(57)【要約】【課題】フォトレジストおよび形成された薄膜のパターンをエッチングすることなく反応生成物を除去し、製品歩留まりを向上することが可能な処理方法を提供する。【解決手段】主表面を有する半導体基板ＳＵＢが準備される。上記半導体基板ＳＵＢの主表面上に薄膜ＩＩ，ＰＳが形成される。上記薄膜ＩＩ，ＰＳの上にパターンを有するフォトレジスト膜ＰＨＲが形成され、フォトレジスト膜ＰＨＲをマスクとして、ハロゲン元素を含むガスを用いて薄膜ＰＳの少なくとも一部がパターニングされる。上記薄膜ＰＳが形成された半導体基板ＳＵＢの表面が、薄膜ＩＩ，ＰＳおよびフォトレジスト膜ＰＨＲの双方に対するエッチング選択比の高いフッ化物イオンを含む溶液によりフッ素原子終端状態とされる。上記フッ素原子終端状態とする工程がなされた半導体基板ＳＵＢが純水により洗浄される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の前記主表面上に薄膜を形成する工程と、
前記薄膜の上にパターンを有するフォトレジスト膜を形成し、前記フォトレジスト膜をマスクとして、ハロゲン元素を含むガスを用いて前記薄膜の少なくとも一部をパターニングする工程と、
前記薄膜が形成された前記半導体基板の表面を、前記薄膜および前記フォトレジスト膜の双方に対するエッチング選択比の高いフッ化物イオンを含む溶液によりフッ素原子終端状態とする工程と、
前記フッ素原子終端状態とする工程がなされた前記半導体基板を純水により洗浄する工程とを備える処理方法。
【請求項２】
前記フッ素原子終端状態とする工程においては、前記半導体基板を前記溶液中に浸漬する、請求項１に記載の処理方法。
【請求項３】
前記フッ素原子終端状態とする工程においては、前記溶液を噴射するノズルが用いられ、
前記純水により洗浄する工程において、前記ノズルが噴射する純水が用いられる、請求項１に記載の処理方法。
【請求項４】
前記純水により洗浄する工程の後、前記フォトレジスト膜をマスクとして利用することにより、前記半導体基板に不純物を注入する工程をさらに有し、
前記薄膜の少なくとも一部をパターニングする工程における前記フォトレジスト膜と、前記不純物を注入する工程における前記フォトレジスト膜とは、パターンの形状が同一である、請求項１〜３のいずれかに記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は処理方法に関し、特に、半導体プロセスにおけるドライエッチング後の処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
たとえばＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタなどの半導体装置の形成においてシリコン酸化膜や多結晶シリコンなどの薄膜のパターンを形成する際には、微細加工を可能にする観点から、いわゆるドライエッチング技術が用いられることがある。ドライエッチング技術を行なうに先立ち、形成された薄膜の上に感光剤としてのいわゆるフォトレジストのパターンが形成される。そして当該パターンをマスクとして用い、塩素（Ｃｌ2）ガスまたは臭化水素（ＨＢｒ）ガスなどのハロゲン元素のガスを用いてドライエッチングの処理がなされる。
【０００３】
通常、ドライエッチングの後は酸素（Ｏ2）またはフッ素（Ｆ）系ガスなどのプラズマを用いた後処理により、フォトレジストのパターンおよびドライエッチング時に形成された塩素系または臭素系の不要な反応生成物が除去される。この技術はたとえば特開２００１−３０８０７０号公報（特許文献１）、特開平１１−２８３９７１号公報（特許文献２）、特開平７−１０６２９８号公報（特許文献３）に開示される。
【０００４】
しかしたとえば後工程としてイオン注入技術を用いる場合など、フォトレジストのパターンをそのまま用いて後工程を行ないたい場合がある。この場合には、フォトレジストのパターンを残したままイオン注入技術などが行なわれる。
【０００５】
