【手続補正書】
【提出日】平成28年7月12日(2016.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光活性領域を含む光起電力素子であって、前記光活性領域が、
少なくとも１つのｎ型層を含むｎ型領域と、
少なくとも１つのｐ型層を含むｐ型領域と、前記ｎ型領域と前記ｐ型領域との間に配置された、
厚さが１０nｍから１００μmまでであり、n型領域またはｐ型領域とプレーナ・ヘテロ接合を形成する、開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層と
を含む、光起電力素子。
【請求項２】
前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層の厚さが、１００ｎｍから１００μｍまでである、請求項１に記載の光起電力素子。
【請求項３】
前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層の前記厚さが、１００ｎｍから７００ｎｍまでである、請求項１又は２に記載の光起電力素子。
【請求項４】
前記ペロブスカイト半導体が、三次元結晶構造を有する、請求項１から３までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項５】
前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層が、前記ペロブスカイト半導体からなる層である、請求項１から４までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項６】
前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層の厚さが、１００ｎｍから１００μｍまでである、請求項５に記載の光起電力素子。
【請求項７】
前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層の厚さが、１００ｎｍから７００ｎｍまでである、請求項５に記載の光起電力素子。
【請求項８】
前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層が、前記ｎ型領域及び前記ｐ型領域と接触する、請求項１から７までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項９】
前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層が、前記ｎ型領域と第１のプレーナ・ヘテロ接合を及び前記ｐ型領域と第２のプレーナ・ヘテロ接合を形成する、請求項１から８までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項１０】
前記光活性領域が、
前記ｎ型領域と、
前記ｐ型領域と、前記ｎ型領域と前記ｐ型領域との間に配置された、
（ｉ）多孔性材料及び多孔性材料の気孔内に配置されるペロブスカイト半導体を含む第１の層と、
（ｉｉ）前記第１の層の上に配置されたキャッピング層であって、前記キャッピング層が開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層である、キャッピング層と、
を含み、
前記キャッピング層中の前記ペロブスカイト半導体が、前記第１の層中の前記ペロブスカイト半導体と接触する、
請求項１から７までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項１１】
前記多孔性材料がメソポーラスである、請求項１０に記載の光起電力素子。
【請求項１２】
前記多孔性材料が、誘電性材料である、請求項１０又は１１に記載の光起電力素子。
【請求項１３】
前記多孔性材料が、電荷輸送材料である、請求項１０又は１１に記載の光起電力素子。
【請求項１４】
前記第１の層中の前記ペロブスカイト半導体が、前記ｐ型領域及び前記ｎ型領域のうちの一方と接触し、前記キャッピング層中の前記ペロブスカイト半導体が、前記ｐ型領域及び前記ｎ型領域のうちの他方と接触する、請求項１０から１３までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項１５】
前記キャッピング層中の前記ペロブスカイト半導体が、前記ｐ型領域又は前記ｎ型領域とプレーナ・ヘテロ接合を形成する、請求項１０から１４までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項１６】
前記キャッピング層の厚さが、前記第１の層の厚さよりも厚い、請求項１０から１５までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項１７】
