【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年3月17日(2016.3.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主発振器及び増幅器を有し、前記主発振器は、ハロゲンを含むレーザ発振媒体ガスを収容するレーザチャンバを有しており、前記増幅器は、ハロゲンを含むレーザ発振媒体ガスを収容するレーザチャンバを有している、パルス状線狭化ガス放電レーザリソグラフィ光源と、
レーザ作動経過時間及びショットカウントの一方又は両方を含む要素によって決まる規則的間隔で発生することが予め定められたインジェクト機会で補充スキームを実行するコントローラを含むガス補充システムと、を備え、
前記ガス補充システムは、全てのインジェクト機会で同じ量の非ハロゲン含有ガス組成物を前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバに注入し、少なくとも１回のインジェクト機会の間に所定量のハロゲン含有ガス組成物を前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバに注入し、前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバの圧力を低減させるように動作可能であり、
前記所定量は、前記主発振器のハロゲン消費量の計算については、帯域幅と、前記主発振器と増幅器との間の放電のタイミングの差と、を用い、前記増幅器のハロゲン消費量の計算については、前記主発振器のパルスエネルギーと、前記増幅器の放電電圧と、を用いて算出され、
前記非ハロゲンの量は、前記ガス補充システムが、同じ量の非ハロゲン含有ガス組成物を注入する前の前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバ内の圧力に近似するレベルまで前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバ内の圧力を低減する時に前記レーザ発振媒体ガスからの有意な量の汚濁物質の除去を可能にするのに十分である、装置。
【請求項２】
前記ハロゲンは、フッ素を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
パルスガス放電レーザ源を用意する段階であって、前記レーザ源は主発振器及び増幅器を有し、前記主発振器は、ハロゲンを含むレーザ発振媒体ガスを収容するレーザチャンバを有しており、前記増幅器は、ハロゲンを含むレーザ発振媒体ガスを収容するレーザチャンバを有している、段階と、
レーザ作動経過時間及びショットカウントの一方又は両方を含む要素によって決まる規則的間隔で発生することが予め定められたインジェクト機会でガス補充スキームを実行する段階と、を含み、
前記ガス補充スキームを実行する段階は、全てのインジェクト機会で同じ量の非ハロゲン含有ガス組成物を前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバに注入する段階と、少なくとも１回のインジェクト機会の間に所定量のハロゲン含有ガス組成物を前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバに注入する段階と、前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバの圧力を低減させる段階とを含み、
前記所定量は、主発振器のハロゲン消費量の計算については帯域幅及び前記主発振器と増幅器との間の放電のタイミングの差を用い、前記増幅器のハロゲン消費量の計算については前記主発振器のパルスエネルギー及び前記増幅器の放電電圧を用いて算出され、
前記非ハロゲンの量は、同じ量の非ハロゲン含有ガス組成物を注入する前の前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバ内の圧力に近似するレベルまで前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバ内の圧力が低減する時に前記レーザ発振媒体ガスからの有意な量の汚濁物質の除去を可能にするのに十分である、方法。
【請求項４】
前記ハロゲンは、フッ素を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
パルスガス放電レーザ源であって、前記レーザ源は主発振器及び増幅器を有し、前記主発振器は、ハロゲンを含むレーザ発振媒体ガスを収容するレーザチャンバを有しており、前記増幅器は、ハロゲンを含むレーザ発振媒体ガスを収容するレーザチャンバを有している、パルスガス放電レーザ源と、
レーザ作動経過時間及びショットカウントの一方又は両方を含む要素によって決まる規則的間隔で発生することが予め定められたインジェクト機会でガス補充スキームを実行する手段と、を含み、
前記ガス補充スキームを実行する手段は、全てのインジェクト機会で同じ量の非ハロゲン含有ガス組成物を前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバに注入する手段と、少なくとも１回のインジェクト機会の間に所定量のハロゲン含有ガス組成物を前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバに注入する手段と、前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバの圧力を低減させる手段とを含んでおり、
前記所定量は、主発振器のハロゲン消費量の計算については帯域幅及び前記主発振器と増幅器との間の放電のタイミングの差を用い、前記増幅器のハロゲン消費量の計算については前記主発振器のパルスエネルギー及び前記増幅器の放電電圧を用いて算出され、
前記非ハロゲンの量は、前記ガス補充スキームを実行する手段が、同じ量の非ハロゲン含有ガス組成物を注入する前の前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバ内の圧力に近似するレベルまで前記主発振器及び前記増幅器のそれぞれのレーザチャンバ内の圧力を低減する時に前記レーザ発振媒体ガスからの有意な量の汚濁物質の除去を可能にするのに十分である、装置。
【請求項６】
前記ハロゲンは、フッ素を含む、請求項５に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
ハロゲン含有レーザ発振ガスを含むフォトリソグラフィ工程のためのガス放電レーザ光源に対してガス寿命を予測する段階を含むことができ方法及び装置を開示し、予想する段階は、複数のレーザ作動入力及び／又は出力パラメータの少なくとも１つを利用する段階と、フォトリソグラフィ工程における少なくとも１つの利用パラメータの集合を利用し、それぞれの入力又は出力パラメータに関してガス使用モデルを判断する段階と、モデルとそれぞれの入力又は出力パラメータの測定値とに基づいてガス寿命の終了を予測する段階とを含むことができる。パラメータは、パルス利用パターンを含む。本方法及び装置は、ハロゲン含有レーザ発振ガスを含むフォトリソグラフィ工程のためのガス放電レーザ光源に対してガス管理を行う段階を含むことができ、本方法及び装置は、一般的に完全なガスリフィルにおいてレーザに供給される予混合比率と略同じ比率で、かつ注入前に総ガス圧の２パーセントよりも小さい量でハロゲンガス及びバルクガスの混合物を含むインジェクトを含む定期的かつ頻繁な部分的なガスリフィルを利用する段階を含むことができる。装置及び方法は、ハロゲン含有レーザ発振ガスを含むフォトリソグラフィ工程のためのガス放電レーザ光源に対してガス寿命を予測する予測手段を含むことができ、予測する段階は、複数のレーザ作動入力及び／又は出力パラメータの少なくとも１つを利用する手段と、フォトリソグラフィ工程における少なくとも１つの利用パラメータの集合を利用して、それぞれの入力又は出力パラメータに関してガス使用モデルを判断する手段と、モデルとそれぞれの入力又は出力パラメータの測定値とに基づいてガス寿命の終了を予測する段階とを含むことができる。