【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブテンに富む炭化水素質の供給材料を与え、炭化水素質のブテンに富む供給材料を気化及び少なくとも約３４５℃（６５０°Ｆ）の温度に過熱し、炭化水素質のブテンに富む供給材料を過熱水蒸気及び酸素に富む気体と混合して反応器供給流を形成し；
酸化脱水素触媒の粒状物の触媒床を与え、反応器供給流を入口から触媒床に通して、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
酸化脱水素触媒の触媒床は、床内の温度を流れの方向に沿って測定するように構成されている複数の温度検出装置をそれに付随して有し；
反応器への入口条件を、酸化脱水素反応が最初は反応区域内を含む入口に対して最も遠位の酸化脱水素触媒の層内で起こるように制御し、反応器供給流を触媒上で反応させて、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
床の長さに沿って随時温度を監視し、入口温度を上昇させて、反応区域が酸化脱水素触媒床への入口に向かって移動するようにする；
工程を含む、ブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項２】
ブタジエン富化生成物流を、アセチレン系不純物をそれから除去するのに有効なＡＡＲ触媒の床に通すことを更に含む、請求項１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項３】
酸化脱水素触媒粒状物が直径約１ｍｍ〜約３０ｍｍの範囲である、請求項１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項４】
酸化脱水素触媒粒状物が直径約１ｍｍ乃至約５ｍｍ以下の範囲である、請求項１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項５】
酸化脱水素触媒がフェライト酸化脱水素触媒である、請求項１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項６】
フェライト酸化脱水素触媒が実質的に硝酸塩を含まない、請求項１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項７】
酸化脱水素触媒が、酸素、主要割合の鉄、小割合の亜鉛、及びより小量のマンガン、リン、及び硝酸塩を含まないカルシウム前駆体の残渣を含む、請求項６に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項８】
反応器供給流中の酸素のモル量を、炭化水素質のブテンに富む供給材料１モルあたり少なくとも０．５モルの酸素が供給されるように制御する、請求項１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項９】
フェライト酸化脱水素触媒床が７０ｃｍ（２７インチ）より大きい深さを有する、請求項１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項１０】
温度検出装置が熱電対を含む、請求項１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項１１】
ブテンに富む炭化水素質の供給材料を与え、炭化水素質のブテンに富む供給材料を気化及び少なくとも約３４５℃（６５０°Ｆ）の温度に過熱し、炭化水素質のブテンに富む供給材料を過熱水蒸気及び酸素に富む気体と混合して反応器供給流を形成し；
フェライト酸化脱水素触媒の粒状物の触媒床の層を与え、反応器供給流を触媒床に通して、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
その下にＡＡＲ触媒の粒子の床の層を与え；
フェライト酸化脱水素触媒の触媒床は、ＡＡＲ触媒の層の約５〜約１０ｃｍ上方に間隔を開けて配置されている少なくとも１つの温度検出装置、及びＡＡＲ触媒の層の約１５〜約２５ｃｍ上方に配置されている他の温度検出装置を含む、その深さ全体にわたってその中に埋封されている複数の温度検出装置を有し；
反応器への入口条件を、酸化脱水素反応が最初は反応区域内を含む酸化脱水素触媒の最下層内で起こるように制御し、反応器供給流を触媒上で反応させて、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
反応区域内の温度の低下に応答して随時床全体にわたって温度を監視し、反応区域内の酸化脱水素触媒の活性層が失活し始めたら入口温度を上昇させて、反応区域が酸化脱水素床内で上向きに移動するようにし、酸化脱水素触媒床の最上部分に配置されている温度検出装置によって温度が低下し始めたことが示された後に、ブテンに富む炭化水素質の供給材料の供給を停止する；
工程を含む、ブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項１２】
