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【手続補正書】
【提出日】平成28年2月4日(2016.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学物品であって、
第１の屈折率を有する第１の領域と、
前記第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する第２の領域と、を含む、シリコーン含有組成物を含み、
前記シリコーン含有組成物が、
前記第１の屈折率を有し、前記第１の領域に対応する第１の組成物と、
前記第２の屈折率を有し、前記第２の領域に対応する第２の組成物であって、前記第１の組成物とは異なる、第２の組成物と、を含み；
前記第１の組成物が、第１の濃度の材料を有し、前記第２の組成物が、前記第１の濃度とは異なる第２の濃度の材料を有し；
前記第１の組成物の材料と第２の組成物の材料のうちの少なくとも１つが、層状の特徴を有するまたは不規則的な形状及び円筒状の特徴のうちの少なくとも１つを有する、光学物品。
【請求項２】
前記材料が、層状及び球状の特徴のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の光学物品。
【請求項３】
前記材料が、第１の材料であり、前記第１及び第２の組成物が、前記第１の材料とは異なる第２の材料を更に有し、前記第１及び第２の濃度が、前記第２の材料に対する前記第１の材料の濃度に基づく、請求項１に記載の光学物品。
【請求項４】
前記第１の領域が、第１の主要平面を定める第１の層の少なくとも一部分であり、前記第２の領域が、第２の主要平面を定める第２の層の少なくとも一部分であり、前記第１及び第２の主要平面は、互いに対して実質的に平行である、請求項１に記載の光学物品。
【請求項５】
前記第１の層が、前記第２の層と接触している、請求項４に記載の光学物品。
【請求項６】
第３の屈折率を有する第３の領域を更に含み、前記第３の領域が、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置付けられ、前記第３の屈折率が、前記第１の屈折率の値と前記第２の屈折率の値との間の値を有する、請求項４に記載の光学物品。
【請求項７】
前記シリコーン含有組成物が、第３の屈折率を有する第３の組成物を有する第３の層を更に含み、前記第３の層が、前記第１及び第２の主要平面に対して実質的に平行である第３の主要平面を有する、請求項４に記載の光学物品。
【請求項８】
前記シリコーン含有組成物が、前記第１の領域と前記第２の領域との間に屈折率濃度勾配を有する、請求項１に記載の光学物品。
【請求項９】
前記シリコーン含有組成物が、第１の主要表面及び第２の主要表面を有するシートを形成し、前記第１の領域が、前記第１の主要表面に近接し、前記第２の領域が、前記第２の主要表面に近接する、請求項８に記載の光学物品。
【請求項１０】
前記シリコーン含有組成物が、樹脂−直鎖状組成物を含み、
前記樹脂−直鎖状組成物が、
４０〜９０モルパーセントの式［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］のジシロキシ単位と、
１０〜６０モルパーセントの式［Ｒ２ＳｉＯ３／２］のトリシロキシ単位と、
０．５〜２５モルパーセントのシラノール基［ＳｉＯＨ］と、を含有する、オルガノシロキサンブロックコポリマーを含み；
式中、
Ｒ１は、独立してＣ１〜Ｃ３０ヒドロカルビルであり、
Ｒ２は、独立してＣ１〜Ｃ２０ヒドロカルビルであり；
前記ジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］が、直鎖状ブロック当たり平均で１０〜４００個のジシロキシ単位［Ｒ１２ＳｉＯ２／２］を有する直鎖状ブロックの中に配置され、
前記トリシロキシ単位［Ｒ２ＳｉＯ３／２］が、少なくとも５００ｇ／モルの分子量を有する非直鎖状ブロックの中に配置され、前記非直鎖状ブロックの少なくとも３０％が、互いに架橋され、一緒にナノドメインに主に凝集され、各直鎖状ブロックは、少なくとも１つの非直鎖状ブロックに連結され；
前記オルガノシロキサンブロックコポリマーが、少なくとも２０，０００ｇ／モルの重量平均分子量を有し、２５℃で固体である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の光学物品。
【請求項１１】
光学アセンブリであって、
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光学物品と、
光学面を有する光学デバイスであって、前記光学物品が、前記第１及び第２の屈折率に従って、前記光学面への入射光を屈折させるように構成される、光学デバイスと、を備える、光学アセンブリ。
【請求項１２】
請求項１〜１０に記載の光学物品を作製するための方法であって、
第１の屈折率を有する、シリコーン含有組成物の第１の領域を形成することと、
前記第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する、前記シリコーン含有組成物の第２の領域を形成することと、を含む、方法。
【請求項１３】
前記第１の領域を形成することが、前記第１の屈折率を有する第１の組成物を形成することを含み、前記第２の領域を形成することが、前記第２の屈折率を有する第２の組成物を形成することを含み、前記第２の組成物が、前記第１の組成物とは異なり、
