(57)【要約】【課題】トップゲート構造を有し、高い移動度を有する有機トランジスタを提供する。【解決手段】基板１上に下地絶縁層３を積層形成する工程と、下地絶縁層３上にソース・ドレイン電極５ａ，５ｂを形成する工程と、ソース・ドレイン電極５ａ，５ｂを覆い、かつ下地絶縁層３に接するように有機半導体層７を積層形成する工程と、有機半導体層７上に、ゲート絶縁層９を積層形成する工程と、ゲート絶縁層９上にゲート電極１１を形成する工程と、有機半導体層７を形成する前に、下地絶縁層３の有機半導体層７と接する面に表面処理を行う工程を備え、表面処理は、有機半導体層７と同一材料を用いて積層形成した２つの層の間の接着仕事をＷ１としたときに、有機半導体層７を、表面処理した下地絶縁層３上に形成した場合の下地絶縁層３と有機半導体層７との間の接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係になるように行われる。【選択図】図３
2013120882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
前記支持体の上に積層された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上に積層された有機半導体層と、
前記有機半導体層に対し、部分的に接して設けられた一対のソース電極及びドレイン電極と、
前記有機半導体層より上に積層された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上に設けられたゲート電極と、
を備えた有機トランジスタであって、
前記第１の絶縁層の前記有機半導体層と接する面に表面処理がなされており、
前記表面処理は、前記有機半導体層と同一材料を用いて積層形成した２つの層の間の接着仕事をＷ１としたときに、前記有機半導体層を、表面処理した下地となる前記第１の絶縁層上に形成した場合の該第１の絶縁層と前記有機半導体層との間の接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係となるようにする処理であることを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項２】
前記第１の絶縁層の表面において、少なくとも、前記有機半導体層と前記第２の絶縁層との境界に形成されるチャネル領域に対応して、前記表面処理が部分的に施されている請求項１に記載の有機トランジスタ。
【請求項３】
前記表面処理が、炭素数１０以上３０以下の飽和炭化水素化合物を付着させる処理である請求項１又は２に記載の有機トランジスタ。
【請求項４】
前記有機半導体層の構成材料がペンタセンである請求項１から３のいずれか１項に記載の有機トランジスタ。
【請求項５】
前記第１の絶縁層の構成材料がＳｒＴｉＯ３である請求項１から４のいずれか１項に記載の有機トランジスタ。
【請求項６】
前記一対のソース電極及びドレイン電極が、前記有機半導体層より下方に設けられたトップゲート・ボトムコンタクト型構造である請求項１から５のいずれか１項に記載の有機トランジスタ。
【請求項７】
前記一対のソース電極及びドレイン電極上にＳＡＭ膜が設けられている請求項６に記載の有機トランジスタ。
【請求項８】
支持体と、
前記支持体の上に積層された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上に積層された有機半導体層と、
前記有機半導体層に対し、部分的に接して設けられた一対のソース電極及びドレイン電極と、
前記有機半導体層より上に積層された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上に設けられたゲート電極と、
を備えた有機トランジスタの製造方法であって、
前記第１の絶縁層の前記有機半導体層と接する面に表面処理を行う工程と、
表面処理後の前記第１の絶縁層の上に前記有機半導体層を形成する工程と、
を備え、
前記表面処理は、前記有機半導体層と同一材料を用いて積層形成した２つの層の間の接着仕事をＷ１としたときに、前記有機半導体層を、表面処理した下地となる前記第１の絶縁層上に形成した場合の該第１の絶縁層と前記有機半導体層との間の接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係になるように行われることを特徴とする有機トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機トランジスタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機トランジスタは、有機半導体材料を用いたトランジスタであり、現在では電界効果移動度（以下、単に移動度と記す）がアモルファスシリコンと同等の１ｃｍ２／Ｖｓｅｃに達している。有機トランジスタは、ゲート電極の配置によって、トップゲート型構造とボトムゲート型構造とに大別される。トップゲート型構造の場合、有機半導体層の上にゲート絶縁層が積層されてチャネルが形成される。有機半導体層は、有機半導体材料が結晶化している方が、移動度が大きくなるため好ましいと考えられている。
【０００３】
現在は、蒸着やコーティングによって有機半導体層を形成しているが、これらの方法では、有機半導体材料が多結晶となる。多結晶の有機半導体層を有する有機トランジスタの移動度は、主にグレイン間を移動する境界移動度によって律速され、移動度μと、有機半導体層のグレインサイズＬとの間には、下式の関係が成立する。この式から、有機半導体層のグレインサイズＬを大きくすることによって、移動度μを大きくできることが理解される。
【０００４】
【数１】
2013120882.tif 000003
［式中、＜ｖ＞は電子平均速度、ｋはボルツマン定数、Ｅｂは活性化エネルギーを意味する］
【０００５】
有機トランジスタの移動度を向上させる技術として、特許文献１には、絶縁性基材の上に、ペンタセンなどの第１の有機薄膜と、テトラアリールジアミン類などの第２の有機薄膜又はＡｌ２Ｏ３などの無機系の絶縁性薄膜と、を交互に積層した有機トランジスタが提案されている。
【０００６】
また、特許文献２では、ボトムゲート型構造の有機トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜をカップリング剤で処理することにより、移動度を向上させることが開示されている。なお、特許文献２では、カップリング剤によってゲート絶縁膜を処理し、表面自由エネルギーを低下させることで、大きなグレインサイズの有機半導体層が得られ、グレインサイズを大きくすることにより、キャリアトラップの原因となるグレイン間境界が少なくなり、移動度が高くなることも示唆されている。
