【手続補正書】
【提出日】平成28年6月10日(2016.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金及び白金からなる群より選ばれる少なくとも一つの金属を含む不均一系触媒の存在下での１，６‐ヘキサンジオールと酸素との反応を含む方法によって、１，６‐ヘキサンジオールからアジピン酸生成物に化学触媒的に変化させることを含む、アジピン酸生成物を調製する方法。
【請求項２】
上記触媒が金を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記触媒が白金を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記触媒が金及び白金を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
最終触媒の総重量に対する金の重量パーセントが、約０．１ｗｔ％〜約１０ｗｔ％である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
ジルコニア支持体又は安定化ジルコニア支持体上の白金を含む触媒の存在下での、１，６‐ヘキサンジオールと酸素との反応を含む、アジピン酸生成物を調製する方法。
【請求項７】
上記不均一系触媒が支持体を含み、上記支持体の外面は、ジルコニア、安定化ジルコニア、ジルコニア‐金属複合材、又はジルコニア‐金属酸化物複合材、チタニア、安定化チタニア、チタニア‐金属複合材、又はチタニア‐金属酸化物複合材、アルミナ、二酸化珪素、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる少なくとも一つの材質を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
上記支持体の表面積が、約２２０ｍ２／ｇ以下のものであり、平均孔径が少なくとも約５ｎｍである、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
上記支持体がタングステンをさらに含む、請求項６又は８に記載の方法。
【請求項１０】
上記不均一系触媒が、ジルコニア、安定化ジルコニア、安定化ジルコニア‐金属複合材、又はジルコニア‐金属酸化物複合材、チタニア、安定化チタニア、安定化チタニア‐金属複合材、又はチタニア‐金属酸化物複合材、及びこれらの混合物からなる群より選ばれる支持体を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
上記支持体は安定化ジルコニア、安定化チタニア及びこれらの混合物からなる群より選ばれるものであり、上記支持体はタングステンを含む、請求項７又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
上記タングステンが上記支持体の総重量の約１ｗｔ％から約１５ｗｔ％の間の重量で存在する、請求項９又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
上記支持体の表面積が約２２０ｍ２／ｇ以下のものであり、平均孔径が少なくとも約５ｎｍである、請求項７及び１０〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
上記支持体の表面積が約１００ｍ２／ｇ以下のものであり、平均孔径が少なくとも約１０ｎｍである、請求項７及び１０〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
不均一系触媒の存在下での上記１，６‐ヘキサンジオールと酸素との反応が、
ａ）上記１，６‐ヘキサンジオール及び上記不均一系触媒、並びに任意に溶媒を混合し、ｂ）混合した上記１，６‐ヘキサンジオール及び不均一系触媒、並びに任意の溶媒と酸素とを接触させる
ことを含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
不均一系触媒及び任意で含まれる溶媒の存在下での上記１，６‐ヘキサンジオールと酸素との反応が、
ａ）上記１，６‐ヘキサンジオール及び上記不均一系触媒並びに任意の溶媒を約１２０℃以下で混合し、
ｂ）混合した上記１，６‐ヘキサンジオール及び不均一系触媒、並びに任意の溶媒と酸素とを接触させる
ことを含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
不均一系触媒の存在下での上記１，６‐ヘキサンジオールと酸素との反応が、
ａ）上記１，６‐ヘキサンジオール及び溶媒の混合、
ｂ）混合した上記１，６‐ヘキサンジオール及び溶媒と不均一系触媒との接触、
ｃ）混合した上記１，６‐ヘキサンジオール、溶媒及び不均一系触媒と酸素との接触、
を含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
上記溶媒が、水、アルコール類、エーテル類及びこれらの混合物からなる群より選ばれる、請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
不均一系触媒の存在下での上記１，６‐ヘキサンジオールと酸素との反応が、
ａ）上記１，６‐ヘキサンジオールと水との接触、
ｂ）上記１，６‐ヘキサンジオール及び水と上記不均一系触媒との接触、
ｃ）混合した１，６‐ヘキサンジオール、水及び不均一系触媒と酸素との接触、
を含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
上記１，６‐ヘキサンジオールが、炭水化物源由来である、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
不均一系触媒の存在下での上記１，６‐ヘキサンジオールと酸素との反応が、約５０ｐｓｉｇ〜約２０００ｐｓｉｇの範囲の酸素分圧下において行われる、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
不均一系触媒の存在下での上記１，６‐ヘキサンジオールと酸素との反応が、約５０ｐｓｉｇ〜約１０００ｐｓｉｇの範囲の酸素分圧下において行われる、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
不均一系触媒の存在下での上記１，６‐ヘキサンジオールと酸素との反応が、約５０ｐｓｉｇ〜約７００ｐｓｉｇの範囲の酸素分圧下において行われる、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
不均一系触媒の存在下における上記１，６‐ヘキサンジオールと酸素との反応が、約１００℃〜約１８０℃の範囲の温度で行われる、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
不均一系触媒の存在下における、上記１，６‐ヘキサンジオールと酸素との反応が、約１３５℃〜約１６５℃の範囲の温度で行われる、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
上記アジピン酸生成物が上記１，６‐ヘキサンジオールから少なくとも約８０％の収率で生成される、請求項１〜２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
上記アジピン酸生成物が上記１，６‐ヘキサンジオールから少なくとも約９０％の収率で生成される、請求項１〜２６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
上記触媒がパラジウムをさらに含む、請求項１〜２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
金が総触媒重量の約４ｗｔ％以下で存在する、請求項１〜２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
白金が総触媒重量の約４ｗｔ％以下で存在する、請求項１〜２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
上記触媒が金及び白金を含み、金及び白金が合計で総触媒重量の約４ｗｔ％以下で存在する、請求項１〜２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
金及び白金からなる群より選ばれる、少なくとも一つの金属を含み、上記少なくとも一つの金属は支持体上にあり、上記支持体の少なくとも外表面はジルコニア又は安定化ジルコニアであり、上記支持体の表面積は約１００ｍ２／ｇ以下であり、かつ、平均孔径が少なくとも約１０ｎｍであり、上記ジルコニア又は安定化ジルコニアは、上記支持体の総重量の約１ｗｔ％〜約１５ｗｔ％の範囲でタングステンを含む、触媒。
【請求項３３】
上記外表面が、実質的に安定化ジルコニアからなる、請求項３２に記載の触媒。
【請求項３４】
上記触媒は、上記支持体上にあり、実質的に白金からなるものである、請求項３２又は３３に記載の触媒。
【請求項３５】
上記触媒は、上記支持体上にあり、実質的に白金及び金からなるものである、請求項３２又は３３に記載の触媒。
【請求項３６】
上記触媒は、パラジウムをさらに含む、請求項３２又は３３に記載の触媒。
【請求項３７】
上記少なくとも一つ金属が、合計で、上記触媒の総重量の約４ｗｔ％以下の量で存在する、請求項３２〜３６のいずれか１項に記載の触媒。