(57)【要約】【課題】精度良くウエハにパタンを転写することができる反射型露光用マスクを提供する。【解決手段】反射型露光用マスクは、基板２３と、基板上に形成され、露光光を反射する光反射層２４と、光反射層上に形成され、露光光を吸収する光吸収層２５と、を備える。また、マスクは光吸収層が部分的に除去されて光反射層が露出された部分、及び光吸収層が除去されないで残った部分により形成されるパタン形成領域２１と、パタン形成領域を囲む遮光領域である第１の部分２２ａと、第１の部分を構成する所定の方向に平行な辺から、該所定の方向に延伸した遮光領域である第２の部分２２ｂとを備える。また、所定の方向は、反射型露光用マスクを保持する装置と、露光光との相対的な移動方向に平行な方向であり、第２の部分は、測定点が設定される部分であり、第１の部分、及び第２の部分は、第１の光吸収層及び光反射層が除去され、基板が露出された領域である。【選択図】      図４
2013016735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成され、露光光を反射する光反射層と、前記光反射層上に形成され、露光光を吸収する第１の光吸収層と、を備える反射型露光用マスクであって、
前記第１の光吸収層が部分的に除去されて前記光反射層が露出された部分、及び前記第１の光吸収層が除去されないで残った部分により形成されるパタン形成領域と、
前記パタン形成領域を囲む遮光領域である第１の部分と、
前記第１の部分を構成する所定の方向に平行な辺から、該所定の方向に延伸した遮光領域である第２の部分と、
を備え、
前記所定の方向は、前記反射型露光用マスクを保持する装置と、露光光との相対的な移動方向に平行な方向であり、
前記第２の部分は、オートフォーカス用の測定点が設定される部分であり、
前記第１の部分、及び前記第２の部分は、前記第１の光吸収層及び前記光反射層が除去され、基板が露出された領域であることを特徴とする反射型露光用マスク。
【請求項２】
基板と、前記基板上に形成され、露光光を反射する光反射層と、前記光反射層上に形成され、露光光を吸収する第１の光吸収層と、を備える反射型露光用マスクであって、
前記第１の光吸収層が部分的に除去されて前記光反射層が露出された部分、及び前記第１の光吸収層が除去されないで残った部分により形成されるパタン形成領域と、
前記パタン形成領域を囲む遮光領域である第１の部分と、
前記第１の部分を構成する所定の方向に平行な辺から、該所定の方向に延伸した遮光領域である第２の部分と、
を備えていることを特徴とする反射型露光用マスク。
【請求項３】
前記所定の方向は、前記反射型露光用マスクを保持する装置と、露光光との相対的な移動方向に平行な方向であることを特徴とする請求項２に記載の反射型露光用マスク。
【請求項４】
前記第２の部分は、オートフォーカス用の測定点が設定される部分であることを特徴とする請求項２または３に記載の反射型露光用マスク。
【請求項５】
前記第１の部分、及び前記第２の部分は、前記第１の光吸収層及び前記光反射層が除去され、基板が露出された領域であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の反射型露光用マスク。
【請求項６】
前記第１の部分、及び前記第２の部分は、前記第１の光吸収層上に形成され、露光光を吸収する第２の光吸収層を備えた領域であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の反射型露光用マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、反射型露光用マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の微細化に伴い、回路パタンの線幅が益々縮小化している。このような縮小化要求に対して、リソグラフィ技術では、レジストの露光に用いる露光光の波長をより短波長化することで対応している。そして、パタン幅がハーフピッチ２２ｎｍの世代からは、極端紫外光（Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ光）と呼ばれる波長が約１３．５ｎｍを中心とする波長領域を含む露光光を用いることが検討されている。このＥＵＶ光を用いることにより、従来では達成できなかったパタン幅、パターンサイズ、あるいはパターンピッチの縮小化にも対応可能と考えられている。
【０００３】
ただし、ＥＵＶ光を用いる露光では、従来の光透過型の露光用マスクおよび光学系ではなく、反射型の露光用マスクおよび光学系を用いる必要がある。これは、露光用マスクを所望の厚さに形成した場合に、波長が約１３．５ｎｍのＥＵＶ光を透過させることができるマスク材料が、これまでのところ存在しないためである。
【０００４】