フォトレジストのパターンを除去して後工程に進む場合には、フォトレジストのパターンの除去とあわせて上記不要な反応生成物も任意の手法にて除去し得るため、反応生成物が残留し続ける問題が発生する可能性は低い。しかしフォトレジストのパターンを残したまま後工程に進む場合には、フォトレジストのパターンがエッチングされることを抑制するために反応生成物が残ったまま、処理が行なわれた半導体基板などがエッチング装置から搬出され、次工程の装置まで搬送されることになる。この結果、当該半導体基板に付着した反応生成物が次工程の装置まで搬送される過程で搬送経路であるクリーンルーム中の大気成分であるたとえばアンモニア（ＮＨ3）ガスと反応して吸湿性異物（塩化アンモニウム（ＮＨ4ＣＬ）など）として半導体基板上に残留し続ける可能性がある。また当該吸湿性異物が揮発すれば、当該半導体基板が載置される場所の周囲の設備を構成するステンレス材などを腐食する不具合が生じる可能性がある。
【０００６】
そこで、フォトレジストのパターンを残しつつドライエッチングに用いたガスによる反応生成物を除去する技術が、たとえば特開平１１−１３５４７３号公報（特許文献４）に開示される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３０８０７０号公報
【特許文献２】特開平１１−２８３９７１号公報
【特許文献３】特開平７−１０６２９８号公報
【特許文献４】特開平１１−１３５４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特開平１１−１３５４７３号公報においては、不要な反応生成物を除去するために、半導体基板（半導体ウェハ）をフッ酸を含む液相中に浸漬する処理がなされる。このようにすれば、たとえば露出したシリコン酸化膜のパターンが当該液相によりエッチングされその平坦性が劣化する可能性がある。またたとえば形成されたパターンの側壁部にシリコン酸化膜が存在する場合、当該側壁部がエッチングしその平坦性が劣化する可能性がある。さらに、形成されたシリコン酸化膜のパターンがエッチングにより消失またはいわゆる膜減りが発生する場合がある。
【０００９】
本発明は、以上の問題に鑑みなされたものである。その目的は、フォトレジストおよび形成された薄膜のパターンをエッチングすることなく反応生成物を除去し、製品歩留まりを向上することが可能な処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施例による処理方法は以下の構成を備えている。
まず主表面を有する半導体基板が準備される。上記半導体基板の主表面上に薄膜が形成される。上記薄膜の上にパターンを有するフォトレジスト膜が形成され、フォトレジスト膜をマスクとして、ハロゲン元素を含むガスを用いて薄膜の少なくとも一部がパターニングされる。上記薄膜が形成された半導体基板の表面が、薄膜およびフォトレジスト膜の双方に対するエッチング選択比の高いフッ化物イオンを含む溶液によりフッ素原子終端状態とされる。上記フッ素原子終端状態とする工程がなされた半導体基板が純水により洗浄される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、薄膜およびフォトレジスト膜の双方に対するエッチング選択比の高いフッ化物イオンを含む溶液を用いて不要な反応生成物がフッ素原子終端状態とされるため、形成されたシリコン酸化膜のパターンのエッチングが抑制される。またフォトレジストのパターンを維持したまま、純水洗浄によりフッ素原子終端状態の置換物が容易に除去される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１に係る処理手順を示すフローチャートである。
【図２】図１の工程（Ｓ１１）以前の工程における態様を示す概略断面図である。
【図３】図１の工程（Ｓ１２）における態様を示す概略断面図である。
【図４】図１の工程（Ｓ１４）における態様を示す概略断面図である。
【図５】ウェハをディッピングする態様を示す概略図である。
【図６】図１の工程（Ｓ１６）における態様を示す概略断面図である。
