Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月23日(2016.6.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
第１のコーティングと、この第１のコーティングと直接接触する防曇コーティングの前駆体コーティングとによってコーティングされた少なくとも１つの主表面を有する基材を含んでなる光学物品において、前記防曇コーティングの前記コーティング前駆体が、
少なくとも１種のオルガノシラン化合物であって、
好ましくは８０個未満の炭素原子、より好ましくは４０個未満の炭素原子を含んでなるポリオキシアルキレン基と、
少なくとも１個の加水分解性基を有する少なくとも１個のケイ素原子と
を有する、少なくとも１種のオルガノシラン化合物がグラフト化したものであることと、
前記前駆体コーティングが、式Ｆ（ＣＦ2）ｙ−（ＣＨ2−ＣＨ2Ｏ）x+1Ｈ（ＶＩＩＩ）（式中、ｘは１〜１４の範囲の整数であり、ｙは１０以下の整数であり、ｙ＝６である式（ＶＩＩＩ）の化合物が、組成物に存在する前記化合物（ＶＩＩＩ）の重量に対して、少なくとも９０重量％、好ましくは少なくとも９５重量％、そしてより好ましくは１００重量％の量で存在する）の少なくとも１種の界面活性剤を含有する界面活性剤含有組成物のフィルムでコートされており、界面活性剤含有組成物のフィルムでコートされた前記前駆体コーティングが、好ましくは１０°以下、より好ましくは５°以下の水に対する静的接触角を有する防曇コーティングをなしていること、とを特徴とする、光学物品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１３】
少なくとも１つの主表面を有する光学的物品に防曇特性を与える方法であって、請求項１〜５のいずれか一項に定義される界面活性剤含有組成物の前記主表面上への塗布を含んでなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月15日(2016.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
沸騰床触媒水素化処理反応器中で液体炭化水素原料を低分子量炭化水素化合物に変換するプロセスであって、
沸騰床反応器は、沸騰床からの液体リサイクル流出物を受けるために、触媒床上方の実質的に触媒フリーのゾーンと流体連結している内部的リサイクル下降流導管を含み、
プロセスは、
ａ．混合ゾーンにおいて液体炭化水素原料を過剰な水素ガスと混合して、一部の水素ガスを液体炭化水素原料中に溶解させ、水素に富む液体炭化水素原料を生成し；
ｂ．水素に富む液体炭化水素原料および非溶存水素をフラッシングゾーンへ運び、そこで少なくとも一部の非溶存水素ガスがフラッシュされ；
ｃ．水素に富む液体炭化水素原料をフラッシングゾーンから沸騰床反応器のフィード注入口へ移動させ、原料から低分子量炭化水素類への変換を含む反応を行わせ；
ｄ．変換された低分子量の炭化水素生成物を、沸騰床反応器の実質的に触媒フリーのゾーンから回収し；
ｅ．沸騰床反応器底部の内部的リサイクル下降流導管からの液体リサイクル流出物を、沸騰床ポンプ入口へ移動させ、液体リサイクル流出物を触媒床にリサイクルさせる；
ことを含む、プロセス。
【請求項２】
沸騰床触媒水素化処理反応器中で液体炭化水素原料を低分子量炭化水素化合物に変換するプロセスであって、
沸騰床反応器は、沸騰床から液体リサイクル流出物を移動させるために、触媒床上方の実質的に触媒フリーのゾーンと流体連結している内部的リサイクル下降流導管を含み、
プロセスは、
ａ．混合ゾーンにおいて液体炭化水素原料を過剰な水素ガスと混合して、一部の水素ガスを液体炭化水素原料中に溶解させ、水素に富む液体炭化水素原料を生成し；
ｂ．水素に富む液体炭化水素原料および非溶存水素をフラッシングゾーンへ運び、そこで少なくとも一部の非溶存水素ガスがフラッシュされ；
ｃ．水素に富む液体炭化水素原料をフラッシングゾーンから沸騰床ポンプ入口へ移動させ；
ｄ．沸騰床ポンプからの水素に富む液体炭化水素原料を沸騰床反応器のフィード注入口へ移動させ、原料から低分子量炭化水素類への変換を含む反応を行わせ；
ｅ．変換された低分子量の炭化水素生成物を、沸騰床反応器の実質的に触媒フリーのゾーンから回収し；
ｆ．液体炭化水素原料と混合するために、沸騰床反応器の内部的リサイクル導管からの液体リサイクル流出物を工程（ａ）の水素ガス混合ゾーンへ移動させる；
ことを含む、プロセス。
【請求項３】
沸騰床触媒水素化処理反応器中で液体炭化水素原料を低分子量炭化水素化合物に変換するプロセスであって、
沸騰床反応器は、回収生成物よりも重質の炭化水素類を受けるために、触媒床上方の実質的に触媒フリーのゾーンと流体連結している内部的リサイクル下降流導管を含み、
プロセスは、
ａ．混合ゾーンにおいて液体炭化水素原料を過剰な水素ガスと混合して、一部の水素ガスを液体炭化水素原料中に溶解させ、水素に富む液体炭化水素原料を生成し；
ｂ．水素に富む液体炭化水素原料および非溶存水素をフラッシングゾーンへ運び、そこで少なくとも一部の非溶存水素ガスがフラッシュされ；
ｃ．水素に富む液体炭化水素原料をフラッシングゾーンから沸騰床反応器のフィード注入口へ移動させ、原料から低分子量炭化水素類への変換を含む反応を行わせ；
ｄ．変換された低分子量の炭化水素生成物を、沸騰床反応器の実質的に触媒フリーのゾーンから回収し；
ｅ．沸騰床反応器底部の内部的リサイクル下降流導管からの炭化水素を、内部的リサイクル下降流導管と流体連結している外部分離またはフラッシュ容器と、分離またはフラッシュ容器残液を沸騰床反応器入口に運ぶためのリサイクル沸騰ポンプと流体連結している出口とを含む外部的リサイクル分離ゾーンへ運び（ここで、軽質ガスおよび水素を含むトップ流の一部は、外部的リサイクル分離ゾーンから回収され、外部分離またはフラッシュ容器にリサイクルされる）；
ｆ．水素および軽質ガスが取り出される外部分離またはフラッシュ容器残液を、リサイクル沸騰ポンプへ運び；
ｇ．リサイクル沸騰ポンプからの分離またはフラッシュ容器残液を、沸騰床反応器入口に運ぶ；
ことを含む、プロセス。
【請求項４】
沸騰床反応器のガスホールドアップは総液体量の４０Ｖ％未満である、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項５】
沸騰床反応器のガスホールドアップは総液体量の１Ｖ％未満である、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項６】
沸騰床リサイクルストリームは総液体量の１０Ｖ％未満の蒸気量を含む、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項７】
沸騰床リサイクルストリームは総液体量の０.１Ｖ％未満の蒸気量を含む、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項８】
沸騰床反応器を３５０℃から５００℃の範囲における温度で運転する、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項９】
