(57)【要約】【課題】デバイスチップで発生した熱の放熱性を向上させることが可能な電子部品を提供すること。【解決手段】本発明は、絶縁材からなるパッケージ基板１０と、パッケージ基板１０上にフリップチップ実装された弾性波チップ４０と、弾性波チップ４０を封止するはんだ封止部６２と、を備え、はんだ封止部６２ははんだで形成されていて、はんだ封止部６２のはんだは、弾性波チップ４０のグランドパッド５０とパッケージ基板１０のグランド配線パターン２０との間に延在して、グランドパッド５０とグランド配線パターン２０とは、そのはんだにより接合されている電子部品である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材からなるパッケージ基板と、
前記パッケージ基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップと、
前記デバイスチップを封止する封止部と、を備え、
前記封止部は、はんだで形成されていて、
前記はんだは、前記デバイスチップのグランドパッドと前記パッケージ基板のグランド配線パターンとの間に延在して、前記グランドパッドと前記グランド配線パターンとは前記はんだにより接合されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記パッケージ基板の周辺部に設けられ、前記はんだで形成された側部が接する金属パターンを備え、
前記グランド配線パターンと前記金属パターンとは接続されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記グランドパッドは、方形形状をした前記デバイスチップの４つの角のうち少なくとも対向する２つの角に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
【請求項４】
前記グランドパッドは、前記デバイスチップの４つの角全てに設けられていることを特徴とする請求項３記載の電子部品。
【請求項５】
前記デバイスチップの４つの角のうち隣り合う２つの角に設けられた前記グランドパッドは、前記２つの角の両方と交わる辺に沿って延在して一体化していることを特徴とする請求項４記載の電子部品。
【請求項６】
前記グランドパッドは、前記デバイスチップの端部に接して設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項７】
前記デバイスチップの入出力パッドと前記パッケージ基板の入出力パッドとはバンプにより接合されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載の電子部品。
【請求項８】
前記グランドパッドの大きさは、前記デバイスチップの前記入出力パッドよりも大きいことを特徴とする請求項７記載の電子部品。
【請求項９】
前記デバイスチップは弾性波チップであることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の小型化の要望に応えるため、デバイスチップをパッケージ基板に実装する際にフリップチップ実装が用いられている。また、デバイスチップに水分等が侵入した場合、デバイスの機能が損なわれる場合がある。例えば、デバイスチップが弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）チップの場合、チップ表面に形成されたＩＤＴ（Interdigital Transducer）に異物や水分が付着すると、デバイスとして機能しなくなる恐れがある。このため、デバイスチップを封止することがなされている。例えば特許文献１には、パッケージ基板にフリップチップ実装されたデバイスチップを、はんだで形成された封止部により封止することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２０３１４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
