Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月7日(2016.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゼロクロス信号と、前記ゼロクロス信号に重畳される電圧降下とを、電力線通信（ＰＬＣ）デバイスにおいて受信することと、
前記ゼロクロス信号に少なくとも一部基づいて、前記電圧降下を備える初期の訂正信号を生成することと、
前記初期の訂正信号に少なくとも一部基づいて、前記電圧降下に対応する電圧パルスを備える誤り訂正信号を生成することと、
前記誤り訂正信号と前記ゼロクロス信号のサンプルとに少なくとも一部基づいて、訂正されたゼロクロス信号を生成することと
を備える、方法。
【請求項２】
前記訂正されたゼロクロス信号から、前記ゼロクロス信号と関連付けられるゼロクロス情報を抽出することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記誤り訂正信号の前記電圧パルスの振幅が、前記ゼロクロス信号の前記対応する電圧降下の振幅と概ね等しく、
前記誤り訂正信号の前記電圧パルスの極性が、前記ゼロクロス信号の前記対応する電圧降下の極性と反対である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電圧降下の振幅を最小化するために前記誤り訂正信号を前記ゼロクロス信号の前記サンプルと合計することをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ゼロクロス信号と、前記ゼロクロス信号に重畳される電圧降下とを受信することと、
前記ゼロクロス信号に少なくとも一部基づいて、前記電圧降下を備える初期の訂正信号を生成することと、
前記初期の訂正信号に少なくとも一部基づいて、前記電圧降下に対応する電圧パルスを備える誤り訂正信号を生成することと、
前記誤り訂正信号と前記ゼロクロス信号のサンプルとに少なくとも一部基づいて、訂正されたゼロクロス信号を生成することと、
を行うように構成される誤り訂正ユニット
を備える、電力線通信（ＰＬＣ）デバイス。
【請求項６】
前記訂正されたゼロクロス信号からゼロクロス情報を抽出するように構成される、ゼロクロス検出器をさらに備える、請求項５に記載のＰＬＣデバイス。
【請求項７】
前記誤り訂正信号の前記電圧パルスの振幅が、前記ゼロクロス信号の前記対応する電圧降下の振幅と概ね等しく、
前記誤り訂正信号の前記電圧パルスの極性が、前記ゼロクロス信号の前記対応する電圧降下の極性と反対である、請求項５に記載のＰＬＣデバイス。
【請求項８】
前記誤り訂正ユニットが、前記電圧降下の振幅を最小化するために前記誤り訂正信号を前記ゼロクロス信号の前記サンプルと組み合わせるように構成される、加算ユニットを備える、請求項５に記載のＰＬＣデバイス。
【請求項９】
バンドパスフィルタおよび増幅器として動作するように構成される演算増幅器をさらに備え、前記演算増幅器が前記訂正されたゼロクロス信号を生成する、請求項５に記載のＰＬＣデバイス。
【請求項１０】
電力線モデムであって、
電源処理ユニットから前記電力線モデムにおいて受信される複合電力線通信（ＰＬＣ）信号からＰＬＣ信号を抽出することと、
前記複合ＰＬＣ信号から、ＡＣゼロクロス信号によって変調されたＤＣ電力信号を抽出することと、
を行うように構成されるバイアス付与ユニットと、
前記電力線モデムと関連付けられる信号の歪みを低減するように前記ＡＣゼロクロス信号を処理する
ように構成される誤り訂正ユニットと、
前記誤り訂正ユニットから前記処理されたＡＣゼロクロス信号を受信することと、
前記処理されたＡＣゼロクロス信号からゼロクロス情報を抽出することと、
を行うように構成されるゼロクロス検出器と
を備える、電力線モデム。
【請求項１１】
前記誤り訂正ユニットが、
前記ＡＣゼロクロス信号に重畳される電圧降下を備える、初期の訂正信号を生成することと、ここにおいて、前記電圧降下は、前記電力線モデムと関連付けられる動的な負荷の影響による前記信号の歪みを表す、
前記初期の訂正信号に少なくとも一部基づいて、誤り訂正信号を生成することと、
を行うようにさらに構成される、請求項１０に記載の電力線モデム。
【請求項１２】
前記誤り訂正信号が、前記ＡＣゼロクロス信号に重畳される前記電圧降下に対応する電圧パルスを備え、
前記誤り訂正信号の前記電圧パルスの振幅が、前記ＡＣゼロクロス信号の前記対応する電圧降下の振幅と概ね等しく、
前記誤り訂正信号の前記電圧パルスの極性が、前記ＡＣゼロクロス信号の前記対応する電圧降下の極性と反対である、請求項１１に記載の電力線モデム。
【請求項１３】
電力線通信（ＰＬＣ）ネットワークから受信されるＡＣ電力線信号からＤＣ電力信号を生成することと、
前記ＡＣ電力線信号と関連付けられるＡＣゼロクロス信号を決定することと、
前記ＡＣゼロクロス信号を前記ＤＣ電力信号上に変調することによって、変調されたＤＣ電力信号を決定することと、
前記ＡＣ電力線信号からＰＬＣ信号を抽出することと、
前記ＰＬＣ信号と前記変調されたＤＣ電力信号とを備える複合ＰＬＣ信号を生成することと、
を行うように構成される電源処理ユニットと、
前記電源処理ユニットから受信される前記複合ＰＬＣ信号から前記ＰＬＣ信号と前記変調されたＤＣ電力信号とを抽出することと、
前記変調されたＤＣ電力信号から前記ＡＣゼロクロス信号を抽出することと、
電力線モデムと関連付けられる信号の歪みを低減するように前記ＡＣゼロクロス信号を処理することと、
前記処理されたＡＣゼロクロス信号から決定されるゼロクロス情報に少なくとも一部基づいて、前記ＰＬＣ信号を処理することと、
を行うように構成される電力線モデムと
を備える、装置。
【請求項１４】
前記電源処理ユニットが、
ＤＣ電力成分と重畳されたＡＣリプル成分とを備える整流された信号を生成するように構成される整流器と、
前記整流された信号をステップダウンすることによって、低電圧の整流された信号を生成するように構成される変圧器と、
前記低電圧の整流された信号をフィルタリングすることによって、前記ＤＣ電力信号を生成し前記重畳されたＡＣリプル成分を最小化するように構成されるフィルタと、
前記ＡＣ電力線信号のサンプルに少なくとも一部基づいて、前記ＡＣゼロクロス信号を生成するように構成される、電力線サンプリングユニットと
を備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記電源処理ユニットが、
前記変調されたＤＣ電力信号のサンプルをフィードバックとして前記電源処理ユニットの加算ユニットに提供するように構成される、出力サンプリングユニットと、
前記電力線サンプリングユニットから受信される前記ＡＣゼロクロス信号と前記変調されたＤＣ電力信号の前記サンプルとに少なくとも一部基づいて、フィードバック信号を生成するように構成される、前記加算ユニットと、
前記フィードバック信号に少なくとも一部基づいて前記ＤＣ電力信号の安定性を維持することと、
前記ＡＣゼロクロス信号を前記ＤＣ電力信号上に変調するために、前記フィードバック信号を前記整流された信号と結合することと、
を行うように構成される電圧レギュレータと
をさらに備える、請求項１４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月21日(2016.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザにユーザ所有のおよび広告支援のコンテンツを提示するコンピュータ実装方法であって、
