Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月12日(2016.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を生成し、遊戯片と対話する（interacting）組立品であって、
その上に生成された画像を表示することのできる表示スクリーンを有し、前記生成された画像が視覚画像と光学的に符号化されたメッセージ画像が一体化された画像を含む画像生成機器、
ユーザにタッチ入力の提供を可能とするために前記画像生成機器と動作可能に結合したタッチセンサ膜、
前記画像生成機器と動作可能な状態で結合したレセプタ、及び、
前記表示スクリーンに対して第１の位置にある第１の遊戯片を備え、
前記第１の遊戯片が、
前記視覚画像と光学的に符号化されたメッセージ画像が一体化された画像を受信し、前記光学的に符号化されたメッセージ画像に少なくとも部分的に基づいて第１の信号を生成する光学表示メッセージセンサと、
前記光学表示メッセージセンサから少なくとも前記第１の信号を受信するため前記光学表示メッセージセンサと結合したメッセージトランスポンダと、を備え、
前記メッセージトランスポンダは、前記第１の信号に少なくとも部分的に基づいて第２の信号を生成し前記レセプタに送信するために前記レセプタと結合していることを特徴とする組立品。
【請求項２】
前記表示スクリーン上に取り付け可能な基板を備え、
前記基板は表示領域を有し、前記表示領域が、前記遊戯片を前記表示領域に取り外し可能な状態で取り付け可能とする結合要素を備えることを特徴とする請求項１に記載の組立品。
【請求項３】
前記光学的に符号化されたメッセージ画像が前記表示スクリーン上の複数の物理的位置で生成され、
第２の遊戯片が、前記表示スクリーンに対して第２の位置にあることを特徴とする請求項１又は２に記載の組立品。
【請求項４】
第２の画像生成機器と、
前記第２の画像生成機器の前記表示スクリーンに対して第２の位置にある第２の遊戯片と、を更に有し、
前記第１及び第２の画像生成機器が動作可能に結合し、
前記第１の遊戯片からの前記第２の信号に少なくとも部分的に基づいた前記第２の遊戯片への前記光学的に符号化されたメッセージ画像を備えることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の組立品。
【請求項５】
前記第１の遊戯片が、前記メッセージトランスポンダと動作可能な状態で結合した第２の光学表示メッセージセンサを備えることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の組立品。
【請求項６】
前記第１の遊戯片が、前記メッセージトランスポンダと結合し、前記メッセージトランスポンダへセンサデータを提供するためのセンサを備え、前記第２の信号が少なくとも部分的に前記センサデータに基づいて生成されることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の組立品。
【請求項７】
エネルギーを伝送する近距離無線通信（ＮＦＣ）アンテナを更に備え、前記遊戯片がエネルギーを受信するアンテナを備え、前記ＮＦＣアンテナが前記第１の遊戯片に電力を供給可能とすることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の組立品。
【請求項８】
画像を生成し、遊戯片と対話する（interacting）組立品であって、
生成された画像をその上に表示することのできる表示スクリーンを有し、前記生成された画像は視覚画像と光学的に符号化されたメッセージ画像が一体化された画像を含み、前記光学的に符号化されたメッセージ画像はユーザに視認不可能とする画像生成機器、
ユーザにタッチ入力の提供を可能とするために前記画像生成機器と動作可能に結合したタッチセンサ膜、
前記画像生成機器と動作可能な状態で結合したレセプタ、及び、
前記表示スクリーンに対して第１及び第２の位置にある第１及び第２の遊戯片を備え、
前記光学的に符号化されたメッセージ画像は、前記表示スクリーン上の複数の物理的位置で生成され、第２の遊戯片が、前記表示スクリーンに対して第２の位置にあり、
前記第１及び第２の遊戯片が、夫々、
前記視覚画像と光学的に符号化されたメッセージ画像が一体化された画像を受信し、前記光学的に符号化されたメッセージ画像に少なくとも部分的に基づいて第１の信号を生成する光学表示メッセージセンサ、
前記光学表示メッセージセンサから少なくとも前記第１の信号を受信するため前記光学表示メッセージセンサと結合したメッセージトランスポンダを備え、
前記メッセージトランスポンダは、前記第１の信号に少なくとも部分的に基づいて第２の信号を生成し前記レセプタに送信するために前記レセプタと結合し、
前記第１の遊戯片により生成される前記第２の信号が、前記第１の遊戯片の前記光学メッセージセンサによる前記光学的に符号化されたメッセージ画像の受信後、更なるユーザ対話を伴うことなく、自動的に生成され、
前記第１及び第２の遊戯片の少なくとも何れか１つが、前記メッセージトランスポンダと結合し、前記メッセージトランスポンダへセンサデータを提供するためのセンサを備え、前記第２の信号が少なくとも部分的に前記センサデータに基づいて生成され、
前記第１及び第２の遊戯片の少なくとも何れか１つが、（１）自身の前記光学表示メッセージセンサからのメッセージを受信するために動作可能な状態で結合したアクチュエータ、及び（２）自身の前記メッセージトランスポンダからメッセージを受信するために動作可能な状態で結合したアクチュエータ、の少なくとも１つを備えることを特徴とする組立品。
【請求項９】
画像を生成し、遊戯片と対話する（interacting）方法であって、
ユーザにタッチ入力の提供を可能とするタッチセンサ膜を備えた画像生成機器の表示スクリーン上に、視覚画像と光学的に符号化されたメッセージ画像が一体化された画像を含む画像を表示する工程と、
光学表示メッセージセンサ及びメッセージトランスポンダを備える第１の遊戯片を、前記表示スクリーンに対して第１の位置に配置する工程と、
前記光学表示メッセージセンサによって前記視覚画像と光学的に符号化されたメッセージ画像が一体化された画像を受信する工程と、
前記光学的に符号化されたメッセージ画像に少なくとも部分的に基づいて第１の信号を、前記光学表示メッセージセンサによって生成する工程と、
前記第１の信号を前記メッセージトランスポンダへ送信する工程と、
前記第１の信号に少なくとも部分的に基づいた第２の信号を、前記メッセージトランスポンダによって生成する工程と、
前記第２の信号を前記画像生成機器と動作可能な状態で結合したレセプタへ送信する工程と、を有することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月28日(2016.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
呼吸用部品を支持するための着用可能なベルトであって、
第１の端部と、第２の端部と、前記第１の端部と第２の端部との間の接合部と、を有する着用可能なベルトを含み、
