【手続補正書】
【提出日】平成28年11月2日(2016.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
様々な例示的な実施形態が、上述されている。これら及び他の実施形態は以下の「特許請求の範囲」に含まれる。
本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［４４］に記載する。
［項目１］
基板上の導電性層をパターン化する方法であって、
基板を導電性層でコーティングする工程と、
前記導電性層上にレジストマトリックス材料でパターンを適用して、前記基板上に、露出した導電性層の１つ以上の第１の領域と、レジストマトリックス材料の１つ以上の第２の領域とを生成する工程と、
前記レジストマトリックス材料を固化又は硬化させる工程と、
前記パターンを可剥性高分子層でオーバーコーティングする工程と、
前記可剥性高分子層を固化又は硬化させる工程と、
前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がし、前記基板の前記１つ以上の第１の領域において前記露出した導電性層を前記基板から除去し、それによって、パターン化された導電性層を前記基板上に形成する工程と、を含む、方法。
［項目２］
前記導電性層は、ナノワイヤを含む、項目１に記載の方法。
［項目３］
前記パターンを前記可剥性高分子層でオーバーコーティングする工程は、前記１つ以上の第１の領域及び前記１つ以上の第２の領域を可剥性高分子層形成液体でオーバーコーティングすることを含む、項目１又は２に記載の方法。
［項目４］
前記可剥性高分子層形成液体は、前記１つ以上の第１の領域において前記露出した導電性層の５０％〜９９％と接触する、項目３に記載の方法。
［項目５］
前記可剥性高分子層形成液体は、高分子溶液、単量体、単量体溶液、及び高分子溶融体からなる群から選択される、項目３又は４に記載の方法。
［項目６］
前記可剥性高分子層形成液体は、高分子溶液を含み、オーバーコーティングする工程は、スロットコーティング、ロールコーティング、フラッドコーティング、ノッチバーコーティング、又は吹付けを含む、項目５に記載の方法。
［項目７］
前記可剥性高分子層形成液体は、１０〜２，５００ｃｐｓ（０．０１〜２．５Ｐａ・ｓ）の粘度を有する、項目３〜６のいずれか一項に記載の方法。
［項目８］
前記可剥性高分子層形成液体は、ＰＶＡを含む、項目３〜７のいずれか一項に記載の方法。
［項目９］
前記可剥性高分子層形成液体は高分子溶融体を含み、オーバーコーティングする工程は熱圧縮積層を含む、項目５に記載の方法。
［項目１０］
前記可剥性高分子層形成液体は、１０，０００〜１００，０００，０００ｃｐｓ（１０Ｐａ・ｓ〜１００ｋＰａ・ｓ）の粘度を有する、項目９に記載の方法。
［項目１１］
前記可剥性高分子層形成液体は、降伏応力を有する、項目３に記載の方法。
［項目１２］
前記可剥性高分子層形成液体は、１００Ｐａ未満の降伏応力を有する、項目３に記載の方法。
［項目１３］
前記可剥性高分子層形成液体は、パターンをなして前記第１及び第２の領域の上に堆積される、項目３に記載の方法。
［項目１４］
前記パターン化された可剥性高分子層形成液体は、フレキソ印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷、又はスクリーン印刷を用いて堆積される、項目１３に記載の方法。
［項目１５］
前記パターン化された可剥性高分子層形成液体は、前記第１及び第２の領域の５０％〜９９％を被覆する、項目１４に記載の方法。
［項目１６］
前記レジストマトリックス材料は、紫外線硬化性材料を含有する、項目１に記載の方法。
［項目１７］
前記可剥性高分子層は、２μｍ〜１００μｍ厚である、項目１に記載の方法。
［項目１８］
前記可剥性高分子層を除去した後、高透明性の被覆層を前記パターン化されたレジストマトリックス材料の上に適用する工程を含む、項目１に記載の方法。
［項目１９］
前記レジストマトリックス材料は、５０ナノメートル〜５０マイクロメートルの厚さを有する、項目１に記載の方法。
［項目２０］
前記レジストマトリックス材料は、１．４０〜１．７０の屈折率を有する、項目１に記載の方法。
［項目２１］
リード形成導電性層を前記パターン化された導電性層の少なくとも一部分の上にコーティングする工程を更に含む、項目１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
［項目２２］
前記リード形成導電性層をコーティングする前記工程は、前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がした後に行われる、項目２１に記載の方法。
［項目２３］
