【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年11月12日(2015.11.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の触媒区域（１０６）と複数の膜区域（１０５）とを備え、それらをガスが交互に流れるガス流れ通路（３）を備えていて、前記複数の触媒区域（１０６）の各々は、触媒床（６）を備えていて、前記複数の膜区域（１０５）の各々は、所定のガス種を選択的に透過可能である複数の管状のガス膜（７０）を備えていて、複数の管状のガス膜は、ガス流れ通路を通るガス流れに対して交差するように延びている、集積されている触媒及び膜反応器（１）。
【請求項２】
複数の触媒区域（１０６）と複数の膜区域（１０５）とを備え、それらをガスが交互に流れるガス流れ通路（３）を備えていて、前記複数の触媒区域（１０６）の各々は、触媒床（６）を備えていて、前記複数の膜区域（１０５）の各々は、所定のガス種を選択的に透過可能である複数の管状のガス膜（７０）を備えていて、複数の管状のガス膜は、前記複数の膜区域を通るように延出している、集積されている触媒及び膜反応器（１）。
【請求項３】
前記複数の管状のガス膜の大部分は、前記複数の触媒床に物理的に接触していない、請求項１又は２に従っている反応器。
【請求項４】
前記複数の管状のガス膜の全ては、前記複数の触媒床に物理的に接触していない、請求項１又は２に従っている反応器。
【請求項５】
前記複数の膜区域は、複数の膜区域を通るガス流れに対し交差して配置された複数の膜の束を前記複数の管状のガス膜（７０)として備えていて、そして、複数の膜区域の容量の少なくとも２０％が複数の管状の膜の束により占められている、請求項１乃至４のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項６】
前記複数の触媒床は、モノリシック触媒を備えている、請求項１乃至５のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項７】
触媒が、水性ガスシフト反応触媒，蒸気改質触媒，ＣＯ２改質触媒，脱水素化触媒，Ｆｉｓｃｈｅｒ−Ｔｒｏｐｓｃｈ触媒，そして部分的な酸化触媒から成る群から選択されている、請求項１乃至６のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項８】
前記複数の管状のガス膜は、所定のガス種としての水素を選択的に透過可能である、請求項１乃至７のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項９】
加熱通路をさらに備えており、加熱通路は前記複数の触媒区域に隣接していて、そして、ガス流れ通路の上流に供給通路をさらに備えており、供給通路の少なくとも一部位は複数の触媒区域に隣接している、請求項１乃至８のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項１０】
前記供給通路の少なくとも一部位は、前記複数の触媒区域と物理的に接触している、請求項９に従っている反応器。
【請求項１１】
前記触媒床は、改質触媒を備えていて、そして、供給通路の少なくとも一部位が予備改質触媒を備えている、請求項９又は１０に従っている反応器。
【請求項１２】
前記加熱通路は、加熱通路の全長の少なくとも一部位に渡り前記供給通路と物理的に接触している、請求項９乃至１１のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項１３】
前記供給通路は、前記加熱通路の全長さの少なくとも一部位を周方向に取り囲んでいる、請求項９乃至１２のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項１４】
前記複数の触媒区域のうち隣接している触媒区域相互は、ガス流れ通路内でバッフルにより分離されていて、そして、前記複数の膜区域のうち隣接している膜区域相互は、ガス流れ通路内で複数のバッフルにより分離されている、請求項１乃至１３のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項１５】
前記複数の触媒区域は、互いに積み重ねられていて、そして、前記複数の膜区域は、互いに積み重ねられている、請求項１乃至１４のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項１６】