【図７】図１の工程（Ｓ１７）がなされた後の態様を示す概略断面図である。
【図８】図１の工程（Ｓ１７）以後の工程における態様を示す概略断面図である。
【図９】吸湿性異物が析出するメカニズムの第１プロセスを説明する概略図（Ａ）と、同第２プロセスを説明する概略図（Ｂ）とである。
【図１０】本発明の実施の形態２に係る処理手順を示すフローチャートである。
【図１１】ウェハに処理用の液体を噴射する態様を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
まず、本実施の形態のプロセスフローについて図１を用いて簡単に説明する。
【００１４】
まず処理用（ドライエッチング用）のチャンバ内に当該半導体基板（半導体ウェハ）が搬入される（Ｓ１１）。次に半導体基板の主表面上に形成された薄膜がドライエッチング（Ｓ１２）される。次に当該半導体ウェハが他の領域へ搬送される（Ｓ１３）。次に当該半導体ウェハに対してディッピングがなされる（Ｓ１４）。ディッピング後の半導体ウェハがさらに他の領域へ搬送され（Ｓ１５）、次は純水中にディッピングされる（Ｓ１６）。これらの処理が終わった半導体ウェハがチャンバ内から外部へ搬出される（Ｓ１７）。以下、これらの工程についてより詳細に説明する。
【００１５】
図２を参照して、本実施の形態に係るＭＯＳトランジスタなどの半導体装置の製造方法においては、まず主表面を有するシリコンなどの半導体基板ＳＵＢ（半導体ウェハ）が準備される。次に当該半導体基板ＳＵＢ（半導体ウェハ）の一方の主表面上に、たとえばシリコン酸化膜ＩＩの薄膜が形成され、シリコン酸化膜ＩＩを覆うように、たとえば多結晶シリコン膜ＰＳの薄膜が形成される。シリコン酸化膜ＩＩはＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜として形成される薄膜であり、多結晶シリコン膜ＰＳはＭＯＳトランジスタのゲート電極として形成される薄膜である。よってこれらの各薄膜の材質はシリコン酸化膜、多結晶シリコンに限られず、シリコン酸化膜ＩＩの代わりに他の絶縁膜が形成されてもよいし、多結晶シリコン膜ＰＳの代わりに他の導電膜が形成されてもよい。
【００１６】
多結晶シリコン膜ＰＳの上に（半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されたシリコン酸化膜ＩＩと多結晶シリコン膜ＰＳとの薄膜の積層構造の上に）、感光剤としてのフォトレジストが塗布されてフォトレジスト膜となる。次に当該フォトレジストがいわゆる露光および現像（通常の写真製版技術）によりパターニングされる。こうしてパターンを有するフォトレジスト膜ＰＨＲが形成される。
【００１７】
以上により半導体基板ＳＵＢの主表面上に上記の態様が形成されたものが図２に示される。ここでドライエッチングなどの処理用のチャンバ内に図２の半導体基板ＳＵＢが搬入され（Ｓ１１）、ドライエッチング（Ｓ１２）がなされる。
【００１８】
図３を参照して、ドライエッチング（Ｓ１２）では具体的には、処理しようとする半導体基板ＳＵＢが搭載されたドライエッチング用のチャンバ内に、ハロゲン元素を含むガスが供給される。このハロゲン元素を含むガスとしては、たとえば塩素ガスまたは臭化水素ガスが用いられる。図３においては一例として塩素ガスを主成分とした塩素プラズマによるドライエッチングの態様が示されており、当該処理の結果、半導体基板ＳＵＢの表面（ここではその上のシリコン酸化膜ＩＩやフォトレジスト膜ＰＨＲなどの表面および側面を含む）には塩素系反応生成物ＣＬが付着する。ドライエッチングにより、フォトレジスト膜ＰＨＲをマスクとして、多結晶シリコン膜ＰＳの一部が除去される。またこのとき、フォトレジスト膜ＰＨＲの端部（角の部分）の一部が除去されることもある。
【００１９】
