【手続補正書】
【提出日】平成28年3月3日(2016.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
混同モードパルシングを用いて基板を処理するためのプラズマ処理システムであって、
基板と、
前記基板を処理するためのプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバの内部領域のなかのワークピースホルダと、
少なくとも１つのプラズマ発生ソースと、
前記プラズマ処理チャンバの前記内部領域に少なくとも第１の反応性ガスを供給するための少なくとも１つの反応性ガスソースと、
前記プラズマ処理チャンバの前記内部領域に少なくとも第１の非反応性ガスを供給するための少なくとも１つの非反応性ガスソースと、
有形コンピュータ可読媒体であって、
（ａ）前記内部領域のなかで前記ワークピースホルダの上に前記基板を配することと、
（ｂ）混同モードパルシング（ＭＭＰ）準備位相を実施することであって、
前記第１の反応性ガスを前記内部領域に流入させることと、
前記第１の反応性ガスを、第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ信号によって励起し、前記第１のＲＦ信号は、チャーピングされた周波数を有するＲＦ信号を表すことと、
少なくとも前記第１の反応性ガスを用いて第１のプラズマを発生させ、前記第１のプラズマによって前記基板を処理することと、
を含む、ことと、
（ｃ）混同モードパルシング（ＭＭＰ）反応位相を実施することであって、
少なくとも前記第１の非反応性ガスを前記内部領域に流入させることと、
少なくとも前記第１の非反応性ガスを用いて第２のプラズマを発生させ、前記第２のプラズマによって前記基板を処理することであって、前記第２のプラズマは、前記ＭＭＰ反応位相において、前記ＭＭＰ準備位相における前記第１の反応性ガスの流量未満の流量の前記第１の反応性ガスによって発生することと、
（ｄ）前記工程（ｂ）及び（ｃ）を複数回にわたって繰り返すことと、
を行うためのコンピュータ可読命令を記憶する有形コンピュータ可読媒体と、
を備える、プラズマ処理システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、更に、
前記ＭＭＰ反応位相において、前記内部領域に第１の反応性ガスが流入されないことを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、
前記プラズマ処理チャンバは、誘導結合プラズマ処理チャンバを含む、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、
前記プラズマ処理チャンバは、容量結合プラズマ処理チャンバを含む、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、
前記少なくとも１つの非反応性ガスソースは、更に、第２の非反応性ガスを供給し、
前記有形コンピュータ可読媒体は、更に、前記第２の非反応性ガスが、前記ＭＭＰ準備位相において前記内部領域に流入されることを規定するためのコンピュータ可読命令を記憶することを備える、システム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、更に、
前記第１の非反応性ガスが、前記ＭＭＰ準備位相において前記内部領域に流入されることを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムであって、更に、
前記ＭＭＰ準備位相において、前記ワークピースホルダにバイアス電力が印加されないことを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項８】
請求項７に記載のシステムであって、更に、
前記ＭＭＰ反応位相において、ゼロを超えるバイアス電力レベルを有するバイアス電力が前記ワークピースホルダに印加されることを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項９】
請求項１に記載のシステムであって、更に、
前記ＭＭＰ反応位相において、前記第１の反応性ガスとは異なる第２の反応性ガスを前記内部領域に流入させるためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項１０】
請求項９に記載のシステムであって、更に、
前記ＭＭＰ反応位相において、第１の反応性ガスが流されないことを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項１１】
請求項１に記載のシステムであって、更に、
前記ＭＭＰ準備位相において、前記ワークピースホルダに第１のバイアス電力が印加され、前記ＭＭＰ反応位相において、前記第１のバイアス電力の電力レベルとは異なる電力レベルを有する第２のバイアス電力が前記ワークピースホルダに印加されることを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のシステムであって、更に、
