【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年8月3日(2016.8.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隔離溝で区画された太陽電池領域及びバイパススイッチ領域を形成する半導体層であって、受光前面及び該前面とは反対の裏面を有している半導体層と、
前記半導体層の裏面に位置され、前記太陽電池領域にベース及びエミッタ金属被覆を与えると共に、前記バイパススイッチ領域に金属被覆を与えるパターン化第１レベル金属層（Ｍ１）と、
前記パターン化第１レベル金属層（Ｍ１）に位置された電気絶縁バックプレーンと、
を備え、前記隔離溝は、前記半導体層を通して前記電気絶縁バックプレーンへと形成されて、前記太陽電池領域及び前記バイパススイッチ領域を電気的に隔離し、更に、
前記電気絶縁バックプレーンに位置されたパターン化第２レベル金属層（Ｍ２）と、
前記電気絶縁バックプレーンを貫通して形成されて、前記パターン化第２レベル金属層（Ｍ２）の選択部分を前記パターン化第１レベル金属層（Ｍ１）の選択部分に接続する複数の導電性ビアプラグと、
を備え、前記パターン化第１レベル金属層、前記パターン化第２レベル金属層、及び前記複数の導電性ビアプラグは、前記太陽電池及びバイパススイッチの一体化構造体の電気的金属被覆及び相互接続を完成するように設計される、モノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項２】
前記パターン化第１レベル金属層（Ｍ１）は、バスバーレスベース及びエミッタフィンガーの櫛型パターンである、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項３】
前記パターン化第２レベル金属層（Ｍ２）は、太陽電池バスバーを伴うベース及びエミッタフィンガーの櫛型パターンである、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項４】
前記パターン化第２レベル金属層（Ｍ２）は、前記パターン化第１レベル金属層（Ｍ１）に対して実質的に直交する、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項５】
前記半導体層は、単結晶シリコン層である、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項６】
前記半導体層は、多結晶シリコン層である、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項７】
前記半導体層は、ｎ型吸収材及びベースを伴う太陽電池の形成のためのｎ型バックグランドドーピングを有する、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項８】
前記太陽電池は、後部コンタクト太陽電池である、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項９】
前記太陽電池は、櫛型後部コンタクト（ＩＢＣ）太陽電池である、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項１０】
前記バイパススイッチ領域は、バイパスダイオードを含む、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項１１】
前記バイパススイッチは、ｐｎ接合ダイオードである、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項１２】
前記ｐｎ接合ダイオードのｐ型及びｎ型の端子は、前記太陽電池のｎ型及びｐ型の端子にそれぞれ接続されている、請求項１１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項１３】
前記バイパススイッチは、ショットキーバリアダイオードである、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項１４】
前記バイパススイッチは、トランジスタである、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項１５】
前記半導体層は、１ミクロンから２００ミクロンの範囲の厚みを有する、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項１６】
前記電気絶縁バックプレーンは、５０ミクロンから２５０ミクロンの範囲の厚みを有する、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項１７】
前記電気絶縁バックプレーンは、熱膨張係数（ＣＴＥ）が前記半導体層に比較的厳密に一致する柔軟な材料である、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項１８】
前記モノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチは、柔軟であり、そして柔軟な軽量の光起電力モジュールラミネートでパッケージされる、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項１９】
前記受光前面は、不動態化及び反射防止被膜を有する、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項２０】
前記モノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチに対する前記隔離溝の面積比は、１％以下である、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項２１】
前記太陽電池領域に対する前記バイパススイッチ領域の面積比は、１％以下である、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項２２】
前記太陽電池領域に対する前記バイパススイッチ領域の面積比は、０．３％以下である、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項２３】
前記太陽電池領域に対する前記バイパススイッチ領域の面積比は、約０．２６％から約１．３％の範囲内である、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項２４】
前記電気絶縁バックプレーンは、柔軟なプリプレグシートである、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項２５】
前記電気絶縁バックプレーンは、堅牢である、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項２６】
前記電気絶縁バックプレーンは、柔軟なアラミド繊維及び樹脂プリプレグシートである、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項２７】
前記半導体層は、複数の小型太陽電池領域及び対応するバイパススイッチ領域を含む、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項２８】
前記半導体層は、シリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、窒化ガリウム、燐化ガリウム、他のIII−Ｖ半導体、又はその組み合わせのグループからの少なくとも１つの結晶半導体材料を含む、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項２９】
前記バイパススイッチは、前記太陽電池を取り巻き且つ前記隔離溝により前記太陽電池から分離された全周リムダイオードである、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項３０】
前記バイパススイッチは、複数のダイオードを含む、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項３１】
前記バイパススイッチは、前記太陽電池の少なくとも１つの辺に位置され且つ前記隔離溝により前記太陽電池から分離されたダイオードである、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項３２】
前記バイパススイッチは、前記太陽電池の少なくとも１つのコーナーに位置され且つ前記隔離溝により前記太陽電池から分離されたダイオードである、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項３３】
前記バイパススイッチは、前記太陽電池のエリア内に位置され且つ前記隔離溝により前記太陽電池から分離された少なくとも１つのダイオードアイランドを含む、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項３４】
前記バイパススイッチは、太陽電池の２つの対向する対角方向コーナー間に位置され且つ前記隔離溝により前記太陽電池から分離された少なくとも１つの対角方向ダイオードアイランドを含む、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項３５】
モジュールラミネートで支持された複数のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチを更に含む、請求項１に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項３６】
前記モジュールラミネートは、柔軟なラミネートである、請求項３５に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項３７】
前記モジュールラミネートは、堅牢なガラスカバーモジュールラミネートである、請求項３５に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【請求項３８】
前記モジュールラミネートは、軽量の光起電力モジュールラミネートである、請求項３５に記載のモノリシック集積の太陽電池及びバイパススイッチ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】全図
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１Ａ】
2015532543.tif 000001
【図１Ｂ】
2015532543.tif 000002
【図２Ａ】
2015532543.tif 000003
【図２Ｂ】
2015532543.tif 000004
【図３Ａ】
2015532543.tif 000005
【図３Ｂ】
2015532543.tif 000006
【図４Ａ】
2015532543.tif 000007
【図４Ｂ】
2015532543.tif 000008
【図５】
2015532543.tif 000009
【図６】
2015532543.tif 000010
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2015532543.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０Ｂ】
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【図２１】
2015532543.tif 000026
【図２２】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
2015532543.tif 000029
【図２３Ｃ】
2015532543.tif 000030
【図２３Ｄ】
2015532543.tif 000031
【図２３Ｅ】
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【図２３Ｆ】
2015532543.tif 000033
【図２３Ｇ】
2015532543.tif 000034
【図２３Ｈ】
2015532543.tif 000035
【図２３Ｉ】
2015532543.tif 000036
【図２３Ｊ】
2015532543.tif 000037
【図２３Ｋ】
2015532543.tif 000038
【図２３Ｌ】
2015532543.tif 000039
【図２４】
2015532543.tif 000040
【図２５】
2015532543.tif 000041
【図２６】
2015532543.tif 000042
【図２７】
2015532543.tif 000043
【図２８】
2015532543.tif 000044
【図２９】
2015532543.tif 000045
【図３０】
2015532543.tif 000046
【図３１】
2015532543.tif 000047
【図３２】
2015532543.tif 000048
【図３３Ｂ】
2015532543.tif 000049
【図３４Ｂ】
2015532543.tif 000050
【図７】
2015532543.tif 000051
【図２０Ａ】
2015532543.tif 000052
【図３３Ａ】
2015532543.tif 000053
【図３４Ａ】
2015532543.tif 000054