【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー基板と、そして熱酸化バリア皮膜と、を備え、該熱酸化バリア皮膜は、１００〜９００ｎｍの厚さを有し、かつ前記ポリマー基板の少なくとも１つの表面を被覆するシリコンオキシカーバイド（ＳＯＣ）層を含む、複合材料。
【請求項２】
前記ＳＯＣ層は、大気プラズマ堆積により形成される、請求項１に記載の複合材料。
【請求項３】
前記ＳＯＣ層は、３％〜５０％の範囲の炭素含有量を含む、請求項２に記載の複合材料。
【請求項４】
前記ＳＯＣ層は、３％〜５０％の範囲のシリコン含有量を含む、請求項２に記載の複合材料。
【請求項５】
前記ＳＯＣ層は、３％〜５０％の範囲の酸素含有量を含む、請求項２に記載の複合材料。
【請求項６】
複合材料を形成する方法であって、前記方法は：１００〜９００ｎｍの厚さを有するシリコンオキシカーバイド（ＳＯＣ）層を含む熱酸化バリア皮膜を、ポリマー基板の少なくとも１つの表面に堆積させる工程を含む、方法。
【請求項７】
前記堆積させる工程は、前記ＳＯＣ層の、大気プラズマ堆積（ＡＰＤＰ）による堆積を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ＡＰＤＰは、前記ＳＯＣ層の化学前駆体の使用を含み、該化学前駆体は、シラン、有機シラン、またはシラン及び有機シランの組み合わせを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ＡＰＤＰは、前記ＳＯＣ層の化学前駆体の使用を含み、該化学前駆体は、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、またはテトラメチルシクロテトラシロキサン及びオクタメチルシクロテトラシロキサンの組み合わせを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＳＯＣ層は、前記ポリマー基板への酸素拡散を阻止する、請求項６又は７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
本明細書において説明される本開示の多くの変形及び他の態様は、これらの開示に関わり、かつこれまでの記載及び関連する図面に提示される教示の恩恵を受けるこの技術分野の当業者であれば想到することができるであろう。従って、本開示は、開示される特定の態様に限定されるべきではなく、かつ変形及び他の態様は、添付の請求項の範囲に含まれるべきであることを理解されたい。特定の用語を本明細書において用いているが、これらの用語は、一般的かつ記述的な意味にのみ用いられ、限定するために用いられるのではない。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
ポリマー基板と、そして熱酸化バリア皮膜と、を備え、該熱酸化バリア皮膜は、約１００〜約９００ｎｍの厚さを有し、かつ前記ポリマー基板の少なくとも１つの表面を被覆するシリコンオキシカーバイド（ＳＯＣ）層を含む、複合材料。
（態様２）
前記ＳＯＣ層は、大気プラズマ堆積により形成される、態様１に記載の複合材料。
（態様３）
前記ＳＯＣ層は、約３％〜約５０％の範囲の炭素含有量を含む、態様２に記載の複合材料。
（態様４）
前記ＳＯＣ層は、約３％〜約５０％の範囲のシリコン含有量を含む、態様２に記載の複合材料。
（態様５）
前記ＳＯＣ層は、約３％〜約５０％の範囲の酸素含有量を含む、態様２に記載の複合材料。
（態様６）
前記ＳＯＣ層は、前記ポリマー基板への酸素拡散を低減する、態様２に記載の複合材料。
（態様７）
前記複合材料は、同じ前記ポリマー基板を備え、かつ前記ＳＯＣ層を含まない複合材料と比較して、約５．０％未満の重量減少の熱酸化安定性（ＴＯＳ）を有する、態様６に記載の複合材料。
（態様８）
前記複合材料は、同じ前記ポリマー基板を備え、かつ前記ＳＯＣ層を含まない複合材料と比較して、約２．０％未満の重量減少の熱酸化安定性（ＴＯＳ）を有する、態様６に記載の複合材料。
（態様９）
前記ポリマー基板は、ポリイミド、エポキシ、ビスマレイミド、及びシアン酸エステルから選択されるポリマーマトリックスを含む、態様２に記載の複合材料。
（態様１０）
前記ポリマー基板はポリイミドマトリックスを含む、態様２に記載の複合材料。
（態様１１）
