(57)【要約】【課題】保存安定性の高い再生レジストの製造方法及びレジストのリサイクル使用方法を提供すること。【解決手段】使用済みレジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）であり、リンス液がＰＧＭＥＡより低沸点の他の溶剤を含んでいる場合において、使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む使用済み混合液を回収して濃縮後、未使用レジストの割合が２０質量％以上となるように前記濃縮液に未使用レジストを添加して再生レジストを調製することにより、長期保存しても異物の発生が起こりにくく、未使用レジストと遜色ないレジスト膜を形成可能な再生レジストを製造することができる。この方法によれば、レジストを複数回リサイクル使用することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストを塗布した後に、残余の使用済みレジストを回収し、該使用済レジストから再生レジストを製造する再生レジストの製造方法であって、
前記使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む、使用済み混合液を回収する回収工程と、
前記使用済み混合液を濃縮して濃縮液を調製する濃縮工程と、
未使用レジストの割合が２０質量％以上となるように前記濃縮液に未使用レジストを添加して再生レジストを調製する再生レジスト調製工程と、
を含み、
前記使用済みレジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、
前記リンス液がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートより低沸点の他の溶剤を含む、
再生レジストの製造方法。
【請求項２】
前記他の溶剤がプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ブチル、メチル−３−メトキシプロピオネートから選択される１種以上の溶剤である、請求項１に記載の再生レジストの製造方法。
【請求項３】
前記濃縮工程では、全溶剤中に占める前記他の溶剤の割合が４０質量％以下となるように前記使用済み混合液を濃縮する請求項１又は２に記載の再生レジストの製造方法。
【請求項４】
レジスト貯蔵タンクからレジスト塗布装置へレジストを供給する供給工程と、
前記レジストを前記レジスト塗布装置において基板に塗布する塗布工程と、
残余の使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む、使用済み混合液を回収する回収工程と、
前記使用済み混合液を濃縮して濃縮液を調製する濃縮工程と、
未使用レジストの割合が２０質量％以上となるように前記濃縮液に未使用レジストを添加して再生レジストを調製する再生レジスト調製工程と、
前記再生レジストを前記レジスト貯蔵タンクへ貯蔵する貯蔵工程と、
を含み、
前記使用済みレジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、
前記リンス液がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートより低沸点の他の溶剤を含む、
レジストのリサイクル使用方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、再生レジストの製造方法及びレジストのリサイクル使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や液晶パネル等の製造プロセスにおいては、基板上にレジスト（レジスト液）を塗布して露光現像するリソグラフィが行われる。近年の液晶パネル等の大型化に伴い、使用する基板も大型化が進んでいることからレジストの使用量も増大している。代表的な塗布方式にはスピンコート方式やダイコート（スリットコート）方式がある。
【０００３】
基板へのレジストの塗布においては、実際に基板上に被膜として残るレジスト量以上の過剰量のレジストが必要になることから、余剰の使用済レジストが常に発生する。使用済レジストは無視できない量であるため、回収してリサイクル利用することが、経済的、環境的にも望まれる。
【０００４】
