(57)【要約】      （修正有）【課題】低泡性に優れ、かつシリコンウエハのエッチング性にも優れる高含水の切削液を提供する。【解決手段】下記一般式（１）で表される３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）と水を必須成分として含有し、該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢが４．５以上６．０未満であることを特徴とするシリコンインゴットスライス用含水切削液を使用する。2013203967.tif 000008［式（１）中、Ｒは３〜８個の水酸基を有する化合物から水酸基を除いた残基、（Ａ１Ｏ）は炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を表す。ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｆは３〜８の整数である。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）と水を必須成分として含有し、該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢが４．５以上６．０未満であることを特徴とするシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【化１】
2013203967.tif 000006
［式（１）中、Ｒは３〜８個の水酸基を有する化合物から水酸基を除いた残基、（Ａ１Ｏ）は炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を表す。ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｆは３〜８の整数である。］
【請求項２】
該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）中の−（Ａ１Ｏ）ｍ−が下記一般式（２）で表される請求項１記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【化２】
2013203967.tif 000007
［式（２）中、Ａ２Ｏはオキシエチレン基、Ａ３Ｏはオキシプロピレン基を表す。ｎはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し０〜５０の数、ｋはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｎ／（ｎ＋ｋ）は０〜０．１５である。エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドを併用する際のその付加形式はランダム状でもブロック状でもよい。］
【請求項３】
該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）中のＡ１Ｏがオキシプロピレン基である請求項１または２記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【請求項４】
該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の数平均分子量が４００〜１０，０００である請求項１〜３いずれか記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【請求項５】
該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢが、５．０以上６．０未満である請求項１〜４いずれか記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【請求項６】
該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）が、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールおよびソルビトールからなる群より選ばれる１種以上の３〜６個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物である請求項１〜５いずれか記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【請求項７】
切削液中の該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の使用時の含有量が０．００１〜３．０重量％である請求項１〜６いずれか記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【請求項８】
さらにＨＬＢが８．３〜１４．１であるノニオン界面活性剤（Ｂ）を含有する請求項１〜７いずれか記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液。
【請求項９】
