(57)【要約】      （修正有）【課題】ハードディスクの性能低下を防げるハードディスク基板用浸漬製剤を提供する。【解決手段】ホスホン酸系キレート剤を含有することよりなるハードディスク基板用浸漬製剤を浸漬工程に適用する。このハードディスク基板用浸漬製剤は、ホスホン酸系キレート剤を含有し、その含有量が０．１〜５００質量ｐｐｍであり、ｐＨ７〜１２の水溶液である。ハードディスク基板をこのハードディスク基板用浸漬液に浸漬する浸漬工程を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホスホン酸系キレート剤を含有するハードディスク基板用浸漬製剤。
【請求項２】
請求項１に記載のハードディスク基板用浸漬製剤を含有し、ホスホン酸系キレート剤の含有量が０．１〜５００質量ｐｐｍであり、ｐＨ７〜１２の水溶液であるハードディスク基板用浸漬液。
【請求項３】
ハードディスク基板を請求項２に記載のハードディスク基板用浸漬液に浸漬する浸漬工程を備えるハードディスク基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク基板用浸漬製剤、ハードディスク基板用浸漬液及びハードディスク基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスにおいては、微細な汚れが動作不良や性能低下を招くため、例えば半導体基板、ハードディスク基板、液晶パネル等に用いられるディスプレイ基板等の電子デバイス用基板上の極微小な汚れを可及的に取り除くことが求められる。
ハードディスク基板は、酸化セリウムやアルミナ等の研磨材で粗研磨が施された（一次研磨工程）後、さらにコロイダルシリカ等の研磨材で仕上げ研磨が施される（二次研磨工程）。一次研磨工程の後や二次研磨工程の後のハードディスク基板の表面には、砥粒や研磨カスが残留するため、各研磨工程の後にこれらを取り除く必要がある。このため、各研磨工程の後には、ハードディスク基板を洗浄する洗浄工程が設けられる。
従来、ハードディスク基板に残留した砥粒や研磨カスの除去を目的とした洗浄剤が提案されている。例えば、アルカリ金属の水酸化物と、１−ヒドロキシエタン−１，１−ジホスホン酸及び／又はその塩と、特定のポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩とを含有するハードディスク基板用洗浄剤組成物が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
ところで、ハードディスク基板の製造方法においては、各研磨工程を行う環境と洗浄工程を行う環境とでは清浄度が異なっていたり、ハードディスク基板の製造効率のために各研磨工程とその後の工程とを異なる日に行ったりするため、各研磨工程後のハードディスク基板を一時的に保存するのが一般的である。
各研磨工程後のハードディスク基板を保存する際にハードディスク基板を乾燥させてしまうと、ハードディスク基板に砥粒や研磨カスが強固に固着して、固着した砥粒や研磨カスを取り除きにくくなる。このため、各研磨工程後のハードディスク基板は、純水等に浸漬されて保存されるのが通常である。
【０００４】
近年、さらなる小型化・高容量化が図られたハードディスクとして、垂直磁気記録方式のハードディスクが知られている。この垂直磁気記録方式のハードディスクとしては、非磁性体のハードディスク基板上に、軟磁性裏打ち層、下地層、中間層、磁気記録層、保護層の順に成膜された記録用薄膜を備えるものが一般的である。
