【手続補正書】
【提出日】平成28年11月1日(2016.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2016503404.tif 000001
［式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ３アルキル、Ｃ１〜Ｃ３重水素化アルキル、またはＣ１〜Ｃ３ハロアルキルであり；
＊は立体中心であり；
ｎは１から２０までの整数であり；
Ｒ２は−Ｈまたは窒素保護基であり；そして
Ｒ３は−Ｈまたは保護基もしくは活性化基である］
の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項２】
Ｒ１がＣ１〜Ｃ３アルキルである、請求項１に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項３】
Ｒ１がメチルである、請求項１または２に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項４】
Ｒ２が以下の基：
−Ｈ、
９−フルオレニルメトキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）、
トリチル（Ｔｒｔ）、
４−メトキシトリチル（Ｍｍｔ）、
２−（３，５−ジメトキシフェニル）プロパン−２−イルオキシカルボニル（Ｄｄｚ）、
２−（ｐ−ビフェニリル）−２−プロピルオキシカルボニル（Ｂｐｏｃ）、
２−（４−ニトロフェニルスルホニル）エトキシカルボニル（ＮＳＣ）、
（１，１−ジオキソベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル）メチルオキシカルボニル（Ｂｓｍｏｃ）、
（１，１−ジオキソナフト［１，２−ｂ］チオフェン−２−イル）メチルオキシカルボニル（α−Ｎｓｍｏｃ）、
１−（４，４−ジメチル−２，６−ジオキソシクロヘキサ−１−イリデン）−３−メチルブチル（ｉｖＤｄｅ）、
２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｆｍｏｃ（Ｆｍｏｃ＊）、
２−フルオロ−Ｆｍｏｃ（Ｆｍｏｃ（２Ｆ））、
２−モノイソオクチル−Ｆｍｏｃ（ｍｉｏ−Ｆｍｏｃ）、
２，７−ジイソオクチル−Ｆｍｏｃ（ｄｉｏ−Ｆｍｏｃ）、
２−［フェニル（メチル）スルホニオ］エチルオキシ  カルボニル  テトラフルオロボレート（Ｐｍｓ）、
エタンスルホニルエトキシカルボニル（Ｅｓｃ）、
２−（４−スルホフェニルスルホニル）エトキシ  カルボニル（Ｓｐｓ）、
Ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル（Ｂｏｃ）、
ベンジルオキシカルボニル（Ｚ）、
アリルオキシカルボニル（Ａｌｌｏｃ）、
２，２，２−トリクロロエチルオキシカルボニル（Ｔｒｏｃ）、
ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル（ｐＮＺ）、
プロパルギルオキシカルボニル（Ｐｏｃ）、
ｏ−ニトロベンゼンスルホニル（ｏＮＢＳ）、
２，４−ジニトロベンゼンスルホニル（ｄＮＢＳ）、
ベンゾチアゾール−２−スルホニル（Ｂｔｓ）、
ｏ−ニトロベンジルオキシカルボニル（ｏＮｚ）、
４−ニトロベラトリルオキシカルボニル（ＮＶＣＯ）、
２−（２−ニトロフェニル）プロピルオキシカルボニル（ＮＰＰＯＣ）、
２，（３，４−メチルエテンジオキシ−６−ニトロフェニル）プロピルオキシカルボニル（ＭＮＰＰＯＣ）、
９−（４−ブロモフェニル）−９−フルオレニル（ＢｒＰｈＦ）、
アジドメトキシカルボニル（Ａｚｏｃ）、
ヘキサフルオロアセトン（ＨＦＡ）、
２−クロロベンジルオキシカルボニル（Ｃｌ−Ｚ）、
４−メチルトリチル（Ｍｔｔ）、
トリフルオロアセチル（ｔｆａ）、
（メチルスルホニル）エトキシカルボニル（Ｍｓｃ）、
フェニルジスルファニルエチルオキシカルボニル（Ｐｈｄｅｃ）、
２−ピリジルジスルファニルエチルオキシカルボニル（Ｐｙｄｅｃ）、および
ｏ−ニトロベンゼンスルホニル（Ｏ−ＮＢＳ）
からなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項５】
Ｒ２が以下の基：
９−フルオレニルメトキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）、
トリチル（Ｔｒｔ）、
４−メトキシトリチル（Ｍｍｔ）、
２−（３，５−ジメトキシフェニル）プロパン−２−イルオキシカルボニル（Ｄｄｚ）、
２−（ｐ−ビフェニリル）−２−プロピルオキシカルボニル（Ｂｐｏｃ）、
２−（４−ニトロフェニルスルホニル）エトキシカルボニル（ＮＳＣ）、
１，１−ジオキソベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル）メチルオキシカルボニル（Ｂｓｍｏｃ）、
１−（４，４−ジメチル−２，６−ジオキソシクロヘキサ−１−イリデン）−３−メチルブチル（ｉｖＤｄｅ）、
Ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル（Ｂｏｃ）、
ベンジルオキシカルボニル（Ｚ）、
アリルオキシカルボニル（Ａｌｌｏｃ）、
２，２，２−トリクロロエチルオキシカルボニル（Ｔｒｏｃ）、
ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル（ｐＮＺ）、
ｏ−ニトロベンゼンスルホニル（ｏＮＢＳ）、
２，４−ジニトロベンゼンスルホニル（ｄＮＢＳ）、
ｏ−ニトロベンジルオキシカルボニル（ｏＮｚ）、
４−ニトロベラトリルオキシカルボニル（ＮＶＣＯ）、
２−（２−ニトロフェニル）プロピルオキシカルボニル（ＮＰＰＯＣ）、
ヘキサフルオロアセトン（ＨＦＡ）、
２−クロロベンジルオキシカルボニル（Ｃｌ−Ｚ）、
４−メチルトリチル（Ｍｔｔ）、
トリフルオロアセチル（ｔｆａ）、
（メチルスルホニル）エトキシカルボニル（Ｍｓｃ）、および
ｏ−ニトロベンゼンスルホニル（Ｏ−ＮＢＳ）
からなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項６】
Ｒ２が以下の基：
９−フルオレニルメトキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）、
４−メトキシトリチル（Ｍｍｔ）、
２−（３，５−ジメトキシフェニル）プロパン−２−イルオキシカルボニル（Ｄｄｚ）、
２−（ｐ−ビフェニリル）−２−プロピルオキシカルボニル（Ｂｐｏｃ）、
Ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル（Ｂｏｃ）、
ベンジルオキシカルボニル（Ｚ）、
アリルオキシカルボニル（Ａｌｌｏｃ）、
２，２，２−トリクロロエチルオキシカルボニル（Ｔｒｏｃ）、
ｏ−ニトロベンゼンスルホニル（ｏＮＢＳ）、
トリチル（Ｔｒｔ）、
４−メチルトリチル（Ｍｔｔ）、および
ｏ−ニトロベンゼンスルホニル（Ｏ−ＮＢＳ）
からなる群から選択される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項７】
Ｒ２が以下の基：
９−フルオレニルメトキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）
である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項８】
Ｒ３が以下の基：
−Ｈ
ｔｅｒｔ−ブチル（ｔＢｕ）、
２−クロロトリチル（２−Ｃｌ−Ｔｒｔ）、
２，４−ジメトキシベンジル（ＤＭＢ）、
ベンジル（Ｂｎ）、
２−フェニルイソプロピル（２−ＰｈｉＰｒ）、
５−フェニル−３，４−エチレンジオキシテニル、
９−フルオレニルメチル（Ｆｍ）、
４−（Ｎ−［１−（４，４−ジメチル−２，６−ジオキソシクロヘキシリデン）−３−メチルブチル］−アミノ）ベンジル（Ｄｍａｂ）、
メチル（Ｍｅ）、
エチル（Ｅｔ）、
カルバモイルメチル（Ｃａｍ）、
アリル（Ａｌ）、
フェナシル（Ｐａｃ）、
ｐ−ニトロベンジル（ｐＮＢ）、
２−トリメチルシリルエチル（ＴＭＳＥ）、
（２−フェニル−２−トリメチルシリル）エチル（ＰＴＭＳＥ）、
２−（トリメチルシリル）イソプロピル（Ｔｍｓｉ）、
トリメチルシリル（ＴＭＳ）、
２，２，２−トリクロロエチル（Ｔｃｅ）、
ｐ−ヒドロキシフェナシル（ｐＨＰ）、
４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル（Ｄｍｎｂ）、
１，１−ジメチルアリル（Ｄｍａ）、
ペンタアミンコバルト（ＩＩＩ）、
スクシンイミド、
ｐ−ニトロフェニル、
ペンタフルオロフェニル、および
２、４、５−トリクロロフェニル
からなる群から選択される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項９】
Ｒ３が以下の基：
−Ｈ
である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項１０】
ｎが３から１１までの整数である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項１１】
ｎが３および６からなる群から選択される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項１２】
立体中心＊が（Ｓ）である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項１３】
立体中心＊が（Ｒ）である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項１４】
約９０％〜１００％の範囲の化学純度を有する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項１５】
