(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を処理するための処理室が内部に形成された真空容器と、
処理中の前記被処理基板を保持する基板保持手段と、
プロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記プラズマ生成手段にて生成されたプラズマにより励起されたプロセスガスを、前記基板保持手段で保持された前記被処理基板の側方から前記被処理基板に向けて放出し、前記被処理基板の表面及び裏面の両方に対してプロセスガスを同時に供給するガス供給手段であって、前記基板保持手段で保持された前記被処理基板の側方に配置されたガスノズル手段を含む、ガス供給手段と、
前記ガスノズル手段のガス放出口付近に設けられたガス分散板であって、前記被処理基板の表面及び裏面に平行な方向に対してやや内向きの方向、つまり前記被処理基板の表面及び裏面に近づく方向に傾斜しているガス分散板と、
を備えたことを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項２】
前記被処理基板を間に挟んで前記ガスノズル手段に対向する位置の前記真空容器の壁に、前記処理室の内部を排気するための排気ポートが設けられていることを特徴とする請求項１記載のドライエッチング装置。
【請求項３】
前記ガスノズル手段は、前記被処理基板の表面側にプロセスガスを供給する表面側ガスノズルと、前記被処理基板の裏面側にプロセスガスを供給する裏面側ガスノズルとを有することを特徴とする請求項１又は２に記載のドライエッチング装置。
【請求項４】
前記基板保持手段は、前記被処理基板の縁部を支持することにより前記被処理基板の表面及び裏面のそれぞれの処理領域全体を前記処理室内に露出させるものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のドライエッチング装置。
【請求項５】
前記基板保持手段は、前記被処理基板を保持する機能と共に、保持した前記被処理基板を回転させる機能も有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のドライエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ドライエッチング装置に係わり、特に、プリント基板のようにその両面がエッチング処理される被処理基板を処理するためのドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、プリント基板に対してエッチング処理を施すためにドライエッチング装置が用いられている。
【０００３】
従来のドライエッチング装置においては、複数枚のプリント基板を収納したカセットを処理室の内部に搬入し、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）によって複数のプリント基板をバッチ式に処理するものであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上述したバッチ式のＲＩＥ型ドライエッチング装置では、重量物であるカセットを処理室内に搬出入しなければならず、その取扱いが容易ではなかった。また、このドライエッチング装置では被処理基板の両面を同時にエッチング処理することはできないので、もし仮にバッチ式処理に代えて、被処理基板を一枚ずつ処理する枚葉式処理を採用すると、処理時間が長期化してスループットが大幅に低下するという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述した事情を考慮してなされたものであって、被処理基板の両面を同時にエッチングすることができるドライエッチング装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明によるドライエッチング装置は、被処理基板を処理するための処理室が内部に形成された真空容器と、処理中の前記被処理基板を保持する基板保持手段と、プロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記プラズマ生成手段にて生成されたプラズマにより励起されたプロセスガスを、前記基板保持手段で保持された前記被処理基板の側方から前記被処理基板に向けて放出し、前記被処理基板の表面及び裏面の両方に対してプロセスガスを同時に供給するガス供給手段であって、前記基板保持手段で保持された前記被処理基板の側方に配置されたガスノズル手段を含む、ガス供給手段と、前記ガスノズル手段のガス放出口付近に設けられたガス分散板であって、前記被処理基板の表面及び裏面に平行な方向に対してやや内向きの方向、つまり前記被処理基板の表面及び裏面に近づく方向に傾斜しているガス分散板と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
また、好ましくは、前記被処理基板を間に挟んで前記ガスノズル手段に対向する位置の前記真空容器の壁に、前記処理室の内部を排気するための排気ポートが設けられている。
【０００９】
また、好ましくは、前記ガスノズル手段は、前記被処理基板の表面側にプロセスガスを供給する表面側ガスノズルと、前記被処理基板の裏面側にプロセスガスを供給する裏面側ガスノズルとを有する。
【００１１】
また、好ましくは、前記基板保持手段は、前記被処理基板の縁部を支持することにより前記被処理基板の表面及び裏面のそれぞれの処理領域全体を前記処理室内に露出させるものである。