（ｉ）ポリマー基板と；（ｉｉ）約１００〜約９００ｎｍの厚さを有し、かつ前記ポリマー基板の少なくとも１つの表面を被覆するシリコンオキシカーバイド（ＳＯＣ）層を含む接着促進層と；そして（ｉｉｉ）前記接着促進層の上に堆積し、かつ前記接着促進層の略全体を覆う酸素バリア層（ＯＢＬ）と、を備える、複合材料。
（態様１２）
前記ＳＯＣ層は、大気プラズマ堆積により形成される、態様１１に記載の複合材料。
（態様１３）
前記ＳＯＣ層は、約３％〜約３０％の範囲の炭素含有量；約１０％〜約５０％の範囲のシリコン含有量；及び約１０％〜約５０％の範囲の酸素含有量を含む、態様１１に記載の複合材料。
（態様１４）
前記ＯＢＬは、前記ポリマー基板への酸素拡散を低減し、前記ＯＢＬは、金属材料、セラミック材料、または金属材料及びセラミック材料の組み合わせを含む、態様１１又は１２に記載の複合材料。
（態様１５）
前記接着促進層は、同じ前記ポリマー基板の上に直接堆積する同じ前記ＯＢＬの接合強度と比較して、前記ポリマー基板に対する前記ＯＢＬの接合強度を向上させる、態様１１又は１２に記載の複合材料。
（態様１６）
前記複合材料は、前記ポリマー基板と前記ＳＯＣ層との間の第１接合強度、及び前記ＳＯＣ層と前記ＯＢＬとの間の第２接合強度を有し、前記第１接合強度及び前記第２接合強度はそれぞれ、同じ前記ＯＢＬと同じ前記ポリマー基板との直接間の比較強度のものよりも大きい、態様１５に記載の複合材料。
（態様１７）
前記複合材料は、約２．０％未満重量減少の熱酸化安定性（ＴＯＳ）を有する、態様１１又は１２に記載の複合材料。
（態様１８）
前記ポリマー基板は、ポリイミド、エポキシ、ビスマレイミド、及びシアン酸エステルから選択されるポリマーマトリックスを含む、態様１１又は１２に記載の複合材料。
（態様１９）
前記ポリマー基板はポリイミドマトリックスを含む、態様１１又は１２に記載の複合材料。
（態様２０）
複合材料を形成する方法であって、前記方法は：約１００〜約９００ｎｍの厚さを有するシリコンオキシカーバイド（ＳＯＣ）層を含む熱酸化バリア皮膜を、ポリマー基板の少なくとも１つの表面に堆積させる工程を含む、方法。
（態様２１）
前記堆積させる工程は、前記ＳＯＣ層の、大気プラズマ堆積（ＡＰＤＰ）による堆積を含む、態様２０に記載の方法。
（態様２２）
前記ＡＰＤＰは、前記ＳＯＣ層の化学前駆体の使用を含み、該化学前駆体は、シラン、有機シラン、またはシラン及び有機シランの組み合わせを含む、態様２１に記載の方法。
（態様２３）
前記ＡＰＤＰは、前記ＳＯＣ層の化学前駆体の使用を含み、該化学前駆体は、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、またはテトラメチルシクロテトラシロキサン及びオクタメチルシクロテトラシロキサンの組み合わせを含む、態様２１に記載の方法。
（態様２４）
前記ＳＯＣ層は、前記ポリマー基板への酸素拡散を阻止する、態様２０又は２１に記載の方法。
（態様２５）
前記複合材料は、同じ前記ポリマー基板を備え、かつ前記ＳＯＣ層を含まない複合材料と比較して、約２．０％未満の重量減少の熱酸化安定性（ＴＯＳ）を有する、態様２４に記載の方法。
（態様２６）
複合材料を形成する方法であって、前記方法は：（ｉ）約１００〜約９００ｎｍの厚さを有するシリコンオキシカーバイド（ＳＯＣ）層を含む接着促進層を、ポリマー基板の少なくとも１つの表面に堆積させる工程と；そして（ｉｉ）酸素バリア層（ＯＢＬ）を、前記接着促進層の略全体を覆うように堆積させる工程とを含む、方法。
（態様２７）
前記ＳＯＣ層を堆積させる工程は、前記ＳＯＣ層の、大気プラズマ堆積（ＡＰＤＰ）による堆積を含む、態様２６に記載の方法。
（態様２８）
前記ＡＰＤＰは、前記ＳＯＣ層の化学前駆体の使用を含み、該化学前駆体は、シラン、有機シラン、またはシラン及び有機シランの組み合わせを含む、態様２７に記載の方法。
（態様２９）
前記ＡＰＤＰは、前記ＳＯＣ層の化学前駆体の使用を含み、該化学前駆体は、テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、またはテトラメチルシクロテトラシロキサン及びオクタメチルシクロテトラシロキサンの組み合わせを含む、態様２７に記載の方法。
（態様３０）
前記ＯＢＬは、前記ポリマー基板への酸素拡散を低減し、前記ＯＢＬは、金属材料、セラミック材料、または金属材料及びセラミック材料の組み合わせを含む、態様２６又は２７に記載の方法。
（態様３１）
前記接着促進層は、同じ前記ポリマー基板の上に直接堆積する同じ前記ＯＢＬの接合強度と比較して、前記ポリマー基板に対する前記ＯＢＬの接合強度を向上させる、態様２６又は２７に記載の方法。