デバイスチップをパッケージ基板にフリップチップ実装する場合、デバイスチップの入出力パッド及びグランドパッドを、バンプを用いて、パッケージ基板のバンプパッドに接合させている。しかしながら、このような構造の場合、デバイスチップで発生した熱を十分に放熱することができないという課題がある。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、デバイスチップで発生した熱の放熱性を向上させることが可能な電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、絶縁材からなるパッケージ基板と、前記パッケージ基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップと、前記デバイスチップを封止する封止部と、を備え、前記封止部は、はんだで形成されていて、前記はんだは、前記デバイスチップのグランドパッドと前記パッケージ基板のグランド配線パターンとの間に延在して、前記グランドパッドと前記グランド配線パターンとは前記はんだにより接合されていることを特徴とする電子部品である。本発明によれば、デバイスチップで発生した熱の放熱性を向上させることができる。
【０００７】
上記構成において、前記パッケージ基板の周辺部に設けられ、前記はんだで形成された側部が接する金属パターンを備え、前記グランド配線パターンと前記金属パターンとは接続されている構成とすることができる。この構成によれば、封止部のはんだを、グランドパッドとグランド配線パターンとの間に延在させることを容易にできる。
【０００８】
上記構成において、前記グランドパッドは、方形形状をした前記デバイスチップの４つの角のうち少なくとも対向する２つの角に設けられている構成とすることができる。この構成によれば、グランドパッドと封止部とを近接して配置できると共に、グランドパッドを２方向から封止部で囲むことができるため、デバイスチップで発生した熱の放熱性をより向上させることができる。
【０００９】
上記構成において、前記グランドパッドは、前記デバイスチップの４つの角全てに設けられている構成とすることができる。この構成によれば、デバイスチップで発生した熱を４方向から放熱することができるため、より効率よく放熱することができる。
【００１０】
上記構成において、前記デバイスチップの４つの角のうち隣り合う２つの角に設けられた前記グランドパッドは、前記２つの角の両方と交わる辺に沿って延在して一体化している構成とすることができる。この構成によれば、グランドパッドを３方向から封止部で囲むことができるため、デバイスチップで発生した熱の放熱性を更に向上させることができる。
【００１１】
上記構成において、前記グランドパッドは、前記デバイスチップの端部に接して設けられている構成とすることができる。この構成によれば、グランドパッドの側面を封止部に接触させることができるため、放熱性をより向上させることができる。
【００１２】
上記構成において、前記デバイスチップの入出力パッドと前記パッケージ基板の入出力パッドとはバンプにより接合されている構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記グランドパッドの大きさは、前記デバイスチップの入出力パッドよりも大きい構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記デバイスチップは弾性波チップである構成とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、デバイスチップで発生した熱の放熱性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、比較例１に係る電子部品の断面図の例である。
【図２】図２（ａ）は、弾性波チップの表面図の例であり、図２（ｂ）は、パッケージ基板の表面図の例である。
【図３】図３は、実施例１に係る電子部品の断面図の例である。