反射型露光用マスクは、ウエハ上に形成するべきパタンに対応したパタンを含む領域（パタン形成領域）と、このパタン形成領域の周辺に設けられたＥＵＶ光の反射率が小さい領域（遮光領域）とを備えている。この遮光領域は、隣接するショットからのＥＵＶ光の漏れを防ぐもので、パタン形成領域に対して凹型の場合、パタン形成領域に対して凸型の場合がある。
【０００５】
ところで、ＥＵＶ露光装置では、反射型露光用マスクに光を当て、その光の反射により、反射型露光用マスクの位置を検出するオートフォーカス（ＡＦ）が用いられる。このオートフォーカスによって、反射型露光用マスクの位置を制御し、精度良くウエハ上への露光を行っている。
【０００６】
しかしながら、上述したような、遮光領域が、パタン形成領域に対して凹型または凸型の場合に、オートフォーカスにより反射型露光用マスクの位置を正確に導出することが困難であり、精度良くウエハに反射型露光用マスクのパタンを転写することが困難であるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２７３６７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
精度良くウエハにパタンを転写することができる反射型露光用マスクを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
実施形態の反射型露光用マスクは、基板と、基板上に形成され、露光光を反射する光反射層と、光反射層上に形成され、露光光を吸収する光吸収層と、を備える。また、反射型露光用マスクは、光吸収層が部分的に除去されて光反射層が露出された部分、及び光吸収層が除去されないで残った部分により形成されるパタン形成領域と、パタン形成領域を囲む遮光領域である第１の部分と、第１の部分を構成する所定の方向に平行な辺から、該所定の方向に延伸した遮光領域である第２の部分と、を備えている。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係るＥＵＶ露光装置の基本的な構成を模式的に示すブロック図である。
【図２】図２（ａ）は、実施形態に係る反射型露光用マスクの基本的な構成を模式的に示す上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線方向に沿った断面図であり、図２（ｃ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線方向に沿った断面図である。
【図３】実施形態に係るマスクＡＦ測定点と露光領域との関係の一例を模式的に示す図である。
【図４】図４（ａ）は、実施形態に係る反射型露光用マスクと、ＡＦ測定点と、露光領域との関係を示した上面図であり、反射型露光用マスクのスキャン露光の途中を示しており、図４（ｂ）は、図４（ａ）の反射型露光用マスクのスキャン位置と、ＡＦ測定点からの反射光の出力との関係を示したグラフであり、図４（ｃ）は、図４（ａ）の反射型露光用マスクのスキャン位置と、反射型露光用マスクの傾きとの関係を示したグラフである。
【図５】図５（ａ）は、実施形態の変形例１に係る反射型露光用マスクの基本的な構成を模式的に示す上面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ線方向に沿った断面図であり、図５（ｃ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ線方向に沿った断面図である。
【図６】図６（ａ）は、実施形態の変形例２に係る反射型露光用マスクの基本的な構成を模式的に示す上面図であり、図６（ｂ）は、実施形態の変形例２に係る反射型露光用マスクと、ＡＦ測定点と、露光領域との関係を示した上面図であり、反射型露光用マスクのスキャン露光の途中を示している。
【図７】図７（ａ）は、実施形態の比較例に係る反射型露光用マスクの基本的な構成を示した上面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図８】図８（ａ）は、実施形態の比較例に係る反射型露光用マスクと、ＡＦ測定点と、露光領域との関係を示した上面図であり、反射型露光用マスクのスキャン露光の途中を示している。図８（ｂ）は、図８（ａ）の反射型露光用マスクのスキャン位置と、ＡＦ測定点からの反射光の出力との関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、実施形態の詳細を図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１２】
（実施形態）
＜ＥＵＶ露光装置の概要＞
まず、図１を用いて本実施形態に係るＥＵＶ露光装置の基本的な構成について概略的に説明する。図１は、本実施形態に係るＥＵＶ露光装置の基本的な構成を模式的に示すブロック図である。
