【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年9月12日(2016.9.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
マイクロエレクトロニクス構造体の形成方法が示される。その方法は、ウェハスタックを用意することを含み、そのスタックは、表面を有する基板、基板の表面に隣接した選択可能な中間層、基板の表面、または選択可能な中間層が存在する場合にはその中間層に隣接したアンダーカット可能な層、およびアンダーカット可能な層に隣接したイメージング層を有する。イメージング層がパターン形成され、パターンを生じる。アンダーカット可能な層にパターンが転写され、基板の表面、または基板の表面上の中間層の上にある第１の複数のＴ字状構造体を生じる。Ｔ字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直でありかつ対向する端部壁によって接合された上側表面と下側表面を有する略水平なセクションをそれぞれ有する。垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第１のセットのアンダーカットエリアを定義する。第１のセットのアンダーカットエリアは、選択的エッチング可能な組成物で満たされる。Ｔ字状構造体が取り除かれ、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層の上にある第１の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャを生じる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明は、マイクロエレクトロニクス構造体のさらなる形成方法を示す。その方法は、プレカーソル構造体を用意することを含み、その構造体は、表面および基板の表面に隣接した選択可能な中間層を有する基板、ならびに基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層の上にある第１の複数のＴ字状構造体を有する。第１の複数のＴ字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直な略水平なセクションをそれぞれ有する。略水平なセクションは、対向する端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第１のセットのアンダーカットエリアを定義する。第１のセットのアンダーカットエリアは、第１の選択的エッチング可能な組成物で満たされ、第２の複数のＴ字状構造体は、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層に隣接する位置に形成される。第２の複数のＴ字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直な略水平なセクションをそれぞれ有する。略水平なセクションは、対向する端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第２のセットのアンダーカットエリアを定義する。第２のセットのアンダーカットエリアは、第２の選択的エッチング可能な組成物で満たされる。第１と第２の複数のＴ字状構造体が取り除かれ、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層の上に第１と第２の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャを生じる。第１の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャは、第１の選択的エッチング可能な組成物に対応し、第２の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャは、第２の選択的エッチング可能な組成物に対応する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
マイクロエレクトロニクス構造体のさらなる形成方法が示される。その方法は、プレカーソル構造体を用意することを含み、その構造体は、表面および基板の表面に隣接した選択可能な中間層を有する基板、ならびに基板の表面、または基板の表面上の中間層の上にある第１の複数のＴ字状構造体を有する。Ｔ字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直な略水平なセクションをそれぞれ有する。略水平なセクションは、対向する端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第１のセットのアンダーカットエリアを定義する。第１の選択的エッチング可能な組成物は、プレカーソル構造体に塗布され、選択的エッチング可能な組成物は、第１のセットのアンダーカットエリアに流れ込み、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層をコーティングする。選択的エッチング可能な組成物は、第１の複数のＴ字状構造体の略水平なセクションの下側表面に接触するように、実質的に第１の複数のＴ字状構造体の直立したレッグの高さ以上平均的厚さで塗布される。第２の複数のＴ字状構造体は、第１の選択的エッチング可能な組成物上に形成される。