【図４】図４（ａ）は、弾性波チップの表面図の例であり、図４（ｂ）は、ダイアタッチ層の表面図の例である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その１）の例である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図（その２）の例である。
【図７】図７は、弾性波チップの表面図の例である。
【図８】図８（ａ）は、実施例１の変形例１に係る電子部品の断面図の例であり、図８（ｂ）は、弾性波チップの表面図の例であり、図８（ｃ）は、ダイアタッチ層の表面図の例である。
【図９】図９（ａ）は、実施例２に係る電子部品の断面図の例であり、図９（ｂ）は、弾性波チップの表面図の例であり、図９（ｃ）は、ダイアタッチ層の表面図の例である。
【図１０】図１０（ａ）は、実施例２の変形例１に係る電子部品の断面図の例であり、図１０（ｂ）は、弾性波チップの表面図の例であり、図１０（ｃ）は、ダイアタッチ層の表面図の例である。
【図１１】図１１（ａ）は、実施例３に係る電子部品の断面図の例であり、図１１（ｂ）は、弾性波チップの表面図の例であり、図１１（ｃ）は、ダイアタッチ層の表面図の例である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
まず、比較例１に係る電子部品について説明する。なお、比較例１では、電子部品が弾性波デバイスである場合を例に説明する。図１は、比較例１に係る電子部品の断面図の例である。図１のように、パッケージ基板１００の表面に、バンプパッド１０２と金属パターン１０４とが設けられている。バンプパッド１０２は、入力バンプパッド（不図示）、出力バンプパッド１１４、及びグランドバンプパッド１１６を含む。パッケージ基板１００の裏面には、入力端子、出力端子、及びグランド端子を含むフットパッド１０６が設けられている。バンプパッド１０２とフットパッド１０６とは、パッケージ基板１００内部の線路パターン１０８やビア配線１１０により電気的に接続されている。パッケージ基板１００上には、弾性波チップ１３０が、バンプ１６０によりフリップチップ実装されている。
【００１８】
図２（ａ）は、弾性波チップ１３０の表面図の例であり、図２（ｂ）は、パッケージ基板１００の表面図の例である。図２（ａ）のように、弾性波チップ１３０は、圧電基板１３２上に、ＩＤＴ１３１、反射器（図示せず）、配線パターン１３４、入力パッド１３６、出力パッド１３８、及びグランドパッド１４０が形成されている。ＩＤＴ１３１は、配線パターン１３４を介して、入力パッド１３６、出力パッド１３８、及びグランドパッド１４０に電気的に接続されている。図２（ｂ）のように、パッケージ基板１００の表面には、金属パターン１０４、入力バンプパッド１１２、出力バンプパッド１１４、及びグランドバンプパッド１１６が形成されている。
【００１９】
図１に示す弾性波デバイスは、弾性波チップ１３０の入力パッド１３６、出力パッド１３８、及びグランドパッド１４０が、バンプ１６０により、パッケージ基板１００の入力バンプパッド１１２、出力バンプパッド１１４、及びグランドバンプパッド１１６に接合されている。なお、図１は、図２（ｂ）のＡ−Ａ間に相当する箇所の断面を図示している。
【００２０】
図１のように、弾性波チップ１３０は、封止部１５０により封止されている。封止部１５０は、弾性波チップ１３０の側方に位置する側部と上方に位置する上部とを有する。側部ははんだ封止部１５２で形成されていて、上部はリッド１５４で形成されている。封止部１５０を覆って、保護膜１６２が設けられている。
【００２１】
比較例１では、弾性波チップ１３０で発生した熱の大部分は、バンプ１６０を介してパッケージ基板１００側に伝わることによって放熱される。しかしながら、弾性波デバイスの小型化のために、バンプ１６０を大きくすることができず、その結果、弾性波チップ１３０のパッドとパッケージ基板１００のバンプパッドとの接合面積が小さくなる。このため、弾性波チップ１３０で発生した熱を十分に放熱することができず、耐電力性が悪くなってしまう。そこで、このような点を改善すべく、デバイスチップで発生した熱の放熱性を向上させることが可能な電子部品の実施例を以下に説明する。
【実施例１】
