【手続補正書】
【提出日】平成28年6月10日(2016.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ構造体と、
前記ナノ構造体の表面に結合したＣ５−Ｃ８カルボン酸配位子と、を含み、
前記ナノ構造体がＩｎＰ／ＺｎＳxＳｅ1-x／ＺｎＳコア／シェル量子ドット［式中、０＜ｘ＜１］である、組成物。
【請求項２】
０．２５≦ｘ≦０．７５である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ナノ構造体の表面に結合したジカルボン酸またはポリカルボン酸配位子をさらに含み、前記ジカルボン酸またはポリカルボン酸配位子はドデセニルコハク酸である、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
コア／シェルナノ構造体の生成の方法が、
ナノ構造体コアを準備する工程と、
前記コアを取り巻くシェルを生成する工程と、を含み、
前記シェルが少なくとも２層を含み、１種または複数の前駆体を準備し、Ｃ５−Ｃ８カルボン酸配位子の存在下で前記前駆体を反応させて前記シェルを生成する工程が、１種または複数の前駆体の第１の組を準備し、Ｃ５−Ｃ８カルボン酸配位子の存在下で前記前駆体を反応させて前記シェルの第１の層を生成する工程と、次いで、１種または複数の前駆体の第２の組を準備し、Ｃ５−Ｃ８カルボン酸配位子の存在下で前記前駆体を反応させて前記シェルの第２の層を生成する工程とを含み、前記第１の層がＺｎＳxＳｅ1-x［式中、０≦ｘ≦１］を含み、前記第２の層がＺｎＳを含む、方法。
【請求項５】
０．２５≦ｘ≦０．７５である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記前駆体の第１の組がジエチル亜鉛、ビス（トリメチルシリル）セレニドおよびヘキサメチルジシルチアンを含み、前記前駆体の第２の組がジエチル亜鉛およびヘキサメチルジシルチアンを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
ナノ構造体の集団を含む組成物であって、その集団が７０％以上のフォトルミネセンス量子収率を示し、前記集団のフォトルミネセンススペクトルが５０ｎｍ以下のピーク半値幅を有し、前記ナノ構造体がＩｎＰ／ＺｎＳxＳｅ1-x／ＺｎＳコア／シェル量子ドット［式中、０＜ｘ＜１］である、組成物。
【請求項８】
０．２５≦ｘ≦０．７５である、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記ＩｎＰコアが、約１５Åから約２０Åの間の平均直径を有する、請求項７に記載の組成物。
【請求項１０】
前記ＺｎＳxＳｅ1-xシェルが約０．５の単層厚さであり、前記ＺｎＳシェルが約２．０の単層厚さである、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
配位子が非分岐アルキルカルボン酸である、前記ナノ構造体に結合したＣ５−Ｃ８カルボン酸配位子を含む、請求項７に記載の組成物。
【請求項１２】
前記ナノ構造体に結合したジカルボン酸またはポリカルボン酸配位子を含む、請求項１１に記載の組成物。
【請求項１３】
ナノ構造体の集団を含む組成物であって、その集団が７５％以上のフォトルミネセンス量子収率を示し、前記ナノ構造体がＩｎＰ／ＺｎＳxＳｅ1-x／ＺｎＳコア／シェル量子ドット［式中、０＜ｘ＜１］であり、実質的にＧａを含まず、前記集団のフォトルミネセンススペクトルが、５００ｎｍから５６０ｎｍの間の発光最大値を有し、６０ｎｍ以下のピーク半値幅を有する、組成物。
【請求項１４】
前記集団が８５％以上のフォトルミネセンス量子収率を示す、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
０．２５≦ｘ≦０．７５である、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１６】
前記ＩｎＰコアが約１５Åから約２０Åの間の平均直径を有する、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１７】
前記ＺｎＳxＳｅ1-xシェルが約０．５の単層厚さであり、前記ＺｎＳシェルが約２．０の単層厚さである、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
ナノ構造体の集団を含む組成物であって、その集団が６５％以上のフォトルミネセンス量子収率を示し、前記集団のフォトルミネセンススペクトルが６００ｎｍから６５０ｎｍの間の発光最大値を有し、構成要素のナノ構造体はＩｎＰ／ＺｎＳxＳｅ1-x／ＺｎＳコア／シェル量子ドット［式中、０＜ｘ＜１］を含む、組成物。
【請求項１９】
０．２５≦ｘ≦０．７５である、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
