【手続補正書】
【提出日】平成28年3月23日(2016.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハンドヘルドの組織オキシメータ装置であって、
ハウジングを備え、前記ハウジングは、
前記ハウジングの中に含まれるプロセッサと、
前記ハウジングの中に含まれるメモリとを備え、前記メモリは前記プロセッサに連結され、前記ハウジングはさらに、
前記プロセッサに連結されるディスプレイを備え、前記ディスプレイは前記ハウジングの外側から視認可能であり、前記ハウジングはさらに、
前記ハウジングの中に含まれ、前記プロセッサ、前記メモリ、および前記ディスプレイに連結されてこれらに電力を供給するバッテリと、
前記ハウジングの先端部と、
前記プロセッサに連結されるセンサモジュールとを備え、前記センサモジュールは、前記ハウジングに対して相対的な固定位置に前記ハウジングの前記先端部によって保持される、かつ測定対象の組織に当てられて前記組織に対向するプローブ面を備え、前記プローブ面は、
前記プローブ面の上に形成される第１の光源構造および第２の光源構造と、
前記プローブ面の上に形成される第１の検出器構造とを備え、第１の距離は前記第１の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第２の距離は前記第１の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第１の距離は前記第２の距離よりも大きく、前記プローブ面はさらに、
前記プローブ面の上に形成される第２の検出器構造を備え、第３の距離は前記第２の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第４の距離は前記第２の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第４の距離は前記第３の距離よりも大きく、
前記第１の距離は前記第４の距離と同じであり、前記第２の距離は前記第３の距離と同じであり、前記プローブ面はさらに、
前記プローブ面の上に形成される第３の検出器構造を備え、第５の距離は前記第３の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第６の距離は前記第３の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第５の距離は前記第１の距離および前記第２の距離と異なり、前記第６の距離は前記第１の距離および前記第２の距離と異なり、前記プローブ面はさらに、
前記プローブ面の上に形成される第４の検出器構造を備え、第７の距離は前記第４の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第８の距離は前記第４の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第７の距離は前記第１、第２、第５および第６の距離と異なり、前記第８の距離は前記第１、第２、第５および第６の距離と異なり、
前記第１の距離は前記第２、第３、第５、第６、第７および第８の距離よりも大きく、前記第２の距離は前記第５、第６、第７および第８の距離よりも小さく、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第１の検出器構造から第１の情報を収集するように適合され、前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第２の検出器構造から第２の情報を収集するように適合され、前記第１の情報は、前記測定対象の組織の表面より下の第１の深さにおける前記組織を反映しており、前記第２の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第２の深さにおける前記組織を反映しており、前記第２の深さは前記第１の深さよりも小さい、装置。
【請求項２】
前記第１の深さにおける前記測定対象の組織は、前記組織の前記表面より下の皮下脂肪層および筋層より上にある、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第３の検出器構造から第３の情報を収集するように適合され、前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第４の検出器構造から第４の情報を収集するように適合され、前記第３の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第３の深さにおける前記組織を反映しており、前記第４の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第４の深さにおける前記組織を反映しており、前記第３および第４の深さは前記第１および第２の深さの間にある、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記プロセッサは、前記第２の光源構造から発せられた放射に応答して前記第３の検出器構造から第３の情報を収集するように適合され、前記プロセッサは、前記第２の光源構造から発せられた放射に応答して前記第４の検出器構造から第４の情報を収集するように適合され、前記第３の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第３の深さにおける前記組織を反映しており、前記第４の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第４の深さにおける前記組織を反映しており、前記第３および第４の深さは前記第１および第２の深さの間にある、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記センサモジュールは、
第１の光源ダイオードおよび第２の光源ダイオードと、
前記第１の光源構造と前記第１の光源ダイオードとの間に結合される第１の光ファイバと、
