【手続補正書】
【提出日】平成28年5月23日(2016.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形集合体の形態の触媒材料であって、該触媒材料が複数の触媒ナノワイヤおよび希釈剤を含む触媒材料。
【請求項２】
前記成形集合体が、押し出し物、圧縮粒子、キャスト粒子またはモノリスである、請求項１に記載の触媒材料。
【請求項３】
前記触媒材料が２０ｎｍ超の直径の細孔を含む、請求項１または２のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項４】
前記触媒材料の形状が、円筒、ロッド、星形、リブ状、三葉、ディスク、中空、ドーナツ、リング状、ペレット、管、球形、ハニカム、コップ、ボウルおよび不規則形状から選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項５】
前記押し出し物が内部コアおよび外層を含む、請求項２〜４のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項６】
前記触媒ナノワイヤの９５％超が前記内部コア中に存在する、請求項５に記載の触媒材料。
【請求項７】
前記外層が酸素透過性である、請求項５または６のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項８】
前記触媒ナノワイヤの９５％超が前記外層中に存在する、請求項５に記載の触媒材料。
【請求項９】
前記希釈剤が、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＬｉＡｌＯ２、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＭｎＯ、ＭｎＯ２、Ｍｎ３Ｏ４、Ｌａ２Ｏ３、ＡｌＰＯ４、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｒＡｌ２Ｏ４、Ｂ４ＳｒＯ７、ＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、活性炭、シリカゲル、ゼオライト、活性粘土、活性Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、珪藻土、アルミノケイ酸塩、アルミン酸カルシウム、アルミン酸バリウム、ＣｅＯ２、硫酸塩、支持体ナノワイヤ、炭化物、炭化ホウ素、炭化ケイ素、窒化物、炭酸塩、炭酸アンモニウム、ケイ酸塩、アルミン酸塩またはその組合せを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項１０】
前記触媒材料が１〜５０ｍ２／ｇの範囲の表面積を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項１１】
前記触媒材料が２０〜９０％の範囲の細孔容積率を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項１２】
触媒ナノワイヤと全希釈剤および支持体の重量比が９５：５〜５：９５の範囲である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項１３】
前記希釈剤が、前記触媒ナノワイヤの触媒活性を促進するドーパントを含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項１４】
前記ドーパントが、ＯＣＭ反応における前記触媒ナノワイヤの触媒活性を促進する、請求項１３に記載の触媒材料。
【請求項１５】
複数の触媒ナノワイヤを希釈剤と組み合わせて含む触媒材料であって、該希釈剤が、アルカリ土類金属化合物、炭化ケイ素、コージライト、Ｂ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｒＡｌ２Ｏ４、Ｂ４ＳｒＯ７またはその組合せを含み、該アルカリ土類金属化合物が、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＭｇＡｌ２Ｏ４またはアルミン酸カルシウムではない触媒材料。
【請求項１６】
前記アルカリ土類金属化合物が、ＭｇＣＯ３、ＭｇＳＯ４、Ｍｇ３（ＰＯ４）２、ＣａＣＯ３、ＣａＳＯ４、Ｃａ３（ＰＯ４）２、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＳｒＯ、ＳｒＣＯ３、ＳｒＳＯ４、Ｓｒ３（ＰＯ４）２、ＳｒＡｌ２Ｏ４、ＢａＯ、ＢａＣＯ３、ＢａＳＯ４、Ｂａ３（ＰＯ４）２、ＢａＡｌ２Ｏ４またはその組合せである、請求項１５に記載の触媒材料。
【請求項１７】
前記アルカリ土類金属化合物が、ＳｒＯ、ＭｇＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３またはその組合せである、請求項１５に記載の触媒材料。
【請求項１８】
前記触媒材料が成形集合体を含む、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項１９】