酸化脱水素触媒粒状物が直径約１ｍｍ〜約３０ｍｍの範囲である、請求項１１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項１３】
酸化脱水素触媒粒状物が直径約１ｍｍ乃至約５ｍｍ以下の範囲である、請求項１１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項１４】
粒状物を、装填する前に、約６０ｃｍ（２７インチ）乃至約１５０ｃｍ（６０インチ）以下の深さを有する床内で用いることができるために必要な粉砕強度がそれらに与えられるのに十分な程度に予備還元又は他の形態で熱処理し、予備還元した粒子の嵩密度は約１１２１ｋｇ／ｍ３（７０ポンド／フィート３）以下である、請求項１１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
【請求項１５】
予備還元した粒状物の嵩密度が約９３０ｋｇ／ｍ３〜１０１０ｋｇ／ｍ３（５８ポンド／フィート３〜６３ポンド／フィート３）の間である、請求項１４に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
システムを制御するために、反応区域に関する目標温度を予め選択して、反応区域内において維持する。層３４内の反応区域は、最初は層３４の底部付近に位置する。酸化脱水素触媒層３４の反応区域又は「活性」層は、比較的短い床深さで温度が予め選択された目標温度に比較的急激に上昇することを特徴とする。一般に、反応区域は、１〜５インチ（２．５ｃｍ〜１３ｃｍ）の床深さの変化で目標温度へ１００°Ｆ〜３００°Ｆ（５５℃〜１６７℃）温度上昇することを特徴とする。より通常的には、活性層は、２〜４インチ（５ｃｍ〜１０ｃｍ）の床深さで１５０°Ｆ〜２５０°Ｆ（８３℃〜１３９℃）温度上昇することを特徴とする。床３４内の反応区域の下方において、反応区域内において酸素が完全か又はほぼ完全に使い果たされており、もはやシステム中に存在していない場合には、好ましくは更なる温度上昇はない。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
酸化脱水素反応区域に関して好適な運転目標温度は、１０００°Ｆ〜１２００°Ｆ（５４０℃〜６５０℃）である。反応区域の目標温度が低下し始めたら、反応器への入口温度を上昇させて、活性区域を層３４内で上向きに移動させる。反応区域の上向きの移動速度において示される床内の温度変化速度、及び反応区域の上方の残りの床深さに基づいて、酸素の漏出に関する時間を見積もることができる。反応区域の上方の温度は反応を触媒するのに用いることができる比較的新しい触媒を示しているので、漏出までの時間の見積は、反応区域又はその下方の温度よりも、反応区域の上方の層内の温度の読み値（これは、反応区域に関する目標温度よりも低い）に基づく。而して、反応区域が０．５ｃｍ／日の速度で上向きに移動していることが一時的な温度プロファイルによって示され、１つ又は複数の最上部の熱電対によって５ｃｍの新しい触媒層が示される場合には、酸化脱水素触媒の消耗速度が比較的一定に維持されるならば、酸素の漏出前に僅か１０日間の運転しか残されない。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本発明を詳細に記載したが、本発明の精神及び範囲内の修正は当業者には容易に明らかになるであろう。上記の議論、当該技術における関連する知識、並びに背景及び詳細な説明に関連して上記で議論した参照文献（共に係属中の出願を含む）（これらの開示事項は全て参照として本明細書中に包含する）を考慮すると、更なる記載は不要であると考えられる。更に、本発明の複数の形態及び種々の態様の複数の部分は、全体的又は部分的に組み合わせるか又は交換することができることを理解すべきである。更に、当業者であれば、上記の記載は例示のみの目的であり、本発明を限定することは意図しないことを認識するであろう。
以下に本発明の実施態様を記載する。
［態様１］
ブテンに富む炭化水素質の供給材料を与え、炭化水素質のブテンに富む供給材料を気化及び少なくとも約３４５℃（６５０°Ｆ）の温度に過熱し、炭化水素質のブテンに富む供給材料を過熱水蒸気及び酸素に富む気体と混合して反応器供給流を形成し；
酸化脱水素触媒の粒状物の触媒床を与え、反応器供給流を入口から触媒床に通して、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
酸化脱水素触媒の触媒床は、床内の温度を流れの方向に沿って測定するように構成されている複数の温度検出装置をそれに付随して有し；
反応器への入口条件を、酸化脱水素反応が最初は反応区域内を含む入口に対して最も遠位の酸化脱水素触媒の層内で起こるように制御し、反応器供給流を触媒上で反応させて、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
床の長さに沿って随時温度を監視し、入口温度を上昇させて、反応区域が酸化脱水素触媒床への入口に向かって移動するようにする；
工程を含む、ブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様２］