【００１３】
図１に示すように、ＥＵＶ露光装置は、照明光学系１と、投影光学系３と、照射部５ａ及び受光部（センサとも呼ぶ）５ｂを備えるマスクＡＦ測定装置５と、照射部６ａ及び受光部６ｂを備えるウエハＡＦ測定装置６と、反射型露光用マスク２を載置するマスクステージ７と、ウエハ（半導体基板）４を載置するウエハステージ８と、制御部９とを備えている。
【００１４】
照明光学系１は、例えば反射光学素子（ミラー）によって構成され、露光光としてＥＵＶ光（軟Ｘ線あるいは極端紫外線）を、反射型露光用マスクへと照射する。なお、反射型マスクを用いてリソグラフィを行う場合、反射型露光用マスクで反射された反射光（ＥＵＶ光）を、入射光（ＥＵＶ光）と相互に干渉させずに投影光学系３に入らせなくてはならない。このため、反射型露光用マスク２に入射される入射光は、反射型露光用マスク２表面の法線に対して所定の角度（オフセット角）を付けられて斜めに入射（オフセット入射）させられる。また、ＥＵＶ光を照射する領域を、例えば円弧状の露光領域（一括露光領域等とも呼ぶ）と呼び、この露光領域を所定の方向に移動させることにより、ＥＵＶ露光（リソグラフィ）を行う。このような露光を、スキャン露光と呼び、露光領域（露光光）の移動する方向を、スキャン方向（走査方向）等とも呼ぶ。
【００１５】
反射型露光用マスク２は、ＥＵＶ光（露光光）を反射する反射層（光反射層）及びＥＵＶ光を吸収する吸収層（光吸収層）によって転写パタンが形成されているパタン形成領域と、該パタン形成領域の周辺に設けられ、隣接するショットからのＥＵＶ光の漏れを防ぐ遮光領域（遮光枠部）と、を備えている。
【００１６】
投影光学系３は、例えば反射光学素子（ミラー）によって構成され、反射型露光用マスク２から反射されたＥＵＶ光を受光し、ウエハ４へと照射する。
【００１７】
ウエハ４は、例えば表面にレジストが形成されており、投影光学系３からの反射光（ＥＵＶ光）により、反射型露光用マスクの転写パタンが該レジストに転写される。
【００１８】
マスクＡＦ測定装置５は、反射型露光用マスク２に光を照射する照射部５ａと、反射型露光用マスク２からの反射光を受光する受光部５ｂとを備えている。照射部５ａは、ＬＥＤランプ、ハロゲンランプ、その他光源を備える。そして、照射部５ａは、反射型露光用マスク２に設定されたマスクＡＦ測定点（単にＡＦ測定点とも呼ぶ）に光を照射する。受光部５ｂは、反射型露光用マスクによって反射された反射光をＡＦ測定点毎に受光する。具体的に受光部５ｂは、ＡＦ測定点毎の反射光の位置により、反射型露光用マスクの位置（高さ、及び角度等を含む）を計測する。そして、反射光が受光部５ｂに設定された各ＡＦ計測点の中心に入射される様に、反射型露光用マスク２の位置を、マスクステージ７によって制御させる。このような動作を単にマスクＡＦ測定と呼ぶことがある。このマスクＡＦ測定は、通常、照明光学系１によるＥＵＶ露光と同時に行われるものである。なお、このように反射光が受光部５ｂに設定された各ＡＦ計測点の中心に入射されている状態を、「ピントが合う」等と表現される。また、ＡＦ測定点については、後述で詳細に記載する。
【００１９】
ウエハＡＦ測定装置６は、基本的な構成や動作はマスクＡＦ測定装置５と同様なので、詳細な説明は省略する。ウエハＡＦ測定装置６は、ウエハ４の位置を計測し、ウエハ４で反射された照射部６ａからの光が受光部６ｂの中心に入射されるように、ウエハステージ８を制御し、ウエハ４の位置を調整する。
【００２０】
マスクステージ７は、反射型露光用マスク２を保持（載置）し、制御部９に従って反射型露光用マスク２の位置を制御する。
【００２１】
ウエハステージ８は、ウエハ４を保持し、制御部９に従ってウエハ４の位置を制御する。また、ウエハステージ８は、マスクステージ７と同期して移動する。
【００２２】
制御部９は、少なくともマスクＡＦ測定装置５、ウエハＡＦ測定装置６、マスクステージ７、及びウエハステージ８に接続されている。そして、制御部９は、例えばマスクＡＦ測定装置５のマスクＡＦ測定結果に基づいて、反射型露光用マスク２の理想的な位置（高さや傾き）を導出し、マスクステージ７を前記導出された理想的な位置に基づいて制御する。同様に、制御部９は、例えばウエハＡＦ測定装置６のウエハＡＦ測定結果に基づいて、ウエハ４の理想的な位置（高さや傾き）を導出し、ウエハステージ８を前記導出された理想的な位置に基づいて制御する。また、反射型露光用マスク２の理想的な位置を導出するような演算は、外部演算装置で行っても良い。
【００２３】
＜比較例に係る反射型露光用マスクの概要＞
次に、本実施形態に係る反射型露光用マスクの作用効果を説明する前に、図７及び図８を用いて、本実施形態の比較例に係る反射型露光用マスクの概要及びマスクＡＦ測定方法について概略的に説明する。
【００２４】
