【手続補正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラミネートボディと、
前記ラミネートボディの内部に配置される基板と、
前記ラミネートボディの中に埋め込まれる半導体ダイと、
を含むシステムインパッケージであって、
前記半導体ダイの少なくとも１つのコンタクト領域が、シンターされたボンディング層を介して前記基板の少なくとも１つのコンタクトパッドにボンディングされ、
前記半導体ダイのコンタクト領域が、ガルバニ系列で考えられるときに銅よりもより貴である金属又は金属合金から作られる又はめっきされる、システムインパッケージ。
【請求項２】
ラミネートボディと、
前記ラミネートボディの内部に配置される基板と、
前記ラミネートボディの中に埋め込まれる半導体ダイと、
を含むシステムインパッケージであって、
前記半導体ダイの少なくとも１つのコンタクト領域が、シンターされたボンディング層を介して前記基板の少なくとも１つのコンタクトパッドにボンディングされ、
前記基板の前記コンタクトパッドが、ガルバニ系列で考えられるときに銅よりもより貴である金属又は金属合金から作られるか又はめっきされる、システムインパッケージ。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムインパッケージであって、
前記半導体ダイの前記コンタクト領域が、銅ベースと金属コーティングとを有し、前記金属コーティングが前記銅ベース上に配置される、システムインパッケージ。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムインパッケージであって、
前記基板のコンタクトパッドが、銅ベースと金属コーティングとを有し、前記金属コーティングが前記銅ベース上に配置される、システムインパッケージ。
【請求項５】
請求項３に記載のシステムインパッケージであって、
前記金属コーティングが銀を含む、システムインパッケージ。
【請求項６】
請求項３に記載のシステムインパッケージであって、
前記金属コーティングが金を含む、システムインパッケージ。
【請求項７】
請求項４に記載のシステムインパッケージであって、
前記金属コーティングが銀を含む、システムインパッケージ。
【請求項８】
請求項４に記載のシステムインパッケージであって、
前記金属コーティングが金を含む、システムインパッケージ。
【請求項９】
ラミネートボディと、
前記ラミネートボディの内部に配置される基板と、
前記ラミネートボディの中に埋め込まれる半導体ダイと、
を含むシステムインパッケージであって、
前記半導体ダイの少なくとも１つのコンタクト領域が、シンターされたボンディング層を介して前記基板の少なくとも１つのコンタクトパッドにボンディングされ、
前記シンターされたボンディング層が、ガルバニ系列で考えられるときに銅よりもより貴である金属又は金属合金を含むシンターペーストから作られる、システムインパッケージ。
【請求項１０】
ラミネートボディと、
前記ラミネートボディの内部に配置される基板と、
前記ラミネートボディの中に埋め込まれる半導体ダイと、
を含むシステムインパッケージであって、
前記半導体ダイの少なくとも１つのコンタクト領域が、シンターされたボンディング層を介して前記基板の少なくとも１つのコンタクトパッドにボンディングされ、
前記半導体ダイが、前記パッケージの上側及び／又は下側コンタクトパッドに結合され、前記コンタクトパッドが、前記ラミネートボディの上側又は下側表面上に配置され、前記ラミネートボディの前記上側及び／又は下側表面に近接して配置される基板がない、システムインパッケージ。
【請求項１１】
ラミネートボディと、
前記ラミネートボディの内部に配置される基板と、
前記ラミネートボディの中に埋め込まれる半導体ダイと、
を含むシステムインパッケージであって、
前記半導体ダイの少なくとも１つのコンタクト領域が、シンターされたボンディング層を介して前記基板の少なくとも１つのコンタクトパッドにボンディングされ、
複数の半導体ダイが前記ラミネートボディの中に埋め込まれ、前記複数の半導体ダイのコンタクト領域が、シンターされたボンディング層の助けを借りて互いにボンディングされ、前記シンターされたボンディング層がシンターペーストから作られ、前記複数の半導体ダイが、前記半導体ダイの間に配置される基板なしに、ダイオンダイ構成で直接的にスタックされる、システムインパッケージ。
【請求項１２】
ラミネートボディと、
前記ラミネートボディの内部の第１の基板と、
前記ラミネートボディの中に埋め込まれる半導体ダイであって、前記半導体ダイの少なくとも１つのコンタクト領域が、シンターされたボンディング層を介して前記第１の基板の少なくとも１つのコンタクトパッドにボンディングされる、前記半導体ダイと、
前記第１の基板上の複数の半導体ダイであって、第１の半導体ダイと第２の半導体ダイとが、スタックされた半導体構成を形成するように、前記第１の基板の向かい合った表面上に配置される、前記複数の半導体ダイと、
前記第１又は第２の半導体ダイに対して、前記第１の基板と反対に配置される第２の基板と、
第３の基板であって、それぞれ上面上と下面上とに配置される前記第２の基板と前記第３の基板とを有するパッケージを形成するように、及び前記第１の基板に対して対称的なスタックされたパッケージを提供するように、前記第１の基板に対して前記第２の基板と反対に配置される、前記第３の基板と、
を含む、システムインパッケージ。
【請求項１３】
請求項１２に記載のシステムインパッケージであって、
高い導電性の材料の金属ブロックを更に含み、前記金属ブロックが、ガルバニ系列で考えられるときに銅よりもより貴である金属又は金属合金から作られるコーティングを有する、システムインパッケージ。
【請求項１４】
請求項１３に記載のシステムインパッケージであって、
前記金属ブロックが銅ブロックであり、前記コーティングが銀及び／又は金を含む、システムインパッケージ。
【請求項１５】
システムインパッケージを製造する方法であって、この方法が、
ラミネートボディの内部に第１の基板を埋め込むことと、
前記第１の基板の複数のコンタクトパッドに及び／又は第１の半導体ダイの複数のコンタクト領域にシンターペーストを付けることと、
前記第１の半導体ダイの前記コンタクト領域を前記第１の基板の前記コンタクトパッド上に置くことと、
前記システムインパッケージのラミネートボディを形成する更なる層と共に、前記第１の基板と前記置かれた半導体ダイとをスタックすることであって、前記更なる層が、
スタックされた半導体構成を形成するために、前記第１の基板の反対の面上の少なくとも第２の半導体ダイと、
前記第１又は第２の半導体ダイに対して前記第１の基板と反対に配置される第２の基板と、
第３の基板であって、それぞれ上面上と下面上とに配置される前記第２の基板と前記第３の基板とを有するパッケージを形成するように、及び前記第１の基板に対して対称的なスタックされたパッケージを提供するように、前記第１の基板に対して前記第２の基板と反対に配置される、前記第３の基板と、
を含む、前記スタックすることと、
前記ラミネートボディを提供するために前記第１の基板と前記更なる層とをラミネートするように、及び前記第１の基板の前記コンタクトパッドと前記半導体ダイの前記コンタクト領域との間の電気的接続を提供するために前記シンターペーストのシンターを実行するように、前記スタック上に組み合わされたプレスとシンターとを実行することと、
を含み、
ラミネーションと電気的接触とが、前記組み合わされたプレスとシンターとを実行することにおいて提供される、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記スタックすること前に、前記置かれた半導体ダイを前記第１の基板のコンタクトパッドに事前シンターすることを更に含む、方法。