【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年7月4日(2016.7.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
本発明の精神から逸脱せずに、数多くの様々な改変を行えることが当業者には理解されよう。したがって、本発明の形態は、説明のためのみであり、本発明の範囲を制限することが意図されていないのが明らかに理解されよう。
他の実施態様
１．γ線照射による未修飾細胞培養基板の劣化から保護し安定化させるように修飾された細胞培養基板であって、前記修飾細胞培養基板が、該細胞培養基板の表面に結合した保護層を含み、該保護層が、ペプチド模倣表面を前記γ線照射から保護し安定化させるのに効果的な濃度で未反応のＮ−ヒドロキシスクシンイミド基の抑制（ブロッキング）と考えられる後ペプチド結合（post peptide conjugation）のための硫黄含有アミノ酸または該硫黄含有アミノ酸のペプチド短鎖を含む、修飾細胞培養基板。
２．γ線照射による未修飾細胞培養基板の劣化から保護し安定化させるように修飾された細胞培養基板であって、前記修飾細胞培養基板が、該細胞培養基板の表面に被覆された保護層を含み、該被覆された保護層が、単糖と複合糖、炭水化物、糖蛋白質、親水性ポリマー、蛋白質、短いメチオニンを含有するペプチド、アミノ酸に類似の小分子およびビタミンＡ，Ｃ，ＥおよびＰを含む、抗酸化剤と安定剤との組合せを含む、修飾細胞培養基板。
３．γ線照射による未修飾細胞培養基板の劣化から保護し安定化させるように修飾された細胞培養基板であって、前記修飾細胞培養基板が、該細胞培養基板の表面に被覆された保護層を含み、該被覆された保護層が、少なくとも１から５のメチオニンアミノ酸残基を含有する接着性ペプチドを含む修飾細胞培養基板。
４．前記硫黄含有アミノ酸が、ペプチド結合後に、任意の残留または未反応Ｎ−ヒドロキシスクシンイミド反応性基に結合したメチオニンエステル塩である、実施態様１記載の修飾細胞培養基板。
５．メチオニンペプチドが、接着性ペプチドの結合(conjugation)後の結合のためのリジン基を含む、実施態様１記載の修飾細胞培養基板。
６．Conjugationとして調製したときに、保護層が１０ｎｍから２０μｍの厚さである、実施態様１記載の修飾細胞培養基板。
７．Conjugationが、低級アルコール、ＩＰＡ、ＰＢＳ緩衝液、ホウ酸およびＤＩ水を含む溶媒中において調製される、実施態様１記載の修飾細胞培養基板。
８．被覆が、グルコース、スクロース、フルクトース、トレハロース、Ｄ−マンノース、Ｄ，Ｌ−ガラクトース、Ｄ−ソルビトール、サッカリンおよびＤ−ロイクロースのような糖を含む、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
９．被覆が、ポリ（ガラクツロン酸）およびマンヌロン酸のような糖の酸誘導体を含む、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
１０．複合糖が、ローカストビーンガム、グアーガム、カラガム(kara gum)、カラギーナン、アルギン酸塩(alginate)、キトサン、セルロースエステル、アガロース、プラナン（pullanan）アルギン酸塩を含む、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
１１．糖蛋白質が、硫酸ヘパリン、硫酸コンドロイチン、ヒアルロン酸塩を含む、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
１２．安定剤がヒト血清アルブミンである、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
１３．ビタミンが、トロロックス、コハク酸Ｄ−α−トコフェロール、シアル酸、Ｌ−アスコルビン酸ナトリウム、ビタミンＰ水和物（ルチン水和物  ケルセチン−３−ルチノシド）を含む、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
１４．被覆が、アミノ反応基に結合するためのリジン基を含むｎ＝１からｎ＝４のメチオニンペプチドを含み、該ペプチドが、Ｌｙｓ−Ｍｅｔ、Ｌｙｓ−Ｍｅｔ−Ｍｅｔ、Ｌｙｓ−Ｍｅｔ−Ｍｅｔ−Ｍｅｔ、またはＬｙｓ−Ｍｅｔ−Ｍｅｔ−Ｍｅｔ−Ｍｅｔである、実施態様３記載の修飾細胞培養基板。
１５．被覆が、Ｌ−カルノシンを含むアミノ酸の誘導体を含む、実施態様３記載の修飾細胞培養基板。
１６．被覆が、抗酸化剤である有機分子を含み、該有機分子が、α−リポ酸、Ｌ−（＋）−エルゴチオネイン、エストロン−３−硫酸ナトリウム塩、亜セレン酸ナトリウム５水塩、モリン水和物、フィチン酸、没食子酸ｎ−プロピル、レバミピド水和物、および還元型Ｌ−グルタチオンから選択される、実施態様３記載の修飾細胞培養基板。
１７．被覆が、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、およびｍ−ＰＥＧアミンのようなポリマーを含む、実施態様３記載の修飾細胞培養基板。
