(57)【要約】【課題】高い保磁力と、高いＳＮＲを有する磁気記録媒体、並びに、そのような磁気記録媒体を備えた大容量の磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】少なくとも基板１０１の上に、複数の下地層１０３，１０４と、Ｌ１０構造を有する合金を主成分とした磁性層１０５とが順に積層されてなり、複数の下地層１０３，１０４のうち少なくとも１つの下地層１０４が、ＴｉＯからなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板の上に、複数の下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を主成分とした磁性層とが順に積層されてなり、
前記複数の下地層のうち少なくとも１つの下地層が、ＴｉＯからなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記ＴｉＯからなる下地層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、若しくは、これらのうち何れかを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕのうち少なくとも１種又は複数種を含有する合金からなると共に、ＢＣＣ構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記ＴｉＯからなる下地層は、Ｂ２構造を有するＮｉＡｌ又はＲｕＡｌからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記ＴｉＯからなる下地層は、ＮａＣｌ構造を有するＴｉＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣ、ＮｉＯ、ＭｇＯの中から選ばれる下地層の上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記ＴｉＯからなる下地層の上に、ＮａＣｌ構造を有するＴｉＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣ、ＮｉＯ、ＭｎＯ、ＭｇＯの中から選ばれる下地層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記磁性層は、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ又はＣｏＰｔ合金を主成分とし、更にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃのうち少なくとも１種又は複数種を含有していることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と、前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路とを有して、前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、
前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等に用いられる磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＨＤＤに対する大容量化の要求が益々高まっている中で、現行の記録容量を飛躍的に向上させる次世代の記録方式として、熱アシスト記録が注目されている。
【０００３】
この熱アシスト記録は、磁気記録媒体に近接場光を照射し、その表面を局所的に加熱して磁性層の保磁力を一時的に低下させて書き込みを行うものであり、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ２クラスの面記録密度が実現可能とされている。
【０００４】
このような熱アシスト記録に用いられる磁気記録媒体（熱アシスト磁気記録媒体）としては、磁性層にＬ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔ合金や、同じくＬ１０型結晶構造を有するＣｏＰｔ合金を用いた磁気記録媒体を挙げることができる。
【０００５】
これらＬ１０型結晶構造を有する規則合金は、１０６Ｊ／ｍ３台の高い結晶磁気異方性Ｋｕを有するため、熱安定性を維持したまま、磁性粒径を６ｎｍ程度以下まで微細化できる。これにより、熱安定性を維持したまま、媒体ノイズを大幅に低減することが可能である。
