(57)【要約】【課題】本発明は、熱アシスト記録において、書込みおよび加熱のタイミングを精度良く制御可能なサスペンション用基板を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、記録再生用素子に接続され、第一書込用配線層および第二書込用配線層から構成される書込用配線層を有し、上記第一書込用配線層および上記第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記配線層は、記録再生用素子に接続され、第一書込用配線層および第二書込用配線層から構成される書込用配線層を有し、
前記第一書込用配線層および前記第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記第一書込用配線層および前記第二書込用配線層から、前記熱アシスト用配線層として、それぞれ第一熱アシスト用配線層および第二熱アシスト用配線層が分岐し、
前記第一書込用配線層、前記第二書込用配線層、前記第一熱アシスト用配線層および前記第二熱アシスト用配線層が、インターリーブ構造を構成していることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記第一書込用配線層および前記第二書込用配線層が、それぞれ、第一インターリーブ用配線層および第二インターリーブ用配線層を有し、
前記第一書込用配線層、前記第二書込用配線層、前記第一インターリーブ用配線層および前記第二インターリーブ用配線層が、インターリーブ構造を構成していることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、前記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記第一配線層および前記第二配線層の少なくとも一方は、記録再生用素子に接続される書込用配線層を構成する第一書込用配線層および第二書込用配線層の少なくとも一方を有し、
前記第一書込用配線層および前記第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項５】
前記第一配線層が前記第一書込用配線層を有し、前記第二配線層が前記第二書込用配線層を有することを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
前記第二配線層が、前記第一書込用配線層および前記第二書込用配線層を有することを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板。
【請求項７】
前記第一配線層が、前記第一書込用配線層および前記第二書込用配線層を有することを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板。
【請求項８】
前記書込用配線層または前記熱アシスト用配線層が、信号遅延手段を有することを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項１０】
請求項９に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子および熱アシスト用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項１１】
請求項１０に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱アシスト記録に用いられるサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。
【０００３】
ＨＤＤの大容量化（高記録密度化）のためには、記録媒体における磁性体粒子のサイズを小さくすることが有効である。しかしながら、磁性体粒子のサイズが小さすぎると、個々の磁性体粒子の磁化は熱的に不安定になり、記録した情報を長時間保持することが困難となる。これは、磁性体粒子のサイズが小さくなると、その異方性磁気エネルギーＫｕＶ（Ｋｕは単位体積あたりの磁気異方性エネルギー、Ｖは磁性体粒子の体積）が小さくなり、磁化が熱揺らぎｋＴ（ｋはボルツマン定数、Ｔは絶対温度）によってランダムに配向し、減磁が生じるためである。この限界を超常磁性限界という。
【０００４】
この超常磁性限界を伸ばすためには、保磁力の大きな磁性体粒子を用いることが有効である。しかしながら、保磁力の大きな磁性体粒子を用いると、磁化の極性を反転させるために必要な反転磁界強度が大きくなり、記録媒体に情報を記録することが困難になる。この問題を解決する手法として、熱アシスト記録が知られている（特許文献１〜４）。熱アシスト記録では、記録の直前に記録媒体を加熱することによって、磁性体粒子の保磁力を一時的に下げて記録を行う。そのため、保磁力の大きな磁性体粒子を用いた場合であっても、記録媒体に情報を記録することが容易となるという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−３０１５９７号公報
【特許文献２】特開２０１０−４０１１２号公報
【特許文献３】特開２００８−１５９１５９号公報
【特許文献４】特開２００８−５９６９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
熱アシスト記録においては、熱アシスト用素子が記録媒体を加熱するタイミングと、記録再生用素子が記録媒体に書込むタイミングとが制御されている必要がある。本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、書込みおよび加熱のタイミングを精度良く制御可能なサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、記録再生用素子に接続され、第一書込用配線層および第二書込用配線層から構成される書込用配線層を有し、上記第一書込用配線層および上記第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【０００８】
