【手続補正書】
【提出日】平成28年10月28日(2016.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と、前記表面上の異なる箇所に配設された複数の誘電泳動（ＤＥＰ）電極と、を備える回路基板と、
前記回路基板の前記表面上に液状媒体を収容するように構成されたチャンバと、
前記媒体と電気的に接触するように配設された第１電極と、
前記媒体から電気的に絶縁されて配設された第２電極と、
各々が、前記複数のＤＥＰ電極のうちの異なる対応する１つと、前記第２電極と、の間に配設された複数のスイッチ機構であって、当該各々のスイッチ機構が、出力信号を受け取るよう構成されており、前記出力信号に応じて、当該各々のスイッチ機構が、前記対応するＤＥＰ電極が非活性化されるオフ状態と、前記対応するＤＥＰ電極が活性化されるオン状態と、を切り替える、複数のスイッチ機構と、
複数の感光性素子であって、各々が当該感光性素子に向けられた光のビームに従って前記複数のスイッチ機構のうちの異なる対応する１つに前記出力信号を提供するように構成された複数の感光性素子と、
を備える、マイクロ流体装置。
【請求項２】
各前記ＤＥＰ電極が、前記回路基板の前記表面上に配設されて前記チャンバ内の前記媒体と電気的に接触する、電気的に導電性の端子を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
各前記スイッチ機構が前記オフ状態であるときには、前記対応するＤＥＰ電極と前記第２電極との間に前記チャンバ内の前記媒体の電気的インピーダンスよりも大きな高い電気的インピーダンスが存在し、
各前記スイッチ機構がオン状態であるときには、前記対応するＤＥＰ電極と前記第２電極との間に前記媒体の前記電気的インピーダンスよりも小さな低い電気的インピーダンスが存在する、
請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記高い電気的インピーダンスが、前記低い電気的インピーダンスよりも少なくとも２倍大きい、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記回路基板が、回路素子が形成されている半導体材料を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記回路素子が、相補形金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）、バイポーラ、又はＣＭＯＳとバイポーラとを組み合わせた回路素子を含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
各前記スイッチ機構が、前記対応するＤＥＰ電極を前記第２電極に接続する直列のスイッチと増幅器を備え、
前記スイッチと前記増幅器が、前記回路基板に形成されている、
請求項５に記載の装置。
【請求項８】
各前記スイッチ機構が、前記対応するＤＥＰ電極を前記第２電極に接続するトランジスタを備え、
前記トランジスタが、前記回路基板に形成されている、
請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記トランジスタが、電界効果トランジスタ又はバイポーラトランジスタである、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
各前記感光性素子が、フォトダイオードを備え、
前記フォトダイオードが、前記回路基板に形成されている、
請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
各々が前記複数の感光性素子のうち対応する１つを前記複数のスイッチ機構のうち対応する１つに接続する制御回路をさらに備え、
各前記制御回路が、前記複数の感光性素子のうち前記対応する１つからの前記出力信号に従って、前記対応するスイッチ機構が前記オフ状態であるか又は前記オン状態であるかを制御するように構成される、
請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記第２電極及び前記チャンバ内の前記媒体から電気的に絶縁されて配設された第３電極をさらに備え、
各前記スイッチ機構が、前記対応するＤＥＰ電極を前記第２電極に電気的に接続すること又は前記第３電極に電気的に接続することの間で切り替え可能である、
請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記オフ状態においては、各前記スイッチ機構が前記対応するＤＥＰ電極を前記第２電極には接続するが前記第３電極には接続せず、
前記オン状態においては、各前記スイッチ機構が前記対応するＤＥＰ電極を前記第３電極には接続するが前記第２電極には接続しない、
