【手続補正書】
【提出日】平成28年7月25日(2016.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫化モリブデン、硫化ニッケル及び硫化タングステンを含み、硫化モリブデン相、硫化タングステン相、モリブデンタングステン硫化物相、活性ニッケル相及び硫化ニッケル相の５相を含む多相構造を有することを特徴とする自己担持型混合金属硫化物（ＭＭＳ）触媒であって、三元相図の５点ＡＢＣＤＥにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有し、５点ＡＢＣＤＥがＡ（Ｎｉ＝０．７２、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．２８）、Ｂ（Ｎｉ＝０．２５、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．７５）、Ｃ（Ｎｉ＝０．２５、Ｍｏ＝０．２５、Ｗ＝０．５０）、Ｄ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．２５、Ｗ＝０．１５）、Ｅ（Ｎｉ＝０．７２、Ｍｏ＝０．１３、Ｗ＝０．１５）と定義されることを特徴とする、上記自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項２】
モリブデンタングステン硫化物相が少なくとも１層を含み、前記少なくとも１層が、ａ）硫化モリブデン及び硫化タングステン、ｂ）個別原子として又は硫化タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステン、ｃ）個別原子として又は硫化モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデン、並びにｄ）それらの混合物の少なくとも１つを含む、請求項１に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項３】
モリブデンタングステン硫化物相が１〜６層を含む、請求項２に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項４】
前記少なくとも１層が、層内原子混合物を形成する個別原子として硫化モリブデン中に同形置換されているタングステンを含む、請求項２に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項５】
前記少なくとも１層が、タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステンを含む、請求項２に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項６】
前記少なくとも１層が、層内原子混合物を形成する個別原子として硫化タングステン中に同形置換されているモリブデンを含む、請求項２に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項７】
前記少なくとも１層が、モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデン、硫化タングステンと硫化モリブデンとの層間混合物、並びに硫化タングステン及び硫化モリブデンの個別ドメインの混合物のいずれかを含む、請求項２に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項８】
活性ニッケル相が、モリブデンタングステン硫化物相中に置換された原子状ニッケル及び還元ニッケルの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項９】
硫化ニッケル相がＮｉ９Ｓ８及びＮｉ３Ｓ２層のスラブを含む、請求項１に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項１０】
モリブデンタングステン硫化物相がＮｉ９Ｓ８及びＮｉ３Ｓ２層のスラブを包んでいる、請求項９に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項１１】
ＭｏＳ２相及びＷＳ２相に対応するピークを示すＸ線回折パターンによりさらに特徴付けられる、請求項１に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項１２】
Ｎｉ３Ｓ２相に対応するピークを示すＸ線回折パターンによりさらに特徴付けられる、請求項１に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項１３】
４．６０±０．５Å及び２．８７±０．５Åの硫化ニッケル上の格子縞を示すＴＥＭ画像によりさらに特徴付けられる、請求項１に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項１４】
少なくとも４０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積及び少なくとも０．０５ｃｍ３／ｇの細孔容積を有する、請求項１に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項１５】
ＸＰＳにより特性評価を行ったときの０．５を超えるＮｉ表面濃度／Ｎｉバルク濃度比をさらに特徴とする、請求項１に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項１６】
ＸＰＳにより特性評価を行ったときの０．４を超えるＷ表面濃度／Ｗバルク濃度比をさらに特徴とする、請求項１記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項１７】
０．３３≦Ｎｉ／（Ｍｏ＋Ｗ）≦２．５７の範囲、０．００≦Ｍｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）≦０．３３のＭｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）モル比の範囲、及び０．１８≦Ｗ／（Ｎｉ＋Ｍｏ）≦３．００のＷ／（Ｎｉ＋Ｍｏ）モル比の範囲内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有することを特徴とする、請求項１に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項１８】
三元相図の６点ＡＢＣＤＥＦにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有し、６点ＡＢＣＤＥＦがＡ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．３３）、Ｂ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．１０、Ｗ＝０．２３）、Ｃ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．２５）、Ｄ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．３３）、Ｅ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．０６、Ｗ＝０．４２）、Ｆ（Ｎｉ＝０．５８、Ｍｏ＝０．０、Ｗ＝０．４２）と定義されることを特徴とする、請求項１に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項１９】
１．０８≦Ｎｉ／（Ｍｏ＋Ｗ）≦２．０３、
０≦Ｍｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）≦０．１８及び
０．３３≦Ｗ／（Ｍｏ＋Ｎｉ）≦０．７２
の範囲内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有することを特徴とする、請求項１に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【請求項２０】
三元相図の４点ＡＢＣＤにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有し、４点ＡＢＣＤがＡ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．３３）、Ｂ（Ｎｉ＝０．５８、Ｍｏ＝０．０、Ｗ＝０．４２）、Ｃ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．３３）、Ｄ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．２５）と定義されることを特徴とする、請求項１に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８１】
本明細書は、最良の形態を含む本発明を開示するために、また当業者が発明を行い実施することを可能にするために、例を使用する。特許性のある範囲は、特許請求の範囲により定義されており、当業者が考え付く他の例を含み得る。そのような他の例は、特許請求の範囲の文言と異なっていない構造要素を有する場合、又は特許請求の範囲の文言との実質のない差異を有する等価構造要素を含む場合、特許請求の範囲の範囲内にあるものとする。本明細書で引用したすべての引用は、参照により本明細書に明示的に組み込まれる。
なお、下記［１］から［１８３］は、いずれも本発明の一形態又は一態様である。
［１］
