【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年8月23日(2016.8.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】光ＭＥＭＳ用途のためのオプトメカニカル光路遅延増大器
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、一般に、光学ＭＥＭＳ（Micro Electro-Mechanical System）に係わり、特に、ＭＥＭＳテクノロジーを使用する光路遅延増大器装置に関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
本発明の実施形態は、光路遅延増大器を提供する光学微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスである。ＭＥＭＳデバイスは、可動コーナー・キューブ反射板と、固定ミラーと、ＭＥＭＳアクチュエータとを含む。可動コーナー・キューブ反射板は、当該コーナー・キューブ反射板の一方のエッジで入射ビームを受信するよう光学的に結合され、コーナー・キューブ反射板の他方のエッジから入射ビームを反射する。固定ミラーは、可動コーナー・キューブ反射板から反射された入射ビームを受信するように光学的に結合され、当該入射ビームを、当該入射ビームの逆方向経路に沿って可動コーナー・キューブ反射板に向けて後方に反射して、反射ビームを生成する。ＭＥＭＳアクチュエータは、可動コーナー・キューブ反射板に結合され、固定ミラーの平面に対し垂直な方向に可動コーナー・キューブ反射板の変位を発生させて、反射ビームの光路長を延長する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明の実施形態は、さらに、光路遅延増大器を備えた微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）として作製されたマイケルソン干渉計を提供する。干渉計は、固定ミラーの第１のアレイ及び第２のアレイと、固定ミラーの第１のアレイと第２のアレイの平面に直交する方向に、当該固定ミラーの第１のアレイと第２のアレイとの間のエリア内で移動可能に構成されたコーナー・キューブ反射板の可動アレイと、検出器と、ビームスプリッタと、補助ミラーとを含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本発明の実施形態は、さらに、光路遅延増大器を提供する光学微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを作製する方法を提供する。この方法は、上面及び下面を有するシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェハを準備するステップと、ＳＯＩウェハの上面内に、可動コーナー・キューブ反射板であって当該コーナー・キューブ反射板の１つのエッジで入射ビームを受信するよう光学的に結合され、当該コーナー・キューブ反射板の他のエッジから当該入射ビームを反射する可動コーナー・キューブ反射板と、コーナー・キューブ反射板から入射ビームを受信するよう光学的に結合され、入射ビームの逆方向経路に沿って可動コーナー・キューブ反射板に向かって後方に入射ビームを反射して反射ビームを生成する固定ミラーと、可動コーナー・キューブ反射板に結合され、固定ミラーの平面に対し垂直な方向に可動コーナー・キューブ反射板の変位を発生させて反射ビームの光路長を延長させるＭＥＭＳアクチュエータと、をフォトリソグラフィ的に画定するステップとを含む。この方法は、深堀反応性イオンエッチング・プロセスを用いてＳＯＩウェハの上面とＳＯＩウェハの下面との間をエッチングし、固定ミラーとＭＥＭＳアクチュエータとを形成するステップと、異方性アルカリ・ウェット・エッチング・プロセスを使用してＳＯＩウェハの上面とＳＯＩウェハの下面との間をエッチングして、可動コーナー・キューブ反射板を形成するステップとをさらに含む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
【図１Ａ】本発明の実施形態に係る光路遅延増大機能を提供する光学ＭＥＭＳデバイスの一例を示す図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態に係る光学ＭＥＭＳデバイスの運動の一例を示す図である。
【図１Ｃ】本発明の実施形態に係る光学ＭＥＭＳデバイスの一例の斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る、光路遅延増大機能を提供する、他の光学ＭＥＭＳデバイスの一例を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係る光学ＭＥＭＳデバイスの一例の平面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る、光路遅延増大機能を提供する、さらに他の光学ＭＥＭＳデバイスの一例を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る、ＭＥＭＳ光路遅延増大器を実施するマイケルソン干渉計の一例を示す図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態に係る、光路遅延増大機能を提供するさらに他の光学ＭＥＭＳデバイスの一例を示す図である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態に係る、光路遅延増大機能を提供するさらに他の光学ＭＥＭＳデバイスの一例を示す図である。
