Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月6日(2016.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光吸収ナノ粒子の溶液と、
前記溶液を標的領域へと直接的に皮下注入するための注入器と、
発光波長範囲が６００〜９５０ｎｍ以内の光ビームを前記標的領域に送達するように構成された近赤外光源と、
焦点およびビームサイズを前記標的領域内に制御するための少なくとも１つのビーム調整光学素子と、
制御信号を前記近赤外光源に提供するためのシステムコントローラーであって、前記制御信号は、前記発光波長範囲内の発光波長、発光強度、および照射持続時間の選択を含み、かつ前記発光波長は、前記標的領域内で脂肪を融解し液化させる温度まで前記ナノ粒子を励起させるように適合化される、システムコントローラと、
液化した脂肪を前記標的領域から抽出するために皮下挿入するよう構成された抽出器と
を含むことを特徴とする、標的領域での最小侵襲リポリシスのためのシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記ナノ粒子が生体適合性であることを特徴とするシステム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記ナノ粒子での光吸収が表面プラズモン共鳴により媒介されることを特徴とするシステム。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載のシステムにおいて、前記ナノ粒子が金ナノロッドであることを特徴とするシステム。
【請求項５】
請求項４に記載のシステムにおいて、前記金ナノロッドが１：３〜１：５の範囲内のアスペクト比を有することを特徴とするシステム。
【請求項６】
請求項４に記載のシステムにおいて、前記金ナノロッドが約１０ｎｍの軸直径および９〜５０ｎｍの範囲内の長手方向直径を有することを特徴とするシステム。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載のシステムにおいて、前記近赤外光源が、チューナブルなパワーおよびチューナブルな波長の少なくとも一方を有する、かつ前記標的領域でのビームサイズを制御するためのビーム調整光学手段をさらに含む、ＮＩＲレーザーであることを特徴とするシステム。
【請求項８】
ＮＩＲ光エネルギーにより照射された標的領域での皮下脂肪のｉｎ  ｖｉｖｏ光熱除去のためのシステムにおいて、
溶液中に懸濁された、１：３〜１：５のアスペクト比を有する光吸収ナノ粒子と、
光ビームを前記標的領域に送達するように構成され、前記光ビームの送達パラメータを制御する制御信号を生成するためのシステムコントローラーを具える近赤外光源であって、前記制御信号は７００〜９００ｎｍの発光波長範囲内の発光波長、発光強度、および照射持続時間の選択を含み、前記システムコントローラーは前記標的領域内で脂肪を融解し液化させる温度まで前記ナノ粒子を励起させる前記発光波長、前記発光強度および前記照射持続時間を選択して、前記脂肪周囲の組織への損傷を最小限にするように加熱を調整するよう構成されている、近赤外光源と、
前記ナノ粒子の溶液を前記標的領域へと直接的に皮下注入するように構成された第１のシリンジと、
ＮＩＲ光エネルギーを前記標的領域に照射した後、融解されて液化した脂肪を前記標的領域から吸引するように構成された第２のシリンジまたはカニューレと
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項９】
請求項８に記載のシステムにおいて、前記光吸収ナノ粒子が、約１０ｎｍの軸直径および９〜５０ｎｍの範囲内の長手方向直径を有する金ナノロッドであることを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月26日(2016.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
舌下送達、ならびにそれからのアルフェンタニールの急速な放出および／または口腔粘膜を通じたアルフェンタニールの急速な取り込みに適切な薬学的組成物であって：
（ａ）その微小粒子が、それより大きい担体粒子の表面上に、結合、接着または会合されて、存在している、アルフェンタニール、またはその薬学的に許容される塩の微小粒子と；
（ｂ）弱塩基と；
（ｃ）アルフェンタニールまたはその塩の微小粒子との均質混合物中に存在する、弱酸である化合物と；
を含んでいる混合物を含む、薬学的組成物。
【請求項２】
弱酸の粒子が、担体粒子の中に存在し、その結果該担体粒子が：
（ｉ）該酸材料と；
（ｉｉ）別の担体粒子材料と、
の複合物を含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
弱酸の粒子が、前記担体粒子の表面上に存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記酸がクエン酸である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
前記弱塩基が、リン酸塩を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
前記弱塩基が、リン酸三ナトリウムを含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
前記担体粒子が、マンニトールを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
崩壊剤をさらに含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の薬学的組成物。
【請求項９】
前記崩壊剤が、クロスカルメロースナトリウム、デンプングリコール酸ナトリウム、架橋ポリビニルピロリドンまたはそれらの混合物から選択されるスーパー崩壊剤である、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記塩基が水溶性である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の薬学的組成物。
【請求項１１】
舌下投与に適切な錠剤の形態である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
担体粒子とアルフェンタニールまたはその塩とを乾燥混合する工程を包含する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の組成物の調製のためのプロセス。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の組成物を直接圧迫または圧縮する工程を包含する、請求項１１に記載の組成物の調製のためのプロセス。
【請求項１４】
疼痛の処置の方法における使用のための請求項１〜１１のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１５】
疼痛の処置の方法のための医薬の製造のための請求項１〜１１のいずれか１項に記載の組成物の使用。
