(57)【要約】【課題】  セラミック基板上に設けられたメタライズ層と接合部材を介しての金属部材との接合強度が高くかつ気密性に優れたセラミックパッケージを提供する。【解決手段】  メタライズ層３を厚み方向に等間隔に２分割したときに、接合部材７は、その一部が金属部材５側よりもセラミック基板１側に高濃度に存在し、メタライズ層３を貫通するように分布している。メタライズ層３の接合強度と気密性を向上させることができることから、セラミックパッケージを構成するセラミック基板１の基板堤部１ｂの厚みが薄く、その上面に形成されるメタライズ層３の幅が狭いような小型のセラミックパッケージに対しても好適なものとなる。【選択図】  図２
2013131703.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板の表面に周状に配置されたメタライズ層を有し、該メタライズ層の上面に形成した接合部材を介して金属部材が接合されるセラミックパッケージであって、
前記メタライズ層を厚み方向に等間隔に２分割したときに、前記接合部材は、その一部が前記金属部材側よりも前記セラミック基板側に高濃度に存在し、前記メタライズ層を貫通するように分布していることを特徴とするセラミックパッケージ。
【請求項２】
前記メタライズ層がセラミック成分を含み、前記金属部材側の前記メタライズ層に含まれる前記セラミック成分の含有量が前記セラミック基板側の前記メタライズ層に含まれる前記セラミック成分の含有量よりも多く、前記金属部材側の前記メタライズ層における前記セラミック成分の含有量が２〜１０質量％であり、前記セラミック基板側の前記メタライズ層における前記セラミック成分の含有量が０〜５質量％であることを特徴とする請求項１に記載のセラミックパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気密封止を必要とするセラミックパッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
気密封止を必要とする電子部品の例として、水晶振動子等の水晶応用製品やフラッシュメモリなどの半導体素子があげられる。これら各製品はいずれも素子の表面に金属薄膜電極が形成されており、この金属薄膜電極を外気から保護するために、セラミックパッケージなどの筐体に収納され気密封止されている。
【０００３】
図３は、電子部品を搭載するための従来のセラミックパッケージの一例を示す分解斜視図である。水晶応用製品等の電子部品を搭載するためのセラミックパッケージは、セラミック基板１０１の表面に導体１０２を有しており、その導体１０２の表面に実装される電子部品（例えば、水晶応用製品）１０５を気密封止するための金属部材１０７（ここでは、蓋体１０７）とがメタライズ層１０３に塗られた銀ロウなどの接合部材１０９を介して接合される構成となっている。
【０００４】
近年、携帯電話やＩＣカード等の電子装置が普及しているが、これらの電子装置はますます小型化や薄型化あるいは高性能化が要求されてきており、そのため、これらの電子装置に組み込まれる電子部品１０５やこれを収納するためのセラミックパッケージについても一層の小型化や薄型化が求められている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１９６４８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、セラミックパッケージを小型化していった場合、セラミックパッケージや蓋体１０７のサイズの小型化とともに、セラミック基板１０１と蓋体１０７とを接合する部分の幅（図３においてセラミックパッケージの基板堤部１０１Ａの幅に対応するメタライズ層１０３および接合部材１０９の幅Ｗ０）も狭くする必要があり、これによりセラミックパッケージのメタライズ層１０３と接合部材１０９を介しての蓋体１０７との接合強度が低下するとともに、蓋体１０７内の気密性が低下しやすくなるという問題がった。
【０００７】