前記第２のバイアス電力の前記電力レベルが、前記第１のバイアス電力の前記電力レベルよりも高いことを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項１３】
請求項１に記載のシステムであって、更に、
前記プラズマ処理チャンバが、前記ＭＭＰ反応位相において、前記基板の表面上の吸着層をエッチングするために必要とされるよりも高いが前記基板の非吸着層をエッチングするためには不十分であるイオンエネルギレベルを有する非反応性イオンを発生させるように構成され、前記吸着層が、前記ＭＭＰ準備位相において形成されることを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項１４】
混同モードパルシングを用いて基板を処理するためのプラズマ処理システムであって、
基板と、
前記基板を処理するためのプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバの内部領域のなかのワークピースホルダと、
少なくとも１つのプラズマ発生ソースと、
前記プラズマ処理チャンバの前記内部領域に少なくとも第１の反応性ガスを供給するための少なくとも１つの反応性ガスソースと、
前記プラズマ処理チャンバの前記内部領域に少なくとも第１の非反応性ガスを供給するための少なくとも１つの非反応性ガスソースと、
有形コンピュータ可読媒体であって、
（ａ）前記内部領域のなかでワークピースホルダの上に前記基板を配することと、
（ｂ）混同モードパルシング（ＭＭＰ）準備位相を実施することであって、
前記第１の反応性ガスを前記内部領域に流入させることと、
少なくとも前記第１の反応性ガスを用いて第１のプラズマを発生させ、前記第１のプラズマによって前記基板を処理することと、
を含む、ことと、
（ｃ）混同モードパルシング（ＭＭＰ）反応位相を実施することであって、
少なくとも前記第１の非反応性ガスを前記内部領域に流入させることと、
少なくとも前記第１の非反応性ガスを用いて第２のプラズマを発生させ、前記第２のプラズマによって前記基板を処理することであって、前記第２のプラズマは、前記ＭＭＰ反応位相において、前記ＭＭＰ準備位相における前記第１の反応性ガスの流量未満の流量の前記第１の反応性ガスによって発生し、前記プラズマ処理チャンバは、前記ＭＭＰ反応位相において、前記基板の表面上の吸着層をエッチングするために必要とされるよりも高いが前記基板の非吸着層をエッチングするためには不十分であるイオンエネルギレベルを有する非反応性イオンを発生させるように構成され、前記吸着層は、前記ＭＭＰ準備位相において形成されることと、
を含む、ことと、
（ｄ）前記工程（ｂ）及び（ｃ）を複数回にわたって繰り返すことと、
を行うためのコンピュータ可読命令を記憶する有形コンピュータ可読媒体と、
を備える、プラズマ処理システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシステムであって、更に、
前記ＭＭＰ反応位相において、前記内部領域に第１の反応性ガスが流入されないことを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項１６】
請求項１４に記載のシステムであって、更に、
前記ＭＭＰ準備位相において、前記ワークピースホルダにバイアス電力が印加されないことを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項１７】
請求項１６に記載のシステムであって、更に、
前記ＭＭＰ反応位相において、ゼロを超えるバイアス電力レベルを有するバイアス電力が前記ワークピースホルダに印加されることを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のシステムであって、更に、
前記バイアス電力が、前記ＭＭＰ反応位相においてパルスされることを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項１９】
請求項１４に記載のシステムであって、更に、
少なくとも１つの誘導アンテナを備え、更に、
前記少なくとも１つの誘導アンテナが、前記ＭＭＰ準備位相において、第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ信号によって励起され、前記少なくとも１つの誘導アンテナが、前記ＭＭＰ反応位相において、前記第１のＲＦ周波数とは異なる第２のＲＦ周波数を有する第２のＲＦ信号によって励起されることを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項２０】
請求項１４に記載のシステムであって、更に、
少なくとも１つの誘導アンテナを備え、更に、
