(57)【要約】【課題】電子部品とともに配線基板の一面側がモールド樹脂で封止され、配線基板の他面側に放熱用のランドを有するハーフモールドタイプのモールドパッケージにおいて、配線基板他面側の凹凸による配線基板のたわみ抑制とパッケージ放熱性の確保とを両立する【解決手段】配線基板１０の他面１２側には、放熱ランド１６、および放熱ランド１６の周囲に設けられ放熱ランド１６よりも突出するレジスト膜４０が設けられており、配線基板１０の他面１２のうち放熱ランド１６の形成領域Ｒ１の一部では、放熱ランド１６よりも突出する突出部材４１が設けられ、当該形成領域Ｒ１の残部では、放熱ランド１６が突出部材４１より露出しており、レジスト膜４０の表面と突出部材４１の先端面とが同一平面に位置するものとされている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板（１０）と、
前記配線基板（１０）の一面（１１）側に搭載された電子部品（２０）と、
前記電子部品（２０）とともに前記配線基板（１０）の一面（１１）側を封止するモールド樹脂（３０）と、を備え、
前記配線基板（１０）の一面（１１）と反対面である他面（１２）側は前記モールド樹脂（３０）より露出するハーフモールドタイプのモールドパッケージにおいて、
前記配線基板（１０）の他面（１２）側には、放熱用の放熱ランド（１６）、および前記放熱ランド（１６）の周囲に設けられ前記放熱ランド（１６）よりも突出するレジスト膜（４０）が設けられており、
前記配線基板（１０）の他面（１２）のうち前記放熱ランド（１６）の形成領域（Ｒ１）の一部では、前記放熱ランド（１６）よりも突出する突出部材（４１）が設けられており、
前記放熱ランド（１６）の形成領域（Ｒ１）の残部では、前記放熱ランド（１６）が前記突出部材（４１）より露出しており、
前記レジスト膜（４０）の表面と前記突出部材（４１）の先端面とが、同一平面に位置するものとされていることを特徴とするモールドパッケージ。
【請求項２】
前記配線基板（１０）の他面（１２）のうちの前記放熱ランド（１６）の形成領域（Ｒ１）において、前記放熱ランド（１６）が前記突出部材（４１）より露出している面積は、前記突出部材（４１）が設けられている領域の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のモールドパッケージ。
【請求項３】
前記突出部材（４１）は、前記レジスト膜（４０）と同じ材料よりなることを特徴とする請求項１または２に記載のモールドパッケージ。
【請求項４】
一面（１１）側に電子部品（２０）が搭載され、他面（１２）側に放熱用の放熱ランド（１６）、および前記放熱ランド（１６）の周囲に設けられ前記放熱ランド（１６）よりも当該他面（１２）から突出するレジスト膜（４０）が設けられている配線基板（１０）を用意する用意工程と、
前記配線基板（１０）を金型（１００）に投入し、前記配線基板（１０）の他面（１２）側を前記金型（１００）に接触させて前記配線基板（１０）を前記金型（１００）に支持させた状態で、前記金型（１００）内にモールド樹脂（３０）を充填して前記電子部品（２０）とともに前記配線基板（１０）の一面（１１）側を前記モールド樹脂（３０）で封止するとともに、前記配線基板（１０）の一面（１１）と反対面である他面（１２）側は前記モールド樹脂（３０）より露出させる封止工程と、を備えるハーフモールドタイプのモールドパッケージの製造方法において、
前記用意工程では、前記配線基板（１０）として、前記配線基板（１０）の他面（１２）のうち前記放熱ランド（１６）の形成領域（Ｒ１）の一部に、前記放熱ランド（１６）よりも突出し先端面が前記レジスト膜（４０）の表面と同一平面にある突出部材（４１）が形成されたものを用意し、