優れた特性を有するハードディスクを製造するためには、磁気記録層の結晶配向性の向上と結晶粒径の微細化とが重要である。垂直磁気記録方式のハードディスクの磁気記録層の材料には、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２やＣｏＣｒＰｔ−ＴｉＯ２が広く用いられ、磁気記録層の結晶構造は六方最密構造をとる。即ち、六方最密構造の（００２）結晶面が基板面に対し平行であること、言い換えると結晶ｃ軸（厚さ方向）［００２］軸が基板面に対して垂直な方向に均一に配向していることが重要である。このような構造を実現するために、例えば、下地層としてＮｉＷ膜、中間層としてＲｕ膜を積層した磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献２）。特許文献２の発明では、高いｃ軸配向性と、結晶粒子の微細化、粒径の低分散化が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−４６８０７号公報
【特許文献２】特開２００７−１７９５９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の製造方法で製造した垂直磁気記録方式のハードディスクには、信号雑音比（ＳＮ比）が低下することによる記録不良の問題が散見される。
【０００７】
本発明者は、ハードディスク基板を純水に長時間浸漬し、その後、Ｒｕで中間層を形成したところ、中間層のｃ軸配向性が低下する場合があることを見出した。中間層のｃ軸配向性の低下は、磁気記録層の配向性を低下させ、鉛直方向への磁化により記録を行う垂直磁気記録方式のハードディスクのＳＮ比を低下させる等、ハードディスクの性能低下の要因となる。
そこで、本発明は、ハードディスクの性能低下を防げるハードディスク基板用浸漬製剤を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のハードディスク基板用浸漬製剤は、ホスホン酸系キレート剤を含有することを特徴とする。
【０００９】
本発明のハードディスク基板用浸漬液は、本発明の前記ハードディスク基板用浸漬製剤を含有し、ホスホン酸系キレート剤の含有量が０．１〜５００質量ｐｐｍであり、ｐＨ７〜１２の水溶液であることを特徴とする。
【００１０】
本発明のハードディスク基板の製造方法は、ハードディスク基板を本発明の前記ハードディスク基板用浸漬液に浸漬する浸漬工程を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の浸漬製剤によれば、ハードディスクの性能低下の防止が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】Ｒｕの（００２）結晶面の回折ピークの一例を示すグラフである。
【図２】Ｒｕの（００２）結晶面のロッキングカーブの一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（ハードディスク基板用浸漬製剤）
本発明のハードディスク基板用浸漬製剤（以下、単に浸漬製剤ということがある）は、ホスホン酸系キレート剤を含有するものである。
【００１４】
浸漬製剤の剤形は、特に限定されず、粉体、ペレット等の固体製剤であってもよいし、液体製剤であってもよい。
浸漬製剤のｐＨは、特に限定されず、浸漬製剤中の組成を勘案して適宜決定される。
【００１５】
＜ホスホン酸系キレート剤＞
ホスホン酸系キレート剤は、ホスホン酸基又はホスホン酸塩基を有するキレート剤である。
ホスホン酸系キレート剤としては、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（ＨＥＤＰ）又はその塩、ニトリロトリスメチレンホスホン酸（ＮＴＭＰ）又はその塩、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（ＥＤＴＭＰ）又はその塩、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）又はその塩、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）又はその塩、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）又はその塩、シス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）又はその塩