(57)【要約】【課題】フッ素樹脂を主な材料とするフィルムにおいて、高誘電率化と誘電正接の低減化を両立させる。【解決手段】フィルム（17）は、フッ素樹脂と、フッ素樹脂の比誘電率（εｒ）の２０倍以下になる比誘電率（εｒ）で、且つフッ素樹脂の誘電正接（ｔａｎδ）よりも低い誘電正接（ｔａｎδ）である誘電体セラミックスとを含んでいる。【選択図】図５
2013120834.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素樹脂と、該フッ素樹脂の比誘電率の２０倍以下になる比誘電率で、且つ上記フッ素樹脂の誘電正接よりも低い誘電正接である誘電体セラミックスとを含んでいる
ことを特徴とするフィルムコンデンサ用のフィルム。
【請求項２】
請求項１において、
上記誘電体セラミックスは、単一粒子からなると共に、体積比率が全体の５０％以下になる
ことを特徴とするフィルムコンデンサ用のフィルム。
【請求項３】
請求項１又は２において、
上記誘電体セラミックスは、誘電正接が上記フッ素樹脂の誘電正接の１／１０以下になる
ことを特徴とするフィルムコンデンサ用のフィルム。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１つにおいて、
上記誘電体セラミックスは、比誘電率が上記フッ素樹脂の比誘電率の１０倍以下になる
ことを特徴とするフィルムコンデンサ用のフィルム。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１つに記載されたフィルム（17）を備えている
ことを特徴とするフィルムコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルムコンデンサ用のフィルムおよびこのフィルムを用いたフィルムコンデンサに関し、特に、フィルムの特性向上対策に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、フィルムコンデンサは、誘電性フィルムの表面にアルミニウム又は亜鉛を蒸着した構造のフィルム、又はアルミニウム箔と誘電性フィルムを多層に重ねて構成されたフィルムから構成されており、近年では、金属蒸着により誘電性フィルム上に電極を形成したものも多用されている。
【０００３】
フィルムコンデンサ用のフィルムとしては、これまでポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）やポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）を材料とする誘電性フィルムが検討されている（特許文献１参照）が、これらの材料からなるフィルムは、誘電率が２．５〜３程度と低いものであった（図４参照）。フィルムコンデンサの容量は、使用するフィルムの誘電率に比例し、フィルムの膜厚に反比例することから、これまではフィルムの薄膜化が検討されてきた。ところが、フィルムの薄膜化には、生産での困難性の増加や絶縁性能の低下等の課題があった。近年、さらにフィルムコンデンサの小型化・大容量化が進み、コンデンサ用のフィルムの高誘電率化が求められている。
【０００４】
このため、コンデンサ用のフィルムの誘電率を高めるため、例えば、図４に示すように、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）などの比誘電率の高いフッ素系の樹脂を材料とする誘電性フィルムが検討されている。また、誘電性フィルムに誘電率の高い無機粒子（チタン酸バリウム系酸化物粒子やチタン酸ストロンチウム系酸化物粒子など）を添加し、フィルム化することが提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−３８０８９号公報
【特許文献２】ＷＯ２００８／０９０９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、従来のフッ素系樹脂を材料とする誘電性フィルムは、その比誘電率が高い一方で誘電正接（ｔａｎδ）も大きくなる。しかしながら、上述した無機粒子を誘電性フィルムに添加しても、比誘電率は増加するものの、誘電正接（ｔａｎδ）の低減は十分ではない。つまり、フィルムコンデンサ用のフィルムの高誘電率化と、誘電正接（ｔａｎδ）の低減化を両立することができないという問題があった。
【０００７】
