(57)【要約】【課題】配線層として機能するめっき膜を、基板内部に設けられた微細孔の内壁面の全域において、均一な膜厚となるように形成することを可能とする、貫通配線基板の製造方法を提供する【解決手段】基板１０１の内部に微細孔１０１Ｈを形成する工程Ａと、めっき触媒が被着可能な官能基を有する樹脂膜１０２を、微細孔の内壁面１０１Ｃに形成する工程Ｂと、基板１０１の外部から基板１０１を通して樹脂膜１０２を露光することにより、樹脂膜１０２を活性化させる工程Ｃと、活性化された樹脂膜１０２Ａ上にめっき触媒を被着させる工程Ｅと、めっき触媒を被着させた樹脂膜１０２Ａ上に、めっき金属１０３を析出させる工程Ｆと、を少なくとも有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の内部に微細孔を形成する工程Ａと、
めっき触媒が被着可能な官能基を有する樹脂膜を、前記微細孔の内壁面に形成する工程Ｂと、
前記基板の外部から該基板を通して前記樹脂膜を露光することにより、前記樹脂膜を活性化させる工程Ｃと、
活性化された前記樹脂膜上に前記めっき触媒を被着させる工程Ｅと、
前記めっき触媒を被着させた前記樹脂膜上に、めっき金属を析出させる工程Ｆと、を少なくとも有することを特徴とする貫通配線基板の製造方法。
【請求項２】
基板の内部に微細孔を形成する工程Ａと、
めっき触媒が被着可能な官能基を有する樹脂膜を、前記微細孔の内壁面に形成する工程Ｂと、
前記基板を加熱することにより、前記樹脂膜を活性化させる工程Ｇと、
活性化された前記樹脂膜上に前記めっき触媒を被着させる工程Ｅと、
前記めっき触媒を被着させた前記樹脂膜上に、めっき金属を析出させる工程Ｆと、を少なくとも有することを特徴とする貫通配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記微細孔を、前記基板の厚さ方向と異なる方向に、延びる部位を含むように形成することを特徴とする請求項１または２に記載の貫通配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板の内部を貫通するように、前記微細孔を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の貫通配線基板の製造方法。
【請求項５】
単一の材料からなる基板と、
前記基板の内部を貫通し、該基板の厚さ方向と異なる方向に延びる部位を含む貫通孔と、
前記貫通孔の内壁面に形成された樹脂膜と、
前記樹脂膜上に形成された配線と、を有することを特徴とする貫通配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、機能素子が内在して形成された電子デバイス、あるいは電子デバイスと実装基板とを中継するインターポーザー基板として利用される、貫通配線基板および貫通配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話器等の電子機器の高機能化に伴い、電子機器を構成する電子デバイスの高機能化が求められている。高機能化の実現に向けて、電子デバイス自身の回路を高集積化することに加えて、電子デバイスのパッケージ体を高密度に実装したパッケージ体を実現するための技術開発が進められている。
【０００３】
高密度に電子デバイスが実装されたパッケージ体を実現する技術の一例として、貫通配線基板（インターポーザー基板）を用いたシステムインパッケージ（ＳｉＰ）が提案されている。貫通配線基板は、基板の内部を貫通する貫通孔を設け、その貫通孔の内部にめっき法を用いて金属膜を形成する。これにより、貫通孔の内部に貫通配線が形成される。（特許文献１）。めっき法を用いて貫通配線を形成する場合には、予め貫通孔の内壁面にめっきシード層を形成する必要がある。このめっきシード層は、スパッタリング法あるいは真空蒸着法を用いた成膜処理によって形成される。
【０００４】
ところで、基板の内部に貫通配線を高密度に形成するためには、基板に設ける各貫通孔のアスペクト比を高くする必要がある。すなわち、各貫通孔を、より細く形成することで、貫通配線を微細化する必要がある。
【０００５】