【請求項１６】
前記疼痛が、中度から重度の疼痛である、請求項１４に記載の組成物、または請求項１５に記載の使用。
【請求項１７】
前記処置が短期間である、請求項１６に記載の組成物または使用。
【請求項１８】
前記疼痛が、診断手順、外科手順または看護関連の手順に関連する、請求項１６または請求項１７に記載の組成物または使用。
【請求項１９】
前記組成物が、前記手順の前約２０分以内に投与される、請求項１８に記載の組成物または使用。
【請求項２０】
請求項１４〜１９のいずれか１項に記載の組成物または使用であって、疼痛の処置の方法が、約３０μｇと約３，０００μｇとの間のアルフェンタニールまたはその薬学的に許容される塩を含んでいる薬学的組成物の、処置の必要なヒト患者に対する舌下投与を包含し、ここで該投与が、
（Ｉ）該投与の約１０分後から約２５分後の間のｔｍａｘ（最大血漿濃度までの時間）；および／または
（ＩＩ）該投与の後約３００分以内のｔｌａｓｔ（最終測定可能血漿濃度までの時間）；および、任意で、
（ＩＩＩ）血漿１ｍＬあたり約１０ｎｇと約１００ｎｇとの間のＣｍａｘ（最大血漿濃度）、を有する該投与後の血漿濃度時間曲線を生じる、方法。
【請求項２１】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の組成物の投与を包含する、請求項２０に記載の組成物または使用。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月28日(2016.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式Ｉの化合物：
【化１】
2015515972.tif 000001
又はそれらの塩又は溶媒和物（ただし、式中において：  
点線の二重結合は、Ｃ２及びＣ３の間の単結合又は二重結合の存在を示し;
R2は、以下から選択され：  -H, -OH, =O, =CH2, -CN, -R, OR, ハロ、ジハロ、=CHR, =CHRR’, -O-SO2-R, CO2R及びCOR;
R7は、以下から選択され：  H, R, OH, OR, SH, SR, NH2, NHR, NRR’, ニトロ、Me3Sn及びハロ;
ただし、R及びR’ は、それぞれ独立に、以下から選択され：  所望により置換された、C1-7 アルキル、C3-20 ヘテロシクリル、及びC5-20 アリール基; 
R10 及びR11 は、一体となって二重結合を形成するか、又はそれぞれ以下から選択され：  H及びQRQ 、ただし、QはO, S及びNHから選択され、RQ はH又はC1-7 アルキル、又はH及びSOxM、ただし、xは2又は3であり、Ｍは一価の薬学的に許容可能なカチオンであり;
Ａは、以下のいずれかであり:
【化２】
2015515972.tif 000002
又は
【化３】
2015515972.tif 000003
ただし、式中、X及びYは、以下から選択され:  CH及びNMe; COH及びNMe; CH及びS; N 及びNMe; N及びS;
Bは、単結合又は以下であり:
【化４】
2015515972.tif 000004
ただし、式中、X及びYは、上記規定した通りであり;  及び
R1 はC1-4 アルキルである）。
【請求項２】
請求項１に記載の化合物であって、基Ａにおいて、Ｘ及びＹが以下から選択された化合物：  CH及びNMe; CH 及びS; N 及びNMe; 及び N 及び S。
【請求項３】
請求項２に記載の化合物であって、基Ａにおいて、Ｘ及びＹが以下から選択された化合物：  CH及びNMe;  及びN 及びNMe。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の化合物であって、Ｂが単結合である化合物。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の化合物であって、ＢがＢ１であり、Ｂ１においてＸ及びＹが以下から選択された化合物：  CH 及び NMe; N 及び NMe。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の化合物であって、R7がOR7Aであり、R7Aが以下から選択された化合物：  Me, CH2Ph 及びアリール。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の化合物であって、R10及びR11が一体となって二重結合を形成している、化合物。
【請求項８】
請求項１に記載の化合物であって、R1がメチルである、化合物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の化合物であって、R2が以下から選択された化合物：  -H,  =CH2,  -R,  =CHR, =CRR’。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の化合物であって、R2が随意に置換されたC5-20アリールである化合物。
【請求項１１】
請求項１０に記載の化合物であって、R2が以下から選択された化合物：  4-メトキシ-フェニル, 3-メトキシフェニル, 4-エトキシ-フェニル, 3-エトキシ-フェニル, 4-フルオロ-フェニル, 4-クロロ-フェニル, 3,4-ビスオキシメチレン-フェニル, 4-メチルチエニル, 4-シアノフェニル, 4-フェノキシフェニル, キノリン-3-イル、及びキノリン-6-イル、イソキノリン-3-イル及びイソキノリン-6-イル、2-チエニル, 2-フラニル, メトキシナフチル、及びナフチル。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれかに記載の化合物であって、R2が以下から選択された化合物：  
(a) C1-5 飽和脂肪族アルキル; 
(b) C3-6 飽和シクロアルキル;
(c)
【化５】
2015515972.tif 000005
ただし、式中、R21, R22 及びR23 は、それぞれ独立に、以下から選択される：  H, C1-3 飽和アルキル、C2-3 アルケニル、C2-3 アルキニル、及びシクロプロピル、ただし、R2 基中の炭素原子の総数は５個を超えない;
(d)
【化６】
2015515972.tif 000006
ただし、式中、R25a 及びR25b のうちの１個がHであり、もう１個が以下から選択される:  フェニル、ただし、フェニルは以下から選択された基によって随意に置換される：  ハロ、メチル、メトキシ; ピリジル; 及びチオフェニル; 及び
(e)
【化７】
2015515972.tif 000007
ただし、式中、R24 は以下から選択される: H; C1-3 飽和アルキル; C2-3 アルケニル; C2-3 アルキニル; シクロプロピル; フェニル、ただし、フェニルは以下から選択された基によって随意に置換される：  ハロ、メチル、メトキシ; ピリジル; 及びチオフェニル。
【請求項１３】
請求項１〜８のいずれかに記載の化合物であって、
R2 が以下の基のいずれかから選択されたものである場合には：=O, =CH2, =CHR, =CHRR’、