、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）又はその塩、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）又はその塩、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）又はその塩、３，３’−ジアミノジプロピルアミンペンタ（メチレンホスホン酸）又はその塩、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）又はその塩等が挙げられる。塩としては、特に限定されず、例えば、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩、カルシウム等のアルカリ土類金属塩、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の有機アミン塩又はアンモニア、テトラアルキルアンモニウム等のアンモニウム塩等が挙げられる。
これらのホスホン酸系キレート剤の中でも、ＨＥＤＰ又はその塩（ＨＥＤＰ（塩））、ＮＴＭＰ又はその塩（ＮＴＭＰ（塩））が好ましい。これらのホスホン酸系キレート剤を含有することで、ハードディスク基板の性能低下を防げる。これらのホスホン酸系キレート剤は、１種単独で用いられてもよいし、２種以上が組み合わされて用いられてもよい。
【００１６】
浸漬製剤中のホスホン酸系キレート剤の含有量は、剤形等に応じて適宜決定される。
例えば、浸漬製剤がストレートタイプの液体製剤、即ち、水で希釈しないで用いられるものである場合、浸漬製剤中のホスホン酸系キレート剤の含有量は０．１〜５００質量ｐｐｍであり、０．２〜２００質量ｐｐｍが好ましく、０．５〜１００質量ｐｐｍがより好ましい。上記下限値未満では、ハードディスク基板の品質を維持できず、ハードディスクの性能低下を良好に防げない。上記上限値超では、例えば、ハードディスク基板がニッケルとリンとの混合物でメッキされたもの（Ｎｉ−Ｐハードディスク基板）やニッケルと鉄との混合物でメッキされたもの（Ｎｉ−Ｆｅハードディスク基板）である場合、ニッケルがエッチングされて平滑性が損なわれ、ハードディスクの性能を低下させるおそれがある。
また、例えば、浸漬製剤が濃縮タイプの液体製剤、即ち、水で希釈して用いられるものである場合、浸漬製剤中のホスホン酸系キレート剤の含有量は、０．１質量ｐｐｍ以上であればよく、例えば、１０〜５００００質量ｐｐｍとされる。
【００１７】
浸漬製剤は、ホスホン酸系キレート剤以外に、本発明の効果を妨げない範囲で、必要に応じて任意成分（特に、製剤任意成分ということがある）を含有できる。
製剤任意成分としては、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝剤、界面活性剤、ホスホン酸系キレート剤を除くキレート剤（任意キレート剤）、液安定化剤、防腐剤、酸化防止剤、無機塩、分散剤、消泡剤等が挙げられる。
【００１８】
ｐＨ調整剤としては、特に限定されず、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、アルカノールアミン等のアルカリ性化合物、塩酸、硫酸、リン酸、酢酸、クエン酸、シュウ酸、グルコン酸、乳酸、酒石酸等の酸性化合物が挙げられる。
【００１９】
ｐＨ緩衝剤としては、特に限定されず、ｐＨの緩衝作用を有する有機酸、無機酸及びこれらの塩が用いられ、例えば、リン酸、ホウ酸、硫酸、硝酸、クエン酸、グリコール酸、シュウ酸、乳酸、酒石酸、コハク酸、マレイン酸及びこれらの塩が挙げられる。また、ｐＨ緩衝剤の塩としては、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩、カルシウム等のアルカリ土類金属塩、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の有機アミン塩又はアンモニア、テトラアルキルアンモニウム等のアンモニウム塩等が挙げられる。