【０００６】
ところで、高い垂直磁気異方性を有する熱アシスト磁気記録媒体を得るためには、磁性層に用いられるＬ１０型規則合金が良好な（００１）配向をとる必要がある。また、これを実現するためには、下地層に適切な材料を用いる必要があり、例えば、下記特許文献１には、ＭｇＯからなる下地層の上に、Ｌ１０型結晶構造を有するＦｅＰｔからなる磁性層を形成することで、磁性層が（００１）配向をとることが開示されている。
【０００７】
ＭｇＯは、ＮａＣｌ構造を有し、その格子定数が０．４２１ｎｍであり、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ合金のａ軸長と近いため、（１００）配向したＭｇＯ下地層の上に、ＦｅＰｔ磁性層を形成することで、この磁性層に（００１）配向をとらせることが可能である。
【０００８】
また、下記非特許文献１には、下地層にＴｉＮを用いることや、下記特許文献２には、下地層にＣｒＮを用いることが開示されている。これらＴｉＮ及びＣｒＮは、ＭｇＯと同様に、ＮａＣｌ構造を有し、その格子定数もＭｇＯと近い。したがって、ＭｇＯの場合と同様に、ＦｅＰｔ磁性層に（００１）配向をとらせることが可能である。
【０００９】
さらに、下記非特許文献２には、ＲｕＡｌ下地層の上に１ｎｍ程度の薄いＰｔを介してＦｅＰｔ磁性層を形成することによって、磁性層が（００１）配向を取ることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−３５３６４８号公報
【特許文献２】米国特許第７８２９２０８号明細書
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ２５（６），１８９２−１８９５（２００７）
【非特許文献２】Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９７，１０Ｈ３０１（２００５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように、磁性層を構成するＬ１０型ＦｅＰｔ合金の規則度を高め、且つ、良好な（００１）配向をとらせることが、高い保磁力と、高いＳＮＲを有する磁気記録媒体を得る上で重要な課題となっている。
【００１３】
しかしながら、上記課題は、下地層に、上述したＭｇＯや、ＴｉＮ、ＣｒＮ等を用いることによって、ある程度は改善できるものの、依然として不十分である。したがって、下地層に適した新規材料の開発を行うことで、Ｌ１０型ＦｅＰｔ合金の規則度を高め、且つ、（００１）配向性を更に高める必要がある。
【００１４】
本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、高い保磁力と、高いＳＮＲを有する磁気記録媒体、並びに、そのような磁気記録媒体を備えた大容量の磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、以下の手段を提供する。
（１）  少なくとも基板の上に、複数の下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を主成分とした磁性層とが順に積層されてなり、
前記複数の下地層のうち少なくとも１つの下地層が、ＴｉＯからなることを特徴とする磁気記録媒体。
（２）  前記ＴｉＯからなる下地層は、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、若しくは、これらのうち何れかを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕのうち少なくとも１種又は複数種を含有する合金からなると共に、ＢＣＣ構造を有する下地層の上に形成されていることを特徴とする前項（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）  前記ＴｉＯからなる下地層は、Ｂ２構造を有するＮｉＡｌ又はＲｕＡｌからなる下地層の上に形成されていることを特徴とする前項（１）に記載の磁気記録媒体。
（４）  前記ＴｉＯからなる下地層は、ＮａＣｌ構造を有するＴｉＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣ、ＮｉＯ、ＭｇＯの中から選ばれる下地層の上に形成されていることを特徴とする前項（１）に記載の磁気記録媒体。
