Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月15日(2016.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射性のイオン交換樹脂用のイオン交換樹脂粉砕装置（１０）であって、
水性の放射性のイオン交換樹脂懸濁液（１４）を収容するタンク（１２）と、
前記タンク（１２）内に設けられた撹拌装置（１６）と、
前記タンク（１２）の外部に設けられた粉砕装置（２０）と、
前記タンク（１２）から前記粉砕装置（２０）へ水性の放射性のイオン交換樹脂懸濁液（１４）を圧送するためのポンプ装置（２２）と、
を備えたイオン交換樹脂粉砕装置（１０）において、
前記タンク（１２）内に予粉砕装置（２４）が設けられており、前記予粉砕装置（２４）が、分散機であり、前記粉砕装置（２０）が、コランダムミルであることを特徴とする、イオン交換樹脂粉砕装置。
【請求項２】
前記コランダムミルが、調節可能なギャップ間隔を有するロータ／ステータクラウンを有する、請求項１記載のイオン交換樹脂粉砕装置。
【請求項３】
前記コランダムミルのロータクラウンもしくはステータクラウンが、それぞれ円錐状に形成されていて、上側の範囲には施条状の溝および隆起部を有し、下側の範囲には粗い粉砕面を有する、請求項１または２記載のイオン交換樹脂粉砕装置。
【請求項４】
前記コランダムミルの前記粉砕面が、金属、金属炭化物またはセラミックスから製作されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のイオン交換樹脂粉砕装置。
【請求項５】
前記撹拌装置（１６）が、錨形攪拌機である、請求項１から４までのいずれか１項記載のイオン交換樹脂粉砕装置。
【請求項６】
当該イオン交換樹脂粉砕装置が、水性のイオン交換樹脂懸濁液（１４）の含水量を調整するための脱水装置を有する、請求項１から５までのいずれか１項記載のイオン交換樹脂粉砕装置。
【請求項７】
前記タンク（１２）が、水のための供給装置を有する、請求項１から６までのいずれか１項記載のイオン交換樹脂粉砕装置。
【請求項８】
前記粉砕装置（２０）が、前記タンク（１２）の下方に配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のイオン交換樹脂粉砕装置。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項記載のイオン交換樹脂粉砕装置（１０）を用いたイオン交換樹脂粉砕法において、
タンク（１２）を、水性の放射性のイオン交換樹脂懸濁液（１４）で充填するステップと、
予粉砕装置（２４）によって放射性のイオン交換樹脂懸濁液（１４）の樹脂粒子を予粉砕するステップと、
順次に前記タンク（１２）から放射性のイオン交換樹脂懸濁液（１４）を排出し、かつ前記粉砕装置（２０）に放射性のイオン交換樹脂懸濁液（１４）を圧送するステップと、
順次に圧送されてきた放射性のイオン交換樹脂懸濁液（１４）の樹脂粒子を前記粉砕装置（２０）内で粉砕するステップと、
を包含することを特徴とする、イオン交換樹脂粉砕法。
【請求項１０】
前記予粉砕装置（２４）による予粉砕の前に、水性の放射性のイオン交換樹脂懸濁液（１４）の含水量を調整する、請求項９記載のイオン交換樹脂粉砕法。
【請求項１１】
粉砕された水性の放射性のイオン交換樹脂懸濁液（１４）を乾燥させ、その後に直接に結合剤を用いて固化するか、または適当なコンテナ内に移し替える、請求項９または１０記載のイオン交換樹脂粉砕法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月13日(2016.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
病変のアブレーション処置を計画するために超音波情報を使用する方法であって、
超音波画像において、アブレーションによって処置されるべき病変を識別するステップと、
病変の近傍の１又は複数の血管を識別するステップであって、前記１又は複数の血管の識別が、超音波画像において１又は複数の血管を表面形状と交差させることを含む、ステップと、
前記識別された血管の血流から３次元超音波ドップラーデータを取得するステップであって、前記取得が、前記表面形状と前記１又は複数の血管のフローとの交差部分において超音波ドップラーデータを取得することを含む、ステップと、
前記超音波ドップラーデータを使用して、前記識別された血管を流れる血液量を計算するステップと、
前記識別された血管を流れる血液量の熱伝達特性を考慮するアブレーション処置計画を作成するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記３次元超音波ドップラーデータを取得するステップが、識別された血管の血流から３次元超音波ドップラー速度データを取得することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記識別された血管を流れる血液量を計算するステップが、血管の血流の表面を輪郭描出し、前記領域の面積にわたってフロー速度データを積分することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記１又は複数の血管を識別するステップが、３次元超音波画像において１又は複数の血管を識別することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記１又は複数の血管を識別するステップが、２次元の超音波画像において１又は複数の血管を識別することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記１又は複数の血管を識別するステップが、２次元のバイプレーン超音波画像において１又は複数の血管を識別することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記１又は複数の血管を前記表面形状と交差させることが、前記１又は複数の血管を３次元形状と交差させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記１又は複数の血管を前記３次元形状と交差させることが、前記１又は複数の血管を球、楕円、立方体又は直方体の表面形状と交差させることを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記１又は複数の血管を前記表面形状と交差させることが、前記１又は複数の血管を２次元形状と交差させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記１又は複数の血管を前記２次元形状と交差させることが、前記１又は複数の血管を楕円、円、正方形又は矩形の表面形状と交差させることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記病変を識別するステップが、肝臓における病変を識別することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記アブレーション処置計画を作成するステップが、血管のボリューム血流と血管から識別された病変までの近さと考慮するアブレーション処置計画を作成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記アブレーション処置計画を作成するステップが、ｒ．ｆアブレーション、マイクロ波アブレーション、ＨＩＦＵ又はクリオアブレーション治療のための計画を作成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記１又は複数の血管を識別するステップが、ＣＴ画像において１又は複数の血管を識別することを含み、前記方法が更に、超音波画像をＣＴ画像と位置合わせするステップを含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月30日(2016.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用者の上肢に取り付け可能なフレームと、腹腔鏡器具に動作可能に接続され、かつ使用者の手によって操作されるように構成された制御装置と、前記腹腔鏡器具のための前記フレーム上のマウントとを備えた腹腔鏡器具インタフェースであって、前記腹腔鏡器具の器具位置移動のための操作部が前記制御装置から分離され、かつ前記腹腔鏡器具のシャフトが前記使用者の前記上肢と同軸ではない、腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項２】