沸騰床反応器を４００℃から４５０℃の範囲における温度で運転する、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１０】
沸騰床反応器を５０から３００Ｋｇ／ｃｍ２の範囲における圧力で運転する、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１１】
沸騰床反応器を１００から２５０Ｋｇ／ｃｍ２の範囲における圧力で運転する、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１２】
沸騰床反応器を１５０から２００Ｋｇ／ｃｍ２の範囲における圧力で運転する、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１３】
水素および原料の混合並びに飽和ゾーンを、原料の５００から１０，０００標準立方フィート／バレル（ＳＣＦＢ）（８９から１７８０ｍ３／ｍ３）の範囲における水素供給量で運転する、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１４】
水素および原料の混合並びに飽和ゾーンを、原料の１５００から５，０００ＳＣＦＢ（２６７から８９０ｍ３／ｍ３）の範囲における水素供給量で運転する、請求項１〜３のいずれかに記載のプロセス。
【請求項１５】
外部的リサイクル分離ゾーン上流の沸騰床反応器底部からの炭化水素に水素を混合する、請求項３に記載のプロセス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年9月5日(2016.9.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
【数１】
2014521665.tif 000001
ＯＨＺ＝ヒドロキシル価  単位はｍｇ  ＫＯＨ／物質１ｇ
Ｖａ＝試料の滴定の際の水酸化ナトリウム溶液の消費量  単位はｍｌ
Ｖｂ＝作用値の滴定の際の水酸化ナトリウム溶液の消費量  単位はｍｌ
ｃ＝水酸化ナトリウム溶液の物質量濃度  単位はｍｏｌ／ｌ
ｔ＝水酸化ナトリウム溶液の滴定量
Ｍ＝ＫＯＨのモル質量＝５６．１１ｇ／ｍｏｌ
Ｅ＝試料の量り取った量  単位はｇ
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月16日(2016.6.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
本発明においては、ＤＩＮ５３２４０−２に依拠してＯＨ価を決定する。これに関しては以下のようなやり方をする。すなわち均質化した測定すべき試料１ｇを、０．１ｍｇと違えずに量り入れる。アセチル化混合物（アセチル化混合物：ピリジン１ｌに無水酢酸５０ｍｌを混ぜ入れる）２０．００ｍｌを加える。場合によっては撹拌および加熱しながら試料をアセチル化混合物に完全に溶解させる。触媒溶液（触媒溶液：ピリジン１００ｍｌに４−ジメチルアミノピリジン２ｇを溶解させる）５ｍｌを加える。反応容器を密封し、５５℃に予熱した水浴内に１０分間放置し、またその際に十分に混合する。その後、反応溶液に完全脱塩水１０ｍｌを加え、反応容器を改めて密封し、再び振とう水浴内で１０分間反応させる。試料を室温（２５℃）に冷却させる。続いて２−プロパノール５０ｍｌおよびフェノールフタレイン２滴を加える。この溶液を水酸化ナトリウム溶液（水酸化ナトリウム溶液ｃ＝０．５ｍｏｌ／ｌ）で滴定する（Ｖａ）。同じ条件で、ただし試料を量り取らずに、アセチル化混合物の作用値を決定する（Ｖｂ）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９９】
確定され、下で表１に示された最小発育阻止濃度「ＱＡ」および「ＱＢ」の値は、ブチルポリグリコールの希釈効果により既に対応されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２０４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２０４】
【表３】
2014521669.tif 000001
ｇｅｍ．：測定値；ｂｅｒ．：計算値
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２０５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２０５】
表１に示した結果により、カプリル酸イソソルビド１  ５０重量％と、フェノキシエタノール５０重量％とから成る本発明による組成物が、とりわけテストした酵母および真菌に対し、その抗菌作用に関して相乗効果を示すことが分かる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１０】
一つには、カプリル酸イソソルビド１の組成物に含有している化合物であるカプリル酸、イソソルビド、およびジカプリル酸イソソルビドの抗菌作用が存在しないことに基づき、もう一つには、表１の結果から明らかな組成物「カプリル酸イソソルビド１」の抗菌作用（表１でのカプリル酸イソソルビド１の最小発育阻止濃度ＱＡを参照）に基づき、同様にカプリル酸イソソルビド１の組成物に含有している化合物であるモノカプリル酸イソソルビドが有意な抗菌作用を有することが結論づけられる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１１】
この理由から、真菌Ｆｕｓａｒｉｕｍ  ｓｏｌａｎｉおよびＰｅｎｉｃｉｌｌｉｕｍ  ｆｕｎｉｃｏｌｏｓｉｕｍに対するジカプリル酸イソソルビド組成物の僅かな活性は、この組成物に含有している化合物のモノカプリル酸イソソルビドに起因するとも結論づけられる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
ＤＥ１０２００９０２２４４４（特許文献２）（Ｃｌａｒｉａｎｔ）は、モノカプリル酸ソルビタンと、及び他の抗菌有効物質、例えば特定の有機酸及びそれの塩、特定のホルムアルデヒドドナー、特定のイソチアゾリノン類（例えばメチルクロロイソチアゾリノン）、特定のパラベンエステルまたは特定のピリドン類及びそれの塩とを含有する液状組成物、ならびに化粧料、皮膚科学的用品または医薬品を防腐するためのこの組成物の使用を記載している。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
【数１】
2014521668.tif 000001
ＯＨＺ＝ヒドロキシル価  単位はｍｇ  ＫＯＨ／物質１ｇ
Ｖａ＝試料の滴定の際の水酸化ナトリウム溶液の消費量  単位はｍｌ
Ｖｂ＝作用値の滴定の際の水酸化ナトリウム溶液の消費量  単位はｍｌ
ｃ＝水酸化ナトリウム溶液の物質量濃度  単位はｍｏｌ／ｌ
ｔ＝水酸化ナトリウム溶液の滴定量
Ｍ＝ＫＯＨのモル質量＝５６．１１ｇ／ｍｏｌ
Ｅ＝試料の量り取った量  単位はｇ
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２３６】
【表１２】
2014521668.tif 000002
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
