(57)【要約】【課題】  アバランシェ耐量を向上し得る半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体装置１０は、半導体基板１３と、半導体基板の表面に設けられている表面電極１８と、半導体基板の裏面に設けられている裏面電極１６を有している。半導体基板は、半導体基板の表面に露出する複数の第１導電型の半導体領域２０，２２と、複数の第１導電型の半導体領域と裏面電極の間に配置されており、複数の第１導電型の半導体領域に接している第２導電型のドリフト領域１４を有している。複数の第１導電型の半導体領域は、外周側に配置される外周側半導体領域２２と、外周側半導体領域の内周側に配置される内周側半導体領域２０を有している。そして、表面電極と裏面電極の間に定格電圧を越える電圧が印加されたときに、外周側半導体領域よりも内周側半導体領域に高電界が印加されるように構成されている。【選択図】図１
2013120784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
半導体基板の表面に設けられている表面電極と、
半導体基板の裏面に設けられている裏面電極と、を有しており、
半導体基板は、
半導体基板の表面に露出する複数の第１導電型の半導体領域と、
複数の第１導電型の半導体領域と裏面電極の間に配置されており、複数の第１導電型の半導体領域に接している第２導電型のドリフト領域と、を有しており、
複数の第１導電型の半導体領域は、外周側に配置される外周側半導体領域と、外周側半導体領域の内周側に配置される内周側半導体領域を有しており、
表面電極と裏面電極の間に定格電圧を越える電圧が印加されたときに、外周側半導体領域よりも内周側半導体領域に高電界が印加されるように構成されている、半導体装置。
【請求項２】
内周側半導体領域のドリフト領域と接する境界部の一部は、第１導電型の不純物濃度が第１濃度であって、当該境界部の他の部分よりも第１導電型の不純物濃度が高くされており、
外周側半導体領域のドリフト領域と接する境界部は、第１導電型の不純物濃度が第１濃度より低くされている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
内周側半導体領域は、表面電極側に位置する第１領域と、第１領域の裏面側に位置する第２領域を有しており、
第１領域は、第１導電型の不純物濃度が第１濃度であり、表面電極に接すると共にドリフト領域と接しており、
第２領域は、第１導電型の不純物濃度が第１濃度より低い第２濃度であり、ドリフト領域に接する一方で、第１領域によって表面電極から隔離されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
外周側半導体領域は、表面電極側に位置する第３領域と、第３領域の裏面側に位置する第４領域を有しており、
第３領域は、第１導電型の不純物濃度が第３濃度であり、表面電極に接する一方で、第４領域によってドリフト領域から隔離されており、
第４領域は、第１導電型の不純物濃度が第１濃度及び第３濃度より低い第４濃度であり、ドリフト領域に接している、請求項２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
複数の第１導電型の半導体領域のそれぞれは、両側面及び裏面がドリフト領域と接しており、
内周側半導体領域は、表面電極側に位置する第１領域と、第１領域の裏面側に位置する第２領域を有しており、
第１領域の第１導電型の不純物濃度は、第２領域の第１導電型の不純物濃度よりも高くされており、
第１領域の内周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅が、第２領域の内周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅よりも長くされており、
外周側半導体領域は、表面電極側に位置する第３領域と、第３領域の裏面側に位置する第４領域を有しており、
第３領域の第１導電型の不純物濃度は、第４領域の第１導電型の不純物濃度よりも高くされており、
