Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月25日(2016.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気ケーブルであって、
導体と、
前記導体を取り囲む発泡絶縁体と、
を有し、
前記導体は、約２２ミル以下の太さを有する、ケーブル。
【請求項２】
前記導体は、約８ミル以下の太さを有する請求項１に記載のケーブル。
【請求項３】
前記発泡絶縁体は、フルオロポリマーを有する請求項１に記載のケーブル。
【請求項４】
前記フルオロポリマーは、パーフルオロアルコキシコポリマーを含む請求項３に記載のケーブル。
【請求項５】
前記パーフルオロアルコキシコポリマーは、少なくとも約３５ｇ／１０分のメルトフローレートを有する請求項４に記載のケーブル。
【請求項６】
前記発泡絶縁体は、複数の空洞を有し、前記空洞は、約０．１ミル〜約１ミルの範囲の平均サイズを有する請求項１に記載のケーブル。
【請求項７】
前記空洞は、２標準偏差以下だけ変化するサイズを有する請求項６に記載のケーブル。
【請求項８】
前記発泡絶縁体は、約１ミル〜約１５ミルの範囲の壁厚を有する請求項１に記載のケーブル。
【請求項９】
前記発泡絶縁体は、約２５％〜約７５％の範囲の空洞密度を有する請求項６に記載のケーブル。
【請求項１０】
前記発泡絶縁体の外側表面上に非中空ポリマー層を更に有する請求項１に記載のケーブル。
【請求項１１】
前記ケーブルは、同軸ケーブルである請求項１に記載のケーブル。
【請求項１２】
電気ケーブル用の発泡絶縁体であって、
複数の空洞を有する発泡フルオロポリマーを有し、
前記発泡絶縁体は、約１ミル〜約１５ミルの範囲の厚さを有し、前記空洞は、約０．１ミル〜約１ミルの範囲の平均サイズを有する、発泡絶縁体。
【請求項１３】
前記空洞は、２標準偏差以下だけ変化するサイズを有する請求項１２に記載の絶縁体。
【請求項１４】
前記発泡絶縁体は、約２５％〜約７５％の範囲の空洞密度を有する請求項１２に記載の絶縁体。
【請求項１５】
前記絶縁体は、チューブの形態であり、前記絶縁体の内径は、約２２ミル以下である請求項１２に記載の絶縁体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
従って、実施例１の電気ケーブルは、相対的に小さな標準偏差を有すると共に、比較例１よりも格段に大きなピーク応力及びピーク負荷を有していた。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．電気ケーブルであって、
導体と、
前記導体を取り囲む発泡絶縁体と、
を有し、
前記導体は、約２２ミル以下の太さを有する、ケーブル。
２．前記導体は、約８ミル以下の太さを有する前記１．に記載のケーブル。
３．前記導体は、約５ミル以下の太さを有する前記１．に記載のケーブル。
４．前記導体は、約４ミル以下の太さを有する前記１．に記載のケーブル。
５．前記発泡絶縁体は、フルオロポリマーを含む前記１．に記載のケーブル。
６．前記フルオロポリマーは、パーフルオロアルコキシコポリマーを含む前記５．に記載のケーブル。
７．前記パーフルオロアルコキシコポリマーは、少なくとも約３５ｇ／１０分のメルトフローレートを有する前記６．に記載のケーブル。
８．前記パーフルオロアルコキシコポリマーは、少なくとも約４０ｇ／１０分のメルトフローレートを有する前記７．に記載のケーブル。
９．前記パーフルオロアルコキシコポリマーは、約３５ｇ／１０分〜約５０ｇ／１０分の範囲のメルトフローレートを有する前記６．に記載のケーブル。
１０．前記パーフルオロアルコキシコポリマーは、約３８ｇ／１０分〜約４７ｇ／１０分の範囲のメルトフローレートを有する前記９．に記載のケーブル。
１１．前記パーフルオロアルコキシコポリマーは、約４０ｇ／１０分〜約４４ｇ／１０分の範囲のメルトフローレートを有する前記１０．に記載のケーブル。
１２．前記発泡絶縁体は、複数の空洞を有し、前記空洞は、約０．１ミル〜約１ミルの範囲の平均サイズを有する前記１．に記載のケーブル。
１３．前記空洞は、約０．２５ミル〜約０．５ミルの範囲の平均サイズを有する前記１２．に記載のケーブル。
１４．前記空洞の少なくとも９０％は、約０．２５ミル〜約０．５ミルの範囲のサイズを有する前記１３．に記載のケーブル。
１５．前記空洞の少なくとも９５％は、約０．２５ミル〜約０．５ミルの範囲のサイズを有する前記１４．に記載のケーブル。
１６．前記空洞は、２標準偏差以下だけ変化するサイズを有する前記１２．に記載のケーブル。
１７．前記空洞は、１標準偏差以下だけ変化するサイズを有する前記１６．に記載のケーブル。
１８．前記発泡絶縁体は、約１ミル〜約１５ミルの範囲の壁厚を有する前記１．に記載のケーブル。
１９．前記発泡絶縁体は、約２ミル〜約１０ミルの範囲の壁厚を有する前記１４．に記載のケーブル。
２０．前記発泡絶縁体は、約２５％〜約７５％の範囲の空洞密度を有する前記１２．に記載のケーブル。
２１．前記発泡絶縁体は、約３５％〜約５５％の範囲の空洞密度を有する前記２０．に記載のケーブル。
２２．前記発泡絶縁体は、約４０％〜約５０％の範囲の空洞密度を有する前記２１．に記載のケーブル。
２３．前記発泡絶縁体の外側表面上に非中空ポリマー層を更に有する前記１．に記載のケーブル。
２４．前記ケーブルは、同軸ケーブルである前記１．に記載のケーブル。
２５．電気ケーブル用の発泡絶縁体であって、
複数の空洞を有する発泡フルオロポリマーを有し、
前記発泡絶縁体は、約１ミル〜約１５ミルの範囲の厚さを有し、前記空洞は、約０．１ミル〜約１ミルの範囲の平均サイズを有する、発泡絶縁体。
２６．前記空洞は、２標準偏差以下だけ変化するサイズを有する前記２５．に記載の絶縁体。
２７．前記発泡絶縁体は、約２５％〜約７５％の範囲の空洞密度を有する前記２５．に記載の絶縁体。
２８．前記フルオロポリマーは、パーフルオロアルコキシコポリマーを含む前記２５．に記載の絶縁体。
２９．前記パーフルオロアルコキシコポリマーは、約３５ｇ／１０分〜約５０ｇ／１０分の範囲のメルトフローレートを有する前記２５．に記載の絶縁体。
３０．前記絶縁体は、チューブの形態である前記２５．に記載の絶縁体。
３１．前記絶縁体の内径は、約２２ミル以下である前記３０．に記載の絶縁体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶シリコン太陽電池を処理する方法において、
全バックコンタクト・バックジャンクション太陽電池に使用するための結晶シリコン基板を準備し、
第１のパルスレーザビームを前記シリコン基板の背面に当てて、
ピコ秒パルス巾及び赤外線波長を有する前記第１のパルスレーザビームを使用して、前記シリコン基板の背面をテクスチャー化し、
第２のパルスレーザビームを前記テクスチャー化された背面に当てて、
前記第２のパルスレーザビームを使用して、前記シリコン基板の前記背面をアニールし、このアニールプロセスにより、レーザダメージを除去する、
という段階を含む方法。
