(57)【要約】【課題】成膜初期においても結晶性が良好なＭｇＯ層（例えば、バリア層）を形成することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法、およびスパッタリング成膜装置を提供すること。【解決手段】本発明の一実施形態では、酸化マグネシウムターゲットであるターゲット４と離間して基板１０を配置し、スパッタリングにより基板１０上に酸化マグネシウムを成膜する。この成膜の際には、ターゲット４に電力を印加することにより該ターゲット４近傍にプラズマを発生させてターゲット４をスパッタリングし、該プラズマとは別個の電子供給手段としての電子銃９ａにより基板１０に向かって電子を供給する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化マグネシウムターゲットと離間して基板を配置する工程と、
スパッタリングにより前記基板上に酸化マグネシウムを成膜する工程とを有し、
前記成膜する工程は、
前記酸化マグネシウムターゲットに電力を印加することにより該酸化マグネシウムターゲットの近傍にプラズマを発生させて前記酸化マグネシウムターゲットをスパッタリングし、
前記プラズマとは別個の電子供給手段により前記スパッタリングにより生じた粒子に向かって電子を供給することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
前記粒子に向かって供給された別個の電子により、前記基板に向かって到来している前記マグネシウム原子および前記酸素原子をイオン化させることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項３】
前記プラズマとは別個の電子供給手段により前記基板に向かって電子を供給することを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項４】
前記成膜する工程は、前記酸化マグネシウムターゲットのスパッタリングの開始前に、前記プラズマとは別個の電子供給手段からの電子の供給を開始することを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項５】
ターゲットを保持可能なターゲットホルダと、
前記ターゲットホルダ近傍にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と、
基板を保持可能な基板ホルダであって、前記ターゲットホルダに保持されたターゲットから生じたスパッタ粒子が前記基板ホルダに保持された基板に到達するように前記ターゲットホルダから離間して設けられた基板ホルダと、
前記基板ホルダに向かって電子を放出する電子放出部と
を備えることを特徴とするスパッタリング成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子の製造方法、およびスパッタリング成膜装置に関し、より詳細には、磁気抵抗効果素子などの製造工程において、基板に材料を堆積するために用いられる磁気抵抗効果素子の製造方法、およびスパッタリング成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子）は不揮発性メモリとしてのＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）や、磁気記録媒体の読み取りヘッド等に利用されている。
【０００３】
ＴＭＲ素子はトンネルバリア層の両側の強磁性層の間に所要電圧を印加して一定電流を流した状態において、外部磁場をかけ、強磁性層の磁化の向きが平行で同じであるとき（「平行状態」という）、ＴＭＲ素子の電気抵抗は最小になり（抵抗値ＲP）、強磁性層の磁化の向きが平行で反対であるとき（「反平行状態」という）、ＴＭＲ素子の電気抵抗は最大になる（抵抗値ＲA）という特性を有する。この抵抗値変化を利用することにより情報の記憶あるいは読み出しを行うことができる。
【０００４】
ＴＭＲ素子は「平行状態」の抵抗値ＲPと「反平行状態」の抵抗値ＲAの差が大きいことが要求される。素子特性の指標として磁気抵抗比（ＭＲ比）が用いられる。ＭＲ比は「（ＲA−ＲP）÷ＲP」として定義される。
