Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動局で動作するアプリケーションの挙動を解析する方法であって、
サーバから汎用の挙動パターン情報を受信するステップと、
受信した汎用の挙動パターン情報と前記移動局により実施された１つまたは複数の移動局の動作とに基づいて、移動局モデル固有の挙動モデルを生成するステップと、
前記移動局で収集した挙動情報を前記移動局モデル固有の挙動モデルに適用することによって、前記移動局で動作する前記アプリケーションの前記挙動を解析するステップと、
前記収集した挙動情報を前記移動局モデル固有の挙動モデルに適用した結果に基づいて、前記挙動が良性であるか否かを決定するステップと
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
移動局動作を観測し、前記挙動情報を収集するステップをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
サーバから汎用の挙動パターン情報を受信する前記ステップが、前記移動局の特定のモデルに固有のものではない情報を受信するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アプリケーションの前記挙動を解析する前記ステップが、前記移動局のＷｅｂｋｉｔのアクティビティを解析するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記アプリケーションの前記挙動を解析する前記ステップが、前記移動局の高レベルオペレーティングシステム（ＨＬＯＳ）のアクティビティを解析するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アプリケーションの前記挙動を解析する前記ステップが、前記移動局のカーネルのアクティビティを解析するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アプリケーションの前記挙動を解析する前記ステップが、前記移動局のドライバのアクティビティを解析するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記アプリケーションの前記挙動を解析する前記ステップが、前記移動局のハードウェア構成要素のアクティビティを解析するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
移動局であって、
サーバから汎用の挙動パターン情報を受信するための手段と、
受信した汎用の挙動パターン情報と前記移動局により実施された１つまたは複数の移動局の動作とに基づいて、移動局モデル固有の挙動モデルを生成するための手段と、
移動局で収集した挙動情報を前記移動局モデル固有の挙動モデルに適用することによって、前記移動局で動作するアプリケーションの挙動を解析するための手段と、
前記収集した挙動情報を前記移動局モデル固有の挙動モデルに適用した結果に基づいて、前記挙動が良性であるか否かを決定するための手段と
を具備することを特徴とする移動局。
【請求項１０】
サーバから汎用の挙動パターン情報を受信するための前記手段が、前記移動局の特定のモデルに固有のものではない情報を受信するための手段を含むことを特徴とする請求項９に記載の移動局。
【請求項１１】
移動局動作を観測し、前記挙動情報を収集するための手段をさらに具備することを特徴とする請求項９に記載の移動局。
【請求項１２】
サーバから汎用の挙動パターン情報を受信する手順と、
受信した汎用の挙動パターン情報と移動局により実施された１つまたは複数の移動局の動作とに基づいて、移動局モデル固有の挙動モデルを生成する手順と、
移動局で収集した挙動情報を前記移動局モデル固有の挙動モデルに適用することによって、前記移動局で動作するアプリケーションの挙動を解析する手順と、
前記収集した挙動情報を前記移動局モデル固有の挙動モデルに適用した結果に基づいて、前記挙動が良性であるか否かを決定する手順と
を含む動作をプロセッサに実行させるように構成されたプロセッサ実行可能ソフトウェア命令を格納することを特徴とする、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１３】
前記格納されたプロセッサ実行可能ソフトウェア命令は、サーバから汎用の挙動パターン情報を受信する前記手順が、前記移動局の特定のモデルに固有のものではない情報を受信する手順を含むように、プロセッサに動作を実行させるように構成されることを特徴とする請求項１２に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月1日(2016.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の幅を有する第１の部分と前記第１の幅よりも大きい第２の幅を有する第２の部分とを有する導電性材料のマイクロストリップラインと、
前記マイクロストリップラインの前記第１の部分に電気的に結合される集積回路と、
前記集積回路の下方の導電性材料の第１の接地平面であって、前記マイクロストリップラインの下方に第１の距離で、前記集積回路の下方から延びて前記マイクロストリップラインの第１の部分の下方にあり、前記マイクロストリップラインの第２の部分の下方にない、前記第１の接地平面と、
前記第１の接地平面に電気的に結合される第２の接地平面であって、前記マイクロストリップラインの下方に前記第１の距離よりも大きい第２の距離で、前記マイクロストリップラインの第２の部分の下方に、そして前記第２の部分を越えて延びる、前記第２の接地平面と、
頂部表面を有するベース基板と、
誘電性コアと前記誘電性コアの周りの誘電性クラッディングとを有する誘電性導波管であって、前記誘電性コアが、前記基板の頂部表面上に形成される１つの表面を有し、前記誘電性コアの第１の端部が、前記第２の接地平面の上方で前記マイクロストリップラインの第２の部分に結合される、前記誘電性導波管と、
を含む、アセンブリ。
【請求項２】
請求項１に記載のアセンブリであって、
前記集積回路と前記マイクロストリップラインとを支えるパッケージ基板を更に含む、アセンブリ。
【請求項３】
請求項１に記載のアセンブリであって、
前記第１の接地平面を前記第２の接地平面に結合するはんだボールを更に含む、アセンブリ。
【請求項４】
請求項１に記載のアセンブリであって、
前記誘電性コアが第１の誘電率を有し、前記ベース基板が前記第１の誘電率よりも低い第２の誘電率を有し、前記誘電性クラッディングが前記第１の誘電率よりも低い第３の誘電率を有する、アセンブリ。
【請求項５】
請求項１に記載のアセンブリであって、
前記誘電性コアが第１の誘電率を有し、前記ベース基板が前記第１の誘電率よりも低い第２の誘電率を有し、前記誘電性クラッディングが前記第２の誘電率と等しい第３の誘電率を有する、アセンブリ。
【請求項６】
請求項１に記載のアセンブリであって、
前記マイクロストリップラインが、前記第１の部分と前記第２の部分とを繋ぐ第３の部分を含み、前記第３の部分が、前記第１の部分から前記第２の部分に向けて幅広となる、アセンブリ。
【請求項７】
請求項１に記載のアセンブリであって、
前記マイクロストリップラインが、前記第１の部分と前記第２の部分とを繋ぐ第３の部分を含み、前記第３の部分が、前記第１の部分から前記第２の部分に向けて幅広となって丸くなる、アセンブリ。