ドライエッチングが終わり図３に示す態様となった半導体基板ＳＵＢが搬送（Ｓ１３）される。具体的には、ドライエッチング用のチャンバから、次工程であるディッピング用のチャンバへ、図３の半導体基板ＳＵＢが搬送される。このときドライエッチング用のチャンバとディッピング用のチャンバとの間の搬送経路は、真空または水蒸気の少ない雰囲気となっていることが好ましい。具体的には、当該搬送経路は、窒素ガス（Ｎ2）などの雰囲気となっていることが好ましい。このようにすれば、図３の塩素系反応生成物ＣＬが大気中（クリーンルーム中）の成分であるたとえばアンモニアガスと反応して塩化アンモニウムなどの吸湿性異物が半導体基板ＳＵＢの表面（ここではその上のシリコン酸化膜ＩＩやフォトレジスト膜ＰＨＲの表面および側面を含む）上に残留する可能性を低減することができる。
【００２０】
後述するように、ディッピング用のチャンバ内に搬入された半導体基板ＳＵＢが、ディッピング（Ｓ１４）により、たとえばフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）溶液中に浸漬される。図４を参照して、この処理により、塩素系反応生成物ＣＬがフッ化アンモニウム溶液中のフッ化物イオンＦに置換される。このようにして半導体基板ＳＵＢの表面（ここではその上のシリコン酸化膜ＩＩやフォトレジスト膜ＰＨＲの表面および側面を含む）がフッ素原子終端状態に変化する。言い換えれば、半導体基板ＳＵＢの表面の反応生成物がフッ素原子終端状態（フッ素リッチの状態）となる。
【００２１】
なおディッピング（Ｓ１４）においてはフッ化アンモニウム溶液のほか、Ｎ2Ｈ3ＦやＲ−Ｆ（Ｒはクエン酸、シュウ酸など）などの溶液が用いられてもよい。これらの溶液はいずれも、シリコン酸化膜ＩＩおよびフォトレジスト膜ＰＨＲの双方に対するエッチング選択比の高い、フッ化物イオンＦを有する溶液である。この処理により、フォトレジスト膜ＰＨＲ、多結晶シリコン膜ＰＳおよびシリコン酸化膜ＩＩが除去されたり変形したりしないように維持されたまま、半導体基板ＳＵＢの表面がフッ素原子終端状態（すなわちフッ素リッチの状態）となるように変化する。
【００２２】
図５を参照して、上記のように半導体基板ＳＵＢ（半導体ウェハＷＦと同じ）をディッピングする際には、フッ化アンモニウム溶液などのディッピング液中に半導体ウェハＷＦを浸漬する。フッ化アンモニウム溶液を用いる場合には、当該溶液は約７０％程度の比較的濃い（飽和濃度に近い）濃度を有することが好ましい。フッ化アンモニウム溶液は、氷冷下フッ化水素酸にアンモニアを通して析出させることにより、または塩化アンモニウムとフッ化ナトリウムとの混合物もしくは硫酸アンモニウムとフッ化カルシウムとの混合物を加熱し昇華することによって得られる。
【００２３】
ディッピング（Ｓ１４）によるフッ素原子終端状態への変換後、半導体基板ＳＵＢが搬送（Ｓ１５）される。具体的には、フッ化アンモニウム溶液などによるディッピング用のチャンバから、純水によるディッピング用のチャンバへ、半導体基板ＳＵＢが搬送される。ここでも両チャンバ間の搬送経路は、真空または水蒸気の少ない雰囲気となっていることが好ましい。
【００２４】
ディッピング（Ｓ１６）においては図５におけるフッ化アンモニウム溶液などを純水に置き換えた系において処理がなされる。すなわち半導体基板ＳＵＢ（半導体ウェハＷＦ）が純水に浸漬される。ここで図６および図７を参照して、この処理により、半導体基板ＳＵＢの表面に付着するフッ化物イオンＦに置換された反応生成物が、純水を構成する水素イオンＨまたは水酸化物イオンＯＨに置換される。これはフッ化物イオンＦに置換された反応生成物は水和性が高いためである。
【００２５】
図７に示す態様、すなわち半導体基板ＳＵＢの表面が純水を構成する水素イオンＨまたは水酸化物イオンＯＨに置換された状態は、それまで半導体基板ＳＵＢの表面に付着されていた反応生成物が除去され清浄な表面となった状態である。なおディッピング（Ｓ１６）は純水を用いた処理であるため、フォトレジスト膜ＰＨＲやシリコン酸化膜ＩＩなどは除去されたり変形したりすることなく維持される。
【００２６】
たとえばディッピング（Ｓ１４）においてアンモニウムイオン（ＮＨ4-）を含む溶液により、図３の塩素系反応生成物ＣＬとアンモニウムイオンとの反応が生じ、塩化アンモニウムの吸湿性異物が半導体基板ＳＵＢの表面にて顕在化する可能性がある。この場合においても、純水中へのディッピング（Ｓ１６）により当該吸湿性異物を半導体基板ＳＵＢの表面から充分に除去することができる。