ブタジエン富化生成物流を、アセチレン系不純物をそれから除去するのに有効なＡＡＲ触媒の床に通すことを更に含む、態様１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様３］
酸化脱水素触媒粒状物が直径約１ｍｍ〜約３０ｍｍの範囲である、態様１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様４］
酸化脱水素触媒粒状物が直径約１ｍｍ乃至約５ｍｍ以下の範囲である、態様１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様５］
酸化脱水素触媒がフェライト酸化脱水素触媒である、態様１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様６］
フェライト酸化脱水素触媒が実質的に硝酸塩を含まない、態様１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様７］
酸化脱水素触媒が、酸素、主要割合の鉄、小割合の亜鉛、及びより小量のマンガン、リン、及び硝酸塩を含まないカルシウム前駆体の残渣を含む、態様６に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様８］
反応器供給流中の酸素のモル量を、炭化水素質のブテンに富む供給材料１モルあたり少なくとも０．５モルの酸素が供給されるように制御する、態様１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様９］
フェライト酸化脱水素触媒床が７０ｃｍ（２７インチ）より大きい深さを有する、態様１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様１０］
温度検出装置が熱電対を含む、態様１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様１１］
ブテンに富む炭化水素質の供給材料を与え、炭化水素質のブテンに富む供給材料を気化及び少なくとも約３４５℃（６５０°Ｆ）の温度に過熱し、炭化水素質のブテンに富む供給材料を過熱水蒸気及び酸素に富む気体と混合して反応器供給流を形成し；
フェライト酸化脱水素触媒の粒状物の触媒床の層を与え、反応器供給流を触媒床に通して、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
その下にＡＡＲ触媒の粒子の床の層を与え；
フェライト酸化脱水素触媒の触媒床は、ＡＡＲ触媒の層の約５〜約１０ｃｍ上方に間隔を開けて配置されている少なくとも１つの温度検出装置、及びＡＡＲ触媒の層の約１５〜約２５ｃｍ上方に配置されている他の温度検出装置を含む、その深さ全体にわたってその中に埋封されている複数の温度検出装置を有し；
反応器への入口条件を、酸化脱水素反応が最初は反応区域内を含む酸化脱水素触媒の最下層内で起こるように制御し、反応器供給流を触媒上で反応させて、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
反応区域内の温度の低下に応答して随時床全体にわたって温度を監視し、反応区域内の酸化脱水素触媒の活性層が失活し始めたら入口温度を上昇させて、反応区域が酸化脱水素床内で上向きに移動するようにし、酸化脱水素触媒床の最上部分に配置されている温度検出装置によって温度が低下し始めたことが示された後に、ブテンに富む炭化水素質の供給材料の供給を停止する；
工程を含む、ブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様１２］
酸化脱水素触媒粒状物が直径約１ｍｍ〜約３０ｍｍの範囲である、態様１１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様１３］
酸化脱水素触媒粒状物が直径約１ｍｍ乃至約５ｍｍ以下の範囲である、態様１１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様１４］
粒状物を、装填する前に、約６０ｃｍ（２７インチ）乃至約１５０ｃｍ（６０インチ）以下の深さを有する床内で用いることができるために必要な粉砕強度がそれらに与えられるのに十分な程度に予備還元又は他の形態で熱処理し、予備還元した粒子の嵩密度は約１１２１ｋｇ／ｍ３（７０ポンド／フィート３）以下である、態様１１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様１５］
予備還元した粒状物の嵩密度が約９３０ｋｇ／ｍ３〜１０１０ｋｇ／ｍ３（５８ポンド／フィート３〜６３ポンド／フィート３）の間である、態様１４に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様１６］
フェライト酸化脱水素触媒が実質的に硝酸塩を含まない、態様１１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様１７］
