(57)【要約】【課題】素子が発熱することによって生じる応力を緩和することができるとともに、熱伝導率の高い熱伝導部材およびこれを備えた半導体装置を提供する。【解決手段】基準面１１と、裏側基準面１４と、のうち少なくとも一方に、主凸部１２が構成されているとともに、前記主凸部１２は、前記基準面１１または前記裏側基準面１４の中央部に形成され、前記基準面１１上または前記裏側基準面１４上に占める前記主凸部１２の先端部の面積は、当該基準面１１または当該裏側基準面１４の面積の２０％以上９０％以下であり、前記主凸部１２が形成された前記基準面１１または前記裏側基準面１４の全ての周縁が前記先端部より低くなっており、前記先端部の最も高い部分と当該周縁の最も低い部分との高低差が、当該基準面１１または当該裏側基準面１４の重心と当該重心から最も離れた当該周縁との距離の１／４００以上であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱体に積層するように設けられるとともに、当該発熱体からの熱を伝導させる熱伝導部材であって、
前記発熱体に対向する一側面において前記発熱体と向かい合う範囲である基準面と、前記発熱体に対向しない他側面において当該基準面の裏側に位置する裏側基準面と、のうち少なくとも一方の中央部に主凸部が形成されているとともに、
前記基準面上または前記裏側基準面上に形成された前記主凸部の先端部の面積は、当該基準面または当該裏側基準面の面積の２０％以上９０％以下であり、
前記主凸部が形成された前記基準面または前記裏側基準面の全ての周縁が前記先端部より低くなっており、前記先端部の最も高い部分と当該周縁の最も低い部分との高低差が、当該基準面または当該裏側基準面の重心と当該重心から最も離れた当該周縁との距離の１／４００以上であることを特徴とする熱伝導部材。
【請求項２】
前記主凸部の周りに１つ以上の副凸部が形成されており、
前記凸部が形成されている前記基準面または前記裏側基準面の中心における法線を含むように切断した切断形状において、前記副凸部のそれぞれの幅は前記主凸部の幅よりも短いことを特徴とする請求項１に記載の熱伝導部材。
【請求項３】
前記凸部の先端部の角部が外向きアール状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の熱伝導部材。
【請求項４】
前記主凸部に隣接するとともに前記凸部が形成されていない接合材の流路が、前記周縁まで連続して形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の熱伝導部材。
【請求項５】
前記副凸部は、前記凸部が形成されている前記基準面または前記裏側基準面の中心から周縁方向に向かって放射状に並ぶように形成されていることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の熱伝導部材。
【請求項６】
前記副凸部は、前記凸部が形成されている前記基準面または前記裏側基準面の中心から周縁方向に向かって渦巻状に並ぶように形成されていることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の熱伝導部材。
【請求項７】
発熱体である素子と、前記素子の一側面に接合している熱伝導部材と、を有する半導体装置であって、前記熱伝導部材は、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の熱伝導部材であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
発熱体である素子と、前記素子の一側面に接合している第１熱伝導部材と、前記第１熱伝導部材の前記素子が接合していない面に接合している絶縁部材と、前記絶縁部材の前記第１熱伝導部材が接合していない面に接合している第２熱伝導部材と、前記第２熱伝導部材の前記絶縁部材が接合していない面に接合している第３熱伝導部材と、を有する半導体装置であって、前記第１熱伝導部材、前記第２熱伝導部材、および前記第３熱伝導部材のうちの少なくとも１つが請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の熱伝導部材であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子等の発熱体が発生させる熱の伝導路となる熱伝導部材およびこれを備えた半導体装置に関し、特に、リードフレームやヒートシンク等の熱伝導部材およびこれを備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＦＷＤ（Ｆｒｅｅ  Ｗｈｅｅｌｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等の半導体素子（以下、適宜、素子という）は、動作する際に熱を発生させることから、当該熱を放熱するためにヒートシンク等の放熱器が取り付けられている。そして、素子とヒートシンクの間には、通常、素子を固定支持するリードフレーム等の部材が設けられている。
【０００３】
ここで、リードフレームやヒートシンク等の部材は、素子が発生させる熱の伝導路となる部材（以下、適宜、熱伝導部材という）であることから、熱伝導率の高い材料により構成されている。加えて、一般的に、熱伝導部材は、素子と比較すると熱膨張率の高い素材により構成されている。したがって、素子が発熱した場合は、素子と各熱伝導部材との熱膨張率の差により、部材間（素子と熱伝導部材との間、熱伝導部材同士の間）において応力が発生する。その結果、当該応力により素子と熱伝導部材との間の接合層（はんだなど）に亀裂が発生したり、剥離したり、場合によっては素子が損傷してしまうという事態を招いてしまう可能性があった。
【０００４】
上記のような応力の発生に伴う素子の損傷を防止するために、以下のような技術が創出されている。
例えば、特許文献１には、素子を搭載する部分であるダイパッド部に、複数の凸部を設けたことを特徴とするリードフレームが開示されている。
また、特許文献２には、素子と対向する面に複数の凸部を設けたヒートシンクが開示されている。
さらに、素子、各熱伝導部材を接合するために接合材が使用されるが、当該接合材により形成される接合層は、応力の緩衝材的な役割を果たすため、当該接合層を厚く形成させるという方法も存在する。
