【手続補正書】
【提出日】平成28年10月26日(2016.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁場センサであって、
第１の面、第２の対向する面及び複数のリード線を有するリードフレームであって、前記複数のリード線のうちの少なくとも２つが互いに電気的に絶縁され、前記少なくとも２つのリード線の各々が細長い接続部及びダイ取り付け部を有する、リードフレームと、
磁場検知素子を支持し、非導電性取り付け機構によって、前記リードフレームの前記第１の面に隣接する前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部に取り付けられる半導体ダイと、
前記リードフレームに隣接して配置される別個に形成された強磁性素子と、
前記少なくとも２つのリード線に結合された受動部品と
を備え、前記複数のリード線のうちの少なくとも１つのリード線の前記ダイ取り付け部は、第２の部分から分離された第１の部分を有し、前記磁場センサは、前記ダイ取り付け部の前記第１の部分と前記第２の部分との間に結合された受動部品をさらに備える磁場センサ。
【請求項２】
前記強磁性素子は焼結された素子又は成形された素子のうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項３】
前記強磁性素子は前記リードフレームの前記第２の面に隣接して取り付けられる請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項４】
前記強磁性素子を前記リードフレームの前記第２の面に取り付けるための取り付け機構をさらに備える請求項３に記載の磁場センサ。
【請求項５】
前記取り付け機構は、非導電性接着剤、エポキシ、テープ、フィルム又はスプレーのうちの１つ又は複数を含む請求項４に記載の磁場センサ。
【請求項６】
前記強磁性素子はハード強磁性材料からなり、永久磁石を形成する、請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項７】
ソフト強磁性材料からなる第２の強磁性素子をさらに備える請求項６に記載の磁場センサ。
【請求項８】
前記第２の強磁性素子は、ハード強磁性材料を含む前記強磁性素子が配置される前記リードフレームの面とは反対側の前記リードフレームの面に隣接して配置される請求項７に記載の磁場センサ。
【請求項９】
前記第２の強磁性素子は、ハード強磁性材料を含む前記強磁性素子に隣接して配置される請求項７に記載の磁場センサ。
【請求項１０】
前記強磁性素子はソフト強磁性材料からなり、コンセントレータを形成する、請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１１】
ハード強磁性材料からなる第２の強磁性素子をさらに備える請求項１０に記載の磁場センサ。
【請求項１２】
前記半導体ダイ及び前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部を封入する非導電性型材をさらに備える請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１３】
前記受動部品はキャパシタである請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１４】
前記受動部品は前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部に結合される請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１５】
ダイ取り付け部のそれぞれの対間に各々が結合された少なくとも２つの受動部品をさらに備える請求項１４に記載の磁場センサ。
【請求項１６】
前記受動部品は前記少なくとも２つのリード線の前記接続部に結合される請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１７】
前記受動部品が抵抗である請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１８】
前記半導体ダイは、前記磁場検知素子が配置される第１の面と第２の対向する面とを有し、前記第２の対向する面は前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部に取り付けられる請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項１９】
第１の面、第２の対向する面及び複数のリード線を有するリードフレームであって、前記複数のリード線のうちの少なくとも２つは互いに電気的に絶縁され、前記少なくとも２つのリード線の各々が細長い接続部及びダイ取り付け部を有する、リードフレームと、
前記リードフレームの前記第１の面に隣接する前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部に取り付けられた磁石と、
磁場検知素子を支持し、前記磁石に取り付けられ、前記磁石によって前記リードフレームから間隔を空けられた半導体ダイと
を備える磁場センサ。
【請求項２０】
前記磁石は焼結された素子又は成形された素子のうちの少なくとも１つを含む請求項１９に記載の磁場センサ。
【請求項２１】
前記磁石を前記リードフレームの前記第２の面に取り付けるための取り付け機構をさらに備える請求項１９に記載の磁場センサ。
【請求項２２】
前記取り付け機構は、非導電性接着剤、エポキシ、テープ、フィルム又はスプレーのうちの１つ又は複数を含む請求項２１に記載の磁場センサ。
【請求項２３】
前記半導体ダイ及び前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部を封入する非導電性型材をさらに備える請求項１９に記載の磁場センサ。
【請求項２４】
前記複数のリード線のうちの少なくとも２つに結合された受動部品をさらに備える請求項１９に記載の磁場センサ。
【請求項２５】
前記受動部品はキャパシタである請求項２４に記載の磁場センサ。
【請求項２６】
前記受動部品は前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部に結合される請求項２４に記載の磁場センサ。
【請求項２７】
ダイ取り付け部のそれぞれの対間に各々が結合された少なくとも２つの受動部品をさらに備える請求項２６に記載の磁場センサ。
【請求項２８】
前記受動部品は前記少なくとも２つのリード線の前記接続部に結合される請求項２４に記載の磁場センサ。
【請求項２９】
