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【手続補正書】
【提出日】平成28年2月19日(2016.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信システムにおける測定の方法(82)であって、
ワイヤレスデバイスを第1のワイヤレス通信技術上で動作させるステップ(84)と、
セル再選択のために探索されるべき第2のワイヤレス通信技術の周波数のグループを識別するステップであって、前記第2のワイヤレス通信技術は、前記第1のワイヤレス通信技術と比較して選好される、ステップと、
前記第2のワイヤレス通信技術の前記周波数のグループのうちの1つにおいて、セルを検出するステップ(86)と、
最初の測定値に基づいて、前記第2のワイヤレス通信技術の前記検出済みセルが第1の再選択基準を満たすと判断するステップ(88)と、
前記第2のワイヤレス通信技術の前記検出済みセルが前記第1の再選択基準を満たすことに応答して、高速測定周期性モードを使用して、前記第2のワイヤレス通信技術の前記周波数のグループのための複数の新しい測定をスケジュールするステップであって、前記高速測定周期性モードは、再選択時間周期の満了より前に、前記周波数のグループの各周波数上の前記複数の新しい測定が行われるように、前記第2のワイヤレス通信技術の前記周波数のグループを測定する頻度を増加させることを含む、ステップと、
前記第2のワイヤレス通信技術の前記周波数のグループのうちの1つにおける新しいセルに対応する、前記新しい測定が、第2の再選択基準を満たし、前記第2の再選択基準が前記再選択時間周期にわたって満たされるとき、前記周波数のグループのうちの1つにおける前記新しいセルへと再選択するステップであって、前記再選択時間周期にわたって前記第2の再選択基準を満たすことは、前記高速測定周期性モードを使用して、前記周波数のグループのうちの1つにおける前記新しいセルに対応する連続的な測定値を観測することを含む、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記高速測定周期性モードを使用することが、前記第2のワイヤレス通信技術の前記周波数のグループの測定周期性を低減するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記測定周期性を低減するステップが、通常測定周期性モードから高速測定周期性モードへと変更するステップをさらに含み、前記高速測定周期性モードに従う測定が、前記通常測定周期性モードに従う測定の少なくとも2倍速く行われる、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記測定周期性を低減するステップが、前記周波数のグループの数の関数に基づいて、前記測定周期性をさらに低減するステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
前記低減された測定周期性に従って、前記第2のワイヤレス通信技術の前記検出済みセルを測定するステップと、
前記低減された測定周期性中の前記検出済みセルの前記測定値が前記再選択時間周期にわたって前記第2の再選択基準を満たすと判断するステップと、
前記再選択時間周期の満了後、前記第1のワイヤレス通信技術から前記第2のワイヤレス通信技術の前記検出済みセルへと再選択するステップと
をさらに含む、請求項2に記載の方法。
【請求項６】
前記第2のワイヤレス通信技術の前記セルを検出するステップが、ロングタームエボリューション(LTE)技術に関連付けられた周波数上で動作する前記セルを検出するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記第1のワイヤレス通信技術上で動作させるステップが、広帯域符号分割多元接続(WCDMA(登録商標))技術上で動作させるステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
選好方式に基づいて、前記第2のワイヤレス通信技術が前記第1のワイヤレス通信技術よりも選好されると判断するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記方法が、
前記再選択時間周期の満了後、前記第1のワイヤレス通信技術から前記第2のワイヤレス通信技術の前記検出済みセルへと再選択するステップと、
前記ワイヤレスデバイスを前記第2のワイヤレス通信技術上で動作させるステップと
をさらに含み、
前記検出済みセルが前記第1の再選択基準を満たすと判断するステップが、
前記最初の測定値が第1のしきい値を満たすと判断するステップと、
前記複数の新しい測定値が第2のしきい値を満たすと判断するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記高速測定周期性モードを使用して、前記第2のワイヤレス通信技術の前記周波数のグループのための前記複数の新しい測定をスケジュールするステップが、高優先度モードのための前記複数の新しい測定をスケジュールするステップをさらに含み、前記高優先度モードが、前記再選択時間周期中に、前記検出済みセルの測定された電力レベルが電力しきい値を満たすことを確実にするステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記高速測定周期性モードを使用して、前記第1の再選択基準を満たす前記周波数のグループのうちの1つにおけるいかなるセルも観測することもできないことに応答して、通常測定周期性モードを使用して、前記第2のワイヤレス通信技術の前記周波数のグループのための前記複数の新しい測定をスケジュールするステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記第2のワイヤレス通信技術の前記周波数のグループのうちの1つにおける前記新しいセルへと再選択するステップが、
ワイヤレス通信技術識別子の優先リストを含む選好方法を維持するステップであって、前記優先リストの前記ワイヤレス通信技術識別子の順序が、他のワイヤレス通信技術に比較した1つのワイヤレス通信技術の選好に対応する、ステップと、
第2のワイヤレス技術識別子の前記順序が、第1のワイヤレス技術識別子に比較してより高い優先度を示すとき、前記第2のワイヤレス通信技術を選択するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
請求項1乃至12のいずれか１項に記載のステップを実行するように構成された手段を備えたワイヤレス通信システムにおける測定のための装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モバイルデバイス(100)の地理的定常性を同定する方法であって、
無線周波数(RF)環境変化推定に基づいて、前記モバイルデバイスが高平均速度移動に関与しているかどうかを判断するステップ(210)と、
歩行ステッピング情報に基づいて、前記モバイルデバイスが低平均速度移動に関与しているかどうかを判断するステップ(220)と、