第２の複数のＴ字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直な略水平なセクションをそれぞれ有する。略水平なセクションは、対向する端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第２のセットのアンダーカットエリアを定義する。第２のセットのアンダーカットエリアは、第２の選択的エッチング可能な組成物で満たされ、第１と第２の複数のＴ字状構造体が取り除かれ、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層の上にある第１と第２の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャを生じる。第１の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャは、第１の選択的エッチング可能な組成物に対応し、第２の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャは、第２の選択的エッチング可能な組成物に対応する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本発明は、マイクロエレクトロニクス構造体のさらなる形成方法を示す。その方法は、プレカーソル構造体を用意することを含み、その構造体は、表面および基板の表面に隣接した選択可能な中間層を有する基板、ならびに基板の表面、または基板の表面上の中間層の上にある複数のＴ字状構造体を有する。Ｔ字状構造体は、基板の表面に対して略垂直な対向する垂直側壁によって接合された上側部分および基板の表面または中間層に接触する下側部分を有する直立したレッグ、ならびに上側部分に隣接しかつ垂直側壁に対して略垂直な略水平なセクションをそれぞれ有する。略水平なセクションは、対向する端部壁によって接合された上側表面および下側表面を有し、垂直側壁のそれぞれおよび下側表面は、共同で第１のセットのアンダーカットエリアを定義する。第１のセットのアンダーカットエリアは、第１の選択的エッチング可能な組成物で満たされる。第１のコンフォーマル層（共形層）は、Ｔ字状構造体および基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層に隣接する位置に形成される。第２のコンフォーマル層は、第１のコンフォーマル層に隣接する位置に形成され、Ｔ字状構造体および第１と第２のコンフォーマル層の一部が取り除かれ、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層の上に、複数の、アンダーカットによる形成フィーチャおよび複数のコンフォーマルに（共形に）形成されたフィーチャを生じる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
さらに、マイクロエレクトロニクス構造体のさらなる形成方法が示される。その方法は、プレカーソル構造体を用意することを含み、その構造体は、表面および基板の表面に隣接した選択可能な中間層を有する基板、基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層に隣接した第１のエッチ転写層、第１のエッチ転写層に隣接した第１のハードマスク、ならびに第１のパターンを定義するハードマスクに隣接した第１の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャを有する。第１のパターンは、第１のハードマスクに転写され、第１のパターン形成されたハードマスクを生じる。プレカーソル構造体上に、パターン形成されたハードマスクを覆うようにコーティングする第２のエッチ転写層が形成される。第２のハードマスク層は、第２のエッチ転写層に隣接する位置に形成される。第２の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャは、第２のハードマスク層に隣接する位置に作成され、第２のパターンを生じる。第２のハードマスク層に第２のパターンが転写され、第２のパターン形成されたハードマスクを生じ、第１と第２のパターン形成されたハードマスクをエッチングストップとして使用して、第１と第２のパターンが第１と第２のエッチ転写層にエッチングされる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
さらに、マイクロエレクトロニクス構造体が示される。構造体は、表面を有する基板、表面に隣接した選択可能な中間層、および基板の表面、または中間層が存在する場合にはその中間層に隣接した複数の、アンダーカットによる形成フィーチャを有する。アンダーカットによる形成フィーチャは、約２０ｎｍ未満の幅を有し、選択的エッチング可能な組成物を含む。選択的エッチング可能な組成物は、シリコンおよび／または金属の含有化合物、その酸化物、あるいはそれらの組み合わせを含む。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
図面の簡単な説明
【図１】図１（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の一実施形態に従って、マイクロエレクトロニクス構造体を形成するプロセスの模式的断面を示す。