第４領域の第１導電型の不純物濃度は、第１領域の第１導電型の不純物濃度よりも低くされており、
第３領域の外周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅が、第４領域の外周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅と等しいか短くされている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
複数の第１導電型の半導体領域のそれぞれは、両側面及び裏面がドリフト領域と接しており、
隣接する第１導電型の半導体領域の間に位置するドリフト領域は、表面電極に接している、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の第１導電型の半導体領域が半導体基板の表面に露出している半導体装置が知られている。例えば、特許文献１の半導体装置は、半導体基板の表面に設けられた表面電極と、半導体基板の裏面に設けられた裏面電極を有している。半導体基板には、半導体基板の表面に露出する複数のｐ型半導体領域と、複数のｐ型半導体領域に接するｎ型のドリフト領域が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３１４０９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の半導体装置では、複数のｐ型半導体領域のそれぞれにおいて、ドリフト領域と接する境界部の一部にｐ型不純物濃度の高い高濃度部が設けられている。このため、この半導体装置の表面電極と裏面電極の間に定格電圧を越える高い電圧が印加されると、複数のｐ型半導体領域のうち外側に位置するｐ型半導体領域に高い電界が印加されることになる。したがって、この半導体装置では、外側に位置するｐ型半導体領域によって耐量（電界）を保持しなければならず、その結果、アバランシェ耐量が低下してしまう虞がある。本願は、アバランシェ耐量を向上し得る半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本明細書に開示する半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の表面に設けられている表面電極と、半導体基板の裏面に設けられている裏面電極を有している。半導体基板は、半導体基板の表面に露出する複数の第１導電型の半導体領域と、複数の第１導電型の半導体領域と裏面電極の間に配置されており、複数の第１導電型の半導体領域に接している第２導電型のドリフト領域を有している。複数の第１導電型の半導体領域は、外周側に配置される外周側半導体領域と、外周側半導体領域の内周側に配置される内周側半導体領域を有している。そして、表面電極と裏面電極の間に定格電圧を越える電圧が印加されたときに、外周側半導体領域よりも内周側半導体領域に高電界が印加されるように構成されている。
【０００６】
この半導体装置では、表面電極と裏面電極の間に定格電圧を越える電圧（例えば、アバランシェ耐量測定時に印加される電圧）が印加されたときに、外周側半導体領域よりも内周側半導体領域に高電界が印加されるように構成されている。このため、この半導体装置では、内周側半導体領域によって耐量（電界）を保持することとなる。したがって、外周側半導体領域によって耐量（電界）を保持する場合と比較して、半導体基板の広い面積で耐量（電界）を保持することができ、アバランシェ耐量を向上することができる。
【０００７】
なお、「第１導電型」及び「第２導電型」とは、ｎ型またはｐ型のいずれかを意味する。すなわち、「第１導電型」がｐ型である場合には「第２導電型」がｎ型であり、「第１導電型」がｎ型である場合には「第２導電型」がｐ型である。
【０００８】
上記の半導体装置の一つの実施態様では、内周側半導体領域のドリフト領域と接する境界部の一部は、第１導電型の不純物濃度が第１濃度であって、当該境界部の他の部分よりも第１導電型の不純物濃度が高くされていてもよい。外周側半導体領域のドリフト領域と接する境界部は、第１導電型の不純物濃度が第１濃度より低くされていてもよい。
