(57)【要約】【課題】簡易な構成にてインジェクタによる開弁時間を高精度に制御し得るインジェクタ制御装置を提供する。【解決手段】第３トランジスタ４３のゲート−ドレイン間に配置されるツェナーダイオード４４ａを有し当該ゲート−ドレイン間の電圧をクランプ電圧Ｖｃｌでクランプするクランプ回路４４が設けられている。そして、第３トランジスタ４３のオフ後に測定される補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが基準電圧よりも低い場合には噴射設定期間Ｔが基準期間Ｔｏよりも短く補正され、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが基準電圧よりも高い場合には噴射設定期間Ｔが基準期間Ｔｏよりも長く補正される。【選択図】図８
2013151925.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設定された噴射設定期間（Ｔ）に応じた電圧を印加することでインジェクタ（５０）を駆動制御するインジェクタ制御装置（１０）であって、
前記インジェクタの高電位側に接続される高電位側トランジスタ（４１，４２）と、
前記インジェクタの低電位側に接続される低電位側トランジスタ（４３）と、
前記噴射設定期間に応じて前記高電位側トランジスタおよび前記低電位側トランジスタのオンオフ状態を制御する制御手段（２０）と、
前記低電位側トランジスタのゲート−ドレイン間に配置されるツェナーダイオード（４４ａ）を有し当該ゲート−ドレイン間の電圧をクランプ電圧（Ｖｃｌ）でクランプするクランプ回路（４４）と、
前記クランプ電圧を測定する測定手段（１１）と、
前記低電位側トランジスタのオフ後に前記測定手段により測定される補正用クランプ電圧（Ｖｃｌａ）が基準電圧よりも低い場合には前記噴射設定期間を基準期間（Ｔｏ）よりも短く補正し、当該補正用クランプ電圧が前記基準電圧よりも高い場合には前記噴射設定期間を前記基準期間よりも長く補正する補正手段（１１）と、
を備えることを特徴とするインジェクタ制御装置。
【請求項２】
前記噴射設定期間を前記基準期間に対して変化させるための補正値（ΔＴ）と前記補正用クランプ電圧とが関係付けられたマップが予め記憶される記憶手段（１１）を備え、
前記補正手段は、前記記憶手段に記憶される前記マップに基づいて前記低電位側トランジスタのオフ後に前記測定手段により測定される前記補正用クランプ電圧に応じた前記補正値を求め、この補正値に基づいて前記噴射設定期間を前記基準期間に対して補正することを特徴とする請求項１に記載のインジェクタ制御装置。
【請求項３】
前記マップは、前記補正用クランプ電圧と前記基準期間に対する実際の噴射期間との関係を実測して設定されることを特徴とする請求項２に記載のインジェクタ制御装置。
【請求項４】
前記補正手段は、複数回の噴射に１度、前記補正用クランプ電圧に応じて前記噴射設定期間を補正し、
前記制御手段は、前記補正手段により前記噴射設定期間が補正されると、次に前記噴射設定期間が補正されるまで、当該補正された噴射設定期間に基づいて前記高電位側トランジスタおよび前記低電位側トランジスタのオンオフ状態を制御することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のインジェクタ制御装置。
【請求項５】
前記測定手段は、前記低電位側トランジスタのオフ後であって前記ツェナーダイオードのツェナー電圧が安定した後に、前記補正用クランプ電圧を測定することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のインジェクタ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インジェクタ制御装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、インジェクタ（電磁弁）を駆動するインジェクタ制御装置は、インジェクタの開弁を精度よく早めるために、励磁制御部および保持制御部を備えている。励磁制御部は、インジェクタを開弁するために必要な過励磁電流をインジェクタのアクチュエータ（ソレノイドコイルやピエゾ素子等）に供給するものである。この励磁制御部は、入力される制御信号に応じて第１トランジスタをオン／オフ制御することで、アクチュエータに対してバッテリ電圧を昇圧した高電圧を第１トランジスタを介して印加して過励磁電流を供給する。また、保持制御部は、設定された噴射設定期間に応じてインジェクタの開弁状態を保持するために必要な保持電流をアクチュエータに供給するものである。この保持制御部は、過励磁時間の経過後であって入力される制御信号に応じて第２トランジスタをスイッチング制御することで、アクチュエータに対して、バッテリ電圧を降圧して得られた低電圧またはバッテリ電圧そのものを第２トランジスタを介して印加して保持電流を供給する。また、インジェクタ制御装置は、アクチュエータに流れるインジェクタ電流を遮断する際に、電流を速くオフするための第３トランジスタを備えている。この第３トランジスタは、入力される制御信号がオンの期間中は、常時オン状態にされており、制御信号がオフするタイミングでオフ状態にされる。
【０００３】
このように構成されるインジェクタ駆動装置について、開弁状態時に噴射される燃料の噴射量の精度を高めた装置として、下記特許文献１に開示されるインジェクタ駆動装置が知られている。このインジェクタ駆動装置は、エンジンの吸入空気量に対して演算した燃料の噴射量を与える噴射時間を基本駆動時間として演算し、駆動開始タイミングでインジェクタに電源電圧を印加してインジェクタの駆動を開始する。そして、インジェクタに流れる駆動電流の波形からインジェクタの開弁が開始されるタイミングを開弁タイミングとして推定し、駆動開始タイミングから開弁タイミングまでの経過時間を開弁時間として計測する。そして、吸入空気量に対して演算された噴射量とインジェクタから実際に噴射される燃料量との差を零に近づけるように、開弁時間に応じて基本駆動時間を補正してインジェクタの実駆動時間を演算し、駆動開始タイミングからの経過時間が実駆動時間に達したときにインジェクタの駆動を終了する。
【０００４】
