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【手続補正書】
【提出日】平成28年2月15日(2016.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
局所適用のための添加剤、および
特定のエスニックグループに所属する異なる対象とするレシピエントの必要性に応じて選択され、場合により、より若い年齢、感染への抵抗性、変色への抵抗性、または高い皮膚の質の１人またはそれ以上から選択される一個体から得られる、バイオプシーされた線維芽細胞を培養することによって得られる条件培養培地
を含み、
ここで、個体は培養の前に疾患および適合性に対してスクリーニングを受け、
添加剤は、製剤を形成するために、条件培養培地とブレンドされる、
個人向けのスキンタイプに特異的な局所用製剤。
【請求項２】
ゲル剤、軟膏剤、ローション剤、エマルジョン剤、クリーム剤、あわ剤、ムース剤、液剤、スプレー剤、懸濁剤、分散剤およびエアロゾール剤からなる群から選択される、請求項１に記載の製剤。
【請求項３】
線維芽細胞は、条件培養培地を生成するために複数回継代されている、請求項１に記載の製剤。
【請求項４】
線維芽細胞は、４０％のコンフルエンスに到達した後に継代される、請求項３に記載の製剤。
【請求項５】
１．５リットルの条件細胞培養培地から得られた物質を含み、ここで、細胞は、少なくとも８０％細胞コンフルエンスまで増殖させる、請求項１に記載の製剤。
【請求項６】
対象とするレシピエントの必要性に応じて、特定のエスニックグループ、年齢、感染への抵抗性、変色への抵抗性、または皮膚の質を有する個体を選択する工程と、
該個体から得られた線維芽細胞を細胞培養において培養する工程と、
条件培養培地、または条件培養培地から得られた因子と局所適用の製剤を作製するための添加剤とを混合する工程と
を含む、個人向けのスキンタイプに特異的な局所用製剤を作製する方法。
【請求項７】
個体は、フィッツパトリックスキンタイプ分類によって特徴付けられる、エスニックスキンタイプに基づいて選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
スキンタイプは、少ないしわ、小さな細孔、日焼けへの抵抗性、座瘡への抵抗性、色の均一性、またはしみもしくは加齢によるしみがないこと、および優れた保湿性からなる群から選択される、１つまたはそれ以上の特性を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
線維芽細胞は、４０％のコンフルエンスに到達した後に継代される、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
自家線維芽細胞は、３回の３ｍｍパンチ皮膚バイオプシーから得られる、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
製剤は、１．５リットルの条件細胞培養培地から得られた物質を含み、細胞は、少なくとも８０％細胞コンフルエンスまで増殖される、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
条件細胞培養培地を乾燥させて、添加剤とブレンドされる物質を生成する、請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
特定のエスニックグループに属する対象とするレシピエントの必要性に応じて選択され、場合により、より若い年齢、感染への抵抗性、変色への抵抗性、または高い皮膚の質の１人またはそれ以上から選択される個体から得られる、皮膚線維芽細胞を培養することによって得られる条件培地の製剤を、それを必要とする皮膚に局所的に投与する工程を含む、皮膚を処置するための個人向けのスキンタイプに特異的な化粧方法。
【請求項１４】
製剤は、対象とするレシピエントより若年のドナーからである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ドナーは、しわの出現が遅いか、または少ない血縁者を有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
ドナーの皮膚は、少ないしわ、小さな細孔、日焼けへの抵抗性、座瘡への抵抗性、色の均一性またはしみもしくは加齢によるしみがなく、および優れた保湿性からなる群から選択される特性を示す、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
製剤は、線維芽細胞が得られたのと同じエスニック起源のレシピエントの皮膚に投与される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
製剤が、アフリカ人起源の線維芽細胞から製造されアフリカ人起源の皮膚に投与される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
製剤は、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製剤である、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月4日(2016.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約８０ｍｇ／ｍＬ〜約１５０ｍｇ／ｍＬの範囲の濃度の抗ＩＬ−１７抗体、約２０ｍＭの濃度のクエン酸緩衝液、約２００ｍＭの濃度の塩化ナトリウム、約０．０２％（ｗ／ｖ）〜約０．０３％（ｗ／ｖ）の範囲の濃度のポリソルベート−８０、および約５．７のｐＨを含む医薬製剤であって、前記抗ＩＬ−１７抗体は軽鎖（ＬＣ）および重鎖（ＨＣ）を有する抗体を含み、前記ＬＣは配列番号４のアミノ酸配列であり、前記ＨＣは配列番号５のアミノ酸配列である、医薬製剤。
【請求項２】
前記抗ＩＬ−１７抗体が２つの軽鎖（ＬＣ）および２つの重鎖（ＨＣ）を含む抗体を含み、各々のＬＣが配列番号４のアミノ酸配列であり、各々のＨＣが配列番号５のアミノ酸配列である、請求項１に記載の製剤。
【請求項３】
前記抗ＩＬ−１７抗体の濃度が約８０ｍｇ／ｍＬである、請求項１〜２のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項４】
前記ポリソルベート−８０の濃度が約０．０３％（ｗ／ｖ）である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項５】
前記製剤が抗ＩＬ−１７抗体医薬溶液製剤である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製剤。
【請求項６】
約８０ｍｇ／ｍＬの濃度の抗ＩＬ−１７抗体、約２０ｍＭの濃度のクエン酸緩衝液、約２００ｍＭの濃度の塩化ナトリウム、約０．０３％の濃度のポリソルベート−８０、および約５．７のｐＨを含む医薬製剤であって、前記抗ＩＬ−１７抗体は２つの軽鎖（ＬＣ）および２つの重鎖（ＨＣ）を含む抗体を含み、各々のＬＣは配列番号４のアミノ酸配列であり、各々のＨＣは配列番号５のアミノ酸配列である、医薬製剤。
【請求項７】