装置及び方法は、ハロゲンを含むレーザ発振媒体ガスを収容するレーザチャンバと、バルクガスのフラッシュ量と共にハロゲンの補充量のインジェクト機会の発生時にインジェクトを行う段階を含む補充スキームを実行するコントローラを含むガス補充システムとを含むパルス状線狭化ガス放電レーザリソグラフィ光源を含むことができる。ハロゲンは、フッ素を含むことができる。フラッシュ量は、制御システムがインジェクト前にチャンバ内の圧力に近似するレベルにチャンバ内の圧力を低減する時に、レーザ発振媒体ガスから有意な量の汚濁物質の除去を可能にするのに十分であるとすることができる。フラッシュ量は、延長期間にわたってレーザ発振ガス媒体の成分のほぼリフィル百分率の維持を可能にする。コントローラは、経過時間及びショットカウントの一方又は両方を含む要素により決まる規則的間隔で発生するインジェクト機会で補充スキームを実行する。補充スキームは、いかなるハロゲンもなしでバルクガスのフラッシュ量のインジェクトを行う段階を含む。補充スキームは、インジェクト機会の選択されたインスタンスでいかなるハロゲンもなしでバルクガスのフラッシュ量のインジェクトを行う段階を含むことができる。ガスコントローラは、チャンバ内の実フッ素消費量の推定に従って選択された補充量を修正することができる。実フッ素消費量の推定は、公知の方法でレーザ発振媒体ガス中のフッ素含有量の変化と共に変わるレーザシステム入力又は出力作動パラメータの測定値に基づくことができる。本方法及び装置は、作動パラメータ値の１つ又はそれよりも多くが作動上の又はユーザが選択した境界条件を超える前に時間又はショット蓄積を最大にする段階と、このような作動パラメータの部分集合Ｓ1を、このようなパラメータの部分集合Ｓ2の最大化と共に、最小にする段階とを含むことができる段階により、レーザ入力／出力作動パラメータ値の長期的修正に応答して、測定レーザ作動システムパラメータの集合から導出された部分集合の１つ又はそれよりも多くのメンバを調節してレーザ効率を調節する段階を含むことができる方法を利用してハロゲンを含むレーザ発振媒体ガスを収容するレーザチャンバ内へのパルス状線狭化ガス放電レーザリソグラフィ光源におけるガス補充を制御する段階を含むことができる。本方法及び装置は、部分集合メンバを重み付け及び／又は正規化してそれぞれの部分集合メンバに重要度の順を割り当てる段階を含むことができる。部分集合Ｓ1又はＳ2は、空集合を含むことができる。装置及び方法は、パラメータの部分集合Ｓ3間のノルム値又は他のノルムを最小にする段階を含むことができ、パラメータの部分集合Ｓ3間のノルム値又は他のノルムを最小にする段階を含むことができ、かつ最大化又は最小化に緩い制約及び／又は厳しい制約を与える段階を含むことができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
【図１】開示内容の実施形態の態様による一例としてのレーザガスコントローラの概略ブロック図である。
【図２】開示内容の実施形態の態様による開ループ注入コントローラの概略ブロック図である。
【図３】開示内容の実施形態の態様によるフラッシュリフィルスケジュールを示す図である。
【図４】開示内容の実施形態の態様による多重チャンバレーザガス制御システムに関する充電電圧に関連する性能を示す図である。
【図５】開示内容の実施形態の態様による多重チャンバレーザガス制御システムに関する例えばＭＯ出力におけるμＪ／ボルト単位のｄＥ／ｄＶに関連する性能を示す図である。
【図６】開示内容の実施形態の態様による多重チャンバレーザガス制御システムに関するＭＯ出力エネルギに関連する性能を示す図である。
【図７】開示内容の実施形態の態様による多重チャンバレーザガス制御システムに関する帯域幅測定値、例えば、フェムトメートル単位のＥ９５％７０及びＦＷＨＭ７２の変動に関連する性能を示す図である。
【図８】開示内容の実施形態の態様による多重チャンバレーザガス制御システムに関するｄｔＭＯＰＡに関連する性能を示す図である。
【図９】開示内容の実施形態の態様によるＭＯＰＡシステムにおいて充電電圧を維持する機能の試験を示す図である。
【図１０Ａ】開示内容の実施形態の態様による同じ試験実行中の他の測定値を示す図である。
【図１０Ｂ】開示内容の実施形態の態様による同じ試験実行中の他の測定値を示す図である。
【図１０Ｃ】開示内容の実施形態の態様による同じ試験実行中の他の測定値を示す図である。
【図１１Ａ】開示内容の実施形態の態様による同じ試験実行に関する電圧の測定値を示す図である。
【図１１Ｂ】開示内容の実施形態の態様による同じ試験実行に関するｄＥ／ｄＶの測定値を示す図である。
【図１２Ａ】開示内容の実施形態の態様によるＭｏエネルギの測定値を示す図である。
【図１２Ｂ】開示内容の実施形態の態様による帯域幅の測定値を示す図である。
【図１２Ｃ】開示内容の実施形態の態様によるｄｔＭＯＰＡの測定値を示す図である。
【図１３】開示内容の実施形態の態様によるＦ2消費量変動を示す図である。
【図１４】開示内容の実施形態の態様によるフラッシュ率を示す図である。
【図１５】開示内容の実施形態の態様による最適化アルゴリズムを一例として示す図である。
【図１６】最適化をどのように用いて例えば作動寿命を最大にすることができるかのような開示内容の実施形態の態様を示す図である。
【図１７】開示内容の実施形態の態様による一定のフラッシュインジェクト制約の例示的なプロットを示す図である。
【図１８】開示内容の実施形態の態様によるある一定の方程式の解の挙動を表す図である。
【図１９Ａ】開示内容の実施形態の態様によるＭＯ内へのほぼ１０ｋＰａインジェクトに関するｄＥ／ｄＶの変化を示す図である。
【図１９Ｂ】開示内容の実施形態の態様によるＭＯ内へのほぼ１０ｋＰａインジェクトに関する有効出力エネルギの変化を示す図である。
【図１９Ｃ】開示内容の実施形態の態様によるＭＯ内へのほぼ１０ｋＰａインジェクトに関するｅ９５帯域幅の変化を示す図である。
【図２０Ａ】開示内容の実施形態の態様によるＰＡへの類似インジェクトの効果を示す図である。
【図２０Ｂ】開示内容の実施形態の態様によるＰＡへの類似インジェクトの効果を示す図である。
【図２０Ｃ】開示内容の実施形態の態様によるＰＡへの類似インジェクトの効果を示す図である。
【図２１Ａ】開示内容の実施形態の態様による実験中の全体的な電圧を示す図である。
【図２１Ｂ】開示内容の実施形態の態様による実験中の帯域幅を示す図である。
【図２１Ｃ】開示内容の実施形態の態様による実験中のエネルギを示す図である。
【図２２】開示内容の実施形態の態様によるＦ2濃度の変化に伴う帯域幅の変化を示す図である。
【図２３】開示内容の実施形態の態様によるガスコントローラの概略ブロック図である。
【図２４】開示内容の実施形態の態様によるリフィルを必要とするまでのショット回数の予測を示す図である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
開示内容の実施形態の態様により、提案するガス制御アルゴリズムによって結果的にリフィル不要とすることができる。例えば、このようなアルゴリズムは、非常に頻繁なガス注入及び抽気を行うことができる。インジェクトは、以前のアルゴリズムに使用されたような典型的なＦ2量を含むことができるが、フラッシュ量としてここ（本明細書）で定める、ずっと多くのバッファ希ガス（ネオン）量を注入することもできる。次に、抽気により初圧にチャンバを戻すことができる。緩衝ガス（及び恐らく希ガス（例えばＫｒＦ又はＡｒＦに対してはそれぞれＫｒ又はＡｒ、集合的に「バルクガス」）も含む）のこのような多量の注入は、例えば、ガスを「フラッシュ」する量が既存の注入アルゴリズムよりも大きくなりがちになる可能性があり、従って、永久的かつ機能的なガス状態が維持される。ガスのフラッシュは、汚濁物質を除去して、レーザが永遠に発射することを可能にするレベルまで、すなわち、予混合比で又は予混合比の近くにＦ2濃度を維持する傾向がある。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
