【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年7月14日(2016.7.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＭＰパッドの表面を状態調節するためのケミカルメカニカル研磨（ＣＭＰ）パッド状態調節ツールを調製するための方法であって、
前記ＣＭＰパッド状態調節ツールは、ツール面を有するツール本体を含み、該ツール本体及びツール面は多結晶ダイアモンド、多結晶立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる材料を含み、
前記ツール面は該ツール面から延在している少なくとも１つの統合研磨突起部を有し、
前記少なくとも１つの統合研磨突起部は状態調節されるＣＭＰパッドの表面に対して約９０°を超える角度の少なくとも１つの面を有し、
前記方法は、
約９０重量％のダイアモンド粉末、約９．５重量％のケイ素粉末及び約０．５重量％のＳｉ３Ｎ４を含む粉末混合物を、ケイ素塊を含むメス型中でプレスすること、及び、
前記粉末及び前記塊を圧力下に加熱して、前記ＣＭＰパッド状態調節ツールを製造すること、
を含む、方法。
【請求項２】
ＣＭＰパッドの表面を状態調節するためのケミカルメカニカル研磨（ＣＭＰ）パッド状態調節ツールを調製するための方法であって、
前記ＣＭＰパッド状態調節ツールは、ツール面を有するツール本体を含み、該ツール本体及びツール面は多結晶ダイアモンド、多結晶立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる材料を含み、
前記ツール面は該ツール面から延在している少なくとも１つの統合研磨突起部を有し、
前記少なくとも１つの統合研磨突起部は状態調節されるＣＭＰパッドの表面に対して約９０°を超える角度の少なくとも１つの面を有し、
前記方法は、
約９０重量％のダイアモンド粉末、約９．５重量％のケイ素粉末及び約０．５重量％のＳｉ３Ｎ４を含む粉末をバインダーと混合し、粉末／バインダー混合物を形成すること、
前記粉末／バインダー混合物をプレスしてプレフォームを形成すること、ここで、前記プレフォームはプレフォーム面を有し、前記プレフォーム面は前記プレフォーム面から延在している少なくとも１つの統合研磨突起部を含む、
前記プレフォームを、焼却によりプレフォームからバインダーのすべてを除去するのに適する雰囲気中で、それに適する温度に加熱すること、及び、
前記プレフォームを少なくとも１０００℃の温度で少なくとも約５分間か焼して、粉末粒子を部分的に反応させそして多孔質剛性プレフォームを形成すること、
を含む、方法。
【請求項３】
前記バインダーはポリエチレングリコール又はポリビニルアルコールである、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記プレフォームは少なくとも約１４５０℃の温度で少なくとも約５分間か焼される、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記プレフォームは約１３００℃の温度で約５分間か焼される、請求項３記載の方法。
【請求項６】
第二の温度で不活性ガス中又は真空下に前記多孔質剛性プレフォームを加熱すること、及び、
前記第二の温度に加熱された剛性多孔質プレフォームを液体ケイ素と接触させ、それにより、液体ケイ素が前記プレフォームに浸透し、前記プレフォーム中のダイアモンドと反応してＳｉＣを生成すること、
をさらに含む、請求項２記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
本発明は、本開示中に記載されるＣＭＰパッド状態調節ツールを調製するための別の方法をさらに含む。本方法は、約９０重量％のダイアモンド粉末、約９．５重量％のケイ素粉末及び約０．５重量％のＳｉ３Ｎ４を含む粉末混合物を、ケイ素塊を含むメス型中でプレスし、前記粉末及び前記塊を圧力下に加熱して、本開示中に記載されるＣＭＰパッド状態調節ツールを製造することを含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明は、本開示中に記載されるＣＭＰパッド状態調節ツールを調製するための別の方法をさらに含む。本方法は、約９０重量％のダイアモンド粉末、約９．５重量％のケイ素粉末及び約０．５重量％のＳｉ３Ｎ４を含む粉末をバインダーと混合し、粉末／バインダー混合物を形成することを含む。該方法は、前記粉末／バインダー混合物をプレスしてプレフォームを形成すること（該プレフォームはプレフォーム面を有し、前記プレフォーム面は前記プレフォーム面から延在している少なくとも１つの統合研磨突起部を含む）、前記プレフォームを、焼却によりプレフォームからバインダーのすべてを除去するのに適する雰囲気中で、それに適する温度に加熱すること、及び、前記プレフォームを少なくとも約１０００℃の温度で少なくとも約５分間か焼して、粉末粒子を部分的に反応させそして多孔質剛性プレフォームを形成することをさらに含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
例えば、ある実施形態において、ＣＭＰパッド状態調節ツールは米国特許第５，１０６，３９３号明細書に記載されている材料などのＳｉＣ−ダイアモンド複合材から調製でき、その全内容を参照により本開示中に取り込む。特定の実施形態において、ＳｉＣ−ダイアモンド複合材は、ｘ−線回折により測定して、約７８重量％〜約８２重量％のダイアモンド、約１８重量％〜約２０重量％のＳｉＣ、及び、場合により、約１重量％〜約２重量％の未反応のＳｉを含むことができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
Ｓｉ３Ｎ４がＳｉＣ／ダイアモンド複合材を調製するために使用される材料の混合物中に含まれる場合には、若干量の窒素は処理の間に溶融混合物中に浸透し、炭素を置換する。若干量の窒素は得られる材料に導電性を付与する。ＳｉＣ−ダイアモンド複合材中の窒素の量は、通常、総組成物の約０．２重量％未満である。複合材中に使用されるダイアモンドは単一粒子サイズを含み、又は、場合により、任意の組み合わせの粒子サイズを含むことができ、サブミクロンサイズ〜約２００ミクロンの範囲にある。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
特定の実施形態において、ＳｉＣ−ダイアモンド複合材は２種の異なる粒子サイズのダイアモンドの混合物を含むことができる。ある実施形態において、一次ダイアモンド粒子サイズは約２０ミクロンであることができ、二次ダイアモンド粒子サイズは約５ミクロンであることができる。これらのダイアモンドは約１：１０〜約１０：１の重量比で混合されうる。特定の実施形態において、一次ダイアモンド粒子サイズ／二次ダイアモンド粒子サイズの重量比は約４：１である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
ほぼ柱状のＳｉＣ−ダイアモンド複合材を下記の手順により調製した。約９０重量％のダイアモンド、約９．５重量％のＳｉ粉末及び約０．５重量％Ｓｉ３Ｎ４を含む混合物を調製した。ダイアモンド粉末は４部の約２０ミクロンの粒子サイズのダイアモンド粉末及び１部の約５ミクロンの平均粒子サイズのダイアモンド粉末を含んだ。Ｓｉ粉末は平均粒子サイズが約１０ミクロン未満であり、Ｓｉ３Ｎ４粉末は粒子サイズが約１ミクロンであった。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
得られたダイアモンド複合材はｘ−線回折により決定して、約７８重量％〜約８２重量％のダイアモンド、約１８重量％〜約２０重量％の連続ＳｉＣマトリックス、約１重量％〜約２重量％の未反応Ｓｉを含んだ。