(57)【要約】【課題】  導体配線パターン間をワイヤボンドまたはリボンボンドによって接続した場合、セラミック多層基板の製造完了後に、別工程でボンディング工程が発生すること、ボンディングエリアが確保できない細線では形成が不可能となること、及びセラミック多層基板の製造ばらつきによってボンディング不具合が発生すること、などの問題があった。【解決手段】  表層導体配線パターンを印刷後、ブリッジ配線する導体配線パターンの線上に、オーバーコートガラスを印刷し、乾燥した後、オーバーコートガラス上に配線パターン間を接続する導体配線パターンを印刷し、積層、焼成を行う。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表層に第１、第２、第３の導体配線パターンが形成された多層セラミック積層体上で、第３の導体配線パターン上にオーバーコートガラスを形成する工程、
上記オーバーコートガラス上に、上記第１、第２の導体配線パターンに接続される第４の導体配線パターンを形成する工程、
上記第１、第２、第３、第４の導体配線パターンの形成された多層セラミック積層体を焼成する工程、
を備えたセラミック多層基板の製造方法。
【請求項２】
表層に第１、第２、第３の導体配線パターンが形成された多層セラミック積層体と、
上記第３の導体配線パターン上に形成されたオーバーコートガラスと、
を備え、
上記オーバーコートガラス上に、上記第１、第２の導体配線パターンを接続する第４の導体配線パターンが形成されたセラミック多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、セラミック多層基板の製造方法、及びセラミック多層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波回路では、セラミック多層基板上に結合器や分配器などの高周波回路を形成するため、導体配線パターン間をワイヤボンドまたは金属のリボンボンドによってボンディングする（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、ワイヤボンドやリボンボンドによるボンディングの代わりに、セラミック多層基板上にエアブリッジ配線を形成して、導体配線パターン間の接続が行われている（例えば、特許文献２、３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２４２７１９号公報
【特許文献２】特開平７−３２１４２５号公報
【特許文献３】特開２００６−４１１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、セラミック多層基板に印刷回路を形成し、高周波回路を載置した後、別工程で高周波回路と配線パターンのボンディングが行われていた。このため、セラミック多層基板の製造とは別工程でボンディング工程を設ける必要があった。また、ボンディングエリアを確保することのできない細線の導体配線パターンでは、ボンディング作業が困難になるという問題があった。さらに、セラミック多層基板の製造ばらつきによってボンディングの不具合が発生し得ること、ボンディング作業のばらつきによって電気特性が変化すること、などの問題点があった。
【０００６】
また、エアブリッジ配線を用いる場合、エアブリッジ配線用の金属膜層及びフォトレジストの形成工程が必要となり、工程が煩雑化するという問題があった。さらに、レジスト及び金属膜層の除去時において、セラミック多層基板上の導体と基材間の膜密着強度が低下する可能性があるという問題があった。
【０００７】
この発明は係る課題を解決するためになされたものであり、ワイヤボンドもしくはリボンボンドや、フォトレジスト形成によるエアブリッジ配線を形成しなくても、印刷回路形成によって簡易に導体配線間の接続を行うセラミック多層基板を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明によるセラミック多層基板の製造方法は、表層に第１、第２、第３の導体配線パターンが形成された多層セラミック積層体上で、第３の導体配線パターン上にオーバーコートガラスを形成する工程、上記オーバーコートガラス上に、上記第１、第２の導体配線パターンに接続される第４の導体配線パターンを形成する工程、上記第１、第２、第３、第４の導体配線パターンの形成された多層セラミック積層体を焼成する工程、を備えたものである。
【０００９】
