【手続補正書】
【提出日】平成27年11月20日(2015.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分析物を検出する方法であって、
センサー表面に固定されたプローブ、および該プローブの電荷と反対の電荷を有する疑似リガンドを含む可逆的な第１の複合体と試料を接触させることと、
該分析物が該試料中に存在する場合に該分析物による該プローブからの該疑似リガンドの置換除去によって形成される、第２の複合体を検出することにより該分析物の存在を検出することと、
を含み、該検出は、該疑似リガンドの該置換除去前の該プローブの電荷状態を該疑似リガンドの該置換除去後の該プローブの電荷状態と比較することを含む、方法。
【請求項２】
前記第１の複合体が第１の電荷状態を有し、前記第２の複合体が第２の電荷状態を有し、該第２の複合体の存在を検出することが、該第１の電荷状態と該第２の電荷状態との間の差を決定することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の電荷状態が前記第１の電荷状態より大きな全体的な大きさを有する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の複合体の存在を検出することが、前記第２の複合体の形成によって引き起こされる電流振幅の変化を測定することを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
所定閾値よりも高い前記電流振幅の増加が前記分析物の存在の指標である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記電流振幅の前記変化の大きさが前記試料中の前記分析物の濃度の指標である、請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
検出することが、前記第２の複合体の形成によって引き起こされる電圧変化を測定することを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記疑似リガンドへの前記プローブの親和性が前記分析物への前記プローブの親和性より弱い、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記分析物への前記疑似リガンドの親和性が前記分析物への前記プローブの親和性より大きい、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の複合体および前記第２の複合体の相対的安定性が、温度または緩衝液の組成を操作することによって改変される、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記疑似リガンドがＰＮＡを含む、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記ＰＮＡが１つまたはそれより多くの付加されたカチオン性官能基を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＰＮＡがプローブ核酸配列との１つまたはそれより多くの塩基対ミスマッチを含む、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
（ｉ）前記疑似リガンドと前記分析物との間で前記第２の複合体を形成すること、または
（ｉｉ）前記プローブと前記分析物との間で前記第２の複合体を形成すること
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の分析物を検出する方法において使用するためのセンサーであって、
複数の電極を含むセンサー表面と、
該複数の電極のうちの少なくとも１つに固定されているプローブと、
該プローブと可逆的な第１の複合体を形成することが可能な、該プローブの電荷と反対の電荷を有する疑似リガンドであって、該第１の複合体と接触したときに、該疑似リガンドが分析物によって置換除去される、疑似リガンドと
を含むセンサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ある特定の実施形態では、対象の分析物は、中和剤に高い親和性で結合する。そのような実施形態では、中和剤と分析物の間の複合体の形成によって、中和剤がプローブから遊離し、それによってセンサー表面の近くの電荷の大きさを増大させる。そのような実施形態では、中和剤は、プローブへのその親和性を低減するために、１つまたはそれより多くの塩基対ミスマッチを組み込むことができる。