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、フッ素樹脂を主な材料とするフィルムにおいて、高誘電率化と誘電正接（ｔａｎδ）の低減化を両立させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の発明は、フッ素樹脂と、該フッ素樹脂の比誘電率の２０倍以下となる比誘電率で、且つ上記フッ素樹脂の誘電正接よりも低い誘電正接である誘電体セラミックスとを含んでいる。
【０００９】
上記第１の発明では、フィルムの材料としてフッ素樹脂と誘電体セラミックスとが含まれている。誘電体セラミックスは、フッ素樹脂の比誘電率の２０倍以下となる比誘電率を有すると共に、フッ素樹脂の誘電正接よりも低い誘電正接を有している。
【００１０】
ここで、フィルムに含まれる誘電体セラミックスの比誘電率が高ければ、フィルムの比誘電率も高くなる。一方で、フィルムに電界が印加される場合、フィルムに含まれる誘電体セラミックスに印加される電界強度は、該誘電体セラミックスの比誘電率の逆比に比例する。すなわち、誘電体セラミックスの比誘電率がフッ素樹脂に対して高ければ、フッ素樹脂のみに電界が印加され、誘電体セラミックスには電界が印加されにくくなる。このため、フィルムの誘電正接は低減されにくくなる。
【００１１】
本発明では、誘電体セラミックスの比誘電率が、フィルムのベースとなる材料であるフッ素樹脂の比誘電率の２０倍以下の大きさであるため、フィルムに電界が印加された場合、誘電体セラミックスにも十分に電界が印加されることになる。このため、フィルムにおける誘電体セラミックスの影響が大きくなり、フィルムの誘電正接の低減量が大きくなる。これにより、フィルムの比誘電率を高めることができると共に、その誘電正接の低減量を大きくすることができる。
【００１２】
第２の発明は、上記第１の発明において、上記誘電体セラミックスは、単一粒子からなると共に、体積比率が全体の５０％以下になるものである。
【００１３】
上記第２の発明では、誘電体セラミックスは、単一の粒子で構成されている。そして、フィルムには、体積比率が全体の５０％以下になる誘電体セラミックスが含まれている。こうすることで、フィルム中の誘電体セラミックスの過剰な増加によるフィルムの機械的強度の低下を抑制できる。
【００１４】
第３の発明は、上記第１又は第２の発明において、上記誘電体セラミックスは、誘電正接が、上記フッ素樹脂の誘電正接の１／１０以下になる。
【００１５】
上記第３の発明では、誘電体セラミックスの誘電正接をフッ素樹脂の誘電正接の１／１０以下にする。こうすることで、フィルムの誘電正接の低減量を大きくすることができる。
【００１６】
第４の発明は、上記第１〜第３の発明の何れか１つにおいて、上記誘電体セラミックスは、比誘電率が、上記フッ素樹脂の比誘電率の１０倍以下になる。
【００１７】
上記第４の発明では、誘電体セラミックスの比誘電率をフッ素樹脂の比誘電率の１０倍以下の大きさにする。誘電体セラミックスの比誘電率が、フィルムのベースとなる材料であるフッ素樹脂の比誘電率の１０倍以下の大きさであるため、フィルムに電界が印加された場合、誘電体セラミックスにも十分に電界が印加されることになる。このため、フィルムにおける誘電体セラミックスの影響が大きくなるため、フィルムの誘電正接の低減量が大きくなる。これにより、フィルムの比誘電率を高めることができると共に、その誘電正接の低減量を大きくすることができる。
【００１８】
第５の発明に係るフィルムコンデンサは、上記第１〜第４の発明の何れか１つに記載されたフィルム（17）を備えている。
【００１９】
上記第５の発明では、比誘電率が高く、且つ誘電正接の低いフィルム（17）を用いてフィルムコンデンサが構成されている。
【発明の効果】
【００２０】
上記第１の発明によれば、フッ素樹脂の比誘電率の２０倍以下となる比誘電率の誘電体セラミックスを含んでいるため、フィルムの比誘電率を高めつつ、誘電正接を低下させ易くすることができる。
【００２１】
ここで、フィルムに含まれる誘電体セラミックスの比誘電率が高ければ、フィルムの比誘電率も高くすることができる。一方、フィルムに電界が印加された場合、フィルムに含まれる誘電体セラミックスに印加される電界強度は、その誘電体セラミックスの比誘電率の逆比に比例する。すなわち、誘電体セラミックスの比誘電率がベースとなるフッ素樹脂の比誘電率に対して著しく高ければ、ベースとなるフッ素樹脂のみに電界が印加され、誘電体セラミックスには電界が印加されにくくなる。このため、フィルムにおける誘電体セラミックスの影響が小さくなり、フィルムの誘電正接が低減され難くなる。