【請求項２】
前記結晶シリコン基板は、厚みが１００ミクロン未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パルスレーザビームは、パルス巾が１０００ピコ秒未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記レーザビームは、波長が３５５ｎｍから１０６４ｎｍの範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のパルスレーザビームは、ナノ秒パルス巾及び５３２ｎｍ波長を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のパルスレーザビームを前記シリコン基板の前面に当て、
前記シリコン基板の前記前面を前記第１のパルスレーザビームでテクスチャー化し、
前記薄いシリコン基板の前記前面にドーパントを堆積し、及び
前記シリコン基板の前記前面を第３のパルスレーザビームでドーピングする、
という段階を更に含み、前記レーザドーピングプロセスは、前面フィールドを形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記薄いシリコン基板の前記前面に前面フィールドを形成する前記パルスレーザビームは、ナノ秒パルス巾及び５３２ｎｍ波長を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
結晶シリコン基板を処理する方法において、
前記シリコン基板にベース領域及びエミッタ領域を形成し、
前記シリコン基板の背面に背面不動態化層を形成し、
第１のパルスレーザビームを前記背面不動態化層に当て、及び
前記背面不動態化層の前記背面を前記第１のパルスレーザビームでテクスチャー化して、前記不動態化層の背面に背面拡散ミラーを形成する、
という段階を含む方法。
【請求項９】
前記シリコン基板は、厚みが１００ミクロン未満である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記背面不動態化層は、堆積された酸化物、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、又は原子層堆積酸化アルミニウムを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のレーザビームは、ナノ秒パルス巾及び１５７ｎｍ波長を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のレーザビームは、フェムト秒のパルス巾と、３５５ｎｍから１０６４ｎｍの範囲の波長とを有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
不動態化層の背面に背面拡散ミラーを形成する前記段階は、シリカ粒子の堆積を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
球状シリカ粒子の前記体積は、シリカ粒子を含む誘電体ペーストのスクリーン印刷を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
球状シリカ粒子の前記堆積は、シリカ粒子を含む誘電体インクのインクジェット印刷を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のパルスレーザビームを前記シリコン基板の前面に当て、
前記薄いシリコン基板の前記前面をパルスレーザビームでテクスチャー化し、
前記薄いシリコン基板の前面にドーパントを堆積し、及び
前記薄いシリコン基板の前記前面に第２のパルスレーザビームで前面フィールドを形成する、
という段階を更に含む請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
薄い結晶シリコン基板を処理する方法において、
フロントコンタクト太陽電池に使用するのに適した約１０ミクロンから１００ミクロンの範囲の基板厚みをもつ薄い結晶シリコン基板を準備し、
前記薄いシリコン基板の前面及び背面を、ピコ秒パルス巾及び赤外線波長をもつ第１のパルスレーザビームで、前記背面金属被覆の前にテクスチャー化し、
前記薄いシリコン基板の前面にドーパントを堆積しそして第２パルスレーザのアニールを使用してエミッタ領域を形成し、
前記薄いシリコン基板の背面にドーパントを堆積しそして第２パルスレーザのアニールを使用してベース領域を形成し、及び
前記ベース領域に背面金属被覆を、そして前記エミッタ領域に前面金属被覆領域を形成する、
という段階を含む方法。
【請求項１８】
前記パルスレーザビームは、フェムト秒のパルス巾と、３５５ｎｍから１０６４ｎｍの範囲の波長とを有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２パルスレーザのアニールプロセスにおけるパルスレーザビームは、パルス長さが５３２ｎｍのナノ秒レーザである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記シリコン基板を金属被覆の前に熱アニールすることを更に含み、この熱アニールプロセスは、前記基板へのレーザダメージを除去する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記背面不動態化層が酸化シリコンである、請求項８に記載の方法。
【請求項２２】
前記背面不動態化層が酸化アルミニュウムである、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月16日(2015.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータであって、
スピーカ及びマイクロフォンと、
前記スピーカから放出され、前記マイクロフォンによってキャプチャされる所与の周波数の音を発生させるように構成されるジェスチャ識別構成要素であって、前記所与の周波数の付近で前記キャプチャされた音を評価して、ユーザ・ジェスチャによって生じるドップラー効果のシフトを検出するように更に構成され、個々のドップラー効果のシフトを個々の制御機能にマッピングし、該個々の制御機能を当該コンピュータによって実行させるように更に構成され、前記スピーカ及び前記マイクロフォンが前記の放出及び前記のキャプチャの間に他の機能を実行することを可能にするように更に構成される、ジェスチャ識別構成要素と
を備える、コンピュータ。
【請求項２】
ユーザ入力デバイスを更に備え、前記ジェスチャ識別構成要素は、ユーザが前記ユーザ入力デバイスを使用しているときは前記キャプチャされた音を評価しないように更に構成される、請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項３】
前記ユーザ入力デバイスが、物理的キーボード、仮想キーボード、マウス、トラックパッド又はタッチ・スクリーンを備え、
