(57)【要約】【課題】  本発明の開示は、磁気抵抗を有する磁気トンネル接合部を備えた自己参照ＭＲＡＭ素子に関する。【解決手段】  この磁気トンネル接合部は、この磁気トンネル接合部が低い方の温度閾値に有る時に第一の方向に沿ってピニングされる記録磁化を有する記録層と、読出磁化を有する読出層と、記録層と読出層の間に配備されたトンネル障壁層とを備え、このＭＲＡＭ素子は、更に、第一の方向に対してほぼ垂直な第二の方向に沿って磁気異方性を読出磁化に与えて、第二の方向に対して読出磁化を調整するように配備された方向調整器を備えており、この方向調整器は、更に、第一の読出磁界が印加されている時に、磁気トンネル接合部の抵抗の変動範囲が磁気抵抗の少なくとも約２０％となるように構成されている。この自己参照ＭＲＡＭセルは、信頼性を向上した形で読み出すことができるとともに、電力消費量が低減されている。【選択図】  図１
2013162132.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合抵抗を有する磁気トンネル接合部を備えた自己参照磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）素子において、
この磁気トンネル接合部は、
この磁気トンネル接合部が低い方の温度閾値に有る時に第一の方向に沿ってピニングされる記録磁化を有する記録層と、
読出磁化を有する読出層と、
記録層と読出層の間に配備されたトンネル障壁層と、
を備えるとともに、
この読出磁化が記録磁化に対して逆平行である時の高い方の接合抵抗値と、この読出磁化が記録磁化に対して平行である時の低い方の接合抵抗値との間の差分に応じた磁気抵抗を有し、
このＭＲＡＭ素子が、更に、
第一の方向に対してほぼ垂直な第二の方向に沿って磁気異方性を読出磁化に与えるために配備された方向調整器と、
第二の方向に対して読出磁化を調整して、前記の磁気抵抗の少なくとも約２０％の範囲内で接合抵抗を変化させるように構成された第一の読出磁界を印加するための第一の電流線と、
を備えており、
この方向調整器が、更に、接合抵抗を前記の範囲内で線形的に変化させるように構成されている、
ＭＲＡＭ素子。
【請求項２】
当該の方向調整器は、磁気トンネル接合部が低い方の温度閾値に有り、第一の読出磁界が印加されていない時に第二の方向に沿って読出磁化をピニングするように読出層と交換結合する第二の反強磁性層を備えている請求項１に記載のＭＲＡＭ素子。
【請求項３】
前記の第二の反強磁性層と読出層の間の交換結合は、磁気トンネル接合部が低い方の温度閾値に有り、第一の読出磁界が印加されている時に第二の方向に対して読出磁化を調整できる交換結合である請求項２に記載のＭＲＡＭ素子。
【請求項４】
前記の第二の反強磁性層と読出層の間の交換結合は、磁気抵抗が当該の範囲内で線形的に変化するように抵抗応答曲線をシフトさせる請求項２に記載のＭＲＡＭ素子。
【請求項５】
前記の方向調整器が、第一の電流線に対してほぼ垂直である、第二の界磁電流を流して第二の方向に沿って読出磁化を飽和させるように構成された第二の電流線を備えている請求項１に記載のＭＲＡＭ素子。
【請求項６】
磁気トンネル接合部が低い方の温度閾値に有り、第一の読出磁界が印加されている時に第一の方向に沿って読出磁化をピニングするように記録層と交換結合する第一の反強磁性層が更に配備されている請求項１に記載のＭＲＡＭ素子。
【請求項７】
磁気トンネル接合部と、
第一の方向に対してほぼ垂直な第二の方向に沿って磁気異方性を読出磁化に与えるために配備された方向調整器と、
第一の読出磁界を印加するための第一の電流線と、
を備えたＭＲＡＭ素子の読出方法であって、
この磁気トンネル接合部は、
この磁気トンネル接合部が低い方の温度閾値に有る時に第一の方向に沿ってピニングされる記録磁化を有する記録層と、
読出磁化を有する読出層と、
記録層と読出層の間に配備されたトンネル障壁層と、
を備えるとともに、
この読出磁化が記録磁化に対して逆平行である時の高い方の接合抵抗値と、この読出磁化が記録磁化に対して平行である時の低い方の接合抵抗値との間の差分に応じた磁気抵抗を有する、
ＭＲＡＭ素子の読出方法において、
第一の読出方向に読出磁化を調整する工程と、
