(57)【要約】  【課題】  緻密性の向上とともに、ブリスタ抑制が可能な導電性ペースト、およびこれを使用したセラミックス電子部品を提供すること。  【解決手段】  金属粉を導電成分とする導電性ペーストにおいて、前記金属粉が、鱗片状金属粉を含んでおり、該鱗片状金属粉が、結晶子径が200ｎｍ〜400ｎｍである金属粉を含んでいる導電性ペーストである。この導電性ペーストは、200ｎｍ以上である結晶子径の大きい金属粉を含有するので、化学的安定性が高く、焼結しにくいので、ペースト内のボイドが抜けやすくなり、ブリスタ抑制が可能となる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属粉を導電成分とする導電性ペーストにおいて、
前記金属粉は、鱗片状金属粉を含んでおり、
該鱗片状金属粉は、結晶子径が200ｎｍ〜400ｎｍである金属粉を含んでいる
導電性ペースト。
【請求項２】
前記鱗片状金属粉は、結晶子径が20ｎｍ〜100ｎｍである金属粉を含んでいる
請求項１記載の導電性ペースト。
【請求項３】
前記金属粉は、球状金属粉を含んでいる
請求項１又は２記載の導電性ペースト。
【請求項４】
前記球状金属粉は、結晶子径が100ｎｍ〜300ｎｍである
請求項１〜３のいずれかに記載の導電性ペースト。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の導電性ペーストを使用して外部電極を形成したセラミックス電子部品である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性ペーストおよびセラミックス電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンデンサ、インダクタ、フィルタ、又はアクチュエータ等のセラミックス電子部品の外部電極は、導電性ペーストの焼付けによって形成される。特許文献１において、その導電性ペーストは、球状金属粉と、鱗片状金属粉と、を有するものであった。特許文献１では、球状金属粉だけでなく、鱗片状金属粉を有するので、導電性ペーストの緻密性を向上させることができ、小型のセラミックス電子部品の外部電極に好適に利用されていた。通常、小型のセラミックス電子部品の外部電極は、そもそも外部電極の厚みが薄いことから、電子部品内部へのめっき液侵入が問題となりやすいが、このように外部電極を緻密化させれば、めっき液侵入を有効に防ぐことができるからである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１９７０３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の導電性ペーストは、鱗片状金属粉が含まれていたので、積層体に塗布された導電性ペーストは、密になっていた。従って、この導電性ペーストは緻密性が高くなるが、反面、このペーストを焼結させる際に、樹脂バインダの燃焼ガスが、導電性ペーストの外部に抜けにくくなっていた。よって、焼結し終わった外部電極には、ブリスタ（外部電極表面の膨れ）が発生しやすい、という問題点があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、金属粉を導電成分とする導電性ペーストにおいて、前記金属粉が、鱗片状金属粉を含んでおり、該鱗片状金属粉が、結晶子径が200ｎｍ〜400ｎｍである金属粉を含んでいる導電性ペーストである。
【０００６】
本発明は、上述の導電性ペーストを使用して外部電極を形成したセラミックス電子部品である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の導電性ペーストによれば、200ｎｍ以上である結晶子径の大きい金属粉を含有
