(57)【要約】【課題】撮像装置の小型化に起因して生じやすくなる画像信号の劣化を抑制する。【解決手段】撮像装置は、マトリクス状に配置された複数の画素部を含む有効領域と、有効領域の周囲の少なくとも一部に配置された第１オプティカルブラック領域と、第１オプティカルブラック領域の周囲の少なくとも一部に配置された第２オプティカルブラック領域と、上記領域で生成された信号電荷を列ごとに転送する垂直転送部と、上記領域で生成された信号電荷を行ごとに転送する水平転送部と、垂直転送部から転送された信号電荷を水平転送部へと転送する最終段垂直転送部と、有効領域及び第１オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、最終段垂直転送部に一定値以上蓄積された信号電荷を破棄する第１ドレイン部と、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、最終段垂直転送部に蓄積された信号電荷を破棄する第２ドレイン部と、を備える。【選択図】図１
2013162336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置され、入射光を信号電荷に変換する光電変換部を有する複数の画素部を含む有効領域と、
前記有効領域の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部を有する第１オプティカルブラック領域と、
前記第１オプティカルブラック領域の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部を有する第２オプティカルブラック領域と、
前記有効領域、及び前記第１、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を列ごとに転送する垂直転送部と、
前記有効領域、及び前記第１、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を行ごとに転送する水平転送部と、
前記垂直転送部から転送された前記信号電荷を前記水平転送部へと転送する最終段垂直転送部と、
前記有効領域及び前記第１オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、前記最終段垂直転送部に一定値以上蓄積された信号電荷を破棄する第１ドレイン部と、
前記第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、前記最終段垂直転送部に蓄積された信号電荷を破棄する第２ドレイン部と、
を備える撮像装置。
【請求項２】
前記第１ドレイン部は、
前記信号電荷を破棄するための第１ドレイン電極と、
前記最終段垂直転送部と前記第１ドレイン電極との間に設けられ、前記最終段垂直転送部に前記一定値の前記信号電荷を蓄積するための第１ポテンシャル障壁と、を有し、
前記第２ドレイン部は、
前記信号電荷を破棄するための第２ドレイン電極と、
前記最終段垂直転送部と前記第２ドレイン電極との間に設けられ、前記第１ポテンシャル障壁よりポテンシャルが低い第２ポテンシャル障壁と、を有する
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第２ポテンシャル障壁は、前記第１ポテンシャル障壁と同じ高さのポテンシャル障壁の少なくとも一部を除去することで形成されたものである請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第２ポテンシャル障壁は、前記第１ポテンシャル障壁と同じ高さのポテンシャル障壁の少なくとも一部に不純物を注入することで形成されたものである請求項２に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記最終段垂直転送部と前記水平転送部との間に設けられた垂直転送ゲートと、
パルス信号に従い、前記有効領域及び第１オプティカルブラック領域から転送された信号電荷を前記最終段垂直転送部から前記水平転送部に転送するように前記最終段垂直転送部及び前記垂直転送ゲートに電圧をそれぞれ印加する第１電荷蓄積制御電極と、
前記第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を前記最終段垂直転送部から前記第２ドレイン部に破棄するように前記最終段垂直転送部及び前記垂直転送ゲートに一定電圧をそれぞれ印加する第２電荷蓄積制御電極と、
を有する請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第２電荷蓄積制御電極は、前記垂直転送ゲートのポテンシャルが前記第２ポテンシャル障壁のポテンシャルより高くなるように前記最終段垂直転送部及び前記垂直転送ゲートに前記一定電圧をそれぞれ印加する請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
撮像装置と、
前記撮像装置の光電変換部に入射光を導く光学レンズと、
前記撮像装置を駆動するための駆動信号を生成する駆動回路と、
前記撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路と、を備え、
前記撮像装置は、
マトリクス状に配置され、入射光を信号電荷に変換する光電変換部を有する複数の画素部を含む有効領域と、
前記有効領域の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部を有する第１オプティカルブラック領域と、
前記第１オプティカルブラック領域の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部を有する第２オプティカルブラック領域と、
前記有効領域、及び前記第１、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を列ごとに転送する垂直転送部と、
前記有効領域、及び前記第１、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を行ごとに転送する水平転送部と、
前記垂直転送部から転送された前記信号電荷を前記水平転送部へと転送する最終段垂直転送部と、
