【手続補正書】
【提出日】平成28年1月5日(2016.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、前記デバイスが、
プラズマ形成材料のターゲット面を与えるターゲットユニットと、
前記ターゲット面に誘導された放射ビームを生成して、前記プラズマ形成材料からプラズマを形成するレーザユニットと、
前記プラズマによって生成される汚染物質粒子の伝搬を低減する汚染物質トラップと、
前記プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する複数の斜入射リフレクタを備える放射コレクタと、
前記ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰させるフィルタと、を備えるソースコレクタデバイス。
【請求項２】
前記ターゲットユニットが前記レーザユニットの共振空洞内に位置する、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記フィルタが、回折格子がその上に形成された斜入射リフレクタを備える、請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記フィルタが、前記放射コレクタの前記斜入射リフレクタ上に形成された回折格子を備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載のデバイス。
【請求項５】
リソグラフィ装置であって、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のソースコレクタデバイスと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
パターニングされた前記ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備えるリソグラフィ装置。
【請求項６】
デバイス製造方法であって、
プラズマ形成材料のターゲット面にレーザビームを誘導してプラズマを形成するステップと、
前記プラズマによって放出された汚染物質粒子を捕集するステップと、
前記プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射をビームへと形成するステップと、
前記ビームをフィルタリングして、少なくとも１つの波長範囲を減衰させるステップと、
前記放射ビームの断面にパターンをパターニングするステップと、
パターニングされた前記放射ビームを基板のターゲット部分に投影するステップと、を含む方法。
【請求項７】
プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する複数の斜入射リフレクタと、
前記ビームを少なくとも１つの波長範囲で減衰させるフィルタであって、前記放射コレクタの光軸に対して平行な向きの溝を有する前記コレクタの前記斜入射リフレクタ上に形成された回折格子を備えるフィルタと、を備える放射コレクタ。
【請求項８】
放射源であって、
プラズマ形成材料として使用するための燃料を含む槽と、
前記燃料内に少なくとも部分的に液浸され、かつ、前記燃料内で回転可能なホイールであって、使用時に、前記ホイールのリムが前記燃料内に液浸される、ホイールと、を備え、
前記リムの表面が前記リムの幅にわたって湾曲する、放射源。
【請求項９】
放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、
第１のチャンバと第２のチャンバとを備え、使用時に、ガスが前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの一方から前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの他方へと通過可能であり、
前記第１のチャンバがプラズマ形成位置を収容し、
前記第２のチャンバが、使用時に、プラズマ形成位置で生成される放射を集光し、前記放射からビームを形成する斜入射放射コレクタを収容し、
前記ソースコレクタデバイスが、前記プラズマ形成位置で生成された汚染物質粒子の前記斜入射放射コレクタへの伝搬を低減する汚染物質トラップをさらに備え、前記汚染物質トラップが、前記プラズマ形成位置と前記斜入射放射コレクタとの間に位置し、
前記第１のチャンバが、使用時に、第１の圧力にあるガスを含み、前記第２のチャンバが、使用時に、第２の圧力にあるガスを含む、デバイス。
【請求項１０】
前記第１の圧力が前記第２の圧力よりも高い、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、前記デバイスが、
プラズマ形成材料のターゲットを与えるターゲットユニットと、
