(57)【要約】  【課題】従来よりも広い電流範囲を検出できる電流センサを提供する。  【解決手段】電流センサ１のコア部材２１には、被検出信号の信号レベルに応じた磁束が重畳的に発生するが、コア部材２１そのものの特性によって、外部磁場Ｈ＝０を頂点として透磁率μが減少していくと共に、外部磁場Ｈと透磁率μで規定されるμ−Ｈ曲線の曲率が外部磁場Ｈにおける絶対値の大きさに応じて大きくなっていく。この特性では、二次曲線上における任意の位置でｘ軸に沿って振幅が変化する励磁信号に対し、ｙ軸に沿って振幅が変化する検出コイル２５からの出力信号に、二次曲線の「曲がり具合」に応じた高調波成分が重畳されるが、励磁信号の振幅中心が二次曲線上にあるため、磁場Ｈ＝０付近から飽和磁束密度Ｂｓに対応する磁場Ｈｓ付近までの広範囲にわたり、磁場Ｈに応じた固有の高調波成分が出力信号に重畳される。【選択図】図１
2013217914.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ素子と検出部とからなる電流センサであって、
前記センサ素子は、
磁性材料を環状に形成してなり、該環状に囲まれた検出領域を貫通する被検出信号の影響で変化する外部磁場に応じて外部磁場０を頂点に透磁率μが減少していくと共に、該透磁率μの変化を「外部磁場−透磁率μで規定される座標系」にプロットした場合における曲線の曲率が外部磁場の絶対値に応じて大きくなる、といった特性を有するコア部材と、
前記コア部材に巻回され、該コア部材を励磁する励磁コイルと、
前記コア部材に巻回され、前記被検出信号の検出に用いられる検出コイルと、を備え、
前記励磁コイルに基本波成分からなる励磁信号を通電した状態で、前記被検出信号が流れると、その時点における前記コア部材の透磁率μに応じた高調波成分が前記基本波成分に重畳された信号が、前記検出コイルから出力されるように構成されており、
前記検出部は、
前記検出コイルの出力信号から、該出力信号に含まれる信号成分のうち、前記基本波成分に重畳されている高調波成分を抽出する成分抽出部と、
前記出力信号に含まれうる高調波成分、および、該高調波成分が発生する場合における前記被検出信号の信号レベル、を対応づけた対応関係に基づいて、前記成分抽出部に抽出された高調波成分に対応する信号レベルを、その時点における前記被検出信号の信号レベルとして特定するレベル特定部と、
前記レベル特定部により特定された信号レベルを示す情報を外部へと出力する情報出力部と、を備えている
ことを特徴とする電流センサ。
【請求項２】
前記センサ素子においては、
前記コア部材に巻回され、前記被検出信号の影響による外部磁場の変化を相殺させるためのキャンセル信号が通電されるキャンセルコイル、が備えられ、
前記キャンセルコイルに通電されるキャンセル信号の影響で外部磁場が変化することにより、前記検出コイルからの出力信号に重畳される高調波成分を変化させるように構成されており、
前記検出部には、
前記キャンセルコイルへのキャンセル信号の通電を制御するキャンセル制御部、が備えられ、
前記キャンセル制御部は、前記成分抽出部に抽出される高調波成分が小さくなるよう、前記キャンセル信号の信号レベルをフィードバック制御して、
前記レベル特定部は、前記キャンセル制御部によるフィードバック制御が開始された以降、前記成分抽出部に抽出される高調波成分が所定のしきい値未満となった際に、前記キャンセル信号の信号レベルに応じて相殺される前記高調波成分、および、該高調波成分が発生する場合における前記被検出信号の信号レベル、を対応づけた対応関係に基づいて、前記高調波成分がしきい値未満となる契機となったキャンセル信号の信号レベルにつき、該キャンセル信号の信号レベルに対応する信号レベルを、その時点における前記被検出信号の信号レベルとして特定する
ことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項３】
前記センサ素子において、
前記コア部材は、それぞれ前記検出領域を貫通する方向に沿って配置された第１,第２コア部材からなり、
前記励磁コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、
前記検出コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、
前記検出部において、
前記成分抽出部は、直列接続された前記検出コイルからの出力信号そのものを前記高調波成分として抽出して、
さらに、前記センサ素子において、
前記キャンセルコイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められている
ことを特徴とする請求項２に記載の電流センサ。
【請求項４】
前記センサ素子において、
前記コア部材は、それぞれ前記検出領域を貫通する方向に沿って配置された第１,第２コア部材からなり、
前記励磁コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、
前記検出コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、
前記検出部において、
前記成分抽出部は、直列接続された前記検出コイルからの出力信号そのものを前記高調波成分として抽出して、
さらに、前記センサ素子において、
前記キャンセルコイルは、前記第１,第２コア部材へとまとめて巻回されてなる１つのコイルである
ことを特徴とする請求項２に記載の電流センサ。
【請求項５】
前記センサ素子において、
前記コア部材は、それぞれ前記検出領域を貫通する方向に沿って配置された第１,第２コア部材からなり、
前記励磁コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、
前記検出コイルは、前記第１,第２コア部材へとまとめて巻回されてなる１つのコイルであり、
前記検出部において、
前記成分抽出部は、直列接続された前記検出コイルからの出力信号そのものを前記高調波成分として抽出して、
さらに、前記センサ素子において、
前記キャンセルコイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められている