提示のためのハイブリッドコンテンツ項目のプレイリストを生成するステップであって、前記プレイリストは、
第三者所有のコンピューティングデバイスから広告支援コンテンツを流すステップと、
ユーザ所有コンピューティングデバイス及びユーザ制御されたコンピューティングデバイスのうち一つからユーザ所有コンテンツを検索するステップと、
前記広告支援コンテンツ及び前記ユーザ所有コンテンツが前記プレイリストにおいて提示される順の指示を受信するステップと、
により生成される、ステップと、
前記プレイリストにおける提示のための次のコンテンツ項目が広告支援コンテンツ項目であるかユーザ所有コンテンツ項目であるかを判定するステップと、
提示のための前記次のコンテンツ項目がユーザ所有コンテンツ項目である場合に、広告なしで前記コンテンツ項目を提示するステップと、
前記次のコンテンツ項目が広告支援コンテンツ項目である場合に、カウントに前記コンテンツ項目を加えるステップと、
前記カウント内の閾値数の次のコンテンツ項目が広告支援コンテンツ項目を含んでいた後で、前記次の広告支援コンテンツ項目を実行する前に広告を提示するステップと
を含む、コンピュータ実装方法。
【請求項２】
前記受信するステップは、ユーザによるプレイリストの生成を含む、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項３】
前記受信するステップは、少なくとも１つの次のコンテンツ項目のユーザ選択を含む、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項４】
前記コンテンツ項目は、音声コンテンツ項目またはビデオコンテンツ項目のうち１つを含む、前記請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項５】
前記広告が、音声広告またはビデオ広告のうちの１つであり、前記次のコンテンツ項目が音声コンテンツ項目であるときには前記広告が音声広告を備え、前記次のコンテンツ項目がビデオコンテンツ項目であるときには前記広告がビデオ広告を備える、請求項４に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項６】
前記提示するステップが、ビデオ広告の提示に先立って、提示デバイスの前のユーザの存在を検出するステップと、ユーザが存在しない場合に前記カウントを減らすステップとを含む、請求項５に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項７】
提示するステップがさらに、前記次の広告支援コンテンツ項目を実行する前に前記広告が完了したかどうかを検出するステップをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項８】
広告が完了する前に中断されたかどうかを検出し、そうである場合には、コンテンツ項目のパフォーマンスを再開する要求に応じて、前記カウントが前記閾値を上回る場合に、前記カウントを１減らし、前記次の広告支援コンテンツ項目を実行するステップ
をさらに含む、請求項７に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項９】
音声／視覚出力と、
前記ユーザにハイブリッドコンテンツのプレイリストの前記出力を提示するプロセッサであって、第三者コンピューティングデバイスからの広告支援コンテンツを流し、ユーザ所有コンテンツを検索し、定義された順で前記流されたコンテンツと前記ユーザ所有コンテンツを混合することにより前記ハイブリッドコンテンツの前記プレイリストを生成する、プロセッサと、
前記音声／視覚出力にユーザ所有コンテンツおよび広告支援コンテンツの項目を提示するように前記プロセッサに命令するコードを含むメモリであって、前記コードが前記プロセッサに
提示のための次のコンテンツ項目が広告支援コンテンツ項目であるかユーザ所有コンテンツ項目であるかを判定し、
提示のための前記次のコンテンツ項目がユーザ所有コンテンツ項目である場合に、前記コンテンツ項目を提示し、
前記次のコンテンツ項目が広告支援コンテンツ項目である場合に、カウントに追加し、および、
前記カウントが閾値数に到達するときに任意の次の広告支援コンテンツ項目を実行する前に広告を提示するよう
命令する、メモリと
を備える、メディアパフォーマンス装置。
【請求項１０】
前記広告支援コンテンツ項目及び前記ユーザ所有コンテンツ項目の各々は音声コンテンツまたはビデオコンテンツである、請求項９に記載のメディアパフォーマンス装置。
【請求項１１】
次のコンテンツ項目を判定するための前記コードが、ユーザプレイリスト内の次の項目を判定するステップを含む、請求項９に記載のメディアパフォーマンス装置。
【請求項１２】
次のコンテンツ項目を判定するための前記コードが、少なくとも１つの次のコンテンツ項目のユーザ選択を受信するステップを含む、請求項９に記載のメディアパフォーマンス装置。
【請求項１３】
前記広告は、音声広告またはビデオ広告のうち一つである、請求項９に記載のメディアパフォーマンス装置。
【請求項１４】
前記装置が、少なくとも１つの入力／出力デバイスを含み、前記プロセッサが、近接する前記装置の前のユーザの存在を検出し、ユーザが存在しない場合には前記カウントを減らすように前記プロセッサに命令するコードを含む、請求項１３に記載のメディアパフォーマンス装置。
【請求項１５】
前記提示するステップが、前記次の広告支援コンテンツ項目を実行する前に前記広告が完了したかどうかを検出するステップをさらに含む、請求項１４に記載のメディアパフォーマンス装置。
【請求項１６】
広告が完了前に中断されたかどうかを検出するステップと、そうである場合に、コンテンツ項目のパフォーマンスを再開する要求に応じて、前記カウントが前記閾値を上回る場合、前記カウントを１減らし、前記次の広告支援コンテンツ項目を実行するステップをさらに含む、請求項１５に記載のメディアパフォーマンス装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月12日(2016.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラスタ画像マップをベクトル画像マップに変換するための、コンピュータによってインプリメントされる方法であって、
建物構造の屋内マップを示す電子ラスタ画像を受信することと、
前記屋内マップがラインマップであるかを決定することと、そうでない場合に、前記屋内マップをラインマップに変換することと、ここで、前記ラインマップは前記建物構造の特徴を表すラインを含み、
前記屋内マップの処理されたラスタ画像を生成するために、前記電子ラスタ画像を処理することと、
前記建物構造の前記屋内マップを示す電子ベクトル画像を生成するために、前記処理されたラスタ画像からベクトルラインを抽出することと、
を備える、方法。
【請求項２】
前記屋内マップがラインマップであるかを決定することは、第１の色のピクセルの第２の色のピクセルに対する比率がしきい値より上であるかを決定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電子ラスタ画像を処理することは、
前記屋内マップから非建物構造を除去することと、
平行であり互いにごく接近しているラインをマージすることと、
前記ラインマップのラインを同じ厚さのラインに変換することと、