前記少なくとも１つの誘導アンテナが、前記ＭＭＰ準備位相において、第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ信号によって励起され、前記第１のＲＦ信号が、パルスされたＲＦ信号を表していることを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項２１】
請求項１４に記載のシステムであって、更に、
少なくとも１つの誘導アンテナを備え、更に、
前記少なくとも１つの誘導アンテナが、前記ＭＭＰ反応位相において、第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ信号によって励起され、前記第１のＲＦ信号が、パルスされたＲＦ信号を表していることを規定するためのコンピュータ可読命令を備える、システム。
【請求項２２】
混同モードパルシングを用いて基板を処理するためのプラズマ処理システムであって、
基板と、
前記基板を処理するためのプラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバの内部領域のなかのワークピースホルダと、
前記プラズマ処理チャンバの前記内部領域に少なくとも第１の反応性ガスを供給するための少なくとも１つの反応性ガスソースと、
前記プラズマ処理チャンバの前記内部領域に少なくとも第１の非反応性ガスを供給するための少なくとも１つの非反応性ガスソースと、
混同モードパルシング（ＭＭＰ）準備位相において、前記内部領域に第１の反応ガスを流入させるための少なくとも１つのガスパルシングバルブと、
混同モードパルシング（ＭＭＰ）反応位相において、前記内部領域に第１の非反応性ガスを流入させるための少なくとも１つのガスパルシングバルブであって、前記ＭＭＰ反応位相における前記第１の反応ガスの流量は、前記ＭＭＰ準備位相における前記第１の反応ガスの流量未満である、少なくとも１つのガスパルシングバルブと、
パルシング対応ＲＦ電源を有する少なくとも１つのプラズマ発生ソースと、
を備え、
前記パルシング対応ＲＦ電源は、
前記ＭＭＰ準備位相において、前記第１の反応性ガスを第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ信号によって励起し、前記第１のＲＦ信号は、チャーピングされた周波数を有するＲＦ信号を表し、少なくとも前記第１の反応性ガスを用いて第１のプラズマを発生させて前記第１のプラズマによって前記基板を処理し、
前記ＭＭＰ反応位相において、少なくとも前記第１の非反応性ガスを用いて第２のプラズマを発生させて前記第２のプラズマによって前記基板を処理し、前記ＭＭＰ準備位相と前記ＭＭＰ反応位相は交互に起きて複数回にわたって繰り返される、
プラズマ処理システム。
【請求項２３】
請求項２２に記載のシステムであって、
前記ＭＭＰ反応位相において、前記内部領域に第１の反応性ガスは流入されない、システム。
【請求項２４】
請求項２２に記載のシステムであって、
前記プラズマ処理チャンバは、誘導結合プラズマ処理チャンバを含む、システム。
【請求項２５】
請求項２２に記載のシステムであって、
前記プラズマ処理チャンバは、容量結合プラズマ処理チャンバを含む、システム。
【請求項２６】
請求項２２に記載のシステムであって、
前記少なくとも１つの非反応性ガスソースは、更に、第２の非反応性ガスを供給し、前記第２の非反応性ガスは、前記ＭＭＰ準備位相において前記内部領域に流入される、システム。
【請求項２７】
請求項２２に記載のシステムであって、
前記第１の非反応性ガスも、前記ＭＭＰ準備位相において前記内部領域に流入される、システム。
【請求項２８】
請求項２２に記載のシステムであって、
前記ＭＭＰ準備位相において、前記ワークピースホルダにバイアス電力が印加されない、システム。
【請求項２９】
請求項２８に記載のシステムであって、
前記ＭＭＰ反応位相において、ゼロを超えるバイアス電力レベルを有するバイアス電力が前記ワークピースホルダに印加される、システム。
【請求項３０】
請求項２２に記載のシステムであって、
前記ＭＭＰ反応位相において、前記第１の反応性ガスとは異なる第２の反応性ガスを前記内部領域に流入させることを備える、システム。
【請求項３１】
請求項３０に記載のシステムであって、更に、
前記ＭＭＰ反応位相において、第１の反応性ガスは流されない、システム。
【請求項３２】
請求項２２に記載のシステムであって、
前記ＭＭＰ準備位相において、前記ワークピースホルダに第１のバイアス電力が印加され、前記ＭＭＰ反応位相において、前記第１のバイアス電力の電力レベルとは異なる電力レベルを有する第２のバイアス電力が前記ワークピースホルダに印加される、システム。
【請求項３３】
請求項３２に記載のシステムであって、更に、
前記第２のバイアス電力の前記電力レベルは、前記第１のバイアス電力の前記電力レベルよりも高い、システム。
【請求項３４】
請求項２２に記載のシステムであって、
前記プラズマ処理チャンバは、前記ＭＭＰ反応位相において、前記基板の表面上の吸着層をエッチングするために必要とされるよりも高いが前記基板の非吸着層をエッチングするためには不十分であるイオンエネルギレベルを有する非反応性イオンを発生させるように構成され、前記吸着層は、前記ＭＭＰ準備位相において形成される、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