（５）  前記ＴｉＯからなる下地層の上に、ＮａＣｌ構造を有するＴｉＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣ、ＮｉＯ、ＭｎＯ、ＭｇＯの中から選ばれる下地層が形成されていることを特徴とする前項（１）に記載の磁気記録媒体。
（６）  前記磁性層は、Ｌ１０構造を有するＦｅＰｔ又はＣｏＰｔ合金を主成分とし、更にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃのうち少なくとも１種又は複数種を含有していることを特徴とする前項（１）〜（５）の何れか一項に記載の磁気記録媒体。
（７）  前項（１）〜（６）の何れか一項に記載の磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、
前記磁気記録媒体を加熱するレーザー発生部と、前記レーザー発生部から発生したレーザー光を先端部へと導く導波路とを有して、前記磁気記録媒体に対する記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対移動させるヘッド移動部と、
前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号の再生とを行う記録再生信号処理系とを備える磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、本発明によれば、高い保磁力と、高いＳＮＲを有する磁気記録媒体、並びに、そのような磁気記録媒体を備えた大容量の磁気記録再生装置を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施例において作製した磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図２】第２の実施例において作製した磁気記録媒体の層構成を示す断面図である。
【図３】第４の実施例において用いた磁気記録再生装置の構成を示す斜視図である。
【図４】図３に示す磁気記録再生装置が備える磁気ヘッドの構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を適用した磁気記録媒体及び磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに必ずしも限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。
【００１９】
本発明を適用した磁気記録媒体は、少なくとも基板の上に、複数の下地層と、Ｌ１０構造を有する合金を主成分とした磁性層とが順に積層されてなり、複数の下地層のうち少なくとも１つの下地層が、ＴｉＯからなることを特徴とする。
【００２０】
ＴｉＯは、格子定数が０．４１８ｎｍのＮａＣｌ構造をとる。このため、（１００）配向したＴｉＯ下地層の上に、４５０−６００℃以上の高温で、ＦｅＰｔ合金からなる磁性層を形成することによって、このＦｅＰｔ合金に良好なＬ１０規則度と、（００１）配向性をとらせることが可能である。
【００２１】
本発明では、上記ＴｉＯ下地層に（１００）配向をとらせるために、（１００）配向したＣｒ又はＣｒ合金からなる下地層の上に、上記ＴｉＯ下地層を形成することが望ましい。また、Ｃｒ合金としては、例えば、ＣｒＴｉ、ＣｒＶ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ、ＣｒＭｎ、ＣｒＲｕなどを用いることができる。
【００２２】
上記Ｃｒ又はＣｒ合金下地層は、例えば、Ｃｒ−５０ａｔ％Ｔｉや、Ｎｉ−５０ａｔ％Ｔａなどの非晶質合金からなるシード層の上に、１５０℃以上の高温で形成することが望ましい。これにより、上記Ｃｒ又はＣｒ合金下地層に良好な（１００）配向をとらせることが可能である。
【００２３】
上記非晶質シード層は、非晶質合金であれば特に制限はなく、例えば、Ｃｏ−５０ａｔ％Ｔｉ、Ｃｏ−５０ａｔＴａ、Ｃｒ−５０ａｔ％Ｔｉ、Ａｌ−５０％Ｔｉ合金などを用いることができる。
【００２４】
また、上記Ｃｒ又はＣｒ合金層と上記ＴｉＯ下地層の間には、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、若しくは、これらのうち何れかを主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｕのうち少なくとも１種又は複数種を含有する合金からなると共に、ＢＣＣ構造を有する合金からなる下地層を形成してもよい。これにより、磁性層を構成するＬ１０型ＦｅＰｔ合金の規則度を高め、且つ、良好な（００１）配向をとらせることが可能である。