【０００５】
最近では強磁性層にＣｏＦｅＢを、バリア層にＭｇＯを用いたＴＭＲ素子において室温で良好なＭＲ比が得られることが報告されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−８０１１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし大容量メモリの実現あるいは更なる高密度磁気記録媒体の読み出しにおいては一層の低抵抗化およびＭＲ比の向上が求められている。低抵抗化のためにはバリア層を薄くする必要があるが、バリア層を薄くすると良好なＭＲ比が得難いという問題がある。これはＭｇＯバリア層が成膜初期（即ち強磁性層との界面近傍）において結晶性が悪く、その結果良質なバリア層が得られていないためであると考えられる。
【０００８】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、成膜初期においても結晶性が良好なＭｇＯ層（例えば、バリア層）を形成することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法、およびスパッタリング成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するために、本発明の第１の態様は、磁気抵抗効果素子の製造方法であって、酸化マグネシウムターゲットと離間して基板を配置する工程と、スパッタリングにより前記基板上に酸化マグネシウムを成膜する工程とを有し、前記成膜する工程は、前記酸化マグネシウムターゲットに電力を印加することにより該酸化マグネシウムターゲット近傍にプラズマを発生させて前記酸化マグネシウムターゲットをスパッタリングし、前記プラズマとは別個の電子供給手段により前記スパッタリングにより生じた粒子に向かって電子を供給することを特徴とする。
【００１０】
本発明の第２の態様は、スパッタリング成膜装置であって、ターゲットを保持可能なターゲットホルダと、前記ターゲットホルダ近傍にプラズマを発生させるためのプラズマ発生手段と、基板を保持可能な基板ホルダであって、前記ターゲットホルダに保持されたターゲットから生じたスパッタ粒子が前記基板ホルダに保持された基板に到達するように前記ターゲットホルダから離間して設けられた基板ホルダと、前記基板ホルダに向かって電子を放出する電子放出部とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、成膜初期においても結晶性が良好なＭｇＯ層（例えば、バリア層）を成膜することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態に係るスパッタリング成膜装置の構成の概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る磁気抵抗効果素子の一例を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るスパッタリング成膜装置の構成の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。
【００１４】
図１を参照して、本発明の一実施形態に係るスパッタリング成膜装置（以下、「成膜装置」ともいう）の全体構成について説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる成膜装置１の概略図である。成膜装置１は、処理チャンバとしての真空容器２と、排気ポート８を通じて真空容器２内を排気するターボ分子ポンプ４８とドライポンプ４９とを有する真空排気装置と、真空容器２内へガスを導入することのできるガス導入系１５とを備えている。
【００１５】
排気ポート８は、例えば矩形断面の導管であり、真空容器２とターボ分子ポンプ４８との間を繋いでいる。排気ポート８とターボ分子ポンプ４８との間にはメインバルブ４７が設けられている。
【００１６】
