(57)【要約】【課題】バンク層の形成のために専用のマスクを用いたリソグラフィー工程が不要であり、製造工程を簡素化することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基体１１上にゲート電極１２を形成した後、基体１１及びゲート電極１２上に絶縁層１３を形成し、次いで、絶縁層１３上に感光性絶縁材料から成るバンク層２０を形成し、その後、基体側から、ゲート電極１２を露光用マスクとして用いてバンク層２０を露光し、ゲート電極１２の上方のバンク層２０を除去して、バンク層２０に、ゲート電極の上方に位置する開口領域２１を形成した後、塗布法に基づき、開口領域２１内に半導体材料から成るチャネル形成領域１４を形成し、その後、バンク層２０上に一対のソース／ドレイン電極１５を形成する各工程を備えている。【選択図】  図１
2013016612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）基体上にゲート電極を形成した後、
（Ｂ）基体及びゲート電極上に絶縁層を形成し、次いで、
（Ｃ）絶縁層上に、感光性絶縁材料から成るバンク層を形成し、その後、
（Ｄ）基体側から、ゲート電極を露光用マスクとして用いてバンク層を露光し、ゲート電極の上方のバンク層を除去して、バンク層に、ゲート電極の上方に位置する開口領域を形成した後、
（Ｅ）塗布法に基づき、開口領域内に半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、その後、
（Ｆ）バンク層上に一対のソース／ドレイン電極を形成する、
各工程を備えている半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（Ａ）基体上にゲート電極を形成した後、
（Ｂ）基体及びゲート電極上に、感光性絶縁材料から成るバンク層を形成し、次いで、
（Ｃ）基体側から、ゲート電極を露光用マスクとして用いてバンク層を露光し、ゲート電極の上のバンク層を除去して、バンク層に、ゲート電極の上に位置する開口領域を形成し、その後、
（Ｄ）開口領域内に、塗布法に基づき絶縁層を形成した後、
（Ｅ）塗布法に基づき、開口領域内に半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、その後、
（Ｆ）バンク層上に一対のソース／ドレイン電極を形成する、
各工程を備えている半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体材料は有機半導体材料から成る請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（Ｅ）において、インクジェット印刷法に基づき、開口領域内にチャネル形成領域を形成する請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（Ｆ）において、バンク層上からチャネル形成領域の一部の上に亙り、一対のソース／ドレイン電極を形成する請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（Ｆ）に引き続き、少なくとも、一対のソース／ドレイン電極の間に露出したチャネル形成領域の上に保護膜を形成する工程を更に備える請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
絶縁層の濡れ性は、バンク層頂面の濡れ性よりも良い請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程（Ｄ）と工程（Ｅ）の間において、絶縁層の上に濡れ性改善層を形成する工程を更に備える請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基体上に形成されたゲート電極、
基体及びゲート電極上に形成された絶縁層、
絶縁層上に形成され、ゲート電極の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域が設けられた、絶縁材料から成るバンク層、
開口領域内に形成された半導体材料から成るチャネル形成領域、並びに、
バンク層上に形成された一対のソース／ドレイン電極、
を備えている半導体装置。
【請求項１０】
開口領域の底部に位置する絶縁層の部分の上に濡れ性改善層が形成されている請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
基体上に形成されたゲート電極、
基体上に形成され、ゲート電極の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域が設けられた、絶縁材料から成るバンク層、
開口領域内に形成された絶縁層及び半導体材料から成るチャネル形成領域、並びに、
バンク層上に形成された一対のソース／ドレイン電極、
を備えている半導体装置。
【請求項１２】
絶縁層の上に濡れ性改善層が形成されている請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
半導体材料は有機半導体材料から成る請求項９又は請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
バンク層上からチャネル形成領域の一部の上に亙り、一対のソース／ドレイン電極が形成されている請求項９又は請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１５】
少なくとも、一対のソース／ドレイン電極の間に露出したチャネル形成領域の上には保護膜が形成されている請求項９又は請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１６】
請求項９乃至請求項１５のいずれか１項に記載の半導体装置の複数が、第１の方向及び第２の方向に２次元マトリクス状に配列された、画像表示装置を構成する基板であって、
第１の方向に沿って配列された複数の半導体装置におけるゲート電極は、第１の方向に沿って延びるゲート配線に接続されており、
第２の方向に沿って配列された複数の半導体装置における一方のソース／ドレイン電極は、第２の方向に沿って延びる信号配線に接続されている、画像表示装置を構成する基板。
【請求項１７】
請求項１６に記載の画像表示装置を構成する基板を備えた画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置及びその製造方法、画像表示装置、並びに、画像表示装置を構成する基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、多くの電子機器に用いられている薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor，ＴＦＴ）を含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、例えば、支持体上に形成されたゲート電極、ゲート電極上を含む支持体上に形成されたＳｉＯ2から成るゲート絶縁層、並びに、ゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域及びソース／ドレイン電極から構成されている。尚、このような構成のＦＥＴを、便宜上、ボトムゲート型ＦＥＴと呼ぶ。そして、このような構造を有する電界効果トランジスタの作製には、通常、非常に高価な半導体製造装置が使用されており、製造コストの低減が強く要望されている。
【０００３】
そうした中、最近、有機半導体材料から成る薄膜を用いた電子デバイスの開発が精力的に行われており、その中でも、有機トランジスタといった有機エレクトロニクスデバイス（以下、単に、有機デバイスと略称する場合がある）が注目を浴びている。この有機デバイスの最終的な目標として、低コスト、軽量、可撓性、高性能を挙げることができる。有機半導体材料は、シリコンを中心とする無機材料と比較して、
（１）低温で、簡易なプロセスにて、大面積の有機デバイスを低コストで製造することができる。
（２）可撓性を有する有機デバイスを製造することが可能である。
（３）有機材料を構成する分子を所望の形態に修飾することで、有機デバイスの性能や物性を制御することができる。
といった種々の利点を有している。
【０００４】
そして、低温で、直接、パターン形成を行うことができる簡易なプロセスとして、有機半導体材料を用いた印刷法に基づくチャネル形成領域形成の検討が進められている。ここで、印刷法の中でも、特に、インクジェット印刷法は、版を用いない無版印刷であり、版の作製費用を削減することができるし、必要な部分に必要な量だけ有機半導体材料を使用するため、有機半導体材料の使用量の低減を図ることができ、コスト低減に有利である。このような印刷法を適用した製造方法は、近年、無機半導体へも展開される傾向がある。ここでは、例えば酸化物半導体等をインク化し、印刷法に基づき電子デバイスを形成する試みがなされている。
【０００５】
ところで、インクジェット印刷法の一般的なパターン解像度は２０μｍ程度と云われている。パターン解像度が低い原因は、印刷時、半導体材料が広がってしまうためである。然るに画像表示装置等において使用されるＴＦＴの製造では、一般に、５μｍ以下のパターン解像度が要求される。
【０００６】
このような要求に応えるために、即ち、印刷時の半導体材料の広がりを抑え、インクジェット印刷法のパターン解像度を向上させるために、「バンク」あるいは「バンク層」と呼ばれる構造を用いる技術が、例えば、特開２００８−０６０６００、特開２０１０−０８０８９６、特開２００８−２５８４８０から周知である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−０６０６００
【特許文献２】特開２０１０−０８０８９６
【特許文献３】特開２００８−２５８４８０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、バンクあるいはバンク層の形成のために専用のマスクが必要となり、製造コストの増加を招くし、専用のマスクを用いたリソグラフィー工程が必要とされ、半導体装置の工程が複雑になるといった問題がある。
【０００９】
従って、本開示の目的は、バンクあるいはバンク層の形成のために専用のマスクを用いたリソグラフィー工程が不要であり、製造工程を簡素化することができる半導体装置の製造方法、また、簡便な製造工程で製造することが可能な半導体装置、係る半導体装置を備えた画像表示装置及び画像表示装置を構成する基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る半導体装置の製造方法は、