【００２０】
界面活性剤としては、特に限定されず、例えば、従来公知のアニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、両性界面活性剤等が挙げられる。
【００２１】
任意キレート剤としては、特に限定されず、例えば、クエン酸、サリチル酸、グルコン酸、グリコール酸、乳酸、ヒドロキシ酪酸、リンゴ酸、酒石酸、没食子酸、ヘプトグルコン酸、ヒドロキシイミノジ酢酸（ＨＩＤＡ）、ヒドロキシイミノジコハク酸（ＨＩＤＳ）、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）、ニトリロトリ酢酸（ＮＴＡ）、ジヒドロキシエチルグリシン（ＤＨＥＧ）、１，３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパン四酢酸（ＤＴＰＡ−ＯＨ）、及びこれらの塩等が挙げられる。また、これらの塩の種類としてはナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩、カルシウム等のアルカリ土類金属塩、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の有機アミン塩又はアンモニア、テトラアルキルアンモニウム等のアンモニウム塩等が挙げられる。
【００２２】
液安定化剤としては、特に限定されず、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、ｍ−キシレンスルホン酸、２−エチルヘキサン酸、オクタン酸、及びこれらの塩等が挙げられる。また、これらの塩の種類としてはナトリウム、カリウム等のアルカリ金属塩、カルシウム等のアルカリ土類金属塩、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等の有機アミン塩又はアンモニア、テトラアルキルアンモニウム等のアンモニウム塩等が挙げられる。
【００２３】
＜製造方法＞
浸漬製剤の製造方法は、剤形に応じて適宜選択され、液体製剤であれば、例えば、溶媒である水に、ホスホン酸系キレート剤と必要に応じて製剤任意成分とを添加し、これを攪拌する方法が挙げられる。
溶媒である水は、できるだけ清浄度の高いものが好ましく、例えば、抵抗率が好ましくは０．００００１ＭΩ・ｃｍ以上、より好ましくは０．００１ＭΩ・ｃｍ以上、さらに好ましくは１ＭΩ・ｃｍ以上の超純水が挙げられる。
固体製剤であれば、粉体の各成分を粉体混合したり、必要に応じて、ペレット化することで製造される。
【００２４】
（浸漬製剤の使用方法）
浸漬製剤の使用方法は、浸漬製剤を含有するハードディスク基板用浸漬液（以下、単に浸漬液ということがある）を調製し、この浸漬液にハードディスク基板を浸漬して、保存や移送をするものが挙げられる。
浸漬製剤の使用方法について、以下にハードディスク基板の製造方法の一例を挙げて説明する。
【００２５】
本実施形態のハードディスク基板の製造方法は、ハードディスク基板に粗研磨を施す一次研磨工程と、粗研磨を施したハードディスク基板を洗浄する一次洗浄工程と、一次洗浄工程後のハードディスク基板に仕上げ研磨を施す二次研磨工程と、仕上げ研磨を施したハードディスク基板を浸漬して保存する浸漬工程と、保存後のハードディスク基板を洗浄する二次洗浄工程とを有するものである。
【００２６】
＜一次研磨工程＞
一次研磨工程は、ハードディスク基板に粗研磨を施す工程である。
ハードディスク基板としては、Ｎｉ−Ｐハードディスク基板、Ｎｉ−Ｆｅハードディスク基板等、ガラス製又はアルミニウム製の平板（以下、原板ということがある）の表面を研削し、これに金属メッキを施したものが挙げられ、中でも、Ｎｉ−Ｐハードディスク基板が好ましい。
【００２７】
粗研磨を施す方法としては、従来公知の方法を用いることができ、例えば、研磨機を用い、研磨材を水に分散させた研磨液でハードディスク基板を研磨する方法が挙げられる。
