(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光ビームにより書き換え可能に記録する光学情報媒体において、前記媒体が積層体を担持する基板を有し、前記積層体が、
−  第１誘電体層と、
−  結晶質状態においてアモルファスビットを記録することが可能な相変化材料の記録層と、
−  第２誘電体層と、
−  ｎを屈折率、ｋを吸光係数とした場合、０.５ないし２０のｎ／ｋ比を持つ材料の光吸収層と、
−  第３誘電体層と、
−  金属鏡層と、
を、この順に有していることを特徴とする光学情報媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の光学情報媒体において、前記光吸収層が、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＨｆからなる群から選択された金属、又はＰｂＳ、Ｇｅ、ＩｎＰ及びＳｉからなる群から選択された半導体材料を有していることを特徴とする光学情報媒体。
【請求項３】
請求項１に記載の光学情報媒体において、前記光吸収層が、２nmと２００nmとの間の厚さを有していることを特徴とする光学情報媒体。
【請求項４】
請求項１に記載の光学情報媒体において、前記記録層が、GeSbTe化合物を有していることを特徴とする光学情報媒体。
【請求項５】
請求項１に記載の光学情報媒体において、前記記録層が、１０ないし３５nm、好ましくは２５ないし３５nmの厚さを有することを特徴とする光学情報媒体。
【請求項６】
請求項１に記載の光学情報媒体において、前記第１誘電体層の厚さが７０nmと［７０＋λ／(２ｎ)］nmとの間にあり、ここで、λは前記レーザ光ビームの波長であり、ｎは該誘電体層の屈折率であることを特徴とする光学情報媒体。
【請求項７】
請求項１に記載の光学情報媒体において、前記第２誘電体層の厚さが、２nmと３０nmとの間であることを特徴とする光学情報媒体。
【請求項８】
請求項１に記載の光学情報媒体において、前記第３誘電体層の厚さが、２nmと１００nmとの間であることを特徴とする光学情報媒体。
【請求項９】
請求項１に記載の光学情報媒体において、前記金属鏡層の厚さが、６０nmと１６０nmとの間であることを特徴とする光学情報媒体。
【請求項１０】
請求項１ないし９の何れか一項に記載の光学情報媒体のランド／溝記録用の使用。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【技術分野】
本発明は、レーザ光ビームにより書き換え可能に記録する光学情報媒体に係り、該媒体が積層体を担持する基板を有し、該積層体が第１、第２及び第３の誘電体層と、２つの誘電体層の間に配置された相変化材料の記録層であって該相変化材料が結晶質状態の場合にアモルファスマークを記録することができるような記録層と、光吸収性層と、金属鏡層とを有するような光学情報媒体に関する。
【０００２】
また、本発明は、斯かる光学記録媒体のランド／溝記録用の使用にも関する。
【０００３】
【背景技術】
相変化原理に基づく光学情報又はデータ記憶は、読取専用システムとの容易な互換性をもって直接重ね書き（ＤＯＷ）と高記憶密度との可能性を兼ね備えるので、魅力的である。相変化光学記録は、収束されたレーザ光ビームを用いて薄い結晶質膜にサブミクロンサイズのアモルファス記録マークを形成することに関わるものである。情報の記録の間、媒体は収束されたレーザ光ビームに対して移動され、該光ビームは記録されるべき情報に従って変調される。これにより、相変化記録層に焼き入れ（quenching）が生じて、該記録層の露光領域にアモルファス情報ビットが形成されるが、該記録層は非露光領域では結晶質のままである。書き込まれたアモルファスマークの消去は、同一のレーザを用いた加熱による再結晶化により実現される。上記アモルファスマークはデータビットを表し、これらビットは低出力収束レーザ光ビームにより前記基板を介して再生される。結晶質記録層に対するアモルファスマークの反射差が変調されたレーザ光ビームを生じさせ、次いで、この変調された光ビームは検出器により、コード化され記録されたデジタル情報に従って変調された光電流に変換される。