酸化脱水素触媒が、酸素、主要割合の鉄、小割合の亜鉛、及びより小量のマンガン、リン、及び硝酸塩を含まないカルシウム前駆体の残渣を含む、態様１６に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様１８］
反応器供給流中の酸素のモル量を、炭化水素質のブテンに富む供給材料１モルあたり少なくとも０．５モルの酸素が供給されるように制御する、態様１１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様１９］
フェライト酸化脱水素触媒床が７０ｃｍ（２７インチ）より大きい深さを有する、態様１１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様２０］
温度検出装置が熱電対を含む、態様１１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様２１］
フェライト酸化脱水素触媒の粒状物の触媒床の層、及びその下にＡＡＲ触媒の粒子の床を与え、フェライト酸化脱水素触媒の触媒床は、ＡＡＲ触媒の層の約５〜約１０ｃｍ上方に間隔を開けて配置されている少なくとも１つの熱電対、及びＡＡＲ触媒の層の約１５〜約２５ｃｍ上方に配置されている他の熱電対を含む、その深さ全体にわたってその中に埋封されている複数の熱電対を有し；
ブテンに富む炭化水素質の供給材料を与え、炭化水素質のブテンに富む供給材料を気化及び少なくとも約３４５℃（６５０°Ｆ）の温度に過熱し、炭化水素質のブテンに富む供給材料を過熱水蒸気及び酸素に富む気体と混合して反応器供給流を形成し；
反応器への入口条件を、酸化脱水素反応が反応区域内を含む酸化脱水素触媒の最下層内で起こるように制御し、反応器供給流を触媒上で反応させて、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
反応区域内の温度の低下に応答して随時床全体にわたって温度を監視し、測定される温度に基づいて、及び複数の熱電対によって示される観察される温度変化速度に基づいて酸素の漏出が起こる時点を随時計算し；
酸化脱水素触媒の活性層が失活し始めたら入口温度を上昇させて、反応区域が酸化脱水素床内で上向きに移動するようにし、測定される温度に基づいて、及び複数の熱電対によって示される観察される温度変化速度に基づいて酸素の漏出が起こる時点を随時計算し、酸素漏出に関する予測時間の前にブテンに富む炭化水素質の供給材料の供給を停止し、ここで少なくとも多少の時間の間は、酸素漏出に関して計算される予測時間は、最上の酸化脱水素触媒層からより遠位に間隔を開けて配置されている熱電対によって示される温度よりも、最上の酸化脱水素触媒層により近い少なくとも２つの熱電対によって示される温度に基づいており；
酸化脱水素触媒床中の温度プロファイルによって示される酸素漏出の予測時間の前に、ブテンに富む炭化水素質の供給材料の供給を停止する；
工程を含む、ブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様２２］
酸化脱水素触媒が直径約１ｍｍ〜約３０ｍｍの範囲である、態様２１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様２３］
酸化脱水素触媒が直径約１ｍｍ乃至約５ｍｍ以下の範囲である、態様２１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様２４］
粒子を、装填する前に、約７０ｃｍ（２７インチ）乃至約１５０ｃｍ（６０インチ）以下の深さを有する床内で用いることができるために必要な粉砕強度がそれらに与えられるのに十分な程度に予備還元又は他の形態で熱処理し、予備還元した粒子の嵩密度は約１１２０ｋｇ／ｍ３（７０ポンド／フィート３）以下である、態様２１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様２５］
予備還元した粒子の嵩密度が約９３０ｋｇ／ｍ３〜１０１０ｋｇ／ｍ３（５８ポンド／フィート３〜６３ポンド／フィート３）の間である、態様２４に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様２６］
フェライト酸化脱水素触媒が実質的に硝酸塩を含まない、態様２１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様２７］
酸化脱水素触媒が、酸素、主要割合の鉄、小割合の亜鉛、及びより小量のマンガン、リン、及び硝酸塩を含まないカルシウム前駆体の残渣を含む、態様２６に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様２８］
反応器供給流中の酸素のモル量を、炭化水素質のブテンに富む供給材料１モルあたり少なくとも０．５モルの酸素が供給されるように制御する、態様２１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様２９］
