【手続補正書】
【提出日】平成28年4月4日(2016.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と、
（Ｉ）    Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3    ここでxは０．２２〜０．３８として定義、
若しくは
（ＩＩ）    Pb(Zn1/3Nb2/3)1-y TiO3    ここでy は０．０４〜０．１１として定義され、
全ての前記結晶素子は、最大６％（質量％）のランタン（Ｌａ）、アンチモン（Ｓｂ）、最大８％(質量％）のタンタル（Ｔａ）、最大３１％(質量％）のインジウム（Ｉｎ）、最大５％(質量％）のジルコニウム（Ｚｒ）及びセリウム（Ｃｅ）、エルビウム（Ｅｒ）．テルビウム（Ｔｂ），スカンジウム（Ｓｃ）並びにネオジム（Ｎｄ）からなる群から選択された最大８％(質量％）の少なくとも一つの希土類元素と一緒にドープ又は共ドープする工程と、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、
９５°C以下の温度範囲で２倍以下の保磁力（Ｅｃ）で<０１１>方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造に偏光化する工程と、 
横モード結晶素子を提供する工程とを含み、及び
前記横モード結晶素子が、＜０１１＞偏光を提供し、室温２０°Cで５２７ｐｍ／Vより大きな横有効Ｅ−Ｏ係数γTc 及び８７．５Ｖ（ｌ／ｄ＝１）よりも低い半波電圧VTπを与えることを特徴とする電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項２】
前記偏光化工程が単一ドメインおよびマルチナノドメイン構造の一つをもたらすことを特徴とする請求項1に記載の電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項３】
更に、前記作成された結晶素子をさいの目にすることを行う工程と、
前記結晶素子の研磨と光学的仕上げを行う工程とを含むことを特徴とする請求項1に記載の電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項４】
更に、前記結晶素子を電極化する工程を含むことを特徴とする請求項3に記載の電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項５】
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と、
（Ｉ）    Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3 ここでxは０．２２〜０．３８として定義、
若しくは 
（ＩＩ）    Pb(Zn1/3Nb2/3)1-y TiO3 ここでy は０．０４〜０．１１として定義され、
全ての前記結晶素子は、最大６％（質量％）のランタン（Ｌａ）、アンチモン（Ｓｂ）、最大８％(質量％）のタンタル（Ｔａ）、最大３１％(質量％）のインジウム（Ｉｎ）、最大５％(質量％）のジルコニウム（Ｚｒ）及びセリウム（Ｃｅ）、エルビウム（Ｅｒ）．テルビウム（Ｔｂ），スカンジウム（Ｓｃ）並びにネオジム（Ｎｄ）からなる群から選択された最大８％(質量％）の少なくとも一つの希土類元素と一緒にドープ又は共ドープする工程と、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、
９５°C以下の温度範囲で２倍以下の保磁力（Ｅｃ）で<０１１>方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造に偏光化する工程と、
縦モード結晶素子を提供する工程と、 
前記縦モード結晶素子上に透明電極をコーティングする工程とを含み、及び
前記縦モード結晶素子が、室温２０°Cで４２７ｐｍ／Ｖより大きな縦有効Ｅ−Ｏ係数γTc  及び３００Ｖよりも低いVTπの＜０１１＞偏光化を提供することを特徴とする電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項６】
前記偏光化工程が単一ドメインおよびマルチナノドメイン構造の一つをもたらすことを特徴とする請求項5に記載の電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項７】
更に、前記作成された結晶素子をさいの目にすることを行う工程と、
前記結晶素子の研磨と光学的仕上げを行う工程とを含むことを特徴とする請求項5に記載の電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項８】
更に、前記結晶素子を電極化する工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項９】
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と、
（ＩＩＩ）    y*[Pb(In1/2Nb 1/2)O3]-(1-y)*[Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3]