【図２】図２（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明のさらなる実施形態に従って、マイクロエレクトロニクス構造体を形成するプロセスの模式的断面を示す。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の代替実施形態に従って、マイクロエレクトロニクス構造体を形成するプロセスの模式的断面を示す。
【図４】図４（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明のさらなる実施形態に従って、マイクロエレクトロニクス構造体を形成するプロセスの模式的断面を示す。
【図５】図５（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の別の一実施形態に従って、マイクロエレクトロニクス構造体を形成するプロセスの模式的断面を示す。
【図６】図６（Ａ）〜（Ｄ）は、本発明の代替実施形態に従って、マイクロエレクトロニクス構造体を形成するプロセスの模式的断面を示す。
【図７】図７（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明のさらなる実施形態に従って、マイクロエレクトロニクス構造体を形成するプロセスの模式的断面を示す。
【図８】図８は、実施例１で形成されたＴ字状構造体の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。
【図９】図９は、実施例１で形成されたＴ字状構造体の拡大ＳＥＭ写真である。
【図１０】図１０は、実施例２で形成され、アンダーカットが充填されたＴ字状構造体のＳＥＭ写真である。
【図１１】図１１は、実施例２で形成され、アンダーカットが充填されたＴ字状構造体の拡大ＳＥＭ写真である。
【図１２】図１２は、余剰分の選択的エッチング材料をエッチング除去した後に実施例２で形成され、アンダーカットが充填されたＴ字状構造体のＳＥＭ写真である。
【図１３】図１３は、余剰分の選択的エッチング材料をエッチング除去した後に実施例２で形成され、アンダーカットが充填されたＴ字状構造体の拡大ＳＥＭ写真である。
【図１４】図１４は、実施例２で形成された１５０ｎｍのＴ字状構造体からのアンダーカットによる形成フィーチャのＳＥＭ写真である。
【図１５】図１５は、実施例２で形成された１５０ｎｍのＴ字状構造体からのアンダーカットによる形成フィーチャの拡大ＳＥＭ写真である。
【図１６】図１６は、実施例２で形成された１６０ｎｍのＴ字状構造体からのアンダーカットによる形成フィーチャのＳＥＭ写真である。
【図１７】図１７は、実施例２で形成された１６０ｎｍのＴ字状構造体からのアンダーカットによる形成フィーチャの拡大ＳＥＭ写真である。
【図１８】図１８は、実施例２で形成された１８０ｎｍのＴ字状構造体からのアンダーカットによる形成フィーチャのＳＥＭ写真である。
【図１９】図１９は、実施例２で形成された１８０ｎｍのＴ字状構造体からのアンダーカットによる形成フィーチャの拡大ＳＥＭ写真である。
【図２０】図２０は、実施例３で形成されたＴ字状構造体のＳＥＭ写真である。
【図２１】図２１は、実施例４から選択的エッチング材料でコーティングされたＴ字状構造体のＳＥＭ写真である。
【図２２】図２２は、実施例４からのアンダーカットによる形成フィーチャのＳＥＭ写真である。
【図２３】図２３は、実施例４からの追加のアンダーカットによる形成フィーチャのＳＥＭ写真である。
【図２４】図２４は、実施例５からのアンダーカットによる形成フィーチャのＳＥＭ写真である。
【図２５】図２５は、フィーチャの測定されたライン幅を示す、実施例からのアンダーカットによる形成フィーチャのＳＥＭ写真断面図である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
アンダーカットエリア２３ａは、側壁３２ａ、および端部壁３６ａによって定義された平面の間の最長距離として測定される幅Ｗａを有する。同様に、アンダーカットエリア２３ｂは、側壁３２ｂ、および端部壁３６ｂによって定義された平面の間の最長距離として測定される幅Ｗｂを有する。このプロセスは、幅Ｗａ、Ｗｂをコントロールし、エッチングまたは他のプロセス実行中にレッグ２４の高さ全体を全く失わずに相対的に小さくすることができるという特徴を有する。本発明のプロセスは、結果として約１ｎｍから約１００ｎｍまで、好ましくは約１ｎｍから約５０ｎｍまで、より一層好ましくは約１ｎｍから約２０ｎｍまでのＷａまたはＷｂを得ることが可能である。ＷａまたはＷｂは、好ましくはセクション２６の長さＬの約０．５％から約４９％まで、より好ましくはＬの約１０％から約４０％まで、より一層好ましくはＬの約２０％から約３５％までである。本発明の方法を使用して形成されたフィーチャの中にわずかな変更があっても良く、また、比率の小さい各フィーチャタイプ（例えば、アンダーカットエリア、アンダーカットによる形成フィーチャ、Ｔ字状構造体など）は、本発明の範囲から逸脱せずに上述のパラメータの範囲外でも良いことが認識されるであろう。従って、本書に記載された各寸法について、各フィーチャタイプのそれぞれのフィーチャの少なくとも約５０％、好ましくは少なくとも約７５％、より好ましくは少なくとも約９０％が、その定義された範囲に適合するであろうことが理解されるであろう。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
