【手続補正書】
【提出日】平成28年8月9日(2016.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス電力伝達システムにおける同調を提供するための装置であって、
同調素子と、
ゲートと、第1の端子コンタクトと、第2の端子コンタクトとを有する電界効果トランジスタであり、前記第1の端子コンタクトが交流(AC)電圧であり、前記電界効果トランジスタが、前記第1の端子コンタクトの電気的特性に対する前記ゲートの電気的特性の変化に基づいて、AC電力経路に前記同調素子を電気的に係合するように構成される、電界効果トランジスタと、
前記第1の端子コンタクトに結合された第1のキャパシタと、前記第2の端子コンタクトに結合された第2のキャパシタと
を備える装置。
【請求項２】
前記電界効果トランジスタを駆動するために、前記第1の端子コンタクトの前記電気的特性に対する前記ゲートの前記電気的特性を変えるように構成されたゲートバイアス回路をさらに備え、前記電気的特性がバイアス電位を備える、請求項1に記載の装置。
【請求項３】
前記第2の端子コンタクトが前記第1の端子コンタクトよりもバイアスが高いように、前記第2の端子コンタクトをバイアスすることによって、前記電界効果トランジスタの出力静電容量を低減するように構成されたドレインバイアス回路をさらに備える、請求項1に記載の装置。
【請求項４】
前記ドレインバイアス回路が、自己バイアス乗算器回路を備える、請求項3に記載の装置。
【請求項５】
前記同調素子が前記電界効果トランジスタに並列に接続される、請求項1に記載の装置。
【請求項６】
第1の端子がソース端子であり、第2の端子が前記電界効果トランジスタのドレイン端子であるように、前記電界効果トランジスタがn型mosfetを備える、請求項1に記載の装置。
【請求項７】
第1の端子がドレイン端子であり、第2の端子が前記電界効果トランジスタのソース端子であるように、前記電界効果トランジスタがp型mosfetを備える、請求項1に記載の装置。
【請求項８】
前記同調素子がキャパシタまたはインダクタを備える、請求項1に記載の装置。
【請求項９】
第2の同調素子をさらに備え、前記第2の同調素子がキャパシタまたはインダクタを備える、請求項1に記載の装置。
【請求項１０】
前記第1および前記第2のキャパシタがDCブロッキングキャパシタであり、前記AC経路に対して前記第1および前記第2の端子コンタクトのフローティングを維持するように構成される、請求項1に記載の装置。
【請求項１１】
前記電界効果トランジスタの出力静電容量が、前記ワイヤレス電力伝達システムにおける所望の同調に実質的に近づく、請求項1に記載の装置。
【請求項１２】
前記ゲートが第1の端子のキャパシタに結合される、請求項1に記載の装置。
【請求項１３】
電力をワイヤレス送信する方法であって、
同調素子を提供するステップと、
ゲートと、第1の端子コンタクトと、第2の端子コンタクトとを有する電界効果トランジスタを提供するステップであり、前記第1の端子コンタクトが交流(AC)電圧であり、第1のキャパシタが前記第1の端子コンタクトに結合され、第2のキャパシタが前記第2の端子コンタクトに結合される、ステップと、
前記電界効果トランジスタの前記第1の端子コンタクトの電気的特性に対する前記ゲートの電気的特性の変化に基づいて、AC電力経路に前記同調素子を電気的に係合するステップと
を含む方法。
【請求項１４】
前記電界効果トランジスタを駆動するために、ゲートバイアス回路を使用して、前記第1の端子コンタクトの前記電気的特性に対する前記ゲートの前記電気的特性を変えるステップであり、前記電気的特性がバイアス電位を含む、ステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
前記第2の端子コンタクトが前記第1の端子コンタクトよりもバイアスが高いように、ドレインバイアス回路を使用して、前記第2の端子コンタクトをバイアスするステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
【請求項１６】
