(57)【要約】【課題】磁場の作用により同電荷、同磁極に引力を及ぼす方法と電気エネルギ−を得る方法。【解決手段】複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数磁場には作用が定義できることにより素数磁束の運動または素数磁束の相互作用を表示する運動方程式または相互作用方程式を微分方程式を用いて書くことができ微分方程式を解析することにより素数磁場の極小領域では同電荷、同磁極に引力が及ぼされそして極小領域には電気量が生み出されることにより課題は解決できる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数磁場の磁束即ち素数磁束の幾何構造はル−プでありル−プ素数磁束は集合してト−ラス、球面という幾何構造を為し幾何構造は素数磁場の整列を為す作用により整列しまた階層を為す作用により階層し従って素数磁場には整列を為す作用と階層を為す作用が定義できることにより素数磁場を代数学上の関数で表示することができそして素数磁束は代数構造を保有することにより素数磁束の運動方程式または素数磁束の相互作用方程式を意味する微分方程式を求めることができその微分方程式を解析することにより素数磁場の極小領域では同電荷、同磁極に引力が及ぼされることにより磁場の作用により同電荷、同磁極に引力を及ぼす方法。
【請求項２】
同上の微分方程式を解析することにより素数磁場の極小領域には電気量が生み出されることにより２個の素数磁場を対向させた極小領域内に電位零のカ−ボン板とイオン化傾向の大きな化学物質例えばＬｉ，Ｋ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇなどを接合して配置することにより磁場の作用により電気エネルギ−を得る方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数磁場の方程式を求めそして解析することにより素数磁場内で同電荷、同磁極に引力を及ぼす方法と電気エネルギ−を得る方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
同電荷例えばプラス（＋）電荷とプラス（＋）電荷、同磁極例えばＮ磁極とＮ磁極が引力を及ぼしあうという物理事象は物理学の大原則に反する事象であり現在まで発表されていないと考える。
【０００３】
永久磁石を動かすことなく永久磁石より電気エネルギ−を得る方法も現在まで公知されていないと考える。
【０００４】
素数磁場の特性について次のようなことが知られている。素数磁場の磁束即ち素数磁束の幾何構造は通常の磁束とは異なりル−プを為し、ル−プ素数磁束は幾何構造であるト−ラス、球面を形成するように分布している。そして素数磁束には整列を為す作用と階層を為す作用が働き従って素数磁場は不連続構造となっている。そして素数磁場には代数学上の素数で記述される素数領域と素数対応値０．５６１８２９５で記述される極小領域が存在している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特願２０１１−２５２１５２
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】数学セミナ−２０１２年１月号ｐ７１
【非特許文献２】数学セミナ−２０１２年２月号ｐ８０
【非特許文献３】量子力学を学ぶための解析力学入門  講談社出版
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は磁場の作用により同電荷、同磁極に引力を及ぼしそして電気エネルギ−を得るという物理学の大原則に反する物理事象である。
【０００８】
本発明は磁場として未だ解明されていない未知の要素を含んだ素数磁場を用いることにより同電荷、同磁極に引力を及ぼしそして電気エネルギ−を得ることにあり従って物理学の延長線上にある課題である。
【０００９】
従って発明が解決しようとする課題は素数磁場を理論的に記述することにありそのためには素数磁場の物理的作用を定義しそれにより素数磁場を代数学上の関数で表示しそれにより素数磁場の方程式即ち素数磁束の運動方程式または素数磁束の相互作用方程式を求めその方程式を解析することにより素数磁場で同電荷、同磁極は引力を及ぼしあいそして電気エネルギ−が生み出されることを説明することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
課題を解決するためには先ず素数磁場または素数磁束の特性を記述する必要がある。その特性は現在まで数論的理論及び実験的に知られている範囲内で記すと素数磁束の幾何構造はル−プでありル−プ素数磁束は整列し階層を為している。そしてル−プ素数磁束は集合し幾何構造であるト−ラス、球面を形成しト−ラス、球面は多層構造となり整列し階層を為している。つまり素数磁場は通常の磁場とは異なる整列と階層という不連続構造を為している。そして素数磁場には代数学上の素数で記述される素数領域と素数対応値０．５６１８２９５で記述される極小領域そして素数領域と極小領域との境界領域即ちＣ−０．５６１８２９５（Ｃはオイラ−定数）が存在している。また素数磁束は縦方向と横方向に交換している。