前記複数の触媒区域及び前記複数の膜区域は、前記流れ通路中での複数の触媒区域及び複数の膜区域を通る蛇行した流れを許容するように、配置されている、請求項１乃至１５のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項１７】
前記複数の触媒区域と複数の膜区域とは、複数の触媒区域が複数の触媒区域と加熱通路との間に配置さるようにして、加熱通路を中心として加熱通路の回りに径方向に配置されている、請求項１５又は１６に従っている反応器。
【請求項１８】
前記ガス流れ通路は、少なくとも１０の前記触媒区域を備えている、請求項１乃至１７のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項１９】
前記ガス流れ通路は、少なくとも１５の前記触媒区域を備えている、請求項１８に従っている反応器。
【請求項２０】
前記膜区域と前記触媒区域との間の界面での触媒床の界面面積は、膜区域に備えられている複数の膜の表面積よりも小さい、請求項１乃至１９のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項２１】
前記複数の管状のガス膜は、前記複数の膜区域を貫通している、請求項１乃至２０のいずれか１項に従っている反応器。
【請求項２２】
反応器中で交互に配置されている複数の触媒区域と複数の膜区域とを有しているガス流れ通路を、供給ガスが通過されることを備えている製品ガスの製造の為の方法であって、前記触媒区域の各々は、触媒床を備えていて、前記複数の膜区域の各々は、複数のガス膜を備えていて、前記複数のガス膜は、前記ガス流れ通路を通るガス流れに対し交差するように延びており、複数のガス膜は、所定のガス種を選択的に透過可能である、方法。
【請求項２３】
前記製品ガスは、水素である、請求項２２に従っている方法。
【請求項２４】
前記供給ガスは、飽和炭化水素と、ＣＯ２，Ｈ２Ｏ，そしてＯ２の１つ又はそれ以上とである、請求項２２又は２３に従っている方法。
【請求項２５】
前記供給ガスは、飽和炭化水素と、蒸気又はＣＯ２とであり、前記触媒床は、改質触媒を備えている、請求項２２又は２３に従っている方法。
【請求項２６】
前記飽和炭化水素は、メタンである請求項２５に従っている方法。
【請求項２７】
請求項１乃至２１のいずれか１項に従っている反応器が適用されている、請求項２２乃至２６のいずれか１項に従っている方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
膜反応器は、当該技術分野において知られている。例えば、ＷＯ２０１０／０８６６３５は反応器を開示していて、ここにおいては合成ガスが水性ガスシフト反応にさらされ、そして二酸化炭素が転換（shift）されたガス混合物からＣＯ２−選択膜により分離されていて、それにより水素に富んだガス混合物が生成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
ＷＯ２００４／０２２４８０は、蒸気改質（reforming）による高純度の水素の製造の為のプロセス及び装置を記載している。この装置は、Ｈ２流れ中における最小のＣＯでＨ２及びＣＯ２を製造する為の、炭化水素の蒸気改質の為の集積された反応器である。反応器は、複数の炎無し分散燃焼（flameless distributed combustion: FDC）室及び複数の水素‐選択，水素‐透過可能，膜管を含んでいる。供給及び反応ガスが反応器を半径方向又は中心軸線方向を通って流れる。この文献はまた、触媒床中の触媒との反応ガスの接触を増加させる為に、複数の管状のＦＤＣ加熱された中心軸線流れの膜蒸気改質反応器中で採用されて良い複数のバッフル（baffle）の異なった構成を記載している。バッフル構成は、ワッシャー（washer）形状のバッフル及びその中に配置されているか又は交互に配置されている円板形状のバッフルを備えている。このバッフル配置は、供給及び反応ガスがワッシャー（washer）形状のバッフル中の孔を通って流れるようにするとともに円板形状のバッフルによりそらされるようにし、それにより、複数のバッフル間の領域中に詰め込まれている触媒との反応ガスの接触を強化している。もう１つのバッフル配置は、反応器中に交互に置かれている（切り欠き左及び切り欠き右）複数の切り欠かれている円板（truncated disk）を備えていて、これにより、供給及び反応ガスが複数のバッフル間の領域中に詰め込まれている触媒を通る時に「ジグザグ（zigzag）」にさせている。複数のバッフルは、それらを通してＦＤＣ管及び膜管が通過することを許容する複数の開口を有する。垂直な一直線状に配置されている複数のスクリーン（screen）もまた、複数のバッフルを支持するよう、及び幾つかの場合では、より良いガス流れ分配の為に外殻壁から又は外殻の中心から触媒を遠ざけて保持するよう、使用されて良い。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
