【手続補正書】
【提出日】平成28年4月26日(2016.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子マルチ小ビーム露光装置において荷電粒子小ビームの小ビーム位置を測定するための方法であって、前記荷電粒子マルチ小ビーム露光装置には、荷電粒子のエネルギを光に変換するための変換素子と、光感応検出器とを有するセンサが設けられ、前記変換素子には、小ビーム遮断領域と非遮断領域との２次元パターンが設けられたセンサ表面領域が設けられ、この方法は、
前記荷電粒子小ビームを使用して複数の測定をすることを具備し、各測定は、
前記荷電粒子小ビームで前記２次元パターンの一部分上に、ある位置で２次元フィーチャを露光することを含み、前記フィーチャが露光される位置は、各測定で異なり、複数の位置が２次元グリッドを形成し、
前記２次元パターンの前記非遮断領域を透過された前記露光されたフィーチャの一部である荷電粒子に応答して前記変換素子によって発生された光を受光することと、
前記光感応検出器によって、受光された光を光強度値に変換して、測定がされた位置に前記光強度値を割り当てることとを含み、
この方法は、
前記２次元グリッド内のさまざまな位置で前記光強度値によって生成された２次元画像に基づいて前記２次元パターンに対する前記荷電粒子小ビームの位置を測定することを具備する方法。
【請求項２】
前記小ビーム遮断領域及び非遮断領域の前記２次元パターンは、非遮断孔が設けられた遮断面の形態を取る請求項１の方法。
【請求項３】
前記非遮断孔は、ほぼ円形形状を有する請求項２の方法。
【請求項４】
前記非遮断孔は、露光されるフィーチャのサイズと同じサイズである請求項３の方法。
【請求項５】
前記小ビーム遮断領域及び非遮断領域の前記２次元パターンは、遮断フィーチャが設けられた非遮断面の形態を取る遮断する請求項１の方法。
【請求項６】
前記遮断フィーチャは、ほぼ円形形状を有する請求項５の方法。
【請求項７】
前記遮断フィーチャは、露光されるフィーチャのサイズと同じサイズである請求項６の方法。
【請求項８】
前記露光されるフィーチャは、ほぼ円形形状を有する請求項１ないし７のいずれか１の方法。
【請求項９】
荷電粒子小ビームで前記２次元パターンの一部分上にフィーチャを露光することは、前記荷電粒子小ビームが走査経路中の所定の一部分の間アクティブである間、前記２次元パターンの前記一部分上を２次元経路に沿って前記小ビームを走査することを含み、前記フィーチャが露光される位置が各測定で異なることは、各測定で前記走査経路の前記所定の一部分を変えることを含む請求項１ないし８のいずれか１の方法。
【請求項１０】
前記走査は、静電偏向によって行われる請求項９の方法。
【請求項１１】
前記荷電粒子小ビームの位置を測定することは、２Ｄガウス関数をフィッティングすることを含む請求項１ないし１０のいずれか１の方法。
【請求項１２】
プロセッサによって実行されるとき、請求項１ないし１１のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム露光装置で小ビーム位置を測定するための方法を行うためのコンピュータ読取可能媒体。
【請求項１３】
荷電粒子マルチ小ビーム露光装置において２つの荷電粒子小ビーム間の距離を測定するための方法であって、前記荷電粒子マルチ小ビーム露光装置には、荷電粒子のエネルギを光に変換するための変換素子と、光感応検出器とを有するセンサが設けられ、前記変換素子には、小ビーム遮断領域と非遮断領域との２次元パターンが設けられたセンサ表面領域が設けられ、この方法は、
請求項１ないし１１のいずれか１によって小ビーム位置を測定するための方法を行うことと、
所定の距離にわたって前記センサの表面の平面にほぼ平行な方向に前記２次元パターンを搬送することと、
さらなる荷電粒子小ビームを使用して複数の測定をすることとを具備し、各測定は、
前記さらなる荷電粒子小ビームで前記２次元パターンの一部分上に２次元フィーチャを露光することを含み、前記さらなる荷電粒子小ビームは、前記２次元パターンがその上を搬送される前記所定の距離に等しい前記荷電粒子小ビームからの理論上の距離を有し、前記フィーチャが露光される位置は、各測定で異なり、複数の位置が２次元グリッドを形成し、