高平均速度移動および低平均速度移動の欠如に基づいて、前記モバイルデバイスに対して定常状態を指定するステップ(230)と
を含む方法。
【請求項２】
前記定常状態が、前記モバイルデバイスの地理的位置が実質的に一定状態にとどまる、前記モバイルデバイスの絶対定常性または前記モバイルデバイスのユーザのそわそわすることに対応する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
加速度計(158)を使用して、前記モバイルデバイスの絶対定常性を監視するステップであって、前記モバイルデバイスが高平均速度移動に関与しているかどうかを前記判断するステップが、前記監視するステップが少なくともいくつかの運動を示すまで開始されず、前記モバイルデバイスが低平均速度移動に関与しているかどうかを前記判断するステップが、前記モバイルデバイスが高平均速度移動に関与していないと判断されるまで開始されない、監視するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記モバイルデバイスが高平均速度移動または低平均速度移動に関与すると判断されたとき、前記モバイルデバイスに対して移動状態を指定するステップ(240)
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
RF環境情報が利用可能でないとき、前記モバイルデバイスに対して移動状態を指定するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記RF環境変化推定がワイヤレス広域ネットワーク基地局シグナリングから導出される、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記ワイヤレス広域ネットワーク基地局が地理的に定常であるかどうかを判断するステップと、
前記ワイヤレス広域ネットワーク基地局が地理的に定常でないとき、前記モバイルデバイスに対して移動状態を指定することを促すステップと
をさらに含む、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記ワイヤレス広域ネットワーク基地局が地理的に定常であるかどうかを前記判断するステップが、
前記モバイルデバイスの地理的位置を判断するステップと、
前記地理的位置が海上にあることに対応することを判断するステップと、
前記ワイヤレス広域ネットワーク基地局が地理的に定常でないことを指定するステップと
を含む、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記ワイヤレス広域ネットワーク基地局が地理的に定常であるかどうかを前記判断するステップが、
ワイヤレス広域ネットワーク基地局システム情報とネットワーク同定情報とを収集するステップと、
前記ワイヤレス広域ネットワーク基地局がクルーズ船上に位置することを判断するステップと、
前記ワイヤレス広域ネットワーク基地局が地理的に定常でないことを指定するステップと
を含む、請求項7に記載の方法。
【請求項１０】
前記モバイルデバイスが高平均速度移動に関与しているかどうかを前記判断するステップが、
前記モバイルデバイスによって受信されたRFシグナリングを監視するステップと、
受信RF信号エンベロープを追跡するステップと、
前記受信RF信号エンベロープの対数圧縮された表現の二乗偏差に基づいて、前記モバイルデバイスの速度を推定するステップと
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記モバイルデバイスが高平均速度移動に関与しているかどうかを前記判断するステップが、
前記モバイルデバイスによって受信されたRFシグナリングを監視するステップと、
受信RF信号エンベロープを追跡するステップと、
前記受信RF信号エンベロープの対数圧縮された表現のレベルクロッシングレートに基づいて、前記モバイルデバイスの速度を推定するステップと
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記モバイルデバイスが低平均速度移動に関与しているかどうかを前記判断するステップが、
加速度信号に基づいて、観測期間中に前記モバイルデバイスのユーザと関連付けられた何らかの歩行ステップを検出するステップと、
前記検出された歩行ステップから、前記観測期間中に取られた連続歩行ステップの最大数を判断するステップと、
前記判断された連続歩行ステップの最大数に基づいて、前記モバイルデバイスが前記観測期間にわたって低平均速度移動に関与しているかどうかを判断するステップと
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記定常状態を指定することに応答して、前記モバイルデバイスの少なくとも1つの地理的位置更新を無効にするステップ
をさらに含み、及び／又は、さらに、
低平均速度移動が前記モバイルデバイスのユーザによる連続的な歩行または走行に対応し、高平均速度移動が自動車、飛行機、船、または自転車の移動に対応する、請求項1に記載の方法。
【請求項１４】
モバイルデバイス(100)の地理的定常性を同定するための装置であって、
無線周波数(RF)環境変化推定に基づいて、前記モバイルデバイスが高平均速度移動に関与しているかどうかを判断する手段(170)と、
歩行ステッピング情報に基づいて、前記モバイルデバイスが低平均速度移動に関与しているかどうかを判断する手段(150)と、
高平均速度移動および低平均速度移動の欠如に基づいて、前記モバイルデバイスに対して定常状態を指定する手段(154)と
を備える装置。
【請求項１５】
プロセッサによって実行されると、前記プロセッサに、モバイルデバイスの地理的定常性を同定するための動作を実行させるコードを備える非一時的コンピュータ可読記録媒体であって、前記非一時的コンピュータ可読記録媒体は、請求項１乃至１３のいずれかに記載の方法を実行するためのコードを備える、コンピュータ可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月21日(2015.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップアセンブリ構成であって、
基板を備え、前記基板は、第１の表面と、前記基板の、前記第１の表面と反対側の第２の表面とを有し、第１のコネクタが前記第１の表面上に配置され、第２のコネクタが前記第２の表面上に配置され、前記第１のコネクタおよび前記第２のコネクタは、前記基板を通るインターコネクタによって電気的に結合され、
前記第１の表面に隣接するように配置され前記第１のコネクタに電気的に結合された集積回路と、
前記第２の表面に隣接するように配置され前記第２のコネクタに電気的に結合された変換機構とを備え、前記変換機構は、前記集積回路からの電気信号を対応する第１の光信号に変換し前記集積回路への第２の光信号を対応する第２の電気信号に変換するように構成され、
前記第１の光信号および前記第２の光信号は、前記チップアセンブリ構成の中で光インターコネクトを用いて伝達される、チップアセンブリ構成。
【請求項２】