従って、本発明は、セラミック基板上に設けられたメタライズ層と接合部材を介しての金属部材との接合強度が高くかつ気密性に優れたセラミックパッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のセラミックパッケージは、セラミック基板の表面に周状に配置されたメタライズ層を有し、該メタライズ層の上面に形成した接合部材を介して金属部材が接合されるセラミックパッケージであって、前記メタライズ層を厚み方向に等間隔に２分割したときに、前記接合部材は、その一部が前記金属部材側よりも前記セラミック基板側に高濃度に存在し、前記メタライズ層を貫通するように分布していることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、セラミック基板上に設けられたメタライズ層と接合部材を介しての金
属部材との接合強度が高くかつ気密性に優れたセラミックパッケージを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明のセラミックパッケージの一実施形態を示す分解斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１に示したセラミックパッケージのＡ−Ａ線断面模式図であり、（ｂ）は（ａ）のセラミックパッケージを部分的に拡大した断面模式図である。
【図３】従来のセラミックパッケージの一例を示す分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１は、本発明のセラミックパッケージの一実施形態を示す分解斜視図である。図２（ａ）は、図１に示したセラミックパッケージのＡ−Ａ線断面模式図であり、（ｂ）は（ａ）のセラミックパッケージを部分的に拡大した断面模式図である。
【００１２】
本実施形態のセラミックパッケージは、セラミック基板１の表面に周状に配置されたメタライズ層３を有してなるものであり、その周状に配置されたメタライズ層３の上面には、蓋体や金属枠等の金属部材５をメタライズ層３と接合するための接合部材７が設けられている。
【００１３】
セラミック基板１は、板状の基板底部１ａと、その基板底部１ａの周縁部に設けられた基板堤部１ｂとから構成されており、基板底部１ａの表面には電子部品９を実装するための導体１１が形成されている。
【００１４】
本実施形態のセラミックパッケージでは、メタライズ層３を厚み方向に等間隔に２分割したときに（以下、セラミック基板１側のメタライズ層３を基板側メタライズ層３ｂといい、金属部材側のメタライズ層３を、部材側メタライズ層３ａという。）、接合部材７は、その一部が金属部材５側よりもセラミック基板１側に高濃度に存在し、メタライズ層３を貫通するように分布している。
【００１５】
これによりセラミック基板１の表面に周状に配置されたメタライズ層３と接合部材７を介しての金属部材５との接合強度の高いセラミックパッケージを得ることができる。
【００１６】
すなわち、本実施形態のセラミックパッケージでは、接合部材７の一部がセラミック基板１を構成する基板堤部１ｂの表面に設けられたメタライズ層３と金属部材５との界面に沿って存在しているために、メタライズ層３と金属部材５（蓋体側にもメタライズ層を有する場合にはメタライズ層が金属部材５となる。）との界面における接合強度を高めることができる。
【００１７】
また同時に、接合部材７の一部が金属部材５側よりもセラミック基板１側に高濃度に存在し、かつメタライズ層３を貫通するように分布しているために、接合部材７がメタライズ層３の下層側まで深く形成された状態となる。このためメタライズ層３の破壊を防止することができ、特に、厚み方向に分割されるような破壊を防ぐことができる。
【００１８】
また、上述のように、接合部材７の一部がメタライズ層３を厚み方向に貫くように分布していることから、メタライズ層３中に存在する空隙が低減されるためメタライズ層３におけるガスの透過性を低減することができ、これによりセラミックパッケージの表面に、例えば、金属部材５として蓋体を接合した場合には蓋体内の気密性を高めることができる。
【００１９】
ここで、メタライズ層３を厚み方向に等間隔に２分割したときに、接合部材７が金属部
材５側よりもセラミック基板１側に高濃度に存在し、メタライズ層３を貫通するように分布しているというのは、図２（ｂ）に示すように、メタライズ層３の断面において、金属部材５とメタライズ層３との界面Ｂ１からセラミック基板１とメタライズ層３との界面Ｂ２までの距離ｔを、ｔ１、ｔ２と等間隔に２分割し、この各領域について、例えば、Ｘ線マイクロアナライザを用いて分析したときに、ｔ２の領域である基板側メタライズ層３ｂにおける接合部材７の成分が存在することを表すドットの分布している領域の面積が、ｔ１の領域である部材側メタライズ層３ａ側よりも大きく、また、接合部材７の成分が存在することを表すドットが点状に存在していてもメタライズ層３の金属部材５側からセラミック基板１側まで近接して存在している場合のことである。近接とはドットの間隔が１μｍ以内にあることである。このような分析は、例えば、セラミック基板１を構成する基板堤部１ｂの長さ方向の中央部における５０〜１００μｍの幅において行う。