前記封止工程では、前記レジスト膜（４０）および前記突出部材（４１）を前記金型（１００）に接触させて前記配線基板（１０）の他面（１２）側を前記金型（１００）に支持させた状態で、前記モールド樹脂（３０）を前記配線基板（１０）の一面（１１）側に充填することによって、前記モールド樹脂（３０）による封止を行うことを特徴とするモールドパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品とともに配線基板の一面側がモールド樹脂で封止され、配線基板の他面側に放熱用のランドを有するハーフモールドタイプのモールドパッケージ、およびそのようなモールドパッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、配線基板と、配線基板の一面側に搭載された電子部品と、電子部品とともに配線基板の一面側を封止するモールド樹脂と、を備えるハーフモールドタイプのモールドパッケージが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１２４３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、このようなモールドパッケージは、配線基板の一面側に電子部品を搭載した後、配線基板を金型に投入し、電子部品とともに配線基板の一面側をモールド樹脂で封止することで製造される。
【０００５】
ここで、この封止工程では、配線基板の他面側を金型（一般に下型）に接触させて配線基板を金型に支持させ、この状態で、金型内にモールド樹脂を充填することにより、封止を行う。このとき、配線基板の他面側は、通常、配線やレジスト膜等が設けられるので当該他面は凹凸を有するものとなる。
【０００６】
このように配線基板の他面側に凹凸があると、樹脂充填時において、基板一面側に加わるモールド樹脂の圧力により、基板他面側の金型に押し付けられ、当該凹凸の段差によって、配線基板がたわみ、ひいては反りやクラック等の不具合が生じやすい。
【０００７】
特に、配線基板や電子部品からの熱を放熱させるために放熱ランドを配線基板の他面側に設けた構成の場合、当該他面のうち放熱ランドの形成領域は、当該ランドの周囲を取り囲むレジスト膜よりも凹んだものとなり、金型に接触しない領域となりやすい。
【０００８】
これは、レジスト膜が配線基板の他面側の配線を被覆するために当該配線上に設けられ、放熱ランドよりも厚いものとなることによる。このようにして、配線基板の他面は、これら放熱ランドおよびレジスト膜によって構成されることになるため、このレジスト膜と当該ランドとの凹凸の段差によって、上記の如く、モールド時において、配線基板のたわみが発生する。
【０００９】
ここで、上記特許文献１では、樹脂で配線基板の他面全体を被覆し、当該他面の凹凸を樹脂で埋めることで、基板他面の平坦性を実現するようにしている。しかし、この方法を、上記放熱ランドを有する構成に適用した場合、樹脂によって放熱ランドが埋まってしまうので、パッケージの放熱性が低下するという問題が生じる。
【００１０】
また、モールド時以外に、たとえば、配線基板の他面側をケース等の支持部材上に押し付けて、モールドパッケージを当該支持部材上に搭載するような場合にも、上記した配線基板の他面を構成するレジスト膜と放熱ランドとの凹凸によって、配線基板のたわみが懸念される。
【００１１】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、電子部品とともに配線基板の一面側がモールド樹脂で封止され、配線基板の他面側に放熱用のランドを有するハーフモールドタイプのモールドパッケージにおいて、配線基板他面側の凹凸による配線基板のたわみ抑制とパッケージ放熱性の確保とを両立することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、配線基板（１０）と、配線基板（１０）の一面（１１）側に搭載された電子部品（２０）と、電子部品（２０）とともに配線基板（１０）の一面（１１）側を封止するモールド樹脂（３０）と、を備え、配線基板（１０）の一面（１１）と反対面である他面（１２）側はモールド樹脂（３０）より露出するハーフモールドタイプのモールドパッケージにおいて、さらに以下の点を特徴としている。
【００１３】
すなわち、配線基板（１０）の他面（１２）側には、放熱用の放熱ランド（１６）、および放熱ランド（１６）の周囲に設けられ放熱ランド（１６）よりも突出するレジスト膜（４０）が設けられており、
