(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリフタルアミドを成形して作製された絶縁性の樹脂基板の表面をプラズマ処理して表面の活性化を行なった後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる方法で樹脂基板の表面に金属被覆処理をすることによって回路基板を製造するにあたって、ポリフタルアミドの樹脂基板を非酸化性気相雰囲気中で、常圧の雰囲気下で１６０℃以上の温度まで昇温した後、雰囲気の圧力を常圧以上にし、次いで常圧以上の圧力の雰囲気下でガラス転移温度あるいは熱変形温度以下の温度に下げた後に、雰囲気を常圧に戻す条件で、熱処理した後に、Ｎ２を活性ガスとして上記のプラズマ処理を行なうことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
残留酸素濃度０．５％以下の気相雰囲気中で熱処理を行なうことを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
希ガス雰囲気中で熱処理を行なうことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路板の製造方法。
【請求項４】
窒素ガス雰囲気中で熱処理を行なうことを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
雰囲気を脱気しながら非酸化性のガスを雰囲気に供給することによって、熱処理の雰囲気を非酸化性気相雰囲気にすることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
樹脂基板は表面が三次元立体形状を有するものであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂基板の表面に金属被覆によって回路形成をした回路基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
樹脂組成物を射出成形等して樹脂基板を作製し、この樹脂基板の表面に金属被覆を施して回路形成することによって、回路基板を製造することが行なわれている。このような樹脂組成物を射出成形等して作製される樹脂基板は、表面を三次元立体形状に形成することができるため、立体回路を設けることが可能になり、ＭＩＤ（Molded Interconnection Device）として近年注目されている。
【０００３】
ＭＩＤではこのように、成形された樹脂基板の表面に金属被覆を施して回路形成をするために、樹脂基板への金属被覆の密着力を確保する必要がある。そこで、樹脂基板の表面をプラズマ処理して表面の活性化を行なうことによって、樹脂基板の表面と金属被覆との間の密着力を確保することが行なわれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように樹脂基板の表面をプラズマ処理することによって金属被覆の密着力を高めることは可能である。しかしながら、樹脂基板に金属被覆による回路形成をして得られる回路基板に半導体素子などを実装し、これを封止して電子回路部品を作製する場合のように、樹脂封止などの際に熱負荷が回路基板に作用すると、樹脂基板と金属被覆との間の密着力が低下して、金属被覆が剥離し易くなるものであった。
【０００５】
このように熱負荷が作用すると樹脂基板と金属被膜の密着力が低下する理由は、射出成形等で成形される樹脂基板には歪などが内部応力として残存しており、熱負荷が作用することによって内部応力が開放されることや、結晶性樹脂の場合には熱負荷によって結晶化が進行し、樹脂基板の寸法が大きく収縮するためであると考えられる。この際の樹脂基板と金属被膜の寸法変化の差によって、樹脂基板に対する金属被膜の密着力が低下するのである。
【０００６】