前記第２の光源構造と前記第２の光源ダイオードとの間に結合される第２の光ファイバとを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１の検出器構造は、前記プローブ面の上に位置決めされる第１の光検出器を備え、前記第２の検出器構造は、前記プローブ面の上に位置決めされる第２の光検出器を備え、前記第３の検出器構造は、前記プローブ面の上に位置決めされる第３の光検出器を備え、前記第４の検出器構造は、前記プローブ面の上に位置決めされる第４の光検出器を備える、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記センサモジュールは、
第１の光検出器、第２の光検出器、第３の光検出器、および第４の光検出器と、
前記第１の検出器構造と前記第１の光検出器との間に連結される第１の導波管と、
前記第２の検出器構造と前記第２の光検出器との間に連結される第２の導波管と、
前記第３の検出器構造と前記第３の光検出器との間に連結される第３の導波管と、
前記第４の検出器構造と前記第４の光検出器との間に連結される第４の導波管とを備える、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記第１の光源構造は第１の光源ダイオードを備え、前記第２の光源構造は第２の光源ダイオードを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記センサモジュールは、
第１の光検出器、第２の光検出器、第３の光検出器、および第４の光検出器と、
前記第１の検出器構造と前記第１の光検出器との間に連結される第１の導波管と、
前記第２の検出器構造と前記第２の光検出器との間に連結される第２の導波管と、
前記第３の検出器構造と前記第３の光検出器との間に連結される第３の導波管と、
前記第４の検出器構造と前記第４の光検出器との間に連結される第４の導波管とを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記センサモジュールは開口マスクを備え、前記開口マスクは、前記第１の導波管、前記第２の導波管、前記第３の導波管、および前記第４の導波管を備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１の距離が前記第２の距離と異なることに基づいて、前記プロセッサは、前記第１の光源構造から受信した第１のデータおよび前記第２の光源構造から受信した第２のデータに基づいて酸素飽和値を求めるように適合される、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記プローブの先端は、前記第１の光源構造の温度を表わす温度情報を生成するように構成される温度検知ユニットを備え、前記プロセッサは、前記第１の光源構造の温度が変化すると、前記温度情報に基づいて、前記第１の光源構造に供給される発振制御信号のデューティサイクルを調整して、前記第１の光源構造によって生成される光度を調整するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記プロセッサは、光源構造からの２つの異なる距離を有する少なくとも２つの検出器構造からの空間分解分光法測定値を用いて酸素飽和値を計算し、
前記第１の光源構造から発せられた光に応答して前記第３の検出器構造から第１の受信データを受信し、前記第３の検出器構造は前記第１の光源構造から前記第５の距離にあり、
前記第１の光源構造から発せられた光に応答して前記第４の検出器構造から第２の受信データを受信し、前記第４の検出器構造は前記第１の光源構造から前記第７の距離にあり、
前記プロセッサは、前記第５および第７の距離が互いに異なる空間分解分光法を用いて、前記第１および第２の受信データを用いて前記酸素飽和値を計算する、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記ハンドヘルドの組織オキシメータ装置はスタンドアロンユニットであり、
前記ハンドヘルドの組織オキシメータ装置を使用する場合、前記ディスプレイが前記装置の近端にあり、前記ハウジングの前記先端部が前記装置の遠端に向かう遠位方向に延びている間、前記装置の前記プロセッサ、前記メモリ、前記ディスプレイ、および前記バッテリを備える前記ハウジングがユーザの手の親指と人差し指との間に支えられ、
前記装置が前記ユーザの手の中にある間、前記ユーザは、前記装置の前記遠端にある前記プローブ面を前記測定対象の組織の上に位置決めする、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１および第２の光源構造ならびに前記第１、第２、第３および第４の検出器構造は前記測定対象の組織の片側に配置される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記第１および第２の光源構造ならびに前記第１、第２、第３および第４の検出器構造は円形配置で配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１および第２の検出器構造は、前記第１および第２の光源構造に交差する線の上の点に対して対称に配置され、
前記第３および第４の検出器構造は、前記第１および第２の光源構造に交差する前記線の上の前記点に対して非対称に配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
前記第１、第２、第３および第４の検出器構造ならびに前記第１および第２の光源構造は円形配置で配置される、請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１の距離は約２．５ミリメートルよりも大きく約４ミリメートルよりも小さい、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記第２の距離は約１．５ミリメートルよりも小さい、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記第２の距離は約１ミリメートルよりも小さい、請求項１９に記載の装置。