【０００４】
相変化光学記録における関心事項の１つは、このような媒体が例えば１２０mmなるディスク直径において３ギガバイトを越える記憶容量のような高密度記録に適したものとなるように、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤリライタブル及びＤＶＲ（デジタルビデオレコーダ）等の利用分野用の高記録容量を得ることである。この目的のための可能性のある任意選択事項は、レーザ波長λを減少させる、及び／又は開口数（ＮＡ）を増加させることである。何故なら、レーザのスポットサイズは（λ／ＮＡ）２に比例するからである。他の選択枝は複数記録層の適用である。また、他の可能性は情報トラックを、溝内と、当該媒体のトラッキング案内溝間のランド上との両方に記録することである（ランド／溝記録）。これらの溝は、レーザ光ビームをトラックに沿って案内するために存在する。
【０００５】
相変化型光学情報媒体の記憶密度は、上記マークの半径方向密度と接線方向密度との両方により決定される。半径方向密度はトラックピッチ、即ち前記溝の隣接するトラック中心線間の半径方向距離、により決まる。トラックピッチは温度クロストークにより制限される。このことは、トラックに記録されるデータの品質が、隣接するトラックにおける記録により影響されることを意味する。この場合、記録されたマークの形状が歪み、結果としてジッタが大きくなる。接線方向密度はチャンネルビットの長さにより決まり、該長さは、標準のＩＰＩＭ積層体が使用された場合、アモルファス状態の光吸収（Ａａ）が結晶質状態のもの（Ａｃ）より高いという事実により制限される。上記積層体において、Ｉは誘電体層を表し、Ｐは相変化記録層を表し、Ｍは反射層又は鏡層を表す。したがって、該記録膜がレーザ光により照射された場合、アモルファス部分は結晶性部分よりも高い温度に加熱される。結果として、結晶性領域に重ね書きされた記録マークは、アモルファス領域におけるものよりも小さくなる。このような現象は、ジッタの増加の原因となり、この増加はチャンネルビット長の逆数に比例する。この問題を克服するために、ＡｃとＡａとの間の差は最少にされるべきか、又はＡｃ≧Ａａの方がよい。
【０００６】
冒頭で述べたような型式の光学情報媒体は米国特許第5652036号公報から既知である。該既知の相変化型の媒体は、３つの誘電体層、相変化記録層、光吸収層及び反射層を有する積層体を担持する基板を備えている。例えばIAIPIM積層体等の多数の可能性のある積層体の変形が開示されており、ここで、Ｉ、Ｐ及びＭは前述した意味を有し、Ａは光吸収層を表している。該光吸収層は、誘電体材料と金属又は半導体材料とを有する混合物から形成されている。光吸収層Ａの追加の結果は、上記記録層のアモルファス状態（Ａａ）と結晶質状態（Ａｃ）との光吸収の差が最小化され、これにより記録マークの歪みが減少するということである。該既知の記録媒体の不利な点は、高密度のランド／溝記録に適していない点である。これは、既知の積層体における結晶質状態とアモルファス状態との間の光位相差（Ψｃ−Ψａ）が零に近くないという事実によるが、その必要性は後述する。
【０００７】
【発明の開示】
本発明の１つの目的は、なかでも、高密度ランド／溝記録に適した、即ちΨｃ−Ψａ（ラジアン）が略零であるべきような、書換可能型光学情報媒体を提供することにある。ＡｃとＡａとの間の差は、零に近く、又は好ましくはＡｃ／Ａａ＞０.９５であり、又は一層好ましくはＡｃ≧Ａａでなければならず、その際、光学的コントラストは高いままとする。該光学的コントラストＣは１００（Ｒｃ−Ｒａ）／Ｒｃで定義され、ここで、Ｒｃ及びＲａは、各々、結晶質状態及びアモルファス状態の反射率である。