するので、化学的安定性が高くなって焼結しにくくなり、焼結が遅くなる。よって、焼結時にペースト内からボイドが抜けやすくなるので、このペーストを使用して外部電極を形成する際、緻密性が良好であり、かつ、ブリスタの抑制を可能とすることができる。
【０００８】
本発明のセラミックス電子部品によれば、ブリスタが抑制された外部電極を有することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
導電性ペースト中の金属粉として鱗片状金属粉を含むものは、焼結後の緻密性が高くなるので、小型の電子部品における厚みの薄い（膜厚：約５〜２５μｍ）外部電極の形成に好適に使用される。半面、そのような導電性ペーストを使用すると、ペーストの密度が密となることから、焼付け時に樹脂バインダの燃焼ガスが導電性ペーストの外部に抜けにく
くなり、ブリスタが生じやすくなっていた。
【００１０】
本発明は、そのような導電性ペーストであっても、鱗片状金属粉を特定の結晶子径に設定することにより、焼き付けにより外部電極を作製する際に、ブリスタの発生を抑制できる、という知見に基づく。
【００１１】
本発明の導電性ペーストは、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、又はアクチュエータ等のセラミックス電子部品の外部電極の形成に用いられるものである。
【００１２】
以下に、本発明に係る、セラミックス電子部品用の導電性ペーストの実施形態を説明する。
【００１３】
本明細書において結晶子径とは、金属粉末のＸ線回折測定において、１１１反射のピーク（２θ：約３８．１°付近のピーク）の半値幅から下式（Scherrerの式）によって計算される値である。
【００１４】
Ｄ＝Ｋ・λ／βｃｏｓθ
但し、Ｄ：結晶子径
λ：測定Ｘ線波長
β：半値幅（ラジアン）
θ：回折角
Ｋ：Scherrer定数（０．９）
本発明で規定される結晶子径は、λ（測定Ｘ線波長）として、ＣｕＫα＝１．５４０５６Åを用いた場合の値である。結晶子径の測定装置については特に限定されず、市販の装置を用いることができる。本願においては、測定装置によって結晶子径に有意差が生じる場合には、マックサイエンス社製、Ｘ線回折装置、ＭＸＰ１８ＶＡＨＦで測定された値を採用する。
【００１５】
本発明において、金属粉は、鱗片状金属粉を含み、その鱗片状金属粉は、結晶子径が200ｎｍ〜400ｎｍである金属粉を含んでいる。結晶子径が200ｎｍ以上であれば、化学的安
定性が高く焼結しにくくなるので、焼結時に導電性ペースト内からボイドが抜けやすくなる。よって、このペーストを使用して外部電極を形成する際、ブリスタの抑制を可能とすることができる。また、結晶子径が400ｎｍ以下であれば、焼結しにくくなり過ぎること
を抑制できる。よって、焼結を完全に終わらせることが容易となり、外部電極の緻密性を向上させることができる。以上のように、本発明の導電性ペーストによれば、ブリスタが有効に抑制でき、かつ、緻密性が良好な外部電極を形成することができる。
【００１６】
また、鱗片状金属粉は、結晶子径が200ｎｍ〜400ｎｍである金属粉を含むことに加えて、結晶子径が20ｎｍ〜100ｎｍである金属粉を含んでいることが好ましい。結晶子径が20
ｎｍ以上であれば、化学的安定性が低くなり過ぎることを抑制し、ブリスタ抑制の効果が低下するのを防ぐことができる。また、結晶子径が100ｎｍ以下であれば、化学的安定性
が適度に低くなり焼結を完全に終わらせることが容易となり、外部電極の緻密性を向上させることができる。これにより、外部電極にめっきを施す際に、外部電極中にめっき液が侵入することを防ぐことができる。よって、めっき液が外部電極中から内部電極を伝ってセラミックス電子部品の内部に侵入することを防げるので、電子部品の絶縁性の低下を防ぐことができる。従って、小型のセラミックス電子部品の外部電極であって、厚みが薄い（膜厚：約５〜２５μｍ）ものであっても、めっき液侵入を有効に抑制することができる。また、外部電極の緻密性を向上させることにより、外部電極内部の空孔を減らせるので、外部電極を他の端子に半田付けする際、空孔の内部の空気が膨張して突沸（爆ぜ）する可能性を抑制できる。
