(57)【要約】【課題】  光電変換装置の光電変換効率を向上させる。【解決手段】  光電変換装置１１の製造方法は、基板１の主面に、第１の半導体層３および第１の半導体層３にヘテロ接合した金属カルコゲナイドおよび金属水酸化物の混晶化合物を含む第２の半導体層４を含む光電変換体Ｐを設ける工程と、光電変換体Ｐの主面について、光電変換体Ｐに電界を印加して得られるエレクトロルミネッセンス強度の面内分布を測定する工程と、面内分布におけるエレクトロルミネッセンス強度の低い側の値を示す光電変換体Ｐの主面の領域に対して、第１の半導体層３によって吸収される光を、面内分布におけるエレクトロルミネッセンス強度の高い側の値を示す光電変換体Ｐの主面の領域に対してよりも高い光エネルギーとなるように光照射を行なう工程とを具備する。【選択図】  図１
2013131667.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に、第１の半導体層および該第１の半導体層にヘテロ接合した金属カルコゲナイドおよび金属水酸化物の混晶化合物を含む第２の半導体層を含む光電変換体を設ける工程と、
該光電変換体の主面について、該光電変換体に電界を印加して得られるエレクトロルミネッセンス強度の面内分布を測定する工程と、
該面内分布における前記エレクトロルミネッセンス強度の低い側の値を示す前記光電変換体の主面の領域に対して、前記第１の半導体層によって吸収される光を、前記面内分布における前記エレクトロルミネッセンス強度の高い側の値を示す前記光電変換体の主面の領域に対してよりも高い光エネルギーとなるように光照射を行なう工程と
を具備する光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記光照射を行なった後に前記光電変換体を封止材で封止する、請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の半導体層にＩ−III−VI族化合物を含ませ、前記第２の半導体層にII−VI族
化合物およびIII−VI族化合物の少なくとも一方を含ませる、請求項１または２に記載の
光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カルコパイライト系化合物を含む光電変換装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光発電などに使用される光電変換装置として、光吸収係数が高いＣＩＧＳなどのカルコパイライト系化合物を光吸収層（第１の半導体層）として用いたものがある。カルコパイライト系の化合物半導体は光吸収係数が高く、光電変換装置の薄膜化や大面積化や低コスト化に適しており、これを用いた次世代太陽電池の研究開発が進められている。
【０００３】
係るカルコパイライト系の光電変換装置は、第１の半導体層上にイオウを含んだ亜鉛混晶化合物やＺｎＳｅ等の第２の半導体層がヘテロ接合されている。この第２の半導体層が形成される過程において、第１の半導体層と第２の半導体層との界面に欠陥が生じやすく、この欠陥によって光電変換効率が低下する傾向がある。この欠陥を低減させる方法として、予め光照射を行なうことによって、キャリアである電子を発生させ、この電子が欠陥を埋めることで欠陥の数を減少させることができる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−３６４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
光電変換装置は常に光電変換効率の向上が求められている。しかしながら、光電変換装置を大面積化しようとすると、上記欠陥の数にばらつきが生じ、光電変換効率が全面において均一に成りにくい。このような欠陥の数にばらつきを有する光電変換装置に、上記のような光照射を行なっても、欠陥の数の多い部分では十分に欠陥を減少させることが困難である。また、光強度を高くして欠陥を十分に減少させようとした場合、ある限度を超えて光照射を行なうと逆に光電変換効率が低下する傾向があり、欠陥の数の少ない部分において光電変換効率が低下する。その結果、光電変換効率を十分に高めることが困難である。
【０００６】