本発明は、α２アドレナリン調節因子としての新規Ｎ−（イミダゾリジン−２−イリデン）−ヘテロシクロペンタ［ｂ］ピリジン誘導体に関する。これらの新規化合物は、α２Ａ、２Ｂ、２Ｃ活性化により軽減される状態および疾患の範囲を有する哺乳類、例えばヒトの治療、例えば、限定はされないが、緑内障、眼圧亢進、虚血性ニューロパチー、視神経症、疼痛、内臓痛、角膜痛、頭痛、片頭痛、癌性疼痛、背部痛、過敏性腸症候群痛、筋肉痛および糖尿病性ニューロパチーと関連する疼痛の治療、糖尿病性網膜症、他の網膜変性状態、脳卒中、認知障害、精神神経状態、薬物依存および嗜癖、離脱症状、強迫性障害、肥満、インスリン抵抗性、ストレス関連状態、下痢、利尿、鼻閉、痙縮、注意欠陥障害、精神病、不安、うつ病、自己免疫疾患、クローン病、胃炎、Ａｌｚｈｅｉｍｅｒ病、パーキンソンＡＬＳ、神経変性疾患、網膜神経保護、皮膚状態、皮膚疾患、酒さ、日焼け、乾癬、酒さ性ざ瘡、更年期関連のぼせ、精巣摘出に起因するのぼせ、アトピー性皮膚炎、光老化、脂漏性皮膚炎、ざ瘡、アレルギー性皮膚炎、皮膚の発赤、顔の毛細血管拡張症（以前から存在していた微小血管の拡張）、鼻瘤（濾胞性拡張を有する鼻の肥大）、赤色球状鼻、ざ瘡様皮疹（滲出または痂皮となり得る）、顔の焼けるまたは刺すような感じ、ひりひりする、充血した、および涙ぐんだ目、皮膚の紅斑、皮膚の血管の拡張を伴う皮膚機能亢進、Ｌｙｅｌｌ症候群、スチーブンソンージョンソン症候群、多形性紅斑マイナー、多形性紅斑メジャーおよびまたは他の炎症性皮膚疾患、加齢黄斑変性、滲出型黄斑変性、萎縮型黄斑変性、地図状萎縮、糖尿病性網膜症、糖尿病黄斑浮腫、腫瘍、創傷治癒、炎症および網膜静脈閉塞の治療、緑内障、網膜色素変性症および多発性硬化症に続発する神経炎を含む状態に起因する視力喪失を有する患者における視力向上に有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月7日(2016.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械加工可能な焼結グラファイトの連続する圧縮材料ブロックである熱吸収材ブロックと、
格納容器に格納された相変化物質を備える複数の蓄熱素子と、
を備える蓄熱装置であって、
前記蓄熱素子のそれぞれは、前記熱吸収材ブロックと熱接触しており、前記蓄熱素子のそれぞれは、前記ブロックに形成されたホールのそれぞれに受けられる、蓄熱装置。
【請求項２】
前記熱吸収材ブロックは、複数の第１ホールが形成された蓄熱部分を備え、
前記蓄熱素子は前記のホールのそれぞれの内部に収容される、
請求項１に記載の蓄熱装置。
【請求項３】
前記ホールは所定の間隔をもって形成される、請求項１又は２に記載の蓄熱装置。
【請求項４】
前記所定の間隔は、前記蓄熱部分における熱輸送を最適化するように選択される、請求項３に記載の蓄熱装置。
【請求項５】
前記蓄熱部分と熱接触している１つ又は複数の加熱素子を更に備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の蓄熱装置。
【請求項６】
前記１つ又は複数の加熱素子は、前記蓄熱部分内の複数の第２ホール内に収容されている、請求項５に記載の蓄熱装置。
【請求項７】
前記加熱素子は電気加熱素子である、請求項５又は６に記載の蓄熱装置。
【請求項８】
前記加熱素子は、前記蓄熱部分の異なる領域に異なる量の熱を供給するように、個別に制御可能である、請求項５〜７のいずれか一項に記載の蓄熱装置。
【請求項９】
前記蓄熱部分の前記異なる領域に対応した１つ又は複数の温度センサーを更に備える、請求項８に記載の蓄熱装置。
【請求項１０】
前記蓄熱素子から熱を抽出するための手段を更に備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載の蓄熱装置。
【請求項１１】
前記熱を抽出するための手段は、前記蓄熱部分につながれた密閉サイクル熱機関である、請求項１０に記載の蓄熱装置。
【請求項１２】
前記密閉サイクル熱機関はスターリング機関であり、
前記スターリング機関は芯を通して前記蓄熱部分につながれている、請求項１１に記載の蓄熱装置。
【請求項１３】
前記相変化物質は、シリコンメタロイド、又は、共晶、過共晶、若しくは、亜共晶のシリコン組成物、を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の蓄熱装置。
【請求項１４】
実質的に、添付の図面を参照して上述したような蓄熱装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月17日(2016.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造を含んでいる素子を製造する方法であって、
基板を準備すること；
上記基板上にエピタキシャルな半導体のバッファ層を設けることによって、上記バッファ層および基板の間に導電性界面を得ること；
上記バッファ層を覆う１つ以上の保護層を形成すること；
上記１つ以上の保護層を形成した後に、上記導電性界面および部分的に上記基板に、表面を規定している１つ以上の局所的な電気絶縁を形成することによって、上記導電性界面における電流を遮断すること、ここで、
上記１つ以上の局所的な電気絶縁は、当該１つ以上の局所的な電気絶縁のうちの少なくとも１つが上記素子の高圧の端子および低圧の端子の間に配置されるように、位置合わせされおり；
上記１つ以上の局所的な電気絶縁の、上記表面を平坦化すること；ならびに
再成長プロセス前に上記１つ以上の保護層を、上記表面を平坦化することの後に、除去することを包含している、方法。
【請求項２】
上記１つ以上の局所的な電気絶縁は、シャロートレンチアイソレーション、シリコンの局所的な酸化、不純物インプランテーション、ディープトレンチエッチングおよびこれらの組み合わせのうち少なくとも１つによって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記１つ以上の局所的な電気絶縁は、規則的なパターンに形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記素子は、ゲートおよびドレインを含んでおり、当該ゲートは、ある距離だけ当該ドレインから離されており、
上記規則的なパターンの周期は、上記距離より小さく、当該周期および距離は同一平面にある、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
上記パターンを、上記素子のゲートが当該パターンの直上に配置されるように、位置合わせすることをさらに包含している、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
上記１つ以上の局所的な電気絶縁は、上記素子のゲートおよびドレインの間に位置合わせされる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
上記１つ以上の電気絶縁は、２５ｎｍ〜２．５μｍの幅を有している、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
上記１つ以上の電気絶縁の間隙は、０．２μｍ〜２０μｍの間である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
