(57)【要約】【課題】角型ウエハにマスク材膜を成膜する際の堆積物の付着に起因する膜厚ムラを抑制できる圧電振動片の製造方法、圧電振動片の製造装置を提供する。【解決手段】角型ウエハ６５の第１面６５ａに、圧電振動片の外形形成時のマスクとなるフォトレジスト膜８５ａをスピンコート法により成膜するフォトレジスト膜成膜工程を有し、フォトレジスト膜成膜工程は、スピンチャック７０のウエハ保持部７２の上面７２ａに角型ウエハ６５の第２面６５ｂを下方にして保持すると共に、ウエハ保持部７２の周囲に角型ウエハ６５の第２面６５に対向する整流板８８を配置し、角型ウエハ６５と整流板８８との間の空間Ｓをレジスト溶剤９４を含む溶剤雰囲気下に保持することを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
角型ウエハから圧電振動片を製造する圧電振動片の製造方法であって、
前記角型ウエハの一面に、前記圧電振動片の外形形成時のマスクとなるマスク材膜をスピンコート法により成膜するマスク材膜成膜工程を有し、
前記マスク材膜成膜工程は、スピンチャックのウエハ保持部の上面に前記角型ウエハの他面を下方にして保持すると共に、前記ウエハ保持部の周囲に前記角型ウエハの前記他面に対向する整流板を配置し、
前記角型ウエハと前記整流板との間を前記マスク材膜の溶剤を含む溶剤雰囲気下に保持することを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電振動片の製造方法であって、
前記整流板の上面には、上方に向けて開放されるとともに、前記溶剤を貯留する貯留部が形成され、
前記マスク材膜成膜工程では、前記貯留部内に貯留された前記溶剤を揮発させることで、前記角型ウエハの他面と前記整流板との間を前記溶剤雰囲気下に保持することを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の圧電振動片の製造方法であって、
前記マスク材膜成膜工程では、前記角型ウエハの前記他面と前記整流板の前記上面との間に前記整流板の径方向の内側から外側に向かって気流を発生させることを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の圧電振動片の製造方法であって、
前記角型ウエハと前記整流板との間に前記整流板の径方向の内側から外側に向かって気流を発生させると共に、その上流側から前記溶剤を前記気流に混在させることで、前記ウエハと前記整流板との間を前記溶剤雰囲気下に保持することを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４の何れか１項に記載の圧電振動片の製造方法であって、
前記角型ウエハの前記一面に前記マスク材膜を成膜した後、前記角型ウエハ前記一面及び前記他面の表裏を反転させて、前記他面上に対して再度前記マスク材膜成膜工程を行うことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５の何れか１項に記載の圧電振動片の製造方法であって、
前記マスク材膜は、ゴム系材料からなるネガレジストであることを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項７】
角型ウエハの一面に、圧電振動片の外形形成時のマスク材膜をスピンコート法により成膜する際に使用する圧電振動片の製造装置であって、
ウエハ保持部の上面で前記角型ウエハを保持して回転させるスピンチャックと、
前記ウエハ保持部の周囲に配置され、前記角型ウエハの他面に対向する整流板と、
前記角型ウエハと前記整流板との間を前記マスク材膜の溶剤を含む溶剤雰囲気下とする溶剤供給手段と、を備えていることを特徴とする圧電振動片の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、圧電振動片の製造方法、圧電振動片の製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として、水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが提供されているが、その１つとして、いわゆる音叉型の圧電振動片を有する圧電振動子が知られている。音叉型の圧電振動片は、幅方向に並んで配置された一対の振動腕部と、一対の振動腕部の長手方向の基端側を一体的に固定する基部と、を有する薄板状の水晶片である。
【０００３】
音叉型の圧電振動片の外形を形成する具体的な方法は以下のとおりである。
まず、圧電振動片を形成するウエハに、後の外形形成用のメタルマスクとなる金属膜をスパッタリング等により成膜する。次に、金属膜に重ねてフォトレジスト材を塗布してフォトレジスト膜（本願請求項の「マスク材膜」に相当）を成膜する。続いて、フォトリソグラフィ技術を用いてフォトレジスト膜をパターニングして、金属膜をエッチングするためのレジスト膜パターンを形成する。その後、レジスト膜パターンをレジストマスクとして金属膜をエッチングし、金属膜パターンを形成する。最後に、金属膜パターンをメタルマスクとして、ウエハをエッチングする。これにより、金属膜パターンで保護された領域以外のウエハが選択的に除去され、圧電振動片の外形形状が形成される。
【０００４】
上述した各工程のうち、ウエハの表面にフォトレジスト膜を成膜する方法として、スピンチャックを用いたスピンコート法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１によれば、スピンチャックによりウエハの中央部を負圧吸着した状態で高速回転させ、ウエハの上面に、フォトレジスト材を滴下している。これにより、フォトレジスト材が遠心力によって薄膜状に広がり、ウエハの上面にフォトレジスト膜が成膜される。
【０００５】
ここで、スピンチャック及びウエハが高速回転すると、ウエハの周面と空気との接触により、ウエハの下方に回り込む空気の乱流が発生する。この乱流の発生により、フォトレジスト材が滴下された際や、薄膜状に広がる際等に発生するフォトレジスト材のミスト等の浮遊物が、ウエハの下方に回り込み、スピンチャックからはみ出したウエハの下面に付着するおそれがある。
【０００６】
図１６は、従来の成膜装置を示す側面断面図である。
一般に、従来の成膜装置では、フォトレジスト材をウエハ外周から放射状に飛散させるため、ウエハ６５０の下方であってスピンチャック７０の周辺に整流板８８を設けることが知られている。整流板８８の上面８８ａには、乱流Ｆによる浮遊物のウエハ６５０の下方への回り込みを抑制するため、ウエハ６５０の外縁よりもウエハ６５０の径方向の内側において、ウエハ６５０と同心にフィン７５が一枚形成されている。フィン７５は、径方向の外側から径方向の内側へ向かう乱流Ｆを滞留させる壁となっており、乱流Ｆにより運ばれた浮遊物のウエハ６５０の下方への回り込みを抑制している。これにより、浮遊物のウエハ６５０の下面への付着を抑制し、フォトレジスト膜の膜厚がムラなく均一になるように成膜している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１５００５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、一般的な半導体素子の製造には上述した特許文献１に記載された方法でよいが、圧電振動片の外形形成では、以下のような問題がある。
半導体素子の製造では、通常丸型のウエハ６５０を使用するため、ウエハ６５０の外縁よりも径方向内側にフィン７５を備えた整流板８８を用いることで、乱流Ｆによる浮遊物のウエハ６５０の下方への回り込みをウエハ６５０の略全周にわたって抑制できる。
【０００９】
これに対して、圧電振動片の外形形成では、通常圧電材料の原石からスライスされた角型のウエハ６５０を使用する場合がある。この場合、上述のような整流板８８では、乱流による浮遊物のウエハ６５０の下方への回り込みを効果的に抑制できない。理由は以下のとおりである。
角型のウエハ６５０は、回転中心からウエハ６５０の外縁までの距離が、全外縁に亘って一定となるように形成されていない。例えば、スピンチャック７０の回転中心からウエハ６５０の角部における外縁までの距離と、スピンチャック７０の回転中心からウエハ６５０の側辺中央における外縁までの距離と、が異なっている。このため、回転中心から全周にわたって同一距離を有するフィン７５を備えた整流板８８では、ウエハ６５０の角部下方への乱流Ｆの回り込みと、ウエハ６５０の側辺下方への乱流Ｆの回り込みとを同時に抑制することが困難である。