【００２０】
また、本実施形態のセラミックパッケージでは、メタライズ層３がセラミック成分を含み、金属部材５側のメタライズ層３（部材側メタライズ層３ａ）に含まれるセラミック成分の含有量がセラミック基板１側のメタライズ層３（基板側メタライズ層３ｂ）に含まれるセラミック成分の含有量よりも多く、部材側メタライズ層３ａにおけるセラミック成分の含有量が２〜１０質量％であり、基板側メタライズ層３ｂにおけるセラミック成分の含有量が０〜５質量％であることが望ましい。各メタライズ層３ａ、３ｂ中に含まれる接合部材７の成分の割合が上記した範囲であると、メタライズ層３ａ、３ｂの各領域において接合部材７がくさびのようにはたらく接合部材７の割合が多くなることからメタライズ層３の接合強度をさらに高めることができる。
【００２１】
ここで、メタライズ層３に含ませるセラミック成分としては、メタライズ層３の金属材料が焼結する温度領域においても溶融することなく、焼結後にもメタライズ層３の内部に残るような融点の高いセラミック材料が望ましい。この場合、例えば、アルミナ、ジルコニア、マグネシアおよび希土類元素の酸化物等が好適であるが、モリブデンやタングステンなどを主成分とするメタライズ層３の強度を高められるという点で、アルミナが好ましい。
【００２２】
接合部材７としては、加熱したときに比較的低い温度（ここでは、９００℃以下）で溶融し、低粘度となり、メタライズ層３中に拡散しやすい材料が好ましく、例えば、銀ロウ（Ａｇ−Ｃｕ）やウッドメタル等の低融点金属を含む材料が好適である。
【００２３】
メタライズ層３を形成する材料は、接合部材７に用いる材料よりも融点の高い金属材料であれば良く、セラミック基板１との同時焼成を可能にするという点で、モリブデンやタングステンあるいはこれらの合金を主成分とするものが良い。この場合、セラミック基板１の組成および焼結温度に合わせてモリブデンやタングステンに銅や銀などを複合させてもよい。
【００２４】
セラミック基板１（基板底部１ａ、基板堤部１ｂ）としては、アルミナを主成分とするセラミック材料が好適であり、機械的強度や耐薬品性が高いという点で、アルミナを８０質量％以上含むものが良い。
【００２５】
なお、セラミック基板１の主成分がアルミナである場合、メタライズ層３に含ませるセラミック成分を同じくアルミナにすると、メタライズ層３の周囲におけるセラミック基板１の磁器組成の変動を低減できることから、メタライズ層３付近の色調の変化や機械的強度の低下も抑えられ、量産しても外観的、機能的に安定したセラミックパッケージを得ることができる。
【００２６】
金属部材５としては、コバール、４−２アロイ、アルシック（ＡＬＳｉＣ）などの金属
材料および金属材料にセラミックスを複合化したもの、あるいはセラミック材料を適用することができる。
【００２７】
上述したように、本実施形態のセラミックパッケージは、セラミック基板１側の基板側メタライズ層３ｂに存在する接合部材７の成分量の方が部材側メタライズ層３ａよりも多いものである。例えば、セラミック基板１がアルミナ（熱膨張係数：約７×１０−６／℃）を主成分とする材料により形成され、メタライズ層３の金属材料がモリブデン（熱膨張係数：約５×１０−６／℃）やタングステン（熱膨張係数：約４．５×１０−６／℃）であり、さらに、接合部材７として銀ロウを用いたときには、銀ロウの成分であるＡｇ（熱膨張係数：約１９×１０−６／℃）やＣｕ（熱膨張係数：約１７×１０−６／℃）がセラミック基板１側に多く存在することになる。そうすると、セラミック基板１、基板側メタライズ層３ｂ、部材側メタライズ層３ａの順に熱膨張係数が小さくなる構造にできるとともに、メタライズ層３に銀ロウの成分が含まれない場合に比較して、セラミック基板１とメタライズ層３との熱膨張係数差の小さいものとなる。
【００２８】
これにより、温度サイクル試験などの信頼性試験を行ってもセラミック基板１とメタライズ層３との界面に生じる歪みを小さくすることが可能となり、高信頼性のセラミックパッケージを得ることができる。