上記１つ以上の保護層は、ＩＩＩ−Ｖ層、ＳｉＮ層およびそれらの組み合わせからなる群から選択される１つ以上の層を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
上記１つ以上の保護層は、（ｉ）上記バッファ層上に付与されているＧａＮのスタック、（ｉｉ）ＧａＮ層上に付与されているＡｌＮ、および（ｉｉｉ）ＡｌＮ層上に付与されているＳｉＮ層を含んでいる、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
上記基板およびバッファ層の少なくとも１つを、絶縁パターンを用いてパターニングすることによってＩＩＩ−Ｖ層を選択的に再成長させることを含んでいる再成長プロセスを実施することをさらに包含している、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月14日(2016.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直両吸込ポンプであって：
垂直な回転軸Ａに沿い垂直に延出している放出管アセンブリ（１００）と；
モーター取り付けアセンブリ（１１５）上に配置されたモーターアセンブリ（１１０）と；
前記放出管アセンブリ（１００）に連結されている羽根車放出部（１２０，１２２）と；
ポンプケーシング壁部（１６）を有しているとともに前記羽根車放出部（１２０，１２２）に連結されているポンプケーシング（１２）と；
前記回転軸Ａ上で回転するよう前記モーター取り付けアセンブリ（１１５）に連結しているとともに、前記ポンプケーシング（１２）中に延出するよう前記放出管アセンブリ（１００）中に構成されていてポンプローターシステムの一部を形成するシャフト（１５）と；
前記ポンプケーシング（１２）中に配置されていて前記シャフト（１５）に連結されており、金属リム（２２，２４）を有する上方及び下方シュラウド（１８，２０）を有している両吸込羽根車（１４）と、
を備えていて、
前記金属リム（２２，２４）は、前記羽根車放出部（１２０，１２２）からの前記上方及び下方シュラウド（１８，２０）上に作用することができる再循環流（Ｆ）を阻止するよう前記両吸込羽根車（１４）と前記ポンプケーシング（１２）の前記ポンプケーシング壁部（１６）との間に上方及び下方隔離環状部を形成するよう構成されていて、その結果としてポンプケーシング再循環からの二次流れを減衰し、このような流れが前記両吸込羽根車（１４）の前記上方及び下方シュラウド（１８，２０）と衝突しないよう隔離し、前記垂直な両吸込ポンプのポンプローターシステムの望ましくない軸方向の振動を緩和し、前記上方及び下方隔離環状部は、前記上方及び下方シュラウド（１８，２０）上の差圧から生じる前記両吸込羽根車（１４）の回転軸Ａと平行な下向き方向の差圧を生じさせるよう前記上方及び下方シュラウド（１８，２０）間で形状が異なっていて、その結果として軸推力（ＬＡ）を前記シャフト（１５）に適用し前記ポンプローターシステム中のローター動的剛性を増大させる、
垂直両吸込ポンプ。
【請求項２】
前記金属リム（２２，２４）は、前記上方又は下方シュラウド（１８、２０）の周囲にほぼ実質的に完全に延びるよう構成されている、請求項１に記載の垂直両吸込ポンプ。
【請求項３】
前記両吸込羽根車（１４）は外径を有していて、そして前記金属リム（２２，２４）は前記羽根車放出部（１２０，１２２）付近で前記外径により近く前記上方及び下方シュラウド（１８、２０）上に構成されているか又は配置されている、請求項１に記載の垂直両吸込ポンプ。
【請求項４】
前記両吸込羽根車（１４）は内側外辺部を有していて、そして前記金属リム（２２，２４）は前記シャフト（１５）付近で前記内側外辺部により近く前記上方及び下方シュラウド（１８、２０）上に構成されているか又は配置されている、請求項１に記載の垂直両吸込ポンプ。
【請求項５】
前記金属リム（２２，２４）は前記上方及び下方シュラウド（１８、２０）上の特定の位置に構成されていて、そして前記羽根車放出部（１２０，１２２）からの前記上方及び下方シュラウド（１８，２０）上に作用することができる前記再循環流（Ｆ）を阻止するのに十分な高さを伴っていて、前記上方及び下方シュラウド（１８、２０）上の前記差圧から前記軸推力（ＬＡ）を生じさせる、請求項１に記載の垂直両吸込ポンプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明は、その代表的な実施形態に関して記載及び例示されているが、前述の及び様々な他の追加及び省略が、本明細書の趣旨及び範囲から逸脱することなく行われてもよい。
なおこの明細書には以下の発明が含まれている。
［１］．
垂直な両吸込ポンプを含む装置であって、
ポンプケーシング壁部を有するポンプケーシングと、
両吸込羽根車であって、前記ポンプケーシング内でシャフト上に配置され、前記両吸込羽根車と前記ポンプケーシングの前記ポンプケーシング壁部との間に、上方隔離環状部及び下方隔離環状部を形成するように構成された、金属リムを備える上方シュラウド及び下方シュラウドを有し、これにより羽根車放出部からの再循環流を阻止して、前記上方及び前記下方シュラウドに作用し、前記上方及び前記下方シュラウドへの差別的水圧による制御された軸推力を生じることができる、両吸込羽根車とを含む、装置。
［２］．
前記上方及び前記下方隔離環状部は、前記両吸込羽根車の回転軸と平行な方向に差圧を生じるために、前記両吸込羽根車の前記上方シュラウドと前記下方シュラウドとの間で形状が異なっている、前記［１］．に記載の装置。
［３］．
前記上方及び前記下方隔離環状部が、概して前記回転軸の方向に実質的な水推力を有さない、前記両吸込羽根車への前記制御された軸推力を生じるように構成されている、前記［２］．に記載の装置。
［４］．
前記金属リムは、前記両吸込羽根車の外径に対する最小トリム値に位置するように構成される、前記［１］．に記載の装置。
［５］．
前記上方隔離環状部又はリング、及び前記下方隔離環状部又はリングは、少なくとも一部が前記シャフトに向かって延びる、前記上方シュラウド又は前記下方シュラウドの隔離区分を形成するように構成されている、前記［１］．に記載の装置。
［６］．
前記金属リムは、前記上方シュラウド、又は前記下方シュラウドの周囲に実質的に完全に延びるように構成されている、前記［１］．に記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年11月18日(2015.11.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
システインは、タンパク質若しくはペプチド加水分解物若しくはペプチド（例えばγ−グルタミル−システイン）若しくは他の形態のペプチド（例えばγ−グルタミル−システインエステル）中で結合しているシステイン、混合ジスルフィド（例えばＬ−システイン−グルタチオンシステインプロドラッグ）、Ｎ−アセチル−システイン（遊離型、アミド若しくはエステル型）、Ｓ−アリル−システイン、Ｓ−メチル−システイン、Ｓ−エチル−システイン、Ｓ−プロピル−システイン、ＴＣＡ（チアゾリジン−Ｓ−カルボン酸）、ＯＴＣ（Ｌ−２−オキソチアゾリジン−４−カルボン酸）、ブシラミングルタチオン及びグルタチオンエステル（モノメチル、モノエチル、ジエチル、イソプロピル）、グルタチオンプロドラッグ、Ｓ−アセチル−グルタチオン、Ｓ−フェニル酢酸−グルタチオン、並びにＳ−ヒドロキシ−メチルメルカプト−Ｌ−システインからなる群から選択されるシステイン前駆体の形態で提供することもできる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