これにより、ソレノイドコイル（アクチュエータ）の抵抗値の変化や電源電圧の変動によりインジェクタの開弁が完了するまでの時間が変動する場合であっても、その変動分を補償する分だけインジェクタを駆動する時間を補正することで、インジェクタから実際に噴射される燃料の量と吸入空気量に対して演算された噴射量との間の誤差が少なくなり、噴射量精度が高まることとなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１２８２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、インジェクタ制御装置では、インジェクタ電流の電流値が所定値（以下、開弁電流値という）に達するとインジェクタが開弁し、噴射設定期間が終了して第３トランジスタへオフ信号が入力され、インジェクタ電流の電流値が所定値（以下、閉弁電流値という）以下となるとインジェクタが閉弁する。そして、第３トランジスタへオフ信号が入力された後のインジェクタ電流の下がり方は、実際にはオフ信号の入力から次のように遅れが生じる。
【０００７】
第３トランジスタのゲート−ドレイン間にはクランプ用のツェナーダイオードが接続（配置）されており、第３トランジスタへオフ信号が入力されると、オン時にアクチュエータに蓄えられたエネルギーによってツェナーダイオードを介して、第３トランジスタが再度オン状態となりアクチュエータにインジェクタ電流が流れる。このようにアクチュエータに蓄えられたエネルギーが消費されて、インジェクタ電流の電流値が閉弁電流値以下となると、インジェクタが閉弁する。つまり、インジェクタ電流の電流値が閉弁電流値以下となるまで、インジェクタから燃料が噴射され続けることとなる。
【０００８】
しかしながら、クランプ電圧は、主にツェナーダイオードのツェナー電圧により決まり、このツェナー電圧は、製造誤差や温度等に起因してばらつくため、このクランプ電圧の変化に応じて、アクチュエータに流れるインジェクタ電流の電流値が閉弁電流値以下となるまでの時間が変動する。このため、同じ噴射設定期間としても、制御信号オフからインジェクタ電流の電流値が閉弁電流値以下となり燃料噴射が停止されるまでの実際の噴射時間がばらついてしまうという問題がある。
【０００９】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、簡易な構成にてインジェクタによる噴射時間を高精度に制御し得るインジェクタ制御装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、特許請求の範囲の請求項１に記載の発明は、設定された噴射設定期間（Ｔ）に応じた時間に電圧を印加することでインジェクタ（５０）を駆動制御するインジェクタ制御装置（１０）であって、前記インジェクタの高電位側に接続される高電位側トランジスタ（４１，４２）と、前記インジェクタの低電位側に接続される低電位側トランジスタ（４３）と、前記噴射設定期間に応じて前記高電位側トランジスタおよび前記低電位側トランジスタのオンオフ状態を制御する制御手段（２０）と、前記低電位側トランジスタのゲート−ドレイン間に配置されるツェナーダイオード（４４ａ）を有し当該ゲート−ドレイン間の電圧をクランプ電圧（Ｖｃｌ）でクランプするクランプ回路（４４）と、前記クランプ電圧を測定する測定手段（１１）と、前記低電位側トランジスタのオフ後に前記測定手段により測定される補正用クランプ電圧（Ｖｃｌａ）が基準電圧よりも低い場合には前記噴射設定期間を基準期間（Ｔｏ）よりも短く補正し、当該補正用クランプ電圧が前記基準電圧よりも高い場合には前記噴射設定期間を前記基準期間よりも長く補正する補正手段（１１）と、を備えることを特徴とする。
なお、特許請求の範囲および上記手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１の発明では、低電位側トランジスタのゲート−ドレイン間に配置されるツェナーダイオードを有し当該ゲート−ドレイン間の電圧をクランプ電圧でクランプするクランプ回路が設けられている。そして、補正手段により、低電位側トランジスタのオフ後に測定手段により測定される補正用クランプ電圧が基準電圧よりも低い場合には噴射設定期間が基準期間よりも短く補正され、補正用クランプ電圧が基準電圧よりも高い場合には噴射設定期間が基準期間よりも長く補正される。
【００１２】
補正用クランプ電圧が基準電圧よりも低くなる場合には、インジェクタのアクチュエータに蓄えられるエネルギーの消費速度が小さくなり、低電位側トランジスタのオフ後にインジェクタ電流の電流値が上記閉弁電流値以下となるまでの時間（以下、エネルギー消費時間という）、すなわち、実際の噴射期間が長くなる。また、補正用クランプ電圧が上記基準電圧よりも高くなる場合には、アクチュエータに蓄えられるエネルギーの消費速度が大きくなり、エネルギー消費時間が短くなることから実際の噴射期間が短くなる。
【００１３】
そこで、本発明では、補正用クランプ電圧が基準電圧よりも低くなるために実際の噴射期間が長くなる場合には、噴射設定期間が基準期間よりも短く補正される。このため、補正用クランプ電圧が基準電圧よりも低いときの実際の噴射期間（短く補正された噴射設定期間から開弁までの時間を減算してエネルギー消費時間を加算した時間）と、補正用クランプ電圧が基準電圧のときの実際の噴射期間（基準期間から開弁までの時間を減算してエネルギー消費時間を加算した時間）との差が小さくなり、噴射時間（開弁時間）のばらつきを抑制することができる。また、本発明では、補正用クランプ電圧が基準電圧よりも高くなるために実際の噴射期間が短くなる場合には、噴射設定期間が基準期間よりも長く補正される。このため、補正用クランプ電圧が基準電圧よりも高いときの実際の噴射期間（長く補正された噴射設定期間から開弁までの時間を減算してエネルギー消費時間を加算した時間）と、補正用クランプ電圧が基準電圧のときの実際の噴射期間（基準期間から開弁までの時間を減算してエネルギー消費時間を加算した時間）との差が小さくなり、噴射時間（開弁時間）のばらつきを抑制することができる。
したがって、燃料噴射量を実測するセンサ等を要することなく、簡易な構成にてインジェクタによる噴射時間を高精度に制御することができる。
【００１４】
請求項２の発明では、記憶手段には、噴射設定期間を基準期間に対して変化させるための補正値と補正用クランプ電圧とが関係付けられたマップが予め記憶されており、補正手段は、上記マップに基づいて低電位側トランジスタのオフ後に測定手段により測定される補正用クランプ電圧に応じた補正値を求め、この補正値に基づいて噴射設定期間を基準期間に対して補正する。このように予め記憶されたマップを用いて補正値が求められるので、当該補正値を用いた噴射設定期間の補正を容易に実施することができる。
【００１５】
