【手続補正書】
【提出日】平成28年7月15日(2016.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスチャンバ内で基板を処理する方法であって、
同期コントローラによって、第１のチャンバプロセスを実行するための１つまたは複数のデバイスに対するプロセス制御パラメータを、プロセスコントローラから受け取るステップと、
前記同期コントローラによって、前記プロセス制御パラメータのそれぞれを前記１つまたは複数のデバイスへ送る時間を決定するステップと、
前記１つまたは複数のデバイスのそれぞれに対して、前記同期コントローラによって、前記１つまたは複数のデバイスのそれぞれに関連する特有の信号プロセス遅延に基づいて前記プロセス制御パラメータのそれぞれを送るように、前記決定した時間を調整するステップと、
前記同期コントローラによって、前記調整した時間に、前記第１のチャンバプロセスを実行するための前記プロセス制御パラメータを前記１つまたは複数のデバイスのそれぞれへ送るステップとを含み、前記同期コントローラが、１つまたは複数の出力チャネルを含み、各チャネルが、前記１つまたは複数のデバイスの１つに直接結合される、方法。
【請求項２】
前記１つまたは複数のデバイスの各デバイスが、前記同期コントローラによって、前記デバイスの制御ポートに直接結合された前記出力チャネル上で送られるプロセス制御パラメータを使用して制御される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プロセス制御パラメータが、前記プロセスコントローラからデジタル形式で受け取られ、前記同期コントローラが、各デバイスに対する前記デジタルプロセス制御パラメータをアナログ信号に変換し、前記アナログ信号が、前記１つまたは複数のデバイスのそれぞれへ送られて、前記１つまたは複数のデバイスのそれぞれを制御する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記調整した時間に前記プロセス制御パラメータを前記１つまたは複数のデバイスへ送る前記動作が、前記１つまたは複数のデバイスの１つに直接結合された各チャネルを介して、前記１つまたは複数のデバイスのそれぞれへ、前記プロセス制御パラメータに対応する前記アナログ信号を別個に送ることを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のチャンバプロセスが、前記基板上に形成された１つまたは複数の特徴の底部部分に第１の材料を蓄積させるために、第１のエネルギープロセス状態を使用して実行される堆積プロセスである、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記同期コントローラによって、第２のチャンバプロセスを実行するための第２の組の１つまたは複数のデバイスに対する第２の組のプロセス制御パラメータを、前記プロセスコントローラから受け取るステップと、
前記同期コントローラによって、前記第２の組のプロセス制御パラメータのそれぞれを前記第２の組の１つまたは複数のデバイスへ送る時間を決定するステップと、
前記第２の組の１つまたは複数のデバイスのそれぞれに対して、前記同期コントローラによって、前記第２の組の１つまたは複数のデバイスのそれぞれに関連する特有の信号プロセス遅延に基づいて前記第２の組のプロセス制御パラメータのそれぞれを送るように、前記決定した時間を調整するステップと、
前記同期コントローラによって、前記調整した時間に、前記第２のチャンバプロセスを実行するための前記第２の組のプロセス制御パラメータを前記第２の組の１つまたは複数のデバイスのそれぞれへ送るステップとをさらに含み、前記同期コントローラが、前記第２の組の１つまたは複数のデバイスのそれぞれに直接結合された出力チャネルを含む、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のチャンバプロセスが、前記１つまたは複数の特徴の前記底部部分から前記１つまたは複数の特徴の側壁へ前記第１の材料を再分布させるために、第２のエネルギープロセス状態を使用して実行される再スパッタリングプロセスであり、前記第２のエネルギープロセス状態が、前記第１のエネルギープロセス状態より高い、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のチャンバプロセスが実行された後、前記１つまたは複数の特徴の前記側壁に沿って配置された前記第１の材料が第１の厚さを有し、前記第２のチャンバプロセスが実行された後、前記１つまたは複数の特徴の前記側壁に沿って配置された前記第１の材料が第２の厚さを有し、前記第２の厚さが、前記第１の厚さより大きい、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のチャンバプロセスが堆積プロセスであり、前記第２のチャンバプロセスが再スパッタリングプロセスである、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のチャンバプロセスの前記第１のエネルギープロセス状態が、直流＋１５０ボルト〜直流−９０ボルトであり、前記第２のチャンバプロセスの前記第２のエネルギープロセス状態が、直流−１２０ボルト〜直流−７５０ボルトである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記１つまたは複数のデバイスの少なくとも１つが電力供給であり、前記同期コントローラによって受け取られる前記電力供給に対する前記プロセスパラメータが、（ａ）エネルギーレベルと、（ｂ）前記エネルギーレベルを印加するときの時間パラメータとを含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
プロセス制御パラメータが、前記調整した時間に、前記第１のチャンバプロセスを実行するために前記１つまたは複数のデバイスのそれぞれへ送られ、したがって、前記１つまたは複数のデバイスのそれぞれが、前記プロセス制御パラメータを実質上同時に受け取る、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
プロセスコントローラから１つまたは複数のデバイスのプロセス制御パラメータを受け取るための１つまたは複数の入力と、１つまたは複数の出力チャネルとを有する同期コントローラを備え、各出力チャネルが、前記１つまたは複数のデバイスの１つに直接結合され、前記同期コントローラが、（ａ）前記プロセス制御パラメータを受け取り、（ｂ）前記プロセス制御パラメータのそれぞれを前記１つまたは複数のデバイスへ送る時間を決定し、（ｃ）前記１つまたは複数のデバイスのそれぞれに対して、前記１つまたは複数のデバイスのそれぞれに関連する特有の信号プロセス遅延に基づいて前記プロセス制御パラメータのそれぞれを送るように、前記決定した時間を調整し、（ｄ）前記調整した時間に、第１のチャンバプロセスを実行するための前記プロセス制御パラメータを前記１つまたは複数のデバイスのそれぞれへ送るように構成される、
基板処理システム。
【請求項１４】
前記１つまたは複数のデバイスの各デバイスが、前記同期コントローラによって、前記デバイスの制御ポートに直接結合された前記出力チャネル上で送られるプロセス制御パラメータを使用して制御される、請求項１３に記載の基板処理システム。
【請求項１５】
１つまたは複数の特徴を有する基板上に層を形成する方法であって、
第１のエネルギープロセス状態を使用して第１の層を形成する第１の基板プロセスを実行し、前記１つまたは複数の特徴の底部部分に第１の材料を蓄積させるステップと、
第２のエネルギープロセス状態を使用して前記第１の層上で第２の基板プロセスを実行し、前記１つまたは複数の特徴の前記底部部分から前記１つまたは複数の特徴の側壁へ前記第１の材料の一部を再分布させる一方で、前記１つまたは複数の特徴の底部部分全体にわたり前記第１の材料の少なくとも一部を保持するステップとを含み、前記第２のエネルギープロセス状態が、前記第１のエネルギープロセス状態より高く、
前記第１の層が、前記第１の基板プロセス後、前記１つまたは複数の特徴の前記側壁に沿って配置された第１の厚さを含み、前記第１の層が、前記第２の基板プロセス後、前記１つまたは複数の特徴の側壁に沿って配置された第２の厚さを含み、前記第２の厚さが前記第１の厚さより大きい、方法。