硫化ニッケル及び硫化タングステンから本質的になり、遷移金属基準で１：３〜４：１のモル比のＮｉ：Ｗを含む、自己担持型混合金属硫化物（ＭＭＳ）触媒。
［２］
Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔｉ及びそれらの混合物から選択される金属助触媒をさらに含み、金属助触媒が１％（モル）未満の量で存在する、［１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［３］
表Ａに示す特性を有する供給原料としての重質コーカー軽油の表Ｅに示す工程条件下での水素化処理において一次速度則を仮定して少なくとも１００ｇ供給原料・ｈｒ−１・ｇ触媒−１のＨＤＮ反応定数を有することを特徴とする、［１］から［２］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［４］
表Ａに示す特性を有する供給原料としての重質コーカー軽油の表Ｅに示す工程条件下での水素化処理において一次速度則を仮定して少なくとも１１０ｇ供給原料・ｈｒ−１・ｇ触媒−１のＨＤＮ反応定数を有することを特徴とする、［４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［５］
表Ｂに示す特性を有する供給原料としての重質減圧軽油の表Ｆに示す定常状態工程条件下での水素化処理において一次速度則を仮定して触媒重量毎時空間速度基準での少なくとも４ｈｒ−１のＨＤＮ反応速度定数を有することを特徴とする、［１］から［２］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［６］
表Ｄに示すのと同じ工程条件における供給原料としてのベンゼンの水素化処理において同じ金属モル基準で比較した場合に、硫化ニッケルのみを含む触媒又は硫化タングステンのみを含む触媒よりも少なくとも１５％高いＨＹＤ反応速度定数を有することを特徴とする、［１］から［２］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［７］
硫化タングステン相上に分散したＮｉＳｘナノ粒子を有することを特徴とする、［１］から［２］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［８］
硫化タングステン相及び活性ニッケル相を含む多相構造を有することを特徴とする、［１］から［２］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［９］
多相構造が硫化ニッケル相をさらに含む、［８］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１０］
硫化ニッケル相がＮｉ９Ｓ８及びＮｉ３Ｓ２層のスラブを含む、［９］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１１］
硫化ニッケルが硫化タングステン相の支持体としての役割を果たす、［９］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１２］
活性ニッケル相が、硫化タングステン相中に置換された原子状ニッケル及び還元ニッケルの少なくとも１つを含む、［８］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１３］
活性ニッケル相が、硫化タングステン相の端部を修飾している原子状ニッケル及び還元ニッケルの少なくとも１つを含む、［８］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１４］
活性ニッケル相が、硫化タングステン相上に分散した又は硫化タングステン相を修飾しているＮｉＳｘナノ粒子を含む、［８］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１５］
触媒が遷移金属基準で１：３〜４：１のモル比のＮｉ：Ｗを含むのに十分な量のニッケル金属前駆体及びタングステン金属前駆体を硫化することにより調製される、［１］から［２］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１６］
ニッケル金属前駆体が、ニッケルの無機金属硫化物、ニッケルの硫黄含有無機化合物、ニッケルの硫黄含有有機化合物、炭酸ニッケル、水酸化ニッケル、リン酸ニッケル、亜リン酸ニッケル、ギ酸ニッケル、フマル酸ニッケル、モリブデン酸ニッケル、タングステン酸ニッケル、酸化ニッケル、ニッケル合金、シクロペンタジエニルニッケル、ナフテン酸ニッケル及びそれらの混合物から選択される、［１５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１７］
タングステン金属前駆体が、アルカリ金属タングスタート、タングステンのアンモニウムメタラート、無機タングステン化合物、ナフテン酸タングステン、ペンタシクロジエニルタングステンジヒドリド、酸化タングステン、Ｗ−Ｐヘテロポリアニオン化合物、Ｗ−Ｓｉヘテロポリアニオン化合物、タングステンの硫黄含有無機化合物、タングステンの硫黄含有有機化合物及びそれらの混合物から選択される、［１５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１８］
遷移金属基準で１：３〜４：１のモル比のＮｉ：Ｗを含むのに十分な量のモリブデン金属前駆体及びタングステン金属前駆体を、Ｈ２を含むガスの圧力下で少なくとも硫化剤により２５℃〜５００℃の温度で１０分間から１５日間硫化することにより調製される、［１７］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１９］
硫化モリブデン及び硫化タングステンから本質的になり、遷移金属基準で少なくとも０．１ｍｏｌ％のＭｏ及び少なくとも０．１ｍｏｌ％のＷを含む、自己担持型混合金属硫化物（ＭＭＳ）触媒。
［２０］
表Ｅに示すのと同じ工程条件における供給原料としての重質コーカー軽油の水素化処理において同じ金属モル基準で比較した場合に、硫化モリブデンのみを含む触媒又は硫化タングステンのみを含む触媒よりも少なくとも１０％高いＨＤＳ反応速度定数を有することを特徴とする、［１９］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［２１］
表Ｅに示すのと同じ工程条件における供給原料としての重質コーカー軽油の水素化処理において同じ金属モル基準で比較した場合に、ＨＤＳ反応速度定数が硫化モリブデンのみを含む触媒又は硫化タングステンのみを含む触媒よりも少なくとも１５％高い、［２０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［２２］
表Ｃに示すのと同じ工程条件におけるジフェニルエーテルの水素化処理において同じ金属モル基準で比較した場合に、硫化モリブデンのみを含む触媒又は硫化タングステン触媒のみを含む触媒よりも少なくとも１０％高い水素化分解（ＨＹＬ）反応速度定数を有することを特徴とする、［１９］から［２０］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［２３］
表Ｃに示すのと同じ工程条件における供給原料としてのジフェニルエーテルの水素化処理において同じ金属モル基準で比較した場合に、ＨＹＬ反応速度定数が硫化モリブデンのみを含む触媒又は硫化タングステンのみを含む触媒よりも少なくとも１５％高い、［２２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［２４］
ａ）硫化モリブデン及び硫化タングステン、ｂ）個別原子として又は硫化タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステン、ｃ）個別原子として又は硫化モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデン、並びにｄ）それらの混合物の少なくとも１つを含む少なくとも１層を含むモリブデンタングステン硫化物相を有することを特徴とする、［１９］から［２０］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［２５］
硫化モリブデン及び硫化タングステン相が１〜６層を含む、［２４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［２６］
前記少なくとも１層が、層内原子混合物を形成している個別原子として硫化モリブデン中に同形置換されているタングステンを含む、［２４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［２７］
前記少なくとも１層が、タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステンを含む、［２４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［２８］
前記少なくとも１層が、層内原子混合物を形成している個別原子として硫化タングステン中に同形置換されているモリブデンを含む、［２４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［２９］
前記少なくとも１層が、モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデンを含む、［２４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［３０］