図７（ａ）は、実施形態の比較例に係る反射型露光用マスクの基本的な構成を示した上面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図８（ａ）は、実施形態の比較例に係る反射型露光用マスクと、ＡＦ測定点と、露光領域との関係を示した上面図であり、反射型露光用マスクのスキャン露光の途中を示している。図８（ｂ）は、図８（ａ）の反射型露光用マスクのスキャン位置と、ＡＦ測定点からの反射光の出力との関係を示したグラフである。そして、図８（ｂ）の縦軸は、マスクＡＦ測定装置５の受光部５ｂが受光する、反射型露光用マスクからの反射光の出力である。図８（ｂ）の横軸は、反射型露光用マスクのスキャン位置を示している。図８（ｃ）は、図８（ａ）の反射型露光用マスクのスキャン位置と、反射型露光用マスクの傾きとの関係を示したグラフである。そして、図８（ｃ）の縦軸は、反射型露光用マスクの傾きを示し、横軸は、反射型露光用マスク２のスキャン位置を示している。
【００２５】
図７（ａ）に示すように、反射型露光用マスク２ｃは、ウエハ４に転写される転写パタン（単にパタンとも呼ぶ）を備えているパタン形成領域２１と、パタン形成領域２１を囲む遮光領域２９とを備えている。
【００２６】
図７（ｂ）に示すように、反射型露光用マスク２ｃは、支持基板（単に基板とも呼ぶ）２３と、基板２３上に形成された反射層２４と、反射層２４上に形成された吸収層２５と、を備えている。  
支持基板２３は、例えば合成石英基板である。  
反射層２４は、ＥＵＶ光（露光光）を実質的に反射させることを目的とした、例えばモリブデンとシリコンとが交互に４０対層程度積層されている多層膜構造である。  
吸収層２５は、ＥＵＶ光を実質的に吸収するＣｒで形成されたバッファ層と、バッファ層上にＴａＮ（窒化チタン）膜で形成された吸収体とを有する。
【００２７】
パタン形成領域２１において、反射層２４上の吸収層２５の一部が除去されることで、転写パタンが形成されている。
【００２８】
また、遮光領域２９においては、吸収層２５及び反射層２４が除去されており、支持基板２３が露出している。このように、吸収層２５及び反射層２４を除去することによって低反射加工された遮光領域２２は、パタン形成領域２１に対して凹型である。
【００２９】
次に、図８（ａ）に示すように、照明光学系１は、例えば円弧状の露光領域１０にＥＵＶ光を照射する。そして、マスクＡＦ測定装置５の照射部５ａは、露光領域１０の周囲に設定されたＡＦ測定点６Ｌ、６Ｕに光を照射する。
【００３０】
比較例において、ＡＦ測定点６Ｌ、６Ｕは、例えば反射型露光用マスク２ｃの、スキャン方向に平行な遮光領域２９上、且つ露光領域１０を囲む領域近傍に設定されている。なお、この際、ＥＵＶ光の照射位置、及びＡＦ測定点は固定され、マスクステージ７を所定の方向に移動させることで、ＥＵＶ露光と、マスクＡＦ測定とが同時に行われる。また、ＡＦ測定点が結ぶ面を、ＡＦレベリング面等とも称す。
【００３１】
図８（ｂ）に示すように、スキャン露光及びＡＦ測定の間、まず、ＡＦ測定点６Ｌ及び６Ｕが遮光領域２９の外側の吸収層２５上にある場合、ＡＦ測定点６Ｌ及び６Ｕにおける反射光の出力はほぼ等しくなる（出力ｆ２）。しかし、反射型露光用マスク２ｃがスキャン方向に移動し、ＡＦ測定点６Ｕが吸収層２５から遮光領域（支持基板２３の露出部分）２９へと測定する領域の高さが変わる場合、ＡＦ測定点６Ｌ、及び６Ｕのそれぞれが測定する領域の高さが大きくずれる。そのため、ＡＦ測定点６Ｌにおける反射光の出力ｆ２と、ＡＦ測定点６Ｕにおける反射光の出力ｆ１とは大きく異なる。
【００３２】
これにより、図８（ｃ）に示すように、制御部９は、ＡＦ測定点６Ｌ及び６Ｕにおける反射光の出力が等しくなるように傾きｐ１（例えば傾き０）から反射型露光用マスク２ｃを傾きｐ２へと傾ける。換言すると、反射型露光用マスク２ｃのスキャン露光及びＡＦ測定の間、ＡＦ測定点６Ｌ及び６Ｕの高さ方向の位置が異なる場合、反射型露光用マスク２ｃと露光領域１０とのピントがずれていると判定される。そして、ピントを合わせる為に（例えばＡＦ測定点６Ｌ及び６Ｕの高さが等しくなるように）、制御部９が反射型露光用マスク２ｃの位置（傾き）を変えてしまう。つまり、制御部９は、ＡＦレベリング面（ＡＦ測定が行われた４点を結ぶ面）が照明光学系１とピントが合うように、反射型露光用マスク２ｃを傾かせる。
【００３３】
反射型露光用マスク２ｃが更にスキャン方向に移動し、ＡＦ測定点６Ｌ及び６Ｕが遮光領域２９を測定する場合、ＡＦ測定点６Ｌ及び６Ｕにおける反射光の出力はほぼ等しくなる（出力ｆ１）。この際、制御部９は、反射型露光用マスク２ｃの傾きをｐ１にする（例えば傾き０）。
【００３４】
