【手続補正書】
【提出日】平成28年2月5日(2016.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）ブロックコポリマー膜を基材上にコーティングするステップ、
ｂ）気相中で蒸着させることによって、トップコートを前記ブロックコポリマーの上端に塗布するステップ、および
ｃ）アニーリングステップ
により、ブロックコポリマーのドメイン配向を達成するための方法。
【請求項２】
前記アニーリングが溶媒蒸気への曝露による、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アニーリングが加熱による、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基材が、２つのブロックの表面エネルギーの間の表面エネルギーを有する基材表面エネルギー中和層でコーティングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基材表面エネルギー中和層が、
（ａ）高Ｔｇポリマー、（ｂ）架橋ポリマー、（ｃ）蒸着したポリマー、例えば、パリレン、（ｄ）シリル化剤の小分子誘導体、および（ｅ）ポリマーを基材に末端付加させることによるポリマーブラシ
からなる群から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ブロックコポリマーが少なくとも１０重量％のケイ素を有するブロックを含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記トップコートが有機物である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記トップコートが無機酸化物である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記トップコートがパリレンである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記トップコートがパリレン誘導体である、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明が特定のケイ素含有モノマーまたはコポリマーに制限されることは意図されていない。例示的モノマーは図１に示されている。
本発明の実施形態において、例えば以下の項目が提供される。
（項目１）
ａ）ブロックコポリマー膜を基材上にコーティングするステップ、
ｂ）気相中で蒸着させることによって、トップコートを前記ブロックコポリマーの上端に塗布するステップ、および
ｃ）アニーリングステップ
により、ブロックコポリマーのドメイン配向を達成するための方法。
（項目２）
前記アニーリングが溶媒蒸気への曝露による、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記アニーリングが加熱による、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記基材がケイ素を含む、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記基材がシリコンウェハーである、項目４に記載の方法。
（項目６）
前記基材がクオーツである、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記基材がガラスである、項目１に記載の方法。
（項目８）
前記基材がプラスチックである、項目１に記載の方法。
（項目９）
前記基材が透明な基材である、項目１に記載の方法。
（項目１０）
前記基材がロールツーロール基材である、項目１に記載の方法。
（項目１１）
前記基材が、２つのブロックの表面エネルギーの間の表面エネルギーを有する基材表面エネルギー中和層でコーティングされる、項目１に記載の方法。
（項目１２）
前記基材表面エネルギー中和層が、
（ａ）高Ｔｇポリマー、（ｂ）架橋ポリマー、（ｃ）蒸着したポリマー、例えば、パリレン、（ｄ）シリル化剤の小分子誘導体、および（ｅ）ポリマーを基材に末端付加させることによるポリマーブラシ
からなる群から選択される、項目１１に記載の方法。
（項目１３）
前記ブロックコポリマーが少なくとも１０重量％のケイ素を有するブロックを含有する、項目１に記載の方法。
（項目１４）
前記トップコートが有機物である、項目１に記載の方法。
（項目１５）
前記トップコートが無機酸化物である、項目１に記載の方法。
（項目１６）
前記トップコートがパリレンである、項目１に記載の方法。
（項目１７）
前記トップコートがパリレン誘導体である、項目１に記載の方法。
（項目１８）
前記パリレンが、パリレンＮ、パリレンＤ、パリレンＣ、パリレンＨＴ（登録商標）、およびパリレンＸからなる群から選択される、項目１６に記載の方法。
（項目１９）
