【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年2月2日(2016.2.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基材を準備する工程、
（ｂ）少なくとも１のケイ素化合物、及び、ドーパントとして、ＴＨＦ、ＮＲ3（式中、Ｒ＝Ｈ、アルキル、アリール）並びにＳＲ′2（式中、Ｒ′＝Ｈ、アルキル、アリール）からなる群から選択された錯形成剤との少なくとも１のＢＨ3錯体を含有する処方物を準備する工程、
（ｃ）前記処方物を前記基材に設ける工程、
（ｄ）コーティングされた前記基材を放射線照射及び／又は熱処理し、ケイ素からなる、ｐ型ドープされた層を形成させる工程、
を含む、
基材に配置されたｐ型ドープされたシリコン層少なくとも１を製造する方法。
【請求項２】
前記ケイ素化合物が、ケイ素−水素−化合物、ケイ素−ハロゲン化物、ケイ素−オルガニル、オリゴマーのケイ素化合物ＳｉnＲ2n+2又はＳｉnＲ2n（式中、ｎ＝８〜１００及びＲ＝Ｈ、ハロゲン、オルガニルであり、各Ｒは独立して選択されてよい）又はこれらケイ素化合物の任意の混合物である請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ケイ素化合物が、工程ｂ）での使用前に、部分的に又は完全にオリゴマー化され、オリゴマー化された前記ケイ素化合物のモル質量は３３０ｇ／ｍｏｌ〜１００００ｇ／ｍｏｌに調節される請求項２記載の方法。
【請求項４】
ケイ素を含有する処方物が溶媒を含む請求項１から３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記基材のコーティングが、フレキソ／グラビア印刷、インクジェット印刷、オフセット印刷、デジタルオフセット印刷及びスクリーン印刷、スプレー法、回転コーティング法、浸漬法、及び、メニスカスコーティング、スリットコーティング、スロットダイコーティング及びカーテンコーティングから選択される方法、を用いて行われる請求項１から４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記熱処理を２００〜１０００℃の温度で実施する請求項１から５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
工程（ｂ）〜（ｄ）を複数回実施する請求項１から６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記基材が導電性であるか又は導電性表面を有する請求項１から７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
ｐ型ドープがホウ素ドープであり、ホウ素がＴＨＦ、ＮＲ3（式中、Ｒ＝Ｈ、アルキル、アリール）並びにＳＲ′2（式中、Ｒ′＝Ｈ、アルキル、アリール）からなる群から選択された錯形成剤とのＢＨ3錯体の群からの化合物によって導入されていることを特徴とする、基材及びｐ型ドープされたシリコン層を含むコーティングされた基材。
【請求項１０】
前記基材が導電性であるか又は導電性表面を有する、請求項９記載のコーティングされた基材。
【請求項１１】
光起電装置の製造方法が請求項１から８のいずれか１項記載の方法を含む、光起電装置。
【請求項１２】
少なくとも１のケイ素化合物を含む処方物を設ける工程、及び、コーティングされた前記基材を放射線照射及び／又は熱処理し、ケイ素からなる、ｐ型ドープされた層を形成させる工程、を含む方法により製造される、シリコン層のｐ型ドープのための、ＴＨＦ、ＮＲ3（式中、Ｒ＝Ｈ、アルキル、アリール）並びにＳＲ′2（式中、Ｒ′＝Ｈ、アルキル、アリール）からなる群から選択された錯形成剤とのＢＨ3錯体の群からの化合物の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
前述の課題は、本発明によって、
（ａ）基材を準備する工程、
（ｂ）少なくとも１のケイ素化合物、及び、ドーパントとしてヒドロホウ素化剤の群からの少なくとも１の化合物を含有する処方物を準備する工程、
（ｃ）前記処方物を前記基材に設ける工程、
（ｄ）コーティングされた前記基材を放射線照射及び／又は熱処理し、主としてケイ素からなる、ｐ型ドープされた層を形成させる工程、
を含む、基材に配置されたｐ型ドープされたシリコン層少なくとも１を製造する方法によって解決される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