【００２５】
また、本発明では、上記ＴｉＯ下地層に（１００）配向をとらせるために、（１００）配向したＢ２構造を有するＮｉＡｌ又はＲｕＡｌからなる下地層の上に、上記ＴｉＯ下地層を形成してもよい。
【００２６】
この場合も、エピタキシャル成長により、上記ＴｉＯ下地層に良好な（１００）配向をとらせることができる。また、上記ＮｉＡｌ又はＲｕＡｌ下地層についても、上記Ｃｒ又はＣｒ合金下地層と同様に、上記非晶質シード層の上に形成することによって、良好な（１００）配向をとらせることが可能である。
【００２７】
この場合、上記ＮｉＡｌ又はＲｕＡｌ下地層に良好な（１００）配向をとらせるためには、上記非晶質シード層の上に、１５０℃以上の高温で形成することが望ましいものの、このような基板加熱を省略することも可能である。
【００２８】
また、本発明では、上記ＴｉＯ下地層に（１００）配向をとらせるために、（１００）配向したＮａＣｌ構造を有するＴｉＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣ、ＮｉＯ、ＭｎＯ、ＭｇＯのうち何れかからなる下地層の上に、上記ＴｉＯ下地層を形成してもよい。
【００２９】
この場合も、エピタキシャル成長により、上記ＴｉＯ下地層に良好な（１００）配向をとらせることが可能である。
【００３０】
さらに、上記ＴｉＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣ、ＮｉＯ、ＭｎＯ、ＭｇＯ下地層に良好な（１００）配向をとらせるためには、これらの下地層を、（１００）配向した上記Ｃｒ又はＣｒ合金下地層や、上記ＮｉＡｌ又はＲｕＡｌ下地層の上に形成すればよい。
【００３１】
また、本発明では、上記ＴｉＯ下地層の上に、ＮａＣｌ構造を有するＴｉＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣ、ＮｉＯ、ＭｎＯ、ＭｇＯのうち何れかからなる下地層を形成することができる。
【００３２】
この場合、エピタキシャル成長により、上記ＴｉＮ、ＣｒＮ、ＴｉＣ、ＮｉＯ、ＭｎＯ、ＭｇＯ下地層に良好な（１００）配向をとらせることが可能である。したがって、これら（１００）配向した下地層の上に、Ｌ１０型ＦｅＰｔ合金をエピタキシャル成長させることによって、ＦｅＰｔ合金に良好なＬ１０規則度と、（００１）配向性をとらせることが可能である。
【００３３】
上記ＴｉＯ下地層は、ＴｉＯ複合ターゲットをＤＣ放電又はＲＦ放電させるによって形成することが可能である。また、ＴｉターゲットをＡｒと酸素の混合ガス雰囲気中でＤＣ放電させるによって形成してもよい。
【００３４】
上記ＴｉＯ下地層は、ＮａＣｌ構造を有するＴｉＯのみで構成されることが望ましいものの、ＴｉＯ２やＴｉ２Ｏ３などの他のＴｉ酸化物が若干量混在していてもよい。具体的には、ＸＲＤプロファイルにおいて、ＴｉＯ以外の上記Ｔｉ酸化物からの回折ピークが観察されても、該ピークのピーク強度が、ＴｉＯの（２００）ピーク強度の概ね３０％以下であれば特に問題はなく、良好な磁気特性を得ることが可能である。
【００３５】
本発明では、（１００）配向したＴｉＯ下地層を形成した後に、Ｆｅ−５０ａｔ％Ｐｔ合金からなる磁性層を形成することによって、このＦｅＰｔ合金に良好なＬ１０規則度と、（００１）配向性をとらせることが可能である。
【００３６】
但し、ＦｅＰｔ合金を形成する前に、４５０℃以上の基板加熱を行う必要がある。すなわち、ＦｅＰｔ合金のＬ１０規則度を高めるためには、このＦｅＰｔ合金をできる限り高い基板温度で形成することが望ましい。一方、上記基板にガラス基板を用いた場合の耐熱性を考慮すると、６５０℃以下が望ましい。
【００３７】
また、ＦｅＰｔ合金に、例えばＡｇ、Ｎｉ、Ｃｕなどを添加すると、規則化温度を低減できるため、上記基板温度を低く設定することが可能となる。但し、これらの添加量は、１０ａｔ％以下とすることが望ましい。１０ａｔ％を超えて添加すると、磁気異方性定数が低下し、保磁力が低下するため好ましくない。
【００３８】
本発明では、上記ＦｅＰｔ合金からなる磁性層中の磁性結晶粒を磁気的に分断するため、更にＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ、ＴｉＯ、ＺｎＯ、Ｃのうち少なくとも１種又は複数種を磁性層に含有させてもよい。また、磁性粒子間の交換結合を十分に低減するためには、これらの含有量を２０体積％以上とすることが望ましい。