配線基板（１０）の他面（１２）のうち放熱ランド（１６）の形成領域（Ｒ１）の一部では、放熱ランド（１６）よりも突出する突出部材（４１）が設けられており、放熱ランド（１６）の形成領域（Ｒ１）の残部では、放熱ランド（１６）が突出部材（４１）より露出しており、
レジスト膜（４０）の表面と突出部材（４１）の先端面とが、同一平面に位置するものとされていることを特徴とする。
【００１４】
それによれば、配線基板（１０）の他面（１２）のうちレジスト膜（４０）に比べて元来凹んでいる放熱ランド（１６）の形成領域（Ｒ１）が、突出部材（４１）を介して、支持部材や金型（１００）に押し付けられることによって、これら支持部材等に対する配線基板（１０）の他面（１２）側の接触位置が放熱ランド（１６）の形成領域（Ｒ１）とレジスト膜（４０）とで同一平面となる。
【００１５】
そのため、配線基板（１０）の他面（１２）側を当該支持部材等に押し付けても、放熱ランド（１６）とレジスト膜（４０）との凹凸によらず、均一な接触が行われる。また、放熱ランド（１６）は、突出部材（４１）より露出している部分を有するので、放熱性を確保することができる。よって、配線基板（１０）の他面（１２）側の凹凸による配線基板（１０）のたわみ抑制とパッケージ放熱性の確保とを両立することができる。
【００１６】
ここで、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のモールドパッケージにおいて、配線基板（１０）の他面（１２）のうちの放熱ランド（１６）の形成領域（Ｒ１）において、放熱ランド（１６）が突出部材（４１）より露出している面積は、突出部材（４１）が設けられている領域の面積よりも大きいことを特徴とする。
【００１７】
それによれば、放熱ランド（１６）において放熱への寄与が大きい部位である露出部の面積を大きくすることができ、放熱性確保の点で好ましい。
【００１８】
また、請求項３に記載の発明では、請求項１または請求項２に記載のモールドパッケージにおいて、突出部材（４１）は、レジスト膜（４０）と同じ材料よりなることを特徴とする。
【００１９】
それによれば、突出部材（４１）とレジスト膜（４０）とを、同一工程で製造するのに適した構成となり、好ましい。
【００２０】
請求項４に記載の発明では、一面（１１）側に電子部品（２０）が搭載され、他面（１２）側に放熱用の放熱ランド（１６）、および放熱ランド（１６）の周囲に設けられ放熱ランド（１６）よりも当該他面（１２）から突出するレジスト膜（４０）が設けられている配線基板（１０）を用意する用意工程と、
配線基板（１０）を金型（１００）に投入し、配線基板（１０）の他面（１２）側を金型（１００）に接触させて配線基板（１０）を金型（１００）に支持させた状態で、金型（１００）内にモールド樹脂（３０）を充填して電子部品（２０）とともに配線基板（１０）の一面（１１）側をモールド樹脂（３０）で封止するとともに、配線基板（１０）の一面（１１）と反対面である他面（１２）側はモールド樹脂（３０）より露出させる封止工程と、を備えるハーフモールドタイプのモールドパッケージの製造方法において、さらに、以下の点を特徴としている。
【００２１】
すなわち、用意工程では、配線基板（１０）として、配線基板（１０）の他面（１２）のうち放熱ランド（１６）の形成領域（Ｒ１）の一部に、放熱ランド（１６）よりも突出し先端面がレジスト膜（４０）の表面と同一平面にある突出部材（４１）が形成されたものを用意し、
封止工程では、レジスト膜（４０）および突出部材（４１）を金型（１００）に接触させて配線基板（１０）の他面（１２）側を金型（１００）に支持させた状態で、モールド樹脂（３０）を配線基板（１０）の一面（１１）側に充填することによって、モールド樹脂（３０）による封止を行うことを特徴とする。
【００２２】
それによれば、封止工程では、配線基板（１０）の他面（１２）のうちレジスト膜（４０）に比べて元来凹んでいる放熱ランド（１６）の形成領域（Ｒ１）が、突出部材（４１）を介して、金型（１００）に押し付けられることによって、金型（１００）に対する配線基板（１０）の他面（１２）側の接触位置が、放熱ランド（１６）の形成領域（Ｒ１）とレジスト膜（４０）とで同一平面となる。
