Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月2日(2016.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネルに取り付けられたフィッティングの周りにシールを形成するためのシール成形システムであって、
フィッティングのフィッティング外側輪郭面と補完し合うように形成されたモールド内側輪郭面を有するモールド体を含み、
前記モールド体は、パネル表面と補完し合うように形成されたモールド基部を有し、
前記モールド体は、モールドキャビティにシーラントを注入するための注入口、及び、空気及びシーラントを前記モールドキャビティから排出するための排出口を含む、シール成形システム。
【請求項２】
前記モールド体は、前記フィッティングの周りに組み付けるように構成された複数のモールド体部分を含む、請求項１に記載のシール成形システム。
【請求項３】
前記モールド体部分は、前記フィッティングの周りに組み付けるように構成された一対のモールド半体を含む、請求項２に記載のシール成形システム。
【請求項４】
前記モールド体部分は、前記モールド半体に形成された噛み合い部を含む、請求項３に記載のシール成形システム。
【請求項５】
前記モールド体は、
フィッティング基部と補完し合うように構成されたベース部内側輪郭面を有する固定ベース部と、
前記固定ベース部の上に取り付け可能であり、且つ、前記フィッティング基部に回転可能に係合したフィッティング特異部と補完し合うように構成された上部内側輪郭面を有する、回転調節可能な上部と、を含み、
前記回転調節可能な上部は、前記上部内側輪郭面の向きを変えて前記フィッティング特異部に揃えるべく、前記固定ベース部に対して回転可能である、請求項１に記載にシール成形システム。
【請求項６】
前記固定ベース部及び前記回転調節可能な上部は、相対回転中に前記ベース部と前記上部との軸方向アライメントを維持するためのアラインメント部を含む、請求項５に記載のシール成形システム。
【請求項７】
前記モールド体を前記パネル表面に対して付勢するために、前記モールド体に固定連結された少なくとも１つの磁石をさらに含み、
前記磁石は、前記パネルの反対側に配置され且つ追加のモールド体に連結された追加の磁石と磁気的に連結するように構成されている、請求項１に記載のシール成形システム。
【請求項８】
前記モールド体は、前記モールド体の両側に取り付けられた一対の磁石を含む、請求項７に記載のシール成形システム。
【請求項９】
フィッティングフランジの下面に連結できるよう、フィッティングフランジと補完し合う構成とされた底プレートをさらに含み、
前記モールド体は、前記フィッティングフランジを包囲し且つ予備成形シールを形成するためのシーラントを入れるモールドキャビティを形成するよう、前記底プレートに連結可能である、請求項１に記載のシール成形システム。
【請求項１０】
前記モールド体は、前記予備成形シールの外縁に注入口を形成するための少なくとも１つの穴形成用柱部を含む、請求項９に記載のシール成形システム。
【請求項１１】
前記フィッティング外側輪郭面及び前記パネル表面を模した下側プレート外側輪郭面を有するシール膜用下側プレートをさらに含み、
前記モールド体は、内部に注入されたシーラントによってシール膜を形成するためのモールドキャビティを規定するよう、前記シール膜用下側プレートと連結可能であり、
前記シール膜を取り外してパネルに取り付けられたフィッティングに接合できるよう、前記シール膜用下側プレートと前記モールド体は互いに分離可能である、請求項１に記載のシール成形システム。
【請求項１２】
前記モールド体は、前記シール膜を前記フィッティング及び前記パネルに接合するために前記シール膜に注入口を形成するための少なくとも１つの穴形成用柱部を含む、請求項１１に記載のシール成形システム。
【請求項１３】
パネルに取り付けられたフィッティングの周りにシールを形成する方法であって、
パネルに取り付けられたフィッティングのフィッティング外側輪郭面と補完し合うように形成されたモールド内側輪郭面を有するモールド体を用意することと、
前記モールド体を前記フィッティングに取り付けることと、
前記モールド体に形成された注入口に、前記モールド内側輪郭面及び前記フィッティング外側輪郭面によって封止されたモールドキャビティをシーラントが実質的に満たすまで、シーラントを注入することと、
シーラントを硬化させることと、
前記フィッティングから前記モールド体を外すこと、とを含む方法。
【請求項１４】
前記モールド体を用意する工程は、前記フィッティングの周りに組み付けるように構成された一対のモールド半体を用意することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記モールド半体を互いの鏡像体として用意することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月15日(2016.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様は、
第１の出力イネーブル信号により、隣接する行のゲート駆動信号を分離するゲート駆動回路と、
ゲート駆動信号をカットオフする必要がある場合、シールド信号をトリガ生成するシールド信号生成回路と、
前記シールド信号によって前記第１の出力イネーブル信号をシールドすることで、ゲート駆動信号をカットオフするゲートシールド回路と、
を備え、
前記第１の出力イネーブル信号が前記ゲートシールド回路の第１の入力端に入力され、前記シールド信号が前記ゲートシールド回路の第２の入力端に入力され、前記ゲートシールド回路の出力端が前記ゲート駆動回路に接続される表示駆動回路を提供する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示駆動回路であって、
第１の出力イネーブル信号により、隣接する行のゲート駆動信号を分離するゲート駆動回路と、
ゲート駆動信号をカットオフする必要があるとき、シールド信号をトリガ生成するシールド信号生成回路と、
前記シールド信号によって前記第１の出力イネーブル信号をシールドすることで、ゲート駆動信号をカットオフするゲートシールド回路と、
を備え、前記第１の出力イネーブル信号が前記ゲートシールド回路の第１の入力端に入力され、前記シールド信号が前記ゲートシールド回路の第２の入力端に入力され、前記ゲートシールド回路の出力端が前記ゲート駆動回路に接続される表示駆動回路。
【請求項２】
前記ゲートシールド回路は、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第１の電気抵抗、第２の電気抵抗及び第３の電気抵抗を備え、
前記第１のトランジスタは、ゲート電極が前記第１の入力端として前記第１の出力イネーブル信号を受信し、ソース電極が電源に接続され、ドレイン電極が前記第１の電気抵抗の一端に接続され、
前記第２のトランジスタは、ゲート電極が前記第２の入力端として前記シールド信号を受信し、ソース電極が電源に接続され、ドレイン電極が前記第３の電気抵抗の一端に接続されて前記出力端とされ、
前記第１の電気抵抗の他端は、前記第２の電気抵抗の一端及び前記第３の電気抵抗の他端に接続され、
