(57)【要約】【課題】製造の容易な熱型電磁波検出素子を提供することにある。【解決手段】熱型電磁波検出素子１は、赤外線を検出する検出部５と、検出部５を支持するメンブレン４と、メンブレン４と空隙Ｓを隔てて対向配置された基板２と、基板２に対して支持基板４を支持するとともに、検出部５と電気的に接続されたビア３１、３２とを有している。ビア３１、３２は、基板２を貫通するとともに基板２からメンブレン４側へ突出して形成され、基板２から突出した突出部３１３、３２３にてメンブレン４と接合されている。すなわち、突出部３１３、３２３は、空隙Ｓを形成するスペーサーを構成する。【選択図】図２
2013217786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受けた電磁波の量に応じた電気信号を電極から取り出すことのできる検出部と、
前記検出部を支持する支持部材と、
前記支持部材と空隙を隔てて対向配置された基板と、
前記基板を貫通し、前記基板に対して前記支持部材を支持しており、前記検出部の電極と電気的に接続された導電性を有するビアとを有することを特徴とする熱型電磁波検出素子。
【請求項２】
前記ビアは、前記基板から前記空隙へ突出し、前記ビアの前記基板から突出した部分は、前記空隙を形成するスペーサーを構成する請求項１に記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項３】
前記ビアは、前記基板から前記空隙へ突出し、前記ビアの前記基板から突出した部分は、前記支持部材と前記基板との間に形成された層を除去することにより形成される請求項１または２に記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項４】
前記ビアは、前記支持部材を貫通して設けられている請求項１ないし３のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項５】
前記ビアの前記基板から突出した部分は、その横断面積が前記支持部材側へ向けて漸減している請求項１ないし４のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項６】
前記支持部材は、前記検出部が搭載された搭載部と、前記搭載部の縁部に連結された少なくとも１つのアームとを有し、前記アームにて前記ビアに支持されている請求項１ないし５のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項７】
前記支持部材は、一対の前記アームを有し、
前記搭載部に対して前記一対のアームがそれぞれ前記搭載部の中心から反対方向に延出している請求項６に記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項８】
前記アームは、前記搭載部に対して熱コンダクタンスが低い請求項６または７に記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項９】
前記アームは、前記搭載部の外周に沿って延在するように、長手方向の途中にて少なくとも２回屈曲している請求項６ないし８のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項１０】
前記基板の前記支持部材と対向する面は、平坦面である請求項１ないし６のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項１１】
前記支持部材の前記基板と対向する面は、耐エッチング性を有する第１保護層で覆われている請求項１ないし１０のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項１２】
前記支持部材の前記基板と反対側の面および前記検出部は、耐エッチング性を有する第２保護層で覆われている請求項１ないし１１のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項１３】
前記ビアは、前記基板から前記空隙へ突出し、前記ビアの前記基板から突出した部分は、耐エッチング性を有する第３保護層で覆われている請求項１ないし１２のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項１４】
基板、犠牲層および支持部材がこの順にて積層しており、前記支持部材に、受けた電磁波の量に応じた電気信号を電極から取り出すことのできる検出部が設けられている積層体を得る工程と、
少なくとも前記基板および前記犠牲層を貫通する孔を形成する工程と、
前記孔に導電性を有する導電性材料を充填することにより、前記電極と電気的に接続されたビアを形成する工程と、
前記犠牲層をエッチングにより除去し、前記基板と前記支持部材との間に空隙を形成する工程と、を有することを特徴とする熱型電磁波検出素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子が複数、２次元的に配置されていることを特徴とする熱型電磁波検出装置。
【請求項１６】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子を少なくとも１つ備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１７】
複数の前記熱型電磁波検出素子が２次元的に配置された熱型電磁波検出装置を備える撮像装置である請求項１６に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱型電磁波検出素子、熱型電磁波検出素子の製造方法、熱型電磁波検出装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、熱型電磁波検出装置として、焦電型、熱電対型、抵抗型（ボロメーター型）等の赤外線検出装置が知られている。このうち焦電型の赤外線検出装置は、受光した赤外線の光量によって焦電体材料の自発分極量が変化することを利用して、例えばソースフォロワ回路での読み出しの場合、焦電体の両端に焦電流による電位差を生じさせ、この電位差を利用して赤外線を検出している。このような焦電型の赤外線検出装置は、熱電対型、ボロメーター型等の他の赤外線検出装置と比較して、検出感度が優れるという利点がある。
【０００３】
焦電型の赤外線検出素子としては、例えば、特許文献１に記載れた素子が知られている。特許文献１に記載の赤外線検出素子（焦電型赤外線検出器）は、支持部材と、支持部材の上面に搭載されている検出部と、支持部材を支持する基部とを有している。基部は、支持部材側に突出するポスト（突起）を有し、ポストを介して支持部材を支持している。このようなポストによって支持部材と基部との間に空洞部が形成され、これにより赤外線検受光部と基部との熱分離が図られている。
【０００４】
ここで、特許文献１の赤外線検出素子では、層間絶縁膜で形成される基部をエッチングすることによりポストおよび空洞部を形成している。具体的には、基部の一方の面にポストの平面視形状に対応したマスクを形成し、このマスクを介して基部をエッチングすることによりポストおよび空洞部を形成している。すなわち、マスクで覆われていない部分をエッチダウンすることにより、ポストと空洞部を同時に形成している。
【０００５】
しかしながら、上述したような、層間絶縁膜で形成される基部をエッチングすることによってポストおよび空洞部を形成する方法では、赤外線検出素子の周辺や下部に層間絶縁膜が位置することになる。一般的に層間絶縁膜は、ＳｉＯ２やＳｉＮといった絶縁性材料で形成されており、これらの絶縁性材料は赤外線を吸収して熱を持つ。したがって、赤外線が照射されると、赤外線検出素子だけでなく、絶縁性材料が赤外線を吸収することによってポストの温度も上昇する。このような場合には、赤外線非照射時に赤外線検出素子の温度が低下した際、ポストから赤外線検出素子に熱が流入することがある。これにより、赤外線非照射時の赤外線検出素子の温度が上昇し、赤外線非照射時と赤外線照射時との温度差が小さくなる。赤外線検出素子の出力信号のレベルは、赤外線検出素子の温度差に比例するため、前述のように赤外線非照射時と赤外線照射時との温度差が小さくなると、赤外線検出素子の出力信号が小さくなるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２０３１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、電磁波に対する温度上昇が小さい構成により支持部材を支持する熱型電磁波検出素子、熱型電磁波検出素子の製造方法、熱型電磁波検出装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の熱型電磁波検出素子は、受けた電磁波の量に応じた電気信号を電極から取り出すことのできる検出部と、
前記検出部を支持する支持部材と、
前記支持部材と空隙を隔てて対向配置された基板と、
前記基板を貫通し、前記基板に対して前記支持部材を支持しており、前記検出部の電極と電気的に接続された導電性を有するビアとを有することを特徴とする。
これにより、導電性を有するビアによって支持部材を支持することができる。導電性を有する材料は、従来の層間絶縁膜を構成する絶縁性材料よりも電磁波を吸収しにくいため、このような構成によれば、電磁波に対する温度上昇が小さい構成により支持部材を支持する熱型電磁波検出素子を提供することができる。
【０００９】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記ビアは、前記基板から前記空隙へ突出し、前記ビアの前記基板から突出した部分は、前記空隙を形成するスペーサーを構成することが好ましい。
これにより、ビアの突出している部分の高さを規定することにより、空隙の高さを簡単に制御することができる。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記ビアは、前記基板から前記空隙へ突出し、前記ビアの前記基板から突出した部分は、前記支持部材と前記基板との間に形成された層を除去することにより形成されることが好ましい。
これにより、簡単に空隙を形成することができる。
