(57)【要約】【課題】簡便にして、容易に反射特性の最適化を図り得るようにした回路基板を提供することにある。【解決手段】層間接続する一方の第１の誘電体基板１０にストリップライン１０１を形成して、このストリップライン１０１の接続部位に略截頭円錐形状のスルーホール１０２の小径側が接続されて設けられ、層間接続する他方の材料の異なる第２の誘電体基板１１に上記スルーホール１０２の大径側が半田接続されるスルーホールの大径側外径よりライン幅が幅広で、順に幅広に設定した第１及び第２のマイクロストリップライン１１１，１１２を連設して形成するように構成したものである。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
略截頭円錐形状のスルーホールが設けられ、該スルーホールの小径側に接続されるストリップラインが設けられた第１の誘電体基板と、
この第１の誘電体基板が層間接続されるものであって、前記スルーホールの大径側が接続される前記ストリップラインと同一インピーダンス特性を有し、前記ストリップラインに比してライン幅が幅広で、順に幅広に設定された複数のマイクロストリップラインが連設された前記第１の誘電体基板と異なる材料で形成される第２の誘電体基板と、
を具備することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記ストリップラインのライン幅、前記スルーホールの小径側の内径及び大径側の外径、前記複数のマイクロストリップラインのライン幅は、順に大きく設定されることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記複数のマイクロストリップラインは、前記ストリップラインに比してライン幅が幅広な前記スルーホールの大径側に接続される第１のマイクロストリップラインと、該第１のマイクロストリップラインのライン幅に比して幅広なライン幅を有する第２のマイクロストリップラインで形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１の誘電体基板は、電気部品を構成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、異種材料を用いた誘電体基板を層間接続してなる回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、回路基板は、ストリップライン構造とマイクロストリップライン構造を有する異種の誘電体基板が層間接続されて所望の高周波回路が形成されている。このような回路基板は、一方の誘電体基板にストリップライン及びスルーホールが形成され、このスルーホールの基板表面パッドが他方の誘電体基板に形成したマイクロストリップライン（ＲＦライン）に半田接続される。
【０００３】
ところが、従来の回路基板では、一方の基板のストリップラインを、スルーホールを介して他方の基板のマイクロストリップラインに半田接続して層間接続すると、ストリップライン構造となり、インピーダンス特性が不連続な構造となってしまい、反射特性（ＶＳＷＲ）が劣化されるという不都合を有する。
【０００４】
この不連続な構造は、異種誘電体基板の基板厚の相違や、比誘電率の相違により、ＲＦラインのライン幅の比率が大きくなると、その影響が大きくなり、反射特性（ＶＳＷＲ）の劣化が増幅される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７―２８１１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
以上のように、従来の回路基板では、インピーダンス特性が不連続となり、反射特性が劣化されるという問題を有する。
【０００７】
そこで、目的は、簡便にして、容易に反射特性の最適化を図り得るようにした回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施の形態によれば、回路基板は、ストリップラインの設けられる第１の誘電体基板がマイクロストリップラインの設けられる材料の異なる第２の誘電体基板に層間接続されて構成される。
【０００９】
第１の誘電体基板には、略截頭円錐形状のスルーホールが設けられ、該スルーホールの小径側が前記ストリップラインに接続されている。
【００１０】
前記第２の誘電体基板は、前記スルーホールの大径側が接続される前記ストリップラインと同一インピーダンス特性を有し、前記ストリップラインに比してライン幅が幅広で、順に幅広に設定された複数のマイクロストリップラインが連設されている。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施の形態に係る回路基板の要部を断面して示した図である。
【図２】図１の要部を取出して示した図である。
【図３】図１の配置関係の一例を説明するために示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
図１は、一実施形態に係る回路基板を示すもので、第１及び第２の誘電体基板１０，１１は、異なる材料で形成されて層間接続される。この第１及び第２の誘電体基板１０，１１には、それぞれ外面側となる一方の面にグランド層１２が形成される。