前記マウントは、前記腹腔鏡器具の前記器具シャフトと前記フレームとの間に継手を含む、請求項１に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項３】
前記マウントは、前記腹腔鏡器具を保持するための１対のジョーを含み、前記フレームは、遠位端にウォームを有するシャフトと、前記ウォームと噛合する１対の歯車とをさらに含み、前記ジョーの各々はそれぞれの平歯車に取り付けられる、請求項１に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項４】
前記マウントは腹腔鏡器具の傾斜を防止するための掴持要素を含む、請求項１に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項５】
傾斜を防止するための前記掴持要素は、前記腹腔鏡器具を保持するための１対のジョーと、前記フレーム内に位置しかつ遠位端にウォームを有するシャフトと、前記ウォームと噛合する１対の歯車とを含み、前記ジョーの各々はそれぞれの平歯車に取り付けられた、請求項４に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項６】
前記マウントは、前記腹腔鏡器具の前記シャフトの回転を防止するための制動機構を含む、請求項１に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項７】
前記腹腔鏡器具の前記シャフトと前記使用者の前記上肢との間の角度を変更するための関節要素をさらに含む、請求項１に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項８】
前記関節要素は、前記フレームの遠位端に取り付けられた１対の円弧状軌道と、前記腹腔鏡器具の角度変位を容易にするために前記マウントを前記円弧状軌道に関連して動作可能に動かすための手段とを含む、請求項７に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項９】
前記フレーム上に前記継手を支持するための多関節リンク機構をさらに含む、請求項２に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項１０】
前記多関節リンク機構は、前記腹腔鏡器具の前記シャフトを前記使用者の腕に対する相対位置に維持する、請求項９に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項１１】
使用者の上肢に取り付け可能なフレームと、腹腔鏡器具に動作可能に接続され、かつ前記腹腔鏡器具の操作をもたらすために使用者の手によって操作されるように構成された制御装置と、前記腹腔鏡器具のための前記フレーム上のマウントとを備えた腹腔鏡器具インタフェースであって、前記フレームは、遠位端にウォームを有するシャフトと、前記ウォームと噛合する１対の歯車とを含み、前記マウントは、前記腹腔鏡器具を保持するための１対のジョーを含み、前記ジョーの各々は前記１対の歯車のそれぞれの歯車に取り付けられ、前記腹腔鏡器具の位置決めは前記使用者の前記上肢および／または前記マウントの動きによってもたらされる、腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項１２】
前記マウントは、前記腹腔鏡器具の前記器具シャフトと前記フレームとの間に継手を含む、請求項１１に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項１３】
前記マウントは、前記腹腔鏡器具の前記シャフトの回転を防止するための制動機構を含む、請求項１１に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項１４】
前記腹腔鏡器具の前記シャフトと前記使用者の前記上肢との間の角度を変更するための関節要素をさらに含む、請求項１１に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【請求項１５】
前記フレーム上に前記継手を支持するための多関節リンク機構をさらに含む、請求項１２に記載の腹腔鏡器具インタフェース。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月8日(2016.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
このように、本発明はとりわけ、伸張可能なウェブ積層体の作製方法を提供する。本発明の種々の特徴及び利点は、添付の請求項に定める。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［２６］に記載する。
[１]
２つのスキン層と、これらの間にサンドイッチされたエラストマー性コア層とを含む多層フィルムを提供することであって前記多層フィルムが機械幅方向に活性化されていることと、
前記スキン層の変形限界を超えて前記多層フィルムを機械方向に延伸することと、
前記多層フィルムが機械方向に延伸された状態で前記多層フィルムにウェブ層を積層することと、
前記多層フィルムを復元させて伸張可能なウェブ積層体を形成することと、
を含む、伸張可能なウェブ積層体の作製方法。
[２]
機械幅方向に活性化されている前記多層フィルムが、前記多層フィルムの少なくとも一部分にわたって、マイクロテクスチャー化表面構造を示す、項目１に記載の方法。
[３]
前記多層フィルムが、漸増式延伸により機械幅方向に活性化されている、項目１に記載の方法。
[４]
前記多層フィルムが、ダイバージングディスクにより機械幅方向に活性化されている、項目１に記載の方法。
[５]
活性化中の機械幅方向の前記多層フィルムの延伸比が２：１〜５：１である、項目１に記載の方法。
[６]
前記多層フィルムが異周速ロールにより機械方向に延伸される、項目１に記載の方法。
[７]
前記多層フィルムが着色されているか、及び／又は印刷パターンを含む、項目１に記載の方法。
[８]
前記ウェブ層が不織布層である、項目１に記載の方法。
[９]
前記多層フィルムが機械方向に延伸された状態で前記多層フィルムに積層される第２ウェブ層を更に提供することであって前記多層フィルムが前記２つのウェブ層の間にサンドイッチされることを含む、項目１に記載の方法。
[１０]
前記ウェブ層が、接着結合、熱結合、ポイント結合、超音波溶接、又はこれらの組み合わせによって前記多層フィルムに積層される、項目１に記載の方法。
[１１]
前記ウェブ層が超音波溶接によって前記多層フィルムに積層される、項目１に記載の方法。
[１２]