本発明の組成物は、ヒト又は動物による摂取に適した任意のタイプの組成物とすることができる。本発明の組成物は、例えば、食品、ペットフード製品、飲料、医薬品、栄養フォーミュラ、臨床栄養用組成物、水、ジュース若しくは乳の添加により再構成される栄養粉末、機能性食品、食品添加物、栄養補助食品、乳製品、又はゲルからなる群から選択される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加齢に伴う食物摂取の低下を抑制するための薬剤であって、システインを有効成分として含有する薬剤。
【請求項２】
前記システインは、タンパク質若しくはペプチド加水分解物若しくはペプチド（例えばγ−グルタミル−システイン）若しくは他の形態のペプチド（例えばγ−グルタミル−システインエステル）中で結合しているシステイン、混合ジスルフィド（例えばＬ−システイン−グルタチオンシステインプロドラッグ）、Ｎ−アセチル−システイン（遊離型、アミド若しくはエステル型）、Ｓ−アリル−システイン、Ｓ−メチル−システイン、Ｓ−エチル−システイン、Ｓ−プロピル−システイン、ＴＣＡ（チアゾリジン−Ｓ−カルボン酸）、ＯＴＣ（Ｌ−２−オキソチアゾリジン−４−カルボン酸）、及びＳ−ヒドロキシ−メチルメルカプト−Ｌ−システインからなる群から選択されるシステイン前駆体の形態で含有される、請求項１に記載の薬剤。
【請求項３】
前記システインが高齢の個体に投与されるように用いられる、請求項１又は２に記載の薬剤。
【請求項４】
前記システインが０．０３〜０．１５ｇ／ｋｇ体重の一日量で投与されるように用いられる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の薬剤。
【請求項５】
前記システインが経口的、経腸的又は非経口的に投与されるように用いられる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の薬剤。
【請求項６】
前記システインが食前１時間以内又は食事中に投与されるように用いられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の薬剤。
【請求項７】
加齢に伴う食物摂取の低下を抑制するための栄養組成物であって、
少なくとも５重量％のシステインを含むタンパク質画分を含有し、
栄養組成物のカロリーの２０〜７０％が炭水化物由来である、
栄養組成物。
【請求項８】
前記タンパク質画分は少なくとも７重量％のシステインを含む、請求項７に記載の栄養組成物。
【請求項９】
前記タンパク質画分は少なくとも１０重量％のシステインを含む、請求項７に記載の栄養組成物。
【請求項１０】
少なくとも０．５ｋｃａｌ／ｇのカロリー密度を有する、請求項７〜９のいずれか一項に記載の栄養組成物。
【請求項１１】
栄養組成物のカロリーの１０〜４０％がタンパク質由来である、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の栄養組成物。
【請求項１２】
栄養組成物のカロリーの１５〜４５％が脂質由来である、請求項７〜１１のいずれか一項に記載の栄養組成物。
【請求項１３】
前記システインは、タンパク質若しくはペプチド加水分解物若しくはペプチド（例えばγ−グルタミル−システイン）若しくは他の形態のペプチド（例えばγ−グルタミル−システインエステル）中で結合しているシステイン、混合ジスルフィド（例えばＬ−システイン−グルタチオンシステインプロドラッグ）、Ｎ−アセチル−システイン（遊離型、アミド若しくはエステル型）、Ｓ−アリル−システイン、Ｓ−メチル−システイン、Ｓ−エチル−システイン、Ｓ−プロピル−システイン、ＴＣＡ（チアゾリジン−Ｓ−カルボン酸）、ＯＴＣ（Ｌ−２−オキソチアゾリジン−４−カルボン酸）、及びＳ−ヒドロキシ−メチルメルカプト−Ｌ−システインからなる群から選択されるシステイン前駆体の形態で前記タンパク質画分に含まれる、請求項７〜１２のいずれか一項に記載の栄養組成物。
【請求項１４】
高齢の個体に投与される、請求項７〜１３のいずれか一項に記載の栄養組成物。
【請求項１５】
食品、ペットフード製品、飲料、医薬品、臨床栄養用組成物、水、ジュース若しくは乳の添加により再構成される栄養粉末、機能性食品、食品添加物、栄養補助食品、乳製品、又はゲルからなる群から選択される、請求項７〜１４のいずれか一項に記載の栄養組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年11月25日(2015.11.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作シリンダを研削機械（１０）上に位置決めする方法であって、少なくとも、
ａ．前記シリンダの長手方向中心線の横断面を、前記研削機械（１０）の可動ピースホルダ・ヘッド（１３）と可動心押し台センタ（１２）の間に配置された基準点に対応するように位置決めするステップと、
ｂ．前記ピースホルダ・ヘッド（１３）及び前記心押し台センタ（１２）を、前記シリンダの方向に、前記シリンダ自体を連行及び／又は支持するための相互結合が生じるまで移動させるステップと、
を実行するステップを含み、
前記基準点は、前記ピースホルダ・ヘッド（１３）及び前記心押し台センタ（１２）から等距離に配置され、
前記ステップｂの前記移動させるステップは、前記ピースホルダ・ヘッド（１３）及び前記心押し台センタ（１２）を同一の量、同一の直線上の方向、且つ逆向きに移動させるステップであり、
前記移動させるステップは移動手段によって実行され、前記移動手段は、前記ピースホルダ・ヘッド（１３）及び前記心押し台センタ（１２）に結合されたエンドレスねじ（１６）を備え、前記ねじ（１６）は、単一ピースで構成され、逆巻き螺旋ねじを有する２つのねじ部（１６０、１６１）を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
Ａ１．研削される圧延シリンダを準備するステップと、
Ａ．前記シリンダの長手方向中心線の横断面を、研削機械の可動ピースホルダ・ヘッドと可動心押し台センタの間に配置され、前記シリンダの支持ルネット（２０）に一致する基準点に対応して位置決めするステップと、
Ｂ．前記ピースホルダ・ヘッド（１３）及び心押し台センタ（１２）を前記シリンダと結合するまで移動させるステップと、
Ｃ．前記シリンダの少なくとも２つの側方支持ルネット（２１、２２）を、前記基準点から同一距離に位置決めするステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
動作シリンダ用の研削機械（１０）であって、基部（１１）と、ピースホルダ・ヘッド（１３）と、研削されるシリンダを回転させるために前記シリンダの対向する端部に結合される心押し台センタ（１２）と、を備え、前記ピースホルダ・ヘッド（１３）及び前記心押し台センタ（１２）は前記基部（１１）に対して平行移動することができ、