前記キャッピング層の前記厚さが、１００ｎｍから７００ｎｍまでである、請求項１０から１６までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項１８】
前記第１の層の前記厚さが、５ｎｍから１０００ｎｍまで、好ましくは３０ｎｍから２００ｎｍまでである、請求項１０から１７までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項１９】
前記ｎ型領域がｎ型層である、請求項１から１８までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項２０】
前記ｎ型領域が、ｎ型層及びｎ型エキシトン・ブロッキング層を含む、請求項１から１８までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項２１】
前記ｎ型エキシトン・ブロッキング層が、前記ｎ型層と前記ペロブスカイト半導体を含む前記層との間に配置される、請求項２０に記載の光起電力素子。
【請求項２２】
前記ｐ型領域がｐ型層である、請求項１から２１までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項２３】
前記ｐ型領域が、ｐ型層及びｐ型エキシトン・ブロッキング層を含む、請求項１から２１までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項２４】
前記ｐ型エキシトン・ブロッキング層が、前記ｐ型層と前記ペロブスカイト半導体を含む前記層との間に配置される、請求項２３に記載の光起電力素子。
【請求項２５】
前記ペロブスカイト半導体が、３．０ｅＶ以下のバンド・ギャップを有する、請求項１から２４までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項２６】
前記ペロブスカイトが、ハロゲン化物アニオン又はカルコゲナイドアニオンから選択される少なくとも１つのアニオンを含む、請求項１から２５までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項２７】
前記ペロブスカイトが、第１のカチオン、第２のカチオン、及び前記少なくとも１つのアニオンを含む、請求項２６に記載の光起電力素子。
【請求項２８】
前記第２のカチオンが、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋及びＣｕ２＋から選択される金属カチオンであり、好ましくは前記金属カチオンが、Ｓｎ２＋及びＰｂ２＋から選択される、請求項２６又は２７に記載の光起電力素子。
【請求項２９】
前記第１のカチオンが、有機カチオンである、請求項２７又は２８に記載の光起電力素子。
【請求項３０】
前記有機カチオンが、化学式（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ）＋を有し、
Ｒ１が、水素、非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、
Ｒ２が、水素、非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、
Ｒ３が、水素、非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、及び
Ｒ４が、水素、非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールである、
請求項２９に記載の光起電力素子。
【請求項３１】
前記有機カチオンが、化学式（Ｒ５Ｒ６Ｎ＝ＣＨ−ＮＲ７Ｒ８）＋を有し、Ｒ５が、水素、非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、Ｒ６が、水素、非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、Ｒ７が、水素、非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、及びＲ８が、水素、非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールである、請求項２９に記載の光起電力素子。
【請求項３２】
前記ペロブスカイトが、ハロゲン化物アニオン及びカルコゲナイドアニオンから選択される２つ以上の異なるアニオンを含む混合型アニオンペロブスカイトである、請求項２６から３１までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項３３】
前記ペロブスカイトが、混合型ハロゲン化物ペロブスカイトであり、前記２つ以上の異なるアニオンが、２つ以上の異なるハロゲン化物アニオンである、請求項３２に記載の光起電力素子。