これらの技術は、部材間において発生する応力を緩和するという点で一定の効果を奏する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−２３２１８４号公報
【特許文献２】特開平２−２６０５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示された熱伝導部材（リードフレーム）は、素子と対向する面の中でも熱がこもり易い中央部において、細かな複数の凸部が形成されていることから、網の目状に形成される凹部の面積が大きくなっている。また、特許文献２に開示された熱伝導部材（ヒートシンク）も、素子と対向する面の中央部において、大きな面積の凹部が形成されている（第１図参照）。そして、これらの熱伝導部材を積層させる際には、凹部に熱伝導率の低い接合材が封入されることから、熱伝導部材の素子と対向する面の中央部の熱が積層する他の部材まで伝導し難くなってしまう。つまり、当該熱伝導部材全体として熱伝導率が低くなってしまう。その結果、素子が発する熱を外部まで伝導しにくくなるため、当該熱伝導部材を備える装置は、装置内部に熱がこもってしまい、素子内の最高温度が高くなりやすい。素子は、高温になると動作に支障を来すため、ある一定温度以上にならないよう熱伝導部材を配置して放熱性を高めるのであるが、その放熱性が十分高くない場合には、素子が扱う電力を低く制限しなければならない。
したがって、特許文献１および特許文献２に開示された技術は、熱抵抗が高くなってしまう点で好ましくない。
また、部材間の接合層を厚く形成させるという方法によると、接合層を構成するはんだなどの接合材は熱伝導率が比較的低いため、当然、厚い接合層を備える装置は、装置内部に熱がこもってしまう。したがって、当該構成も熱抵抗が高くなってしまう点で好ましくない。一方、放熱性を向上させるために当該接合層を薄く形成させてしまうと、前記した応力を緩和することができなくなってしまう。
以上より、従来の技術では、応力の緩和と、熱伝導率の向上とを両立させることができなかったことがわかる。
【０００７】
そこで、本発明は、素子等の発熱体が発熱することによって生じる応力を緩和することができるとともに、熱伝導率の高い熱伝導部材およびこれを備えた半導体装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために、本発明に係る熱伝導部材は、発熱体に積層するように設けられるとともに、当該発熱体からの熱を伝導させる熱伝導部材であって、前記発熱体に対向する一側面において前記発熱体と向かい合う範囲である基準面と、前記発熱体に対向しない他側面において当該基準面の裏側に位置する裏側基準面と、のうち少なくとも一方の中央部に主凸部が形成されているとともに、前記基準面上または前記裏側基準面上に形成された前記主凸部の先端部の面積は、当該基準面または当該裏側基準面の面積の２０％以上９０％以下であり、前記主凸部が形成された前記基準面または前記裏側基準面の全ての周縁が前記先端部より低くなっており、前記先端部の最も高い部分と当該周縁の最も低い部分との高低差が、当該基準面または当該裏側基準面（詳細には、前記主凸部が形成された当該基準面または当該裏側基準面）の重心と当該重心から最も離れた当該周縁との距離の１／４００以上であることを特徴とする。
【０００９】
この熱伝導部材によれば、基準面または裏側基準面の面積に対して２０％以上９０％以下の面積の先端部を有する主凸部が、基準面または裏側基準面において最も熱がこもり易い中央部に形成されていることから、当該主凸部を通じて適切に熱（発熱体が発生させる熱）を伝導することができる。
また、当該主凸部の先端部の面積は、基準面または裏側基準面の面積の９０％以下であるとともに、基準面または裏側基準面のうち周縁は、先端部より低くなっていることから、熱伝導部材を積層させる際に、応力（引張応力や圧縮応力）が一番大きくなる当該周縁には応力の緩衝材的な役割を果たす接合材が厚く封入されることになるため、適切に応力を緩和することができる。
さらに、主凸部の先端部の最も高い部分と周縁の最も低い部分との高低差を、基準面または裏側基準面の重心と当該重心から最も離れた当該周縁との距離の１／４００以上とすることにより、主凸部の設けられていない箇所（周縁等）に応力の緩衝材的な役割を果たす接合材を厚く封入することができるため、適切な応力の緩和という効果を確保することができる。
加えて、基準面または裏側基準面の面積に対して２０％以上の面積の先端部を有する主凸部が、基準面または裏側基準面の中央部に形成されていることから、熱伝導部材の中央部の剛性が向上する。その結果、熱伝導部材は歪みが生じにくくなるため、熱による応力を緩和することができる。
【００１０】
また、本発明に係る熱伝導部材は、前記主凸部の周りに１つ以上の副凸部が形成されており、前記凸部が形成されている前記基準面または前記裏側基準面の中心における法線を含むように切断した切断形状において、前記副凸部のそれぞれの幅は前記主凸部の幅よりも短いことが好ましい。
【００１１】
この熱伝導部材によれば、主凸部の周りに副凸部を設けるとともに、基準面または裏側基準面の中心を通るように切断した切断形状において、当該副凸部の幅は主凸部の幅よりも短いことから、当該副凸部は、前記した応力の緩和を損ねることなく、一定の幅を有する当該副凸部を通じて適切に熱を伝導することができる。また、主凸部のみであれば接合時に発熱体（素子）が傾きやすくなるが、これを補うことができる。
【００１２】
また、本発明に係る熱伝導部材は、前記凸部の先端部の角部が外向きアール状に形成されていることが好ましい。
【００１３】
この熱伝導部材によれば、凸部の先端部の角部が外向きアール状に形成されていることから、当該角部に集中する応力を分散させ応力のピーク値を下げることができる。その結果、発熱体からの熱により熱伝導部材が湾曲した場合であっても、凸部の先端部の角部を基点として亀裂が発生してしまうような状況を回避することができる。
【００１４】
また、本発明に係る熱伝導部材は、前記主凸部に隣接するとともに前記凸部が形成されていない接合材の流路が、前記周縁まで連続して形成されていることが好ましい。
【００１５】
