Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月27日(2016.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
懸濁液の形態の組成物であって、前記組成物は、
（ａ）純粋な酸化タングステンナノ粒子、ドープされた酸化タングステンナノ粒子、及びシェルが酸化タングステン又はドープされた酸化タングステンで構成され、コアが異なる無機材料で構成されたコアシェルナノ粒子から成る群から選択される酸化タングステンナノ粒子と；
（ｂ）水、及び水と二成分共沸混合物を形成する第一の有機溶媒を含む均一溶媒組成物と
を含んでおり、
前記溶媒組成物（ｂ）中の水量は、前記第一の有機溶媒についての総共沸含水量未満であり；
ナノ粒子の量：水量の比率が９未満：１（ｗ／ｗ）である、
組成物。
【請求項２】
前記均一溶媒組成物（ｂ）が、水と二成分共沸混合物を形成する第二の有機溶媒を更に含んでおり、
前記溶媒組成物（ｂ）中の水量が、前記第一の有機溶媒及び前記第二の有機溶媒についての総共沸含水量未満である、
請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記均一溶媒組成物（ｂ）が、水と二成分共沸混合物を形成しない第三の有機溶媒を更に含む、請求項１又は２のいずれかに記載の組成物。
【請求項４】
前記（ａ）、水、第一の有機溶媒／第二の有機溶媒が、
０．２〜４質量％の（ａ）、０．２〜４質量％の水、９２〜９９．６質量％のエタノール、又は
０．２〜１０質量％の（ａ）、０．２〜１０質量％の水、８０〜９９．６質量％の２―プロパノール、又は
０．２〜２０質量％の（ａ）、０．２〜２０質量％の水、６０〜９９．６質量％の１―プロパノール、又は
０．２〜１６質量％の（ａ）、０．２〜１６質量％の水、６８〜９９．６質量％の１―ブタノール、又は
０．２〜２０質量％の（ａ）、０．２〜２０質量％の水、６０〜９９．６質量％の２―ブタノール、又は
０．２〜１０質量％の（ａ）、０．２〜１０質量％の水、８０〜９９．６質量％のｔｅｒｔ―ブタノール、又は
０．２〜１３質量％の（ａ）、０．２〜１３質量％の水、７４〜９９．６質量％のアセトニトリル、又は
０．２〜４質量％の（ａ）、０．２〜４質量％の水、９２〜９９．６質量％のプロピオニトリル、又は
０．２〜１０質量％の（ａ）、０．２〜１０質量％の水、０．６〜８０質量％の１―プロパノール／０．５〜９９質量％のメタノール
から成る、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記第一の有機溶媒が、アルコール及びニトリルからなる群から選択され；
前記第二の有機溶媒が、アルコール、ニトリル、ケトン、エステル、エーテル、アルデヒド、及びアルコキシアルコールからなる群から選択され；
前記第三の有機溶媒が、アルコール、ニトリル、ケトン、エステル、エーテル、アルデヒド、及びアルコキシアルコールからなる群から選択され；
前記アルコールは、ハロゲンによって部分的に又は完全に置換されていてもよく、
前記アルコールは多重結合を含んでいてもよく、
前記有機溶媒は、直鎖、分岐鎖、又は環状の誘導体を含んでもよい、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
ナノ粒子の量が０．１〜２０質量％であり、前記均一溶媒組成物の量が８０〜９９．９質量％である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
薄膜を製造する方法であって、
（ａ）請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物を、基材又は被覆した基材上に適用することと、
（ｂ）前記組成物から溶媒を除去して、乾燥フィルムを得ることと、任意に、
（ｃ）前記乾燥フィルムを高温で処理することと
を含む、方法。
【請求項８】
工程（ａ）の組成物を、コーティング又は印刷によって適用する；及び／又は
工程（ｂ）の溶媒を、湿度含有量の低い空気又は保護気体の下で除去する；及び／又は
工程（ｃ）の乾燥ナノ粒子フィルムを、空気中又は保護気体中で８０℃〜１５０℃でアニーリングする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記フィルムが、
（ａ）５〜２００ｎｍの厚みを有し、及び／又は
（ｂ）１００ｎｍ未満の平均表面粗さを有する、
請求項７又は８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記基材が、
（ａ）疎水性有機材料であるか；又は
（ｂ）親水性無機材料である、
請求項７〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記組成物が、コア−シェル型の酸化タングステンナノ粒子を含んでおり、前記シェルは酸化タングステン又はドープされた酸化タングステンから構成され、前記コアが異なる無機材料で構成されている、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の薄膜が使用される電気素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の一つ以上の電気素子を含む装置の製造方法であって、装置は有機電子機器の群から選択される。
【請求項１４】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物の製造方法であって、
（ａ）均一溶媒組成物を提供することと；
（ｂ）ナノ粒子を提供することと；
（ｃ）前記ナノ粒子を前記均一溶媒組成物と組み合わせて、懸濁液を得ることと
を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物を使用する、薄膜の製造方法であり、その薄膜は、
（ａ）有機太陽電池における、有機発光ダイオードにおける、又は有機光検出器における正孔輸送層として；
（ｂ）フォトクロミック用途における；及び／又は
（ｃ）エレクトロクロミック用途における；及び／又は
（ｄ）サーモクロミック用途における；及び／又は
（ｅ）触媒としての；及び／又は
（ｆ）センサ用途における；及び／又は
（ｇ）トランジスタにおける；及び／又は
（ｈ）バリスタにおける；及び／又は
（ｉ）コンデンサにおける；及び／又は
（ｊ）熱電用途における
薄膜に適切である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月7日(2016.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子から発光された光を制御し、前記発光素子から放出された光が入射する第１表面を含む照明レンズと、を有し、
前記第１表面は、発光デバイスの基準軸に対して対称な中央キャビティを含み、
前記基準軸と前記発光素子の発光表面との交差点を基準点として、前記基準点と前記第１表面上の任意の点との距離であるＲ1は、前記基準軸と、前記基準点および前記第１表面上の任意の点を通過する直線との間の角であるα1が前記α1＜２５゜の範囲内で、前記α1が増加するにつれて単調に増加する発光デバイス。
【請求項２】
前記照明レンズは、前記第１表面に入射した光が前記照明レンズから放出される第２表面をさらに有し、
