【手続補正書】
【提出日】平成28年10月26日(2016.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つまたは複数の前段のステージと、
供給ステージと、
出力ステージと、ここにおいて前記供給ステージは前記出力ステージを供する、
前記供給ステージを介して前記出力ステージの適切な動作のための静止電流を設定するバイアス回路と、ここにおいて前記バイアス回路は、複製した電流ステージと、最少セレクタと、エラー増幅器とを具備する、
を具備する低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項２】
前記供給ステージは減衰ステージとしても動作する、請求項１の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項３】
前記複製した電流ステージは、前記最少セレクタに第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧とを供給し、ここにおいて前記最少セレクタは、前記エラー増幅器に所定の電圧を供給し、ここにおいて前記エラー増幅器は、前記出力ステージの静止電流を設定する前記供給ステージを制御する、
請求項１の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項４】
前記所定の電圧は、前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧とが互いの最少セレクタトランジスタの飽和電圧内である場合、前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧との平均であり、前記所定の電圧は、前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧とが、互いの前記最少セレクタトランジスタの飽和電圧内でない場合、前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧のうち小さい方である、
請求項３の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項５】
前記エラー増幅器は、前記供給ステージに第１の制御電圧と第２の制御電圧とを出力する、請求項３の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項６】
前記１つまたは複数の前段のステージは、第１のステージと第２のステージとを具備し、
ここにおいて前記第１のステージは入力信号を受信し、ここにおいて前記第１のステージの出力は、前記第２のステージに結合され、ここにおいて前記第２のステージの出力は、前記出力ステージに結合され、ここにおいて前記出力ステージは出力信号を出力する、請求項１の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項７】
前記第２のステージ内の電流が再利用されるので、前記供給ステージをサポートするための更なるバイアス電流は、必要とされない、請求項６の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項８】
前記低電圧マルチステージ増幅器は、クラスＧの増幅器である、請求項１の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項９】
前記低電圧マルチステージ増幅器は、クラスＨの増幅器である、請求項１の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項１０】
前記低電圧マルチステージ増幅器は、前記出力ステージの出力信号に前記出力ステージの供給電圧を一致させるよう構成される、請求項１の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項１１】
前記出力ステージは、±０．４５Ｖの供給電圧で動作する、請求項１の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項１２】
前記出力ステージは、ｎチャネル型トランジスタとｐチャネル型トランジスタとを備える、請求項１の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項１３】
前記ｎチャネル型トランジスタは第１の電圧に結合され、前記ｐチャネル型トランジスタは第２の電圧に結合される、請求項１２の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項１４】
第１の電圧および前記第２の電圧は、前記バイアス回路に結合される、請求項１３の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項１５】
前記出力ステージは、第１のトランジスタを備え、前記供給ステージは、第２のトランジスタを備える、請求項１の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項１６】
前記出力ステージは、前記出力ステージにおける前記第１のトランジスタのしきい値電圧と、前記供給ステージの前記第２のトランジスタの飽和電圧と、の合計と同じくらい低い供給電圧で動作する、請求項１５の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項１７】
前記第１のトランジスタは、ｐチャネル型トランジスタであり、ここにおいて前記第２のトランジスタは、ｎチャネル型トランジスタである、請求項１５の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項１８】
前記第１のトランジスタのソースは、可変の正の供給電圧に結合され、ここにおいて前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのドレインに結合され、ここにおいて前記第２のトランジスタのソースは、可変の負の供給電圧に結合される、請求項１７の低電圧マルチステージ増幅器。