しかし、反射型露光用マスク２ｃが更にスキャン方向に移動し、ＡＦ測定点６Ｌが遮光領域２９を測定し、ＡＦ測定点６Ｕが吸収層２５を測定する場合、ＡＦ測定点６Ｌにおける反射光の出力ｆ１と、ＡＦ測定点６Ｕにおける反射光の出力ｆ２とは大きく異なる。そのため、上述したように、制御部９は、反射型露光用マスク２ｃと照明光学系１とのピントがずれていると判定し、ピントを合わせる為に、反射型露光用マスク２ｃを傾ける。
【００３５】
上記のように、ＡＦ測定点６Ｌ及び６Ｕの高さ方向の位置が異なる、遮光領域２９の端部近傍において、反射型露光用マスク２ｃはＡＦ測定点６Ｌ及び６Ｕの結ぶ面（ＡＦレベリング面）と、照明光学系１とのピントを合わせるために傾きが変更される。これにより、遮光領域２９の端部近傍（パタン形成領域２１の、スキャン方向に平行な方向の端部近傍）において、ＡＦレベリング面は、パタン形成領域２１に対して傾いている。そのため、パタン形成領域２１に対して傾いた面と照明光学系１とのピントを合わせてしまうと、パタン形成領域２１に対して本来調整すべき角度（パタン形成領域２１への入射角等）からズレてしまう。この結果、パタン形成領域２１に対して正確な角度調整をおこなうことができず、精度良く転写パタンをウエハ４に転写することが困難であった。
【００３６】
＜本実施形態に係る反射型露光用マスクの概要＞
以上のような問題を鑑みて、図２を用いて本実施形態に係る反射型露光用マスクの基本的な構成について説明する。図２（ａ）は、本実施形態に係る反射型露光用マスク２の基本的な構成を模式的に示す上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線方向に沿った断面図であり、図２（ｃ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線方向に沿った断面図である。
【００３７】
図２（ａ）に示すように、反射型露光用マスク２は、ウエハ４への転写が行われる転写パタン（単にパタンとも呼ぶ）が形成されたパタン形成領域２１と、遮光領域２２とを備えている。この遮光領域２２は、パタン形成領域２１を囲む枠部分（枠状領域）２２ａと、枠部分から延伸した延伸部分（延伸領域）２２ｂとを含んでおり、下記では、この枠部分２２ａ及び延伸部分２２ｂを合わせて単に遮光領域２２と呼ぶことがある。この遮光領域２２は、隣り合ったショットの重なり部分からのＥＵＶ光の漏れを防ぐためのものであり、本実施形態においては、パタン形成領域２１に対して凹型（溝）である。そして、露光装置のスキャン方向（走査方向）に平行な遮光領域２２の辺（部分）は、スキャン方向に沿って切れ目無く延伸している。換言すると、遮光領域２２のスキャン方向に沿った辺は、パタン形成領域２１を囲む領域（枠部分２２ａ）のみならず、スキャン方向に対して長く延びた領域（延伸部分２２ｂ）を有している。
【００３８】
図２（ｂ）に示すように、反射型露光用マスク２は、支持基板（単に基板とも呼ぶ）２３と、基板２３上に形成された反射層２４と、反射層２４上に形成された吸収層２５と、を備えている。  
支持基板２３は、例えば合成石英基板である。  
反射層２４は、ＥＵＶ光（露光光）を実質的に反射させることを目的とした、例えばモリブデンとシリコンとが交互に４０対層程度積層されている多層膜構造である。  
吸収層２５は、ＥＵＶ光を実質的に吸収するＣｒで形成されたバッファ層と、バッファ層上にＴａＮ（窒化チタン）膜で形成された吸収体とを有する。
【００３９】
パタン形成領域２１において、反射層２４上の吸収層２５の一部が除去されて反射層２４の一部が露出する部分と、吸収層２５の一部が残る部分とによって、転写パタンが形成されている。つまり、パタン形成領域２１は、反射層２４及び吸収層２５によって構成される。
【００４０】
また、遮光領域２２においては、吸収層２５及び反射層２４が除去されており、支持基板２３が露出している。このように、吸収層２５及び反射層２４を除去することによって低反射加工された遮光領域２２は、パタン形成領域２１に対して凹型である。
【００４１】
また、図２（ｃ）に示すように、延伸部分２２ｂは、スキャン方向に沿って延伸されていることがわかる。
【００４２】
ところで、ＥＵＶリソグラフィにおいて、遮光領域に、平均反射率０．５％未満の特性が求められている。これは、平均反射率が充分に小さくないと、隣り合ったショットの重なりの部分からのＥＵＶ光の漏れにより、設計通りのパタンをウエハに形成できなくなるからである。上述したように、吸収層２５及び反射層２４を除去し、支持基板２３を露出することによって、平均反射率０．５％未満の特性を有する遮光領域２２を実現することができる。
【００４３】
なお、本来、反射型露光用マスク上には、当該マスクを露光装置で位置合わせする為のレチクルアライメントマーク、及びマスクの品質保証の為のパタン測定装置用のマーク等が形成されているが、本実施形態では省略している。
【００４４】
＜マスクＡＦ測定点と露光領域との関係＞