【０００９】
このような構成によると、内周側半導体領域のドリフト領域と接する境界部の一部において、第１導電型の不純物濃度が高くされている。このため、表面電極と裏面電極の間に高い電圧が印加されると、内周側半導体領域の前記境界部のうち不純物濃度の高い部分に高い電界が印加されることとなる。したがって、この半導体装置では、内周側半導体領域によって耐量（電界）を保持することとなり、アバランシェ耐量を向上することができる。また、内周側半導体領域の前記境界部の他の部分は第１導電型の不純物濃度が高くないため、半導体装置に逆電圧が印加された時に空乏層が伸展し易く、半導体装置の耐圧が悪化することを抑制することができる。
【００１０】
上記の半導体装置において、内周側半導体領域は、表面電極側に位置する第１領域と、第１領域の裏面側に位置する第２領域を有していてもよい。この場合に、第１領域は、第１導電型の不純物濃度が第１濃度であり、表面電極に接すると共にドリフト領域と接していてもよい。第２領域は、第１導電型の不純物濃度が第１濃度より低い第２濃度であり、ドリフト領域に接する一方で、第１領域によって表面電極から隔離されていてもよい。
【００１１】
このような構成とすると、第１領域の第１導電型の不純物濃度が高いため、表面電極と内周側半導体領域とをオーミック接触させることができる。また、第２領域の第１導電型の不純物濃度は低いため、半導体装置に逆電圧が印加された時に空乏層が伸展し易く、耐圧を向上することができる。
【００１２】
また、上記の半導体装置において、外周側半導体領域は、表面電極側に位置する第３領域と、第３領域の裏面側に位置する第４領域を有していてもよい。この場合に、第３領域は、第１導電型の不純物濃度が第３濃度であり、表面電極に接する一方で、第４領域によってドリフト領域から隔離されていてもよい。第４領域は、第１導電型の不純物濃度が第１濃度及び第３濃度より低い第４濃度であり、ドリフト領域に接していてもよい。
【００１３】
このような構成とすると、第３領域の第１導電型の不純物濃度は高いため、表面電極と外周側半導体領域とをオーミック接触させることができる。また、第３領域の第１導電型の不純物濃度は高いが、第３領域は第４領域によってドリフト領域から隔離されているため、第３領域がドリフト領域に接することはない。このため、外周側半導体領域に高い電界が印加されることを防止することができる。
【００１４】
上記の半導体装置の他の実施態様では、複数の第１導電型の半導体領域のそれぞれは、両側面及び裏面がドリフト領域と接していてもよい。内周側半導体領域は、表面電極側に位置する第１領域と、第１領域の裏面側に位置する第２領域を有していてもよい。第１領域の第１導電型の不純物濃度は、第２領域の第１導電型の不純物濃度よりも高くされており、第１領域の内周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅が、第２領域の内周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅よりも長くされていてもよい。一方、外周側半導体領域は、表面電極側に位置する第３領域と、第３領域の裏面側に位置する第４領域を有していてもよい。第３領域の第１導電型の不純物濃度は、第４領域の第１導電型の不純物濃度よりも高くされており、第４領域の第１導電型の不純物濃度は、第１領域の第１導電型の不純物濃度よりも低くされていてもよい。第３領域の外周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅が、第４領域の外周側半導体領域が伸びる方向と直交する方向の幅と等しいか短くされていてもよい。
【００１５】
このような構成によると、内周側半導体領域では、高濃度の第１領域がドリフト領域内に突出する一方、外周側半導体領域では、高濃度の第３領域がドリフト領域内に突出しないようにすることができる。このため、表面電極と裏面電極の間に高い電圧が印加されると、内周側半導体領域のうち第１領域の突出部に高い電界が印加されることとなる。したがって、この半導体装置でも、内周側半導体領域によって耐量（電界）を保持することとなり、アバランシェ耐量を向上することができる。