（Ａ）基体上にゲート電極を形成した後、
（Ｂ）基体及びゲート電極上に絶縁層を形成し、次いで、
（Ｃ）絶縁層上に、感光性絶縁材料から成るバンク層を形成し、その後、
（Ｄ）基体側から、ゲート電極を露光用マスクとして用いてバンク層を露光し、ゲート電極の上方のバンク層を除去して、バンク層に、ゲート電極の上方に位置する開口領域を形成した後、
（Ｅ）塗布法に基づき、開口領域内に半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、その後、
（Ｆ）バンク層上に一対のソース／ドレイン電極を形成する、
各工程を備えている。
【００１１】
上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る半導体装置の製造方法は、
（Ａ）基体上にゲート電極を形成した後、
（Ｂ）基体及びゲート電極上に、感光性絶縁材料から成るバンク層を形成し、次いで、
（Ｃ）基体側から、ゲート電極を露光用マスクとして用いてバンク層を露光し、ゲート電極の上のバンク層を除去して、バンク層に、ゲート電極の上に位置する開口領域を形成し、その後、
（Ｄ）開口領域内に、塗布法に基づき絶縁層を形成した後、
（Ｅ）塗布法に基づき、開口領域内に半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、その後、
（Ｆ）バンク層上に一対のソース／ドレイン電極を形成する、
各工程を備えている。
【００１２】
上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る半導体装置は、
基体上に形成されたゲート電極、
基体及びゲート電極上に形成された絶縁層、
絶縁層上に形成され、ゲート電極の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域が設けられた、絶縁材料から成るバンク層、
開口領域内に形成された半導体材料から成るチャネル形成領域、並びに、
バンク層上に形成された一対のソース／ドレイン電極、
を備えている。
【００１３】
上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る半導体装置は、
基体上に形成されたゲート電極、
基体上に形成され、ゲート電極の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域が設けられた、絶縁材料から成るバンク層、
開口領域内に形成された絶縁層及び半導体材料から成るチャネル形成領域、並びに、
バンク層上に形成された一対のソース／ドレイン電極、
を備えている。
【００１４】
上記の目的を達成するための本開示の画像表示装置を構成する基板（所謂バックプレーン）は、上記の本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置の複数が、第１の方向及び第２の方向に２次元マトリクス状に配列された、画像表示装置を構成する基板であって、
第１の方向に沿って配列された複数の半導体装置におけるゲート電極は、第１の方向に沿って延びるゲート配線に接続されており、
第２の方向に沿って配列された複数の半導体装置における一方のソース／ドレイン電極は、第２の方向に沿って延びる信号配線に接続されている。
【００１５】
上記の目的を達成するための本開示の画像表示装置は、上記の本開示の画像表示装置を構成する基板（バックプレーン）を備えている。
【発明の効果】
【００１６】
本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置の製造方法にあっては、基体側から、ゲート電極を露光用マスクとして用いてバンク層を露光し、ゲート電極の上方のバンク層を除去して、バンク層に、チャネル形成領域を形成するための開口領域を設ける。従って、バンク層の形成のために専用のマスクが不要となり、製造コストの増加を招くことが無いし、専用のマスクを用いたリソグラフィー工程が必要とされることも無く、半導体装置の工程が複雑になることも無い。また、本開示の第１の態様及び第２の態様に係る半導体装置において、ゲート電極の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域にチャネル形成領域を設けるので、寄生容量の低減を図ることができる。更には、本開示の第２の態様に係る半導体装置の製造方法にあっては、絶縁層の形成に引き続き、絶縁層の頂面を清浄に保った状態でチャネル形成領域の形成を行うので、半導体装置の特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、図２の矢印Ａ−Ａに沿った実施例１の半導体装置の模式的な一部端面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例１の半導体装置の模式的な一部断面図である。
【図２】図２は、実施例１の半導体装置の模式的な平面図である。
【図３】図３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図２の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。
【図４】図４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図２の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。
【図５】図５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図２の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。
【図６】図６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図２の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部断面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【図７】図７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図２の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【図８】図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、図９の矢印Ａ−Ａに沿った実施例２の半導体装置の模式的な一部端面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例２の半導体装置の模式的な一部断面図である。
【図９】図９は、実施例２の半導体装置の模式的な平面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図９の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。
【図１１】図１１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図９の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。
【図１２】図１２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図９の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部断面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【図１３】図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図９の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部断面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【図１４】図１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図９の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【図１５】図１５の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、図２の矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の実施例３の半導体装置（実施例１の半導体装置の変形）の模式的な一部端面図及び一部断面図である。
【図１６】図１６の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、図９の矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の実施例３の半導体装置（実施例２の半導体装置の変形）の模式的な一部端面図及び一部断面図である。
【図１７】図１７の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、図２の矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の実施例４の半導体装置（実施例１の半導体装置の変形）の模式的な一部端面図及び一部断面図である。
【図１８】図１８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、図９の矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の実施例４の半導体装置（実施例２の半導体装置の変形）の模式的な一部端面図及び一部断面図である。
【図１９】図１９の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、図２の矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の実施例４の半導体装置（実施例１及び実施例３の半導体装置の変形）の模式的な一部端面図及び一部断面図である。