【図７Ａ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製方法の作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図７Ｂ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製方法の作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図７Ｃ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製方法の作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図７Ｄ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製方法の作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図７Ｅ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製方法の作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図７Ｆ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製方法の作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図７Ｇ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製方法の作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図７Ｈ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製方法の作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図７Ｉ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製方法の作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図７Ｊ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製方法の作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図８Ａ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの他の作製方法の、作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図８Ｂ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの他の作製方法の、作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図８Ｃ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの他の作製方法の、作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図８Ｄ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの他の作製方法の、作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図８Ｅ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの他の作製方法の、作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図９Ａ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製に用いるシャドーマスクを作製するための、作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図９Ｂ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製に用いるシャドーマスクを作製するための、作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図９Ｃ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製に用いるシャドーマスクを作製するための、作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図９Ｄ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製に用いるシャドーマスクを作製するための、作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図９Ｅ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製に用いるシャドーマスクを作製するための、作製プロセスステップの一例を示す図である。
【図９Ｆ】本発明の実施形態に係る、光学ＭＥＭＳデバイスの作製に用いるシャドーマスクを作製するための、作製プロセスステップの一例を示す図である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
光路遅延増大器を備えた光学ＭＥＭＳデバイスの一例を示す斜視図を、図１Ｃに示す。図１Ｃから分かるように、可動反射板２０及び固定ミラー３０は、それぞれ基板８０上に作製されている。固定ミラー３０は、基板８０の埋込酸化物（buried oxide、BOX）層８２の上にあり、空隙８６は、可動反射板２０が基板８０の表面上でスライドできるように、基板８０を可動反射板２０から分離する。メタライゼーション層８４は、基板８０と、可動コーナー・キューブ反射板２０の第１及び第２のエッジ２２及び２４と、これに対向する固定ミラー３０のエッジとを覆っている。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
入射ビームにおける傾斜角（tilt angle）又は剪断角（shear angle）を補償し、反射板の角度にかかわらず反射ビームが入射ビームに対し平行に逆進することを確実にするため、図１Ｃにおけるコーナー・キューブ反射板２０は、３個の垂直なエッジ、すなわち、２つの移動エッジ２２及び２４と、第３の反射板エッジとして機能するメタライズド基板２５とを含んでいる。３つのコーナー・キューブ反射板エッジ２２、２４及び２５は、図７ないし９を用いて後述されるように、すべてが１ステップで形成され、メタライズされるが、２つの移動エッジ２２及び２４だけが一体となって移動し、基板エッジ２５は、固定された状態を保つ。このように、アレイ状コーナー・キューブ反射板２０は、入射光ビームが基板８０の平面に平行であるときに、図示されたように位置決めされ得るし、これと異なる態様で配置されて、第３のエッジ２５により入射ビームの剪断（shear）及び傾斜（tilt）が補償されるものとすることもできる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
図５は、本発明の実施形態に係るＭＥＭＳ光路遅延増大器を備えたマイケルソン干渉計２００の一例を示す図である。図５では、干渉計の２個のミラーは結合され、２個の固定ミラー３０ａ及び３０ｂを備えた一つの構造体となっており、この構造体は、２つの固定コーナー・キューブ・アレイと、可動コーナー・キューブ・アレイである１個の可動反射板２０とを有している。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
図６Ａ及び６Ｂは、本発明の実施形態に係る光路遅延増大機能を提供するさらに他の光学ＭＥＭＳデバイスの一例を示している。図６Ａ及び６Ｂでは、移動ミラー２０及び固定ミラー３０は、それぞれ、図２に示したような反射板のアレイ１００及び１１０を含む。ただし、アレイ１００及び１１０内の反射板は、コーナー・キューブ反射板ではない。しかも、これらの反射板は、それぞれ、反射板の２つのエッジの間の角度が直角ではない。図６Ａに示したように、各反射板の２つのエッジ間の角度は、１０９．４７度である。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
次に、図７ないし９には、本発明の実施形態に係る、光路遅延増大器を備えた光学ＭＥＭＳデバイスを作製するための、作製プロセスの一例が示されている。図７Ａないし７Ｊは、作製プロセスの第１の例を示す。本作製プロセスでは、コーナー・キューブ反射板と、固定ミラーと、ビームスプリッタと、ＭＥＭＳアクチュエータと、機械的スプリングとを含む集積デバイスが作製される。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光路遅延増大器を提供する光学微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスであって、
基板と、
第１のエッジと、第２のエッジと、第３のエッジと、を有するコーナー・キューブ反射板であって、前記基板が第３のエッジとして作用し、前記第１のエッジ及び前記第２のエッジは、空隙によって前記基板から分離されて、前記第３のエッジが静止したままの状態において移動可能に構成されており、前記第１ないし第３のエッジの一つに入射する入射ビームを反射して、前記第１ないし第３のエッジの他の一つから出射するコーナー・キューブ反射板と、
前記基板上に形成された固定ミラーであって、前記コーナー・キューブ反射板から出射された入射ビームを、当該入射ビームの伝搬経路に沿って逆方向に、前記コーナー・キューブ反射板に向けて垂直に反射する固定ミラーと、
前記基板上に形成されたＭＥＭＳアクチュエータであって、前記コーナー・キューブ反射板に結合され、前記固定ミラーの平面に対し垂直な方向に、前記コーナー・キューブ反射板の前記第１及び第２のエッジの変位を発生させるＭＥＭＳアクチュエータと、
を備え、
前記ＭＥＭＳアクチュエータにより、前記第１及び第２のエッジを前記固定ミラーから離れる方向に変位させて、前記入射ビームが前記コーナーキューブ反射板に入射してから前記固定ミラーで反射されたのち当該コーナーキューブ反射板を再度通過して出射するまでの、当該入射ビームの光路長を増大させる、
ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２】
前記固定ミラーは、入射ビームの方向に直角に方向付けられた平面ミラーである、請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
前記コーナー・キューブ反射板の第１の位置と前記コーナー・キューブ反射板の第２の位置との間の光路差は、前記第１の位置と第２の位置との間の前記コーナー・キューブ反射板の変位の４倍である、請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
前記コーナー・キューブ反射板は、コーナー・キューブ反射板のアレイを含み、前記固定ミラーは、入射ビームに平行に反射ビームが生成されるようにコーナー・キューブ反射板のアレイからずらして配置された固定ミラーのアレイを含む、請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項５】
