【手続補正書】
【提出日】平成28年5月27日(2016.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の順序で、
ａ．第１の像形成された金属層、
ｂ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第１の像形成された金属層に接する、第１の電気絶縁層、
ｃ．第２の像形成された金属層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第２の像形成された金属層接する、第２の像形成された金属層、
ｄ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミドボンドプライ、
ｅ．第３の像形成された金属層、
ｆ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第３の像形成された金属層の次である、第２の電気絶縁層、
ｇ．第４の像形成された金属層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第４の像形成された金属層の次である、第４の像形成された金属層
を含んでなる回路基板であって、
前記ポリイミドボンドプライが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第３の像形成された金属層および前記第２の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）前記第１の像形成された金属層、前記第１の電気絶縁層および前記第２の像形成された金属層、
ｉｉ）前記ポリイミドボンドプライ、ならびに
ｉｉｉ）前記第３の像形成された金属層、前記第２の電気絶縁層および前記第４の像形成された金属層
が積層される場合、前記ポリイミドボンドプライが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、かつ
前記第１の電気絶縁層および前記第２の電気絶縁層が３２０〜３８０℃の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である、回路基板。
【請求項２】
前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
【請求項７】
前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
【請求項８】
前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触し、かつ
前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
【請求項９】
接着剤およびカバーレイをさらに含んでなり、前記接着剤が、前記第１の像形成された金属層と前記カバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、請求項１に記載の回路基板。
【請求項１０】
第２の接着剤および第２のカバーレイをさらに含んでなり、前記第２の接着剤が、前記第４の像形成された金属層と前記第２のカバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、請求項９に記載の回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３１２】
【表３】
2015529966.tif 000001
以下、本明細書に記載の種な発明について列記する。
（１）  以下の順序で、
ａ．第１の像形成された金属層、
ｂ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第１の像形成された金属層に接する、第１の電気絶縁層、
ｃ．第２の像形成された金属層であって、前記第１の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第２の像形成された金属層に接する、第２の像形成された金属層、
ｄ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなるポリイミドボンドプライ、
ｅ．第３の像形成された金属層、
ｆ．第１の面と、第２の面とを有する第２の電気絶縁層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第１の面は、前記第３の像形成された金属層に接する、第２の電気絶縁層、
ｇ．第４の像形成された金属層であって、前記第２の電気絶縁層の前記第２の面は、前記第４の像形成された金属層に接する、第４の像形成された金属層
を含んでなる回路基板であって、
前記ポリイミドボンドプライが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触し、かつ前記第３の像形成された金属層および前記第２の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触し、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、
ｉ）前記第１の像形成された金属層、前記第１の電気絶縁層および前記第２の像形成された金属層、
ｉｉ）前記ポリイミドボンドプライ、ならびに
ｉｉｉ）前記第３の像形成された金属層、前記第２の電気絶縁層および前記第４の像形成された金属層
が積層される場合、前記ポリイミドボンドプライが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、かつ
前記第１の電気絶縁層および前記第２の電気絶縁層が３２０〜３８０℃の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である、回路基板。
（２）  前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（３）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（４）  前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１）に記載の回路基板。
（５）  前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１）に記載の回路基板。
（６）  前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（７）  前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（８）  前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触し、かつ
前記第２の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第４の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記ポリイミドボンドプライの露出した領域に直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（９）  前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１０）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（９）に記載の回路基板。
（１１）  前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１２）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１１）に記載の回路基板。
（１３）  前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１４）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（８）に記載の回路基板。
（１５）  前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（８）に記載の回路基板。
（１６）  前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（８）に記載の回路基板。
（１７）  接着剤およびカバーレイをさらに含んでなり、前記接着剤が、前記第１の像形成された金属層と前記カバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、（１）に記載の回路基板。
（１８）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（１９）  前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１８）に記載の回路基板。
（２０）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１９）に記載の回路基板。
（２１）  前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１８）に記載の回路基板。
（２２）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２１）に記載の回路基板。
（２３）  前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１８）に記載の回路基板。
（２４）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１８）に記載の回路基板。
（２５）  前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１８）に記載の回路基板。
（２６）  前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（１８）に記載の回路基板。
（２７）  第２の接着剤および第２のカバーレイをさらに含んでなり、前記第２の接着剤が、前記第４の像形成された金属層と前記第２のカバーレイとの間にあり、かつそれらと直接接触する、（１８）に記載の回路基板。
（２８）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２７）に記載の回路基板。
（２９）  前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２８）に記載の回路基板。
（３０）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２９）に記載の回路基板。
（３１）  前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（２８）に記載の回路基板。
（３２）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（３１）に記載の回路基板。
（３３）  前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（２８）に記載の回路基板。
（３４）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（２８）に記載の回路基板。
（３５）  前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（２８）に記載の回路基板。
（３６）  前記ポリイミドボンドプライが、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、
前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ
前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層、前記第３の像形成された金属層および前記第４の像形成された金属層が銅である、（２８）に記載の回路基板。
（３７）  前記第１の電気絶縁層、前記第２の電気絶縁層または両方が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（３８）  前記ポリイミドボンドプライが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。