【手続補正書】
【提出日】平成28年2月26日(2016.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、基板の内部にある引っ張り領域と、前記第１の主面と前記引っ張り領域との間にある圧縮領域とを有する基板を用意し、前記基板の第１の部分は初期応力を有し、
前記基板内にガイド経路に沿って延びる修正応力ゾーンを形成して、前記基板の前記第１の部分が前記修正応力ゾーン内にあるようにし、前記修正応力ゾーン内の前記基板の前記部分は前記初期応力とは異なる修正応力を有し、
前記修正応力ゾーンの形成後に、前記第１の主面にベントクラックを形成し、
前記ベントクラックの形成時に前記基板が前記ガイド経路に沿って分離可能となるように前記ベントクラック及び前記修正応力ゾーンが構成される、
方法。
【請求項２】
前記基板の前記部分は前記引っ張り領域内に配置される、請求項１の方法。
【請求項３】
前記基板の前記部分は前記圧縮領域内に配置される、請求項１の方法。
【請求項４】
前記初期応力は引っ張り応力である、請求項１の方法。
【請求項５】
前記修正応力は、前記初期引っ張り応力よりも大きい引っ張り応力である、請求項４の方法。
【請求項６】
前記基板は、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、前記第１の主面から前記第２の主面に延びる端面とを備え、前記ガイド経路は前記端面に延び、
前記ベントクラックを形成する際に、
前記基板を支持するように構成されている支持部材に前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方を接触させ、前記第１の主面及び前記第２の主面の前記少なくとも一方の前記端面に隣接する部分が前記支持部材から離間しており、
前記支持部材により支持された前記基板内に前記ベントクラックを形成する、
請求項１の方法。
【請求項７】
前記基板が強化ガラス基板である、請求項１の方法。
【請求項８】
前記基板の厚さは２００μｍよりも大きい、請求項１の方法。
【請求項９】
前記基板は、１０ｍｍよりも小さい厚さの強化ガラス基板である、請求項１の方法。
【請求項１０】
前記修正応力ゾーンを形成する際に、前記基板を加熱する、請求項１の方法。
【請求項１１】
前記基板が強化ガラス基板であり、前記基板を加熱する際に、前記基板の前記第１の主面を前記基板のガラス転移温度よりも低い温度に加熱する、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記基板が強化ガラス基板であり、前記基板を加熱する際に、前記第１の主面とは反対側の前記基板の第２の主面を前記基板のガラス転移温度よりも低い温度に加熱する、請求項１０の方法。
【請求項１３】
前記基板が強化ガラス基板であり、前記基板を加熱する際に、前記基板を前記基板のガラス転移温度の７０％よりも高い温度に加熱する、請求項１０の方法。
【請求項１４】
前記基板を加熱する際に、少なくとも１つのレーザ光ビームを前記基板上に照射する、請求項１０の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのレーザ光ビームを前記基板上に照射する際に、前記少なくとも１つのレーザ光ビームを前記ガイド経路に沿って走査する、請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記ガイド経路の少なくとも一部が直線状に延びている、請求項１の方法。
【請求項１７】
前記ガイド経路の少なくとも一部が曲線状に延びている、請求項１の方法。
【請求項１８】
前記ベントクラックを形成する際に、前記基板上へのレーザ放射の照射、前記基板への機械的衝撃の付与、及び前記基板の冷却からなる群から選択される少なくとも１つを行う、請求項１の方法。
【請求項１９】
前記修正応力ゾーン内の前記基板の前記第１の部分には、前記修正応力ゾーンの外側にある前記修正応力ゾーンに隣接する前記基板の隣接領域とは異なる応力がかかる、請求項１の方法。
【請求項２０】