前記成形集合体が押し出し物を含む、請求項１８に記載の触媒材料。
【請求項２０】
前記成形集合体が、圧縮またはキャスト粒子を含む、請求項１８に記載の触媒材料。
【請求項２１】
前記成形集合体がモノリスを含む、請求項１８に記載の触媒材料。
【請求項２２】
前記触媒材料が円筒、ロッド、星形、リブ状、三葉、ディスク、中空、ドーナツ、リング状、ペレット、管、球形、ハニカム、コップ、ボウルおよび不規則形状から選択される形状である、請求項１５〜２１のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項２３】
前記触媒材料がモノリス、発泡体、箔、細目網またはハニカム構造上に配置され、その中に含浸され、またはその組合せである、請求項１５〜２１のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項２４】
前記触媒材料が１〜５０ｍ２／ｇの範囲の表面積を含む、請求項１５〜２３のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項２５】
前記触媒材料が２０〜９０％の範囲の細孔容積率を含む、請求項１５〜２４のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項２６】
触媒ナノワイヤと全希釈剤および支持体の重量比が９５：５〜５：９５の範囲である、請求項１５〜２５のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項２７】
前記希釈剤が、前記触媒ナノワイヤの触媒活性を促進するドーパントを含む、請求項１５〜２６のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項２８】
前記ドーパントが、ＯＣＭ反応における前記触媒ナノワイヤの触媒活性を促進する、請求項２７に記載の触媒材料。
【請求項２９】
複数の触媒ナノワイヤおよび犠牲的結合剤を含む触媒材料。
【請求項３０】
圧縮ペレットまたは押し出し物の形態の触媒材料であって、該触媒材料は複数の触媒ナノワイヤを含み、結合剤材料を実質的に含まない触媒材料。
【請求項３１】
活性触媒およびナノワイヤ結合剤を含む触媒材料。
【請求項３２】
構造化支持体上またはその中に支持された複数の触媒ナノワイヤを含む触媒材料。
【請求項３３】
第１および第２の触媒を含む触媒材料であって、前記第１および第２の触媒が、同じ条件下での同じ反応において異なる触媒活性を有する触媒材料。
【請求項３４】
前記触媒材料が７５０℃または７５０℃より低い温度でのメタンの酸化カップリングにおける触媒材料として使用される場合に、２５％超の１回通過でのメタン転換率を有する触媒材料。
【請求項３５】
前記触媒材料が約３５％〜約７０％の容積空隙率を含む、請求項１〜３４のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項３６】
前記触媒材料が約４５％〜約６５％の容積空隙率を含む、請求項３５に記載の触媒材料。
【請求項３７】
前記触媒材料が約１ｍｍ〜約２０ｍｍの範囲の少なくとも１つの寸法の断面寸法を有する触媒粒子を含む、請求項１〜３５のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項３８】
前記断面寸法が、約２ｍｍ〜約１０ｍｍの間である、請求項３７に記載の触媒材料。
【請求項３９】
前記触媒材料が約０．１ｍｍ−１〜約１０ｍｍ−１の間の表面積と容積の比を有する触媒粒子を含む、請求項１〜３８のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項４０】
前記触媒材料が約０．１ｍｍ−１〜約５ｍｍ−１の範囲の表面積と容積の比を有する触媒粒子を含む、請求項３９に記載の触媒材料。
【請求項４１】
前記触媒材料が１Ｎ／ｍｍ２超の破壊強度を含む、請求項１〜４０のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項４２】
前記触媒材料が１０Ｎ／ｍｍ２超の破壊強度を含む、請求項４１に記載の触媒材料。
【請求項４３】
前記触媒材料が約１０％〜約８０％の間の多孔率を含む、請求項１〜４２のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項４４】
前記多孔率が約４０％〜約６０％の間である、請求項４３に記載の触媒材料。
【請求項４５】
触媒形態エンベロープの表面積と触媒形態エンベロープの容積の比が、約０．５ｍｍ−１〜約４ｍｍ−１の範囲である、請求項１〜４４のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項４６】
前記触媒材料が均一に分散された活性触媒を含む、請求項１〜４５のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項４７】
前記触媒材料が約１ｍ２／ｇ〜約５０ｍ２／ｇの範囲の表面積を含む、請求項１〜４６のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項４８】