前記スピーカが、単一のスピーカ又は複数のスピーカを備え、前記マイクロフォンが、単一のマイクロフォン又は複数のマイクロフォンを備える、請求項２に記載のコンピュータ。
【請求項４】
前記ジェスチャ識別構成要素は、ユーザが前記コンピュータからの検出範囲を定義することを可能にするようにさらに構成され、前記検出範囲内では前記個々の制御機能が実行され、前記検出範囲外では前記個々の制御機能が実行されない、請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項５】
前記ジェスチャ識別構成要素は、前記個々のドップラー効果シフトの規模を評価して、前記ユーザ・ジェスチャが前記検出範囲内で生じたかどうかを判断するように更に構成され、
前記検出範囲が、前記コンピュータから３次元に放射状に広がる、請求項４に記載のコンピュータ。
【請求項６】
前記スピーカの前記他の機能は、音楽を再生することであり、前記所与の周波数の前記音が、前記音楽の一部を含む、請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項７】
前記ジェスチャ識別構成要素は、周波数の範囲をテストして、前記周波数の範囲から対応するキャプチャされた音を評価し、前記所与の周波数に関係する干渉が前記周波数の範囲の他の周波数よりも相対的に小さいときに前記所与の周波数を選択するように構成される、請求項１に記載のコンピュータ。
【請求項８】
前記干渉が、前記スピーカによって生成される他の音又は背景雑音を含む、請求項７に記載のコンピュータ。
【請求項９】
前記ジェスチャ識別構成要素は、１つ又は複数のパラメータに従って前記周波数の範囲を再テストするように構成され、
前記１つ又は複数のパラメータが、所定の期間に関係するか、又は所定のしきい値を超える前記所与の周波数で検出される干渉に関係する、請求項７に記載のコンピュータ。
【請求項１０】
コンピューティング・デバイスによって実行されると、該コンピューティング・デバイスに、
前記コンピューティング・デバイスの単一のスピーカセットから、一定の周波数の音響信号と他の音響信号とを同時に放出する動作と、
前記コンピューティング・デバイスにおいて音をキャプチャする動作と、
前記放出した音響信号の周波数範囲を前記キャプチャされた音の同じ周波数範囲と比較して、ユーザ制御ジェスチャによって作り出されるドップラー・シフトを検出する動作と、
前記ユーザ制御ジェスチャを制御機能にマッピングする動作と、
前記コンピューティング・デバイス上で前記制御機能を実行する動作と
を含む動作を実行させる、コンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
コンピュータは、日常生活において至る所に存在する。しかしながら、「１台のコンピュータ」を有することの代わりに、ユーザは、多くの様々なコンピュータを有するか、対話する傾向がある。例えば典型的なユーザは、数ある中で、仕事場にデスクトップ・コンピュータ、家庭にラップトップ、スマートフォン、パッド・コンピュータ、ビデオ・ゲーム機及び／又は電子書籍を有することがある。さらに、ユーザは、他のデバイス内に統合されている他のコンピュータと対話する傾向がある。例えばユーザの自動車は、ユーザが道順を知るため、音楽を聴く等のために対話するコンピュータを有している可能性が高い。様々なユーザ制御装置が、これらの様々なタイプのコンピュータに対して開発されている。例えばマウス及び物理的キーボードは、デスクトップ・コンピュータと対話し、これを制御する最も一般的な方法であることが多い。マウスは、ノートブック・コンピュータでは便利ではなかったため、ノートブック・コンピュータでは代わりにトラックパッド型のデバイスを使用する傾向がある。マウスもトラックパッドも、スマートフォン及びパッド型のコンピュータには適しておらず、スマートフォン及びパッド型のコンピュータでは代わりに、ユーザがデバイスを制御するために接触することが可能なタッチセンサ式スクリーン（例えば仮想キーボード）を有する傾向がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
一部の実装形態では、ドップラーベースのユーザ・ジェスチャ識別構成要素８０８は、エンド・ユーザ（例えば顧客）にコンピュータを用意及び／又は販売する製造業者又は仲介業者によってコンピュータ８０２上にプリインストールされ得る。別の実装形態では、ドップラーベースのユーザ・ジェスチャ識別構成要素８０８は、ユーザによってインストールされ得る。例えばユーザは、ドップラーベースのユーザ・ジェスチャ識別構成要素を、一組のコンピュータ読取可能命令としてネットワーク８１８を介してダウンロードすることができ、このコンピュータ読取可能命令は次いで、記憶装置８１４のように有形な形でコンピュータ上に記憶される。別の実装形態では、ユーザは、メモリ・カード８２０のような記憶デバイスでドップラーベースのユーザ・ジェスチャ識別構成要素を得ることができ、該ドップラーベースのユーザ・ジェスチャ識別構成要素をユーザ自身のコンピュータ上にインストールすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月25日(2015.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上のＬＥＤを備えたＬＥＤユニットである負荷の可変の電流の、位相カット調光器に対する、早すぎるスイッチングの影響を補償するため、前記位相カット調光器と組み合わせて動作する電気装置であって、前記電気装置は、
外部電源の前記調光器に当該電気装置を電気的に接続する接続エレメントであって、前記外部電源は、電源電圧を供給し、前記調光器は、前記負荷を給電するための供給電圧を供給する当該接続エレメントと、
第１期間の間に前記負荷の前記電流を監視する監視装置と、
前記接続エレメントに接続され、前記監視装置により監視された前記電流に基づいて第２期間の間に前記接続エレメントに電気的補償信号を供給する信号コントローラと、
を有する、電気装置。
【請求項２】
前記電流が前記負荷の漏れ電流である、請求項１に記載の電気装置。
【請求項３】
前記監視装置が、前記電流を測定する測定装置又は前記電流に対応する信号を入力する受信部を有する、請求項１又は請求項２に記載の電気装置。
【請求項４】
前記補償信号が、前記漏れ電流を補償するために前記外部電源と当該電気装置との間で交換される充電電流である、請求項２又は請求項３に記載の電気装置。
【請求項５】
前記補償信号が、前記負荷に対して直列に供給される電圧である、請求項１ないし４の何れか一項に記載の電気装置。
【請求項６】
前記信号コントローラが、前記第２期間において前記充電電流を供給するための定められた電流経路を形成するインピーダンス経路を有する、請求項４又は請求項５に記載の電気装置。
【請求項７】
前記信号コントローラが、前記第２期間において前記充電電流を制御するために前記インピーダンス経路の抵抗値を変化させる抵抗を有する、請求項６に記載の電気装置。