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記非建物構造は、長さを有する第１のラインを含み、前記方法はさらに、前記第１のラインの長さがしきい値量よりも少ない場合に前記第１のラインを非建物構造として自動的に識別することと、識別された前記非建物構造を前記屋内マップから自動的に除去することと、を備える、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記屋内マップから非建物構造を除去することは、非建物構造である前記屋内マップの領域を指定するユーザ入力を受信することを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記屋内マップがカラーブロックマップであるかを決定することをさらに備え、ここで、前記カラーブロックマップは前記建物構造の領域を色付きブロックとして示し、前記屋内マップがカラーブロックマップであるかを決定することは、ポリゴンのピクセルの総数に対する前記ポリゴンに含まれる第１の色の連結ピクセルの比率が１にほぼ等しいかを決定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記屋内マップをラインマップに変換することは、カラーブロックマップをラインマップに変換することを含み、前記方法は、
前記屋内マップから非建物構造を除去することと、
前記ラインマップを生成するために、前記カラーブロックマップのエッジを検出することと、
を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記屋内マップから非建物構造を除去することは、
前記カラーブロックマップの色付きブロックに含まれる色に基づいて、前記ラスタ画像における１つまたは複数のカラーセグメントを作成することと、
前記１つまたは複数のカラーセグメントの各々が非建物構造であるかを決定することと、
非建物構造と識別された任意のカラーセグメントを除去することと、
除去された前記カラーセグメントを背景色で補充することと、
を備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記１つまたは複数のカラーセグメントの各々が非建物構造であるかを決定することは、非建物構造である前記カラーセグメントの色を指定するユーザ入力を受信することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
カラーセグメントが非建物構造であるかを決定することは、前記カラーセグメントを含む領域を指定するユーザ入力を受信することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
カラーセグメントが非建物構造であるかを決定することは、前記カラーセグメントのサイズがしきい値量よりも少ないかを決定することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記カラーブロックマップのエッジを検出することは、前記ラインマップのためのラインを抽出するために、ガウシアンフィルタのラプラシアンを前記カラーブロックマップに適用することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記屋内マップがハイブリッドマップであるかを決定することをさらに備え、前記屋内マップがハイブリッドマップであるかを決定することは、前記屋内マップをカラーレイヤに分離することと、第１のカラーレイヤがラインマップであるか、および第２のレイヤがカラーブロックマップであるかを決定することとを含み、好ましくは、
前記屋内マップをラインマップに変換することは、ハイブリッドマップをラインマップに変換することを含み、前記方法は、
前記ハイブリッドマップにおける色ごとのレイヤを作成することと、
前記建物構造を表すために実質的に大きい連結コンポーネントを有する少なくとも１つのレイヤを選択することと、
前記ラインマップを生成するために、選択された各レイヤのエッジを検出することと、
を備え、さらに、好ましくは、
選択された各レイヤのエッジを検出することは、前記ラインマップのためのラインを抽出するために、ガウシアンフィルタのラプラシアンを選択された前記レイヤに適用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
ラスタ画像マップをベクトル画像マップに変換するためのプログラムコードを記憶したコンピュータ可読媒体であって、前記プログラムコードは、請求項１〜１３のいずれか１つに記載の方法を実行するための命令を備える、コンピュータ可読媒体。
【請求項１５】
ラスタ画像マップをベクトル画像マップに変換するためのシステムであって、
建物構造の屋内マップを示す電子ラスタ画像を受信するための手段と、
前記屋内マップがラインマップであるかを決定し、そうでない場合に、前記屋内マップをラインマップに変換するための手段と、ここで、前記ラインマップは前記建物構造の特徴を表すラインを含み、
前記屋内マップの処理されたラスタ画像を生成するために、前記電子ラスタ画像を処理するための手段と、
前記建物構造の前記屋内マップを示す電子ベクトル画像を生成するために前記処理されたラスタ画像からベクトルラインを抽出するための手段と、
を備える、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月4日(2016.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
視覚的な同時位置特定およびマッピングのためのプロセッサ実行型の方法であって、
次の画像を処理する前に、第1の参照画像から取得された第1の組のターゲット3Dポイントに基づいて3次元(3D)ターゲットを初期化するステップであって、前記第1の組における前記ターゲット3Dポイントは、あらかじめ決定された最初の深度値で平面に沿って初期化される、ステップと、
第2の参照画像を取得する前に前記第1の参照画像に基づいて、1つまたは複数の後続の画像を処理するステップであって、前記後続の画像は、非線形最適化を用い、推定されたカメラ位置と各3Dターゲットポイントの逆深度に対するガウス-ニュートン非線形リファイン方式を用いて、
6自由度で前記3Dターゲットを追跡するステップと、
前記第1の参照画像に続いて受信された前記1つまたは複数の後続の画像の前記処理から得られた後続の組のターゲット3Dポイントに基づいて、前記3Dターゲットをリファインするステップと
により連帯的に処理される、ステップと、
を含むプロセッサ実行型の方法。
【請求項２】
前記3Dターゲットを初期化すると、前記3Dターゲットの正しく配列され、配置され、離
された拡張現実表現を表示するステップ
をさらに含む請求項1に記載のプロセッサ実行型の方法。
【請求項３】
6自由度で前記3Dターゲットを追跡する間に、前記3Dターゲットの前記拡張現実表現を
更新するステップ
をさらに含む請求項2に記載のプロセッサ実行型の方法。
【請求項４】
1つまたは複数の後続の画像を処理する前記ステップが、2D関心ポイントを前記1つまたは複数の後続の画像から抽出するステップをさらに含む、請求項1に記載のプロセッサ実行型の方法。
【請求項５】
前記3Dターゲットを初期化するステップが、
2D関心ポイントの参照セットを前記第1の参照画像から抽出するステップと、
前記第1の参照画像に対する前記第1の組のターゲット3Dポイントを決定するステップであって、前記第1の組における各ターゲット3Dポイントが前記2D関心ポイントの参照セットにおける2D関心ポイントに対応する、ステップと、
前記あらかじめ決定された最初の深度値を各ターゲット3Dポイントに割り当てるステップと