【００２７】
ディッピング（Ｓ１４）および（Ｓ１６）における半導体ウェハＷＦの浸漬は、１度ずつのみ行なってもよいが、複数回ずつ行なってもよい。
【００２８】
純水により表面が清浄化された半導体基板ＳＵＢ（半導体ウェハＷＦ）がチャンバ内から搬出される（Ｓ１７）。
【００２９】
図８を参照して、図７において形成されたゲート電極ＰＳなどを含む態様に対する次の工程として、たとえば（ｐ型の）不純物としてのボロン（Ｂ）のイオンが通常のイオン注入技術により半導体基板ＳＵＢの内部に注入される。このイオン注入技術を実施する際に、多結晶シリコン膜ＰＳのパターンを形成する際に用いたフォトレジスト膜ＰＨＲと同一のフォトレジスト膜ＰＨＲのパターンをそのまま利用することができる。すなわち、多結晶シリコン膜ＰＳのパターンを形成する際に用いたフォトレジスト膜ＰＨＲ（図３参照）と形状が同一（ほぼ同一）のフォトレジスト膜ＰＨＲのパターン（図８参照）をそのまま利用する。すなわち、フォトレジスト膜ＰＨＲのパターンを複数の工程で利用することにより、当該工程の作業効率を高めることができる。
【００３０】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態においては、上記の手順により、ゲート電極としての多結晶シリコン膜ＰＳのパターンを形成するためのフォトレジスト膜ＰＨＲを残したまま、塩素系反応生成物ＣＬなどの反応生成物のみを除去し、（薄膜の表面などを含む）半導体基板ＳＵＢの表面を正常化することができる。
【００３１】
また本実施の形態においては、フッ酸の代わりにフッ化アンモニウムなどの、シリコン酸化膜ＩＩおよびフォトレジスト膜ＰＨＲの双方に対するエッチング選択比の高い、フッ化物イオンＦを有する溶液を用いてフッ素原子終端化の処理がなされる。すなわちシリコン酸化膜ＩＩをエッチングしない溶液を用いた処理がなされる。このため当該処理によりシリコン酸化膜ＩＩがエッチングされて平坦性が劣化するなどのダメージを受ける可能性が抑制され、形成された薄膜の平坦状態を維持しつつ、表面の清浄化などの処理をすることができる。またシリコン酸化膜ＩＩのパターンの消失または膜減りなどの不具合を抑制することもできる。
【００３２】
次に本実施の形態における、真空または水分の少ない雰囲気を用いたウェハの搬送を行なうことによる効果について説明する。仮に上記の（Ｓ１３）の工程において真空または水蒸気の少ない雰囲気となっている搬送経路を用いずに、ドライエッチング（Ｓ１２）直後の半導体基板を搬送した場合、吸湿性異物が発生（析出）する。以下に本実施の形態との比較のため、図９（Ａ）、（Ｂ）を参照しながらそのメカニズムについて説明する。
【００３３】
図９（Ａ）を参照して、半導体ウェハＷＦ（半導体基板ＳＵＢと同じ）の表面にはドライエッチング（Ｓ１２）において発生した反応生成物である、たとえば塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）の固化されたものが付着している。また半導体ウェハＷＦの表面には上記反応生成物とは別に、核になる微小異物ＳＥＤが付着している。
【００３４】
当該半導体ウェハＷＦの表面上に大気中の水分が供給されると、
【００３５】
【化１】
2013149707.tif 000003
【００３６】
なる反応が発生することにより、ハロゲン元素の反応生成物からはハロゲン元素と水素との化合物である塩化水素（ＨＣｌ）が揮発し、反応生成物はＳｉＣｌ3（ＯＨ）となる。
【００３７】
図９（Ｂ）を参照して、反応生成物からの塩化水素と、大気中のアンモニアガスとが微小異物ＳＥＤの近傍において反応すれば、
【００３８】
【化２】
2013149707.tif 000004
【００３９】
なる反応が発生することにより、微小異物ＳＥＤには吸湿性異物としての塩化アンモニウムの固化されたものが析出する。
【００４０】