Ｃ２及びＣ３の間に単結合が存在する、化合物。
【請求項１４】
請求項１〜８のいずれかに記載の化合物であって、
Ｃ２及びＣ３の間に二重結合が存在しておらず、R2 がＨである、化合物。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の化合物、及び薬学的に許容可能なキャリア又は希釈剤を含む、医薬組成物。
【請求項１６】
治療方法における使用のための、請求項１〜１４のいずれかに記載の化合物。
【請求項１７】
増殖性疾患の治療方法における使用のための、請求項１〜１４のいずれかに記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月2日(2016.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者のうつ病の治療、軽減または予防におけるサブ鎮痛量のトラマドールまたはこの塩であって、サブ鎮痛量が約６０から８０ｍｇのトラマドールまたはこの塩。
【請求項２】
トラマドールまたはこの塩の量が≦８０ｍｇの１日用量を含む、請求項１に記載のサブ鎮痛量のトラマドールまたはこの塩。
【請求項３】
トラマドールまたはこの塩の量が≧６０ｍｇの１日用量を含む、請求項１または２に記載のサブ鎮痛量のトラマドールまたはこの塩。
【請求項４】
トラマドールまたはこの塩の量が≧６０ｍｇから≦８０ｍｇの１日用量を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のサブ鎮痛量のトラマドールまたはこの塩。
【請求項５】
トラマドールまたはこの塩の量が約７０ｍｇの１日用量を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のサブ鎮痛量のトラマドールまたはこの塩。
【請求項６】
うつ病が、大うつ病、慢性軽症うつ病、躁うつ病（双極性障害）、非定型うつ病、精神病性うつ病および気分変調症を含む群から選択される、請求項１から５のいずれか一項に記載のサブ鎮痛量のトラマドールまたはこの塩。
【請求項７】
患者が、ＳＳＲＩの使用に対して全くまたは不十分にしか応答を示さない患者の群の一員である、請求項１から６のいずれか一項に記載のサブ鎮痛量のトラマドールまたはこの塩。
【請求項８】
うつ病の治療、軽減または予防のための薬剤の製造における、サブ鎮痛量のトラマドールまたはこの塩の使用。
【請求項９】
医薬として許容されるアジュバント、希釈剤または担体と共に、サブ鎮痛量のトラマドールまたはこの塩を含有する医薬組成物。
【請求項１０】
うつ病の治療、軽減または予防における使用のための、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
トラマドールまたはこの塩の量が≦８０ｍｇの１日用量を含む、請求項９または１０のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
トラマドールまたはこの塩の量が≧６０ｍｇの１日用量を含む、請求項９から１１のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
トラマドールまたはこの塩の量が≧６０ｍｇから≦８０ｍｇの１日用量を含む、請求項９から１２のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
トラマドールまたはこの塩の量が７０ｍｇの１日用量を含む、請求項９から１３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
うつ病が、大うつ病、慢性軽症うつ病、躁うつ病（双極性障害）、非定型うつ病、精神病性うつ病および気分変調症を含む群から選択される、請求項９から１４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
患者が、ＳＳＲＩの使用に対して全くまたは不十分にしか応答を示さない患者の群の一員である、請求項９から１５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
トラマドールが塩酸塩である、請求項９から１６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
組成物が、最初の投与後、２時間以内に抗うつ作用の発現を提供し、抗うつ作用が投与後少なくとも２４時間持続する、請求項９から１７のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
組成物が、経口的に摂取された場合、１２時間の間隔を置いて服用された本発明の化合物の制御放出のための１日２回投与経口医薬組成物の２回の投与の２４時間にわたる臨床効果と少なくとも同様に良好な、２４時間にわたる臨床効果を提供する、請求項９から１８のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
第二の治療有効成分と組み合わせて、サブ鎮痛量のトラマドールまたはこの塩を含有する医薬組成物。
【請求項２１】
組成物が即時放出形態である、請求項９から２０のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２２】
組成物が制御放出形態である、請求項９から２０のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２３】
一方の有効成分が即時放出形態であり、および他方の活性成分が制御放出形態である、請求項２０に記載の医薬組成物。
【請求項２４】
組成物が乱用抵抗性である、請求項９から２３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２５】
制御放出組成物が１日１回投与レジメンの治療に適する、請求項２３に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月28日(2016.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多発性硬化症（ＭＳ）に罹患したヒト患者または臨床的に摘出された症候群（ＣＩＳ）を呈するヒト患者を治療するための、ラキニモドまたはラキニモドの医薬的に許容可能な塩を含有してなる医薬組成物であって、該医薬組成物は、約１．２ｍｇの毎日投与量でラキニモドを投与するために調製される医薬組成物。
【請求項２】
請求項１に記載医薬組成物であって、前記ラキニモドもしくは前記ラキニモドの医薬的に許容可能な塩は、多発性硬化症に関連した症状または状態を緩和するために有効であるか；または前記ラキニモドもしくは前記ラキニモドの医薬的に許容可能な塩は、前記ヒト患者において確認される疾患進行までの時間を増大させ、確認される再発までの時間を増大させ、脳萎縮を低減し、再発率を低減し、入院および／またはＩＶステロイドを必要とする確認される再発率を減少し能力障害の蓄積を低減し、疲労のレベルの進行を低減もしくは抑制し、機能的状態の悪化を改善もしくは抑制し、一般的健康の悪化を改善もしくは抑制し、ＭＲＩでモニターされる疾患活性を減少し、または認識障害を低減するために有効である医薬組成物。