請求項３の発明では、マップは、補正用クランプ電圧と基準期間に対する実際の噴射期間との関係を実測して設定されるため、当該マップを用いた噴射設定期間の補正精度が高められて、噴射時間のばらつきを確実に抑制することができる。
【００１６】
請求項４の発明では、補正手段は、複数回の噴射に１度、補正用クランプ電圧に応じて噴射設定期間を補正し、制御手段は、補正手段により噴射設定期間が補正されると、次に噴射設定期間が補正されるまで、当該補正された噴射設定期間に基づいて高電位側トランジスタおよび低電位側トランジスタのオンオフ状態を制御する。
【００１７】
これにより、噴射毎に補正された噴射設定期間に基づいて高電位側トランジスタおよび低電位側トランジスタのオンオフ状態を制御する場合と比較して、補正等に関する処理負荷を軽減することができる。
【００１８】
請求項５の発明では、測定手段は、低電位側トランジスタのオフ後であってツェナーダイオードのツェナー電圧が安定した後に、補正用クランプ電圧を測定する。低電位側トランジスタのオフ直後では、本来のツェナー電圧を超える電圧が発生する場合もあり、ツェナー電圧が安定しない場合がある。そこで、ツェナー電圧が安定した後に測定手段により補正用クランプ電圧を測定することで、上記エネルギー消費時間に影響する補正用クランプ電圧を精度良く測定できるので、補正手段による噴射設定期間の補正精度が高められて、噴射時間のばらつきを確実に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態に係るインジェクタ制御装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】本実施形態における駆動制御処理に応じて出力される各信号等を示す波形図であり、図２（Ａ）は噴射指令信号を示し、図２（Ｂ）は励磁制御部が第１トランジスタに出力する信号を示し、図２（Ｃ）は保持制御部が第２トランジスタに出力する信号を示し、図２（Ｄ）はインジェクタ電流を示す。
【図３】ツェナーダイオードにおける温度とツェナー電圧との関係を示すグラフである。
【図４】第３トランジスタのオフ後のクランプ電圧が基準電圧である場合の波形図であって、図４（Ａ）は噴射指令信号を示し、図４（Ｂ）はクランプ電圧を示し、図４（Ｃ）はインジェクタ電流を示す。
【図５】第３トランジスタのオフ後のクランプ電圧が基準電圧よりも低い場合の波形図であって、図５（Ａ）は噴射指令信号を示し、図５（Ｂ）はクランプ電圧を示し、図５（Ｃ）はインジェクタ電流を示す。
【図６】第３トランジスタのオフ後のクランプ電圧が基準電圧よりも高い場合の波形図であって、図６（Ａ）は噴射指令信号を示し、図６（Ｂ）はクランプ電圧を示し、図６（Ｃ）はインジェクタ電流を示す。
【図７】駆動制御処理にて使用される補正用クランプ電圧と補正値との関係の一例を示すマップである。
【図８】マイコンにより実施される駆動制御処理の流れを例示するフローチャートである。
【図９】補正用クランプ電圧が基準電圧よりも低いことから噴射設定期間が基準期間よりも短く補正された場合の波形図であって、図９（Ａ）は噴射指令信号を示し、図９（Ｂ）はクランプ電圧を示し、図９（Ｃ）はインジェクタ電流を示す。
【図１０】補正用クランプ電圧が基準電圧よりも高いことから噴射設定期間が基準期間よりも長く補正された場合の波形図であって、図１０（Ａ）は噴射指令信号を示し、図１０（Ｂ）はクランプ電圧を示し、図１０（Ｃ）はインジェクタ電流を示す。
【図１１】第３トランジスタのオフ直後におけるツェナーダイオードのツェナー電圧の時間変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明のインジェクタ制御装置を具現化した一実施形態について、図面を参照して説明する。
図１に示すインジェクタ制御装置１０は、車両に搭載されるものであり、ガソリンエンジン，ディーゼルエンジン等の内燃機関（以下、単にエンジンという）における複数の気筒毎に設けられた複数のインジェクタ５０をそれぞれ個別に駆動制御するものである。インジェクタ制御装置１０は、各インジェクタ５０のアクチュエータ（ソレノイドコイルやピエゾ素子であり、ここではソレノイドコイルを採用する、図示省略）への通電状態（通電時間）によって、各インジェクタ５０をそれぞれ開閉させてエンジンへの燃料の噴射量を制御する。
【００２１】
インジェクタ５０は、例えば、気筒内に直接燃料を噴射する直噴型のインジェクタであり、４気筒エンジンの場合は４個のインジェクタ５０が設けられる。なお、直噴型のインジェクタとは、エンジンの気筒に燃料を直接噴射するインジェクタを示すものである。また、図１では、複数のインジェクタ５０のうちの一つを図示している。
【００２２】
当該インジェクタ５０は、ソレノイドコイルに通電されると、このソレノイドコイルにより弁体が開弁位置に移動する。これにより、インジェクタ５０が開弁状態となり、燃料を噴射可能な状態となる。また、インジェクタ５０は、ソレノイドコイルへの通電が停止（遮断）されると、このソレノイドコイルにより弁体が閉弁位置に移動する。これにより、インジェクタ５０が閉弁状態となり、燃料の噴射が停止される。
【００２３】
図１に示すように、インジェクタ制御装置１０は、マイコン１１と、直噴制御ＩＣ（以下、単に制御ＩＣとも称する）２０と、スイッチング手段（第１トランジスタ４１、第２トランジスタ４２、第３トランジスタ４３）とを備えて構成されている。
【００２４】
マイコン１１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、発振回路、及び記憶内容が書き換え可能な不揮発性メモリ（例えばＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）やフラッシュＲＯＭ）などを備えて構成される周知のマイクロコンピュータである。マイコン１１は、ＣＰＵが予めＲＯＭに格納されたプログラムなどを読み出して、ＲＡＭを一時的記憶部として用いつつ演算処理を実行することで後述する駆動制御処理等を実行する。
【００２５】
マイコン１１は、エンジン回転数、アクセル開度、エンジン水温など、各種センサ（図示省略）にて検出されるエンジンの運転情報に基づいて、駆動制御処理を実行することで、後述するように気筒毎に設定された噴射設定期間に応じたパルス幅のパルス信号である噴射指令信号を生成して制御ＩＣ２０に出力する。
【００２６】
