【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月22日(2016.6.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電素子形成に適合されたインクであって、
銅を含んで構成され、２０ナノメートルより短い直径を有する複数のナノ粒子と、
キャリアと、
を含んで構成され、
前記ナノ粒子のそれぞれは、隣接するナノ粒子と分離するよう構成された界面活性剤の少なくとも部分的なコーティングを含んで構成され、
粒子間力をナノ粒子の公称断面積で割った値を粒子間圧力とすると、前記ナノ粒子は、一のナノ粒子が１４０００ｋＰａより小さい粒子間圧力で他の一のナノ粒子に対して押圧されたときに互いに融合するよう構成されることを特徴とするインク。
【請求項２】
前記ナノ粒子は、１０ナノメートルより短い直径を有する請求項１に記載のインク。
【請求項３】
前記ナノ粒子は、１−７ナノメートルの範囲の直径を有する請求項２に記載のインク。
【請求項４】
前記ナノ粒子は、３−５ナノメートルの範囲の直径を有する請求項３に記載のインク。
【請求項５】
前記ナノ粒子は、一のナノ粒子が秒速０．５メートルより速い相対速度で他の一のナノ粒子に打ち付けられときに互いに融合するよう構成される請求項１に記載のインク。
【請求項６】
前記ナノ粒子は、一のナノ粒子が秒速１．０メートルより速い相対速度で他の一のナノ粒子に打ち付けられたときに互いに融合する請求項５に記載のインク。
【請求項７】
前記ナノ粒子は、前記粒子間圧力が６００ｋＰａより小さいときに互いに融合するよう構成される請求項１に記載のインク。
【請求項８】
前記ナノ粒子は、前記粒子間圧力が５０００ｋＰａより小さいときに互いに融合するよう構成される請求項１に記載のインク。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
約２５ナノメートル、そしてそれより小さいナノ粒子２２を融合するのに必要とされる粒子間圧力（粒子間力をナノ粒子の公称断面積で割った値）は、ナノ粒子２２の大きさ、及び混合物の中に含まれる界面活性剤に応じて、およそ６００−１３，８００キロパスカル（ｋＰａ）（概略で平方インチ当たり９０から２０００ポンド（ｐｓｉ））の範囲である。より大きな粒子は、高圧もしくは熱と連動する圧力が必要となり、融合の困難性が増大しやすい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
当業者に周知の、もしくは後程知られるようになる、本開示に記載された様々な態様の要素と構造上及び機能上均等物は、参照によって、本明細書に明確に組み入れられており、特許請求の範囲により包含するよう意図されている。さらに、本明細書に開示されたものは、このような開示が特許請求の範囲で明らかに引用されているか否かにかかわらず、公に供することを意図したものではない。いかなる特許請求の範囲の要素も、その要素が明確に用語「の手段」を用いて記載されている場合、もしくは、方法の発明の場合において、用語「の方法」を用いて要素が記載されてる場合を除き、米国特許法（35 U.S.C）第１１２条第６段落に従って解釈されるものではない。 さらにまた、明細書もしくは特許請求の範囲において「含む（include）」「有する（have）」などの用語が用いられている限りは、これらの語は、用語「を含んで構成される（comprise）」と同様に、すべてを含むよう意図されている。請求項において移行語として用いられるときに、「を含んで構成する（comprise）」は、そのように解釈されるのと同様である。
出願当初の特許請求の範囲は、以下の内容であった。
［請求項１］
導電素子形成に適合されたインクであって、
銅を含んで構成され、２０ナノメートルより短い直径を有する複数のナノ粒子と、
キャリアと、
を含んで構成され、
前記ナノ粒子のそれぞれは、隣接するナノ粒子と分離するよう構成された界面活性剤の少なくとも部分的なコーティングを含んで構成されることを特徴とするインク。
［請求項２］
前記ナノ粒子は、１０ナノメートルより短い直径を有する請求項１に記載のインク。
［請求項３］
前記ナノ粒子は、１−７ナノメートルの範囲の直径を有する請求項２に記載のインク。
［請求項４］
前記ナノ粒子は、３−５ナノメートルの範囲の直径を有する請求項３に記載のインク。
［請求項５］
前記ナノ粒子は、一のナノ粒子が秒速０．５ナノメートルより速い相対速度で他の一のナノ粒子に打ち付けられときに互いに融合するよう構成される請求項１に記載のインク。
［請求項６］
前記ナノ粒子は、一のナノ粒子が秒速１．０ナノメートルより速い相対速度で他の一のナノ粒子に打ち付けられたときに互いに融合する請求項５に記載のインク。
［請求項７］
