【手続補正書】
【提出日】平成28年7月8日(2016.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成するフォトレジストを現像する水性の組成物であって、
前記組成物は、式Ｉの第４級アンモニウム化合物を含む組成物：
【化１】
2015524577.tif 000001
（ここで、
（ａ）Ｒ１は、式−Ｘ−ＣＲ１０Ｒ１１Ｒ１２のＣ４〜Ｃ３０有機ラジカルから選択され、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２は独立してＣ１〜Ｃ２０アルキルから選択され、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２のうち２つ又は３つが一緒に環構造を形成し、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、Ｒ１又はＣ１〜Ｃ１０アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロキシアルキル、Ｃ１〜Ｃ３０アミノアルキルもしくはＣ１〜Ｃ２０アルコキシアルキルから選択され、Ｘは化学結合又はＣ１〜Ｃ４二価有機ラジカルであり、又は
（ｂ）Ｒ１及びＲ２は独立して式IIa又はIIbの有機ラジカルから選択され、
【化２】
2015524577.tif 000002
又は、
-X-Y2            (IIb)
Ｙ１は、Ｃ４〜Ｃ２０アルカンジイルであり、Ｙ２は一、二又は三環式Ｃ５〜Ｃ２０炭素環又は複素環式の芳香族構造であり、Ｒ３及びＲ４は、Ｒ１又はＣ１〜Ｃ１０アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロキシアルキル、Ｃ１〜Ｃ３０アミノアルキルもしくはＣ１〜Ｃ２０アルコキシアルキルから選択され、Ｘは化学結合又はＣ１〜Ｃ４二価有機ラジカルであり、または、
（ｃ）Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうち少なくとも２つが共に飽和一、二又は三環式Ｃ５〜Ｃ３０有機環構造を形成し、いずれかが存在する場合の残りのＲ３及びＲ４は、共に単環式Ｃ５〜Ｃ３０有機環構造を形成するか、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル、Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロキシアルキル、Ｃ１〜Ｃ３０アミノアルキル又はＣ１〜Ｃ２０アルコキシアルキルから選択されるものであり、
Ｘは化学結合又はＣ１〜Ｃ４二価有機ラジカルであり、または、
（ｄ）それらの組み合わせであって、
ここで、Ｚは対イオンであり、ｚは、かさ高第４級アンモニウム化合物全体が電気的に非荷電になるように選択される整数である）。
【請求項２】
Ｒ１のＲ１０、Ｒ１１及びＲ１２は独立してＣ１〜Ｃ８アルキルから選択され、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は独立してＣ１〜Ｃ４アルキルから選択される、請求項１に記載の水性の組成物。
【請求項３】
Ｒ１、Ｒ２は、独立して、非置換又はＣ１〜Ｃ４アルキルで置換された、シクロヘキシル、シクロオクチル又はシクロデシルから選択され、
Ｒ３、Ｒ４は、独立して、Ｃ１〜Ｃ４アルキルから選択される、請求項１に記載の水性の組成物。
【請求項４】
Ｃ１〜Ｃ３０アミノアルキルが、
【化３】
2015524577.tif 000003
から選択され、ここで、
Ｘは各繰り返し単位が１〜ｎの二価基であり、当該二価基は独立して下記から選択され：
（ａ）任意に置換可能であり、任意にＯ及びＮから選択される最大５つのヘテロ原子で中断可能な、直鎖又は分枝Ｃ１〜Ｃ２０アルカンジイル、
（ｂ）任意に置換可能であり、任意にＯ及びＮから選択される最大５つのヘテロ原子で中断可能な、Ｃ５〜Ｃ２０シクロアルカンジイル、
（ｃ）Ｘ１及びＸ２が独立してＣ１〜Ｃ７直鎖又は分枝アルカンジイルから選択され、ＡがＣ５〜Ｃ１２芳香族単位又はＣ５〜Ｃ３０シクロアルカンジイルであって、そのＨ原子が任意に置換され、そのＣ原子が任意に最大５個のヘテロ原子（Ｏ又はＮより選択される）で中断される、式‐Ｘ１‐Ａ‐Ｘ２‐のＣ６〜Ｃ２０有機基、
（ｄ）下記式ＩＩＩのポリオキシアルキレンジラジカル、
【化４】
2015524577.tif 000004
（ｐはゼロ又は１、ｒは１〜１００の整数、Ｒ５はＨ及び直鎖又は分枝Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基から選択される）;
Ｒ３及びＲ４は、独立して、直鎖又は分枝のＣ５〜Ｃ３０アルキル基、Ｃ５〜Ｃ３０シクロアルキル、Ｃ１〜Ｃ２０ヒドロキシアルキル及びＣ２〜Ｃ４オキシアルキレン単独又は共重合体（それら全てが置換可能）から選択される一価の基であって、対を形成するＲ３‐Ｒ４並びに隣接するＲ４‐Ｒ４及びＲ３‐Ｒ３は、共に二価基Ｘを形成可能であり、分枝により分子の連続Ｑともなり得、そして、ｎが２以上の場合は、Ｒ３とＲ４のいずれか、又は、Ｒ３及びＲ４は水素原子ともなることが可能であり;