【請求項３】
請求項２に記載の医薬組成物であって、多発性硬化症のための単独療法剤として調製され；
他の多発性硬化症治療剤と共に用いられる補助療法剤として調製され；または
前記ヒト患者は、再発−寛解型の多発性硬化症に罹患している医薬組成物。
【請求項４】
ヒト被験者に神経保護を提供することによりヒト被験者を治療するための、ラキニモドまたはラキニモドの医薬的に許容可能な塩を含有してなる医薬組成物。
【請求項５】
請求項４に記載の医薬組成物であって、前記ラキニモドまたは前記ラキニモドの医薬的に許容可能な塩は、ニューロンの機能不全を低減し、ニューロンの損傷を低減し、ニューロンの劣化を低減し、またはニューロンのアポトーシスを低減し；または、前記ラキニモドまたは前記ラキニモドの医薬的に許容可能な塩は、中枢神経系におけるニューロンの機能不全を低減し、中枢神経系におけるニューロンの損傷を低減し、中枢神経系におけるニューロンの劣化を低減し、中枢神経系におけるニューロンのアポトーシスを低減する医薬組成物。
【請求項６】
多発性硬化症に罹患したヒト患者または臨床的に摘出された症候群を呈するヒト患者を、該ヒト患者において確認される疾患進行までの時間を増加させ、確認される再発までの時間を増加させ、脳萎縮を低減することによって治療する治療するための、ラキニモドまたはラキニモドの医薬的に許容可能な塩を含有してなる医薬組成物であって、該医薬組成物は、約１．２ｍｇのラキニモドの毎日投与量で使用するために調製される医薬組成物。
【請求項７】
多発性硬化症に罹患しまたは臨床的に摘出された症候群を呈するヒト患者を治療することにおいて使用するための、約１．２ｍｇのラキニモドまたはその医薬的に許容可能な塩、および医薬的に許容可能なキャリアの経口単位投与量医薬形態。
【請求項８】
ヒト被験者に対して神経保護を提供することにより、ヒト被験者を治療することにおいて使用するための、約１．２ｍｇのラキニモドまたはその医薬的に許容可能な塩および医薬的に許容可能なキャリアの経口単位投与量医薬形態。
【請求項９】
ヒト患者において確認される疾患進行までの時間を増加させ、確認される再発までの時間を増加させ、または脳萎縮を低減することによって、ヒト被験者を治療することにおいて使用するための、約１．２ｍｇのラキニモドまたはその医薬的に許容可能な塩および医薬的に許容可能なキャリアの経口単位投与量医薬形態。
【請求項１０】
錠剤またはカプセルの形態の、請求項７〜９の何れか１項に記載の経口単位投与量医薬形態。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月1日(2016.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ZSM-18の構造を有し、かつその細孔にブタメトニウムカチオンを含む、モレキュラーシーブ。
【請求項２】
モル関係
mM:qQ:(y)YO2:X2O3
(ここで、0<m≦2、0<q≦1.2、7≦y≦14であり、Mはリチウム、ストロンチウム、ナトリウム、テトラアルキルアンモニウムおよびこれらの混合物から選択されるカチオンを含み、Qはブタメトニウムカチオンを含み、Xは三価の元素であり、およびYは四価の元素である)
で構成される組成を有する、請求項１記載のモレキュラーシーブ。
【請求項３】
前記テトラアルキルアンモニウムカチオンが、テトラメチルアンモニウムカチオンを含む、請求項２記載のモレキュラーシーブ。
【請求項４】
焼成された形態において0.34(±0.04)cc/gなるN2細孔容積を有する、請求項１記載のモレキュラーシーブ。
【請求項５】
以下の諸工程を含む、ZSM-18の構造を有するモレキュラーシーブの製造方法：
(i)前記モレキュラーシーブを形成しうる合成混合物を調製する工程、前記合成混合物は水、四価の元素(Y)の酸化物の源、三価の元素(X)の酸化物の源、ブタメトニウムカチオンまたはN,N,N-トリメチル-N-ブチルアンモニウムカチオンの何れかのカチオンから選択される第一のカチオンQの源および原子価nの少なくとも一つの第二のカチオンMの源を含み、前記第一のカチオンQがブタメトニウムカチオンである場合には、第二のカチオンMはリチウム、ストロンチウム、ナトリウム、テトラアルキルアンモニウムおよびこれらの混合物から選択され、前記第一のカチオンQが、N,N,N-トリメチル-N-ブチルアンモニウムカチオンである場合には、第二のカチオンMはテトラメチルアンモニウムであり、かつ前記合成混合物は、モル比で表して以下の範囲に入る組成を有し：
YO2/X2O3  約6〜約25；
(nMn+)/X2O3  約0.25〜約4；
Q/X2O3  4を超える；および
H2O/YO2  約10〜約60；
前記四価の元素Yがケイ素を含み、かつ前記三価の元素Xがアルミニウムを含む；
(ii)約100℃〜約200℃なる温度および約1日〜約21日なる期間を含む結晶化条件下で、前記モレキュラーシーブの結晶が形成されるまで、前記混合物を加熱する工程；および
(iii)工程(ii)から前記モレキュラーシーブを回収する工程。
【請求項６】
前記第一のカチオンQがブタメトニウムカチオンを含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記カチオンMがリチウムであり、かつM/X2O3が約0.3〜約2である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記カチオンMがテトラメチルアンモニウム(TMA)であり、かつTMA/X2O3が約0.3〜約4である、請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記カチオンMがリチウムおよびテトラメチルアンモニウム(TMA)であり、かつ(Li+TMA)/X2O3が約0.3〜約4である、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
前記カチオンMがナトリウムおよびストロンチウムであり、かつ(Na+2Sr2+)/X2O3が約0.3〜約2である、請求項６記載の方法。
【請求項１１】
前記カチオンMがテトラメチルアンモニウム(TMA)およびストロンチウムであり、かつ(TMA+2Sr2+)/X2O3が約0.3〜約2である、請求項６記載の方法。
【請求項１２】
前記合成混合物が種結晶も含む、請求項５記載の方法。
【請求項１３】
前記種結晶が、MEI骨格-型を有する結晶性材料を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
請求項５記載の方法により製造されたモレキュラーシーブ材料。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月2日(2016.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水性局所医薬製剤において、
ｅ）前記全製剤の０．０１重量％〜８０重量％の量で存在する抗菌薬剤；
ｆ）前記全製剤の１重量％〜２０重量％の量で存在する、組織浸透特性を有する有機溶媒；
ｇ）前記全製剤の３重量％〜３０重量％の量で存在する有機共溶媒；及び
