(57)【要約】【課題】貫通電極の形成時に金属ピンの傾きを防止することができるパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】貫通電極形成工程は、（ａ）ベース基板用ウエハ４０に貫通電極を配置するための貫通孔２１，２２を形成する貫通孔形成工程と、（ｂ）貫通孔２１，２２内に金属ピン３０の芯材部３１を挿入する金属ピン配置工程と、（ｃ）芯材部３１の外周面および貫通孔２１，２２の内周面に、金属ピン３０よりもガラスフリットとの濡れ性が大きいシリコン酸化膜３６を形成する成膜工程と、貫通孔２１，２２と芯材部３１との間にガラスフリットを充填する充填工程と、貫通孔２１，２２内に充填されたガラスフリットを加熱して硬化させる加熱硬化工程と、を有する。【選択図】図６
2013131806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、
前記複数の基板のうち少なくとも一つの基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記複数の基板の外側とを導通させる貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、
前記貫通電極形成工程は、
前記基板に前記貫通電極を配置するための凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部内に金属ピンを挿入する金属ピン配置工程と、
前記金属ピンの外周面および前記凹部の内周面に被膜を形成する成膜工程と、
前記凹部と前記金属ピンとの間にガラスフリットを充填する充填工程と、
前記凹部内に充填された前記ガラスフリットを加熱して硬化させる加熱硬化工程と、
前記基板の少なくとも一面を研磨して前記金属ピンを露出させる研磨工程と、
を有し、
前記被膜は、前記金属ピンよりも前記ガラスフリットとの濡れ性が大きい材料で形成されていることを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記被膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１に記載のパッケージの製造方法。
【請求項３】
前記成膜工程は、スパッタ法を用いて行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のパッケージの製造方法。
【請求項４】
前記金属ピン配置工程では、外周面に金属酸化膜が形成された前記金属ピンを前記凹部内に挿入することを特徴とする請求項１ないし請求項３の何れか１項に記載のパッケージの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４の何れか１項に記載のパッケージの製造方法を用いて製造されたことを特徴とするパッケージ。
【請求項６】
互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージであって、
前記複数の基板のうち少なくとも一つの基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記複数の基板の外側とを導通する貫通電極を備えており、
前記貫通電極は、
前記基板を貫通する貫通孔内に配置された金属ピンと、
前記金属ピンの外周面および前記凹部の内周面に形成された被膜と、
前記貫通孔と前記金属ピンとの間に前記被膜を介して充填されたガラスフリットと、
を有し、
前記被膜は、前記金属ピンよりも前記ガラスフリットとの濡れ性が大きい材料で形成されていることを特徴とするパッケージ。
【請求項７】
請求項５または６記載のパッケージの前記キャビティ内に圧電振動片が気密封止されてなることを特徴とする圧電振動子。
【請求項８】
請求項７記載の前記圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項９】
請求項７記載の前記圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項７記載の前記圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は様々なものが知られているが、その１つとして、表面実装（ＳＭＤ）型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子は、例えば互いに接合されたガラス材料からなるベース基板及びリッド基板と、両基板の間に形成されたキャビティと、を備えたパッケージと、そのパッケージのキャビティ内に気密封止された状態で収納された圧電振動片（電子部品）とを備えている。
【０００３】
このような圧電振動子では、ベース基板に形成された貫通孔に貫通電極を形成し、この貫通電極によってキャビティ内の圧電振動片と、キャビティ外の外部電極とを電気的に接続している（例えば、特許文献１参照）。具体的に、特許文献１では、まずベース基板に貫通孔を形成し、ベース基板を熱軟化させた状態で貫通孔内に金属ピンを打ち込む方法が記載されている。しかしながら、この方法では、金属ピンと貫通孔との間隙を完全に塞ぐのが困難であり、キャビティ内の気密性を確保できないという問題がある。また、ベース基板上の全ての貫通孔に位置決めして金属ピンを打ち込むのは煩雑である。
【０００４】
そこで、近時では、貫通孔と金属ピンとの間隙にガラスフリットを充填し、このガラスフリットを焼成することで、ベース基板と金属ピンとを一体化させる技術が開発されている。
図１４は、従来の貫通電極形成工程の説明図である。
図１４（ａ）に示すように、金属ピン３０には、平板状（例えば、矩形）の土台部３２と、土台部３２の表面から法線方向に沿って立設された芯材部（例えば、角柱状や円柱状）３１と、を有する鋲体型のものが用いられている。そして、ベース基板用ウエハ４０に形成された断面略截頭円錐形状の貫通孔２１に、金属ピン３０の芯材部３１を遊挿し、貫通孔２１と芯材部３１との間隙にペースト状のガラスフリット３３を充填する（充填工程）。ガラスフリット３３は、粉末状のガラス粒子と、有機溶剤と、バインダとが主に配合されてなるペースト材である。
【０００５】