【００１０】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記ビアは、前記支持部材を貫通して設けられていることが好ましい。
これにより、ビアと検出部の電気的接続を簡単に行うことができる。そのため、熱型電磁波検出素子の製造がより簡単となる。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記ビアの前記基板から突出した部分は、その横断面積が前記支持部材側へ向けて漸減していることが好ましい。
これにより、ビアと検出部との接触面積を小さくすることができ、検出部からビアへの熱伝達を抑制することができる。そのため、検出部がより効率的に光を検出することができる。
【００１１】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記支持部材は、前記検出部が搭載された搭載部と、前記搭載部の縁部に連結された少なくとも１つのアームとを有し、前記アームにて前記ビアに支持されていることが好ましい。
これにより、支持部材の構成が簡単となる。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記支持部材は、一対の前記アームを有し、
前記搭載部に対して前記一対のアームがそれぞれ前記搭載部の中心から反対方向に延出していることが好ましい。
これにより、支持部材を基部に対してより安定的に支持することができる。
【００１２】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記アームは、前記搭載部に対して熱コンダクタンスが低いことが好ましい。
これにより、検出部の熱が支持部材を介してビアや基板に伝達されるのを効果的に抑制することができる。そのため、検出部にて、より効率的に光を検出することができる。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記アームは、前記搭載部の外周に沿って延在するように、長手方向の途中にて少なくとも２回屈曲していることが好ましい。
これにより、搭載部からのアームの過度な突出を抑制することができるとともに、アームの長さをより長くすることができる。そのため、熱型電磁波検出素子の小型化を図ることができるとともに、検出部の熱が支持部材を介してビアや基板に伝達されるのを効果的に抑制することができる。
【００１３】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記基板の前記支持部材と対向する面は、平坦面であることが好ましい。
これにより、熱型電磁波検出素子の構成が簡単となる。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記支持部材の前記基板と対向する面は、耐エッチング性を有する第１保護層で覆われていることが好ましい。
これにより、製造時における支持部材の腐食や劣化を防止することができ、優れた信頼性を発揮することができる熱型電磁波検出素子となる。
【００１４】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記支持部材の前記基板と反対側の面および前記検出部は、耐エッチング性を有する第２保護層で覆われていることが好ましい。
これにより、製造時における支持部材や検出部の腐食や劣化を防止することができ、優れた信頼性を発揮することができる熱型電磁波検出素子となる。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記ビアは、前記基板から前記空隙へ突出し、前記ビアの前記基板から突出した部分は、耐エッチング性を有する第３保護層で覆われていることが好ましい。
これにより、製造時におけるビアの腐食や劣化を防止することができ、優れた信頼性を発揮することができる熱型電磁波検出素子となる。
【００１５】
本発明の熱型電磁波検出素子の製造方法は、基板、犠牲層および支持部材がこの順にて積層しており、前記支持部材に、受けた電磁波の量に応じた電気信号を電極から取り出すことのできる検出部が設けられている積層体を得る工程と、
少なくとも前記基板および前記犠牲層を貫通する孔を形成する工程と、
前記孔に導電性を有する導電性材料を充填することにより、前記電極と電気的に接続されたビアを形成する工程と、
前記犠牲層をエッチングにより除去し、前記基板と前記支持部材との間に空隙を形成する工程と、を有することを特徴とする。
このような製造方法によれば、犠牲層を除去するだけで、基板と支持部材との間に空隙を形成することができるため、熱型電磁波検出素子の製造が簡単となる。また、犠牲層の厚さによって、空隙の高さを制御することができるため、比較的大きな高さを有する空隙であっても簡単に形成することができる。
【００１６】
本発明の熱型電磁波検出装置は、本発明の熱型電磁波検出素子が複数、２次元的に配置されていることを特徴とする。
これにより、上述の効果を発揮することのできる熱型電磁波検出装置が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の熱型電磁波検出素子を少なくとも１つ備えることを特徴とする。
これにより、上述の効果を発揮することのできる電子機器が得られる。
本発明の電子機器は、複数の前記熱型電磁波検出素子が２次元的に配置された熱型電磁波検出装置を備える撮像装置であることが好ましい。
これにより、電子機器を、例えば、赤外線カメラ、サーモグラフィー、車載用ナイトビジョン、監視カメラなどとして用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る熱型電磁波検出素子の平面図である。
【図２】図１に示す熱型電磁波検出素子の断面図である。
【図３】図１に示す熱型電磁波検出素子の製造方法を説明する断面図である。
【図４】図１に示す熱型電磁波検出素子の製造方法を説明する断面図である。
【図５】図１に示す熱型電磁波検出素子の製造方法を説明する断面図である。
【図６】図１に示す熱型電磁波検出素子の製造方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る熱型電磁波検出素子を示す平面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る熱型電磁波検出素子を示す平面図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係る熱型電磁波検出素子を示す断面図である。
【図１０】本発明の熱型電磁波検出装置の好適な実施形態を示す平面図である。
【図１１】図１０に示す熱型電磁波検出装置の断面図である。
【図１２】本発明の熱型電磁波検出素子を備える電子機器（テラヘルツカメラ）である。
【図１３】図１２に示すテラヘルツカメラの詳細を示すブロックである。
【図１４】本発明の熱型電磁波検出素子を備える電子機器（赤外線カメラ）である。
【図１５】本発明の熱型電磁波検出素子を備える電子機器（ＦＡ機器）である。
【図１６】本発明の熱型電磁波検出素子を備える電子機器（電気機器）である。
【図１７】本発明の熱型電磁波検出素子を備える電子機器（運転支援装置）である。
【図１８】図１７に示す運転支援装置の詳細を示すブロック図である。
【図１９】本発明の熱型電磁波検出素子を備える電子機器（コントローラー）である。
【図２０】図１９に示すコントローラーの詳細を示すブロックである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の熱型電磁波検出素子、熱型電磁波検出素子の製造方法、熱型電磁波検出装置および電子機器の好適な実施形態について、添付図面を参照しつつ説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の熱型電磁波検出素子の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る熱型電磁波検出素子の平面図、図２は、図１に示す熱型電磁波検出素子の断面図、図４ないし図６は、図１に示す熱型電磁波検出素子の製造方法を説明する断面図である。なお、以下では、説明の便宜上、図２〜図６中の上側を「上」、下側「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。また、図１では、説明の便宜上、保護層６２の図示を省略している。
【００１９】
１．熱型電磁波検出素子
図１および図２に示す熱型電磁波検出素子１は、電磁波を検出する焦電型の検出素子である。電磁波には、例えば、電波、赤外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、ガンマ線が含まれるが、以下では、代表して、主に赤外線（およそ０．７μｍ〜１０００μｍの波長を有する光）を検出する焦電型の赤外線検出素子について説明する。なお、電波、可視光線、赤外線、Ｘ線、ガンマ線等の赤外線以外の電磁波を検出する場合についても、熱型電磁波検出素子１と同様の構成とすることができる。
【００２０】
このような熱型電磁波検出素子１は、基板２と、基板２に形成されるとともに基板２から突出する一対のビア（柱状電極）３１、３２と、ビア３１、３２を介して基板２に支持（固定）されたメンブレン（支持部材）４と、メンブレン４に搭載された検出部５とを有している。
熱型電磁波検出素子１では、ビア３１、３２が基板２から上方に突出することにより、メンブレン４と基板２との間に空隙（空間）Ｓが形成されている。そして、この空隙Ｓによって、検出部５と基板２とが熱分離されている。
【００２１】
１−１．基板
基板２は、ビア３１、３２を介してメンブレン４を支持する機能を有する。このような基板２は、その上面（メンブレン４と対向する面）が平坦面で構成されている。これにより、基板２を簡単（単純）な形状とすることができ、熱型電磁波検出素子１の製造が容易となる。また、後述するように空隙Ｓの厚さを均一にすることができる。
【００２２】
基板２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、Ｓｉ（シリコン）またはその化合物（酸化物、窒化物など）を用いることができる。