【００２２】
本発明では、誘電体セラミックスの比誘電率が、フィルムのベースとなる材料であるフッ素樹脂の比誘電率の２０倍以下の大きさであるため、フィルムに電界が印加された場合、誘電体セラミックスにも十分に電界が印加されることになる。このため、フィルムにおける誘電体セラミックスの影響が大きくなり、フィルムの誘電正接の低減量が大きくなる。これにより、フィルムの比誘電率を高めることができると共に、その誘電正接の低減量を大きくすることができる。この結果、フッ素樹脂を主な材料とするフィルムにおいて、高誘電率化と誘電正接の低減化を両立させることができる。
【００２３】
上記第２の発明によれば、誘電体セラミックスの体積比率が全体の５０％以下になるようにしたため、フィルムにおける誘電体セラミックスの過剰な増加によるフィルムの機械強度の低下を抑えることができる。
【００２４】
上記第３の発明によれば、誘電体セラミックスの誘電正接をフッ素樹脂の誘電正接の１／１０以下にしたため、フィルムの誘電正接の低減量を増加させることができる。
【００２５】
上記第４の発明によれば、フッ素樹脂の比誘電率の１０倍以下となる比誘電率の誘電体セラミックスを含んでいるため、フィルムの比誘電率を高めつつ、誘電正接を低下させ易くすることができる。つまり、誘電体セラミックスの比誘電率が、ベースとなるフッ素樹脂の比誘電率の１０倍以下の大きさであるため、フィルムに電界が印加された場合、誘電体セラミックスにも十分に電界が印加されることになる。このため、フィルムにおける誘電体セラミックスの影響が大きくなり、フィルムの誘電正接の低減量が大きくなる。これにより、フィルムの比誘電率を高めることができると共に、その誘電正接の低減量を大きくすることができる。この結果、フッ素樹脂を主な材料とするフィルムにおいて、高誘電率化と誘電正接の低減化を両立させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、フィルムコンデンサの概略構成を示す縦断面図である。
【図２】図２は、２枚の金属化フィルムを捲回させた状態を示す斜視図である。
【図３】図３は、フィルムコンデンサの概略構成を示す拡大した断面図である。
【図４】図４は、フィルムのベースとなる材料の比誘電率と誘電正接の値を示す図である。
【図５】図５は、各フィルムの比誘電率と誘電正接の値を示す図である。
【図６】図６は、フィルム中の誘電体セラミックスの体積比率とフィルムの比誘電率との関係を示すグラフである。
【図７】図７は、フィルム中の誘電体セラミックスの体積比率とフィルムの誘電正接との関係を示すグラフである。
【図８】図８は、フィルム中の誘電体セラミックスの体積比率と比誘電率との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態１を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２８】
〈発明の実施形態１〉
図１に本実施形態１に係るフィルムコンデンサ（10）を示す。このフィルムコンデンサ（10）は、コンデンサケース（11）内にコンデンサ素子（13）を収容し、このコンデンサ素子（13）の周りに封止樹脂（12）が充填されて構成されている。フィルムコンデンサ（10）は、例えばインバータ回路とコンバータ回路との間の平滑コンデンサ等として用いられている。
【００２９】
上記コンデンサケース（11）は矩形状の箱体に形成されている。コンデンサケース（11）の内部にはコンデンサ素子（13）が収容されると共に、コンデンサ素子（13）の周りを覆うように封止樹脂（12）が充填されている。
【００３０】
上記封止樹脂（12）は、エポキシ基を有する熱硬化性のエポキシ樹脂と硬化部材とからなる封止部材である。封止樹脂（12）は、空気に含まれる水分の通過を阻止するという機能を有している。つまり、コンデンサ素子（13）の周りを封止樹脂（12）で覆うことによってコンデンサケース（11）の外部空気に含まれる水分等によってコンデンサ素子（13）が吸湿するのを防止している。尚、封止樹脂（12）は、エポキシ樹脂と、硬化部材とを組み合わせることでコンデンサケース（11）内で硬化させている。
【００３１】