約８０ｍｇ／ｍＬの濃度の抗ＩＬ−１７抗体、約２０ｍＭの濃度のクエン酸緩衝液、約２００ｍＭの濃度の塩化ナトリウム、約０．０３％の濃度のポリソルベート−８０、および約５．７のｐＨを含む医薬溶液製剤であって、前記抗ＩＬ−１７抗体は２つの軽鎖（ＬＣ）および２つの重鎖（ＨＣ）を含む抗体を含み、各々のＬＣは配列番号４のアミノ酸配列であり、各々のＨＣは配列番号５のアミノ酸配列である、医薬溶液製剤。
【請求項８】
有効量の請求項１〜７のいずれか一項に記載の医薬製剤を含む、関節リウマチ、乾癬、強直性脊椎炎、乾癬性関節炎または多発性骨髄腫を治療するための医薬。
【請求項９】
治療に使用するための請求項１〜７のいずれか一項に記載の医薬製剤。
【請求項１０】
関節リウマチ、乾癬、強直性脊椎炎、乾癬性関節炎または多発性骨髄腫の治療に使用するための請求項１〜７のいずれか一項に記載の医薬製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月7日(2016.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
α−ヒドロキシカルボン酸、α−ヒドロキシカルボン酸エステル、β−ヒドロキシカルボン酸、β−ヒドロキシカルボン酸エステル、α−アルコキシカルボン酸、α−アルコキシカルボン酸エステル、β−アルコキシカルボン酸、β−アルコキシカルボン酸エステル、ラクチド、およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される反応体を含む組成物を提供し；および
該組成物を脱ヒドロキシル化触媒と接触させることで脱ヒドロキシル化反応を行い、それによりα，β−不飽和カルボン酸および／またはそのエステルを含む生成物を生成することを含み、
該脱ヒドロキシル化触媒がＬ型ゼオライト、修飾Ｌ型ゼオライト、およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
生成物をエステル化触媒およびアルコールと接触させることでエステル化反応を行い、それによりα，β−不飽和カルボン酸エステルを含む第二生成物を生成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
脱ヒドロキシル化反応が二酸化炭素を約９０％より多く含むキャリアガスの存在下で起こる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
反応体が気相中にあり、脱ヒドロキシル化触媒が固相中にある、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
脱ヒドロキシル化触媒が、固体酸化物、Ｌ型ゼオライト以外のゼオライト、酸触媒、弱酸触媒、強酸触媒、中性触媒、塩基触媒、およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つのさらなる成分をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
修飾Ｌ型ゼオライトが少なくとも１つの無機塩またはその酸化物を含み、その無機塩またはその酸化物がリン酸塩、硫酸塩、モリブデン酸塩、タングステン酸塩、スズ酸塩、亜アンチモン酸塩、およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
無機塩またはその酸化物が修飾Ｌ型ゼオライト中に修飾ゼオライト１ｇに付き約０.１ミリモルないし約１.０ミリモルの濃度で存在する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
無機塩が、リン酸一ナトリウム、リン酸二ナトリウムおよびリン酸三ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸アルミニウムナトリウム、およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの塩を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
修飾Ｌ型ゼオライトがイオン交換を少なくとも１回受けている、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
修飾Ｌ型ゼオライトが、Ｈ＋、Ｌｉ＋、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｃｓ＋、Ｍｇ２＋、Ｃａ２＋、Ｌａ２＋、Ｌａ３＋、Ｃｅ２＋、Ｃｅ３＋、Ｃｅ４＋、Ｓｍ２＋、Ｓｍ３＋、Ｅｕ２＋、Ｅｕ３＋、およびそれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つのカチオンと結合している、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
修飾Ｌ型ゼオライトがＮａ／Ｋ−Ｌ型ゼオライトであり、ナトリウムイオン：カリウムイオンの割合が約１：１０またはそれよりも大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
変換効率が約７５％以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
反応体がラクチドである、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
反応体が生物に由来する、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
脱ヒドロキシル化反応が高分子化阻害剤の存在下で行われる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
雄および雌の両方の幼若魚類の生殖腺成熟を阻害する方法であって、抗原性ペプチドまたは抗原性ペプチドをコードする核酸を含むベクターを前記幼若魚類に投与することを含み、前記抗原性ペプチドは前記生殖腺内の標的タンパク質の断片であるか、前記標的タンパク質の短い抗原性領域に対応するものであり、その標的タンパク質に対する免疫応答を引き起こし、これにより前記生殖腺成熟を阻害し、ここで前記抗原性ペプチドは雄および雌の両方で前記生殖腺成熟を阻害する前記方法。
【請求項２】
前記免疫応答が、前記魚類でのＢ細胞および／またはＴ細胞の刺激を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記免疫応答が、前記標的タンパク質に特異的である抗体の生成、および／または前記標的タンパク質へのＴ細胞の結合を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記幼若魚類の妊性の不可逆的減少を引き起こす、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ペプチドが１０〜４０アミノ酸の長さである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記抗原性ペプチドが異種抗原である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記抗原性ペプチドが担体タンパク質に連結されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記標的タンパク質が、構造的細胞表面タンパク質、細胞表面受容体、細胞相互作用タンパク質、シグナル伝達タンパク質、またはビタミン担体タンパク質である