(57)【要約】【課題】本発明は、最小の開口幅が２０ｎｍ以下であるマスクにてトレンチを形成するプラズマ処理方法において、サイドエッチングおよびマイクロローディングを抑制できるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】本発明は、最小の開口幅が２０ｎｍ以下であるマスクにてトレンチを形成するプラズマ処理方法において、プラズマエッチングによりトレンチを形成するトレンチ形成ステップと、プラズマエッチングによりトレンチの側壁に窒化膜を形成する窒化膜形成ステップと、プラズマエッチングによりトレンチの側壁および底面に酸化膜を形成する酸化膜形成ステップとを有することを特徴とする。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
最小の開口幅が２０ｎｍ以下であるマスクにてトレンチを形成するプラズマ処理方法において、
プラズマエッチングによりトレンチを形成するトレンチ形成ステップと、
プラズマエッチングによりトレンチの側壁に窒化膜を形成する窒化膜形成ステップと、
プラズマエッチングによりトレンチの側壁および底面に酸化膜を形成する酸化膜形成ステップとを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理方法において、
前記トレンチ形成ステップと前記窒化膜形成ステップを繰り返すことにより、所定の深さのトレンチを形成した時点にて前記酸化膜形成ステップを行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマ処理方法において、
前記所定の深さのトレンチは、アスペクト比が１０以上の深さのトレンチであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項３記載のプラズマ処理方法において、
前記窒化膜形成ステップのプラズマは、Ｎ2ガスを用いたプラズマであり、
前記酸化膜形成ステップのプラズマは、Ｏ2ガスを用いたプラズマであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項３記載のプラズマ処理方法において、
前記トレンチ形成ステップのプラズマは、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスとの混合ガスを用いたプラズマであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に係り、特にプラズマエッチングするプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高集積化に伴い、素子分離法としては、トレンチ素子分離法(Shallow Trench Isolation：以下ＳＴＩと略称する）が用いられている。
【０００３】
ＳＴＩは、最初にシリコン基板に、例えばシリコン窒化膜をマスクとしてプラズマエッチングを行って、素子分離用のトレンチ（溝）を形成する。次に形成されたトレンチにシリコン酸化膜を埋め込み、余分なシリコン酸化膜をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）によって除去することによりＳＴＩが形成される。
【０００４】
素子分離用のトレンチの形成方法として、特許文献１には、少なくともＣｌ2とＨＢｒとを含むガスを用いたプラズマエッチングによりエッチングを行う方法が開示されている。
【０００５】
また、近年の半導体装置の高集積化に伴って、高微細化も要求され、次世代の半導体装置におけるＳＴＩでは、２０ｎｍ以下の開口幅のマスクで約３００ｎｍの深さのトレンチを形成することが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−００７６７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に開示された、少なくともＣｌ2とＨＢｒとを含むガスを用いたプラズマエッチングによって、このような高アスペクトのトレンチの形成を試みると、図３に示すようにマスクの開口幅が狭い領域では、トレンチの側壁にサイドエッチングが発生し、さらにマイクロローディングも発生する。ここで、マイクロローディングとは、マスクの開口幅が広い領域のトレンチ深さがマスクの開口幅が狭い領域のトレンチ深さより深くなるエッチングのことである。
