Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体原子および高屈折率官能基を含む分子であって、式：
【化１】
2015524007.tif 000001
［式中、Ｗは該担体原子であり、Ｒ1は、水素、ヒドロキシル、または直鎖もしくは分岐アルキルラジカル、直鎖もしくは分岐アルコキシラジカル、アルキルビニルラジカル（アリルを含む）、シクロアルキルラジカル、分岐もしくは直鎖アルケニルラジカル、シクロアルケニルラジカル、直鎖もしくは分岐アルキニルラジカル、アリールラジカル、置換アリールラジカル、または多核芳香族基から選ばれるＣ１−Ｃ３０炭素原子を含有する基から独立して選ばれ；Ａは、硫黄含有複素環式構造を含む高屈折率基から選ばれ；Ｂは、ハライド、アルコキシ（ＯＲ）、ヒドロキシル、アルキルビニルラジカル（アリルを含む）、水素、−（ＣＨ2）nＳＨ、−（ＣＨ2）nＮＨ2、グリシジルラジカル、またはその２種以上の組み合わせから選ばれ；ｎは１〜１０であり、ｘは少なくとも１であり；ｙは該担体原子の原子価より０から２少ない範囲であり；ｚは少なくとも１であり；１≦ｘ＋ｙ≦該担体原子の原子価より１少ない数であり；ｘ＋ｙ＋ｚは該担体原子の原子価と等しい。］を有する分子。
【請求項２】
該担体原子がシリコン、リン、窒素、ゲルマニウムまたは炭素から選ばれる、請求項１に記載の分子。
【請求項３】
少なくとも１個の硫黄原子を含む飽和複素環式化合物、少なくとも１個の硫黄原子を含む不飽和複素環式化合物、またはその２種以上の組み合わせを含む、請求項１または２に記載の分子。
【請求項４】
該複素環式化合物が三〜十員環である、請求項１から３のいずれかに記載の分子。
【請求項５】
該複素環式化合物が２個または３個の硫黄原子を含む、請求項１から４のいずれかに記載の分子。
【請求項６】
該複素環式化合物が１個または複数の非硫黄ヘテロ原子をさらに含む、請求項１から５のいずれかに記載の分子。
【請求項７】
式：
【化２】
2015524007.tif 000002
［式中、シリコン（Ｓｉ）は該担体原子であり、Ｒ1は、水素、ヒドロキシル、直鎖もしくは分岐アルキルラジカル、直鎖もしくは分岐アルコキシラジカル、アリールラジカル、アルキルビニルラジカル、またはその２種以上の組み合わせから独立して選ばれ；Ａは、硫黄含有複素環式構造を含む高屈折率基から独立して選ばれ；Ｂは、ハライド、ＯＨ、ＯＲ、ビニルラジカル、水素、アリルラジカル、−（ＣＨ2）nＳＨ、−（ＣＨ2）nＮＨ2、グリシジルラジカル、またはその２種以上の組み合わせから独立して選ばれ；ｎは１〜１０であり、ｘは少なくとも１であり；ｙは０−２であり；ｚは少なくとも１であり；１≦ｘ＋ｙ≦３であり；ｘ＋ｙ＋ｚは４である。］のものである、請求項１から６のいずれかに記載の含有分子。
【請求項８】
式：
【化３】
2015524007.tif 000003
である、請求項７に記載の分子。
【請求項９】
式：
【化４】
2015524007.tif 000004
［式中、ｈ＋ｙは４であり、ｈは少なくとも２である。］のものである、請求項７に記載の分子。
【請求項１０】
該複素環式化合物がチオフェン（テトラヒドロチオフェン）、１，３−ジチオラン、テトラヒドロ−２Ｈ−チオピラン、１，３−ジチアン、１，４−ジチアン、１，３，５−ジチアン、１，３，５−ジチアジナンまたはその２種以上の組み合わせから選ばれる、請求項１から９のいずれかに記載の分子。
【請求項１１】
シロキサン骨格を有し、請求項１から１０に記載の分子を含む、ポリシロキサンポリマーまたはコポリマー。
【請求項１２】
１．４２から約１．６５の屈折率を有する、請求項１１に記載のポリマー。
【請求項１３】
式
【化５】
2015524007.tif 000005
［式中、Ｍ1およびＭ2は、独立して、Ｒ2Ｒ3Ｒ4ＳｉＯ1/2であり；Ｄ1、Ｄ2、Ｄ3およびＤ4は独立してＲ5Ｒ6ＳｉＯ2/2であり；Ｔ1およびＴ2は独立してＲ7ＳｉＯ3/2であり；ＱはＳｉＯ4/2であり；Ｒ2−Ｒ7基は、水素、ヒドロキシル、直鎖もしくは分岐アルキルラジカル、直鎖もしくは分岐アルコキシラジカル、アリールラジカル、アルキルビニルラジカル、アミド、アミノ基、プロピルメルカプト基、グリシジル含有基、高屈折率硫黄含有複素環式化合物、または高屈折率分子側鎖基から独立して選ばれ、ここで、Ｒ2−Ｒ7の少なくとも１つは、（１）式１の高屈折率分子または（２）硫黄含有複素環式化合物から選ばれ；ａは１〜１０００であり、ｂは０〜５００であり、ｃは０〜５００であり、ｄは０〜１００であり、ｅは０〜１００であり、ｆは０〜１００であり、ｇは１〜１０００であり、ｈは０〜１０００であり、ｉは０から２００である。］によって記載される、請求項１１または１２に記載のポリマー。
【請求項１４】
式ＭＤaＤOLdＤHeＴcＱfＭ、ＭHＤaＤPhbＤOLdＤHeＴcＱfＭH、ＭHＤaＤPhbＤOLdＴcＱfＭH、ＭＤaＤOLdＤvigＴcＱfＭ、ＭviＤaＤOLdＤvigＴcＱfＭviまたはＭviＤaＤOLdＴcＱfＭvi［式中、Ｍはトリアルキルシロキシラジカルまたはジアルキルビニルシロキシを表し、ｖｉはビニルラジカルを表し、ＯＬは、硫黄含有飽和複素環式化合物を含む高屈折率モノマーを表し、ＤOLは、高屈折率モノマーを含むアルキルシロキシを表し、ＤHはアルキルヒドロゲンシロキシを表し、Ｄviはアルキルビニルシロキシを表し、Ｄはジアルキルシロキシを表し、Ｍviはジアルキルビニルシロキシを表し、ＭHはジアルキルヒドロゲンラジカルを表し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆおよびｇは正の整数である。］によって記載される、請求項１３に記載のポリマー。
【請求項１５】
請求項１１から１４のいずれかに記載の該ポリマーを含み、該ポリマーがポリジメチルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、またはポリメチルフェニルシロキサンを含むコポリマーである、組成物。
【請求項１６】
硬化性シロキサン組成物であるか、または、反射防止膜、コンフォーマルコーティング、塗料調合物、およびパーソナルケア製品調合物から選ばれるものである、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の該組成物を含むデバイス。
【請求項１８】
発光ダイオード、有機発光ダイオード、レーザダイオード、導光路、光学的コンピューティングデバイス、光記憶媒体、光学レンズ、マイクロレンズ、塗料調合物、勾配屈折率光学部品、および動的勾配屈折率部品から選ばれる、請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
抗酸化剤、熱安定剤、紫外線安定剤、接着促進剤、１〜１００ｐｐｍの量の白金族金属触媒、防止剤、及び／又は充填材をさらに含む、請求項１８に記載の硬化性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月24日(2016.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カプセル化粒子であって、
Ａ．コア粒子；
Ｂ．前記コア粒子の周りに配置され且つ
（ｉ）モノマー及び/又はポリマーのメチレンジフェニルジイソシアネートと、
（ｉｉ）ポリオール成分であって、
ａ．芳香族アミン系開始剤から誘導された触媒ポリオール、及び
ｂ．前記触媒ポリオールとは異なるポリエーテルポリオール