ことを特徴とする請求項２に記載の電流センサ。
【請求項６】
前記センサ素子において、
前記コア部材は、それぞれ前記検出領域を貫通する方向に沿って配置された第１,第２コア部材からなり、
前記励磁コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、
前記検出コイルは、前記第１,第２コア部材へとまとめて巻回されてなる１つのコイルであり、
前記検出部において、
前記成分抽出部は、直列接続された前記検出コイルからの出力信号そのものを前記高調波成分として抽出して、
さらに、前記センサ素子において、
前記キャンセルコイルは、前記第１,第２コア部材へとまとめて巻回されてなる１つのコイルである
ことを特徴とする請求項２に記載の電流センサ。
【請求項７】
前記センサ素子において、
前記コア部材は、それぞれ前記検出領域を貫通する方向に沿って配置された第１,第２コア部材からなり、
前記励磁コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、
前記検出コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、
前記検出部において、
前記成分抽出部は、直列接続された前記検出コイルからの出力信号そのものを前記高調波成分として抽出する
ことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項８】
前記センサ素子において、
前記コア部材は、それぞれ前記検出領域を貫通する方向に沿って配置された第１,第２コア部材からなり、
前記励磁コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、
前記検出コイルは、前記第１,第２コア部材へとまとめて巻回されてなる１つのコイルであり、
前記検出部において、
前記成分抽出部は、前記検出コイルからの出力信号そのものを前記高調波成分として抽出する
ことを特徴とする請求項１に記載の電流センサ。
【請求項９】
前記センサ素子において、
前記検出コイルの出力信号に基づいて、該出力信号の位相を１／２周期ズラしてなる変位信号を生成する変位生成部、が備えられており、
前記検出部において、
前記成分抽出部は、前記検出コイルからの出力信号と、前記変位生成部により生成された変位信号と、を重畳してなる信号を前記高調波成分として抽出する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電流センサ。
【請求項１０】
磁性材料を環状に形成してなり、該環状に囲まれた検出領域を貫通する被検出信号の影響で変化する外部磁場に応じて外部磁場０を頂点に透磁率μが減少していくと共に、該透磁率μの変化を「外部磁場−透磁率μで規定される座標系」にプロットした場合における曲線の曲率が外部磁場の絶対値に応じて大きくなる、といった特性を有するコア部材と、
前記コア部材に巻回され、該コア部材を励磁する励磁コイルと、
前記コア部材に巻回され、前記被検出信号の検出に用いられる検出コイルと、を備え、
前記励磁コイルに基本波成分からなる励磁信号を通電した状態で、前記被検出信号が流れると、その時点における前記コア部材の透磁率μに応じた高調波成分が前記基本波成分に重畳された信号が、前記検出コイルから出力されるように構成されている
ことを特徴とするセンサ素子。
【請求項１１】
前記センサ素子においては、
前記コア部材に巻回され、前記被検出信号の影響による外部磁場の変化を相殺させるためのキャンセル信号が通電されるキャンセルコイル、が備えられ、
前記キャンセルコイルに通電されるキャンセル信号の影響で外部磁場が変化することにより、前記検出コイルからの出力信号に重畳された高調波成分が変化するように構成されている
ことを特徴とする請求項１０に記載のセンサ素子。
【請求項１２】
請求項１〜９に記載のセンサ素子と接続される制御装置であって、
前記検出コイルの出力信号から、該出力信号に含まれる信号成分のうち、前記基本波成分に重畳されている高調波成分を抽出する成分抽出部と、
前記出力信号に含まれうる高調波成分、および、該高調波成分が発生する場合における前記被検出信号の信号レベル、を対応づけた対応関係に基づいて、前記成分抽出部に抽出された高調波成分に対応する信号レベルを、その時点における前記被検出信号の信号レベルとして特定するレベル特定部と、
前記レベル特定部により特定された信号レベルを示す情報を外部へと出力する情報出力部と、
を備えている
ことを特徴とする制御装置。
【請求項１３】
前記センサ素子が、前記コア部材に巻回され、前記被検出信号の影響による外部磁場の変化を相殺させるためのキャンセル信号が通電されるキャンセルコイル、を備え、前記キャンセルコイルに通電されるキャンセル信号の影響で外部磁場が変化することにより、前記検出コイルからの出力信号に重畳された高調波成分を変化させるように構成されている場合において、
前記キャンセルコイルへのキャンセル信号の通電を制御するキャンセル制御部、が備えられ、
前記キャンセル制御部は、前記成分抽出部に抽出される高調波成分が小さくなるよう、前記キャンセル信号の信号レベルをフィードバック制御して、
前記レベル特定部は、前記キャンセル制御部によるフィードバック制御が開始された以降、前記成分抽出部に抽出される高調波成分が所定のしきい値未満となった際に、前記キャンセル信号の信号レベルに応じて相殺される前記高調波成分、および、該高調波成分が発生する場合における前記被検出信号の信号レベル、を対応づけた対応関係に基づいて、前記高調波成分がしきい値未満となる契機となったキャンセル信号の信号レベルにつき、該キャンセル信号の信号レベルに対応する信号レベルを、その時点における前記被検出信号の信号レベルとして特定する