をさらに含む、請求項1に記載のプロセッサ実行型の方法。
【請求項６】
前記3Dターゲットを追跡する前記ステップが、前記ターゲット3Dポイントのうちの少なくとも1つに対応する参照位置を、前記1つまたは複数の後続の画像から抽出された前記少なくとも1つのターゲット3Dポイントの対応する更新された2D位置と比較するステップをさらに含む、請求項1乃至5の何れか1項に記載のプロセッサ実行型の方法。
【請求項７】
前記3Dターゲットをリファインするステップが、
後続の組における対応する3Dポイントに基づいて前記第1の組における前記ターゲット3Dポイントの1つまたは複数の更新された深度値を決定するステップと、
前記1つまたは複数のターゲット3Dポイントごとに割り当てられたあらかじめ決定された最初の深度値を前記対応する更新された深度値に置き換えるステップと
をさらに含む、請求項1乃至5の何れか1項に記載のプロセッサ実行型の方法。
【請求項８】
更新された深度値を有する前記ターゲット3Dポイントの閾値数が満たされたときを決定するステップであって、前記ターゲット3Dポイントの閾値数が、前記1つまたは複数の後続の画像の対応するそれぞれの後続の画像から取得される、ステップと、
前記第2の参照画像として前記それぞれの後続の画像を割り当てるステップと
をさらに含む請求項7に記載のプロセッサ実行型の方法。
【請求項９】
前記3Dターゲットをリファインする前記ステップが、前記第2の参照画像から抽出され
た複数の2D関心ポイントを有する前記ターゲット3Dポイントを三角行列化することによっ
て前記3Dターゲットのさらなるリファインを実行するステップをさらに含む、請求項8に
記載のプロセッサ実行型の方法。
【請求項１０】
請求項1乃至9の何れか1項に記載の方法をデータ処理装置に実施させる実行可能プログラム命令を含む、コンピュータ可読非一時的記憶媒体。
【請求項１１】
視覚的な同時位置特定およびマッピングの装置であって、
次の画像を処理する前に、第1の参照画像から取得された第1の組のターゲット3Dポイントに基づいて3次元(3D)ターゲットを初期化するための手段であって、前記第1の組における前記ターゲット3Dポイントは、あらかじめ決定された最初の深度値で平面に沿って初期化される、手段と、
第2の参照画像を取得する前に前記第1の参照画像に基づいて、1つまたは複数の後続の画像を処理するための手段であって、前記後続の画像は、非線形最適化を用い、推定されたカメラ位置と各3Dターゲットポイントの逆深度に対するガウス-ニュートン非線形リファイン方式を用いて処理され、前記処理するための手段は、
連帯的に、6自由度で前記3Dターゲットを追跡し、前記第1の参照画像に続いて受信された前記1つまたは複数の後続の画像の前記処理から得られた後続の組のターゲット3Dポイントに基づいて、前記3Dターゲットをリファインするための手段を含む、
手段と、
を備える、装置。
【請求項１２】
前記3Dターゲットを初期化するための手段が、
2D関心ポイントの参照セットを前記第1の参照画像から抽出するための手段と、
前記第1の組のターゲット3Dポイントを決定するための手段であって、各ターゲット3Dポイントが前記2D関心ポイントの参照セットにおける2D関心ポイントに対応する、手段と、
前記あらかじめ決定された最初の深度値を、2D関心ポイントの前記参照セット内の2D関心ポイントに対応する各ターゲット3Dポイントに割り当てるための手段と
をさらに備える、請求項11に記載の装置。
【請求項１３】
連帯的に前記3Dターゲットを追跡するための手段が、前記参照セット内の前記ターゲット3Dポイントのうちの少なくとも1つに対応する参照位置を、前記1つまたは複数の後続の画像から抽出された前記少なくとも1つのターゲット3Dポイントの対応する更新された2D位置と比較するための手段をさらに備える、請求項12に記載の装置。
【請求項１４】
連帯的に前記3Dターゲットをリファインするための手段が、
後続の組における対応するターゲット3Dポイントに基づいて前記第1の組における前記ターゲット3Dポイントの1つまたは複数の更新された深度値を決定するための手段と、
前記1つまたは複数のターゲット3Dポイントごとに割り当てられたあらかじめ決定された最初の深度値を前記対応する更新された深度値に置き換えるための手段と
をさらに備える、請求項12に記載の装置。
【請求項１５】
更新された深度値を有する前記ターゲット3Dポイントの閾値数が満たされたときを決定するための手段であって、前記ターゲット3Dポイントの閾値数が、前記1つまたは複数の後続の画像の対応するそれぞれの後続の画像から取得される、手段と、
前記第2の参照画像として前記それぞれの後続の画像を割り当てるための手段と
をさらに備える、請求項14に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月21日(2016.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、前記支持体の上に配置された複数のナノワイヤとを備え、各ナノワイヤが先端部及び側壁を備えるＬＥＤ構造を製造する方法であって、
前記ナノワイヤの形成中又は形成後に前記ナノワイヤの前記側壁の導電率と比較して前記ナノワイヤの前記先端部の導電率を低下させるか又は零にすることを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
ナノワイヤ成長条件を制御しない場合の前記先端部の導電率と比較して前記先端部の導電率が少なくとも１桁小さくなるようにナノワイヤ成長条件を制御することを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記先端部の導電率を低下させるか又は零にすることは、前記ナノワイヤの形成後に前記ナノワイヤを覆う絶縁層を形成することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記先端部及び前記側壁の上に前記絶縁層が積層されるようにナノワイヤのアレイを覆うように形成され、その後、前記側壁の上の前記絶縁層の全体又は一部が除去されるが、前記先端部の上の、少なくとも、より厚い部分の前記絶縁層が残る条件の下で、前記アレイがエッチングされることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ナノワイヤは、第１の導電型の半導体コアと第２の導電型の半導体シェルとを備え、且つ前記側壁及び前記先端部は前記第２の導電型の半導体シェルを構成することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記シェルは連続層として形成され、前記シェルは、低導電率材料及び高導電率材料を含む連続層として形成され、前記高導電率材料は、前記先端部よりも前記側壁に優先的に形成されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ナノワイヤの前記先端部に高抵抗材料を形成するが、前記ナノワイヤの前記側壁には形成しないことを更に含み、
前記高抵抗材料は、前記シェルの完成前に前記先端部に選択的に形成され、前記高抵抗材料は、２〜５％のＭｇを含むｐＧａＮを含み且つ１０〜５０のＶ／ＩＩＩ比を使用してＭＯＣＶＤにより成長されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ナノワイヤは多層構造を含み、前記ナノワイヤの少なくとも１つの層はＨ２を含むキャリアガスを使用して形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
