(57)【要約】【課題】欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず、一定の条件で行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなるという問題があった。また、パターン付きウェーハではマーキングに適さない方の膜上にマーキングしてしまうという問題があった。【解決手段】マーキング予定位置を元素分析し、その結果に基づいて、圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。また、登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。【選択図】図３
2013114854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料上における既知の欠陥位置の走査電子顕微鏡画像を取得して、前記欠陥位置の観察を行う機能を有する欠陥レビュー装置において、
試料を載置し移動する試料ステージと、
試料の前記既知の欠陥位置に一次電子線を照射し、得られる二次電子線、あるいは反射電子線を検出信号として出力する電子光学系カラムと、
試料の前記欠陥位置の周辺の元素を分析する元素分析ユニットと、
圧子を備え、試料の前記欠陥位置の周囲の複数位置に前記圧子の圧痕によるマーキングを付与するための圧痕マーキングユニットと、
前記圧痕マーキングユニットを制御する制御部とを有し、
前記制御部は、前記元素分析ユニットによる元素分析結果と前記圧痕マーキングユニットによるマーキング条件とを対応付けした情報を保持することを特徴とする欠陥レビュー装置。
【請求項２】
請求項１に記載の欠陥レビュー装置において、前記欠陥位置の周辺の元素分析結果を基に前記情報を参照して前記マーキング条件を決定することを特徴とする欠陥レビュー装置。
【請求項３】
請求項２に記載の欠陥レビュー装置において、前記マーキング条件には前記圧子の荷重が含まれることを特徴とする欠陥レビュー装置。
【請求項４】
請求項１に記載の欠陥レビュー装置において、前記欠陥位置の周辺の元素分析結果を基に前記マーキングの位置を変えることを特徴とする欠陥レビュー装置。
【請求項５】
請求項１に記載の欠陥レビュー装置において、前記欠陥位置の周辺の元素分析結果が予め登録された材質に対応しない場合には、前記マーキングの付与を停止することを特徴とする欠陥レビュー装置。
【請求項６】
請求項１に記載の欠陥レビュー装置において、前記欠陥位置の周辺の元素分析結果が予め登録された材質に対応しない場合には、前記マーキング条件を手動設定するモードに切り替わることを特徴とする欠陥レビュー装置。
【請求項７】
試料上における既知の欠陥位置の走査電子顕微鏡画像を取得して、前記欠陥位置の観察を行う工程と、
マーキング対象となる欠陥位置を選択する工程と、
前記選択された欠陥位置の周辺の元素を分析する工程と、
前記元素分析結果と圧痕マーキングユニットによるマーキング条件とを対応付けした情報を参照して、マーキング条件を決定する工程と、
前記決定したマーキング条件に従って前記圧痕マーキングユニットによって前記欠陥位置の周囲の複数位置に圧痕マーキングを付与する工程と、
を有することを特徴とするマーキング方法。
【請求項８】
請求項７に記載のマーキング方法において、前記マーキング条件には前記圧痕マーキングユニットの圧子の荷重が含まれることを特徴とするマーキング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料に電子線を照射して試料の観察を行う走査電子顕微鏡を用いる欠陥レビュー装置，及び欠陥レビュー装置におけるマーキング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化及び複雑化に伴い、その製造工程における欠陥の発生原因が多様かつ複合的となり、故障解析技術の重要性が増している。また、欠陥数の増加により検査の高速化のみならず、致命欠陥の抽出を目的とした欠陥レビューの需要も増加している。
【０００３】