一例として、一部のレーザチャンバでは、レーザ作動耐用期間にわたってガス汚濁率が低減され、それによってフラッシュの軽減に向けて、すなわち、例えば、レーザ作動寿命開始時の上述の例示的な７．９ｋＰａよりも小さい総ガス注入の軽減に向けて緩和され、例えば、バルクガス含有量が低減されると思われ、一部の場合には、一方で、例えば、レーザ作動寿命にわたる電極侵食の増加による、例えば、経時的なＦ2消費量の増加のために注入におけるＦ2が増加することが公知である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
更に、この望ましい「フラッシュ」は、例えば、定期的なインジェクトの一部のみでフッ素を、及び残りのインジェクトでは他のガス（バルクガス）を注入するシステムで達成することができ、例えば、上述の例示的な数字を用いて、４回毎のインジェクトのうち１回でＦ2と他のガスの比を１：６．９とすることができ、残り３回のインジェクトに対しては、比率は、０：６．９とすることができ、これによって上述の率の１／４でフッ素が注入され、又は例えば４回毎の注入機会のうち１回でのＦ2の注入は、４：６．９の比率とすることができることが理解されるであろう。これによって全体的に上述のものと同じ率でＦ2が注入される。これは、多重チャンバシステムにおいてチャンバ間で交互に、すなわち、第１のチャンバで選択した回数の注入機会毎に、第２のチャンバで選択した回数の注入機会毎に行うことができ、選択した回数は、等しい場合があり、又は等しくない場合もある。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
これは、上述したものを含む理由でレーザ作動寿命に後でシフトされるモードとすることができる。同様に、希ガス、例えば、Ａｒ又はＫｒは、インジェクトの全回数よりも少ない回数でインジェクト混合物に含めて、依然としてバルクガスを含むそれらのインジェクトに注入される比較的多量の他のガスの抽気によりレーザチャンバからの汚濁物質の望ましい定期的かつ繰返し式の頻繁なフラッシュを得るという目標をもたらし、更には、本出願人の譲渡人により製造される例示的なＡｒＦレーザに対しては、例えば約０．１％Ｆ2、１．０％Ａｒ、及び９８．９％Ｎｅでガスの初期充填を目的とした初期予混合の近くにチャンバ内でガス混合物を維持することができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
要するに、レーザシステム（単一チャンバ、又は多重チャンバ）の作動寿命全体の選択された時期でのアルゴリズムは、インジェクト量を選択して、選択された予混合ガス比で（このような選択により可能な程度までレーザ作動を最適化する意図で選択）又は選択された予混合ガス比の近くでレーザチャンバ内でガス混合物を維持しながら、また、同時に、例えば、半導体製造フォトリソグラフィ工程のためのレーザ光源としてのレーザシステムの作動の所要の仕様内でパルスエネルギ、パルスエネルギ安定性、帯域幅、帯域幅安定性、線量、線量安定性のような重要なレーザ作動パラメータの維持を大幅に妨害せずに、得られる抽気でチャンバ内の選択された全体的なガス圧までレーザチャンバから汚濁物質を含む有意な量のガスをフラッシュするのに十分な量の少なくとも緩衝ガスと共に、選択された補充量で定期的にレーザチャンバにフッ素を注入する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
開示内容の実施形態の態様により、開ループ定期的注入を使用するこのアルゴリズムに加えて、ガス制御システムは、１つ又はそれよりも多くのレーザ入力作動パラメータ、例えば、充電電圧、又はシードレーザ及び増幅レーザの放電タイミングの差（本明細書では簡単な言い方として「ｄｔＭＯＰＡ」、但し、電力増幅器、すなわち、ＰＡである増幅レーザ部分に限定されない）、及び／又はレーザ出力作動パラメータ、例えば、帯域幅、例えば、特に、Ｅ９５％（例示的なＭＯＰＡレーザシステムの帯域幅出力の９５％の積分尺度）、又は、例えば、エネルギ出力、例えば、シードレーザ部分からのエネルギ出力（本明細書では簡単な言い方としての「ＥMO」、但し、例えば、本出願人の譲渡人のＸＬＡシリーズＭＯＰＡレーザシステムにおけるエキシマ主発振器に限定されない）の状態に関する何らかのフィードバックに従って、注入されるガス、例えば、Ｆ2の選択された量を修正することができる。多重チャンバレーザシステムに対しては、このようなガス制御アルゴリズムの例は、「ＮＡＦＦＡ」と呼ぶものであり、その態様は、先に参照した特許及び現在特許出願中の出願の１つ又はそれよりも多くにおいて説明されており、単一チャンバレーザシステムに対しては、このようなアルゴリズムは、本出願人の譲渡人がＡＦＩ（１又は２）と称しているものであり、その態様は、先に参照した特許及び現在特許出願中の出願の１つ又はそれよりも多くにおいて説明されており、これらの特許の各々の態様は、本発明のシステムに適用可能なものとして以下で説明する。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
開示内容の実施形態の態様によるＮＡＦＦＡ及びＡＦＩ（１又は２）は、レーザ入力及び／又は出力作動パラメータの実測値を用いるのではなく、様々なレーザ入力及び／又は出力作動パラメータ、例えば、負荷サイクルなど、レーザ作動のある側面を正規化したものを用いて、単一チャンバレーザにおけるフッ素の推定消費量、又は多重チャンバレーザシステムについては、シートレーザ部分、例えば、ＭＯ、及び増幅レーザ部分、例えば、ＰＡにおけるフッ素の推定消費量を判断する。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
ＮＡＦＦＡに対しては、開示内容の実施形態の態様により、正規化したパラメータ値を基準値と比較することによって判断したフッ素含有量の２つの重み付け（ゼロ重み付けを含む）推定値の合計に基づいて、例えば、ＭＯ及びＰＡにおける消費フッ素を推定する。推定消費量は、基準値からフッ素含有量の変化までのそれぞれのレーザ作動パラメータ値の以前に判断した関係に基づくものである。例えば、ｄｔＭＯＰＡ及びＢＷの変化に基づく推定消費量の合計は、シードレーザ部分、例えば、ＭＯの消費量を推定するのに使用することができ、電圧及びＥＭＯの変化に基づく推定消費量の合計は、増幅レーザ部分、例えば、ＰＡの消費量を推定するのに使用することができる。それぞれのチャンバに注入機会（例えば例示的な多重チャンバレーザシステムにおいてはチャンバ間で交替することができる）が発生した時、及びそれぞれの推定値が選択最小限注入量を上回った場合、本発明のシステムは、それぞれのチャンバにインジェクトで行う。ＮＡＦＦＡが以上の説明した開ループ注入アルゴリズムに加えて実行中である時、特定の注入機会に対して選択したＦ2注入の量に基づいて、Ｆ2の注入がある場合もあればない場合もある。例えば、Ｆ2が、特定の注入機会ではそれぞれのチャンバに注入されないか、又は予め選択されたＦ2注入率が、全ての注入機会に対して０である上述のモードでは、Ｆ2の注入が行われるか否かは、例えば、最小注入量に等しいか又は最小注入量を超える、例えば、このような量を正確に注入するためにガス制御システムにより必要なＦ2注入に対してＮＡＦＦＡアルゴリズムにより表示される量に依存する。上記が該当しない場合、それぞれのチャンバのそれぞれの注入機会に対してはＦ2注入は行われない。言うまでもなく、アルゴリズムの開ループ部でのＦ2に関する選択注入量、例えば１ｋＰａが所要インジェクト最小値を超えるように選択されることが考えられている。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
開示内容の実施形態の態様によるＮＡＦＦＡは、例えば、例示的な多重チャンバレーザシステム、例えば、ＭＯＰＡ又はＭＯＰＯの２つのチャンバレーザシステムに関して、以下の式に従って、ＭＯにおいて消費されるフッ素量