ここでｘは、０．０〜０．３５として定義、
ｙは０．０〜０．３５として定義され、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、 
９５°C以下の温度範囲で２倍以下の保磁力（Ｅｃ）で<０１１>方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造に偏光化する工程と、
横モード結晶素子を提供する工程とを含み、及び 
前記横モード結晶素子が、＜０１１＞偏光を提供し、室温２０°Cで５００ｐｍ／Ｖより大きな横有効Ｅ−Ｏ係数γTc 及び１２ Ｖ （ｌ／ｄ＝７）よりも低い半波電圧VTπを与えることを特徴とする電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１０】
前記偏光化工程が単一ドメインおよびマルチナノドメイン構造の一つをもたらすことを特徴とする請求項９に記載の電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１１】
更に、前記作成された結晶素子をさいの目にすることを行う工程と、
前記結晶素子の研磨と光学的仕上げを行う工程とを含むことを特徴とする請求項９に記載の電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１２】
更に、前記結晶素子を電極化する工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１３】
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と、
（ＩＩＩ）    y*[Pb(In1/2Nb 1/2)O3]-(1-y)*[Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3] 
ここでｘは、０．０〜０．３５として定義、
ｙは０．０〜０．３５として定義され、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、 
９５°C以下の温度範囲で２倍以下の保磁力（Ｅｃ）で<０１１>方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造に偏光化する工程と、
縦モード結晶素子を提供する工程と、
前記縦モード結晶素子上に透明電極をコーティングする工程とを含み、及び
前記縦モード結晶素子が、室温２０°Cで４２７ｐｍ／Ｖより大きな縦有効Ｅ−Ｏ係数γTc  及び３００Vよりも低いVTπの＜０１１＞偏光を提供することを特徴とする電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１４】
前記偏光化工程が単一ドメインおよびマルチナノドメイン構造の一つをもたらすことを特徴とする請求項１３に記載の電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１５】
更に、前記作成された結晶素子をさいの目にすることを行う工程と、
前記結晶素子を研磨し、光学的仕上げを行う工程と、それによって前記電気光学結晶素子を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１３に記載の電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１６】
更に、前記結晶素子を電極化する工程を含むことを特徴とする請求項１５に記載の電気光学結晶素子を製造する方法。
【請求項１７】
電気光学システムが、
前記システムが振幅変調器および位相変調器の一つであって、
下記の工程を含む方法によって製造された縦モード電気光学結晶素子から構成され、
工程が、
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と、
（ＩＩＩ）    y*[Pb(In1/2Nb 1/2)O3]-(1-y)*[Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3]
ここでxは、０．０〜０．３５として定義、
ｙは０．０〜０．３５として定義され、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、
９５°C以下の温度範囲で２倍以下の保磁力（Ｅｃ）で＜０１１＞方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造に偏光化する工程とを含み、及び
室温２０°Cで４２７ｐｍ／Ｖより大きい縦有効Ｅ−Ｏ係数γTc及び３００Ｖよりも低いVTπの＜０１１＞偏光を提供するための手段を含む前記縦モード結晶素子であることを特徴とする電気光学システム。
【請求項１８】
電気光学システムが、
前記システムが振幅変調器および位相変調器の一つであって
下記に記載の工程を含む方法によって製造された横モード電気光学結晶素子から構成され、
工程が、
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と、
（Ｉ）    Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3    ここでxは０．２２〜０．３８として定義、
