Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月20日(2016.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝によって分離された複数の脳回を伴う表面を有する大脳皮質を含む脳の少なくとも一部の電気活性を評価する方法であって、該方法は：
ａ）大脳皮質の表面の幾何構造を測定するために脳をコンピュータにより画像化する工程；
ｂ）少なくとも１つの超伝導量子干渉デバイスの複数のセンサーの少なくとも１つのアレイを使用して、複数の位置にある脳の周囲の複数の磁界強度をコンピュータにより測定する工程；
ｃ）脳の電気活性によって生成される少なくとも１つの磁界を定量化するために、センサーによって測定された磁界強度をコンピュータにより評価する工程；及び
ｄ）磁気の位相幾何学の皮質表面マップを作成するために、脳の電気活性によって生成される磁界を大脳皮質の表面上の少なくとも１つの位置に、コンピュータにより局地化する工程
を含む方法。
【請求項２】
工程ｂ）は単一の時点の間実行される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程ｂ）は複数の時点の間実行される、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つの刺激により脳をコンピュータにより刺激する工程を更に含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの刺激は、少なくとも１つの視覚刺激、少なくとも１つの聴覚刺激、少なくとも１つの触覚刺激、少なくとも１つの認知刺激、及びそれらの任意の組み合わせから成る群から選択される、ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
脳による反応と、正常な脳による既知の反応とを、コンピュータにより比較する工程を更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
脳による反応と、既知の異常状態を伴う異常な脳による既知の反応とを、コンピュータにより比較する工程を更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
コンピュータは、磁界のみを、大脳皮質の表面の溝により明確にされた脳回の１つ以上に局地化する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
磁気の皮質表面マップと、参照の磁気の皮質表面マップとを比較する工程を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
超伝導量子干渉デバイスであって、該デバイスは：
多くの超伝導量子干渉デバイス検出器のアレイであって、該アレイにおける検出器は、アレイの平面に垂直な軸に対して固定された角度にある、アレイ；及び
検出器からデータを受け取り、及び、溝の同側の距離との逆二乗の減衰並びに溝の反対側の距離との逆三乗の減衰に基づく磁界減衰に基づいて検出器の約５センチメートル以内で生成される磁界を測定する、プロセッサ
を含むデバイス。
【請求項１１】
電気活性によって生成される少なくとも１つの磁界に基づいて、脳の少なくとも一部の電気活性を表示する方法であって、該方法は：
脳の溝の上に集められる、ＳＱＵＩＤセンサーのアレイにより磁界をコンピュータにより検知する工程；及び
等高線地図として磁界に基づき電気活性をコンピュータにより図表で表示する工程
を含み；
ここで、等高線地図上の閉曲線は、均等な電位の点を表わす、方法。
【請求項１２】
電気活性のタイミングに対してスローモーションにある時間に対する、電気活性の変化を表示する工程を更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
閉曲線の積み重ねの高さは、測定された磁界の強度を表わす、ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
電気活性によって生成される少なくとも１つの磁界に基づいて、脳の少なくとも一部の電気活性を表示する方法であって、該方法は：
脳の溝の上に集められる、ＳＱＵＩＤセンサーのアレイにより磁界をコンピュータにより検知する工程；
磁界に対する刺激事象後に、試験潜在期での試験最大磁界の強度をコンピュータにより測定する工程；
試験最大磁界の強度及び試験潜在期と、刺激事象のため正常な被験体に関する正常な最大磁界の強度及び標準の潜在期とを、コンピュータにより比較する工程；及び
起点に位置していないデータポイントが正常な被験体に対する試験被験体の脳活動データの偏差を示すように、第一軸上に最大磁界強度及び第二軸上に時間を有する、二次元フォーマットグリッド上に試験最大磁界強度と試験潜在期を表わすデータポイント、及び、正常な最大磁界強度と標準時間を表わす起点を、コンピュータによりスクリーン上に表示する工程
を含む方法。
【請求項１５】
電気活性によって生成される磁界に基づいて、脳の少なくとも一部の電気活性を検知する方法であって、該方法は：
約０ヘルツ乃至約１００ヘルツの範囲内での周波数の検知に基づき、脳の溝の上に集められる、ＳＱＵＩＤセンサーアレイを備えた磁界をコンピュータにより検知する工程
を含む方法。
【請求項１６】
脳における局所のソースから距離に応じた全てのＳＱＵＩＤセンサーに関して、計算された残光特性に基づいてＳＱＵＩＤセンサーによって受けられる複数の信号を、コンピュータにより採点する工程；及び
ＳＱＵＩＤセンサーの全てに関する一般的強度を示す信号をコンピュータにより拒絶する工程を含む、脳の局所のソースの外部で生じていると測定された信号を、コンピュータにより除去する工程
を更に含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
電気活性によって生成される少なくとも１つの磁界に基づいて、試験被験体の脳の少なくとも一部の比較可能な電気活性を表示する方法であって、該方法は：
刺激事象後の、脳の溝の上に集められるＳＱＵＩＤセンサーのアレイにより脳活動データとして磁界をコンピュータにより検知する工程；
脳活動データの少なくとも現在の部分に関する脳活動データに関しての、刺激事象後の試験潜在期での試験最大磁界の強度をコンピュータにより測定する工程；
脳活動データの現在の部分の試験最大磁界の強度及び試験潜在期と、早期の時間で獲得される刺激事象に関する試験被験体の脳活動データのアナログ部分の以前の最大磁界の強度及び以前の潜在期とを、コンピュータにより比較する工程；及び
起点に位置していないデータポイントが早期の時間から試験被験体の脳活動データの変化を示すように、第一軸上に比較可能な磁界強度及び第二軸上に比較可能な潜在期を有する、二次元フォーマットグリッドに試験最大磁界強度と試験潜在期を表わすデータポイント、及び、以前の最大磁界強度と以前の潜在期を表わす起点を、コンピュータによりスクリーン上に表示する工程
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月23日(2016.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１材料を含み、かつ第１端部及び第２端部並びに外側主表面を有する細長いコアと、