【００１２】
また、好ましくは、前記基板保持手段は、前記被処理基板を保持する機能と共に、保持した前記被処理基板を回転させる機能も有する。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態によるドライエッチング装置について図面を参照して説明する。
【００１４】
図１は、本実施形態によるドライエッチング装置の概略構成を示した縦断面図であり、このドライエッチング装置は処理室１が内部に形成された真空容器２を備え、真空容器２は、容器本体３と蓋部４とを有している。
【００１５】
さらに、このドライエッチング装置は、処理中のプリント基板Ｓを保持する機能と共に保持したプリント基板Ｓを回転させる機能を有する基板保持手段５を備え、この基板保持手段５は、プリント基板Ｓが支持される額縁形状の基板受け６と、この基板受け６に連結された回転軸７とを有している。回転軸７は図示を省略したモータによって回転駆動される。
【００１６】
額縁形状の基板受け６は、プリント基板Ｓの縁部のみを支持することにより、プリント基板Ｓの表面及び裏面の処理領域全体を処理室１内に露出させることができるようになっている。
【００１７】
真空容器２の側方にはプラズマ生成手段８が設けられており、このプラズマ生成手段８ではプロセスガスにマイクロ波を照射してプラズマが生成される。プラズマ生成手段８にはガス供給手段９が接続されており、このガス供給手段９を介して、プラズマ生成手段８にて生成されたプラズマにより励起されたプロセスガスが、基板保持手段５の基板受け６で保持されたプリント基板Ｓの側方からプリント基板Ｓに向けて放出され、プリント基板Ｓの表面及び裏面の両方に対してプロセスガスが同時に供給される。
【００１８】
ガス供給手段９は、基板保持手段５の基板受け６で保持されたプリント基板Ｓの側方に配置されたガスノズル手段１０と、このガスノズル手段１０とプラズマ生成手段８とを連結する連絡管１１とを備えている。ガスノズル手段１０は、プリント基板Ｓの表面側にプロセスガスを供給する表面側ガスノズル１０ａと、プリント基板Ｓの裏面側にプロセスガスを供給する裏面側ガスノズル１０ｂとから成る。表面側ガスノズル１０ａ及び裏面側ガスノズル１０ｂには、連絡管１１を介して共通のプラズマ発生手段８からプロセスガスが供給される。
【００１９】
表面側及び裏面側ガスノズル１０ａ、１０ｂの各ガス放出口付近には、プリント基板Ｓの表面及び裏面の全面にわたってプロセスガスを供給するための表面側及び裏面側ガス分散板１２ａ、１２ｂが設けられている。表面側及び裏面側ガス分散板１２ａ、１２ｂは、それぞれ、プリント基板Ｓの表面及び裏面に平行な方向に対してやや内向きの方向、つまりプリント基板Ｓの表面及び裏面に近づく方向に傾斜している。要するにガス分散板１２ａ、１２ｂは、プリント基板Ｓの表面及び裏面のエッチング処理の面内均一性が良くなるようにそれらの傾斜角度等が設定されている。
【００２０】
また、プリント基板Ｓを間に挟んでガスノズル手段１０に対向する位置の真空容器２の壁には、処理室１の内部を排気するための排気ポート１３が設けられている。このようにガスノズル手段１０と排気ポート１３とをプリント基板Ｓを間に挟んで対向配置したので、ガスノズル手段１０から処理室１内に導入されたプロセスガスは、プリント基板Ｓの表面及び裏面に沿って一端から他端まで満遍なく行き渡りやすい。
【００２１】
プロセス条件の一例を挙げれば、ＣＦ４：４２０ｓｃｃｍ、Ｏ２：７８０ｓｃｃｍ、処理室圧力：６０Ｐａ、マイクロ波出力：７００Ｗ、処理時間：３０秒、基板回転数：毎分３０回転である。
【００２２】
以上述べたように本実施形態によるドライエッチング装置によれば、励起されたプロセスガスをプリント基板Ｓの側方から供給してプリント基板Ｓの両面を同時にエッチングするようにしたので、プリント基板Ｓの処理時間を短縮することができる。このため、従来のバッチ式処理に代えて、プリント基板Ｓを一枚ずつ処理する枚葉式処理を採用した場合でも十分に高いスループットを確保することができる。また、枚葉式処理であるために処理中のプリント基板Ｓを回転させることが容易であり、プリント基板Ｓの回転により処理の面内均一性を高めることができる。
【００２３】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によるドライエッチング装置によれば、励起されたプロセスガスを被処理基板の側方から供給して被処理基板の両面を同時にエッチングするようにしたので、被処理基板の処理時間を短縮することができる。このため、従来のバッチ式処理に代えて、被処理基板を一枚ずつ処理する枚葉式処理を採用した場合でも十分に高いスループットを確保することができる。また、枚葉式処理であるために処理中の被処理基板を回転させることが容易であり、被処理基板の回転により処理の面内均一性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態によるドライエッチング装置の概略構成を示した縦断面図。
【符号の説明】
１  処理室
２  真空容器
３  容器本体
４  蓋部
５  基板保持手段
６  基板受け
７  回転軸
８  プラズマ生成手段
９  ガス供給手段
１０  ガスノズル手段
１０ａ  表面側ガスノズル
１０ｂ  裏面側ガスノズル
１１  連絡管
１２ａ  表面側ガス分散板
１２ｂ  裏面側ガス分散板
１３  排気ポート
Ｓ  プリント基板（被処理基板）
【図１】
0004018316.tif 000002