【手続補正書】
【提出日】平成28年4月22日(2016.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞をストレスに供する工程を含む、多能性細胞を生成する方法。
【請求項２】
多能性細胞が外来遺伝子、転写物、タンパク質、核成分もしくは細胞質の導入なしに、または細胞融合なしに生成される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
多能性を示す細胞を選択する工程をさらに含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
細胞が組織の部分として存在しない、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
細胞が体細胞、幹細胞、前駆細胞または胚細胞である、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
細胞が単離された細胞である、請求項１〜５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
細胞が細胞の不均一な集団中に存在する、請求項１〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
細胞が細胞の均一な集団中に存在する、請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
多能性を示す細胞を選択する工程が、幹細胞マーカーを発現する細胞を選択することを含む、請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
幹細胞マーカーが以下からなる群より選択される、請求項９記載の方法：
Ｏｃｔ４；Ｎａｎｏｇ；Ｅ−カドヘリン、およびＳＳＥＡ。
【請求項１１】
多能性を示す細胞を選択する工程が、接着性でない細胞を選択することを含む、請求項１〜１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
ストレスが組織または細胞培養物における非生理的ストレスを含む、請求項１〜１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
ストレスが以下から選択される少なくとも１つの環境刺激への細胞の曝露を含む、請求項１〜１２のいずれか１項記載の方法：外傷、機械的刺激、化学的曝露、超音波刺激、酸素欠乏、照射、極度な温度への曝露、解離、トリチュレーション、物理的ストレス、高浸透圧、低浸透圧、膜損傷、毒素、極度のイオン濃度、活性酸素、ＵＶ曝露、強可視光、必須栄養の欠乏、または非生理的酸性環境。
【請求項１４】
ストレスが約３．０〜約６．８のｐＨに細胞を曝露することを含む、請求項１〜１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
ストレスが約４．５〜約６．０のｐＨに細胞を曝露することを含む、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
ストレスが約５．４〜約５．８のｐＨに細胞を曝露することを含む、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
細胞が２〜３日間曝露される、請求項１２〜１６のいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
細胞が１日間以下曝露される、請求項１２〜１７のいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
細胞が１時間以下曝露される、請求項１２〜１８のいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
細胞が約３０分間曝露される、請求項１２〜１９のいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
極度な温度への曝露が、３５℃未満または４２℃超の温度に細胞を曝露することを含む、請求項１３記載の方法。
【請求項２２】
極度な温度への曝露が、凍結以下の温度への細胞の曝露または少なくとも約８５℃の温度への細胞の曝露を含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
機械的刺激が、剪断ストレス または／および高圧に細胞を曝露することを含む、請求項１３記載の方法。
【請求項２４】
機械的刺激が、細胞のサイズより小さな開口を有する少なくとも１つのデバイスを通して細胞を通過させることを含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
機械的刺激が、漸進的により小さな開口を有するいくつかのデバイスを通して細胞を通過させることを含む、請求項２３記載の方法。
【請求項２６】
多能性細胞を培養して、多能性細胞を増殖させる工程をさらに含む、請求項１〜２５のいずれか１項記載の方法。
【請求項２７】
多能性細胞が幹細胞マーカーを発現する、請求項１〜２６のいずれか１項記載の方法。
【請求項２８】
幹細胞マーカーが以下からなる群より選択される、請求項２７記載の方法：
Ｏｃｔ４；Ｎａｎｏｇ；Ｅ−カドヘリン、およびＳＳＥＡ。
【請求項２９】
細胞が哺乳動物細胞である、請求項１〜２８のいずれか１項記載の方法。
【請求項３０】
細胞がヒト細胞である、請求項１〜２９のいずれか１項記載の方法。
【請求項３１】
細胞が成体細胞、新生児細胞、胎児細胞、羊水細胞、または臍帯血細胞である、請求項１〜３０のいずれか１項記載の方法。
【請求項３２】
多能性細胞をインビトロで維持する工程をさらに含む、請求項１〜３１のいずれか１項記載の方法。
【請求項３３】
細胞のエピジェネティック状態が胚性幹細胞のエピジェネティック状態により近く類似するように変化させられる、請求項１〜３２のいずれか１項記載の方法。
【請求項３４】
エピジェネティック状態がメチル化パターンを含む、請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
