【手続補正書】
【提出日】平成28年5月27日(2016.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含んでなる回路基板であって、
前記第１の像形成された金属層と前記第１のポリイミドカバーレイとの間に接着層が存在せず、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、前記第１のポリイミドカバーレイが、前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に積層される場合、前記第１のポリイミドカバーレイが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、
前記第１の電気絶縁層が、３００〜３８０℃の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である、回路基板。
【請求項２】
前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層が銅である、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１の電気絶縁層の前記第２の面上に第２の像形成された金属層をさらに含んでなる、請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイをさらに含んでなり、
前記第２の像形成された金属層と前記第２のポリイミドカバーレイとの間に接着層が存在せず、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、前記第２のポリイミドカバーレイが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に積層される場合、前記第２のポリイミドカバーレイが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する、請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層または両方が銅である、請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、請求項５に記載の回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３１２】
【表３】
2015528204.tif 000001
以下、本明細書に記載の種な発明について列記する。
（１）  ａ．第１の面と、第２の面とを有する第１の電気絶縁層、
ｂ．第１の像形成された金属層、
ｃ．１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に直接接触する第１のポリイミドカバーレイ
を含んでなる回路基板であって、
前記第１の像形成された金属層と前記第１のポリイミドカバーレイとの間に接着層が存在せず、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、前記第１のポリイミドカバーレイが、前記第１の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第１の面の露出した領域に積層される場合、前記第１のポリイミドカバーレイが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有し、
前記第１の電気絶縁層が、３００〜３８０℃の前記積層温度に耐えることができる任意の電気絶縁材料である、回路基板。
（２）  前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（３）  前記第１の像形成された金属層が銅である、（１）に記載の回路基板。
（４）  前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層が銅である、（１）に記載の回路基板。
（５）  前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（６）  前記第１のポリイミドカバーレイが、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（７）  前記第１のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（８）  前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイに存在する、（７）に記載の回路基板。
（９）  前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（７）に記載の回路基板。
（１０）  前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（１１）  前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、前記第１の像形成された金属層が銅であり、かつ前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックまたは１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる、（１０）に記載の回路基板。
（１２）  前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、前記第１の像形成された金属層が銅であり、かつ前記第１のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなり、前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイに存在する、（１０）に記載の回路基板。
（１３）  前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、前記第１の像形成された金属層が銅であり、かつ前記第１のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなり、前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（１０）に記載の回路基板。
（１４）  前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１０）に記載の回路基板。
（１５）  前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１０）に記載の回路基板。
（１６）  前記第１の電気絶縁層の前記第２の面上に第２の像形成された金属層をさらに含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（１７）  １００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなり、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に直接接触する第２のポリイミドカバーレイをさらに含んでなり、
前記第２の像形成された金属層と前記第２のポリイミドカバーレイとの間に接着層が存在せず、かつ
３００〜３８０℃の積層温度および１５０ｐｓｉ（１０．５５ｋｇ／ｃｍ）〜４００ｐｓｉ（２８．１３ｋｇ／ｃｍ）の圧力において、前記第２のポリイミドカバーレイが、前記第２の像形成された金属層および前記第１の電気絶縁層の前記第２の面の露出した領域に積層される場合、前記第２のポリイミドカバーレイが、ＩＰＣ−ＴＭ−６５０−２．４．９ｄに従って測定される、０．７〜２Ｎ／ｍｍの剥離強度を有する、（１６）に記載の回路基板。
（１８）  前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（１９）  前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層または両方が銅である、（１７）に記載の回路基板。
（２０）  前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層または両方が銅である、（１７）に記載の回路基板。
（２１）  前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（２２）  前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（２３）  前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が顔料および艶消し剤を含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（２４）  前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方に存在する、（２３）に記載の回路基板。
（２５）  前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（２３）に記載の回路基板。
（２６）  前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる（１７）に記載の回路基板。
（２７）  前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（２８）  前記第２のポリイミドカバーレイ中の前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で存在する、（２７）に記載の回路基板。
（２９）  前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（２７）に記載の回路基板。
（３０）  前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（３１）  前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（３２）  前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層または両方が銅である、（３０）に記載の回路基板。
（３３）  前記第１の電気絶縁層が、１〜５５重量パーセントの熱伝導性充填剤、誘電性充填剤またはそれらの混合物を含んでなり、かつ前記第１の像形成された金属層、前記第２の像形成された金属層または両方が銅である、（３０）に記載の回路基板。
（３４）  前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（３５）  前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（３６）  前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方が顔料および艶消し剤を含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（３７）  前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記低伝導率カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で前記第１のポリイミドカバーレイ、前記第２のポリイミドカバーレイまたは両方に存在する、（３６）に記載の回路基板。
（３８）  前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（３６）に記載の回路基板。
（３９）  前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが、１０〜６０重量パーセントの量で存在する非カーボンブラック顔料を含んでなる（３０）に記載の回路基板。
（４０）  前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（４１）  前記第２のポリイミドカバーレイ中の前記顔料および前記艶消し剤が両方とも低伝導率カーボンブラックであり、かつ前記カーボンブラックが、２〜２０重量パーセントの量で存在する、（４０）に記載の回路基板。
（４２）  前記第１のポリイミドカバーレイが、２〜９重量パーセントの量で存在する低伝導率カーボンブラックを含んでなり、かつ前記第２のポリイミドカバーレイが顔料および艶消し剤を含んでなり、かつ前記艶消し剤がポリイミド粒子である、（４０）に記載の回路基板。
（４３）  前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（４４）  前記第１の電気絶縁層が、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミド、または１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、１００モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（３０）に記載の回路基板。
（４５）  前記第２のポリイミドカバーレイが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（４６）  前記第２のポリイミドカバーレイが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１７）に記載の回路基板。
（４７）  前記第１のポリイミドカバーレイが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、４０〜９０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび１０〜６０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。
（４８）  前記第１のポリイミドカバーレイが、１００モル％の３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２０〜３０モル％の２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンおよび７０〜８０モル％の４，４’−オキシジアニリンから誘導されるポリイミドを含んでなる、（１）に記載の回路基板。