若しくは
（ＩＩ）    Pb(Zn1/3Nb2/3)1-y TiO3    ここでy は０．０４〜０．１１として定義され、
全ての前記結晶素子は、最大６％（質量％）のランタン（Ｌａ）、アンチモン（Ｓｂ）、最大８％(質量％）のタンタル（Ｔａ）、最大３１％(質量％）のインジウム（Ｉｎ）、最大５％(質量％）のジルコニウム（Ｚｒ）及びセリウム（Ｃｅ）、エルビウム（Ｅｒ）．テルビウム（Ｔｂ），スカンジウム（Ｓｃ）並びにネオジム（Ｎｄ）からなる群から選択された最大８％(質量％）の少なくとも一つの希土類元素と一緒にドープ又は共ドープする工程と、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、 
９５°C以下の温度範囲で２倍以下の保磁力（Ｅｃ）で＜０１１＞方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造に偏光化する工程とを含み、及び
＜０１１＞偏光を提供し、室温２０°Cで５ｐｍ／Ｖより大きな横有効Ｅ−Ｏ係数γTc  及び８７．５Ｖ(ｌ／ｄ＝１）よりも低い半波電圧VTπを与えるための手段を含む前記横モード結晶素子であることを特徴とする電気光学システム。
【請求項１９】
電気光学システムが、
前記システムが振幅変調器および位相変調器の一つであって、
下記に記載の工程を含む方法によって製造された横モード電気光学結晶素子から構成され、
工程が、
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と、
（ＩＩＩ）    y*[Pb(In1/2Nb 1/2)O3]-(1-y)*[Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3]
ここでｘは、０．０〜０．３５として定義、
yは０．０〜０．３５として定義され、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、
９５°C以下の温度範囲で２倍以下の保磁力（Ｅｃ）で＜０１１＞方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造に偏光化する工程とを含み、及び
＜０１１＞偏光を提供し、室温２０°Cで５００ｐｍ／Ｖより大きな横有効Ｅ−Ｏ係数γTc及び１２Ｖ（ｌ／ｄ＝７）よりも低い半波電圧VTπを与えるための手段を含む前記横モード結晶素子であることを特徴とする電気光学システム。
【請求項２０】
電気光学システムが、
前記システムが振幅変調器および位相変調器の一つであって、
下記に記載の方法によって製造された縦モード電気光学結晶素子から構成され、
工程が、
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と
（I） Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3    ここでｘは０．２２〜０．３８として定義、
若しくは
（ＩＩ）    Pb(Zn1/3Nb2/3)1-y TiO3    ここでy は０．０４〜０．１１として定義され、
全ての前記結晶素子は、最大６％（質量％）のランタン（Ｌａ）、アンチモン（Ｓｂ）、最大８％(質量％）のタンタル（Ｔａ）、最大３１％(質量％）のインジウム（Ｉｎ）、最大５％(質量％）のジルコニウム（Ｚｒ）及びセリウム（Ｃｅ）、エルビウム（Ｅｒ）．テルビウム（Ｔｂ），スカンジウム（Ｓｃ）並びにネオジム（Ｎｄ）からなる群から選ばれた最大８％(質量％）の少なくとも一つの希土類元素と一緒にドープ又は共ドープする工程と、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、
９５°C以下の温度範囲で２倍以下の保磁力（Ｅｃ）で＜０１１＞方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造に偏光化する工程とを含み、及び
＜０１１＞偏光を提供し、室温２０°Cで５ｐｍ／Ｖより大きな横有効Ｅ−Ｏ係数γTc   及び８７．５Ｖ（ｌ／ｄ＝１）よりも低い半波電圧VTπを与えるための手段を含む前記横モード結晶素子であることを特徴とする電気光学システム。
【請求項２１】
レーザービーム用電気光学変調器が、
電気光学結晶素子の（０１１）表面のマッハツエンダー干渉計変調器と、
下記に記載の方法によって製造された前記電気光学結晶素子から構成され、
工程が、
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と；
（I）    Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3    ここでxは０．２２〜０．３８として定義、
若しくは 
（ＩＩ）    Pb(Zn1/3Nb2/3)1-y TiO3    ここでy は０．０４〜０．１１として定義され、