基板２は、単層で構成されていてもよく、複数の層が積層された積層体で構成されていてもよい。
また、基板２の厚さとしては、特に限定されず、例えば、１０〜８００μｍ程度とすることができる。
図２に示すように、このような基板２の下面２１には、２つの外部接続端子２８、２９が形成されている。これら２つの外部接続端子２８、２９は、後述するように検出部５と電気的に接続されている。
【００２３】
１−２．メンブレン
図１および図２に示すように、メンブレン４は、板状をなしており、検出部５を搭載して支持する板状の搭載部４１と、搭載部４１の縁部から両側へ向けて延出する２本のアーム４２、４３とを有している。このようなメンブレン４は、２本のアーム４２、４３の各々の端部（先端部）にてビア３１、３２に支持されている。搭載部４１および各アーム４２、４３は、例えば、単一の部材をエッチング等によりパターニングすることにより一体的に形成することができる。
【００２４】
搭載部４１の平面視形状は、略四角形（略正方形）である。搭載部４１の大きさとしては、特に限定されないが、例えば、一辺の長さが２０〜５０μｍ程度であるのが好ましい。なお、搭載部４１の平面視形状は、特に限定されず、例えば、円形、楕円形、長方形、三角形、五角形等であってもよい。
アーム４２は、その基端が搭載部４１と連結しており、先端部がビア３１に支持されている。同様に、アーム４３は、その基端が搭載部４１と連結しており、先端部がビア３２に支持されている。また、各アーム４２、４３は、長尺かつ細幅であって、一方向（所定方向）に延びる直線状をなしている。また、これら２本のアーム４２、４３は、搭載部４１の中心に対して点対称に形成されている。
【００２５】
各アーム４２、４３をこのような形状とすることにより、各アーム４２、４３の熱コンダクタンスを搭載部４１と比較して十分に小さくなる。すなわち、各アーム４２、４３の横断面（熱の伝達方向に直交する面）の面積を、搭載部４１の横断面の面積と比較して十分に小さくすることにより、アーム４２、４３を、搭載部４１と比較して熱が伝達され難いものとすることができる。そのため、検出部５の熱が各アーム４２、４３を介して基板２に伝達され難くなり、検出部５を基板２に対して効果的に熱分離することができるため、検出部５の感度が向上する。
【００２６】
各アーム４２、４３の長さは、特に限定されないが、例えば、１０〜６０μｍ程度であるのが好ましい。また、各アーム４２、４３の幅は、特に限定されないが、例えば、１〜１５μｍ程度であるのが好ましい。また、各アーム４２、４３の厚さは、特に限定されないが、１〜１５μｍ程度であるのが好ましい。
各アーム４２、４３をこのような長さ、幅および厚さとすることにより、上述の効果をより効果的に発揮することができるとともに、熱型電磁波検出素子１の小型化を図ることができる。さらに、各アーム４２、４３の撓みを抑制することができ、搭載部４１に搭載された検出部５の不本意な姿勢の変化（振動、搖動等）を抑制することもできる。これにより、熱型電磁波検出素子１は、小型でかつ優れた信頼性を有するものとなる。
【００２７】
メンブレン４の構成材料としては、特に限定されず、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ２Ｏ３などのシリコン酸化物、Ｓｉ３Ｎ４などのシリコン窒化物、ポリシリコン、アモルファスシリコンなどを用いることができる。このような構成材料でメンブレン４を構成することにより、メンブレン４に絶縁性を付与することができる。また、メンブレン４の熱容量を小さくすることができ、検出部５を基板２に対して効果的に熱分離することができる。
なお、メンブレン４は、単層で構成されていてもよいし、複数の層が積層した積層体で構成されていてもよい。積層体で構成する場合には、メンブレン４は、例えば、Ｓｉ３Ｎ４膜（シリコン窒化膜）、ＳｉＯ２膜（シリコン酸化膜）、Ｓｉ３Ｎ４膜（シリコン窒化膜）がこの順で積層された積層膜で構成することができる。
【００２８】
このようなメンブレン４の下面には、保護層（第１保護層）６１が形成されている。この保護層６１は、熱型電磁波検出素子１の製造工程にて、後述する犠牲層７（ＳｉＯ２膜）を除去する際に用いられるエッチング液（ＨＦ：フッ化水素）からメンブレン４を保護する機能を有している。すなわち、保護層６１は、用いられるエッチング液に対する耐エッチング性（耐食性）を有している。これにより、製造時におけるメンブレン４の損傷等を効果的に防止することができるため、信頼性の高い熱型電磁波検出素子１が得られる。なお、熱型電磁波検出素子１の製造方法については、後に詳述する。
【００２９】
保護層６１の構成材料としては、エッチング液（ＨＦ）に対して耐エッチング性のある材料であればよく、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｗのいずれか、または、これらのうちの少なくとも１種を含む合金などを用いることができる。
なお、保護層６１の厚さとしては、前述のような効果を発揮することができれば、特に限定されず、例えば、０．１〜１μｍ程度とすることができる。
【００３０】
１−３．検出部
検出部５は、赤外線（およそ０．７μｍ〜１０００μｍの波長を有する光）を検出する機能を有している。
図２に示すように、検出部５は、メンブレン４の搭載部４１の上面に形成された下部電極５１１と、この下部電極５１１上に重ねて形成された焦電体層５１２と、この焦電体層５１２上に重ねて形成された上部電極５１３とにより構成されたキャパシター５１を有している。
【００３１】
検出部５に赤外線（または赤外線を含む光）が照射され、焦電体層５１２が赤外線を吸収し昇温すると、その温度変化に応じて焦電体層５１２の分極の大きさが変化する。そのため、焦電体層５１２の温度変化を下部電極５１１および上部電極５１３の間から電圧（電気信号）として取り出すことができる。そして、取り出した電圧の大きさから焦電体層５１２の温度を検出することができ、さらには、検出した焦電体層５１２の温度から検出部５に照射された赤外線の照射量を検出することができる。
【００３２】
焦電体層５１２は、焦電体で構成されている。焦電体層５１２を構成する焦電体としては、特に限定されず、例えば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）、ＰＺＴＮ（ＰＺＴにＮｂ（ニオブ）を添加したもの）、ＰＬＺＴ（チタン酸ジルコン酸ランタン鉛）、ＳＢＴ（チタン酸バリウムストロンチウム）、ＬｉＴａＯ３、ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＬａＯ３などを用いることができる。
焦電体層５１２の厚さは、特に限定されず、例えば、０．０５〜０．３μｍ程度とすることができる。
【００３３】
また、下部電極５１１および上部電極５１３の構成材料としては、必要な導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｔａなどの金属材料、または、これらのうちの少なくとも１種を含む合金などを用いることができる。また、下部電極５１１および上部電極５１３の構成材料としては、上記材料のうちでも高い耐熱性を有する材料を用いるのが好ましく、その例としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒが挙げられる。
【００３４】
下部電極５１１（上部電極５１３についても同様）は、単層からなる単層構造であっても、複数の層が積層されてなる積層構造であってもよい。下部電極５１１を積層構造とする場合には、例えば、Ｉｒで構成された下地層と、Ｐｔで構成された電極層とを積層した構造とすることができ、さらに、下地層と電極層との間に、例えば、ＩｒＯｘ（酸化イリジウム）で構成された中間層を介在させてもよい。また、他の構成例として、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ系合金で構成された下地層と、ＡｕまたはＡｕ系合金で構成された電極層とを積層した構造とすることができる。
下部電極５１１および上部電極５１３の厚さは、特に限定されず、例えば、０．０５〜０．６μｍ程度とすることができる。
【００３５】
また、図２に示すように、検出部５は、さらに、キャパシター５１を覆う絶縁膜５２と、下部電極５１１と電気的に接続されているとともに、アーム４２の先端部まで引き出された下部電極配線５３と、上部電極５１３と電気的に接続されているとともに、アーム４３の先端部まで引き出された上部電極配線５４と、キャパシター５１、下部電極配線５３および上部電極配線５４を覆う絶縁膜５５と、キャパシター５１と重ねて形成された赤外線吸収膜５６とを有している。
【００３６】
絶縁膜５２は、キャパシター５１を覆っている。これにより、キャパシター５１を保護するとともに、キャパシター５１と配線等との不本意な電気的な接続（短絡）を防止することができる。
また、絶縁膜５２には、下部電極５１１に通じる第１コンタクトホール５２１と、上部電極５１３に通じる第２コンタクトホール５２２とが形成されている。
【００３７】
絶縁膜５２の構成材料としては、必要な絶縁性を有していれば、特に限定されず、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｓｉ２Ｏ３などのシリコン酸化物、Ｓｉ３Ｎ４などのシリコン窒化物などを用いることができる。
絶縁膜５２は、単層からなる単層構造であっても、複数層が積層されてなる積層構造であってもよい。絶縁膜５２を積層構造とする場合には、例えば、Ａｌ２Ｏ３で構成された第１層と、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４で構成された第２層とを積層した構造とすることができる。
【００３８】
このような絶縁膜５２上およびメンブレン４上に跨って下部電極配線５３が形成されている。下部電極配線５３は、その一端部にて第１コンタクトホール５２１を通じて下部電極５１１と電気的に接続されている。また、下部電極配線５３の他端部は、アーム４２の先端部に位置している。このような下部電極配線５３によって、下部電極５１１がアーム４２の先端部まで引き出されている。
【００３９】