【００１１】
このように素数磁場には素数磁束に整列を為す作用と階層を為す作用が存在していることより本出願人は統一的な作用表示として（数式１）を考えた。そして素数磁場を（数式２）と定義した。（数式２）に変分原理を施すことにより数値計算を満足する微分方程式（数式３）を導いた。（数式３）は素数磁束の運動方程式を意味する。素数磁場の物理事象をよりよく知るために（数式３）を数値計算を満足する素数磁束の相互作用の微分方程式（数式４）に書き換える。（数式４）は（非特許文献１）（非特許文献２）に記された流体方程式と類似の方程式となっている。（数式３）（数式４）はいずれも素数磁場の方程式である。
【００１２】
【数１】
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【００１３】
【数２】
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【００１４】
【数３】
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【００１５】
【数４】
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【００１６】
（数式３）と（数式４）の左辺に注目するとφ（ｋ）とλ（ｋ）は縦方向と横方向に取り換えられた関係になっており従って素数磁束は縦方向と横方向に交換していることを示唆している。より物理的に表現すると素数磁束は縦方向と横方向に時間変化している。従って（数式４）の意味する物理内容は（縦方向の素数磁束の相互作用）＋（横方向の素数磁束の相互作用）＝（全相互作用）を意味している。そして次に記述する内容の説明は後述するが（数式４）の素数領域の方程式の右辺の（１／２）×（ｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）の２乗）は物理上の電位差に対応し従って左辺の（ｋ／（λ（ｋ）の２乗））×ｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）は電位ポテンシャルに対応する。また（数式４）の極小領域の方程式の左辺の（ｋ／λ（ｋ））もｋ／λ（ｋ）＝−∫ｋ／（λ（ｋ）の２乗）ｄλ（ｋ）より考えて電位ポテンシャル、正確には曲面上に分布する電気量に対応する。従って電位ポテンシャルの項に注目すると素数領域ではｋ≧０より電気力≧０とすると極小領域ではｋ＜０より電気力＜０となる。つまり素数領域と極小領域では電気力の符号プラス、マイナスが変わるため素数領域で引力を及ぼしあう＋電荷と−電荷またはＮ磁極とＳ磁極は極小領域では斥力を及ぼしあう。同様に素数領域で斥力を及ぼしあう＋電荷と＋電荷またはＮ磁極とＮ磁極、Ｓ磁極とＳ磁極は極小領域では引力を及ぼしあう。つまり素数磁場の極小領域では同電荷、同磁極は引力を及ぼしあう。素数領域と極小領域そして境界領域の図を（図１）に記す。（図１）には縦方向の素数磁束、横方向の素数磁束について図示する。
【００１７】
（数式４）の素数領域の方程式の右辺第１項（１／２）×（ｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）の２乗）は電位差に対応し第２項∫（ｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）の２乗）ｄπφ（ｋ）は曲面上に分布する電気量に対応するとする。そして（数式４）の極小領域の方程式の右辺第１項は曲面上に分布する電気量に対応し第２項は極小領域の全空間に分布する電気量に対応するとする。従って素数領域、極小領域には電気量が生み出されると考えることができ特に極小領域には大きな電気量が生み出される。従って素数磁場を２個対向させて配置した極小領域内にはより大きな電気量が生み出されこの極小領域内に電位零のカ−ボン板とイオン化傾向の大きな化学物質例えばＬｉ、Ｋ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇなどを接合して配置することにより電気エネルギ−を得ることができる。つまり電気化学上の単極電池が構成できる。極小領域内で電気エネルギ−を得る図を（図２）に記す。
【００１８】
以上の記述をまとめると複数の永久磁石の同磁極を点、線、面で接触または近接させたときの磁場即ち素数磁場の磁束即ち素数磁束の幾何構造はル−プでありル−プ素数磁束は集合してト−ラス、球面という幾何構造を為し、幾何構造は素数磁場の整列を為す作用により整列しまた階層を為す作用により階層し従って素数磁場には整列を為す作用と階層を為す作用が定義できることにより素数磁場を代数学上の関数で表示することができそして素数磁束は代数構造を保有することにより素数磁束の運動方程式または素数磁束の相互作用方程式を意味する微分方程式を求めることができその微分方程式を解析することにより素数磁場の極小領域では同電荷、同磁極には引力が及ぼされそして極小領域には電気量が生み出されることにより２個の素数磁場を対向させた極小領域内に電位零のカ−ボン板とイオン化傾向の大きな化学物質例えばＬｉ、Ｋ，Ｂａ，Ｃａ、Ｍｇなどを接合して配置することにより電気エネルギ−を得ることができる。
