【手続補正書】
【提出日】平成28年10月7日(2016.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ電力リミッタであって、
第１及び第２の面を有する信号基板であって、該信号基板の第１の面上に形成された信号入力ラインと、信号基板を貫通しかつ信号入力ラインに電気的に接続された信号入力ビアと、信号基板の第２の面上に形成されかつ信号入力ビアに電気的に接続された信号伝送ラインと、信号基板を貫通しかつ信号伝送ラインに電気的に接続された信号出力ビアと、信号基板の第１の面上に形成されかつ信号出力ビアに電気的に接続された信号出力ラインとを有する信号基板と、
第１の面及び第２の面を有し、信号基板に結合されて密閉されたキャビティを形成するトリガ基板であって、キャビティ内において信号基板の第２の面とトリガ基板の第２の面とが対向しており、トリガ基板の第２の面からキャビティ内に信号ラインの方向に延びる少なくとも１つのトリガプローブを備えているトリガ基板と
を備え、
キャビティ内にイオン化可能な気体が充填されており、
少なくとも１つのトリガプローブは、トリガメタルで皮膜されており、
信号入力ラインから信号伝送ラインを介して信号出力ラインに伝送される信号であってスレショルド電力レベルよりも大きい電力レベルを有する信号により、キャビティ内の気体がイオン化されて信号伝送ラインとトリガプローブとの間に短絡回路が形成される
よう構成されていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ電力リミッタにおいて、トリガプローブとして離間配置された複数のトリガプローブを備え、これらトリガプローブは、トリガ基板の第２の面から延びており、かつ全てがトリガメタルによって被膜されていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマ電力リミッタにおいて、トリガ基板はシリコンで構成され、信号基板はInP、SiC、及びGaAsからなるグループから選択されたもので構成されていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマ電力リミッタにおいて、トリガ基板は、該トリガ基板を貫通しトリガメタルに電気的に接続されたトリガプローブビアを備えており、該トリガプローブビアにより、イオン化された気体を横断してトリガメタルから流れる電流が接地電位に流れることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項５】
請求項１記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタはさらに、トリガメタルに電気的に接続されたキャビティ内インターコネクトと、信号基板を貫通しかつキャビティ内インターコネクトに電気的に接続されたトリガビアとを備えていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項６】
請求項１記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、ウェハレベル製造技術を用いて製造され、他の回路要素と同時に形成されることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項７】
請求項６記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、受信機のアンテナと低ノイズ増幅器との間の前段部分に設けられていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項８】
請求項１記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、電気的に従属接続された複数のプラズマ電力リミッタの１つであることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項９】
請求項８記載のプラズマ電力リミッタにおいて、複数のプラズマ電力リミッタは、異なる活性化スレショルドを有していることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１０】
プラズマ電力リミッタであって、
第１及び第２の面を有する信号基板であって、該信号基板の第１の面上に形成された信号入力ラインと、信号基板を貫通しかつ信号入力ラインに電気的に接続された信号入力ビアと、信号基板の第２の面上に形成されかつ信号入力ビアに電気的に接続された信号伝送ラインと、信号基板を貫通しかつ信号伝送ラインに電気的に接続された信号出力ビアと、信号基板の第１の面上に形成されかつ信号出力ビアに電気的に接続された信号出力ラインとを有する信号基板と、
第１の面及び第２の面を有し、信号基板に結合されて密閉されたキャビティを形成するトリガ基板であって、キャビティ内において信号基板の第２の面とトリガ基板の第２の面とが対向しており、トリガ基板の第２の面からキャビティ内に信号ラインの方向に延びる離間配置された複数のトリガプローブを備えているトリガ基板と
を備え、
キャビティ内にイオン化可能な気体が充填されており、
複数のトリガプローブは、トリガメタルで皮膜されており、
信号入力ラインから信号伝送ラインを介して信号出力ラインに伝送される信号であってスレショルド電力レベルよりも大きい電力レベルを有する信号により、キャビティ内の気体がイオン化されて信号伝送ラインとトリガプローブとの間に短絡回路が形成され、
プラズマ電力リミッタは、ウェハレベル製造技術を用いて製造され、他の回路要素と同時に形成される
ことを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１１】
請求項１０記載のプラズマ電力リミッタにおいて、トリガ基板はシリコンで構成され、信号基板はInP、SiC、及びGaAsからなるグループから選択されたもので構成されていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１２】
請求項１０記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、受信機のアンテナと低ノイズ増幅器との間の前段部分に設けられていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１３】
請求項１０記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、電気的に従属接続された複数のプラズマ電力リミッタの１つであることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１４】
請求項１３記載のプラズマ電力リミッタにおいて、複数のプラズマ電力リミッタは、異なる活性化スレショルドを有していることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１５】
プラズマ電力リミッタであって、
第１及び第２の面を有する信号基板であって、該信号基板の第１の面上に形成された信号入力ラインと、信号基板を貫通しかつ信号入力ラインに電気的に接続された信号入力ビアと、信号基板の第２の面上に形成されかつ信号入力ビアに電気的に接続された信号伝送ラインと、信号基板を貫通しかつ信号伝送ラインに電気的に接続された信号出力ビアと、信号基板の第１の面上に形成されかつ信号出力ビアに電気的に接続された信号出力ラインとを有する信号基板と、
第１の面及び第２の面を有し、信号基板に結合されて密閉されたキャビティを形成するトリガ基板であって、キャビティ内において信号基板の第２の面とトリガ基板の第２の面とが対向しており、トリガ基板の第２の面からキャビティ内に信号ラインの方向に延びる少なくとも１つのトリガプローブを備えているトリガ基板と
を備え、
キャビティ内にイオン化可能な気体が充填されており、
少なくとも１つのトリガプローブは、トリガメタルで皮膜されており、
トリガ基板は、該トリガ基板を貫通しかつトリガメタルに電気的に接続されたトリガプローブビアであって、イオン化された気体を横断してトリガメタルから流れる電流を接地電位に流すトリガプローブビアを備えており、
信号入力ラインから信号伝送ラインを介して信号出力ラインに伝送される信号であってスレショルド電力レベルよりも大きい電力レベルを有する信号により、キャビティ内の気体がイオン化されて信号伝送ラインとトリガプローブとの間に短絡回路が形成され、
プラズマ電力リミッタは、ウェハレベル製造技術を用いて製造され、他の回路要素と同時に形成される
ことを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１６】
請求項１５記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタはさらに、トリガメタルに電気的に接続されたキャビティ内インターコネクトと、信号基板を貫通しかつキャビティ内インターコネクトに電気的に接続されたトリガビアとを備えていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１７】
請求項１５記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、受信機のアンテナと低ノイズ増幅器との間の前段部分に設けられていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１８】
請求項１５記載のプラズマ電力リミッタにおいて、該リミッタは、電気的に従属接続された複数のプラズマ電力リミッタの１つであることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項１９】
請求項１８記載のプラズマ電力リミッタにおいて、複数のプラズマ電力リミッタは、異なる活性化スレショルドを有していることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。
【請求項２０】
請求項１５記載のプラズマ電力リミッタにおいて、トリガ基板はシリコンで構成され、信号基板はInP、SiC、及びGaAsからなるグループから選択されたもので構成されていることを特徴とするプラズマ電力リミッタ。