従って、このように熱負荷が加わる状態で回路基板が使用されるときには、プラズマ処理だけでは樹脂基板と金属被覆の密着力を十分に確保することができないという問題があった。
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、熱負荷が加わる状態でも樹脂基板と金属被覆の密着力を十分に確保することができる回路基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る回路基板の製造方法は、ポリフタルアミドを成形して作製された絶縁性の樹脂基板の表面をプラズマ処理して表面の活性化を行なった後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる方法で樹脂基板の表面に金属被覆処理をすることによって回路基板を製造するにあたって、ポリフタルアミドの樹脂基板を非酸化性気相雰囲気中で、常圧の雰囲気下で１６０℃以上の温度まで昇温した後、雰囲気の圧力を常圧以上にし、次いで常圧以上の圧力の雰囲気下でガラス転移温度あるいは熱変形温度以下の温度に下げた後に、雰囲気を常圧に戻す条件で、熱処理した後に、Ｎ2を活性ガスとして上記のプラズマ処理を行なうことを特徴とするものである。
【０００９】
また請求項２の発明は、請求項１において、残留酸素濃度０．５％以下の気相雰囲気中で熱処理を行なうことを特徴とするものである。
【００１０】
また請求項３の発明は、請求項１又は２において、希ガス雰囲気中で熱処理を行なうことを特徴とするものである。
【００１１】
また請求項４の発明は、請求項１又は２において、窒素ガス雰囲気中で熱処理を行なうことを特徴とするものである。
【００１２】
また請求項５の発明は、請求項１乃至４のいずれかにおいて、雰囲気を脱気しながら非酸化性のガスを雰囲気に供給することによって、熱処理の雰囲気を非酸化性気相雰囲気にすることを特徴とするものである。
【００１７】
また請求項６の発明は、請求項１乃至５のいずれかにおいて、上記樹脂基板は表面が三次元立体形状を有するものであることを特徴とするものである。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【００１９】
樹脂基板を成形する樹脂組成物としては、ポリフタルアミドをベース樹脂として含むものを用いることができる。このベース樹脂に必要に応じて充填材などを配合して樹脂組成物を調製し、この樹脂組成物を射出成形等することによって、電気絶縁性の樹脂基板を得ることができるものである。
【００２０】
そしてこのように成形された樹脂基板に、まず熱処理を施す。熱処理は樹脂基板を加熱することによって行なうことができるものであり、このように樹脂基板を熱処理することによって、樹脂基板を射出成形等する際に残存している内部応力を開放させることができるものであり、樹脂基板は一般に、この内部応力の放出で収縮する。従って、この樹脂基板に金属被覆を施して回路基板を作製した後、回路基板に封止成形などの際に熱負荷が作用しても、樹脂基板には内部応力が残存していないので、熱負荷によって樹脂基板に寸法変化が大きく生じることがなくなり、樹脂基板の寸法安定性を高めることができるものであって、熱負荷による樹脂基板と金属被膜の密着力の低下を防ぐことができるものである。
【００２１】
しかし、このように樹脂基板を加熱して熱処理するにあたって、熱処理を大気中の雰囲気で行なうと、大気中に存在する酸素の作用で樹脂基板の表面が酸化され、樹脂基板の表面に酸化被膜が形成されるおそれがある。そして樹脂基板の表面がこのように酸化されると、樹脂基板と金属被覆の間の密着が阻害されるので、熱処理を行なうことによって、熱負荷で樹脂基板と金属被膜との密着力が低下することを防ぐ効果を十分に得ることができなくなる。
【００２２】