前記ナノ粒子は、一のナノ粒子が、６００ｋＰｓより小さい、ナノ粒子の公称断面積によって分割された粒子間力として考えられる粒子間圧力で他の一のナノ粒子に対して押圧されたときに互いに融合するよう構成される請求項１に記載のインク。
［請求項８］
前記ナノ粒子は、前記粒子間圧力が５０００ｋＰａより小さいときに互いに融合するよう構成される請求項７に記載のインク。
［請求項９］
前記ナノ粒子は、前記粒子間圧力が１４０００ｋＰａより小さいときに互いに融合するよう構成される請求項８に記載のインク。
［請求項１０］
２００℃より低い最高暴露温度を有する基板と、
前記基板に連結された第１金属形成層と、
を含んで構成され、
前記第１金属形成層は、少なくとも部分的に融合した、銅を含んで構成され、融合される前には５０ナノメートルより小さい直径を有するナノ粒子を含んで構成されることを特徴とする回路アッセンブリ。
［請求項１１］
前記ナノ粒子は、融合される前には２０ナノメートルより小さい直径を有する請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１２］
前記ナノ粒子は、融合される前には１０ナノメートルより小さい直径を有する請求項１１に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１３］
前記ナノ粒子は、融合される前には１−７ナノメートルの範囲にある直径を有する請求項１２に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１４］
前記ナノ粒子は、融合される前には３−５ナノメートルの範囲にある直径を有する請求項１３に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１５］
前記基板は、フレキシブルである請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１６］
前記基板は、７０℃より低い最高暴露温度を有する請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１７］
前記第一金属形成層の少なくとも一部の上方にある非導電性物質の第一層と、 
前記第一非導電層の上方にある第２金属形成層と、
を更に含んで構成され、
前記第二金属形成層は、少なくとも部分的に融合したナノ粒子を含んで構成される請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１８］
更に、前記第１非導電層を貫通し、前記第１及び第２金属形成層に電気的に接続された少なくとも一つのビアを含んで構成され、
前記ビアは、銅を含んで構成された、融合したナノ粒子を含んで構成される請求項１７に記載の回路アッセンブリ。
［請求項１９］
前記第１金属形成層は、前記一組の抵抗、キャパシタ、インダクタ、ダイオードから選択された受動素子の少なくとも一部を形成する請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項２０］
前記第１金属形成層は、トランジスタの少なくとも一部を形成する請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項２１］
前記第１金属形成層は、バッテリーの少なくとも一部を形成する請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項２２］
更に、個別的な電気的構成要素を含んで構成される請求項１０に記載の回路アッセンブリ。
［請求項２３］
銅を含んで構成され、２０ナノメートルより小さい直径を有するナノ粒子を含んで構成された混合物の複数の滴を、基板に対して、前記ナノ粒子が前記基板と衝突した際に互いに少なくとも部分的に融合し前記基板上に複数のドットを形成するのに十分な速度で、放出するよう構成された噴射器を含んで構成され、
前記ドットのそれぞれは、少なくとも部分的に融合したナノ粒子の層を含んで構成され、重なり合ったドットが互いに融合されていることを特徴とする回路プリント装置。
［請求項２４］
前記ナノ粒子は、１０ナノメートルより小さい直径を有する請求項２３に記載の回路プリント装置。
［請求項２５］
前記ナノ粒子は、１−７ナノメートル範囲の直径を有する請求項２４に記載の回路プリント装置。
［請求項２６］
前記ナノ粒子は、３−５ナノメートルの範囲の直径を有する請求項２５に記載の回路プリント装置。
［請求項２７］
前記放出された滴の前記速度は、秒速０．５ナノメートルより速い請求項２３に記載の回路プリント装置。
［請求項２８］
前記放出された滴の前記速度は、秒速１．０ナノメートルより速い請求項２７に記載の回路プリント装置。
［請求項２９］
更に、２００℃より高い温度まで前記基板の暴露なしに金属の導体パターンを作るよう構成される請求項２３に記載の回路プリント装置。
［請求項３０］
更に、７０℃より高い温度まで前記基板の暴露なしに金属の導体パターンを作るよう構成される請求項２９に記載の回路プリント装置。