【０００７】
特許文献３では、ボトムゲート型構造の有機トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜の上に、表面自由エネルギーが５０ｍＪ／ｍ２以下となるコーティング薄膜を形成することによって、該薄膜上にペンタセンなどの半導体活性層を成長させる場合、キャリアのトラップ準位となる欠陥が少ない半導体活性層を成長させ得ることが記載されている。
【０００８】
特許文献４では、基板表面に、有機半導体材料を含む液体を塗布して半導体材料薄膜を形成する有機半導体材料薄膜の形成方法において、基板表面の表面自由エネルギーをγＳ＝γＳｄ＋γＳｐ＋γＳｈ、液体中の溶媒の表面自由エネルギーをγＬ＝γＬｄ＋γＬｐ＋γＬｈ（γＳｄ，γＳｐ，γＳｈ及びγＬｄ，γＬｐ，γＬｈは、それぞれＹｏｕｎｇ−Ｆｏｗｋｅｓ式に基づく固体表面及び液体の表面自由エネルギーの非極性成分、極性成分、水素結合成分を表す）で表したとき、γＳｈ−γＬｈの値を−５ｍＮ／ｍ以上２０ｍＮ／ｍ以下の範囲にすることにより、移動度を向上させた高性能の有機薄膜トランジスタが製造できることを開示している。このような表面自由エネルギーの制御を行う方法として、基板表面の表面粗さを変化させる処理、シランカップリング剤による処理、ラビング等の配向処理が挙げられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００８／１１７５７９
【特許文献２】特開２０１０−２４５１１４号公報（例えば、段落０００７）
【特許文献３】特開２０１０−１４１１４２号公報（例えば、段落００３０）
【特許文献４】国際公開ＷＯ２００６／１３７２３３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記のとおり、有機トランジスタの移動度を向上させるために、表面処理を行ったり、薄膜を介在させたりする提案がなされている。しかし、上記特許文献１〜３の提案は、ボトムゲート型構造の有機トランジスタを対象としたものであり、有機半導体層の上にゲート絶縁層が積層されてチャネルが形成されるトップゲート型構造の有機トランジスタの移動度の向上に適用することは困難である。上記特許文献４では、トップゲート構造の有機トランジスタへの適用も一応示唆されているが、その場合の表面処理の対象はガラス基板やプラスチックフィルムなどの支持体（基板）であるとされており、表面処理の具体的な手法については明記されていない。
【００１１】
本発明は、トップゲート構造を有し、高い移動度を有する有機トランジスタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記実情に鑑み、本発明者らは鋭意研究を行った結果、トップゲート構造の有機トランジスタにおいて、有機半導体層の下地となる第１の絶縁層に、予め接着仕事Ｗ１≧Ｗ２となる表面処理をしておくことによって、高い移動度を有する有機トランジスタを製造できることを見出し、本発明を完成した。ここで、Ｗ１は、有機半導体層を同一の有機半導体層上に形成するときの接着仕事であり、Ｗ２は、有機半導体層を、表面処理した下地となる第１の絶縁層上に形成するときの接着仕事である。
【００１３】
本発明の有機トランジスタは、
支持体と、
前記支持体の上に積層された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上に積層された有機半導体層と、
前記有機半導体層に対し、部分的に接して設けられた一対のソース電極及びドレイン電極と、
前記有機半導体層より上に積層された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上に設けられたゲート電極と、
を備えている。この有機トランジスタは、前記第１の絶縁層の前記有機半導体層と接する面に、表面処理がなされており、
前記表面処理は、前記有機半導体層と同一材料を用いて積層形成した２つの層の間の接着仕事をＷ１としたときに、前記有機半導体層を、表面処理した下地となる前記第１の絶縁層上に形成した場合の該第１の絶縁層と前記有機半導体層との間の接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係となるようにする処理である。
【００１４】
本発明の有機トランジスタは、前記第１の絶縁層の表面において、少なくとも、前記有機半導体層と前記第２の絶縁層との境界に形成されるチャネル領域に対応して、前記表面処理が部分的に施されていてもよい。
【００１５】
また、本発明の有機トランジスタは、前記表面処理が、炭素数１０以上３０以下の飽和炭化水素化合物を付着させる処理であってもよい。
【００１６】
また、本発明の有機トランジスタは、前記有機半導体層の構成材料がペンタセンであってもよい。
【００１７】
また、本発明の有機トランジスタは、前記第１の絶縁層の構成材料がＳｒＴｉＯ３であってもよい。
【００１８】
また、本発明の有機トランジスタは、前記一対のソース電極及びドレイン電極が、前記有機半導体層より下方に設けられたトップゲート・ボトムコンタクト型構造であってもよい。この場合、前記一対のソース電極及びドレイン電極上にＳＡＭ膜が設けられていてもよい。
【００１９】
本発明の有機トランジスタの製造方法は、
支持体と、
前記支持体の上に積層された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の上に積層された有機半導体層と、
前記有機半導体層に対し、部分的に接して設けられた一対のソース電極及びドレイン電極と、
前記有機半導体層より上に積層された第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層の上に設けられたゲート電極と、
を備えた有機トランジスタの製造方法であって、
前記第１の絶縁層の前記有機半導体層と接する面に表面処理を行う工程と、
表面処理後の前記第１の絶縁層の上に前記有機半導体層を形成する工程と、