【請求項８】
請求項１に記載のアセンブリであって、
前記誘電性コアが、断面において概して長方形であり、前記ベース基板に取り付けられる１つの平面の側と他の３つの側上のクラッディングとを有する、アセンブリ。
【請求項９】
請求項１に記載のアセンブリであって、
前記第１及び第２の距離が、前記マイクロストリップラインの第１及び第２の部分のそれぞれに対して約５０オームのマッチングインピーダンスを示す、アセンブリ。
【請求項１０】
請求項１に記載のアセンブリであって、
前記ベース基板が印刷回路板である、アセンブリ。
【請求項１１】
請求項１に記載のアセンブリであって、
前記第２の接地平面が前記集積回路と前記第１の接地平面と前記誘電性導波管との下方に延びる、アセンブリ。
【請求項１２】
請求項１に記載のアセンブリであって、
別のマイクロストリップラインと前記別のマイクロストリップラインに結合される別の集積回路とを更に含み、
前記誘電性導波管が、前記別のマイクロストリップラインに結合される他の端部を有する、アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月4日(2016.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電材料の製造方法であって、
一つあるいは複数の表面に、一つあるいは複数の光電構造を有する光電半導体材料を提供する工程を含み、この一つあるいは複数の光電構造を有する半導体材料は、
一片の半導体材料をエネルギー源に曝す工程であって、前記エネルギー源が前記一片の半導体材料の一部を加熱する工程と、
前記一片の半導体材料をエネルギー源に曝すことを終了する工程であって、前記暴す工程と終了する工程とが、前記一片の半導体材料を、一つあるいは複数の表面に一つあるいは複数の光電構造を有する光電半導体材料へ変換させる、工程とを実施することにより作製されることを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、さらに、
前記光電半導体材料の下面が低い抵抗率である光電材料を作製する工程を含み、前記低い抵抗率が、前記光電材料を用いた光電セルの出力を、低い抵抗率を持たないセルより向上させることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、さらに、
下面の表層を物理的に除去すること、
下面の表層にシリサイドを形成すること、または
下面の表層にイオンインプランテーションすること、
のいずれかを行うことにより前記光電半導体の下面を処理する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、さらに、
加熱によって前記一片の半導体材料の下面に高抵抗層が形成されるのを防ぐために、前記下面に保護膜を形成する工程、
前記一片の半導体材料の一方の面にエネルギー源を集中させる工程であって、この集中させる工程により、他方の面が光電構造に変わる標的温度まで上昇することを防ぐ工程、
前記曝す工程用の蓄熱材料の上に前記一片の半導体を載置する工程であって、この載置する工程により、他方の面が光電構造に変わる標的温度まで上昇することを防ぐ工程、または、
前記曝す工程と終了する工程をｎ＋＋シリコン基板上で行う工程であって、前記曝す工程と終了する工程により、ｎ型シリコンがｎ＋＋シリコン基板上に形成されて、ｎ  ｏｎ  ｎ＋＋光電素子を作製する工程、
のいずれかを行うことにより、前記暴す工程と終了する工程の前に前記一片の半導体材料に予防プロセスを実施する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、前記保護膜がＳｉＣ層を含むとともに、前記曝す工程と終了する工程の後に、金属−半導体界面にオーミックコンタクトを形成するために上に金属下部電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、さらに、
前記曝す工程における加熱より低い温度で前記光電材料の二次加熱を行う工程であって、当該二次加熱により前記一つあるいは複数の光電構造中の結晶欠陥を除去する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記一片の半導体材料の一部は８５０Ｋから１７００Ｋの温度範囲で加熱されることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、前記曝す工程と終了する工程が真空中で行われることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、前記一部の加熱は１から６００分間実施されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法において、前記一片の半導体材料は、リンの不純物を有するｎ型シリコンであることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法において、前記一つあるいは複数の光電構造に高抵抗率層を含むことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法において、前記一片の半導体材料が、ゲルマニウムあるいは他の４族半導体のいずれかを含むことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法において、前記一片の半導体材料が、ゲルマニウムあるいは他の４族半導体のいずれかを含むとともに、リン、窒素、アンチモン、ヒ素あるいは他の５族の元素の不純物を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法において、（１００）面の結晶配向における抵抗率が１から５Ωｃｍであることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法において、前記一片の半導体材料の厚さが少なくとも１０μｍであることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法において、前記光電材料は、光に曝されたときに光電効果を生じることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１に記載された光電材料を用いた光電デバイスの製造方法であって、
前記光電材料を提供する工程と、
前記光電材料の下部に下部電極を提供する工程と、
前記光電素子の上部に表面電極を提供する工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
光電材料の製造方法であって、
一つあるいは複数の表面に、一つあるいは複数の光電構造を有する光電半導体材料を提供する工程を含み、この一つあるいは複数の光電構造を有する半導体材料は、
ｎ型シリコンウエハをエネルギー源に曝す工程であって、前記エネルギー源は、前記ｎ型シリコンウエハの一部を加熱する工程と、
前記ｎ型シリコンウエハをエネルギー源に曝すことを終了する工程であって、前記曝す工程と終了する工程とが、一片の前記半導体材料を、一つあるいは複数の表面に一つあるいは複数の光電構造を有する光電半導体材料へ変換させ、前記一つあるいは複数の光電構造は高抵抗率層を含む、工程と、
前記一片の半導体材料の下面に加熱によって高抵抗率層が形成されるのを防ぐために、前記下面にＳｉＣ層の保護膜を形成する工程と、