【請求項３４】
前記多孔性材料が、４．０ｅＶ以上のバンド・ギャップを有する誘電性材料である、請求項１０から３３までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項３５】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された、前記光活性領域とを含む、請求項１から３４までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項３６】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された、前記光活性領域とを含み、
前記第２の電極が、前記光活性領域の前記ｎ型領域と接触し、前記第１の電極が、前記光活性領域の前記ｐ型領域と接触し、
前記第１の電極が、透明又は半透明の電気的導電性材料を含み、
前記第２の電極が、金属を含み、任意選択で、前記金属が、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム又は白金から選択される、
請求項１から３５までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項３７】
タンデム接合又は多接合光起電力素子であり、前記素子が、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された、
前記光活性領域と、
少なくとも１つの別の光活性領域と
を含む、請求項１から３６までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
【請求項３８】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された、
前記光活性領域と、
少なくとも１つの別の光活性領域と
を含み、
前記少なくとも１つの別の光活性領域が、半導体材料の少なくとも１つの層を含む、
請求項３７に記載の光起電力素子。
【請求項３９】
前記半導体材料が、結晶シリコン、銅亜鉛スズ硫化物、銅亜鉛スズセレン化物、銅亜鉛スズセレン化硫化物、銅インジウムガリウムセレン化物、銅インジウムガリウム二セレン化物又は銅インジウムセレン化物の層を含む、請求項３８に記載の光起電力素子。
【請求項４０】
下記の領域を下記の順番で、
Ｉ．第１の電極と、
ＩＩ．請求項１から３４までのいずれか一項において規定した第１の光活性領域と、
ＩＩＩ．ｐ型半導体の層（Ａ）と、
ＩＶ．真性半導体の第１の層と、
Ｖ．ｐ型半導体の層（Ｂ）又はｎ型半導体の層（Ｂ）と、
ＶＩ．真性半導体の第２の層と、
ＶＩＩ．ｎ型半導体の層（Ｃ）と、
ＶＩＩＩ．第２の電極と、
を含む、請求項３８又は３９に記載の光起電力素子。
【請求項４１】
下記の領域を下記の順番で、
Ｉ．第１の電極と、
ＩＩ．請求項１から３４までのいずれか一項において規定した第１の光活性領域と、
ＩＩＩ．透明導電性酸化物の層と、
ＩＶ．ｎ型半導体の層（Ｄ）と、
Ｖ．銅亜鉛スズ硫化物、銅亜鉛スズセレン化物、銅亜鉛スズセレン化硫化物、銅インジウムガリウムセレン化物、銅インジウムガリウム二セレン化物又は銅インジウムセレン化物の層と、
ＶＩ．第２の電極と、
を含む、請求項３８又は３９に記載の光起電力素子。
【請求項４２】
光活性領域を含む光起電力素子を製造するためのプロセスであって、前記光活性領域が、
少なくとも１つのｎ型層を含むｎ型領域と、
少なくとも１つのｐ型層を含むｐ型領域と、前記ｎ型領域と前記ｐ型領域との間に配置された、
厚さが１０nｍから１００μmまでであり、n型領域またはｐ型領域とプレーナ・ヘテロ接合を形成する、開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層と、
を含み、前記プロセスが、
（ａ）第１の領域を設けるステップと、
（ｂ）前記第１の領域の上に第２の領域を配置するステップであって、前記第２の領域が、前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層を含む、配置するステップと、
（ｃ）前記第２の領域の上に第３の領域を配置するステップと、
を含み、
前記第１の領域が、少なくとも１つのｎ型層を含む前記ｎ型領域であり、及び前記第３の領域が、少なくとも１つのｐ型層を含む前記ｐ型領域である、又は
前記第１の領域が、少なくとも１つのｐ型層を含む前記ｐ型領域であり、及び前記第３の領域が、少なくとも１つのｎ型層を含む前記ｎ型領域である、
プロセス。
【請求項４３】
前記第１の領域の上に前記第２の領域を配置する前記ステップ（ｂ）が、
気相堆積によって前記第１の領域の上に前記ペロブスカイトの固体層を生成するサブステップ、
を含む、請求項４２に記載のプロセス。
【請求項４４】
気相堆積によって前記第１の領域の上に前記ペロブスカイトの固体層を生成する前記ステップが、