請求項１〜８いずれか記載のシリコンインゴットスライス用含水切削液と砥粒がワイヤーに固着された固定砥粒用ワイヤーソーを用いてシリコンインゴットをスライスするシリコンウエハの製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の製造方法でシリコンインゴットをスライスして製造されたシリコンウエハ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のシリコンウエハを用いて製造された電子材料。
【請求項１２】
請求項１０に記載のシリコンウエハを用いて製造された太陽電池用セル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンインゴットを切削するときに使用する含水切削液に関する。
さらに詳しくは、冷却性が高く、優れた低泡性、シリコンウエハのエッチング性を兼ね備えた含水切削液に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、シリコンインゴットをスライスする方法は、（１）遊離砥粒を切削液に分散した砥粒スラリーを用いる方法、（２）電着や樹脂による接着でワイヤーに砥粒を固着した固定砥粒ワイヤーと切削液を用いる方法に大別される。
近年、固定砥粒ワイヤーによるスライス方法において、シリコンウエハの生産性を高める目的や、製造コストを低くする目的で、シリコンウエハの薄型化やワイヤー使用量の低減が進みつつある。
【０００３】
通常、ワイヤーの細線化やワイヤー間のピッチ幅を狭くすることでシリコンウエハの薄型化をするが、そのためにワイヤーとシリコンインゴットの接触面積が増して加工時の加工熱が増大するために、より冷却性の高い切削液の開発が望まれている。
また、ワイヤー使用量を低減して加工するなどの過酷な加工条件では、ダイヤモンド等の固着した砥粒の摩滅を抑制する目的で、冷却性に優れる比熱の高い高含水の切削液が期待されている。
【０００４】
しかし、通常、高含水の切削液は泡が発生しやすく、シリコンインゴットのスライス加工では、切削液を循環して再使用することからタンクからあふれ出すという問題がある。
そこで、泡の発生を抑制する対策としては、疎水性の高い化合物を用いることが考えられ、例えば遊離砥粒に疎水性の高い化合物としてシリコーン系消泡剤を切削液に含有させることが知られている（例えば特許文献１）。
【０００５】
ところで、スライス加工後のシリコンウエハは表面がまだ平坦でないため、洗浄した後にシリコンウエハを平坦化する目的でウエハ表面を溶解するエッチング工程が行われる。しかし、上記のシリコーン系消泡剤のような疎水性の高すぎる化合物を含有した切削液は、切断加工中にシリコンウエハ表面へ強固に付着するため、その後の洗浄工程でシリコーン系消泡剤などが完全に除去しきれず、次のエッチング工程時にエッチングの阻害物として働くという課題がある。また、切断加工中に発生するシリコンの切粉にもシリコーン系消泡剤などが強固に付着するため、加工が進み切粉量が増加するに伴って抑泡性が低下し、加工中に低泡性を維持できない問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０８−２０９１８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、高含水で冷却性と低泡性に優れるだけでなく、シリコンウエハのエッチング性にも優れる切削液を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記の目的を達成するべく検討を行った結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表される３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）と水を必須成分として含有し、該ポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢが４．５以上６．０未満であることを特徴とするシリコンインゴットスライス用含水切削液；このシリコンインゴットスライス用含水切削液と砥粒がワイヤーに固着された固定砥粒用ワイヤーソーを用いてシリコンインゴットをスライスするシリコンウエハの製造方法；この製造方法でシリコンインゴットをスライスして製造されたシリコンウエハ；並びに、このシリコンウエハを用いて製造された電子材料または太陽電池用セルである。
【０００９】
【化１】
2013203967.tif 000002
【００１０】
［式（１）中、Ｒは３〜８個の水酸基を有する化合物から水酸基を除いた残基、（Ａ１Ｏ）は炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を表す。ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｆは３〜８の整数である。］
【発明の効果】
【００１１】
本発明はシリコンインゴットの切削工程において、加工熱の冷却性が高く、低泡性に優れるため、切削加工効率を向上させることができ、さらに、シリコンウエハのエッチング性にも優れるため、エッチング工程にかかる時間を短縮できるという効果を奏する。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液は、３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）と水を必須成分として含有することを特徴とする。そして、そのポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢ（親水性−疎水性バランス）とアルキレンオキサイドの平均付加モル数であるｍが特定の範囲にある。
