【手続補正書】
【提出日】平成28年3月24日(2016.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元誘電泳動（ＤＥＰ）ソーティングデバイスであって、デバイスは：
第一電極層；
第二電極層；
第一電極層と第二電極層との間に介在し、第一サブ層、及び第二サブ層を有する電気絶縁層；
第一サブ層に位置する第一通路；及び
第二サブ層に位置する第二通路を含み、
第一電極層、第二電極層、及び電気絶縁層は、実質的に平面の組み立てを形成し、
第一電極層は、第二サブ層からの第一サブ層の反対側であり、
第二電極層は、第一サブ層からの第二サブ層の反対側であり、
第一通路、及び第二通路は、電気絶縁層のＤＥＰ分離領域内の共通路を進み、ＤＥＰ分離領域内で互いに直接の流体連結であり、
第一通路、及び第二通路は各々、共通路に垂直であり、且つ実質的に平面の組み立ての法線に垂直である異なる断面幅を有し、
第一通路は、ＤＥＰ分離後領域において第二通路から分岐し、ＤＥＰ分離後領域がＤＥＰ分離領域の下流に位置する、３次元誘電泳動（ＤＥＰ）ソーティングデバイス。
【請求項２】
電気絶縁層の第三サブ層；及び
第三サブ層に位置する第三通路をさらに含み、
第二サブ層は、第一サブ層と第三サブ層との間に介在し、
第三サブ層は、第二サブ層と第二電極層との間に介在し、
第三通路は、ＤＥＰ分離領域内で共通路を進み、ＤＥＰ分離領域内で第二通路と直接の流体連結であり、
第三通路は、共通路に垂直な、且つ、実質的に平面の組み立ての法線に垂直な、第二通路の断面幅とは異なる断面幅を有し、
第三通路は、ＤＥＰ分離後領域において第二通路から分岐する、請求項１に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項３】
第二通路の断面幅が、第一通路、及び第三通路の断面幅よりも小さい、請求項２に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項４】
第二通路の断面幅が、第一通路、及び第三通路の断面幅よりも大きい、請求項２に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項５】
第一通路、第二通路、及び第三通路は、共通路に垂直な、且つ実質的に平面の組み立てに平行な方向において、実質的に互いに中央に配される、請求項２から４の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項６】
一以上の追加の通路をさらに含み、各々が追加のサブ層に位置し、
一以上の追加の通路は、第三通路を含み、
一以上の追加の通路は、電気絶縁層のＤＥＰ分離領域内で共通路を進み、ＤＥＰ分離領域内で互いに、第一通路と、第二通路と直接の流体連結であり、
一以上の追加の通路は各々、共通路に垂直な、且つ実質的に平面の組み立ての法線に垂直な断面幅を有し、
各特定の追加の通路の断面幅は、特定の追加の通路に隣接する各追加の通路の断面幅とは異なり、
一以上の追加の通路の内の少なくとも一つは、ＤＥＰ分離後領域において第二通路から分岐する、請求項１に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項７】
第一電極層、及び第二電極層は、ＤＥＰ分離領域においてパターニングされた電極を含む、請求項１から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項８】
第一電極層、及び第二電極層は、電気絶縁層に面する導電性表面を備える実質的に平坦なプレートである、請求項１から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項９】
導電性表面が、電気絶縁層の実質的全てにわたって伸びる、請求項８に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項１０】
導電性表面は、第一通路の側壁と、ＤＥＰ分離領域とによって囲まれた領域、又は、第二通路の側壁と、ＤＥＰ分離領域とによって囲まれた領域において実質的に均一である、請求項８に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項１１】
導電性表面の内の一つ、又は両方が、厚さ２μｍ未満の非導電性コーティングによって被覆される、請求項８に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項１２】
電気絶縁層が、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）構造体である、請求項１から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項１３】
電気絶縁層が、複数の個別のＰＤＭＳ層を一緒に接合することによって形成されたポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）構造体である、請求項１から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項１４】
第一サブ層が、一以上の個別のＰＤＭＳ層によって形成され、