よって、本発明の一つの目的は光電変換効率を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、基板の主面に、第１の半導体層および該第１の半導体層にヘテロ接合した金属カルコゲナイドおよび金属水酸化物の混晶化合物を含む第２の半導体層を含む光電変換体を設ける工程と、該光電変換体の主面について、該光電変換体に電界を印加して得られるエレクトロルミネッセンス強度の面内分布を測定する工程と、該面内分布における前記エレクトロルミネッセンス強度の低い側の値を示す前記光電変換体の主面の領域に対して、前記第１の半導体層によって吸収される光を、前記面内分布における前記エレクトロルミネッセンス強度の高い側の値を示す前記光電変換体の主面の領域に対してよりも高い光エネルギーとなるように光照射を行なう工程とを具備する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、光電変換装置における光電変換効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】光電変換装置の実施の形態の一例を示す要部斜視図である。
【図２】図１の光電変換装置の要部断面図である。
【図３】光電変換装置の製造途中の様子を示す要部断面図である。
【図４】光電変換装置の製造途中の様子を示す要部断面図である。
【図５】光電変換装置の製造途中の様子を示す断面図である。
【図６】光電変換装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】
＜光電変換装置の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置の一例を示す要部斜視図であり、図２はその要部断面図である。光電変換装置１１は、基板１上に複数の光電変換セル１０が並べられて互いに電気的に接続されている。なお、図１においては図示の都合上、２つの光電変換セル１０のみを示しているが、実際の光電変換装置１１においては、図面左右方向、あるいはさらにこれに垂直な方向に、多数の光電変換セル１０が平面的に（二次元的に）配設されていてもよい。
【００１２】
図１、図２において、基板１上に複数の下部電極層２が平面配置されている。隣接する下部電極層２のうち、一方の下部電極層２ａ上から他方の下部電極層２ｂ上にかけて、光吸収層（以下、第１の半導体層３ともいう）、第２の半導体層４および透明導電膜５が設けられている。そして、下部電極層２ｂ上において、接続導体７が下部電極層２ｂと透明導電膜５とを電気的に接続するように設けられている。これら、下部電極層２、第１の半導体層３、第２の半導体層４、透明導電膜５および接続導体７によって、１つの光電変換セル１０を構成している。そして、隣接する光電変換セル１０同士を下部電極層２ｂが接続しており、このような構成によって、隣接する光電変換セル１０同士が直列接続された光電変換装置１１となる。
【００１３】
なお、本実施形態における光電変換装置１１は、第１の半導体層３に対して第２の半導体層４側から光が入射されるものを想定しているが、これに限定されず、基板１側から光が入射されるものであってもよい。また、光吸収層としての第１の半導体層３と、第２の半導体層４とは逆の構成であってもよく、基板１上に第２の半導体層４および第１の半導体層３が順に積層されていてもよい。
【００１４】
基板１は、光電変換セル１０を支持するためのものである。基板１に用いられる材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂および金属等が挙げられる。基板１としては、例えば、厚さ１〜３ｍｍ程度の青板ガラス（ソーダライムガラス）を用いることができる。
【００１５】
下部電極層２（下部電極層２ａ、２ｂ）は、基板１上に設けられた、Ｍｏ、Ａｌ、ＴｉまたはＡｕ等の導電体である。下部電極層２は、スパッタリング法または蒸着法などの公知の薄膜形成手法を用いて、０．２μｍ〜１μｍ程度の厚みに形成される。
【００１６】
第１の半導体層３は第１導電型の半導体層である。第１の半導体層３は、光吸収層として機能し、例えば１μｍ〜３μｍ程度の厚みを有する。第１の半導体層３としては特に限定されず、例えば、II−VI族化合物、Ｉ−III−VI族化合物およびＩ−II−IV−VI族化合
物等の金属カルコゲナイドや、II−IV−Ｖ族化合物等が用いられてもよい。
【００１７】