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記標的タンパク質が、ａ−キナーゼアンカータンパク質４（ＡＫＡＰ４）、精液精子尾部外側の密集繊維遺伝子３（ｏｄｆ３）、ＩＢ骨形態形成タンパク質受容体（Ａｌｋ６ｂ）、マンノース６−リン酸受容体（Ｍ６ＰＲ）、リンパ球抗原７５（ＣＤ２０５／Ｌｙ７５）、ラムノース結合レクチン１（ＳＴＬ１）、ラムノース結合レクチン２（ＳＴＬ２）、コネキシン４３（Ｃｘ４３）、精巣特異的タンパク質１（Ｔｐｘ−１／ＣＲＩＳＰ２）、インスリン様増殖因子３（ＩＧＦ３）、増殖分化因子９（ＧＤＦ９）、生殖腺体細胞由来増殖因子（ＧＳＤＦ）、抗ミュラー管ホルモン（ＡＭＨ）、インヒビンαサブユニット（ｉｎｈα）、骨形態形成タンパク質１５（ＢＭＰ１５）、リボフラビン担体タンパク質（ＲＣＰ）、および精液精子関連抗原（１〜８）（ＳＰＡＧ８）からなるリストから選択される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記標的タンパク質が性別特異的でない、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記幼若魚類が養殖魚である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記幼若魚類が、タイセイヨウサケ（Ｓａｌｍｏ  ｓａｌａｒ）、ニジマス（Ｏｎｃｏｒｈｙｎｃｈｕｓ  ｍｙｋｉｓｓ）、タイセイヨウダラ（Ｇａｄｕｓ  ｍｏｒｈｕａ）、およびタイセイヨウオヒョウ（Ｈｉｐｐｏｇｌｏｓｓｕｓ  ｈｉｐｐｏｇｌｏｓｓｕｓ）からなるリストから選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
免疫学的に活性な分子（ＩＡＭ）またはＩＡＭをコードする核酸を含むベクターを前記幼若魚類に投与することを含み、前記ＩＡＭが前記生殖腺内の標的タンパク質に特異的であり、これに結合し、またはその標的タンパク質に対する免疫応答を引き起こし、これにより前記生殖腺成熟を阻害する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
本明細書中の表１または２で定義されるペプチドを含む、または前記ペプチドからなる、１０〜４０アミノ酸の長さのペプチド。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月11日(2016.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
経皮的大動脈弁置換または修復術中に塞栓をフィルタする装置であって、
近位端および遠位端とその間の内腔を有するシースであって、該遠位端は、末梢動脈および上行大動脈を介して大動脈弓に導入されるよう構成され、該近位端は、身体の外側に配設されるよう構成され、該内腔はその中を通じて経皮的大動脈弁置換または修復術を可能にする大きさである、前記シース、及び
フレームと、該フレームに取り付けた塞栓ろ過メッシュとを有するフィルタであって、該フレームは入口と出口を有し、該入口は、大動脈弁と大動脈との間の領域の大動脈弓に実質的に及ぶよう構成され、該出口は、その間から塞栓が通過できるような隙間を残さず、かつ該シースの遠位端において該内腔を妨害することなく、該シースの遠位端に連結される、前記フレーム
を含む、前記装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体の流量を制御するための質量流量制御器において、
前記流体を受け取るための流入口と、
前記流体が該質量流量制御器を通過する流路と、
前記流路を通る前記流体の質量流量に対応する信号を提供する質量流量計と、
該質量流量制御器の流出口から流出する前記流体の前記流量を調節するための調節可能バルブと、
バルブヒステリシスモデルを用いて、所与の流量設定点に基づいて望ましいバルブ位置に前記調節可能バルブを移動させるためのバルブリフトを達成する力を生成するのに必要なバルブ駆動力を求める命令を実行するように構成された少なくとも１つの処理構成要素と、
前記求められたバルブ駆動力に基づいてバルブ制御信号を与えて、前記調節可能バルブを前記望ましいバルブ位置に調節し、該質量流量制御器の流出口から流出する前記流体の前記流量を制御するように構成されたコントローラーとを具備する流体の流量を制御するための質量流量制御器。
【請求項２】
流体の流量を制御するための方法であって、
所与の流量設定点に基づく望ましいバルブ位置に調節可能バルブを移動させるためのバルブリフトを達成する力を生成するのに必要なバルブ駆動力を、バルブヒステリシスモデルに基づいて求めることと、
プロセッサを用いて、前記求められたバルブ駆動力に基づくバルブ制御信号を与えることであって、前記望ましいバルブ位置に前記調節可能バルブを調節して前記流体の前記流量を制御することとを含む流体の流量を制御するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月7日(2016.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＬＥＤ光源であって、該複数のＬＥＤ光源の各々が、該複数のＬＥＤ光源の他の各々とは異なる色の出力光を放出する複数のＬＥＤ光源と、
前記複数のＬＥＤ光源の各々が放出した光の強度を或る範囲にわたって変化させることができるように、前記複数のＬＥＤ光源に供給される電気出力を制御するＬＥＤ制御回路と、
関連光学部品であって、該関連光学部品は、前記第１の複数のＬＥＤ光源が放出した異なる色の前記出力光を結合して、結合スペクトルパワー分布を有する結合出力光とする関連光学部品と、
第１のＬＥＤ光源の出力光が前記関連光学部品によって結合される前に減衰するように、前記複数の光源における該第１のＬＥＤ光源と該関連光学部品との間に配置された第１の光減衰器と、
第２のＬＥＤ光源の出力光が前記関連光学部品によって結合される前に減衰するように、前記複数の光源における該第２のＬＥＤ光源と該関連光学部品との間に配置された第２の光減衰器と、
を備える照明システムであって、
前記結合出力光は、該結合出力光の前記結合スペクトルパワー分布を実質的に変化させることなく、所望の範囲にわたって変化させることができる強度を有することを特徴とする照明システム。
【請求項２】
前記第１の光減衰器と前記第２の光減衰器は、減光フィルタである、請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
前記第１の光減衰器と前記第２の光減衰器は、１％から９９％の間の透過率をもつ固定減光フィルタである、請求項１に記載の照明システム。
【請求項４】
前記第１の光減衰器と前記第２の光減衰器は、１０％から５０％の間の透過率をもつ固定減光フィルタである、請求項１に記載の照明システム。
【請求項５】
前記第１の光減衰器は、１００％から１％の間の選択可能な透過率をもつ可変光減衰器である、請求項１に記載の照明システム。
【請求項６】
前記第１のＬＥＤ光源は、１つ以上のＬＥＤを備え、
前記第１の光減衰器は、前記１つ以上のＬＥＤが放出する光のうち少ないものをコリメートして前記出力光を形成するように、前記コリメート部品の１つ以上の要素を移動させるための機構と組み合わせて、前記１以上のＬＥＤから放出される光をコリメートして前記出力光を形成するためのコリメート部品を備える、請求項１に記載の照明システム。