特定の実施形態では、例えば以下が提供される：
（項目１）
分析物を検出する方法であって、
センサー表面に固定されたプローブ、および該プローブの電荷と反対の電荷を有する疑似リガンドを含む可逆的な第１の複合体と試料を接触させることと、
該分析物が該試料中に存在する場合に該分析物による該プローブからの該疑似リガンドの置換除去によって形成される、第２の複合体の存在を検出することと、
を含み、該第２の複合体の存在が該分析物の存在を示す、方法。
（項目２）
前記第１の複合体が第１の電荷状態を有し、前記第２の複合体が第２の電荷状態を有し、該第２の複合体の存在を検出することが、該第１の電荷状態と該第２の電荷状態との間の差を決定することを含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記第２の電荷状態が前記第１の電荷状態より大きな全体的な大きさを有する、項目１または２に記載の方法。
（項目４）
前記第２の複合体の存在を検出することが、前記第２の複合体の形成によって引き起こされる電流振幅の変化を測定することを含む、項目１〜３のいずれかに記載の方法。
（項目５）
所定閾値よりも高い前記電流振幅の増加が前記分析物の存在の指標である、項目４に記載の方法。
（項目６）
前記電流振幅の前記変化の大きさが前記試料中の前記分析物の濃度の指標である、項目４または５に記載の方法。
（項目７）
検出することが、前記第２の複合体の形成によって引き起こされる電圧変化を測定することを含む、項目１〜３のいずれかに記載の方法。
（項目８）
前記疑似リガンドへの前記プローブの親和性が前記分析物への前記プローブの親和性より弱い、項目１〜７のいずれかに記載の方法。
（項目９）
前記疑似リガンドへの前記プローブの親和性が前記分析物への前記プローブの親和性より大きい、項目１〜７のいずれかに記載の方法。
（項目１０）
前記第１の複合体および前記第２の複合体の相対的安定性が、温度を操作することによって改変される、項目１〜９のいずれかに記載の方法。
（項目１１）
前記第１の複合体および前記第２の複合体の相対的安定性が、緩衝液の組成によって改変される、項目１〜１０のいずれかに記載の方法。
（項目１２）
前記分析物が核酸である、項目１〜１１のいずれかに記載の方法。
（項目１３）
前記分析物がタンパク質またはタンパク質断片である、項目１〜１１のいずれかに記載の方法。
（項目１４）
前記分析物が、ヌクレオチド、ヌクレオチド類似体、乱用薬物、治療薬および環境汚染物質からなる群から選択される、項目１〜１１に記載の方法。
（項目１５）
前記分析物が約５００ダルトン未満の分子量を有する、項目１〜１１のいずれかに記載の方法。
（項目１６）
前記プローブが核酸を含む、項目１〜１５のいずれかに記載の方法。
（項目１７）
前記疑似リガンドがＰＮＡを含む、項目１〜１６のいずれかに記載の方法。
（項目１８）
前記ＰＮＡが１つまたはそれより多くの付加されたカチオン性官能基を含む、項目１７に記載の方法。
（項目１９）
前記ＰＮＡがプローブ核酸配列との１つまたはそれより多くの塩基対ミスマッチを含む、項目１７または１８に記載の方法。
（項目２０）
前記疑似リガンドと前記分析物との間で前記第２の複合体を形成することをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目２１）
前記プローブと前記分析物との間で前記第２の複合体を形成することをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目２２）
分析物を検出するためのデバイスであって、
センサー表面を有するセンサーであって、該センサー表面にプローブが固定されているセンサーと、
該プローブ、および該プローブの電荷と反対の電荷を有する疑似リガンドを含む可逆的な第１の複合体と試料を接触させるための入口と、
該分析物が前記試料中に存在する場合に該分析物による該プローブからの該疑似リガンドの置換除去によって形成される、第２の複合体の存在を検出するための検出ユニットと、
を含み、該第２の複合体の存在が該分析物の存在を示す、デバイス。
（項目２３）
第２の複合体の存在を検出することが前記センサー表面またはその近くでの電荷の増加を検出することを含む、項目２２に記載のデバイス。
（項目２４）