第一の接合抵抗値を測定する工程と、
第二の読出方向に読出磁化を調整する工程と、
第二の接合抵抗値を測定する工程と、
を有し、
この読出磁化の第二の方向に対する調整が行なわれて、前記の磁気抵抗の少なくとも約２０％の範囲内で接合抵抗値を線形的に変化させる、
方法。
【請求項８】
当該の読出磁化の調整が、第一のフィールド線に第一の読出電流を流すことにより第一の読出磁界を印加することで実行される請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弱い読出磁界を保証する、線形読出信号を用いた自己参照磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルに関する。
【背景技術】
【０００２】
所謂自己参照読出操作を用いた磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルは、典型的には、磁化の方向を第一の安定した方向から第二の安定した方向に変更可能な磁気記憶層から成る磁気トンネル接合部と、薄い絶縁層と、磁化の方向を反転可能な読出層とを備えている。そのような自己参照ＭＲＡＭセルにより、小さい電力消費量と向上した速度で書込及び読出操作を実行できる。
【０００３】
しかし、読出操作中に、局所的な漂遊磁界のために、記録層と読出層の間に双極子結合が発生して、読出層の磁化を記録層の磁化と接合させて閉じた磁束を形成させる。そして、読出操作中に読出層の磁化を切り換えるには、そのような双極子結合に打ち勝つのに十分に高い磁界を印加する必要が有る。そのような双極子結合の結果、読出層のヒステリシスループを測定するための磁界サイクルを印加した場合に、ヒステリシスループのシフト（又はバイアス）が起こる。そのような双極子結合は、記録層と読出層の厚さと磁化、並びに磁気トンネル接合部のサイズに依存する。特に、双極子結合は、磁気トンネル接合部の直径の低下に応じて増大し、そのため、ＭＲＡＭセルのサイズを小さくする場合に大きな問題となる可能性が有る。
【０００４】
特許文献１は、第一の軸に沿って第一の磁化を有する第一の磁化層構造と、第二の磁化層構造と、第一と第二の磁化層構造の間の非磁化間隙層とを備えたＭＲＡＭセルに関する。その第二の磁化層構造は、第二の磁化の方向を変えることによって、第一の軸に沿った第一の磁化の方向を設定できるように、第一の軸に対して一定の角度で配置された第二の軸に沿った第二の磁化を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許公開第２００９０１９０３９０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の開示は、接合抵抗を有する磁気トンネル接合部を備えたＭＲＡＭ素子に関し、、この磁気トンネル接合部は、この磁気トンネル接合部が低い方の温度閾値に有る時に第一の方向に沿ってピニングされる記録磁化を有する記録層と、読出磁化を有する読出層と、記録層と読出層に配備されたトンネル障壁層とを備えるとともに、読出磁化が記録磁化に対して逆平行である時の高い方の接合抵抗値と、読出磁化が記録磁化に対して平行である時の低い方の接合抵抗値との差分に応じた磁気抵抗を有する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本ＭＲＡＭ素子は、更に、第一の方向に対してほぼ垂直な第二の方向に沿って磁気異方性を読出磁化に与えるために配備された方向調整器と、第二の方向に対して読出磁化を調整して、磁気抵抗の少なくとも約２０％の範囲内で接合抵抗を変化させるように構成された第一の読出磁界を印加するための第一の電流線とを備えており、この方向調整器が、更に、接合抵抗を前記の範囲内で線形的に変化させるように構成されている。
【０００８】
一つの実施形態では、前記の方向調整器は、磁気トンネル接合部が低い方の温度閾値に有って、第一の読出磁界が印加されていない時に読出磁化を第二の方向に沿ってピニングするように読出層と交換結合する第二の反強磁性層を備えることができる。
【０００９】