前記触媒材料が無機触媒性多結晶ナノワイヤを含み、該ナノワイヤが、５ｋｅＶでの明視野モードでＴＥＭにより測定して、１未満の有効長と実際長の比および１０超のアスペクト比を有し、該ナノワイヤが、１族〜７族、ランタニド、アクチニドまたはその組合せのいずれかからの１つまたは複数の元素を含む、請求項１〜４７のいずれか一項に記載の触媒材料。
【請求項４９】
メタンの酸化カップリングのための方法であって、請求項１〜４８のいずれか一項に記載の触媒材料を、メタンと酸素を含む混合物と接触させるステップを含む方法。
【請求項５０】
エタンまたはエチレンの調製のための方法であって、請求項１〜４８のいずれか一項に記載の触媒材料を、メタンと酸素を含む混合物と接触させるステップを含む方法。
【請求項５１】
エチレンの川下製品の調製のための方法であって、該方法はエチレンをオリゴマー化するステップを含み、該エチレンが、請求項１〜４８のいずれかに記載の触媒材料をメタンと酸素を含む混合物と接触させるステップを含む方法によって調製されている方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図面において、図面中のエレメントのサイズおよび相対位置は、必ずしも原寸に比例して描かれてはいない。例えば、種々のエレメントおよび角度は原寸に比例して描かれてはおらず、これらのエレメントの一部は、図面の視認性を向上させるために、適宜拡大され、配置されている。さらに、描かれているエレメントの具体的な形状は特定のエレメントの実際の形状に関するいかなる情報を伝えようとするものでもなく、それらは、図面における認識のし易さのためだけに選択されている。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
複数の触媒ナノワイヤを希釈剤と組み合わせて含む触媒材料であって、該希釈剤が、アルカリ土類金属化合物、炭化ケイ素、コージライト、Ｂ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｒＡｌ２Ｏ４、Ｂ４ＳｒＯ７またはその組合せを含み、該アルカリ土類金属化合物が、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＭｇＡｌ２Ｏ４またはアルミン酸カルシウムではない触媒材料。
（項目２）
前記アルカリ土類金属化合物が、ＭｇＣＯ３、ＭｇＳＯ４、Ｍｇ３（ＰＯ４）２、ＣａＣＯ３、ＣａＳＯ４、Ｃａ３（ＰＯ４）２、ＣａＡｌ２Ｏ４、ＳｒＯ、ＳｒＣＯ３、ＳｒＳＯ４、Ｓｒ３（ＰＯ４）２、ＳｒＡｌ２Ｏ４、ＢａＯ、ＢａＣＯ３、ＢａＳＯ４、Ｂａ３（ＰＯ４）２、ＢａＡｌ２Ｏ４またはその組合せである、項目１に記載の触媒材料。
（項目３）
前記アルカリ土類金属化合物が、ＳｒＯ、ＭｇＣＯ３、ＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３またはその組合せである、項目１に記載の触媒材料。
（項目４）
前記触媒材料が成形集合体を含む、項目１〜３のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目５）
前記成形集合体が押し出し物を含む、項目４に記載の触媒材料。
（項目６）
前記成形集合体が、圧縮またはキャスト粒子を含む、項目４に記載の触媒材料。
（項目７）
前記成形集合体がモノリスを含む、項目４に記載の触媒材料。
（項目８）
前記触媒材料が円筒、ロッド、星形、リブ状、三葉、ディスク、中空、ドーナツ、リング状、ペレット、管、球形、ハニカム、コップ、ボウルおよび不規則形状から選択される形状である、項目１〜７のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目９）
前記触媒材料がモノリス、発泡体、箔、細目網またはハニカム構造上に配置され、その中に含浸され、またはその組合せである、項目１〜７のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目１０）
前記触媒材料が１〜５０ｍ２／ｇの範囲の表面積を含む、項目１〜９のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目１１）
前記触媒材料が２０〜９０％の範囲の細孔容積率を含む、項目１〜１０のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目１２）
触媒ナノワイヤと全希釈剤および支持体の重量比が９５：５〜５：９５の範囲である、項目１〜１１のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目１３）
前記希釈剤が、前記触媒ナノワイヤの触媒活性を促進するドーパントを含む、項目１〜１２のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目１４）
前記ドーパントが、ＯＣＭ反応における前記触媒ナノワイヤの触媒活性を促進する、項目１３に記載の触媒材料。
（項目１５）
