(57)【要約】【課題】    本発明はシリコンインゴットの切削工程において、従来品より加工熱の冷却性、抑泡性が良好であるため、切削加工効率を向上させることができる。また、切り屑の分散性も良好であるため、過酷なスライス条件下でも被加工部分の温度を低く維持できる切削液を提供する。【解決手段】    下記一般式（１）で表される３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）と水を必須成分として含有し、該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢが２０．０を超え、３０．９以内であることを特徴とするシリコンインゴットスライス用含水切削液。【化１】2013203968.tif 000008［式（１）中、Ｒは３〜８個の水酸基を有する化合物から水酸基を除いた残基、（Ａ１Ｏ）は炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を表す。ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｆは３〜８の整数である。］【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）と水を必須成分として含有し、該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢが２０．０を超え、３０．９以下であることを特徴とするシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【化１】
2013203968.tif 000006
［式（１）中、Ｒは３〜８個の水酸基を有する化合物から水酸基を除いた残基、（Ａ１Ｏ）は炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を表す。ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｆは３〜８の整数である。］
【請求項２】
該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）中の−（Ａ１Ｏ）ｍ−が下記一般式（２）で表される請求項１記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【化２】
2013203968.tif 000007
［式（２）中、Ａ２Ｏはオキシエチレン基、Ａ３Ｏはオキシプロピレン基を表す。ｎはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｋはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し０〜１０の数、ｎ／（ｎ＋ｋ）は０．２〜１．０である。エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドを併用する際のその付加形式はランダム状でもブロック状でもよい。］
【請求項３】
該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）中のｎ／（ｎ＋ｋ）が  ０．７〜１．０である請求項１または２記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【請求項４】
該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の数平均分子量が３５０〜１０，０００である請求項１〜３いずれか記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【請求項５】
該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢが、２０．０を超え、２５．５以下ある請求項１〜４いずれか記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【請求項６】
該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）が、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールおよびソルビトールからなる群より選ばれる１種以上の３〜６個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物である請求項１〜５いずれか記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【請求項７】
切削液中の該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の使用時の含有量が０．１〜４０重量％である請求項１〜６いずれか記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【請求項８】
２５℃における切削液の電気伝導度が１〜２００μＳ／ｃｍである請求項１〜７いずれか記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【請求項９】
請求項１〜８いずれか記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液と砥粒がワイヤーに固着された固定砥粒用ワイヤーソーを用いてシリコンインゴットをスライスするシリコンウエハの製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の製造方法でシリコンインゴットをスライスして製造されたシリコンウエハ。
【請求項１１】
請求項１０記載のシリコンウエハを用いて製造された電子材料。
【請求項１２】