少なくとも２層を含む硫化モリブデン及び硫化タングステン相を有し、少なくとも２層が硫化タングステンと硫化モリブデンとの層間混合物を含むことを特徴とする、［２４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［３１］
少なくとも１層が、硫化タングステン及び硫化モリブデンの個別ドメインの混合物を含む、［２４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［３２］
触媒が少なくとも０．１ｍｏｌ％のＭｏ及び０．１ｍｏｌ％のＷを含むのに十分な量のモリブデン金属前駆体及びタングステン金属前駆体を硫化することにより調製される、［１９］から［２０］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［３３］
モリブデン金属前駆体が、モリブデン金属、アルカリ金属モリブダート、モリブデンのアンモニウムメタラート、硫酸モリブデン、リン酸モリブデン、ケイ酸モリブデン、ホウ酸モリブデン、ナフテン酸モリブデン、ペンタシクロジエニルモリブダート、シクロペンタジエニルＭｏトリカルボニル二量体、リンモリブデン酸のアンモニウム塩、リンモリブデン酸、酸化モリブデン、Ｍｏ−Ｐヘテロポリアニオン化合物、Ｍｏ−Ｓｉヘテロポリアニオン化合物、モリブデンの無機金属硫化物、モリブデンの硫黄含有無機化合物、モリブデンの硫黄含有有機化合物及びそれらの混合物から選択される、［３２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［３４］
タングステン金属前駆体が、アルカリ金属タングスタート、タングステンのアンモニウムメタラート、無機タングステン化合物、ナフテン酸タングステン、ペンタシクロジエニルタングステンジヒドリド、酸化タングステン、Ｗ−Ｐヘテロポリアニオン化合物、Ｗ−Ｓｉヘテロポリアニオン化合物、タングステンの硫黄含有無機化合物、タングステンの硫黄含有有機化合物及びそれらの混合物から選択される、［３２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［３５］
モリブデン金属前駆体及びタングステン金属前駆体を、Ｈ２を含むガスの圧力下で少なくとも硫化剤により２５℃〜５００℃の温度で１０分間から１５日間硫化することにより調製される、［３２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［３６］
硫化モリブデンがＭｏＳ２＋ｅであり、硫化タングステンがＷＳ２＋ｅであり、ｅが０から１の値を有する、［１９］から［２０］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［３７］
表Ａに示す特性を有する供給原料としての重質コーカー軽油の表Ｅに示す工程条件下での水素化処理において一次速度則を仮定した少なくとも１００ｇ供給原料・ｈｒ−１・ｇ触媒−１のＨＤＮ反応速度定数及び一次速度則を仮定した少なくとも５５０ｇ供給原料・ｈｒ−１・ｇ触媒−１のＨＤＳ反応速度定数を有することを特徴とする、硫化モリブデン、硫化ニッケル及び硫化タングステンを含む、自己担持型混合金属硫化物（ＭＭＳ）触媒。
［３８］
表Ｂに示す特性を有する供給原料としての重質減圧軽油の表Ｆに示す工程条件下での水素化処理において一次速度則を仮定して少なくとも４ｈｒ−１のＨＤＮ反応速度定数及び一次速度則を仮定して少なくとも５ｈｒ−１のＨＤＳ反応速度定数を有することを特徴とする、［３７］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［３９］
表Ｃに示す工程条件下での供給原料としてのジフェニルエーテルの水素化処理において同じ金属モル基準で比較した場合に、硫化ニッケル及び硫化モリブデンを含む触媒又は硫化ニッケル及び硫化タングステンを含む触媒の速度定数よりも少なくとも１０％高いＨＹＤ反応速度定数及びＨＹＬ反応速度定数を有することを特徴とする、［３７］から［３８］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［４０］
表Ｄに示す工程条件下での供給原料としてのジフェニルエーテルの水素化処理において同じ金属モル基準で比較した場合に、ＨＹＤ反応速度定数及びＨＹＬ反応速度定数のそれぞれが、硫化ニッケル及び硫化モリブデンを含む触媒又は硫化ニッケル及び硫化タングステンを含む触媒のそれぞれの速度定数より少なくとも１５％高い、［３９］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［４１］
硫化モリブデン相、硫化タングステン相、モリブデンタングステン硫化物相、活性ニッケル相及び硫化ニッケル相の５相を含む多相構造を有することを特徴とする、［３７］から［３８］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［４２］
モリブデンタングステン硫化物相が、ａ）硫化モリブデン及び硫化タングステン、ｂ）個別原子として又は硫化タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステン、ｃ）個別原子として又は硫化モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデン、並びにｄ）それらの混合物の少なくとも１つを含む少なくとも１層を含む、［４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［４３］
モリブデンタングステン硫化物相が１〜６層を含む、［４２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［４４］
前記少なくとも１層が、層内原子混合物を形成する個別原子として硫化モリブデン中に同形置換されているタングステンを含む、［４２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［４５］
前記少なくとも１層が、タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステンを含む、［４２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［４６］
前記少なくとも１層が、層内原子混合物を形成する個別原子として硫化タングステン中に同形置換されているモリブデンを含む、［４２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［４７］
前記少なくとも１層が、モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデンを含む、［４２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［４８］
モリブデンタングステン硫化物相の表面が、モリブデンタングステン硫化物相のバルクよりも少なくとも２０％高いモリブデン対タングステン比を示す、［４２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［４９］
前記少なくとも１層が、硫化タングステン及び硫化モリブデンの個別のドメインの混合物を含む、［４２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［５０］
活性ニッケル相が、モリブデンタングステン硫化物相中に置換された原子状ニッケル及び還元ニッケルの少なくとも１つを含む、［４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［５１］
活性ニッケル相が、モリブデンタングステン硫化物相の端部を修飾している原子状ニッケル及び還元ニッケルの少なくとも１つを含む、［４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［５２］
活性ニッケル相が、モリブデンタングステン硫化物相上に分散した又はモリブデンタングステン硫化物相を修飾しているＮｉＳｘナノ粒子を含む、［４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［５３］
硫化ニッケル相がＮｉ９Ｓ８及びＮｉ３Ｓ２層のスラブを含む、［４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［５４］
モリブデンタングステン硫化物相がＮｉ９Ｓ８及びＮｉ３Ｓ２層のスラブを包んでいる、［５２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［５５］
硫化ニッケル相がモリブデンタングステン硫化物相の担持体としての役割を果たす、［４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［５６］
硫化ニッケル相がモリブデンタングステン硫化物相上の活性ニッケル相の分散を安定させている、［４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［５７］
ＭｏＳ２相及びＷＳ２相に対応するピークを示すＸ線回折パターンにより特徴付けられる、［４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［５８］
Ｎｉ３Ｓ２相に対応するピークを示すＸ線回折パターンにより特徴付けられる、［４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［５９］
４．６０±０．５Å及び２．８７±０．５Åの硫化ニッケル結晶上の格子縞を示すＴＥＭ画像により特徴付けられる、［４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［６０］