前記第２表面は、前記基準軸に対して対称なトロイド部分（ｔｏｒｏｉｄａｌ  ｐｏｒｔｉｏｎ）と、前記トロイド部分に囲まれた前記第２表面の一部を含む中央窪み部と、を含み、
前記中央窪み部は、前記基準軸と、前記第２表面の交差点と、を含み、
前記中央窪み部は、発散レンズとして作用する、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記基準点と前記第２表面上の任意の点との距離であるＲ2は、前記基準軸と、前記基準点および前記第２表面上の任意の点を通過する直線との間の角であるα2が前記α2＜６０゜の範囲内で、前記α2が増加するにつれて単調に増加する、請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記照明レンズを形成する材料の屈折率ｎは、
2015517199.tif 000001
の関係を満たし、
Ｒ2の増加分△Ｒ2及びα2の増加分△α2は、
2015517199.tif 000002
の関係を満たす、請求項３に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記第１表面の前記中央キャビティは、平坦なトップ（ｔｏｐ）を含み、前記平坦なトップは、前記発光素子の延長方向と実質的に平行である、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記照明レンズは、１．４１以上１．６５以下の屈折率を有する透明材料を含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記発光素子は、発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記第２表面の前記トロイド部分の円錐部の底面は、角τだけ傾斜する、請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記第２表面のトロイド部分上の最大倍率の点により前記発光素子の発光表面から描かれた線は、光が照射される外部表面の中間点を示す、請求項８に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記照明レンズは、楕円形であり、前記第２表面の前記トロイド部分の円錐部の底面は、その長軸および短軸に沿って角τだけ傾斜する、請求項８に記載の発光デバイス。
【請求項１１】
キャビティを規定し、平坦なトップと、横方向フランク（ｆｌａｎｋ）と、を含み、下部の発光素子から光を受光する光入射面と、
中央窪み部と、囲みトロイドと、を含む光出射面と、を含み、
前記平坦なトップは、前記中央窪み部に対向する、照明レンズ。
【請求項１２】
前記平坦なトップは、前記平坦なトップの中央点の第１側上の第１平坦部と、前記中央点の前記第１側とは反対側の第２側上の第２平坦部と、を含み、
前記中央点は、前記下部の前記発光素子上に位置する、請求項１１に記載の照明レンズ。
【請求項１３】
前記中央窪み部は、前記第１側において前記中央点に向かって下方へ傾斜する第１傾斜部と、前記第２側において前記中央点から離間するにつれて上方へ傾斜する第２傾斜部と、を含む、請求項１２に記載の照明レンズ。
【請求項１４】
前記第１平坦部は、前記第１傾斜部に対向し、前記第２平坦部は、前記第２傾斜部に対向する、請求項１３に記載の照明レンズ。
【請求項１５】
前記光入射面と前記光出射面とを接続する底面をさらに含み、
前記底面は、前記発光素子の平面に平行な方向に対して傾斜した形状を有する、請求項１４に記載の照明レンズ。
【請求項１６】
前記照明レンズの前記底面は、前記底面の光の吸収率が少なくとも８０％になるようにペイントされる、請求項１５に記載の照明レンズ。
【請求項１７】
前記照明レンズの前記底面は、黒色ペイントでペイントされる、請求項１６に記載の照明レンズ。
【請求項１８】
前記照明レンズのペイントされた前記底面は、光のフレネル反射を吸収する、請求項１６に記載の照明レンズ。
【請求項１９】
前記照明レンズの前記底面は、光のフレネル反射を吸収するために、前記底面の光の吸収率が少なくとも９０％になるようにペイントされる、請求項１５に記載の照明レンズ。
【請求項２０】
発光デバイスが配置されるプリント回路基板（ＰＣＢ）をさらに含み、前記ＰＣＢの表面は、前記ＰＣＢの表面の光の吸収率が少なくとも８０％になるようにペイントされる、請求項１５に記載の照明レンズ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年3月1日(2016.3.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒の存在下で行うブテン−１を重合するための方法において、
前記触媒は、
（ａ）Ｍｇ、Ｔｉ、及び下記式（Ｉ）：
【化１】
2015517604.tif 000001
（ここで、互いに同一あるいは異なるＲ基はＣ１−Ｃ１５炭化水素基であり、互いに同一あるいは異なるＲ１−Ｒ２基は、水素、ハロゲン、またはＣ１−Ｃ１５炭化水素基であり、必要に応じて、ハロゲン、Ｐ、Ｓ、Ｎ、及びＳｉから選択されるヘテロ原子を含有し、ｎ及びｍは０〜３の整数であり、そのうち少なくとも一方は０でない）
で表される電子供与体化合物を含む固体触媒成分と、
（ｂ）アルミニウムアルキル共触媒と、
（ｃ）外部電子供与体と、
を含む、方法。
【請求項２】
Ｒ基はＣ１−Ｃ５直鎖アルキル基から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ｎとｍの合計は２である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ｎとｍは共に１である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
Ｒ１及びＲ２は水素及びＣ１−Ｃ５アルキル基から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
Ｒ１及びＲ２は共にアルキル基であってはならない、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
Ｒ１及びＲ２は水素である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
成分（ｂ）の前記アルミニウムアルキル共触媒は、トリアルキルアルミニウム化合物の中から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記外部電子供与体は、式（Ｒ６）ａ（Ｒ７）ｂＳｉ（ＯＲ８）ｃで表されるケイ素化合物から選択され、ここで、ａ及びｂは０〜２の整数であり、ｃは１〜４の整数であり、合計（ａ＋ｂ＋ｃ）は４であり、
Ｒ６、Ｒ７、及びＲ８は、炭素数１−１８のアルキル、シクロアルキルまたはアリールラジカル（ａｒｙｌ  ｒａｄｉｃａｌ）であり、必要に応じてヘテロ原子を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
Ｒ６及びＲ７のうち少なくとも一方は炭素数３−１０の分枝アルキル（ｂｒａｎｃｈ  ａｌｋｙｌ）またはシクロアルキルから選択され、