ｈ）前記全製剤の１０重量％〜８５重量％の量で存在するフィルム形成剤：
を含み、
前記非水性局所医薬製剤は非落屑性であることを特徴とする医薬製剤。
【請求項２】
請求項１に記載の医薬製剤において、前記抗菌剤が抗真菌剤、抗生物質、防腐剤、抗ウィルス剤又は抗原虫剤であることを特徴とする医薬製剤。
【請求項３】
請求項２に記載の医薬製剤において、前記抗真菌剤がフルコナゾール、トルナフタート、ミコナゾール、クロトリマゾール、チオコナゾール、ニスタチン、テルコナゾール、ブトコナゾール硝酸塩、ウンデシレン酸、クリオキノール、シクロピロクス、オラミン、エコナゾール硝酸塩、トリアセチン、フルシトシン、テルビナフィン又はケトコナゾールであることを特徴とする医薬製剤。
【請求項４】
請求項２に記載の医薬製剤において、前記抗菌剤がアクロソキサシン、アミフロキサシン、アモキシシリン、アンピシリン、アスポキシシリン、アジドシリン、アジスロマイシン、アズトレオナム、バロフロキサシン、ベンジルペニシリン、ビアペネム、ブロジモプリム、セファクロル、セファドロキシル、セファトリジン、セフカペン、セフジニル、セフェタメト、セフメタゾール、セフプロジル、セフロキサジン、セフチブテン、セフロキシム、セファレキシン、セファロニウム、セファロリジン、セファマンドール、セファゾリン、セフラジン、クロルキナルドール、クロルテトラサイクリン、シクラシリン、シノキサシン、シプロフロキサシン、クラリスロマイシン、クラブラン酸、クリンダマイシン、クロファジミン、クロキサシリン、ダノフロキサシン、ダプソン、デメクロシクリン、ジクロキサシリン、ジフロキサシン、ドキシサイクリン、エノキサシン、エンロフロキサシン、エリスロマイシン、フレロキサシン、フロモキセフ、フルクロキサシリン、フルメキン、ホスホマイシン、イソニアジド、レボフロキサシン、マンデル酸、メシリナム、メトロニダゾール、ミノサイクリン、ムピロシン、ナジフロキサシン、ナリジクス酸、ニフイルトイノール（Ｎｉｆｕｉｒｔｏｉｎｏｌ）、ニトロフラントイン、ニトロキソリン、ノルフロキサシン、オフロキサシン、オキシテトラサイクリン、パニペネム、ペフロキサシン、フェノキシメチルペニシリン、ピペミド酸、ピロミド酸、ピバンピシリン、ピブメシリナム、プルリフロキサシン、ルフロキサシン、スパルフロキサシン、スルバクタム、スルファベンズアミド、スルファシチン、スルファメトピラジン、スルファセタミド、スルファジアジン、スルファジミジン、スルファメチゾール、スルファメトキサゾール、スルファニルアミド、スルファソミジン、スルファチアゾール、テマフロキサシン、テトラサイクリン、テトロキソプリム、チニダゾール、トスフロキサシン、トリメトプリム、銀含有抗菌剤、ホウ素含有抗菌剤若しくは水銀含有抗菌剤、又はその塩若しくはエステルであることを特徴とする医薬製剤。
【請求項５】
請求項１に記載の医薬製剤において、組織浸透能を有する前記有機溶媒が非プロトン性溶媒であることを特徴とする医薬製剤。
【請求項６】
請求項５に記載の医薬製剤において、前記非プロトン性溶媒がＣ１〜Ｃ１０−アルキルスルホキシドであることを特徴とする医薬製剤。
【請求項７】
請求項６に記載の医薬製剤において、前記Ｃ１〜Ｃ１０−アルキルスルホキシドがジメチルスルホキシドであることを特徴とする医薬製剤。
【請求項８】
請求項１に記載の医薬製剤において、前記有機共溶媒がグリコール、ポリグリコール又はアルコールであることを特徴とする医薬製剤。
【請求項９】
請求項８に記載の医薬製剤において、前記有機共溶媒がエトキシジグリコール、ブチレングリコール、ヘキシレングリコール又はジプロピレングリコールであることを特徴とする医薬製剤。
【請求項１０】
請求項１に記載の医薬製剤において、前記フィルム形成剤がコロジオン又は弾性コロジオンであることを特徴とする医薬製剤。
【請求項１１】
請求項１０に記載の医薬製剤において、前記フィルム形成剤が弾性コロジオンであることを特徴とする医薬製剤。
【請求項１２】
請求項１に記載の医薬製剤において、
ａ）前記全製剤の約１０重量％の量で存在する抗菌薬剤；
ｂ）前記全製剤の約１５重量％の量で存在する、組織浸透能を有する有機溶媒；
ｃ）前記全製剤の約１０重量％の量で存在する有機溶媒；及び
ｄ）前記全製剤の約６５重量％の量で存在するフィルム形成剤：
からなることを特徴とする医薬製剤。
【請求項１３】
非水性製剤において、
ａ）組織浸透能を有する有機溶媒；
ｂ）有機共溶媒；及び
ｃ）フィルム形成剤：
を含み、
前記非水性製剤が非落屑性であることを特徴とする非水性製剤。
【請求項１４】
請求項１３に記載の非水性製剤において、
ａ）ジメチルスルホキシド；
ｂ）エトキシジグリコール；及び
ｃ）弾性コロジオン：
を含むことを特徴とする非水性製剤。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の非水性製剤において、抗菌薬剤を更に含むことを特徴とする非水性製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月22日(2016.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有する基板構造と、
頂部表面と底部表面とを有する第１のエピタキシャル構造であって、前記底部表面が前記基板構造に接する、前記第１のエピタキシャル構造と、
前記第１のエピタキシャル構造に接し、且つ、前記第１のエピタキシャル構造の前記頂部表面から下に前記エピタキシャル構造を介して延びて前記基板構造に接する、第２の導電型の領域と、
前記第２の導電型と頂部表面と底部表面とを有する第２のエピタキシャル構造であって、前記底部表面が前記第１のエピタキシャル構造と前記第２の導電型の前記領域とに接する、前記第２のエピタキシャル構造と、
を含むバイポーラ構造であって、
前記第２の導電型の領域が、前記第１のエピタキシャル構造の中央領域に接し、前記第１のエピタキシャル構造の中央領域を水平に囲み、
前記第１のエピタキシャル構造の外側領域が、前記第２の導電型の領域に接し、前記第２の導電型の領域を水平に囲み、
前記第１のエピタキシャル構造が或るドーパント濃度を有し、前記第２の導電型の領域が前記第１のエピタキシャル構造の前記ドーパント濃度より高いドーパント濃度を有する、バイポーラ構造。
【請求項２】
請求項１に記載のバイポーラ構造であって、
前記第２の導電型の領域が中空コアを有する、バイポーラ構造。
【請求項３】
請求項１に記載のバイポーラ構造であって、
前記基板構造と前記第２のエピタキシャル構造とに接する補償領域を更に含み、前記第２の導電型の領域が、前記補償領域に接し、前記補償領域を水平に囲む、バイポーラ構造。
【請求項４】
請求項３に記載のバイポーラ構造であって、
前記第１のエピタキシャル構造の外側領域が前記第２の導電型の領域を水平に囲む、バイポーラ構造。
【請求項５】
第１の導電型を有する基板構造と、
頂部表面と底部表面とを有する第１のエピタキシャル構造であって、前記底部表面が前記基板構造に接する、前記第１のエピタキシャル構造と、
前記第１のエピタキシャル構造に接し、且つ、前記第１のエピタキシャル構造の前記頂部表面から下に前記エピタキシャル構造を介して延びて前記基板構造に接する、第２の導電型の領域と、