前記第２の電気抵抗の他端が接地される請求項１に記載の表示駆動回路。
【請求項３】
前記シールド信号は、タイミングコントローラによりトリガ生成される請求項１又は２に記載の表示駆動回路。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示駆動回路を備える表示装置。
【請求項５】
請求項１に記載の前記表示駆動回路を駆動する駆動方法であって、
第１の出力イネーブル信号によって隣接する行のゲート駆動信号を分離する工程を備えるとともに、
ゲート駆動信号をカットオフする必要があるとき、シールド信号生成回路がシールド信号をトリガ生成する工程と、
ゲートシールド回路が前記シールド信号を検出したとき、第１の出力イネーブル信号をシールドすることで、ゲート駆動信号をカットオフする工程と、を備える駆動方法。
【請求項６】
前記シールド信号の電圧がハイレベルであるとき、前記第１の出力イネーブル信号をハイレベルにプルアップする請求項５に記載の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月7日(2016.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼供給源からの二酸化炭素を捕捉する方法であって、
燃料流およびＯ２含有流を燃焼領域に導入することと；
ＣＯ２を含む燃焼排出物を発生させるために、前記燃焼領域において燃焼反応を実行することと；
１つ以上の溶融カーボネート燃料電池の燃料電池アレイによって、前記燃焼排出物の少なくとも第１の部分を含むカソードインレット流を処理することであって、前記燃料電池アレイの少なくとも１つのカソードアウトレットからカソード排出物流を形成し、前記１つ以上の溶融カーボネート燃料電池が１つ以上の燃料電池アノードおよび１つ以上の燃料電池カソードを含み、前記１つ以上の溶融カーボネート燃料電池が、少なくとも１つのカソードインレットを介して前記燃焼領域に動作的に接続されていることと；
前記１つ以上の燃料電池アノード内で、前記１つ以上の燃料電池カソードからのカーボネートをＨ２と反応させ、電気と、前記燃料電池アレイの少なくとも１つのアノードアウトレットからのアノード排出物流であるＣＯ２とＨ２とを含むアノード排出物流とを発生させることと；
ＣＯ２欠乏アノード排出物流を形成するために、１つ以上の分離段階においてＣＯ２を前記アノード排出物流から分離することと；
前記ＣＯ２欠乏アノード排出物流の少なくとも燃焼リサイクル部分を前記燃焼領域に通過させることと；
前記ＣＯ２欠乏アノード排出物流の少なくともアノードリサイクル部分を前記１つ以上の燃料電池アノードへとリサイクルすることと
を含み、
前記１つ以上の燃料電池アノードにおける燃料利用が約６５％以下である、
方法。
【請求項２】
前記１つ以上の燃料電池アノードの前記燃料利用が約３０％〜約５０％である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つ以上の燃料電池アノードが複数のアノード段階を含み、かつ前記１つ以上の燃料電池カソードが複数のカソード段階を含み、前記複数のアノード段階における低利用アノード段階の燃料利用が、約６５％以下であり、前記低利用アノード段階が、前記複数のカソード段階の高ＣＯ２含有量のカソード段階に相当し、前記高ＣＯ２含有量のカソード段階が、前記複数のカソード段階のいずれかの他のカソード段階のカソードインレットにおけるＣＯ２含有量と同一またはそれよりも高いカソードインレットにおけるＣＯ２含有量を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記低利用アノード段階の前記燃料利用が、少なくとも約４０％である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のアノード段階のそれぞれのアノード段階の燃料利用が、約６５％以下である、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ＣＯ２欠乏アノード排出物流の前記燃焼リサイクル部分が、少なくとも約２５％の前記ＣＯ２欠乏アノード排出物流を含み、かつ前記ＣＯ２欠乏アノード排出物流の前記アノードリサイクル部分が、少なくとも約２５％の前記ＣＯ２欠乏アノード排出物流を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記１つ以上の燃料電池アノードに炭素含有燃料を通過させることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記炭素含有燃料の少なくとも一部分を改質して、Ｈ２を発生させることと；
前記１つ以上の燃料電池アノードに、前記発生したＨ２の少なくとも一部分を通過させることと
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記１つ以上の燃料電池アノードに入る前に、前記炭素含有燃料を改質段階に通過させることなく、前記炭素含有燃料を前記１つ以上の燃料電池アノードに通過させる、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記炭素含有燃料がＣＨ４を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記燃焼排出物が、約１０体積％以下のＣＯ２を含み、前記ＣＯ２を含む燃焼排出物が、少なくとも約４体積％のＣＯ２を任意に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記燃焼排出物の第２の部分を前記燃焼領域にリサイクルすることをさらに含み、前記燃焼排出物の第２の部分がＣＯ２を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記燃焼排出物の前記第２の部分を前記燃焼領域にリサイクルすることが、
前記燃焼排出物の第２の部分とＨ２Ｏ含有流との間で熱を交換して、蒸気を形成することと；
前記燃焼排出物の第２の部分から水を分離して、Ｈ２Ｏ欠乏燃焼排出物流を形成することと；
前記Ｈ２Ｏ欠乏燃焼排出物の少なくとも一部分を前記燃焼領域に通過させることと
を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記燃焼排出物の第２の部分が少なくとも約６体積％のＣＯ２を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記アノード排出物流が、１つ以上の分離段階において前記アノード排出物流からＣＯ２を分離することの前に、少なくとも約５．０体積％のＨ２を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記アノード排出物流を、水性ガスシフト触媒に暴露して、１つ以上の分離段階における前記アノード排出物流からＣＯ２を分離することの前に、シフトされたアノード排出物流を形成することをさらに含み、前記水性ガスシフト触媒への曝露後の前記シフトされたアノード排出物流のＨ２含有量が、前記水性ガスシフト触媒への曝露より前の前記アノード排出物流のＨ２含有量よりも高い、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＣＯ２欠乏アノード排出物流の前記燃焼リサイクル部分を前記燃焼領域に通過させる前に、前記ＣＯ２欠乏アノード排出物流の前記燃焼リサイクル部分を前記燃料流と組み合わせる、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