【００２２】
図３は、実施例１に係る電子部品の断面図の例である。なお、以下の実施例においても、電子部品が弾性波デバイスである場合を例に説明する。図３のように、パッケージ基板１０は、複数の層が積み重なり積層された積層基板である。積層された層として、例えばダイアタッチ層１２と線路パターン／フットパッド層１４とがある。パッケージ基板１０の各層は、セラミックや樹脂等の絶縁材で形成されている。線路パターン／フットパッド層１４の裏面には、入力端子、出力端子、及びグランド端子を含むフットパッド１６が設けられている。
【００２３】
ダイアタッチ層１２の表面には、入力バンプパッド（不図示）、出力バンプパッド３０、グランド配線パターン２０、及び金属パターン２２が設けられている。詳しくは後述するが、グランド配線パターン２０と金属パターン２２とは接続されている。入力バンプパッド、出力バンプパッド３０、及びグランド配線パターン２０とフットパッド１６とは、パッケージ基板１０の内部に設けられた導電性材料からなる線路パターン２４及びビア配線２６により電気的に接続されている。金属パターン２２は、ダイアタッチ層１２表面の外周部に設けられている。
【００２４】
ダイアタッチ層１２上には、弾性波チップ４０がフリップチップ実装されている。弾性波チップ４０は、例えばフェースダウンで実装されている。ここで、弾性波チップ４０とダイアタッチ層１２とについて説明する。図４（ａ）は、弾性波チップ４０の表面図の例であり、図４（ｂ）は、ダイアタッチ層１２の表面図の例である。図４（ａ）のように、弾性波チップ４０は、例えば弾性表面波チップであり、タンタル酸リチウム（ＬＴ）又はニオブ酸リチウム（ＬＮ）等の圧電基板４２上に、アルミニウム又は銅等の金属膜により、機能部分であるＩＤＴ４１、反射器（図示せず）、配線パターン４４、入力パッド４６、出力パッド４８、及びグランドパッド５０が形成されている。ＩＤＴ４１は、配線パターン４４を介して、入力パッド４６、出力パッド４８、及びグランドパッド５０に電気的に接続されている。
【００２５】
圧電基板４２は方形形状をしていて、その中央部にＩＤＴ４１が形成されている。圧電基板４２の４つの角のうち、対向する２つの角側に入力パッド４６と出力パッド４８とが形成されている。残りの対向する２つの角に、その角で交わる２つの辺に接して、グランドパッド５０が形成されている。このように、グランドパッド５０は弾性波チップ４０の端部に接して設けられ、グランドパッド５０の端面は弾性波チップ４０の端面の一部を構成している。グランドパッド５０は、入力パッド４６及び出力パッド４８よりも大きいパターンを有する。なお、入力パッド４６及び出力パッド４８は円形形状で、グランドパッド５０は方形形状である場合を図示しているが、その他の形状の場合でもよい。しかしながら、グランドパッド５０は、圧電基板４２の角に、面積を大きくして設けられることが望ましいため、方形形状である場合が好ましい。
【００２６】
図４（ｂ）のように、ダイアタッチ層１２の表面には、例えばＡｕ等の金属膜により、入力バンプパッド２８、出力バンプパッド３０、グランド配線パターン２０、及び金属パターン２２が形成されている。金属パターン２２は、ダイアタッチ層１２の外周部を１周して設けられている。入力バンプパッド２８、出力バンプパッド３０、及びグランド配線パターン２０は、弾性波チップ４０をフリップチップ実装する際の、弾性波チップ４０の入力パッド４６、出力パッド４８、及びグランドパッド５０に対応する位置に設けられている。入力バンプパッド２８、出力バンプパッド３０、及びグランド配線パターン２０は方形形状をしている。方形形状をしたグランド配線パターン２０の２つの辺が金属パターン２２と接続していて、これにより、グランド配線パターン２０と金属パターン２２とは一体となっている。なお、入力バンプパッド２８及び出力バンプパッド３０の形状は方形形状に限られず、円形形状等である場合でもよい。グランド配線パターン２０は、グランドパッド５０と同じ形状である場合が好ましく、金属パターン２２との接続領域が大きくなるようなパターンである場合が好ましい。
【００２７】