第２材料を含み、かつ前記細長いコアの前記外側主表面の少なくとも一部分を覆う外側層と、を備え、
前記外側層は、第１平均密度ρ１を有する音波減衰部分と、第２平均密度ρ２を有するステム部分とを含み、かつ｜ρ２＞１．２ρ１｜である、耳栓。
【請求項２】
前記第２材料は、熱可塑性球状部を含む、請求項１に記載の耳栓。
【請求項３】
前記第１材料は、ポリプロピレン及びスチレン−エチレン−ブチレン−スチレン（ＳＥＢＳ）からなる群から選択される、請求項１に記載の耳栓。
【請求項４】
前記外側層は、前記細長いコアの前記第１端部から前記細長いコアの前記第２端部まで延びる、請求項１に記載の耳栓。
【請求項５】
第１材料を含み、かつ第１端部及び第２端部並びに外側主表面を有する細長いコアと、
第２材料を含み、かつ前記細長いコアの前記外側主表面の少なくとも一部分を覆う外側層と、を備え、
前記第２材料は、熱可塑性球状部を含む、耳栓。
【請求項６】
前記第２材料は、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン（ＳＥＢＳ）を含む、請求項５に記載の耳栓。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月1日(2016.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二軸方向に拡張された高分子チューブから形成されたバルーン拡張型スキャフォールドを備え、
前記スキャフォールドは、リンクによって相互接続された複数のリングの網状体を形成しており、
１つのリング当たり１２個のクラウン、および
実質的にすべての隣接するリング対を接続する最大２つのリンクを含み、
前記スキャフォールドの任意のリングについて、リンクに接続された各クラウンの各側に、同数の支持されないクラウンが存在し、
５〜６ｍｍの公称管腔直径を有する血管について、最大約０．５ｍｍ、約０．４ｍｍ〜０．６ｍｍ、または１ｍｍ未満の後期管腔損失があり、前記後期管腔損失が、身体の末梢血管内への医療器具の埋込み後１カ月以内に観察可能である、末梢血管に埋め込まれる医療器具。
【請求項２】
前記スキャフォールドが、半結晶構造を有する高分子チューブから形成され、前記高分子チューブが、押し出された高分子チューブが４００％を超える径方向延伸比率を用いて径方向に拡張されて、約１０ミクロン未満の径方向拡張後の平均結晶サイズを有する径方向に拡張されたチューブを製造するプロセスから得られる、請求項１に記載の器具。
【請求項３】
前記高分子がＰＬＬＡである、請求項２に記載の器具。
【請求項４】
前記スキャフォールドが６ｍｍの送達バルーンにクリンプされて、少なくとも７ｍｍの外径を有するチューブから切断される、請求項１に記載の器具。
【請求項５】
前記スキャフォールドが送達バルーンにクリンプされる、請求項１に記載の器具。
【請求項６】
前記スキャフォールドが約０．０１１インチの壁厚を有する、請求項１に記載の器具。
【請求項７】
前記スキャフォールドが１００ｍｍの長さと、３．５ｍｍの外壁直径を有する、請求項１に記載の器具。
【請求項８】
リング構造を形成するストラットのストラット幅の、壁厚に対するアスペクト比（ＡＲ）が約０．７である、請求項１に記載の器具。
【請求項９】
接続リンク幅の、壁厚に対するアスペクト比（ＡＲ）が約０．７である、請求項１に記載の器具。
【請求項１０】
バルーンにクリンプされる前の前記スキャフォールドのクラウン角度が約８０度である、請求項１に記載の器具。
【請求項１１】
第１のリングおよび第２のリングを接続する第１のリンク対が１８０度離れ、第２のリングを第３のリングに接続する第２のリンク対が１８０度離れて、前記第１の接続リンク対から９０度のところに配置される、請求項１に記載の器具。
【請求項１２】
前記スキャフォールドのセルが、各ＹクラウンとＷクラウンとの間に２つのＵ−クラウンを有し、ＷクラウンおよびＹクラウンを形成する前記リンクが互いに平行である、請求項１に記載の器具。
【請求項１３】
前記スキャフォールドがバルーンにクリンプされ、クリンプされたスキャフォールド構造が、
（１）前記スキャフォールドが、前記スキャフォールドの二軸方向拡張によって生じる、略径方向に位置合わせされた高分子鎖を有し、
（２）前記スキャフォールドが、開始直径またはクリンプ前直径から、その開始直径の少なくとも１／２〜１／３の直径までクリンプされることを特徴とする、請求項１に記載の器具。
【請求項１４】
前記スキャフォールドがＰＬＬＡから作製された、請求項１３に記載の器具。
【請求項１５】
前記スキャフォールドがクリンプ前に約８０度のクラウン角度を成し、クリンプ時に前記クラウン角度が１０度未満、または５度未満、または約０度になる、請求項１３に記載の器具。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月23日(2016.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アバットメントねじ（５６）によって骨レベル歯科インプラント（４０）に取り付けられるために適合された万能軟組織レベルアバットメント部（１０）を含むアバットメントシステム（１２）であって、
万能軟組織レベルアバットメント部（１０）が、骨レベル歯科インプラントが顎骨内に設置された直後に取り付けられて、骨レベル歯科インプラントに取り付けられたままであるように適合されており、
万能軟組織レベルアバットメント部（１０）が、軟組織（６４）に露出するために作られた外部表面（２８）を持ち、
万能軟組織レベルアバットメント部（１０）が、カバーねじ（７０）、印象用コーピング、又はバーのようなねじで保持された補綴要素を支持するように適合されており、
アバットメントシステムが
−  さらなるねじによって万能軟組織レベルアバットメント部に取り付けられた冠状アバットメント部（７２）によって支持された、セメントで保持された最終修復物（６６）、
及び
−  さらなるねじによって万能軟組織レベルアバットメント部に直接取り付けられた、ねじで保持された最終修復物（６８）、
の両方を選択的に支持するために適合されていることを特徴とするアバットメントシステム。
【請求項２】
アバットメントねじが冠状雌ねじ付き部（６２）を持ち、さらなるねじが、アバットメントねじの冠状雌ねじ付き部と係合するための尖状雄ねじ付き部（８８）を持つことを特徴とする請求項１に記載のアバットメントシステム。
【請求項３】
万能軟組織レベルアバットメント部が、万能軟組織レベルアバットメント部の冠状端（１４）の外周に平坦な周囲頂面（１８）を持つことを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載のアバットメントシステム。
【請求項４】
万能軟組織レベルアバットメント部が、万能軟組織レベルアバットメント部に取り付けられた要素の回転を防止するために万能軟組織レベルアバットメント部の冠状端に露出された少なくとも一つの指標要素（２２ａ−ｃ）を持つことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のアバットメントシステム。
【請求項５】
平坦な周囲頂面が円形内周（２０）を持ち、少なくとも一つの指標要素が、円形内周から尖状に延びる少なくとも一つの丸い突出部（２２ａ−ｃ）であることを特徴とする請求項３または４に記載のアバットメントシステム。