前記ＳｉＣ層の上に金属下部電極を設ける工程であって、当該金属下部電極と前記ｎ型シリコンウエハの間の金属−半導体の界面にオーミックコンタクトが形成される、工程と、を実施することにより作製されることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月10日(2016.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
飛行時間型質量分析計のために構成されている一体構造型のディテクタ・ブロックであって、
当該ディタクタ・ブロック内の中央穴内のイオン・ドリフト領域と、
当該ディテクタ・ブロックの遠位端部に搭載されている第１チャンネル・プレート・ディテクタと、
パルス・ピン・イオン・ゲートと
を含み、
そのパルス・ピン・イオン・ゲートは、
前記中央穴内に、前記イオン・ドリフト領域の中心線に対して側方に延びる姿勢で配置されているピン・エレメントであって、前記中央穴から電気的に絶縁されているものと、
前記イオン・ドリフト領域に電気的に接続されている第１および第２グリッドであって、前記中央穴内に、前記ピン・エレメントより近位位置と遠位位置とに配置されているものと
を有するディテクタ・ブロック。
【請求項２】
請求項１に記載のディテクタ・ブロックであって、さらに、当該ディテクタ・ブロックの近位端部に搭載されている第２チャンネル・プレート・ディテクタを含むディテクタ・ブロック。
【請求項３】
パルス・ピン・イオン・ゲートであって、
イオン・ドリフト領域内に、そのイオン・ドリフト領域の中心線に対して側方に延びる姿勢で配置されているピン・エレメントであって、前記イオン・ドリフト領域から電気的に絶縁されているものと、
前記イオン・ドリフト領域を横切るとともにそのイオン・ドリフト領域に電気的に接続されている第１および第２グリッドと
を含み、
それら第１および第２グリッドは、前記中央穴内に、前記ピン・エレメントより近位位置と遠位位置とに配置されているパルス・ピン・イオン・ゲート。
【請求項４】
ワイヤ・リング・リフレクトロンであって、
非導電性の円筒状フレームと、
複数の導電性のワイヤ・エレメントであって、それぞれ、前記円筒状フレームの断面を包囲し、それにより、近位端部と遠位端部とを有する円筒状のワイヤ・リング・リフレクトロンを形成するものと
を含み、
隣接するワイヤ・エレメントは、抵抗器によって電気的に接続されているワイヤ・リング・リフレクトロン。
【請求項５】
請求項４に記載のワイヤ・リング・リフレクトロンであって、電位が、当該リフレクトロンの中央線に沿って、当該リフレクトロンの、前記近位端部からの距離に応じて、その近位端部から線形的に増加するワイヤ・リング・リフレクトロン。
【請求項６】
請求項４に記載のワイヤ・リング・リフレクトロンであって、電位いが、当該リフレクトロンの中央線に沿って、増加する勾配で、当該リフレクトロンの、前記近位端部から前記遠位端部まで非線形的に増加するワイヤ・リング・リフレクトロン。
【請求項７】
請求項４または６に記載のワイヤ・リング・リフレクトロンであって、複数のエレメント内において、当該リフレクトロンの前記近位端部から前記遠位端部まで連続的に並ぶ複数の抵抗器の各々が、減少する抵抗値を有するワイヤ・リング・リフレクトロン。
【請求項８】
請求項４または６に記載のワイヤ・リング・リフレクトロンであって、ワイヤ・エレメント間の間隔が、当該リフレクトロンの前記近位端部から当該リフレクトロンの前記遠位端部まで減少するワイヤ・リング・リフレクトロン。
【請求項９】
質量分析計であって、
ソース領域と、
請求項１または２に記載の一体構造型のディテクタ・ブロックであって、前記ソース領域に関連した作動を行うものと、
請求項４ないし８のいずれかに記載のワイヤ・リング・リフレクトロンであって、前記一体構造型のディテクタ・ブロックに関連した作動を行うものと
を含む質量分析計。
【請求項１０】
質量分析計であって、
ソース領域と、
請求項３に記載のパルス・ピン・イオン・ゲートであって、前記ソース領域に関連した作動を行うものと、
請求項４ないし８のいずれかに記載のワイヤ・リング・リフレクトロンであって、前記パルス・ピン・イオン・ゲートに関連した作動を行うものと
を含む質量分析計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
種々の実施態様においては、グリッドＡ３０８とグリッドＢ３１０とが、規定された間隔で互いに隔たっている。より狭い間隔で互いに隔たった複数のグリッドにより、複数のイオン質量から成るより狭い範囲のパケット(packet、イオンパケット、イオン集合体、イオン群）が前記ゲートによって分離検出されることが可能である。いくつかの場合には、グリッドを隔離する間隔が、１．０ｍｍ，１．５ｍｍ，２．０ｍｍ，２．５ｍｍ，３．０ｍｍ，３．５ｍｍ，４．０ｍｍ，５．０ｍｍ，６．０ｍｍ，７．０ｍｍ，８．０ｍｍ，９．０ｍｍまたは１０．０ｍｍである。前記複数本のチューブ（および複数のグリッド）がドリフト・ポテンシャル（drift potential、ドリフト電位）のレベルに保持されるため、高電圧(high voltage、ドリフト電圧より高い電圧）を前記ピンに印加することにより、前記イオン・ビームのうち前記グリッド間隔内に位置する部分の大角度での偏向(wide deflection)が促進される。他の複数のゲート（例えば、ブラッドベリ−ニールセン（Bradbury-Nielsen）・ゲート）とは異なり、パルス・ピン・イオン・ゲート３００は、製造が容易であり、単一の高電圧パルスのみを必要とし、前記ピンを包囲するグリッド間隔(grid spacing、グリッド空間の距離）の変動によって調整可能な「ウインドウ」を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
パルス・ピン・イオン・ゲート３００は、任意の導電性材料、例えば銅のようなものから製造してもよい。グリッドＡ３０８およびグリッドＢ３１０は、高透過ゲートを製造するために用いることが可能である任意の材料、例えば、ニッケル・メッシュから製造することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月3日(2016.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア−シェル複合体を含む電池電極組成物であって、該複合体のそれぞれが、
電池の動作中に金属イオンを蓄積及び放出するように提供され、該金属イオンの該蓄積及び放出が、該活物質のかなりの体積変化を引き起こす、活物質と、
前記活物質と組み合わせて、前記体積変化に適応するように配置される可潰性のコアと、
少なくとも部分的に前記活物質及び前記コアを包み、前記活物質によって蓄積及び放出される前記金属イオンに対して実質的に透過性である材料から形成されるシェルと
を含む電池電極組成物。
【請求項２】
前記可潰性のコアが、複数の開いた孔または閉じた孔によって前記体積変化を吸収する多孔性材料から形成される、請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項３】
前記コアの前記多孔性材料が、多孔性かつ電気伝導性の炭素材料を含む、請求項２に記載の電池電極組成物。
【請求項４】
前記活物質が、少なくとも部分的に前記コアの前記多孔性材料を包む、請求項２に記載の電池電極組成物。
【請求項５】
