【手続補正書】
【提出日】平成28年9月30日(2016.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データストレージデバイスであって、
複数の下位ページ及び対応する複数の高位ページを含む複数のマルチレベルセル（ＭＬＣ）不揮発性メモリデバイスと、
前記複数のＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに接続され、かつ前記複数の下位ページ及び前記対応する複数の高位ページにデータを書き込む又は前記複数の下位ページ及び前記対応する複数の高位ページからデータを読み出すように構成されるコントローラと、
不揮発性メモリを備え、前記複数のＭＬＣ不揮発性メモリデバイスから分離されており、前記コントローラに接続されるバッファと、を備え、
前記コントローラは、
前記複数のＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込まれるデータを蓄積し、
前記バッファにスペースを割り当て、蓄積された前記データを前記バッファの割り当てられた前記スペースに書き込み、
前記複数のＭＬＣ不揮発性メモリデバイスの下位ページに、蓄積された前記データの少なくとも一部を書き込み、
電力の損失を検出し、
電力の損失の検出に続いて、電力が前記データストレージデバイスに復旧した後に、前記バッファからデータを読み出し、かつ読み出したデータの少なくとも一部を前記複数のＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込み、
前記下位ページに対応する全ての高位ページが前記複数のＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込まれている場合、前記下位ページに書き込まれるデータを格納する前記バッファにおけるスペースの割り当てを解除する
ように構成される、データストレージデバイス。
【請求項２】
前記不揮発性メモリは、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を備える請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項３】
前記バッファは、前記データストレージデバイスへの電力の損失後に、下位ページの破損から回復可能にするために少なくとも十分な大きさである請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項４】
前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスは、下位ページのみモード又はシングルレベルセル（ＳＬＣ）モードで動作するように構成される請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項５】
前記コントローラは、更に、蓄積された前記データが、前記バッファに割り当てられた前記スペースに書き込まれた後に、書き込み許可を生成し、ホストへ送信するように構成される請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項６】
前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスは、複数のブロックを含み、前記複数のブロックのそれぞれは、複数の物理ページを含み、ブロックの集合は、スーパーブロック（Ｓ−ブロック）を定義し、Ｓ−ブロックにおけるブロック当たりに１つの物理ページを有する物理ページの集合は、スーパーページ（Ｓ−ページ）を定義し、前記データは、Ｓ−ページのユニットに蓄積、書き込み及び格納される請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項７】
バックアップ電源及び不揮発性メモリを更に備え、前記バッファは、揮発性メモリを含み、前記バックアップ電源は、前記バッファから前記不揮発性メモリへ前記データを書き込むために、前記コントローラにとって少なくとも必要なだけ前記データストレージデバイスの少なくとも一部に電源供給するように構成される請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項８】
前記不揮発性メモリは、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を備える請求項７に記載のデータストレージデバイス。
【請求項９】
前記コントローラは、更に、電力の損失後に前記データストレージデバイスに電力が復旧した後に、前記不揮発性メモリの前記データの少なくとも一部を前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込むように構成される請求項７に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１０】
書き込みストアを更に備え、前記コントローラは、更に、蓄積された前記データが前記バッファの割り当てられたスペースに書き込まれたとき、蓄積された前記データを前記書き込みストアに書き込むように構成される請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１１】
前記コントローラは、更に、前記下位ページに対応する全ての高位ページが前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込まれている場合に、前記高位ページに書き込まれるデータを格納する前記バッファにもスペースの割り当て解除を行うように構成される請求項１に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１２】
データストレージデバイスコントローラであって、
不揮発性メモリを備えるバッファに接続されるように構成され、かつ複数の下位ページ及び対応する複数の高位ページを含む複数のマルチレベルセル（ＭＬＣ）不揮発性メモリデバイスに接続されるように構成され、前記バッファは、前記複数のＭＬＣ不揮発性メモリデバイスから分離されている、プロセッサを備え、
前記プロセッサは、更に、
前記複数の下位ページ及び前記対応する複数の高位ページからデータを読み出し、
少なくとも
前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込まれるデータを蓄積し、
前記バッファにスペースを割り当て、かつ蓄積された前記データを、前記バッファに割り当てた前記スペースへ書き込み、
蓄積された前記データの少なくとも一部を前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスの下位ページ内に書き込み、
電力の損失を検出し、
電力の損失の検出に続いて、電力がデータストレージデバイスに復旧した後に、前記バッファからデータを読み出し、かつ読み出したデータの少なくとも一部を前記複数のＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込み、
前記下位ページに対応する全ての高位ページが前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込まれている場合、前記下位ページに書き込まれるデータを格納する前記バッファにスペースの割り当てを解除する
ことにより、前記複数の下位ページ及び前記対応する複数の高位ページにデータを書き込むように構成される、データストレージデバイスコントローラ。
【請求項１３】
前記不揮発性メモリは、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を備える請求項１２に記載のデータストレージデバイスコントローラ。
【請求項１４】
前記バッファは、データストレージデバイスへの電力の損失後に、下位ページの破損から回復可能にするために少なくとも十分な大きさである請求項１２に記載のデータストレージデバイスコントローラ。