また、絶縁膜５２上およびメンブレン４上に跨って上部電極配線５４が形成されている。上部電極配線５４は、その一端部にて第２コンタクトホール５２２を通じて上部電極５１３と電気的に接続されている。また、上部電極配線５４の他端は、アーム４３の先端部に位置している。このような上部電極配線５４によって、上部電極５１３がアーム４３の先端部まで引き出されている。
【００４０】
このような下部電極配線５３および上部電極配線５４の構成材料としては、必要な導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｔｉなどの金属材料、または、これらのうちの少なくとも１種を含む合金や窒化物などを用いることができる。また、下部電極配線５３および上部電極配線５４の構成材料としては、上記材料のうちでも高い耐熱性を有する材料を用いるのが好ましく、その例としては、前述したような下部電極５１１および上部電極５１３と同様のものが挙げられる。
【００４１】
これら下部電極配線５３および上部電極配線５４と、キャパシター５１とを覆うように、絶縁膜５５が形成されている。これにより、下部電極配線５３および上部電極配線５４が絶縁膜５５によって覆われるため、下部電極配線５３および上部電極配線５４と、他の配線等との不本意な電気的接続（短絡）を防止することができる。また、下部電極配線５３および上部電極配線５４の酸化等による劣化を抑制することもできる。
このような絶縁膜５５は、例えば、前述した絶縁膜５２と同様の構成とすることができる。
【００４２】
また、キャパシター５１と重なって赤外線吸収膜５６が形成されている。赤外線吸収膜５６は、赤外線をほとんど反射せずに吸収する性質を有する。このような赤外線吸収膜５６をキャパシター５１に重ねて形成することにより、検出部５に照射された赤外線を効率的に吸収することができるため、焦電体層５１２の温度変化量を大きくすることができ、検出部５の感度を高めることができる。
赤外線吸収膜５６の構成材料としては、赤外線の吸収率が高い材料であれば、特に限定されず、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｔｉ−Ｎｉ系合金、Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｃ、金黒、ポリイミドなどの有機材料などを用いることができる。
以上、検出部５について説明した。
【００４３】
図２に示すように、このような検出部５は、保護層（第２保護層）６２で覆われている。保護層６２は、前述した保護層６１と同様の機能、すなわち熱型電磁波検出素子１の製造工程にて、犠牲層７を除去する際に用いられるエッチング液（ＨＦ）から検出部５を保護する機能を有している。保護層６２の構成材料としては、例えば、前述した保護層６１と同様の材料を用いることができる。
【００４４】
１−４．ビア
ビア３１、３２は、基板２に対してメンブレン４を支持（固定）する機能を有している。また、ビア３１、３２は、導電性を有しており、下部電極配線５３と外部接続端子２８、および、上部電極配線５４と外部接続端子２９を、電気的に接続する機能を有している。また、ビア３１、３２は、メンブレン４と基板２との間に所望の高さの空隙Ｓを形成するためのスペーサーとしても機能する。
【００４５】
図１に示すように、ビア３１は、基板２を貫通して設けられているとともに、基板２の上面２２から上方（空隙Ｓ内）へ突出している。また、ビア３１の上端部（突出部３１３の先端部）は、メンブレン４のアーム４２の先端部を貫通して設けられており、その上面３１１が下部電極配線５３と接触している。これにより、ビア３１と下部電極配線５３とが電気的に接続される。また、ビア３１がメンブレン４を貫通して設けられていることにより、メンブレン４の上面に形成された下部電極配線５３との導通を簡単かつ確実に行うことができる。
【００４６】
また、ビア３１の下面３１２は、基板２の下面２１に臨んでいるとともに、基板２の下面２１と一致しており、基板２の下面２１に形成された外部接続端子２８と接触している。これにより、ビア３１と外部接続端子２８とが電気的に接続される。
このように、熱型電磁波検出素子１では、ビア３１の先端部がメンブレン４に接合されており、このビア３１を介して下部電極配線５３（下部電極５１１）と外部接続端子２８とが電気的に接続されている。
【００４７】
同様に、ビア３２は、基板２を貫通して設けられているとともに、基板２の上面２２から上方（空隙Ｓ内）へ突出している。また、ビア３２の上端部（突出部３２３の先端部）は、メンブレン４のアーム４３の先端部を貫通して設けられており、その上面３２１が上部電極配線５４と接触している。これにより、ビア３２と上部電極配線５４とが電気的に接続される。また、ビア３２がメンブレン４を貫通して設けられていることにより、メンブレン４の上面に形成された上部電極配線５４との導通を簡単かつ確実に行うことができる。
【００４８】
また、ビア３２の下面３２２は、基板２の下面２１に臨んでいるとともに、基板２の下面２１と一致しており、基板２の下面２１に形成された外部接続端子２９と接触している。これにより、ビア３２と外部接続端子２９とが電気的に接続される。
このように、熱型電磁波検出素子１では、ビア３２の先端部がメンブレン４に接合されており、このビア３２を介して上部電極配線５４（上部電極５１３）と外部接続端子２９とが電気的に接続されている。
【００４９】
ビア３１、３２は、略円錐台形状をなしている。そのため、ビア３１、３２の横断面積は、下面３１２、３２２側から上面３１１、３２１側に向けて漸減している。ビア３１、３２をこのような形状とすることにより、ビア３１、３２の機械的強度を確保しつつ、ビア３１、３２の上面３１１、３２１の面積を小さくすることができる。そのため、ビア３１と下部電極配線５３との接触面積、および、ビア３２と上部電極配線５４との接触面積を小さくすることができ、検出部５の熱が下部電極配線５３および上部電極配線５４を介してビア３１、３２や基板２に伝達されるのを抑制することができる。すなわち、検出部５を基板２に対して、より効果的に熱分離することができる。
【００５０】
なお、ビア３１と下部電極配線５３との接触面積（ビア３２と上部電極配線５４との接触面積）としては、特に限定されないが、０．０５〜１μｍ２程度であるのが好ましい。これにより、ビア３１と下部電極配線５３とをより確実に電気的に接続することができるとともに、検出部５をより効果的に熱分離することができる。
また、ビア３１、３２の形状は、特に限定されず、例えば、三角錐台、四角錐台等であってもよいし、円柱、三角柱、四角柱のような柱状であってもよい。また、ビア３１、３２は、中実体に限定されず、中空体であってもよい。
【００５１】
ビア３１、３２は、基板２の上面２２から突出して形成されており、上面２２から突出した突出部３１３、３２３によって、基板２とメンブレン４との間に空隙Ｓを形成している。すなわち、ビア３１、３２の突出部３１３、３２３は、基板２とメンブレン４との間に空隙Ｓを形成するスペーサーを構成している。
このように、ビア３１、３２を基板２から突出させることによって、例えば、従来のように基板２をエッチングすることにより空隙Ｓを形成する方法と比較して、隙間Ｓを簡単に形成することができる。また、空隙Ｓの高さ（基板２とメンブレン４の離間距離）が比較的高い場合でも、空隙Ｓを簡単に形成することができる。
【００５２】
ここで、熱型電磁波検出素子１を気密封止されたパッケージ（図示せず）に収容してもよい。この場合には、パッケージ内すなわち空隙Ｓを減圧（好ましくは真空）環境下としたり、不活性ガス充填環境下としたりすることができる。これにより、例えば、大気中に熱型電磁波検出素子１を配置する場合と比較して、検出部５と基板２とを効果的に熱分離することができる。
【００５３】
空隙Ｓの高さ（厚さ）としては、特に限定されないが、例えば、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、５〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、熱型電磁波検出素子１の小型化を図りつつ、メンブレン４に搭載された検出部５と基板２とを効果的に熱分離することができる。
なお、空隙Ｓの高さが２０〜３０μｍを超えると、空隙Ｓの高さが基板２と検出部５とを熱分離するのに十分な高さとなる。そのため、隙間Ｓの高さを２０〜３０μｍ以上とすることにより、例えば、熱型電磁波検出素子１がパッケージに収容されている場合には、空隙Ｓの真空度（パッケージ内の真空度）を低くすることができるため、その製造が容易となる。
【００５４】
このようなビア３１、３２の構成材料としては、必要な導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｔａ、Ｗなどの金属材料、または、これらのうちの少なくとも１種を含む合金などを用いることができる。
これらの材料は、ＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁性材料よりも、電磁波を吸収しにくく、電磁波が照射された際の温度上昇が小さい。このため、電磁波が照射された際に、熱型電磁波検出素子１とともにビア３１、３２の温度が上昇することを抑制することができる。これにより、電磁波非照射時に熱型電磁波検出素子１の温度が低下した際、ビア３１、３２から熱型電磁波検出素子１に熱が流入することを抑制することができる。このようなビア３１、３２によれば、熱型電磁波検出素子１の電磁波非照射時の温度と電磁波照射時の温度との温度差が小さくなることを抑制し（すなわち、温度差を大きく保つことができ）、熱型電磁波検出素子１の出力信号が小さくなることを抑制できる。
【００５５】
このようなビア３１、３２は、保護層（第３保護層）６３で覆われている。保護層６３は、前述した保護層６１と同様の機能、すなわち熱型電磁波検出素子１の製造工程にて、犠牲層７を除去する際に用いられるエッチング液（ＨＦ）からビア３１、３２を保護する機能を有している。保護層６３の構成材料としては、例えば、前述した保護層６１と同様の材料を用いることができる。
【００５６】