【請求項８】
前記信号コントローラが、前記第２期間において前記インピーダンス経路の抵抗値を連続的に又は段階的に減少させる、請求項７に記載の電気装置。
【請求項９】
前記第２期間は、前記電流経路が前記電源電圧の零交差の前及び後に設けられるように、前記電源電圧の該零交差に対して調整される、請求項７に記載の電気装置。
【請求項１０】
前記第１期間から前記第２期間への移行が前記電源電圧の零交差の近くに調整される、請求項１ないし８の何れか一項に記載の電気装置。
【請求項１１】
前記信号コントローラが前記第２期間において充電電流を供給するコンデンサを有し、前記監視装置が前記第１期間において該コンデンサを充電する、請求項１ないし１０の何れか一項に記載の電気装置。
【請求項１２】
１以上のＬＥＤを備えたＬＥＤユニットである負荷を駆動するドライバ装置であって、
外部電源から入力電圧を受ける入力端子と、
前記負荷に給電するための負荷電流を供給する出力端子と、
請求項１に記載の電気装置と、
前記入力端子又は前記出力端子の少なくとも１つに接続されて、第１期間における電流を監視する前記電気装置の前記監視装置と、
前記入力端子又は前記出力端子の少なくとも１つに接続されて、前記監視装置により監視された前記電流に基づいて第２期間の間に前記入力端子又は前記出力端子の少なくとも１つに電気的補償信号を供給する前記電気装置の信号コントローラと、
を有する、ドライバ装置。
【請求項１３】
第１電流経路及び第２電流経路を更に有し、前記第１及び第２電流経路は整流ユニットの一部を形成し、前記第１電流経路及び前記第２電流経路の各々は監視装置及び信号コントローラを有し、前記監視装置は対応する前記電流経路における電流を監視するために設けられ、前記信号コントローラは前記電気的補償信号を供給する、請求項１２に記載のドライバ装置。
【請求項１４】
前記入力端子の少なくとも１つは前記外部電源に接続された電圧変換ユニットに接続され、該電圧変換ユニットはタイミングコンデンサを含み、前記補償信号は該タイミングコンデンサを少なくとも部分的に充電又は放電するために前記電圧変換ユニットに供給される充電電流である、請求項１２又は請求項１３に記載のドライバ装置。
【請求項１５】
１以上のＬＥＤを備えたＬＥＤユニットである負荷の可変の電流の、位相カット調光器に対する、早すぎるスイッチングの影響を補償する方法であって、
接続エレメントにより電気装置を電源の前記調光器に接続するステップと、
第１期間において前記負荷の前記電流を監視するステップと、
前記第１期間において監視された前記負荷の前記電流に基づいて、第２期間の間に前記接続エレメントに電気的補償信号を供給するステップと、
を有する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月8日(2015.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
本開示の範囲及び趣旨から外れることなく、本発明の予測可能な修正及び変更が当業者には自明であろう。本発明は、説明を目的として本出願に記載される各実施形態に限定されるべきものではない。本発明の実施態様の一部を以下の項目［１］−［１６］に記載する。
[１]
第１の主面及び第２の概ね対向する主面を有するナノ構造触媒担体層を含む電気化学電池電極であって、前記第１の面が、前記第１の面から離れる方向に突出する担体ウィスカを含むナノ構造要素を含み、前記担体ウィスカが、その上に第１のナノスケール電極触媒層を有し、前記第２の面上の第２のナノスケール電極触媒層が貴金属合金を含む、電気化学電池電極。
[２]
前記第２のナノスケール電極触媒層の貴金属が、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｒｈ、又はＲｕの少なくとも１つである、項目１に記載の電気化学電池電極。
[３]
前記第２の主面上の貴金属合金が、少なくとも１種類の金属遷移金属を含む、項目１又は２のいずれか一項に記載の電気化学電池電極。
[４]
前記第２の主面上の貴金属合金が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｎ、又はＦｅの少なくとも１つを含む、項目１又は２のいずれか一項に記載の電気化学電池電極。
[５]
前記担体層が０．３マイクロメートル〜２マイクロメートルの範囲の平均厚さを有する、項目１〜４のいずれか一項に記載の電気化学電池電極。
[６]
前記ウィスカが、２０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲の平均断面寸法及び０．３マイクロメートル〜３マイクロメートルの範囲の平均長さを有する、項目１〜５のいずれか一項に記載の電気化学電池電極。
[７]
前記第１及び第２のナノスケール電極触媒層が、独立して、０．１ｎｍ〜５０ｎｍの範囲の平均平面相当厚を有する、項目１〜６のいずれか一項に記載の電気化学電池電極。
[８]
前記ナノ構造要素が第１の材料を含み、前記第２のナノスケール電極触媒層を有する前記第２の面も前記第１の材料を含む、項目１〜７のいずれか一項に記載の電気化学電池電極。
[９]
前記第２の面上の前記第１の材料が、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の厚さを有する、項目８に記載の電気化学電池電極。
[１０]
前記第１の面に０よりも大きい第１のＰｔ表面積を有する、項目８又は９のいずれか一項に記載の電気化学電池電極であって、前記第１及び第２のナノスケール電極触媒層がそれぞれＰｔを含み総Ｐｔ含有量を有しており、前記第１の面上にちょうどに存在する場合、前記総Ｐｔ含有量が０よりも大きい第２のＰｔ表面積を有し、前記第１のＰｔ表面積が前記第２のＰｔ表面積よりも少なくとも１０％大きい、電気化学電池電極。
[１１]
前記第１の面に０よりも大きい第１のＰｔ比活性度を有する、項目８〜１０のいずれか一項に記載の電気化学電池電極であって、前記第１及び第２のナノスケール電極触媒層がそれぞれＰｔを含み総Ｐｔ含有量を有しており、前記第１の面のみに存在する場合、前記総Ｐｔ含有量が０よりも大きい第２のＰｔ比活性度を有し、前記第１のＰｔ比活性度が、前記第２のＰｔ比活性度よりも少なくとも１０％大きい、電気化学電池電極。
[１２]
前記第１のナノスケール電極触媒層が０よりも大きい第１の絶対活量を有し、前記第２のナノスケール電極触媒層が０よりも大きい第２の絶対活量を有し、前記第１の絶対活量が、前記第２の絶対活量よりも少なくとも１０％大きい、項目８〜１１のいずれか一項に記載の電気化学電池電極。
[１３]
前記第１のナノスケール電極触媒層が０よりも大きい第１のＰｔ含有量と、０よりも大きい第１のＰｔ表面積とを有し、前記第２のナノスケール電極触媒層が第２のＰｔ含有量と、０よりも大きい第２のＰｔ表面積とを有し、前記第１及び第２のＰｔ表面積の合計が、前記第２のＰｔ表面積よりも少なくとも１０％大きい、項目８又は９のいずれか一項に記載の電気化学電池電極。
[１４]