【請求項２２】
第９の距離は前記第１の光源構造から前記第２の光源構造までであり、前記第９の距離は前記第１、第２、第５、第６、第７および第８の距離よりも大きい、請求項１に記載の装置。
【請求項２３】
前記プロセッサは、前記第３および第４の検出器構造からではなく、前記第１および第２の検出器構造から収集した情報を用いて、前記第１の光源構造と前記第２の光源構造との光源出力の差に起因するオフセットを求める、請求項１に記載の装置。
【請求項２４】
ハンドヘルドの組織オキシメータ装置であって、
先端部を備えるハウジングと、
センサモジュールとを備え、前記センサモジュールは、前記ハウジングに対して相対的な固定位置に前記先端部によって保持される、かつ測定対象の組織に当てられて前記組織に対向するプローブ面を備え、前記装置はさらに、
前記プローブ面の上に円形配置で、かつ、第１の点および第２の点で前記円形配置の円に交差する線の上の点に対して非対称に配置される、第１の複数の検出器構造と、
前記プローブ面の上に前記円形配置で、かつ、前記円形配置における前記線の上の前記点に対して非対称に配置される、第２の複数の検出器構造と、
前記第１の複数の検出器構造の第１の検出器構造とを備え、第１の距離は前記第１の検出器構造から第１の光源構造までであり、第２の距離は前記第１の検出器構造から第２の光源構造までであり、前記第１の距離は前記第２の距離よりも大きく、前記装置はさらに、
前記第１の複数の検出器構造の第２の検出器構造を備え、第３の距離は前記第２の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第４の距離は前記第２の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第４の距離は前記第３の距離よりも大きく、前記装置はさらに、
前記第２の複数の検出器構造の第３の検出器構造を備え、第５の距離は前記第３の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第６の距離は前記第３の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第５の距離は前記第１の距離および前記第２の距離と異なり、前記第６の距離は前記第１の距離および前記第２の距離と異なり、前記装置はさらに、
前記第２の複数の検出器構造の第４の検出器構造を備え、第７の距離は前記第４の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第８の距離は前記第４の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第７の距離は前記第１、第２、第５および第６の距離と異なり、前記第８の距離は前記第１、第２、第５および第６の距離と異なり、前記装置はさらに、
各々が前記プローブ面の上に前記円形配置で配置される、第１の光源構造および第２の光源構造を備え、前記第１の光源構造は前記第１の点にあり、前記第２の光源構造は前記第２の点にあり、前記装置はさらに、
第１の光源ダイオードおよび第２の光源ダイオードと、
前記第１の光源ダイオードと前記第１の光源構造との間に光学的に結合される第１の光ファイバと、
前記第２の光源ダイオードと前記第２の光源構造との間に光学的に結合される第２の光ファイバとを備え、前記第１の光ファイバは、前記第１の光源ダイオードによって発せられた放射を前記第１の光源構造に伝達し、前記第２の光ファイバは、前記第２の光源ダイオードによって発せられた放射を前記第２の光源構造に伝達し、
前記第１の距離は前記第２、第３および第４の距離と異なり、
前記第２の距離は前記第３および第４の距離と異なり、
前記第３および第４の距離は互いに異なり、
前記第１の距離は前記第２、第３、第５、第６、第７および第８の距離よりも大きく、前記第２の距離は前記第５、第６、第７および第８の距離よりも小さく、
第９の距離は前記第１の光源構造から前記第２の光源構造までであり、前記第９の距離は前記第１、第２、第５、第６、第７および第８の距離よりも大きく、前記装置はさらに、
前記ハウジングの中に含まれるプロセッサを備え、前記プロセッサは、前記センサモジュール、前記第１の光源ダイオード、および前記第２の光源ダイオードに連結され、前記装置はさらに、
前記ハウジングの中に含まれるメモリを備え、前記メモリは前記プロセッサに連結され、前記装置はさらに、
前記プロセッサに連結されるディスプレイを備え、前記ディスプレイは前記ハウジングの外側から視認可能であり、前記装置はさらに、
前記ハウジングの中に含まれるバッテリを備え、前記バッテリは、前記プロセッサ、前記メモリ、および前記ディスプレイに連結されてこれらに電力を供給し、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第１の検出器構造から第１の情報を収集するように適合され、前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第２の検出器構造から第２の情報を収集するように適合され、前記第１の情報は、前記測定対象の組織の表面より下の第１の深さにおける前記組織を反映しており、前記第２の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第２の深さにおける前記組織を反映しており、前記第２の深さは前記第１の深さよりも小さい、装置。
【請求項２５】
前記第１の深さにおける前記測定対象の組織は、前記組織の前記表面より下の皮下脂肪層および筋層より上にある、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第３の検出器構造から第３の情報を収集するように適合され、前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第４の検出器構造から第４の情報を収集するように適合され、前記第３の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第３の深さにおける前記組織を反映しており、前記第４の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第４の深さにおける前記組織を反映しており、前記第３および第４の深さは前記第１および第２の深さの間にある、請求項２４に記載の装置。
