【手続補正書】
【提出日】平成28年11月9日(2016.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
本発明を、詳細に図示した好適な実施形態を参照しながら詳細に説明したが、当業者であれば、本発明の範囲から逸脱することなく構成および細部に様々な変更を施すことができ、そのような変更も添付の特許請求の範囲に包含される。
なお、本発明は、実施の態様として以下の内容を含む。
〔態様１〕
光を増幅する活性層を有する活性領域基板と、
前記活性領域基板に取り付けられた光学メンブレン素子と、
を備える、ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬ。
〔態様２〕
態様１に記載のＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬにおいて、さらに、
前記活性領域基板を前記光学メンブレン素子から離隔させるスペーサ素子、
を備える、ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬ。
〔態様３〕
態様１に記載のＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬにおいて、前記活性領域基板が、さらに、リアミラーを有する、ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬ。
〔態様４〕
態様３に記載のＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬにおいて、前記リアミラーが、前記活性領域基板内の層である、ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬ。
〔態様５〕
態様３に記載のＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬにおいて、前記リアミラーが、前記活性領域基板に形成された光ポートに付着されている、ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬ。
〔態様６〕
態様３に記載のＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬにおいて、前記リアミラーが、前記活性領域基板によって増幅された光の波長は反射し、ポンプレーザによって生成された光の波長は透過するダイクロイックミラーである、ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬ。
〔態様７〕
態様１に記載のＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬにおいて、前記光学メンブレン素子が、基板層、メンブレンがパターン形成された素子層、および介在する絶縁層を有する、ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬ。
〔態様８〕
態様７に記載のＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬにおいて、前記絶縁層が、静電キャビティを画定する、ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬ。
〔態様９〕
態様１に記載のＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬにおいて、前記光学メンブレン素子の光学メンブレンが、前記活性領域基板から離れる方向に撓み変形する、ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬ。
〔態様１０〕
態様１に記載のＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬにおいて、前記光学メンブレン素子の光学メンブレンが、湾曲状のミラー構造を有する、ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬ。
〔態様１１〕
ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬを作製する方法であって、
光を増幅する活性層を有する活性領域基板を用意する工程と、
前記活性領域基板に光学メンブレン素子を接合する工程と、
を含む、方法。
〔態様１２〕
態様１１に記載の方法において、前記活性領域基板に前記光学メンブレン素子を接合する工程が、前記光学メンブレン素子を前記活性領域基板に熱圧着することを含む、方法。
〔態様１３〕
態様１１に記載の方法において、前記活性領域基板に前記光学メンブレン素子を接合する工程が、前記光学メンブレン素子を前記活性領域基板にはんだ接合することを含む、方法。
〔態様１４〕
ＶＣＳＥＬ掃引光源が集積化されたシステムであって、
光学ベンチと、
前記光学ベンチに設けられ、当該光学ベンチの上面と平行に伝播する掃引光信号を放射するＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬと、
を備える、システム。
〔態様１５〕
態様１４に記載のシステムにおいて、さらに、
前記光学ベンチに固定され、前記掃引光信号を光ファイバに結合する集束レンズ、
を備える、システム。
〔態様１６〕
態様１４に記載のシステムにおいて、さらに、
前記光学ベンチを収容する、密閉パッケージ、
を備える、システム。
〔態様１７〕
態様１６に記載のシステムにおいて、さらに、
前記光学ベンチと前記密閉パッケージ内部との間に、当該光学ベンチの温度を制御するように設けられた熱電冷却器、
を備える、システム。
〔態様１８〕
態様１４に記載のシステムにおいて、さらに、
前記光学ベンチに設けられ、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬ内の活性層を光学的に励起するポンプ光を生成するレーザポンプ、
を備える、システム。
〔態様１９〕
態様１８に記載のシステムにおいて、さらに、
前記レーザポンプと前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬとの間に位置し、戻り反射が前記レーザポンプに入るのを防止するアイソレータ、
を備える、システム。
〔態様２０〕
態様１８に記載のシステムにおいて、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬの一方の側面から前記掃引光信号が取り出され、当該ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬの他方の側面に前記ポンプ光が結合する、システム。
〔態様２１〕
態様１８に記載のシステムにおいて、前記掃引光信号が、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬの側面うち、前記ポンプ光が結合する側面と同一の側面から取り出される、システム。