【図２０】図２０の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、図９の矢印Ａ−Ａ及び矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の実施例４の半導体装置（実施例２及び実施例３の半導体装置の変形）の模式的な一部端面図及び一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様及び第２の態様に係る半導体装置及びその製造方法、本開示の画像表示装置、並びに、本開示画像表示装置を構成する基板、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る半導体装置及びその製造方法、本開示の画像表示装置、並びに、本開示画像表示装置を構成する基板）
３．実施例２（本開示の第２の態様に係る半導体装置及びその製造方法、本開示の画像表示装置、並びに、本開示画像表示装置を構成する基板）
４．実施例３（実施例１及び実施例２の半導体装置の変形例）
５．実施例４（実施例１、実施例２及び実施例３の半導体装置の変形例）、その他
【００１９】
［本開示の第１の態様及び第２の態様に係る半導体装置及びその製造方法、本開示の画像表示装置、並びに、本開示画像表示装置を構成する基板、全般に関する説明］
本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置の製造方法、本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置、本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置を備えた本開示の画像表示装置を構成する基板あるいは本開示の画像表示装置において、半導体材料は有機半導体材料から成る構成とすることができる。
【００２０】
上記の好ましい構成をふくむ本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置の製造方法にあっては、前記工程（Ｅ）において、インクジェット印刷法に基づき、開口領域内にチャネル形成領域を形成する形態とすることが好ましい。これによって、半導体材料の使用量の低減を図ることができる。開口領域内は、チャネル形成領域を構成する半導体材料によって埋められる。インクジェット印刷法において使用するインクジェットプリンターは、周知のインクジェットプリンターを使用すればよい。
【００２１】
また、上記の好ましい形態を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置の製造方法にあっては、前記工程（Ｆ）において、バンク層上からチャネル形成領域の一部の上に亙り、一対のソース／ドレイン電極を形成する形態とすることが好ましい。
【００２２】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置の製造方法にあっては、前記工程（Ｆ）に引き続き、少なくとも、一対のソース／ドレイン電極の間に露出したチャネル形成領域の上に保護膜を形成する工程を更に備える形態とすることが好ましい。ここで、保護膜を構成する材料として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、フッ素樹脂、アクリル樹脂、チオールやシランカップリング剤等を挙げることができる。後述する本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置の好ましい形態においても同様である。また、保護膜を形成する方法として、インクジェット印刷法、スクリーン印刷法といった方法を挙げることができる。尚、保護膜は、チャネル形成領域の上に形成することができ、場合によっては、更に、露出した絶縁層の上に形成することができ、しかも、ソース／ドレイン電極の上及びバンク層の上には形成できないような性質（例えば、濡れ性）を有することが望ましい。
【００２３】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置の製造方法において、絶縁層の濡れ性は、バンク層頂面の濡れ性よりも良い構成とすることが好ましい。即ち、バンク層頂面は、絶縁層よりも、より撥水性を有することが好ましい。尚、ここでの『撥水性』とは、チャネル形成領域を形成するための半導体材料溶液、例えば、有機半導体材料溶液を弾き易いか否かの指標である。具体的には、絶縁層に対する水の接触角θ1は、例えば、１０度乃至１００度であることが好ましく、バンク層頂面に対する水の接触角θ2は、例えば、１００度乃至１６０度であることが好ましい。
【００２４】
更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置の製造方法にあっては、前記工程（Ｄ）と工程（Ｅ）の間において、絶縁層の上に濡れ性改善層を形成する工程を更に備える構成とすることが好ましい。ここで、濡れ性改善層を構成する材料として、シランカップリング剤、ポリスチレン、ポリイミド、ＰＭＭＡ等を挙げることができる。後述する本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置の好ましい形態においても同様である。また、濡れ性改善層を形成する方法として、スピンコート法等の塗布方法、インクジェット法等の印刷法を挙げることができる。また、これらの材料を用いない方法として、プラズマ処理や、ＵＶ光の照射処理等を挙げることができる。濡れ性改善層に対する水の接触角θ3は、例えば、１０度乃至１００度であることが好ましい。
【００２５】
本開示の第１の態様に係る半導体装置、この半導体装置を備えた本開示の画像表示装置を構成する基板あるいは本開示の画像表示装置にあっては、開口領域の底部に位置する絶縁層の部分の上に濡れ性改善層が形成されている形態とすることが好ましい。また、本開示の第２の態様に係る半導体装置、この半導体装置を備えた本開示の画像表示装置を構成する基板あるいは本開示の画像表示装置にあっては、絶縁層の上に濡れ性改善層が形成されている形態とすることが好ましい。更には、これらの好ましい形態を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置、これらの半導体装置を備えた本開示の画像表示装置を構成する基板あるいは本開示の画像表示装置にあっては、バンク層上からチャネル形成領域の一部の上に亙り、一対のソース／ドレイン電極が形成されている構成とすることが好ましく、更には、少なくとも、一対のソース／ドレイン電極の間に露出したチャネル形成領域の上には保護膜が形成されていることが好ましい。
【００２６】
以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置の製造方法、本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置、本開示の第１の態様あるいは第２の態様に係る半導体装置を備えた本開示の画像表示装置を構成する基板あるいは本開示の画像表示装置を総称して、以下、単に、『本開示』と呼ぶ場合がある。また、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様に係る半導体装置の製造方法、本開示の第１の態様に係る半導体装置、本開示の第１の態様に係る半導体装置を備えた本開示の画像表示装置を構成する基板あるいは本開示の画像表示装置を総称して、単に、『本開示の第１の態様』と呼ぶ場合がある。更には、以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の第２の態様に係る半導体装置の製造方法、本開示の第２の態様に係る半導体装置、本開示の第２の態様に係る半導体装置を備えた本開示の画像表示装置を構成する基板あるいは本開示の画像表示装置を総称して、単に、『本開示の第２の態様』と呼ぶ場合がある。
【００２７】
本開示においては、ゲート電極から延在するゲート電極延在部を形成してもよく、この場合、ゲート電極延在部はゲート配線として機能する。ゲート電極延在部を形成する場合、本開示の第１の態様に係る半導体装置の製造方法は、
（Ａ’）基体上に、ゲート電極及びゲート電極延在部を形成した後、
（Ｂ’）基体、並びに、ゲート電極及びゲート電極延在部上に絶縁層を形成し、次いで、
（Ｃ’）絶縁層上に、感光性絶縁材料から成るバンク層を形成し、その後、
（Ｄ’）基体側から、ゲート電極及びゲート電極延在部を露光用マスクとして用いてバンク層を露光し、ゲート電極及びゲート電極延在部の上方のバンク層を除去して、バンク層に、ゲート電極の上方に位置する開口領域（『第１開口領域』と呼ぶ場合がある）、及び、ゲート電極延在部の上方に位置する第２開口領域を形成した後、
（Ｅ’）塗布法に基づき、第１開口領域内に半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、その後、
（Ｆ’）バンク層上に一対のソース／ドレイン電極を形成する、
各工程を備えている。尚、前記工程（Ｅ’）において、第１開口領域内に半導体材料から成るチャネル形成領域を形成するとき、第２開口領域内の一部に半導体材料が流れ出し、チャネル形成領域延在部が形成される場合もある。
【００２８】
また、ゲート電極延在部を形成する場合、本開示の第２の態様に係る半導体装置の製造方法は、
（Ａ’）基体上に、ゲート電極及びゲート電極延在部を形成した後、
（Ｂ’）基体、並びに、ゲート電極及びゲート電極延在部上に、感光性絶縁材料から成るバンク層を形成し、次いで、
（Ｃ’）基体側から、ゲート電極及びゲート電極延在部を露光用マスクとして用いてバンク層を露光し、ゲート電極及びゲート電極延在部の上のバンク層を除去して、バンク層に、ゲート電極の上に位置する開口領域（『第１開口領域』と呼ぶ場合がある）、及び、ゲート電極延在部の上に位置する第２開口領域を形成し、その後、
（Ｄ’）第１開口領域内及び第２開口領域内に、塗布法に基づき絶縁層を形成した後、
（Ｅ’）塗布法に基づき、第１開口領域内に半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、その後、
（Ｆ’）バンク層上に一対のソース／ドレイン電極を形成する、
各工程を備えている。尚、前記工程（Ｅ’）において、第１開口領域内に半導体材料から成るチャネル形成領域を形成するとき、第２開口領域内の一部に半導体材料が流れ出し、チャネル形成領域延在部が形成される場合もある。
【００２９】
更には、ゲート電極延在部を形成する場合、本開示の第１の態様に係る半導体装置は、
基体上に形成された、ゲート電極及びゲート電極延在部、
基体、並びに、ゲート電極及びゲート電極延在部上に形成された絶縁層、