【００１７】
また、金属粉は、球状金属粉を含んでいることが好ましい。これにより、導電性ペーストを焼結させて形成する外部電極の膜厚が非常に薄い場合（膜厚：５〜２５μｍ）であっても、その膜厚を容易に制御することができる。ここで、膜厚制御が容易であるとは、所定の膜厚で導電性ペーストを塗布して焼結させた際、得られた外部電極の膜厚のバラつきが小さい、ということである。
【００１８】
さらに、その球状金属粉は、結晶子径が100ｎｍ〜300ｎｍであることが好ましい。当該範囲による効果は、上述の結晶子径が200ｎｍ〜400ｎｍである鱗片状金属粉と同様である。
【００１９】
また、金属粉の合計量を100ｗｔ％としたとき、結晶子径が200ｎｍ〜400ｎｍである鱗
片状金属粉は、2.5〜22.5ｗｔ％であり、結晶子径が20ｎｍ〜100ｎｍである鱗片状金属粉は、2.5〜22.5ｗｔ％であり、結晶子径が100ｎｍ〜300ｎｍである球状金属粉は、65〜85
ｗｔ％であることが好ましい。
【００２０】
金属粉は、その特徴に応じて、種々の方法により多種類の粒子が作製される。金属粉の生成方法は大別して、機械的方法による場合と物理化学的方法による場合とに分けられる。機械的方法には機械粉砕法、溶融粉化法、噴霧法、衝撃法などがあり、物理化学的方法としては、還元法、電解法などがある。
【００２１】
本発明に適用される金属粉には、Ｃｕ、Ｎｉ等又それらの合金などの卑金属が用いられるが、本発明では特にＣｕが好適である。Ｃｕは卑金属の中でも比較的軟度の高い金属であり、展延性に優れている。また、Ｃｕは卑金属の中で最も導電性が高い金属でもある。Ｃｕの球状金属粉は、噴霧法及び衝撃法により作製される。また、結晶子径が20ｎｍ〜100ｎｍである鱗片状金属粉は、球状金属粉から機械的方法により作製される。また、結晶
子径が200ｎｍ〜400ｎｍである鱗片状金属粉は、湿式還元法により作製される。
【００２２】
また、本発明はＡｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ等及びそれらの合金などの貴金属も適用され、例えばＡｇが好適である。Ａｇは化学的安全性と安定性に優れた金属で、Ａｕに次いで高い展延性を有する。Ａｇの球状金属粉は、噴霧法及び衝撃法により作製される。また、結晶子径が20ｎｍ〜100ｎｍである鱗片状金属粉は、球状金属粉から機械的方
法により作製される。また、結晶子径が200ｎｍ〜400ｎｍである鱗片状金属粉は、湿式還元法により作製される。
【００２３】
本発明では、球状金属粉の粒径は０．５〜３μｍの範囲で使用されることが好ましい。粒径を０．５μｍ以上とすれば、外部電極の膜厚の制御が容易となり、３μｍ以下とすれば電極膜の膜厚を小さくできる。
【００２４】
また、球状金属粉を押し潰して製造される鱗片状金属粉は、膜厚が０．０５〜０．３μｍの範囲で使用されることが好ましい。膜厚を０．０５μｍ以上とすれば、導電性ペーストが密になり過ぎることを抑制でき、また、ペースト内で凝集することを防ぐことができる。また、膜厚を０．３μｍ以下とすれば導電性ペーストの緻密性を向上させることができる。また、鱗片状金属粉の扁平長は１〜２０μｍのものが本発明には好ましい。
【００２５】
本発明の導電性ペーストは主成分である金属粉にガラス粉末が混合され、分散、均一性を得るために有機溶剤が用いられる。例えば、この有機溶剤として、アルコール、アセトン、プロパノール、エーテル、石油エーテル、ベンゼン、酢酸エチル、その他の石油溶剤、ターピネオール、ジヒドロターピネオール、ブチルカルビトール、セロソルブ類、芳香族類、ジエチルフタレート等が使用される。また、場合によっては分散剤、活性剤、その