カソード排出物流が約２．０体積％以下のＣＯ２含有量を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
１つ以上の分離段階における前記アノード排出物流からＣＯ２を分離することが、前記アノード排出物流を冷却して、凝縮されたＣＯ２の相を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
１つ以上の分離段階における前記アノード排出物流からＣＯ２を分離することが、前記凝縮されたＣＯ２の相を形成する前に、前記アノード排出物流から水を分離することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月15日(2016.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
培養サンプル用装置であって、
複数のサンプルの少なくとも１つを培養するように構成された、少なくとも１つの独立してアクセス可能なモジュールを備え、前記少なくとも１つのモジュールは、光源、および、観察領域の掃引を可能にするために前記モジュールを通じて観察軸の回りを移動するように構成された可動式光学検査手段と関連付けられている装置。
【請求項２】
前記可動式光学検査手段の移動は、
前記観察軸に垂直なＸ−Ｙ面、および、
前記観察軸を含むＺ方向
の一つまたは組み合わせに制限される請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記可動式光学検査手段の移動は、偏心または環状である請求項１または請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記可動式光学検査手段は、楕円回転する対物レンズシステムによって移動するように構成された請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つのモジュールは、前記モジュール内の制御環境を有する培養チェンバを密閉するための蓋とラッチ機構とを備える請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記モジュールは、少なくとも培養サンプルを維持するための前記培養チェンバ内のガス組成、湿度、および温度の１つ以上をコントロールするための手段を備える請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つのモジュールは、平衡化手段を更に備える請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記可動式光学検査手段は、前記楕円回転する対物レンズシステムと接続されたカメラおよび顕微鏡の一方、または、組み合わせを備える請求項４から請求項７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
培養されたサンプルを収容するために間隔を空けて配置された複数の微小ウェルを含む培養皿を更に備え、前記培養皿は、前記モジュール内に配置されるように構成された請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記可動式光学検査手段に対して正確な位置に前記培養皿を配置するための位置合わせ手段を更に備える請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記培養皿は、培養されたサンプル、および、処理流体の少なくとも一方を収容するための湿潤性を改善する表面処理部を更に含む請求項９または請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記培養皿は、それぞれの培養サンプルに特有の細部を捉えるために、ＲＦＩＤ、バーコードあるいはＯＣＲシステムの１つまたは組み合わせと関連付けられている請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記捉えられた細部を表示するためのディスプレイを、更に備える請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記ガス組成、湿度および温度の１つ以上をコントロールするための前記手段は、それらを個々の培養サンプルについてコントロールするように構成される請求項６に記載の装置。
【請求項１５】
生存能力に関して培養サンプルを評価する方法であって、
独立してアクセス可能なモジュールの培養チェンバ内に、楕円配置で生体サンプルを配設する工程と、
個々のサンプルの発達の経時的測定を得るために、モジュールを通じて観察軸に垂直なＸ−Ｙ面内で駆動される光学検査手段を用いて、前記楕円配置の個々のサンプルを画像化する工程と、
を含む方法。
【請求項１６】
個々のサンプルの画像をデータ処理手段に送信して、前記個々のサンプルの発達の経時的測定を得る工程を更に含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
複数の独立した培養チェンバ内において、温度、ガス供給、ＣＯ２レベル、および、湿度の１つまたは組み合わせを独立してコントロールする請求項１５または請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記個々のサンプルを画像化する工程は、前記経時的測定において、後のサンプル発達イベントを評価するための基準点として、配偶子接合を利用することを含む請求項１５、請求項１６、または請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記培養サンプルは、解凍された胚を備え、前記画像化の工程は、胚の拡大および生存能力を評価するための測定を含む請求項１５、請求項１６、または請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
培養サンプルの自動評価を実行するように構成された装置であって、
所定の命令セットに従って動作するように構成されたプロセッサ手段を含み、前記装置は、前記命令セットに従う前記プロセッサ手段の動作を伴って、請求項１５から請求項１９のいずれか１項に記載された方法を実行するように構成された装置。
【請求項２１】
コンピュータプログラム製品であって、
データ処理システム内で培養サンプルの自動評価を行うために、コンピュータ読取可能なプログラムコードおよびコンピュータ読取可能なシステムコードを有するコンピュータ読取可能な媒体を備え、
前記コンピュータ読取可能な媒体内に、請求項１５から請求項１９のいずれか１項に記載の方法を実行するためのコンピュータ読取可能なコードを含むコンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月3日(2016.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