【請求項２７】
前記プロセッサは、前記第２の光源構造から発せられた放射に応答して前記第３の検出器構造から第３の情報を収集するように適合され、前記プロセッサは、前記第２の光源構造から発せられた放射に応答して前記第４の検出器構造から第４の情報を収集するように適合され、前記第３の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第３の深さにおける前記組織を反映しており、前記第４の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第４の深さにおける前記組織を反映しており、前記第３および第４の深さは前記第１および第２の深さの間にある、請求項２４に記載の装置。
【請求項２８】
前記センサモジュールは、
前記第１の光源ダイオードと前記第１の光ファイバとの間に光学的に連結される第１の放射誘導素子と、
前記第２の光源ダイオードと前記第２の光ファイバとの間に光学的に連結される第２の放射誘導素子とを備え、前記第１の光ファイバは、前記第１の光源構造によって発せられて前記第１の放射誘導素子を通過した放射を前記第１の光源構造に伝達し、前記第２の光ファイバは、前記第２の光源構造によって発せられて前記第２の放射誘導素子を通過した放射を前記第２の光源構造に伝達する、請求項２４に記載の装置。
【請求項２９】
前記第１の検出器構造は第１の光検出器である、請求項２４に記載の装置。
【請求項３０】
前記第１の距離は約２．５ミリメートルよりも大きく約４ミリメートルよりも小さい、請求項２４に記載の装置。
【請求項３１】
前記第２の距離は約１．５ミリメートルよりも小さい、請求項３０に記載の装置。
【請求項３２】
前記第２の距離は約１ミリメートルよりも小さい、請求項３０に記載の装置。
【請求項３３】
前記第１の距離は前記第４の距離と同じであり、前記第２の距離は前記第３の距離と同じである、請求項２４に記載の装置。
【請求項３４】
前記第１の距離が前記第２の距離と異なることに基づいて、前記プロセッサは、前記第１の光源構造から受信した第１のデータおよび前記第２の光源構造から受信した第２のデータに基づいて酸素飽和値を求めるように適合される、請求項２４に記載の装置。
【請求項３５】
前記センサモジュールは、第１の光検出器と、前記第１の検出器構造と前記第１の光検出器との間に連結される第１の導波管とを備える、請求項２４に記載の装置。
【請求項３６】
前記センサモジュールは開口プレートを備え、前記開口プレートは前記第１の導波管を備える、請求項３５に記載の装置。
【請求項３７】
前記プロセッサは、前記メモリに予め記憶されている、それぞれ、前記第１の光源構造および前記第１の検出器構造、前記第１の光源構造および前記第２の検出器構造、前記第１の光源構造および前記第３の検出器構造、前記第１の光源構造および前記第４の検出器構造、前記第２の光源構造および前記第１の検出器構造、前記第２の光源構造および前記第２の検出器構造、前記第２の光源構造および前記第３の検出器構造のための、第１、第２、第３、第４、第５、第６、第７および第８の校正係数を前記メモリから取出すように適合され、
前記第１から第８の距離に依存する前記第１から第８の校正係数は互いに異なり、
前記プロセッサは、測定対象の組織について酸素飽和値を求める際に、前記第１から第８の校正係数を計算することなくこれらの校正係数を用いるように適合される、請求項２４に記載の装置。
【請求項３８】
前記プロセッサは、前記第１の光源構造に、第１の期間中に前記第１の光源構造から第１の放射波長を発し、第２の期間中に前記第１の光源構造から第２の放射波長を発し、第３の期間中に前記第１の光源構造から第３の放射波長を発し、第４の期間中に前記第１の光源構造から第４の放射波長を発するようにさせ、
前記第１の期間中、前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第１の検出器構造を校正するために第１の校正係数を用いるように適合され、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第２の検出器構造を校正するために第２の校正係数を用いるように適合され、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第３の検出器構造を校正するために第３の校正係数を用いるように適合され、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第４の検出器構造を校正するために第４の校正係数を用いるように適合され、
前記第２の期間中、前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第１の検出器構造を校正するために第５の校正係数を用いるように適合され、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第２の検出器構造を校正するために第６の校正係数を用いるように適合され、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第３の検出器構造を校正するために第７の校正係数を用いるように適合され、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第４の検出器構造を校正するために第８の校正係数を用いるように適合され、
前記第３の期間中、前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第１の検出器構造を校正するために第９の校正係数を用いるように適合され、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第２の検出器構造を校正するために第１０の校正係数を用いるように適合され、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第３の検出器構造を校正するために第１１の校正係数を用いるように適合され、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第４の検出器構造を校正するために第１２の校正係数を用いるように適合され、