【００２３】
そのため、配線基板（１０）の他面（１２）側を金型（１００）に押し付けても、放熱ランド（１６）とレジスト膜（４０）との凹凸によらず、均一な接触が行われる。また、放熱ランド（１６）は、突出部材（４１）より露出している部分を有するので、放熱性を確保することができる。よって、本発明によれば、モールド時における配線基板（１０）の他面（１２）側の凹凸による配線基板（１０）のたわみ抑制とパッケージ放熱性の確保とを両立することができる。
【００２４】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージの要部の概略構成を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）中の放熱ランドの概略平面図である。
【図２】第１実施形態に係るモールドパッケージの製造方法を示す工程図である。
【図３】図２に続く製造方法を示す工程図である。
【図４】突出部材の配置パターンのバリエーションを示す概略平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージの要部を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２７】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るモールドパッケージＳ１の要部の概略構成を示す図である。図１において（ａ）は同モールドパッケージＳ１の概略断面図、（ｂ）は（ａ）中のパッケージＳ１における放熱ランド１６の下面構成を示す概略平面図である。
【００２８】
本実施形態のモールドパッケージＳ１は、大きくは、配線基板１０と、配線基板１０の一面１１側に搭載された電子部品２０と、電子部品２０とともに配線基板１０の一面１１側を封止するモールド樹脂３０と、を備え、配線基板１０の一面１１と反対面である他面１２側はモールド樹脂３０より露出するハーフモールドタイプのパッケージとして構成されている。
【００２９】
配線基板１０としては、プリント配線基板、セラミック配線基板などが挙げられ、また、単層配線基板でもよいし多層配線基板でもよい。ここでは、配線基板１０は、ガラスエポキシやエポキシ樹脂などをベース１０ａとし、このベース１０ａに後述する各種の配線や膜が形成された多層配線基板として構成されている。
【００３０】
配線基板１０の一方の板面である一面１１側、他方の板面である他面１２側には、それぞれ表層配線としての一面側配線パターン１３、１４、他面側配線パターン１５、１６が設けられている。また、配線基板１０の内部において各層間には内層配線パターン１７が設けられている。
【００３１】
そして、これら一面側配線パターン１３、１４、他面側配線パターン１５、１６および内層配線パターン１７は、Ｃｕなどにより形成されており、配線基板１０内部に設けられた図示しないスルーホール配線を介して、互いに適宜電気的に接続されている。
【００３２】
ここで、一面側配線パターン１３、１４は、配線基板１０の各部を接続する配線１３と、電子部品２０が搭載される部品搭載ランド１４とを含むものであり、他面側配線パターン１５、１６は、配線基板１０の各部を接続する配線１５と、電子部品２０および配線基板１０の放熱を行う放熱ランド１６とを含むものである。
【００３３】
そして、配線基板１０の一面１１側において、配線１３はソルダーレジスト等よりなるレジスト膜４０で被覆され、部品搭載ランド１４はレジスト膜４０より露出している。一方、配線基板１０の他面１２側において、配線１５はレジスト膜４０で被覆され、放熱ランド１６はレジスト膜４０より露出している。
【００３４】
また、配線基板１０の両面１１、１２側において、各表層配線１３〜１６は典型的なものと同様に、同一材料、同一厚さにて形成されている。そして、レジスト膜４０は、各配線１３、１５を被覆する膜として構成されているため、図１に示されるように、当該各面１１、１２において各ランド１４、１６よりも厚いものとされている。