本発明によれば、第一書込用配線層および第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることから、書込信号（デジタル信号のオンオフ）に合わせて、加熱のオンオフが可能となる。このように書込みおよび加熱の信号を同期させることで、両者のタイミングを精度良く制御可能なサスペンション用基板とすることができる。
【０００９】
上記発明においては、上記第一書込用配線層および上記第二書込用配線層から、上記熱アシスト用配線層として、それぞれ第一熱アシスト用配線層および第二熱アシスト用配線層が分岐し、上記第一書込用配線層、上記第二書込用配線層、上記第一熱アシスト用配線層および上記第二熱アシスト用配線層が、インターリーブ構造を構成していることが好ましい。
【００１０】
上記発明においては、上記第一書込用配線層および上記第二書込用配線層が、それぞれ、第一インターリーブ用配線層および第二インターリーブ用配線層を有し、上記第一書込用配線層、上記第二書込用配線層、上記第一インターリーブ用配線層および上記第二インターリーブ用配線層が、インターリーブ構造を構成していることが好ましい。
【００１１】
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記第一配線層および上記第二配線層の少なくとも一方は、記録再生用素子に接続される書込用配線層を構成する第一書込用配線層および第二書込用配線層の少なくとも一方を有し、上記第一書込用配線層および上記第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【００１２】
本発明によれば、第一書込用配線層および第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることから、書込信号（デジタル信号のオンオフ）に合わせて、加熱のオンオフが可能となる。このように書込みおよび加熱の信号を同期させることで、両者のタイミングを精度良く制御可能なサスペンション用基板とすることができる。
【００１３】
上記発明においては、上記第一配線層が上記第一書込用配線層を有し、上記第二配線層が上記第二書込用配線層を有することが好ましい。
【００１４】
上記発明においては、上記第二配線層が、上記第一書込用配線層および上記第二書込用配線層を有することが好ましい。
【００１５】
上記発明においては、上記第一配線層が、上記第一書込用配線層および上記第二書込用配線層を有することが好ましい。
【００１６】
上記発明においては、上記書込用配線層または上記熱アシスト用配線層が、信号遅延手段を有することが好ましい。書込みおよび加熱のタイミングをさらに精度良く制御できるからである。
【００１７】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１８】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、書込みおよび加熱のタイミングを精度良く制御可能なサスペンションとすることができる。
【００１９】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子および熱アシスト用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００２０】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、書込みおよび加熱のタイミングを精度良く制御可能な素子付サスペンションとすることができる。
【００２１】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００２２】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のサスペンション用基板は、熱アシスト記録において、書込みおよび加熱のタイミングを精度良く制御できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第一実施態様のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図２】第一実施態様のサスペンション用基板における記録再生用素子実装領域を例示する模式図である。
【図３】一般的な熱アシスト用素子および記録再生用素子の一例を示す概略断面図である。
【図４】熱アシスト用配線層の迂回方法を説明する概略断面図である。
【図５】第一実施態様における書込用配線層および熱アシスト用配線層を例示する概略平面図である。
【図６】第一実施態様における書込用配線層および熱アシスト用配線層を例示する概略平面図である。
【図７】第一実施態様における書込用配線層および熱アシスト用配線層を例示する概略平面図である。
【図８】第一実施態様における書込用配線層および熱アシスト用配線層を例示する概略平面図である。
【図９】第一実施態様における書込用配線層および熱アシスト用配線層を例示する概略平面図である。
【図１０】第一実施態様における書込用配線層および熱アシスト用配線層を例示する概略平面図である。
【図１１】第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１２】第二実施態様のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図１３】第二実施態様のサスペンション用基板における書込用配線層および熱アシスト用配線層を例示する概略斜視図である。
【図１４】第二実施態様における書込用配線層および熱アシスト用配線層を例示する概略斜視図である。
【図１５】第二実施態様における書込用配線層および熱アシスト用配線層を例示する概略斜視図である。