故障解析は、まず光学式あるいは電子式の外観検査装置を用いて半導体ウェーハ上の欠陥位置を検出することにより開始される。外観検査装置により検出される欠陥は、通常ノイズを多く含み、かつ重要ではない欠陥も含むので、欠陥レビュー装置を用いて外観検査装置により取得された欠陥位置の高分解能画像を撮像し、得られた画像を用いて欠陥分類を行う。このような欠陥分類作業により、故障解析すべき重要な欠陥がどれかを弁別できるようになる。近年では、欠陥レビュー装置は、撮像した欠陥画像を教示データを用いて自動的に分類する機能を備えるようになっており、これをＡＤＣ（Automatic Defect Classification）と称している。
【０００４】
故障解析には、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscopy）や透過電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscopy）による高分解能観察の他、エネルギー分散Ｘ線分光法（ＥＤＳ：Energy Dispersive X-ray Spectrometry）や電子エネルギー損失分光法（ＥＥＬＳ：Electron Energy-Loss Spectroscopy）による元素分析等が用いられる。透過電子顕微鏡による故障解析を行う場合、試料サイズの制約から半導体製造に用いられるシリコンウェーハを割断してチップ、或いは柱状サンプルとする必要があり、この加工にはレーザや集束イオンビーム（ＦＩＢ：Focused Ion Beam）装置が用いられている。
【０００５】
上述のようなウェーハ割断あるいは集束イオンビームによるサンプル調整の際には目的とする欠陥を切り出すために何らかの目印が必要となる。ウェーハの割断の際には人間が目視できる程度の大きさの目印が必要であり、集束イオンビームによるサンプル調整の際には、ＦＩＢ装置で表示されるＳＩＭ（Scanning Ion Microscopy）画像上で確認できる程度の大きさの目印が必要である。
【０００６】
このような目印を付与するための技術の一例として、特許文献１には、光による欠陥検出部を備えたＦＩＢ装置が開示されている。当該装置においては、光により検出された欠陥位置の近傍に集束イオンビームによりマーキングを行い、マーキングを基準として試料に集束イオンビームを照射してＴＥＭサンプルを作成する。更に、特許文献２には、光学式検査・観察装置において、ダイヤモンドを用いた圧痕によるマーキングの例が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２４１３１９号公報
【特許文献２】特開２００２−３５０７３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず一定の条件でマーキングを行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなり、後段の解析装置での解析に支障をきたすという問題があった。また、パターン付きウェーハでは、マーキングに適さない方の膜上に圧痕マーキングすると、マーキングが見にくくなったり、マーキング部分から異物やゴミが発生する恐れがある。
【０００９】
本発明は、試料の材質や膜種によらず適切に圧痕マーキングを行う方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明では、ＥＤＳ等の元素分析ユニットによる元素分析結果に基づき、圧痕マーキングユニットの圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。そのために、予め、元素分析結果すなわち材質と圧痕マーキングユニットによるマーキング条件との対応付けを行い、その情報を装置内に保持する。
【００１１】
また、元素分析の結果、マーキング予定位置の膜種が登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、良好な形状のマーキングを自動で得られるため、後段の解析装置による解析が効率よく進み、早期の欠陥原因究明、歩留まり改善が可能となる。
【００１３】
また、強く打ちすぎて、周辺が破壊し、異物やゴミの原因になることを防ぐことができる。
【００１４】