この熱伝導部材によれば、主凸部に隣接する接合材の流路（凸部が形成されていない箇所）が周縁まで連続して形成されていることから、はんだなどの接合材を挟んでリフロー接合させる際に、フラックスや気泡が外部に抜けやすくなる。また、少量、内部に取り残される気泡があったとしても、主に熱伝導を担う凸部からそれ以外の部分に抜けやすくなるため、気泡が熱伝導に与える影響を低減できる。さらに、接合材を周縁の一端から他端に向けて流し込む方法をとる場合にも、ボイド（微小な空洞）を生じさせることなく適切に接合作業（部材間を接合材で満たし接合する作業）を行うことができる。
【００１６】
また、本発明に係る熱伝導部材は、前記副凸部が、前記凸部が形成されている前記基準面または前記裏側基準面の中心から周縁方向に向かって放射状に並ぶように形成されていることが好ましい。
【００１７】
熱伝導部材の熱伝導は、発熱体と対向する一側面（基準面が存在する面）から対向しない他側面（裏側基準面が存在する面）方向に生じるとともに、中央部から周縁方向に生じる。この熱伝導部材によれば、副凸部が、基準面または裏側基準面の中心から周縁方向に向かって放射状に並んでいることから、前記の中央部から周縁方向に生じる熱伝導をほとんど妨げることなく熱を拡散することができる。つまり、適切に熱を伝導させることができる。
【００１８】
また、本発明に係る熱伝導部材は、前記副凸部が、前記凸部が形成されている前記基準面または前記裏側基準面の中心から周縁方向に向かって渦巻状に並ぶように形成されていることが好ましい。
【００１９】
熱伝導部材の基準面または裏側基準面では、発熱体が発生させる熱によって、当該面と平行であるとともに中央部から周縁方向に向かって放射状かつ直線状にせん断応力が発生する。この熱伝導部材によれば、副凸部が、基準面または裏側基準面の中心から周縁方向に向かって渦巻状に並ぶ、つまり、副凸部が、せん断応力の応力ベクトルの方向に沿わないことから、せん断応力を低下させることができる。
【００２０】
本発明に係る半導体装置は、発熱体である素子と、前記素子の一側面に接合している前記熱伝導部材と、を有する半導体装置であることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体装置は、発熱体である素子と、前記素子の一側面に接合している第１熱伝導部材と、前記第１熱伝導部材の前記素子が接合していない面に接合している絶縁部材と、前記絶縁部材の前記第１熱伝導部材が接合していない面に接合している第２熱伝導部材と、前記第２熱伝導部材の前記絶縁部材が接合していない面に接合している第３熱伝導部材と、を有する半導体装置であって、前記第１熱伝導部材、前記第２熱伝導部材、および前記第３熱伝導部材のうちの少なくとも１つが前記熱伝導部材であることを特徴とする。
【００２１】
この半導体装置によれば、備えている熱伝導部材のうちの少なくとも１つは、熱伝導率が高いとともに、発熱体（素子）が発熱することによって生じる応力を緩和することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る熱伝導部材によれば、基準面または裏側基準面の所定位置に所定以上の面積を占める主凸部が形成されていることから、適切に熱を伝導することができる。また、主凸部は所定以下の面積であるとともに、所定以上の高さ（主凸部の先端部の最も高い部分と周縁の最も低い部分との高低差）であり、かつ、応力（引張応力や圧縮応力）が一番大きくなる基準面または裏側基準面の周縁には凸部が形成されていないことから、適切に応力を緩和することができる。
加えて、所定以上の面積を占める主凸部が形成されていることから、熱伝導部材の中央部の剛性が向上することで、歪みが生じにくくなり、その結果、熱による応力を緩和することができる。
したがって、本発明に係る熱伝導部材は、発熱体が発熱することによって生じる応力を緩和することができるとともに、適切に熱を伝導することができる。つまり、応力の緩和と、熱伝導率の向上とを両立させることができる。
【００２３】
さらに、本発明に係る熱伝導部材によれば、所定の幅を有する副凸部を設けることにより、前記した応力の緩和を損ねることなく、当該副凸部を通じて適切に熱を伝導することができる。
【００２４】
また、本発明に係る熱伝導部材によれば、凸部の先端部の角部が外向きアール状に形成されていることから、凸部の先端部の角部を基点として亀裂が発生してしまうような状況を回避することができる。したがって、熱伝導部材および当該熱伝導部材を用いた半導体装置の耐久性を向上させることができる。
【００２５】
さらに、本発明に係る熱伝導部材によれば、ボイド（微小な空洞）を生じさせることなく適切に接合作業（部材間を接合材で満たし接合する作業）を行うことができる。したがって、当該熱伝導部材を用いた半導体装置の製造時の歩留まりを向上させることができる。
【００２６】
またさらに、本発明に係る熱伝導部材によれば、副凸部が、基準面または裏側基準面の中心から周縁方向に向かって放射状に並んでいることから、中央部から周縁方向に生じる熱伝導をほとんど妨げることなく適切に熱を伝導させることができる。したがって、熱の伝導性をさらに向上させることができる。
【００２７】
加えて、本発明に係る熱伝導部材によれば、副凸部が、基準面または裏側基準面の中心から周縁方向に向かって放射状ではなく渦巻状に並ぶことから、せん断応力を低下させることができる。したがって、熱伝導部材および当該熱伝導部材を用いた半導体装置の耐久性をさらに向上させることができる。
【００２８】
本発明に係る半導体装置によれば、備えている熱伝導部材のうちの少なくとも１つは、熱伝導率が高いとともに、発熱体（素子）が発熱することによって生じる応力を緩和することができる。したがって、半導体装置全体として、応力の緩和と、熱伝導率の向上とを両立させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る熱伝導部材の構造を示した斜視図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る熱伝導部材の構造を示した斜視図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る熱伝導部材の平面図である。