前記コーナー・キューブ反射板のアレイの第１の位置と前記コーナー・キューブ反射板のアレイの第２の位置との間の光路差は、前記第１の位置と前記第２の位置との間における前記コーナー・キューブ反射板のアレイの変位に、前記コーナー・キューブ反射板のアレイ内のコーナー・キューブ反射板の個数の４倍に２を加算した値を乗じて得られる値に等しい、請求項４に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項６】
前記固定ミラーのアレイ内の各固定ミラーは、コーナー・キューブ反射板であって、当該コーナー・キューブ反射板は、一方のエッジにより前記コーナー・キューブ反射板のアレイ内の第１の対応するコーナー・キューブ反射板から入射ビームを受信し、他方のエッジにより前記コーナー・キューブ反射板のアレイ内の第２の対応するコーナー・キューブ反射板に向けて反射ビームを反射するよう結合されている、
請求項４に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項７】
前記コーナー・キューブ反射板のアレイの端部に結合され、前記固定ミラーのアレイ内の前記コーナー・キューブ反射板のうちの最後の１つから入射ビームを受信し、前記固定ミラーのアレイ内の前記コーナー・キューブ反射板のうちの最後の１つに向けて、後方に反射ビームを反射して逆方向経路に沿って反射ビームを方向づけるよう光学的に結合された、平面ミラーをさらに備える、
請求項６に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項８】
前記コーナー・キューブ反射板のアレイと前記平面ミラーとの間に結合された第１の小型コーナー・キューブ・ミラーと、
前記平面ミラーが結合された前記コーナー・キューブ反射板のアレイの端部とは反対側の端部で前記固定ミラーのアレイに結合された、第２の小型コーナー・キューブ・ミラーと、
をさらに備え、
前記第１及び第２の各小型コーナー・キューブ・ミラーの各寸法は、前記コーナー・キューブ反射板のアレイ内の各コーナー・キューブ反射板及び前記固定ミラーのアレイ内の各固定ミラーの各寸法よりも小さい、
請求項７に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項９】
前記コーナー・キューブ反射板のアレイの第１の位置と前記コーナー・キューブ反射板のアレイの第２の位置との間の光路差は、入射ビームが前記コーナー・キューブ反射板のアレイ及び前記固定ミラーのアレイの中を周回する回数に等しい倍率によって増大され、
この周回の回数は、前記第１の小型コーナー・キューブ・ミラー及び前記第２の小型コーナー・キューブ・ミラーの寸法と入射ビームのスポットサイズとに基づいている、
請求項８に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１０】
前記ＭＥＭＳデバイスは、フーリエ変換分光計又はマイケルソン干渉計であり、前記固定ミラーのアレイは、固定ミラーの第１のアレイであり、
固定ミラーの第２のアレイと、
検出器と、
入射ビームを受信して当該入射ビームを第１の入射ビームと第２の入射ビームとに分割するよう光学的に結合されたビームスプリッタであって、前記第１の入射ビームを、前記コーナー・キューブ反射板のアレイの中の最初のコーナー・キューブ反射板に向けて方向づけて、第１の順方向及び逆方向経路に沿って前記コーナー・キューブ反射板のアレイの第１の側面と前記固定ミラーの第１のアレイとの間で反射させ、前記コーナー・キューブ反射板のアレイの中の最初のコーナー・キューブ反射板から第１の反射ビームとして出力させるビームスプリッタと、
前記第２の入射ビームを受信して前記固定ミラーの第２のアレイの中の最初の固定ミラーに向けて前記第２の入射ビームを反射するよう光学的に結合された補助ミラーであって、前記第２の入射ビームを第２の順方向及び逆方向経路に沿って前記固定ミラーの第２のアレイと前記コーナー・キューブ反射板のアレイの第２の側面との間で反射させ、前記固定ミラーの第２のアレイの中の最初の固定ミラーから第２の反射ビームとして出力させる補助ミラーと、
をさらに備え、
前記補助ミラーは、さらに、前記第２の反射ビームを受信して前記ビームスプリッタに向けて前記第２の反射ビームを反射するよう光学的に結合されており、
前記ビームスプリッタは、さらに、前記第１の反射ビームを受信して前記第１の反射ビームと前記第２の反射ビームとを合成するよう光学的に結合され、前記検出器に向けて合成ビームを生成する、
請求項４に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１１】
前記コーナー・キューブ反射板のアレイの第１の位置と前記コーナー・キューブ反射板のアレイの第２の位置との間の光路差は、前記第１の位置と前記第２の位置との間における前記コーナー・キューブ反射板のアレイの変位に、前記コーナー・キューブ反射板のアレイ内のコーナー・キューブ反射板の個数の４倍に２を加算した値を２倍して乗じて得られる値に等しい、請求項１０に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１２】
前記コーナー・キューブ反射板のアレイ内の各コーナー・キューブ反射板は、角度９０度ないし１２０度を有し、前記固定ミラーのアレイ内の各固定ミラーは、前記各コーナー・キューブ反射板と実質的に同じ角度を有している、請求項４に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１３】
前記角度は、実質的に１０９．４７度である、請求項１２に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１４】
