(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、
基板上に、窒化ガリウム系半導体からなるｎ層、窒化ガリウム系半導体活性層及び窒化ガリウム系半導体からなるｐ層を順次成長させることと、
上記ｐ層上に、各素子毎にそれぞれ該ｐ層とオーミック接触するｐ側オーミック電極を形成することと、
上記ｐ側オーミック電極上にそれぞれＡｕ−Ｓｎからなる第１導電性接着剤層を形成することと、
各素子に分離するための素子分離溝を上記基板に達するように形成することと、
一方の主面に、Ａｕ−Ｓｎからなる第２導電性接着剤層が形成された導電性基板であって、さらに前記第２導電性接着剤層が形成される面にＡｕからなる層が形成された導電性基板を、その第２導電性接着剤層と上記第１導電性接着剤層とを接合することにより上記基板に接合することと、
上記基板を分離することと、
上記素子分離溝において上記導電性基板を分割することにより個々の窒化物半導体発光素子に分離することとを含む窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
上記製造方法はさらに、
上記導電性基板に上記素子分離溝と対向する溝を上記一方の主面に形成することと、
上記第２導電性接着剤層を上記溝が形成された上記一方の主面に形成することと、
を含む請求項１記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記導電性基板がＳｉ基板であることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記基板はサファイア基板であることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記基板を分離することは、基板側からレーザ光を照射することにより分離することである請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記素子分離溝を形成した後に、各素子の側面を覆う絶縁保護膜を形成することを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記ｐ側オーミック電極は、前記ｐ層表面の周辺部分を除いて形成することを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は窒化物半導体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ等の窒化ガリウム系化合物半導体を用いて構成された高輝度純緑色発光ＬＥＤ、青色ＬＥＤが、既にフルカラーＬＥＤディスプレイ、交通信号灯、イメージスキャナ光源等の各種光源として実用化されている。この窒化ガリウム系化合物半導体を用いて構成されたＬＥＤ素子は、一般に絶縁性のサファイア基板上にｎ型、ｐ型の窒化ガリウム系化合物半導体が成長されて構成されるので、他のＧａＡｓ、ＧａＡｌＰ等の半導体基板を用いた他の発光素子と異なり、基板に正又は負の一方の電極を形成して通電することは不可能である。
【０００３】
従って、窒化ガリウム系化合物半導体を用いたＬＥＤ素子では、正、負の電極はいずれも半導体層側の同一面側に形成され、それぞれの電極に上からワイヤーボンディングして電極側から発光を観測したり、フリップチップボンディングして基板側から発光を観測している。
具体的には、サファイア基板上にｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を介してｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層を形成して、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部を除去して露出させたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の表面にｎ側オーミック電極を形成し、その残りのｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のほぼ全面にｐ側オーミック電極を形成している。