【０００８】
本発明は、上述の課題を鑑みて、最小の開口幅が２０ｎｍ以下であるマスクにてトレンチを形成するプラズマ処理方法において、サイドエッチングおよびマイクロローディングを抑制できるプラズマ処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、最小の開口幅が２０ｎｍ以下であるマスクにてトレンチを形成するプラズマ処理方法において、プラズマエッチングによりトレンチを形成するトレンチ形成ステップと、プラズマエッチングによりトレンチの側壁に窒化膜を形成する窒化膜形成ステップと、プラズマエッチングによりトレンチの側壁および底面に酸化膜を形成する酸化膜形成ステップとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、最小の開口幅が２０ｎｍ以下であるマスクにてトレンチを形成するプラズマ処理方法において、サイドエッチングおよびマイクロローディングを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係るプラズマエッチング装置の断面図である。
【図２（ａ）】素子分離用のトレンチが形成されるウエハ１１１の構造を示す図である。
【図２（ｂ）】ブレークスルーステップ後のエッチング形状を示す図である。
【図２（ｃ）】第一の窒化膜形成ステップ後のエッチング形状を示す図である。
【図２（ｄ）】第一のトレンチ形成ステップ後のエッチング形状を示す図である。
【図２（ｅ）】第二の窒化膜形成ステップ後のエッチング形状を示す図である。
【図２（ｆ）】第二のトレンチ形成ステップ後のエッチング形状を示す図である。
【図２（ｇ）】酸化膜形成ステップ後のエッチング形状を示す図である。
【図２（ｈ）】第三のトレンチ形成ステップ後のエッチング形状を示す図である。
【図３】従来技術によるトレンチ形成を示す図である。
【図４】酸化膜形成ステップのアスペクト比毎の形状を示す図である。
【図５】酸化膜形成ステップのアスペクト比依存性を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。まず、最初に本発明を実施するためのプラズマエッチング装置について図１を参照しながら説明する。
【００１３】
真空容器１０１の開放された上部に、真空容器１０１内に処理ガスを導入するためのシャワープレート１０４（例えば石英製）、誘電体窓１０５（例えば石英製）を設置し、気密に封止することにより処理室１０６を形成する。シャワープレート１０４には処理室１０６内に処理ガスを供給するための複数の孔が配置されており、ガス供給装置１０７から供給された処理ガスはシャワープレート１０４の複数の孔を介して処理室１０６内に導入される。また、真空容器１０１には、真空排気口１０８を介して真空排気装置（図示せず）が接続されている。
【００１４】
プラズマを生成するための高周波電力を処理室１０６に供給するため、誘電体窓１０５の上方には電磁波を伝送するための導波管１０９が設けられている。導波管１０９へ伝送される電磁波（プラズマ生成用高周波）は、電磁波発生用電源１０３から発振される。電磁波の周波数は特に限定されないが、本実施例では２．４５ＧＨｚのマイクロ波を使用する。処理室１０６の外周部には、磁場を形成するための磁場発生用コイル１１０が設けられ、電磁波発生用電源１０３より発振されたマイクロ波は、磁場発生用コイルにより形成された磁場との相互作用により、処理室１０６内に高密度なプラズマを生成する。
【００１５】
また、シャワープレート１０４に対向して真空容器１０１の下部には、ウエハを載置するための試料台１０２が設けられている。試料台１０２は、試料台表面が溶射膜（図示せず）で被覆されており、高周波フィルタ１１４を介して直流電源１１５が接続されている。さらに、試料台１０２には、マッチング回路１１２を介して高周波バイアス電源１１３が接続されている。試料台１０２には、温度調節器（図示せず）も接続されている。