次に、図３を用いて、本実施形態に係るマスクＡＦ測定点と露光領域との関係の一例について説明する。図３は、本実施形態に係るマスクＡＦ測定点と露光領域との関係の一例を模式的に示す図である。
【００４５】
図３に示すように、照明光学系１は、例えば円弧状の露光領域１０にＥＵＶ光を照射する。そして、マスクＡＦ測定装置５の照射部５ａは、露光領域１０を囲む領域近傍（図中の破線）の４隅に、ＡＦ測定点６Ｌ、６Ｕを配置している。そして、マスクＡＦ測定装置５の照射部５ａは、このＡＦ測定点６Ｌ、６Ｕに光を照射する。なお、このＡＦ測定点は、露光領域１０の大きさ（または形状）に応じて、個数や、場所を適宜選択することが可能である。
【００４６】
＜マスクＡＦ測定＞
次に、図４を用いて、本実施形態に係る反射型露光用マスク２に対する、基本的なマスクＡＦ測定について説明する。なお、反射型露光用マスクに対するマスクＡＦ測定は、ＥＵＶ露光と同時に行われるものである。また、ここでは、マスクＡＦ測定及びＥＵＶ露光は、図４（ａ）の下方から上方へと行われている場合について説明する。
【００４７】
図４（ａ）は、本実施形態に係る反射型露光用マスク２と、ＡＦ測定点と、露光領域との関係を示した上面図であり、反射型露光用マスク２のスキャン露光の途中を示している。図４（ｂ）は、図４（ａ）の反射型露光用マスク２のスキャン位置と、ＡＦ測定点からの反射光の出力との関係を示したグラフである。そして、図４（ｂ）の縦軸は、マスクＡＦ測定装置５の受光部５ｂが受光する、反射型露光用マスク２からの反射光の出力である。図４（ｂ）の横軸は、反射型露光用マスク２のスキャン位置を示している。図４（ｃ）は、図４（ａ）の反射型露光用マスク２のスキャン位置と、反射型露光用マスク２の傾きとの関係を示したグラフである。そして、図４（ｃ）の縦軸は、反射型露光用マスク２の傾きを示し、横軸は、反射型露光用マスク２のスキャン位置を示している。
【００４８】
照明光学系１は、反射型露光用マスク２の円弧状の露光領域（一括露光領域）１０にＥＵＶ光を照射する。これにより、露光領域１０の反射光が、投影光学系３に入射され、ウエハ４に、反射型露光用マスク２に形成されたパタンを転写することができる。
【００４９】
マスクＡＦ測定装置５の照射部５ａは、反射型露光用マスク２の露光領域１０に応じた、ＡＦ測定点に光を照射する。図４（ａ）に示すように、本実施形態において、ＡＦ測定点６Ｌ、６Ｕは、反射型露光用マスク２の、スキャン方向に沿って延伸された遮光領域２２上、且つ露光領域１０を囲む領域近傍に設定されている。この際、ＥＵＶ光の照射位置１０、及びＡＦ測定点６Ｌ、６Ｕは固定され、マスクステージ７を所定の方向に移動させることで、ＥＵＶ露光と、マスクＡＦ測定とが同時に行われる。
【００５０】
ＡＦ測定点は、少なくとも露光領域１０がパタン形成領域２７をスキャン（通過）する間、ＡＦ測定点が測定する領域は常に遮光領域２２（高さは一定）である。図４（ｂ）に示すように、スキャン露光の間、ＡＦ測定点６Ｌ、６Ｕにおける反射光の出力（ＡＦ測定点が測定する領域の高さ）は、ほぼ一定（出力ｆ１）であることがわかる。そして、マスクＡＦ測定装置５は、照明光学系１がＥＵＶ光を照射している間、同時にマスクＡＦ測定を行い、制御部９にマスクＡＦ測定結果を送信する。
【００５１】
制御部９は、マスクＡＦ測定結果に基づき、望ましい反射型露光用マスク２の位置（高さや傾き）を算出する。すなわち、露光領域１０のピントが合うように、制御部９はマスクステージ７を制御して反射型露光用マスク２の位置を調整する。換言すると、制御部９は、反射型露光用マスク２のパタンを精度良くウエハ４に転写するために、反射型露光用マスク２のパタン形成領域２１の表面と、投影光学系３とが望ましい位置関係になるように、マスクステージ７を制御する。図４（ｂ）に示すように、マスクＡＦ測定により測定されるＡＦ測定点の高さはほぼ一定（出力ｆ１）であるので、図４（ｃ）に示すように、反射型露光用マスク２（マスクステージ７）の傾きｐ１（例えば、傾き０）は、ほぼ一定であることがわかる。この、制御部９によるマスクステージ７の位置制御は、マスクＡＦ測定及びＥＵＶ露光と同時に行われる。
【００５２】
そして、マスクステージ７は、上述した位置制御をしながら、反射型露光用マスク２をスキャン方向に沿って移動させる。これによって、例えば反射型露光用マスク２のパタン形成領域２１の全面は、スキャン方向に沿って露光されていく（スキャン露光）。
【００５３】
なお、上述したマスクＡＦ測定、ＥＵＶ露光、及びマスクの位置制御と同時に、ウエハＡＦ測定、及びウエハの位置制御等も行われるが、ウエハＡＦ測定、及びウエハの位置制御等については、周知技術と同様なので説明を省略する。
【００５４】
＜実施形態の作用効果＞