一次研磨工程に用いられる研磨材は、ハードディスク基板の種類等を勘案して決定され、例えば、酸化セリウム、アルミナ等が挙げられる。
【００２８】
＜一次洗浄工程＞
一次洗浄工程は、一次研磨工程でハードディスクに付着した砥粒や研磨カスを取り除く工程であり、例えば、ハードディスク基板に洗浄液を接触させて砥粒や研磨カスを取り除き（一次洗浄操作）、ハードディスク基板を水ですすぎ（一次すすぎ操作）、ハードディスクを乾燥させる（一次乾燥操作）ものが挙げられる。
【００２９】
一次洗浄操作としては、洗浄対象とするハードディスク基板（被洗浄基板）に洗浄液をノズル等から直接吹き付けて塗布し、その後に拭き取る方法、被洗浄基板を洗浄液に浸漬する方法、被洗浄基板を洗浄液に浸漬しつつ超音波処理を行う方法等が挙げられる。中でも、被洗浄基板を洗浄液に浸漬しつつ超音波処理を施す方法が好ましい。
洗浄液は、従来公知のハードディスク基板用の洗浄剤（例えば、特許文献１に記載のハードディスク基板用洗浄剤）、又はこれを水で希釈したものを用いることができる。
洗浄剤は、ハードディスク基板の種類や砥粒の種類等を勘案して、適宜決定される。
洗浄剤を希釈する水としては、できるだけ清浄度の高いものが好ましく、例えば、抵抗率が好ましくは０．００００１ＭΩ・ｃｍ以上、より好ましくは０．００１ＭΩ・ｃｍ以上、さらに好ましくは１ＭΩ・ｃｍ以上の超純水が挙げられる。
【００３０】
一次すすぎ操作としては、例えば、ハードディスク基板にすすぎ水を吹き付ける方法、ハードディスク基板をすすぎ水に浸漬する方法、ハードディスク基板をすすぎ水に浸漬しつつ超音波処理を施す方法等が挙げられる。
一次乾燥操作としては、ハードディスク基板に窒素ガスやアルゴン（Ａｒ）ガスを吹き付ける方法や、ハードディスク基板を回転させる方法（スピン乾燥法）等が挙げられる。
【００３１】
＜二次研磨工程＞
二次研磨工程は、ハードディスク基板に仕上げ研磨を施して、表面の平滑度をさらに高める工程である。
仕上げ研磨を施す方法は、第一の研磨工程における粗研磨を施す方法と同様である。
二次研磨工程に用いられる研磨材は、ハードディスク基板の種類等を勘案して決定され、例えば、コロイダルシリカ等が挙げられる。
【００３２】
＜浸漬工程＞
本実施形態における浸漬工程は、二次研磨工程で仕上げ研磨を施したハードディスク基板を浸漬液に浸漬して保存するものであり、二次研磨工程と二次洗浄工程との間に設けられるものである。本発明の浸漬液に浸漬して保存することで、ハードディスク基板が乾燥するのを防ぎ、砥粒や研磨カスがハードディスク基板に固着するのを防げる。加えて、平滑性が損なわれる等、保存中におけるハードディスク基板の品質劣化を防ぎ、ハードディスクの性能低下を防げる。
【００３３】
本発明の浸漬液が、本発明の浸漬製剤を含有することでハードディスクの性能低下を防げる機構は明らかではないが、以下のように推測する。ハードディスク基板は、純水等に浸漬されて保存されると、水との相互作用によって表面に微細な腐食等が生じて、平滑性が損なわれたものとなる（品質劣化）。平滑性が損なわれたハードディスク基板に下地層、中間層を形成すると、中間層のｃ軸配向性が低下し、さらに中間層上に形成される磁気記録層のｃ軸配向性も低下して、記録不良を生じると考えられる。中間層のｃ軸配向性の低下は、特に、ｃ軸方向への磁化により記録を行う垂直磁気記録方式のハードディスクにおいて、ＳＮ比低下等の性能低下を生じやすいと考えられる。
【００３４】
浸漬液の調製方法は、浸漬製剤の剤形に応じて選択される。例えば、浸漬製剤が、濃縮タイプの液体製剤又は固体製剤であれば、浸漬製剤と、必要に応じて任意成分（特に、浸漬液任意成分ということがある）とを溶媒である水に溶解することで、浸漬液を調製できる。
【００３５】
溶媒である水は、洗浄液を希釈する水と同様に、できるだけ清浄度の高いものが好ましい。
浸漬液任意成分としては、上述した製剤任意成分と同様のものが挙げられる。
【００３６】
浸漬液中の浸漬製剤の含有量は、浸漬液中のホスホン酸系キレート剤の含有量を勘案して適宜決定される。
