(57)【要約】【課題】メタルシールド板を薄くした場合であっても、メタルシールド用シートの連結部に変形が生じないようにすることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置５０は、回路面５１Ａを有する半導体チップ５１と、半導体チップ５１の少なくとも回路面５１Ａに設けられたメタルシールド板４０とを備えている。メタルシールド板４０は、シールド板本体４１と、シールド板本体４１から側方に向かって突出するバリ４２とを有している。バリ４２の厚みはシールド板本体４１の厚みに一致するので、メタルシールド用シート１０の連結部３０に変形が生じないようになっている。【選択図】図１
2013149789.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置において、
回路面を有する半導体チップと、
半導体チップの少なくとも回路面に設けられたメタルシールド板とを備え、
メタルシールド板は、
シールド板本体と、
シールド板本体から側方に向かって突出するバリとを有し、
バリの厚みはシールド板本体の厚みに一致することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
メタルシールド板のシールド板本体は、一方の面と他方の面とを有し、
メタルシールド板は、他方の面を半導体チップの回路面側に向けて配置され、
バリの先端に一方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリはシールド板本体の一方の面側に向かって突出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
シールド板本体の厚みは、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
メタルシールド板は、半導体チップより小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体装置において、
基板と、
基板上に設けられた第１のメタルシールド板と、
第１のメタルシールド板上に設けられ回路面を有する半導体チップと、
半導体チップの回路面に設けられた第２のメタルシールド板とを備え、
第１のメタルシールド板は、
シールド板本体と、
シールド板本体から側方に向かって突出するバリとを有し、
第２のメタルシールド板は、
シールド板本体と、
シールド板本体から側方に向かって突出するバリとを有し、
第１のメタルシールド板のバリの厚みは、第１のメタルシールド板のシールド板本体の厚みに一致し、第２のメタルシールド板のバリの厚みは、第２のメタルシールド板のシールド板本体の厚みに一致することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１のメタルシールド板のシールド板本体は、一方の面と他方の面とを有し、
第１のメタルシールド板は、他方の面を基板側に向けて配置され、
第１のメタルシールド板のバリの先端に、一方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリは、シールド板本体の一方の面側に向かって突出することを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
第１のメタルシールド板のシールド板本体の厚みは、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍであることを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置。
【請求項８】
第１のメタルシールド板は、半導体チップより大きいことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項９】
第２のメタルシールド板のシールド板本体は、一方の面と他方の面とを有し、
第２のメタルシールド板は、他方の面を半導体チップの回路面側に向けて配置され、
第２のメタルシールド板のバリの先端に、一方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリは、シールド板本体の一方の面側に向かって突出することを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１０】
第２のメタルシールド板のシールド板本体の厚みは、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍであることを特徴とする請求項５乃至９のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１１】