使用時に、前記ターゲットに誘導されて、修正されたターゲットを形成する第１の放射ビームを生成する第１のレーザ構成と、
使用時に、前記修正されたターゲットに誘導されて、前記プラズマ形成材料から放射生成プラズマを形成するように第２の放射ビームを生成する第２のレーザ構成と、
１つ以上の斜入射リフレクタを備え、前記プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する放射コレクタと、を備えるデバイス。
【請求項１２】
前記第１の放射ビーム及び前記第２の放射ビームが、使用時に、実質的に前記放射コレクタの光軸に沿って、かつ、実質的に前記光軸に沿って同じ方向に誘導される、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記第１の放射ビーム及び前記第２の放射ビームが、使用時に、実質的に前記放射コレクタの光軸に沿って、かつ、実質的に前記光軸に沿って反対方向に誘導される、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１４】
放射源であって、
使用時に、その表面がプラズマ形成材料のターゲットを画定するプラズマ形成材料の容積を含む容器と、
前記容器の近傍に位置し、使用時に前記電極と前記ターゲットとの間の放電を促進して放射生成プラズマを生成する電極と、を備える放射源。
【請求項１５】
放射を生成する方法であって、
電極と、容器内に含まれるプラズマ形成材料の容積との間に、プラズマ形成材料から放射生成プラズマを生成するのに十分な放電を提供するステップをさらに含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
[00148]  以上、本発明の具体的な実施形態について説明してきたが、本発明は上記以外の方法でも実施することができることを理解されたい。例えば、本発明は、上記開示した方法を記述する機械可読命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はそのようなコンピュータプログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態をとってもよい。上記説明は例示するものであって限定するものではない。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、かつ、以下の番号を付与した条項から逸脱することなく、上記の本発明を様々に修正することができることは当業者には明らかであろう。
１．  放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、前記デバイスが、
プラズマ形成材料のターゲット面を与えるターゲットユニットと、
前記ターゲット面に誘導された放射ビームを生成して、前記プラズマ形成材料からプラズマを形成するレーザユニットと、
前記プラズマによって生成される汚染物質粒子の伝搬を低減する汚染物質トラップと、
前記プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する複数の斜入射リフレクタを備える放射コレクタと、
前記ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰するフィルタと、を備えるソースコレクタデバイス。
２．  前記ターゲット面の最小寸法が１０μｍ以上である、条項１に記載のデバイス。
３．  前記ターゲット面の最小寸法が４０μｍより大きい、条項２に記載のデバイス。
４．  前記ターゲット面の最小寸法が約９０μｍ〜約１００μｍの範囲である、条項３に記載のデバイス。
５．  前記ターゲットユニットが、前記プラズマ形成材料として液体金属を含む槽を備える、条項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス。
６．  前記ターゲットユニットが、前記液体金属に部分的に液浸されるホイールを備える、条項５に記載のデバイス。
７．  前記ホイールが複数の歯を有する、条項６に記載のデバイス。
８．  前記ホイールが、前記レーザユニットによって照射されると前記プラズマ形成材料を閉じ込める少なくとも１つの空洞を有する、条項６又は７に記載のデバイス。
９．  前記ターゲットユニットが、前記槽内に含まれる前記液体材料内に流れを生じさせる羽根車をさらに備える、条項５に記載のデバイス。
１０．  前記ターゲットユニットが、前記プラズマ形成材料として液体材料を含む皿と、前記皿を回転させるモータと、を備える、条項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス。
１１．  前記ターゲットユニットが前記レーザユニットの共振空洞内に位置する、条項１〜１０のいずれか１項に記載のデバイス。
１２．  前記汚染物質トラップが回転フォイルトラップを備える、条項１〜１１のいずれか１項に記載のデバイス。