を備えている。そして、前記表面処理は、前記有機半導体層と同一材料を用いて積層形成した２つの層の間の接着仕事をＷ１としたときに、前記有機半導体層を、表面処理した下地となる前記第１の絶縁層上に形成した場合の該第１の絶縁層と前記有機半導体層との間の接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係になるように行われる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の有機トランジスタでは、支持体の上に積層された第１の絶縁層に対し、予め表面処理が施されている。この表面処理は、有機半導体層を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事をＷ１としたときに、前記有機半導体層を、表面処理した下地となる前記第１の絶縁層上に形成した場合の接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係となるように行われる。このように、第１の絶縁層と有機半導体層との接着仕事をコントロールすることによって、有機半導体層を構成する分子の結晶成長を促してグレインサイズを大きくし、結晶の規則性を向上させ、有機半導体層の表面を平坦化することが可能になる。これにより、有機半導体層と第２の絶縁層との界面のチャネル領域におけるキャリアの移動障壁を低減し、有機トランジスタにおける移動度を向上させる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施の形態の有機トランジスタの概略構成を示す断面図である。
【図２】アモルファスＳｒＴｉＯ３薄膜上のペンタセン薄膜の被覆率と接着仕事との関係を示すグラフである。
【図３】第１の実施の形態の有機トランジスタの製造方法における工程手順を模式的に示す図面である。
【図４】図３に続く工程を模式的に示す図面である。
【図５】第１の実施の形態の変形例を模式的に説明する図面である。
【図６】第１の実施の形態の別の変形例を模式的に説明する図面である。
【図７】本発明の第２の実施の形態の有機トランジスタの概略構成を示す断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態における有機トランジスタの製造方法の工程の一部を説明する図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
次に、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態の有機トランジスタ１００の概略構成を示す断面図である。この有機トランジスタ１００は、いわゆるトップゲート・ボトムコンタクト型構造をしている。すなわち、有機トランジスタ１００は、支持体としての基板１と、この基板１の上に所定の厚みで形成された第１の絶縁層としての下地絶縁層３と、この下地絶縁層３の上に所定のパターンで部分的に形成された一対のソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂと、これらソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂを覆うように、かつ下地絶縁層３に接するように積層された有機半導体層７と、有機半導体層７の上に積層された第２の絶縁層としてのゲート絶縁層９と、ゲート絶縁層９の上に積層されたゲート電極１１とを備えている。下地絶縁層３の有機半導体層７と接する面には、表面処理がなされ、有機半導体層７を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事Ｗ１に対し、下地絶縁層３に表面処理をした状態で有機半導体層７を形成した場合の下地絶縁層３と有機半導体層７との接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係になっている。
【００２３】
＜基板＞
基板１の材質は、有機トランジスタに一般的に用いられる無機材料あるいは有機材料として、例えば、ガラス、石英、単結晶シリコン、多結晶シリコン、アモルファスシリコン、合成樹脂などを用いることができる。ここで、合成樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネートなどを挙げることができる。なお、基板１として、上記材料を組み合わせた複合基板を用いることもできる。また、基板１は、多層構造であってもよい。
【００２４】
＜下地絶縁層＞
下地絶縁層３を構成する絶縁材料としては、有機トランジスタに一般的に用いられる無機絶縁材料あるいは有機絶縁材料を用いることができる。
【００２５】
無機絶縁材料としては、例えばガラス、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどのほか、金属酸化物である酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム、酸化ハフニウムなどを挙げることができる。これらの中でも、薄膜の状態でも比較的比誘電率が高く、アモルファス構造を有しており、絶縁耐圧が高いチタン酸ストロンチウムなどの金属酸化物を用いることが好ましい。
【００２６】
また、有機絶縁材料としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、ノボラック系樹脂、ビニル系樹脂などの高分子材料を用いることができる。
【００２７】
なお、図１では１層の下地絶縁層３を描いているが、下地絶縁層３として、複数の絶縁膜を積層することも可能である。
【００２８】
＜ソース・ドレイン電極＞
ソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂの材料（電極材料）としては、有機トランジスタに一般的に用いられる導電性材料を使用できる。このような導電性材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｍｏ、これらの合金、酸化インジウムスズ合金（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の金属材料や、シリコン単結晶、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン系材料、カーボンブラック、グラファイト等の炭素材料、さらに例えば、導電性高分子材料などを挙げることができる。
【００２９】
＜有機半導体層＞
