【手続補正書】
【提出日】平成28年7月1日(2016.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジストの現像後の半導体基板、又はフォトリソグラフィ・マスクの欠陥低減すすぎ液用の水性組成物における、一般式Ｉ：
【化１】
2015529840.tif 000001
［式中、
Ｘは、各々の繰り返し単位１〜ｎごとに独立して、
（ａ）任意に置換されていてもよく、且つ任意にＯ及びＮから選択される５個以下のヘテロ原子で中断されていてもよい直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ２０アルカンジイル、
（ｂ）任意に置換されていてもよく、且つ任意にＯ及びＮから選択される５個以下のヘテロ原子で中断されていてもよいＣ６〜Ｃ２０シクロアルカンジイル、
（ｃ）式：―Ｘ１−Ａ−Ｘ２−；（式中、Ｘ１及びＸ２は、独立してＣ１〜Ｃ７の直鎖又は分岐のアルカンジイルから選択され、Ａは、Ｈ原子が任意に置換されていてもよく、且つＣ原子が任意にＯ及びＮから選択される５個以下のヘテロ原子で中断されていてもよい、Ｃ５〜Ｃ１２芳香族部分、又はＣ５〜Ｃ３０シクロアルカンジイルから選択される。）のＣ６〜Ｃ２０有機基、
（ｄ）式ＩＩ：
【化２】
2015529840.tif 000002
（式中、ｐは０又は１であり、ｒは１〜１００の整数であり、且つＲ５は、Ｈ、及び直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ２０アルキル基から選択される。）
のポリオキシアルキレンジラジカル、
から選択される二価の基であり、
Ｒ１及びＲ２は、独立してＨ、直鎖若しくは分岐のＣ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ５〜Ｃ２０シクロアルキル、Ｃ５〜Ｃ２０アリール、Ｃ６〜Ｃ２０のアルキルアリール、Ｃ６〜Ｃ２０アリールアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロキシアルキル、又はＣ２〜Ｃ４オキシアルキレンのホモポリマー若しくはコポリマーから選択される一価の基であり、これらの全ては、任意にさらに置換されていてもよく、
Ｒ３及びＲ４は、独立して直鎖又は分岐のＣ５〜Ｃ３０アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロキシアルキル、及びＣ２〜Ｃ４オキシアルキレンのホモポリマー又はコポリマーから選択される一価の基であり、これらの全ては、任意に置換されていてもよく、対のＲ３−Ｒ４及び隣接したＲ４−Ｒ４及びＲ３−Ｒ３が、任意に一緒になって二価の基Ｘを形成してもよく、及び分岐による分子の連続Ｑであってもよく、ｎが２以上の場合は、Ｒ３、Ｒ４、又はＲ３及びＲ４はまた、水素原子であってもよく、
ｎは、１〜５の整数であるか、又はＸ、Ｒ３及びＲ４の少なくとも１種が、Ｃ２〜Ｃ４ポリオキシアルキレン基を含む場合、ｎは、１〜１００００の整数であってもよく、ただし、少なくとも１個のＱが存在する場合、ｎは、分岐Ｑの全ての繰り返し単位を含み、
Ｑは、
【化３】
2015529840.tif 000003
であり、
ｚは、界面活性剤全体で電気的に非荷電となるように選択される整数であり、
Ｚは、対イオンである。］
で表されるジェミニ添加剤の使用方法。
【請求項２】
Ｘが、非置換の直鎖又は分岐のＣ３〜Ｃ１２アルカンジイルから選択される請求項１に記載の使用方法。
【請求項３】
Ｘが、ブタン−１，６−ジイル、ヘキサン−１，６−ジイル、又はオクタン−１，８−ジイルから選択される請求項１に記載の使用方法。
【請求項４】
Ｘが、式：Ｘ３−Ｏ−Ｘ４；（Ｘ３及びＸ４は、直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ９アルカンジイルである。）から選択される請求項１に記載の使用方法。
【請求項５】
Ｘ１及びＸ２が、独立してメタンジイル、エタンジイル、プロパンジイル及びブタンジイルから選択され、Ａが、ベンゼン及びアントラセンから選択される請求項１に記載の使用方法。
【請求項６】
Ｒ１及びＲ２が、独立してＣ１〜Ｃ１２アルカンジイルから選択される請求項１〜５のいずれか１項に記載の使用方法。
【請求項７】
Ｒ１がＨから選択され、Ｒ２が、独立してＨ、直鎖若しくは分岐のＣ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ５〜Ｃ２０シクロアルキル、Ｃ５〜Ｃ２０アリール、Ｃ６〜Ｃ２０アルキルアリール、Ｃ６〜Ｃ２０アリールアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロキシアルキル、又はＣ２〜Ｃ４オキシアルキレンのホモポリマー若しくはコポリマーから選択され、これらの全ては、任意に更に置換されていてもよい請求項１〜６のいずれか１項に記載の使用方法。
【請求項８】
Ｒ３及びＲ４が、式ＶＩ：
【化４】
2015529840.tif 000004
［式中、
Ｘ３は、化学結合、及び直鎖又は分岐の、好ましくは直鎖のＣ１〜Ｃ４のアルカンジイル、最も好ましくはメタンジイルから選択され、
