【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波（ＲＦ）スイッチであって、
第１のノードと第２のノードとの間に配置された少なくとも１つの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含み、前記ＦＥＴの各々がそれぞれのゲートおよびボディを有し、前記ＲＦスイッチはさらに、
前記少なくとも１つのＦＥＴの前記それぞれのゲートおよびボディのいずれかまたは両方に接続された調整抵抗回路を含み、前記調整抵抗回路は、第１の抵抗器を含み、前記第１の抵抗器は、第２の抵抗器とバイパススイッチとの並列な組合せと直列である、ＲＦスイッチ。
【請求項２】
前記ＦＥＴがシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ＦＥＴである、請求項１に記載のＲＦスイッチ。
【請求項３】
前記バイパススイッチが閉じられることにより、結果として、前記第２の抵抗器がバイパスされて、調整可能な抵抗のための第１の抵抗を与え、前記バイパススイッチが開かれることにより、結果として、第２の抵抗が、ほぼ前記第２の抵抗器の値だけ前記第１の抵抗よりも大きくなる、請求項１に記載のＲＦスイッチ。
【請求項４】
前記第１の抵抗がバイアス抵抗を含む、請求項３に記載のＲＦスイッチ。
【請求項５】
前記第２の抵抗が相互変調歪（ＩＭＤ）性能を改善させるように選択され、前記第１の抵抗が、前記ＦＥＴのスイチッング時間に対する影響を低減させるように選択される、請求項４に記載のＲＦスイッチ。
【請求項６】
前記調整抵抗回路が前記ゲートに接続される、請求項４に記載のＲＦスイッチ。
【請求項７】
前記ボディに接続された第２の調整抵抗回路をさらに含む、請求項６に記載のＲＦスイッチ。
【請求項８】
前記ボディに接続されたダイオードボディコンタクトをさらに含む、請求項６に記載のＲＦスイッチ。
【請求項９】
前記調整抵抗回路が前記ゲートではなく前記ボディに接続される、請求項１に記載のＲＦスイッチ。
【請求項１０】
前記第１のノードは、電力値を有するＲＦ信号を受信するように構成され、前記第２のノードは、前記ＦＥＴがオン状態である場合に前記ＲＦ信号を出力するように構成される、請求項１に記載のＲＦスイッチ。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのＦＥＴは、直列に接続されたＮ個のＦＥＴを含み、数量Ｎは、スイッチ回路が前記ＲＦ信号の電力を処理することを可能にするように選択される、請求項１に記載のＲＦスイッチ。
【請求項１２】
高周波（ＲＦ）スイッチを動作させるための方法であって、
第１のノードと第２のノードとの間に配置された少なくとも１つの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を、前記少なくとも１つのＦＥＴの各々がオン状態またはオフ状態となるように制御するステップと、
前記少なくとも１つのＦＥＴの各ＦＥＴのそれぞれのゲートおよびボディのいずれかまたは両方に接続された回路の抵抗を調整するステップとを含み、前記抵抗が第１の抵抗器および第２の抵抗器を含み、前記調整するステップは、直列に接続された前記第１の抵抗器および前記第２の抵抗器のうちの１つをバイパスするステップを含む、方法。
【請求項１３】
高周波（ＲＦ）スイッチモジュールであって、
複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、
前記パッケージング基板上に実装された半導体ダイとをさらに含み、前記ダイは少なくとも１つの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含み、前記ＲＦスイッチモジュールはさらに、
前記少なくとも１つのＦＥＴの各ＦＥＴのそれぞれのゲートおよびボディのいずれかまたは両方に接続された調整抵抗回路を含み、前記調整抵抗回路は、第１の抵抗器を含み、前記第１の抵抗器は、第２の抵抗器とバイパススイッチとの並列な組合せと直列である、ＲＦスイッチモジュール。
【請求項１４】
前記半導体ダイがシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）ダイである、請求項１３に記載のＲＦスイッチモジュール。
【請求項１５】
前記調整抵抗回路が、前記少なくとも１つのＦＥＴと同じ半導体ダイの一部である、請求項１３に記載のＲＦスイッチモジュール。
【請求項１６】
前記調整抵抗回路が前記パッケージング基板上に実装された第２のダイの一部である、請求項１３に記載のＲＦスイッチモジュール。
【請求項１７】
前記調整抵抗回路が前記半導体ダイの外側の位置に配置される、請求項１３に記載のＲＦスイッチモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この明細書中に開示されるいくつかの実施形態は、複数のコンポーネントを収容するように構成されたパッケージング基板と、パッケージング基板上に実装された半導体ダイとを含む高周波（ＲＦ）スイッチモジュールを提供する。ダイは、直列に接続された複数の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含み、各々のＦＥＴはゲートおよびボディを含む。ＲＦスイッチモジュールはさらに、隣接するＦＥＴからなる対の各々のゲート同士を結合するゲート・カップリング回路を含む補償ネットワークを含む。補償ネットワークはさらに、隣接するＦＥＴからなる対の各々のボディ同士を結合するボディ・カップリング回路を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この明細書中に開示されるいくつかの実施形態は、ＲＦ信号を処理するように構成されたトランシーバと、増幅されたＲＦ信号の送信を促進するように構成されて、トランシーバと通信するアンテナとを含むワイヤレスデバイスを提供する。ワイヤレスデバイスはさらに、トランシーバに接続されたパワーアンプであって、増幅されたＲＦ信号を生成するように構成されたパワーアンプと、アンテナおよびパワーアンプに接続されたスイッチであって、増幅されたＲＦ信号をアンテナに選択的にルーティングするように構成されたスイッチとを含む。スイッチは、直列に接続された複数の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含み、各々のＦＥＴはゲートおよびボディを含む。スイッチはさらに、隣接するＦＥＴからなる対の各々のゲート同士を結合するゲート・カップリング回路と、隣接するＦＥＴからなる対の各々のボディ同士を結合するボディ・カップリング回路とを有する補償ネットワークを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
図１４は、図１３を参照して説明された複数のスイッチ回路３００を有するスイッチアーム３１０を示す。例示的な構成３１０においては、Ｎ個のこのようなスイッチ回路は、端子１４４と端子１４６との間にスイッチング機能をもたらすように直列に接続されるように図示されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８８】
例６の概要
いくつかの実現例に従うと、例６は、第１のノードと第２のノードとの間に配置された少なくとも１つの電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む高周波（ＲＦ）スイッチに関する。少なくとも１つのＦＥＴの各々は、それぞれのボディとゲートを有する。ＲＦスイッチはさらに、各ＦＥＴのそれぞれのボディとゲートとの間に配置されたカップリング回路を含む。カップリング回路は、それぞれのボディからの界面電荷の放出を可能にするように構成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０３】
（Ｍ１として示される）ＦＥＴ  １２０がオンである場合に、スイッチ回路３８０はオンとなり、Ｍ２はオフにすることができる。このような構成では、Ｍ１のボディを浮動させることによってスイッチ回路３８０の挿入損失を最小限にするかまたは低減させることができる。Ｍ１がオフである場合、スイッチ回路３８０はオフとなり、Ｍ２はオンにすることができる。このような構成により、同じノード（たとえばゲートノード「Ｇ」）からＭ１のボディとゲート両方に対してＤＣ電圧を供給することができる。このような構成により、寄生接合ダイオードがオンになるのを防ぐかまたは抑制することができ、大きな電圧振幅を伴う歪みを減らすことができる。いくつかの実施形態においては、このような構成により、Ｍ１のボディに余分なバイアス／制御がもたらされるのを排除することができる。