有機半導体層７を形成するための有機半導体材料としては、所望の半導体特性を備えた有機半導体層７を形成できる材料、例えば、芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケイ素化合物等を挙げることができる。より具体的には、例えばペンタセン等の低分子有機化合物、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリイソチアナフテン類、ポリチェニレンビニレン類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリアズレン類等の高分子有機化合物を挙げることができる。これらの中でも、有機トランジスタの移動度を高くすることができ、簡便に膜厚制御が可能であるペンタセンなどの縮合多環芳香族の使用が望ましい。ペンタセンのようなアセン系の縮合多環芳香族化合物では、ベンゼン環の増加によるπ電子系の拡張による分子間の重なりが大きくなるので、移動度の向上が期待できる。
【００３０】
有機半導体層７の厚みは、有機半導体材料の種類等に応じて適宜設定できるが、例えば１．５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内とすることができる。
【００３１】
＜ゲート絶縁層＞
ゲート絶縁層９を構成する絶縁材料としては、有機トランジスタに一般的に用いられる無機絶縁材料あるいは有機絶縁材料を用いることができる。
【００３２】
無機絶縁材料としては、例えばガラス、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどのほか、金属酸化物である酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム、酸化ハフニウムなどを挙げることができる。これらの中でも、薄膜の状態でも比較的比誘電率が高く、アモルファス構造を有しており、絶縁耐圧が高いチタン酸ストロンチウムなどの金属酸化物を用いることが好ましい。
【００３３】
また、有機絶縁材料としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、ノボラック系樹脂、ビニル系樹脂などの高分子材料を用いることができる。
【００３４】
ゲート絶縁層９の厚みは、絶縁材料の種類等に応じて適宜設定できるが、例えば５０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、好ましくは、１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内とすることができる。
【００３５】
＜ゲート電極＞
ゲート電極１１を構成する材料としては、有機トランジスタに一般的に用いられる導電性材料を使用できる。このような導電性材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｍｏ、これらの合金、酸化インジウムスズ合金（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）等の金属材料や、シリコン単結晶、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン系材料、カーボンブラック、グラファイト等の炭素材料、さらに例えば、導電性高分子材料などを挙げることができる。
【００３６】
＜表面処理＞
下地絶縁層３の有機半導体層７と接する面には、表面処理がなされる。そして、有機半導体層７を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事をＷ１とした場合、下地絶縁層３に表面処理をした状態で有機半導体層７を形成した場合の下地絶縁層３と有機半導体層７との接着仕事Ｗ２は、Ｗ１≧Ｗ２の関係になっている。
【００３７】
ここで、接着仕事とは、下式に表されるように、液体と固体のそれぞれの表面自由エネルギーの和と、液体と固体が接着した後の表面自由エネルギーとの差分を意味する。
ＷＳＬ＝（γＳ＋γＬ）−γＳＬ      ・・・（１）
［ここで、ＷＳＬは接着仕事、γＳは固体の表面自由エネルギー、γＬは液体の表面自由エネルギー、γＳＬは液体と固体が接着した状態の界面自由エネルギーを示す］
【００３８】
図２は、無機絶縁材料であるアモルファス−チタン酸ストロンチウム（ａ−ＳｒＴｉＯ３）薄膜上に、有機半導体材料であるペンタセン薄膜を形成した場合の被覆率について、ａ−ＳｒＴｉＯ３薄膜の表面状態を変えて接着仕事Ｗ２を変化させた条件における測定結果を示している。ａ−ＳｒＴｉＯ３薄膜は、プラズマスパッタ蒸着法により室温の条件で厚さ１００ｎｍに成膜した。また、ペンタセン薄膜は、真空蒸着法により、基板温度室温の条件で厚さ２ｎｍに成膜した。ここで、ペンタセン薄膜を同じペンタセン薄膜上に形成した場合の接着仕事Ｗ１は、おおよそ１００ｍＮ／ｍ（図２中、斜線部で示した）である。
【００３９】
図２では、ａ−ＳｒＴｉＯ３の表面を未処理（符号Ａ）の場合と、表面処理として、Ｃ２０Ｈ４４処理（符号Ｂ）、ＣｘＦｙ処理（符号Ｃ；ｘ，ｙは化学量論的にとり得る数値を意味する。以下、同様である）、紫外線処理（符号Ｄ）、紫外線処理と２３０℃アニール処理との組み合わせ（符号Ｅ）、ラジカル処理（符号Ｆ）、及びフタル酸ジブチル処理（符合Ｇ）をした場合を、それぞれペンタセンとの接着仕事の値でプロットしている。
【００４０】
各表面処理は、以下の条件で実施した。Ｃ２０Ｈ４４処理は、Ｃ２０Ｈ４４固体とａ−ＳｒＴｉＯ３基板をシャーレに封入することにより実施した。ＣｘＦｙ処理は、フォンブリンなどの真空グリスとａ−ＳｒＴｉＯ３基板をシャーレに封入することにより実施した。紫外線処理は、波長１８５ｎｍのＵＶ処理装置にて大気中でａ−ＳｒＴｉＯ３を紫外線に１０分間曝露することにより実施した。紫外線処理とアニール処理との組み合わせにおいて、紫外線処理は、上記と同じ条件で行い、その後、真空中にてアニールすることより実施した。ラジカル処理は、Ｏ２プラズマアッシング装置にて実施した。フタル酸ジブチル処理は、フタル酸ジブチル溶液とａ−ＳｒＴｉＯ３基板をシャーレに封入することにより実施した。
【００４１】
紫外線処理（符号Ｄ）、紫外線処理と２３０℃アニール処理（符号Ｅ）、ラジカル処理（符号Ｆ）は、いずれもａ−ＳｒＴｉＯ３の表面を清浄化する表面処理である。後述のように、未処理（符号Ａ）の状態では、ａ−ＳｒＴｉＯ３の表面に有機物が付着している可能性があるが、これらの処理によって、ａ−ＳｒＴｉＯ３の表面から有機物が除去され、清浄な状態に近づくことによって、未処理（符号Ａ）に比べ、接着仕事Ｗ２が大きくなっているものと推定される。なお、紫外線処理（符号Ｄ）、紫外線処理と２３０℃アニール処理（符号Ｅ）では、清浄化が不完全で有機物が残存していると考えられるため、結果的に接着仕事Ｗ２が許容範囲内となっているが、ラジカル処理（符号Ｆ）では、清浄化が進み過ぎたため、接着仕事Ｗ２がＷ１よりも大きくなっているものと考えられる。