前記第２の組成物に対して前記第１の組成物を固定することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の領域を形成すること及び前記第２の領域を形成することが、同時に実施される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１１に記載の光学アセンブリを作製するための方法であって、
第１の屈折率を有する、シリコーン含有ホットメルトの第１の領域を形成することと、
前記第１の屈折率とは異なる第２の屈折率を有する、前記シリコーン含有ホットメルトの第２の領域を形成することと、
光学デバイスの光学面に対して前記シリコーン含有組成物を固定することと、
を含み、前記シリコーン含有組成物が、前記第１及び第２の屈折率に従って、前記光学面への入射光を屈折させるように構成される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月19日(2016.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のオペレーティングシステム、
前記第１のオペレーションシステムとは異なる第２のオペレーションシステムを実行するように構成されたレガシー半導体プロセス制御システムと連関して動作するように開発されたレガシーアプリケーションモジュールであって、少なくとも１つの半導体処理チャンバとインターフェースで接続するように構成され、少なくとも１つの半導体処理アプリケーションを備える、レガシーアプリケーションモジュール、および、
前記第１のオペレーティングシステムと前記レガシーアプリケーションモジュールとの間の通信を提供するように構成され、少なくとも１つの半導体処理チャンバとインターフェースで接続するように構成される、ハードウェア抽象化モジュール
を備え、
前記ハードウェア抽象化モジュールは、レジスタ対レジスタベースで前記レガシー半導体プロセス制御システムをエミュレートするように構成されており、前記少なくとも１つの半導体処理アプリケーションは、前記少なくとも１つの半導体処理アプリケーションに対するソースコード変更なしに、前記レガシー半導体プロセス制御システム上で実行可能である半導体プロセス制御システム。
【請求項２】
前記ハードウェア抽象化モジュールが、前記レガシー半導体プロセス制御システムと関連する構成要素の物理的な接続箇所、名前及び機能をエミュレートすることによって前記レガシー半導体プロセス制御システムをエミュレートするように構成される、請求項１に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項３】
前記レガシーアプリケーションモジュールが、前記少なくとも１つの半導体処理チャンバを制御するためのコードを含む、請求項１に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項４】
前記ハードウェア抽象化モジュールが、前記レガシーアプリケーションモジュールにタイミング情報を提供する、請求項１に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項５】
オペレータインターフェースと通信するように構成されるインタプリタ―モジュールを更に備えた請求項１に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項６】
前記第１のオペレーティングシステムが、電力およびプロセスのいずれかまたは両方のモニタを提供するように構成される、請求項１に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項７】
前記半導体プロセス制御システムは、前記少なくとも１つの半導体処理アプリケーションと関連する以前に開発されたプロセス及び方策を、前記以前に開発されたプロセス及び方策に対する変更なしに実行するように構成される、請求項１に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項８】
前記ハードウェア抽象化モジュールは、前記レガシー半導体プロセス制御システムの少なくとも一部に取って代わる、請求項１に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項９】
マルチコアプロセッサを更に備え、前記マルチコアプロセッサの第１のプロセッサコアは、前記レガシー半導体プロセス制御システムをエミュレートするように構成され、前記マルチコアプロセッサの第２のプロセッサコアは、前記第１のオペレーティングシステムを用いて前記少なくとも１つの半導体処理チャンバを制御するように構成される、請求項１に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項１０】
前記ハードウェア抽象化モジュールは、演算コードトランスレータ、メモリアドレス及び範囲トランスレータ、データ及びアドレスバスに対するブリッジ、割り込み及び直接メモリアドレスのブリッジドライバ及びハンドラ、並びにＣＰＵ資源管理機能の少なくとも１つを含んでいる、請求項１に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項１１】
前記演算コードトランスレータは、ルックアップテーブル、状態機械、ルールベース又はファジィ論理、ルックアヘッド論理及びコードシーケンス処理、並びに、プロセッサ状態及びコードタイミング同期の少なくとも１つを含んでいる、請求項１０に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項１２】
