(57)【要約】【課題】給電点近傍の電界強度低下を防止し、均一な薄膜を形成する。【解決手段】プラズマ処理装置１０は、反応チャンバ３内に平行に対向して配設されたカソード電極１とアノード電極２との間の距離が、カソード電極１の電源部５に接続された端部側が、電源部５に接続されていないほうの端部側よりも狭くなるように、カソード電極１のアノード電極２に対向する面上に、アノード電極２に向かって突出する突出部を備えている。【選択図】図１
2013131475.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応ガスが導入される反応室と、
前記反応室内に平行に対向して配設され、前記反応ガス雰囲気下においてプラズマ放電させる第１電極及び第２電極とを備え、
前記第１電極は、第１端部において電源供給部に接続されており、
前記第１電極と前記第２電極との間の距離が、前記第１端部に対向する第２端部側よりも前記第１端部側で狭くなるように、
前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方が、他方の電極に対向する面上に、他方の電極に向かって突出する突出部を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記突出部は、他方の電極に向かって突出する方向の幅が、前記第２端部側から前記第１端部に向かって徐々に広くなるように、他方の電極に向かって傾斜する傾斜面を備えていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記突出部は、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方における、他方の電極に対向する面上に取り付けられた金属部材であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第１電極及び前記第２電極の組を複数備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
１つの前記第１電極と１つの前記第２電極とからなる電極対を複数備えていることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
１つの前記第１電極を、２つの前記第２電極の間に挟むように設け、２つの前記第２電極と１つの前記第１電極とそれぞれの間において、プラズマ放電させることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置により製造した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ処理装置、及び当該プラズマ処理装置により製造された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、電源から各カソードの端部まで延びる電力導入線が、カソードの数に対応した数に分岐され、分岐した電力導入線が互いに対称状に延びたプラズマ処理装置が記載されている。
【０００３】
特許文献２には、一方の電極の中央に他方の電極に向かって突出する凸面部を設け、生成するプラズマ密度の空間的な分布を均一ないし任意に制御してプロセスの面内均一性を向上させたプラズマ処理装置が記載されている。
【０００４】
特許文献３には、カソード電極に相当する天板に凹凸を設けて定在波の影響を低減し、プラズマ密度を均一化したプラズマ処理装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１９６６８１号公報（２００６年７月２７日公開）
【特許文献２】特開２００７−２６６５３６号公報（２００７年１０月１１日公開）
【特許文献３】特開２０１１−０６６００１号公報（２０１１年３月３１日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
プラズマ処理装置において、カソード電極の端部から給電する場合、給電点近傍に定在波が発生し、その影響により給電点近傍の電界強度が低下するという問題が生じる。給電点近傍における電界強度の低下により、電極面上における成膜レートが不均一になる。特に、給電点近傍の膜厚が薄くなってしまう。特許文献１〜３においては、給電点近傍の電界強度低下の課題について認識されていない。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、給電点近傍の電界強度低下を防止し、良好な成膜が可能なプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するために、本発明に係るプラズマ処理装置は、反応ガスが導入される反応室と、前記反応室内に平行に対向して配設され、前記反応ガス雰囲気下においてプラズマ放電させる第１電極及び第２電極とを備え、前記第１電極は、第１端部において電源供給部に接続されており、前記第１電極と前記第２電極との間の距離が、前記第１端部に対向する第２端部側よりも前記第１端部側で狭くなるように、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方が、他方の電極に対向する面上に、他方の電極に向かって突出する突出部を備えていることを特徴としている。