【請求項６】
外部表面が、万能軟組織レベルアバットメント部の冠状から尖状の方向に湾曲されていることを特徴とする請求項１に記載のアバットメントシステム。
【請求項７】
湾曲された外部表面が、より大きな冠状直径（Ｄ１）からより小さな尖状直径（Ｄ２）に、最初に凸状形状（３０ａ）で、次いで凹状形状（３０ｂ）で延びることを特徴とする請求項６に記載のアバットメントシステム。
【請求項８】
万能軟組織レベルアバットメント部が、骨レベル歯科インプラントの内部連結表面（５４）に対して接触するために適合された外部表面（３２）を持つことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のアバットメントシステム。
【請求項９】
異なる直径及び／または高さを持つ複数の万能軟組織レベルアバットメント部を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のアバットメントシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月20日(2016.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端部を有する中空管であって、電極が前記第１の端部に配設され、前記電極以外の前記中空管の導電性材料が前記中空管の外面から電気的に隔離されるように、絶縁体が前記中空管の長さにわたって設けられた、前記中空管と、
前記電極に電圧を提供するために前記電極に電気的に結合される導電接続部であって、医療デバイスが体内治療部位に配置された後に、前記中空管内に解放可能に挿入される、前記導電接続部と、
前記中空管から医療流体を分注する選択的に閉止可能な弁と、
を有する、複数の治療療法のための医療デバイス。
【請求項２】
前記電極は、導電性先端を形成するように前記端部以外で前記絶縁体によって被覆された導電性管を含むか、前記電極が、誘電体管を覆って形成された導電性コーティング又は箔であって、導電性先端を形成するように前記端部以外で前記絶縁体によって被覆された前記導電性コーティング又は箔を含むかの少なくとも一方である、請求項１に記載の医療デバイス。
【請求項３】
前記電極は、前記中空管の前記端部に取り付けられた導電性先端を含み、前記導電接続部が、前記導電性先端に接続されたワイヤを含む、請求項１に記載の医療デバイス。
【請求項４】
前記導電性先端が、前記ワイヤとの解放可能な接続を提供するために、内部ばね接点を含む、請求項３に記載の医療デバイス。
【請求項５】
前記内部ばね接点は、前記ワイヤの遠位端にあるプラグに係合する、請求項４に記載の医療デバイス。
【請求項６】
前記ワイヤが、前記導電性先端との解放可能な接続を提供するために、遠位端にばねコネクタを含む、請求項３に記載の医療デバイス。
【請求項７】
前記導電性先端は雌ねじを含み、前記ワイヤは、前記導電性先端との解放可能な接続を提供するために前記雌ねじに係合するためのねじ切り部分を含む、請求項３に記載の医療デバイス。
【請求項８】
前記導電接続部は、弾性シース内に配設されたセグメント化されたワイヤを含み、前記弾性シースを引っ張ることが、前記セグメント化されたワイヤのセグメントを離れさせ、前記弾性シースを解放することが、前記セグメントを再びつながらせる、請求項１に記載の医療デバイス。
【請求項９】
前記電極が、前記中空管の前記端部に形成されたストッパリングに係合する導電性先端を含み、前記ストッパリングと前記導電性先端が、前記選択的に閉止可能な弁を形成し、前記導電接続部が、前記導電性先端に接続されたワイヤを含む、請求項１に記載の医療デバイス。
【請求項１０】
前記中空管は、前記第１の端部に配設された前記電極から離隔された第２の電極を含み、前記第２の電極は、前記第２の電極に電圧を提供するために前記第２の電極に電気的に結合する第２の導電接続部に接続される、請求項１に記載の医療デバイス。
【請求項１１】
前記電極は、前記端部から延在する複数のワイヤを含み、前記複数のワイヤは、複数の電極を形成するように分割されている、請求項１に記載の医療デバイス。
【請求項１２】
前記選択的に閉止可能な弁は、前記医療デバイス内に少なくとも１つの開口を含む、請求項１に記載の医療デバイス。
【請求項１３】
高周波アブレーション、組織内照射療法、化学療法、及び電気化学療法のうちの２つ以上を使用して複合型の腫瘍治療を提供する、請求項１に記載の医療デバイス。
【請求項１４】
標的ボリューム内への放射線組織内照射療法用の線源の挿入のための中空管であって、前記中空管は、第１の端部を含み、少なくとも１つの導体が前記第１の端部に配設され、前記少なくとも１つの導体以外の前記中空管の導電性材料が前記中空管の外面から電気的に隔離されるように、絶縁体が前記中空管の長さにわたって設けられた、前記中空管と、
電気化学療法用の電界を提供するために、前記少なくとも１つの導体に電圧を提供するために前記少なくとも１つの導体に電気的に結合される導電接続部であって、医療デバイスが体内治療部位に配置された後に、前記中空管内に解放可能に挿入される、前記導電接続部と、
電気穿孔により組織での摂取を増加させるために電気化学療法中に、前記中空管から前記標的ボリュームに医療流体を分注する、選択的に閉止可能な弁と、
を有する、組織内照射療法と電気化学療法とによる複合型の腫瘍治療用の器具。
【請求項１５】
介入療法処置において治療モードを組み合わせるための方法であって、
第１の端部を有する中空管であって、少なくとも１つの導体が前記第１の端部に配設され、前記少なくとも１つの導体以外の中空管の導電性材料が前記中空管の外面から電気的に隔離されるように、絶縁体が前記中空管の長さにわたって設けられた、前記中空管と、前記少なくとも１つの導体に電圧を提供するために前記少なくとも１つの導体に電気的に結合される導電接続部であって、医療デバイスが体内治療部位に配置された後に、前記中空管内に解放可能に挿入される、前記導電接続部と、前記中空管から医療流体を分注する選択的に閉止可能な弁とを有する、医療デバイスを提供するステップと、
計画に従って、標的ボリュームにおける又は前記標的ボリューム内の第１の位置に前記医療デバイスを位置決めするステップと、
前記標的ボリュームを治療するために前記第１の位置で前記医療デバイスを使用して第１の治療モードを実施するステップと、
前記標的ボリュームを治療するために前記第１の位置で前記医療デバイスを使用して、前記第１の治療モードとは異なる第２の治療モードを実施するステップとを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月19日(2016.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
Ｄ２によって示す電源オン進行状態で、入力領域２１Ａはブランクのままであり、すなわち、入力領域２１Ａ内には何も表示されていない。この状態で、表示領域２１Ｂには、電池３２内に残っている電力の量を示すインジケータが提供される。このインジケータは、図８のＤ２に示すインジケータと同じであるが、より小さい寸法である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年7月6日(2016.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