前記ハードウェア抽象化モジュールは、異なる通信プロトコル間で変換するようにさらに構成されている請求項１に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項１３】
前記異なる通信プロトコルは、ＰＣＩ（Peripheral Component Interconnect）プロトコル及びＶＭＥ（Versa Module Europa）プロトコルを含んでいる請求項１２に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項１４】
前記半導体処理制御システムにおいてハードウェアとソフトウェアを整合させるユニークなハードウェア及びソフトウェア保護ロックを更に備えている請求項１に記載の半導体プロセス制御システム。
【請求項１５】
前記レガシー半導体プロセス制御システムは、６８ｘｘｘプロセッサを含み、前記半導体処理制御システムは、８０ｘｘｘプロセッサを含んでいる請求項１に記載の半導体プロセス制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー蓄積デバイスにおいて使用するための構造であって、前記構造は、基準面に対して直交する方向において測定された少なくとも５０マイクロメートルの高さＨＡを有するアノード構造のポピュレーションを含み、
前記ポピュレーションのそれぞれのメンバーは、フロント面、バック面、前記フロント面から前記バック面までの測定された厚みＴ、および少なくとも０．１のボイド容量率を有する微細構造のアノード活性物質層を有し、
前記フロント面と前記バック面は、前記基準面に対して実質的に垂直であり、
前記厚みＴは、前記基準面に平行な方向に測定され、少なくとも１マイクロメートルであり、
前記微細構造のアノード活性物質層は、繊維質又は多孔質のアノード活性物質を含み、
（ｉ）前記微細構造の物質層を含むアノード活性物質の繊維質が、当該層のバック面に付着され、大部分が微細構造のアノード活性物質層のバック面に前記繊維質の付着点で前記基準面に対して実質的に平行な中心軸を有するように、および
（ｉｉ）前記微細構造の物質層を含む多孔質のアノード活性物質の細孔の大部分が、前記基準面に対して実質的に平行である主軸を有するように、
繊維質又は多孔質のアノード活性物質を含むように構成されており、その構成において、
前記基準面に平行な方向に測定された、前記ポピュレーションの少なくとも２つのメンバーの間の直線的な距離ＤＬは、前記ポピュレーションのための最大値ＨＡより大きな値である、エネルギー蓄積デバイスにおいて使用するための構造。
【請求項２】
前記ポピュレーションの各メンバーが、アルミニウム、錫、シリコン、又はそれらの合金を含む、請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記ポピュレーションの各メンバーが、シリコン若しくはその合金を含み、約１〜約１００マイクロメートルの厚みを有する、請求項１に記載の構造。
【請求項４】
前記ポピュレーションの各メンバーのＨＡがＴより大きい、請求項１に記載の構造。
【請求項５】
前記ポピュレーションの各メンバーの前記微細構造のアノード活性物質層が、多孔質シリコン若しくはその合金を含み、０．８未満であり少なくとも０．１のボイド容量率、および約１〜約２００マイクロメートルの厚みを有する、請求項１に記載の構造。
【請求項６】
前記ポピュレーションのためのＨＡの最大値が５，０００マイクロメートル未満である、請求項１に記載の構造。
【請求項７】
前記ポピュレーションの各メンバーの前記微細構造のアノード活性物質層は、シリコン若しくはその合金、又は多孔質シリコン若しくはその合金のナノ細線を含み、０．８未満であり少なくとも０．１のボイド容量率を有し、約１〜約２００マイクロメートルの厚みを有し、１０シーメンス／ｃｍ未満の電気伝導率を有するバックボーンに支持され、そして前記ポピュレーションのためのＨＡの最大値は５，０００マイクロメートル未満である、請求項１に記載の構造。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の構造の電気化学スタックであって、
前記電気化学スタックは、アノード構造のポピュレーションを備える積み重ねられた構成においてカソード構造とセパレータ層を更に含み、
前記セパレータ層が前記アノード構造と前記カソード構造の間に配置され、前記カソード構造、前記セパレータ層および前記アノード構造の積み重ねられる方向が基準面に平行であるよう構成されており、その構成において、
前記基準面に平行な方向に測定された、前記ポピュレーションの少なくとも２つのメンバーの間の直線的な距離ＤＬは、前記ポピュレーションのための最大値ＨＡより大きな値である、電気化学スタック。
【請求項９】
前記アノード構造はアノード電流コレクタを含み、前記カソード構造はカソード電流コレクタを含み、前記アノード電流コレクタ又は前記カソード電流コレクタはイオン透過伝導層を含む、請求項８に記載の電気化学スタック。
【請求項１０】
前記アノード構造はアノード電流コレクタ層を含み、前記アノード電流コレクタ層は前記アノード活性物質層とセパレータ層との間で直接接触して配置された、請求項８に記載の電気化学スタック。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項に記載の構造の電気化学スタックを備えるエネルギー蓄積デバイス。
【請求項１２】
キャリアー・イオンが、リチウムイオンである、請求項１１に記載のエネルギー蓄積デバイス。
【請求項１３】