浸漬液中のホスホン酸系キレート剤の含有量は、０．１〜５００質量ｐｐｍであり、０．２〜２００質量ｐｐｍが好ましく、０．５〜１００質量ｐｐｍがより好ましい。上記下限値未満では、ハードディスク基板の品質を維持できず、ハードディスクの性能低下を良好に防げない。上記上限値超では、例えば、ハードディスク基板がＮｉ−Ｐハードディスク基板やＮｉ−Ｆｅハードディスク基板である場合、ニッケルがエッチングされて平滑性が損なわれ、ハードディスクの性能を低下させるおそれがある。
【００３７】
浸漬液は、ｐＨ７〜１２であり、ｐＨ８．５〜１１が好ましい。上記下限値未満では、ホスホン酸系キレート剤の作用が十分に発揮されず、保存中のハードディスク基板の性能低下を防止できない。上記上限値超では、ハードディスク基板がＮｉ−Ｐハードディスク基板、Ｎｉ−Ｆｅハードディスク基板等、Ｎｉを含む場合、ハードディスク基板の表面に不溶性のニッケル水酸化物が生成して、ハードディスク基板の表面の平滑性が損なわれる。このため、ｐＨが上記上限値超であると、ハードディスクの品質劣化を防げず、ハードディスクの性能低下を良好に防げない。
ｐＨは、ｐＨメータ（東亜ディーケーケー株式会社製、ＨＭ−２０Ｓ）とｐＨ電極（東亜ディーケーケー株式会社製、ＧＳＴ−５２１１Ｃ）を用いて、２５℃の浸漬液にｐＨ電極を浸漬し１５秒経過後に読み取られた値である。
【００３８】
浸漬液の粘度は、特に限定されず、例えば、２０ｍＰａ・ｓ未満とされる。上記上限値超では、後述する二次洗浄工程において、ハードディスク基板に付着した浸漬液を取り除きにくいおそれがある。
粘度は、Ｂ型粘度計（ＴＯＫＩＭＥＣ社製）を用いて測定（試料温度２５℃、ローターＮｏ．１）される値である。
【００３９】
浸漬工程における温度条件は特に限定されないが、例えば、０〜４０℃が好ましく、０〜３０℃がより好ましい。上記下限値未満では、浸漬液が凍結してしまい、ハンドリングが煩雑になる。上記上限値超では、ハードディスク基板の表面が腐食されやすくなり、ハードディスクの性能低下を十分に防げないおそれがある。
浸漬工程における浸漬時間（即ち、保存時間）は、特に限定されないが、２４時間を超えて保存する場合には、浸漬液を交換することが好ましい。
【００４０】
＜二次洗浄工程＞
本実施形態における二次洗浄工程は、浸漬工程を経たハードディスク基板を洗浄して、二次研磨工程でハードディスクに付着した砥粒や研磨カスを取り除く工程であり、例えば、ハードディスク基板に洗浄液を接触させて砥粒や研磨カスを取り除き（二次洗浄操作）、ハードディスク基板を水ですすぎ（二次すすぎ操作）、ハードディスク基板を乾燥させる（二次乾燥操作）ものが挙げられる。
二次洗浄操作は、一次洗浄操作と同様であり、二次すすぎ操作は一次すすぎ操作と同様であり、二次乾燥操作は、一次乾燥操作と同様である。
【００４１】
こうして、二次洗浄工程を経たハードディスク基板は、汚れが可及的に取り除かれ、かつ品質が劣化することなく表面の平滑度が保たれたものとなる。そして、このハードディスク基板に形成された記録用薄膜は、ｃ軸配向性が高いものとなる。
【００４２】
上述の実施形態では、浸漬工程は、ハードディスク基板の保存を目的とするものであるが、本発明は、これに限定されず、浸漬液にハードディスク基板を浸漬し、各工程間でハードディスク基板を移送させるのを目的としてもよい。
【００４３】
上述の実施形態では、二次研磨工程と二次洗浄工程との間にのみ浸漬工程が設けられているが、本発明はこれに限定されず、一次研磨工程と一次洗浄工程との間、一次洗浄工程と二次研磨工程との間及び二次研磨工程とその後の加工工程（例えば、記録用薄膜を形成する成膜工程）との間のいずれか又は全てに設けられていてもよい。
また、例えば、一次研磨工程や二次研磨工程において、次工程の不具合により各工程が一時的に停止した際に、本発明の浸漬液にハードディスク基板を浸漬して保存してもよい。