【００１３】
本発明の含水切削液の必須成分である３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）は、下記一般式（１）で表される。
【００１４】
【化２】
2013203967.tif 000003
【００１５】
［式（１）中、Ｒは３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）から水酸基を除いた残基、（Ａ１Ｏ）は炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を表す。ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｆは３〜８の整数である。］
【００１６】
本発明で用いる３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）の具体例としては、グリセリン、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタンなどの３個の水酸基を有する化合物；ペンタエリスリトール、グルコース、フルクトース、ジグリセリンなどの４個の水酸基を有する化合物；キシリトール、トリグリセリンなどの５個の水酸基を有する化合物；ソルビトール、ジペンタエリスリトールなどの６個の水酸基を有する化合物；スクロースなどの８個の水酸基を有する化合物；ポリビニルアルコール、ポリグリセリンなどが挙げられる。  
【００１７】
これらの３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のうち、好ましいのは、低泡性とシリコンウエハのエッチング性の観点から、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールおよびソルビトールである。さらに好ましくは、グリセリンおよびトリメチロールプロパンである。  
【００１８】
本発明における３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のＨＬＢは通常、４．５以上６．０未満である。好ましくは５．０以上６．０未満である。この範囲であれば、さらにシリコンウエハの洗浄性が優れてシリコンウエハのエッチング性がより向上する。
一方、４．５未満では、シリコンウエハのエッチング性が悪化する。６．０以上では低泡性が不十分である。
【００１９】
ここでの「ＨＬＢ」とは、親水性と親油性のバランスを示す指標であって、例えば「界面活性剤入門」〔２００７年三洋化成工業株式会社発行、藤本武彦著〕２１２頁に記載されている小田法による計算値として知られているものであり、グリフィン法による計算値ではない。
ＨＬＢ値は有機化合物の有機性の値と無機性の値との比率から計算することができる。
ＨＬＢ＝１０×無機性／有機性
ＨＬＢを導き出すための有機性の値及び無機性の値については前記「界面活性剤入門」２１３頁に記載の表の値を用いて算出できる。
【００２０】
Ａ１Ｏは炭素数が２〜４のオキシアルキレン基を表し、具体例としては、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、オキシブチレン基などが挙げられる。
オキシエチレン基の場合はエチレンオキサイド、オキシプロピレン基の場合は１，２−プロピレンオキサイド、１，３−プロピレンオキサイド、オキシブチレン基の場合はテトラヒドロフラン、１，２−ブチレンオキサイドなどを用いることができる。
【００２１】
本発明におけるポリオキシアルキレン付加物（Ａ）は、３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）に、エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、テトラヒドロフラン、１，２−ブチレンオキサイドのうちの１種を単独で付加させてもよいし、これらの２種以上を併用して付加させてもよい。
シリコンウエハのエッチング性の観点から、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの２種の併用が好ましい。
【００２２】
本発明における３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）において、２種以上のアルキレンオキサイドまたはテトラヒドロフランを併用する際の付加形式はランダム状でもブロック状でもよく、また２種以上のアルキレンオキサイド、例えばエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドを付加する順番は問わない。  
【００２３】
ｍは炭素数が２〜４のアルキレンオキサイドの平均付加モル数を表し、２種以上のアルキレンオキサイドを併用する場合は、２種以上の平均付加モル数の合計である。
ｍは通常１〜３５０の数であり、好ましくは１〜１００である。
ｍが１未満では、低泡性が悪化する。一方、ｍが３５０を超えると切削液の粘度が高すぎるため、洗浄工程で切削液を完全に除去しきれず、シリコンウエハのエッチング性が悪化する。