Ｒ８はＣ１−Ｃ１０アルキル基である、請求項９に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、Ｔｉ原子と特定の群から選択された少なくとも１つの電子供与体を担持するマグネシウム二ハロゲン化物（Ｍｇ  ｄｉｈａｌｉｄｅ）系支持体を含む、オレフィン、特にプロピレン重合用の特定のチーグラー・ナッタ（Ｚｉｅｇｌｅｒ−Ｎａｔｔａ）触媒成分を用いて、高活性と立体規則性を有するポリブテン−１を製造する方法に関する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
したがって、本発明の目的は、触媒の存在下に行うブテン−１の重合方法であり、前記触媒は、（ａ）Ｍｇ、Ｔｉ、及び下記式（Ｉ）：
【化１】
2015517604.tif 000002
（ここで、互いに同一あるいは異なるＲ基はＣ１−Ｃ１５炭化水素基であり、互いに同一あるいは異なるＲ１−Ｒ２基は、水素、ハロゲン、またはＣ１−Ｃ１５炭化水素基であり、必要に応じて、ハロゲン、Ｐ、Ｓ、Ｎ、及びＳｉから選択されるヘテロ原子を含有し、ｎ及びｍは０〜３の整数であり、そのうち少なくとも一方は０でない）
で表される電子供与体化合物を含む固体触媒成分と、（ｂ）アルミニウムアルキル共触媒と、（ｃ）外部電子供与体とを含む、方法を提供することである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
重合方法では、周知の方法、例えば、不活性炭化水素を溶媒または希釈剤として用いる溶液またはスラリー重合、あるいは反応媒質として液状ブテン−１を用いる溶液重合などの方法を採用することができる。併せて、重合方法として、流動床反応器または機械攪拌床反応器を１つ以上用いる気相重合を行うこともできる。液状ブテン−１を反応媒質として用いる重合が最も好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月26日(2016.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体サンプル中の生存細胞の存在および／または量を検出する方法であって、前記方法が、
（ａ）前記液体サンプルが実質的に平面の多孔質膜を通過した後に、前記実質的に平面の多孔質膜の少なくとも一部に保持された生存細胞が存在する場合は、前記生存細胞を蛍光標識で標識するステップ；
（ｂ）前記多孔質膜を検出システムに対して回転させることによって前記多孔質膜の一部をスキャンするステップ、ここで、前記検出システムが、
（ｉ）前記蛍光標識を励起して発光事象を生じさせるのに適した波長の光ビームを放射する光源、および
（ｉｉ）前記発光事象を検出することができる少なくとも１つの検出器
を含み、前記スキャンにより、前記平面の多孔質膜の複数の領域を調べ、全ての生存細胞に関連した蛍光標識の励起によって生じる発光事象を検出する；ならびに
（ｃ）ステップ（ｂ）で検出された発光事象に基づいて、前記膜によって収集された生存細胞の存在および／または量を決定するステップ、
を含み、前記生存細胞が微生物である、方法。
【請求項２】
ステップ（ａ）で、前記細胞が、生死判別染色剤および生死判別染色システムの少なくとも１つを用いて標識される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
光源のビームが、約３５０ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲の波長を有する光を放射する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記波長が、約３５０ｎｍ〜約６００ｎｍおよび約６００ｎｍ〜約７５０ｎｍの少なくとも１つの範囲である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記検出器が、約３５０ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲の放射光を検出する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記光検出器が、約３５０ｎｍ〜約４５０ｎｍ、約４５０ｎｍ〜約５５０ｎｍ、約５５０ｎｍ〜約６５０ｎｍ、約６５０ｎｍ〜約７５０ｎｍ、約７５０ｎｍ〜約８５０ｎｍ、および約８５０ｎｍ〜約９５０ｎｍから選択される少なくとも１つの範囲の放射光を検出する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記多孔質膜がディスクを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記多孔質膜が、約３５０ｎｍ〜約１０００ｎｍの範囲の波長を有する光に曝露されたときに実質的に非自家蛍光性である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記多孔質膜が、最大約１００μｍの平面度公差を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記多孔質膜が、前記多孔質膜を流体は通過するが細胞は前記多孔質膜に保持されるように約１μｍ未満の平均直径を有する複数の孔を画定している、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記多孔質膜が、１μｍ〜３，０００μｍ；１０μｍ〜２，０００μｍ；および１００μｍ〜１，０００μｍからなる群から選択される範囲の厚さを有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記多孔質膜が、流体透過性支持部材上に配設される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記支持部材が、０．１ｍｍ〜１０ｍｍ；０．５ｍｍ〜５ｍｍ；および１ｍｍ〜３ｍｍからなる群から選択される範囲の厚さを有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記光源からの光によって活性化されると蛍光事象を生成する複数の蛍光粒子を前記多孔質膜上に収集するステップをさらに含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記液体サンプルの少なくとも一部における生存細胞の量を決定するステップをさらに含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記生存細胞の前記透過性膜における位置を決定するステップをさらに含む、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
ステップ（ｃ）の後に、前記多孔質膜によって収集された前記生存細胞が成長および／または増殖できる条件下で前記多孔質膜を培養するステップをさらに含む、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記生存細胞の属および／または種を特定するステップをさらに含む、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記スキャンするステップ（ｂ）が、前記多孔質膜上の入れ子状円形パターンおよび螺旋パターンの少なくとも１つを光ビームでトレースするステップを含む、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