2010519782.tif 000001
、及びＰＡ／ＰＯにおいて消費されるフッ素量
2010519782.tif 000002
を推定することができる。
2010519782.tif 000003
2010519782.tif 000004
ｄｔＭＯＰＡは、シードレーザチャンバ（例えば、ＭＯチャンバ）における電極間及び増幅器レーザ（例えば、ＰＡ／ＰＯチャンバ）における電極間で、放電が発生する時間の差を表している。ＥMOは、ＭＯチャンバのパルスエネルギ出力である。Ｅ９５は、例示的なＭＯＰＡレーザシステムの帯域幅出力の９５％の積分尺度である。Ｖは、電極にわたる（名目上、チャンバ毎に同じに維持）電圧である。実際のアルゴリズムにおいては、ｄｔＭＯＰＡ、Ｅ９５、ＥＭＯ、及びＶの値は、別のレーザシステム作動パラメータに対して、例えば、ＡＦＩに対して説明した部分で上述のように、負荷サイクル及び／又はレーザシステム出力エネルギに対して正規化することができる。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
開示内容の実施形態の態様により、単一チャンバレーザシステムに対しては、ＡＦＩ、例えばＡＦＩ２では、注入は、以下の式に従って行うことができる。
2010519782.tif 000005
レーザ作動パラメータ、即ち、電圧及び帯域幅は、そのパラメータ値の変化量を、フッ素含有量変化とともに掛けた当該パラメータの重み付け正規化値を使用することもでき、フッ素含有量変化を推定するために合計される。消費予測が何らかの最小値を超える場合（これは、常に、閉ループフッ素量がゼロ以外に設定され、かつ恐らく上述の最小注入額を超える時である）、システムは、各注入機会で注入を引き起こす。
各注入の後、例えば、１００万回のショット毎に（２チャンバシステムに対しては交互に５００Ｋショット）、圧力は、抽気により選択量まで減圧される。従って、この効果は、非常に頻繁にそれぞれのチャンバをフラッシュして汚濁物質を除去すると同時に、フッ素も入れ替えて最適のガス混合物に維持するか、又はその近くに維持することである。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
また、インジェクト量は、定期的にフラッシュを行うほど大きいが、また、本質的に単一のインジェクトによりｄＥ／ｄＶ又はエネルギのようなパラメータに大幅に影響を与えないほど小さいものであるように選択する。このような制御は、レーザの有用性を増大させることができ、その理由は、例えば、レーザの効率の状態が、手動による干渉を待つのではなく、例えばリフィルの形態で、絶えず最適かつ確固たるものに維持されているからである。従って、このような制御により、従来技術の形態のガス最適化を行うことと関連の休止時間が短縮される。長期間にわたるエキシマレーザ放電ガスの状態の安定化及び完全なチャンバガス交換（リフィル）の必要性の低減又は完全な防止により、その利点は、レーザガス組成以外のシステム構成要素によって定められるようなあらゆる以前のガス寿命にわたって、恐らくレーザ作動寿命期間にわたってさえも延長される完全なガス置換に必要なレーザ利用不能度を低減し、例えば１０億回又は数１０億回さえものショットを保証することにある。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
図３をここで参照すると、開示内容の実施形態の態様によるフラッシュリフィルスケジュール５０が示されている。スケジュール５０は、例えば、多重チャンバレーザシステム、例えば、本出願人の譲渡人の「ＸＬＡ  ＭＯＰＡ」シリーズレーザシステムのようなＭＯＰＡ、又は本出願人の譲渡人の近々公開されるＸＬＲシリーズレーザシステムのようなＭＯＰＯのためのものとすることができ、一方は、例えばＭＯのための別々のフラッシュスケジュール５２、他方は、例えばＰＡ増幅レーザ部分のためのフラッシュスケジュール５４である。ＭＯ及びＰＡフラッシュスケジュール５２、５４のいずれも、たとえ補充／フラッシュ機会６０がこのリフィル延期５４中に発生したとしても、インジェクトを行うことはできないように、例えば、リフィル延期５４により、例えば、一期間にわたって又は数回のショット例えば３Ｍショット分阻止される可能性がある。この延期期間の後、例えば、フラッシュ機会６０は、例えば、１Ｍショット毎、すなわち、２Ｍショット毎にそれぞれのチャンバにおける注入機会に、一方のチャンバ、すなわち、ＭＯと、他方のチャンバ、すなわち、例示的なシステムのＰＡとの間で交互に発生する。
一方、例えば、フィードバックガス制御システム、例えば、ＮＡＦＦＡの制御下では、注入機会６６は、レーザ発射中に定期的に例えば５００、０００回のショット毎に発生中であり、Ｆ2注入量は、バルクガスあり又はなしで、同じく例えばＡｒ及びＮｅ、又はＫｒ及びＮｅも上述のようにそれぞれのチャンバに対してこのようなインジェクト機会毎に判断される。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
図４〜図８は、一例として、固定の６９％「負荷」サイクルで、かつＰＡからの一定の１０ｍＪ出力で、最小Ｆ2インジェクトサイズ＝０．７ｋＰａ、及びＡｒＮｅフラッシュ＝６．３ｋＰａで作動する多重チャンバレーザガス制御システムに関する性能を示しており、図４は、両チャンバ（各チャンバの電極にわたる極限電圧を判断する）充電電圧に関し、図５は、例えばＭＯ出力におけるμＪ／ボルトのｄＥ／ｄＶに関し、図６は、ＭＯ出力エネルギに関し、図７は、帯域幅測定値、例えば、フェムトメートル単位のＥ９５％７０及びＦＷＨＭ７２の変動に関し、図８は、ｄｔＭＯＰＡに関する。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
図１４を参照すると、様々なフラッシュ率の関数としての定常状態のガス濃度が示されている。全体的なインジェクト濃度を増大させると、線は、線形に上昇するが、図示していない。例えば、図１３のグラフに基づいて０．５ｋＰａ／Ｍショットの最大消費率を仮定すると、ガス制御システムは、０．５ｋＰａ／ＭショットＦ２消費率で線１００の左まで作動させることができるように見える。それぞれの平均Ｆ２消費量に対しては、７ｋＰａ注入フラッシュ率により公称濃度の約６０％が得られ、１３ｋＰａでは、約８０％が得られるということが見出されている。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
以下の用語は、開示内容の実施形態の実施態様に従って列挙した意味を有するものとする。
ＷF＝１チャンバのＦ２フラッシュ率（ｋＰａ／１００万回ショット［Ｍショット］）
ＷR＝１チャンバの希ガスフラッシュ率（ｋＰａ／Ｍショット）
Ｗフラッシュ＝１チャンバの総ガスフラッシュ率（ｋＰａ／Ｍショット）
Ｆ＝フラッシュ（無次元）におけるＦ２と希ガスの比
ＧF＝１チャンバＦ２インジェクトのサイズ（ｋＰａ／インジェクト）
ＧR＝１チャンバの希ガスインジェクトサイズ（ｋＰａ／インジェクト）
Ｇt＝両方のインジェクトが１チャンバに対して同時に行われる場合の総最大インジェクトサイズ（ｋＰａ／インジェクト）
ＳF＝Ｆ２インジェクト間のチャンバショット回数（Ｍショット／インジェクト）
ＳR＝希ガスインジェクト間のチャンバショット回数（Ｍショット／インジェクト）
ｋ＝１チャンバに対するＦ２インジェクト間の希ガスインジェクト回数（無次元）
Ｔ＝１チャンバに対して最大インジェクト、すなわち、Ｆ２＋希ガスを行う時間（秒）
Ｐ＝レーザフレームショット累積率（Ｍショット／秒）
Ｎ＝レーザ上のチャンバ数
これらの変数を関連付けるためにこれらの定義を適用すると、以下が得られる。
１チャンバのＦ２フラッシュ率（ｋＰａ／Ｍショット）＝１チャンバのＦ２インジェクトサイズ（ｋＰａ／インジェクト）／Ｆ２インジェクト間のチャンバショット回数（Ｍショット／インジェクト）、すなわち、
2010519782.tif 000006