前記複数のリード線のうちの少なくとも１つのリード線の前記ダイ取り付け部は、第２の部分から分離された第１の部分を有し、前記磁場センサは、前記ダイ取り付け部の前記第１の部分と前記第２の部分との間に結合された受動部品をさらに備える請求項１９に記載の磁場センサ。
【請求項３０】
前記受動部品が抵抗である請求項２９に記載の磁場センサ。
【請求項３１】
前記半導体ダイは、前記磁場検知素子が配置される第１の面と第２の対向する面とを有し、前記第２の対向する面は前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部に取り付けられる請求項１９に記載の磁場センサ。
【請求項３２】
前記半導体ダイは、前記磁場検知素子が配置される第１の面と第２の対向する面とを有し、前記第１の面は前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部に取り付けられる請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項３３】
前記磁場検知素子はホール効果素子を含む請求項１９に記載の磁場センサ。
【請求項３４】
前記磁場検知素子は、磁気抵抗素子を含む請求項１９に記載の磁場センサ。
【請求項３５】
前記磁気抵抗素子は、ＧＭＲ素子、ＡＭＲ素子、ＴＭＲ素子及びＭＴＪ素子のうちの１つ又は複数を含む請求項３４に記載の磁場センサ。
【請求項３６】
前記受動部品は、前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部に結合される請求項２９に記載の磁場センサ。
【請求項３７】
第１の面、第２の対向する面及び複数のリード線を有するリードフレームであって、前記複数のリード線のうちの少なくとも２つは互いに電気的に絶縁され、接続部及びダイ取り付け部を有する、リードフレームと、
磁場検知素子を支持し、前記リードフレームの前記第１の面に隣接する前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部に取り付けられる、半導体ダイと、
前記リードフレームの前記第２の面に隣接するハード強磁性素子と、
前記ハード強磁性素子に結合されてコンセントレータを形成するソフト強磁性素子と
を備える磁場センサ。
【請求項３８】
前記ソフト強磁性素子は、前記リードフレームの前記第２の面と前記ハード強磁性素子との間に配置される請求項３７に記載の磁場センサ。
【請求項３９】
前記ハード強磁性素子は、前記リードフレームの前記第２の面と前記ソフト強磁性素子との間に配置される請求項３７に記載の磁場センサ。
【請求項４０】
前記ハード強磁性素子は、焼結された素子又は成形された素子のうちの少なくとも１つを含む請求項３７に記載の磁場センサ。
【請求項４１】
前記ハード強磁性素子を前記リードフレームの前記第２の面に取り付けるための取り付け機構をさらに備える請求項３７に記載の磁場センサ。
【請求項４２】
前記取り付け機構は、非導電性接着剤、エポキシ、テープ、フィルム又はスプレーのうちの１つ又は複数を含む請求項４１に記載の磁場センサ。
【請求項４３】
前記半導体ダイ及び前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部を封入する非導電性型材をさらに備える請求項３７に記載の磁場センサ。
【請求項４４】
前記複数のリード線のうちの少なくとも２つに結合された受動部品をさらに備える請求項３７に記載の磁場センサ。
【請求項４５】
前記受動部品はキャパシタである請求項４４に記載の磁場センサ。
【請求項４６】
前記受動部品は前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部に結合される請求項４４に記載の磁場センサ。
【請求項４７】
ダイ取り付け部のそれぞれの対間に各々が結合された少なくとも２つの受動部品をさらに備える請求項４６に記載の磁場センサ。
【請求項４８】
前記受動部品は前記少なくとも２つのリード線の前記接続部に結合される請求項４４に記載の磁場センサ。
【請求項４９】
前記複数のリード線のうちの少なくとも１つのリード線の前記ダイ取り付け部は、第２の部分から分離された第１の部分を有し、前記磁場センサは、前記ダイ取り付け部の前記第１の部分と前記第２の部分との間に結合された受動部品をさらに備える請求項３７に記載の磁場センサ。
【請求項５０】
前記受動部品が抵抗である請求項４９に記載の磁場センサ。
【請求項５１】
前記磁場検知素子はホール効果素子を含む請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項５２】
前記磁場検知素子は磁気抵抗素子を含む請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項５３】
前記磁気抵抗素子は、ＧＭＲ素子、ＡＭＲ素子、ＴＭＲ素子及びＭＴＪ素子のうちの１つ又は複数を含む請求項５２に記載の磁場センサ。
【請求項５４】
前記受動部品は、前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部に結合される請求項４９に記載の磁場センサ。
【請求項５５】
前記取り付け機構は、非導電性接着剤、エポキシ、テープ、フィルム又はスプレーのうちの１つ又は複数を含む請求項３７に記載の磁場センサ。
【請求項５６】
前記少なくとも２つのリード線の前記ダイ取り付け部は互いに間隔を空けられる請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項５７】
前記半導体ダイによって支持される電気部品をさらに備える請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項５８】
前記複数のリード線のうちの少なくとも１つのリード線の前記ダイ取り付け部は、前記ダイ取り付け部の領域を互いから分離する分離機構を含む請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項５９】
前記ダイ取り付け部は少なくとも２つの分離機構を含み、前記半導体ダイから、前記少なくとも２つの分離機構の間の前記ダイ取り付け部の領域へ、電気的接続がなされる請求項５８に記載の磁場センサ。
【請求項６０】
前記磁場検知素子はホール効果素子を含む請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項６１】
前記磁場検知素子は磁気抵抗素子を含む請求項１に記載の磁場センサ。
【請求項６２】
前記磁気抵抗素子は、ＧＭＲ素子、ＡＭＲ素子、ＴＭＲ素子及びＭＴＪ素子のうちの１つ又は複数を含む請求項６１に記載の磁場センサ。
【請求項６３】
前記非導電性取り付け機構は、非導電性接着剤、エポキシ、テープ、フィルム又はスプレーのうちの１つ又は複数を含む請求項１に記載の磁場センサ。