【００１４】
第１の誘電体基板１０は、例えば電気部品を構成し、図２に示すように５０Ωのストリップライン１０１が形成される。そして、この第１の誘電体基板１０のストリップライン１０１の接続部位には、略截頭円錐形状のスルーホール１０２が、その小径側が接続されて形成される。このスルーホール１０２は、その小径側内径がストリップライン１０１のライン幅より、径大に形成され、その大径側が第１の誘電体基板１０の他方の面に接続可能に配置されている。
【００１５】
他方の第２の誘電体基板１１には、例えばマイクロストリップラインを構成する第１のマイクロストリップライン１１１が形成される。この第１のマイクロストリップライン１１１のライン幅は、上記第１の誘電体基板１０のスルーホール１０２の大径側より幅広に形成され、該第１の誘電体基板１０のスルーホール１０２の大径側が、例えば半田接続されて層間接続される。
【００１６】
そして、この第１のマイクロストリップライン１１１の基端には、上記第２の５０Ωのマイクロストリップライン１１２が連設されて段形状のライン構造が形成される。この第２のマイクロストリップライン１１２は、ライン幅が上記第１のマイクロストリップライン１１１のライン幅より幅広に形成されている。
【００１７】
ここで、上記第１の誘電体基板１０のストリップライン１０１、スルーホール１０２、第２の誘電体基板１１の第１及び第２のマイクロストリップライン１１１，１１２の各設定寸法の関係について説明する。
【００１８】
例えば図３に示すように第１の誘電体基板１０のストリップライン１０１のライン幅を「１」とすると、スルーホール１０２の小径側内径寸法が「３．１４」、大径側外径寸法が「３．９２」、第２の誘電体基板１１の第１のマイクロストリップライン１１１のライン幅が「１９．６１」、第２のマイクロストリップライン１１２のライン幅が「４１．１８」の比率に設定される。
【００１９】
上記構成により、第１及び第２の誘電体基板１０，１１は、スルーホール１０２の大径側が第１のマイクロストリップライン１１１に半田接続されて層間接続されると、第１の誘電体基板１０のストリップライン１０１及びスルーホール１０２、第２の誘電体基板１１の第１及び第２のマイクロストリップライン１１１，１１２の接続部位のインピーダンス特性が均一な連続構造に設定される。これにより、第１及び第２の誘電体基板１０，１１は、層間接続された状態において、最適な反射特性（ＶＳＷＲ）を有した高周波回路が形成される。
【００２０】
このように、上記回路基板は、層間接続する一方の第１の誘電体基板１０にストリップライン１０１を形成して、このストリップライン１０１の接続部位に略截頭円錐形状のスルーホール１０２の小径側が接続されて設けられ、層間接続する他方の材料の異なる第２の誘電体基板１１に上記スルーホール１０２の大径側が半田接続されるスルーホールの大径側外径よりライン幅が幅広で、順に幅広に設定した第１及び第２のマイクロストリップライン１１１，１１２を連設して形成するように構成した。
【００２１】
上記構成によれば、第１の誘電体基板１０のストリップライン１０１及びスルーホール１０２、第２の誘電体基板１１の第１及び第２のマイクロストリップライン１１１，１１２の各接続部位のインピーダンス特性が均一な連続構造を実現することができることにより、容易に最適な反射特性が得られる。
【００２２】
従って、本実施形態によれば、簡便にして、容易に反射特性の最適化を図り得るようにした回路基板を提供することができる。
【００２３】
なお、上記実施形態では、第２の誘電体基板１１にライン幅を順に幅広に設定した２段のライン構造を有した第１及び第２のマイクロストリップライン１１１，１１２を設け、この第２の誘電体基板１１とストリップライン１０１を配した第１の誘電体基板１０とを層間接続するように構成した場合について説明したが、このライン構造に限ることなく、その他、第２の誘電体基板１１にライン幅を順に幅広に設定した３段以上の複数段形状のライン構造を有するマイクロストリップラインを設けて層間接続するように構成することも可能であり、同様の効果が期待される。
【００２４】
以上、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図していない。この新規な実施形態は、その他のいろいろな形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。
【００２５】
これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００２６】
１０…第１の誘電体基板、１０１…ストリップライン、１０２…スルーホール、１１…第２の誘電体基板、１１１…第１のマイクロストリップライン、１１２…第２のマイクロストリップライン、１２…グランド層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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