１３．  前記汚染物質トラップがガスバリアを備える、条項１〜１２のいずれか１項に記載のデバイス。
１４．  前記フィルタが、回折格子がその上に形成された斜入射リフレクタを備える、条項１〜１３のいずれか１項に記載のデバイス。
１５．  前記フィルタが、前記放射コレクタの前記斜入射リフレクタ上に形成された回折格子を備える、条項１〜１３のいずれか１項に記載のデバイス。
１６．  前記フィルタが、第１の回折格子と、前記第１の回折格子の下流に位置する第２の回折格子と、を備え、各回折格子が、使用時に、第１の波長の放射を実質的に反射し、第２のより長い波長の放射を実質的に回折するように構成され、前記第１の回折格子が前記第２の回折格子とは異なる周期性を有する、条項１〜１３のいずれか１項に記載のデバイス。
１７．  前記周期性の相違は、使用時に、前記第１の回折格子によって１次回折次数へと回折され、次いで前記第２の回折格子によって１次回折次数へと回折される前記第２の波長の放射が、前記第２の回折格子から前記第１の回折格子、次いで前記第２の回折格子の両方から反射される前記第１の波長の放射とは異なる方向に誘導される、条項１６に記載のデバイス。
１８．  前記第１の回折格子及び／又は前記第２の回折格子が、前記斜入射リフレクタ及び前記放射コレクタのうち１つ以上の部品を形成する、条項１６又は１７に記載のデバイス。
１９．  第１のチャンバと第２のチャンバとを備え、使用時に、ガスが前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの一方から前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの他方へと通過可能であり、
前記第１のチャンバが、使用時に、ターゲット位置を収容し、
前記第２のチャンバが、前記放射コレクタを収容し、
前記汚染物質トラップが、前記ターゲット位置と前記斜入射放射コレクタとの間に位置し、
前記第１のチャンバが、使用時に、ガスを第１の圧力で含むように配置され、前記第２のチャンバが、使用時に、ガスを第２の圧力で含むように配置される、条項１〜１８のいずれか１項に記載のデバイス。
２０．  前記ターゲットユニットが、前記プラズマ形成材料として液滴を噴射する液体インジェクタの形態の液体供給源を備える、条項１〜４のいずれか１項に記載のデバイス。
２１．  リソグラフィ装置であって、
条項１〜２０のいずれか１項に記載のソースコレクタデバイスと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターニングされたビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備えるリソグラフィ装置。
２２．  デバイス製造方法であって、
プラズマ形成材料のターゲット面にレーザビームを誘導してプラズマを形成するステップと、
前記プラズマによって放出された汚染物質粒子を捕集するステップと、
前記プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射をビームへと形成するステップと、
前記ビームをフィルタリングして、少なくとも１つの波長範囲を減衰させるステップと、
前記放射ビームの断面にパターンをパターニングするステップと、
前記パターニングされた放射ビームを基板のターゲット部分に投影するステップと、を含む方法。
２３．  リソグラフィ装置であって、
放射ビームを生成するソースコレクタデバイスを備え、前記ソースコレクタデバイスが、
プラズマ形成材料のターゲット面を与えるターゲットユニットと、
前記ターゲット面に誘導された放射ビームを生成して、前記プラズマ形成材料からプラズマを形成するレーザユニットと、
前記プラズマによって生成される汚染物質粒子の伝搬を低減する汚染物質トラップと、
前記プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する複数の斜入射リフレクタを備える放射コレクタと、
前記ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰させるフィルタと、
前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターニングされたビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、を備えるリソグラフィ装置。
２４．  プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する複数の斜入射リフレクタと、
前記ビームを少なくとも１つの波長範囲で減衰させるフィルタと、を備え、前記フィルタが、前記放射コレクタの光軸に対して平行な向きの溝を有する前記コレクタの前記斜入射リフレクタ上に形成された回折格子を備える、放射コレクタ。