約９０％〜１００％の範囲の光学純度を有する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項１６】
約９５％〜１００％の範囲の光学純度を有する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項１７】
約９０％〜１００％の範囲の鏡像体過剰率を有する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項１８】
約９５％〜１００％の範囲の鏡像体過剰率を有する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項１９】
式（ＩＩａ）：
【化２】
2016503404.tif 000002
で表される、請求項１に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項２０】
式（ＩＩｂ）：
【化３】
2016503404.tif 000003
で表される、請求項１に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項２１】
式（ＩＩＩａ）：
【化４】
2016503404.tif 000004
で表される、請求項１に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項２２】
式（ＩＩＩｂ）：
【化５】
2016503404.tif 000005
で表される、請求項１に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項２３】
以下の工程：
１）式（ＸＩｂ）の金属錯体：
【化６】
2016503404.tif 000006
［式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ３アルキル、Ｃ１〜Ｃ３重水素化アルキル、もしくはＣ１〜Ｃ３ハロアルキルであり、＊および＊＊はそれぞれ独立して立体中心であり、Ｒ'、Ｒ''、Ｒ'''、Ｒ''''、およびＲ'''''はＲ'からＲ'''''へと芳香環を回る順に以下の組み合わせ：
Ｈ、Ｈ、Ｃｌ、Ｃｌ、Ｈ；
Ｆ、Ｆ、Ｆ、Ｆ、Ｆ；
Ｆ、Ｆ、ＯｉＰｒ、Ｆ、Ｆ；
Ｆ、Ｆ、ＯＭｅ、Ｆ、Ｆ；
Ｃｌ、Ｈ、Ｈ、Ｈ、Ｈ；もしくは
Ｈ、Ｈ、Ｍｅ、Ｍｅ、Ｈ；
から選択される］
を１種類以上の溶媒から結晶化すること；
２）式（Ｉａ）：
【化７】
2016503404.tif 000007
［式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ３アルキル、Ｃ１〜Ｃ３重水素化アルキル、もしくはＣ１〜Ｃ３ハロアルキルであり、ｎは１から２０までの整数であり、そして＊は立体中心である］
の化合物をそのＨＣｌ塩として沈殿させること；
３）式（ＸＩＶｂ）：
【化８】
2016503404.tif 000008
［式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ３アルキル、Ｃ１〜Ｃ３重水素化アルキル、もしくはＣ１〜Ｃ３ハロアルキルであり、Ｒ２は窒素保護基であり、ｎは１から２０までの整数であり、そして＊は立体中心である］
の付加塩を形成すること；および／または
４）式（Ｉ）の化合物またはその塩を１種類以上の溶媒から結晶化させること；
からなる群から選択される少なくとも１つの精製工程を実施することを含む、請求項１に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩を調製する方法。
【請求項２４】
工程２）、３）、および４）を実施することを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
工程２）および４）を含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
工程４が式（Ｉ）の化合物またはその塩をクロロホルムおよび／またはヘキサンから結晶化させることを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
工程１における式ＸＩｂの化合物の結晶化がメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテルを用いて実施される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
工程１における式ＸＩｂの化合物の結晶化がテトラヒドロフランおよびメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテルを用いて実施される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２９】
工程１における式ＸＩｂの化合物の結晶化が酢酸イソプロピルを用いて実施される、請求項２３に記載の方法。
【請求項３０】