【００３５】
つまり、配線基板１０の一面１１側において、部品搭載ランド１４の形成領域は、当該ランド１４の周囲を取り囲むレジスト膜４０よりも凹んだものとされている。同様に、配線基板１０の他面１２側において、放熱ランド１６の形成領域Ｒ１は、当該ランド１６の周囲を取り囲むレジスト膜４０よりも凹んだものとされている。ここで、放熱ランド１６の形成領域Ｒ１は、１個の連続した領域であってレジスト膜４０より露出する放熱ランド１６の外郭の内周であり、図１では矩形領域である。
【００３６】
このように、本実施形態では、各レジスト膜４０の表面およびこれより露出する各ランド１４、１６の表面が、配線基板１０の一面１１や他面１２として構成され、これらレジスト膜４０とランド１４、１６との段差が存在することによって、当該一面１１、他面１２は凹凸を有する面とされている。
【００３７】
そして、電子部品２０は、はんだや導電性接着剤などの導電性のマウント材５０を介して、部品搭載ランド１４上に搭載され接合されている。この電子部品２０は、ＩＣチップやチップコンデンサなどの表面実装部品等であり、場合に応じて、適宜ボンディングワイヤ等により配線基板１０と接続されている。
【００３８】
そして、モールド樹脂３０は、電子部品２０とともに配線基板１０の一面１１側を封止している。このモールド樹脂３０は、エポキシ樹脂等よりなるもので、金型を用いたトランスファーモールド法、コンプレッションモールド法等により形成される。
【００３９】
また、本モールドパッケージＳ１は、配線基板１０の他面１２側がモールド樹脂３０より露出するハーフモールドタイプであるが、配線基板１０の他面１２が露出していればよく、モールド樹脂３０は、配線基板１０の一面１１から図示しない配線基板１０の側面まで回り込んで当該側面も封止していてもよい。
【００４０】
また、図１に示されるように、本実施形態では、配線基板１０の他面１２のうち放熱ランド１６の形成領域Ｒ１の一部では、放熱ランド１６より突出する突出部材４１が設けられており、放熱ランド１６の形成領域Ｒ１の残部では、突出部材４１は形成されず、放熱ランド１６が突出部材４１より露出している。そして、図１（ａ）に示されるように、配線基板１０の他面１２側では、レジスト膜４０の表面と突出部材４１の先端面とが、同一平面に位置している。
【００４１】
ここでは、突出部材４１はレジスト膜４０と同じソルダーレジスト材料よりなる。具体的には、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂よりなり、これらをフォトリソグラフや印刷によりパターニング形成してやればよい。
【００４２】
また、ここでは、突出部材４１は、図１（ｂ）に示されるように、放熱ランド１６の表面上に点在した状態で放熱ランド１６上に直接、積層されている。具体的には、図１（ｂ）に示されるように、ドットマトリクス状の配置パターンとされている。また、放熱ランド１６は、上記のようにＣｕ等よりなるが、その平面形状は、図１に示されるように、典型的な四角形をなす。
【００４３】
また、本実施形態では、配線基板１０の他面１２のうちの放熱ランド１６の形成領域Ｒ１において、放熱ランド１６が突出部材４１より露出している面積は、突出部材４１が設けられている領域の面積（つまり、放熱ランド１６のうち突出部材４１で被覆されている部位の面積）よりも大きいものとされている。なお、これら両面積の大小関係は、前記とは逆であってもよい。
【００４４】
次に、本モールドパッケージＳ１の製造方法について、図２、図３を参照して述べる。図２は本製造方法を示す工程図であり、図３は図２に続く製造方法を示す工程図であり、これら図２、図３では各工程のワークを断面的に示している。
【００４５】
まず、図２（ａ）に示されるように、内層配線パターン１７が形成され、両板面にＣｕ等よりなる導体膜１０ｂ、１０ｃが形成されたベース１０ａを用意する。次に、図２（ｂ）に示されるように、この導体膜１０ｂ、１０ｃ上に、上記各表層配線１３〜１７と同一形状パターンのエッチングレジスト１０ｄを形成する。