【０００９】
上記の構成によれば、電源供給部から電力が供給される給電点側の第１電極と第２電極との間の電極間距離が、第１電極の給電点である第１段部に対向する第２端部側の電極間距離よりも狭くなるので、給電点近傍に生じる定在波の影響による電界強度の低下を防ぎ、電極面上における成膜レートが均一になる。したがって、良好な成膜が可能である。
【００１０】
本発明に係る半導体装置は、上記プラズマ処理装置により製造したことを特徴としている。上記プラズマ処理装置を用いて製造することによって、給電点近傍に生じる定在波の影響による電界強度の低下を防ぎ、均一に成膜されたものであるので、良好な特性が得られる。
【００１１】
また、本発明に係るプラズマ処理装置において、前記突出部は、他方の電極に向かって突出する方向の幅が、前記第２端部側から前記第１端部に向かって徐々に広くなるように、他方の電極に向かって傾斜する傾斜面を備えていることが好ましい。上記の構成によれば、第１電極と第２電極との間の電極間距離が、第２端部側から第１端部に向かって徐々に狭くなるように緩やかに変化するので、電極面上における成膜レートがより均一になり、良好な成膜が可能である。
【００１２】
さらに、本発明に係るプラズマ処理装置において、前記突出部は、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方における、他方の電極に対向する面上に取り付けられた金属部材であることが好ましい。これにより、給電点側の第１電極と第２電極との間の電極間距離が、第１電極の給電点である第１端部に対向する第２端部側の電極間距離よりも狭くなるので、給電点近傍に生じる定在波の影響による電界強度の低下を防ぎ、良好な成膜が可能である。
【００１３】
また、本発明に係るプラズマ処理装置は、前記第１電極及び前記第２電極の組を複数備えていることが好ましい。これにより、複数の基板の処理を同時に行うことが可能である。
【００１４】
また、本発明に係るプラズマ処理装置は、１つの前記第１電極と１つの前記第２電極とからなる電極対を複数備えていることが好ましい。これにより、複数の基板の処理を同時に行うことが可能である。
【００１５】
さらに、本発明に係るプラズマ処理装置は、１つの前記第１電極を、２つの前記第２電極の間に挟むように設け、２つの前記第２電極と１つの前記第１電極とのそれぞれの間において、プラズマ放電させることが好ましい。これにより、１つの第１電極と２つの第２電極により、２つの被処理体を同時に処理することが可能である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るプラズマ処理装置は、反応ガスが導入される反応室と、前記反応室内に平行に対向して配設され、前記反応ガス雰囲気下においてプラズマ放電させる第１電極及び第２電極とを備え、前記第１電極は、第１端部において電源供給部に接続されており、前記第１電極と前記第２電極との間の距離が、前記第１端部に対向する第２端部側よりも前記第１端部側で狭くなるように、前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方が、他方の電極に対向する面上に、他方の電極に向かって突出する突出部を備えているので、給電点近傍の電界強度低下を防止し、良好な成膜が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置を示す概略図である。
【図２】本発明のプラズマ処理装置における電極の一実施形態を示す概略図である。
【図３】本発明のプラズマ処理装置における電極の他の実施形態を示す概略図である。
【図４】従来のプラズマ処理装置において、給電点近傍における電界強度の低下を示す電界強度分布図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係るプラズマ処理装置を示す概略図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマ処理装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