【００１６】
上記の各半導体装置において、複数の第１導電型の半導体領域のそれぞれは、両側面及び裏面がドリフト領域と接していてもよい。また、隣接する第１導電型の半導体領域の間に位置するドリフト領域は、表面電極に接していてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態に係るＳｉＣ半導体装置の一例の断面図。
【図２】図１の要部を拡大した拡大図。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の製造工程を説明する図（その１）。
【図４】本実施形態に係る半導体装置の製造工程を説明する図（その２）。
【図５】本実施形態に係る半導体装置の製造工程を説明する図（その３）。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
第１実施形態に係る半導体装置１０について説明する。半導体装置１０は、ショットキーバリアダイオード構造部とｐｎダイオード構造部が交互に形成された、いわゆるジャンクション・バリア・ショットキー・ダイオード（ＪＢＳダイオード）である。
【００１９】
図１に示すように、半導体装置１０は、ＳｉＣを材料とする半導体基板１３に形成されている。半導体基板１３は、ウェハ基板１２と、ウェハ基板１２上に積層されたドリフト層１４を備えている。ウェハ基板１２は、半導体基板１３の裏面側に配置されている。ウェハ基板１２は、例えば、ｎ型の４Ｈ−ＳｉＣ基板を用いることができる。
【００２０】
ドリフト層１４は、半導体基板１３の表面側に配置されている。ドリフト層１４は、ｎ型であり、その不純物濃度はウェハ基板１２の不純物濃度よりも薄くされている。ドリフト層１４の厚みは、ウェハ基板１２の厚みよりも薄くされている。ドリフト層１４は、ウェハ基板１２上にエピタキシャル層を成長させることで形成することができる。ドリフト層１４は、「ドリフト領域」の一例に相当する。
【００２１】
ドリフト層１４には、複数の半導体領域２０と、ガードリング２２が形成されている。半導体領域２０は、半導体基板１３の素子領域３０に形成されている。ガードリング２２は、半導体基板１３の外周領域４０に形成されている。半導体基板１３を平面視すると、外周領域４０が素子領域３０の周囲を取り囲んでいる。すなわち、素子領域３０は、外周領域４０の内周側に位置している。
【００２２】
半導体領域２０は、ｐ型の不純物がドープされたｐ型の半導体領域である。半導体領域２０は、ドリフト層１４の表面に露出する範囲に島状に形成されている。このため、半導体基板１３の表面には、ドリフト層１４と半導体領域２０とが交互に露出している。半導体領域２０にドープされるｐ型の不純物には、例えば、アルミニウムイオン（Ａｌイオン）を用いることができる。
【００２３】
図２に示すように、各半導体領域２０は、半導体基板１３の表面側に設けられた高濃度領域２０ａと、半導体基板１３の裏面側に設けられた低濃度領域２０ｂを有している。高濃度領域２０ａの上面（表面）は、後述する表面電極１８に接しており、高濃度領域２０ａの下面（裏面）は、低濃度領域２０ｂの上面（表面）に接している。高濃度領域２０ａの幅（半導体領域２０が伸びる方向と直交する方向の幅）は、低濃度領域２０ｂの幅よりも長くされている。このため、高濃度領域２０ａの両端部は、ドリフト層１４内に突出し、ドリフト層１４と接している。また、低濃度領域２０ｂは、表面電極１８と接することはなく、高濃度領域２０ａによって表面電極１８から隔離されている。低濃度領域２０ｂの下面（裏面）と側面は、ドリフト層１４に接している。
【００２４】