第２のメタルシールド板は、半導体チップより小さいことを特徴とする請求項５乃至１０のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１２】
半導体装置用のメタルシールド板において、
シールド板本体と、
シールド板本体から側方に向かって突出するバリとを備え、
バリの厚みはシールド板本体の厚みに一致することを特徴とするメタルシールド板。
【請求項１３】
シールド板本体の厚みは、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍであることを特徴とする請求項１２記載のメタルシールド板。
【請求項１４】
半導体装置用のメタルシールド板を作製する際に用いられるメタルシールド用シートにおいて、
複数の開口を有する枠体と、
枠体の各開口内に配置され、枠体に連結部を介して連結されたシールド板本体とを備え、
連結部の厚みはシールド板本体の厚みに一致することを特徴とするメタルシールド用シート。
【請求項１５】
シールド板本体の厚みは、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍであることを特徴とする請求項１４記載のメタルシールド用シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを磁気から保護するメタルシールド板を備えた半導体装置、半導体装置用のメタルシールド板、および半導体装置用のメタルシールド板を作製する際に用いられるメタルシールド用シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＲＡＭ等の半導体チップを有する半導体装置には、その内部にメタルシールド板が設けられているものがある（特許文献１参照）。このメタルシールド板は、ＭＲＡＭ等の半導体チップをパッケージに納める時に、半導体チップの表面、もしくは両面に配置される。このようなメタルシールド板は、外部からの磁気による影響を防止もしくは低減させる目的で使用されるため、一般に磁気シールド効果のある金属材料から作製される。
【０００３】
このようなメタルシールド板を作製する場合、金属素材をプレス加工することによりメタルシールド板を作製することも考えられる。しかしながら、この場合、完成したメタルシールド板に抜きバリと歪みが発生し、このバリが半導体チップの回路面に接し、半導体チップの回路を傷付ける場合があった。このため、プレス加工によりメタルシールド板を作製することは問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１４８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
これに対して、複数のメタルシールド板を含むメタルシールド用シートを作製し、各メタルシールド板を連結する連結部をブレードによって切断することにより、個々のメタルシールド板に分離することが行われている。このような従来のメタルシールド用シートにおいては、ハーフエッチング等によりメタルシールド板を連結する連結部が薄くなるよう加工されている。
【０００６】
ところで、近年半導体装置の薄型化等に対応するため、メタルシールド板全体の厚みを更に薄くすることが求められている。しかしながら、メタルシールド板全体の厚みを更に薄くした場合、ハーフエッチング等によって薄くされた連結部もまた、従来以上により一層薄くなるため、連結部に変形が生じやすくなるという問題が生じる。とりわけ、連結部の数を少なくしたデザインの場合（２〜３箇所）や、シールド板のサイズが大きくなった場合、製造工程や検査工程で連結部への応力が大きくなり、連結部に折れや変形が生じる。この状態でブレードによる切断を行うと、固定テープに隙間ができ、切断カスなどの汚れが固定テープに付着し、製品信頼性を低下させる原因となる。
【０００７】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、メタルシールド板を薄くした場合であっても、メタルシールド用シートの連結部に変形が生じないようにすることが可能な半導体装置、メタルシールド板およびメタルシールド用シートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、半導体装置において、回路面を有する半導体チップと、半導体チップの少なくとも回路面に設けられたメタルシールド板とを備え、メタルシールド板は、シールド板本体と、シールド板本体から側方に向かって突出するバリとを有し、バリの厚みはシールド板本体の厚みに一致することを特徴とする半導体装置である。
【０００９】
本発明は、メタルシールド板のシールド板本体は、一方の面と他方の面とを有し、メタルシールド板は、他方の面を半導体チップの回路面側に向けて配置され、バリの先端に一方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリはシールド板本体の一方の面側に向かって突出することを特徴とする半導体装置である。