使用済みレジストの回収やリサイクルに関して、いくつかの提案がされている。例えば、回転塗布時に飛散したレジストを捕集し、捕集されたレジストをレジストの溶剤で溶解して回収し、濾過、減圧蒸留処理を行って再生する方法（特許文献１参照）、レジスト塗布装置から回収したレジスト及びレジストの溶剤と同じ成分からなる洗浄液について、溶剤成分を蒸発させて粘度を調整して再生する方法（特許文献２参照）等が提案されている。更に、本発明者らは、レジストの溶剤とリンス液が異なる成分であってもレジストが再利用できる再生レジストの製造方法として、特定の溶剤を所定の濃度以下になるように分留する工程を含む方法（特許文献３参照）を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−３４１２１号公報
【特許文献２】特開平１１−２４５２２６号公報
【特許文献３】特開２０１０−２３７６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、特許文献３の方法によって、再生レジストを繰り返しリサイクル使用していると、長期保存時に異物が発生する等、保存安定性に問題があることがわかっている。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、保存安定性の高い再生レジストの製造方法及びレジストのリサイクル使用方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、使用済みレジストとリンス液の廃液と含む使用済み混合液を回収し、濃縮した後に、未使用レジストを所定量添加することにより、長期保存安定性に優れた再生レジストを製造できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００９】
本発明の第一の態様は、レジストを塗布した後に、残余の使用済みレジストを回収し、該使用済レジストから再生レジストを製造する再生レジストの製造方法であって、前記使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む、使用済み混合液を回収する回収工程と、前記使用済み混合液を濃縮して濃縮液を調製する濃縮工程と、未使用レジストの割合が２０質量％以上となるように前記濃縮液に未使用レジストを添加して再生レジストを調製する再生レジスト調製工程と、を含み、前記使用済みレジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、前記リンス液がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートより低沸点の他の溶剤を含む、再生レジストの製造方法である。
【００１０】
また本発明の第二の態様は、レジスト貯蔵タンクからレジスト塗布装置へレジストを供給する供給工程と、前記レジストを前記レジスト塗布装置において基板に塗布する塗布工程と、残余の使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む、使用済み混合液を回収する回収工程と、前記使用済み混合液を濃縮して濃縮液を調製する濃縮工程と、未使用レジストの割合が２０質量％以上となるように前記濃縮液に未使用レジストを添加して再生レジストを調製する再生レジスト調製工程と、前記再生レジストを前記レジスト貯蔵タンクへ貯蔵する貯蔵工程と、を含み、前記使用済みレジストの溶剤が主としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであり、前記リンス液がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートより低沸点の他の溶剤を含む、レジストのリサイクル使用方法である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、長期保存しても、異物の発生が起こりにくく、複数回再生利用しても未使用レジストと遜色ないレジスト膜を形成できる再生レジストを製造し、リサイクル使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の再生レジストの製造方法の一例を示すフローチャートである
【図２】本発明のレジストのリサイクル使用方法の一例を示すフローチャートである。