その後、図１４（ｂ）に示すように、ガラスフリット３３を加熱して、有機溶剤を蒸発させる（仮乾燥工程）。次に、図１４（ｃ）に示すように、ガラスフリット３３をより高温に加熱して、バインダを除去する（脱バインダ工程）。次に、図１４（ｄ）に示すように、ガラスフリット３３をさらに高温に加熱してガラス粒子を溶融させ、その後ガラスフリットを冷却して硬化させる（焼成工程）。これにより、ベース基板用ウエハ４０と金属ピン３０とを一体化させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１２４８４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図１４（ｃ）に示す脱バインダ工程では、ガラスフリット３３をガラス転移点以上に加熱するため、ガラス粒子の一部が溶融を始める。貫通孔２１は、ガラス材料からなるベース基板に形成されているため、貫通孔２１の内周面とガラスフリット３３との濡れ性は大きい。これに対して、金属ピン３０の芯材部３１とガラスフリット３３との濡れ性は小さい。そのため、ガラス粒子が溶融を始めたガラスフリット３３は、芯材部３１の外周面から剥離して、貫通孔２１の内周面に引き寄せられる。これにより、芯材部３１の周囲に隙間９０が形成される。その後、図１４（ｄ）に示すように焼成工程を行うと、ガラス粒子の溶融したガラスフリット３３が流動して、芯材部３１の外周面に再付着する。この再付着は芯材部３１の周方向において不均一に発生するので、最初に再付着した方向の反対側へ芯材部３１が倒される。これにより、金属ピン３０が傾いた状態でベース基板用ウエハ４０と一体化されるという問題がある。
なお、脱バインダ工程における芯材部３１からのガラスフリット３３の剥離も、芯材部３１の周方向において不均一に発生する。そのため、最初に剥離した方向の反対側へ芯材部３１が引き寄せられ、脱バインダ工程の段階で金属ピン３０が傾く場合もある。その後、図１４（ｄ）に示すように焼成工程を行うと、金属ピン３０が傾いた状態でベース基板用ウエハ４０と一体化されることになる。
この状態から、芯材部３１を露出させるためにベース基板用ウエハ４０の両面を研磨すると、傾いた金属ピン３０の土台部３２に研磨応力が集中し、ベース基板用ウエハ４０が破損することになる。
【０００８】
そこで本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、貫通電極の形成時に金属ピンの傾きを防止することができるパッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器、及び電波時計を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明のパッケージの製造方法は、互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち少なくとも一つの基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記複数の基板の外側とを導通させる貫通電極を形成する貫通電極形成工程を有し、前記貫通電極形成工程は、前記基板に前記貫通電極を配置するための凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部内に金属ピンを挿入する金属ピン配置工程と、前記金属ピンの外周面および前記凹部の内周面に被膜を形成する成膜工程と、前記凹部と前記金属ピンとの間にガラスフリットを充填する充填工程と、前記凹部内に充填された前記ガラスフリットを加熱して硬化させる加熱硬化工程と、前記基板の少なくとも一面を研磨して前記金属ピンを露出させる研磨工程と、を有し、前記被膜は、前記金属ピンよりも前記ガラスフリットとの濡れ性が大きい材料で形成されていることを特徴としている。
【００１０】
この構成によれば、成膜工程により金属ピンの外周面に濡れ性を付与することができるので、加熱硬化工程においてガラスフリットが金属ピンの外周面から剥離するのを防止できる。また、成膜工程により凹部の内周面にも濡れ性を付与することができるので、加熱硬化工程においてガラスフリットが貫通孔の内周面から剥離するのも防止できる。そのため、ガラスフリットにより金属ピンが特定方向に倒されたり引き寄せられたりすることがなくなり、貫通電極の形成時に金属ピンの傾きを防止することができる。
【００１１】
また、前記被膜は、シリコン酸化膜であることが好ましい。
また、前記成膜工程は、スパッタ法を用いて行うことを特徴としている。
この構成によれば、シリコン酸化膜はガラスフリットとの濡れ性に優れているので、金属ピンの傾きを確実に防止することができる。
【００１２】
また、前記金属ピン配置工程では、外周面に金属酸化膜が形成された前記金属ピンを前記凹部内に挿入することが望ましい。
この構成によれば、金属酸化膜は金属ピン自体よりもガラスフリットとの濡れ性が大きいので、ガラスフリットと金属ピンとの密着性を向上させることができる。
【００１３】
また、本発明のパッケージは、上述したパッケージの製造方法を用いて製造されたことを特徴としている。
また、互いに接合された複数の基板の間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージであって、前記複数の基板のうち少なくとも一つの基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記複数の基板の外側とを導通する貫通電極を備えており、前記貫通電極は、前記基板を貫通する貫通孔内に配置された金属ピンと、前記金属ピンの外周面および前記凹部の内周面に形成された被膜と、前記貫通孔と前記金属ピンとの間に前記被膜を介して充填されたガラスフリットと、を有し、前記被膜は、前記金属ピンよりも前記ガラスフリットとの濡れ性が大きい材料で形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、貫通電極の形成時に金属ピンの傾きを防止することができる。その結果、ベース基板の研磨時において、傾いた金属ピンに研磨応力が集中することがなくなり、ベース基板の破損を防止することができる。これにより、製品の不良率が低下するので、低コストのパッケージを提供することができる。
【００１４】
また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明のパッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴としている。
この構成によれば、低コストのパッケージを備えているので、低コストの圧電振動子を提供できる。
【００１５】
また、本発明の発振器は、上記本発明の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１６】