従来の膜反応器設計においては、ＷＯ２００４／０２２４８０中に記載されている如く、触媒及び膜が充分に集積されている。即ち、触媒は複数の膜を取り囲んでいる押し固められている床（packed bed）である又は触媒は膜上に被覆されている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
膜反応器においては、反応の平衡をシフト（shift）させる為に、複数の膜が、複数の反応生成物の１つ（例えば、水素）を除去するよう使用されている。この発明においては、分離及び反応の要求されている集積が、供給ガス（例えば、蒸気及び天然ガス）を触媒床を通し複数の（密に詰め込まれた束の如き）膜に沿い連続的に通過させることにより達成される。複数のバッフル（baffle）が、反応及び分離の所望の数の連続した工程を通してガスを案内し、そして複数の通路の連続を創出することに使用されて良い。さらには、反応器中における圧力損失を減少させるよう構成されている触媒を使用することが提供されている。これは、速度が従来の設計のものよりも早くなるので、この膜反応器構成では好適である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
この発明は、第１に、特に（コンパクトな）膜管束により、流れが交差流（cross-flow）であるとともに、流れが触媒床を通しそして（膜束の如き）複数の膜に沿い交互に通過する（膜→触媒→膜→触媒→その他）反応器設計を提供する。従って、ここでは用語「交互（alternating）」は、複数の膜区域と複数の触媒区域とが互いに交互であり、そして、これらの区域が反応器内に配置されていることを指摘している。従って、この発明の交差流（cross-flow）構造は、図面を参照することにより、以下にさらに説明される如く、１つの膜区域から次の膜区域へと複数の膜管が延出していることを意味する。これは、熱交換を可能にするとともに触媒の量を提供するよう現在の膜反応器設計の為に要求されている長い距離を避ける、コンパクトな手法でこの発明に従い達成される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
発明が向けられている第２の問題は、標準的な膜反応器設計におけるガスの低い速度である。提案されているシステムの利点は、それが、触媒床及び膜表面と触媒との間における及びこれらの間の量及び熱交換を強化するようバッフル（baffle）システムを設計又は寸法付けすることにより膜を通した複数の反応生成物の１つの抽出の割合から独立して、供給ガスの速度を選択することを許容することである。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
従って、第１の概念においては、この発明は、ガス流れ通路を備えていて集積されている触媒及び膜反応器（「反応器（reactor）」を提供し、ここにおいてはガス流れ通路は複数の交互の触媒区域及び複数の膜区域を備えていて、ここにおいては個々の触媒区域が触媒床を備えていて、ここにおいては個々の膜区域が、複数の管状の膜の如き、複数の膜を備えていて、ここにおいては複数の膜が好ましくはガス流れ通路を通る（供給ガスの）ガスの流れに対する交差流れ配置（cross-flow arrangement）に構成されていて、そしてここにおいては複数の膜が所定のガス種（predetermined gaseous species）（ここでは「所定のガス（predetermined gas）」としても指摘されている）の為に選択的に透過可能である。さらには、複数の（管状）膜が、ガス流れ通路に対し交差流れ配置（cross-flow arrangement）に構成されていて良い。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
