【手続補正書】
【提出日】平成28年4月7日(2016.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークピースを加工する方法であって、
ワークピースの一部が加工ツールの加工領域内に位置するように前記ワークピースを配置し、
前記加工ツールを用いて前記加工領域内で前記ワークピースを加工し、
前記ワークピースが少なくとも部分的に不透明となる波長を有する検出光を前記加工領域内及び前記ワークピースの一部に照射し、
前記加工後に、前記加工領域を通過する前記検出光の特性を検出する、
方法。
【請求項２】
前記ワークピースが半導体ウェハである、請求項１の方法。
【請求項３】
前記ワークピースを加工する際に、前記ワークピースにレーザエネルギービームを照射する、請求項１の方法。
【請求項４】
前記ワークピースにレーザエネルギービームを照射する際に、記ワークピースの一部を除去する、請求項３の方法。
【請求項５】
前記ワークピースの一部を除去する際に、前記ワークピースを貫通する特徴部を形成する、請求項４の方法。
【請求項６】
前記ワークピースを加工する際に、前記ワークピースに対して前記レーザエネルギービームを横方向に走査する、請求項３の方法。
【請求項７】
前記加工領域を通過する前記検出光の前記特性を検出する際に、前記加工領域を通過する前記検出光の画像を検出する、請求項１の方法。
【請求項８】
さらに、前記検出に基づいて前記ワークピースの加工状態を決定する、請求項１の方法。
【請求項９】
さらに、前記ワークピースの前記決定された加工状態に基づいて前記加工ツールの動作を制御する、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記レーザエネルギービームの照射はガルバノメータミラーを用いる、請求項３の方法。
【請求項１１】
前記レーザエネルギービームを照射する際に、前記加工領域内で複数のラインに沿って前記レーザエネルギービームを横方向に走査する、請求項３の方法。
【請求項１２】
前記レーザエネルギービームは、レーザ波長を有し、前記検出光は、前記レーザエネルギービームの前記レーザ波長とは異なる検出波長を有する、請求項３の方法。
【請求項１３】
前記ワークピースは、前記ワークピースほど前記検出光に対して不透明ではないチャックにより支持される、請求項１の方法。
【請求項１４】
前記加工領域を通過する前記検出光の特性の検出は、イメージセンサを該イメージセンサと前記加工領域との間に配置された光学フィルタとともに用い、
前記光学フィルタは、前記加工領域を通過する前記検出光の一部を選択的に通過させるように構成され、
前記イメージセンサは、前記光学フィルタにより選択的に通過させた前記検出光の一部に感応する、
請求項１の方法。
【請求項１５】
前記加工領域を通過する前記検出光の特性の検出は、コントローラが連結されたイメージセンサを用い、
前記イメージセンサは、前記加工領域を通過した前記検出光の前記検出された特性に対応する画像信号を生成するように構成され、
前記コントローラは、前記画像信号に基づいて前記ワークピースの加工状態を決定するように構成されている、
請求項１の方法。
【請求項１６】
前記コントローラは、さらに前記加工ツールに連結され、前記コントローラにより決定された前記加工状態に基づいて前記加工ツールの動作を制御するように構成されている、請求項１５の方法。
【請求項１７】
前記加工ツールは、前記ワークピースから材料を除去するためのレーザエネルギービームを生成するためのレーザシステムを備え、
前記加工領域を通過する前記検出光の特性の検出は、コントローラが連結されたイメージセンサを用い、
前記イメージセンサは、前記加工領域を通過した前記検出光の前記検出された特性に対応する画像信号を生成するように構成され、
前記コントローラは、前記画像信号に基づいて前記ワークピースの加工状態を決定するように構成され、
前記ワークピースの前記加工状態を決定する際に、前記画像信号により得られる情報を基準画像により得られる情報と比較する、
請求項１の方法。
【請求項１８】
前記レーザシステムは、前記ワークピースに対して前記レーザエネルギービームを操作するためのビームステアリングシステムを備え、
前記コントローラは、さらに前記レーザシステムに連結され、前記コントローラにより決定された前記加工状態に基づいて前記ビームステアリングシステムにレーザ走査ルートを提供するように構成されている、
請求項１７の方法。
【請求項１９】
前記加工ツールは、機械ドリル、機械鋸、プラズマエッチングシステム、又は化学エッチングシステムである、請求項１の方法。
【請求項２０】
