【手続補正書】
【提出日】平成28年3月31日(2016.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低電圧入力信号に直流バイアスをかけて直流バイアス信号を供給するように構成されたソースバイアス回路と、
Ｐ型電界効果トランジスタであって、
前記直流バイアス信号を受信するように構成された第１ソースと、
第１低電圧直流電源信号を受信するように構成された第１ゲートと、
前記直流バイアス信号と前記第１低電圧直流電源信号とに基づいて高電圧出力信号を供給するように構成された第１ドレインと
を備えるＰ型電界効果トランジスタと、
を備え、
前記ソースバイアス回路は、
前記低電圧入力部と前記第１ソースとの間に接続され、前記低電圧入力信号を受信するように構成された第１容量素子と、
アノードとカソードとを有する第１ダイオード素子であって、前記カソードは、前記第１ソースに接続され、前記アノードは、前記第１ゲートに接続され、前記第１低電圧直流電源信号を受信及び整流するように構成された第１ダイオード素子と
を備え、
前記ソースバイアス回路と前記Ｐ型電界効果トランジスタとは、前記低電圧入力信号を受信及び変換して前記高電圧出力信号を供給するように構成された高電圧ドライバを形成している、回路。
【請求項２】
請求項１に記載の回路であって、
第１低電圧直流電源は、前記第１低電圧直流電源信号を供給するように構成されている、回路。
【請求項３】
請求項２に記載の回路であって、
さらに、
前記第１低電圧直流電源を備えている、回路。
【請求項４】
請求項２に記載の回路であって、
前記第１低電圧直流電源は、さらに、前記低電圧入力信号を変換して前記高電圧出力信号を供給するためのエネルギーを供給するように構成されている、回路。
【請求項５】
請求項１に記載の回路であって、
前記ソースバイアス回路は、さらに、低電圧入力部を介して前記低電圧入力信号を受信するように構成され、
前記第１ドレインは、さらに、前記高電圧出力信号を高電圧出力部を介して供給するように構成されている、回路。
【請求項６】
請求項１に記載の回路であって、
前記第１容量素子及び前記第１ダイオード素子は、さらに、前記低電圧入力信号と前記第１低電圧直流電源信号とに基づいて前記直流バイアス信号を供給するように構成されている、回路。
【請求項７】
請求項５に記載の回路であって、
前記ソースバイアス回路は、陽極と陰極とを有する電池を備え、
前記陽極は、前記第１ソースに接続され、
前記陰極は、前記低電圧入力部に接続されている、回路。
【請求項８】
請求項５に記載の回路であって、
さらに、
Ｎ型電界効果トランジスタを備え、
該Ｎ型電界効果トランジスタは、
前記低電圧入力部に接続された第２ソースと、
第２ゲートと、
前記高電圧出力部に接続された第２ドレインと
を備えている、回路。
【請求項９】
請求項８に記載の回路であって、
前記第２ゲートは、前記第１低電圧直流電源信号を受信するように構成されている、回路。
【請求項１０】
請求項８に記載の回路であって、
前記第２ゲートは、第２低電圧直流電源信号を受信するように構成されている、回路。
【請求項１１】
請求項１０に記載の回路であって、
第２低電圧直流電源は、前記第２低電圧直流電源信号を供給するように構成されている、回路。
【請求項１２】
請求項１１に記載の回路であって、
さらに、
前記第２低電圧直流電源を備えている、回路。
【請求項１３】
請求項１１に記載の回路であって、
前記第２低電圧直流電源は、前記第１低電圧直流電源信号を受信し、前記第２低電圧直流電源信号が前記第１低電圧直流電源信号に基づいているようにさらに構成されている、回路。
【請求項１４】
請求項１０に記載の回路であって、
前記第１低電圧直流電源信号の電圧は、前記第２低電圧直流電源信号の電圧の２倍にほぼ等しい、回路。
【請求項１５】
請求項８に記載の回路であって、
前記高電圧ドライバは、さらに、前記Ｐ型電界効果トランジスタをオフ状態からオン状態に移行させる前に、前記Ｎ型電界効果トランジスタをオン状態からオフ状態に移行させるように構成されている、回路。
【請求項１６】
請求項１に記載の回路であって、