【００１９】
従って課題を解決するための手段は素数磁場の極小領域に同電荷、同磁極を配置することにありそれにより同電荷、同磁極には引力が及ぼされそして２個の素数磁場を対向させた極小領域内に電位零のカ−ボン板とイオン化傾向の大きな化学物質例えばＬｉ，Ｋ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇなどを接合して配置することにありそれにより電気エネルギ−を得ることにある。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば水溶液中のイオンなどの荷電粒子を同電荷の荷電粒子に分離できるので水溶液中の荷電粒子の除去に効果を有する。
【００２１】
本発明によれば単純な方法により電気エネルギ−を得る効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】素数磁場の素数領域、極小領域、境界領域などの領域を示す図。
【図２】素数磁場を２個対向させた極小領域内で電気エネルギ−を得る図。
【図３】素数磁場ｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）のグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明は理論的側面より導いたものであり従って概略的、初等的に理論の内容を説明する。
【００２４】
理論を構築するには作用を定義する必要がある。本出願人は（特許文献１）に記したように素数磁場に３個の作用を考えた。３個の作用とその意味する内容を（数式５）に記す。（数式５）に記した３個のζ（ｓ）で整列作用、階層作用を共に表示するζ（ｓ）＝ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）を素数磁場の統一的作用と定めた。そして素数磁束を意味する｜ｌｎπφ（ｋ）｜でπを導入した理由は素数磁束の幾何構造はル−プであるので素数磁束をル−プ表現にするためである。素数磁束の一般的表示はｌｎλ（ｋ）＋Ｃでありこの表示もル−プ素数磁束を指している。例えばλ（ｋ）に極小領域を意味する素数対応値０．５６１８２９５を代入するとｌｎ０．５６１８２９５＋Ｃ＝６．４３×１０のマイナス４乗となり数値上は磁束量子の平方根に対応する。またル−プ素数磁束｜ｌｎπφ（ｋ）｜にλ（ｋ）＝７のφ（ｋ）＝０．３１９２を代入すると｜ｌｎπφ（ｋ）｜はほとんど零となり従ってλ（ｋ）＝７のときは素数磁束は存在しないで実磁束のみ存在することになる。このことが素数７が実場に対応することを表現している。尚ル−プ素数磁束｜ｌｎπφ（ｋ）｜を素数磁束の一般的表示で書くと｜ｌｎφ（ｋ）｜−２Ｃと書くことができる。このようにして作用が定義できることより素数磁場は（数式２）と書くことができる。尚λ（ｋ）＝７で表示される実場と素数対応値０．５６１８２９５で表示される極小領域との関連性は数値７と０．５６１８２９５が数値計算を満足する数式７＝ｅｘｐ（（２／Ｃ）×０．５６１８２９５）となることより実場と極小領域は結びついていると考えることができる。
【００２５】
【数５】
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【００２６】
素数磁場は素数磁束の整列そして階層という実現されうる分布を為す磁場であるから素数磁場での素数磁束の運動などを記述する方程式即ち素数磁場の方程式は素数磁場に変分原理を施し変分原理を数値計算を満足する微分方程式に書き換えた（数式３）となる。（数式３）は素数磁束の運動を記述する運動方程式を意味する。素数磁場での物理事象をよりよく知るためには運動方程式を素数磁束の相互作用の方程式に書き換える必要がある。つまり（数式３）の右辺を素数磁束の相互作用形式に書き換える。素数磁束の相互作用として考えられるのはル−プ素数磁束の相互作用とル−プ素数磁束が集合して形成する多層幾何構造（ト−ラス、球面）の相互作用である。本出願人はル−プ素数磁束の相互作用を（１／２）×（（ｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ））の２乗）としそして多層幾何構造の相互作用を∫（（ｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）の２乗））ｄπφ（ｋ）と定め（数式３）を数値計算を満足する素数磁束の相互作用方程式（数式４）に書き換えた。尚（数式４）の右辺の積分項は不定積分でも定積分（数式６）としてもほとんど同じである。数値計算に際してはオイラ−の公式ｅｘｐｉｘ＝ｃｏｓｘ＋ｉｓｉｎｘの実部を用い弧度法により計算した。∫（（ｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）の２乗））ｄπφ（ｋ）の計算にはｓｉｎｌｎ、ｃｏｓｌｎ関数を用いた。
