【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年12月9日(2015.12.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に配置された無機基板と、
前記陽極と前記無機基板との間、または前記陰極と前記無機基板との間に配置された、少なくとも１つの有機窓層と、を有し、
前記少なくとも１つの有機窓層は、２５ｎｍ以下の厚さを有し、
前記少なくとも１つの有機窓層を有さない装置と比較して、向上したショットキー障壁高さを示す、装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの有機窓層を有さない装置と比較して、
１サンＡＭ１．５Ｇ照明における上昇したＶＯＣ；
１サンＡＭ１．５Ｇ照明における増大した電力変換；または
低減されたフォワード暗電流、の少なくとも１つの特性を示す請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記無機基板上に配置された、少なくとも１つの無機エピ層をさらに含む請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記無機基板と前記少なくとも１つの無機エピ層との間に配置された、少なくとも１つの無機バッファ層をさらに含む請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記有機窓層は、
前記陽極と前記無機エピ層との間；または
前記陰極と前記無機エピ層との間において配置される、請求項３または４に記載の装置。
【請求項６】
前記陽極は、ｐ型またはｎ型半導体から選択された半導体材料を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記陽極は、ＩＴＯを含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記陰極は、半導体材料とオーミック接触を形成するのに十分な１つ以上の材料を含む請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
半導体材料とオーミック接触を形成するのに十分な前記材料は、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、その合金および積層から選択される請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記無機基板は、半導体材料を含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記無機基板の半導体材料は、Ｇｅ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、（二）セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）またはこれらの組合
せから選択される請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記少なくとも一つの無機エピ層は、少なくとも１つのＩＩＩ−Ｖ材料、Ｇｅ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、（二）セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）またはその組合せを含む請求項３〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの無機エピ層は、ＧａＡｓおよびＩｎＰから選択された少なくとも１つの材料を含む請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの無機バッファ層は、少なくとも１つのＩＩＩ−Ｖ材料を含む請求項４に記載の装置。
【請求項１５】
前記少なくとも１つの無機バッファ層は、ＧａＡｓおよびＩｎＰから選択された少なくとも１つの材料を含む請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの有機窓層は、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（ＰＴＣＤＡ）、またはナフタレン四カルボン酸無水物（ＮＴＣＤＡ）を含む請求項１〜１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
ショットキーバリア太陽電池である請求項１〜１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
陽極、陰極および無機基板を有する感光性装置の性能を向上する方法であって、
少なくとも１つの有機窓層を、
前記陽極および前記無機基板との間；および／または
前記陰極および前記無機基板との間に配置し、
前記少なくとも１つの有機窓層は、２５ｎｍ以下の厚さを有し、
前記少なくとも１つの有機窓層を有さない装置と比較して、向上したショットキー障壁高さを示す、方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの有機窓層を有さない装置と比較して、前記感光性装置が、
１サンＡＭ１．５Ｇ照明における上昇したＶＯＣ；
１サンＡＭ１．５Ｇ照明における増大した電力変換；または
低減されたフォワード暗電流、の少なくとも１つの特性を示す請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記無機基板上に配置された、少なくとも１つの無機エピ層をさらに含む請求項１８または１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記無機基板と前記少なくとも１つの無機エピ層との間に配置された、少なくとも１つの無機バッファ層を配置することをさらに含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記陽極および前記無機エピ層との間；および／または
前記陰極および前記無機エピ層との間に、前記有機窓層を配置することをさらに含む請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記陽極は、ｐ型またはｎ型半導体材料から選択された半導体材料を含む請求項１８〜２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記陽極は、ＩＴＯを含む請求項１８〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記陽極は、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、その合金および積層から選択される請求項１８〜２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