上記した以外の、課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】欠陥検出システム及び欠陥レビュー装置の全体構成例を示す図。
【図２Ａ】欠陥レビュー時の試料室内を示す模式図。
【図２Ｂ】圧痕マーキング実施時の試料室内を示す模式図。
【図３】本発明による欠陥レビュー装置の動作の一例を示すフロー図。
【図４Ａ】マーキング方法の例を示す図。
【図４Ｂ】圧痕マーキングが不適切な第一の例を示す図。
【図４Ｃ】圧痕マーキングが不適切な第二の例を示す図。
【図４Ｄ】圧痕マーキングが不適切な第三の例を示す図。
【図４Ｅ】圧痕マーキングが不適切な第三の例に対する第一の対策例を示す図。
【図４Ｆ】圧痕マーキングが不適切な第三の例に対する第二の対策例を示す図。
【図５Ａ】ＥＤＳ分析結果の第一の例を示す図。
【図５Ｂ】ＥＤＳ分析結果の第二の例を示す図。
【図５Ｃ】ＥＤＳ分析結果の第三の例を示す図。
【図６Ａ】圧痕マーキングのマーキング条件の例を示す図。
【図６Ｂ】圧痕マーキングのマーキング条件の他の例を示す図。
【図７】マーキング条件設定画面例を示す図。
【図８Ａ】マーキング方法の別の例を示す図。
【図８Ｂ】マーキング方法の第二の別の例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
図１に、本発明による欠陥レビュー装置の全体構成例及び欠陥レビュー装置が配置される欠陥検出システムの構成例を示す。欠陥レビュー装置１０５は、走査電子顕微鏡カラム（電子光学カラム）１０７、試料室１０８、圧痕マーキングユニット１０９、光学顕微鏡１１３、制御部１１０、ＡＤＲ（Automatic Defect Review：自動欠陥再検出）部１１１、ＡＤＣ（自動欠陥分類）部１１２、通信用コンピューター１０６を有し、ネットワークを通じて、ＹＭＳ（Yield Management System：歩留まり管理システム）１０１と接続されている。ＹＭＳ１０１は、明視野光学式外観検査装置１０２、暗視野光学式外観検査装置１０３、電子線式外観検査装置１０４ともネットワークにより接続されている。
【００１８】
これらの検査装置からは検査終了後にＹＭＳ１０１に検査データが送られ、更に欠陥レビュー装置１０５に送られる。欠陥レビュー装置１０５では、この検査データを用いて、ＡＤＲ，ＡＤＣを実施し、結果を通信用コンピューター１０６を通じて、ＹＭＳ１０１に戻す。
【００１９】
次に、欠陥レビュー装置の詳細について説明する。走査電子顕微鏡カラム１０７は、試料室内に格納された被検査対象に対し一次電子線を照射し、得られる二次電子あるいは反射電子を検出して検出信号を出力する機能を有する。試料室１０８の内部には、図示されない試料ステージが格納されており、制御部１１０からの制御信号に従って被検査対象上での一次電子線の照射目標位置あるいは圧痕マーキングユニット１０９による圧痕付与の目標位置を走査電子顕微鏡カラム１０７あるいは圧痕マーキングユニット１０９の下部に移動させる。走査電子顕微鏡カラム１０７により得られた走査電子顕微鏡画像は、欠陥位置を特定するために使用され、マーキング位置の設定に使用される。
【００２０】
光学顕微鏡１１３は、試料室１０８の上部に配置されており、欠陥の光学顕微鏡画像を撮像可能である。光学顕微鏡１１３の視野移動は、走査電子顕微鏡カラム１０７と同様、試料ステージにより実行され、得られた光学顕微鏡画像は、走査電子顕微鏡では見えない欠陥の位置特定、更にはマーキング位置の設定に使用される。ＥＤＳ検出部１１４は、ＥＤＳ処理部１１５を通して、エネルギー分散Ｘ線分光法による元素分析を行うことが可能で、結果を材質情報として使用できる。
【００２１】
欠陥レビュー装置に付随する走査電子顕微鏡の各構成要素は制御部１１０により制御され、その後段にはＡＤＲ部１１１，ＡＤＣ部１１２，通信用コンピューター１０６が接続されている。ＡＤＲ部１１１は、自動欠陥レビューの制御シーケンスをコントロールし、ＡＤＣ部１１２は、ＡＤＲによって得られた欠陥画像の自動分類処理を実行する。制御部１１０は、走査電子顕微鏡の各構成要素の動作を制御するため、電子光学カラム制御ユニット１１０１，圧痕マーキングユニット制御ユニット１１０２，光学顕微鏡制御ユニット１１０３，マーキング対象欠陥抽出ユニット１１０４及びステージ制御ユニット１１０５などの各制御ユニットを備える。通信用コンピューター１０６は、欠陥レビュー装置の管理コンソールを兼用しており、欠陥レビューの動作条件あるいは検査レシピを設定するためのＧＵＩ（Graphical User’s Interface）が表示されるモニタを備えている。
