Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月17日(2016.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルツハイマー病（ＡＤ）である可能性を評価する方法であって、
（ｉ）末梢血試料中のガンマ・デルタ（γδ）Ｔ細胞のレベルと、少なくとも１種の骨髄由来抑制細胞（ＭＤＳＣ）のレベルとを測定すること；ならびに
（ii）（ｉ）で測定したレベルと、年齢を一致させた対照群から得た血液試料中のγδＴ細胞のレベル範囲および前記少なくとも１種のＭＤＳＣのレベル範囲により示される基準レベルとを比較して、（ｉ）の測定レベルを基準レベルに対する相対レベルとして表した分析結果を得ること
を含み、
γδＴ細胞のレベルに上昇が見られ、かつ前記少なくとも１種のＭＤＳＣのレベルのいずれにも変化が見られない場合、ＡＤである可能性が、年齢を一致させた対照群よりも高いことが示されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記少なくとも１種のＭＤＳＣが、CD11b+/CD14-細胞、CD11b+/CD14-/CD15+細胞、CD11b+/CD14+/CD15+細胞、Lin-/DR-細胞、Lin-/DR-/CD33+細胞、CD34+/CD33+/CD13+細胞、ARG+/CD14+細胞、CD34+/Lin-/DR-/CD11b+/CD15+細胞、CD14+/HLA-DR-/low細胞、またはLin-/HLA-DR-/low/CD11b+/CD33+細胞であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１種のＭＤＳＣがCD11b+/CD14-/CD15+細胞であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記工程（ｉ）において、前記血液試料中の少なくとも１種の炎症性単球のレベルを測定すること；および
前記工程（ii）において、前記少なくとも１種の炎症性単球のレベルを、年齢を一致させた対照群から得た血液試料中の前記少なくとも１種の炎症性単球のレベル範囲で示される基準レベルと比較すること
をさらに含み、
γδＴ細胞のレベルに上昇が見られ、前記少なくとも１種のＭＤＳＣのレベルのいずれにも変化が見られず、かつ前記少なくとも１種の炎症性単球のうちの少なくとも１種においてレベルの上昇が見られる場合、ＡＤである可能性が、年齢を一致させた対照群よりも高いことが示されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１種の炎症性単球がCD14+/CD16+細胞であることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記工程（ｉ）において、γδＴ細胞のレベルと、CD11b+/CD14-/CD15+細胞のレベルと、CD14+/CD16+細胞のレベルとを測定することを特徴とする請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
血液試料中のγδＴ細胞のレベルが、年齢を一致させた対照群から得た血液試料中のγδＴ細胞のレベルよりも少なくとも５０％、６０％、７０％、８０％、９０％または１００％高いこと；および
血液試料中のCD14+/CD16+細胞のレベルが、年齢を一致させた対照群から得た血液試料中のCD14+/CD16+細胞のレベルよりも少なくとも３０％、３５％、４０％、４５％または５０％高いことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
アルツハイマー病である可能性を評価する方法であって、
（ｉ）末梢血試料中のガンマ・デルタ（γδ）Ｔ細胞のレベルと、CD11b+/CD14-/CD15+細胞のレベルと、CD14+/CD16+細胞のレベルとを測定すること；ならびに
（ii）（ｉ）で測定したレベルと、年齢を一致させた対照群から得た血液試料中のγδＴ細胞のレベル範囲、CD11b+/CD14-/CD15+細胞のレベル範囲およびCD14+/CD16+細胞のレベル範囲で示される基準レベルとを比較して、（ｉ）の測定レベルを基準レベルに対する相対レベルとして表した分析結果を得ること
を含み、
γδＴ細胞レベルに上昇が見られ、CD11b+/CD14-/CD15+細胞レベルに変化が見られず、かつCD14+/CD16+細胞レベルに上昇が見られる場合、ＡＤである可能性が、年齢を一致させた対照群よりも高いことが示されることを特徴とする方法。
【請求項９】
アルツハイマー病（ＡＤ）の治療の有効性を測定する方法であって、
（ｉ）２つの時点、すなわち前記治療の実施前または実施中である先の時点と、前記治療の実施中である後の時点とにおいて、末梢血試料中のガンマ・デルタ（γδ）Ｔ細胞のレベルを測定すること；および
（ii）２つの時点で測定したγδＴ細胞レベルを比較すること
を含み、
それぞれの時点の測定レベルを、年齢を一致させた対照群から得た血液試料中のγδＴ細胞のレベル範囲で示される基準レベルに対する相対レベルとし、後の時点を先の時点と比較したときのγδＴ細胞レベルの低下が、前記治療の有効性と相関していることを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記工程（ｉ）において、前記２つの時点で前記血液試料中の少なくとも１種の炎症性単球のレベルを測定すること；および
前記工程（ii）において、前記２つの時点で測定した前記少なくとも１種の炎症性単球のレベルを比較すること
をさらに含み、
それぞれの時点の測定レベルを、年齢を一致させた対照群から得た血液試料中のγδＴ細胞のレベル範囲および前記少なくとも１種の炎症性単球のうちの少なくとも１種のレベル範囲で示される基準レベルに対する相対レベルとし、後の時点を先の時点と比較したときのγδＴ細胞のレベルおよび／または前記少なくとも１種の炎症性単球のうちの少なくとも１種のレベルの低下が、前記治療の有効性と相関していることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１種の炎症性単球がCD14+/CD16+細胞であることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記先の時点が前記治療の実施前または実施中であり、前記後の時点が、前記先の時点から約１ヶ月後、２ヶ月後、３ヶ月後、４ヶ月後、５ヶ月後、６ヶ月後、またはそれ以降であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
アルツハイマー病（ＡＤ）である可能性を評価するため、またはＡＤの治療の有効性を測定するためのキットであって、
（ｉ）ガンマ・デルタ（γδ）Ｔ細胞と少なくとも１種の骨髄由来抑制細胞（ＭＤＳＣ）とを含む複数種の細胞；
（ii）前記各細胞種に対する抗体；
（iii）前記抗体を検出するための試薬；
（iv）年齢を一致させた対照群から得た血液試料中の前記各細胞種のレベル範囲で示される基準レベル；および