図３に示す弾性波デバイスは、弾性波チップ４０の入力パッド４６及び出力パッド４８が、例えばＡｕ又はその合金で形成されるバンプ５２により、ダイアタッチ層１２の入力バンプパッド２８及び出力バンプパッド３０に接合されている。弾性波チップ４０のグランドパッド５０とダイアタッチ層１２のグランド配線パターン２０との間には、例えばＳｎ−Ａｇ系のはんだ５４が設けられていて、このはんだ５４により、グランドパッド５０とグランド配線パターン２０とは接合されている。なお、図３は、図４（ｂ）のＡ−Ａ間に相当する箇所の断面を図示している。
【００２８】
図３のように、弾性波チップ４０は、パッケージ基板１０上に設けられた封止部６０により封止されている。弾性波チップ４０は、例えば気密封止されている。封止部６０は、弾性波チップ４０の側方に位置する側部と上方に位置する上部とを有する。側部ははんだ封止部６２で形成されていて、上部はリッド６４で形成されている。はんだ封止部６２は、例えばＳｎ−Ａｇ系のはんだで形成されていて、金属パターン２２に接している。リッド６４は、例えばコバール等の金属層で形成されていて、はんだ封止部６２上から弾性波チップ４０上に延在している。
【００２９】
はんだ封止部６２と、グランドパッド５０とグランド配線パターン２０との間のはんだ５４とは、接続されて一体となっている。つまり、はんだ封止部６２のはんだが、グランドパッド５０とグランド配線パターン２０との間にまで延在し、これによりはんだ５４が形成されている。封止部６０を覆うように、例えばＮｉめっきやＣｕめっき等の保護膜６６が設けられている。
【００３０】
次に、実施例１に係る電子部品の製造方法について説明する。図５（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係る電子部品の製造方法を示す断面図の例である。なお、図示の簡略化を図るため、パッケージ基板１０内に形成する線路パターン２４及びビア配線２６については図示を省略する。図５（ａ）のように、多面取り用のパッケージ基板１０の表面に、入力バンプパッド２８（図５（ａ）から図６（ｃ）では不図示）、出力バンプパッド３０、グランド配線パターン２０、及び金属パターン２２を形成する。パッケージ基板１０の裏面に、フットパッド１６を形成する。その後、弾性波チップ４０を、パッケージ基板１０上に、バンプ５２を用いてフリップチップ実装する。このとき、弾性波チップ４０の入力パッド４６（図５（ａ）から図６（ｃ）では不図示）及び出力パッド４８と、パッケージ基板１０の入力バンプパッド２８及び出力バンプパッド３０と、をバンプ５２により接合させる。弾性波チップ４０のグランドパッド５０と、パッケージ基板１０のグランド配線パターン２０とは接合させずに、両者の間に隙間７０を形成する。このように、まずは、弾性波チップ４０の入力パッド４６と出力パッド４８だけをバンプ５２で接合させるため、図４（ａ）のように、入力パッド４６と出力パッド４８とは、弾性波チップ４０の中央部に対して対称となるように設けられている場合が望ましい。また、隙間７０の高さは、バンプ５２の高さと同じになり、例えば１０μｍである。
【００３１】
図５（ｂ）のように、例えばＳｎ−Ａｇ系のはんだシート７２とその上に重ね合わせたリッド６４との積層体を、弾性波チップ４０上に位置決めする。図５（ｃ）のように、はんだシート７２とリッド６４との積層体の上側から、積層体を加熱・加圧する。これにより、弾性波チップ４０間の間隙にはんだが充填されて、弾性波チップ４０の側面と金属パターン２２の上面とに接して、はんだ封止部６２が形成される。弾性波チップ４０上にリッド６４が形成される。また、弾性波チップ４０間の間隙に充填されたはんだは、金属パターン２２に接すると、金属パターン２２とグランド配線パターン２０とが接続しているために、グランド配線パターン２０上に流れ込む。これにより、グランドパッド５０とグランド配線パターン２０との間にはんだ５４が形成されて、グランドパッド５０とグランド配線パターン２０とが接合される。したがって、金属パターン２２とグランド配線パターン２０とは、はんだの濡れ性の高い金属で形成される場合が好ましい。