前記有効領域及び前記第１オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、前記最終段垂直転送部に一定値以上蓄積された信号電荷を破棄する第１ドレイン部と、
前記第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、前記最終段垂直転送部に蓄積された信号電荷を破棄する第２ドレイン部と、
を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、撮像装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ビデオカメラやスチルカメラなどにおける撮像装置としてＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサやＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサが知られている。一般的な撮像装置は、複数の画素部が配列される画素領域において、複数のフォトダイオードを有している。フォトダイオードは、画素ごとに設けられる光電変換部である。撮像装置は、入射光をフォトダイオードで光電変換し、１画素分の信号電荷を得る。撮像装置は、各フォトダイオードで得られた信号電荷に対し増幅等の信号処理を施し、１つの画像信号を得る。
【０００３】
フォトダイオードに強い光が入射した場合など、フォトダイオードで大きな信号電荷が生成されると、その余剰電荷が隣接する画素に漏れ込む恐れがある。そこで、従来の撮像装置では、オーバーフロードレイン領域を設け、余剰電荷をオーバーフロードレイン領域に流すことで隣接する画素に余剰電荷が漏れ込みにくくしている（例えば特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３１５４２０４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
撮像装置は、画素領域において、入射光を光電変換するフォトダイオードが配置された有効領域と、有効領域で生成された信号電荷を補正するための暗電流を生成するフォトダイオードが配置されたオプティカルブラック領域とを有する。オプティカルブラック領域は、入射光を遮るために遮光膜で覆われている。
【０００６】
オプティカルブラック領域は、遮光膜で遮光されているが、周辺から入射光が漏れ入る場合がある。近年、撮像装置の小型化が進んでいる。撮像装置が小型化することで、撮像装置の各構成要素間の距離が短くなっている。特に、オプティカルブラック領域と、オプティカルブラック領域に隣接して形成される配線との距離が短くなる。これにより、オプティカルブラック領域の遮光膜と配線との隙間から光が漏れ込み、オプティカルブラック領域に配置されたフォトダイオードや垂直転送部に入射してしまう。ここで、垂直転送部とは、画素領域に設けられ、各画素のフォトダイオードで得られた信号電荷を垂直方向に転送する構成である。
【０００７】
オプティカルブラック領域に配置されたフォトダイオードや垂直転送部に光が入射されると、その光が入射した部分において、入射光による信号電荷が生成されてしまう。このようにフォトダイオードや垂直転送部で生成された信号電荷は、半導体基板内を拡散等によって移動し、オプティカルブラック領域が生成する暗電流に混入することがある。オプティカルブラック領域で生成された暗電流に信号電荷が混じると、有効領域で生成された信号電荷を正しく補正できなくなり、撮像装置が生成する画像信号が劣化してしまう。
【０００８】
本開示は、上述の点を鑑みてなされたものであり、撮像装置の小型化に起因して生じやすくなる画像信号の劣化を抑制できる撮像装置、及び電子機器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示に係る撮像装置は、マトリクス状に配置され、入射光を信号電荷に変換する光電変換部を有する複数の画素部を含む有効領域と、前記有効領域の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部を有する第１オプティカルブラック領域と、前記第１オプティカルブラック領域の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部を有する第２オプティカルブラック領域と、前記有効領域、及び前記第１、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を列ごとに転送する垂直転送部と、前記有効領域、及び前記第１、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を行ごとに転送する水平転送部と、前記垂直転送部から転送された前記信号電荷を前記水平転送部へと転送する最終段垂直転送部と、前記有効領域及び前記第１オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、前記最終段垂直転送部に一定値以上蓄積された信号電荷を破棄する第１ドレイン部と、前記第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、前記最終段垂直転送部に蓄積された信号電荷を破棄する第２ドレイン部と、を備える。
【００１０】
本開示に係る電子機器は、撮像装置と、前記撮像装置の光電変換部に入射光を導く光学レンズと、前記撮像装置を駆動するための駆動信号を生成する駆動回路と、前記撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路と、を備え、前記撮像装置は、マトリクス状に配置され、入射光を信号電荷に変換する光電変換部を有する複数の画素部を含む有効領域と、前記有効領域の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部を有する第１オプティカルブラック領域と、前記第１オプティカルブラック領域の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部を有する第２オプティカルブラック領域と、前記有効領域、及び前記第１、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を列ごとに転送する垂直転送部と、前記有効領域、及び前記第１、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を行ごとに転送する水平転送部と、前記垂直転送部から転送された前記信号電荷を前記水平転送部へと転送する最終段垂直転送部と、前記有効領域及び前記第１オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、前記最終段垂直転送部に一定値以上蓄積された信号電荷を破棄する第１ドレイン部と、前記第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、前記最終段垂直転送部に蓄積された信号電荷を破棄する第２ドレイン部と、を備える。
