【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定すべき発電機の電圧又は電流に比例する電流が循環する金属測定線（４、５）に連結された、電圧又は電流を測定すべき発電機に接続する第１及び第２端子（１、２）と、測定線（４、５）内を循環する電流によって遠隔で作られる、磁場を測定する少なくとも２つの磁気抵抗（３１、３２、３３、３４）とを含む、電流を介して電圧又は磁気抵抗に基づき電流を測定する集積化センサであって、
金属測定線が、測定線を閉鎖するための部分（３）に連結された、電流が反対方向に循環する、少なくとも第１及び第２の細長く、かつ平行な区間（４、５）を含み、金属測定線（３、４、５）のアセンブリが、１５００Ｖ以上の電圧に関して集積化ガルバニック絶縁層（８）の面の一方に配置され、集積化ガルバニック絶縁層（８）自体が、検出集積回路部分の上に配置され、検出集積回路部分が、少なくとも２つの磁気抵抗（３１、３２、３３、３４）を含み、２つの磁気抵抗自体が、測定線を循環する電流によって作られる場への感度を有するように、金属測定線の細長い区間（４、５）の一方に、基本的に重ねられる高感度部分を各々有すること、及び金属測定線の第１及び第２の細長い区間（４、５）の各々が、第１及び第２端子（１、２）の側で、接地接点（４１）に連結するトラックに重ねられた領域の隣接領域に収縮部（６、７）を含み、収縮部（６、７）が、過電圧ピークによって作られる絶縁不足の場合に集積化ヒューズの役目を果たすことを特徴とする集積化センサ。
【請求項２】
金属測定線（３、４、５）のアセンブリが、集積化ガルバニック絶縁層（８）の面の一方に直接堆積され、かつこの集積化ガルバニック絶縁層（８）の他方の面に直接堆積された磁気抵抗の高感度部分と向かい合い、この絶縁層の厚さだけ測定線が高感度部分から分離するようにすることを特徴とする請求項１に記載の集積化センサ。
【請求項３】
磁気抵抗が、巨大磁気抵抗であることを特徴とする請求項１又は２に記載の集積化センサ。
【請求項４】
磁気抵抗が、トンネル磁気抵抗であることを特徴とする請求項１又は２に記載の集積化センサ。
【請求項５】
検出集積回路部分が、磁気抵抗ブリッジ（３０）と、少なくとも１つのバイアス電圧接点Ｖｃｃ（４２）、接地接点（４１）、並びに差動出力電圧の陰極Ｖｉｎ−及び陽極Ｖｉｎ＋の接点（４３、４４）と連結するトラックとを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の集積化センサ。
【請求項６】
磁気抵抗（３１、３２、３３、３４）は、各々がＣ字形を有し、測定線を循環する電流によって作られる場への感度を有するように、金属測定線の細長い区間（４、５）の一方に基本的に重ねられた高感度部分を構成する長手方向中央分岐を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の集積化センサ。
【請求項７】
各巨大磁気抵抗（３１、３２、３３、３４）が、１００〜５００マイクロメートルの長さと、２〜８マイクロメートルの幅とを有することを特徴とする請求項３に記載の集積化センサ。
【請求項８】
各トンネル磁気抵抗（３１、３２、３３、３４）が、４０〜１５０μｍの長さ及び２〜８μｍの幅のＣ字形の自由層（６１；６２）と、３００オーム〜１０キロオームの抵抗を得るために大きさが調整される、１又は２つの接触片（７０；７１、７２）から形成される硬質層とを有することを特徴とする請求項４及び６に記載の集積化センサ。
【請求項９】
金属測定線（３、４、５）が、３０〜１００オームの抵抗を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の集積化センサ。
【請求項１０】
金属測定線（３、４、５）の第１及び第２の細長い区間（４、５）が、磁気抵抗（３１、３２、３３、３４）の高感度部分の幅に匹敵する幅を有することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の集積化センサ。
【請求項１１】
ガルバニック絶縁層（８）が、平坦であり、かつ５〜１５マイクロメートルの厚さを有することを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の集積化センサ。
【請求項１２】
ガルバニック絶縁層（８）が、硬化樹脂の堆積物によって構成され、かつポリイミド又はビスベンゾシクロテン（ＢＣＢ）を含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の集積化センサ。
【請求項１３】
