【手続補正書】
【提出日】平成28年8月8日(2016.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接して、第１のチャネルに関連付けられた、スピン注入磁化反転磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）バンクの第１のカラムを含む、少なくとも一つのバンクの第１の組であって、前記バンクの第１の組が、第１のメモリタイプとして第１のデバイス属性及び／又は第１の回路属性に応じて調整され、ダイレクトランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、フラッシュメモリ及び擬似スタティックランダムアクセスメモリ（ＰＳＲＡＭ）の内の一つを置き換える、少なくとも一つのバンクの第１の組と、
間にプロセッサ無しでＳＴＴ−ＭＲＡＭバンクの第１のカラムに隣接して、第２のチャネルに関連付けられた、ＳＴＴ−ＭＲＡＭバンクの第２のカラムを含む、少なくとも一つのバンクの第２の組であって、前記バンクの第２の組が、第２のメモリタイプとして第２のデバイス属性及び／又は第２の回路属性に応じて調整され、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ及びＰＳＲＡＭの内の一つを置き換え、前記第１のメモリタイプと異なる、少なくとも一つのバンクの第２の組と、
前記第１のチャネル及び前記第２のチャネルに結合されるプロセッサであって、前記第１のチャネルが、前記第２のチャネルを介した前記バンクの第２の組への直接のプロセッサのアクセスとは独立した前記バンクの第１の組への直接のアクセスをプロセッサに提供する、プロセッサと、
を含む、モノリシックマルチチャネル磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）。
【請求項２】
前記第１のデバイス属性および前記第２のデバイス属性は、少なくとも、ビットセルアーキテクチャ、ビットセルサイズ、トランジスタサイズ、および／またはＭＴＪサイズを含む、請求項１に記載のメモリ。
【請求項３】
前記第１の回路属性および前記第２の回路属性は、少なくとも、動作電圧、入力／出力（ＩＯ）幅、ＩＯ速度／周波数、アレイ構成、冗長度、および／または誤り訂正符号（ＥＣＣ）を含む、請求項１に記載のメモリ。
【請求項４】
第３のチャネルに関連付けられ、第３のデバイス属性および／または第３の回路属性に応じて調整された、少なくとも１つの第３のバンクをさらに含む、請求項１に記載のメモリ。
【請求項５】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項１に記載のメモリ。
【請求項６】
互いに隣接して、第１のチャネルに関連付けられた、スピン注入磁化反転磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）バンクの第１のカラムを含む、少なくとも一つの第１の記憶手段であって、前記第１の記憶手段が、第１のメモリタイプとして第１のデバイス属性及び／又は第１の回路属性に応じて調整され、ダイレクトランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、フラッシュメモリ及び擬似スタティックランダムアクセスメモリ（ＰＳＲＡＭ）の内の一つを置き換える、少なくとも一つの第１の記憶手段と、
間にプロセッサ無しでＳＴＴ−ＭＲＡＭバンクの第１のカラムに隣接して、第２のチャネルに関連付けられた、ＳＴＴ−ＭＲＡＭバンクの第２のカラムを含む、少なくとも一つの第２の記憶手段であって、前記第２の記憶手段が、第２のメモリタイプとして第２のデバイス属性及び／又は第２の回路属性に応じて調整され、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ及びＰＳＲＡＭの内の一つを置き換え、前記第１のメモリタイプと異なる、少なくとも一つの第２の記憶手段と、
前記第１のチャネル及び前記第２のチャネルに結合されるプロセッサであって、前記第１のチャネルが、前記第２のチャネルを介した前記第２の記憶手段への直接のアクセスとは独立した前記第１の記憶手段への直接のアクセスをプロセッサに提供する、プロセッサと、
を含む、モノリシックマルチチャネル 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）。
【請求項７】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに組み込まれる、請求項６に記載のメモリ。
【請求項８】
マルチチャネルモノリシックマルチチャネル磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）内でメモリバンクをチャネルに関連付ける方法であって、
少なくとも一つのバンクの第１の組を第１のチャネルに関連付けるステップであって、前記バンクの第１の組が、互いに隣接したスピン注入磁化反転磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）バンクの第１のカラムを含み、前記バンクの第１の組が、第１のメモリタイプとして第１のデバイス属性及び／又は第１の回路属性に応じて調整され、ダイレクトランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、フラッシュメモリ及び擬似スタティックランダムアクセスメモリ（ＰＳＲＡＭ）の内の一つを置き換える、ステップと、
少なくとも一つのバンクの第２の組を第２のチャネルに関連付けるステップであって、前記バンクの第２の組が、間にプロセッサ無しでＳＴＴ−ＭＲＡＭバンクの第１のカラムに隣接したＳＴＴ−ＭＲＡＭバンクの第２のカラムを含み、前記バンクの第２の組が、第２のメモリタイプとして第２のデバイス属性及び／又は第２の回路属性に応じて調整され、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ及びＰＳＲＡＭの内の一つを置き換え、前記第１のメモリタイプと異なる、ステップと、
前記第２のチャネルを介した前記バンクの第２の組への直接のアクセスとは独立した、前記第１のチャネルを介した前記バンクの第１の組へ直接アクセスするステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに前記メモリを組み込むステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