【００３２】
図６（ａ）のように、弾性波チップ４０間のリッド６４、はんだ封止部６２、及び金属パターン２２の一部を取り除くよう、パッケージ基板１０にハーフダイシングを行う。図６（ｂ）のように、例えば電解めっき法を用いて、ＮｉめっきやＣｕめっき等の保護膜６６を形成する。図６（ｃ）のように、弾性波チップ４０間でパッケージ基板１０をダイシングにより切断して、弾性波チップ４０を個片化する。これにより、実施例１に係る電子部品が得られる。
【００３３】
実施例１によれば、図３のように、弾性波チップ４０を封止するはんだ封止部６２のはんだは、グランドパッド５０とグランド配線パターン２０との間に延在してはんだ５４を形成し、グランドパッド５０とグランド配線パターン２０とは、はんだ５４により接合されている。比較例１で述べたように、バンプを用いてグランドパッドとグランド配線パターンとを接合させる場合では接合面積が小さくなるが、実施例１では、大きな接合面積で接合させることができる。また、はんだ５４とはんだ封止部６２とは接続されているため、弾性波チップ４０で発生した熱は、パッケージ基板１０側に加えてはんだ封止部６２側にも伝わることになる。これらにより、弾性波チップ４０で発生した熱の放熱性を向上させることができる。
【００３４】
また、グランドパッド５０とグランド配線パターン２０とを大きな接合面積で接合させることができるため、その間の抵抗を小さくすることができる。このため、弾性波チップ４０のグランドを強化することができ、電気的特性を改善することができる。さらに、グランドパッド５０とグランド配線パターン２０との接合面積を大きくできるため、弾性波チップ４０とパッケージ基板１０との接合を強固にすることができ、剛性を向上させることができる。
【００３５】
また、グランドパッド５０とグランド配線パターン２０との間のバンプが不要となるため、バンプ工程の簡略化ができると共に、Ａｕバンプ等の高価な材料の使用量が減るため、製造コストを低減できる。さらに、はんだ５４とはんだ封止部６２とが一体になっていることで、封止部６０をより確実にグランドに落とすができ、シールド性を向上させることができる。
【００３６】
図４（ｂ）のように、はんだ封止部６２が接する金属パターン２２と、グランド配線パターン２０とは、接続していることが望ましい。これにより、図５（ｃ）で説明したように、はんだ封止部６２を形成する工程によって、はんだ封止部６２のはんだをグランドパッド５０とグランド配線パターン２０との間に延在させることを容易にできる。
【００３７】
図４（ａ）のように、グランドパッド５０は、方形形状をした弾性波チップ４０の４つの角のうち少なくとも対向する２つの角に設けられている場合が好ましい。これにより、グランドパッド５０とはんだ封止部６２とを近接して配置できると共に、グランドパッド５０を２方向からはんだ封止部６２で囲むことができる。このため、弾性波チップ４０で発生した熱の放熱性をより向上させることができる。また、対向する２つの角にグランドパッド５０を設けることで、グランドパッド５０をＩＤＴ４１のより近くにまで伸ばすことができ、ＩＤＴ４１で発生する熱を効率よく放熱させることができる。
【００３８】
図４（ａ）では、グランドパッド５０が、弾性波チップ４０の端部に接して設けられた場合を示しているが、図７の弾性波チップ４０ａのように、グランドパッド５０ａが、弾性波チップ４０ａの端部よりも少し間隔を開けて内側に設けられている場合でもよい。しかしながら、図４（ａ）のように、グランドパッド５０が、弾性波チップ４０の端部に接して設けられている場合がより好ましい。これにより、グランドパッド５０の側面をはんだ封止部６２に接触させることができるため、放熱性をより向上させることができる。
【００３９】
図３のように、封止部６０は、はんだ封止部６２上から弾性波チップ４０上に延在する金属層からなるリッド６４を有する場合が好ましい。リッド６４を設けることで、弾性波デバイス全体をより保護することができる。また、リッド６４により、はんだ封止部６２を容易に形成することができる。なお、リッド６４は樹脂で形成されている場合でもよい。しかしながら、リッド６４をコバールのような金属で形成する場合、コバールは熱膨張係数がセラミックに近いため、圧電基板とセラミックとの熱膨張係数の差を吸収する効果が得られる。このため、弾性波チップ４０に無駄な応力がかからず、信頼性を向上させる効果が期待できる。