フェライト酸化脱水素触媒床が７０ｃｍ（２７インチ）より大きい深さを有する、態様２１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様３０］
粒子を投下することなく確実に配置することによって床内に触媒粒子を配置することにより、フェライト酸化脱水素触媒の粒状物の触媒床の層、及びその下にＡＡＲ触媒の粒子の床を与え、フェライト酸化脱水素触媒の触媒床は、ＡＡＲ触媒の層の約５〜約１０ｃｍ上方に間隔を開けて配置されている少なくとも１つの熱電対、及びＡＡＲ触媒の層の約１５〜約２５ｃｍ上方に配置されている他の熱電対を含む、その深さ全体にわたってその中に埋封されている複数の熱電対を有し；
ブテンに富む炭化水素質の供給材料を与え、炭化水素質のブテンに富む供給材料を気化及び少なくとも約３４５℃（６５０°Ｆ）の温度に過熱し、炭化水素質のブテンに富む供給材料を過熱水蒸気及び酸素に富む気体と混合して反応器供給流を形成し；
反応器への入口条件を、酸化脱水素反応が反応区域内を含む酸化脱水素触媒の最下層内で起こるように制御し、反応器供給流を触媒上で反応させて、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
反応区域内の温度の低下に応答して随時床全体にわたって温度を監視し、測定される温度に基づいて、及び複数の熱電対によって示される観察される温度変化速度に基づいて酸素の漏出が起こる時点を随時計算し；
酸化脱水素触媒の活性層が失活し始めたら入口温度を上昇させて、反応区域が酸化脱水素床内で上向きに移動するようにし、測定される温度に基づいて、及び複数の熱電対によって示される観察される温度変化速度に基づいて酸素の漏出が起こる時点を随時計算し、酸素漏出に関する予測時間の前にブテンに富む炭化水素質の供給材料の供給を停止し、ここで少なくとも多少の時間の間は、酸素漏出に関して計算される予測時間は、最上の酸化脱水素触媒層からより遠位に間隔を開けて配置されている熱電対によって示される温度よりも、最上の酸化脱水素触媒層により近い少なくとも２つの熱電対によって示される温度に基づいており；
酸化脱水素触媒床中の温度プロファイルによって示される酸素漏出の予測時間の前に、ブテンに富む炭化水素質の供給材料の供給を停止する；
工程を含む、ブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様３１］
酸化脱水素触媒が直径約１ｍｍ〜約３０ｍｍの範囲である、態様３０に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様３２］
酸化脱水素触媒が直径約１ｍｍ乃至約５ｍｍ以下の範囲である、態様３０に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様３３］
粒子を、装填する前に、少なくとも約７０ｃｍ（２７インチ）乃至約１５０ｃｍ（６０インチ）以下の深さを有する床内で用いることができるために必要な粉砕強度がそれらに与えられるのに十分な程度に予備還元又は他の形態で熱処理し、予備還元した粒子の嵩密度は約１１２０ｋｇ／ｍ３（７０ポンド／フィート３）以下である、態様３０に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様３４］
予備還元した粒子の嵩密度が約９３０ｋｇ／ｍ３〜１０１０ｋｇ／ｍ３（５８ポンド／フィート３〜６３ポンド／フィート３）の間である、態様３３に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様３５］
フェライト酸化脱水素触媒が実質的に硝酸塩を含まない、態様３０に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様３６］
酸化脱水素触媒が、酸素、主要割合の鉄、小割合の亜鉛、及びより小量のマンガン、リン、及び硝酸塩を含まないカルシウム前駆体の残渣を含む、態様３５に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様３７］
反応器供給流中の酸素のモル量を、炭化水素質のブテンに富む供給材料１モルあたり少なくとも０．５モルの酸素が供給されるように制御する、態様３０に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様３８］
フェライト酸化脱水素触媒床が７０ｃｍ（２７インチ）より大きい深さを有する、態様３０に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様３９］
フェライト酸化脱水素触媒の粒状物の触媒床、及びその下にＡＡＲ触媒の粒子の床を与え、フェライト酸化脱水素触媒の触媒床は、ＡＡＲ触媒の層の約５〜約１０ｃｍ上方に間隔を開けて配置されている少なくとも１つの熱電対、及びＡＡＲ触媒の層の約１５〜約２５ｃｍ上方に配置されている他の熱電対を含む、その深さ全体にわたってその中に埋封されている少なくとも約５つの複数の熱電対を有し；