［請求項３１］
基板上に導電素子を作成する方法であって、
銅を含んで構成され、２０ナノメートルより短い直径を有するナノ粒子を含んで構成された混合物の複数の滴を、基板に対して、前記ナノ粒子が前記基板と衝突した際に互いに少なくとも部分的に融合し前記基板上に複数のドットを形成するのに十分な速度で、噴射する段階を含んで構成され、
前記ドットのそれぞれは、融合したナノ粒子の層を含んで構成され、重なり合ったドットが互いに融合されることを特徴とする導電素子作成方法。
［請求項３２］
前記ナノ粒子は、１０ナノメートルより小さい直径を有する請求項３１に記載の導電素子作成方法。
［請求項３３］
前記ナノ粒子は、１−７ナノメートルの範囲の直径を有する請求項３２に記載の導電素子作成方法。
［請求項３４］
前記ナノ粒子は、３−５ナノメートルの範囲の直径を有する請求項３３に記載の導電素子作成方法。
［請求項３５］
前記基板の温度は、前記ナノ粒子が互いに融合している間、周囲温度の２０℃以下を維持する請求項３１に記載の導電素子作成方法。
［請求項３６］
前記基板の温度は、前記ナノ粒子が互いに融合している間、２００℃より低い温度を維持する請求項３１に記載の導電素子作成方法。
［請求項３７］
前記基板の前記温度は、前記ナノ粒子が互いに融合している間、７０℃より低い温度を維持する請求項３６に記載の導電素子作成方法。
［請求項３８］
前記基板は、フレキシブルである請求項３１に記載の導電素子作成方法。
［請求項３９］
更に、保護物質のコーティングを前記融合したナノ粒子の上に塗布する段階を含んで構成される請求項３１に記載の導電素子作成方法。
［請求項４０］
前記滴は、秒速０．５メートルより速い速度で噴射される請求項３１に記載の導電素子作成方法。
［請求項４１］
前記滴は、秒速１．０メートルより速い速度で噴射される請求項４０に記載の導電素子作成方法。
［請求項４２］
基板上に導電素子を作成する方法であって、
銅を含んで構成され、２０ナノメートルより小さい直径を有するナノ粒子を含んで構成される混合物の層を基板の表面の少なくとも一部の上に塗布する段階と、
前記混合物層の少なくとも一部の中で、前記ナノ粒子を互いに少なくとも部分的に融合させる段階と、
を含んで構成されることを特徴とする導電素子作成方法。
［請求項４３］
前記ナノ粒子は、１０ナノメートルより小さい直径を有する請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項４４］
前記ナノ粒子は、１−７ナノメートルの範囲の直径を有する請求項４３に記載の導電素子作成方法。
［請求項４５］
前記ナノ粒子は、３−５ナノメートルの範囲の直径を有する請求項４４に記載の導電素子作成方法。
［請求項４６］
前記融合させる段階は、前記混合物層の一部の上に光放射を向けることを含んで構成される請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項４７］
前記光放射は、前記ナノ粒子の吸収帯の範囲に少なくとも部分的に存在する周波数帯を有する請求項４６に記載の導電素子作成方法。
［請求項４８］
前記融合させる段階は、前記混合物層に対して圧力を加える請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項４９］
前記圧力は、前記混合物層を型で押し付けることにより加えられる請求項４８に記載の導電素子作成方法。
［請求項５０］
前記圧力は、前記混合物層の上にダイナミックナノインスクライビングすることによって加えられる請求項４８に記載の導電素子作成方法。
［請求項５１］
前記圧力は、前記混合物層の少なくとも一部をローラーでバニシングすることによって加えられる請求項４８に記載の導電素子作成方法。
［請求項５２］
バニシングは、前記混合物層と接触している前記ローラーの表面が前記基板に対して０より速い速度を有するように回転することを含んで構成される請求項５１に記載の導電素子作成方法。
［請求項５３］
前記圧力は、ボールで前記混合物層の少なくとも一部をバニシングすることによって加えられる請求項４８に記載の導電素子作成方法。
［請求項５４］
前記塗布する段階は、前記基板を貫通している円柱形の通路の内表面に前記混合物層を塗布することを含んで構成され、
前記融合させる段階は、前記ボールを、前記通路内を通過させることを含んで構成される請求項５３に記載の導電素子作成方法。
［請求項５５］
前記円柱形の通路は、内径とともに内表面を有し、
前記ボールは、前記円柱形の通路の内径と同じかそれより大きい直径を有する請求項５４に記載の導電素子作成方法。
［請求項５６］
前記融合させる段階は、前記混合物層と接触する前記ボールの表面が前記円柱形の通路の前記内表面に対して０より大きい速度を有するように前記ボールを回転させることを含んで構成される請求項５４に記載の導電素子作成方法。
［請求項５７］
