(57)【要約】【課題】位置ズレを生じたウエハを作業者がハンドリングすることなく回収することのできるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】真空容器内部に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置されその上に前記プラズマを用いた処理の対象のウエハ１が載せられる試料台２と、この試料台２のウエハ１が載せられる載置面の外周に配置されたリング１０６と、載置面に配置されガスが上方に供給される開口２０５とを備え、ウエハ１が載置面上の所定の位置からずれてその外縁の一部が載置面より高い位置にあるリング１０６上に乗っていることが検出された場合に、開口２０５から前記ガスをウエハ１の裏面に向けて供給してウエハ１の位置を修正する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内部に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、前記処理室内に配置され前記プラズマを用いた処理の対象のウエハが載せられる試料台と、前記試料台の前記ウエハが載せられる載置面の外周に配置されたリングと、前記載置面に配置されガスが上方に供給される開口とを備えており、
前記ウエハが前記載置面上の所定の位置からずれて前記ウエハの外縁の一部が前記載置面より高い位置にある前記リング上に乗っていることが検出された場合に、前記開口から前記ガスを前記ウエハの裏面に向けて供給して前記ウエハの位置を修正する機能を有していることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記載置面を構成する誘電体製の膜の内部に配置され前記ウエハを前記誘電体膜上面に吸着して保持するための直流電力が供給される電極を備え、前記ウエハが前記載置面上で吸着保持された状態で前記開口から熱伝達用のガスが供給されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置であって、
前記載置面上に前記ガスを上方に供給する複数の前記開口を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載のプラズマ処理装置であって、
前記試料台内部に配置され前記載置面に対して上下方向に駆動されて前記ウエハをその先端に載せて前記載置面から上方に離脱し、また、下方に接近させて前記載置面に載せる複数のピンを備え、前記ガスが供給される開口から前記ピンがこの載置面から上方に突出し、または、下方に収納されることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマ処理装置に係り、特に位置ズレを生じた処理試料を真空保持したまま回収することに好適なプラズマ処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の試料保持機構は、特許文献１に示されるように、プラズマが生成される空間内で絶縁体からなる矩形の被処理試料を載置保持する試料保持機構であって、前記被処理試料を載置保持する矩形の試料台と、前記試料台とこの試料台の試料保持面に保持された被処理試料との間にガスを供給するためのガス流路と、前記試料台の試料保持面に形成され、前記ガス流路からのガスを前記試料保持面上に案内する複数のガス穴と、前記ガス穴が形成される領域が前記試料保持面の内側になるようにして、前記ガス穴形成領域全面にわたって形成される凹部と、前記試料保持面の前記ガス穴形成領域の外周に形成される枠部と、前記枠部に形成した複数の試料位置ズレ検出孔と、前記試料位置ズレ検出孔と前記凹部とを連通する連通路と、前記ガス流路の圧力を測定する圧力測定手段と、前記試料台上に被処理試料を保持したときに，前記圧力測定手段からの検出圧力に基づいて前記ガス穴からのガスの漏れ量を検出し，その検出結果に基づいて前記所定の位置ズレ許容量以上の前記被処理試料の位置ズレの有無を検出する位置ズレ検出手段と、を備えることを特徴とする試料保持機構が知られている。
【０００３】