第二サブ層が、一以上の個別のＰＤＭＳ層によって形成される、請求項１３に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項１５】
電気絶縁層が、異なる材料の組み合わせを含む複合構造体である、請求項１３に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項１６】
電気絶縁層が、ＰＤＭＳにおいて浮遊する非ＰＤＭＳ材料を含む複合構造体である、請求項１５に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項１７】
第一サブ層が、およそ１μｍから１００μｍの厚さを有し、第二サブ層が、およそ１０μｍから１００μｍの厚さを有する、請求項１から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項１８】
第一サブ層が、およそ１００μｍから５００μｍの厚さを有し、第二サブ層が、およそ１００μｍから５００μｍの厚さを有する、請求項１から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項１９】
第一通路が、少なくとも１μｍの断面幅を有し、第二通路及び第二通路が、少なくとも２μｍの断面幅を有する、請求項１から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項２０】
第一通路が、１μｍ未満の断面幅を有し、第二通路が、２μｍ未満の断面幅を有する、請求項１から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項２１】
第一通路、及び第三通路が、異なる断面幅を有する、請求項２から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項２２】
第一通路、第二通路、及び第三通路が、ＤＥＰ分離領域内で実質的に脇道“Ｈ”の形状である集合体の断面を有し、それによって、交流電圧が第一電極層と第二電極層との間に適用される際に、流体に取り込まれる正のＤＥＰを備える微粒子、又はセルをソーティング通路に集めさせる、請求項２から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項２３】
第一通路、第二通路、及び第三通路が、ＤＥＰ分離領域内で実質的に“＋”の形状である集合体の断面を有し、それによって、交流電圧が第一電極層と第二電極層との間に適用される際に、流体に取り込まれる負のＤＥＰを備える微粒子、又はセルをソーティング通路に集めされる、請求項１から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項２４】
第一電極層、及び第二電極層にわたる交流（ＡＣ）電圧の適用が、ＤＥＰ分離領域内で第一通路、及び第二通路を通って流れる流体内で不均一な電磁場を発達させ、不均一な電磁場が、第一通路、又は第二通路の内の一つへ向かって偏る強度を有する、請求項１から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項２５】
３次元ＤＥＰソーティングデバイスが、手動操作デバイスに組み込まれる、請求項１から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項２６】
３次元ＤＥＰソーティングデバイスが、ソーティングデバイスの第一通路、及び第二通路を通って流体サンプルを送るように構成された手動ポンプデバイスに結合される、請求項１から４及び６の何れか一項に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項２７】
３次元誘電泳動（ＤＥＰ）ソーティングデバイスであって、デバイスは：
第一電極；
第二電極；及び
第一電極と第二電極との間に挟まれた電気絶縁層を含み、
電気絶縁層は、第一電極と第二電極とによって部分的に囲まれた壁を備える分離通路を含み、
電気絶縁層は、断面厚さが分離通路よりも小さく、第一電極と第二電極との間の電極間位置に位置する収集通路を含み、
分離通路は、誘電泳動効果を引き起こして、反応するセル又は微粒子を、収集通路の電極間位置に実質的に相当する、第一電極と第二電極との間の位置に引き寄せる電磁場を製造するように形成され、
収集通路、及び分離通路は、分離通路において第一電極と第二電極との間の電極間位置に引き寄せられるセル又は微粒子が、その後、収集通路内に流れるように構成される、３次元誘電泳動（ＤＥＰ）ソーティングデバイス。
【請求項２８】
３次元誘電泳動（ＤＥＰ）ソーティングデバイスであって、デバイスは：
第一電極；
第二電極；及び
第一電極と第二電極との間に挟まれた電気絶縁層を含み、
電気絶縁層は：
第一電極と第二電極とによって部分的に画定された断面を有する流体流路と、
デバイスのＤＥＰ分離領域内で流体流路に平行であり、第一の薄い、変形可能な壁によって流体流路から離隔される第一側通路と、
ＤＥＰ分離領域内で流体流路に平行であり、第二の薄い、変形可能な壁によって流体流路から離隔される第二側通路と、を含み、
第一側通路、及び第二側通路は、流体流路から密閉され、