実施形態にかかわらず、イメージング層１６およびアンダーカット可能な層１４を取り除いた後、アンダーカットによる形成フィーチャ４０は、基板の表面１２ａ、または表面１２ａ上に存在するかもしれない中間層の上に残留する。アンダーカットによる形成フィーチャ４０は、アンダーカットエリア２３ａ、２３ｂに堆積された、乾燥されたかまたは硬化された選択的エッチング可能な組成物３８と化学的に同一である。アンダーカットによる形成フィーチャ４０は、アンダーカットエリア２３ａ、２３ｂの幅Ｗａ、Ｗｂに実質的に対応する幅ｗをそれぞれ有するであろう。さらに具体的に言うと、アンダーカットによる形成フィーチャ４０の幅ｗは、好ましくは約１ｎｍから約１００ｎｍまで、より好ましくは約５ｎｍから約３０ｎｍまで、最も好ましくは約１０ｎｍから約２０ｎｍまで変動するであろう。アンダーカットによる形成フィーチャ４０の高さｈは、直立したレッグ２４の高さＨに実質的に対応するであろう。さらに具体的に言うと、アンダーカットによる形成フィーチャ４０の高さｈは、好ましくは約１ｎｍから約１００ｎｍまで、より好ましくは約２０ｎｍから約６０ｎｍまで、最も好ましくは約３０ｎｍから約５０ｎｍまで変動するであろう。ｗ：ｈの比率は、好ましくは約１０：１から約１：１０まで、より好ましくは約１：１から約１：５まで、より一層好ましくは約１：１から約１：３までであろう。アンダーカット可能な層１４の厚さを調節することによって、最後の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０の高さｈを調節することが可能である一方、アンダーカットまたはアンダーカット形成に使用されるエッチングプロセスの量を調節することによって、幅ｗをコントロールすることが可能であることが認識されるであろう。本書に記載されたもののように、パターンのライン幅を調節することによって、または多重パターン形成のアプローチを使用することによって、アンダーカットによる形成フィーチャのピッチを変更することが可能である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
次に、図２（Ｆ）に示されているように、上述された第２のイメージング層４６（即ち、セクション５６）および第２のアンダーカット可能な層４４（即ち、レッグ部分５４）が取り除かれ、以前に基板の表面１２ａまたは中間層（存在する場合には）上に形成された初期フィーチャ４０を、アンダーカットによる形成複数のフィーチャ４０’と共に残す。アンダーカットによる形成フィーチャ４０’は、アンダーカットエリア５３ａ、５３ｂに堆積された選択的エッチング可能な組成物６８（乾燥または硬化後）と化学的に同一である。アンダーカットによる形成フィーチャ４０’は、アンダーカットエリア５３ａ、５３ｂの幅Ｗａ’、Ｗｂ’に実質的に対応する幅ｗ’をそれぞれ有するであろう。さらに具体的に言うと、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’の幅ｗ’は、好ましくは約１ｎｍから約１００ｎｍまで、より好ましくは約５ｎｍから約３０ｎｍまで、最も好ましくは約１０ｎｍから約２０ｎｍまで変動するであろう。アンダーカットによる形成フィーチャ４０’の高さｈ’は、直立したレッグ５４の高さＨ’に実質的に対応するであろう。さらに具体的に言うと、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’の高さｈ’は、好ましくは約１ｎｍから約１００ｎｍまで、より好ましくは約２０ｎｍから約６０ｎｍまで、最も好ましくは約３０ｎｍから約５０ｎｍまで変動するであろう。アンダーカット可能な層４４の厚さを調節することによって、第２の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’の高さｈ’を調節することが可能である一方、アンダーカットおよび／または使用されたエッチングプロセスの量を調節することによって、幅ｗ’をコントロールすることが可能であることが認識されるであろう。本書に記載されたもののように、パターンのライン幅を調節することによって、または多重パターン形成のアプローチを使用することによって、アンダーカットによる形成フィーチャのピッチを変更することが可能である。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
次に、図３（Ｅ）に示されているように、第１と第２のＴ字状構造体２２、２２’をマスクとして使用して、第２の選択的エッチング可能な組成物３８’が選択的に取り除かれ、アンダーカットエリアの中だけに第１と第２のエッチングの可能な組成物３８、３８’を残す。次に、図３（Ｆ）に示されているように、第１と第２のイメージング層１６、４６（即ち、略水平なセクション２６および２６’）および第１と第２のアンダーカット可能な層１４、４４（即ち、直立したレッグ２４および２４’）が本書に記載されているように取り除かれ、第１の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０および第２の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’を残す。第１の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０は、アンダーカットエリア２３ａ、２３ｂに堆積された選択的エッチング可能な組成物３８と化学的に同一である。第２の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’は、アンダーカットエリア２３ａ’、２３ｂ’に堆積された選択的エッチング可能な組成物３８’と化学的に同一である。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
