(57)【要約】【課題】透明性、導電性に優れた、任意のパターン構造からなる導電膜を、大面積化が可能な簡便な方法で製造するための製造方法を提供する。【解決手段】網目構造の開口部を有する鋳型(B)を配置した基板(A)の表面に、導電性粒子(P)の分散液(D)を展開して乾燥させることにより、基板(A)上の鋳型(B)との接点近傍に、導電性粒子(P)にパターン構造(C)を形成させ、鋳型(B)を基板(A)から取り外し、パターン構造(C)を有する基板(A)の表面上に単量体組成物(X)または樹脂組成物(Y)を塗布し、さらにその上に基板(E)を配置して樹脂層を形成し、基板(E)を基板(A)から剥離することにより、基板(E)の表面にパターン構造(C)を転写し、そして、パターン構造(C)が転写された基板(E)上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法により、基板(E)の表面上のパターン構造(C)に任意のパターン構造(F)を付与する、導電膜の製造方法。【選択図】図１
2013149392.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（Ａ）の表面上に、基板（Ａ）と接触させる面とその裏面とを貫通する網目構造の開口部を有する鋳型（Ｂ）を配置し、
鋳型（Ｂ）を配置した基板（Ａ）の表面に、導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開し、
分散液（Ｄ）を乾燥させることにより、基板（Ａ）上の鋳型（Ｂ）との接点近傍に、導電性粒子（Ｐ）にパターン構造（Ｃ）を形成させ、
鋳型（Ｂ）を基板（Ａ）から取り外すことにより、基板（Ａ）の表面上に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を形成させ、
パターン構造（Ｃ）を有する基板（Ａ）の表面上に単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）を塗布し、
塗布された単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）の上に基板（Ｅ）を配置し、
単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）から樹脂層を形成し、
基板（Ｅ）を基板（Ａ）から剥離することにより、基板（Ｅ）の表面に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を転写し、そして
パターン構造（Ｃ）が転写された基板（Ｅ）上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法により、基板（Ｅ）の表面上の導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）に任意のパターン構造（Ｆ）を付与する、導電膜の製造方法。
【請求項２】
基板（Ａ）の表面上に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を形成させた後、転写工程の前に、加熱して焼成する、請求項１に記載の導電膜の製造方法。
【請求項３】
基板（Ａ）の表面上に、導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開し、
基板（Ａ）の表面に展開した分散液（Ｄ）の上から、基板（Ａ）と接触させる面とその裏面とを貫通する網目構造の開口部を有する鋳型（Ｂ）を配置し、
分散液（Ｄ）を乾燥させることにより、基板（Ａ）上の鋳型（Ｂ）との接点近傍に、導電性粒子（Ｐ）にパターン構造（Ｃ）を形成させ、
鋳型（Ｂ）を基板（Ａ）から取り外すことにより、基板（Ａ）の表面上に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を形成させ、
パターン構造（Ｃ）を有する基板（Ａ）の表面上に単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）を塗布し、
塗布された単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）の上に基板（Ｅ）を配置し、
単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）から樹脂層を形成し、
基板（Ｅ）を基板（Ａ）から剥離することにより、基板（Ｅ）の表面に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を転写し、そして
パターン構造（Ｃ）が転写された基板（Ｅ）上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法により、基板（Ｅ）の表面上の導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）に任意のパターン構造（Ｆ）を付与する、導電膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明性、導電性に優れた導電膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
透明性に優れた導電膜は、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの表示電極；タッチパネル用透明電極；太陽電池用透明電極；電磁波遮蔽膜等の用途で広く利用されている。
【０００３】
透明性に優れた導電膜を形成する材料としては、錫ドープ酸化インジウム（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ  以下、「ＩＴＯ」という。）が、よく知られている。ＩＴＯ膜は、スパッタリング法、真空蒸着法等の気相法により製造されるが、気相法には高真空装置が必須であり、多大な設備投資を要する。特に、大面積が必要とされる用途においては、その設備投資及び維持費は莫大となる。また、ＩＴＯ膜を製造する毎に、製造装置内の成分ガス圧を精密に制御しなければならないことから、製造コストと量産性には課題がある。
【０００４】
量産可能な方法として、特許文献１には、導電性微粒子と、網目構造の開口部を有する鋳型を用いて、導電性に優れた導電膜を形成する方法が提案されている。しかしながら、特許文献１に記載の方法は、膜平面内の導電性が均一な網目状構造の提供を企図しており、任意のパターン構造からなる導電膜を提供するためのパターン形成は不可能である。
【０００５】
一方、特許文献２には、銅箔を透明基板に貼合し、フォトリソグラフィー法を利用してエッチング加工する方法が提案されている。この方法は微細な加工が可能で、高開口率（高透過率）のメッシュを作製することができ、導電性も高い。しかしながら、フォトリソグラフィー法は微小な面積の加工において利用されるものであり、大面積化は容易ではない。また、とりわけ線幅が１０μｍ以下となるような細線をフォトリソグラフィー法により形成する場合には、線幅が細くなるほど加工コストは増大する。一方で、線幅が１０μｍを超えるような線は、肉眼で見えてしまうため好ましくない。