【００２９】
また、セラミック基板１にアルミナを、メタライズ層３にモリブデンやタングステンを、接合部材７に銀ロウを適用した上記のセラミックパッケージに、蓋体やシールリングなどの金属部材５としてコバール等の熱膨張係数の比較的小さい金属部材５を接合した場合にも同様の効果を得ることができる。
【００３０】
また、本実施形態のセラミックパッケージによれば、メタライズ層３の接合強度と気密性を向上させることができることから、セラミックパッケージを構成するセラミック基板１の基板堤部１ｂの厚みが薄く、その上面に形成されるメタライズ層３の幅が狭いような小型のセラミックパッケージに対してより好適なものとなる。そのサイズはセラミック基板１を構成する基板堤部１ｂの平均厚みが０．１５ｍｍ以下であるものに適している。
【００３１】
次に、本実施形態のセラミックパッケージを製造する方法を説明する。
【００３２】
まず、セラミック粉末に対して有機バインダを添加した後、これをプレス法、ドクターブレード法、圧延法、射出法等の周知の成形方法によって、セラミック基板１（基板底部１ａ、基板堤部１ｂ）となる生の成形体を形成する。
【００３３】
次に、この生の成形体の表面に必要な導体パターンを形成して焼成する。例えば、図１に示す構成のセラミックパッケージを製造する場合、まず、基板底部１ａとなる生の成形体としてグリーンシートを作製し、次いで、その表面に導体パターンを形成する。
【００３４】
一方、基板堤部１ｂとなる生の成形体は、グリーンシートに穴加工を施し、次いで、そのグリーンシートの穴の周囲の表面に部分的に導体パターンを形成したものを作製する。このとき、必要に応じて穴加工を施しただけのシートも準備しておく。
【００３５】
次に、基板底部１ａとなるグリーンシートの導体パターンを形成した側に、穴の周囲の表面に導体パターンを形成したグリーンシートを積層し、密着させて、図１に示す形状のセラミックパッケージ用成形体を形成する。
【００３６】
ここで、生の成形体を形成するためのセラミック粉末としては、例えば、アルミナ粉末に、シリカ粉末やマンガンを含む酸化物粉末を混合し、アルミナ粉末の割合が８０質量％
以上となる混合粉末を用いるのがよい。
【００３７】
導体パターン用のペーストとしては、セラミック粉末の焼結温度に合わせて種々の組成の金属材料を用いることが可能であるが、生の成形体に、例えば、アルミナ粉末を８０質量％以上含むセラミック粉末を用いる場合には、モリブデンやタングステン等の高融点の金属材料を用いるのが良く、これに、例えば、アルミナなどのセラミック成分を添加したペーストを用いると、メタライズ層３の焼結性を変更することができ、これによりメタライズ層３の内部への接合部材７の侵入量を制御することが可能となる。
【００３８】
本実施形態のセラミックパッケージのメタライズ層３を形成する場合には、セラミック粉末の含有量の異なる２種類のペーストを調製しておき、グリーンシートの表面に、セラミック粉末の含有量の少ないペースト（以下、第１のペーストというときがある。）を印刷した後、この上面側の表面に、第１のペーストよりもセラミック粉末を多く含むペースト（以下、第２のペーストというときがある。）を印刷する。
【００３９】
このようにセラミック粉末の含有量の異なるペーストを用いて、生の段階でセラミック粉末量の異なる導体パターンを形成することにより、焼成後に、空隙率の異なる２種の骨格構造を有する金属層が積層されたものを形成することができ、この後に、接合部材７を溶融させて骨格構造中に侵入させることにより本実施形態のセラミックパッケージを構成するメタライズ層３を形成することができる。
【００４０】
例えば、第１のペーストに含まれるアルミナの添加量を０〜１０質量％としたときに、第２のペーストに含まれるアルミナの含有量を２〜１０質量％とし、両ペーストを用いて重ねて印刷する場合には、第１のペーストは第２のペーストよりもアルミナの含有量を少なくしたものを用いる。これによりメタライズ層３を厚み方向に等間隔に２分割したときに、接合部材７は、その一部が金属部材５側よりもセラミック基板１側に高濃度に存在し、メタライズ層３を貫通するように分布しているメタライズ層３を得ることが可能となる。
【００４１】
次に、作製したセラミック配線基板用成形体を還元雰囲気中、１３００〜１６００℃の温度で焼成する。