【００１０】
さらに、例えば、フォトレジスト材にゴム系のネガレジストを用いた場合、ウエハ６５０の回転を用いてウエハ６５０の外周縁に向けて広がるフォトレジスト材は、ウエハ６５０の外周縁においてウエハ６５０の外方に向けて振り切られ、糸状の浮遊物（以下、糸状浮遊物６５１）となって飛散する。そして、この糸状浮遊物６５１は、上述した乱流Ｆの影響によりウエハ６５０の下面に回り込み、その後、整流板８８のフィン７５により塞き止められる。この状態が継続されると、フィン７５上に糸状浮遊物６５１が堆積していき、綿飴状の堆積物となる。この場合、糸状浮遊物６５１や、その堆積物等（以下、まとめて堆積物という）がフィン７５から離脱して、ウエハ６５０の下面に付着すると、フォトレジスト膜のうち、堆積物等が付着した部分と、それ以外の部分と、の間で膜厚ムラが発生するおそれがある。
【００１１】
フォトレジスト膜のうち、膜厚が厚い部分（堆積物等の付着部分）では、その後フォトリソグラフィ技術により露光した際に、厚さ方向の全体を十分に硬化させることができない。この場合には、露光後の現像時において、膜厚が厚い部分の厚さ方向の全体が溶解される。これにより、フォトレジスト膜により形成されるレジスト膜パターンに表面欠陥が発生する。この表面欠陥を有するレジスト膜パターンをレジストマスクとして金属膜をエッチングすると、表面欠陥に対応した部分の金属膜がエッチングされてしまい、金属膜パターンに表面欠陥が転写される。さらに、表面欠陥が転写された金属膜パターンをメタルマスクとしてウエハをエッチングすると、表面欠陥に対応した部分のウエハ６５０がエッチングされてしまい、ウエハ６５０に形成された圧電振動片に表面欠陥が転写される。
すなわち、ウエハ６５０の表面に塗布されたフォトレジスト膜のムラは、フォトレジスト膜のマスクの表面欠陥となり、圧電振動片の外形形成時の不良の原因となる。
【００１２】
そこで本発明は、角型ウエハにマスク材膜を成膜する際の堆積物等の付着に起因する膜厚ムラを抑制できる圧電振動片の製造方法、圧電振動片の製造装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の課題を解決するため、本発明の圧電振動片の製造方法は、角型ウエハから圧電振動片を製造する圧電振動片の製造方法であって、前記角型ウエハの一面に、前記圧電振動片の外形形成時のマスクとなるマスク材膜をスピンコート法により成膜するマスク材膜成膜工程を有し、前記マスク材膜成膜工程は、スピンチャックのウエハ保持部の上面に前記角型ウエハの他面を下方にして保持すると共に、前記ウエハ保持部の周囲に前記角型ウエハの前記他面に対向する整流板を配置し、前記角型ウエハと前記整流板との間を前記マスク材膜の溶剤を含む溶剤雰囲気下に保持することを特徴としている。
【００１４】
本発明によれば、角型ウエハと整流板との間の空間を溶剤雰囲気に保持しているため、角型ウエハの他面側に回り込んだ上述した糸状浮遊物やその堆積物等の乾燥を抑え、溶かすことができる。そのため、堆積物がウエハの他面に付着するのを抑制できる。しかも、仮に角型ウエハの他面に堆積物等が付着したとしても、その堆積物等を早期に溶融して角型ウエハの他面に付着し難くすることができる。
その結果、角型ウエハにマスク材膜を成膜する際の膜厚ムラを抑制し、圧電振動片の外形形成時の不良発生を抑制することができる。
【００１５】
また、前記整流板の上面には、上方に向けて開放されるとともに、前記溶剤を貯留する貯留部が形成され、前記マスク材膜成膜工程では、前記貯留部内に貯留された前記溶剤を揮発させることで、前記角型ウエハの他面と前記整流板との間を前記溶剤雰囲気下に保持することを特徴としている。
本発明によれば、整流板の貯留部内にレジスト溶剤を貯留することで、溶剤の噴霧装置等を別体で設けることなく、溶剤雰囲気を形成できるため、構成の簡素化を図ることができる。
【００１６】
また、前記マスク材膜成膜工程では、前記角型ウエハの前記他面と前記整流板の前記上面との間に前記整流板の径方向の内側から外側に向かって気流を発生させることを特徴としている。
本発明によれば、貯留部内の溶剤を効率的に揮発または飛散させることができる。これにより、溶剤雰囲気内の溶剤濃度を高めることができるので、角型ウエハの他面側に回り込んだ堆積物等の乾燥を確実に抑え、堆積物等を効率的に溶かすことができる。
【００１７】
また、前記角型ウエハと前記整流板との間に前記整流板の径方向の内側から外側に向かって気流を発生させると共に、その上流側から前記溶剤を前記気流に混在させることで、前記ウエハと前記整流板との間を前記溶剤雰囲気下に保持することを特徴としている。
本発明によれば、レジスト溶剤が混入された気流をウエハと整流板との間に供給するだけなので、成膜装置内の構成の複雑化を抑えて、ウエハと整流板との間に溶剤雰囲気を簡単に形成できる。
【００１８】
また、前記角型ウエハの前記一面に前記マスク材膜を成膜した後、前記角型ウエハ前記一面及び前記他面の表裏を反転させて、前記他面上に対して再度前記マスク材膜成膜工程を行うことを特徴としている。
圧電振動片の外形形成の場合、上述のように角型ウエハの全体を利用するため、両面にマスク材膜を成膜している。したがって、マスク材膜成膜前の他面に付着した堆積物等を研磨等では取り除くことができず、付着した堆積物等を除去するためリンス液の塗布やＮ２ブロー等の追加工程が必要になる。さらに、角型ウエハの表裏を反転した後、再度のマスク材膜成膜工程でマスク材膜を成膜する際、マスク材膜がすでに成膜された面に堆積物等が付着した場合には、付着した堆積物等を取り除くことは非常に困難である。
これに対して、本発明によれば、整流板の上面と、マスク材膜の塗布面（一面）とは反対側の面（他面）と、の間を溶剤雰囲気に保持できるので、一面と他面とに関わらず、マスク材膜成膜工程における塗布面とは反対側の面への堆積物等の付着を抑制できる。このように、角型ウエハへの堆積物等の付着を確実に防止する本発明は、圧電振動片の外形形成において特に有効である。
【００１９】
また、前記マスク材膜は、ゴム系材料からなるネガレジストであることを特徴としている。
ゴム系材料からなるネガレジストは粘着性を有するため、上述した糸状浮遊物が発生し易いが、この発明によれば、糸状浮遊物が角型ウエハの他面に付着するのを確実に抑制できる。
【００２０】
また、本発明の圧電振動片の製造装置は、角型ウエハの一面に、圧電振動片の外形形成時のマスク材膜をスピンコート法により成膜する際に使用する圧電振動片の製造装置であって、ウエハ保持部の上面で前記角型ウエハを保持して回転させるスピンチャックと、前記ウエハ保持部の周囲に配置され、前記角型ウエハの他面に対向する整流板と、前記角型ウエハと前記整流板との間を前記マスク材膜の溶剤を含む溶剤雰囲気下とする溶剤供給手段と、を備えていることを特徴としている。
本発明によれば、角型ウエハと整流板との間の空間を溶剤雰囲気に保持できるため、角型ウエハの他面側に回り込んだ上述した糸状浮遊物やその堆積物等の乾燥を抑え、溶かすことができる。そのため、堆積物がウエハの他面に付着するのを抑制できる。しかも、仮に角型ウエハの他面に堆積物等が付着したとしても、その堆積物等を早期に溶融して角型ウエハの他面に付着し難くすることができる。
その結果、角型ウエハにマスク材膜を成膜する際の膜厚ムラを抑制し、圧電振動片の外形形成時の不良発生を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、角型ウエハと整流板との間をレジスト溶剤を含む溶剤雰囲気下とすることにより、ウエハにマスク材膜を成膜する際の堆積物等の付着に起因する膜厚のムラを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】圧電振動片の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】圧電振動片の製造工程のフローチャートである。
【図４】角型ウエハの説明図である。
【図５】成膜装置の側面断面図である。
【図６】角型ウエハの断面を示しており、（Ａ）は金属膜成膜工程の説明図、（Ｂ）はフォトレジスト膜成膜工程の説明図である。
【図７】角型ウエハの断面を示しており、（Ａ）はレジスト膜パターン形成工程の説明図、（Ｂ）は金属膜パターン形成工程の説明図、（Ｃ）は角型ウエハエッチング工程の説明図である。
【図８】エッチング後の角型ウエハの平面図である。
【図９】変形例の成膜装置を示す側面断面図である。
【図１０】圧電振動子の外観斜視図である。