II−VI族化合物とは、II−Ｂ族（１２族元素ともいう）とVI−Ｂ族元素（１６族元素ともいう）との化合物半導体であり、閃亜鉛鉱構造を有するものが好適に用いられ得る。II−VI族化合物としては、例えば、ＣｄＴｅ等が挙げられる。
【００１８】
Ｉ−III−VI族化合物とは、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素ともいう）とIII−Ｂ族元素（１３族元素ともいう）とVI-Ｂ族元素（１６族元素ともいう）との化合物であり、カルコパ
イライト系を有するものが好適に用いられ得る。Ｉ−III−VI族化合物としては、例えば
、ＣｕＩｎＳｅ２（二セレン化銅インジウム、ＣＩＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（二セレン化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２（二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳＳともいう）が挙げられる。あるいは、第１の半導体層３は、薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜にて構成されていてもよい。
【００１９】
Ｉ−II−IV−VI族化合物とは、Ｉ−Ｂ族元素とII−Ｂ族元素とIV−Ｂ族元素（１４族元素ともいう）とVI−Ｂ族元素との化合物である。Ｉ−II−IV−VI族化合物としては、例えば、Ｃｕ２ＺｎＳｎＳ４（ＣＺＴＳともいう）、Ｃｕ２ＺｎＳｎ（Ｓ，Ｓｅ）４（ＣＺＴＳＳｅともいう）、およびＣｕ２ＺｎＳｎＳｅ４（ＣＺＴＳｅともいう）が挙げられる。
【００２０】
II−IV−Ｖ族化合物とは、II−Ｂ族元素（１２族元素ともいう）とIV−Ｂ族元素（１４族元素ともいう）とＶ−Ｂ族元素（１５族元素ともいう）との化合物である。II−IV−Ｖ族化合物としては、例えば、ＣｄＳｎＰ２、ＣｄＳｎＳｂ２、ＣｄＧｅＡｓ２、ＣｄＧｅＰ２、ＣｄＳｉＡｓ２、ＣｄＳｉＰ２、ＣｄＳｉＳｂ２、ＺｎＳｎＳｂ２、ＺｎＳｎＡｓ２、ＺｎＳｎＰ２、ＺｎＧｅＡｓ２、ＺｎＧｅＰ２、ＺｎＧｅＳｂ２、ＺｎＳｉＡｓ２、ＺｎＳｉＰ２、ＺｎＳｉＳｂ２等が挙げられる。
【００２１】
第１の半導体層３は、スパッタリング法、蒸着法などのいわゆる真空プロセスによって形成可能であるほか、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスは、第１の半導体層３の構成元素の錯体溶液を下部電極層２の上に塗布し、その後、乾燥・熱処理を行うプロセスである。
【００２２】
第２の半導体層４は、第１の半導体層３にヘテロ接合された、金属カルコゲナイドおよび金属水酸化物の混晶化合物を含む半導体層である。第２の半導体層４は第１の半導体層３に対するバッファ層として機能する。第２の半導体層４は第１の半導体層３とは異なる第２導電型を有していてもよい。例えば、第１の半導体層３がｐ型であれば、第２の半導体層４はｎ型である。第１の半導体層３がｎ型で、第２の半導体層４がｐ型であってもよい。第１の半導体層３および第２の半導体層４が電気的に接続することにより、電荷を良好に取り出すことが可能な光電変換体Ｐが形成される。
【００２３】
第２の半導体層４は金属カルコゲナイドおよび金属水酸化物の混晶化合物を主に含んでいる。金属カルコゲナイドとは、金属元素とカルコゲン元素との化合物であり、カルコゲン元素とは、VI−Ｂ族元素のうち、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅをいう。第２の半導体層４において、ヒドロキシ基のモル数はカルコゲン元素のモル数の０．５〜２倍程度であってもよい。また、第２の半導体層４は、金属カルコゲナイドおよび金属水酸化物に加えて金属酸化物を含んだ混晶化合物であってもよい。
【００２４】
第２の半導体層４としては、Ｃｄ（Ｓ，ＯＨ）、Ｚｎ（Ｓ，ＯＨ）、Ｚｎ（Ｓｅ，ＯＨ）、Ｉｎ（Ｓ，ＯＨ）、Ｉｎ（Ｓｅ，ＯＨ）（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓ，ＯＨ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）、（Ｚｎ，Ｍｇ）（Ｓ，ＯＨ）、等、あるいはこれらの混晶体が挙げら