前記第２の導電型と頂部表面と底部表面とを有する第２のエピタキシャル構造であって、前記底部表面が前記第１のエピタキシャル構造と前記第２の導電型の領域とに接する、前記第２のエピタキシャル構造と、
前記基板構造と前記第２のエピタキシャル構造とに接する第１の導電型の領域であって、前記第２の導電型の領域が、前記第１の導電型の領域に接し、前記第１の導電型の領域を水平に囲む、前記第１の導電型の領域と、
を含む、バイポーラ構造であって、
前記第１のエピタキシャル構造の外側領域が前記第２の導電型の領域を水平に囲み、
前記第１のエピタキシャル構造が或るドーパント濃度を有し、前記第２の導電型の領域が前記第１のエピタキシャル構造の前記ドーパント濃度より高いドーパント濃度を有する、バイポーラ構造。
【請求項６】
請求項５に記載のバイポーラ構造であって、
前記第２の導電型の領域が中空コアを有する、バイポーラ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月22日(2016.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有する基板構造と、
前記基板構造に接する第１のエピタキシャル構造であって、単結晶シリコンを含む、前記第１のエピタキシャル構造と、
前記第１のエピタキシャル構造に接する第２のエピタキシャル構造であって、前記第２のエピタキシャル構造が第１の単結晶ゲルマニウム領域を含み、前記第１の単結晶ゲルマニウム領域が第２の導電型を有する、前記第２のエピタキシャル構造と、
前記第２のエピタキシャル構造に接する非導電性構造であって、前記第２のエピタキシャル構造を露出させるエミッタ開口を有する、前記非導電性構造と、
前記非導電性構造に接し、且つ、前記第２のエピタキシャル構造に接するように前記エミッタ開口を介して延びる、第３のエピタキシャル構造であって、前記第３のエピタキシャル構造が第２の単結晶ゲルマニウム領域を含み、前記第２の単結晶ゲルマニウム領域が前記第１の導電型を有する、前記第３のエピタキシャル構造と、
を含む、バイポーラ構造。
【請求項２】
請求項１に記載のバイポーラ構造であって、
前記第３のエピタキシャル構造が、前記第２の単結晶ゲルマニウム領域に接し、且つ、前記第２の単結晶ゲルマニウム領域より上にある、第１の単結晶シリコン領域を更に含む、バイポーラ構造。
【請求項３】
請求項２に記載のバイポーラ構造であって、
前記第１の単結晶シリコン領域が前記第１の導電型を有する、バイポーラ構造。
【請求項４】
請求項３に記載のバイポーラ構造であって、
前記第２のエピタキシャル構造が、前記第１の単結晶ゲルマニウム領域に接し、且つ、前記第１の単結晶ゲルマニウム領域より上にある、第２の単結晶シリコン領域を更に含む、バイポーラ構造。
【請求項５】
請求項４に記載のバイポーラ構造であって、
前記第３のエピタキシャル構造が前記第２の単結晶シリコン領域に接する、バイポーラ構造。
【請求項６】
請求項５に記載のバイポーラ構造であって、
前記第２の単結晶シリコン領域が前記第１の導電型を含む、バイポーラ構造。
【請求項７】
請求項１に記載のバイポーラ構造であって、
前記第３のエピタキシャル構造の前記第２の単結晶ゲルマニウム領域が、前記第２のエピタキシャル構造の単結晶シリコン領域に接する、バイポーラ構造。
【請求項８】
請求項１に記載のバイポーラ構造であって、
前記第２のエピタキシャル構造が、前記第１の単結晶ゲルマニウム領域に接し、且つ、前記第１の単結晶ゲルマニウム領域より上にある、第１の単結晶シリコン領域を更に含む、バイポーラ構造。
【請求項９】
請求項８に記載のバイポーラ構造であって、
前記第１の単結晶シリコン領域が前記第１の導電型を含む、バイポーラ構造。
【請求項１０】
請求項９に記載のバイポーラ構造であって、
前記第３のエピタキシャル構造が前記第１の単結晶シリコン領域に接する、バイポーラ構造。
【請求項１１】
請求項１０に記載のバイポーラ構造であって、
前記第３のエピタキシャル構造が、前記第２の単結晶ゲルマニウム領域に接し、且つ、前記第２の単結晶ゲルマニウム領域より上にある、第２の単結晶シリコン領域を更に含む、バイポーラ構造。
【請求項１２】
請求項１１に記載のバイポーラ構造であって、
前記第２の単結晶シリコン領域が前記第１の導電型を有する、バイポーラ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月15日(2016.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェムトノード無線周波数チャネル選択のための方法であって、
少なくとも1つの帯域選択基準に基づいて、フェムトノード(104, 106, 110)について第1の帯域の動作チャネルと第2の帯域の動作チャネルのいずれかを選択するステップであって、前記第1の帯域が、前記第2の帯域における複数のチャネルよりも周波数が高い複数のチャネルを含み、前記帯域選択基準が、前記第1の帯域を選択して、前記フェムトノード(104, 106, 110)により小さいカバレージエリアを提供し、前記第2の帯域を選択して、前記フェムトノード(104, 106, 110)により大きいカバレージエリアを提供するように構成され、
前記少なくとも1つの帯域選択基準が、(i)ビル(101)内の前記フェムトノード(104, 106, 110)のロケーション、(ii)チャネルタイプ情報、(iii)前記フェムトノード(104, 106, 110)のアクセスポリシー、(iv)前記フェムトノード(104, 106, 110)における無線周波数伝搬条件、および(v)前記フェムトノード(104, 106, 110)の動作エリアにおけるフェムト密度情報を含む群から選択される、ステップと、
前記選択された帯域における1つまたは複数の動作チャネルに従って、動作について前記フェムトノード(104, 106, 110)を構成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記選択するステップが、
前記ビル(101)内の前記フェムトノード(104, 106, 110)の前記ロケーションを判定するステップと、
前記ビル内の前記フェムトノードの前記ロケーションに基づいて、前記フェムトノードについて前記第1の帯域と前記第2の帯域のいずれかを選択するステップと
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記フェムトノード(104, 106, 110)が窓の近くまたは前記ビル(101)の側面に位置するときに前記第2の帯域が選択され、前記フェムトノード(104, 106, 110)が前記ビル(101)の奥深くに位置するときに前記第1の帯域が選択される、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記第1の帯域がデータチャネル用に選択され、前記第2の帯域がオーバーヘッドパイロットまたは制御チャネル用に選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記第2の帯域における前記選択されたオーバーヘッドパイロットまたは制御チャネルが、少なくとも1つの隣接フェムトノード(104, 106, 110)によって利用されるオーバーヘッドパイロットまたは制御チャネルと重複するように選択される、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記フェムトノード(104, 106, 110)がクローズドアクセスフェムトノードであるときに前記第1の帯域が選択され、前記フェムトノード(104, 106, 110)がオープンアクセスフェムトノードであるときに前記第2の帯域が選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記選択するステップが、
