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【手続補正書】
【提出日】平成28年7月28日(2016.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主方向に発光する少なくとも１つのＬＥＤを含む光源コネクタを備えたハウジングと、
前記ハウジングに接続された反射コリメータであって、前記反射コリメータは、熱換気に適したエアスリットによって互いに間隔を空けた複数の反射セグメントを含み、当該反射セグメントは、光源によって生成された横断的方向に発せられた光を前記主方向に対して実質的に平行な方向に向けて反射する、反射コリメータと、
前記反射コリメータの中心部上又は内に配置され、前記主方向に対して実質的に平行な方向に向けて前記光源によって生成された中心に発せられた光をコリメートする屈折コリメータと、
含む照明デバイス。
【請求項２】
前記光源コネクタは、列に配置された複数のＬＥＤを含み、前記反射セグメントは、長手形状を有し、前記ＬＥＤによって規定された前記列と実質的に平行に伸びる対で配置される、請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項３】
前記光源コネクタは、高密度実装配列で配置された１つ又は複数のＬＥＤを含み、前記反射セグメントは、リング形状である、請求項１に記載の照明デバイス。
【請求項４】
隣接する反射セグメントは、前記デバイスの動作中、前記光源から発せられた光が隣接するセグメント間で実質的に少しも漏れ出る事ができず、あるセグメントから隣接するセグメント上に影が実質的に少しも落ちないように配置される、請求項１乃至３の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項５】
前記反射セグメントの反射面は曲線を描く、請求項１乃至４の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項６】
前記反射セグメントの反射面の少なくとも一部が反射ファセットを含む、請求項１乃至５の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項７】
前記反射セグメントに含まれた前記ファセットは、半径方向及び回転方向の両方に延在する、請求項６に記載の照明デバイス。
【請求項８】
前記反射セグメントの前記反射面は、半径方向に延在するＴＩＲ溝を含む光学的に透明な誘電材料から成る、請求項７に記載の照明デバイス。
【請求項９】
前記デバイスの前記少なくとも１つのＬＥＤは、接続手段を介して前記反射セグメントと熱的に接続され、前記反射セグメント及び前記接続手段は、熱伝導性材料を含む、請求項１乃至８の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１０】
前記接続手段は、ヒートパイプを含む、請求項９に記載の照明デバイス。
【請求項１１】
前記デバイスは、前記反射セグメントに沿って強制エアフローを生み出す手段を含む、請求項１乃至１０の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１２】
前記光源コネクタは、少なくとも１つのＬＥＤを含む、請求項１乃至１１の何れか一項に記載の照明デバイス。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか一項に記載の照明デバイスの製造方法であって、
前記反射コリメータの前記反射セグメント、前記反射セグメントと前記少なくとも１つのＬＥＤとを接続する接続手段、及び前記屈折コリメータを製造するステップと、
前記反射セグメント、前記接続手段、及び前記屈折コリメータをコリメータ部品として位置決め及び接続するステップと、
前記コリメータ部品を前記少なくとも１つのＬＥＤに対してアライメント及び接続するステップと、
を含む、方法。
【請求項１４】
射出成形によって、前記反射セグメント、前記接続手段、及び前記屈折コリメータが単一のステップで製造される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記反射セグメント及び前記接続手段は、メタライズ層を備えた誘電材料から成る、請求項１３又は１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月8日(2016.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電半導体材料よりなる少なくとも１つの能動検出層を含む検出素子と；
使用時に該検出素子に作用することにより、該検出素子内に所定のパターンの応力と、
したがって所定の電界とを発生させるように配列された応力誘起素子と；
を含み、
前記検出素子が、画素化検出素子であり、かつ、所定の反復ピッチの微小画素化パターンを有し、前記応力誘起素子が同じ反復ピッチの微小応力パターンを発生させるように構成されており、
前記応力誘起素子が、前記検出素子内に固有の予応力を誘起することにより、該検出素子内に機械的応力パターンを発生させるように構成されている、半導体検出装置。
【請求項２】
前記応力誘起素子が、使用時に機械的に前記検出素子に作用することにより、該検出素子内に機械的応力パターンを発生させるように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記応力誘起素子が、前記検出素子内に機械的応力パターンを発生させるように該検出素子と機械的に係合する支持基板を含む、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記応力誘起素子が、前記検出素子と協調的に配置されることで使用時に選択的に該検出素子と機械的に係合し、該検出素子に力を加え該検出素子内に機械的応力パターンを発生させる加力手段を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記加力手段が、前記検出素子に押し付けられたときに所定の性質の応力パターンを発生させるための適切な凹凸パターン配置を有する形状表面構造を含む、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記応力誘起素子が、使用時に検出素子内に所定の可変応力パターンを誘起することにより、該検出素子内に意図的に所定の可変電界パターンを発生させるように構成されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記検出素子が平面検出素子である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記応力誘起素子が、小画素効果を補完し、又は高める少なくともいずれかの応力パターンを誘起するように構成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記検出素子が、テルル化カドミウム、テルル化カドミウム亜鉛（ＣＺＴ）、テルル化カドミウムマンガン（ＣＭＴ）、テルル化水銀カドミウム、テルル化亜鉛水銀及びそれらの合金、ヒ化ガリウム、ヒ化ガリウムインジウム、臭化ランタン、臭化トリウムから選択される１つ又は複数の化合物半導体を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の装置。 