前記無機基板は、Ｇｅ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、（二）セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）またはこれらの組合せから選択された材料を含む請求項１８〜２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
前記少なくとも一つの無機エピ層は、少なくとも１つのＩＩＩ−Ｖ材料、Ｇｅ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＣｄＴｅ、ＺｎＴｅ、（二）セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）またはその組合せを含む請求項２０〜２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
前記少なくとも１つの無機バッファ層は、ＧａＡｓおよびＩｎＰから選択された少なくとも１つのＩＩＩ−Ｖ材料を含む請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
前記少なくとも１つの有機窓層は、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（ＰＴＣＤＡ）、またはナフタレン四カルボン酸無水物（ＮＴＣＤＡ）を含む請求項１８〜２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
前記有機窓層は、光を吸収して、前記感光性装置の無機部分に移動する励起子を生成する請求項１８〜２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
前記生成された励起子は、光電流に変換する請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
陽極、陰極および無機基板を含む感光性装置のショットキー障壁高さを向上する方法であって、
少なくとも１つの有機窓層を、
前記陽極および前記無機基板との間；および／または
前記陰極および前記無機基板との間に配置することを含み、
前記少なくとも１つの有機窓層を有さない装置に比較して、前記感光性装置が、
１サンＡＭ１．５Ｇ照明における上昇したＶＯＣ；
１サンＡＭ１．５Ｇ照明における増大した電力変換；または
低減されたフォワード暗電流、の少なくとも１つの特性を示し、
前記少なくとも１つの有機窓層は、２５ｎｍ以下の厚さを有する、方法。
【請求項３３】
陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に配置された無機基板と、
前記陽極と無機基板との間、または前記陰極と無機基板との間に配置された、少なくとも１つの有機窓層と、を有し、
前記少なくとも１つの有機窓層は、１０ｎｍ以下の厚さを有する、装置。
【請求項３４】
前記少なくとも１つの有機窓層を有さない装置に比較して、以下の少なくとも１つの特性を示す請求項３３に記載の装置：
１サンＡＭ１．５Ｇ照明における上昇したＶＯＣ；
１サンＡＭ１．５Ｇ照明における増大した電力変換；
向上したショットキー障壁高さ；および
低減されたフォワード暗電流。
【請求項３５】
前記少なくとも１つの有機窓層は、ＰＴＣＤＡまたはＮＴＣＤＡを含む請求項３３または３４に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
本開示は、陽極と、陰極と、無機基板と、少なくとも１つの有機窓層とを有する装置に関する。一実施形態では、前記装置は、少なくとも１つの無機エピ層を含む。ここに開示される前記有機窓層は、無機半導体層および接触間等、前記陽極と前記少なくとも１つの無機エピ層との間を含む、陽極および陰極間に配置される。一実施形態では、開示される装置は、前記少なくとも１つの有機窓層を有さない装置に比較して、以下の少なくとも１つの特性を示す：１サンＡＭ１．５Ｇ照明における上昇したＶＯＣ；１サンＡＭ１．５Ｇ照明における増大した電力変換；向上したショットキー障壁高さ；または低減されたフォワード暗電流。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
また、陽極、陰極、無機基板、および少なくとも１つの無機エピ層を有する感光性装置の性能を向上する方法であって、少なくとも１つの有機窓層を、前記陽極と前記無機基板との間に配置する方法が開示される。さらに、陽極、陰極、無機基板、および少なくとも１つの無機エピ層を含む感光性装置のショットキー障壁高さを向上する方法であって、少なくとも１つの有機窓層を、前記陽極と前記無機エピ層との間に配置することを含む方法が開示される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
用語「電極」および「接触」は、ここでは、外部回路に光発生された電流を搬送するため、または装置にバイアス電流や電圧を提供するための媒体を提供する層を指す。すなわち、電極または接触は、有機感光性光電子工学装置の活性領域と、外部回路からまたは外部回路に電荷キャリアを移送するための配線、リード線、基板配線またはその他の手段との間の接合部分を提供する。陽極および陰極は、その例である。電極の開示のため、ここに組み込まれる米国特許第６，３５２，７７７号は、感光性光電子工学装置に使用される電極または接触を提供する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
用語「陰極」は、以下のように使用される。大気放射下で抵抗性負荷に接続され、ＰＶ装置等の外部印加電圧を有さない、非積層ＰＶ装置または積層ＰＶ装置の１つのユニット内において、電子は、光導電性材料から陰極に移動する。同様に、用語「陽極」は、ここでは、照射下におけるＰＶ装置内において、正孔が光導電材料から陽極に移動することを指す。これは、電子が反対方向に移動することに相当する。ここで用いられるように、陽極および陰極は、電極または電荷移送層であるものとして述べられる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