前記多層フィルムが機械方向に延伸された状態で前記多層フィルムに積層される第２不織布層を更に提供することであって前記多層フィルムが前記２つの不織布層の間にサンドイッチされることを含む、項目８に記載の方法。
[１３]
前記不織布層のそれぞれが異なる坪量を有する、項目１２に記載の方法。
[１４]
前記不織布層が超音波溶接によって前記多層フィルムに積層される、項目１２に記載の方法。
[１５]
前記多層フィルムが有孔であるが前記不織布層は有孔ではない、項目１４に記載の方法。
[１６]
前記多層フィルム及び前記不織布層が有孔である、項目１４に記載の方法。
[１７]
前記多層フィルムを機械幅方向に活性化する前の前記多層フィルムのコア層／スキン層の比が、少なくとも２／１である、項目１に記載の方法。
[１８]
前記多層フィルムを機械幅方向に活性化する前の前記多層フィルムのコア層／スキン層の比が、少なくとも３／１である、項目１に記載の方法。
[１９]
前記エラストマー性コア層がスチレン系ブロックコポリマーであり、前記スキン層がそれぞれポリオレフィンである、項目１に記載の方法。
[２０]
前記エラストマー性コア層がＳＩＳとポリスチレンとのブレンドであり、前記スキン層がポリプロピレンとポリエチレンとのブレンドである、項目１に記載の方法。
[２１]
前記エラストマー性コア層がＳＩＳとポリスチレンとのブレンドであり、前記スキン層がポリプロピレンである、項目１に記載の方法。
[２２]
前記多層フィルムの幅２５．４ｍｍのサンプルを機械方向に１０％延伸させる力が少なくとも２．５Ｎであって、前記多層フィルムが延伸前に機械幅方向に活性化されている、項目１に記載の方法。
[２３]
前記多層フィルムの幅２５．４ｍｍのサンプルを機械方向に１０％延伸させる力が約５Ｎ〜１０Ｎであって、前記多層フィルムが延伸前に機械幅方向に活性化されている、項目１に記載の方法。
[２４]
前記スキン層の変形限界を超えて機械方向に前記多層フィルムを延伸する工程中のネックイン量％の減少は、前記多層フィルムが機械幅方向に活性化されていない場合に比べて、少なくとも１％である、項目１に記載の方法。
[２５]
前記スキン層の変形限界を超えて機械方向に前記多層フィルムを延伸する工程中のネックイン量％の減少は、該多層フィルムが機械幅方向に活性化されていない場合に比べて、少なくとも５％である、項目１に記載の方法。
[２６]
前記伸張可能なウェブ積層体がパーソナルケア物品に組み込まれる、項目１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのスキン層と、これらの間にサンドイッチされたエラストマー性コア層とを含む多層フィルムを提供することであって前記多層フィルムが機械幅方向に活性化されていることと、
前記スキン層の変形限界を超えて前記多層フィルムを機械方向に延伸することと、
前記多層フィルムが機械方向に延伸された状態で前記多層フィルムにウェブ層を積層することと、
前記多層フィルムを復元させて伸張可能なウェブ積層体を形成することと、
を含む、伸張可能なウェブ積層体の作製方法。
【請求項２】
前記多層フィルムが機械方向に延伸された状態で前記多層フィルムに積層される第２ウェブ層を更に提供することであって前記多層フィルムが前記２つのウェブ層の間にサンドイッチされることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記多層フィルムを機械幅方向に活性化する前の前記多層フィルムのコア層／スキン層の比が、少なくとも２／１である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記伸張可能なウェブ積層体がパーソナルケア物品に組み込まれる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月15日(2016.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面を有する基材と、前記基材の前記第１面の少なくとも一部分上にあるインク受容層と、を備える水性インク用印刷媒体であって、
（１）前記インク受容層は、第１樹脂成分組成物と第２樹脂成分組成物との混合物のミクロ相分離により画定される印刷面を有し、
（２）前記第１樹脂成分は親水性であり、
（３）前記第２樹脂成分は、四級化されたアミノ基を有するアクリルポリマーを含み、熱接着特性を示し、
前記印刷面は、第１ドメインと第２ドメインとのマトリクスからなり、前記第１ドメインの多数部分は第１樹脂成分であり、前記第２ドメインの主要な部分は第２樹脂成分であり、前記第２ドメインは、それぞれの第１ドメインを実質的に囲んでおり、前記第２ドメインは、相対的に凸状である、水性インク用印刷媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の印刷媒体を製造する方法であって、
（１）第１面を有する基材を提供する工程と、
（２）第１樹脂成分組成物及び第２樹脂成分組成物の混合物を提供する工程と、
（３）前記混合物を、前記基材の前記第１面の少なくとも一部分に塗布して、その上にコーティングを形成する工程と、
（４）第１樹脂成分及び第２樹脂成分のミクロ相分離が起こり、第１ドメインと第２ドメインとのマトリクスからなる印刷面を生じるように、溶媒を前記コーティングから取り除く工程であって、前記第１ドメインの多数部分は第１樹脂成分であり、前記第２ドメインの主要な部分は第２樹脂成分であり、前記第２ドメインは、それぞれの第１ドメインを実質的に囲んでおり、前記第２ドメインは、相対的に凸状である工程と、を含む、方法。
【請求項３】
塗布液は、前記第１樹脂及び前記第２樹脂からなる樹脂微粒子を含む懸濁液である、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月16日(2016.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレスネットワークにおける通信の方法であって、
ブロック確認応答フレームの識別子を含むブロック確認応答識別子フィールド、ここで、前記ブロック確認応答識別子フィールドは、物理レイヤサービスデータユニットのスクランブラシードの最下位の２つのビットに設定され、
前記ブロック確認応答フレームが送られるデータユニットのシーケンス番号の関数とシーケンス番号とのうちの少なくとも１つを含む開始シーケンス制御フィールド、
多数のデータユニットの受信状態を示すブロック確認応答ビットマップフィールド、
という順序で複数のフィールドを備える前記ブロック確認応答フレームを生成することと、
前記ブロック確認応答フレームをワイヤレスに送信することと、
を備える方法。
【請求項２】