ことを特徴とする請求項１２に記載の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検出電線に流れる電流を検出する電流センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、環状のコア部材に励磁コイルおよび検出コイルを巻回した電流センサでは、励磁信号を受けた検出コイル側で検出される信号レベルが、コア部材の環状領域を貫通する被検出電流の信号レベルにより変化するため、その変化に基づいて被検出電流を特定（検出）することが一般的である（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−０１０１６１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記構成の電流センサは、被検出電流によりコア部材を飽和磁化密度Ｂｓ付近まで飽和させることで、励磁信号により正弦波として発生する磁束Ｂを歪ませ、その変化に応じた信号レベルを被検出電流の信号レベルとして特定する構成であるため、飽和磁化密度Ｂｓ付近に対応する狭い電流範囲の検出しかできない。
【０００５】
また、コア部材を飽和させられる程度まで被検出電流の信号レベルを向上させるべく、被検出信号の流れる電線をコア部材に数多く巻回する必要があるため、電流センサとして複雑かつ大規模なものとなりやすく、その用途が限られる。
【０００６】
本願発明は、このような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、従来よりも広い電流範囲の検出をすることができる電流センサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため第１局面（請求項１）は、センサ素子と検出部とからなる電流センサであって、前記センサ素子は、磁性材料を環状に形成してなり、該環状に囲まれた検出領域を貫通する被検出信号の影響で変化する外部磁場に応じて外部磁場０を頂点に透磁率μが減少していくと共に、該透磁率μの変化を「外部磁場−透磁率μで規定される座標系」にプロットした場合における曲線の曲率が外部磁場の絶対値に応じて大きくなる、といった特性を有するコア部材と、前記コア部材に巻回され、該コア部材を励磁する励磁コイルと、前記コア部材に巻回され、前記被検出信号の検出に用いられる検出コイルと、を備え、前記励磁コイルに基本波成分からなる励磁信号を通電した状態で、前記被検出信号が流れると、その時点における前記コア部材の透磁率μに応じた高調波成分が前記基本波成分に重畳された信号が、前記検出コイルから出力されるように構成されている。
【０００８】
そして、前記検出部は、前記検出コイルの出力信号から、該出力信号に含まれる信号成分のうち、前記基本波成分に重畳されている高調波成分を抽出する成分抽出部と、前記出力信号に含まれうる高調波成分、および、該高調波成分が発生する場合における前記被検出信号の信号レベル、を対応づけた対応関係に基づいて、前記成分抽出部に抽出された高調波成分に対応する信号レベルを、その時点における前記被検出信号の信号レベルとして特定するレベル特定部と、前記レベル特定部により特定された信号レベルを示す情報を外部へと出力する情報出力部と、を備えている。
【０００９】
この局面における電流センサによれば、コア部材には、被検出信号の信号レベルに応じた磁束が重畳的に発生するが、コア部材そのものの特性によって、外部磁場Ｈ＝０を頂点として透磁率が減少していくと共に、この外部磁場Ｈと透磁率μで規定されるμ−Ｈ曲線の曲率が外部磁場Ｈにおける絶対値の大きさに応じて大きくなっていく、といった特性を示すようになる。
【００１０】
この特性においては、ｘ軸に磁場Ｈをとり、ｙ軸に磁化Ｍの微分値としての透磁率μをとったμ−Ｈ座標でみると、二次曲線上における任意の位置でｘ軸に沿って振幅が変化する励磁信号に対し、ｙ軸に沿って振幅が変化する検出コイルからの出力信号に、二次曲線の「曲がり具合」に応じた高調波成分が重畳されることとなるが、励磁信号の振幅中心が二次曲線上にあることから、磁場Ｈ＝０付近から飽和磁化に対応する磁場Ｈｓ付近までの広範囲にわたって、磁場Ｈに応じた固有の高調波成分が出力信号に重畳されることとなる。
【００１１】
つまり、上記構成では、飽和磁化に対応する磁場Ｈｓ付近の極狭い範囲だけでなく、磁場Ｈ＝０付近から磁場Ｈｓ付近までの広範囲にわたって、被検出信号の信号レベルを特定（検出）することができる。
【００１２】
また、この構成では、磁場Ｈ＝０付近に対応する小さな電流値から、磁場Ｈｓに対応する大きな電流値までを検出することができるため、被検出電流の信号レベルを向上させるべく電線をコア部材に数多く巻回する必要もなく、その結果、電流センサとして単純化・小型化を実現できるためにその用途も広い。
【００１３】
また、上記局面において、検出信号から高調波成分を抽出するための具体的な構成は特に限定されないが、例えば、以下に示す第２〜第４局面（請求項７〜９）のようにすることが考えられる。
【００１４】
第２局面（請求項７）のうち、前記センサ素子において、前記コア部材は、それぞれ前記検出領域を貫通する方向に沿って配置された第１,第２コア部材からなり、前記励磁コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、前記検出コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められている。そして、前記検出部において、前記成分抽出部は、直列接続された前記検出コイルからの出力信号そのものを前記高調波成分として抽出する。
【００１５】
この局面では、励磁コイルそれぞれが逆位相で直列接続され、検出コイルそれぞれが同位相で直列接続されているため、励磁信号により発生する磁束から規則正しく増減する基本波成分（正弦波などの交流の信号成分；以下同様）が相殺される一方、歪みとして不規則に増減する高調波成分が強調されて出力されることになる。
【００１６】
これにより、直列接続された一組の検出コイルからの出力信号そのものを高調波成分として抽出し、ここから被検出信号の信号レベルを特定することができる。
また、第３局面（請求項８）のうち、前記センサ素子において、前記コア部材は、それぞれ前記検出領域を貫通する方向に沿って配置された第１,第２コア部材からなり、前記励磁コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、前記検出コイルは、前記第１,第２コア部材へとまとめて巻回されてなる１つのコイルである。そして、前記検出部において、前記成分抽出部は、前記検出コイルからの出力信号そのものを前記高調波成分として抽出する。