前記ピースホルダ・ヘッド（１３）及び前記心押し台センタ（１２）は、移動手段に結合され、相互の接近及び後退のための直線平行移動ができ、
前記移動手段は、前記ピースホルダ・ヘッド（１３）及び前記心押し台センタ（１２）に結合されたエンドレスねじ（１６）を備え、前記ねじ（１６）は、単一ピースで構成され、逆巻き螺旋ねじを有する２つのねじ部（１６０、１６１）を備えることを特徴とする
ることを特徴とする、研削機械。
【請求項４】
前記移動手段は、前記ピースホルダ・ヘッド（１３）及び前記心押し台センタ（１２）を同一の直線上の方向、同一の量、逆向きに移動させることを特徴とする請求項３に記載の研削機械。
【請求項５】
前記シリンダを中央に対して対称となるように位置決めするルネット（２０）と、前記シリンダを側方において対称的に位置決めする及び／又は支持するための少なくとも２つの側方ルネット（２１、２２）を備え、前記ルネット（２０）は、前記ピースホルダ・ヘッド（１３）及び前記心押し台センタ（１２）から等距離の位置に配置されることを特徴とする、請求項３又は４に記載の研削機械。
【請求項６】
前記ピースホルダ・ヘッド（１３）及び前記心押し台センタ（１２）に対する前記移動手段は、同一の直線上の方向、同一の量、逆向きに相互移動させるために、前記側方ルネット（２１、２２）に結合されることを特徴とする請求項５に記載の研削機械。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年5月31日(2016.5.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程：
Ａ）異方性の分子構造を有するリン光性エミッタ及びマトリックス材料を用意する工程、
Ｂ）第一の電極層を基板上に配設する工程、
Ｃ）エミッタ層を熱力学的制御下で配設する工程、
その際前記リン光性エミッタ及び前記マトリックス材料は、真空中で気化され、前記第一の電極層上に堆積され、その結果前記リン光性エミッタの分子の異方性の方向づけが行われ、堆積工程中に堆積されたエミッタ層が高まった温度の作用による温度処理により３０℃〜１００℃の室温より高い温度にされ、かつ前記堆積工程後にそのような温度に保たれ、従って前記堆積されたエミッタ層の温度処理が行われ、その結果前記エミッタ分子の方向づけを行うことができ、かつ前記エミッタ層が続いて冷却され、その結果前記エミッタ分子の方向づけが固定されることによって、前記熱力学的制御が工程Ｃ）で実施される
Ｄ）第二の電極層を前記エミッタ層上に配設する工程、
を含む、第一の及び第二の電極層及びエミッタ層を有する発光有機エレクトロニクス装置の製造方法。
【請求項２】
前記エミッタ層の増加率が０．５ｎｍ／秒未満であることによって、熱力学的制御が工程Ｃ）で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程Ａ）で異方性の分子構造を有するリン光性エミッタがイリジウム錯体、白金錯体及びパラジウム錯体及びそれらの混合から選択される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
イリジウム錯体が以下の式から選択され：
【化１】
2014504430.tif 000001
式中、Ｃ∩Ｎが、イリジウム原子と１つのメタラサイクルを形成する、少なくとも二座配位子であり、及びＲ１、Ｒ２及びＲ３が、互いに無関係に、非分岐、分岐のアルキル基、縮合した及び／又は環状のアルキル基及び／又はアリール基であり、これらはそれぞれ完全に又は部分的に置換されていてよく、及びその際Ｒ２はＨ又はＦであってもよい、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記配位子Ｃ∩Ｎが、イリジウム原子と１つの五員又は六員のメタラサイクルを形成する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記配位子Ｃ∩Ｎが、フェニルピリジン、フェニルイミダゾール、フェニルオキサゾール、ベンジルピリジン、ベンジルイミダゾール、ベンジルオキサゾール又は挙げられた化合物の１つを基本骨格として備えている配位子である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記配位子Ｃ∩Ｎが少なくとも３つの、少なくとも一部が縮合した芳香環を備えている、請求項４から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記用意されたマトリックス材料が異方性の分子構造を備えている、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
タイプＡ−Ｋ−Ｂのマトリックス材料が選択され、その際構造要素Ｋは構造Ａｒ１−Ｘ−Ａｒ２であり、その際Ａｒ１及びＡｒ２は同じ又は異なる芳香環であり、及びＸは単結合、別の芳香族基、又は縮合した環によるＡｒ１及びＡｒ２の結合であり、その際構造要素Ａ及びＢが同じ又は異なっており、それぞれ少なくとも１つの芳香環を有している、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記構造要素Ｋの基Ａｒ１及びＡｒ２がそれぞれ窒素ヘテロ環であり及び／又は前記構造要素Ａ及びＢがそれぞれ１つの芳香族置換のアミン基を含んでいる、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記マトリックス材料がベンジジン誘導体又はフェナントロリン誘導体を含んでいる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記構造要素Ａ及びＢが、それぞれ少なくとも１つの、第３級アルキル基で置換した芳香族化合物及び／又はそれぞれ少なくとも１つの縮合した多環式アリール基を含んでいる、請求項８から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記マトリックス材料がホール輸送及び／又は電子輸送を行なう特性を有する、請求項８から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記工程Ｃ）でエミッタ層の熱力学的制御下での配設が、０．２ｎｍ／秒未満、０．１ｎｍ／秒未満、０．０５ｎｍ／秒未満又は０．０２５ｎｍ／秒未満の増加率で行われる、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