前記微細構造のアノード活性物質層は、メソ多孔質のシリコン若しくはその合金、マクロ多孔質のシリコン若しくはその合金、またはメソ多孔質とマクロ多孔質のシリコンとの組み合わせ若しくはその合金を含み、前記微細構造のアノード活性物質層は、約２から約７５マイクロメートルの厚みを有する、請求項１１または１２に記載のエネルギー蓄積デバイス。
【請求項１４】
前記基準面に平行な方向に測定された、前記ポピュレーションの少なくとも２つのメンバーの間の直線的な距離ＤＬは、前記ポピュレーションのための最大値ＨＡより少なくとも１０倍大きな値である、請求項１１または１２に記載のエネルギー蓄積デバイス。
【請求項１５】
二次電池が少なくとも２つの電気化学スタックを含み、前記電気化学スタックが前記基準面に対して直交する方向に互いに積み重ねられた、請求項１１から１４のいずれか一項に記載のエネルギー蓄積デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月18日(2016.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントに捕捉される気泡を低減するための表面張力制御方法であって、
表面張力を変更するために、インプリント型板および基板の界面の化学性質を改質するステップと、
予硬化した液状レジストの界面流速を制御するために、界面張力を差別化するステップと、
気体の捕捉を低減するおよび硬化したインプリントレジストに捕捉された気泡による欠陥を防止するために、予硬化した液状レジストの界面流速を制御するステップとを備える、方法。
【請求項２】
界面の化学性質の改質は、ＵＶインプリント処理のような処理における気泡捕捉の表面張力メカニズムを変更する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
界面の化学性質の改質は、表面張力を低減することによってインプリント型板の界面に沿った予硬化した液状レジストの界面流速を低減するために、インプリント型板およびインプリントの界面に疎水性材料および極度疎水性材料からなる疎水性層の堆積を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
疎水性層の堆積は、フルオロアルキルシランの蒸着を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
疎水性層の堆積材料は、フルオロアルキルシランおよびペルフルオロデシルトリクロロシランの少なくとも１つを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
界面張力を差別化するステップは、基板構造の界面に生成された高い表面エネルギに対して、インプリント型板に低い表面エネルギを生成するように構成されている、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
予硬化した液状レジストの界面流速の制御は、インプリント型板の表面に沿った流速によりも基板表面に沿った速い流速を生成するように構成され、よって基板からインプリント型板までの界面ボイドを充填し、石英のようなインプリント型板材料の孔を進入したヘリウム気体のような小さな気体分子を排出させる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
化学性質の改質は、インプリント型板のトポグラフィ表面張力よりも大きい表面張力を生成するために、基板上に接着促進剤の堆積を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
化学性質の改質は、基板界面の小さい水接触角に対して、インプリント型板表面により大きい水接触角を生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
界面張力を差別化するステップは、表面張力を低減するために、疎水性材料および極度疎水性材料からなる表面層の堆積と、表面張力を増加するために、親水性材料および極度親水性材料からなる表面層の堆積とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
方法は、インプリント型板の界面寸法に対する調整をさらに含み、
界面寸法に対する調整は、完成品インプリントの寸法をインプリント型板界面の所定の調整寸法と一致させるために、表面層の堆積厚さによって界面寸法をアンダーカットするステップを含むように構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
表面張力の制御は、ＵＶ硬化されたレジストのような硬化されたレジストに捕捉された気泡によるボイド欠陥を低減および排除する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
表面化学性質を改質して予硬化した液状レジストの界面流速を制御することによって、気体の捕捉を低減するために、インプリント型板および基板の各々の界面に堆積させる材料を決定するための手段と、
表面化学性質を改質する堆積の厚さを決定するための手段と、
予め調整された寸法と一致する完成品インプリントの寸法を形成するために、界面化学性質を改質する堆積の厚さによるアンダーカットを含むインプリント型板の界面寸法を調整するための手段とを含む、装置。
【請求項１４】
表面張力における制御差を生成することによって、対向する基板の改質された表面に沿った界面流速によりもインプリント型板の改質された表面に沿った遅い界面流速を生成するために、対向する界面化学性質改質材料の表面エネルギレベルを決定するための手段をさらに含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