（ｉ）蒸気に前記第１の領域を曝すサブステップであって、前記蒸気が、前記ペロブスカイト又は前記ペロブスカイトを生成するための１つ若しくは複数の反応物質を含む、曝すサブステップと、
（ｉｉ）前記第１の領域の上に前記ペロブスカイトの固体層を生成するために、前記第１の領域上への前記蒸気の堆積を可能にするサブステップと、
を含む、請求項４３に記載のプロセス。
【請求項４５】
前記気相堆積は、ペロブスカイトの前記固体層が１００ｎｍから１００μｍまで、好ましくは、１００ｎｍから７００ｎｍまでの厚さを有するまで続けることが可能である、請求項４３又は４４に記載のプロセス。
【請求項４６】
前記ペロブスカイトを蒸発させること又は前記ペロブスカイトを生成するための１つ若しくは複数の反応物質を蒸発させることによって前記蒸気を生成するステップをさらに含む、請求項４２又は４５に記載のプロセス。
【請求項４７】
前記第１の領域の上に前記第２の領域を配置する前記ステップ（ｂ）が、
気相堆積によって前記ペロブスカイトの固体層を生成するサブステップであって、前記気相堆積が、デュアル・ソース気相堆積である、生成するサブステップ、
を含む、請求項４２から４６までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項４８】
（ｉ）蒸気に前記第１の領域を曝すステップであって、前記蒸気が、前記ペロブスカイトを生成するための２つの反応物質を含む、曝すステップと、
（ｉｉ）前記第１の領域の上に前記ペロブスカイトの固体層を生成するために、前記第１の領域上への前記蒸気の堆積を可能にするステップと、
を含み、
（ｉ）が、第１のソースから第１の反応物質を蒸発させること及び第２のソースから第２の反応物質を蒸発させることによって前記ペロブスカイトを生成するための２つの反応物質を含む前記蒸気を生成するサブステップをさらに含む、
請求項４２から４７までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項４９】
前記第１の反応物質が、（ｉ）金属カチオン及び（ｉｉ）第１のアニオンを含む第１の化合物を含み、並びに、前記第２の反応物質が、（ｉ）有機カチオン及び（ｉｉ）第２のアニオンを含む第２の化合物を含む、請求項４８に記載のプロセス。
【請求項５０】
前記有機カチオンが、化学式（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｎ）＋を有し、
Ｒ１が、水素、又は非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、
Ｒ２が、水素、又は非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、
Ｒ３が、水素、又は非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、及び
Ｒ４が、水素、又は非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールである、
請求項４９に記載のプロセス。
【請求項５１】
前記第１のアニオン及び前記第２のアニオンが、ハロゲン化物イオン又はカルコゲナイドイオンから選択される異なるアニオンである、請求項４９又は５０に記載のプロセス。
【請求項５２】
前記第１のアニオン及び前記第２のアニオンが、ハロゲン化物アニオンから選択される異なるアニオンである、請求項４９から５０までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５３】
前記第１の反応物質が、ＢＸ２である第１の化合物を含み、及び前記第２の反応物質が、ＡＸ’である第２の化合物を含み、
Ｂが、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｐｄ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｙｂ２＋及びＥｕ２＋から選択されるカチオンであり、
Ｘが、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−及びＩ−から選択されるアニオンであり、
Ａが、化学式（Ｒ５ＮＨ３）＋のカチオンであり、Ｒ５が、水素、又は非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキルであり、
Ｘ’が、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−及びＩ−から選択されるアニオンであり、並びに
Ｘ及びＸ’が、異なるアニオンである、
請求項４８から５２までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５４】