また、本発明の電子機器は、上記本発明の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１７】
また、本発明の電波時計は、上記本発明の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。
【００１８】
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上記本発明の圧電振動子を備えているので、低コストの製品を提供できる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明のパッケージの製造方法及びパッケージによれば、貫通電極の形成時に金属ピンの傾きを防止することができる。その結果、ベース基板の研磨時において、傾いた金属ピンに研磨応力が集中することがなくなり、ベース基板の破損を防止することができる。これにより、製品の不良率が低下するので、低コストのパッケージを提供することができる。
また、本発明に係る圧電振動子によれば、低コストのパッケージを備えているので、低コストの圧電振動子を提供できる。
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上記本発明の圧電振動子を備えているので、低コストの製品を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態における圧電振動子の外観斜視図である。
【図２】（ａ）は図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図である。
【図３】図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。
【図４】圧電振動子の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】圧電振動子の製造方法を説明するための工程図であって、ウエハ接合体の分解斜視図である。
【図６】ベース基板用ウエハの断面図であって、貫通孔形成工程及び金属ピン配置工程を説明するための工程図である。
【図７】金属ピンの斜視図である。
【図８】ベース基板用ウエハの断面図であって、充填工程を説明するための工程図である。
【図９】ベース基板用ウエハの断面図であって、仮乾燥工程以降の工程を説明するための工程図である。
【図１０】本発明の一実施形態を示す図であって、貫通電極の拡大断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態を示す図であって、発振器の構成図である。
【図１２】本発明の一実施形態を示す図であって、電子機器の構成図である。
【図１３】本発明の一実施形態を示す図であって、電波時計の構成図である。
【図１４】従来の貫通電極形成工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
（圧電振動子）
図１は、本実施形態における圧電振動子をリッド基板側から見た外観斜視図である。また図２（ａ）は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図２（ｂ）は図２（ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図であり、図３は圧電振動子の分解斜視図である。なお図２では、後述するシリコン酸化膜３６（図１０参照）の図示を省略している。
図１〜図３に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板（第１基板）２及びリッド基板３が接合材２３を介して陽極接合された箱状のパッケージ１０と、パッケージ１０のキャビティＣ内に収納された圧電振動片（電子部品）５とを備えた表面実装型の圧電振動子１である。そして、圧電振動片５とベース基板２の裏面２ａに設置された外部電極６，７とが、ベース基板２を貫通する一対の貫通電極８，９によって電気的に接続されている。
【００２２】
ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板２には、一対の貫通電極８，９が形成される一対の貫通孔（凹部）２１，２２が形成されている。貫通孔２１，２２は、ベース基板２の裏面２ａから表面２ｂに向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状をなしている。
【００２３】
リッド基板３は、ベース基板２と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板２に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。そして、リッド基板３の内面３ｂ側には、圧電振動片５が収容される矩形状の凹部３ａが形成されている。この凹部３ａは、ベース基板２及びリッド基板３が重ね合わされたときに、圧電振動片５を収容するキャビティＣを形成する。そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合材２３を介して陽極接合されている。すなわち、リッド基板３の内面３ｂ側は、中央部に形成された凹部３ａと、凹部３ａの周囲に形成され、ベース基板２との接合面となる額縁領域３ｃとを構成している。
【００２４】
圧電振動片５は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片５は、平行に配置された一対の振動腕部２４，２５と、一対の振動腕部２４，２５の基端側を一体的に固定する基部２６とからなる音叉型で、一対の振動腕部２４，２５の外表面上には、振動腕部２４，２５を振動させる図示しない一対の第１の励振電極と第２の励振電極とからなる励振電極と、第１の励振電極及び第２の励振電極と後述するベース基板２上の引き回し電極２７，２８とを電気的に接続する一対のマウント電極とを有している（何れも不図示）。
【００２５】
このように構成された圧電振動片５は、図２に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の表面２ｂに形成された引き回し電極２７，２８上にバンプ接合されている。より具体的には、圧電振動片５の第１の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプＢを介して一方の引き回し電極２７上にバンプ接合され、第２の励振電極が他方のマウント電極及びバンプＢを介して他方の引き回し電極２８上にバンプ接合されている。