上述した実施形態によれば、本実施形態に係る反射型露光用マスクは、パタン形成領域２１を囲む遮光領域である枠部分２２ａと、枠部分２２ａを構成する所定の方向に平行な辺から、該所定の方向に延伸した遮光領域である延伸部分２２ｂと、を備える。そして、枠部分２２ａ、及び前記延長部分２２ｂは、光吸収層２５及び光反射層２４が除去され、支持基板２３が露出された領域であり、所定の方向に平行な辺が、所定の方向に沿って延伸している。また、上述した所定の方向は、の反射型露光用マスクを保持するマスクステージ７と、露光光との相対的な移動方向（ＥＵＶ露光装置のスキャン方向）に平行な方向である。そして、延長部分２２ｂは、反射型露光用マスク２の傾きを制御するために、オートフォーカス用のＡＦ測定点６Ｌ，６Ｕが設定される部分である。
【００５５】
上述したように、本実施形態では、パタン形成領域２１に対して凹型の遮光領域２２は、一定の高さを有し、ＥＵＶ露光装置のスキャン方向に延伸している。また、パタン形成領域２１に対して遮光領域２２は平行である。そして、凹型の遮光領域２２のスキャン方向に沿った辺上にマスクＡＦ測定のためのＡＦ測定点６Ｌ，６Ｕを設定する。これにより、比較例とは異なり、パタン形成領域２１のスキャン方向の端部近傍を露光する際においても、ＡＦ測定点の高さ方向の位置はほぼ一定となり、ＡＦレベリング面（ＡＦ測定点６Ｌ、６Ｕを結ぶ面）とパタン形成領域２１とはほぼ平行となる。このため、パタン形成領域２１全面で、フォーカスの合ったＥＵＶ露光を高精度に行うことができる。その結果、ＡＦレベリング面と、パタン形成領域２１とが平行でない場合に起因する転写パタンの位置ずれを抑制し、精度良く反射型露光用マスク２のパタンを、高精度にウエハに転写することができる。
【００５６】
（変形例１）
次に、図５を用いて、実施形態の変形例１に係る反射型露光用マスク２ａの基本的な構成について説明する。図５（ａ）は、本実施形態の変形例１に係る反射型露光用マスク２ａの基本的な構成を模式的に示す上面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ線方向に沿った断面図であり、図５（ｃ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ線方向に沿った断面図である。
【００５７】
＜変形例１に係る反射型露光用マスクの概要＞
変形例１の反射型露光用マスク２ａは、遮光領域２６がパタン形成領域２１に対して凸型であるという点で、実施形態の反射型露光用マスク２とは異なる。なお、変形例１の反射型露光用マスク２ａの基本的な構成や、基本的なマスクＡＦ測定方法は、上述した実施形態で説明したものと同様なので、詳細な説明は省略する。
【００５８】
図５（ａ）に示すように、反射型露光用マスク２ａは、ウエハ４への転写が行われる転写パタンが形成されたパタン形成領域２１と、遮光領域２６とを備えている。この遮光領域２６は、パタン形成領域２１を囲む枠部分（枠状領域）２６ａと、枠部分から延伸した延伸部分（延伸領域）２６ｂとを含んでおり、下記では、この枠部分２６ａ及び延伸部分２６ｂを合わせて単に遮光領域２６と呼ぶことがある。そして、延伸部分２６ｂは、延伸部分２２ｂと同様にスキャン方向に沿って延伸されている。
【００５９】
図５（ｂ）に示すように、反射型露光用マスク２ａは、支持基板２３と、基板２３上に形成された反射層２４と、反射層２４上に形成された吸収層２５と、を備えている。
【００６０】
また、遮光領域２６は、吸収層２５上に、例えば吸収層２５と同様の材料で形成された付加的な吸収層である。このように、吸収層２５上に付加的な吸収層を形成された遮光領域２６は、パタン形成領域２１に対して凸型である。
【００６１】
また、図５（ｃ）に示すように、延伸部分２６ｂは、スキャン方向に沿って延伸されていることがわかる。
【００６２】
上述したように、吸収層２５上に付加的な吸収層を設けることによって、平均反射率０．５％未満の特性を有する遮光領域２６を実現することができる。
【００６３】
＜変形例１の作用効果＞
上述した実施形態の変形例１によれば、遮光領域２６は、前記第１の光吸収層２５上に形成され、露光光を吸収する第２の光吸収層を備えている。
【００６４】
上述した実施形態の遮光領域２２は、パタン形成領域２１に対して凹型だったが、本変形例１の遮光領域２６は、パタン形成領域２１に対して凸型である。このパタン形成領域２１に対して凸型の遮光領域２６は、一定の高さを有し、ＥＵＶ露光装置のスキャン方向に延伸している。また、パタン形成領域２１に対して遮光領域２６は平行である。そして、凸型のスキャン方向に沿った遮光領域２６（枠部分２６ａ及び延伸部２６ｂ）上にマスクＡＦ測定のためのＡＦ測定点を設定することで、上述した理由と同様の理由で、上述した実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。
【００６５】