れる。なお、上記化学式において、金属元素をＭとし、カルコゲン元素をＸとしたときにＭ（Ｘ，ＯＨ）で表わされる化合物は、Ｍがカルコゲン化物および水酸化物として存在している混晶化合物を意味する。また、複数種の金属元素をＭ１、Ｍ２とし、カルコゲン元素をＸとしたときに、（Ｍ１，Ｍ２）（Ｘ，ＯＨ）で表わされる化合物は、金属元素Ｍ１およびＭ２がカルコゲン化物および水酸化物として存在している混晶化合物を意味する。第２の半導体層４は、例えば水溶液を用いたケミカルバスデポジション（ＣＢＤ）法等で１０〜２００ｎｍの厚みで形成される。
【００２５】
図１、図２のように、第２の半導体層４上にさらに上部電極層５が設けられていてもよい。上部電極層５は、第２の半導体層４よりも抵抗率の低い層であり、第１の半導体層３および第２の半導体層４で生じた電荷を良好に取り出すことが可能となる。光電変換効率をより高めるという観点からは、上部電極層５の抵抗率が１Ω・ｃｍ未満でシート抵抗が５０Ω／□以下であってもよい。
【００２６】
上部電極層５は、例えばＩＴＯ、ＺｎＯ等の０．０５〜３μｍの透明導電膜である。透光性および導電性を高めるため、上部電極層５は第２の半導体層４と同じ導電型の半導体で構成されてもよい。上部電極層５は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等で形成され得る。
【００２７】
また、図１、図２に示すように、上部電極層５上にさらに集電電極８が形成されていてもよい。集電電極８は、第１の半導体層３および第２の半導体層４で生じた電荷をさらに良好に取り出すためのものである。集電電極８は、例えば、図１に示すように、光電変換セル１０の一端から接続導体７にかけて線状に形成されている。これにより、第１の半導体層３および第４の半導体層４で生じた電流が上部電極層５を介して集電電極８に集電され、接続導体７を介して隣接する光電変換セル１０に良好に導電される。
【００２８】
集電電極８は、第１の半導体層３への光透過率を高めるとともに良好な導電性を有するという観点から、５０〜４００μｍの幅を有していてもよい。また、集電電極８は、枝分かれした複数の分岐部を有していてもよい。
【００２９】
集電電極８は、例えば、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散させた金属ペーストがパターン状に印刷され、これが硬化されることによって形成される。
【００３０】
図１、図２において、接続導体７は、第１の半導体層３、第２の半導体層４および第２の電極層５を貫通する溝内に設けられた導体である。接続導体７は、金属や導電ペースト等が用いられ得る。図１、図２においては、集電電極８を延伸して接続導体７が形成されているが、これに限定されない。例えば、上部電極層５が延伸したものであってもよい。
【００３１】
＜光電変換装置の製造方法＞
次に、光電変換装置１１の製造プロセスについて説明する。図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ｄ）〜（ｆ）および図５は、光電変換装置１１の製造途中の様子を示す要部断面図である。なお、図３および図４で示される要部断面図は、図２で示される断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。
【００３２】
まず、図３（ａ）で示されるように、洗浄された基板１の略全面に、スパッタリング法などが用いられて、Ｍｏなどからなる下部電極層２が成膜される。そして、下部電極層２の一部に第１溝部Ｐ１が形成される。第１溝部Ｐ１は、ＹＡＧレーザーその他のレーザー光が走査されつつ形成対象位置に照射されることで溝加工が行われる、レーザースクライブ加工によって形成されてもよい。図３（ａ）は、第１溝部Ｐ１が形成された後の状態を示す図である。
【００３３】
第１溝部Ｐ１が形成された後、下部電極層２の上に、第１の半導体層３が形成される。第１の半導体層３は、スパッタリング法、蒸着法などのいわゆる真空プロセスによって形成可能であるほか、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスは、第１の半導体層３の構成元素の錯体溶液を下部電極層２の上に塗布し、その後、乾燥・熱処理を行うプロセスである。図３（ｂ）は、第１の半導体層３が形成された後の状態を示す図である。