【００１０】
本発明は、シールド板本体の厚みは、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍであることを特徴とする半導体装置である。
【００１１】
本発明は、メタルシールド板は、半導体チップより小さいことを特徴とする半導体装置である。
【００１２】
本発明は、半導体装置において、基板と、基板上に設けられた第１のメタルシールド板と、第１のメタルシールド板上に設けられ回路面を有する半導体チップと、半導体チップの回路面に設けられた第２のメタルシールド板とを備え、第１のメタルシールド板は、シールド板本体と、シールド板本体から側方に向かって突出するバリとを有し、第２のメタルシールド板は、シールド板本体と、シールド板本体から側方に向かって突出するバリとを有し、第１のメタルシールド板のバリの厚みは、第１のメタルシールド板のシールド板本体の厚みに一致し、第２のメタルシールド板のバリの厚みは、第２のメタルシールド板のシールド板本体の厚みに一致することを特徴とする半導体装置である。
【００１３】
本発明は、第１のメタルシールド板のシールド板本体は、一方の面と他方の面とを有し、第１のメタルシールド板は、他方の面を基板側に向けて配置され、第１のメタルシールド板のバリの先端に、一方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリは、シールド板本体の一方の面側に向かって突出することを特徴とする半導体装置である。
【００１４】
本発明は、第１のメタルシールド板のシールド板本体の厚みは、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍであることを特徴とする半導体装置である。
【００１５】
本発明は、第１のメタルシールド板は、半導体チップより大きいことを特徴とする半導体装置である。
【００１６】
本発明は、第２のメタルシールド板のシールド板本体は、一方の面と他方の面とを有し、第２のメタルシールド板は、他方の面を半導体チップの回路面側に向けて配置され、第２のメタルシールド板のバリの先端に、一方の面に対して直交する方向に切断バリが形成され、切断バリは、シールド板本体の一方の面側に向かって突出することを特徴とする半導体装置である。
【００１７】
本発明は、第２のメタルシールド板のシールド板本体の厚みは、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍであることを特徴とする半導体装置である。
【００１８】
本発明は、第２のメタルシールド板は、半導体チップより小さいことを特徴とする半導体装置である。
【００１９】
本発明は、半導体装置用のメタルシールド板において、シールド板本体と、シールド板本体から側方に向かって突出するバリとを備え、バリの厚みはシールド板本体の厚みに一致することを特徴とするメタルシールド板である。
【００２０】
本発明は、シールド板本体の厚みは、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍであることを特徴とするメタルシールド板である。
【００２１】
本発明は、半導体装置用のメタルシールド板を作製する際に用いられるメタルシールド用シートにおいて、複数の開口を有する枠体と、枠体の各開口内に配置され、枠体に連結部を介して連結されたシールド板本体とを備え、連結部の厚みはシールド板本体の厚みに一致することを特徴とするメタルシールド用シートである。
【００２２】
本発明は、シールド板本体の厚みは、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍであることを特徴とするメタルシールド用シートである。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように本発明によれば、バリの厚みをシールド板本体の厚みに一致させたので、シールド板本体を薄くした場合であっても、メタルシールド用シートの連結部が必要以上に薄くなるおそれがなく、連結部に変形が生じないようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１（ａ）−（ｄ）は、それぞれ本発明の一実施の形態による半導体装置を示す概略断面図。
【図２】図２（ａ）−（ｄ）は、それぞれ半導体装置の変形例を示す概略断面図。
【図３】図３は、本発明の一実施の形態によるメタルシールド板を示す斜視図。
【図４】図４は、メタルシールド用シートを示す平面図。
【図５】図５は、図４のＩ部を拡大して示す斜視図。
【図６】図６（ａ）−（ｅ）は、メタルシールド用シートの製造方法を示す図。
【図７】図７（ａ）（ｂ）は、メタルシールド板の製造方法を示す断面図。