前記活物質を前記コアの前記多孔性材料と共に散在させる、請求項２に記載の電池電極組成物。
【請求項６】
前記多孔性材料が、１つもしくは複数の湾曲線状または湾曲平面状のバックボーンで形成された多孔性基体を含む、請求項２に記載の電池電極組成物。
【請求項７】
前記多孔性材料が、前記多孔性基体と共に散在させた多孔性充填材をさらに含む、請求項６に記載の電池電極組成物。
【請求項８】
前記可潰性のコアが、前記活物質によって包まれた中央の空隙を含む、請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項９】
前記中央の空隙が前記活物質と直接接触する、請求項８に記載の電池電極組成物。
【請求項１０】
前記シェルが、前記活物質の酸化を防止するために、少なくとも部分的に前記活物質及び前記コアを包む保護コーティングを含む、請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項１１】
前記シェルが、少なくとも部分的に前記活物質及び前記コアを包む多孔性コーティングを含み、該多孔性コーティングが、体積変化にさらに適応するために、複数の開いた孔または閉じた孔を有する、請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項１２】
前記多孔性コーティング中の前記孔の少なくともいくつかが、第１の機能性充填材料で充填された閉じた孔である、請求項１１に記載の電池電極組成物。
【請求項１３】
前記多孔性コーティング中の少なくともいくつかの他の孔が、第２の機能性充填材料で充填された閉じた孔である、請求項１２に記載の電池電極組成物。
【請求項１４】
前記多孔性コーティング中の前記孔の少なくともいくつかが、前記多孔性コーティングと相互貫通し機能性充填材料で充填された開いた孔である、請求項１１に記載の電池電極組成物。
【請求項１５】
前記シェルが内層及び外層を含む複合材料である、請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項１６】
前記内層が保護コーティング層または多孔性コーティング層の一方であり、前記外層が該保護コーティング層または該多孔性コーティング層の他方である、請求項１５に記載の電池電極組成物。
【請求項１７】
前記内層が前記保護コーティング層であり、前記外層が前記多孔性コーティング層であり、前記複合材料が、少なくとも部分的の他の層を包み、（ｉ）実質的に電気伝導性であり、かつ（ｉｉ）電解質溶媒の分子に対して実質的に不浸透性である材料から形成される追加のコーティング層をさらに含む、請求項１６に記載の電池電極組成物。
【請求項１８】
前記活物質が、前記可潰性のコアのまわりに配置された、または、前記可潰性のコアと共に散在させた離散粒子を含む、請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項１９】
前記粒子が、前記活物質の酸化を防止するために保護コーティングで被覆される、請求項１８に記載の電池電極組成物。
【請求項２０】
前記活物質が、前記可潰性のコアの上にコンフォーマルに被覆される、請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項２１】
前記活物質が、金属フッ化物または金属オキシフッ化物を含む活カソード材料である請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項２２】
前記金属フッ化物または前記金属オキシフッ化物の金属が、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、またはリチウム（Ｌｉ）を含む請求項２１に記載の電池電極組成物。
【請求項２３】
前記活カソード材料を前記コアの前記多孔性材料と共に散在させる請求項２１に記載の電池電極組成物。
【請求項２４】
前記活物質がケイ素を含む請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項２５】
前記ケイ素を含む活物質が、さらにアンチモン（Ｓｂ）、スズ（Ｓｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタニウム（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、または銅（Ｃｕ）を含む請求項２４に記載の電池電極組成物。
【請求項２６】
前記活物質は、５００ｎｍより小さい粒径を有する請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項２７】
前記コア−シェル複合体が、５０ｎｍから５μｍの範囲の個々の粒子サイズを有する
請求項２６に記載の電池電極組成物。
【請求項２８】
前記可潰性のコアが、活性化された炭素材料である請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項２９】
前記活性化された炭素材料は、ポリマー前駆体から誘導される請求項２８に記載の電池電極組成物。
【請求項３０】
前記活性化された炭素材料は、体積で約２０％から約９０％の間の空孔を有する請求項２８に記載の電池電極組成物。
【請求項３１】
前記活性化された炭素材料は、二酸化炭素（ＣＯ２）ガスまたは水蒸気（Ｈ２Ｏ）中における活性化から誘導される請求項２８に記載の電池電極組成物。
【請求項３２】
前記活性化された炭素材料は、３ｎｍ以下の平均孔サイズを有する請求項２８に記載の電池電極組成物。
【請求項３３】
前記シェルが、保護用の炭素コーティングを備えている請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項３４】
前記保護用の炭素コーティングは、炭化水素ガスに前記活物質を曝されることから誘導化される請求項３３に記載の電池電極組成物。
【請求項３５】
前記炭化水素ガスは、アセチレンまたはプロピレンである請求項３４に記載の電池電極組成物。
【請求項３６】
前記保護用の炭素コーティングは、化学蒸着（ＣＶＤ）によって堆積させた炭素層を備えている請求項３３に記載の電池電極組成物。
【請求項３７】
前記保護用の炭素コーティングは、ポリマーを含む請求項３３に記載の電池電極組成物。
【請求項３８】
前記保護用の炭素コーティングは、炭化されたポリマーを含む請求項３３に記載の電池電極組成物。
【請求項３９】
前記シェルが、多孔性コーティング、および蒸気相から前記多孔性コーティングに堆積した充填材料を備えている請求項１に記載の電池電極組成物。
【請求項４０】
前記充填材料が、多孔性の電気伝導性炭素である請求項３９に記載の電池電極組成物。
【請求項４１】
前記多孔性コーティングが、ポリマーのコーディング層または炭化されたポリマーのコーティング層を含む請求項３９に記載の電池電極組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月5日(2016.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を研磨すること、
研磨時に前記基板をインシトゥ監視システムで監視することであって、前記監視することはセンサから信号を生成することを含み、前記信号は一連の測定値を含む、監視すること、
フィルタリング済み信号を生成するため前記信号をフィルタリングすることであって、前記フィルタリング済み信号は一連の調整値を含み、前記フィルタリングすることは前記一連の調整値の各調整値に対して、