ｎは、１〜５の整数、又は、Ｘ、Ｒ３及びＲ４のうち少なくとも１つがＣ２〜Ｃ４ポリオキシアルキレン基を含む場合はｎが１〜１００００の整数であり、少なくとも１つのＱが存在する限りは、ｎは分枝Ｑの全ての繰り返し単位を含み;
Ｑは下記式で示され；
【化５】
2015524577.tif 000005
ｎは１〜５の整数であり；
Ｄは、各繰り返し単位１〜ｎが独立して（ａ）〜（ｄ）より選択される二価基であり、
（ａ）直鎖又は分枝Ｃ１〜Ｃ２０アルカンジイル、
（ｂ）Ｃ５〜Ｃ２０シクロアルカンジイル、
（ｃ）Ｃ５〜Ｃ２０アリール、
（ｄ）式‐Ｚ１‐Ａ‐Ｚ２のＣ６〜Ｃ２０アリールアルカンジイル（Ｚ１及びＺ２は独立してＣ１〜Ｃ７アルカンジイルから選択され、ＡはＣ５〜Ｃ１２芳香族単位である）、
前記（ａ）〜（ｄ）の全てが任意に置換可能であり、かつ、Ｏ、Ｓ及びＮから選択される１以上のヘテロ原子で任意に中断可能であり；
Ｒ５は、任意に置換可能な、直鎖又は分枝の、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ５〜Ｃ２０シクロアルキル、Ｃ５〜Ｃ２０アリール、Ｃ６〜Ｃ２０アルキルアリール及びＣ６〜Ｃ２０アリールアルキルからなる群より独立して選択される一価基である；
請求項１に記載の水性の組成物。 
【請求項５】
Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２の少なくとも２つが共に一、二又は三環基を形成する請求項１〜４のいずれか１項に記載の水性の組成物。
【請求項６】
Ｒ１は、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、トリシクロ[3.3.1.13，7]デカンから選択され、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は独立して直鎖Ｃ１〜Ｃ４アルキルから選択される請求項１〜５のいずれか１項に記載の水性の組成物。
【請求項７】
Ｒ１及びＲ２はＣ５〜Ｃ１０シクロアルキルから選択され、Ｒ３及びＲ４は独立して直鎖Ｃ１〜Ｃ４アルキルから選択される請求項１〜６のいずれか１項に記載の水性の組成物。
【請求項８】
更に界面活性剤を含有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の水性の組成物。
【請求項９】
ＺはＯＨ−である請求項１〜８のいずれか１項に記載の水性の組成物。
【請求項１０】
ｐＨが８以上であり、好ましくはｐＨが９〜１４である請求項１〜９のいずれか１項に記載の水性の組成物。
【請求項１１】
溶剤が主に水である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の水性の組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の組成物を、５０ｎｍ以下のラインスペース寸法と、アスペクト比２以上のパターンフォトレジスト層を形成するために、半導体基板に配置されたフォトレジスト層の現像に用いる使用方法。
【請求項１３】
集積回路装置、光学装置、マイクロマシン及び機械精密装置を製造する方法であって、
（ｉ）基板を用意する工程と、
（ｉｉ）フォトレジスト層を具備する前記基板を用意する工程と、
（ｉｉｉ）浸漬液を用い又は用いずに、マスクを通して活性照射線で前記フォトレジスト層を露光する工程と、
（ｉｉｉ）パターンされた前記フォトレジスト層を形成するために、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の水性の組成物を、１回以上前記基板を接触させる工程と、
（ｉｖ）前記組成物を前記基板の接触から取り除く工程と、を有する方法。
【請求項１４】
前記基板は半導体基板である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
パターニングされた材料層が、構造寸法が５０ｎｍ以下であり、かつ、アスペクト比が２以上になる請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
フォトレジストが、液浸フォトレジスト、ＥＵＶフォトレジスト又はｅＢｅａｍフォトレジストである請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記集積回路装置は、大規模集積回路（ＬＳＩ）、超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）又は極超大規模集積回路（ＵＬＳＩ）を持つ集積回路を含む請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の方法。