ブテンに富む炭化水素質の供給材料を与え、炭化水素質のブテンに富む供給材料を気化及び少なくとも約３４５℃（６５０°Ｆ）の温度に過熱し、炭化水素質のブテンに富む供給材料を過熱水蒸気及び酸素に富む気体と混合して反応器供給流を形成し；
反応器への入口条件を、酸化脱水素反応が反応区域内を含む酸化脱水素触媒の最下層内で起こるように制御し、反応器供給流を触媒上で反応させて、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
反応区域内の温度の低下に応答して随時床全体にわたって温度を監視し、測定される温度に基づいて、及び複数の熱電対によって示される観察される温度変化速度に基づいて酸素の漏出が起こる時点を随時計算し；
酸化脱水素触媒の活性層が失活し始めたら入口温度を上昇させて、反応区域が酸化脱水素床内で上向きに移動するようにし、酸素漏出に関する予測時間の前にブテンに富む炭化水素質の供給材料の供給を停止する；
工程を含む、ブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様４０］
酸化脱水素触媒が、直径約１ｍｍ〜約３０ｍｍの粒径範囲を有する硝酸塩を含まない触媒である、態様３９に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する低排出方法。
［態様４１］
酸化脱水素触媒が直径約１ｍｍ乃至約５ｍｍ以下の粒径範囲を有する、態様４０に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する低排出方法。
［態様４２］
粒子を、装填する前に、少なくとも約７０ｃｍ（２７インチ）乃至約１５０ｃｍ（６０インチ）以下の深さを有する床内で用いることができるために必要な粉砕強度がそれらに与えられるのに十分な程度に予備還元又は他の形態で熱処理し、予備還元した粒子の嵩密度は約１１２１ｋｇ／ｍ３（７０ポンド／フィート３）以下である、態様４１に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する低排出方法。
［態様４３］
予備還元した粒子の嵩密度が約９２０ｋｇ／ｍ３〜１０１０ｋｇ／ｍ３（５８ポンド／フィート３〜６３ポンド／フィート３）の間である、態様４２に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する低排出方法。
［態様４４］
フェライト酸化脱水素触媒が実質的に硝酸塩を含まない、態様３９に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様４５］
酸化脱水素触媒が、酸素、主要割合の鉄、小割合の亜鉛、及びより小量のマンガン、リン、及び硝酸塩を含まないカルシウム前駆体の残渣を含む、態様４４に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する低排出方法。
［態様４６］
反応器供給流中の酸素のモル量を、炭化水素質のブテンに富む供給材料１モルあたり少なくとも０．５モルの酸素が供給されるように制御する、態様３９に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様４７］
フェライト酸化脱水素触媒床が７０ｃｍ（２７インチ）より大きい深さを有する、態様３９に記載のブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。
［態様４８］
ブテンに富む炭化水素質の供給材料を与え、炭化水素質のブテンに富む供給材料を気化及び少なくとも約６５０°Ｆの温度に過熱し、炭化水素質のブテンに富む供給材料を過熱水蒸気及び酸素に富む気体と混合して反応器供給流を形成し、反応器供給流中の酸素のモル量を、炭化水素質のブテンに富む供給材料１モルあたり少なくとも約０．５モルの酸素の範囲になるように制御し；
実質的に硝酸塩を含まないフェライト酸化脱水素触媒の粒状物の約７０ｃｍ（２７インチ）より大きい深さを有する触媒床を与え、反応器供給流を触媒床に通して、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
その下にＡＡＲ触媒の粒子の床を与え、触媒床は、ＡＡＲ触媒の層の約５〜約１０ｃｍ上方に間隔を開けて配置されている少なくとも１つの熱電対、及びＡＡＲ触媒の層の約１５〜約２５ｃｍ上方に配置されている他の熱電対を含む、それぞれの床の深さ全体にわたってその中に埋封されている複数の熱電対を有し；
反応器への入口条件を、酸化脱水素反応が最初は反応区域内を含む酸化脱水素触媒の最下層内で起こるように制御し、反応器供給流を触媒上で反応させて、それによってブタジエン富化生成物流を形成し；
反応区域内の温度の低下に応答して随時床全体にわたって温度を監視し、酸化脱水素触媒の活性層が失活し始めたら入口温度を上昇させて、反応区域が酸化脱水素床内で上向きに移動するようにし、酸化脱水素触媒床の最上部分内に配置されている熱電対によって示される温度が低下し始めた後に、ブテンに富む炭化水素質の供給材料の供給を停止する；
工程を含む、ブテンに富む供給材料からブタジエンを製造する方法。