【発明の効果】
【００１１】
本開示によれば、撮像装置の小型化に起因して生じやすくなる画像信号の劣化を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る撮像装置を示す図。
【図２】第１実施形態に係るセンサ部を示す図。
【図３】第１実施形態に係るオプティカルブラック領域を示す図。
【図４】第１実施形態に係る最終段垂直転送部及び水平転送部を示す図。
【図５】第１実施形態に係る信号電荷を破棄する方法を説明するための図。
【図６】第１実施形態に係る第２ドレイン部を示す図。
【図７】第１実施形態に係る第２ドレイン部の別の例を示す図。
【図８】第２実施形態に係る最終段垂直転送部及び水平転送部を示す図。
【図９】第２実施形態に係る最終段垂直転送部及び水平転送部を示す断面図。
【図１０】第２実施形態に係る最終段垂直転送部及び水平転送部を示す断面図。
【図１１】第２実施形態に係る最終段垂直転送部及び水平転送部を示す断面図。
【図１２】第３実施形態に係る電子機器を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る撮像装置１を示す図である。撮像装置１は、画像信号を生成するセンサ部１０と、センサ部１０が生成する画像信号に対して信号処理を施す信号処理部２０とを備える。
【００１４】
センサ部１０は、画素部１１０と、画素部１１０から信号電荷を読み出し垂直転送する垂直転送部１２０と、垂直転送部から受け取った信号電荷を水平転送する水平転送部１３０と、信号電荷を増幅して画像信号を生成し信号処理部２０に出力する出力アンプ１４０と、備える。
【００１５】
信号処理部２０は、センサ部１０が出力する画素信号に対して、Ａ／Ｄ変換や暗電流を用いた補正等の種々の信号処理を施し、画像信号を生成する。
【００１６】
画素部１１０は、マトリクス状に複数配置されている。複数の画素部１１０は、図示を省略するが、それぞれ光電変換部としての光電変換素子（例えばフォトダイオード）を有する。光電変換素子は、光が入射されると、光電変換し信号電荷を生成する。
【００１７】
垂直転送部１２０は、列ごとに画素部１１０が生成した信号電荷を読み出し、水平転送部１３０へと転送する。水平転送部１３０は、垂直転送部１２０から受け取った信号電荷を出力アンプ１４０に転送する。出力アンプ１４０は、水平転送部１３０から受け取った信号電荷を増幅し、画素信号を生成する。出力アンプ１４０は、画素信号を信号処理部２０へ渡す。
【００１８】
図２を用いてセンサ部１０の詳細について説明する。なお、図２では、図を簡略化するために複数の画素部１１０及び垂直転送部１２０を省略している。
【００１９】
図２に示すように、センサ部１０は、有効領域１１１と、第１オプティカルブラック領域１１２と、第２オプティカルブラック領域１１３とを有する。有効領域１１１は、複数の画素部１１０のうち、遮光されておらず入射光を信号電荷に光電変換する画素部１１０が配置される領域である。以下、センサ部１０が有する複数の画素部１１０のうち、有効領域１１１に配置された画素部１１０を有効画素部と称する。
【００２０】
第１オプティカルブラック領域１１２は、有効領域１１１の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部１１０を有する。以下、センサ部１０が有する複数の画素部１１０のうち、第１オプティカルブラック領域１１２に配置された画素部１１０を第１オプティカルブラック画素部と称する。
【００２１】
第２オプティカルブラック領域１１３は、第１オプティカルブラック領域１１２の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部１１０を有する。以下、センサ部１０が有する複数の画素部１１０のうち、第２オプティカルブラック領域１１３に配置された画素部１１０を第２オプティカルブラック画素部と称する。
【００２２】
なお、以下の説明では、第１オプティカルブラック領域１１２及び第２オプティカルブラック領域１１３を合わせてオプティカルブラック領域と称する。
【００２３】
第２オプティカルブラック領域１１３の周囲には、垂直転送部１２０を制御するための配線１２１が複数配置されている。複数の配線１２１には、位相の異なる制御クロックが入力される。図２には図示していないが、垂直転送部１２０は、制御クロックに従い、有効領域１１１及びオプティカルブラック領域で複数の画素部１１０により生成された信号電荷を列ごとに転送する。
【００２４】
センサ部１０は、垂直転送部１２０から転送された信号電荷を水平転送部１３０へと転送する最終段垂直転送部１２２を有する。最終段垂直転送部１２２は、垂直転送部１２０から転送された信号電荷を水平転送部１３０へと転送する。水平転送部１３０は、有効領域１１１及びオプティカルブラック領域で複数の画素部１１０により生成された信号電荷を行ごとに転送する。
【００２５】
センサ部１０は、複数の画素部１１０から転送された信号電荷の少なくとも一部を破棄するドレイン部１２３を有する。ドレイン部１２３の詳細については後述する。
【００２６】
次に、図３を用いてオプティカルブラック領域の詳細について説明する。図３は、図２のＡ−Ａ’における断面図である。
図３に示すように、オプティカルブラック（ＯＢ）領域は、遮光膜１１４で覆われている。このため、オプティカルブラック領域には入射光が入射されない。
【００２７】
オプティカルブラック領域は、第１オプティカルブラック領域１１２と第２オプティカルブラック領域１１３とに分割される。
【００２８】