（ｖ）使用説明書
を含むキット。
【請求項１４】
前記複数種の細胞が少なくとも１種の炎症性単球をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のキット。
【請求項１５】
前記少なくとも１種の炎症性単球がCD14+/CD16+細胞であることを特徴とする請求項１４に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月1日(2016.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータにより実施される方法であって、
第１のセキュリティプロトコルによりクライアントとサーバとの間のセキュア接続を確立しようと試みるステップと、
前記第１のセキュリティプロトコルによる前記セキュア接続の確立が成功したかどうかを判定するステップと、
前記第１のセキュリティプロトコルによる前記セキュア接続の確立が成功しなかったとの決定に基づき、前記第１のセキュリティプロトコルをサポートしていないとして前記サーバを識別する情報を前記クライアントにおいて記憶するステップと、
第２のセキュリティプロトコルにより前記クライアントと前記サーバとの間の前記セキュア接続を確立しようと試みるステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記第１のセキュリティプロトコルは、Ｆａｌｓｅ  Ｓｔａｒｔをサポートするセキュアソケットレイヤ（ＳＳＬ）又はＦａｌｓｅ  Ｓｔａｒｔをサポートするトランスポートレイヤセキュリティ（ＴＬＳ）プロトコルであり、
前記第２のセキュリティプロトコルは、Ｆａｌｓｅ  ＳｔａｒｔをサポートしないＳＳＬ又はＦａｌｓｅ  ＳｔａｒｔをサポートしないＴＬＳプロトコルである、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記情報は、同じ通信セッション内でのセキュア接続の確立を最適化するよう前記クライアント上の一時記憶装置に記憶される、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記情報は、異なる通信セッションにわたるセキュア接続の確立を最適化するよう前記クライアント上の永続性記憶装置に記憶される、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記クライアントと前記サーバとの間のその後のセキュア接続を確立しようとするその後の試みの間、前記クライアントにおける前記記憶された情報にアクセスするステップと、
前記サーバが前記第１のセキュリティプロトコルをサポートしないと前記記憶された情報が示すと決定するステップと、
前記第２のセキュリティプロトコルにより前記その後のセキュア接続を確立しようと試みるステップと
を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記クライアントと前記サーバとの間のその後のセキュア接続を確立しようとするその後の試みの間、前記クライアントにおける前記記憶された情報にアクセスするステップと、
前記記憶された情報が前記サーバについての情報を含まないと、又は前記記憶された情報が前記サーバについての失効した情報を含むと決定するステップと、
前記第１のセキュリティプロトコルにより前記その後のセキュア接続を確立しようと試みるステップと
を更に有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つのプロセッサによって実行される場合に、該プロセッサに、
セキュア接続がクライアントとサーバとの間で確立されるべきとのインジケーションを受け取る動作と、
前記クライアント上のデータベースが前記サーバの識別を含むかどうかを判定するよう前記データベースにアクセスする動作と、
前記クライアント上の前記データベースが失効していない前記サーバについての識別を含むとの決定に基づき、推奨のセキュリティプロトコルに代えて非推奨のセキュリティプロトコルにより前記セキュア接続を確立しようと試みる動作と、
前記クライアント上の前記データベースが前記サーバについての識別を含まないとの、又は前記クライアント上の前記データベースが失効した前記サーバについての識別を含むとの決定に基づき、前記推奨のセキュリティプロトコルにより前記セキュア接続を確立しようと試みる動作と
を実行させるコンピュータプログラム。
【請求項８】
メモリと、
少なくとも１つのプロセッサと、
前記メモリに記憶され、前記少なくとも１つのプロセッサで、
Ｆａｌｓｅ  Ｓｔａｒｔをサポートする第１のセキュリティプロトコルによりクライアント装置とサーバとの間のセキュア接続を確立しようと試み、
前記第１のセキュリティプロトコルによる前記セキュア接続の確立が成功したかどうかを判定し、
前記第１のセキュリティプロトコルによる前記セキュア接続の確立が成功しなかったとの決定に基づき、Ｆａｌｓｅ  Ｓｔａｒｔをサポートしないとして前記サーバを識別する情報を前記クライアント装置において記憶し、
Ｆａｌｓｅ  Ｓｔａｒｔをサポートしない第２のセキュリティプロトコルにより前記クライアント装置と前記サーバとの間の前記セキュア接続を確立しようと再び試みる
よう実行するコンポーネントと
を有するクライアント装置。
【請求項９】
Ｆａｌｓｅ  Ｓｔａｒｔをサポートしないとして前記サーバを識別する前記情報は、前記クライアント装置の前記メモリにおけるデータベース上に記憶される、
請求項８に記載のクライアント装置。
【請求項１０】
ハードドライブを更に有し、
Ｆａｌｓｅ  Ｓｔａｒｔをサポートしないとして前記サーバを識別する前記情報は、前記ハードドライブ上の永続性記憶装置に記憶される、
請求項８に記載のクライアント装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
接続の確立が成功した場合は、クライアント及びサーバは、ブロック４０６で、アプリケーションデータを交換するよう通信を開始してよい。しかし、接続の確立が成功しなかった場合は、サーバに関する情報が、ブロック４０８で、クライアント上の一時記憶装置（例えば、一時記憶装置３１４）に記憶されてよい。幾つかの実施形態において、情報は、データベース、リスト、又は他のデータ構造において記憶され、記憶された情報は、第１のセキュリティプロトコルをサポートしないとクライアントが決定したサーバを識別する。そのような識別情報は、何らかのドメインレベル若しくはサブドメインレベルでのサーバについてのドメイン情報、各サーバのＵＲＬ、又は他の識別情報（例えば、ＩＰアドレス）を含んでよい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
刺激に対する反応を測定するためのシステムであって、
処理デバイスを介して少なくとも１人の個人を少なくとも１つの感情価測定パラダイムに付すための手段であって、前記少なくとも１人の個人は、複数の刺激に暴露されるとともに前記複数の刺激の少なくとも１つに対する反応を提供することが必要とされる手段と、