前記第１のナノスケール電極触媒層が０よりも大きい第１のＰｔ含有量と、０よりも大きい第１のＰｔ比活性度とを有し、前記第２のナノスケール電極触媒層が第２のＰｔ含有量と、０よりも大きい第２のＰｔ比活性度とを有し、前記第１及び第２のＰｔ比活性度の合計が、前記第２のＰｔ比活性度よりも少なくとも１０％大きい、項目８、９、又は１３のいずれか一項に記載の電気化学電池電極。
[１５]
燃料電池用触媒電極である、項目１〜１４のいずれか一項に記載の電気化学電池電極。
[１６]
項目１〜１５のいずれか一項に記載の電気化学電池電極を作製する方法であって、
第１の主面及び第２の概ね対向する主面を有するナノ構造触媒担体層を設けることであって、前記第１の面が、前記第１の面から離れる方向に突出する担体ウィスカを含むナノ構造要素を含み、前記担体ウィスカが、その上に第１のナノスケールの電極触媒層を有する、ことと、
前記第２の面上に貴金属合金をスパッタリングして、その上に第２のナノスケール電極触媒層を設けることと
を含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面及び第２の概ね対向する主面を有するナノ構造触媒担体層を含む電気化学電池電極であって、前記第１の面が、前記第１の面から離れる方向に突出する担体ウィスカを含むナノ構造要素を含み、前記担体ウィスカが、その上に第１のナノスケール電極触媒層を有し、前記第２の面上の第２のナノスケール電極触媒層が貴金属合金を含み、前記第２の主面上の貴金属合金が、少なくとも１種類の金属遷移金属を含む、電気化学電池電極。
【請求項２】
前記第２のナノスケール電極触媒層の貴金属が、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｐｄ、Ｒｈ、又はＲｕの少なくとも１つである、請求項１に記載の電気化学電池電極。
【請求項３】
前記第２の主面上の貴金属合金が、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｍｎ、又はＦｅの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の電気化学電池電極。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月4日(2016.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（５）の化合物（その互変異性体の形態であってもよい）の立体選択的調製方法であって、
【化１】
2015506966.tif 000001
式中、
ＳＧ1は、トリフルオロアセチル、アセチル、ベンゾイル及びピバロイルから選択される保護基を表し、
ＳＧ2は、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、エトキシカルボニル及びメトキシカルボニルから選択される保護基を表し、
前記方法は、工程（Ｃ）及び（Ｄ）を有し、
工程（Ｃ）は、式（３）の化合物の反応により式（４）の化合物を生成する工程であり、
【化２】
2015506966.tif 000002
【化３】
2015506966.tif 000003
工程（Ｄ）は、式（４）の化合物の還元により式（５）の化合物を生成する工程であり、
工程（Ｃ）及び（Ｄ）は、記述された順番で順次実施される
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
反応工程（Ｃ）及び（Ｄ）が、更なる反応工程（Ａ）及び（Ｂ）に続いて実施され、
工程（Ａ）は、式（１）の化合物を反応させて式（２）の化合物を生成する工程を示し、
【化４】
2015506966.tif 000004
【化５】
2015506966.tif 000005
工程（Ｂ）は、式（２）の化合物を反応させて式（３）の化合物を生成する工程を示し、
【化６】
2015506966.tif 000006
工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）は、記述された順番で順次実施される
ことを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項３】
式（５）の化合物（その互変異性体の形態であってもよい）の立体選択的調製のための請求項１又は２に記載された方法であって、
【化７】
2015506966.tif 000007
ＳＧ1は、トリフルオロアセチルを表し、
ＳＧ2は、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルを表す
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項２に記載された式（２）の中間体（その互変異性体又は塩の形態であってもよい）。
【化８】
2015506966.tif 000008
（式中、ＳＧ1は、トリフルオロアセチル、アセチル、ベンゾイル及びピバロイルから選択される保護基を表す）
【請求項５】
下記式（２Ａ）で表される、請求項４に記載の中間体（その互変異性体又は塩の形態であってもよい）。
【化９】
2015506966.tif 000009
【請求項６】
請求項１又は２に記載される式（４）の中間体（その互変異性体又は塩の形態であってもよい）。
【化１０】
2015506966.tif 000010
（式中、
ＳＧ1は、トリフルオロアセチル、アセチル、ベンゾイル及びピバロイルから選択される保護基を表し、
ＳＧ2は、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、エトキシカルボニル及びメトキシカルボニルから選択される保護基を表す）
【請求項７】
下記式（４Ａ）で表される、請求項６に記載された式（４）の中間体（その互変異性体又は塩の形態であってもよい）。
【化１１】
2015506966.tif 000011
【請求項８】
式（Ｉ）の化合物（その互変異性体又は塩の形態であってもよい）を調製するための、式（２）又は（４）の中間体（その互変異性体又は塩の形態であってもよい）の使用。
【化１２】
2015506966.tif 000012
【化１３】
2015506966.tif 000013
【化１４】
2015506966.tif 000014
（式中、
ＳＧ1は、トリフルオロアセチル、アセチル、ベンゾイル及びピバロイルから選択される保護基を表し、
ＳＧ2は、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、エトキシカルボニル及びメトキシカルボニルから選択される保護基を表す）
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月29日(2016.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受容体チロシンキナーゼ阻害剤(RTKI)と