を含む前記ポリオール成分と、の反応生成物を含む、ポリウレタン層；及び
Ｃ．前記ポリウレタン層の周りに配置されたワックス
を含み、
その際、前記触媒ポリオール対前記ポリオール成分中の前記ポリエーテルポリオールの質量比が約１：２〜約１０：１であり；
前記コア粒子が、３８℃での水中での前記カプセル化粒子の老化の７日後に６０質量％未満の溶解率を有し、；且つ
前記ワックスが、前記コア粒子の全質量を基準として０．５〜３．０質量％の量で存在する、前記カプセル化粒子。
【請求項２】
前記芳香族アミン系開始剤が以下の式
【化１】
2015524010.tif 000001
（式中、Ｒ１はアルキル基、アミン基、及び水素のうちの１つを含み；且つ
Ｒ２〜Ｒ６のそれぞれは、Ｒ１〜Ｒ６のうち少なくとも１つがアミン基である限り、独立してアミン基、及び水素のうちの１つを含む）
のものを含む、請求項１に記載のカプセル化粒子。
【請求項３】
前記触媒ポリオールが、２５℃で約４００〜約２５０００ｃＰの粘度及び／又は約２４０〜約２２５０ｇ／モルの数平均分子量を有する、請求項１又は２に記載のカプセル化粒子。
【請求項４】
前記ポリエーテルポリオールが、２５℃で約１００ｃＰ〜約１００００ｃＰの粘度及び／又は約４００〜約１５０００ｇ／モルの数平均分子量を有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載のカプセル化粒子。
【請求項５】
前記ワックスが石油ワックスを含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載のカプセル化粒子。
【請求項６】
前記コア粒子が尿素を含み、且つ前記コア粒子が３８℃での水中での前記カプセル化粒子の老化の７日後に２５質量％未満の溶解率を有する、請求項１から５までのいずれか１項に記載のカプセル化粒子。
【請求項７】
前記ポリウレタン層が、ポリオルガノシロキサンの存在下で反応した前記モノマー及び/又はポリマーのメチレンジフェニルジイソシアネートと前記ポリオール成分との反応生成物として更に規定される、請求項１から６までのいずれか１項に記載のカプセル化粒子。
【請求項８】
コア粒子のカプセル化方法であって、
Ａ．コア粒子を提供する工程；
Ｂ．モノマー及び/又はポリマーのメチレンジフェニルジイソシアネートを提供する工程；
Ｃ．ポリオール成分であって、
ａ．芳香族アミン系開始剤から誘導された触媒ポリオール、及び
ｂ．前記触媒ポリオールとは異なるポリエーテルポリオール
を含む前記ポリオール成分を提供する工程；
Ｅ．ワックスを提供する工程；
Ｆ．前記モノマー及び/又はポリマーのメチレンジフェニルジイソシアネートと前記ポリオール成分とを混合して反応させてポリウレタンを形成する工程；
Ｇ．前記コア粒子を前記ポリウレタンを含むポリウレタン層でカプセル化する工程；及び
Ｈ．前記ポリウレタン層を前記ワックスでカプセル化する工程
を含み、
その際、前記触媒ポリオール対前記ポリオール成分の前記ポリエーテルポリオールの質量比が約１：２〜約１０：１であり；
前記コア粒子が、３８℃での水中での前記カプセル化粒子の老化の７日後に６０質量％未満の溶解率を有し；且つ
前記ワックスが、前記コア粒子の全質量を基準として０．５〜３．０質量％の量で存在する、前記方法。
【請求項９】
前記モノマー及び/又はポリマーのメチレンジフェニルジイソシアネートと前記ポリオール成分との混合及び反応工程が、ポリオルガノシロキサンの存在下で実施される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記コア粒子、前記モノマー及び/又はポリマーのメチレンジフェニルジイソシアネート、及び前記ポリオール成分のうち少なくとも１つを、前記モノマー及び/又はポリマーのメチレンジフェニルジイソシアネートと前記ポリオール成分との混合工程の前に又は該工程と同時に４０℃を上回る温度に加熱する工程を更に含む、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記モノマー及び/又はポリマーのメチレンジフェニルジイソシアネートと前記ポリオール成分との混合及び反応工程を、前記コア粒子を前記ポリウレタン層でカプセル化する工程と同時に実施する、請求項８から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記モノマー及び/又はポリマーのメチレンジフェニルジイソシアネートを前記コア粒子上に吹き付ける工程と前記ポリオール成分を前記コア粒子上に吹き付ける工程を更に含み、その際、前記モノマー及び/又はポリマーのメチレンジフェニルジイソシアネートを前記コア粒子上に吹き付ける工程が、前記ポリオール成分を前記コア粒子上に吹き付ける工程の前に実施される、請求項８から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年4月28日(2016.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物体の表面の深さをプロファイリングするための手持式深さプロファイリングの装置であって、前記装置は、
レーザの２次元アレイを有する第１光源と、
前記ターゲット物体の前記表面の領域上に２次元のマルチライン照明パターンを投射するための光学デバイスと、
前記ターゲット物体の前記表面の前記領域上に投射された２次元の前記照明パターンの画像を取り込む画像取込デバイスと、
前記画像取込デバイスによって取り込まれた前記画像から、前記ターゲット物体の前記表面の２次元の前記領域の深さプロファイルを再構成するために、取り込まれた前記画像を処理するプロセッサと、
前記装置と前記ターゲット物体の前記表面との間の距離を決定するための手段と、
を有し、
前記２次元アレイは複数の行を有し、少なくとも１つの行は隣接する行に対して横方向にオフセットされている、装置。
【請求項２】
前記レーザの２次元アレイは、異なる形状を持つ少なくとも２つのレーザを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記２次元アレイは、均一照明モードと構造化照明モードとの間で切り換えられる、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記２次元アレイとターゲット物体の前記表面との間の距離を決定するための前記手段は、前記第１光源に対して所定の角度で傾斜される第２光源を有し、
前記第２光源は、前記ターゲット物体の前記表面上に第２照明パターンを投射し、前記画像取込デバイスは、前記第２照明パターンの画像を取り込み、
前記プロセッサは、更に、取り込まれた前記第２照明パターンの前記画像を処理し、前記所定の角度及び取り込まれた前記第２照明パターンの前記画像に基づき、能動的な第１光源と前記ターゲット物体の前記表面との間の距離を決定する、
請求項１乃至３の何れか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記レーザの２次元アレイは、垂直共振器型面発光レーザを有する、請求項１乃至４の何れか一項に記載の装置。
【請求項６】
手持式の装置を用いてターゲット物体の表面の深さをプロファイリングする方法であって、前記方法は、
レーザの２次元アレイを有する第１光源から、前記ターゲット物体の前記表面の領域上に、２次元のマルチライン照明パターンを投射するステップと、
前記照明パターンの画像を取り込むステップと、