請求項１０に記載のシリコンウエハを用いて製造された太陽電池用セル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンインゴットを切削するときに使用する含水切削液に関する。さらに詳しくは、水を多く含有しても切削中の泡立ちが低く抑えられ、さらにシリコンインゴットの切削で発生する切り屑の分散性が優れる含水切削液に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンインゴットのワイヤーによるスライス方法は、（１）遊離砥粒を切削液に分散した砥粒スラリーを用いる方法、（２）電着や樹脂による接着でワイヤーに砥粒を固着した固定砥粒ワイヤーと含水切削液を用いる方法に大別される。
近年、固定砥粒ワイヤーによるスライス方法で用いられる含水切削液は、切削時に生じる摩擦熱の冷却性を高める目的として、比熱の高い水を含有する含水切削液が開発されている（例えば特許文献１）。
【０００３】
近年、シリコンウエハの生産効率を高めることを目的とした、シリコンウエハの薄型化が進みつつある。
通常、ワイヤーの細線化やワイヤー間のピッチ幅を狭くすることでシリコンウエハの薄型化をするが、そのためにワイヤーとシリコンインゴットの接触面積が増して加工時の加工熱が増大するために、より冷却性の高い切削液の開発が望まれている。
従来の含水切削液は、含水率を上げることで切削液自身の比熱は高められるものの、切削液の泡立ちが問題となる。
特に切削液を循環して再使用するシリコンインゴットのスライス加工では、泡立ちが原因で切削加工部への切削液の浸透が妨げられて、加工熱を効率よく冷却できないという問題があった。
【０００４】
通常、ワイヤーを細線化することで、ワイヤー自体の破断強度が低下する。
ワイヤーの冷却が不十分な場合な場合は、加工熱によるワイヤーの温度上昇によって更に破断強度が低下するために、ワイヤーの切断破損が起こり易くなるという問題があった。
切削加工においては、被切削材のシリコンイゴットとワイヤーに電着されたダイヤモンドとの激しい衝突で微少なひび割れが発生し、それが切り屑に変わる。その際に切削加工部付近は、そこに存在するひび割れや切り屑同士の摩擦熱によって非常に高い温度状態となっている。
また、切削加工部で発生した切り屑の大部分は、ワイヤーの走行運動とともに、切削液に分散された状態で切削液と一緒に加工部の細い溝から排出される。
すなわち、切削加工によって発生する熱量の大半を蓄積した切り屑を、効率よく加工部分の溝から排出する目的で、切削液への切り屑の高い分散性が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−８２３３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで本発明の含水切削液は、水を多く含有しても切削中の泡立ちが低く抑えられ、さらにシリコンインゴットの切削で発生する切り屑の分散性が優れるシリコンインゴットスライス用含水切削液を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表される３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）と水を必須成分として含有し、このポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢが２０．０を超え、３０．９以下であることを特徴とするシリコンインゴットスライス用含水切削液；この含水切削液で固定砥粒方式でシリコンインゴットをスライスする製造方法；この含水切削液を用いてシリコンインゴットをスライスして製造されたシリコンウエハ；並びにこのシリコンウエハを用いて製造された電子材料である。
【０００８】
【化１】
2013203968.tif 000002
【０００９】
［式（１）中、Ｒは３〜８個の水酸基を有する化合物から水酸基を除いた残基、（Ａ１Ｏ）は炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を表す。ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｆは３〜８の整数である。］
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、シリコンインゴットの切削工程において、加工熱の冷却性が高く抑泡性に優れる。さらに切り屑の分散性も良好であるため、切削加工部から切り屑を効率よく排出できるという効果を奏する。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液は、３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）と水を必須成分として含有する。そして、そのポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢ（親水性−疎水性バランス）とアルキレンオキサイドの平均付加モル数であるｍが特定の範囲にある。
【００１２】
本発明の含水切削液の第１の必須成分である３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）は、下記一般式（１）で表される。
【００１３】
【化２】
2013203968.tif 000003
【００１４】
［式（１）中、Ｒは３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）から水酸基を除いた残基、（Ａ１Ｏ）は炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を表す。ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｆは３〜８の整数である。］
【００１５】