【００１６】
処理室１０６内に搬送された試料であるウエハ１１１は、直流電源１１５から印加される直流電圧の静電気力により試料台１０２上に吸着して温度調節され、ガス供給装置１０７によって所望の処理ガスを供給した後、真空容器１０１内を真空排気装置（図示せず）により所定の圧力とし、処理室１０６内にプラズマを発生させる。
【００１７】
次に高周波バイアス電源１１３から試料台１０２に高周波電力を供給することにより、プラズマからイオンをウエハへ引き込み、ウエハ１１１がプラズマエッチングされる。また、高周波バイアス電源１１３は、パルス発振器を備えるため、試料台１０２に時間変調された間欠的な高周波電力または、連続的な高周波電力を供給することができる。
【００１８】
また、搬送手段（図示せず）により、ウエハ１１１を真空容器１０１内に搬送し、試料台１０２上に載置する。ガス供給装置１０７により真空容器１０１内に処理ガスを供給し、真空排気装置を介して処理室１０６内の圧力を制御しながら電磁波発生用電源１０３からマイクロ波を処理室１０６内に供給してプラズマを発生させる。高周波バイアス電源１１３から試料台１０２に高周波電力を供給しながら、処理室１０６内に発生させたプラズマにより、試料台１０２上に載置されたウエハ１１１はエッチングされる。
【００１９】
上述したプラズマエッチング装置を用いて、２０ｎｍ以下のマスクパターンにて素子分離用のトレンチを形成するプラズマ処理方法について、以下説明する。
【００２０】
最初に素子分離用のトレンチが形成されるウエハ１１１の構造について図２（ａ）を参照しながら説明する。シリコン基板２０１上にマスクとしてシリコン窒化膜２０２があり、シリコン窒化膜２０２のマスクは予め開口されている。また、シリコン窒化膜２０２のマスクの開口幅は、単一ではなく、シリコン窒化膜２０２のマスクは、大別すると狭い開口幅領域と広い開口幅領域で構成されている。本実施例での最も狭いシリコン窒化膜２０２のマスクの開口幅は、２０ｎｍである。また、本実施例では、約３００ｎｍの深さのトレンチを形成することとする。
【００２１】
まず最初に、シリコン基板２０１表面に堆積し、材質がシリコン酸化膜である自然酸化膜を除去し、更にシリコン基板２０１をエッチングしてシリコン基板２０１に約６０ｎｍの深さのトレンチを形成するためにブレークスルーステップを行う。
【００２２】
ブレークスルーステップは、表１に示すように、Ｏ2ガスを６０ml／min、ＣＨＦ3ガスを６０ml／min、処理圧力を２.０Ｐａ、マイクロ波電力を７００Ｗ、時間変調された高周波バイアス電力を８００Ｗ、時間変調された高周波バイアス電力のデューティー比を１０％として自然酸化膜を除去して約６０ｎｍの深さのトレンチを形成した。
【００２３】
このブレークスルーステップ後は、図２（ｂ）に示すようなトレンチの側壁にサイドエッチングが発生せず、かつ、ほとんどマイクロローディングも発生していない約６０ｎｍの深さのトレンチを形成できた。尚、デューティー比とは、時間変調された間欠的な高周波電力のオン時間をＴon、オフ時間をＴoffとした場合、デューティー比＝Ｔon／（Ｔon＋Ｔoff）となる。また、ブレークスルーステップは、時間変調された高周波バイアス電力を供給しながらのプラズマエッチングのため、連続的な高周波バイアス電力を用いた場合より、マスクに対するトレンチのエッチングレートの選択比を向上させることができた。
【００２４】
次に主にブレークスルーステップにより形成されたトレンチの側壁に窒化膜を形成するために、第一の窒化膜形成ステップを行う。
【００２５】
第一の窒化膜形成ステップは、表１に示すように、Ｎ2ガスを１００ml／min、処理圧力を２.０Ｐａ、マイクロ波電力を６００Ｗ、高周波バイアス電力を０Ｗとして窒化膜２０３を形成した。
【００２６】
この第一の窒化膜形成ステップ後は、図２（ｃ）に示すようなブレークスルーステップにより形成されたトレンチの側壁と底面に窒化膜２０３が形成された。この第一の窒化膜形成ステップは、長い時間行う程、厚い窒化膜２０３を形成できるが、上述の通り、この第一の窒化膜形成ステップでは、トレンチの底面にも窒化膜２０３が形成されるため、厚い窒化膜２０３を形成すると、次の第一のトレンチ形成ステップでのエッチングを阻害する。