工程２における沈殿した式（Ｉａ）のＨＣｌ塩をさらにアセトニトリルを用いて結晶化させる、請求項２３に記載の方法。
【請求項３１】
工程２における沈殿した式（Ｉａ）のＨＣｌ塩をさらにアセトニトリルおよびメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテルを用いて結晶化させる、請求項２３に記載の方法。
【請求項３２】
工程２における沈殿した式（Ｉａ）のＨＣｌ塩をさらに酢酸イソプロピルを用いて結晶化させる、請求項２３に記載の方法。
【請求項３３】
工程３がメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル中で実施される、請求項２３に記載の方法。
【請求項３４】
工程３がアセトニトリル中で実施される、請求項２３に記載の方法。
【請求項３５】
工程４が式（Ｉ）のシクロヘキシルアミン（ＣＨＡ）塩をテトラヒドロフランおよびｔｅｒｔ−ブチルエーテルを用いて結晶化させることを含む、請求項２３に記載の方法。
【請求項３６】
化学純度をＨＰＬＣで決定する、請求項１４に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項３７】
約９５％〜１００％の範囲の鏡像体過剰率を有する、請求項１９〜２２のいずれか１項に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
【請求項３８】
塩が有機アミン塩である、請求項１に記載の結晶性塩。
【請求項３９】
アミンが環状アミンである、請求項３８に記載の結晶性塩。
【請求項４０】
環状アミンが、シクロプロピルアミン、シクロブチルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロヘプチルアミン、およびシクロオクチルアミンから選択される、請求項３９に記載の結晶性塩。
【請求項４１】
環状アミンがシクロヘキシルアミンである、請求項４０に記載の結晶性塩。
【請求項４２】
（ｉ）請求項１に記載の結晶性化合物、（ｉｉ）アルカン化合物、および（ｉｉｉ）ハロアルカン化合物、を含む組成物。
【請求項４３】
アルカン化合物がヘキサンである、請求項４２に記載の組成物。
【請求項４４】
ハロアルカン化合物がクロロホルムである、請求項４２または４３に記載の組成物。
【請求項４５】
結晶性化合物が、アルカン化合物およびハロアルカン化合物を含む溶媒を用いて式（Ｉ）の化合物の結晶化により得られる、請求項１に記載の結晶性化合物。
【請求項４６】
アルカン化合物がヘキサンである、請求項４５に記載の化合物。
【請求項４７】
ハロアルカン化合物がクロロホルムである、請求項４５または４６に記載の化合物。
【請求項４８】
請求項１に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩を、カップリング剤の存在下、アミノ酸ビルディングブロックと反応させ、それによりペプチド結合を形成することを含む、ペプチドの製造方法。
【請求項４９】
ペプチドがα−ヘリックスを含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
ペプチドの少なくとも２つのアミノ酸の末端アルケン側鎖のペアを架橋することをさらに含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５１】
架橋することが金属により触媒されるオレフィンメタセシス反応を含む、請求項５０に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２２】
ＩＩＩａのシクロヘキシルアミン塩に関する代わりの再結晶の手順−Ｉ
[00164]  メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル（５ｇの出発物質ＸＩＩＩａあたり２００ｍＬ）をその粗生成物に添加し、そのｐＨを２０℃においてシクロヘキシルアミンを用いて８〜９に調節した。得られた混合物を２０℃で１時間混合し、次いで濾過し、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル（５０ｍＬ）で洗浄すると、ＩＩＩａの結晶性シクロヘキシルアミン塩が得られた。
本明細書は以下の発明の開示を包含する。
［１］式（Ｉ）：
【化３７−１】
2016503404.tif 000009
［式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ３アルキル、Ｃ１〜Ｃ３重水素化アルキル、またはＣ１〜Ｃ３ハロアルキルであり；
＊は立体中心であり；
ｎは１から２０までの整数であり；
Ｒ２は−Ｈまたは窒素保護基であり；そして
Ｒ３は−Ｈまたは保護基もしくは活性化基である］