線形予測を使用して前記一連の測定値から少なくとも１つの予測値を生成すること、および
前記一連の測定値および前記予測値から前記調整値を計算すること
を含む、フィルタリングすること、ならびに
研磨終点または研磨速度の調整の少なくとも１つを前記フィルタリング済み信号から決定すること
を含む、研磨を制御する方法。
【請求項２】
前記インシトゥ監視システムが、モータ電流監視システムまたはモータトルク監視システムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記インシトゥ監視システムが、キャリアヘッドモータ電流監視システムまたはキャリアヘッドモータトルク監視システムを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記モータトルク監視システムが、プラテンモータ電流監視システムまたはプラテンモータトルク監視システムを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの予測値を生成することが複数の予測値を生成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記調整値を計算することが周波数領域フィルタを適用することを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の予測値が少なくとも２０個の値を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記線形予測が、第１の予測信号値
2015519740.tif 000001
を計算することを含み、ここで、
2015519740.tif 000002
は第１の予測信号値であり、ｐは前記計算で使用される信号値の数であり（ｎ−１に等しくすることができる）、ｘｎ−ｉは以前の観測信号値であり、ａｉは予測因子係数であり、および、第２の予測信号値
2015519740.tif 000003
を計算することを含み、ここで、
2015519740.tif 000004
は第２の予測信号値であり、Ｌは０より大きく、ｐは前記計算に使用される信号値の数であり（ｎ＋Ｌ−１に等しくすることができる）、ｘｎ＋Ｌ−ｉは、Ｌ−ｉ≧０に対する以前の観測信号値、およびＬ−ｉ＜０に対する予測された信号値であり、ａｉは予測因子係数である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
2015519740.tif 000005
および
Ｒｉ＝Ｅ｛ｘｎｘｎ−ｉ｝
であり、ここで、Ｒは前記信号ｘｎの自己相関であり、Ｅは予測値関数である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記調整値を計算することが、前記少なくとも１つの予測信号値を計算するために線形予測が使用される修正カルマンフィルタを適用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記修正カルマンフィルタで次の時間更新式
2015519740.tif 000006
を使用し、ここで、２Ｌ＋１は前記計算に使用されるデータ点の数であり、ｚｉはＬ≧０に対する以前の測定信号値であり、ｚｋ−ＬはＬ＜０に対するｚの予測信号値である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記修正カルマンフィルタが、演繹的推定誤差共分散Ｐ−ｋを次式のように計算することを含み、
Ｐ−ｋ＝Ａ２Ｐｋ−１＋Ｑ
ここで、
2015519740.tif 000007
であり、ここで、
2015519740.tif 000008
は以前のステップの予測信号からの帰納的状態推定値である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
指示を有する非一時的コンピュータ可読媒体を備えたコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータ可読媒体が研磨システムのプロセッサによって実行されると、前記研磨システムが、
基板を研磨し、
研磨時に前記基板をインシトゥ監視システムで監視し、前記監視はセンサから信号を生成することを含み、前記信号は一連の測定値を含み、
フィルタリング済み信号を生成するため前記信号をフィルタリングし、前記フィルタリング済み信号は一連の調整値を含み、前記フィルタリングは前記一連の調整値の各調整値に対して、
線形予測を使用して前記一連の測定値から少なくとも１つの予測値を生成すること、および
前記一連の測定値および前記予測値から前記調整値を計算すること
を含み、ならびに
研磨終点または研磨速度の調整の少なくとも１つを前記フィルタリング済み信号から決定する
コンピュータプログラム製品。
【請求項１４】
少なくとも１つの予測値を生成させる指示が、複数の予測値を生成させる指示を含む、請求項１３に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１５】
線形予測を使用することが、第１の予測信号値
2015519740.tif 000009
を計算することを含み、ここで、
2015519740.tif 000010
は第１の予測信号値であり、ｐは前記計算で使用される信号値の数であり（ｎ−１に等しくすることができる）、ｘｎ−ｉは以前の観測信号値であり、ａｉは予測因子係数である、請求項１４に記載のコンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約１０００ｎｍ〜約２１００ｎｍのいずれかの波長を有する光に関して２５％より高い反射率、及び約３８０ｎｍ〜約７５０ｎｍの波長を有する全ての光に関して３５％未満の反射率を有する第１の層；並びに約３８０ｎｍ〜約２０００ｎｍの波長を有する全ての光に関して５０％より高い反射率を有する第２の層；を含み；第１の層と第２の層は互いに対して隣接している光電池モジュール用の多層バックシート。
【請求項２】
第１の層が赤外反射性顔料を含む、請求項１に記載の多層バックシート。
【請求項３】
赤外反射性顔料が混合金属酸化物である、請求項２に記載の多層バックシート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
[0065]（１）赤外反射性（ＩＲ）顔料を含まない伝統的な黒色のバックシート（陰性対照試料）、（２）赤外反射性（ＩＲ）顔料を含む黒色のバックシート、（３）赤外反射性（ＩＲ）顔料及び白色のバッキング層を含む黒色のバックシート、及び（４）白色バックシート（陽性対照試料）の反射率の測定によって、赤外反射性（ＩＲ）顔料及び白色のバッキング層を含む黒色のバックシートは、赤外反射性（ＩＲ）顔料を含むが、白色のバッキング層を有しない黒色のバックシートよりも多い赤外光を反射することが示された。反射率は、ＡＳＴＭ−Ｅ４２４方法Ａによって、下記に更に記載するようにVarian Cary 5E紫外−可視−近赤外分光光度計及び積分球を用いて、入射光のパーセントとして求めた。直径１１０ｍｍの積分球を用い、ＢａＳＯ４白色タイルを用いて基線測定値を得た。基線が確定されたら、４インチ×４インチのバックシート試料を積分球ポートにぴったりと接して載置して、試料がポート領域全体を覆って光が漏れないようにした。バックシート試料は、通常は光電池セルに面する側面が入射光線に面するように載置した。次に、２５０〜２５００ｎｍのスペクトル範囲にわたってそれぞれの試料について反射率の測定値を得た。