尚、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のほぼ全面にｐ側オーミック電極を形成する理由は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗がｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗より高いので、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層全体に電流を流すためには、ｐ側オーミック電極を広く形成する必要があるからである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、正及び負の電極を同一面側に形成した従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、上述のようにｐ型窒化ガリウム系半導体層の一部を除去してｎ側オーミック電極を形成しているので、ｐ型窒化ガリウム系半導体層を除去した部分である非発光部の面積が比較的大きくなり、小型にできないという問題点があった。
また、従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、半導体側（ｐ型窒化ガリウム系半導体層側）から光を取り出す場合、ｐ型窒化ガリウム系半導体層のほぼ全面に形成された透明電極を介して光を取り出すように構成するが、その場合、透明電極により光が減衰し取り出し効率が良くないという問題点があった。
【０００５】
そこで、本発明は、小型化が可能でかつ発光した光の取り出し効率が高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成するために、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法は、複数の窒化物半導体発光素子を製造する方法であって、基板上に、窒化ガリウム系半導体からなるｎ層、窒化ガリウム系半導体活性層及び窒化ガリウム系半導体からなるｐ層を順次成長させることと、上記ｐ層上に、各素子毎にそれぞれ該ｐ層とオーミック接触するｐ側オーミック電極を形成することと、上記ｐ側オーミック電極上にそれぞれＡｕ−Ｓｎからなる第１導電性接着剤層を形成することと、各素子に分離するための素子分離溝を上記基板に達するように形成することと、一方の主面に、Ａｕ−Ｓｎからなる第２導電性接着剤層が形成された導電性基板であって、さらに前記第２導電性接着剤層が形成される面にＡｕからなる層が形成された導電性基板を、その第２導電性接着剤層と上記第１導電性接着剤層とを接合することにより上記基板に接合することと、上記基板を分離することと、上記素子分離溝において上記導電性基板を分割することにより個々の窒化物半導体発光素子に分離することとを含む窒化物半導体発光素子の製造方法である。
【０００７】
また、本発明に係る製造方法ではさらに、製造工程中において、各素子の側面に上記導電性接着剤の付着を防止するために、上記導電性基板に上記素子分離溝と対向する溝を上記一方の主面に形成することと、上記第２導電性接着剤層を上記溝が形成された上記一方の主面に形成することと、を含むことが好ましい。
また素子分離溝を形成した後に、各素子の側面を覆う絶縁保護膜を形成することが好ましい。
またｐ側オーミック電極は、前記ｐ層表面の周辺部分を除いて形成することが好ましい。
【０００８】
また本発明における好ましい窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化ガリウム系半導体からなるｎ層とｐ型窒化ガリウム系半導体からなるｐ層との間に発光層を有する窒化物半導体発光素子において、ｎ側オーミック電極は、上記ｎ層、上記発光層及び上記ｐ層が積層されてなる積層薄板の一方の主面である上記ｎ層の表面の一部に形成され、ｐ側オーミック電極は、上記積層薄板の他方の主面であるｐ層表面に形成されていることを特徴とする。
以上のように構成された本発明に係る窒化物半導体発光素子は、発光層で発光した光を、上記ｎ層を介して上記積層薄板の一方の主面から出力することができる。
以上のように構成された窒化物半導体発光素子は、従来例のようにｐ層を除去することなくｎ側オーミック電極を形成しているので、従来例と同じ外形の素子とした場合、従来例より大きな面積の発光層を形成することができる。従って、発光ダイオードとした場合、従来例より小型の素子で、従来例と同等の発光層の面積を得ることができる。
また、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、発光ダイオードとした場合、上記発光層で発光した光のうち上記ｐ側オーミック電極に向かった光を上記ｐ側オーミック電極によって反射させて上記ｎ層の表面から出力することができるので、より光の取り出し効率を良くできる。