絶縁層上に形成され、ゲート電極の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域（『第１開口領域』と呼ぶ場合がある）、及び、ゲート電極延在部の平面形状と同じ平面形状を有する第２開口領域が設けられた、絶縁材料から成るバンク層、
第１開口領域内に形成された、半導体材料から成るチャネル形成領域、並びに、
バンク層上に形成された一対のソース／ドレイン電極、
を備えている。尚、第２開口領域内の一部に、半導体材料から成るチャネル形成領域延在部が形成される場合もある。
【００３０】
また、ゲート電極延在部を形成する場合、本開示の第２の態様に係る半導体装置は、
基体上に形成された、ゲート電極及びゲート電極延在部、
基体上に形成され、ゲート電極の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域（『第１開口領域』と呼ぶ場合がある）、及び、ゲート電極延在部の平面形状と同じ平面形状を有する第２開口領域が設けられた、絶縁材料から成るバンク層、
第１開口領域内に形成された絶縁層及び半導体材料から成るチャネル形成領域、並びに、
バンク層上に形成された一対のソース／ドレイン電極、
を備えている。尚、第２開口領域内の一部に、半導体材料から成るチャネル形成領域延在部が形成される場合もある。
【００３１】
また、ゲート電極延在部を形成する場合、本開示の画像表示装置を構成する基板にあっては、第１の方向に沿って配列された複数の半導体装置におけるゲート電極延在部は共通化され、ゲート配線を構成する形態とすることができる。
【００３２】
ここで、ゲート電極延在部を形成する場合、ゲート電極とゲート電極延在部とは繋がっているし、第１開口領域と第２開口領域とは連通しているし、チャネル形成領域延在部が形成される場合、チャネル形成領域とチャネル形成領域延在部とは繋がっている。本開示の第２の態様において、チャネル形成領域延在部が形成される場合であって、第２開口領域内の一部に絶縁層が形成されている場合、第２開口領域内の絶縁層の射影像内に第２開口領域内のチャネル形成領域延在部の射影像が含まれることが望ましい。
【００３３】
ここで、ゲート電極、ゲート電極延在部（ゲート配線）、ソース／ドレイン電極、信号配線（以下、これらを総称して、『ゲート電極等』と呼ぶ場合がある）を構成する材料として、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、ＩＴＯ、不純物を含有したポリシリコン等の導電性物質を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造（例えば、ＭｏＯx／Ａｕ、ＣｕＯ／Ａｕ）とすることもできる。更には、ゲート電極等を構成する材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］やポリアニリンといった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。ゲート電極、ソース／ドレイン電極、信号配線を構成する材料は、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【００３４】
ゲート電極等の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、後述する各種の塗布法、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）、アーク放電法、ＭＯＣＶＤ法を含む各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、リフト・オフ法、シャドウマスク法、及び、電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着、ルツボを加熱する方法等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。レジストパターンを形成する場合、例えば、レジスト材料を塗布してレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィ技術、レーザ描画技術、電子線描画技術あるいはＸ線描画技術等を用いてレジスト層をパターニングする。レジスト転写法等を用いてレジストパターンを形成してもよい。ゲート電極等をエッチング方法に基づき形成する場合、ドライエッチング法やウェットエッチング法を採用すればよく、ドライエッチング法として、例えば、イオンミリングやＲＩＥを挙げることができる。また、ゲート電極等を、レーザアブレーション法、マスク蒸着法、レーザ転写法等に基づき形成することもできる。
【００３５】
本開示において、ゲート電極の上の絶縁層の部分はゲート絶縁層に相当する。そして、本開示の第１の態様において、絶縁層は、単層であってもよいし、多層であってもよい。絶縁層を構成する材料として、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素（ＳｉＮY）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）やＨｆＯ2等の金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスチレン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＥＡＰＴＭＳ）、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＭＰＴＭＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）等のシラノール誘導体（シランカップリング剤）、オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端にゲート電極と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料（有機ポリマー）にて例示される有機系絶縁材料を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。ここで、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯX）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ2系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。また、絶縁層の形成方法として、以下に述べる塗布法以外にも、リフト・オフ法、ゾル−ゲル法、電着法、及び、シャドウマスク法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。ここで、塗布法として、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、反転オフセット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷、フレキソ印刷、マイクロコンタクト法といった各種印刷法；スピンコート法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットコーター法、スリットオリフィスコーター法、キャップコート法、カレンダーコーター法、キャスティング法、キャピラリーコーター法、バーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スプレー法；ディスペンサーを用いる方法：スタンプ法といった、液状材料を塗布する方法を挙げることができる。
【００３６】
一方、本開示の第２の態様において、絶縁層を構成する材料として、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ），ＰＭＭＡ、フッ素樹脂、ポリイミド等を挙げることができるし、絶縁層の形成方法として、インクジェット印刷法、スピンコート法、スリットコート法等の塗布方法を挙げることができる。
【００３７】
バンク層の露光は所謂背面露光方式である。本開示におけるバンク層を構成する感光性絶縁材料は、露光によって不溶性あるいは難溶性となる材料から構成され、具体的には、フッ素系絶縁材料、ＳＵ−８等のレジスト材料を挙げることができる。絶縁層上あるいは基体上にバンク層を形成する方法として、スピンコート法等の塗布法を挙げることができる。感光性絶縁材料の露光には、バンク層を構成する材料を不溶性あるいは難溶性とするのに適した光線（あるいはエネルギー線）を、適宜、選択して、使用すればよい。ゲート電極及びゲート電極延在部の上あるいは上方のバンク層の除去は、例えば、バンク層を構成する材料を溶解する溶剤にバンク層を浸漬すればよい。
【００３８】
本開示において、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を構成する半導体材料、具体的には、有機半導体材料として、ポリチオフェン、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ−３−ヘキシルチオフェン［Ｐ３ＨＴ］、ペンタセン［２，３，６，７−ジベンゾアントラセン］、ペンタセンの誘導体［ＴＩＰＳ（triisopropylsilylethynyl）−ペンタセン等］、ペリキサンテノキサンテン等を含むジオキサアンタントレン系化合物、ポリアントラセン、ナフタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、トリフェニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリフェニレン、ポリフラン、ポリインドール、ポリビニルカルバゾール、ポリセレノフェン、ポリテルロフェン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド、ポリチエニレンビニレン、ポリナフタレン、ポリピレン、ポリアズレン、銅フタロシアニンで代表されるフタロシアニン、メロシアニン、ヘミシアニン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ピリダジン、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］、キナクリドンを例示することができる。あるいは又、有機半導体材料として、縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系誘導体、フェニルビニリデン系の共役系オリゴマー、及び、チオフェン系の共役系オリゴマーから成る群から選択された化合物を挙げることができる。具体的には、例えば、アセン系分子（ペンタセン、テトラセン等）といった縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系分子、共役系オリゴマー（フェニルビニリデン系やチオフェン系）を挙げることができる。