【請求項７】
前記複数のＬＥＤ光源は、前記複数のＬＥＤ光源の全てが一緒にオン及びオフされて強度が変化するようにグループにまとめられる、請求項１に記載の照明システム。
【請求項８】
前記複数のＬＥＤ光源は、前記複数のＬＥＤ光源が単独で制御できないようにグループにまとめられる、請求項１に記載の照明システム。
【請求項９】
前記結合出力光の強度は、該結合出力光の前記結合スペクトルパワー分布を実質的に変更することなく、２％から１００％の範囲にわたって変化させることができる、請求項１に記載の照明システム。
【請求項１０】
前記結合出力光を顕微鏡システムに供給するフィルタシステム及び液体導光路をさらに備える、請求項１に記載の照明システム。
【請求項１１】
前記結合出力光は白色光である、請求項１に記載の照明システム。
【請求項１２】
前記結合出力光の色は選択可能である、請求項１に記載の照明システム。
【請求項１３】
前記第１の光減衰器と前記第２の光減衰器は実質的に同様の透過率特性を有する、請求項１に記載の照明システム。
【請求項１４】
前記第１の光減衰器は、前記第２の光減衰器とは異なる透過率特性を有する、請求項１に記載の照明システム。
【請求項１５】
複数の３以上のＬＥＤ光源であって、該複数のＬＥＤ光源の各々は、該複数のＬＥＤ光源の他の各々とは異なる色の出力光を放出する複数のＬＥＤ光源と、
前記複数のＬＥＤ光源の各々が放出した光の強度を或る範囲にわたって変化させることができるように、前記第１の複数のＬＥＤ光源に供給される電気出力を制御するＬＥＤ制御回路と、
関連光学部品であって、該関連光学部品は、前記第１の複数のＬＥＤ光源が放出した異なる色の前記出力光を結合して、結合スペクトルパワー分布を有する結合出力光とする関連光学部品と、
第１のＬＥＤ光源の出力光が前記関連光学部品によって結合される前に減衰するように、前記複数の光源における該第１のＬＥＤ光源と該関連光学部品との間に配置された第１の光減衰器と、
第２のＬＥＤ光源の出力光が前記関連光学部品によって結合される前に減衰するように、前記複数の光源における該第２のＬＥＤ光源と該関連光学部品との間に配置された第２の光減衰器と、
第３のＬＥＤ光源の出力光が前記関連光学部品によって結合される前に減衰するように、前記複数の光源における該第３のＬＥＤ光源と該関連光学部品との間に配置された第３の光減衰器と、
を備える照明システムであって、
前記結合出力光は、該結合出力光の前記結合スペクトルパワー分布を実質的に変更することなく、所望の範囲にわたって変化させることができる強度を有することを特徴とする照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月5日(2016.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気ケーブル用のストレインリリーフであって、
長手方向のベース部であり、前記ベース部の長手方向に延びる両側部から上向きに延びる湾曲した側面部を含むベース部と、
前記ベース部の短手方向に延びる両側部から延びる第１及び第２の向かい合ったストレイン・リリーフ・ラッチと、を含み、各ラッチは、前記ベース部の短手側部から延び、最初に上向きに湾曲し、その後下向きに湾曲し、下向きに延びるアーム部のところで終わる、湾曲した連結部を含み、前記アーム部は、弾力的に外向きに撓んで、電気コネクタへの前記ストレインリリーフの確実な取り付けに適合するように構成されている、電気ケーブル用のストレインリリーフ。
【請求項２】
前記アーム部が、前記アーム部の両側面に配置され、前記電気コネクタの隆起部の傾斜した側面に適合するように構成された、互いに反対側の凹部を含む、請求項１に記載のストレインリリーフ。
【請求項３】
前記ベース部が、平面レーストラック状部により囲まれた中空ドーム状部を含み、前記湾曲した側面部が前記平面レーストラック状部の長手方向に延びる両側部から上向きに延びている、請求項１に記載のストレインリリーフ。
【請求項４】
前記ストレイン・リリーフ・ラッチが、前記アーム部の端部に位置し、前記電気コネクタへの前記ストレインリリーフの組み立てに適合するように構成された、向かい合った傾斜面を含む、請求項１に記載のストレインリリーフ。
【請求項５】
長手方向のベース部と、
前記ベース部の短手方向に延びる両側部から下向きに延びる第１及び第２の向かい合ったストレイン・リリーフ・ラッチを含み、各ラッチは、第１の閉じた周縁開口部及び第２の閉じた周縁開口部を形成して、前記第１の閉じた周縁開口部が前記第２の閉じた周縁開口部と前記長手方向のベース部との間に配置されており、外向きに撓んだラッチが、前記第２の閉じた周縁開口部を含まないことを除き同じ構造を有するラッチと比較して、より小さい最大応力を経験するようになっている、電気ケーブル用のストレインリリーフ。
【請求項６】
前記第２の閉じた周縁開口部に直接隣接した領域が、前記第２の閉じた周縁開口部を含まないことを除き同じ構造を有するラッチと比較して、より大きい最大応力を経験する、請求項５に記載のストレインリリーフ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月7日(2015.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な電気伝導体であって、
透明な基材と、
複合層であって、
前記透明な基材の主表面の少なくとも一部の上に配置され、複数の相互接続する金属製ナノワイヤを備える導電性層と、
前記導電性層の少なくとも一部の上に配置される高分子オーバーコート層と、を備える複合層と、を含み、
前記複合層のパターンが、前記複合層のｘ−ｙ平面のｘ軸及びｙ軸、並びに前記複合層の前記ｘ−ｙ平面内へのｚ軸を含み、かつ前記パターンが前記複合層の前記ｘ−ｙ平面内に複数の導電性領域を画定し、前記導電性領域は、電気絶縁性トレースによって相互から分離され、前記電気絶縁性トレースのそれぞれは、前記複合層の前記ｘ−ｙ平面の前記ｚ軸内への谷部を画定し、前記谷部は、前記複合層の前記ｘ−ｙ平面に対して１０ナノメートルから１００ナノメートルの範囲の最大深さを有し、前記谷部は、１０マイクロメートルから１０００マイクロメートルの範囲の断面幅を有し、前記谷部は、更に前記複合層の前記ｘ−ｙ平面の前記ｚ軸内への、５０ナノメートルから１００ナノメートルの範囲の深さを有する複数の割れ目を更に備える、透明な電気伝導体。
【請求項２】
請求項１に記載の透明な電気伝導体を備える物品。
【請求項３】
請求項１に記載の透明な電気伝導体を作製する方法であって、前記方法が、
透明な導電性膜であって、
透明な基材と、
複合層であって、
前記透明な基材の主表面の少なくとも一部の上に配置され、複数の相互接続する金属製ナノワイヤを備える導電性層と、
前記導電性層の少なくとも一部の上に配置される高分子オーバーコート層、とを備える複合層と、
を備える透明な導電性膜を提供する工程と、
前記透明な電極を提供するためのパターンに従って、前記透明な導電性膜にパターン様に照射する工程と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイス用タッチスクリーンアセンブリにおいて、前記タッチスクリーンアセンブリが、