１チャンバに関する希ガス（例えば、ネオン及びアルゴン又はネオン及びクリプトン）フラッシュ率（ｋＰａ／Ｍショット）＝１チャンバの希ガスインジェクトサイズ（ｋＰａ／インジェクト）／希ガスインジェクト間のチャンバショット回数（Ｍショット／インジェクト）、すなわち、
2010519782.tif 000007
１チャンバの総ガスフラッシュ率Ｗフラッシュ（ｋＰａ／Ｍショット）＝Ｆ2フラッシュ率＋希ガスフラッシュ率、すなわち、
Ｗフラッシュ＝ＷF＋ＷR（Ｋｐａ／Ｍショット）      （式３）；
フラッシュにおけるＦ２と希ガスの比Ｆ（無次元）＝Ｆ2フラッシュ率÷希ガスフラッシュ率、すなわち、
2010519782.tif 000008
１チャンバに対するＦ２インジェクト間の希ガスインジェクト回数（無次元）＝Ｆ２インジェクト間のチャンバショット（Ｍショット／インジェクト）÷希ガスインジェクト間でチャンバショット（Ｍショット／インジェクト）、すなわち、
2010519782.tif 000009
両方のインジェクトが１チャンバに対して同時に行われる場合の総最大インジェクトサイズＧt（ｋＰａ／インジェクト）＝Ｆ2のインジェクトサイズ＋希ガスのインジェクトサイズ、すなわち、
Ｇt＝ＧF＋ＧR      （式６）；及び
Ｆ2インジェクトサイズと希ガスインジェクトサイズの比＝Ｆ2フラッシュと希ガスフラッシュの比のｋ倍、すなわち、
2010519782.tif 000010
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
最大許容総インジェクトサイズＧtは、例えば、ｄＥ／ｄＶ、又は充電電圧の特定の変化に対するレーザ出力パルスエネルギの変化のような１つ又はそれよりも多くのレーザ作動パラメータにインジェクトからの悪影響を与える結果を示す他の測定値から分ると推定する。Ｇtは、下限も有し、その理由は、インジェクトの最小サイズが、物理的制約、例えば、ガス注入ハードウエアと、特定のサイズの下限値を超えるインジェクトを正確に制御するコントローラの機能とにより制限されるからである。最大レーザフレームショット累積率Ｐ及び最大注入持続時間Ｔも既知であると推定する。ガス混合比Ｆは、一般的に初期リフィル比と同じであり、初期リフィル比は、多重チャンバレーザシステムの両チャンバ又は全チャンバに対して同じ場合もあればそうでない場合もあるが、開示内容の実施形態の態様の説明上、同じであると仮定する。このような値は、１つ又はそれよりも多くの類似したレーザシステムの作動にわたって、例えば、実験により又は経験的に判断することができ、かつ総フラッシュ率Ｗフラッシュの値は、実験から、７ｋＰａ／Ｍショットと１０ｋＰａ／Ｍショットの間であるように判断した。インジェクト率比ｋの値を使用して、例えば、全体的な結果をパラメータ化することができる。上述の式を用いて、以下の関係を導出することができる。
2010519782.tif 000011
2010519782.tif 000012
例えば、正整数であるようにｋを制約することが有用かつ実際的であり、殆ど、ｋは、例えば、Ｆ２注入が複数の希ガスインジェクトで行われる場合でさえも整数値を仮定する必要があるだけである。すなわち、ｋ回の希ガス注入毎に、ｋが１である場合を含むＦ２インジェクト注入も行われる。ｋ＞１の時、ＳＲにより、インジェクト間の最小ショット回数が決まる。ＳＲは、１チャンバのみがある時を含め（そうでない場合、新しいインジェクトは、チャンバへの先行注入の完了前に開始する）、例えば、全チャンバにインジェクトを行うのに必要な総ショット回数を超えるとすることができる。
ＳR≧ＮＴＰ          （式１０）
Ｇt下限は、１つのインジェクトサイズＧminの下限から判断することができる。最初に、以下のようになる。
2010519782.tif 000013
2010519782.tif 000014
ガスインジェクト比率Ｆは、ＡｒＦレーザに対しては約１／５．７〜１／９、例えば、開示内容の実施形態の態様により約１／６．９とすることができ、恐らく１／７を超えることは決してないであろう。従って、ｋ＜７である限り、０＜ｋＦ＜１であり、ＧFは式（１１）及び（１２）の２つのインジェクトサイズのうち小さい方であることを示唆している。従って、最小インジェクトサイズ制約は、以下により示すことができる。
2010519782.tif 000015
制約（１０）及び（１３）は、結合することができる。これらの制約がどのように相互作用するかを直観的に理解するために、式９からのＳＲの値を、例えば、図１７に示すように、一部の一般的な予想値に対してプロットすることができる。この場合、例えば、Ｔは９０秒、例えば、本出願人の譲渡人の多重チャンバＸＬＡシリーズ既存レーザ製品に対しては現在使用値つまり６０秒（恐らく達成可能な値）とすることができる。Ｐは、例えば、４５００回ショット／秒（例えば、６ｋＨｚレーザで７５％の負荷サイクル）とすることができる。Ｎは、例えば、２（ＸＬＡシリーズレーザに対しては）とすることができる。Ｆは、１／９（例えば、現在一般的な代表的ＸＬＡレーザガス予混合（充填／リフィル）比率）とすることができる。Ｇminは、例えば、０．７ｋＰａとすることができる。総フラッシュ率Ｗフラッシュは、ＸＬＡシリーズレーザシステム（約１０ｋＰａ／Ｍショット）に対しては、両方の現在値で又は約７ｋＰａ／Ｍショットの予想最小値で使用することができる。総インジェクトサイズは、例えば、式１３から計算されるように選択最小値から１０ｋＰａの現在使用値に変換させることができ、この現在使用値は、満足なものであるので上限値と考えることができる。注入率比ｋも変えることができる。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
従って、図１７のｋの異なる値に関する各組の線、２００、２０２（ｋ＝１）、２０４、２０６（ｋ＝２）、２０８、２１０（ｋ＝３）、及び２１２、２１４（ｋ＝４）は、インジェクト間のショット回数、例えば、ＳＲの可能な値を包含するものである。各集合（２０２、２０６、２１０、及び２１４）の下部線は、例えば、最大フラッシュ率（例えば、一例においてはＷフラッシュ＝１０ｋＰａ／Ｍショット）を定めることができる。各集合（２００、２０４、２０８、及び２１２）の左側の境界は、例えば、（式１３）から総インジェクトサイズに対する制約を定めることができる。式１０の制約から、黒い水平線は、例えば、ショット累積率Ｐ及び注入する時間Ｔ＝６０（２２０）及びＴ＝９０（２２２）に基づいて、下限値２２０及び上限値２２２を示している。線２００〜２１４がこれらのそれぞれのＴ＝６０及びＴ＝９０限界値２２０、２２２よりも小さい時、全ての制約を満たす注入パラメータをもたらすことができるわけではない。図１７の中の各マーカは、この例の６０と９０の間の特定のインジェクトサイズに関するデータポイントを表している。インジェクトサイズは量子化済みであるので、任意に正確なインジェクトサイズを選択することは不可能である。正確なインジェクトサイズがこのように欠いている点をＧF及びＧRに適用して最終量子化Ｇtを得ることができる。例えば、ｋ＝１（図１７の２００、２０２）に対しては、インジェクトサイズ点にいくつかの間隙があることが見出されている。これは、インジェクトサイズの上で有効解像度の欠如によるものである。従って、例えば、その組の許容パラメータは、それぞれの水平限界線２２０、２２２を超えるＳＲ線のいずれかの上にある。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