局所的適用によって毛髪を成長させるための組成物であって、
０．３質量％〜４質量％の量で含有される遊離型のビマトプロストまたはその薬剤的に許容できる塩、
エタノール、
プロピレングリコール、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル、
ベンジルアルコール、並びに
グリセリルモノオレエート及びオレイン酸から成る群から選択される少なくとも1種の化合物
を含み、
皮膚に局所的投与ができるよう製剤化された、前記組成物。
【請求項２】
前記組成物がビマトプロストを１質量％〜４質量％の量で含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記組成物がビマトプロストを２．５質量％〜３．５質量％の量で含む、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記組成物がビマトプロストを３質量％の量で含む、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記組成物が、溶液、ゲル、軟膏、泡、膜、リニメント、クリーム、シャンプー、ローション、ペースト、ゼリー、スプレー、及びエアロゾルからなる群より選択される１つの形態である、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物が、皮膚への塗布のための塗布器をもったキットに包装される、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記組成物が頭皮に適用される、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記組成物が少なくとも１日に１回適用される、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記組成物が、円形脱毛症、休止期脱毛、成長期脱毛、瘢痕性脱毛、瘢痕性脱毛；毛幹異常、結節性裂毛、成長期脱毛症候群、抜毛癖、牽引性脱毛；感染性毛髪障害、頭部白癬、脂漏性皮膚炎、頭皮の毛包炎、及び男性型脱毛症からなる群より選択される状態の治療のために頭皮に適用される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記組成物が、化学療法、ホルモンの失調、頭皮の真菌感染症、抗凝固剤、並びに、痛風用、うつ病用、高血圧用、及び心疾患用の医薬による脱毛を経験している患者の頭皮及び眉毛の１つまたは両方に適用される、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
毛髪の成長を促進する組成物であって、前記組成物は、
エタノール、プロピレングリコール及びジエチレングリコールモノエチルエーテルを含む第１の浸透促進剤グループと、
有効量の、グリセリルモノオレエート、オレイン酸及びベンジルアルコールからなる群から選択される少なくとも２つの化合物を含む第２の浸透促進剤グループと
の組み合わせを含む、少なくとも１つの浸透促進剤と；
１〜４質量％の量で含有される遊離型のビマトプロストまたはその薬剤的に許容できる塩とを含み、
皮膚に局所的投与ができるよう製剤化された、前記組成物。
【請求項１２】
前記組成物が、７０質量％のエタノール、１０質量％のジエチレングリコールモノエチルエーテル、１０質量％のプロピレングリコール、２質量％のグリセリルモノオレエート、及び１質量％のベンジルアルコールを含む、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記組成物が、６７質量％のエタノール、１０質量％のジエチレングリコールモノエチルエーテル、１０質量％のプロピレングリコール、２質量％のグリセリルモノオレエート、２質量％のオレイン酸及び１質量％のベンジルアルコールを含む、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１４】
ビマトプロストが、１質量％の量で含まれる、請求項１２又は１３に記載の組成物。
【請求項１５】
ビマトプロストが、３質量％の量で含まれる、請求項１２又は１３に記載の組成物。
【請求項１６】
前記組成物が、１質量％の量でビマトプロストを含む、請求項２に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月1日(2016.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結合耐火物成形型の製造方法であって、
熱により取り払い可能な材料を含む散逸パターンを形成する工程と、
耐火材料を含むとともにスプルー、ゲートおよびモールド・キャビティを形成する型壁部を備える耐火物成形型を形成する工程であって、前記スプルーはその端部にスプルー出口を有し、前記ゲートは、前記スプルー内に開放されるゲート入口および前記モールド・キャビティ内に開放されるゲート出口を含み、前記型は散逸パターンによって形成される、耐火物成形型を形成する工程と、
前記スプルー出口以外の、前記ゲートおよび前記スプルーのうちの少なくとも１つにおける前記型壁部を通して延びる個別の開口を含むガス通気孔を形成する工程と、
前記型壁部の外側表面上に配置されるとともに前記開口を覆うガス透過性カバーにより前記ガス通気孔を覆う工程とを含み、前記ガス透過性カバーは、前記開口を通して前記型内に至る通路から、前記型を包囲する支持媒体を排除するように構成されることを特徴とする耐火物成形型の製造方法。
【請求項２】
前記散逸パターンを形成する工程は、複数のパターン部を組み立てる工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記熱により取り払い可能な材料は、ろうまたはポリマ、あるいはこれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記散逸パターンを形成する工程は、スプルー入口と流体連通するとともに該スプルー入口から前記スプルー出口に内側に延びる前記スプルーに配置される前記散逸パターンの一部にスプルー・チャネルを形成する工程と、スプルー出口カバーにより前記スプルー出口を覆う工程とをさらに含み、前記スプルー出口カバーは、前記スプルー出口を覆うとともに前記スプルーから前記カバーの外側表面に対して設けられる前記支持媒体を排除するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記スプルー・カバーはガス透過性カバーを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記スプルー・カバーは、ガス不透性カバーを含み、さらに前記散逸パターンに通気孔チャネルを形成する工程を含み、同通気孔チャネルは、前記スプルー・チャネルと流体連通するとともに前記スプルー・チャネルから前記ガス通気孔に延びることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記通気孔チャネルを形成する工程および前記ガス通気孔を形成する工程は、前記型壁部および前記パターンを通して前記スプルー・チャネル内に開放される穴をドリリングにより形成する