の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［２］Ｒ１がＣ１〜Ｃ３アルキルである、［１］に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［３］Ｒ１がメチルである、［１］または［２］に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［４］Ｒ２が以下の基：
−Ｈ、
９−フルオレニルメトキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）、
トリチル（Ｔｒｔ）、
４−メトキシトリチル（Ｍｍｔ）、
２−（３，５−ジメトキシフェニル）プロパン−２−イルオキシカルボニル（Ｄｄｚ）、
２−（ｐ−ビフェニリル）−２−プロピルオキシカルボニル（Ｂｐｏｃ）、
２−（４−ニトロフェニルスルホニル）エトキシカルボニル（ＮＳＣ）、
（１，１−ジオキソベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル）メチルオキシカルボニル（Ｂｓｍｏｃ）、
（１，１−ジオキソナフト［１，２−ｂ］チオフェン−２−イル）メチルオキシカルボニル（α−Ｎｓｍｏｃ）、
１−（４，４−ジメチル−２，６−ジオキソシクロヘキサ−１−イリデン）−３−メチルブチル（ｉｖＤｄｅ）、
２，−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−Ｆｍｏｃ（Ｆｍｏｃ＊）、
２−フルオロ−Ｆｍｏｃ（Ｆｍｏｃ（２Ｆ））、
２−モノイソオクチル−Ｆｍｏｃ（ｍｉｏ−Ｆｍｏｃ）、
２，７−ジイソオクチル−Ｆｍｏｃ（ｄｉｏ−Ｆｍｏｃ）、
２−［フェニル（メチル）スルホニオ］エチルオキシ  カルボニル  テトラフルオロボレート（Ｐｍｓ）、
エタンスルホニルエトキシカルボニル（Ｅｓｃ）、
２−（４−スルホフェニルスルホニル）エトキシ  カルボニル（Ｓｐｓ）、
Ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル（Ｂｏｃ）、
ベンジルオキシカルボニル（Ｚ）、
アリルオキシカルボニル（Ａｌｌｏｃ）、
２，２，２−トリクロロエチルオキシカルボニル（Ｔｒｏｃ）、
ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル（ｐＮＺ）、
プロパルギルオキシカルボニル（Ｐｏｃ）、
ｏ−ニトロベンゼンスルホニル（ｏＮＢＳ）、
２，４−ジニトロベンゼンスルホニル（ｄＮＢＳ）、
ベンゾチアゾール−２−スルホニル（Ｂｔｓ）、
ｏ−ニトロベンジルオキシカルボニル（ｏＮｚ）、
４−ニトロベラトリルオキシカルボニル（ＮＶＣＯ）、
２−（２−ニトロフェニル）プロピルオキシカルボニル（ＮＰＰＯＣ）、
２，（３，４−メチルエテンジオキシ−６−ニトロフェニル）プロピルオキシカルボニル（ＭＮＰＰＯＣ）、
９−（４−ブロモフェニル）−９−フルオレニル（ＢｒＰｈＦ）、
アジドメトキシカルボニル（Ａｚｏｃ）、
ヘキサフルオロアセトン（ＨＦＡ）、
２−クロロベンジルオキシカルボニル（Ｃｌ−Ｚ）、
４−メチルトリチル（Ｍｔｔ）、
トリフルオロアセチル（ｔｆａ）、
（メチルスルホニル）エトキシカルボニル（Ｍｓｃ）、
フェニルジスルファニルエチルオキシカルボニル（Ｐｈｄｅｃ）、
２−ピリジルジスルファニルエチルオキシカルボニル（Ｐｙｄｅｃ）、および
ｏ−ニトロベンゼンスルホニル（Ｏ−ＮＢＳ）
からなる群から選択される、［１］〜［３］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［５］Ｒ２が以下の基：
９−フルオレニルメトキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）、
トリチル（Ｔｒｔ）、
４−メトキシトリチル（Ｍｍｔ）、
２−（３，５−ジメトキシフェニル）プロパン−２−イルオキシカルボニル（Ｄｄｚ）、
２−（ｐ−ビフェニリル）−２−プロピルオキシカルボニル（Ｂｐｏｃ）、
２−（４−ニトロフェニルスルホニル）エトキシカルボニル（ＮＳＣ）、
１，１−ジオキソベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル）メチルオキシカルボニル（Ｂｓｍｏｃ）、
１−（４，４−ジメチル−２，６−ジオキソシクロヘキサ−１−イリデン）−３−メチルブチル（ｉｖＤｄｅ）、
Ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル（Ｂｏｃ）、
ベンジルオキシカルボニル（Ｚ）、
アリルオキシカルボニル（Ａｌｌｏｃ）、
２，２，２−トリクロロエチルオキシカルボニル（Ｔｒｏｃ）、
ｐ−ニトロベンジルオキシカルボニル（ｐＮＺ）、
ｏ−ニトロベンゼンスルホニル（ｏＮＢＳ）、
２，４−ジニトロベンゼンスルホニル（ｄＮＢＳ）、
ｏ−ニトロベンジルオキシカルボニル（ｏＮｚ）、
４−ニトロベラトリルオキシカルボニル（ＮＶＣＯ）、
２−（２−ニトロフェニル）プロピルオキシカルボニル（ＮＰＰＯＣ）、
ヘキサフルオロアセトン（ＨＦＡ）、
２−クロロベンジルオキシカルボニル（Ｃｌ−Ｚ）、