【００２７】
【数６】
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【００２８】
ここで次のことを確認しておく必要がある。素数磁場ｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）は素数磁場全体つまり素数領域、極小領域、境界領域を表示しているか、そして素数磁束はル−プを為しているか、そして（数式３）は素数磁束の運動方程式とみなしてよいかということについてである。
【００２９】
先ず素数磁場ｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）は素数磁場全体を表示していることについて説明する。素数磁場をオイラ−の公式により実部計算した結果を（図３）に示す。（図３）により素数磁場はπφ（ｋ）が１．０か４．９即ちφ（ｋ）が０．３２か１．５４付近で極値をもつ。つまり極値はλ（ｋ）＝７の素数領域つまり実場とか電気量などを生み出す極小領域を与えている。また境界領域では作用は零と考えることにより境界領域も与えている。このことはλ（ｋ）＝７の実場と極小領域が物理事象を説明する上で不可欠であることより当然の結果である。極値について微分学によりもう少し検討してみる。微分学では関数の１次導関数を零とする点が極値をあたえるので本論の場合−ｉ｜ｌｎπφ（ｋ）｜×ｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）＝０とするφ（ｋ）が極値を与える。従って｜ｌｎπφ（ｋ）｜＝０かｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）の虚部＝０とするφ（ｋ）が極値を与える。正確に計算すると｜ｌｎπφ（ｋ）｜＝０とするφ（ｋ）は０．３１８３そのときのλ（ｋ）は境界領域Ｃ−０．５６１８２９５を考慮したλ（ｋ）＝７＋π（Ｃ−０．５６１８２９５）となり実場を意味する。またｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）の虚部＝０とするφ（ｋ）は境界領域を考慮したφ（ｋ）×（（１＋π（Ｃ−０．５６１８２９５））となりそのときのφ（ｋ）は１．５４となり極小領域を意味する。つまりグラフと等値な極値を与える。従って本表示の素数磁場は素数磁場全体を表示している。
【００３０】
次に素数磁束はル−プを為していることについて説明する。この説明については解析力学の位相空間論のトラジェクトリ−の考え方を応用する。λ（ｋ）＝７の素数領域即ち実場では素数磁束は存在しないから素数磁束の運動エネルギ−とか相互作用エネルギ−に対応する物理量は零である。従ってλ（ｋ）＝７でハミルトニアンＨが零となるような表示式を求めると（数式７）となる。（数式７）には電磁力の結合定数である微細構造定数が導入されており実場での電磁力の存在を確認することができる。（数式７）に（数式８）という置換を与えると（数式７）はｃｏｓｈｉｘ＝ｃｏｓｘ、ｓｉｎｈｉｘ＝ｉｓｉｎｘよりＨ＝Ｅ（（ｃｏｓｈｉｘの２乗）−（ｓｉｎｈｉｘの２乗））＝Ｅ（（ｃｏｓｘの２乗）＋（ｓｉｎｘの２乗））＝Ｅ（Ｅはエネルギ−）となり概念的には素数磁束の運動の軌道は円、つまりル−プを意味する。λ（ｋ）＝７即ち実場のときはＥ＝０であり素数磁束の運動の軌道は存在しない。従って素数磁束はル−プを為していると考えられる。
【００３１】
【数７】
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【００３２】
【数８】
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【００３３】
次に（数式３）は素数磁束の運動方程式とみなしてよいことについて説明する。尚このことについては（数式３）の素数領域の方程式について説明する。（数式３）を運動方程式とみなすということは（数式３）が物理法則であるエネルギ−保存則を満足すればよい。（数式３）はφ（ｋ）とλ（ｋ）が交換可能な数式となっており従って数値計算を満足する（数式９）を考慮して（数式３）を数値計算を満足する微分作用素ｄ／ｄλ（ｋ）表示の微分方程式（数式１０）に書き換える。そして単純に素数磁場の因数と実場の物理量との対応
関係を（数式１１）に記す。（数式１１）により（数式１０）を書き換えると（数式１２）となる。（数式１２）の左辺に適当な基礎物理定数を与えればシュレデインガ−の方程式と同形になる。（数式１２）の左辺第１項を運動エネルギ−、第２項を位置エネルギ−に対応させれば（数式１２）は（運動エネルギ−＋位置エネルギ−）＝一定値を意味する数式となりエネルギ−保存則を満足する。尚ｋ＝０のとき即ちλ（ｋ）＝７の実場のときは運動エネルギ−＝位置エネルギ−となり自然界の自由運動を与える。