支持体と、前記支持体上に配置された複数のナノワイヤとを備え、前記ナノワイヤの各々が先端部及び側壁を備えるＬＥＤ構造であって、
（ｉ）前記ナノワイヤは、第１の導電型の半導体ナノワイヤコアと、それを取り囲む第２の導電型の半導体シェルとを備え、前記コア及び前記シェルは、動作中に光を発生する活性領域を提供するｐｎ接合又はｐｉｎ接合を形成するように構成され、
（ｉｉ）前記側壁は、低導電率層と高導電率層とが交互に配置された複数の層を備え、前記先端部は、１つの低導電率層又は前記側壁の層に対応する複数の層を備え、前記先端部の層は前記側壁の層より薄いことを特徴とする構造。
【請求項１０】
前記側壁の低導電率層はｐ−ＡｌＧａＮを含むことを特徴とする請求項９に記載の構造。
【請求項１１】
前記側壁の高導電率層はｐ−ＧａＮを含み、前記先端部の低導電率層はｐ−ＡｌＧａＮを含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の構造。
【請求項１２】
前記先端部の各々は、前記側壁の全体に沿って下方までは延設されない外側絶縁層を備えることを特徴とする請求項９に記載の構造。
【請求項１３】
前記絶縁層はＳｉＯｘを含むことを特徴とする請求項１２に記載の構造。
【請求項１４】
前記絶縁層は、２〜５％のＭｇを含むｐＧａＮを含み、１０〜５０のＶ族／ＩＩＩ族比を使用してＭＯＣＶＤにより成長されることを特徴とする請求項１２に記載の構造。
【請求項１５】
前記ナノワイヤの各々は、前記コアと前記シェルとの間に多重量子ウェル（ＭＱＷ）活性領域を構成し、前記ＭＱＷ活性領域は前記側壁に近接するが、前記先端部には近接しないことを特徴とする請求項９に記載の構造。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月27日(2016.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学テープ上にデータおよび場所マークを書込むための装置であって、
光学系を備え、前記光学系は、
そこからレーザ光線を送出するための少なくとも１つのレーザ源と、
前記レーザ光線を受けて、前記光学テープ上の少なくとも１つのガードバンドに前記レーザ光線を向けて、その上に前記場所マークを書込むための複数のレンズとを含み、前記場所マークは、前記光学テープの書込可能セクション上に記憶可能な前記データの長手方向位置を示す、装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つのガードバンドは、前記書込可能セクションの外周に沿って長手方向に延在する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つのガードバンドは、その上の前記データの破損を防止するために前記書込可能セクションの障壁として働くように配置される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記光学テープは、前記少なくとも１つのガードバンド上に書込まれるような前記場所マークを示す第１のデータの組を記憶するためのディレクトリを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記ディレクトリにアクセスして、前記書込可能セクション上の所望のデータを示す所望の場所マークを探索して、前記光学テープに沿って前記所望の場所マークへ移動して、前記所望のデータを得て、前記所望のデータを読出すための制御システムをさらに備える、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記ディレクトリにアクセスして、前記書込可能セクション上の未書込セクションを示す所望の場所マークを探索して、前記光学テープに沿って前記未書込セクションへの前記所望の場所マークへ移動するための制御システムをさらに備える、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記光学系は、前記少なくとも１つのガードバンドに光を照射してそこからの反射光を捕捉して前記場所マークを読出すための、前記光学テープの前記少なくとも１つのガードバンドの上に位置決めされる少なくとも１つのセンサをさらに含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記光学系は、第１の波長および第１のパワーレベルで前記少なくとも１つのガードバンド上に前記場所マークを書込むように配置される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つのセンサは、第２の波長および第２のパワーレベルで前記場所マークを読出すように配置され、前記第２の波長は前記第１の波長とは異なり、前記第２のパワーレベルは前記第１のパワーレベル未満である、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記複数のレンズは、前記レーザ光線を受け、前記レーザ光線を前記少なくとも１つのガードバンドに向けて、前記場所マークをその上に書込むための球面レンズおよび円柱レンズを備える、請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
光学テープ上にデータおよび場所マークを書込むための装置であって、
前記光学テープの第１のガードバンド上に第１のレーザ光線を送出してその上に第１の場所マークの組を書込む、および
前記光学テープの第２のガードバンド上に第２のレーザ光線を送出してその上に第２の場所マークの組を書込む、ように構成される光学系を備え、前記第１の場所マークの組および前記第２の場所マークの組の各々は、前記光学テープの書込可能セクションに沿って記憶可能な前記データの長手方向位置を示す、装置。
【請求項１２】
光学テープ上のデータおよび場所マークを読出すための装置であって、
前記光学テープの書込可能セクション上に記憶されるデータを読出すための複数の光ピックアップユニット（ＯＰＵ）と、
前記光学テープ上の少なくとも１つのガードバンドから場所マークを読出すための複数のセンサとを備え、前記場所マークは前記書込可能セクション上の前記データの長手方向位置を示し、前記少なくとも１つのガードバンドは前記書込可能セクションの外周上に位置する、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月7日(2016.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学テープシステムであって、
レーザビームを＋１および−１次ビームに分割し、前記＋１および−１次ビームの各々に特定の極性および大きさの波面誤差を導入するように構成されるホログラフィック光学素子を含む光学テープピックアップユニットを備える、システム。
【請求項２】