他の助剤を加えることもある。
【００２６】
また、本発明の導電性ペーストは、適度の粘性を調整する為に、有機樹脂が添加される。この有機樹脂としては、例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース、ブチラール、アクリルコパイバルサム、ダンマーなどが使用できる。
【００２７】
有機溶剤と有機樹脂の添加量は、導電性ペーストを形成した時に、金属粉とガラス粉末の一様分散性と、所望のペーストの粘性の程度に依存する。例えば、粘性の高い溶液状ペーストを作製する際には、相対的に有機樹脂を少なくして粘性を調整する。
【００２８】
導電性ペーストには、前述したように、ガラス粉末が混入される。ガラス粉末の粒径は０．５〜５μｍの範囲が、セラミックスへの接着性の観点から好ましい。また、金属粉の合計量を１００ｗｔ％としたとき、ガラス粉末の添加量は５〜１５ｗｔ％である。５ｗｔ％以上とすれば、セラミックスへの接着性を向上させることができ、１５ｗｔ％とすれば、外部電極の導通性を向上させ、かつ、外部電極表面にガラス粒子が析出することを抑制できる。使用されるガラス粉末の主成分は、Ｚｎ，Ｂａ，Ｚｒ，Ｂ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｔｉなどで、これら成分の結晶体又は非結晶体が用いられる。
【００２９】
本発明のセラミックス電子部品は、上述した導電性ペーストを使用して外部電極が形成される。上述した導電性ペーストを使用することにより、緻密性が良好となり、かつ、ブリスタの抑制が可能である外部電極を有するセラミックス電子部品を提供することができる。
【００３０】
セラミックス電子部品の種類としては、コンデンサ、インダクタ、フィルタ、又はアクチュエータ等が挙げられる。
【００３１】
例えば、コンデンサは、基本的な構成として、積層体と、内部電極と、外部電極とを具備している。
【００３２】
積層体は、複数の誘電体層が積層されて成る。この積層体は、１層当たり例えば１〜５μｍの厚みに形成された矩形状の複数の誘電体層を、例えば20〜2000層積層して成る直方体状の誘電体ブロックである。
【００３３】
また、積層体の寸法は、積層体の長辺の長さを、例えば0.4〜3.2ｍｍとし、積層体の短辺の長さを、例えば0.2〜1.6ｍｍとする。誘電体層の材料としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３またはＣａＺｒＯ３等が挙げられる。なお、他の例としては、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３またはＣａＺｒＯ３などを主成分とし、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物等が添加されたものであってもよい。
【００３４】
内部電極は、一方の外部電極に接続される内部電極と、他方の外部電極に接続される内部電極とが、積層方向に沿うように誘電体層を介して交互に配置されている。
【００３５】
内部電極は、積層体の誘電体層間に20〜2000層形成されている。この内部電極の材料としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ等の金属、またはこれらの金属の一種以上を含む、Ａｇ−Ｐｄ合金などの合金などが挙げられる。全ての内部電極は、同一の金属または合金により形成されていることが好ましい。
【００３６】
内部電極の全体の寸法は、積層体の長辺方向に例えば0.39〜3.1ｍｍであり、積層体の
短辺方向に例えば0.19〜1.5ｍｍである。内部電極の厚さは、特に限定されない。内部電
極の厚さは、例えば、0.3〜２μｍ程度であってもよい。