【００１７】
この局面では、励磁コイルそれぞれが逆位相で直列接続され、第１,第２コア部材からなるコアを一つのコア部材として検出コイルが第１,第２コア部材にまとめて巻回されているため、励磁信号により発生する磁束から規則正しく増減する基本波成分が相殺される一方、歪みとして不規則に増減する高調波成分が強調されて出力されることになる。
【００１８】
これにより、直列接続された一組の検出コイルからの出力信号そのものを高調波成分として抽出し、ここから被検出信号の信号レベルを特定することができる。
そして、第４局面（請求項９）のうち、前記センサ素子において、前記検出コイルの出力信号に基づいて、該出力信号の位相を１／２周期ズラしてなる変位信号を生成する変位生成部、が備えられており、前記検出部において、前記成分抽出部は、前記検出コイルからの出力信号と、前記変位生成部により生成された変位信号と、を重畳してなる信号を前記高調波成分として抽出する。
【００１９】
この局面では、出力信号そのものと、出力信号の位相を１／２周期ズラした変位信号とを相殺することにより、出力信号の信号成分から規則正しく増減する基本波成分が除去される一方、歪みとして不規則に増減する高調波成分が強調された信号が抽出される。
【００２０】
これにより、高調波成分の強調された信号を抽出し、ここから被検出信号の信号レベルを特定することができる。
なお、上記第２〜第４局面においては、高調波成分が強調されて出力されることから、その強調された高調波成分に基づいて、高調波成分と被検出信号の信号レベルとの対応関係を用意しておくことになる。
【００２１】
ところで、上記各局面では、コア部材における透磁率μが、外部磁場の影響だけでなく、温度環境の影響により変動することがある。そのため、そのような透磁率の変動に伴う高調波成分の意図しない変動を抑制し、本構成における電流センサとしての精度を高める意味では、温度環境の影響を受けにくくすることが望ましい。
【００２２】
例えば、温度環境の影響が透磁率μに起因するものであることに照らすと、この透磁率μの影響を受けないようにすることが考えられ、そのための具体的な構成としては、例えば、以下に示す第５局面（請求項２）のようにすることが考えられる。
【００２３】
第５局面のうち、前記センサ素子においては、前記コア部材に巻回され、前記被検出信号の影響による外部磁場の変化を相殺させるためのキャンセル信号が通電されるキャンセルコイル、が備えられ、前記キャンセルコイルに通電されるキャンセル信号の影響で外部磁場が変化することにより、前記検出コイルからの出力信号に重畳された高調波成分を変化させるように構成されている。
【００２４】
そして、前記検出部には、前記キャンセルコイルへのキャンセル信号の通電を制御するキャンセル制御部、が備えられ、前記キャンセル制御部は、前記成分抽出部に抽出される高調波成分が小さくなるよう、前記キャンセル信号の信号レベルをフィードバック制御して、前記レベル特定部は、前記キャンセル制御部によるフィードバック制御が開始された以降、前記成分抽出部に抽出される高調波成分が所定のしきい値未満となった際に、前記キャンセル信号の信号レベルに応じて相殺される前記高調波成分、および、該高調波成分が発生する場合における前記被検出信号の信号レベル、を対応づけた対応関係に基づいて、前記高調波成分がしきい値未満となる契機となったキャンセル信号の信号レベルにつき、該キャンセル信号の信号レベルに対応する信号レベルを、その時点における前記被検出信号の信号レベルとして特定する。
【００２５】
この局面では、被検出信号による外部磁場の変化を、キャンセル信号のフィードバック制御により相殺させ、そうして相殺させたキャンセル信号の信号成分に基づいて被検出信号の信号レベルを特定している。
【００２６】
キャンセル信号は、検出コイルと同じコア部材に巻回されたキャンセルコイルから出力されるものであり、検出コイルからの出力信号と同じ外部磁場および温度環境の影響を受ける。そのため、キャンセル信号の信号レベルを変化させて被検出信号による外部磁場の変化を相殺させたということは、被検出信号の信号レベルに対応する信号レベルがキャンセル信号によって再現されたということであり、このキャンセル信号の信号レベルが、被検出信号の信号レベルに対応するものになっていることを意味する。
【００２７】
こうして、被検出信号による外部磁場の変化をキャンセル信号で相殺することにより、外部磁場の変化を相殺したキャンセル信号の信号レベルを、透磁率μおよび温度環境の影響が排除され、かつ、被検出信号に対応する信号成分として取り扱えるようになる。
【００２８】
こうして、被検出信号による外部磁場の変化を、キャンセル信号のフィードバック制御により相殺させることにより、そうして相殺させたキャンセル信号の信号成分に基づいて被検出信号の信号レベルを特定することができる。
【００２９】
なお、この第５局面においては、上述した局面のように、コア部材を、それぞれ前記検出領域を貫通する方向に沿って配置された第１,第２コア部材からなるものとした場合、以下に示す第６〜９局面（請求項３〜６）のように、キャンセルコイルをコア部材に巻回するようにするとよい。
【００３０】
第６局面（請求項３）のうち、前記センサ素子において、前記励磁コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、前記検出コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められている。
【００３１】
一方、前記検出部において、前記成分抽出部は、直列接続された前記検出コイルからの出力信号そのものを前記高調波成分として抽出する。さらに、前記センサ素子において、前記キャンセルコイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められている。
【００３２】
