【手続補正書】
【提出日】平成28年10月21日(2016.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路（ＩＣ）とアンテナパッケージとを含む装置であって、
前記アンテナパッケージが、前記ＩＣに固定される回路トレースアッセンブリと、前記回路トレースアッセンブリに固定されるカプラーとを有し、
前記カプラーが、
アンテナアッセンブリであって、
ウィンドウ領域と、
前記ウィンドウ領域を実質的に囲む導電性領域と、
前記ＩＣと通信する円形のパッチアンテナと、
前記ウィンドウ領域内に位置し、前記円形のパッチアンテナの少なくとも一部の上に延び、前記円形のパッチアンテナと通信する、楕円形のパッチアンテナと、
を有する、前記アンテナアッセンブリと、
前記アンテナアッセンブリを実質的に囲む高インピーダンス表面（ＨＩＳ）と、
を含む、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記カプラーに固定される整合アッセンブリを更に含み、前記整合アッセンブリが、前記ウィンドウ領域と実質的に整合される開口を含む、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置であって、
前記整合アッセンブリに固定される導波路を更に含む、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、
前記導波路が実質的に矩形である、装置。
【請求項５】
請求項３に記載の装置であって、
前記円形のパッチアンテナが、互いに対称的に整合される第１及び第２の円形のパッチアンテナを更に含む、装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置であって、
前記楕円形のパッチアンテナが、互いに対称的に整合される第１及び第２の楕円形のパッチアンテナを更に含み、前記第１及び第２の楕円形のパッチアンテナの各々が前記ウィンドウ領域内に配置され、前記第１及び第２の楕円形のパッチアンテナがそれぞれ前記第１及び第２の円形のパッチアンテナの一部の上に延び、前記第１及び第２の楕円形のパッチアンテナがそれぞれ前記第１及び第２の円形のパッチアンテナと通信する、装置。
【請求項７】
回路基板と、集積回路（ＩＣ）と、アンテナパッケージと、整合アッセンブリと、前記整合アセンブリに固定される導波路とを含む装置であって、
前記アンテナパッケージが、前記ＩＣと前記回路基板とに固定される回路トレースアッセンブリと、前記回路トレースアッセンブリに固定されるカプラーとを有し、
前記カプラーが、
アンテナアッセンブリであって、
ウィンドウ領域と、
前記ウィンドウ領域を実質的に囲む導電性領域と、
前記ＩＣと通信する第１の円形のパッチアンテナと、
前記ＩＣと通信する第２の円形のパッチアンテナであって、前記第１及び第２のパッチアンテナが互いに対称的に整合される、前記第２の円形のパッチアンテナと、
前記ウィンドウ領域内に配置され、前記第１の円形のパッチアンテナの少なくとも一部の上に延び、前記第１の円形のパッチアンテナと通信する、第１の楕円形のパッチアンテナと、
前記ウィンドウ領域内に配置され、前記第２の円形のパッチアンテナの少なくとも一部の上に延び、前記第２の円形のパッチアンテナと通信する、第２の楕円形のパッチアンテナであって、前記第１及び第２の楕円形のパッチアンテナが互いに対称的に整合される、前記第２の楕円形のパッチアンテナと、
を有する、前記アンテナアッセンブリと、
前記アンテナアッセンブリを実質的に囲む高インピーダンス表面（ＨＩＳ）と、
を含み、
前記整合アッセンブリが前記カプラーに固定され、前記整合アッセンブリが、前記ウィンドウ領域と実質的に整合される開口を含む、回路。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、
前記カプラーが、
互いに対称的に整合される前記第１及び第２の円形のパッチアンテナを第１のメタライゼーション層が含むように、前記基板の上に形成される、前記第１のメタライゼーション層と、
前記第１のメタライゼーション層の上に形成される第２のメタライゼーション層であって、前記第２のメタライゼーション層が第１、第２及び第３の部分を有し、前記第２のメタライゼーション層の前記第１及び第２の部分が、それぞれ、前記第１及び第２のパッチアンテナと通信する、前記第２のメタライゼーション層と、
前記第２のメタライゼーション層の上に形成される第３のメタライゼーション層であって、前記第３のメタライゼーション層が第１、第２及び第３の部分を有し、前記第３のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の部分が、それぞれ、前記第２のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の部分と通信する、前記第３のメタライゼーション層と、
前記第３のメタライゼーション層の上に形成される第４のメタライゼーション層であって、前記第４のメタライゼーション層が第１、第２及び第３の部分を有し、前記第４のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の部分が、それぞれ、前記第３のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の部分と通信し、前記第４のメタライゼーション層の前記第１及び第２の部分が、前記ウィンドウ領域を画定する前記第４のメタライゼーション層の前記第３の部分における開口内に配置され、前記第４のメタライゼーション層の前記第１及び第２の部分が、互いに対称的に整合される第１及び第２の楕円形のパッチアンテナを形成する、前記第４のメタライゼーション層と、
を更に含む、装置。
【請求項９】
請求項８に記載の装置であって、
前記カプラーが、
前記基板の第１の側に形成される第１及び第２のパッドであって、前記回路トレースアッセンブリに固定される、前記第１及び第２のパッドと、
前記基板の前記第１の側から第２の側まで延びる第１及び第２のビアと、
を更に含み、
前記第１及び第２のビアが、前記第１及び第２のパッドと実質的に及びそれぞれ整合され、前記第１のメタライゼーション層が前記基板の前記第２の側の上に形成される、装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、
前記カプラーが、
前記第１及び第２のメタライゼーション層間に形成される第１の誘電体層と、
前記第１及び第２のメタライゼーション層間に延びる第３及び第４のビアと、