【００２２】
以上説明した各制御ユニットは、制御部１１０内でソフトウェア実装あるいはハードウェア実装のいずれかの方式で実現される。したがって、制御部１１０は、各制御ユニットの機能を実現するプログラムが格納されるメモリ及びプログラムを実行するためのプロセッサを内部に備える。あるいは、各制御ユニット個々の機能に対応するマイクロコンピュータを複数備えている。
【００２３】
次に、図２Ａ及び図２Ｂを用いて、本実施例の圧痕マーキングユニットの詳細について説明する。図２Ａは、欠陥レビュー時の試料室内を示す模式図である。試料室１０８内では、電子線２０１が対物レンズ２０２で絞られ、試料としてのウェーハ２０３に照射される。ウェーハ２０３はステージ２０４上に載せられ、ステージ制御ユニット１１０５により任意の位置に移動される。走査電子顕微鏡画像の取得条件によっては、一次電子線を試料２０３の直前で減速させて試料２０３を撮像する場合もあり、その場合には、リターディングユニット２０５によりリターディング電圧が試料２０３に印加される。
【００２４】
レビュー時にはステージ２０４が欠陥位置に次々と移動し、対物レンズ２０２で絞られ電子線２０１を照射して欠陥のＳＥＭ画像取得を行う。このＳＥＭ画像を使用して、欠陥検出部１１１で欠陥の検出を行い、更に欠陥分類部で欠陥の分類を行い、元のＳＥＭ画像の他に欠陥検出結果，欠陥分類結果を、通信用コンピューター１０６を使い、ネットワークを通じて、ＹＭＳ１０１にアップロードする。
【００２５】
図２Ｂに、圧痕マーキング実施時の試料室内を示す。圧痕マーキング実施時には、マーキング対象欠陥抽出ユニット１１０４で求められたマーキング対象欠陥の位置を用いてステージ制御ユニット１１０５がステージ２０４を制御し、ウェーハ２０３上のマーキング目標位置を圧痕マーキングユニット１０９の下に移動させる。
【００２６】
移動が完了すると、圧痕マーキングユニット１０９は、真空ベローズ２０６を有し、垂直駆動機構２０７によりシャフト２０８の先端に取り付けられた圧子２０９を降下させ押し当てることにより、試料上に圧痕マーキングを形成する。これらの圧痕マーキングユニットの動作は、圧痕マーキングユニット制御ユニット１１０２により制御される。
【００２７】
次に、図３を用いて本実施例の欠陥レビュー装置の動作について説明する。
まず、ステップ３０１で、ＹＭＳから検査データを読み込む。ステップ３０２では、検査データに含まれる欠陥からＡＤＲ対象欠陥を抽出するサンプリングを行う。サンプリングの目的は、欠陥数が多い場合に限られた時間で効果的なＡＤＲができるように対象欠陥を絞ることであり、クラスタ欠陥の抽出・除去、クラスタ欠陥以外からのランダム抽出等の手法が用いられる。ステップ３０３では、ウェーハアライメントを行い、ウェーハの大まかな位置合わせを行う。ステップ３０４では、フォーカスマップを取り、フォーカスのウェーハ面内領域毎の分布を補正して、オートフォーカスが短時間で合うようにする。ステップ３０５では、ＳＥＭのファインアライメントを実行する。ファインアライメントは、パターン付きウェーハの場合にはホトプロセスのマスクショット単位に特異なパターンを用いて行い、ノンパターンウェーハの場合には光学顕微鏡、特にレーザ光による暗視野顕微鏡等で欠陥を光らせて欠陥位置を正確に検出することにより行う。ステップ３０６では、ＡＤＲにより欠陥の正確な位置を検出して、欠陥を中心にＳＥＭ画像を取得する。ステップ３０７では、ＳＥＭ画像を元にＡＤＣで分類結果を決定する。
【００２８】
ステップ３０７のＡＤＣ後、ＡＤＣ部１１２から制御部１１０内のマーキング対象欠陥抽出ユニット１１０４に分類結果が転送され、マーキング対象欠陥抽出ユニット１１０４が分類された欠陥がマーキング対象かどうかを判断し、マーキング対象の欠陥を抽出する（ステップ３０８）。マーキング対象となる欠陥が分類結果に含まれていない場合は、通信用コンピューター１０６を介してＡＤＲ／ＡＤＣ結果をＹＭＳ１０１にアップロードして終了する（ステップ３０９）。