【図４】（ａ）は本発明の第２実施形態に係る熱伝導部材の断面図であり、（ｂ）〜（ｄ）は熱伝導部材の応用例を示した断面拡大図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第２実施形態に係る熱伝導部材の基準面または裏側基準面に設けられた凸部の応用例である。
【図６】（ａ）は本発明の第２実施形態に係る半導体装置の断面図であり、（ｂ）、（ｃ）は半導体装置の応用例を示した断面図である。
【図７】本発明の実施例および比較例に係る熱伝導部材のはんだ層ミーゼス応力最大値および熱抵抗の結果を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施するための形態を、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。
≪熱伝導部材について≫
まず、熱伝導部材１について説明する。
熱伝導部材１とは、発熱体２と積層するように設けられるとともに、当該発熱体２からの熱を伝導させる部材、つまり、発熱体２からの熱の伝導路となる部材である。例えば、熱伝導部材１とは、電流経路となる金属板であって、発熱体２を接合材を介して支持固定し、外部配線との接続を行うリードフレーム（図６の第１熱伝導部材１）や、発熱体２の発する熱を放熱するヒートシンク（図６の第３熱伝導部材６）である。また、熱伝導部材１とは、発熱体２とヒートシンク６との間で熱の伝導路となるアルミ板または銅板等の板材（図６の第２熱伝導部材５）である。また、熱伝導部材１とは、図６の絶縁部材４である。
【００３１】
なお、熱伝導部材１がリードフレームである場合は（図６の第１熱伝導部材１）、発熱体２を支持固定するダイパッド部の周りにワイヤ等を介して接続されるリード部を有していてもよい。また、熱伝導部材６がヒートシンクである場合は（図６の第３熱伝導部材６）、発熱体２と対向しない面が剣山状、蛇腹状等のように放熱し易い形状となっていてもよい。
そして、熱伝導部材の材料は特に限定されないが、例えば、銅、アルミニウムまたはこれらの合金、ダイヤモンド、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、アルミナ等といった熱伝導率の高い材料が用いられる。
【００３２】
＜熱伝導部材の全体構成＞
図１に示すように、熱伝導部材１は、発熱体２に対向する面内において当該発熱体２と向かい合う範囲である基準面１１の中央部に、主凸部１２が形成されている。
【００３３】
＜主凸部＞
主凸部１２とは、図１に示すように、基準面１１の中央部に形成される凸部である。
基準面１１上に占める主凸部１２の先端部の面積は、基準面１１の面積の２０％以上９０％以下である。基準面１１上に占める主凸部１２の先端部の面積が、基準面１１の面積の２０％未満であると、最も熱がこもり易い基準面１１の中央部の熱伝導率が低下するため、熱伝導部材１全体としての熱伝導率が十分に低下しなくなるからである。一方、基準面１１上に占める主凸部１２の先端部の面積が、基準面１１の面積の９０％を超えると、応力が大きくなる基準面１１の周縁方向にまで主凸部１２が形成されてしまうことにより、緩衝材的な役割を果たす接合材を周縁方向に厚く形成させることができず、応力を十分に緩和することができなくなるからである。
好ましくは、基準面１１上に占める主凸部１２の先端部の面積は、基準面１１の面積の３０％以上６０％以下である。当該範囲とすることにより、応力の緩和と熱伝導率の向上とをより確実に両立させることができる。
【００３４】
なお、主凸部１２は、先端部が平坦なものもあるが、先端部が平坦でないものもある。先端部が平坦ではない場合は、主凸部１２の先端部とは、板状を呈する熱伝導部材１の表面を基準として、先端部の最も高い部分から所定長さ低くなった部分までを先端部と判断する。そして、当該所定長さとは、基準面１１の周縁上の２点を繋ぐ線分のうち、最も長い線分の１／１０００の長さである。例えば、基準面１１が長方形の場合は、所定長さは対角線の長さの１／１０００となる。
なお、基準面１１の周縁とは、基準面１１の周縁端、つまり、基準面１１の二点鎖線の部分（図１、２参照）である。
【００３５】
ここで、「中央部に形成される」とは、基準面１１の形状にもよるが、例えば、基準面１１の平面視の形状（法線方向から見た形状）が正方形または長方形であった場合、つまり、発熱体２の平面視の形状が正方形または長方形であった場合、基準面１１の重心を含むように形成されるという意図であり、詳細には、基準面１１の中心（重心）と同じ位置（略同じ位置）に中心を有するとともに、当該基準面１１と相似形（略相似形）であり、且つ、当該基準面１１の１／１０の面積である範囲を含むように形成されるという意図である。
そして、「中央部に形成される」については、基準面１１の平面視の形状が正方形および長方形以外であった場合も上記と同様の基準で判断すればよい。
【００３６】
なお、主凸部１２の設置位置を基準面１１（または裏側基準面１４）の中央部とした意図は以下のとおりである。
図１に示すように、熱伝導部材１に、板状で内部構造がほぼ均一な発熱体２を接合する場合を想定すると、発熱体２の動作中、発熱体２全体がほぼ均一に発熱すると考えられる。このとき、周辺部は、放射あるいは伝熱により熱が拡散しやすいため温度がよく下がるが、熱が高い方から低い方へ伝わる自然法則の結果、発熱体２の面の中心、即ち幾何学的重心が最も高温になる。ここで、発熱体２の動作限界は最高温度の値により決定される。すなわち、動作限界を向上させるためには、最も温度が高くなる部分の温度を下げてやればよい。本発明に係る熱伝導部材１は、最も温度が高くなる発熱体２の中心に対応する基準面１１（または裏側基準面１４）の中央部に主凸部１２を形成させることで、法線方向（Ｏ軸方向）における熱伝導部材１の当該中央部が厚くなるとともに当該中央部の上に形成される接合層３が薄くなる。そして、熱伝導部材１は、接合層３よりも熱伝導率が高い。したがって、熱伝導部材１の基準面１１（または裏側基準面１４）の中央部では、熱伝導があまり妨げられることなく法線方向に熱が伝導する。その結果、熱伝導部材１の基準面１１（または裏側基準面１４）の中央部の熱伝導率が向上する、つまり放熱性が向上することにより、発熱体２の最高温度を下げ動作限界を向上させることができる。
【００３７】