また、従来の試料脱離方法は、特許文献２に示されるように、昇降自在な電極上に設けられ且つ試料よりも寸法が小さい試料台と、昇降自在で試料台の下方から上方へ突き出し可能な押上げピンとを有し、試料台上に静電的に吸着固定された試料を脱離させる脱離装置を用いた試料の脱離方法であって、試料と試料台とを静電的に吸着固定するために電極に印加された電圧を除去する工程と、電極を下降させることで相対的に押上げピンの先端を試料台の上面から突出させて、試料の少なくとも一部分を試料台の上方に浮き上がらせる工程と、電極を上昇させることで相対的に押上げピンを下降させ、押上げピンの先端を試料台の上面よりも下方へ没入させることで、試料を試料台上に水平に載置して試料の裏面を試料台の上面に接触させる工程と、電極を下降させることで相対的に押上げピンの先端を試料台の上面から突出させて、試料を試料台の上方に浮き上がらせる工程と、押上げピンをさらに上昇させて試料を所定の高さまで持ち上げる工程とを有することを特徴とする試料の脱離方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１７２１７０号公報
【特許文献２】特開２００８−４１９６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の特許文献１に示される試料保持機構は、試料の位置ズレを検知して以降に試料を回収する方法について十分に配慮されていなかった。すなわち、許容量以上のズレを検出した後、作業者は装置を停止して装置内の試料をハンドリングすることで試料を装置外に除去する試料回収作業が必要となる。
【０００６】
すなわち、試料のズレを生じてから次の試料処理を再開するまでは、装置を稼働できない問題があった。特に真空処理装置内に搭載した試料保持機構においては、試料をハンドリングするためには装置のベントが必要であり、さらに試料除去後には装置を真空にする作業が必要であり、装置のダウンタイムが大きい。さらにエッチング処理装置に搭載した試料保持機構においては、試料回収作業して真空排気をした後に、装置内の温度や表面状態を整える操作が必要となり、装置のダウンタイムはさらに大きいものとなる。
【０００７】
また、試料を作業者がハンドリングすると不注意で試料を割ってしまうリスクが生じる。特にクリーンルームに設置されたプラズマエッチング装置において試料を割ってしまうと、クリーンルーム自体の清掃が必要となり時間的経済的ロスが大きい。
【０００８】
また、従来の特許文献２に示される試料脱離方法は、試料と試料台の残留吸着力が大きく試料と試料台がスムーズに脱離しない場合に試料が跳ねてズレが生じる点について十分に配慮されていなかった。
【０００９】
本発明の目的は、位置ズレを生じた試料を作業者がハンドリングすることなく回収することのできるプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明のプラズマ処理装置は、真空容器内部に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、前記処理室内に配置され前記プラズマを用いた処理の対象のウエハが載せられる試料台と、前記試料台の前記ウエハが載せられる載置面の外周に配置されたリングと、前記載置面に配置されガスが上方に供給される開口とを備えており、前記ウエハが前記載置面上の所定の位置からずれて前記ウエハの外縁の一部が前記載置面より高い位置にある前記リング上に乗っていることが検出された場合に、前記開口から前記ガスを前記ウエハの裏面に向けて供給して前記ウエハの位置を修正する機能を有していることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明のプラズマ処理装置は、更に、前記載置面を構成する誘電体製の膜の内部に配置され前記ウエハを前記誘電体膜上面に吸着して保持するための直流電力が供給される電極を備え、前記ウエハが前記載置面上で吸着保持された状態で前記開口から熱伝達用のガスが供給されることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明のプラズマ処理装置は、更に、前記載置面上に前記ガスを上方に供給する複数の前記開口を備えていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明のプラズマ処理装置は、更に、前記試料台内部に配置され前記載置面に対して上下方向に駆動されて前記ウエハをその先端に載せて前記載置面から上方に離脱し、また、下方に接近させて前記載置面に載せる複数のピンを備え、前記ガスが供給される開口から前記ピンがこの載置面から上方に突出し、または、下方に収納されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、位置ズレを生じた試料を真空保持したまま正規位置にもどしてから搬出して回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は本発明の一実施例であるプラズマ処理装置を示す断面図である。