【図８】図８（ａ）−（ｅ）は、本発明による半導体装置の製造方法を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。図１乃至図８は、本発明の一実施の形態を示す図である。
【００２６】
（半導体装置の構成）
まず図１および図２により、本発明による半導体装置の概略について説明する。まず図１（ａ）−（ｄ）により、１つのメタルシールド板を含む半導体装置の概略について説明する。なお、図１（ａ）は、半導体装置がＳＯＰ（Small Outline Packageの略）からなる場合を示す図であり、図１（ｂ）は、半導体装置がＢＧＡ（Ball GridArray Packageの略）からなる場合を示す図であり、図１（ｃ）（ｄ）は、それぞれ半導体装置がＤＦＮ（Dual Flat No-lead Packageの略）からなる場合を示す図である。
【００２７】
このうち図１（ａ）に示すＳＯＰからなる半導体装置５０は、ダイパッド（基板）５２と、ダイパッド５２に載置され、回路面５１Ａを有する半導体チップ５１と、半導体チップ５１の回路面５１Ａに設けられたメタルシールド板４０とを備えている。このうち半導体チップ５１は、磁気抵抗効果を示す記憶素子を含むＭＲＡＭ等の半導体メモリからなっている。
【００２８】
また半導体チップ５１の回路面５１Ａとリード部５４とは、例えば金製のボンディングワイヤ５５により電気的に接続されている。さらにダイパッド５２、半導体チップ５１、メタルシールド板４０、およびボンディングワイヤ５５は、封止樹脂５６により封止されている。
【００２９】
図１（ｂ）に示すＢＧＡからなる半導体装置６０は、パッケージ基板６７と、パッケージ基板６７上に設けられたダイパッド（基板）６２と、ダイパッド６２に載置され、回路面６１Ａを有する半導体チップ６１と、半導体チップ６１の回路面６１Ａに設けられたメタルシールド板４０とを備えている。このうち半導体チップ６１は、上述した半導体チップ５１と同様、磁気抵抗効果を示す記憶素子を含むＭＲＡＭ等の半導体メモリからなっている。なお、ＢＧＡタイプの半導体装置６０においては、必ずしも金属のダイパッド６２は設けられていなくても良い（すなわちダイパットレスであっても良い）。
【００３０】
またパッケージ基板６７上に端子部６４が設けられ、端子部６４にはんだボール６８が電気的に接続されている。このはんだボール６８は、パッケージ基板６７から外方に突出している。また端子部６４と半導体チップ６１の回路面６１Ａとは、例えば金製のボンディングワイヤ６５により電気的に接続されている。さらにダイパッド６２、半導体チップ６１、メタルシールド板４０、端子部６４、およびボンディングワイヤ６５は、封止樹脂６６により封止されている。
【００３１】
図１（ｃ）に示すＤＦＮからなる半導体装置９０は、ダイパッド（基板）９２と、ダイパッド９２に載置され、回路面９１Ａを有する半導体チップ９１と、半導体チップ９１の回路面９１Ａに設けられたメタルシールド板４０とを備えている。このうち半導体チップ９１は、上述した半導体チップ５１、６１と同様、磁気抵抗効果を示す記憶素子を含むＭＲＡＭ等の半導体メモリからなっている。
【００３２】
また半導体チップ９１の回路面９１Ａとリード部９４とは、例えば金製のボンディングワイヤ９５により電気的に接続されている。さらにダイパッド９２の一部、リード部９４の一部、半導体チップ９１、メタルシールド板４０、およびボンディングワイヤ９５は、封止樹脂９６により封止されている。
【００３３】
なお、図１（ｄ）に示すように、ダイパッド９２およびリード部９４の下面と、封止樹脂９６の下面とが同一平面上に位置するようにしても良い。このほか、図１（ｄ）に示す半導体装置９０の構成は、図１（ｃ）に示す半導体装置９０の構成と同一である。
【００３４】
ところで、図１（ａ）−（ｄ）において、メタルシールド板４０は、一方の面４１Ａと他方の面４１Ｂとを含むシールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出するバリ４２とを有している。このうちバリ４２は、それぞれシールド板本体４１の厚みに一致している。さらに、バリ４２の先端には、一方の面４１Ａおよび他方の面４１Ｂに対して直交する方向に切断バリ４３が形成され、この切断バリ４３は、シールド板本体４１の一方の面４１Ａ側に向かって突出している。なお、メタルシールド板４０の詳細については後述する。
【００３５】
図１（ａ）−（ｄ）において、メタルシールド板４０は、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂを半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａ側に向けるように配置されている。さらに、上述したように、切断バリ４３はシールド板本体４１の一方の面４１Ａ側に向かって突出している。したがって、切断バリ４３は半導体チップ５１、６１、９１の反対側に向かって突出している。これにより、半導体装置５０、６０、９０の製造工程において、メタルシールド板４０の切断バリ４３によって半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａが傷付けられるおそれがない。