【００３４】
第１の半導体層層３が形成された後、第１の半導体層３の上に、第２の半導体層４および上部電極層５が、ＣＢＤ法やスパッタリング法等で順次形成される。図３（ｃ）は、第２の半導体層４および上部電極層５が形成された後の状態を示す図である。
【００３５】
第２の半導体層４および上部電極層５が形成された後、上部電極層５の上面のうちの所定の形成対象位置から下部電極層２の上面に至る領域に、第１溝部Ｐ１に沿って直線状に延在する第２溝部Ｐ２が形成される。図４（ｄ）には、第２溝部Ｐ２が形成された後の状態が示されている。第２溝部Ｐ２は、スクライブ針が用いられたメカニカルスクライブ加工等によって形成され得る。
【００３６】
第２溝部Ｐ２が形成された後、上部電極層５上および第２溝部Ｐ２内に、例えば、Ａｇなどの金属粉を樹脂バインダーなどに分散させた導電ペーストをパターン状に印刷し、これを加熱硬化することで、集電電極８および接続導体７が形成される。図４（ｅ）は、集電電極８および接続導体７が形成された後の状態を示す図である。
【００３７】
集電電極８および接続導体７が形成された後、第２溝部Ｐ２からずれた位置で、第１の半導体層３〜集電電極８をメカニカルスクライブ加工により除去することで第３溝部Ｐ３が形成され、複数の光電変換セル１０が形成される。図４（ｆ）には、複数の光電変換セル１０が形成された後の状態が示されている。
【００３８】
複数の光電変換セル１０が形成された後、各光電変換セル１０に電圧が印加されることによって各光電変換セル１０の光電変換体Ｐからエレクトロルミネッセンスが発せられる。そして、このエレクトロルミネッセンスの強度が光電変換セル１０の各領域において測定される。具体的には、図６の光電変換装置１１の平面図に示されるように、光電変換セル１０が、例えば、縦が６個、横が７個のマトリックス状の領域に分けられ、各領域のエレクトロルミネッセンス強度がそれぞれ測定される。図６において、一点鎖線で囲まれた領域が１つのエレクトロルミネッセンスの測定領域を表わしている。なお、図６は光電変換装置１１全体の概略を示す平面図である。図６では光電変換セル１０が横方向に７個配置されている例が示されているが、これに限定されない。また、図６では測定領域が、６個×７個のマトリックスに分けられている例が示されているがこれに限定されず、測定領域は種々のパターンに分けられたものが採用され得る。
【００３９】
このように光電変換セル１０が複数の測定領域に分けられ、エレクトロルミネッセンス強度が各測定領域においてそれぞれ測定されることにより、光電変換体Ｐに存在する欠陥の面内分布が把握できる。つまり、エレクトロルミネッセンス強度が高いほど欠陥が少なく、エレクトロルミネッセンス強度が低いほど欠陥が多い。
【００４０】
各測定領域のエレクトロルミネッセンス強度が測定された後、各測定領域のエレクトロルミネッセンス強度に応じてエネルギー量が異なるように、各測定領域の光電変換体Ｐに対し光照射が行なわれる。すなわち、各測定領域のエレクトロルミネッセンス強度から光電変換装置１１全体におけるエレクトロルミネッセンス強度の面内分布を求め、この面内分布におけるエレクトロルミネッセンス強度の低い側の値を示す測定領域に対して照射さ
れる光エネルギーが、上記面内分布におけるエレクトロルミネッセンス強度の高い側の値を示す測定領域に対して照射される光エネルギーよりも高くなるようにする。なお、上記面内分布におけるエレクトロルミネッセンス強度の高い側の値を示す測定領域に対しては光照射が行なわれなくてもよく、ある程度光照射が行なわれてもよい。
【００４１】
各測定領域に照射される光は、エレクトロルミネッセンス強度が低いものほど光エネルギー量が高くなるように設定されてもよいがこれに限定されない。例えば、エレクトロルミネッセンス強度の面内分布における最低値と最高値との間に基準値を設定し、この基準値よりも低い値を示す群と高い値を示す群とに分け、同じ群に所属する各測定領域に対しては同じエネルギー量の光照射が行なわれてもよい。なお、この基準値は複数あって３以上の群に分けられてもよい。
【００４２】