第一側通路、及び第二側通路への加圧ガス、又は流体の適用は、第一の薄い、変形可能な壁、及び第二の薄い、変形可能な壁を流体流路内へ膨張させる、３次元誘電泳動（ＤＥＰ）ソーティングデバイス。
【請求項２９】
第一側通路、及び第二側通路を真空に引くことが、第一の薄い、変形可能な壁、及び第二の薄い、変形可能な壁を側通路へ膨張させる、請求項２８に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項３０】
側通路が、液体又はゲルで満たされる、請求項２８又は２９に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項３１】
液体又はゲルが、圧縮された後に固体形状へと硬化されるので、薄い、変形可能な壁を流体流路内へと膨張させる、又は、真空を受けるので、薄い、変形可能な壁を側通路内へ膨張させる、請求項３０に記載の３次元ＤＥＰソーティングデバイス。
【請求項３２】
ａ）正のモールド上に第一の未硬化のＰＤＭＳゲルを堆積する段階；
ｂ）正のモールドと、ＰＤＭＳの弾性率よりも実質的に大きい弾性率を備えるプレート、及び正のモールドに面するプレートの側面上にＰＤＭＳの薄層を有するスタンピングと、の間で第一の未硬化のＰＤＭＳゲルを圧縮する段階；
ｃ）第一の未硬化のＰＤＭＳゲルをＰＤＭＳ層へと硬化する段階；
ｄ）正のモールドからＰＤＭＳ層を取り外す段階であって、ＰＤＭＳ層は、取り外し前に正のモールドと関わりあったモールド界面を有する段階；
ｅ）ＰＤＭＳ層を受容面へ移動する段階；
ｆ）ＰＤＭＳ層のモールド界面の一部を受容面に接合する段階；及び
ｇ）ＰＤＭＳスタンピングからＰＤＭＳ層を取り外す段階、を含む、多層ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）マイクロ流体構造体の製造方法。
【請求項３３】
追加のＰＤＭＳ層のために、段階ａ）からｇ）を繰り返す段階をさらに含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
ＰＤＭＳの薄層が、５００μｍ未満の厚さである、請求項３２又は３３に記載の方法。
【請求項３５】
ＰＤＭＳの薄層が、１０μｍから３０μｍの間の厚さである、請求項３２又は３３に記載の方法。
【請求項３６】
第二の未硬化のＰＤＭＳゲルによってプレートをスピンコーティングしてＰＤＭＳの薄層を形成する段階；及び
第二の未硬化のＰＤＭＳゲルを硬化する段階、をさらに含む、請求項３２又は３３に記載の方法。
【請求項３７】
第二の未硬化のＰＤＭＳゲルが、それに加えられる白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン（Ｃ８Ｈ１８ＯＰｔＳｉ２）を有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
第二の未硬化のＰＤＭＳゲルが、ＰＤＭＳゲルに関する標準的な硬化剤に加えて、それに加えられる白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン（Ｃ８Ｈ１８ＯＰｔＳｉ２）を有する、請求項３６に記載の方法。
【請求項３９】
白金−ジビニルテトラメチルジシロキサンが、標準的なＰＤＭＳ硬化剤の一部である、請求項３７に記載の方法。
【請求項４０】
白金−ジビニルテトラメチルジシロキサンが、１０ｇのＰＤＭＳ基材、及び１ｇのＰＤＭＳ硬化剤当たり、１６μＬから２０μＬの間の量で加えられる、請求項３７に記載の方法。
【請求項４１】
ＰＤＭＳの薄層が、ＣＹＴＯＰ表面処理によって処理される、請求項３７に記載の方法。
【請求項４２】
ハイブリッドポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）スタンピングの製造方法であって、
ＰＤＭＳ基材へ硬化剤、及び白金触媒を加えることによってＰＤＭＳ基材を調整する段階であって、ＰＤＭＳ基材が、硬化の際に、硬化されたＰＤＭＳ剛性を有する段階と；
硬化されたＰＤＭＳの剛性よりも実質的に高い剛性を有するプレートをＰＤＭＳ基材によってスピンコーティングする段階と；
ＰＤＭＳ基材、硬化剤、及び白金触媒を柔らかいＰＤＭＳ層へと硬化する段階と、を含む、方法。
【請求項４３】
白金触媒が、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン（Ｃ８Ｈ１８ＯＰｔＳｉ２）である、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
白金−ジビニルテトラメチルジシロキサンが、硬化剤の一部である、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
白金−ジビニルテトラメチルジシロキサンが、硬化剤とは別のソースから加えられる、請求項４３に記載の方法。
【請求項４６】
白金−ジビニルテトラメチルジシロキサンが、１０ｇのＰＤＭＳ基材、及び１ｇのＰＤＭＳ硬化剤当たり、１６μＬから２０μＬの間の量で加えられる、請求項４３から４５の何れか一項に記載の方法。
【請求項４７】
ＰＤＭＳの薄層が、ＣＹＴＯＰ表面処理によって処理される、請求項４２から４６の何れか一項に記載の方法。