前記塗布する段階は、前記基板上に、ある量の混合物を供給することと、
前記基板の全面にわたって引かれるツールで前記混合物を広げることと、
を含んで構成され、
前記圧力を加えることは、前記ツールが前記基板に全面にわたって引かれたときに、前記基板に対して前記ツールを押し付けることによって達成される請求項４８に記載の導電素子作成方法。
［請求項５８］
更に、前記混合物層の非融合部分を除去する段階を含んで構成される請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項５９］
前記塗布する段階は、前記混合物の層をパターンで塗布する請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項６０］
前記混合物のパターン層を塗布する段階は、ノズルから前記混合物を前記基板の前記表面上に押し出す段階を含んで構成される請求項５９に記載の導電素子作成方法。
［請求項６１］
前記融合させる段階は、前記混合物のパターン層を光子エネルギー源で照らす段階を含んで構成される請求項５９に記載の導電素子作成方法。
［請求項６２］
前記融合させる段階は、前記基板に対して前記混合物のパターン層を押し付けることを含んで構成される請求項５９に記載の導電素子作成方法。
［請求項６３］
前記融合させる段階は、前記混合物のパターン層を、周囲の温度より高く、２００℃より低く熱することを含んで構成される請求項５９に記載の導電素子作成方法。
［請求項６４］
前記融合させる段階は、前記混合物のパターン層を、周囲の温度より高く、７０℃より低く熱することを含んで構成される請求項６３に記載の導電素子作成方法。
［請求項６５］
前記混合物のパターン層を塗布する段階は、転写要素に前記混合物を塗布し、その後、前記転写要素から前記混合物を前記基板に転写することを含んで構成される請求項６４に記載の導電素子作成方法。
［請求項６６］
前記ナノ粒子を互いに融合させる段階は、転写された、前記混合物のパターン層を、前記基板に対して押圧することを含んで構成される請求項６５に記載の導電素子作成方法。
［請求項６７］
前記基板の前記温度は、導電素子が前記基板上に形成されている間、２００℃より低い温度に維持される請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項６８］
導電素子が前記基板上に形成されている間、７０℃、導電素子が前記基板上に形成されている間、請求項６７に記載の導電素子作成方法。
［請求項６９］
前記基板の前記温度は、前記導電素子が前記基板上に形成されている間、周囲温度の２０℃以内に維持されている請求項６８に記載の導電素子作成方法。
［請求項７０］
前記塗布する段階は、前記基板を前記混合物でスピンコーティングすることを含んで構成される請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項７１］
前記塗布する段階は、前記基板上に前記混合物を噴射することを含んで構成される請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項７２］
前記塗布する段階は、前記基板の全面にわたって、スキージを引くことを含んで構成される請求項４２に記載の導電素子作成方法。
［請求項７３］
回路プリント装置であって、
隣合うナノ粒子を分離するよう構成された界面活性剤の少なくとも一部のコーティングをそれぞれが含んで構成されたナノ粒子であって、銅を含んで構成されて、５０ナノメートルより短い直径を有するナノ粒子、を含んで構成された第一混合物の複数の滴を基板上に放出するように構成された第一噴射器と、
前記基板に前もって塗付された前記ナノ粒子の少なくとも一部から前記界面活性剤の少なくとも一部を変位させるように構成された分散剤を含んで構成された第二混合物の複数の滴を放出するように構成され、前記第二混合物の複数の滴を放出して、前記塗付されたナノ粒子と衝突させて、前記塗付されたナノ粒子の少なくとも一部を少なくとも部分的に互いに融合させる、第二噴射器と、
を含んで構成される回路プリント装置。
［請求項７４］
前記ナノ粒子は、２０ナノメートルより短い直径を有する請求項７３に記載の回路プリント装置。
［請求項７５］
前記ナノ粒子は、１０ナノメートルより短い直径を有する請求項７４に記載の回路プリント装置。
［請求項７６］
前記ナノ粒子は、１−７ナノメートルの範囲の直径を有する請求項７５に記載の回路プリント装置。
［請求項７７］
前記ナノ粒子は、３−５ナノメートルの範囲の直径を有する請求項７６に記載の回路プリント装置。
［請求項７８］
更に、２００℃より高い温度まで前記基板の暴露をせずに、金属の導電パターンを作成するよう構成される請求項７３に記載の回路プリント装置。
［請求項７９］
更に、７０℃より高い温度まで前記基板の暴露をせずに、金属の導電パターンを作成するよう構成される請求項７８に記載の回路プリント装置。