Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月28日(2016.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内ねじ（２２）が設けられた、または内ねじ（２２）を設けることのできる、ナットボディ（１２）を備え、前記ナットボディが、多角形の外側輪郭（４０）を備えた多角形の部分（３８）を有し、前記多角形の外側輪郭が、エッジ領域（４２）と、エッジ領域（４２）の間に位置するキー面（４４）と、を有し、前記キー面が、規格通りに延在するキー面平面（４６）内に延びている、ナットにおいて、
前記ナットボディ（１２）が、それぞれのキー面平面（４６）から始まってねじ孔（２０）の方向に前記ナットボディ（１２）内へ延びる複数の切り欠き（６０）を有し、
前記ナットボディ（１２）が、圧力面（８４）を備える押圧側（８２）として形成された第１の端面（１６）と、押圧側（８２）とは反対側の第２の端面（１８）と、を有し、
前記切り欠き（６０）が、それぞれのキー面平面（４６）から、前記内ねじ（２２）を安定させるように取り巻くねじ受容部（３０）まで延び、
前記切り欠き（６０）が、前記第２の端面（１８）まで延び、
前記切り欠き（６０）が、前記押圧側（８２）に設けられた押圧フランジ（１００）まで延び、
前記ねじ受容部（３０）の半径方向の最小厚み（ＤＧ）が、前記押圧側（１６）の領域内では、前記第２の端面（１８）の領域内における最小厚みよりも大きい、
ナット。
【請求項２】
前記ねじ受容部（３０）が、前記内ねじ（２２）の外径（ＤＡ）から始まって、前記内ねじ（２２）の外径（ＤＡ）の０．０５倍である、半径方向の最小厚み（ＤＧ）を有している、請求項１に記載のナット。
【請求項３】
前記ねじ受容部（３０）が、前記第２の端面（１８）から前記押圧側（１６）への延びが増大するにつれて、増大する半径方向の最小厚み（ＤＧ）を有している、請求項１又は２に記載のナット。
【請求項４】
前記内ねじ（２２）の中心軸（１４）に対して垂直に、前記多角形の部分（３８）を通って延びる各横断面の平面（ＱＥ）内で、互いに隣接する２つの各エッジ領域（４２）の間における横方向（４８）のキー面領域（５２、５４）の延びの合計が、前記横方向（４８）におけるこれらのエッジ領域（４２）の間隔（ＡＫ）の少なくとも１０％である、請求項１から３のいずれか１項に記載のナット。
【請求項５】
前記切り欠き（６０）が、前記内ねじ（２２）の中心軸（１４）に対してそれぞれ垂直に前記多角形の部分（３８）を通って延びる横断面の平面（ＱＥ）内で、同一の横断面形状を有している、請求項１から４のいずれか１項に記載のナット。
【請求項６】
前記切り欠き（６０）が、底領域（６６）と、それぞれのキー面平面（４６）に対して横方向に延びて前記底領域（６６）に連続する側壁領域（６２、６４）と、によって定められる、横断面形状を有している、請求項１から５のいずれか１項に記載のナット。
【請求項７】
前記切り欠き（６０）が、中心軸（１４）に対して平行な方向における延びを有する一定の、または、変化する横断面形状を有している、請求項１から６のいずれか１項に記載のナット。
【請求項８】
底領域（６６）が、中心軸（１４）の方向における延びにわたって、前記中心軸（１４）から変化する距離を有している、請求項１から７のいずれか１項に記載のナット。
【請求項９】
内ねじ（２２）が設けられた、または内ねじ（２２）を設けることのできる、ナットボディ（１２）を備え、前記ナットボディが、多角形の外側輪郭（４０）を備えた多角形の部分（３８）を有し、前記多角形の外側輪郭が、エッジ領域（４２）と、エッジ領域（４２）の間に位置するキー面（４４）と、を有し、前記キー面が、規格通りに延在するキー面平面（４６）内に延びている、ナットにおいて、
前記内ねじ（２２）が、ロックナット（１０Ｓ）としてのナットを形成するために、規格寸法に相当する内ねじとして形成されているが、前記ナットボディ（１２）の塑性変形によって規格から外れるように形成されている、
ナット。
【請求項１０】
前記内ねじ（２２）が、ロックナット（１０Ｓ）としてのナットを形成するために、規格寸法に相当する内ねじとして形成されているが、前記ナットボディ（１２）の塑性変形によって規格から外れるように形成されている、請求項１から８のいずれか１項に記載のナット。
【請求項１１】
前記内ねじ（２２）が、前記ナットボディ（１２）の塑性変形に基づいて、中心軸（１４）からの距離（ＡＧＤ）の規格から外れたように変化する半径方向の距離、またはねじ山の規格から外れた間隔、を有している、請求項９又は１０に記載のナット。
【請求項１２】
内ねじ（２２）が設けられた、または内ねじ（２２）を設けることのできる、ナットボディ（１２）を備え、前記ナットボディが、多角形の外側輪郭（４０）を備えた多角形の部分（３８）を有し、前記多角形の外側輪郭が、エッジ領域（４２）と、エッジ領域（４２）の間に位置するキー面（４４）と、を有し、前記キー面が、規格通りに延在するキー面平面（４６）内に延びている、ナットにおいて、
前記ナットボディ（１２）が、ベイナイトまたはフェライト−パーライト組織を有する鋼から形成されている、
ナット。
【請求項１３】
前記ナットボディ（１２）が、ベイナイトまたはフェライト−パーライト組織を有する鋼から形成されている、請求項１から１１のいずれか１項に記載のナット。
【請求項１４】
ベイナイトまたはフェライト−パーライト組織が、少なくとも０．２５重量％以上の炭素含有量を有している、請求項１２又は１３に記載のナット。
【請求項１５】
ベイナイトまたはフェライト−パーライト組織が、ミクロ合金元素の析出によって上昇した強度特性を有している、請求項１２から１４のいずれか１項に記載のナット。
【請求項１６】
ベイナイトまたはフェライト−パーライト組織が、少なくとも０．０５重量％のミクロ合金元素を有している、請求項１５に記載のナット。
【請求項１７】
ベイナイトまたはフェライト−パーライト組織が、熱機械的な前処理によって上昇した強度特性を有している、請求項１２から１６のいずれか１項に記載のナット。
【請求項１８】
ベイナイトまたはフェライト−パーライト組織が、ケイ素またはマンガンによる固溶体を有している、請求項１２から１７のいずれか１項に記載のナット。
【請求項１９】
ベイナイトまたはフェライト−パーライト組織が、組織変化の制御により、また、変態によって、熱的な後処理なしで、ねじ受容部（３０）内の並目ねじについて、１００から３７０ＨＶの、更に好ましくは１１０から３６０ＨＶの領域内の硬度を有し、細目ねじについては、１７０から３７０、更に好ましくは１８０から３６０ＨＶの硬度を有している、請求項１２から１８のいずれか１項に記載のナット。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月28日(2016.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のチオール化合物およびランタニド系触媒組成物の存在下、有機溶媒中で少なくとも１種の共役ジエンモノマーを重合してシス−１，４−結合含量が９０〜９９％のポリジエンを製造するステップを含む、高シスポリジエンを製造する溶液重合法であって、
前記少なくとも１種のチオール化合物は、一般式Ｒ−Ｓ−Ｈ（Ｒはヒドロカルビル基または置換ヒドロカルビル基である）により表され；