【００４０】
図３のように、封止部６０を覆って保護膜６６が設けられている場合が好ましい。これにより、はんだ封止部６２が外力や熱により変形することを抑制でき、電子部品の耐熱温度を向上させることができる。保護膜６６は、ＮｉめっきやＣｕめっき等の金属膜の他にも、例えば樹脂膜等の絶縁膜を用いてもよい。
【００４１】
図８（ａ）は、実施例１の変形例１に係る電子部品の断面図の例であり、図８（ｂ）は、弾性波チップの表面図の例であり、図８（ｃ）は、パッケージ基板の表面図の例である。なお、図８（ａ）は、図８（ｃ）のＡ−Ａ間に相当する箇所の断面を図示している。図８（ａ）から図８（ｃ）のように、実施例１と異なる点は、パッケージ基板１０上に、複数の弾性波チップ４０がフリップチップ実装されていて、封止部６０は複数の弾性波チップ４０を封止している点である。
【００４２】
実施例１の変形例１にように、パッケージ基板１０上に複数の弾性波チップ４０がフリップチップ実装されている場合でもよい。この場合でも、実施例１と同じように、弾性波チップ４０で発生した熱の放熱性を向上させることができる。また、実施例１の変形例１に係る電子部品の一例として分波器が挙げられ、複数の弾性波チップ４０に送信チップと受信チップとが含まれる。この場合、送信チップは受信チップに比べて発熱が大きいことから、少なくとも送信チップにおいて、はんだ封止部６２のはんだが、グランドパッド５０とグランド配線パターン２０との間に延在する構成を適用することが好ましい。
【実施例２】
【００４３】
図９（ａ）は、実施例２に係る電子部品の断面図の例であり、図９（ｂ）は、弾性波チップの表面図の例であり、図９（ｃ）は、パッケージ基板の表面図の例である。なお、図９（ａ）は、図９（ｃ）のＡ−Ａ間に相当する箇所の断面を図示している。図９（ｂ）のように、弾性波チップ４０ｂは方形形状をしていて、４つの角全てに、その角で交わる２つの辺に接してグランドパッド５０ｂが設けられている。入力パッド４６ａと出力パッド４８ａとは、対向する２つの辺の中央部分に設けられている。その他の構成は、実施例１の弾性波チップ４０と同じである。
【００４４】
図９（ｃ）のように、ダイアタッチ層１２の表面には、弾性波チップ４０ｂをフリップチップ実装する際の、入力パッド４６ａ、出力パッド４８ａ、及びグランドパッド５０ｂに対応する位置に、入力バンプパッド２８ａ、出力バンプパッド３０ａ、及びグランド配線パターン２０ａが設けられている。その他の構成は、実施例１のダイアタッチ層１２と同じである。
【００４５】
図９（ａ）に示す弾性波デバイスは、弾性波チップ４０ｂの入力パッド４６ａ及び出力パッド４８ａがバンプ５２により、ダイアタッチ層１２の入力バンプパッド２８ａ及び出力バンプパッド３０ａに接合されている。グランドパッド５０ｂは、はんだ５４により、グランド配線パターン２０ａに接合されている。その他の構成は、実施例１の電子部品と同じである。
【００４６】
実施例２によれば、図９（ｂ）のように、グランドパッド５０ｂは、方形形状をした弾性波チップ４０ｂの４つの角全てに設けられている。これにより、弾性波チップ４０ｂで発生した熱を４方向から放熱することができるため、より効率よく放熱することができる。よって、弾性波チップ４０ｂで発生した熱の放熱性を更に向上させることができる。
【００４７】
図１０（ａ）は、実施例２の変形例１に係る電子部品の断面図の例であり、図１０（ｂ）は、弾性波チップの表面図の例であり、図１０（ｃ）は、パッケージ基板の表面図の例である。なお、図１０（ａ）は、図１０（ｃ）のＡ−Ａ間に相当する箇所の断面を図示している。図１０（ａ）から図１０（ｃ）のように、実施例２と異なる点は、パッケージ基板１０上に、複数の弾性波チップ４０ｂがフリップチップ実装されていて、封止部６０は複数の弾性波チップ４０ｂを封止している点である。