【００３６】
また、図１（ａ）−（ｄ）において、メタルシールド板４０は、半導体チップ５１、６１、９１よりも小さく構成されている。これにより、半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａの外周部がメタルシールド板４０により覆われることがなく、半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａとボンディングワイヤ５５、６５、９５とのボンディング作業に支障が生じないようになっている。
【００３７】
なお図１（ａ）−（ｄ）において、メタルシールド板４０と封止樹脂５６、６６、９６との密着性を向上させるために、メタルシールド板４０のシールド板本体４１の面４１Ａ、４１Ｂのうち、一方の面４１Ａにのみ、粗化処理（エッチング粗化もしくは粗化めっき）またはエッチングによるディンプル加工を施しても良い。
【００３８】
（半導体装置の変形例）
図１（ａ）−（ｄ）において、半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａ側に１つのメタルシールド板４０が設けられている。しかしながら、これに限らず、図２（ａ）−（ｄ）に示すように、半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａ上のメタルシールド板４０に加え、半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａと反対側の面５１Ｂ、６１Ｂ、９１Ｂにも、追加のメタルシールド板４０Ａが設けられていても良い。
【００３９】
なお、以下において、回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａと反対側の面５１Ｂ、６１Ｂ、９１Ｂに設けられた追加のメタルシールド板４０Ａを第１のメタルシールド板４０Ａといい、回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａ側に設けられたメタルシールド板４０を第２のメタルシールド板４０という。
【００４０】
図２（ａ）−（ｄ）に示す半導体装置５０、６０、９０は、２つのメタルシールド板４０、４０Ａを設けた点が異なるものであり、他の構成は図１（ａ）−（ｄ）に示す半導体装置５０、６０、９０と略同一である。図２（ａ）−（ｄ）において、図１（ａ）−（ｄ）に示す実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００４１】
すなわち図２（ａ）−（ｄ）に示すように、半導体装置５０、６０、９０は、基板（もしくはダイパッド）５２、６２、９２と、基板５２、６２、９２上に設けられた第１のメタルシールド板４０Ａと、第１のメタルシールド板４０Ａ上に設けられ回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａを有する半導体チップ５１、６１、９１とを備えている。さらに、半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａ上には、第２のメタルシールド板４０が設けられている。
【００４２】
なお、図２（ａ）−（ｄ）に示す第１のメタルシールド板４０Ａおよび第２のメタルシールド板４０の構成は、それぞれ図１（ａ）−（ｄ）に示すメタルシールド板４０の構成と同様である。
【００４３】
すなわち、第１のメタルシールド板４０Ａおよび第２のメタルシールド板４０はそれぞれ、一方の面４１Ａと他方の面４１Ｂとを含むシールド板本体４１と、シールド板本体４１から側方に向かって突出するバリ４２とを有している。このうちバリ４２は、その厚みがシールド板本体４１の厚みに一致している。また、バリ４２の先端に、他方の面４１Ｂに対して直交する方向に切断バリ４３が形成されている。
【００４４】
図２（ａ）−（ｄ）において、第１のメタルシールド板４０Ａは、他方の面４１Ｂを基板５２、６２、９２側に向けて配置されている。第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３は、基板５２、６２、９２の反対側に向かって突出している。一方、第２のメタルシールド板４０は、他方の面４１Ｂを半導体チップ５１、６１、９１側に向けて配置されている。第２のメタルシールド板４０の切断バリ４３は、半導体チップ５１、６１、９１の反対側に向かって突出している。
【００４５】