２次元パターンの前記非遮断領域を透過された前記露光されたフィーチャの一部である荷電粒子に応答して前記変換素子によって発生した光を受光することと、
前記光感応検出器によって受光された光をさらなる光強度値に変換して、測定がされた位置に前記さらなる光強度値を割り当てることとを含み、
この方法は、
前記２次元グリッド内のさまざまな位置で前記さらなる光強度値によって生成された２次元画像に基づいて前記２次元パターンに対する前記さらなる荷電粒子小ビームの位置を測定することと、
前記測定された荷電粒子小ビーム位置と、前記測定されたさらなる荷電粒子小ビーム位置と、前記所定の距離とに基づいて、前記荷電粒子小ビームと前記さらなる小ビームとの間の実際の距離を測定することとを具備する方法。
【請求項１４】
前記さらなる荷電粒子小ビームで前記２次元パターンの一部分上にフィーチャを露光することは、前記さらなる荷電粒子小ビームが前記走査経路中の所定の一部分の間アクティブである間、前記２次元パターンの前記一部分上を２次元経路に沿って前記小ビームを走査することを含み、前記フィーチャが露光される位置が各測定で異なることは、各測定で前記走査経路の前記所定の一部分を変えることを含む請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記走査は、静電偏向によって行われる請求項１３の方法。
【請求項１６】
前記さらなる荷電粒子小ビームの位置を測定することは、２Ｄガウス関数をフィッティングすることを含む請求項１３又は１４の方法。
【請求項１７】
プロセッサによって実行されるとき、請求項１３ないし１６のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム露光装置で２つの小ビーム間の実際の距離を測定するための方法を行うためのコンピュータ読取可能媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
本発明は、上に説明された所定の実施の形態を参照して説明されてきた。これら実施の形態が、本発明の意図及び範囲を逸脱することなく、当業者に周知のさまざまな変更及び変形を受けることができることが理解される。従って、特定の実施の形態が説明されてきたが、これらは単なる例であり、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の範囲は特許請求の範囲に規定される。
出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を以下に付記する。
［１］荷電粒子マルチ小ビーム露光装置において小ビーム位置を測定するための方法であって、前記荷電粒子マルチ小ビーム露光装置には、荷電粒子のエネルギを光に変換するための変換素子と、光感応検出器とを有するセンサが設けられ、前記変換素子には、小ビーム遮断領域と非遮断領域との２次元パターンが設けられたセンサ表面領域が設けられ、この方法は、複数の測定をすることを具備し、各測定は、荷電粒子小ビームで前記２次元パターンの一部分上にフィーチャを露光することを含み、前記フィーチャが露光される位置は、各測定で異なり、複数の位置が２次元グリッドを形成し、２次元パターンの前記非遮断領域を透過された前記露光されたフィーチャの一部である荷電粒子に応答して前記変換素子によって発生された光を受光することと、前記光感応検出器によって受光された光を光強度値に変換して、測定がされた位置に前記光強度値を割り当てることとを含み、この方法は、前記２次元グリッド内のさまざまな位置で前記光強度値によって生成された２次元画像に基づいて前記２次元パターンに対する前記荷電粒子小ビームの位置を測定することを具備する方法。
［２］前記小ビーム遮断領域及び非遮断領域の前記２次元パターンは、非遮断孔が設けられた遮断面の形態を取る［１］の方法。
［３］前記孔は、ほぼ円形形状を有する［２］の方法。
