【手続補正書】
【提出日】平成28年4月26日(2016.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリの一部分に書き込まれるデータをスクランブルして、既知の統計的平均数の０のビットと、既知の統計的平均数の１のビットとを有するスクランブルされたデータを発生させるステップと、
前記スクランブルされたデータを前記不揮発性メモリの前記部分に書き込むステップと、
前記書き込むステップの後に、前記不揮発性メモリの前記部分を読み出すステップと、
前記不揮発性メモリの前記部分から読み出されるデータの０のビット数と１のビット数との間の不一致を演算するステップと、
少なくとも一部において、前記不一致に基づき、前記不揮発性メモリの後続の読み出しのための閾値電圧を判定するステップと、
前記不揮発性メモリの前記部分を、前記閾値電圧を使用して再読み出しするステップと、
前記再読み出しするステップの前に、ＥＣＣデコーダを用いて、前記不揮発性メモリの前記部分から読み出された前記データをデコードして、前記不揮発性メモリの前記部分から読み出された前記データが訂正不可能であると判定するステップとを含み、
前記書き込むステップは、ＥＣＣエンコーダを用いて、前記スクランブルされたデータをエンコードし、前記エンコードされたスクランブルされたデータを前記不揮発性メモリの前記部分に書き込むステップを含み、
前記ＥＣＣエンコーダは、前記スクランブルされたデータに１バイト以上を追加し、前記ＥＣＣエンコーダによって追加される前記１バイト以上は、前記既知の統計的平均数の０のビットと、前記既知の統計的平均数の１のビットとを有する、方法。
【請求項２】
前記演算するステップは、０のビットの予想数と前記不揮発性メモリの前記部分から読み出された前記データの０のビット数との間の差を評価するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記判定は、０のビットの前記既知の統計的平均数または１のビットの前記既知の統計的平均数にさらに基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記不一致は、第１の不一致であり、前記閾値電圧は、第１の閾値電圧であり、
前記ＥＣＣデコーダを用いて、前記不揮発性メモリの前記部分から前記第１の閾値電圧を使用して再読み出しされたデータをデコードして、前記前記不揮発性メモリの前記部分から前記第１の閾値電圧を使用して再読み出しされたデータが訂正不可能であると判定するステップと、
前記不揮発性メモリの前記部分から前記第１の閾値電圧を使用して再読み出しされた前記データの０のビット数と１のビット数との間の第２の不一致を演算するステップと、
少なくとも一部において、前記第２の不一致に基づき、前記不揮発性メモリの第２の再読み出しのための第２の閾値電圧を判定するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記不揮発性メモリの前記部分を、前記第２の閾値電圧を使用して再読み出しするステップ
をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の閾値電圧は、前記既知の統計的平均数の０のビットと、前記既知の統計的平均数の１のビットとに対して１のビットが過剰であることを示す前記第２の不一致に基づき、前記第１の閾値電圧よりも低い、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の閾値電圧は、前記既知の統計的平均数の０のビットと、前記既知の統計的平均数の１のビットとに対して０のビットが過剰であることを示す前記第２の不一致に基づき、前記第１の閾値電圧よりも高い、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
外部不揮発性メモリに結合される使用のためのデバイスであって、
前記外部不揮発性メモリの一部分に書き込まれるデータをスクランブルして、既知の統計的平均数の０のビットと、既知の統計的平均数の１のビットとを有するスクランブルされたデータを発生させるための手段と、
前記スクランブルされたデータを前記外部不揮発性メモリの前記部分に書き込むための手段と、
前記書き込みの後に、前記外部不揮発性メモリの前記部分を読み出すための手段と、
前記外部不揮発性メモリの前記部分から読み出されるデータの０のビット数と１のビット数との間の不一致を演算するための手段と、
少なくとも一部において、前記不一致に基づき、前記外部不揮発性メモリの後続の読み出しのための閾値電圧を判定するための手段と、
前記外部不揮発性メモリの前記部分を、前記閾値電圧を使用して再読み出しするための手段と、
前記再読み出しする前に、ＥＣＣデコーダを用いて、前記外部不揮発性メモリの前記部分から読み出された前記データをデコードして、前記外部不揮発性メモリの前記部分から読み出された前記データが訂正不可能であると判定するための手段とを含み、
前記書き込みは、ＥＣＣエンコーダを用いて、前記スクランブルされたデータをエンコードし、前記エンコードされたスクランブルされたデータを前記外部不揮発性メモリの前記部分に書き込むことを含み、
前記ＥＣＣエンコーダは、前記スクランブルされたデータに１バイト以上を追加し、前記ＥＣＣエンコーダによって追加される前記１バイト以上は、前記既知の統計的平均数の０のビットと、前記既知の統計的平均数の１のビットとを有する、デバイス。
【請求項９】
前記判定は、０のビットの前記既知の統計的平均数または１のビットの前記既知の統計的平均数にさらに基づく、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記不一致は、第１の不一致であり、前記閾値電圧は、第１の閾値電圧であり、前記デバイスは、