別の実施形態では、第二の反強磁性層と読出層の間の交換結合は、磁気トンネル接合部が低い方の温度閾値に有って、第一の読出磁界が印加されている時に、第二の方向に対して読出磁化を調整可能である交換結合とすることができる。
【００１０】
更に別の実施形態では、第二の反強磁性層と読出層の間の交換結合は、接合抵抗が前記の範囲内で線形的に変化するように、抵抗応答曲線をシフトさせる交換結合である。
【００１１】
更に別の実施形態では、前記の方向調整器は、第一のフィールド線に対してほぼ垂直である、第二の界磁電流を印加して、第二の方向に沿って読出磁化を飽和させるように構成された第二の電流線を備えることができる。
【００１２】
更に別の実施形態では、本ＭＲＡＭ素子は、更に、磁気トンネル接合部が低い方の温度閾値に有って、第一の読出磁界が印加されている時に記録磁化を第一の方向に沿ってピニングするように記録層と交換結合する第一の反強磁性層を備えることができる。
【００１３】
また、本発明の開示は、前記のＭＲＡＭ素子の読出方法に関し、
第一の読出方向に読出磁化を調整する工程と、
第一の接合抵抗値を測定する工程と、
第二の読出方法に読出磁化を調整する工程と、
第二の接合抵抗値を測定する工程と、
を有し、
読出磁化の第二の方向に対する調整が行なわれて、磁気抵抗の少なくとも約２０％の範囲内で接合抵抗値を線形的に変化させる。
【００１４】
ここで開示した自己参照ＭＲＡＭセルは、弱い読出磁界を用いた場合に信頼性を向上した形で読み出すことができるとともに、強い双極子オフセットが存在したとしても、従来の自己参照ＭＲＡＭセルと比べて電力消費量が低減されている。
【００１５】
本発明は、図面に図示された実施例の記述を用いて、より良く理解される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】一つの実施形態による記録層と読出層を備えたランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）素子の構成図
【図２】一つの実施形態による記録磁化と読出磁化の向きを図解した記録層（ａ）と読出層（ｂ），（ｃ）の平面図
【図３】一つの実施形態による磁気トンネル接合部の抵抗応答曲線
【図４】別の実施形態による磁気トンネル接合部の抵抗応答曲線
【図５】一つの実施形態によるＭＲＡＭ素子の構成図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、一つの実施形態による自己参照磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）素子１を図示している。このＭＲＡＭ素子１は、記録磁化２３１を有する記録層２３と、読出磁化２１１を有する読出層２１と、記録層２３と読出層２１の間のトンネル障壁層２２とから成る磁気トンネル接合部２を備えている。図２は、記録磁化２３１と読出磁化２１１の向きをそれぞれ示した、ＭＲＡＭ素子１の記録層２３の平面図（図２の（ａ））と読出層２１の平面図（図２の（ｂ），（ｃ））を図示している。磁気トンネル接合部２は、更に、第一の臨界温度ＴＣ１を有する第一の反強磁性層２４を備えており、この層は、この第一の臨界温度ＴＣ１を下回る低い方の温度閾値において、記録磁化２３１が、この低い方の温度閾値で第一の方向６０に沿ってピニングされ、第一の臨界温度ＴＣ１以上の高い方の温度閾値では最早ピニングされないように、記録磁化２３と交換結合する。
【００１８】
一つの実施形態では、ＭＲＡＭ素子１の熱アシスト（ＴＡ）書込操作は、
磁気トンネル接合部２を高い方の温度閾値に加熱する工程と、
記録磁化２３１の向きを調整する工程と、
磁気トンネル接合部２を低い方の温度閾値に冷却する工程と、
から構成できる。
【００１９】
磁気トンネル接合部２の加熱は、磁気トンネル接合部２と電気的に接触する第一の電流線３を介して、磁気トンネル接合部２に加熱電流３１を流すことによって実行できる。記録磁化２３１の向きの調整は、第一の方向６０に記録磁化２３１を切り換えるように構成された外部書込磁界４２を印加することによって実行できる。図１の例では、ＭＲＡＭ素子１は、更に、磁気トンネル接合部２に隣接して第一のフィールド線４を備えている。この第一のフィールド線４は、書込電流４１を流して、書込磁界４２を発生させるように構成されている。第一のフィールド線４と書込電流４１は、書込磁界４２が記録磁化２３１を（図示されていない）左向きの当初の方向から右向きの書込方向に切り換えることができるように、図面の面に入って行く形で表示されている。それに代わって、書込磁界４２は、界磁電流４１を電流線３に流すことによって発生させることもできる。磁気トンネル接合部２が低い方の温度閾値に冷却されると、記録磁化２３１は、書込磁界４２の向きに応じて調整された（或いは書き込まれた）方向に沿ってピニングされる。