前記接合部は、内層と、外層と、前記内層及び前記外層に接触しつつ電動ファン付き呼吸用保護具（ＰＡＰＲ）の部品の対応する形体と嵌合するように構成された第１の堅固な取付要素と、を有し、前記内層、前記外層、及び前記第１の堅固な取付要素がそれぞれ開口部を定め、前記開口部が少なくとも部分的に位置合わせされて前記接合部を貫通して延在する第１の共通開口部を形成する、ベルト。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月18日(2016.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホイル（箔）を有するパッケージのシーリング（密封）中に欠陥を検出する装置であって、
前記ホイルと当該ホイルに付着される前記パッケージの別部分とを互いにプレスするための少なくとも二つの相対的に変位可能なクランプ部材間の距離を測定する少なくとも１つの距離センサと、
前記少なくとも１つの距離センサに接続されて、前記クランプ部材の互いに向かって変位する期間に、前記距離センサによって収集された測定値を、既定の参照測定値と比較する少なくとも１つの制御ユニットとを有する、装置。
【請求項２】
前記制御ユニットに接続されて、少なくとも１つの検出された測定値が少なくとも１つの参照値を超えると前記制御ユニットにより判定された時に信号を発生する信号発生器を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記クランプ部材が開放位置から互いに向けて全行程移動される閉じ過程においては、ｘ秒間の持続期間を有し、前記クランプ部材間の距離が、０．２ｘ秒間〜５ｘ秒間、特に０．４ｘ秒間〜４ｘ秒間で測定される、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記クランプ部材が開放位置から互いに向けて全行程移動される閉じ過程においては、プログレッション（ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｏｎ）であるｙを有し、前記クランプ部材間の距離が、少なくとも、０．２ｙとｙの間、特に０．６ｙとｙの間で測定される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つの距離センサは、光センサによって構成される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの距離センサは、渦電流センサによって構成される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記クランプ部材の異なる反対側部分間の距離を測定するための複数の距離センサを有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
少なくとも１つのクランプ部材を加熱するための熱発生手段を有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
ホイルを有するパッケージのシール中に、特に、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置を使用して、欠陥を検出するための方法であって、
（Ａ）少なくとも二つのクランプ部材間に、前記パッケージのホイルと、当該ホイルに接続されるべき前記パッケージの別部分とを位置決めする工程と、
（Ｂ）前記ホイルと前記パッケージの前記別部分との間の接続が形成されるように前記クランプ部材を互いに向けて移動させる工程と、
（Ｃ）前記クランプ部材を互いから離間移動させる工程と、
（Ｄ）前記クランプ部材に対して前記パッケージを取り外す工程と
を有し、
ここで、前記工程（Ｂ）における前記クランプ部材の互いに向かって変位する期間に前記クランプ部材間の距離を測定し、収集された測定値を既定参照値と比較する、方法。
【請求項１０】
（Ｅ）少なくとも１つの検出された測定値が少なくとも１つの参照値を超えたと判断された時に信号を発生する工程を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記工程（Ｅ）中に、複数の、特に検出された測定値が、複数の、特に、連続する参照値、を超えたと判断された時に前記信号を発生する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記工程（Ｂ）中に、前記ホイルと前記パッケージの前記別部分とを互いに対して溶着させる、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記工程（Ｂ）中に、少なくとも１つのクランプ部材を、９０℃〜２００℃の温度に加熱し、前記クランプ部材の前記変位における瞬間的変化を前記少なくとも１つのホイルの軟化の結果としてモニタする、請求項９〜１２のいずれか１項の方法。
【請求項１４】
前記工程（Ｂ）中に、前記ホイルと前記パッケージの前記別部分との間のプレスを、１ミリ秒間〜５秒間の持続期間に行う、請求項９〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記工程（Ｂ）中に、前記クランプ部材が開放位置から互いに向けて全行程移動される閉じ過程において、ｘ秒間の持続時間を有し、前記クランプ部材間の距離を、０．２ｘ秒間〜５ｘ秒間、特に０．４ｘ秒間〜４ｘ秒間で測定する、請求項９〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記工程（Ｂ）中に、前記クランプ部材が開放位置から互いに向けて全行程移動される閉じ過程において、プログレッション（ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｏｎ）であるｙを有し、前記クランプ部材間の距離を、少なくとも、０．２ｙとｙとの間、特に０．６ｙとｙとの間で測定する、請求項９〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月15日(2016.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
随意的なコーティングは、屈折率が高い、中位、および低い材料からなる。例示の高屈折率材料（ｎ＝１．７〜３．０）は、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｒＴｉＯ3、ＷＯ3である。例示の中屈折率材料（ｎ＝１．６〜１．７）は、Ａｌ2Ｏ3である。例示の低屈折率材料（ｎ＝１．３〜１．６）は、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＹＦ3、ＹｂＦ3である。光学コーティングは、選択された光学機能、例えば、制限するものではなく、反射防止特性を提供するために、少なくとも１つのコーティング周期を含まなければならない。１つの実施の形態において、光学コーティングは複数の周期からなり、各周期は、１つの高屈折率材料と１つの低または中屈折率材料からなる。通常は各周期で同じ材料が使用されるが、異なる周期に異なる材料を使用することも可能である。例えば、２つの周期のＡＲコーティングにおいて、第１の周期はＳｉＯ2のみであり、第２の周期はＴｉＯ2／ＳｉＯ2であって差し支えない。この能力を使用して、ＡＲＣを含む複雑な光学フィルタを設計することができる。ある場合には、ＡＲＣは、ただ１つの材料、例えば、フッ化マグネシウムを５０ｎｍ超の厚さで使用して堆積させても差し支えない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス物品であって、該ガラス物品上に光学コーティングを有し、該光学コーティングの上面にクリーニング容易な（ＥＴＣ）コーティングを有するガラス物品を製造する方法において、