このように噴射指令信号が出力されている間（言い換えると、噴射指令を示す信号のレベルがハイの間）、インジェクタ５０のソレノイドコイルが通電される。つまり、マイコン１１は、エンジンの運転情報に基づいて、気筒毎にインジェクタ５０のソレノイドコイルへの通電期間を設定し、この設定した通電期間に応じた噴射指令信号（パルス信号）を出力する。すなわち、噴射指令信号は、そのパルス持続時間（パルス幅）が設定した通電期間と同等であり、インジェクタ５０への通電期間を示す信号とも言い換えることができる。
【００２７】
制御ＩＣ２０は、励磁制御部２１、保持制御部２２、ＩＮＪスイッチ制御部２３、モニタ部２４などの機能ブロックを備えている。制御ＩＣ２０は、マイコン１１からの噴射指令信号と、後述するように計測されたソレノイドコイルを流れる電流（インジェクタ電流）の電流値とに基づいて、各トランジスタ４１〜４３に対してオン信号（ハイレベルの駆動信号）又はオフ信号（ローレベルの駆動信号）をそれぞれ出力する。このように出力される各信号に応じて、各トランジスタ４１〜４３が制御されることで、インジェクタ５０のソレノイドコイルに対して第１電源３１又は第２電源３２から電圧が印加（供給）される。なお、制御ＩＣ２０は、特許請求の範囲に記載の「制御手段」の一例に相当し得る。
【００２８】
第１電源３１は、バッテリ（図示省略）のバッテリ電圧を昇圧して得られた高電圧を供給する電源であり、ＤＣ／ＤＣコンバータなどのスイッチング電源を採用することができる。第２電源３２は、バッテリ電圧を降圧して得られた低電圧を供給する電源であり、ＤＣ／ＤＣコンバータなどのスイッチング電源を採用することができる。つまり、第１電源３１は、第２電源３２よりも高電圧を発生する高電圧発生手段であり、第２電源３２は、第１電源３１よりも低電圧を発生する低電圧発生手段である。なお、第２電源３２は、バッテリ電圧を直接供給するものであってもよい。
【００２９】
第１トランジスタ４１は、第１電源３１とインジェクタ５０の高電位側との間に接続されて、第１電源３１の高電圧をインジェクタ５０に印加する際にオン制御される。第２トランジスタ４２は、第２電源３２とインジェクタ５０の高電位側との間に接続されて、第２電源３２の低電圧をインジェクタ５０に印加する際にスイッチング制御される。第３トランジスタ４３は、インジェクタ５０の低電位側に接続されて、第１電源３１または第２電源３２の電圧をインジェクタ５０に印加する際にオン制御される。本実施形態では、これら各トランジスタ４１〜４３には、ＭＯＳＦＥＴが採用されているが、これに限らず、バイポーラトランジスタ等のスイッチング素子が採用されてもよい。なお、第１トランジスタ４１および第２トランジスタ４２は、特許請求の範囲に記載の「高電位側トランジスタ」の一例に相当し、第３トランジスタ４３は、特許請求の範囲に記載の「低電位側トランジスタ」の一例に相当し得る。
【００３０】
第３トランジスタ４３のゲート−ドレイン間には、ツェナーダイオード４４ａおよびダイオード４４ｂを有するクランプ回路４４が設けられている。このクランプ回路４４は、第３トランジスタ４３のゲート−ドレイン間の電圧をクランプ電圧Ｖｃｌでクランプする機能を有するものである。このクランプ電圧Ｖｃｌは、第３トランジスタ４３のドレイン端子の電圧に基づいて測定される。
【００３１】
ツェナーダイオード４４ａは、そのカソードが第３トランジスタ４３のドレインに接続されており、当該第３トランジスタ４３のオフ時に、インジェクタコイルの電圧によりカソード側からアノード側へツェナー電流が流れることで第３トランジスタ４３をオンさせて、インジェクタコイルに蓄積されていたエネルギーを消費させる消弧用ツェナーダイオードとして機能するものである。
【００３２】
ダイオード４４ｂは、そのアノードがツェナーダイオード４４ａのアノードに接続され、カソードが第３トランジスタ４３のゲートに接続されている。このダイオード４４ｂは、制御ＩＣ２０から第３トランジスタ４３のゲートに供給されるオン信号、すなわち、ハイレベルの駆動信号が当該第３トランジスタ４３のドレインへの回り込みを防止するように機能するものである。
なお、ツェナーダイオード４４ａとダイオード４４ｂとの配置の入れ替え、つまりツェナーダイオード４４ａのアノードを第３トランジスタ４３のゲートに接続し、カソードをダイオード４４ｂのカソードに接続し、ダイオード４４ｂのアノードを第３トランジスタ４３のドレインに接続してもよい。
【００３３】
励磁制御部２１は、第１トランジスタ４１のゲートにオン信号又はオフ信号を出力することによって、第１トランジスタ４１をオン又はオフさせる。また、保持制御部２２は、第２トランジスタ４２のゲートにオン信号又はオフ信号を出力することによって、第２トランジスタ４２をオン又はオフさせる。また、ＩＮＪスイッチ制御部２３は、第３トランジスタ４３のゲートにオン信号又はオフ信号を出力することによって、第３トランジスタ４３をオン又はオフさせる。
【００３４】
励磁制御部２１により第１トランジスタ４１がオンされ、ＩＮＪスイッチ制御部２３により第３トランジスタ４３がオンされると、インジェクタ５０に対して第１電源３１から高電圧が印加される。そして、この印加状態から励磁制御部２１により第１トランジスタ４１がオフされることで、インジェクタ５０に対する第１電源３１からの高電圧の印加が停止される。
【００３５】
ＩＮＪスイッチ制御部２３により第３トランジスタ４３がオン制御されている間に、保持制御部２２により第２トランジスタ４２がオンされると、インジェクタ５０に対して第２電源３２から低電圧が印加される。そして、この印加状態からＩＮＪスイッチ制御部２３により第３トランジスタ４３がオフされることで、インジェクタ５０に対する第２電源３２からの低電圧の印加が停止される。
【００３６】
モニタ部２４は、第３トランジスタ４３に接続されたシャント抵抗Ｒの両端に生じる電圧降下に基づいて、インジェクタ５０に流れるインジェクタ電流の電流値Ｉをモニタ（計測）する電流検出手段として機能する。
【００３７】
また、モニタ部２４は、後述する開弁制御時に、インジェクタ電流の電流値が第１トランジスタ４１をオフするための所定値（第１閾値）に達したか否かを判定する。そして、モニタ部２４は、インジェクタ電流の電流値が第１閾値に達したと判定すると、インジェクタ電流の電流値が第１閾値に達したことを示す第１信号を励磁制御部２１に送信する。
【００３８】
また、モニタ部２４は、後述する保持制御時に、インジェクタ電流の電流値が第２トランジスタ４２をオンするための所定値（第２閾値）に達したか否かを判定する。そして、モニタ部２４は、インジェクタ電流の電流値が第２閾値に達したと判定すると、インジェクタ電流の電流値が第２閾値に達したことを示す第２信号を保持制御部２２に送信する。
【００３９】