【０００６】
以上、従来の技術では、特に線幅が１０μｍ以下となるような細線で任意のパターン構造からなり、透明性が高い（細線が肉眼では確認できないような）導電膜を、簡便で迅速に製造するには課題がある。
このように、従来の技術で製造される、金属メッシュを表面に有する導電膜は、導電性は比較的高いが、微細パターンの形成及び大面積化のいずれかに課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２０１１／０９００３４
【特許文献２】特開２００３−４６２９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、透明性、導電性に優れ、任意のパターン構造からなる導電膜を、大面積化が可能な簡便な方法で製造するための製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは上記のような導電膜を得るべく鋭意検討した結果、基板表面に、網目構造の開口部を有する鋳型を配置した後、金属等の導電材料を分散させた分散液を基板表面に展開し、分散媒を乾燥除去させることで、鋳型の線幅よりも微細な線幅で、鋳型の網目構造に対応するパターンが基板表面上に形成されることを見出した。更には、形成されたパターンが、転写法により、フィルム等の別の基板上に容易に転写でき、さらに、フォトリソグラフィー法により、上記導電膜を任意のパターン形状に加工できることを見出し、本発明に到達した。
【００１０】
即ち本発明は、一態様として、基板（Ａ）の表面上に、基板（Ａ）と接触させる面とその裏面とを貫通する網目構造の開口部を有する鋳型（Ｂ）を配置し、
鋳型（Ｂ）を配置した基板（Ａ）の表面に、導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開し、
分散液（Ｄ）を乾燥させることにより、基板（Ａ）上の鋳型（Ｂ）との接点近傍に、導電性粒子（Ｐ）にパターン構造（Ｃ）を形成させ、
鋳型（Ｂ）を基板（Ａ）から取り外すことにより、基板（Ａ）の表面上に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を形成させ、
パターン構造（Ｃ）を有する基板（Ａ）の表面上に単量体組成物（Ｘ）、または樹脂組成物（Ｙ）を塗布し、
塗布された単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）の上に基板（Ｅ）を配置し、
単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）から樹脂層を形成し、
基板（Ｅ）を基板（Ａ）から剥離することにより、基板（Ｅ）の表面に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を転写し、そして
パターン構造（Ｃ）が転写された基板（Ｅ）上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法により、基板（Ｅ）の表面上の導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）に任意のパターン構造（Ｆ）を付与する、
導電膜の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明による導電膜の製造方法は、透明性、導電性に優れ、特に導電性に異方性を持たせることも可能な任意のパターン構造を有する導電膜を、大面積化が可能な方法で、簡便に製造できることから、工業的価値が大きい。
また、本願発明によれば、例えば、線幅が数百μｍのパターンを形成する場合においても、数百μｍの線が網目状構造の１０μｍ以下の細線から成るため肉眼では確認ない。従って、フォトリソグラフィー法のみで形成する、線幅が数百μｍのパターンと比較して、透明性が高い（細線が肉眼では確認できないような）導電膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一態様における、基板（Ａ）に鋳型（Ｂ）を配置する工程を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の一態様における、導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開した後の基板（Ａ）と鋳型（Ｂ）を示す概略斜視図である。
【図３】本発明の一態様における、鋳型（Ｂ）を外した後の基板（Ａ）と導電性粒子（Ｐ）を示す概略斜視図である。
【図４】本発明の一態様における、導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開した基板（Ａ）を示す概略斜視図である。
【図５】本発明の一態様における、導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開した基板（Ａ）に鋳型（Ｂ）を配置する工程を示す概略斜視図である。
【図６】本発明の一態様における、鋳型（Ｂ）を外した後の基板（Ａ）と導電性粒子（Ｐ）を示す概略斜視図である。
【図７】本発明による導電膜の製造プロセスの一例を示す模式図である。
【図８】本発明による導電膜の製造プロセスの一例を示す模式図である。
【図９】本発明による導電膜の製造プロセスの一例を示す模式図である。
【図１０】本発明による一実施態様におけるフォトリソグラフィー法によるエッチング加工前の導電膜の光学顕微鏡写真である。
【図１１】本発明による一実施態様におけるフォトリソグラフィー法によるエッチング加工後の導電膜の光学顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の導電膜の製造方法について説明する。
本発明の導電膜は、基板（Ａ）の表面上に、基板（Ａ）と接触させる面とその裏面とを貫通する網目構造の開口部を有する鋳型（Ｂ）を配置し、鋳型（Ｂ）を配置した基板（Ａ）の表面に、導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開し、分散液（Ｄ）を乾燥させることにより、基板（Ａ）上の鋳型（Ｂ）との接点近傍に、導電性粒子（Ｐ）にパターン構造（Ｃ）を形成させ、鋳型（Ｂ）を基板（Ａ）から取り外すことにより、基板（Ａ）の表面上に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を形成させ、パターン構造（Ｃ）を有する基板（Ａ）の表面上に単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）を塗布し、塗布された単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）の上に基板（Ｅ）を配置し、単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）から樹脂層を形成し、基板（Ｅ）を基板（Ａ）から剥離することにより、基板（Ｅ）の表面に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を転写し、そしてパターン構造（Ｃ）が転写された基板（Ｅ）上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法により、基板（Ｅ）の表面上の導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）に任意のパターン構造（Ｆ）を付与することにより得られる。