複数の触媒ナノワイヤおよび犠牲的結合剤を含む触媒材料。
（項目１６）
圧縮ペレットまたは押し出し物の形態の触媒材料であって、該触媒材料は複数の触媒ナノワイヤを含み、結合剤材料を実質的に含まない触媒材料。
（項目１７）
前記触媒材料が組み合わせて合計で１ｗ／ｗ％未満の結合剤および希釈剤を含む、項目１６に記載の触媒材料。
（項目１８）
前記触媒材料は結合剤も希釈剤も含まない、項目１６に記載の触媒材料。
（項目１９）
活性触媒およびナノワイヤ結合剤を含む触媒材料。
（項目２０）
前記活性触媒がバルク触媒である、項目１９に記載の触媒材料。
（項目２１）
前記活性触媒が触媒ナノワイヤである、項目１９に記載の触媒材料。
（項目２２）
前記活性触媒がゼオライト触媒である、項目１９に記載の触媒材料。
（項目２３）
成形集合体の形態の触媒材料であって、該触媒材料が複数の触媒ナノワイヤおよび希釈剤を含む触媒材料。
（項目２４）
前記成形集合体が、押し出し物、圧縮粒子、キャスト粒子またはモノリスである、項目２３に記載の触媒材料。
（項目２５）
前記触媒材料が２０ｎｍ超の直径の細孔を含む、項目２３または２４のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目２６）
前記触媒材料の形状が、円筒、ロッド、星形、リブ状、三葉、ディスク、中空、ドーナツ、リング状、ペレット、管、球形、ハニカム、コップ、ボウルおよび不規則形状から選択される、項目２３〜２５のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目２７）
前記押し出し物が内部コアおよび外層を含む、項目２３〜２６のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目２８）
前記触媒ナノワイヤの９５％超が前記内部コア中に存在する、項目２７に記載の触媒材料。
（項目２９）
前記外層が酸素透過性である、項目２７または２８のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目３０）
前記触媒ナノワイヤの９５％超が前記外層中に存在する、項目２７に記載の触媒材料。
（項目３１）
前記希釈剤が、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＬｉＡｌＯ２、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＭｎＯ、ＭｎＯ２、Ｍｎ３Ｏ４、Ｌａ２Ｏ３、ＡｌＰＯ４、ＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｒＡｌ２Ｏ４、Ｂ４ＳｒＯ７、ＣａＣＯ３、ＳｒＣＯ３、活性炭、シリカゲル、ゼオライト、活性粘土、活性Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、珪藻土、アルミノケイ酸塩、アルミン酸カルシウム、アルミン酸バリウム、ＣｅＯ２、硫酸塩、支持体ナノワイヤ、炭化物、炭化ホウ素、炭化ケイ素、窒化物、炭酸塩、炭酸アンモニウム、ケイ酸塩、アルミン酸塩またはその組合せを含む、項目２３〜３０のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目３２）
前記触媒材料が１〜５０ｍ２／ｇの範囲の表面積を含む、項目２３〜３１のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目３３）
前記触媒材料が２０〜９０％の範囲の細孔容積率を含む、項目２３〜３２のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目３４）
触媒ナノワイヤと全希釈剤および支持体の重量比が９５：５〜５：９５の範囲である、項目２３〜３３のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目３５）
前記希釈剤が、前記触媒ナノワイヤの触媒活性を促進するドーパントを含む、項目２３〜３４のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目３６）
前記ドーパントが、ＯＣＭ反応における前記触媒ナノワイヤの触媒活性を促進する、項目３５に記載の触媒材料。
（項目３７）
構造化支持体上またはその中に支持された複数の触媒ナノワイヤを含む触媒材料。
（項目３８）
前記構造化支持体が、発泡体、箔、細目網またはハニカム構造を含む、項目３７に記載の触媒材料。
（項目３９）
前記構造化支持体が炭化ケイ素またはアルミナを含む、項目３７または３８のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目４０）
前記構造化支持体が、金属発泡体、セラミック発泡体、炭化ケイ素発泡体、アルミナ発泡体、波形金属箔または押し出し型セラミックハニカムを含む、項目３７〜３９のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目４１）