【図１６】第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１７】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１８】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１９】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、およびハードディスクドライブについて詳細に説明する。
【００２６】
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、２つの実施態様に大別することができる。以下、本発明のサスペンション用基板について、第一実施態様および第二実施態様に分けて説明する。
【００２７】
１．第一実施態様
第一実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、記録再生用素子に接続され、第一書込用配線層および第二書込用配線層から構成される書込用配線層を有し、上記第一書込用配線層および上記第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることを特徴とするものである。
【００２８】
図１は、第一実施態様のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する複数の配線層１０３ａ〜１０３ｄとを有するものである。配線層１０３ａおよび配線層１０３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１０３ｃおよび配線層１０３ｄも一対の配線層である。これらの２つの配線層は、一方が書込用配線層であり、他方が読取用配線層である。また、図１（ｂ）に示すように、このサスペンション用基板は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３を覆うように形成されたカバー層４とを有する。
【００２９】
図２は、第一実施態様のサスペンション用基板における記録再生用素子実装領域を例示する模式図である。図２（ａ）は記録再生用素子実装領域の概略平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図２（ａ）では、便宜上、配線層のみ記載している。図２（ａ）における記録再生用素子実装領域には、第一書込用配線層Ｗ１および第二書込用配線層Ｗ２が一対の配線層を構成し、第一読取用配線層Ｒ１および第二読取用配線層Ｒ２も一対の配線層を構成しており、各配線層は端子部３ａにおいて記録再生用素子と電気的に接続される。また、図２（ａ）における第一書込用配線層Ｗ１および第二書込用配線層Ｗ２から、それぞれ、第一熱アシスト用配線層Ｈ１および第二熱アシスト用配線層Ｈ２が分岐している。また、図２（ｂ）に示すように、第二書込用配線層Ｗ２および第二熱アシスト用配線層Ｈ２は、絶縁層２を貫通するビア部５、および、他の金属支持基板１から電気的に絶縁されたジャンパー部１ａを介して電気的に接続されている。
【００３０】
図３（ａ）は、一般的な熱アシスト用素子および記録再生用素子の一例を示す概略断面図である。図３（ａ）における熱アシスト用素子２１０は、半導体基板２０１と、第一クラッド層２０２と、活性層２０３と、第二クラッド層２０４と、反射ミラー２０５とを有する。一方、図３（ａ）における記録再生用素子２２０は、スライダ２１１と、磁界発生素子２１２と、近接場光発生素子２１３と、光導波路２１４とを有する。また、熱アシスト用素子２１０および記録再生用素子２２０は、接着層２３０により接合されている。ここで、活性層２０３からの出力光は、反射ミラー２０５で反射し、光導波路２１４を通過し、近接場光発生素子２１３に至る。これにより、磁界発生素子２１２が記録を行う直前に記録媒体を加熱することができ、磁性体粒子の保磁力を一時的に下げることができる。また、図３（ｂ）に示すように、記録再生用素子２２０は、通常、サスペンション用基板１００のカバー層側の表面に実装され、熱アシスト用素子２１０は、例えば、サスペンション用基板１００およびロードビーム３００の開口部に実装される。
【００３１】
第一実施態様によれば、第一書込用配線層および第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることから、書込信号（デジタル信号のオンオフ）に合わせて、加熱のオンオフが可能となる。このように書込みおよび加熱の信号を同期させることで、両者のタイミングを精度良く制御可能なサスペンション用基板とすることができる。また、配線デザインにもよるが、書込用配線層および熱アシスト用配線層を共通化することで、配線層の数を少なくすることができ、サスペンション用基板の高機能化に伴う配線層の増加に対応しやすいという利点がある。一方で、後述するように、書込用配線層および熱アシスト用配線層を共通化せず、書込用配線層および熱アシスト用配線層の間でインターリーブ構造を採用する場合には、信号伝達特性の向上（例えば低インピーダンス化）を図れるという利点もある。
以下、第一実施態様のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００３２】
（１）サスペンション用基板の部材
まず、第一実施態様のサスペンション用基板の部材について説明する。第一実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層および配線層を少なくとも有する。
【００３３】
第一実施態様における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。
【００３４】
第一実施態様における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３５】