【００４６】
次に、図２（ｃ）に示されるように、エッチングレジスト１０ｄをマスクとして、化学的または物理的エッチングを行うことにより、導体膜１０ｂ、１０ｃをパターニングして、上記各表層配線１３〜１７を形成する。そして、図２（ｄ）に示されるように、エッチングレジスト１０ｄを除去する。
【００４７】
次に、図２（ｅ）に示されるように、ソルダーレジストを用いて、印刷やフォトリソグラフ等によりレジスト膜４０および突出部材４１を形成する。つまり、ここでは、レジスト膜４０と突出部材４１とを同一の成膜工程で形成する。こうして配線基板１０が形成され、続いて、図３（ａ）に示されるように、配線基板１０の部品搭載ランド１４に、マウント材５０を介して、電子部品２０を搭載し、接合する。
【００４８】
これにより、一面１１側に電子部品２０が搭載され、他面１２側に放熱ランド１６、および放熱ランド１６の周囲に設けられたレジスト膜４０が設けられている配線基板１０が、用意される。
【００４９】
ここまでが、用意工程であるが、上記のように、本実施形態の用意工程では、配線基板１０として、配線基板１０の他面１２のうち放熱ランド１６の形成領域Ｒ１の一部に、放熱ランド１６よりも突出し先端面がレジスト膜４０の表面と同一平面にある突出部材４１が形成されたものが、用意される。
【００５０】
次に、本製造方法では、図３（ｂ）、（ｃ）に示される封止工程を行う。この封止工程では、まず、図３（ｂ）に示されるように、配線基板１０を金型１００に投入する。この金型１００は、通常のトランスファーモールド法に用いられるものと同様であり、上型１０１と下型１０２とを合致させることで、これら上下型１０１、１０２の間にキャビティ１０３を形成するものである。
【００５１】
具体的には、配線基板１０の他面１２側を金型１００の下型１０２に接触させて、配線基板１０を金型１００の下型１０２に支持させる。このとき、本実施形態では、レジスト膜４０の表面と突出部材４１の先端面とが同一平面に位置しているため、図３（ｂ）に示されるように、レジスト膜４０および突出部材４１が下型１０２に接触して配線基板１０の他面１２側が金型１００に支持された状態となる。
【００５２】
一方、上型１０１は、配線基板１０の一面１１側のうちモールド樹脂３０が配置される部位の周辺部を押さえ付けるようにしている。このように、配線基板１０の当該周辺部が上下型１０１、１０２で挟まれることにより、配線基板１０は金型１００に支持されている。なお、図３（ａ）、（ｃ）では、配線基板１０のうち上下型１０１、１０２で挟まれる部位は、省略してある。
【００５３】
そして、この状態で、キャビティ１０３にモールド樹脂３０を充填することで、モールド樹脂３０は配線基板１０の一面１１側に充填され、電子部品２０とともに配線基板１０の一面１１側がモールド樹脂３０で封止される。また、一方、下型１０２に押し付けられている配線基板１０の他面１２側はモールド樹脂３０が充填されず、モールド樹脂３０より露出することになる。
【００５４】
以上が封止工程であり、この封止の完了、金型１００からのワーク取り出しに伴い、図１に示される本実施形態のモールドパッケージＳ１ができあがる。
【００５５】
ところで、本実施形態によれば、封止工程では、配線基板１０の他面１２のうちレジスト膜４０に比べて元来凹んでいる放熱ランド１６の形成領域Ｒ１が、突出部材４１を介して、金型１００の下型１０２に押し付けられることによって、当該下型１０２に対する配線基板１０の他面１２側の接触位置が、放熱ランド１６の形成領域Ｒ１とレジスト膜４０とで同一平面となる。
【００５６】
仮に、突出部材４１が省略された構成の場合、封止工程では、凸であるレジスト膜４０は下型１０２に接触するが、凹である放熱ランド１６は接触せず、下型１０２への配線基板１０の他面１２の押し付けにより、配線基板１０のたわみが発生する。
【００５７】
しかし、本実施形態では、上記同一平面構成を採ることにより、配線基板１０の他面１２側を下型１０２に押し付けても、放熱ランド１６とレジスト膜４０との凹凸によらず、均一な接触が行われる。
【００５８】