【００４２】
一方、Ｃ２０Ｈ４４処理（符号Ｂ）、ＣｘＦｙ処理（符号Ｃ）では、これらの分子が相互作用によって１分子層以下の厚みでａ−ＳｒＴｉＯ３の表面に付着し、ａ−ＳｒＴｉＯ３の表面を不活性化していることにより、接着仕事Ｗ２を十分に低下させているものと考えられる。
【００４３】
また、フタル酸ジブチル処理（符号Ｇ）では、フタル酸ジブチルの化学構造中に酸素原子の二重結合が存在するため、表面処理後にその酸素原子が大気中の水と反応してしまうことにより、接着仕事Ｗ２がやや大きめになっていると考えられる。しかし、接着仕事Ｗ２はＷ１とほぼ同等であり、表面処理の効果は得られている。
【００４４】
また、未処理（符号Ａ）については、ａ−ＳｒＴｉＯ３の表面に有機物が付着している可能性があり、それが、接着仕事が小さく、被覆率の高い理由であると推測される。ただし、未処理（符号Ａ）の場合、被覆率の値はよいが、何が付着しているかわからず、その量も一定とは限らないため、ペンタセンの結晶性や被覆率を厳密に管理する目的では好ましくない。ただし、有機汚染により、ａ−ＳｒＴｉＯ３表面のペンタセンとの接着仕事Ｗ２が小さくなるように機能しており、結果としてＷ１≧Ｗ２を満たし、高い被覆率になっている。
【００４５】
図２に示した実験の結果から、下地絶縁層３がａ−ＳｒＴｉＯ３薄膜である場合の表面処理としては、Ｃ２０Ｈ４４処理（符号Ｂ）、ＣｘＦｙ処理（符号Ｃ）が、接着仕事Ｗ２を低下させる効果が大きく、好ましいと考えられる。そして、有機半導体層７（ペンタセン）を同じ有機半導体層（ペンタセン）上に形成した場合の接着仕事Ｗ１に対し、下地絶縁層３に表面処理をした状態で有機半導体層７を形成した場合の下地絶縁層３と有機半導体層７との接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係になるように表面処理を行うことによって、有機半導体層７を構成する分子の結晶成長を促してグレインサイズを大きくし、結晶の規則性を向上させ、有機半導体層７の表面を平坦化することが可能になる。接着仕事をＷ１≧Ｗ２にすることで、このような効果が得られるメカニズムは未だ明らかではないが、有機半導体層７と下地絶縁層３間の相互作用と有機半導体層７を構成する有機半導体材料それ自身の凝集性（結晶化しやすさ）のバランスを考慮し、以下のように考えれば合理的に説明できる。本来、有機半導体材料は凝集性が高く、それ自身が結晶化しやすい性質を持っている（換言すれば、自己組織化しやすい）。有機半導体層７を例えば蒸着により形成する場合、有機半導体層７と下地絶縁層３間の濡れ性が大きい（Ｗ１＜Ｗ２）と、有機半導体層７が自身の力で結晶化するよりも下地絶縁層３と濡れて（結合して）しまい、その場所にとどまる可能性が高くなり、その場所を中心として結晶成長が始まってしまう。この結晶生成サイトが多ければ多いほど、結晶の配向性が低くなり、結果としてグレインサイズの減少を引き起こす可能性が大きくなる。これに対して有機半導体層７と下地絶縁層３間の濡れ性が小さい場合（Ｗ１≧Ｗ２）は、特定の場所に分子がとどまることなく下地絶縁層３上を自由に動き回ることができるため、分子自身の凝集性を生かした状態で結晶を生成することになり、結果として大きなグレインを形成し、表面の平坦化が起こるものと推測される。これにより、有機半導体層７とゲート絶縁層９との界面のチャネル領域Ｃにおけるキャリアの移動障壁を低減し、有機トランジスタ１００における移動度を向上させる効果が得られる。
【００４６】
［有機トランジスタの製造方法］
次に、図３〜６を参照しながら、本実施の形態の有機トランジスタ１００の製造方法について説明する。図３〜６は、本実施の形態の有機トランジスタ１００の製造方法における工程手順を説明するために基板表面の断面構造を模式的に表したものである。本実施の形態の有機トランジスタ１００の製造方法は、少なくとも、基板１上に下地絶縁層３を積層形成する工程と、下地絶縁層３上にソース・ドレイン電極５ａ，５ｂを形成する工程と、ソース・ドレイン電極５ａ，５ｂを覆い、かつ下地絶縁層３に接するように有機半導体層７を積層形成する工程と、有機半導体層７上に、ゲート絶縁層９を積層形成する工程と、ゲート絶縁層９上にゲート電極１１を形成する工程と、を備えている。そして、本実施の形態の有機トランジスタの製造方法１００は、さらに、有機半導体層７を形成する前に、下地絶縁層３の有機半導体層７と接する面に表面処理を行う工程を備えている。有機半導体層７は、表面処理後の下地絶縁層３の上に形成される。ここで、表面処理は、有機半導体層７を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事Ｗ１に対し、下地絶縁層３に表面処理をした状態で有機半導体層７を形成した場合の下地絶縁層３と有機半導体層７との接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係になるように行われる。なお、本実施の形態の有機トランジスタ１００の製造方法は、必要に応じて他の工程を有してもよい。
【００４７】
＜下地絶縁層の形成工程＞
図３（ａ）〜（ｂ）は、下地絶縁層３の形成工程を示している。本工程では、基板１上に下地絶縁層３を積層形成する。下地絶縁層３を形成する方法としては、特に限定されるものでない。下地絶縁層３の材質に無機絶縁材料を用いる場合は、ドライプロセス又はウェットプロセスにより下地絶縁層３を形成することができる。ドライプロセスとしては、例えば、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などを挙げることができる。また、ウェットプロセスとしては、例えば、スピンコート法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、ＬＢ法、ディップコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、キャスト法等の塗布方法や、インクジェット法、スクリーン印刷法、パッド印刷法、フレキソ印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、グラビア・オフセット印刷法等を挙げることができる。なお、下地絶縁層３の材質に有機絶縁材料を用いる場合は、ウェットプロセスにより下地絶縁層３を形成することが好ましい。
【００４８】
本実施の形態において、下地絶縁層３を形成する場合の成膜条件としては、膜の均一性を確保する観点から、例えば、真空蒸着法、ＭＯＣＶＤ法などが好ましい。