【０００８】
これら目的は、本発明によれば、冒頭で述べたような光学情報媒体であって、該媒体の積層体が、
−  第１誘電体層、
−  結晶質状態においてアモルファスビットを記録することが可能な相変化材料の記録層、
−  第２誘電体層、
−  ｎを屈折率、ｋを吸光係数とした場合、０.５ないし２０のｎ／ｋ比を持つ材料の光吸収層、
−  第３誘電体層、及び
−  金属鏡層、
の層系列を有する光学情報媒体により達成される。
【０００９】
この積層体はIPIAIM構造と呼ぶことができ、ここで、Ｉ、Ｐ、Ｉ、Ａ及びＭは前述した意味を有する。上述したｎ／ｋ比を持つ材料の光吸収層の存在は、結晶質状態の記録層において吸収されるレーザ光の量（Ａｃ）が、アモルファス状態において吸収される量（Ａａ）に殆ど等しくなるか又は該量より高くなることを保証する。結果として、結晶質領域に重ね書きされる記録マークは、アモルファス領域におけるものと同じ大きさを有する。この効果は、ジッタを減少させ、斯かる記録媒体の記憶密度を大幅に向上させることができる。
【００１０】
ランド／溝記録のためには、上記光吸収層が相変化層と金属鏡層との間に配置されると共に２つの誘電体層の間に挟まれるようにするのが好ましい。何故なら、この構成は、光位相差Ψｃ−Ψａ（ラジアンで）が略零になることを保証するからである。これの理由は、反射されたレーザ光ビームの変調が、アモルファスマークと結晶質記録層との間の反射の差により発生されるのみならず、アモルファスマークと結晶質記録層との間の光位相差によっても発生されるからである。ランド／溝記録においては、即ち溝内及び溝間のランド上に記録する場合には、溝内及びランド上におけるマークの変調は、等しくなければならない、即ち反射差のみにより発生されなければならない。溝内記録モード又はランド上記録モード、即ち両記録モードの組合せでない場合は、光位相差Ψｃ−Ψａは問題ではない。
【００１１】
上記光吸収層の材料は、０.５と２０との間の、好ましくは０.６と１６との間の範囲のｎ／ｋ比を有する。これらの値は、光吸収と光透過との間に適切なバランスを与える。これらの条件を満たすような材料の例は、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ及びＨｆからなる群から選択された金属、並びにＰｂＳ、Ｇｅ、ＩｎＰ及びＳｉからなる群から選択された半導体材料である。好ましいものはＳｉ及びＧｅである。何故なら、これらは安価であり適用（apply）するのが容易であるからである。Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ及びＲｈのような金属は、この条件を満たさない。何故なら、それらのｎ／ｋ比は上記範囲外であるからである。
【００１２】
上記光吸収層の厚さは、光吸収と光透過との適切なバランスをとるため、２nmと２００nmとの間、もっと好ましくは１０nmと１００nmとの間とするが、選択された材料のｎ／ｋ比に依存する。例えば、Ｓｉの場合上記厚さは約７５nmとなり、Ｍｏの場合該厚さは約３５nmとなり、Ｇｅの場合該厚さは約５５nmとなる。
【００１３】
上記記録層は、結晶質／アモルファス相転移を示す相変化材料を有する。既知の材料は、例えば、In-Se、In-Se-Sb、In-Sb-Te、Te-Ge、Te-Se-Sb、Te-Ge-Se又はAg-In-Sb-Teなる合金である。好ましくは、該記録層はGeSbTe化合物を有する。特に有効なのは、本出願人により出願された国際特許出願公開第WO97/50084（出願人整理番号：PHN15881）に記載された化合物である。これらの化合物は、式：Ge50xSb40-40xTe60-10xにより原始百分率で規定された組成を有し、ここで、０.１６６≦ｘ≦０.４４４である。これらの組成は、三角形Ge-Sb-Te組成図において化合物GeTeとSb2Te3とを結ぶライン上に位置し、化学量論的化合物Ge2Sb2Te5(x=0.445)、GeSb2Te4(x=0.286)及びGeSb4Te7(x=0.166)を含む。これらの化合物は、短い完全消去時間（ＣＥＴ）を示す。