上記コンデンサ素子（13）は、図２および図３に示すように、絶縁性を有する帯状のフィルム（17）の両面に金属膜（18）を蒸着させて形成した金属化フィルム（16）を上下２枚重ねにして、この一対の金属化フィルム（16,16）を円筒体状に捲回（巻回ともいう。）すると共に、捲回した一対の金属化フィルム（16,16）の幅方向の両端にメタリコン（19,19）が接続されて形成されている。このとき、２枚の金属化フィルム（16,16）は、互いを左右方向に１ｍｍ程度、ずらした状態で重ねられている。
【００３２】
上記各フィルム（17）は、その幅が約３０ｍｍに形成され、且つ厚みが約６μｍ程度に形成されたフィルムである。各フィルム（17）の両側の表面には、アルミニウム（Ａｌ）などの金属膜（18）が蒸着形成されている。この金属膜（18）は５０Å〜４００Å程度の膜厚に形成されている。尚、上記フィルム（17）の厚さは、例示であり、フィルム（17）の厚みは３〜１０μｍ程度に形成してもよい。また、フィルム（17）に蒸着形成される金属膜（18）はアルミニウム（Ａｌ）に限られず、亜鉛（Ｚｎ）などの金属をその材料として用いてもよい。
【００３３】
上記フィルム（17）は、ベースとなるフッ素系の樹脂（フッ素樹脂）と、それに添加される誘電体セラミックスとで構成されている。このフィルム（17）は、その比誘電率（εｒ）が２６に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．０１５に構成されている。このフィルム（17）は、フッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が５９：４１となるように構成されている。尚、誘電特性は、ＬＣＲメーターによって測定した（以下、同じ）。
【００３４】
上記フッ素樹脂は、その材料がフッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と四フッ化エチレン（ＴＦＥ）の共重合体で構成されている。このフッ素樹脂は、図４および図５に示すように、その比誘電率（εｒ）が１０に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．０３に構成されている。尚、ベースとなるフッ素樹脂はこれに限られず、図４に示すように、例えばポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）などのフッ素系の樹脂であればよい。
【００３５】
上記誘電体セラミックスは、単一粒子からなり、図５に示すように、その比誘電率（εｒ）が１２０に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．００４に構成されている。尚、この誘電体セラミックスの比誘電率（εｒ）は、フッ素樹脂の比誘電率（εｒ）の２０倍以下であればよく、好ましくはフッ素樹脂の比誘電率（εｒ）の１０倍以下となればよい。誘電体セラミックスの具体的な例示としては、Ｂｉ２Ｏ３−２ＴｉＯ２（εｒ＝１０４〜１１０）、ＴｉＯ２（εｒ＝９０〜１１０）、ＣａＴｉＯ３−Ｌａ２Ｏ３−ＴｉＯ２（εｒ＝１００〜１５０）、ＣａＴｉＯ３（εｒ＝１５０〜１６０）、ＢａＴｉＯ３−Ｎｄ２ＴｉＯ７−Ｂｉ２Ｏ３−ＴｉＯ２（εｒ＝９０〜１１０）、ＣａＴｉＯ３−Ｌａ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＴｉＯ２（εｒ＝１４５〜２１０）、ＢａＴｉＯ３−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２（εｒ＝３８〜８７）、ＢａＯ−Ｓｍ２Ｏ３−５ＴｉＯ２（εｒ＝７７）、ＢａＯ−ＰｂＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２（εｒ＝９０）、ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＴｉＯ２（εｒ＝８１）、ＢａＯ−Ｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２（εｒ＝１２５）などが好ましい。尚、これらの誘電体セラミックスは、例示であって、これに限定されるものではない。
【００３６】