1つまたは複数のモバイルデバイス(114)からチャネル品質読取り情報を収集するステップと、
前記収集されたチャネル品質読取り情報に基づいて、前記フェムトノード(104, 106, 110)について前記第1の帯域と前記第2の帯域のいずれかを選択するステップと
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
密度が密度閾値を上回るときに前記第1の帯域が選択され、前記密度が前記閾値を下回るときに前記第2の帯域が選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記構成するステップが、前記フェムトノード(104, 106, 110)のチャネル設定を変更するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記構成するステップが、前記フェムトノード(104, 106, 110)が前記選択された帯域上で動作するよう命令するメッセージを前記フェムトノード(104, 106, 110)に送るステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
フェムトノード無線周波数チャネル選択のための装置であって、
少なくとも1つの帯域選択基準に基づいて、フェムトノード(104, 106, 110)について第1の帯域の動作チャネルと第2の帯域の動作チャネルのいずれかを選択するための手段であって、前記第1の帯域が、前記第2の帯域における複数のチャネルよりも周波数が高い複数のチャネルを含み、前記帯域選択基準が、前記第1の帯域を選択して、前記フェムトノード(104, 106, 110)により小さいカバレージエリアを提供し、前記第2の帯域を選択して、前記フェムトノード(104, 106, 110)により大きいカバレージエリアを提供するように構成され、
前記少なくとも1つの帯域選択基準が、(i)ビル(101)内の前記フェムトノード(104, 106, 110)のロケーション、(ii)チャネルタイプ情報、(iii)前記フェムトノード(104, 106, 110)のアクセスポリシー、(iv)前記フェムトノード(104, 106, 110)における無線周波数伝搬条件、および(v)前記フェムトノード(104, 106, 110)の動作エリアにおけるフェムト密度情報を含む群から選択される、手段と、
前記選択された帯域における1つまたは複数の動作チャネルに従って、動作について前記フェムトノード(104, 106, 110)を構成するための手段と
を備える装置。
【請求項１２】
プロセッサによって実行されると、フェムトノード無線周波数チャネル選択のための動作を前記プロセッサに行わせるコードを含む、非一時的コンピュータ可読記録媒体であって、請求項1に記載の方法を実行するためのコードを含む非一時的コンピュータ可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月15日(2016.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明システムであって、
１つの遠隔太陽光リダイレクタであって、建物の壁面から外方に張り出すように、かつ、太陽光を、前記遠隔太陽光リダイレクタより下部の前記壁面の外側部分にリダイレクトするように構成される遠隔太陽光リダイレクタと、
少なくとも１つの光学変換器であって、前記壁面の外側部分の少なくとも１つの上に載るように、かつ、前記リダイレクトされた太陽光を受け入れて、前記リダイレクトされた太陽光を前記建物の内部に分布させるように構成される光学変換器と、
を備えた照明システム。
【請求項２】
前記太陽光リダイレクタが天蓋を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記太陽光リダイレクタがさらに、前記壁面に対してほぼ直角に張り出すように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記太陽光リダイレクタがさらに、前記壁面に対するその角度を調整するように構成される、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記壁面が、アトリウム、窓、窓台、装飾物およびバルコニーの内の少なくとも１つを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記リダイレクトされた太陽光が、前記建物の壁面に隣接する外部空間を貫いて進む、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記外部空間が、前記建物の壁面に隣接する光学的に障害のない空間である、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記リダイレクトされた太陽光が、前記建物のアトリウムを貫いて進む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記太陽光リダイレクタがさらに、前記太陽光を、前記壁面に対して固定角度で入射するように導かれる光線束に集中して再視準するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記光線束が、前記壁面に対してかすめ入射で入射するように導かれる、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記光線束が、前記壁面に対して７５°より大きい入射角度で入射するように導かれる、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記太陽光リダイレクタが、前記建物の屋根の周縁に載るように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記太陽光リダイレクタが、回転式ベネチアンアセンブリを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記回転式ベネチアンアセンブリが、光リダイレクト用可動素子のアレイを含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記光リダイレクト用可動素子のアレイが、光反射特性を備えた構成素子、および光屈折特性を備えた構成素子の少なくとも１つを含む、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記太陽光リダイレクタが、前記壁面から外方に張り出すある幅を有し、さらに、前記太陽光が前記壁面の外側部分に入射する前に前記幅の少なくとも２倍の距離を進むように、前記太陽光をリダイレクトするように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