次にこの発明は、複数の交互の触媒区域及び複数の膜区域を有しているガス流れ通路を備えている集積されている触媒及び膜反応器を提供し、ここにおいては個々の触媒区域が触媒床を備えているとともに個々の膜区域が複数の膜を通って延出している複数の選択的に透過可能な膜を備えている。好ましくは、複数の膜区域は積み重ね（stack）られていて、複数の（管状の）膜が損失空間無しで連続している複数の膜区域を通って直接的に延出することを許容している。好適な実施形態においては、複数の膜区域と複数の触媒区域の両方が積み重ねられている。積み重ねられている構成においては、供給ガスは交互のモードにある複数の触媒区域と複数の膜区域を通ってジグザグ（zigzag）に流れる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
さらなる概念においては、この発明は、所定のガス種、この実施形態においては水素ガス、の製造の為の方法を提供し、この方法は：（ｉ）所定のガス種の触媒形成の為に適した供給ガス（１つ又はそれ以上の出発成分を含んでいる）を、（１つの反応器内の）複数の交互に配置されている触媒区域及び複数の膜区域を通して流すことを備えていて、ここにおいては個々の触媒区域が、（供給ガスを所定のガス種及び任意には他の（ガス）種へと転化させる為に適している）触媒床を備えていて、ここにおいては個々の膜区域が、所定のガス種の為に選択的に透過可能な、複数の管状のガス膜の如き、複数のガス膜を備えている。所定のガス種は次に、複数の連続している膜区域を通って延出している複数の膜の透過側で（特に、複数の管状の膜の内側で）運び去られる。複数の膜、特に複数の管状のガス膜、が好ましくは、ガス流れ通路を通るガス流れに対して交差流れ（cross-flow）配置に構成されていて、そしてこの方法は好ましくはこの発明に従っている反応器に適用する。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
用語「触媒（catalyst）」はまた、複数の触媒を引用して良い。１つの実施形態における触媒は、供給ガスから、適切な触媒条件の下で（１つの実施形態においてはＨ２の如き）所定のガス種を生成するのに適切な触媒を特に引用している。触媒は触媒床中に存在していて良い（また以下を見よ）。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
１つの実施形態においては、触媒は、水性ガスシフト反応触媒，蒸気改質触媒，脱水素触媒，Ｆｉｓｃｈｅｒ−Ｔｒｏｐｓｃｈ触媒，ＣＯ２改質触媒，又は部分的な酸化触媒である。特に、触媒は、蒸気改質触媒の如き改質触媒であって良い。上に記載していた如く、用語「触媒」はまた、予備改質（prereforming）触媒と改質（reforming）触媒との如き複数の触媒を引用して良い。予備改質（prereforming）触媒の使用は、改質触媒でのより低い温度を許容する。これは複数の管状の膜の寿命に貢献する。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
特別な実施形態においては、触媒床は、モノリシック（monolithic）触媒を備える（また以下を見よ）。従って、個々の区域はこのようなモノリシック（monolithic）触媒を備えて良い。限定されていない例として、幾つかの可能な反応器が表１中に指摘されている。当該技術分野において習熟している人々には明白になることであるが、反応器中で行われる所定の反応に従い、触媒が選択されて良い。
【表１】
2014515693.tif 000001
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
上に指摘されていた如く、用語「触媒床（catalyst bed）」は特に、例えば複数の触媒粒子の如き又はモノリス（monolith）の如き、触媒の配置を引用している。前者の場合においては、複数の触媒粒子は例えば触媒材料で活性化されている（promoted）粒子支持体（一般的には金属又は金属酸化物）であって良い。後者の場合においては、これは、触媒材料で活性化されている（promoted）特別な構造であって良い。供給ガスは、複数の粒子間の隙間を通って又はモノリス（monolith）中の複数の通路を通って流れて良い。特に、モノリス（monolith）は、大量の（小さな）（真っ直ぐ及び平行な）通路から成るセラミック又は金属ブロックであって良い。従って、１つの実施形態においては、モノリス（monolith）は、セラミック又は金属の発泡体（foam）、特に（また熱交換の観点から）金属の発泡体（foam）、である。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