少なくとも２０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積及び少なくとも０．０５ｃｍ３／ｇの細孔容積を有する、［３７］から［３８］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［６１］
少なくとも４０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積及び少なくとも０．０５ｃｍ３／ｇの細孔容積を有する、［６０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［６２］
重質コーカー軽油を少なくとも０．５時間水素化処理した後の触媒が、８０％未満の表面積の減少を有する、［３７］から［３８］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［６３］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときに０．４を超えるＮｉ表面濃度／Ｎｉバルク濃度比を有する、［３７］から［３８］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［６４］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときに０．５を超えるＮｉ表面濃度／Ｎｉバルク濃度比を有する、［６３］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［６５］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときに０．３を超えるＷ表面濃度／Ｗバルク濃度比を有する、［３７］から［３８］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［６６］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときに０．４を超えるＷ表面濃度／Ｗバルク濃度比を有する、［６５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［６７］
三元相図の５点ＡＢＣＤＥにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有する硫化モリブデン、硫化ニッケル及び硫化タングステンを含み、５点ＡＢＣＤＥがＡ（Ｎｉ＝０．７２、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．２８）、Ｂ（Ｎｉ＝０．２５、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．７５）、Ｃ（Ｎｉ＝０．２５、Ｍｏ＝０．２５、Ｗ＝０．５０）、Ｄ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．２５、Ｗ＝０．１５）、Ｅ（Ｎｉ＝０．７２、Ｍｏ＝０．１３、Ｗ＝０．１５）と定義される、［３７］から［３８］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［６８］
三元相図の６点ＡＢＣＤＥＦにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有する硫化モリブデン、硫化ニッケル及び硫化タングステンを含み、６点ＡＢＣＤＥＦがＡ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．３３）、Ｂ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．１０、Ｗ＝０．２３）、Ｃ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．２５）、Ｄ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．３３）、Ｅ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．０６、Ｗ＝０．４２）、Ｆ（Ｎｉ＝０．５８、Ｍｏ＝０．０、Ｗ＝０．４２）と定義される、［３７］から［３８］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［６９］
三元相図の４点ＡＢＣＤにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有する硫化モリブデン、硫化ニッケル及び硫化タングステンを含み、４点ＡＢＣＤがＡ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．３３）、Ｂ（Ｎｉ＝０．５８、Ｍｏ＝０．０、Ｗ＝０．４２）、Ｃ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．３３）、Ｄ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．２５）と定義される、［３７］から［３８］までのいずれか一項に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［７０］
硫化モリブデン、硫化ニッケル及び硫化タングステンを含み、三元相図の５点ＡＢＣＤＥにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有することを特徴とし、５点ＡＢＣＤＥがＡ（Ｎｉ＝０．７２、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．２５）、Ｂ（Ｎｉ＝０．２５、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．７５）、Ｃ（Ｎｉ＝０．２５、Ｍｏ＝０．２５、Ｗ＝０．５０）、Ｄ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．２５、Ｗ＝０．１５）、Ｅ（Ｎｉ＝０．７２、Ｍｏ＝０．１３、Ｗ＝０．１５）と定義される、自己担持型混合金属硫化物（ＭＭＳ）触媒。
［７１］
０．３３≦Ｎｉ／（Ｗ＋Ｍｏ）≦２．５７、
０．００≦Ｍｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）≦０．３３及び
０．１８≦Ｗ／（Ｎｉ＋Ｍｏ）≦３．００
の範囲内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有することを特徴とする、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［７２］
三元相図の６点ＡＢＣＤＥＦにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有し、６点ＡＢＣＤＥＦがＡ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．３３）、Ｂ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．１０、Ｗ＝０．２３）、Ｃ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．２５）、Ｄ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．３３）、Ｅ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．０６、Ｗ＝０．４２）、Ｆ（Ｎｉ＝０．５８、Ｍｏ＝０．０、Ｗ＝０．４２）と定義されることを特徴とする、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［７３］
１．０８≦Ｎｉ／（Ｍｏ＋Ｗ）≦２．０３、
０≦Ｍｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）≦０．１８及び
０．３３≦Ｗ／（Ｍｏ＋Ｎｉ）≦０．７２
の範囲内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有することを特徴とする、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［７４］
三元相図の４点ＡＢＣＤにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有する硫化モリブデン、硫化ニッケル及び硫化タングステンを含み、４点ＡＢＣＤがＡ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．３３）、Ｂ（Ｎｉ＝０．５８、Ｍｏ＝０．０、Ｗ＝０．４２）、Ｃ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．３３）、Ｄ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．２５）と定義される、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［７５］
少なくとも２０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積及び少なくとも０．０５ｃｍ３／ｇの細孔容積を有する、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［７６］