【００２０】
自己参照読出操作を用いたＭＲＡＭ素子１の読出方法は、
第一の読出方向に読出磁化２１１を調整する工程と、
第一の接合抵抗値Ｒ１を測定する工程と、
第二の読出方向に読出磁化２１１を調整する工程と、
第二の接合抵抗値Ｒ２を測定する工程と、
から構成できる。
【００２１】
第一の読出方向への読出磁化２１１の調整は、第一の極性を有する第一の読出電流４３を第一のフィールド線４に流すことにより、第一の極性を有する第一の読出磁界４４を印加することから構成できる。第二の読出方向への読出磁化２１１の調整は、第一の極性と逆の第二の極性を有する第一の読出電流４３を第一のフィールド線４に流すことにより、第一の極性と逆の第二の極性を有する第一の読出磁界４４を印加することから構成できる。第一の読出磁界４４は、記録磁化２３１が第一の反強磁性層２４によってピニングされている時に、第一の臨界温度を下回る、例えば、低い方の温度閾値に相当する読出温度で印加される。第一と第二の接合抵抗値Ｒ１，Ｒ２の測定は、電流線３を介して磁気トンネル接合部２に読出電流３２を流すことにより実行できる。
【００２２】
図１と２に図示された実施形態では、磁気トンネル接合部２は、更に、第一の臨界温度ＴＣ１を上回る第二の臨界温度ＴＣ２を有する第二の反強磁性層２０を備えている。この第二の反強磁性層２０は、第二の臨界温度ＴＣ２又は低い方の温度閾値を下回る温度において、読出磁化２１１が第一の方向６０に対してほぼ垂直な第二の方向６１に沿って磁気異方性又は交換異方性を有するように、読出層２１と交換結合する。より詳しくは、磁気トンネル接合部２の第二の臨界温度ＴＣ２を下回る温度（低い方の温度閾値）で、第一の読出磁界４４が印加されていない時に、読出磁化２１１は第二の方向６１に沿ってピニングされる。この読出磁化２１１は、第二の臨界温度ＴＣ２以上の温度又は高い方の温度閾値では最早ピニングされない。図２（ａ）と図２（ｂ）は、それぞれ第一の方向６０に沿った方向の記録磁化２３１と、第一の方向６０に対して垂直な第二の方向６１に沿った方向の読出磁化２１１の平面図を図示している。図１の例では、記録磁化２３１は右向きの方向で図示され、読出磁化２１１は図面の面から出て来る方向で図示されている。第二の反強磁性層２０による第二の方向６１に沿った磁化２１１のピニングは、ＭＲＡＭ素子１の製造プロセス中に、第二の読出層２１の蒸着後、第二の反強磁性層２０を磁気焼き鈍しすることによって実現できる。
【００２３】
第二の反強磁性層２０は、更に、低い方の温度閾値で第一の読出磁界４４を印加している時に、読出磁化２１１を第二の方向６１に対して調整できる一方、記録磁化２３１を第一の方向６０に対してほぼ平行な向きに留めるように構成されている。それは、図２（ｃ）に図示されており、そこでは、読出磁化２１１が第二の方向６１に対して、第一の読出磁界４４の読出方向に応じて角度α又は−αだけ調整されている。この調整角度αは、印加する第一の読出磁界４４が増大する程増加する。反強磁性層２４と記録層２３の間の交換結合は、第一の読出磁界４４が印加されている時に記録磁化２３１が第一の方向６０に沿ってピニングされた状態に留まるような交換結合とすべきである。
【００２４】
第二の反強磁性層２０は、ＰｔＭｎなどのマンガンベースの合金から成る材料又はそれ以外の好適な材料から構成される。第一の反強磁性層２４は、ＩｒＭｎやＦｅＭｎなどのマンガンベースの合金から成る材料又はそれ以外の好適な材料から構成できる。
【００２５】