しかしながら、貫通孔のアスペクト比を高くすると、スパッタリング法や真空蒸着法を用いて、金属原子を貫通孔内の奥側に供給して堆積させることが難しくなる。したがって、貫通孔内の奥側に形成されるめっきシード層は、貫通孔の開口部付近に形成されるめっきシード層より薄くなる傾向にあり、貫通孔内の奥側においてめっき金属が析出しにくい状態となる。そのため、配線を、貫通孔の開口部付近から奥側までの全域にわたって、形成することは難しい。これは、貫通孔の内壁面に沿って膜状にめっき金属を析出させて形成する貫通配線においても、貫通孔の内部空間をめっき金属で充填させて形成する貫通配線においても、共通した問題点である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−９５８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は以上のような点を考慮してなされたものであり、貫通配線として機能するめっき金属を基板内部に設けられた微細孔の全域にわたって、容易に形成することを可能とする、貫通配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明は、基板内部に設けられた貫通孔の内壁面の全域にわたって樹脂膜が形成され、その樹脂膜を介して、配線が形成された、貫通配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の請求項１に係る貫通配線基板の製造方法は、基板の内部に微細孔を形成する工程Ａと、めっき触媒が被着可能な官能基を有する樹脂膜を、前記微細孔の内壁面に形成する工程Ｂと、前記基板の外部から該基板を通して前記樹脂膜を露光することにより、前記樹脂膜を活性化させる工程Ｃと、活性化された前記樹脂膜上に前記めっき触媒を被着させる工程Ｅと、前記めっき触媒を被着させた前記樹脂膜上に、めっき金属を析出させる工程Ｆと、を少なくとも有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の請求項２に係る貫通配線基板の製造方法は、基板の内部に微細孔を形成する工程Ａと、めっき触媒が被着可能な官能基を有する樹脂膜を、前記微細孔の内壁面に形成する工程Ｂと、前記基板を加熱することにより、前記樹脂膜を活性化させる工程Ｇと、活性化された前記樹脂膜上に前記めっき触媒を被着させる工程Ｅと、前記めっき触媒を被着させた前記樹脂膜上に、めっき金属を析出させる工程Ｆと、を少なくとも有することを特徴とする。
【００１１】
請求項１および請求項２の製造方法によれば、基板に形成された微細孔の内壁面にめっき触媒が被着可能な官能基を有する樹脂膜を形成する。そして、微細孔の全域にわたって樹脂膜を活性化させ、めっき金属が析出可能な状態とする。したがって、微細孔の全域にわたって、容易に配線を形成することができる。
【００１２】
本発明の請求項３に係る貫通配線基板の製造方法は、請求項１において、前記微細孔を、前記基板の厚さ方向と異なる方向に、延びる部位を含むように形成することを特徴とする。
【００１３】
請求項３の製造方法によれば、基板の厚さ方向と異なる方向に延びる部位を含むように、微細孔を形成することにより、基板の主面同士を自由なレイアウトの貫通配線で接続することができる。
【００１４】
本発明の請求項４に係る貫通配線基板の製造方法は、請求項１〜３のいずれか一項において、前記基板の内部を貫通するように、前記微細孔を形成することを特徴とする。
【００１５】
請求項４の製造方法によれば、微細孔の両端が開口しているため、めっき触媒を含む溶液に基板を浸漬させた際に、微細孔の内部を、めっき触媒を含む溶液で容易に満たすことができる。したがって、微細孔内の全域にわたってめっき触媒を被着させることができ、その結果として、微細孔の内部に容易に配線を形成することができる。
【００１６】
本発明の請求項６に係る貫通配線基板は、単一の材料からなる基板と、前記基板の内部を貫通し、該基板の厚さ方向と異なる方向に延びる部位を含む貫通孔と、前記貫通孔の内壁面に形成された樹脂膜と、前記樹脂膜上に形成された配線と、を有することを特徴とする。
【００１７】
請求項６の構成によれば、配線は、貫通孔の内壁面に均一な膜厚で形成された樹脂膜を介して設けられており、基板と配線との密着性が確保されている。そのため、配線は基板から剥離する虞がなく、貫通配線基板としての高い安定性を有する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る貫通配線基板の製造方法によれば、基板に形成された微細孔の内壁面にめっき触媒が被着可能な官能基を有する樹脂膜を形成する。そして、微細孔の全域にわたって樹脂膜を活性化させ、めっき金属が析出可能な状態とする。したがって、微細孔の全域にわたって、容易に配線を形成することができる。したがって、高アスペクト比の微細孔や複雑な形状の微細孔であっても、微細孔の全域にわたって容易に配線を形成することができる。