【００２９】
ステップ３０８でマーキング対象と判断した場合、マーキング予定部のＥＤＳ分析を行う（ステップ３１０）。そのＥＤＳ分析結果から、マーキング予定部の材質が予め登録された材質と一致するかを判定する。材質の登録は、材質に対応するＸ線スペクトル（エネルギーあるいは波長）のピーク位置とピーク強度（カウント数）を組み合わせた情報として登録してもよいし、具体的な材質名で登録してもよい。
（１）材質Ａ（ステップ３１１Ａ）
（２）材質Ｂ（ステップ３１１Ｂ）
・・・
（Ｎ）材質Ｎ（ステップ３１１Ｎ）
【００３０】
こうして、マーキング予定部の材質が予め登録された材質Ａ〜Ｎのいずれであるかが判定される。
（１）の場合には予め登録された条件Ａをマーキング条件に決定する（ステップ３１４Ａ）。
（２）の場合には予め登録された条件Ｂをマーキング条件に決定する（ステップ３１４Ｂ）。
・・・
（Ｎ）の場合には予め登録された条件Ｎをマーキング条件に決定する（ステップ３１４Ｎ）。
【００３１】
マーキング予定部の材質が予め登録されたどの材質とも一致せず、未登録と判定された場合（ステップ３１２）、条件を手動設定するかの問い合わせがある（ステップ３１３）。ステップ３１３で、手動設定すると決定した場合、後述する手動設定画面が現れ、マーキング条件の入力が促される。この場合には、入力した条件Ｚをマーキング条件に決定する（ステップ３１４Ｚ）。
【００３２】
マーキング条件が決定すれば、圧痕マーキングユニット制御ユニット１１０２は、圧痕マーキングユニット１０９を制御して、決定されたマーキング条件で実際にマーキングを行う。
【００３３】
ステップ３１３で、手動設定しないと決定した場合、マーキングをスキップする。
本処理において、元素分析にはＥＤＳを用いたが、これに限定されるものではなく、ＷＤＳ（Wavelength Dispersive X-ray Spectrometry）やＡＥＳ（Auger Electron Spectrometry）など他の元素分析法を用いてもよい。
【００３４】
次に、図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、及び図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃを用いて本実施例のマーキング条件の決定方法を説明する。図４Ａは、本実施例のマーキング位置を示す模式図である。マーキング中心４０２は欠陥４０１のほぼ中心に設定されており、マーキング中心からＸＹ方向に距離Ｄ１だけ離れた位置に第１の圧痕マーキング４０３Ａが打たれる。距離Ｄ１は、圧痕マーキングの座標精度や周囲への影響を考慮して決められる。
【００３５】
図５Ａ、図５Ｂ、図５ＣにＥＤＳ分析結果（スペクトル）の例を示す。図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃの横軸はエネルギー、縦軸はＸ線強度（カウント数）である。図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃは、各々、図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃに対応している。図５Ａは基板のシリコンのみの例、図５Ｂはシリコンにシリコン酸化膜がデポされている例、図５Ｃはシリコンにレジスト膜等炭素系の膜が付いているときの例である。
【００３６】
図４Ａは、シリコン基板４０４Ａに適正なマーキング条件で打たれており、クラック等がなく、サイズも大きめの見やすいマーキングが形成されている。もし、シリコン酸化膜４０４Ｂのように材質が硬い等のため、荷重や深さが足りないと、図４Ｂのようにマーキング４０３Ｂが小さくなり、観察しにくくなる。また、レジスト膜４０４Ｃのように材質が脆い等のため、荷重が強すぎたりすると、図４Ｃのようにマーキング４０３Ｃは大きくなるが、クラックが入ったり、割れて剥がれたりして、欠陥が見にくくなったり、ゴミの原因になる可能性がある。
【００３７】
パターン付きウェーハの場合、図４Ｄのように４個のマーキングのうち１、２個が別の膜上になってしまうこともありうる。この場合は、マーキング位置毎にＥＤＳ分析を行えば、マーキング位置毎にマーキング条件を変えることも可能である。