画像取込デバイスによって取り込まれた前記画像から、前記ターゲット物体の前記表面の前記領域の深さプロファイルを再構成するために、取り込まれた前記画像を処理するステップと、
前記手持式の装置と前記ターゲット物体の前記表面との間の距離を決定するステップと、
を有し、
前記２次元アレイは複数の行を有し、少なくとも１つの行は隣接する行に対して横方向にオフセットされている、方法。
【請求項７】
前記２次元アレイを、均一照明モードと構造化照明モードとの間で切り換えるステップを更に有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記２次元アレイとターゲット物体の前記表面との間の距離を決定する前記ステップは、
前記第１光源に対して所定の角度に向けられた第２光源を前記ターゲット物体へ向けるステップと、
前記第２光源から、前記ターゲット物体の前記表面上に、第２照明パターンを投射するステップと、
前記第２照明パターンの画像を取り込むステップと、
取り込まれた前記第２照明パターンの前記画像を処理するステップと、
前記所定の角度及び取り込まれた前記第２照明パターンの前記画像に基づき、第１能動光源と前記ターゲット物体の前記表面との間の距離を決定するステップと、
を有する、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
プロセッサによって実行されたときに、請求項６乃至８の何れか一項に記載の方法を実行するコンピュータプログラムの命令を記憶する、コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月2日(2016.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
それぞれが少なくとも１つの波長λ１またはλ２の光ビームをそれぞれ発する少なくとも２つの別個の光源（Ｓ１〜Ｎ）と、スペクトル多重化手段（２５；５１，５５，５２；２５，４１）とを含む、制御されたスペクトルを伴う光ビームを発するための装置（１）において、
前記スペクトル多重化手段（２５；５１，５５，５２；２５，４１）は、少なくとも１つのレンズ（２５；５１，５２）および／または光学プリズム（５１）から形成される光学アセンブリ（２５；５１，５５，５２）を備え、前記光学アセンブリ（２５；５１，５５，５２）は、色分散特性を有し、スペクトル選択的反射を伴うことなく前記別個の光源（Ｓ１〜Ｎ）からの光ビームによって通過されるように配置されるとともに、前記スペクトル多重化手段（２５；５１，５５，５２；２５，４１）が前記光ビームを空間的に重ね合わせるように、前記光学アセンブリの色分散特性によって前記光ビームを互いに空間的に近づけるべく配置され、
前記発光装置（１）は、少なくとも１つの波長λ１またはλ２の前記各光ビームがそれぞれ自由空間内を対応する前記光源（Ｓ１〜Ｎ）から前記光学アセンブリ（２５；５１，５５，５２）へと伝搬するようになっている、
ことを特徴とする装置（１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記スペクトル多重化手段は、光学アセンブリ（２５）と、前記光学アセンブリにより互いに空間的に近づけられる異なる光ビームの均質化の機能を果たすように配置された均質化導波管（４１）と、光学コリメーション手段（３８）とを備え、前記光学アセンブリ（２５）が光ビームを前記均質化導波管（４１）の入力へと送るように配置され、前記光学コリメーション手段（３８）が前記均質化導波管の出力に位置されることを特徴とする請求項１に記載の装置（１）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９８】
したがって、それ故に、この測定ステップの終わりに、信号処理手段は、各光源Ｓ１〜Ｓ１２により発せられ且つ測定されるべきサンプル１１により満たされた吸収スペクトロメータ７０の空のチャンバ１２を介して透過された各光ビームの光強度の測定値をメモリ内に記憶してしまっている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年11月1日(2016.11.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１５】
１又はそれ以上の実施形態によれば、シングレット表現方法は、周波数ドメインデータから発振器のパラメータを識別することができる動作セットを含むことができ、又は発振器のパラメータを使用して周波数ドメインデータを生成することができる。１又はそれ以上の実施形態によるシングレット変換処理における様々なステップは、周波数ドメインにおける発振器の投影の正規化形状を計算する段階を含むことができる。更にステップは、計算されたスペクトルを周波数データのセットに当てはめて低周波数発振器の振幅及び位相を計算することによって、発振器の大きさ及び位相を計算する段階を含むことができ、ＤＣを介してエイリアシングすることによって起こる干渉効果を考慮に入れる。更に、ステップは、周波数ドメインデータに発振器の周波数ドメイン表現を加算するか、又は周波数ドメインデータから発振器の周波数ドメイン表現を減算する段階を含むことができ、ナイキスト及びＤＣを介したエイリアシングを考慮に入れる。１又はそれ以上の実施形態によれば、複素分析方法を利用して、単一のＦＦＴ窓内の発振器ピークの周波数及び振幅変調を更に特徴付けることができる。これらの複素アルゴリズムは、本明細書で更に詳細に検討される。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月13日(2016.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル及びニッケル合金の無電解堆積用の水性めっき浴組成物であって、
（ｉ）ニッケルイオンの源、
（ｉｉ）少なくとも１種の錯化剤、
（ｉｉｉ）少なくとも１種の還元剤、
（ｉｖ）以下の式（１）：
【化１】
2015524024.tif 000001
（式中、ＸはＯ及びＮＲ４から選択され、ｎは１〜６の範囲であり、ｍは１〜８の範囲であり；Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は独立して水素及びＣ１〜Ｃ４アルキルから選択され；Ｙは−ＳＯ３Ｒ５、−ＣＯ２Ｒ５及び−ＰＯ３Ｒ５２から選択され、且つＲ５は水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル及び好適な対イオンから選択される）
による安定剤
を含む、前記水性めっき浴組成物。
【請求項２】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４が水素、メチル及びエチルから選択される、請求項１に記載の水性無電解めっき浴。
【請求項３】
Ｒ５が水素、メチル、エチル、ナトリウム、カリウム、ニッケル及びアンモニウムから選択される、請求項１又は２に記載の水性無電解めっき浴。
【請求項４】
ＹがＳＯ３Ｒ５である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
【請求項５】
式（１）による安定剤の濃度が０．０２〜５．０ミリモル／ｌの範囲である、請求項１から４までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
【請求項６】