複数のセンサー表面をさらに含み、前記センサー表面のうちの少なくとも２つが、異なるプローブを含む、項目２２または２３に記載のデバイス。
（項目２５）
前記第１の複合体が、前記試料を前記第１の複合体と接触させる前に形成される、項目２２〜２４に記載のデバイス。
（項目２６）
前記センサーが、前記センサー表面における前記電荷に依存した応答を提供するように構成されている、項目２２〜２５のいずれかに記載のデバイス。
（項目２７）
前記センサーが、ナノ構造の電気化学検出電極、電界効果トランジスター、マイクロカンチレバーおよび電気化学的センサーからなる群から選択される、項目２２〜２６のいずれかに記載のデバイス。
（項目２８）
前記分析物が核酸である、項目２２〜２７のいずれかに記載のデバイス。
（項目２９）
前記分析物がタンパク質またはタンパク質断片である、項目２２〜２７のいずれかに記載のデバイス。
（項目３０）
前記分析物が約５００ダルトン未満の分子量を有する、項目２２〜２７のいずれかに記載のデバイス。
（項目３１）
前記プローブが核酸を含む、項目２２〜３０のいずれかに記載のデバイス。
（項目３２）
前記疑似リガンドがＰＮＡを含む、項目２２〜３１のいずれかに記載のデバイス。
（項目３３）
前記ＰＮＡが付加されたカチオン性官能基を含む、項目３２に記載のデバイス。
（項目３４）
前記ＰＮＡがプローブ核酸配列との１つまたはそれより多くの塩基対ミスマッチを含む、項目３２または３３に記載のデバイス。
（項目３５）
分析物を検出するためのシステムであって、
センサー表面を有するセンサーであって、該センサー表面にプローブが固定されているセンサーと、
該プローブ、および該プローブの電荷と反対の電荷を有する疑似リガンドを含む可逆的な第１の複合体と試料を接触させるための入口と、
該分析物が該試料中に存在する場合に該分析物、および該疑似リガンドまたは該プローブの少なくとも１つによって形成される、第２の複合体の存在を検出するための検出ユニットであって、該第２の複合体の存在が該分析物の存在を示すユニットと、
使用者へ該検出の結果を伝えるための、該検出ユニットと通信する通信ユニットと、
を含むシステム。
（項目３６）
前記検出ユニットが、前記センサー表面における電荷の差を測定することによって第２の複合体の存在を検出するように構成されている、項目３５に記載のシステム。
（項目３７）
複数のセンサー表面をさらに含み、該センサー表面のうちの少なくとも２つが、異なるプローブを含む、項目３５または３６に記載のシステム。
（項目３８）
前記第１の複合体が、前記試料を前記第１の複合体と接触させる前に形成される、項目３５〜３７に記載のシステム。
（項目３９）
前記センサーが、前記センサー表面における電荷に依存した応答を提供するように構成されている、項目３５〜３８のいずれかに記載のシステム。
（項目４０）
前記センサーが、ナノ構造の電気化学検出電極、電界効果トランジスター、マイクロカンチレバーおよび電気化学的センサーからなる群から選択される、項目３５〜３９のいずれかに記載のシステム。
（項目４１）
前記分析物が核酸である、項目３５〜４０のいずれかに記載のシステム。
（項目４２）
前記分析物がタンパク質またはタンパク質断片である、項目３５〜４０のいずれかに記載のシステム。
（項目４３）
前記分析物が約５００ダルトン未満の分子量を有する、項目３５〜４０のいずれかに記載のシステム。
（項目４４）
前記プローブが核酸を含む、項目３５〜４３のいずれかに記載のシステム。
（項目４５）
前記疑似リガンドがＰＮＡを含む、項目３５〜４４のいずれかに記載のシステム。
（項目４６）
前記ＰＮＡが、付加されたカチオン性官能基を含む、項目４５に記載のシステム。
（項目４７）
前記ＰＮＡがプローブ核酸配列との１つまたはそれより多くの塩基対ミスマッチを含む、項目４５または４６に記載のシステム。
（項目４８）
薬物スクリーニングに用いるためのアッセイ組成物であって、センサー表面に固定されているプローブ分子および該プローブ分子への相補性を有する疑似リガンドを含む可逆的な第１の複合体を含み、該第１の複合体は第１の電荷状態を有し、該疑似リガンドへの該プローブの親和性が該薬物への該プローブの親和性より小さく、それによって該薬物が前記第１の複合体から該疑似リガンドを置換除去して、第２の複合体を形成するのを可能にし、前記第２の複合体が第２の電荷状態を有する、アッセイ組成物。
（項目４９）
前記第２の電荷状態が前記第１の電荷状態より大きな全体的な大きさを有する、項目４８に記載のアッセイ組成物。