前記＋１および−１次ビームを光学テープ上に集束するように構成される非球面対物レンズをさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記非球面対物レンズはさらに、前記＋１および−１次ビームの各々に波面誤差を導入するように構成され、前記非球面対物レンズによって前記＋１次ビームに導入される前記波面誤差は、前記ホログラフィック光学素子によって前記＋１次ビームに導入される前記波面誤差と反対の極性を有し、前記非球面対物レンズによって前記−１次ビームに導入される前記波面誤差は、前記ホログラフィック光学素子によって前記−１次ビームに導入される前記波面誤差と反対の極性を有する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記非球面対物レンズによって前記＋１次ビームに導入される前記波面誤差は、前記ホログラフィック光学素子によって前記＋１次ビームに導入される前記波面誤差とほぼ等しい大きさを有し、前記非球面対物レンズによって前記−１次ビームに導入される前記波面誤差は、前記ホログラフィック光学素子によって前記−１次ビームに導入される前記波面誤差とほぼ等しい大きさを有する、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
光学テープピックアップシステムであって、
レーザビームを１次ビームに分割し、前記１次ビームに波面誤差を導入するように構成されるホログラフィック光学素子と、
前記１次ビームを光学テープ上に集束し、前記１次ビームに波面誤差を導入するように構成される非球面対物レンズとを備え、前記ホログラフィック光学素子によって導入される前記波面誤差は前記非球面対物レンズによって導入される前記波面誤差をオフセットし、集束されるビームの結果として生じる波面誤差を減少させる、システム。
【請求項６】
前記結果として生じる波面誤差の値は５０ミリ波未満である、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記結果として生じる波面誤差の値は４０ミリ波未満である、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記ホログラフィック光学素子および前記非球面対物レンズは、前記非球面対物レンズによって光学テープ上に集束される１次ビームの結果として生じる波面誤差が５０ミリ波未満であるように配置される、請求項２〜６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項９】
光学テープシステムであって、
ホログラフィック光学素子および非球面対物レンズを含む光学テープピックアップユニットを備え、前記ホログラフィック光学素子および前記非球面対物レンズは、前記非球面対物レンズによって光学テープ上に集束される１次ビームの波面誤差が５０ミリ波未満であるように配置される、システム。
【請求項１０】
前記非球面対物レンズはカバーガラスなしの非球面対物レンズである、請求項１〜９のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１１】
前記非球面対物レンズは単一のガラス素子のみを有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ホログラフィック光学素子は体積位相ホログラフィック格子である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月18日(2016.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサと、
MRAMラストレベルキャッシュおよびMRAMメインメモリを備える磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)モジュールと、
前記プロセッサと前記MRAMモジュールを結合するインターフェースと
を備え、
前記MRAMメインメモリが2つ以上のメインメモリスタックに分割され、前記MRAMラストレベルキャッシュが2つ以上のラストレベルキャッシュスタックに分割され、前記2つ以上のラストレベルキャッシュスタックが前記2つ以上のメインメモリスタックの拡張部として形成される、集積回路。
【請求項２】
前記プロセッサが第1のチップ上に集積化され、前記MRAMモジュールが第2のチップ中に集積化され、前記インターフェースが前記第1のチップと前記第2のチップとの間の境界上に配置される、請求項1に記載の集積回路。
【請求項３】
前記MRAMモジュールがメモリコントローラロジックをさらに備える、請求項1に記載の集積回路。
【請求項４】
前記MRAMモジュールがモノリシックパッケージとして製造される、請求項1に記載の集積回路。
【請求項５】
前記MRAMモジュールが複数のパッケージとして製造される、請求項1に記載の集積回路。
【請求項６】
前記MRAMラストレベルキャッシュおよび前記MRAMメインメモリが、スピン注入磁化反転型MRAM(STT-MRAM)ビットセルを備える、請求項1に記載の集積回路。
【請求項７】
前記MRAMモジュールが、中心部の前記MRAMメインメモリおよび前記MRAMメインメモリの第1の外縁に形成される前記MRAMラストレベルキャッシュを備える2次元(2D)アーキテクチャとして形成される、請求項1に記載の集積回路。
【請求項８】
前記MRAMメインメモリの第2の外縁に形成されるロジック層をさらに備える、請求項7に記載の集積回路。
【請求項９】
前記MRAMモジュールが、1つまたは複数のメインメモリ平面上に形成される前記MRAMメインメモリを備える3次元(3D)ホモジニアスアーキテクチャとして形成され、前記MRAMラストレベルキャッシュが、前記1つまたは複数のメインメモリ平面上に集積化される、請求項1に記載の集積回路。
【請求項１０】
前記1つまたは複数のメインメモリ平面と平行なロジック層平面中に形成されるロジック層をさらに備える、請求項9に記載の集積回路。
【請求項１１】
前記MRAMモジュールが、1つまたは複数のメインメモリ平面上に形成される前記MRAMメインメモリを備える3次元(3D)ヘテロジニアスアーキテクチャとして形成され、前記MRAMラストレベルキャッシュおよびロジック層が、前記1つまたは複数のメインメモリ平面に平行なヘテロジニアス平面上に集積化される、請求項1に記載の集積回路。
【請求項１２】
セットトップボックス、音楽プレイヤ、ビデオプレイヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末(PDA)、固定位置データユニット、およびコンピュータからなるグループから選択されるデバイス中に集積化される、請求項1に記載の集積回路。
【請求項１３】
第1のパッケージ上に形成されるラストレベルキャッシュ無し処理手段と、
第2のパッケージ中に形成されるラストレベルキャッシュおよびメインメモリを備える磁気抵抗ランダムアクセスメモリ(MRAM)メモリ手段と
を備え、
前記メインメモリが2つ以上のメインメモリスタックに分割され、前記ラストレベルキャッシュが2つ以上のラストレベルキャッシュスタックに分割され、前記2つ以上のラストレベルキャッシュスタックが前記2つ以上のメインメモリスタックの拡張部として形成される、システム。
【請求項１４】
前記第1のパッケージと前記第2のパッケージを連動する手段をさらに備える、請求項13に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第2のパッケージがメモリコントローラ手段をさらに備える、請求項13に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月22日(2016.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードから成る負極室と、水性陰極液を保持するための正極室と、負極室と正極室との間に配置される固体アルカリイオン伝導性膜とから成る電気化学的セルであって、上記正極室は陰極液と接するように配置されるカソードから成り、陰極液は、ハロゲン化物イオン、ポリハロゲン化物イオン、疑似ハロゲン化物イオン、硫化物イオン又は多硫化物イオンから成り、その濃度が３Ｍを超えることを特徴とする電気化学的セル。