【図１１】圧電振動子の内部構成図であって、（Ａ）はリッド基板を取り外した状態の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図１２】図１０に示す圧電振動子の分解斜視図である。
【図１３】発振器の一実施形態を示す構成図である。
【図１４】電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図１５】電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【図１６】従来の成膜装置を示す側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
（圧電振動片）
最初に、本発明の一実施形態に係る圧電振動片を、図面を参照して説明する。
図１は、圧電振動片４の平面図である。
図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。
図１に示すように、本実施形態の圧電振動片４は、角型の水晶ウエハ（以下「角型ウエハ」という。）から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。この圧電振動片４は、平行に配置された一対の振動腕部１０，１１と、一対の振動腕部１０，１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０，１１の両主面上に形成された振動腕溝部１８とを備えている。この振動腕溝部１８は、振動腕部１０，１１の長手方向に沿って振動腕部１０，１１の基端側から略中間付近まで形成されている。
【００２４】
圧電振動片４は、一対の振動腕部１０，１１の外表面上に形成されて一対の振動腕部１０，１１を振動させる第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる励振電極１５と、圧電振動片４をパッケージに実装するために基部１２に形成されたマウント電極１６，１７と、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４とマウント電極１６，１７とを電気的接続する引き出し電極１９，２０と、を有している。
【００２５】
励振電極１５及び引き出し電極１９，２０は、マウント電極１６，１７の下地層と同じ材料のクロムにより単層膜で形成されている。これにより、マウント電極１６，１７の下地層を成膜するのと同時に、励振電極１５及び引き出し電極１９，２０を成膜することができる。ただし、この場合に限られず、例えば、ニッケルやアルミニウム、チタン等により励振電極１５及び引き出し電極１９，２０を成膜しても構わない。
【００２６】
励振電極１５は、一対の振動腕部１０，１１を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極である。励振電極１５を構成する第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４は、一対の振動腕部１０，１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている（図２参照）。また、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き出し電極１９，２０を介して、マウント電極１６，１７に電気的に接続されている。
【００２７】
マウント電極１６，１７は、クロムと金との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地層として成膜した後に、表面に金の薄膜を仕上げ層として成膜することにより形成される。ただし、この場合に限られず、例えば、クロムとニクロムを下地層として成膜した後に、表面にさらに金の薄膜を仕上げ層として成膜しても構わない。
【００２８】
一対の振動腕部１０，１１の先端には、所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が被膜されている。この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。これら粗調膜２１ａ及び微調膜２１ｂを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部１０，１１の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。
【００２９】
（圧電振動片の製造方法）
次に、上述した圧電振動片４の製造工程について、フローチャートを参照しながら以下に説明する。
図３は、圧電振動片４の製造工程のフローチャートである。
圧電振動片４の製造工程は、角型ウエハ６５（図４参照）に圧電振動片４の外形を形成する外形形成工程Ｓ１１０と、圧電振動片４の振動腕溝部１８（図２参照）となる凹部を形成する振動腕溝部形成工程Ｓ１３０と、各電極を形成する電極等形成工程Ｓ１４０と、圧電振動片４を角型ウエハ６５から切り出す個片化工程Ｓ１５０と、を備えている。以下に各工程の詳細を説明する。
【００３０】
（外形形成工程Ｓ１１０、角型ウエハ）
図４は、角型ウエハ６５の説明図である。
本実施形態の圧電振動片４は、角型ウエハ６５から形成される。角型ウエハ６５は、直方体形状の水晶等の圧電材料の原石を薄く平板状に切断することにより、平面視略長方状に形成される。角型ウエハ６５の外縁６６は、長辺６６ａと、短辺６６ｂと、長辺６６ａと短辺６６ｂとにより形成される角部を面取りした斜辺６６ｃとにより形成されている。
【００３１】
外形形成工程Ｓ１１０は、角型ウエハ６５の表面に金属膜を成膜する金属膜成膜工程Ｓ１１１と、後述するスピンチャック７０（図５参照）に角型ウエハ６５をセットする角型ウエハセット工程Ｓ１１２と、後述するフォトレジスト材８５（図５参照）からなるフォトレジスト膜（マスク材膜）８５ａ（図６（Ｂ）、図７（Ａ），（Ｂ）参照）を角型ウエハ６５上に成膜するフォトレジスト膜成膜工程（マスク材膜成膜工程）Ｓ１１３と、を有している。
さらに、フォトレジスト膜８５ａからフォトリソグラフィ技術によって後述するレジスト膜パターン８５ｂ（図７（Ｂ）参照）を形成するレジスト膜パターン形成工程Ｓ１１４と、レジスト膜パターン８５ｂをマスクとして後述する金属膜８４をエッチングし金属膜パターン８４ｃ（図７（Ｃ）参照）を形成する金属膜パターン形成工程Ｓ１１５と、金属膜パターン８４ｃをマスクとして角型ウエハ６５をエッチングする角型ウエハエッチング工程Ｓ１１６と、を有している。
【００３２】
（金属膜成膜工程Ｓ１１１）
図６は、角型ウエハ６５の断面を示しており、図６（Ａ）は金属膜成膜工程Ｓ１１１の説明図である。
まず、図６（Ａ）に示すように、金属膜成膜工程Ｓ１１１では、ポリッシングが終了し所定の厚みに高精度に仕上げられた角型ウエハ６５の両面６５ａ，６５ｂに金属膜８４を成膜する。金属膜８４は、例えば、クロム等からなる下地膜８４ａと、金等からなる保護膜８４ｂと、の積層膜であり、それぞれスパッタリング法や蒸着法等により成膜される。なお、金属膜成膜工程Ｓ１１１で成膜された金属膜８４は、後の角型ウエハエッチング工程Ｓ１１６、及び振動腕溝部形成工程Ｓ１３０において、角型ウエハ６５をエッチングする際のメタルマスクとなる。
【００３３】
（成膜装置）
図５は、成膜装置６０の側面断面図である。
次に、図５に示すように、成膜装置（圧電振動片の製造装置）６０を構成するスピンチャック７０に、角型ウエハ６５をセットする角型ウエハセット工程Ｓ１１２を行う。
以下では、まず成膜装置６０を説明した後に、角型ウエハセット工程Ｓ１１２を説明する。なお、図５では、図面を分かりやすくするために、角型ウエハ６５の両面６５ａ，６５ｂに成膜された金属膜８４の図示を省略している。また、整流板８８の構成は説明の便宜上、誇張して図示している。また、以下の説明では、角型ウエハ６５の両面６５ａ，６５ｂのうち、角型ウエハセット工程Ｓ１１２で最初に上方に配置された面を第１面（一面）６５ａとし、下方に配置された面を第２面（他面）６５ｂとして説明する。
【００３４】
成膜装置６０は、角型ウエハ６５を保持して回転させるスピンチャック７０と、スピンチャック７０の周囲に配置される整流部材９０と、スピンチャック７０及び整流部材９０の外側を覆うコータカップ８１と、角型ウエハ６５に向けてフォトレジスト材８５を滴下するノズル７９と、を備えている。
【００３５】
（スピンチャック）