第１の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０は、図１に関して上述されるように、アンダーカットエリア２３ａ、２３ｂの幅Ｗａ、Ｗｂに実質的に対応する幅ｗをそれぞれ有するであろう。第１の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０の高さｈは、図１に関して上述されるように、直立したレッグ２４の高さＨに実質的に対応するであろう。第２の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’は、アンダーカットエリア２３ａ’、２３ｂ’の幅Ｗａ’、Ｗｂ’に実質的に対応する幅ｗ’をそれぞれ有するであろう。さらに具体的に言うと、第２の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’の幅ｗ’は、好ましくは約１ｎｍから約１００ｎｍまで、より好ましくは約１ｎｍから約５０ｎｍまで、最も好ましくは約１ｎｍから約２０ｎｍまで変動するであろう。第２の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’の高さｈ’は、直立したレッグ２４’の高さＨ’に実質的に対応するであろう。さらに具体的に言うと、第２の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’の高さｈ’は、好ましくは約１ｎｍから約１００ｎｍまで、より好ましくは約１０ｎｍから約８０ｎｍまで、最も好ましくは約２０ｎｍから約５０ｎｍまで変動するであろう。ｗ’：ｈ’の比率は、好ましくは約１：１０から約１０：１まで、より好ましくは約１：１から約１：５まで、より一層好ましくは約１：１から約１：３までであろう。アンダーカット可能な層１４、４４の厚さを調節することによって、最後の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０、４０’の高さを調節することが可能である一方、アンダーカットおよび／または使用されたエッチングプロセスの量を調節することによって、幅をコントロールすることが可能であることが認識されるであろう。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
次に、図４（Ｃ）に示されているように、第２の選択的エッチング可能な組成物３８’が、スタック１０’に塗布され、アンダーカットエリア２３ａ’、２３ｂ’を満たす。図４（Ｄ）〜（Ｆ）に示されているように、第１と第２の選択的エッチング可能な組成物３８、３８’は、第１と第２のＴ字状構造体２２、２２’をマスクとして使用して、選択的に取り除かれ、アンダーカットエリアの中、および第２の複数のＴ字状構造体２２’の下だけに第１と第２のエッチングの可能な組成物３８、３８’を残す。次に、一連のエッチングおよび／または現像のステップを使用して、第１と第２のアンダーカット可能な層１４、４４、および第１と第２のイメージング層１６、４６を、第２の複数のＴ字状構造体２２’の直立したレッグ２４’の真下にある第１の選択的エッチング可能な組成物３８の残部と共に取り除き、図４（Ｇ）に示されているように、第１の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０および第２の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’を残すことが可能である。第１の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０は、アンダーカットエリア２３ａ、２３ｂに堆積された第１の選択的エッチング可能な組成物３８と同一である。第２の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’は、アンダーカットエリア２３ａ’、２３ｂ’に堆積された第２の選択的エッチング可能な組成物３８’と同一である。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
第１の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０は、図１に関して上述されるように、アンダーカットエリア２３ａ、２３ｂの幅Ｗａ、Ｗｂに実質的に対応する幅ｗをそれぞれ有するであろう。第１の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０の高さｈは、図１に関して上述されるように、直立したレッグ２４の高さＨに実質的に対応するであろう。第２の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’は、アンダーカットエリア２３ａ’、２３ｂ’の幅Ｗａ’、Ｗｂ’に実質的に対応する幅ｗ’をそれぞれ有するであろう。