【００４９】
＜表面処理工程＞
図３（ｂ）〜（ｃ）は、表面処理工程を示している。表面処理工程は、下地絶縁層３の表面状態を変化させて、有機半導体層７を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事Ｗ１に対し、下地絶縁層３に表面処理をした状態で有機半導体層７を形成した場合の下地絶縁層３と有機半導体層７との接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係になるように行われる。図３（ｃ）では、下地絶縁層３の全面が表面処理された状態を破線で示している。
【００５０】
表面処理は、例えば以下のi）〜iii）の処理により行うことができる。
i）下地絶縁層３の表面を不活性にする処理。
ii）下地絶縁層３の表面の活性種を減少させる処理。
iii)下地絶縁層３の表面の水分を除去する処理。
【００５１】
上記i）の処理としては、下地絶縁層３の表面に、不活性物質を付着させる処理を挙げることができる。不活性物質としては、例えば、飽和炭化水素（ＣｘＨｙ）、不揮発性有機物（例えば、真空グリスとして用いられるＣｘＦｙ）、Ｓｒ原子などであり、これらを付着させることによって、下地絶縁層３の表面の活性な部位を終端する。これによって、有機半導体材料に対する濡れ性が向上することにより、有機半導体材料の粒界が減少し、粒界によるキャリア散乱が減少し、移動度の向上が期待できる。ここで、飽和炭化水素（ＣｘＨｙ）としては、炭素数１０以上３０以下の飽和炭化水素化合物が好ましく、例えばＣ２０Ｈ４４、等が好ましい。例えば、下地絶縁層３がａ−ＳｒＴｉＯ３により構成されている場合、下地絶縁層３中のＴｉ原子やＯ原子の未結合サイトにＣ２０Ｈ４４が相互作用によって結合することによって、未結合サイトが終端され、不活性化されるものと考えられる。
【００５２】
下地絶縁層３の表面の不活性化処理は、例えば、密閉容器内で下地絶縁層３の表面を上記飽和炭化水素（ＣｘＨｙ）等の不活性物質の蒸気に曝し、下地絶縁層３の表面に不活性物質を付着させることにより行うことができる。不活性化処理は、例えば飽和炭化水素（ＣｘＨｙ）の場合、下地絶縁層３の表面に、例えばＵＶ処理、溶液洗浄などの処理を行い、表面を一旦活性化してからＣｘＨｙ雰囲気中に封入することが好ましい。
【００５３】
上記ii）の処理としては、下地絶縁層３の表面の活性種に対して反応性を有する原子や分子を供給する方法を挙げることができる。下地絶縁層３の表面の活性種としては、例えば酸素原子の二重結合、Ｔｉ原子などを挙げることができる。
【００５４】
上記iii）の処理としては、下地絶縁層３の表面を真空中でアニールすることで処理して水分を除去する方法を挙げることができる。
【００５５】
＜ソース・ドレイン電極の形成工程＞
ソース・ドレイン電極の形成工程では、図３（ｃ）〜（ｄ）に示すように、下地絶縁層３上に、チャネル領域Ｃに対応する所定の間隔でソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂを形成する。ソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂを形成する方法は特に限定されるものではない。例えば、下地絶縁層３の全面に導電性層を形成した後、これをフォトリソグラフィー技術とエッチングによりパターニングしてソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂを形成してもよいし、スクリーン印刷法、インクジェット法、蒸着法等によって下地絶縁層３上に直接パターン状にソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂを形成してもよい。
【００５６】
＜有機半導体層の形成工程＞
有機半導体層７の形成工程では、ソース・ドレイン電極５ａ，５ｂを覆い、かつ下地絶縁層３に接するように有機半導体層７を積層形成する。これにより、図４（ａ）に示すように、有機半導体層７が形成される。有機半導体層７は、例えば、ドライプロセス又はウェットプロセスにより形成することができる。ドライプロセスとしては、例えば、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などを挙げることができる。ウェットプロセスとしては、例えば、スピンコート法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、ＬＢ法、ディップコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、キャスト法等の塗布方法や、インクジェット法、スクリーン印刷法、パッド印刷法、フレキソ印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、グラビア・オフセット印刷法等を挙げることができる。
【００５７】
有機半導体層７とゲート絶縁層９との界面にチャネル領域Ｃが形成されるため、有機トランジスタ１００の移動度を向上させる観点から、有機半導体層７の表面粗さＲａを極力小さくして平坦な状態とすることが好ましい。本実施の形態では、有機半導体層７の下層の下地絶縁層３に表面処理を施すことによって、有機半導体層７（例えばペンタセン）を同じ有機半導体層（例えばペンタセン）上に積層形成した場合の接着仕事Ｗ１に対し、下地絶縁層３に表面処理をした状態で有機半導体層７を形成した場合の下地絶縁層３と有機半導体層７との接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係になるため、有機半導体層７の表面が平坦化し、有機半導体層７の表面粗さＲａを小さくすることが可能になる。
【００５８】
＜ゲート絶縁層の形成工程＞
ゲート絶縁層９の形成工程では、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、有機半導体層７上に、ゲート絶縁層９を積層形成する。ゲート絶縁層９を形成する方法としては、特に限定されるものでない。ゲート絶縁層９の材質に無機絶縁材料を用いる場合は、ドライプロセス又はウェットプロセスによりゲート絶縁層９を形成することができる。ドライプロセスとしては、例えば、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などを挙げることができる。また、ウェットプロセスとしては、例えば、スピンコート法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、ＬＢ法、ディップコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、キャスト法等の塗布方法や、インクジェット法、スクリーン印刷法、パッド印刷法、フレキソ印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、グラビア・オフセット印刷法等を挙げることができる。なお、ゲート絶縁層９の材質に有機絶縁材料を用いる場合は、ウェットプロセスによりゲート絶縁層９を形成することが好ましい。