【００３９】
なお、上記磁性層には、上記Ｌ１０型ＦｅＰｔ合金の代わりに、Ｌ１０型ＣｏＰｔ合金を用いてもよい。この場合も、Ｌ１０型ＦｅＰｔ合金と同様に、ＣｏＰｔ合金に良好なＬ１０規則度と、（００１）配向性をとらせることが可能である。
【００４０】
上記磁性層の上には、保護層が形成されており、この保護層には、ＤＬＣ膜を用いることが望ましい。ＤＬＣ膜は、ＣＶＤ法やイオンビーム法などを用いて形成することができる。また、保護層の厚みは、１ｎｍ以上６ｎｍ以下であることが望ましい。保護層の厚みが１ｎｍを下回ると、磁気ヘッドの浮上特性が劣化するため好ましくない。一方、保護層の厚みが６ｎｍを上回ると、磁気スペーシングが大きくなり、ＳＮＲが悪化するので好ましくない。
【００４１】
熱アシスト記録では、記録時に加熱された磁性層の冷却速度が遅いと、磁化遷移幅が広がりＳＮＲが劣化するため、磁性層は速やかに冷却される必要がある。このため、本発明を適用した磁気記録媒体には、熱伝導率の高い材料からなるヒートシンク層を設けることが望ましい。このヒートシンク層としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、若しくはこれらの元素を主成分とする合金などを用いることができる。
【００４２】
また、本発明を適用した磁気記録媒体には、上記ヒートシンク層以外にも、軟磁性下地層（ＳＵＬ）や、配向制御、粒径制御などを目的とした複数の下地層を設けてもよい。
【００４３】
軟磁性下地層を形成する場合は、この軟磁性下地層と磁性層との距離をできる限り狭くして磁界勾配を高めるため、軟磁性下地層をヒートシンク層の上側（磁性層側）に形成することが望ましい。但し、ヒートシンク層の膜厚が薄い（概ね５０ｎｍ以下）場合は、ＳＵＬをヒートシンク層の下側（基板側）に形成してもよい。ＳＵＬをヒートシンク層の上側に形成する場合は、この軟磁性下地層と磁性層の間に１〜３０ｎｍ程度の中間層を形成し、磁界勾配と磁界強度を最適化することが望ましい。
【００４４】
また、軟磁性下地層には、例えば、ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＦｅＴａＢ、ＣｏＦｅＴａＳｉ、ＣｏＦｅＴａＺｒなどの非晶質合金、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなどの微結晶合金、ＮｉＦｅなどの多結晶合金等を用いることができる。軟磁性下地層は、上記合金からなる単層膜でもよいし、適切な膜厚のＲｕ層を挟んで反強磁性結合した積層膜でもよい。
【００４５】
以上のように、本発明を適用した磁気記録媒体は、高い結晶磁気異方性Ｋｕを有するため、熱安定性を維持したまま、磁性層の磁性粒径を６ｎｍ以下まで微細化できる。これにより、媒体ノイズを大幅に低減でき、高い媒体ＳＮＲを得ることが可能である。
【００４６】
また、この磁気記録媒体に対して熱アシスト記録を行う際は、その表面を局所的に加熱して磁性層の保磁力を一時的に低下させて書き込みを行う。この場合、磁性層の異方性磁界を低減できるため、現行のヘッド磁界でも容易に記録を行うことが可能である。
【００４７】
なお、本発明を適用した磁気記録媒体は、熱アシスト記録に限ったものではない。例えば、ヘッドに搭載された高周波発生素子から発生した高周波印加により記録する高周波アシスト磁気記録媒体として使用することもできる。この高周波アシスト記録の場合は、高周波印加により磁性層の反転磁界を大幅に低減できるため、熱アシスト記録の場合と同様に、熱安定性に優れた高Ｋｕ媒体を用いることが可能である。
【実施例】
【００４８】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することができる。
【００４９】
［第１の実施例］
（実施例１−１〜１−６）
第１の実施例において作製した磁気記録媒体の層構成を図１に示す。
この図１に示す磁気記録媒体を作製する際は、先ず、２．５インチのガラス基板１０１の上に、接着層１０２として３０ｎｍのＣr−５０ａｔ％Ｔｉを形成した後、２２０℃の基板加熱を行い、層厚１５ｎｍのＣｒ−１２ａｔ％Ｔｉ（実施例１−１）、Ｃｒ−３０ａｔ％Ｍｏ（実施例１−２）、Ｃｒ−１０ａｔ％Ｍｎ（実施例１−３）、Ｃｒ−８ａｔ％Ｒｕ（実施例１−４）、Ｎｉ−５０ａｔ％Ａｌ（実施例１−５）、Ｒｕ−５０ａｔ％Ａｌ（実施例１−６）からなる第１の下地層１０３をそれぞれ形成した。なお、これら第１の下地層１０３は、この上に形成される第２の下地層１０４の配向を制御するための配向制御層である。