また、第７局面（請求項４）のうち、前記センサ素子において、前記励磁コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、前記検出コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められている。そして、前記検出部において、前記成分抽出部は、直列接続された前記検出コイルからの出力信号そのものを前記高調波成分として抽出する。さらに、前記センサ素子において、前記キャンセルコイルは、前記第１,第２コア部材へとまとめて巻回されてなる１つのコイルである。
【００３３】
また、第８局面（請求項５）のうち、前記センサ素子において、前記励磁コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、前記検出コイルは、前記第１,第２コア部材へとまとめて巻回されてなる１つのコイルである。そして、前記検出部において、前記成分抽出部は、直列接続された前記検出コイルからの出力信号そのものを前記高調波成分として抽出する。さらに、前記センサ素子において、前記キャンセルコイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められている。
【００３４】
そして、第９局面（請求項６）のうち、前記センサ素子において、前記励磁コイルは、前記第１,第２コア部材それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められており、前記検出コイルは、前記第１,第２コア部材へとまとめて巻回されてなる１つのコイルである。そして、前記検出部において、前記成分抽出部は、直列接続された前記検出コイルからの出力信号そのものを前記高調波成分として抽出する。さらに、前記センサ素子において、前記キャンセルコイルは、前記第１,第２コア部材へとまとめて巻回されてなる１つのコイルである。
【００３５】
これら局面であれば、第１,第２コア部材それぞれを介して、キャンセル信号により外部磁場を変化させることができる。
また、上記課題を解決するため第１０局面（請求項１０）に係るセンサ素子は、磁性材料を環状に形成してなり、該環状に囲まれた検出領域を貫通する被検出信号の影響で変化する外部磁場に応じて外部磁場０を頂点に透磁率μが減少していくと共に、該透磁率μの変化を「外部磁場−透磁率μで規定される座標系」にプロットした場合における曲線の曲率が外部磁場の絶対値に応じて大きくなる、といった特性を有するコア部材と、前記コア部材に巻回され、該コア部材を励磁する励磁コイルと、前記コア部材に巻回され、前記被検出信号の検出に用いられる検出コイルと、を備え、前記励磁コイルに基本波成分からなる励磁信号を通電した状態で、前記被検出信号が流れると、その時点における前記コア部材の透磁率μに応じた高調波成分が前記基本波成分に重畳された信号が、前記検出コイルから出力されるように構成されている。
【００３６】
このセンサ素子であれば、上記いずれかの局面に係る電流センサの一部を構成することができる。
この局面のうち、前記センサ素子においては、前記コア部材に巻回され、前記被検出信号の影響による外部磁場の変化を相殺させるためのキャンセル信号が通電されるキャンセルコイル、が備えられ、前記キャンセルコイルに通電されるキャンセル信号の影響で外部磁場が変化することにより、前記検出コイルからの出力信号に重畳された高調波成分が変化する、といった第１１局面（請求項１１）を採用してもよい。
【００３７】
また、上記課題を解決するため第１２局面（請求項１２）に係る制御装置は、上記第１〜第９のいずれかの構成に係るセンサ素子と接続される制御装置であって、前記検出コイルの出力信号から、該出力信号に含まれる信号成分のうち、前記基本波成分に重畳されている高調波成分を抽出する成分抽出部と、前記出力信号に含まれうる高調波成分、および、該高調波成分が発生する場合における前記被検出信号の信号レベル、を対応づけた対応関係に基づいて、前記成分抽出部に抽出された高調波成分に対応する信号レベルを、その時点における前記被検出信号の信号レベルとして特定するレベル特定部と、前記レベル特定部により特定された信号レベルを示す情報を外部へと出力する情報出力部と、を備えている。
【００３８】
このセンサ素子であれば、上記第１〜第９のいずれかの局面に係る電流センサの一部を構成することができる。
この局面のうち、前記センサ素子が、前記コア部材に巻回され、前記被検出信号の影響による外部磁場の変化を相殺させるためのキャンセル信号が通電されるキャンセルコイル、を備え、前記キャンセルコイルに通電されるキャンセル信号の影響で外部磁場が変化することにより、前記検出コイルからの出力信号に重畳された高調波成分を変化させるように構成されている場合には、以下に示す第１３局面（請求項１３）のようにするとよい。
【００３９】
第１３局面では、前記キャンセルコイルへのキャンセル信号の通電を制御するキャンセル制御部、が備えられ、前記キャンセル制御部は、前記成分抽出部に抽出される高調波成分が小さくなるよう、前記キャンセル信号の信号レベルをフィードバック制御して、前記レベル特定部は、前記キャンセル制御部によるフィードバック制御が開始された以降、前記成分抽出部に抽出される高調波成分が所定のしきい値未満となった際に、前記キャンセル信号の信号レベルに応じて相殺される前記高調波成分、および、該高調波成分が発生する場合における前記被検出信号の信号レベル、を対応づけた対応関係に基づいて、前記高調波成分がしきい値未満となる契機となったキャンセル信号の信号レベルにつき、該キャンセル信号の信号レベルに対応する信号レベルを、その時点における前記被検出信号の信号レベルとして特定する。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】第１実施形態における電流センサの全体構成を示すブロック図
【図２Ａ】コア部材の有する特性を示すグラフ（外部磁場Ｈに対する磁化Ｍの変化で規定されるＭ−Ｈ曲線）
【図２Ｂ】コア部材の有する特性を示すグラフ（外部磁場Ｈに対する磁化Ｍの変化で規定されるＭ−Ｈ曲線；図２Ａにおける低磁場域を拡大したもの）
【図２Ｃ】コア部材の有する特性を示すグラフ（外部磁場Ｈと透磁率μで規定されるμ−Ｈ曲線）