【００３９】
あるいは又、有機半導体材料として、例えば、ポルフィリン、４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、デンドリマー、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン、１，４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、１，４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［１，２］ジチオール−１，４，７−トリチオン、アルファ−セキシチオフェン、テトラチオテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピロール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）を例示することができる。
【００４０】
チャネル形成領域（半導体材料）には、必要に応じてポリマーが含まれていてもよい。ポリマーは有機溶剤に溶解すればよい。具体的には、ポリマー（有機結合剤、バインダー）として、ポリスチレン、ポリアルファメチルスチレン、ポリオレフィンを例示することができる。更には、場合によっては、添加物（例えば、ｎ型不純物やｐ型不純物といった、所謂ドーピング材料）を加えることもできる。
【００４１】
半導体材料溶液を調製するための溶媒として、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、デカリン等の炭化水素類等を例示することができる。なかでも、メシチレン、テトラリン、デカリン等の沸点が比較的高い溶媒を用いることが、トランジスタ特性の観点から、また、チャネル形成領域の形成時に半導体材料が急激に乾燥することを防止するといった観点から、好ましい。
【００４２】
本開示において、基体は、酸化ケイ素系材料（例えば、ＳｉＯXやスピンオンガラス（ＳＯＧ））；窒化ケイ素（ＳｉＮY）；酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）やＨｆＯ2等の金属酸化物絶縁膜から構成することができる。基体をこれらの材料から構成する場合、基体を、以下に挙げる材料から適宜選択された支持体上に（あるいは支持体の上方に）形成すればよい。即ち、支持体として、あるいは又、上述した基体以外の基体として、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）に例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板を挙げることができ、あるいは又、雲母を挙げることができる。このような可撓性を有する有機ポリマー、高分子材料から構成された基体を使用すれば、例えば曲面形状を有するディスプレイ装置や電子機器への電子デバイスや半導体装置の組込みあるいは一体化が可能となる。あるいは又、基体として、各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス鋼等の各種合金や各種金属から成る金属基板を挙げることができる。電気絶縁性の支持体としては、以上に説明した材料から適切な材料を選択すればよい。支持体として、その他、導電性基板（金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板、ステンレス鋼基板等）を挙げることができる。また、半導体装置の構成、構造によっては、半導体装置が支持体上に設けられているが、この支持体も上述した材料から構成することができる。
【００４３】
本開示の画像表示装置として、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス素子を備えた画像表示装置、電気泳動ディスプレイ素子を備えた画像表示装置、プラズマ表示装置を例示することができる。また、画像表示装置は、例えば、所謂デスクトップ型のパーソナルコンピュータ、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、モバイル型のパーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスト）、携帯電話、ゲーム機、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、コピー機、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、電卓、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰ等の各種画像表示装置に適用することができる。
【００４４】
本開示の半導体装置を、ディスプレイ装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、場合によっては、多数の半導体装置を集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各半導体装置を切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。また、半導体装置を樹脂にて封止してもよい。
【実施例１】
【００４５】
実施例１は、本開示の第１の態様に係る半導体装置の製造方法、本開示の第１の態様に係る半導体装置、本開示の第１の態様に係る半導体装置を備えた本開示の画像表示装置を構成する基板あるいは本開示の画像表示装置に関する。図２の矢印Ａ−Ａに沿った実施例１の半導体装置の模式的な一部端面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例１の半導体装置の模式的な一部断面図を、それぞれ、図１の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。また、実施例１の半導体装置の模式的な平面図を図２に示す。
【００４６】
実施例１の半導体装置は、所謂ボトムゲート・トップコンタクト型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、
（ａ）基体１１上に形成されたゲート電極１２、
（ｂ）基体１１及びゲート電極１２上に形成された絶縁層１３、
（ｃ）絶縁層１３上に形成され、ゲート電極１２の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域２１が設けられた、絶縁材料から成るバンク層２０、
（ｄ）開口領域２１内に形成された半導体材料、具体的には、有機半導体材料から成るチャネル形成領域１４、並びに、
（ｅ）バンク層２０上に形成された一対のソース／ドレイン電極１５、
を備えている。
【００４７】
尚、実施例１にあっては、ゲート電極延在部を形成する形態を採用した。従って、実施例１の半導体装置は、
（ａ’）基体１１上に形成された、ゲート電極１２及びゲート電極延在部１２Ａ、
（ｂ’）基体１１、並びに、ゲート電極１２及びゲート電極延在部１２Ａ上に形成された絶縁層１３、
（ｃ’）絶縁層１３上に形成され、ゲート電極１２の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域（第１開口領域２１）、及び、ゲート電極延在部１２Ａの平面形状と同じ平面形状を有する第２開口領域２２が設けられた、絶縁材料から成るバンク層２０、
（ｄ’）第１開口領域２１内に形成された、半導体材料、具体的には、有機半導体材料から成るチャネル形成領域１４、並びに、
（ｅ’）バンク層２０上に形成された一対のソース／ドレイン電極１５、
を備えている。尚、第２開口領域２２内の一部に、半導体材料、具体的には、有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部１４Ａが形成されている。
【００４８】
ここで、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例４において、基体１１はＰＥＳフィルムから成り、ゲート電極１２及びゲート電極延在部１２Ａはアルミニウム（Ａｌ）から成り、絶縁層１３はポリビニルフェノール（ＰＶＰ）から成り、バンク層２０はフッ素系絶縁材料から成り、チャネル形成領域１４及びチャネル形成領域延在部１４ＡはＴＩＰＳ−ペンタセンから成り、一対のソース／ドレイン電極１５は金（Ａｕ）から成る。尚、ゲート電極１２の上の絶縁層１３の部分がゲート絶縁層に相当する。また、バンク層２０上からチャネル形成領域１４の一部の上に亙り、即ち、バンク層２０上からチャネル形成領域１４の縁部を超えてその一部の上に亙り、一対のソース／ドレイン電極１５が形成されている。
【００４９】
ゲート電極１２とゲート電極延在部１２Ａとは繋がっているし、第１開口領域２１と第２開口領域２２とは連通しているし、チャネル形成領域１４とチャネル形成領域延在部１４Ａとは繋がっている。また、第１開口領域２１内は、チャネル形成領域１４を構成する半導体材料によって埋められており、第２開口領域２２内の一部は、チャネル形成領域延在部１４Ａを構成する半導体材料によって埋められている。
【００５０】
また、実施例１の画像表示装置を構成する基板（バックプレーン）は、実施例１の半導体装置の複数が、第１の方向及び第２の方向に２次元マトリクス状に配列されており、
第１の方向に沿って配列された複数の半導体装置におけるゲート電極１２は、第１の方向に沿って延びるゲート配線３１に接続されており、
第２の方向に沿って配列された複数の半導体装置における一方のソース／ドレイン電極１５は、第２の方向に沿って延びる信号配線３２に接続されている。
【００５１】
尚、ゲート電極延在部１２Ａが形成されており、第１の方向に沿って配列された複数の半導体装置におけるゲート電極延在部１２Ａは共通化され、ゲート配線３１を構成している。
【００５２】
更には、実施例１の画像表示装置は、実施例１の画像表示装置を構成する基板（バックプレーン）を備えている。
【００５３】