【００５９】
＜ゲート電極の形成工程＞
ゲート電極１１の形成工程では、図４（ｂ）、（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層９上にゲート電極１１を形成する。ゲート電極１１を形成する方法は、特に限定されるものではなく、ゲート電極１１の材質に応じて決定できる。ゲート絶縁層９上にパターン状にゲート電極１１を形成する方法としては、ゲート絶縁層９の全面に導電性層を形成した後、これをフォトリソグラフィー技術によりパターニングしてゲート電極１１としてもよいし、スクリーン印刷法、インクジェット法、蒸着法等によってゲート絶縁層９上に直接パターン状にゲート電極１１を形成してもよい。
【００６０】
以上の工程により、図１に示した有機トランジスタ１００を製造することができる。本実施の形態の有機トランジスタ１００は、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの有機電界効果トランジスタとして、液晶ディスプレイ装置、有機ＥＬディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置等に好ましく利用できる。
【００６１】
次に、第１の実施の形態における変形例について説明する。
【００６２】
＜第１の変形例＞
表面処理工程では、図３（ｃ）に示すように下地絶縁層３の全面に対して表面処理を行ってもよいが、下地絶縁層３の一部に対して行ってもよい。例えば図５に示すように、有機半導体層７とゲート絶縁層９との境界に形成されるチャネル領域Ｃに対応する下地絶縁層３上の領域（チャネル対応領域Ｒｃ）を含むように部分的に施すことも可能である。
【００６３】
＜第２の変形例＞
図３（ｄ）に示すように、ソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂを形成した後、さらに、図６に示すように、ソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂの上に自己組織化単分子（Ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ：ＳＡＭ）膜２０を形成しておくこともできる。ＳＡＭ膜２０を設けることにより、ソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂの表面の表面自由エネルギーを低下させ、有機半導体材料の塗れ性を向上させ、有機半導体材料の結晶性（結晶の大きさ、結晶配列）を良好にするとともに、ソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂと有機半導体層７との電気的な接続を良好にすることができる。図示は省略するが、ＳＡＭ膜２０は、厚み方向には一分子のみの化合物分子が、幅方向に多数配列した構造をなしている。各化合物分子は、一端にソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂに吸着する結合基を有し、他端に撥水性の末端基を備えている。ここで、ソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂに吸着する結合基は、ソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂの材料に応じて選択できるが、例えば、ソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂが、金、銀、銅などの金属で構成される場合は、結合基としてチオール基（ＳＨ）、ジスルフィド基（ＳＳ）が好適に用いられる。また、撥水性の末端基としては、メチル基（ＣＨ３）、フッ素（Ｆ）等が好適に用いられる。具体的には、ソース電極５ａおよびドレイン電極５ｂの材質として金を用いた場合には、ＳＡＭ膜２０として、アルカンチオールなどを用いることができる。
【００６４】
以上詳述したように、本実施の形態の有機トランジスタ１００では、基板１上に形成した下地絶縁層３に対し、予め表面処理を施しておく。この表面処理によって、有機半導体層７を同じ有機半導体層上に形成した場合の接着仕事Ｗ１に対し、下地絶縁層３に表面処理をした状態で有機半導体層７を形成した場合の下地絶縁層３と有機半導体層７との接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係になる。このように、下地絶縁層３と有機半導体層７との接着仕事をコントロールすることによって、有機半導体層７を構成する分子の結晶成長を促してグレインサイズを大きくし、結晶の規則性を向上させ、有機半導体層７の表面を平坦化することが可能になる。これにより、有機半導体層７とゲート絶縁層９との界面のチャネル領域Ｃにおけるキャリアの移動障壁を低減し、有機トランジスタ１００における移動度を向上させる効果が得られる。
【００６５】
［第２の実施の形態］
次に、図７を参照しながら、本発明の第２の実施の形態について説明する。図７は、本発明の第２の実施の形態にかかる有機トランジスタの概略構成を説明する図面である。この有機トランジスタ１０１は、いわゆるトップゲート・トップコンタクト型構造をしている。すなわち、有機トランジスタ１０１は、支持体としての基板１と、この基板１の上に所定の厚みで形成された第１の絶縁層としての下地絶縁層３と、この下地絶縁層３に接するように積層された有機半導体層７と、この有機半導体層７の上に、所定のパターンで部分的に形成された一対のソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂと、これらソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂの間の有機半導体層７の上に積層された第２の絶縁層としてのゲート絶縁層９と、ゲート絶縁層９の上に積層されたゲート電極１１とを備えている。下地絶縁層３の有機半導体層７と接する面には、表面処理がなされて、有機半導体層７を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事Ｗ１に対し、下地絶縁層３に表面処理をした状態で有機半導体層７を形成した場合の下地絶縁層３と有機半導体層７との接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係になっている。本実施の形態の有機トランジスタ１０１は、トップゲート・トップコンタクト型構造である点を除き、第１の実施の形態の有機トランジスタ１００と同様の特徴を備えている。従って、同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６６】