開示内容の実施形態の態様により、チャンバリフィルに関連の休止時間を排除するために多少の連続的リフィルを用いて、本出願人は、Ｆ2及びバルクガス（緩衝ガスネオン及びレーザ希ガス、例えば、Ａｒ又はＫｒ）を連続的に置換する効果を検証した。質量流量制御又は多くの小規模なバルクガス及びＦ2インジェクトのシーケンスを含むいくつかの手法がこのような多少の連続的リフィルに可能である。簡素化を期すために、かつ開示内容の実施形態の態様を説明するために、バルクガス及びＦ2の注入は、連続工程として扱うことができる。個別のインジェクトを用いても、分析の結果に実質的には変わりはない。ガス状態は、２つの状態変数、すなわち、ガス中のＦ2の量ｙ、及びガス中に蓄積された汚濁物質の量ｘにより特徴付けることができる。ガス寿命のいずれかの時点で、システムは、ｒyという平均的な割合でフッ素、及びｒzという割合でバルクガスを注入中であると考えられる。レーザが発射された時、Ｆ2は、割合ｗｙで消費され、汚濁物質は、Ｗｘの割合で蓄積される。更に、例えば、恐らくバルクガスへのＦ2混合物の変換又は汚濁物質へのバルクガスの変換のために更にバルクガス量の何らかの変化ｗｚがある可能性がある。ガスは、気体定数の全圧を保つために割合ｒｅで消耗されると考えられる。
2010519782.tif 000016
ここで、ｗは、汚濁物質蓄積、Ｆ2消耗、及びバルクガス変換による正味気圧変化量である。Ｆ2濃度及び汚濁物質濃度を説明する微分方程式は、以下のものであると考えることができる。
2010519782.tif 000017
2010519782.tif 000018
ここで、Ｐは、チャンバ内の全圧である。補充が全体として連続的に又は断続的に行われているか否かを問わず、Ｆ2注入コントローラを依然として使用することができるであろう。Ｆ2注入コントローラの効果は、Ｆ2注入率を調節すること、例えば、チャンバ内のＦ2濃度ｙを一定に保つこととすることができる。ｄｙ／ｄｔをゼロに設定してｒyを解くと、以下が得られる。
2010519782.tif 000019
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
時間と共に、チャンバ内の全圧は、上方に調節することができ、及び／又はリフィル濃度（フラッシュ率）は、更に汚濁物質を除去するように変えることができる。これは、例えば、フッ素、及び次に例えばＡｒ及びＮｅの混合物、又は例えばＦ2、Ａｒ、及びＮｅの混合物を新しく望ましいより高い全圧を超えるまで追加し、次に、新しく望ましいより高い全圧に抽気減圧を行うことができ、従って、汚濁物質がその工程において更に除去される。例えば、１つのチャンバ又は別のチャンバ又は両方のチャンバ内の全圧のこの最適化は、増幅器部例えばＰＡが、Ｖ≧ＶMAXであり、すなわち、出力パルスエネルギの電圧調節が有効ではない状態になるのを防止する際に特に重要である。また、随時、フラッシュ率は、例えば、希ガス／不活性ガス：Ｆ2の相対濃度を調節することによって、例えば、２部のＡｒ／Ｎｅ：１部Ｆ2から４部Ａｒ／Ｎｅ：１部Ｆ2に変えることによって、又は点在するインジェクト内にフッ素なしで点在するインジェクトの回数を調節することによって調節することができる。経時的なこれらの変更は、１００万回ほどのショット毎に行うことができ、かつガス最適化（ＧＯ）と呼ばれる。これらの変更は、電圧がチャンバ寿命に本質的に等しいが既存のガス管理によるガスリフィル間でほぼ１００Ｍショットを確実にかなり超える期間にわたってＶMAXに決して到達しないようにＶMAXに接近している電圧曲線の経路をリセットしようとするものである。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
全圧及び／又はフラッシュ率のこれらの変化は、レーザの寿命にわたって、レーザ作動のパラメータ、又は別のパラメータ、例えば、Ｖ、ｄＥ／ｄＶ、ｄＶ／ｄショットカウント、Ｅ、帯域幅などと共にパラメータの変化率に関するフィードバックから判断することができる。更に、初期のフラッシュ率は、このようなインジェクトを実行し、多重チャンバシステムの場合には、下限値としてそれぞれのチャンバ数における連続インジェクトを繰り返すことを実行し、かつ上限値としてインジェクトの発生によるｄＥ／ｄＶ、出力エネルギ又は帯域幅のようなレーザパラメータに及ぼす悪影響を引き起こさない既存のガス管理ハードウエアの機能を考慮して、フッ素及び混合ガスのインジェクトを最適化してフッ素を補充すると共に汚濁物質を抽気除去するように選択することができる。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
上述のように、開示内容の実施形態の態様により、必要とされるバルクガス（ＡｒＮｅ、ＫｒＮｅ）リフレッシュ率のような事柄は、汚濁率、例えば、最大汚濁率、Ｆ2消費率、例えば、最大Ｆ2消費率、例えば、非常に長いガス寿命（例えば、５００、０００、０００回のショットを超える）中にアルゴリズムが大きな変化を処理するか否かを説明するために行う必要があると考えられること、例えば、変動に示す場合にインジェクト毎にガス寿命が終了する場合があるかを検出してインジェクトオリフィス測定を更新するために行うことができることのような要素から判断することができる。上述のように、開示内容の実施形態の態様により、例えば、例示的なレーザに関して１：６．７〜１：９のＦ2：バルクガスで、及び上述の境界及び範囲で、かつ一部の場合にはＦ2注入量のフィードバック変動も、又は上述のように、一部の選択した定期的注入機会スロットでの恐らくゼロＦ2注入を伴った十分に高いフラッシュ率、又は消費量推定フィードバックによる指示がない場合には、十分なフラッシュ及びＦ2注入により、Ｆ2及び汚濁物質の両方に対して有効定常状態の条件になる可能性がある。更に、定常状態のＦ2が十分に高く維持され、かつ定常状態の汚濁物質が十分に低く維持された状態で、リフィルを行うか、又は遥かに少ない頻度で、例えば、リフィル間で１００Ｍではなく１０億回台のショットで少なくともリフィルを行う必要性で長いガス寿命をもたらすことができる。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
例えば、開示内容の実施形態の態様により、例えば通常のリフィル濃度（Ｆ2：ＡｒＮｅ＝１：９）で又は通常のリフィル濃度辺りで、又は上述のように選択されるように注入の更に小さいバルクガス百分率で、多重チャンバシステムの全てのチャンバ、例えば、例示的なＭＯＰＡ又はＭＯＰＯ構成の両方のチャンバに対して同じとすることができる望ましい全体的なガスフラッシュ率をもたらすように選択された例えばインジェクトのサイズ及び頻度で定期的に注入することができる例えばＮＡＦＦＡのようなフィードバック制御システムと共に例えば一定インジェクトモードを使用して、本出願人は、負荷サイクル又は目標出力エネルギの大きくかつ頻繁な変動のようなストレスの発生する発射パターンでも少なくとも１０億回のショットを超えるガス寿命を明らかにした。これは、本出願人の雇用主が見出したように、このような注入中に他のレーザ作動パラメータを仕様外に置くこともなく、許容された注入のサイズで上述の制約内で行うことができる。従って、例えば、インジェクト中のｄＥ／ｄＶ及び／又はエネルギの例えば変化は、仕様を満足することができることを示すのであり、本出願人は、これは、定期的な汚濁物質除去に少なくとも部分的によるものであると考えており、それによってガス状態は、予混合インジェクト濃度に近いレベルに達するか又はこのレベルを維持し、従って、インジェクトにより大きな擾乱が発生しない。これは、早期のインジェクト制御システム、例えば、ＮＡＦＦＡと対照的なものであると考えられ、ＮＡＦＦＡは、一般的に、インジェクトと濃度が非常に異なるガスを含むチャンバに注入することができ、従って、より大きい擾乱が発生する。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
本出願人は、増幅器レーザ部分レーザ発振チャンバを交換した後、例えば１７Ｂショット後、開ループフラッシュがその後繰返し失敗したことを認めた。これは、フラッシュ率を所定の最大値に増大させた後でさえも変わりはなかった。これは、内部デブリ管理及び電極構造が異なる新しいＰＡ内のＦ2消費率の大幅な増大により引き起こされたと考えられる。次に、図１３に示すように、Ｆ2濃度及び変化率を測定した。ＮＡＦＦＡを実行する他のＸＬＡレーザのＦ2消費率の推定も行った。推定を行う際、例えば図１３に示すように、リフィル＝０．１％Ｆ2濃度（例えば、Ｆ2モニタ読取値を正規化するため）であると仮定した。各測定値は、例えば、１＋Ｍショット間隔で、少なくとも５つのＦ2読取値で線形当て嵌めを反映しており、一方、各Ｆ2読取値は、３つの別々のサンプルから成るものであった。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