請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
各々が、前記スイッチ機構のうち対応する１つが前記オン状態であるかそれとも前記オフ状態であるかを表示するように構成された複数の表示素子をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
回路基板と、前記回路基板の内表面上に配設された液状媒体を収容するチャンバと、を備えるマイクロ流体デバイスの制御プロセスであって、
前記マイクロ流体デバイスの、前記媒体と電気的に接触している第１電極と前記媒体から電気的に絶縁されている第２電極とに、交流（ＡＣ）電力を印加することと、
前記回路基板の前記内表面上の誘電泳動（ＤＥＰ）電極であって前記媒体と電気的に接触している前記内表面上の複数のＤＥＰ電極のうち１つである前記ＤＥＰ電極を活性化することと、
を備え、
前記活性化することが、
前記回路基板の感光性素子に光ビームを向けることと、
前記光ビームに応答して前記感光性素子からの出力信号を提供することと、
前記出力信号に応答して、前記回路基板のスイッチ機構を、前記ＤＥＰ電極が非活性化されたオフ状態から前記ＤＥＰ電極が活性化されたオン状態に切り替えることと、
を備える、プロセス。
【請求項１６】
前記感光性素子から前記光ビームを取り除くことと、
前記光ビームを前記取り除くことの後で、前記感光性素子を前記スイッチ機構に接続する前記回路基板の制御回路によって前記スイッチ機構を前記オン状態に維持することと、
をさらに備える、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１７】
前記維持することが、前記光ビームが再び前記感光性素子に向けられるまで前記スイッチ機構を前記オン状態に維持することを含む、請求項１６に記載のプロセス。
【請求項１８】
前記活性化することが、前記光ビームが特定の特性を有することを前記出力信号が表示するかどうかを判断することをさらに含み、
前記切り替えることが、前記光ビームが前記特定の特性を有することを前記出力信号が表示する場合にのみ前記スイッチ機構を前記オフ状態から前記オン状態へと切り替えることを含む、
請求項１５に記載のプロセス。
【請求項１９】
前記ＤＥＰ電極を非活性化することをさらに備え、
前記非活性化することが、
第２の光ビームを前記感光性素子に向けることと、
前記第２の光ビームに応答して前記感光性素子からの第２の出力信号を提供することと、
前記第２の光ビームが第２の特定の特性を有することを前記第２の出力信号が表示する場合にのみ、前記スイッチ機構を前記オン状態から前記オフ状態へと切り替えることと、
を含む、請求項１８に記載のプロセス。
【請求項２０】
前記向けることが、
前記光ビームをパルスとして前記感光性素子に向けることと、
その後、前記感光性素子に向けられた前記光ビームの以降のパルスの各々に応答して、前記スイッチ機構を前記オン状態と前記オフ状態との間で、トグルで切り替えることと、
を含む、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項２１】
前記スイッチ機構が、トランジスタを備えており、
前記スイッチ機構を前記切り替えることが、前記トランジスタをオフ状態からオン状態に切り替えることを含む、
請求項１５に記載のプロセス。
【請求項２２】
前記切り替えることが、前記ＤＥＰ電極と前記第２電極との間の電気的インピーダンスを、前記チャンバ内の前記媒体のインピーダンスよりも大きい高インピーダンスと前記媒体の前記インピーダンスよりも小さい低インピーダンスとの間で変更する、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項２３】
前記高インピーダンスが、前記低インピーダンスよりも少なくとも２倍大きい、請求項２２に記載のプロセス。
【請求項２４】
第２のＡＣ電力を、前記マイクロ流体デバイスの、前記媒体及び前記第１電極から電気的に絶縁されている第３電極に印加することをさらに備える、請求項１５に記載のプロセス。
【請求項２５】
前記切り替えることが、前記スイッチ機構を、前記スイッチ機構が前記ＤＥＰ電極を前記第２電極には接続するが前記第３電極には接続しない前記オフ状態から、前記スイッチ機構が前記ＤＥＰ電極を前記第３電極には接続するが前記第２電極には接続しない前記オン状態に切り替えることを含む、請求項２４に記載のプロセス。
【請求項２６】
前記第２のＡＣ電力を前記印加することが、前記第２電極に印加される前記ＡＣ電力から約１８０度位相をずらした前記第２のＡＣ電力を前記第３電極に印加することを含む、請求項２５に記載のプロセス。