Ｒ５は、ＯＨ、Ｈ、及び直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ５アルキル、好ましくはメチル又はＯＨから選択され、
Ｒ６は、Ｈ、及び直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ１〜Ｃ２０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０アリール、Ｃ１〜Ｃ２０アルキルアリール、Ｃ１〜Ｃ２０アリールアルキルから選択され、
Ｒ７は、Ｈ、及び直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ１０アルキル、好ましくはメチル又はｔｅｒｔ−ブチルから選択される。］
から選択される請求項１〜７のいずれか１項に記載の使用方法。
【請求項９】
Ｒ３及びＲ４が、式Ｖ：
【化５】
2015529840.tif 000005
［式中、
ｕは、０〜１００の整数であり、
Ｒ８は、各々の繰り返し単位ｕごとに独立して、Ｈ、及び直鎖又は分岐のＣ１〜Ｃ２アルキル基から選択され、
Ｒ１０は、ヒドロキシ（−ＯＨ）、カルボキシ（−ＣＯ−ＯＨ又はその塩）、アミン（−ＮＨ２）、アミド（−ＣＯ−ＮＨ２）、スルホンアミド（−ＳＯ２−ＮＨ２）、スルホン酸塩（−ＳＯ２ＯＨ又はその塩）、硫酸塩（−ＯＳＯ２ＯＨ又はその塩）、ホスホン酸塩（−ＰＯ（ＯＨ）２又はその塩）、リン酸塩（−Ｏ−ＰＯ（ＯＨ）２、又はその塩）から選択される。］
から選択される請求項１〜７のいずれか１項に記載の使用方法。
【請求項１０】
前記基板が、３０ｎｍ以下の隙間を含む構造を含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の使用方法。
【請求項１１】
半導体基板を洗浄するための請求項１〜１０のいずれか１項に記載の使用方法。
【請求項１２】
フォトリソグラフィ・マスクを洗浄するための請求項１〜１０のいずれか１項に記載の使用方法。
【請求項１３】
集積回路デバイス、光学デバイス、マイクロマシン及び機械的精度デバイスを製造するための方法であって、前記方法が、
（ａ）基板を供給する工程、
（ｂ）前記基板にフォトレジスト層を供給する工程、
（ｃ）前記フォトレジスト層を、浸液あり又は浸液なしで、マスクを介して化学線で露光する工程、
（ｄ）前記基板を、少なくとも１回、フォトレジストを現像するための現像組成物と接触させ、３２ｎｍ以下のライン−スペース寸法及び、２より大きいアスペクト比を有するパターンを得る工程、
（ｅ）前記基板を、少なくとも１回、水性洗浄組成物と接触させる工程、
を含み、
工程（ｅ）の前記洗浄組成物の少なくとも１種が、式（Ｉ）のジェミニ添加剤を含む方法。
【請求項１４】
前記パターニングされた材料層が、非フォトレジスト構造について３２ｎｍ以下のライン−スペース寸法及び１０より大きいアスペクト比、及びフォトレジスト構造について、２より大きいアスペクト比を有している請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記パターニングされた材料層が、パターニングされた現像されたフォトレジスト層、パターニングされたバリア材料層、パターニングされたマルチスタック材料層及びパターニングされた誘電材料層からなる群から選択される請求項１３〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記組成物が、溶液の全部の質量に基づいて、０．０００５〜１質量％の前記ジェミニ添加剤を含む請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板が、以下の工程：
（ｉ）基板に液浸フォトレジスト層、極紫外線（ＥＵＶ）フォトレジスト層、又は電子線（ｅＢｅａｍ）フォトレジスト層を供給する工程、
（ｉｉ）フォトレジスト層を、浸液あり又は浸液なしで、マスクを介して化学線で露光する工程、
（ｉｉｉ）前記露光したフォトレジスト層を、現像剤溶液で現像し、３２ｎｍ以下のライン−スペース寸法及び、２より大きいアスペクト比を有するパターンを得る工程、
（ｉｖ）化学的すすぎ溶液を、前記現像されたパターニングされたフォトレジスト層へ塗布する工程、及び
（ｖ）前記化学的すすぎ溶液の塗布後、前記半導体基板をスピン乾燥する工程、
を含み、
以下の：前記浸液、及び前記化学的すすぎ溶液の少なくとも１種が、ジェミニ添加剤を含む水性溶液である、
フォトリソグラフィプロセスによって供給される請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
パターン崩壊を防止するため、ラインエッジラフネスを低減するため、ウォーターマーク欠陥を防止及び除去するため、及び粒子を除去することによって欠陥を低減するために使用されることを特徴とする請求項１３〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記集積回路デバイスが、大規模集積（ＬＳＩ）、極大規模集積（ＶＬＳＩ）又は超大規模集積（ＵＬＳＩ）を有する集積回路を含むことを特徴とする請求項１３〜１８のいずれか１項に記載の方法。