前記ＩｎＰコアが、約２５Åから約３０Åの間の平均直径を有する、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２１】
前記ＺｎＳxＳｅ1-xシェルが約０．５の単層厚さであり、前記ＺｎＳシェルが約２．０の単層厚さである、請求項２０に記載の組成物。
【請求項２２】
配位子が非分岐アルキルカルボン酸である、前記ナノ構造体に結合したＣ５−Ｃ８カルボン酸配位子を含む、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２３】
前記ナノ構造体に結合したジカルボン酸またはポリカルボン酸配位子を含む、請求項２２に記載の組成物。
【請求項２４】
ＩｎＰ／ＺｎＳxＳｅ1-x／ＺｎＳコア／シェル量子ドット［式中、０．２５≦ｘ≦０．７５］の集団であって、前記ＺｎＳxＳｅ1-xシェルが約０．３から約１．０の間の単層厚さであり、前記ＺｎＳシェルが約１．０から約３．０の間の単層厚さである、集団。
【請求項２５】
前記ＺｎＳxＳｅ1-xシェルが約０．５の単層厚さであり、前記ＺｎＳシェルは約２．０の単層厚さである、請求項２４に記載の集団。
【請求項２６】
前記ＩｎＰコアが、約１５Åから約２０Å、または約２５Åから約３０Åの間の平均直径を有する、請求項２４に記載の集団。
【請求項２７】
シェルが少なくとも２層を含むコア／シェルナノ構造体の生成の方法であって、  ＩｎＰナノ構造体コアを準備する工程と、
１種または複数の前駆体の第１の組を準備し、前記前駆体を反応させて、ＺｎＳxＳｅ1-x［式中、０．２５≦ｘ≦０．７５］を含む前記シェルの第１の層を生成する工程と、
１種または複数の前駆体の第２の組を準備し、前記前駆体を反応させて、ＺｎＳを含む前記シェルの第２の層を生成する工程と
を含む、方法。
【請求項２８】
前記ＩｎＰコアが、約１５Åから約２０Å、または約２５Åから約３０Åの間の平均直径を有する、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記前駆体の第１の組がジエチル亜鉛、ビス（トリメチルシリル）セレニドおよびヘキサメチルジシルチアンを含み、前記前駆体の第２の組がジエチル亜鉛およびヘキサメチルジシルチアンを含む、請求項２７に記載の方法。
【請求項３０】
ナノ構造体の生成の方法であって、
溶液中でＩｎＰナノ構造体を生成する工程と、
前記ＩｎＰナノ構造体が生成された前記溶液から前記ＩｎＰナノ構造体を取り出す工程と、
少なくとも１種の溶媒中で前記ＩｎＰナノ構造体を懸濁し、前記懸濁したナノ構造体を、Ｉｎを含む第１の前駆体と接触させる工程と
を含む、方法。
【請求項３１】
前記ＩｎＰナノ構造体が、約１５Åから約２０Å、または約２５Åから約３０Åの間の平均直径を有する、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記第１の前駆体がカルボン酸インジウムまたはラウリン酸インジウムである、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記懸濁したナノ構造体を前記第１の前駆体と接触させた後、１種または複数の第２の前駆体を添加し、前記第２の前駆体を反応させてシェルを形成する工程を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
ナノ構造体配位子を添加し、前記配位子の存在下で前記第２の前駆体を反応させてシェルを形成する工程を含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記配位子がＣ５−Ｃ８カルボン酸配位子である、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記シェルを形成した後に、前記配位子をジカルボン酸またはポリカルボン酸配位子と交換する工程を含む、請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】
１種または複数の第２の前駆体を添加し前記第２の前駆体を反応させて前記シェルを形成する工程が、
１種または複数の第２の前駆体の第１の組を準備し、それらを反応させてＺｎＳxＳｅ1-x［式中、０．２５≦ｘ≦０．７５］を含む、前記シェルの第１の層を生成する工程と、
１種または複数の第２の前駆体の第２の組を準備し、それらを反応させてＺｎＳを含む、前記シェルの第２の層を生成する工程とを含み、
前記２の前駆体の第１の組がジエチル亜鉛、ビス（トリメチルシリル）セレニドおよびヘキサメチルジシルチアンを含み、前記第２の前駆体の第２の組はジエチル亜鉛およびヘキサメチルジシルチアンを含む、請求項３３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ナノ構造体を含む組成物およびナノ構造体を生成する方法