各反応に基づいて前記複数の刺激のそれぞれに対する感情価の値を計算するための手段と、
各感情価を非一過性記憶媒体に記憶するための手段であって、前記反応および前記反応が行われた速度は、前記複数の刺激の少なくとも１つに対する前記個人の黙示的態度に関して推測を行うことを可能にする手段と、
を含む、システム。
【請求項２】
前記反応が自発的反応である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記記憶された感情価の値は、これまでに暴露されていないかもしれない刺激に暴露されて個人がどのように反応するかを予測するために使用される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記少なくとも１人の個人を複数の感情価測定パラダイムに付すための手段であって、そのそれぞれで、前記少なくとも１人の個人は、複数の刺激に暴露される手段と、
前記複数の刺激の少なくとも１つに対する反応を提供するための手段と、
各反応に基づいて前記複数の刺激のそれぞれに対する感情価の値を計算するための手段と、
各感情価の値を非一過性記憶媒体に記憶するための手段と、
をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
行動感情価測定技術を含む第１の感情価測定パラダイムと、ニューロイメージング感情
価測定技術を含む第２の感情価測定パラダイムと、で構成された処理デバイスをさらに含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記パラダイムのそれぞれでの前記刺激の特定の１つに対する感情価の値を相関付けることにより、前記刺激の前記特定の１つに対する感情価の値の信頼水準を評価する基礎を提供するための手段、
をさらに含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記相関付けられた感情価の値は、感情価の分布表現を与えるために使用される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記少なくとも１つの感情価測定パラダイムが行動感情価測定技術を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記少なくとも１つの感情価測定パラダイムがニューロイメージング感情価測定技術を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記感情価の値を用いて、消費者製品を含む刺激への暴露に関連付けられる一般個人の行動を予測するためのモデルを形成するための手段、
をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの感情価測定パラダイムが感情価のプラスの次元を測定する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの感情価測定パラダイムが感情価のマイナスの次元を測定する、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月25日(2016.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク上でコンテンツデータを配信する方法であって、
請求者からのコンテンツデータを求める要求をネットワーク上で受信するステップであって、前記要求は、一つ以上の保存場所からの前記コンテンツデータの取り出しを可能にする使用可能化情報を含む、ステップと、
前記使用可能化情報を処理して、前記一つ以上の保存場所の中のデータ割り当てを特定するステップと、
前記特定したデータ割り当てに従って、前記一つ以上の保存場所から個別データ構成要素の形式でコンテンツデータを取り出すステップと、
前記請求者に前記個別データ構成要素を送信するステップと、
を含み、
前記使用可能化情報は、データ割り当て情報、暗号化データ割り当て情報、及び復号化データ割り当て情報の復号鍵のうちの一つ以上を含む、方法。
【請求項２】
前記使用可能化情報を処理するステップは、復号鍵を用いて、暗号化データ割り当て情報を復号するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記要求はインターネット上で受信され、個別データ構成要素はインターネット上で送信される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記保存場所は、個別保存場所である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記個別保存場所は、物理的に分離された個別保存場所、リモートに位置する個別保存場所、又は物理的に分離されてリモートに位置する個別保存場所である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記使用可能化情報を処理してデータ割り当てを特定するステップは、ファイル割り当てテーブルを生成することを含む、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記個別データ構成要素はパリティデータを含み、前記個別データ構成要素のうちのいずれか一つ以上は、残りの個別データ構成要素及び前記パリティデータから再生成可能である、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記コンテンツデータは、ページレイアウト、設計要素、ビデオ、図形、音声、及びウェブページコンテンツのうちの一つ以上を含む、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ネットワークを通じてコンテンツデータを取り出す方法であって、
サーバからコンテンツデータを求める要求を行うステップであって、前記要求は、一つ以上の保存場所からの前記コンテンツデータの取り出しを可能にする使用可能化情報を含む、ステップと、
前記要求への応答において、前記個別データ構成要素を受信するステップと、
前記個別データ構成要素から前記コンテンツデータを生成するステップと、を含み、
前記使用可能化情報は、データ割り当て情報、暗号化データ割り当て情報、及び復号化データ割り当て情報の復号鍵のうちの一つ以上を含む、方法。
【請求項１０】
前記コンテンツを生成するステップは、前記個別データ構成要素が前記コンテンツデータを形成する方式の識別情報を提供するデータマップから前記コンテンツデータを再構築することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記個別データ構成要素はパリティデータを含み、
前記コンテンツデータを生成するステップは、
何らかの欠損したデータ構成要素を前記パリティデータ及び残りのデータ構成要素から再生成するステップと、