４−メチルトリチル（Ｍｔｔ）、
トリフルオロアセチル（ｔｆａ）、
（メチルスルホニル）エトキシカルボニル（Ｍｓｃ）、および
ｏ−ニトロベンゼンスルホニル（Ｏ−ＮＢＳ）
からなる群から選択される、［１］〜［４］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［６］Ｒ２が以下の基：
９−フルオレニルメトキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）、
トリチル（Ｔｒｔ）、
４−メトキシトリチル（Ｍｍｔ）、
２−（３，５−ジメトキシフェニル）プロパン−２−イルオキシカルボニル（Ｄｄｚ）、
２−（ｐ−ビフェニリル）−２−プロピルオキシカルボニル（Ｂｐｏｃ）、
Ｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニル（Ｂｏｃ）、
ベンジルオキシカルボニル（Ｚ）、
アリルオキシカルボニル（Ａｌｌｏｃ）、
２，２，２−トリクロロエチルオキシカルボニル（Ｔｒｏｃ）、
ｏ−ニトロベンゼンスルホニル（ｏＮＢＳ）、
トリチル（Ｔｒｔ）、
４−メチルトリチル（Ｍｔｔ）、および
ｏ−ニトロベンゼンスルホニル（Ｏ−ＮＢＳ）
からなる群から選択される、［１］〜［５］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［７］Ｒ２が以下の基：
９−フルオレニルメトキシカルボニル（Ｆｍｏｃ）
である、［１］〜［６］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［８］Ｒ３が以下の基：
−Ｈ
ｔｅｒｔ−ブチル（ｔＢｕ）、
２−クロロトリチル（２−Ｃｌ−Ｔｒｔ）、
２，４−ジメトキシベンジル（ＤＭＢ）、
ベンジル（Ｂｎ）、
２−フェニルイソプロピル（２−ＰｈｉＰｒ）、
５−フェニル−３，４−エチレンジオキシテニル、
９−フルオレニルメチル（Ｆｍ）、
４−（Ｎ−［１−（４，４−ジメチル−２，６−ジオキソシクロヘキシリデン）−３−メチルブチル］−アミノ）ベンジル（Ｄｍａｂ）、
メチル（Ｍｅ）、
エチル（Ｅｔ）、
カルバモイルメチル（Ｃａｍ）、
アリル（Ａｌ）、
フェナシル（Ｐａｃ）、
ｐ−ニトロベンジル（ｐＮＢ）、
２−トリメチルシリルエチル（ＴＭＳＥ）、
（２−フェニル−２−トリメチルシリル）エチル（ＰＴＭＳＥ）、
２−（トリメチルシリル）イソプロピル（Ｔｍｓｉ）、
トリメチルシリル（ＴＭＳ）、
２，２，２−トリクロロエチル（Ｔｃｅ）、
ｐ−ヒドロキシフェナシル（ｐＨＰ）、
４，５−ジメトキシ−２−ニトロベンジル（Ｄｍｎｂ）、
１，１−ジメチルアリル（Ｄｍａ）、
ペンタアミンコバルト（ＩＩＩ）、
スクシンイミド、
ｐ−ニトロフェニル、
ペンタフルオロフェニル、および
２、４、５−トリクロロフェニル
からなる群から選択される、［１］〜［７］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［９］Ｒ３が以下の基：
−Ｈ
である、［１］〜［８］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［１０］ｎが３から１１までの整数である、［１］〜［９］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［１１］ｎが３および６からなる群から選択される、［１］〜［１０］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［１２］立体中心＊が（Ｓ）である、［１］〜［１１］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［１３］立体中心＊が（Ｒ）である、［１］〜［１１］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［１４］場合によりＨＰＬＣにより決定される約９０％〜１００％の範囲の化学純度を有する、［１］〜［１３］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［１５］約９０％〜１００％の範囲の光学純度を有する、［１］〜［１３］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［１６］約９５％〜１００％の範囲の光学純度を有する、［１］〜［１３］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［１７］約９０％〜１００％の範囲の鏡像体過剰率を有する、［１］〜［１３］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［１８］約９５％〜１００％の範囲の鏡像体過剰率を有する、［１］〜［１３］のいずれかに記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［１９］式（ＩＩａ）：
【化３７−２】