スピンチャック７０は、角型ウエハ６５を保持するウエハ保持部７２と、ウエハ保持部７２からスピンチャック７０の回転中心Ｋに沿って下方に延設された支柱部７６と、を備えている。ウエハ保持部７２及び支柱部７６は、例えば樹脂や金属等により形成される。
【００３６】
ウエハ保持部７２は、平面視で略円形状をした板状部材である。ウエハ保持部７２の直径は、角型ウエハ６５の対向する長辺６６ａ間の離間距離よりも小径に形成される。このようにウエハ保持部７２を形成することで、ウエハ保持部７２に角型ウエハ６５を載置した際、ウエハ保持部７２の上面７２ａ全体を角型ウエハ６５の第２面６５ｂに当接させることができる。なお、ウエハ保持部７２の上面７２ａには、図示しない複数の吸引孔が全面に亘って形成されている。これら吸引孔は、ウエハ保持部７２内及び支柱部７６に形成された図示しない吸引通路を介して、不図示の真空ポンプに接続されている。そして、真空ポンプで真空引きすることにより、角型ウエハ６５は、ウエハ保持部７２に負圧吸着されてウエハ保持部７２の上面７２ａに保持される。
【００３７】
支柱部７６は、中空の円柱状部材であり、ウエハ保持部７２と同軸で延設されるとともに、ウエハ保持部７２と一体的に形成されている。また、支柱部７６は、不図示のモータに接続されている。そして、モータが回転駆動することにより、スピンチャック７０の全体が回転中心Ｋを中心に回転する。なお、整流部材９０は、スピンチャック７０とは離間して形成されており回転はしない。
【００３８】
（コータカップ）
コータカップ８１は、スピンチャック７０及び整流部材９０を側方及び下方から囲繞するように形成されている。コータカップ８１の下部には、不図示の吸引ポンプと連通する排気口８３が設けられており、コータカップ８１の内部が吸引ポンプにより吸引されることで、コータカップ８１の内部が負圧となるように構成されている。そのため、角型ウエハ６５のうち、フォトレジスト材８５が塗布される塗布面（例えば、第１面６５ａ）から飛散したフォトレジスト材８５のミストは、排気口８３からコータカップ８１の外部に排出されるようになっている。
【００３９】
（整流部材）
整流部材９０は、スピンチャック７０のウエハ保持部７２の下方に離間状態で配置された整流板８８と、整流板８８を支持する整流板支柱部８９と、を備えている。
整流板８８は、略円盤状の部材であり、例えばアルミ等の金属により形成される。整流板８８の直径は、回転中心Ｋから角型ウエハ６５の外縁６６までの最長距離よりも大径に形成されており、角型ウエハ６５の外縁６６よりも外側に張り出している。整流板８８の外周縁部には、外周に向うほど下方に向かって傾斜する傾斜面８８ｃを有するように下面８８ｂからリブ状に突出する傾斜周壁部８８ｄが形成されている。上述した排気口８３は、この傾斜周壁部８８ｄよりも内周側で下面８８ｂと上下に対向している。また、整流板８８における径方向の中央部には、上述した回転中心Ｋに沿って開口する開口部９５が形成され、この開口部９５の内側にスピンチャック７０における支柱部７６の上端部が配設されている。なお、図示の例では、開口部９５の内径はウエハ保持部７２の外径と同等に形成されている。これにより、整流板８８の上面８８ａのうち開口部９５よりも外側の外周部分と、角型ウエハ６５における塗布面と反対側の面（例えば、第２面６５ｂ）のうちウエハ保持部７２よりも外側の外周部分と、が上下方向で対向して配置されている。
【００４０】
整流板支柱部８９は、整流板８８における開口部９５の内周縁から回転中心Ｋに沿う下方に沿って延設されている。整流板支柱部８９は中空に形成されており、その内部にスピンチャック７０における支柱部７６が遊挿されている。この場合、整流板支柱部８９の内周面と、支柱部７６の外周面と、の間にはスペースが形成され、上述した開口部９５を介してコータカップ８１内における整流板８８の上面８８ａ側に連通している。本実施形態では、上述したスペースは、不図示のガス供給手段（溶剤供給手段）から供給される窒素ガス等の不活性ガスや、ドライエアー等により発生する気流Ｇが流通するバックブロー用の気流通路９６として機能している。すなわち、気流Ｇは、気流通路９６内を下方から上方に向かって流通し、整流板８８の開口部９５からコータカップ８１内における整流板８８と角型ウエハ６５との間に送出される。その後、気流Ｇは、整流板８８の上面８８ａと角型ウエハ６５の第２面６５ｂとの間の空間Ｓを、径方向の内側から外側に向かって放射状に流通する。
【００４１】
整流板８８の上面８８ａには、回転中心Ｋを中心として、同心円状の複数（本実施形態では２本）の内周側突起９１、及び外周側突起９２が形成されている。
内周側突起９１は、整流板８８の上面８８ａのうち、内周縁寄りの部分から上方に向けて突出しており、整流板８８の全周に亘って環状に形成されている。本実施形態において、内周側突起９１の上端縁は、ウエハ保持部７２の下端面よりも上方に位置しており、支柱部７６の上端部及びウエハ保持部７２の下端部を外側から囲繞している。
また、外周側突起９２は、整流板８８の上面８８ａのうち、内周側突起９１の外側に位置する部分から上方に向けて突出しており、内周側突起９１の全周を外側から囲繞する環状に形成されている。具体的に、外周側突起９２は、整流板８８のうち径方向の中央部から外周側に向けて上向き傾斜しており、その上端縁が内周側突起９１の上端縁と同等の位置に配置されている。
【００４２】
ここで、内周側突起９１と外周側突起９２との間は貯留部（溶剤供給手段）９３となっている。この貯留部９３には、レジスト溶剤（溶剤）９４が貯留されている。なお、レジスト溶剤９４には、キシレンやエチルベンゼン等が用いられている。本実施形態において、貯留部９３内に貯留されたレジスト溶剤９４は、上述した気流通路９６から送出される気流Ｇにより揮発または飛散されることで、上述した整流板８８の上面８８ａと角型ウエハ６５の第２面６５ｂとの間の空間Ｓをレジスト溶剤９４の溶剤雰囲気に保持できるようになっている。
【００４３】
ノズル７９は、スピンチャック７０の上方でスピンチャック７０の回転中心Ｋと同軸で延在しており、その供給口（不図示）が下方に向けて開口している。ノズル７９は、不図示の供給源から供給されたフォトレジスト材８５を、供給口から回転中心Ｋ方向に沿う下方に向けて滴下する。
【００４４】
（角型ウエハセット工程Ｓ１１２）
このように構成された成膜装置６０のスピンチャック７０に、金属膜８４（図６参照）が成膜された角型ウエハ６５をセットする角型ウエハセット工程Ｓ１１２を行う。
角型ウエハセット工程Ｓ１１２では、スピンチャック７０のウエハ保持部７２に、角型ウエハ６５をセットする。具体的には、角型ウエハ６５の下方を向く第２面６５ｂと、ウエハ保持部７２の上面７２ａとを当接させ、ウエハ保持部７２の上面７２ａに角型ウエハ６５を載置する。角型ウエハ６５の第２面６５ｂとウエハ保持部７２の上面７２ａとの間には、不図示の位置決め機構が設けられており、角型ウエハ６５の中心軸が、スピンチャック７０の回転中心Ｋと略一致するように載置される。そして、不図示の真空ポンプで真空引きをしてウエハ保持部７２により角型ウエハ６５の第２面６５ｂを真空吸着して、ウエハ保持部７２に角型ウエハ６５を固定する。
【００４５】
（フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１３）
図６（Ｂ）はフォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１３の説明図である。
続いて、図５，６（Ｂ）に示すように、角型ウエハ６５上にフォトレジスト材８５をスピンコート法により塗布し、角型ウエハ６５にフォトレジスト膜８５ａを成膜するフォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１３を行う。なお、フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１３は、大気中にて行われる。また、本実施形態で塗布されるフォトレジスト材８５は、露光された部分が硬化して現像時に残存する、いわゆるネガレジスト材であり、例えば感光性材料からなる環化イソプレン等のゴム系ネガレジスト材が好適に用いられている。
【００４６】
フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１３では、不図示のモータを回転駆動させ、スピンチャック７０及び角型ウエハ６５を高速回転させる。
