(57)【要約】【課題】  半導体ウェハ及び接着剤層を分断するステルスダイシング工程等におけるエキスパンド時に半導体ウェハ及び接着剤層を適度に分断できるウェハ加工用テープ、及びウェハ加工用テープの製造方法を提供する。【解決手段】  テープの基部をなす剥離基材と、前記半導体ウェハの平面形状に対応して前記剥離基材の一面側に設けられた接着剤層と、前記接着剤層を覆うように設けられた粘着剤層と、前記粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、前記粘着剤層及び前記基材フィルムは、前記接着剤層よりも外側にはみ出す領域が前記ウェハリングへの貼付領域となっており、前記基材フィルムの前記接着剤層と重なる部分の領域には、前記接着剤層側とは反対側から複数の切込部が形成されているウェハ加工用テープ。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープであって、テープの基部をなす剥離基材と、前記半導体ウェハの平面形状に対応して前記剥離基材の一面側に設けられた接着剤層と、前記接着剤層を覆うように設けられた粘着剤層と、前記粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、前記粘着剤層及び前記基材フィルムは、前記接着剤層よりも外側にはみ出す領域が前記ウェハリングへの貼付領域となっており、前記基材フィルムの前記接着剤層と重なる部分の領域には、前記接着剤層側とは反対側から複数の切込部が形成されているウェハ加工用テープ。
【請求項２】
前記切込部は、前記基材フィルムを貫通していない請求項１記載のウェハ加工用テープ。
【請求項３】
前記基材フィルムの厚さをａ、前記切込部の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たす請求項１又は請求項２に記載のウェハ加工用テープ。
【請求項４】
半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープの製造方法であって、テープの基部をなす剥離基材、及び前記半導体ウェハの平面形状に対応して前記剥離基材の一面側に設けられた接着剤層からなる接着フィルムを準備する第１の準備工程と、基材フィルム及び前記基材フィルムの一面側に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムを用意する第２の準備工程と、前記粘着フィルムにおいて、前記接着剤層と重なる部分の基材フィルムに、前記基材フィルムの接着剤層側とは反対面から切込部を形成する切込工程と、前記接着剤層と前記粘着剤層とを向き合わせて前記接着フィルムと前記粘着フィルムとを貼り合わせる貼合工程と、を備えるウェハ加工用テープの製造方法。
【請求項５】
前記切込工程において、前記基材フィルムを貫通しないように前記切込部を形成する請求項４記載のウェハ加工用テープの製造方法。
【請求項６】
前記切込工程において、前記基材フィルムの厚さをａ、前記切込部の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たすように前記切込部を形成する請求項４又は請求項５に記載のウェハ加工用テープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディング等に用いられるウェハ加工用テープ、及びウェハ加工用テープの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル関連機器の多機能化及び軽量・小型化の要求が急速に高まってきている。これに伴い、半導体チップの高密度実装に対するニーズが強まっており、特に半導体チップを積層するスタックドマルチチップパッケージの開発がその中心となっている。スタックドマルチチップパッケージでは、ダイボンディング工程において半導体チップ同士を積層・接着する場合もある。このような半導体チップの製造工程では、ダイシング工程における半導体ウェハの固定や、ダイボンディング工程における半導体チップとリードフレーム等との接着に併用できるウェハ加工用テープの導入が進められている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
このようなウェハ加工用テープを作製する場合、まず、剥離基材上に接着剤層を形成してなる接着フィルムと、基材フィルム上に粘着剤層を形成してなるダイシングフィルムとを用意し、接着剤層と粘着剤層とを向き合わせて貼り合わせる。次に、基材フィルム・接着剤層・粘着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、所望の形状のウェハ加工用テープを得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−８８４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のようなウェハ加工用テープを用いて半導体ウェハの加工を行う場合、半導体ウェハにウェハ加工用テープを貼り付けた後、半導体ウェハを個片化する工程（ダイシング工程）へと移る。従来では当該ダイシング工程としてブレードを用いたダイシングが主流であったが、半導体ウェハの薄膜化に伴い、レーザにより半導体ウェハを改質したのち、冷却下でエキスパンドすることで、半導体ウェハ及び接着剤層を分断するステルスダイシング工程等が検討されている。当該冷却下でのエキスパンド時に基材フィルムの強度が適切でないと、半導体ウェハ及び接着剤層をうまく分断することができず、工程の実施に支障をきたす恐れがある。