これにより、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、発光層で発光した光の取り出し効率を従来例に比較してよくできる。
さらに、以上のように構成された窒化物半導体発光素子は、ｎ側オーミック電極を上記積層薄板の一方の主面に形成し、ｐ側オーミック電極を上記積層薄板の他方の主面に形成しているので、ｎ側オーミック電極とｐ側オーミック電極間の短絡防止が容易である。
尚、本明細書において、発光層とはｎ層とｐ層の間に位置して発光する活性層、及びｎ層とｐ層とのｐｎ接合により発光する場合のそのｐｎ接合部分の双方を含むものである。
【０００９】
また、本発明に係る窒化物半導体発光素子では、上記積層薄板において、上記ｎ層及びｐ層の一方又は双方を複数の層で構成してもよい。
すなわち、本発明に係る窒化物半導体発光素子では、上記ｎ層及びｐ層の一方又は双方をそれぞれ所望の機能を有する複数の層で構成することができ、これにより、発光ダイオードまたはレーザダイオード等の種々の発光素子をそれぞれ目的に応じて構成することができる。
【００１０】
また、本発明に係る窒化物半導体発光素子で発光ダイオードを構成する場合、上記ｐ側オーミック電極は、上記積層薄板の他方の主面であるｐ層表面において、上記ｎ側オーミック電極と対向する部分を除いて形成されていることが好ましい。
このようにすると、上記ｎ側オーミック電極に遮られて光の取り出しが困難である上記ｎ側オーミック電極直下の発光層への電流の供給を抑制することができるので、無駄な発光を抑えることができ、外部量子効率を良好にできる。
【００１１】
また、本発明に係る窒化物半導体発光素子で発光ダイオードを構成する場合、上記ｐ側オーミック電極は、上記積層薄板の他方の主面であるｐ層表面における、上記ｎ側オーミック電極と対向する部分を除くほぼ全面に形成されていることがさらに好ましい。
このようにすると、上記ｎ側オーミック電極直下の発光層を除く発光層全体に電流を供給することができるので、外部量子効率を高くできかつより発光強度を高くできる。
尚、ｐ層表面における、上記ｎ側オーミック電極と対向する部分を除くほぼ全面に形成されているとは、ｐ層表面のｎ側オーミック電極と対向する部分における概ね８０％以上に形成されていることをいい、例えば、短絡防止のためにｐ層表面の周辺部分を除いて形成されていてもよい。
【００１２】
また、本発明に係る窒化物半導体発光素子において、上記ｎ層、発光層及びｐ層はそれぞれ有機金属気相成長法により成長させることが好ましい。このようにすると、結晶性のよいｐ層、発光層及びｎ層を形成することができ、良好な発光特性が得られる。
【００１３】
また、本発明に係る窒化物半導体発光素子はさらに、上記積層薄板と接合された導電性基板を備え、該導電性基板は上記ｐ側オーミック電極と導電性接着剤によって接合されていることが好ましい。
このように構成すると、導電性基板により積層薄板を補強でき窒化物半導体発光素子の取り扱いを容易にできる。
【００１４】
さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子では、上記積層薄板の側面に絶縁保護膜が形成されていることが好ましい。これにより、ｐ側オーミック電極とｎ層との短絡を防止でき、また、導電性接着剤により導電性基板を接着する場合、ｐ側オーミック電極が導電性接着剤によりｎ層と短絡するのを防止できる。
【００１５】
また、本発明に係る窒化物半導体発光素子では、上記導電性基板は導電性に優れた金属板とすることができる。
また、上記導電性接着剤としてＡｕ−Ｓｎ等のはんだを用いることができる。
【００１６】
さらに、本発明に係る窒化物半導体発光素子では、上記導電性基板において、上記積層薄板が接合された一方の主面と側面とが交わる辺に沿って、凹部が形成されていてもよい。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明に係る実施の形態の窒化物半導体発光素子について説明する。
実施の形態１．
本実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、例えば、金属板からなる導電性基板１２上に、それぞれ窒化ガリウム系半導体からなるｎ層１、活性層２及びｐ層３が積層されてなる積層薄板１０が設けられてなる発光ダイオード（ＬＥＤ）である。