【００１４】
他の好ましい化合物は、本出願人により出願された公開されていないヨーロッパ特許出願第97203459.9号（出願人整理番：PHN16586）に記載されている。これら化合物は、三元組成図Ge-Sb-Teにおける領域により原子百分率で規定された組成を有し、該領域は下記の頂点を有する五角形のものである：
0004018340.tif 000002
【００１５】
これらの化合物により、５０nsより小さいＣＥＴ値を達成することができる。
【００１６】
他の好ましい化合物は：
(ＧｅＳｂ２Ｔｅ４)１−ｘＴｅｘ
なる組成を有し、ここで、モル分率ｘは０.０１≦ｘ≦０.３７を満足する。これらの組成は、上記三元組成図においてGeSb2Te4とTeとを結ぶ結合線（tie line）上に位置するが、五角形領域ＰＱＲＳＴ内にある。これらの化合物によれば、４５nsより小さいＣＥＴ値を得ることができる。
【００１７】
３.５原子％までの酸素が上記Ge-Sb-Te化合物に添加される場合は、一層低いＣＥＴ値が得られる。
【００１８】
上述したGeSbTe化合物の結晶化速度又はＣＥＴ値は、記録層の層厚に依存する。ＣＥＴは、該層厚が１０nmまで増加するにつれて、急速に減少する。記録層が２５nmより厚い場合は、ＣＥＴは本質的に厚さとは無関係である。３５nmより上では、当該媒体の反復可能性（cyclability）が悪影響を受ける。媒体の反復可能性は、例えば１０５等の多数回のＤＯＷサイクル後の光学的コントラストＣの相対変化により測定される。各サイクルにおいて、書き込まれたアモルファスマークはレーザ光ビームを用いた加熱による再結晶化により消去され、その際に、新たなアモルファスマークが書き込まれる。理想的な場合には、反復の後も、光学的コントラストＣは変化しないままである。反復可能性は、上記記録層の層厚が３５nmまでは実際上一定である。ＣＥＴと反復可能性とに関しての組み合わされた要求の結果、記録層の厚さは、好ましくは１０nmと３５nmとの間、更に好ましくは２５nmと３５nmとの間の範囲になければならない。２５nmと３５nmとの間の厚さを持つ記録層を有するような媒体は、最初の１０５ＤＯＷサイクルの間は一定した低いジッタしか有さない。
【００１９】
第１、第２及び第３誘電体層は、ZnSとSiO2との混合物、例えば(ZnS)80(SiO2)20等からなるものとすることができる。これら層は、SiO2、TiO2、ZnS、Si3N4、AlN及びTa2O5からなるものとすることもできる。好ましくは、SiC、WC、TaC、ZrC又はTiC等の炭化物が使用される。これらの材料は、ZnS-SiO2混合物よりも高い結晶化速度及び良好な反復可能性を提供する。
【００２０】
前記金属鏡層に関しては、Al、Ti、Au、Ni、Cu、Ag、Rh、Pt、Pd、Ni、Co、Mn及びCrのような金属、並びにこれら金属の合金を使用することができる。好適な合金の例は、AlTi、AlCr及びAlTaである。
【００２１】
前記第１誘電体層の厚さは、好ましくは、７０nmと［７０＋λ／(２ｎ)］nmとの間とし、ここで、λは前記レーザ光ビームの波長であり、ｎは該誘電体層の屈折率である。該厚さが７０nmより薄いと、反復可能性が著しく減少する。７０＋λ／(２ｎ)nmを越える厚さは、反復可能性の更なる増加には繋がらず、光学的コントラストに悪く影響し、作成するが一層高価となる。例えば、波長が６３０nmに等しく、屈折率が１.５の場合は、厚さ範囲は７０nmから２８０nmへと広がる。