【００１９】
また、本発明に係る貫通配線基板の構成によれば、配線は、貫通孔の内壁面に形成された樹脂膜を介して設けられており、配線と基板との密着性が確保されている。また、樹脂膜は、配線と基板との間に働く応力を緩和する働きを有する。そのため、配線が貫通孔の内壁面から剥離する虞がなく、貫通配線基板としての高い安定性機能を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第一実施形態に係る貫通配線基板の平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）第一実施形態に係る貫通配線基板の製造工程を説明する図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）第一実施形態に係る貫通配線基板の製造工程を説明する図である。
【図４】第二実施形態に係る貫通配線基板の製造工程を説明する図である。
【図５】第一、第二実施形態の変形例１に係る貫通配線基板の断面図である。
【図６】（ａ）第一、第二実施形態の変形例２に係る貫通配線基板の斜視図である。（ｂ）第一、第二実施形態の変形例２に係る貫通配線基板の断面図である。
【図７】第一、第二実施形態の変形例３に係る貫通配線基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
【００２２】
＜第一実施形態＞
【００２３】
［貫通配線基板の構成］
本発明の第一実施形態に係る、貫通配線基板１００の構成について説明する。図１は、貫通配線基板１００の断面図である。貫通配線基板１００は、基板１０１と、基板１０１の内部を貫通する貫通孔１０１Ｈと、基板を構成する主面１０１ａ、１０１ｂの各々のうち、貫通孔１０１Ｈの開口端近傍の領域、および貫通孔の内壁面１０１Ｃの全域に形成された樹脂膜１０２と、樹脂膜１０２上に形成された金属膜１０３と、を有する。
【００２４】
基板１０１は単一の材料により構成される。基板１０１を構成する材料としては、例えば、本発明の第一実施形態に用いる、波長域が０．３〜２［μｍ］にあるレーザー光Ｌ１および波長域が０．４〜１．６［μｍ］にあるレーザー光Ｌ２を、いずれも透過可能な、非結晶性を有するガラス等の絶縁体やシリコン等の半導体が挙げられる。
【００２５】
貫通孔１０１Ｈは、基板の一方の主面１０１ａと他方の主面１０１ｂとを結ぶように、基板１０１の内部を貫通するものであり、基板１０１の厚さ方向Ｔと異なる方向に延びる部位を含んでいてもよい。
【００２６】
なお、貫通孔１０１Ｈの深さ方向と垂直な断面は、円形、楕円形、三角形、四角形、矩形等のいかなる形状であってもよい。貫通孔１０１Ｈの延伸方向に対して垂直な断面積は、貫通孔１０１Ｈの内部に形成される配線層が、所望の設計ルールにしたがい、かつ所望の導電性（抵抗値）を有するように、適宜設定される。
【００２７】
樹脂膜１０２は、基板を構成する主面１０１ａ、１０１ｂの各々のうち、貫通孔１０１Ｈの開口端近傍の領域、および貫通孔の内壁面１０１Ｃの全域にわたって形成されている。樹脂膜１０２は、例えばアクリル樹脂などであり、レーザー光やランプ光が照射されたり、加熱されたりすることで活性化し、めっき触媒が被着可能な表面状態に変性させることができる。
【００２８】
金属膜１０３は、めっき触媒を被着させた樹脂膜１０２上に無電解めっき法にて形成することができる。そして、この金属膜１０３は貫通配線として利用することができる。また、金属膜１０３上に、さらに金属部１０４を形成してもよい。金属部１０４は、電解めっき法、無電解めっき法、溶融金属充填法を用いて形成することができる。
【００２９】
以上説明したように、第一実施形態に係る貫通配線基板の構成によれば、金属膜は、貫通孔の内壁面に形成された樹脂膜を介して設けられている。樹脂膜は、貫通孔の内壁面と金属膜との密着を得るための密着層としても機能しており、そのため、金属膜は基板から剥離する虞がなく、配線層としての高い機能を有する。
【００３０】
［貫通配線基板の製造方法］
図２（ａ）〜（ｄ）、図３（ａ）〜（ｃ）は、第一実施形態に係る貫通配線基板１００の製造工程図である。第一実施形態に係る貫通配線基板１００の製造方法について、図２（ａ）〜（ｇ）、図３（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。
【００３１】