ここで、本発明における積層薄板は、例えば、１０μ程度の極めて薄い薄板である。
【００２０】
詳細には、積層薄板１０の一方の主表面（ｎ層１の表面）の一部に円形のｎ側オーミック電極５が形成され、積層薄板１０の他方の主表面（ｐ層１の表面）にｐ側オーミック電極４が形成されて、発光素子部が構成される。
ここで、ｎ側オーミック電極５は、図２に示すように、ｎ層１の表面の中央部に形成され、ｐ側オーミック電極４は、発光層である活性層２の全体に電流が流れるように、積層薄板１０のｐ層１の表面のうち、ｎ側オーミック電極５との対向部分を除くほぼ全面に形成される。
このように、ｎ側オーミック電極５をｎ層１の表面の中央部の一部に形成し、ｐ側オーミック電極４をｐ層１の表面のほぼ全面に形成することにより活性層２の全体に電流が流れるようにできるのは、以下のような理由によるものである。
【００２１】
すなわち、窒化ガリウム系化合物半導体において、ｎ型層はｐ型層に比較して抵抗が低いために、ｎ層の一部にｎ側オーミック電極を形成することによりｎ層内において電流を拡散することができるのに対し、比較的抵抗が高いｐ層内では電流を拡散させることができないので、ｐ側オーミック電極内において電流を拡散させる必要があるからである。
【００２２】
そして、本実施の形態１では、ｎ側オーミック電極５とｐ側オーミック電極４が形成された積層薄板１０は、ｐ側オーミック電極４と導電性基板１２の上面とが導電性接着剤１１で接合されて導電性基板１２上に固定される。
尚、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子においては、導電性接着剤１１が積層薄板１０の側面に周り込んだ場合に、ｐ側オーミック電極４と発光層又はｎ層１との短絡及びｐ層３とｎ層１との間の短絡を防止するために、積層薄板１０の側面に絶縁膜６が形成されている。
【００２３】
以上のように構成された本実施の形態１の窒化物半導体発光素子において、導電性基板１２とｎ側オーミック電極５とに電圧を印加することにより、活性層２に電流を供給して活性層２で発光させる。そして、活性層で発光された光は、ｎ層１を介して出力される。
【００２４】
以上のように構成された実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、積層薄板１０の両面にｎ側オーミック電極５とｐ側オーミック電極４とを形成しているので、従来例のようにｐ層を除去することなくｎ側オーミック電極を形成することができる。この様に構成したことにより、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、従来例のようにｐ層を除去することによりｎ層を露出する必要がないので、従来例と同じ外形の素子であっても、従来例より大きな面積の活性層を形成することができる。
【００２５】
また、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、活性層２で発光した光のうちｐ側オーミック電極４に向かった光は、ｐ側オーミック電極４によって反射されてｎ層１の表面から出力されるので、より光の取り出し効率を良くできる。
ここで、本明細書において、光の取り出し効率とは、発光した光のうち、発光観測面（ｎ層１の表面）から出力される光の割合をいう。
尚、このｐ側オーミック電極４は、Ｎｉ−Ａｕ及びＮｉ−Ｐｔ等で形成することができるが、光の取り出し効率を考えると、光に対する反射率の高いＮｉ−Ｐｔを用いることが好ましい。
【００２６】
また、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、ｎ側オーミック電極５を積層薄板１０の一方の主面（上面）に形成し、ｐ側オーミック電極を積層薄板１０の他方の主面（下面）に形成することにより、両面に分離して形成しているので、ｎ側オーミック電極とｐ側オーミック電極間の短絡防止が容易にできる。
また、本実施の形態１では、ｎ側オーミック電極５を積層薄板１０の一方の主面の中央部に形成しているので、ｎ側オーミック電極５とｐ側オーミック電極４との距離をより大きくすることができ、ｎ側オーミック電極とｐ側オーミック電極間の短絡防止がより効果的にできる。
さらに、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、ｎ側オーミック電極５とｐ側オーミック電極４とを積層薄板の両面に分離して形成しているので、ｎ側オーミック電極とｐ層３との間、ｐ側オーミック電極４とｎ層との間の短絡が防止できる。