【図２Ｄ】コア部材の有する特性を示すグラフ（外部磁場Ｈと透磁率μで規定されるμ−Ｈ曲線；図２Ｃにおける低磁場域を拡大したもの）
【図３】第２実施形態における電流センサの全体構成を示すブロック図
【図４】別の実施形態におけるセンサ素子を示す斜視図
【図５】第３実施形態における電流センサの全体構成を示すブロック図
【図６】第３実施形態の構成における処理を示すフローチャート
【図７】第４実施形態における電流センサの全体構成を示すブロック図
【図８】別の実施形態におけるセンサ素子を示す斜視図
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下に本発明の実施形態を図面と共に説明する。
（１）第１実施形態
本実施形態における電流センサ１は、図１に示すように、センサ素子２と検出部３とからなる。
【００４２】
まず、センサ素子２は、磁性材料を環状に形成してなるコア部材２１と、コア部材２１に巻回され、コア部材２１を励磁する励磁コイル２３と、コア部材２１に巻回され、被検出信号の検出に用いられる検出コイル２５と、を備えている。
【００４３】
これらのうち、コア部材２１は、環状に囲まれた検出領域に被検出電線１００を貫通させ、ここに被検出信号を導通させた場合に、この被検出信号の影響で変化する外部磁場に応じて外部磁場０を頂点に透磁率μが減少していく、といった特性を有する部材により形成されている。なお、透磁率μは、下記の式１のように、外部磁場Ｈに対する磁化Ｍの変化で規定されるＭ−Ｈ曲線（図２（ａ），（ｂ）参照）の傾き（つまり磁化Ｍの磁場Ｈによる微分値）に基づいて表現した値となる。
【００４４】
【数１】
2013217914.tif 000003
【００４５】
このような磁性部材としては、例えば、本願出願人による特願2010-215871 号に記載の磁性部材を採用することが考えられる。この磁性部材は、図２（ｃ），（ｄ）に示すように、外部磁場Ｈ＝０を頂点として透磁率が減少していくと共に、この外部磁場Ｈと透磁率μで規定されるμ−Ｈ曲線の曲率が外部磁場Ｈにおける絶対値の大きさに応じて大きくなっていく、といった特性を特徴としている。
【００４６】
このように構成されたセンサ素子２では、励磁コイル２３に基本波成分からなる励磁信号を通電した状態で、被検出電線１００に被検出信号が流れると、その時点におけるコア部材２１の透磁率μに応じた高調波成分が基本波成分に重畳された信号が、検出コイル２５から出力されるように構成されている。
【００４７】
一方、検出部３は、センサ素子２（の検出コイル２５）からの出力信号に基づいて被検出信号の信号レベルを特定すべく、各種信号の入出力を行う制御装置であり、検出コイル２５の出力信号に含まれる信号成分のうち、基本波成分に重畳されている高調波成分を抽出する成分抽出部３１と、成分抽出部３１に抽出された高調波成分に対応する信号レベルをその時点における被検出信号の信号レベルとして特定するレベル特定部３３と、レベル特定部３３により特定された信号レベルを示す情報を外部へと出力する情報出力部３５と、励磁コイル２３への通電を行う信号源３７と、を備えている。
【００４８】
これらのうち、レベル特定部３３は、出力信号に含まれうる高調波成分、および、この高調波成分が発生する場合における被検出信号の信号レベル、を対応づけた対応関係に基づいて、被検出信号の信号レベルを特定する。
【００４９】
なお、高調波成分に応じて、被検出電流の信号レベルがどのような値になるかについては、実際はコア部材１０と被検出電線１００との位置関係により異なる（アンペールの法則、ビオサバールの法則などにより規定される）ため、これら位置関係により定められたものが使用される。
【００５０】
また、信号源３７は、交流信号（本実施形態では正弦波信号）により励磁コイル２３への通電を行い、この信号における交流成分がコア部材２１を介して基本波成分となり、検出コイル２５によって検出されることとなる。
【００５１】
また、検出部３には、検出コイル２５の出力信号に基づいて、この出力信号の位相を１／２周期ズラしてなる変位信号を生成する変位生成部３９、が備えられており、成分抽出部３１は、検出コイル２５からの出力信号と、変位生成部３９により生成された変位信号と、を重畳してなる信号を高調波成分として抽出する。
【００５２】
ここで、変位生成部３９は、例えば、出力信号をデジタル信号に変換してからデータ処理にて変位信号を生成する構成としてもよいし、遅延回路にて１／２周期ズラした変位信号を生成する構成としてもよい。
（２）第２実施形態
本実施形態における電流センサ１は、図３に示すように、同一の被検出電線１００がそれぞれの検出領域に流れるように配置された２つのコア部材２１を備え、コア部材２１それぞれに励磁コイル２３および検出コイル２５が巻回されていること、および、変位生成部３９が備えられていないこと、が第１実施形態との相違点となっている。
【００５３】
この構成において、励磁コイル２３それぞれは、直列接続されており、一方の励磁コイル２３に流れる信号と他方の励磁コイル２３に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係となっている。
【００５４】
また、検出コイル２５それぞれは、直列接続されており、一方の検出コイル２５に流れる信号と他方の検出コイル２５に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係となっている。
【００５５】
そして、検出部３の成分抽出部３１は、直列接続された検出コイル２５からの出力信号そのものを高調波成分として抽出するように構成されている。
なお、この実施形態において、検出コイル２５は、図４に示すように、第１,第２コア部材２１からなるコアを一つのコア部材として、これら第１,第２コア部材２１にまとめて巻回されたものとしてもよい。
（３）第３実施形態
本実施形態における電流センサ１は、図５に示すように、センサ素子２にキャンセルコイル５１が巻回されている点、検出部３にキャンセル制御部６０が備えられている点が、他の実施形態に対して相違する構成となっているため、この相違点を中心に詳述する。
【００５６】
