【手続補正書】
【提出日】平成28年8月4日(2016.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線源（１２）から放射される放射線を吸収し、前記吸収した放射線に反応して光フォトンを放射するように構成されたシンチレータ層（５０）と、
前記シンチレータ層（５０）によって放射された前記光フォトンを吸収するように構成された相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）光撮像素子（５２）であって、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）光撮像素子（５２）は第１の表面（６０）および第２の表面（６２）を有し、前記第１の表面（６０）は前記第２の表面（６２）の反対側に配されており、前記シンチレータ層（５０）は前記第１の表面（６０）に接触しており、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）光撮像素子（５２）は半導体層に配された検出器素子のアレイおよび電界効果トランジスタを有するように構成された相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）光撮像素子（５２）と、
前記シンチレータ層（５０）の、前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）とは反対側の表面（６８）に配された反射層（６６）であって、前記反射層の第１の表面は前記シンチレータ層の前記表面に接触しており、前記シンチレータ層（５０）によって放射された光フォトンを前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）に向けて反射するように構成された反射層（６６）と、
前記反射層の、前記シンチレータ層（５０）とは反対側の第２の表面（８２）に配された第１のカバー面（８４）を備える第１の検出器カバー（６４）と、
前記第１の検出器カバー（６４）の前記第１のカバー面（８４）と前記反射層（６６）の前記第２の表面との間に配された第１の防湿層（８０）であって、前記第１の防湿層の第１の表面は前記第１のカバー面に接触し、前記第１の防湿層の第２の表面は前記反射層の前記第２の面に接触し、湿気が前記シンチレータ層に接触することを防止する第１の防湿層（８０）と、
第２の防湿層であって、前記第２の防湿層の第１の表面は前記ＣＭＯＳ光撮像素子の前記第２の表面に接触し、湿気が前記シンチレータ層に接触することを防止する第２の防湿層と、
前記反射層、前記シンチレータ層、および前記ＣＭＯＳ光撮像素子の側面に位置する一対のシールであって、前記一対のシールは前記第１の防湿層と前記第２の防湿層との間に延在し、前記一対のシールは、前記反射層、前記シンチレータ層、および前記ＣＭＯＳ光撮像素子に直接接触し、前記一対のシール、前記第１の防湿層、および前記第２の防湿層が、協働して、前記反射層、前記シンチレータ層、および前記ＣＭＯＳ光撮像素子を封じ込めるように設けられた一対のシールと、
を有するデジタルＸ線検出器（２２）。
【請求項２】
前記シンチレータ層（５０）が、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含む、請求項１に記載のデジタルＸ線検出器（２２）。
【請求項３】
前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）の前記第２の表面（６２）に配された第２のカバー面を備える第２の検出器カバー（１００）を備える、請求項１に記載のデジタルＸ線検出器（２２）。
【請求項４】
前記第２の防湿層は、前記第２の検出器カバー（１００）の前記第２のカバー面と前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）の前記第２の表面（６２）との間に配され、前記第２の防湿層の第２の面は、前記第２のカバー面に接触する、請求項３に記載のデジタルＸ線検出器（２２）。
【請求項５】
前記第１の検出器カバー（６４）および前記第２の検出器カバー（１００）の一方または両方が、複数の検出器カバー層（１２４、１２６）および該複数の検出器カバー層（１２４、１２６）の間に配された充填材料（１２８）を備える、請求項４に記載のデジタルＸ線検出器（２２）。
【請求項６】
前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）の前記第１の表面（６０）が、光検出層（５６）を備える、請求項１に記載のデジタルＸ線検出器（２２）。
【請求項７】
デジタルＸ線検出器（２２）をアセンブルするための方法であって、
相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）光撮像素子（５２）の光検出層（５６）に、前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）に接触するシンチレータ層（５０）を設けるステップと、
前記シンチレータ層（５０）の、前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）とは反対側の表面（６８）に、前記シンチレータ層（５０）によって放射された光フォトンを前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）に向けて反射するように構成された反射層であって、前記シンチレータ層の前記表面に接触する第１の表面を有する反射層を配するステップと、