また、モニタ部２４は、保持制御時に、インジェクタ電流の電流値が第２トランジスタ４２をオフするための所定値（第３閾値）に達したか否かを判定する。そして、モニタ部２４は、インジェクタ電流の電流値が第３閾値に達したと判定すると、インジェクタ電流の電流値が第３閾値に達したことを示す第３信号を保持制御部２２に送信する。
【００４０】
次に、上述のように構成されるインジェクタ制御装置１０の処理動作に関して説明する。まず、図２（Ａ）〜（Ｄ）の波形図に基づいて、駆動制御の基本的な処理に関して説明する。図２は、本実施形態における駆動制御処理に応じて出力される各信号等を示す波形図であり、図２（Ａ）は噴射指令信号を示し、図２（Ｂ）は励磁制御部２１が第１トランジスタに出力する信号を示し、図２（Ｃ）は保持制御部２２が第２トランジスタに出力する信号を示し、図２（Ｄ）はインジェクタ電流を示す。
マイコン１１は、イグニッションスイッチ（ＩＧＳＷ）がオンになると、スターターモータ（図示省略）を回転させることによってエンジンを始動させる。その際、マイコン１１は、各インジェクタ５０を駆動制御するための駆動制御処理を実施することで、図２（Ａ）に示すように、インジェクタ５０を開閉弁させるための噴射設定期間を設定し、この設定された噴射設定期間に応じた噴射指令信号を制御ＩＣ２０に対して送信する。
【００４１】
一方、噴射指令信号を受信した制御ＩＣ２０の励磁制御部２１は、第１トランジスタ４１にオン信号を出力して第１トランジスタ４１をオンさせる（図２（Ｂ）のｔ１）。また、噴射指令信号を受信したＩＮＪスイッチ制御部２３は、第３トランジスタ４３にオン信号を出力して第３トランジスタ４３をオンさせる（図示省略）。つまり、制御ＩＣ２０は、ハイレベルの噴射指令信号を受信すると、第１トランジスタ４１と第３トランジスタ４３とを同時にオンさせる。
【００４２】
このように第１トランジスタ４１と第３トランジスタ４３がオンすると、インジェクタ５０のソレノイドコイルには、第１電源３１から電圧が印加されることで、インジェクタ電流が流れ（図２（Ｄ）のｔ１）、その電流値Ｉが時間の経過に伴って徐々に大きくなる。そして、インジェクタ電流の電流値Ｉが所定値（インジェクタ５０が開弁する電流値：開弁電流値）に達すると、インジェクタ５０が開弁状態となる。インジェクタ制御装置１０は、このように第１トランジスタ４１と第３トランジスタ４３とを同時にオンさせることによって、インジェクタ５０を開弁させる。
【００４３】
また、モニタ部２４は、このインジェクタ電流の電流値Ｉを求めるとともに、インジェクタ電流の電流値Ｉが第１閾値に達したか否かを判定する。そして、モニタ部２４は、インジェクタ電流の電流値Ｉが第１閾値に達したと判定すると（図２（Ｄ）のｔ２）、インジェクタ電流の電流値Ｉが第１閾値に達したことを示す第１信号を励磁制御部２１に送信する。
【００４４】
励磁制御部２１は、モニタ部２４から上記第１信号を受信すると、第１トランジスタ４１にオフ信号を出力して第１トランジスタ４１をオフさせる（図２（Ｂ）のｔ２）。
【００４５】
ここで、第１電源３１は、高電圧を発生（供給）するように構成されているため、インジェクタ５０（ソレノイドコイル）に流れるインジェクタ電流の電流値Ｉは、比較的早くインジェクタ５０が開弁する電流値に達する。従って、インジェクタ５０を高速で開弁させることができる。つまり、インジェクタ５０の開弁応答を早めることができる。換言すると、インジェクタ５０を高速駆動させることができる。このように、図２（Ｄ）のｔ１からｔ２の間は、励磁制御部２１による開弁制御によってインジェクタ５０の駆動制御が行われる。
【００４６】
インジェクタ制御装置１０は、上記開弁制御により第１トランジスタ４１と第３トランジスタ４３とをオンさせてインジェクタ５０を開弁させた後は、インジェクタ５０の開弁状態を保持（維持）する保持制御を実施する。
【００４７】
上述のように励磁制御部２１によって第１トランジスタ４１がオフされると、インジェクタ電流は徐々に低下していく（図２（Ｄ）のｔ２からｔ３）。モニタ部２４は、このように低下するインジェクタ電流の電流値Ｉが第２閾値に達したか否かを判定する。そして、モニタ部２４は、インジェクタ電流の電流値Ｉが第２閾値に達したと判定すると（図２（Ｄ）のｔ３）、インジェクタ電流の電流値Ｉが第２閾値に達したことを示す第２信号を保持制御部２２に送信する。
【００４８】
保持制御部２２は、モニタ部２４から上記第２信号を受信すると、第２トランジスタ４２にオン信号を出力して第２トランジスタ４２をオンさせる（図２（Ｃ）のｔ３）。これにより、第２トランジスタ４２がオンすると、インジェクタ５０のソレノイドコイルには、第２電源３２から電圧が印加されることでインジェクタ電流が流れる。このインジェクタ電流は、時間の経過に伴って徐々に大きくなる（図２（Ｄ）のｔ３からｔ４）。
【００４９】
ここで、上述のように第２電源３２は、低電圧を発生（供給）するように構成されているため、第２トランジスタ４２をオンさせることで、インジェクタ５０（ソレノイドコイル）には比較的小さな電流値のインジェクタ電流（開弁保持電流）が流れる。この開弁保持電流の電流値は、インジェクタ５０の開弁状態を保持するのに必要な電流値である。
【００５０】
モニタ部２４は、上述のように大きくなるインジェクタ電流の電流値Ｉが第３閾値に達したか否かを判定する。そして、モニタ部２４は、インジェクタ電流の電流値Ｉが第３閾値に達したと判定すると（図２（Ｄ）のｔ４）、インジェクタ電流の電流値Ｉが第３閾値に達したことを示す第３信号を保持制御部２２に送信する。
【００５１】
保持制御部２２は、モニタ部２４から上記３信号を受信すると、第２トランジスタ４２にオフ信号を出力して第２トランジスタ４２をオフさせる（図２（Ｃ）のｔ４）。これにより、第２トランジスタ４２がオフされると、インジェクタ電流は徐々に低下していく（図２（Ｄ）のｔ４からｔ５）。モニタ部２４は、このように低下するインジェクタ電流の電流値Ｉが第２閾値に達したか否かを判定する。そして、モニタ部２４は、インジェクタ電流の電流値Ｉが第２閾値に達したと判定すると（図２（Ｄ）のｔ５）、インジェクタ電流の電流値Ｉが第２閾値に達したことを示す第２信号を保持制御部２２に送信する。
【００５２】
保持制御部２２は、以降同様に、モニタ部２４で求められたインジェクタ電流の電流値Ｉと第２閾値及び第３閾値とを比較して、第２トランジスタ４２のオン及びオフを繰り返し行う。つまり、保持制御時においては、保持制御部２２は、インジェクタ電流の電流値Ｉが、インジェクタ５０の開弁状態を保持するのに必要な電流値となるように、第２トランジスタ４２のオン及びオフが繰り返されるスイッチングが行われる。インジェクタ制御装置１０は、このように第２トランジスタ４２のスイッチングが行われることによって、インジェクタ５０の開弁状態を保持する。
