【手続補正書】
【提出日】平成28年10月28日(2016.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィシステム（１）における基板の位置を測定するためのシステムであって、
基板（１２，５１３）上に１以上の露光ビームを投影するように構成された光学カラム（ＰＯ）と、
前記光学カラム（ＰＯ）から一定の距離を有するようにシステムに装着された第１の光学アライメントセンサ（ＳＳ，５００）とを具備し、前記第１の光学アライメントセンサ（ＳＳ，５００）は、前記基板（１２，５１３）に光ビーム（５１１）を出射するように構成され、出射された光ビームは、所定の波長を有し、前記第１の光学アライメントセンサ（ＳＳ，５００）は、さらに、０次反射光ビーム（５１８）の強度プロファイルを測定するように構成され、
前記光ビームは、前記基板上で、スポットサイズを有するスポットに合焦され、
前記基板は、マーク高さ（ＭＨ）と、マーク長さ（ＭＬ）と、前記基板（１２，５１３）上の所定の既知の位置とを有する光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）を有し、前記光学位置マーク（１００）は、第１の方向に長手方向に延び、前記第１の方向に沿って前記光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）の反射率を変えるように配置され、
前記光学位置マーク（１００）は、第１の領域対（１０５）を有する第１のメイン領域（１１０）を有し、
前記第１のメイン領域（１１０）の前記第１の領域対（１０５）は、
第１の反射率と第１の幅（Ｗ）とを有する第１の領域（１０１）と、
第２の反射率と第２の幅（Ｗ）とを有する第２の領域（１０２）とを有し、前記第２の反射率は、前記第１の反射率とは異なり、前記第２の領域は、前記第１の領域（１０１）に隣接し、
前記第１の領域（１０１）は、前記出射された光ビームの前記所定の波長と比較してサブ波長のサブ波長構造（ＳＷＳ）を有し、
前記サブ波長構造（ＳＷＳ）は、前記第１の方向と第２の方向との少なくとも一方に沿って前記第１の領域のセグメンテーションによって形成された複数の規則的なセグメントを有し、前記第２の方向は前記第１の方向に垂直であり、
前記第１の幅及び前記第２の幅は、前記スポットサイズよりも大きく、
前記第１の方向において前記光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）上を前記第１の光学アライメントセンサ（ＳＳ，ＤＳ，５００）を走査するように構成されているシステム。
【請求項２】
前記第１のメイン領域（１１０）は、前記第１の領域対（１０５）に等しい第２の領域対（１０５）を有する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第２の領域には、サブ波長構造（ＳＷＳ）がない請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
前記第１のメイン領域（１１０）に隣接している第２のメイン領域（１２０）をさらに具備し、前記第２のメイン領域（１２０）には構造がなく、
前記第２のメイン領域（１２０）に隣接している第３のメイン領域（１３０）をさらに具備し、前記第２のメイン領域（１２０）は、前記第１の方向から眺めたとき、前記第１のメイン領域（１１０）と前記第３のメイン領域（１３０）との間に埋設されており、
前記第３のメイン領域（１３０）は、第３の領域対を有し、
前記第３のメイン領域の前記第３の領域対は、
第３の反射率と第３の幅とを有する第３の領域と、
第４の反射率と第４の幅とを有する第４の領域とを有し、前記第４の反射率は前記第３の反射率とは異なり、前記第４の領域は、前記第３の領域に隣接し、
前記第３の領域は、前記出射された光ビームの前記所定の波長と比較してサブ波長のサブ波長構造を有する請求項１ないし３のいずれか１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第１のメイン領域（１１０）と前記第３のメイン領域（１３０）とは等しい請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記第１のメイン領域（１１０）に隣接している前記光学位置マーク（１００）の第１の端部に位置された第１の端部領域（１４０）をさらに具備し、前記第１の端部領域（１４０）には構造がなく、
前記第３のメイン領域（１３０）に隣接している前記光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）の第２の端部に位置された第２の端部領域（１４０）をさらに具備し、前記第２の端部領域（１４０）には構造がない請求項４又は５に記載のシステム。
【請求項７】
前記マーク高さ（ＭＨ）は、赤色又は赤外光の波長の複数倍である請求項１ないし６のいずれか１に記載のシステム。
【請求項８】
前記第１の幅及び前記第２の幅は、１μｍないし２μｍの範囲にある請求項１ないし７のいずれか１に記載のシステム。