本明細書では、様々な例が提供されているが、これらの例は、例示的なものであること、及び本発明を制限するものではないことを意図される。また、名称及び概要は、本明細書において便宜のために提供されたものであり、特許請求の範囲を解釈するために使用されるべきでない。もし、本明細書において「集合」という用語が用いられるならば、このような用語は、ゼロの、１つの、又は２つ以上の部材を対象範囲とした一般的に理解される数学的意味を有することを意図される。また、本発明の方法及び装置を実現するものとして多くの代替的方法があることも、留意されるべきである。
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
プラズマ処理システムのプラズマ処理チャンバのなかで基板を処理するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは、少なくとも１つのプラズマ発生ソースと、前記プラズマ処理チャンバの内部領域に少なくとも第１の反応性ガスを供給するための反応性ガスソース及び前記プラズマ処理チャンバの前記内部領域に少なくとも第１の非反応性ガスを供給するための非反応性ガスソースを少なくとも有し、前記方法は、
（ａ）前記内部領域のなかでワークピースホルダの上に前記基板を配することと、
（ｂ）混同モードパルシング（ＭＭＰ）準備位相を実施することであって、
前記第１の反応性ガスを前記内部領域に流入させることと、
少なくとも前記第１の反応性ガスを用いて第１のプラズマを発生させ、前記第１のプラズマによって前記基板を処理することと、
を含む、ことと、
（ｃ）混同モードパルシング（ＭＭＰ）反応位相を実施することであって、
少なくとも前記第１の非反応性ガスを前記内部領域に流入させることと、
少なくとも前記第１の非反応性ガスを用いて第２のプラズマを発生させ、前記第２のプラズマによって前記基板を処理することであって、前記第２のプラズマは、前記ＭＭＰ反応位相において、前記ＭＭＰ準備位相における前記第１の反応性ガスの流量未満の流量の前記第１の反応性ガスによって発生する、ことと、
を含む、ことと、
（ｄ）前記工程（ｂ）及び（ｃ）を複数回にわたって繰り返すことと、
を備える方法。
［適用例２］
適用例１に記載の方法であって、
前記ＭＭＰ反応位相において、前記内部領域に第１の反応性ガスは流入されない、方法。
［適用例３］
適用例１に記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは、誘導結合プラズマ処理チャンバを表す、方法。
［適用例４］
適用例１に記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは、容量結合プラズマ処理チャンバを表す、方法。
［適用例５］
適用例１に記載の方法であって、
前記非反応性ガスソースは、更に、第２の非反応性ガスを供給し、前記第２の非反応性ガスは、前記ＭＭＰ準備位相において前記内部領域に流入される、方法。
［適用例６］
適用例１に記載の方法であって、
前記第１の非反応性ガスも、前記ＭＭＰ準備位相において前記内部領域に流入される、方法。
［適用例７］
適用例１に記載の方法であって、
前記ＭＭＰ準備位相において、前記ワークピースホルダにバイアス電力は印加されない、方法。
［適用例８］
適用例７に記載の方法であって、
前記ＭＭＰ反応位相において、ゼロを超えるバイアス電力レベルを有するバイアス電力が前記ワークピースホルダに印加される、方法。
［適用例９］
適用例１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプラズマ発生ソースは、前記ＭＭＰ準備位相において、第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ信号によって励起され、前記少なくとも１つのプラズマ発生ソースは、前記ＭＭＰ反応位相において、前記第１のＲＦ周波数とは異なる第２のＲＦ周波数を有する第２のＲＦ信号によって励起される、方法。
［適用例１０］
適用例１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプラズマ発生ソースは、前記ＭＭＰ準備位相において、第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ信号によって励起され、前記第１のＲＦ信号は、パルスされたＲＦ信号を表している、方法。
［適用例１１］
適用例１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つのプラズマ発生ソースは、前記ＭＭＰ準備位相において、第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ信号によって励起され、前記第１のＲＦ信号は、チャーピングされた周波数を有するＲＦ信号を表している、方法。