また、フィルム中のフッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率を変更した場合の比誘電率（εｒ）と誘電正接（ｔａｎδ）を図６および図７に示す。図６に示すように、フィルム中の誘電体セラミックスの体積比率が増加すると、フィルムの比誘電率（εｒ）は高くなる一方、図７に示すように、誘電正接（ｔａｎδ）が低くなる。
【００３７】
上記メタリコン（19）は上記金属膜（18）と外部に延びる電極である銅線（20）との間を電気的に接続するものである。このメタリコン（19,19）は、捲回した金属化フィルム（16,16）の端部に亜鉛（Ｚｎ）等の金属を溶融噴射することで形成されている。各金属化フィルム（16）は、その幅方向の両端が吹き付けられたメタリコン（19,19）の内部に埋没することでメタリコン（19,19）によって固定支持されている。
【００３８】
上記銅線（20）は、φ１．０ｍｍの軟銅線に構成されている。銅線（20）はコンデンサケース（11）の外部まで延びてインバータ回路等とフィルムコンデンサ（10）とを接続する接続端子となるものである。銅線（20）は、その基端が半田付けによってメタリコン（19,19）に対して取り付けられる一方、その先端部が封止樹脂（12）から外方に突出して基板（21）に接続されている。
【００３９】
−フィルムコンデンサ（10）の製造方法−
上記フィルムコンデンサ（10）の製造方法について説明する。フィルムコンデンサ（10）の製造では、まず、溶解工程が行われる。溶解工程では、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と四フッ化エチレン（ＴＦＥ）との共重合体からなるフッ素樹脂を溶媒に溶解し、この溶媒に誘電体セラミックスを添加する。
【００４０】
次に、塗工工程が行われる。塗工工程では、フッ素樹脂および誘電体セラミックスを溶媒に溶解したものをＰＥＴ基材フィルムに塗工する。そして、その後に乾燥工程が行われる。乾燥工程では、塗工したＰＥＴ基材フィルムを乾燥し、溶媒を揮発させる。次に、蒸着工程が行われる。蒸着工程では、真空蒸着機で塗工したＰＥＴ基材フィルム上にアルミニウムを蒸着して金属膜（18）を形成する。次に、ＰＥＴ基材フィルムからフィルム原反を剥離する剥離工程が行われる。その後、スリット工程が行われる。スリット工程では、フィルム原反をカットすることで金属化フィルム（16）が完成する。
【００４１】
その後、捲回工程が行われる。捲回工程では、金属化フィルム（16）を２枚重ねにし、互いを左右にずらした状態で捲回機にかけて捲回する。
【００４２】
次に、メタリコン工程が行われる。メタリコン工程では、捲回した金属化フィルム（16）の両端に亜鉛（Ｚｎ）等の金属を溶融噴射（溶射）してメタリコン（19,19）を形成する。その後、リード付け工程が行われる。リード付け工程では、メタリコン（19,19）に端子である銅線（20,20）を半田付けしてコンデンサ素子（13）を形成する。
【００４３】
次に、コンデンサ素子（13）の乾燥工程が行われ、その後に封止工程が行われる。封止工程では、乾燥されたコンデンサ素子（13）の外周面に絶縁カバー（図示なし）を捲き付けた後、これらをコンデンサケース（11）内に収容する。そして、コンデンサケース（11）に封止樹脂（12）を流し込み、１００℃の温度環境下で約２時間加熱し、封止樹脂（12）を硬化させてコンデンサ素子（13）をコンデンサケース（11）内に封止する。こうすることで、銅線（20）を除くコンデンサ素子（13）が封止されてフィルムコンデンサ（10）が完成する。このように十分に乾燥されたコンデンサ素子（13）を樹脂封止することでコンデンサ素子（13）に水分が侵入するのが抑制されるため、フィルムコンデンサ（10）の絶縁抵抗を維持することができる。
【００４４】
−比較例１−
上記実施形態１に対する比較例１について説明する。本比較例１に係るフィルムは、ベースとなるフッ素系の樹脂と、それに添加される誘電体セラミックスとで構成されている。このフィルムは、図５に示すように、その比誘電率（εｒ）が３０に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．０２８に構成されている。このフィルムは、ベースとなるフッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が７５：２５となるように構成されている。
【００４５】