【００４２】
次に、得られたセラミックパッケージのメタライズ層３の表面にニッケルのめっき膜を形成し、ニッケルのめっき膜を形成したメタライズ層３の表面に接合部材７を介して、蓋体や金属枠などの金属部材５を接合する。
【００４３】
このようにして作製された金属部材５を有するセラミックパッケージは、メタライス層３と接合部材７を介しての金属部材５との接合強度が高く、かつ気密性の高いものとなる。
【実施例】
【００４４】
次に、本発明の効果を確認するために行った実験例について説明する。この場合、図１に示す構造のセラミックパッケージを作製し、評価した。
【００４５】
まず、セラミック基板を形成するための原料粉末として、アルミナ粉末、Ｍｎ２Ｏ３粉末、ＳｉＯ２粉末、ＭｇＣＯ３粉末およびＭｏＯ３粉末を準備した。
【００４６】
次に、これらの原料粉末をボールミルを用いて、アルミナ粉末を主成分として、Ｍｎ２Ｏ３粉末を６質量％、ＳｉＯ２粉末を６質量％、ＭｇＣＯ３粉末を０．５質量％およびＭｏＯ３粉末を０．３質量％の比率で添加、混合した後、アクリル系樹脂とトルエンとを混
合してスラリーを調整し、しかる後に、ドクターブレード法にて厚さ１５０μｍのグリーンシートを作製した。
【００４７】
作製したグリーンシートのうち一部のグリーンシートに金型を用いて長方形状の開口部を形成し、この開口部の周囲に焼成後にメタライズ層となる導体パターンを形成した。このシートを以下第１のシートという。また、導体パターンに用いた２種類のペーストはモリブデン粉末を主成分としてアルミナ粉末をそれぞれ表１に示す比率で添加したものを用いた。このとき表１示す第１のペーストをグリーンシート上に印刷して基板側メタライズ層となる下層側の導体パターンを形成し、乾燥させた後、その上面側に第２のペーストを用いて、部材側メタライズ層となる導体パターンを形成した。
【００４８】
一方、グリーンシートのうち開口部を形成しなかったグリーンシートには、積層したときに開口部の内側の領域となる位置に電子部品を接続するための導体となる導体パターンを形成した。このシートを以下第２のシートという。このとき用いた導体パターンはモリブデン粉末を主成分としてアルミナ粉末を１５質量％添加したものを用いた。
【００４９】
次に、第２のシートを下層として、この第２のシートに形成した導体パターンが第１のシートの開口部内に入るように位置決めして、その上面側に第１のシートを積層し、所定のサイズに切断して生の積層体を作製した。
【００５０】
次に、この積層体を、露点＋２５℃の窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行った後、引き続き、本焼成を行った。本焼成は、１８０℃／ｈで１０００℃から焼成最高温度１３３０℃まで昇温し、それを焼成温度として露点＋２５℃の窒素水素混合雰囲気にて５０分間保持した後、１０００℃までの冷却を１８０℃／ｈという条件で行った。
【００５１】
こうして得られたセラミックパッケージは、平面面積が２ｍｍ×１．６ｍｍ、高さが０．２ｍｍ、基板底部の平均厚みおよび基板堤部の平均厚みがいずれも０．１ｍｍであった。メタライズ層の平均厚みは２０μｍであった。
【００５２】
次に、セラミック基板上に形成したメタライズ層の表面にＮｉメッキ膜を形成した。
【００５３】
次に、Ｎｉめっき膜を形成したセラミックパッケージの基板堤部のメタライズ層の表面の全面に接合部材として銀ロウ（共晶Ａｇ−Ｃｕロウ）を仮付けし、銀ロウを溶融させメタライズ層中に拡散させた。
【００５４】
次に、さらに銀ロウを形成したメタライズ層の表面に厚み０．２μｍの金メッキを施した。
【００５５】
次に、メタライズ層の金めっき膜の表面に銀ロウ（共晶Ａｇ−Ｃｕロウ）を用いて、厚みが０．２ｍｍ、幅が０．２ｍｍのコバール（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）製の蓋体をシーム溶接によって接合した。
【００５６】
次に、蓋体を形成したセラミックパッケージについて、Ｈｅリーク法により気密封止性を評価した。Ｈｅリーク法は、０．４１ＭＰａのＨｅ加圧雰囲気中に２時間保持した後、取り出し、真空雰囲気中で検出されるＨｅガス量を測定し、１×１０−１０ＭＰａ・ｃｍ３／ｓｅｃ以下を○（リークなし）、５×１０−９ＭＰａ・ｃｍ３／ｓｅｃを超えるものを×（リーク有り）として評価した。試料数は各５個とした。
【００５７】