１８．被覆が、１つのメチオニン残基を含む結合したペプチドと同じペプチドであり、安定剤または抗酸化剤として作用する、実施態様３記載の修飾細胞培養基板。
１９．ペプチドが、ビトロネクチン配列Ａｃ−Ｌｙｓ−Ｇｌｙ−Ｇｌｙ−Ｐｒｏ−Ｇｌｎ−Ｖａｌ−Ｔｈｒ−Ａｒｇ−Ｇｌｙ−Ａｓｐ−Ｖａｌ−Ｐｈｅ−Ｔｈｒ−Ｍｅｔ−Ｐｒｏ−ＮＨ２である、実施態様１８記載の修飾細胞培養基板。
２０．被覆が、ポリ（Ｇｌｕ，Ｌｙｓ，Ｔｙｒ）のポリペプチドである、実施態様１８記載の修飾細胞培養基板。
２１．送達されるγ線照射線量が１１−１８ｋＧｙの間である、実施態様１記載の修飾細胞培養基板。
２２．送達されるγ線照射線量が１１−１８ｋＧｙの間である、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
２３．送達されるγ線照射線量が１１−１８ｋＧｙの間である、実施態様３記載の修飾細胞培養基板。
２４．安定化させる糖が１％から４％である、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
２５．抗酸化剤が、０．０５％から０．２％の間の糖蛋白質である、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
２６．抗酸化剤ビタミンが、０．０５％から４％の間である、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
２７．被覆が、ヒト血清アルブミン（０．２％）、Ｎ−アセチル−Ｌ−システイン（４％）、Ｌ−トリプトファン（４％）、ヒアルロン酸（０．２％）、およびＬ−アスコルビン酸ナトリウム（５％）を含む、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
２８．被覆が、トロロックス（５００ｍｇ／４ｍＬ）（４％）、ダルシトール（４％）、ヒアルロン酸（０．２％）、およびＬ−カルノシン（４％）を含む、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
２９．被覆が、ポリ（Ｇｌｕ，Ｌｙｓ，Ｔｙｒ）塩（０．１２５％）、Ｎ−アセチル−Ｌ−システイン（４％）、Ｄ−マンニトール（３％）、ヒアルロン酸（０．２％）、没食子酸ｎ−プロピル（５％）、硫酸ヘパリン（０．０２５％）を含む、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
３０．被覆が、トロロックス（５００ｍｇ／４ｍＬ）、Ｌ−トリプトファン（４％）、Ｎ−アセチル−Ｌ−システイン（４％）、ヒアルロン酸（０．２％）、ロイクロース（４％）、およびポリガラクツロン酸塩（４％）を含む、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
３１．被覆が、トロロックス（５００ｍｇ／４ｍＬ）、Ｌ−トリプトファン（４％）、Ｎ−アセチル−Ｌ−システイン（４％）、ヒアルロン酸（０．２％）、Ｌ−メチオニン（４％）、およびＬ−トリプトファン（４％）を含む、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
３２．ＮＨＳ基を不活化(de-active)させるのに使用される溶媒がリン酸緩衝液である、実施態様１記載の修飾細胞培養基板。
３３．被覆を適用するのに使用される溶媒が、エタノール、脱イオン水および１Ｍ ＨＣｌである、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
３４．安定剤、抗酸化剤およびラジカルスカベンジャー(radical scavengers)の被覆が、凍結乾燥または真空乾燥によって乾燥される、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
３５．配合被覆(formulation coating)を施し次いで吸引することにより薄層が形成されるか、またはスプレイコーティングして薄層がもたらされる、実施態様２記載の修飾細胞培養基板。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
γ線照射による劣化から保護し安定化させるように修飾された細胞培養基板であって、
該基板が、表面、および該表面に結合した接着性ポリペプチド、ならびに、γ線照射から該基板を保護し安定化させるのに効果的な濃度で前記表面に共有結合させた硫黄含有アミノ酸または硫黄含有アミノ酸を含むペプチド短鎖を含み、
前記接着性ポリペプチドは、ヒドロキシスクシンイミド基を介して前記表面に結合しており、前記硫黄含有アミノ酸または硫黄含有アミノ酸を含むペプチド短鎖は、前記接着性ポリペプチドの前記表面への結合の後に残る未反応のＮ−ヒドロキシスクシンイミド基を介して前記表面に共有結合しており、
前記ペプチド短鎖が、Ｌｙｓ−Ｍｅｔ、Ｌｙｓ−Ｍｅｔ−Ｍｅｔ、Ｌｙｓ−Ｍｅｔ−Ｍｅｔ−Ｍｅｔ、およびＬｙｓ−Ｍｅｔ−Ｍｅｔ−Ｍｅｔ−Ｍｅｔから成る群より選択される、細胞培養基板。
【請求項２】
前記接着性ポリペプチドが、少なくとも１から５のメチオニンアミノ酸残基を含む、請求項１記載の細胞培養基板。
【請求項３】
前記硫黄含有アミノ酸が、メチオニンエステルまたはその塩である、請求項１または２記載の細胞培養基板。