これにより、圧電振動片５は、ベース基板２の表面２ｂから浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極２７，２８とがそれぞれ電気的に接続された状態となる。
【００２６】
外部電極６，７は、ベース基板２の裏面２ａにおける長手方向の両側に設置されており、各貫通電極８，９及び各引き回し電極２７，２８を介して圧電振動片５に電気的に接続されている。より具体的には、一方の外部電極６は、一方の貫通電極８及び一方の引き回し電極２７を介して圧電振動片５の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極７は、他方の貫通電極９及び他方の引き回し電極２８を介して、圧電振動片５の他方のマウント電極に電気的に接続されている。
【００２７】
貫通電極８，９は、焼成によって貫通孔２１，２２に対して一体的に固定された筒体２９及び芯材部３１によって形成されたものであり、貫通孔２１，２２を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、外部電極６，７と引き回し電極２７，２８とを導通させる役割を担っている。具体的に、一方の貫通電極８は、外部電極６と基部２６との間で引き回し電極２７の下方に位置しており、他方の貫通電極９は、外部電極７と振動腕部２５との間で引き回し電極２８の下方に位置している。
【００２８】
筒体２９は、ペースト状のガラスフリット３３（図８参照）が焼成されたものである。
筒体２９は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体２９の中心には、後述するシリコン酸化膜３６を介して、芯材部３１が筒体２９の中心孔を貫通するように配されている。また、本実施形態では貫通孔２１，２２の形状に合わせて、筒体２９の外形が円錐台状（断面テーパ状）となるように形成されている。そして、この筒体２９は、貫通孔２１，２２内に埋め込まれた状態で焼成されており、これら貫通孔２１，２２に対して後述するシリコン酸化膜３６を介して強固に固着されている。
【００２９】
上述した芯材部３１は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材である。その金属材料として、鉄を５８重量パーセント、ニッケルを４２重量パーセント含有する合金（４２アロイ）が採用されている。芯材部３１は、筒体２９と同様に両端が平坦で、かつベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。なお、貫通電極８，９が完成品として形成された場合には、上述したように芯材部３１は、円柱状でベース基板２の厚さと同じ厚さとなるように形成されているが、製造過程では、後述する図７に示すように、芯材部３１の一方の端部に連結された平板状の土台部３２とともに鋲体型の金属ピン３０を形成している。なお、金属ピン３０は、その全体（少なくとも芯材部３１の外周面）が、酸化鉄膜（金属酸化膜）３４（図１０参照）で覆われている。酸化鉄膜３４は、鉄材料の金属ピン３０を熱酸化することで形成される。
【００３０】
リッド基板３の内面３ｂ全体には、陽極接合用の接合材２３が形成されている。具体的に、接合材２３は、額縁領域３ｃ及び凹部３ａの内面全体に亘って形成されている。本実施形態の接合材２３はＳｉ膜で形成されているが、接合材２３をＡｌ膜で形成することも可能である。なお接合材として、ドーピング等により低抵抗化したＳｉバルク材で形成することも可能である。そして後述するように、この接合材２３とベース基板２とが陽極接合され、キャビティＣが真空封止されている。
【００３１】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極６，７に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片５の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部２４，２５を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部２４，２５の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
【００３２】
（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子の製造方法について説明する。図４は、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法のフローチャートである。図５は、ウエハ接合体の分解斜視図である。以下には、複数のベース基板２が連なるベース基板用ウエハ４０と、複数のリッド基板３が連なるリッド基板用ウエハ５０との間に複数の圧電振動片５を封入してウエハ接合体６０を形成し、ウエハ接合体６０を切断することにより複数の圧電振動子１を同時に製造する方法について説明する。なお、図５に示す破線Ｍは、切断工程で切断する切断線を図示したものである。
【００３３】
図４に示すように、本実施形態に係る圧電振動子の製造方法は、主に、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）と、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）と、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）と、組立工程（Ｓ４０以下）とを有している。そのうち、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）及びベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）は、並行して実施することが可能である。
【００３４】
初めに、圧電振動片作製工程を行って図１〜図３に示す圧電振動片５を作製する（Ｓ１０）。また、圧電振動片５を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、パッケージ１０への圧電振動片５のマウント後に行う。
【００３５】
（リッド基板用ウエハ作製工程）