また、本発明の導電膜は、基板（Ａ）の表面上に、導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開し、基板（Ａ）の表面に展開した分散液（Ｄ）の上から、基板（Ａ）と接触させる面とその裏面とを貫通する網目構造の開口部を有する鋳型（Ｂ）を配置し、分散液（Ｄ）を乾燥させることにより、基板（Ａ）上の鋳型（Ｂ）との接点近傍に、導電性粒子（Ｐ）にパターン構造（Ｃ）を形成させ、鋳型（Ｂ）を基板（Ａ）から取り外すことにより、基板（Ａ）の表面上に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を形成させ、パターン構造（Ｃ）を有する基板（Ａ）の表面上に単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）を塗布し、塗布された単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）の上に基板（Ｅ）を配置し、単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）から樹脂層を形成し、基板（Ｅ）を基板（Ａ）から剥離することにより、基板（Ｅ）の表面に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を転写し、そしてパターン構造（Ｃ）が転写された基板（Ｅ）上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィー法により、基板（Ｅ）の表面上の導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）に任意のパターン構造（Ｆ）を付与することにより得られる。
なお、本発明において、「接点近傍」とは、所定のパターンに対応するパターン構造が形成される領域であって、例えば、線幅が１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下の、導電性粒子（Ｐ）による所定のパターンが形成される領域を意味する。
【００１４】
＜基板（Ａ）＞
本発明に用いる基板（Ａ）は、その表面と、後述する導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）との接触角が０．１〜５０°であることが好ましく、接触角が０．１〜３０°であることがより好ましく、接触角が０．１〜２０°であることが更に好ましい。
【００１５】
基板（Ａ）の表面と、導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）との接触角を上記の範囲内とするために、基板（Ａ）を予め表面処理しておくことが好ましい。表面処理の方法としては、例えば、ＵＶ照射処理、エキシマ照射処理、プラズマ照射処理、コロナ放電処理、電子線処理等；アセトン、アルコール等の有機溶剤による洗浄処理が挙げられる。
【００１６】
基板（Ａ）の形状としては、例えば、平板状、フィルム状が挙げられる。取り扱いの容易さを考慮すると、平板状が好ましい。
基板（Ａ）の素材としては、例えば、ガラス；ステンレス、アルミ等の金属；ポリエステル樹脂、アクリル樹脂等の樹脂が挙げられる。
【００１７】
後述するパターン構造（Ｃ）を形成した基板（Ａ）を、透明導電部材として用いる場合、基板（Ａ）として、ガラスや透明樹脂等の透明基板を選択すればよい。
基板（Ａ）として透明樹脂を用いる場合、ヤング率は０．５ＧＰａ以上、１３０℃での熱収縮率は１％以下、融点は７０℃以上であることが好ましく、膜厚は１５μｍ以上であることが好ましい。
【００１８】
透明樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂；ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂；ポリカーボネート；ポリエーテルスルホン；ポリスルホン；ポリオレフィン；ポリイミド；ポリアミド；ポリアミドイミド；ポリスチレンが挙げられる。
【００１９】
パターン構造（Ｃ）の焼成工程を要する場合には、焼成温度を勘案して、基板（Ａ）の素材を選択すればよい。
【００２０】
＜鋳型（Ｂ）＞
本発明に用いる鋳型（Ｂ）は、基板（Ａ）と接触する面（ｓ）と、その裏面（ｒ）を貫通する網目構造の開口部を有する。鋳型（Ｂ）の開口部を通じて、後述する導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）の分散媒を蒸発させることができる。これにより、基板（Ａ）上の、鋳型（Ｂ）の開口部ではない部分（鋳型の網目の辺部分）に対応する部分に、導電性粒子（Ｐ）を表面張力により自己組織的に集積させることができる。
【００２１】
鋳型（Ｂ）の網目の辺部分に、導電性粒子（Ｐ）を表面張力により自己組織的に集積させるには、基板（Ａ）に対向する鋳型（Ｂ）の各辺が全て基板（Ａ）に密着していない方が好ましい。尚、基板（Ａ）と鋳型（Ｂ）が密着している場合でも、後述する工程１−３の乾燥工程において、分散液（Ｄ）の表面張力によって鋳型（Ｂ）が押し上げられる。
【００２２】
鋳型（Ｂ）としては、例えば、ステンレス製、アルミ製等の金網が挙げられる。特に、ステンレス製、アルミ製の細線で平織り又は綾織りされた金網は、網目辺の交点が盛り上がっており、これを基板（Ａ）に乗せると、網目の各辺が基板（Ａ）に密着しないことから好ましい。
また、鋳型（Ｂ）も、基板（Ａ）と同様に、例えば、ＵＶ照射処理、エキシマ照射処理、プラズマ照射処理、コロナ放電処理、電子線処理等；アセトン、アルコール等の有機溶剤による洗浄処理によって、予め表面処理しておくことが好ましい。
【００２３】
このような金網を用いる場合、本発明の製造方法により作製される任意のパターン構造（Ｃ）の線幅、開口部の幅は、この金網を構成するワイヤー（針金）の直径、開口部の幅で調整することができる。用いるワイヤーの断面は、丸型、角型等、いずれの形のものでも用いることができる。尚、開口部の幅とは、金網を構成するワイヤーとワイヤーの間隔を示す。また、金網のピッチとは、金網を構成するワイヤーの中心からワイヤーの中心までの間隔を示す。
【００２４】
エレクトフォーミング法で作製された網目構造の鋳型や、マイクロシーブも、鋳型（Ｂ）として用いることができる。マイクロシーブを用いる場合、表面に微細粒子（例えば、ナノ又はマイクロサイズのシリカ粒子。）を付着又は融着させ、シリカ粒子が付着又は融着した面を基板（Ａ）に対向させて、基板（Ａ）に乗せて用いることが好ましい。
【００２５】
本発明の製造方法によると、鋳型（Ｂ）に用いた金網のワイヤーの直径に対して、１／１０〜１／３程度の線幅のパターン構造（Ｃ）を、基板（Ａ）上に形成することが可能である。