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記耐火物成形型を形成する工程は、前記散逸パターン上に結合セラミックを設ける工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記結合セラミックを設ける工程は、前記散逸パターン上に無機質バインダに設けられる複数のセラミック粒子を適用する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記散逸パターン上に無機質バインダに設けられる複数のセラミック粒子を適用する工程は、前記散逸パターン上に前記セラミック粒子および前記無機質バインダの複数の連続層を適用する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記型壁部を通して延びるガス通気孔を形成する工程は、前記型壁部を通して穴を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記型壁部を通して延びるガス通気孔を形成する工程は、前記型壁部内に前記開口を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記型壁部内に前記開口を形成する工程は、前記型壁部を通してドリリングにより穴を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記型壁部を通して前記開口を形成する工程は、前記ゲートおよび前記スプルーのうちの少なくとも一方に穴をドリリングにより形成する工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記型壁部を通して延びるガス通気孔を形成する工程は、前記ゲートまたは前記スプルー、あるいは前記ゲートおよび前記スプルーの両方に複数のガス通気孔を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記複数のガス通気孔を形成する工程は、前記型壁部を通して複数の穴をドリリングによって形成する工程を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記型壁部を通して前記複数の穴をドリリングによって形成する工程は、予め定められた数の穴であって、予め定められた穴位置および予め定められた穴径を各々有する穴をドリリングによって形成する工程を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記型内で略一様な熱応答特性が得られるように、前記予め定められた数の穴、前記予め定められた穴位置、および前記予め定められた穴径を設定する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記パターンの前記熱により取り払い可能な材料を取り払うために、前記スプルーの入口内に熱源から熱を適用することにより、前記型を加熱する工程をさらに含み、前記略一様な熱応答特性は、前記モールド・キャビティの略一様な温度であることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ガス透過性カバーにより前記ガス通気孔を覆う工程は、前記ガス通気孔を覆うために前記型の外側表面上に金属製スクリーンあるいは多孔質の耐火材料を設ける工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記ガス通気孔は、前記モールド・キャビティ内の前記型壁部を通して延びる個別の開口をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
例示的な実施形態において、結合耐火物成形型を製造する方法が開示される。方法は、熱により取り払い可能な材料を含む散逸パターンを形成する工程を含む。方法は、耐火材料を含むとともにスプルー、ゲートおよびモールド・キャビティを形成する型壁部を備える耐火物成形型を形成する工程をさらに含み、スプルーはその端部にスプルー出口を有し、ゲートは、スプルー内に開放されるゲート入口およびモールド・キャビティ内に開放されるゲート出口を含み、型は散逸パターンによって形成される。方法はスプルー出口以外の、ゲートおよびスプルーのうちの少なくとも１つにおける型壁部を通って延びる個別の開口を含むガス通気孔を形成する工程をさらに含む。方法は型壁部の外側表面上に配置されるとともに開口を覆うガス透過性カバーによりガス通気孔を覆う工程をさらに含む。ガス透過性カバーは、開口を通して型内に至る通路から、型を包囲する支持媒体を排除するように構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使い捨て式グリル（１）であって、
底部部分（３）と頂部開口部（５）とを少なくとも含むベーストレイ（２）と、
荷重支持構造（７）を備える焼き網手段（６）であって、前記頂部開口部（６）の少なくとも一部分を覆うようになっている焼き網手段（６）と、を備え、
前記ベーストレイ（２）の前記底部部分（３）と、前記焼き網手段（６）の前記荷重支持構造（７）と、が可燃性材料によって形成されている、
ことを特徴とする使い捨て式グリル（１）。
【請求項２】
前記ベーストレイ（２）は、さらに、前記底部部分（３）から上方に突き出る１つ又は複数の壁（４）を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の使い捨て式グリル（１）。
【請求項３】
前記底部部分（３）と前記ベーストレイ（２）の前記１つ又は複数の壁（４）は、前記可燃性材料によって一体構造の形に形成されている、ことを特徴とする請求項２に記載の使い捨て式グリル（１）。
【請求項４】
前記焼き網手段（６）の前記荷重支持構造（７）は、前記可燃性材料によって一体構造の形に形成されている、ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の使い捨て式グリル（１）。
【請求項５】
前記焼き網手段（６）の頂部表面（１６）は、実質的に油脂不浸透性である表面被覆（８）を備える、ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の使い捨て式グリル（１）。
【請求項６】
前記焼き網手段（６）の底部表面（１７）は、実質的に耐火性である表面被覆（９）を備える、ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の使い捨て式グリル（１）。
【請求項７】
前記ベーストレイ（２）の前記底部部分（３）の外側表面（１５）の少なくとも一部分が、実質的に耐火性である表面被覆（９）を備える、ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の使い捨て式グリル（１）。
【請求項８】
前記耐火性表面被覆（９）は１つ又は複数の天然材料で全体的に作られている、ことを特徴とする請求項６又は７に記載の使い捨て式グリル（１）。
【請求項９】
前記可燃性材料は実質的にカーボンニュートラルである、ことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の使い捨て式グリル（１）。