また、図２（ａ）−（ｄ）において、第１のメタルシールド板４０Ａは、半導体チップ５１、６１、９１よりも大きく構成されている。これにより、第１のメタルシールド板４０Ａの切断バリ４３によって、半導体チップ５１、６１、９１の面５１Ｂ、６１Ｂ、９１Ｂが傷付けられることを防止している。一方、第２のメタルシールド板４０は、半導体チップ５１、６１、９１よりも小さく構成されている。これにより、半導体チップ５１、６１、９１の回路面５１Ａ、６１Ａ、９１Ａとボンディングワイヤ５５、６５、９５とのボンディング作業に支障が生じないようになっている。
【００４６】
（メタルシールド板の構成）
次に図３により、メタルシールド板の概略について説明する。
【００４７】
図３に示すメタルシールド板４０は、例えば上述した半導体装置５０、６０、９０に用いられるものである。また、図３に示すメタルシールド板４０は、後述するメタルシールド用シート１０（図４および図５）の連結部３０を切断して、シールド板本体４１を枠体２０から分離することにより作製されたものである。
【００４８】
このような構成からなるメタルシールド板４０は、一方の面４１Ａと他方の面４１Ｂとを含む矩形状のシールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出する一対のバリ４２（具体的には、後述するメタルシールド用シート１０の連結部３０を切断した残りの部分）とを備えている。
【００４９】
このうちバリ４２は、一方の面４２Ａと他方の面４２Ｂとを有するとともに、その厚みがシールド板本体４１の厚みに一致している。すなわちバリ４２の他方の面４２Ｂは、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂと同一平面上に設けられている。他方、バリ４２の一方の面４２Ａは、シールド板本体４１の一方の面４１Ａと同一平面上に設けられている。
【００５０】
図３において、各バリ４２の先端には、一方の面４１Ａ、４２Ａに対して直交する方向に切断バリ４３が形成されている。この切断バリ４３は、シールド板本体４１の一方の面４１Ａの方向（図３の下方）に突出している。
【００５１】
メタルシールド板４０の大きさは問わないが、後述するように半導体装置を製造する工程の前にメタルシールド板４０を手作業で専用トレーへ載置する必要がないので、メタルシールド板４０の一辺を例えば１ｍｍ乃至３ｍｍ程度まで小さくすることができる。
【００５２】
また、メタルシールド板４０の厚みは０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍとすることが好ましく、０．０３０ｍｍ〜０．０５０ｍｍとすることが更に好ましい。メタルシールド板４０の厚みを０．０１２５ｍｍ以上とすることにより、後述するメタルシールド用シート１０（図４および図５）に変形が生じにくくすることができる。他方、メタルシールド板４０の厚みを０．０８０ｍｍ以下とすることにより、半導体装置全体の厚みを薄くすることができる。さらに、後述するソーイング工程において（図７）、連結部３０を切断する際のブレード８０の切断負荷を低減することができる。
【００５３】
なお、図３において、切断バリ４３の高さは、メタルシールド板４０の板厚の半分程度である。
【００５４】
（メタルシールド用シートの構成）
次に、図４および図５により、図３に示すメタルシールド板４０を作製する際に用いられるメタルシールド用シートの概略について説明する。
【００５５】
図４に示すメタルシールド用シート１０は、複数の矩形状の開口２１を有する枠体２０と、枠体２０の開口２１内に配置され、枠体２０に連結部３０を介して連結された複数のシールド板本体４１とを備えている。このうち枠体２０は、複数の開口２１全体を取り囲む外枠部２２と、隣接する各開口２１間に形成され、互いに平行に配置された複数の細長いステー部２３とを有している。これら枠体２０の外枠部２２、ステー部２３、連結部３０およびシールド板本体４１は、互いに同一の厚さからなっている。
【００５６】
図４に示すように、連結部３０は、各シールド板本体４１の側部にそれぞれ設けられている。すなわち各連結部３０は、シールド板本体４１の側部と枠体２０のステー部２３（または外枠部２２）とを連結するものである。また、シールド板本体４１と、シールド板本体４１の側方に突出する連結部３０の一部分とにより、上述したメタルシールド板４０が構成される。
【００５７】
図５に示すように、連結部３０は、その全域にわたりその厚みがシールド板本体４１の厚みと同一の厚みに形成されている。この連結部３０は、一方の面（図５の下面）３０Ａと他方の面（図５の上面）３０Ｂとを有している。
【００５８】
メタルシールド用シート１０は、後述するように一枚の金属板（メタル基板７０）をエッチング加工することにより作製されたものである。すなわちメタルシールド用シート１０の枠体２０、連結部３０、およびシールド板本体４１は互いに一体に形成されている。このメタルシールド用シート１０は、例えばパーマロイＰＣ材等のＦｅ−Ｎｉ合金を含む材料等、透磁率の高い材料からなることが好ましい。