【００５３】
そして、ＩＮＪスイッチ制御部２３は、噴射指令信号がオフ（噴射指令を示す信号のレベルがロー）になると（図２（Ａ）のｔ６）、第３トランジスタ４３にオフ信号を出力して第３トランジスタ４３をオフさせる（図示省略）。このように第３トランジスタ４３のゲートにオフ信号が入力されると、オン時にインジェクタ５０のソレノイドコイルに蓄えられたエネルギーによってツェナーダイオード４４ａを介して、第３トランジスタ４３が再度オン状態となりインジェクタ５０のソレノイドコイルにインジェクタ電流が流れる。このようにソレノイドコイルに蓄えられたエネルギーが消費されて、インジェクタ電流の電流値Ｉが徐々に低下して所定値（インジェクタ５０が閉弁する電流値：閉弁電流値）以下となると、インジェクタ５０が閉弁状態となる（図２（Ｄ）のｔ７）。
【００５４】
このようにインジェクタ制御装置１０は、インジェクタ５０を開弁してエンジンに燃料を噴射する場合、開弁制御時には大電流値の開弁電流をインジェクタ５０のソレノイドに通電して開弁動作を速める。そして、開弁完了後の保持制御時には開弁状態の維持に必要な小電流値の開弁保持電流に切り替え、この開弁保持電流をソレノイドに所定時間（噴射指令信号がオフになるまで）通電させて噴射量を制御する。
【００５５】
なお、本実施形態においては、モニタ部２４が、インジェクタ電流の電流値Ｉが第１〜第３閾値に達したか否かを判定するとともに、インジェクタ電流の電流値Ｉが各閾値に達したことを励磁制御部２１又は保持制御部２２に通知する例を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。インジェクタ電流の電流値Ｉが第１〜第３閾値の夫々に達したか否かを判定するとともに、インジェクタ電流の電流値Ｉが各閾値に達したことを励磁制御部２１又は保持制御部２２に通知する手段であれば採用することができる。
【００５６】
次に、本発明の特徴的構成について図を用いて詳細に説明する。図３は、ツェナーダイオード４４ａにおける温度とツェナー電圧との関係を示すグラフである。図４は、第３トランジスタ４３のオフ後のクランプ電圧Ｖｃｌが基準電圧である場合の波形図であって、図４（Ａ）は噴射指令信号を示し、図４（Ｂ）はクランプ電圧を示し、図４（Ｃ）はインジェクタ電流を示す。図５は、第３トランジスタ４３のオフ後のクランプ電圧Ｖｃｌが基準電圧よりも低い場合の波形図であって、図５（Ａ）は噴射指令信号を示し、図５（Ｂ）はクランプ電圧を示し、図５（Ｃ）はインジェクタ電流を示す。図６は、第３トランジスタ４３のオフ後のクランプ電圧Ｖｃｌが基準電圧よりも高い場合の波形図であって、図６（Ａ）は噴射指令信号を示し、図６（Ｂ）はクランプ電圧を示し、図６（Ｃ）はインジェクタ電流を示す。図７は、駆動制御処理にて使用される補正用クランプ電圧Ｖｃｌａと補正値ΔＴとの関係の一例を示すマップである。
【００５７】
上述したように噴射指令信号がオフになったことから第３トランジスタ４３にオフ信号が入力されると、インジェクタ５０のソレノイドコイルに蓄えられたエネルギーによってクランプ用のツェナーダイオード４４ａを介して第３トランジスタ４３が再度オン状態となり、ソレノイドコイルにインジェクタ電流が流れることで上記エネルギーが消費されて、インジェクタ５０が閉弁する。
【００５８】
クランプ回路４４のクランプ電圧Ｖｃｌは、主にツェナーダイオード４４ａのツェナー電圧により決まり、このツェナー電圧は、製造誤差や温度等に起因してばらつく。例えば、図３に例示するように、温度が上昇するとツェナー電圧、すなわちクランプ電圧Ｖｃｌが増加するように変化する。そうすると、第３トランジスタ４３のオフ後のクランプ電圧Ｖｃｌの変化に応じて、ソレノイドコイルに流れるインジェクタ電流の電流値Ｉが閉弁電流値以下となるまでの時間が変動するため、同じ噴射設定期間としても、噴射指令信号がオンになってからインジェクタ電流の電流値Ｉが閉弁電流値以下となり燃料噴射が停止されるまでの実際の噴射時間（以下、実噴射期間という）がばらついてしまう。
【００５９】
例えば、噴射設定期間Ｔが３．５ｍｓに設定されており、第３トランジスタ４３にオフ信号が入力された後でのクランプ電圧Ｖｃｌが想定される基準電圧（例えば、９１Ｖ）である場合に、図４に例示するように、第３トランジスタ４３にオフ信号が入力された後にインジェクタ電流の電流値Ｉが所定の時間（以下、エネルギー消費時間という）で上記閉弁電流値以下となるとする。この場合、基準電圧時におけるエネルギー消費時間をＴ１ｅ、実噴射期間をＴ１ｓとすると、実噴射期間Ｔ１ｓは、噴射設定期間Ｔから開弁までの時間Ｔdを減算してエネルギー消費時間Ｔ１ｅを加算した時間になる（図４参照）。
【００６０】
一方、第３トランジスタ４３にオフ信号が入力された後でのクランプ電圧Ｖｃｌが例えば８８Ｖで上記基準電圧よりも低い場合には、インジェクタ５０のソレノイドコイルに蓄えられるエネルギーの消費速度が小さくなり、この場合のエネルギー消費時間をＴ２ｅとすると、エネルギー消費時間Ｔ２ｅがエネルギー消費時間Ｔ１ｅよりも長くなる。すなわち、図５に例示するように、実噴射期間Ｔ２ｓが実噴射期間Ｔ１ｓよりも長くなり、燃料噴射量が基準値よりも増大してしまう。
【００６１】
また、第３トランジスタ４３にオフ信号が入力された後でのクランプ電圧Ｖｃｌが例えば９５Ｖで上記基準電圧よりも高い場合には、インジェクタ５０のソレノイドコイルに蓄えられるエネルギーの消費速度が大きくなり、この場合のエネルギー消費時間をＴ３ｅとすると、エネルギー消費時間Ｔ３ｅがエネルギー消費時間Ｔ１ｅよりも短くなる。すなわち、図６に例示するように、実噴射期間Ｔ３ｓが実噴射期間Ｔ１ｓよりも短くなり、燃料噴射量が基準値よりも減少してしまう。
【００６２】
そこで、本実施形態におけるインジェクタ制御装置１０では、マイコン１１により実施される駆動制御処理において、第３トランジスタ４３にオフ信号が入力された後のクランプ電圧Ｖｃｌを補正用クランプ電圧Ｖｃｌａとして測定し、この測定された補正用クランプ電圧Ｖｃｌａに基づいて、実際の噴射時間のばらつきを抑えるように噴射設定期間Ｔを補正する。すなわち、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが上記基準電圧よりも低い場合には噴射設定期間Ｔを基準期間Ｔｏよりも短く補正し、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが上記基準電圧よりも高い場合には噴射設定期間Ｔを基準期間Ｔｏよりも長く補正する。