【００２４】
本発明におけるポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の式（１）中の−（Ａ１Ｏ）ｍ−は下記一般式（２）で表せるものが好ましい。
【００２５】
【化３】
2013203967.tif 000004
【００２６】
［式（２）中、Ａ２Ｏはオキシエチレン基、Ａ３Ｏはオキシプロピレン基を表す。ｎはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し０〜５０の数、ｋはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し１〜３５０の数、ｎ／（ｎ＋ｋ）は０〜０．１５である。エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの付加形式はランダム状でもブロック状でもよい。］
【００２７】
ｎはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し、０〜５０の数であり、低泡性の観点から、好ましくは０〜２０、さらに好ましくは０〜５である。
【００２８】
ｋはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し、１〜３５０の数であり、低泡性とシリコンウエハのエッチング性の観点から、好ましくは５〜１００、さらに好ましくは５〜５０である。
【００２９】
ｎ／（ｎ＋ｋ）は０〜０．１５である。低泡性の観点から、好ましくは、０〜０．１０、さらに好ましくは０である。つまりはＡ１Ｏがオキシプロピレン基である。なお、ｎ＋ｋ＝ｍである。
【００３０】
本発明における３〜８個水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のエチレンオキサイドとプロピレンオキサイドの付加状態はランダム状でもブロック状でもよく、３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）に付加する順番は問わない。
【００３１】
本発明における３〜８個の水酸基を有する化合物（ａ）のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の具体例としては、グリセリン、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタンなどの３個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物；
ペンタエリスリトール、グルコース、フルクトース、ジグリセリンなどの４個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物；
キシリトール、トリグリセリンなどの５個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物；
ソルビトール、ジペンタエリスリトールなどの６個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物；
スクロースなどの８個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物；
ポリビニルアルコール、ポリグリセリンなどのポリオキシアルキレン付加物が挙げられる。  
【００３２】
これらのポリオキシアルキレン付加物（Ａ）のうち好ましいのは、低泡性とシリコンウエハのエッチング性の観点から、３〜６個の水酸基を有する化合物のポリオキシアルキレン付加物が好ましい。
さらに好ましくは、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールおよびソルビトールのポリオキシアルキレン付加物である。
特に好ましいのはグリセリンのプロピレンオキサイド付加物とトリメチロールプロパンのエチレンオキサイド−プロピレンオキサイドランダム付加物である。
【００３３】
本発明のポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の具体例としては、グリセリンのエチレンオキサイド（以下、エチレンオキサイドをＥＯと略称することがある。）５．９モルと１，２−プロピレンオキサイド（以下、１，２−プロピレンオキサイドをＰＯと略称することがある。）６２．８モルのブロック付加物などのグリセリンのＥＯ−ＰＯブロック付加物；グリセリンのＰＯ２９．４モル付加物、グリセリンのＰＯ１０２．０モル付加物などのグリセリンのＰＯ付加物；トリメチロールプロパンのＥＯ１２．０モルとＰＯ１０８．０モルのランダム付加物などのトリメチロールプロパンのＥＯ−ＰＯランダム付加物；ペンタエリスリトールのＰＯ４９．３モル付加物などのペンタエリスリトールのＰＯ付加物；ソルビトールのＥＯ７．２モルとＰＯ１２９．１モルのランダム付加物などのソルビトールのＥＯ−ＰＯランダム付加物などが挙げられる。
【００３４】
本発明におけるポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の数平均分子量は、低泡性とポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の生産性の観点から、好ましくは４００〜１０，０００、さらに好ましくは１，０００〜８，０００である。