前記基板は、プリント回路基板およびインターポーザのうちの１つを含む、請求項１に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項３】
前記基板は、半導体、有機材料、セラミック、ガラス、およびプラスチックのうちの１つを含む、請求項２に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項４】
前記光インターコネクトに光学的に結合された光源および検出器をさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項５】
前記光インターコネクトに関連付けられた光源および検出器は、前記チップアセンブリ構成の外部にある、請求項１〜４のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項６】
前記光インターコネクトは、光ファイバおよび光導波路のうちの１つを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項７】
前記第１のコネクタと前記集積回路とは、半田およびボールグリッドアレイのうちの１つによって電気的に結合されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項８】
前記第２のコネクタと前記変換機構とは、半田、ボールグリッドアレイ、ソケット、インターポーザ、およびランドグリッドアレイのうちの１つによって電気的に結合されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項９】
前記第１のコネクタ、前記第２のコネクタ、および前記インターコネクタと関連付けられた電気経路の平均インピーダンスは、前記集積回路および前記変換機構内のドライバの平均インピーダンスとほぼ一致する、請求項１〜８のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項１０】
前記平均インピーダンスは約５０Ωである、請求項９に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項１１】
前記第１のコネクタおよび前記第２のコネクタのうちの１つを含み得る所定のコネクタは、前記第１の表面および前記第２の表面からの信号線によって電気的に結合された１つの直線状のビアを含み、
前記ビアは、前記第１の表面から前記第２の表面まで前記基板を通って延びている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項１２】
前記集積回路の、前記基板と反対側において、前記集積回路に熱的に結合されたヒートシンクをさらに備える、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項１３】
所定のインターコネクタは、前記第１の表面および前記第２の表面のうちの一方にほぼ平行な領域を含む信号線によって電気的に結合された２つのビアを含み、
前記ビアは、その一部が前記基板を通って延びている、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項１４】
前記領域の長さは１ｍｍ以下である、請求項１３に記載のチップアセンブリ構成。
【請求項１５】
システムであって、
プロセッサと、
前記プロセッサによって実行されるように構成されたプログラムモジュールを格納するメモリと、
チップアセンブリ構成とを備え、前記チップアセンブリ構成は、
基板を備え、前記基板は、第１の表面と、前記基板の、前記第１の表面と反対側の第２の表面とを有し、第１のコネクタが前記第１の表面上に配置され、第２のコネクタが前記第２の表面上に配置され、前記第１のコネクタおよび前記第２のコネクタは、前記基板を通るインターコネクタによって電気的に結合され、
前記第１の表面に隣接するように配置され前記第１のコネクタに電気的に結合された集積回路と、
前記第２の表面に隣接するように配置され前記第２のコネクタに電気的に結合された変換機構とを備え、前記変換機構は、前記集積回路からの電気信号を対応する第１の光信号に変換し前記集積回路への第２の光信号を対応する第２の電気信号に変換するように構成され、
前記第１の光信号および前記第２の光信号は、前記チップアセンブリ構成の中で光インターコネクトを用いて伝達される、システム。
【請求項１６】
チップアセンブリ構成において情報を伝達する方法であって、前記方法は、
集積回路からの電気信号を、前記チップアセンブリ構成内の集積回路に隣接する基板を通る電気経路に駆動することを含み、前記電気経路は、前記基板の第１の表面上に配置された第１のコネクタと、前記基板の、前記第１の表面と反対側の第２の表面上に配置された第２のコネクタと、前記第１のコネクタと前記第２のコネクタとを電気的に結合する、前記基板を通るインターコネクタとを含み、
前記電気信号を、前記第２の表面に隣接するように配置され前記第２のコネクタに電気的に結合された変換機構で受けることと、
前記変換機構を用いて、前記電気信号を光信号に変換することと、
前記光信号を前記チップアセンブリ構成内の光インターコネクトで伝達することとを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月18日(2015.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板であって、画素領域を画成するゲートライン及びデータラインを備え、前記画素領域は、薄膜トランジスタ領域及び電極パターン領域を備え、前記薄膜トランジスタ領域において、ゲート電極、ゲート絶縁層、活性層、ソース電極、ドレイン電極及びパッシベーション層が形成されており、前記電極パターン領域において、前記ゲート絶縁層、画素電極、前記パッシベーション層及び共通電極が形成されており、前記共通電極及び画素電極は多次元電界を形成し、
前記ゲート絶縁層と画素電極との間にカラー樹脂層が形成されていることを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記電極パターン領域が反射領域と透過領域とをさらに備え、
基板上において、電極パターン領域の前記反射領域に対応する位置にゲート金属材料で形成される反射領域パターンが設けられ、前記ゲート絶縁層は、前記反射領域パターン上に形成され、
前記ゲート絶縁層上に、前記反射領域パターンに対応する位置にソース・ドレイン金属材料で形成された反射領域金属電極層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記電極パターン領域内において、ゲート金属材料で形成される蓄積コンデンサの底部電極がさらに設けられ、前記蓄積コンデンサの底部電極の上方に絶縁層ビアホールが形成され、前記共通電極は、前記絶縁層ビアホールを介して蓄積コンデンサの底部電極に接続されることを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項４】