以下、図面を参照して、実施例１の半導体装置の製造方法の説明を行う。尚、図３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図２の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。また、図４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図２の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。更には、図５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図２の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。また、図６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図２の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部断面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。更には、図７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図２の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【００５４】
［工程−１００］
先ず、基体１１上にゲート電極１２を形成する。加えて、基体１１上にゲート電極延在部１２Ａを形成する。具体的には、基体１１の一部をハードマスクで覆った状態で、ゲート電極１２及びゲート電極延在部１２Ａを真空蒸着法によって形成する。こうして、ゲート電極１２及びゲート電極延在部１２Ａをフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。但し、ゲート電極１２及びゲート電極延在部１２Ａの形成方法はこれに限定するものではなく、ゲート電極１２及びゲート電極延在部１２Ａを構成する導電材料層の成膜技術及びエッチング技術の組合せに基づき形成してもよいし、所謂リフトオフ法に基づき形成してもよい。こうして、図３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す構造を得ることができる。尚、図３の（Ａ）において、基体１１を明示するために、基体１１に斜線を付した。
【００５５】
［工程−１１０］
次に、基体１１及びゲート電極１２、更には、ゲート電極延在部１２Ａ上に絶縁層１３を形成する。具体的には、スピンコート法に基づき、全面に絶縁層１３を形成する。こうして、図４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す構造を得ることができる。
【００５６】
［工程−１２０］
その後、絶縁層１３上に、感光性絶縁材料から成るバンク層２０を形成する。具体的には、スピンコート法に基づき、全面にバンク層２０を形成（成膜）する。こうして、図５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す構造を得ることができる。
【００５７】
［工程−１３０］
次いで、基体１１側から、ゲート電極１２を露光用マスクとして用いてバンク層２０を露光し、ゲート電極１２の上方のバンク層２０を除去して、バンク層２０に、ゲート電極１２の上方に位置する第１開口領域２１を形成する。併せて、基体１１側から、ゲート電極延在部１２Ａを露光用マスクとして用いてバンク層２０を露光し、ゲート電極延在部１２Ａの上方のバンク層２０を除去して、バンク層２０に、ゲート電極延在部１２Ａの上方に位置する第２開口領域２２を形成する。具体的には、紫外線を用いて所謂背面露光を行うことでバンク層２０を露光し、露光されたバンク層２０の部分を不溶性あるいは難溶性とする。そして、バンク層２０を構成する材料を溶解する溶剤にバンク層２０を浸漬することで、露光されなかったバンク層２０の部分を除去する。こうして、バンク層２０に、ゲート電極１２の上方に位置する第１開口領域２１、及び、ゲート電極延在部１２Ａの上方に位置する第２開口領域２２を形成することができる。この状態を、図６の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示すが、図６の（Ａ）において、バンク層２０を明示するために、バンク層２０に斜線を付した。
【００５８】
ここで、絶縁層１３の濡れ性は、バンク層２０の頂面の濡れ性よりも良い。即ち、バンク層２０の頂面は、絶縁層１３よりも、より撥水性を有する。云い換えれば、バンク層２０の頂面は、絶縁層１３よりも、チャネル形成領域１４、チャネル形成領域延在部１４Ａを形成するための有機半導体材料溶液を弾き易い。具体的には、絶縁層１３に対する水の接触角θ1は６２度であり、バンク層２０の頂面に対する水の接触角θ2は１２０度であった。
【００５９】
［工程−１４０］
その後、塗布法に基づき、第１開口領域２１内に、半導体材料、具体的には、有機半導体材料から成るチャネル形成領域１４を形成する。具体的には、インクジェット印刷法に基づき、第１開口領域２１内にチャネル形成領域１４を形成する。このとき、第２開口領域２２内の一部に有機半導体材料が流れ出し、チャネル形成領域延在部１４Ａが形成される。インクジェット印刷法においては、トルエンから成る溶剤に有機半導体材料を溶解した有機半導体材料溶液を使用する。こうして、図７の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す構造を得ることができる。尚、図７の（Ａ）において、チャネル形成領域１４、チャネル形成領域延在部１４Ａ及びバンク層２０を明示するために、チャネル形成領域１４、チャネル形成領域延在部１４Ａ及びバンク層２０に斜線を付した。
【００６０】
［工程−１５０］
その後、バンク層２０上に一対のソース／ドレイン電極１５を形成する。尚、バンク層２０上からチャネル形成領域１４の一部の上に亙り、一対のソース／ドレイン電極１５を形成する。具体的には、ソース／ドレイン電極１５を構成する導電材料層の成膜技術及びエッチング技術の組合せに基づき、ソース／ドレイン電極１５を形成することができる。但し、ソース／ドレイン電極１５の形成方法はこれに限定するものではなく、ソース／ドレイン電極１５を形成すべき領域以外の領域をハードマスクで覆った状態で、ソース／ドレイン電極１５を真空蒸着法によって形成してもよいし、所謂リフトオフ法に基づき形成してもよい。こうして、図１の（Ａ）及び、（Ｂ）、並びに、図２に示す構造を得ることができる。あるいは又、実施例１の半導体装置を備えた、画像表示装置を構成する基板、画像表示装置を得ることができる。
【００６１】
尚、画像表示装置を構成する基板の製造、画像表示装置の製造にあっては、この工程に引き続き、半導体装置の上あるいは上方に、画像表示部（具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいは電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子から成る画像表示部）を、周知の方法に基づき形成すればよい。
【００６２】
実施例１の半導体装置の製造方法にあっては、基体側から、ゲート電極を露光用マスクとして用いてバンク層を露光し、ゲート電極の上方のバンク層を除去して、バンク層に、チャネル形成領域を形成するための開口領域を設ける。従って、バンク層の形成のために専用のマスクが不要となり、製造コストの増加を招くことが無いし、専用のマスクを用いたリソグラフィー工程が必要とされることも無く、半導体装置の工程が複雑になることも無い。また、実施例１の半導体装置において、ゲート電極の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域にチャネル形成領域を設けるので、寄生容量の低減を図ることができる。
【実施例２】
【００６３】
実施例２は、本開示の第２の態様に係る半導体装置の製造方法、本開示の第２の態様に係る半導体装置、本開示の第２の態様に係る半導体装置を備えた本開示の画像表示装置を構成する基板あるいは本開示の画像表示装置に関する。図９の矢印Ａ−Ａに沿った実施例２の半導体装置の模式的な一部端面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例２の半導体装置の模式的な一部断面図を、それぞれ、図８の（Ａ）及び（Ｂ）に示し、実施例２の半導体装置の模式的な平面図を図９に示す。
【００６４】
実施例２の半導体装置も、所謂ボトムゲート・トップコンタクト型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、
（ａ）基体４１上に形成されたゲート電極４２、
（ｂ）基体４１上に形成され、ゲート電極４２の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域５１が設けられた、絶縁材料から成るバンク層５０、
（ｃ）開口領域５１内に形成された絶縁層４３及び半導体材料、具体的には、有機半導体材料から成るチャネル形成領域１４、並びに、
（ｄ）バンク層２０上に形成された一対のソース／ドレイン電極４５、
を備えている。
【００６５】
尚、実施例２にあっても、ゲート電極延在部が形成されている。従って、実施例２の半導体装置は、
（ａ’）基体４１上に形成された、ゲート電極４２及びゲート電極延在部４２Ａ、
（ｂ’）基体４１上に形成され、ゲート電極４２の平面形状と同じ平面形状を有する第１開口領域５１、及び、ゲート電極延在部４２Ａの平面形状と同じ平面形状を有する第２開口領域５２が設けられた、絶縁材料から成るバンク層５０、
（ｃ’）第１開口領域５１内に形成された絶縁層４３及び半導体材料、具体的には、有機半導体材料から成るチャネル形成領域４４、並びに、
（ｄ’）バンク層５０上に形成された一対のソース／ドレイン電極４５、
を備えている。尚、第２開口領域５２内の一部に、半導体材料、具体的には、有機半導体材料から成るチャネル形成領域延在部４４Ａが形成されている。
【００６６】
ここで、ゲート電極４２とゲート電極延在部４２Ａとは繋がっているし、第１開口領域５１と第２開口領域５２とは連通しているし、チャネル形成領域４４とチャネル形成領域延在部４４Ａとは繋がっている。また、第１開口領域５１内はチャネル形成領域４４を構成する半導体材料によって埋められており、第２開口領域５２内の一部はチャネル形成領域延在部４４Ａを構成する半導体材料によって埋められている。実施例２にあっては、第２開口領域５２内の一部に絶縁層４３及びチャネル形成領域延在部４４Ａが形成されているが、この場合、第２開口領域５２内の絶縁層４３の射影像内に第２開口領域５２内のチャネル形成領域延在部４４Ａの射影像が含まれている。また、バンク層５０上からチャネル形成領域４４の一部の上に亙り、即ち、バンク層５０上からチャネル形成領域４４の縁部を超えてその一部の上に亙り、一対のソース／ドレイン電極４５が形成されている。