【００２２】
第２誘電体層は、光吸収層と記録層との間の相互作用（拡散による合金化）を防止する。該層は、結晶質相とアモルファス相との間の吸収比率を調整する。厚さは、好ましくは、２nmと３０nmとの間であり、一層好ましくは、５nmと１５nmとの間である。２nmより薄い厚さは、割れの形成の原因となり、反復可能性を減少させる。３０nmより厚い厚さは、前記記録層の冷却率を減少させる。
【００２３】
第３誘電体層は、光吸収層と金属鏡層との間の相互作用を防止する。該層は、記録層の冷却率、従って書込感度を調整する。厚さは、好ましくは、２nmと１００nmの間とし、一層好ましくは１０nmと５０nmとの間とする。該厚さが２nmより薄いと、記録層と金属鏡層との間の熱絶縁が悪影響を受ける。結果として、記録層の冷却率、従って書込出力が増加する。５０nmを越える厚さの場合は、記録層の冷却率が低過ぎる。
【００２４】
前記金属鏡層の厚さは、好ましくは、６０nmと１６０nmとの間とする。該金属鏡層が６０nmより薄いと、反復可能性が悪影響を受ける。何故なら、冷却率が低過ぎるからである。該金属鏡層が１６０nm又はそれ以上厚いと、反復可能性が更に悪化し、増加した熱伝導のために、記録及び消去出力は高くなくてはならない。もっと好ましくは、該金属鏡層の厚さは、８０nmと１２０nmとの間とする。
【００２５】
上記反射鏡層、光吸収層及び誘電体層は、共に、真空蒸着又はスパッタリングにより設けることができる。
【００２６】
前記相変化記録層は、真空蒸着、電子ビーム真空蒸着、化学蒸着、イオンめっき又はスパッタリングにより、前記基板に付着させることができる。付着されたままの層はアモルファスであり、低反射を呈する。高反射を持つ適切な記録層を構成するために、この層は、先ず完全に結晶化されねばならないが、通常、これは初期化と呼ばれている。この目的のため、上記記録層は炉内において例えば摂氏１８０度なるGeSbTe化合物の結晶化温度を超える温度まで加熱することができる。ポリカーボネイトのような合成樹脂基板が使用される場合は、他の例として、上記記録層は充分な出力のレーザ光ビームにより加熱することができる。これは、例えばレコーダ内で実現することができ、その場合には上記レーザ光ビームが、移動する記録層を走査する。この場合、上記アモルファス層は、当該基板が不利な熱負荷を受けることなく、該層を結晶化するのに要する温度まで局部的に加熱される。
【００２７】
当該情報媒体の基板は、レーザ波長に対して少なくとも透明であり、例えばポリカーボネイト、ポリメチル・メタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファス・ポリオレフィン又はガラス等からなる。典型的な例では、上記基板はディスク状であって、１２０mmなる直径及び０.１、０.６又は１.２mmなる厚さを有する。０.６又は１.２mmの基板が使用される場合は、前記各層は該基板上に第１誘電体層から始めて、上記記録層等々のように付着することができる。レーザ光ビームは、前記積層体に該基板の入射面を介して入射する。該基板上の積層体の各層は、逆の順序で、即ち前記金属鏡層から開始して付着することもできる。この場合、最後の誘電体層には、上述した基板材料の１つの透明層が０.１mmなる厚さで設けられる。レーザ光ビームは、この透明層の入射面を介して上記積層体に入射する。
【００２８】
ランド／溝記録を実施するために、当該記録媒体には同心的又は螺旋状のトラッキング案内溝が設けられなければならない。この溝は、レーザ光ビームにより光学的に走査することができる。該溝は、上記基板に、射出成形又は処理の間に鋳型により形成することができる。該溝は、他の例として、複製工程の間において、該基板上に別途設けられる例えば紫外線硬化アクリル層のような合成樹脂層に形成することもできる。高密度記録においては、斯様な溝は、例えば０.６ないし１.２μｍのピッチと、約半分のピッチの幅とを有している。