【００２６】
ワイヤーの直径は、５〜６０μｍが好ましく、１０〜３０μｍがより好ましい。ワイヤーの直径が５〜６０μｍであれば、形成されるパターン構造（Ｃ）の線幅も細いため、得られる導電膜の透明性が高くなる。マイクロシーブを鋳型に用いる場合、その網目各辺の幅は、上記のワイヤーの直径と同程度であることが好ましい。
【００２７】
鋳型（Ｂ）が、欠陥のない規則正しい網目構造であれば、この鋳型を用いて作製される導電膜のパターンは、規則正しい網目構造が得られる。規則正しい網目構造とは、それぞれの網目が同一の形状である網目構造を意味する。
【００２８】
例えば、正方形の網目、長方形の網目、正六角形の網目がそれぞれの辺を共有して連続している場合、これらは規則正しい網目構造である。
【００２９】
＜導電性粒子（Ｐ）＞
本発明に用いる導電性粒子（Ｐ）としては、例えば、金属微粒子、導電性ポリマーの微粒子、カーボンが挙げられる。
【００３０】
金属微粒子としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｓｎ等の金属、これらの酸化物、及びこれらの合金が挙げられる。これらの中では、導電性が高いことから、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔが好ましい。また、コスト面からは、Ａｇ、Ｃｕ、洋銀（Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉの合金）が好ましい。金属微粒子は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３１】
導電性ポリマーとしては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールやこれらの誘導体が挙げられる。導電性ポリマーは、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３２】
導電性粒子（Ｐ）の質量平均粒子径は、１〜１０００ｎｍが好ましく、１〜１００ｎｍがより好ましく、１〜３０ｎｍが更に好ましく、１〜２０ｎｍが特に好ましい。導電性粒子（Ｐ）の質量平均粒子径が小さいほど、鋳型（Ｂ）のパターン形状に対する追随性が高くなる。
【００３３】
＜分散液（Ｄ）＞
導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）の固形分は、０．０１〜８０質量％が好ましく、０．０１〜１０質量％がより好ましく、０．０１〜５質量％が更に好ましく、０．０１〜３質量％が特に好ましい。分散液（Ｄ）の固形分が低いほど、パターン構造（Ｃ）の線幅が細くなるため、色味が薄く、透明性の高い導電膜を得ることできる。
【００３４】
分散液（Ｄ）の分散媒としては、例えば、水；アルコール等の有機溶剤が挙げられる。これらの中では、蒸発速度が適度であること、ＶＯＣ（Ｖｏｌａｔｉｌｅ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）がないことから、水が好ましい。分散媒は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
また、導電性粒子（Ｐ）の分散安定化のため、分散助剤を使用することもできる。
【００３５】
＜パターン構造（Ｃ）の形成＞
本発明のパターン構造（Ｃ）は、鋳型（Ｂ）を用いて形成されるが、その際、基板（Ａ）の表面上に、下記の製造方法１のように鋳型（Ｂ）を先に配置するか、下記の製造方法２のように導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を先に展開するかは任意である。いずれの方法によっても、鋳型の網目に対応する網目状パターンの導電膜を容易に得ることができる。尚、本発明では、導電性粒子（Ｐ）により形成されたパターン構造（Ｃ）を「導電膜」という。
【００３６】
本発明の製造方法を用いることで、例えばメートルオーダーの大面積の導電膜であっても、簡便に製造することができる。
【００３７】
以下、本発明による製造方法の各種実施態様について説明する。
＜製造方法１＞
工程１−１：基板（Ａ）の表面上に、鋳型（Ｂ）を、工程１−２〜１−３の操作によってずれないように配置する。（図１）
工程１−２：鋳型（Ｂ）を配置した基板（Ａ）に、鋳型（Ｂ）の上面から、導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開する。（図２）
工程１−３：分散液（Ｄ）の分散媒を乾燥させることで、導電性粒子（Ｐ）を基板（Ａ）と鋳型（Ｂ）との接点近傍に凝縮させたパターン構造（Ｃ）を、自己組織的に形成させる。
工程１−４：鋳型（Ｂ）を取り外すことで、基板（Ａ）の表面上に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を形成させ、導電膜を得る。（図３）
【００３８】
＜製造方法２＞
工程２−１：基板（Ａ）の表面上に、導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開する。（図４）
工程２−２：分散液（Ｄ）を展開した基板（Ａ）の表面に、鋳型（Ｂ）を、工程２−３の操作によってずれないように配置する。（図５）
工程２−３：分散液（Ｄ）の分散媒を乾燥させることで、導電性粒子（Ｐ）を基板（Ａ）と鋳型（Ｂ）との接点近傍に凝縮させたパターン構造（Ｃ）を、自己組織的に形成させる。
工程２−４：鋳型（Ｂ）を取り外すことで、基板（Ａ）の表面上に導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を形成させ、導電膜を得る。（図６）
【００３９】
製造方法１又は２によって、任意のパターン構造（Ｃ）を容易に得ることができるが、歩留まりが良好であることから、製造方法１が好ましい。
【００４０】
本発明の製造方法により、鋳型（Ｂ）の線幅よりも有意に細い線幅で、導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を、基板（Ａ）の表面上に形成することができる。例えば、ステンレス製の金網を鋳型（Ｂ）として用いると、この金網を構成しているステンレスワイヤーの直径の１／１０〜１／３程度の線幅のパターン構造（Ｃ）が、該ワイヤーに対応する基板（Ａ）の表面上に導電性粒子（Ｐ）によって形成される。
【００４１】
パターン構造（Ｃ）の線幅が、鋳型（Ｂ）を構成する線幅よりも格段に細くなる現象は、本発明者らにより見出された現象である。
この現象は、上記工程１−３又は２−３において、分散液（Ｄ）を乾燥させる過程で、分散液（Ｄ）の表面張力によって鋳型（Ｂ）が押し上げられ、乾燥の進行に伴い、鋳型（Ｂ）を構成する細線の下方で、基板（Ａ）の表面上に導電性粒子（Ｐ）が凝縮するためと推測される。
【００４２】
本発明の製造方法では、パターン構造（Ｃ）の線の断面形状が、上方に弧を描いたような弓形（凸型）であるものを容易に形成することができる。線の断面形状が弓形であることで、表面抵抗値が小さくなり、後の転写工程においては、転写が容易となる。
【００４３】
