【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセルであって、
受光おもて側およびエミッタおよびベース領域を有する裏側を含む結晶半導体基板と、
前記結晶基板の裏側上にエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンを有する第１の導電性メタライゼーション層と、
前記第１の導電性メタライゼーション層に張り付けられ、前記第１の導電性メタライゼーション層を第２の導電性メタライゼーション層から電気的に絶縁する電気絶縁層と、
前記電気絶縁層上にあって、前記電気絶縁層のビアを通じて前記第１の導電性メタライゼーション層に接続された第２の導電性メタライゼーション層と、
を備え、エミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンを有する前記第２の導電性メタライゼーション層が、前記第１の導電性メタライゼーション層と直交して整列されており、前記第２の導電性メタライゼーション層のエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられた前記パターンにおける電極の数が、前記第１の導電性メタライゼーション層のエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられた前記パターンにおける電極の数よりも少ない、裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項２】
前記第２の導電性メタライゼーション層におけるエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンの電極の数が、前記第１の導電性インターコネクト層におけるエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンの電極の数よりも約５〜５０倍の範囲で少ない、請求項１に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項３】
前記第１の導電性メタライゼーション層のベース金属幅比が、約３０％〜５０％の範囲であり、前記第２の導電性メタライゼーション層が直交フィンガの少なくとも１つのペアを含む、請求項１に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項４】
前記第１の導電性メタライゼーション層のベース金属幅比が、約３０％〜５０％の範囲であり、前記第２の導電性メタライゼーション層が直交フィンガの３〜４つのペアを含む、請求項３に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項５】
裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法であって、
受光おもて側およびパターン形成したエミッタおよびベース領域を有する裏側を含む結晶半導体基板の裏側にベース電極およびエミッタ電極の互いに組み合わせられたパターンを有する導電性金属の第１の層を形成するステップと、
前記導電性金属の第１の層に電気絶縁層を形成し、前記電気絶縁層が前記導電性金属の第１の層と導電性金属の第２の層との間に電気絶縁を提供するようにするステップと、
前記導電性金属の第１の層へのアクセスを可能にするよう、前記電気絶縁層に穴を形成するステップと、
前記穴を通じて前記導電性金属の第１の層に接触する導電性金属の第２の層を前記電気絶縁層上に形成するステップと、
を含み、エミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンを有する前記導電性金属の第２の層が、前記導電性金属の第１の層に直交して形成され、前記導電性金属の第２の層のエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられた前記パターンにおける電極の数が、前記導電性金属の第１の層のエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられた前記パターンにおける電極の数よりも少ない、裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項６】
前記導電性金属の第２の層におけるエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンの電極の数が、前記導電性金属の第１の層におけるエミッタ電極およびベース電極の互いに組み合わせられたパターンの電極の数よりも約５〜５０倍の範囲で少ない、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記導電性金属の第１の層が、約３０％〜５０％の範囲のベース金属幅比を有するパターンで形成され、前記導電性金属の第２の層が直交フィンガの少なくとも２つのペアを含むパターンで形成される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項８】
前記導電性金属の第１の層が、約３０％〜５０％の範囲のベース金属幅比を有するパターンで形成され、前記導電性金属の第２の層が直交フィンガの３または４つのペアを含むパターンで形成される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項９】
前記導電性金属の第１の層が、プラズマスパッタリングによって堆積され、レーザアブレーションを用いてパターン形成される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項１０】
前記導電性金属の第１の層が、スクリーン印刷プロセスを用いて堆積される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項１１】
前記導電性金属の第１の層が、インクジェット印刷プロセスを用いて堆積される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項１２】
前記導電性金属の第１の層が、エアロゾルジェット印刷プロセスを用いて堆積される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項１３】
前記導電性金属の第１の層が、ステンシル印刷プロセスを用いて堆積される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項１４】
前記電気絶縁層が、薄い絶縁層のダイレクト印刷によって形成される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項１５】
前記電気絶縁層が、薄い絶縁層の堆積によって形成される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項１６】
前記電気絶縁層が、薄いプリプレグシートのラミネーションによって形成される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項１７】
前記プリプレグシート内の穴が、該プリプレグシートを貫通して開孔される、請求項１６に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項１８】
前記プリプレグ層のラミネーションの前に前記第１の導電性メタライゼーション層上で前記穴の所定の位置に位置付けられるように金属パッドを堆積するステップをさらに含む、請求項１７に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項１９】
前記導電性金属の第２の層が、前記電気絶縁層上にシード層を堆積させ、該シード層をメッキすることにより形成される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項２０】
前記導電性金属の第２の層が、パターン形成した金属箔シートを張り付けることにより形成される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項２１】
前記導電性金属の第２の層が、金属箔シートを張り付けて、ダイレクトカットを用いて前記金属箔シートをパターニングすることにより形成される、請求項５に記載の裏面コンタクトソーラーセルを形成する方法。
【請求項２２】
前記第１の導電性メタライゼーション層が、少なくとも一つの酸化層を通して、前記エミッタ及びベース領域と接触している、請求項１に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項２３】
前記電気絶縁層がプリプレグ層である、請求項１に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項２４】
前記プリプレグ層がアラミド繊維及び樹脂を含む、請求項１に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項２５】
前記電気絶縁層を通過する前記ビアに対して所定の位置に位置決めされた金属パッドを、前記第１の導電性メタライゼーション層にさらに有する、請求項１に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項２６】
前記第１の導電性メタライゼーション層がアルミニウムを含む、請求項１に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項２７】
前記第２の導電性メタライゼーション層がアルミニウムを含む、請求項２６に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項２８】
前記第２の導電性メタライゼーション層が銅を含む、請求項２６に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項２９】
前記第２の導電性メタライゼーション層の厚さが、7.5μmか、それ以下である、請求項２６に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項３０】
前記第２の導電性メタライゼーション層がアルミニウムを含む、請求項１に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。
【請求項３１】
前記第２の導電性メタライゼーション層が銅を含む、請求項１に記載の裏面コンタクト結晶半導体ソーラーセル。