また、セラミック基板のメタライズ層の接合強度の評価については、まず、グリーンシートの表面に２ｍｍ×５ｍｍの短冊状の導体パターンを形成し、この表面にＮｉめっき膜
を形成した後、幅２ｍｍのコバール製の金属板を接合して試験用試料を作製した。このとき用いた導体パターン用のペーストはＨｅリーク試験用に作製したとき用いたメタライズ層用のペーストを用いた。
【００５８】
次に、この試験用試料に対して金属板を引きはがす際の引きはがし荷重を測定し、メタライズ層の接合強度を評価した。この測定は引張試験器を用いて強度変化をグラフ化し、グラフにおいて、強度の値がほぼ一定となったときの平均値から求めた。この場合、強度が一定となった状態というのは、±０．５ｋｇｆの範囲にある状態をいい、平均値は±０．５ｋｇｆの範囲における最大値と最低値との中間値とした。このような方法で求められる接合強度は用いた金属板の幅を２ｍｍとしたときの値である。
【００５９】
また、セラミック基板のメタライズ層の接合強度については、温度サイクル試験を１０００回繰り返した後にも評価した。温度サイクル試験は、低温側の温度を−５５℃とし、高温側の温度を１２５℃とし、それぞれの温度に３０分間保持するという条件で行った。
【００６０】
メタライズ層内への銀ロウの存在（拡散）状態はＸ線マイクロアナライザを付設した走査型電子顕微鏡を用いて確認した。分析用試料はＨｅリーク試験用に作製したセラミックパッケージを樹脂に埋め込み、その試料を研磨したものを用いた。この分析の試料数は各試料について１個とした。
【００６１】
分析する際には、まず、観察するメタライズ層を、図２（ｂ）に示すように、厚み方向に等間隔に２分割する領域を定め、これらの各領域をそれぞれ部材側メタライズ層および基板側メタライズ層とした。
【００６２】
接合部材が侵入している状態の分析は銀ロウの成分である銀（Ａｇ）の検出により行った。接合部材の主成分である銀（Ａｇ）がメタライズ層を貫通するように分布している状態は、Ｘ線マイクロアナライザによる分析において最大出力の８０％以上の出力を示す色の点が１μｍ以内の間隔で分布している場合とした。接合部材の成分（Ａｇ）の占有面積は最大出力の８０％以上の出力を示す色の点を結んだ範囲から画像解析によって面積を測定した。基板側メタライズ層と部材側メタライズ層とで濃度差が有るという判定は、画像解析によって求めた面積の差が１０％以上有る場合とした。
【００６３】
メタライズ層（部材側メタライズ層および基板側メタライズ層）に含まれるアルミナの含有量についても、銀ロウの存在状態を分析した試料を用いてＸ線マイクロアナライザにより求めた。この分析についても試料数は各試料について１個とした。分析した結果、メタライズ層中に含まれるアルミナの比率は、表１に示す調合組成に一致するものであった。
【００６４】
【表１】
2013131703.tif 000003
【００６５】
表１の結果から明らかなように、試料Ｎｏ．１〜９では、いずれもメタライズ層の接合強度が幅２ｍｍの引きはがし試験において７．１ｋｇｆ以上であり、Ｈｅリークも見られず、蓋体を形成したセラミックパッケージは良好な封止状態を有していた。
【００６６】
また、これらの試料は、いずれも温度サイクル試験の前後における接合強度の低下が１ｋｇｆ以下であった。
【００６７】
この中で、金属部材側の前記メタライズ層におけるセラミック成分の含有量が２〜１０質量％であり、セラミック基板側のメタライズ層におけるセラミック成分の含有量が０〜５質量％である試料Ｎｏ．１〜７では、メタライズ層の接合強度が幅２ｍｍの引きはがし試験において、９．３ｋｇｆ以上であった。
【００６８】
これに対し、試料Ｎｏ．１０〜１２は、メタライズ層の接合強度が幅２ｍｍの引きはがし試験において、いずれも５ｋｇｆ未満であり、Ｈｅリークも認められた。
【符号の説明】
【００６９】
１、１０１・・・・・セラミック基板
１ａ・・・・・・・・基板底部
１ｂ・・・・・・・・基板堤部
３、１０３・・・・・メタライズ層
３ａ・・・・・・・・部材側メタライズ層
３ｂ・・・・・・・・基板側メタライズ層
５、１０７・・・・・金属部材
７、１０９・・・・・接合部材
９、１０５・・・・・電子部品
１１、１０２・・・・導体
【図１】
2013131703.tif 000004
【図２】
2013131703.tif 000005
【図３】
2013131703.tif 000006