また、この発明によるセラミック多層基板は、表層に第１、第２、第３の導体配線パターンが形成された多層セラミック積層体と、上記第３の導体配線パターン上に形成されたオーバーコートガラスと、を備え、上記オーバーコートガラス上に、上記第１、第２の導体配線パターンを接続する第４の導体配線パターンが形成されたものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、ワイヤボンドまたはリボンボンドなどによる導体配線パターン間の配線を不要とし、かつセラミック多層基板の形成工程にて配線パターンが形成されるので、製造工程を抑えて導体配線パターン間の配線を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１によるセラミック多層基板の構成を示す図である。
【図２】実施の形態１によるセラミック多層基板の構成を示す断面図である。
【図３】実施の形態１によるセラミック多層基板の配線プロセスを示す断面図である。
【図４】実施の形態１によるセラミック多層基板の配線プロセスを示す上面図である。
【図５】実施の形態１によるセラミック多層基板の配線プロセスを示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１は、この発明に係る実施の形態１によるセラミック多層基板の構成を示す図である。図２は、実施の形態１によるセラミック多層基板の構成を示すＡＡ矢視断面図である。図１、２において、セラミック多層基板１は、セラミックからなる多層セラミック積層体である多層誘電体積層体１０の表層上に、第１の導体配線パターンである導体配線パターン２、第２の導体配線パターンである導体配線パターン３、及び第３の導体配線パターンである導体配線パターン４が印刷形成されている。導体配線パターン２、３、４は互いに離間して配置される。図１の例では、導体配線パターン２、３、４の長手方向（信号伝送方向）が並行になるように配向されている。
【００１３】
また、導体配線パターン２、３の間において、多層誘電体積層体１０の表層及び表層の導体配線パターン４の上に、ガラス層からなるオーバーコートガラス５が形成されている。図１の例では、直方形状のオーバーコートガラス５が、導体配線パターン２、３の間を繋いで橋渡しするように多層誘電体積層体１０の表面を覆い、導体配線パターン４上を横切るように跨って配置されている。さらに、表層の導体配線パターン２、３、及びオーバーコートガラス５の上に、ブリッジ配線用の第４の導体配線パターンである導体配線パターン６が印刷形成されている。図１の例では、導体配線パターン６は、その長手方向（信号伝送方向）が、導体配線パターン２、３の長手方向（信号伝送方向）に対して直交するように配向されている。また、導体配線パターン２の端部が導体配線パターン６の一端部に電気的に接続され、導体配線パターン３の端部が導体配線パターン６の他端部に電気的に接続される。このとき、導体配線パターン２及び導体配線パターン３は導体配線パターン４には接続されず非導通となり、導体配線パターン６が導体配線パターン２と導体配線パターン３のブリッジ配線を形成する。これによって、導体配線パターン２、３が導体配線パターンによって電気的に接続されるので、導体配線パターン６を介して導体配線パターン２、３の間でＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号を伝送することが可能となる。
【００１４】
図３は、実施の形態１によるセラミック多層基板の配線プロセスを示す図であり、（ａ）は導体配線パターン２、３、４の形成する工程、（ｂ）はオーバーコートガラス５を形成する工程、（ｃ）は導体配線パターン６を形成する工程を示す。図４は、実施の形態１による導体配線パターン２、３、４の形成後を示す上面図である。図５は、実施の形態１によるオーバーコートガラス５の形成後を示す上面図である。以下、図３乃至５を用いてセラミック多層基板の配線プロセスを説明する。
【００１５】
まず、図３（ａ）に示す工程では、セラミックグリーンシートを多層に積層して多層誘電体積層体１０を形成し、その上に導体ペーストを厚膜で印刷塗布することにより、予め導体配線パターン２、３、４を印刷形成する。この状態では、図４に示すように導体配線パターン２、３、４が形成される。
【００１６】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、多層誘電体積層体１０及び表層の導体配線パターン４の上に、ガラスペースト層を厚膜で印刷塗布し、乾燥することにより、オーバーコートガラス５を形成する。この状態では、図５に示すように導体配線パターン４上にオーバーコートガラス５が印刷形成される。