【請求項１０】
前記検出素子が結晶質のCd1-(a+b)MnaZnbTeを含み、ここにa + b < 1であり、a及び／又はbは0とすることができる、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
圧電半導体材料よりなる少なくとも１つの能動検出層を有する少なくとも１つの検出素子を含む検出装置を提供する工程と；
該検出素子を操作して該検出素子に所定の応力パターンを誘起し、したがって所定パターンの電界を誘起する工程と；
を含み、
前記検出素子が、所定の反復ピッチの微小画素化パターンを有する画素化検出素子であり、かつ、前記所定の応力パターンが、画素スケール上で、同じ反復ピッチの微小応力パターンとして発生され、
前記応力誘起素子が、前記検出素子内に固有の予応力を誘起することにより、該検出素子内に機械的応力パターンを発生させるように構成されている、検出装置の操作方法。
【請求項１２】
所定の応力パターンを誘起する前記工程が、応力誘起素子を前記検出素子に機械的に作用させることにより該検出素子に機械的応力パターンを発生させる工程を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
所定の応力パターンを誘起する前記工程が、検出素子を準備する工程を含み、該検出素子内に固有の予応力を誘起することにより該検出素子内に機械的応力パターンを発生させる、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
所定の応力パターンを誘起する前記工程が、機械的応力パターンを前記検出素子内に発生させるように該検出素子と機械的に係合する支持基板に該検出素子を配置する工程を含む、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
検出装置を操作している間、少なくとも１つの圧電半導体検出層を有する検出素子を組み込む工程と：
適切に制御された応力パターンと、該応力パターンに基づく適切に制御されたパターン化電界とを発生させることにより検出素子の電気的挙動を加減する工程と；
を含む、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
適切に制御された応力パターンと、該応力パターンに基づく適切に制御されたパターン化電界とを発生させることにより、前記検出器の特定の領域において検出器の性能を加減する工程を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
所定パターンのひずみを誘起させてパターン化電界を発生させることにより、画素化検出器における小画素効果を補完する工程を含む、請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
圧電半導体材料よりなる少なくとも１つの能動検出層を有する少なくとも１つの検出素子を含む検出装置を提供する工程と；
使用時に該検出素子に作用することにより、該検出素子内に所定パターンの応力と、したがって所定の電界とを発生させるように配列された応力誘起素子を少なくとも１つの該検出素子に結合させる工程と；
を含み、
前記検出素子が、所定の反復ピッチの微小画素化パターンを有する画素化検出素子であり、かつ、前記応力誘起素子は、使用時に該検出素子に作用することにより、所定のパターンが、画素スケール上で、同じ反復ピッチの微小パターンとして発生されるように配置されており、
前記応力誘起素子が、前記検出素子内に固有の予応力を誘起することにより、該検出素子内に機械的応力パターンを発生させるように構成されている、検出装置の製造方法。
【請求項１９】
応力誘起素子を前記検出素子に結合させる前記工程が、前記検出素子に機械的に作用することにより、前記検出素子に機械的応力パターンを発生させるように構成されている応力誘起素子を提供する工程を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
応力誘起素子を少なくとも１つの前記検出素子に結合させる前記工程が、前記検出素子内に固有の予応力を誘起することにより該検出素子内に機械的応力パターンを発生させる検出器を準備する工程を含む、請求項１８又は１９に記載の方法。
【請求項２１】
応力誘起素子を前記検出素子に結合させる前記工程が、前記検出器を該検出素子と機械的に係合している支持基板上に配置し、該検出素子内に機械的応力パターンを発生させるようにする工程を含む、請求項１８〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月29日(2016.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファイバセンサにおいて、
第１のコア、第２のコア及び、前記コアを囲む、クラッド層を有する光ファイバ、
を備え、
前記コアのそれぞれが他方のコアに対して少なくとも３０ＭＨｚのブリルアン周波数シフトを示すように構成される、
ことを特徴とするファイバセンサ。
【請求項２】
前記コアのそれぞれがさらに、
（ｉ）他方のコアの屈折率プロファイルとは異なる屈折率プロファイル、及び／または
（ii）他方のコアのドーピング濃度とは異なるドーピング濃度、
を有するように構成されることを特徴とする請求項１に記載のファイバセンサ。
【請求項３】
前記コアのそれぞれが他方のコアに対して少なくとも８０ＭＨｚのブリルアン周波数シフトを示すように構成されることを特徴とする請求項１または２に記載のファイバセンサ。
【請求項４】
（ｉ）前記光ファイバが、さらに前記コアの少なくとも一方を囲むように構成された屈折率リングを有する、
（ii）前記クラッド層に対する前記コアの相対屈折率が約０.２％から２％の間にあるように、前記コアが構成される、及び／または
（iii）前記コアが、
（１）異なる組成、及び／または
（２）複数の動作波長において異なるモードフィールド径、
を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載のファイバセンサ。
【請求項５】
前記光ファイバが、
（ｉ）５００μｍ以下の半径を有する、及び／または
（ii）前記コア間のクロストークが−２０ｄＢ/ｋｍ以下であるように構成される、
ことを特徴とする請求項１に記載のファイバセンサ。
【請求項６】
前記コアのそれぞれに酸化ゲルマニウムがドープされていることを特徴とする請求項２に記載のファイバセンサ。
【請求項７】
前記光ファイバが、さらに前記コアの少なくとも一方を囲むように構成された屈折率リング及び、前記コアの前記少なくとも一方から前記屈折率リングを隔てるトレンチを有することを特徴とする請求項１に記載のファイバセンサ。