上記フッ素樹脂は、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と四フッ化エチレン（ＴＦＥ）の共重合体で構成されている。このベースとなるフッ素樹脂は、その比誘電率（εｒ）が１０に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．０３に構成されている。
【００４６】
上記誘電体セラミックスは、チタン酸バリウムカルシウムで構成されている。チタン酸バリウムカルシウムは、その比誘電率（εｒ）が２５００に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．０１に構成されている。
【００４７】
また、このフィルム中のフッ素樹脂とチタン酸バリウムカルシウムとの体積比率を変更した場合の比誘電率（εｒ）と誘電正接（ｔａｎδ）を図６および図７に示す。図６に示すように、フィルム中のチタン酸バリウムカルシウムの体積比率が増加すると、フィルムの比誘電率（εｒ）は著しく高くなる一方、誘電体セラミックスには電界が印加され難いため、誘電正接（ｔａｎδ）は、低減され難い。このため、フィルム中のチタン酸バリウムカルシウムが増加しても、図７に示すように、誘電正接（ｔａｎδ）は高くなる。すなわち、本比較例１の構成では、フィルムの高誘電率化と、誘電正接（ｔａｎδ）の低減化の両立ができない。
【００４８】
−比較例２−
上記実施形態１に対する比較例２について説明する。本比較例２に係るフィルムは、ベースとなるフッ素樹脂と、それに添加される誘電体セラミックスとで構成されている。このフィルムは、図５に示すように、その比誘電率（εｒ）が２５に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．０２４に構成されている。このフィルムは、ベースとなるフッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が７５：２５となるように構成されている。
【００４９】
上記フッ素樹脂は、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と四フッ化エチレン（ＴＦＥ）の共重合体で構成されている。このベースとなるフッ素樹脂は、その比誘電率（εｒ）が１０に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．０３に構成されている。
【００５０】
上記誘電体セラミックスは、チタン酸ストロンチウムで構成されている。チタン酸ストロンチウムは、その比誘電率（εｒ）が２６０に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．００３に構成されている。
【００５１】
また、このフィルム中のフッ素樹脂とチタン酸ストロンチウムとの体積比率を変更した場合の比誘電率（εｒ）と誘電正接（ｔａｎδ）を図６および図７に示す。図６に示すように、フィルム中のチタン酸ストロンチウムの体積比率が増加すると、フィルムの比誘電率（εｒ）は高くなる一方、誘電体セラミックスには電界が印加され難いため、誘電正接（ｔａｎδ）の低減幅は小さくなる。このため、フィルムの誘電正接（ｔａｎδ）を十分に低減するためには、フィルム中のチタン酸ストロンチウムの体積比率を全体の５０％以上にする必要がある。ところが、フィルム中のチタン酸ストロンチウムの体積比率が全体の５０％を超えると、フィルムの機械的強度が低下してしまう。すなわち、本比較例２の構成では、フィルムの高誘電率化と、誘電正接（ｔａｎδ）の低減化の両立ができない。
【００５２】
−実施形態１の効果−
上記実施形態１によれば、フッ素樹脂の比誘電率の２０倍以下となる比誘電率（εｒ）の誘電体セラミックスを含めたため、フィルム（17）の比誘電率（εｒ）を高めつつ、誘電正接（ｔａｎδ）を低下させ易くすることができる。
【００５３】
ここで、フィルム（17）に含まれる誘電体セラミックスの比誘電率（εｒ）が高ければ、フィルム（17）の比誘電率（εｒ）も高くなる一方で、フィルム（17）に電界が印加される場合、フィルム（17）に含まれる誘電体セラミックスに印加される電界強度は、その比誘電率（εｒ）の逆比に比例する。すなわち、誘電体セラミックスの比誘電率（εｒ）がフッ素樹脂の比誘電率に対して著しく高ければ、フッ素樹脂のみに電界が印加され、誘電体セラミックスには電界が印加されにくくなる。このため、フィルム（17）における誘電体セラミックスの影響が小さくなり、フィルム（17）の誘電正接（ｔａｎδ）は低減されにくくなる。