表面張力における制御差を生成するために、表面化学改質材料の堆積厚さを決定するための手段をさらに含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
完全に硬化した完成品インプリントの正味寸法を所定の調整寸法と一致させるために、インプリント型板の界面化学性質の改質堆積を相殺する調整の大きさおよび方向を決定するための手段をさらに含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１７】
基板界面の表面張力を低減するように構成された接着促進剤疎水性層と、
インプリント型板の界面の表面張力を基板上の対向する接着促進剤疎水性層の界面の表面張力レベルより未満に低減するように構成された疎水性層と含む、表面化学性質が改質されたインプリント界面構造。
【請求項１８】
疎水性層は、表面化学性質を改質するために、石英およびシリコンのようなインプリント型板親水性材料の表面エネルギおよび水接触角よりも高い表面エネルギおよび大きい水接触角を有する疎水性材料および極度疎水性材料を含む材料を堆積させることによって疎水性層を形成することをさらに含む、請求項１７に記載の疎水性層。
【請求項１９】
接着促進剤層は、疎水性層の表面張力および水接触角よりも小さい表面張力および小さい水接触角を有する材料を堆積させることによって接着促進剤層を形成することをさらに含む、請求項１７に記載の接着促進剤層。
【請求項２０】
疎水性層および接着促進層を用いた界面化学性質の改質は、表面張力の差別を生成することによって、インプリント型板の表面に沿った流速によりも基板表面に沿ったインプリント予硬化した液状レジストの速い流速を生成し、気体の捕捉を低減するおよび硬化したインプリントレジストに捕捉された気泡による欠陥を防止する、請求項１７に記載の表面化学性質が改質されたインプリント界面構造。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月18日(2016.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置の光学要素であって、前記光学要素が、当該光学要素に温度制御媒体を提供するチャネルを備え、前記媒体が二相媒体であり、前記チャネルがヒートパイプとして機能する、リソグラフィ装置の光学要素。
【請求項２】
前記二相媒体が二酸化炭素である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
少なくともいくつかの前記チャネルが前記コンポーネントの表面付近に提供される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記チャネルが、前記コンポーネントの表面に平行に提供される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記チャネルがチャネルグループにグループ化され、各グループが自身の温度制御システムを備える、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項６】
前記装置が変形測定システムを備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記変形測定システムが、
前記装置のフレームの第１部分に提供された第１電極と、前記装置の第２部分に提供された第２電極と、を備える容量センサを備え、
前記容量センサが、前記電極間の変位を決定して前記装置の変形を決定する、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記変形測定システムが、変形を測定する干渉計を備える、請求項４に記載の装置。
【請求項９】
前記装置が、前記変形測定システムに動作可能に接続された変形コントローラを備え、前記温度制御システムが、チャネルグループ内の前記二相媒体の圧力を調整するように構築されプログラミングされた圧力制御システムであって、前記変形測定システムによる前記測定された変形の関数としての前記チャネルグループの温度を調整する圧力制御システムである、請求項４〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記温度制御媒体が、画像形成に使用される前記光学要素の領域にのみ提供される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記光学要素がミラーであり、前記温度制御媒体が、それぞれのチャネルに異なる温度で供給されて、前記ミラーの変形を制御する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
光学要素の変形が、画像の光学パラメータを決定することによって間接的に決定され、かつ、前記パラメータ内にエラーが検出された場合に、温度制御システムにフィードバックされて補正調整を実行するための補正信号を生成することによって間接的に決定され得る、請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