【０００６】
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、当該エキスパンド時に半導体ウェハ及び接着剤層を適度に分断できるウェハ加工用テープ、及びウェハ加工用テープの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題の解決のため、本発明に係るウェハ加工用テープは、半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープであって、テープの基部をなす剥離基材と、半導体ウェハの平面形状に対応して剥離基材の一面側に設けられた接着剤層と、接着剤層を覆うように設けられた粘着剤層と、粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、粘着剤層及び基材フィルムは、接着剤層よりも外側にはみ出す領域がウェハリングへの貼付領域となっており、基材フィルムの接着剤層と重なる部分の領域には、接着剤層側とは反対側から複数の切込部が形成されている。この切込部は、粘着剤層には達しない深さで形成されていることが好ましい。
【０００８】
このウェハ加工用テープでは、接着剤層と重なる部分の基材フィルムにのみ、基材フィルムの接着剤層側とは反対側から点状の切込部が形成されている。この切込部の形成により、エキスパンドによって基材フィルムが平面方向の外側に向かって均等に張力が作用すると、点状の切込部が円形に拡張されることで、基材フィルムを切込部がない場合に比べて、より容易に引っ張ることができる。したがって、このウェハ加工用テープでは、エキスパンド時に、半導体ウェハ及び接着剤層の分断性を向上させることができる。
【０００９】
また、切込部が接着剤層と重なる基材フィルムに可能な限り多く加工されていることが好ましい。この場合、基材フィルムをより容易に引っ張ることができるため、半導体ウェハ及び接着剤層の分断性を向上させることできる。ただし、切込部が多すぎる場合、エキスパンド時に基材フィルムが破れてしまう恐れがある。
【００１０】
また、切込部は、基材フィルムを貫通していないことが好ましい。基材フィルムを貫通する場合、エキスパンド時に基材フィルムが破れてしまう恐れがある。
【００１１】
また、基材フィルムの厚さをａ、切込部の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たすことが好ましい。この条件を満たすことで、切込部の作用を十分に発揮させることが可能となる。
【００１２】
また、本発明に係るウェハ加工用テープの製造方法は、半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープの製造方法であって、テープの基部をなす剥離基材、及び前記半導体ウェハの平面形状に対応して前記剥離基材の一面側に設けられた接着剤層からなる接着フィルムを準備する第１の準備工程と、基材フィルム及び前記基材フィルムの一面側に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムを用意する第２の準備工程と、前記粘着剤層及び前記基材フィルムにおいて、前記接着剤層と重なる部分の基材フィルムに、前記基材フィルムの接着剤層側とは反対面から切込部を形成する切込工程と、前記接着剤層と前記粘着剤層とを向き合わせて前記接着フィルムと前記粘着フィルムとを貼り合わせる貼合工程と、を備える。
【００１３】
また、切込工程において、切込部を複数形成することが好ましい。この場合、エキスパンド時に半導体ウェハと接着剤層との分断性を一層向上させることができる。
【００１４】
また、切込工程において、基材フィルムを貫通しないように切込部を形成することが好ましい。基材フィルムを貫通する場合、エキスパンド時に基材フィルムが破れてしまう恐れがある。
【００１５】
また、切込工程において、フィルム基材の厚さをａ、切込部の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たすように切込部を形成することが好ましい。この条件を満たすことで、切込部の作用を十分に発揮させることが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、エキスパンド時、半導体ウェハ及び接着剤層を容易に分断することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】ウェハリングへのウェハ加工用テープの取り付け方法を示す図である。
【図４】図３におけるＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図５】半導体ウェハをレーザ光によって改質している状態を示す図である。
【図６】半導体ウェハを冷却ステージに置いた状態を示す図である。
【図７】半導体ウェハをエキスパンドした状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら、本発明に係るウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１９】
［ウェハ加工用テープの構成］
図１は、本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す平面図である。また、図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。図１及び図２に示すウェハ加工用テープ１は、例えば半導体ウェハのダイシング、及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられる長尺のテープであり、通常はロール状に巻かれた状態となっている。