そこで請求項１の発明では、樹脂基板の熱処理を、非酸化性の気相雰囲気で行なうことによって、雰囲気中の酸素で樹脂基板の表面が酸化されることを防ぐようにしてあり、樹脂基板と金属被覆の間の密着力を確保しつつ、熱処理によって樹脂基板の寸法を安定化し、熱負荷による樹脂基板と金属被膜の密着力の低下を防ぐことができるようにしてある。
【００２３】
ここで、非酸化性の気相雰囲気としては、ヘリウムやアルゴンなどの希ガス雰囲気を用いることができ、また窒素ガス雰囲気を用いることもできる。非酸化性の気相雰囲気として窒素ガス雰囲気を用いる場合、熱処理の際に樹脂基板の表面に窒素を付着させることができる。従って、後述するように樹脂基板をＮ2を活性ガスとしてプラズマ処理して窒素極性基を樹脂基板の表面に導入することによって、樹脂基板の表面を活性化するにあたって、熱処理の際に樹脂基板の表面に付着しているこの窒素で、窒素極性基の導入を促進することができるものである。
【００２４】
そして上記のように非酸化性気相雰囲気で樹脂基板を熱処理するにあたって、非酸化性気相雰囲気は残留酸素濃度が０．５％以下になるように設定するのが好ましい。非酸化性気相雰囲気は残留酸素濃度が０．５％を超えると、樹脂基板の表面の酸化を十分に抑制することができなくなるおそれがあり、樹脂基板と金属被覆の間の密着力を十分に確保できなくなる場合がある。残留酸素濃度は低いほど望ましく、残留酸素濃度０％が理想的である。
【００２５】
ここで、熱処理を行なう雰囲気をこのような残留酸素濃度が０．５％以下の非酸化性気相雰囲気にするには、雰囲気の空気を上記の希ガスや窒素ガスのような非酸化性ガスと置換することによって実現することができるが、このように雰囲気の空気を非酸化性ガスと置換する際には、雰囲気を減圧脱気しながら非酸化性ガスを雰囲気中に投入するようにして、空気と非酸化性ガスの置換を行なうのが好ましい。単に、非酸化性ガスを雰囲気中に投入することによって空気を追い出すことで空気と非酸化性ガスの置換を行なう場合に比べて、残留酸素濃度が０．５％以下の非酸化性雰囲気に到達するまでの時間を短縮することができるものである。
【００２６】
また、熱処理の温度は、樹脂基板を成形する樹脂組成物のベース樹脂に応じて設定されるものであり、樹脂基板の樹脂が結晶性樹脂の場合は、樹脂のガラス転移温度以上に、基板の樹脂が非晶性樹脂の場合は、樹脂の熱変形温度以上に、それぞれ設定するのが好ましい。熱処理をこのようなガラス転移温度以上あるいは熱変形温度以上の温度で行なうことによって、樹脂基板に残留している内部応力を十分に開放することができ、樹脂基板の寸法安定性を高める効果を高く得ることができるものである。熱処理の温度の上限は特に設定されるものではないが、樹脂が溶融する温度や樹脂が分解する温度で熱処理することはできないので、樹脂の溶融温度と分解温度の低いほうが熱処理温度の事実上の上限である。
【００２７】
ここで、樹脂基板を例えばアニール炉のチャンバー内で熱処理を行なうにあたっては、樹脂基板をアニール炉のチャンバー内にセットしてチャンバーを密閉した後、チャンバー内を空気から非酸化性のガスに置換して、図１のグラフのａ曲線のようにチャンバー内の残留酸素濃度を低下させ、チャンバー内の残留酸素濃度が０．５％以下になった後、チャンバー内の温度を図１のグラフのｂ曲線のように昇温させ、樹脂基板の樹脂のガラス転移温度あるいは熱変形温度以上の温度に昇温させた後、その温度で所定時間保持し、そしてこの所定時間が経過した後に、加熱を停止して徐々に温度を下げることによって、行なうことができるものである。このとき、図１のグラフでは、昇温の開始はアニール炉のチャンバー内の非酸化性気相雰囲気の残留酸素濃度が０．５％以下になった後に行なうようにしているが、残留酸素濃度が０．５％以下になる前に昇温を開始しても、チャンバー内の温度がガラス転移温度あるいは熱変形温度に達する前に、残留酸素濃度が０．５％以下になっていればよい。また、ガラス転移温度あるいは熱変形温度以上の温度に保持する時間、すなわちアニール時間は、１時間以上であることが望ましい。アニール時間が長過ぎると樹脂基板に変質等が発生するおそれがあるので、アニール時間は１時間〜４時間の間で設定するのが望ましい。