【請求項２】
ハロゲン化物イオン、ポリハロゲン化物イオン、疑似ハロゲン化物イオン、硫化物イオン又は多硫化物イオンの濃度が６Ｍを超える請求項１に記載の電気化学的セル。
【請求項３】
ハロゲン化物イオン、ポリハロゲン化物イオン、疑似ハロゲン化物イオン、硫化物イオン又は多硫化物イオンの濃度が１．５Ｍを超える請求項１に記載の電気化学的セル。
【請求項４】
正極室の作動温度において、ハロゲン化物イオン、ポリハロゲン化物イオン、疑似ハロゲン化物イオン、硫化物イオン又は多硫化物イオンの濃度が３Ｍからハロゲン化物イオン、ポリハロゲン化物イオン、疑似ハロゲン化物イオン、硫化物イオン又は多硫化物イオンの飽和濃度までである請求項１に記載の電気化学的セル。
【請求項５】
ハロゲン化物イオン、ポリハロゲン化物イオン、疑似ハロゲン化物イオン、硫化物イオン又は多硫化物イオンの濃度が６Ｍ〜１０Ｍである請求項１に記載の電気化学的セル。
【請求項６】
ハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンが、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、アジド、チオシアネート及びシアン化物から選択される請求項１に記載の電気化学的セル。
【請求項７】
固体アルカリイオン伝導性膜が、ＮａＳＩＣＯＮ又はＮａＳＩＣＯＮ型材料のセラミック、ＬｉＳＩＣＯＮ又はＬｉＳＩＣＯＮ型材料のセラミック及びＫＳＩＣＯＮ又はＫＳＩＣＯＮ型材料のセラミックから選択される材料から成る請求項１に記載の電気化学的セル。
【請求項８】
電気化学的セルが溶融ナトリウム再充電型電池であり、電池が作動中アノードは伝導性電解質膜に接触する溶融ナトリウムから成り、アルカリイオン伝導性膜が、ＮａＳＩＣＯＮ型ナトリウムイオン伝導性膜であり、電池が作動温度１００℃〜１５０℃で機能する請求項１に記載の電気化学的セル。
【請求項９】
電池が作動温度１１０℃〜１３０℃で機能する請求項８に記載の電気化学的セル。
【請求項１０】
カソードがオキシ水酸化ニッケル及び水酸化ニッケルから成る請求項８に記載の電気化学的セル。
【請求項１１】
カソードが銅およびヨウ化銅から成り、陰極液がヨウ化ナトリウム又はナトリウムポリハロゲン化物から成る請求項８に記載の電気化学的セル。
【請求項１２】
カソードが硫黄および多硫化物から成り、陰極液が硫化ナトリウム又は多硫化ナトリウムから成る請求項８に記載の電気化学的セル。
【請求項１３】
電気化学的セルを準備し、電気化学的セルを作動させることから成る固体アルカリイオン伝導性膜を劣化から防ぐ方法であって、電気化学的セルは、アノードから成る負極室と、水性陰極液と接触するように配置され水性陰極液を保有するためのカソードから成る正極室と、負極室と正極室との間に配置される固体アルカリイオン伝導性膜とから成り、陰極液は３Ｍを超える濃度のハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンから成り、ハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンの存在によって、固体アルカリイオン伝導性膜の劣化を防ぐことを特徴とする固体アルカリイオン伝導性膜を劣化から防ぐ方法。
【請求項１４】
ハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンの濃度が６Ｍを超える請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンの濃度が、３Ｍから正極室の作動温度におけるハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンの飽和濃度までの間である請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
ハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンの濃度が３Ｍ〜１０Ｍである請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
ハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンが、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、アジド、チオシアネート及びシアン化物から選択される請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
固体アルカリイオン伝導性膜が、ＮａＳＩＣＯＮ又はＮａＳＩＣＯＮ型材料のセラミック、ＬｉＳＩＣＯＮ又はＬｉＳＩＣＯＮ型材料のセラミック及びＫＳＩＣＯＮ又はＫＳＩＣＯＮ型材料から選択される材料から成る請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
電気化学的セルが溶融ナトリウム再充電可能電池であって、アノードが、電池作動中に伝導性電解質膜に接する溶融ナトリウム金属から成り、アルカリイオン伝導性膜がＮａＳＩＣＯＮ型ナトリウムイオン伝導性膜から成り、電池が作動温度１００℃〜１５０℃の間で機能する請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
作動温度が１１０℃〜１３０℃で電池が機能する請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
カソードがオキシ水酸化ニッケル及び水酸化ニッケルから成る請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
負極、正極室およびナトリウムイオン伝導性電解質膜から成る溶融ナトリウム二次電池であって、負極は放電中に電気化学的に酸化してナトリウムイオンを放出し、充電中にナトリウムイオンをナトリウム金属に電気化学的に還元し、正極室中の正極は水性正極溶液中に配置され、水性正極溶液のハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンの濃度が３Ｍを超え、ナトリウムイオン伝導性電解質膜は液体正極溶液から負極を分離し、電池が作動中に負極は溶融し、伝導性電解質膜に接触しており、作動温度１００℃〜１５０℃で電池が機能することを特徴とする溶融ナトリウム二次電池。
【請求項２３】
ハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンの濃度が６Ｍを超える請求項２２に記載の溶融ナトリウム二次電池。
【請求項２４】
ハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンの濃度が、６Ｍと、ハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンの飽和濃度との間である請求項２２に記載の溶融ナトリウム二次電池。
【請求項２５】
ハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンの濃度が６Ｍ〜１０Ｍである請求項２２に記載の溶融ナトリウム二次電池。
【請求項２６】
ハロゲン化物イオン又は疑似ハロゲン化物イオンが、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、アジド、チオシアネート及びシアン化物から選択される請求項２２に記載の溶融ナトリウム二次電池。
【請求項２７】