前記ランタニド系触媒組成物は、（ａ）ランタニド化合物、（ｂ）アルキル化剤、および（ｃ）ハロゲン源（（ｃ）は場合により（ａ）、（ｂ）または（ａ）と（ｂ）の両方により提供されてもよい）を含み；
前記少なくとも１種のチオール化合物の前記ランタニド化合物に対するモル比は、０．０１：１〜１００：１に及ぶ溶液重合法。
【請求項２】
前記少なくとも１種のチオール化合物がエタンチオール、プロパンチオール、ブタンチオール、ペンタンチオール、ヘキサンチオール、ヘプタンチオール、オクタンチオール、ノナンチオール、デカンチオール、ドデカンチオール、トリデカンチオール、テトラデカンチオール、ペンタデカンチオール、ヘキサデカンチオール、ヘプタデカンチオール、オクタデカンチオール、ノナデカンチオール、エイコサンチオール、トリアコンタンチオール、ベンゼンチオール、アルキル置換ベンゼンチオールおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１種のチオール化合物が第三級チオールである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ランタニド系触媒組成物を前記少なくとも１種の共役ジエンモノマーおよび前記有機溶媒の混合物に添加する前に、前記少なくとも１種のチオール化合物を前記混合物に添加するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記チオール化合物が前記有機溶媒に添加されるのと同時にまたはそのすぐ後に、前記ランタニド系触媒組成物が添加される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）シラン含有エチレンインターポリマーであって、
（１）０．９０５ｇ／ｃｍ３未満の密度を有するエチレンインターポリマーと、
（２）少なくとも０．１重量パーセントのアルコキシシランと、
を含み、
（３）５×１０１５オーム・ｃｍを超える、６０℃で測定される体積抵抗率を有する
前記（Ａ）エチレンインターポリマーを含む表面層を含む、１又は２以上の層を有するエチレンインターポリマーフィルム。
【請求項２】
エチレンインターポリマーが、共にエチレンインターポリマーの重量を基準として、１０ｐｐｍ未満の残留ホウ素含有量及び１００ｐｐｍ未満の残留アルミニウム含有量を有する、請求項１記載のエチレンインターポリマーフィルム。
【請求項３】
前記エチレンポリマーが、０．８５ｇ／ｃｍ３を超え０．９０５ｇ／ｃｍ３未満の密度を有する、実質的に直鎖状のエチレンインターポリマーである、請求項２記載のエチレンインターポリマーフィルム。
【請求項４】
前記エチレンインターポリマーが、ビニルトリ−エトキシシラン及びビニルトリ−メトキシシランから選択されるビニルシランがグラフトされてなる、請求項１のエチレンインターポリマーフィルム。
【請求項５】
Ａ．少なくとも一つの電子デバイスと、
Ｂ．前記電子デバイスの少なくとも一つの表面と密着する請求項１記載のエチレンインターポリマーフィルムと、
を備える、積層電子デバイスモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
この試験によれば、他の点で類似する、本発明によらないフィルム６に比較して、フィルム５はホウ素含有助触媒を含まず、（電池の電力出力のより良好な保持により測定されるように）より大きなＰＩＤに対する耐性を提供する。これは、上記に示したようなフィルム５に関するより大きな体積抵抗率値と一致する。なお、ＥＶＡは顕著により大きな電力低下を有する。
以下に、本願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］
（Ａ）シラン含有エチレンインターポリマーであって、
（１）０．９０５ｇ／ｃｍ３未満の密度を有するエチレンインターポリマーと、
（２）少なくとも０．１重量パーセントのアルコキシシランと、
を含み、
（３）５×１０１５オーム・ｃｍを超える、６０℃で測定される体積抵抗率を有する
前記（Ａ）を含む表面層を含む、１又は２以上の層を有するエチレンインターポリマーフィルム。
［２］
エチレンインターポリマーが、共にエチレンインターポリマーの重量を基準として、１０ｐｐｍ未満の残留ホウ素含有量及び１００ｐｐｍ未満の残留アルミニウム含有量を有する、［１］記載のエチレンインターポリマーフィルム。
［３］
前記エチレンインターポリマーが、遷移金属に酸素原子を介して配位するビス−（ビフェニルフェノール）配位子の錯体を含む触媒を用いて調製されてなる、［１］記載のエチレンインターポリマーフィルム。
［４］
前記遷移金属が、Ｔｉ、Ｚｒ及びＨｆからなる群より選択される、［３］記載のエチレンインターポリマーフィルム。
［５］
前記錯体が、［２，２’’’−［１，３−プロパンジイルビス（オキシ−ｋＯ）］ビス［３’’，５，５’’−トリス（１，１−ジメチルエチル）−５’−メチル［１，１’：３’，１’’−ターフェニル］−２’−オラート−ｋＯ］］ジメチルである、［４］記載のエチレンインターポリマーフィルム。
［６］
前記エチレンインターポリマーが、修飾メチルアルミノキサン型の助触媒からなり、如何なるホウ素含有助触媒も実質的に含まない助触媒を用いて調製されてなる、［３］乃至［５］のいずれか一項に記載のエチレンインターポリマーフィルム。
［７］
前記エチレンインターポリマーが、極低密度ポリエチレン、均一に分岐した直鎖状エチレン／α−オレフィンインターポリマー、及び均一に分岐した実質的に直鎖状のエチレン／α−オレフィンポリマーから構成される群より選択される、［１］記載のエチレンインターポリマーフィルム。
［８］
前記エチレンインターポリマーが、実質的に直鎖状のエチレンインターポリマーである、［７］記載のエチレンインターポリマーフィルム。
［９］
前記エチレンポリマーが、０．８５ｇ／ｃｍ３を超え０．９０５ｇ／ｃｍ３未満の密度を有する、［１］記載のエチレンインターポリマーフィルム。
［１０］
前記エチレンインターポリマーが、架橋されてなり、該架橋されたエチレンインターポリマーが、約８５パーセント未満の、ＡＳＴＭ  ２７６５−９５により測定されるキシレン可溶抽出分を含むことにより測定される、少なくとも約１５パーセントの架橋インターポリマーを含む、［１］のエチレンインターポリマーフィルム。
［１１］
前記エチレンインターポリマーが、ビニルトリ−エトキシシラン及びビニルトリ−メトキシシランから選択されるビニルシランがグラフトされてなる、［１］のエチレンインターポリマーフィルム。
［１２］
Ａ．少なくとも一つの電子デバイスと、
Ｂ．  前記電子デバイスの少なくとも一つの表面と密着する［１］記載のエチレンインターポリマーフィルムと、
を備える、積層電子デバイスモジュール。
［１３］
前記電子デバイスが光電池である、［１２］のモジュール。
［１４］
（ｉ）受光及び透過カバーシート層と、
（ｉｉ）上記［１］乃至［１１］のいずれか一項に記載のエチレンインターポリマーフィルムを含む封止フィルム層と、
（ｉｉｉ）１又は２以上の光電池と、
（ｉｖ）［１］乃至１１のいずれか一項に記載のエチレンインターポリマーフィルムを含む第２の封止フィルム層と、
（ｖ）任意に、バックシート層と、
をこの順に備える、［１３］の積層構造モジュール。
［１５］