次に、図４，図５に示すように、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するリッド基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。
具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａ（図５における下面）に、エッチング等により行列方向にキャビティＣ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ２２）。
次に、後述するベース基板用ウエハ４０との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ４０との接合面となるリッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａ側を少なくとも研磨する研磨工程（Ｓ２３）を行い、第１面５０ａを鏡面加工する。
【００３６】
次に、リッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａ全体（ベース基板用ウエハ４０との接合面及び凹部３ａの内面）に接合材２３を形成する接合材形成工程（Ｓ２４）を行う。このように、接合材２３をリッド基板用ウエハ５０の第１面５０ａ全体に形成することで、接合材２３のパターニングが不要になり、製造コストを低減することができる。なお、接合材２３の形成は、スパッタやＣＶＤ等の成膜方法によって行うことができる。また、接合材形成工程（Ｓ２４）の前に接合面を研磨しているので、接合材２３の表面の平面度が確保され、ベース基板用ウエハ４０との安定した接合を実現することができる。
以上により、リッド基板用ウエハ作製工程（Ｓ２０）が終了する。
【００３７】
（ベース基板用ウエハ作製工程）
次に、上述した工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製するベース基板用ウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。
【００３８】
（貫通電極形成工程）
次いで、ベース基板用ウエハ４０を厚さ方向に貫通し、キャビティＣの内側と圧電振動子１の外側とを導通する貫通電極８，９（図２（ｂ）参照）を形成する貫通電極形成工程（Ｓ３２）を行う。以下に、貫通電極形成工程（Ｓ３２）について詳細を説明する。図６はベース基板用ウエハの断面図であって、貫通孔形成工程及び金属ピン配置工程を説明するための工程図である。
貫通電極形成工程（Ｓ３２）では、まず図６（ａ）に示すように、ベース基板用ウエハ４０を貫通する一対の貫通孔２１，２２を複数形成する貫通孔形成工程（Ｓ３３：凹部形成工程）を行う。具体的には、プレス加工等によりベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａから凹部を形成した後、少なくともベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂ側から鎖線部Ｔ１まで研磨することで、凹部を貫通させて、貫通孔２１，２２を形成することができる。これにより、ベース基板用ウエハ４０（ベース基板２）の第２面４０ｂ側から第１面４０ａ側に向かって漸次内径が大きくなるように貫通孔２１，２２を形成することができる。
【００３９】
続いて図６（ｂ）に示すように、貫通孔形成工程（Ｓ３３）で形成された複数の貫通孔２１，２２内に、金属ピンの芯材部３１を配置する金属ピン配置工程を行う（Ｓ３４Ａ）。図７は金属ピンの斜視図である。
図７に示すように、金属ピン３０は、平板状の土台部３２と、土台部３２上から土台部３２の表面に略直交する方向に沿ってベース基板用ウエハ４０の厚さよりも僅かに短い長さで形成されるとともに、先端が平坦に形成された芯材部３１と、を有している。
【００４０】
そして、図６（ｂ）に示すように、貫通孔２１，２２の小径側（ベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂ側）から金属ピン３０の芯材部３１を挿入する。この時、上述した金属ピン３０の土台部３２の表面がベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂに接触するまで、芯材部３１を挿入する。ここで、芯材部３１の軸方向と貫通孔２１，２２の軸方向とを略一致するように金属ピン３０を配置する必要がある。しかしながら、土台部３２上に芯材部３１が形成された金属ピン３０を利用するため、土台部３２をベース基板用ウエハ４０に接触させるまで押し込むだけの簡単な作業で、芯材部３１の軸方向と貫通孔２１，２２の軸方向とを略一致させることができる。したがって、金属ピン配置工程（Ｓ３４）時における作業性を向上することができる。なお、金属ピン３０を挿入した後には、この状態を維持するために、ベース基板用ウエハの第２面４０ｂにラミネート材３５を貼り付けて、金属ピン３０の露出部分（土台部３２）を覆うのが好ましい。このラミネート材３５は、例えば、紙製のテープ本体にアクリル系などの熱可塑性粘着剤が塗布されたものである。
【００４１】
（成膜工程）
さらに、図６（ｃ）に示すように、貫通孔２１，２２に金属ピン３０の芯材部３１を挿入した状態で、貫通孔２１，２２の内周面および芯材部３１の外周面に被膜を形成する（成膜工程、Ｓ３４Ｂ）。被膜として、芯材部３１よりもガラスフリットとの濡れ性が大きいシリコン酸化膜３６を形成する。なお被膜として、芯材部３１よりもガラスフリットとの濡れ性が大きい酸化チタン膜を形成してもよい。シリコン酸化膜３６は、スパッタ処理により０．５〜１．０μｍ程度の厚さに形成する。
【００４２】
（充填工程）
次いで、貫通孔２１，２２と芯材部３１との間にガラスフリットを充填する充填工程（Ｓ３５）を行う。
図８はベース基板用ウエハの断面図であって、充填工程を説明するための工程図である。
図８（ａ）に示すように、金属ピン３０がセットされたベース基板用ウエハ４０を真空印刷装置内に搬送し、貫通孔２１，２２内にペースト状のガラスフリット３３を充填する。本実施形態の充填工程（Ｓ３５）では、貫通孔２１，２２の大径側（ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａ側）からガラスフリット３３を充填する。本実施形態で用いるガラスフリット３３は、粉末状のガラス粒子と、有機溶剤と、エチルセルロース等からなるバインダとが主に配合されてなるペースト材である。