前記基板が強化ガラス基板であり、前記修正応力ゾーンを形成する際に、前記基板の前記修正応力ゾーンを前記基板のガラス転移温度の７０％以上の温度よりも低い温度に加熱する、請求項１９の方法。
【請求項２１】
前記基板が強化ガラス基板であり、
前記圧縮領域は第１の圧縮領域であり、前記基板は第２の圧縮領域を有し、前記基板は、前記第１の主面とは反対の第２の主面を有し、
前記第１の圧縮領域は、前記第１の主面から前記第２の主面に向かって延び、前記第１の圧縮領域は、前記強化ガラス基板が応力ゼロになる第１の圧縮深さを有し、
前記第２の圧縮領域は、前記第２の主面から前記第１の主面に向かって延び、前記第２の圧縮領域は、前記強化ガラス基板が応力ゼロになる第２の圧縮深さを有し、
前記引っ張り領域は、前記第１の圧縮領域と前記第２の圧縮領域との間に配置される、
請求項１の方法。
【請求項２２】
前記ベントクラックは、前記基板の前記第１の主面から基板材料を除去することにより形成される、請求項１の方法。
【請求項２３】
前記修正応力ゾーンは長さを有し、
前記ベントクラックを形成する際に、前記修正応力ゾーンの長さよりも短い初期トレンチを形成する、
請求項１の方法。
【請求項２４】
前記修正応力ゾーンは、前記ガイド経路の全長に沿って延びる、請求項１の方法。
【請求項２５】
前記修正応力ゾーンは長さを有し、
前記第１の主面の縁部に前記ベントクラックを形成する際に、前記ベントクラックが前記修正応力ゾーンに沿って自発的に伝播して、前記修正応力ゾーンに沿って前記基板を分離する、
請求項１の方法。
【請求項２６】
さらに、
前記修正応力ゾーンが２つの終点間に延び、前記修正応力ゾーンが、前記２つの終点間での前記修正応力ゾーンの形成中に前記基板が自発的に前記修正応力ゾーンに沿って分離するのを確実に防止するように選択された応力ゾーンパラメータを有し、前記ベントクラックの形成が前記修正応力ゾーンの形成とは別個のステップとなるように、前記２つの終点間のガイド経路を選択する、
請求項１から２５のいずれか一項の方法。
【請求項２７】
第１の主面と、該第１の主面とは反対側の第２の主面と、前記第１の主面から前記第２の主面に延びる端面と、基板の内部にある引っ張り領域と、前記第１の主面と前記引っ張り領域との間にある圧縮領域とを有する基板を用意し、前記基板の一部は初期応力を有し、
前記基板を支持するように構成されている支持部材に前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方を接触させ、前記第１の主面及び前記第２の主面の前記少なくとも一方の前記端面に隣接する部分が前記支持部材から離間しており、
前記端面まで延びるガイド経路に揃えられたベントクラックを前記第１の主面に形成し、
前記ベントクラックの形成後に、前記基板内に前記ガイド経路に沿って延びる修正応力ゾーンを形成して、前記基板の前記一部が前記修正応力ゾーン内にあるようにし、前記修正応力ゾーン内の前記基板の前記一部は前記初期応力とは異なる修正応力を有し、
前記修正応力ゾーンの形成時に前記基板が前記ガイド経路に沿って分離可能となるように前記ベントクラック及び前記修正応力ゾーンが構成される、
方法。
【請求項２８】
前記基板が強化ガラス基板であり、前記修正応力ゾーンを形成する際に、前記基板の前記修正応力ゾーンを前記基板のガラス転移温度よりも低い温度に加熱する、請求項２７の方法。
【請求項２９】
前記温度は、前記基板のガラス転移温度の７０％以上の温度である、請求項２８の方法。
【請求項３０】
第１の主面と、基板の内部にある引っ張り領域と、前記第１の主面と前記引っ張り領域との間にある圧縮領域とを有する基板であって、その一部が初期応力を有する基板を分離するための装置であって、
前記基板内にガイド経路に沿って延びる修正応力ゾーンを形成して、前記基板の前記一部が前記修正応力ゾーン内にあるようにし、前記基板の前記一部が前記初期応力とは異なる修正応力を有するように構成される応力修正システムと、
前記第１の主面にベントクラックを形成するように構成されるベントクラック発生システムと、
前記応力修正システム及び前記ベントクラック発生システムに連結されるコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