前記受信したデータ構成要素及び再生成された欠損したデータ構成要素を再構築して、前記コンテンツデータを形成するステップと、を含む、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
データマップに、パリティデータとデータ構成要素との対応関係が記述される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ネットワークインタフェースと、
論理回路と、を含むサーバであって、
前記論理回路は、
請求者からのコンテンツデータを求める要求であって、一つ以上の保存場所からの前記コンテンツデータの取り出しを可能にする使用可能化情報を含む要求をネットワーク上で受信し、
前記使用可能化情報を処理して、前記一つ以上の保存場所の中のデータ割り当てを特定し、
前記特定したデータ割り当てに従って、前記一つ以上の保存場所から個別データ構成要素の形式でコンテンツデータを取り出し、
前記請求者に前記個別データ構成要素を送信するように構成される、サーバ。
【請求項１４】
論理回路を含み、ネットワークを通じてコンテンツデータを取り出すクライアントであって、
前記論理回路は、
サーバからコンテンツデータを求める要求であって、一つ以上の保存場所からの前記コンテンツデータの取り出しを可能にする使用可能化情報を含む要求を行い、
前記要求への応答において、前記個別データ構成要素を受信し、
前記個別データ構成要素から前記コンテンツデータを生成するように構成され、
前記使用可能化情報（７５）は、データ割り当て情報、暗号化データ割り当て情報、及び復号化データ割り当て情報の復号鍵のうちの一つ以上を含む、クライアント。
【請求項１５】
前記個別データ構成要素から前記コンテンツを生成するように構成される前記論理回路は、
前記個別データ構成要素が前記コンテンツデータを形成する方式の識別情報を提供するデータマップから前記コンテンツデータを再構築するように構成される、請求項１４に記載のクライアント。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月16日(2016.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
ステップまたは段階５４は行列Ξの擬似逆行列Ξ+を計算する。行列GおよびΞ+から、復号行列Dは式(15)に従ってステップ／段階５５において計算される。ステップ／段階５６では、復号行列Dを使ってアンビソニックス信号a(t)からラウドスピーカー信号l(t)が計算される。アンビソニックス入力信号a(t)が三次元の空間的（spatial）信号である場合には、3Dから2Dの変換がステップまたは段階５７において実行されることができ、ステップ／段階５６は2Dアンビソニックス信号a'(t)を受領する。
いくつかの付記を記載しておく。
〔付記１〕
三次元の空間的な高次アンビソニックス・オーディオ信号a(t)からステレオ・ラウドスピーカー信号l(t)を復号する方法であって、当該方法は：
・左右のラウドスピーカーの方位角値からおよび円上の仮想サンプリング点の数Sから、すべての仮想サンプリング点についての所望されるパン関数を含む行列Gを計算する段階であって、
【数１４】
2015511800.tif 000001
であり、gL(φ)およびgR(φ)要素はS個の異なるサンプリング点についてのパン関数である、段階と；
・前記アンビソニックス・オーディオ信号a(t)の次数Nを判別する段階（５２）と；
・前記数Sからおよび前記次数Nから、モード行列Ξおよび該モード行列Ξの対応する擬似逆行列Ξ+を計算する段階（５３、５４）であって、Ξ＝[y*(φ1),y*(φ2),…,y*(φS)]であり、y*(φ)＝[Y*-N(φ),…,Y*0(φ),…,Y*N(φ)]Tは前記アンビソニックス・オーディオ信号a(t)の円調和関数ベクトルy(φ)＝[Y-N(φ),…,Y0(φ),…,YN(φ)]Tの複素共役であり、Ym(φ)は円調和関数である、段階と；
・前記行列GおよびΞ+から復号行列D＝GΞ+を計算する段階（５５）と；
・ラウドスピーカー信号l(t)＝Da(t)を計算する段階（５６）であって、この計算のためにa(t)の3Dから2Dへの変換（５７）が実行される、段階とを含む、
方法。
〔付記２〕
2D高次アンビソニックス・オーディオ信号a(t)からステレオ・ラウドスピーカー信号l(t)＝Da(t)を復号する（５６）ために使用できる復号行列Dを決定する方法であって、当該方法は：
・前記アンビソニックス・オーディオ信号a(t)の次数Nを受領する段階（５２）と；
・左右のラウドスピーカーの所望される方位角値(φL,φR)からおよび円上の仮想サンプリング点の数Sから、すべての仮想サンプリング点についての所望されるパン関数を含む行列Gを計算する段階（５１）であって、
【数１５】
2015511800.tif 000002

であり、gL(φ)およびgR(φ)要素はS個の異なるサンプリング点についてのパン関数である、段階と；
・前記数Sからおよび前記次数Nから、モード行列Ξおよび該モード行列Ξの対応する擬似逆行列Ξ+を計算する段階（５３、５４）であって、Ξ＝[y*(φ1),y*(φ2),…,y*(φS)]であり、y*(φ)＝[Y*-N(φ),…,Y*0(φ),…,Y*N(φ)]Tは前記アンビソニックス・オーディオ信号a(t)の円調和関数ベクトルy(φ)＝[Y-N(φ),…,Y0(φ),…,YN(φ)]Tの複素共役であり、Ym(φ)は円調和関数である、段階と；
・前記行列GおよびΞ+から復号行列D＝GΞ+を計算する段階（５５）とを含む、
方法。
〔付記３〕
三次元の空間的な高次アンビソニックス・オーディオ信号a(t)からステレオ・ラウドスピーカー信号l(t)を復号する装置であって、当該装置は：
・左右のラウドスピーカーの方位角値（φL,φR）からおよび円上の仮想サンプリング点の数Sから、すべての仮想サンプリング点についての所望されるパン関数を含む行列Gを計算するよう適応された手段（５１）であって、
【数１６】
2015511800.tif 000003
であり、gL(φ)およびgR(φ)要素はS個の異なるサンプリング点についてのパン関数である、手段と；
・前記アンビソニックス・オーディオ信号a(t)の次数Nを判別するよう適応された手段（５２）と；
・前記数Sからおよび前記次数Nから、モード行列Ξおよび該モード行列Ξの対応する擬似逆行列Ξ+を計算するよう適応された手段（５３、５４）であって、Ξ＝[y*(φ1),y*(φ2),…,y*(φS)]であり、y*(φ)＝[Y*-N(φ),…,Y*0(φ),…,Y*N(φ)]Tは前記アンビソニックス・オーディオ信号a(t)の円調和関数ベクトルy(φ)＝[Y-N(φ),…,Y0(φ),…,YN(φ)]Tの複素共役であり、Ym(φ)は円調和関数である、手段と；
・前記行列GおよびΞ+から復号行列D＝GΞ+を計算するよう適応された手段（５５）と；
・ラウドスピーカー信号l(t)＝Da(t)を計算するよう適応された手段（５６）であって、l(t)＝Da(t)を計算するためにa(t)の3Dから2Dへの変換（５７）が実行される、手段とを含む、