（項目５０）
前記プローブが核酸を含む、項目４８または４９に記載のアッセイ組成物。
（項目５１）
前記疑似リガンドがＰＮＡを含む、項目４８〜５０のいずれかに記載のアッセイ組成物。
（項目５２）
前記ＰＮＡが、１つまたはそれより多くの付加されたカチオン性官能基を含む、項目５１に記載のアッセイ組成物。
（項目５３）
前記ＰＮＡがプローブ核酸配列との１つまたはそれより多くの塩基対ミスマッチを含む、項目５１または５２に記載のアッセイ組成物。
（項目５４）
前記薬物が治療薬である、項目４８〜５３のいずれかに記載のアッセイ組成物。
（項目５５）
前記薬物が乱用薬物である、項目４８〜５３のいずれかに記載のアッセイ組成物。
（項目５６）
プローブが固定されているセンサー表面を有するデバイスを含むキットであって、疑似リガンドをさらに含み、疑似リガンドは、該プローブと可逆的な複合体を形成することが可能であり、該プローブの電荷と反対の電荷を有する、キット。
（項目５７）
前記センサー表面における電荷の差を検出するための検出ユニットをさらに含む、項目５６に記載のキット。
（項目５８）
第１の複合体が、試料を前記第１の複合体と接触させる前に形成される、項目５６または５７に記載のキット。
（項目５９）
前記センサーが、前記センサー表面における電荷に依存した応答を提供するように構成されている、項目５６〜５８のいずれかに記載のキット。
（項目６０）
前記センサーが、ナノ構造の電気化学検出電極、電界効果トランジスター、マイクロカンチレバーおよび電気化学的センサーからなる群から選択される、項目５６〜５９のいずれかに記載のキット。
（項目６１）
分析物が核酸である、項目５６〜６０のいずれかに記載のキット。
（項目６２）
分析物がタンパク質またはタンパク質断片である、項目５６〜６０のいずれかに記載のキット。
（項目６３）
分析物が約５００ダルトン未満の分子量を有する、項目５６〜６０のいずれかに記載のキット。
（項目６４）
前記プローブが核酸を含む、項目５６〜６３のいずれかに記載のキット。
（項目６５）
前記疑似リガンドがＰＮＡを含む、項目５６〜６４のいずれかに記載のキット。
（項目６６）
前記ＰＮＡが、付加されたカチオン性官能基を含む、項目６５に記載のキット。
（項目６７）
前記ＰＮＡがプローブ核酸配列との１つまたはそれより多くの塩基対ミスマッチを含む、項目６５または６６に記載のキット。
（項目６８）
分析物を検出するためのセンサーであって、
複数の電極を含むセンサー表面と、
該複数の電極のうちの少なくとも１つに固定されているプローブと、
該プローブと可逆的な第１の複合体を形成することが可能な疑似リガンドであって、該第１の複合体と接触したときに、該疑似リガンドが分析物によって置換除去される、疑似リガンドと
を含むセンサー。
（項目６９）
前記疑似リガンドが置換除去されるときに第２の複合体が形成される、項目６８に記載のセンサー。
（項目７０）
前記センサー表面における電荷の差を測定することによって第２の複合体の存在を検出するように構成されている検出ユニットをさらに含む、項目６９に記載のセンサー。
（項目７１）
異なるプローブが前記複数の電極の各々に固定されている、項目６８〜７０に記載のセンサー。
（項目７２）
前記第１の複合体が、前記分析物を含有する試料と接触する前に形成される、項目６８〜７１に記載のセンサー。
（項目７３）
前記センサー表面における前記電荷に依存した応答を提供するように構成されている、項目６８〜７２のいずれかに記載のセンサー。
（項目７４）
ナノ構造の電気化学検出電極、電界効果トランジスター、マイクロカンチレバーおよび電気化学的センサーからなる群から選択される、項目６８〜７３のいずれかに記載のセンサー。
（項目７５）
前記分析物が核酸である、項目６８〜７４のいずれかに記載のセンサー。
（項目７６）
前記分析物がタンパク質またはタンパク質断片である、項目６８〜７４のいずれかに記載のセンサー。
（項目７７）
前記分析物が約５００ダルトン未満の分子量を有する、項目６８〜７４のいずれかに記載のセンサー。
（項目７８）
前記プローブが核酸を含む、項目６８〜７７のいずれかに記載のセンサー。
（項目７９）
前記疑似リガンドがＰＮＡを含む、項目６８〜７７のいずれかに記載のセンサー。
（項目８０）
前記ＰＮＡが、付加されたカチオン性官能基を含む、項目７９に記載のセンサー。
（項目８１）
前記ＰＮＡがプローブ核酸配列との１つまたはそれより多くの塩基対ミスマッチを含む、項目７９または８０に記載のセンサー。