布地（２）の洗浄工程及び、布地の乾燥工程のために布地（２）の布地の部分領域（１）を挟持することで保持するクリップ装置であり、そのクリップ装置は少なくとも２つの向かい合う、付勢装置によって閉鎖可能なクランプ面部材（４）を含み、
その付勢装置によって前記クランプ面部材（４）間に挿入された前記布地の部分領域（１）がクランプ面（５）に平行に延在しながら付勢力（９）の導入によって前記クランプ面部材（４）間に挟持され、前記クランプ面（５）の拡張面に、前記クランプ面部材（４）に対して不動に保持され、
前記クランプ面部材（４）が少なくとも前記布地の部分領域（１）と同じ大きさの表面積を持つクランプ面（５）を有し、
その布地の部分領域（１）が、場合により予定された折り目を含む、前記布地の特定の製作されるべき平滑な予定された面に相当するため、前記布地の部分領域（１）が製作されるべき形状で前記クランプ面部材（４）の間に挿入され、
そのとき前記クリップ装置は、前記布地の部分領域の洗浄のために流体及び／又は洗剤を前記布地の部分領域に塗着するため、又は平滑にして乾燥するために空気を前記布地の部分領域に送るためのノズルを含むことを特徴とするクリップ装置。
【請求項２】
前記クリップ装置が前記流体及び／又は前記洗剤を前記布地の部分領域から除去するための排水装置を含むことを特徴とする、請求項１から２のいずれか一項に記載のクリップ装置。
【請求項３】
前記クランプ面が、前記クランプ面部材間に挟持された前記布地の部分領域の前記クリップ装置に対する相対摺動を阻止する面と共に形成され、そのときクランプ面及び布地の部分領域が接触の際に高静止摩擦数及び高運動摩擦数を有することを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載のクリップ装置。
【請求項４】
前記布地の部分領域を含み、その布地が請求項１から３のいずれか一項に従い、前記クリップ装置に保持され、
前記布地の部分領域の挟持によって前記クリップ装置に保持された前記布地を、洗浄領域及び場合によっては乾燥領域の中を移動させることを特徴とする布地の洗浄及び／又は平滑にして乾燥する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月12日(2016.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号３と少なくとも９０％の同一性を有するアミノ酸配列を含む、タンパク質を細胞表面に輸送するのに有用なＮ末端アミノ酸配列。
【請求項２】
配列番号３を含む、請求項１に記載の、タンパク質を細胞表面に輸送するのに有用なＮ末端アミノ酸配列。
【請求項３】
（ｉ）Ｆｌａｇタグ及び任意でさらにＲｈｏタグをさらに含み、場合によって、ＦｌａｇタグとＲｈｏタグとの間にリンカーをさらに含む；又は
（ｉｉ）Ｒｈｏタグをさらに含む、
請求項１又は２に記載の配列。
【請求項４】
配列番号１に示されるヌクレオチド配列。
【請求項５】
配列番号２のアミノ酸配列をコードするヌクレオチド配列。
【請求項６】
配列番号２に示されるアミノ酸配列。
【請求項７】
タンパク質の表面発現を増大するためのシステムであって、
ａ．（ｉ）請求項４若しくは５に記載のヌクレオチド配列、又は
（ｉｉ）請求項１〜３及び６のいずれか一項に記載の配列をコードするヌクレオチド配列
を含む、ベクター；並びに
ｂ．前記タンパク質の細胞表面への発現、シグナル伝達及び／又は輸送を補助するシャペロンタンパク質をコードするベクター
を含む、システム。
【請求項８】
（ｉ）前記タンパク質が、嗅覚受容体である；
（ｉｉ）前記シャペロンタンパク質が、受容体輸送タンパク質であり、場合によっては、ＲＴＰＬ１、ＲＴＰ１Ｓ及びＲＴＰ２からなる群より選択される；
（ｉｉｉ）前記シャペロンタンパク質が、受容体発現増強タンパク質（ＲＥＥＰ）である；
（ｉｖ）前記シャペロンタンパク質が、β−アドレナリン作動性受容体である；
（ｖ）前記シャペロンタンパク質が、熱ショックタンパク質７０ホモログである；
（ｖｉ）前記シャペロンタンパク質が、Ｒｉｃ８ｂである；
（ｖｉｉ）前記シャペロンタンパク質が、嗅覚Ｇタンパク質（Ｇαｏｌｆ）である；又は
（ｖｉｉｉ）任意で細胞株をさらに含む、
請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
ａ．配列番号３をコードするヌクレオチド配列を含むベクター；
ｂ．ＲＴＰ１Ｓをコードするベクター；
ｃ．Ｒｉｃ８ｂをコードするベクター；及び
ｄ．Ｇαｏｌｆをコードするベクター
を含む、タンパク質の表面発現を増大するためのシステム。
【請求項１０】
ステップ（ａ）の前記ベクターが、Ｆｌａｇタグをコードするヌクレオチド配列をさらに含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
ステップ（ａ）の前記ベクターが、Ｒｈｏタグをコードするヌクレオチド配列をさらに含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
ステップ（ａ）の前記ベクターが、Ｒｈｏタグをコードするヌクレオチド配列をさらに含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
ステップ（ａ）の前記ベクターが、ＦｌａｇタグとＲｈｏタグとの間にリンカーをさらに含む、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
ａ．配列番号２をコードするヌクレオチド配列を含むベクター；
ｂ．ＲＴＰ１Ｓをコードするベクター；
ｃ．Ｒｉｃ８ｂをコードするベクター；及び
ｄ．Ｇαｏｌｆをコードするベクター
を含む、タンパク質の表面発現を増大するためのシステム。
【請求項１５】
ａ．配列番号２をコードするヌクレオチド配列を含むベクター；
ｂ．ＲＴＰ１Ｓをコードするベクター；
ｃ．Ｒｉｃ８ｂをコードするベクター；及び
ｄ．Ｇαｏｌｆをコードするベクター
を含む、嗅覚受容体の表面発現を増大するためのシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
別の態様において、本発明は、タンパク質の表面発現を増大するためのシステムを提供する。一実施形態において、このシステムは、（ａ）（ｉ）本明細書で記載されるヌクレオチド配列又は（ｉｉ）本明細書で記載されるアミノ酸配列をコードするヌクレオチド配列；並びに（ｂ）タンパク質の細胞表面への発現、シグナル伝達及び／又は輸送を補助するシャペロンタンパク質をコードするベクターを含む。特定の実施形態において、タンパク質は、嗅覚受容体である。このシステムは、ステップ（ａ）のベクターに目的のタンパク質をコードする配列をクローニングするのに使用できる。特定の実施形態において、シャペロンタンパク質は、受容体輸送タンパク質である。受容体輸送タンパク質は、ＲＴＰＬ１、ＲＴＰ１Ｓ、及びＲＴＰ２からなる群から選択され得る。別の実施形態において、シャペロンタンパク質は、受容体発現増強タンパク質（ＲＥＥＰ）である。さらに別の実施形態において、シャペロンタンパク質は、β−アドレナリン作動性受容体である。これはまた、熱ショックタンパク質７０ホモログであってもよい。特定の実施形態において、シャペロンタンパク質は、Ｒｉｃ８ｂである。シャペロンタンパク質はまた、嗅覚Ｇタンパク質（Ｇαｏｌｆ）であってもよい。このシステムは、これらに限定されないがＲＴＰ１Ｓ、Ｒｉｃ８及びＧαｏｌｆなど上述したものの任意の組合せを利用していてもよい。ベクターは、１つ若しくは複数のシャペロンタンパク質をコードしてもよく、又は複数のベクターが使用されてもよい。特定の実施形態において、このシステムは、細胞株をさらに含む。特定の実施形態において、細胞株は、ＨＥＫ２９３Ｔ細胞を含み得る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年10月12日(2016.10.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システム・クロック信号を発生させるためのシステムであって、