【００２７】
このため、この第一の窒化膜形成ステップは、次の第一のトレンチ形成ステップでのエッチングを阻害しない膜厚の窒化膜２０３を形成する時間だけ行う。
【００２８】
また、本実施例の第一の窒化膜形成ステップでは、Ｎ2ガスのみを用いたが、Ｎ2ガスとＡｒガスとの混合ガスまたは、Ｎ2ガスとＨｅガスとの混合ガスを用いても良い。
【００２９】
次に、第一の窒化膜形成ステップにより窒化膜２０３が形成されたトレンチを約８０ｎｍ相当のエッチングを行って約１４０ｎｍの深さのトレンチを形成するために第一のトレンチ形成ステップを行う。
【００３０】
第一のトレンチ形成ステップは、表１に示すように、Ｃｌ2ガスを１００ml／min、Ｏ2ガスを５ml／min、処理圧力を０.２Ｐａ、マイクロ波電力を８００Ｗ、時間変調された高周波バイアス電力を６００Ｗ、時間変調された高周波バイアス電力のデューティー比を２５％として約１４０ｎｍの深さのトレンチを形成した。
【００３１】
この第一のトレンチ形成ステップ後は、図２（ｄ）に示すようにトレンチの側壁にサイドエッチングが発生せず、約１４０ｎｍの深さのトレンチを形成できた。しかし、若干、マイクロローディングが発生した。この第一のトレンチ形成ステップ後にトレンチの側壁にサイドエッチングが発生しなかったのは、第一の窒化膜形成ステップによりトレンチの側壁に形成された窒化膜２０３がサイドエッチングに対する保護膜として機能したことによると考えられる。また、第一のトレンチ形成ステップは、時間変調された高周波バイアス電力を供給しながらのプラズマエッチングのため、連続的な高周波バイアス電力を用いた場合より、マスクに対するトレンチのエッチングレートの選択比を向上させることができた。
【００３２】
また、この時点での約１４０ｎｍの深さのトレンチには、第一の窒化膜形成ステップにより形成された窒化膜２０３は無くなっている。言い換えると、この第一のトレンチ形成ステップは、第一の窒化膜形成ステップにより形成された側壁の窒化膜２０３が残っている期間だけしか行わない。
【００３３】
また、本実施例の第一のトレンチ形成ステップでは、Ｃｌ2ガスとＯ2ガスとの混合ガスを用いたが、ＨＢｒガスとＯ2ガスとの混合ガスを用いても良い。
【００３４】
次に、トレンチの側壁へのサイドエッチングの保護膜として、第一のトレンチ形成ステップ後に形成された約１４０ｎｍの深さのトレンチの側壁に窒化膜を形成するために、第二の窒化膜形成ステップを行う。
【００３５】
この第二の窒化膜形成ステップは、表１に示すように第一の窒化膜形成ステップと同じ条件にて行った。
【００３６】
この第二の窒化膜形成ステップ後は、図２（ｅ）に示すように、第一のトレンチ形成ステップ後に形成された約１４０ｎｍの深さのトレンチの側壁と底面に窒化膜２０３が形成された。また、第一のトレンチ形成ステップにより発生したマイクロローディングは改善されていない。
【００３７】
次に、第二の窒化膜形成ステップにより窒化膜２０３が形成されたトレンチを約８０ｎｍ相当のエッチングを行って約２２０ｎｍの深さのトレンチを形成するために第二のトレンチ形成ステップを行う。
【００３８】
この第二のトレンチ形成ステップは、表１に示すように第一のトレンチ形成ステップと同じ条件にて行った。
【００３９】
この第二のトレンチ形成ステップ後は、図２（ｆ）に示すように、トレンチの側壁にサイドエッチングが発生せず、約２２０ｎｍの深さのトレンチを形成した。しかし、第一のトレンチ形成ステップにより発生したマイクロローディングがさらに悪化した。また、この時点での約２２０ｎｍの深さのトレンチには、第二の窒化膜形成ステップにより形成された窒化膜２０３は無くなっている。
【００４０】
次に、トレンチの側壁へのサイドエッチングの保護膜として、第二のトレンチ形成ステップ後に形成された約２２０ｎｍの深さのトレンチの側壁に酸化膜２０４を形成するために、酸化膜形成ステップを行う。
【００４１】
酸化膜形成ステップは、表１に示すように、Ｏ2ガスを３０ml／min、処理圧力を０.２Ｐａ、マイクロ波電力を６００Ｗ、高周波バイアス電力を０Ｗとして、酸化膜２０４を形成した。
【００４２】
