【手続補正書】
【提出日】平成27年11月24日(2015.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
基板と、
前記基板に結合される複数の金属層および誘電体層と、
前記複数の金属層のうちの１つに結合されるパッドと、
前記基板の表面上にあり、前記パッドに結合されるパッシベーション層と、
前記パッシベーション層の上方にあり、前記パッドに結合される第１の金属再分配層と、
前記パッシベーション層と前記第１の金属再分配層との間にある第１の絶縁層と、
前記第１の金属再分配層の上方にあり、溝によって形成される側面をさらに備える第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方にあり、前記第２の絶縁層内のキャビティを介して前記第１の金属再分配層に結合されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層と、
前記半導体デバイスの第１の表面と、前記第２の絶縁層の前記側面を含む前記半導体デバイスの少なくとも側部と、前記ＵＢＭ層の一部とを覆うモールド層とを備え、
前記第２の絶縁層が、前記第１の金属再分配層と前記モールド層との間にあり、
前記第２の絶縁層の側面が、前記半導体デバイスの前記少なくとも側部上で前記モールド層を収容するように構成される前記溝の壁上に露出する、半導体デバイス。
【請求項２】
前記モールド層がエポキシ層である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記モールド層が透明エポキシ層である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記半導体デバイスの前記第１の表面が前記半導体デバイスの上面である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記モールド層が、前記複数の金属層および誘電体層のうちの少なくとも１つの側部が前記モールド層で覆われるように、前記半導体デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記モールド層が、前記パッシベーション層の側部が前記モールド層で覆われるように、前記半導体デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記モールド層が、前記第１の絶縁層の側部が前記モールド層で覆われるように、前記半導体デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記第１の絶縁層が、少なくともポリイミド層、ポリベンズオキサゾール（ＰｂＯ）層および／またはポリマー層のうちの１つである、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記半導体デバイスが、少なくともダイ、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）、ウェハおよび／またはインターポーザのうちの１つである、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記半導体デバイスが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
装置であって、
基板と、
前記基板に結合される複数の金属層および誘電体層と、
前記複数の金属層のうちの１つに結合されるパッドと、
前記基板の表面上にあり、前記パッドに結合されるパッシベーション層と、
前記パッシベーション層の上方にあり、前記パッドに結合される第１の金属再分配層と、
前記パッシベーション層と前記第１の金属再分配層との間にある第１の絶縁層と、
前記第１の金属再分配層の上方にあり、溝によって形成される側面をさらに備える、第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上方にあり、前記第２の絶縁層内のキャビティを介して前記第１の金属再分配層に結合されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層と、
切断プロセス中に前記装置が割れるのを防ぐための手段であって、前記装置の第１の表面と、前記第２の絶縁層の前記側面を含む前記装置の少なくとも側部と、前記ＵＢＭ層の一部とを覆う、防ぐための手段とを備え、
前記第２の絶縁層が、前記第１の金属再分配層と前記装置が割れるのを防ぐための前記手段との間にあり、
前記第２の絶縁層の側面が、前記装置の前記少なくとも側部上で前記装置が割れるのを防ぐための前記手段を収容するように構成される前記溝の壁上に露出する、装置。
【請求項１２】
前記防ぐための手段がエポキシ層である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記防ぐための手段が透明エポキシ層である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記装置の前記第１の表面が前記装置の上面である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記防ぐための手段が、前記複数の金属層および誘電体層のうちの少なくとも１つの側部が前記防ぐための手段で覆われるように、前記装置の前記少なくとも側部を覆う、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
前記防ぐための手段が、前記第１の絶縁層の側部が前記防ぐための手段で覆われるように、前記装置の前記少なくとも側部を覆う、請求項１１に記載の装置。
【請求項１７】
前記防ぐための手段が、前記第２の絶縁層の側部が前記防ぐための手段で覆われるように、前記装置の前記少なくとも側部を覆う、請求項１１に記載の装置。
【請求項１８】
前記第１の絶縁層が、少なくともポリイミド層、ポリベンズオキサゾール（ＰｂＯ）層および／またはポリマー層のうちの１つである、請求項１１に記載の装置。
【請求項１９】
前記装置が、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１１に記載の装置。
【請求項２０】
半導体デバイスを設けるための方法であって、
基板を設けるステップと、
前記基板に結合される複数の金属層および誘電体層を設けるステップと、
前記複数の金属層のうちの１つに結合されるパッドを設けるステップと、
前記基板の表面上にあり、前記パッドに結合されるパッシベーション層を設けるステップと、
前記パッシベーション層の上方にあり、前記パッドに結合される第１の金属再分配層を設けるステップと、
前記パッシベーション層と前記第１の金属再分配層との間に位置する第１の絶縁層を設けるステップと、
前記第１の金属再分配層の上方に位置する第２の絶縁層を設けるステップであって、前記第２の絶縁層はさらに、溝によって形成される側面を備える、設けるステップと、
前記第２の絶縁層の上方にあり、前記第２の絶縁層内のキャビティを介して前記第１の金属再分配層に結合されるアンダーバンプメタライゼーション（ＵＢＭ）層を設けるステップと、
前記半導体デバイスの第１の表面と、前記第２の絶縁層の前記側面を含む前記半導体デバイスの少なくとも側部と、前記ＵＢＭ層の一部とを覆うモールド層を設けるステップとを含み、
前記第２の絶縁層が、前記第１の金属再分配層と前記モールド層との間にあり、
前記第２の絶縁層の側面が、前記半導体デバイスの前記少なくとも側部上で前記モールド層を収容するように構成される前記溝の壁上に露出する、方法。
【請求項２１】
前記モールド層がエポキシ層である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記モールド層が透明エポキシ層である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記半導体デバイスの前記第１の表面が前記半導体デバイスの上面である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記モールド層が、前記複数の金属層および誘電体層のうちの少なくとも１つの側部が前記モールド層で覆われるように、前記半導体デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記モールド層が、前記パッシベーション層の側部が前記モールド層で覆われるように、前記半導体デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
前記モールド層が、前記第１の絶縁層の側部が前記モールド層で覆われるように、前記半導体デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項２０に記載の方法。
【請求項２７】
前記モールド層が、前記第２の絶縁層の側部が前記モールド層で覆われるように、前記半導体デバイスの前記少なくとも側部を覆う、請求項２０に記載の方法。
【請求項２８】
前記第１の絶縁層が、少なくともポリイミド層、ポリベンズオキサゾール（ＰｂＯ）層および／またはポリマー層のうちの１つである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２９】
前記半導体デバイスが、少なくともダイ、ダイパッケージ、集積回路（ＩＣ）、ウェハおよび／またはインターポーザのうちの１つである、請求項２０に記載の方法。
【請求項３０】
前記半導体デバイスが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンタテイメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、モバイルデバイス、モバイルフォン、スマートフォン、携帯情報端末、定置端末、タブレットコンピュータ、および／またはラップトップコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項２０に記載の方法。
【請求項３１】
前記モールド層が第１の材料から形成され、前記複数の誘電体層のうちの少なくとも１つが第２の材料から形成され、前記第１の材料が前記第２の材料より脆弱でない、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３２】
前記防ぐための手段が第１の材料から形成され、前記複数の誘電体層のうちの少なくとも１つが第２の材料から形成され、前記第１の材料が前記第２の材料より脆弱でない、請求項１１に記載の装置。
【請求項３３】
前記モールド層が第１の材料から形成され、前記複数の誘電体層のうちの少なくとも１つが第２の材料から形成され、前記第１の材料が前記第２の材料より脆弱でない、請求項２０に記載の方法。