なお、本実施形態では、保護層６３は、ビア３１、３２の外周の全域を覆うように形成されているが、これに限定されず、少なくとも、突出部３１３、３２３の外周（すなわち、空隙Ｓに露出する領域）を覆うように形成されていればよい。そのため、例えば、ビア３１、３２の基板２に埋設された部分の外周には、保護層６３が形成されていなくてもよい。
また、本実施形態では、ビアが一対形成されているが、ビアの数は、特に限定されず、例えば、１つでもよいし、３つ以上であってもよい。
【００５７】
図２に示すように、ビア３１、３２により形成された空隙Ｓは、その厚さが均一である。言い換えれば、空隙Ｓの厚さは、全域にわたってほぼ同じである。このように空隙Ｓの厚さを均一にすることにより、空隙Ｓの各部にて均一な熱分離の効果を発揮することができるため、信頼性が向上する。また、熱分離空隙Ｓの形成が容易となる。すなわち、基板２の上面２２を平坦面で構成することができるため、従来のように基板２の上面２２に凹部を形成する必要がなく、空隙Ｓの形成を簡単に行うことができる。ただし、空隙Ｓは、その厚さが部分的に変化している箇所があってもよい。
このような空隙Ｓは、後述するように、基板２とメンブレン４との間に形成された犠牲層（層）７を除去することにより形成される。これにより、簡単に、空隙Ｓを形成することができる。
以上、熱型電磁波検出素子１の構成について説明した。
【００５８】
２．熱型電磁波検出素子の製造方法
次に、熱型電磁波検出素子の製造方法（本発明の熱型電磁波検出素子の製造方法）について、熱型電磁波検出素子１の製造方法を例に挙げて説明する。なお、以下では、説明の便宜上、各部の構成材料を特定して説明するが、各部の構成材料は、その特定されたものに限定されるものではなく、上述したような各種材料を用いることができる。
【００５９】
熱型電磁波検出素子１の製造方法は、基板２、犠牲層７およびメンブレン４がこの順にて積層しており、メンブレン４に、受けた光の量に応じた電気信号を電極から取り出すことのできる検出部５が設けられている積層体９を得る工程と、基板２および犠牲層７を貫通する孔８１、８２を形成する工程と、孔８１、８２に導電性を有する導電性材料を充填することによりビア３１、３２を形成する工程と、犠牲層７をエッチングにより除去し、基板２とメンブレン４との間に空隙Ｓを形成する工程とを有している。以下、具体的に説明する。
【００６０】
［１］基板準備工程
まず、図３（ａ）に示すように、Ｓｉで構成された基板２を用意する。
［２］犠牲層形成工程
次に、図３（ｂ）に示すように、基板２の上面にＳｉＯ２で構成された犠牲層７を形成する。具体的には、まず、基板２の上面を熱酸化してＳｉＯ２膜を形成する。さらに、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの気相成膜法を用いて熱酸化により形成されたＳｉＯ２膜上に、ＳｉＯ２膜を形成する。これにより、ＳｉＯ２膜で構成され、所望の膜厚を有する犠牲層７を形成する。なお、犠牲層７の厚さが、基板２とメンブレン４との間の空隙Ｓの高さ（厚さ）となるため、犠牲層７の厚さは、空隙Ｓの高さと等しく設定される。
【００６１】
［３］保護層形成工程
次に、図３（ｃ）に示すように、犠牲層７の上面に、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、ＣＶＤなどの気相成膜法を用いて、Ａｌ２Ｏ３で構成された保護層６１を形成する。
［４］基板接合工程
次に、図３（ｄ）に示すように、保護層６２の上面に、ＳｉＯ２で構成された基板４０を接合する。この基板４０は、後のパターニング工程を経てメンブレン４となる基板である。
【００６２】
［５］パターニング工程
次に、図４（ａ）に示すように、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて基板４０の上面に搭載部４１およびアーム４２、４３に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて基板４０および保護層６１をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、搭載部４１およびアーム４２、４３が一体的に形成されたメンブレン４が形成される。
【００６３】
［６］検出部形成工程
次に、搭載部４１の上面に下部電極５１１を形成する。具体的には、まず、Ｉｒ（イリジウム）、ＩｒＯｘ（酸化イリジウム）、Ｐｔ（白金）を、この順に前述したような気相成膜法により成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に下部電極５１１に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて膜をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、下部電極５１１が形成される。
【００６４】
次に、下部電極５１１の上面に焦電体層５１２を形成する。具体的には、まず、焦電体層５１２を、前述したような気相成膜法またはゾルゲル法により成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に焦電体層５１２に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法を用いて膜をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、焦電体層５１２が形成される。
【００６５】
次に、焦電体層５１２の上面に上部電極５１３を形成する。具体的には、Ｐｔ（白金）、または更にＩｒＯｘ（酸化イリジウム）、Ｉｒ（イリジウム）を、この順に前述したような気相成膜法により成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に上部電極５１３に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて膜をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、上部電極５１３が形成される。
以上により、図４（ｂ）に示すように、キャパシター５１が形成される。
【００６６】
次に、キャパシター５１を覆うように、絶縁膜５２を形成する。具体的には、まず、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４を前述したような気相成膜法により成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に絶縁膜５２に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて膜をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、絶縁膜５２が形成される。
【００６７】
次に、絶縁膜５２に第１、第２コンタクトホール５２１、５２２を形成する。具体的には、フォトリソグラフィ法などを用いて絶縁膜５２上に第１、第２コンタクトホール５２１、５２２に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて絶縁膜５２をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、絶縁膜５２に第１コンタクトホール５２１および第２コンタクトホール５２２が形成される。
【００６８】
次に、下部電極配線５３および上部電極配線５４を形成する。具体的には、まず、メンブレン４の上面および絶縁膜５２の上面に跨って、Ａｌ（アルミニウム）やＴｉまたはその合金層を前述したような気相成膜法により成膜する。この際、第１、第２コンタクトホール５２１、５２２内にＡｌが充填されるように成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に下部電極配線５３および上部電極配線５４に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いてパターニングした後、マスクを除去する。これにより、第１コンタクトホール５２１を通じて下部電極５１１と電気的に接続され、アーム４２の先端部まで引き出された下部電極配線５３が形成されるとともに、第２コンタクトホール５２２を通じて上部電極５１３と電気的に接続され、アーム４３の先端部まで引き出された上部電極配線５４が形成される。
【００６９】
次に、キャパシター５１、下部電極配線５３および上部電極配線５４を覆うように、絶縁膜５５を形成する。具体的には、まず、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４を前述したような気相成膜法により成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に絶縁膜５５に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて膜をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、絶縁膜５５が形成される。
【００７０】
次に、キャパシター５１と重なるように赤外線吸収膜５６を形成する。具体的には、まず、Ｓｉ３Ｎ４を前述したような気相成膜法により成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に赤外線吸収膜５６に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて膜をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、赤外線吸収膜５６が形成される。
以上により、図４（ｃ）に示すように、検出部５が形成される。
【００７１】
［７］保護層形成工程
次に、図５（ａ）に示すように、検出部５を覆うように、前述したような気相成膜法により、Ａｌ２Ｏ３で構成された保護層６２を形成する。
これにより、積層体９が得られる。
［８］ビア形成工程
まず、図５（ｂ）に示すように、基板２の下面２１に、フォトリソグラフィ法などを用いてビア３１、３２に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて基板２、犠牲層７、保護層６１およびメンブレン４を貫通する孔（スルーホール）８１、８２を形成し、マスクを除去する。