以下、製造方法１の各工程について詳細に説明する。
＜工程１−１＞
本工程は、基板（Ａ）の表面上に、鋳型（Ｂ）を配置する工程である。製造方法１をバッチ操作で実施する場合には、鋳型（Ｂ）を基板（Ａ）から取り外す工程１−４までの間、両者の相対位置がずれないように、公知の接着剤又は接着テープ等を用いることができる。但し、基板（Ａ）の表面で接着を行なうと、その部分は導電膜が形成されなくなることから、接着部分は基板の隅であることが望ましい。
【００４４】
基板（Ａ）と鋳型（Ｂ）は、密着している必要はない。鋳型（Ｂ）の、基板（Ａ）と接触する面（ｓ）と基板（Ａ）の間隔は、０．０１〜２０μｍであることが好ましく、０．０１μｍ〜２μｍであることがより好ましい。面（ｓ）と基板（Ａ）の間隔がこの範囲内であれば、斑の少ない導電膜が再現性良く得られる。
【００４５】
＜工程１−２＞
鋳型（Ｂ）を配置した基板（Ａ）に、導電膜の原料となる導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開する工程である。本工程では、導電膜を形成する部分一面に、分散液（Ｄ）が展開されていればよく、鋳型（Ｂ）が基板（Ａ）からずれることなく、鋳型（Ｂ）の開口部に均一に導入が可能な方法であれば限定されない。
【００４６】
開口部に分散液（Ｄ）を導入する方法としては、例えば、スピンコート法、ドクターブレード法、ディップコート法、スプレー法、剪断塗布法が挙げられる。
【００４７】
前述したように、基板（Ａ）を予め表面処理することにより、分散液（Ｄ）との接触角を小さくし、更に、鋳型（Ｂ）の網目部分と分散液（Ｄ）との接触角を５０°以下、好ましくは３０°以下とすることで、鋳型（Ｂ）を配置した基板（Ａ）に、分散液（Ｄ）を部分的に滴下した場合でも、表面張力によって、分散液（Ｄ）を速やかに一面に展開することができる。
【００４８】
＜工程１−３＞
分散液（Ｄ）を展開した後、分散液（Ｄ）の分散媒を乾燥（蒸発除去）させる工程である。乾燥温度は０〜１００℃が好ましく、３〜６０℃がより好ましく、３〜３０℃が更に好ましい。
分散媒を乾燥させる方法としては、例えば、静置する方法、熱風をあてる方法、大気圧以下に減圧する方法が挙げられる。乾燥条件は、乾燥時間が１０秒以上、好ましくは３０秒以上、より好ましくは１分以上となるように決めることが望ましい。
【００４９】
分散媒を乾燥する過程で、導電性粒子（Ｐ）が、自己組織的に、鋳型（Ｂ）と基板（Ａ）が密着又は近接した部分へと集積していく。その結果、鋳型（Ｂ）と同形状のパターンを形成していく。
その他の条件が同じであれば、乾燥温度が低くなるほど乾燥速度は遅くなり、鋳型（Ｂ）のパターン形状に対する追随性が高く、密度の高い線を形成させることができる。
【００５０】
この工程で自己組織的に導電膜が形成されるのは、分散媒が乾燥していく過程で、導電性粒子（Ｐ）が濃縮されながら、分散媒自身の表面張力により、基板（Ａ）と鋳型（Ｂ）の間隙の方へと引き寄せられていくためである。
分散媒の乾燥後に、工程１−２〜１−３を繰り返すこともできる。これにより、導電膜の導電性をさらに向上させることもできる。
【００５１】
＜工程１−４＞
鋳型（Ｂ）を基板（Ａ）から取り外す工程である。形成された導電膜が損なわれない限り、特に取り出しの方法は限定されない。
【００５２】
次に、製造方法２の各工程について詳細に説明する。
＜工程２−１＞
本工程は、基板（Ａ）の表面上に、導電膜の原料となる導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開する工程である。本工程では導電膜を形成する部分一面に、分散液（Ｄ）が展開されていればよい。
分散液（Ｄ）を展開する方法としては、例えば、スピンコート法、ドクターブレード法、ディップコート法、スプレー法、剪断塗布法が挙げられる。
【００５３】
＜工程２−２＞
工程２−１で基板（Ａ）上に展開した分散液（Ｄ）の上から、鋳型（Ｂ）を基板（Ａ）に配置する工程である。本工程では、工程２−１で展開した分散液（Ｄ）が乾燥したり、表面張力によって分散液がない部分が発生しなければ、鋳型（Ｂ）を配置する方法は特に限定されない。鋳型（Ｂ）を配置する方法としては、工程１−１で例示した方法が挙げられる。
【００５４】
＜工程２−３＞
工程１−３と同様の工程である。
乾燥後、再度、更に導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）を展開し、工程２−３を行なうこともできる。これにより、導電膜の導電性をさらに向上させることもできる。
【００５５】
＜工程２−４＞
工程１−４と同様の工程である。
【００５６】
＜導電膜＞
本発明で得られる導電膜は、線幅を、鋳型（Ｂ）の線幅の１／１０〜１／３程度にすることができる。導電膜の線幅は、０．１〜４．５μｍであることが好ましい。
【００５７】
導電膜の線幅が０．１〜４．５μｍである場合、導電膜の開口部の幅を調整することにより、例えば、１ｍｍ厚のガラス基板（光線透過率：９０〜９３％）上に導電膜を形成した場合の光線透過率を、８０％以上とすることができる。
【００５８】
本発明の導電膜は、線幅を従来にない細さにできるため、開口部の幅を小さくすることができる。
従来技術の太い線幅である場合には、導電膜の透明性を上げるために開口部の幅を広くする必要があった。開口部は絶縁部分であるため、透明性を上げれば絶縁部分が大きくなり、透明導電膜としての性能は充分ではなかった。
【００５９】
＜焼成処理＞
本発明で得られる導電膜は、導電性粒子（Ｐ）によるパターン構造（Ｃ）を形成させた後、更に加熱して焼成することが好ましい。
【００６０】
一般に金属微粒子は、水又は有機溶剤に分散した分散液の状態であり、表面には分散安定性を維持するための分散剤が吸着している。導電性粒子（Ｐ）として金属微粒子を用いた場合、金属微粒子によるパターン構造（Ｃ）を形成させた後、焼成することにより、金属微粒子同士を融着させ、導電性の高い導電膜を形成することができる。
【００６１】
焼成時の加熱温度は、５０〜６００℃が好ましく、１００〜４５０℃がより好ましい。焼成時間は、加熱温度や分散液（Ｄ）の物性によって異なるが、５〜３０分程度が好ましい。
焼成は、工程１−４又は２−４で鋳型（Ｂ）を取り外した後に行なっても、上記工程で鋳型（Ｂ）を取り外す前に行なってもよい。
【００６２】
＜電解めっき＞
本発明で得られる導電膜は、導電性粒子（Ｐ）による任意のパターン構造（Ｃ）を形成させた後、形成された導電膜を電極として、電解めっきを行なうこともできる。電解めっき処理により、導電性粒子（Ｐ）による金属細線の密度を向上させることで、導電膜の導電性を更に向上させることができる。
但し、この場合、めっきの形成速度が速く、導電膜の線幅及び膜厚が急激に増加するため、電解めっき浴の金属イオン濃度、電圧、電流値の調整等が必要である。
【００６３】
＜転写工程＞