第１の熱膨張係数ＣＴＥ１を有するイオン交換強化ガラスを含む封止ガラスであって、少なくとも前記封止ガラスの表面の裏側になる前記封止ガラスの下面上に複数のタッチセンサ電極が形成されている、封止ガラス、
デバイス面、下面及び第２の熱膨張係数ＣＴＥ２を有するイオン可換ガラスを含む、バックプレーンガラスであって、前記第２の熱膨張係数ＣＴＥ２は前記第１の熱膨張係数ＣＴＥ１の±１５.０×１０−７/℃以内にあり、前記バックプレーンガラスの前記デバイス面はフリットシールにより前記封止ガラスの前記下面に接合されて気密封着され、前記フリットシールは前記封止ガラスの前記下面と前記バックプレーンガラスの前記デバイス面の間にデバイス領域を囲包するものである、バックプレーンガラス、
前記デバイス領域内の前記バックプレーンガラスの前記デバイス面上に被着された金属酸化物薄膜トランジスタのアレイ、及び
前記バックプレーンガラスの前記デバイス面上の前記デバイス領域内において前記金属酸化物薄膜トランジスタのアレイに重ねて形成されたＯＬＥＤ素子のアレイ、
を有することを特徴とするタッチスクリーンアセンブリ。
【請求項２】
前記封止ガラスが少なくとも３０μｍの層深さ及び５００ＭＰａ以上の圧縮応力を有することを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンアセンブリ。
【請求項３】
前記金属酸化物薄膜トランジスタのアレイが、前記第２の熱膨張係数ＣＴＥ２の±１０.０×１０−７/℃以内にある、第３の熱膨張係数ＣＴＥ３を有することを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンアセンブリ。
【請求項４】
前記封止ガラスが約０.５ｍｍから約０.７ｍｍの第１の厚さＴ１を有し、前記バックプレーンガラスが約０.１ｍｍ以下の第２の厚さＴ２を有することを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンアセンブリ。
【請求項５】
前記第２の熱膨張係数ＣＴＥ２が、前記第１の熱膨張係数ＣＴＥ１の±１０.０×１０−７/℃以内にあることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンアセンブリ。
【請求項６】
前記第１の熱膨張率ＣＴＥ１が前記第２の熱膨張率ＣＴＥ２と同じであることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンアセンブリ。
【請求項７】
前記封止ガラス及び前記バックプレーンガラスが、アルカリアルミノケイ酸ガラスであることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンアセンブリ。
【請求項８】
少なくとも前記バックプレーンガラスの前記デバイス面が脱アルカリされていることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンアセンブリ。
【請求項９】
前記バックプレーンガラスの前記デバイス面及び前記下面が無アルカリであるように、前記バックプレーンガラスが、上部及び下部の無アルカリガラスクラッドの間に配置されたアルカリ含有ガラスコアを有する積層ガラスであることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンアセンブリ。
【請求項１０】
円偏光子をさらに有し、前記複数のタッチスクリーン電極が前記円偏光子と前記封止ガラスの前記下面の間に配置されるように、前記円偏光子が前記封止ガラスの前記下面に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンアセンブリ。
【請求項１１】
前記バックプレーンガラスの前記デバイス面を気密封止する、ガラススペーサフレームをさらに有してなることを特徴とする請求項１０に記載のタッチスクリーンアセンブリ。
【請求項１２】
前記封止ガラスの前記下面の周縁に隣接して被着された周縁フリットをさらに有し、前記周縁フリットが前記封止ガラスの前記下面及び前記フリットシールに気密封着されることを特徴とする請求項１に記載のタッチスクリーンアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内に配置された基板を処理する方法であって、
前記基板を支持するように構成された基板支持リングと、前記基板の裏側の最も近くに配置された反射板とを有する処理チャンバ内に配置された基板上に処理を実行すること、
前記基板上に前記処理を実行している間、酸素を含むガスまたは窒素を含むガスのうちの一方のガスを含む第１のガスを、前記反射板内に配置された１つまたは複数の貫通穴を通して前記基板の裏側に供給すること、および
前記基板の上面の最も近くを第１の圧力に、かつ前記基板の裏側の最も近くを第２の圧力に前記処理チャンバを維持すること
を含み、前記第１の圧力が、処理中に前記基板支持リングから前記基板が外れるのを防ぐのに十分な大きさだけ前記第２の圧力よりも大きい
方法。
【請求項２】
前記１つまたは複数の貫通穴のうちの１つまたは複数の貫通穴に真空を与えて、前記基板の前記裏側から離れる前記第１のガスの流れを生み出し、前記基板の前記裏側に加えられる圧力の量を低減させること
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の圧力が前記第２の圧力よりも少なくとも２トルだけ大きい、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記１つまたは複数の貫通穴が、リフトピンまたは温度センサのうちの少なくとも一方を収容するように構成された、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記処理がアニール処理である、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記基板の前記裏側に前記第１のガスを供給するのと同時に前記基板の表側に前記第１のガスを供給すること
をさらに含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のガスを供給することが、
前記第１のガスを第１の流量で供給すること、および
ある時間をかけて前記第１の流量を第２の流量まで増大させること
を含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のガスからプラズマを形成すること、および
前記基板の前記裏側を前記プラズマによって形成された励起種にさらすことによって、前記基板の前記裏側にキャッピング層を形成すること
をさらに含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のガスから前記プラズマを形成することが、
遠隔プラズマチャンバ内で前記プラズマを形成すること、および
前記プラズマを前記処理チャンバに供給すること
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記キャッピング層が、窒化物層または酸化物層のうちの一方の層である、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
命令が記憶されたコンピュータ可読媒体であって、前記命令が実行されたときに、基板を処理する方法を処理チャンバ内で実行させ、前記方法が、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法であるコンピュータ可読媒体。