【００５９】
またシールド板本体４１の厚みは、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍとすることが好ましく、０．０３０ｍｍ〜０．０５０ｍｍとすることが更に好ましい。その理由については上述したとおりである。
【００６０】
（メタルシールド用シートの製造方法）
次に、上述したメタルシールド用シートを製造する方法について、図６（ａ）−（ｅ）により説明する。なお図６（ａ）−（ｅ）は、メタルシールド用シート１０の連結部３０周辺を拡大して示す図である。
【００６１】
図６（ａ）に示すように、まずメタルシールド用シート１０を製造するためのメタル基板７０を準備する。このメタル基板７０は、上述したように透磁率の高い金属からなることが好ましく、例えばパーマロイＰＣ材等のＦｅ−Ｎｉ合金を含んでいる。
【００６２】
次に、メタル基板７０の一方の面７０Ａ全体にレジスト層７１を設けるととともに、他方の面７０Ｂ全体にレジスト層７２を設ける（図６（ｂ））。
【００６３】
次いで、レジスト層７１、７２に各々所定形状からなるパターンを形成する（図６（ｃ））。この場合、例えば露光用マスクを介してレジスト層７１、７２を露光し、硬化させ、次いでレジスト層７１、７２を現像し、その後レジスト層７１、７２の不要部分を除去することにより、各レジスト層７１、７２に所定のパターンを形成することができる。
【００６４】
この際、メタル基板７０上に設けられたレジスト層７１、７２のうち、メタルシールド用シート１０の連結部３０に対応する部分７１Ａ、７２Ａを残存させる。
【００６５】
次に、メタル基板７０の両面７０Ａ、７０Ｂにエッチング加工を施し、メタル基板７０のうちレジスト層７１、７２が設けられていない部分を除去する（図６（ｄ））。メタル基板７０のうちこのようにして除去された部分は、主にメタルシールド用シート１０の枠体２０の開口２１に対応する。一方、メタル基板７０のうち除去されなかった部分は、メタルシールド用シート１０の枠体２０、連結部３０およびメタルシールド板４０に対応する。また、このようにして、メタル基板７０にエッチング加工を施すことにより、シールド板本体４１と同一の厚みからなる連結部３０が形成される。なお、このエッチング加工で用いられるエッチング液としては、塩化第２鉄水溶液、塩化第２銅水溶液などが挙げられる。
【００６６】
その後、レジスト層７１、７２を除去することにより、上述したメタルシールド用シート１０が得られる（図６（ｅ））。
【００６７】
なお、これらの工程の後、メタルシールド用シート１０を５００℃乃至１１００℃の温度で熱処理し、メタルシールド用シート１０の磁気シールド効果を更に高めても良い。またレジスト層７１、７２を除去した後、洗浄工程、検査工程、およびアニール処理工程が適宜設けられていても良い。
【００６８】
（メタルシールド板および半導体装置の製造方法）
次に、メタルシールド用シートを用いてメタルシールド板を製造する方法、および半導体装置を製造する方法について、図７および図８を用いて説明する。
【００６９】
まず上述した工程により、図４に示すメタルシールド用シート１０を作製する（図６（ａ）−（ｅ））。次に、このようにして作製されたメタルシールド用シート１０を半導体装置５０、６０、９０の組立て工程に搬送する。
【００７０】
この半導体装置５０、６０、９０の組立て工程において、まずメタルシールド用シート１０をソーイング用固定テープ８１上に載置して固定する（図７（ａ）（ｂ）参照）。このときシールド板本体４１の一方の面４１Ａがソーイング用固定テープ８１側を向くようにする。なお図７（ａ）（ｂ）は、メタルシールド用シート１０の連結部３０周辺における断面図である。
【００７１】
次に、ダイヤモンド砥石等からなるブレード８０によって、他方の面３０Ｂ側から連結部３０を切断する。これによりメタルシールド板４０が枠体２０から分離される（ソーイング（sawing）工程）。このようにして、メタルシールド用シート１０からメタルシールド板４０（図３参照）を製造することができる。
【００７２】
本実施の形態において、メタルシールド板４０の厚みは、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍ程度に薄く形成されているので、連結部３０を切断する際のブレード８０の切断負荷を減少させることができる。
【００７３】
なお、メタルシールド板４０を枠体２０から分離する工程において、図７（ｂ）に示すように、連結部３０より幅の狭いブレード８０を用いて連結部３０を各々切断しても良いが、図７（ａ）に示すように、ステー部２３より幅広のブレード８０を用いて、ステー部２３および連結部３０を一体として切断することが好ましい。すなわちブレード８０をステー部２３の長手方向に沿って移動させることにより（図４の線分Ｌ参照）、ステー部２３と、このステー部２３の両側に位置する連結部３０、３０とを一度に連続して切断することが作業の効率化を図るうえで好ましい。