なお、数平均分子量（Ｍｎ）はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）による分子量である。  
【００３５】
本発明におけるポリオキシアルキレン付加物（Ａ）の含有量は、使用時の切削液に対して０．００１〜３．０重量％である。好ましくは、０．００５〜３．０重量％であり、さらに好ましくは、０．０１〜３．０重量％である。
【００３６】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液の必須成分である水は、純水、イオン交換水、水道水、市水、工業用水等のいずれを用いてもよい。
【００３７】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液には、切削液に濡れにくいため切削液の表面に浮遊し、泡の膜強度を上げて低泡性を悪化させるシリコンの切粉に対する切削液の濡れ性を向上させ、低泡性を向上させる目的で、さらに特定のノニオン界面活性剤を含有させることが好ましい。
【００３８】
この目的で使用される特定のノニオン界面活性剤はＨＬＢが８．３〜１４．１のノニオン界面活性剤（Ｂ）である。ＨＬＢがこの範囲であると、切削液のシリコンの切粉に対する濡れ性が良好となり、さらに低泡性を向上させることができる。
【００３９】
ＨＬＢが８．３〜１４．１であるノニオン界面活性剤（Ｂ）の具体例としては、６−ドデカノールのＥＯ３モル付加物、６−ドデカノールのＥＯ５モル付加物、６−ドデカノールのＥＯ７モル付加物、６−ドデカノールのＥＯ１２モル付加物、７−トリデカノールのＥＯ３モル付加物、７−トリデカノールのＥＯ５モル付加物、７−トリデカノールのＥＯ７モル付加物、７−トリデカノールのＥＯ１２モル付加物、７−テトラデカノールのＥＯ３モル付加物、７−テトラデカノールのＥＯ５モル付加物、７−テトラデカノールのＥＯ７モル付加物、７−テトラデカノールのＥＯ１２モル付加物などのＨＬＢが８．３〜１４．１である１価の２級アルコールのエチレンオキサイド付加物などが挙げられる。
【００４０】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液は、ワイヤーによりシリコンインゴットをスライスしてシリコンウエハを製造する際、好適に使用できる。
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液を用いてシリコンインゴットをスライスしてシリコンウエハを製造する方法として、遊離砥粒を切削液に分散した砥粒スラリーを用いる方法、または砥粒がワイヤーに固着された固定砥粒ワイヤーソーを用いる方法がある。本発明の含水切削液はいずれにも適用できるが、特に、固定砥粒ワイヤーソーを用いて、シリコンインゴットをスライスするシリコンウエハの製造方法に適している。
【００４１】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液とワイヤーを用いて、シリコンインゴットをスライスすることにより、シリコンウエハを製造することができる。
上記の製造方法でスライスされたシリコンウエハは、メモリー素子、発振素子、増幅素子、トランジスタ、ダイオードなどの電子材料や太陽電池用セルなどに使用できる。
【実施例】
【００４２】
以下、実施例及び比較例により本発明をさらに説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下、特に定めない限り、％は重量％、部は重量部を示す。
【００４３】
製造例１  ＜グリセリンのPO付加物（Ａ−１）の製造＞
ステンレス製加圧反応装置にグリセリン２５．６部と水酸化ナトリウム０．０５部を仕込み、窒素置換後に、１２０〜１４０℃でプロピレンオキサイド４７４部を約４時間で圧入した。
同温度でさらに１０時間反応させて、本発明のグリセリンのPO付加物（Ａ−１）（ｆ＝３；ｍ＝１０；ｎ＝０；ｋ＝１０；ｎ／（ｎ＋ｋ）＝０；数平均分子量１，８００；ＨＬＢ＝５．８）を得た。
【００４４】
製造例２  ＜トリメチロールプロパンのEO−POランダム付加物（Ａ−２）の製造＞
ステンレス製加圧反応装置にトリメチロールプロパン９．６７部と水酸化ナトリウム０．０５部を仕込み、窒素置換後に、１２０〜１４０℃でエチレンオキサイド３８．１部とプロピレンオキサイド４５２部の混合液を約４時間で圧入した。
同温度でさらに１０時間反応させて、本発明のトリメチロールプロパンのEO−POランダム付加物（Ａ−２）（ｆ＝３；ｍ＝４０；ｎ＝４；ｋ＝３６；ｎ／（ｎ＋ｋ）＝０．１０；数平均分子量６，９００；ＨＬＢ＝５．６）を得た。
【００４５】
製造例３  ＜プロピレングリコールのＥＯ−ＰＯブロック付加物（Ａ’−１）の製造＞
ステンレス製加圧反応装置にプロピレングリコールのエチレンオキサイド付加重合物（数平均分子量；９６０）８５．４部と水酸化ナトリウム０．０５部を仕込み、窒素置換後に、１２０〜１４０℃でプロピレンオキサイド４１５部を約４時間で圧入した。
同温度でさらに１０時間反応させて、比較のためのプロピレングリコールのＥＯ−ＰＯブロック付加物（Ａ’−1）（ｆ＝２；ｍ＝５０；ｎ＝１０；ｋ＝４０；ｎ／（ｎ＋ｋ）＝０．２０；数平均分子量５，６００；ＨＬＢ＝６．８）を得た。