【００４３】
まず、第１スキージ４５の走査方向手前側にガラスフリット３３を供給する。続いて、第１スキージ４５をベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａに沿って走査する（第１走査工程（Ｓ３５Ａ））。この際、ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａと第１スキージ４５の走査面とが平行となるように、例えばベース基板用ウエハ４０の径方向一端側から他端側に向けて第１スキージ４５を走査する（図８（ａ）矢印参照）。
【００４４】
第１スキージ４５を走査すると、第１スキージ４５の先端により第１スキージ４５の走査方向に沿って押し流されるようにガラスフリット３３が流動する。これにより、ベース基板用ウエハ４０上に沿ってガラスフリット３３が均される。そして、貫通孔２１，２２の開口縁に沿って第１スキージ４５を走査する際に、第１スキージ４５の先端によって開口縁近傍のガラスフリット３３が、貫通孔２１，２２内に押し流されるように流動する。
その結果、貫通孔２１，２２内にガラスフリット３３が充填される（図８（ｂ）参照）。
【００４５】
第１走査工程（Ｓ３５Ａ）の終了後、ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａ上に残存している余分なガラスフリット３３を除去する第２走査工程（Ｓ３５Ｂ）を行う。具体的には、図８（ｃ）に示すように、第２スキージ４６の先端をベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａに接触させた状態で、上述した第１スキージ４５の走査条件と同様の条件によって第１スキージ４５の走査方向とは逆方向（例えば、ベース基板用ウエハ４０の径方向他端側から一端側）に沿って走査する（図８（ｃ）中矢印参照）。これにより、図８（ｃ）に示すように、貫通孔２１，２２の外部（ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａ上）に存在するガラスフリット３３を除去できる。
【００４６】
（加熱硬化工程）
次に、貫通孔２１，２２内に充填されたガラスフリット３３を加熱して硬化させる加熱硬化工程を行う。加熱硬化工程として、仮乾燥工程（Ｓ３６）、脱バインダ工程（Ｓ３７）および焼成工程（Ｓ３８）を行う。
図９は、ベース基板用ウエハの断面図であって、仮乾燥工程以降を説明するための工程図である。
まず、図９（ａ）に示すように、充填工程（Ｓ３５）で埋め込んだガラスフリット３３を仮乾燥させる仮乾燥工程を行う（Ｓ３６）。具体的には、ガラスフリット３３が充填されたベース基板用ウエハ４０を、乾燥炉内に搬送する。そして、乾燥炉内を例えば大気圧雰囲気下で８０℃程度に保持し、ベース基板用ウエハ４０を３０分程度乾燥させる。ここで、ガラスフリット３３に配合されている有機溶剤の沸点は８５℃より低い。したがって、仮乾燥工程（Ｓ３６）において、ガラスフリット３３に配合される有機溶剤が蒸発して除去される。
【００４７】
この仮乾燥工程は、ベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂにラミネート材３５を貼り付けた状態で行う。このラミネート材３５の耐熱温度は１００℃程度であるため、仮乾燥工程が終了した後、次の脱バインダ工程（Ｓ３７）に移行する前に、ラミネート材３５を除去する。
【００４８】
次に、図９（ｂ）に示すように、ガラスフリット３３内に含まれるバインダを除去する脱バインダ工程を行う（Ｓ３７）。具体的には、仮乾燥工程（Ｓ３６）を終えたベース基板用ウエハ４０を加熱炉のチャンバー内に移し、加熱炉内を例えば大気雰囲気下で４８０℃程度に保持し、ベース基板用ウエハ４０を１時間程度加熱する。ガラスフリット３３に配合されたバインダ（エチルセルロース）の沸点は約３５０℃程度であるため、上記加熱によりバインダが除去される。
【００４９】
脱バインダ工程では、ガラスフリット３３をガラス転移点（４４０℃）以上に加熱するため、ガラスフリット３３に含まれるガラス粒子の一部が溶融を始める。ここで、芯材部３１とガラスフリット３３との濡れ性は小さいが、芯材部３１の外周面に形成されたシリコン酸化膜３６とガラスフリット３３との濡れ性は大きい。そのため、ガラスフリット３３が芯材部３１の外周面から剥離して、芯材部３１の周囲に隙間が形成されることはない。また、貫通孔２１，２２の内周面にもシリコン酸化膜３６が形成されているので、ガラスフリット３３が貫通孔２１，２２の内周面から剥離することもない。したがって、ガラスフリット３３により芯材部３１が特定方向に引き寄せられることがなくなり、金属ピン３０が傾くのを防止することができる。
【００５０】
上述したように、脱バインダ工程は、ベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂからラミネート材３５を剥がした状態で行う。また脱バインダ工程は、加熱炉内の平坦なステージ上にベース基板用ウエハ４０を配置して行うが、ベース基板用ウエハ４０には反りがあるため、一部の金属ピン３０とステージとの間には隙間が存在する。この場合でも、本実施形態によれば、金属ピン３０が傾くのを防止することができるのである。
【００５１】
次に、図９（ｃ）に示すように、ガラスフリット３３中に含まれるガラス粒子を焼成して筒体２９（図２（ｂ）参照）を形成する焼成工程（Ｓ３８）を行う。具体的には、脱バインダ工程（Ｓ３７）を終えたベース基板用ウエハ４０を焼成炉のチャンバー内に移し、焼成炉内を減圧した状態で例えば５８０℃程度に保持する。ガラスフリット３３に含まれるガラス粒子の融点は、一般的に約５００℃〜６００℃程度であるため、上記加熱によりガラス粒子が溶融する。この状態でガラスフリット３３を３０分程度焼成した後、ベース基板用ウエハ４０を常温雰囲気下で放置して冷却する。これにより、ガラスフリット３３が固化して筒体２９となり、この筒体２９と芯材部３１及び貫通孔２１，２２とが互いに固着する。
【００５２】
上述した本実施形態の脱バインダ工程では、ガラスフリット３３が芯材部３１の外周面から剥離して芯材部３１の周囲に隙間が形成されることがない。そのため、焼成工程においてガラスフリット３３が芯材部３１の外周面に再付着することもない。したがって、ガラスフリット３３により芯材部３１が特定方向に倒されることがなくなり、金属ピン３０が傾くのを防止することができる。