〔実施形態１〕
以下、本発明の一実施形態について、図１〜４に基づいて詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置を示す概略図である。図２は、本発明のプラズマ処理装置における電極の一実施形態を示す概略図であり、図３は、本発明のプラズマ処理装置における電極の他の実施形態を示す概略図である。図４は、従来のプラズマ処理装置において、給電点近傍における電界強度の低下を示す電界強度分布図である。
【００１９】
図１に示すように、プラズマ処理装置１０は、カソード電極（第１電極）１、アノード電極（第２電極）２、及び反応チャンバ（反応室）３を備えている。さらにプラズマ処理装置１０は、電源部（電源供給部）５、ガス導入管７及び排気管８を備えていてもよい。プラズマ処理装置１０においては、反応ガス雰囲気下においてカソード電極１又はアノード電極２との間に高電圧を印加することによってプラズマ放電を生じさせる。そして、カソード電極１とアノード電極２との間の空間において生じたプラズマ放電によって、カソード電極１又はアノード電極２上の基板４の表面に成膜又はエッチング処理する。本実施の形態においては、アノード電極２上に設けられた基板４表面に成膜する構成を例として説明する。
【００２０】
プラズマ処理装置１０において、カソード電極１及びアノード電極２は、反応チャンバ３内に平行に対向して配設されている。カソード電極１はその端部（第１端部）において電源部５に接続されており、アノード電極２は、アース６に接続されている。アノード電極２には、処理を行う基板４の温度を調整するために、ヒータ（図示せず）及び冷却管（図示せず）が内蔵されている。
【００２１】
カソード電極１及びアノード電極２は、例えば、ステンレススチール、アルミ合金などの金属材料により形成されている。カソード電極１及びアノード電極２の大きさは、プラズマ処理の対象となる基板４の大きさに併せて適宜設定される。プラズマ処理の対象となる基板４として、ガラス基板、シリコン基板等が挙げられるが、これに限定されない。
【００２２】
本実施の形態においては、反応チャンバ３内にカソード電極１及びアノード電極２を１組のみ設けているが、これらの電極を反応チャンバ３内に複数組設けて、同時に複数の基板４上に成膜する構成であってもよい。カソード電極１及びアノード電極２の組を複数設ける構成の詳細については、後述する。
【００２３】
反応チャンバ３は密封可能な縦型チャンバであり、その内部に、ガス導入管７を介して反応ガスが導入され、排気管８を介して内部のガスを排気する。縦型の反応チャンバ３内に、１対のカソード電極１及びアノード電極２が、反応チャンバ３の底面に対して略垂直に配置されている。なお、図１において、基板４は、アノード電極２のカソード電極１に対向する面に、その一面が接するように設けられ、基板保持部（図示せず）によって保持されている。
【００２４】
反応チャンバ３は、横型チャンバであってもよく、この場合も、１対のカソード電極１及びアノード電極２は、反応チャンバ３の底面に対して略垂直に配置される。
【００２５】
ガス導入管７及び排気管８には、反応チャンバ３内のガスの導出入に用いられるポンプ（図示せず）、及び反応チャンバ３内の圧力を制御する圧力制御部（図示せず）が設けられていてもよい。なお、本実施形態において、ガス導入管７からカソード電極１内のガスラインに反応ガスを供給し、アノード電極２上に設けられた基板４の上方から反応ガスを噴出するようになっている。また、反応チャンバ３内の反応ガスは、排気管８内を減圧して真空引きし、排気する。
【００２６】
電源部５は、例えば、ＲＦ１．００ＭＨｚ〜６０ＭＨｚの周波数で１０Ｗ〜１００ｋＷの電力、具体的には、１１．００ＭＨｚ〜６０ＭＨｚで１０Ｗ〜１０ｋＷの電力をカソード電極１に供給するプラズマ励起電源である。電源部５は、給電ケーブルを介してカソード電極１の端部に接続されており、この端部からカソード電極１に給電する。したがって、当該端部が給電点となる。
【００２７】
このように、カソード電極１の端部から給電するとき、図４に示すように、給電点近傍に定在波が発生する。図４は、１２００ｍｍ角の基板に、従来のプラズマ処理装置を用いて、周波数１３．５６ＭＨｚで電力を供給した時の電界強度を示している。図４に示すように定在波が発生した箇所においては、定在波の影響により給電点近傍の電界強度が低下する。このような給電点近傍における電界強度の低下により、電極面内における成膜レートが不均一になる。したがって、特に給電点近傍の膜厚が薄くなってしまう。
【００２８】