ステップ（ａ）の前、ステップ（ａ）の最中、またはステップ（ａ）の前および最中に、細胞増殖できる条件下で前記生存細胞が培養される、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記多孔質膜上に配置された前記生存細胞が、細胞増殖ができる条件下で培養される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
ステップ（ａ）の後であるが、ステップ（ｂ）の前に、細胞増殖ができる条件下で前記生存細胞が培養される、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
ステップ（ｂ）において、前記多孔質膜を、３０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍの速度で回転する、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月28日(2016.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正面、後面、ならびに前記正面および前記後面の間に有り表面を有する側壁を有するボディであって、前記正面および前記後面の間に長手方向に延在するボディであって、該長手方向にソケット内に挿入される様に構成されたボディ；
前記ボディの前記後面に接続され、前記側壁の前記表面を越えて、前記長手方向とは垂直方向に延在する平面状の背面プレートであって、取り外し工具の先端部を受け入れるための複数の孔を備える平面状の背面プレート；ならびに
各孔に隣接する前記側壁の一つにある溝であって、取り外し工具の先端部を孔に通して受け入れ、前記溝を介して前記先端部の方向を案内するための溝；を備え、
前記平面状の背面プレートにある前記複数の孔のうちの１つは、ロック構造を形成するために、前記平面状の背面プレートにある前記複数の孔のうちの他の１つとは構成が異なり、それによって、前記平面状の背面プレートにあるすべての前記孔を通るための前記ロック構造と適合する先端部を有する取り外し工具を必要とする：光ファイバコネクタプラグ。
【請求項２】
前記平面状の背面プレートおよび前記ボディにある光ファイバコネクタ口内に位置する光ファイバケーブルを収容するためのブーツ；ならびに
前記光ファイバコネクタプラグの前記後面で引っかかり防止ガイドとして機能するために、前記ブーツの表面と前記平面状の背面プレートの外縁との間に形成される斜面：
をさらに備える、請求項１に記載の光ファイバコネクタプラグ。
【請求項３】
前記光ファイバコネクタプラグの前記平面状の背面プレートにある前記複数の孔の前記ロック構造と合致する複数の先端部を有する取り外し工具：
をさらに備える、請求項１に記載の光ファイバコネクタプラグ。
【請求項４】
前記取り外し工具にある前記先端部のうちの１つは、前記平面状の背面プレートにある他の孔とは構成が異なり、前記先端部の前記構成は、前記平面状の背面プレートにある前記孔の構成と合致し、それによって前記取り外し工具はその特定の光ファイバコネクタプラグにロックされることができるとともに、前記先端部をすべて前記平面状の背面プレートにある前記孔に通すことができる、請求項３に記載の光ファイバコネクタプラグ。
【請求項５】
前記側壁は、前記光ファイバコネクタプラグを結合アダプタ内に固定するラッチアームを受け入れるための、前記長手方向とは垂直方向のノッチを備える、請求項１に記載の光ファイバコネクタプラグ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月22日(2015.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファイル共有システムにおけるピアのスウォームにおいてピアが費やす平均時間を制御する方法であって：
前記スウォームにおける動作の自律モードを確立する段階と；
前記スウォームのサイズに基づいて第一の閾値において前記自律モードから動作のユニバーサル・モードに変わる段階と；
第二の閾値において前記ユニバーサル・モードから前記自律モードに戻る段階とを含み、
前記スウォーム内のピアは前記自律モードで動作している間は前記スウォーム内の他のピアとのみ接触し、前記スウォーム内の前記ピアは前記ユニバーサル・モードでは異なるスウォーム内の他のピアと接触する、方法。
【請求項２】
前記自律モードが、ピアの前記スウォーム内のピアの間でファイルを共有することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ユニバーサル・モードが、異なるスウォームの束の間でファイルを共有するピアを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記第一の閾値が前記スウォームが閾値サイズまで増大することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第一の閾値サイズが通常の動作サイズの三倍である、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第一の閾値サイズが通常の動作サイズと臨界サイズの和である、請求項４記載の方法。
【請求項７】
前記第二の閾値が、欠けているファイル片が前記スウォーム中のピアの少なくとも10パーセントによって保持されている状況を含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
ファイル共有システムをモニタリングおよび制御する装置であって：
前記ファイル共有システム上の一つまたは複数のピア装置と通信するためのネットワーク・インターフェースと；
ピアのスウォームのサイズおよび前記スウォームによって要求されるファイル片を有するピアの数を決定するプログラムを実行するプロセッサと；
前記プログラムを記憶するために前記プロセッサにとって利用可能であるメモリとを有しており、
前記プログラムが前記プロセッサによって実行されたとき、前記プログラムは、前記スウォームにおける動作の自律モードを確立し、ピアのスウォームの前記サイズに基づいて第一の閾値に際して自律モードからユニバーサル・モードに変わり、その後、第二の閾値に際して前記ユニバーサル・モードから前記自律モードに戻る、
装置。
【請求項９】
前記プロセッサは、前記スウォームのサイズが前記第一の閾値を満たすときに、前記自律モードから前記ユニバーサル・モードに変化する、請求項８記載の装置。
【請求項１０】
前記プロセッサは、前記スウォームによって要求されるファイル片を有するピアの数が前記第二の閾値を満たすときに前記ユニバーサル・モードから前記自律モードに戻り、前記スウォーム内のピアは前記自律モードで動作している間は前記スウォーム内の他のピアとのみ接触し、前記スウォーム内の前記ピアは前記ユニバーサル・モードでは異なるスウォーム内の他のピアと接触する、請求項８記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
図１および図５においてスウォーム追跡器の実装について個別的な構成が示されているが、当業者は、諸コンポーネントの分散した機能、諸コンポーネントの統合およびピア装置とスウォーム追跡器との間の分散したプログラミングの使用といった実装オプションが存在することを認識するであろう。そのようなオプションは、図示され、記述されている構成の機能および構造と等価である。