第１オプティカルブラック領域１１２には、第１オプティカルブラック画素部１１２ａが配置される。第１オプティカルブラック画素部１１２ａは、複数の画素部１１０の一部である。
【００２９】
第１オプティカルブラック画素部１１２ａに隣接して垂直転送部１２０が形成される。垂直転送部１２０は、第１オプティカルブラック領域１１２で生成された暗電流を読み出し、垂直転送する。
【００３０】
第２オプティカルブラック領域１１３には、第２オプティカルブラック画素部１１３ａが配置される。第２オプティカルブラック画素部１１３ａは、複数の画素部１１０の一部である。
【００３１】
第２オプティカルブラック画素部１１３ａに隣接して垂直転送部１２０が形成される。垂直転送部１２０は、第２オプティカルブラック領域１１３で生成された暗電流を読み出し、垂直転送する。
【００３２】
第１、第２オプティカルブラック領域１１２、１１３は遮光膜１１４により遮光されているため、入射光による信号電荷は生成されないが、電流が生成される。この電流は暗電流と呼ばれる。
【００３３】
暗電流は、第１、第２オプティカルブラック領域１１２、１１３だけでなく、光が入射する有効領域１１１でも生成される。有効領域１１１で生成される暗電流は、有効画素部が生成する信号電荷の雑音成分となる。有効画素部が生成する信号電荷に暗電流が含まれたままだと、撮像装置１が生成する画像信号が劣化してしまう。
【００３４】
そこで、撮像装置１では、複数の画素部１１０の一部を遮光膜１１４で覆い、暗電流を生成するようにする。本実施形態では、第１オプティカルブラック領域１１２が生成する暗電流がこれに該当する。撮像装置１は、有効画素部が生成した信号電荷から、第１オプティカルブラック領域１１２が生成した暗電流を差し引くことで、暗電流が含まれない信号電荷を得ることができる。このように、第１オプティカルブラック領域１１２が生成した暗電流を用いて、有効画素部が生成した信号電荷を補正することを暗電流補正と称する。本実施形態では、撮像装置１は、信号処理部２０（図１参照。）で暗電流補正を行う。
【００３５】
遮光されている画素部１１０には、第１オプティカルブラック画素部１１２ａ以外に第２オプティカルブラック画素部１１３ａもあるが、本実施形態では、第１オプティカルブラック画素部１１２ａが生成する暗電流を用いて暗電流補正を行う。第２オプティカルブラック画素部１１３ａは、暗電流補正に用いない、いわゆる不問領域に形成された画素部１１０である。
【００３６】
配線１２１と遮光膜１１４との間には間隙が存在している。配線１２１とオプティカルブラック領域との距離が十分に離れている場合、配線１２１と遮光膜１１４との間の間隙から、オプティカルブラック領域に、光は漏れ込まない。従って、配線１２１とオプティカルブラック領域との距離が十分に離れている場合、配線１２１と遮光膜１１４との間の間隙は、撮像装置１が生成する画像信号に影響を与えにくい。
【００３７】
しかしながら近年、撮像装置１の小型化が進み、配線１２１と遮光膜１１４との距離が短くなってきている。配線１２１と遮光膜１１４との距離が短くなると、遮光膜１１４により覆われるオプティカルブラック領域と配線１２１との距離も短くなる。この場合、図３に示すように、配線１２１と遮光膜１１４との間の間隙から入射した光が第２オプティカルブラック領域１１３に到達してしまう。
【００３８】
第２オプティカルブラック領域１１３に入射光が到達すると、第２オプティカルブラック領域１１３で信号電荷が生成され、生成された信号電荷は、垂直転送部１２０を介して水平転送部１３０へと転送される。
【００３９】
配線１２１と遮光膜１１４との間の隙間から強い光がオプティカルブラック領域に入射すると、漏れ込んだ光により生成された信号電荷が暗電流に混ざり、ドレイン部１２３で破棄しきれなかった上記信号電荷が検出され、正確に暗電流が検出できない場合がある。正確に暗電流が検出できないと、信号処理部２０での暗電流補正が正しく行えず、撮像装置１が生成する画像信号が劣化してしまう可能性がある。
【００４０】
そこで、本実施形態に係る撮像装置１では、有効領域１１１及び第１オプティカルブラック領域１１２が生成した信号電荷又は暗電流の余剰電荷を破棄する第１ドレイン部１２３ａとは別に、第２オプティカルブラック領域１１３が生成した信号電荷又は暗電流を破棄する第２ドレイン部１２３ｂを備える。そして、オプティカルブラック領域への光の漏れ込みによって生じた信号電荷又は暗電流を、各ドレイン部にて吐き捨てる。これにより、撮像装置１が生成する画像信号について、撮像装置１の小型化に起因して生じやすくなる、光の漏れ込みによる画像信号の劣化を抑制することができる。以下、説明を簡略化するために、信号電荷及び暗電流をまとめて単に信号電荷と称する。
【００４１】
図４を用いて詳細を説明する。図４は、図２の領域Ｂを拡大した図面である。本実施形態に係るドレイン部１２３は、第１ドレイン部１２３ａと第２ドレイン部１２３ｂとを有する。
【００４２】
最終段垂直転送部１２２は、垂直転送部１２０から転送された信号電荷を水平転送部１３０へと転送する。従って、図４に示すように、最終段垂直転送部１２２は画素部１１０には隣接しておらず、ポテンシャル障壁１２４や第１、第２ドレイン部１２３ａ、１２３ｂによって列ごとに区切られている。
【００４３】
最終段垂直転送部１２２は、画素部１１０から転送された信号電荷を蓄積する。このとき、第１オプティカルブラック領域１１２で生成された信号電荷は、一定値Ｑ１より少ない信号電荷が最終段垂直転送部１２２に蓄積されるとともに、一定値Ｑ１以上の信号電荷（余剰電荷）が第１ドレイン部１２３ａに破棄される。破棄されず最終段垂直転送部１２２に蓄積されている信号電荷は、最終段垂直転送部１２２から水平転送部１３０へと転送される。水平転送部１３０に転送された信号電荷は、行ごとに水平転送される。
【００４４】
図４に示すように、第１ドレイン部１２３ａは、第１ポテンシャル障壁１２４ａ及び第１ドレイン電極１２５ａを有する。第１ドレイン電極１２５ａは、周囲を第１ポテンシャル障壁１２４ａに囲まれている。第１ドレイン部１２３ａは、有効領域１１１及び第１オプティカルブラック領域１１２で生成された信号電荷であって、最終段垂直転送部１２２に一定値Ｑ１以上蓄積された信号電荷を第１ドレイン電極１２５ａに破棄する。一定値Ｑ１は、最終段垂直転送部１２２及び第１ドレイン電極１２５ａの間に設けられた電荷転送経路上に形成された第１ポテンシャル障壁１２４ａの高さによって決定される値である。このように、第１ポテンシャル障壁１２４ａは、最終段垂直転送部１２２と第１ドレイン電極１２５ａとの間に設けられ、最終段垂直転送部１２２に一定値の信号電荷を蓄積するためのポテンシャル障壁である。