ソース電極、ドレイン電極及びゲート絶縁層の上方に、絶縁材料の保護層がさらに形成され、前記保護層上において薄膜トランジスタ領域に対応する位置に、ブラックマトリックス層が形成されることを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項５】
アレイ基板の製造方法であって、画素領域を形成する工程を備え、前記画素領域は、薄膜トランジスタ領域及び電極パターン領域を備え、前記薄膜トランジスタ領域において、ゲート電極、ゲート絶縁層、活性層、ソース電極、ドレイン電極及びパッシベーション層が形成されており、前記電極パターン領域において、前記ゲート絶縁層、画素電極、前記パッシベーション層及び共通電極が形成されており、前記共通電極及び画素電極は多次元電界を形成し、
ゲート絶縁層を形成した後、且つ画素電極を形成する前に、ゲート絶縁層の上方にカラー樹脂層を形成することを特徴とするアレイ基板の製造方法。
【請求項６】
前記電極パターン領域が反射領域と透過領域とをさらに備え、
ゲート電極を形成する場合、基板上において電極パターン領域の前記反射領域に対応する位置にゲート金属材料で形成される反射領域パターンをさらに設け、
ソース電極、ドレイン電極を形成する場合、前記ゲート絶縁層上において前記反射領域パターンに対応する位置に、ソース・ドレイン金属材料で形成される反射領域金属電極層をさらに設けることを特徴とする請求項５に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項７】
ゲート電極を形成する場合、前記電極パターン領域内において、ゲート金属材料で形成される蓄積コンデンサの底部電極をさらに設け、
共通電極を形成する前に、前記蓄積コンデンサの底部電極の上方に絶縁層ビアホールを形成し、共通電極を形成した後、前記共通電極を前記絶縁層ビアホールを介して蓄積コンデンサの底部電極に接続させることを特徴とする請求項５に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項８】
ソース電極、ドレイン電極を形成した基板上に、絶縁材料の保護層を形成し、そして、前記保護層上において薄膜トランジスタ領域に対応する位置にブラックマトリックス層を形成することを特徴とする請求項５に記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項９】
表示装置であって、請求項１〜４のいずれか１項に記載のアレイ基板を備えることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法において、
第１ガラス材料層および第２ガラス材料層のうちの一方または両方の、第１表面に、接合材原料を配置するステップであって、（ｉ）前記配置が、前記第１ガラス材料層および／または前記第２ガラス材料層に前記接合材原料のパターンを生成する、スクリーンプリントを用いて実行され、さらに（ｉｉ）前記接合材原料が、ガラスフリット材料と、セラミックフリット材料と、ガラスセラミックフリット材料と、金属ペーストとのうちの、１つから形成されたものであるステップ、
前記パターンが配置された前記第１ガラス材料層および／または前記第２ガラス材料層を、存在し得る有機材料を焼き尽くすのに十分な温度まで加熱するステップ、
前記接合材原料が溶融しかつ前記第１ガラス材料層および／または前記第２ガラス材料層に対して滑らかな状態になるように、前記第１ガラス材料層および／または前記第２ガラス材料層を、前記接合材原料の溶融温度を超えてさらに加熱するステップ、
前記第１ガラス材料層および前記第２ガラス材料層を一緒に押し付けるステップであって、このとき（ｉ）１以上の前記パターンの接合材が、前記第１ガラス材料層および前記第２ガラス材料層の間に配置されるようにし、また（ｉｉ）前記第１ガラス材料層および前記第２ガラス材料層に、溶融した前記接合材の夫々の前記パターンが配置されるときには、溶融した前記接合材の夫々の前記パターンを、該押し付けるステップの前に互いに位置合わせして並べる、ステップ、および、
押し付ける動作を維持しながら、前記第１ガラス材料層および前記第２ガラス材料層をさらに加熱して前記接合材を再溶融させ、前記第１ガラス材料層および前記第２ガラス材料層を一緒に接合するステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記接合材原料の前記パターンが、約１０μｍ以下の厚さ均一性を有する、
接合された前記第１ガラス材料層および前記第２ガラス材料層の得られた平坦度が、（ｉ）１ｍｍ当たり約０．７５μｍ以下、および（ｉｉ）１ｍｍ当たり約０．４μｍ以下、のうちの１つである、および、
前記第１ガラス材料層および前記第２ガラス材料層の間の前記接合が密封である、
のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記パターンが、前記接合材原料の連続した長方形外周によって夫々が特徴付けられるセルの、Ｘ−Ｙ方向アレイを含み、
前記第２ガラス材料層が、該第２ガラス材料層を貫通するアパーチャのアレイを含み、
（ｉ）前記第１ガラス材料層および前記第２ガラス材料層が一緒に押し付けられるとき、および（ｉｉ）前記接合材原料がスクリーンプリントを用いて前記第２ガラス材料層に配置されるとき、のうちの少なくとも１つで、前記セル夫々の前記接合材原料の前記連続した長方形外周が、前記第２ガラス材料層の前記アパーチャの夫々の１つと位置合わせされ、
前記パターンは、Ｘ方向に隣接する前記セルが前記接合材原料の少なくとも１つの線（タイバー）によって分離されていることで、さらに特徴付けられ、
前記パターンが、各隣接する前記セル間に、２つの平行な前記接合材原料のタイバーを含み、さらに、
前記パターンが、Ｙ方向に隣接する前記セル間には、前記接合材原料のタイバーを１つも含んでいないことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第２ガラス材料層の前記第１表面とは反対側の第２表面を、半導体ダイのアレイを含む半導体ウエハに、前記第２ガラス材料層の前記アパーチャの夫々が前記半導体ダイの夫々の１つの上に位置合わせされるようにして接合させることによって、ウエハレベル構造を生成するステップ、および、
前記ウエハレベル構造を複数のダイにダイシングするステップであって、該ダイの夫々が、前記半導体ダイの夫々の１つと、介在層を形成する、前記第２ガラス材料層の夫々の一部と該第２ガラス材料層を貫通する夫々の前記アパーチャと、さらに前記第２ガラス材料層の前記アパーチャを覆うカバーガラスを形成する、前記第１ガラス材料層の夫々の一部とを有する、層状構造を含む、ステップ、
をさらに含むことを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記ダイシングするステップが、
（ａ）前記第１ガラス材料層を通るが前記第２ガラス材料層または前記半導体ウエハを通らずに、前記タイバー夫々と隣接する前記接合材の長方形外周の一部との間の線に沿って、タイバーを１つも切断することのないようにソー切断するステップ、
（ｂ）ステップ（ａ）の後に、前記第１ガラス材料層を通るが前記第２ガラス材料層または前記半導体ウエハを通らずに、隣接する前記タイバーの対夫々の間の線に沿って、該タイバーを１つもソー切断することなくソー切断するステップ、および、