いくつかの付記を記載しておく。
〔付記１〕
ファイル共有システムにおけるピアのスウォームにおいてピアが費やす平均時間を制御する方法であって：
前記スウォームにおける動作の自律モードを確立する段階と；
第一の閾値において前記自律モードから動作のユニバーサル・モードに変わる段階と；
第二の閾値において前記ユニバーサル・モードから前記自律モードに戻る段階とを含む、
方法。
〔付記２〕
前記自律モードが、ピアの前記スウォーム内のピアの間でファイルを共有することを含む、付記１記載の方法。
〔付記３〕
前記ユニバーサル・モードが、異なるスウォームの束の間でファイルを共有するピアを含む、付記１記載の方法。
〔付記４〕
前記第一の閾値が前記スウォームが閾値サイズまで増大することを含む、付記１記載の方法。
〔付記５〕
前記第一の閾値サイズが通常の動作サイズの三倍である、付記４記載の方法。
〔付記６〕
前記第一の閾値サイズが通常の動作サイズと臨界サイズの和である、付記４記載の方法。
〔付記７〕
前記第二の閾値が、欠けているファイル片が前記スウォーム中のピアの少なくとも10パーセントによって保持されている状況を含む、付記１記載の方法。
〔付記８〕
ファイル共有システムをモニタリングおよび制御する装置であって：
前記ファイル共有システム上の一つまたは複数のピア装置と通信するためのネットワーク・インターフェースと；
ピアのスウォームのサイズおよび前記スウォームによって要求されるファイル片を有するピアの数を決定するプログラムを実行するプロセッサと；
前記プログラムを記憶するために前記プロセッサにとって利用可能であるメモリとを有しており、
前記プログラムが前記プロセッサによって実行されたとき、前記プログラムは、前記スウォームにおける動作の自律モードを確立し、第一の閾値に際して自律モードからユニバーサル・モードに変わり、その後、第二の閾値に際して前記ユニバーサル・モードから前記自律モードに戻る、
装置。
〔付記９〕
前記プロセッサは、前記スウォームのサイズが前記第一の閾値を満たすときに、前記自律モードから前記ユニバーサル・モードに変化する、付記８記載の装置。
〔付記１０〕
前記プロセッサは、前記スウォームによって要求されるファイル片を有するピアの数が前記第二の閾値を満たすときに前記ユニバーサル・モードから前記自律モードに戻る、付記８記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月1日(2016.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
上部ネック部分２１１２を排気するためにイオン・ポンプ２１２８が使用される。下室２１２６は、真空コントローラ２１３２の制御の下、ターボ分子および機械ポンピング・システム２１３０によって排気される。この真空システムは、下室２１２６に、約１×１０-7トル（１．３×１０-7ミリバール）から５×１０-4トル（６．７×１０-4ミリバール）の間の真空を提供する。エッチング支援ガス、エッチング遅延ガスまたは付着前駆体ガスを使用する場合、室のバックグラウンド圧力は典型的には約１×１０-5トル（１．３×１０-5ミリバール）まで上昇することがある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記各動作が、人間の介入なしで自動的に実行される、請求項７に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
厚さ１００ｎｍ未満の薄片を自動的に製作する装置であって、
イオン・ビーム・カラムと、
加工物を支持するステージと、
前記イオン・ビーム・カラムおよび前記ステージの動作を制御するコントローラであり、請求項１の各動作を実行するためのコンピュータ命令を記憶した記憶装置を含むコントローラと
を備える装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月24日(2016.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変速装置であって、当該変速装置は：
外面を有する内レースと；
内面を有する外レースと；
前記内レースの外面と転がり接触する内ローラーと、前記外レースの内面と転がり接触する外ローラーとを含む軌道ローラーのセットと；を有しており、
全ての内ローラーは、２つの外ローラーと転がり接触しており、
全ての外ローラーは、２つの内ローラーと転がり接触している、
変速装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カプロラクタム生成物を調製するためのプロセスであって、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、およびＯｓ、ならびにこれらの混合物の群から選択される少なくとも１つの金属を含む不均一性触媒並びに溶媒の存在下で、支持体上で、すなわち、前記アジピン酸基質およびアンモニアの前記反応を触媒してアミドを生成することができる、前記少なくとも１つの金属の非存在下で、アジピン酸基質、水素、およびアンモニアを反応させて、前記アジピン酸基質の少なくとも一部を前記カプロラクタム生成物に変換すること、ここで、前記アジピン酸基質が式Ｉの化合物であり、前記カプロラクタム生成物が式ＩＩの化合物であり、
【化１】
2015517977.tif 000001
（Ｉ）                                    （ＩＩ）
式中、各々のＲ１およびＲ２が独立して、ＯＲａ、およびＮＨ２であり、
各Ｒａが独立して、水素、アルキル、および塩を形成するイオンからなる群から選択され、および、
前記支持体が、チタニア、ジルコニア、およびこれらの混合物からなる群から選択される材料を含む、
プロセス。
【請求項２】
前記Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、およびＯｓ、ならびにこれらの混合物の群から選択される少なくとも１つの金属の量が、触媒の全重量に対して、約０．２重量％〜約１０重量％である、請求項１記載のプロセス。
【請求項３】
前記Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、およびＯｓ、ならびにこれらの混合物の群から選択される少なくとも１つの金属の量が、触媒の全重量に対して、約０．２重量％〜約５重量％である、請求項１記載のプロセス。
【請求項４】
前記反応が、約２０℃〜約２００℃の範囲の温度で行われる、請求項１〜３いずれかに記載のプロセス。
【請求項５】
前記アジピン酸基質が、炭水化物源に由来する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６】
前記アジピン酸基質が、アジピン酸を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７】
前記不均一系触媒が、ルテニウムを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８】