前記レジストマトリックス材料の前記パターンは相互接続パッドを含み、前記リード形成導電性層は、前記リード形成導電性層が前記パターン化された導電性層の露出した周囲に沿って前記パターン化された導電性層と接触した状態で、前記相互接続パッドの上にコーティングされる、項目２１に記載の方法。
［項目２４］
前記相互接続パッドは、前記露出した周囲の長さを増加させるようにパターン化される、項目２３に記載の方法。
［項目２５］
空所又は波形外縁部の少なくとも一方が、前記露出した周囲の長さを増加させるために使用される、項目２４に記載の方法。
［項目２６］
前記リード形成導電性層は、銀粒子を含んだインキである、項目２１に記載の方法。
［項目２７］
基板上の導電性層をパターン化する方法であって、
基板を導電性層でコーティングする工程と、
前記導電性層上に可剥性高分子液体形成層でパターンを適用して、前記基板上に、露出した導電性層の１つ以上の第１の領域と、前記可剥性高分子液体形成層で被覆された１つ以上の第２の領域とを生成する工程と、
前記可剥性高分子液体形成層を固化又は硬化させて可剥性高分子層にする工程と、
前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がし、前記基板の前記１つ以上の第２の領域において前記導電性層の一部分を除去し、それによって、パターン化された導電性層を前記基板上に形成する工程と、を含む、方法。
［項目２８］
前記導電性層は、ナノワイヤを含む、項目２７に記載の方法。
［項目２９］
前記可剥性高分子層を引き剥がす工程は、前記可剥性高分子層をライナーの感圧性接着剤表面と接触させ、次いで前記ライナーを前記基板から除去することを含む、項目２７に記載の方法。
［項目３０］
パターン化された透明導電体を有するタッチスクリーンの構成要素であって、
透明基板と、
前記基板の主表面上のパターン化された導電性層と、
前記パターン化された導電性層に付着されたパターン化されたレジストマトリックス材料層であって、前記パターン化されたレジストマトリックス材料が波状頂面を有する、パターン化されたレジストマトリックス材料層と、
前記波状頂面及び前記透明基板の前記主表面の上に適用された高透明性接着剤層と、を備える、構成要素。
［項目３１］
前記レジストマトリックス材料は、紫外線硬化性のワニスである、項目３０に記載の構成要素。
［項目３２］
前記パターン化されたレジストマトリックス材料は、５０ナノメートル〜５０マイクロメートルの厚さを有する、項目３０又は３１に記載の構成要素。
［項目３３］
前記パターン化されたレジストマトリックス材料は、１．４０〜１．７０の屈折率を有する、項目３０〜３２のいずれか一項に記載の構成要素。
［項目３４］
前記パターン化された導電性層は、複数の導電性回路トレースから構成され、前記導電性回路トレースの少なくとも第１の部分は、前記導電性回路トレースの少なくとも第２の部分から電気的に絶縁されている、項目３０〜３３のいずれか一項に記載の構成要素。
［項目３５］
前記複数の導電性回路トレースは、複数の金属ナノワイヤから構成される、項目３４に記載の構成要素。
［項目３６］
前記複数の導電性回路トレースは、配列パターン又は格子パターンをなして配置されている、項目３４又は３５に記載の構成要素。
［項目３７］
前記複数の導電性回路トレースはそれぞれ、少なくとも１マイクロメートルかつ１０，０００マイクロメートル以下の間隙をおいて、隣接する導電性回路トレースから分離されている、項目３４〜３６のいずれか一項に記載の構成要素。
［項目３８］
前記間隙は、少なくとも３０マイクロメートルかつ３００マイクロメートル以下である、項目３７に記載の構成要素。
［項目３９］
前記複数の導電性回路トレースはそれぞれ、１マイクロメートル〜１，０００マイクロメートルの幅を有する、項目３４〜３８のいずれか一項に記載の構成要素。
［項目４０］
前記複数の導電性回路トレースはそれぞれ、１０マイクロメートル〜１００マイクロメートルの幅を有する、項目３９に記載の構成要素。
［項目４１］
前記パターン化された導電性層上の前記パターン化されたレジストマトリックス材料は、複数の半球状隆起部から構成され、個々の半球状隆起部はそれぞれ、前記複数の導電性回路トレースから選択された、単一の対応する導電性回路トレースを実質的に被覆し、それによって、前記パターン化されたレジストマトリックス材料の前記波状頂面を形成する、項目３４〜４０のいずれか一項に記載の構成要素。
［項目４２］
前記パターン化されたレジストマトリックス材料層は、前記パターン化されたレジストマトリックス材料層と前記パターン化された導電性層との間の粘着力によって前記パターン化された導電性層に付着され、任意選択により、前記パターン化されたレジストマトリックス材料層の屈折率に対して０．０５以下の屈折率差を示す高透明性接着剤が、前記パターン化されたレジストマトリックス材料層と前記パターン化された導電性層との間に配置される、項目３０〜４１のいずれか一項に記載の構成要素。