また、脱バインダ工程において芯材部３１の周囲に隙間が形成されないので、焼成工程後にその隙間が気泡となって残ることもない。その結果、貫通孔２１，２２及び芯材部３１と筒体２９との密着性を向上させ、キャビティＣ内の気密性を維持できる。また、筒体２９に凹み等が形成されるのを抑制し、貫通電極８，９を覆うように形成される電極膜（例えば、外部電極６，７や引き回し電極２７，２８）に段切れが発生するのを抑制し、キャビティＣの内部と外部との導通性を確保できる。
【００５３】
次いで、ベース基板用ウエハ４０を研磨する研磨工程を行う（Ｓ３８）。
図９（ｄ）は、ベース基板用ウエハの断面図であって、研磨工程を説明するための工程図である。
まず、図９（ｄ）に示すように、焼成後にベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂ側を研磨して金属ピン３０の土台部３２を除去する。これにより、芯材部３１を位置決めさせる役割を果たしていた土台部３２を除去することができ、芯材部３１のみを筒体２９の内部に取り残すことができる。
上述したように、本実施形態の加熱硬化工程では、金属ピン３０が傾くのを防止することができる。そのため、傾いた金属ピン３０の土台部３２に研磨応力が集中することがなくなり、ベース基板用ウエハ４０が破損するのを防止することができる。
【００５４】
続けて、両面研磨装置によりベース基板用ウエハ４０の両面を研磨し、ベース基板用ウエハ４０の第１面４０ａ側を鎖線部Ｔ３まで研磨して芯材部３１の先端を露出させるとともに、第２面４０ｂ側を鎖線部Ｔ２まで研磨する。その結果、筒体２９と芯材部３１とが一体的に固定された一対の貫通電極８，９を複数得ることができる。
【００５５】
次に、ベース基板用ウエハ４０の第２面４０ｂに導電性材料をパターニングして、引き回し電極形成工程を行う（Ｓ３９）。このようにして、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）が終了する。
【００５６】
図１０は、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）が終了した後の貫通電極の拡大断面図である。
図１０に示すように、貫通孔２１，２２の内周面と芯材部３１の外周面とには、シリコン酸化膜３６が予め形成されている。これにより、貫通孔２１，２２とガラスフリット３３との間、及び、芯材部３１とガラスフリット３３との間の濡れ性が高く確保され、脱バインダ工程（Ｓ３７）および焼成工程（Ｓ３８）の各工程における所定温度の加熱時に、金属ピン３０が傾くのを防止することができる。しかも、芯材部３１の外周面には、鉄材料を含む芯材部３１よりガラスフリットとの濡れ性が大きい酸化鉄膜３４が形成されているので、芯材部３１とガラスフリット（筒体２９）との密着性を向上させることができる。
【００５７】
（組立工程）
次に、ベース基板用ウエハ作製工程（Ｓ３０）で作製されたベース基板用ウエハ４０の各引き回し電極２７，２８上に、圧電振動片作製工程（Ｓ１０）で作製された圧電振動片５を、それぞれ金等のバンプＢを介してマウントする（Ｓ４０）。そして、上述した各ウエハ４０，５０の作製工程で作製されたベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる、重ね合わせ工程を行う（Ｓ５０）。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ４０，５０を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片５が、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収納された状態となる。
【００５８】
重ね合わせ工程（Ｓ５０）後、重ね合わせた２枚のウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハの外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ６０）。具体的には、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加する。すると、接合材２３とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片５をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハ５０とが接合されたウエハ接合体６０を得ることができる。そして、本実施形態のように両ウエハ４０，５０同士を陽極接合することで、接着剤等で両ウエハ４０，５０を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれ、ウエハ接合体６０の反り等を防ぎ、両ウエハ４０，５０をより強固に接合することができる。
【００５９】
その後、一対の貫通電極８，９にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極６，７を形成し（Ｓ７０）、圧電振動子１の周波数を微調整する（Ｓ８０）。そして、接合されたウエハ接合体６０を切断線Ｍに沿って切断する個片化工程（Ｓ９０）を行う。
【００６０】
そして、電気特性検査工程（Ｓ１００）では、圧電振動子１の共振周波数や共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等も併せてチェックする。最後に、圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。
以上により、圧電振動子１が完成する。
【００６１】
このように、本実施形態では、貫通孔２１，２２に金属ピン３０を挿入した状態でガラスフリット３３を貫通孔２１，２２に充填する前の段階で、シリコン酸化膜のスパッタ処理を行なうことにより、貫通孔２１，２２とガラスフリット３３との間、及び、芯材部３１とガラスフリット３３との間の濡れ性が高く確保され、脱バインダ工程（Ｓ３７）および焼成工程（Ｓ３８）の各工程における所定温度の加熱時に、金属ピン３０が傾くのを防止することができる。その結果、ベース基板の研磨時において、傾いた金属ピンに研磨応力が集中することがなくなり、ベース基板の破損を防止することができる。これにより、製品の不良率が低下するので、低コストのパッケージを提供することができる。
【００６２】
このように、低コストのパッケージ１０を備えているので、低コストの圧電振動子１を提供できる。
【００６３】