前記不均一系触媒が、Ｒｕを含み、さらに、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、およびＲｅからなる群から選択される第２の金属を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項９】
前記Ｒｕの第２の金属に対するモル比が、約１００：１〜約１：１０の範囲内である、請求項８記載のプロセス。
【請求項１０】
前記第２の金属が、Ｒｅである、請求項８または９記載のプロセス。
【請求項１１】
前記支持体が、チタニアを含む、請求項１〜１０いずれかに記載のプロセス。
【請求項１２】
前記溶媒が、
（１）水、前記アジピン酸基質と反応しないアルコール、エーテル、およびこれらの混合物の群から選択される；
（２）ｔｅｒｔ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール−水の混合物、およびｔｅｒｔ−ブタノール−アンモニアの混合物からなる群から選択される；
（３）最大約３０体積％の水を含む；
（４）最大約３０体積％の水を含み、前記溶媒の体積が、液体の全体積の約８０％以下である；および／または
（５）アンモニアおよび水の溶液の最大約３０体積％を構成する、
請求項１〜１１のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記反応が、約２００ｐｓｉ〜約２０００ｐｓｉの範囲内の水素の分圧下で行われる、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１４】
カプロラクタムが、前記アジピン酸基質から少なくとも約５０％の収率で生成される、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記反応が、連続プロセスとして行われる、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１６】
前記反応が、少なくとも１つの固定床反応器において行われる、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１７】
前記不均一性触媒が、ルテニウムおよびレニウムを含み、前記支持体がチタニアを含む、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１８】
前記ルテニウムおよびレニウムの量が、前記触媒の全重量に対して約０．２重量％〜約５重量％であり、前記ルテニウムのレニウムに対する比が約１０：１〜約１：５である、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項１９】
前記チタニアの少なくとも一部が、アナターゼ相にある、請求項１７または１８に記載のプロセス。
【請求項２０】
ナイロン６を生成するためのプロセスであって、前記プロセスが、
請求項１〜１９のいずれか一項に記載のプロセスにおいて、カプロラクタム生成物を調製すること、および
前記カプロラクタム生成物の少なくとも一部分をナイロン６に変換すること、
を含む、プロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月25日(2016.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2015517993.tif 000001
式中、
Ｒ１は、６〜２０個の炭素原子を含有するアルキル残基、または１〜６個の二重結合を有する９個から２５個までの炭素原子を含有するアルケン残基であり、Ｒ１は、それが付着されているカルボニル基と共に、ガンマアミノ酪酸（ＧＡＢＡ）およびベータアラニンから選択されるカルボン酸の残基であり、および
ｍは０または１である、
で表される化合物、またはその食用塩。
【請求項２】
カルボン酸残基が、１０、１２、１４、１６または１８個の炭素原子を有し、飽和であるか、または１もしくは２個の二重結合で不飽和であり、かつアミン酸残基がＧＡＢＡの残基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
カルボン酸残基が、１０、１２、１４、１６または１８個の炭素原子を有し、飽和であるか、または１もしくは２個の二重結合で不飽和であり、かつアミン酸残基がベータアラニン（ベータＡｌａ）の残基である、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
カルボン酸残基が、１８個の炭素原子を有し、２個の二重結合を有し、かつアミン酸残基が、ＧＡＢＡまたはベータＡｌａの残基である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物を０．０１〜１重量％含む貯蔵液。
【請求項６】
溶媒が、エタノール、トリアセチン、グリセロールおよびミグリオール、またはこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項５に記載の貯蔵液。
【請求項７】
食用組成物における請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物の使用。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物を含む、フレーバー組成物。
【請求項９】
少なくとも１つのフレーバー共成分を含む、請求項８に記載のフレーバー組成物。
【請求項１０】
フレーバー共成分が、糖類、脂肪、塩、ＭＳＧ、カルシウムイオン、リン酸イオン、有機酸、タンパク質、プリン類およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項８または９に記載のフレーバー組成物。
【請求項１１】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物、または請求項８〜１０のいずれか一項に記載のフレーバー組成物を含む、食用組成物。
【請求項１２】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物、または請求項８〜１０のいずれか一項に記載のフレーバー組成物を含み、クロース、高フルクトースコーンシロップ、フルクトースおよびグルコースから選択される炭水化物甘味料、またはアスパルテーム、アセスルファムＫ、スクラロース、シクラマート、ナトリウムサッカリン、ネオテーム、レバウジオシドＡ、および／または他のステビアベースの甘味料から選択される高強度非栄養甘味料を含有する、カロリーまたはノンカロリー飲料。
【請求項１３】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物、または請求項８〜１０のいずれか一項に記載のフレーバー組成物を含む、大豆ベースの食用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月11日(2016.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの癌の化学療法剤の癌患者への投与によってもたらされた胃腸毒性の予防に使用するための組成物であって、該組成物は：
癌の化学療法剤を活性型へと代謝する、少なくとも１つの酵素の少なくとも１つの標準の基質を含む保護製剤であって、少なくとも１つの標準の基質は、癌の化学療法剤の有毒種への代謝を阻害するように競合し、且つ、標準のホメオスタシスがＧＩ管にて維持されるように無毒である、保護製剤