【００５０】
次に、各第１の下地層１０３の上に、層厚２ｎｍのＴｉＯからなる第２の下地層１０４を形成し、６００℃の基板加熱を行った後、層厚１０ｎｍの（Ｆｅ−４７ａｔ％Ｐｔ）−１２ｍｏｌ％ＴｉＯ２からなる磁性層１０５を形成した。
【００５１】
次に、磁性層１０５の上に、層厚３ｎｍのＤＬＣ膜からなる保護膜１０６を形成することによって、実施例１−１〜１−６の磁気記録媒体を作製した。
【００５２】
（比較例１−１〜１−６）
比較例１−１〜１−６では、上記ＴｉＯからなる第２の下地層１０４を形成しなかった以外は、それぞれ実施例１−１〜１−６と同様の磁気記録媒体を作製した。
【００５３】
そして、これら実施例１−１〜１−６及び比較例１−１〜１−６の磁気記録媒体について、Ｘ線回折による測定を行ったところ、全ての磁気記録媒体の磁性層から、Ｌ１０−ＦｅＰｔ（００１）ピークと、Ｌ１０−ＦｅＰｔ（００２）ピークとＦＣＣ−ＦｅＰｔ（２００）ピークの混合ピークのみが観察された。
【００５４】
また、Ｌ１０−ＦｅＰｔ（００２）ピークとＦＣＣ−ＦｅＰｔ（２００）ピークの混合ピーク強度（Ｉ００２＋Ｉ２００）に対するＬ１０−ＦｅＰｔ（００１）ピーク強度Ｉ００１の比率Ｉ００１／（Ｉ００２＋Ｉ２００）を以下の表１に示す。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
表１に示すように、実施例１−１〜１−６の磁気記録媒体では、何れもピーク強度比が１．８以上の高い値を示した。この測定結果から、実施例１−１〜１−６の磁気記録媒体では、磁性層１０５を構成するＬ１０−ＦｅＰｔ合金が良好な規則度を有していることがわかる。
【００５７】
特に、実施例１−１（ＣｒＴｉ）、実施例１−２（ＣｒＭｏ）、実施例１−３（ＣｒＭｎ）及び実施例１−４（ＣｒＲｕ）の第１の下地層１０３を有する磁気記録媒体において、高いピーク強度比を示した。
【００５８】
また、実施例１−１（ＣｒＴｉ）、実施例１−２（ＣｒＭｏ）、実施例１−３（ＣｒＭｎ）及び実施例１−４（ＣｒＲｕ）の第１の下地層１０３からは、ＢＣＣ（２００）ピークのみが観察され、実施例１−５（ＮｉＡｌ）と実施例１−６（ＲｕＡｌ）の第１の下地層１０３からは、強いＢ２（１００）ピークと、弱いＢ２（２００）ピークのみが観察された。
【００５９】
したがって、この測定結果から、実施例１−１〜１−６の磁気記録媒体では、第１の下地層１０３が何れも良好な（１００）配向をとっていることがわかる。
【００６０】
また、何れの接着層１０２からも、明瞭な回折ピークが観察されなかった。このことから、接着層は、非晶質構造のＣｒＴｉであると考えられる。
【００６１】
なお、実施例１−１〜１−６の第２の下地層１０４からは、明瞭な回折ピークが観察されなかったが、これは膜厚が２ｎｍと薄いためであり、磁性層１０５を構成するＦｅＰｔ合金が良好な（００１）配向を示していることから、この第２の下地層１０４も良好な（１００）配向をとっていると考えられる。
【００６２】
次に、実施例１−１〜１−６及び比較例１−１〜１−６の磁気記録媒体について、ＰＰＭＳにより７Ｔの磁界を印加して室温にて各磁性層１０５の保磁力Ｈｃを測定したところ、実施例１−１〜１−６の磁気記録媒体において、何れも保磁力Ｈｃが３０．０ｋＯｅ以上の高い値を示した。
【００６３】
これは、上述のように、実施例１−１〜１−６の磁気記録媒体において、磁性層１０５を構成するＬ１０−ＦｅＰｔ合金が良好な規則度を有しているためと考えられる。特に、実施例１−５（ＮｉＡｌ）と実施例１−６（ＲｕＡｌ）の第１の下地層１０３を有する磁気記録媒体において、高い保磁力Ｈｃを示した。
【００６４】
一方、比較例１−１〜１−６の磁気記録媒体では、表１に示すように、何れもピーク強度比が１．５以下となり、実施例１−１〜１−６の磁気記録媒体に比べてピーク強度比の値が大幅に低かったことがわかる。また、保磁力Ｈｃについても、何れも２０．０ｋＯｅ以下と極めて低い値を示した。
【００６５】
以上のことから、ＢＣＣ構造を有するＣｒ合金、又は、はＢ２構造を有する合金からなる第１の下地層１０３の上に、ＴｉＯからなる第２の下地層１０４を形成することによって、磁性層１０５を構成するＬ１０−ＦｅＰｔ合金の規則度が向上し、高い保磁力Ｈｃを有する熱アシスト磁気記録媒体が得られることがわかった。
【００６６】
［第２の実施例］
（実施例２−１〜２−５）
第２の実施例で作製した磁気記録媒体の層構成を図２に示す。