前記第４の期間中、前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第１の検出器構造を校正するために第１３の校正係数を用いるように適合され、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第２の検出器構造を校正するために第１４の校正係数を用いるように適合され、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第３の検出器構造を校正するために第１５の校正係数を用いるように適合され、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造および前記第４の検出器構造を校正するために第１６の校正係数を用いるように適合される、請求項２４に記載の装置。
【請求項３９】
ハンドヘルドの組織オキシメータ装置であって、
ハウジングを備え、前記ハウジングは、
前記ハウジングの中に含まれるプロセッサと、
前記ハウジングの中に含まれるメモリとを備え、前記メモリは前記プロセッサに連結され、前記ハウジングはさらに、
前記プロセッサに連結されるディスプレイを備え、前記ディスプレイは前記ハウジングの外側から視認可能であり、前記ハウジングはさらに、
前記ハウジングの中に含まれるバッテリを備え、前記バッテリは、前記プロセッサ、前記メモリ、および前記ディスプレイに連結されてこれらに電力を供給し、前記ハウジングはさらに、
前記ハウジングの先端部と、
前記プロセッサに連結されるセンサモジュールとを備え、前記センサモジュールは、前記ハウジングに対して相対的な固定位置に前記先端部によって保持される、かつ測定対象の組織に当てられて前記組織に対向するプローブ面を備え、前記ハウジングはさらに、
各々が前記プローブ面の上に形成され、一直線上に直線配置で配置される第１の光源構造および第２の光源構造と、
各々が前記プロセッサに連結される第１の光源ダイオードおよび第２の光源ダイオードと、
それぞれ前記第１および第２の光源ダイオードに光学的に連結される第１の放射誘導素子および第２の放射誘導素子と、
前記第１の放射誘導素子と前記第１の光源構造との間に光学的に結合される第１の光ファイバと、
前記第２の放射誘導素子と前記第２の光源構造との間に光学的に結合される第２の光ファイバとを備え、前記第１の光ファイバは、前記第１の光源構造によって発せられて前記第１の放射誘導素子を通過した放射を前記第１の光源構造に伝達し、前記第２の光ファイバは、前記第２の光源構造によって発せられて前記第２の放射誘導素子を通過した放射を前記第２の光源構造に伝達し、前記ハウジングはさらに、
前記プローブ面の上に形成される第１の検出器構造を備え、第１の距離は前記第１の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第２の距離は前記第１の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第１の距離は前記第２の距離よりも大きく、前記ハウジングはさらに、
前記プローブ面の上に形成される第２の検出器構造を備え、第３の距離は前記第２の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第４の距離は前記第２の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第４の距離は前記第３の距離よりも大きく、前記ハウジングはさらに、
前記プローブ面の上に形成される第３の検出器構造を備え、第５の距離は前記第３の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第６の距離は前記第３の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第５の距離は前記第１の距離および前記第２の距離と異なり、前記第６の距離は前記第１の距離および前記第２の距離と異なり、前記ハウジングはさらに、
前記プローブ面の上に形成される第４の検出器構造を備え、第７の距離は前記第４の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第８の距離は前記第４の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第７の距離は前記第１、第２、第５および第６の距離と異なり、前記第８の距離は前記第１、第２、第５および第６の距離と異なり、
前記第１、第２、第３および第４の検出器構造は、前記第１および第２の光源構造が配置される前記線の上の点に対して非対称に配置され、
前記第１の距離は前記第２、第３および第４の距離と異なり、
前記第２の距離は前記第３および第４の距離と異なり、
前記第３および第４の距離は互いに異なり、
前記第１の距離は前記第２、第３、第５、第６、第７および第８の距離よりも大きく、前記第２の距離は前記第３、第５、第６、第７および第８の距離よりも小さく、
第９の距離は前記第１の光源構造から前記第２の光源構造までであり、前記第９の距離は前記第１、第２、第５、第６、第７および第８の距離よりも大きく、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第１の検出器構造から第１の情報を収集するように適合され、前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第２の検出器構造から第２の情報を収集するように適合され、前記第１の情報は、前記測定対象の組織の表面より下の第１の深さにおける前記組織を反映しており、前記第２の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第２の深さにおける前記組織を反映しており、前記第２の深さは前記第１の深さよりも小さい、装置。