を含み；
ここで、保護製剤の投与は、癌の化学療法剤の全身作用に干渉するのに十分な全身性のレベルの標準の基質を、結果としてもたらさない、
組成物。
【請求項２】
癌の化学療法剤は５−フルオロウラシルである、ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
少なくとも１つの癌の化学療法剤は５−フルオロウラシルであり、前記組成物は：
アデニン；
オロチン酸；及び
随意にプロトンポンプ阻害剤
を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
保護製剤は、浸透圧により制御された経口薬物送達デバイスにある標準の基質を含む水溶液を含む、ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
保護製剤の少なくとも一部は、浸透圧により制御された経口薬物送達デバイスにおいて投与される、ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
保護製剤は、少なくとも１つの標準の基質の水溶液を含有するカチオン性リポソームを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
少なくとも１つの標準の基質はアデニンを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
少なくとも１つの標準の基質はオロチン酸を更に含む、ことを特徴とする請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
組成物はプロトンポンプ阻害剤を更に含む、ことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
プロトンポンプ阻害剤はオメプラゾールである、ことを特徴とする請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
５−フルオロウラシルの癌患者への投与によってもたらされた胃腸毒性の予防のための方法に使用するための、アデニン及びオロチン酸の少なくとも１つを含む組成物であって、前記方法は、５−フルオロウラシルの投与によってもたらされた胃腸毒性を予防するには十分であるが、５−フルオロウラシルの毒性から癌細胞を回収するためのアデニン及びオロチン酸の全身性レベルを与えるには不十分である投与量で、アデニン及びオロチン酸を癌患者に投与する工程を含む、ことを特徴とする組成物。
【請求項１２】
アロプリノールを更に含む、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
前記方法は、癌患者に５−フルオロウラシルを投与する工程を更に含む、ことを特徴とする請求項１１に記載の組成物。
【請求項１４】
アデニン又はオロチン酸の少なくとも１つは、癌患者に経口投与される、ことを特徴とする請求項１１に記載の組成物。
【請求項１５】
アデニン又はオロチン酸の少なくとも１つは、浸透圧により制御された経口薬物送達デバイスにおいて癌患者に投与される、ことを特徴とする請求項１１に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月25日(2016.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
造形品を形成する工具であって、前記工具は、
前記工具の形成面の第１の部分を構成する機械加工面を備えた支持本体と、
前記機械加工面に隣接して前記支持本体上に支持されると共に前記形成面の第２の部分を構成する特徴部とを有し、前記特徴部は、前記支持本体の前記機械加工面の材料と冶金学的に不適合性を示す材料で作られた頂部層、前記支持本体の前記機械加工面の前記材料と冶金学的に適合性のある材料で作られた底部層及び前記頂部層の前記材料及び前記底部層の前記材料と冶金学的に適合性のある材料で作られた中間層を含み、使用の際、前記形成面の前記第１の部分と前記形成面の前記第２の部分は、前記造形品の所望の形状を形成するよう協働する、工具。
【請求項２】
前記特徴部の前記底部層、前記中間層及び前記頂部層は、レーザクラッド法によって順次被着されている、請求項１記載の工具。
【請求項３】
前記底部層は、結合層を形成し、前記中間層は、移行層を形成し、前記頂部層は、機能層を形成している、請求項１又は２記載の工具。
【請求項４】
前記頂部層の前記材料は、前記支持本体の前記機械加工面の前記材料の硬度よりも高い硬度を有する、請求項１〜３のうちいずれか一に記載の工具。
【請求項５】
使用中、前記形成面の前記第１の部分と前記形成面の前記第２の部分は、前記造形品内に鮮明なＡ級（Class A ）特徴部の少なくとも一部分を構成するよう協働する、請求項１〜４のうちいずれか一に記載の工具。
【請求項６】
前記形成面の前記第１の部分及び前記形成面の前記第２の部分は、連続して並んだ形成面部分である、請求項１〜５のうちいずれか一に記載の工具。
【請求項７】
前記特徴部は、第１の特徴部であり、前記底部層は、前記機械加工面の前記材料上に支持された結合層であり、前記中間層は、前記結合層上に支持された移行層であり、前記頂部層は、前記移行層上に支持された機能層であり、
前記工具は、更に、第２の特徴部を有し、前記第２の特徴部は、前記第１の材料上に支持された結合層を構成するよう互いに上下に被着された金属合金の複数の層、前記結合層上に支持された移行層及び前記移行層上に支持された機能層を含み、
前記第１の特徴部の前記機能層は、前記第１の材料特性を備えた第１の金属合金から二次加工され、前記第２の特徴部の前記機能層は、第２の材料特性を備えた第２の金属合金から二次加工され、前記第２の材料特性は、前記第１の材料特性とは異なる、請求項１に記載の工具。
【請求項８】
工具を製作する方法であって、
第１の材料から二次加工された支持本体を用意するステップと、
前記支持本体から前記第１の材料の一部分を機械加工して前記工具の形成面の第１の部分を構成するステップと、
前記工具の前記形成面の第２の部分を構成する特徴部を前記支持本体上に被着させるステップとを含み、前記被着ステップは、
第２の材料の層を前記支持本体の前記第１の材料上に被着させるステップと、
第３の材料の層を前記第２の材料層に被着させるステップと、
第４の材料の層を前記第３の材料層に被着させるステップとを含み、前記第４の材料層は、前記工具の前記形成面の第２の部分を構成し、
前記第２の材料は、前記第１の材料と冶金学的に適合性があり、前記第４の材料は、前記第１の材料と冶金学的に不適合性を示し、前記第３の材料は、前記第２の材料と前記第４の材料の両方と冶金学的に適合性がある、方法。
【請求項９】
前記第１の材料は、鋳鉄である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の材料は、コバルト基合金であり、前記第３の材料は、高い靱性を備えた鉄基合金であり、第４の材料は、所定の機械的性質を備えた工具鋼合金である、請求項８又は９記載の方法。
【請求項１１】