前記固定ミラーのアレイ及び前記ＭＥＭＳアクチュエータを、深堀反応性イオンエッチング・プロセスを用いて形成し、
前記コーナー・キューブ反射板のアレイを、異方性アルカリ・ウェット・エッチング・プロセスを用いて形成する、
ことを含む、
請求項１２に記載のＭＥＭＳデバイスを作製する方法。
【請求項１５】
前記コーナー・キューブ反射板のアレイの中の最初のコーナー・キューブ反射板に向けて入射ビームを方向付ける光源をさらに備える、請求項４に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１６】
前記第１のエッジ及び前記第２のエッジは、互いに直交し、
前記第３のエッジは、前記第１のエッジ及び前記第２のエッジに対し垂直である、
請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１７】
前記入射ビームは、前記基板の平面に平行ではない、請求項１６に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１８】
前記入射ビームは、前記基板の平面に平行である、請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項１９】
光路遅延増大器を提供する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）として作製されるマイケルソン干渉計であって、
固定ミラーの第１のアレイ及び第２のアレイと、
前記固定ミラーの第１のアレイと第２のアレイとの間のエリア内で、前記固定ミラーの第１のアレイ及び第２のアレイの平面に直交する方向に移動可能なコーナー・キューブ反射板の可動アレイと、
検出器と、
入射ビームを受信して当該入射ビームを第１の入射ビームと第２の入射ビームとに分割するよう光学的に結合されたビームスプリッタであって、前記第１の入射ビームを、前記コーナー・キューブ反射板の可動アレイの中の最初のコーナー・キューブ反射板に向けて方向付けて、第１の順方向及び逆方向経路に沿って前記コーナー・キューブ反射板の可動アレイの第１の側面と前記固定ミラーの第１のアレイとの間で反射させ、前記コーナー・キューブ反射板の可動アレイの中の最初のコーナー・キューブ反射板から第１の反射ビームとして出力させるビームスプリッタと、
前記第２の入射ビームを受信して前記固定ミラーの第２のアレイの中の最初の固定ミラーに向けて前記第２の入射ビームを反射するよう光学的に結合された補助ミラーであって、前記第２の入射ビームを第２の順方向及び逆方向経路に沿って前記固定ミラーの第２のアレイと前記コーナー・キューブ反射板の可動アレイの第２の側面との間で反射させ、前記固定ミラーの第２のアレイの中の最初の固定ミラーから第２の反射ビームとして出力させる補助ミラーと、
を備え、
前記補助ミラーは、さらに、前記第２の反射ビームを受信して前記ビームスプリッタに向けて前記第２の反射ビームを反射するよう光学的に結合されており、
前記ビームスプリッタは、さらに、前記第１の反射ビームを受信して前記第１の反射ビームと前記第２の反射ビームとを合成するよう光学的に結合され、前記検出器に向けて合成ビームを生成する、
マイケルソン干渉計。
【請求項２０】
前記入射ビームを前記ビームスプリッタに向けて方向付ける光源をさらに備える、請求項１９に記載のマイケルソン干渉計。
【請求項２１】
前記コーナー・キューブ反射板の可動アレイの第１の位置と前記コーナー・キューブ反射板の可動アレイの第２の位置との間の光路差は、前記第１の位置と前記第２の位置との間における前記コーナー・キューブ反射板の可動アレイの変位に、前記コーナー・キューブ反射板の可動アレイ内のコーナー・キューブ反射板の個数の４倍に２を加算した値を２倍して乗じて得られる値に等しい、請求項１９に記載のマイケルソン干渉計。
【請求項２２】
前記コーナー・キューブ反射板の可動アレイに結合され、前記コーナー・キューブ反射板の可動アレイに変位を発生させるＭＥＭＳアクチュエータをさらに備える、請求項１９に記載のマイケルソン干渉計。
【請求項２３】
光路遅延増大器を提供する光学微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを作製する方法であって、
上面及び下面を有するシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ウェハを準備するステップと、
可動コーナー・キューブ反射板であって当該コーナー・キューブ反射板の１つのエッジで入射ビームを受信するよう光学的に結合され、当該コーナー・キューブ反射板の他のエッジから当該入射ビームを反射する可動コーナー・キューブ反射板と、前記コーナー・キューブ反射板から前記入射ビームを受信するよう光学的に結合され、前記入射ビームの逆方向経路に沿って前記可動コーナー・キューブ反射板に向かって後方に前記入射ビームを反射して反射ビームを生成する固定ミラーと、前記可動コーナー・キューブ反射板に結合され、前記固定ミラーの平面に対し垂直な方向に前記可動コーナー・キューブ反射板の変位を発生させて前記反射ビームの光路長を延長させるＭＥＭＳアクチュエータと、をＳＯＩウェハの上面内にフォトリソグラフィ的に画定するステップと、
深堀反応性イオンエッチング・プロセスを用いて、前記ＳＯＩウェハの前記上面と前記ＳＯＩウェハの前記下面との間をエッチングして、前記固定ミラー及び前記ＭＥＭＳアクチュエータを形成するステップと、
異方性アルカリ・ウェット・エッチング・プロセスを用いて、前記ＳＯＩウェハの前記上面と前記ＳＯＩウェハの前記下面との間をエッチングして、前記可動コーナー・キューブ反射板を形成するステップと、
を含む方法。