また、ガス供給手段から、窒素ガス等の不活性ガスやドライエアー等を供給し、気流通路９６内に気流Ｇを流通させる。すると、気流Ｇは、整流板８８の開口部９５からコータカップ８１内における整流板８８と角型ウエハ６５との間に送出され、その後、整流板８８の上面８８ａと角型ウエハ６５の第２面６５ｂとの間の空間Ｓを、径方向の内側から外側に向かって放射状に流通する。上述した空間Ｓを気流Ｇが流通する際、貯留部９３内に貯留されたレジスト溶剤９４が揮発または飛散することで、空間Ｓがレジスト溶剤９４の溶剤雰囲気に保持される。
【００４７】
そして、回転中心Ｋに沿って角型ウエハ６５の上方に配置されたノズル７９から、角型ウエハ６５における第１面６５ａの中央部に向かってフォトレジスト材８５を滴下する。
滴下されたフォトレジスト材８５が角型ウエハ６５の第１面６５ａに付着すると、遠心力によって、角型ウエハ６５の略中央から外縁６６に向かって薄膜状に広がる。これにより、角型ウエハ６５の第１面６５ａにフォトレジスト膜８５ａが成膜される。
【００４８】
ここで、角型ウエハ６５の高速回転により乱流Ｆが発生すると、その乱流Ｆは角型ウエハ６５の下方において径方向の外側から径方向の内側に向かって入り込もうとする。このとき、角型ウエハ６５の外縁６６において、角型ウエハ６５の外方に向けて振り切られたフォトレジスト材８５の浮遊物（例えば、上述した糸状浮遊物６５１）うち、一部の浮遊物は整流板８８の傾斜面８８ｃに沿って下方に案内され、その後コータカップ８１の排気口８３から成膜装置６０の外部に排出される。
一方、角型ウエハ６５の外方に向けて振り切られたフォトレジスト材８５の浮遊物うち、その他の浮遊物は上述した乱流Ｆの影響により角型ウエハ６５の第２面６５ｂ側に回り込もうとする。このとき、外周側突起９２は、径方向の外側から内側へ向かう乱流Ｆを滞留させる壁となっている。そのため、角型ウエハ６５の第２面６５ｂ側に回り込もうとする浮遊物は、外周側突起９２により塞き止められ、外周側突起９２よりも内側への回り込みが抑制されている。
【００４９】
ところで、外周側突起９２により塞き止められた浮遊物は、外周側突起９２上に堆積していき、綿飴状の堆積物となる。この場合、上述したように浮遊物（糸状浮遊物６５１）や、その堆積物等が外周側突起９２から離脱して、角型ウエハ６５の第２面６５ｂ側に付着するおそれがある。
【００５０】
これに対して、本実施形態では、角型ウエハ６５の第２面６５ｂと整流板８８の上面８８ａとの間の空間Ｓを溶剤雰囲気に保持しているため、糸状浮遊物６５１やその堆積物等の空間Ｓでの乾燥を抑え、溶かすことができる。そのため、堆積物が角型ウエハ６５の第２面６５ｂに付着するのを抑制できる。なお、溶剤雰囲気で溶かされた堆積物等は、貯留部９３内のレジスト溶剤９４内に混入されたり、排気口８３から成膜装置６０の外部に排出されたりする。また、本実施形態では、上述した空間Ｓに、径方向の内側から径方向の外側に向かって、放射状に気流Ｇを発生させているため、径方向の外側から角型ウエハ６５の第２面６５ｂ側に回り込もうとする乱流Ｆを押し戻して乱流Ｆの回り込みを抑制できる。
【００５１】
その後、角型ウエハ６５の第１面６５ａ上にフォトレジスト材８５が塗布された状態で、角型ウエハ６５をプリベークして乾燥させることで、角型ウエハ６５の第１面６５ａ上にフォトレジスト膜８５ａが形成される。
【００５２】
続いて、角型ウエハ６５の第１面６５ａにフォトレジスト膜８５ａを成膜した後、角型ウエハ６５の第１面６５ａ及び第２面６５ｂの表裏を反転させ、角型ウエハ６５の第２面（一面）６５ｂに対して、上述した方法と同様の方法により再度フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１３を行う。なお、この際、第１面（他面）６５ａへのフォトレジスト膜８５ａの成膜時と、第２面６５ｂへのフォトレジスト膜８５ａの成膜時と、で気流Ｇの圧力を異ならせる等しても良い。
【００５３】
ところで、角型ウエハ６５のように、両面６５ａ，６５ｂ上にフォトレジスト膜８５ａを成膜する場合、特に、第１面６５ａ上にフォトレジスト膜８５ａを成膜した後に第２面６５ｂ上にフォトレジスト材８５を塗布する場合、糸状浮遊物６５１やその堆積物が第１面６５ａ側のフォトレジスト膜８５ａに付着し易くなる。
これに対して、第２面６５ｂ上にフォトレジスト膜８５ａを成膜する場合には、角型ウエハ６５の第１面６５ａと整流板８８との間の空間Ｓが溶剤雰囲気下に保持されるので、糸状浮遊物６５１やその堆積物が角型ウエハ６５の第１面６５ａに付着するのを抑制できる。なお、角型ウエハ６５の第２面６５ｂ側にフォトレジスト膜８５ａを成膜する場合、第１面６５ａ側はプリベーク後のフォトレジスト膜８５ａが成膜された状態で溶剤雰囲気に晒されることになる。しかしながら、本実施形態の溶剤雰囲気では、レジスト溶剤９４で直接満たされている訳ではなく、貯留部９３から揮発または飛散してレジスト溶剤９４を含む気流Ｇによって満たされている。そのため、溶剤雰囲気のレジスト溶剤９４の濃度は、堆積物等の乾燥を抑えて十分に溶かせる一方、第１面６５ａ上に形成されたフォトレジスト膜８５ａが溶かされるおそれがない程度に保たれている。したがって、第１面６５ａ上に既に成膜されたフォトレジスト膜８５ａが溶かされて欠損するおそれはない。
【００５４】
その後、角型ウエハ６５の第２面６５ｂ上にフォトレジスト材８５が塗布された状態で、角型ウエハ６５をプリベークして乾燥させることで、角型ウエハ６５の第２面６５ｂ上にもフォトレジスト膜８５ａが形成される。以上により、角型ウエハ６５の第１面６５ａ及び第２面６５ｂにフォトレジスト膜８５ａが成膜される。
【００５５】
（レジスト膜パターン形成工程Ｓ１１４）
図７（Ａ）は、レジスト膜パターン形成工程Ｓ１１４の説明図である。
次に、図７（Ａ）に示すように、金属膜８４に重ねて成膜したフォトレジスト膜８５ａをフォトリソグラフィ技術によりパターニングするレジスト膜パターン形成工程Ｓ１１４を行う。
フォトマスク８６は、ガラス等の光透過性を有するフォト基板８７の主面８７ａ上に、クロム等の遮光性を有する遮光膜パターン８７ｂが形成されたものである。遮光膜パターン８７ｂは、フォトレジスト膜８５ａをパターニングするためのものであり、フォト基板８７の主面８７ａ上において、圧電振動片４の外形に相当する領域を除く領域に形成されている。
レジスト膜パターン形成工程Ｓ１１４では、フォトマスク８６を角型ウエハ６５の両面６５ａ，６５ｂ上にセットし、紫外線Ｒを照射して露光を行う。上述のとおり、本実施形態のフォトレジスト材８５は、紫外線が露光された領域のフォトレジスト膜８５ａが硬化するネガレジスト材を用いている。したがって、露光後、現像液に浸漬した際、紫外線が露光されず硬化していない領域のフォトレジスト膜８５ａのみが選択的に除去される。すなわち、現像後の金属膜８４上には、圧電振動片４（図１参照）の外形形状に倣ってフォトレジスト膜８５ａが残存した状態のレジスト膜パターン８５ｂが複数形成される（図７（Ｂ）参照）。
【００５６】
（金属膜パターン形成工程Ｓ１１５）
図７（Ｂ）は、金属膜パターン形成工程Ｓ１１５の説明図である。
次に、残存したフォトレジスト膜８５ａのレジスト膜パターン８５ｂをレジストマスクとして、金属膜成膜工程Ｓ１１１で成膜した金属膜８４をパターニングする金属膜パターン形成工程Ｓ１１５を行う。本工程では、レジスト膜パターン８５ｂによりマスクされていない金属膜８４を選択的にエッチングにより除去する。その後、レジスト膜パターン８５ｂを除去する。これにより、角型ウエハ６５の第１面６５ａ及び第２面６５ｂ上には、圧電振動片４の外形に対応した金属膜パターン８４ｃが形成される。
【００５７】
（角型ウエハエッチング工程Ｓ１１６）
図７（Ｃ）は、角型ウエハエッチング工程Ｓ１１６の説明図である。
図７（Ｃ）は、エッチング後の角型ウエハ６５の説明図である。
次に、図７（Ｃ）に示すように、金属膜パターン８４ｃをメタルマスクとして、角型ウエハ６５の両面６５ａ，６５ｂから角型ウエハ６５をエッチングする角型ウエハエッチング工程Ｓ１１６を行う。これにより、金属膜パターン８４ｃでマスクされていない領域を選択的に除去し、圧電振動片４の外形形状を有する圧電板４ａ（図８参照）を形成できる。なお、図８に示すように、各圧電板４ａはエッチング後の角型ウエハ６５と連結部４ｂにより連結されている。
以上で、外形形成工程Ｓ１１０が終了する。
【００５８】
（振動腕溝部形成工程Ｓ１３０）