光学コーティングおよびＥＴＣコーティングの堆積のための少なくとも１つの槽を有する被覆装置を用意する工程、
前記槽内に、前記光学コーティングのための供給材料および前記ＥＴＣコーティングのための供給材料を提供する工程であって、前記光学コーティングを製造するために複数の供給材料が必要な場合、該複数の供給材料の各々が別個の供給容器内に提供される工程、
被覆すべき基板であって、長さ、幅、および該長さと該幅により画成されるガラスの表面間の少なくとも１つの縁を有する基板を提供する工程、
前記槽を１０-4トル以下の圧力に排気する工程、
前記基板上に前記光学コーティングの材料を堆積させて、光学コーティングを形成する工程、
前記光学コーティングの堆積を停止する工程、
前記光学コーティングの堆積に続いて、該光学コーティングの上面に前記ＥＴＣコーティングを堆積させる工程、
前記ＥＴＣコーティングの堆積を停止する工程、
前記槽から前記基板を取り出し、それによって、光学コーティングおよびＥＴＣコーティングを有するガラス物品を提供する工程、および
前記物品を、４０％＜ＲＨ＜１００％の範囲にある相対湿度ＲＨを有する湿潤環境または空気中において５〜６０分の範囲の時間に亘り６０〜２００℃の範囲の温度で後処理して、前記ＥＴＣコーティングと前記基体上に堆積された前記光学コーティングとの間の強力な化学結合およびＥＴＣ分子間の架橋を形成する工程、
を有してなり、
前記光学コーティングは、１．７〜３．０の範囲の屈折率を有する高屈折率材料Ｈと、（ｉ）１．３〜１．６の範囲の屈折率を有する低屈折率材料Ｌおよび（ｉｉ）１．６〜１．７の範囲の屈折率を有する中屈折率材料Ｍからなる群より選択される１つの材料との交互の層からなる、Ｈ（ＬまたはＭ）もしくは（ＬまたはＭ）Ｈの順序で配置された多層コーティングであり、各Ｈ（ＬまたはＭ）もしくは（ＬまたはＭ）Ｈの層の対がコーティング周期と考えられ、各個々の周期におけるＨ層およびＬ（またはＭ）層の厚さが、互いに独立して、５ｎｍから２００ｎｍの範囲にある、方法。
【請求項２】
前記多層コーティングの前記周期の数が２〜２０の範囲にあり、該多層コーティングが、１００ｎｍから２０００ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記高屈折率材料が、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2、Ｙ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｒＴｉＯ3およびＷＯ3からなる群より選択され、前記低屈折率材料が、シリカ、溶融シリカ、フッ素ドープト溶融シリカ、ＭｇＦ2、ＣａＦ2、ＹＦおよびＹｂＦ3からなる群より選択され、前記中屈折率材料がＡｌ2Ｏ3である、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記ＥＴＣコーティングの材料が、
式（ＲF）yＳｉＸ4-yのペルフルオロアルキルシラン、式中、ＲFは、ケイ素原子から最大の長さでの鎖の端部まで６〜１３０の炭素原子の範囲の炭素鎖長を有する直鎖のペルフルオロアルキルであり、Ｘ＝Ｃｌ、アセトキシ、−ＯＣＨ3、または−ＯＣＨ2ＣＨ3、ｙ＝１または２、および
式［ＣＦ3−ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）a］yＳｉＸ4-yのペルフルオロポリエーテルシラン、式中、ａは５〜１０の範囲にあり、ｙ＝１または２、およびＸは、−Ｃｌ、アセトキシ、−ＯＣＨ3、または−ＯＣＨ2ＣＨ3であり、ペルフルオロポリエーテル鎖の全長は、ケイ素原子から最大の長さでの鎖の端部まで６〜１３０の炭素原子の範囲である、
からなる群より選択される、請求項１から３いずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記光学コーティングに化学結合した前記ＥＴＣコーティングの厚さが１ｎｍから２０ｎｍの範囲にある、請求項１から４いずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記光学コーティングが第１の槽内で堆積され、前記ＥＴＣコーティングが第２の槽内で堆積され、これら２つの槽が、前記基板を該第１の槽から該第２の槽へ、該基板を大気に曝露せずに移すための真空シール／分離ロックにより接続されている、請求項１から５いずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記第１の槽が、２〜１０の範囲にある偶数の副槽に分割されており、前記多層コーティングの周期が奇数／偶数の対の副槽内で施され、前記偶数の副槽が、前記高屈折率材料または前記低屈折率材料のいずれか一方を堆積させるために使用され、前記奇数の副槽が、前記高屈折率材料または前記低屈折率材料の他方を堆積させるために使用される、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記基板が、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、ソーダ石灰ガラス、化学強化ホウケイ酸ガラス、化学強化アルミノケイ酸塩ガラスおよび化学強化ソーダ石灰ガラスからなる群より選択され、該ガラスが０．２ｍｍから１．５ｍｍの範囲の厚さを有する、請求項１から７いずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記ガラスが、４００ＭＰａ超の圧縮応力および１４μｍ超の層の深さを有するアルミノケイ酸塩ガラスである、請求項１から８いずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記ＥＴＣコーティングと前記基板上に堆積された前記光学コーティングとの間の強力な化学結合およびＥＴＣ分子間の架橋を形成するための前記物品の後処理後、該物品が、８番のスチールウールと１ｃｍ2の表面積に印加される１ｋｇ重の荷重を使用して、５，５００回の摩耗サイクル後に少なくとも７０°の平均水接触角を有する、請求項１から９いずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月15日(2015.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の鉄化合物、少なくとも１種のカリウム化合物、少なくとも１種のセリウム化合物、ＭｎＯ２として計算して、０．７〜１０質量％の少なくとも１種のマンガン化合物、及びＴｉＯ２として計算して、３０〜１５０ｐｐｍの少なくとも１種のチタン化合物を含む脱水素触媒。
【請求項２】
前記触媒が、ＭｎＯ２として計算して、０．７〜３質量％の少なくとも１種のマンガン化合物を含む請求項１に記載の脱水素触媒。
【請求項３】
前記触媒が、
Ｆｅ２Ｏ３として計算して、５０〜９０質量％の少なくとも１種の鉄化合物、