２５．  放射源であって、
プラズマ形成材料として使用するための燃料を含む槽と、
前記燃料内に少なくとも部分的に液浸され、前記燃料内で回転可能であり、使用時に、ホイールのリムが前記燃料内に液浸される、ホイールと、を備え、
前記リムの表面が前記リムの幅にわたって湾曲する、放射源。
２６．  前記リムの表面が、前記ホイールの中心から外方に湾曲する、条項２５に記載の放射源。
２７．  放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、
第１のチャンバと第２のチャンバとを備え、使用時に、ガスが前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの一方から前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの他方へと通過可能であり、
前記第１のチャンバがプラズマ形成位置を収容し、
前記第２のチャンバが、使用時に、プラズマ形成位置で生成される放射を集光し、前記放射からビームを形成する斜入射放射コレクタを収容し、
前記ソースコレクタデバイスが、前記プラズマ形成位置で生成された汚染物質粒子の前記斜入射放射コレクタへの伝搬を低減する汚染物質トラップをさらに備え、前記汚染物質トラップが、前記プラズマ形成位置と前記斜入射放射コレクタとの間に位置し、
前記第１のチャンバが、使用時に、第１の圧力にあるガスを含み、前記第２のチャンバが、使用時に、第２の圧力にあるガスを含む、デバイス。
２８．  前記第１の圧力が前記第２の圧力よりも高い、条項２７に記載のデバイス。
２９．  前記第１のチャンバが、ガスを前記第１のチャンバ内に導入するためのガス入口と、前記第１のチャンバからガスを除去するためのガス出口と、を備える、条項２７又は２８に記載のデバイス。
３０．  前記入口が、ガスを実質的に前記コレクタの光軸に沿って及び／又は前記プラズマ形成位置へと誘導する、条項２９に記載のデバイス。
３１．  前記第２のチャンバが、ガス出口を備える、条項２７〜３０のいずれか１項に記載のデバイス。
３２．  前記汚染物質トラップが、ガスが前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの一方から前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバの他方へと通過可能である、条項２７〜３１のいずれか１項に記載のデバイス。
３３．  前記デバイスが、前記汚染物質トラップを経て前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間だけを通過し得るように構成された、条項２７〜３２のいずれか１項に記載のデバイス。
３４．  前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバが、少なくとも一部がハウジング内の区画によって画定され、前記汚染物質トラップが前記区画内に開口を設けた、条項２７〜３３のいずれか１項に記載のデバイス。
３５．  前記第１のチャンバ及び前記第２のチャンバが、少なくとも一部が別個のハウジングによって画定され、前記汚染物質トラップが、放射及び／又はガスがそこを通過する別個のハウジング間の導管を設けた、条項２７〜３３のいずれか１項に記載のデバイス。
３６．  放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、前記デバイスが、
プラズマ形成材料のターゲットを与えるターゲットユニットと、
使用時に、ターゲットに誘導されて修正されたターゲットを形成する第１の放射ビームを生成する第１のレーザ構成と、
使用時に、前記修正されたターゲットに誘導されて、前記プラズマ形成材料から放射生成プラズマを形成するように第２の放射ビームを生成する第２のレーザ構成と、
１つ以上の斜入射リフレクタを備え、前記プラズマから放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する放射コレクタと、を備えるデバイス。
３７．  前記第１の放射ビーム及び／又は前記第２の放射ビームが、使用時に、実質的に前記放射コレクタの光軸に沿って、前記ターゲット又は修正されたターゲットへと誘導される、条項３６に記載のデバイス。
３８．  前記第１の放射ビーム及び前記第２の放射ビームが、使用時に、実質的に前記放射コレクタの光軸に沿って、且つ実質的に前記光軸に沿って同じ方向に誘導される、条項３７に記載のデバイス。
３９．  前記第１の放射ビーム及び前記第２の放射ビームが、使用時に、実質的に前記放射コレクタの光軸に沿って、且つ実質的に前記光軸に沿って反対方向に誘導される、条項３７に記載のデバイス。