【００５４】
本実施形態では、誘電体セラミックスの比誘電率（εｒ）が、ベースとなるフッ素樹脂の比誘電率（εｒ）の２０倍以下の大きさであるため、フィルム（17）に電界が印加された場合、誘電体セラミックスにも十分に電界が印加されることになる。このため、フィルム（17）における誘電体セラミックスの影響が大きくなり、フィルム（17）の誘電正接（ｔａｎδ）の低減量が大きくなる。これにより、フィルム（17）の比誘電率（εｒ）を高めることができると共に、その誘電正接（ｔａｎδ）の低減量を大きくすることができる。この結果、フッ素樹脂を主な材料とするフィルム（17）において、高誘電率化と誘電正接（ｔａｎδ）の低減化を両立させることができる。
【００５５】
また、誘電体セラミックスの体積比率がフィルム（17）全体の５０％以下になるようにしたため、フィルム（17）における誘電体セラミックスの過剰な増加によるフィルム（17）の機械的強度の低下を抑えることができる。
【００５６】
また、誘電体セラミックスの誘電正接（ｔａｎδ）をフッ素樹脂の誘電正接（ｔａｎδ）の１／１０以下にしたため、フィルム（17）の誘電正接（ｔａｎδ）の低減量を増加させることができる。
【００５７】
また、フッ素樹脂の比誘電率（εｒ）の１０倍以下となる比誘電率（εｒ）の誘電体セラミックスとしたため、フィルム（17）の誘電正接（ｔａｎδ）を低下させ易くすることができる。つまり、誘電体セラミックスの比誘電率（εｒ）が、ベースとなるフッ素樹脂の比誘電率（εｒ）の１０倍以下の大きさであるため、フィルム（17）に電界が印加された場合、誘電体セラミックスにも十分に電界が印加されることになる。このため、フィルム（17）における誘電体セラミックスの影響が大きくなり、フィルム（17）の誘電正接（ｔａｎδ）の低減量が大きくなる。これにより、フィルム（17）の比誘電率（εｒ）を高めることができると共に、その誘電正接（ｔａｎδ）の低減量を大きくすることができる。この結果、フッ素樹脂を主な材料とするフィルム（17）において、高誘電率化と誘電正接（ｔａｎδ）の低減化を両立させることができる。
【００５８】
上述したように、フッ素樹脂を主な材料とするフィルム（17）において、高誘電率化と誘電正接（ｔａｎδ）の低減化を両立させるためのフィルム（17）中の誘電体セラミックスの比誘電率と体積比率との好適な範囲は、図８の破線で囲まれた範囲になる。
【００５９】
〈発明の実施形態２〉
次に、上記実施形態２について説明する。本実施形態２に係るフィルム（17）は、上記実施形態１に係るフィルム（17）とは、フッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が異なっている。尚、本実施形態２では、上記実施形態１と異なる部分についてのみ説明する。
【００６０】
上記フィルム（17）は、ベースとなるフッ素樹脂と、それに添加される誘電体セラミックスとで構成されている。このフィルム（17）は、図５に示すように、その比誘電率（εｒ）が２４に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．０１７に構成されている。このフィルム（17）は、フッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が６３：３７となるように構成されている。
【００６１】
上記フッ素樹脂は、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と四フッ化エチレン（ＴＦＥ）の共重合体で構成されている。このフッ素樹脂は、その比誘電率（εｒ）が１０に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．０３に構成されている。尚、上記フッ素樹脂の材質はこれに限られず、例えばポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）などのフッ素系の樹脂であればよい。
【００６２】
上記誘電体セラミックスは、単一粒子からなり、その比誘電率（εｒ）が１２０に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．００３に構成されている。尚、この誘電体セラミックスの比誘電率（εｒ）は、フッ素樹脂の比誘電率（εｒ）の２０倍以下であればよく、好ましくはフッ素樹脂の比誘電率（εｒ）の１０倍以下となればよい。