ミラーの変形が、ｎ自由度で制御される１＋ｎ個（ｎは整数）の二相流体圧力制御ループを備える、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光学要素を含む、リソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記光学要素の変形が、画像の光学パラメータを決定することによって間接的に決定され、かつ、前記パラメータ内にエラーが検出された場合に、温度制御システムにフィードバックされて補正調整を実行するための補正信号を生成することによって間接的に決定され得る、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
[0052]  図５（ａ）及び図５（ｂ）は、リソグラフィ装置部が光学要素を備える本発明の別の実施形態を示す。この実施形態では、光学要素はミラーである。この実施形態では、ミラーはガラス又はセラミック材料などの熱膨張係数（ＣＴＥ）が小さい材料で形成されたミラー本体ＭＢを含んでもよい。光学要素は金属から形成されてもよい。ミラー本体ＭＢの１つの表面には、従来技術で公知の反射コーティングを施してもよい。ミラー本体は、ミラー本体ＭＢの表面付近へ平行に進展する２つのチャネルＣＨ  ＡとＣＨ  Ｂとを備える。水でもよいが、好ましくは、ＣＯ２などの二相媒体である温度制御媒体が２つのチャネルＣＨ  Ａ及びＣＨ  Ｂを通過する。チャネルＣＨ  Ａを流れる温度制御媒体の温度がチャネルＣＨ  Ｂを流れる温度制御媒体の温度と同じ場合、ミラーは図５（ａ）に示すように平坦なままである。しかしながら、一方のチャネル内の温度制御媒体の温度と他方のチャネル内の温度制御媒体の温度とが異なる場合、ミラーは変形する。例えば、図５（ｂ）は、ＣＨ  Ａ内の温度がＣＨ  Ｂよりも小さい場合の変形を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
[0073]  本発明の幅及び範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されず、特許請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月8日(2016.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサにおいて実行モードを切り替える方法であって、
前記プロセッサが第1の実行モードで動作中であるとき、ターゲットアドレスへのフローの変化を起こす第1の呼出しまたは復帰命令を検出するステップと、
前記ターゲットアドレスの整列ビットの両方を分析するステップであって、前記整列ビットが、前記ターゲットアドレスの2つの最下位ビットであり、32ビット境界に対する整列を示す、ステップと、
前記第1の実行モードが前記境界に対して整列される命令を含む場合、少なくとも1つの整列ビットが非ゼロ値を有するときに前記プロセッサの動作を、前記第1の実行モードから第2の実行モードに切り替えることを判断するステップと、
前記第1の実行モードが前記境界に対して非整列にされる命令を含む場合、整列ビットの両方がゼロ値を有するときに前記プロセッサの動作を、前記第1の実行モードから前記第2の実行モードに切り替えるステップ
を含む方法。
【請求項２】
前記命令が境界に対して整列されるモードにおいて前記整列ビットは、「00」であり、前記命令が前記境界に対して非整列されるモードにおいて前記整列ビットが「01」、「10」、または「11」のうちの1つである、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記ターゲットアドレスを備えるレジスタが指定される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
ユーザステータスレジスタにおいて、前記整列ビットに基づいて、前記プロセッサが動作している前記実行モードの指示を与えるステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
第1の実行モードおよび第2の実行モードを含む少なくとも2つの実行モードで命令を実行するための手段と、
前記第1の実行モードでの実行中に、第1の呼出しまたは復帰命令を検出するための手段であって、第1の呼出しまたは復帰命令は、プロセッサが第1の実行モードで動作しているときに、ターゲットアドレスへのフローの変化を起こす、手段と、
前記第1の呼出しまたは復帰命令のアドレスの前記ターゲットアドレスの整列ビットの両方を分析するための手段であって、前記整列ビットが、前記ターゲットアドレスの2つの最下位ビットであり、32ビット境界に対する整列を示す、手段と、
前記第1の実行モードが、前記境界に整列される命令を含む場合、少なくとも1つの整列ビットが非ゼロ値を有するときに前記プロセッサの動作を、前記第1の実行モードから前記第2の実行モードに切り替えることを判断するための手段と、
前記第1の実行モードが前記境界に対して非整列にされる命令を含む場合、整列ビットの両方がゼロ値を有するときに前記プロセッサの動作を、前記第1の実行モードから前記第2の実行モードに切り替える手段と
を備える処理システム。
【請求項６】
プロセッサによって実行されると、前記プロセッサに、請求項１に記載の方法を実施させるコードを備える非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月18日(2015.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）接触部分（３）と、
Ｂ）前記接触部分（３）に隣接する移行部分（４）と、
Ｃ）超音波溶接によって電気ライン（１００）に電気的に接続するための前記移行部分（４）に隣接する接続部分（５）と、