電位誘起劣化（「ＰＩＤ」）試験を行ったときに、約２３％以下のＰＩＤ値を有する、［１４］記載の積層構造モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月20日(2016.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
より低い温度のヒートシンク（Ｅ）からより高い温度ヒートシンク（Ａ１）に熱伝達するための作動流体圧縮方法であって、
理想的な溶液に対して高い負の偏差を呈し、ＣｏＩ２，Ｐｂ（ＮＯ３）２，ＴｌＣｌ，ＲｂＮＯ３等の溶液の溶解度に対して相当の温度効果を呈する電解質の溶液を使用するものであって、
吸収器（Ａ１）から、高濃度飽和溶液を冷却するステップであって、吸収結晶が形成されるように、熱交換器・晶析装置（ＸＥ）を介して高温（１）から低温（２）にする、ステップと、
低濃度溶液を維持するように（２）、前記結晶（Ｋ１）を前記溶液から分離するステップと、
部分的な蒸発が前記溶液の蒸気を生成する蒸発器（Ｅ）において所望の温度で行われるように、低濃度溶液を膨張さるステップと、
先に選択された結晶（Ｋ１）を結合する付加的な吸収結晶（Ｋ２）を分離するステップと、
前記蒸気を吸収圧力に圧縮（５）し、前記熱交換器・晶析装置（ＸＥ）を通過させることによって前記蒸気を加熱するステップと、
前記低濃度溶液（３）を圧縮し、前記部分的な蒸発から前記吸収器の圧力よりも高い圧力に維持し、前記熱交換器・晶析装置（ＸＥ）を介して前記低濃度溶液（３）を加熱するステップと、
分離された結晶を熱交換器・晶析装置（ＨＥ）を介して加熱するステップと、
前記結晶の一部を低溶液圧に圧縮し、前記加熱された溶液に溶解させ（６）、高濃度の溶液を生成するステップと、
前記高濃度溶液を前記吸収器圧力に膨張させ、前記吸収器に移動させるステップと、
前記分離された結晶の残りおよび蒸気を前記吸収器に移動させ、前記蒸気が吸収され、熱を排出し、最初の溶液が再形成されるステップと、
を含む作動流体圧縮方法。
【請求項２】
請求項１に記載の作動流体圧縮方法であって、
結晶分離後に前記溶液が所望の温度に加熱され、蒸発される、作動流体圧縮方法。
【請求項３】
請求項１に記載の作動流体圧縮方法であって、
二以上の類似するサイクルの組み合わせるものであり、
第１のサイクルの吸収器が第２のサイクルの蒸発器よりも少しだけ高い温度で動作し、これにより吸収熱が第２の蒸発器によって回復され、
前記吸収器をそのままにする第２のサイクルの溶液が、前記蒸発器の温度よりも低い温度に冷却される、作動流体圧縮方法。
【請求項４】
請求項１に記載の作動流体圧縮方法であって、
結晶分離後、前記溶液が圧縮されて、前記吸収器の温度近くまで加熱され、
吸収熱を回復し、部分的に気化され（Ｅ）、
前記蒸気が過熱され、タービン（ＴＵ１）を介して膨張され、高熱で熱を拒絶して濃縮され（ＣＯＮ）、決められた圧力まで膨張され、熱源からの熱を吸収して気化され（ＥＶ）、すなわちアップグレードされ、前記熱交換器および晶析装置を介して熱を回復し、必要であれば圧縮され（ＴＵ２）、吸収器（Ａ１）に入り、分離された結晶の一部がこの吸収器に入り、
結晶の残りが蒸気発生器を出る低濃度溶液に溶解され（Ａ２）、その濃度を上げ、
蒸気（Ａ１）を吸収した溶液が圧縮され、濃度が増した溶液（Ａ２）と混合され、第１の溶液を生成し、
タービン（ＴＵ１）および圧縮器（ＴＵ２）が、蒸発器（ＥＶ）の圧力制御のために任意で使用される、作動流体圧縮方法。
【請求項５】
請求項４に記載の作動流体圧縮方法であって、
二以上の類似するサイクルの組み合わせるものであり、
第１の溶液が第２の溶液からの負の偏差を示し、
第１の溶液蒸発器の蒸気圧が第２の溶液吸収器の蒸気圧と等しく、
第１のサイクルの蒸発器によって生成された蒸気が、第２のサイクルの吸収器によって吸収され、
前記吸収器の温度が、蒸発器の温度よりも少し高くなるように選択され、これにより吸収中に拒絶された熱が蒸発のために利用される、作動流体圧縮方法。
【請求項６】
請求項５に記載の作動流体圧縮方法であって、
第２の蒸発器によって生成された蒸気が、タービンを介して第１のサイクルの吸収器の圧力に膨張され、冷却サイクルを達成する代わりに仕事をなす、作動流体圧縮方法。
【請求項７】
請求項１に記載の作動流体圧縮方法であって、
温度が上昇すると濃度が低下する溶液（例えばＮＨ３中のＫＢｒ）が使用され、
前記吸収器からの溶液が圧縮され、より高温に加熱され、溶質が分離され、容器（Ｋ１）に抽出され、
前記溶液は高温で気化されて熱を消費し、
前記蒸気は液化−膨張−気化の冷却サイクルを行い、低温で吸収器によって吸収され、
前記蒸発器からの残りの溶液は吸収器に送られ、
前記分離された溶質が前記溶液に溶解されて第１の高濃度溶液を形成する、作動流体圧縮方法。
【請求項８】
請求項６に記載の作動流体圧縮方法であって、
仕事を作るために膨張された前記蒸気が、第１の溶液分離結晶の一部に吸収され、
その結果物が加熱され、第１の溶液吸収器に入る、作動流体圧縮方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月6日(2016.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体チャネルを有するチップの形成方法において、
幅広端部と幅狭端部とを有する少なくとも１つのナノファンネルを平面基板内に形成するステップであって、前記ナノファンネルは長さを有し、その長さに渡り幅及び深さ寸法が両方共に変化する、ステップと；
少なくとも１つのナノチャネル又はマイクロチャネルを、前記平面基板内における前記ナノファンネルの前記幅狭端部に隣接する接合部に形成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つのナノファンネルを形成するステップが、ミリング、エッチング、成形、及びエンボス加工のうち、一つ以上を使用して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのナノファンネルを形成するステップが、前記ナノファンネルのその長さに渡る幅及び深さ寸法を作成する為の定義されたＸ及びＹ座標における定義された滞留時間を有するミリングを指図するように構成された電子パターニングファイルによって指図されるミリングを使用して行われる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
検体の解析方法において、
対応するナノチャネルに合流する少なくとも１つのナノファンネルを有するチップを提供するステップ；
第１の電圧を印加するステップであって、それにより前記検体を流体ナノファンネルに流入させるステップ；次に
第２のより低い電圧を印加するステップであって、それにより前記検体を対応するナノチャネルに流入させるステップ；及び
前記ナノファンネル及び／又はナノチャネル中の分子を電子的に解析するステップ
を含む方法。
【請求項５】
前記解析するステップのデータに基づき前記検体の分子同定、前記検体の長さ又は局所的な官能基マッピングを決定するステップを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記印加するステップが、前記ナノチャネルにおける流れが低速となるように実施され、及び又は、
前記解析するステップが、ＤＮＡ配列情報を決定するステップを含む、
請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