【００２７】
また、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、ｐ側オーミック電極４を積層薄板１０のｐ層３の表面において、ｎ側オーミック電極５と対向する部分を除くほぼ全面に形成するようにしている。
このように構成すると、ｐ層３の抵抗値が比較的大きいために、ｐ側オーミック電極４が形成されていない部分と対向する活性層２に対する電流供給を抑制できる。これにより、ｎ側オーミック電極５に遮られて光の取り出しが困難であるｎ側オーミック電極５直下の活性層への電流の供給を抑制することができるので、無駄な発光を抑えることができ、外部量子効率を良好にできる。
また、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子では、ｐ側オーミック電極４を、ｐ層３の表面においてｎ側オーミック電極５と対向する部分を除いた概ね８０％以上の面積にあたるほぼ全面に形成するようにしているので、発光層全体にわたって電流を供給することができ、発光強度を強くできる。尚、本発明は、ｐ側オーミック電極４の大きさにより限定されるものではないが、好ましくは、ｐ側オーミック電極４を、ｐ層３の表面においてｎ側オーミック電極５と対向する部分を除いた６０％以上の面積にあたる部分に形成し、より好ましくは、上述のように８０％以上のほぼ全面に形成する。
【００２８】
また、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子では、積層薄板１０において、ｎ層１及びｐ層３の一方又は双方を複数の窒化物半導体層で構成することもできる。また、活性層２も単層であっても多層であってもよい。
従って、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子では、例えば、ｎ層１及びｐ層３をそれぞれ、コンタクト層、クラッド層等の必要な機能に対応させた複数の層で構成することができ、用途に応じた発光特性を実現することができる。すなわち、本実施の形態１によれば、目的に応じて種々の特性のＬＥＤ素子を構成することができる。
【００２９】
本実施の形態１の窒化物半導体発光素子における各層の例を挙げれば、以下のようなものである。尚、本発明が以下の層に限られるものではないことは言うまでもない。
ｎ層１のコンタクト層としては、例えば、Ｓｉドープのｎ型ＧａＮ層、
ｎ層１のクラッド層としては、例えば、Ｓｉドープのｎ型ＡｌＧａＮ層、
ｐ層３のコンタクト層としては、例えば、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮ層、
ｐ層３のクラッド層としては、例えば、Ｍｇドープのｐ型ＡｌＧａＮ層、
活性層２としては、ＩｎＧａＮ層、ＧａＮとＩｎＧａＮとの単一又は多重量子井戸層、ＩｎＧａＮ障壁層とその層とは組成比の異なるＩｎＧａＮ井戸層からなる単一又は多重量子井戸層等である。
また、ｎ層１及びｐ層３は、アンドープの窒化物半導体層をさらに含んでいても良い。
【００３０】
また、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子は、積層薄板１０と接合された導電性基板を備えているので、極めて薄い積層薄板１０を機械的強度を強くでき素子の取り扱いを容易にできる。
さらに、本実施の形態１では、該導電性基板１２がｐ側オーミック電極４と導電性接着剤によって接合されているので、導電性基板１２を介して発光素子部に電流を供給できる。
【００３１】
またさらに、本実施の形態１の窒化物半導体発光素子では、積層薄板１０の側面に絶縁保護膜６が形成されているので、ｐ側オーミック電極４とｎ層１との短絡を防止できかつ、導電性接着剤６が積層基板１０の側面に回り込んだ場合にｐ側オーミック電極４がｎ層１と短絡することを防止できる。
【００３２】
次に、図３〜図５を参照しながら本実施の形態１の窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。
（第１工程）
第１工程では、サファイア基板２０上に、窒化ガリウム系半導体からなるｎ層１、窒化ガリウム系半導体活性層２及び窒化ガリウム系半導体からなるｐ層３を、例えば、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により順次成長させることにより形成する（図３（ａ））。
【００３３】