（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１１を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図１１に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上述した集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１の圧電振動片５が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【００６４】
このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片５が振動する。この振動は、圧電振動片５が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。
これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
【００６５】
上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、上述した圧電振動子１を備えているので、低コストの発振器１００を提供できる。
【００６６】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１２を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
【００６７】
（携帯情報機器）
次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図１２に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【００６８】
制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【００６９】
計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片５が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【００７０】
通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【００７１】
また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【００７２】
電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。さらに、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【００７３】
すなわち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。
【００７４】
上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、上述した圧電振動子１を備えているので、低コストの携帯情報機器１１０を提供できる。
【００７５】
（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１３を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図１３に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【００７６】
以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上述した搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。
【００７７】
さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【００７８】
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【００７９】
上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、上述した圧電振動子１を備えているので、低コストの電波時計１３０を提供できる。
【００８０】
なお、本発明の技術範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上述した実施形態では、本発明に係るパッケージの製造方法を使用しつつ、パッケージの内部に圧電振動片を封入して圧電振動子を製造したが、パッケージの内部に圧電振動片以外の電子部品を封入して、圧電振動子以外のデバイスを製造することも可能である。
また、上述した実施形態では、音叉型の圧電振動片を用いた圧電振動子を例に挙げて本発明のパッケージの製造方法を説明したが、これに限らず、例えばＡＴカット型の圧電振動片（厚み滑り振動片）を用いた圧電振動子等に、本発明を適用しても構わない。
【００８１】
また、上述した実施形態では、仮乾燥工程（Ｓ３６）及び脱バインダ工程（Ｓ３７）を大気圧雰囲気で行う構成について説明したが、これに限らず、仮乾燥工程（Ｓ３６）及び脱バインダ工程（Ｓ３７）についても減圧雰囲気下で行っても構わない。
【００８２】
また、上述した実施形態では、ベース基板用ウエハの貫通孔に鋲体型の金属ピンを配置して成膜工程を実施したが、これに限らず、ベース基板用ウエハの貫通しない凹部に棒状の金属ピンを配置して成膜工程を実施してもよい。
【符号の説明】
【００８３】
２…ベース基板  ５…圧電振動片（電子部品）  ８，９…貫通電極  １０…パッケージ  ２１，２２…貫通孔（凹部）  ２９…筒体（ガラスフリット）  ３０…金属ピン  ３１…芯材部  ３２…土台部  ３３…ガラスフリット  ３４…酸化鉄膜（金属酸化膜）  ３６…シリコン酸化膜（被膜）  ４０ａ…第１面  ４０ａ…第２面  １００…発振器  １０１…発振器の集積回路  １１０…携帯情報機器（電子機器）  １１３…電子機器の計時部  １３０…電波時計  １３１…電波時計のフィルタ部  Ｃ…キャビティ
【図１】
2013131806.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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