Ｋ２Ｏとして計算して、１〜３０質量％の少なくとも１種のカリウム化合物、
ＭｎＯ２として計算して、０．７〜１０質量％の少なくとも１種のマンガン化合物、ＴｉＯ２として計算して、３０〜１５０ｐｐｍの少なくとも１種のチタン化合物、
ＣｅＯ２として計算して、２〜２０質量％の少なくとも１種のセリウム化合物、及び
任意に、０〜３０質量％の少なくとも１種の更なる成分、
を含む請求項１又は２に記載の脱水素触媒。
【請求項４】
前記触媒が、更なる成分として、それぞれ最も高い酸化状態の酸化物として計算して、０．１〜１０質量％の、モリブデン化合物、タングステン化合物及びバナジウム化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の脱水素触媒。
【請求項５】
前記触媒が、更なる成分として、酸化物として計算して、０．１〜１０質量％の少なくとも１種のアルカリ土類金属化合物を含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の脱水素触媒。
【請求項６】
前記触媒が、
Ｆｅ２Ｏ３として計算して、５０〜９０質量％の少なくとも１種の鉄化合物、
Ｋ２Ｏとして計算して、１〜３０質量％の少なくとも１種のカリウム化合物、
ＭｎＯ２として計算して、０．７〜１０質量％の少なくとも１種のマンガン化合物、ＴｉＯ２として計算して、３０〜１５０ｐｐｍの少なくとも１種のチタン化合物、
ＣｅＯ２として計算して、２〜２０質量％の少なくとも１種のセリウム化合物、
ＭｇＯとして計算して、０．１〜１０質量％の少なくとも１種のマグネシウム化合物、
ＣａＯとして計算して、０．１〜１０質量％の少なくとも１種のカルシウム化合物、
ＭｏＯ３として計算して、０．１〜１０質量％の少なくとも１種のモリブデン化合物、
Ｖ２Ｏ５として計算して、０〜１０質量％の少なくとも１種のバナジウム化合物、及び
０〜１０質量％の少なくとも１種の更なる成分、
を含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の脱水素触媒。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の脱水素触媒を製造する方法であって、以下の工程；
ｉ）少なくとも１種の鉄化合物、少なくとも１種のカリウム化合物、少なくとも１種のセリウム化合物、ＭｎＯ２として計算して、完成品の触媒に基づいて０．７〜１０質量％の少なくとも１種のマンガン化合物、ＴｉＯ２として計算して、完成品の触媒に基づいて３０〜１５０ｐｐｍの少なくとも１種のチタン化合物、任意に更なる金属化合物、任意に更なる成分、及び任意に少なくとも１種のバインダーを溶媒に混合することによる触媒プレミックスの製造工程、
ｉｉ）工程ｉ）で得られた触媒プレミックスからの成形触媒体の製造工程、
ｉｉｉ）前記成形触媒体の乾燥工程、及び前記成形触媒体の焼成工程、
を含む製造方法。
【請求項８】
工程ｉｉｉ）において、前記成形触媒体を、５００〜１２００℃の範囲の温度で焼成する請求項７に記載の脱水素触媒の製造方法。
【請求項９】
炭化水素の触媒脱水素化方法であって、水蒸気及び少なくとも１種の炭化水素の混合物を、請求項１〜６のいずれか１項に記載の脱水素触媒と接触させることを特徴とする方法。
【請求項１０】
３〜７．３５の範囲の水蒸気／炭化水素モル比を有する、水蒸気及び少なくとも１種の炭化水素の混合物を使用する請求項９に記載の炭化水素の触媒脱水素化方法。
【請求項１１】
炭化水素の触媒脱水素化方法であって、３〜７．３５の範囲の水蒸気／炭化水素モル比を有する、水蒸気及び少なくとも１種の炭化水素の混合物を、
少なくとも１種の鉄化合物、少なくとも１種のカリウム化合物、少なくとも１種のセリウム化合物、及びＭｎＯ２として計算して、０．７〜１０質量％の少なくとも１種のマンガン化合物を含む脱水素触媒と接触させることを特徴とする方法。
【請求項１２】
４〜７の範囲の水蒸気／炭化水素モル比を有する、水蒸気及び少なくとも１種の炭化水素の混合物を使用する請求項９〜１１のいずれか１項に記載の触媒脱水素化方法。
【請求項１３】
前記炭化水素が、エチルベンゼンである請求項９〜１２のいずれか１項に記載の触媒脱水素化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒素酸化物を含有するガスストリームを処理するための方法であって、
（１）１種または複数の窒素酸化物を含有するガスストリームを提供する工程と、
（２）工程（１）で提供されたガスストリームと遷移金属を含有するＢＥＡタイプの骨格構造を有するゼオライト材料とを接触させて、１種または複数の窒素酸化物に反応を起こさせる工程と
を含み、ゼオライト材料が、有機テンプレート不要合成法から得られる、方法。
【請求項２】
１種または複数の窒素酸化物が、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ３、Ｎ２Ｏ４、Ｎ２Ｏ５、ＮＯ３、およびこれらの２種以上の混合物からなる群から選択される１種または複数の化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（１）で提供されるガスストリームが、１０から１０，０００ｐｐｍｖの範囲に含まれる量でＮ２Ｏを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
工程（１）で提供されるガスストリームが、０から５，０００ｐｐｍｖの範囲に含まれる量でＮＯｘを含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
工程（１）で提供されるガスストリームが、１：５０から５：１の範囲に含まれるＮＯｘ：Ｎ２Ｏのモル比でＮ２ＯおよびＮＯｘを含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
工程（１）で提供されるガスストリームが、１種または複数の還元剤をさらに含む、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
１種または複数の還元剤が、炭化水素、一酸化炭素、水素、およびこれらの２種以上の組合せからなる群から選択される１種または複数の化合物を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
１種または複数の還元剤対１種または複数の窒素酸化物の化学量論比が、０．０５から５０の範囲に含まれる、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
還元剤が、アンモニアおよび／または尿素を含まない、請求項６から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
工程（１）で提供されるガスストリームが、０から１０体積％の酸素を含む、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
工程（１）で提供されるガスストリームが、０から１０体積％のＨ２Ｏを含む、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
工程（１）で提供されるガスストリームが、１種または複数の廃ガスを含む、請求項１から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