第１のクロック信号を生成するように構成された局部発振器と、
前記局部発振器を含むエリアにおいて、臨界値よりも上の温度変化を検出するように構成された温度検出器と、
第２のクロック信号を取得するように構成された取得モジュールであって、前記第２のクロック信号は前記システムにおいて受信される少なくとも１つの外部信号から取得される、取得モジュールと、
第１の方式では、前記温度検出器が、前記臨界値よりも上の温度変化を検出しないときの通常モードにおいて、前記第１のクロック信号を使用することにより、また
前記第１の方式とは異なる第２の方式では、前記温度検出器が、前記臨界値よりも上の温度変化を検出しているときの逆のホールド・オーバー・モードにおいて、前記第２のクロック信号を使用することにより、
前記システム・クロック信号を生成するように構成されたクロック発生器と
を備えるシステム。
【請求項２】
前記第２のクロック信号は温度変化による影響を受けない、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記局部発振器は、温度制御水晶発振器または温度補償水晶発振器である、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記局部発振器は、第１の温度依存性を有する前記第１のクロック信号を生成するように構成されており、また前記温度検出器は、前記第１の温度依存性よりも高い第２の温度依存性を有するさらなるクロック信号を生成するように適合されたさらなる局部発振器を備えており、また
前記温度検出器は、前記臨界値よりも上の温度変化を検出するために前記さらなるクロック信号と前記第１のクロック信号を比較するためのコンパレータをさらに備えている、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項５】
前記コンパレータは、位相コンパレータである、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記システムにおいて受信される少なくとも１つの外部信号から第３のクロック信号を抽出するように構成された抽出器をさらに備えており、
前記クロック発生器は、マスタ・クロック信号としての前記第１のクロック信号と、前記システム・クロック信号を発生させるために前記マスタ・クロック信号に対して適用されるエラー・オフセット値を決定するための前記第３のクロック信号とを使用することにより、前記第１の方式で、前記システム・クロック信号を生成するように構成されている、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項７】
前記クロック発生器は、前記通常モードから前記逆のホールド・オーバー・モードへと切り替えるときに前記エラー・オフセット値を記憶し、また前記逆のホールド・オーバー・モードから前記通常モードへと切り戻すときに前記システム・クロック信号を生成するためのこの記憶されたエラー・オフセット値を使用するように構成されている、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記クロック発生器は、マスタ・クロック信号としての中間クロック信号と、前記システム・クロック信号を発生させるために前記マスタ・クロック信号に対して適用される補正係数を決定するための前記第２のクロック信号または前記第３のクロック信号とを使用して前記システム・クロック信号を生成するデジタルＰＬＬを備えており、前記中間クロック信号は、前記クロック発生器が前記通常モードで動作するか、または逆のホールド・オーバー・モードで動作するかに応じて、前記第１の方式または前記第２の方式で生成される、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記クロック発生器は、
マルチプレクサと直列のＰＬＬであって、それらは前記抽出器の出力と前記デジタルＰＬＬとの間に結合され、前記マルチプレクサは、前記局部発振器に結合された第１の入力と、ＰＬＬの出力に結合された第２の入力とを有しており、また前記通常モードにおいて前記第１の入力を選択し、前記逆のホールド・オーバー・モードにおいて前記第２の入力を選択するように構成されている、ＰＬＬと、
前記ＰＬＬのためのフィードバック分周器を有するフィードバック・ループであって、前記フィードバック・ループは、前記通常モードにおいて前記第１のクロック信号と、前記ＰＬＬの前記出力との間の位相差に依存する分周器値を有するように適合されており、さらに、前記通常モードから前記逆のホールド・オーバー・モードへと切り替わるときに前記分周器値を一定に保持するように適合されている、フィードバック・ループと
を備えている、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記クロック発生器は、マスタ・クロック信号としての前記第１のクロック信号と、前記第１の方式で生成される前記システム・クロック信号を発生させる前記マスタ・クロック信号に対して適用されるべき補正係数を決定するための前記第２のクロック信号とを使用して、前記第１の方式で前記システム・クロック信号を生成するデジタルＰＬＬと、前記第１の方式で生成される前記システム・クロック信号と第２の方式で生成される前記システム・クロック信号との間で切り替わるスイッチオーバー・モジュール（２４３）とを備えている、請求項１乃至８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１１】
前記スイッチオーバー・モジュールは、ヒットレス・スイッチオーバー・モジュールである、請求項１０に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月23日(2016.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴アクチュエーターにおいて液滴に液滴操作を行なう方法であって、
（ａ）離間して液滴操作間隙を形成する頂部基板および底部基板を含む液滴アクチュエーターを提供する工程であって、該液滴アクチュエーターはさらに、その上で液滴操作を行なうために配置された液滴操作電極の配置を含む、工程と、
（ｂ）前記液滴アクチュエーターの前記液滴操作間隙に充填流体を充填する工程と、
（ｃ）前記液滴操作間隙内に液滴を供給する工程と、
（ｄ）前記液滴操作間隙内の前記液滴に多様な液滴操作を行なう工程であって、前記液滴を前記液滴操作間隙内の前記充填流体を介して移送する、工程と、
（ｅ）前記液滴操作間隙内の前記液滴に前記多様な液滴操作を行なう間、前記液滴と電気的アースの間が実質的に一貫して接触するよう保つ工程と、を含み、