前記第１の領域の上に前記第２の領域を配置する前記ステップ（ｂ）が、
（ｉｉｉ）前記ペロブスカイトの前記固体層を加熱するサブステップ、
をさらに含む、請求項４４から５３までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５５】
前記第１の領域の上に前記第２の領域を配置する前記ステップ（ｂ）が、
（ｉ）蒸気に前記第１の領域を曝すサブステップであって、前記蒸気が、第１のペロブスカイト前駆物質化合物を含み、前記第１の領域の上に前記第１のペロブスカイト前駆物質化合物の固体層を生成するために、前記第１の領域上への前記蒸気の堆積を可能にする、曝すサブステップと、
（ｉｉ）第２のペロブスカイト前駆物質化合物を含む溶液で前記第１のペロブスカイト前駆物質化合物の前記得られた固体層を処理するサブステップであって、これによって、開口気孔率のない前記ペロブスカイト半導体の前記層を生成するために、前記第１のペロブスカイト前駆物質化合物と前記第２のペロブスカイト前駆物質化合物とを反応させる、処理するサブステップと、
を含み、
前記第１のペロブスカイト前駆物質化合物が、（ｉ）第１のカチオン及び（ｉｉ）第１のアニオンを含み、並びに前記第２のペロブスカイト前駆物質化合物が、（ｉ）第２のカチオン及び（ｉｉ）第２のアニオンを含む、
請求項４２に記載のプロセス。
【請求項５６】
前記第１のカチオン並びにアニオン及び前記第２のカチオン並びにアニオンが、請求項４９から５２までのいずれか一項に規定されるものである、請求項５５に記載のプロセス。
【請求項５７】
前記第１のペロブスカイト前駆物質化合物が、化学式ＢＸ２を有し、及び前記第２のペロブスカイト前駆物質化合物が、化学式ＡＸ’を有し、
Ｂが、Ｃａ２＋、Ｓｒ２＋、Ｃｄ２＋、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｃｏ２＋、Ｐｄ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｙｂ２＋及びＥｕ２＋から選択されるカチオンであり、
Ｘが、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−及びＩ−から選択されるアニオンであり、
Ａが、化学式（Ｒ５ＮＨ３）＋のカチオンであり、Ｒ５が、水素、又は非置換型若しくは置換型Ｃ１〜Ｃ２０アルキルであり、
Ｘ’が、Ｆ−、Ｃｌ−、Ｂｒ−及びＩ−から選択されるアニオンであり、並びに
Ｘ及びＸ’が、同じ又は異なるアニオンである、
請求項５５に記載のプロセス。
【請求項５８】
前記第１の領域の上に前記第２の領域を配置する前記ステップ（ｂ）が、
（ｉ）前記第１の領域の上に１つ又は複数の前駆物質溶液を配するサブステップであって、前記１つ又は複数の前駆物質溶液が、溶剤中に溶解した前記ペロブスカイト、又は１つ若しくは複数の溶剤中に溶解した前記ペロブスカイトを生成するための１つ若しくは複数の反応物質を含む、配するサブステップと、
（ｉｉ）前記ペロブスカイトの固体層を前記第１の領域の上に生成するために前記１つ又は複数の溶剤を除去するサブステップと、
を含む、請求項４２に記載のプロセス。
【請求項５９】
前記第１の領域の上に前記第２の領域を配置する前記ステップ（ｂ）が、
（ｉ）前記第１の領域の上に前駆物質溶液を配するサブステップであって、前記前駆物質溶液が、溶剤中に溶解した前記ペロブスカイトを含む、配するサブステップと、
（ｉｉ）前記ペロブスカイトの固体層を前記第１の領域の上に生成するために、前記溶剤を除去するサブステップと、
を含む、請求項４２に記載のプロセス。
【請求項６０】
前記ペロブスカイトの前記固体層を前記第１の領域の上に生成するために、前記第１の領域上へと前記１つ又は複数の前駆物質溶液をスピンコートするステップを含む、請求項５８又は５９に記載のプロセス。
【請求項６１】
前記第１の領域の上に前記１つ又は複数の前駆物質溶液を配する前記ステップ及び前記１つ又は複数の溶剤を除去する前記ステップが、前記ペロブスカイトの前記固体層が１００ｎｍから１００μｍまで、好ましくは、１００ｎｍから７００ｎｍまでの厚さを有するまで行われる、請求項５８から６０までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６２】
前記第１の領域の上に前記第２の領域を配置する前記ステップ（ｂ）が、
（ｉｉｉ）前記ペロブスカイトの前記固体層を加熱するサブステップ、
をさらに含む、請求項５８から６１までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６３】
前記ペロブスカイトの前記固体層を加熱する前記ステップが、不活性雰囲気中で前記ペロブスカイトの前記固体層を加熱するサブステップを含む、請求項５４又は６２に記載のプロセス。
【請求項６４】
