【手続補正書】
【提出日】平成27年10月12日(2015.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを使用して加工物上の関心領域を露出させる方法であって、
前記加工物の上面に対して垂直でない第１の角度でトレンチをイオン・ビーム・ミリングして、前記関心領域に隣接し前記加工物の前記面に対してある角度をなす表面を露出させること、
前記関心領域に隣接した露出させた前記表面の一部分に保護層を堆積させること、
前記関心領域に隣接した前記表面の一部分を、前記加工物の上面に対して実質的に垂直な角度でイオン・ビーム・ミリングして、前記関心領域を露出させること、および
荷電粒子ビーム画像化によって前記関心領域を観察すること
を含む方法。
【請求項２】
前記加工物の上面に対して垂直でない第１の角度でトレンチをミリングすることが、複数の高アスペクト比特徴部分を有する前記加工物の領域にトレンチをミリングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の高アスペクト比特徴部分がホールである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記関心領域に隣接した前記表面の一部分に保護層を堆積させることが、前記高アスペクト比ホールを貫いて前記トレンチをミリングすることによって生み出された段を覆い隠すことを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記加工物の上面に対して実質的に垂直な後続のミリング・ステップを実行して、前記関心領域の第２の表面を露出させること、および荷電粒子ビーム画像化を使用して前記第２の表面を観察することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
後続の複数のミリング・ステップを実行して、前記関心領域の異なる表面を順次露出させること、および荷電粒子ビーム画像化を使用して前記異なる表面をそれぞれ観察することをさらに含む、請求項１または５に記載の方法。
【請求項７】
前記加工物の上面に対して垂直でない第１の角度でトレンチをミリングすることが、前記加工物の前記面に対して垂直な線から５°から５０°の間の角度の壁を有するトレンチをミリングすることを含む、請求項１、５、６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
トレンチをミリングすることが、前記加工物の前記面に対して垂直な線から約１８°から約２２°の間の角度の壁を有するトレンチをミリングすることを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記関心領域に隣接した前記表面の一部分に保護層を堆積させることが、ビーム誘起堆積を使用することを含む、請求項１、５、６、７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
ビーム誘起堆積を使用することが、１０ｋｅＶよりも大きなエネルギーを有する電子を使用した電子ビーム誘起堆積を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
電子ビーム誘起堆積を使用することが、２０ｋｅＶよりも大きなエネルギーを有する電子を使用した電子ビーム誘起堆積を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記関心領域に隣接した前記表面の一部分に保護層を堆積させることが、レーザ誘起堆積またはイオン・ビーム誘起堆積を使用して保護層を堆積させることを含む、請求項１、５、６、７、９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記関心領域が、３Ｄ  ＮＡＮＤ構造体または３Ｄ  ＤＲＡＭ構造体の一部分を含む、請求項１、５、６、７、９、１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
高アスペクト比構造体の一部分の断面を観察のために形成する方法であって、
集束イオン・ビームを使用して、前記試料の前記表面に対して垂直でない角度および前記高アスペクト比特徴部分の長軸に対して垂直でない角度でトレンチをミリングすること、
前記トレンチの壁の前記高アスペクト比特徴部分の選択された深さで保護層を堆積させること、
前記保護層を貫く、前記試料の前記表面に対して実質的に平行な断面を、前記荷電粒子ビームを使用してミリングして、前記高アスペクト比特徴部分の断面を露出させること、および
露出させた前記断面を観察すること
を含む方法。
【請求項１５】
露出させた前記断面を観察することが、走査電子顕微鏡法、Ｘ線分析、マイクロ・ラマン法または他の方法を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の断面に対して平行な前記保護層を貫く第２の断面をミリングして、前記特徴部分の第２の断面を露出させることをさらに含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記荷電粒子ビームを使用して、前記保護層を貫く断面を順次ミリングすること、および露出させた前記断面を電子ビームを使用して観察して、前記特徴部分の一連の断面画像を形成することをさらに含む、請求項１４、１５、１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
保護層を堆積させることが電子ビーム誘起堆積を使用することを含み、ビーム中の電子が、１５ｋｅＶよりも大きなエネルギーを有する、請求項１４、１５、１６、１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記トレンチの壁に保護層を堆積させることが、ビーム誘起堆積を使用して保護層を堆積させることを含む、請求項１４、１５、１６、１７、１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
加工物の第１の表面の下方の関心領域を分析する方法であって、
前記加工物に向かってイオン・ビームを導き、前記加工物の前記第１の表面と関心領域の間の材料を除去して、第２の表面を形成すること
を含み、前記第２の表面の一部分が、前記関心領域と前記第１の表面の位置との間にあり、前記方法がさらに、
前記第２の表面に保護層を堆積させること、
前記イオン・ビームを導き、前記保護層を貫いてミリングして、前記関心領域を通る、分析のための第３の表面を形成すること、および
荷電粒子ビーム画像化によって前記関心領域を観察すること
を含み、前記第２の表面の前記保護層が、前記関心の特徴部分に十分に近く、そのため、前記関心領域が、観察のためにカーテニングなしで露出する
方法。
【請求項２１】
前記第３の表面が、前記第１の表面に対して実質的に直角である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２の表面が、前記第１の表面に対して垂直な線に関して５°から５０°の間の角度に傾いている、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記第２の表面が、前記第１の表面に対して垂直な線に関して約１８°から約２２°の間の角度に傾いている、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
試料の断面を観察するシステムであって、
イオンの集束ビームを供給するイオン光学カラムと、
電子の集束ビームを供給する電子光学カラムと、
前記試料から放出された２次粒子を検出する粒子検出器と、
コンピュータ記憶装置と通信するコントローラと
を備え、前記コンピュータ記憶装置が、
前記加工物の表面に対して垂直でない第１の角度でトレンチをミリングして、関心領域に隣接し前記加工物の表面に対してある角度をなす表面を露出させる命令と、
前記関心領域に隣接した前記表面の一部分に保護層を堆積させる命令と、
前記関心領域に隣接した前記表面の一部分をミリングして、前記関心領域を露出させる命令と、
荷電粒子ビーム画像化によって前記関心領域を観察する命令と
を記憶したシステム。
【請求項２５】
前記電子ビームが、２０ｋｅＶよりも大きなエネルギーを有する電子を供給して、電子ビーム誘起堆積によって前記保護層を堆積させるようにする命令を、前記コンピュータ記憶装置が記憶した、請求項２４に記載のシステム。