【図３】実施例１の再生レジスト及び参考例のレジストにおける、線幅と露光時間との関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、本発明の再生レジストの製造方法の基本フローチャートである。以下、図１に沿って本発明を説明する。
【００１４】
［再生レジストの製造方法］
［回収工程］
回収工程Ｓ１０は、使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む、使用済み混合液を回収する工程である。
【００１５】
基板上にレジストを塗布した際には、基板上に被膜として残らず、塗布用の装置内に飛散したり落下したりすることによって発生する残余のレジストがある。これらを使用済みレジストとして回収する。レジストの塗布は、スピンコート法、ロールコーター法、バーコーター法等公知の方法を用いて行うことができる。
【００１６】
本発明で用いられるレジストとは、少なくともベース樹脂成分を含む従来公知のレジスト成分を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を主とする有機溶剤に溶解してなる組成物である。もちろんポジ型レジスト、ネガ型レジストいずれでもよく、必要に応じて酸発生剤、増感剤、感光剤、界面活性剤等の従来公知の化合物を含んでいてもよい。ＰＧＭＥＡの濃度は５０％以上であればよく、６０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましい。未使用レジストであっても、本発明の方法により製造された再生レジストであってもよい。
【００１７】
レジストの塗布の後、引き続き行うエッジリンス、バックリンス等の洗浄により発生する、レジスト膜の不要部分とリンス液とを含む廃液を更に回収する。これらの廃液と前記使用済みレジストとを含むものが、使用済み混合液である。リンス方法は、浸漬法、スプレー法等特に限定されず、リンス液処理時間も不要部分の洗浄除去に十分な時間であればよく、特に限定されるものではない。
【００１８】
本発明で用いられるリンス液とは、ＰＧＭＥＡ（沸点１４６℃）より低沸点の他の溶剤を含むものである。前記他の溶剤は、沸点１２０℃であるプロピレングリコールモノメチルエーテル、沸点１２６℃である酢酸ブチル、沸点１４２℃であるメチル−３−メトキシプロピオネート等が挙げられる。後述する濃縮工程において分留率の低下を防止するために、ＰＧＭＥＡとの沸点差は大きい方が好ましく、１０℃以上の沸点差が好ましく、２０℃以上の沸点差がより好ましい。これらリンス液は単独で使用しても、複数組み合わせて使用してもよい。
【００１９】
［濃縮工程］
濃縮工程Ｓ１１は、前記使用済み混合液から、前記他の溶剤が所定の濃度以下になるように濃縮して濃縮液を得る工程である。前記他の溶剤はＰＧＭＥＡよりも沸点が低いため、濃縮により、その濃度を下げることができる。なお、本発明における濃縮とは完全な精留を意味するものではなく、沸点差を利用して所定の割合まで他の溶剤を減少させる化学操作を意味する。この濃縮工程Ｓ１１は、濃縮後の溶剤組成を管理することが好ましいため、塗布装置のあるユーザーサイドではなく、好ましくはレジストメーカーサイドにて行われる。
【００２０】
濃縮方法は特に限定されないが、例えば、前記使用済み混合液を攪拌しながら加熱することで前記他の溶剤を蒸発させることにより行う。また、必要に応じて減圧下で前記使用済み混合液を攪拌しながら加熱し、前記他の溶剤を蒸発させるようにしてもよい。また、適宜必要に応じてＰＧＭＥＡを再添加し、前記他の溶剤を蒸発させやすくしてもよい。
【００２１】
濃縮工程Ｓ１１では、再生レジストの使用目的に応じて濃縮程度を適宜設定することができるが、全溶剤中に占める前記他の溶剤の濃度が４０％以下となるように濃縮することが好ましい。より好ましくは１０％以下であり、更に好ましくは１％以下である。前記他の溶剤の濃度が４０％以下であれば、必要性能に応じた用途で、再生レジストとして使用可能である。また、同じ理由でＰＧＭＥＡの濃度は５０％以上であることが好ましい。
【００２２】
なお、濃縮工程Ｓ１１において、一回の濃縮で前記他の溶剤の濃度を４０％以下にすることができるが、濃縮工程Ｓ１１を複数回行うことで、より前記他の溶剤の濃度を低くすることができる。これにより、前記他の溶剤の濃度をある程度自由に変えることができ、様々な形態の再生レジストの製造に利用でき、ユーザーの要求にも応えることができる。
【００２３】