【００４５】
第２オプティカルブラック領域１１３で生成された信号電荷は、第２ドレイン部１２３ｂに破棄される。
【００４６】
図４に示すように、第２ドレイン部１２３ｂは、第２ポテンシャル障壁１２４ｂ及び第２ドレイン電極１２５ｂを有する。第２ドレイン電極１２５ｂは、周囲を第２ポテンシャル障壁１２４ｂに囲まれている。第２ドレイン部１２３ｂは、第２オプティカルブラック領域１１３で生成された信号電荷であって、最終段垂直転送部１２２に蓄積された信号電荷全てを破棄する。従って、第２オプティカルブラック領域１１３で生成され最終段垂直転送部１２２に転送された信号電荷は、水平転送部１３０には転送されない。
【００４７】
図５を用いて、第１、第２ドレイン部１２３ａ，１２３ｂが信号電荷を破棄する方法について説明する。図５（ａ）は、図４のＣ−Ｃ’の拡大断面図、すなわち第１ドレイン部１２３ａの一部を拡大した断面図である。図５（ｂ）は、図４のＤ−Ｄ’の拡大断面図、すなわち第２ドレイン部１２３ｂの一部を拡大した断面図である。
【００４８】
図５（ａ）に示すように、第１ポテンシャル障壁１２４ａは、最終段垂直転送部１２２及び第１ドレイン電極１２５ａの間に設けられる。第１ポテンシャル障壁１２４ａの高さは、最終段垂直転送部１２２及び第１ドレイン電極１２５ａより高くなっている。
【００４９】
第１オプティカルブラック領域１１２で生成された信号電荷Ｑは、垂直転送部１２０を介して最終段垂直転送部１２２に蓄積される。第１ポテンシャル障壁１２４ａの高さを超える信号電荷Ｑが最終段垂直転送部１２２に蓄積されると、高さを超えた分の信号電荷Ｑが第１ポテンシャル障壁１２４ａを越えて第１ドレイン電極１２５ａへと破棄される。なお、有効領域で生成される信号電荷Ｑも同様に最終段垂直転送部１２２に蓄積され、第１ポテンシャル障壁１２４ａを超える信号電荷Ｑが第１ドレイン電極１２５ａへと破棄される。
【００５０】
第２オプティカルブラック領域１１３で生成された信号電荷Ｑは、垂直転送部１２０を介して最終段垂直転送部１２２に蓄積される。図５（ｂ）に示す第２ポテンシャル障壁１２４ｂは、最終段垂直転送部１２２及び第２ドレイン電極１２５ｂの間に設けられた電荷転送経路上に形成されたものである。すなわち、第２ポテンシャル障壁１２４ｂは、最終段垂直転送部１２２と第２ドレイン電極１２５ｂとの間に設けられ、第１ポテンシャル障壁１２４ａよりポテンシャルが低いポテンシャル障壁である。図５（ｂ）では、第２ポテンシャル障壁１２４ｂの高さは最終段垂直転送部１２２と同じ高さになっている。
【００５１】
従って、最終段垂直転送部１２２に蓄積された信号電荷Ｑは、全て第２ドレイン電極１２５ｂへと破棄される。このように、第２ポテンシャル障壁１２４ｂの高さを、第１ポテンシャル障壁１２４ａより低くすることで、第２オプティカルブラック領域１１３で生成された信号電荷Ｑが最終段垂直転送部１２２から水平転送部１３０へと転送されることなく第２ドレイン電極１２５ｂに破棄することができる。
【００５２】
次に、図６及び図７を用いて第２ポテンシャル障壁１２４ｂの形成方法について説明する。図６，図７は、第２ポテンシャル障壁１２４ｂの一例を示す図である。
【００５３】
図６に示す第２ポテンシャル障壁１２４ｂは、図６の点線で示す部分を切り欠いた形状をしている。つまり、図６に示す第２ポテンシャル障壁１２４ｂは、点線で示す部分のポテンシャルの高さが最終段垂直転送部１２２と等しく、それ以外の部分のポテンシャルの高さが第１ポテンシャル障壁１２４ａと等しい構成となっている。
【００５４】
図６のように、第１ポテンシャル障壁１２４ａと同じ高さのポテンシャル障壁の少なくとも一部を除去することで、第１ポテンシャル障壁１２４ａより低い高さを有する第２ポテンシャル障壁１２４ｂを形成することができる。すなわち、図６に示す例の場合、第２ドレイン部１２３ｂが有する第２ポテンシャル障壁１２４ｂは、第１ポテンシャル障壁１２４ａと同じ高さのポテンシャル障壁の少なくとも一部を除去することで形成されたものである。
【００５５】
図７に示す第２ポテンシャル障壁１２４ｂは、第１ポテンシャル障壁１２４ａと同じ高さを有するポテンシャル障壁の少なくとも一部の領域（以下、不純物領域１２６ｂと称する）に不純物を注入することで、不純物領域１２６ｂのポテンシャルを第１ポテンシャル障壁１２４ａより低くしている。すなわち、図７に示す例の場合、第２ドレイン部１２３ｂが有する第２ポテンシャル障壁１２４ｂは、第１ポテンシャル障壁１２４ａと同じ高さのポテンシャル障壁の少なくとも一部に不純物を注入することで形成されたものである。
【００５６】
このように、ポテンシャル障壁の少なくとも一部を切り欠く方法以外にも、例えば不純物を注入することで、最終段垂直転送部１２２と第２ドレイン電極１２５ｂとの間の第２ポテンシャル障壁１２４ｂの高さを、第１ポテンシャル障壁１２４ａより低く、例えば最終段垂直転送部１２２と同じ高さとすることができる。
【００５７】
以上のように、本実施形態に係る撮像装置１では、複数の画素部１１０の最外周の少なくとも一部に配置される第２オプティカルブラック領域１１３で生成される信号電荷Ｑを第２ドレイン部１２３ｂに破棄するようにしている。これにより、例えば配線１２１と遮光膜１１４との間の隙間からオプティカルブラック領域への光の漏れ込みにより生じる信号電荷を破棄することができ、撮像装置１は正確な暗電流を検出できるようになる。正確な暗電流を用いて暗電流補正を行うことで、撮像装置１は画像信号の劣化を抑制することができるようになる。
【００５８】
（第２実施形態）
続いて、図８を用いて、第２実施形態に係る撮像装置を説明する。本実施形態に係る撮像装置は、第１ドレイン部が有効領域及び第１オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、最終段垂直転送部に一定値以上蓄積された信号電荷を破棄する点、及び第２ドレイン部が第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、最終段垂直転送部に蓄積された信号電荷を破棄する点は、撮像装置１と同じであるが、第２ドレイン部が信号電荷を破棄する構成及び方法が異なる。以下、撮像装置１と同じ構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【００５９】