装置。
〔付記４〕
前記パン関数が前記円上の複数のセグメントについて定義され、前記複数のセグメントについて異なるパン関数が使用される、付記１または２記載の方法または付記３記載の装置。
〔付記５〕
前記ラウドスピーカーの中間の前方領域については正接則またはベクトル基底振幅パンVBAPがパン則として使用される、付記１、２または４記載の方法または付記３または４記載の装置。
〔付記６〕
前記ラウドスピーカー位置を越えた後方への方向については、これらの方向からの音の減衰をもつパン関数が使用される、付記１、２、４および５のうちいずれか一項記載の方法または付記３ないし５のうちいずれか一項記載の装置。
〔付記７〕
三つ以上のラウドスピーカーが前記円のあるセグメント上に配置される、付記１、２、４、５、６のうちいずれか一項記載の方法または付記３ないし６のうちいずれか一項記載の装置。
〔付記８〕
S＝8Nである、付記１、２、４、５、６、７のうちいずれか一項記載の方法または付記３ないし７のうちいずれか一項記載の装置。
〔付記９〕
均等に分布した仮想サンプリング点の場合、前記復号行列D＝GΞ+は復号行列D＝αGΞHで置き換えられ、ΞHはΞの随伴であり、スケーリング因子αは前記円調和関数の規格化方式およびSに依存する、付記１、２、４、５、６、７、８のうちいずれか一項記載の方法または付記３ないし８のうちいずれか一項記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前記ｎ型コンタクト層２７は、ｎ型不純物、例えば、Ｓｉがドーピングされた窒化ガリウム系半導体層に形成され、例えば、約３μｍの厚さで形成されてもよい。前記ｎ型コンタクト層２７は、ＧａＮ層を含み、単一層または多重層に形成されてもよい。例えば、前記ｎ型コンタクト層２７は、図示したように、下部ＧａＮ層２７ａ、中間層２７ｂ及び上部ＧａＮ層２７ｃを含んでもよい。ここで、前記中間層２７ｂは、ＡｌＩｎＮで形成されてもよく、ＡｌＩｎＮとＧａＮとを交互に、例えば、約１０周期積層した多層構造（超格子構造を含む）で形成されてもよい。前記下部ＧａＮ層２７ａ及び上部ＧａＮ層２７ｃは、互いに類似する厚さ、例えば、それぞれ約１．５μｍの厚さで形成されてもよい。前記中間層２７ｂは、前記下部及び上部ＧａＮ層２７ａ、２７ｃに比べて相対的に小さい厚さを有するように形成され、約８０ｎｍの厚さで形成されてもよい。単一のＧａＮ層を連続して約３μｍの厚さで相対的に厚く成長することと比較し、中間層２７ｂはｎ型コンタクト層２７の中間に挿入する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前記ｎ型コンタクト層２７、アンドープＧａＮ層２９、低濃度ＧａＮ層３１及び高濃度ＧａＮ層３３は、チャンバー内に金属ソースガス（ｍｅｔａｌ  ｓｏｕｒｃｅ  ｇａｓ）を供給することによって連続的に成長してもよい。金属ソースガスの原料としては、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの有機物、例えば、ＴＭＡ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｌｕｍｉｎｕｍ）、ＴＭＧ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｇａｌｌｉｕｍ）及び／またはＴＭＩ（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｉｎｄｉｕｍ）などが使用される。一方、Ｓｉのソースガスとしては、ＳｉＨ４が使用されてもよい。これら層は、第１の温度、例えば、１０５０℃〜１１５０℃で成長してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
前記超格子層３５は、前記高濃度ＧａＮ層３３上に位置する。超格子層３５は、互いに異なる組成を有する第１のＩｎＧａＮ層と第２のＩｎＧａＮ層を、例えば、それぞれ２０Åの厚さで約３０周期で交互に積層することによって形成されてもよい。前記第１のＩｎＧａＮ層及び第２のＩｎＧａＮ層に含有されるＩｎ組成比は、活性領域３９内の各井戸層３９ｗに含有されるＩｎ組成比より小さい。前記超格子層３５は、意図的に不純物でドーピングされずにアンドープ層に形成されてもよい。超格子層３５がアンドープ層に形成されるので、発光素子の漏洩電流を減少させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ｎ型コンタクト層２７に最も近い第１の障壁層３９ｂ１のＡｌ組成による光出力変化を確認するために、ＭＯＣＶＤ装備を使用し、第１の障壁層のＡｌ組成のみを異ならせて他の条件は全て同一にして各エピ層を成長させ、Ａｌ組成による光出力を測定した。図３は、第１の障壁層のＡｌ組成による光出力を示すグラフである。第１の障壁層以外の他の障壁層のＡｌ組成は、全て同一にした。各障壁層のＡｌ含有量は原子プローブを用いて測定し、他の障壁層は約２０％のＡｌが含まれていた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ｎ型コンタクト層２７に最も近い第１の障壁層３９ｂ１の厚さによる光出力変化を調査するために、ＭＯＣＶＤ装備を使用し、他の条件は全て同一にして各エピ層を成長させ、第１の障壁層の厚さのみを異ならせて第１の障壁層の厚さによる光出力を測定した。図４は、第１の障壁層の厚さによる光出力を示すグラフである。第１の障壁層以外の他の障壁層の厚さは、ｐ型コンタクト層４３に最も近い最後の障壁層を除いては全て約４５Åで形成し、最後の障壁層は約７５Åと相対的に厚く形成した。また、第１の障壁層のＡｌ組成は全て同一に約３４％にし、他の障壁層のＡｌ組成は全て約２０％にした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウム層を含むｎ型コンタクト層と、
窒化ガリウム層を含むｐ型コンタクト層と、
前記ｎ型コンタクト層と前記ｐ型コンタクト層との間に位置する多重量子井戸構造の活性領域と、を含み、
前記多重量子井戸構造の活性領域は３６５ｎｍ〜３９０ｎｍの範囲内の近紫外線を放出し、
前記多重量子井戸構造の活性領域は、各障壁層及び各井戸層を含み、
前記各障壁層はＡｌＩｎＧａＮで形成され、
前記ｎ型コンタクト層に最も近い第１の障壁層は、他の障壁層に比べてＡｌを１０％〜２０％さらに含有する発光素子。
【請求項２】
前記各井戸層は、ＩｎＧａＮで形成され、３７５ｎｍ〜３９０ｎｍの近紫外線を放出し、