少なくとも１種の合金金属イオンの源を更に含み、その際、少なくとも１種の合金金属イオンが、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン、銅、銀、金、アルミニウム、鉄、コバルト、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、白金、亜鉛、カドミウム、ガリウム、インジウム、スズ、アンチモン、タリウム、鉛、及びビスマスからなる群から選択される、請求項１から５までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
【請求項７】
めっき浴が３．５〜７のｐＨ値を有する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
【請求項８】
ニッケルイオンの濃度が０．１〜６０ｇ／ｌの範囲である、請求項１から７までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
【請求項９】
少なくとも１種の錯化剤が、アミン、カルボン酸、ヒドロキシルカルボン酸、アミノカルボン酸及び前述の塩からなる群から選択される、請求項１から８までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
【請求項１０】
少なくとも１種の錯化剤の濃度が０．０１〜３．０モル／ｌの範囲である、請求項１から９までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
【請求項１１】
少なくとも１種の還元剤の濃度が０．０１〜３．０モル／ｌの範囲である、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
【請求項１２】
少なくとも１種の還元剤が、次亜リン酸塩、アミンボラン、ホウ化水素、ヒドラジン及びその誘導体及びホルムアルデヒドからなる群より選ばれる、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
【請求項１３】
少なくとも１種の還元剤が次亜リン酸塩である、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴。
【請求項１４】
ニッケル及びニッケル合金の無電解堆積法であって、
（ｉ）基板を提供する工程、
（ｉｉ）請求項１から１３までのいずれか１項に記載の水性無電解めっき浴に基板を浸漬する工程、
（ｉｉｉ）それによってニッケル又はニッケル合金を基板上に堆積する工程
を含む、前記方法。
【請求項１５】
無電解めっき浴が少なくとも１種の還元剤として次亜リン酸塩を含有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
１０〜１５質量％の間のリン含有率を得るために、めっき速度が４〜１４μｍ／時の間で変化する、請求項１４又は１５に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年9月9日(2016.9.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（質量％で）クロム：２７〜３２％、アルミニウム：２．０〜３．０％未満、鉄：０．１０％以上２．５％未満、ケイ素：０．００１〜０．５０％、マンガン：０．００５〜０．５％、チタン：０．００〜０．６０％、マグネシウム及び／又はカルシウム：それぞれ０．０００２〜０．０５％、炭素：０．００５〜０．１２％、窒素：０．００１〜０．０５０％、酸素：０．０００１〜０．０２０％、リン：０．００１〜０．０３０％、硫黄：最大０．０１０％、モリブデン：０．０５％未満、タングステン：０．０５％未満、選択的にＮｂ：０．００１％以上０．５０％未満、残部のニッケル及び不可避的な不純物を有するニッケル−クロム−アルミニウム合金であって、ここで、以下の関係：
Ｃｒ＋Ａｌ≧２８  （２ａ）
かつＦｐ≦３９．９  （３ａ）、式中、
Ｆｐ＝Ｃｒ＋０．２７２*Ｆｅ＋２．３６*Ａｌ＋２．２２*Ｓｉ＋２．４８*Ｔｉ＋０．３７４*Ｍｏ＋０．５３８*Ｗ−１１．８*Ｃ  （４ａ）であり、ここで、Ｃｒ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ及びＣは、その元素の質量％での濃度である、ここで、Ｎｂが用いられる場合は、前記式４ａにＮｂの項が補われ、
Ｆｐ＝Ｃｒ＋０．２７２*Ｆｅ＋２．３６*Ａｌ＋２．２２*Ｓｉ＋２．４８*Ｔｉ＋１．２６*Ｎｂ＋０．３７４*Ｍｏ＋０．５３８*Ｗ−１１．８*Ｃ  （４ｂ）であり、
かつＣｒ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ及びＣは、その元素の質量％での濃度である、
が満たされていなければならないニッケル−クロム−アルミニウム合金。
【請求項２】
さらに選択的にイットリウムを０．０１〜０．２０％の含有量で含有する、請求項１記載の合金。
【請求項３】
さらに選択的にランタンを０．００１〜０．２０％の含有量で含有する、請求項１または２記載の合金。
【請求項４】
さらに選択的にセリウムを０．００１〜０．２０％の含有量で含有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の合金。
【請求項５】
さらに選択的にセリウム−ミッシュメタルを０．００１〜０．２０％の含有量で含有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の合金。
【請求項６】
さらに選択的にジルコニウムを０．０１〜０．２０％の含有量で含有する、請求項１から５までのいずれか１項記載の合金。
【請求項７】
ジルコニウムが完全に又は部分的にハフニウム０．００１〜０．２％で代用されている、請求項６記載の合金。
【請求項８】
さらに選択的にホウ素を０．０００１〜０．００８％の含有量で含有する、請求項１から７までのいずれか１項記載の合金。
【請求項９】
さらに０．０〜５．０％のコバルトを含有する、請求項１から８までのいずれか１項記載の合金。
【請求項１０】
（質量％で）クロム：２７〜３２％、アルミニウム：２．０〜３．０％未満、鉄：０．１０％以上２．５％未満、ケイ素：０．００１〜０．５０％、マンガン：０．００５〜０．５％、チタン：０．００〜０．６０％、マグネシウム及び／又はカルシウム：それぞれ０．０００２〜０．０５％、炭素：０．００５〜０．１２％、窒素：０．００１〜０．０５０％、酸素：０．０００１〜０．０２０％、リン：０．００１〜０．０３０％、硫黄：最大０．０１０％、モリブデン：０．０５％未満、タングステン：０．０５％未満、残部のニッケル及び不可避的な不純物を有するニッケル−クロム−アルミニウム合金であって、さらに最大０．５％の銅を含有し、ここで、以下の関係：
Ｃｒ＋Ａｌ≧２８  （２ａ）
かつＦｐ≦３９．９  （３ａ）、式中、
Ｆｐ＝Ｃｒ＋０．２７２*Ｆｅ＋２．３６*Ａｌ＋２．２２*Ｓｉ＋２．４８*Ｔｉ＋０．４７７*Ｃｕ＋０．３７４*Ｍｏ＋０．５３８*Ｗ−１１．８*Ｃ  （４ｃ）であり、ここで、Ｃｒ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ及びＣは、その元素の質量％での濃度である、
が満たされていなければならないニッケル−クロム−アルミニウム合金。
【請求項１１】
さらに最大０．５％のバナジウムを含有する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の合金。