ストレスが、細胞質の少なくとも約４０％を細胞から除去すること含む、請求項１〜３４のいずれか１項記載の方法。
【請求項３６】
細胞質の少なくとも約５０％を細胞から除去する、請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
細胞質の少なくとも約６０％を細胞から除去する、請求項３６記載の方法。
【請求項３８】
細胞質の６０〜８０％を細胞から除去する、請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
細胞質の少なくとも約８０％を細胞から除去する、請求項３７記載の方法。
【請求項４０】
細胞質の少なくとも約９０％を細胞から除去する、請求項３９記載の方法。
【請求項４１】
ストレスが、ミトコンドリアの少なくとも約４０％を細胞から除去すること含む、請求項１〜４０のいずれか１項記載の方法。
【請求項４２】
細胞質の一部の除去が、ミトコンドリアの少なくとも約５０％を細胞質から除去する、請求項４１記載の方法。
【請求項４３】
細胞質またはミトコンドリアの除去が、ミトコンドリアの約５０％〜９０％を細胞質から除去する、請求項４２記載の方法。
【請求項４４】
細胞質またはミトコンドリアの除去が、ミトコンドリアの９０％超を細胞質から除去する、請求項４２記載の方法。
【請求項４５】
ストレスが、ストレスに曝露された細胞の少なくとも１０％の細胞膜を破壊するために十分である、請求項１〜４４のいずれか１項記載の方法。
【請求項４６】
請求項１〜４５のいずれか１項記載の方法によって産生される多能性細胞を候補薬剤と接触させることを含む、アッセイ。
【請求項４７】
多能性細胞の生存能、分化、増殖の１つ以上に影響を及ぼす薬剤を同定するための使用のための、請求項４６記載のアッセイ。
【請求項４８】
対象のための細胞治療の方法における請求項１〜４５のいずれか１項記載の方法によって産生される多能性細胞の使用。
【請求項４９】
対象に投与しようとする細胞治療と適合性である細胞または組織を調製する方法であって：
請求項１〜４５のいずれか１項に従って細胞から多能性細胞を生成する工程を含み；
細胞が自己細胞またはＨＬＡ適合同種異系細胞である、方法。
【請求項５０】
対象に細胞または組織を投与する前に、予め規定された細胞系列に沿って多能性細胞を分化させる工程をさらに含む、請求項４９記載の方法。
【請求項５１】
多能性細胞を含む組成物であって、多能性細胞が請求項１〜４５のいずれか１項記載の方法によって細胞から生成される、組成物。
【請求項５２】
副腎皮質刺激ホルモン（ＡＣＴＨ）、２ｉまたは３ｉ培地の存在下で細胞を培養する工程を含む、多能性幹細胞を産生する方法。
【請求項５３】
細胞が、ＡＣＴＨを含むＬＩＦ培地中で培養される、請求項５２記載の方法。
【請求項５４】
ＡＣＴＨが約０．１μＭ〜約１００μＭの濃度で存在する、請求項５２または５３記載の方法。
【請求項５５】
細胞が請求項１〜４５のいずれか１項記載の方法によって生成される細胞である、請求項５２〜５４のいずれか１項記載の方法。
【請求項５６】
細胞が全能性細胞である、請求項５２〜５５のいずれか１項記載の方法。
【請求項５７】
細胞が、ＡＣＴＨ、２ｉまたは３ｉ培地の存在下で少なくとも３日間培養される、請求項５２〜５６のいずれか１項記載の方法。
【請求項５８】
細胞が、ＡＣＴＨ、２ｉまたは３ｉ培地の存在下で少なくとも５日間培養される、請求項５２〜５７のいずれか１項記載の方法。
【請求項５９】
細胞が、ＡＣＴＨ、２ｉまたは３ｉ培地の存在下で少なくとも７日間培養される、請求項５２〜５８のいずれか１項記載の方法。
【請求項６０】
培養する工程の後に、細胞が、検出可能なレベルの、以下からなる群より選択される幹細胞マーカーを発現する、請求項５２〜５９のいずれか１項記載の方法：
Ｏｃｔ３／４；Ｎａｎｏｇ；Ｒｅｘ１；Ｋｌｆ４；Ｓｏｘ２；Ｋｌｆ２；Ｅｓｒｒ−β；Ｔｂｘ３；およびＫｌｆ５。
【請求項６１】
多能性細胞の自己再生能力を増加させる方法であって、副腎皮質刺激ホルモン（ＡＣＴＨ）、２ｉまたは３ｉ培地の存在下で細胞を培養する工程を含む、方法。
【請求項６２】
細胞が、ＡＣＴＨを含むＬＩＦ培地中で培養される、請求項６１記載の方法。
【請求項６３】
ＡＣＴＨが約０．１μＭ〜約１００μＭの濃度で存在する、請求項６１または６２記載の方法。
【請求項６４】
細胞が請求項１〜４５のいずれか１項記載の方法によって生成される細胞である、請求項６１〜６３のいずれか１項記載の方法。
【請求項６５】
細胞が全能性細胞である、請求項６１〜６４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６６】
細胞が、ＡＣＴＨ、２ｉまたは３ｉ培地の存在下で少なくとも３日間培養される、請求項６１〜６５のいずれか１項記載の方法。
【請求項６７】
細胞が、ＡＣＴＨ、２ｉまたは３ｉ培地の存在下で少なくとも５日間培養される、請求項６１〜６６のいずれか１項記載の方法。
【請求項６８】
細胞が、ＡＣＴＨ、２ｉまたは３ｉ培地の存在下で少なくとも７日間培養される、請求項６１〜６７のいずれか１項記載の方法。
【請求項６９】
培養する工程の後に、細胞が、検出可能なレベルの、以下からなる群より選択される幹細胞マーカーを発現する、請求項６１〜６８のいずれか１項記載の方法：
Ｏｃｔ３／４；Ｎａｎｏｇ；Ｒｅｘ１；Ｋｌｆ４；Ｓｏｘ２；Ｋｌｆ２；Ｅｓｒｒ−β；Ｔｂｘ３；およびＫｌｆ５。
【請求項７０】
細胞治療を必要とする対象における自己細胞治療の方法であって、
ａ．請求項１〜４５のいずれか１項に従って細胞から多能性細胞を生成する工程であって、細胞が対象から得られる、工程、および
ｂ．多能性細胞またはその分化した子孫を含む組成物を対象に投与する工程、
を含む、方法。
【請求項７１】
対象に組成物を投与する前に、予め規定された細胞系列に沿って多能性細胞を分化させる工程をさらに含む、請求項７０記載の方法。
【請求項７２】
胎盤細胞に分化する能力を有する多能性細胞を産生する方法であって、請求項１〜４５のいずれか１項記載の方法によって生成される多能性細胞をＦＧＦ４の存在下で培養する工程を含む、方法。
【請求項７３】
ＦＧＦ４の濃度が１ｎＭ〜１μＭである、請求項７２記載の方法。
【請求項７４】
多能性細胞が胚性幹細胞に分化する能力を有する、請求項７２または７３記載の方法。