［再生レジスト調製工程］
再生レジスト調製工程Ｓ１２は、前記濃縮液に未使用レジストを添加して再生レジストを調製する工程である。未使用レジストを添加することにより、長期保存において異物の発生を抑える効果が得られる。
【００２４】
ここで、長期保存して発生する異物は、パーティクルカウンターにより、単位体積あたりのパーティクルの個数として検出することができるが、パーティクルの数が増えると、均一なレジスト膜を形成できず、レジストとして使用できなくなる。パーティクルの発生しやすさとＧＰＣ分析での高分子量成分の濃度には密接な関係があり、レジスト製造直後のＧＰＣ高分子量成分ピークの面積百分率が１０％を超えると、６ヶ月保存後のレジストにはパーティクルの発生が多く、レジスト感度が低くなる等の性能低下を生じ、レジストとして使用できなくなるという関係を見出している。
ここで、ＧＰＣ分析での高分子量成分ピークとは、レジストに含まれるベース樹脂成分のメインピークよりも高分子量側に検出されるピークのことである。
ＧＰＣ分析での高分子量成分ピークは、具体的に、例えば、以下の条件により測定することができ、１５．５〜１８．３分の位置に現れる。
装置：Ｓｈｏｄｅｘ  ＳＹＳＴＥＭ  ２１（昭和電工社製）
ガードカラム：Ｓｈｏｄｅｘ  ＫＦ−Ｇ
カラム：Ｓｈｏｄｅｘ  ＫＦ−８０１×３
検出器：Ｓｈｏｄｅｘ  ＵＶ  ４１
検出波長：３１０ｎｍ
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
流量：１．０ｍＬ／分
サンプル濃度：各レジスト組成物の固形分濃度０．２質量％のＴＨＦ溶液
【００２５】
表１に、特許文献３の方法でレジストをリサイクルした例を示す。通常未使用レジストであっても、ＧＰＣ高分子量成分ピークは４〜６面積％存在するが、特許文献３の方法により、使用済み混合液を濃縮する方法でリサイクルを繰り返すと、３回程度で再生レジスト調製直後のＧＰＣ高分子量成分ピークが１０面積％を超え、６ヵ月後には０．３μｍ以上のパーティクルの個数が１０，０００個／ｍＬを超え、レジストとしての使用に適さなくなる。
【００２６】
【表１】
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【００２７】
ところが、前記濃縮液に未使用レジストを添加し、レジスト調製直後のＧＰＣ高分子量成分ピークを１０面積％以下にすれば、６ヶ月保存後も安定してレジストへの使用が可能となる。未使用レジストの添加量が多いほど、長期保存安定性は高くなるが、コスト高となるため、添加量の下限をシミュレーションにより求めた。未使用レジストのＧＰＣ高分子量成分ピークが６面積％であり、濃縮工程を経ると、１面積％増加すると仮定し、リサイクルに伴い、高分子量成分の面積％が変化する様子を算出した。濃縮液に未使用レジストを添加し再生レジスト中の未使用レジストの割合が１０％、１５％、２０％となるように調製する場合をそれぞれ表２〜４に示す。
【００２８】
【表２】
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【００２９】
【表３】
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【００３０】
【表４】
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【００３１】
表４のように、未使用レジストのＧＰＣ高分子量成分ピークが６面積％であり再生レジスト中の未使用レジストの割合が２０％となるように未使用レジストを添加すれば、再生レジストのＧＰＣ高分子量成分ピークの面積％がはじめて１０％になるのが、リサイクル４０回のときであり、その後もリサイクル可能であることがわかる。一方表２及び表３のように、未使用レジストの添加量が少ないと、リサイクル回数はあまり増えない。未使用レジストのＧＰＣ高分子量成分ピークの面積％がもともと６％よりも低ければリサイクル可能回数は増え、また濃縮液への未使用レジストの添加量が多くなればリサイクル可能回数は増える。
【００３２】
未使用レジストの添加量は、コストも鑑みれば、再生レジスト中の未使用レジストの割合が２０質量％以上５０質量％以下となる範囲で、各用途の必要性能に応じて適宜設定することが好ましい。未使用レジストを添加した後、再生レジストの固形分濃度を調整するために、未使用レジストに用いられている溶剤を別途添加してもよい。