【請求項１２】
前記不純物が、Ｐｂ：最大０．００２％、Ｚｎ：最大０．００２％、Ｓｎ：最大０．００２％の含有量で調節されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載の合金。
【請求項１３】
以下の式：
Ｆａ≦６０  （５ａ）、式中、
Ｎｂなしの合金については、Ｆａ＝Ｃｒ＋２０．４*Ｔｉ＋２０１*Ｃ  （６ａ）であり、ここで、Ｃｒ、Ｔｉ及びＣは、その元素の質量％での濃度である、
若しくは
Ｎｂありの合金については、Ｆａ＝Ｃｒ＋６．１５*Ｎｂ＋２０．４*Ｔｉ＋２０１*Ｃ  （６ｂ）であり、ここで、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔｉ及びＣは、その元素の質量％での濃度である、
を満たしており、そのためとりわけ良好な加工性が得られる、請求項１から１２までのいずれか１項記載の合金。
【請求項１４】
以下の式：
Ｆｋ≧４５  （７ａ）、式中、
Ｂ及びＮｂなしの合金については、Ｆｋ＝Ｃｒ＋１９*Ｔｉ＋１０．２*Ａｌ＋１２．５*Ｓｉ＋９８*Ｃ  （８ａ）であり、ここで、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ及びＣは、その元素の質量％での濃度である、
若しくは
Ｂ及び／又はＮｂありの合金については、Ｆｋ＝Ｃｒ＋１９*Ｔｉ＋３４．３*Ｎｂ＋１０．２*Ａｌ＋１２．５*Ｓｉ＋９８*Ｃ＋２２４５*Ｂ  （８ｂ）であり、ここで、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃ及びＢは、その元素の質量％での濃度である、
を満たしており、そのためとりわけ良好な耐熱性およびクリープ強度が得られる、請求項１から１３までのいずれか１項記載の合金。
【請求項１５】
帯材、板材、線材、棒材、長シーム溶接管及びシームレス管としての、請求項１から１４までのいずれか１項記載の合金の使用。
【請求項１６】
シームレス管を製造するための、請求項１から１４までのいずれか１項記載の合金の使用。
【請求項１７】
強浸炭性雰囲気中での、請求項１から１４までのいずれか１項記載の合金の使用。
【請求項１８】
石油化学工業における構成部材としての、請求項１から１４までのいずれか１項記載の合金の使用。
【請求項１９】
築炉における、請求項１から１４までのいずれか１項記載の合金の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月3日(2016.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
付随の図は、本明細書内に組み込まれ、その一部を構成する。
【図１Ａ】図１は、本教示の例示的実施形態による、ＨＩＰか焼物廃棄プロセスのためのプロセス流れ図である。
【図１Ｂ】図１は、本教示の例示的実施形態による、ＨＩＰか焼物廃棄プロセスのためのプロセス流れ図である。
【図２Ａ】図２は、本教示による、ＨＩＰか焼物廃棄プロセスのためのブロック流れ図であり、例示的機器を示す。
【図２Ｂ】図２は、本教示による、ＨＩＰか焼物廃棄プロセスのためのブロック流れ図であり、例示的機器を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ａ】
2015524067.tif 000001
【図１Ｂ】
2015524067.tif 000002
【図２Ａ】
2015524067.tif 000003
【図２Ｂ】
2015524067.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数のフローストリーム中に流れている粒子の検出システムにおいて、
音響変換器で生成された多数のフローストリームで構成されるサンプルストリームのアレイと、
前記多数のフローストリームを分析するために構成する光ビームであって、ストリーム間に介在する空間および前記多数のフローストリームを横断し、且つ空間的に連続的な励起を発生させる前記光ビームと、
前記サンプルストリームの中を流れる励起粒子の出射光を集光する光学的対物レンズであって、この出射光をアレイ検出器に結像する前記光学的対物レンズと、
を備えたシステムであって、
夫々の前記フローストリームからの出射光は個々に同定されるとともに、その他の任意のフローストリームからの出射光とは前記アレイ検出器での位置によって差別化される出射光であることを特徴とする検出システム。
【請求項２】
さらに、単独のチャネル内で前記サンプルストリームのアレイに少なくとも２つのストリームを含む、少なくとも一つのチャネルを有する請求項１に記載の検出システム。
【請求項３】
前記チャネルに対して十分に近接させた範囲内に前記音響変換器を設けてこのチャネル内に音響波を発生する請求項２に記載の検出システム。
【請求項４】
前記チャネルを基体に形成した請求項２に記載の検出システム。
【請求項５】
前記音響変換器を前記基体に接続した請求項４に記載の検出システム。
【請求項６】
第２音響変換器を前記基体に接続した請求項５に記載の検出システム。
【請求項７】
多数のチャネルを有する請求項２に記載の検出システム。
【請求項８】
前記基体がウィンドウを有し、このウィンドウを介して入射する光ビームが前記サンプルストリームのアレイ中の前記サンプルストリームのすべてを横断する請求項４に記載の検出システム。
【請求項９】
前記光ビームがベッセルビームである請求項８に記載の検出システム。
【請求項１０】
前記基体の少なくとも一部を光学的に透明な材質から形成した請求項４に記載の検出システム。
【請求項１１】
前記アレイ検出器がＰＭＴアレイであり、各フローストリームが個々のＰＭＴに相関する請求項１に記載の検出システム。
【請求項１２】
前記アレイ検出器がデジタルカメラであり、各フローストリームがこのカメラ内の画素位置に相関する請求項１に記載の検出システム。
【請求項１３】
さらに、光路のサイズを調節する一つかそれ以上の望遠鏡を有する請求項１に記載の検出システム。
【請求項１４】
前記アレイ検出器がさらにマスクを有する請求項１に記載の検出システム。
【請求項１５】
多数のサンプルストリームの中で流れる粒子を検出する方法において、
粒子を含有するサンプルを音響変換器で生成された多数のサンプルストリームに通して流し、
これら多数のサンプルストリームを横切って光を導き、その光によって、前記サンプルストリーム間に介在する空間の中も含めて全てのサンプルストリームにわたって空間的に連続的な励起を発生させて、
前記サンプルストリームの中に流れる前記粒子の前記励起によって前記サンプルストリームの出射光を集光し、検出器に向けて前記出射光を導き、そして、
各フローストリームの出射光を、個別に同定するとともにその他の任意のフローストリームからの出射光とは、差別化することを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記多数のサンプルストリームがチャネルに流れ、そしてさらにこのチャネルを介して音響波場を入射させて、前記サンプルの前記粒子の経路を拘束する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記サンプルについて対象となるターゲットを含有するものと考え、さらに前記サンプルを、機能的に安定な生物分子がこのターゲットを捕獲できる十分な条件下においてこれら生物分子を付着させた、複数の負の音響コントラスト粒子に暴露し、前記音響波場が前記負の音響コントラスト粒子を最大圧力ポテンシャルまでフォーカシングすることからなる請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記音響定在波が多数の節を発生し、各節が離散的なサンプルストリームにする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