図３は、記録磁化２３１の第一の方向６０に対してほぼ垂直な第二の方向６１に対して読出磁化２１１を調整した場合の磁気トンネル接合部２の抵抗応答曲線７０を図示している。より詳しくは、図３は、第一の読出磁界４４の磁界の強さＨの関数として、磁気トンネル接合部２の接合抵抗Ｒをプロットしている。この接合抵抗Ｒは、読出磁化２１１が記録磁化２３１に対してほぼ逆平行な方向に調整された時（αが約−９０°）の高い方の接合抵抗値Ｒｍａｘから、読出磁化２１１が記録磁化２３１に対してほぼ平行な方向に調整された時（αが約９０°）の低い方の接合抵抗値Ｒｍｉｎに変化している。これらの高い方と低い方の接合抵抗値Ｒｍａｘ，Ｒｍｉｎは、それぞれ第一と第二の極性で高い方の磁界の強さＨで第一の読出磁界４４を印加することによって実現できる。
【００２６】
磁気トンネル接合部２の磁気抵抗ＭＲは、次の通り、高い方の接合抵抗値Ｒｍａｘと低い方の接合抵抗値Ｒｍｉｎの間の差分によって定義できる。
【００２７】
ＭＲ＝Ｒｍａｘ−Ｒｍｉｎ  （式１）
第一の読出磁界４４の中間の磁界の強さＨでは、接合抵抗Ｒは、平行と逆平行の方向の中間の方向（−９０°＜α＜＋９０°）に調整された読出磁化２１１に対応して、高い方と低い方の接合抵抗値Ｒｍａｘ，Ｒｍｉｎの間に有る中間値を採る。図３では、そのことが、第一の極性の第一の磁界の強さＨ１と第二の極性の第二の磁界の強さＨ２で第一の読出磁界４４を印加した場合に測定される第一と第二の接合抵抗値Ｒ１とＲ２により示されている。好ましくは、第一の読出磁界４４は、図３に図示されている通り、第一と第二の接合抵抗値Ｒ１，Ｒ２が抵抗応答曲線７０の線形的な部分に含まれるような磁界とされる。言い換えると、第一の読出磁界４４は、読出操作中に、接合抵抗Ｒが次の式の変動範囲内で変化するように印加される。
【００２８】
ＶＲ＝Ｒ２−Ｒ１  （式２）
この変動範囲ＶＲは、読出操作の信頼性を向上させるように、大きくすべきである。好ましくは、この変動範囲ＶＲは、磁気トンネル接合部２の磁気抵抗ＭＲの少なくとも約２０％とすべきである。第一の読出磁界４４は、極性が交番する第一の読出電流４３を流すことにより、周期的な形態で、即ち、第一と第二の極性の間を振動する形で印加することもできる。従って、読出磁化２１１は、第二の方向６１に対して揺動する。後者の代替形態は、読出操作の速度を向上させることができる。
【００２９】
上記の開示したＭＲＡＭ素子１の利点は、読出操作中に、磁界の強さが弱い第一の読出磁界４４を印加することにより読出磁化２１１を調整できることである。そして、読出磁化２１１を第二の方向６１に対して小さい角度αだけ調整して、接合抵抗Ｒを線形的に変化させることができる（線形読出信号）。別の利点は、磁界の強さが弱い第一の読出磁界４４の印加によって、ＭＲＡＭ素子１の電力消費量を低減できることである。そのため、ＭＲＡＭ素子１の設計と製造の制御を簡略化できる。更に、読出操作中のＭＲＡＭ素子１の電力消費量を低減できる。
【００３０】
記録層２３と読出層２１の両方は、互いに結合して、記録磁化２３１に対して読出磁化２１１を逆平行に向けることを支援する（図示されていない）漂遊磁界を発生させる傾向が有る。それは、双極子結合と呼ばれる。読出層２１と記録層２３から生じる漂遊磁界の大きさは、磁気トンネル接合部２の直径に依存し、その直径が低下する程増大する。記録層２３が反強磁性層２４により異方性の方向６０に沿ってピニングされている場合、この双極子結合は磁気トンネル接合部の磁気抵抗の線形読出信号をシフトさせることとなる。この磁気抵抗の線形読出信号のソフトの大きさは、磁気トンネル接合部の直径が低下する程増大する。そのため、そのような双極子結合は、ＭＲＡＭ素子１のサイズを小さくする場合に大きな問題となる可能性が有る。
【００３１】
この双極子結合によるシフトの作用は、図４に図示されており、図３に図示された漂遊磁界が無い場合の第一と第二の磁界の強さの値Ｈ１，Ｈ２と比べて、第一と第二の磁界の強さの値Ｈ’１，Ｈ’２を抵抗応答曲線７０の左側にシフトさせる。図４に図示されている通り、第一の読出磁界４４のオフセット値Ｈ’１，Ｈ’２は、第一と第二の抵抗値Ｒ’１，Ｒ’２の差分を小さくして、変動範囲ＶＲを磁気抵抗ＭＲの２０％よりも小さくする可能性が有る。漂遊磁界が非常に大きい場合、第一の読出磁界４４のオフセット値Ｈ’１，Ｈ’２を抵抗応答曲線７０の平坦な高原領域上にまで完全にシフトさせて、変動範囲ＶＲをほぼゼロとすることさえ可能である。