前記第２ガラス材料層を通りかつ前記半導体ウエハを通って切断することによって、各ダイを単体化するステップ、
を含むことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
装置であって、
第１ガラス材料層と、さらに、
前記第１ガラス材料層に接合材を介して接合された第２ガラス材料層と、
を備え、前記接合材が、溶融しかつ硬化された、ガラスフリット材料、セラミックフリット材料、ガラスセラミックフリット材料、および金属ペースト、のうちの１つから形成されたものであることを特徴とする装置。
【請求項７】
接合された前記第１ガラス材料層および前記第２ガラス材料層の平坦度が、（ｉ）１ｍｍ当たり約０．７５μｍ以下、および（ｉｉ）１ｍｍ当たり約０．４μｍ以下、のうちの１つである、および、
前記第１ガラス材料層および前記第２ガラス材料層の間の前記接合が密封である、
のうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記第２ガラス材料層が、該第２ガラス材料層を貫通するアパーチャのアレイを含み、
前記接合材が、前記第２ガラス材料層の前記アパーチャの夫々の周りに連続した外周を形成する、パターン化されたものであることを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記接合材の前記パターンと前記アパーチャの夫々とがセルのＸ−Ｙ方向アレイを形成し、該セルの夫々が、前記接合材の連続した外周の夫々の１つに包囲された、前記アパーチャの１つを含むことを特徴とする請求項８記載の装置。
【請求項１０】
Ｘ方向に隣接する前記セルが、該セル間に、少なくとも１つの前記接合材の線（タイバー）を含むことを特徴とする請求項９記載の装置。
【請求項１１】
Ｘ方向に隣接する前記セルが、該セル間に、少なくとも２つの前記接合材の平行な線（タイバー）を含み、
Ｙ方向に隣接する前記セルが、該セル間に、前記接合材の線（タイバー）を１つも含んでいないことを特徴とする請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記アパーチャの夫々の１つと位置合わせされて夫々が配置された、複数のＭＥＭＳ構造をさらに備えていることを特徴とする請求項８記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月10日(2016.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電子増倍管であって、
入射照明に応答して電子を出射するように構成された光電陰極と、
前記光電陰極から受容された電子を増倍するように構成された複数のダイノードと、
前記複数のダイノードによって増倍された電子を受容するように構成された陽極と、
前記光電陰極から出射された前記電子の一部が前記複数のダイノードによって受容される事態を回避するように構成された制御格子と、
を含む、光電子増倍管。
【請求項２】
前記制御格子は、前記光電陰極と、前記複数のダイノードの一次ダイノードとの間に配置される、請求項１に記載の光電子増倍管。
【請求項３】
前記制御格子は、前記光電陰極に対して実質的に平行に配置される、請求項２に記載の光電子増倍管。
【請求項４】
前記制御格子と前記一次ダイノードとの間に配置された加速格子、
をさらに含む、請求項２に記載の光電子増倍管。
【請求項５】
前記制御格子は、前記光電陰極の電位に相対して負の電位を有するように構成された導体を含む、請求項１に記載の光電子増倍管。
【請求項６】
前記導体はワイヤメッシュを含む、請求項５に記載の光電子増倍管。
【請求項７】
前記導体は、前記光電陰極の電位に相対して約−０．５Ｖ〜−１Ｖの範囲の電位を有するように、構成される、請求項５に記載の光電子増倍管。
【請求項８】
前記導体の少なくとも１つの表面上の前記負の電位から発生する反発電界は、閾値運動エネルギーレベルを下回る運動エネルギーレベルの電子が前記複数のダイノードに到達する事態を回避するように、構成される、請求項５に記載の光電子増倍管。
【請求項９】
検査システムであって、
サンプルを照射するように構成された少なくとも１つの照明光源と、
前記サンプルから散乱、反射または放射された照明を受容するように構成された少なくとも１つの検出器であって、前記少なくとも１つの検出器は、光電子増倍管を含み、前記光電子増倍管は、
前記サンプルから受容された前記照明に応答して電子を出射するように構成された光電陰極と、
前記光電陰極から受容された電子を増倍するように構成された複数のダイノードと、
前記複数のダイノードによって増倍された電子を受容するように構成された陽極と、
前記光電陰極から出射された前記電子の一部が前記複数のダイノードによって受容される事態を回避するように構成された制御格子と、
を含む、少なくとも１つの検出器と、
前記少なくとも１つの検出器と通信する少なくとも１つの計算システムであって、前記少なくとも１つの計算システムは、前記サンプルの少なくとも１つの欠陥に関連する情報を前記少なくとも１つの検出器が前記サンプルから受容した前記照明に基づいて決定するように、構成される、少なくとも１つの計算システムと、
を含む、検査システム。
【請求項１０】
前記制御格子は、前記光電陰極と、前記複数のダイノードの一次ダイノードとの間に設けられる、請求項９に記載の検査システム。
【請求項１１】
前記制御格子は、前記光電陰極に対して実質的に平行に配置される、請求項１０に記載の検査システム。
【請求項１２】
前記光電子増倍管は、
前記制御格子と前記一次ダイノードとの間に配置された加速格子、
をさらに含む、請求項９に記載の検査システム。
【請求項１３】
前記制御格子は、前記光電陰極の電位に相対して負の電位を有するように構成された導体を含む、請求項９に記載の検査システム。
【請求項１４】
前記導体はワイヤメッシュを含む、請求項１３に記載の検査システム。
【請求項１５】
前記導体は、前記光電陰極の前記電位に相対して約−０．５Ｖ〜−１Ｖの範囲の電位を有するように、構成される、請求項１３に記載の検査システム。
【請求項１６】
前記導体の少なくとも１つの表面上の前記負の電位から発生する反発電界は、閾値運動エネルギーレベルを下回る運動エネルギーレベルの電子が前記複数のダイノードに到達する事態を回避するように、構成される、
請求項１３に記載の検査システム。
【請求項１７】
前記検査システムは、暗視野検査のために構成される、請求項９に記載の検査システム。
【請求項１８】
光電子増倍管のダイナミックレンジを拡張する方法であって、
入射照明に応答して電子を出射するように構成された光電陰極を設けることと、
前記光電陰極から受容された電子を増倍するように構成された複数のダイノードを設けることと、
前記複数のダイノードによって増倍された電子を受容するように構成された陽極を設けることと、
前記光電陰極から出射された前記電子の一部が前記複数のダイノードによって受容される事態を回避するための反発電界を導入することと、
を含む、方法。
【請求項１９】
前記反発電界を導入することは、