前記ＥＣＣデコーダを用いて、前記外部不揮発性メモリの前記部分から前記第１の閾値電圧を使用して再読み出しされたデータをデコードして、前記外部不揮発性メモリの前記部分から前記第１の閾値電圧を使用して再読み出しされたデータが訂正不可能であると判定するための手段と、
前記外部不揮発性メモリの前記部分から前記第１の閾値電圧を使用して再読み出しされた前記データの０のビット数と１のビット数との間の第２の不一致を演算するための手段と、
少なくとも一部において、前記第２の不一致に基づき、前記外部不揮発性メモリの第２の再読み出しのための第２の閾値電圧を判定するための手段と、
を含む、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記外部不揮発性メモリの前記部分を、前記第２の閾値電圧を使用して再読み出しするための手段をさらに備える、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記第２の閾値電圧は、前記既知の統計的平均数の０のビットと、前記既知の統計的平均数の１のビットとに対して１のビットが過剰であることを示す前記第２の不一致に基づき、前記第１の閾値電圧よりも低い、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記第２の閾値電圧は、前記既知の統計的平均数の０のビットと、前記既知の統計的平均数の１のビットとに対して０のビットが過剰であることを示す前記第２の不一致に基づき、前記第１の閾値電圧よりも高い、請求項１０に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記外部不揮発性メモリは、マルチレベルセル不揮発性メモリを含み、前記不一致は、より低いページ読み出しに関する、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１５】
命令セットが記憶されている非一時的なコンピュータ可読媒体であって、前記命令セットは、処理要素によって実行される際、前記処理要素に、
不揮発性メモリの一部分に書き込まれるデータをスクランブルして、既知の統計的平均数の０のビットと、既知の統計的平均数の１のビットとを有するスクランブルされたデータを発生させる動作と、
前記スクランブルされたデータを前記不揮発性メモリの前記部分に書き込む動作と、  前記書き込みの後に、前記不揮発性メモリの前記部分を読み出す動作と、
前記不揮発性メモリの前記部分から読み出されるデータの０のビット数と１のビット数との間の不一致を演算する動作と、
少なくとも一部において、前記不一致に基づき、前記不揮発性メモリの後続の読み出しのための閾値電圧を判定する動作と、
前記不揮発性メモリの前記部分を、前記閾値電圧を使用して再読み出しする動作と、
前記再読み出しする動作の前に、ＥＣＣデコーダを用いて、前記不揮発性メモリの前記部分から読み出された前記データをデコードして、前記不揮発性メモリの前記部分から読み出された前記データが訂正不可能であると判定する動作とを含む動作を実施および／または制御させ、
前記書き込む動作は、ＥＣＣエンコーダを用いて、前記スクランブルされたデータをエンコードし、前記エンコードされたスクランブルされたデータを前記不揮発性メモリの前記部分に書き込む動作を含み、
前記ＥＣＣエンコーダは、前記スクランブルされたデータに１バイト以上を追加し、前記ＥＣＣエンコーダによって追加される前記１バイト以上は、前記既知の統計的平均数の０のビットと、前記既知の統計的平均数の１のビットとを有する、非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項１６】
前記判定は、０のビットの前記既知の統計的平均数または１のビットの前記既知の統計的平均数にさらに基づく、請求項１５に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項１７】
前記不一致は、第１の不一致であり、前記閾値電圧は、第１の閾値電圧であり、前記動作は、
前記ＥＣＣデコーダを用いて、前記不揮発性メモリの前記部分から前記第１の閾値電圧を使用して再読み出しされた前記データをデコードして、前記不揮発性メモリの前記部分から前記第１の閾値電圧を使用して再読み出しされた前記データが訂正不可能であると判定する動作と、
前記不揮発性メモリの前記部分から前記第１の閾値電圧を使用して再読み出しされた前記データの０のビット数と１のビット数との間の第２の不一致を演算する動作と、
少なくとも一部において、前記第２の不一致に基づき、前記不揮発性メモリの第２の再読み出しのための第２の閾値電圧を判定する動作と、
をさらに含む、請求項１５に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項１８】
前記動作は、
前記不揮発性メモリの前記部分を、前記第２の閾値電圧を使用して再読み出しする動作をさらに含む、請求項１７に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項１９】
前記第２の閾値電圧は、前記既知の統計的平均数の０のビットと、前記既知の統計的平均数の１のビットとに対して１のビットが過剰であることを示す前記第２の不一致に基づき、前記第１の閾値電圧よりも低い、請求項１７に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項２０】
前記第２の閾値電圧は、前記既知の統計的平均数の０のビットと、前記既知の統計的平均数の１のビットとに対して０のビットが過剰であることを示す前記第２の不一致に基づき、前記第１の閾値電圧よりも高い、請求項１７に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項２１】
前記不揮発性メモリは、マルチレベルセル不揮発性メモリを含み、前記不一致は、より低いページ読み出しに関する、請求項１５に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。