多数のフローストリーム中の粒子の検出システムにおいて、
音響変換器で生成された多数のフローストリームを含む少なくとも一つのチャネルと、
前記多数のフローストリームを分析するために構成する光ビームであって、前記フローストリーム間に介在する空間の中も含めて全てのフローストリームにわたって空間的に連続的な励起を発生させる前記光ビームと、
前記サンプルストリームの中を流れる励起粒子からの光を集光する光学的対物レンズであって、この光をアレイ検出器に結像する前記光学的対物レンズと、
を備えたシステムであって、
夫々の前記フローストリームからの出射光は個々に同定されるとともに、その他の任意のフローストリームからの出射光とは前記アレイ検出器での位置によって差別化される出射光であることを特徴とする検出システム。
【請求項２０】
さらに、多数のチャネルを有し、各チャネルが２つかそれ以上の前記フローストリームを有する請求項１９に記載の検出システム。
【請求項２１】
前記介在する空間から背景情報を収集する請求項１に記載の検出システム。
【請求項２２】
さらに、前記ストリーム間の前記介在する空間からの出射光を集光する請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
前記介在する空間から背景情報を収集する請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
前記多数のフローストリームのフロー形状で粒子を分析する請求項１に記載の検出システム。
【請求項２５】
前記フローストリームのフロー形状で前記励起粒子が流れる請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月11日(2016.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラレンズを有する電子通信デバイスとともに使用され、宝石の表面に刻印、浮き彫り、又は刻み込まれた記号又は銘を明らかにするために宝石を観察する装置。
【請求項２】
前記装置は、
基部と、
前記基部に取り付けられるか、又は前記基部と一体に形成されるビューア本体と、
前記ビューア本体に取り付けられる拡大レンズと、
前記ビューア本体に取り付けられる焦点板とを備え、
前記拡大レンズは前記焦点板と前記カメラレンズとの間に配置され、
前記焦点板及び前記拡大レンズは、前記宝石の表面が前記焦点板に対向して配置されたときに、前記カメラレンズが前記拡大レンズを介して前記宝石の表面に適切に焦点を合わせられるように前記ビューア本体により互いに十分な距離をおいて保持されている、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記拡大レンズは、前記基部に、前記カメラレンズと同軸に配置され、該拡大レンズは該カメラレンズに接触していない、
請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記電子通信デバイスは光源を含み、
前記基部は、前記焦点板に向かう通路を通過する前記光源からの光線に障害のない光線路を与えるために開口部を有する、
請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記焦点板は、該焦点板に接する前記宝石が前記光源から該宝石に向けた前記光線路の内にあるように、かつ前記光線を前記拡大レンズ及び該拡大レンズを介して前記カメラレンズに向けた通路に沿って反射するように配向されている、
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記焦点板は着脱可能な保持リングにより、取り外し及び取り付け可能に定位置に保持されている、
請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記焦点板は、前記拡大レンズに対して５度〜２５度の角度で保持されている、
請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記焦点板は、前記拡大レンズに対して１３度〜１６度の角度で保持されている、
請求項７に記載の装置。
【請求項９】
カメラレンズを有する電子通信デバイスとともに使用され、宝石の表面に刻印、浮き彫り、又は刻み込まれた記号又は銘を明らかにするために宝石を観察する装置であり、該装置は、
基部と、
前記基部に取り付けられるか、又は前記基部と一体に形成されるビューア本体と、
前記ビューア本体に取り付けられる拡大レンズと、
前記ビューア本体に取り付けられる焦点板とを備え、
前記拡大レンズは前記焦点板と前記カメラレンズとの間に配置され、
前記焦点板及び前記拡大レンズは、前記宝石の表面が前記焦点板に対向して配置されたときに、前記カメラレンズが前記拡大レンズを介して前記宝石の表面に適切に焦点を合わせられるように前記ビューア本体により互いに十分な距離をおいて保持されている装置。
【請求項１０】
前記拡大レンズは、前記基部に前記カメラレンズと同軸に配置され、該拡大レンズは該カメラレンズに接触していない、
請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記電子通信デバイスは光源を含み、
前記基部は、前記焦点板に向かう通路を通過する前記光源からの光線に障害のない光線路を与えるために開口部を有する、
請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記焦点板は、該焦点板に接する前記宝石が前記光源から該宝石に向けた前記光線路の内にあるように、かつ前記光線を前記拡大レンズ及び該拡大レンズを介して前記カメラレンズに向けて通路に沿って反射するように配向されている、
請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記基部は隣接する二つの側面により互いに離間された上面及び底面を含み、付加的な圧力又は機械的な手段を用いることなく摩擦によって前記基部を前記電子通信デバイスに固定するために、該上面、底面及び二つの側面は該電子通信デバイスと接するように正確に配置されている、
請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記焦点板は着脱可能な保持リングにより、取り外し及び取り付け可能に定位置に保持されている、
請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記焦点板は、前記拡大レンズに対して５度〜２５度の角度で保持されている、
請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記焦点板は、前記拡大レンズに対して１３度〜１６度の角度で保持されている、
請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
カメラレンズ及び光源を有する電子通信デバイスとともに使用され、宝石の表面に刻印、浮き彫り、又は刻み込まれた記号又は銘を明らかにするために宝石を観察する装置であり、該装置は、