まず、基板１０１Ａの内部に微細孔１０１Ｈを形成する（工程Ａ）。微細孔１０１Ｈは、次に述べる二つのステップを経て形成することができる。すなわち、一つ目のステップとして、図２（ａ）に示すように、基板１０１の内部における微細孔１０１Ｈを形成する予定の部位に、レーザー光Ｌ１を照射し、集光することにより、この部位をエッチング耐性の弱い構造に改質させる。その結果として、工程Ａの処理後の基板１０１は、改質した部位１０１Ａと改質していない部位１０１Ｂとで構成される。
【００３２】
そして、図２（ｂ）に示すように、二つ目のステップとして、レーザー光Ｌ１を用いて改質した部位１０１Ａを、エッチング処理を行って除去することにより、基板１０１の内部に微細孔１０１Ｈを形成する。ここで行うエッチング処理は、ウェットエッチング方式によるものであることが好ましい。エッチング液については特に限定されず、例えば１％以下のフッ酸を用いるのが最も好ましいが、その他の酸や塩基性を有するものであってもよい。
【００３３】
なお、工程Ａにおいて用いるレーザー光Ｌ１は、パルス時間幅がピコ秒オーダー以下のパルス幅を有するレーザー光であることが好ましい。例えば、チタンサファイアレーザーなどを用いることができる。ただし、基板１０１に対して透明と見なせるような波長を使用することが必要である。より具体的には、基板１０１に対する透過率が６０％以上のレーザー光であることが好ましい。
【００３４】
次に、図２（ｃ）に示すように、微細孔１０１Ｈの内壁面１０１Ｃおよび基板の両方の主面１０１ａ、１０１ｂに、めっき触媒が被着可能な官能基を有する樹脂膜１０２を形成する（工程Ｂ）。樹脂膜１０２の形成は、次に述べる三つのステップを経て行うことができる。すなわち、一つ目のステップとして、基板を収容可能なサイズの容器を樹脂膜１０２となる液状樹脂で満たし、その容器の中に基板を浸漬する。これにより、微細孔１０１Ｈの内部に液状樹脂が流れ込み、微細孔１０１Ｈの内部が液状樹脂で満たされる。微細孔の内壁面１０１Ｃおよび基板の両方の主面１０１ａ、１０１ｂは、この液状樹脂と接触する。
【００３５】
続いて、一つ目のステップを経た基板を容器から引き上げ、二つ目のステップとして、例えば１１０〜１８０［℃］の温度下にて加熱し、微細孔に流入した液状樹脂や基板の両主面に付着した液状樹脂を乾燥させ、固化させる。液状樹脂が乾燥・固化するのに伴い、液状樹脂に含まれていた溶媒が揮発して体積収縮する。その結果、微細孔の内壁面に沿って付着した樹脂膜が形成されると同時に、微細孔の中心は空洞となる。
【００３６】
次に、図２（ｄ）に示すように、微細孔１０１Ｈの内部および基板の両方の主面に形成した樹脂膜１０２を露光する。露光された樹脂膜１０２は、次工程において用いるめっき触媒が被着しやすいように活性化される（工程Ｃ）。すなわち、めっき触媒を被着させる樹脂膜１０２を露光することにより活性化を行う。その結果として、工程Ｃの処理後の樹脂膜１０２に、活性化した樹脂膜１０２Ａが形成される。
【００３７】
本発明の工程Ｃにおいては、基板の外部から基板を通して樹脂膜１０２に露光する。微細孔の開口部を通して光を照射したのでは微細孔内の奥側まで露光することは困難であるが、基板を通して樹脂膜１０２を露光することにより、高アスペクト比の微細孔であっても、複雑な形状の微細孔であっても、微細孔の全体にわたって光を照射することができる。また、光を一方向のみから照射するのではなく複数の方向から照射してもよい。例えば基板の表側と裏側の両方から光を照射してもよい。
【００３８】
なお、露光に使用する光源としては、ランプやレーザーが例として挙げられる。ランプ光であれば、大面積を同時に露光することが可能であり、微細孔の一端から他端まで全域の樹脂膜１０２を露光することができる。さらには、基板全体を一度に露光し、基板全体の広域に形成された複数の微細孔の樹脂膜１０２を一括して露光することができる。フォトマスクを通して露光すれば、基板の一部領域には光を照射されないように遮光することもできる。一方、図２（ｄ）に示すように、レーザー光Ｌ２を用いれば、露光したい箇所を選択的に露光することができる。レーザー光Ｌ２の焦点を走査させることにより、露光エリアを描画することも可能である。露光に用いられる光は、基板１０１Ａに対して透明な波長であることが必要である。より具体的には、基板１０１Ａに対する透過率が６０％以上のレーザー光であることが好ましい。
【００３９】
次に、図３（ａ）に示すように、基板の両主面１０１ａ、１０１ｂに形成された樹脂膜１０２のうち、活性化していない部位１０２Ｂをエッチング処理によって除去（工程Ｄ）した上で、めっき触媒を含む溶液に、基板１０１を浸漬させる。そして、図３（ｂ）に示すように、樹脂膜の活性化した部位１０２Ａ（樹脂膜１０２Ａ）上に、めっき触媒を被着させる（工程Ｅ）。