前記ブロック確認応答フレームは、ヌルデータパケットブロック確認応答フレームを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ブロック確認応答識別子フィールド、前記開始シーケンス制御フィールド、および前記ブロック確認応答ビットマップフィールドは、物理レイヤヘッダのシグナルフィールドに含まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ブロック確認応答フレームは２２ビットを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ブロック確認応答識別子フィールドは２ビットを含み、前記開始シーケンス制御フィールドは１２ビットを含み、前記ブロック確認応答ビットマップフィールドは８ビットを含み、前記ブロック確認応答フレームは、１ＭＨｚフォーマットを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ブロック確認応答は、予約済フィールドをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ブロック確認応答フレームは３４ビットを含み、前記ブロック確認応答識別子フィールドは５ビットを含み、前記開始シーケンス制御フィールドは１２ビットを含み、前記予約済フィールドは１ビットを含み、前記ブロック確認応答ビットマップフィールドは１６ビットを含み、前記ブロック確認応答フレームは、２ＭＨｚフォーマットを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ブロック確認応答識別子は、前記ブロック確認応答フレームが送られているブロックの第１のパケットから導出される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記物理レイヤサービスデータユニットは、アグリゲート媒体アクセス制御プロトコルデータユニットを搬送する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ブロック確認応答識別子は、ブロック確認応答要求フレームから導出される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記物理レイヤサービスデータユニットは、前記ブロック確認応答要求フレームを搬送する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記データユニットは、第１の媒体アクセス制御サービスデータユニットおよびアグリゲート媒体アクセス制御サービスデータユニットのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
１に等しい前記ブロック確認応答ビットマップフィールドの各ビットは、シーケンス番号の順序で単一のデータユニットの成功した受信を確認応答し、前記ブロック確認応答ビットマップの第１のビットは、前記開始シーケンス制御フィールドの値と一致するシーケンス番号を有するデータユニットに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
ブロック確認応答フレームの識別子を含むブロック確認応答識別子フィールド、ここで、前記ブロック確認応答識別子フィールドは、物理レイヤサービスデータユニットのスクランブラシードの最下位の２つのビットに設定される、
前記ブロック確認応答フレームが送られるデータユニットのシーケンス番号の関数とシーケンス番号とのうちの少なくとも１つを含む開始シーケンス制御フィールド、
多数のデータユニットの受信状態を示すブロック確認応答ビットマップフィールド、
という順序で複数のフィールドを備える前記ブロック確認応答フレームを生成するための手段と、
前記ブロック確認応答フレームをワイヤレスに送信するための手段と、
を備えるワイヤレスデバイス。
【請求項１５】
実行されたとき、少なくとも１つのコンピュータに、請求項１から１３のうちのうちの１つに従った方法を実行させるための実行可能な命令を備えるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月6日(2016.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）ワイヤレス通信ネットワークにおいて情報を送信する方法であって、
ピアを探索しているユーザ機器（ＵＥ）の第１のＵＥロケーション情報を受信することと、
前記ピアのうちの少なくとも１つの、第２のＵＥロケーション情報を受信することと、
前記第１および第２のＵＥロケーション情報にしたがって、前記ピアのうち前記ＵＥに近接したピアをマッチングすることと、
前記ピアの存在について前記ＵＥにアラートするためにデータ交換効率技法を使用して送信することと、ここにおいて、前記送信は、広域ネットワーク（ＷＡＮ）固有のシグナリングを含み、前記データ交換効率技法の前記使用は、前記ロケーション情報の変化のレートに基づく、
を備える、方法。
【請求項２】
前記送信のための前記データ交換効率技法は、ページングチャネルを使用すること、および半持続的スケジューリングを使用することから成るグループから選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＷＡＮ固有のシグナリングは、ユーザデータグラムプロトコル（ＵＤＰ）プロトコルの使用を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記データ交換効率技法は、ブロードキャストチャネルを使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＷＡＮ固有のシグナリングは、ＬＴＥ非トラフィックチャネルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）ワイヤレス通信ネットワークにおいてピア発見情報を交換する方法であって、
データ交換効率技法を使用して、ピアを探索しているＵＥによって、第１のユーザ機器（ＵＥ）ロケーション情報を１番目に送信することと、ここにおいて、前記１番目に送信することは、広域ネットワーク（ＷＡＮ）固有のシグナリングを含み、前記データ交換効率技法の前記使用は、前記ロケーション情報の変化のレートに基づく、
前記データ交換効率技法を使用して、前記ピアのうちの少なくとも１つの、要求されたマッチングを、２番目に送信することと、ここにおいて、前記２番目に送信することは、前記広域ネットワーク（ＷＡＮ）固有のシグナリングを含む、
前記ピアの存在について前記ＵＥにアラートするために、前記要求に応答して、マッチングを受信すること
を備える、方法。
【請求項７】
前記データ交換効率技法は、ランダムアクセスチャネルを使用すること、および半持続的スケジューリングを使用することから成るグループから選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記半持続的スケジューリングは、周期的なサウンディング参照信号（ＳＲＳ）を用いた半持続的スケジューリングを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＷＡＮ固有のシグナリングは、ＵＤＰプロトコルの使用を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＷＡＮ固有のシグナリングは、ＬＴＥ非トラフィックチャネルを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）ワイヤレス通信ネットワークにおいてピア発見情報を送信するための基地局であって、
ピアを探索しているユーザ機器（ＵＥ）の第１のＵＥロケーション情報を受信するための手段と、
前記ピアのうちの少なくとも１つの、第２のＵＥロケーション情報を受信するための手段と、
前記ピアのうち前記第１および第２のＵＥロケーション情報に近接したピアをマッチングするための手段と、
前記ピアの存在について前記ＵＥにアラートするためにデータ交換効率技法を使用して送信するための手段と、ここにおいて、前記送信は、広域ネットワーク（ＷＡＮ）固有のシグナリングを含み、前記データ交換効率技法の前記使用は、前記ロケーション情報の変化のレートに基づく、
を備える、基地局。
【請求項１２】
前記送信のための前記データ交換効率技法は、ページングチャネルを使用すること、および半持続的スケジューリングを使用することから成るグループから選択される、請求項１１に記載の基地局。
【請求項１３】
ロングタームエボリューション（ＬＴＥ）ワイヤレス通信ネットワークにおいてピア発見情報を交換するためのユーザ機器（ＵＥ）であって、