以下に本発明の実施態様を記載する。
［態様１］約１０００ｎｍ〜約２１００ｎｍのいずれかの波長を有する光に関して２５％より高い反射率、及び約３８０ｎｍ〜約７５０ｎｍの波長を有する全ての光に関して３５％未満の反射率を有する第１の層；並びに約３８０ｎｍ〜約２０００ｎｍの波長を有する全ての光に関して５０％より高い反射率を有する第２の層；を含み；第１の層と第２の層は互いに対して隣接している光電池モジュール用の多層バックシート。
［態様２］第１の層が赤外反射性顔料を含む、態様１に記載の多層バックシート。
［態様３］赤外反射性顔料が無機顔料である、態様２に記載の多層バックシート。
［態様４］第１の層が約３８０ｎｍ〜約７５０ｎｍの波長を有する全ての光に関して２０％未満の反射率を有し、第２の層が約３８０ｎｍ〜約７５０ｎｍの波長を有する全ての光に関して８０％より高い反射率を有する、態様３に記載の多層バックシート。
［態様５］無機顔料が混合金属酸化物である、態様４に記載の多層バックシート。
［態様６］赤外反射性顔料が第１の層の全重量の約１重量％〜約２０重量％の濃度で存在する、態様２に記載の多層バックシート。
［態様７］第１の層が約２０μｍ〜約１２５μｍの厚さを有し、第２の層が約５０μｍ〜約１５０μｍの厚さを有する、態様６に記載の多層バックシート。
［態様８］第１の層及び第２の層がそれぞれポリマーを含む、態様２に記載の多層バックシート。
［態様９］第１の層が、約１２５０ｎｍ〜約１５５０ｎｍのいずれかの波長を有する光に関して５０％より高い反射率、及び約３８０ｎｍ〜約７５０ｎｍの波長を有する全ての光に関して１０％未満の反射率を有し；第２の層が、約３８０ｎｍ〜約７５０ｎｍの波長を有する全ての光に関して９０％より高い反射率を有し；赤外反射性顔料が第１の層の全重量の約１重量％〜約１４重量％の濃度で存在し；第１の層が約２０μｍ〜約１２５μｍの厚さを有し、第２の層が約５０μｍ〜約１５０μｍの厚さを有する；態様８に記載の多層バックシート。
［態様１０］第１の層が約１２５０ｎｍ〜約１５５０ｎｍの波長を有する全ての光に関して６０％より高い反射率を有し；第１の層及び第２の層がそれぞれエチレン酢酸ビニルを含む、態様９に記載の多層バックシート。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサアセンブリを用いる移動するユーザ、移動端末、または交通手段の軌跡推定方法であって、前記センサアセンブリは、前記移動するユーザ、移動端末、または交通手段に固定され、一体的に接続された加速度計およびジャイロを有し、
加速度計によって供給される、時間区間の複数の連続する瞬間のうちの少なくとも２つの瞬間に計測された加速度値を受信するステップ、
ジャイロによって供給される、前記時間区間の前記複数の連続する瞬間のうちの少なくとも２つの瞬間に計測された角速度値を受信するステップ、
前記加速度計によって供給される加速度値と前記ジャイロによって供給される角速度値を処理し、前記ジャイロによって供給される角速度値を用いて少なくとも一つの角度位置値を推定するとともに、前記加速度計によって供給される加速度値および以前に推定された前記少なくとも一つの角度位置値を用いて、前記移動するユーザ、移動端末、または交通手段の軌跡を定義する少なくとも２つのデカルト座標値を推定するステップ、
を含む軌跡推定方法において、さらに、
軌跡に対する先験的な知識の拘束条件を用いて、推定された軌跡の回転再調整モデルを反転することによって、回転パラメータを推定するステップであって、前記先験的な知識は、軌跡の所定の角度位置値および／またはデカルト座標値で構成されるステップ、および
以前に推定された前記少なくとも１つの角度位置値を遡及補正するステップであって、以前に推定された前記少なくとも１つの角度位置値に、推定された前記回転パラメータを用いた回転を適用することによって、補正された少なくとも１つの角度位置値を供給するステップ、を含むことを特徴とする、軌跡推定方法。
【請求項２】
前記角度位置値を遡及補正するステップは、さらに、加速度計によって供給されて、受信された前記加速度値および補正された前記少なくとも１つの角度位置値を用いて、以前に推定された前記デカルト座標値を遡及補正することを含む、請求項１に記載の軌跡推定方法。
【請求項３】
前記加速度計によって供給され、受信された前記加速度値および前記ジャイロによって供給され、受信された前記角速度値は、前記センサアセンブリに関連付けられた移動座標系内で表現され、
前記加速度計によって供給される加速度値と前記ジャイロによって供給される角速度値を処理するステップでは、前記少なくとも１つの角度位置値の推定は、地上座標系に関連付けられた固定グローバル座標系軸に対する回転角パラメータの形式で表現され、前記デカルト座標値の推定は、前記固定グローバル座標系でデカルト座標の形式で表現される、請求項１または２に記載の軌跡推定方法。
【請求項４】
前記角度位置値を遡及補正するステップは、複数回繰り返して実行され、前記少なくとも１つの角度位置値を繰り返し補正する、請求項１〜３のうちいずれか一項に記載の軌跡推定方法。
【請求項５】
前記回転パラメータは、四元数のパラメータである、請求項１〜４のうちいずれか一項に記載の軌跡推定方法。
【請求項６】
前記角度位置値は、軌跡を含有している平面の角度位置値であって、垂直方向および北方向に対して定義される、請求項１〜５のうちいずれか一項に記載の軌跡推定方法。
【請求項７】
前記軌跡に対する先験的な知識には、軌跡の一部を構成している少なくとも２点のデカルト座標値が含まれる、請求項１〜６のうちいずれか一項に記載の軌跡推定方法。
【請求項８】
前記軌跡に対する先験的な知識には、軌跡の進行方向または傾斜についてのパラメータが含まれる、請求項１〜７のうちいずれか一項に記載の軌跡推定方法。
【請求項９】
前記角度位置値を遡及補正するステップは、推定された前記回転パラメータを用いて行われる補正が、前記複数の連続する瞬間の全体または一部に、所定の方法で分配されるように構成される、請求項１〜８のうちいずれか一項に記載の軌跡推定方法。
【請求項１０】
前記角度位置値を遡及補正するステップにおける所定の方法での分配は、前記複数の連続する瞬間のそれぞれに対して、推定された前記回転パラメータを用いて補正パラメータを計算することであって、前記複数の連続する瞬間のそれぞれに対する前記補正パラメータを、前記複数の連続する瞬間の全体または一部において、それぞれの瞬間の時間経過に対して線形に増加させる、請求項９に記載の軌跡推定方法。
【請求項１１】
通信ネットワークからダウンロードできるコンピュータプログラムおよび／またはコンピュータを介して再生可能な媒体に記録されたコンピュータプログラムおよび／またはプロセッサを介して実行可能なコンピュータプログラムであって、前記コンピュータプログラムがコンピュータ上で実行される場合、請求項１〜１０のうちいずれか一項に記載の軌跡推定方法のステップを実行するための命令が実行されることを特徴とする、コンピュータプログラム。
【請求項１２】
移動するユーザ、移動端末、または交通手段の軌跡推定装置であって、
所与の時間区間の連続する瞬間に計測された加速度値を供給できる加速度計、
前記時間区間の連続する瞬間に計測された角速度値を供給できる、加速度計と一体的に接続されたジャイロ、ならびに
請求項１〜１０のうちいずれか一項に記載の軌跡推定方法を実施するように構成された、前記加速度計および前記ジャイロによって供給された前記加速度値および前記角速度値の処理手段、を有する軌跡推定装置。
【請求項１３】
移動するユーザ、移動端末、または陸上、航空もしくは海上の交通手段に、加速度計およびジャイロを一体的に固定する手段を有する、請求項１２に記載の軌跡推定装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】移動するユーザ、移動端末、または交通手段の軌跡推定方法、コンピュータプログラム、および軌跡推定装置
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２２５】
さらに、踝の軌跡の特定の特徴を利用する。例えば、踝の軌跡は、平面に含まれていることが認められる（平面運動）。実際の歩の軌跡平面（歩行平面）は垂直であると仮定すると、方角のドリフトはすべて垂直方向に対して傾けることになる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３０８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３０８】
図６ａ、図６ｂ、および図６ｃは、歩行者の踝の３次元または３Ｄでの軌跡を表す。図６ａでは、補正は一切実行されておらず、図６ｂでは、（方程式（２４）およびこれ以前の方程式により）ＮＦとＮＦ’との間の角度が一定であるという第１の仮説を用いて補正が行われ、図６ｃでは、ＮＦとＮＦ’との間の角度が線形的に変化するという第２の仮説を用いて補正が行われている。図６ａが示すようにドリフトする、補正なしに計算された軌跡とは異なり、本発明が提供する補正によって、図６ｂおよび図６ｃに示すように強制が守られることは明らかである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３２３】
図７ａおよび図７ｂはそれぞれ、水平面における図６ｂおよび図６ｃの軌跡と同じ軌跡を示す。この場合、北に対する変位方向
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年7月11日(2016.7.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２３４】
【表９】
2014506900.tif 000001
追加の保存剤がない場合、タペンタドール溶液ｐＨ３は、アスペルギルス・ニガーおよびカンジダ・アルビカンスに関しては欧州薬局方（基準ＡおよびＢ）に従って十分に保存されないが、タペンタドール溶液ｐＨ８は、試験を行った全ての細菌および真菌に対して基準ＡおよびＢを満たした。プラセボｐＨ８溶液は溶液自体の保存効果を示さないので、タペンタドールＨＣｌを含む製剤の抗菌効果はタペンタドールＨＣｌの添加された量の結果である。この結果を考慮すると、タペンタドールＨＣｌ溶液の保存効果の明白なｐＨ値依存性が示された。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年8月2日(2016.8.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
上述の高強度アルカリアルミノけい酸ガラスに関する１つの実施形態によれば、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、およびＺｒＯ２の合計とＮａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｌｉ２ＯおよびＢ２Ｏ３の合計の重量比は、３．３〜５．４である。そのような組成物は、高いイオン交換率に加え、十分な溶融および清澄挙動を示す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月24日(2016.6.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
【表２】
2014506597.tif 000001
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物であって、
ミロシナーゼの供給源を準備することと、
アスコルビン酸カルシウムを該ミロシナーゼの供給源に添加することと、
該ミロシナーゼの供給源を約１０４°Ｆ（約４０℃）以上の温度に加熱することと、
加熱後にミロシナーゼ／アスコルベート混合物を噴霧乾燥させることと、
を含む工程から生成される、噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物。
【請求項２】
前記アスコルビン酸カルシウムが加熱工程前に前記ミロシナーゼの供給源に添加される、請求項１に記載の噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物。
【請求項３】
前記アスコルビン酸カルシウムが加熱工程後に前記ミロシナーゼの供給源に添加される、請求項１に記載の噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物。
【請求項４】
前記ミロシナーゼの供給源がブロッコリーの種子である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物。 
【請求項５】
前記ミロシナーゼの供給源が少なくとも７分間加熱される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物。
【請求項６】
前記ミロシナーゼの供給源及び前記アスコルビン酸カルシウムが水溶液に添加され、該ミロシナーゼ供給源と該アスコルビン酸カルシウムとを含む該水溶液が約１０４°Ｆ〜約２２５°Ｆ（約４０℃〜約１０７℃）の温度に加熱され、該水溶液が残留固形物から分離され、噴霧乾燥される、請求項１、２、４及び５のいずれか一項に記載の噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物。
【請求項７】
前記混合物が、噴霧乾燥される前に均質化される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物。
【請求項８】
水が約４．５〜約７．５のｐＨを有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物と、グルコラファニンの供給源とを含む、錠剤又はカプセル剤。
【請求項１０】
前記グルコラファニンの供給源がブロッコリーの種子である、請求項９に記載の錠剤又はカプセル剤。
【請求項１１】
アスコルベートを更に含む、請求項９又は１０に記載の錠剤又はカプセル剤。
【請求項１２】
前記噴霧乾燥ミロシナーゼ及び前記グルコラファニンの供給源が腸溶性コーティングに封入される、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の錠剤又はカプセル剤。
【請求項１３】
前記錠剤又はカプセル剤が、水に溶解させた後２時間〜３時間で、約１２μｍｏｌ〜約２０μｍｏｌのスルフォラファンを生成することができる、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の錠剤又はカプセル剤。
【請求項１４】