従来技術との対比では、好ましくは触媒及び膜は互いに接触しないで良い。これは特に、触媒と最も近い複数の膜との間、より詳細にはモノリシック（monolithic）触媒と最も近い複数の膜との間、にゼロ（zero）でない距離があって良いことに適用する。従って、好適な実施形態においては、複数の膜の大部分が複数の触媒床と物理的に接触しない。好ましくは、複数の全ての膜が複数の触媒床と物理的に接触しない。これは、固体で構成されている（例えば、自立している又はモノリス（monolith）の）触媒床を選択することにより、又は触媒床を包含しそしてそれを複数の膜から分離している透過可能な壁又は網状スクリーン（screen）を使用することにより、達成されて良い。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
上に指摘されていた如きこのような構成は、触媒と膜との分離を許容する。従って、前記膜区域中での（膜区域−触媒区域の界面、即ち界面面積、での触媒床の）触媒界面面積と全膜面積の所望の最適な比は、触媒が膜上に配置されていた又は膜が触媒中に埋設されていた故に従来技術構成においてはこれらは必然的に関連されていなければならなかったのに比べ、選択されて良い。従って、特別な実施形態においては、膜区域−触媒区域の界面での触媒床の界面面積は、前記膜区域により構成されていた複数の膜の表面積よりも小さくなる。特に、膜区域−触媒区域の界面での触媒床の界面面積は、前記膜区域により構成されていた複数の膜の表面積よりも少なくとも２倍と３倍との間で小さくなる。このようにして、触媒床の量が、膜面積から独立して選択されて良い。これは、さらなる設計の自由度を与え、そして、反応器で行われるプロセスの最適化を許容する。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
好適な実施形態においては、１つの膜区域中における複数の管状の膜の長さが隣接した触媒区域中の触媒床の高さと略同じで良いので、上の条件はまた、複数の管状の膜に対し直角であるとともに複数のバッフル（baffle）に対し平行である面におけるの如く言い換えることが出来、膜区域中の複数の管状の膜の累積された周囲長さは隣接した触媒区域の周囲長さよりも長く、好ましくは少なくとも５倍長い。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
代わりの実施形態においては、水性ガスシフト方法の適用の為に、供給はＣＯ及びＨ２Ｏを備える。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
蒸気改質触媒は、当該技術分野において知られている如き如何なる触媒であることが出来る。使用されることが出来る典型的な蒸気改質触媒は、それに限定されないが、グループＶＩＩＩ遷移金属（transition metal）、特にニッケル、を含む。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
この発明の装置及びプロセス中における使用の為に適切である複数の膜は、それに限定されないが、（ｉ）周期表のグループＩＩＩＢ，ＩＶＢ，ＶＢ，ＶＩＩＢ，そしてＶＩＩＩＢから選択された水素透過可能な遷移金属及びこのような金属の合金又は金属水酸化物（metal hydride）の如き種々の金属，（ｉｉ）分子の篩（sieve），セラミック，ゼオライト，シリカ，アルミナ，耐熱金属酸化物，カーボン，（ｉｉｉ）有機ポリマー及びこれらの混合物、を含む。このような複数の膜を使用している水素分離装置の図示されているが、限定してはいない、複数の例は、ＵＳ５，２１７，５０６，ＵＳ５，２５９，８７０，そしてＵＳ５，４５１，３８６，そしてＵＳ６，１５２，９８７中に記載されている複数の膜を含む。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