少なくとも４０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積及び少なくとも０．０５ｃｍ３／ｇの細孔容積を有する、［７５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［７７］
重質コーカー軽油を少なくとも０．５時間水素化処理した後の触媒が、水素化処理の前の最初の表面積の少なくとも２０％の表面積を有する、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［７８］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときに０．４を超えるＮｉ表面濃度／Ｎｉバルク濃度比を有する、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［７９］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときに０．５を超えるＮｉ表面濃度／Ｎｉバルク濃度比を有する、［７８］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［８０］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときに０．３を超えるＷ表面濃度／Ｗバルク濃度比を有する、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［８１］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときに０．４を超えるＷ表面濃度／Ｗバルク濃度比を有する、［８０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［８２］
表Ａに定義されている特性を有する供給原料としての重質コーカー軽油の表Ｅに定義されている工程条件下での水素化処理において一次速度則を仮定して少なくとも１００ｇ供給原料・ｈｒ−１・ｇ触媒−１のＨＤＮ反応速度定数及び一次速度則を仮定して少なくとも５５０ｇ供給原料・ｈｒ−１・ｇ触媒−１のＨＤＳ反応速度定数を有することを特徴とする、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［８３］
表Ｂにより定義されている特性を有する供給原料としての重質減圧軽油の表Ｆにより定義されている工程条件下での水素化処理において一次速度則を仮定して少なくとも４ｈｒ−１のＨＤＮ反応速度定数及び一次速度則を仮定して少なくとも５ｈｒ−１のＨＤＳ反応速度定数を特徴とする、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［８４］
表Ｃに示す工程条件下での供給原料としてのジフェニルエーテルの水素化処理において同じ金属モル基準で比較した場合に、硫化ニッケル及び硫化モリブデンを含む触媒又は硫化ニッケル及び硫化タングステンを含む触媒の速度定数よりも少なくとも１０％高い複合ＨＹＤ及びＨＹＬ反応速度定数を有することを特徴とする、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［８５］
表Ｄに示す工程条件下での供給原料としてのジフェニルエーテルの水素化処理において同じ金属モル基準で比較した場合に、複合ＨＹＤ及びＨＹＬ反応速度定数が、硫化ニッケル及び硫化モリブデンを含む触媒又は硫化ニッケル及び硫化タングステンを含む触媒の速度定数より少なくとも１５％高い、［８４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［８６］
硫化モリブデンがＭｏＳ２＋ｅであり、硫化タングステンがＷＳ２＋ｅであり、ｅが０から１の値を有する、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［８７］
硫化モリブデン相、硫化タングステン相、モリブデンタングステン硫化物相、活性ニッケル相及び硫化ニッケル相の５相を含む多相構造を有する、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［８８］
モリブデンタングステン硫化物相が少なくとも１層を含み、前記少なくとも１層が、ａ）硫化モリブデン及び硫化タングステン、ｂ）個別原子として又は硫化タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステン、ｃ）個別原子として又は硫化モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデン、並びにｄ）それらの混合物の少なくとも１つを含む、［８７に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［８９］
モリブデンタングステン硫化物相が１〜６層を含む、［８８］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［９０］
前記少なくとも１層が、層内原子混合物を形成する個別原子として硫化モリブデン中に同形置換されているタングステンを含む、［８８］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［９１］
前記少なくとも１層が、タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステンを含む、［８８］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［９２］
前記少なくとも１層が、層内原子混合物を形成している個別原子として硫化タングステン中に同形置換されているモリブデンを含む、［８８］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［９３］
前記少なくとも１層が、モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデンを含む、［８８］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［９４］
モリブデンタングステン硫化物相が硫化タングステンと硫化モリブデンとの層間混合物を含む、［８８］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［９５］
前記少なくとも１層が、硫化タングステン及び硫化モリブデンの個別ドメインの混合物を含む、［８８］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［９６］
活性ニッケル層が、モリブデンタングステン硫化物相中に置換された原子状ニッケル及び還元ニッケルの少なくとも１つを含む、［８７］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［９７］
活性ニッケル相が、モリブデンタングステン硫化物相上に分散した又はモリブデンタングステン硫化物相を修飾しているＮｉＳｘナノ粒子を含む、［８７］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［９８］
硫化ニッケル相がＮｉ９Ｓ８及びＮｉ３Ｓ２層のスラブを含む、［８７］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［９９］
硫化ニッケル相がモリブデンタングステン硫化物相の支持体としての役割を果たす、［８７］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１００］
モリブデンタングステン硫化物相がＮｉ９Ｓ８及びＮｉ３Ｓ２層のスラブを包んでいる、［９５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１０１］
硫化ニッケル相がモリブデンタングステン硫化物相上の活性ニッケル相の分散を安定させている、［８７］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１０２］
ＭｏＳ２相及びＷＳ２相に対応するピーク並びにＮｉ３Ｓ２相に対応するピークのいずれかを示すＸ線回折パターンにより特徴付けられる、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１０３］
４．６０±０．５Å及び２．８７±０．５Åの硫化ニッケル上の格子縞を示すＴＥＭ画像により特徴付けられる、［７０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１０４］
硫化モリブデン、硫化ニッケル及び硫化タングステンを含み、硫化モリブデン相、硫化タングステン相、モリブデンタングステン硫化物相、活性ニッケル相及び硫化ニッケル相の５相を含む多相構造を有することを特徴とする自己担持型混合金属硫化物（ＭＭＳ）触媒。
［１０５］
モリブデンタングステン硫化物相が少なくとも１層を含み、前記少なくとも１層が、ａ）硫化モリブデン及び硫化タングステン、ｂ）個別原子として又は硫化タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステン、ｃ）個別原子として又は硫化モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデン、並びにｄ）それらの混合物の少なくとも１つを含む、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１０６］