この図２に示す磁気記録媒体を作製する際は、先ず、２．５インチのガラス基板２０１の上に、層厚５ｎｍのＡｌ−５０ａｔ％Ｔｉからなる接着層２０２と、層厚２５ｎｍのＡｇ−５ａｔ％Ｐｄからなるヒートシンク層２０３と、層厚２０ｎｍのＣｒ−５０ａｔ％Ｔｉからなるシード層２０４とを順に形成した後、２５０℃の基板加熱を行い、層厚１０ｎｍのＲｕＡｌからなる第１の下地層２０５を形成した。
【００６７】
次に、第１の下地層２０５の上に、層厚５ｎｍのＴｉＮ（実施例２−１）、ＣｒＮ（実施例２−２）、ＴｉＣ（実施例２−３）、ＮｉＯ（実施例２−４）、ＭｇＯ（実施例２−５）からなる第２の下地層２０６をそれぞれ形成した。
【００６８】
次に、各第２の下地層２０６の上に、層厚２ｎｍのＴｉＯからなる第３の下地層２０７を形成した後、５７０℃の基板加熱を行い、層厚９ｎｍの（Ｆｅ−４７ａｔ％Ｐｔ−３ａｔ％Ｃｕ）−４０ａｔ％Ｃからなる磁性層２０８を形成した。
【００６９】
次に、磁性層２０８の上に、層厚３ｎｍのＤＬＣ膜からなる保護層２０９を形成することによって、実施例２−１〜２−５の磁気記録媒体を作製した。
【００７０】
（比較例２−１〜２−５）
比較例２−１〜２−５では、上記ＴｉＯからなる第３の下地層２０７を形成しなかった以外は、それぞれ実施例２−１〜２−５と同様の磁気記録媒体を作製した。
【００７１】
そして、これら実施例２−１〜２−５及び比較例２−１〜２−５の磁気記録媒体について、上記第１の実施例の場合と同様の方法を用いて、ピーク強度比Ｉ００１／（Ｉ００２＋Ｉ２００）と、保磁力Ｈｃとの測定を行った。その測定結果を表２に示す。
【００７２】
【表２】
2013149328.tif 000004
【００７３】
表２に示すように、実施例２−１〜２−５の磁気記録媒体では、何れもピーク強度比が２以上の高い値を示した。この測定結果から、実施例２−１〜２−５の磁気記録媒体では、磁性層２０８を構成するＬ１０−ＦｅＰｔ合金が良好な規則度を有していることがわかる。
【００７４】
また、実施例２−１〜２−５の磁気記録媒体において、何れも保磁力Ｈｃが３５ｋＯｅ以上の高い値を示した。これは、上述のように、実施例２−１〜２−５の磁気記録媒体において、磁性層２０８を構成するＬ１０−ＦｅＰｔ合金が極めて良好な規則度を有しているためと考えられる。
【００７５】
一方、比較例２−１〜２−５の磁気記録媒体では、表２に示すように、何れもピーク強度比が１．５以下の低い値を示し、保磁力Ｈｃについても、何れも２０．０ｋＯｅ以下と極めて低い値を示した。
【００７６】
以上のことから、ＢＣＣ構造を有する第１の下地層２０５と、ＮａＣｌ構造を有する第２の下地層２０６と、ＴｉＯからなる第３の下地層２０７とから構成される複数の下地層構造とすることによって、磁性層２０８を構成するＬ１０−ＦｅＰｔ合金の規則度が向上し、高い保磁力Ｈｃを有する熱アシスト磁気記録媒体が得られることがわかった。
【００７７】
［第３の実施例］
（実施例３−１〜３−５）
上記実施例１−３と同様の層構成に加えて、上記第２の下地層１０４と上記磁性層１０５の間に、層厚５ｎｍのＴｉＮ（実施例３−１）、ＣｒＮ（実施例３−２）、ＴｉＣ（実施例３−３）、ＮｉＯ（実施例３−４）、ＭｇＯ（実施例３−５）からなる第３の下地層をそれぞれ形成した磁気記録媒体を作製した。
【００７８】
そして、これら実施例３−１〜３−５の磁気記録媒体について、保磁力Ｈｃと、規格化保磁力分散ΔＨｃ／Ｈｃの測定を行った。その測定結果を表３に示す。
【００７９】
【表３】
2013149328.tif 000005
【００８０】
なお、保磁力Ｈｃについては、上記第１の実施例の場合と同様の方法を用いて測定を行った。また、ΔＨｃ／Ｈｃについては、「ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｍａｇｎ．，  ｖｏｌ．２７，  ｐｐ４９７５−４９７７，  １９９１」に記載の方法を用いて測定を行った。
【００８１】
具体的には、メジャーループ及びマイナーループにおいて、磁化の値が飽和値の５０％となるときの磁界を測定し、両者の差分から反転磁界分布がガウス分布であると仮定してΔＨｃ／Ｈｃの算出を行った。また、ΔＨｃ／Ｈｃは、反転磁界分布の半値幅に相当するパラメータであり、この値が低いほど、ＳＦＤが狭くなり、良好な媒体ＳＮＲが得られる。
【００８２】
表３に示すように、実施例３−１〜３−５の磁気記録媒体では、何れも上記実施例１−３の磁気記録媒体と同様に、Ｈｃが３０ｋＯｅ以上の高い値を示した。また、ΔＨｃ／Ｈｃは、０．３５以下と上記実施例１−３の磁気記録媒体よりも狭い値を示した。