この酸化膜形成ステップ後は、図２（ｇ）に示すように、第二のトレンチ形成ステップ後に形成された約２２０ｎｍの深さのトレンチの側壁と底面に酸化膜２０４が形成された。また、第二のトレンチ形成ステップまでに発生したマイクロローディングは改善されないままである。
【００４３】
また、本実施例の酸化膜形成ステップでは、Ｏ2ガスのみを用いたが、Ｏ2ガスとＡｒガスとの混合ガスまたは、Ｏ2ガスとＨｅガスとの混合ガスを用いても良い。
【００４４】
次に、酸化膜形成ステップにより酸化膜２０４が形成されたトレンチを約８０ｎｍ相当のエッチングを行って約３００ｎｍの深さのトレンチを形成するために第三のトレンチ形成ステップを行う。
【００４５】
第三のトレンチ形成ステップは、表１に示すように、第一のトレンチ形成ステップおよび第二のトレンチ形成ステップと同じ条件にて行った。
【００４６】
この第三のトレンチ形成ステップ後は、図２（ｈ）に示すように、トレンチの側壁にサイドエッチングが発生せず、約３００ｎｍの深さのトレンチを形成した。また、マイクロローディングも改善できた。しかし、約３００ｎｍの深さのトレンチの側壁に若干、酸化膜２０４が残っているが、第三のトレンチ形成ステップ後に行われる、フッ酸等による洗浄によって除去される。
【００４７】
第三のトレンチ形成ステップ後にマイクロローディングを改善できた理由として以下のように考えられる。
【００４８】
第二のトレンチ形成ステップ後に形成された約２２０ｎｍの深さのトレンチの側壁と底面に形成された酸化膜２０４は、第一の窒化膜形成ステップおよび第二の窒化膜形成ステップにて形成される窒化膜２０３より、塩素ラジカルや塩素イオンに対して強固な保護膜として機能する。このため、約２２０ｎｍの深さのトレンチの底面に形成された酸化膜２０４は、第一の窒化膜形成ステップおよび第二の窒化膜形成ステップにて形成される窒化膜２０３より塩素ラジカルや塩素イオンによるエッチングを阻害する。
【００４９】
また、アスペクト比が１０以上である、マスクの開口幅が狭い領域のトレンチの底面は、マスクの開口幅が広い領域のトレンチの底面より酸化膜２０４が形成され難いため、マスクの開口幅が広い領域のトレンチの底面に形成される酸化膜２０４は、アスペクト比が１０以上である、マスクの開口幅が狭い領域のトレンチの底面より厚く形成される。このため、マスクの開口幅が広い領域のトレンチの底面のエッチングは、アスペクト比が１０以上である、マスクの開口幅が狭い領域のトレンチの底面のエッチングより進行しない。このことにより、第三のトレンチ形成ステップ後にマイクロローディングが改善されたものと考えられる。ここで、アスペクト比とは、プラズマエッチングにより形成されたトレンチの深さをマスクの開口幅で除した値のことである。尚、ここでのプラズマエッチングにより形成されたトレンチ深さとは、マスクの厚さは含まない。
【００５０】
以上、上述した本発明のプラズマ処理を行うことにより、２０ｎｍ以下の開口幅のマスクにてマスクの開口幅が狭い領域に発生するサイドエッチングおよびマイクロローディングを抑制したトレンチを形成できる。
【００５１】
【表１】
2013131587.tif 000003
【００５２】
上述した通り、本発明は、窒化膜形成ステップと酸化膜形成ステップにより、トレンチの側壁へのサイドエッチングを抑制しながらトレンチを形成し、酸化膜形成ステップによりマイクロローディングを改善する発明である。また、本発明では、酸化膜形成ステップを行うタイミングが重要である。
【００５３】
例えば、ブレークスルーステップ、酸化膜形成ステップ、第一のトレンチ形成ステップ、第一の窒化膜形成ステップ、第二のトレンチ形成ステップ、第二の窒化膜形成ステップ、第三のトレンチ形成ステップの順番で２０ｎｍ以下の開口幅のマスクにて約３００ｎｍの深さのトレンチを形成すると、図４（ａ）に示すように、マスクの開口幅が狭い領域のトレンチの側壁にサイドエッチングが発生し、マイクロローディングが大きい結果となった。尚、この場合のプラズマ処理方法は、アスペクト比が３の時に酸化膜形成ステップを行ったプラズマ処理方法である。
【００５４】