図１４は、Ｆ2消費率がガス状態にどのように影響を与えることが可能であるかを示している。総フラッシュ率は、例えば、１：９のＦ2：バルクガスの予混合／リフィルガス構成比を利用したものである。図１４は、例えば、８ｋＰａ、線８２、９ｋＰａ、線８４、１０ｋＰａ、線８６、１１ｋＰａ、線８８、及び１２ｋＰａ、線９０が介在した状態で、７ｋＰａ、線８０から１３ｋＰａ、線９２までインジェクトフラッシュ量を増大させると、消費率が線形に減少することを示す。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
本出願人は、開ループフラッシュでは、例えば、他の作動パラメータ、例えば、負荷サイクルによっても、例えば、図１３に示すように、例えば、高いＦ2消費率を有することができる新しいチャンバのような場合では、恐らく問題のないガス濃度が維持されない可能性があると判断した。例えば、負荷サイクルが比較的高いレベル、例えば、５０％辺りを超える時により多くのフラッシュを必要とする可能性がある。しかし、負荷サイクルが低くなると、所要のインジェクト率、例えば、２５ｋＰａ／Ｍショットでのフラッシュでリフィル排除をもたらすことができる可能性がある。本出願人は、開ループフラッシュでは、例えば、予測可能なガス状態を必ずしも得ることができるとは限らず、特に、予測可能な性能パラメータを得ることはできないことにも注意した。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
しかし、リフィル排除は、開ループフラッシュを例えば予混合リフィル濃度で用いると、注入には、一部のチャンバ内の一部の状態では上述のようにいくつかの制限がある場合があるということにも関わらず機能することが証明された。例えば注入ガスの開ループ予混合リフィル濃度で汚濁物質を除去することは、ガスを寿命化する際の１つの要素であるように見える。正確な汚濁率又は概算汚濁率さえも、例えばチャンバ耐用期間にわたるその変化にも関する不確実性により、フラッシュに必要とされるリフィル率に関する不確実性になる場合があるが、本出願人は、リフィル排除は比較的高いＦ2消費率でさえも可能であると考えている。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
開示内容の実施形態の態様により、本出願人は、バルクガス、例えば、ＡｒＮｅで、定期的に、例えば、たとえ何であれ注入機会毎に、また、バルクガス：Ｆ2の比較的高い割合で、また、例えば、各開ループ注入機会毎に注入されるＦ2ゼロで注入するか、又は各注入機会で注入される最小Ｆ2インジェクト量を増大するフィードバックループ判断なしで、その量とその後に考えることができるＦ2の選択開ループ注入を増すＦ2量を判断するＮＡＦＦＡのようなシステムを用いて、Ｆ2消費推定値からのフィードバック制御を可能にすることも含め、チャンバをフラッシュすることを提案する。更に、システムは、開示内容の実施形態の態様により、例えば、レーザシステムが発射中ではない経過時間に基づいて受動的消費量を推定することができる例えばＮＡＦＦＡのようなフィードバック制御システムの制御下で、レーザシステムが発射中ではない時に例えばＦ2消費量に相当する受動的インジェクトを利用することができる。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
従って、開示内容の実施形態の態様により、システムは、例えば選択リフィル濃度で又はこの濃度辺りで選択ショット回数毎に、又は例えば何らかの経過時間毎に、又はその両方の組合せ毎に、インジェクトをもたらし、従って、例えば、強制汚濁物質フラッシュ排除をもたらすことができる。しかし、更に、システムは、例えば、必要に応じてＦ2インジェクト率を増大させて、例えば、変動中のＦ2消費量を補正することができる。従って、この規則的なフラッシュにより、例えば、ガス状態を安定化させると共にガスを大幅に長寿命化することになる可能性がある。
上述のように、Ｆ2消費率は、チャンバ寿命にわたって例えば５ｘを上回って変動することが可能なので、非常に高い消費率を開ループフラッシュだけにより実際的に終了することはできないように見える。開示内容の実施形態の態様により、フィードバックループ、例えばＮＡＦＦＡで修正された開ループ注入により、優れた性能の低消費量チャンバから高消費量チャンバまでをもたらすことができる。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
開示内容の実施形態の態様により、本出願人は、例えば、レーザ作動パラメータに及ぼす大規模ガス注入の影響、例えば、レーザシステム、例えば、多重チャンバレーザシステム、例えば、本出願人の譲渡人により製造及び販売されている形式の「ＸＬＡ  ２００」レーザに対する、例えば、ｄＥ／ｄＶ及び有効エネルギを判断するために実験を行った。大規模なインジェクトは、本出願で説明するように、完全なチャンバガスリフィル間の期間を動的に短縮するか、又はレーザシステム作動寿命にわたって排除するように仮定されているガス制御アルゴリズムの一部である。本出願人の譲渡人は、大規模レーザチャンバ注入をリフィル濃度注入又は一定フラッシュモード注入と称しており、それによって例えばレーザガス制御システムは、例えば、初期充填と同じか又はほぼ同じ相対的Ｆ2及び緩衝ガス（ＸＬＡに対してはＡｒＮｅ）濃度で頻繁かつ比較的大規模なガス注入を提供する。それによって汚濁物質を離してフラッシュが行われ、かつ従来のガス制御アルゴリズムよりも着実にＦ2濃度が維持されることが見出されている。開示内容の実施形態の態様により、チャンバを通した十分なレベルの正味ガス流量をもたらすために、例えば、インジェクトのサイズは、このような仕様により許容されたものよりも高いことが可能な例えばレーザフォトリソグラフィＤＵＶ光源用途のための厳しい仕様に従ったレーザ作動パラメータ、例えば、ｄＥ／ｄＶ及び（有効）エネルギの変化を引き起こすことがあり得る一般的に問題がないと以前は考えられていたものよりも大幅に大きなものとすることができる。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
従って、本出願人は、様々なインジェクトサイズに対して、具体的に、例えば、ｄＥ／ｄＶ及びエネルギの変化を測定して、例えば、いわゆる一定のフラッシュモードでこれらの影響を測定する実験を行った。例えば、ｄＥ／ｄＶを比較的迅速に推定することができるように、通常のｄＥ／ｄＶ推定値を修正することによって、システムに、例えば、インジェクトから生じる「高速の」挙動変化を捕捉させることができる。ＭＯ：３８ｋＰａのＦ2／３８０ｋＰａ全圧、ＰＡ：２８ｋＰａのＦ2／２８０ｋＰａ全圧の初期充填をこのような実験に使用することができ、例えば、レーザは、例えば、５００、０００回のショットが得られるように一定の７５％負荷サイクル（４０００Ｈｚ繰返し数、１２００バーストカウント、０．１秒バースト間隔）で発射することができる。レーザは、次に、熱過渡期を衰退させるために９０秒間、２種類の繰返し数、例えば、３０００Ｈｚ又は８００Ｈｚの一方で連続モードで発射することができる。次に、繰返し数を維持しながらインジェクトを開始することができる。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