さらに具体的に言うと、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’の幅ｗ’は、好ましくは約１ｎｍから約１００ｎｍまで、より好ましくは約１ｎｍから約５０ｎｍまで、最も好ましくは約１ｎｍから約２０ｎｍまで変動するであろう。第２の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’の高さｈ’は、第１の選択的エッチング可能な組成物３８および第２のアンダーカット可能な層４４の合計の平均的厚さに実質的に対応するであろう（換言すれば、第１の選択的エッチング可能な組成物３８の平均的厚さプラス第２の複数のＴ字状構造体２２’の直立したレッグ２４’の高さと実質的に等しい）。さらに具体的に言うと、第２の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’の高さｈ’は、好ましくは約１ｎｍから約１００ｎｍまで、より好ましくは約２０ｎｍから約６０ｎｍまで、最も好ましくは約３０ｎｍから約５０ｎｍまで変動するであろう。ｗ’：ｈ’の比率は、好ましくは約１０：１から約１：１０まで、より好ましくは約１：１から約１：５まで、より一層好ましくは約１：１から約１：３まで変動するであろう。アンダーカット可能な層１４、４４の厚さを調節することによって、最後の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０、４０’の高さを調節することが可能である一方、アンダーカットおよび／または使用されるエッチングプロセスの量を調節することによって、幅をコントロールすることが可能であることが認識されるであろう。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
図５（Ｅ）に示されているように、スタック１０’は、Ｔ字状構造体２２を、第１のコンフォーマル層７０の垂直部分７０ｂと共に取り除くための第３のエッチングを受ける。エッチングは、好ましくは約１秒から約１２０秒まで、好ましくは約１５秒から約９０秒まで、より一層好ましくは約３０秒から約６０秒までの間実行される。従来のエッチングガスの内のいずれを使用しても良いが、第３のエッチングは、第１または第２のエッチングと異なるエッチング液を使用するのが好ましい。第３のエッチング後、アンダーカットによる形成フィーチャ４０は、コンフォーマルに形成されたフィーチャ７８と共に基板の表面上に残留する。コンフォーマルに形成されたフィーチャ７８は、下側部分８０および上側部分８２を有し、第１のコンフォーマル層７０および第２のコンフォーマル層７２とそれぞれ化学的に同一である。下側部分８０は、基板の表面１２ａ、または存在するかもしれないあらゆる中間層に隣接する一方、上側部分８２は、コンフォーマルに形成されたフィーチャ７８の下側部分８０に隣接する。コンフォーマルに形成されたフィーチャ７８は、第２のコンフォーマル層７２の垂直部分７２ｂの平均的厚さに実質的に対応する幅ｗをそれぞれ有するであろう。さらに具体的に言うと、コンフォーマルに形成されたフィーチャ７８の幅ｗは、好ましくは約１ｎｍから約１００ｎｍまで、より好ましくは約１ｎｍから約５０ｎｍまで、最も好ましくは約１ｎｍから約２０ｎｍまで変動するであろう。コンフォーマルに形成されたフィーチャ７８の高さｈは、好ましくは約１ｎｍから約１５０ｎｍまで、より好ましくは約２０ｎｍから約８０ｎｍまで、最も好ましくは約３０ｎｍから約６０ｎｍまで変動するであろう。第１と第２のコンフォーマル層７０、７２の平均的厚さを、スタック１０’上で実行されるエッチングの量と共に変化させることによって、コンフォーマルに形成されたフィーチャ７８の高さｈおよび幅ｗをコントロールすることが可能であることが認識されるであろう。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
図６（Ｃ）に示されているように、スタック１０’は、第２のコンフォーマル層７２の実質的に水平部分７２ａを取り除き、第１のコンフォーマル層７０の略水平部分の覆いを除去するための第１のエッチングを受ける。図６（Ｄ）に示されているように、スタック１０は、アンダーカット可能な層１４（即ち、直立したレッグ２４）、および第２のコンフォーマル層７２によって保護されない第１のコンフォーマル層７０の一部（即ち、第２のコンフォーマル層７２をエッチマスクとして使用すること）を取り除くための第２と第３のエッチングを受ける。このプロセスは、複数のフィーチャを生じ、そのフィーチャは、アンダーカットエリア２３ａ、２３ｂに最初に堆積された選択的エッチングの可能な材料３８に対応する、アンダーカットによる形成フィーチャ４０を、第２のコンフォーマル層７２の残部、および残りの第２のコンフォーマル層７２の直接下方にある第１のコンフォーマル層７０の一部に対応する、コンフォーマルに形成されたフィーチャ７８と共に有する。コンフォーマルに形成されたフィーチャ７８は、実質的に第２のコンフォーマル層７２の垂直部分７２ｂの平均的厚さに対応する幅ｗをそれぞれ有するであろう。さらに具体的に言うと、コンフォーマルに形成されたフィーチャ７８の幅ｗは、好ましくは約１ｎｍから約１００ｎｍまで、より好ましくは約１ｎｍから約５０ｎｍまで、最も好ましくは約１ｎｍから約２０ｎｍまで変動するであろう。コンフォーマルに形成されたフィーチャ７８の高さｈは、好ましくは約１ｎｍから約１５０ｎｍまで、より好ましくは約２０ｍｎから約８０ｎｍまで、最も好ましくは約３０ｎｍから約６０ｎｍまで変動するであろう。第１と第２のコンフォーマル層７０、７２の厚さを、スタック１０’上で実行されるエッチングの量と共に変化させることによって、コンフォーマルに形成されたフィーチャ７８の高さｈおよび幅ｗをコントロールすることが可能であることが認識されるであろう。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