2016503404.tif 000010
を有し、場合により約９５％〜１００％の鏡像体過剰率を有する、［１］に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［２０］式（ＩＩｂ）：
【化３７−３】
2016503404.tif 000011
を有し、場合により約９５％〜１００％の鏡像体過剰率を有する、［１］に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［２１］式（ＩＩＩａ）：
【化３７−４】
2016503404.tif 000012
を有し、場合により約９５％〜１００％の鏡像体過剰率を有する、［１］に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［２２］式（ＩＩＩｂ）：
【化３７−５】
2016503404.tif 000013
を有し、場合により約９５％〜１００％の鏡像体過剰率を有する、［１］に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩。
［２３］以下の工程：
１）式（ＸＩｂ）の金属錯体：
【化３７−６】
2016503404.tif 000014
［式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ３アルキル、Ｃ１〜Ｃ３重水素化アルキル、もしくはＣ１〜Ｃ３ハロアルキルであり、＊および＊＊はそれぞれ独立して立体中心であり、Ｒ'、Ｒ''、Ｒ'
''、Ｒ''''、およびＲ'''''はＲ'からＲ'''''へと芳香環を回る順に以下の組み合わせ：
Ｈ、Ｈ、Ｃｌ、Ｃｌ、Ｈ；
Ｆ、Ｆ、Ｆ、Ｆ、Ｆ；
Ｆ、Ｆ、ＯｉＰｒ、Ｆ、Ｆ；
Ｆ、Ｆ、ＯＭｅ、Ｆ、Ｆ；
Ｃｌ、Ｈ、Ｈ、Ｈ、Ｈ；もしくは
Ｈ、Ｈ、Ｍｅ、Ｍｅ、Ｈ；
から選択される］
を１種類以上の溶媒から結晶化すること；
２）式（Ｉａ）：
【化３７−７】
2016503404.tif 000015
［式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ３アルキル、Ｃ１〜Ｃ３重水素化アルキル、もしくはＣ１〜Ｃ３ハロアルキルであり、ｎは１から２０までの整数であり、そして＊は立体中心である］
の化合物をそのＨＣｌ塩として沈殿させること；
３）式（ＸＩＶｂ）：
【化３７−８】
2016503404.tif 000016
［式中、Ｒ１はＣ１〜Ｃ３アルキル、Ｃ１〜Ｃ３重水素化アルキル、もしくはＣ１〜Ｃ３ハロアルキルであり、Ｒ２は窒素保護基であり、ｎは１から２０までの整数であり、そして＊は立体中心である］
の付加塩を形成すること；および／または
４）式（Ｉ）の化合物またはその塩を１種類以上の溶媒、場合によりクロロホルムおよび／またはヘキサン類から結晶化させること；
からなる群から選択される少なくとも１つの精製工程を実施することを含む、［１］に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはその結晶性塩を調製する方法。
［２４］工程２）、３）、および４）を実施することを含む、［２３］に記載の方法。
［２５］工程２）および４）を含む、［２３］に記載の方法。
［２６］１種類以上の［１］に記載の式（Ｉ）の結晶性化合物またはそれらの結晶性塩類を用いてポリペプチドを作製することを含む、ポリペプチドを作製する方法。
［２７］工程１における式ＸＩｂの化合物の結晶化がメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテルを用いて実施される、［２３］に記載の方法。
［２８］工程１における式ＸＩｂの化合物の結晶化がテトラヒドロフランおよびメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテルを用いて実施される、［２３］に記載の方法。
［２９］工程１における式ＸＩｂの化合物の結晶化が酢酸イソプロピルを用いて実施される、［２３］に記載の方法。
［３０］工程２における沈殿した式（Ｉａ）のＨＣｌ塩をさらにアセトニトリルを用いて結晶化させる、［２３］に記載の方法。
［３１］工程２における沈殿した式（Ｉａ）のＨＣｌ塩をさらにアセトニトリルおよびメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテルを用いて結晶化させる、［２３］に記載の方法。
［３２］工程２における沈殿した式（Ｉａ）のＨＣｌ塩をさらに酢酸イソプロピルを用いて結晶化させる、［２３］に記載の方法。
［３３］工程３がメチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル中で実施される、［２３］に記載の方法。
［３４］工程３がアセトニトリル中で実施される、［２３］に記載の方法。
［３５］工程４が式（Ｉ）のＣＨＡ塩をテトラヒドロフランおよびｔｅｒｔ−ブチルエーテルを用いて結晶化させることを含む、［２３］に記載の方法。