【請求項１９】
増幅に関する方法であって、前記方法は、
入力信号を取得することと、
１つまたは複数の前段のステージと、
供給ステージと、
出力ステージと、ここにおいて前記供給ステージは前記出力ステージを供する、
前記供給ステージを介して前記出力ステージの適切な動作に関する静止電流を設定するバイアス回路と、ここにおいて前記バイアス回路は、複製した電流ステージと、最少セレクタと、エラー増幅器とを具備する、
を具備する、低電圧マルチステージ増幅器を用いて前記入力信号を増幅することと、
を具備する、方法。
【請求項２０】
前記供給ステージは減衰ステージとしても動作する、請求項１９の方法。
【請求項２１】
前記複製した電流ステージは、前記最少セレクタに第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧とを供給し、ここにおいて、前記最少セレクタは、所定の電圧を前記エラー増幅器に供給し、ここにおいて前記エラー増幅器は前記出力ステージの静止電流を設定する前記供給ステージを制御する、請求項１９の方法。
【請求項２２】
前記所定の電圧は、前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧が、互いの最少セレクタトランジスタの飽和電圧内である場合、前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧との平均であり、
前記所定の電圧は、前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧とが、互いの前記最少セレクタトランジスタの飽和電圧内でない場合、前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧のうちより小さい方である、請求項２１の方法。
【請求項２３】
前記エラー増幅器は、第１の制御電圧及び第２の制御電圧を前記供給ステージに出力する、請求項２１の方法。
【請求項２４】
前記出力ステージは、第１のトランジスタを備え、前記供給ステージは、第２のトランジスタを備え、ここにおいて前記第１のトランジスタは、ｐチャネル型トランジスタであり、ここにおいて、前記第２のトランジスタは、ｎチャネル型トランジスタである、請求項１９の方法。
【請求項２５】
前記第１のトランジスタのソースは、可変の正の供給電圧に結合され、ここにおいて前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのドレインに結合され、ここにおいて前記第２のトランジスタのソースは可変の負の供給電圧に結合される、請求項２４の方法。
【請求項２６】
前記１つまたは複数の前段のステージは、第１のステージと第２のステージとを具備し、ここにおいて前記第１のステージは、入力信号を受信し、ここにおいて前記第１のステージの出力は前記第２のステージに結合され、ここにおいて前記第２のステージの出力は、前記出力ステージに結合され、ここにおいて前記出力ステージは出力信号を出力する、請求項１９の方法。
【請求項２７】
前記第２のステージ内の電流が再利用されるので、前記供給ステージをサポートするための更なるバイアス電流は、必要とされない、請求項２６の方法。
【請求項２８】
前記低電圧マルチステージ増幅器は、クラスＧの増幅器である、請求項１９の方法。
【請求項２９】
前記低電圧マルチステージ増幅器は、クラスＨの増幅器である、請求項１９の方法。
【請求項３０】
前記低電圧マルチステージ増幅器は、前記出力ステージの供給電圧を前記出力ステージの出力信号に一致させるよう構成される、請求項１９の方法。
【請求項３１】
前記出力ステージは、±０．４５Ｖの供給電圧で動作する、請求項１９の方法。
【請求項３２】
前記出力ステージは、ｎチャネル型トランジスタとｐチャネル型トランジスタとを備える、請求項１９の方法。
【請求項３３】
前記ｎチャネル型トランジスタに第１の電圧を供給することと、前記ｐチャネル型トランジスタに第２の電圧を供給することとをさらに備える、請求項３２の方法。
【請求項３４】
入力信号を取得する手段と、
前記入力信号を増幅する手段と、
を具備し、ここにおいて、前記入力信号を増幅する前記手段は、
１つまたは複数の前段のステージと、
供給ステージと、
出力ステージと、ここにおいて前記供給ステージは前記出力ステージを供する、
前記供給ステージを介して前記出力ステージの適切な動作に関する静止電流を設定するバイアス回路と、ここにおいて前記バイアス回路は、複製した電流ステージと、最少セレクタと、ミラー増幅器とを具備する、
を具備する、
装置。
【請求項３５】
前記装置は、出力ステージの供給電圧を、前記出力ステージの出力信号に一致させるよう構成される、請求項３４の装置。
【請求項３６】
前記出力ステージは±０．４５Ｖの供給電圧で動作する、請求項３４の装置。
【請求項３７】
前記出力ステージは、ｎチャネル型トランジスタとｐチャネル型トランジスタとを備える、請求項３４の装置。
【請求項３８】
入力信号の増幅することに関して構成されたコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータプログラム製品は、それに命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体を具備し、前記命令は、
低電圧マルチステージ増幅器に入力信号を取得させるためのコードと、
前記低電圧マルチステージ増幅器に前記入力信号を増幅させるためのコードと、
を具備し、ここにおいて前記低電圧マルチステージ増幅器は、
１つまたは複数の前段のステージと、
供給ステージと、
出力ステージと、ここにおいて前記供給ステージは前記出力ステージを供する、
前記供給ステージを介して前記出力ステージの適切な動作に関して静止電流を設定するバイアス回路と、ここにおいて前記バイアス回路は、複製した電流ステージと、最少セレクタと、エラー増幅器とを具備する、
を具備する
コンピュータプログラム製品。
【請求項３９】