ガス導入系１５は、アルゴンといった不活性ガス（スパッタガス）を供給するためのガス供給装置（ガスボンベ）１５ａと、ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラ１５ｂと、ガスの供給を遮断したり開始したりするためのバルブ１５ｃと、ガスを真空容器２内に導入するガス導入口１５ｄとを有している。ガス導入系１５のそれぞれの構成要素は配管により接続されており、不活性ガスは、ガス供給装置１５ａから、マスフローコントローラ１５ｂ、バルブ１５ｃ、およびガス導入口１５ｄを介して、ターゲット４付近から真空容器内に導入される。ガス導入系１５は、必要に応じて減圧弁やフィルタなどを有しても良い。このようなガス導入系１５は、不図示の制御装置により指定されるガス流量を安定して流すことができる構成である。  
【００１７】
真空容器２内（処理チャンバ内）には、ターゲットを保持可能に構成されたターゲットホルダが設けられており、被スパッタ面が露出しているターゲット４がバックプレート５を介してターゲットホルダ６が保持されている。ターゲットホルダ６に対向して基板１０を保持する基板ホルダ７が設けられている。すなわち、基板ホルダ７は、ターゲットから生じたスパッタ粒子が基板１０に到来するようにターゲットホルダ６から離間して配置されている。該基板ホルダ７は、基板１０を保持するための基板保持面７ａを有しており、後述する回転駆動機構としての基板ホルダ駆動機構３１により該基板保持面７ａが回転軸Ａに対して回転可能に構成されている。
【００１８】
真空容器２の内面は接地されている。ターゲットホルダ６と基板ホルダ７との間の真空容器２の内面には接地された筒状のシールド４０（防着シールド部材）が設けられている。シールド４０（防着シールド部材）は、スパッタ粒子が真空容器２の内面に直接付着するのを防止ないしは低減させている。
【００１９】
スパッタ面から見たターゲット４の背後には、マグネトロンスパッタリングを実現するためのマグネット１３が配設されている。マグネット１３は、マグネットホルダ３に保持されている。該マグネットホルダ３は、マグネットホルダ回転機構（不図示）に接続されており、該マグネットホルダ回転機構の駆動により回転可能に構成されている。
【００２０】
ターゲット４は、酸化マグネシウムからなる酸化マグネシウムターゲットであり、基板１０に対して斜め上方に配置された位置（オフセット位置）に設置されている。ターゲット４のスパッタ面の中心点は、基板１０の中心点の法線に対して所定の寸法ずれた位置にある。すなわち、基板ホルダ７の回転軸Ａが上記ターゲット４の中心点を通る垂線と不一致となるようにターゲットホルダ６は設けられている。ターゲットホルダ６には、スパッタ放電用電力を印加する電圧供給機構としての電源１２が接続されている。図１に示す成膜装置１は、ＤＣ電源を備えているが、これに限定されるものではなく、例えば、ＲＦ電源を備えていてもよい。ＲＦ電源を用いた場合には電源１２とターゲットホルダ６との間に整合器を設置する必要がある。ターゲットホルダ６は、絶縁体３４により真空容器２から絶縁されており、またＣｕ等の金属製であるのでＤＣ又はＲＦの電力が印加された場合には電極となる。ターゲットホルダ６に電力（所定の電圧）が供給されることで、ターゲット近傍（ターゲットホルダ近傍）にプラズマ発生し、スパッタリングによる成膜が行われる。
【００２１】
ターゲットホルダ６の近傍には、ターゲットシャッタ１４がターゲットホルダ６を覆うように設置されている。ターゲットシャッタ１４は、それぞれのシャッタ部材を独立して開閉することが可能な２重回転シャッタの構造を有している。ただしシャッタの枚数は特に問わない。ターゲットシャッタ１４によって、基板ホルダ７とターゲットホルダ６との間を遮蔽する閉状態、または基板ホルダ７とターゲットホルダ６との間を開放する開状態を切り替えることができる。また、ターゲットシャッタ１４には、二重シャッタを別々に開閉可能なように、ターゲットシャッタ駆動機構３３が設けられている。
【００２２】
基板ホルダ７には、基板ホルダ７を上下動したり、所定の速度で回転したりするための基板ホルダ駆動機構３１が設けられている。すなわち、該基板ホルダ駆動機構３１が有するモータの駆動により、回転軸Ａを中心に基板保持面１０を回転させることにより、基板１０は該回転軸Ａに対して回転する。