第一実施態様における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３６】
上記配線層は、少なくとも、書込用配線層および読取用配線層を有する。さらに、上記配線層は、必要に応じて、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層、電源用配線層、グランド用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層、アクチュエータ素子用配線層等を有していても良い。
【００３７】
また、配線層の一部の表面には、保護用めっき部が形成されていることが好ましい。保護用めっき部を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できるからである。特に、第一実施態様においては、素子や外部回路基板との接続を行う端子部に、保護用めっき部が形成されていることが好ましい。保護用めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ｃｕめっき等を挙げることができる。中でも、配線層側からＮｉめっきおよびＡｕめっきが形成されていることが好ましい。保護用めっき部の厚さは、例えば０．１μｍ〜４μｍの範囲内である。
【００３８】
第一実施態様のサスペンション用基板は、配線層を覆うカバー層を有していても良い。カバー層を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３９】
また、上述した図２（ｂ）に示すように、第一実施態様における配線層および金属支持基板１（例えばジャンパー部１ａ）は、絶縁層２を貫通するビア部５を有していても良い。ビア部の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばめっきを挙げることができる。めっきの種類としては、Ｎｉめっき、Ａｕめっき、Ａｇめっき、Ｃｕめっき等を挙げることができ、中でもＮｉめっきが好ましい。導電性および耐腐食性に優れ、かつ、安価だからである。電解Ｎｉめっき法によりビアめっき部を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えばワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、配線層の材料と、ビア部の材料とは、同じであっても良く、異なっていても良い。
【００４０】
（２）サスペンション用基板の構成
次に、第一実施態様のサスペンション用基板の構成について説明する。第一実施態様においては、第一書込用配線層および第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることを大きな特徴とする。熱アシスト用配線層は、熱アシスト用素子に接続するための端子部を少なくとも有する。熱アシスト用配線層は、通常、書込用配線層から分岐した配線部と、配線部から連続的に形成された端子部とを有するものである。なお、熱アシスト用配線層は、端子部のみから構成されていても良い。すなわち、書込用配線層の一部が、熱アシスト用配線層の端子部であっても良い。この場合も、書込用配線層から、熱アシスト用配線層（端子部）が分岐したものとみなせる。
【００４１】
また、上述した図２に示した第二熱アシスト用配線層Ｈ２のように、書込用配線層から熱アシスト用配線層が分岐する場合、配線デザイン上、他の配線層に対して熱アシスト用配線層を迂回させる必要がある場合が生じる。このような場合は、図２（ｂ）に示すように、金属支持基板１の一部をジャンパー部１ａとして用いることが好ましい。また、熱アシスト用配線層の迂回方法の他の例としては、図４（ａ）に示すように、ワイヤー６による接続（ワイヤーボンディングによる接続）、および、図４（ｂ）に示すように、導電性ペースト７による接続等を挙げることができる。
【００４２】
図５（ａ）は、第一実施態様における書込用配線層および熱アシスト用配線層を例示する概略平面図である。図５（ａ）では、第一書込用配線層Ｗ１から第一熱アシスト用配線層Ｈ１が直接分岐し、第二書込用配線層Ｗ２から第二熱アシスト用配線層Ｈ２が、ビア部５およびジャンパー部１ａを介して分岐している。図５（ａ）を簡略に示すと、図５（ｂ）のように表記できる。後述する図６〜図１０についても、便宜上、図５（ｂ）のように表記することとする。
【００４３】
第一実施態様においては、熱アシスト用素子の仕様に応じて、第一書込用配線層および第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していれば良い。すなわち、第一書込用配線層または第二書込用配線層から熱アシスト用配線層が分岐していても良く、第一書込用配線層および第二書込用配線層から熱アシスト用配線層が分岐していても良い。前者の具体例を図６（ａ）、（ｂ）に示す。なお、後者の具体例は図５（ｂ）に示した通りである。
【００４４】
後者のように、第一書込用配線層および第二書込用配線層から、熱アシスト用配線層として、それぞれ第一熱アシスト用配線層および第二熱アシスト用配線層が分岐している場合、図７に示すように、第一書込用配線層Ｗ１、第二書込用配線層Ｗ２、第一熱アシスト用配線層Ｈ１および第二熱アシスト用配線層Ｈ２が、インターリーブ構造を構成していることが好ましい。信号伝達特性の向上（例えば低インピーダンス化）を図れるからである。インターリーブ構造とは、第一書込用配線層Ｗ１に属する配線層（Ｗ１、Ｈ１）と、第二書込用配線層Ｗ２に属する配線層（Ｗ２、Ｈ２）とが、交互に配置された構造をいう。例えば図７に示すように、インターリーブ構造を構成している領域の長さをＸとすると、Ｘはより大きいことが好ましい。
【００４５】
