【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年7月5日(2016.7.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
本発明は、カルボキシレートおよびスルホネート官能基を含む皮膜でグラフトされた少なくとも１つの外表面を有する埋め込み可能材料であって、前記皮膜が、
カルボキシレート官能基の供給源（前記供給源は重合可能であるか、または化学吸着可能かつ重合可能である）；および
スルホネート官能基の供給源（前記供給源は重合可能であるか、または化学吸着可能かつ重合可能である）
のラジカル反応により、前記外表面に直接、同時的にグラフトされ、合成される埋め込み可能材料に関する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
一実施形態によれば、カルボキシレート官能基の１つの化学吸着可能かつ重合可能な供給源は、少なくとも１つのカルボン酸官能基または少なくとも１つのカルボン酸塩官能基を含む芳香族接着プライマーである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
一実施形態によれば、カルボキシレート官能基の１つの化学吸着可能かつ重合可能な供給源は、接着プライマーとして用いられるジアゾニウム塩、好ましくはカルボキシベンゼンジアゾニウム塩、好ましくは４−カルボキシベンゼンジアゾニウム塩、さらに好ましくは４−カルボキシベンゼンジアゾニウムナトリウムまたは４−カルボキシベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボレートである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
一実施形態によれば、皮膜は、４−カルボキシベンゼンジアゾニウム塩およびスチレンスルホン酸塩のラジカル反応により、好ましくは、４−カルボキシベンゼンジアゾニウムナトリウムおよび４−スチレンスルホン酸ナトリウムの、あるいは４−カルボキシベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボレートおよび４−スチレンスルホン酸ナトリウムのラジカル反応により、前記外表面に直接、同時的にグラフトおよび合成される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
一実施形態によれば、皮膜は、４−カルボキシベンゼンジアゾニウム塩およびビニル系スルホン酸またはその塩のラジカル反応により、好ましくは４−カルボキシベンゼンジアゾニウムナトリウムおよびＡＭＰＳの、または４−カルボキシベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボレートおよびＡＭＰＳのラジカル反応により、前記外表面に直接、同時的に合成およびグラフトされる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
一実施形態では、カルボキシレート官能基（単数または複数）およびスルホネート官能基（単数または複数）は、別個の供給源、すなわち別個の分子によりもたらされる。別の実施形態では、カルボキシレート官能基（単数または複数）およびスルホネート官能基（単数または複数）は、カルボキシレート官能基およびスルホネート官能基の両方を有する独特の二官能性分子によりもたらされる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
本発明は、埋め込み可能材料の少なくとも１つの外表面上に直接、皮膜を同時的に合成およびグラフトするための方法であって、ラジカル存在物の生成を可能にする条件下で前記外表面を、
カルボキシレート官能基の供給源（前記供給源は重合可能であるか、または化学吸着可能かつ重合可能であり、好ましくはカルボキシベンゼンジアゾニウム塩である）；および
スルホネート官能基の供給源（前記供給源は重合可能であるか、または化学吸着可能かつ重合可能であり、好ましくはビニル系スルホン酸またはその塩、あるいはスチレンスルホン酸塩である）
を溶媒中に含む溶液と接触させるステップを包含する方法にも関する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
一実施形態によれば、カルボキシベンゼンジアゾニウム塩は、好ましくは亜硝酸ナトリウムの存在下で、ジアゾ化反応によりアミノ安息香酸からｉｎ ｓｉｔｕで得られる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
本発明はさらに、抗増殖性および／または抗菌性の埋め込み可能医療用具、好ましくは抗増殖性および／または抗菌性のインプラント、さらに好ましくは抗増殖性および／または抗菌性の眼内レンズの製造のための本発明による埋め込み可能材料の使用に関する。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９３】
赤外分光法により、グラフト化試料を分析する（図６）。２つの特徴的吸収帯域は、１７１３ｃｍ−１でのカルボニル帯域Ｃ＝Ｏ、ならびに−ＳＯ３−基の対称振動帯域である。４つの同様に処理した試料に関するこれら２つの帯域の強度（透過率パーセンテージ）を、以下に示す：
【表６】
2015519160.tif 000001
赤外分光分析により明示される特徴的カルボキシレートおよびスルホネート吸収帯域は、金基板の表面において予測されるカルボキシレートおよびスルホネート官能基のグラフト化を立証する。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１１】
２．  ＩＯＬグラフト化
２．１．  ４−カルボキシベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボレートの合成
合成経路を以下に示す：
【数１】
2015519160.tif 000002
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２２３】
試験される市販のインプラントの精確な性質は不明である（メタクリレートおよび添加物の混合物）が、しかし疎水性表面を有する。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２３１】
ヒトの眼の水晶体上皮細胞（ＬＥＣ、ＣＲＬ−１１４２１、ＡＴＣＣ、ＵＳＡ）を、ＲＰＭＩ培地（ＶＷＲ，Ｆｒａｎｃｅ）において、５０，０００細胞／ウェルの割合で２４−ウェルマイクロプレート中のグラフト化インプラント上に植え付ける。１、３および７日間の培養後、ＭＴＴ比色検定を用いてＬＥＣ細胞を計数する。対照は、非グラフト化材料上でのＬＥＣ培養に対応する。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２３４】
スチレンスルホネートの代わりにＡＭＰＳを用いて、実験を反復した。ヒトの眼の水晶体上皮細胞（ＬＥＣ、ＣＲＬ−１１４２１、ＡＴＣＣ、ＵＳＡ）を、ＲＰＭＩ培地（ＶＷＲ，Ｆｒａｎｃｅ）において、２０，０００細胞／ウェルの割合で２４−ウェルマイクロプレート中のグラフト化インプラント上に植え付ける。２、７および１０日間の培養後、ＭＴＴ比色検定を用いてＬＥＣ細胞を計数する。対照は、非グラフト化材料上でのＬＥＣ培養に対応する。図１５に示した結果は、親水性プロット上に格子張りされた皮膜の強力な抗増殖作用を明示する。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２３５】
３．２．２．  グラフト化疎水性インプラント
図１４で立証されるように、弱い増殖がグラフト化疎水性インプラントで観察された。