【請求項８】
前記クラッド層に対する前記コアの相対屈折率が約０.２％から２％の間にあり、前記コアの中心間の距離が少なくとも２５μｍであるように、前記コアが構成されることを特徴とする請求項１に記載のファイバセンサ。
【請求項９】
ブリルアン分布ファイバセンサシステムにおいて、
第１のコア及び第２のコアであって、それぞれが他方のコアに対して少なくとも３０ＭＨｚのブリルアン周波数シフトを示すように構成されたコアを有する光ファイバ、
検査光を前記光ファイバに打ち込むように構成された少なくとも１つのポンプレーザ、及び
前記コアのそれぞれから前記検査光のブリルアン散乱成分を受け取り、前記受け取られた検査光に少なくともある程度基づいて前記コアのそれぞれのブリルアン周波数シフトを評価するように構成された受信器要素、
を備えることを特徴とするブリルアン分布ファイバセンサシステム。
【請求項１０】
前記ファイバの前記コアのそれぞれ内に前記検査光を導くように構成された少なくとも１つのビームスプリッタ素子をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のブリルアン分布ファイバセンサシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月4日(2016.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料流体からろ液を分離するための、特に全血（４１）から血漿（４２）を抽出するための分離装置であって、
前記試料流体を受け入れるための試料容器（２５）と、
前記試料容器（２５）内に導入されるフィルタプランジャ（２６）であって、その前端部にフィルタ要素（２４）と、その反対の端部に把持要素（２７）と、得られた前記ろ液を受け入れる内部とを有するフィルタプランジャ（２６）とを備え、
環状室（３４）が、前記フィルタプランジャ（２６）を前記試料容器（２５）に挿入した後、前記試料容器（２５）の内壁と前記フィルタプランジャ（２６）の外壁との間に形成され、
前記環状室（３４）は、封止要素（３２）によって外部に対して封止され、前記環状室（３４）内には、前記試料流体上に作用する空気クッションが、前記フィルタプランジャ（２６）を前記試料容器（２５）に導入した際に形成される、分離装置において、
前記フィルタプランジャ（２６）の試料側周縁が前記試料容器（２５）の底部と接触して、前記フィルタプランジャ（２６）の挿入が終結された後、前記環状室（３４）が、前記フィルタ要素（２４）の前側と流れ連結され、
前記試料側周縁がフィルタ要素（２４）の前面を超えて延び、前部湿潤室（３３）を形成し、前記前部湿潤室（３３）内では、前記環状室（３４）と前記前部湿潤室（３３）の間に流れ連結を確立する凹部が、前記周縁または流れ開口部（２９）内に設けられ、
および／または、
前記試料容器（２５）の底部が、前記試料側周縁が前記試料容器（２５）の底部と接触した後に前記環状室（３４）と前記フィルタ要素（２４）の前側との間に流れ連結を確立するための切欠部または溝形状の凹部を有する、
ことを特徴とする、分離装置。
【請求項２】
前記フィルタプランジャ（２６）の把持側凹部が、前記フィルタ要素（２４）に向かって先細になる、前記フィルタ要素（２４）と接触する先端部を有するろ液収集容器（１７）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の分離装置。
【請求項３】
前記ろ液収集容器（１７）が、前記フィルタプランジャ（２６）の前記把持要素（２７）に取り付けられ、前記把持要素（２７）は、前記ろ液収集容器（１７）と一緒になって、前記フィルタプランジャ（２６）から回して外され、または捩じり取られ得ることを特徴とする、請求項２に記載の分離装置。
【請求項４】
前記フィルタプランジャ（２６）の前記把持要素（２７）には、ろ液を前記ろ液収集容器（１７）から採取するための穿孔可能な膜（２８）が設けられることを特徴とする、請求項２に記載の分離装置。
【請求項５】
前記フィルタ要素（２４）が、たとえば、深層フィルタ（３）、停止膜（４）、および横方向格子（５）を備える層状フィルタであることを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の分離装置。
【請求項６】
試料流体からろ液を分離するための、特に全血（４１）から血漿（４２）を抽出するための方法であって、
試料容器（２５）に前記試料流体を提供するステップと、
フィルタプランジャ（２６）を前記試料容器（２５）内に、これが前記試料容器（２５）の底部に接触するまで挿入して、前記フィルタプランジャの試料側周縁および／または前記試料容器の前記底部に位置する、前記フィルタプランジャ（２６）と試料容器（２５）の間の、封止要素（３２）によって外側に対して閉鎖された環状室（３４）内に、前記試料流体上に作用する加圧された空気クッションを確立する、ステップと、
前記試料流体を、前記フィルタプランジャ（２６）内に配設されたフィルタ要素（２４）に、前記環状室（３４）内の過剰圧力を用いて、前記環状室（３４）と前記フィルタ要素（２４）の前側との間の流れ連結を用いて押し込み、前記ろ液を前記フィルタ要素（２４）の出力側に退出させる、ステップと、
前記ろ液を、前記フィルタプランジャ（２６）内に含まれたろ液収集容器（１７）内に収集するステップとを特徴とする、方法。
【請求項７】
５００ｍｂａｒ未満、好ましくは３００ｍｂａｒ未満、特に好ましくは１００ｍｂａｒから１５０ｍｂａｒの間の過剰圧力が、前記環状室（３４）内に確立されることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ろ液収集容器（１７）が、前記分離されたろ液と一緒に、ねじ動作を用いて前記フィルタプランジャ（２６）から取り外されることを特徴とする、請求項６または７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2015531860.tif 000001
【図２】
2015531860.tif 000002
【図３】
2015531860.tif 000003
【図４】
2015531860.tif 000004
【図５】
2015531860.tif 000005
【図６】
2015531860.tif 000006
【図７】