また、放熱ランド１６は、電子部品２０や配線基板１０などパッケージＳ１に発生する熱を外部に放熱するものであるが、本実施形態では、放熱ランド１６の全体が突出部材４１で被覆されているわけではなく、突出部材４１は放熱ランド１６の形成領域Ｒ１の一部に形成されている。
【００５９】
そのため、放熱ランド１６は、突出部材４１より露出している部分を有するものとなるから、放熱性を確保することができる。よって、本実施形態によれば、モールド時における配線基板１０の他面１２側の凹凸による配線基板１０のたわみ抑制とパッケージ放熱性の確保とを両立することができる。
【００６０】
また、本実施形態のモールドパッケージＳ１においては、配線基板１０の他面１２側をケース等の支持部材上に押し付けて、モールドパッケージＳ１を当該支持部材上に搭載するような場合においても、上記した、たわみ抑制と放熱性確保の効果が発揮されることは、もちろんである。
【００６１】
また、本実施形態では、突出部材４１をレジスト膜４０と同じ材料よりなるものとしているので、上記製造方法に示したように、レジスト膜４０と突出部材４１とを同一の成膜工程で形成することができる。
【００６２】
また、放熱ランド１６の放熱性確保という点では、上述したが、配線基板１０の他面１２のうちの放熱ランド１６の形成領域Ｒ１において、放熱ランド１６が突出部材４１より露出している面積は、突出部材４１が設けられている領域の面積よりも大きいことが望ましい。それによれば、放熱ランド１６において放熱への寄与が大きい部位である露出部の面積を大きく確保できるという利点がある。
【００６３】
また、凹部である放熱ランド１６を支持部材や金型１００等に支持するという点では、放熱ランド１６の形成領域Ｒ１において突出部材４１を配置パターンは、当該形成領域Ｒ１の全体に渡って均一に分散したパターンであることが望ましい。
【００６４】
たとえば、上記図１（ｂ）に示される点在パターンでは、平面四角形状をなす放熱ランド１６の形成領域Ｒ１の中心点に対して突出部材４１が点対称形状に配置されている。また、放熱ランド１６の形成領域Ｒ１に部分的に配置される突出部材４１の配置パターンとしては、上記図１に限定されるものではなく、たとえば次の図４に示されるような種々のパターンが可能である。
【００６５】
図４は、突出部材４１の配置パターンのバリエーションを示す概略平面図である。当該配置パターンとしては、図４（ａ）に示されるような平行配列された複数の線状パターン、図４（ｂ）に示されるような同心円状パターン、図４（ｃ）に示されるような同心矩形状パターン、図４（ｄ）に示されるような渦巻パターン等が採用可能である。
【００６６】
また、上記図１（ａ）に示されるように、本モールドパッケージＳ１においては、配線基板１０の内部において放熱ランド１６の形成領域Ｒ１と他面１２側のレジスト膜４０との両領域の境界に対応する位置に、当該両領域に渡って境界を跨ぐように、内層配線１７が設けられている。
【００６７】
配線基板１０の他面１２において当該両領域の境界は段差が存在する部位であり、上記した支持部材等への配線基板１０の他面１２側の押し付けにより、たわみやすい部位である。しかし、本実施形態によれば、このたわみやすい部位にて配線基板１０の内部に金属よりなる内層配線１７を設けることにより、当該部位における剛性の向上が期待できる。なお、内層配線１７は全面ベタのものであってもよいし、電気的な接続を行う配線の形状にパターニングされたものであってもよい。
【００６８】
（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係るモールドパッケージＳ２の要部を示す概略断面図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、突出部材４１の配置構成が相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。
【００６９】
上記第１実施形態（図１参照）では、配線基板１０の他面１２のうち放熱ランド１６の形成領域Ｒ１の全体に放熱ランド１６が形成されていたため、当該形成領域Ｒ１の一部に突出部材４１を設けるにあたって、放熱ランド１６の表面上に直接、突出部材４１を積層する構成とした。