なお、熱伝導部材１の主凸部１２の設置位置は、発熱体２が動作することにより最も温度の高くなる部分の温度を下げればよいという観点から考えると、熱伝導部材１の発熱体２と対向する面（または、対向しない面）において最も温度が高くなる位置（発熱中心）であると規定することもできる。
【００３８】
主凸部１２と周縁との高低差（主凸部１２の高さ）は、目標とする最高温と最大応力とを指標に適宜設計することができるが、特に発熱体２の大きさ、つまり、基準面１１の大きさに依存する。発熱体２が大きくなるほど中心と周辺の温度差が大きく、最大応力も大きくなるため、主凸部１２と周縁との高低差を大きく設ける必要がある。
よって、板状を呈する熱伝導部材１の表面を高さの基準とした場合、主凸部１２の先端部の最も高い部分と周縁の最も低い部分との高低差（図４のｈ等参照）は、基準面１１の重心と当該重心から最も離れた周縁との距離の１／４００以上である。なお、１／２００以上が好ましい。
一方、主凸部１２の先端部の最も高い部分と周縁の最も低い部分との高低差（図４のｈ等参照）の上限については、特に限定されないが、熱伝導率の低下を防止するため、基準面１１の重心と当該重心から最も離れた周縁との距離の１／１０以下であることが好ましい。
なお、ここでの高低は、熱伝導部材１表面を基準として、当該表面に対して垂直方向外方に突出すればするほど高く、突出していなければしていないほど低いという意図である。
【００３９】
熱伝導部材１は、図２に示すように、主凸部１２と、主凸部１２の周りに１つ以上の副凸部１３とが形成されていることが好ましい。
＜副凸部＞
副凸部１３とは、主凸部１２の周りに１つ以上形成される凸部である。
副凸部１３は、基準面１１の周縁部には形成されていないことが好ましい。このような構成により、熱伝導部材１を積層させる際に、応力が一番大きくなる当該周縁部には応力の緩衝材的な役割を果たす接合材が封入されることになるため、適切に応力を緩和することができる。
ここで、基準面１１の周縁部とは、基準面１１の中心（重心）と同じ位置に中心を有するとともに、当該基準面１１と相似形であり、且つ、当該基準面１１の９／１０の面積を有する範囲の周縁（周縁端）と、基準面１１の周縁（周縁端）と、に囲まれる範囲である。
なお、副凸部１３を設ける場合は、基準面１１上に占める主凸部１２と副凸部１３の先端部の合計面積は、基準面１１の面積の２０％以上９０％以下であることが好ましく、３０％以上であることが特に好ましい。当該範囲とすることにより、応力の緩和と熱伝導率の向上とをさらに確実に両立させることができる。
【００４０】
＜主凸部と副凸部との関係＞
図４（ａ）に示すように、凸部１２、１３が形成されている基準面１１の中心における法線（Ｏ軸）を含むように切断した切断形状において、副凸部１３のそれぞれの幅（Ｌ１３）が主凸部１２の幅（Ｌ１２）よりも短くなるように形成されている。そして、図３に示すように、基準面１１の中心における法線を含むように何れの方向から切断した切断形状においても、副凸部１３のそれぞれの幅（Ｌ１３）が主凸部１２の幅（Ｌ１２）よりも短くなるように形成されている。なお、基準面１１の中心における法線を含むように切断した切断形状において、副凸部１３が存在しない部分があっても問題はない。
【００４１】
主凸部１２と副凸部１３との関係を前記のように規定した理由は、基準面１１の中心から周縁方向に応力が大きくなるため、当該方向において、主凸部１２の幅（Ｌ１２）よりも幅の長い副凸部１３を形成させると、応力の緩衝材的な役割を果たす接合層３が薄く形成されることとなり、応力を緩和できなくなるからである。
なお、基準面１１の中心における法線を含むように切断した切断形状において、副凸部１３が複数形成されている場合であっても、これらの副凸部１３の幅（Ｌ１３）のそれぞれが主凸部１２の幅（Ｌ１２）よりも短ければ、副凸部１３の形成されていない部分に接合層３が厚く形成されることで、問題なく応力を緩和することができる。
なお、中心とは、略中心であってもよく、例えば、基準面１１（または、裏側基準面１４）が正方形または長方形の場合は、面の幾何学的重心（略重心）である。
【００４２】
以上、図１、図２、図３および図４（ａ）を用いて熱伝導部材１を説明したが、熱伝導部材１の「主凸部と副凸部との平面視の形状等」、「主凸部と副凸部との断面視の形状」について、以下に示すような応用例の構成について説明する。
【００４３】
＜主凸部の平面視の形状＞
主凸部１２の平面視の形状は、図３および図５に示すように、基準面１１の略相似形であるとともに、角部は外向きアール状を呈する。角部は直角に形成されていてもよいが、角部が外向きアール状に形成されていることにより、当該角部に集中する応力を分散させ応力のピーク値を下げることができる。そして、応力のピーク値をできる限り下げるため、当該角部の曲率半径は大きい方が好ましい。
【００４４】
＜副凸部の平面視の形状および設置位置＞
副凸部１３の平面視の形状は、図５（ａ）に示すように、円であってもよいし、図５（ｂ）に示すように、角部が外向きアール状を呈する長方形であってもよい。副凸部１３の平面視の各形状が円等である場合、角が存在しないことから、応力が集中し難くなり応力のピーク値を下げることができる。
【００４５】
そして、副凸部１３の平面視の形状は、図５（ｃ）に示すように、主凸部１２を取り囲むようなドーナツ状のものであってもよい。ただし、図５（ｄ）に示すように、主凸部１２に隣接するとともに凸部１２、１３が形成されていない接合材の流路が、基準面１１の周縁まで連続するように副凸部１３が形成されていることが好ましい。主凸部１２に隣接する接合材の流路（凸部が形成されていない箇所）が周縁まで連続して形成されていることにより、図５（ｃ）の形状と比較し、図５（ｄ）の形状の方が、接合材をリフローさせる際に、フラックスやボイドを外へ排出させやすい。また、接合材を周縁の一端から他端に向かい流し込む際に、ボイド（微小な空洞）を生じさせることなく適切に接合作業（部材間を接合材で満たし接合する作業）を行うことができるからである。
【００４６】
副凸部１３は、図５（ａ）に示すように、基準面１１の周縁と並列に規則正しく形成されていてもよいが、図５（ｅ）に示すように、基準面１１の中心から周縁方向に向かって放射状かつ直線状に並ぶように形成されていることが好ましい。副凸部１３が、基準面１１の中心から周縁方向に向かって放射状かつ直線状に並んでいることから、中央部から周縁方向に生じる熱伝導をほとんど妨げることなく熱を拡散することができるからである。