ガルバニック絶縁層（８）が、セラミック絶縁体の堆積物によって構成され、かつＳｉ３Ｎ４又はＡｌ２Ｏ３の層を含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の集積化センサ。
【請求項１４】
０〜１．３Ｖの出力電圧を有する燃料電池から構成される発電機の電圧又は電流の測定に応用されることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の集積化センサ。
【請求項１５】
発電機の電圧又は電流を測定する診断システムであって、電流を介して電圧を測定するか、又は同じ接続板（１００）上に集積された、請求項３又は請求項３及び請求項５から１４のいずれか一項に記載の巨大磁気抵抗（１１１〜１１８）での電流を測定する複数のセンサを含む、少なくとも１つのハイブリッド測定モジュールと、複数のセンサ（１１１〜１１８）によって送出される信号を受信する複数の増幅器（２０１〜２０８）を含む増幅モジュール（２００）と、多重化モジュール（３００）と、連結装置（４０１、４０２）と、分離したデジタル処理モジュール（４００）とを含むことを特徴とするシステム。
【請求項１６】
ハイブリッド測定モジュールが、センサ接続板（１００）及び増幅モジュール（２００）を含む第１プリント回路と、多重化モジュール（３００）を含む第２プリント回路とを含み、信号交換トラックが、プリント回路の部片上に形成され、かつ第１及び第２プリント回路は、組み立てられ、成形され、かつプリント回路の部片上に形成され、かつ連結装置（４０１、４０２）に接続される信号交換トラックに連結された入力−出力接続端子によってカプセル化されることを特徴とする請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
巨大磁気抵抗で電圧又は電流を測定する各集積化センサが、電圧又は電流を測定すべき発電機の個別のセルに接続する第１及び第２端子（１、２）と、金属測定線（４、５）とを含み、金属測定線は、測定線を閉鎖するための部分（３）に連結された、電流が反対方向に循環する、第１及び第２の細長く、かつ平行な区間（４、５）を含み、金属測定線（３、４、５）のアセンブリは、ガルバニック絶縁層（８）上に配置され、ガルバニック絶縁層自体は、巨大磁気抵抗ブリッジ（３０）と、少なくとも１つのバイス電圧接点Ｖｃｃ（４２）、接地接点（４１）、並びに差動出力電圧の陰極Ｖｉｎ−及び陽極Ｖｉｎ＋の接点（４３、４４）と連結するトラックとを含む集積回路部分上に配置され、巨大磁気抵抗（３１、３２、３３、３４）自体は、Ｃ字形を有し、金属測定線の細長い区間（４、５）の一方に基本的に重ねられた磁気抵抗の高感度部分を構成する長手方向中央分岐を有することを特徴とする請求項１５または１６に記載のシステム。
【請求項１８】
発電機の各セルの測定点と、センサ接続板（１００）の対応する入力端子との間に配置される抵抗（１２１〜１２８）を更に含むことを特徴とする請求項１５から１７のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１９】
各接続板（１００）が、巨大磁気抵抗での電圧又は電流を測定する８つのセンサ（１１１〜１１８）を含み、増幅モジュール（２００）が、同様に８つの増幅器（２０１〜２０８）を含み、かつ多重化モジュール（３００）が、３つの選択信号（Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３）によって起動される７つの多重化基本セルを有する少なくとも３つのステージを含むことを特徴とする請求項１５から１８のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２０】
初期偏りの補償回路が、各増幅器（２０１〜２０８）に結合されることを特徴とする請求項１５から１９のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２１】
浮動接地を決定するバイアス点の補償回路（６３）が、各増幅器（２０１〜２０８）に結合されることを特徴とする請求項１５から１９のいずれか一項に記載のシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
好適には、トンネル磁気抵抗の場合に、各トンネル磁気抵抗は、４０〜１５０μｍの長さ及び２〜８μｍの幅のＣ字形の自由層と、３００オーム〜１０キロオームの抵抗を得るために大きさが調整される、１又は２つの接触片から形成される硬質層とを有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