〔態様２２〕
態様１４に記載のシステムにおいて、さらに、
前記光学ベンチに設けられ、前記掃引光信号を増幅する半導体光増幅器、
を備える、システム。
〔態様２３〕
態様２２に記載のシステムにおいて、さらに、
前記半導体光増幅器の両側のそれぞれに１つずつ位置する、２つのアイソレータ、
を備える、システム。
〔態様２４〕
態様２３に記載のシステムにおいて、前記半導体光増幅器から、増幅された前記掃引光信号が戻って、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬを通って伝播する、システム。
〔態様２５〕
態様２３に記載のシステムにおいて、さらに、
前記半導体光増幅器からの増幅された前記掃引光信号を、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬに結合するように導く偏光ビームスプリッタ、
を備える、システム。
〔態様２６〕
態様１４に記載のシステムにおいて、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬが、電気的に励起される、システム。
〔態様２７〕
掃引光信号を参照アームと試料アームとに分割し、前記参照アームから戻る光信号と前記試料アームから戻る光信号とを結合して干渉信号を生成する干渉計と、
光を増幅する活性層を有する活性領域基板および当該活性領域基板に取り付けられた光学メンブレン素子を含み、前記掃引光信号を生成するＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬと、
前記干渉信号を検出する検出システムと、
を備える、光コヒーレンス分析システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光コヒーレンス分析システムであって、
掃引光信号を参照アームと試料アームとに分割し、前記参照アームから戻る光信号と前記試料アームから戻る光信号とを結合して干渉信号を生成する干渉計と、
集積化されたＶＣＳＥＬ掃引光源システムであって、
光学ベンチ、および
前記光学ベンチに設けられ、当該光学ベンチの上面と平行に伝播する前記掃引光信号を放射するＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬを含むＶＣＳＥＬ掃引光源システムと、
前記干渉信号を検出する検出システムと、
を備える、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムにおいて、さらに、
前記光学ベンチに固定され、前記掃引光信号を光ファイバに結合する集束レンズ、
を備える、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムにおいて、さらに、
前記光学ベンチを収容する、密閉パッケージ、
を備える、システム。
【請求項４】
請求項３に記載のシステムにおいて、さらに、
前記光学ベンチと前記密閉パッケージ内部との間に、当該光学ベンチの温度を制御するように設けられた熱電冷却器、
を備える、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムにおいて、さらに、
前記光学ベンチに設けられ、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬ内の活性層を光学的に励起するポンプ光を生成するレーザポンプ、
を備える、システム。
【請求項６】
請求項５に記載のシステムにおいて、さらに、
前記レーザポンプと前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬとの間に位置し、戻り反射が前記レーザポンプに入るのを防止するアイソレータ、
を備える、システム。
【請求項７】
請求項６に記載のシステムにおいて、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬの一方の側面から前記掃引光信号が取り出され、当該ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬの他方の側面に前記ポンプ光が結合する、システム。
【請求項８】
請求項６に記載のシステムにおいて、前記掃引光信号が、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬの側面うち、前記ポンプ光が結合する側面と同一の側面から取り出される、システム。
【請求項９】
請求項１に記載のシステムにおいて、さらに、
前記光学ベンチに設けられ、前記掃引光信号を増幅する半導体光増幅器、
を備える、システム。
【請求項１０】
請求項９に記載のシステムにおいて、さらに、
前記半導体光増幅器の両側のそれぞれに１つずつ位置する、２つのアイソレータ、
を備える、システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のシステムにおいて、前記半導体光増幅器から、増幅された前記掃引光信号が戻って、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬを通って伝播する、システム。
【請求項１２】
請求項１０に記載のシステムにおいて、さらに、
前記半導体光増幅器からの増幅された前記掃引光信号を、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬに結合するように導く偏光ビームスプリッタ、
を備える、システム。
【請求項１３】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬが、電気的に励起される、システム。
【請求項１４】
請求項１に記載のシステムにおいて、前記ＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬが、光を増幅する活性層を有する活性領域基板および当該活性領域基板に接合された光学メンブレン素子を含む、システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシステムにおいて、前記活性領域基板が、さらに、リアミラーを有する、システム。
【請求項１６】
請求項１４に記載のシステムにおいて、前記リアミラーが、前記活性領域基板によって増幅された光の波長は反射し、ポンプレーザによって生成された光の波長は透過するダイクロイックミラーである、システム。
【請求項１７】
掃引光信号を参照アームと試料アームとに分割し、前記参照アームから戻る光信号と前記試料アームから戻る光信号とを結合して干渉信号を生成する干渉計と、
光を増幅する活性層を有する活性領域基板および当該活性領域基板に取り付けられた光学メンブレン素子を含み、前記掃引光信号を生成するＭＥＭＳ波長可変ＶＣＳＥＬと、
前記干渉信号を検出する検出システムと、
を備える、光コヒーレンス分析システム。