工程（１）で提供されるガスストリームが、内燃機関からの１種または複数の廃ガスを含む、請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
工程（１）で提供されるガスストリーム中に含まれる１種または複数の廃ガスが、予めＮ２Ｏおよび／またはＮＯｘの削減のための触媒処理手順に供されていない、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
工程（２）における、ガスストリームと遷移金属含有ゼオライト材料との接触が、２５０から５５０℃の範囲に含まれる温度で実施される、請求項１から１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
工程（２）における、ガスストリームと遷移金属含有ゼオライト材料との接触が、１から５０バールの範囲に含まれる圧力で実施される、請求項１から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記方法が連続法である、請求項１から１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
窒素酸化物を含有するガスストリームを処理するための装置であって、
（ｉ）処理されるガスストリームと流体接触して提供される触媒床
を備え、触媒床が、遷移金属を含有するＢＥＡタイプの骨格構造を有するゼオライト材料を含み、ゼオライト材料が、有機テンプレート不要の合成法から得られる、装置。
【請求項１９】
触媒床が、固定床触媒または流動床触媒である、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
（ｉｉ）１種または複数の還元剤をガスストリーム中に噴射するための、触媒床の上流に設けられる１つまたは複数の装置
をさらに備える、請求項１８または１９に記載の装置。
【請求項２１】
ゼオライト材料に含まれる１種または複数の遷移金属が、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈおよびこれらの２種以上の組合せからなる群から選択される、請求項１から１７のいずれかに記載の方法、または請求項１８から２０のいずれかに記載の装置。
【請求項２２】
１種または複数の遷移金属が、ゼオライト材料中に非骨格元素として含まれる、請求項１から１７、もしくは２１のいずれかに記載の方法、または請求項１８から２１のいずれかに記載の装置。
【請求項２３】
ゼオライト材料のＢＥＡタイプの骨格構造が、ＹＯ２およびＸ２Ｏ３（式中、Ｙは四価の元素であり、Ｘは三価の元素である）を含む、請求項１から１７、２１もしくは２２のいずれかに記載の方法、または請求項１８から２２のいずれかに記載の装置。
【請求項２４】
Ｙが、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、およびこれらの２種以上の混合物からなる群から選択される、請求項１から１７、もしくは２１から２３のいずれかに記載の方法、または請求項１８から２３のいずれかに記載の装置。
【請求項２５】
Ｘが、Ａｌ、Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、およびこれらの２種以上の混合物からなる群から選択される、請求項１から１７、もしくは２１から２４のいずれかに記載の方法、または請求項１８から２４のいずれかに記載の装置。
【請求項２６】
ＹＯ２：Ｘ２Ｏ３のモル比が、２から１００の範囲である、請求項１から１７、もしくは２１から２５のいずれかに記載の方法、または請求項１８から２５のいずれかに記載の装置。
【請求項２７】
ＢＥＡタイプの骨格構造中に含まれる、１種または複数の遷移金属対Ｘ２Ｏ３のモル比が、０．００５から１０の範囲である、請求項１から１７、もしくは２１から２６のいずれかに記載の方法、または請求項１８から２６のいずれかに記載の装置。
【請求項２８】
ＢＥＡタイプの骨格構造を有するゼオライト材料のＸ線回折パターンが、少なくとも以下の反射
【表１】
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を含み、１００％が、Ｘ線粉末回折パターンにおける最大ピークの強度に関連する、請求項１から１７、もしくは２１から２７のいずれかに記載の方法、または請求項１８から２７のいずれかに記載の装置。
【請求項２９】
ＢＥＡタイプの骨格構造を有するゼオライト材料が、ゼオライトベータを含む、請求項１から１７、もしくは２１から２８のいずれかに記載の方法、または請求項１８から２８のいずれかに記載の装置。
【請求項３０】
遷移金属含有ゼオライト材料が、成形品中に含まれる、請求項１から１７、もしくは２１から２９のいずれかに記載の方法、または請求項１８から２９のいずれかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月26日(2015.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・約０．２μｍ〜約１５００μｍの直径を有し、約０．００１ｇ／ｃｍ３〜約１．０ｇ／ｃｍ３の密度を有するカプセルを形成する、約５０ｎｍ〜５００μｍの厚さ、および複数の細孔を有するシリカシェル
を含む、マイクロカプセルであって、
前記シェルが約０％〜約７０％のＱ３構造および約３０％〜約１００％のＱ４構造を含み、または
前記シェルが約０％〜約６０％のＴ２構造および約４０％〜約１００％のＴ３構造を含み、または
前記シェルがこれらのＴおよびＱ構造の組み合わせを含み、
前記カプセルの外表面が官能基で覆われる、マイクロカプセル。
【請求項２】
前記シェルが約４０％のＱ３構造および約６０％のＱ４構造を含むか、又は前記シェルが約１００％のＱ４構造を含む、請求項１に記載のマイクロカプセル。
【請求項３】
前記細孔が約０．５ｎｍ〜約１００ｎｍの細孔径を有する、請求項１に記載のマイクロカプセル。
【請求項４】
表面層をさらに含む、請求項１に記載のマイクロカプセル。
【請求項５】
前記表面層が約１ｎｍ〜約１０ｎｍの厚さを有する、請求項４に記載のマイクロカプセル。
【請求項６】
前記表面層がオルガノシランで官能化される、請求項４に記載のマイクロカプセル。
【請求項７】
前記オルガノシランが官能性トリメトキシシラン、官能性トリエトキシシラン、官能性トリプロポキシシランから選択されるか、又は前記オルガノシランが３−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルトリエトキシシラン、ビス−（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリエトキシシラン、ｎ−オクチルトリエトキシシラン、およびフェニルトリメトキシシラン、ならびにこれらの組み合わせから選択される、請求項６に記載のマイクロカプセル。
【請求項８】
前記表面層がヒドロキシル基、アミノ基、ベンジルアミノ基、クロロプロピル基、ジスルフィド基、エポキシ基、メルカプト基、メタクリレート基、ビニル基、およびこれらの組み合わせで官能化される、請求項５に記載のマイクロカプセル。
【請求項９】