(a) ALK1の細胞外ドメインのリガンド結合部分を含むALK1ポリペプチドであって、任意で、SEQ ID NO:1のアミノ酸22〜120の配列、SEQ ID NO:3の配列またはSEQ ID NO:14の配列と少なくとも90%同一であるアミノ酸配列を有するポリペプチドを含み、かつ任意で、GDF5、GDF6、GDF7、BMP9、およびBMP10より選択されるALK1リガンドに結合する、ALK1ポリペプチド；
(b) ヒトALK1の細胞外ドメインに結合する抗体であって、任意で、SEQ ID NO:1のアミノ酸22〜118の配列内のエピトープに結合し、かつGDF5、GDF6、GDF7、BMP9、およびBMP10より選択されるリガンドの結合を阻害する、抗体；
(c) ヒトBMP9に結合する抗体であって、任意で、SEQ ID NO:12のアミノ酸1〜111の配列内のエピトープに結合し、かつ受容体に対するBMP9の結合を阻害する、抗体；および
(d) ヒトBMP10に結合する抗体であって、任意で、SEQ ID NO:13のアミノ酸1〜108の配列内のエピトープに結合し、かつ受容体に対するBMP10の結合を阻害する、抗体
より選択される薬剤との組み合わせを含み、哺乳動物が任意で以前に腎細胞癌(RCC)治療薬を受けている、腎細胞癌を有する哺乳動物における腎細胞癌治療剤。
【請求項２】
RTKIがスニチニブ、ソラフェニブ、パゾパニブ、アキシチニブ、チボザニブまたはバンデタニブである、請求項1に記載の腎細胞癌治療剤。
【請求項３】
哺乳類ラパマイシン標的タンパク質(mTOR)標的阻害剤をさらに含み、mTOR標的阻害剤が、任意でエベロリムスまたはテムシロリムスである、請求項1に記載の腎細胞癌治療剤。
【請求項４】
腎細胞癌が腎明細胞癌である、請求項1に記載の腎細胞癌治療剤。
【請求項５】
腎細胞癌が腎洞に浸潤している、腎細胞癌が転移性腎細胞癌である、または腎細胞癌が肺、腹腔内リンパ節、骨、脳、または肝臓に転移している、請求項1に記載の腎細胞癌治療剤。
【請求項６】
哺乳動物が以前にRCC治療薬を受けており、該RCC治療薬がRTKIであり、かつ以前に受けた該RTKIが、任意でスニチニブ、ソラフェニブ、パゾパニブ、アキシチニブ、チボザニブ、およびバンデタニブより選択される、請求項1に記載の腎細胞癌治療剤。
【請求項７】
哺乳動物が以前にRCC治療薬を受けており、該RCC治療薬が哺乳類ラパマイシン標的タンパク質(mTOR)標的阻害剤であり、かつ以前に受けたmTOR標的阻害剤が、任意でエベロリムスおよびテムシロリムスより選択される、請求項1に記載の腎細胞癌治療剤。
【請求項８】
哺乳動物が以前にRCC治療薬を受けており、以前に受けた該RCC治療薬がインターフェロンα(IFN-α)またはインターロイキン-2(IL-2)である、請求項1に記載の腎細胞癌治療剤。
【請求項９】
ALK1ポリペプチドが免疫グロブリンの定常ドメインまたはFc部分をさらに含み、該Fc部分が任意でヒトIgG1のFc部分である、請求項1に記載の腎細胞癌治療剤。
【請求項１０】
RTKIをさらに含み、かつ、該RTKIが任意で、スニチニブ、ソラフェニブ、パゾパニブ、アキシチニブ、チボザニブ、およびバンデタニブより選択される薬剤である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の腎細胞癌治療剤。
【請求項１１】
mTOR標的阻害剤をさらに含み、かつ、該mTOR標的阻害剤が任意で、エベロリムスおよびテムシロリムスより選択される薬剤である、請求項1〜9のいずれか一項に記載の腎細胞癌治療剤。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月5日(2016.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
がんを治療又は予防するための薬剤を製造する方法であって、
タンポポ属（Ｔａｒａｘａｃｕｍ）植物の根を凍結して凍結根ストックを得る工程であって、１以上の根細胞が少なくとも部分的に破壊されるよう選択される工程；
前記凍結根ストックを乾式粉砕して根粉末を得る工程であって、前記凍結根ストックが約０℃未満の粉砕温度で保持される工程；
水、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール及びｎ−ブタノールのうち１以上を含む溶媒に前記根粉末を浸漬して、流エキス部分と固体粒子部分を含む懸濁液を得る工程；及び、
前記流エキス部分を前記固体粒子部分から分離して、前記薬剤で使用される流エキスを得る工程を有する方法。
【請求項２】
前記がんは、結腸がん、膵がん、血液がん又は皮膚がんである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記がんは、前記血液がん又は前記皮膚がんからなるものであって、慢性リンパ性白血病、慢性骨髄性白血病、慢性骨髄単球性白血病、ホジキンリンパ腫及び黒色腫からなる群より選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記凍結工程より前に、相対湿度が約５％〜約１０％となるまで前記植物の根を乾燥させる工程を更に有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記タンポポ属（Ｔａｒａｘａｃｕｍ）植物の根は、植物の開花若しくは発芽より前、又は、芽の生長が休止した後に採取した休眠中のタンポポ属（Ｔａｒａｘａｃｕｍ）植物の根からなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記休眠中のタンポポ属（Ｔａｒａｘａｃｕｍ）植物の根は、前記植物の開花又は発芽の前約９０日以内、好ましくは約３０日以内に採取される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記タンポポ属（Ｔａｒａｘａｃｕｍ）植物の根は、Ｔ．ｏｆｆｉｃｉｎａｌｅ、Ｔ．ｅｒｙｔｈｒｏｓｐｅｒｍｕｍ、Ｔ．ａｌｂｉｄｕｍ、Ｔ．ｊａｐｏｎｉｃｕｍ、Ｔ．ｌａｅｖｉｇａｔｕｍ、Ｔ．ｅｒｙｔｈｒｏｓｐｅｒｍｕｍ、及び、Ｔ．ｃａｌｉｆｏｒｎｉｃｕｍからなる群より選択される種に属する植物から得られる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記凍結工程は、平均凍結温度が約−２１０℃〜約−３０℃となるまで、前記植物の根を液体窒素に接触させる若しくは沈める、又は、前記植物の根を凍結させることを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記乾式粉砕工程は、前記凍結根ストックを平均粒径が約１００μｍ未満、好ましくは約５０μｍ未満となるまで乾式粉砕することを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記乾式粉砕工程は、パルベライザ型粉砕機、衝突式粉砕機及び微粒粉砕機からなる群より選択される粉砕機を用いて前記凍結根ストックを乾式粉砕することを含み、