図８は、撮像装置の最終段垂直転送部１２２及び水平転送部１３０の一部を拡大した図である。図８は、撮像装置において図２の領域Ｂに相当する部分を拡大した図である。
【００６０】
図８に示すように、最終段垂直転送部１２２は、ポテンシャル障壁１２４や第１，第２ドレイン部１２３ａ、２２３ｂによって列ごとに区切られている。本実施形態に係る撮像装置は、水平転送部１３０との間に垂直転送ゲート２２２を有している。本実施形態に係る第２ドレイン部２２３ｂは、第２ドレイン電極１２５ｂ及び第２ポテンシャル障壁２２４ｂを有する。本実施形態に係る第２ポテンシャル障壁２２４ｂは、第１ポテンシャル障壁１２４ａと同様の構成をしており、一定の高さを有している。
【００６１】
撮像装置は、第１〜第４制御線２２７〜２３０を有する。第１制御線２２７は、入力される第１制御信号に従い、最終段垂直転送部１２２のポテンシャルの高さを制御する。第２制御線２２８は、入力される第２制御信号に従い、垂直転送ゲート２２２のポテンシャルの高さを制御する。第１制御線２２７及び第２制御線２２８によって、最終段垂直転送部１２２及び垂直転送ゲート２２２のポテンシャルが制御され、最終段垂直転送部１２２に蓄積されている信号電荷が水平転送部１３０へと転送される。
【００６２】
第３制御線２２９は、入力される第３制御信号に従い最終段垂直転送部１２２のポテンシャルの高さを制御する。第４制御線２３０は、入力される第４制御信号に従い、垂直転送ゲート２２２のポテンシャルの高さを制御する。第３制御線２２９及び第４制御線２３０によって、最終段垂直転送部１２２に蓄積されている信号電荷が第２ドレイン電極１２５ｂへと破棄される。
【００６３】
図９〜図１１を用いて、第１〜第４制御線２２７〜２３０による撮像装置の動作について説明する。図９（ａ）は、図８のＥ−Ｅ’を拡大した撮像装置の断面図である。図９（ｂ）は、図８のＦ−Ｆ’を拡大した撮像装置の断面図である。
【００６４】
図９（ａ）に示すように、第１ドレイン電極１２５ａ、第１ポテンシャル障壁１２４ａ、及び最終段垂直転送部１２２が、順番に設けられている。第１ドレイン電極１２５ａのポテンシャルは、第１ポテンシャル障壁１２４ａより低くなっている。また、最終段垂直転送部１２２には、第１制御線２２７を介して第１電圧（Ｈｉｇｈ電圧とも称する。）が印加されており、最終段垂直転送部１２２のポテンシャルは、第１ポテンシャル障壁１２４ａより低くなっている。
【００６５】
最終段垂直転送部１２２と水平転送部１３０は垂直転送ゲート２２２を介して設けられる。最終段垂直転送部１２２に第１制御線２２７を介して第１電圧が印加され、垂直転送ゲート２２２に第２制御線２２８を介して第１電圧より小さい第２電圧（Ｌｏｗ電圧とも称する。）が印加されている場合、図９に示すように最終段垂直転送部１２２に信号電荷Ｑが蓄積される。
【００６６】
図１０を用いて、最終段垂直転送部１２２に蓄積された信号電荷Ｑを水平転送部１３０へ転送する方法について説明する。
最終段垂直転送部１２２に信号電荷Ｑを蓄積する場合は、上述したように第１制御線２２７を介して最終段垂直転送部１２２にＨｉｇｈ電圧を印加し、第２制御線２２８を介して垂直転送ゲート２２２にＬｏｗ電圧を印加する。
【００６７】
最終段垂直転送部１２２に蓄積された信号電荷Ｑを水平転送部１３０へ転送する場合は、第１制御線２２７を介して最終段垂直転送部１２２にＬｏｗ電圧を印加し、第２制御線２２８を介して垂直転送ゲート２２２にＨｉｇｈ電圧を印加する。
【００６８】
最終段垂直転送部１２２と垂直転送ゲート２２２とにＨｉｇｈ電圧とＬｏｗ電圧を入れ替えて印加することで、図１０に示すように最終段垂直転送部１２２のポテンシャルの高さと垂直転送ゲート２２２のポテンシャルの高さとが入れ替わる。具体的には、最終段垂直転送部１２２にＬｏｗ電圧を印加し、垂直転送ゲート２２２にＨｉｇｈ電圧を印加することで、最終段垂直転送部１２２のポテンシャルが垂直転送ゲート２２２より高くなるため、最終段垂直転送部１２２に蓄積された信号電荷Ｑが垂直転送ゲート２２２を介して水平転送部１３０へ転送される。
【００６９】
第１制御線２２７は、第１制御信号に基づき最終段垂直転送部１２２にＨｉｇｈ電圧とＬｏｗ電圧とを交互に印加する。即ち第１制御信号は、Ｈｉｇｈ電圧とＬｏｗ電圧とが交互にあらわれる第１パルス電圧信号である。
【００７０】
第２制御線２２８は、第２制御信号に基づき垂直転送ゲート２２２にＬｏｗ電圧とＨｉｇｈ電圧とを交互に印加する。即ち第２制御信号は、Ｌｏｗ電圧とＨｉｇｈ電圧とが交互にあらわれる第２パルス電圧信号である。
【００７１】
第１、第２制御信号に基づき最終段垂直転送部１２２及び垂直転送ゲート２２２を制御することで、最終段垂直転送部１２２及び垂直転送ゲート２２２は相補的に動作し、最終段垂直転送部１２２から水平転送部１３０へと信号電荷Ｑが転送される。第１パルス電圧信号及び第２パルス電圧信号をまとめてパルス信号と称し、第１制御線２２７及び第２制御線２２８をまとめて第１電荷蓄積制御電極と称する。第１電荷蓄積制御電極（第１制御線２２７及び第２制御線２２８）は、パルス信号（第１パルス電圧信号及び第２パルス電圧信号）に従い、有効領域１１１及び第１オプティカルブラック領域１１２から転送された信号電荷Ｑを最終段垂直転送部１２２から水平転送部１３０に転送するように最終段垂直転送部１２２及び垂直転送ゲート２２２に電圧をそれぞれ印加する。
【００７２】
図１１（ａ）は、図８のＧ−Ｇ’を拡大した撮像装置の断面図である。図１１（ｂ）は、図８Ｈ−Ｈ’を拡大した撮像装置の断面図である。
【００７３】
図１１（ａ）に示すように、第２ドレイン電極１２５ｂ、第２ポテンシャル障壁２２４ｂ、及び最終段垂直転送部１２２が、順番に設けられている。第２ドレイン電極１２５ｂのポテンシャルは、第２ポテンシャル障壁２２４ｂより低くなっている。また、最終段垂直転送部１２２には、第３制御線２２９を介して第３電圧が印加されており、最終段垂直転送部１２２のポテンシャルは、第２ポテンシャル障壁２２４ｂより低くなっている。
【００７４】