【００３７】
外部電極は、積層体の両端部に１つずつ設けられる。外部電極は、内部電極にそれぞれ接続される。外部電極は、厚みが５〜25μｍ程度で形成されている。外部電極は、配線基板上の電極パッドに電気的に接続されて、配線基板との電気的な導通を確保する役割を果たす。
【００３８】
外部電極の表面には、外部電極の保護、及び実装性の向上等のために、例えば、Ｎｉめっき膜やＳｎめっき膜などの１または複数のめっき膜が形成されていることが好ましい。例えば、外部電極の表面に、Ｎｉめっき膜とＳｎめっき膜との積層体を形成してもよい。
【００３９】
外部電極を配線基板に接合する方法は、特に限定されない。例えば、Ｓｎ−Ｓｂ系高温半田などの高温半田、Ｓｂ−Ｐｂ共晶半田、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系Ｐｂフリー半田、Ｓｎ−Ｃｕ系Ｐｂフリー半田、導電性微粒子を含む樹脂などの適宜の接合部材を用いて外部電極と配線基板とを接合することができる。
【００４０】
以上のような構成のコンデンサは、以下に示すようなセラミックグリーンシート積層法によって作製される。
【００４１】
具体的には、誘電体層となる複数のグリーンシートを用意する。この工程において、セラミックグリーンシートは、セラミック原料粉末と有機バインダに適当な有機溶剤等を添加し混合することによって泥漿状のセラミックスラリーを作製し、これをドクターブレード法等によって成形することによって得られる。
【００４２】
次に、グリーンシート上に、内部電極を形成する。この工程においては、得られたセラミックグリーンシートにスクリーン印刷法等によって、内部電極のパターンとなる導体材料を形成する。なお、１枚のグリーンシートから多数個のコンデンサが得られるように、この１枚のグリーンシートに複数の内部電極のパターンを印刷する。
【００４３】
次に、複数のセラミックグリーンシートを積層しかつプレスした後に、多数個分が一体となった生の積層体を作製する。この積層体をカットして、単体分の積層体として、コンデンサ本体の生の状態のものを得る。
【００４４】
次に、生の状態のコンデンサ本体を焼成して積層体を得る。この工程においては、例えば800〜1050℃で焼成することによって積層体を得る。この工程によって、グリーンシー
トは誘電体層となり、導体材料は、内部電極となる。
【００４５】
次に、前述した本発明の導電性ペーストを積層体の両端部に塗布し、600〜750℃程度で焼き付けることにより外部電極を形成する。
【００４６】
このようにして得られる外部電極の材料は、前述したように、銅以外に銀，ニッケル，パラジウムまたはこれらの合金等の金属材料であってもよい。
【００４７】
次に、得られた外部電極の表面に、必要に応じてニッケル（Ｎｉ）メッキ層，金（Ａｕ）メッキ層，スズ（Ｓｎ）メッキ層あるいは半田メッキ層等のメッキ層を形成して、コンデンサを得る。
【実施例】
【００４８】
（実施例１）
結晶子径が150〜450ｎｍである鱗片状金属粉のみを使用し、この金属粉１００ｗｔ％に
対して、ガラス粉５ｗｔ％を添加して有機溶剤と有機樹脂でペースト化し、一様になるまで混合攪拌して導電性ペーストを調製した。
【００４９】
上記導電性ペーストを外部電極用ペーストとして使用する。即ち、内部電極を形成した積層セラミックス中間部品の側面に塗着して、外部電極を形成した。この中間部品を、Ｎ２雰囲気中、９００℃の焼成温度で焼成し、セラミックスコンデンサを作製した。これにより、試料１〜７のセラミックスコンデンサをそれぞれ100個作製した。
【００５０】
そして、各試料のコンデンサそれぞれ100個につき、ブリスタ抑制の効果、外部電極の
緻密性を評価した。その結果として、○・△・×（良・可・不可）の判定を、表１に示す。なお、ブリスタ抑制の効果についてのみ、◎・○・△・×（優・良・可・不可）で判定した。
