接合は、レーザー、スポット溶接などの接合方法でも良い。
【００４０】
この場合、半田ボール６の接合は、溶融した半田の界面張力による接続箇所が自動で適正箇所に補正される、いわゆるセルフアライメント作用を利用するため、先ず、半田リフローを行い、半田ボールの接続が終了後に、外部リード１０の溶接を行う。外部リード１０の溶接後に半田リフローを行うと、セルフアライメント作用が阻害され、半田ボールが適正位置で接合ができない。
【００４１】
なお、第一の半導体装置１と第二の半導体装置２とは、パッケージ樹脂３によって電気的に絶縁されるよう実装されている。リードフレーム４、半田ボール６がマザーボード１１と接合されることにより、第一の半導体装置１と第二の半導体装置２とは電気的に接続され、電子回路を形成する。
【００４２】
本発明では、半田ボール６の接合信頼性を高めるため、半田ボール６と外部リード１０がマザーボード１１と接合している。かかる構造により、外部応力や振動に対して、強い構造としている。従って、リードフレーム４の外部リード１０は、パッケージの対向方向に少なくとも一対配置することで、接続信頼性を向上させることができる。半田ボール６をマザーボード１１へ接合した後に、最も外部応力がかかるのは、四隅箇所に配置された半田ボールである。従って、外部リード１０は、第一の半導体装置１の四隅箇所で接続、固定することが好ましい。
【００４３】
次に、本発明に係わる第２の実施例を、図３、図４を用いて説明する。図３は、本発明に係る半導体装置の実施例２の外観を示す鳥瞰図である。図４は、図３に示される半導体装置の内部の一部を示す一部断面図である。実施例１との違いは、第二の半導体装置２がリードフレーム４の内側にフェイスダウンの状態で搭載していることである。これにより、第二の半導体装置２は第一の半導体装置１のパッケージ樹脂３に完全に埋没した状態である。
【００４４】
パッケージ樹脂３により、第二の半導体装置２の半田接合箇所が拘束されるため、外部応力や機械振動の影響を低減することができ、その結果、第二の半導体装置２の半田接続信頼性の向上になる。ここで、例えば、放射ノイズ等の電磁波は、樹脂内部を透過する事ができるが、金属は遮蔽することができる。従って、リードフレーム４がある面方向からの電磁波は遮断することができるため、第一の半導体装置１と第二の半導体装置２への放射ノイズによる影響を軽減する効果が期待できる。
【００４５】
本発明に係わる第２の実施例の製造方法は、実施例１との違いは、トランスファモールド成形時に、リードフレーム４にはすでに、第二の半導体装置２が搭載されていることであり、その他は実施例１と同じである。
【００４６】
次に、本発明に係わる第３の実施例を、図６、図７を用いて説明する。図６は、本発明に係る半導体装置の実施例３の外観を示す鳥瞰図であり、図７は、図６に示される半導体装置の封止樹脂で覆う工程を説明した図である。
【００４７】
実施例１との違いは、図６、図７に示す如く、リードフレーム４の外部リード１０が無く、Ａｌワイヤ１２によってマザーボード１１と接合し、電気的につながっていることである。
【００４８】
Ａｌワイヤ１２は、直径が５００μｍのＡｌワイヤであり、流れる電流によってＡｌワイヤ１２が溶断するので、流れる電流に応じＡｌワイヤのボンディング本数を決めればよい。
【００４９】
なお、特に図示はしていないが、Ａｌワイヤボンディングを行うのに、ボンディング箇所はＮｉやＡｌ等からなるボンディングパッドをリードフレーム４に設けても良いし、リードフレーム４にＮｉやＡｕのめっきを施し、めっき部へダイレクトにボンディングを行うこともできる。
【００５０】
実施例３のワイヤボンディングを使用した接合は、接合信頼性をあげるために、マザーボード１１に搭載後、図７に示すごとくＡｌワイヤ１２を封止樹脂１３により覆う、樹脂封止を実施する。封止樹脂１３は第一の半導体装置１のパッケージ樹脂３と同じ、熱硬化性樹脂組成物で良いが、線膨張係数はＡｌワイヤ１２に略近い１６×１０-6／Ｋ程度のものが好ましい。線膨張係数の近いものを選定するのには、線膨張係数の差による熱応力を低減するためである。実際、線膨張係数が８×１０-6／Ｋ程度のものであると、熱応力により、Ａｌワイヤ部に樹脂が収縮する力が働き、Ａｌワイヤが断線してしまうのである。
【００５１】
なお、封止樹脂１３による樹脂封止方法は、トランスファモールド、コンプレッションモールドのような大型の成形機を使用したものでも良いが、ディスペンサで樹脂を塗布するだけのポッティング工法でも良い。
【００５２】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。
【００５３】
なお、本発明の電子制御モジュールの実装構造は、例えば、車載用ＥＣＵとして用いられるものであるが、その他、電子制御用途であってもかまわない。
【００５４】
また、本発明の電子制御モジュールの実装構造は、要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更して実施することができる。例えば、第一の半導体装置１と第二の半導体装置２の積層構造であったが、任意の数が積層され構成されていても良い。
【符号の説明】
【００５５】
１  第一の半導体装置
２  第二の半導体装置
３  パッケージ樹脂
４  リードフレーム
５  インタポーザ
６  半田ボール
７  ベアチップ
８  Ａｕワイヤ
９  チップコンデンサ
１０  外部リード
１１  マザーボード
１２  Ａｌワイヤ
１３  封止樹脂
【図１】
2013149876.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2013149876.tif 000009
【図８】
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【図９】
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