2015531860.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月26日(2016.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のオフセットトラバースにわたり対象の表面の走査測定データを取得する、工作機械装置上に取り付けられたアナログ測定プローブを使用して、前記対象の前記表面に関する測定データセットを生成する方法であって、後のトラバースが、以前のトラバースからオフセットされることにより、一連のトラバースにわたって、前記アナログ測定プローブの表面検出領域が、ｉ）前記対象中を側方に、および／またはｉｉ）前記対象から離れる方にもしくは前記対象に向かう方に進行し、少なくとも１つの後のトラバースの相対動作経路が、少なくとも１つの以前のトラバースの間に取得されたデータに基づき生成および／または更新されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの後のトラバースに関する前記相対動作経路は、少なくとも１つの以前のトラバースの間に取得されたデータに基づき前記後のトラバースの予め定められた動作経路を変更することにより、生成および／または更新されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つの後のトラバースが、前記対象と前記アナログ測定プローブとの不利な位置関係を回避するために更新されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つの後のトラバースが、第１のしきい値を超過するデータを前記アナログ測定プローブに取得させる前記対象と前記アナログ測定プローブとの位置関係を回避するために更新され、それにより、前記不利な位置関係を回避させることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記アナログ測定プローブは、好ましい測定範囲を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記好ましい測定範囲は、少なくとも上限境界により規定され、少なくとも１つの後のトラバースが、その上限境界を超過する測定値を前記アナログ測定プローブに取得させる位置関係を回避するために、更新されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
各トラバースに関して、前記アナログ測定プローブは、前記対象の前記表面上の実質的に同一の基準測定ラインに沿って測定データを取得することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
各トラバースに関して、前記アナログ測定プローブは、前記対象の前記表面上の異なる基準測定ラインに沿って測定データを取得することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記トラバースの前記基準測定ラインの形状が、実質的に同一であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基準測定ラインは、相互に実質的に平行に延在することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記アナログ測定プローブは、コンタクトアナログプローブであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
工作機械装置上に取り付けられたアナログ測定プローブを使用して対象のフィーチャを測定する方法であって、
前記フィーチャに関する走査測定データを収集するために前記アナログ測定プローブおよび前記対象が互いに対して移動し得る予め定められた動作経路を工作機械の制御装置にロードするステップと、
前記予め定められた動作経路にしたがって前記アナログ測定プローブおよび／または前記対象を相対的に移動させることにより走査オペレーションを実施するステップとを含み、
前記予め定められた動作経路は、以前に収集された走査測定データに基づき前記予め定められた動作経路に沿った複数の予め定められた点の中の少なくとも１つにおいて更新されることを特徴とする方法。
【請求項１３】
工作機械装置により実行される場合に、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法を前記工作機械装置に実施させる命令を含むことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１４】
工作機械装置により実行される場合に、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法を前記工作機械装置に実施させる命令を含むことを特徴とするコンピュータ可読媒体。
【請求項１５】
工作機械と、前記工作機械上に取り付けられたアナログ測定プローブとを備える、工作機械装置であって、前記工作機械装置は、前記アナログ測定プローブを移動させることにより、複数のオフセットトラバースにわたる対象の表面の走査測定データを取得することによるアナログ測定を利用して、前記対象の前記表面に関する測定データセットを生成するように構成され、後のトラバースが、以前のトラバースからオフセットされることにより、一連のトラバースにわたって、前記アナログ測定プローブの表面検出領域が、ｉ）前記対象中を側方に、および／またはｉｉ）前記対象から離れる方にもしくは前記対象に向かう方に進行し、少なくとも１つの後のトラバースの相対動作経路が、少なくとも１つの以前のトラバースの間に取得されたデータに基づき生成および／または更新されることを特徴とする工作機械装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月28日(2016.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のスライド移動可能なクロージャスラブを有するドアまたは窓用の係止アセンブリであって、
（ｉ）（ａ）第１のクロージャスラブに取付けられた係止ピンであって、前記係止ピンが前記第１のクロージャスラブから突出しないで、前記係止ピンが凹位置にあることができ、前記係止ピンが前記第１のクロージャスラブから突出して、前記係止ピンが係止位置にあることができる、前記係止ピンと、
（ｂ）コマンドおよび制御モジュールと通信可能に構成され、前記係止ピンを前記凹位置または前記係止位置に位置させるコマンドを受信する微小電気機械デバイスと、
を備える係止機構と、
（ｉｉ）第２のクロージャスラブ上、または、前記ドアまたは窓の枠上の係合位置と、を備え、
前記係合位置は前記第1のクロージャスラブが前記第２のクロージャスラブまたは前記枠に対応するように位置するとき、前記係止ピンを係合するように構成され、前記係止ピンが前記係止位置にあり、
前記第１のクロージャスラブおよび／または前記第２のクロージャスラブを前記コマンドおよび制御モジュールからのコマンドに応答可能に電動化するモータにより、前記第１のクロージャスラブと前記第２のクロージャスラブまたは前記枠は、対応する位置に位置する係止アセンブリ。
【請求項２】
前記係止機構は、前記係止機構の前記係止ピンを前記凹位置から前記係止位置に移動および戻す前進および後退アクチュエータを更に備える請求項１記載の係止アセンブリ。
【請求項３】
前記係止機構は、ユーザが手動で前記係止ピンを解除できるように手動オーバーライドタブを更に備える請求項１記載の係止アセンブリ。
【請求項４】