隣接する二つの側面により互いに離間された上面及び底面を含む基部と、
前記基部に取り付けられるか、又は前記基部と一体に形成されるビューア本体と、
前記ビューア本体に取り付けられる拡大レンズと、
前記ビューア本体に取り付けられる焦点板とを備え、
前記拡大レンズは前記焦点板と前記カメラレンズとの間に配置され、
前記焦点板及び前記拡大レンズは、前記宝石の表面が前記焦点板に対向して配置されたときに、前記カメラレンズが前記拡大レンズを介して前記宝石の表面に適切に焦点を合わせられるように前記ビューア本体により互いに十分な距離をおいて保持されている装置。
【請求項１８】
前記底面は、前記焦点板に向かう通路を通過する前記光源からの光線に障害のない光線路を与えるために開口部を有する、
請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記上面、底面及び二つの側面は、付加的な圧力又は機械的な手段を用いることなく摩擦によって前記基部を前記電子通信デバイスに固定するために、該電子通信デバイスと接するように正確に配置されている、
請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記焦点板は着脱可能な保持リングにより、取り外し及び取り付け可能に定位置に保持されている、
請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記焦点板は、前記拡大レンズに対して５度〜２５度の角度で保持されている、
請求項２０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月18日(2016.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
９５重量％を超えるｃｉｓ−１，４単位含量と１重量％未満の１，２−ビニル含量とを有する高分子量ポリブタジエンの製造において、ムーニー粘度における段階的上昇を達成するための方法において、
１）ブタジエンおよび／またはイソプレンから選択される少なくとも１種のモノマーを、少なくとも１種の不活性な有機溶媒の存在下、およびネオジムのカルボン酸塩をベースとする少なくとも１種の触媒の存在下に、−２０℃〜１５０℃の温度で重合させ、
２）次いで、プロトン性化合物を添加することによって前記重合を停止させ、
３）次いで、前記ポリマーに硫黄塩化物を添加するが、添加の前に、それらの硫黄塩化物を、カルボン酸、脂肪酸および／または脂肪酸エステルを用いて処理しておく
ことを特徴とする、方法。
【請求項２】
以下の工程、
ａ）以下のもの
−  成分Ａ：ネオジムのアルコラートまたはカルボン酸塩、好ましくはバーサチック酸ネオジム、
−  成分Ｂ：水素化ジアルキルアルミニウム、好ましくは水素化ジイソブチルアルミニウム（ＤＩＢＡＨ）、
−  成分Ｃ：ジエン、好ましくはブタジエンまたはイソプレン、および
−  成分Ｄ：少なくとも１種の有機金属ハロゲン化物、好ましくはエチルアルミニウムセスキクロリド（ＥＡＳＣ）
からなるネオジムをベースとする触媒系を使用し、予備形成プロセス有りまたは無しで、触媒を製造する工程、
ｂ）−２０℃〜１５０℃の温度で前記モノマーを重合させる工程、
ｃ）使用または前記重合を停止させるプロトン性化合物、および
ｄ）硫黄塩化物を添加する工程であって、前記硫黄塩化物は、添加に先立って、カルボン酸、脂肪酸および／または脂肪酸エステルを用いて処理したものである、工程
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プロトン性化合物に、カルボン酸および／または脂肪酸が含まれることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プロトン性化合物に、ステアリン酸またはラウリン酸が含まれることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記前処理された硫黄塩化物を添加する温度が、２０℃〜１５０℃、好ましくは５０℃〜１２０℃であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
安定剤を添加し、前記安定剤が、好ましくは、硫黄塩化物の添加の後に添加されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
添加される硫黄塩化物の量が、１００重量部のジエンゴムに対して、０．０５〜０．７重量部、好ましくは０．１〜０．４重量部であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記硫黄塩化物に、二塩化二硫黄、二塩化硫黄および／または塩化チオニルが含まれることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
硫黄塩化物すなわち、二塩化二硫黄、二塩化硫黄および／または塩化チオニルの、カルボン酸、脂肪酸および／または脂肪酸エステルに対する量比が、１：０．０１から１：１０までであることを特徴とする、請求項１または７に記載の方法。
【請求項１０】
前記カルボン酸に、８〜２０個の炭素原子を有するカルボン酸の群からの化合物、好ましくはバーサチック酸、オクタン酸またはイソオクタン酸が含まれることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記脂肪酸に、飽和またはモノもしくはポリ不飽和の植物性または動物性脂肪酸、好ましくはラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸またはオレイン酸が含まれることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記脂肪酸エステルに、天然または変性の、飽和またはモノもしくはポリ不飽和の植物性または動物性脂肪酸エステル、好ましくはエポキシ化大豆油が含まれることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
工程３）の後に得られる前記ポリブタジエンが、工程２）の後のポリブタジエンのムーニー粘度（ＭＬ１＋４、１００℃）を基準にして、ムーニー粘度（ＭＬ１＋４、１００℃）において少なくとも５０％の段階的上昇を示すことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
工程２）の後の前記ポリブタジエンのムーニー粘度（ＭＬ１＋４、１００℃）（初期ムーニー粘度）が、少なくとも２０ＭＵ、好ましくは２０〜２５ＭＵ、特に好ましくは少なくとも４０ＭＵであり、工程３）において硫黄塩化物、好ましくは二塩化二硫黄、二塩化硫黄および／または塩化チオニルを添加した後の前記ポリブタジエンのムーニー粘度（ＭＬ１＋４、１００℃）（最終ムーニー粘度）が、少なくとも３０ＭＵ、好ましくは４０〜５０ＭＵ、特に好ましくは６０〜８０ＭＵであり、ゲル含量が１重量％よりも低いことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に従って得ることが可能な、高分子量のネオジム触媒法によるポリブタジエン。
【請求項１６】