前記特徴部は、造形品の形成中、高度の摩耗及び高度の研磨を受ける前記支持本体の一領域上に被着される、請求項８〜１０のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２の材料層、前記第３の材料層及び前記第４の材料層は、レーザクラッド法によって被着される、請求項８〜１１のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の材料、前記第２の材料、前記第３の材料及び前記第４の材料の各々は、異なる金属又は金属合金である、請求項８〜１２のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１４】
工具の使用目的を変更する方法であって、
第１の形態を備えた形成面を有する工具を用意するステップを含み、前記工具は、第１の材料から二次加工され、
レーザクラッド法を利用して特徴部を前記移行部の前記形成面に被着させるステップを含み、前記被着ステップは、
第２の材料の層を前記支持本体の前記第１の材料上に被着させるステップと、
第３の材料の層を前記第２の材料層に被着させるステップと、
第４の材料の層を前記第３の材料層に被着させるステップとを含み、前記第４の材料層は、前記工具の前記形成面の第２の部分を構成し、
前記特徴部は、前記形成面の既存の特徴部の場所に相当していない前記形成面の一部分に被着され、その結果、前記形成面は、前記特徴部の被着後、前記第１の形態とは異なる第２の形態を有する、方法。
【請求項１５】
前記工具は、前記形成面のところが第１の金属又は金属合金から成り、前記第２の材料、前記第３の材料及び前記第４の材料の各々は、異なる金属合金である、請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月2日(2016.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
埋め込みマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスであって、
絶縁性ボードに埋め込まれる半導体チップであって、前記チップが、放射センサＭＥＭＳ要素を含むキャビティを有し、前記チップ表面における前記キャビティの開口が、前記ＭＥＭＳ要素により感知される放射に透過性があるプレートにより覆われる、前記半導体チップ、
を含み、
前記キャビティから離れた前記プレート表面が、前記キャビティにおいて前記ＭＥＭＳ要素により感知される前記放射に晒されるべき露出した中央エリアと、前記プレート表面に接する金属フィルムと前記金属フィルム上にスタックされる接着剤の層とにより覆われる周辺エリアとを有する、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記周辺のプレート表面上に、前記金属フィルム上の前記接着剤層に接する導電性フォイルを更に含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
請求項２に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記ＭＥＭＳ要素により感知されるべき前記放射が、電磁放射、音響放射及び化学的放射を含む群から選択される、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
請求項３に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記覆うプレートが、約１５μｍの厚みを有する硬化されたフォトレジスト材料でつくられる、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項５】
請求項４に記載のＭＥＭＳデバイスであって、
前記保護用金属フィルムが、前記覆うプレート上の約０．１５μｍの厚みのチタンタングステン層と、前記チタンタングステン層上の約０．２０μｍの厚みの銅層とを含む、ＭＥＭＳデバイス。
【請求項６】
マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するための方法であって、
放射センサＭＥＭＳ要素を含むキャビティを有する半導体チップを提供する工程であって、前記チップ表面における前記キャビティの開口が、前記ＭＥＭＳ要素により感知される放射に透過性があるプレートにより覆われる、前記半導体チップを提供する工程と、
前記キャビティから離れた前記プレート表面にわたって、パターニングされた金属フィルムを置く工程と、
を含む、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、
前記覆うプレートが、約１５μｍの厚みを有する硬化されたフォトレジスト材料でつくられる、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、
前記保護用金属フィルムが、前記覆うプレート上の約０．１５μｍの厚みのチタンタングステン層と、前記チタンタングステン層上の約０．２０μｍの厚みの銅層とを含む、方法。
【請求項９】
埋め込みマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）デバイスを製造するための方法であって、
プレートにより覆われるキャビティにおいて放射感知ＭＥＭＳ要素を有するチップを提供する工程であって、前記プレートが、前記キャビティから離れた前記プレート表面上にパターニングされた金属フィルムを有する、前記チップを提供する工程と、
接着剤の層により覆われるパターニングされた導電性フォイル上に前記金属フィルムと共に前記チップ表面を取り付ける工程と、
非取り付けチップボディを絶縁性ボードに埋め込む工程と、
前記覆うプレートから順次に、前記導電性フォイルの一部と、その後前記接着剤層の一部と、その後前記金属フィルムの一部とを取り除く工程であって、それにより、前記キャビティにおいて前記ＭＥＭＳ要素により感知されるべき放射に前記プレートを晒させる、前記取り除く工程と、
を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記導電性フォイルの一部を取り除く前記工程が化学的エッチング技法を含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、
前記接着剤層の一部を取り除く前記工程がレーザー技法を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記金属フィルムの一部を取り除く前記工程が別の化学的エッチング技法を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記チップ表面が、前記ＭＥＭＳデバイスに接続されるチップ端子を更に含む、方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記チップ端子を前記パターニングされた導電性フォイルに接続する工程を更に含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記覆うプレートが、約１５μｍの厚みを有する硬化されたフォトレジスト材料でつくられる、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記保護用金属フィルムが、前記覆うプレート上の約０．１５μｍの厚みのチタンタングステン層と、前記チタンタングステン層上の約０．２０μｍの厚みの銅層とを含む、方法。