【００６７】
また、実施例２の画像表示装置を構成する基板（バックプレーン）は、実施例２の半導体装置の複数が、第１の方向及び第２の方向に２次元マトリクス状に配列されており、
第１の方向に沿って配列された複数の半導体装置におけるゲート電極４２は、第１の方向に沿って延びるゲート配線３１に接続されており、
第２の方向に沿って配列された複数の半導体装置における一方のソース／ドレイン電極４５は、第２の方向に沿って延びる信号配線３２に接続されている。
【００６８】
尚、ゲート電極延在部４２Ａが形成されており、第１の方向に沿って配列された複数の半導体装置におけるゲート電極延在部４２Ａは共通化され、ゲート配線３１を構成している。
【００６９】
更には、実施例２の画像表示装置は、実施例２の画像表示装置を構成する基板（バックプレーン）を備えている。
【００７０】
以下、図面を参照して、実施例２の半導体装置の製造方法の説明を行う。尚、図１０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、実施例２の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図９の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。また、図１１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図９の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部端面図である。更には、図１２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図９の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部断面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。また、図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図９の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部断面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。更には、図１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、それぞれ、図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に引き続き、実施例２の半導体装置の製造方法を説明するための、半導体装置製造工程における模式的な平面図、図９の矢印Ａ−Ａに沿ったと同様の模式的な一部端面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿ったと同様の模式的な一部断面図である。
【００７１】
［工程−２００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、基体４１上にゲート電極４２を形成する。加えて、基体４１上にゲート電極延在部４２Ａを形成する。こうして、図１０の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す構造を得ることができる。尚、図１０の（Ａ）において、基体４１を明示するために、基体４１に斜線を付した。
【００７２】
［工程−２１０］
次に、基体４１及びゲート電極４２上、併せて、ゲート電極延在部４２Ａ上に、感光性絶縁材料から成るバンク層５０を、実施例１の［工程−１２０］と同様にして形成（成膜）する。こうして、図１１の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す構造を得ることができる。
【００７３】
［工程−２２０］
その後、基体４１側から、ゲート電極４２を露光用マスクとして用いてバンク層５０を露光し、ゲート電極４２の上のバンク層５０を除去して、バンク層５０に、ゲート電極４２の上に位置する第１開口領域５１を形成する。併せて、基体４１側から、ゲート電極延在部４２Ａを露光用マスクとして用いてバンク層５０を露光し、ゲート電極延在部４２Ａの上のバンク層５０を除去して、バンク層５０に、ゲート電極延在部４２Ａの上に位置する第２開口領域５２を形成する。具体的には、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、紫外線を用いて所謂背面露光を行うことでバンク層５０を露光し、露光されたバンク層５０の部分を不溶性あるいは難溶性とする。そして、バンク層５０を構成する材料を溶解する溶剤にバンク層５０を浸漬することで、露光されなかったバンク層５０の部分を除去する。こうして、バンク層５０に、ゲート電極４２の上に位置する第１開口領域５１、及び、ゲート電極延在部４２Ａの上に位置する第２開口領域５２を形成することができる。この状態を、図１２の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示すが、図１２の（Ａ）において、バンク層５０を明示するために、バンク層５０に斜線を付した。
【００７４】
［工程−２３０］
次いで、第１開口領域５１内及び第２開口領域５２内に、塗布法に基づき絶縁層４３を形成する。具体的には、インクジェット印刷法に基づき、第１開口領域５１内及び第２開口領域５２内に、絶縁層４３を形成する。インクジェット印刷法においては、ＰＧＭＥＡから成る溶剤に、絶縁層を構成する材料であるＰＶＰを溶解した溶液を使用する。ここで、実施例２においては、第２開口領域５２内の一部に絶縁層４３を形成したが、第２開口領域５２内の全てに絶縁層４３を形成してもよい。こうして、図１３の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す構造を得ることができる。尚、図１３の（Ａ）において、バンク層５０及び絶縁層４３を明示するために、バンク層５０及び絶縁層４３に斜線を付した。絶縁層４３の濡れ性は、実施例１において説明したと同様に、バンク層５０の頂面の濡れ性よりも良い。
【００７５】
［工程−２４０］
その後、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、塗布法に基づき、具体的には、インクジェット印刷法に基づき、第１開口領域５１内に、半導体材料、具体的には、有機半導体材料から成るチャネル形成領域４４を形成する。このとき、第２開口領域５２内の一部に有機半導体材料が流れ出し、チャネル形成領域延在部４４Ａが形成される。こうして、図１４の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示す構造を得ることができる。尚、図１４の（Ａ）において、チャネル形成領域４４、チャネル形成領域延在部４４Ａ、バンク層５０及び絶縁層４３を明示するために、チャネル形成領域４４、チャネル形成領域延在部４４Ａ、バンク層５０及び絶縁層４３に斜線を付した。
【００７６】
［工程−２５０］
その後、実施例１の［工程−１５０］と同様にして、バンク層５０上に一対のソース／ドレイン電極４５を形成する。尚、バンク層５０上からチャネル形成領域４４の一部の上に亙り、一対のソース／ドレイン電極４５を形成する。こうして、図８の（Ａ）及び、（Ｂ）、並びに、図９に示す構造を得ることができる。あるいは又、実施例２の半導体装置を備えた、画像表示装置を構成する基板、画像表示装置を得ることができる。
【００７７】
尚、画像表示装置を構成する基板の製造、画像表示装置の製造にあっては、この工程に引き続き、半導体装置の上あるいは上方に、画像表示部（具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいは電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子から成る画像表示部）を、周知の方法に基づき形成すればよい。
【００７８】
実施例２の半導体装置の製造方法にあっても、基体側から、ゲート電極を露光用マスクとして用いてバンク層を露光し、ゲート電極の上のバンク層を除去して、バンク層に、チャネル形成領域を形成するための開口領域を設ける。従って、バンク層の形成のために専用のマスクが不要となり、製造コストの増加を招くことが無いし、専用のマスクを用いたリソグラフィー工程が必要とされることも無く、半導体装置の工程が複雑になることも無い。また、実施例２の半導体装置においても、ゲート電極の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域にチャネル形成領域を設けるので、寄生容量の低減を図ることができる。
【００７９】
しかも、絶縁層の形成に引き続き、絶縁層の頂面を清浄に保った状態で、チャネル形成領域の形成を行うので、半導体装置の特性の向上を図ることができる。
【実施例３】
【００８０】
実施例３は、実施例１及び実施例２の変形である。実施例３にあっては、実施例１の［工程−１５０］あるいは実施例２の［工程−２５０］に引き続き、少なくとも、一対のソース／ドレイン電極１５，４５の間に露出したチャネル形成領域１４，４４の上に保護膜６０を形成する。併せて、チャネル形成領域延在部１４Ａ，４４Ａの上にも、保護膜６０を形成する。
【００８１】
尚、実施例１において説明した半導体装置にあっては、保護膜６０は、第２開口領域２２内に露出した絶縁層１３上にも形成されている。尚、この状態を、図１５の（Ａ）及び（Ｂ）に示すが、図１５の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、図２の矢印Ａ−Ａに沿った実施例１の半導体装置の模式的な一部端面図と同様の一部端面図、及び、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例１の半導体装置の模式的な一部断面図と同様の一部断面図である。
【００８２】