【請求項１２】
基板を処理する装置であって、
基板を支持するように構成された基板支持リングと、前記基板の裏側の最も近くに配置された反射板とを有する処理チャンバであり、前記反射板が複数の貫通穴を有する処理チャンバ
を備え、
前記反射板内に配置された前記複数の貫通穴のうちの少なくとも１つの貫通穴が、前記基板の裏面の最も近くのエリアに第１のガスを供給するための入口であり、
前記反射板内に配置された前記複数の貫通穴のうちの少なくとも１つの貫通穴が、前記基板の前記裏面から離れる前記第１のガスの流れを生み出すための出口である
装置。
【請求項１３】
前記入口に結合されたガス供給源と、
前記出口に結合された真空ポンプと
をさらに備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記基板のおもての面の最も近くのエリアに前記第１のガスを供給するために前記処理チャンバ内に配置された第２の入口
をさらに備える、請求項１２または１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記複数の貫通穴のうちの少なくともいくつかの貫通穴内に配置された、リフトピンまたは温度センサのうちの少なくとも一方
をさらに備える、請求項１２または１３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月27日(2015.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電性流体であって、
６００ｇ／ｍｏｌ〜２５００ｇ／ｍｏｌの分子量を有するファルネセン系オリゴマーと；
抗酸化剤と、
を含む、誘導性流体。
【請求項２】
前記ファルネセン系オリゴマーが、構造（ＩＶ）で表されるファルネセン／テルペノイドオリゴマーであり、
【化１】
2015510221.tif 000001
式中、Ｆはファルネセンから誘導される単位を表し；
Ｔはテルペノイドから誘導される単位を表す、請求項１に記載の誘導性流体。
【請求項３】
前記テルペノイドが、ジンギベレン、ビサボレン、ファルネセンエポキシド、ファルネソール、スクアレン、エルゴソール（ｅｒｇｏｓｏｌ）、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１または２のいずれかに記載の誘電性流体。
【請求項４】
微生物油、植物油、種子油、鉱油、シリコーン流体、合成エステル、ポリ−α−オレフィン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択されるブレンド成分を含む、請求項１に記載の誘電性流体。
【請求項５】
デバイスであって、
電気部品と；
前記電気部品と作動可能に連通する誘電性流体と
を含み、前記誘電性流体が
６００ｇ／ｍｏｌ〜２５００ｇ／ｍｏｌの分子量を有するファルネセン系オリゴマーと；
抗酸化剤と、
を含む、デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１０キロボルト（ｋＶ）の阻止電圧と、１０ミリオーム平方センチメートル（ｍΩ・ｃｍ２）未満のオン抵抗と、を有する炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体素子。
【請求項２】
前記オン抵抗は微分オン抵抗である、請求項１に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項３】
平滑斜面に近似する多段負ベベル端部終端を備える、請求項１に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項４】
前記微分オン抵抗は５ｍΩ・ｃｍ２未満である、請求項２に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項５】
前記阻止電圧は１０ｋＶ以上１５ｋＶ以下の範囲である、請求項２に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項６】
前記微分オン抵抗は５ｍΩ・ｃｍ２未満である、請求項５に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項７】
平滑斜面に近似する多段負ベベル端部終端を備える、請求項２に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項８】
前記多段負ベベル端部終端は少なくとも５つの段を備える、請求項７に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項９】
前記多段負ベベル端部終端は少なくとも１０の段を備える、請求項７に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項１０】
前記多段負ベベル端部終端は少なくとも１５の段を備える、請求項７に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項１１】
前記ＳｉＣ半導体素子の前記阻止電圧は１０ｋＶ以上２５ｋＶ以下の範囲である、請求項７に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項１２】
前記ＳｉＣ半導体素子の前記阻止電圧は１２ｋＶ以上２５ｋＶ以下の範囲である、請求項７に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項１３】
前記多段負ベベル端部終端の傾斜角は１５度以下である、請求項７に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項１４】
前記ＳｉＣ半導体素子はサイリスタであり、該サイリスタは、
第１導電型の基板と、
該基板の表面上にある、第２導電型のドリフト層と、
該ドリフト層の、前記基板とは反対側の表面上にある、前記第１導電型の基層と、
該基層の、前記ドリフト層とは反対側の表面上にある、前記第２導電型のアノードメサと、
前記基層の前記表面において形成されたゲート領域と、
を備え、
前記多段負ベベル端部終端は、前記ゲート領域に隣接する、前記アノードメサとは反対側の前記基層において形成される、
請求項７に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項１５】
前記ＳｉＣ半導体素子は、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ：Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であり、該ＢＪＴは、
第１導電型の基板と、
該基板の表面上にある、前記第１導電型のドリフト層と、
該ドリフト層の、前記基板とは反対側の表面上にある、第２導電型の基層と、
該基層の、前記ドリフト層とは反対側の表面において形成された、前記第２導電型のベース領域と、
前記基層の、前記ドリフト層とは反対側であり前記ベース領域に隣接する前記表面上にある、エミッタメサと、
を備え、
前記多段負ベベル端部終端は、前記ベース領域に隣接する、前記エミッタメサとは反対側の前記基層において形成される、