【００２９】
任意選択的に、上記積層体の最も外側の層は、例えば紫外線硬化ポリ（メタ）アクリレートの保護層により環境から遮蔽される。
【００３０】
高密度記録及び消去は、例えば６７０nm又はもっと短い波長（赤から青）を持つ短波長レーザを使用することにより達成することができる。
【００３１】
【発明を実施するための最良の形態】
以下、本発明を実施例につき添付図面を参照して詳細に説明する。
実施例１
【００３２】
図は、本発明による光学情報ディスクの断面の一部を概念的に示している。符号１は、１２０mmなる直径及び０.６mmなる厚さを持つポリカーボネイト製ディスク状基板を示している。該基板１には、下記構造のIPIAIM積層体２が設けられている：
−  ８１nmなる厚さの(ZnS)80(SiO2)20の第１誘電体層３、
−  ２０nmなる厚さの相変化化合物GeSb2Te4（原子百分率では、Ge14.3Sb28.6Te57.1）の記録層４、
−  ５nmなる厚さの(ZnS)80(SiO2)20の第２誘電体層５、
−  ７５nmなる厚さのSi(n/k=15.2)の光吸収層６、
−  ２０nmなる厚さの(ZnS)80(SiO2)20の第３誘電体層７、
−  １００nmなる厚さのアルミニウムの金属鏡層８。
上記積層体２は、紫外線硬化ポリアクリレートの保護被覆９により覆われている。
【００３３】
上記保護被覆を除く全ての層は、スパッタリングにより設けられる。
【００３４】
記録層４の初期結晶質状態は、付着されたままのアモルファス合金をレコーダにおける収束されたレーザ光ビームにより加熱することにより得られる。
【００３５】
基板１には一方の側に、複製工程においてアクリル層を紫外線硬化することにより、螺旋状トラッキング案内溝が設けられる。このようにして、溝１０及びランド１１が形成される。これら溝は０.８μｍのピッチ及び約半ピッチの幅を有する。
【００３６】
情報を記録、再生及び消去するための６７０nmの波長を持つレーザ光ビーム１２が、集光レンズ１３及び基板１を介して集積体２に入射する。前記アモルファスマークは、出力Ｐｗ＝１.２５Ｐｍ（Ｐｍ＝融解敷居出力）及び１００nsなる持続期間の１以上のレーザパルスにより書き込まれる。消去出力はＰｗ／２である。記録は、溝１０内（溝内記録）、ランド１１上（ランド上記録）、又は溝内及び溝間のランド上の両方で（ランド／溝記録）実行することができる。
【００３７】
下記の表には、結果が例１としてまとめられている。第３欄は、前述のように定義された光学的コントラストＣを示している。これら結果は、アモルファス状態（Ａｓ）と結晶質状態（Ａｃ）との間の光吸収の差が最少であることを示している。これはＤＯＷの間の温度上昇の差を減少させ、これにより記録マークの最少歪みを得、その結果、消去及びジッタ特性が改善される。これは、特に当該記録媒体が高密度記録に使用される場合に有効である。光位相差Ψｃ−Ψａは殆ど零であり、したがってランド及び溝における記録されたマークにより生じる変調は等しくなるであろう。かくして、本発明による該記録媒体はランド／溝記録に適している。
【表１】
0004018340.tif 000003
実施例２
【００３８】
５５nmなる厚さの光吸収層６用の材料としてGe(n/k=6.5)を用いて、実施例１が繰り返される。第１誘電体層は、７５nmなる厚さを有する。結果は、表に例２として示されている。ＡｃとＡａとの間の差は殆ど零であり、ＡｃはＡａより大きくさえある。Ψｃ−Ψａは殆ど零である。
実施例３
【００３９】
３５nmなる厚さの光吸収層６用の材料としてMo(n/k=1.0)を用いて、実施例１が繰り返される。第１誘電体層は、２２０nmなる厚さを有する。結果は、表に例３として示されている。ＡｃとＡａとの間の差は殆ど零であり、ＡｃはＡａより大きくさえある。Ψｃ−Ψａは殆ど零である。