さらには、明細書の記載および特許請求の範囲における第１，第２，第３そしてそれらと同様なものは、同様な構成要素間を区別する為に使用されていて、順番（sequential）又は時系列（chronological）を記載する為に使用されていない。そのように使用された複数の用語は適切な状況下で交換可能であり、そして、ここに記載されている発明の複数の実施形態は、ここに記載されている又は図示されている以外の他の順序で動作が可能である。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６２】
図１は、集積されている触媒及び膜反応器の一実施形態を概略的に示していて、さらに反応器１はガス流れ通路３を備えている。ここにおいてガス流れ通路３は複数の交互の触媒区域１０６及び膜区域１０５を備えている。個々の触媒区域は、触媒床６を備える。個々の膜区域１０５は、複数の管状のガス膜７０を備える。複数の管状のガス膜７０（さらにまた複数のガス膜７０として指摘されている）は、ガス流れ通路３を通る（供給ガス３０の）ガス流れに対し交差流（cross-flow）配置に構成されている。管状のガス膜７０は、所定のガス種の為に選択的に透過可能である。当該技術分野において習熟している人々には明らかになることであるが、この図面は概略にすぎない。例えば、反応器１は概略的に描かれているのよりも多くのガス膜７０を備えていて良い。
【誤訳訂正２３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
概略的に描かれている如く、管状ガス膜７０は複数の触媒床６と物理的に接触していない（この実施形態においては、全く全ての管状のガス膜７０が複数の触媒床６と物理的に接触していない）。
【誤訳訂正２４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
複数の触媒床６は、特に、モノリシック（monolithic）上に配置された改質（reforming）の為に適した触媒の如き、モノリシック（monolithic）触媒を備えていて良い。反応器１は特に、例えば、蒸気改質プロセス（steam reforming process）での、水素の生成に適していて良い。
【誤訳訂正２５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
概略的に描かれている如く、供給通路１０７の少なくとも一部位が複数の触媒床６に物理的に接触している。この実施形態においては、供給通路１０７が、加熱通路１５の全長さの少なくとも一部位上で加熱通路１５を周方向に取り囲んでいる。従って、加熱通路１５は、加熱通路１５の全長さの少なくとも一部位上で供給通路１０７と物理的に接触している。この実施形態においては、複数の触媒区域１０６が複数の膜区域１０５と加熱通路１５との間に配置されている状態で、複数の触媒区域１０６及び複数の膜区域１０５が中央加熱通路１５の回りに半径方向（radially）に配置されている。
【誤訳訂正２６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
概略的に描かれている構成はまた、流れ通路３の複数の触媒区域１０６及び複数の膜区域１０５を通る蛇行した流れを許容する。供給ガス３０が供給通路１０７の底に到達したと仮定すると、参照番号３０（１）で指摘された供給ガスは第１の触媒区域１０６（１）に入る。供給ガス３０は触媒床６を通して流れ、そして、第１の膜区域１０５（１）に到達する。供給ガス３０は第１のバッフル（baffle）８０（１）を越えて流れ（ここで供給ガス３０は参照番号３０（２）で指摘される）、そして次に、第２の触媒区域１０６（２）に到達する。供給ガス３０は、第２のバッフル（baffle）８０（２）の回りで、第２の触媒区域１０６（２）を通して流れ（ここで供給ガス３０は参照番号３０（３）で指摘される）、そして次に第２の膜区域１０５（２）に到達する。供給ガス３０は第３のバッフル（baffle）８０（３）の回りを流れ、そして、それが第３の触媒区域１０５（３）に到達するまで、第３のバッフルと第４のバッフル８０（４）との間を供給ガス３０（４）としてさらに移動し、第３の触媒区域１０５（３）においては供給ガスは第４のバッフルの回りで次の膜区域１０６へと流れる。この蛇行は引き続き行われる。
【誤訳訂正２７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