複数の太陽光リダイレクタおよび複数の光学変換器をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記複数の太陽光リダイレクタが、前記建物の屋根の周縁に沿って装着されるように構成される、請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記複数の太陽光リダイレクタがさらに、前記屋根の全周に設けられるように構成される、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記複数の太陽光リダイレクタの少なくとも１つが、さらに、他の方法では直接の太陽光を受け入れることがない前記建物の側面に、太陽光をリダイレクトするように構成される、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２１】
前記光学変換器が、前記太陽光リダイレクタより下部の前記壁面の外側部分に載るように、かつ、前記リダイレクトされた太陽光を光ガイド構造の中にリダイレクトするように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項２２】
前記光学変換器がさらに、前記太陽光をリダイレクトする前に、前記リダイレクトされた太陽光を集中して再視準するように構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項２３】
前記リダイレクトされた太陽光が、前記建物の壁面に隣接する外部空間を貫いて進む、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
前記光学変換器がさらに、集中されかつ再視準された前記太陽光を光ガイド構造の中にリダイレクトするように構成される、請求項２２に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】照明システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2015515103.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ｉ）（ＣＦ３）２ＣＦＣＮ、又は（ｉｉ）ＣＦ３ＣＦ（ＯＣＦ３）ＣＮによる誘電性流体を含む、電気的デバイス。
【請求項２】
式（ｉ）（ＣＦ３）２ＣＦＣＮ、又は（ｉｉ）ＣＦ３ＣＦ（ＯＣＦ３）ＣＮによる流体と、
０℃で少なくとも約７０ｋＰａの蒸気圧を有する不活性気体を含む気体状誘電体と、を含む、誘電性組成物。
【請求項３】
前記流体に対する前記気体状誘電体の前記蒸気圧の比が、少なくとも約２．５：１である、請求項２に記載の誘電性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月26日(2016.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信用のキャリア検知メカニズムを有する無線規格を使用する共用無線スペクトル環境内でドッキング体とワイヤレスドッキングするためのドッキングステーションであって、
無線機と、
前記無線機に接続されるアンテナと
を含むドッキングステーションであって、前記無線機は、ドッキング体がドッキングされているときのキャリア検知メカニズム検出閾値が、前記ドッキング体がドッキングされていないときのキャリア検知メカニズム検出閾値よりも高くなるように変更を引き起こす、ドッキングステーション。
【請求項２】
ノイズ発生器を更に含み、前記ノイズ発生器は信号を伝送することにより、前記ドッキングステーションからの無線伝送以外の前記無線環境内の無線伝送をマスクする水準まで前記ドッキング体内で受信される信号のノイズフロアを上昇させる、請求項１に記載のドッキングステーション。
【請求項３】
前記ドッキングステーションから伝送される信号がドッキング時に前記ドッキング体の方に導かれるように、前記ドッキングステーションの前記アンテナが指向性である、請求項１に記載のドッキングステーション。
【請求項４】
ドッキング時にドッキング体によって使用される伝送出力設定を下げるためのフィードバックを前記ドッキングステーションが前記ドッキング体に提供できるように、前記ドッキングステーションがトランジットパワー制御（ＴＰＣ）を実施する前記ドッキング体にＴＰＣレポートを与える、請求項１に記載のドッキングステーション。
【請求項５】
前記ドッキング体と前記ドッキングステーションとの間の物理的ドッキングを検出するためのセンサと、
少なくとも前記センサの読取値に応じてキャリア検知メカニズム検出閾値の前記変更を変える制御システムと、
を含む、請求項１に記載のドッキングステーション。
【請求項６】
前記変更は、通常値と比較して、ドッキング状態におけるキャリア検知の閾値を高めることを含む、請求項５に記載のドッキングステーション。
【請求項７】
好ましくは前記ドッキング体にアドレス指定されたパケットの伝送についてのみ、前記無線機によってパケット伝送に使用される信号強度をドッキング状態において下げる、請求項６に記載のドッキングステーション。
【請求項８】
ドッキングステーションとの通信用のキャリア検知メカニズムを有する無線規格を使用する共用無線スペクトル環境内で、ドッキング体とワイヤレスドッキングするためのドッキングステーションであって、
アンテナに接続される無線機と、
前記ドッキング体の挿入時に電波吸収体が前記ドッキング体の前記アンテナをほぼ取り囲むように、前記ドッキング体を挿入するためのスロットを有する電波吸収体であって、通過する無線信号のエネルギを吸収するための電波吸収材料で作られる、電波吸収体と
を含む、ドッキングステーション。
【請求項９】
前記電波吸収体が柔軟な電波吸収材料で作られ、多岐にわたる大きさの様々な種類のドッキング体の前記アンテナを受け入れてほぼ取り囲むように変形する、請求項８に記載のドッキングステーション。
【請求項１０】
前記電波吸収体に無線信号を反射させるための遮蔽要素を更に含む、請求項８に記載のドッキングステーション。
【請求項１１】
前記遮蔽要素が前記電波吸収体に組み込まれる、請求項１０に記載のドッキングステーション。
【請求項１２】
前記電波吸収体が導電性材料を含むフォームである、請求項８に記載のドッキングステーション。
【請求項１３】
通信用のキャリア検知メカニズムを有する無線規格を使用するアンテナに接続される無線機を用いて構成されるドッキング体と、請求項１乃至１１の何れか一項に記載のドッキングステーションと、を含む、共用無線スペクトル環境内のワイヤレスドッキングシステム。
【請求項１４】
前記ドッキング体が、前記ドッキング体の前記無線機の動作を少なくとも第１のモードと第２のモードとの間で切り替えるための制御システムを更に含む、請求項１３に記載のワイヤレスドッキングシステム。