モリブデンタングステン硫化物相が１〜６層を含む、［１０５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１０７］
前記少なくとも１層が、層内原子混合物を形成する個別原子として硫化モリブデン中に同形置換されているタングステンを含む、［１０５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１０８］
前記少なくとも１層が、タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステンを含む、［１０５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１０９］
前記少なくとも１層が、層内原子混合物を形成する個別原子として硫化タングステン中に同形置換されているモリブデンを含む、［１０５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１１０］
前記少なくとも１層が、モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデン、硫化タングステンと硫化モリブデンとの層間混合物、並びに硫化タングステン及び硫化モリブデンの個別ドメインの混合物のいずれかを含む、［１０５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１１１］
活性ニッケル相が、モリブデンタングステン硫化物相中に置換された原子状ニッケル及び還元ニッケルの少なくとも１つを含む、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１１２］
活性ニッケル相が、モリブデンタングステン硫化物相上に分散した又はモリブデンタングステン硫化物相を修飾しているＮｉＳｘナノ粒子を含む、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１１３］
硫化ニッケル相がＮｉ９Ｓ８及びＮｉ３Ｓ２層のスラブを含む、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１１４］
硫化ニッケル相がモリブデンタングステン硫化物相の支持体としての役割を果たす、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１１５］
モリブデンタングステン硫化物相がＮｉ９Ｓ８及びＮｉ３Ｓ２層のスラブを包んでいる、［１１３］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１１６］
硫化ニッケル相がモリブデンタングステン硫化物相上の活性ニッケル相の分散を安定させている、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１１７］
ＭｏＳ２相及びＷＳ２相に対応するピークを示すＸ線回折パターンによりさらに特徴付けられる、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１１８］
Ｎｉ３Ｓ２相に対応するピークを示すＸ線回折パターンによりさらに特徴付けられる、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１１９］
４．６０±０．５Å及び２．８７±０．５Åの硫化ニッケル上の格子縞を示すＴＥＭ画像によりさらに特徴付けられる、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１２０］
少なくとも２０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積及び少なくとも０．０５ｃｍ３／ｇの細孔容積を有する、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１２１］
少なくとも４０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積及び少なくとも０．０５ｃｍ３／ｇの細孔容積を有する、［１２０］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１２２］
重質コーカー軽油を少なくとも０．５時間水素化処理した後の触媒が、８０％未満の表面積の減少を有する、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１２３］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときの０．４を超えるＮｉ表面濃度／Ｎｉバルク濃度比をさらに特徴とする、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１２４］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときの０．５を超えるＮｉ表面濃度／Ｎｉバルク濃度比をさらに特徴とする、［１２３］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１２５］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときの０．３を超えるＷ表面濃度／Ｗバルク濃度比をさらに特徴とする、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１２６］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときの０．４を超えるＷ表面濃度／Ｗバルク濃度比をさらに特徴とする、［１２５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１２７］
三元相図の５点ＡＢＣＤＥにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有し、５点ＡＢＣＤＥがＡ（Ｎｉ＝０．７２、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．２８）、Ｂ（Ｎｉ＝０．２５、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．７５）、Ｃ（Ｎｉ＝０．２５、Ｍｏ＝０．２５、Ｗ＝０．５０）、Ｄ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．２５、Ｗ＝０．１５）、Ｅ（Ｎｉ＝０．７２、Ｍｏ＝０．１３、Ｗ＝０．１５）と定義されることを特徴とする、［１０４］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１２８］
０．３３≦Ｎｉ／（Ｍｏ＋Ｗ）≦２．５７の範囲、０．００≦Ｍｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）≦０．３３のＭｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）モル比の範囲、及び０．１８≦Ｗ／（Ｎｉ＋Ｍｏ）≦３．００のＷ／（Ｎｉ＋Ｍｏ）モル比の範囲内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有することを特徴とする、［１２７］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１２９］
三元相図の６点ＡＢＣＤＥＦにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有し、６点ＡＢＣＤＥＦがＡ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．３３）、Ｂ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．１０、Ｗ＝０．２３）、Ｃ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．２５）、Ｄ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．３３）、Ｅ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．０６、Ｗ＝０．４２）、Ｆ（Ｎｉ＝０．５８、Ｍｏ＝０．０、Ｗ＝０．４２）と定義されることを特徴とする、［１２７］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１３０］
１．０８≦Ｎｉ／（Ｍｏ＋Ｗ）≦２．０３、
０≦Ｍｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）≦０．１８及び
０．３３≦Ｗ／（Ｍｏ＋Ｎｉ）≦０．７２
の範囲内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有することを特徴とする、［１２７］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１３１］
三元相図の４点ＡＢＣＤにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有し、４点ＡＢＣＤがＡ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．３３）、Ｂ（Ｎｉ＝０．５８、Ｍｏ＝０．０、Ｗ＝０．４２）、Ｃ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．３３）、Ｄ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．２５）と定義されることを特徴とする、［１２７］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１３２］