本発明で用いる３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）の具体例としては、グリセリン、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタンなどの３個の水酸基を有する化合物；ペンタエリスリトール、グルコース、フルクトース、ジグリセリンなどの４個の水酸基を有する化合物；キシリトール、トリグリセリンなどの５個の水酸基を有する化合物；ソルビトール、ジペンタエリスリトールなどの６個の水酸基を有する化合物；スクロースなどの８個の水酸基を有する化合物；ポリビニルアルコール、ポリグリセリンなどが挙げられる。  
【００１６】
これらの３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のうち、好ましいのは、分散性の観点から、３〜６個の水酸基を有する化合物である。さらに好ましくは、３個の水酸基を有するグリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールである。
【００１７】
本発明における３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢは通常、２０．０を超え３０．９以下である。好ましくは２０．０を超え２５．５以下である。この範囲であれば、抑泡性と分散性がともに優れて、加工熱で高い温度状態にある切り屑の排出性が高くなり、切削加工部の冷却性がより向上する。
一方、２０．０以下では、抑泡性が低下する。３０．９を超えると、分散性がが悪化する。
【００１８】
ここでの「ＨＬＢ」とは、親水性と親油性のバランスを示す指標であって、例えば「界面活性剤入門」〔２００７年三洋化成工業株式会社発行、藤本武彦著〕２１２頁に記載されている小田法による計算値として知られているものであり、グリフィン法による計算値ではない。
ＨＬＢ値は有機化合物の有機性の値と無機性の値との比率から計算することができる。
ＨＬＢ＝１０×無機性／有機性
ＨＬＢを導き出すための有機性の値及び無機性の値については前記「界面活性剤入門」２１３頁に記載の表の値を用いて算出できる。
【００１９】
Ａ１Ｏは炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を表し、具体例としては、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基などが挙げられる。
オキシエチレン基の場合はエチレンオキサイド、オキシプロピレン基の場合は１，２−プロピレンオキサイド、１，３−プロピレンオキサイド、オキシブチレン基の場合はテトラヒドロフラン、１，２−ブチレンオキサイドなどを用いることができる。
【００２０】
本発明におけるポリオキシアルキレン付加物（Ａ）は、３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）に、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、テトラヒドロフラン、１，２−ブチレンオキサイドのうちの１種を単独で付加させてもよいし、これらの２種以上を併用して付加させてもよい。
抑泡性の観点から、エチレンオキサイドを単独で使用することが好ましい。
【００２１】
本発明における３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）において、２種以上のアルキレンオキサイドを併用する際の付加形式はランダム状でもブロック状でもよく、また２種以上のアルキレンオキサイド、例えばエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドを付加する順番は問わない。  
【００２２】
ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し、２種以上のアルキレンオキサイドを併用する場合は、２種以上の平均付加モル数の合計である。
ｍは通常１〜３５０の数であり、好ましくは１〜１００である。
ｍが１未満では、分散性が悪化する。一方、ｍが３５０を超えると切削液の粘度が高すぎるため、抑泡性が低下する。
【００２３】
本発明におけるポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の式（１）中の−（Ａ１Ｏ）ｍ−は下記一般式（２）で表せるものが好ましい。
【００２４】
【化３】
2013203968.tif 000004
【００２５】
［式（２）中、Ａ２Ｏはオキシエチレン基、Ａ３Ｏはオキシプロピレン基を表す。ｎはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｋはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し０〜１０の数、ｎ／（ｎ＋ｋ）は０．２〜１．０である。エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドを併用する際の付加形式はランダム状でもブロック状でもよい。］
【００２６】
ｎはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し、１〜３５０の数であり、水への溶解性および抑泡性の観点から、好ましくは１〜２０、さらに好ましくは１〜１５である。
【００２７】
ｋはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し、０〜１０の数であり、抑泡性の観点から、好ましくは０〜５である。
【００２８】
ｎ／（ｎ＋ｋ）は０．２〜１．０である。分散性の観点から、好ましくは、０．７〜１．０である。なお、ｎ＋ｋ＝ｍである。
【００２９】
本発明における３〜８個水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドを併用する際の付加状態はランダム状でもブロック状でもよく、３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）に付加する順番は問わない。
【００３０】