次に、各圧電板４ａに後の振動腕溝部１８（図１参照）となる凹部を形成する振動腕溝部形成工程Ｓ１３０を行う。具体的には、各圧電板４ａの表面に、スプレーコート法等によりフォトレジスト膜（不図示）を成膜し、フォトリソグラフィ技術によってフォトレジスト膜をパターニングする。続いて、レジスト膜パターンをレジストマスクとして金属膜８４のエッチング加工を行い、振動腕溝部１８の形成領域を空けた状態で金属膜８４をパターニングする。そして、この金属膜８４をメタルマスクとして角型ウエハ６５をエッチングした後、金属膜８４を除去することで、各圧電板４ａの主面上に振動腕溝部１８を形成できる。以上で、振動腕溝部形成工程Ｓ１３０が終了する。
【００５９】
（電極等形成工程Ｓ１４０）
次に、圧電振動片４の外形形状に形成された圧電板４ａの外表面に電極等を形成する電極等形成工程Ｓ１４０を行う。電極等形成工程Ｓ１４０では、まず、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７及び重り金属膜２１（いずれも図１参照）を形成する。次に、圧電板４ａの共振周波数の粗調を行う。重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、振動腕部１０，１１の重量を変化させることで行う。以上で、電極等形成工程Ｓ１４０が終了する。
【００６０】
（個片化工程Ｓ１５０）
最後に、図９に示すように、角型ウエハ６５と各圧電板４ａとを連結していた連結部４ｂを切断して、複数の圧電振動片４を角型ウエハ６５から切り離して個片化する個片化工程Ｓ１５０を行う。これにより、１枚の角型ウエハ６５から、音叉型の圧電振動片４を一度に複数製造することができる。この時点で、圧電振動片４の製造工程が終了し、圧電振動片４を複数得ることができる。
【００６１】
（効果）
本実施形態では、フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１３において、角型ウエハ６５と整流板８８との間を、レジスト溶剤９４を含む溶剤雰囲気下に保持する構成とした。
この構成によれば、角型ウエハ６５のうち、塗布面とは反対側（例えば、第２面６５ｂ側）に回り込んだ糸状浮遊物６５１やその堆積物等の乾燥を抑え、堆積物等を溶かすことができる。そのため、堆積物等が角型ウエハ６５の第２面６５ｂに付着するのを抑制できる。しかも、仮に角型ウエハ６５の第２面６５ｂに堆積物等が付着したとしても、その堆積物等を早期に溶融して角型ウエハ６５の第２面６５ｂに付着し難くすることができる。
その結果、角型ウエハ６５にフォトレジスト膜８５ａを成膜する際の膜厚ムラを抑制し、圧電振動片４の外形形成時の不良発生を抑制することができる。
【００６２】
さらに、本実施形態では、整流板８８の貯留部９３内にレジスト溶剤９４を貯留することで、レジスト溶剤９４の噴霧装置等を別体で設けることなく、溶剤雰囲気を形成できるため、構成の簡素化を図ることができる。
この場合、角型ウエハ６５の第２面６５ｂと整流板８８の上面８８ａとの間の空間Ｓに整流板８８の径方向の内側から外側に向かって放射状に気流Ｇを発生させてフォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１３を行うことで、貯留部９３内のレジスト溶剤９４を効率的に揮発または飛散させることができる。これにより、溶剤雰囲気内の溶剤濃度を高めることができるので、角型ウエハ６５の第２面６５ｂ側に回り込んだ堆積物等の乾燥を確実に抑え、堆積物等を効率的に溶かすことができる。
また、ゴム系材料からなるネガレジストは粘着性を有するため、上述した糸状浮遊物６５１が発生し易いが、本実施形態によれば、糸状浮遊物６５１やその堆積物が角型ウエハ６５の第２面６５ｂに付着するのを確実に抑制できる。
【００６３】
ここで、半導体デバイスを製造する場合、半導体基板の表面（本実施形態の「第１面６５ａ」に相当）のみにレジストパターンを形成し、半導体基板の表面のみを利用することが多い。このため、半導体基板の裏面（本実施形態の「第２面６５ｂ」に相当）に付着した堆積物は、後工程において取り除くことができる。
これに対して、圧電振動片４の外形形成の場合、上述のように角型ウエハ６５の全体を利用するため、第１面６５ａ及び第２面６５ｂにフォトレジスト膜８５ａを成膜している。したがって、フォトレジスト膜８５ａ成膜前の第２面６５ｂに付着した堆積物等を研磨では取り除くことができず、付着した堆積物等を除去するためリンス液の塗布やＮ２ブロー等の追加工程が必要になる。さらに、角型ウエハ６５を反転させた後、再度のフォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１３で第２面６５ｂにフォトレジスト膜８５ａを成膜する際、フォトレジスト膜８５ａがすでに成膜された第１面６５ａに堆積物等が付着した場合には、付着した堆積物等を取り除くことは非常に困難である。
しかし、本実施形態によれば、整流板８８の上面８８ａと、フォトレジスト材８５の塗布面とは反対側の面と、の間を溶剤雰囲気に保持できるので、第１面６５ａと第２面６５ｂとに関わらず、フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１３における塗布面とは反対側の面への堆積物等の付着を抑制できる。このように、角型ウエハ６５への堆積物等の付着を確実に防止する本件発明は、圧電振動片４の外形形成において特に有効である。
【００６４】
また、本実施形態によれば、上記製造方法によりフォトレジスト膜８５ａの膜厚ムラを抑制して、圧電振動片４を精度よく形成できる。したがって、外形不良により廃棄される圧電振動片４が減少するので、圧電振動片４の低コスト化ができる。
なお、上述した実施形態では、内周側突起９１と外周側突起９２との間の貯留部９３内にレジスト溶剤９４を貯留する構成について説明したが、これに限らず、貯留部９３が整流板８８の上面に対して窪んでいても構わない。
さらに、上述した実施形態では、貯留部９３を整流板８８の全周に亘って形成する構成について説明したが、これに限らず、周方向に間欠的に形成しても構わない。また、整流板８８の径方向に間隔をあけて複数の貯留部９３を形成しても構わない。
また、上述した実施形態では、貯留部９３内のレジスト溶剤９４をガス供給手段から供給される気流Ｇにより、積極的に揮発または飛散させる構成について説明したが、ガス供給手段は設けなくても構わない。また、ガス供給手段から供給される気流Ｇの流量を調整することにより、溶剤雰囲気でのレジスト溶剤９４の濃度を調整する等しても構わない。
【００６５】
（変形例）
図９は、変形例の成膜装置を示す側面断面図である。
上述した実施形態では、貯留部９３にレジスト溶剤９４を貯留することで、溶剤雰囲気を形成した場合について説明したが、これに限らず、上述した気流Ｇにレジスト溶剤９４を混入することで溶剤雰囲気を形成することも可能である。
具体的には、図９に示すように、本変形例の溶剤供給手段９７は、コータカップ８１の外部にレジスト溶剤９４が充填された貯留タンク９８を備え、この貯留タンク９８が上述した不図示のガス供給手段に接続されている。そして、溶剤供給手段９７では、ガス供給手段から供給される気流Ｇに貯留タンク９８内のレジスト溶剤９４を混入しながら、気流通路内にレジスト溶剤９４を含んだ気流Ｇを流通させることで、角型ウエハ６５と整流板８８との間の空間Ｓに溶剤雰囲気を形成できる。
【００６６】
この構成によれば、レジスト溶剤９４が混入された気流Ｇを角型ウエハ６５と整流板８８との間に供給するだけなので、成膜装置６０内の構成の複雑化を抑えて、角型ウエハ６５と整流板８８との間に溶剤雰囲気を簡単に形成できる。
【００６７】
なお、例えば、第１面６５ａへのフォトレジスト材８５によるフォトレジスト膜８５ａを成膜する際と、第２面６５ｂへのフォトレジスト材８５によるフォトレジスト膜８５ａを成膜する際と、で気流Ｇに混入するレジスト溶剤９４の量を調整する等してもよい。
例えば、堆積物等が付着しやすい第２面６５ｂへのフォトレジスト膜８５ａの成膜する際には、第１面６５ａへのフォトレジスト膜８５ａを成膜する際よりも気流Ｇに混入するレジスト溶剤９４の量を多くする、若しくは、第２面６５ｂへのフォトレジスト膜８５ａの成膜時にのみレジスト溶剤９４を気流Ｇに混入する等といった濃度調整が可能である。
【００６８】
さらに、レジスト溶剤９４を気流Ｇに混入するタイミングを調整することで、角型ウエハ６５と整流板８８との間のレジスト溶剤９４による雰囲気環境の調整をすることも可能である。
例えば、第１面６５ａへのフォトレジスト膜８５ａの成膜時に気流Ｇにレジスト溶剤９４を混入するタイミングと、第２面６５ｂへのフォトレジスト膜８５ａの成膜時に気流Ｇにレジスト溶剤９４を混入するタイミングと、をそれぞれ調整（間隔調整）する等してもよい。この際、第１面６５ａへのフォトレジスト膜８５ａの成膜時に気流Ｇにレジスト溶剤９４を混入する時間と、第２面６５ｂへの第１面６５ａへのフォトレジスト膜８５ａの成膜時に気流Ｇにレジスト溶剤９４を混入する時間と、をそれぞれ調整する等してもよい。