【００２８】
樹脂基板の熱処理は常圧の非酸化性気相雰囲気で行なわれるのが一般的であるが、非酸化性気相雰囲気を常圧と高圧の間で変化させながら熱処理を行なうようにすることもできる。すなわち、まず常圧に設定された非酸化性気相雰囲気で昇温を開始して樹脂基板の樹脂のガラス転移温度あるいは熱変形温度以上の温度にまで昇温させる。このとき図２のグラフのイ→ロに示すように、温度上昇に伴う熱膨張によって樹脂基板の比容積（密度の逆数）は徐々に大きくなる。次に、この温度を保持したまま非酸化性気相雰囲気を常圧よりも高圧にし、この状態を所定のアニール時間保持して熱処理を行なう。このように高圧雰囲気で熱処理を行なうと、樹脂の結晶化が促進され、樹脂の収縮量を大きくすることができるものであり、図２のグラフのロ→ハのように樹脂基板の比容積は小さくなる。熱処理を終えた後、高圧を保持したまま温度を常温にまで下げると、図２のグラフのハ→ニのように温度低下に伴う収縮によって樹脂基板の比容積は徐々に小さくなる。そしてこの後に、非酸化性気相雰囲気を高圧から常圧に戻す。上記のように非酸化性気相雰囲気を常圧と高圧の間で変化させながら熱処理を行なうことによって、樹脂基板の樹脂の結晶化を促進して熱処理の際の収縮を増大することができるものであり、熱負荷の際の樹脂基板の寸法安定性を高く得ることができるものである。ここで、上記の常圧は大気圧であるが、高圧は２〜１０気圧の範囲が好ましい。
【００２９】
以上のようにして樹脂基板を熱処理した後、樹脂基板の表面をプラズマ処理して表面の活性化を行なう。プラズマ処理は、例えば、樹脂基板をチャンバー内にセットした後、真空ポンプによりチャンバー内を１０−４Ｐａ以下になるまで真空引きを行ない、次いでＮ２の活性ガスを８〜１５Ｐａ程度のガス圧でチャンバー内に導入し、高周波（例えば１３．５６ＭＨｚ）の電圧を印加して活性ガスを励起させることによって、チャンバー内にプラズマを発生させることによって行なうことができる。プラズマ処理の時間は１０〜１００秒程度が好ましい。このように樹脂基板をプラズマ雰囲気下に置くプラズマ処理を行なうと、放電による陽イオンの誘引衝突やラジカルの作用によって、金属と結合し易い窒素極性基を樹脂基板の表面に導入し、樹脂基板の表面を活性することができるものであり、次の工程で樹脂基板の表面に形成される金属被覆の密着性を高めることができるものである。
【００３０】
そしてこのように樹脂基板の表面をプラズマ処理して活性化した後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングのいずれかの方法を用いて樹脂基板の表面に金属被覆を行なう。
【００３１】
スパッタリングは、例えば、ＤＣスパッタリング装置を用い、また被覆金属として銅を用いて行なうことができる。すなわち、樹脂基板をセットしたチャンバー内を真空ポンプにより１０-4Ｐａ以下になるまで真空引きを行ない、アルゴンなどの不活性ガスを例えば０．１〜０．５Ｐａ程度のガス圧でチャンバー内に導入し、例えば４００Ｗ程度の直流電圧を印加することによって、銅ターゲットをボンバードし、樹脂基板の表面に３０００〜５０００Åの膜厚で金属被覆を形成することができるものである。
【００３２】
また真空蒸着は、例えば、電子線加熱式真空蒸着装置を用い、被覆金属として銅を用いて行なうことができる。すなわち、樹脂基板をセットしたチャンバー内を真空ポンプにより１０-3Ｐａ以下になるまで真空引きを行ない、例えば１０ｋＶ程度の加速電圧を印加することによって、４００〜８００ｍＡの電子流を発生させ、樹脂基板の表面に３０００〜５０００Åの膜厚で金属被覆を形成することができるものである。
【００３３】