分子の解析方法において、
少なくとも１つのナノファンネルを有する装置を提供するステップ；
標的分子を前記ナノファンネルに流動自在に導入するステップであり、標的分子が、単一のＤＮＡ、タンパク質又は高分子を含み、前記ナノファンネル形状が冪乗則（幅，深さ〜ｘα）により定義され（式中、ｘは軸座標であり、且つアルファ（α）は正の数である）、且つ幅、深さ及び／又はアルファが、以下：（ｉ）前記ナノファンネルに単一のＤＮＡ、タンパク質、又は他のポリマー分子を安定に捕獲すること；又は（ｉｉ）前記単一のＤＮＡ、タンパク質、又は他のポリマー分子を前記ナノファンネルを通じて低速で輸送すること、のうちの少なくとも１つを実施するように選択される、ステップ；及び
前記ナノファンネル及び又は前記ナノチャネルの中の前記検体分子を解析するステップ
を含む方法。
【請求項８】
低電界（Ｅ＜Ｅｍｉｎ）が、検体分子を瞬間的に捕獲することができるが、それが前記ナノファンネルから抜け出て前記ナノチャネルから離れる拡散による散逸を防ぐには不十分であり、
中間の電界（Ｅ＞Ｅｍｉｎ、Ｅ＜Ｅｃ）が、前記検体を前記ナノファンネルに安定に捕獲することができ、前記検体分子の位置（ｘｉ及びｘｆ）は前記電界の大きさに依存し、及び、
高電界（Ｅ＞Ｅｃ）が、前記検体を前記ナノチャネルの中へとそこを通じて輸送することができ、
ここで前記電界強度Ｅｍｉｎ及びＥｃの値は、前記ナノファンネルの形及びサイズ並びに前記検体分子のサイズに依存する、
請求項４から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つのナノファンネルが連結された一連の部分から構成され、ここではそれぞれ幅及び深さ寸法が各部分の全長に渡って定義された幾何学的関係で変化し、各部分の前記幅及び深さは異なる幾何関数により定義され、且つ隣接する部分はシームレスに結合されるか又は不連続に結合される、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ナノファンネルが、少なくとも以下のいずれか一つを備える少なくとも一部分を含む、
略放物線輪郭；
略凸面状輪郭；
略凹面状輪郭；及び
一定の傾きで内側に傾斜した壁、
請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのナノファンネルが複数のナノファンネルを含み、前記複数のナノファンネルの各々が約１μｍ〜約１００μｍの長さを有する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
核酸などの分子の解析装置であって、
複数のナノファンネルを含むナノ流体チップを含み、各ナノファンネルは幅広端部及び幅狭端部並びに長さを有し、且つ前記長さに沿って深さ及び幅が変化する、装置。
【請求項１３】
分子の解析用流体解析システムであって、
複数のナノファンネルを備える流体チップであって、各ファンネルが少なくとも１つのそれぞれのナノチャネルに合流する、流体チップと；
前記チップと通信している制御回路であって、（ｉ）第１の定義された輸送電圧を印加することにより分子を少なくとも１つのナノファンネルに侵入させて、次に（ｉｉ）前記第１の定義された輸送電圧より低い定義された第２の輸送電圧を印加することにより前記分子を対応するナノチャネルに流入させるように構成された制御回路と
を含むシステム。
【請求項１４】
それぞれのナノファンネルの幅及び深さ寸法が、両方共に前記ナノファンネルの略全長に渡り変化することにより、前記ファンネルの断面サイズが前記幅広端部から前記幅狭端部にかけて少なくとも２倍変わる、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ナノチャネル又は前記マイクロチャネルが略一定の幅及び深さを有し、且つそれぞれのナノファンネルの前記幅狭端部が、整列した対応するナノチャネル又はマイクロチャネルのそれぞれ幅及び深さ寸法と略一致する幅及び深さ寸法を有する、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ナノファンネルが、冪乗則（幅，深さ〜ｘα）（式中、ｘは軸座標であり、αは正の数である）により定義される関連する指数αを含む形状又は寸法を有し、αがｙ〜ｘα（ｘ）のような軸方向位置ｘの関数として構成される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記装置は、マクロ分子を解析するように構成されており、前記ナノファンネルの幅狭端部は、ナノチャネルに合流し、低速で輸送することを許容する移動の駆動に必要な閾値力によってマクロ分子をナノチャネルに通し込むのを促進する、請求項１２又は１３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月16日(2016.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターフェロン療法に対して感受性の高いＢ型肝炎ウイルス（ＨＢＶ）に感染している対象を同定する方法であって、該方法が、
ａ）上記対象の試料中のＨＢＶ免疫複合体の量を測定する工程、
ｂ）工程ａ）で得られたＨＢＶ免疫複合体の量を基準値と比較する工程、及び
ｃ）工程ｂ）で実施された比較の結果に基づき、インターフェロン療法に対して感受性の高いＨＢＶに感染している対象を同定する工程を含み、
該対象のＨＢＶｅ抗原状態が未知である、前記方法。
【請求項２】
前記ＨＢＶ感染が慢性ＨＢＶ感染である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記インターフェロン療法が、ＰＥＧ−インターフェロン及びウイルスＤＮＡポリメラーゼ阻害剤による療法を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＰＥＧ−インターフェロン療法がＰＥＧａｓｙｓ（登録商標）であり、前記ウイルスＤＮＡポリメラーゼ阻害剤がＡｄｅｆｏｖｉｒ（登録商標）である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＨＢＶ免疫複合体が、Ｂ型肝炎可溶性抗原（ＨＢｓＡｇ）及び抗−ＨＢｓＡＧＩｇＧを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ＨＢＶ免疫複合体量が多い場合は対象がインターフェロン療法に対して感受性の高いことを示し、ＨＢＶ免疫複合体量が少ない場合は対象がインターフェロン療法に対して感受性のないことを示す、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記試料が血清試料である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＨＢＶ免疫複合体量を、抗−免疫グロブリン抗体を用いて検出する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ｉ）前記ＨＢＶ免疫複合体が、抗−ＨＢｓＡＧ−ＩｇＧ、抗−ＨＢｅＡｇ−ＩｇＧ、又は抗−ＨＢｃＡｇ−ＩｇＧであり、ｉｉ）該ＨＢＶ免疫複合体量を、抗（凝集−ヒトＩｇＧ）ＩｇＭを用いて検出する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ＨＢＶ免疫複合体量を、酵素結合免疫吸着法（ＥＬＩＳＡ）を用いて検出する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
