【手続補正書】
【提出日】平成28年10月31日(2016.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＤＲフレームワーク型ゼオライトの合成方法であって、
結晶質ＤＤＲフレームワーク型材料を形成することが可能な反応混合物を形成し、その混合物は、水、酸化ケイ素、水酸化アルカリまたはアルカリ土属、及びメチルトロピニウム塩構造指向剤を含み、その混合物は、約１２〜約２５の水と酸化ケイ素とのモル比、約０．０１〜約１．０の水酸化物と酸化ケイ素とのモル比、約０．０１〜約１．０のアルカリ及びアルカリ土類金属と酸化ケイ素とのモル比、約０．０１〜約１．０の構造指向剤と酸化ケイ素とのモル比、及び前記混合物中の酸化ケイ素の重量に対して少なくとも約０．０５重量％の種結晶を有すること；及び
１．１以下の軸比を有するＤＤＲフレームワーク型結晶を回収し、軸比は頂点から頂点への距離と辺から辺への距離との比であり、深さの寸法は前記頂点から頂点への距離及び前記辺から辺への距離より短いこと
を含む方法。
【請求項２】
前記反応混合物は、前記反応混合物中の酸化ケイ素の重量に基づき、約０．０５重量％〜約５．０重量％の種結晶を更に含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記構造指向剤は、塩化メチルトロピニウムであり、ＤＤＲフレームワーク型結晶は、実質的にＺＳＭ−５８を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記反応混合物は、約１２〜約２０の水と酸化ケイ素とのモル比を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記反応混合物は、アルミナ供給源を更に含んでなる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記軸比は、１．０５以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記深さの寸法と前記辺から辺への距離との比は、約０．９以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ＺＳＭ−５８結晶の１０体積パーセント未満は、約５μｍ以下の代表径を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記反応混合物は、前記ＤＤＲフレームワーク型結晶の形成の間、約１２０℃〜約１７５℃の温度で維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ＤＤＲフレームワーク型ゼオライトの合成方法であって、
結晶質ＤＤＲフレームワーク型材料を形成することが可能な反応混合物を形成し、その混合物は、水、酸化ケイ素、水酸化アルカリまたはアルカリ土属、及びメチルトロピニウム塩構造指向剤を含み、その混合物は、約１２〜約２５の水と酸化ケイ素とのモル比、約０．０１〜約１．０の水酸化物と酸化ケイ素とのモル比、約０．０１〜約１．０のアルカリ及びアルカリ土類金属と酸化ケイ素とのモル比、約０．０１〜約２．０の構造指向剤と酸化ケイ素とのモル比、及び前記混合物中の酸化ケイ素の重量に対して少なくとも約０．０５重量％の種結晶を有すること；及び
前記結晶径分布に対する単峰形の体積を有するＤＤＲフレームワーク型結晶を回収し、前記ＤＤＲフレームワーク型結晶の１０体積％未満は約５μｍ以下の代表径を有し、前記結晶径分布に対する体積のピークに対する結晶径は約１５μｍ〜約４０μｍであり、１μｍビンの幅での前記結晶径に対する体積プロットのピーク高さが少なくとも約１０体積％であること
を含む方法。
【請求項１１】
前記結晶径分布に対する単峰形の体積は、前記ピーク高さの半分に対応する体積における結晶径の間の差が、約前記ピークの結晶径である又はそれ未満である、結晶径分布に対する体積を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記混合物中のシリカの重量に対して混合物は約１．０重量％以下の種結晶を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
回収されたＤＤＲフレームワーク型結晶は、１．１以下の軸比を有し、軸比は頂点から頂点への距離と辺から辺への距離との比であり、深さの寸法は前記頂点から頂点への距離及び前記辺から辺への距離より短いことである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記深さの寸法と前記辺から辺への距離との比が、約０．９以下である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
構造指向剤は塩化メチルトロピニウムであり、ＤＤＲフレームワーク型結晶は実質的にＺＳＭ−５８を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
反応混合物は、約１２〜約２５の水と酸化ケイ素とのモル比を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