【００６９】
（圧電振動子）
次に、上述した製造方法により製造された圧電振動片４を備えたパッケージ９として、圧電振動子１について説明する。
図１０は、圧電振動子１の外観斜視図である。
図１１（Ａ）は、圧電振動子１の内部構成図であって、リッド基板３を取り外した状態の平面図である。
図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ）のＢ−Ｂ線における断面図である。
図１２は、図１０に示す圧電振動子１の分解斜視図である。
なお、図１２においては、図面を見易くするために後述する励振電極１３，１４、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７及び重り金属膜２１の図示を省略している。
図１０，１１に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２及びリッド基板３が接合膜３５を介して陽極接合されたパッケージ９と、パッケージ９のキャビティ３ａに収納された圧電振動片４と、を備えた表面実装型の圧電振動子１である。
【００７０】
図１１（Ｂ）に示すように、ベース基板２及びリッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な基板であり、略板状に形成されている。リッド基板３におけるベース基板２との接合面側には、圧電振動片４を収容するキャビティ３ａが形成されている。
【００７１】
ベース基板２には、ベース基板２を厚さ方向に貫通し、キャビティ３ａの内側と外側とを導通させる貫通電極３２，３３が形成されている。貫通電極３２，３３は、ベース基板２を貫通する貫通孔３０，３１内に配置され、圧電振動片４と外部とを電気的に接続する金属ピン７と、貫通孔３０，３１と金属ピン７との間に充填される筒体６と、により形成されている。なお、以下には貫通電極３２を例にして説明するが、貫通電極３３についても同様である。また、貫通電極３３、引き回し電極３７及び外部電極３９の電気的接続についても、貫通電極３２、引き回し電極３６及び外部電極３９と同様となっている。
【００７２】
貫通孔３０は、ベース基板２の上面Ｕ側から下面Ｌ側にかけて、内径が次第に大きくなるように形成されており、貫通孔３０の中心軸を含む断面形状がテーパ状となるように形成されている。
金属ピン７は、銀やニッケル合金、アルミニウム等の金属材料により形成された導電性の棒状部材であり、鍛造やプレス加工により成型される。金属ピン７は、線膨張係数がベース基板２のガラス材料と近い金属、例えば、鉄を５８重量パーセント、ニッケルを４２重量パーセント含有する合金（４２アロイ）で形成することが望ましい。
筒体６は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体６の中心には、金属ピン７が筒体６を貫通するように配されており、筒体６は、金属ピン７及び貫通孔３０に対して強固に固着している。
【００７３】
図１２に示すように、ベース基板２の上面Ｕ側には、一対の引き回し電極３６，３７がパターニングされている。また、これら一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれ金等からなるバンプＢが形成されており、これらバンプＢを利用して圧電振動片４の一対のマウント電極１６，１７が実装されている。これにより、圧電振動片４の一方のマウント電極１７（図１１（Ａ）参照）が、一方の引き回し電極３６を介して一方の貫通電極３２に導通し、他方のマウント電極１６（図１１（Ａ）参照）が、他方の引き回し電極３７を介して他方の貫通電極３３に導通するようになっている。
【００７４】
ベース基板２の下面Ｌには、一対の外部電極３８，３９が形成されている。一対の外部電極３８，３９は、ベース基板２の長手方向の両端部に形成され、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ電気的に接続されている。
【００７５】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極３８，３９に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片４の第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４に電圧を印加できるので、一対の振動腕部１０，１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部１０，１１の振動を利用して、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として利用できる。
【００７６】
本実施形態によれば、上述した低コストな圧電振動片４を備えているので、低コストな圧電振動子１を得ることができる。
【００７７】
（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１３を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１１０は、図１３に示すように、圧電振動子１を、集積回路１１１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１１０は、コンデンサ等の電子素子部品１１２が実装された基板１１３を備えている。基板１１３には、発振器用の前記集積回路１１１が実装されており、この集積回路１１１の近傍に、圧電振動子１の圧電振動片が実装されている。これら電子素子部品１１２、集積回路１１１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【００７８】
このように構成された発振器１１０において、圧電振動子１に電圧を印加すると、圧電振動子１内の圧電振動片が振動する。この振動は、圧電振動片が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１１１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１１１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１１１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加できる。
【００７９】
本実施形態の発振器１１０によれば、低コストな圧電振動子１を備えているので、低コストな発振器１１０を提供できる。
【００８０】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１４を参照して説明する。なお電子機器として、前述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１２０を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器１２０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
【００８１】
次に、本実施形態の携帯情報機器１２０の構成について説明する。この携帯情報機器１２０は、図１４に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１２１とを備えている。電源部１２１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１２１には、各種制御を行う制御部１２２と、時刻等のカウントを行う計時部１２３と、外部との通信を行う通信部１２４と、各種情報を表示する表示部１２５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１２６とが並列に接続されている。そして、電源部１２１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【００８２】