高濃度領域２０ａのｐ型不純物濃度は、低濃度領域２０ｂのｐ型不純物濃度よりも高くされている。高濃度領域２０ａのｐ型不純物濃度は、高濃度領域２０ａと表面電極１８とがオーミック接触するような濃度とされている。また、高濃度領域２０ａの厚み（深さ方向の寸法）は、低濃度領域２０ｂの深さ方向の寸法よりも充分に小さくされている。高濃度領域２０ａの厚みを薄くすることで、半導体装置１０の耐圧特性が悪化することを抑制することができる。一方、低濃度領域２０ｂのｐ型不純物濃度は、高濃度領域２０ａのｐ型不純物濃度と比較して、充分に低くされている。低濃度領域２０ｂのｐ型不純物濃度を低くすることで、半導体装置１０に逆電圧が印加された時に低濃度領域２０ｂ内への空乏層の伸展が促進され、半導体装置１０の耐圧特性を向上することができる。なお、半導体領域２０は、「内周側半導体領域」の一例に相当し、高濃度領域２０ａは、「第１領域」の一例に相当し、低濃度領域２０ｂは、「第２領域」の一例に相当する。
【００２５】
ガードリング２２は、ｐ型の不純物がドープされたｐ型半導体領域である。ガードリング２２は、ドリフト層１４の表面に露出する範囲に形成されている。ガードリング２２は、半導体基板１３を平面視したときに、複数の半導体領域２０を取囲むように形成されている。ガードリング２０にドープされるｐ型の不純物には、例えば、アルミニウムイオン（Ａｌイオン）を用いることができる。
【００２６】
図２に示すように、ガードリング２２は、半導体基板１３の表面側に設けられた高濃度領域２２ａと、半導体基板１３の裏面側に設けられた低濃度領域２２ｂを有している。高濃度領域２２ａの上面（表面）の一部は、表面電極１８に接しており、高濃度領域２２ａの下面（裏面）及び側面は、低濃度領域２２ｂに接している。すなわち、高濃度領域２２ａの幅（ガードリング２０が伸びる方向と直交する方向の幅）は、低濃度領域２２ｂの幅よりも小さくされている。したがって、高濃度領域２２ａは、ドリフト層１４に接しておらず、低濃度領域２２ｂによってドリフト層１４から隔離されている。低濃度領域２２ｂの上面（表面）の一部は、表面電極１８に接しており、低濃度領域２２ｂの下面（裏面）及び側面は、ドリフト層１４に接している。
【００２７】
高濃度領域２２ａのｐ型不純物濃度は、低濃度領域２２ｂのｐ型不純物濃度よりも高くされている。具体的には、高濃度領域２２ａのｐ型不純物濃度は、高濃度領域２０ａのｐ型不純物濃度と同一の濃度とされている。このため、高濃度領域２２ａと表面電極１８とはオーミック接触している。また、高濃度領域２２ａの厚み（深さ方向の寸法）は、低濃度領域２２ｂの深さ方向の寸法よりも充分に小さくされている。具体的には、高濃度領域２２ａの厚みは、高濃度領域２０ａの厚みと同一の厚みとされている。一方、低濃度領域２２ｂのｐ型不純物濃度は、低濃度領域２０ｂのｐ型不純物濃度と同一の濃度とされている。また、低濃度領域２２ｂの深さ方向の寸法は、低濃度領域２０ｂの深さ方向の寸法と同一の寸法とされている。なお、ガードリング２２は、「外周側半導体領域」の一例に相当し、高濃度領域２２ａは、「第３領域」の一例に相当し、低濃度領域２２ｂは、「第４領域」の一例に相当する。
【００２８】
半導体基板１３の裏面（ウェハ基板１２の裏面）の全面には、裏面電極１６が形成されている。裏面電極１６は、ウェハ基板１２とオーミック接触している。裏面電極１６は、例えば、Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ（ニッケル），Ｗ（タングステン）等により形成することができる。
【００２９】
半導体基板１３の表面（ドリフト層１４の表面）には、表面電極２２が形成されている。表面電極２２は、ドリフト層１４にショットキー接触すると共に、半導体領域２０及びガードリング２２にオーミック接触している。表面電極２２は、例えば、Ｍｏ（モリブデン）もしくはＴｉ（チタン）もしくはＮｉ（ニッケル）によって形成することができる。
【００３０】
上述した半導体装置１０では、表面電極１８とドリフト層１４によって構成されるショットキーバリアダイオード構造部と、表面電極１８と半導体領域２０によって構成されるｐｎダイオード構造部が、基板面内の一方向に沿って交互に形成されている。このため、半導体装置１０に逆方向の電圧（表面電極１８が低電位となる電位）を印加した場合に、半導体領域２０とドリフト層１４の間のｐｎ接合面から空乏層が伸び、表面電極１８が接合されたドリフト層１４が空乏化される。これにより、ショットキーバリアダイオード構造部におけるリーク電流の発生等が改善される。また、ガードリング２２とドリフト層１４の間のｐｎ接合面からも空乏層が伸び、空乏層が素子領域３０側から外周領域４０側に向かって伸びる。このため、半導体装置１０の耐圧特性が高められる。ここで、半導体領域２０及びガードリング２２は、高濃度領域２０ａ，２２ａが薄く形成され、低濃度領域２０ｂ，２２ｂのｐ型不純物濃度は十分に低くされている。このため、半導体領域２０及びガードリング２２側への空乏層の伸展が促進され、半導体装置１０の耐圧特性の向上が図られている。