【００６３】
本実施形態２に係る誘電セラミックスのフィルム（17）における体積比率は、３７であり、図５に示すように、これによってフィルム（17）の比誘電率（εｒ）が高くなると共に、誘電正接（ｔａｎδ）が低下する。
【００６４】
また、本実施形態２に係るフィルム（17）における誘電セラミックスの体積比率は、実施形態１のフィルム（17）における誘電体セラミックスの体積比率よりも低い。このため、図６および図７に示すように、本実施形態２に係るフィルム（17）は、実施形態１に係るフィルム（17）よりも比誘電率（εｒ）は低くなり、誘電正接（ｔａｎδ）は高くなる。その他の構成、作用・効果は実施形態１と同様である。
【００６５】
〈発明の実施形態３〉
次に、上記実施形態３について説明する。本実施形態３に係るフィルム（17）は、上記実施形態２に係るフィルム（17）とは、フッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が異なっている。尚、本実施形態３では、上記実施形態２と異なる部分についてのみ説明する。
【００６６】
上記フィルム（17）は、ベースとなるフッ素樹脂と、それに添加される誘電体セラミックスとで構成されている。このフィルム（17）は、図５に示すように、その比誘電率（εｒ）が２２に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．０１９に構成されている。このフィルム（17）は、フッ素樹脂と誘電体セラミックスとの体積比率が６７：３３となるように構成されている。
【００６７】
上記フッ素樹脂は、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）と四フッ化エチレン（ＴＦＥ）の共重合体で構成されている。このフッ素樹脂は、その比誘電率（εｒ）が１０に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．０３に構成されている。尚、上記フッ素樹脂の材質はこれに限られず、例えばポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）などのフッ素系の樹脂であればよい。
【００６８】
上記誘電体セラミックスは、単一粒子からなり、その比誘電率（εｒ）が１２０に構成され、その誘電正接（ｔａｎδ）が０．００３に構成されている。尚、この誘電体セラミックスの比誘電率（εｒ）は、フッ素樹脂の比誘電率（εｒ）の２０倍以下であればよく、好ましくはフッ素樹脂の比誘電率（εｒ）の１０倍以下となればよい。
【００６９】
本実施形態３に係る誘電セラミックスのフィルム（17）における体積比率は、３３であり、図５に示すように、これによってフィルム（17）の比誘電率（εｒ）が高くなると共に、誘電正接（ｔａｎδ）が低下する。
【００７０】
また、本実施形態３に係るフィルム（17）における誘電セラミックスの体積比率は、上記実施形態２のフィルム（17）における誘電体セラミックスの体積比率よりも低い。このため、図６および図７に示すように、本実施形態３に係るフィルム（17）は、上記実施形態２に係るフィルム（17）よりも比誘電率（εｒ）は低くなり、誘電正接（ｔａｎδ）は高くなる。その他の構成、作用・効果は実施形態２と同様である。
【００７１】
〈その他の実施形態〉
本発明は、上記実施形態について、以下のような構成としてもよい。
【００７２】
上記実施形態では、誘電体セラミックスが単一粒子で構成されていたが、本発明はこれに限られず、誘電体セラミックスが複合粒子で構成されてもよい。
【００７３】
尚、以上の実施形態は、本質的に好ましい例示であって、本発明、その適用物、あるいはその用途の範囲を制限することを意図するものではない。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
以上説明したように、本発明は、フィルムコンデンサについて有用である。
【符号の説明】
【００７５】
１０          フィルムコンデンサ
１７          フィルム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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