前記液滴が前記電気的アースと実質的に一貫して接触することで、前記液滴操作間隙内の前記充填流体中の泡形成に妨害されることなく、前記多様な液滴操作を完遂可能である、方法。
【請求項２】
前記液滴操作間隙内の前記液滴を加熱する工程をさらに含み、好ましくは、少なくとも沸点の６０パーセント、摂氏７５度の最低温度及び沸点から摂氏２０度の範囲内のうちいずれかである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記液滴アクチュエーターの前記頂部基板を前記電気的アースに接地し、前記液滴操作間隙内の前記液滴に前記多様な液滴操作を行なう間、前記液滴と前記頂部基板の間が実質的に一貫して接触するよう保つ、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記頂部基板の表面をテクスチャ加工し、これにより、前記液滴操作間隙内の前記液滴に前記多様な液滴操作を行なう間、前記液滴と前記電気的アースの間が実質的に一貫して接触するよう保つ、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
（ｉ）前記液滴操作間隙の高さを調整する、
（ｉｉ）前記液滴操作間隙の高さを低減する、
（ｉｉｉ）前記液滴操作間隙の高さをばねにより調整する、又は
（ｉｖ）前記電気的アースを前記液滴に向かって移動させることにより、前記液滴操作間隙内の前記液滴に前記多様な液滴操作を行なう間、前記液滴と前記電気的アースの間が実質的に一貫して接触するよう保つ、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記液滴操作電極は、前記底部基板および／または前記頂部基板の１つまたは双方の上に配置されている、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
（ｉ）前記液滴操作間隙のゾーン内の前記液滴を加熱し、
（ｉｉ）前記電気的アースを、前記ゾーン内において前記液滴操作電極と同平面に配置し、その結果、前記液滴操作間隙内の前記液滴に前記多様な液滴操作を行なう間、前記液滴と前記電気的アースの間が実質的に一貫して接触するよう保つ、工程をさらに含む、方法。
【請求項８】
前記充填流体は導電性充填流体である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記液滴を別の液滴と混成する工程であって、前記液滴操作間隙内の前記液滴に前記多様な液滴操作を行なう間、実質的に一貫して前記電気的アースに接触するよう保つ、工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
オーバーラップ配置、櫛型配置及び三角形配置のうちのいずれかで前記液滴操作電極を提供する工程であって、前記液滴操作電極を用いて、前記液滴操作間隙内の前記液滴に前記多様な液滴操作を行なう間、実質的に一貫して前記電気的アースに接触するよう保つ、工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
（ｉ）前記液滴操作間隙に側壁および対向する側壁によって境界をつける工程であって、液滴操作経路を作成する、工程と、
（ｉｉ）前記液滴操作電極を前記側壁上に配置する工程と、
（ｉｉｉ）１つ以上のアース電極を前記対向する側壁または前記底部基板のいずれかに沿って配置する工程と、
（ｉｖ）前記１つ以上のアース電極を前記電気的アースに接続する工程と、をさらに含み、
前記液滴操作間隙内の前記液滴に前記多様な液滴操作を行なう間、前記電気的アースと実質的に一貫して接触し、該接触が重力の影響を受けない、方法。
【請求項１２】
前記側壁は第１レールを含み、前記対向する側壁は第２レールを含み、前記第１レールおよび第２レールは、互いに平行して配置された細長３次元（３Ｄ）構造である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記１つ以上のアース電極が
（ｉ）前記対向する側壁に沿って配置され、前記液滴操作電極の位置および前記１つ以上のアース電極の位置をずらす工程をさらに含む、
（ｉｉ）前記対向する側壁に沿って配置され、前記１つ以上のアース電極が連続片である、又は、
（ｉｉｉ）前記対向する側壁に沿って配置され、各液滴操作電極を、１つ以上のアース電極の各々に対向して配置する工程をさらに含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１、２、１１、１２及び１３のうちいずれか一項に記載の方法であって、
（ｉ）電圧を印加する工程であって、活性化されていない電極から活性化された電極へと前記液滴を移送する、工程と、
（ｉｉ）前記液滴を前記活性化された電極に移送する際に、前記液滴と前記電気的アースの間が実質的に一貫して接触するよう保つことによって、前記液滴操作間隙内の電荷を低減する工程又は電荷の放電を低減する工程と、をさらに含み、
前記液滴操作間隙内の前記充填流体中の泡形成を低減または除去する、方法。
【請求項１５】
液滴アクチュエーターにおいて液滴に液滴操作を行なうためのシステムであって、該システムは、コードを実行するためのプロセッサーおよび該プロセッサーと通信するメモリーを含み、前記液滴アクチュエーターは、離間して液滴操作間隙を形成する頂部基板および底部基板を含み、前記液滴アクチュエーターは、その上で液滴操作を行なうために配置された液滴操作電極の配置をさらに含み、前記システムは前記メモリーに格納されたコードを含み、該コードにより、前記プロセッサーが少なくとも、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法を実行するシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月29日(2016.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次ビームから通信リンクのハンドオーバのために基地局（ＢＳ）において使用するための方法であって、
無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）と通信リンクを確立するステップであって、前記通信リンクは１次ビームを使用する、該ステップと、
前記ＷＴＲＵによって受信された少なくとも１つの信号に関して少なくとも１つの指向性信号強度測定を実施するように、要求を前記ＷＴＲＵに送信するステップと、
前記ＷＴＲＵに関連付けられたロケーションデータを提供するように、要求を前記ＷＴＲＵに送信するステップと、
少なくとも１つの実施された指向性信号強度測定を前記ＷＴＲＵから受信するステップと、
前記ＷＴＲＵに関連付けられたロケーションデータを受信するステップと、
前記ＷＴＲＵからの前記少なくとも１つの受信された指向性信号強度測定および前記ＷＴＲＵに関連付けられた前記受信したロケーションデータに基づいて指向性無線環境マップ（ＤＲＥＭ）を生成するステップと、
前記１次ビームが中断したことを条件として前記１次ビームから２次ビームに通信リンクのハンドオーバを実施するステップであって、前記２次ビームは前記生成されたＤＲＥＭに基づいて選択される、該ステップと