【図２】図２は試料台を示す断面図である。
【図３】図３は試料台における試料位置ズレを説明する図である。
【図４】図４は試料をズレ位置から正規位置にもどしてから試料を搬出するフローチャートである。
【図５】図５は本発明の他の一実施例である試料台を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は、試料の位置ズレを検知したときに、伝熱ガスを一気に供給することで試料を吹き上げて、試料を正規位置にもどしてから搬出する。
【実施例１】
【００１７】
以下、本発明の一実施例を図１乃至図４により説明する。図１は、プラズマ処理装置の概略図である。処理室３は、真空チャンバ１０２の上部に石英製のシャワープレート１０３と石英製の蓋１０１を設置し、真空チャンバ１０２の下面にはバルブ１０４を介して真空ポンプ１０５を接続して構成する。処理室３を構成する前記部材間の隙間は図示しないＯリング等の適切なシール手段によって気密されており、処理室３内の圧力は１００００分の１Ｐａといった高真空に維持することができる。なお、処理室３の側面には図示しない試料１の導入口を備えており、処理室３の真空状態を保ったままに試料１の導入口を開けて試料１を処理室３に搬入出することのできる図示しない搬送機構を備えている。
【００１８】
処理室３の上部の空間は、シャワープレート１０３と蓋１０１と真空チャンバ１０２とガス導入穴１０７で構成したガスだまり１０９である。ガスだまり１０９の構成部材間の隙間は図示しないＯリング等のシール手段によって気密に接続されている。処理ガスは、処理ガス供給装置１０８からまずガスだまり１０９に導入され、次いでシャワープレート１０３に設けた多数のシャワープレート貫通穴１１０を通り、処理室３内にシャワー状に導入される。処理ガスとしては、プロセス毎に単一の物質ガス、あるいは複数の物質を所定の比量で最適な流量比で混合したガスを用いる。たとえば、被エッチング材料がＳｉ系の材料であれば、ＨＢｒ／Ｃｌ２／Ｏ２のガス系もしくは、左記に組み合わせてＳＦ６、ＣＦ４、ＣＨＦ３等のフッ素系ガスが好適に使用できる。
【００１９】
処理室３の上方には、円盤状のアンテナ１１１を設置する。アンテナ１１１にはマイクロ波発振器１１２を接続しており、アンテナ１１１に高周波電圧を印加して電磁波を生成することができる。処理室３に導入された電磁波と、真空チャンバ１０２の周囲を取り巻いて設置したコイル１１３によって生じる磁場との相互作用により、処理室３内には高密度なプラズマを生成することができる。
【００２０】
処理室３の下方には、半導体試料等の試料１を配置する試料台２が設けられており、試料１が載置される面には静電チャック４が取り付けられている。なお、試料台２には静電チャック４によって保持する試料１にバイアス電圧を印加する高周波電源１１４と、試料１を吸着・保持するために静電吸着電源１１５と、試料１と静電チャック４の間に伝熱ガスを供給するための伝熱ガス供給装置１１６が接続されている。尚、符号１０６はフォーカスリング、符号１１７は制御装置である。
【００２１】
図２に試料台２の詳細を示す。試料台２上部の静電チャック４は、この場合、電気絶縁膜２００と静電吸着電極２０１と誘電体膜２０２を積層してなる。静電吸着電極２０１は２枚とし、外電極２０１ａと内電極２０１ｂを備えたダイポール型とし、それぞれの電極は静電吸着電源１１５に接続する。尚、押上げピン２０６を挟んで内電極２０１ｂと反対側に記載されている電極は内電極２０１ｂと一体物である。
【００２２】
すなわち、押上げピン２０６は内電極２０１ｂを貫通して設けられた開口部内を上下に動く。試料１の載置面の最外周部とそれから内側に離間した位置にリング状の凸部２０３、２０４が形成されている。試料１の裏面への伝熱ガスの供給は、凸部領域以外の凹部領域に設けられたガス供給穴２０５を介して行う。
【００２３】
ガス供給穴２０５への伝熱ガス供給ラインにはバルブ２０８を備えており、バルブ２０８の開度を調整することで伝熱ガス供給量およびガス圧力を調節することができる。なお、リング状の最外周凸部２０３，リング状凸部２０４の間の空間にはガス供給穴２０５からの伝熱ガスが供給される。なお、伝熱ガス供給ラインにコンプレッサ等の圧縮手段を取り付けることにより、広範囲の圧力制御が可能となる。