【請求項１０】
前記１つ又は複数の壁（４）は、前記ベーストレイ（２）の周縁部（１１）において前記焼き網手段（６）を支持するための焼き網手段支持手段（１０）を備える、ことを特徴とする請求項２又は３に記載の使い捨て式グリル（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月1日(2016.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結合耐火物成形型を使用する方法であって、
熱により取り払い可能な材料を含む散逸パターン上で耐火材料を含むとともにスプルー、ゲートおよびモールド・キャビティを形成する型壁部を備える耐火物成形型を形成する工程であって、該スプルーはその端部にスプルー出口を有し、前記ゲートは、前記スプルー内に開放されるゲート入口および前記モールド・キャビティ内に開放されるゲート出口を有し、また、前記スプルー出口以外の、前記ゲートおよび前記スプルーのうちの少なくとも一方における前記型壁部を通して延びる個別の開口を含むガス通気孔、並びに前記型壁部とは別であるとともに前記型壁部の外側表面上に配置され、かつ前記ガス通気孔の前記開口を覆うガス透過性耐火材料を有し、同ガス透過性耐火材料は前記開口を通して前記型内に至る通路から、前記型を包囲する支持媒体を排除するように構成され、前記散逸パターンは、スプルー入口に流体連通するとともにスプルー出口に向かって延びるスプルー・チャネルを有するスプルー部を有する、耐火物成形型を形成する工程と、
前記熱により取り払い可能な材料を取り払うべく高温ガスにより前記耐火物成形型を加熱する工程とを含み、前記高温ガスの一部は、前記耐火物成形型から前記ガス通気孔を通して排出されることを特徴とする耐火物成形型の使用方法。
【請求項２】
型フラスコに前記型を配置するとともに前記耐火物成形型の周囲に前記支持媒体を設ける工程をさらに含み、これにより、前記熱により取り払い可能な材料を取り払った後に溶融金属が前記モールド・キャビティ内で鋳造可能となるのに十分に前記耐火物成形型を支持することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記加熱工程は、前記高温ガスを前記ガス通気孔および前記型壁部を通過させることにより、前記型の内側表面および外側表面を加熱する工程を含み、前記内側表面は、前記モールド・キャビティを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ヒーターの排気フローから前記スプルー入口内への前記高温ガスによって前記内側表面は加熱されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記スプルー入口は前記型の底面に配置されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記耐火物成形型は、前記スプルー出口を覆うガス透過性カバーをさらに含み、高温の前記排気フローの第１の部分は前記カバーを通過し、前記排気フローの第２の部分は前記ガス通気孔を通過することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記耐火物成形型は、前記スプルー出口を覆うガス不透性カバーをさらに含み、前記パターンは、前記スプルー・チャネルと流体連通するとともに前記スプルー・チャネルから前記ガス通気孔に延びる通気孔チャネルをさらに含み、前記排気フローの一部は、前記通気孔チャネルおよび前記ガス通気孔を通過することを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記ガス通気孔は複数のガス通気孔を含み、前記排気フローの前記第２の部分は、前記複数のガス通気孔を通過することを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記複数のガス通気孔は予め定められた数の穴を含み、各穴は、予め定められた穴位置および予め定められた穴径を有することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記加熱工程の間に前記型内で略一様な熱応答特性が得られるように、前記予め定められた数の穴、前記予め定められた穴位置、および前記予め定められた穴径を設定する工程をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記略一様な熱応答特性は、前記加熱工程の間に前記モールド・キャビティ内の複数の位置で略一様な温度を保持する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数の位置は前記モールド・キャビティの底部の位置、および前記モールド・キャビティの頂部の位置を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数の位置は前記モールド・キャビティの外周の周囲に複数の径方向に分離された位置を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の位置は前記モールド・キャビティの頂部および底部における前記型の外周の周囲に複数の径方向に分離された位置を含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
溶融材料を前記モールド・キャビティ内で鋳造する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記鋳造工程は反重力鋳造工程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記型壁部は、ガス不透過性の型壁部からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記ガス透過性の耐火材料は、耐火金属製スクリーンまたは多孔質の耐火材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記多孔質の耐火材料は、多孔質の耐火織物または多孔質の耐火セラミックを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記ガス通気孔は、複数のガス通気孔を含み、同複数のガス通気孔は、前記スプルー、前記ゲート、あるいは前記モールド・キャビティ上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
例示的な実施形態において、結合火物成形型を使用する方法が開示される。方法は、熱により取り払い可能な材料を含む散逸パターン上で耐火材料を含むとともにスプルー、ゲートおよびモールド・キャビティを形成する型壁部を備える耐火物成形型を形成する工程を含み、スプルーはその端部にスプルー出口を有し、ゲートは、スプルー内に開放されるゲート入口およびモールド・キャビティ内に開放されるゲート出口を有し、また、スプルー出口以外の、ゲートおよびスプルーのうちの少なくとも一方における型壁部を通して延びる個別の開口を含むガス通気孔、並びに型壁部とは別であるとともに型壁部の外側表面上に配置され、かつガス通気孔の開口を覆うガス透過性耐火材料を有する。ガス透過性耐火材料は開口を通して型内に至る通路から、型を包囲する支持媒体を排除するように構成される。散逸パターンは、スプルー入口に連通するとともにスプルー出口に向かって延びるスプルー・チャネルを有するスプルー部を有する。方法は、高温ガスで耐火物成形型を加熱する工程をさらに含み、高温ガスの一部はガス通気孔を通して耐火物成形型から排出される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月16日(2016.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