【請求項９】
前記光学カラム（ＰＯ）から一定の距離でシステムに装着された第２の光学アライメントセンサ（ＤＳ，５００）をさらに具備し、前記第２の光学アライメントセンサ（ＤＳ，５００）は、前記基板（１２，５１３）に所定の波長を有する第２の光ビーム（５１１）を出射して０次反射光ビーム（５１８）の強度プロファイルを測定するように構成され、
前記第１の方向（Ｘｗ）に垂直な第２の方向（Ｙｗ）において前記第２の光学アライメントセンサ（ＤＳ，５００）を走査するように構成されている請求項１ないし８のいずれか１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記光学位置マークは、第２の光学位置マーク（ＤＭＲＫ，１００）であり、
前記基板は、第１の光学位置マーク（ＳＭＲＫ，１００）をさらに有し、
前記第１の光学位置マーク（ＳＭＲＫ，１００）は、マーク高さ（ＭＨ）と、マーク長さ（ＭＬ）と、前記基板（１２，５１３）上の所定の既知の位置とを有し、前記第２の方向（Ｙｗ）に延び、前記第２の方向（Ｙｗ）に沿って前記光学位置マーク（１００）の反射率を変えるように配置され、
前記第１の光学位置マーク（１００）は、前記第２の光学位置マーク（１００）と同じ構造を有する請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１の光学アライメントセンサ（ＳＳ，５００）は、前記光学カラム（ＰＯ）に対して前記第１の方向（Ｘｗ）に移動され、前記第１の方向（Ｘｗ）において前記第２の光学位置マーク（ＤＭＲＫ）を測定するように配置され、
前記第２の光学アライメントセンサ（ＳＳ，５００）は、前記光学カラム（ＰＯ）に対して前記第２の方向（Ｙｗ）に移動され、前記第２の方向（Ｙｗ）において前記第１の光学位置マーク（ＳＭＲＫ）を測定するように配置されている請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第１の方向（Ｘｗ）は、リソグラフィシステムの使用動作における前記基板（１２，５１３）の第１の移動方向（Ｌ）に一致し、前記第２の方向（Ｙｗ）は、リソグラフィシステムの使用動作における前記基板（１２，５１３）の第２の移動方向（Ｓ）に一致する請求項９ないし１１のいずれか１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第１の光学アライメントセンサ（ＳＳ，ＤＳ，５００）に対する前記光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）の推定位置にしたがって前記光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）が前記第１の光学アライメントセンサ（ＳＳ，ＤＳ，５００）の近くにあるように、前記基板（１２，５１３）を動かして、
前記マーク長さ（ＭＬ）よりも長い走査長さを有する測定強度プロファイルを得るために、前記第１の光学アライメントセンサ（ＳＳ，ＤＳ，５００）で前記長手方向において走査経路に沿って前記光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）を走査して、
前記光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）の実際の位置と前記推定位置との間の差（ｘ）を測定するために、前記測定強度プロファイルを前記光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）と関連付けられた予期された強度プロファイルと比較して、
前記差から前記光学位置マークの実際の位置を測定するように構成されている請求項１ないし１２のいずれか１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記測定強度プロファイルと前記予期された強度プロファイルとの相互相関関数（ＣＲＣ）を計算することによって前記光学位置マークの前記測定強度プロファイルと前記予期された強度プロファイルとを比較して、前記相互相関関数（ＣＲＣ）の最大の位置（ＴＰＲ）を測定するように構成されており、前記位置は前記差を表す、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第１の光学アライメントセンサに対する前記第１の光学位置マークの推定位置にしたがって前記第１の光学位置マークが前記第１の光学アライメントセンサの近くにあるように、前記基板を動かして、
前記マーク長さよりも長い走査長さを有する測定強度プロファイルを得るために、前記第１の光学アライメントセンサで前記第１の方向の走査経路に沿って前記第１の光学位置マークを走査して、
前記第１の光学位置マークの実際の位置と前記第１の光学位置マークの前記推定位置との間の第１の差を測定するために、前記測定強度プロファイルを前記光学位置マークと関連付けられた予期された強度プロファイルと比較して、