センサ素子２におけるキャンセルコイル５１は、コア部材２１に巻回されており、被検出信号の影響による外部磁場の変化を相殺させるためのキャンセル信号が通電される。
こうして、センサ素子２は、キャンセルコイル５１に通電されるキャンセル信号の影響で外部磁場を変化させることにより、検出コイル２５から出力される信号に重畳される高調波成分を変化させられるように構成されている。
【００５７】
検出部３のキャンセル制御部６０は、キャンセルコイル５１へのキャンセル信号の通電を制御するものであり、成分抽出部３１に抽出される高調波成分が小さくなるよう、キャンセル信号の信号レベルをフィードバック制御するように構成されている。
【００５８】
このキャンセル制御部６０は、成分抽出部３１に検出された高調波成分（の信号レベル）をメモリにあらかじめ格納された目標値（本実施形態では「０」）と比較しその偏差を出力する比較器６１、比較器６１に出力された偏差を積分してその積分値を出力する積分器６３、積分器６３に出力された積分値に基づいてキャンセル信号の信号レベルを演算するレベル演算器６５、キャンセルコイル５１へのキャンセル信号の通電を行うと共にその信号レベルをレベル演算器６５の演算結果に応じて制御するレベル制御回路６７などからなる。
【００５９】
これらのうち、レベル演算器６５は、積分器６３から出力された積分値の正負により、キャンセル信号の信号レベルとしてそれ以前よりも一定値だけ増減させた信号レベルを演算する。なお、ここでは、演算器６３からの積分値を「０」とするために必要なキャンセル信号の信号レベルを直接演算するように構成してもよい。
【００６０】
また、この構成において、検出部３のレベル特定部３３は、キャンセル制御部６０における比較器６１の出力をチェックしており、比較器６１に出力された偏差が所定のしきい値未満（例えば「０」）、つまり高調波成分が目標値と一致したと認定される場合に、そうして高調波成分がしきい値未満となる契機となったキャンセル信号の信号レベルをレベル演算器６５から取得し、これに基づいてその時点における被検出信号の信号レベルを特定する。
【００６１】
具体的には、キャンセル信号の信号レベルに応じて相殺される前記高調波成分、および、その高調波成分が発生する場合における被検出信号の信号レベル、を対応づけた対応関係（データテーブルや計算式で規定）に基づいて、高調波成分がしきい値未満となる契機となったキャンセル信号の信号レベルに対応する信号レベルを、その時点における被検出信号の信号レベルとして特定する。
【００６２】
本実施形態において、「高調波成分がしきい値未満となる契機となったキャンセル信号の信号レベル」は、演算器６３からの積分値「０」に基づいてレベル演算器６５が演算を行う前に、レベル特定部３３がレベル演算器６５の演算値をチェックすることで、この演算値を該当の信号レベルとして取得している。ただ、レベル演算器６５による演算値を時系列で記憶できるように構成しておき、高調波成分がしきい値未満となった際の演算に用いられた演算値を、該当の信号レベルとして取得することとしてもよい。
【００６３】
この実施形態においては、検出部３（成分抽出部３１、信号源３７、レベル制御回路６７、情報出力部３５を除く各構成要素）による処理および演算がハードウェア構成により実現されるように構成されているが、これら処理および演算は、ソフトウェアプログラムおよびこれを実行するマイコンにより実現することとしてもよい。
【００６４】
具体的には、マイコンとしての機能を有する検出部３に、以下に示すようなソフトウェアプログラムを実行させることが考えられる（図６参照）。なお、このプログラムは、あらかじめ検出部３のメモリに格納されていればよいが、各種記録媒体に記録した状態でユーザに提供したり、ネットワーク経由で電流センサ１のユーザに配信されるものとしてもよい。
【００６５】
まず、検出器３は、その動作開始以降、成分抽出部３１からの出力値が目標値（を中心とするしきい値未満の値）に到達したか否かをチェックし（ｓ１１０）、目標値に到達していなければ（ｓ１１０：ＮＯ）、その目標値に基づいてレベル演算器６５と同様の演算を行い（ｓ１２０）、この演算値に基づいてレベル制御回路６７への制御指令を行う（ｓ１３０）、といった処理を繰り返し実施する。
【００６６】
そして、出力値が目標値に到達したら（ｓ１１０：ＹＥＳ）、その到達に先立って上記ｓ１２０にて演算された演算値を取得し（ｓ１４０）、こうして取得した演算値に基づいてレベル特定部３３と同様に該当信号レベルを特定して（ｓ１５０）、その特定した信号レベルの情報を外部へと出力する（ｓ１６０）。この後は、プロセスがｓ１１０へと戻り、以降、ｓ１１０〜ｓ１６０が繰り替えし実施される。
（４）第４実施形態
本実施形態における電流センサ１は、主として、図７に示すように、コア部材がそれぞれ検出領域を貫通する方向に沿って配置された第１,第２コア部材２１からなる点、変位生成部３９が備えられていない点が、第３実施形態に対して相違する構成となっているため、この相違点を中心に詳述する。
【００６７】
センサ素子２における励磁コイル２３は、第１,第２コア部材２１それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが逆位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められている。
【００６８】
また、検出コイル２５は、第１,第２コア部材２１それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められている。
【００６９】
また、キャンセルコイル５１は、第１,第２コア部材２１それぞれに巻回された２つが直列接続され、一方に流れる信号と他方に流れる信号とが同位相かつ同一信号レベルとなるように、巻回される回数および位置関係が定められている。
【００７０】
そして、検出部３において、成分抽出部３１は、直列接続された検出コイル２５からの出力信号そのものを高調波成分として抽出するように構成されている。
なお、この実施形態において、検出コイル２５は、図８Ａに示すように、第１,第２コア部材２１からなるコアを一つのコア部材として、これら第１,第２コア部材２１にまとめて巻回されたものとしてもよい。