本発明の製造方法では、基板（Ａ）の表面上に導電膜を形成させた後、更に、基板（Ａ）の表面上に単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）を塗布し、その上に基板（Ｅ）を配置した後、樹脂層を形成し、基板（Ｅ）を樹脂層および導電膜と共に基板（Ａ）から剥離することにより、基板（Ｅ）の表面に導電膜を転写することができる。例えば、基板（Ａ）の表面上に塗布された単量体組成物（Ｘ）の上に基板（Ｅ）を配置した後に、単量体組成物（Ｘ）を重合することにより樹脂層を形成し、基板（Ｅ）を樹脂層および導電膜と共に基板（Ａ）から剥離することにより、単量体組成物（Ｘ）の重合体をバインダーとして、基板（Ｅ）の表面に導電膜を転写することができる。
また、本発明の製造方法では、基板（Ａ）の表面上に導電膜を形成させた後、更に、基板（Ａ）の表面上に樹脂層を形成し、得られた樹脂層を導電膜と共に基板（Ａ）から剥離することにより、樹脂層の表面に導電膜を転写することもできる。例えば、基板（Ａ）の表面上に導電膜を形成させた後、更に、基板（Ａ）の表面上に単量体組成物（Ｘ）を塗布して重合することにより樹脂層を形成し、得られた樹脂層を導電膜と共に基板（Ａ）から剥離することにより、樹脂層の表面に導電膜を転写することができる。別法として、単量体組成物（Ｘ）の代わりに樹脂組成物（Ｙ）を基板（Ａ）の表面上に塗布することにより樹脂層を形成してもよい。
【００６４】
単量体組成物（Ｘ）または樹脂組成物（Ｙ）を塗布する前に、導電膜が形成された基板（Ａ）の表面を、ＵＶ照射処理、エキシマ照射処理、プラズマ照射処理、コロナ放電処理、電子線処理等により予め処理しておくことが好ましい。この操作により、導電膜の転写が容易になる。
【００６５】
＜単量体組成物（Ｘ）＞
本発明に用いる単量体組成物（Ｘ）は、光硬化性単量体組成物（Ｘ１）又は熱硬化性単量体組成物（Ｘ２）であり、これらは１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
また、基板（Ｅ）は透明な基板であり、得られる重合体（樹脂層）と基板（Ｅ）との屈折率差を０．１以下とすることが好ましい。重合体（樹脂層）と基板（Ｅ）との屈折率差が小さいほど、透明性が高くなる。尚、屈折率は、ＪＩＳ  Ｋ−７１０５に従って、カルニュー光学工業（株）製ＫＰＲ−２により測定することができる。
【００６６】
＜光硬化性単量体組成物（Ｘ１）＞
光硬化性単量体組成物（Ｘ１）を用いる場合、基板（Ａ）の表面上に塗布した光硬化性単量体組成物（Ｘ１）に、紫外線等の活性エネルギー線を照射して重合することにより、導電膜を転写することができる。
【００６７】
光硬化性単量体組成物（Ｘ１）は、ビニル単量体（ｘ１）と光重合開始剤（ｘ２）を含有する。
その混合比率は、硬化速度が適度であることから、ビニル単量体（ｘ１）１００質量部に対して、光重合開始剤（ｘ２）０．１〜１０質量部であることが好ましい。光重合開始剤（ｘ２）が０．１質量部以上であれば、光硬化性単量体組成物（Ｘ１）の硬化性が向上する。また、光重合開始剤（ｘ２）が１０質量部以下であれば、得られる重合体の着色が抑制される。
【００６８】
＜ビニル単量体（ｘ１）＞
ビニル単量体（ｘ１）としては、例えば、少なくとも２つのビニル基を有するビニル単量体（ｘ１−１）、１つのビニル基を有するビニル単量体（ｘ１−２）が挙げられる。
少なくとも２つのビニル基を有するビニル単量体（ｘ１−１）としては、例えば、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレートが挙げられる。また、公知のエステルポリ（メタ）アクリレート、公知のウレタンポリ（メタ）アクリレート、公知のエポキシポリ（メタ）アクリレート、公知のエチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート等を挙げることもできる。
これらは、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００６９】
１つのビニル基を有するビニル単量体（ｘ１−２）としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、フォスフォエチル（メタ）アクリレート、スチレンが挙げられる。
これらは、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７０】
ビニル単量体（ｘ１）として、ビニル単量体（ｘ１−１）とビニル単量体（ｘ１−２）を併用する場合、ビニル単量体（ｘ１−１）１００質量部に対して、ビニル単量体（ｘ１−２）を０．１〜２０質量部用いることが好ましく、０．５〜１５質量部用いることがより好ましく、１〜１０質量部用いることが更に好ましい。ビニル単量体（ｘ１−２）を０．１質量部以上用いれば、光硬化性単量体組成物（Ｘ１）の粘度を低下させることができる。また、ビニル単量体（ｘ１−２）を２０質量部以下用いれば、得られる重合体の耐熱性を低下させることがない。
【００７１】
＜光重合開始剤（ｘ２）＞
光重合開始剤（ｘ２）としては、例えば、ベンゾインモノメチルエーテル、ベンゾフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバ・ジャパン（株）製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４（商品名））、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオニル）−ベンジル］−フェニル｝−２−メチルプロパン−１−オン（チバ・ジャパン（株）製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１２７（商品名））等のカルボニル化合物；テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド等の硫黄化合物；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド類；ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウム（チバ・ジャパン（株）製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ７８４（商品名））が挙げられる。これらの中では、硬化性に優れることから、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオニル）−ベンジル］−フェニル｝−２−メチルプロパン−１−オン、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドが好ましい。
これらは、１種を単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
【００７２】
＜光硬化の方法＞
光硬化に用いる活性エネルギー線の光源としては、例えば、ケミカルランプ、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、無電極ＵＶランプ（フュージョンＵＶシステムズ社製）、可視光ハロゲンランプ、キセノンランプ、太陽光が挙げられる。
活性エネルギー線照射時の雰囲気は、空気中でもよいし、窒素、アルゴン等の不活性ガス中でもよい。
【００７３】
