【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年9月27日(2016.9.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．１重量％〜５重量％のフッ素と、５０重量ｐｐｍ〜６重量％のＡｌ、Ｔａ及びＮｂのうちの少なくとも１つの酸化物と、３重量％〜１０重量％のＴｉＯ２及び残りのＳｉＯ２を含むベースシリカ−チタニアガラスとを含む、ドープシリカ−チタニアガラスであって、
２０℃において１ｐｐｂ／Ｋ２未満の膨張率勾配、８７５℃未満の仮想温度、±１０℃未満の仮想温度変動、及び０℃〜１５０℃の温度範囲において２つのクロスオーバー温度Ｔｚｃを有する、ドープシリカ−チタニアガラス。
【請求項２】
８２５℃未満の仮想温度を有する、請求項１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
【請求項３】
±５℃未満の仮想温度変動を有する、請求項１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
【請求項４】
２０℃において０．６ｐｐｂ／Ｋ２未満の膨張率勾配を有する、請求項１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
【請求項５】
１００ｐｐｍ未満のＯＨ濃度を有する、請求項１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
【請求項６】
０．１２ｎｍ  ｒｍｓ未満のＭＳＦＲを有する、請求項１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
【請求項７】
２０〜１００℃の温度範囲において１２ｐｐｂ／Ｋ以下のΔＣＴＥを有する、請求項１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
【請求項８】
２０〜６０℃の温度範囲において５．８ｐｐｂ／Ｋ以下のΔＣＴＥを有する、請求項１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
【請求項９】
２０〜１００℃の温度範囲において５ｐｐｂ／Ｋ未満のΔＣＴＥを有する、請求項１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
【請求項１０】
フッ素を含有するドープシリカ−チタニアガラスを作製する方法であって：
シリカ前駆体と、チタニア前駆体と、Ａｌ、Ｎｂ及びＴａからなる群のうちの１つ以上の酸化物ドーパントの前駆体とを用いた火炎加水分解及び／又は有炎燃焼により、酸化物でドープされたシリカ−チタニアスート粒子を調製するステップ；
前記スート粒子を、ＯＶＤプロセスを用いて旋盤のバイトロッド上に付着させて、スートブランクを調製するステップ；及び 
前記スートブランクを流動Ｈｅ雰囲気中で１２００℃超まで加熱し、さらに流動Ｈｅ、Ｏ２及び圧密化されたガラス中で１．５重量％の目標Ｆ濃度となるように選択されたフッ素含有ガスを用いて、１２５０℃超のピーク温度で前記ブランクを焼結及び圧密化することで、前記得られたスートブランクを炉内で圧密化するステップ
を有してなり、
得られたガラスは、０℃〜１５０℃の温度範囲内において２つのクロスオーバー温度Ｔｚｃを有し、
前記フッ素含有ガスは、Ｆ２、ＣＦ４、ＳＦ４、及びＳｉＦ４からなる群より選択される、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
本発明を限られた数の実施形態に関連させて説明してきたが、本開示の利益を有する当業者は、本明細書に開示の本発明の範囲から逸脱しない他の実施形態も考えられることを理解するであろう。従って、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によってのみ限定されるべきである。
他の実施態様
１．０．１重量％〜５重量％のフッ素と、５０重量ｐｐｍ〜６重量％のＡｌ、Ｔａ及びＮｂのうちの少なくとも１つの酸化物と、３重量％〜１０重量％のＴｉＯ２及び残りのＳｉＯ２を含むベースシリカ−チタニアガラスとを含む、ドープシリカ−チタニアガラスであって、２０℃において１ｐｐｂ／Ｋ２未満の膨張率勾配、８７５℃未満の仮想温度、及び２０℃〜１５０℃の温度範囲において２つのクロスオーバー温度Ｔｚｃを有する、ドープシリカ−チタニアガラス(doped silica-titania glass)。
２．８２５℃未満の仮想温度を有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
３．７７５℃未満の仮想温度を有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
４．±１０℃未満の仮想温度変動を有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス
５．±５℃未満の仮想温度変動を有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
６．±２℃未満の仮想温度変動を有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス
７．２０℃において０．６ｐｐｂ／Ｋ２未満の膨張率勾配を有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
８．フッ素ドーパントが、０．１重量％〜３重量％のフッ素である、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
９．０．２重量％〜３重量％のフッ素を含み、２０℃において０．８ｐｐｂ／Ｋ２未満の膨張率勾配を有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
１０．１００ｐｐｍ未満のＯＨ濃度を有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
１１．５０ｐｐｍ未満のＯＨ濃度を有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
１２．３０ｐｐｍ未満のＯＨ濃度を有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
１３．２０ｐｐｍ未満のＯＨ濃度を有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
１４．０．２ｎｍ  ｒｍｓ未満のＭＳＦＲ（中空間周波数粗さ）を有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
１５．０．１５ｎｍ  ｒｍｓ未満のＭＳＦＲを有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
１６．０．１２ｎｍ  ｒｍｓ未満のＭＳＦＲを有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
１７．２０〜１００℃の温度範囲において１２ｐｐｂ／Ｋ以下のΔＣＴＥを有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
１８．２０〜１００℃の温度範囲において５ｐｐｂ／Ｋ未満のΔＣＴＥを有する、実施態様１記載のドープシリカ−チタニアガラス。
１９．０．１重量％〜５重量％のフッ素と、５０重量ｐｐｍ〜６重量％のＡｌ、Ｔａ及びＮｂのうちの少なくとも１つの酸化物と、３重量％〜１０重量％のＴｉＯ２及び残りのＳｉＯ２を含むベースシリカ−チタニアガラスとを含む、ドープシリカ−チタニアガラスであって、４ｐｐｂ／Ｋ未満の膨張率、ゼロの膨張率勾配、及び２５℃〜６５℃の温度範囲において２つのクロスオーバー温度Ｔｚｃを有する、ドープシリカ−チタニアガラス。
２０．２ｐｐｂ／Ｋ未満の膨張率、ゼロの膨張率勾配、及び２７℃〜６０℃の温度範囲において２つのクロスオーバー温度Ｔｚｃを有する、実施態様１９記載のドープシリカ−チタニアガラス。
２１．１ｐｐｂ／Ｋ未満の膨張率、ゼロの膨張率勾配、及び３２℃〜５５℃の温度範囲において２つのクロスオーバー温度Ｔｚｃを有する、実施態様１９記載のドープシリカ−チタニアガラス。
２２．４ｐｐｂ／Ｋ未満のピーク膨張率、ゼロの膨張率勾配、及び２５℃〜６０℃の温度範囲において２つのクロスオーバー温度Ｔｚｃを有する、ドープシリカ−チタニアガラスであって、０．２重量％〜３重量％のフッ素と、５０重量ｐｐｍ〜６重量％のＡｌ、Ｔａ及びＮｂのうちの１つ以上の酸化物と、３重量％〜１０重量％のＴｉＯ２及び残りのＳｉＯ２を含むベースシリカ−チタニアガラスとを含む、ドープシリカ−チタニアガラス。
２３．ドープシリカ−チタニアガラスを作製する方法であって：
シリカ前駆体と、チタニア前駆体と、酸化物ドーパントの前駆体とを用いた火炎加水分解及び／又は有炎燃焼により、酸化物でドープされたシリカ−チタニアスート粒子を調製するステップであって、前記前駆体は、５０重量ｐｐｍ〜６重量％のＡｌ、Ｔａ及びＮｂのうちの少なくとも１つの酸化物と、３重量％〜１０重量％のＴｉＯ２及び残りのＳｉＯ２を含むベースシリカ−チタニアガラスとを含むスート粒子を堆積させるのに十分な量で提供され；
前記スート粒子を、ＯＶＤプロセスを用いて旋盤のバイトロッド上に付着(depositing)させて、スートブランクを調製するステップ；及び
前記スートブランクを流動Ｈｅ雰囲気中で１２００℃超まで加熱し、さらに流動Ｈｅ、Ｏ２及び圧密化されたガラス中で１．５重量％の目標Ｆ濃度となるように選択されたフッ素含有ガスを用いて、１２５０℃超のピーク温度で前記ブランクを焼結及び圧密化することで、前記得られたスートブランクを炉内で圧密化するステップ
を有してなる、方法。
２４．前記フッ素含有ガスは、Ｆ２、ＣＦ４、ＳＦ４、及びＳｉＦ４からなる群より選択される、実施態様２３記載の方法。