制御格子を前記光電陰極と前記複数のダイノードの一次ダイノードとの間に配置することと、
前記光電陰極の電位に相対して負である電位を前記制御格子の導体へ印加することと、
を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記制御格子と前記一次ダイノードとの間に加速格子を配置すること、
をさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記導体はワイヤメッシュを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記導体へ印加される前記電位は、前記光電陰極の前記電位に相対して約−０．５Ｖ〜−１Ｖの範囲内にある、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記反発電界により、運動エネルギーレベルが閾値運動エネルギーレベルを下回る電子が前記複数のダイノードに到達する事態が回避される、請求項１８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】広範なダイナミックレンジを備えた光電子増倍管、検査システムおよび方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月25日(2016.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本導電体装置の更なる一実施形態では、本導電体装置は、前記コンタクト部材と前記心線との間に導電性接触部が存在する接触領域を有する。それにより、本導電体装置は、前記接触領域と前記心線の前記長手方向端部との間に配置されるコンタクト側封止領域を更に有する。それにより、前記シースの前記切り離された部分が、前記コンタクト側封止領域に配置される。前記シースの前記切り離された部分は、前記コンタクト部材と前記心線との間の領域を封止し、ひいては前記コンタクト側封止領域における領域も封止するので有利である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
導電体１００の接触領域１４０では、圧着領域２１２が導電体１００の心線１１０と直接接触し、それにより、導電体装置２００の接触領域２４０内に導電体装置２００の接触領域２４０が形成される。従って、導電体１００の心線１１０とコンタクト部材２１０との間には導電性接触部が存在する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
導電体側封止領域３３０と接触領域３４０との間、並びにコンタクト側封止領域３５０と接触領域３４０との間には、夫々移行領域３３５と３４５が形成される。移行領域３３５と３４５では、第２の圧着領域３１２ｂの外輪郭が長手方向１０２に対して斜めに延在する。移行領域３３５及び３４５は、長手方向１０２に対して傾斜し、それにより、シース１２０の少なくとも一部、シース部１２１や圧着突出部１２２が、任意の開口又は空洞を充填するように収納されて圧縮される。水分の浸入は、長手方向１０２で防止されるだけでなく、圧着し合う半体の合わせ縁に沿って移行領域３３５と３４５において少なくとも部分的に垂直方向にも防止される。言い換えれば、移行領域３３５と３４５は、シース１２０、シース部１２１や圧着突出部の夫々の部分が中空領域を充填し、それによって封止工程を支援するように圧着される。導電体装置３００の封止は、接触領域３４０に向かって移行領域３３５と３４５内に拡張又は押し込まれたシース材料によって少なくとも部分的に行われてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記シース部（１２１）の取り外しが切断によって行われる請求項１に記載の方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
当該導電体装置（２００）は、接触領域（２４０）を有し、
前記接触領域（２４０）には、前記コンタクト部材（２１０）と前記心線（１１０）との間に導電性接触部が存在し、
当該導電体装置（２００）は、コンタクト側封止領域（２５０）を有し、
前記コンタクト側封止領域（２５０）は、前記接触領域（２４０）と前記心線（１１０）の前記長手方向端部（１１１）との間に配置され、
前記シース（１２０）の前記切り離された部分（１２１）は、前記コンタクト側封止領域（２５０）に配置される請求項６乃至８のいずれか一項に記載の導電体装置（２００）。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月24日(2016.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体状態のヒートシンク材料を提供するステップと、
各光源が発光面を有し、導電性の担体に電気的に接続されている複数の光源を含む光源アセンブリを提供するステップと、
前記導電性の担体と前記複数の光源の各光源の一部とが前記ヒートシンク材料によって覆われる一方で、前記複数の光源の各光源の前記発光面が前記ヒートシンク材料によって覆われないように、前記光源アセンブリを前記ヒートシンク材料の中に埋め込むステップと、
前記ヒートシンク材料を凝固させるステップと、
を含む、照明モジュールを製造する方法。
【請求項２】
前記ヒートシンク材料は、不透明である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ヒートシンク材料は、少なくとも１つのセラミック材料を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのセラミック材料は、粘土、コンクリート及び磁器からなる群から選択される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記導電性の担体は、ワイヤグリッドを含む、請求項１乃至４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の光源のうちの少なくとも１つに、蛍光体層を付与するステップを更に含む、請求項１乃至５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の光源のうちの少なくとも１つに、光学構造体を付与するステップを更に含む、請求項１乃至６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記複数の光源のうちの少なくとも１つに、保護層を付与するステップを更に含む、請求項１乃至７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記埋め込むステップは、
