【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年8月8日(2016.8.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
少なくとも１つの実施形態では、前記変換部材は均一な厚さの層として、前記湾曲した表面上に被着されている。このような均一な厚さの変換層により、変換部材内における光路長がほぼ均一になり、このことにより、角度に依存する変換割合がほぼ均一になるという利点が奏される。この層を１層から形成することができ、または、当該層が複数の部分層を含むこともできる。ここで、１つの部分層の最小層厚は、変換材粒子の粒径によって決定することができ、当該最小層厚はとりわけ約５μｍである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作中に混色光を放出するオプトエレクトロニクス半導体素子（５）であって、
光出射面（１Ａ）と、当該光出射面（１Ａ）に対して横方向に延在する少なくとも１つの側面（１Ｂ）とを有し、かつ、動作中に当該光出射面（１Ａ）に１次光（６Ａ）を透過させて放出するオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）、
前記１次光（６Ａ）の少なくとも一部を２次光（６Ｂ）に波長変換するように構成された変換部材（４）、および、
スペーサ部材（３）
を有し、
前記変換部材（４）には湾曲が施されており、
前記変換部材（４）は前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）上に配置されており、
前記スペーサ部材（３）は前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）と前記変換部材（４）との間に配置されており、
前記スペーサ部材（３）の、前記変換部材（４）の方を向いた表面（３Ａ）は湾曲しており、
前記変換部材（４）は、前記湾曲した表面（３Ａ）と直接接触し、
前記変換部材（４）は、前記湾曲した表面（３Ａ）に設けられた、均一な厚さの層であり、
前記少なくとも１つの側面（１Ｂ）は前記変換部材（４）により覆われており、かつ、前記スペーサ部材（３）により覆われておらず、
前記スペーサ部材（３）は前記光出射面（１Ａ）と直接接触する、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体素子（５）。
【請求項２】
動作中に混色光を放出するオプトエレクトロニクス半導体素子（５）であって、
光出射面（１Ａ）と、当該光出射面（１Ａ）に対して横方向に延在する少なくとも１つの側面（１Ｂ）とを有し、かつ、動作中に当該光出射面（１Ａ）に１次光（６Ａ）を透過させて放出するオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）、
前記１次光（６Ａ）の少なくとも一部を２次光（６Ｂ）に波長変換するように構成された変換部材（４）、および、
スペーサ部材（３）
を有し、
前記変換部材（４）には湾曲が施されており、
前記変換部材（４）は前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）表面に配置されており、
前記スペーサ部材（３）は前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）と前記変換部材（４）との間に配置されており、
前記スペーサ部材（３）の、前記変換部材（４）の方を向いた表面（３Ａ）は湾曲しており、
前記変換部材（４）は、湾曲した前記表面（３Ａ）と直接接触し、
前記少なくとも１つの側面（１Ｂ）は前記スペーサ部材（３）により覆われておらず、
前記スペーサ部材（３）は前記１次光（６Ａ）に対して透過性であり、
前記変換部材（４）は複数の部分層を含み、
１つの部分層の最小層厚は、変換材粒子の粒径によって決定され、当該層厚は約５μｍである、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体素子（５）。
【請求項３】
前記スペーサ部材（３）の、前記変換部材（４）の方を向いた湾曲した表面（３Ａ）は、前記変換部材（４）により完全に覆われている、
請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス半導体素子（５）。
【請求項４】
前記スペーサ部材（３）の、前記変換部材（４）の方を向いた湾曲した表面（３Ａ）は、凸面状に湾曲している、
請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子（５）。
【請求項５】
前記スペーサ部材（３）は前記光出射面（１Ａ）と直接接触する、
請求項２記載のオプトエレクトロニクス半導体素子（５）。
【請求項６】
前記スペーサ部材（３）は前記１次光（６Ａ）に対して透過性である、
請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体素子（５）。
【請求項７】
前記スペーサ部材（３）は、透明プラスチック材料から成る、
請求項１から６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子（５）。
【請求項８】
前記変換部材（４）表面に配置された光学部材（７）を備える、
請求項１から７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子（５）。
【請求項９】
前記光学部材（７）は、前記半導体チップ（１）から見て下流であって、かつ、当該半導体チップ（１）の前記光出射面（１Ａ）と前記少なくとも１つの側面（１Ｂ）とに付着して配置されている、
請求項８記載のオプトエレクトロニクス半導体素子（５）。
【請求項１０】
前記光学部材（７）は、ビーム成形用に構成されたレンズである、
請求項８または９記載のオプトエレクトロニクス半導体素子（５）。
【請求項１１】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は、面発光型薄膜半導体チップである、
請求項１から１０までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子（５）。
【請求項１２】
動作中に混色光を放出するオプトエレクトロニクス半導体素子（５）の製造方法であって、
・光出射面（１Ａ）と、当該光出射面（１Ａ）に対して横方向に延在する少なくとも１つの側面（１Ｂ）とを有するオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、動作中に当該光出射面（１Ａ）に透過させて１次光（６Ａ）を放出するオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）を準備するステップと、
・材料バルクを前記光出射面（１Ａ）に設けて、材料バルクの表面張力により、湾曲した表面（３Ａ）を生じさせて、スペーサ部材（３）を形成するステップと、
・前記スペーサ部材（３）の前記湾曲した表面（３Ａ）に変換材料を被着させることにより、湾曲した変換部材（４）を形成するステップと
を有し、
スプレー成膜法を用いて、前記変換材料（４）を前記湾曲した表面（３Ａ）に塗布し、
前記少なくとも１つの側面（１Ｂ）は前記変換部材（４）により覆われており、
前記少なくとも１つの側面（１Ｂ）は前記スペーサ部材（３）により覆われず、
前記スペーサ部材（３）は前記光出射面（１Ａ）と直接接触する、
ことを特徴とする製造方法。
【請求項１３】
動作中に混色光を放出するオプトエレクトロニクス半導体素子（５）の製造方法であって、
・光出射面（１Ａ）と、当該光出射面（１Ａ）に対して横方向に延在する少なくとも１つの側面（１Ｂ）とを有するオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、動作中に当該光出射面（１Ａ）に透過させて１次光（６Ａ）を放出するオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）を準備するステップと、
・スペーサ部材（３）を形成するため、材料バルクを前記光出射面（１Ａ）に設けて、材料バルクの表面張力により、湾曲した表面（３Ａ）を生じさせるステップと、
・湾曲した変換部材（４）を形成するため、前記スペーサ部材（３）の湾曲した前記表面（３Ａ）に変換材料を被着させるステップと
を有し、
前記少なくとも１つの側面（１Ｂ）は前記スペーサ部材（３）により覆われず、
前記スペーサ部材（３）は前記１次光（６Ａ）に対して透過性であり、
前記変換部材（４）を形成するため、前記変換材料の複数の層を前記半導体チップ（１）上に設け、かかる際に、第１の層の被着と第２の層の被着との合間に休止を入れ、当該休止中に当該変換材料が硬化する
ことを特徴とする製造方法。
【請求項１４】
前記変換部材（４）と前記スペーサ部材（３）とが設けられた前記半導体チップ（１）に、光学部材（７）を一体成形する、
請求項１２または１３記載の製造方法。