【００２３】
真空容器２内には、基板ホルダ７に向かって、すなわち基板保持面７に向かって電子を放出する電子放出部としての電子銃９ａが設けられている。該電子銃９ａは、ターゲットホルダ６近傍に形成されたプラズマにて生じた電子とは別個の電子を、ターゲットから飛散したスパッタ粒子に向かって供給する。また、基板保持面７ａ上に載置された基板１０近傍に向かって供給してもよい。本実施形態では、電子銃９ａから照射される電子のエネルギーは、上記プラズマ中のマグネシウム原子および酸素原子をイオン化するのに必要なエネルギーであることが好ましい。よって、電子銃９ａは、マグネシウム原子および酸素原子をイオン化するのに必要なエネルギーを有する電子を照射可能に構成されていることが好ましい。電子銃９ａとしては、ホローカソードタイプ、フィラメントタイプなど種々のものを適用することができる。電子銃９ａをホローカソードタイプの電子銃とすることにより、フィラメントが切れることがないため交換頻度が低く、量産性を向上させることが可能となる。
【００２４】
本実施形態においては、上記電子銃９ａは、基板ホルダ７に向けて電子を放出するように設けられている。すなわち、電子銃９ａの電子が放出される電子放出口が基板ホルダ７に向かうように配置されている。この電子銃９ａを、ＭｇＯ層７７の成膜中に動作させることにより、スパッタ粒子およびスパッタガスに対して、プラズマ電子を供給することが可能となる。従って、酸化マグネシウムからなるターゲット４からスパッタされて発生したマグネシウム原子および酸素原子に効率良く電子を照射することができ、該マグネシウム原子および酸素原子の反応性の制御を容易にすることができる。
【００２５】
また、本実施形態では、電子銃９ａを、ターゲット４の表面から見えない位置（ターゲットホルダ６のターゲット保持面から見えない位置）に配置することが好ましい。このように電子銃９ａを配置することにより、電子銃９ａへのスパッタ膜の堆積を低減することができ、これによりパーティクルの発生を低減することができる。
【００２６】
スパッタ放電用電力を印加する電源１２、ガス導入系１５、基板ホルダ駆動機構３１、ターゲットシャッタ駆動機構３３、電子銃９ａ及びゲートバルブ等はそれぞれ電気的に制御装置（不図示）に接続されており、該制御装置が各構成部品を制御できるように構成されている。
【００２７】
次に、図１の成膜装置を用いて成膜した磁気抵抗効果膜を図３に示す。  
図３は本実施形態に係る磁気抵抗効果素子の積層構造の一例を示し、ＴＭＲ素子の積層構造を示している。このＴＭＲ素子７０は、基板７１の上に積層された、例えば８層の多層膜を備えている。この８層の多層膜では、最下層の第１層から最上層の第８層に向かって、Ｔａ層７２、ＰｔＭｎ層７３、ＣｏＦｅ層７４、Ｒｕ層、７５、ＣｏＦｅＢ層７６、ＭｇＯ７７、ＣｏＦｅＢ層７８、Ｔａ層７９の順序で磁性膜等が積層されている。
【００２８】
第１層としてのＴａ層７１は下地層であり、第２層としてのＰｔＭｎ層７２は反強磁性層である。第３層としてのＣｏＦｅ層７４、第４層としてのＲｕ層７５、および第５層としてのＣｏＦｅＢ層７６の積層体は磁化固定層である。実質的な磁化固定層は第５層であるＣｏＦｅＢ層７６である。第６層としてのＭｇＯ（酸化マグネシウム）層７７は絶縁層であってトンネルバリア層である。第７層としてのＣｏＦｅＢ層７８は強磁性層であり、磁化自由層である。第６層であるＭｇＯ層７７は、その上下に位置する一対の強磁性層（ＣｏＦｅＢ）の間の中間層である。第８層としてのＴａ層７９はハードマスク層である。上記の磁化固定層である第５層のＣｏＦｅＢ層７６とトンネルバリア層である第６層のＭｇＯ層７７と磁化自由層である第７層のＣｏＦｅＢ層７８とによって、基本的構造として狭義な意味でのＴＭＲ素子部８０が形成される。磁化固定層である第５層のＣｏＦｅＢ層７６と磁化自由層である第７層のＣｏＦｅＢ７８とはアモルファス状態の強磁性体として知られている。トンネルバリア層であるＭｇＯ層７７は厚さ方向に渡って単結晶構造を有するように形成されている。
【００２９】