別の一実施形態により、熱力学的制御は工程Ｃ）において、堆積工程後及び／又は堆積工程中（工程Ｃ）に、堆積された層が（特にさらなる層の堆積前に）温度処理されることによって達成される。エミッタ層は特に室温より高い温度にされる又はそのような温度に保たれる。したがって堆積された層の上には、堆積中に高まった温度が作用し得るか、及び／又はエミッタ層の堆積が完了した後に（及びさらなる層の堆積前に）堆積された層の調整が行なわれ得る。このような温度処理により、この層は特にエミッタ分子の再配向が可能な状態にされ、その結果エミッタ分子の方向づけを行なうことができる。この方向づけされた状態は、続いて冷却によって固定され得る。温度処理はここでは特に、エミッタ層もしくは基板側に隣接する層（例えば熱せられた基板）によって温められることで行なわれる。エミッタ層はここでは例えば３０℃〜１００℃の温度にされ得る。基本的にここでは、選択された温度は有機エレクトロニクス装置の配設される又はすでに配設された層に損傷を引き起こさない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年5月18日(2016.5.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、一般にイオン種除去システムに関し、より詳細には、イオン交換コーティングでコートされた電極を利用する電気透析及び／又は極性転換式電気透析システムに関する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
電気透析（ＥＤ）及び極性転換式電気透析（ＥＤＲ）システムを使用して溶液中のイオン種を分離することは知られている。ＥＤ及びＥＤＲシステムは、概して、端子電極でのファラデー反応を使用して、システムを構成する膜及びスペーサを横断する電場を発生させるものである。ファラデー反応は、電解槽中の電極と電解質との間で起こる反応である。ファラデー反応は、電子移動プロセスである。電子移動反応は、電極のいずれかで起こる還元反応又は酸化反応から成り立ち得る。化学種は、還元反応を通して電子を得たときは還元されたと呼ばれ、酸化反応を通して電子を失ったときは酸化されたと呼ばれる。しかし、ファラデー反応を行う電極を利用する知られているＥＤ及びＥＤＲシステムの不利な点として、システム設計の複雑さ、ファラデー反応による腐食及び水酸化物を生成するカソードでの金属析出に起因する低い電極寿命が挙げられる。加えて、ガスの発生、すなわちアノードで酸素が、カソードで水素が発生することにより、脱気装置が必要となり、ＥＤ及び／又はＥＤＲシステムの複雑さ及びコストを増大させる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明のイオン種除去システムは、供給タンク、供給ポンプ、フィルタ及び１以上の電極スタックを含む、電気透析（ＥＤ）システムであってもよい。あるいは、本発明のイオン種除去システムは、一対の供給ポンプ、一対の可変周波数駆動装置、一対の反転弁及び１以上の電極スタックを含む、極性転換式電気透析（ＥＤＲ）システムであってもよい。本発明のイオン種除去システムにおける電極スタックの設計を、以下に詳細に述べる。本発明のイオン種除去システムにおける他の構成要素については、ＵＳ２００８０５７３９８Ａ１を参照することができ、そのすべての開示は参照により本明細書に組み込まれる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
例１
本例では、２つの同一の電極スタックを１つのＥＤＲシステムに組み立てて、合成かん水の供給水で試験した。各電極スタックは、８０対のアニオン交換膜（ＣＲ６７、ＧＥ  Ｃｏｒｐ．製造）とカチオン交換膜（ＡＲ２０４、ＧＥ  Ｃｏｒｐ．製造）とを有していた。各電極スタックにおいて、一方の電極は、アニオン交換材料でコートされ、そのすぐ隣が流れ空間、次がカチオン交換膜であり、他方の電極はカチオン交換材料でコートされ、そのすぐ隣が流れ空間、次がアニオン交換膜であった。膜及び電極のそれぞれの有効面積は４００ｃｍ2であった。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
アニオン交換材料でコートされた電極を、以下の通りに調製した。１６ｃｍ×３２ｃｍのカーボンシート（Ｓｈａｎｄｏｎｇ  Ｈａｉｔｅ  Ｃｏｒｐ．製造、厚さ０．６５ｍｍを有する）を、チタンメッシュの集電体（Ｓｈａｎｇｈａｉ  Ｙｕｑｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ｓｃｉｅｎｃｅ  ａｎｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ｃｏ．Ｌｔｄ．製造、厚さ０．３５ｍｍを有する）上に、プラテンプレスを１００ｋｇｆ／ｃｍ2のプレス圧で使用することによりプレスし、キャパシタの炭素電極を形成した。２−（ジメチルアミノ）エチルメタクリレート１７．２５ｇ、グリシジルメタクリレート１４．２ｇ及びメタンスルホン酸４３．６ｇを、氷浴中に入れた容器内で混合した。次いで、容器を加熱装置上に置き、撹拌しながらゆっくりと温度を５０℃に上げ、この温度を保持して３時間放置した。温度を室温（２５℃）まで冷却させた後、開始剤としての２，２’−アゾビス［２−メチルプロピオンアミジン］二塩酸塩０．７５ｇを添加し、それが完全に溶解するまで撹拌した。得られた溶液を上の炭素キャパシタ電極上に被覆し、次いで８５℃に加熱し、重合反応が完了するまでこの温度で１時間保持した。その結果、滑らかな薄膜が炭素電極上に形成された。このように、アニオン交換材料でコートされた電極を形成した。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
【表１】
2014504549.tif 000001
ＥＤＲシステムを、電圧８５Ｖに設定した直流電源（ＬＡＮＤｄｔ（登録商標）、Ｗｕｈａｎ  Ｊｉｎｎｕｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｏ．Ｌｔｄ．製造）で運転し、流れ及び電源の極性を１０００秒毎に反転させた。電極スタックの電流は両方とも約１．７Ａであった。生成物流の導電率は約１，０００μＳ／ｃｍであった。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
例２
本例では、１つの電極スタックを１つのＥＤＲシステムに組み立てて、合成かん水の供給水で試験した。電極スタックは、アニオン交換コーティングでコートされた２つの電極、カチオンイオン交換膜５つ及びアニオンイオン交換膜４つを有し、ここでは、電極は、１つの流れ空間に隣接し、次が１つのカチオン交換膜であった。アニオン交換コーティング被覆電極、カチオン交換膜及びアニオン交換膜は、例１におけるものと同一であった。膜及び電極の各々の有効面積は、４００ｃｍ2であった。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
ＥＤＲシステムを、電圧８Ｖに設定した直流電源で運転し、流れ及び電源の極性を１０００秒毎に反転させた。電極スタックの電流は、約４〜３．５Ａであった。生成物流の導電率は約２，４００μＳ／ｃｍであった。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
上記２つの電極スタックを含むＥＤＲシステムを、直流電源（ＬＡＮＤｄｔ（登録商標）、Ｗｕｈａｎ  Ｊｉｎｎｕｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｃｏ．Ｌｔｄ．製造）でそれぞれ運転し、水の流れ及び電源の極性を１０００秒毎に反転させた。電圧を調節して２つの電極スタックの生成物流の導電率が確実に同一となるようにし、それは両方とも３，１００μＳ／ｃｍであった。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月10日(2015.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを通じてデジタル装置によって受信された悪意あるポータブルドキュメントフォーマット（ＰＤＦ）文書を検出する方法であって、