前記係止機構は、前記係止ピンが前記凹位置にあることを前記コマンドおよび制御モジュールに提供するように構成され、前記係止ピンが前記凹位置にないときに前記クロージャスラブが電動動作することを防止する請求項１記載の係止アセンブリ。
【請求項５】
前記係合位置は、前記第２のクロージャスラブまたは前記枠から突出するストライクプレートとして備えられ、前記係止ピンと係合する上下方向に延びる楕円形チャネルを有する請求項１記載の係止アセンブリ。
【請求項６】
前記コマンドおよび制御モジュールは、前記第１のクロージャスラブおよび／または前記第２のクロージャスラブに位置して、前記係止アセンブリと通信する請求項１記載の係止アセンブリ。
【請求項７】
前記コマンドおよび制御モジュールは、前記枠上に位置して、前記係止アセンブリと通信する請求項１記載の係止アセンブリ。
【請求項８】
前記コマンドおよび制御モジュールは、前記係止アセンブリを係止または係止解除するリモートコントロールを有する請求項１記載の係止アセンブリ。
【請求項９】
前記リモートコントロールは、ハンドヘルドデバイスのアプリケーションにより構成する請求項８記載の係止アセンブリ。
【請求項１０】
前記係止機構は、ハウジングに収容され、前記第１のクロージャスラブ上に取付けられる請求項１記載の係止アセンブリ。
【請求項１１】
前記コマンドおよび制御モジュールは、手のジェスチャにより作動する請求項１記載の係止アセンブリ。
【請求項１２】
１つ以上のスライド移動可能なクロージャスラブを有するドアまたは窓用の係止アセンブリを制御する方法であって、
（ｉ）(ａ）係止ピンであって、前記係止ピンが前記第１のクロージャスラブから突出しないで、前記係止ピンが凹位置にあることができ、前記係止ピンが前記第１のクロージャスラブから突出して、前記係止ピンが係止位置にあることができる、前記係止ピンと、
（ｂ）コマンドおよび制御モジュールと通信可能に構成され、前記係止ピンを前記凹位置または前記係止位置に位置させるコマンドを受信する微小電気機械デバイスと、
を備える係止機構を第１のクロージャスラブに取付け、
（ｉｉ）第２のクロージャスラブ上、または、前記ドアまたは窓の枠上の係合位置を用意し、前記係合位置は前記第1のクロージャスラブが前記第２のクロージャスラブまたは前記枠に対応するように位置するとき、前記係止ピンを係合するように構成され、前記係止ピンが前記係止位置にあり、
前記第１のクロージャスラブおよび／または前記第２のクロージャスラブを前記コマンドおよび制御モジュールからのコマンドに応答可能に電動化するモータにより、前記第１のクロージャスラブと前記第２のクロージャスラブまたは前記枠を対応する位置に位置させることを備える方法。
【請求項１３】
前記係止機構は、前記係止機構の前記係止ピンを前記凹位置から前記係止位置に移動および戻す前進および後退アクチュエータを更に備える請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記係止機構は、ユーザが手動で前記係止ピンを解除できるように手動オーバーライドタブを更に備える請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記係止機構は、前記係止ピンが前記凹位置にあることを前記コマンドおよび制御モジュールに提供するように構成され、前記係止ピンが前記凹位置にないときに前記クロージャスラブが電動動作することを防止する請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
前記係合位置は、前記第２のクロージャスラブまたは前記枠から突出するストライクプレートとして備えられ、前記係止ピンと係合する上下方向に延びる楕円形チャネルを有する請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
前記コマンドおよび制御モジュールは、前記第１のクロージャスラブおよび／または前記第２のクロージャスラブに位置して、前記係止アセンブリと通信する請求項１２記載の方法。
【請求項１８】
前記コマンドおよび制御モジュールは、前記枠上に位置して、前記係止アセンブリと通信する請求項１２記載の方法。
【請求項１９】
前記コマンドおよび制御モジュールは、前記係止アセンブリを係止または係止解除するリモートコントロールを有する請求項１２記載の方法。
【請求項２０】
前記コマンドおよび制御モジュールは、手のジェスチャにより作動する請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月25日(2016.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレンの生産方法における動力回収のための方法であって、
ａ）供給炭化水素を１０００℃より上の温度にて分解炉内で水蒸気分解し、７００から１０００℃の範囲の温度を有する分解ガス生成物を生成させる工程；
ｂ）該分解ガス生成物を、２７０℃より上の初期温度および６５バール（ゲージ圧）より上の初期圧力を有する高圧液状水との間接式熱交換により冷却して冷却分解ガス生成物を得るとともに、該高圧液状水を６５バール（ゲージ圧）より上の圧力を有する高圧水蒸気に気化させる工程；
ｃ）該高圧水蒸気の少なくとも一部を第１水蒸気膨張タービン内で膨張させて動力を発生させ、該高圧水蒸気と比べて低下した温度および低下した圧力を有する中圧水蒸気を得る工程；
ｄ）該中圧水蒸気を該分解炉の対流ゾーン内に送ることにより該中圧水蒸気の少なくとも一部を加熱して該中圧水蒸気の温度を４０から１００℃の範囲で上昇させ、再加熱された中圧水蒸気を該対流ゾーンから回収する工程；
ｅ）再加熱された該中圧水蒸気の少なくとも一部を第２水蒸気膨張タービン内で膨張させて動力を発生させ、再加熱された該中圧水蒸気と比べて低下した圧力を有する低圧水蒸気を得る工程
を含む、方法。
【請求項２】
工程（ｅ）で得られた低圧水蒸気の少なくとも一部を凝縮して液状水にし、これを加圧し、続いて加熱して工程（ｂ）の高圧液状水の少なくとも一部を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
９０から２４０℃の範囲の温度および６５から１５０バール（ゲージ圧）の範囲の圧力を有する加圧液状水を対流ゾーンの一セクション内に送ることにより該高圧水を生成させる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
供給炭化水素を分解炉のラジアントゾーン内で、１０００から１２５０℃の範囲の温度で分解させる、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
供給炭化水素が、エタン、プロパン、ブタン（液化石油ガスまたはＬＰＧ）、パラフィン系炭化水素および炭化水素の混合物、例えばコンデンセート、天然ガス液（ＮＧＬ）、ナフサ、軽油、減圧軽油、ハイドロワックス、ならびに合成炭化水素、例えばフィッシャー・トロプシュ炭化水素のうちの少なくとも１種類を含むものである、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