なお、図２において、各層において括弧の中に記載された数値は各層の厚みを示し、単位は「ｎｍ（ナノメートル）」である。当該厚みは一例であって、これに限定されるものではない。
【００３０】
ＴＭＲ素子の製造方法における、ＴＭＲ素子の主要な素子部であるＴＭＲ素子部７２の成膜条件の一例を述べる。磁化固定層（第５層のＣｏＦｅＢ層７６）については、ＣｏＦｅＢ組成比６０/２０/２０at％のターゲットを用い、マグネトロンＤＣスパッタにより成膜する。続いて、トンネルバリア層（第６層のＭｇＯ層７７）は、ＭｇＯのターゲットを用いたＲＦスパッタにより成膜を行う。さらに続けて、磁化自由層（第７層のＣｏＦｅＢ層７８）を磁化固定層（第５層のＣｏＦｅＢ７６）と同じ成膜条件で成膜する。
【００３１】
以下で、図１に示した成膜装置にて、上記トンネルバリア層としてのＭｇＯ層７７を成膜する方法について説明する。  
まずは、該Ｔａ７２〜ＣｏＦｅＢ層７６までが形成された基板７１である基板１０を用意する。該基板１０を基板ホルダ７の基板保持面１０ａ上に載置する。このようにして、酸化マグネシウムターゲットでるターゲット４から離間して基板１０が配置される。次いで、ターゲットシャッタ１４が閉状態である場合は、ターゲットシャッタ駆動機構３３を駆動してターゲットシャッタ１４を開状態にする。そして、基板ホルダ７およびマグネットホルダ３の回転を開始し、ガス導入系１５からアルゴンガスを真空容器２内に導入し、電源１２からターゲットホルダ６にプラズマ生成のための電力を印加する。これにより、基板保持面７ａに載置された基板上に、スパッタリングによりＭｇＯ層７７が成膜される。すなわち、電源１２よりターゲット４に対して上記電力を印加することによりターゲット４近傍にプラズマを発生させてターゲット４をスパッタリングする。このときに、上記プラズマとは別個の電子供給手段としての電子銃９ａにより基板１０に向かって電子を供給する。本実施形態では、電子銃９ａから、上記プラズマ中のマグネシウム原子および酸素原子をイオン化するのに必要なエネルギーを有する電子を放出する。
【００３２】
本実施形態では、電子銃９ａからの電子の放出を、ＭｇＯ層７７の成膜動作の開始前に行う。上述のように、ターゲットシャッタ１４を開状態とした後にターゲットホルダ６にプラズマ生成用の電力を印加する場合においては、電源１２が該ターゲットホルダ６に電力を印加する前に電子銃９ａから電子を放出すれば良い。また、ターゲットシャッタ１４が閉状態においてターゲットホルダ６へのプラズマ生成用の電力の印加を開始する場合には、ターゲットホルダ６への電力印加後のターゲットシャッタ１４を開状態とした後に、電子銃９ａから電子を放出すれば良い。すなわち、プラズマによるターゲット４のスパッタリングの開始前に、電子銃９ａから電子を放出すれば良いのである。
【００３３】
このように、ターゲット４のスパッタリングの前に電子銃９ａから電子を放出することにより、電子銃９ａと基板ホルダ７との間の電子銃９ａから照射された電子が存在することになる領域（以降、“電子の照射領域”と呼ぶ）に、スパッタリングにより生じた粒子が到着する際には、上記電子の照射領域には電子銃９ａから供給された電子がすでに存在することになる。よって、基板１０には、上記電子銃９ａから供給された電子の作用を受けた、マグネシウム原子および酸素原子を到来させることができる。
【００３４】
しかしながら、本発明で重要なことは、ＭｇＯの成膜初期において、電子銃９ａから供給された電子を、スパッタリングによりターゲット４から発生したマグネシウム原子および酸素原子に作用させることである。よって、電子銃９ａからの電子の放出のタイミングは、許容範囲内であればターゲット４のスパッタリングの開始後であっても良い。
【００３５】