【００３１】
また、上述した半導体装置１０では、ガードリング２２では高濃度領域２２ａの幅が低濃度領域２２ｂの幅より小さく、高濃度領域２２ａとドリフト層１４とが接していない。一方、半導体領域２０では、高濃度領域２２ａの幅が低濃度領域２２ｂの幅より大きく、高濃度領域２２ａの両端がドリフト層１４内に突出している。したがって、半導体装置１０に逆方向の高電圧（定格電圧を超える電圧（（例えば、アバランシェ耐量測定時に印加される電圧））が印加されたときは、高濃度領域２０ａの両端部（ドリフト層１４内に突出した部分）に最も高い電界が印加される。したがって、半導体装置１０では、半導体領域２０によって耐量（電界）を保持することとなり（すなわち、素子領域３０で耐量を保持することとなり）、半導体基板１３の広い面積で耐量を保持することができる。その結果、半導体装置１０のアバランシェ耐量を向上することができる。
【００３２】
なお、半導体装置に順方向の電圧（表面電極１８が高電位となる電位）を印加した場合には、ショットキーバリアダイオード構造部によって、順方向電圧降下が抑制される（すなわち、低オン抵抗が実現される）。
【００３３】
次に、上述した半導体装置１０を製造する方法の一例について、図３〜５を参照して説明する。まず、図３に示すように、４Ｈ−ＳｉＣのｎ型のウェハ基板１２を準備し、そのウェハ基板１２上にエピタキシャル成長によってドリフト層１４を形成する。
【００３４】
次いで、図４に示すように、ドリフト層１４に不純物注入領域１２０、１２２を形成する。ここで、不純物注入領域１２０は、半導体領域２０の低濃度領域２０ｂとなる領域であり、不純物注入領域１２２は、ガードリング２２の低濃度領域２２ｂとなる領域である。具体的な形成方法としては、まず、半導体基板１３上にマスク材（例えば、酸化膜）を堆積する。次いで、フォトリソグラフィによってマスク材の一部を除去することで、不純物注入領域１２０，１２２を形成する領域に開口部を有するマスクを形成する。次いで、形成したマスク越しに半導体基板１３に不純物イオン（例えば、Ａｌイオン）を注入する。イオン注入後は、マスク材をウェットエッチング（例えば、ＨＦを用いたウェットエッチング）によって除去する。
【００３５】
次いで、図５に示すように、ドリフト層１４に不純物注入領域１２０ａ、１２２ａを形成する。ここで、不純物注入領域１２０ａは、半導体領域２０の高濃度領域２０ａとなる領域であり、不純物注入領域１２２ａは、ガードリング２２の高濃度領域２２ａとなる領域である。不純物注入領域１２０ａ、１２２ａの形成は、上述した不純物注入領域１２０、１２２の形成と同様に行うことができる。
【００３６】
次いで、注入した不純物イオンを高温で活性化処理することで、半導体領域２０（高濃度領域２０ａ，低濃度領域２０ｂ）と、ガードリング２２（高濃度領域２２ａ，低濃度領域２２ｂ）を形成する。
【００３７】
次いで、スパッタ装置を用いてウェハ基板１２の裏面に金属層（例えば、ニッケル層）を成膜し、その金属層（Ｎｉ層）を８００℃以上の温度（例えば、１０００℃）のアニール処理によりシリサイド化する。これによって、ウェハ基板１２の裏面に裏面電極１６を形成する。次いで、ドリフト層１４の表面全体に絶縁膜（図示しない）を形成し、その絶縁膜に開口部を形成する。次いで、その開口部に露出するドリフト層１４、半導体領域２０及びガードリング２２の表面に、真空蒸着装置を用いて金属層（例えば、モリブデン）を成膜する。これによって、表面電極１８が形成される。
【００３８】