【００２０】
同図に示すように、ウェハ加工用テープ１は、プリカット加工されており、テープの基部をなす剥離基材２と、半導体ウェハの形状に対応して剥離基材２の一面側に所定の間隔で円形に設けられた接着剤層３と、接着剤層３を覆うように円形に設けられた粘着剤層４と、粘着剤層４を覆うように粘着剤層４と同形に設けられた基材フィルム５とによって構成されている。剥離基材２の幅方向の両縁部には、円形の粘着剤層４及び基材フィルム５から所定の間隔をもって配置された土手部６が設けられている。この土手部６は、粘着剤層４及び基材フィルム５のプリカット時に形成される。なお、剥離基材２及び接着剤層３は後述の接着フィルム９で形成され、基材フィルム５及び粘着剤層４は後述の粘着フィルム８で形成される。
【００２１】
切込部７の深さは、基材フィルム５を貫通しない深さとなっていることが好ましく、基材フィルム５の厚さａ、切込部７の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たしていることがさらに好ましい。なお、切込部７の配列数は特に限定されないが、例えば０．１〜１．０ｍｍ間隔で配列することが好ましい。
【００２２】
［半導体装置の作製］
以上のようなウェハ加工用テープ１を用いて半導体装置を製造する場合、まず、ウェハ加工用テープ１から剥離基材２を剥離してフィルム積層体１３を得る。次に、剥離基材２の剥離によって露出した接着剤層３を介し、フィルム積層体１３を半導体ウェハ１１の一面側に固定する。また、図３及び図４に示すように、フィルム積層体１３について粘着剤層４を介してウェハリング１０を固定する。
【００２３】
次に、図５に示すように、レーザ出力装置１４からレーザ光１５を半導体ウェハ１１に出力させ、半導体ウェハを格子状に改質させる。
【００２４】
次に、図６に示すように、表面温度が０℃以下の冷却ステージ１２上に載せる。ウェハ加工用テープ１が冷却ステージ同等の温度まで冷却された後、図７に示すように、冷却ステージ１２の位置を固定した状態で、ウェハリング１０部分を２００ｍｍ／秒以上のスピードで１０ｍｍ以上、下降させる。ウェハリング１０を一気に下降させることで、ウェハ加工用テープ１が外側に引っ張られ、レーザ光１５によって改質された半導体ウェハ１１の格子状に沿って、半導体ウェハ１１及び接着剤層３が分断される。半導体ウェハ１１及び接着剤層３の分断後、粘着剤層４に高エネルギー線の照射を行って粘着力を低下させ、基材フィルム５から接着剤層３付きの半導体チップをピックアップする。この後、半導体チップを接着剤層３を介して所定の支持部材に接着することにより、半導体装置が得られる。
【００２５】
［ウェハ加工用テープの作製］
ウェハ加工用テープ１の作製にあたって、粘着剤層４及び基材フィルム５からなる粘着フィルム８として、例えば日立化成工業株式会社製、商品名：ＳＤ−３００４を用意する。また、接着剤層３及び剥離基材２からなる接着フィルム９として、例えば日立化成工業株式会社製、商品名：ＨＳ−２７０シリーズを用意する。次に、接着フィルム９に対し、剥離基材２への切り込み深さが２０μｍ以下となるように調節して直径３２０ｍｍの円形プリカット加工を行い、接着剤層３の不要部分を除去する。この後、粘着剤層４と接着剤層３を向き合わせ、室温、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で接着フィルム９と粘着フィルム８とを貼り付ける。そして、粘着フィルム８に対し、剥離基材２への切り込み深さが２０μｍ以下となるように調節して接着剤層３と同心円状に直径３９０ｍｍの円形プリカット加工を行い、粘着剤層４及び基材フィルム５の不要部分を除去して土手部６を形成する。粘着フィルム８のプリカットを行うことにより、ウェハ加工用テープ１が得られる。
【００２６】
［引っ張り評価］
上述の製造方法で得られたウェハ加工用テープ１（実施例）に対し、切込部７を形成しないウェハ加工用テープ（比較例）を別途作製した。そして、実施例のテープから切込部７を含む幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍの矩形の領域を切り取り、剥離基材２を剥がした試験片Ａを作製した。また、実施例のテープから切込部７を含まない部分を同様に切り取り、剥離基材を剥がした試験片Ｂを作製した。同様にして、比較例のテープから実施例と同等の領域を切り取り、剥離基材２を剥がした試験片を作製した。
【００２７】
そして、上述の試験片について、１８０°引張強さ測定（測定温度−１０℃、チャック間１０ｍｍ、引張速度２００ｍｍ／秒）を行い、２秒後の引張強さを比較したところ、実施例の試験片では試験片Ａの引張強さの試験片Ｂの引張強さに対する比が、０．９であったのに対し、比較例の試験片では１．０という結果となった。よって、切込部７の形成がウェハ加工用テープ１の冷却エキスパンド時の破断性向上に寄与することが確認された。
【符号の説明】
【００２８】
１…ウェハ加工用テープ、２…剥離基材、３…接着剤層、４…粘着剤層、５…基材フィルム、６…土手部、７…切込部、８…粘着フィルム、９…接着フィルム、１０…ウェハリング、１１…半導体ウェハ、１２…冷却ステージ、１３…フィルム積層体、１４…レーザ出力装置、１５…レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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