イソチオシアネートを生成する方法であって、請求項１〜８のいずれか一項に記載の噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物を、水溶液中でグルコシノレートの供給源と混合させることを含む、イソチオシアネートを生成する方法。
【請求項１５】
前記水溶液がアスコルベートを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記水溶液を少なくとも約９０°Ｆ（約３２℃）の温度に加熱する、請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物を製造する方法であって、
ミロシナーゼの供給源を準備する工程と、
アスコルビン酸カルシウムを該ミロシナーゼの供給源に添加する工程と、
該ミロシナーゼの供給源を約１０４°Ｆ〜約２２５°Ｆ（約４０℃〜約１０７℃）の温度に加熱する工程と、
ミロシナーゼ／アスコルベート混合物を噴霧乾燥させる工程と、
を含む、噴霧乾燥ミロシナーゼ／アスコルベート混合物を製造する方法。
【請求項１８】
前記ミロシナーゼの供給源がブロッコリーの種子である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ミロシナーゼの供給源を少なくとも７分間加熱する、請求項１７又は１８一項に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年12月22日(2015.12.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）有機キセロゲルまたは有機エアロゲルを供給し、次いで（ｉｉ）工程（ｉ）で供給される材料を粉砕することを含む粉末状有機多孔性材料の製造方法であって、工程（ｉ）で得られる有機多孔性材料が、
（ａ）少なくとも一種の多官能性イソシアネート（ａ１）と少なくとも一種の多官能性芳香族アミン（ａ２）を、溶媒中で、必要なら成分（ａ３）としての水の存在下で、また必要なら少なくとも一種の触媒（ａ４）の存在下で反応させる工程と、
（ｂ）溶媒を除いて、このエアロゲルまたはキセロゲルを得る工程を含むプロセスで得られ、
該少なくとも一種の多官能性芳香族アミンが、一般式Ｉ：
2014506620.tif 000001
（式中、Ｒ１とＲ２は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ独立して水素と１〜６個の炭素原子を持つ直鎖又は分岐アルキル基から選ばれ、
すべての置換基Ｑ１〜Ｑ５とＱ１’〜Ｑ５’は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ独立して水素、一級アミノ基及び１〜１２個の炭素原子を持つ直鎖又は分岐アルキル基から選ばれ、該アルキル基はさらに官能基を有してもよく、
Ｑ１とＱ３とＱ５の少なくとも一つが一級アミノ基であり、Ｑ１’とＱ３’とＱ５’の少なくとも一つが一級アミノ基であり、
そしてＱ２、Ｑ４、Ｑ２’およびＱ４’は、一般式Ｉの化合物が芳香族環に結合した少なくとも一つの一級アミノ基のα位に直鎖または分岐アルキル基を少なくとも一つ持つように選ばれる（但し、該直鎖または分岐アルキル基は、他の官能基を持っていてもよく、且つ１〜１２個の炭素原子を持つ））の構造をもつ方法。
【請求項２】
上記有機エアロゲルまたはキセロゲルを乾燥ゲル塊の形で供給する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ｉ）で供給される有機キセロゲルまたはエアロゲルの体積平均孔径が５０〜３０００ｎｍである請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
粉砕がミル中で行われる請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
工程（ｉｉ）で得られる材料の数加重平均粒度が５０〜２０００μｍである請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
成分（ａ１）がオリゴマー状ジフェニルメタンジイソシアネートを含み、その官能価が少なくとも２．４である請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
反応が触媒の存在下で行われる請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
反応が水（ａ３）の存在下で、必要なら触媒（ａ４）の存在下で行われる請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
工程（ａ）での成分（ａ１）と成分（ａ２）の多官能性芳香族アミンの反応が、水（ａ３）の非存在下で行われる請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項により得られる粉末状有機多孔性材料。
【請求項１１】
請求項１０に記載の粉末状有機多孔性材料を含む断熱材料。
【請求項１２】
請求項１１に記載の断熱材料を含む建築材料。
【請求項１３】
請求項１１に記載の断熱材料を含む真空絶縁パネル。
【請求項１４】
請求項１０に記載の粉末状有機多孔性材料または請求項１１に記載の断熱材料の断熱への利用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年5月24日(2016.5.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
ジャケットは、液体がジャケットを通って流れることを可能にする冷却回路を含むことができる。マグネトロンが主要磁場を与えるための水冷電磁石を含む場合は、単一の誘電性液体の供給源を、電磁石の冷却回路、及びジャケットの冷却回路に接続することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月1日(2016.6.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
また、コードされたＧＮＥ酵素を送達する方法が開示され、該方法は、
ａ）対象の肢の膝下または肘下のあるポイントで静脈内アクセスを作成すること；
ｂ）該静脈内アクセスポイントよりも対象の体の他の部分に対して近位のポイントで止血帯を施すこと；
ｃ）単離した核酸発現コンストラクトの単回用量を該静脈内アクセスを通して肢に導入すること
を含み、該単回用量はポリヌクレオチドの血管外漏出のために血管内圧を上昇させるのに十分な量であり；単離した核酸コンストラクトは、ＧＮＥペプチドまたはその治療的に活性な断片をコードする核酸配列に機能的に結合したプロモーターを含み、該ＧＮＥペプチドは配列番号３のアミノ酸配列を有する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７６】
ＵＭＶＣ３およびＮＴＣ８６８５のＧＮＥプラスミドの比較：両ベクターのシアル酸産生を比較するトランスフェクション試験は、互いに十分に相関した（図８および９）。ＮＴＣ８６８５ベクターを用いた場合のシアル酸産生の方がわずかに高いことが見出された。他の細胞型を用いるさらなるｉｎ  ｖｉｔｒｏ試験およびｉｎ  ｖｉｖｏ試験が行われることになる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図９】
2014506787.tif 000001