上述したように本実施形態の半導体装置１０では、素子領域３０に形成された半導体領域２０によって耐量（電界）を保持する。このため、半導体基板１３の広い面積で耐量を保持することができる。その結果、半導体装置１０のアバランシェ耐量を向上することができる。また、半導体領域２０の高濃度領域２０ａとガードリング２２の高濃度領域２２ａは、十分に薄く形成されているため、高濃度領域２０ａ，２２ａによって半導体装置１０の耐圧が低下することもない。
【００３９】
以上、本願の技術を具現化した具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【００４０】
例えば、上述した実施例では、素子領域３０に形成される半導体領域２０において、高濃度領域２０ａの幅（半導体領域２０が伸びる方向に直交する方向の幅）が低濃度領域２０ｂの幅より大きくされており、外周領域４０に形成されるガードリング２２において、高濃度領域２２ａの幅が低濃度領域２２ｂの幅より小さくされていたが、本発明はこのような形態に限られず、素子領域３０で耐量を保持する構成であればどのような構成を採ってもよい。したがって、素子領域３０に形成される半導体領域２０において、高濃度領域２０ａの幅が低濃度領域２０ｂの幅より大きくされている場合は、外周領域４０に形成されるガードリング２２では、高濃度領域２２ａの幅を低濃度領域２２ｂの幅と同一としてもよい。この場合は、ガードリング２２の高濃度領域２２ａがドリフト層１４と接するが、半導体領域２０の高濃度領域２０ａがドリフト層１４内に突出しているため、この部分に高電界が印加され、素子領域３０で耐量を保持する構成とすることができる。また、外周領域４０に形成されるガードリング２２において、高濃度領域２２ａの幅が低濃度領域２２ｂの幅より小さければ、素子領域３０に形成される半導体領域２０において、高濃度領域２０ａの幅を低濃度領域２０ｂの幅と同一としてもよい。この場合は、半導体領域２０の高濃度領域２０ａは、ドリフト層１４内に突出しないが、ドリフト層１４と接するため、この部分に高電界が印加され、素子領域３０で耐量を保持する構成とすることができる。
【００４１】
また、上述した実施例の半導体装置１０では、半導体領域２０とガードリング２２のそれぞれが、高濃度領域２０ａ，２２ａと低濃度領域２０ｂ，２２ｂを備える構成であったが、半導体領域２０とガードリング２２の構成は、このような構成に限られない。素子領域３０で耐量を保持する構成であれば、任意の構成を採ることができる。
【００４２】
また、上述した実施例の半導体装置１０は、ＳｉＣ製のダイオードであったが、本願の技術は、このような例に限られない。半導体基板の表面に露出する複数の第１導電型の半導体領域と、その半導体領域に接する第２導電型のドリフト領域を備えた半導体装置に適用することができる。例えば、ＳｉＣ製のＭＯＳＦＥＴやダイオード（例えば、ショットキーダイオード）一体型ＭＯＳＦＥＴにも適用することができる。さらには、ＳｉＣ製の半導体装置だけでなく、Ｓｉ製の半導体装置に適用することもできる。
【００４３】
また、外周領域４０に形成されるガードリング２２の本数や構成は、種々の態様を採る事ができる。例えば、ガードリングの構造としては、ＪＴＥやＦＬＲ等を用いることができ、また、その本数や幅も半導体装置に求められる特性に応じて適宜決定することができる。さらに、上述した実施例では、ガードリング２２が高濃度領域２２ａを有していたが、ガードリング２２には高濃度領域２２ａを形成しなくてもよい。ガードリング２２に高濃度領域２２ａを形成しなくても、素子領域３０で耐量を保持する構成とすることができる。
【００４４】
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は、複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４５】
１０：半導体装置
１２：ウェハ基板
１３：半導体基板
１４：ドリフト層
１６：裏面電極
１８：表面電極
２０：半導体領域
２２：ガードリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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