前記第１の障壁層以外の他の障壁層は、１５％〜２５％のＡｌ及び１％以下のＩｎを含有するＡｌＩｎＧａＮで形成された、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１の障壁層は、３０％〜４０％のＡｌ及び１％以下のＩｎを含有するＡｌＩｎＧａＮで形成された、請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記ｐ型コンタクト層は、下部高濃度ドーピング層、上部高濃度ドーピング層、及び前記下部高濃度ドーピング層と上部高濃度ドーピング層との間に位置する低濃度ドーピング層を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記低濃度ドーピング層の厚さは、前記下部及び上部高濃度ドーピング層の厚さより厚い、請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記ｎ型コンタクト層は、下部窒化ガリウム層、上部窒化ガリウム層、及び前記下部窒化ガリウム層と前記上部窒化ガリウム層との間に位置する多層構造の中間層を含む、請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記多層構造の中間層は、ＡｌＩｎＮとＧａＮを交互に積層した構造を有する、請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
前記ｎ型コンタクト層と前記活性領域との間に位置する超格子層と、
前記超格子層と前記活性領域との間に位置する電子注入層とをさらに含み、
前記電子注入層は、前記超格子層に比べてより高いｎ型不純物ドーピング濃度を有する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
前記超格子層は、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮを繰り返して積層した構造を有し、
前記電子注入層は、ＧａＮまたはＩｎＧａＮで形成された、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記ｎ型コンタクト層と前記超格子層との間に位置するアンドープＧａＮ層をさらに含む、請求項８に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記アンドープＧａＮ層と前記超格子層との間に位置し、前記ｎ型コンタクト層より低濃度でｎ型不純物でドーピングされた低濃度ＧａＮ層と、
前記低濃度ＧａＮ層と前記超格子層との間に位置し、前記低濃度ＧａＮ層より高濃度でｎ型不純物でドーピングされた高濃度ＧａＮ層とをさらに含む、請求項１０に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月29日(2016.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端末装置（ＵＥ）上でチャネル状態情報（ＣＳＩ）レポートを選択するための方法であって、前記方法は、
１つのサービングセルの複数の周期的ＣＳＩレポーティングについての複数の周期的ＣＳＩレポーティング構成であって、それぞれが各自異なる構成インデックスを含んで構成されている前記複数の周期的ＣＳＩレポーティング構成を受信するステップ；
それぞれが各自異なる構成インデックスを含んで構成されており、かつ、前記１つのサービングセルのＣＳＩを含む前記複数の周期的ＣＳＩレポーティング構成の各々に基づいて前記１つのサービングセルの各ＣＳＩレポートを生成するステップ；および
１つのサブフレームにおいて送信されるべき前記１つのサービングセルの前記複数の周期的ＣＳＩレポート同士の衝突がある場合に、前記１つのサービングセルの前記複数の周期的ＣＳＩレポート同士で送信されるべきＣＳＩレポートを、前記複数の周期的ＣＳＩレポートの優先度に基づいて選択するステップ、を含み、
前記選択するステップにおいて、前記１つのサービングセルの前記複数の周期的ＣＳＩレポートの、優先度が低い方の物理上りリンク制御チャネル（ＰＵＣＣＨ）レポーティング・タイプのＣＳＩレポートは落とされ、
前記１つのサービングセルの前記複数の周期的ＣＳＩレポートの、同じ優先度のＰＵＣＣＨレポーティング・タイプのＣＳＩレポート同士の衝突の場合には、最も低い構成インデックスをもつ前記ＣＳＩレポート以外の前記複数の周期的ＣＳＩレポートのすべてのＣＳＩレポートは落とされる、
方法。
【請求項２】
端末装置（ＵＥ）であって、前記ＵＥは、
プロセッサ；
前記プロセッサと電子通信状態にあるメモリ；
前記メモリに記憶された命令
を備え、前記命令は、
１つのサービングセルの複数の周期的ＣＳＩレポーティングについての複数の周期的ＣＳＩレポーティング構成であって、それぞれが各自異なる構成インデックスを含んで構成されている前記複数の周期的ＣＳＩレポーティング構成を受信し、および、
それぞれが各自異なる構成インデックスを含んで構成されており、かつ、前記１つのサービングセルのＣＳＩを含む前記複数の周期的ＣＳＩレポーティング構成の各々に基づいて前記１つのサービングセルの各ＣＳＩレポートを生成するために実行可能であり、
１つのサブフレームにおいて送信されるべき前記１つのサービングセルの前記複数の周期的ＣＳＩレポート同士の衝突の場合には、前記１つのサービングセルの前記複数の周期的ＣＳＩレポート同士で送信されるべきＣＳＩレポートを、前記複数の周期的ＣＳＩレポートの優先度に基づいて選択し、
前記１つのサービングセルの前記複数の周期的ＣＳＩレポートの、優先度が低い方の物理上りリンク制御チャネル（ＰＵＣＣＨ）レポーティング・タイプのＣＳＩレポートは落とされ、
前記１つのサービングセルの前記複数の周期的ＣＳＩレポートの、同じ優先度のＰＵＣＣＨレポーティング・タイプをもつＣＳＩレポート同士の衝突の場合には、最も低い構成インデックスをもつ前記ＣＳＩレポート以外の前記複数の周期的ＣＳＩレポートのすべてのＣＳＩレポートは落とされる、
ＵＥ。
【請求項３】
ｅｖｏｌｖｅｄ  Ｎｏｄｅ  Ｂ（ｅＮｏｄｅ  Ｂ）であって、前記ｅＮｏｄｅ  Ｂは、
プロセッサ；
前記プロセッサと電子通信状態にあるメモリ；
前記メモリに記憶された命令
を備え、前記命令は、
少なくとも１つのチャネル状態情報（ＣＳＩ）を含む前記符号化された上りリンク制御情報（ＵＣＩ）を端末装置（ＵＥ）から受信し、および、
１つのサブフレームにおいて送信されるべき前記１つのサービングセルの前記複数の周期的チャネル状態情報（ＣＳＩ）レポート同士の衝突の場合には、少なくとも１つのＣＳＩレポートの優先度に基づいて、前記受信したＵＣＩを復号するために実行可能であり、
１つのサービングセルの複数の周期的ＣＳＩレポーティングについての複数の周期的ＣＳＩレポーティング構成であって、それぞれが各自異なる構成インデックスを含んで構成されている前記複数の周期的ＣＳＩレポーティング構成が受信され、
前記複数の周期的ＣＳＩレポーティング構成の各々は、それぞれが各自異なる構成インデックスを含んで構成されており、および、それぞれが各自異なる構成インデックスを含む前記複数の周期的ＣＳＩレポーティング構成の各々に基づく前記１つのサービングセルの各ＣＳＩレポートは、前記１つのサービングセルのＣＳＩを含んでおり、前記１つのサービングセルの前記複数の周期的ＣＳＩレポートの１つは、優先度が低い方の物理上りリンク制御チャネル（ＰＵＣＣＨ）レポーティング・タイプのＣＳＩレポートは落とされ、