【請求項４０】
前記第１の深さにおける前記測定対象の組織は、前記組織の前記表面より下の皮下脂肪層および筋層より上にある、請求項３９に記載の装置。
【請求項４１】
前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第３の検出器構造から第３の情報を収集するように適合され、前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第４の検出器構造から第４の情報を収集するように適合され、前記第３の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第３の深さにおける前記組織を反映しており、前記第４の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第４の深さにおける前記組織を反映しており、前記第３および第４の深さは前記第１および第２の深さの間にある、請求項３９に記載の装置。
【請求項４２】
前記プロセッサは、前記第２の光源構造から発せられた放射に応答して前記第３の検出器構造から第３の情報を収集するように適合され、前記プロセッサは、前記第２の光源構造から発せられた放射に応答して前記第４の検出器構造から第４の情報を収集するように適合され、前記第３の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第３の深さにおける前記組織を反映しており、前記第４の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第４の深さにおける前記組織を反映しており、前記第３および第４の深さは前記第１および第２の深さの間にある、請求項３９に記載の装置。
【請求項４３】
前記第１の検出器構造は第１の光検出器である、請求項３９に記載の装置。
【請求項４４】
前記第１および第４の距離は約２．５ミリメートルよりも大きく約４ミリメートルよりも小さい、請求項３９に記載の装置。
【請求項４５】
前記第２および第３の距離は約１．５ミリメートルよりも小さい、請求項４４に記載の装置。
【請求項４６】
前記第２の距離は約１ミリメートルよりも小さい、請求項４５に記載の装置。
【請求項４７】
前記第１の距離は前記第４の距離と同じである、請求項３９に記載の装置。
【請求項４８】
前記第２の距離は前記第３の距離と同じである、請求項４７に記載の装置。
【請求項４９】
前記プロセッサによる、前記第１および第２の光源構造からの第１および第２のデータに基づく推定酸素飽和値のための計算は、前記第１の距離と前記第２の距離とが異なっていることに依存する、請求項３９に記載の装置。
【請求項５０】
前記センサモジュールは、第１の光検出器と、前記第１の検出器構造と前記第１の光検出器との間に連結される第１の導波管とを備える、請求項３９に記載の装置。
【請求項５１】
前記センサモジュールは開口プレートを備え、前記開口プレートは前記第１の導波管を備える、請求項５０に記載の装置。
【請求項５２】
前記プロセッサは、前記メモリから第１の複数の校正係数を取出し、前記校正係数を用いて、前記第１の光源構造によって発せられた放射の波長ごとに前記第１、第２、第３および第４の検出器構造の各々によって収集される放射の絶対強度を補正するように適合され、
前記プロセッサは、前記メモリから第２の複数の校正係数を取出し、前記校正係数を用いて、前記第２の光源構造によって発せられた放射の波長ごとに前記第１、第２、第３および第４の検出器構造の各々によって収集される放射の絶対強度を補正するように適合される、請求項３９に記載の装置。
【請求項５３】
前記第１および第２の複数の校正係数は前記メモリに予め記憶されており、前記プロセッサは前記第１および第２の複数の校正係数を決定しない、請求項５２に記載の装置。
【請求項５４】
ハンドヘルドの組織オキシメータ装置であって、
ハウジングを備え、前記ハウジングは、
前記ハウジングの中に含まれるプロセッサと、
前記ハウジングの中に含まれるメモリとを備え、前記メモリは前記プロセッサに連結され、前記ハウジングはさらに、
前記プロセッサに連結されるディスプレイを備え、前記ディスプレイは前記ハウジングの外側から視認可能であり、前記ハウジングはさらに、
前記ハウジングの中に含まれるバッテリを備え、前記バッテリは、前記プロセッサ、前記メモリ、および前記ディスプレイに連結されてこれらに電力を供給し、前記ハウジングはさらに、
前記ハウジングの先端部と、
前記プロセッサに連結されるセンサモジュールとを備え、前記センサモジュールは、前記ハウジングに対して相対的な固定位置に前記先端部によって保持される、かつ測定対象の組織に当てられて前記組織に対向するプローブ面を備え、前記ハウジングはさらに、
前記プローブ面の上に形成される第１の光源構造と、
前記プローブ面の上に形成される複数の検出器構造と、
前記複数の検出器構造の第１の検出器構造とを備え、前記第１の光源構造および前記第１の検出器構造は第１の線の上に位置決めされ、第１の距離は前記第１の光源構造から前記第１の検出器構造までであり、前記ハウジングはさらに、
前記複数の検出器構造の第２の検出器構造を備え、前記第１の光源構造および前記第２の検出器構造は第２の線の上に位置決めされ、第２の距離は前記第１の光源構造から前記第２の検出器構造までであり、前記ハウジングはさらに、
前記複数の検出器構造の第３の検出器構造を備え、前記第１の光源構造および前記第３の検出器構造は第３の線の上に位置決めされ、第３の距離は前記第１の光源構造から前記第３の検出器構造までであり、前記ハウジングはさらに、
前記複数の検出器構造の第４の検出器構造を備え、前記第１の光源構造および前記第４の検出器構造は第４の線の上に位置決めされ、第４の距離は前記第１の光源構造から前記第４の検出器構造までであり、
前記第１、第２、第３および第４の線は前記第１の光源構造で交差し、それ以外では交差せず、
前記第１、第２、第３および第４の距離は異なる距離であり、