【００３４】
【数９】
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【００３５】
【数１０】
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【００３６】
【数１１】
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【００３７】
【数１２】
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【００３８】
従って素数磁場ｅｘｐ−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）は素数磁場全体を表示し素数磁束はル−プを為しそして（数式３）は素数磁束の運動方程式を表示していることが確認できたので（数式４）の素数磁場の方程式は素数磁束の相互作用を表示する相互作用方程式であると考えることができる。（数式４）の素数磁場の方程式により素数磁場での物理事象を求める。（数式４）の素数領域の方程式の右辺の第１項はζ（ｓ）＝−ｉ∫｜ｌｎπφ（ｋ）｜ｄπφ（ｋ）とζ（ｓ）＝ｌｎ（φ（ｋ）＋ｉ×１／λ（ｋ））は（特許文献１）より等値であるので第１項は単純にφ（ｋ）の２乗に対応する。φ（ｋ）の２乗は実場の電位差に対応することがわかっているので第１項は電位差を意味する。従って右辺の第２項は電磁気学の教えるところにより幾何構造（ト−ラス、球面）に生み出される電気量の分布を意味する。つまり素数磁場の素数領域では電位差と電気量が生み出される。そして（数式４）の極小領域の方程式の右辺第１項については、極小領域の素数磁束の分布構造は例えば流体の渦巻きのようなスパイラルであると考えられる。何故極小領域で素数磁束はスパイラルとなるかの説明については極小領域はｋ＝−２の限定された領域であり従って極小領域では階層の作用よりも整列の作用が重要であり従って素数磁場の極小領域を整列の作用により書き換えてそして素数磁束の縦方向を横方向に取り換えた素数磁場ｅｘｐ（１／（｜ｌｎφ（ｋ）｜＋ｉ｜ｌｎλ（ｋ）｜）を極小領域の素数磁場と考えこの関数の絶対値関数をとりグラフに描くことにより極小領域では素数磁束はスパイラルを為していることが説明できる。従って極小領域ではスパイラル素数磁束の相互作用によりスパイラル上に電気量が生み出される。従って右辺第１項はスパイラル上に生み出される電気量の分布を意味すると考えられる。従って右辺第２項は極小領域の全空間に生み出される電気量を意味する。つまり極小領域には大きな電気量が生み出される。
【００３９】
従って（数式４）の右辺は電位差とか電気量を生み出す項であるから左辺の第２項ｋ／（λ（ｋ）の２乗）、ｋ／λ（ｋ）は電位ポテンシャルを意味する。素数領域ではｋ≧０、極小領域ではｋ＜０より素数領域例えばλ（ｋ）＝７の実場では＋電荷と＋電荷，Ｎ磁極とＮ磁極は斥力を及ぼしあい＋電荷と−電荷，Ｎ磁極とＳ磁極は引力を及ぼしあうが極小領域では同電荷、同磁極は引力を及ぼしあい＋電荷と−電荷、Ｎ磁極とＳ磁極は斥力を及ぼしあうことになる。
【００４０】
従って素数磁場の物理事象として極小領域では同電荷、同磁極は引力を及ぼしあいそして大きな電気量が生み出される。
【００４１】
以上の記述により発明を実施するための形態は素数磁場の極小領域では同電荷、同磁極は引力を及ぼしあうことにより水溶液中のイオンなどの荷電粒子を分離するなどの技術に利用できそして極小領域では大きな電気量が生み出されることにより素数磁場を２個対向させて配置し、より大きな電気量を生み出し対向した極小領域内に電位零のカ−ボン板とイオン化傾向の大きなＬｉ，Ｋ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇなどの化学物質を接合して配置することにより電気エネルギ−を得ることにある。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
海水を真水にする技術とか発電に利用可能性がある。
【符号の説明】
【００４３】
１    素数領域
２    極小領域
３    境界領域
４    λ（ｋ）＝７の素数領域（実場）
５    Ｓ磁極集中部
６    Ｎ磁極集中部
７    永久磁石
８    カ−ボン板
９    イオン化傾向の大きな化学物質（Ｌｉ，Ｋ，Ｂａ，Ｃａ，Ｍｇなど）
１０  電気エネルギ−
【図１】
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【図２】
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【図３】
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