【００６３】
具体的には、例えば、第３トランジスタ４３にオフ信号が入力された後の補正用クランプ電圧Ｖｃｌａと基準期間Ｔｏに対する実噴射期間との関係を実測することで、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａに応じて基準期間Ｔｏを補正するための補正値ΔＴを設定し、図７に例示するように、補正値ΔＴと補正用クランプ電圧Ｖｃｌａとが関係付けられたマップ（図表）を予めＲＯＭ等に記憶しておく。そして、上記マップに基づいて測定された補正用クランプ電圧Ｖｃｌａに応じた補正値ΔＴを求めて、この補正値ΔＴに基づいて、噴射設定期間Ｔを基準期間Ｔｏに対して補正する。なお、マイコン１１のＲＯＭは、特許請求の範囲に記載の「記憶手段」の一例に相当し得る。
【００６４】
以下、マイコン１１により実施される駆動制御処理の流れについて、図を用いて詳細に説明する。図８は、マイコン１１により実施される駆動制御処理の流れを例示するフローチャートである。図９は、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが基準電圧よりも低いことから噴射設定期間Ｔが基準期間Ｔｏよりも短く補正された場合の波形図であって、図９（Ａ）は噴射指令信号を示し、図９（Ｂ）はクランプ電圧を示し、図９（Ｃ）はインジェクタ電流を示す。図１０は、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが基準電圧よりも高いことから噴射設定期間Ｔが基準期間Ｔｏよりも長く補正された場合の波形図であって、図１０（Ａ）は噴射指令信号を示し、図１０（Ｂ）はクランプ電圧を示し、図１０（Ｃ）はインジェクタ電流を示す。なお、図８に示すフローチャートは、ＩＧＳＷがオンになるとスターターモータ（図示省略）が回転することによってエンジン（内燃機関）が始動し、このＩＧＳＷがオンの間実行される処理に関するものである。
【００６５】
まず、マイコン１１では、ＩＧＳＷがオンになると、ステップＳ１０１に示す基準期間設定処理がなされる。この処理では、入力されるアクセル開度情報等の運転情報に基づいて、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが上記基準電圧である場合に設定すべき基準期間Ｔｏ（例えば３．５ｍｓ）が算出され、この算出された基準期間Ｔｏに等しくなるように噴射設定期間が設定される。続いて、ステップＳ１０３に示す判定処理にて、噴射開始タイミングか否かについて判定され、噴射開始タイミングになると（Ｓ１０３でＹｅｓ）、ステップＳ１０５に示す噴射指令信号出力処理がなされる。この処理では、上述のように設定された噴射設定期間に応じた噴射指令信号が制御ＩＣ２０に出力される。
【００６６】
次に、ステップＳ１０７に示すクランプ電圧測定処理がなされて、クランプ回路４４におけるクランプ電圧Ｖｃｌが補正用クランプ電圧Ｖｃｌａとして測定されると、ステップＳ１０９に示す補正値算出処理がなされる。この処理では、上述した図７に例示するマップに基づいて、測定された補正用クランプ電圧Ｖｃｌａに応じた補正値ΔＴが算出される。例えば、測定された補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが８８Ｖであれば、上記マップから補正値ΔＴとして−０．３ｍｓが算出される。また、例えば、測定された補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが９５Ｖであれば、上記マップから補正値ΔＴとして０．４ｍｓが算出される。なお、ステップＳ１０７に示すクランプ電圧測定処理を実施するマイコン１１は、特許請求の範囲に記載の「測定手段」の一例に相当し得る。
【００６７】
このように補正値ΔＴが算出されると、ステップＳ１１１に示す噴射設定期間補正処理がなされる。この処理では、噴射設定期間Ｔが、上述のように算出された補正値ΔＴに基づいて基準期間Ｔｏに対して補正される。なお、ステップＳ１１１に示す噴射設定期間補正処理を実施するマイコン１１は、特許請求の範囲に記載の「補正手段」の一例に相当し得る。
【００６８】
具体的には、基準期間Ｔｏが３．５ｍｓに設定されている場合、補正値がΔＴ＝−０．３ｍｓ（Ｖｃｌ＝８８Ｖ）と算出されると、噴射設定期間Ｔが３．２（＝３．５−０．３）ｍｓに補正される。すなわち、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが上記基準電圧よりも低い場合には、図９に例示するように、噴射設定期間Ｔが基準期間Ｔｏよりも短く補正される。
【００６９】
また、補正値がΔＴ＝０．４ｍｓ（Ｖｃｌ＝９５Ｖ）と算出されると、噴射設定期間Ｔが３．９（＝３．５＋０．４）ｍｓに補正される。すなわち、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが上記基準電圧よりも高い場合には、図１０に例示するように、噴射設定期間Ｔが基準期間Ｔｏよりも長く補正される。
【００７０】
そして、ＩＧＳＷがオフでなければ（Ｓ１１３でＮｏ）、上記ステップＳ１０１からの処理がなされて、上述のように算出された基準期間Ｔｏを補正値ΔＴに基づいて噴射設定期間Ｔが補正され、このように補正された噴射設定期間Ｔに応じた噴射指令信号が制御ＩＣ２０に出力される。これにより、上述のように補正されたときの実噴射期間Ｔｓとベースとなる実噴射期間Ｔ１ｓとの差が小さくなり、噴射時間（開弁時間）のばらつきを抑制することができる。
【００７１】
以上説明したように、本実施形態に係るインジェクタ制御装置１０では、第３トランジスタ４３のゲート−ドレイン間に配置されるツェナーダイオード４４ａを有し当該ゲート−ドレイン間の電圧をクランプ電圧Ｖｃｌでクランプするクランプ回路４４が設けられている。そして、第３トランジスタ４３のオフ後に測定される補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが基準電圧よりも低い場合には噴射設定期間Ｔが基準期間Ｔｏよりも短く補正され、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが基準電圧よりも高い場合には噴射設定期間Ｔが基準期間Ｔｏよりも長く補正される。
【００７２】