【００２４】
また、伝熱ガスは処理室３へ放出するため、試料１を処理する際には試料１の反応に影響しないように、反応ガスに比べ数桁少ない流量としている。また、試料台２は図示しない冷媒を流すことのできる放熱手段を備えている。符号２０６は押上げピン、符号２０９はシール、符号２１０は押し上げピン、符号２１１は押し上げピン駆動装置を示す。
【００２５】
なお、試料台２の材質としては、適度な強度があればどのような金属でも使用でき、たとえばステンレス、アルミニウム、アルミニウム合金、チタンなどが好適に使用できる。または金属でなくとも構わない。また、電気絶縁膜２００および誘電体膜２０２の材質は、絶縁性を維持することができ、かつプラズマ耐性があればどのような材質であっても構わないが、例えばアルミナ（酸化アルミニウム、Ａｌ２Ｏ３）やイットリア（酸化イットリウム、Ｙ２Ｏ３）が好適に使用される。また、静電吸着電極２０１の材質としては、どのような金属でも構わないが、例えばタングステンやニッケルなどが好適に使用される。
【００２６】
なお、本実施例において静電吸着電極２０１は外電極２０１ａと内電極２０１ｂの２枚を備えたダイポール型としたが、必ずしもダイポール型である必要はなく、モノポール型であっても構わない。また、静電吸着以外による吸着方法であってもよい。
【００２７】
図２に示した本実施例としての試料台２を用いるときの、試料１の正規位置ならびにズレ位置を図３によって説明する。フォーカスリング１０６は試料台２の試料１の載置面の外周の試料１の載置面より低い部分を保護するリング形状である。フォーカスリング１０６は、その内周側に試料１の載置面よりも低い位置に試料対向面３０１を備え、その外周側に試料１の載置面よりも高い位置に試料乗り上げ面３０２を備えている。試料１が試料乗り上げ面３０２に乗り上げることなく静電チャック４に載置されているとき、試料１は正規位置にあるとする。
【００２８】
一方で試料１が試料乗り上げ面３０２に乗り上げているとき、試料１はズレ位置にあるとする。試料１の正規位置ならびにズレ位置は、フォーカスリング１０６の試料対向面３０１と試料乗り上げ面３０１の接続部のうち試料１載置面と同一面上の境界線３０３によって規定する。
【００２９】
図４は、試料１をズレ位置から正規位置にもどして試料１を搬出するフローチャートであり、本実施例ではプラズマエッチング処理あるいは除電処理が何らかのエラーで停止したときに、エラーを生じた試料１を試料台２から取り除き、次の試料１を処理再開する方法を示す。
【００３０】
試料１をエッチング処理してその後に除電処理するまでの一連の処理中に、制御装置１１７が何らかの異常を検知すると、その後にエラー発生５００するとともに、処理ガス供給装置１０８からの処理ガス供給を停止し、マイクロ波発振器１１２からアンテナ１１１への高周波電圧の印加を停止し、コイル１１３からの磁場発生を停止し、高周波電源１１４によるバイアス電圧の印加を停止し、静電吸着電源１１５による電圧印加を停止し、伝熱ガス供給装置１１６からの伝熱ガス供給を停止し、処理室３は放熱手段による冷却機能を維持したまま真空状態に保持される。このとき、エラー発生からの経過時間ｔを制御装置１１７によってカウント開始時間ｔ＝０５０１しておく。装置作業者がエラー後処理の開始５０２を制御装置１１７に指示すると、装置はエラー後処理動作５５０を自動で実施する。
【００３１】
試料１を静電チャック４から取り除くためには残留吸着力を低減しておくことが肝要であるから、適切な除電操作５３０を実施する。除電操作５３０としては、例えばプラズマを照射する方法がある。ただし、エッチング処理中に検知した異常のうちでエッチング性能に重大な影響を及ぼさない異常を検知した場合には、除電処理を含む所定処理を全て完了してからエラー発生する。
【００３２】
従って除電操作５３０をエラー発生試料処理停止５００した後に一律に実施するのではなく、試料１に対する除電処理をエラー発生試料処理停止５００以前に完了しているか否かを除電判定５０３し、エラー発生試料処理停止５００以前に除電操作５３０が完了している場合はエラー後処理動作５５０における最初の除電操作５３０をスキップすることで、エラー後処理動作５５０にかかる時間を短縮し装置のダウンタイムを低減することができる。
【００３３】