【００８３】
これにより、上記第２の下地層１０４と上記磁性層１０５の間に、実施例３−１（ＴｉＮ）、実施例３−２（ＣｒＮ）、実施例３−３（ＴｉＣ）、実施例３−４（ＮｉＯ）、実施例３−５（ＭｇＯ）の第３の下地層を設けることによって、ΔＨｃ／Ｈｃを更に低減し、反転磁界分布の狭い熱アシスト磁気記録媒体が得られることがわかった。特に、実施例３−５（ＭｇＯ）の第３の下地層を有する磁気記録媒体において、低いΔＨｃ／Ｈｃを示した。
【００８４】
［第４の実施例］
第４の実施例では、上記実施例１−１〜１−５及び比較例１−１〜１−５の磁気記録媒体の表面にパーフルオルポリエーテル系の潤滑剤を塗布した後、図３に示す磁気記録再生装置に組み込んだ。
【００８５】
この磁気記録再生装置は、図３に示すように、磁気記録媒体３０１と、磁気記録媒体３０１を回転させるための媒体駆動部３０２と、磁気記録媒体３０１に対して記録動作と再生動作とを行う磁気ヘッド３０３と、磁気ヘッド３０３を磁気記録媒体３０１に対して相対移動させるためのヘッド駆動部３０４と、磁気ヘッド３０３への信号入力と磁気ヘッド３０３からの出力信号の再生とを行うための記録再生信号処理系３０５とから概略構成される。
【００８６】
また、上記磁気記録再生装置に組み込んだ磁気ヘッド３０３の構造を図４に模式的に示す。この磁気ヘッド３０３は、主磁極４０１と、補助磁極４０２と、磁界を発生させるためのコイル４０３と、レーザーダイオード（ＬＤ）４０４と、ＬＤから発生したレーザー光Ｌを近接場発生素子４０５まで伝達するための導波路４０６とを備える記録ヘッド４０７と、一対のシールド４０８で挟み込まれたＴＭＲ素子等の再生素子４０９とを備える再生ヘッド４１０とから概略構成されている。
【００８７】
そして、この磁気記録再生装置では、磁気ヘッド３０３の近接場発生素子４０５から発生した近接場光を磁気記録媒体３０１に照射し、その表面を局所的に加熱して上記磁性層１０５の保磁力を一時的にヘッド磁界以下まで低下させて書き込みを行う。
【００８８】
そして、上記実施例１−１〜１−５及び比較例１−１〜１−５の磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置において、線記録密度１６００ｋＦＣＩ、トラック密度４５０ｋＦＣＩ（面記録密度７２０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２）の条件で記録動作を行い、そのエラーレートの測定を行った。その測定結果を表４に示す。
【００８９】
【表４】
2013149328.tif 000006
【００９０】
表４に示すように、実施例１−１〜１−５の磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置では、１×１０−７以下の低いエラーレートを示した。一方、比較例１−１〜１−５の磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置では、エラーレートが１×１０−４台であった。したがって、この測定結果から、本発明の磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録再生装置では、低いエラーレートが得られることがわかった。
【符号の説明】
【００９１】
１０１…ガラス基板  １０２…接着層  １０３…第１の下地層（配向制御層）  １０４…第２の下地層（ＴｉＯ）  １０５…磁性層  １０６…保護層
２０１…ガラス基板  ２０２…接着層  ２０３…ヒートシンク層  ２０４…シード層  ２０５…第１の下地層  ２０６…第２の下地層  ２０７…第３の下地層（ＴｉＯ）  ２０８…磁性層  ２０９…保護層
３０１…磁気記録媒体  ３０２…媒体駆動部  ３０３…磁気ヘッド  ３０４…ヘッド駆動部  ３０５…記録再生信号処理系
４０１…主磁極  ４０２…補助磁極  ４０３…コイル  ４０４…レーザーダイオード（ＬＤ）  ４０５…近接場光発生部  ４０６…導波路  ４０７…記録ヘッド  ４０８…シールド  ４０９…再生素子  ４１０…再生ヘッド  Ｌ…レーザー光
【図１】
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【図２】
2013149328.tif 000008
【図３】
2013149328.tif 000009
【図４】
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