このように、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが基準電圧よりも低くなるために実噴射期間が長くなる場合には、噴射設定期間Ｔが基準期間Ｔｏよりも短く補正される。このため、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが基準電圧よりも低いときの実噴射期間（短く補正された噴射設定期間Ｔから開弁までの時間Ｔｄを減算してエネルギー消費時間を加算した時間）と、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが基準電圧のときの実噴射期間（基準期間Ｔｏから開弁までの時間Ｔｄを減算してエネルギー消費時間を加算した時間）との差が小さくなり、噴射時間（開弁時間）のばらつきを抑制することができる。また、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが基準電圧よりも高くなるために実噴射期間が短くなる場合には、噴射設定期間Ｔが基準期間Ｔｏよりも長く補正される。このため、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが基準電圧よりも高いときの実噴射期間（長く補正された噴射設定期間Ｔから開弁までの時間Ｔｄを減算してエネルギー消費時間を加算した時間）と、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａが基準電圧のときの実噴射期間（基準期間Ｔｏから開弁までの時間Ｔｄを減算してエネルギー消費時間を加算した時間）との差が小さくなり、噴射時間（開弁時間）のばらつきを抑制することができる。
したがって、燃料噴射量を実測するセンサ等を要することなく、簡易な構成にてインジェクタ５０による噴射時間を高精度に制御することができる。
【００７３】
また、マイコン１１のＲＯＭには、噴射設定期間Ｔを基準期間Ｔｏに対して変化させるための補正値ΔＴと補正用クランプ電圧Ｖｃｌａとが関係付けられたマップが予め記憶されており（図７参照）、上記マップに基づいて第３トランジスタ４３のオフ後に測定される補正用クランプ電圧Ｖｃｌａに応じた補正値ΔＴが求められ、この補正値ΔＴに基づいて噴射設定期間Ｔが基準期間Ｔｏに対して補正される。このように予め記憶されたマップを用いて補正値ΔＴが求められるので、当該補正値ΔＴを用いた噴射設定期間Ｔの補正を容易に実施することができる。
【００７４】
さらに、上記マップは、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａと基準期間Ｔｏに対する実際の噴射期間との関係を実測して設定されるため、当該マップを用いた噴射設定期間Ｔの補正精度が高められて、噴射時間のばらつきを確実に抑制することができる。なお、上記マップは、上述のように実測されることで設定されることに限らず、例えば、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａと基準期間Ｔｏに対する噴射期間との関係を少なくとも一部を数値解析を利用することで設定されてもよい。
【００７５】
上記実施形態の第１変形例として、マイコン１１により実施される駆動制御処理では、各噴射毎に補正用クランプ電圧Ｖｃｌａに応じて噴射設定期間Ｔを補正することに限らず、複数回の噴射に１度、補正用クランプ電圧Ｖｃｌａに応じて噴射設定期間Ｔを補正してもよい。すなわち、噴射設定期間Ｔが補正されると、次に噴射設定期間Ｔが補正されるまで、当該補正された噴射設定期間Ｔに基づいて各トランジスタ４１〜４３のオンオフ状態が制御される。
【００７６】
これにより、噴射毎に補正された噴射設定期間Ｔに基づいて各トランジスタ４１〜４３のオンオフ状態を制御する場合と比較して、補正等に関するマイコン１１の処理負荷を軽減することができる。
【００７７】
上記実施形態の第２変形例として、マイコン１１により実施される駆動制御処理では、上記ステップＳ１０７にて示すクランプ電圧測定処理を、第３トランジスタ４３のオフ後であってツェナーダイオード４４ａのツェナー電圧が安定した後に、実施することができる。
【００７８】
図１１は、第３トランジスタ４３のオフ直後におけるツェナーダイオードのツェナー電圧の時間変化を示す図である。
第３トランジスタ４３のオフ直後（噴射設定期間終了直後）では、図１１に例示するように、本来のツェナー電圧を超える電圧が発生する場合もあり、ツェナー電圧が安定しない場合がある。そこで、ツェナー電圧が所定値（図１１の符号Ｖｚ）にて安定した後に（図１１の符号ｔａ参照）、上記クランプ電圧測定処理によりクランプ電圧Ｖｃｌを補正用クランプ電圧Ｖｃｌａとして測定する。これにより、上記エネルギー消費時間に影響する補正用クランプ電圧Ｖｃｌａを精度良く測定できるので、噴射設定期間Ｔの補正精度が高められて、噴射時間のばらつきを確実に抑制することができる。この場合、複数回の噴射に１度、ツェナー電圧が所定値にて安定した後に測定される補正用クランプ電圧Ｖｃｌａに応じて噴射設定期間Ｔを補正することで、上記第１変形例と同等の効果を奏する。
【００７９】
なお、本発明は上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよい。
（１）補正値ΔＴは、図７に例示するマップに基づいて第３トランジスタ４３のオフ後に測定される補正用クランプ電圧Ｖｃｌａに応じて算出されることに限らず、例えば、予め設定される関係式等に基づいて第３トランジスタ４３のオフ後に測定される補正用クランプ電圧Ｖｃｌａに応じて算出されてもよい。
【００８０】
（２）各トランジスタ４１〜４３として、ＭＯＳＦＥＴが採用されることに限らず、ベース端子（ゲート端子）に入力される制御信号に応じてオンオフ制御されるトランジスタが採用されてもよい。
【符号の説明】
【００８１】
１０…インジェクタ制御装置
１１…マイコン（測定手段，補正手段，記憶手段）
２０…制御ＩＣ（制御手段）
４１…第１トランジスタ（高電位側トランジスタ）
４２…第２トランジスタ（高電位側トランジスタ）
４３…第３トランジスタ（低電位側トランジスタ）
４４…クランプ回路，４４ａ…ツェナーダイオード
５０…インジェクタ
Ｔ…噴射設定期間，Ｔｏ…基準期間，ΔＴ…補正値
Ｖｃｌ…クランプ電圧，Ｖｃｌａ…補正用クランプ電圧
【図１】
2013151925.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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