【００５１】
なお、外部電極の緻密性については、外部電極中のボイド率が、５％より小さければ、判定は「○」であるとする。また、ボイド率が、５％〜２０％であれば、判定は「△」であるとする。また、ボイド率が、２０％より大きければ、判定は「×」であるとする。また、ボイド率とは、外部電極の断面における全断面積に対するボイドの占める面積比率である。具体的な測定方法としては、まず、コンデンサの積層方向に平行な断面が露出するように、外部電極を公知の研磨手段を用いて研磨した。この研磨手段は、研磨機ＫＥＭＥＴ−Ｖ−３００を用いたダイヤモンドペーストによる研磨であった。この研磨処理により露出した断面を、100倍の倍率に調節した金属顕微鏡で観察して断面画像を得、この断面
画像を画像処理することによって金属層のボイド率を測定した。具体的には、前述の手段で得た画像において、空隙部分を黒色に塗りつぶし、空隙以外の部分を白色に塗りつぶし、黒色部分の比率、即ち、（黒色部分の面積）／（黒色部分の面積＋白色部分の面積）を求め、百分率で表すことによりボイド率を算出した。
【００５２】
なお、ブリスタ抑制の効果については、外部電極表面の膨れの数が、５個以下であれば、判定は「◎」であるとする。また、膨れの数が、６個〜１０個であれば、判定は「○」であるとする。また、膨れの数が、１１個〜１５個であれば、判定は「△」であるとする。また、膨れの数が、１６個以上であれば、判定は「×」であるとする。膨れの数の算定は、100倍の倍率に調節した金属顕微鏡を用いて行った。なお、算定にあたっては、直径
５μｍ以上の隆起を、膨れとみなすこととした。
【００５３】
【表１】
2013131459.tif 000002
【００５４】
結果、表1において、鱗片状金属粉の結晶子径が200ｎｍ〜400ｎｍである試料２〜６に
おいては、ブリスタ抑制が「○」であり、かつ、緻密性が「△」であった。
【００５５】
一方、鱗片状金属粉の結晶子径が200ｎｍより小さい試料１では、ブリスタ抑制が困難
だった。これは、鱗片状金属粉の結晶子径が小さ過ぎ、焼結が早く進んでしまったからである。
【００５６】
また、鱗片状金属粉の結晶子径が400ｎｍより大きい試料７は、ブリスタ抑制は良好で
あったが、緻密性が低かった。これは、鱗片状金属粉の結晶子径が大き過ぎ、焼結が終わるのが遅すぎたためである。
【００５７】
（実施例２）
結晶子径が10〜110ｎｍである鱗片状金属粉を50ｗｔ％、結晶子径が300ｎｍである鱗片状金属粉を50ｗｔ％として、合計の配合量が100ｗｔ％となるように、それぞれの金属粉
を適宜調整した。この混合金属粉１００ｗｔ％に対して、ガラス粉５ｗｔ％を添加して有機溶剤と有機樹脂でペースト化し、一様になるまで混合攪拌して導電性ペーストを調製した。
【００５８】
そして、実施例１と同様に、試料８〜１８のセラミックスコンデンサをそれぞれ100個
作製し、ブリスタ抑制の効果、外部電極の緻密性を評価した。その評価結果を、表２に示す。なお、評価のための測定方法は、実施例１と同様であるとする。
【００５９】
【表２】
2013131459.tif 000003
【００６０】
結果、表２において、結晶子径が20〜100ｎｍである鱗片状金属粉を含んでいる試料９
〜１７においては、試料２〜６と比較して、ブリスタ抑制の効果の判定は「○」のままであり、かつ、緻密性が「△」から「○」に向上した。
【００６１】
一方、結晶子径が20ｎｍより小さい鱗片状金属粉を含んでいる試料８では、焼結が早く進んでしまい、ブリスタ抑制の効果が下がった。また、結晶子径が100ｎｍより大きい金
属粉を含む試料１８では、焼結の進行が遅くなったことから、緻密性の向上は見られなかった。
【００６２】
（実施例３）
結晶子径が50ｎｍである鱗片状金属粉を12.5ｗｔ％、結晶子径が300ｎｍである鱗片状