次に、図５（ｃ）に示すように、孔８１、８２の内周面に、前述したような気相成膜法により、Ａｌ２Ｏ３で構成された保護層６３を形成する。
次に、図５（ａ）に示すように、孔８１、８２にＣｕ（銅）を充填し、ビア３１、３２を形成する。
【００７２】
［９］外部接続端子形成工程
次に、図６（ｂ）に示すように、基板２の下面２１に外部接続端子２８、２９を形成する。具体的には、まず、基板２の下面２１に、Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ａｕ（金）を、この順に前述したような気相成膜法により成膜する。次に、フォトリソグラフィ法などを用いて膜上に外部接続端子２８、２９に対応するマスクを形成し、ドライエッチング法などを用いて膜をパターニングした後、マスクを除去する。これにより、外部接続端子２８、２９が形成される。
【００７３】
［１０］犠牲層除去工程
次に、図６（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２で構成された犠牲層７を除去する。具体的には、工程［９］で得られたものを、ＨＦ（フッ化水素）ベーパー雰囲気に曝すことにより、基板２とメンブレン４との間などからフッ化水素を犠牲層７に触れさせる。これにより、ＳｉＯ２で構成された犠牲層７が腐食されて除去され、犠牲層７の存在していた領域が空洞化することにより空隙Ｓが形成される。
【００７４】
なお、犠牲層７と同じく、メンブレン４もＳｉＯ２で構成されているが、前述のように、メンブレン４の両面にＨＦ（フッ化水素）に対する耐エッチング性を有する保護層６１、６２を形成しておくことにより、本工程にてメンブレン４が腐食し、除去されるのを防止している。また、ビア３１、３２についても同様に、ビア３１、３２の周面にＨＦに対する耐エッチング性を有する保護層６３を形成しておくことにより、本工程にてビア３１、３２が腐食し、除去されるのを防止している。
【００７５】
また、犠牲層エッチングをウェットエッチング法で行うこともできる。この場合は、犠牲層７に対してエッチング選択比が高くとれる材料を保護層６１、６２、６３に用いる。構成として例えばＳｉＯ２を犠牲層７とし、Ｓｉ３Ｎ４を保護層６１、６２、６３とし、エッチング液をフッ酸とすることができる。
以上により、熱型電磁波検出素子１が得られる。
【００７６】
このような製造方法によれば、犠牲層７を除去するだけで、基板２とメンブレン４との間に空隙Ｓを形成することができる。そのため、熱型電磁波検出素子１を簡単に製造することができる。また、犠牲層７の厚さによって、空隙Ｓの高さ（厚さ）を簡単に制御することができるため、所望の高さを有する空隙Ｓを簡単かつ正確に形成することができる。また、犠牲層７は、最後の工程にて除去すればよい。そのため、製造過程にて、順に重ね合わせていく部材同士（例えば、基板２と犠牲層７や犠牲層７とメンブレン４）の間に空隙が形成されず、機械的強度を十分に高く維持しながら熱型電磁波検出素子１を製造することができる。その結果、製造工程時の破損等を効果的に防止することができ、信頼性の高い熱型電磁波検出素子１を高い歩留まりで製造することができる。
【００７７】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の熱型電磁波検出素子の第２実施形態について説明する。
図７は、本発明の第２実施形態に係る熱型電磁波検出素子を示す平面図である。
以下、第２実施形態の熱型電磁波検出素子について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第２実施形態にかかる熱型電磁波検出素子は、メンブレンのアームの形状が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００７８】
図７に示すように、本実施形態の熱型電磁波検出素子１Ａでは、メンブレン４が有する２つのアーム４２Ａ、４３Ａは、搭載部４１の外周に沿って、その長手方向の途中で略直角に屈曲した形状、すなわち略「Ｌ」字状となっている。また、２本のアーム４２Ａ、４３Ａは、搭載部４１の中心に対して点対称となるように形成されている。
具体的には、アーム４２Ａは、搭載部４１の図７中左上の角部４１１から左側へ延出した基端部４２１Ａと、基端部４２１Ａの先端から下側へ延出し、その先端部がビア３１に支持された先端部４２３Ａとを有している。また、先端部４２３Ａは、搭載部４１の左辺４１３に沿って設けられている。また、基端部４２１Ａは、先端部４２３Ａに対して短く形成されている。
【００７９】
一方、アーム４３Ａは、搭載部４１の図７中右下の角部４１２（角部４１１の対角）から右側へ延出した基端部４３１Ａと、基端部４３１Ａの先端から上側へ延出し、その先端部がビア３２に支持された先端部４３３Ａとを有し、先端部４３３Ａは、搭載部４１の右辺４１４に沿って設けられている。また、基端部４３１Ａは、先端部４３３Ａに対して短く形成されている。
【００８０】
アーム４２Ａ、４３Ａをこのような形状とすることにより、搭載部４１からのアーム４２Ａ、４３Ａの過度な突出を防止しつつ、すなわち、アーム４２Ａ、４３Ａの先端部４２３Ａ、４３３Ａが搭載部４１から遠く離れずに、アーム４２Ａ、４３Ａをより長くすることができる。そのため、熱型電磁波検出素子１の小型化を図りつつ、検出部５をより効果的に熱分離することができる。
【００８１】
なお、図示の構成では、基端部４２１Ａの幅と先端部４２３Ａの幅が等しいが、基端部４２１Ａの幅が先端部４２３Ａの幅よりも太くてもよい。
また、図示の構成では、基端部４２１Ａと先端部４２３Ａとの屈曲角度が９０°であるが、屈曲角度としては、これに限定されず、例えば、４５〜１３５°程度であってもよい。
このような第２実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８２】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の熱型電磁波検出素子の第３実施形態について説明する。
図８は、本発明の第３実施形態に係る熱型電磁波検出素子を示す平面図である。
以下、第３実施形態の熱型電磁波検出素子について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第３実施形態にかかる熱型電磁波検出素子は、メンブレンのアームの形状が異なる以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００８３】
図８に示すように、本実施形態の熱型電磁波検出素子１Ｂでは、メンブレン４が有する２つのアーム４２Ｂ、４３Ｂは、搭載部４１の外周に沿って、その長手方向の途中の２か所にて同じ方向へ略直角に屈曲した形状となっている。また、２本のアーム４２Ｂ、４３Ｂは、搭載部４１の中心に対して点対称となるように形成されている。
具体的には、アーム４２Ｂは、搭載部４１の図８中左上の角部４１１から左側へ延出した基端部４２１Ｂと、基端部４２１Ｂの先端から下側へ延出した中間部４２２Ｂと、中間部４２２Ｂの先端から右側に延出し、その先端部がビア３１に支持された先端部４２３Ｂとを有している。また、中間部４２２Ｂは、搭載部４１の左辺４１３に沿って設けられている。また、先端部４２３Ｂは、搭載部４１の下辺４１５に沿って設けられている。また、基端部４２１Ｂは、中間部４２２Ｂおよび先端部４２３Ｂに対して短く形成されている。
【００８４】
一方、アーム４３Ｂは、搭載部４１の図８中右下の角部４１２（角部４１１の対角）から右側へ延出した基端部４３１Ｂと、基端部４３１Ｂの先端から上側へ延出した中間部４３２Ｂと、中間部４３２Ｂの先端から左側に延出し、その先端部がビア３２に支持された先端部４３３Ｂとを有している。また、中間部４３２Ｂは、搭載部４１の右辺４１４に沿って設けられている。また、先端部４３３Ｂは、搭載部４１の上辺４１６に沿って設けられている。また、基端部４３１Ｂは、中間部４３２Ｂおよび先端部４３３Ｂに対して短く形成されている。
【００８５】
アーム４２Ｂ、４３Ｂをこのような形状とすることにより、搭載部４１からのアーム４２Ｂ、４３Ｂの過度な突出を防止しつつ、すなわち、アーム４２Ｂ、４３Ｂの先端部４２３Ａ、４３３Ａが搭載部４１から遠く離れずに、アーム４２Ｂ、４３Ｂをより長く（例えば、前述した第２実施形態のアーム４２Ａ、４３Ａよりも長く）することができる。そのため、熱型電磁波検出素子１の小型化を図りつつ、検出部５をより効果的に熱分離することができる。
【００８６】
なお、図示の構成では、基端部４２１Ｂの幅と中間部４２２Ｂの幅と先端部４２３Ｂの幅が等しいが、これらの幅の関係は、特に限定されず、例えば、基端部４２１Ｂ、中間部４２２Ｂおよび先端部４２３Ｂのうちの２つが等しい幅を有し、他の１つが異なる幅を有していてもよいし、互いに幅が異なっていてもよい。具体的には、例えば、中間部４２２Ｂの幅と先端部４２３Ｂの幅が等しく、基端部４２１Ｂの幅が中間部４２２Ｂ（先端部４２３Ｂ）の幅よりも太くてもよい。
【００８７】
また、図示の構成では、基端部４２１Ｂと中間部４２２Ｂとの屈曲角度が９０°であるが、屈曲角度としては、これに限定されず、例えば、４５〜１３５°程度であってもよい。中間部４２２Ｂと先端部４２３Ｂとの屈曲角度についても同様である。
このような第３実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００８８】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の熱型電磁波検出素子の第４実施形態について説明する。
図９は、本発明の第４実施形態に係る熱型電磁波検出素子を示す断面図である。
以下、第４実施形態の熱型電磁波検出素子について、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
本発明の第４実施形態にかかる熱型電磁波検出素子は、ビアがメンブレンを貫通していない以外は、前述した第１実施形態と同様である。なお、前述した第１実施形態と同様の構成には、同一符号を付してある。
【００８９】