（第２工程）
第２工程では、ｐ層３上に、例えば、Ｎｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ｐｔ等からなり該ｐ層３とオーミック接触するｐ側オーミック電極４ａをそれぞれ各窒化物半導体発光素子に対応させて形成する（図３（ｂ））。
（第３工程）
第３工程では、各ｐ側オーミック電極４ａ上にそれぞれ、例えば、Ａｕ−Ｓｎからなる第１導電性接着剤層１１ａを形成する（図３（ｃ））。
【００３４】
（第４工程）
第４工程では、各ｐ側オーミック電極４ａと第１導電性接着剤層１１ａを覆うようにＳｉＯ2マスク２１を形成し、該ＳｉＯ2マスク２１を用いて個々の窒化物半導体発光素子に分離するための素子分離溝３１を形成する（図３（ｄ））。
（第５工程）
第５工程では、素子分離溝３１及びＳｉＯ2マスク２１を全て覆うように、ＳｉＯ2マスク２２を形成する（図３（ｅ））。
【００３５】
（第６工程）
第６工程では、素子分離溝３１内のＳｉＯ2マスク２１及び各素子の周辺部を覆うように、レジスト２３を形成し（図４（ａ））、レジスト２３をマスクとして、ＳｉＯ2マスク２１，２２をエッチングすることにより、第１導電性接着剤層１１ａ上のＳｉＯ2を除去する。これにより、図４（ｂ）の下図に示すように、各素子の側面を覆うＳｉＯ2からなる絶縁保護膜６が形成される。
【００３６】
（第７工程）
第７工程では、一方の面に、例えば、Ａｕ−Ｓｎからなる第２導電性接着剤層１１ｂが形成された導電性基板１２を、その第２導電性接着剤層１１ｂが各素子の第１導電性接着剤層１１ａに対向するように、サファイア基板２０上の各素子と導電性基板１２とを密着させて、例えば、４００℃で圧力をかけることにより、サファイア基板２０上の各素子と導電性基板１２とを接合する（図４（ｂ）（ｃ））。尚、導電性基板１２としてＡｌ等の金属板を使用する場合、Ａｕ−Ｓｎからなる第２導電性接着材層１１ｂは、Ｔｉ又はＷ層を介して導電性基板１２上に形成することが好ましい。
また、図において、第１導電性接着剤層１１ａと第２導電性接着剤層１１ｂが融合して一体化した層を導電性接着剤１１として示している。
【００３７】
（第８工程）
第８工程では、図４（ｃ）に示すように、サファイア基板２０側から所定のレーザ光を照射することにより、サファイア基板２０を分離する。
ここで、本工程では、サファイア基板２０を透過しｎ層１で吸収されるレーザ光を用いることができる。すなわち、サファイア基板２０を透過しｎ層１で吸収されるレーザ光を、例えば、６００ｍＪ／ｃｍ2程度の所定の強さでサファイア基板２０側から照射すると、サファイア基板とｎ層１の境界近傍に位置するｎ層１において吸収されてその境界近傍で発熱しその熱によって分離することができる。
例えば、サファイア基板とｎ層１の境界近傍に位置するｎ層１がＧａＮである場合、そのＧａＮは３６５ｎｍ以下の波長の光を吸収するので、例えば、ＫｒＦエキシマレーザ光（２４８ｎｍ）を用いることができる。
【００３８】
（第９工程）
第９工程では、サファイア基板２０が分離されて露出されたｎ層１の表面に各窒化物半導体発光素子にｎ側オーミック電極５を形成する（図５（ｂ））。
（第１０工程）
第１０工程では、素子分離溝３１において導電性基板１２をダイシングすることにより、個々の窒化物半導体発光素子に分離する（図５（ｃ））。
以上のようにして、図１に示す窒化物半導体発光素子を製造することができる。
【００３９】
以上の本実施の形態１の製造方法では、ｎ層１、活性層２及びｐ層３をそれぞれ有機金属気相成長法により成長させているので、結晶性のよいｎ層１、活性層２及びｎ層３を形成することができ、良好な発光特性を有する窒化物半導体発光素子を作製することができる。
また、本実施の形態１の製造方法においては、サファイア基板２０上に、例えば、ＧａＮが低温で成長されたＧａＮバッファ層を形成し、その上にｎ層１、活性層２及びｐ層３を成長させるようにしても良く、このようにすると、より結晶性のよいｎ層１、活性層２及びｎ層３を形成することができ、より良好な発光特性を有する窒化物半導体発光素子を作製することができる。
【００４０】
実施の形態２．
以下、本発明に係る実施の形態２の窒化物半導体発光素子について説明する。本実施の形態２の窒化物半導体発光素子は、実施の形態１の窒化物半導体発光素子において、導電性基板１２に代えて、導電性基板１１２を用いて構成した以外は実施の形態１と同様に構成される。