前記ワークピースは、シリコン（Ｓｉ）ウェハ、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ウェハ、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）ウェハ、サファイアウェハ、プリント回路基板（ＰＣＢ）、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）、セラミック片、金属片、金属板、金属箔、ポリマ、相変化材料、カルコゲニド系相変化材料、ＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＳｂＴｅ、（ＧｅＳｎ）ＳｂＴｅ、ＩｎＳｅ、ＧａＳｅＴｅ、ＧｅＳｂ（ＳｅＴｅ）、ＳｂＴｅ、ＳｎＳｂＴｅ、ＴｅＧｅＳｂＳ、ＧｅＴｅ、ＩｎＳｂＧｅ、又はこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つである、請求項１の方法。
【請求項２１】
前記ワークピースの加工により、前記ワークピースを貫通する又は部分的に切り欠いた特徴部を形成し、
前記特徴部は、ビア、孔、ボア、スロット、スクライブライン、又は基準マーカのうち少なくとも１つである、
請求項１の方法。
【請求項２２】
ワークピースを加工するための装置であって、
内部でワークピースを加工可能な加工領域を有する加工ツールと、
前記加工領域内に検出光を照射するように構成された照明システムであって、前記照明システムによって照射可能な検出光は、前記ワークピースが少なくとも部分的に不透明となる波長を有する、照明システムと、
前記加工領域を通過する前記検出光の特性を検出するように構成されたイメージセンサと、
前記ワークピースの少なくとも一部を前記加工領域内に位置させて前記検出光で照らすことができるようにワークピースを支持するように構成されたチャックと、
を備えた装置。
【請求項２３】
表面と裏面とを有するワークピースを加工する方法であって、
前記ワークピースの前記表面の一部が加工ツールの加工領域内に位置するように前記ワークピースの前記表面を配置し、
前記加工領域内で前記加工ツールを用いて前記ワークピースの前記表面を加工し、前記ワークピースの前記一部内で材料を除去して前記ワークピースを貫通する又は部分的に切り欠いたワークピース特徴部を形成し、
前記ワークピース特徴部を形成した後、前記ワークピースが少なくとも部分的に不透明となる波長を有する検出光を前記加工領域及び前記ワークピースの前記表面の前記一部に照射し、
前記加工領域を通って前記ワークピースの前記裏面に通過した検出光を検出し、
前記ワークピース特徴部のサンプル画像データを基準特徴部の基準画像データと比較して、前記ワークピース特徴部の前記サンプル画像データと前記基準特徴部の前記基準画像データとの間の一致の度合いに基づいて前記ワークピース特徴部の加工状態を決定し、
前記ワークピース特徴部の前記加工状態は、前記加工ツールによる加工に関する完了又は未完了のいずれかであり、
前記サンプル画像データと前記基準画像データの比較が、ワークピース特徴部の前記加工状態が未完了であることを示している場合に、前記加工領域内でさらに前記加工ツールを用いて前記ワークピースの前記表面から前記ワークピース特徴部を加工する、
方法。
【請求項２４】
前記加工領域を通って前記ワークピースの前記裏面に通過した検出光は、前記ワークピース特徴部の前記サンプル画像データを提供し、
前記ワークピース特徴部の前記サンプル画像データは、照明されている領域のデータと照明されていない領域のデータとを含み、
前記照明されている領域のデータは、前記検出光が前記ワークピースを通過できる程度に前記加工ツールによって十分に加工された前記ワークピースの領域に対応し、
前記照明されていない領域のデータは、前記加工ツールにより加工されていない前記ワークピースの領域と、前記検出光が前記ワークピースを通過するのを妨げる程度に前記加工ツールによる加工が不十分である前記ワークピースの領域とに対応し、
前記基準特徴部の前記基準画像データは、ターゲット照明可能領域データとターゲット照明不可能領域データとを含み、
前記ターゲット照明可能領域データは、前記ワークピース特徴部が所望の形態で形成された場合に十分に加工されるであろう前記ワークピースの領域に対応し、
前記ターゲット照明不可能領域データは、前記ワークピース特徴部が所望の形態で形成された場合に加工されないであろう前記ワークピースの領域に対応し、
前記サンプル画像データと前記基準イメージデータとが十分に一致することが完了加工状態を示し、
前記サンプル画像データと前記基準イメージデータとが十分に一致しないことが未完了加工状態を示す、
請求項２３の方法。