【００７０】
それに対して、図５に示されるように、本実施形態では、放熱ランド１６の形成領域Ｒ１の全体に放熱ランド１６が形成されておらず、当該形成領域Ｒ１の一部は放熱ランド１６が存在しないランド非存在部１６ａとされている、たとえば、このランド非存在部１６ａは、放熱ランド１６の一部がエッチング等で除去された溝により構成される。
【００７１】
そして、本実施形態では、このランド非存在部１６ａに、放熱ランド１６よりも厚い突出部材４１を形成することにより、突出部材４１の先端面側を放熱ランド１６よりも突出させ、当該先端面をレジスト膜４０の表面と同一平面に位置させている。本実施形態の突出部材４１も、上記同様、ソルダーレジストを用いて印刷やフォトリソグラフ等により形成される。
【００７２】
そして、この突出部材４１によって、上記第１実施形態と同様、モールド時やパッケージの支持部材への搭載時において、配線基板１０の他面１２側の凹凸による配線基板１０のたわみ抑制とパッケージ放熱性の確保とを両立することができる。
【００７３】
（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態に係るモールドパッケージＳ３の要部を示す概略断面図である。本第３実施形態は、上記第１実施形態および第２実施形態において、内層配線１７を一部変形したものである。
【００７４】
上記第１実施形態に示したように、配線基板１０の内部において放熱ランド１６の形成領域Ｒ１と他面１２側のレジスト膜４０との両領域の境界に対応する位置に、内層配線１７を設けることで、配線基板１０の剛性向上が期待できるが、この内層配線１７は、上記図１のように放熱ランド１６の形成領域Ｒ１の全体に延びるものでなくてもよい。
【００７５】
本実施形態では、図６に示されるように、内層配線１７は、上記境界に対応する位置に断続的に配置されたものとされているが、この場合でも、上記同様、配線基板１０の剛性向上効果が得られることはもちろんである。
【００７６】
（他の実施形態）
なお、突出部材４１とレジスト膜４０とは、同一材料よりなり、同一工程で形成されるものでなくてもよく、互いに別の材料よりなるものであって、別工程で形成されるものでもよい。
【００７７】
具体的には、突出部材４１を、ソルダーレジストとは別の樹脂材料や金属材料のペーストを印刷等により所望のパターンにて設け、これを硬化させることで形成してもよい。また、突出部材４１は上記支持を機能とするものであるから、導電性でもよいし、電気絶縁性でもよい。
【００７８】
また、放熱ランド１６の露出部分の表面は、用途に応じてＡｕなどのめっきが施されたものであってもよい。
【００７９】
また、放熱ランド１６の平面形状は、上記した典型的な四角形以外にも、円形等でもよいし、さらには、他面側配線パターンとしての配線１５の形状等に応じて当該配線１５との干渉を回避するべく、不定形であってもかまわない。
【００８０】
また、他面側配線パターン１５、１６としての配線１５、放熱ランド１６は、上記したように同一材料で形成されたものに限定されるものではなく、別材料により別工程で形成したものあってもよい。
【００８１】
また、上記した各実施形態同士の組み合わせ以外にも、上記各実施形態は、可能な範囲で適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００８２】
１０    配線基板
１１    配線基板の一面
１２    配線基板の他面
１６    放熱ランド
２０    電子部品
３０    モールド樹脂
４０    レジスト膜
４１    突出部材
１００  金型
Ｒ１    放熱ランドの形成領域
【図１】
2013149674.tif 000003
【図２】
2013149674.tif 000004
【図３】
2013149674.tif 000005
【図４】
2013149674.tif 000006
【図５】
2013149674.tif 000007
【図６】
2013149674.tif 000008