さらにイオンプレーティングは、例えば、被覆金属として銅を用いて行なうことができるものであり、樹脂基板をセットしたチャンバー内を真空ポンプにより１０-4Ｐａ以下になるまで真空引きを行ない、アルゴンなどの不活性ガスを例えば０．０５〜０．１Ｐａ程度のガス圧でチャンバー内に導入し、高周波（例えば１３．５６ＭＨｚ）の、例えば、ＲＦ２００Ｗの出力のバイアス電圧を印加すると共に、誘導アンテナに５００〜１ｋＷ程度の出力を印加することによって、樹脂基板の表面に３０００〜５０００Åの膜厚で金属被覆を形成することができるものである。
【００３４】
上記のようにして樹脂基板の表面に金属被覆を施すことによって、被覆金属で回路を形成し、回路基板に仕上げることができるものである。金属被覆で回路形成を行なうにあたっては、樹脂基板の表面の全面に金属被覆を施した後に、被覆金属のうち不要部分をエッチング除去することによって、回路パターンで残した被覆金属で回路形成を行なうことができる。また、樹脂基板の表面に回路パターンで穴を明けたマスクを重ね、この状態で上記のスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングを行なうことによって、樹脂基板の表面に回路パターンで金属被覆を施し、この回路パターンの被覆金属で回路形成をすることもできる。
【００３５】
次に、上記の本発明による熱処理について実験例を挙げてさらに説明する。
【００３６】
（実験例１）
樹脂基板としてポリフタルアミド（ガラス転移温度１２５℃）で射出成形したものを用い、またタバイエスペック社製のアニール炉を用いた。そしてアニール炉のチャンバー内に樹脂基板をセットしてチャンバーを密閉した後、チャンバー内に窒素ガスを１０Ｌ／ｍｉｎの流量で流し、チャンバー内の空気を窒素ガスと置換した。図３のグラフのａの曲線は、窒素ガスを１０Ｌ／ｍｉｎの流量で流して置換を行なったときのチャンバー内の残留酸素濃度と時間の関係を示す。また図３のｂの曲線はチャンバー内の温度を示すものであり、チャンバー内に窒素ガスを流入開始してから約２時間経過後にチャンバー内の加熱を開始し、約３０分間を要して１６０℃に昇温させ、後はこの１６０℃で２時間保持して熱処理を行ない、この後、チャンバー内の温度を徐々に低下させた。
【００３７】
このものでは図３にみられるように、チャンバー内の温度が樹脂基板の樹脂のガラス転移温度１２５℃に達した時点では、チャンバー内の残留酸素濃度は１．３％であり、１６０℃に達した時点でもチャンバー内の残留酸素濃度は１．０％であった。
【００３８】
（実験例２）
チャンバー内に流す窒素ガスの流量を２０Ｌ／ｍｉｎに設定してチャンバー内の空気を窒素ガスと置換するようにした他は、上記実験例１と同様にして樹脂基板の熱処理を行なった。このものではチャンバー内の残留酸素濃度は図４のグラフのａの曲線のように低下し、チャンバー内の加熱を開始するより前に、チャンバー内の残留酸素濃度は０．５％以下になっていた。
【００３９】
（実験例３）
チャンバー内に流す窒素ガスの流量を２５Ｌ／ｍｉｎに設定してチャンバー内の空気を窒素ガスと置換するようにした他は、上記実験例１と同様にして樹脂基板の熱処理を行なった。このものではチャンバー内の残留酸素濃度は図５のグラフのａの曲線のように低下し、チャンバー内の加熱を開始するより前に、チャンバー内の残留酸素濃度は０．５％以下になっていた。
【００４０】
上記のようにして樹脂基板を熱処理した後、樹脂基板をプラズマ処理装置のチャンバー内にセットし、真空ポンプによりチャンバー内を１０-4Ｐａ以下になるまで真空引きを行ない、次いでＮ2をガス圧１０Ｐａのガス圧でチャンバー内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を６０秒間印加することによって、プラズマ処理をした。そしてさらに、樹脂基板を電子線加熱式真空蒸着装置のチャンバー内にセットし、チャンバー内を真空ポンプにより１０-3Ｐａ以下になるまで真空引きを行ない、１０ｋＶの加速電圧を印加することによって４００ｍＡの電子流を発生させ、樹脂基板の表面に３０００Åの膜厚の銅で金属被覆を施した。