前記粉砕機又はその構成要素が約−２５℃未満、好ましくは約−５０℃未満に冷却されることで、前記凍結根ストック又は根粉末との接触時の発熱が防止される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記粉砕機又はその構成要素は液体窒素で冷却される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記溶媒は、ペンタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、１，４−ジオキサン、クロロホルム、ジエチルエーテル、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、アセトン、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、プロピレンカーボネート、ギ酸及び酢酸のうち１以上を更に含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記溶媒は、水、エタノール、又は、水とエタノールの混合物である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記浸漬工程は、約５℃〜約１００℃の浸漬温度で、好ましくは約５分〜約２４時間、攪拌下又は非攪拌下で前記根粉末を水に浸漬することを含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記分離工程は、ろ過及び遠心分離の少なくとも一方を含み、
前記ろ過は、１回、又は、孔径が同じ若しくは異なる複数のフィルタを用いて２回以上実施し、
前記遠心分離は５０００×ｇ〜８０００×ｇで実施する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記分離工程は、約０．４５μｍの第１の孔径を有する第１のフィルタと、約０．２２μｍの第２の孔径を有する第２のフィルタを用いて、前記懸濁液を少なくとも２回ろ過することを含み、
前記第２のフィルタは細菌を除去するものが選択される、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記乾式粉砕工程より前に、前記植物の根をさいの目状に切って複数の根切片を得る工程を更に有する、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記粉砕温度は約−２５℃未満、好ましくは約−４０℃未満である、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
分離した前記流エキスを凍結乾燥してエキス粉末を得、必要に応じて、医薬的に許容される基剤、希釈剤、結合剤、佐剤及び抗がん剤のうち１以上を前記エキス粉末と混合する工程を更に有する、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記抗がん剤は、メトホルミン、ヒドロキシウレア、シクロホスファミド及びエトポシドのうち１以上である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記薬剤は、前記エキス粉末を約５ｍｇ／ｋｇ体重／日〜約１０００ｍｇ／ｋｇ体重／日、好ましくは約１０ｍｇ／ｋｇ体重／日〜約７０ｍｇ／ｋｇ体重／日含有する投与形態からなる、請求項１９又は請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記薬剤は、前記エキス粉末を約０．５ｇ〜約７０ｇ、好ましくは約１〜４ｇ含有する１日投与形態からなる、請求項１９又は請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
がんを治療又は予防するためのタンポポ属（Ｔａｒａｘａｃｕｍ）植物の根エキスを含有する薬剤を製造する方法であって、
（１）タンポポ属（Ｔａｒａｘａｃｕｍ）植物の根を凍結して凍結根ストックを得る工程であって、該凍結工程は１以上の根細胞が少なくとも部分的に破壊されるよう選択され、前記タンポポ属（Ｔａｒａｘａｃｕｍ）植物の根は、植物の発芽若しくは開花より前、又は、芽の生長が休止した後に採取した休眠中のタンポポ属（Ｔａｒａｘａｃｕｍ）植物の根からなる工程；
（２）前記凍結根ストックを乾式粉砕して、平均粒径が約１００μｍ未満、好ましくは約５０μｍ未満の根粉末を得る工程であって、前記凍結根ストックが約０℃未満の粉砕温度で保持される工程；
（３）エタノール及び水の一方又は両方を含む溶媒に前記根粉末を浸漬して、溶液部分と固体部分を含む混合物を調製する工程；
（４）前記溶液部分を前記固体部分から分離する工程；及び、
（５）前記溶液部分を凍結乾燥して前記タンポポ属（Ｔａｒａｘａｃｕｍ）植物の根エキスを乾燥エキス粉末として得、必要に応じて、その乾燥エキス部分と、医薬的に許容される基剤、希釈剤、結合剤、佐剤及び抗がん剤のうち１以上とを混合する工程
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月8日(2016.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭水化物源からヘキサメチレンジアミンを生成する方法であって、上記方法は、
炭水化物源をフルフラール基質に変換するステップと；
上記フルフラール基質の少なくとも一部を、不均一系還元触媒存在下にて、水素と反応させて、１，６−ヘキサンジオールを生成するステップと；
上記１，６−ヘキサンジオールの少なくとも一部をヘキサメチレンジアミンに変換するステップと；を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
炭水化物源から１，６−ヘキサンジオールを生成する方法であって、上記方法は、
上記炭水化物源をフルフラール基質に変換するステップと；
上記フルフラール基質の少なくとも一部を、Ｐｔを含む不均一系還元触媒存在下にて、水素と反応させて、１，６−ヘキサンジオールを生成するステップと；を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
上記不均一系還元触媒がＰｔを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記不均一系還元触媒がＭｏ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｙ、Ｗ、およびＲｅからなる群から選択される少なくとも１つの金属をさらに含むことを特徴とする請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
Ｐｔと、Ｍｏ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｙ、Ｗ、およびＲｅからなる群から選択される少なくとも１つの金属とのモル比が、２０：１〜１：１０であることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