工程（ｂ）の高圧水が、２７０から３４０℃の範囲の初期温度および６５から１５０バール（ゲージ圧）の範囲の初期圧力を有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
工程（ｂ）で得られる高圧水蒸気が６５から１５０バール（ゲージ圧）の範囲の圧力を有する、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
工程（ｃ）で膨張させた高圧水蒸気が４００℃より上の初期温度、好ましくは４００から６００℃の範囲の初期温度を有する、請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
工程（ｃ）で得られる中圧水蒸気が高圧水蒸気の圧力より５０から１００バール下の範囲の圧力を有する、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
工程（ｃ）で得られる中圧水蒸気が高圧水蒸気の温度より５０から２００℃下の範囲の温度を有する、請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
中圧水蒸気を対流ゾーンの一セクションに送り、該対流ゾーンの温度が３５０から７００℃の範囲である、請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
工程（ｄ）で得られる再加熱された中圧水蒸気が４００から５５０℃の範囲の温度を有する、請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
中圧水蒸気を工程（ｄ）で加熱し、該中圧（ｍｅｄｉｕｍ）水蒸気のエンタルピーを、対流ゾーン内で再加熱された中圧水蒸気１トンあたり１００から１５０ＭＪの範囲で増大させる、請求項１から１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
工程（ｃ）および（ｅ）で発生する動力の少なくとも一部を用いて１台以上の分解ガス圧縮機および／または１台以上の冷凍圧縮機を駆動させる、請求項１から１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
１台以上の分解ガス圧縮機および／または１台以上の冷凍圧縮機を用いて、冷却分解ガスの少なくとも一部を圧縮または冷却する、請求項１４に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年2月2日(2016.2.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
腐食環境下において亜鉛はジンサイト（Ｚｉｎｃｉｔｅ、ＺｎＯ）、ハイドロジンサイト（Ｈｙｄｒｏｚｉｎｃｉｔｅ、Ｚｎ５（ＣＯ３）２（ＯＨ）６）、シモンコライト（Ｓｉｍｏｎｋｏｌｌｅｉｔｅ、Ｚｎ５（ＯＨ）８Ｃｌ２）などの腐食生成物を形成し、このうちシモンコライトは緻密な腐食生成物で、腐食の抑制効果に優れる。Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ系溶融亜鉛合金めっき鋼板において、めっき層内のＭｇはシモンコライトの生成を促進してめっき層の耐食性を向上させるため、本発明では、Ａｌ及びＺｎの単相組織が２０％以下になるように制御する。Ａｌ及びＺｎの単相組織が２０％を超えて形成されると、腐食環境下においてシモンコライトの生成が低下して、耐食性が低下するという問題がある。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素地鋼板及び溶融亜鉛合金めっき層を含み、
前記溶融亜鉛合金めっき層の組成は、重量％で、アルミニウム（Ａｌ）：０．５〜５．０％、マグネシウム（Ｍｇ）：１〜５％を含み、ガリウム（Ｇａ）：０．０１〜０．１％及びインジウム（Ｉｎ）：０．００５〜０．１％のうち１種または２種を含み、残部亜鉛（Ｚｎ）及び不可避不純物を含み、
前記Ｍｇ及びＡｌ成分の和は［Ａｌ＋Ｍｇ≦７］の関係を満たし、
前記溶融亜鉛合金めっき層のめっき組織は、Ｚｎ−Ａｌ−ＭｇＺｎ２の３元共晶組織を基地組織として、Ｚｎ−ＭｇＺｎ２の２元共晶組織が分散されためっき組織を含み、Ａｌ単相組織及びＺｎ単相組織は２０％以下、残りはＭｇＺｎ２組織を含む、耐食性及び表面外観に優れた溶融亜鉛合金めっき鋼板。
【請求項２】
前記溶融亜鉛合金めっき層は、インジウム（Ｉｎ）：０．００５〜０．１％を含む、請求項１に記載の耐食性及び表面外観に優れた溶融亜鉛合金めっき鋼板。
【請求項３】
前記溶融亜鉛合金めっき層は、片面を基準に１０〜５００ｇ／ｍ２のめっき量が付着される、請求項１または２に記載の耐食性及び表面外観に優れた溶融亜鉛合金めっき鋼板。
【請求項４】
前記溶融亜鉛合金めっき鋼板の表面粗さ（Ｒａ）は１μｍ以下である、請求項１から３のいずれか１項に記載の耐食性及び表面外観に優れた溶融亜鉛合金めっき鋼板。
【請求項５】
重量％で、アルミニウム（Ａｌ）：０．５〜５．０％、マグネシウム（Ｍｇ）：１〜５％を含み、ガリウム（Ｇａ）：０．０１〜０．１％及びインジウム（Ｉｎ）：０．００５〜０．１％のうち１種または２種を含み、残部亜鉛（Ｚｎ）及び不可避不純物を含み、前記Ｍｇ及びＡｌ成分の和は［Ａｌ＋Ｍｇ≦７］である溶融亜鉛合金めっき浴を準備する段階と、
前記溶融亜鉛合金めっき浴に素地鋼板を浸漬し、めっきを施してめっき鋼板を製造する段階と、
前記めっき鋼板をガスワイピングし、１０℃／ｓ以上の冷却速度で冷却する段階と、
を含み、
冷却後のめっき鋼板のめっき層のめっき組織は、Ｚｎ−Ａｌ−ＭｇＺｎ２の３元共晶組織を基地組織として、Ｚｎ−ＭｇＺｎ２の２元共晶組織が分散されためっき組織を含み、Ａｌ単相組織及びＺｎ単相組織は２０％以下、残りはＭｇＺｎ２組織を含む、耐食性及び表面外観に優れた溶融亜鉛合金めっき鋼板の製造方法。
【請求項６】
前記溶融亜鉛合金めっき浴は、インジウム（Ｉｎ）：０．００５〜０．１％を含む、請求項５に記載の耐食性及び表面外観に優れた溶融亜鉛合金めっき鋼板。
【請求項７】
前記溶融亜鉛合金めっき浴は、融点以上〜４５０℃以下の温度においてめっきを施す、請求項５または６に記載の耐食性及び表面外観に優れた溶融亜鉛合金めっき鋼板の製造方法。
【請求項８】
前記ガスワイピング時に用いるガスは窒素（Ｎ２）である、請求項５から７のいずれか１項に記載の耐食性及び表面外観に優れた溶融亜鉛合金めっき鋼板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月24日(2016.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ要素の電界誘導アッセンブリによる製造方法であって、前記方法は以下のステップを含む：
ベース層、ベース層に堆積された導電層、および導電層に堆積された絶縁層を含むナノ基板を提供するステップで、前記絶縁層は、ビアを含み、ビアは絶縁層に空隙を形成し、導電層を曝露する絶縁層を通る通路を画定し；