【００７１】
また、キャンセルコイル５１は、図８Ｂに示すように、第１,第２コア部材２１からなるコアを一つのコア部材として、これら第１,第２コア部材２１にまとめて巻回されたものとしてもよい。さらに、この場合には、図８Ｃに示すように、検出コイル２５についても、第１,第２コア部材２１にまとめて巻回されている構成としてもよい。
（３）作用効果
このように構成された電流センサ１によれば、コア部材２１には、被検出信号の信号レベルに応じた磁束が重畳的に発生するが、コア部材２１そのものの特性によって、外部磁場Ｈ＝０を頂点として透磁率μが減少していくと共に、この外部磁場Ｈと透磁率μで規定されるμ−Ｈ曲線の曲率が外部磁場Ｈにおける絶対値の大きさに応じて大きくなっていくため、ｘ軸に磁場Ｈをとり、ｙ軸に透磁率μをとったμ−Ｈ特性をみると、磁場Ｈに応じて二次曲線状に透磁率μが変化する特性を示すようになる。
【００７２】
この特性においては、二次曲線上における任意の位置でｘ軸に沿って振幅が変化する励磁信号に対し、ｙ軸に沿って振幅が変化する検出コイル２５からの出力信号に、二次曲線の「曲がり具合」に応じた高調波成分が重畳されることとなるが、励磁信号の振幅中心が二次曲線上にあることから、磁場Ｈ＝０付近から飽和磁化に対応する磁場Ｈｓ付近までの広範囲にわたって、磁場Ｈに応じた固有の高調波成分が出力信号に重畳されることとなる。
【００７３】
つまり、上記構成では、飽和磁化に対応する磁場Ｈｓ付近の極狭い範囲だけでなく、磁場Ｈ＝０付近から磁場Ｈｓ付近までの広範囲にわたって、被検出信号の信号レベルを特定（検出）することができる。
【００７４】
また、この構成では、磁場Ｈ＝０付近に対応する小さな電流値から、磁場Ｈｓに対応する大きな電流値までを検出することができるため、被検出電流の信号レベルを向上させるべく被検出電線１００をコア部材２１に数多く巻回する必要もなく、その結果、電流センサとして単純化・小型化を実現できるためにその用途も広い。
【００７５】
また、第１実施形態における電流センサ１では、出力信号そのものと、出力信号の位相を１／２周期ズラした変位信号とを相殺することにより、出力信号の信号成分から規則正しく増減する基本波成分が除去される一方、歪みとして不規則に増減する高調波成分が強調された信号が抽出される。これにより、高調波成分の強調された信号を抽出し、ここから被検出信号の信号レベルを特定することができる。
【００７６】
なお、第１実施形態では、このように高調波成分が強調されて出力されることから、その強調された高調波成分に基づいて、被検出信号の信号レベルとの対応関係を用意しておくことになる。
【００７７】
また、第２実施形態における電流センサ１では、励磁コイル２３それぞれが逆位相で直列接続され、検出コイル２５それぞれが同位相で直列接続されているため、励磁信号により発生する磁束から規則正しく増減する基本波成分が相殺される一方、歪みとして不規則に増減する高調波成分が強調されて出力されることになる。なお、この点については、励磁コイル２３それぞれが逆位相で直列接続され、第１,第２コア部材２１からなるコアを一つのコア部材として検出コイル２５が第１,第２コア部材２１にまとめて巻回されている構成とした場合も同様である。
【００７８】
これにより、直列接続された一組の検出コイル２５からの出力信号そのものを高調波成分として抽出し、ここから被検出信号の信号レベルを特定することができる。
なお、第２実施形態では、このように高調波成分が強調されて出力されることから、その強調された高調波成分に基づいて、被検出信号の信号レベルとの対応関係を用意しておくことになる。
【００７９】
また、第３,第４実施形態における電流センサ１では、第１,第２コア部材２１それぞれを介して、キャンセル信号により外部磁場を変化させることができる。
また、これら電流センサ１では、被検出信号による外部磁場の変化を、キャンセル信号のフィードバック制御により相殺させ、そうして相殺させたキャンセル信号の信号成分に基づいて被検出信号の信号レベルを特定している。
【００８０】
キャンセル信号は、検出コイルと同じコア部材に巻回されたキャンセルコイルから出力されるものであり、検出コイルからの出力信号と同じ外部磁場および温度環境の影響を受ける。そのため、キャンセル信号の信号レベルを変化させて被検出信号による外部磁場の変化を相殺させたということは、被検出信号の信号レベルに対応する信号レベルがキャンセル信号によって再現されたということであり、このキャンセル信号の信号レベルが、被検出信号の信号レベルに対応するものになっていることを意味する。
【００８１】
こうして、被検出信号による外部磁場の変化をキャンセル信号で相殺することにより、外部磁場の変化を相殺したキャンセル信号の信号レベルを、透磁率μおよび温度環境の影響が排除され、かつ、被検出信号に対応する信号成分として取り扱えるようになる。
【００８２】
こうして、被検出信号による外部磁場の変化を、キャンセル信号のフィードバック制御により相殺させることにより、そうして相殺させたキャンセル信号の信号成分に基づいて被検出信号の信号レベルを特定することができる。
【符号の説明】
【００８３】
１…電流センサ、２…センサ素子、３…検出部、２１…コア部材、２３…励磁コイル、２５…検出コイル、３１…成分抽出部、３３…レベル特定部、３５…情報出力部、３７…信号源、３９…変位生成部、５１…キャンセルコイル、６０…キャンセル制御部、６１…比較器、６３…積分器、６５…レベル演算器、６７…レベル制御回路、１００…被検出電線。
【図３】
2013217914.tif 000004
【図４】
2013217914.tif 000005
【図６】
2013217914.tif 000006
【図１】
2013217914.tif 000007
【図２Ａ】
2013217914.tif 000008
【図２Ｂ】
2013217914.tif 000009
【図２Ｃ】
2013217914.tif 000010
【図２Ｄ】
2013217914.tif 000011
【図５】
2013217914.tif 000012
【図７】
2013217914.tif 000013
【図８】
2013217914.tif 000014