また、エラー発生試料処理停止５００して以降、装置作業者がエラー後処理開始５０２の指示をするまでには、装置作業者の都合に左右されて、長い時間を要することがある。試料１を試料台２に長時間にわたって載置したままにすると、放熱手段としての冷媒を試料台２に流通することで生じる静電気に起因して静電チャック４が帯電し試料１と静電チャック４との間で吸着力が生じることがある。そこで本実施例においては時間ｔと許容値ｔｓｅｔの大小比較の時間判定５０４して、ｔ＞ｔｓｅｔの場合には除電操作５３０を実施するフローとし、試料１ズレを生じる可能性を低減している。
【００３４】
以上のようにして試料１と静電チャック４の間に作用する残留吸着力を可能な限り低減してから、時間判定５０４の直後に、押上げピン２０６を上下動作５０５する。押上げピン２０６を上昇させて試料１を静電チャック４から脱離させるとき、残留吸着力が比較的低減していれば試料１と静電チャック４とがスムーズに脱離し、試料１の水平位置はほとんど変化しないので、次いで押上げピン２０６を下降させると試料１はフォーカスリング１０６の試料乗り上げ面３０２に乗り上げることなく静電チャック４の正規位置に載置される。
【００３５】
一方で、残留吸着力があまり低減していない場合に押上げピン２０６を上昇させて試料１を静電チャック４から脱離させると、脱離の瞬間には試料１に押上げピン２０６から比較的大きな力が作用するため、脱離して以降に試料１が振動したり跳ね上がったりして試料１が水平方向に不規則に移動してしまう。
【００３６】
このような場合に次いで押上げピン２０６を下降させると、試料１はフォーカスリング１０６の試料乗り上げ面３０２に乗り上げた状態すなわち試料１は位置ズレの状態となってしまう。さらには、周方向で残留吸着力が分布を持つ場合に押上げピン２０６を上昇させると、まず周方向で残留吸着力が比較的弱い側で試料１が静電チャック４から脱離し、一方で周方向で残留吸着力の比較的強い側の試料１は最後まで静電チャック４と脱離しないために、試料１が傾いて押上げピン２０６とフォーカスリング１０６に支持されることがある。
【００３７】
このように傾いた試料１を処理室３から搬出しようとしても、試料１が押上げピン２０６上に略水平に保持されている場合のみに対応した搬送機構を用いる場合は、試料１を正常に搬送することが難しく、また試料１の割れを生じてしまうこともある。本実施例においては、そのように試料１が傾いた場合であっても、いったん押上げピン２０６を下降させることで、試料１は位置ズレ状態となるため、試料１の割れを回避することができる。
【００３８】
押上げピン上下動作５０５をした結果としての試料１位置ズレの判定５０７は、どのような手段であっても構わないが、本実施例においては伝熱ガスをバルブ２０８で調節しながら一定流量で導入するときの伝熱ガスラインの圧力Ｐをモニタし、Ｐｓｅｔとの大小を比較する方法とした。
【００３９】
試料１がズレ位置にある場合のほうが、試料１が静電チャック４の正規位置にある場合に比べて、試料１と静電チャック４の隙間が大きいために伝熱ガスライン圧力Ｐが小さい。すなわち、試料１の位置ズレと正規位置による伝熱ガスライン圧力Ｐを予め測定して把握しておけば、Ｐｓｅｔを適切に設定することができる。
【００４０】
試料１の位置ズレの試料ズレ判定５０７の結果Ｐ≦Ｐｓｅｔであれば、試料１はズレ位置にあることから、試料１を正規位置に戻すために伝熱ガス吹き出し動作である試料位置ズレ補正動作５２０を実施する。ズレ位置にある試料１に対してガス供給穴２０５から伝熱ガスを一気に供給すると、試料１にはその試料面と鉛直に上向きの力が作用し、試料１は吹き飛ばされる。吹き飛ばされる直前の試料１は水平から傾いているために、吹き飛ばされた試料１は試料台２の中心方向へ移動するので、試料１を正規位置にもどすことができる。
【００４１】
なお、本実施例では試料位置ズレ補正動作５２０を１回実施するとしたが、複数回の吹き出しを連続して実施してもよい。一方で、試料１の位置ズレの試料ズレ判定５０７において、Ｐ＞Ｐｓｅｔであれば、試料１は正規位置にある。
【００４２】
１つの搬送機構を複数の処理室３で共通で使用する装置構成の場合には、他の処理室３に対して搬送機構が動作しているために、エラー後処理動作５５０を実施中の処理室３から試料１を搬出することができないことがある。特に長い時間を要してしまう場合には、放熱手段としての冷媒を流通することで生じる静電気によって試料台２が帯電し試料１と試料台２に吸着力が生じてしまうことがある。
【００４３】