前記第１ソースと前記第１ドレインとの間の最大電圧は、前記第１低電圧直流電源信号の電圧以下である、回路。
【請求項１７】
請求項１６に記載の回路であって、
前記第１ゲートと前記第１ドレインとの間の最大電圧は、前記第１低電圧直流電源信号の電圧以下である、回路。
【請求項１８】
請求項１に記載の回路であって、
前記高電圧出力信号の電圧振幅は、前記低電圧入力信号の電圧振幅よりも大きい、回路。
【請求項１９】
請求項１８に記載の回路であって、
前記高電圧出力信号の前記電圧振幅は、前記低電圧入力信号の前記電圧振幅の約２倍の大きさである、回路。
【請求項２０】
請求項１９に記載の回路であって、
前記高電圧出力信号の前記電圧振幅は、約６ボルトに等しく、
前記低電圧入力信号の前記電圧振幅は、約３．３ボルトに等しい、回路。
【請求項２１】
請求項１９に記載の回路であって、
前記高電圧出力信号の前記電圧振幅は、約１９．４ボルトに等しく、
前記低電圧入力信号の前記電圧振幅は、約１０ボルトに等しい、回路。
【請求項２２】
請求項１に記載の回路であって、
低電圧論理ドライバは、前記低電圧入力信号を供給するように構成されている、回路。
【請求項２３】
請求項２２に記載の回路であって、
さらに、
前記低電圧論理ドライバを備えている、回路。
【請求項２４】
請求項１に記載の回路であって、
高ゲート駆動電圧電界効果トランジスタのゲートは、前記高電圧出力信号を受信するように構成されている、回路。
【請求項２５】
請求項２４に記載の回路であって、
さらに、
前記高ゲート駆動電圧電界効果トランジスタを備えている、回路。
【請求項２６】
請求項２４に記載の回路であって、
前記高ゲート駆動電圧電界効果トランジスタは、炭化ケイ素製の電界効果トランジスタである、回路。
【請求項２７】
低電圧入力部を有する高電圧ドライバであって、第１ソースと、第１低電圧直流電源に接続された第１ゲートと、前記高電圧ドライバの高電圧出力部に接続された第１ドレインとを備えるＰ型電界効果トランジスタと、前記低電圧入力部に接続された第２ソースと、前記第１低電圧直流電源とは別の第２低電圧直流電源から第２低電圧直流電源信号を受信するように構成された第２ゲートと、前記高電圧出力部に接続された第２ドレインとを備えるＮ型電界効果トランジスタと、前記低電圧入力部と前記第１ソースとの間に接続されたソースバイアス回路とを備える、高電圧ドライバと、
前記低電圧入力部に接続された低電圧論理ドライバと
を備え、
前記高電圧出力部の電圧振幅能力は、前記低電圧入力部の電圧振幅能力よりも高い、回路。
【請求項２８】
請求項２７に記載の回路であって、
前記第２ゲートは、前記第１低電圧直流電源と前記第２低電圧直流電源との双方から前記第２低電圧直流電源信号を受信するように構成されている、回路。
【請求項２９】
高ゲート駆動電圧電界効果トランジスタと、
低電圧入力部を有する高電圧ドライバであって、第１ソースと、第１低電圧直流電源に接続され、低電圧直流電源信号を受信するように構成されている第１ゲートと、前記高電圧ドライバの高電圧出力部を介して前記高ゲート駆動電圧電界効果トランジスタのゲートに接続された第１ドレインとを備え、前記低電圧直流電源信号に基づいて高電圧出力信号を供給するように構成されたＰ型電界効果トランジスタと、前記低電圧入力部に接続された第２ソースと、前記第１低電圧直流電源とは別の第２低電圧直流電源から第２低電圧直流電源信号を受信するように構成された第２ゲートと、前記高電圧出力部に接続された第２ドレインとを備えるＮ型電界効果トランジスタと、前記低電圧入力部と前記第１ソースとの間に接続されたソースバイアス回路とを備える、高電圧ドライバと
を備え、
前記高電圧出力部の電圧振幅能力は、前記低電圧入力部の電圧振幅能力よりも高い、回路。
【請求項３０】
請求項２９に記載の回路であって、
前記高ゲート駆動電圧電界効果トランジスタは、炭化ケイ素製の電界効果トランジスタである、回路。
【請求項３１】
請求項２９に記載の回路であって、
前記第２ゲートは、前記第１低電圧直流電源と前記第２低電圧直流電源との双方から前記第２低電圧直流電源信号を受信するように構成されている、回路。