各測定領域に対する光照射は、例えば、図５のようにして実施される。図５は光電変換装置１１に対して光照射が行なわれている様子を示す概略図である。図５において、光照射機１０１は複数の光源１００を下面に備えている。光源１００は光電変換体Ｐが吸収する光Ｌ１〜Ｌ７を発する。光電変換装置１１が太陽電池として用いられる場合、光源１００が発する光Ｌ１〜Ｌ７は、例えば、太陽光標準スペクトル（ＡＭ（エアマス）１．５）の疑似太陽光が用いられてもよい。光照射機１０１において光源１００は、上記光電変換装置１１状の測定領域に対応して、６個×７個のマトリックス状に配置されている。なお、光源１００は、この例では測定領域の数に相当する４２個が配置されているが、これに限定されず、測定領域の数よりも多くてもよい。
【００４３】
そして、各測定領域のエレクトロルミネッセンス強度に応じて、各測定領域に対して配置されている光源１００から発せられる光Ｌ１〜Ｌ７の各光エネルギーの量が調整される。各光源１００から発せられる光エネルギーの量は、例えば各光源１００の光強度や照射時間を変えることに調整され得る。例えば、低い側にエレクトロルミネッセンス強度を示す測定領域に対応した光源１００の光強度は高くされ、高い側にエレクトロルミネッセンス強度を示す測定領域に対応した光源１００の光強度は低くされる。あるいは、低い側にエレクトロルミネッセンス強度を示す測定領域に対応した光源１００の照射時間は長くされ、高い側にエレクトロルミネッセンス強度を示す測定領域に対応した光源１００の照射時間は短くされる。また、各光源１００において光強度および照射時間がともに調整されてもよい。
【００４４】
光電変換体Ｐは光照射されると、始めは付与した光エネルギーの増加とともに光電変換効率が上昇するが、ある程度のところで飽和に達する傾向がある。よって、予め光電変換体Ｐのエレクトロルミネッセンス強度と、光電変換効率が飽和に達するのに必要な光エネルギーの量との関係を実験により求めておくことで、各測定領域に対して必要な光エネルギー量を設定することができる。
【００４５】
以上のように、光電変換体Ｐのエレクトロルミネッセンス強度に応じて光照射を行なうことにより、光電変換装置１１の光電変換効率が向上する。すなわち、欠陥が多くてエレクトロルミネッセンス強度の低い領域については、光照射のエネルギー量を高くすることにより、欠陥を効率よく低減させることができる。一方、欠陥が比較的少なくてエレクトロルミネッセンス強度の高い領域については、過度の光照射による光電変換効率の低下を抑制できる。
【００４６】
このようにして作製された光電変換装置１１は、上記光照射が行なわれた後に、光電変換セル１０が、例えばエチレン酢酸ビニル共重合樹脂（ＥＶＡ）等の封止材で封止される。なお、光電変換装置１１は、先に封止材で光電変換セル１０が封止された後、各光電変換セル１０に対して光照射が行なわれてもよい。光電変換装置１１が長期にわたり高い光
電変換効率を維持するようにするという観点では、光電変換セル１０が封止材によって封止される前に、光照射が行なわれるのがよい。この理由としては、光電変換体Ｐに存在する欠陥が光照射によって修復される際、化学変化が起こって副生成物が生成することが要因ではないかと考えられる。つまり、光電変換セル１０が封止される前に光照射された場合は、この生成した副生成物が大気中に放出されるが、光電変換セル１０が封止された後に光照射された場合は、上記副生成物が封止材に閉じ込められるため、この閉じ込められた副生成物が再度、欠陥を形成するのではないかと考えられる。具体的には、第２の半導体層４としてＺｎ（Ｓ，ＯＨ）等のII族元素の混晶化合物やＩｎ（Ｓ，ＯＨ）等のIII族
元素の混晶化合物が水溶液を用いたＣＢＤ法で形成されている場合、光照射により混晶化合物中の水酸化物が酸化物となり、副生成物として水素や水が生じていると考えられる。
【００４７】
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更が施されることは何等差し支えない。
【符号の説明】
【００４８】
１：基板
２、２ａ、２ｂ：下部電極層
３：第１の半導体層
４：第２の半導体層
５：上部電極層
７：接続導体
８：集電電極
１０：光電変換セル
１１：光電変換装置
【図１】
2013131667.tif 000003
【図２】
2013131667.tif 000004
【図３】
2013131667.tif 000005
【図４】
2013131667.tif 000006
【図５】
2013131667.tif 000007
【図６】
2013131667.tif 000008