上記１，６−ヘキサンジオールの収率が少なくとも約４０％であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
上記１，６−ヘキサンジオールの収率が少なくとも約５０％であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
上記１，６−ヘキサンジオールの収率が少なくとも約６０％であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
上記フルフラール基質と水素との反応が、約６０℃〜約２００℃の範囲の温度、および約２００ｐｓｉｇ〜約２０００ｐｓｉｇの範囲の水素の圧力にて行われることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
上記フルフラール基質が５−ヒドロキシメチルフルフラールであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
上記炭水化物源がグルコース、フルクトース、または、グルコースおよびフルクトースを含む混合物であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
上記触媒が、ジルコニア、シリカ、ゼオライトからなる群から選択される担体をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
上記フルフラール基質と水素との反応が、約１００℃〜約１８０℃の範囲の温度、および約２００ｐｓｉｇ〜約２０００ｐｓｉｇの範囲の水素の圧力にて行われることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
上記不均一系還元触媒がジルコニアに担持されたＰｔおよびＷを含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
式ＩＩの化合物を生成するための方法であって、
【化１】
2015506943.tif 000001
式中、Ｘ２およびＸ３はそれぞれ水素および水酸基からなる群から選択され、上記方法は、
炭水化物源をフルフラール基質に変換するステップと；
上記フルフラール基質の少なくとも一部を、Ｐｔを含む不均一系還元触媒存在下にて、水素と反応させて、式ＩＩの化合物を生成するステップと；を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
上記触媒がＷをさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
上記触媒が、Ｍｏ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｙ、Ｗ、およびＲｅからなる群から選択される少なくとも１つの金属をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
１，６−ヘキサンジオールを生成する方法であって、
Ｐｔを含む不均一系還元触媒存在下にて、１，２，６−ヘキサントリオールと水素とを反応させるステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
上記不均一系還元触媒がＭｏ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｙ、Ｗ、およびＲｅからなる群から選択される少なくとも１つの金属をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
Ｐｔと、Ｍｏ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｙ、Ｗ、およびＲｅからなる群から選択される少なくとも１つの金属とのモル比が、２０：１〜１：１０であることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
上記不均一系還元触媒が、担持された不均一系還元触媒であることを特徴とする請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
上記担持された不均一系還元触媒が、担体として、ジルコニア、シリカ、またはゼオライトを含んでいることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
約８０℃〜約２００℃の範囲の温度、および約２００ｐｓｉｇ〜約２０００ｐｓｉｇの範囲の圧力において、不均一系還元触媒存在下にて、１，２，６−ヘキサントリオールが水素と反応することを特徴とする請求項１８〜２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
上記方法は、フルフラール基質の還元を含む方法によって１，２，６−ヘキサントリオールを得るステップをさらに含み、
上記フルフラール基質は、Ｐｔを含む不均一系還元触媒存在下にて、水素と反応し、
上記フルフラール基質の還元に用いられる不均一系還元触媒が、１，２，６−ヘキサントリオールと水素とを反応させるときに用いられる不均一系還元触媒と同じまたは異なっていることを特徴とする請求項１８〜２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
上記フルフラール基質が、５−（ヒドロキシメチル）フルフラールであることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
１，２，６−ヘキサントリオールと水素とを反応させる場合に用いられる不均一系還元触媒とは異なる不均一系還元触媒の存在下で、５−（ヒドロキシメチル）フルフラールが水素と反応するようになっていることを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
約６０℃〜約２００℃の範囲の温度、および約２００ｐｓｉｇ〜約２０００ｐｓｉｇの範囲の圧力において、不均一系還元触媒の存在下にて、上記フルフラール基質と水素とが反応することを特徴とする請求項２４〜２６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
水、アルコール、エステル、エーテル、ケトン、およびそれらの混合物からなる群から選択される溶媒の存在下にて行われることを特徴とする請求項１〜２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
上記溶媒が、水であることを特徴とする請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
請求項１８〜２９のいずれか１項に記載の方法により得られる１，６−ヘキサンジオールを、ヘキサメチレンジアミンに変換することを含む、ヘキサメチレンジアミンの製造方法。