ｄ．ナノ構造が形成するような条件下で前記層状構造を処理するステップをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目２０）
前記処理がアニーリングを含む、項目１９に記載の方法。
（項目２１）
前記アニーリングが加熱を含む、項目２０に記載の方法。
（項目２２）
ｅ．前記トップコートおよび前記ブロックコポリマーの一部が除去され、前記ナノ構造が露出するような条件下で前記層状構造をエッチングするステップ
をさらに含む、項目１９に記載の方法。
（項目２３）
前記ブロックコポリマーが、リソグラフィックパターニングプロセスにおいてエッチングマスクとして使用することができるナノ構造材料を形成する、項目１に記載の製品。
（項目２４）
第３のモノマーが準備され、前記ブロックコポリマーがトリブロックコポリマーである、項目１に記載の方法。
（項目２５）
項目２２に記載のプロセスに従い作製された、エッチングされたナノ構造。
（項目２６）
前記エッチングが酸素エッチングを含む、項目２２に記載の方法。
（項目２７）
前記ナノ構造が、ラメラ、シリンダー、垂直に整列しているシリンダー、水平に整列しているシリンダー、球、ジャイロイド、ネットワーク構造、および階層ナノ構造からなる群から選択される、項目２２に記載の方法。
（項目２８）
前記ナノ構造が、シリンダー状構造を含み、前記シリンダー状構造が前記表面の面に対して実質的に垂直に整列している、項目２２に記載の方法。
（項目２９）
前記層の表面エネルギーが変化するように、構成成分の比率を変化させることができる、項目１に記載の方法。
（項目３０）
前記処理組成物に熱的アニーリングを行うと前記表面エネルギーが切り替わる、項目１に記載の方法。
（項目３１）
前記表面エネルギー中和層を塗布することが、
ｉ）前記表面エネルギー中和層ポリマーを溶媒中に溶解するステップ；
ｉｉ）前記表面エネルギー中和層ポリマーを前記表面上にスピンコーティングするステップ；
ｉｉｉ）２５０℃に５分間曝露することによって架橋するステップ；および
ｉｖ）続いて溶媒で洗浄するステップ
を含む、項目１１に記載の方法。
（項目３２）
前記溶媒がトルエンである、項目３１に記載の方法。
（項目３３）
表面の上に第１の層、第２の層および第３の層を含む層状構造であって、前記第１の層が表面エネルギー中和層を含み、前記第２の層がブロックコポリマー膜を含み、前記第３の層がパリレンを含む、層状構造。
（項目３４）
前記表面がケイ素を含む、層状構造。
（項目３５）
トップコートをブロックコポリマー膜に塗布することによって、層状構造を作る方法であって、
ａ．表面と、表面エネルギー中和層と、ブロックコポリマーと、パリレンを含む組成物とを準備するステップ；
ｂ．前記表面上に第１の層が作られるような条件下で、前記表面を処理するステップであって、前記層が架橋ポリマーを含むステップ；
ｃ．ブロックコポリマー膜を含む第２の層が前記表面上に作られるような条件下で、前記第１の層をブロックコポリマーでコーティングするステップ；ならびに
ｄ．前記組成物を真空蒸着により前記第２の層上に蒸着させて、前記表面上に第３の層を作るステップであって、前記第３の層が前記ブロックコポリマー膜表面上にトップコートを含み、前記第１の層、第２の層および第３の層の層が層状構造を構成するステップ
を含む方法。
（項目３６）
ｅ．ナノ構造が形成するような条件下で前記層状構造を処理するステップをさらに含む、項目３５に記載の方法。
（項目３７）
前記処理がアニーリングを含む、項目３６に記載の方法。
（項目３８）
前記アニーリングが加熱を含む、項目３７に記載の方法。
（項目３９）
ｆ．前記トップコートおよび前記ブロックコポリマーの一部が除去され、前記ナノ構造が露出するような条件下で前記層状構造をエッチングするステップ
をさらに含む、項目３６に記載の方法。
（項目４０）
前記エッチングが酸素エッチングを含む、項目３９に記載の方法。
（項目４１）
前記ナノ構造がシリンダー状構造を含み、前記シリンダー状構造が前記表面の面に対して実質的に垂直に整列している、項目３６に記載の方法。
（項目４２）
前記ブロックコポリマーが、少なくとも２種のモノマー由来のポリマーから作製される、項目３５に記載の方法。
（項目４３）
前記ナノ構造がシリンダー状構造を含み、前記シリンダー状構造が前記表面の面に対して実質的に垂直に整列している、項目３６に記載の方法。
（項目４４）
前記表面がシリコンウェハー上にある、項目３５に記載の方法。
（項目４５）
表面エネルギー中和層ポリマーが、前記シリコンウェハーの表面上にスピンコーティング処理により蒸着される、項目３５に記載の方法。
（項目４６）
前記ブロックコポリマーが、リソグラフィックパターニングプロセスにおいてエッチングマスクとして使用することができるナノ構造材料を形成する、項目３５に記載の製品。
（項目４７）
第３のモノマーが準備され、前記ブロックコポリマーがトリブロックコポリマーである、項目３５に記載の方法。
（項目４８）
項目３９に記載のプロセスに従い作製された、エッチングされたナノ構造。