【００３８】
図４Ｄのように材質の異なる別の膜の上がマーキング予定位置となる場合には、図４Ｅに示すように、材質が異なる位置を避けて、その下側に打つなど、マーキングの位置を変えてもよい。または、図４Ｆに示すように、材質が異なる位置だけマーキングを打たないようにしてもよい。
【００３９】
パターン付きウェーハで、しかもパターンが小さい場合は、元素分析に当たって、ＥＤＳよりも空間分解能の高いＡＥＳを使う方が有利である。
【００４０】
図６Ａ、図６Ｂに圧痕マーキングのマーキング条件の例を示す。図６Ａは、マーキング条件として、材質に対応させて圧子の荷重を設定する例である。図６Ｂは、材質毎に圧子の荷重、下降速度、最大深さ（距離）を条件として設定する例を示している。もちろん、条件はこれらに限られるものではない。圧痕マーキングユニット制御ユニット１１０２には、この表に示すような条件が情報として記憶されており、元素分析結果に応じてその材質に対応したマーキング条件が読み出され、読み出された条件に従って圧痕マーキングユニット１０９が駆動制御され、マーキングが実行される。
【００４１】
図７に、マーキング条件設定画面例を示す。この設定画面は、図３のステップ３１３において手動設定を選択すると表示され、画面上で７０１に示す項目を数値入力する。その際、登録済み条件７０２をスクロールバー７０３で上下に動かし参考にしながら入力することができる。
【００４２】
図３に戻り、マーキング対象の全欠陥に対してマーキングを行った後、マーキングを終了し、試料２０３を欠陥レビュー装置から搬出する。
【００４３】
上記圧痕マーキングは、装置の操作者がマニュアル処理で行うことも装置に自動実行させることも可能である。
【００４４】
試料２０３の搬出後、解析対象を決定する。解析対象の選定方法としては、全体の中で出現率の高いメイン欠陥、そのウェーハに特異なレア欠陥、各種欠陥から数個ずつ選択して、全体状況を大まかに見る等の方法がある。
【００４５】
さらにウェーハを割断，チップ化して、解析装置のホルダーに収まるサイズにする（ステップ３１６）。ステップ３１７で、そのチップをＦＩＢに入れ、ＦＩＢ内で欠陥位置を探し出し、必要に応じてデポ等により表面の保護等を行った後、観察したい断面をＦＩＢ加工し、更に薄膜化して試料として取り出す。ステップ３１８では、ＴＥＭや高分解能ＳＥＭなどを用いて得られた薄片の断面観察を行う。
【００４６】
従来の方法では、故障解析の対象となる欠陥であっても欠陥探索用の目印が無い状態で試料がＦＩＢに搬入される場合が多く、ＦＩＢで欠陥を探す工程に時間を要していた。特にパターンのないベアウェーハ、膜付きウェーハ等では、微小欠陥を探し出すのに時間を要していた。本実施例によれば、欠陥レビュー装置で重要欠陥に直接圧痕マーキングを付与できるため、解析装置側での加工位置の探索が、従来よりも効率的になる。
【００４７】
以上、本実施例では、予め決められた戦略に従い重要な欠陥を後段の解析対象として選択することができるようになるため、早期の欠陥原因究明，歩留まり改善が可能となる。更に、ＳＥＭで観察できない欠陥も解析できるようになり、歩留まり改善が可能となる。
【００４８】
更に、圧痕の打ち方は、欠陥の周りに４点を正方形に打つ方法で説明したが、これに限定されるものではなく、図８Ａや図８Ｂに例を示すように、圧痕の数を増やして、視認性を向上させてもよい。
【００４９】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００５０】
１０１  ＹＭＳ
１０２  明視野光学式外観検査装置
１０３  暗視野光学式外観検査装置
１０４  電子線式外観検査装置
１０５  欠陥レビュー装置
１０６  通信用コンピューター
１０７  走査電子顕微鏡カラム
１０８  試料室
１０９  圧痕マーキングユニット
１１０  制御部
１１１  ＡＤＲ部
１１２  ＡＤＣ部
１１３  光学顕微鏡
１１４  ＥＤＳ検出器
１１５  ＥＤＳ処理部  
２０１  電子線
２０２  対物レンズ
２０３  試料（ウェーハ）
２０４  ステージ
２０５  リターディングユニット
２０６  真空ベローズ
２０７  垂直駆動機構
２０８  シャフト