４０．  前記第１の放射ビーム及び前記第２の放射ビームが、使用時に、前記放射コレクタの前記光軸に沿って互いに反対の方向成分を有する、条項３６又は３７に記載のデバイス。
４１．  前記第２の放射ビームが、使用時に、前記放射コレクタの前記光軸に対して実質的に０°より大きく９０°未満の角度で前記修正されたターゲットの方向に誘導される、条項３６又は３７に記載のデバイス。
４２．  前記第１の放射ビーム及び前記第２の放射ビームが、使用時に、前記放射コレクタと逆方向に面する前記ターゲット又は修正されたターゲットの側へと誘導される、条項３６〜４１のいずれか１項に記載のデバイス。
４３．  前記第１の放射ビーム及び／又は前記第２の放射ビームが、使用時に、前記放射コレクタ方向に面する前記ターゲット又は修正されたターゲットの側へと誘導される、条項３６〜４１のいずれか１項に記載のデバイス。
４４．  デブリ緩和装置が、前記ターゲットと前記放射コレクタとの間の位置に設置される、条項３６〜４３のいずれか１項に記載のデバイス。
４５．  前記第１の放射ビーム及び／又は前記第２のレーザ放射ビームが、使用時に、前記放射コレクタ及び／又はデブリ緩和装置を通過し、前記ターゲット又は修正されたターゲットへと誘導される、条項３６〜４４のいずれか１項に記載のデバイス。
４６．  前記デブリ緩和装置が、固定式又は回転可能な汚染物質トラップであり、前記第１の放射ビーム及び／又は前記第２の放射ビームが、使用時に、前記汚染物質トラップの中空軸に沿って及び中空軸を通って前記ターゲット又は修正されたターゲットへと誘導される、条項４４又は４５に記載のデバイス。
４７．  前記第１の放射ビームが、前記修正された燃料ターゲットを前記放射コレクタの前記光軸に対して実質的に垂直な方向に伸長させるように構成された、条項３６〜４６のいずれか１項に記載のデバイス。
４８．  前記デバイスが、前記ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰させるフィルタをさらに備える、条項３６〜４７のいずれか１項に記載のデバイス。
４９．  条項２２〜４７のいずれか１項の前記放射コレクタ、前記放射源及び／又は前記ソースコレクタデバイスを備えるリソグラフィ装置。
５０．  放射源であって、
使用時に、その表面がプラズマ形成材料のターゲットを画定するプラズマ形成材料の容積を含む容器と、
前記容器の近傍に位置し、使用時に前記電極と前記ターゲットとの間の放電を促進して放射生成プラズマを生成する電極と、を備える放射源。
５１．  使用時に、実質的に前記ターゲットと前記電極との間にプラズマ形成材料のクラウドを形成するために前記ターゲットに誘導される放射ビームを生成するレーザユニットをさらに備える、条項５０に記載の放射源。
５２．  前記クラウドの形成が、前記放電の生成を促進する、条項５０又は５１に記載の放射源。
５３．  前記電極及び／又は前記プラズマ形成材料の容積に接続され、使用時に、前記電極と前記プラズマ形成材料の容積との間の電位差を確立する電圧源をさらに備える、条項５０〜５２のいずれか１項に記載の放射源。
５４．  放射ビームを生成するソースコレクタデバイスであって、
条項１〜５３のいずれか１項に記載の放射源と、
前記プラズマによって放出された放射を集光し、前記放射からビームを形成する放射コレクタと、を備えるデバイス。
５５．  前記プラズマによって生成される汚染物質粒子の伝搬を低減する汚染物質トラップと、
前記ビームの少なくとも１つの波長範囲を減衰するフィルタのうち１つ以上をさらに備える、条項５４に記載のデバイス。
５６．  条項５０〜５５のいずれか１項に記載の放射源又はソースコレクタデバイスを備えるリソグラフィ装置。
５７．  前記リソグラフィ装置が、
前記放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持する支持体と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターニングされたビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムのうち１つ以上を備える、条項５６に記載のリソグラフィ装置。
５８．  放射を生成する方法であって、
電極と、容器内に含まれるプラズマ形成材料の容積との間に、プラズマ形成材料から放射生成プラズマを生成するのに十分な放電を提供するステップをさらに含む方法。
５９．  前記方法が、放射ビームをプラズマ形成材料に誘導して、実質的に前記電極と前記プラズマ形成材料の容積との間にプラズマ形成材料のクラウドを形成するステップを含む、条項５８に記載の方法。
６０．  前記クラウドの形成が前記放電をトリガする、条項５９に記載の方法。
６１．  前記放電が、少なくとも部分的に、前記電極と、前記放電が生じるのに十分な前記プラズマ形成材料の容積との間に電位差を与えることによって提供される、条項５８〜６０のいずれか１項に記載の方法。