本実施の形態においては、上記のようにウェハの搬送経路中は水分やアンモニアガスなどをほとんど含まない雰囲気で満たされるため、上記の反応が起こらず、ウェハ表面における吸湿性異物の発生および残留を抑制することができる。
【００４１】
また本実施の形態においては、塩化水素などの揮発が発生しにくい。このため、揮発した塩化水素ガスがチャンバを構成するステンレス材などを腐食する問題の発生を抑制することができる。
【００４２】
（実施の形態２）
本実施の形態は、実施の形態１と比較して、フッ素原子終端状態とする手法において異なっている。以下、図１０および図１１を参照しながら、本実施の形態について説明する。
【００４３】
図１０のプロセスフローを参照して、本実施の形態は、工程（Ｓ１１）〜工程（Ｓ１３）および工程（Ｓ１７）については実施の形態１と同様である。しかし工程（Ｓ１４）の代わりに工程（Ｓ２４）、工程（Ｓ１６）の代わりに工程（Ｓ２６）が行なわれ、工程（Ｓ１５）に相当する工程は行なわれない点において、実施の形態２は実施の形態１と異なっている。
【００４４】
具体的には、図１０および図１１を参照して、工程（Ｓ２４）において、フッ化アンモニウムなどの溶液中にディッピングする工程（Ｓ１４）の代わりに、たとえばノズルＮＺからスプレー状に噴射されるフッ化アンモニウムなどの溶液を半導体ウェハＷＦ上に供給する。このようにすれば、ディッピングする場合（図５参照）と同様の処理を行なうことができる。工程（Ｓ２６）においては、フッ化アンモニウムなどの溶液を噴射するノズルＮＺと同一のノズルＮＺが用いられ、当該ノズルＮＺから純水が噴射される。このノズルＮＺから噴射される純水を半導体ウェハＷＦ上に供給すれば、ディッピングする場合（図５参照）と同様の処理を行なうことができる。
【００４５】
以上の点において本実施の形態は実施の形態１と異なっており、他の点については実施の形態１と同様である。
【００４６】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態は、実子の形態１の作用効果に加え、以下の作用効果を有する。
【００４７】
本実施の形態のように、ディッピングの代わりにノズルを用いたスプレー式とすることにより、ドライエッチング（Ｓ１２）による塩素系反応生成物ＣＬなど（図３参照）がフッ化物イオンに置換される効率が向上する。純水のスプレー式噴射により半導体基板ＳＵＢの表面を清浄化する場合についても同様に効率が向上する。これは、図１１に示すように半導体基板ＳＵＢを主表面における中心部を軸としてその外周に沿う方向に回転させながら洗浄液を噴射することにより、置換処理（洗浄化処理）をするため、ディッピングにより処理に比べてその処理速度を速めることができるためである。
【００４８】
さらに本実施の形態においては、工程（Ｓ２４）すなわち溶液による処理と、工程（Ｓ２６）すなわち純水による処理とは当該ノズルＮＺを切換えるだけで同一のノズルＮＺを用いて行なうことができる。すなわち同一のチャンバ内にて両工程を連続して行なうことができるため、工程（Ｓ１５）に相当する工程を省略することができる。このため処理効率をさらに高め、ウェハに吸湿性異物など（図９参照）が付着する可能性をさらに低減することができるとともに、処理を行なう装置（チャンバ）をより小型化することもできる。
【００４９】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、半導体装置の表面処理技術に特に有利に適用され得る。
【符号の説明】
【００５１】
ＣＬ  塩素系反応生成物、Ｆ  フッ化物イオン、Ｈ  水素イオン、ＩＩ  シリコン酸化膜、ＮＺ  ノズル、ＯＨ  水酸化物イオン、ＰＨＲ  フォトレジスト膜、ＰＳ  多結晶シリコン膜、ＳＥＤ  微小異物、ＳＵＢ  半導体基板、ＷＦ  半導体ウェハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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