を更に含み、
前記第３及び第４のビアが、それぞれ、前記第１及び第２の円形のパッチアンテナと通信し、前記第２のメタライゼーション層の前記第１及び第２の部分が、それぞれ、前記第３及び第４のビアと通信する、装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置であって、
前記カプラーが、
前記第２及び第３のメタライゼーション層間に形成される第２の誘電体層と、
前記第２及び第３のメタライゼーション層間に延びる第５及び第６のビアであって、それぞれ、前記第２及び第３のメタライゼーション層の前記第１及び第２の部分と通信する、前記第５及び第６のビアと、
前記第２及び第３のメタライゼーション層間に延びる第７のビアのセットであって、前記第２及び第３のメタライゼーション層の前記第３の部分と通信する、第７のビアの前記セットと、
を更に含む、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、
前記カプラーが、
前記第３及び第４のメタライゼーション層間に形成される第３の誘電体層と、
前記第３及び第４のメタライゼーション層間に延びる第８及び第９のビアであって、それぞれ、前記第３及び第４のメタライゼーション層の前記第１及び第２の部分と通信する、前記第８及び第９のビアと、
前記第３及び第４のメタライゼーション層間に延びる第１０のビアのセットであって、前記第３及び第４のメタライゼーション層の前記第３の部分と通信する、第１０のビアの前記セットと、
を更に含む、装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の装置であって、
前記整合アッセンブリが、その中に形成される複数の整合開口を有するプレートを更に含む、装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、
前記導波路が実質的に矩形である、装置。
【請求項１５】
方法であって、
互いに対称的に整合される第１及び第２の円形のパッチアンテナを第１のメタライゼーション層が含むように、基板の上に前記第１のメタライゼーション層を形成することと、
前記第１のメタライゼーション層の上に第２のメタライゼーション層を形成することであって、前記第２のメタライゼーション層が第１、第２及び第３の部分を有し、前記第２のメタライゼーション層の前記第１及び第２の部分が、それぞれ、前記第１及び第２のパッチアンテナと通信する、前記第２のメタライゼーション層を形成することと、
前記第２のメタライゼーション層の上に第３のメタライゼーション層を形成することであって、前記第３のメタライゼーション層が第１、第２及び第３の部分を有し、前記第３のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の部分が、それぞれ、前記第２のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の部分と通信する、前記第３のメタライゼーション層を形成することと、
前記第３のメタライゼーション層の上に第４のメタライゼーション層を形成することであって、前記第４のメタライゼーション層が第１、第２及び第３の部分を有し、前記第４のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の部分が、それぞれ、前記第３のメタライゼーション層の前記第１、第２及び第３の部分と通信し、前記第４のメタライゼーション層の前記第１及び第２の部分が、ウィンドウ領域を画定する前記第４のメタライゼーション層の前記第３の部分における開口内に配置され、前記第４のメタライゼーション層の前記第１及び第２の部分が、互いに対称的に整合される第１及び第２の楕円形のパッチアンテナを形成する、前記第４のメタライゼーション層を形成することと、
を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記基板の第１の側に第１及び第２のパッドを形成することと、
前記第１の側から第２の側まで延びる第１及び第２のビアを形成することと、
を更に含み、
前記第１及び第２のビアが前記第１及び第２のパッドと実質的に及びそれぞれ整合され、前記第１のメタライゼーション層が前記基板の前記第２の側の上に形成される、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１及び第２のメタライゼーション層間に第１の誘電体層を形成することと、
前記第１及び第２のメタライゼーション層間に延びる第３及び第４のビアを形成することと、
を更に含み、
前記第３及び第４のビアが、それぞれ、前記第１及び第２の円形のパッチアンテナと通信し、前記第２のメタライゼーション層の前記第１及び第２の部分が、それぞれ、前記第３及び第４のビアと通信する、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
前記第２及び第３のメタライゼーション層間に第２の誘電体層を形成することと、
前記第２及び第３のメタライゼーション層間に延びる第５及び第６のビアを形成することであって、前記第５及び第６のビアが、それぞれ、前記第２及び第３のメタライゼーション層の前記第１及び第２の部分と通信する、前記第５及び第６のビアを形成することと、
前記第２及び第３のメタライゼーション層間に延びる第７のビアのセットを形成することであって、第７のビアの前記セットが、前記第２及び第３のメタライゼーション層の前記第３の部分と通信する、前記第７のビアのセットを形成することと、
を更に含む、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記第３及び第４のメタライゼーション層間に第３の誘電体層を形成することと、
前記第３及び第４のメタライゼーション層間に延びる第８及び第９のビアを形成することであって、前記第８及び第９のビアが、それぞれ、前記第３及び第４のメタライゼーション層の前記第１及び第２の部分と通信する、前記第８及び第９のビアを形成することと、
前記第３及び第４のメタライゼーション層間に延びる第１０のビアのセットを形成することであって、第１０のビアの前記セットが、前記第３及び第４のメタライゼーション層の前記第３の部分と通信する、前記第１０のビアのセットを形成することと、
を更に含む、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
回路トレースアッセンブリを前記基板に固定することと、
集積回路（ＩＣ）を前記回路トレースアッセンブリに固定することと、
を更に含む、方法。