２０９  圧子
４０１  欠陥
４０２  欠陥中心位置
４０３Ａ，４０３Ｂ，４０３Ｃ  圧痕マーキング
１１０１  電子光学カラム制御ユニット
１１０２  圧痕マーキングユニット制御ユニット
１１０３  光学顕微鏡制御ユニット
１１０４  マーキング対象欠陥抽出ユニット
１１０５  ステージ制御ユニット
【図１】
2013114854.tif 000003
【図２Ａ】
2013114854.tif 000004
【図２Ｂ】
2013114854.tif 000005
【図３】
2013114854.tif 000006
【図４Ａ】
2013114854.tif 000007
【図４Ｂ】
2013114854.tif 000008
【図４Ｃ】
2013114854.tif 000009
【図４Ｄ】
2013114854.tif 000010
【図４Ｅ】
2013114854.tif 000011
【図４Ｆ】
2013114854.tif 000012
【図５Ａ】
2013114854.tif 000013
【図５Ｂ】
2013114854.tif 000014
【図５Ｃ】
2013114854.tif 000015
【図６Ａ】
2013114854.tif 000016
【図６Ｂ】
2013114854.tif 000017
【図７】
2013114854.tif 000018
【図８Ａ】
2013114854.tif 000019
【図８Ｂ】
2013114854.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成24年9月3日(2012.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料上における既知の欠陥位置の走査電子顕微鏡画像を取得して、前記欠陥位置の観察を行う機能を有する試料観察装置において、
試料を載置し移動する試料ステージと、
試料の前記既知の欠陥位置に一次電子線を照射し、得られる二次電子線、あるいは反射電子線を検出信号として出力する電子光学系カラムと、
試料の前記欠陥位置の周辺の元素を分析する元素分析ユニットと、
圧子を備え、試料の前記欠陥位置の周囲の複数位置に前記圧子の圧痕によるマーキングを付与するための圧痕マーキングユニットと、
前記圧痕マーキングユニットを制御する制御部とを有し、
前記制御部は、前記元素分析ユニットによる元素分析結果と前記圧痕マーキングユニットによるマーキング条件とを対応付けした情報を保持することを特徴とする試料観察装置。
【請求項２】
請求項１に記載の試料観察装置において、前記欠陥位置の周辺の元素分析結果を基に前記情報を参照して前記マーキング条件を決定することを特徴とする試料観察装置。
【請求項３】
請求項２に記載の試料観察装置において、前記マーキング条件には前記圧子の荷重が含まれることを特徴とする試料観察装置。
【請求項４】
請求項１に記載の試料観察装置において、前記欠陥位置の周辺の元素分析結果を基に前記マーキングの位置を変えることを特徴とする試料観察装置。
【請求項５】
請求項１に記載の試料観察装置において、前記欠陥位置の周辺の元素分析結果が予め登録された材質に対応しない場合には、前記マーキングの付与を停止することを特徴とする試料観察装置。
【請求項６】
請求項１に記載の試料観察装置において、前記欠陥位置の周辺の元素分析結果が予め登録された材質に対応しない場合には、前記マーキング条件を手動設定するモードに切り替わることを特徴とする試料観察装置。
【請求項７】
試料上における既知の欠陥位置の走査電子顕微鏡画像を取得して、前記欠陥位置の観察を行う工程と、
マーキング対象となる欠陥位置を選択する工程と、
前記選択された欠陥位置の周辺の元素を分析する工程と、
前記元素分析結果と圧痕マーキングユニットによるマーキング条件とを対応付けした情報を参照して、マーキング条件を決定する工程と、
前記決定したマーキング条件に従って前記圧痕マーキングユニットによって前記欠陥位置の周囲の複数位置に圧痕マーキングを付与する工程と、
を有することを特徴とするマーキング方法。
【請求項８】
請求項７に記載のマーキング方法において、前記マーキング条件には前記圧痕マーキングユニットの圧子の荷重が含まれることを特徴とするマーキング方法。