前記１つのサービングセルの前記複数の周期的ＣＳＩレポートの、同じの優先度のＰＵＣＣＨレポーティング・タイプのＣＳＩレポート同士の衝突の場合には、最も低い構成インデックスをもつ前記ＣＳＩレポート以外の前記複数の周期的ＣＳＩレポートは落とされるように、前記１つのサービングセル内において優先度が決定される、
ｅＮｏｄｅ  Ｂ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月20日(2016.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定レポーティングのための方法であって、前記方法は、
ｅｖｏｌｖｅｄ  Ｎｏｄｅ  Ｂ（ｅＮＢ）から測定設定を受信するステップであって、前記測定設定は、あるキャリア周波数における単一の測定対象の測定対象設定を備え、かつ前記測定対象設定は、チャネル状態情報参照信号（ＣＳＩ−ＲＳ）設定のセットを含む、前記受信するステップ；
セル固有参照信号（ＣＲＳ）に基づいて測定を行うステップ；
測定設定に基づいてチャネル状態情報参照信号（ＣＳＩ−ＲＳ）に基づく測定を行うステップ；
測定レポートを無線リソース制御レイヤで生成するステップ；および
前記測定レポートを前記ｅＮＢへ送るステップ
を備える、方法。
【請求項２】
前記方法は、端末装置（ＵＥ）によって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
測定レポーティングのための方法であって、前記方法は、
端末装置（ＵＥ）のためにチャネル状態情報参照信号（ＣＳＩ−ＲＳ）に関する測定設定を生成するステップであって、
前記測定設定は、あるキャリア周波数における単一の測定対象の測定対象設定を備え、かつ前記測定対象設定は、チャネル状態情報参照信号（ＣＳＩ−ＲＳ）設定のセットを含む、前記生成するステップ；
前記測定設定を前記ＵＥへ送るステップ；および
前記ＵＥから前記測定設定に基づいて生成されたチャネル状態情報参照信号（ＣＳＩ−ＲＳ）に基づく測定レポートを受信するステップ、
を備える、方法。
【請求項４】
前記方法は、ｅＮＢによって行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
測定レポーティングのために構成された端末装置（ＵＥ）であって、前記ＵＥは、
プロセッサ；
前記プロセッサと電子通信を行うメモリ；
前記メモリに記憶された命令
を備え、前記命令は、
ｅｖｏｌｖｅｄ  Ｎｏｄｅ  Ｂ（ｅＮＢ）から測定設定を受信するためであって、前記測定設定は、あるキャリア周波数における単一の測定対象の測定対象設定を備え、かつ前記測定対象設定は、チャネル状態情報参照信号（ＣＳＩ−ＲＳ）設定のセットを含む、前記受信するため；
セル固有参照信号（ＣＲＳ）に基づいて測定を行うため；
チャネル状態情報参照信号（ＣＳＩ−ＲＳ）に基づいて測定を行うため；
測定レポートを無線リソース制御レイヤで生成するため；および
前記測定レポートを前記ｅＮＢへ送るために
実行可能である、
ＵＥ。
【請求項６】
測定レポーティングのために構成されたｅｖｏｌｖｅｄ  ＮｏｄｅＢ（ｅＮＢ）であって、前記ｅＮＢは、
プロセッサ；
前記プロセッサと電子通信を行うメモリ；
前記メモリに記憶された命令
を備え、前記命令は、
端末装置（ＵＥ）のためにチャネル状態情報参照信号（ＣＳＩ−ＲＳ）に関する測定設定を生成するためであって、
前記測定設定は、あるキャリア周波数における単一の測定対象の測定対象設定を備え、かつ前記測定対象設定は、チャネル状態情報参照信号（ＣＳＩ−ＲＳ）設定のセットを含む、前記生成するため；
前記測定設定を前記ＵＥへ送るため；および
前記ＵＥから前記測定設定に基づいて生成されたチャネル状態情報参照信号（ＣＳＩ−ＲＳ）に基づく測定レポートを受信するために
実行可能である、
ｅＮＢ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルフモード同期レーザにおいて、
第１及び第２のミラーで終端し、第３のミラーで折り返され、当該第３のミラーが、少なくとも一の量子ウエル層と、光学的カーレンズ効果を示す層を具える多層半導体利得媒体に装填されている共振器と、
前記利得媒体におけるキャビティモードに非点収差を導入する手段を提供する非点収差コントローラと、を具え、
前記共振器が、前記カーレンズ効果を示す層が前記キャビティモードに導入された非点収差を相殺するように作用し、レーザの出力場のモード同期を起こすよう構成されていることを特徴とするセルフモード同期レーザ。
【請求項２】
請求項１に記載のセルフモード同期レーザにおいて、前記光学的カーレンズ効果を示す層が、前記半導体利得媒体上に装着した熱スプレッダを具えることを特徴とするセルフモード同期レーザ。
【請求項３】
請求項２に記載のセルフモード同期レーザにおいて、前記熱スプレッダがダイヤモンドクリスタル層を具えることを特徴とするセルフモード同期レーザ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のセルフモード同期レーザにおいて、前記共振器が更に当該共振器に配置した開口を有する開口絞りを具えることを特徴とするセルフモード同期レーザ。
【請求項５】
請求項４に記載のセルフモード同期レーザにおいて、前記開口絞りが前記第２のミラー近傍に配置されていることを特徴とするセルフモード同期レーザ。  
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のセルフモード同期レーザにおいて、前記共振器が更に、第４のミラーで折り返されており、当該第４のミラーが前記第２のミラーと第３のミラーとの間に配置されていることを特徴とするセルフモード同期レーザ。  
【請求項７】
請求項６に記載のセルフモード同期レーザにおいて、前記共振器が更に、第５のミラーで折り返されており、当該第５のミラーが前記第２及び第４のミラーの間に配置されていることを特徴とするセルフモード同期レーザ。
【請求項８】
請求項７に記載のセルフモード同期レーザにおいて、前記共振器がさらに、第６のミラーで折り返されており、当該第６のミラーが前記第２及び第５のミラーの間に配置されていることを特徴とするセルフモード同期レーザ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のセルフモード同期レーザにおいて、前記非点収差コントローラがミラー回転手段を具えることを特徴とするセルフモード同期レーザ。
【請求項１０】
請求項６乃至８のいずれか１項に従属する請求項９に記載のセルフモード同期レーザにおいて、前記ミラー回転手段が、前記第４のミラーの共振場の入射角度を変化させるように用いられることを特徴とするセルフモード同期レーザ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか項に記載のセルフモード同期レーザにおいて、前記共振器の長さが、キャビティモードの往復時間が前記利得媒体内に配置した一またはそれ以上の半導体キャリアのアッパー状態寿命に対応するように選択されていることを特徴とするセルフモード同期レーザ。
【請求項１２】
セルフモード同期レーザを作成する方法において、