【請求項１５】
前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスは、下位ページのみモード又はシングルレベルセル（ＳＬＣ）モードで動作するように構成される請求項１２に記載のデータストレージデバイスコントローラ。
【請求項１６】
前記プロセッサは、更に、蓄積された前記データが、前記バッファに割り当てられたスペースに書き込まれた後に、書き込み許可を生成し、ホストへ送信するように構成される請求項１２に記載のデータストレージデバイスコントローラ。
【請求項１７】
前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスは、複数のブロックを含み、前記複数のブロックのそれぞれは、複数の物理ページを含み、ブロックの集合は、スーパーブロック（Ｓ−ブロック）を定義し、Ｓ−ブロックにおけるブロック当たりに１つの物理ページを有する物理ページの集合は、スーパーページ（Ｓ−ページ）を定義し、前記データは、Ｓ−ページのユニットに蓄積、書き込み及び格納される請求項１２に記載のデータストレージデバイスコントローラ。
【請求項１８】
バックアップ電源及び不揮発性メモリを更に備え、前記バッファは、揮発性メモリを含み、前記バックアップ電源は、前記バッファから前記不揮発性メモリへ前記データを書き込むために、コントローラにとって少なくとも必要なだけデータストレージデバイスの少なくとも一部に電源供給するように構成される請求項１２に記載のデータストレージデバイスコントローラ。
【請求項１９】
前記不揮発性メモリは、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を備える請求項１８に記載のデータストレージデバイスコントローラ。
【請求項２０】
前記プロセッサは、更に、電力の損失後に前記データストレージデバイスに電力が復旧した後に、前記不揮発性メモリの前記データの少なくとも一部を前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込むように構成される請求項１８に記載のデータストレージデバイスコントローラ。
【請求項２１】
書き込みストアを更に備え、前記プロセッサは、更に、蓄積された前記データが、前記バッファの割り当てられたスペースに書き込まれたとき、蓄積された前記データを前記書き込みストアに書き込むように構成される請求項１２に記載のデータストレージデバイスコントローラ。
【請求項２２】
前記プロセッサは、更に、前記下位ページに対応する全ての高位ページが前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込まれている場合に、前記高位ページに書き込まれるデータを格納する前記バッファにもスペースの割り当て解除を行うように構成される請求項１２に記載のデータストレージデバイスコントローラ。
【請求項２３】
データストレージデバイスを制御する方法であって、前記データストレージデバイスは、不揮発性メモリを備えるバッファと、複数の下位ページ及び対応する複数の高位ページを含む複数のマルチレベルセル（ＭＬＣ）不揮発性メモリデバイスと、を備え、前記バッファは、前記複数のＭＬＣ不揮発性メモリデバイスから分離されており、前記方法は、
前記複数の下位ページ及び前記対応する複数の高位ページからデータを読み出すステップと、
少なくとも
前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込まれるデータを蓄積し、
分離された前記バッファにスペースを割り当て、かつ蓄積された前記データを、分離された前記バッファに割り当てられた前記スペースへ書き込み、
蓄積された前記データの少なくとも一部を前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスの下位ページ内に書き込み、
電力の損失を検出し、
電力の損失の検出に続いて、電力が前記データストレージデバイスに復旧した後に、前記バッファからデータを読み出し、かつ読み出したデータの少なくとも一部を前記複数のＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込み、
前記下位ページに対応する全ての高位ページが前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込まれている場合、前記下位ページに書き込まれるデータを格納する分離された前記バッファにおけるスペースの割り当てを解除する
ことにより、前記複数の下位ページ及び前記対応する複数の高位ページにデータを書き込むステップと、
を備える方法。
【請求項２４】
前記不揮発性メモリは、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を備える請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記バッファは、前記データストレージデバイスへの電力の損失後に、下位ページの破損から回復可能にするために少なくとも十分な大きさである請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスは、下位ページのみモード又はシングルレベルセル（ＳＬＣ）モードで動作するように構成される請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
蓄積された前記データが、前記バッファにおける割り当てられた前記スペースに書き込まれた後に、書き込み許可を生成し、ホストへ送信するステップを更に備える請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスは、複数のブロックを含み、前記複数のブロックのそれぞれは、複数の物理ページを含み、ブロックの集合は、スーパーブロック（Ｓ−ブロック）を定義し、Ｓ−ブロックにおけるブロック当たりに１つの物理ページを有する物理ページの集合は、スーパーページ（Ｓ−ページ）を定義し、蓄積、書き込み及び格納は、Ｓ−ページのユニットで行われる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２９】
バックアップ電源及び不揮発性メモリを更に備え、前記バッファは、揮発性メモリを含み、前記方法は、前記バッファから前記不揮発性メモリへ前記データを書き込むために、コントローラにとって少なくとも必要なだけ前記データストレージデバイスの少なくとも一部にバックアップ電源を供給するステップを更に備える請求項２３に記載の方法。
【請求項３０】
前記不揮発性メモリは、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）を備える請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
電力の損失後に前記データストレージデバイスに電力が復旧した後に、前記不揮発性メモリのデータの少なくとも一部を前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込むステップを更に備える請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記データストレージデバイスは、書き込みストアを更に備え、前記データを書き込むステップは、更に、蓄積された前記データが、前記バッファにおける割り当てられた前記スペースに書き込まれたとき、蓄積された前記データを前記書き込みストアに書き込むことを含む請求項２３に記載の方法。
【請求項３３】
前記下位ページに対応する全ての高位ページが前記ＭＬＣ不揮発性メモリデバイスに書き込まれている場合に、前記高位ページに書き込まれるデータを格納する前記バッファにおけるスペースの割り当て解除を行うステップを更に備える請求項２３に記載の方法。