インターフェロン療法に対して感受性の高いＨＢＶに感染している対象を同定するための、ＨＢＶに感染している対象由来の試料中のＨＢＶ免疫複合体の量、又は前記試料中のＨＢＶ免疫複合体の検出試薬の使用。
【請求項１２】
ＨＢＶ免疫複合体の量を検出するための分析ユニットと、前記量を基準量と比較し、インターフェロン療法に対して感受性の高いＨＢＶに感染している対象を同定するための評価ユニットとを備える、インターフェロン療法に対して感受性の高いＢ型肝炎ウイルス（ＨＢＶ）に感染している対象を同定するための装置。
【請求項１３】
本発明の方法を実施するための使用説明書と、ＨＢＶ免疫複合体を定量するための検出試薬と、好ましくは標準的なインターフェロン療法に対して感受性の高いＨＢＶに感染している対象を同定することが可能な基準量のための標準物質とを含むキット。
【請求項１４】
前記対象のＨＢＶｅ抗原の状態が未知である、請求項１１に記載の使用。
【請求項１５】
前記対象のＨＢＶｅ抗原の状態が未知である、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記対象のＨＢＶｅ抗原の状態が未知である、請求項１３に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月10日(2015.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量分析の援用により分子の質量を決定する方法であって、
前記質量分析の第１設定値（Ｍ１）を予め定義し、
関連付けられた振幅信号（Ａ１）を取得し、
前記第１設定値とは異なる第２設定値（Ｍ２）を予め定義し、
関連付けられた第２の振幅信号（Ａ２）を測定し、
前記第１設定値（Ｍ１）及び前記第２設定値（Ｍ２）とは異なる第３設定値（Ｍ３）を予め定義し、
関連付けられた第３の振幅信号（Ａ３）を測定し、
ｙの値としての前記測定された振幅値及びｘの値としての前記所定の設定値を含む２次関数を取得し、
前記２次関数の最大値を決定し、分子の質量について調査される設定値が前記最大のｘの値から決定される
というステップを含む、方法。
【請求項２】
前記２次関数がｙ＝ａｘ２＋ｂｘ＋ｃ型の放物線であり、そのｘの値が前記所定の設定値であり、そのｙの値が前記測定された振幅値であり、ａ，ｂ，ｃは数学上の定数であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも３個の異なる設定値及び多くとも１０個の設定値について振幅値が測定されることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記３個の振幅値（Ａ１，Ａ２，Ａ３）の測定後及び前記放物線の決定前に、前記第２振幅値（Ａ２）が前記第１振幅値（Ａ１）及び前記第３振幅値（Ａ３）よりも大きいかどうかを調べ、必要な場合、前記第２振幅値（Ａ２）が測定値である前記第１振幅値（Ａ１）及び前記第３振幅値（Ａ３）よりも大きくなるまで、測定が十分な回数繰り返されることを特徴とする、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
繰り返される測定の前記第１設定値（Ｍ１）は、前記各前回の測定の前記第３設定値（Ｍ３）であることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１振幅値（Ａ１）及び前記第３振幅値（Ａ３）の測定は、前記第２設定値（Ｍ２）までの距離が各前回の測定よりも小さい設定値（Ｍ１，Ｍ３）で繰り返されることを特徴とする、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記測定が繰り返されるとき、最初の測定で検出された最大値が前記第２設定値（Ｍ２）として使用されることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
振幅値のそれぞれの測定前に、前記各設定値を予め定義した後、前記振幅値が安定するまで最初に待機することを特徴とする、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月1日(2016.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モダフィニルを含む、コカイン中毒者の代替処置のための医薬組成物であって、前記モダフィニルがその右旋性鏡像異性体であるＳモダフィニルの形態であり、患者により吸収されるＳモダフィニルの用量は、単位用量当たり５０から１００ｍｇであることを特徴とする、上記医薬組成物。
【請求項２】
前記Ｓモダフィニルが、前記患者によるその吸収から１時間未満の放出を有することを特徴とする、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記放出が、１５から３０分間の間に位置付けられることを特徴とする、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記Ｓモダフィニルの作用が、前記患者によるその吸収から４時間未満であることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記作用が２時間未満であることを特徴とする、請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記医薬組成物が、経口経路を介して吸収されることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記Ｓモダフィニルが、超臨界流体の技術によって得られ、前記Ｓモダフィニルは、不活性担体で作製された顆粒の表面に吸収されることを特徴とする、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記医薬組成物が錠剤の外観を有することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記医薬組成物が、半固体ゼラチンカプセルの外観を有し、各ゼラチンカプセルは、
−  その鏡像異性体Ｓの形態のモダフィニル、
−  ３００から５００ダルトンの間を構成する分子量を有するポリエチレングリコール、及びグリセリドから選択される、少なくとも１種の化合物を含むオレイン酸複合体、
−  乳化剤
を含むことを特徴とする、請求項１から６までのいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記Ｓモダフィニル／オレイン酸複合体の比が、３５から６５％の間に位置付けられることを特徴とする、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記比が、４０から６０％の間に位置付けられることを特徴とする、請求項１０に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月12日(2016.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力側インターフェースおよび出力側インターフェースと、それらの間に配置され、繊維複合材料から作製された少なくとも１つの複合中空シャフトとを有する入力シャフト（１０）において、