基部と、前記基部から突出する少なくとも１つの突出部とを含む加圧手段によって前記光源アセンブリを前記流体状態の前記ヒートシンク材料の中に押し込むステップを含み、前記少なくとも１つの突出部は、前記ヒートシンク材料が前記発光面を覆わないように、少なくとも１つの光源の前記発光面において前記少なくとも１つの光源を前記ヒートシンク材料の中に押し込む、請求項１乃至８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ヒートシンク材料は、前記少なくとも１つの光源の周りにキャビティを形成するように前記光源アセンブリが前記ヒートシンク材料の中に押し込まれると前記加圧手段によって成形される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記凝固させるステップは、
前記ヒートシンク材料を重合させるステップを含む、請求項１乃至１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記凝固させるステップは、
前記ヒートシンク材料を加熱するステップを含む、請求項１乃至１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記凝固させるステップは、
前記ヒートシンク材料を加圧するステップを含む、請求項１乃至１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１４】
各光源がそれぞれ発光面を有し、導電性の担体に電気的に接続される複数の光源を含む光源アセンブリと、
ヒートシンク材料と、
を含み、
前記導電性の担体と前記複数の光源の各光源の一部とが前記ヒートシンク材料によって覆われる一方で、前記複数の光源の各光源の前記発光面が前記ヒートシンク材料によって覆われていない、照明モジュール。
【請求項１５】
請求項１４に記載の少なくとも１つの照明モジュールを含み、
前記少なくとも１つの照明モジュールの前記導電性の担体に電気的に接続されているコネクタを更に含み、前記コネクタは、照明器具に接続されるように構成される、照明デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月12日(2016.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信ネットワーク中で使用するための方法において、
前記方法が、
ワイヤレスデバイスにおいて、ページングされるワイヤレスデバイスの順序を指す順序付けと、乗数とを含むページングメッセージを受信することと、
前記順序付けと前記乗数とに基づいて、第１の起動時間を判断することと、
前記判断された起動時間において起動することと、
データを受信することとを含む方法。
【請求項２】
前記乗数が、２つの連続するＴＩＭフレーム中の時間と、前記２つの連続するＴＩＭフレームのうちの第１のＴＩＭフレーム中に示される局の数との間の比を含む時間単位の倍数を示す請求項１記載の方法、または、
前記乗数が、データ配信期間と前記ＴＩＭフレーム中に示される局の数との間の比を含む時間単位の倍数を示す請求項１記載の方法、または、
前記順序付けが、局識別子のハッシュに基づいている請求項１記載の方法、または、
前記順序付けが、局識別子の１つまたは複数の最上位ビットに基づいている請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記データについての要求を送信することをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
第２の起動時間を判断することと、
前記判断された第２の起動時間において起動することと、
データについての前記要求に対する肯定応答を受信することとをさらに含み、
前記第２の起動時間が、前記第１の起動時間よりも早い請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記肯定応答が累積肯定応答を含む請求項４記載の方法、または、
前記第１の起動時間を判断することが、前記肯定応答に基づいて、前記第１の起動時間を判断することを含む請求項４記載の方法、または、
前記第１の起動時間を判断することが、前記順序付けと前記乗数とに基づいて、前記第１の起動時間を判断することを含む請求項４記載の方法、または、
データについての前記要求が、前記判断された第１の起動時間を含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第２の起動時間が競合期間中にあり、前記第１の起動時間がデータ配信期間中にあり、
前記方法は、特に、前記競合期間中にネットワーク割振りベクトルを設定することをさらに含み、
前記方法は、さらに特に、前記競合期間中に設定された前記ネットワーク割振りベクトルを無視することを判断することをさらに含み、
さらに特に、前記ネットワーク割振りベクトルを無視することが、前記ＴＩＭページング中の指示に基づいている請求項４記載の方法。
【請求項７】
前記方法は、前記データの肯定応答を送信することをさらに含む請求項１記載の方法、または、
前記方法は、バックオフ期間だけ待つことをさらに含む請求項１記載の方法、または、
前記方法は、動作モード選択を送信することをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
ワイヤレス通信ネットワーク中で使用するための装置において、
前記装置が、
ページングされるワイヤレスデバイスの順序を指す順序付けと、乗数とを含むページングメッセージを受信する手段と、
前記順序付けと前記乗数とに基づいて、第１の起動時間を判断する手段と、
前記判断された起動時間において起動する手段と、
データを受信する手段とを具備する装置。
【請求項９】
前記乗数が、２つの連続するＴＩＭフレーム中の時間と、前記２つの連続するＴＩＭフレームのうちの第１のＴＩＭフレーム中に示される局の数との間の比を含む時間単位の倍数を示す請求項８記載の装置、または、
前記乗数が、データ配信期間と前記ＴＩＭフレーム中に示される局の数との間の比を含む時間単位の倍数を示す請求項８記載の装置、または、
前記順序付けが、局識別子のハッシュに基づいている請求項８記載の装置、または、
前記順序付けが、局識別子の１つまたは複数の最上位ビットに基づいている請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記データについての要求を送信する手段をさらに具備する請求項８記載の装置。
【請求項１１】
第２の起動時間を判断する手段と、
前記判断された第２の起動時間において起動する手段と、
データについての前記要求に対する肯定応答を受信する手段とをさらに具備し、
前記第２の起動時間が、前記第１の起動時間よりも早い請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
前記肯定応答が累積肯定応答を含む請求項１１記載の装置、または、
前記第１の起動時間を判断する手段が、前記肯定応答に基づいて、前記第１の起動時間を判断する手段を備える請求項１１記載の装置、または、
前記第１の起動時間を判断する手段が、前記順序付けと前記乗数とに基づいて、前記第１の起動時間を判断する手段を備える請求項１１記載の装置、または、
データについての前記要求が、前記判断された第１の起動時間を含む請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記第２の起動時間が競合期間中にあり、前記第１の起動時間がデータ配信期間中にあり、