【００４０】
次に、図３（ｃ）に示すように、工程Ｅを経た基板１０１を無電解めっき液に浸漬させることにより、活性化されてめっき触媒が被着した樹脂膜１０２Ａの上に金属膜１０３が析出する。（工程Ｆ）。この析出した金属膜１０３は、貫通配線として利用することができる。
【００４１】
さらに、金属膜１０３上に金属部１０４を形成することも可能である。金属部１０４は、電解めっき法、無電解めっき法、溶融金属充填法を用いて形成することができる。電解めっき法、無電解めっき法を用いる場合は、金属膜１０３はめっきシード層として機能する。溶融金属充填法を用いて金属部１０４を形成する場合においては、金属膜１０３によって、溶融金属が微細孔に流入し易くなる。金属部１０４は、金属膜１０３上において膜状に形成しても良いし、微細孔の内部を充填するように形成してもよい。
【００４２】
以上の工程を経ることによって、微細孔の内部に配線が形成された貫通配線基板１００を得ることができる。
【００４３】
なお、第一実施形態においては、微細孔１０１Ｈが基板１０１内部を貫通する貫通孔であって、基板の両方の主面１０１ａ、１０１ｂ同士を結ぶように形成する場合を、一例として説明した。しかしながら、微細孔１０１Ｈが基板１０１を貫通していない場合、すなわち、微細孔が開口端を一つのみ有している場合、全く有していない場合についても、本発明を適用することができる。
【００４４】
以上説明したように、第一実施形態に係る貫通配線基板の製造方法によれば、微細孔の全域にわたって活性化された樹脂膜を、微細孔の内壁面に形成する。そして、この樹脂膜を、めっき触媒を含む溶液に浸漬させることにより、微細孔のアスペクト比が高い場合であっても、微細孔内の全体にわたってめっき触媒を被着させることができる。したがって、このめっき触媒を起点して、微細孔の内壁面の全域に、均一な膜厚のめっき金属からなる配線層を形成することができる。
【００４５】
そして、微細孔内をめっき金属で充填しようとした場合においては、微細孔内に形成されためっき膜のうち、微細孔内の奥側の部分において、めっき膜が十分に形成されない空洞の領域（ボイド）が生じることによる、配線層の歩留りが低下する虞を回避することができる。
【００４６】
＜第二実施形態＞
第一実施形態においては、樹脂膜を活性化する際に、基板の外部から光を照射することにより、露光する方法がとられている。これに対して、第二実施形態においては、樹脂膜を活性化する際に、加熱手段により樹脂膜を活性化する方法をとる。樹脂膜の活性化以外の処理を行う工程については、第一実施形態に係る貫通配線基板の製造方法と同様である。また、第二実施形態に係る貫通配線基板２００は、第一実施形態に係る貫通配線基板１００と同様の構成を備えている。
【００４７】
第一実施形態と異なる工程のみについて、図４を用いて説明する。図４は、第一実施形態と同様に、工程Ａ、Ｂの処理を順に経た樹脂膜を、加熱手段を用いて加熱する工程Ｇについて説明する。
【００４８】
加熱手段の一例として、図４に示すような、ランプアニール装置２１０が挙げられる。ランプアニール装置２１０は、チャンバ２１１と、チャンバ２１１内を排気して減圧する手段（減圧手段）２１２と、チャンバ２１１内に窒素分子等を含む不活性ガスを供給する手段（供給手段）２１３と、チャンバ２１１内に配された被処理基板２０１を加熱するランプ２１４と、を備えている。ランプ２１４は、樹脂膜が均一に加熱されるように、チャンバ２１１内に均等に配置されている。
【００４９】
上述したようなランプアニール装置２１０を用いて基板全体を加熱することにより、微細孔の内壁面に形成された樹脂膜２０２の全体を加熱することが可能となる。さらには、基板の広域にわたって設けられた、複数の微細孔の内部に形成された樹脂膜２０２の全てを、同時に加熱することが可能となる。
【００５０】
ここでは、ランプアニール方式の加熱処理を行う場合を例として説明したが、樹脂膜２０２を均一に加熱することが可能であれば、他の方式を用いても同様の効果が得られる。
【００５１】
以上説明したように、第二実施形態に係る貫通配線基板の製造方法によっても、微細孔の全域にわたって活性化された樹脂膜を、微細孔の内壁面に形成する。そして、この樹脂膜を、めっき触媒を含む溶液に浸漬させることにより、微細孔のアスペクト比が高い場合であっても、微細孔の全域にわたってめっき触媒を被着させることができる。したがって、このめっき触媒を介して、微細孔の内壁面の全域に、めっき金属からなる配線層を形成することができる。