【００４０】
例１ないし３は、本発明によるものである。全ての例が良好な定数Ｃを示している。以下の例４ないし９は、本発明によるものではない。
実施例４（本発明によらない）
【００４１】
実施例１が繰り返されるが、光吸収層及び第３誘電体層は削除する。結果として、得られる積層体は構造IPIMを有する。結果は、表に例４として示される。ＡａはＡｃより大きく、これはＤＯＷの間に温度上昇の差、従って記録されたマークの歪みを生じさせ、結果として消去及びジッタ特性が好ましくないものとなる。かくして、この記録媒体は高密度記録にはあまり有効ではない。光位相差Ψｃ−Ψａは比較的大きいので、ランド及び溝における記録されたマークにより発生される変調は等しくなくなる。従って、この記録媒体はランド／溝記録には非常に適していない。
実施例５（本発明によらない）
【００４２】
３５nmなる厚さの光吸収層６用の材料としてAu(n/k=0.03)を用いて、実施例１が繰り返される。第１誘電体層は、１００nmなる厚さを有する。結果は、表に例５として示されている。ＡａはＡｃより大きく、これはＤＯＷの間に温度上昇の差、従って記録されたマークの歪みを生じさせ、結果として消去及びジッタ特性が好ましくないものとなる。かくして、この記録媒体は高密度記録にはあまり有効ではない。
実施例６ないし９（本発明によらない）
【００４３】
実施例１が繰り返されるが、光吸収Si層が第１誘電体層と相変化層との間に配置される。結果としての積層体は、構造IAIPIMを有する。上記光吸収層の厚さは５nmである。第１、第２及び第３誘電体層の厚さは、各々、１００nm、５nm及び２５nmである。第１誘電体層は１００nmなる厚さを有する。結果は、表に例６として示される。
【００４４】
３nmなる厚さの光吸収層の材料としてGeを用いて、実施例６が繰り返される。第１誘電体層は、９９nmなる厚さを有する。結果は、表に例７として示されている。
【００４５】
２nmなる厚さの光吸収層用の材料としてMoを用いて、実施例６が繰り返される。第１誘電体層は、８４nmなる厚さを有する。結果は、表に例８として示されている。
【００４６】
５nmなる厚さの光吸収層の材料としてAuを用いて、実施例６が繰り返される。第１誘電体層は、７０nmなる厚さを有する。結果は、表に例９として示されている。
【００４７】
全てがIAIPIM構造の積層体を有する上記例６ないし９は、Ａｃより大きなＡａの値を持っている。この効果は、ＤＯＷの間に温度上昇の差、従って記録されたマークの歪みを生じさせ、結果として消去及びジッタ特性が好ましくないものとなる。かくして、このような記録媒体は高密度記録にはあまり有効ではない。
【００４８】
更に、上記例６ないし８は比較的大きな光位相差Ψｃ−Ψａを各々示しており、その結果、ランド及び溝における記録されたマークにより発生される変調は等しくなくなる。従って、これらの記録媒体はランド／溝記録には非常に適していない。
【００４９】
本発明によれば、ＤＯＷ及び高密度記録に適すると共に、更にランド／溝記録にも適した、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤリライタブル又はＤＶＲ用のような、IPIAIM積層体を備える書換可能相変化型光学情報媒体が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】  図は、IPIAIM構造を持つ積層体を備えた本発明による光学情報媒体の概略断面図である。
【符号の説明】
１  基板
２  積層体
３  第１誘電体層
４  記録層
５  第２誘電体層
６  光吸収層
７  第３誘電体層
８  金属鏡層
９  保護被覆
１０  溝
１１  ランド
【図１】
0004018340.tif 000004