【００３３】
［レジストのリサイクル使用方法］
本発明のもう一つの実施形態であるレジストのリサイクル使用方法について、図面を参照して説明する。図２は、本発明のレジストのリサイクル使用方法の基本フローチャートである。以下、図２に沿って本発明を説明する。
【００３４】
［供給工程］
供給工程Ｓ２０は、レジストを貯蔵するタンクからレジスト塗布装置へレジストを供給する工程である。ここで前記レジストは主に再生レジストであるが、サイクルの開始時は未使用レジストであってもかまわない。
【００３５】
［塗布工程］
塗布工程Ｓ２１は、前記レジストを前記レジスト塗布装置において基板に塗布する工程である。塗布方法は、スピンコート法、ロールコーター法、バーコーター法等公知の方法を用いることができる。例えば、塗布工程Ｓ２１は、吐出ノズルと基板とを相対的に移動させる手段を備えた装置によって行うことができる。吐出ノズルは、前記レジストが基板上に塗布されるように構成されているものであればよく特に限定されないが、例えば複数のノズル孔が列状に配列された吐出口を有する吐出ノズルや、スリット状の吐出口を有する吐出ノズルを用いることができる。また、塗布工程Ｓ２１は、基板上に前記レジストを吐出した後、基板をスピンさせて膜厚を薄く調整する手段を用いることもできる。
【００３６】
この塗布工程Ｓ２１において、例えば、半導体や液晶パネル製造ライン等の大型のレジスト塗布装置においては、塗布後の残余のレジスト液が多量に発生することになる。
【００３７】
回収工程Ｓ２２、濃縮工程Ｓ２３、再生レジスト調製工程Ｓ２４は、前記の再生レジストの製造方法において回収工程Ｓ１０、濃縮工程Ｓ１１、再生レジスト調製工程Ｓ１２として説明した通りである。
【００３８】
［貯蔵工程］
貯蔵工程Ｓ２５は、再生レジスト調製工程で調製された再生レジストをレジスト貯蔵タンクへ貯蔵する工程である。再生レジストは、０〜２０℃の温度に調整されたレジスト貯蔵タンクで貯蔵することが好ましい。また、貯蔵された再生レジストは通常６ヶ月以内に供給工程Ｓ２０で用いることが好ましい。
【実施例】
【００３９】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４０】
［再生レジストの製造方法］
（実施例１）
東京応化工業株式会社製のＴＦＲ−９７０ＰＭを用いて基板に塗布した際に発生した使用済みレジストと、リンス液として用いられた酢酸ブチルとを含む使用済み混合液（固形分濃度１１％、水分３％、有機溶剤中のＰＧＭＥＡ２０％，有機溶剤中の酢酸ブチル８０％）を回収した。
使用済み混合液を７０〜８０℃に加熱して約１／３の量まで濃縮した。これにＰＧＭＥＡを全体液量と同量添加し、再度７０〜８０℃に加熱して約１／３の量まで濃縮した。更にＰＧＭＥＡを全体液量の半量添加し、７０〜８０℃に加熱して濃縮液（固形分濃度４５％、水分０．０４％、有機溶剤中のＰＧＭＥＡ９８％，有機溶剤中の酢酸ブチル２％、）を得た。この濃縮液に同じ重量の未使用ＴＦＲ−９７０ＰＭを添加し、更に固形分濃度２３．６％となるようにＰＧＭＥＡを添加して再生レジストＡを調製した。
再生レジストＡを用いて基板に塗布した際に発生した使用済みレジストとリンス液の廃液とを含む使用済み混合液を、同様に濃縮して濃縮液（固形分濃度４２％、水分０．０６％、有機溶剤中のＰＧＭＥＡ９９％，有機溶剤中の酢酸ブチル１％、）を得た。この濃縮液に同じ重量の未使用ＴＦＲ−９７０ＰＭを添加し、更に固形分濃度を調整するためにＰＧＭＥＡを添加して再生レジストＢを調製した。
同様にして、再生レジストＢを基板塗布に使用後、使用済み混合液を回収し、濃縮して、固形分濃度４１％、水分０．０５％、有機溶剤中のＰＧＭＥＡ９９％，有機溶剤中の酢酸ブチル１％、となる濃縮液を調製し、これに同じ重量の未使用ＴＦＲ−９７０ＰＭを添加し、更に固形分濃度を調整するためにＰＧＭＥＡを添加して再生レジストＣを調製した。同じ工程を繰り返し、再生レジストＤ，Ｅも調製した。
未使用ＴＦＲ−９７０ＰＭ（参考例）及び再生レジストＡ〜Ｅの調製直後の成分濃度、粘度及びＧＰＣ高分子量成分ピークの面積％を表５に示す。
【００４１】
【表５】
2013120341.tif 000007
【００４２】
［レジスト膜評価］
（実施例２）