前記入力シャフト（１０）が、前記入力側インターフェースおよび出力側インターフェースの間に配置された、不燃性材料から作製された部分（１１）を少なくとも１つ有することを特徴とする入力シャフト（１０）。
【請求項２】
前記繊維複合材料が、強化繊維プラスチックであることを特徴とする請求項１に記載の入力シャフト。
【請求項３】
前記部分（１１）が、金属パイプ（１）によって不燃性材料から形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の入力シャフト。
【請求項４】
前記金属パイプ（１）が、片側または両側で金属カバー（２）によって閉鎖されることを特徴とする請求項３に記載の入力シャフト。
【請求項５】
前記金属パイプ（１）が、半径方向ボルト（５）によって前記複合中空シャフトに接続されることを特徴とする請求項３または４に記載の入力シャフト。
【請求項６】
前記半径方向ボルト（５）が、前記複合中空シャフトの半径方向貫通部（１０ａ）に差し込まれ、前記複合中空シャフトの外側シェル表面に作用することを特徴とする請求項５に記載の入力シャフト。
【請求項７】
１つのスリーブ（５ａ）がそれぞれ、前記半径方向貫通部（１０ａ）に配置され、前記スリーブが前記部分（１１）と係合することを特徴とする請求項６に記載の入力シャフト。
【請求項８】
前記金属パイプ（１）が少なくとも一端にフランジ（１２）を有し、前記金属パイプ（１）が前記フランジ（１２）を介して、前記入力シャフト（１０）に対して軸方向に向けられたねじ付きボルト（６）を用いて前記複合中空シャフトに接続され、前記ねじ付きボルト（６）が、前記複合中空シャフトの半径方向ボアに挿入されたクロスナットボルト（６ａ）によってボルト締めされることを特徴とする請求項３または４に記載の入力シャフト。
【請求項９】
前記ねじ付きボルト（６）が、前記少なくとも１つのフランジ（１２）において前面に置かれることを特徴とする請求項８に記載の入力シャフト。
【請求項１０】
船体および前記船体の長手軸に対して横方向に延在する少なくとも１つの隔壁（３）と、モータと、モータおよびギヤボックスをトルク伝達接続するための入力シャフト（１０）とを含む船舶であって、前記入力シャフト（１０）が、前記隔壁（３）を貫通して通され、繊維複合材料から作製された少なくとも１つの複合中空シャフトを有するものである船舶において、
前記入力シャフト（１０）が少なくとも１つの部分（１１）を有し、前記少なくとも１つの部分（１１）が、前記隔壁（３）を貫く貫通部の領域に配置され、前記複合中空シャフトに接続され、不燃性材料から作製されることを特徴とする船舶。
【請求項１１】
請求項２から９のいずれか一項に記載の入力シャフト（１０）を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の船舶。
【請求項１２】
前記部分（１１）は、前記隔壁（３）が延在する面に関して対称的に構成されることを特徴とする請求項１０または１１に記載の船舶。
【請求項１３】
不燃性材料から作製された前記部分（１１）において、前記駆動シャフト（１０）が隔壁密閉部（４）を有し、前記隔壁密閉部（４）が前記入力シャフト（１０）を前記隔壁（３）に対して防水式に密閉することを特徴とする請求項１０から１２のいずれか一項に記載の船舶。
【請求項１４】
前記隔壁密閉部（４）が前記部分（１１）の外側シェル表面に置かれ、主に半径方向に延在することを特徴とする請求項１３に記載の船舶。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月28日(2016.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加圧ガスを生成する実際の加圧メインユニットとは別に使用され、局所的にこの以前の加圧ガスの圧力を増加する増圧ユニット（１）であって、使用対象のすぐ近傍で運転するように配置された増圧ユニット（１）であって、
メインソースからパイプライン（４）により運ばれる加圧ガスを受け入れる第１受入手段（２）と、
前記加圧ガスを、それを利用する用途へと更に移送する少なくとも１つの第１パイプライン（３）と、
前記用途から第２パイプライン（５）により運ばれて戻る減圧ガスを受け入れる第２受入手段（６）と
を備える増圧ユニット（１）において、
前記第２受入手段（６）が、少なくとも１つの増圧器（７）と接続され、
前記増圧器（７）が、加圧ガスを受け入れる前記第１受入手段（２）に接続されて、再加圧ガスを、置換手段（８）によりそれを利用する前記用途に移送して戻すようになっており、前記置換手段（８）が、加圧ガスを運ぶ前記パイプライン（４）と、前記加圧ガスを、それを利用する前記用途へと更に移送する前記第１パイプライン（３）との間に載置されていることを特徴とする増圧ユニット。
【請求項２】
前記増圧ユニット（１）が、前記減圧ガスを受け入れる前記第２受入手段（６）と前記増圧器（７）とを互いに接続する第３パイプライン（１１）に配置された第１貯蔵タンク（１０）を備えることを特徴とする請求項１に記載の増圧ユニット。
【請求項３】
前記増圧ユニット（１）が、前記増圧器（７）と前記置換手段（８）とを互いに接続する第４パイプライン（１３）に配置された第２貯蔵タンク（１２）を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の増圧ユニット。
【請求項４】
前記増圧ユニット（１）が、前記加圧ガスを、それを利用する用途に更に移送する前記第１パイプライン（３）に配置された圧力コントローラ（９）を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の増圧ユニット。
【請求項５】
前記減圧ガスを受け入れる前記第２受入手段（６）がチェック弁を備えることを特徴とすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の増圧ユニット。
【請求項６】
前記増圧ユニット（１）が２つ以上の増圧器（７）を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の増圧ユニット。
【請求項７】
前記２つ以上の増圧器（７）が直列に設置されていることを特徴とする請求項６に記載の増圧ユニット。
【請求項８】
前記増圧器においてエネルギーを放出し、且つ、その後、前記増圧器により放出される、ガスが、前記第１貯蔵タンク（１０）へと運ばれるように配置されていることを特徴とする請求項２に記載の増圧ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月24日(2016.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スペースのサブエリアにおける対象物の存在を検出するための存在検出器の動作の方法であって、前記方法は、
‐  前記スペースの別のサブエリアにおける対象物の存在を検出するための別の存在検出器から送信される第１波信号の特性パラメータを第１タイムスロットにおいて監視するステップと、