データ交換効率技法を使用して、ピアを探索している前記ＵＥによって、第１のＵＥロケーション情報を１番目に送信するための手段と、ここにおいて、前記１番目に送信することは、広域ネットワーク（ＷＡＮ）固有のシグナリングを含み、前記データ交換効率技法の前記使用は、前記ロケーション情報の変化のレートに基づく、
前記データ交換効率技法を使用して、前記ピアのうちの少なくとも１つの、要求されたマッチングを、２番目に送信するための手段と、ここにおいて、前記２番目に送信することは、前記ＷＡＮ固有のシグナリングを含む、
前記ピアの存在について前記ＵＥにアラートするために、前記要求に応答して、マッチングを受信するための手段と
を備える、ＵＥ。
【請求項１４】
前記１番目に送信することおよび前記２番目に送信することのための前記データ交換効率技法は、ランダムアクセスチャネルを使用すること、および半持続的スケジューリングを使用することから成るグループから選択される、請求項１３に記載のＵＥ。
【請求項１５】
実行されたときに請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載の方法を少なくとも１つのコンピュータに実行させる、実行可能な命令を備えるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月1日(2016.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テーパ付けされたフィールドプレート誘電体領域を半導体ウエハに形成する方法であって、
前記半導体ウエハ内に溝をエッチングすることであって、前記溝が側壁をもつ、溝をエッチングすること、
前記側壁を含め、前記半導体ウエハ上に第１の厚さの第１の絶縁層を堆積させること、
第１の量ぶん前記第１の絶縁層をエッチングすることであって、前記溝の上部に隣接した前記第１の絶縁層の第１の上部が除去されて、前記第１の絶縁層の第１の上部表面を露出する、前記第１の絶縁層をエッチングすること、
前記半導体ウエハ上に第２の厚さの第２の絶縁層を堆積させることであって、前記第２の絶縁層が前記第１の絶縁層のうちのある部分と重なり、前記第２の絶縁層が前記第１の上部表面に重なる、第２の絶縁層を堆積させること、および、
第２の量ぶん前記第２の絶縁層をエッチングすることであって、前記溝の前記側壁上の前記第２の絶縁層の第２の上部が除去される、前記第２の絶縁層をエッチングすること、
を含む方法。
【請求項２】
前記第２の量ぶん前記第２の絶縁層をエッチングすることが、前記第２の上部に隣接した、前記第１の絶縁層の少なくとも一部を露出させる、
請求項１の方法。
【請求項３】
前記半導体ウエハ上に第３の厚さの第３の絶縁層を堆積させること、および、
第３の量ぶん前記第３の絶縁層をエッチングすることであって、前記溝の前記側壁上の前記第３の絶縁層の第３の上部が除去される、前記第３の絶縁層をエッチングすること、
をさらに含む、
請求項１の方法。
【請求項４】
前記第３の量ぶん前記第３の絶縁層をエッチングすることが、前記第３の上部に隣接した前記第１の絶縁層の少なくとも一部と、前記第３の上部に隣接した前記第２の絶縁層の少なくとも一部と、を露出させる、
請求項３の方法。
【請求項５】
前記第１の厚さと前記第２の厚さとが、略同一である、
請求項１の方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とが、同じ材料である、
請求項５の方法。
【請求項７】
前記第１の厚さは、前記第１の絶縁層が上に堆積されている表面の傾きに実質的に無関係である、
請求項１の方法。
【請求項８】
前記溝をエッチングする前に、前記溝の位置を規定するハードマスクをパターン形成することであって、前記ハードマスクをパターン形成することが、ハードマスク材料を堆積させることを含む、ハードマスクをパターン形成すること、
をさらに含む、請求項１の方法。
【請求項９】
前記ハードマスクが、多結晶シリコンで作られている、
請求項８の方法。
【請求項１０】
前記ハードマスクを堆積させる前に、前記半導体ウエハの前記表面に保護層を堆積させること、
をさらに含む、請求項９の方法。
【請求項１１】
前記保護層が、酸化物である、
請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記溝内の前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との上に導電性材料を堆積させることであって、前記導電性材料が、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とにより、前記溝の前記側壁と直接接触しないように分離されている、導電性材料を堆積させること、
をさらに含む、請求項１の方法。
【請求項１３】
前記第１の絶縁層をエッチングすることと、前記第２の絶縁層をエッチングすることとが、異方性エッチングを使用して行われる、
請求項１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月16日(2016.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低誘電率シリコン含有誘電膜の誘電率（ｋ）を低下させる方法であって、
低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露すること、
前記低誘電率シリコン含有誘電膜を気化されたシリル化剤に曝露すること、及び、
前記低誘電率シリコン含有誘電膜を紫外線（ＵＶ）硬化プロセスに曝露すること
を含む、方法。
【請求項２】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜を気化されたシリル化剤に曝露すること、及び、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をＵＶ硬化プロセスに曝露することが、同じ処理チャンバ内で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＵＶ硬化プロセスが、摂氏約１００度から摂氏約８００度までのＵＶ硬化温度で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ＵＶ照射波長をシミュレートするために、遠隔プラズマ源により形成されるプラズマを使用することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
プラズマが遠隔プラズマ源により形成される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜を気化されたシリル化剤に曝露すること、及び、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をＵＶ硬化プロセスに曝露することが同時に実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜を気化されたシリル化剤に曝露すること、及び、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をＵＶ硬化プロセスに曝露することを繰り返すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜は、前記フッ化水素酸溶液に曝露する前の前記低誘電率シリコン含有誘電体の誘電率（ｋ）と比較して、前記シリル化剤に曝露した後により低い誘電率（ｋ）を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜は、３又はそれを下回る初期誘電率を有する、シリコンベースの誘電材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜は、炭素及び水素を含有する、酸化ケイ素である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜は、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露することよりも前に、平坦化プロセス、エッチングプロセス、ディフュージョンバリア堆積プロセス、金属堆積プロセス、及びこれらの組み合わせから選択される、集積化プロセスに曝露される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜をＵＶ硬化プロセスに曝露することが、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することよりも前に、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することと同時に、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することに続いて、又はこれらの組み合わせで、実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜をＵＶ硬化プロセスに曝露することが、前記低誘電率シリコン含有誘電膜をシリル化剤に曝露することに続いて実施される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に曝露することが、低誘電率シリコン含有誘電膜をフッ化水素酸溶液に浸漬すること、又はフッ化水素酸溶液を低誘電率シリコン含有誘電膜上にスプレーすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記低誘電率シリコン含有誘電膜をＵＶ硬化プロセスに曝露するよりも前に、又は同時に、前記低誘電率シリコン含有誘電膜を加熱することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月5日(2016.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおいて端末が端末間直接（Ｄ２Ｄ）リンク通信のためのディスカバリ信号を送信する方法であって、
ランダム値を生成するステップと、
前記ランダム値をネットワークから構成された閾値と比較して、送信リソースのセットで前記ディスカバリ信号を送信するか否か決定するステップと、
前記ディスカバリ信号を送信すると決定した時、前記送信リソースのセットから前記送信リソースの一つを選択するステップと、
前記送信リソースのセットから選択した前記一つの送信リソースを利用して前記ディスカバリ信号をターゲット端末（ＵＥ）に送信するステップとを含む、方法。
【請求項２】
他の送信リソースのセットの中の特定送信リソースを利用して前記ディスカバリ信号を前記ターゲット端末に送信するステップをさらに含み、
前記特定送信リソースの時間インデックスは前記一つの送信リソースの時間インデックスと所定の値まで異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
他の一つのランダム値を生成するステップと、
前記他の一つのランダム値を前記閾値と比較して、前記送信リソースの他の一つのセットで前記ディスカバリ信号を送信するか否か決定するステップとをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記送信リソースのセットに含まれる送信リソースの数は素数である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記生成ステップと前記決定ステップは、全ての送信リソースのセットで実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
無線通信システムにおいて端末が端末間直接（Ｄ２Ｄ）通信を実行する端末（ＵＥ）であって、
基地局又は前記Ｄ２Ｄ通信におけるターゲット端末（ＵＥ）と信号を送受信する無線通信モジュールと、
前記信号を処理するプロセッサと、
を備え、
前記プロセッサは、ランダム値を生成し、前記ランダム値とネットワークから構成した閾値と比較することにより、送信リソースのセットでディスカバリ信号を送信するか否か決定し、前記ディスカバリ信号を送信すると決定した時、前記送信リソースのセットから前記送信リソースの一つを選択し、
前記プロセッサは、前記送信リソースのセットから選択した前記一つの送信リソースを利用して前記無線通信モジュールが前記ディスカバリ信号を前記ターゲットＵＥへ送信するように制御する、端末。
【請求項７】
前記プロセッサは、前記無線通信モジュールが他の一つの送信リソースのセットの中の特定送信リソースを利用して前記ディスカバリ信号を前記ターゲット端末に送信するように制御し、
前記特定送信リソースの時間インデックスは前記一つの送信リソースの時間インデックスと所定の値まで異なる、請求項６に記載の端末。
【請求項８】
前記プロセッサは、他の一つのランダム値を生成し、前記他の一つのランダム値を前記閾値と比較して、前記送信リソースの他の一つのセットで前記ディスカバリ信号を送信するか否かを決定する、請求項６に記載の端末。
【請求項９】
前記送信リソースのセットに含まれる送信リソースの数は素数である、請求項６に記載の端末装置。
【請求項１０】
前記プロセッサは、前記ランダム値を生成し、全ての送信リソースのセットで前記ディスカバリ信号を送信するか否か決定する、請求項６に記載の端末。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月23日(2016.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３Ｄコンテンツを見ながら処方眼鏡を装着している観察者に前記３Ｄコンテンツを適応させる３Ｄコンテンツ適応方法であって、
所与の方向について、前記処方眼鏡の少なくともレンズ特性により前記処方眼鏡によって引き起こされる光偏向を表す値の関数から求められる推定されたデプス調整値に従って前記３Ｄコンテンツの奥行きを変更するステップ
を有する３Ｄコンテンツ適応方法。
【請求項２】
前記光偏向を表す値は、角度において、又は原の角度方向に対する割合において、計算される、
請求項１に記載の３Ｄコンテンツ適応方法。
【請求項３】
前記デプス調整値は、前記光偏向を表す計算された値を補償するよう推定される、
請求項１又は２に記載の３Ｄコンテンツ適応方法。
【請求項４】
前記デプス調整値は、前記光偏向を表す計算された値を補償するよう変換行列によって推定される、
請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の３Ｄコンテンツ適応方法。
【請求項５】
前記処方眼鏡は、前記観察者の近視を矯正することを目的とする、
請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の３Ｄコンテンツ適応方法。
【請求項６】
前記処方眼鏡は、前記観察者の遠視を矯正することを目的とする、
請求項１乃至４のうちいずれか一項に記載の３Ｄコンテンツ適応方法。
【請求項７】
前記少なくともレンズ特性は、前記観察者についての顔解析ソフトウェアの出力から推測される、
請求項１に記載の３Ｄコンテンツ適応方法。
【請求項８】
処方眼鏡を装着している観察者に３Ｄコンテンツを適応させる３Ｄコンテンツ適応装置であって、