前記カプセルの前記外表面を囲む導電層をさらに含む、請求項１に記載のマイクロカプセル。
【請求項１０】
前記導電層が金属層、または導電ポリマー層である、請求項９に記載のマイクロカプセル。
【請求項１１】
前記金属層が銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはこれらの組み合わせの層である、請求項１０に記載のマイクロカプセル。
【請求項１２】
前記導電ポリマー層がポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンまたはこれらの組み合わせの層である、請求項１０に記載のマイクロカプセル。
【請求項１３】
活性剤をさらに含む、請求項５に記載のマイクロカプセル。
【請求項１４】
前記活性剤がモノマー重合の触媒、ポリマー安定剤、難燃剤、着色剤、医薬活性剤、酵素、化粧油、芳香剤、香料、食品添加剤、加湿剤、爆薬、相変化材料（ＰＣＭ）、殺虫剤、除草剤、殺菌剤およびこれらの組み合わせから選択され、
前記ポリマー安定剤がブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）、α−トコフェロール、トコフェリルアセテート、オルガノホスフェート、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、ジラウリルチオジプロピオネート、ジステアリルチオジプロピオネート、ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）セバケート、ベンゾトリアゾール、ベンゾフェノンおよびこれらの組み合わせから選択され、
前記難燃剤がテトラブロモビスフェノール−Ａ、デカブロモジフェニルエタン、ジブロモネオペンチルグリコール、またはこれらの組み合わせから選択され、
前記着色剤がカーボンブラック、モリブデートオレンジ、クロムオキサイドグリーン、アンタントレン、アントラキノン、ベンズイミダゾール、およびキナクリドンから選択される、請求項１３に記載のマイクロカプセル。
【請求項１５】
前記活性剤が前記表面層、前記外表面、または両方に架橋される、請求項１３に記載のマイクロカプセル。
【請求項１６】
前記活性剤が前記マイクロカプセル中に封入される、請求項１３に記載のマイクロカプセル。
【請求項１７】
図１に示されるＮＭＲスペクトルを有する、請求項１に記載のマイクロカプセル。
【請求項１８】
ステップａ）：
ａ）不活性雰囲気下、乾燥シリカマイクロカプセルを乾燥有機溶剤中に、１つ以上の有機反応性シランおよび有機酸または有機塩基の存在下、十分な時間および十分な温度で分散させ、分散液中の官能化マイクロカプセルを得るステップ
を含む、請求項１に記載のマイクロカプセルの溶液中での後官能化プロセス。
【請求項１９】
ステップａ）後にステップｂ）：
ｂ）前記官能化マイクロカプセルを前記分散液から分離するステップ
をさらに含む、請求項１８に記載のプロセス。
【請求項２０】
ステップｂ）後にステップｃ）：
ｃ）前記官能化マイクロカプセルを乾燥させ、乾燥官能化マイクロカプセルを得るステップ
をさらに含む、請求項１９に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月1日(2015.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それに結合した少なくとも１つの半導体を含んでなる、その寸法の少なくとも１つが１ｎｍ〜６０μｍである金属ナノ粒子の光触媒プロセスにおける光触媒としての使用であって、前記少なくとも１つの半導体が２〜５５個のゼロ価遷移金属原子からなる原子量子クラスター（ＡＱＣ）であり、前記ＡＱＣのゼロ価遷移金属原子が、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｒｈおよびそれらの組み合わせから選択されるものであり、前記ＡＱＣおよび前記金属ナノ粒子が、絶対零度でのその差が１．５ｅＶ以下であるフェルミ準位を有していることを特徴とする、使用。
【請求項２】
前記ＡＱＣのゼロ価遷移金属原子が、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄおよびそれらの組み合わせから選択されるものであり、好ましくはＡｇである、請求項１に記載の金属ナノ粒子の使用。
【請求項３】
前記金属ナノ粒子が、ナノロッド、ナノ繊維、ナノ三角形、ナノスター、ナノディスク、ナノ立方体、ナノ四面体およびナノプリズムから選択される形状を有しており、好ましくは前記金属ナノ粒子がナノロッドである、請求項１または２に記載の金属ナノ粒子の使用。
【請求項４】
前記金属ナノ粒子の金属が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｂおよびそれらの組み合わせから選択されるものであり、好ましくはＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄおよびそれらの組み合わせから選択されるものであり、より好ましくはＡｕである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の金属ナノ粒子の使用。
【請求項５】
前記金属ナノ粒子の遷移金属と前記少なくとも１つの原子量子クラスターのゼロ価遷移金属原子とが同じものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属ナノ粒子の使用。
【請求項６】
前記金属ナノ粒子の遷移金属と前記少なくとも１個の原子量子クラスターのゼロ価遷移金属原子とが異なるものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属ナノ粒子の使用。
【請求項７】
前記原子量子クラスターおよび前記金属ナノ粒子が、絶対零度でのその差が１ｅＶ以下のフェルミ準位を有しており、好ましくは５００ｍｅＶ以下であり、好ましくはフェルミ準位の差が０〜２００ｍｅＶである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属ナノ粒子の使用。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の少なくとも１つの金属ナノ粒子が、レドックス対、電極または電極／レドックス対から選択される電荷キャリア受容体と接触している、化学反応の光触媒のための装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のハイブリッドナノ粒子の自己組織化層を有する２つの電極を備えてなる太陽電池であって、前記ハイブリッド粒子が、前記２つの電極間に、前記層のナノ粒子各々の異なる領域が異なる電極と接触するように置かれてなる、太陽電池。
【請求項１０】
それに結合した少なくとも１つの半導体を含んでなり、その寸法の少なくとも１つが１ｎｍ〜６０μｍである、光触媒プロセスにおける光触媒として用いられる金属ナノ粒子であって、前記少なくとも１つの半導体が２〜５５個のゼロ価遷移金属原子からなる原子量子クラスター（ＡＱＣ）であり、前記ＡＱＣのゼロ価遷移金属原子が、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｒｈおよびそれらの組み合わせから選択されるものであり、前記ＡＱＣおよび前記金属ナノ粒子が、絶対零度でのその差が１．５ｅＶ以下であるフェルミ準位を有していることを特徴とする、金属ナノ粒子。