プラズマ処理装置１０においては、カソード電極１において、アノード電極２に対向する面は、カソード電極１とアノード電極２との間の距離が、給電点に対向する端部（第２端部）側すなわち、電源部５に接続されていないほうの端部側よりも、電源部５に接続された端部（給電点）側がより狭くなるように、アノード電極２に向かって突出している。カソード電極１において、アノード電極２に対向する面の、アノード電極２に向かって突出している部分を、突出部と称する。これにより、給電点近傍における電界強度を向上させ、電極間全体における電界強度を均一にすることができる。その結果、電極面内における成膜レートが均一になるため、成膜の面内均一性が向上し、良好な成膜が可能である。
【００２９】
なお、本実施形態においては、アノード電極２上に設けた基板４に成膜する構成であるため、カソード電極１の給電点近傍がアノード電極２に向かって突出する形状としたが、本発明はこれに限定されず、アノード電極２における、カソード電極１の給電点近傍に対向する面がカソード電極１に向かって突出する形状とし、カソード電極１上に設けた基板４を成膜する構成としてもよい。
【００３０】
プラズマ処理装置１０において用いられる各電極の形状の具体例としては、図２及び３に示す形状が挙げられる。図２に示すように、カソード電極２１において、突出部は、アノード電極に向かって突出する方向の幅が、電源部２５に接続されていないほうの端部側から電源部２５に接続されている端部に向かって徐々に広くなるように、アノード電極に向かって傾斜する傾斜面を備えている。すなわち、カソード電極２１における、反応チャンバ３内に設けられたときにアノード電極に対向する面は、カソード電極２１とアノード電極との間の距離が、電源部２５に接続されていないほうの端部側から電源部２５に接続されている端部に向かって徐々に狭くなるように、アノード電極に向かって傾斜しているとも言える。これにより、カソード電極２１とアノード電極との間の電極間距離が緩やかに変化するので、電極面上における成膜レートがより均一になり、良好な成膜が可能である。
【００３１】
なお、カソード電極２１における突出部の当該傾斜の開始点、傾斜の角度等の傾斜条件は、カソード電極２１とアノード電極との間の電界強度を測定し、電極間の電界強度が均一になるような条件を適宜設定すればよい。図１及び図２には、給電点に対向する端部（第２端部）より、給電点側の端部（第１端部）の方へ、当該傾斜の開始点を片寄らせた場合を示しているが、これに限らず、給電点側の端部より給電点に対向する端部の方へ、当該傾斜の開始点を片寄らせてもよいし、第２端部が当該傾斜の開始点であってもよい。
【００３２】
また、図３に示すように、カソード電極２１において、突出部は、カソード電極２１のアノード電極に対向する面上に取り付けられた金属部材３９であってもよい。すなわち、カソード電極３１における、反応チャンバ３内に設けられたときにアノード電極に対向する面の、電源部３５に接続されていないほうの端部側に、金属部材３９が取り付けられていてもよい。これにより、カソード電極３１とアノード電極との間の距離が、電源部３５に接続されていないほうの端部側よりも電源部２５に接続されている端部側の方が狭くなる。
【００３３】
カソード電極３１に取り付ける金属部材３９としては、電極を構成する材料と同一材料のものが用いられ得るが、所定の導電性及び耐熱性を有する金属であれば好適に使用可能である。金属部材３９は、その長手方向の端部の一方と、カソード電極３１の電源部３５に接続されている端部とが面一になるように設けられていることが好ましい。金属部材３９の大きさは、カソード電極３１とアノード電極との間の電界強度を測定し、電極間の電界強度が均一になるような大きさを適宜選択すればよい。
【００３４】
なお、金属部材３９において、反応チャンバ３内に設けられたときにアノード電極に対向する面は、カソード電極３１とアノード電極との間の距離が、電源部３５に接続されていないほうの端部側から電源部３５に接続されている端部に向かって徐々に狭くなるように、アノード電極に向かって傾斜していてもよい。これにより、カソード電極３１とアノード電極との間の電極間距離が緩やかに変化するので、電極面上における成膜レートがより均一になり、良好な成膜が可能である。
【００３５】
プラズマ処理装置１０は、成膜レートが均一で、良好な成膜が可能であるため、例えば薄膜太陽電池の光電変換層の製造に好適に用いられる。このような、プラズマ処理装置１０により製造した半導体装置についても、本発明の範疇に含まれる。
【００３６】
〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、図５を参照して説明する。なお、本実施形態においては、上述した実施形態と異なる部分について特に説明し、他の部分については上述の実施形態の説明に準じる。図５は、本発明の他の実施形態に係るプラズマ処理装置を示す概略図である。
【００３７】
図５に示すように、プラズマ処理装置５０は、反応チャンバ５３内に、複数（４つ）のカソード電極５１ａ〜５１ｄと、複数（４つ）のアノード電極５２ａ〜５２ｄとを備えている。反応チャンバ５３は密閉可能な横型チャンバである。なお、図５においては、カソード電極とアノード電極とが、それぞれ４つずつ設けられた構成を例として説明したが、カソード電極及びアノード電極の数はこれに限定されない。
【００３８】
カソード電極５１ａ〜５１ｄとアノード電極５２ａ〜５２ｄとは、それぞれ一対ずつ対向するように設けられ、４組の放電空間が形成されている。カソード電極５１ａ〜５１ｄとアノード電極５２ａ〜５２ｄとは、反応チャンバ５３の底面に対して略平行に配置されている。そして、それぞれのアノード電極５２ａ〜５２ｄ上には、プラズマ処理の対象となる基板５４ａ〜５４ｄが載置されている。
【００３９】
反応チャンバ５３内には、各カソード電極５１ａ〜５１ｄのそれぞれの電極内に設けられたガスライン（図示せず）を介して反応ガスが供給され、各基板５４ａ〜５４ｄの上方からそれぞれ反応ガスが噴出される。反応チャンバ５３からの反応ガスは、排気管（図示せず）内を減圧して真空引きし、排気する。
【００４０】
カソード電極５１ａ〜５１ｄは、それぞれ、電力導入線５８に接続されており、電力導入線５８は、整合器５７を介して高周波電源５５に接続されている。反応チャンバ５３内の４つの放電空間に、高周波電源５５からの電力を均等に供給するために、電力導入線５８は、整合器５７から反応チャンバ５３までの間で、２本に分岐され、その後、さらに同様に２本に分岐されている。分岐された部分からは対称に（図５において上下線対象に）延びている。
【００４１】
アノード電極５２ａ〜５２ｄは、アース５６ａ〜５６ｄにそれぞれ接続されている。また、各アノード電極５２ａ〜５２ｄには、処理を行う基板５４ａ〜５４ｄの温度を調整するために、ヒータ（図示せず）及び冷却管（図示せず）が内蔵されている。
【００４２】
プラズマ処理装置５０においては、各カソード電極５１ａ〜５１ｄにおいて、各アノード電極５２ａ〜５２ｄに対向する面は、それぞれのカソード電極５１ａ〜５１ｄとアノード電極５２ａ〜５２ｄとの間の距離が、給電点に対向する端部側すなわち、高周波電源５５に接続されていないほうの端部側よりも、高周波電源５５に接続された端部（給電点）側がより狭くなるように、各アノード電極５２ａ〜５２ｄに向かって突出している。すなわち、各カソード電極５１ａ〜５１ｄの、アノード電極側の面において、高周波電源５５に接続された側には、突出部を備えている。
【００４３】
これにより、給電点近傍における電界強度を向上させ、電極間全体における電界強度を均一にすることができる。その結果、電極面内における成膜レートが均一になるため、成膜の面内均一性が向上し、良好な成膜が可能である。
【００４４】
また、プラズマ処理装置５０によれば、カソード電極とアノード電極とからなる電極対を複数備えているので、複数の基板５４ａ〜５４ｄの処理を同時に行うことが可能である。
【００４５】
〔実施形態３〕
本発明のさらに他の実施形態について、図６を参照して説明する。なお、本実施形態においては、上述した実施形態と異なる部分について特に説明し、他の部分については上述の実施形態の説明に準じる。図６は、本発明のさらに他の実施形態に係るプラズマ処理装置を示す概略図である。図６に示すように、プラズマ処理装置６０は、反応チャンバ６３内に、２つのカソード電極６１ａ及び６１ｂと、４つのアノード電極６２ａ〜６２ｄとを備えている。
【００４６】
カソード電極６１ａ及び６１ｂとアノード電極６２ａ〜６２ｄとは、１つのカソード電極を２つのアノード電極で挟むように設けられている。すなわち、カソード電極６１ａをアノード電極６２ａ及び６２ｂで挟み、カソード電極６１ｂをアノード電極６２ｃ及び６２ｄで挟むように設けられている。反応チャンバ６３は密閉可能な縦型チャンバである。カソード電極６１ａ及び６１ｂとアノード電極６２ａ〜６２ｄとは、反応チャンバ６３の底面に対して略垂直に、互いに略平行に配置されている。
【００４７】
アノード電極６２ａ〜６２ｄのカソード電極に対向する面には、それぞれ基板６４ａ〜６４ｄが設けられている。基板６４ａ〜６４ｄのそれぞれは、その一面が、各アノード電極においてカソード電極に対向する面に接するように設けられ、基板保持部（図示せず）によって保持されている。
【００４８】