また、実施例２において説明した半導体装置にあっては、保護膜６０は、第２開口領域５２内のチャネル形成領域延在部４４Ａ、絶縁層４３及びゲート電極延在部４２Ａ上に形成されている。尚、この状態を、図１６の（Ａ）及び（Ｂ）に示すが、図１６の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、図９の矢印Ａ−Ａに沿った実施例２の半導体装置の模式的な一部端面図と同様の一部端面図、及び、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例２の半導体装置の模式的な一部断面図と同様の一部断面図である。
【００８３】
保護膜６０は、バンク層２０，５０上、及び、ソース／ドレイン電極１５，４５上には形成されない。このような保護膜６０は、インクジェット印刷法によって形成することができ、具体的には、ＰＶＡを、溶剤である水に溶解した溶液を使用して保護膜６０を形成することができる。また、このような材料やフッ素樹脂をスクリーン印刷することで、同様に保護膜を形成することができる。
【００８４】
保護膜６０をインクジェット印刷法で形成するので、従来の技術のように、保護膜の形成のための専用のマスクが不要となり、製造コストの増加を招くことが無いし、専用のマスクを用いたリソグラフィー工程が必要とされることも無く、半導体装置の工程が複雑になることも無い。
【実施例４】
【００８５】
実施例４は、実施例１〜実施例３の変形である。実施例４にあっては、第１開口領域２１，５１及び第２開口領域２２，５２の底部に露出した、あるいは位置する、絶縁層１３，４３の部分の上に濡れ性改善層６１が形成されている。尚、この状態を、図１７の（Ａ）及び（Ｂ）、図１８の（Ａ）及び（Ｂ）、図１９の（Ａ）及び（Ｂ）、図２０の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。ここで、図１７の（Ａ）は、図２の矢印Ａ−Ａに沿った実施例１の半導体装置の模式的な一部端面図と同様の一部端面図であり、図１７の（Ｂ）は、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例１の半導体装置の模式的な一部断面図と同様の一部断面図である。また、図１８の（Ａ）は、図９の矢印Ａ−Ａに沿った実施例２の半導体装置の模式的な一部端面図と同様の一部端面図であり、図１８の（Ｂ）は、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例２の半導体装置の模式的な一部断面図と同様の一部断面図である。更には、図１９の（Ａ）は、図２の矢印Ａ−Ａに沿った実施例３の半導体装置の模式的な一部端面図と同様の一部端面図であり、図１９の（Ｂ）は、図２の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例３の半導体装置の模式的な一部断面図と同様の一部断面図である。また、図２０の（Ａ）は、図９の矢印Ａ−Ａに沿った実施例３の半導体装置の模式的な一部端面図と同様の一部端面図であり、図２０の（Ｂ）は、図９の矢印Ｂ−Ｂに沿った実施例３の半導体装置の模式的な一部断面図と同様の一部断面図である。
【００８６】
ここで、実施例１の［工程−１３０］と［工程−１４０］の間において、あるいは又、実施例２の［工程−２３０］と［工程−２４０］の間において、第１開口領域２１，５１及び第２開口領域２２，５２の底部に露出した、あるいは位置する、絶縁層１３，４３の上に濡れ性改善層６１を形成する。
【００８７】
濡れ性改善層６１は、シランカップリング剤から成り、スピンコート法に基づき形成されている。濡れ性改善層６１に対する水の接触角θ3は１００度であった。
【００８８】
半導体装置の特性、特に移動度は、絶縁層とチャネル形成領域との界面の電子状態に強く依存する。実施例４にあっては、濡れ性改善層６１を形成することで絶縁層１３，４３とチャネル形成領域１４，４４との界面が改質される結果、半導体装置の特性の一層の向上を図ることができる。
【００８９】
以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。半導体装置の構造や構成、形成条件、製造条件は例示であり、適宜変更することができる。本開示の半導体装置を、例えば、ディスプレイ装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、基材や基体、支持体、支持部材に多数の半導体装置を集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各半導体装置を切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。
【００９０】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［１］《半導体装置の製造方法：第１の態様》
（Ａ）基体上にゲート電極を形成した後、
（Ｂ）基体及びゲート電極上に絶縁層を形成し、次いで、
（Ｃ）絶縁層上に、感光性絶縁材料から成るバンク層を形成し、その後、
（Ｄ）基体側から、ゲート電極を露光用マスクとして用いてバンク層を露光し、ゲート電極の上方のバンク層を除去して、バンク層に、ゲート電極の上方に位置する開口領域を形成した後、
（Ｅ）塗布法に基づき、開口領域内に半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、その後、
（Ｆ）バンク層上に一対のソース／ドレイン電極を形成する、
各工程を備えている半導体装置の製造方法。
［２］《半導体装置の製造方法：第２の態様》
（Ａ）基体上にゲート電極を形成した後、
（Ｂ）基体及びゲート電極上に、感光性絶縁材料から成るバンク層を形成し、次いで、
（Ｃ）基体側から、ゲート電極を露光用マスクとして用いてバンク層を露光し、ゲート電極の上のバンク層を除去して、バンク層に、ゲート電極の上に位置する開口領域を形成し、その後、
（Ｄ）開口領域内に、塗布法に基づき絶縁層を形成した後、
（Ｅ）塗布法に基づき、開口領域内に半導体材料から成るチャネル形成領域を形成し、その後、
（Ｆ）バンク層上に一対のソース／ドレイン電極を形成する、
各工程を備えている半導体装置の製造方法。
［３］半導体材料は有機半導体材料から成る［１］又は［２］に記載の半導体装置の製造方法。
［４］前記工程（Ｅ）において、インクジェット印刷法に基づき、開口領域内にチャネル形成領域を形成する［１］乃至［３］のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
［５］前記工程（Ｆ）において、バンク層上からチャネル形成領域の一部の上に亙り、一対のソース／ドレイン電極を形成する［１］乃至［４］のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
［６］前記工程（Ｆ）に引き続き、少なくとも、一対のソース／ドレイン電極の間に露出したチャネル形成領域の上に保護膜を形成する工程を更に備える［１］乃至［５］のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
［７］絶縁層の濡れ性は、バンク層頂面の濡れ性よりも良い［１］乃至［６］のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
［８］前記工程（Ｄ）と工程（Ｅ）の間において、絶縁層の上に濡れ性改善層を形成する工程を更に備える［１］乃至［７］のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
［９］《半導体装置：第１の態様》
基体上に形成されたゲート電極、
基体及びゲート電極上に形成された絶縁層、
絶縁層上に形成され、ゲート電極の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域が設けられた、絶縁材料から成るバンク層、
開口領域内に形成された半導体材料から成るチャネル形成領域、並びに、
バンク層上に形成された一対のソース／ドレイン電極、
を備えている半導体装置。
［１０］開口領域の底部に位置する絶縁層の部分の上に濡れ性改善層が形成されている［９］に記載の半導体装置。
［１１］《半導体装置：第２の態様》
基体上に形成されたゲート電極、
基体上に形成され、ゲート電極の平面形状と同じ平面形状を有する開口領域が設けられた、絶縁材料から成るバンク層、
開口領域内に形成された絶縁層及び半導体材料から成るチャネル形成領域、並びに、
バンク層上に形成された一対のソース／ドレイン電極、
を備えている半導体装置。
［１２］絶縁層の上に濡れ性改善層が形成されている［１１］に記載の半導体装置。
［１３］半導体材料は有機半導体材料から成る［９］乃至［１２］のいずれか１項に記載の半導体装置。
［１４］バンク層上からチャネル形成領域の一部の上に亙り、一対のソース／ドレイン電極が形成されている［９］乃至［１３］のいずれか１項に記載の半導体装置。
［１５］少なくとも、一対のソース／ドレイン電極の間に露出したチャネル形成領域の上には保護膜が形成されている［９］乃至［１４］のいずれか１項に記載の半導体装置。
［１６］《画像表示装置を構成する基板（バックプレーン）》
［９］乃至［１５］のいずれか１項に記載の半導体装置の複数が、第１の方向及び第２の方向に２次元マトリクス状に配列された、画像表示装置を構成する基板であって、
第１の方向に沿って配列された複数の半導体装置におけるゲート電極は、第１の方向に沿って延びるゲート配線に接続されており、
第２の方向に沿って配列された複数の半導体装置における一方のソース／ドレイン電極は、第２の方向に沿って延びる信号配線に接続されている、画像表示装置を構成する基板。
［１７］《画像表示装置》
［１６］に記載の画像表示装置を構成する基板を備えた画像表示装置。
【符号の説明】
【００９１】
１１，４１・・・基体、１２，４２・・・ゲート電極、１２Ａ，４２Ａ・・・ゲート電極延在部、１３，４３・・・絶縁層、１４，４４・・・チャネル形成領域、１４Ａ，４４Ａ・・・チャネル形成領域延在部、１５，４５・・・ソース／ドレイン電極、２０，５０・・・バンク層、２１，５１・・・第１開口領域、２２，５２・・・第２開口領域、３１・・・ゲート配線、３２・・・信号配線、６０・・・保護膜、６１・・・濡れ性改善層
【図１】
2013016612.tif 000003
【図２】
2013016612.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2013016612.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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