所与の方向について、前記処方眼鏡の少なくともレンズ特性により前記処方眼鏡によって引き起こされる光偏向を表す値の関数から求められる推定されたデプス調整値に従って前記３Ｄコンテンツの奥行きを変更するよう構成される計算ユニット
を有する３Ｄコンテンツ適応装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
代替の実施形態では、上記の、３Ｄコンテンツを適応させる方法のステップの幾つか又は全ては、メモリユニット及び処理ユニットを有する電子装置で実行され得る。
上記の実施形態に加えて、以下の付記を開示する。
（付記１）
処方眼鏡を装着している観察者に３Ｄコンテンツを適応させる方法であって、
前記観察者の処方眼鏡に関する情報を供給するステップと、
所与の方向について、前記供給された情報から、前記処方眼鏡によって生じる光偏向を表す値を計算するステップと、
前記計算された値の関数としてデプス調整値を推定するステップと、
前記推定されたデプス調整値に従って前記３Ｄコンテンツの奥行きを変更するステップと
を有する方法。
（付記２）
前記光偏向を表す値は、角度において、又は原の角度方向に対する割合において、計算される、
付記１に記載の方法。
（付記３）
前記デプス調整値は、前記光偏向を表す前記計算された値を補償するよう推定される、
付記１又は２に記載の方法。
（付記４）
前記デプス調整値は、前記光偏向を表す前記計算された値を補償するよう変換行列によって推定される、
付記１乃至３のうちいずれか一つに記載の方法。
（付記５）
前記処方眼鏡は、前記観察者の近視を矯正することを目的とする、
付記１乃至４のうちいずれか一つに記載の方法。
（付記６）
前記処方眼鏡は、前記観察者の遠視を矯正することを目的とする、
付記１乃至４のうちいずれか一つに記載の方法。
（付記７）
前記観察者の処方眼鏡に関する情報は、前記観察者についての顔解析ソフトウェアの出力から推測される、
付記１に記載の方法。
（付記８）
処方眼鏡を装着している観察者に３Ｄコンテンツを適応させる装置であって、
前記観察者の処方眼鏡に関する情報を供給する手段と、
所与の方向について、前記供給された情報から、前記処方眼鏡によって生じる光偏向を表す値を計算する手段と、
前記計算された値の関数としてデプス調整値を推定する手段と、
前記推定されたデプス調整値に従って前記３Ｄコンテンツの奥行きを変更する手段と
を有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月10日(2016.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
径方向ナノワイヤエサキダイオードを備えるデバイスであって、前記径方向ナノワイヤが第１の導電型の半導体コア、および前記第１の導電型と異なる第２の導電型の半導体シェルを備える、デバイス。
【請求項２】
ゲート制御された径方向ナノワイヤエサキダイオードを備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
トンネリング電界効果トランジスタ（ＴＦＥＴ）を備え、さらに、前記シェルのまわりに位置するゲート絶縁層、および前記ゲート絶縁層に隣接して位置するゲート電極を備える、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記コアと前記シェル間のトンネル電流の方向が前記ナノワイヤを支持する基板の主表面と実質的に平行であり、
前記コアと前記シェル間のトンネル電流の方向が前記ナノワイヤおよび前記ゲート絶縁層に面する前記ゲート電極の表面と実質的に垂直であり、
前記コアと前記シェル間のトンネル電流の方向がゲート電界の方向と実質的に平行である、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記ナノワイヤコアが、第１のドーピング濃度を有する前記第１の導電型の下方の半導体部分、および前記下方部分上に位置する上方部分を備え、
前記上方部分が、電気的絶縁材料、または前記下方部分の前記第１のドーピング濃度よりも低く、前記シェルのドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有する半導体材料を含み、
前記コアの前記下方部分が前記第１の導電型の半導体ソース領域と電気的に接触し、前記シェルが前記第２の導電型のドレイン領域と電気的に接触し、
前記シェルが前記コアの前記上方部分に隣接して位置し、ｐｎ接合を形成するように前記コアの前記下方部分と少なくとも部分的にオーバーラップし、
前記ゲート電極が前記ｐｎ接合と少なくとも部分的にオーバーラップする、
請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記シェルが前記ゲート絶縁層と前記コア間に量子井戸を形成するのに十分に薄く、
前記コアおよび前記シェルの少なくとも１つが前記デバイス中の電荷キャリヤのエネルギーを増加させるのに十分に薄い、請求項４に記載のデバイス。
【請求項７】
前記コアと前記ＴＦＥＴのソース領域およびドレイン領域の少なくとも１つとの間に位置するバリア領域をさらに備え、
前記バリア領域の材料が前記半導体コアの材料および前記半導体シェルの材料の両方よりも高いバンドギャップを有し、
前記バリア領域が漏れ電流を抑えるために伝導帯端および価電子帯エッジの両方で十分に高いバンドオフセットを有するプラグ形の領域を備え、
前記バリア領域が、電気的絶縁材料、あるいは１０16ｃｍ-3以下のドーピング濃度を有する軽くドープされた、真性の、または半絶縁性半導体材料を備える、請求項４に記載のデバイス。
【請求項８】
太陽電池を備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記太陽電池が前記径方向ナノワイヤエサキダイオードに加えて平面状太陽電池を含むマルチ接合太陽電池を備え、
前記ダイオードが前記平面状太陽電池の上面に直立しており、
前記平面状太陽電池がシリコンｐｎ接合を備え、前記エサキダイオードがＩＩＩ−Ｖ半導体ｐｎ接合を備える、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
径方向半導体ナノワイヤを備えるゲート制御されたエサキダイオードを動作させる方法であって、前記径方向半導体ナノワイヤの反対にドープされたコアとシェル間のトンネル電流が、ゲート電極によって前記径方向半導体ナノワイヤに提供される電界と実質的に平行に流れる、方法。
【請求項１１】
前記シェルのまわりに位置するゲート絶縁層、および前記ゲート絶縁層に隣接して位置する前記ゲート電極をさらに備え、
前記コアが第１の導電型の半導体コアを備え、前記シェルが前記第１の導電型と異なる第２の導電型の半導体シェルを備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記コアと前記シェル間の前記トンネル電流が前記ナノワイヤを支持する基板の主表面と実質的に平行に流れる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記コアと前記シェル間の前記トンネル電流が前記ナノワイヤおよび前記ゲート絶縁層に面する前記ゲート電極の表面と実質的に垂直に流れる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記コアと前記シェル間の前記トンネル電流が前記ナノワイヤを支持する前記基板の主表面と実質的に平行に流れ、前記コアと前記シェル間の前記トンネル電流が前記ナノワイヤおよび前記ゲート絶縁層に面する前記ゲート電極の表面と実質的に垂直に流れる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ゲート制御されたエサキダイオードがＴＦＥＴを備え、