カソード電極６１ａは電力導入線６８ａに接続されており、電力導入線６８ａは整合器６７ａを介して高周波電源６５ａに接続されている。また、カソード電極６１ｂは電力導入線６８ｂに接続されており、電力導入線６８ｂは整合器６７ｂを介して高周波電源６５ｂに接続されている。したがって、プラズマ処理装置６０には、反応チャンバ６３内に、同様に構成された２組のプラズマ処理部が設けられていると言える。
【００４９】
アノード電極６２ａ〜６２ｄは、それぞれ同一のアース６６に接続されているが、それぞれ異なるアースに接続されていてもよい。アノード電極６２ａ〜６２ｄには、処理を行う基板６４ａ〜６４ｄの温度を調整するために、ヒータ（図示せず）及び冷却管（図示せず）が内蔵されている。
【００５０】
反応チャンバ６３内には、カソード電極６１ａとアノード電極６２ａ及び６２ｂとの間、カソード電極６１ｂとアノード電極６２ｃ及び６２ｄとの間のそれぞれにおいて、プラズマ放電し、４つの放電空間が形成される。すなわち、２つのアノード電極が、プラズマ放電の対となるカソード電極を共有している。
【００５１】
反応チャンバ６３内には、カソード電極６１ａ及び６１ｂのそれぞれの電極内に設けられたガスライン（図示せず）を介して反応ガスが供給され、カソード電極６１ａ及び６１ｂにおいて、２つのアノード電極に対向する２つの面のそれぞれから反応ガスが噴出される。したがって、基板６４ａ〜６４ｄのそれぞれの上方から反応ガスが供給される。反応チャンバ６３からの反応ガスは、排気管（図示せず）内を減圧して真空引きし、排気する。
【００５２】
プラズマ処理装置６０においては、各カソード電極６１ａ及び６１ｂにおいて、各アノード電極６２ａ〜６２ｄに対向する面は、それぞれのカソード電極６１ａ及び６１ｂとアノード電極６２ａ〜６２ｄとの間の距離が、給電点に対向する端部側すなわち、高周波電源６５ａ又は６５ｂに接続されていないほうの端部側よりも、高周波電源６５ａ又は６５ｂに接続された端部（給電点）側がより狭くなるように、各アノード電極６２ａ〜６２ｄに向かって突出している。すなわち、カソード電極６１ａ及び６１ｂにおいて、反応チャンバ６３の底面に垂直な方向の両面において、高周波電源６５ａ又は６５ｂに接続された側には、突出部を備えている。
【００５３】
これにより、給電点近傍における電界強度を向上させ、電極間全体における電界強度を均一にすることができる。その結果、電極面内における成膜レートが均一になるため、成膜の面内均一性が向上し、良好な成膜が可能である。
【００５４】
また、プラズマ処理装置６０においては、１つのカソード電極を、２つのアノード電極の間に挟むように設け、２つのアノード電極と１つのカソード電極とのそれぞれの間において、プラズマ放電させるので、１つのカソード電極と２つのアノード電極により、２つの基板を同時に処理することが可能である。
【００５５】
以下に実施例を示し、本発明の実施の形態についてさらに詳しく説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではなく、細部について様々な態様が可能であることはいうまでもない。
【実施例】
【００５６】
上述したプラズマ処理装置１０を用いた一実施例を以下に示す。カソード電極１及びアノード電極２として、サイズ１１００ｍｍ×１５００ｍｍ、厚み３０ｍｍの電極を用いた。電極間距離を１５ｍｍとし、１０００ｍｍ×１４００ｍｍの透明導電膜が堆積されたガラス基板を電極間に設置した。カソード電極１に、周波数１１ＭＨｚで１２ｋＷの電力を導入し、反応チャンバ３内にＳｉＨ４ガス１．２ｓｌｍ及びＨ２ガス８０ｓｌｍを導入して成膜した。
【００５７】
その結果、基板上に厚み１．０μｍの薄膜が均一に形成された。なお、成膜された薄膜の状態及び厚みは、段差膜厚計や反射分光膜厚計などにより、薄膜の基板面内の複数点を測定して評価した。
【００５８】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、それぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、種々の半導体装置の製造に利用することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１    カソード電極（第１電極）
２    アノード電極（第２電極）
３    反応チャンバ（反応室）
５    電源部（電源供給部）
１０  プラズマ処理装置
【図１】
2013131475.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図４】
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