前記基板が前記ガイド経路に沿って分離可能となるように、前記ガイド経路に沿って延びる前記修正応力ゾーンを形成し、前記第１の主面に前記ベントクラックを形成するように、
前記応力修正システム及び前記ベントクラック発生システムを制御するための指令を実行するように構成されるプロセッサと、
前記指令を格納するように構成されるメモリと、
を備える、
装置。
【請求項３１】
前記基板は、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、前記第１の主面から前記第２の主面に延びる端面とをさらに備え、
前記基板を支持するように構成されるワークピース支持システムであって、前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方を接触させるように構成された支持部材を備えるワークピース支持システムをさらに備え、前記第１の主面及び前記第２の主面の前記少なくとも一方の前記端面に隣接する部分を前記支持部材から離間させた、
請求項３０の装置。
【請求項３２】
請求項１から３１のいずれか一項の方法によりガラス基板を分離することにより生成された強化ガラス片を備えた製品。
【請求項３３】
第１の主面と、基板の内部にある引っ張り領域と、前記第１の主面と前記引っ張り領域との間にある圧縮領域とを有する強化ガラス基板を用意し、前記基板の第１の部分は引っ張り応力である初期応力を有し、
前記基板内にガイド経路に沿って延びる修正応力ゾーンを形成して、前記基板の前記第１の部分が前記修正応力ゾーン内にあるようにし、前記修正応力ゾーンを形成する際に、前記基板の前記修正応力ゾーンを前記基板のガラス転移温度よりも低い温度に加熱し、前記修正応力ゾーン内の前記基板の前記第１の部分は前記初期応力とは異なる修正応力を有し、前記修正応力は、前記初期応力よりも大きい引っ張り応力であり、前記修正応力ゾーン内の前記基板の前記第１の部分には、前記修正応力ゾーンの外側にある前記修正応力ゾーンに隣接する前記基板の隣接領域とは異なる応力がかかり、
前記修正応力ゾーンの形成後に、前記第１の主面にベントクラックを形成し、
前記ベントクラックの形成時に前記基板が前記ガイド経路に沿って分離可能となるように前記ベントクラック及び前記修正応力ゾーンが構成される、
方法。
【請求項３４】
前記温度は、前記基板のガラス転移温度の７０％以上の温度である、請求項３３の方法。
【請求項３５】
第１の主面と、基板の内部にある引っ張り領域と、前記第１の主面と前記引っ張り領域との間にある圧縮領域とを有する強化ガラス基板を用意し、前記基板の第１の部分は初期応力を有し、
２つの終点間でガイド経路を選択し、
前記基板に対して少なくとも１つのレーザ光ビームを前記ガイド経路に沿って走査して、前記基板のガラス転移温度よりも低く前記基板のガラス転移温度の９０％以上の温度まで前記ガイド経路に沿って前記基板に熱を与え、前記基板内で前記ガイド経路に沿って前記２つの終点間で延びる修正応力ゾーンを形成し、前記基板の前記第１の部分は前記修正応力ゾーン内に位置し、前記修正応力ゾーン内の前記基板の前記第１の部分は前記初期応力とは異なる修正応力を有し、前記修正応力ゾーンが、前記２つの終点間での前記修正応力ゾーンの形成中に前記基板が自発的に前記修正応力ゾーンに沿って分離するのを確実に防止するように選択された応力ゾーンパラメータを有し、
前記修正応力ゾーンの形成後に、前記第１の主面にベントクラックを形成し、前記ベントクラックの形成が前記修正応力ゾーンの形成とは別個のステップとなるようにし、前記ベントクラックの形成は、レーザを照射すること、前記基板に機械的衝撃を与えること、前記基板を化学的にエッチングすること、前記基板を冷却すること、前記基板の一部を除去すること、及び前記基板に曲げモーメントを与えることの少なくとも１つを含み、前記ベントクラックの形成時に前記基板が前記ガイド経路に沿って分離可能となるように前記ベントクラック及び前記修正応力ゾーンが構成され、前記ベントクラックが前記修正応力ゾーンに沿って自発的に伝播して、前記修正応力ゾーンに沿って前記基板を分離する、
方法。