バイアス電圧接点Ｖｃｃ及び接地接点は、１〜１２Ｖの電圧を有する給電バッテリに連結できる。その場合ＧＭＲの抵抗は、内部を循環する電流が、ＧＭＲの幅１μｍ当たり１ｍＡを超えないように選択される。ＴＭＲの場合に、バイアス電圧は、ＴＭＲの各接触片に対して約０．４Ｖを得るために選択されねばならない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
Ｉｂｉａｓから、ＧＭＲセンサによって見られる磁場を決定できる。次のように書き表される：Ｂ＝α.Ｉｂｉａｓ（式中、パラメータαは、ＧＭＲ抵抗の大きさ、電線の大きさ、及びＧＭＲ抵抗と、電線との間の距離によって決まる）。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
感度は、ＧＭＲ抵抗ＲＧＭＲから決定される。第一近似として、磁場の存在下での抵抗変動ＡＲＧＭＲは、この磁場の線形関数である。変動は、概して次の通りである：
2013535674.tif 000001
（式中、Ｂは、ｍＴで表現される）。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９３】
ＧＭＲの大きさ及び形の最適化は、次の幾つもの基準に基づく：
−  ブリッジのアーム当たり約５００オームの探求される抵抗。ＧＭＲ積層の平方面積当たりの抵抗が、約１２オームであると知っているので、このことは、５μｍの幅に関して、約２００μｍのＧＭＲの長さを定める。ＴＭＲの場合に、接触片の面積が、抵抗を定める。同様に５００オームの抵抗が、対象とされる。
−  ＧＭＲ又はＴＭＲの幅が、好ましくは４μｍ〜８μｍから選択される。このことは、バイアス磁場の適用前に十分な応答線形性を確保するが、測定する電圧が更に高いならば、更に小さい幅を選択することが可能である。
−  磁気雑音が、測定領域で減少するように、磁気抵抗の形が、Ｃ字である（図３Ａ及び図３Ｂを参照）。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９６】
電線の大きさ及び厚さの選択は、次の基準によって行われる；
−  金属測定線の抵抗は、１．５Ｖの電圧が、例えば２０ｍＡを送出するために調整されねばならない。このことは、７５オームの抵抗に対応する。バッテリから引き出される電流を最小限に抑え、かつ所望の分解能に対して十分な感度を残しながら、構成部品内で放散される電力を最小限に抑えるという基準に従って、５〜３０ｍＡの電流の値が好ましくは選択される。
−  線の抵抗は、その幅及びその厚さによって与えられる。好適には、磁気抵抗の幅に匹敵し、かつ磁気抵抗の幅よりも大きい線の幅が選択される。小さすぎる幅（３μｍ未満）は、抵抗の低い再現性を誘発する。大きすぎる幅は、センサの応答を損なう。４μｍ〜２０μｍの幅が、優先的に選択される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９７】
所望の分解能は、磁気抵抗のブリッジ３０の雑音によって決定される。低周波では、磁気抵抗のブリッジは１／ｆのスペクトル密度を有する抵抗の揺らぎが支配的である。以上に定義した大きさ及び形の基準に従って設計したブリッジに関して、雑音は、約２５ｎＴ  ＲＭＳである。狭窄部の幅に等しい電線の幅、及び５μｍの絶縁の厚さにより、このことは、１０μＡの電流検出可能性に対応する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１００】
例えば、非常に平坦かつ良好な誘電的挙動を持つ層を与える、好ましい実施形態において、アルゴン＋酸素の蒸気下での陰極微粉化によって堆積されるＡｌ２Ｏ３層を使用する。ガルバニック絶縁は、堆積される１μｍ当たり４００Ｖである。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０１】
その上、「集積化ガルバニック絶縁」及び「８μｍ以下の厚さ」の二重の特性は、集積化を考慮すると、電線／磁気抵抗の距離も最大８μｍであるということになる。同様に、６μｍの支持体は、３２００Ｖの理論的絶縁、及び２０００Ｖを超える実際的な絶縁を確保する。この技術は、非常に良質な層を得られるようにするが、堆積時間が比較的長い。代替案は、同様に良好な結果を更に短い堆積時間と共に与える、他の技術、プラズマ促進気相蒸着システム又はＰＥＣＶＤ（「Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ」）によってＡｌ２Ｏ３を堆積することからなる。