また、第一実施態様においては、第一書込用配線層および第二書込用配線層が、それぞれ、第一インターリーブ用配線層および第二インターリーブ用配線層を有することが好ましい。信号伝達特性の向上（例えば低インピーダンス化）を図れるからである。この具体例を図８（ａ）〜（ｃ）に示す。図８（ａ）〜（ｃ）では、いずれも、第一書込用配線層Ｗ１および第二書込用配線層Ｗ２が、それぞれ、第一インターリーブ用配線層Ｉ１および第二インターリーブ用配線層Ｉ２を有している。なお、図８（ａ）〜（ｃ）では、インターリーブ用配線層は、各書込用配線層に対して１本のみであるが、２本以上であっても良い。
【００４６】
また、図８（ａ）では、インターリーブ構造の始点において、Ｗ２、Ｈ２、Ｉ２が単一のジャンパー部により接続されており、図８（ｂ）では、インターリーブ構造の終点において、Ｗ２、Ｈ２、Ｉ２が単一のジャンパー部により接続されている。一方、図８（ｃ）に示すように、第一実施態様においては、第一インターリーブ用配線層Ｉ１および第二インターリーブ用配線層Ｉ２から、それぞれ第一熱アシスト用配線層Ｈ１および第二熱アシスト用配線層Ｈ２が分岐していても良い。これらの事項は、後述する他の種類のインターリーブ構造においても同様である。
【００４７】
また、第一実施態様においては、図９に示すように、第一書込用配線層Ｗ１、第二書込用配線層Ｗ２、第一インターリーブ用配線層Ｉ１、第二インターリーブ用配線層Ｉ２、第一熱アシスト用配線層Ｈ１および第二熱アシスト用配線層Ｈ２が、インターリーブ構造を構成していても良い。この場合、第一書込用配線層Ｗ１に属する配線層（Ｗ１、Ｉ１、Ｈ１）と、第二書込用配線層Ｗ２に属する配線層（Ｗ２、Ｉ２、Ｈ２）とが、交互に配置される。さらに、第一実施態様においては、第一熱アシスト用配線層および第二熱アシスト用配線層がそれぞれ分岐配線層を有し、これらの配線層がインターリーブ構造を構成していても良い。具体的には、図１０に示すように、第一熱アシスト用配線層Ｈ１および第二熱アシスト用配線層Ｈ２が、それぞれ分岐配線層Ｈ１１、Ｈ１２を有し、これらの配線層がインターリーブ構造を構成している。なお、図１０では、第一書込用配線層Ｗ１に属する配線層（Ｗ１、Ｉ１、Ｈ１、Ｈ１１）と、第二書込用配線層Ｗ２に属する配線層（Ｗ２、Ｉ２、Ｈ２、Ｈ１２）とが、交互に配置される。
【００４８】
一方、図示しないが、熱アシスト用配線層は、熱アシスト用素子の近傍（例えば、平面視上、熱アシスト用素子から５００μｍ以内の範囲内）で書込用配線層から分岐していても良い。書込用配線層および熱アシスト用配線層を共通化することで、配線層の数を少なくすることができ、サスペンション用基板の高機能化に伴う配線層の増加に対応しやすいという利点があるからである。
【００４９】
また、熱アシスト記録では、記録再生用素子が書込む直前に、加熱により磁性体粒子の保磁力が低下していることが好ましい。そのため、書込みの信号が記録再生用素子に伝わる前に、加熱の信号を熱アシスト用素子に伝えられるように、タイムラグを設けることが好ましい。このタイムラグを設けるために、第一実施態様においては、書込用配線層または熱アシスト用配線層が、信号遅延手段を有することが好ましい。信号遅延手段としては、例えば、分岐後の書込用配線層と、熱アシスト用配線層との長さに差を設ける手段、書込用配線層または熱アシスト用配線層配線層の配線幅をより太くする手段、書込用配線層または熱アシスト用配線層配線層の配線幅をより細くする手段、書込用配線層または熱アシスト用配線層配線層に抵抗（コンデンサー等）を設ける手段等を挙げることができる。
【００５０】
第一実施態様における記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。第一実施態様における熱アシスト用素子は、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、ｐｎ型の素子であっても良く、ｐｎｐ型またはｎｐｎ型の素子であっても良い。
【００５１】
次に、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法について説明する。第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、上述したサスペンション用基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。図１１は、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図１１は図２（ｂ）に対応する概略断面図である。図１１においては、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図１１（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、配線層３を形成する（図１１（ｂ））。次に、配線層３上にカバー層４を形成する（図１１（ｃ））。次に、絶縁部材２Ａに対してウェットエッチングを行い、絶縁層２を形成する（図１１（ｄ））。次に、金属支持部材１Ａからの給電によりビア部５を形成し、最後に、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、金属支持基板１を形成する。これにより、サスペンション用基板が得られる（図１１（ｅ））。
【００５２】
２．第二実施態様
次に、本発明のサスペンション用基板の第二実施態様について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された第一絶縁層と、上記第一絶縁層上に形成された第一配線層と、上記第一配線層上に形成された第二絶縁層と、上記第二絶縁層上に形成された第二配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記第一配線層および上記第二配線層の少なくとも一方は、記録再生用素子に接続される書込用配線層を構成する第一書込用配線層および第二書込用配線層の少なくとも一方を有し、上記第一書込用配線層および上記第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることを特徴とするものである。