［項目４３］
項目３０〜４２のいずれか一項に記載の構成要素を組み込んだ、タッチスクリーン装置。
［項目４４］
携帯電話、電子ブック、タブレットコンピュータ、コンピュータディスプレイ、又はテレビディスプレイからなる群から選択される、項目４３に記載のタッチスクリーン装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の導電性層をパターン化する方法であって、
基板を導電性層でコーティングする工程であって、任意に、前記導電性層は、ナノワイヤを含む、工程と、
前記導電性層上にレジストマトリックス材料でパターンを適用して、前記基板上に、露出した導電性層の１つ以上の第１の領域と、レジストマトリックス材料の１つ以上の第２の領域とを生成する工程と、
前記レジストマトリックス材料を固化又は硬化させる工程と、
前記パターンを可剥性高分子層でオーバーコーティングする工程と、
前記可剥性高分子層を固化又は硬化させる工程と、
前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がし、前記基板の前記１つ以上の第１の領域において前記露出した導電性層を前記基板から除去し、それによって、パターン化された導電性層を前記基板上に形成する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
前記パターンを前記可剥性高分子層でオーバーコーティングする工程は、前記１つ以上の第１の領域及び前記１つ以上の第２の領域を可剥性高分子層形成液体でオーバーコーティングすることを含み、前記可剥性高分子層形成液体は、降伏応力を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記可剥性高分子層形成液体は、高分子溶液、単量体、単量体溶液、及び高分子溶融体からなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記可剥性高分子層形成液体は、１０〜２，５００ｃｐｓ（０．０１〜２．５Ｐａ・ｓ）の粘度を有する、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記可剥性高分子層形成液体は高分子溶融体を含み、オーバーコーティングする工程は熱圧縮積層を含み、任意に、前記可剥性高分子層形成液体は、１０，０００〜１００，０００，０００ｃｐｓ（１０Ｐａ・ｓ〜１００ｋＰａ・ｓ）の粘度を有する、又は降伏応力を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記可剥性高分子層を除去した後、高透明性の被覆層を前記パターン化されたレジストマトリックス材料の上に適用する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
基板上の導電性層をパターン化する方法であって、
基板を導電性層でコーティングする工程と、
前記導電性層上に可剥性高分子液体形成層でパターンを適用して、前記基板上に、露出した導電性層の１つ以上の第１の領域と、前記可剥性高分子液体形成層で被覆された１つ以上の第２の領域とを生成する工程と、
前記可剥性高分子液体形成層を固化又は硬化させて可剥性高分子層にする工程と、
前記可剥性高分子層を前記基板から引き剥がし、前記基板の前記１つ以上の第２の領域において前記導電性層の一部分を除去し、それによって、パターン化された導電性層を前記基板上に形成する工程と、を含む、方法。
【請求項８】
パターン化された透明導電体を有するタッチスクリーンの構成要素であって、
透明基板と、
前記基板の主表面上のパターン化された導電性層と、
前記パターン化された導電性層に付着されたパターン化されたレジストマトリックス材料層であって、前記パターン化されたレジストマトリックス材料が波状頂面を有する、パターン化されたレジストマトリックス材料層と、
前記波状頂面及び前記透明基板の前記主表面の上に適用された高透明性接着剤層と、を備え、任意に、前記レジストマトリックス材料は、紫外線硬化性のワニスである、構成要素。
【請求項９】
前記パターン化された導電性層は、複数の導電性回路トレースから構成され、前記導電性回路トレースの少なくとも第１の部分は、前記導電性回路トレースの少なくとも第２の部分から電気的に絶縁されており、任意に、前記複数の導電性回路トレースは、複数の金属ナノワイヤから構成される、請求項８に記載の構成要素。
【請求項１０】
携帯電話、電子ブック、タブレットコンピュータ、コンピュータディスプレイ、又はテレビディスプレイからなる群から選択される、タッチスクリーン装置であって、請求項８又は９に記載の構成要素を組み込んだ、タッチスクリーン装置。