前記第１の距離は前記第２、第３および第４の距離よりも大きく、
前記第２の距離は前記第３および第４の距離よりも小さく、
第５の距離は前記第１検出器構造と前記第２の検出器構造との間であり、
第６の距離は前記第１の検出器構造と前記第３の検出器構造との間であり、
第７の距離は前記第１の検出器構造と前記第４の検出器構造との間であり、
第８の距離は前記第２の検出器構造と前記第３の検出器構造との間であり、
第９の距離は前記第２の検出器構造と前記第４の検出器構造との間であり、
第１０の距離は前記第３の検出器構造と前記第４の検出器構造との間であり、
前記第５の距離は前記第６、第７、第８、第９および第１０の距離よりも大きく、
前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第１の検出器構造から第１の情報を収集するように適合され、前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第２の検出器構造から第２の情報を収集するように適合され、前記第１の情報は、前記測定対象の組織の表面より下の第１の深さにおける前記組織を反映しており、前記第２の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第２の深さにおける前記組織を反映しており、前記第２の深さは前記第１の深さよりも小さい、装置。
【請求項５５】
前記第１の深さにおける前記測定対象の組織は、前記組織の前記表面より下の皮下脂肪層および筋層より上にある、請求項５４に記載の装置。
【請求項５６】
前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第３の検出器構造から第３の情報を収集するように適合され、前記プロセッサは、前記第１の光源構造から発せられた放射に応答して前記第４の検出器構造から第４の情報を収集するように適合され、前記第３の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第３の深さにおける前記組織を反映しており、前記第４の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第４の深さにおける前記組織を反映しており、前記第３および第４の深さは前記第１および第２の深さの間にある、請求項５４に記載の装置。
【請求項５７】
前記プロセッサは、前記第２の光源構造から発せられた放射に応答して前記第３の検出器構造から第３の情報を収集するように適合され、前記プロセッサは、前記第２の光源構造から発せられた放射に応答して前記第４の検出器構造から第４の情報を収集するように適合され、前記第３の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第３の深さにおける前記組織を反映しており、前記第４の情報は、前記測定対象の組織の前記表面より下の第４の深さにおける前記組織を反映しており、前記第３および第４の深さは前記第１および第２の深さの間にある、請求項５４に記載の装置。
【請求項５８】
前記プローブ面の上に形成される前記複数の検出器構造は円形配置で配置され、
前記プローブ面の上に形成される前記第１の光源構造は、前記円形配置の外側に位置決めされ、
前記第１の線は、第１の点および第２の点で前記円形配置の円に交差し、
前記第２の線は、第３の点および第４の点で前記円に交差し、
前記第３の線は、第５の点および第６の点で前記円に交差し、
前記第４の線は、第７の点および第８の点で前記円に交差し、
前記第１、第２、第３および第４の線は前記円の外側で交差し、前記円の内側では交差しない、請求項５４に記載の装置。
【請求項５９】
前記第１の検出器構造は第１の光検出器を備え、前記第２の検出器構造は第２の光検出器を備え、前記第３の検出器構造は第３の光検出器を備え、前記第４の検出器構造は第４の光検出器を備える、請求項５４に記載の装置。
【請求項６０】
第１の光路長は前記第１の光源ダイオードと前記第１の光源構造との間であり、第３の光路長は前記第１の光検出器と前記測定対象の組織の表面との間であり、前記第１の光路長は前記第３の光路長よりも長い、請求項５９に記載の装置。
【請求項６１】
前記センサモジュールは、
前記プロセッサに連結される第１の光源ダイオードと、
前記第１の光源ダイオードに光学的に連結される第１の放射誘導素子と、
前記第１の放射誘導素子と前記第１の光源構造との間に光学的に結合される第１の光ファイバとを備え、前記第１の光ファイバは、前記第１の光源構造によって発せられて前記第１の放射誘導素子を通過した放射を前記第１の光源構造に伝達する、請求項５４に記載の装置。
【請求項６２】
前記センサモジュールは、
前記プローブ面の上に形成され、前記円形配置の外側に位置決めされる第２の光源構造と、
前記プロセッサに連結される第２の光源ダイオードと、
前記第２の光源構造と前記第２の光源ダイオードとの間に結合される第２の光ファイバとを備える、請求項５４に記載の装置。
【請求項６３】
前記第１の光源構造および前記第２の光源構造は、前記円を二等分する第１１の線の上に配置される、請求項６２に記載の装置。
【請求項６４】
前記センサモジュールは、第１の光検出器と、前記第１の検出器構造と前記第１の光検出器との間に連結される第１の導波管とを備える、請求項５４に記載の装置。
【請求項６５】
前記センサモジュールは開口プレートを備え、前記開口プレートは前記第１の導波管を備える、請求項６４に記載の装置。
【請求項６６】
前記第１の導波管は、前記第１の検出器構造と第１の光検出器との間に結合される第３の光ファイバを備える、請求項６４に記載の装置。
【請求項６７】
前記ハンドヘルドの組織オキシメータ装置はスタンドアロンユニットであり、
前記ハンドヘルドの組織オキシメータ装置を使用する場合、前記ディスプレイが前記装置の近端にあり、前記ハウジングの前記先端部が前記装置の遠端に向かう遠位方向に延びている間、前記装置の前記プロセッサ、前記メモリ、前記ディスプレイ、および前記バッテリを備える前記ハウジングがユーザの手の親指と人差し指との間に支えられ、