中でも、本発明の浸漬液は、二次研磨工程以降においてハードディスク基板を保存したり移送させたりするのに好適である。従来、面内磁気記録方式のハードディスク用のハードディスク基板を製造する際には、テクスチャーといわれる加工工程を二次洗浄工程後に設けることがある。しかしながら、垂直磁気記録方式のハードディスク用のハードディスク基板を製造する際には、二次研磨工程の後にテクスチャー等の研磨工程を設けないのが通常である。即ち、垂直磁気記録方式のハードディスク用のハードディスク基板の製造工程には、二次研磨工程の後にハードディスク基板に生じた品質劣化を修正する工程がない。従って、二次研磨工程以降でハードディスク基板を保存したり移送させたり際に、本発明の浸漬液に浸漬することで、ハードディスク基板に腐食等の品質劣化が生じるのを防ぎ、ハードディスクの性能低下をより良好に防げる。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例を示して本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の記載によって限定されるものではない。
【００４５】
（使用原料）
＜ホスホン酸系キレート剤＞
ＨＥＤＰ−２Ｎａ：１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸２ナトリウム塩（商品名；キレストＰＨ−２１２、キレスト株式会社製）。
ＨＥＤＰ：１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸（商品名；フェリオックス１１５Ａ、ライオン株式会社製）
ＮＴＭＰ：ニトリロトリスメチレンホスホン酸（商品名；キレストＰＨ−３２０、キレスト株式会社製）。
ＥＤＴＭＰ：エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸（商品名；キレストＰＨ−５４０、キレスト株式会社製）。
【００４６】
＜ホスホン酸系キレート剤の比較品＞
ＥＤＴＡ：エチレンジアミン四酢酸（商品名；ディゾルビンＺ、アクゾノーベル株式会社製）。
クエン酸：クエン酸・１水和物（小松屋株式会社製）。
【００４７】
（実施例１〜１７、比較例２〜３、６〜７）
表１の組成に従い、マグネチックスターラーの入った樹脂性ビーカーに純水とホスホン酸系キレート剤とを仕込み、これをマグネチックスターラーで攪拌して、ホスホン酸系キレート剤を水に溶解させた。さらに水酸化ナトリウムを適量（０．１〜１５００質量ｐｐｍ）加えて、表中に示すｐＨに調整して、各例の浸漬液を得た。得られた浸漬液について、後述の評価方法で定めるハードディスクの半値幅Δθ５０を測定し、その結果を表中に示す。
【００４８】
（比較例１）
表１の組成に従い、ホスホン酸系キレート剤を加えなかった以外は、実施例１と同様にして浸漬液を得た。得られた浸漬液について、実施例１と同様にして半値幅Δθ５０を測定し、その結果を表中に示す。
【００４９】
（比較例４）
表１の組成に従い、ホスホン酸系キレート剤に換えてＥＤＴＡを用いた以外は、実施例１と同様にして浸漬液を得た。得られた浸漬液について、実施例１と同様にして半値幅Δθ５０を測定し、その結果を表中に示す。
【００５０】
（比較例５）
表１の組成に従い、ホスホン酸系キレート剤に換えてクエン酸を用いた以外は、実施例１と同様にして浸漬液を得た。得られた浸漬液について、実施例１と同様にして半値幅Δθ５０を測定し、その結果を表中に示す。
【００５１】
（評価方法）
アルミニウム製の原板にＮｉ−Ｐメッキを施して、３．５インチのＮｉ−Ｐハードディスク基板を得た。このハードディスク基板の表面をアルミナで研磨した（研磨工程）。研磨機としては、片面研磨機（スピードファム株式会社製）を用い、研磨パッドとしては、ファイナル用のスエードタイプを用い、研磨液としては平均粒子径２０ｎｍのコロイダルシリカの水懸濁液（ｐＨ１．５）を用いた。研磨時間を、取り代がＮｉ−Ｐメッキ厚みとして０．５μｍ以上となるように調整した。
研磨工程の後、ハードディスク基板を純水に浸漬し、１０分間流水ですすいで研磨カスをあらかた除去した。その後、ハードディスク基板を各例の浸漬液（１Ｌ）に１枚ずつ、表１の「浸漬条件」に従って浸漬した（浸漬工程）。