【００３２】
他方において、第二の反強磁性層２０と読出層２１の間の交換結合による交換バイアスは、読出層２１の飽和磁界を上昇させる。図４は、図３の抵抗応答曲線７０と読出層２１の飽和磁界を上昇させた抵抗応答曲線７０’とを比較している。この抵抗応答曲線７０’の傾斜が緩やかになっているとともに、オフセット値Ｈ’１，Ｈ’２の第一の読出磁界４４を印加した場合に得られる第一の抵抗値Ｒ’’１と第二の抵抗値Ｒ’’２の間の差分が、変動範囲ＶＲを大きくしている。
【００３３】
一つの実施形態では、第二の反強磁性層２０は、第一の読出磁界４４を印加した場合に第二の反強磁性層２０と読出層２１の間の交換結合が抵抗応答曲線７０’をシフトさせて、変動範囲ＶＲが磁気抵抗ＭＲの少なくとも約２０％となるように構成されている。反強磁性層２０の特性を最適化することによって、第二の反強磁性層２０と読出層２１の間の交換結合を大きくするか、交換バイアスを大きくすることができる。
【００３４】
図５に図示された更に別の実施形態では、ＭＲＡＭ素子１は、更に、磁気トンネル接合部２に隣接した第二のフィールド線５を備えている。この第二のフィールド線５は、第二の読出電流５１を流して、第二の読出磁界５２を発生させるように構成されている。図５の例では、第二のフィールド線５は、第一のフィールド線４に対して、ほぼ垂直であり、磁気トンネル接合部２の逆側で隣接している。しかし、第二のフィールド線５のそれ以外の配置も可能である。例えば、磁気トンネル接合部２の第一のフィールド線４と同じ側に第二のフィールド線５を配置することもできる。第二の読出磁界５２は、第一の方向６０に対してほぼ垂直な第二の方向６１に沿って第二の磁気異方性を発生させるように構成される。より詳しくは、第二の読出磁界５２は、第一の方向６０に対してほぼ垂直な第二の方向６１に読出磁化２１１を飽和させる磁界である。図５の例では、第二の読出磁界５２は、図面の面から出て来る方向で、従って、第一の方向６０とほぼ平行な記録磁化２３１の方向に対して垂直な方向で図示されている。
【００３５】
この実施形態では、読出操作は、更に、第一の方向６０に対してほぼ垂直な第二の方向６１において読出磁化２１１を飽和させるように第二の読出磁界５２を印加する工程を有する。第一と第二の読出方向に読出磁化２１１を調整する工程は、それぞれ第一の読出磁界４４を第一と第二の読出方向に印加する工程で実現できる。この場合、第二の読出磁界５２と同時に第一の読出磁界４４を印加して、第一の読出磁界４４によって、第二の読出磁界５２によって設定される第二の方向６１に対して読出磁化２１１を調整する。
【符号の説明】
【００３６】
１        磁気ランダムアクセスメモリセル
２        磁気トンネル接合部
２０      第二の反強磁性層
２１      読出層
２１１    読出磁化
２２      トンネル障壁層
２３      合成記録層
２３１    第一の強磁性層
２３２    第二の強磁性層
２４      第一の反強磁性層
３        電流線
３１      加熱電流
４        第一のフィールド線
４１      書込電流
４２      書込磁界
４３      第一の読出電流
４４      第一の読出磁界
５        第二のフィールド線
５１      第二の読出電流
５２      第二の読出磁界
６０      第一の方向
６１      第二の方向
７０      抵抗応答曲線
７１      傾斜が緩やかな抵抗応答曲線
Ｈ        磁界の強さ
Ｒ        抵抗
Ｒ１      第一の抵抗
Ｒ２      第二の抵抗
Ｒ１／２  ゼロフィールド抵抗
Ｒｍａｘ  高い方の抵抗
Ｒｍｉｎ  低い方の抵抗
ＴＣ１    第一の臨界温度
ＴＣ２    第二の臨界温度
ＭＲ      磁気抵抗
ＶＲ      変動範囲
【図１】
2013162132.tif 000003
【図２】
2013162132.tif 000004
【図３】
2013162132.tif 000005
【図４】
2013162132.tif 000006
【図５】
2013162132.tif 000007
【外国語明細書】
2013162132000001.pdf