図９に示すように、本実施形態の熱型電磁波検出素子１Ｃでは、ビア３１、３２の上面３１１、３２１は、メンブレン４の下面に接合されている。すなわち、前述した第１実施形態とは異なり、ビア３１、３２は、メンブレン４を貫通していない。
また、メンブレン４のアーム４２には、その上面および下面を貫通して設けられた導体ポスト３３が形成されており、この導体ポスト３３を介して下部電極配線５３とビア３１とが電気的に接続されている。同様に、メンブレン４のアーム４３には、その上面および下面を貫通して設けられた導体ポスト３４が形成されており、この導体ポスト３４を介して上部電極配線５４とビア３２とが電気的に接続されている。
【００９０】
導体ポスト３３、３４は、その横断面積がビア３１、３２の上面３１１、３２１の面積よりも小さく形成されている。そのため、例えば、ビア３１と下部電極配線５３（ビア３２と上部電極配線５４）が直接接触している前述した第１実施形態と比較して、導体ポスト３３、３４を介したビア３１、３２への熱の伝達をより効果的に抑制することができる。
【００９１】
導体ポスト３３、３４の構成材料としては、必要な導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、ビア３１、３２や、下部電極配線５３および上部電極配線と同様の材料を用いることができる。なお、導体ポスト３３は、下部電極配線５３と一体的に形成してもよく、導体ポスト３４は、上部電極配線５４と一体的に形成してもよい。
このような第４実施形態によっても、前述した第１実施形態と同様の効果を発揮することができる。
【００９２】
３．熱型電磁波検出装置
次に、熱型電磁波検出素子１を適用した熱型電磁波検出装置（本発明の熱型電磁波検出装置）１０について説明する。
図１０は、本発明の熱型電磁波検出装置の好適な実施形態を示す平面図、図１１は、図１０に示す熱型電磁波検出装置の断面図である。
図１０および図１１に示すように、センサーデバイス（熱型電磁波検出装置）１０は、複数の熱型電磁波検出素子１が直交２軸方向に行列状に配列されたセンサー基板１１と、センサー基板１１の下側に位置し、各熱型電磁波検出素子１からの信号を処理する回路が形成された回路基板１２とを有している。
【００９３】
センサー基板１１に配置される熱型電磁波検出素子１の数としては、例えば、３２０×２４０程度とすることができる。これにより、ＱＶＧＡ程度の表示解像度が得られ、例えば、センサーデバイス１０をカメラ等に適用する場合に、その使用目的によっても異なるが十分な解像度を有する画像を提供することができる。なお、センサー基板１１に配置される熱型電磁波検出素子１の数としては、特に限定されず、例えば、６４０×４８０程度であってもよい。これにより、ＶＧＡ程度の表示解像度が得られ、高い解像度を有する画像を提供することができる。
【００９４】
センサー基板１１は、基板２が各熱型電磁波検出素子１で共通化されていること以外は、前述した熱型電磁波検出素子１の構成と同様である。すなわち、センサー基板１１は、基板２と、基板２にビア３１、３２を介して支持されている複数のメンブレン４と、各メンブレン４に搭載された複数の検出部５とを有している。１つの熱型電磁波検出素子１が占める領域は、例えば３０×３０μｍ程度である。なお、各部の構成は、前述したものと同様であるため、その説明を省略する。
【００９５】
回路基板１２は、基板２の下面に形成された複数の外部接続端子２８、２９と接続バンプ１３を介して電気的に接続されている。これにより、回路基板１２と各熱型電磁波検出素子１とが電気的に接続される。ここで、前述したように、各熱型電磁波検出素子１では、ビア３１、３２によって、下部電極５１１および上部電極５１３が基板２の下面まで引き出されているため、センサー基板１１と回路基板１２との電気的な接続を簡単に行うことができる。
【００９６】
回路基板１２は、例えば、各熱型電磁波検出素子１に対応して形成された読み出し回路（ＲＯＩＣ）１２１と、各熱型電磁波検出素子１の駆動を制御する制御回路１２２と、Ａ／Ｄ変換回路１２３とを有している。
制御回路１２２は、各熱型電磁波検出素子１の駆動を制御する機能を有する。また、各読み出し回路１２１は、対応する熱型電磁波検出素子１から出力された信号を個別に処理する。読み出し回路１２１によって処理された各熱型電磁波検出素子１からの信号は、Ａ／Ｄ変換回路１２３によってデジタル信号に変換され、デジタルの画像信号として出力される。
なお、図示の構成では、複数の熱型電磁波検出素子１が２次元的に配列されているが、これに限定されず、複数の熱型電磁波検出素子１が１列（１軸方向）に並んで配置されていてもよい。この場合、直線状に並んだものの他、例えば、円形に並んだものでもよい。
【００９７】
４．電子機器
次に、熱型電磁波検出素子１（センサーデバイス１０）を適用した電子機器（本発明の電子機器）について説明する。
（テラヘルツカメラ）
図１２は、センサーデバイス１０を利用した電子機器の一具体例に係るテラヘルツカメラ１００の構成を概略的に示す。この図において、テラヘルツカメラ１００は、筐体１０１を備えている。また、筐体１０１の正面には、スリット１０２が形成されているとともに、レンズ１０３が装着されている。スリット１０２からテラヘルツ帯の電磁波が対象物に向かって照射される。こうした電磁波には、テラヘルツ波といった電波および赤外線といった光が含まれる。なお、テラヘルツ帯には１００ＧＨｚ〜３０ＴＨｚの周波数帯が含まれている。レンズ１０３には、対象物から反射してくるテラヘルツ帯の電磁波が取り込まれる。
【００９８】
テラヘルツカメラ１００の構成をさらに詳しく説明すると、図１３に示すように、テラヘルツカメラ１００は、照射源（電磁波源）１０４を備えている。照射源１０４には、駆動回路１０５が接続されている。駆動回路１０５は、照射源１０４に所望の駆動信号を供給する。照射源１０４は、駆動信号の受領に応じてテラヘルツ帯の電磁波を放射する。照射源１０４には、例えばレーザー光源が用いられる。
【００９９】
レンズ１０３は、光学系１０６を構成する。光学系１０６は、レンズ１０３のほかに光学部品を備えてもよい。レンズ１０３の光軸１０３ａ上にセンサーデバイス１０が配置されている。光学系１０６は、熱型電磁波検出素子１のマトリクス上に像を結像する。センサーデバイス１０には、アナログデジタル変換回路１０７が接続されている。アナログデジタル変換回路１０７には、センサーデバイス１０から熱型電磁波検出素子１の出力が順番に時系列で供給される。アナログデジタル変換回路１０７は、出力のアナログ信号をデジタル信号に変換する。
【０１００】
アナログデジタル変換回路１０７には、演算処理回路（処理回路）１０８が接続されている。演算処理回路１０８には、アナログデジタル変換回路１０７からデジタルの画像データが供給される。演算処理回路１０８は、画像データを処理し表示画面の画素ごとに画素データを生成する。演算処理回路１０８には、描画処理回路１０９が接続されている。描画処理回路１０９は、画素データに基づき描画データを生成する。描画処理回路１０９には、表示装置１１０が接続されている。表示装置１１０には、例えば液晶ディスプレイといったフラットパネルディスプレイを用いることができる。表示装置１１０は、描画データに基づき画面上に画像を表示する。描画データは、記憶装置１１１に格納することができる。紙やプラスチック、繊維その他の物体に対する透過性、および、物質固有の吸収スペクトルに基づきテラヘルツカメラ１００は、検査装置として利用されることができる。
【０１０１】
その他、テラヘルツカメラ１００は、物質の定性分析や定量分析に利用されることができる。こうした利用にあたって、例えばレンズ１０３の光軸１０３ａ上には特定周波数のフィルターが配置される。フィルターは、特定波長以外の電磁波を遮断する機能を有する。したがって、特定波長の電磁波のみがセンサーデバイス１０に到達し、これによって特定の物質の有無や量が検出される。
【０１０２】
（赤外線カメラ）
図１４は、センサーデバイス１０を利用した電子機器の一具体例に係る赤外線カメラ２００の構成を概略的に示す。この図において、赤外線カメラ２００は、光学系２０１を備えている。光学系２０１の光軸２０１ａ上にセンサーデバイス１０が配置されている。光学系２０１は、熱型電磁波検出素子１のマトリクス上に像を結像する。センサーデバイス１０には、アナログデジタル変換回路２０２が接続されている。アナログデジタル変換回路２０２には、センサーデバイス１０から熱型電磁波検出素子１の出力が順番に時系列で供給される。アナログデジタル変換回路２０２は、出力のアナログ信号をデジタル信号に変換する。
【０１０３】
アナログデジタル変換回路２０２には、演算処理回路（処理回路）２０３が接続されている。演算処理回路２０３には、アナログデジタル変換回路２０２からデジタルの画像データが供給される。演算処理回路２０３は、画像データを処理し表示画面の画素ごとに画素データを生成する。演算処理回路２０３には、描画処理回路２０４が接続されている。描画処理回路２０４は、画素データに基づき描画データを生成する。描画処理回路２０４には、表示装置２０５が接続されている。表示装置２０５には、例えば液晶ディスプレイといったフラットパネルディスプレイを用いることができる。表示装置２０５は、描画データに基づき画面上に画像を表示する。描画データは、記憶装置２０６に格納することができる。
【０１０４】
赤外線カメラ２００は、サーモグラフィーとして利用することができる。この場合には赤外線カメラ２００は、表示装置２０５の画面に熱分布画像を映し出すことができる。熱分布画像の生成にあたって演算処理回路２０３では温度帯域ごとに画素の色が設定される。サーモグラフィーは、人体の温度分布の測定や体温そのものの測定に用いることができる。その他、サーモグラフィーは、ＦＡ（ファクトリーオートメーション）機器に組み込まれて熱漏れや異常な温度変化の検出に用いることができる。
【０１０５】
例えば、図１５に示すように、ＦＡ機器（電子機器）３００は、ＦＡ機能ユニット３０１を備えている。ＦＡ機能ユニット３０１は、特定の機能の実現にあたって動作する。ＦＡ機能ユニット３０１には、制御回路（処理回路）３０２が接続されている。制御回路３０２は、加熱や加圧、機械的処理、化学的処理、その他のＦＡ機能ユニット３０１の動作を制御する。