【００５２】
そして、微細孔内をめっき金属で充填しようとした場合に、微細孔内に形成されためっき金属のうち、微細孔内の奥側の部分において、めっき膜が十分に形成されない空洞の領域（ボイド）が生じることにより、配線層の歩留りが低下する虞を回避することができる。
【００５３】
以上説明した貫通配線基板１００、２００を構成する、貫通孔の形状は一例である。貫通孔の形状に関する、第一、第二実施形態の変形例１〜３について、図５〜７を用いて説明する。
【００５４】
［変形例１］
図５は、変形例１に係る貫通配線基板３００の断面図である。図５に示すように、貫通配線基板３００を構成する貫通孔の形状としては、基板３０１の内部において三方向に分岐し、分岐した三つの貫通孔３０１Ｈが、それぞれ一方または他方の主面３０１ａ、３０１ｂにおいて開口した形状であってもよい。図５においては、貫通孔３０１Ｈが三方向に分岐している場合の例を示しているが、貫通孔３０１Ｈは四方向以上に分岐していてもよい。
【００５５】
［変形例２］
図６（ａ）は、変形例２に係る貫通配線基板４００の斜視図である。ここでは、貫通配線基板４００のうち、貫通孔４０１Ｈ内部に設けられた配線層の形状が明示されるように、基板４０１を透明化している。図６（ａ）に示すように、貫通孔４０１Ｈの形状は、基板４０１の内部において螺旋をなす形状となっている。
【００５６】
図６（ｂ）は、図６（ａ）において、貫通配線基板４００をＧ―Ｇ線によって切断した場合の断面図である。貫通孔４０１Ｈの内部において樹脂層４０２を構成する、部位４０２ａと部位４０２ｂ、部位４０２ｂと部位４０２ｃ、部位４０２ｃと部位４０２ｄ、部位４０２ｄと部位４０２ｅ、部位４０２ｅと部位４０２ｆが、それぞれ連通している。また、貫通孔４０１Ｈの内部において金属膜４０３を構成する、部位４０３ａと部位４０３ｂ、部位４０３ｂと部位４０３ｃ、部位４０３ｃと部位４０３ｄ、部位４０３ｄと部位４０３ｅ、部位４０３ｅと部位４０３ｆが、それぞれ連通している。貫通孔４０１Ｈの内部において、金属膜４０３および樹脂層４０２を除いた領域は、空洞となっている。
【００５７】
図６（ａ）、（ｂ）に示すような形状は、例えば、次に述べる４つのステップを経て形成することができる。すなわち、一つ目のステップとして、基板４０１を厚み方向に貫通する貫通孔４０１Ｈを設ける。次に、二つ目のステップとして、貫通孔の内壁面４０１ｃに、一様な厚さの樹脂膜４０２を形成する。次に、三つ目のステップとして、形成された樹脂膜４０２のうち、金属膜４０３を成長させる予定の部分以外を選択的に除去する。そして、四つ目のステップとして、残った樹脂膜４０２上に、金属膜４０３を形成する。これらの四つのステップを経ることにより、基板の一方の主面４０１ａと同様に、基板の内壁面４０１ｃにも、樹脂膜４０２、金属膜４０３が、順に積層された構造となる。
【００５８】
なお、貫通配線基板４００を構成する貫通孔４０１Ｈの形状としては、図６（ａ）に示すように、基板４０１の内部において螺旋をなす形状であってもよいし、他の形状であってもよい。
【００５９】
［変形例３］
図７は、変形例３に係る貫通配線基板５００の断面図である。図７に示すように、貫通配線基板５００を構成する貫通孔５０１Ｈの形状としては、図７に示すように、変形例１と２を組み合わせた形状、すなわち、螺旋をなすとともに複数方向に分岐する形状であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、例えば携帯電話やデジタルカメラ、ノートパソコン等、小型で高密度な電子部品を必要とする電子装置に適用することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１００・・・貫通配線基板、１０１・・・基板、１０１Ｈ・・・貫通孔（微細孔）、１０１ｃ・・・内壁面、１０２・・・樹脂膜、１０３・・・金属膜、Ｔ・・・厚み方向。
【図１】
2013131683.tif 000003
【図２】
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【図３】
2013131683.tif 000005
【図４】
2013131683.tif 000006
【図５】
2013131683.tif 000007
【図６】
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【図７】
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