ある一定のレーザ作動条件、例えば、真の一定のフラッシュ作動モードを適正にエミュレートするために、例えば、８回の大規模インジェクトをリフィル濃度で又はリフィル濃度の近くで、例えば、他のサイズのインジェクト間で、例えば、チャンバ毎に４回を含むスケジュールを選択することができる。すなわち、例えば、１．１ｋＰａのＦ2及び９ｋＰａのＡｒNｅのインジェクトが、例えば、このようなサイクルを１回繰返して２チャンバ（シード／増幅器）レーザシステム内でチャンバ毎に行われる。このような代表的なインジェクトスケジュールに従って、例えば、各インジェクト間で、レーザを７５％負荷サイクルで発射させることができる。レーザガス放電繰返し数（出力光パルス繰返し数）は、選択期間にわたって、例えば、インジェクト９０秒前に、３０００Ｈｚ又は８００Ｈｚのような選択値で保持することができ、次に、インジェクトは、所定の繰返し数で行われる。
【誤訳訂正３５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
これらの実験結果が確実に例えば予測可能かつ比較的一定のガス状態を表すようにするために、図２１Ａ〜図２１Ｃは、実験を通した全体的な電圧、帯域幅、及びエネルギを示している。値は、試験を通して若干変化していることが分るが、これは、例えば、実験では真の一定のフラッシュモードをもたらすことはできず、近似するだけであることによると考えられ、その理由は、例えば、実験中のインジェクトサイズが多少変動したからであり、かつ比較的大規模な例えば１．１：９のインジェクトのみが適切な濃度であったと考えられるからである。また、本出願人は、緩衝ガス、例えばＡｒＮｅのみのインジェクトが、例えば、ガスの全体的な濃度が真の一定のフラッシュモードを達成することができるべきであるものよりも若干線形（Ｆ2が低い）であると判明するような混乱を引き起こすソフトウエア上の制約に遭遇した場合があるという点に注目した。しかし、実験結果は、無効とするものではなく、その理由は、得られるｄＥ／ｄＶ及び有効エネルギ変化データの対応する傾向が無かったと思われるからである。
【誤訳訂正３６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
上述の開示内容の実施形態の態様により、エキシマレーザ、例えば、ハロゲンガス（典型的にフッ素）及び緩衝ガス（典型的にアルゴン希ガス及びネオン緩衝ガス又はクリプトン希ガス及びネオン緩衝ガス）の混合物と共に、例えば、少量のチャンバガスをチャンバ内に定期的及び頻繁に注入することによって、フッ素を補充すると同時にチャンバからの汚濁物質を含むガスをフラッシュすることによって、厳しく制御されたレーザシステム出力作動パラメータを維持しながら、ガス組成を元の最適化予混合組成で維持するフォトリソグラフィにおいて使用される狭帯域ガス放電エキシマレーザにおけるガス組成制御の方法及び装置を開示したことが当業者により理解されるであろう。これらの小さなガス置換機能は、一定の数のレーザパルスで（レーザが放電中に）、又は一定の量の時間で（レーザが放電中ではない時）、又は両方の組合せで定期的に行うことができる。各ガス置換注入において使用される緩衝ガス又は希ガス／緩衝ガスの量は、比較的長い時間／パルス数にわたって同じままとすることができ、かつインジェクト間でガス制御システムにより制御されたりしない。各ガス置換機能において使用されるハロゲンガスの量は、長期的なレーザ作動入力／出力パラメータの一定の変化に対応するように長期的に、又はインジェクト間で１つ又はそれよりも多くのレーザ入力／出力作動パラメータに基づいて直接フィードバックループで、又はその両方の組合せで、例えば、レーザ作動信号に基づいて変えることができる。
【誤訳訂正３７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
ハロゲン含有レーザ発振ガスを含むフォトリソグラフィ工程のためのガス放電レーザ光源に対してガス寿命を予測する段階を含むことができ方法及び装置を本明細書で開示し、予想する段階は、複数のレーザ作動入力及び／又は出力パラメータの少なくとも１つを利用する段階と、フォトリソグラフィ工程における少なくとも１つの利用パラメータの集合を利用し、それぞれの入力又は出力パラメータに関してガス使用モデルを判断する段階と、モデルとそれぞれの入力又は出力パラメータの測定値とに基づいてガス寿命の終了を予測する段階とを含むことができることが、当業者により理解されるであろう。パラメータは、パルス利用パターンを含む。本方法及び装置は、ハロゲン含有レーザ発振ガスを含むフォトリソグラフィ工程のためのガス放電レーザ光源に対してガス管理を行う段階を含むことができ、本方法及び装置はまた、一般的に完全なガスリフィルにおいてレーザに供給される予混合比率と略同じ比率で、かつ注入前に総ガス圧の２パーセントよりも小さい量でハロゲンガス及びバルクガスの混合物を含むインジェクトを含む定期的かつ頻繁な部分的なガスリフィルを利用する段階を含む。装置及び方法は、ハロゲン含有レーザ発振ガスを含むフォトリソグラフィ工程のためのガス放電レーザ光源に対してガス寿命を予測する予測手段を含むことができ、予測する段階は、複数のレーザ作動入力及び／又は出力パラメータの少なくとも１つを利用する手段と、フォトリソグラフィ工程における少なくとも１つの利用パラメータの集合を利用して、それぞれの入力又は出力パラメータに関してガス使用モデルを判断する手段と、モデルとそれぞれの入力又は出力パラメータの測定値とに基づいてガス寿命の終了を予測する段階とを含むことができる。装置及び方法は、ハロゲンを含むレーザ発振媒体ガスを収容するレーザチャンバと、バルクガスのフラッシュ量と共にハロゲンの補充量のインジェクト機会の発生時にインジェクトを行う段階を含む補充スキームを実行するコントローラを含むガス補充システムとを含むパルス状線狭化ガス放電レーザリソグラフィ光源を含むことができる。ハロゲンは、フッ素を含むことができる。フラッシュ量は、制御システムがインジェクト前にチャンバ内の圧力に近似するレベルにチャンバ内の圧力を低減する時に、レーザ発振媒体ガスから有意な量の汚濁物質の除去を可能にするのに十分であるとすることができる。フラッシュ量は、延長期間にわたってレーザ発振ガス媒体の成分のほぼリフィル百分率の維持を可能にする。コントローラは、経過時間及びショットカウントの一方又は両方を含む要素により決まる規則的間隔で発生するインジェクト機会で補充スキームを実行する。補充スキームは、いかなるハロゲンもなしでバルクガスのフラッシュ量のインジェクトを行う段階を含む。補充スキームは、インジェクト機会の選択されたインスタンスでいかなるハロゲンもなしでバルクガスのフラッシュ量のインジェクトを行う段階を含むことができる。ガスコントローラは、チャンバ内の実フッ素消費量の推定に従って選択された補充量を修正することができる。実フッ素消費量の推定は、公知の方法でレーザ発振媒体ガス中のフッ素含有量の変化と共に変わるレーザシステム入力又は出力作動パラメータの測定値に基づくことができる。本方法及び装置は、作動パラメータ値の１つ又はそれよりも多くが作動上の又はユーザが選択した境界条件を超える前に時間又はショット蓄積を最大にする段階と、このような作動パラメータの部分集合Ｓ1を、このようなパラメータの部分集合Ｓ2の最大化と共に、最小にする段階とを含むことができる段階により、レーザ入力／出力作動パラメータ値の長期的修正に応答して、測定レーザ作動システムパラメータの集合から導出された部分集合の１つ又はそれよりも多くのメンバを調節してレーザ効率を調節する段階を含むことができる方法を利用してハロゲンを含むレーザ発振媒体ガスを収容するレーザチャンバ内へのパルス状線狭化ガス放電レーザリソグラフィ光源におけるガス補充を制御する段階を含むことができる。本方法及び装置は、部分集合メンバを重み付け及び／又は正規化してそれぞれの部分集合メンバに重要度の順を割り当てる段階を含むことができる。部分集合Ｓ1又はＳ2は、空集合を含むことができる。装置及び方法は、パラメータの部分集合Ｓ3間のノルム値又は他のノルムを最小にする段階を含むことができ、パラメータの部分集合Ｓ3間のノルム値又は他のノルムを最小にする段階を含むことができ、かつ最大化又は最小化に緩い制約及び／又は厳しい制約を与える段階を含むことができる。