【００４１】
上記のようにして樹脂基板の表面に施した被覆金属のピール強度を測定し、その結果を図６の表に示す。上記実験例１〜３のサンプル１５個についてピール強度の測定を行ない、測定結果を図６の表に示す。図６において、各測定値は上下の横線の範囲内にプロットされるものであり、またその平均値を黒四角でプロットした。ピール強度は０．２５Ｎ／ｍｍ以上であれば合格と判断されるが、図６の表にみられるように、Ｎ2の流量が２０Ｌ／ｍｉｎの実験例２やＮ2の流量が２５Ｌ／ｍｉｎの実験例３のものはいずれも合格レベルのピール強度であるのに対して、Ｎ2の流量が１０Ｌ／ｍｉｎの実験例１の場合には不合格レベルのものがみられた。これは、実験例１では、チャンバー内の空気とＮ2の置換速度が遅く、加熱温度が樹脂のガラス転移温度に達した時点で残留酸素濃度が１．３％、加熱温度が１６０℃に達した時点でも残留酸素濃度が１．０％であるが、実験例２，３のものでは、空気とＮ2の置換速度が速く、加熱を開始するより前に残留酸素濃度が０．５％以下になっていることに起因すると考えられる。従ってこれらの結果から、残留酸素濃度０．５％以下の気相雰囲気中で熱処理を行なうことが好ましいことが確認される。
【００４２】
尚、大気雰囲気中で、樹脂基板を上記と同様に１６０℃で熱処理したときには、ピール強度は０．０９Ｎ／ｍｍであり、また大気雰囲気中での熱処理温度を２２０℃に設定すると、ピール強度は０．０８Ｎ／ｍｍであり、いずれも被覆金属は密着していない状態であった。
【００４３】
図７は、上記の実験例３において、熱処理の保持温度（アニール温度）を異ならせて熱処理を行なった場合の、被覆金属のピール強度と熱処理温度との関係を示すものであり、左端の「なし」に対応する点のプロットは、熱処理を行なわない樹脂基板におけるピール強度を示す。そして図７の曲線ａで結ぶ各プロットは回路基板に熱履歴を与える前のピール強度を、曲線ｂで結ぶ各プロットは回路基板に１６０℃の熱履歴を与えた後のピール強度を示すものであり、熱処理を行なわないものでは熱履歴が与えられることによって、ピール強度は大きく低下するが、熱処理を行なうことによってピール強度の低下を抑制できることが確認される。
【００４４】
また図８は同様に熱処理の保持温度（アニール温度）を異ならせて熱処理を行なった後に、樹脂基板に１６０℃の熱履歴を与えた際の加熱収縮率をＴＭＡ測定した結果を示す。図８にみられるように、熱処理を行なわないものは０．６％近い加熱収縮を示すが、熱処理を行なうことによって加熱収縮を小さくできることが確認され、また熱処理温度は１６０℃以上が好ましいことが確認される。
【００４５】
図９は、上記の実験例３において、熱処理温度の保持時間を異ならせて熱処理を行なった場合の、被覆金属のピール強度と熱処理保持時間との関係を示すものであり、また図１０は同様に熱処理温度の保持時間を異ならせて熱処理を行なった後に、樹脂基板に１６０℃の熱履歴を与えた際の加熱収縮率をＴＭＡ測定した結果を示す。これらの結果から、保持時間は１時間以上が好ましいことが確認される。
【００４８】
また、上記の各実施の形態にあって、樹脂基板の形状は任意であるが、樹脂基板は樹脂組成物を射出成形等して成形することによって作製されるので、樹脂基板の表面を三次元立体形状に形成することができる。このように樹脂基板の表面を三次元立体形状に形成することによって、樹脂基板の表面に施す金属被覆によって立体回路を形成することができ、より高密度な回路形成をすることが可能になるものである。