前記ナノ基板を第１のナノ要素の水性懸濁液と接触させるステップ；
前記導電層および懸濁液中の電極間に、懸濁液から第１のナノ要素のビアおよびビア内の前記アッセンブリへの移動に十分な時間、電界を印加するステップであって、前記電界は、ＤＣオフセット電圧およびＡＣ電圧の和からなるステップ；および
前記アッセンブリの後で、前記第１のナノ要素とは異なる第２のナノ要素の水性懸濁液を用いて、前記接触して前記電界を印加するステップを繰り返すステップであって、それによって、ハイブリッドナノ構造体を得るステップ。
【請求項２】
前記第１のナノ要素が導電性で、前記第２のナノ要素が半導電性または絶縁性である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のナノ要素が半導電性で、前記第２のナノ要素が導電性または絶縁性である、請求項１に記載の方法
【請求項４】
前記第１のナノ要素が導電性で、前記第２のナノ要素が半導電性または絶縁性である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ナノ構造体が、複数のビアを含み、複数のハイブリッドナノ構造体が形成される、請求項１の方法。
【請求項６】
前記ナノ構造体の所望の高さまたは配置を得るために、移動およびアッセンブリの時間が調整される、請求項１の方法。
【請求項７】
前記第１及び／または第２のナノ構造体が、ポリマーからなる絶縁性ナノ粒子である請求項１の方法。
【請求項８】
さらに前記第１および／または第２のナノ要素を溶融し、アッセンブリされたナノ要素を加熱するか、または大直流電位を印加することによって固体マスを形成することを含む、請求項１の方法。
【請求項９】
ＡＣ電圧がピーク間で約１２ボルト（Ｖｐｐ）である、請求項１の方法。
【請求項１０】
ＡＣ周波数が、約１０〜約５０キロヘルツである、請求項１の方法。
【請求項１１】
ＤＣオフセット電圧が約２Ｖで、定常電流が約５０μＡである、請求項１の方法。
【請求項１２】
第１の部分および第２の部分を含むハイブリッドナノ構造体であり、第１および第２の部分の導電率が異なるものである。
【請求項１３】
第１および第２の部分のうちの１つが導電性材料からなり、他の１つが半導電性または絶縁性材料からなる、請求項１２の方法。
【請求項１４】
第１および第２の部分のうちの１つが半導電性材料からなり、他の１つが導電性または絶縁性材料からなる、請求項１２の方法。
【請求項１５】
前記ナノ構造体が、ナノピラー、ナノリング、およびナノボックスからなる群から選ばれる形状を有する、請求項１２の方法。
【請求項１６】
ナノ構造体の直径が少なくとも約２００ｎｍである、請求項１２の方法。
【請求項１７】
アレイに配置された請求項１２による複数のナノ構造体を含む、ナノ構造体アレイ。
【請求項１８】
各ナノ構造体が導電性材料からなるナノピラーである、請求項１７によるナノ構造体アレイ。
【請求項１９】
ナノピラーが、金からなり、多結晶である、請求項１８のナノ構造体アレイ。
【請求項２０】
ナノピラーが電気めっきされた金と同等の電気抵抗値を示し、プラズモン共鳴を支持する、請求項１９のナノ構造体アレイ。
【請求項２１】
ナノ要素の電界誘導アッセンブリによって形成された不完全ナノ構造体を完全ナノ構造体に変換する方法であり、不完全ナノ構造体は未溶融のナノ要素からなり、当該方法は以下のステップを含む：
不完全ナノ構造体を加熱するステップ；または
不完全ナノ構造体に交わるようにＤＣ電圧を印加するステップ；
ここで、未溶融ナノ要素は、溶融して完全ナノ構造体を生成する。
【請求項２２】
不完全ナノ構造体は約２５０℃に加熱される、請求項２１の方法。
【請求項２３】
ＤＣ電圧が約３０Ｖである、請求項２１の方法。
【請求項２４】
前記印加電圧が、ビア内で少なくとも２ＭＶ／ｍの大きさを達成する、請求項１の方法。
【請求項２５】
第１のナノ要素よりも高い誘電泳動力が第２の要素に掛けられる、請求項１の方法。
【請求項２６】
第１のナノ要素よりも高い濃度が第２の要素に用いられる、請求項１の方法。
【請求項２７】
ナノ要素の電界誘導アッセンブリによって電気絶縁性ナノ構造体を製造する方法であって、以下のステップからなる：
ベース層、ベース層に堆積された導電層、および導電層に堆積された絶縁層を含むナノ基板を提供するステップで、前記絶縁層は、ビアを含み、ビアは絶縁層に空隙を形成し、導電層を曝露する絶縁層を通る通路を画定し；
前記ナノ基板を電気絶縁性ナノ要素の水性懸濁液と接触させるステップ；および、
懸濁液からビアへのナノ要素の移動および前記ナノ要素をアッセンブリするのに十分な時間、懸濁液中で、前記導電層および懸濁液中の電極間に、電界を印加するステップであって、ここで前記電界は、ＤＣオフセット電圧およびＡＣ電圧の和からなり、；それによって、均一な電気絶縁性ナノ構造体を得る。
【請求項２８】
前記電気絶縁性ナノ要素が無機酸化物または有機ポリマーを含む、請求項２７の方法。
【請求項２９】
前記電気絶縁性ナノ要素が、シリカ、アルミナ、チタニア、ポリスチレン、ポリスチレン・ラテックス、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリ（乳酸−コ−グリコール酸）、ポリカプロラクトン、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、および機能化ＰＥＧ脂質からなる群から選ばれる、請求項２８の方法。
【請求項３０】
第１および第２のナノ要素が導電性で、第１および第２のナノ要素が同じではない請求項１の方法。
【請求項３１】
第１および第２のナノ要素が絶縁性で、第１および第２のナノ要素が同じではない請求項１の方法。
【請求項３２】
第１および第２のナノ要素が半導電性で、第１および第２のナノ要素が同じではない請求項１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月15日(2016.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカルボジイミドの精製方法であって、
（ａ）ポリカルボジイミドおよびカルボジイミド化触媒を含む混合物を準備する工程；
（ｂ）（ａ）による混合物を第１の蒸留に供することによって、カルボジイミド化触媒をポリカルボジイミドから分離する工程であり、第１の塔底生成物および第１の塔頂生成物が得られ、第１の塔底生成物がポリカルボジイミドおよびカルボジイミド化触媒を含み、第１の塔底生成物中のカルボジイミド化触媒のポリカルボジイミドに対する質量比が、（ａ）による混合物中のカルボジイミド化触媒のポリカルボジイミドに対する質量比よりも小さく、第１の塔頂生成物がカルボジイミド化触媒を含む工程；
（ｃ）エントレーナーを（ｂ）から得られた第１の塔底生成物に添加して、混合物を得る工程であり、エントレーナーがポリカルボジイミドの沸点よりも低い沸点を有する工程；