ここで、実施の形態２の窒化物半導体素子において、導電性基板１１２は、素子に接合される一方の主面と側面とが交わる辺に沿って、凹部１１３ａを有することを特徴とし、以下のような優れた作用効果を有する。
【００４１】
以下、本発明に係る実施の形態２の窒化物半導体発光素子の製造方法について説明する。
実施の形態２の窒化物半導体発光素子は、実施の形態１の製造方法において、第７工程を以下のように変更する以外は、実施の形態１と同様に作製される。
すなわち、実施の形態２における第７の工程では、例えば、Ｓｉからなる導電性基板１１２に、あらかじめ、エッチング又はダイサー、スクライブ等で溝１１３を形成しておき、溝１１３が形成された導電性基板１１２上の全面にＡｕからなる層を薄く形成する。
ここで、溝１１３を形成するエッチングは、ＲＩＥ等のドライエッチング又はエッチング液を用いたウェットエッチングのいずれを用いてもよい。
また、このＡｕからなる層は、Ａｕ−Ｓｎからなる導電性接着剤を用いる場合の好ましい一形態として形成するものであり、本願発明において必須の構成ではない。
【００４２】
ここで、導電性基板１１２に形成された溝１１３は、例えば、幅５０μｍ、深さ５μｍに形成され、図６に示すように、サファイア基板２０を接合した時に、素子を分離するために形成された素子分離溝３１と中心が一致するように格子状に形成される。
次に、導電性基板１１２のＡｕが形成された面に、例えば、Ａｕ−Ｓｎからなる第２導電性接着層１１ｃを例えば１〜３μｍの厚さに形成する。この時、第２導電性接着層１１ｃは、溝１１３に沿って溝１１３と実質的に同一断面形状を有する窪み１１４ａが形成されるように形成する。
【００４３】
以上のように構成した第２導電性接着層１１ｃが形成された導電性基板１１２を、第２導電性接着剤層１１ｃが各素子の第１導電性接着剤層１１ａに対向するように、サファイア基板２０上の各素子と導電性基板１１２とを密着させて、例えば、４００℃で圧力をかけることにより、サファイア基板２０上の各素子と導電性基板１１２とを接合する（図６（ｂ））。
この際、圧縮されることにより素子分離溝３１（溝１１３）に囲まれた素子部分からはみ出した導電性接着剤１１ａ，１１ｃは、溝１１３に沿って形成された窪み１１４ａを埋めるように移動する。
【００４４】
尚、図において、第１導電性接着剤層１１ｃと第２導電性接着剤層１１ｂが融合して一体化した層を導電性接着剤１１としている。
第８の工程以降は実施の形態１と同様にして作製されるが（図７（ａ）（ｂ）（ｃ））、本実施の形態２では導電性基板１１２に素子分離溝３１に対向するように溝１１３を形成しているので、ちょうどその溝１１３を２分するように各素子に分割される。
これにより、個々の素子に分離された後の各素子の導電性基板１１２において、導電性接着剤１１が形成された一方の主面と側面とが交わる辺に沿って、溝１１３が２分されてなる凹部１１３ａが形成される。
【００４５】
以上説明したような実施の形態２の製造方法によれば、導電性基板１１２において、素子を分離する位置に格子状に溝１１３が形成されているので、サファイア基板２０上の各素子と導電性基板１１２とを密着させて温度と圧力をかけることにより接合する際に、素子部分からはみ出した導電性接着剤１１ａ，１１ｃを溝１１３内に誘導することができるので、素子分離溝３１内に形成された絶縁保護膜６の上に導電性接着剤１１が付着することを防止できる。
すなわち、絶縁保護膜６の上に導電性接着剤１１が付着すると、その付着した導電性接着剤により素子の側面から出力される光が遮られ、光の取り出し効率が低下するという問題がある。
しかしながら、本実施の形態２では、上述のように絶縁保護膜６上への導電性接着剤１１の付着が防止できるので、光の取り出し効率を低下させることはない。
【００４６】
また、本実施の形態２では、素子部分からはみ出した導電性接着剤１１ａ，１１ｃを溝１１３内に誘導して、素子分離溝３１内に形成された絶縁保護膜６の上に導電性接着剤１１が付着することをより効果的に防止するために、溝１１３の幅を素子分離溝３１の幅より広く設定することが好ましい。
【００４７】
また、本実施の形態２において、導電性接着剤としてＡｕ−Ｓｎを使用する場合、導電性基板１１２の導電性接着剤を塗布する面には、Ａｕ−Ｓｎとぬれ性が良好なＡｕが形成されることが好ましく、このようにすると、サファイア基板２０上の各素子と導電性基板１１２とを密着させる際に、素子部分からはみ出した導電性接着剤１１ａ，１１ｃを溝１１３内により効果的に誘導することができるので、素子分離溝３１内に形成された絶縁保護膜６の上に導電性接着剤１１が付着することを効果的に防止することができる。