最終段垂直転送部１２２と水平転送部１３０は垂直転送ゲート２２２を介して設けられる。最終段垂直転送部１２２には第３制御線２２９を介して第３電圧が印加され、垂直転送ゲート２２２には第４制御線２３０を介して第３電圧より小さい第４電圧が印加される。
【００７５】
図９では、パルス信号に基づき、最終段垂直転送部１２２と垂直転送ゲート２２２のポテンシャルの高さを交互に入れ替えることで、最終段垂直転送部１２２に蓄積された信号電荷Ｑを水平転送部１３０へ転送している。しかしながら、図１１では、第３，第４制御線２２９，２３０を介してパルス信号ではなく一定電圧（第３，第４電圧）を最終段垂直転送部１２２と垂直転送ゲート２２２に印加している。従って、最終段垂直転送部１２２と垂直転送ゲート２２２のポテンシャルの高さが入れ替わることがなく、垂直転送ゲート２２２のポテンシャルが最終段垂直転送部１２２より高くなっているため、最終段垂直転送部１２２に蓄積された信号電荷Ｑが水平転送部１３０に転送されることがなくなる。また、垂直転送ゲート２２２のポテンシャルを第２ポテンシャル障壁２２４ｂより高く設定することで、最終段垂直転送部１２２に一定値以上の信号電荷Ｑが蓄積されても、一定値以上の信号電荷Ｑが最終段垂直転送部１２２から、水平転送部１３０ではなく、第２ドレイン電極１２５ｂへと破棄されるようになる。
【００７６】
第３制御線２２９及び第４制御線２３０をまとめて第２電荷蓄積制御電極と称する。第２電荷蓄積制御電極は、第２オプティカルブラック領域１１３で生成された信号電荷Ｑを最終段垂直転送部１２２から第２ドレイン部２２３ｂに破棄するように最終段垂直転送部１２２及び垂直転送ゲート２２２に一定電圧をそれぞれ印加する。具体的には、第２電荷蓄積制御電極は、垂直転送ゲート２２２のポテンシャルが第２ポテンシャル障壁２２４ｂのポテンシャルより高くなるように最終段垂直転送部１２２及び垂直転送ゲート２２２に一定電圧（第３電圧及び第４電圧）をそれぞれ印加する。
【００７７】
なお、第１電圧と第３電圧は同じ値であってもよく、異なる値であってもよい。同様に、第２電圧と第４電圧は同じ値であってもよく、異なる値であってもよい。
【００７８】
以上のように、本実施形態に係る撮像装置では、第２電荷蓄積制御電極が、垂直転送ゲート２２２のポテンシャルが第２ポテンシャル障壁２２４ｂのポテンシャルより高くなり、第２オプティカルブラック領域１１３で生成された信号電荷Ｑが最終段垂直転送部１２２から第２ドレイン部２２３ｂに破棄されるように、最終段垂直転送部１２２及び垂直転送ゲート２２２に一定電圧をそれぞれ印加する。これにより、例えば配線１２１と遮光膜１１４との間の隙間からオプティカルブラック領域への光の漏れ込みにより生じる信号電荷を破棄することができ、撮像装置は正確な暗電流を検出できるようになる。正確な暗電流を用いて暗電流補正を行うことで、撮像装置は画像信号の劣化を抑制することができるようになる。
【００７９】
なお、図８に示す第１、第２信号線２２７、２２８及び垂直転送ゲート２２２は、撮像装置１も有している。撮像装置１も撮像装置と同様に、パルス信号に基づき最終段垂直転送部１２２及び垂直転送ゲート２２２にＨｉｇｈ電圧とＬｏｗ電圧とを交互に印加することで、最終段垂直転送部１２２から水平転送部１３０へと信号電荷Ｑを転送する。
【００８０】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態では、撮像装置１の応用例を説明する。図１２は、撮像装置１を電子機器４００に応用した例を示す。電子機器４００としては、例えばデジタルカメラや、携帯電話機等のカメラ、スキャナ、監視カメラ等が挙げられるが、ここでは電子機器４００がデジタルカメラである場合について説明する。
【００８１】
本実施形態に係る電子機器４００は、撮像装置１と、光学レンズ２１０と、シャッタ装置２１１と、駆動回路２１２と、信号処理回路２１３とを有する。
【００８２】
光学レンズ２１０は、例えば一または複数の光学レンズを有する光学レンズ系として構成されるものであり、撮像装置１の光電変換部に入射光を導く。光学レンズ２１０は、被写体からの像光（入射光）を撮像装置１の撮像面上に結像させる。これにより撮像装置１内に一定期間信号電荷が蓄積される。
シャッタ装置２１１は、撮像装置１への光照射期間及び遮光期間を制御する。
【００８３】
駆動回路２１２は、撮像装置１を駆動させる。駆動回路２１２は、撮像装置１を所定のタイミングで駆動するための駆動信号（タイミング信号）を生成し、撮像装置１に供給する。駆動回路２１２から撮像装置１に供給される駆動信号により、撮像装置１の信号電荷の転送動作等が制御される。つまり、撮像装置１は、駆動回路２１２から供給される駆動信号により、信号電荷の転送動作等を行う。
【００８４】
駆動回路２１２は、撮像装置１を駆動するための駆動信号として各種のパルス信号を生成する機能と、生成したパルス信号を、撮像装置１を駆動するためのドライブパルスに変換するドライバとしての機能とを有する。駆動回路２１２は、シャッタ装置２１１の動作を制御するための駆動信号の生成・供給も行う。
【００８５】
撮像装置１は、駆動信号に基づき信号電荷Ｑを電気信号として出力する。
信号処理回路２１３は、各種の信号処理を行う機能を有し、撮像装置１の出力信号を処理する。信号処理回路２１３は、入力された信号を処理することで、撮像信号（映像信号）を出力する。信号処理回路２１３から出力された撮像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶されたり、モニタに出力されたりする。なお、電子機器４００は、駆動回路２１２等に電源を供給するバッテリ等の電源部、撮像により生成した映像信号等を記憶する記憶部、装置全体を制御する制御部等を有する。
【００８６】
以上のように、本実施形態に係る電子機器４００は、第１実施形態に係る撮像装置１を搭載しているため、正確な暗電流を用いて暗電流補正を行うことができ、画像信号の劣化を抑制することができる。
【００８７】
ここでは、電子機器４００に第１実施形態に係る撮像装置１を搭載する例を示したが、電子機器４００に第２実施形態に係る撮像装置を搭載してもよい。