なお、中心とは、略中心であってもよく、例えば、基準面１１が正方形または長方形の場合は、重心（略重心）である。
【００４７】
さらに、副凸部１３は、図５（ｆ）に示すように、基準面１１の中心から周縁方向に向かって渦巻状に並ぶように形成されていることが好ましい。副凸部１３が、基準面１１の中心から周縁方向に向かって渦巻状に並ぶことにより、副凸部１３が、せん断応力の応力ベクトルの方向に沿わないことから、せん断応力を低下させることができる。
【００４８】
なお、副凸部１３は、図５（ａ）〜（ｆ）を適宜組み合わせたり変形させたりして、形成させてもよい。例えば、副凸部１３を図５（ｆ）に示すような位置に形成させるとともに、各副凸部１３の平面視の形状を円または楕円にしてもよい。また、例えば、図５（ｅ）の各副凸部１３の平面視の略長方形の角部を外向きアール状にしてもよい。
さらに、応力が、基準面１１の中央部から周縁方向に向かって大きくなることを考慮し、基準面１１の中央部の近くに形成される副凸部１３は、平面視の面積が大きく、周縁方向に向かうにしたがい、平面視の面積が小さな副凸部１３を形成してもよい。
【００４９】
＜主凸部と副凸部との断面視の形状＞
凸部１２、１３の断面視の形状については、図４（ａ）に示すような長方形であってもよいが、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように、凸部１２、１３の突出端（先端部）の角部は、外向きアール状に形成されていることが好ましい。このように凸部１２、１３が形成されていることにより、角部に集中する応力を分散させ応力のピーク値を下げることができる。その結果、発熱体２からの熱により熱伝導部材が湾曲した場合であっても、突出端の角部を基点として亀裂が発生してしまうような状況を回避することができるからである。そして、応力のピーク値をできる限り下げるため、当該角部の曲率半径（これをｒとする）は大きい方が好ましい。
【００５０】
なお、曲率半径ｒは凸部１２、１３の角部全体において同じ値である必要はない。しかし、曲率半径ｒの最小値に関しては、凸部１２、１３の高さをｈ、凸部１２、１３の中心から凸部１２、１３の端までの距離をｄとし、Ｒ＝（ｄ２＋ｈ２)／２ｈ（凸部１２、１３全体が１つの円周の一部になった場合の曲率半径）と定義した場合、ｈ≦ｒ≦Ｒを満たすのが好ましく、より好ましくは、２ｈ≦ｒ≦Ｒ／２である。
曲率半径の最小値がｈ未満であると、実質的に角部が「直角」に近くなり外向きアール状とする効果はほとんどない。一方、曲率半径の最小値がＲを超えると凸部１２、１３の突出端において発熱体２に対し平行な面の面積が小さくなり、熱伝導率が低下するだけでなく、接合時に加圧した場合、凸部１２、１３の突出端に応力が集中し、当該箇所を起点として発熱体２が割れてしまうおそれがある。
【００５１】
また、図４（ｄ）に示すように、凸部１２、１３の隅部（熱伝導部材１の表面と連接する部分）が内向きアール状であることが好ましい。このように凸部１２、１３が形成されていることにより、接合材をリフローさせる際に、接合材が隅まで流動しやすいため、ボイドが滞留しにくく、良好な接合面を形成させることができる。また、基準面１１の周縁の一端から他端に向けて接合材を流し込む際に、凸部１２、１３の表面を沿わせて接合材を適切に流し込むことができる。その結果、ボイドを生じさせることなく適切に接合作業を行うことができる。
【００５２】
なお、前記した主凸部１２の高さ（主凸部１２と周縁との高低差）と同様、副凸部１３の高さも、板状を呈する熱伝導部材１の表面を基準とした場合に、副凸部１３の先端部の最も高い部分と周縁の最も低い部分との高低差（図４のｈ参照）は、基準面１１の重心と当該重心から最も離れた周縁との距離の１／４００以上となっていればよい。好ましくは１／２００以上であり、１／１０以下であることが好ましい。
【００５３】
以上、熱伝導部材１の主凸部１２または主凸部１２および副凸部１３が、発熱体２と対向する面（基準面１１が存在する面）に形成される場合について説明したが、発熱体２と対向しない面（裏側基準面１４が存在する面）に形成されていてもよい。主凸部１２または主凸部１２および副凸部１３が、発熱体２と対向しない面に形成されていても、発熱体２と対向する面に形成されている場合と同様の効果を奏することができる。なお、裏側基準面１４とは、発熱体２と対向しない面において基準面１１の裏側に位置する範囲である（図４（ａ）参照）。
また、熱伝導部材１は、発熱体２と対向する面、および発熱体２と対向しない面の両面に凸部１２、１３が形成されていてもよい。
【００５４】
また、熱伝導部材１の面に対して１つの発熱体２を搭載させる場合について説明したが、複数の発熱体２を当該面に対して並列に搭載させてもよい。
この場合は、熱伝導部材１の発熱体２と対向する面の中央部に主凸部１２を形成させるのではなく、各発熱体２に対応する各基準面１１（または各裏側基準面１４）の中央部にそれぞれ主凸部１２を形成させることとなる。このように主凸部１２を形成させることにより、各発熱体２の温度をそれぞれ下げることができる。
また、熱伝導部材１の一側面に対向するように発熱体２を搭載するとともに、他側面にも対向するように発熱体２を搭載する、つまり、熱伝導部材１の両面に発熱体２を搭載してもよい。当該場合は、各発熱体２と対向する各基準面１１（両面）に凸部１２、１３をそれぞれ形成させればよい。
【００５５】
≪発熱体について≫
発熱体２とは、熱を発する部材であり、例えば、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＦＷＤ（Ｆｒｅｅ  Ｗｈｅｅｌｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）、整流ダイオード、トランジスタ等の半導体素子（素子）であり、通常、動作する際に熱を発生させる電子部品である。
発熱体２の大きさや形状については特に限定されないが、平面視の形状が略長方形の板状を呈するものが一般的である。
【００５６】
≪接合材（接合層）について≫
接合材とは、発熱体２、熱伝導部材１等を互いに接合する部材である。接合材は部材間（発熱体２と熱伝導部材１との間、熱伝導部材１同士の間、熱伝導部材１と絶縁部材４等の他部材との間）に封入され、接合層３を形成する。なお、接合材は、例えば、はんだ、樹脂、鑞等であり、比較的軟化温度が低く軟らかいことから応力に対して緩衝材的な役割を果たす。