前記装置が前記ユーザの手の中にある間、前記ユーザは、前記装置の前記遠端にある前記プローブ面を前記測定対象の組織の上に位置決めする、請求項６６に記載の装置。
【請求項６８】
前記第１の光源構造ならびに前記第１、第２、第３および第４の検出器構造は前記測定対象の組織の片側に配置される、請求項６７に記載の装置。
【請求項６９】
前記第１、第２、第３および第４の検出器構造は円形配置で配置される、請求項５４に記載の装置。
【請求項７０】
前記第１の光源構造は前記円の上に位置決めされ、前記第１、第２、第３および第４の線は前記円の上で交差する、請求項６９に記載の装置。
【請求項７１】
前記第１および第２の検出器構造は、前記円の第９の点および第１０の点で前記円に交差する第１１の線の上の点に対して対称に配置される、請求項６９に記載の装置。
【請求項７２】
前記第３および第４の検出器構造は、前記円形配置で前記第１１の線の上の前記点に対して非対称に配置される、請求項７１に記載の装置。
【請求項７３】
前記第５の距離は約２．５ミリメートルよりも大きく約４ミリメートルよりも小さい、請求項５４に記載の装置。
【請求項７４】
前記第２および第４の距離は約１．５ミリメートルよりも小さい、請求項７３に記載の装置。
【請求項７５】
前記第２の距離は約１ミリメートルよりも小さい、請求項７４に記載の装置。
【請求項７６】
前記プロセッサは、前記メモリから第１の複数の校正係数を取出し、前記校正係数を用いて、前記第１の光源構造によって発せられた放射の波長ごとに前記第１、第２、第３および第４の検出器構造の各々によって収集される放射の絶対強度を補正するように適合され、
前記プロセッサは、前記メモリから第２の複数の校正係数を取出し、前記校正係数を用いて、前記第２の光源構造によって発せられた放射の波長ごとに前記第１、第２、第３および第４の検出器構造の各々によって収集される放射の絶対強度を補正するように適合される、請求項５４に記載の装置。
【請求項７７】
前記メモリは、前記第１および第２の複数の校正係数を記憶するように適合される、請求項７６に記載の装置。
【請求項７８】
組織オキシメータ装置であって、
ハウジングを備え、前記ハウジングは、
前記ハウジングの中に含まれるプロセッサと、
前記ハウジングの中に含まれるメモリとを備え、前記メモリは前記プロセッサに連結され、前記ハウジングはさらに、
前記プロセッサに連結されるディスプレイを備え、前記ディスプレイは前記ハウジングの外側から視認可能であり、前記ハウジングはさらに、
前記ハウジングの中に含まれるバッテリを備え、前記バッテリは、前記プロセッサ、前記メモリ、および前記ディスプレイに連結されてこれらに電力を供給し、前記ハウジングはさらに、
前記ハウジングの先端部と、
前記プロセッサに連結されるセンサヘッドとを備え、前記センサヘッドは、前記ハウジングに対して相対的な固定位置に前記先端部によって保持される、かつ測定対象の組織に当てられて前記組織に対向するプローブ面を備え、前記センサヘッドは、
前記プローブ面の上に形成され、円形配置で非対称に、第１の点および第２の点で前記円形配置の円に交差する線の上の点に対して非対称に配置される第１の複数の検出器構造と、
前記プローブ面の上に形成され、前記円形配置における前記線の上の前記点に対して非対称に配置される第２の複数の検出器構造と、
前記プローブ面の上に形成され、前記円形配置の前記円の前記第１の点に位置決めされる第１の光源構造と、
前記プローブ面の上に形成され、前記円形配置の前記円の前記第２の点に位置決めされる第２の光源構造と、
前記第１の複数の検出器構造の前記円の上の第１の検出器構造とを備え、第１の距離は前記第１の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第２の距離は前記第１の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第１の距離は前記第２の距離よりも大きく、前記センサヘッドはさらに、
前記線の上の前記点の周りの前記第１の複数の検出器構造に対して非対称に配置される、前記第１の複数の検出器構造の前記円の上の第２の検出器構造を備え、第３の距離は前記第２の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第４の距離は前記第２の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第４の距離は前記第３の距離よりも大きく、前記センサヘッドはさらに、
前記線の上の前記点の周りの前記第１の複数の検出器構造に対して非対称に配置される、前記第２の複数の検出器構造の前記円の上の第３の検出器構造を備え、第５の距離は前記第３の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第６の距離は前記第３の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第５の距離は前記第１の距離および前記第２の距離と異なり、前記第６の距離は前記第１の距離および前記第２の距離と異なり、前記センサヘッドはさらに、
前記線の上の前記点の周りの前記第１の複数の検出器構造および前記第３の検出器構造に対して非対称に配置される、前記第２の複数の検出器構造の前記円の上の第４の検出器構造を備え、第７の距離は前記第４の検出器構造から前記第１の光源構造までであり、第８の距離は前記第４の検出器構造から前記第２の光源構造までであり、前記第７の距離は前記第１、第２、第５および第６の距離と異なり、前記第８の距離は前記第１、第２、第５および第６の距離と異なり、
前記第１の距離は前記第５、第６、第７および第８の距離よりも大きく、前記第２の距離は前記第５、第６、第７および第８の距離よりも小さく、
第９の距離は前記第１の光源構造から前記第２の光源構造までであり、前記第９の距離は前記第１、第２、第５、第６、第７および第８の距離よりも大きく、前記センサヘッドはさらに、
非対称に配置される前記第１の複数の検出器構造から、かつ非対称に配置される前記第２の複数の検出器構造から収集された情報を用いて酸素飽和値を求めるように適合される処理モジュールを備える、装置。