未使用ＴＦＲ−９７０ＰＭ（参考例）及び調製直後の再生レジストＡ〜Ｅについて、ＨＭＤＳ処理されたシリコン基板上に塗布後、プレベークを９０℃×９０秒間施し、厚さ１．６μｍのレジスト膜を形成した。その後、露光装置（商品名：キャノン製ＭＰＡ−６００ＦＡ）により、ラインアンドスペース１：１で、３μｍライン／３μｍスペースのマスクパターンを介して露光した後、ポストベークを９０℃×９０秒間施した。次いで、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で１００秒間現像処理し、純水でのリンス洗浄を経て不要部分を除去し、パターンを得た。
照度を５００ｍＷ／ｃｍ２で一定にし、露光した時間（ｍｓ）を変化させ、得られた実測線幅との関係を評価した。結果を図３に示す。再生レジストＡ〜Ｅは未使用レジストと有意差がなく、十分使用可能であることがわかる。
【００４３】
［保存安定性評価］
（実施例３）
未使用ＴＦＲ−９７０ＰＭ（参考例）及び再生レジストＡ〜Ｅについて、調製直後及び、２０℃で３ヵ月後及び６ヵ月後保存した場合の各種性能評価を行った。
【００４４】
表６には、パーティクルカウンターで検出した１ｍＬ当たりの０．３μｍ以上のパーティクルの個数（個／ｍＬ）を示す。
【００４５】
表７には、レジスト感度（Ｅｔｈ）（ｍＪ／ｃｍ２）の変化を示す。未使用ＴＦＲ−９７０ＰＭ（参考例）及び調製直後の再生レジストＡ〜Ｅについて、ＨＭＤＳ処理されたシリコン基板上に塗布後、プレベークを１１０℃×９０秒間施し、厚さ１．５２μｍのレジスト膜を形成した。その後、露光装置（商品名：ニコン製Ｇ７Ｅ）により、パターンを介して露光した。次いで、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６５秒間現像処理し、純水でのリンス洗浄を経て不要部分を除去し、パターンを得た。不要部分が無くなる露光量とＳＴＤ値（スタンダードサンプルの露光量）との相対値を％で示す。なお、スタンダードサンプルとして使用したレジストは、ＴＦＲ−９７０ＰＭの冷凍サンプルである。表７中、調製直後の結果とは、調製直後の再生レジスト等の露光量とスタンダードサンプルの露光量とを比較したものである。その後再生レジスト等は２０℃で保存し、スタンダードサンプルは冷凍保存して、３ヵ月後、６ヵ月後に同様の評価を行った。
【００４６】
表８には、膜べりの変化を示す。未使用ＴＦＲ−９７０ＰＭ（参考例）及び調製直後の再生レジストＡ〜Ｅについて、ＨＭＤＳ処理されたシリコン基板上に塗布後、プレベークを１１０℃×９０秒間施し、厚さ１．５２μｍのレジスト膜を形成した。その後、露光装置（商品名：ニコン製Ｇ７Ｅ）により、パターンを介して露光した。次いで、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６５秒間現像処理し、純水でのリンス洗浄を経て不要部分を除去し、パターンを得た。次に未露光部の膜厚を測定した。その膜厚値とＳＴＤ値（スタンダードサンプルの膜厚値）との相対値を％で示す。なお、スタンダードサンプルとして使用したレジストは、ＴＦＲ−９７０ＰＭの冷凍サンプルである。表８中、調製直後の結果とは、調製直後の再生レジスト等の膜厚とスタンダードサンプルの膜厚とを比較したものである。その後再生レジスト等は２０℃で保存し、スタンダードサンプルは冷凍保存して、３ヵ月後、６ヵ月後に同様の評価を行った。
【００４７】
再生レジストＡ〜Ｅは６ヶ月保存後も、パーティクルの発生が少なく、感度の変化、膜べりの変化が小さく、レジストとして使用可能であることがわかる。
【００４８】
【表６】
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【００４９】
【表７】
2013120341.tif 000009
【００５０】
【表８】
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【符号の説明】
【００５１】
Ｓ１０  回収工程
Ｓ１１  濃縮工程
Ｓ１２  再生レジスト調製工程
Ｓ２０  供給工程
Ｓ２１  塗布工程
Ｓ２２  回収工程
Ｓ２３  濃縮工程
Ｓ２４  再生レジスト調製工程
Ｓ２５  貯蔵工程
【図１】
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【図２】
2013120341.tif 000012
【図３】
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