前記低電圧マルチステージ増幅器は、前記出力ステージの供給電圧を、前記出力ステージの出力信号に一致させるよう構成された、請求項３８のコンピュータプログラム製品。
【請求項４０】
前記出力ステージは、±０．４５Ｖの供給電圧で動作する、請求項３８のコンピュータプログラム製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
[0073]  特許請求の範囲は、上記に例示された正確な構成およびコンポーネントに限定されるわけではないということが理解されるべきである。様々な修正、変更、および、バリエーションが、本明細書において説明されたシステム、方法、および装置の配置、オペレーション、および、詳細において、特許請求の範囲から逸脱することなく行われうる。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［Ｃ１］
１つまたは複数の前段のステージと、
供給ステージと、
出力ステージ中の第１のトランジスタのしきい値電圧と、前記供給ステージの第２のトランジスタの飽和電圧との合計と同じ低さの供給電圧で動作する前記出力ステージと、ここにおいて前記供給ステージは前記出力ステージを供する、
を具備する低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ２］
前記供給ステージは減衰ステージとしても動作する、Ｃ１の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ３］
バイアス回路を更に具備し、
ここにおいて、前記バイアス回路は、前記供給ステージを介して前記出力ステージの適切な動作のための静止電流を設定する、Ｃ１の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ４］
前記バイアス回路は、
複製した電流ステージと、
最少セレクタと、
エラー増幅器とを具備するＣ３の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ５］
前記複製した電流ステージは、前記最少セレクタに第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧とを供給し、ここにおいて前記最少セレクタは、前記エラー増幅器に所定の電圧を供給し、ここにおいて前記エラー増幅器は、前記出力ステージの静止電流を設定する前記供給ステージを制御する、
Ｃ４の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ６］
所定の電圧は、仮に第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧とが互いの最少セレクタトランジスタ内での飽和電圧内であれば、前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧との平均であり、ここにおいて、前記所定の電圧は、仮に前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧とが、互いの前記最少セレクタトランジスタ内での飽和電圧内でない場合、前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧のうち小さい方である、
Ｃ５の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ７］
前記エラー増幅器は、前記供給ステージに第１の制御電圧と第２の制御電圧とを出力する、Ｃ５の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ８］
前記第１のトランジスタは、ｐチャネル型トランジスタであり、ここにおいて前記第２のトランジスタは、ｎチャネル型トランジスタである、Ｃ１の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ９］
前記第１のトランジスタのソースは、可変の正の供給電圧に結合され、ここにおいて前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのドレインに結合され、ここにおいて前記第２のトランジスタのソースは、可変の負の供給電圧に結合される、Ｃ８の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ１０］
前記１つまたは複数の前段のステージは、第１のステージと第２のステージとを具備し、
ここにおいて前記第１のステージは入力信号を受信し、ここにおいて前記第１のステージの出力は、前記第２のステージに結合され、ここにおいて前記第２のステージの出力は、前記出力ステージに結合され、ここにおいて前記出力ステージは出力信号を出力する、Ｃ１の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ１１］
第２のステージ内の電流が再利用されるので、供給ステージをサポートするための更なるバイアス電流は、必要とされない、Ｃ１０の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ１２］
前記低電圧マルチステージ増幅器は、クラスＧの増幅器である、Ｃ１の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ１３］
前記低電圧マルチステージ増幅器は、クラスＨの増幅器である、Ｃ１の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ１４］
前記低電圧マルチステージ増幅器は、前記出力ステージの出力信号に前記出力ステージの供給電圧を一致させるよう構成される、Ｃ１の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ１５］
前記出力ステージは、±０．４５Ｖの供給電圧で動作する、Ｃ１の低電圧マルチステージ増幅器。
［Ｃ１６］
増幅に関する方法であって、前記方法は、入力信号を取得することと、
低電圧マルチステージ増幅器に用いる前記入力信号を増幅することとは、
１つまたは複数の前段のステージと、