そこで、試料１を搬送機構によって搬出するために押上げピンを上昇動作５０９する直前に、プッシャ上下５０５の直後および伝熱ガス吹き出しの試料位置ズレ補正動作５２０の直後からの時間ｔと許容値ｔｓｅｔの大小を時間判定５０８し、ｔ≦ｔｓｅｔの場合に限って試料１の搬出の動作を開始する搬出開始５０９すなわち押上げピン２０６を上昇させ、試料１と静電チャック４をスムーズに脱離し、試料１のズレによる搬送トラブルを回避することができる。
【００４４】
試料１を伝熱ガスで吹いて移動すると、試料１あるいは静電チャック４表面が摩擦で傷ついてコンタミが生じその後の試料１処理に影響を及ぼすことがあるので、エラー後処理動作５５０を終了した後でダミーの試料１の十数枚を処理室３に搬送して静電チャック４に載置５１０し、コンタミを除去してから、試料１を処理再開するダミー試料処理５１１を行う。なおこのダミー試料処理５１０は複数回実施しても構わない。
【００４５】
以上のように、図４に示すフローに従うと、搬送機構で試料１を処理室３から搬出する直前の押上げピン上昇動作は正規位置の試料１に対してのみ実施することになり、なおかつその動作によって試料１と静電チャック４が脱離するときに試料１が水平方向に移動することはない。従って、フォーカスリング１０６の境界線３０３を搬送機構が試料１を搬送できる範囲内に設定すれば、試料１のズレや割れなどのトラブルのない試料１の搬送を提供できる。
【００４６】
次に、本発明の他の一実施例を図５により説明する。図５はプラズマ処理装置における試料台２を示す断面図である。図５において、図３と同符号は同一部材を示し説明を省略する。この試料台２では、静電チャック４表面に円周上にガス供給穴２３０、２３１およびバルブ２４０、２４１を備えている。図では伝熱ガスラインを２系統しか描いていないが、このほかにも図示しない伝熱ガスラインを備えており、複数系統の伝熱ガスラインを備えている。
【００４７】
伝熱ガス供給量およびガス圧力はそれぞれの伝熱ガスラインで独立して制御することができる。本実施例によれば、試料１の位置ズレの試料ズレ判定５０７において、各伝熱ガスラインの圧力Ｐをモニタすれば、試料ズレを生じた場合における試料１のズレ方向を特定することができる。すなわち、試料１がフォーカスリング１０６の試料乗り上げ面３０２に乗り上げている付近においては静電チャック４と試料１との隙間は比較的広く、この近傍に備えたガス供給穴２３０，２３１に接続した伝熱ガスライン圧力は周囲の伝熱ガスラインの圧力よりも低い値となる。
【００４８】
また、ズレ位置にある試料１を正規位置に戻すために伝熱ガス吹き出し動作をする試料位置ズレ補正動作５２０とき、試料１のズレ方向の情報をもとに、ガス供給穴２３０，２３１それぞれについて異なるガス供給量として試料面に作用する力の周方向分布を低減することで、試料１に作用する回転モーメントが低減するので試料１を略水平にしたまま安定に移動させることができる。
【符号の説明】
【００４９】
１  試料
２  試料台
３  処理室
４  静電チャック
１０１  蓋
１０２  真空チャンバ
１０３  シャワープレート
１０４  バルブ
１０５  真空ポンプ
１０６  フォーカスリング
１０７  ガス導入穴
１０８  処理ガス供給装置
１０９  ガスだまり
１１０  シャワープレート貫通穴
１１１  アンテナ
１１２  マイクロ波発振器
１１３  コイル
１１４  高周波電源
１１５  静電吸着電源
１１６  伝熱ガス供給装置
１１７  制御装置
２００  電気絶縁膜
２０１  静電吸着電極
２０２  誘電体膜
２０３  最外周凸部
２０４  リング状凸部
２０５  ガス供給穴
２０６  押上げピン
２０８  バルブ
２０９  シール
２１０  押上げピン
２１１  押上げピン駆動装置
２３０  ガス供給穴
２３１  ガス供給穴
２４０  バルブ
２４１  バルブ
３０１  試料対向面
３０２  試料乗り上げ面
３０３  境界線
５００  エラー発生試料処理停止
５０１  時間ｔ＝０
５０２  エラー後処理開始
５０３  除電判定
５０４  時間判定
５０５  押上げピン上下動作
５０６  時間ｔ＝０
５０７  試料ズレ判定
５０８  時間判定
５０９  搬出開始
５１０  ダミー試料処理
５１１  試料処理再開
５２０  試料位置ズレ補正動作
５３０  除電操作
５５０  エラー後処理動作
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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