本発明における３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の具体例としては、グリセリン、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタンなどの３個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物；
ペンタエリスリトール、グルコース、フルクトース、ジグリセリンなどの４個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物；
キシリトール、トリグリセリンなどの５個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物；
ソルビトール、ジペンタエリスリトールなどの６個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物；
スクロースなどの８個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物；
ポリビニルアルコール、ポリグリセリンなどのポリオキシアルキレン付加物が挙げられる。  
【００３１】
本発明における３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）は、分散性の観点から、３〜６個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物が好ましい。
さらに好ましくは、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールおよびソルビトールのポリオキシアルキレン付加物である。
【００３２】
本発明のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の具体例としては、グリセリンのエチレンオキサイド（以下、ＥＯと略称することがある。）２９．７モル付加物、グリセリンのＥＯ１１．４モル付加物、グリセリンのＥＯ６．３モルと１，２−プロピレンオキサイド（以下、ＰＯと略称することがある。）４．８モルのランダム付加物などのグリセリンのＥＯ−ＰＯランダム付加物；
トリメチロールプロパンのＥＯ５．０モル付加物；
ペンタエリスリトールのＥＯ５．０モルとＰＯ１．９モルのランダム付加物などのペンタエリスリトールのＥＯ−ＰＯランダム付加物；
ソルビトールのＥＯ７．１モルとＰＯ３．０モルのランダム付加物などのソルビトールのＥＯ−ＰＯランダム付加物などが挙げられる。
これらのうち好ましいのは、抑泡性と分散性の観点から、グリセリンのＥＯ付加物とグリセリンのＥＯ−ＰＯランダム付加物である。
【００３３】
本発明におけるポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の数平均分子量は、抑泡性とポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の生産性の観点から、好ましくは３５０〜１０，０００、さらに好ましくは３５０〜６，０００である。
なお、数平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）による分子量である。                                                            
【００３４】
本発明におけるポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の含有量は、使用時の切削液に対して０．１〜４０重量％である。好ましくは、０．４〜３０重量％であり、さらに好ましくは、０．４〜２５重量％である。
【００３５】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液に使用する水は、純水、イオン交換水、水道水、市水、工業用水等のいずれを用いてもよい。
【００３６】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液の２５℃における電気伝導度は、１〜２００μＳ／ｃｍであることが好ましい。
切削液の２５℃における電気伝導度がこの範囲であると、切り屑の凝集が抑制できるので、さらに分散性を向上できる。
【００３７】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液は、ワイヤーによりシリコンインゴットをスライス加工する際、好適に使用できる。
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液を用いてシリコンインゴットをスライスする方法として、遊離砥粒を切削液に分散した砥粒スラリーを用いる方法、砥粒がワイヤーに固着された固定砥粒ワイヤーソーを用いる方法がある。本発明の含水切削液はいずれにも適用できるが、特に、固定砥粒ワイヤーソーを用いるシリコンインゴットのスライス方法に適している。
【００３８】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液は、ワイヤーによりシリコンインゴットをスライスしてシリコンウエハを製造する際、好適に使用できる。
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液を用いてシリコンインゴットをスライスしてシリコンウエハを製造する方法として、遊離砥粒を切削液に分散した砥粒スラリーを用いる方法、または砥粒がワイヤーに固着された固定砥粒ワイヤーソーを用いる方法がある。本発明の含水切削液はいずれにも適用できるが、特に、固定砥粒ワイヤーソーを用いて、シリコンインゴットをスライスするシリコンウエハの製造方法に適している。
【００３９】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液とワイヤーを用いて、シリコンインゴットをスライスすることにより、シリコンウエハを製造することができる。上記の製造方法でスライスされたシリコンウエハは、太陽電池用シリコンウエハや半導体デバイス用シリコンウエハなどに使用できる。