上述のように、本実施形態では、ＭｇＯ層７７の成膜のためのスパッタリングの際に、真空容器２内に形成されたプラズマにて生じた電子とは別個の電子を、基板１０に向かって供給している。このとき、上記プラズマによるスパッタリングによりターゲット４からは少なくともマグネシウム原子および酸素原子が発生しており、これらマグネシウム原子および酸素原子は、ターゲット４から離間して配置された基板１０に到達する。すなわち、スパッタで生じたマグネシウム原子および酸素原子は、基板１０に供給される。上述のように、プラズマによるスパッタリングによりターゲット４から生じたマグネシウム原子および酸素原子が到来している基板１０に向かって、電子銃９ａにより該プラズマと別個に電子を供給しているので、該供給された電子はスパッタガス中の原子やスパッタ粒子であるマグネシウム原子や酸素原子と衝突し、少なくともマグネシウムイオンおよび酸素イオンが生成され、マグネシウムおよび酸素の反応性が向上する。これによりＭｇとＯの反応が促進され、成膜初期において結晶性が、従来よりも改善されたＭｇＯバリア層を得ることが可能となる。
【００３６】
すなわち、本実施形態では、ターゲット４から発生したスパッタ粒子が基板１０に到着する前に該スパッタ粒子に対して、スパッタリングのために生成したプラズマとは別個に電子を供給している。従って、上記スパッタ粒子に含まれるマグネシウム原子および酸素原子に、マグネシウム原子および酸素原子を電離するのに十分なエネルギーを持った、電子銃９ａからの電子が作用する。該電子の作用により、基板１０に向かっているスパッタ粒子に含まれるマグネシウムおよび酸素は、マグネシウムイオンおよび酸素イオンとなり基板１０に供給される。よって、基板１０の表面層であるＣｏＦｅＢ層７６には、電子銃９ａからの電子により生成されたマグネシウムイオンおよび酸素イオンも供給されることになる。よって、ＣｏＦｅＢ層７６上に反応性良くＭｇＯを形成することができる。すなわち、プラズマにより酸化マグネシウムターゲットであるターゲット４から発生したスパッタ粒子には、ＭｇＯ粒子、およびその割合を多くしたマグネシウムイオンおよび酸素イオンを含ませることができ、その結果、ＭｇＯ成膜の初期においてもＣｏＦｅＢ層７６上に結晶性が良好なＭｇＯを成膜することができる。特に、ＣｏＦｅＢ層７６との界面においても結晶性が高いＭｇＯを形成することができる。
【００３７】
このように、本実施形態では、ＭｇＯターゲットをスパッタリングして基板上にＭｇＯ層を形成する際に、ＭｇＯの成膜初期においても、ＭｇとＯとの反応性を向上させるために、プラズマとは別個の電子供給源から該プラズマにより生じた電子とは別個の電子を供給するのである。
【００３８】
さらに電子銃９ａに加え基板１０近傍（基板ホルダ７の近傍）に磁石を設けることも可能である。このように磁石を設けることで基板１０近傍に磁界が形成される。電子は磁力線に沿って運動するため、磁石を設けることで電子のエネルギーをより効率よくイオンに供給、あるいはイオン化することが可能となる。これによりマグネシウム原子と酸素原子の反応性を向上させることが可能となる。
【００３９】
上述のように、イオンの軌道を制御するために基板近傍に設ける磁石は、永久磁石または電磁石のどちらでも良いが、電磁石が本実施形態により適している。永久磁石の場合は常に基板近傍に磁界が発生するため、ＭｇＯ膜以外の成膜時にも影響およぼす。電磁石の場合は電圧の制御によりＭｇＯ成膜中のみに磁界を発生させることが可能となる。
【００４０】
（第２の実施形態）  
本実施形態では、プラズマとは別個の電子供給源としてフィラメントを用いている。図３は、本実施形態に係るスパッタリング成膜装置の構成の概略図である。
【００４１】
図３において、プラズマとは別個の電子供給源としてのフィラメント９ｂが、基板ホルダ７に載置された基板１０を囲むように設けられている。すなわち、基板保持面７ａにおける基板１０が載置される領域を囲むようにフィラメント９ｂが設けられている。本実施形態では、このフィラメント９ｂから基板に向かって電子が供給される。
【００４２】
本実施形態では、フィラメント９ｂを基板１０近傍に配置することで、ＭｇＯ成膜中のプラズマにて生じた電子とは別個に供給する電子の供給量の制御を容易に行うことができる。
【符号の説明】
【００４３】
２  真空容器
４  ターゲット
６  ターゲットホルダ
７  基板ホルダ
７ａ  基板保持面
９ａ  電子銃
９ｂ  フィラメント
１０  基板
１２  電源
１５  ガス導入系
【図１】
2013131721.tif 000003
【図２】
2013131721.tif 000004
【図３】
2013131721.tif 000005