前記ペロブスカイトの前記固体層が加熱される温度は、１５０℃を超えない、請求項５４、６２及び６３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６５】
前記ペロブスカイトの前記固体層が、３０℃から１５０℃までの温度で、好ましくは４０℃から１１０℃までの温度で加熱される、請求項５４、６２、６３及び６４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６６】
前記光活性領域が、
前記ｎ型領域と、前記ｐ型領域と、前記ｎ型領域と前記ｐ型領域との間に配置された、
（ｉ）多孔性材料及び前記多孔性材料の孔内に配置されるペロブスカイト半導体を含む第１の層と、
（ｉｉ）前記第１の層の上に配置されたキャッピング層であって、前記キャッピング層が開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層である、キャッピング層と、
を含み、
前記キャッピング層中の前記ペロブスカイト半導体が、前記第１の層中の前記ペロブスカイト半導体と接触し、
前記プロセスが、
（ａ）前記第１の領域を設けるステップと、
（ｂ）前記第１の領域の上に前記第２の領域を配置するステップであって、前記第２の領域が、
（ｉ）多孔性材料及び多孔性材料の気孔内に配置されるペロブスカイト半導体を含む第１の層と、
（ｉｉ）前記第１の層の上のキャッピング層であり、前記キャッピング層が、開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層であり、前記キャッピング層中の前記ペロブスカイト半導体が、前記第１の層中の前記ペロブスカイト半導体と接触する、キャッピング層と、
を含む、配置するステップと、
（ｃ）前記第２の領域の上に前記第３の領域を配置するステップと
を含む、請求項４２に記載のプロセス。
【請求項６７】
前記第１の領域の上に前記第２の領域を配置する前記ステップ（ｂ）が、
（ｉ）前記第１の領域の上に多孔性材料を配置するサブステップと、
（ｉｉ）前記第１の層を生成するために前記多孔性材料の気孔内に前記ペロブスカイトを配するサブステップと、前記キャッピング層を生成するために前記第１の層の上へと前記ペロブスカイトをさらに配置するサブステップと、
を含む、請求項６６に記載のプロセス。
【請求項６８】
前記多孔性材料の気孔内へと前記ペロブスカイトを前記配するステップ及び前記第１の層の上へと前記ペロブスカイトを前記さらに配置するステップが、単一ステップで一緒に実行される、請求項６７に記載のプロセス。
【請求項６９】
前記第１の領域の上に多孔性材料を配置する前記ステップ（ｉ）が、
前記第１の領域上へ組成物を配置するサブステップであって、前記組成物が、前記多孔性材料、溶剤、及び任意選択で結合剤を含む、配置するサブステップと、
前記溶剤及び、存在するときには、前記結合剤を除去するサブステップと、
を含む、請求項６７又は６８に記載のプロセス。
【請求項７０】
前記第１の領域の上に前記多孔性材料を配置する前記ステップ（ｉ）が、前記第１の領域上へと前記組成物をスクリーン印刷するサブステップ、ドクタ・ブレーディングするサブステップ、スピンコーティングするサブステップ、スロット・ダイ・コーティングするサブステップ又はスプレイ・コーティングするサブステップを含む、請求項６９に記載のプロセス。
【請求項７１】
前記第１の領域の上に前記多孔性材料を配置する前記ステップ（ｉ）が、前記組成物を加熱するサブステップをさらに含む、請求項６９又は７０に記載のプロセス。
【請求項７２】
前記組成物が、結合剤を含まず、前記組成物を加熱する温度が、１５０℃を超えない、請求項６９に記載のプロセス。
【請求項７３】
前記第１の領域の上に前記多孔性材料を配置する前記ステップ（ｉ）は、前記第１の領域の上に配置した前記多孔性材料の厚さが、５ｎｍから１０００ｎｍまで、好ましくは、３０ｎｍから２００ｎｍまでになるまで実行される、請求項６９から７２までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７４】
前記第１の層を生成するために前記多孔性材料の気孔内へと前記ペロブスカイトを配し、前記キャッピング層を生成するために前記第１の層の上へと前記ペロブスカイトをさらに配置するステップ（ｉｉ）は、前記キャッピング層が、１００ｎｍから１００μｍまで、好ましくは１００ｎｍから７００ｎｍまでの厚さを有するまで行われる、請求項６９から７３までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７５】
ステップ（ｉｉ）は、
前記多孔性材料の上へと１つ又は複数の前駆物質溶液を配するサブステップであって、前記１つ又は複数の前駆物質溶液が、溶剤中に溶解した前記ペロブスカイト、又は１つ若しくは複数の溶剤中に溶解した前記ペロブスカイトを生成するための１つ若しくは複数の反応物質を含む、配するサブステップと、