活性エネルギー線の照射エネルギーとしては、２００〜６００ｎｍ、好ましくは３２０〜３９０ｎｍの波長範囲での積算エネルギーが、０．０１〜１０Ｊ/ｃｍ２、好ましくは０．５〜８Ｊ/ｃｍ２となるように照射することが好ましい。
活性エネルギー線は、基板（Ａ）側を裏面として、表面側から照射することが好ましい。
【００７４】
＜熱硬化性単量体組成物（Ｘ２）＞
熱硬化性単量体組成物（Ｘ２）を用いる場合、基板（Ａ）の表面上に塗布した熱硬化性単量体組成物（Ｘ２）に、熱を加えて重合することにより、導電膜を転写することができる。
【００７５】
熱硬化性単量体組成物（Ｘ２）は、ビニル単量体（ｘ１）と熱重合開始剤（ｘ３）を含有する。
その混合比率は、硬化速度が適度であることから、ビニル単量体（ｘ１）１００質量部に対して、熱重合開始剤（ｘ３）０．１〜１０質量部であることが好ましい。熱重合開始剤（ｘ３）が０．１質量部以上であれば、熱硬化性単量体組成物（Ｘ２）の硬化性が向上する。また、熱重合開始剤（ｘ３）が１０質量部以下であれば、得られる重合体の着色が抑制される。
尚、熱硬化性単量体組成物（Ｘ２）で用いるビニル単量体（ｘ１）は、光硬化性単量体組成物（Ｘ１）で用いるビニル単量体（ｘ１）と同じである。
【００７６】
＜熱重合開始剤（ｘ３）＞
熱重合開始剤（ｘ３）としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、４，４’−アゾビス−（４−シアノバレリックアシッド）等のアゾ化合物；過硫酸アンモニウム塩等の過硫酸化合物；ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド、キュメインハイドロパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド等の有機過酸化物が挙げられる。
【００７７】
＜熱硬化の方法＞
熱硬化性単量体組成物（Ｘ２）は、６０〜１３０℃の温度で、０．１〜２時間程度加熱することが好ましい。
【００７８】
＜樹脂組成物（Ｙ）＞
本発明に用いる樹脂組成物（Ｙ）としては、透明樹脂を主成分とすることが好ましい。例えば、アクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、アクリロニトリル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂が例示できる。
さらに樹脂組成物（Ｙ）は、溶剤等で希釈してワニスとして調製することが好ましい。この溶剤としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、２−ブタノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジアセトンアルコール、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
樹脂組成物（Ｙ）は、紫外線吸収剤等の添加剤を含有してもよい。
樹脂組成物（Ｙ）を塗布後、加熱（乾燥）等することにより、樹脂層を形成させることができる。
【００７９】
＜基板（Ｅ）＞
基板（Ｅ）としては、透明な素材を用いることができる。
透明の素材としては、可撓性透明樹脂フィルム、透明樹脂シートが好ましく、具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のポリエステルフィルム；ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィンフィルム；ポリカーボネートフィルム；アクリルフィルム；ノルボルネンフィルムが挙げられる。
【００８０】
＜連続プロセスのフロー＞
本発明の製造方法は、生産性を考慮して、連続プロセスとすることが好ましい。連続プロセスについて、概略図（図７〜９）を用いて説明する。
【００８１】
＜導電膜形成工程の連続化＞
本発明における「導電膜」の形成を連続的に実施する場合に想定される、プロセスの概略図を図７に示す。
基板（Ａ）は、導電性粒子（Ｐ）の分散液（Ｄ）との接触角を調整するための表面処理工程１０に送られ、鋳型（Ｂ）を基板（Ａ）の上面に配置後、分散液（Ｄ）を展開する工程２０、乾燥工程３０へと順次送られる。
この際、鋳型（Ｂ）を、円筒状又はエンドレスベルト状とすることで、より効率的に、連続的に導電膜を形成することができる。
【００８２】
表面処理工程１０により、分散液（Ｄ）に対する基板（Ａ）の接触角を小さくすることで、表面張力によって、分散液（Ｄ）は速やかに基板（Ａ）上面に一様に展開する。
また、工程２０〜工程３０を２回以上繰り返すことにより、導電性を更に向上させることもできる。
乾燥工程の後に、必要に応じて、焼成工程を設けることができる。
【００８３】
＜転写工程の連続化＞
本発明における「転写」を連続的に実施する場合に想定されるプロセスの一例の概略図を図８に示す。本例は、基板（Ａ）の表面上に塗布された単量体組成物（Ｘ）の上に基板（Ｅ）を配置した後に、単量体組成物（Ｘ）を重合することにより樹脂層を形成する態様を代表するものである。
導電膜が形成された基板（Ａ）は、必要に応じて、表面処理工程１０で表面処理を行なった後、単量体組成物（Ｘ）を塗布する工程４０、単量体組成物（Ｘ）を重合する工程５０へと順次送られる。
【００８４】
工程４０の後、工程５０の前に、単量体組成物（Ｘ）を塗布した基板（Ａ）に、基板（Ｅ）を押し付けて単量体組成物（Ｘ）を重合し、基板（Ｅ）を剥離することで、導電膜を基板（Ｅ）に転写することができる。
基板（Ｅ）を基板（Ａ）に押し付けるには、押さえつけロールを用いればよい。押さえつけロールは、単量体組成物（Ｘ）を基板（Ａ）の表面に拡げながら、単量体組成物（Ｘ）に巻き込まれた空気を追い出す役割も担う。
【００８５】
＜導電膜形成〜転写工程の連続化＞
「導電膜」の形成〜「転写」までを一連の工程として行なうこともできる。その場合に想定されるプロセスの一例を図９に示す。
＜フォトリソグラフィー法＞
本発明では、前記のように、導電膜を転写した基板（Ｅ）上の導電膜を、フォトリソグラフィー法によりエッチング加工することで、任意のパターン構造を形成することができる。
フォトリソグラフィー法とは、一般に、レジスト塗布、（予備加熱、）露光、現像、リンス、（前処理）、エッチング、レジスト剥離の各工程を経ることにより、導電膜を所望のパターンに加工する手法である。本発明では、従来公知の一般的なフォトリソグラフィー法を適宜利用することができる。例えば、レジストとしてはポジ型またはネガ型のいずれのレジストでも使用可能である。また、レジスト塗布後、必要に応じて予備加熱またはプリベークを実施することができる。露光に際しては、所期のパターンを有するパターンマスクを配置し、その上から、用いたレジストに適合する波長の光、一般には紫外線、を照射すればよい。露光後、用いたレジストに適合する現像液で現像を行うことができる。現像後、水等のリンス液で現像を止めると共に洗浄を行うことで、レジストパターンが形成される。次いで、形成されたレジストパターンを、必要に応じて前処理またはポストベークを実施してから、エッチングで彫り込むことができる。エッチング液としては、特に制限はないが、シアン系のエッチング液を使用することが好ましい。エッチング後、残留するレジストを剥離することによって、所期のパターンを有する導電膜が得られる。このように、本発明に適用されるフォトリソグラフィー法は、当業者に一般に認識されている方法であり、その具体的な適用態様は当業者であれば所期の目的に応じて容易に選定することができる。