【００５３】
図１２は、第二実施態様のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１２（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１２（ａ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図１２（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する配線層１０３とを有するものである。また、図１２（ａ）における配線層１０３は、一方が書込用配線層であり、他方が読取用配線層である。また、図１２（ｂ）に示すように、サスペンション用基板１００は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された第一絶縁層２ｘと、第一絶縁層２ｘ上に形成された第一配線層３ｘと、第一配線層３ｘ上に形成された第二絶縁層２ｙと、第二絶縁層２ｙ上に形成された第二配線層３ｙと、第二配線層３ｙを覆うように形成されたカバー層４とを有する。
【００５４】
図１３（ａ）は、第二実施態様のサスペンション用基板における書込用配線層および熱アシスト用配線層を例示する概略斜視図である。図１３（ａ）では、第一配線層３ｘが第一書込用配線層Ｗ１を有し、第二配線層３ｙが第二書込用配線層Ｗ２を有している。さらに、第一書込用配線層Ｗ１から第一熱アシスト用配線層Ｈ１が直接分岐し、第二書込用配線層Ｗ２から第二熱アシスト用配線層Ｈ２が直接分岐している。図１３（ａ）を簡略に示すと、図１３（ｂ）のように表記できる。後述する図１４、図１５についても、便宜上、図１３（ｂ）のように表記することとする。
【００５５】
第二実施態様によれば、第一書込用配線層および第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることから、書込信号（デジタル信号のオンオフ）に合わせて、加熱のオンオフが可能となる。このように書込みおよび加熱の信号を同期させることで、両者のタイミングを精度良く制御可能なサスペンション用基板とすることができる。また、配線デザインにもよるが、書込用配線層および熱アシスト用配線層を共通化することで、配線層の数を少なくすることができ、サスペンション用基板の高機能化に伴う配線層の増加に対応しやすいという利点がある。一方で、後述するように、書込用配線層および熱アシスト用配線層を共通化せず、書込用配線層および熱アシスト用配線層の間でインターリーブ構造を採用する場合には、信号伝達特性が良好になるという利点もある。さらに、第二実施態様のサスペンション用基板は、第二絶縁層を介して第一配線層および第二配線層を配置できるため、上述した第一実施態様のサスペンション用基板と比べて、配線層の増加に対応しやすいという利点がある。
【００５６】
（１）サスペンション用基板の部材
第二実施態様のサスペンション用基板は、金属支持基板、第一絶縁層、第一配線層、第二絶縁層および第二配線層を少なくとも有する。第二実施態様における金属支持基板、第一絶縁層および第一配線層については、それぞれ、第一実施態様における金属支持基板、絶縁層および配線層に記載した内容と同様であるので、ここでの説明は省略する。なお、カバー層およびビア層についても、第一実施態様に記載した内容と同様である。
【００５７】
第二実施態様における第二絶縁層は、第一配線層上に形成されるものである。第二絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、第一実施態様における絶縁層の材料として記載したものを用いることができる。中でも、第二絶縁層の材料は、ポリイミド樹脂であることが好ましい。また、第二絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。第一配線層および第二配線層の間の第二絶縁層の厚さ（配線間厚さ）は、特に限定されるものではないが、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００５８】
第二実施態様における第二配線層は、第二絶縁層上に形成されるものである。第二配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、第一実施態様における配線層の材料として記載したものを用いることができる。中でも、第二配線層の材料は、銅（Ｃｕ）であることが好ましい。また、第二配線層の寸法の好ましい範囲は、上述した第一実施態様における配線層の寸法の好ましい範囲と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００５９】
（２）サスペンション用基板の構成
次に、第二実施態様のサスペンション用基板の構成について説明する。第二実施態様においては、第一書込用配線層および第二書込用配線層の少なくとも一方から、熱アシスト用素子に接続される熱アシスト用配線層が分岐していることを大きな特徴とする。なお、熱アシスト用配線層については、上述した第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００６０】
また、第二実施態様においては、第一配線層および第二配線層の少なくとも一方が、記録再生用素子に接続され、第一書込用配線層および第二書込用配線層から構成される書込用配線層を有する。この組み合わせについて場合を分けて説明する。
【００６１】
第一の形態として、第一配線層が第一書込用配線層を有し、第二配線層が第二書込用配線層を有する形態を挙げることができる。例えば図１３（ｂ）では、第一配線層３ｘとして第一書込用配線層Ｗ１が形成され、第二配線層３ｙとして第二書込用配線層Ｗ２が形成されている。また、図１３（ｂ）では、第一熱アシスト用配線層Ｈ１が第一配線層３ｘとして形成され、第二熱アシスト用配線層Ｈ２が第二配線層３ｙとして形成されているが、例えば絶縁層を貫通するビア部を用いることで、熱アシスト用端子部に至るまでに、熱アシスト用配線層を第一配線層３ｘとして配置することも第二配線層３ｙとして配置することも可能である。その組み合わせは、熱アシスト用素子の構成に応じて任意に採用できる。