硫化モリブデン（Ｍｏ）、硫化タングステン（Ｗ）及び硫化ニッケル（Ｎｉ）を含み、少なくとも２０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積及び少なくとも０．０５ｃｍ３／ｇの細孔容積を有する、自己担持型混合金属硫化物（ＭＭＳ）触媒。
［１３３］
少なくとも３０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有する、［１３２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１３４］
少なくとも４０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積を有する、［１３３］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１３５］
重質コーカー軽油を少なくとも０．５時間水素化処理した後に８０％未満の表面積の減少を有することを特徴とする、［１３２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１３６］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときの０．４を超えるＮｉ表面濃度／Ｎｉバルク濃度比を特徴とする、［１３２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１３７］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときの０．５を超えるＮｉ表面濃度／Ｎｉバルク濃度比を特徴とする、［１３６］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１３８］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときの０．３を超えるＷ表面濃度／Ｗバルク濃度比を特徴とする、［１３２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１３９］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときの０．３を超えるＷ表面濃度／Ｗバルク濃度比を特徴とする、［１３２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１４０］
ＸＰＳにより特性評価を行ったときの０．４を超えるＷ表面濃度／Ｗバルク濃度比を特徴とする、［１３９］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１４１］
三元相図の５点ＡＢＣＤＥにより定義される領域内の金属成分Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗのモル比を有し、５点ＡＢＣＤＥがＡ（Ｎｉ＝０．７２、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．２８）、Ｂ（Ｎｉ＝０．５５、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．４５）、Ｃ（Ｎｉ＝０．４８、Ｍｏ＝０．１４、Ｗ＝０．３８）、Ｄ（Ｎｉ＝０．４８、Ｍｏ＝０．２０、Ｗ＝０．３３）、Ｅ（Ｎｉ＝０．６２、Ｍｏ＝０．１４、Ｗ＝０．２４）と定義されることを特徴とする、［１３２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１４２］
０．３３≦Ｎｉ／（Ｍｏ＋Ｗ）≦２．５７の範囲、０．００≦Ｍｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）≦０．３３のＭｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）モル比の範囲、及び０．１８≦Ｗ／（Ｎｉ＋Ｍｏ）≦３．００のＷ／（Ｎｉ＋Ｍｏ）モル比の範囲内の金属成分のモル比Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗを有することを特徴とする、［１４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１４３］
三元相図の５点ＡＢＣＤＥにより定義される領域内の金属成分のモル比Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗを有し、５点ＡＢＣＤＥがＡ（Ｎｉ＝０．７２、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．２８）、Ｂ（Ｎｉ＝０．５５、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．４５）、Ｃ（Ｎｉ＝０．４８、Ｍｏ＝０．１４、Ｗ＝０．３８）、Ｄ（Ｎｉ＝０．４８、Ｍｏ＝０．２０、Ｗ＝０．３３）、Ｅ（Ｎｉ＝０．６２、Ｍｏ＝０．１４、Ｗ＝０．２４）と定義されることを特徴とする、［１４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１４４］
１．２４≦Ｎｉ／Ｗ≦２．６８、
１．６７≦Ｗ／Ｍｏ≦∞及び
０．９１≦Ｎｉ／（Ｗ＋Ｍｏ）≦２．５７
の範囲内の金属成分のモル比Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗを有することを特徴とする、［１４１］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１４５］
硫化モリブデン相、硫化タングステン相、モリブデンタングステン硫化物相、活性ニッケル相及び硫化ニッケル相の５相を含む多相構造を有することを特徴とする、［１３２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１４６］
モリブデンタングステン硫化物相が少なくとも１層を含み、前記少なくとも１層が、ａ）硫化モリブデン及び硫化タングステン、ｂ）個別原子として又は硫化タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステン、ｃ）個別原子として又は硫化モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデン、並びにｄ）それらの混合物の少なくとも１つを含む、［１４５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１４７］
モリブデンタングステン硫化物相が１〜６層を含む、［１４６］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１４８］
前記少なくとも１層が、層内原子混合物を形成する個別原子として硫化モリブデン中に同形置換されているタングステンを含む、［１４６］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１４９］
前記少なくとも１層が、タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステンを含む、［１４６］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１５０］
前記少なくとも１層が、層内原子混合物を形成している個別原子として硫化タングステン中に同形置換されているモリブデンを含む、［１４６］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１５１］
前記少なくとも１層が、モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデンを含む、［１４６］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１５２］
モリブデンタングステン硫化物相が硫化タングステンと硫化モリブデンとの層間混合物を含む、［１４６］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１５３］
前記少なくとも１層が、硫化タングステン及び硫化モリブデンの個別ドメインの混合物を含む、［１４６］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１５４］
活性ニッケル相が、モリブデンタングステン硫化物相の端部内に置換された原子状ニッケル及び還元ニッケルの少なくとも１つを含む、［１４５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１５５］
活性ニッケル相が、モリブデンタングステン硫化物相上に分散した又はモリブデンタングステン硫化物相の端部を修飾しているＮｉＳｘナノ粒子を含む、［１４５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１５６］
硫化ニッケル相がＮｉ９Ｓ８及びＮｉ３Ｓ２層のスラブを含む、［１４５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１５７］
硫化ニッケル相がモリブデンタングステン硫化物相の支持体としての役割を果たす、［１４５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１５８］