（ｄ）（ｃ）から得られた混合物を第２の蒸留に供することによって、カルボジイミド化触媒をポリカルボジイミドからさらに分離する工程であり、第２の塔底生成物および第２の塔頂生成物が得られ、第２の塔底生成物がポリカルボジイミドおよびカルボジイミド化触媒を含み、第２の塔底生成物中のカルボジイミド化触媒のポリカルボジイミドに対する質量比が、（ｂ）から得られた第１の塔底生成物中のカルボジイミド化触媒のポリカルボジイミドに対する質量比よりも小さく、第２の塔頂生成物がカルボジイミド化触媒およびエントレーナーを含む工程
を含む、方法。
【請求項２】
（ａ）による混合物中のカルボジイミド化触媒とポリカルボジイミドとの質量比が、０．０２：１００から２：１００の範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ｂ）から得られた塔底生成物中のカルボジイミド化触媒とポリカルボジイミドとの質量比が、最大２：１００，０００の範囲である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
（ｄ）から得られた塔底生成物中のカルボジイミド化触媒とポリカルボジイミドとの質量比が、最大０．２：１００，０００である、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
（ｃ）において添加されるエントレーナーが、周囲圧力において１５０から３５０℃の範囲の沸点を有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
（ｃ）において添加されるエントレーナーが、アミン−ＮＨ−基および／または−ＯＨ基および／または−ＳＨ基および／または−ＣＯＯＨ基を含まない、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
（ｃ）において添加されるエントレーナーがジイソシアネートである、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
（ｃ）において添加されるエントレーナーが式Ｒ（ＮＣＯ）２（式中、Ｒは、直鎖または分岐の脂肪族Ｃ３〜Ｃ１５炭化水素残基、脂環式Ｃ５〜Ｃ２０炭化水素残基、アリールＣ６〜Ｃ１８炭化水素残基、アルキルアリールＣ６〜Ｃ２０炭化水素残基、およびアリールアルキルＣ６〜Ｃ２０炭化水素残基からなる群から選択される）を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
（ｃ）において添加されるエントレーナーが１，３−ビス（２−イソシアナト−２−プロピル）ベンゼン（ＴＭＸＤＩ）である、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
（ａ）による混合物がジイソシアネートをさらに含み、（ｂ）において、ジイソシアネートがポリカルボジイミドから少なくとも部分的に分離され、（ｂ）から得られた第１の塔頂生成物がジイソシアネートをさらに含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
ジイソシアネートが式Ｒ（ＮＣＯ）２（式中、Ｒは、直鎖または分岐の脂肪族Ｃ３〜Ｃ１５炭化水素残基、脂環式Ｃ５〜Ｃ２０炭化水素残基、アリールＣ６〜Ｃ１８炭化水素残基、アルキルアリールＣ６〜Ｃ２０炭化水素残基、およびアリールアルキルＣ６〜Ｃ２０炭化水素残基からなる群から選択される）を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ジイソシアネートが、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）、ドデカメチレンジイソシアネート、１，４−ジイソシアナトシクロヘキサン、トリメチルヘキサンジイソシアネート、２，２−ビス（４−イソシアナトシクロヘキシル）−プロパン、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）、１，３−ビス（２−イソシアナト−２−プロピル）ベンゼン（ＴＭＸＤＩ）、トルエンジイソシアネート（ＴＤＩ）およびジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）からなる群から選択される、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
（ｃ）において添加されるエントレーナーが、（ａ）による混合物中にさらに含まれるジイソシアネートである、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
（ｃ）において、ポリカルボジイミドと添加されたエントレーナーとの質量比が、１０：１００から１，０００：１００の範囲である、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
カルボジイミド化触媒が、ホスホレン、ホスホレンオキシド、ホスホリジン、ホスホリンオキシドおよびこれらの２種以上の混合物からなる群から選択される有機リン化合物を含む、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
ポリカルボジイミドおよびカルボジイミド化触媒を含む（ａ）による混合物が、２０から３００℃の範囲の温度および１０から８００ｍｂａｒの範囲の圧力で、カルボジイミド化触媒の存在下でジイソシアネートを重合させる工程を含む方法により準備される、請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
（ｂ）から得られた、カルボジイミド化触媒を含む第１の塔頂生成物および／または（ｄ）から得られた、カルボジイミド化触媒を含む第２の塔頂生成物が、（ａ）による混合物を得るためのカルボジイミド化触媒の存在下でジイソシアネートを重合させるための出発物質として少なくとも部分的に再循環される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ポリカルボジイミドおよび１−メチル−３−ホスホレン−１−オキシドであるカルボジイミド化触媒を含有する組成物であって、組成物の少なくとも９９．９９質量％が、ポリカルボジイミドおよびカルボジイミド化触媒からなり、カルボジイミド化触媒のポリカルボジイミドに対する質量比が、最大０．２：１００，０００である、組成物。
【請求項１９】
ポリカルボジイミドおよび１−メチル−３−ホスホレン−１−オキシドであるカルボジイミド化触媒、およびジイソシアネートを含有する組成物であって、組成物の少なくとも９９．９９質量％が、ポリカルボジイミド、カルボジイミド化触媒およびカルボジイミドからなり、カルボジイミド化触媒とポリカルボジイミドとの質量比が、最大０．２：１００，０００である、組成物。
【請求項２０】
請求項１から１７のいずれか一項に記載の方法により得られるまたは得られた、請求項１８または１９に記載の組成物。
【請求項２１】
カルボジイミド化触媒をポリカルボジイミドから分離するためのエントレーナーとしてジイソシアネートを使用する方法。