【００６２】
第二の形態として、第二配線層が、第一書込用配線層および第二書込用配線層を有する形態を挙げることができる。例えば図１４（ａ）では、第二配線層３ｙとして第一書込用配線層Ｗ１および第二書込用配線層Ｗ２が形成されている。また、図１４（ａ）では、第一熱アシスト用配線層Ｈ１および第二熱アシスト用配線層Ｈ２が第一配線層３ｘとして形成されているが、図１４（ｂ）に示すように、第一熱アシスト用配線層Ｈ１および第二熱アシスト用配線層Ｈ２が第二配線層３ｙとして形成されていても良い。また、例えば図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁層を貫通するビア部５を用いることで、熱アシスト用端子部に至るまでに、熱アシスト用配線層を第一配線層３ｘとして配置することも第二配線層３ｙとして配置することも可能である。その組み合わせは、熱アシスト用素子の構成に応じて任意に採用できる。
【００６３】
第三の形態として、第一配線層が、第一書込用配線層および第二書込用配線層を有する形態を挙げることができる。例えば図１５（ａ）では、第一配線層３ｘとして第一書込用配線層Ｗ１および第二書込用配線層Ｗ２が形成されている。また、図１５（ａ）では、第一熱アシスト用配線層Ｈ１および第二熱アシスト用配線層Ｈ２が第二配線層３ｙとして形成されているが、図１５（ｂ）に示すように、第一熱アシスト用配線層Ｈ１および第二熱アシスト用配線層Ｈ２が第一配線層３ｘとして形成されていても良い。また、例えば図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁層を貫通するビア部５を用いることで、熱アシスト用端子部に至るまでに、熱アシスト用配線層を第一配線層３ｘとして配置することも第二配線層３ｙとして配置することも可能である。その組み合わせは、熱アシスト用素子の構成に応じて任意に採用できる。なお、図１３〜図１５では、書込用配線層および熱アシスト用配線層のみを記載しているが、第一配線層および第二配線層は、他の機能を有する配線層をさらに有していても良い。
【００６４】
また、第二実施態様における書込用配線層および熱アシスト用配線層は、各々あるいは互いにインターリーブ構造を構成していても良い。インターリーブの組み合わせについては、例えば第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の事項についても、基本的には第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００６５】
次に、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法について説明する。第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、上述したサスペンション用基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。図１６は、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図１６においては、まず、金属支持部材１Ａ、絶縁部材２Ａおよび導体部材３Ａがこの順に積層された積層部材を準備する（図１６（ａ））。次に、導体部材３Ａに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、第一配線層３ｘを形成する（図１６（ｂ））。次に、第一配線層３ｘ上に第二絶縁層２ｙを形成する（図１６（ｃ））。次に、第二絶縁層２ｙの表面に、スパッタリングによりシード層（図示せず）を形成し、そのシード層の上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出するシード層の表面に第二配線層３ｙを形成する（図１６（ｄ））。次に、第二配線層３ｙ上にカバー層４を形成する（図１６（ｅ））。次に、絶縁部材２Ａに対してウェットエッチングを行い、第一絶縁層２ｘを形成する（図１６（ｆ））。次に、図示しないが、必要に応じて金属支持部材１Ａからの給電によりビア部５を形成する。最後に、金属支持部材１Ａに対してウェットエッチングを行い、金属支持基板１を形成する。これにより、サスペンション用基板が得られる（図１６（ｇ））。
【００６６】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
【００６７】
図１７は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１７に示されるサスペンション４００は、上述したサスペンション用基板１００と、サスペンション用基板１００の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム３００とを有するものである。
【００６８】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、書込みおよび加熱のタイミングを精度良く制御可能なサスペンションとすることができる。
【００６９】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。
【００７０】
Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子および熱アシスト用素子と、を有することを特徴とするものである。
【００７１】
図１８は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１８に示される素子付サスペンション５００は、上述したサスペンション４００と、サスペンション４００（サスペンション用基板１００の記録再生用素子実装領域１０１）に実装された記録再生用素子４０１および熱アシスト用素子（図示せず）とを有するものである。