部材間に形成される接合層の厚さについては、発熱体２の大きさ、発熱量等によって異なり特に限定されないが、凸部１２、１３の存在する箇所の接合層の厚さは、１μｍ〜１０μｍ、凸部１２、１３の存在しない箇所の接合層の厚さは、５０μｍ〜２００μｍが好ましい。
【００５７】
≪半導体装置について≫
半導体装置２０とは、半導体素子（発熱体２）を備える装置であり、ひとまとまりの機能（例えば、電力制御機能）を持ったモジュールである。
半導体装置２０は、図１、図２、図４（ａ）に示すように、発熱体２と、発熱体２の一側面に接合している熱伝導部材１と、を有する装置である。
また、半導体装置２０は、図６に示すように、発熱体２と、発熱体２の一側面に接合している第１熱伝導部材１と、第１熱伝導部材１の発熱体２が接合していない面に接合している絶縁部材４と、絶縁部材４の第１熱伝導部材１が接合していない面に接合している第２熱伝導部材５と、第２熱伝導部材５の絶縁部材４が接合していない面に接合している第３熱伝導部材６と、を有する装置である。そして、第１熱伝導部材１、第２熱伝導部材５、および第３熱伝導部材６のうちの少なくとも１つが前記した熱伝導部材である。
【００５８】
なお、図６（ａ）に示すように、半導体装置２０は、第１熱伝導部材１の上側の面（発熱体２と対向する面）と、第２熱伝導部材５の下側の面（発熱体２と対向しない面）とに凸部１２、１３が形成されていてもよい。また、半導体装置２０は、図６（ｂ）に示すように、第１熱伝導部材１の上側の面と、第３熱伝導部材６の上側の面とに凸部１２、１３が形成されていてもよい。そして、図６（ｃ）に示すように、半導体装置２０は、発熱体２の上側に積層するように、さらに下側の面に凸部１２、１３が形成された第４熱伝導部材７を設けてもよい。
このように、半導体装置２０は、素子２と積層するように設けられる１以上の熱伝導部材のうち少なくとも１つが前記した熱伝導部材であることにより、半導体装置２０全体として、応力の緩和と、熱伝導率の向上とを両立させることができる。
なお、図６において、第１熱伝導部材１および第２熱伝導部材５と絶縁部材４との間の接合層３については省略している。
【００５９】
≪半導体装置が動作する際の熱伝導と応力について≫
半導体装置２０が動作する際の熱伝導と応力について、図６（ａ）の半導体装置２０を用いて説明する。
発熱体である素子２の動作が開始すると、素子２全体がほぼ均一に発熱する。この熱が、接合層３を介して第１熱伝導部材１、絶縁部材４、第２熱伝導部材５、第３熱伝導部材６へと、伝達する。そして、上方から下方に熱が伝導するとともに、中央部から周縁方向に熱が拡散伝導することにより、面方向では中央部が高温、法線方向では素子２側が高温の温度分布ができる。
各部材の接合部が自由に動くとすれば、この温度分布により、第１熱伝導部材１、第２熱伝導部材５、第３熱伝導部材６の素子２側に近い面の方が高温であるからより大きく膨張し、周縁は下方に反り返る方向に応力が働くのであるが、実際には各部材が接合されているため、熱膨張係数の差の影響を受ける。即ち、素子２が第１熱伝導部材１等より熱膨張係数が小さく、発熱により室温から温度上昇すると、素子２より第１熱伝導部材１等の方がより大きく膨張し、第１熱伝導部材１の周縁は、素子２の周縁から外側へ離れる方向に変位するため、接合層３には、接合面と平行であるとともに中央部から周縁方向に向かって放射状かつ直線状に引張せん断応力が発生する。このとき同時に、中央より周縁が上に反る方向に変位する。
【００６０】
一方、素子２の動作が停止すると、半導体装置２０全体の温度が下がることから、変位が元の状態に戻る。このとき、やはり熱膨張係数の差により、第１熱伝導部材１等が素子２より収縮するため、接合層３との接合面に平行であるとともに中央部から周縁方向に向かって放射状かつ直線状かつ、前記昇温時とは向きが逆のせん断応力が発生する。
【００６１】
本発明に係る熱伝導部材１および半導体装置２０によると、所定以上の面積を占める主凸部１２が、基準面１１（または裏側基準面１４）において最も熱がこもり易い中央部に形成されていることから、当該主凸部を通じて適切に熱を下方の部材に伝導することができ、素子２中央の温度を下げることができる。即ち、仮に素子２の発熱量を同じとすれば、その最高温を下げることができる。一方通常は、素子２は、温度分布に依らず、最高温により動作電力が制限されるため、素子２の最高温が同じになるように動作させるとすれば、動作電力を引き上げることも可能である。ただしこの時、熱抵抗が低くなる中央部と比べ、周縁部の熱抵抗は高いため、凸部から離れた部分の温度はやや上昇する。したがって周縁部のせん断応力は、凸部無しであって接合層３の厚さが前記凸部有りの場合の周縁部と同じ場合と比べ、若干上昇する場合もあり得る。
【００６２】
また、主凸部１２は所定以下の面積であるとともに、基準面１１（または裏側基準面１４）のうち周縁には副凸部１３が形成されていないことから、接合層３が受ける応力が一番大きくなる当該周縁には応力の緩衝材的な役割を果たす接合層３が厚く形成されることになるため、適切に応力を緩和することができる。
またこのとき、主凸部１２の面積が大きいほどその部分の熱抵抗を下げる効果があるが、主凸部１２の設けられた部分の接合層３の厚さは薄いため、応力緩衝効果が低下しており、凸部の周縁部では応力が高くなる。しかしながら、主凸部１２の面積を所定以下にすることにより、主凸部１２の接合層３における応力の最大値を素子２の周縁部の位置の応力より小さくすることができる。
即ち、応力最大値を増大させないために主凸部１２の面積を制限する必要があるが、反面、周縁部の熱抵抗はさほど変化しないため、最高温の低減効果は限定的である。また、素子２より面積が小さい主凸部１２が中央部にあることにより、接合時などに素子２が傾きやすくなる可能性がある。そこで、所定幅の副凸部１３を主凸部１２の周りに形成させることにより、前記した応力の緩和を損ねることなく、中央部から周縁方向に伝導した熱を、当該副凸部１３を通じて下方の部材に伝導することができる。即ち、最高温低減効果を向上できる。さらに、接合時などの素子２の傾きも防止できる。