制御部１２２は、各機能部を制御して音声データの送信や受信、現在時刻の計測、表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１２２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、該ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、該ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【００８３】
計時部１２３は、発振回路やレジスタ回路、カウンタ回路、インターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片４が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１２２と信号の送受信が行われ、表示部１２５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【００８４】
通信部１２４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１２７、音声処理部１２８、切替部１２９、増幅部１３０、音声入出力部１３１、電話番号入力部１３２、着信音発生部１３３及び呼制御メモリ部１３４を備えている。
無線部１２７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１３５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１２８は、無線部１２７又は増幅部１３０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１３０は、音声処理部１２８又は音声入出力部１３１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１３１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【００８５】
また、着信音発生部１３３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１２９は、着信時に限って、音声処理部１２８に接続されている増幅部１３０を着信音発生部１３３に切り替えることによって、着信音発生部１３３において生成された着信音が増幅部１３０を介して音声入出力部１３１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１３４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１３２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【００８６】
電圧検出部１２６は、電源部１２１によって制御部１２２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１２２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１２４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１２６から電圧降下の通知を受けた制御部１２２は、無線部１２７、音声処理部１２８、切替部１２９及び着信音発生部１３３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１２７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１２５に、通信部１２４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【００８７】
すなわち、電圧検出部１２６と制御部１２２とによって、通信部１２４の動作を禁止し、その旨を表示部１２５に表示できる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１２５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１２４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断できる電源遮断部１３６を備えることで、通信部１２４の機能をより確実に停止できる。
【００８８】
本実施形態の携帯情報機器１２０によれば、低コストな圧電振動子１を備えているので、低コストな携帯情報機器１２０を提供できる。
【００８９】
（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１５を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１４０は、図１５に示すように、フィルタ部１４１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、前述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【００９０】
以下、電波時計１４０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１４２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１４３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１４１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、前記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１４８、１４９をそれぞれ備えている。
【００９１】
更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１４４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１４５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１４６でカウントされる。ＣＰＵ１４６では、現在の年や積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１４７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１４８、１４９は、前述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【００９２】
なお、前述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１４０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【００９３】
本実施形態の電波時計１４０によれば、低コストな圧電振動子１を備えているので、低コストな電波時計１４０を提供できる。
【００９４】
なお、この発明は上述した実施の形態に限られるものではない。
本実施形態の圧電振動片４の製造方法では、音叉型の圧電振動片４を製造しているが、本発明の製造方法により製造される圧電振動片４は音叉型に限られず、例えば、ＡＴカット型の圧電振動片（厚み滑り振動片）であってもよい。また、本発明の製造方法により、圧電振動片以外の電子部品を製造してもよい。
【００９５】
本実施形態の圧電振動片４の製造方法では、フォトレジスト材８５を成膜しているが、フォトレジスト膜８５ａ以外のマスク材膜を成膜してもよい。また、フォトレジスト材８５としてネガレジスト材を用いているが、フォトレジスト材８５はネガレジスト材に限られず、ポジレジスト材を用いてもよい。
【符号の説明】
【００９６】
１・・・圧電振動子  ４・・・圧電振動片  ６５・・・角型ウエハ  ６５ａ・・・第１面（一面、他面）  ６５ｂ・・・第２面（一面、他面）  ６６・・・外縁  ７０・・・スピンチャック  ７２・・・ウエハ保持部  ７２ａ・・・上面  ８５ａ・・・フォトレジスト膜（マスク材膜）  ８８・・・整流板  ８８ａ・・・上面  ９３・・・貯留部（溶剤供給手段）  ９４・・・レジスト溶剤  ９７・・・溶剤供給手段  Ｓ１１３・・・フォトレジスト膜成膜工程（マスク材膜成膜工程）  Ｋ・・・回転中心
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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