【０１０６】
制御回路３０２には、赤外線カメラ２００、表示装置３０３およびスピーカー３０４などが接続されている。赤外線カメラ２００は、撮像範囲内でＦＡ機能ユニット３０１を撮像する。制御回路３０２は、撮像範囲内で異常な高温や温度変化を検出すると、ＦＡ機能ユニット３０１に向けて動作停止信号を出力したり、表示装置３０３やスピーカー３０４に向けて警告信号を出力したりする。
【０１０７】
異常な高温や温度変化の検出にあたって、制御回路３０２は、例えばメモリ（図示されず）内に基準温度分布データを保持する。基準温度分布データは、平常時の撮像範囲内の温度分布を特定する。制御回路３０２は、基準温度分布データの熱分布にリアルタイムの熱分布画像を照らし合わせることができる。その他、サーモグラフィーは、物体と周囲との温度差に基づき物体の検出に用いることができる。
【０１０８】
赤外線カメラ２００は、ナイトビジョンすなわち暗視カメラとして利用することができる。この場合には、赤外線カメラ２００は、表示装置２０５に例えば暗闇での画像を映し出すことができる。暗視カメラは、例えばセキュリティー機器の一具体例としての監視カメラや、人感センサー、運転支援装置その他に利用することができる。
人感センサーは、エスカレーターや照明器具、空気調和機、テレビといった電気機器（家電機器）のオンオフ制御、その他の制御に用いることができる。
【０１０９】
例えば、図１６に示すように、電気機器４００は、機能ユニット４０１を備えている。機能ユニット４０１は、特定の機能の実現にあたって機械的動作や電気的動作を実施する。機能ユニット４０１には、人感センサー４０２が接続されている。人感センサー４０２は、赤外線カメラ２００を備えている。赤外線カメラ２００は、監視範囲内で撮像を実施する。赤外線カメラ２００には、判定回路４０３が接続されている。
【０１１０】
判定回路４０３は、熱分布画像に基づき人の存在または不存在を判定する。判定にあたって判定回路４０３は、画像内で特定温度域（例えば体温の温度域の塊）の動きを検出する。判定回路４０３は、人の存在または不存在を特定する判定信号を機能ユニット４０１に供給する。機能ユニット４０１は、例えば、判定信号の受領に応じてオンオフ制御される。
【０１１１】
例えば、図１７に示すように、運転支援装置（電子機器）５００は、赤外線カメラ２００およびヘッドアップディスプレイ５０１を備えている。赤外線カメラ２００は、例えば車両５０２のフロントノーズ５０３に取り付けられている。赤外線カメラ２００は、車両５０２から前方に広がる撮像範囲を撮像する位置に配置されている。ヘッドアップディスプレイ５０１は、例えばフロントウインドウ５０４の運転席側に配置されている。ヘッドアップディスプレイ５０１には、赤外線カメラ２００の画像が映し出すことができる。ヘッドアップディスプレイ５０１の画面では、例えば撮像範囲で捕捉される歩行者の像を強調することができる。
【０１１２】
図１８に示すように、赤外線カメラ２００およびヘッドアップディスプレイ５０１には処理回路５０５が接続されている。処理回路５０５には、車速センサー５０６、ヨーレートセンサー５０７およびブレーキセンサー５０８が接続されている。車速センサー５０６は、車両５０２の走行速度を検出する。ヨーレートセンサー５０７は、車両５０２のヨーレートを検出する。ブレーキセンサー５０８は、ブレーキペダルの操作の有無を検出する。処理回路５０５は、車両５０２の走行状態に応じて特定の歩行者を選別する。処理回路５０５は、車両５０２の走行速度、ヨーレートおよびブレーキの踏み具合に応じて車両５０２の走行状態を特定する。処理回路５０５は、スピーカー５０９から例えば音声に基づき運転者の注意を促してもよい。
【０１１３】
（ゲーム機コントローラー）
図１９は、センサーデバイス１０を利用した電子機器の一具体例に係るゲーム機６００の構成を概略的に示す。この図において、ゲーム機６００は、ゲーム機本体６０１、表示装置６０２およびコントローラー（電子機器）６０３を備えている。
表示装置６０２は、例えば有線でゲーム機本体６０１に接続されている。ゲーム機本体６０１の動作は、表示装置６０２の画面に映し出される。プレーヤーＧは、コントローラー６０３を用いてゲーム機本体６０１の動作を操作する。こうした操作の実現にあたって、コントローラー６０３には、例えば１対のＬＥＤモジュール６０４から赤外線が照射される。ＬＥＤモジュール６０４は、例えば表示装置６０２の画面の周囲でベゼルに取り付けることができる。
【０１１４】
図２０に示すように、コントローラー６０３には、センサーデバイス１０が組み込まれている。なお、センサーデバイス１０には、赤外線フィルター６０５および光学系（例えばレンズ）６０６が組み合わせられてもよい。センサーデバイス１０は、ＬＥＤモジュール６０４から放射される赤外線を受光することができる。センサーデバイス１０には、画像処理回路６０７が接続されている。画像処理回路６０７は、予め決められた画面内でＬＥＤモジュール６０４の赤外線スポットを画像化する。
【０１１５】
画像処理回路６０７には、演算処理回路６０８が接続されている。演算処理回路６０８は、赤外線スポット情報を生成する。この赤外線スポット情報では、予め決められた画面内で赤外線スポットの位置および大きさが特定される。赤外線スポットの位置は、ＬＥＤモジュール６０４の位置に対応する。また、赤外線スポットの大きさは、ＬＥＤモジュール６０４との距離に対応する。
【０１１６】
演算処理回路６０８には、無線モジュール６０９が接続されている。赤外線スポット情報は、無線モジュール６０９からゲーム機本体６０１に送り込まれる。なお、図示の構成では、演算処理回路６０８に操作スイッチ６１０や加速度センサー６１１が接続されている。操作スイッチ６１０の操作信号や加速度センサー６１１の加速度情報は、無線モジュール６０９からゲーム機本体６０１に供給される。
【０１１７】
ゲーム機本体６０１は、無線モジュール６１２で操作信号や赤外線スポット情報、加速度情報を受信する。ゲーム機本体６０１内のプロセッサー６１３は、操作信号に基づき操作スイッチ６１０の動作を特定し、赤外線スポット情報および加速度情報に基づきコントローラー６０３の動きを特定する。こうして操作スイッチ６１０の動作やコントローラー６０３の動きに応じてゲーム機本体６０１が制御される。ＬＥＤモジュール６０４は、プロセッサー６１３に接続されることができる。プロセッサー６１３は、ＬＥＤモジュール６０４の動作を制御することができる。
【０１１８】
以上、本発明の熱型電磁波検出素子、熱型電磁波検出素子の製造方法、熱型電磁波検出装置および電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。また、各実施形態を適宜組み合わせてもよい。
【０１１９】
また、前述した実施形態では、焦電型の熱型電磁波検出素子について説明したが、本発明の熱型電磁波検出素子は、焦電型に限定されず、例えば、熱電対型、抵抗型（ボロメーター型）であってもよい。
また、前述した実施形態では、検出部が赤外線を検出する構成について説明したが、検出部が検出する光の波長は、特に限定されない。
【符号の説明】
【０１２０】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ……熱型電磁波検出素子  １０……センサーデバイス  １１……センサー基板  １２……回路基板  １２１……読み出し回路  １２２……制御回路  １２３……Ａ／Ｄ変換回路  １３……接続バンプ  ２……基板  ２１……下面  ２２……上面  ２８、２９……外部接続端子  ３１、３２……ビア  ３１１、３２１……上面  ３１２、３２２……下面  ３１３、３２３……突出部  ３３、３４……導体ポスト  ４……メンブレン  ４０……基板  ４１……搭載部  ４１１、４１２……角部  ４１３……左辺  ４１４……右辺  ４１５……下辺  ４１６……上辺  ４２、４２Ａ、４２Ｂ、４３、４３Ａ、４３Ｂ……アーム  ４２１Ａ、４２１Ｂ、４３１Ａ、４３１Ｂ……基端部  ４２２Ｂ、４３２Ｂ……中間部  ４２３Ａ、４２３Ｂ、４３３Ａ、４３３Ｂ……先端部  ５……検出部  ５１……キャパシター  ５１１……下部電極  ５１２……焦電体層  ５１３……上部電極  ５２……絶縁膜  ５２１……第１コンタクトホール  ５２２……第２コンタクトホール  ５３……下部電極配線  ５４……上部電極配線  ５５……絶縁膜  ５６……赤外線吸収膜  ６１、６２、６３……保護層  ７……犠牲層  ８１、８２……孔  ９……積層体  １００……テラヘルツカメラ  １０１……筐体  １０２……スリット  １０３……レンズ  １０３ａ……光軸  １０４……照射源  １０５……駆動回路  １０６……光学系  １０７……アナログデジタル変換回路  １０８……演算処理回路  １０９……描画処理回路  １１０……表示装置  １１１……記憶装置  ２００……赤外線カメラ  ２０１……光学系  ２０１ａ……光軸  ２０２……アナログデジタル変換回路  ２０３……演算処理回路  ２０４……描画処理回路  ２０５……表示装置  ２０６……記憶装置  ３０１……ＦＡ機能ユニット  ３０２……制御回路  ３０３……表示装置  ３０４……スピーカー  ４００……電気機器  ４０１……機能ユニット  ４０２……人感センサー  ４０３……判定回路  ５０１……ヘッドアップディスプレイ  ５０２……車両  ５０３……フロントノーズ  ５０４……フロントウインドウ  ５０５……処理回路  ５０６……車速センサー  ５０７……ヨーレートセンサー  ５０８……ブレーキセンサー  ５０９……スピーカー  ６００……ゲーム機  ６０１……ゲーム機本体  ６０２……表示装置  ６０３……コントローラー  ６０４……ＬＥＤモジュール  ６０５……赤外線フィルター  ６０６……光学系  ６０７……画像処理回路  ６０８……演算処理回路  ６０９……無線モジュール  ６１０……操作スイッチ  ６１１……加速度センサー  ６１２……無線モジュール  ６１３……プロセッサー  Ｓ……空隙
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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