【００４６】
製造例３  ＜プロピレングリコールのＰＯ付加物（Ａ’−２）の製造＞
ステンレス製加圧反応装置にグリセリン４．１８部と水酸化ナトリウム０．０５部を仕込み、窒素置換後に、１２０〜１４０℃でプロピレンオキサイド４９６部を約４時間で圧入した。
同温度でさらに１０時間反応させて、比較のためのプロピレングリコールのＰＯ付加物（Ａ’−２）（ｆ＝３；ｍ＝６３；ｎ＝０；ｋ＝６３；ｎ／（ｎ＋ｋ）＝０；数平均分子量１１，０００；ＨＬＢ＝４．３）を得た。
【００４７】
製造例４  ＜７−テトラデカノールのＥＯ付加物（Ｂ−１）の製造＞
ステンレス製加圧反応装置に７−テトラデカノール２４７部と水酸化ナトリウム０．０５部を仕込み、窒素置換後に、１２０〜１４０℃でエチレンオキサイド２５３部を約４時間で圧入した。
同温度でさらに１０時間反応させて、本発明の７−テトラデカノールのＥＯ付加物（Ｂ−１）（ＨＬＢ＝１０．１）を得た。
【００４８】
実施例１〜３および比較例１〜３
表１記載の配合比（重量部）で各成分を配合し、実施例１〜３および比較例１〜３の切削液を調製して、低泡性およびシリコンウエハのエッチング性の性能評価を行った。
【００４９】
【表１】
2013203967.tif 000005
【００５０】
なお、表１中の「シリコーン系消泡剤」は信越化学工業（株）製のＫＭ−７７５２を用いた。
【００５１】
実施例１〜３および比較例１〜３の切削液の比熱を測定し、低泡性、シリコンウエハのエッチング性を、下記の方法で評価した。それらの結果を表１に示す。
【００５２】
＜比熱の測定＞
切削液の２５℃における比熱は、示差走査熱量計（パーキンエルマー社製）を用いて測定した。
【００５３】
＜低泡性の評価＞
低泡性の評価は以下に示す方法で行った。
（１）切削液１００部に対してシリコンインゴットの切り屑を想定したケイ素粉末（高純度化学研究所社製；粒子径１μｍ以下）５部を加え、ディスパーサーを用いて３，０００回転で１分間撹拌分散してケイ素粉末を含むスラリーを作成した。
（２）内径３ｃｍの１００ｍＬの共栓付きメスシリンダーに、上記スラリーを４０ｍＬ入れ、メスシリンダーの底部から液面までの距離（液面高さ）を記録した。
（３）スラリーが入ったメスシリンダーを、１０秒間で４０回振とうした。
（４）振とう直後に、メスシリンダーの底部から最も高い気泡面までの距離（気泡面高さ）を測定して、気泡面高さと液面高さの差を記録した。
【００５４】
低泡性の評価は以下の判断基準に従って行った。
◎：７ｍｍ未満
○：７ｍｍ以上、２０ｍｍ未満
△：２０ｍｍ以上、３５ｍｍ未満
×：３５ｍｍ以上
【００５５】
＜エッチング性の評価＞
シリコンウエハのエッチング性の評価は以下に示す方法で行った。
（１）イオン交換水に水酸化カリウムを溶解して、２０重量％水酸化カリウム水溶液のシリコンウエハ用エッチング液を調製した。
（２）エッチング液に、切削液の濃度が０．１重量％となるように実施例と比較例の切削液を配合して、切削液を意図的に混入させたエッチング液を調製した。
（３）エッチング液を２０ｍｌビーカーに５ｍｌ入れ、ここにシリコンウエハ（１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．２ｍｍ）を１枚浸漬した後、恒温振とう機を用いて５０ｒｐｍで旋回しながら、３０℃で３時間振とうした。
（４）ビーカーからシリコンウエハを取り出し、イオン交換水で洗浄、乾燥させた後、シリコンウエハの重量を計量し、以下の計算式で重量減少率（％）を計算した。
重量減少率（％）＝（Ｗ１−Ｗ２）／Ｗ１    
Ｗ１：浸漬前のシリコンウエハ重量、Ｗ２：乾燥後のシリコンウエハ重量
【００５６】
エッチング性の評価は以下の判断基準に従って行った。
○：２％以上
×：２％未満
【００５７】
本発明の実施例１〜３の切削液はいずれも、比熱が水に近いため冷却効率が良く、低泡性とシリコンウエハのエッチング性が優れている。
一方、ＨＬＢが６．０を超え２価のアルコールのポリオキシアルキレン付加物を使用した比較例１は、低泡性が不十分である。
また、ＨＬＢが４．５未満のポリオキシアルキレン付加物を使用した比較例２は、シリコンウエハのエッチング性が不十分である。
本発明のポリオキシアルキレン付加物の代わりにシリコーン系消泡剤を使用した比較例３は、シリコンウエハのエッチング性が不十分である。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液は、加工熱の冷却性が優れ、低泡性が良好で、かつシリコンウエハのエッチング性が優れるため、シリコンインゴットをスライスするときに使用する切削液して有用である。
本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液を用いてシリコンインゴットを切削加工して製造されたシリコンウエハは、例えば太陽電池用セル、メモリー素子、発振素子、増幅素子、トランジスタ、ダイオード、ＬＳＩの電子材料として利用でき、これらの電子材料は、太陽光発電装置、パソコン、携帯電話、ディスプレー、オーディオ等に使用することができる。
また、本発明のシリコンインゴットスライス用含水切削液は、加工熱の冷却性に優れるので、シリコンインゴッド以外に、水晶、炭化ケイ素、サファイヤ等の硬質な材料を切削するときに使用する切削液としても有用である。