下記の表１は、前で開示した１以上の実施形態を用いた実験データからの例を示す。堆積は、カリフォルニア州サンタクララにあるアプライドマテリアルズ社から入手可能なＡＫＴ−５５００  ＰＸ  ＰＥＣＶＤチャンバ内で実行され、処理された基板のｓｃｃｍ／ｃｍ２で統一された。本明細書に記載される実施形態は、異なるサイズの基板及び異なるサイズのチャンバを補償するために拡大又は縮小させることができると理解されるべきである。以下に記載される例の各々に示されるように、堆積パラメータ（例えば、流量、温度、及び圧力）は、Ｎ２Ｏ流量を除いて同じに維持された。
【表１】
2016512651.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたＯＬＥＤ構造と、
ＯＬＥＤ構造及び基板の露出面上に形成された１以上の無機層を含む、ＯＬＥＤ構造上に形成された多層封止層であって、１以上の無機層のうちの少なくとも１つは、酸素ドープされた窒化ケイ素を含む多層封止層とを含むＯＬＥＤデバイス。
【請求項２】
無機層の水蒸気透過率は、１００ｍｇ／ｍ２・日未満である、請求項１記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項３】
ＯＬＥＤ構造は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を含む、請求項１記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項４】
１以上の無機層は、窒化ケイ素を含み、−２×１０９ダイン／ｃｍ２〜−０．１×１０９ダイン／ｃｍ２の応力を有する、請求項１記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項５】
１以上の無機層は、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、又はそれらの組み合わせを更に含む、請求項１記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項６】
基板上に形成されたＯＬＥＤ構造と、
ＯＬＥＤ構造上に形成された多層封止層であって、
ＯＬＥＤ構造及び基板の露出面上に形成された第１無機層と、
第１無機層上に形成された１以上の有機層と、
１以上の有機層のうちの少なくとも１つの上に形成された１以上の第２無機層であって、１以上の第２無機層のうちの少なくとも１つは、酸素含有ガスでドープされた窒化ケイ素を含む１以上の第２無機層とを含む多層封止層とを含むＯＬＥＤデバイス。
【請求項７】
酸素含有ガスは、亜酸化窒素である、請求項６記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項８】
酸素含有ガスは、一酸化窒素、又はオゾンである、請求項６記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項９】
無機層の水蒸気透過率は、１００ｍｇ／ｍ２・日未満である、請求項６記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１０】
ＯＬＥＤ構造は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を含む、請求項６記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１１】
１以上の第２無機層のうちの少なくとも１つは、窒化ケイ素を含み、−２×１０９ダイン／ｃｍ２〜−０．１×１０９ダイン／ｃｍ２の応力を有する、請求項６記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１２】
１以上の第２無機層は、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、又はそれらの組合せを更に含む、請求項６記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１３】
第１無機層は、無機窒化物又は無機酸化物層である、請求項６記載のＯＬＥＤデバイス。
【請求項１４】
１以上の第２無機層は、無機窒化物又は無機酸化物層である、請求項６記載のＯＬＥＤデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月5日(2016.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３−ヒドロキシプロピオン酸及び／又はその塩を含む発酵ブロスから３−ヒドロキシプロピオン酸が富化された組成物を回収する方法であって、
（ａ）２〜８のｐＨを有する発酵ブロスを提供する工程であって、前記発酵ブロスは、
３−ヒドロキシプロピオン酸及び／又はその塩、及び
硫酸イオン及びリン酸イオン、を含む、工程と、
（ｂ）工程（ａ）の前記発酵ブロスの３−ヒドロキシプロピオン酸及び／又はその塩の濃度を、前記発酵ブロスに存在する少なくとも一部の液体を蒸発させることによって、ブロス１リットル当たり１００〜５００ｇの３−ヒドロキシプロピオン酸当量まで、増加させる工程と、
（ｃ）工程（ｂ）の前記発酵ブロスを酸性化し、ｐＨを１〜３まで低下させて、３−ヒドロキシプロピオン酸を含む水溶液を形成する工程と、
（ｄ）水溶液の全硫酸イオン及びリン酸イオン濃度を低減させて、３−ヒドロキシプロピオン酸を含むイオン低減化水溶液を生成する工程と、
（ｅ）イオン低減化水溶液に真空及び熱を加えて、１〜３のｐＨでイオン低減化水溶液を蒸留し、３−ヒドロキシプロピオン酸を含む水性蒸留生成物を形成する工程と、
（ｆ）少なくとも３０重量％の前記水性蒸留生成物の濃度で、前記３−ヒドロキシプロピオン酸を含む水性蒸留生成物を回収する工程と、を含み、前記蒸留生成物は、存在する３−ヒドロキシプロピオン酸１００重量部当たり、５重量部未満のアクリル酸を含む、方法。
【請求項２】
前記発酵ブロスの３−ヒドロキシプロピオン酸及び／又はその塩の濃度が、ブロス１リットル当たり３−ヒドロキシプロピオン酸当量の１４０〜４００ｇに増加される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記蒸留工程（ｅ）の前に、
（ｇ）工程（ｄ）の前記イオン低減化水溶液の３−ヒドロキシプロピオン酸の濃度を、前記イオン低減化水溶液に存在する一部の液体を蒸発させることによって、前記溶液の３０重量％〜７０重量％に増加させる工程、を更に含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