図２は、反応器１の一部位の横断面を概略的に示している。中央部位の回りに構成されている複数の管状の膜７０が示されている。中央部位又は部分が参照番号８で指摘されている。複数の管状の膜（の一部位）を含んでいる、膜区域１０５から半径方向（radially）の内方に、複数の触媒区域１０６が構成されている。また、複数の触媒区域１０６は、複数の加熱排気通路２５（の一部位）を含む。詳細には、反応器１は、複数の触媒区域１０６の積み重ねられている構成を貫通していて良い、このような複数の加熱排気通路２５の少なくとも４つ、より詳細には少なくとも６つ、を備えている。複数の触媒区域１０６から半径方向の内方に、供給通路１０７及び加熱通路１５が構成されている。従って、加熱通路１５及び供給通路１０７の管‐中‐管（tube-in-tube）構造が、反応器１の長さの実質的な部位に渡り存在して良く、ここにおいては加熱通路が、供給通路１０７により少なくとも部分的に取り囲まれている中央通路を形成して良い。複数の管状の膜７０の蓄積された周囲長さは、触媒床の周囲長さよりも（好ましくは５倍）長くなる。膜の周囲長さは、参照番号７９により指摘されている。触媒床６の周囲長さ、ここでは実質的に丸い断面であると仮定、は参照番号９で指摘されている。それは物理的には自立的な（freestanding）触媒床の外であって良く、即ちそれは細目網（gauze）又は透過可能（permeable）又は多孔性の（perforated）壁であって良い。
【誤訳訂正２８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
図３は、反応器１の壁２を通して見た時の、半径方向の内方図を概略的に描いている。上の部位で指摘されていた如く、供給ガス３０が壁２から（モノリス（monolith）触媒の形態であるがごとき）触媒６５/触媒床６へと向かう方向に流れると仮定すると、ガス供給３０は触媒表面に出会い、触媒床中に透過し，触媒床から下流に逃げ，そして下流の膜区域１０５（図の下方部位）に入る。この表面は湾曲されていて良く、即ち、触媒ベッドは湾曲されていて良く、また図２中の複数の触媒区域の外方リングを参照。特に、膜区域‐触媒区域の界面での触媒床６の界面面積は、前記膜区域により備えられている複数の膜の表面積よりも小さい。
【誤訳訂正２９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
複数のバッフル（baffle）が交差流（cross-flow）中の供給流を複数の膜の管の束を横断して流れるよう案内し、そこでは供給流が個々の通路を伴っている触媒床を通して流れる。図３中では、上方バッフル（baffle）８０が外方壁２へと外方に連続していて、そして、従って、上方膜１０５を下方膜区域１０５から分離し、一方ではそれは触媒床（の全体）中へと連続せず、描かれている如く、ガスが触媒床６のより高い部位からより低い部位へと通過するのを許容している。次に、下方のバッフル（baffle）８０は外方の壁２へと連続しておらず、ガスが下方の膜区域１０５から次の下方の膜区域（描かれていない）へと通過するのを許容し、一方では、それはこの区域において触媒床６５を次の下方の触媒床（描かれていない）（の部位）から分離させている。図３のこの形態（mode）においては、反応器中の大部分のガスの流れの方向が下向きである。しかしながら、ガスの流れは逆位であってもよく、そして、図１中の如く、大部分のガスの流れの方向が上向きである、ことは直ちにわかることである。
【誤訳訂正３０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
膜反応器の設計における関連性のあるパラメータは、供給成分に基づいた水素の最大量と比較した膜の透過側において回収された純粋な水素の比率を指摘している水素回収率（recovery）であって良い。１つおき（alternatingly）に集積されているシステムにおいて達成されることが出来る最大水素回収率は、完全（fully）に集積されているシステムでの回収率よりは低く、そして工程の数に従っている。我々の計算においては、我々は連続した工程の数が多いことが好ましいことを示している。例えば、７０％よりも高い転化率を伴っている工業的に適切な条件（蒸気／炭素比＝３，供給圧力＝３０バール，窒素スウィープ（sweep）を使用した５．５バールでの水素回収（Ｈ２／Ｎ２比＝３）の下での高い転化率を達成する為に要求されている工程の数は、これらの条件の下ですでに２０以上である。経済的な実行可能性は水素回収率が７０％よりも充分高いことを要求しているので、計算は、多数の反応及び分離工程を集積させる為の効果的な解決が要求されていることを示している。