を具えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記指向性信号強度測定は、ブロードキャストビーコンメッセージに関して実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＷＴＲＵに関連付けられた配向データを提供するように、要求を前記ＷＴＲＵに送信するステップと、
前記ＷＴＲＵに関連付けられた配向データを受信するステップと、
前記ＷＴＲＵに関連付けられた前記受信された配向データに基づいて前記ＤＲＥＭを更新するステップと、
をさらに具えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＷＴＲＵによって使用されたビームに関する履歴データを受信するステップと、
前記受信された前記ＷＴＲＵによって使用されたビームに関する履歴データに基づいて前記ＤＲＥＭを更新するステップと、
をさらに具えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＤＲＥＭへの隣接ＢＳのアクセスを提供するように、前記ＤＲＥＭを前記隣接ＢＳにフィードバックするステップをさらに具えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記指向性信号強度測定はセル間信号で実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
記憶するために前記ＤＲＥＭを中央ネットワークエンティティに送信するステップであって、前記ＤＲＥＭは隣接ＢＳによってアクセスされる、該ステップ
をさらに具えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記指向性信号強度測定はリレーＷＴＲＵによって実施されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ＢＳのロケーション情報を前記ＷＴＲＵに送信するステップをさらに具えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記実施された指向性信号強度測定を時間およびＧＰＳ座標に基づいてフィルタリングするステップをさらに具えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
１次ビームから通信リンクのハンドオーバのために構成された基地局（ＢＳ）であって、
無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）と通信リンクを確立するように構成された送信機であって、前記通信リンクは１次ビームを使用する、該送信機と、
前記送信機は、前記ＷＴＲＵによって受信された少なくとも１つの信号に関して少なくとも１つの指向性信号強度測定を実施するように、要求を前記ＷＴＲＵに送信するようにさらに構成され、
前記送信機は、前記ＷＴＲＵに関連付けられたロケーションデータを提供するように、要求を前記ＷＴＲＵに送信するようにさらに構成され、
少なくとも１つの実施された指向性信号強度測定を前記ＷＴＲＵから受信するように構成された受信機と、
前記受信機は、前記ＷＴＲＵに関連付けられたロケーションデータを受信するようにさらに構成され、
前記ＷＴＲＵからの前記少なくとも１つの受信された指向性信号強度測定および前記ＷＴＲＵに関連付けられた前記受信したロケーションデータに基づいて、指向性無線環境マップ（ＤＲＥＭ）を生成するように構成されたプロセッサと
を具え、
前記プロセッサは、前記１次ビームが中断したことを条件として前記１次ビームから２次ビームに通信リンクのハンドオーバを実施するように構成され、前記２次ビームは前記生成されたＤＲＥＭに基づいて選択されることを特徴とする基地局（ＢＳ）。
【請求項１２】
前記送信機は、前記ＷＴＲＵに関連付けられた配向データを提供するように、要求を前記ＷＴＲＵに送信するようにさらに構成され、
前記受信機は、前記ＷＴＲＵに関連付けられた配向データを受信するようにさらに構成され、
前記プロセッサは、前記受信された前記ＷＴＲＵに関連付けられた配向データに基づいて前記ＤＲＥＭを更新するようにさらに構成された、
ことをさらに具えたことを特徴とする請求項１１に記載の基地局（ＢＳ）。
【請求項１３】
前記受信機は、前記ＷＴＲＵによって使用されたビームに関する履歴データを受信するようにさらに構成され、
前記プロセッサは、前記受信された前記ＷＴＲＵによって使用されたビームに関する履歴データに基づいて前記ＤＲＥＭを更新するようにさらに構成された、
ことをさらに具えたことを特徴とする請求項１１に記載の基地局（ＢＳ）。
【請求項１４】
前記送信機は、前記ＤＲＥＭへの隣接ＢＳのアクセスを提供するように、前記ＤＲＥＭを前記隣接ＢＳに送信するようにさらに構成された、
ことをさらに具えたことを特徴とする請求項１１に記載の基地局（ＢＳ）。
【請求項１５】
ビームトラッキングのために構成された無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）であって、
１または複数の信号を基地局（ＢＳ）から受信するように構成された受信機と、
前記受信機は、各受信された信号の強度に関して指向性信号強度測定を実施するように、前記ＢＳから要求を受信するようにさらに構成され
前記受信機は、前記ＷＴＲＵに関連付けられたロケーションデータを提供するように、要求を前記ＢＳから受信するようにさらに構成され、
前記要求された指向性信号強度測定を実施するように構成されたプロセッサと、
前記ＢＳが、前記ＷＴＲＵからの前記指向性信号強度測定および前記ＷＴＲＵに関連付けられた前記ロケーションデータに基づいて指向性無線環境マップ（ＤＲＥＭ）を生成することができるように、前記実施された指向性信号強度測定および前記ＷＴＲＵに関連付けられた前記ロケーションデータを送信するように構成された送信機と、
を具え、
前記受信機は、前記生成されたＤＲＥＭに基づいて、新しい送信および受信ビーム対に切り替えるように、要求を受信するようにさらに構成され、
前記プロセッサは、前記新しい送信および受信ビーム対に切り替えるようにさらに構成されたことを特徴とする無線送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月30日(2016.6.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱エネルギーから有用なエネルギーを生成する方法であって、
導通チャネル（１−２−３−３’−４−１；３１−３２−３３−３３’−３４−３１）の一方向の流れの閉じた回路内に閉じ込められた可動粒子の集団全体（overall population of mobile particles）が、遠心力場又は重力場を除く保存力場に曝されており、あるいは、実質上の保存力場に曝されており、
前記回路は、２つの非並設の領域を除いて断熱されており、２つの領域のうち、第１の領域（２−３；３３−３３’）は、当該回路外部の高温の環境との熱交換による加熱（Ｑｉｎ）が可能であり、第２の領域（４−１；３１−３２）は、必要に応じて、当該回路外部の低温の環境との熱交換による冷却（ＱＯＵＴ）が可能であり、
前記閉じた回路には、前記可動粒子の流れから受け取るエネルギーを有用な出力エネルギーに変換する負荷（３’−４；３３’−３４）が設けられており、
前記負荷は、流れ方向において、非断熱の前記第１の領域（２−３；３３−３３’）の後に位置しており、