次に、ブレークスルーステップ、第一の窒化膜形成ステップ、第一のトレンチ形成ステップ、酸化膜形成ステップ、第二のトレンチ形成ステップ、第二の窒化膜形成ステップ、第三のトレンチ形成ステップの順番で２０ｎｍ以下の開口幅のマスクにて約３００ｎｍの深さのトレンチを形成すると、図４（ｂ）に示すように、マスクの開口幅が狭い領域のトレンチの側壁にサイドエッチングが発生し、上記のアスペクト比が３の時に酸化膜形成ステップを行ったプラズマ処理方法よりマイクロローディングが小さくなる結果となった。
尚、この場合のプラズマ処理方法は、アスペクト比が７の時に酸化膜形成ステップを行ったプラズマ処理方法である。
【００５５】
これらの結果を踏まえて、アスペクト比が３の時に酸化膜形成ステップを行ったプラズマ処理方法と、アスペクト比が７の時に酸化膜形成ステップを行ったプラズマ処理方法と、本発明のプラズマ処理方法のそれぞれのトレンチ深さ、サイドエッチング量、マイクロローディングを図５に示す。尚、本発明のプラズマ処理方法は、アスペクト比が１１の時に酸化膜形成ステップを行ったプラズマ処理方法である。また、図５は、酸化膜形成ステップのアスペクト比依存性を示す図とも言える。
【００５６】
図５の結果から、サイドエッチングを発生させずにマイクロローディングを１３ｎｍ以下にするためには、酸化膜形成ステップをアスペクト比が１０以上の時に行わなければならないことがわかる。尚、本実施例では、開口幅が２０ｎｍであるマスクを有するマスクにて約３００ｎｍの深さのトレンチを形成する場合のマイクロローディングの許容値を１３ｎｍ以下とした。
【００５７】
また、本実施例では、約３００ｎｍの深さのトレンチを形成するために、１回のブレークスルーステップと、２回の窒化膜形成ステップと、３回のトレンチ形成ステップと、１回の酸化膜形成ステップを行ったが、３００ｎｍより深いトレンチを形成する場合には、所望の深さとなるように窒化膜形成ステップとトレンチ形成ステップの回数をそれぞれ増やせばよい。
【００５８】
また、本実施例では、約３００ｎｍの深さのトレンチを形成するために、酸化膜形成ステップを行うまでに窒化膜形成ステップとトレンチ形成ステップをそれぞれ２回ずつ行ったが、２回以上ずつ行ってもかまわない。
【００５９】
つまり、本発明のプラズマ処理方法は、所定のトレンチ深さとなるまでは、窒化膜形成ステップとトレンチ形成ステップをそれぞれ繰り返し、所定のトレンチ深さ以降において酸化膜形成ステップを行うことを特徴とする。
【００６０】
また、本実施例では、素子分離用のトレンチの形成について説明したが、これに限定されるものではなく、ディープトレンチ、キャバシタ用のトレンチ形成にも適用できる。
【００６１】
また、本実施例では、マイクロ波を用いたECR（Electron Cyclotron Resonance）方式のマイクロ波プラズマエッチング装置での適用例について説明したが、これに限定されるものではなく、容量結合型、誘導結合型のプラズマ生成手段を用いたプラズマエッチング装置に適用しても良い。
【符号の説明】
【００６２】
１０１  真空容器
１０２  試料台
１０３  電磁波発生用電源
１０４  シャワープレート
１０５  誘電体窓
１０６  処理室
１０７  ガス供給装置
１０８  真空排気口
１０９  導波管
１１０  磁場発生用コイル
１１１  ウエハ
１１２  マッチング回路
１１３  高周波バイアス電源
１１４  高周波フィルタ
１１５  直流電源
２０１  シリコン基板
２０２  シリコン窒化膜
２０３  窒化膜
２０４  酸化膜
【図１】
2013131587.tif 000004
【図２（ａ）】
2013131587.tif 000005
【図２（ｂ）】
2013131587.tif 000006
【図２（ｃ）】
2013131587.tif 000007
【図２（ｄ）】
2013131587.tif 000008
【図２（ｅ）】
2013131587.tif 000009
【図２（ｆ）】
2013131587.tif 000010
【図２（ｇ）】
2013131587.tif 000011
【図２（ｈ）】
2013131587.tif 000012
【図３】
2013131587.tif 000013
【図４】
2013131587.tif 000014
【図５】
2013131587.tif 000015