【００１７】
次いで、図３（ｃ）に示す工程では、表層の導体配線パターン２、３及び導体配線パターン４の上に、導体ペーストを厚膜で印刷塗布することで、導体配線パターン２、３を接続するための導体配線パターン６を印刷形成する。その後、導体配線パターン２、３、４、６、及びオーバーコートガラス５の形成された多層誘電体積層体１０を積層プレスし、例えば８００℃から９００℃の温度で低温焼成することによって、セラミック多層基板１が形成される。
【００１８】
このように構成することで、セラミック多層基板１における、積層、印刷、及び焼成の一連の製造工程内で配線が完了することができる。また、通常のセラミック多層基板１の製造工程に対しても、印刷、及び乾燥回数が数回増加する程度の工程数の増加に抑えることができるとともに、ボンディング工程を削除することができる。
【００１９】
また、セラミック多層基板１の印刷工程内でブリッジ配線を形成できるので、配線パターンを細線化することができる。このため、通常ではボンディングによる配線が不可能である箇所にもブリッジ配線を適用することによって、所望の電気特性を得ることが可能となる。
【００２０】
なお、このような細線化を行う場合、多層誘電体積層体１０上に導体のベタ面を形成した後、Surface And Interfacial Cutting Analysis System（ＳＡＩＣＡＳ）を用いたＳＡＩＣＡＳ装置を使用することで、ベタ面を所望のラインパターンに切削加工してセラミック多層基板１を形成しても良い。これによって、印刷時のラインがたつきにより所望の配線が得られなくなることを抑え、細線化した導体配線パターン２、３、４を得ることができる。
【００２１】
ところでこのような細線化は、例えば特許文献２、３に示すようなフォトレジスト法によって形成することも可能である。しかしながらフォトレジスト法による細線の形成は、セラミック多層基板の印刷及び焼成工程が完了した後、金属層形成及びフォトレジスト形成工程を追加することによって行われる。このため工程の煩雑化、またはレジスト及び金属膜層除去によるセラミック多層基板上の膜密着強度の低下を生じる可能性がある。従って、実施の形態１によるセラミック多層基板１の製造方法の方が、製造工程が少なくなり、かつ導体配線パターンの密着強度の低下を抑えることができる点で、フォトレジスト法に比べてより有利な効果が得られる。
【００２２】
以上説明した通り、実施の形態１によるセラミック基板の製造方法は、表層に第１、第２、第３の導体配線パターン２、３、４が形成され、セラミックグリーンシートが積層されてなる多層セラミック積層体である多層誘電体積層体１０上で、第３の導体配線パターン４上にオーバーコートガラス５を形成する工程、上記オーバーコートガラス５上に、上記第１、第２の導体配線パターン２、３に接続される第４の導体配線パターン６を形成する工程、上記第１、第２、第３、第４の導体配線パターン２、３、４、６の形成された多層誘電体積層体１０を焼成する工程、を備えている。
【００２３】
このように、実施の形態１によるセラミック多層基板１は、多層誘電体積層体１０の表層の導体配線パターン２、３、４上にオーバーコートガラス５を形成し、さらにオーバーコートガラス５上に導体配線パターン６が形成され、積層及び焼成されて形成されることにより、セラミック多層基板上において、導体配線パターン間のワイヤボンド、またはリボンボンドなどのボンディングによる配線を不要とすることができる。また、セラミック多層基板の製造工程内で配線パターン形成が完了するので、工程数の増加を抑えてブリッジ配線を形成することが可能となる。さらに、ワイヤボンドやリボンボンドに起因する、不着やはがれなどの品質不具合をなくすことができる。さらに、ワイヤボンドやリボンボンドを打てないような細線パターン間であっても、配線を行うことができる。
【符号の説明】
【００２４】
１  セラミック多層基板、２、３、４  導体配線パターン、５  オーバーコートガラス、６  導体配線パターン、１０  多層誘電体積層体（多層セラミック積層体）。
【図１】
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【図２】
2013162001.tif 000004
【図３】
2013162001.tif 000005
【図４】
2013162001.tif 000006
【図５】
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