前記装置は、特に、前記競合期間中にネットワーク割振りベクトルを設定する手段をさらに具備し、
前記装置は、さらに特に、前記競合期間中に設定された前記ネットワーク割振りベクトルを無視することを判断する手段をさらに具備し、
さらに特に、前記ネットワーク割振りベクトルを無視することが、前記ＴＩＭページング中の指示に基づいている請求項１１記載の装置。
【請求項１４】
前記データの肯定応答を送信する手段をさらに具備する請求項８記載の装置、または、
バックオフ期間だけ待つ手段をさらに具備する請求項８記載の装置、または、
動作モード選択を送信する手段をさらに具備する請求項８記載の装置。
【請求項１５】
コンピュータ上で実行されるとき、請求項１ないし７のいずれか１項記載のステップを実行するコードを備えるコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月22日(2016.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の相互接続レベルを備えるパッケージされた半導体デバイスであって、
プリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリリードフレームであって、
第１のリードのセットを備える第１の平坦リードフレームと、
取り付けられた電子的構成要素を有するパッドと、
前記第１の平坦リードフレームの平面から離れて第１の方向に曲げられる伸長されたリードの第１のセットと、
を含む、前記第１のプリアセンブルされたモジュラーサブアセンブリリードフレームと、
第２のリードのセットと、取り付けられた電子的構成要素を有するパッドとを備える第２の平坦リードフレームであって、前記曲げられた伸長されたリードの第１のセットが前記第２の平坦リードフレームに導電的に接続され、２つの平面における電子的構成要素とリードのセットとの間の導電的にリンクされた３次元ネットワークを形成する、前記第２の平坦リードフレームと、
前記３次元ネットワークの一部分を封止するパッケージング材料と、
を含む、デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記第１及び第２のリードの少なくとも一部が前記パッケージング材料により封止されておらず、前記封止されていないリード部分が電気的デバイス端子として動作し得る、デバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のデバイスであって、
前記端子が前記デバイスの封止の１つ以上の平面に位置する、デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記プリアセンブルされたモジュラーサブアセンブルリードフレームが、前記第１の平坦リードフレームの前記平面から離れて第２の方向に曲げられる伸長されたリードの第２のセットを更に含み、前記第２の方向が前記第１の方向とは反対である、デバイス。
【請求項５】
請求項２に記載のデバイスであって、
取り付けられた電子的構成要素を有するパッドを備えた第３の平坦リードフレームを更に含み、前記第３の平坦リードフレームが、曲げられた伸長されたリードの第３のセットにより前記第２の平坦リードフレームに導電的に接続される、デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記第１の平坦リードフレームが第１の金属でつくられ、前記第２の平坦リードフレームが第２の金属とは異なる前記第１の金属でつくられる、デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記伸長されたリードが熱を拡散及び放散するために適切なジオメトリを有する、デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記第１の平坦リードフレームのリードが、外部電気的端子に結びつけられるのに適切である、デバイス。
【請求項９】
請求項５に記載のデバイスであって、
前記第３の平坦リードフレームのリードが、外部電気的端子に結びつけられるのに適切である、デバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記電子的構成要素が、熱生成構成要素を含む、パッケージングされた及びパッケージングされない能動及び受動半導体構成要素を含む、デバイス。
【請求項１１】
請求項１０に記載のデバイスであって、
前記受動構成要素が、インダクタとキャパシタとレジスタとを含む、デバイス。
【請求項１２】
請求項１に記載のデバイスであって、
前記パッケージング材料が、ヒートシンクの取り付けを可能にするように構成される、デバイス。
【請求項１３】
パッケージングされた半導体デバイスを製造するための方法であって、
リードフレームパッド上にアセンブルされた電子的構成要素を備える第１の平坦リードフレームを提供する工程であって、前記第１の平坦リードフレームが、前記第１の平坦リードフレームの平面から離れて第１の方向に曲げられる伸長されたリードの第１のセットを含む、前記第１の平坦リードフレームを提供する工程と、
リードフレームパッド上にアセンブルされた電子的構成要素を備える第２の平坦リードフレームを提供する工程と、
前記第１の平坦リードフレームの前記曲げられた伸長されたリードの第１のセットを前記第２の平坦リードフレームに接触させるように、前記アセンブルされた第１の平坦リードフレームを前記アセンブルされた第２の平坦リードフレームと整合させる工程と、
前記曲げられた伸長されたリードの第１のセットを前記第２の平坦リードフレームに導電的に接続する工程であって、それにより、構成要素とリードとの３次元の導電的にリンクされたネットワークをつくる、前記接続する工程と、
を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記３次元ネットワークをパッケージング材料内に封止する工程を更に含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記第１の平坦リードフレームが、前記第１の平坦リードフレームの前記平面から離れて第２の方向に曲げられた伸長されたリードの第２のセットを更に含み、前記第２の方向が前記第１の方向とは反対である、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
第３の平坦リードフレームのパッド上の電子的構成要素のアッセンブリを提供する工程と、
前記曲げられた伸長されたリードの第２のセットを前記第３の平坦リードフレームに接触させるように、前記アセンブルされた第３の平坦リードフレームを前記アセンブルされた第１の平坦リードフレームに整合させる工程と、
前記曲げられた伸長されたリードの第２のセットを前記第３の平坦リードフレームにはんだ付けする工程と、
を更に含む、方法。
【請求項１７】
請求項１３に記載の方法であって、
前記電子的構成要素が、パッケージングされた及びパッケージングされない能動及び受動半導体構成要素を含む、方法。