【００４８】
また、本実施の形態２において、導電性接着剤１１としてＡｕ−Ｓｎを使用した時に、導電性基板１１２の導電性接着剤を塗布する面にＡｕを形成すると、接合後の導電性接着剤（Ａｕ−Ｓｎ）１１中のＡｕに対するＳｎの含有量が相対的に減少する。これにより、接合後の導電性接着剤１１の融点が接合前より上昇し、後の工程において溶けにくくなるという利点がある。
【００４９】
以上の実施の形態２では、導電性基板１１２としてＳｉ基板を使用した例を示した。本実施の形態２において、導電性基板１１２としてＳｉ基板を使用すると、個々の素子に分割する際に容易であるという利点がある。
しかしながら、本発明はこれに限られるものではなく、金属からなる基板を導電性基板１１２として用いてもよい。
【００５０】
変形例．
以上説明した実施の形態の窒化物半導体発光素子では、導電性基板１２を用いて構成したが、本発明はこれに限られるものではなく、例えば、絶縁性基板の上にｐ側オーミック電極４と接続する電極層を形成した基板を用いることもできる。
また、本実施の形態の窒化物半導体発光素子では、導電性基板又は電極層を形成した絶縁性基板の上に、複数の素子（積層薄板１０にｎ側オーミック電極とｐ側オーミック電極４を形成した状態のもの、すなわち、図１において導電性基板１２と導電性接着剤１１を除いた状態のもの）を所定の配列に配置するように構成しても良い。
すなわち、本発明に係る窒化物半導体発光素子は、積層薄板１０にｎ側オーミック電極とｐ側オーミック電極４を形成した素子を備え、種々の変形が可能である。
【００５１】
また、上述の実施の形態では、導電性接着剤としてＡｕ−Ｓｎはんだを用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、他の金属合金からなるはんだ、導電性の樹脂からなる接着剤等、種々の導電性接着剤を用いることができる。
【００５２】
以上の実施の形態では、発光ダイオードである窒化物半導体発光素子について説明したが、本発明は発光ダイオードに限らず、レーザダイオード（ＬＤ素子）に適用することもできる。
本発明をレーザダイオードに適用する場合、例えば、積層薄板１０の一方の主面に一端面から他端面に至るストライプ状のｎ側オーミック電極を形成し、積層薄板１０の他方の主面にそのｎ側オーミック電極と対向するようにストライプ状のｐ側オーミック電極を形成する。尚、ｎ層、ｐ層及び活性層はレーザダイオードを構成する上で必要な機能に対応させて単層又は複数の層で構成する。このようにすると、ｎ側オーミック電極とｐ側オーミック電極の間でレーザ発振させることができる。
【００５３】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、小型化が可能でかつ発光した光の取り出し効率が高い窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明に係る実施の形態１の窒化物半導体発光素子の断面図である。
【図２】  実施の形態１の窒化物半導体発光素子の平面図である。
【図３】  実施の形態１の窒化物半導体発光素子の製造方法における工程（第１工程〜第５工程）のフローを示す模式的な断面図である。
【図４】  実施の形態１の窒化物半導体発光素子の製造方法における工程（第６工程〜第８工程）のフローを示す模式的な断面図である。
【図５】  実施の形態１の窒化物半導体発光素子の製造方法における工程（第８工程〜第１０工程）のフローを示す模式的な断面図である。
【図６】  実施の形態２の窒化物半導体発光素子の製造方法における工程（第７工程〜第８工程）のフローを示す模式的な断面図である。
【図７】  実施の形態２の窒化物半導体発光素子の製造方法における工程（第８工程〜第１０工程）のフローを示す模式的な断面図である。
【符号の説明】
１…ｎ層、
２…窒化ガリウム系半導体活性層、
３…ｐ層、
４…ｐ側オーミック電極、
５…ｎ側オーミック電極、
６…絶縁保護膜、
１０…積層基板、
１１…導電性接着剤、
１１ａ…第１導電性接着剤層、
１１ｂ…第２導電性接着剤層、
１２…導電性基板、
２０…サファイア基板、
２１，２２…ＳｉＯ2マスク、
２３…レジスト、
３１…素子分離溝、
１１３…溝。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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