図７は、本発明のさらなる実施形態を示す。図７（Ａ）に示されているように、第１の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０は、図１に関して上述されるようなスタック１０上に形成される。この実施形態では、スタック１０は、基板１２、基板に隣接した第１のエッチ転写層８４、および第１のエッチ転写層８４に隣接したハードマスク８６を有し、アンダーカットによる形成フィーチャは、ハードマスク８６の表面８６ａに隣接する。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
次に、図７（Ｂ）に示されているように、スタック１０は、アンダーカットによる形成フィーチャ４０をエッチマスクとして使用して、ハードマスク８６に、アンダーカットによる形成フィーチャ４０のパターンを転写するための第１のエッチングを受ける。このプロセスの結果として、第１のエッチ転写層８４の表面８４ａに隣接した第１の複数のハードマスクフィーチャ８８が得られる。第２のエッチ転写層８４’がスタック上に形成され、第１の複数のハードマスクフィーチャ８８を覆うようにコーティングした後、第２のハードマスク層８６’が形成される。第２の層に使用される材料は、所望の空間配置に応じて、第１のプロセス実行ステップで使用されるものと同じまたは異なることが可能である。図７（Ｄ）に示されているように、第２の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’は、図１に関して上述されるような第２のハードマスク層８６’の表面８６ａ’上に再形成される。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
スタック１０は、第２のハードマスク層８６’に第２の複数の、アンダーカットによる形成フィーチャ４０’のパターンを転写し、図７（Ｅ）に示されているように、第２のエッチ転写層８４’の表面８４ａ’上に第２の複数のハードマスクフィーチャ８８’を生じるための第２のエッチングを受ける。次に、スタック１０は、第１と第２の複数のハードマスクフィーチャ８８、８８’をエッチングストップとして使用して、第１と第２のエッチ転写層８４、８４’にパターンを転写するための第３のエッチングを受ける。結果として得られるフィーチャ９０は、図７（Ｆ）に示されたように、約１ｎｍから約１００ｎｍまで、より好ましくは約１ｎｍから約５０ｎｍまで、より一層好ましくは約１ｎｍから約２０ｎｍまでの幅ｗ、ｗ’を有するであろう。図１に関して上述されるようなＴ字状構造体を形成する場合には、アンダーカットの量を調節することによって、フィーチャ９０の幅を調節することが可能であることが認識されるであろう。フィーチャｈ、ｈ’の高さは、第１と第２のエッチ転写層８４、８４’のそれぞれの厚さに応じて変化するであろうが、通常は、約１ｎｍから約１５０ｎｍまで、より好ましくは約２０ｎｍから約８０ｎｍまで、より一層好ましくは約３０ｎｍから約６０ｎｍまで変動するであろう。埋め込まれたハードマスクを使用することによって、フィーチャ９０の構成が、図７（Ｆ）に示されているように、様々な高さｈ、ｈ’を有することが可能になるという特徴を有する。いくつかの実施形態では、ハードマスクの使用は、選択可能であり、アンダーカットによる形成フィーチャ４０自体は、このプロセスのエッチングストップとして使用されることが可能である。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０１】
２．選択的エッチング可能な組成物
本書に記載されている、アンダーカットによる形成フィーチャの形成における使用に適した選択的エッチング可能な組成物は、積極的なエッチング処理に対して非常に小さいフィーチャサイズに分解せずに十分に耐えるほどロバストであるだけでなく、本発明の方法によって形成された極めて小さいアンダーカットエリアを満たすほど十分にデリケートでなければならない。好適な材料は、シリコンおよび／または金属の含有化合物、その酸化物、およびそれらの組み合わせを含むであろう。本発明での使用に適したシリコン含有化合物は、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＳｉＯＮ、およびそれらの組み合わせを含む。本発明での使用に適した金属含有化合物は、Ｈｆ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、その酸化物、およびそれらの組み合わせを含む。化合物は、ナノ粒子、ナノコロイド状材料、または低分子量ポリマーであることが可能である。ナノ粒子およびナノコロイド状材料は、充填されるべきアンダーカットエリアよりも小さい平均粒径を有しなければならない。平均粒径は、好ましくは約０．５ｎｍから約１０ｎｍまで、より好ましくは約１ｎｍから約７ｎｍまで、より一層好ましくは約２ｎｍから約５ｎｍまでの範囲であろう。平均粒径は、粒子の最大表面間寸法の平均値を指す。例えば、球状粒子の場合には、平均粒径は、組成物の中の粒子の直径の平均値になるであろう。