【００８８】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）マトリクス状に配置され、入射光を信号電荷に変換する光電変換部を有する複数の画素部を含む有効領域と、前記有効領域の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部を有する第１オプティカルブラック領域と、前記第１オプティカルブラック領域の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部を有する第２オプティカルブラック領域と、前記有効領域、及び前記第１、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を列ごとに転送する垂直転送部と、前記有効領域、及び前記第１、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を行ごとに転送する水平転送部と、前記垂直転送部から転送された前記信号電荷を前記水平転送部へと転送する最終段垂直転送部と、前記有効領域及び前記第１オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、前記最終段垂直転送部に一定値以上蓄積された信号電荷を破棄する第１ドレイン部と、前記第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、前記最終段垂直転送部に蓄積された信号電荷を破棄する第２ドレイン部と、を備える撮像装置。
【００８９】
（２）前記第１ドレイン部は、前記信号電荷を破棄するための第１ドレイン電極と、前記最終段垂直転送部と前記第１ドレイン電極との間に設けられ、前記最終段垂直転送部に前記一定値の前記信号電荷を蓄積するための第１ポテンシャル障壁と、を有し、前記第２ドレイン部は、前記信号電荷を破棄するための第２ドレイン電極と、前記最終段垂直転送部と前記第２ドレイン電極との間に設けられ、前記第１ポテンシャル障壁よりポテンシャルが低い第２ポテンシャル障壁と、を有する前記（１）に記載の撮像装置。
【００９０】
（３）前記第２ポテンシャル障壁は、前記第１ポテンシャル障壁と同じ高さのポテンシャル障壁の少なくとも一部を除去することで形成されたものである前記（１）又は（２）に記載の撮像装置。
【００９１】
（４）前記第２ポテンシャル障壁は、前記第１ポテンシャル障壁と同じ高さのポテンシャル障壁の少なくとも一部に不純物を注入することで形成されたものである前記（１）又は（２）に記載の撮像装置。
【００９２】
（５）前記最終段垂直転送部と前記水平転送部との間に設けられた垂直転送ゲートと、パルス信号に従い、前記有効領域及び第１オプティカルブラック領域から転送された信号電荷を前記最終段垂直転送部から前記水平転送部に転送するように前記最終段垂直転送部及び前記垂直転送ゲートに電圧をそれぞれ印加する第１電荷蓄積制御電極と、前記第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を前記最終段垂直転送部から前記第２ドレイン部に破棄するように前記最終段垂直転送部及び前記垂直転送ゲートに一定電圧をそれぞれ印加する第２電荷蓄積制御電極と、を有する前記（１）から（４）のいずれかに記載の撮像装置。
【００９３】
（６）前記第２電荷蓄積制御電極は、前記垂直転送ゲートのポテンシャルが前記第２ポテンシャル障壁のポテンシャルより高くなるように前記最終段垂直転送部及び前記垂直転送ゲートに前記一定電圧をそれぞれ印加する前記（５）に記載の撮像装置。
【００９４】
（７）撮像装置と、前記撮像装置の光電変換部に入射光を導く光学レンズと、前記撮像装置を駆動するための駆動信号を生成する駆動回路と、前記撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路と、を備え、前記撮像装置は、マトリクス状に配置され、入射光を信号電荷に変換する光電変換部を有する複数の画素部を含む有効領域と、前記有効領域の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部を有する第１オプティカルブラック領域と、前記第１オプティカルブラック領域の周囲の少なくとも一部に配置され、遮光膜で覆われた複数の画素部を有する第２オプティカルブラック領域と、前記有効領域、及び前記第１、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を列ごとに転送する垂直転送部と、前記有効領域、及び前記第１、第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷を行ごとに転送する水平転送部と、前記垂直転送部から転送された前記信号電荷を前記水平転送部へと転送する最終段垂直転送部と、前記有効領域及び前記第１オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、前記最終段垂直転送部に一定値以上蓄積された信号電荷を破棄する第１ドレイン部と、前記第２オプティカルブラック領域で生成された信号電荷であって、前記最終段垂直転送部に蓄積された信号電荷を破棄する第２ドレイン部と、を備える電子機器。
【００９５】
最後に、上述した各実施形態の説明は本開示の一例であり、本開示は上述の実施の形態に限定されることはない。このため、上述した各実施の形態以外であっても、本開示に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００９６】
１０  センサ部
２０  信号処理部
１１０  画素部
１２０  垂直転送部
１３０  水平転送部
１４０  出力アンプ
１２１  配線
１２２  最終段垂直転送部
１２３  ドレイン部
１２４、１２４ａ、１２４ｂ、２２４ｂ  ポテンシャル障壁
１２５ａ、１２５ｂ  ドレイン電極
２２２  垂直転送ゲート
【図１】
2013162336.tif 000003
【図２】
2013162336.tif 000004
【図３】
2013162336.tif 000005
【図４】
2013162336.tif 000006
【図５】
2013162336.tif 000007
【図６】
2013162336.tif 000008
【図７】
2013162336.tif 000009
【図８】
2013162336.tif 000010
【図９】
2013162336.tif 000011
【図１０】
2013162336.tif 000012
【図１１】
2013162336.tif 000013
【図１２】
2013162336.tif 000014