前記第１の差から前記第１の光学位置マークの実際の位置を測定して、
前記第２の光学アライメントセンサに対する前記第２の光学位置マークの推定位置にしたがって前記第２の光学位置マークが前記第２の光学アライメントセンサの近くにあるように、前記基板を動かして、
前記マーク長さよりも長い走査長さを有する測定された強度プロファイルを得るために前記第２の光学アライメントセンサで前記第２の方向の走査経路に沿って前記第２の光学位置マークを走査して、
前記第２の光学位置マークの実際の位置と前記第２の光学位置マークの前記推定位置との間の第２の差を測定するために、前記測定強度プロファイルを前記光学位置マークと関連付けられた予期された強度プロファイルと比較して、
前記第２の差から前記第２の光学位置マークの実際の位置を測定するように構成されている請求項１０に記載のシステム。
【請求項１６】
第１の光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）を具備する基板（１２，５１３）であって、
前記第１の光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）は、第１の方向に沿って前記マーク上を走査される前記基板上のスポットに合焦される光ビーム（５１１）の０次反射の強度の変化をもたらすように構成され、前記光ビームは、所定の波長の光を有し、基板（１２，５１３）上で、ビームスポットサイズを有するスポットに合焦され、
前記第１の光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）は、マーク幅（ＭＷ）と、マーク長さ（ＭＬ）と、前記基板（１２，５１３）上の所定の既知の位置とを有し、前記第１の光学位置マークは、第１の方向に長手方向に延び、前記第１の方向に沿って変化する反射率を有し、
前記第１の光学位置マークは、複数の領域対（１０５）を備えた第１のメイン領域（１１０）を有し、前記領域対は、互いに等しく、
前記領域対（１０５）は、
第１の反射率と第１の幅とを有する第１の領域（１０１）と、
第２の反射率と第２の幅とを有する第２の領域（１０２）とを有し、前記第２の反射率は、前記第１の反射率とは異なり、前記第２の領域は、前記第１の領域（１０１）に隣接し、前記第１の領域及び前記第２の領域は、１つの領域対を形成し、
前記第１の幅及び前記第２の幅は、前記ビームスポットサイズよりも大きく、
前記第１の領域（１０１）は、前記所定の波長と比較してサブ波長のサブ波長構造（ＳＷＳ）を有し、
前記サブ波長構造（ＳＷＳ）は、前記第１の方向と前記第２の方向との少なくとも一方に沿って前記第１の領域のセグメンテーションによって形成された複数の規則的なセグメントを有し、前記第２の方向は前記第１の方向に垂直である基板。
【請求項１７】
前記第１のメイン領域（１１０）に隣接している第２のメイン領域（１２０）をさらに具備し、前記第２のメイン領域（１２０）には構造がなく、
前記第２のメイン領域（１２０）に隣接している第３のメイン領域（１３０）をさらに具備し、前記第２のメイン領域（１２０）は、前記第１の方向から眺めたとき、前記第１のメイン領域（１１０）と前記第３のメイン領域（１３０）との間に埋設されており、
前記第３のメイン領域（１３０）は、第３の領域対を有し、
前記第３のメイン領域の前記第３の領域対は、
第３の反射率と第３の幅とを有する第３の領域と、
第４の反射率と第４の幅とを有する第４の領域とを有し、前記第４の反射率は前記第３の反射率とは異なり、前記第４の領域は、前記第３の領域に隣接し、
前記第３の領域は、前記光ビームの前記所定の波長と比較してサブ波長のサブ波長構造を有する請求項１６に記載の基板。
【請求項１８】
前記第１のメイン領域（１１０）に隣接している前記第１の光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）の第１の端部に位置された第１の端部領域（１４０）をさらに具備し、前記第１の端部領域（１４０）には構造がなく、
前記第３のメイン領域（１３０）に隣接している前記第１の光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）の第２の端部に位置された第２の端部領域（１４０）をさらに具備し、前記第２の端部領域（１４０）には構造がない請求項１７に記載の基板。
【請求項１９】
前記第１の幅及び前記第２の幅は、１μｍないし２μｍの範囲にある請求項１６ないし１８のいずれか１に記載の基板。
【請求項２０】
マーク高さ（ＭＨ）と、マーク長さ（ＭＬ）と、基板上の所定の既知の位置とを有する第２の光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）をさらに具備し、
前記第２の光学位置マーク（ＳＭＲＫ，ＤＭＲＫ，１００）は、前記第２の方向に長手方向に延び、前記第２の方向に沿って変化する反射率を有し、
前記第２の光学位置マークは、前記第１の光学位置マークと同じ構造を有する請求項１６ないし１９のいずれか１に記載の基板。