第１のカバー面（８４）を有する第１の検出器カバー（６４）を配するステップであって、前記第１の検出器カバー（６４）の前記第１のカバー面（８４）が、前記反射層の、前記シンチレータ層（５０）とは反対側の第２の表面（８２）上に配されるように、前記第１の検出器カバーを配するステップと、
前記第１の検出器カバー（６４）の前記第１のカバー面（８４）と、前記反射層（６６）の、前記シンチレータ層とは反対側の第２の表面との間に、第１の防湿層（８０）を配するステップと、
前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）の、前記光検出層（５６）とは反対側の表面（６２）に、第２の防湿層（１０２）を配するステップであって、前記第２の防湿層の表面が、前記ＣＭＯＳ光撮像素子の、前記光検出層とは反対側の前記表面に接触するように、前記第２の防湿層を配するステップと、
前記第１の防湿層と前記第２の防湿層との間に、前記反射層、前記シンチレータ層、および前記ＣＭＯＳ光撮像素子の側面に位置する一対のシールを設けるステップであって、前記一対のシールは、前記反射層、前記シンチレータ層、および前記ＣＭＯＳ光撮像素子に直接接触し、前記一対のシール、前記第１の防湿層、および前記第２の防湿層が、協働して、前記反射層、前記シンチレータ層、および前記ＣＭＯＳ光撮像素子を封じ込めるように、前記一対のシールを設けるステップと、
を有する方法。
【請求項８】
第２のカバー面を有する第２の検出器カバー（１００）を配するステップを有し、
前記第２の検出器カバー（１００）の前記第２のカバー面は、前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）の、前記光検出層（５６）とは反対側の表面（６２）に配される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）の、前記光検出層（５６）とは反対側の表面（６２）に、第２の防湿層（１０２）を配するステップが、前記第２の検出器カバー（１００）の前記第２のカバー面と、前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）の、前記光検出層（５６）とは反対側の前記表面（６２）との間に、第２の防湿層（１０２）を配するステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
放射線源（１２）から放射される放射線を吸収し、前記吸収した放射線に反応して光フォトンを放射するように構成されたシンチレータ層（５０）と、
前記シンチレータ層（５０）によって放射された前記光フォトンを吸収するように構成された相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）光撮像素子（５２）であって、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）光撮像素子（５２）は第１の表面（６０）および第２の表面（６２）を有し、前記第１の表面（６０）は、前記第２の表面（６２）の反対側に配されており、前記シンチレータ層（５０）は前記第１の表面（６０）に接触しており、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）光撮像素子（５２）は半導体層に配された検出器素子のアレイおよび電界効果トランジスタを有するように構成された相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）光撮像素子（５２）と、
前記シンチレータ層（５０）の、前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）とは反対側の表面（６８）に配された反射層（６６）であって、前記反射層の第１の表面は前記シンチレータ層の前記表面に接触しており、前記シンチレータ層（５０）によって放射された光フォトンを前記ＣＭＯＳ光撮像素子（５２）に向けて反射するように構成された反射層（６６）と、
前記反射層の、前記シンチレータ層（５０）とは反対側の第２の表面（８２）に配された第１のカバー面（８４）を備える第１の検出器カバー（６４）と、
前記第１の検出器カバー（６４）の前記第１のカバー面（８４）と前記反射層（６６）の前記第２の表面との間に配された第１の防湿層（８０）であって、前記第１の防湿層の第１の表面は前記第１のカバー面に接触し、前記第１の防湿層の第２の表面は前記反射層の前記第２の面に接触し、湿気が前記シンチレータ層に接触することを防止する第１の防湿層（８０）と、
第２の防湿層であって、前記第２の防湿層の第１の表面は前記ＣＭＯＳ光撮像素子の前記第２の表面に接触し、湿気が前記シンチレータ層に接触することを防止する第２の防湿層と、
前記反射層、前記シンチレータ層、および前記ＣＭＯＳ光撮像素子の側面に位置する一対のシールであって、前記一対のシールは前記第１の防湿層と前記第２の防湿層との間に延在し、前記一対のシールは、前記反射層、前記シンチレータ層、および前記ＣＭＯＳ光撮像素子に直接接触し、前記一対のシール、前記第１の防湿層、および前記第２の防湿層が、協働して、前記反射層、前記シンチレータ層、および前記ＣＭＯＳ光撮像素子を封じ込めるように設けられた一対のシールと、
を有し、
前記第１の防湿層および前記第２の防湿層は、前記第１の検出器カバーとは異なる材料を有する、デジタルＸ線検出器（２２）。
【請求項１１】
前記第１の防湿層と前記第２の防湿層との両方がアルミニウムを有する、請求項１０に記載のデジタルＸ線検出器。
【請求項１２】
前記一対のシールは、前記第１の防湿層の表面および前記第２の防湿層の表面に接触する、請求項１に記載のデジタルＸ線検出器。