供給ステージと、
出力ステージ内の第１のトランジスタのしきい値電圧と前記供給ステージの第２のトランジスタの飽和電圧と、の合計と同じくらい低い供給電圧で動作する前記出力ステージと、ここにおいて前記供給ステージは前記出力ステージを供する、を具備する、増幅に関する方法。
［Ｃ１７］
前記供給ステージは減衰ステージとしても動作する、Ｃ１６の方法。
［Ｃ１８］
前記低電圧マルチステージ増幅器は、バイアス回路を更に具備し、ここにおいて前記バイアス回路は、前記供給ステージを介して前記出力ステージの適切な動作に関する静止電流を設定する、Ｃ１６の方法。
［Ｃ１９］
前記バイアス回路は、
複製した電流ステージと、
最少セレクタと、
エラー増幅器とを具備するＣ１８の方法。
［Ｃ２０］
前記複製した電流ステージは、前記最少セレクタに第１のバイアス電圧と第２のバイアス電圧とを供給し、ここにおいて、前記最少セレクタは、所定の電圧を前記エラー増幅器に供給し、ここにおいて前記エラー増幅器は前記出力ステージの静止電流を設定する前記供給ステージを制御する、Ｃ１９の方法。
［Ｃ２１］
前記所定の電圧は、仮に前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧が、互いの最少セレクタトランジスタの飽和電圧内であれば、前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧との平均であり、
ここにおいて、前記所定の電圧は、仮に前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアス電圧とが、互いの前記最少セレクタトランジスタの飽和電圧内でないと、前記第１のバイアス電圧と前記第２のバイアスのうちより小さい方である、Ｃ２０の方法。
［Ｃ２２］
前記エラー増幅器は、第１の制御電圧及び第２の制御電圧を前記供給ステージに出力する、Ｃ２０の方法。
［Ｃ２３］
前記第１のトランジスタは、ｐチャネル型トランジスタであり、ここにおいて、前記第２のトランジスタは、ｎチャネル型トランジスタである、Ｃ１６の方法。
［Ｃ２４］
前記第１のトランジスタのソースは、可変の正の供給電圧に結合され、ここにおいて前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのドレインに結合され、ここにおいて前記第２のトランジスタのソースは可変の負の供給電圧に結合される、Ｃ２３の方法。
［Ｃ２５］
前記１つまたは複数の前段のステージは、第１のステージと第２のステージとを具備し、ここにおいて前記第１のステージは、入力信号を受信し、ここにおいて前記第１のステージの出力は前記第２のステージに結合され、ここにおいて前記第２のステージの出力は、前記出力ステージに結合され、ここにおいて前記出力ステージは出力信号を出力する、Ｃ１６の方法。
［Ｃ２６］
前記第２のステージ内の電流が再利用するので、前記供給ステージをサポートするための更なるバイアス電流は、必要とされない、Ｃ２５の方法。
［Ｃ２７］
前記低電圧マルチステージ増幅器は、クラスＧの増幅器である、Ｃ１６の方法。
［Ｃ２８］
前記低電圧マルチステージ増幅器は、クラスＨの増幅器である、Ｃ１６の方法。
［Ｃ２９］
前記低電圧マルチステージ増幅器は、前記出力ステージの供給電圧を前記出力ステージの出力信号に一致させるよう構成される、Ｃ１６の方法。
［Ｃ３０］
前記出力ステージは、±０．４５Ｖの供給電圧で動作する、Ｃ１６の方法。
［Ｃ３１］
入力信号を取得する手段と、
前記入力信号を増幅する手段と、ここにおいて、前記入力信号を増幅する前記手段は、
１つまたは複数の前段のステージと、
供給ステージと、
出力ステージ内の第１のトランジスタのしきい値電圧と、前記供給ステージの第２のトランジスタの飽和電圧と、の合計と同じくらい低い供給電圧で動作する前記出力ステージと、ここにおいて前記供給ステージは前記出力ステージを供する、を具備する、デバイス。
［Ｃ３２］
前記入力信号を増幅する前記手段は、バイアス回路を更に具備し、ここにおいて前記バイアス回路は、前記供給ステージを介して前記出力ステージの適切な動作に関する静止電流を設定する、Ｃ３１のデバイス。
［Ｃ３３］
前記バイアス回路は、
複製した電流ステージと、
最少セレクタと、
ミラー増幅器とを具備するＣ３２のデバイス。
［Ｃ３４］
前記デバイスは、出力ステージの供給電圧を、前記出力ステージの出力信号に一致させるよう構成される、Ｃ３１のデバイス。
［Ｃ３５］
前記出力ステージは±０．４５Ｖの供給電圧で動作する、Ｃ３１のデバイス。
［Ｃ３６］
入力信号の増幅することに関して構成されたコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータプログラム製品は、それに命令を有する非一時的なコンピュータ可読媒体を具備し、
前記命令は、
低電圧マルチステージ増幅器に入力信号を取得するためのコードと、
前記低電圧マルチステージ増幅器に前記入力信号を増幅させるコードと、
ここにおいて前記低電圧マルチステージ増幅器は、１つまたは複数の前段のステージと、
供給ステージと、
出力ステージにおける第１のトランジスタのしきい値電圧と、前記供給ステージの第２のトランジスタの飽和電圧と、の合計と同じくらい低い供給電圧で動作する前記出力ステージと、ここにおいて前記供給ステージは前記出力ステージを供する、を具備するコンピュータプログラム製品。
［Ｃ３７］
前記低電圧マルチステージ増幅器は、バイアス回路を更に具備し、ここにおいて前記バイアス回路は、前記供給ステージを介して前記出力ステージの適切な動作に関して静止電流を設定する、Ｃ３６のコンピュータプログラム製品。
［Ｃ３８］
前記バイアス回路は、
複製した電流ステージと、
最少セレクタと、
エラー増幅器と
を具備するＣ３７のコンピュータプログラム製品。
［Ｃ３９］
前記低電圧マルチステージ増幅器は、出力ステージの供給電圧を、前記出力ステージの出力信号に一致させるよう構成された、Ｃ３６のコンピュータプログラム製品。
［Ｃ４０］
前記出力ステージは、±０．４５Ｖの供給電圧で動作する、Ｃ３６のコンピュータプログラム製品。