前記ナノワイヤコアが、第１のドーピング濃度を有する前記第１の導電型の下方の半導体部分および前記下方部分上に位置する上方部分を備え、
前記上方部分が、電気的絶縁材料、または下方部分の前記第１のドーピング濃度よりも低く、前記シェルのドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有する半導体材料を含み、
前記コアの前記下方部分が、前記第１の導電型の半導体ソース領域と電気的に接触し、前記シェルが前記第２の導電型のドレイン領域と電気的に接触し、
前記シェルが前記コアの前記上方部分に隣接して位置し、ｐｎ接合を形成するように前記コアの前記下方部分と少なくとも部分的にオーバーラップし
前記ゲート電極が前記ｐｎ接合と少なくとも部分的にオーバーラップし、
前記コアの前記上方部分が、印加されたソースドレイン間電界と平行なトンネルキャリヤの大きな横方向の生成を阻止し、
前記ゲート電極が、ソースドレイン間およびゲート電界を含む前記ｐｎ接合を横切る全電界が、前記ｐｎ接合と本質的に垂直となるように、前記ｐｎ接合に垂直な電界を提供し、
フェルミ準位が前記ｐｎ接合の両面で実質的に一定であり、
前記ｐｎ接合を横切るフェルミ準位の実質的に階段状に誘起される変化が、６０ｍＶ／ｄｅｃ未満のサブスレッショルドスイングを提供するサブサーマルなトンネルキャリヤの生成を提供する、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月28日(2016.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
内側フェライト部材１０２は、好ましい製造設定に応じて、上述の巻回処理の前、当該処理の間、又は当該処理の後に、ボビン６０１に案内されることができる。完成した巻線を備えるボビン６０１は、次に、外側フェライト部材１０７内に配置されるが、前記コイル巻線を備えるボビン６０１が外側フェライト部材１０７内に配置された後にまずボビン６０１内に内側フェライト部材１０２を配置することもできる。従って、図１０は、ボビン６０１、内側フェライト部材１０２及び外側フェライト部材１０７が組み立てられた段階を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月14日(2016.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも部分的に無線器と処理ユニットとを有する第１の計算デバイスにより実施される、コンテンツの高エネルギー効率伝送の方法であって、
前記第１の計算デバイスが、
前記コンテンツの第１の部分を取得するステップであって、前記コンテンツはオーディオコンテンツ、ビデオコンテンツ、プレゼンテーションコンテンツ、ウェブページコンテンツ、及びユーザインタフェースコンテンツのうち少なくとも１つを含む、ステップと、
前記コンテンツの第1の部分の長さを選択するステップであって、前記長さは前記コンテンツに関する使用シナリオに少なくとも部分的に基づき選択されるステップと、
前記コンテンツの第１の部分を、第２の計算デバイスによる再生のため、前記第２の計算デバイスに送信するステップと、
前記無線器を低電力モードに設定するステップと、
前記無線器を前記低電力モードからウェークアップするステップと、
前記無線器を前記低電力モードからウェークアップした後、前記コンテンツの第２の部分を前記第２の計算デバイスに送信するステップと、を有する方法。
【請求項２】
前記処理ユニットを低電力モードに設定するステップと、
前記無線器を前記低電力モードからウェークアップするステップと、をさらに有し、
前記コンテンツの第２の部分を前記第２の計算デバイスに送信するステップは、前記処理ユニットを前記低電力モードからウェークアップするステップの後に行う、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記無線器はＷｉ−Ｆｉ無線器であり、前記第１の計算デバイスと第２の計算デバイスはＷｉ−Ｆｉ  Ｄｉｒｅｃｔを用いて通信し、前記コンテンツの第１と第２の部分はＷｉ−Ｆｉ  Ｄｉｓｐｌａｙを用いて前記第１の計算デバイスから前記第２の計算デバイスに送信される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の計算デバイスにコマンドを送信するステップであって、前記コマンドは前記第２の計算デバイスに前記コンテンツの第１の部分に対する動作の実行を命じるものであり、前記動作は再生動作及び一時停止動作のうちの１つである、ステップをさらに有する、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
計算デバイスにコンテンツの高エネルギー効率伝送の方法を実行させるコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータプログラムは前記計算デバイスに、前記コンテンツの第１の部分をデコードするステップと、
前記計算デバイスにより前記コンテンツの第１の部分を表示するステップと、
表示された前記コンテンツの第１の部分をエンコードするステップと、
エンコードされた前記コンテンツの第１の部分を、第２の計算デバイスによる再生のため、前記第２の計算デバイスに送信するステップと、
切り替え位置において、前記コンテンツの第２の部分を処理するステップであって、
前記コンテンツの第２の部分を、前記第２の計算デバイスによる再生のため、前記第２の計算デバイスに送信する、前記コンテンツの第２の部分は前記計算デバイスによりデコード及び表示されてなく、前記コンテンツの第２の部分は複数のセグメントとして送信される、ステップを有し、前記コンテンツの第２の部分を送信するステップは、
前記コンテンツの第２の部分のセグメントの送信間に前記計算デバイスのＷｉ−Ｆｉ無線器を低電力モードに設定するステップを実行させる、
コンピュータプログラム。
【請求項６】
前記計算デバイスに、少なくとも部分的に前記計算デバイスに関連する非活動期間に基づいて前記切り替え位置を決定するステップをさらに実行させる、
請求項５に記載のコンピュータプログラム。
【請求項７】
計算デバイスであって、
一以上のプロセッサユニットと、
メモリと、
Ｗｉ−Ｆｉ無線器と、
前記計算デバイスにコンテンツの高エネルギー効率伝送の動作を実行させるコンピュータ実行可能命令を記憶した一以上のコンピュータ読み取り可能記憶媒体であって、
スライドプレゼンテーションの複数のスライドプレゼンテーション要素を生成するステップと、
前記複数のスライドプレゼンテーション要素を、第２の計算デバイスによる再生のため、前記第２の計算デバイスに送信するステップと、
前記Ｗｉ−Ｆｉ無線器を低電力モードに設定するステップと、
プレゼンテーションイベントを検出した時に、
前記低電力モードから出るステップと、
プレゼンテーションコマンドを前記第２の計算デバイスに送信するステップであって、前記プレゼンテーションコマンドは前記複数のスライドプレゼンテーション要素のスライドプレゼンテーションを制御するコマンドであるステップと、
前記Ｗｉ−Ｆｉ無線器を低電力モードに設定するステップと、を有する、
計算デバイス。
【請求項８】
前記プレゼンテーションコマンドは、
前記第２の計算デバイスによる表示のため、第１のスライドから第２のスライドに移行する移行プレゼンテーションコマンドと、
動的要素を表示する動的プレゼンテーションコマンドとのうち１つである、
請求項７に記載の計算デバイス。
【請求項９】
前記計算デバイスと第２の計算デバイスはＷｉ−Ｆｉ  Ｄｉｒｅｃｔを用いて通信する、請求項７に記載の計算デバイス。