【手続補正書】
【提出日】平成28年7月13日(2016.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜を形成するためのＲＰＣＶＤ装置であって、前記装置は成長チャンバを備え、前記成長チャンバは、
（ａ）前記成長チャンバの第１堆積区域に位置して、前記第１堆積区域に第ＶＡ族プラズマを導入する第ＶＡ族プラズマ注入口と、
（ｂ）前記成長チャンバの第２堆積区域に位置して、前記第２堆積区域に第ＩＩＩＡ族試薬を導入する第ＩＩＩＡ族試薬注入口と、
（ｃ）アンモニア、ヒドラジン、ジメチルヒドラジンおよび水素プラズマからなる群より選択される追加試薬を、該追加試薬と第ＩＩＩＡ族試薬とが堆積前に混合するように、第２堆積区域に導入する、第ＩＩＩＡ族試薬注入口に隣接した追加試薬注入口と、
（ｄ）１つ以上の基材を支持し、かつ各基材を第１堆積区域と第２堆積区域との間で回転させるのに適合した基材ホルダとを備える、装置。
【請求項２】
前記追加試薬注入口はアンモニア注入口である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
第１堆積区域は、第２堆積区域から実質的に隔離されている、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
第ＶＡ族プラズマ注入口および第ＩＩＩＡ族試薬注入口のうちの少なくとも一方は、１つ以上の基材の成長表面から１ｃｍ〜３０ｃｍの距離をおいて成長チャンバに開放している、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
第ＶＡ族プラズマ注入口または第ＩＩＩＡ族試薬注入口の少なくとも一方は、前記１つ以上の基材の成長表面から鉛直上方１〜３０ｃｍに位置する成長チャンバの天井と同一平面上において終了する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記追加試薬注入口は、前記１つ以上の基材と接触する前に前記試薬の混合を促進するために、第ＩＩＩＡ族試薬注入口の開口に実質的に隣接して前記成長チャンバに開放している、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記成長チャンバは、前記試薬が１つ以上の基材と接触する直前に前記試薬の混合を促進するために、前記追加試薬注入口および第ＩＩＩＡ族試薬注入口のうちの少なくとも一方に関連した１つ以上の構造を備える、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
第ＶＡ族プラズマ注入口と前記１つ以上の基材との間には直接的な流路が存在する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記追加試薬注入口の開口は、前記１つ以上の基材に近接して成長チャンバに開口している、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記追加試薬注入口は、前記成長チャンバの天井から下方に延びて、前記１つ以上の基材の成長表面に近接して終了する、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
第ＶＡ族プラズマ注入口および第ＩＩＩＡ族試薬注入口は、前記成長チャンバ内において中央に位置する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
第ＶＡ族プラズマ注入口および第ＩＩＩＡ族試薬注入口は、前記成長チャンバ内において周辺に位置する、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記基材ホルダの回転は、前記１つ以上の基材を第１堆積区域から第２堆積区域へ逐次的に通過させる、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
ＲＰＣＶＤによって基材上に薄膜を形成する方法であって、該方法は、
（ａ）第ＶＡ族プラズマを、第ＶＡ族プラズマ注入口を介して成長チャンバの第１堆積区域に導入する工程と、
（ｂ）第ＩＩＩＡ族試薬を、第ＩＩＩＡ族試薬注入口を介して成長チャンバの第２堆積区域に導入する工程であって、第２堆積区域は第１堆積区域から実質的に隔離されている、工程と、
（ｃ）アンモニア、ヒドラジン、ジメチルヒドラジンおよび水素プラズマからなる群より選択される追加試薬を、追加試薬注入口を介して、前記追加試薬と第ＩＩＩＡ族試薬とが堆積前に混合するように、第２堆積区域に導入する工程と、
（ｄ）前記基材を第１堆積区域と第２堆積区域との間で移動させる工程とを含み、
それにより基材上に薄膜を形成する、方法。
【請求項１５】
前記追加試薬はアンモニアである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記追加試薬は、第ＩＩＩＡ族注入口の開口に実質的に隣接する第２堆積区域に導入される、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記追加試薬および第ＩＩＩＡ族試薬は、前記成長チャンバに同時に導入される、請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記第ＩＩＩＡ族試薬は第ＩＩＩＡ族有機金属試薬である、請求項１４乃至１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記第ＩＩＩＡ族有機金属試薬は、トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリメチルインジウムおよびトリメチルアルミニウムからなる群より選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
第ＶＡ族プラズマは活性窒素種を含有する窒素プラズマである、請求項１４乃至１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
前記１つ以上の基材に隣接する第ＩＩＩＡ族試薬と追加試薬との混合を促進する工程をさらに含む、請求項１４乃至２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記追加試薬の流量は１５〜１５００ｓｃｃｍ（２．５４×１０−２Ｐａ・ｍ３／ｓ〜２．５４Ｐａ・ｍ３／ｓ）である、請求項１４乃至２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
前記プラズマ発生器の出力を５００〜４０００Ｗとなるように制御する工程をさらに含む、請求項１４乃至２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記成長チャンバ内の成長圧力は２〜５トル（２．６７×１０２Ｐａ〜６．６７×１０２Ｐａ）である、請求項１４乃至２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記プラズマの流量は２０００〜３０００ｓｃｃｍ（３．３８Ｐａ・ｍ３／ｓ〜５．０７Ｐａ・ｍ３／ｓ）である、請求項１４乃至２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
前記成長チャンバ内の温度を４００〜１２００℃となるように制御する工程をさらに含む、請求項１４乃至２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
第ＶＡ族プラズマと第ＩＩＩＡ族試薬との混合を防止するために前記堆積区域を隔離する工程をさらに含む、請求項１４乃至２６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
成長膜をｐ型ドーピングする工程をさらに含む、請求項１４乃至２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
ＲＰＣＶＤによって、基材上に５Ｅ＋１７原子／ｃｍ３未満の炭素不純物含有量を有する薄膜を形成する方法であって、前記方法は、
（ａ）第ＶＡ族プラズマを、第ＶＡ族プラズマ注入口を介して成長チャンバの第１堆積区域に導入する工程であって、第ＶＡ族プラズマ注入口と第１堆積区域内に位置する基材との間に直接的な流路が提供される、工程と、
（ｂ）第ＩＩＩＡ族試薬を、第ＩＩＩＡ族試薬注入口を介して成長チャンバの第２堆積区域に導入する工程であって、第２堆積区域は第１堆積区域から実質的に隔離されている、工程と、
（ｃ）アンモニア、ヒドラジン、ジメチルヒドラジンおよび水素プラズマからなる群より選択される追加試薬を、追加試薬注入口を介して、前記追加試薬と第ＩＩＩＡ族試薬とが堆積前に混合するように、第２堆積区域に導入する工程と、
（ｄ）前記基材を第１堆積区域と第２堆積区域との間で移動させる工程とを含み、
それにより基材上に５Ｅ＋１７原子／ｃｍ３未満の炭素不純物含有量を有する薄膜を形成する、方法。
【請求項３０】
前記炭素不純物含有量は３Ｅ＋１７原子／ｃｍ３未満である、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記薄膜の酸素不純物含有量は６Ｅ＋１７原子／ｃｍ３未満である、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
請求項１４乃至３１のいずれか１項に記載の方法によって形成された膜。
【請求項３３】
半導体装置における請求項３２に記載の膜の使用。