本実施の形態の有機トランジスタ１０１においても、基板１上に形成した下地絶縁層３に対し、表面処理が施されている。この表面処理によって、有機半導体層７を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事Ｗ１に対し、下地絶縁層３に表面処理をした状態で有機半導体層７を形成した場合の下地絶縁層３と有機半導体層７との接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係になる。このように、下地絶縁層３と有機半導体層７との接着仕事をコントロールすることによって、有機半導体層７を構成する分子の結晶成長を促してグレインサイズを大きくし、結晶の規則性を向上させ、有機半導体層７の表面を平坦化することが可能になる。これにより、有機半導体層７とゲート絶縁層９との界面のチャネル領域Ｃにおけるキャリアの移動障壁を低減し、有機トランジスタ１０１における移動度を向上させる効果が得られる。
【００６７】
本実施の形態の有機トランジスタ１０１の製造方法は、基板１上に下地絶縁層３を積層形成する工程と、下地絶縁層３に接するように有機半導体層７を積層形成する工程と、有機半導体層７上に部分的にソース・ドレイン電極５ａ，５ｂを形成する工程と、ソース・ドレイン電極５ａ，５ｂの間の有機半導体層７上に積層してゲート絶縁層９を形成する工程と、ゲート絶縁層９上にゲート電極１１を形成する工程と、を備えている。そして、本実施の形態の有機トランジスタ１０１の製造方法は、さらに、下地絶縁層３の有機半導体層７と接する面に、有機半導体層７を同一の有機半導体層上に形成した場合の接着仕事Ｗ１に対し、下地絶縁層３に表面処理をした状態で有機半導体層７を形成した場合の下地絶縁層３と有機半導体層７との接着仕事Ｗ２が、Ｗ１≧Ｗ２の関係になるようにする表面処理工程を備えている。なお、本実施の形態の有機トランジスタ１０１の製造方法は、必要に応じて他の工程を有してもよい。有機トランジスタ１０１の製造方法は、下地絶縁層３に接するように有機半導体層７を形成した後、有機半導体層７上にソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂを形成する点以外は、第１の実施の形態の有機トランジスタ１００の製造と同様に実施できる。
【００６８】
なお、本実施の形態においても、第１の実施の形態の第１の変形例と同様に、有機半導体層７とゲート絶縁層９との境界に形成されるチャネル領域Ｃに対応する下地絶縁層３上の領域（チャネル対応領域Ｒｃ）を含むように表面処理を部分的に施すことも可能である。本実施の形態の有機トランジスタ１０１における他の構成及び効果は、第１の実施の形態の有機トランジスタ１００と同様である。
【００６９】
［第３の実施の形態］
次に、図８を参照しながら、本発明の第３の実施の形態の有機トランジスタ（図示省略）について、その製造方法を中心に説明する。上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態では、表面処理工程を、上記のとおり、i）下地絶縁層３の表面を不活性にする処理、ii）下地絶縁層３の表面の活性種を減少させる処理、iii)下地絶縁層３の表面の水分を除去する処理等により行うこととした。本実施の形態では、表面処理工程として、上記i）〜iii)等の処理に先立って、下地絶縁層３の表面を清浄化する清浄化処理を行う構成とした。つまり、本実施の形態では、表面処理工程は、例えば上記i）〜iii)等の処理と、その前に行う清浄化処理とを含んでいる。表面処理工程の一部として、下地絶縁層３の表面を清浄化する清浄化処理を行うことによって、下地絶縁層３の表面の状態を一律に揃えることができるため、上記i）〜iii)等の処理の効果を定量的に把握しやすくなるというメリットがある。
【００７０】
図８は、本実施の形態の有機トランジスタの製造方法における表面処理工程のみの手順を示すフロー図である。ここでは、下地絶縁層３のａ−ＳｒＴｉＯ３に対して、上記i）〜iii)等の処理の中で、不活性化処理を行う場合を例に挙げて説明する。上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態と同様に、下地絶縁層３（及び必要に応じ、ソース電極５ａ及びドレイン電極５ｂ）を形成した後、まず、清浄化処理Ｓ１を実施し、次に、不活性化処理Ｓ２を実施する。
【００７１】
下地絶縁層３の清浄化処理Ｓ１としては、例えば、ラジカル処理、紫外線処理とアニール処理との組み合わせ等の処理を挙げることができる。
【００７２】
不活性化処理Ｓ２は、第１の実施の形態における上記i)の不活性化処理と同様に実施できる。なお、不活性化処理に替えて、上記ii）、iii)の処理を行ってもよい。
【００７３】
本実施の形態の有機トランジスタにおける他の構成及び効果は、第１及び第２の実施の形態の有機トランジスタと同様である。
【００７４】
以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはない。
【符号の説明】
【００７５】
１…基板、３…下地絶縁層、５ａ…ソース電極、５ｂ…ドレイン電極、７…有機半導体層、９…ゲート絶縁層、１１…ゲート電極、１００，１０１…有機トランジスタ
【図１】
2013120882.tif 000004
【図２】
2013120882.tif 000005
【図３】
2013120882.tif 000006
【図４】
2013120882.tif 000007
【図５】
2013120882.tif 000008
【図６】
2013120882.tif 000009
【図７】
2013120882.tif 000010
【図８】
2013120882.tif 000011