【請求項１１】
前記ＡＱＣのゼロ価遷移金属原子が、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄおよびそれらの組み合わせから選択されるものであり、好ましくはＡｇである、請求項１０に記載の金属ナノ粒子。
【請求項１２】
前記金属ナノ粒子が、ナノロッド、ナノ繊維、ナノ三角形、ナノスター、ナノディスク、ナノ立方体、ナノ四面体およびナノプリズムから選択される形状を有しており、好ましくは前記金属ナノ粒子がナノロッドである、請求項１０または１１に記載の金属ナノ粒子。
【請求項１３】
前記金属ナノ粒子の金属が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｂおよびそれらの組み合わせから選択されるものであり、好ましくはＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄおよびそれらの組み合わせから選択されるものであり、より好ましくはＡｕである、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の金属ナノ粒子。
【請求項１４】
前記金属ナノ粒子の遷移金属と前記少なくとも１つの原子量子クラスターのゼロ価遷移金属原子とが同じものである、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の金属ナノ粒子。
【請求項１５】
前記金属ナノ粒子の遷移金属と前記少なくとも１個の原子量子クラスターのゼロ価遷移金属原子とが異なるものである、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の金属ナノ粒子。
【請求項１６】
前記原子量子クラスターおよび前記金属ナノ粒子が、絶対零度でのその差が１ｅＶ以下であるフェルミ準位を有しており、好ましくは５００ｍｅＶ以下であり、好ましくはフェルミ準位の差が０〜２００ｍｅＶである、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の金属ナノ粒子。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年10月26日(2016.10.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項５】
吸引フード（７，１６，２４）及び／又はそのロータ側の開口は、少なくとも、機械軸（ＭＡ）の方向の、ロータ（１）の処理位置（３）を備える少なくとも１つの部分が備える高さ全体又は実質的に軸方向の高さ全体にわたって延在し、機械軸（ＭＡ）の方向の吸引フード（７，１６，２４）及び／又はその開口の高さが、好ましくは、ロータ（１）又はロータ（１）の処理位置（３）を備える部分の相応の高さよりも大きいこと、を特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月17日(2015.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性材料に中心を横切る目標の直径の穴を加工する方法であって、前記方法は、
メモリに記憶された指示を実行するためのプロセッサーにより制御されるレーザを使用して、０でない内側直径から前記目標の直径まで、又は前記目標直径から前記０でない内側直径まで進む方向における複数の通路において、前記弾性材料の最上面にレーザからのレーザパルスを向けることと、
メモリに記憶された指示を実行するためのプロセッサーにより制御されるレーザを使用して、方向を変えないで第一パターンを繰り返すか、又は前記穴が前記弾性材料の底面を貫通して形成されるまで戦記複数の通路を反転させながら前記第一のパターンを繰り返すことと、
前記レーザパルスを前記第一のパターンを形成するように向ける前に、前記０でない内側直径により形成される円形通路に沿って、前記レーザから前記前記弾性材料の最上面にレーザパルスを向けることにより前記穴を加工して前記弾性材料の中心部を切断すること、
を有し、
前記複数の通路は前記複数の通路の引き続く通路が前記複数の通路の前の通路と重複するように第一のパターンを形成するように構成されおり、
前記中心部は前記最上面から前記底面まで、および前記中心のまわりから前記０でない内側直径まで延びている、方法。
【請求項２】
前記中心部を切断することは、前記中心部を除去することを含み、前記中心部を除去することは、
前記中心部が前記弾性材料から切断されるまで、前記内側直径により形成される通路の周りをレーザ加工すること、又は
前記中心又は前記中心の近辺から前記内側直径に向かう方向の最初の複数の通路に前記弾性材料の前記最上面に前記レーザからの前記レーザパルスを向けること、又は
前記内側直径から前記中心又は前記中心の近辺に向かう方向の最初の複数の通路に前記弾性材料の前記最上面に前記レーザからの前記レーザパルスを向けること、
を有し、
前記最初の複数の通路の引き続く通路が前記最初の複数の通路の前の通路と重複するように、前記最初の複数の通路は第２のパターンを形成し、前記最初の複数の通路の引き続く通路の間のステップサイズは、前記第１のパターンを形成する前記複数の通路の引き続く通路のステップサイズより大きい請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記中心部が前記弾性材料から切断されるまで前記第２のパターンを繰り返す請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記内側直径は前記目標直径の５０％以下である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の通路は、
前記内側直径から前記目標直径までの、又は前記目標直径から前記内側直径までのスパイラルパターン、又は
前記内側直径から前記目標直径までの、又は前記目標直径から前記内側直径までの前記中心の周りの同心円、
のいずれか一方を形成する請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記目標直径は１ｍｍより大きく、前記内側直径は８００ｍｍであり、前記引き続く通路のステップサイズは１５〜１５μｍであり、前記レーザのスポットサイズは８０μｍである請求項１又は２に記載の方法。
【請求項７】
前記穴は２５μｍ未満のテーパーを有する請求項１又は２に記載の方法。
【請求項８】
弾性材料に中心を横切る目標の直径まで穴を加工するための装置であって、前記装置は、レーザとメモリとプロセッサーを有するレーザ加工システムを備え、
前記プロセッサーは、前記メモリ内にプログラムされたインストラクションを実行して、
０でない内側直径から前記目標の直径まで、又は前記目標直径から前記０でない内側直径まで進む方向における複数の通路において、前記弾性材料の最上面にレーザからのレーザパルスを向けることと、
方向を変えないで第一パターンを繰り返すか、又は前記穴が前記弾性材料の底面を貫通して形成されるまで戦記複数の通路を反転させながら前記第一のパターンを繰り返すことと、