［４］前記孔は、露光されるフィーチャのサイズと同じサイズである［３］の方法。
［５］前記小ビーム遮断領域及び非遮断領域の前記２次元パターンは、遮断フィーチャが設けられた非遮断面の形態を取る遮断する［１］の方法。
［６］前記遮断フィーチャは、ほぼ円形形状を有する［５］の方法。
［７］前記遮断フィーチャは、露光されるフィーチャのサイズと同じサイズである［６］の方法。
［８］前記露光されるフィーチャは、ほぼ円形形状を有する［１］ないし［７］のいずれか１の方法。
［９］荷電粒子小ビームで前記２次元パターンの一部分上にフィーチャを露光することは、荷電粒子小ビームが走査経路中の所定の一部分の間アクティブである間、前記２次元パターンの前記一部分上を２次元経路に沿って前記小ビームを走査することを含み、前記フィーチャが露光される位置が各測定で異なることは、各測定で前記走査経路の前記所定の一部分を変えることを含む［１］ないし［８］のいずれか１の方法。
［１０］前記走査は、静電偏向によって行われる［９］の方法。
［１１］前記荷電粒子小ビームの位置を測定することは、２Ｄガウス関数をフィッティングすることを含む［１］ないし［１０］のいずれか１の方法。
［１２］プロセッサによって実行されたとき、［１］ないし［１１］のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム露光装置で小ビーム位置を測定するための方法を行うためのコンピュータ読取可能媒体。
［１３］荷電粒子マルチ小ビーム露光装置において２つの小ビーム間の距離を測定するための方法であって、前記荷電粒子マルチ小ビーム露光装置には、荷電粒子のエネルギを光に変換するための変換素子と、光感応検出器とを有するセンサが設けられ、前記変換素子には、小ビーム遮断領域と非遮断領域との２次元パターンが設けられたセンサ表面領域が設けられ、この方法は、［１］ないし［１１］のいずれか１によって小ビーム位置を測定するための方法を行うことと、所定の距離にわたって前記センサの表面の平面にほぼ平行な方向に前記２次元パターンを搬送することと、複数の測定をすることとを具備し、各測定は、さらなる荷電粒子小ビームで前記２次元パターンの一部分上にフィーチャを露光することを含み、前記さらなる荷電粒子小ビームは、前記２次元パターンがその上を搬送される前記所定の距離に等しい前記荷電粒子小ビームからの理論上の距離を有し、前記フィーチャが露光される位置は、各測定で異なり、複数の位置が２次元グリッドを形成し、２次元パターンの前記非遮断領域を透過された前記露光されたフィーチャの一部である荷電粒子に応答して前記変換素子によって発生した光を受光することと、前記光感応検出器によって受光された光をさらなる光強度値に変換して、測定がされた位置に前記さらなる光強度値を割り当てることとを含み、この方法は、前記２次元グリッド内のさまざまな位置で前記さらなる光強度値によって生成された２次元画像に基づいて前記２次元パターンに対する前記さらなる荷電粒子小ビームの位置を測定することと、前記測定された荷電粒子小ビーム位置と、前記測定されたさらなる荷電粒子小ビーム位置と、前記所定の距離とに基づいて、前記荷電粒子小ビームと前記さらなる小ビームとの間の実際の距離を測定することとを具備する方法。
［１４］前記さらなる荷電粒子小ビームで前記２次元パターンの一部分上にフィーチャを露光することは、前記さらなる荷電粒子小ビームが前記走査経路中の所定の一部分の間アクティブである間、前記２次元パターンの前記一部分上を２次元経路に沿って前記小ビームを走査することを含み、前記フィーチャが露光される位置が各測定で異なることは、各測定で前記走査経路の前記所定の一部分を変えることを含む［１３］の方法。
［１５］前記走査は、静電偏向によって行われる［１３］の方法。
［１６］前記さらなる荷電粒子小ビームの位置を測定することは、２Ｄガウス関数をフィッティングすることを含む［１３］又は［１４］の方法。
［１７］プロセッサによって実行されたとき、［１３］ないし［１６］のいずれか１の荷電粒子マルチ小ビーム露光装置で２つの小ビーム間の実際の距離を測定するための方法を行うためのコンピュータ読取可能媒体。