【００４０】
上記のシリコンウエハは、太陽電池用セル、メモリー素子、発振素子、増幅素子、トランジスタ、ダイオードなどの電子材料に使用する事ができる。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例及び比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、％は重量％、部は重量部を示す。
【００４２】
製造例１  ＜グリセリンのEO付加物（Ａ−１）の製造＞
ステンレス製加圧反応装置にグリセリン３２．８部と水酸化ナトリウム０．０５部を仕込み、窒素置換後に、１２０〜１４０℃でエチレンオキサイド４６７部を約４時間で圧入した。
同温度でさらに１０時間反応させて、本発明のグリセリンのEO付加物（Ａ−１）（ｆ＝３；ｍ＝９．９；ｎ＝９．９；ｋ＝０；ｎ／（ｎ＋ｋ）＝１．００；数平均分子量１，４００；ＨＬＢ＝２０．４）を得た。なお、数平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）による分子量である。
【００４３】
製造例２  ＜グリセリンのEO付加物（Ａ−２）の製造＞
製造例１において、グリセリンを７６．６部、エチレンオキサイドを４２３部とした以外は、製造例１と同様な操作を行い、本発明のグリセリンのEO付加物（Ａ−２）（ｆ＝３；ｍ＝３．８；ｎ＝３．８；ｋ＝０；ｎ／（ｎ＋ｋ）＝１．００；数平均分子量６００；ＨＬＢ＝２１．９）を得た。
【００４４】
製造例３  ＜グリセリンのEO−POランダム付加物（Ａ−３）の製造＞
ステンレス製加圧反応装置にグリセリン１１７．９部と、水酸化ナトリウム０．０５部を仕込み、窒素置換後に、１２０〜１４０℃でエチレンオキサイド２７１とプロピレンオキサイド１１２部の混合液を約４時間で圧入した。同温度でさらに１０時間反応させて、本発明のグリセリンのEO−POランダム付加物（Ａ−３）（ｆ＝３；ｍ＝２．１；ｎ＝１．６；ｋ＝０．５；ｎ／（ｎ＋ｋ）＝０．７６；数平均分子量３９０；ＨＬＢ＝２０．５）を得た。
【００４５】
実施例１〜４および比較例１と２
表１記載の配合比（重量部）で各成分を配合し、実施例１〜４および比較例１と２の切削液を調製して、分散性と抑泡性の性能評価を行った。
【００４６】
【表１】
2013203968.tif 000005
【００４７】
なお、表１中の「ＰＥＧ−１０００（Ａ’−１）」は三洋化成工業（株）製のＰＥＧ−１０００（数平均分子量が１，０００のポリオキシエチレングリコール）を用いた。
【００４８】
実施例１〜４および比較例１と２の切削液の２５℃における電気伝導度を測定した。また、分散性と抑泡性を、下記の方法で評価した。
【００４９】
＜電気伝導度の測定＞
切削液の２５℃における電気伝導度は、電気伝導率計を用いて測定した。その結果を表１に示す。
【００５０】
＜分散性の評価＞
分散性の評価は以下に示す方法で行った。
（１）切削液９４ｇにシリコンインゴットの切り屑を想定したケイ素粉末（高純度化学研究所社製；粒子径１μｍ以下）６ｇを配合し、ディスパーサーを用いて３０００回転／分で１分間分散してケイ素粉末を含む切削液を得た。
（２）このケイ素粉を含む切削液を、内径７ｍｍの透明のプラスチック製容器に、容器の底部から液面までの距離が２０ｍｍになるように量り入れた。
（３）この切削液が入ったプラスチック製容器を微量小型遠心機（BECKMAN社製；MICROFUGE１１）にセットして、８０００回転／分で１分間、３０００Gの遠心力を加え続けた後にその上澄み液の分離状態を目視にて観察した。
【００５１】
分散性の評価は以下の判断基準に従って行った。
○：ケイ素粉が完全に沈降せず、上澄み液が懸濁している。
×：ケイ素粉末が完全に沈降しており、上澄み液が透明である。
【００５２】
＜抑泡性の評価＞
抑泡性の評価は以下に示す方法で行った。
（１）内径３ｃｍの１００ｍＬの共栓付きメスシリンダーに、切削液を４０ｍＬ入れ、メスシリンダーの底部から液面までの距離（液面高さ）を記録した。
（２）切削液が入ったメスシリンダーを、１０秒間で４０回振とうした。
（３）振とう直後に、メスシリンダーの底部から最も高い気泡面までの距離（気泡面高さ）を測定して、気泡面高さと液面高さの差を記録した。
【００５３】
抑泡性の評価は以下の判断基準に従って行った。
○：２０ｍｍ未満
×：２０ｍｍ以上
【００５４】
表１の結果から明らかなように、実施例１〜４の本発明の切削液はいずれも、分散性、抑泡性ともに優れている。
一方、２個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物を用いた比較例１は、抑泡性が不十分である。
ＨＬＢが６０のグリセリン用いた比較例２は、分散性が劣る。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液は、加工熱の冷却性が優れ、抑泡性が良好で、かつシリコンを切削加工した際に発生する切り屑の分散性が優れるため、シリコンインゴットをスライスするときに使用する切削液して有用である。
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液を用いてシリコンインゴットを切削加工して製造されたシリコンウエハは、例えば太陽電池用セル、メモリー素子、発振素子、増幅素子、トランジスタ、ダイオード、ＬＳＩの電子材料として利用でき、これらの電子材料は、太陽光発電装置、パソコン、携帯電話、ディスプレー、オーディオ等に使用することができる。
また、本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液は、加工熱の冷却性および分散性に優れるので、シリコンインゴッド以外に、水晶、炭化ケイ素、サファイヤ等の硬質な材料を切削するときに使用する切削液としても有用である。