［適用例１２］
適用例１に記載の方法であって、更に、
前記ＭＭＰ反応位相において、前記第１の反応性ガスとは異なる第２の反応性ガスを前記内部領域に流入させることを備える方法。
［適用例１３］
適用例１２に記載の方法であって、
前記ＭＭＰ反応位相において、第１の反応性ガスは流されない、方法。
［適用例１４］
適用例１に記載の方法であって、
前記ＭＭＰ反応位相において、前記ワークピースホルダに第１のバイアス電力が印加され、前記ＭＭＰ反応位相において、前記第１のバイアス電力の電力レベルとは異なる電力レベルを有する第２のバイアス電力が前記ワークピースホルダに印加される、方法。
［適用例１５］
適用例１４に記載の方法であって、
前記第２のバイアス電力の前記電力レベルは、前記第１のバイアス電力の前記電力レベルよりも高い、方法。
［適用例１６］
適用例１に記載の方法であって、
前記プラズマ処理チャンバは、前記ＭＭＰ反応位相において、前記基板の表面上の吸着層をエッチングするために必要とされるよりも高いが前記基板の非吸着層をエッチングするためには不十分であるイオンエネルギレベルを有する非反応性イオンを発生させるように構成され、前記吸着層は、前記ＭＭＰ準備位相において形成される、方法。
［適用例１７］
プラズマ処理システムの誘導結合プラズマ処理チャンバのなかで基板を処理するための方法であって、前記プラズマ処理チャンバは、少なくとも１つの誘導アンテナと、前記プラズマ処理チャンバの内部領域に少なくとも第１の反応性ガスを供給するための反応性ガスソース及び前記プラズマ処理チャンバの前記内部領域に少なくとも第１の非反応性ガスを供給するための非反応性ガスソースを少なくとも有し、前記方法は、
（ａ）前記内部領域のなかでワークピースホルダの上に前記基板を配することと、
（ｂ）混同モードパルシング（ＭＭＰ）準備位相を実施することであって、
前記第１の反応性ガスを前記内部領域に流入させることと、
少なくとも前記第１の反応性ガスを用いて第１のプラズマを発生させ、前記第１のプラズマによって前記基板を処理することと、
を含む、ことと、
（ｃ）混同モードパルシング（ＭＭＰ）反応位相を実施することであって、
少なくとも前記第１の非反応性ガスを前記内部領域に流入させることと、
少なくとも前記第１の非反応性ガスを用いて第２のプラズマを発生させ、前記第２のプラズマによって前記基板を処理することであって、前記第２のプラズマは、前記ＭＭＰ反応位相において、前記ＭＭＰ準備位相における前記第１の反応性ガスの流量未満の流量の前記第１の反応性ガスによって発生し、前記プラズマ処理チャンバは、前記ＭＭＰ反応位相において、前記基板の表面上の吸着層をエッチングするために必要とされるよりも高いが前記基板の非吸着層をエッチングするためには不十分であるイオンエネルギレベルを有する非反応性イオンを発生させるように構成され、前記吸着層は、前記ＭＭＰ準備位相において形成される、ことと、
を含む、ことと、
（ｄ）前記工程（ｂ）及び（ｃ）を複数回にわたって繰り返すことと、
を備える方法。
［適用例１８］
適用例１７に記載の方法であって、
前記ＭＭＰ反応位相において、前記内部領域に第１の反応性ガスは流入されない、方法。
［適用例１９］
適用例１７に記載の方法であって、
前記ＭＭＰ準備位相において、前記ワークピースホルダにバイアス電力は印加されない、方法。
［適用例２０］
適用例１９に記載の方法であって、
前記ＭＭＰ反応位相において、ゼロを超えるバイアス電力レベルを有するバイアス電力が前記ワークピースホルダに印加される、方法。
［適用例２１］
適用例２０に記載の方法であって、
前記バイアス電力は、前記ＭＭＰ反応位相においてパルスされる、方法。
［適用例２２］
適用例１７に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの誘導アンテナは、前記ＭＭＰ準備位相において、第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ信号によって励起され、前記少なくとも１つの誘導アンテナは、前記ＭＭＰ反応位相において、前記第１のＲＦ周波数とは異なる第２のＲＦ周波数を有する第２のＲＦ信号によって励起される、方法。
［適用例２３］
適用例１７に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの誘導アンテナは、前記ＭＭＰ準備位相において、第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ信号によって励起され、前記第１のＲＦ信号は、パルスされたＲＦ信号を表している、方法。
［適用例２４］
適用例１７に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの誘導アンテナは、前記ＭＭＰ反応位相において、第１のＲＦ周波数を有する第１のＲＦ信号によって励起され、前記第１のＲＦ信号は、パルスされたＲＦ信号を表している、方法。