前記多孔性材料の気孔内に固体ペロブスカイトを及び前記第１の層の上に配置された前記ペロブスカイトの固体キャッピング層を生成するために前記１つ又は複数の溶剤を除去するサブステップと、
を含む、請求項６９から７４までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７６】
ステップ（ｉｉ）は、
前記多孔性材料の上へと前駆物質溶液を配するサブステップであって、前記前駆物質溶液が、溶剤中に溶解した前記ペロブスカイトを含む、配するサブステップと、
前記多孔性材料の気孔内に固体ペロブスカイトを及び前記第１の層の上に配置された前記ペロブスカイトの固体キャッピング層を生成するために前記溶剤を除去するサブステップと、
を含む、請求項６９から７５までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７７】
前記多孔性材料の気孔内に前記固体ペロブスカイトを及び前記第１の層の上に配置された前記ペロブスカイトの前記固体キャッピング層を生成するために、前記多孔性材料の上へと前記１つ又は複数の前駆物質溶液をスピンコーティングするステップ又はスロット・ダイ・コーティングするステップを含む、請求項６９から７６までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７８】
前記第１の領域の上に前記第２の領域を配置するステップ（ｂ）が、
（ｉｉｉ）前記ペロブスカイトを加熱するサブステップ、
をさらに含む、請求項６９から７７までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７９】
前記ペロブスカイトを加熱する前記ステップが、不活性雰囲気中で前記ペロブスカイトを加熱するステップを含む、請求項７８に記載のプロセス。
【請求項８０】
前記ペロブスカイトが加熱される温度が、１５０℃を超えない、請求項７８又は７９に記載のプロセス。
【請求項８１】
前記ペロブスカイトが、３０℃から１５０℃までの温度で、好ましくは４０℃から１１０℃までの温度で加熱される、請求項７８から８０までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８２】
光活性領域を含む反転型光起電力素子を製造するためのプロセスであって、前記光活性領域が、
少なくとも１つのｎ型層を含むｎ型領域と、
少なくとも１つのｐ型層を含むｐ型領域と、前記ｎ型領域と前記ｐ型領域との間に配置された、
厚さが１０nｍから１００μmまでであり、n型領域またはｐ型領域とプレーナ・ヘテロ接合を形成する、開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層と、
を含み、前記プロセスが、
（ａ）第１の領域を設けるステップと、
前記第１の領域の上に第２の領域を配置するステップ（ｂ）であり、前記第２の領域が、前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層を含む、配置するステップと、
（ｃ）前記第２の領域の上に第３の領域を配置するステップと、
を含み、
前記第１の領域が、少なくとも１つのｐ型層を含む前記ｐ型領域であり、及び前記第３の領域が、少なくとも１つのｎ型層を含む前記ｎ型領域であり、
前記第１の領域が、第１の電極の上に配置される、
プロセスである、請求項４２から８１までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８３】
前記第１の電極が、透明材料又は半透明材料を含む、請求項８２に記載のプロセス。
【請求項８４】
タンデム接合又は多接合光起電力素子を製造するためのプロセスであって、
（ｄ）前記第３の領域の上にトンネル接合を配置するステップと、
（ｅ）前記トンネル接合の上にさらなる光活性領域を配置するステップであり、前記さらなる光活性領域が、請求項４２又は６６において規定した前記光活性領域と同じである又は異なる、配置するステップと、
（ｆ）任意選択でステップ（ｄ）及び（ｅ）を繰り返すステップと、
（ｇ）前のステップにおいて配置した前記さらなる光活性領域の上に第２の電極を配置するステップと、
をさらに含む、請求項４２から８１までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８５】
全体のプロセスが、１５０℃を超えない１つ又は複数の温度で実行される、請求項４２から８４までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８６】
前記光起電力素子が、請求項１から４１までのいずれか一項に規定されたものである、請求項４２から８５までのいずれか一項に記載のプロセス。