【００４９】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項１に係る回路基板の製造方法は、ポリフタルアミドを成形して作製された絶縁性の樹脂基板の表面をプラズマ処理して表面の活性化を行なった後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる方法で樹脂基板の表面に金属被覆処理をすることによって回路基板を製造するにあたって、ポリフタルアミドの樹脂基板を非酸化性気相雰囲気中で、常圧の雰囲気下で１６０℃以上の温度まで昇温した後、雰囲気の圧力を常圧以上にし、次いで常圧以上の圧力の雰囲気下でガラス転移温度あるいは熱変形温度以下の温度に下げた後に、雰囲気を常圧に戻す条件で、熱処理した後に、Ｎ2を活性ガスとして上記のプラズマ処理を行なうようにしたので、雰囲気中の酸素で熱処理の際に樹脂基板の表面が酸化されることを防ぐことができ、樹脂基板の表面の酸化によって樹脂基板と金属被覆の間の密着性が阻害されるようなことなく、熱処理によって樹脂基板の寸法安定性を高めることができるものであり、熱負荷による樹脂基板と金属被膜の密着力の低下を防いで、熱負荷が加わる状態でも樹脂基板と金属被覆の密着力を十分に確保することができるものである。また、樹脂基板の樹脂の結晶化を促進して熱処理の際の収縮を増大することができるものであり、熱負荷の際の樹脂基板の寸法安定性を高く得ることができるものである。
【００５０】
また請求項２の発明は、残留酸素濃度０．５％以下の気相雰囲気中で熱処理を行なうようにしたので、雰囲気中の酸素で熱処理の際に樹脂基板の表面が酸化されること確実に防ぎつつ、樹脂基板を熱処理することができるものである。
【００５１】
また請求項３の発明は、希ガス雰囲気中で熱処理を行なうようにしたので、雰囲気中の酸素で熱処理の際に樹脂基板の表面が酸化されること確実に防ぎつつ、樹脂基板を熱処理することができるものである。
【００５２】
また請求項４の発明は、窒素ガス雰囲気中で熱処理を行なうようにしたので、雰囲気中の酸素で熱処理の際に樹脂基板の表面が酸化されること確実に防ぎつつ、樹脂基板を熱処理することができるものである。
【００５３】
また請求項５の発明は、雰囲気を脱気しながら非酸化性のガスを雰囲気に供給することによって、熱処理の雰囲気を非酸化性気相雰囲気にするようにしたので、短時間で熱処理の雰囲気を空気から非酸化ガスに置換して、非酸化性気相雰囲気にすることができるものである。
【００５８】
また請求項６の発明は、上記樹脂基板は表面が三次元立体形状を有するものであることを特徴とするので、樹脂基板の表面に施す金属被覆によって立体回路を形成することができ、より高密度な回路形成をすることが可能になるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】  熱処理の際の加熱温度及び残留酸素濃度と時間との関係を示すグラフである。
【図２】  熱処理の操作の一例を示すグラフである。
【図３】  熱処理の際の加熱温度及び残留酸素濃度と時間との関係の一例（実験例１）を示すグラフである。
【図４】  熱処理の際の加熱温度及び残留酸素濃度と時間との関係の一例（実験例２）を示すグラフである。
【図５】  熱処理の際の加熱温度及び残留酸素濃度と時間との関係の一例（実験例３）を示すグラフである。
【図６】  熱処理の際の置換するＮ2の流量と被覆金属のピール強度との関係を示すグラフである。
【図７】  熱処理の際の熱処理温度と被覆金属のピール強度との関係を示すグラフである。
【図８】  熱処理の際の熱処理温度と樹脂基板の加熱収縮率との関係を示すグラフである。
【図９】  熱処理の際の熱処理の保持時間と被覆金属のピール強度との関係を示すグラフである。
【図１０】  熱処理の際の熱処理の保持時間と樹脂基板の加熱収縮率との関係を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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