その他、はんだなどを用いた接合層３の溶融接合の場合、理想的にはフラックスやボイドが全くなく接合することが望ましいが、素子２の面積が大きくなるほどフラックスやボイドが接合面から外に抜けにくい。仮にフラックスやボイドが排出されなかったとしても、凸部１２、１３があることにより、これを避けて凹部に集まり、その部分で熱抵抗が若干上がるものの、熱がこもりやすい素子２の中央部の放熱性は、主凸部１２により確保できる。
加えて、所定以上の面積を占める主凸部１２が、基準面１１（または裏側基準面１４）の中央部に形成されていることから、第１熱伝導部材１等の中央部の剛性が向上する。その結果、第１熱伝導部材１等は歪みが生じにくくなるため、第１熱伝導部材１等の反り返りを制限することができる。
なお、副凸部１３が、基準面１１（または裏側基準面１４）の中心から周縁方向に向かって渦巻状に形成している場合は、副凸部１３が、せん断応力の応力ベクトルの方向に沿わなくなる。その結果、せん断応力についても低下させることができる。
【００６３】
以上、本発明に係る実施形態について説明したが、本発明はこれらに限定されず、発明の主旨に応じた適宜の変更実施が可能である。また本発明では、熱抵抗と応力緩和を両立させることが最も象徴的な効果であるが、熱抵抗と応力緩和のどちらを重視するかによりいずれかを強調してもよく、それは本発明の規定する範囲において凸の配置、形状、面積、高さを適宜調整することにより容易に達成することができる。
【実施例】
【００６４】
次に、本発明に係る熱伝導部材について、本発明の規定する構成の熱伝導部材（実施例）を用いてシミュレーションを行った結果と、本発明の規定する構成ではない熱伝導部材（比較例）を用いてシミュレーションを行った結果とを対比して具体的に説明する。
【００６５】
＜熱伝導部材＞
実施例に係る熱伝導部材は、図１、図２に示すように、基準面の中央部に主凸部が形成されるもの（試験体３、７〜９）、主凸部と１６個の副凸部が形成されるもの（試験体１、２）を用いた。
一方、比較例に係る熱伝導部材は、基準面に全く凸部が形成されていないもの（試験体４〜６）、主凸部の先端部の面積が本発明の規定する範囲外のもの（試験体１０、１１）を用いた。
なお、熱伝導部材は、銅板（純銅：縦１２ｍｍ×横１２ｍｍ）であるとともに、凸部が形成されている部分の厚さが１．１４ｍｍ、凸部が形成されていない部分の厚さが１．００ｍｍであった。
その他、詳細な熱伝導部材の形状については、表１に示した。なお、表１中の「凸部面積比」とは、基準面の面積に対する主凸部および副凸部の先端部の合計面積の比率であり、「主凸部面積比」とは、基準面の面積に対する主凸部の先端部の面積の比率である。「凸側面傾斜」とは、基準面と凸部の側面とが成す角度である。「主（副）凸先端部１辺」とは、凸部の先端部の１辺の長さのことであり、「主（副）凸基端部１辺」とは、凸部の基端部の１辺の長さのことである。
【００６６】
＜半導体装置＞
半導体装置として、図１、図２に示すように、平面視の形状が正方形のＳｉ素子（縦１０ｍｍ×横１０ｍｍ×高さ０．１５ｍｍ：発熱量５０００Ｗ／ｃｍ３）を搭載したと仮定した。そして、発熱は素子全体で均一に起こると近似した。そして、Ｓｉ素子と前記した熱伝導部材との間に接合層を設けた。前記接合層は、基準面と同じ大きさで、表1に記載する厚さの鉛フリーはんだ（組成Ｓｎ−３％Ａｇ−０．５％Ｃｕ）とした。また、シミュレーションを容易にするため、前記素子、接合層、および熱伝導部材は平面視において全て軸対称とし接合面は完全に密着することとし、凸部の形状は、平面視においては正方形、断面視においては台形または長方形とした。そして、熱伝導部材裏面は、６０℃の水により熱伝達係数２００００Ｗ／ｍ２／Ｋで冷却されていると仮定してシミュレーションを行った。
なお、実際の半導体装置等は形状や配置の対称性は下がる場合の方が多いが、本発明の有効性の原理確認は可能であり、その結果を実際の半導体装置等へ原理を拡張することは容易である。
【００６７】
＜シミュレーション方法＞
実施例に係る熱伝導部材を用いた半導体装置と、比較例に係る熱伝導部材を用いた半導体装置について、温度分布および各部の塑性変形がないと仮定した場合の定常応力分布のシミュレーションを「ＭｅｍｓＯＮＥ」（登録商標：財団法人マイクロマシンセンター）Ｖｅｒ．４．０の「熱伝導と力学の連成解析」を用いて行った。
【００６８】
【表１】
2013149695.tif 000003
【００６９】
＜シミュレーション結果＞
シミュレーションによる解析結果を表１および図７に示した。
ここで、「最高温」とは、熱伝導部材中における最高温度であり、発熱量、熱伝達率、冷却水の温度などにより変化するが、これらに依らず比較できる値として「熱抵抗」がある。ところが、エンボスの効果により必ずしも最高温が中央に位置しないため、便宜上ここでは定義を次の通り変更している。
熱抵抗＝（最高温−銅板下面中心温）／全発熱量
また、応力の比較としては、はんだ層におけるミーゼス応力の最大値を用いた。はんだ層は熱サイクルによる疲労破壊が最も起きやすく、本発明の効果を比較する指標として適していると考えられるからである。
【００７０】
試験体１〜３、７〜９については、本発明の規定する要件を全て満たしていることから、熱抵抗を０．０４Ｋ／Ｗ以下に抑えられるとともに、はんだ層ミーゼス応力最大値を１３２ＭＰａ以下に抑えられることがわかった。
つまり、本発明に係る熱伝導部材は、熱伝導率を高く維持しつつ、素子が発熱することによって生じる応力を緩和することができることがわかった。
【符号の説明】
【００７１】
１    熱伝導部材（第１熱伝導部材）
２    発熱体（素子）
３    接合層
４    絶縁部材
５    熱伝導部材（第２熱伝導部材）
６    熱伝導部材（第３熱伝導部材）
７    熱伝導部材（第４熱伝導部材）
１１  基準面
１２  主凸部
１３  副凸部
１４  裏側基準面
２０  半導体装置
Ｌ１２  主凸部の幅
Ｌ１３  副凸部の幅
ｈ    凸部の高さ
ｄ    凸部の中心から凸部の端までの距離
【図１】
2013149695.tif 000004
【図２】
2013149695.tif 000005
【図３】
2013149695.tif 000006
【図４】
2013149695.tif 000007
【図５】
2013149695.tif 000008
【図６】
2013149695.tif 000009
【図７】
2013149695.tif 000010