【００８６】
＜透明導電部材＞
本発明により、基板（Ａ）上で形成された導電膜を転写して得られる基板（Ｅ）は、フォトリソグラフィー法により、任意のパターン構造からなる導電膜を有することが可能であり、各種用途における透明導電部材として有用である。
【００８７】
＜用途＞
本発明で得られる透明導電部材は、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、電界放電ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、電子ペーパー等の画像表示装置用透明電極；タッチパネル用透明電極；太陽電池用透明電極；電磁波遮蔽膜等の用途で好適に用いられる。
【実施例】
【００８８】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
＜線幅・開口部の幅（ピッチ）の測定＞
光学顕微鏡（オリンパス（株）製、システム顕微鏡ＢＸ５１１２３ＭＤＳ（商品名））を用い、導電膜を観察し、画像から線幅・開口部の幅をそれぞれ５箇所測定し、その平均値を、線幅・開口部の幅とした。
【００８９】
＜透明性（光線透過率）の測定＞
ヘーズメーター（日本電色工業（株）製、ＮＤＨ２０００（商品名））を用い、試料の５箇所の光線透過率を測定し、その平均値を透明性（光線透過率）とした。
【００９０】
＜導電性（表面抵抗値）の測定＞
抵抗率計（三菱化学（株）製、ロレスタＧＰ（商品名））に直列四探針プローブを装着し、試料の５箇所の表面抵抗値を測定し、その平均値を導電性（表面抵抗値）とした。
【００９１】
＜単量体組成物（Ｘ）の調製＞
以下に示す割合で各原料を混合し、単量体組成物（Ｘ）を調製した。
単量体組成物（Ｘ）；
ニューフロンティアＢＰＥＭ−１０                            ４０質量％
（エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジメタクリレート）
ニューフロンティアＧＸ−８６６２Ｖ                          ３５質量％
（ウレタンポリアクリレート）
アクリエステルＰＢＯＭ                                      ２０質量％
（ポリブチレングリコールジメタクリレート）
ニューフロンティアＰＨＥ                                      ５質量％
（フェノキシエチルアクリレート）
ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４                                    １．６質量％
上記の原料で、ニューフロンティアＢＰＥＭ−１０、ニューフロンティアＧＸ−８６６２Ｖ、ニューフロンティアＰＨＥは、いずれも第一工業製薬（株）製、アクリエステルＰＢＯＭは三菱レイヨン（株）製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４はチバ・ジャパン（株）製である。
【００９２】
［実施例１］
基板（Ａ）として、ガラス基板（寸法：５０ｍｍ×５０ｍｍ×１．０ｍｍ、光線透過率：９１％、表面抵抗値：１０１０Ω／□以上、松浪硝子工業（株）製）を用いた。
鋳型（Ｂ）として、ワイヤーの直径：２０μｍ、ピッチが１０２μｍのステンレス製金網（平織りの金網）を用いた。
分散液（Ｄ）として、下記の金微粒子の水分散液を、固形分が２ｗｔ％となるように脱イオン水で希釈して用いた。
ＡｕＷ０１１（日本ペイント（株）製、導電性微粒子：金、質量平均粒子径１０ｎｍ、固形分１０質量％（商品名））
【００９３】
ガラス基板の表面に、ステンレス製の金網を配置し、３５μＬの金微粒子の水分散液を展開し、５℃で６０分間静置して、水分散液を乾燥させた。
ステンレス製の金網をガラス基板の表面から取り外した後、焼成温度：４５０°で２０分間加熱（焼成）した。ガラス基板上に金のパターン構造を形成させ、導電膜を得た。
得られた導電膜の光学顕微鏡写真を、図１０に示す。
【００９４】
次に、卓上型光表面処理装置（セン特殊光源（株）製、低圧水銀ランプＰＬ１６−１１０（商品名））を用い、光源からの距離：１５ｍｍの位置に、導電膜を形成したガラス基板を設置し、ガラス基板の表面（導電膜側）に約１分間、ＵＶ照射した。
次いで、ガラス基板の導電膜の上方から、ガラスピペットを用いて単量体組成物（Ｘ）を塗布し、気泡を巻き込まないように押さえつけながら基板（Ｅ）としてのＰＥＴフィルム（東洋紡績（株）製、Ａ４３００（商品名）、厚さ：１８８μｍ、光線透過率：８８％、表面抵抗値：１０１５Ω／□以上、反射防止膜なし）を配置した。
【００９５】
その後、６ｋＷ（１２０Ｗ／ｃｍ）の高圧水銀ランプを用い、８００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線をＰＥＴフィルム側から照射し、単量体組成物（Ｘ）を重合させた。ＰＥＴフィルムを、ガラス基板からゆっくり剥離することによって、導電膜が転写されたＰＥＴフィルムを得た。
導電膜が転写されたＰＥＴフィルムは、線幅：４μｍ、開口部の幅：９８μｍ、光線透過率：８３％、表面抵抗値：２６Ω／□であった。
導電膜が転写されたＰＥＴフィルムの厚さを、マイクロメータ（（株）ミツトヨ製、ＭＤＣ−２５ＭＪ（商品名））を用いて測定した結果、いずれも、２２０〜２３０μｍであった。これより、単量体組成物（Ｘ）の重合体（樹脂層）の厚さは３０〜４０μｍであった。
【００９６】
次に、導電膜が転写されたＰＥＴフィルムを、半導体用フォトレジスト剤ＯＭＲ（東京応化工業社製）に室温で浸漬した後、１１０℃で３０分間加熱処理を行った。その後、パターン露光、現像、洗浄処理を行った後、１１０℃で３０分間加熱処理を行った。続いて、シアン系エッチング液を用いてエッチング加工を行った後、残ったレジスト剤を剥離した。作製した３種類のパターンを図１１（ａ）〜（ｃ）に示す。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明によれば、透明性、導電性に優れ、任意のパターン構造からなる導電膜を簡便な方法（低コスト）で製造することができる。本発明の導電膜は、プラズマディスプレイ、液晶ディスプレイ、電界放電ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、電子ペーパー等の画像表示装置用透明電極；タッチパネル用透明電極；太陽電池用透明電極；電磁波遮蔽膜等の用途で好適に用いられる。
【図１】
2013149392.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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