【００７２】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、書込みおよび加熱のタイミングを精度良く制御可能な素子付サスペンションとすることができる。
【００７３】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンション、記録再生用素子および熱アシスト用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明における記録再生用素子および熱アシスト用素子については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明の素子付サスペンションは、アクチュエータ素子を有していても良い。
【００７４】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
【００７５】
図１９は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１９に示されるハードディスクドライブ６００は、上述した素子付サスペンション５００と、素子付サスペンション５００がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク５０１と、ディスク５０１を回転させるスピンドルモータ５０２と、素子付サスペンション５００の素子を移動させるアーム５０３およびボイスコイルモータ５０４と、上記の部材を密閉するケース５０５とを有するものである。
【００７６】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００７７】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００７８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００７９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００８０】
［実施例１］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁部材）、厚さ９μｍの電解銅層（導体部材）を有する積層部材を準備した（図１１（ａ））。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から配線層を形成し（図１１（ｂ））、金属支持部材に治具孔を形成した。
【００８１】
その後、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した（図１１（ｃ））。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去し、絶縁層を形成した（図１１（ｄ））。次に、金属支持部材からの給電により、金属支持部材および配線層を電気的に接続するビア部（電解Ｎｉめっき）を形成した（図１１（ｅ））。次に、配線層の端子部に、電解Ａｕめっきにより保護用めっき部を形成した。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【００８２】
［実施例２］
まず、厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４（金属支持部材）、厚さ１０μｍのポリイミド樹脂層（絶縁部材）、厚さ９μｍの電解銅層（導体部材）を有する積層部材を準備した（図１６（ａ））。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から第一配線層を形成し（図１６（ｂ））、金属支持部材に治具孔を形成した。
【００８３】
その後、パターニングされた第一配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングにより第二絶縁層を形成した（図１６（ｃ））。次に、第二絶縁層側の表面に、スパッタリング法によりＣｒからなるシード層を形成した。次に、シード層上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する部分に、電解銅めっき法により、第二配線層を形成した（図１６（ｄ））。
【００８４】
シード層の除去後、パターニングされた第二配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した（図１６（ｅ））。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングで除去し、第一絶縁層を形成した（図１６（ｆ））。次に、金属支持部材からの給電により、金属支持部材および配線層を電気的に接続するビア部（電解Ｎｉめっき）を形成した。次に、配線層の端子部に、電解Ａｕめっきにより保護用めっき部を形成した。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【符号の説明】
【００８５】
１…金属支持基板、  １ａ…ジャンパー部、  ２…絶縁層、  ２ｘ…第一絶縁層、  ２ｙ…第二絶縁層、  ３…配線層、  ３ａ…端子部、  ３ｘ…第一配線層、  ３ｙ…第二配線層、  ４…カバー層、  ５…ビア部、  １００…サスペンション用基板、  １０１…記録再生用素子実装領域、  １０２…外部回路基板接続領域、  １０３…配線層、  ２１０…熱アシスト用素子、  ２２０…記録再生用素子
【図１】
2013120612.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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