全ての前記結晶素子は、最大６％（質量％）のランタン（Ｌａ）、アンチモン（Ｓｂ）、最大８％(質量％）のタンタル（Ｔａ）、最大３１％(質量％）のインジウム（Ｉｎ）、最大５％(質量％）のジルコニウム（Ｚｒ）及びセリウム（Ｃｅ）、エルビウム（Ｅｒ）．テルビウム（Ｔｂ），スカンジウム（Ｓｃ）並びにネオジム（Ｎｄ）からなる群から選択された最大８％(質量％）の少なくとも一つの希土類元素と一緒にドープ又は共ドープする工程と、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、
９５°C以下の温度範囲で２倍以下の保磁力（Ｅｃ）で＜０１１＞方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造に偏光化する工程とを含み、
横モード結晶素子を提供する工程と、
前記横モード結晶素子が、＜０１１＞偏光を提供し、室温２０°Cで５２７ｐｍ／Ｖより大きな横有効Ｅ−Ｏ係数γTc 及び８７．５Ｖ（ｌ／ｄ＝１）よりも低い半波電圧VTπを与える工程とを含むことを特徴とするレーザービーム用電気光学変調器。
【請求項２２】
レーザービーム用電気光学変調器が、
電気光学結晶素子の（０１１）表面のマッハツエンダー干渉計変調器と、
下記に記載の方法によって製造された前記電気光学結晶素子から構成され、
工程が
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程と；
（I）    Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3    ここでxは０．２２〜０．３８として定義、
若しくは 
（ＩＩ）    Pb(Zn1/3Nb2/3)1-y TiO3    ここでy は０．０４〜０．１１として定義され、
全ての前記結晶素子は、最大６％（質量％）のランタン（Ｌａ）、アンチモン（Ｓｂ）、最大８％(質量％）のタンタル（Ｔａ）、最大３１％(質量％）のインジウム（Ｉｎ）、最大５％(質量％）のジルコニウム（Ｚｒ）及びセリウム（Ｃｅ）、エルビウム（Ｅｒ）．テルビウム（Ｔｂ），スカンジウム（Ｓｃ）並びにネオジム（Ｎｄ）からなる群から選ばれた最大８％(質量％）の少なくとも一つの希土類元素と一緒にドープ又は共ドープする工程と、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、
９５°C以下の温度範囲で２倍以下の保磁力（Ｅｃ）で＜０１１＞方向に前記結晶素子をポーリングことによってｍｍ２対称構造に偏光化する工程とを含み、
縦モード結晶素子を提供する工程と、
前記縦モード結晶素子上に透明電極をコーティングする工程と、
前記縦モード結晶素子が、室温２０°Cで４２７ｐｍ／Ｖより大きな縦有効Ｅ−Ｏ係数γTc  及び３００Ｖ よりも低いVTπの＜０１１＞偏光化を提供する工程とを含むことを特徴とするレーザービーム用電気光学変調器。
【請求項２３】
レーザービーム用電気光学変調器が、 
電気光学結晶素子の（０１１）表面のマッハツエンダー干渉計変調器と、
下記に記載の方法によって製造された前記電気光学結晶素子から構成され、
工程が、
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程
（ＩＩＩ）    y*[Pb(In1/2Nb 1/2)O3]-(1-y)*[Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3]
ここでｘは、０．０〜０．３５として定義、
yは０．０〜０．３５として定義され、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、 
９５°C以下の温度範囲で２倍以下の保磁力（Ｅｃ）で＜０１１＞方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造に偏光化する工程とを含み、
横モード結晶素子を提供する工程と、
前記横モード結晶素子が、＜０１１＞偏光を提供し、室温２０°Cで５００ｐｍ／Ｖより大きな横有効Ｅ−Ｏ係数γTc  及び１２Ｖ（ｌ／ｄ＝７）よりも低い半波電圧VTπを与える工程とを含むことを特徴とするレーザービーム用電気光学変調器。
【請求項２４】
レーザービーム用電気光学変調器が、 
電気光学結晶素子の（０１１）表面のマッハツエンダー干渉計変調器と、
下記に記載の方法によって製造された前記電気光学結晶素子から構成され、
工程が、
下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する結晶素子を製造する工程；
（ＩＩＩ）    y*[Pb(In1/2Nb 1/2)O3]-(1-y)*[Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3]
ここでｘは、０．０〜０．３５として定義、
yは０．０〜０．３５として定義され、
（０１１）に前記結晶素子をスライスする工程と、 
９５°C以下の温度範囲で２倍以下の保磁力（Ｅｃ）で＜０１１＞方向に前記結晶素子をポーリングすることによってｍｍ２対称構造に偏光化する工程とを含み、
縦モード結晶素子を提供する工程と、
前記縦モード結晶素子上に透明電極をコーティングする工程と、
前記縦モード結晶素子が、室温２０°Cで４２７ｐｍ／Ｖより大きな縦有効Ｅ−Ｏ係数γTc  及び３００Ｖよりも低いVTπの＜０１１＞偏光を提供する工程とを含むことを特徴とするレーザービーム用電気光学変調器。