このように、遮光領域２６として、反射層２４を除去した場合だけでなく、吸収層２５上に追加の吸収層を設けた場合にも、同様の効果を得ることが可能である。
【００６６】
（変形例２）
次に、図６を用いて、実施形態の変形例２に係る反射型露光用マスク２の基本的な構成について説明する。図６（ａ）は、実施形態の変形例２に係る反射型露光用マスク２ｂの基本的な構成を模式的に示す上面図であり、図６（ｂ）は、実施形態の変形例２に係る反射型露光用マスク２ｂと、ＡＦ測定点と、露光領域との関係を示した上面図であり、反射型露光用マスク２ｂのスキャン露光の途中を示している。
【００６７】
＜変形例２に係る反射型露光用マスクの概要＞
変形例２の反射型露光用マスク２ｂは、パタン形成領域が複数形成され、各パタン形成領域を囲む様に遮光領域が形成され、スキャン方向に沿った遮光領域の各辺が、スキャン方向に沿って延伸しているという点で、実施形態の反射型露光用マスク２とは異なる。なお、変形例２の反射型露光用マスクの基本的な構成や、基本的なマスクＡＦ測定方法は、上述した実施形態及び変形例１で説明したものと同様なので、詳細な説明は省略する。
【００６８】
図６（ａ）に示すように、反射型露光用マスク２ｂは、複数（本例では４つ）のパタン形成領域２７を有している。そして、４つのパタン形成領域２７をそれぞれ囲むように、枠部分（枠状領域）２８ａと、枠部分から延伸した延伸部分（延伸領域）２８ｂとを含んでおり、下記では、この枠部分２８ａ及び延伸部分２８ｂを合わせて単に遮光領域２８と呼ぶことがある。そして、この延伸部分２８ｂ（本例では３辺）は、スキャン方向に沿って延伸している。なお、ここでは、遮光領域２８は、パタン形成領域に対して凹型の遮光領域（支持基板が露出されたもの）でも凸型の遮光領域（吸収層上に吸収層が形成されたもの）でも良い。
【００６９】
次に、図６（ｂ）に示すように、ＡＦ測定点６Ｌ、６Ｕは、反射型露光用マスク２ｂの、スキャン方向に沿って延伸された遮光領域２８（枠部分２８ａ及び延伸部２８ｂ）上、且つ露光領域１０を囲む領域近傍に設定されている。つまり、ＡＦ測定点は、露光領域１０がパタン形成領域２７をスキャンする間、ＡＦ測定点の高さが一定となり、露光領域１０全体のピントを合わせるように設定されている。
【００７０】
＜変形例２の作用効果＞
上述した実施形態の変形例２によれば、反射型露光用マスク２ｂは、パタン形成領域２７が複数形成され、各パタン形成領域２７を囲む様に遮光領域２８が形成され、スキャン方向に沿った遮光領域２８の各辺が、スキャン方向に沿って延伸している。
【００７１】
このように、上述した実施形態、及び変形例１と比較し、スキャン方向に沿った遮光領域の辺の数が増えた場合においても、例えばスキャン方向に沿った遮光領域の各辺をスキャン方向に延伸し、ＡＦ測定点をこのスキャン方向に沿った遮光領域の各辺に設定することで、上述した実施形態及び変形例１と同様の効果を得ることが可能となる。
【００７２】
尚、上述したＡＦ測定点は、露光領域１０を囲む領域の周囲に配置したが、これに限らず、スキャン方向に延伸した遮光領域上に設定されるのであれば、数や位置は適宜変更することが可能である。
【００７３】
また、上述した実施形態において、スキャンを図面の下方から上方へと行っている場合について説明したが、これに限らず、スキャン方向に沿った遮光領域の辺が、スキャン方向に沿って延伸しているのであれば、スキャンを図面の上方から下方へと行っても良い。
【００７４】
また、上述した実施形態において、制御部９は、マスクＡＦ測定装置５、ウエハＡＦ測定装置６、マスクステージ７、及びウエハステージ８に接続されているが、これに限らず、他の構成要素に接続されても良い。
【００７５】
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出される。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば、発明として抽出され得る。
【符号の説明】
【００７６】
１…照明光学系、    ２、２ａ、２ｂ、２ｃ…反射型露光用マスク、
３…投影光学系、      ４…ウエハ、      ５…マスクＡＦ測定装置、
６…ウエハＡＦ測定装置、      ６Ｌ、６Ｕ…ＡＦ測定点、
７…マスクステージ、      ８…ウエハステージ、      ９…制御部、
１０…露光領域、      ２１…パタン形成領域、      ２２…遮光領域、
２３…支持基板、      ２４…反射層、      ２５…吸収層、
２６…遮光領域、      ２７…パタン形成領域、      ２８…遮光領域
２９…遮光領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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