ナトリウムイオン伝導性電解質膜が、セラミックＮａＳＩＣＯＮ又はＮａＳＩＣＯＮ型材料から選択される材料から成る請求項２２に記載の溶融ナトリウム二次電池。
【請求項２８】
電池が１１０℃〜１３０℃の作動温度で機能する請求項２２に記載の溶融ナトリウム二次電池。
【請求項２９】
正極が銅およびヨウ化銅から成る請求項２２に記載の溶融ナトリウム二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
これに限定されない他の実施態様において、陰極液はヨウ化ナトリウムから成る。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月23日(2016.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面および第２の面を有するガラス基板（１１０２、１４０２）であって、キャビティが前記ガラス基板中に画定される、ガラス基板と、
第１の金属棒および第２の金属棒および第３の金属棒を含む、前記キャビティ中の少なくとも３つの金属棒（１１２０、１４２０）であって、各金属棒の第１の端が前記ガラス基板の前記第１の面に近接し、各金属棒の第２の端が前記ガラス基板の前記第２の面に近接する、金属棒と、
前記第１の金属棒の前記第１の端と前記第２の金属棒の前記第１の端を接続する第１の金属配線と、前記第２の金属棒の前記第２の端と前記第３の金属棒の前記第２の端を接続する第２の金属配線とを含む、少なくとも２つの金属配線（１１２６、１４２６）と、
前記第１の面上の第１の誘電体層（１１０８、１４０８）と前記第２の面上の第２の誘電体層（１１１０、１４１０）とを含む、少なくとも２つの誘電体層とを含む、デバイス（１１００、１４００）。
【請求項２】
前記キャビティが前記第１の面から前記第２の面へと前記基板を通って延び、前記キャビティがさらに前記第１の誘電体層および前記第２の誘電体層中に画定される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第１の金属配線が前記第１の誘電体層と物理的に接触しており、前記第２の金属配線が前記第２の誘電体層と物理的に接触しており、前記第１の誘電体層が前記第１の金属配線を支持し、前記第２の誘電体層が前記第２の金属配線を支持する、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記金属棒の１つまたは複数が中空の金属棒である、請求項１から３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第１の金属棒と前記第２の金属棒の間、および前記第１の金属配線と前記第２の金属配線の間の、前記キャビティ中の磁気コア（１４１８）をさらに含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項６】
前記金属棒および前記金属配線が、インダクタの可変インダクタンスに対応するある程度の可塑性を有する前記インダクタを画定する、請求項１から５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記金属棒および前記金属配線が、トロイダル構成で構成された複数の金属巻線の少なくとも１つの巻線を画定して、インダクタを画定する、請求項１から６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記金属配線の１つまたは複数が先細りの形状を有し、前記先細りの形状が、前記トロイダル構成の外側部分に近接したより幅が広い部分と、前記トロイダル構成の内側部分に近接したより幅が狭い部分とを有する、請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記複数の金属巻線が、入力端子および出力端子を有する第１のコイルを画定する巻線の第１のセットを含む、請求項７または８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記複数の金属巻線がさらに、入力端子および出力端子を有する第２のコイルを画定する巻線の第２のセットを含み、前記第１のコイルおよび前記第２のコイルが変圧器を画定する、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第１のコイルの少なくとも一部分が前記第２のコイルの少なくとも一部分と重なり、
前記第１のコイルが前記トロイダル構成の第１の部分を形成し、前記第２のコイルが前記トロイダル構成の第２の部分を形成し、前記第１のコイルから離隔される、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
ガラス基板に少なくとも２つのビアを形成するステップ（１０２）であって、前記ガラス基板がフォトイメージング可能なガラスを含み、キャビティが形成されることになる前記ガラス基板の領域が前記少なくとも２つのビアを含む、ステップと、
前記ガラス基板を高温に曝露するステップ（１０６）と、
金属層を堆積するステップ（１０８）であって、前記金属層が、第１のビアおよび第２のビアを少なくとも部分的に埋め、前記第１のビアと前記第２のビアの金属を接続する配線を形成する、ステップと、
誘電体層を、前記ガラス基板の第１の側および第２の側に堆積するステップ（１１０）と、
前記ガラス基板の前記領域を紫外線に曝露するステップと、
前記紫外線に曝露された前記ガラス基板の前記領域を酸でエッチングして、前記キャビティを形成するステップとを含む、方法。
【請求項１３】
前記ガラス基板に前記少なくとも２つのビアを形成するステップが、
前記少なくとも２つのビアが形成されることになる前記ガラス基板の前記領域を前記紫外線に曝露するステップと、
前記ガラス基板を高温に曝露するステップと、
前記ガラス基板中の前記少なくとも２つのビアを前記酸でエッチングするステップとを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ガラス基板に前記少なくとも２つのビアを形成するステップが、サンドブラスト加工、レーザーアブレーション加工、超音波ドリル加工、および酸エッチング加工の少なくとも１つを含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属層を堆積するステップが、
物理気相堆積加工、化学気相堆積加工、蒸着加工、原子層堆積加工、および無電解メッキ加工の少なくとも１つによってシード層を堆積するステップと、
前記シード層に金属をメッキして前記金属層を形成するステップとを含む、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属層を堆積する前に、前記ガラス基板に誘電接着層を堆積するステップをさらに含み、前記金属層が前記誘電接着層に堆積される、請求項１２から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ガラス基板を高温に曝露するステップ（１２０６）の前に、前記ガラス基板中の前記少なくとも２つのビアの間にチャネルを形成するステップ（１２０２）と、
前記チャネルの一部分に第１のポリマー支持体を形成するステップ（１２０８）と、
磁気コアを前記チャネル中に形成するステップであって、前記磁気コアが前記第１のポリマー支持体上に配置される、ステップと、
第２のポリマー支持体を前記チャネル中に形成するステップであって、前記第２のポリマー支持体が前記磁気コア上に配置される、ステップとをさらに含む、請求項１２から１６のいずれか一項に記載の方法。