表１の「浸漬条件」の「時間（ｈｒ．）」に示す時間の後、ハードディスク基板を浸漬液から取り出し、純水ですすいだ。次いで、純水中でハードディスク基板に５分間の超音波処理（９５０ｋＨｚ）を施し、流水型スクラブ洗浄機（スピードファムクリーンシステム株式会社製）を用いて、純水中で２０秒間、表面を擦り洗いした。その後、純水中でハードディスク基板に２分間の超音波処理（９５０ｋＨｚ）を施した。
次いで、洗浄した基板をスピン乾燥法で乾燥させた（以上、洗浄工程）。
なお、以上の操作において、純水及び浸漬液は、０．２μｍメンブレンカートリッジフィルター（ＴＣＳＥ―Ｅ０２０Ｓ、アドバンテック東洋株式会社製）でろ過したものである。また、上記の処理は、浸漬工程を除き、常温（２５℃）条件下で行われたものである。
【００５２】
洗浄工程の後、ハードディスク基板を真空チャンバに入れ、真空チャンバ内を真空排気して１．０×１０−５Ｐａ以下とした。次いで、ハードディスク基板上にスパッタリング法により、軟磁性裏打ち層としてＦｅＣｏＴａＺｒを３０ｎｍ厚となるように、ガス圧０．６ＰａのＡｒ雰囲気中で形成した。次に、下地層として、ガス圧０．６ＰａのＡｒ雰囲気中でＮｉＷを６ｎｍ厚で形成した。さらに、中間層として、ガス圧０．６ＰａのＡｒ雰囲気中でＲｕを１０ｎｍ厚、ガス圧８．０ＰａのＡｒ雰囲気中でＲｕを１０ｎｍ厚で形成した。最後に、保護層として、カーボン膜を７ｎｍ厚で形成して、軟磁性裏打ち層と下地層と中間層と保護層との積層体である記録用薄膜を有するハードディスクを得た。
【００５３】
得られたハードディスクのＲｕ配向性を評価するため、薄膜評価用Ｘ線回折装置を用いてロッキングカーブを測定し、半値幅Δθ５０（°）を算出した。ここでは、はじめにハードディスク基板上に形成した記録用薄膜をＸ線回折装置にかけ、ハードディスク基板面に対して平行な結晶面を測定した。Ｒｕは六方最密構造を取り、そのｃ軸［００２］方向がハードディスク基板面に垂直になるような配向をするため、（００２）結晶面に対応するピークが観測される（図１）。次に、（００２）結晶面を回折するブラッグ角を維持したまま光学系（ディテクタ）をハードディスク基板面に対してスイングさせた。この際、光学系を傾けた角度に対して（００２）結晶面の回折強度をプロットすることでロッキングカーブを描き（図２）、その形状から半値幅Δθ５０を求めた。
求めた半値幅Δθ５０を下記判定基準に分類した。半値幅Δθ５０が小さいほど、Ｒｕのｃ軸配向性が高く、ハードディスクの品質低下を防げるといえる。
【００５４】
＜判定基準＞
◎◎：Δθ５０が３．５°以下。
◎：Δθ５０が３．５°超３．７°以下。
○：Δθ５０が３．７°超４．０°以下。
△：Δθ５０が４．０°超５．０°以下。
×：Δθ５０が５．０°超。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
表１に示すように、本発明を適用した実施例１〜１７は、いずれも半値幅Δθ５０の判定結果が「○」〜「◎◎」であった。
一方、ホスホン酸系キレート剤を含有しない浸漬液を用いた比較例１、ホスホン酸系キレート剤の含有量が０．０４質量ｐｐｍの比較例２は、半値幅Δθ５０の評価が「×」であった。ホスホン酸系キレート剤の含有量が２０００質量ｐｐｍの比較例３は、半値幅Δθ５０の評価が「△」であった。
ホスホン酸系キレート剤に換えてＥＤＴＡを用いた比較例４及びホスホン酸系キレート剤に換えてクエン酸を用いた比較例５は、半値幅Δθ５０の評価が「×」であった。
ｐＨ６．４の比較例６は、半値幅Δθ５０の評価が「△」であり、ｐＨ１２．６の比較例７は、半値幅Δθ５０の評価が「×」であった。
これらの結果から、本発明を適用することで、Ｒｕのｃ軸配向性を高め、ハードディスクの性能低下を防げることが判った。
【図１】
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【図２】
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