ヒドロホウ素化剤とは、本発明の意味合いにおいて、少なくとも１のホウ素−水素結合を有するホウ素化合物（ジボラン除く）が理解されるべきである。ジボランは、本発明の範囲では、好適なヒドロホウ素化剤から除かれ、というのもジボランはガス状態故に欠点があるからである。加えて、ヒドロホウ素化剤としてのジボランとの反応は極めてゆっくりと進行する。好ましくは、ヒドロホウ素化剤は液状又は固形状である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
本発明の方法において好ましく使用される、ヒドロホウ素化剤の群からの化合物は、ａ）ＴＨＦ、ＮＲ3（式中、Ｒ＝Ｈ、アルキル、アリール）並びにＳＲ′2（式中、Ｒ′＝Ｈ、アルキル、アリール）からなる群から選択された錯形成剤とのＢＨ3錯体、又は、ｂ）ａ）で定義されたＢＨ3錯体と環状ジエンとの反応によって製造可能なＢxＣxnＨ2xn-x（式中、ｘ＝１〜４及びｎ＝３〜１０）タイプの化合物から選択されている。特に好ましくは、群ａ）及びｂ）からは、化合物ＢＨ3*ＴＨＦ、ＢＨ3ＳＭｅ2、ＢＨ3ＮＭｅ3又は９−ボラビシクロノナン（９−ＢＢＮ）、７−ボラビシクロヘプタン及び／又は１１−ボラビシクロウンデカンである。特にとりわけ好ましいヒドロホウ素化剤は、ＢＨ3*ＴＨＦ、ＢＨ3*ＮＭｅ3及び９−ボラビシクロノナン（９−ＢＢＮ）である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
「少なくとも１のケイ素化合物、及び、ヒドロホウ素化剤の群からの少なくとも１の化合物を含有する」との書き方は、この場合に本発明の意味合いにおいては、少なくとも１のケイ素化合物及びヒドロホウ素化剤の前述の群からの少なくとも１の化合物からなる組成物も、同様に、少なくとも１のケイ素化合物及びヒドロホウ素化剤の群からの少なくとも１の化合物から製造可能な組成物、特に、少なくとも１のケイ素化合物とヒドロホウ素化剤の前述の群からの少なくとも１の化合物との反応生成物をも理解すべきである。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
前でａ）及びｂ）で挙げたクラスのドープ材は、従来は有機合成化学において、特にアルケンのヒドロホウ素化のために、引き続くヒドロキシル化の際に相応するアンチマルコフニコフ生成物を得るべく使用されていた。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
本発明の方法の更なる一変法において、ケイ素含有処方物は、エネルギーリッチな（energetisch）プロセス、例えばＵＶ照射、熱処理を用いて、少なくとも１のケイ素含有化合物及びヒドロホウ素化試薬の群からの少なくとも１のドープ材を含む混合物のオリゴマー化及び／又はポリマー化によって製造されることができる（共オリゴマー化）。ヒドロホウ素化剤の群からの化合物の添加は、したがって、場合によって実施されるケイ素含有化合物のオリゴマー化及び／又はポリマー化の前又は後又はその間にも、行われることができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
本発明の主題は、基材及びｐ型ドープされたシリコン層を含むコーティングされた基材であって、ｐ型ドープがホウ素ドープであり、ホウ素がヒドロホウ素化剤の群からの化合物によって、上述のように導入されたことを特徴とする基材でもある。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
本発明は、特に、シリコン層のｐ型ドーピングのためのヒドロホウ素化剤の群からの化合物の使用をも含む。そのうち特に、少なくとも１のケイ素化合物を含む処方物を設ける工程、及び、コーティングされた基材を放射線照射及び／又は熱処理し、主としてケイ素からなる、ｐ型ドープされた層を形成させる工程、を含む方法によって製造されるシリコン層である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
実施例１：ヒドロホウ素化剤（ＢＨ3*ＴＨＦ）でｐ型ドープしたＳｉ層の製造
Ｎ2雰囲気（１ｐｐｍ未満の酸素濃度及び最高１ｐｐｍの水含有量を有した）を有するグローブボックス中で、３ｍＬのシクロペンタシランを、３ｍＬのトルエン及び０．５ｍＬのＢＨ3*ＴＨＦ錯体と混合し、開放容器中で波長２５４ｎｍのＵＶランプを用いて１５０分間の期間照射する。この場合に、さらさらとしたシランがよりどろりとする（処方物１）。