前記触媒ナノワイヤが前記構造化支持体上に配置されている、項目３７〜４０のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目４２）
前記触媒ナノワイヤが、１〜１０ミクロンの範囲の厚さを有する構造化支持体上に層を形成する、項目４１に記載の触媒材料。
（項目４３）
前記触媒ナノワイヤが、前記構造化支持体中に含浸されている、項目３７〜４０のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目４４）
前記構造化支持体がモノリスである、項目３７〜４３のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目４５）
前記モノリスがガス透過性の壁を含む、項目４４に記載の触媒材料。
（項目４６）
前記ガス透過性の壁が酸素透過性である、項目４５に記載の触媒材料。
（項目４７）
前記モノリスが複数のフローチャネルを含む、項目４５または４６のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目４８）
前記モノリスが活性フローチャネルおよび不活性フローチャネルを含み、前記活性フローチャネルが触媒ナノワイヤを含み、前記不活性フローチャネルが触媒ナノワイヤを実質的に含まない、項目４７に記載の触媒材料。
（項目４９）
前記フローチャネルの５〜７５％が不活性フローチャネルである、項目４８に記載の触媒材料。
（項目５０）
前記フローチャネルが、ガス流を、交互になっている活性および不活性フローチャネルを通して導くように構成されている、項目４８または４９のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目５１）
前記構造化支持体が、前記触媒ナノワイヤの触媒活性を促進するドーパントを含む、項目３７〜５０のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目５２）
前記ドーパントが、ＯＣＭ反応における前記触媒ナノワイヤの触媒活性を促進する、項目５１に記載の触媒材料。
（項目５３）
第１および第２の触媒を含む触媒材料であって、前記第１および第２の触媒が、同じ条件下での同じ反応において異なる触媒活性を有する触媒材料。
（項目５４）
前記第１の触媒がナノワイヤ触媒である、項目５３に記載の触媒材料。
（項目５５）
前記第２の触媒がバルク触媒である、項目５３または５４のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目５６）
前記第１および第２の触媒のそれぞれがナノワイヤ触媒である、項目５３に記載の触媒材料。
（項目５７）
前記第１および第２の触媒のそれぞれがバルク触媒である、項目５３に記載の触媒材料。
（項目５８）
前記第２の触媒が、同じ条件下で前記第１の触媒より低い触媒活性を有する、項目５３〜５７のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目５９）
前記第２の触媒の触媒活性が温度の上昇に伴って増大する、項目５７に記載の触媒材料。
（項目６０）
前記反応がＯＣＭである、項目５３〜５９のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目６１）
前記触媒材料が７５０℃または７５０℃より低い温度でのメタンの酸化カップリングにおける触媒材料として使用される場合に、２５％超の１回通過でのメタン転換率を有する触媒材料。
（項目６２）
前記触媒材料が反応器と接触している、触媒ナノワイヤを含む触媒材料。
（項目６３）
前記反応器が、ＯＣＭを実施するために使用される、項目６２に記載の触媒材料。
（項目６４）
前記触媒材料が炭化ケイ素を含む、項目６２または６３のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目６５）
前記反応器が固定ベッド反応器である、項目６２〜６４のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目６６）
前記反応器が少なくとも１インチの内径を含む、項目６２〜６５のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目６７）
少なくとも１つのＯ２−ＯＣＭ触媒および少なくとも１つのＣＯ２−ＯＣＭ触媒を含む触媒材料。
（項目６８）
前記Ｏ２−ＯＣＭ触媒または前記ＣＯ２−ＯＣＭ触媒の少なくとも１つが触媒ナノワイヤである、項目６７に記載の触媒材料。
（項目６９）
少なくとも１つのＯ２−ＯＣＭ触媒および少なくとも１つのＣＯ２−ＯＤＨ触媒を含む触媒材料。
（項目７０）
前記Ｏ２−ＯＣＭ触媒または前記ＣＯ２−ＯＤＨ触媒の少なくとも１つが触媒ナノワイヤである、項目６９に記載の触媒材料。
（項目７１）
前記触媒材料が約３５％〜約７０％の容積空隙率を含む、項目１〜７０のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目７２）
前記触媒材料が約４５％〜約６５％の容積空隙率を含む、項目７１に記載の触媒材料。
（項目７３）