前記レーザパルスを前記第一のパターンを形成するように向ける前に、前記０でない内側直径により形成される円形通路に沿って、前記レーザから前記前記弾性材料の最上面にレーザパルスを向けることにより前記穴を加工して前記弾性材料の中心部を切断すること、
を行うように構成され、
前記中心部は前記最上面から前記底面まで、および前記中心のまわりから前記０でない内側直径まで延びている、装置。
【請求項９】
前記プロセッサーは、前記レーザパルスの引き続く通路間のステップサイズより大きな直径を有するレーザスポット、又は前記レーザパルスの引き続く通路間のステップサイズより大きな直径を有する円又はトレパンレーザパターンのいずれか一つを形成するように前記レーザを制御するように構成される請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記レーザは、２０μ秒のパルス幅、１５Ｗの電力、１０ｋＨｚのパルス繰り返し率、及びＩＲ領域の波長を有するＣＯ２レーザである請求項８又は９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１のパターンを形成する前記レーザパルスの引き続く通路の間のステップサイズは５〜１５μｍである請求項８又は９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月15日(2015.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スプレーブースのオーバースプレー収集装置であって、
長手方向軸に沿って長手方向に延在する第１の側壁及び第２の側壁と、
前記第１の側壁と前記第２の側壁との間に配置されて、前記長手方向軸に沿って長手方向に延在する排出ダクトと、
前記第１の側壁から下方に離れるように、前記排出ダクトの第１の側部に向かって延在する第１の傾斜床、及び前記第２の側壁から下方に離れるように、前記排出ダクトの第２の側部に向かって傾斜する第２の傾斜床と、を備え、
前記排出ダクトは、前記長手方向軸に沿って長手方向に、前記排出ダクトの前記第１の側部と前記第２の側部との間で延在するダクト床と、少なくとも部分的に前記床の上方で長手方向に延在する吸引フードとを有し、
前記吸引フードは第１の可動パネル及び第２の可動パネルを有し、前記第１の可動パネルは前記第１の傾斜床にヒンジ取付され、前記第２の可動パネルは前記第２の傾斜床にヒンジ取付され、前記第１の可動パネル及び前記第２の可動パネルは開位置と閉位置との間で可動であり、前記第１の可動パネル及び前記第２の可動パネルは、前記閉位置にあるときに前記吸引フードを形成し、
前記第１の可動パネルは、前記閉位置にあるとき、前記ヒンジの下方に延在し且つ前記第１の傾斜床の下部及び前記ダクト床から離間する下部を有し、前記第１の側部に沿って前記排出ダクトの第１の入口スロットが形成され、前記第２の可動パネルは、前記閉位置にあるとき、前記ヒンジの下方に延在し且つ前記第２の傾斜床の下部及び前記排出ダクト床から離間する下部を有し、前記第２の側部に沿って前記排出ダクトの第２の入口スロットが形成される、オーバースプレー収集装置。
【請求項２】
前記第１の可動パネル及び前記第２の可動パネルは、前記開位置にあるとき、清掃のために前記排出ダクト床に対するアクセスを提供する、請求項１に記載のオーバースプレー収集装置。
【請求項３】
前記第１の可動パネルは、前記第１の傾斜床にオフセットしてヒンジ取付され、前記第１の入口スロットを提供する、請求項１に記載のオーバースプレー収集装置。
【請求項４】
前記開位置と前記閉位置との間で前記第１の可動パネルを動かすように動作可能なアクチュエーターを備える、請求項１に記載のオーバースプレー収集装置。
【請求項５】
前記長手方向軸に対して横断方向に前記ダクト床を横切って延在するエアディフューザーを備え、前記エアディフューザーは、加圧空気を受け取るように構成され、加圧空気が通って前記排出ダクトに入る１つ又は複数の開口を有する、請求項１に記載のオーバースプレー収集装置。
【請求項６】
エアディフューザーが、前記長手方向軸に沿って互いから均等に離間してある、請求項１に記載のオーバースプレー収集装置。
【請求項７】
第１の側壁及び第２の側壁と、
前記第１の側壁と前記第２の側壁との間に配置されるとともに、長手方向軸に沿って延在する排出ダクトと、を備え
前記排出ダクトは、前記長手方向軸に沿って長手方向に、前記排出ダクトの第１の側部と前記排出ダクトの第２の側部との間で延在するダクト床と、少なくとも部分的に前記ダクト床の上方に延在する吸引フードとを有し、
前記長手方向軸に対して横断する方向に前記ダクト床の少なくとも一部を横切って延在するエアディフューザーであって、加圧空気を受け取るように構成され、加圧空気が通って前記排出ダクトに入る１つ又は複数の開口を有するエアディフューザー、を備える、スプレーブース。
【請求項８】
第１の端壁と第２の端壁との間で長手方向に、前記第１の側壁及び前記第２の側壁とともに延在する床及び天井を備える、請求項７に記載のスプレーブース。
【請求項９】
前記排出ダクトはダクト床を有し、前記床は、前記第１の側壁から下方に離れるように前記排出ダクトの前記第１の側部に向かって延在する第１の傾斜床と、前記第２の側壁から下方に離れるように前記排出ダクトの前記第２の側部に向かって傾斜する第２の傾斜床とを含む、請求項８に記載のスプレーブース。
【請求項１０】
前記第１の傾斜床及び前記第２の傾斜床と前記吸引フードとは、前記排出ダクトへの第１の入口スロット及び第２の入口スロットを提供する、請求項９に記載のスプレーブース。
【請求項１１】
スプレーブースのオーバースプレー収集装置であって、
排出チャネルであって、長手方向軸に沿って長手方向に、前記排出チャネルの第１の側部と第２の側部との間で延在するチャネル床と、少なくとも部分的に前記チャネル床の上方に長手方向に延在するフードとを有する、排出チャネルと、
前記長手方向軸に対して横断方向に前記チャネル床を少なくとも部分的に横切って延在するエアディフューザーであって、加圧空気を受け取るように構成され、加圧空気が通って前記排出ダクトに入る１つ又は複数の開口を有するエアディフューザーと、を備える、オーバースプレー収集装置。
【請求項１２】
前記エアディフューザーからの加圧空気がパルス駆動される、請求項１１に記載のオーバースプレー収集装置。
【請求項１３】
スプレーブースのオーバースプレー収集装置であって、
排出ダクトであって、前記長手方向軸に沿って長手方向に、前記排出ダクトの第１の側部と第２の側部との間で延在するダクト床と、少なくとも部分的に前記ダクト床の上方に長手方向に延在する吸引フードと、を有する排出ダクトを備え、
前記吸引フードは、第１の軸の回りに枢着される可動パネルを含み、
前記可動パネルに結合可能であると共に、前記可動パネルを第１の位置と第２の位置との間で動かすように動作可能であるアクチュエーターを備える、オーバースプレー収集装置。
【請求項１４】
前記アクチュエーターは、前記可動パネルに衝撃力を印加するように動作可能である、請求項１３に記載のオーバースプレー収集装置。
【請求項１５】
前記アクチュエーターは、前記吸引フードを開閉するよう前記可動パネルを動かすように動作可能である、請求項１３に記載のオーバースプレー収集装置。