金属粉を75ｗｔ％、結晶子径が50〜350ｎｍである球状金属粉を12.5ｗｔ％として、合計
の配合量が100ｗｔ％となるように、それぞれの金属粉を適宜調整した。この混合金属粉
１００ｗｔ％に対して、ガラス粉５ｗｔ％を添加して有機溶剤と有機樹脂でペースト化し、一様になるまで混合攪拌して導電性ペーストを調製した。
【００６３】
そして、実施例１と同様に、試料１９〜２５のセラミックスコンデンサをそれぞれ100
個作製し、ブリスタ抑制の効果、外部電極の緻密性を評価した。その評価結果を、表３に示す。なお、評価のための測定方法は、実施例１と同様であるとする。
【００６４】
【表３】
2013131459.tif 000004
【００６５】
結果、表３において、結晶子径が100〜300ｎｍである球状金属粉を含む試料２０〜２４においては、試料９〜１７と比較して、緻密性の判定は「○」のままであり、かつ、ブリスタ抑制が「○」から「◎」に向上した。
【００６６】
一方、結晶子径が100ｎｍより小さい球状金属粉を含む試料１９では、焼結が早く進ん
でしまい、ブリスタ抑制の効果の向上は見られなかった。また、結晶子径が300ｎｍより
大きい球状金属粉を含む試料２５では、焼結が遅れるため緻密性が下がった。
【００６７】
（実施例４）
結晶子径が310ｎｍである鱗片状金属粉を、０〜100ｗｔ％、結晶子径が52ｎｍである鱗片状金属粉を、０〜100ｗｔ％、結晶子径が140ｎｍである球状金属粉を、０〜100ｗｔ％
として、合計の配合量が100ｗｔ％となるように、それぞれの金属粉を適宜調整した。こ
の混合金属粉１００ｗｔ％に対して、ガラス粉５ｗｔ％を添加して有機溶剤と有機樹脂でペースト化し、一様になるまで混合攪拌して導電性ペーストを調製した。
【００６８】
そして、実施例１と同様に、試料２６〜３６のセラミックスコンデンサをそれぞれ100
個作製し、各試料のコンデンサそれぞれ100個につき、ブリスタ抑制の効果、外部電極の
緻密性、膜厚制御の容易性を評価した。その評価結果を、表４に示す。なお、ブリスタ抑制の効果、外部電極の緻密性の評価のための測定方法は、実施例１と同様であるとする。
【００６９】
また、膜厚制御の容易性は、10μｍの膜厚で塗布した導電性ペーストを焼結させ、得ら
れた100個のコンデンサのうち、外部電極の膜厚の最大値と最小値との差が、５μｍより
小さければ、判定は「○」であるとする。また、誤差が、５μｍ〜２０μｍであれば、判定は「△」であるとする。また、誤差が、２０μｍより大きければ、判定は「×」であるとする。また、膜厚の測定は、上述したのと同様の研磨手段で研磨を行うことによって、外部電極の断面を露出させ、当該断面を100倍の倍率に調節した金属顕微鏡で観察するこ
とによって行った。
【００７０】
【表４】
2013131459.tif 000005
【００７１】
結果、表４において、球状金属粉が65ｗｔ％以上であり、結晶子径が310ｎｍである鱗
片状金属粉が2.5ｗｔ％以上であり、結晶子径が52ｎｍである鱗片状金属粉が2.5ｗｔ％以上である試料２９〜３５では、外部電極形成時の膜厚制御が「○」であり、かつ、ブリスタの抑制に「×」はなく、かつ、外部電極の緻密性にも「×」がなかった。
【００７２】
一方、球状金属粉が65ｗｔ％より小さい試料２６、２７では、外部電極の膜厚制御が困難であり、試料２８では、外部電極の膜厚制御がやや困難だった。これは、球状金属粉が少なく、焼結後の膜厚がバラつきやすくなるからである。
【００７３】
また、結晶子径が310ｎｍである鱗片状金属粉が2.5ｗｔ％より小さい試料２６、３６では、ブリスタ抑制が困難だった。これは、焼結が早く進み過ぎてしまったからである。
【００７４】
また、結晶子径が52ｎｍである鱗片状金属粉が2.5ｗｔ％より小さい試料２７、３６で
は、緻密性が低かった。これは、焼結が終わるのが遅くなったため、焼結が不十分だったからである。