第１及び第２のミラーによって終端し、第３のミラーによって折り返す共振器であって、前記第３のミラーが、少なくとも一の量子ウエル層と光学的カーレンズ効果を示す層を具える多層半導体利得媒体に装填されている共振器を提供するステップと；
前記利得媒体でキャビティモードに非点収差を導入するステップと；
前記光学的カーレンズ効果を示す層が前記キャビティモードに導入した非点収差を相殺し、レーザの出力場のモード同期を起こすように前記共振器を構成するステップと；を具えることを特徴とするセルフモード同期レーザの作成方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載のセルフモード同期レーザの製造方法において、当該方法が更に、その中に配置した開口を有する開口絞りを前記共振器に配置するステップを具えることを特徴とするセルフモード同期レーザの製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載のセルフモード同期レーザの作成方法において、前記開口が前記第２のミラー近傍に配置されていることを特徴とするセルフモード同期レーザの製造方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載のセルフモード同期レーザの作成方法において、当該方法が更に、前記第２のミラーと第３のミラーの間に第４のミラーを提供することによって、前記キャビティを折り返すステップを具えることを特徴とするセルフモード同期レーザの製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載のセルフモード同期レーザの製造方法において、前記第４のミラーを回転させて前記キャビティモードに非点収差を導入し、前記第４のミラー上の共振場の入射角度を大きくするようにすることを特徴とするセルフモード同期レーザの製造方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載のセルフモード同期レーザの製造方法において、当該方法が更に、前記第２のミラーと第４のミラーの間に第５のミラーを提供することによって、前記キャビティを折り返すステップを具えることを特徴とするセルフモード同期レーザの製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載のセルフモード同期レーザの製造方法において、当該方法が更に、前記第２のミラーと第５のミラーの間に第６のミラーを提供することによって、前記キャビティを折り返すステップを具えることを特徴とするセルフモード同期レーザの製造方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至１８のいずれか１項に記載のセルフモード同期レーザの製造方法において、当該方法が更に、前記キャビティモードの往復時間が前記共振器の長さを前記利得媒体内に配置した一またはそれ以上の半導体キャリアのアッパー状態寿命に対応するように選択するステップを具えることを特徴とするセルフモード同期レーザの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィマスク（７）を配置することができる照明視野（５）に向けて照明光（１６）を案内するための投影露光装置（１）のための照明光学ユニット（２５；４０）であって、
照明光部分ビーム（１６i）を前記照明視野（５）に向けて案内するための照明チャネルを提供する複数の個々のミラー（２６）を有する第１のファセットミラー（１９）を含み、
前記個々のミラー（２６）の各々が、多層反射コーティング（３３）を担持し、
前記照明光（１６）のビーム経路内で前記第１のファセットミラー（１９）の下流に配置された第２のファセットミラー（２０）を含み、該第２のファセットミラー（２０）のそれぞれのファセット（３５）が、該第１のファセットミラー（１９）の前記個々のミラー（２６）のうちの少なくとも１つと共に前記照明光部分ビーム（１６i）を前記照明視野（５）に向けて案内するための前記照明チャネルを完成し、
前記個々のミラー（２６）は、それぞれの前記照明光部分ビーム（１６i）が該個々のミラー（２６）上に入射角（Ｉ）で入射し、それによって入射平面が定められるように配置され、
前記入射角（Ｉ）は、
前記入射平面内で偏光された照明光（１６）に対する反射率Ｒｐと、
前記入射平面と垂直に偏光された照明光（１６）に対する反射率Ｒｓと、
の間の比Ｒｐ／Ｒｓが０．７よりも小さいように予め定められる、
ことを特徴とする照明光学ユニット。
【請求項２】
前記それぞれの照明光部分ビーム（１６i）が前記個々のミラー（２６）上に入射する前記入射角（Ｉ）は、前記多層反射コーティング（３３）のブリュースター角ＩBから最大で２０°だけずれることを特徴とする請求項１に記載の照明光学ユニット。
【請求項３】
前記個々のミラー（２６）は、前記第１のファセットミラー（１９）上に入射する前記照明光（１６）の入射軸（ｋ）に関して回転対称に具現化された個々のミラー担体（２７）上に配置されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の照明光学ユニット。
【請求項４】
前記第２のファセットミラー（２０）の前記ファセット（３５）は、前記第１のファセットミラー（１９）上に入射する前記照明光（１６）の入射軸（ｋ）に関して回転対称に具現化されたファセット担体（３６）上に配置されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の照明光学ユニット。
【請求項５】
前記ファセット担体（３６）は、リング形態様に具現化されることを特徴とする請求項４に記載の照明光学ユニット。
【請求項６】
照明光学ユニット（４０）が、前記照明視野（５）全体の８０％よりも小さい該照明視野（５）の区画（５i）が、前記照明光（１６）が前記第２のファセットミラー（２０）のファセット（３５）を通じて案内される照明チャネルを通じて照明されるように実施されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の照明光学ユニット。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の照照明光学ユニット（２５；４０）を含み、かつ
照明視野（５）に配置された物体視野がそれを通じて像視野（１１）に結像される投影光学ユニット（１０）を含む、
ことを特徴とする照明系（３）。
【請求項８】
請求項７に記載の照明系（３）と、
ＥＵＶ光源（３）と、
を含むことを特徴とする投影露光装置（１）。
【請求項９】
微細又はナノ構造化構成要素を生成する方法であって、
感光材料からなる層が少なくとも部分的に塗布されたウェーハ（１３）を与える段階と、
結像される構造を有するレチクル（７）を与える段階と、
請求項８に記載の投影露光装置（１）を与える段階と、
前記投影露光装置（１）の投影光学ユニット（１０）を用いて前記レチクル（７）の少なくとも一部を前記層の領域上に投影する段階と、
を含むことを特徴とする方法。