頂点から頂点への距離と辺から辺への距離との比である、１．１以下の軸比と、
前記頂点から頂点への距離及び前記辺から辺への距離より短い深さの寸法を有する、丸形状ディスクモルフォロジーを有するＺＳＭ−５８結晶を含む組成物であり、
ＺＳＭ−５８結晶は、結晶径分布に対する単峰形の体積を有し、
前記ＺＳＭ−５８結晶の１０体積パーセント未満が約５μｍ以下の代表径を有し、
前記ＺＳＭ−５８結晶が、少なくとも約９０％の純度を有する、組成物。
【請求項１８】
前記結晶径分布に対する体積のピークの結晶径は、約１５μｍ〜約４０μｍであり、かつ１μｍビンの幅での前記結晶径に対する体積プロットのピーク高さは少なくとも約１０体積パーセントである、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
前記結晶径分布に対する単峰形の体積は、前記ピーク高さの半分に対応する体積における結晶径間の差が、ほぼ前記ピークの前記結晶径である又はそれ未満である、結晶径分布に対する体積を更に含む、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
前記深さの寸法と前記辺から辺への距離との比が約０．９以下である、請求項１７に記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
本発明は特定の実施形態に関して記載されたが、それは限定されない。特定の条件下での作業のための適切な変更形態／修正形態は、当業者に明白であろう。したがって、以下の特許請求の範囲が、全てのそのような変更形態／修正形態を本発明の真の趣旨／範囲に含まれるものとして包含するように解釈されることが意図される。
本明細書には、以下の形態も含まれる。
１．
頂点から頂点への距離と辺から辺への距離との比である、１．１以下の軸比と、
前記頂点から頂点への距離及び前記辺から辺への距離より短い深さの寸法を有する、丸形状ディスクモルフォロジーを有するＺＳＭ−５８結晶を含む組成物であり、
結晶径分布に対する単峰形の体積を有し、
前記ＺＳＭ−５８結晶の１０体積パーセント未満が約５μｍ以下の代表径を有し、
前記ＺＳＭ−５８結晶が、少なくとも約９０％の純度を有する、組成物。
２．
前記結晶径分布に対する単峰形の体積のピークの結晶径は、約１５μｍ〜約４０μｍであり、かつ１μｍビンの幅での前記結晶径に対する体積プロットのピーク高さが少なくとも約１０体積パーセントである、上記１に記載の組成物。
３．
前記結晶径分布に対する単峰形の体積は、前記ピーク高さの半分に対応する体積における結晶径間の差が、ほぼ前記ピークの前記結晶径である又はそれ未満である、結晶径分布に対する体積を更に含む、上記１又は２に記載の組成物。
４．
前記深さの寸法と前記辺から辺への距離との比が約０．９以下である、上記１〜３のいずれかに記載の組成物。
５．
ＤＤＲフレームワーク型ゼオライトの合成方法であって、
ＺＳＭ−５８などの結晶質ＤＤＲフレームワーク型材料を形成することが可能な反応混合物を形成し、その混合物は、水、酸化ケイ素（好ましくは、ＳｉＯ２）、水酸化アルカリまたはアルカリ土属、及びメチルトロピニウム塩構造指向剤を含み、その混合物は、約１２〜約２５、好ましくは約１２〜約２０の水と酸化ケイ素とのモル比、約０．０１〜約１．０の水酸化物と酸化ケイ素とのモル比、約０．０１〜約１．０のアルカリ及びアルカリ土類金属と酸化ケイ素とのモル比、約０．０１〜約２．０の構造指向剤と酸化ケイ素とのモル比、及び前記混合物中の酸化ケイ素の重量に対して少なくとも約０．０５重量％の種結晶、好ましくは約１．０重量％以下の種結晶を有すること；及び
１．１以下の軸比を有するＤＤＲフレームワーク型結晶（ＺＳＭ−５８結晶など）を回収し、軸比は頂点から頂点への距離と辺から辺への距離との比であり、深さの寸法は前記頂点から頂点への距離及び前記辺から辺への距離より短く、前記構造指向剤は、好ましくは塩化メチルトロピニウムを含むこと
を含む方法。
６．
前記ＤＤＲフレームワーク型結晶は、結晶径分布に対する単峰形の体積を有し、前記ＤＤＲフレームワーク型結晶の１０体積パーセント未満が約５μｍ以下の代表径を有し、前記結晶径分布に対する体積のピークに対する結晶径が約１５μｍ〜約４０μｍであり、かつ１μｍビンの幅での前記結晶径に対する体積プロットのピーク高さが少なくとも約１０体積パーセントである、上記５に記載の方法。
７．
前記結晶径分布に対する単峰形の体積は、前記ピーク高さの半分に対応する体積における結晶径の間の差が、約前記ピークの結晶径である又はそれ未満である、結晶径分布に対する体積を更に含む、上記５又は６に記載の方法。
８．
前記反応混合物が、前記反応混合物中のシリカの重量に基づき、約０．０５重量％〜約５．０重量％の種結晶を更に含んでなる、上記５〜７のいずれかに記載の方法。
９．
前記反応混合物がアルミナ供給源を更に含んでなる、上記５〜８のいずれかに記載の方法。
１０．
前記軸比が１．０５以下である、上記５〜９のいずれかに記載の方法。
１１．
前記深さの寸法と前記辺から辺への距離との比が、約０．９以下である、上記５〜１０のいずれかに記載の方法。
１２．
前記反応混合物が、前記ＤＤＲフレームワーク型結晶の形成の間、約１２０℃〜約１７５℃の温度で維持される、上記５〜１１のいずれかに記載の方法。