請求項３に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項１６】
前記ＳｉＣ半導体素子は、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ：Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であり、該ＢＪＴは、
第１導電型の基板と、
該基板の表面上にある、第２導電型のドリフト層と、
該ドリフト層の、前記基板とは反対側の表面上にある、前記第１導電型の基層と、
該基層の、前記ドリフト層とは反対側の表面上にある、前記第２導電型のエミッタ領域と、
該エミッタ領域に隣接して前記ドリフト層の中まで延在する前記ＢＪＴの表面において形成された、ゲートトレンチと、
を備え、
前記多段負ベベル端部終端は、前記エミッタ領域に隣接する、前記ゲートトレンチとは反対側の前記基層において形成される、
請求項３に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項１７】
前記ＳｉＣ半導体素子はＰＩＮダイオードであり、該ＰＩＮダイオードは、
第１導電型の基板と、
該基板の表面上にある、前記第１導電型のドリフト層と、
該ドリフト層の、前記基板とは反対側の表面上にある、第２導電型の半導体層と、
前記第２導電型の前記半導体層の、前記ドリフト層とは反対側の表面上にある、アノードメサと、
該アノードメサの、前記ドリフト層とは反対側の表面上にある、アノードコンタクトと、
前記基板の、前記ドリフト層とは反対側の表面上にある、カソードコンタクトと、
を備え、
前記多段負ベベル端部終端は、前記アノードメサに隣接する前記第２導電型の前記半導体層において形成される、
請求項７に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項１８】
前記ＳｉＣ半導体素子は、バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ：Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である、請求項１に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項１９】
少なくとも１５キロボルト（ｋＶ）の阻止電圧と、１５ミリオーム平方センチメートル（ｍΩ・ｃｍ２）未満のオン抵抗と、を有する炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体素子。
【請求項２０】
前記オン抵抗は微分オン抵抗である、請求項１９に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項２１】
前記微分オン抵抗は７ｍΩ・ｃｍ２未満である、請求項２０に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項２２】
前記阻止電圧は１５ｋＶ以上２０ｋＶ以下の範囲である、請求項２０に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項２３】
前記微分オン抵抗は７ｍΩ・ｃｍ２未満である、請求項２２に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項２４】
平滑斜面に近似する多段負ベベル端部終端を備える、請求項２０に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項２５】
少なくとも２０キロボルト（ｋＶ）の阻止電圧と、２０ミリオーム平方センチメートル（ｍΩ・ｃｍ２）未満のオン抵抗と、を有する炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体素子。
【請求項２６】
前記オン抵抗は微分オン抵抗である、請求項２５に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項２７】
前記微分オン抵抗は１０ｍΩ・ｃｍ２未満である、請求項２６に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項２８】
前記阻止電圧は２０ｋＶ以上２５ｋＶ以下の範囲である、請求項２６に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項２９】
前記微分オン抵抗は１０ｍΩ・ｃｍ２未満である、請求項２８に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項３０】
平滑斜面に近似する多段負ベベル端部終端を備える、請求項２６に記載のＳｉＣ半導体素子。
【請求項３１】
前記ＳｉＣ半導体素子は、サイリスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、およびＰＩＮダイオードからなる群の１つである、請求項２に記載のＳｉＣ半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月13日(2016.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応チャンバに基板を提供する工程と、１回又は複数回の蒸着サイクルを実行してケイ素含有膜を蒸着する工程と、を備える方法であって、
各サイクルは、
（ａ）窒素含有反応物質の気相流に前記基板を曝露し、
（ｂ）ケイ素含有反応物質の気相流に前記基板を曝露し、
（ｃ）前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線を照射するとともに、前記ケイ素含有反応物質の気相流には紫外線を照射しない
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板は、前記ケイ素含有反応物質の気相流に曝露される間に、前記窒素含有反応物質の気相流に曝露される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板は、前記ケイ素含有反応物質の気相流に曝露される間には、前記窒素含有反応物質の気相流に曝露されない、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記反応チャンバ内で、前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線が照射される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記反応チャンバの上流で、前記窒素含有反応物質の気相流に紫外線が照射される、方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質は、シラン、ハロシラン、アミノシラン及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質は、ケイ素及びアミノ基の部位に炭素含有置換基を有するアミノシランである、方法。
【請求項８】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法であって、
前記窒素含有反応物質は、アンモニア、ヒドラジン、アミン及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