モリブデンタングステン硫化物相がＮｉ９Ｓ８及びＮｉ３Ｓ２層のスラブを包んでいる、［１５６］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１５９］
硫化ニッケル相がモリブデンタングステン硫化物相上の活性ニッケル相の分散を安定させている、［１４５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１６０］
ＭｏＳ２相及びＷＳ２相に対応するピークを示すＸ線回折パターンにより特徴付けられる、［１３２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１６１］
Ｎｉ３Ｓ２相に対応するピークを示すＸ線回折パターンにより特徴付けられる、［１３２］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１６２］
４．６０±０．５Å及び２．８７±０．５Åの硫化ニッケル相上の格子縞を示すＴＥＭ画像により特徴付けられる、［１４５］に記載の自己担持型ＭＭＳ触媒。
［１６３］
硫化モリブデン、硫化ニッケル及び硫化タングステンを含む自己担持型混合金属硫化物（ＭＭＳ）触媒を作製する方法であって、
ニッケル、モリブデン及びタングステンのｍｏｌ％により遷移金属元素の組成を示す三元相図の領域により定義される相対的割合の金属成分のモル比Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗを有し、領域が５点ＡＢＣＤＥにより定義され、５点がＡ（Ｎｉ＝０．７２、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．２８）、Ｂ（Ｎｉ＝０．５５、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．４５）、Ｃ（Ｎｉ＝０．４８、Ｍｏ＝０．１４、Ｗ＝０．３８）、Ｄ（Ｎｉ＝０．４８、Ｍｏ＝０．２０、Ｗ＝０．３３）、Ｅ（Ｎｉ＝０．６２、Ｍｏ＝０．１４、Ｗ＝０．２４）である、触媒前駆体を生成するために十分な量のニッケル（Ｎｉ）金属前駆体、十分な量のモリブデン（Ｍｏ）金属前駆体及び十分な量のタングステン（Ｗ）金属前駆体を混合することと、
触媒前駆体を硫化物触媒に変換するのに十分な条件下で、触媒前駆体を硫化することとを含む、上記方法。
［１６４］
Ｎｉ前駆体、Ｍｏ金属前駆体及びＷ金属前駆体の量が、三元相図の６点ＡＢＣＤＥＦにより定義される領域により定義される相対的割合のモル比Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗに十分であり、６点ＡＢＣＤＥＦがＡ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．３３）、Ｂ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．１０、Ｗ＝０．２３）、Ｃ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．２５）、Ｄ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．３３）、Ｅ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．０６、Ｗ＝０．４２）、Ｆ（Ｎｉ＝０．５８、Ｍｏ＝０．０、Ｗ＝０．４２）と定義される、［１６３］に記載の方法。
［１６５］
Ｎｉ金属前駆体、Ｍｏ金属前駆体及びＷ金属前駆体の量が、触媒前駆体が０．３３≦Ｎｉ／（Ｍｏ＋Ｗ）≦２．５７の範囲、０．００≦Ｍｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）≦０．３３のＭｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）モル比の範囲、及び０．１８≦Ｗ／（Ｎｉ＋Ｍｏ）≦３．００のＷ／（Ｎｉ＋Ｍｏ）モル比の範囲内の金属成分のモル比Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗを有するのに十分である、［１６３］に記載の方法。
［１６６］
Ｎｉ金属前駆体、Ｍｏ金属前駆体及びＷ金属前駆体の量が、
１．０８≦Ｎｉ／（Ｍｏ＋Ｗ）≦２．０３、
０≦Ｍｏ／（Ｎｉ＋Ｗ）≦０．１８及び
０．３３≦Ｗ／（Ｍｏ＋Ｎｉ）≦０．７２
の範囲内の金属成分のモル比Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗを有するのに十分である、［１６３］に記載の方法。
［１６７］
Ｎｉ前駆体、Ｍｏ金属前駆体及びＷ金属前駆体の量が、三元相図の４点ＡＢＣＤにより定義される領域により定義される相対的割合のモル比Ｎｉ：Ｍｏ：Ｗに十分であり、４点ＡＢＣＤがＡ（Ｎｉ＝０．６７、Ｍｏ＝０．００、Ｗ＝０．３３）、Ｂ（Ｎｉ＝０．５８、Ｍｏ＝０．０、Ｗ＝０．４２）、Ｃ（Ｎｉ＝０．５２、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．３３）、Ｄ（Ｎｉ＝０．６０、Ｍｏ＝０．１５、Ｗ＝０．２５）と定義される、［１６３］に記載の方法。
［１６８］
触媒前駆体を硫化する前に少なくとも３００℃の温度まで触媒前駆体を焼成することをさらに含む、［１６３］に記載の方法。
［１６９］
触媒前駆体を硫化する前に少なくとも１５０℃の温度まで触媒前駆体を加熱することをさらに含む、［１６３］に記載の方法。
［１７０］
硫化後に、触媒が少なくとも２０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積及び少なくとも０．０５ｃｍ３／ｇの細孔容積を有する、［１６３］から［１６７］までのいずれか一項に記載の方法。
［１７１］
硫化後に、触媒が少なくとも４０ｍ２／ｇのＢＥＴ表面積及び少なくとも０．０５ｃｍ３／ｇの細孔容積を有する、［１６３］から［１６７］までのいずれか一項に記載の方法。
［１７２］
硫化後に、ＸＰＳにより特性評価を行ったときに触媒が０．４を超えるＮｉ表面濃度／Ｎｉバルク濃度比を有する、［１６３］から［１６７］までのいずれか一項に記載の方法。
［１７３］
硫化後に、ＸＰＳにより特性評価を行ったときに触媒が０．５を超えるＮｉ表面濃度／Ｎｉバルク濃度比を有する、［１６３］から［１６７］までのいずれか一項に記載の方法。
［１７４］
硫化後に、ＸＰＳにより特性評価を行ったときに触媒が０．３を超えるＷ表面濃度／Ｗバルク濃度比を有する、［１６３］から［１６７］までのいずれか一項に記載の方法。
［１７５］
硫化後に、ＸＰＳにより特性評価を行ったときに触媒が０．４を超えるＷ表面濃度／Ｗバルク濃度比を有する、［１７４］に記載の方法。
［１７６］
硫化後に、触媒が、硫化モリブデン相、硫化タングステン相、モリブデンタングステン硫化物相、活性ニッケル相及び硫化ニッケル相の５相を含む多相構造を示す、［１６３］から［１６７］までのいずれか一項に記載の方法。
［１７７］
モリブデンタングステン硫化物相が少なくとも１層を含み、前記少なくとも１層が、ａ）硫化モリブデン及び硫化タングステン、ｂ）個別原子として又は硫化タングステンドメインとして硫化モリブデン中に同形置換されているタングステン、ｃ）個別原子として又は硫化モリブデンドメインとして硫化タングステン中に同形置換されているモリブデン、並びにｄ）それらの混合物の少なくとも１つを含む、［１７６］に記載の方法。
［１７８］
活性ニッケル相が、モリブデンタングステン硫化物相の端部内に置換された原子状ニッケル及び還元ニッケルの少なくとも１つを含む、［１７６］に記載の方法。
［１７９］
活性ニッケル相が、モリブデンタングステン硫化物相上に分散した又はモリブデンタングステン硫化物相の端部を修飾しているＮｉＳｘナノ粒子を含む、［１７６］に記載の方法。
［１８０］
硫化ニッケル相がＮｉ９Ｓ８及びＮｉ３Ｓ２層のスラブを含む、［１７６］に記載の方法。
［１８１］
モリブデン金属前駆体が、モリブデン金属、アルカリ金属モリブダート、モリブデンのアンモニウムメタラート、硫酸モリブデン、リン酸モリブデン、ケイ酸モリブデン、ホウ酸モリブデン、ナフテン酸モリブデン、ペンタシクロジエニルモリブダート、シクロペンタジエニルＭｏトリカルボニル二量体、リンモリブデン酸のアンモニウム塩、リンモリブデン酸、酸化モリブデン、Ｍｏ−Ｐヘテロポリアニオン化合物、Ｍｏ−Ｓｉヘテロポリアニオン化合物、モリブデンの無機金属硫化物、モリブデンの硫黄含有無機化合物、モリブデンの硫黄含有有機化合物及びそれらの混合物から選択される、［１６３］から［１６７］までのいずれか一項に記載の方法。
［１８２］
タングステン金属前駆体が、アルカリ金属タングスタート、タングステンのアンモニウムメタラート、無機タングステン化合物、ナフテン酸タングステン、ペンタシクロジエニルタングステンジヒドリド、酸化タングステン、Ｗ−Ｐヘテロポリアニオン化合物、Ｗ−Ｓｉヘテロポリアニオン化合物、タングステンの硫黄含有無機化合物、タングステンの硫黄含有有機化合物及びそれらの混合物から選択される、［１６３］から［１６７］までのいずれか一項に記載の方法。
［１８３］
ニッケル金属前駆体が、ニッケルの無機金属硫化物、ニッケルの硫黄含有無機化合物、ニッケルの硫黄含有有機化合物、炭酸ニッケル、水酸化ニッケル、リン酸ニッケル、亜リン酸ニッケル、ギ酸ニッケル、フマル酸ニッケル、モリブデン酸ニッケル、タングステン酸ニッケル、酸化ニッケル、ニッケル合金、シクロペンタジエニルニッケル、ナフテン酸ニッケル及びそれらの混合物から選択される、［１６３］から［１６７］までのいずれか一項に記載の方法。