【誤訳訂正３１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
図４ａ乃至図４ｄは、複数の例の部位中で以下に説明される。図５ａ乃至図５ｃはさらなる実施形態及び変形例を概略的に描いており、ここにおいて反応器１は複数の管状のガス膜７０を備えている。この実施形態においては、複数の管状のガス膜７０が長手方向の円筒中心軸線（描かれていない）に対し直角に配置されていて、これに対し図１乃至図３中に概略的に描かれている複数の実施形態においては、複数の管状のガス膜７０は長手方向の円筒中心軸線（描かれていない）に対し平行である。このようにして、複数の管状のガス膜７０の層が提供されている。この実施形態においては複数のバッフル（Baffle）８０が複数の（集積されている）層を分離していて、そして供給ガス３０が蛇行しているガス流れ通路３を再び経験して良い。供給ガスは、複数の触媒区域１０６と複数の膜区域１０５とを通って交互に流れる。これに対し、図１乃至図３中に概略的に描かれている複数の実施形態においては、複数の触媒床６が反応器１の中央部位中に配置されていて、ここでは複数の触媒床６が反応器１の縁に配置されていて良い。１つ又はそれ以上の加熱通路１５が、複数の触媒床６を通って貫通して良い。ここでは、複数のバッフル（Baffle）８０が、例えば開口を有している円板又は切り欠かれた円板（truncated disk）の如き円板の形状を有して良い。
【誤訳訂正３２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
図１乃至図３及び図５乃至図６中に図示されている如く、全ての種類の構成が可能である。さらなる複数の構成が考えられ、そして、特許請求の範囲は概略的に描かれた複数の実施形態に限定されていない。ここでは、全ての概略的に描かれている複数の実施形態は共通して、それらが、ガス流れ通路を備えている集積された触媒及び膜反応器を示しており、ここではガス流れ通路が交互の複数の触媒区域及び複数の膜区域を備えていて、ここでは個々の触媒区域が触媒床を備えていて、ここでは個々の膜区域が複数の管状のガス膜を備えていて、ここでは複数の管状のガス膜が、ガス流れ通路を通るガス流れに対し交差流（cross-flow）配置に構成されていて、そしてここでは複数の管状のガス膜が所定のガス種の為に選択的に透過可能である。この結果、コンパクトさ（compactness）が得られて、（「工学評価（engineering value）」に対する速度の増加により）熱伝導限定（heat transfer limitation）が克服されて良い。それはさらに、触媒及び膜を異なった条件（窓操作（operating window））で操作することを可能にする。
【誤訳訂正３３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８９】
○膜直径＝ｄｍ（我々の膜の典型の為にはｄｍ＝１．４ｃｍ）
○膜は厚さｄｃを伴っている触媒の一層により取り囲まれている（我々は、最小触媒床厚さｄｃが５ｍｍに対応していると仮定している）
○この例におけるバーナー（burner）直径ｄｂは、入手可能な最もコンパクトなバーナー（burner）システムの１つ（ｄｂ＝２．５４ｃｍ）を提示しているＷＯ  ２００４／０２２４８０に基づかれている。バーナー（burner）の為のフランジ厚さは、同じ手法（ｆ＝１／２ｄｂ）で見積もられている。
【誤訳訂正３４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９３】
典型的な例として我々は仮定した：
○膜直径＝１．４ｃｍ
○触媒床厚さ：５ｍｍ
○触媒粒子寸法：１ｍｍ
６．５ｍの触媒／膜管の仮想された長さに基づいて、ガスの速度が供給側入口で０．２ｍ／ｓになる。１３２２モル／ｓの水素製造の為に、これは５５３モル／ｓのフラックス（flux）を与える。例えば、より短い管の為には、速度がより低くなり、即ち、もし管の長さが３．５ｍであったら、速度はわずか０．０２ｍ／ｓである。より多くの水素が管に沿い混合物から移動された時には、管の出口での速度はより低くなる。１ｍ／ｓの速度では、触媒床上での平均水素分圧低下は膜上でのＨ２分圧Δｐよりも５倍も低く、そして同じ水素製造の為には水素フラックス（flux）は８５３モル/ｓへと上昇する。