工程（ｄ）の前に前記発酵ブロスに存在する微生物細胞の量を減少させる工程（ｈ）を更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記酸性化工程（ｃ）の前に前記減少させる工程（ｈ）が行われる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
工程（ｄ）の前に３−ヒドロキシプロピオン酸を含む水溶液に存在する石膏の量を減少させる工程（ｉ）を更に含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
全硫酸イオン及びリン酸イオン濃度が、工程（ｄ）で３０００ｐｐｍ未満に減少し、
工程（ｅ）の蒸留より前の前記イオン低減化水溶液の３−ヒドロキシプロピオン酸の濃度が３０重量％〜７０重量％であり、
蒸留工程（ｅ）がイオン低減化水溶液を１３０℃〜１５０℃の温度まで加熱することを含み、
前記蒸留工程（ｅ）が１０〜３５ｍｍ  Ｈｇの絶対圧力下で行われ、
工程（ｆ）で回収された前記水性蒸留生成物が、３−ヒドロキシプロピオン酸の１００重量部当たり０．５重量部未満のアクリル酸を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記発酵ブロスが工程（ａ）において２〜５のｐＨを有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記３−ヒドロキシプロピオン酸は、前記水性蒸留生成物の重量に対して少なくとも４０重量％の濃度で、工程（ｆ）において回収される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
工程（ｆ）で回収された前記水性蒸留生成物が、存在する３−ヒドロキシプロピオン酸の１００重量部当たり３重量部未満のアクリル酸を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
工程（ｆ）で回収された前記水性蒸留生成物が、３−ヒドロキシプロピオン酸の１００重量部当たり１重量部未満のアクリル酸を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記蒸留工程（ｅ）が前記イオン低減化水溶液を１２０℃〜１８０℃の温度まで加熱することを含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記工程（ａ）の発酵ブロスの３−ヒドロキシプロピオン酸及び／又はその塩の濃度が、ブロス１リットル当たり３０〜２００ｇの３−ヒドロキシプロピオン酸当量である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記水溶液の全硫酸イオン及びリン酸イオン濃度を減少させる工程（ｄ）がイオン交換体を利用して行われる、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記工程（ｅ）の蒸留より前のイオン低減化水溶液の３−ヒドロキシプロピオン酸の濃度が３０重量％〜６０重量％である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記発酵ブロス中の３−ヒドロキシプロピオン酸及び／又はその塩の濃度が、ブロス１リットル当たり２００〜３３０グラムの３−ヒドロキシプロピオン酸又は当量まで増加される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月8日(2016.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸を中心に回転する回転体に隣接して配置された１以上のセンサと、
前記回転体上に配置され、その磁界が前記センサに影響を及ぼし、かつ、前記回転体の一部を磁化する１以上の磁石と、
を備え、
前記１以上のセンサは、磁束を示す出力信号を生成し、それにより、前記出力信号は、前記回転体の位置を示す、
ことを特徴とする回転位置検知装置。
【請求項２】
前記回転体は、複数の歯を備え、当該複数の歯は、それぞれ、前記回転体の外周から延伸する、ことを特徴とする請求項１に記載の回転位置検知装置。
【請求項３】
前記１以上のセンサは、前記回転体の歯に対して略垂直に軸方向に並べられている、ことを特徴とする請求項２に記載の回転位置検知装置。
【請求項４】
前記１以上のセンサの隣接するセンサ間の距離は、前記回転体の歯と複数の前記歯の間の谷との間の距離と略等しい、ことを特徴とする請求項３に記載の回転位置検知装置。
【請求項５】
１以上の検出器が前記回転体に隣接して配置される、ことを特徴とする請求項２に記載の回転位置検知装置。
【請求項６】
前記１以上の検出器は、その検出方法を、前記回転体の歯と同期させる、ことを特徴とする請求項５に記載の回転位置検知装置。
【請求項７】
前記１以上の磁石の、前記１以上のセンサに対する軸方向及び垂直方向位置は、前記１以上の磁石の磁力強度及び前記１以上のセンサの感度に応じて異なる、ことを特徴とする請求項１に記載の回転位置検知装置。
【請求項８】
前記回転体の外周に配置された複数の消磁用磁石をさらに備え、当該消磁用磁石は、前記回転体を略均一に磁化する、ことを特徴とする請求項１に記載の回転位置検知装置。
【請求項９】
前記複数の消磁用磁石は、交互に異なる極性を有するように配置され、交流消磁パターンを形成する、ことを特徴とする請求項８に記載の回転位置検知装置。
【請求項１０】
前記１以上のセンサは、それぞれ、フラックスゲートセンサである、ことを特徴とする請求項１に記載の回転位置検知装置。
【請求項１１】
少なくとも１の前記センサは、誘導ピックアップとして機能するフラックスゲートセンサである、ことを特徴とする請求項１に記載の回転位置検知装置。
【請求項１２】
少なくとも１の前記センサは、誘導ピックアップである、ことを特徴とする請求項１に記載の回転位置検知装置。
【請求項１３】
前記回転体は、少なくとも１の前記センサと、少なくとも１の前記磁石との間で軸方向に配置される、ことを特徴とする請求項１に記載の回転位置検知装置。
【請求項１４】
少なくとも１の前記センサは、前記回転体の第１の周端に配置され、少なくとも１の前記磁石は、前記少なくとも１の前記センサから略１８０度離間した位置に配置される、ことを特徴とする請求項１に記載の回転位置検知装置。
【請求項１５】
回転体の位置を検知する方法であって、
回転体の一部を磁石によって磁化し、
回転軸を中心に回転する前記回転体の磁束を測定し、
前記回転体の位置を示す出力信号を生成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記磁束を、前記回転体の近傍に配置された１以上のセンサで測定する、ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記１以上のセンサは、フラックスゲートセンサである、ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
さらに、前記測定した磁束を増幅して増幅した出力信号を生成する、ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回転位置検知装置および回転体の位置を検知する方法