‐  前記第１波信号の監視される前記特性パラメータの変更が検出されると、制御信号を送信するステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記制御信号は、前記第１波信号の変更された特性パラメータに基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の存在検出器の動作の方法であって、前記方法は、
‐  第２波信号のエコーに基づいて対象物の存在を検出するため第２タイムスロットにおいて前記第２波信号を送信するステップと、
‐  対象物の存在が検出された場合、前記第２波信号の特性パラメータを変更するステップと
を更に有する、方法。
【請求項４】
前記第２波信号の前記特性パラメータを変更する前記ステップは、前記第２波信号の第１特性パラメータを第２特性パラメータに変更するステップを有し、前記第２波信号は、前記変更後、前記第２特性パラメータで送信される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２波信号を前記第２特性パラメータで送信することは、前記第２タイムスロットの通信サブスロットにおいて行われる、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２波信号のエコーに基づいて存在を検出するための前記第２波信号を前記第１特性パラメータで送信することは、前記通信サブスロットからオフセットされ、前記通信サブスロットより前の前記第２タイムスロットの存在検出サブスロットにおいて行われる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２タイムスロットは、繰り返され、前記第２波信号を前記第２特性パラメータで送信することは、繰り返される第２タイムスロットにおいて行われる、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第２タイムスロットは、周期的に又はタイムスケジュールに従って繰り返される、請求項３乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第２波信号の前記特性パラメータは、前記第２波信号の周波数、パルス長、複数のパルス、及び振幅の少なくとも１つである、請求項３乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
−  検出された対象物によって行われるアクティビティのタイプを決定するステップと、
‐  前記決定されたアクティビティのタイプに基づいて、所定の特性パラメータのセットから特性パラメータを選択するステップと、
‐  前記第２波信号の前記特性パラメータを選択された前記特性パラメータに変更するステップと
を更に有する、請求項３乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
スペースのサブエリアにおける対象物の存在を検出するための存在検出器であって、前記スペースの別のサブエリアにおける対象物の存在を検出するための別の存在検出器から送信される第１波信号の特性パラメータを第１タイムスロットにおいて監視し、前記第１波信号の監視される前記特性パラメータの変更が検出されると、制御信号を送信する監視ユニットを有する、存在検出器。
【請求項１２】
第２波信号のエコーに基づいて対象物の存在を検出するための前記第２波信号を第２タイムスロットにおいて送信し、対象物の存在が検出された場合、前記第２波信号の特性パラメータを変更する存在検出ユニットを有する、請求項１１に記載の存在検出器。
【請求項１３】
照明システムであって、
‐  照明デバイスと、
‐  請求項１１又は１２に記載の存在検出器と
を有し、
前記照明デバイスは、前記存在検出器によって送信される制御信号に基づいて制御される、照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月2日(2016.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６０】
１０  ｐ型基材
１２  基材１０の第１主面（前面）
１４  基材１０の第２主面（裏面）
２０  ｎ型拡散層
３０  絶縁層
４０  ｐ＋層
６０  裏面上に形成されたアルミニウムペースト
６１  アルミニウム裏面電極（裏面アルミニウムペーストを焼成することによって得られた）
７０  裏面上に形成された銀または銀／アルミニウムペースト
７１  銀または銀／アルミニウム裏面電極（裏面ペーストを焼成することによって得られた）
５００  本発明による前面上に形成された導電性ペースト
５０１  本発明による導電性前面電極（前面導電性ペーストを焼成することによって形成された）
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
［１］（ａ）導電性金属源と；
（ｂ）アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物と；
（ｃ）前記導電性金属源および前記アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物が分散される有機ビヒクルと
を含むペースト組成物。
［２］１〜１０重量％の前記アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物を含む、前記１に記載のペースト組成物。
［３］アルカリ土類金属、ホウ素、およびテルルカチオンが前記アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物の７０〜９５カチオン％を占める、前記１に記載のペースト組成物。
［４］前記アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物が、
２５〜７２カチオン％のＴｅ；
５〜４５カチオン％のＢ；
０〜３０カチオン％のＣａ；
０〜３０カチオン％のＳｒ；
０〜３０カチオン％のＢａ；
０〜１０カチオン％のＭｇ；
０〜２５カチオン％のＬｉ；
０〜２５カチオン％のＮａ；
０〜１０カチオン％のＳｉ；
０〜１２カチオン％のＺｎ；および
０〜１０カチオン％のＴｉ、プラス付随的な不純物
を含み、
Ｂａ＋Ｓｒ＋Ｃａカチオンの総含有率が少なくとも５カチオン％である、前記１に記載のペースト組成物。
［５］前記アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物が、Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｒｕ、Ｂｉ、Ｐ、Ｙ、Ｌａおよび他のランタニド元素、ならびにそれらの混合物の酸化物からなる群から選択される少なくとも１つの酸化物をさらに含む、前記１に記載のペースト組成物。
［６］前記アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物の酸素アニオンの１０アニオン％以下がハロゲンアニオンで置き換えられている、前記１に記載のペースト組成物。
［７］前記導電性金属源が、導電性金属粉末である、前記１に記載のペースト組成物。
［８］前記導電性金属がＡｇを含む、前記１に記載のペースト組成物。
［９］前記Ａｇが、前記組成物中の固形分の７５〜９９重量％を占める、前記８に記載のペースト組成物。