モノリシックマルチチャネル磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）内でメモリバンクをチャネルに関連付ける方法であって、
少なくとも一つのバンクの第１の組を第１のチャネルに関連付けるステップであって、前記バンクの第１の組が、第１のデバイス属性及び／又は第１の回路属性に応じて調整され、前記バンクの第１の組が、第１のメモリタイプとして互いに隣接したスピン注入磁化反転磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）バンクの第１のカラムを含み、ダイレクトランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、フラッシュメモリ及び擬似スタティックランダムアクセスメモリ（ＰＳＲＡＭ）の内の一つを置き換える、ステップと、
少なくとも一つのバンクの第２の組を第２のチャネルに関連付けるステップであって、前記バンクの第２の組が、第２のデバイス属性及び／又は第２の回路属性に応じて調整され、前記バンクの第２の組が、第２のメモリタイプとして間にプロセッサ無しでＳＴＴ−ＭＲＡＭバンクの第１のカラムに隣接したＳＴＴ−ＭＲＡＭバンクの第２のカラムを含み、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ及びＰＳＲＡＭの内の一つを置き換え、前記第１のメモリタイプと異なる、ステップと、
前記第２のチャネルを介した前記バンクの第２の組への直接のアクセスとは独立した、前記第１のチャネルを介した前記バンクの第１の組へ直接アクセスするステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
前記第１のチャネルおよび前記第２のチャネルを介して前記メモリをプロセッサに結合するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに前記メモリを組み込むステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
モノリシックマルチチャネル磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）用のメモリバンクを作製するための方法であって、
少なくとも一つのバンクの第１の組を第１のデバイス属性及び／又は第１の回路属性に応じて調整するステップであって、前記バンクの第１の組が、第１のメモリタイプとして互いに隣接したスピン注入磁化反転磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）バンクの第１のカラムを含み、ダイレクトランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、フラッシュメモリ及び擬似スタティックランダムアクセスメモリ（ＰＳＲＡＭ）の内の一つを置き換える、ステップと、
少なくとも一つのバンクの第２の組を第２のデバイス属性及び／又は第２の回路属性に応じて調整するステップであって、前記バンクの第２の組が、第２のメモリタイプとして間にプロセッサ無しでＳＴＴ−ＭＲＡＭバンクの第１のカラムに隣接したＳＴＴ−ＭＲＡＭバンクの第２のカラムを含み、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ及びＰＳＲＡＭ及び前記第２のメモリタイプの内の一つを置き換え、前記第１のメモリタイプと異なる、ステップと、
第２のチャネルを介した前記バンクの第２の組への直接のアクセスとは独立した、第１のチャネルを介した前記バンクの第１の組へ直接アクセスするステップと、
を含む、方法。
【請求項１４】
前記第１のデバイス属性および前記第２のデバイス属性は、少なくとも、ビットセルアーキテクチャ、ビットセルサイズ、トランジスタサイズ、および／またはＭＴＪサイズを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の回路属性および前記第２の回路属性は、少なくとも、動作電圧、入力／出力（ＩＯ）幅、ＩＯ速度／周波数、アレイ構成、冗長度、および／または誤り訂正符号（ＥＣＣ）を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
第３のデバイス属性および／または第３の回路属性に応じて、少なくとも１つの第３のバンクを調整するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに前記メモリを組み込むステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
モノリシックマルチチャネル磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）用のメモリバンクを作製するための方法であって、
少なくとも一つのバンクの第１の組を第１のデバイス属性及び／又は第１の回路属性に応じて調整するステップであって、前記バンクの第１の組が、第１のメモリタイプとして互いに隣接したスピン注入磁化反転磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴ−ＭＲＡＭ）バンクの第１のカラムを含み、ダイレクトランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）、フラッシュメモリ及び擬似スタティックランダムアクセスメモリ（ＰＳＲＡＭ）の内の一つを置き換える、ステップと、
少なくとも一つのバンクの第２の組を第２のデバイス属性及び／又は第２の回路属性に応じて調整するステップであって、前記バンクの第２の組が、第２のメモリタイプとして間にプロセッサ無しでＳＴＴ−ＭＲＡＭバンクの第１のカラムに隣接したＳＴＴ−ＭＲＡＭバンクの第２のカラムを含み、ＤＲＡＭ、フラッシュメモリ及びＰＳＲＡＭの内の一つを置き換え、前記第１のメモリタイプと異なる、ステップと、
第２のチャネルを介した前記バンクの第２の組への直接のアクセスとは独立した、第１のチャネルを介した前記バンクの第１の組へ直接アクセスするステップと、
を含む、方法。
【請求項１９】
携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム（ＰＣＳ）ユニット、ポータブルデータユニット、および／または固定位置データユニットに前記メモリを組み込むステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。