【請求項２７】
回路基板と、
前記回路基板の内表面上に配設された液状媒体を収容するように構成されたチャンバと、
前記回路基板の前記内表面の第１領域の誘電泳動（ＤＥＰ）電極を、前記内表面の、前記第１領域から離間された第２領域に向けられた光のビームに応答して活性化する手段と、を備える、
マイクロ流体装置。
【請求項２８】
前記回路基板が、半導体材料を備え、
前記活性化する手段が、前記回路基板の層状に形成された回路素子を含む、
請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記回路素子が、相補形金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）、バイポーラ、又はＣＭＯＳとバイポーラとの組み合わせを含む、請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
前記活性化する手段が、さらに、
第１の特性を有する前記光のビームに応答して前記ＤＥＰ電極を活性化し、
第２の特性を有する前記光のビームに応答して前記ＤＥＰ電極を非活性化する、
請求項２７に記載の装置。
【請求項３１】
前記第１の特性が、前記光のビームが第１の色であることを含み、
前記第２の特性が、前記光のビームが前記第１の色とは異なる第２の色であることを含む、
請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】
前記第１の特性が、第１の閾値と第２の閾値との間の強度を有する前記光のビームを含み、
前記第２の特性が、前記第２の閾値よりも高い強度を有する前記光のビームを含む、
請求項３０に記載の装置。
【請求項３３】
前記活性化する手段が、さらに、第１の特性を有する前記光のビームの一連のｎ個のパルスに応答して前記ＤＥＰ電極を活性化する、請求項２７に記載の装置。
【請求項３４】
前記活性化する手段が、さらに、第２の特性を有する前記光のビームの一連のｋ個のパルスに応答して前記ＤＥＰ電極を非活性化する、請求項３３に記載の装置。
【請求項３５】
前記高い電気的インピーダンスが、前記低い電気的インピーダンスよりも少なくとも５倍大きい、請求項３に記載の装置。
【請求項３６】
前記高い電気的インピーダンスが、前記低い電気的インピーダンスよりも少なくとも１０倍大きい、請求項３に記載の装置。
【請求項３７】
前記高い電気的インピーダンスが、前記低い電気的インピーダンスよりも少なくとも２０倍大きい、請求項３に記載の装置。
【請求項３８】
前記制御回路が、前記複数の感光性素子の対応する１つからの１つ以上の出力信号に応答して、前記対応するスイッチ素子をオン状態に切り替えるよう構成されており、
前記複数の感光性素子の対応する１つが、当該感光性素子に向けられた前記光のビームのパルスに応答して、１つ以上の前記出力信号の各々を生成する、
請求項１１に記載の装置。
【請求項３９】
前記制御回路が、前記複数の感光性素子の対応する１つからの１つ以上の第２の出力信号に応答して、前記対応するスイッチ素子をオフ状態に切り替えるよう構成されており、
前記複数の感光性素子の対応する１つが、当該感光性素子に向けられた前記光のビームのパルスに応答して、１つ以上の第２の前記出力信号の各々を生成する、
請求項３８に記載の装置。
【請求項４０】
前記制御回路が、前記複数の感光性素子の対応する１つからの１つ以上の出力信号に応答して、前記対応するスイッチ素子をオン状態に切り替えるよう構成されており、
第１の色を有する前記光のビームに応答して、１つ以上の前記出力信号が生成され、
第２の色を有する前記光のビームに応答して、１つ以上の第２の前記出力信号が生成される、
請求項１１に記載の装置。
【請求項４１】
前記制御回路が、
前記出力信号のレベルが、前記感光性素子に向けられた前記光のビームが第１の特性を有していることを示しているとの判断に応答して、前記対応するスイッチ素子をオン状態に切り替え、
第２の前記出力信号のレベルが、前記感光性素子に向けられた前記光のビームが第２の特性を有していることを示しているとの判断に応答して、前記対応するスイッチ素子をオフ状態に切り替えるよう、
さらに構成されている、
請求項１１に記載の装置。
【請求項４２】
前記第１の特性が、第１の閾値と第２の閾値の間の強度を有する前記光のビームを含み、
前記第２の特性が、前記第２の閾値より高い強度を有する前記光のビームを含む、
請求項４１に記載の装置。
【請求項４３】
１つ以上の前記出力信号が、前記光のビームのｎ個のパルスに応答して生成され、
１つ以上の前記出力信号が、前記光のビームのｋ個のパルスに応答して生成され、
前記光のビームのｎ個のパルスと前記光のビームのｋ個のパルスが、異なる周波数又はパターンを有する、
請求項１１に記載の装置。