［１０］前記ペースト組成物が鉛を含まない、前記１に記載のペースト組成物。
［１１］Ａｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｓｅ、Ｒｕ、Ｂｉ、Ｐ、Ｙ、Ｌａおよび他のランタニド元素、ならびにそれらの混合物の酸化物と、焼成するとそのような酸化物を形成する物質とからなる群から選択される少なくとも１つの酸化物添加剤をさらに含む、前記１に記載のペースト組成物。
［１２］導電性構造体を基材上に形成する方法であって、前記方法が、
（ａ）第１主面を有する基材を提供する工程と；
（ｂ）ペースト組成物を、前記第１主面のあらかじめ選択された部分上へ適用する工程であって、前記ペースト組成物が、
ｉ）導電性金属源と、
ｉｉ）アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物と、
ｉｉｉ）前記導電性金属源および前記アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物が分散される有機ビヒクルと
を含む、工程と；
（ｃ）前記基材およびその上のペースト組成物を焼成することによって、前記導電性構造体が前記基材上に形成される工程と
を含む方法。
［１３］前記基材が少なくとも前記第１主面上に存在する絶縁層を含み、前記ペースト組成物が前記第１主面の前記絶縁層上へ適用され、前記絶縁層が、酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化ケイ素、ＳｉＮx：Ｈ、酸化ケイ素、または酸化ケイ素／酸化チタンのうちの少なくとも１つの層である、前記１２に記載の方法。
［１４］前記絶縁層が浸透され、前記導電性金属が前記焼成中に焼結されることによって、電気接触が前記導電性金属と前記基材との間に形成される、前記１３に記載の方法。
［１５］基材とその上の導電性構造体とを含む物品であって、前記物品が前記１４に記載の方法によって形成されている物品。
［１６］前記基材がシリコンウエハーである、前記１５に記載の物品。
［１７］前記物品が半導体デバイスを含む、前記１６に記載の物品。
［１８］前記物品が光起電力セルを含む、前記１７に記載の物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）導電性金属源と；
（ｂ）アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物と；
（ｃ）前記導電性金属源および前記アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物が分散される有機ビヒクルと
を含むペースト組成物。
【請求項２】
導電性構造体を基材上に形成する方法であって、前記方法が、
（ａ）第１主面を有する基材を提供する工程と；
（ｂ）ペースト組成物を、前記第１主面のあらかじめ選択された部分上へ適用する工程であって、前記ペースト組成物が、
ｉ）導電性金属源と、
ｉｉ）アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物と、
ｉｉｉ）前記導電性金属源および前記アルカリ土類金属ホウ素テルル酸化物が分散される有機ビヒクルと
を含む、工程と；
（ｃ）前記基材およびその上のペースト組成物を焼成することによって、前記導電性構造体が前記基材上に形成される工程と
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月27日(2016.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）フォトレジスト成分と、
ｂ）次式のペルフルオロポリエーテル化合物と、
（ＲＰＦＰＥ−Ｘ１−ＣＯ−ＮＨ）ｘ−Ｒ１−（ＮＨ−ＣＯ−Ｘ２−Ｒ不飽和）ｙ
［式中、ＲＰＦＰＥは、ペルフルオロポリエーテル基を表し、
Ｘ１及びＸ２は、独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、又は−ＮＲ２−であり、Ｒ２は、Ｈ又はＣ１〜Ｃ４アルキルであり、
Ｒ１は、ポリイソシアネートの残基であり、
Ｒ不飽和は、エチレン性不飽和重合性基を含有する部分であり、
下付き文字ｘ及びｙはそれぞれ独立して１〜３である。］
ｃ）光開始剤と、を含む、光硬化性組成物。
【請求項２】
１００重量部の前記フォトレジスト成分に対して、０．１〜５重量部の前記ペルフルオロポリエーテル化合物を含む、請求項１に記載の光硬化性組成物。
【請求項３】
前記フォトレジスト成分が、ソルダーレジストである、請求項１に記載の光硬化性組成物。
【請求項４】
前記ペルフルオロポリエーテル基ＲＰＦＰＥが、下記式のものである、請求項１に記載の光硬化性組成物。
Ｒｆ１−Ｏ−Ｒｆ２−（Ｒｆ３）ｑ−
［式中、Ｒｆ１は全フッ素化アルキル基を表し、Ｒｆ２はＣ１〜Ｃ４ペルフルオロオキシアルキレン基又はこれらの混合物を表し、Ｒｆ３は全フッ素化アルキレン基を表し、ｑは０〜１である。］
【請求項５】
Ｒｆ１が、Ｆ−ＣｎＦ２ｎ−、Ｆ−（ＣＦ（Ｚ）−、Ｆ−（ＣＦ（Ｚ）ＣｎＦ２ｎ−、Ｆ−ＣｎＦ２ｎＣＦ（Ｚ）−、Ｆ−ＣＦ２ＣＦ（Ｚ）−、及びこれらの組み合わせ［式中、ｎは１〜４であり、Ｚはペルフルオロアルキル基又はペルフルオロアルコキシ基である。］からなる群から選択される１つ以上の全フッ素化された繰返し単位を含む一価のペルフルオロアルキル基である、請求項４に記載の光硬化性組成物。
【請求項６】
前記ペルフルオロオキシアルキレン基が、−（ＣＦ２−ＣＦ２−Ｏ）ｒ−、−（ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＦ２−Ｏ）ｓ−、−（ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ）ｒ−（ＣＦ２Ｏ）ｔ−、−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２−Ｏ）ｕ及び−（ＣＦ２−ＣＦ２−Ｏ）ｒ−（ＣＦ（ＣＦ３）−ＣＦ２−Ｏ）ｓ−［式中、ｒ、ｓ、ｔ及びｕはそれぞれ１〜５０の整数である。］のうちの１つ以上から選択される、請求項４に記載の光硬化性組成物。
【請求項７】
Ｒ不飽和基に対するＲＰＦＰＥ基の当量比が１：１〜１：１０である、請求項１に記載の光硬化性組成物。
【請求項８】
Ｒ不飽和が、下記式のものである、請求項１に記載の光硬化性組成物。
【化１】
2015532721.tif 000001
［式中、
Ｘ２は、−Ｏ−、−Ｓ−又は−ＮＲ２−であり、
Ｒ２は、Ｈ又はＣ１〜Ｃ４アルキルであり、
Ｒ５は、多価のアルキレン若しくはアリーレン基、又はこれらの組み合わせであり、該アルキレン基は１個以上のカテナリー酸素原子を場合により含有し、
ｎは、０又は１であり、
ｏは、１〜５である。］
【請求項９】
１００重量部の前記フォトレジスト成分を基準にして、５〜４０重量部の量で熱硬化性樹脂を更に含む、請求項１に記載の光硬化性組成物。
【請求項１０】
ａ）金属性ベース基材と、
ｂ）フォトツールと、
ｃ）その間に配置された請求項１に記載の光硬化性組成物の層と、を含む、多層物品。
【請求項１１】
前記フォトツールの表面上に配置されるハードコートを更に含む、請求項１０に記載の多層物品。
【請求項１２】
ａ）プリント回路基板基材と、
ｂ）前記基材の表面上の、請求項１に記載の組成物の硬化及び現像された層と、を含む、多層物品。