前記ポリブタジエンの変性係数が、１．３〜２．５、好ましくは１．４〜２．１であり、ムーニー応力緩和をＡＳＴＭ  Ｄ１４６６−００に従って、最初に工程２の後（ＭＳＲ（２））、および工程３の後（ＭＳＲ（３））に測定し、次いで、その結果得られる商ＭＳＲ（２）／ＭＳＲ（３）が前記変性係数を与えることを特徴とする、請求項１５に記載の高分子量のネオジム触媒法によるポリブタジエン。
【請求項１７】
前記ポリブタジエンが、カルボン酸、脂肪酸および／または脂肪酸エステルを含むことを特徴とする、請求項１６に記載の高分子量のネオジム触媒法によるポリブタジエン。
【請求項１８】
前記ポリブタジエンに、天然または変性の、飽和またはモノもしくはポリ不飽和の植物性または動物性脂肪酸エステル、特にエポキシ化大豆油が含まれることを特徴とする、請求項１７に記載の高分子量のネオジム触媒法によるポリブタジエン。
【請求項１９】
前記ポリブタジエンに、バーサチック酸、オクタン酸、イソオクタン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、またはオレイン酸が含まれることを特徴とする、請求項１５に記載の高分子量のネオジム触媒法によるポリブタジエン。
【請求項２０】
請求項１５に記載のポリブタジエンを含むゴム混合物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月23日(2016.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
二色性光開始剤が式Ｉ
【化１】
2015524019.tif 000001
式中、
Ｐは、重合性基であり、
Ｓｐは、スペーサー基または単結合であり、
Ａ１１は、複数の出現の場合においては互いに独立して、任意に１つまたは２つ以上の同一であるかまたは異なる基Ｌによって置換されているアリール、ヘテロアリール、脂肪族または複素環式基であり、
Ｚ１１は、各出現において互いに独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−ＣＯ−ＮＲ０１−、−ＮＲ０１−ＣＯ−、−ＮＲ０１−ＣＯ−ＮＲ０２、−ＮＲ０１−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ０１−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＳＣＨ２−、−ＣＨ２Ｓ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｓ−、−ＳＣＦ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＣＦ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＦ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＲ０１−、−ＣＹ０１＝ＣＹ０２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合であり、
ｍは、０、１、２または３であり、
ｒは、０、１、２、３または４であり、
Ｌは、複数の出現の場合において互いに独立してＨ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮまたは１〜５個のＣ原子を有する任意にハロゲン化されたアルキル、アルコキシ、アルキルカルボニル、アルコキシカルボニル、アルキルカルボニルオキシもしくはアルコキシカルボニルオキシであり、
Ｒ１１〜１３は、互いに独立してＨ、ハロゲン、ＣＮ、ＮＯ２、ＮＣＳ、ＳＦ５、Ｐ−Ｓｐ−であるか、または１〜２０個のＣ原子を有し、任意にＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＩもしくはＣＮによって単置換もしくは多置換されており、かつここで１つもしくは２つ以上の隣接していないＣＨ２基が任意に、各場合において互いに独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ０１−、−ＳｉＲ０１Ｒ０２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−ＮＲ０１−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ０１−、−ＮＲ０１−ＣＯ−ＮＲ０２−、−Ｓ−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｓ−、−ＣＹ０１＝ＣＹ０２−もしくは−Ｃ≡Ｃ−によって、Ｏおよび／もしくはＳ原子が互いに直接結合しないように置き換えられている直鎖状もしくは分枝状アルキルであり、ならびに
Ｙ０１およびＹ０２は、各々、互いに独立してＨ、Ｆ、ＣｌまたはＣＮを示し、
Ｒ０１およびＲ０２は、互いに独立してＨ、または１〜２０個のＣ原子を有する直鎖状もしくは分枝状アルキルである、
で表される化合物から選択されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月4日(2015.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
示されているように、システム１００は、位相検出器１０５と、フィルタ１１０（たとえば第１のフィルタ）と、制御発振器１１５と、パターンエラー検出器１２０と、フィルタ１２５（たとえば第２のフィルタ）と、サンプラ１３０とを含む。位相検出器１０５およびパターンエラー検出器１２０は各々入力信号１４０を受けることができる。位相検出器１０５は、入力信号１４０を、制御発振器１１５の出力から得られた出力信号１４６と比較するように構成し得る。示されているように、出力信号１４６は位相検出器１０５の入力にフィードバックされる。位相検出器１０５は、入力信号１４０の各遷移を、制御発振器１１５からの出力信号１４６から求められた予測位相値と、比較することができる。位相検出器１０５は、入力信号１４０の位相を出力信号１４６の位相と比較して位相エラー信号１４２を生成するように構成し得る。位相エラー信号１４２は一般的に、入力信号１４０と出力信号１４６との間の位相差を特定する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図２は、本明細書に開示される別の実施の形態に従う制御発振器２００の代表的な実現を示すブロック図である。制御発振器２００を用いることによって、２ＵＩのＰＤＵＩタイプのパターンベースのまたは決定論的歪を入力信号が有する場合に図１の制御発振器１１５を実現することができる。図２を参照して、制御発振器２００は、加算器２０５と、累算器２１０と、オフセットモジュール２１５と、加算器２２０とを含み得る。本明細書を通して同一の要素は同様の番号を用いて示される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
加算器４２０は、フィルタリングされたパターンエラー信号１５０と中心周波数信号２２２の総和である信号４２８を生成することができ、この信号４２８をマルチプレクサ４１５に与えることができる。差分モジュール４２５は、フィルタリングされたパターンエラー信号１５０と中心周波数信号２２２とを受けることができる。差分モジュール４２５は、フィルタリングされたパターンエラー信号１５０を中心周波数信号２２２から減算することができる。差分モジュール４２５は、計算された差を示す出力として信号４３０を生成することができる。信号４２８は信号４３０よりも大きな値を特定することがわかる。