前記デジタル装置内のＰＤＦパーサによって、少なくともヘッダを含む前記ＰＤＦ文書の一部に悪意あるネットワークコンテンツを示す少なくとも１つの不審性が含まれているかを判断すべく、当該ＰＤＦ文書の当該一部の検査を行ない、
前記ＰＤＦ文書の前記一部に悪意あるネットワークコンテンツを示す少なくとも１つの不審性が含まれていると判断された場合、当該ＰＤＦ文書を、前記デジタル装置内で動作する少なくとも１つの仮想マシンに提供し、
前記少なくとも１つの仮想マシンによって、ＰＤＦリーダアプリケーションを用いて前記ＰＤＦ文書の前記一部の処理を行ない、当該ＰＤＦ文書の当該一部が前記悪意あるネットワークコンテンツを含んでいるかを検証する、方法。
【請求項２】
前記ＰＤＦ文書の前記一部が悪意あるネットワークコンテンツを示す少なくとも１つの不審性を含んでいると判断されると、少なくとも当該ＰＤＦ文書に関連付けられたデータに基づいて前記デジタル装置に関連付けられた前記少なくとも１つの仮想マシンを構成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ネットワークを通じて受信した悪意あるポータブルドキュメントフォーマット（ＰＤＦ）文書を検出するシステムであって、
少なくともヘッダを含む前記ＰＤＦ文書の一部が悪意あるネットワークコンテンツを示す少なくとも１つの不審性を含んでいるかを判断するために、当該ＰＤＦ文書の当該一部を検査するように構成されたパーサと、
前記パーサと通信可能に結合され、（ｉ）前記パーサによって前記ＰＤＦ文書の前記一部が悪意あるネットワークコンテンツを示す少なくとも１つの不審性を含んでいると判断されると、当該ＰＤＦ文書の少なくとも当該一部を受信し、（ｉｉ）ＰＤＦリーダアプリケーションを用いて当該ＰＤＦ文書の当該一部を処理し、当該ＰＤＦ文書の当該一部が当該悪意あるネットワークコンテンツを含んでいるかを検証するように構成された少なくとも１つの仮想マシンと、
を備えている、システム。
【請求項４】
前記ＰＤＦ文書の前記一部が検査され、当該ＰＤＦ文書の当該一部が悪意あるネットワークコンテンツを示す少なくとも１つの不審性を含むと判断されると、少なくとも当該ＰＤＦ文書に関連付けられたデータに基づいて前記少なくとも１つの仮想マシンが構成される、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記少なくとも１つの仮想マシンは、前記パーサにより検査される前記ＰＤＦ文書の前記ヘッダに含まれるＰＤＦ仕様バージョン番号に一部基づいて構成される、請求項３に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成28年1月22日(2016.1.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体エーロゾル形成基体を加熱するエーロゾル生成システムであって、
エーロゾル形成チャンバと、
前記エーロゾル生成システムからの液体エーロゾル凝縮物の漏れを防止又は低減するように構成された漏れ防止手段と、
を備え、
前記漏れ防止手段は、前記エーロゾル形成チャンバの壁に少なくとも１つの空洞を備え、前記空洞は、前記液体エーロゾル形成基体から形成され前記エーロゾル形成チャンバの壁に堆積される液体凝縮物を収集し、前記少なくとも１つの空洞は、前記エーロゾル生成システムの空気出口に向かって進む液体凝縮物の流れ経路を遮断するように位置決めされ、前記空洞は、断面寸法ｘを有し、ｘは、０．５ｍｍ又は１ｍｍ又は０．５ｍｍと１ｍｍとの間にある、エーロゾル生成システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの空洞は、毛細管材料を含む、請求項１に記載のエーロゾル生成システム。
【請求項３】
前記漏れ防止手段は、前記液体エーロゾル形成基体から形成される液体凝縮物の液滴を集める少なくとも１つのフック部材を備える、請求項１又は２に記載のエーロゾル生成システム。
【請求項４】
前記少なくとも１つのフック部材は、前記液体エーロゾル形成基体から形成される液体凝縮物の集めた液滴を再利用する再利用通路を備える、請求項３に記載のエーロゾル生成システム。
【請求項５】
前記少なくとも１つのフック部材は、毛細管材料を含む、請求項３又は４に記載のエーロゾル生成システム。
【請求項６】
前記漏れ防止手段は、前記エーロゾル形成チャンバ内の空気流を遮断して、前記液体エーロゾル形成基体から形成される液滴を集める衝突部材を備える、請求項１から５のいずれかに記載のエーロゾル生成システム。
【請求項７】
前記衝突部材は、毛細管材料を含む、請求項６に記載のエーロゾル生成システム。
【請求項８】
前記漏れ防止手段は、前記エーロゾル生成システムを使用しない場合、前記エーロゾル形成チャンバを実質的に密封する閉鎖部材を備える、請求項１から７のいずれかに記載のエーロゾル生成システム。
【請求項９】
前記液体エーロゾル形成基体を貯蔵する液体貯蔵部を更に備える、請求項１から８のいずれかに記載のエーロゾル生成システム。
【請求項１０】
前記液体エーロゾル形成基体を毛細管作用により運ぶ毛細管芯を更に備える、請求項１から９のいずれかに記載のエーロゾル生成システム。
【請求項１１】
前記エーロゾル生成システムは、電気作動式で前記液体エーロゾル形成基体を加熱する電気ヒータを更に備える、請求項１から１０のいずれかに記載のエーロゾル生成システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
エーロゾル生成システムを使用しない場合にエーロゾル形成チャンバを実質的に密封する閉鎖部材を設けると、エーロゾル生成システムを使用しない場合に、何らかの凝縮液滴がエーロゾル生成システムから漏れ出すのを実質的に防止する。閉鎖部材は、エーロゾル形成チャンバの出口を実質的に密封することだけが必要であることを理解されたい。閉鎖部材が閉鎖位置にあっても、エーロゾル形成チャンバの入口は開放状態のままとすることができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年11月18日(2015.11.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２３】
一実施形態において、一次のバースト放出動態が使用される。図７Ｂのグラフは、神経修復に適した、例えば８−０の留置縫合材からＮＧＦを放出するための、好適なインビトロの一次のバースト放出（ＩＶＲ）動態を示す。８０％を超えるＮＧＦがインビボの移植後最初の５日で供給される。残りのＮＧＦは次の２０〜２５日で放出される。ＮＧＦを備える留置縫合材はしたがって、裂傷又は破裂した神経を修復し、かつ支持し、並びに神経治癒の重要な初期の間にＮＧＦを送達し、優れた治癒反応、及びより良好な臨床転帰につなげるために好適である。ＮＧＦが説明されているが、本明細書に記載のように神経治癒を促進する様々な他の剤が、ＮＧＦの代わりに又はこれに追加で使用されてもよい。