【手続補正書】
【提出日】平成28年10月19日(2016.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パスゲート制御信号(Vhg)に応答して、電圧レール(Vdd)をレギュレータ出力(Vout)に制御可能に結合するパスゲート(M9)と、
スルー制限状態とフルスルー状態との間で切り替え可能であり、前記レギュレータ出力からフィードバックを受け、基準電圧(Vref)および前記フィードバックに基づいて、前記フルスルー状態ではフルスルーレートで、前記スルー制限状態では低減したスルーレートで前記パスゲート制御信号を生成するように構成された、制御可能なスルー差動増幅器(204)と、
前記パスゲート制御信号を選択的に無視し、前記パスゲートをオフに切り替えるように構成されたパスゲート無効化回路(270)と
を備える、低減スイッチオンスルー低ドロップアウト(LDO)レギュレータ。
【請求項２】
前記制御可能なスルー差動増幅器が、切り替え可能なテール電流源(250)を含み、前記切り替え可能なテール電流源が、スルー制限バイアス電流(I_SB)の供給と、フルスルーバイアス電流(I_ON)の供給との間で切り替え可能であり、前記フルスルーバイアス電流により前記フルスルーレートで、前記スルー制限バイアス電流により前記低減したスルーレートで前記パスゲート制御信号を生成するように構成された、請求項1に記載の低減スイッチオンスルーLDOレギュレータ。
【請求項３】
前記切り替え可能なテール電流源が、オンのときに前記フルスルーバイアス電流(I_ON)を供給するように構成された切り替え可能なフルスルーバイアス電流源(252)を、前記スルー制限バイアス電流(I_SB)を供給するように構成されたスルー制限バイアス電流源(254)と並列に含む、請求項2に記載の低減スイッチオンスルーLDOレギュレータ。
【請求項４】
システムオン-オフ信号(ST_ON/OFF)のオン-オフ遷移に応答して、前記切り替え可能なテール電流源を前記スルー制限バイアス電流に切り替え(M20、256)、ST_OFFのオフ-オン遷移後に遅延DLYで、前記切り替え可能なテール電流源を、前記スルー制限バイアス電流から前記フルスルーバイアス電流に切り替えるように構成されたテール電流制御回路(256、260、M20、C2)をさらに備える、請求項2に記載の低減スイッチオンスルーLDOレギュレータ。
【請求項５】
前記制御可能なスルー差動増幅器が、ST_ON/OFFのオフ-オン遷移に応答して、DLYにほぼ等しい期間中に初期ゼロ電圧から約Vrefにスルーするスルーレートで、前記初期ゼロ電圧から約Vrefにスルーするように構成された、請求項4に記載の低減スイッチオンスルーLDOレギュレータ。
【請求項６】
前記テール電流制御回路が、遅延キャパシタ(C2)と、前記遅延キャパシタを、ST_ON/OFFのオフ-オン遷移に応答して、DLYにほぼ等しい持続時間を有する充電時間中に、ゼロ電圧からテール電流源モード切り替えしきい値に充電するように構成された充電回路とを含む、請求項5に記載の低減スイッチオンスルーLDOレギュレータ。
【請求項７】
前記充電回路が、充電電流源に結合されたトリガスイッチを含む、請求項6に記載の低減スイッチオンスルーLDOレギュレータ。
【請求項８】
前記パスゲート制御信号を前記パスゲートの制御ゲートに搬送するパスゲート制御線(257)をさらに備え、前記パスゲート無効化回路が、2位置スイッチ(270)を備え、前記2位置スイッチが、無効位置および動作位置を有し、前記無効位置が前記パスゲートを無効にする電圧(Vdd)への前記制御ゲートの短絡を提供し、前記動作位置が前記制御ゲートの短絡を提供せず、前記2位置スイッチが、ST_OFF/ONのオン-オフ状態に基づいて、前記無効位置と前記動作位置との間で切り替わるように構成された、請求項1に記載の低減スイッチオンスルーLDOレギュレータ。
【請求項９】
差動入力部を有する差動増幅器(204)によって制御されるパスゲート(M9)と、前記差動入力部のうちの1つによって制御されるトランジスタ(M2、M4)とを用いて、低減スイッチオンスルー低ドロップアウト(LDO)調整するための方法であって、
バイアス電流（I_ON）で前記トランジスタをバイアスするステップであって、前記バイアス電流がフルスルーバイアス電流である、ステップと、
前記差動入力部に、基準電圧(Vref)と、前記パスゲートの出力(Vout)のフィードバック(110)とを提供するステップと
システムオン/オフ信号(ST_ON/OFF)のオン-オフ遷移に応答して、前記フィードバックを無効にし、前記バイアス電流を、フルスルーバイアス電流よりも低いスルー制限バイアス電流(I_SB)に切り替える(M20、256)ステップと、
ST_ON/OFFのオフ-オン遷移に応答して、前記差動増幅器への前記フィードバックを可能にするステップと、
前記オフ-オン遷移から低減スルー期間だけ遅延した時間に、バイアス印加のための前記バイアス電流を前記フルスルーバイアス電流に切り替えるステップであって、前記遅延時間が、充電切り替えトランジスタ(M20)の制御下で、遅延キャパシタ(C2)を充電する電流源(260)によって実現される、ステップと
を含み、
前記フルスルーバイアス電流で前記トランジスタをバイアスするために前記バイアス印加を切り替える前記ステップが、前記オフ-オン遷移に応答して、遅延キャパシタ(C1)の充電を開始するステップと、前記遅延キャパシタが所与のしきい値電圧レベルに達したことに応答して、前記フルスルーバイアス電流で前記トランジスタをバイアスするように前記バイアス印加を切り替える前記ステップを行うステップとを含む、方法。
【請求項１０】
差動入力部を有する差動増幅器(204)によって制御されるパスゲート(M9)と、前記差動入力部のうちの1つによって制御されるトランジスタ(M2、M4)とを用いて、低減スイッチオンスルー低ドロップアウト(LDO)調整するための方法であって、
バイアス電流（I_ON）で前記トランジスタをバイアスするステップであって、前記バイアス電流がフルスルーバイアス電流である、ステップと、
前記差動入力部に、基準電圧(Vref)と、前記パスゲートの出力(Vout)のフィードバック(110)とを提供するステップと、
システムオン/オフ信号(ST_ON/OFF)のオン-オフ遷移に応答して、前記フィードバックを無効にし、前記バイアス電流を、フルスルーバイアス電流よりも低いスルー制限バイアス電流(I_SB)に切り替える(M20、256)ステップと、
ST_ON/OFFのオフ-オン遷移に応答して、前記差動増幅器への前記フィードバックを可能にするステップと、
前記オフ-オン遷移から低減スルー期間だけ遅延した時間に、バイアス印加のための前記バイアス電流を前記フルスルーバイアス電流に切り替えるステップであって、前記遅延時間が、充電切り替えトランジスタ(M20)の制御下で、遅延キャパシタ(C2)を充電する電流源(260)によって実現される、ステップとを含み、
前記フルスルーバイアス電流で前記トランジスタをバイアスするステップが、
ST_ON/OFFのオン状態に応答して、オンレベルのバイアス電流源制御信号を生成するステップと、
前記オンレベルの前記バイアス電流源制御信号に基づいて、前記トランジスタに結合された電流源(252)を制御するステップと
を含む、方法。
【請求項１１】
請求項9または10に記載の方法を実行するための手段を備える装置。