前記一方向の回路のうち、前記負荷の前に位置する部位（３−３’；３３−３３’）と前記負荷の後に位置する部位（１−２；３１−３２）との２つの部位における流速の方向が、前記保存力場または前記実質上の保存力場と平行であるか又はそれと平行な成分を有しており、これらの部位のうち、一方の部位には可動粒子が高温で流れ、他方の部位には可動粒子が低温で流れており、
前記保存力場の方向は、前記回路のうちの前記部位における前記低温の流体の前記流速方向又は前記低温の流体の流速方向の成分の方向に対して、選択された（chosen）前記可動粒子の密度が温度上昇と共に減少する場合には、同一方向であり、前記選択された前記可動粒子の密度が温度上昇と共に増加する場合には、逆方向である、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記の非断熱の２つの領域のそれぞれの長さを、必要に応じて変化させる、方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、前記有用な出力エネルギーのうちの一部を、必要に応じて、前記可動粒子を冷却して定常状態を維持するためにフィードバックさせる、方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の方法において、前記可動粒子は、前記回路の前記チャネル内を自由に移動する粒子であり、帯電又は非帯電の、電子、イオン、電気的に中性な原子、分子のいずれかであり、理想気体、縮退気体、液体、固体、半固体、プラズマ、超伝導体のいずれかの状態である、方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の方法において、前記保存力場または前記実質上の保存力場が、電場（Ｅ）または磁場である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年8月5日(2016.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１又は数個の電気装置にＤＣ電力を分配するＤＣ電力分配システムであって、該ＤＣ電力分配システムは、
−  電力供給装置から電気装置にＤＣ電力を伝導するための電気導体と、
−  前記電気導体からＤＣ電力を受けると共に、低い電力又は高い電力を要求するために電力供給制御ユニットに信号を送信する数個の電気装置と、
−  前記電気装置に前記電気導体を介してＤＣ電力を供給する前記電力供給装置であって、前記電気装置に前記電気導体を介して前記高い電力が供給される高電力モード及び前記電気装置に前記電気導体を介して前記低い電力が供給される低電力モードにおいて動作可能であり、且つ、前記電気装置から前記信号を受信すると共に自身の前記電力モードを該受信された信号に依存して制御する前記電気装置制御ユニットを有する電力供給装置と、
を有し、
−  前記電気装置は、前記電力供給装置に前記高い電力を供給することを前記電力供給制御ユニットに前記信号を送信することにより要求し、
−  前記電力供給制御ユニットは、該電力供給制御ユニットが前記電気装置から前記高い電力を要求する信号を受信した場合、前記電力供給装置が前記高電力モードにおいて動作されるよう制御する、ＤＣ電力分配システム。
【請求項２】
前記電気装置及び前記電力供給制御ユニットは、前記信号として電気信号を前記電気装置から前記電力供給制御ユニットへ前記電気導体を介して伝送する、請求項１に記載のＤＣ電力分配システム。
【請求項３】
前記高い電力は当該ＤＣ電力分配システムの公称電力であり、前記低い電力は当該ＤＣ電力分配システムの待機電力である、請求項１に記載のＤＣ電力分配システム。
【請求項４】
前記電気装置は、前記電力供給装置に前記高い電力を供給することを前記電力供給制御ユニットに前記信号を送信することにより要求し、前記電力供給制御ユニットは、該電力供給制御ユニットが前記電気装置から前記高い電力を要求する何れの信号も受信しない場合、前記電力供給装置が前記低電力モードにおいて動作されるよう制御する、請求項１に記載のＤＣ電力分配システム。
【請求項５】
前記電力供給制御ユニットは、該電力供給制御ユニットが前記高い電力を要求するための前記信号を所定の受信時間間隔内で受信しない場合、前記電力供給装置が前記低電力モードにおいて動作されるよう制御する、請求項１に記載のＤＣ電力分配システム。
【請求項６】
前記電気装置はそれぞれの該電気装置が少ない電力を消費する低電力モード及びそれぞれの該電気装置が多くの電力を消費する高電力モードにおいて動作可能であり、前記電気装置は、前記信号が前記電力供給制御ユニットに送信された後に前記電力供給装置が前記高い電力を供給した場合、前記低電力モードから前記高電力モードに切り換わる、請求項１に記載のＤＣ電力分配システム。
【請求項７】
前記電気装置は、前記信号が前記電力供給制御ユニットに送信された後に前記電力供給装置により前記高い電力が供給されたかを感知すると共に、前記電力供給装置により前記高い電力が供給されたことが感知された場合に前記低電力モードから前記高電力モードに切り換わる、請求項６に記載のＤＣ電力分配システム。
【請求項８】
前記電気装置はそれぞれの該電気装置が少ない電力を消費する低電力モード及びそれぞれの該電気装置が多くの電力を消費する高電力モードにおいて動作可能であり、前記電気装置は、前記信号が前記電力供給制御ユニットに送信された後に前記低電力モードから前記高電力モードに切り換わるまで所定の待ち時間にわたり待つ、請求項１に記載のＤＣ電力分配システム。
【請求項９】
請求項１に記載のＤＣ電力分配システムにＤＣ電力を供給するための電力供給装置であって、該電力供給装置は、
−  前記電気装置に前記電気導体を介して前記高い電力が供給される高電力モード及び前記電気装置に前記低い電力が供給される低電力モードにおいて動作可能であり、
−  前記電気装置から前記信号を受信すると共に自身の前記電力モードを該受信された信号に依存して制御する前記電気装置制御ユニットを有し、
−  前記電力供給制御ユニットは、該電力供給制御ユニットが前記電気装置から前記高い電力を要求する信号を受信した場合、前記電力供給装置が前記高電力モードにおいて動作されるよう制御する、電力供給装置。
【請求項１０】
１又は数個の電気装置にＤＣ電力を分配するＤＣ電力分配方法であって、
−  低い電力又は高い電力を要求するために電気装置から電力供給制御ユニットに信号を送信するステップと、
−  前記電力供給制御ユニットにより、前記電気装置から前記信号を受信すると共に電力供給装置の電力モードを受信された前記信号に依存して制御するステップと、
を有し、
−  前記電力供給装置は電気導体を介して前記電気装置にＤＣ電力を供給し、前記電力供給装置が、前記電気装置に前記電気導体を介して前記高い電力が供給される高電力モード及び前記電気装置に前記低い電力が供給される低電力モードにおいて動作可能であり、
−  数個の電気装置が、前記電気導体からＤＣ電力を受け、
−  前記電気装置の何れかが、前記電力供給装置に前記高い電力を供給することを前記電力供給制御ユニットに前記信号を送信する前記ステップにより要求し、
−  前記電力供給制御ユニットは、該電力供給制御ユニットが前記電気装置の何れかから前記高い電力を要求する前記信号を受信した場合、前記電力供給装置が前記高電力モードにおいて動作されるよう制御する、ＤＣ電力分配方法。