前記触媒材料が約１ｍｍ〜約２０ｍｍの範囲の少なくとも１つの寸法の断面寸法を有する触媒粒子を含む、項目１〜７２のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目７４）
前記断面寸法が、約２ｍｍ〜約１０ｍｍの範囲である、項目７３に記載の触媒材料。
（項目７５）
前記触媒材料が約０．１ｍｍ−１〜約１０ｍｍ−１の範囲の表面積と容積の比を有する触媒粒子を含む、項目１〜７４のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目７６）
前記触媒材料が約０．１ｍｍ−１〜約５ｍｍ−１の範囲の表面積と容積の比を有する触媒粒子を含む、項目７５に記載の触媒材料。
（項目７７）
前記触媒材料が約１Ｎ／ｍｍ２超の破壊強度を含む、項目１〜７６のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目７８）
前記触媒材料が約１０Ｎ／ｍｍ２超の破壊強度を含む、項目７７に記載の触媒材料。
（項目７９）
前記触媒材料が約１０％〜約８０％の間の多孔率を含む、項目１〜７８のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目８０）
前記多孔率が約４０％〜約６０％の間である、項目７９に記載の触媒材料。
（項目８１）
触媒形態エンベロープの表面積と触媒形態エンベロープの容積の比が、約０．５ｍｍ−１〜約４ｍｍ−１の範囲である、項目１〜８０のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目８２）
前記触媒材料が均一に分散された活性触媒を含む、項目１〜８１のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目８３）
前記触媒材料が約１ｍ２／ｇ〜約５０ｍ２／ｇの範囲の表面積を含む、項目１〜８２のいずれか一項に記載の触媒材料。
（項目８４）
触媒ベッドを含む反応器であって、該触媒ベッドが入口端、出口端ならびに活性触媒および希釈剤を含む触媒材料を含み、該触媒ベッドが該活性触媒の濃度勾配を含み、前記活性触媒の濃度が、該出口端より該入口端において高い反応器。
（項目８５）
前記活性触媒がＯＣＭ活性触媒である、項目８４に記載の反応器。
（項目８６）
前記反応器をメタンの酸化カップリングのために使用する場合、前記濃度勾配が、前記入口端から前記出口端への温度変化が２００℃を超えないように選択される、項目８４または８５のいずれか一項に記載の反応器。
（項目８７）
前記触媒材料が無機触媒性多結晶ナノワイヤを含み、該ナノワイヤが、５ｋｅＶでの明視野モードでＴＥＭにより測定して、１未満の有効長と実際長の比および１０超のアスペクト比を有し、該ナノワイヤが、１族〜７族、ランタニド、アクチニドまたはその組合せのいずれかからの１つまたは複数の元素を含む、項目１〜８６のいずれか一項に記載の触媒材料または反応器。
（項目８８）
触媒材料を調製するための方法であって、該方法は複数の触媒ナノワイヤを犠牲的結合剤と混合するステップと、該犠牲的結合剤を除去して、結合剤材料を実質的に含まず、該犠牲的結合剤なしで調製された触媒材料と比べて増大した微小細孔を有する触媒材料を得るステップとを含む方法。
（項目８９）
メタンの酸化カップリングのための方法であって、該方法は触媒材料の存在下でメタンを１つまたは複数のＣ２炭化水素へ転換させるステップを含み、該触媒材料が少なくとも１つのＯ２−ＯＣＭ触媒および少なくとも１つのＣＯ２−ＯＣＭ触媒を含む方法。
（項目９０）
前記Ｏ２−ＯＣＭ触媒または前記ＣＯ２−ＯＣＭ触媒の少なくとも１つが、触媒ナノワイヤである、項目８９に記載の方法。
（項目９１）
前記触媒材料が、Ｏ２−ＯＣＭ触媒とＣＯ２−ＯＣＭ触媒が交互になっている層のベッドを含む、項目８９または９０のいずれか一項に記載の方法。
（項目９２）
前記触媒材料が、Ｏ２−ＯＣＭ触媒とＣＯ２−ＯＣＭ触媒の均一混合物を含む、項目８９または９０のいずれか一項に記載の方法。
（項目９３）
エチレンの調製のための方法であって、触媒材料の存在下でメタンをエチレンへ転換させるステップを含み、前記触媒材料が少なくとも１つのＯ２−ＯＣＭ触媒および少なくとも１つのＣＯ２−ＯＤＨ触媒を含む方法。
（項目９４）
前記Ｏ２−ＯＣＭ触媒または前記ＣＯ２−ＯＣＭ触媒の少なくとも１つが触媒ナノワイヤである、項目９３に記載の方法。
（項目９５）
メタンの酸化カップリングのための方法であって、項目１〜８７のいずれか一項に記載の触媒材料または反応器を、メタンと酸素を含む混合物と接触させるステップを含む方法。
（項目９６）
エタンまたはエチレンの調製のための方法であって、項目１〜８７のいずれか一項に記載の触媒材料または反応器を、メタンと酸素を含む混合物と接触させるステップを含む方法。
（項目９７）
エチレンの川下製品の調製のための方法であって、該方法はエチレンをオリゴマー化するステップを含み、該エチレンが、項目１〜８７のいずれかに記載の触媒材料または反応器をメタンと酸素を含む混合物と接触させるステップを含む方法によって調製されている方法。