【請求項９】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有膜は、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ又はＳｉＯＮＣからなる群から選択される、方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有膜はＳｉＣＮである、方法。
【請求項１１】
反応チャンバに基板を提供する工程と、
１回又は複数回の蒸着サイクルを実行してケイ素含有膜を蒸着する工程と、を備える方法であって、
各サイクルでは、
（ａ）遠隔プラズマ源を用いて、窒素含有反応物質の気相流を活性化し、
（ｂ）前記活性化された窒素含有反応物質に前記基板を曝露し、
（ｃ）ケイ素含有反応物質の気相流に前記基板を曝露する
方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記基板は、前記ケイ素含有反応物質の気相流に曝露される間に、前記窒素含有反応物質の気相流に曝露される、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
前記基板は、前記ケイ素含有反応物質の気相流に曝露される間には、前記窒素含有反応物質の気相流に曝露されない、方法。
【請求項１４】
請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質は、シラン、ハロシラン、アミノシラン及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
【請求項１５】
請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有反応物質は、ケイ素及びアミノ基の部位に炭素含有置換基を有するアミノシランである、方法。
【請求項１６】
請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記窒素含有反応物質は、アンモニア、ヒドラジン、アミン及びこれらの混合物からなる群から選択される、方法。
【請求項１７】
請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有膜は、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯＮ又はＳｉＯＮＣからなる群から選択される、方法。
【請求項１８】
請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の方法であって、
前記ケイ素含有膜はＳｉＣＮである、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月17日(2015.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
第１の金属メッシュ生地１０は、それぞれ金属ワイヤ１４と１３で製造されたメッシュ生地の第１の部分１１とメッシュ生地の第２の部分１２を備える。ワイヤ１３はワイヤ１４よりも線径が太く、メッシュ生地１２の部分はより太いワイヤで製造され、それ故に全体として部分１１よりも強度が高い。２つのパネル１５と１６はメッシュ生地１０に対して横方向に連結される。Ｆｉｇ２に見られるように、一旦一緒に連結され、線１７，１８，１９に沿って、そしてメッシュ生地１０とパネル１５と１６との間の連結部に沿って折り曲げられるメッシュ生地１０とパネル１５，１６は箱型構造の６つの外壁を備える。特に、メッシュ生地１０の第１の部分１１は基部２０、後壁２１と頂部壁２２を備え、第２の部分１２は前壁２３を備え、パネル１５と１６はそれぞれ側壁２４と２５を形成する。前壁２３はそれ故に、それ以外の壁に使われるワイヤ１４よりも線径が太いワイヤ１３を使って作られる。メッシュ生地１０の第１の部分１１を製造するために使用されるワイヤ１４の線径の最適値が２．２〜３ｍｍの間であり、一方で、メッシュ生地１０の第２の部分１２に使われるワイヤ１３は３．４〜３．９ｍｍの線径であることを、出願人は見出した。本発明の範囲を越えることなく、特定の目的に応じて、これらの数値ははっきりと変化してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
以下で編み加工に関してよりいっそう説明するように、より太い線径のワイヤ１３とより細い線径のワイヤ１４の間の差が十分な時、より細い線径のワイヤを使用して製造された一領域と、より太い線径のワイヤを使用して製造された一領域との間の境界に位置する前記メッシュ生地の変形を制限するために、少なくとも１つの中間の線径のワイヤがより細い線径のワイヤとより太い線径のワイヤの間に挿入されることは特に有利である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月10日(2016.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジエチレントリアミンペンタアセテート（DTPA）および亜鉛塩の粒子を含む、DTPAおよび該亜鉛塩が腸溶コートしたポリマーによって封入されている、医薬組成物。
【請求項２】
該粒子が約1mm以下の平均直径を有する請求項１記載の組成物。
【請求項３】
該粒子が約300μm以下の平均直径を有する請求項２記載の組成物。
【請求項４】
該粒子が約100μm以下の平均直径を有する請求項３記載の組成物。
【請求項５】
DTPAが酸である請求項１記載の組成物。
【請求項６】
DTPAが塩である請求項１記載の組成物。
【請求項７】
該亜鉛塩が酢酸亜鉛である請求項１記載の組成物。
【請求項８】
酢酸亜鉛がDTPAの可溶性の量を約20％以上改善する請求項7記載の組成物。
【請求項９】
腸溶コートしたポリマーが水可溶性ポリマーである請求項１記載の組成物。
【請求項１０】
腸溶コートしたポリマーがメタクリル酸コポリマーである請求項9記載の組成物。
【請求項１１】
DTPAが組成物の約0.01％〜約90質量％の範囲の量で存在する請求項１記載の組成物。
【請求項１２】
DTPAが組成物の約10％〜約90質量％の範囲の量で存在する請求項11記載の組成物。
【請求項１３】
DTPAが組成物の約50％〜約80質量％の範囲の量で存在する請求項12記載の組成物。
【請求項１４】
請求項１記載の組成物の製造方法であって、
DTPAを該亜鉛塩と混合して混合物を形成し、
該混合物を加工して平均直径が約0.1mm〜約5mmの範囲の粗粒子を形成し、そして
該粗粒子を粉砕して平均直径が約0.1μm以下の粒子を形成することを含む方法。
【請求項１５】
請求項１記載の組成物の製造方法であって、
DTPAを該亜鉛塩と混合して混合物を形成し、
該混合物を加工して平均直径が約0.1mm〜約5mmの粗粒子を形成し、
該粗粒子をジェットミルで粉砕して平均直径が約0.1μm以下の粒子を形成することを含む方法。
【請求項１６】
鉄のオーバーロードを治療するための、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
放射性核種への被爆を治療するための、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
経口投与用に製剤化される請求項１記載の医薬組成物。