ここで用いられるように、「頂部」は（存在する場合は）基板構造から最も離れた部分を意味し、「底部」は基板構造から最も近い部分を意味する。装置が基板構造を含まない場合、「頂部」は、反射電極から最も離れた部分を意味する。たとえば、２つの電極を有する装置について、底部電極は、基板構造に最も近い電極であり、一般的に最初に作成される電極である。底部電極は、基板に最も近い底面および基板からより離れた方の上面の２つの表面を有する。第１層が、第２層「上に」またはその「上面にわたって配置される」と記載されるところ、第１層は、基板から離れて配置される。第１層が第２層と「物理的に接触して」いると特定されない限り、第１層および第２層の間にその他の層がある場合もある。たとえば、陰極は、間に様々な有機層がある場合にも、陽極「上に」またはその「上面にわたって配置される」と記載される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
光は、必ずしも表面から入射するわけではないと解される。むしろ、開口部（ａｐｅｒｔｕｒｅ）（窓）が背部金属接触に在る場合、光は、基板側から入射できる。換言すると、上部接触は、装置が逆構造を有するように、不透明でありうる。本実施形態では、基板は、エピ層に吸収される光に透過的でなくてはならない。上部接触は、光が上面上に入射する場合、半透明な薄い金属でもありうる。それは、あらゆる透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）の一つでもありうる。いくつかの実施形態では、透明な導電性酸化物は、透明な酸化物および金属、または透明または半透明となるほど十分な薄さを有する金属または金属代替物から選択される。いくつかの実施形態では、透明な電極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムインジウムスズ酸化物（ＧＩＴＯ）、フッ素ドープされたスズ酸化物（ＳｎＯ２：ＦまたはＦＴＯ）、および亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）等の透明な導電性酸化物から選択される。本開示は、典型的に陽極および陰極として参照される２つの接触と、半導体基板等の無機基板と、１つの接触および無機基板の間に位置する、少なくとも１つの有機窓層とを含む。有機窓層は、基板上に直接、または基板の頂部上の無機エピ層上に配置されると解される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
したがって、有機窓層が、陽極および陰極の間に配置されるものと概して記載される一方、それは、陽極および無機基板の間、または陰極および無機基板の間に配置されるものとして特に記載されうる。無機エピ層が在る時、有機窓層は、前述の接触（陽極または陰極）および無機エピ層の間に配置される。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
最も広い意味では、ショットキーバリア太陽電池のような装置が開示される。当該装置は、陽極と、陰極と、無機基板と、陽極および陰極間に配置される少なくとも１つの有機窓層とを含む。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
一実施形態では、記載された装置の陽極は、透明な導電性酸化インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明な導電性材料を含む。いくつかの実施形態では、透明な導電性酸化物は、透明または半透明であるほど十分な薄さを有する透明な酸化物および金属または金属代替物から選択される。いくつかの実施形態では、透明電極は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムインジウムスズ酸化物（ＧＩＴＯ）、フッ素ドープされたスズ酸化物（ＳｎＯ２：ＦまたはＦＴＯ）および亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）等の透明な導電性酸化物から選択される。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
一実施形態では、記載された装置の陰極は、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、これらの合金および積層から選択された１つ以上の材料を含む。たとえば、陰極は、Ｚｎ／Ａｕを含む。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
また、陽極、陰極、無機基板および少なくとも１つの無機エピ層を有する感光性装置の性能を向上する方法が開示される。当該方法は、陽極と少なくとも１つの無機エピ層との間に少なくとも１つの有機窓層を配置することを含む。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
一実施形態では、陽極は、ＩＴＯ、その合金および積層から選択された１つ以上の材料を含む。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
その他の実施形態では、陰極は、Ｚｎ、Ａｕ、Ａｌ、その合金および積層から選択された金属等、半導体材料とオーミック接触を形成するのに十分ないかなる材料も含む。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
ここでは、陽極、陰極、無機基板および少なくとも１つの無機エピ層を含む感光性装置のショットキー障壁高さを向上する方法であって、当該方法は、陽極と少なくとも１つの無機エピ層との間に、少なくとも１つの有機窓層を配置し、ここで、前記装置は、前記少なくとも１つの有機窓層を有さない装置と比較して、１つ以上の以下の特徴を示す：１サンＡＭ１．５Ｇ照明における増加したＶＯＣ；１サンＡＭ１．５Ｇ照明における増大した電力変換；そして、低減されたフォワード暗電流。ここに記載の本願発明の実施形態は、以下の限定的ではない例によってさらに示される。
実施例
エピタキシャル太陽電池構造は、ｐ型、Ｚｎドープされた（１００）ＩｎＰ基板上に、ガス源分子ビームエピタキシー法によって成長された。エピタキシャル構造は、０．１μｍ厚でＢｅドープされた（３×１０１８ｃｍ−３）ｐ型ＩｎＰバッファ層、および４μｍ厚で軽度にＢｅドープされた（３×１０１６ｃｍ−３）ｐ型ＩｎＰ吸収層から構成された。