前記ドレインバイアス回路が、自己バイアス乗算器回路を備える、請求項15に記載の方法。
【請求項１７】
前記同調素子が前記電界効果トランジスタに並列に接続される、請求項13に記載の方法。
【請求項１８】
第1の端子がドレイン端子であり、第2の端子が前記電界効果トランジスタのソース端子であるように、前記電界効果トランジスタがn型mosfetを備える、請求項13に記載の方法。
【請求項１９】
第1の端子がソース端子であり、第2の端子が前記電界効果トランジスタのドレイン端子であるように、前記電界効果トランジスタがp型mosfetを備える、請求項13に記載の方法。
【請求項２０】
前記同調素子がキャパシタまたはインダクタを備える、請求項13に記載の方法。
【請求項２１】
第2の同調素子を提供するステップをさらに備え、前記第2の同調素子がキャパシタまたはインダクタを備える、請求項13に記載の方法。
【請求項２２】
前記AC経路に対して前記第1の端子コンタクトおよび前記第2の端子コンタクトのフローティングを維持するステップをさらに含む、請求項13に記載の方法。
【請求項２３】
前記電界効果トランジスタの出力静電容量が、ワイヤレス電力伝達システムにおける所望の同調に実質的に近づく、請求項13に記載の方法。
【請求項２４】
前記ゲートが第1の端子のキャパシタに結合される、請求項13に記載の方法。
【請求項２５】
ワイヤレス電力伝達システムにおける同調を提供するように構成される同調回路であって、
同調のための手段と、
スイッチングのための手段であり、前記スイッチングのための手段が、ゲートと、第1の端子コンタクトと、第2の端子コンタクトとを有する電界効果トランジスタを有し、前記第1の端子コンタクトが交流(AC)電圧である、スイッチングのための手段と、
前記電界効果トランジスタの前記第1の端子コンタクトの電気的特性に対する前記ゲートの電気的特性を変えることに基づいて、AC電力経路に同調素子を電気的に係合するための手段と、
前記スイッチングのための手段の第1の端子コンタクトで静電容量を前記スイッチングのための手段に提供するための第1の手段と、
前記スイッチングのための手段の第2の端子コンタクトで静電容量を前記スイッチングのための手段に提供するための第2の手段と
を備える同調回路。
【請求項２６】
前記電気的に係合するための手段が、さらに前記電界効果トランジスタを駆動するためのゲートバイアス回路を使用し、前記電気的特性がバイアス電位を有する、請求項25に記載の同調回路。
【請求項２７】
前記第2の端子コンタクトが前記第1の端子コンタクトよりもバイアスが高いように、ドレインバイアス回路を使用して前記第2の端子コンタクトをバイアスするための手段をさらに備える、請求項25に記載の同調回路。
【請求項２８】
前記ドレインバイアス回路が自己バイアス乗算器回路を備える、請求項27に記載の同調回路。
【請求項２９】
前記同調のための手段が前記電界効果トランジスタに並列に接続される、請求項25に記載の同調回路。
【請求項３０】
第1の端子がドレイン端子であり、第2の端子が前記電界効果トランジスタのソース端子であるように、前記電界効果トランジスタがn型mosfetを備える、請求項25に記載の同調回路。
【請求項３１】
第1の端子がソース端子であり、第2の端子が前記電界効果トランジスタのドレイン端子であるように、前記電界効果トランジスタがp型mosfetを備える、請求項25に記載の同調回路。
【請求項３２】
前記同調するための手段がキャパシタまたはインダクタを備える、請求項25に記載の同調回路。
【請求項３３】
第2の同調するための手段を提供するための手段をさらに備え、前記第2の同調するための手段がキャパシタまたはインダクタを備える、請求項25に記載の同調回路。
【請求項３４】
前記AC経路に対して第1の端子および第2の端子のフローティングを維持するための手段をさらに備える、請求項25に記載の同調回路。
【請求項３５】
前記電界効果トランジスタの出力静電容量が、前記ワイヤレス電力伝達システムにおける所望の同調に実質的に近づく、請求項25に記載の同調回路。
【請求項３６】
前記ゲートが第1の端子のキャパシタに結合される、請求項25に記載の同調回路。