【００４８】
実施例２の変形例１のように、パッケージ基板１０上に複数の弾性波チップ４０ｂがフリップチップ実装されている場合でも、実施例２と同じように、弾性波チップ４０ｂで発生した熱の放熱性を更に向上させることができる。また、実施例２の変形例１に係る電子部品の一例として分波器が挙げられる。この場合、実施例１の変形例１で説明したように、少なくとも送信チップにおいて、はんだ封止部６２のはんだが、グランドパッド５０ｂとグランド配線パターン２０ａとの間に延在する構成を適用することが好ましい。
【実施例３】
【００４９】
図１１（ａ）は、実施例３に係る電子部品の断面図の例であり、図１１（ｂ）は、弾性波チップの表面図の例であり、図１１（ｃ）は、パッケージ基板の表面図の例である。なお、図１１（ａ）は、図１１（ｃ）のＡ−Ａ間に相当する箇所の断面を図示している。図１１（ｂ）のように、弾性波チップ４０ｃは方形形状をしていて、対向する２つの辺それぞれに沿って、それぞれの辺の一端から他端に延在してグランドパッド５０ｃが設けられている。入力パッド４６ｂと出力パッド４８ｂとは、他の対向する２つの辺の中央部分に設けられている。その他の構成は、実施例１の弾性波チップ４０と同じである。
【００５０】
図１１（ｃ）のように、ダイアタッチ層１２の表面には、弾性波チップ４０ｃをフリップチップ実装する際の、入力パッド４６ｂ、出力パッド４８ｂ、及びグランドパッド５０ｃに対応する位置に、入力バンプパッド２８ｂ、出力バンプパッド３０ｂ、及びグランド配線パターン２０ｂが設けられている。その他の構成は、実施例１のダイアタッチ層１２と同じである。
【００５１】
図１１（ａ）に示す弾性波デバイスは、弾性波チップ４０ｃの入力パッド４６ｂ及び出力パッド４８ｂがバンプ５２により、ダイアタッチ層１２の入力バンプパッド２８ｂ及び出力バンプパッド３０ｂに接合されている。グランドパッド５０ｃは、はんだ５４により、グランド配線パターン２０ｂに接合されている。その他の構成は、実施例１の電子部品と同じである。
【００５２】
実施例３によれば、図１１（ｂ）のように、グランドパッド５０ｃは、弾性波チップ４０ｃの４つの角のうち隣り合う２つの角に設けられたグランドパッドが、その２つの角の両方と交わる辺に沿って延在して一体化した形状をしている。これにより、グランドパッド５０ｃは３方向からはんだ封止部６２に囲まれるようになるため、弾性波チップ４０ｃで発生した熱の放熱性を更に向上させることができる。
【００５３】
実施例１から３において、はんだ封止部６２のはんだとはんだ５４とは、Ｓｎ−Ａｇ系のはんだの場合に限られず、例えばＳｎ−Ａｕ系、Ｓｎ−Ｃｕ系等の他の材料からなる場合でもよい。弾性波チップは、弾性表面波チップの他に、例えば弾性境界波チップ、圧電薄膜共振器チップ等の弾性波チップの場合でもよい。また、デバイスチップは弾性波チップの場合に限られず、半導体チップ等の他のデバイスチップの場合でもよく、このため、電子部品は弾性波デバイスに限らず他の電子部品の場合でもよい。
【００５４】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１０  パッケージ基板
１２  ダイアタッチ層
１４  線路パターン／フットパッド層
１６  フットパッド
２０、２０ａ、２０ｂ  グランド配線パターン
２２  金属パターン
２４  線路パターン
２６  ビア配線
２８、２８ａ、２８ｂ  入力バンプパッド
３０、３０ａ、３０ｂ  出力バンプパッド
４０、４０ａ、４０ｂ、４０ｃ  弾性波チップ
４２  圧電基板
４４  配線パターン
４６、４６ａ、４６ｂ  入力パッド
４８、４８ａ、４８ｂ  出力パッド
５０、５０ａ、５０ｂ、５０ｃ  グランドパッド
５２  バンプ
５４  はんだ
６０  封止部
６２  はんだ封止部
６４  リッド
６６  保護膜
７０  隙間
７２  はんだシート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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