【００７４】
図７（ａ）（ｂ）に示すように、ブレード８０を用いてシールド板本体４１の他方の面４１Ｂ側から連結部３０を切断した場合、切断バリ４３は、シールド板本体４１の一方の面４１Ａの方向に突出するように形成される（図３参照）。
【００７５】
その後、半導体装置５０、６０、９０の組立て工程において、このようにして製造されたメタルシールド板４０を用いて、上述した半導体装置５０、６０、９０が製造される。
【００７６】
以下、ＳＯＰからなる半導体装置５０（図１（ａ））の場合を例にとって、半導体装置の製造方法について説明する。なお、このほかの半導体装置５０、６０、９０（図１（ｂ）−（ｄ）、図２（ａ）−（ｄ））についても、略同様の方法で製造することができる。
【００７７】
まず、図８（ａ）に示すように、ダイパッド５２とリード部５４とを準備する。次に、ダイパッド５２上面に、両面接着テープまたはＡｇペースト等のダイボンド材を介して半導体チップ５１を搭載する（図８（ｂ））。続いて、各半導体チップ５１の回路面５１Ａとリード部５４とを金製のボンディングワイヤ５５により電気的に接続する（図８（ｃ））。
【００７８】
次に、半導体チップ５１上にメタルシールド板４０を載置して固着する（図８（ｄ））。この場合、メタルシールド板４０の切断バリ４３は、シールド板本体４１の一方の面４１Ａ側に向かって突出している（図３参照）。また、シールド板本体４１の他方の面４１Ｂが半導体チップ５１の回路面５１Ａ側にくるように、メタルシールド板４０を半導体チップ５１上に載置している。この結果、切断バリ４３は半導体チップ５１の反対側に向かって突出する。したがって、切断バリ４３が半導体チップ５１に接触することがなく、切断バリ４３によって半導体チップ５１の回路面５１Ａが傷付けられるおそれがない。
【００７９】
その後、封止樹脂５６によりダイパッド５２、半導体チップ５１、メタルシールド板４０、およびボンディングワイヤ５５を封止し、リード部５４をダイシングすることにより、図１（ａ）に示す半導体装置５０が得られる（図８（ｅ））。
【００８０】
このように本実施の形態によれば、バリ４２の厚みをシールド板本体４１の厚みに一致させている。このことにより、シールド板本体４１を薄くした場合（例えば０．０８０ｍｍ以下）であっても、メタルシールド用シート１０の連結部３０が必要以上に薄くなるおそれがなく、連結部３０に変形が生じないようにすることができる。この結果、メタルシールド用シート１０の全体の変形も防止されるので、メタルシールド用シート１０が変形することにより半導体装置５０の製造工程で不具合が生じるおそれがなく、半導体装置５０を円滑に製造することが可能となる。
【００８１】
また本実施の形態によれば、シールド板本体４１の厚みを、０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍと薄くしているので、半導体装置５０、６０、９０全体の厚みを薄くすることができる。また、シールド板本体４１の厚みを薄くしたことにより、１つの半導体装置５０、６０、９０に例えば複数の半導体チップを積層して搭載することも可能となる。なお、本発明者らは、このようにシールド板本体４１の厚みを０．０１２５ｍｍ〜０．０８０ｍｍとした場合であっても、メタルシールド板４０の磁気特性に影響が生じることはほとんどなく、十分な磁気シールド効果を有することを確認した。
【符号の説明】
【００８２】
１０                メタルシールド用シート
３０                連結部
４０                メタルシールド板（第２のメタルシールド板）
４０Ａ              第１のメタルシールド板
４１                シールド板本体
４２                バリ
４３                切断バリ
５０、６０、９０    半導体装置
５１、６１、９１    半導体チップ
５２、６２、９２    ダイパッド
５４、９４          リード部
５５、６５、９５    ボンディングワイヤ
５６、６６、９６    封止樹脂
６４                端子部
６７                パッケージ基板
６８                はんだボール
【図１】
2013149789.tif 000003
【図２】
2013149789.tif 000004
【図３】
2013149789.tif 000005
【図４】
2013149789.tif 000006
【図５】
2013149789.tif 000007
【図６】
2013149789.tif 000008
【図７】
2013149789.tif 000009
【図８】
2013149789.tif 000010