を備える固体接触ピン（２）の形態である電気プラグコネクタ（１）であって、
前記接続部分（５）は、超音波溶接の際に波を屈折させるための少なくとも１つの幾何学的波屈折要素（４１）を有する、電気プラグコネクタ（１）。
【請求項２】
前記接続部分（５）は、接続される電気ライン（１００）のための、好ましくは平面状の支持面（１０）を有することを特徴とする、請求項１に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項３】
前記接続部分（５）は、第１の脚部（５０）と、第２の脚部（５１）とから形成されることを特徴とする、請求項１または２に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項４】
前記第１の脚部（５０）は、前記移行部分（４）上に配置されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項５】
前記接続部分（５）は、Ｌ字形の接続部分として形成され、より詳細には、前記第１脚部（５０）と、前記第１の脚部（５０）に対して実質的に直角に方向付けされた前記第２の脚部（５１）とによって形成されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項６】
前記第２の脚部（５１）の前記支持面（１０）は、湾曲した移行面（５２）を介して、前記第１の脚部（５０）によって形成され、および／または前記第１の脚部（５０）と共通の表面を形成する脚部内側面（４０）に接続されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項７】
前記幾何学的波屈折要素（４１）は、前記湾曲した移行面（５２）の領域において配置され、かつ前記湾曲した移行面（５２）から突出することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項８】
前記幾何学的波屈折要素（４１）は、前記移行面（５２）から外側に突出する湾曲したビードとして形成されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項９】
前記ビードは、その位置において延在し、したがってその、前記第１の脚部（５０）の高さ全体にわたる進行において延在し、かつ、その端部（５３）のうちの１つを介して前記第２の脚部（５１）まで達することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項１０】
前記接続部分（５）および前記幾何学的波屈折要素（４１）は、高純度の銅材料から材料結合されて形成されることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項１１】
前記接触ピン（２）は、部分的に表面コーティングされていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項１２】
前記接続部分（５）は、前記支持面（１０）の前記領域において表面コーティングが施されず、かつ、前記超音波溶接のための前記接触材料は、前記接触要素の前記材料の、この領域に存在することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項１３】
前記接触ピン（２）は、金属材料からなり、前記接触ピン（２）は、めっきコーティングされた表面を有するとともに、前記移行部分（４）は、表面コーティング、およびその他のコーティングがまったく施されていない支持面（１０）を有することを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項１４】
前記接続部分（５）は、接続される電気ライン（１００）のための、好ましくは平面状の支持面（１０）を有することを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項１５】
前記接続部分（５）は、Ｌ字形の接続部分として形成され、より詳細には、前記第１の脚部（５０）と、前記第１の脚部（５０）に対して実質的に直角に方向付けされた前記第２の脚部（５１）とによって形成されることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項１６】
前記接触ピン（２）の前記金属材料は、銅または銅の含有量が高い銅合金からなることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【請求項１７】
前記接触ピン（２）のめっきコーティングは、銀または金または錫からなることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の電気プラグコネクタ（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月9日(2015.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エミッターと基準電極との間でコロナ放電中に両極イオンを生成することによって、電荷中和するための方法において、
持続時間の短い鋭いマイクロパルスを生成し、
各マイクロパルスが正電圧部分と負電圧部分とを含み、
前記マイクロパルスが、正電圧および負電圧の大きさおよび振幅に関して非対称であり、
少なくとも１つの極の電圧の大きさがコロナしきい値を超えるようにした方法。
【請求項２】
エミッターと参照電極との間のコロナ放電中に双極性イオンを生成する装置において、
持続時間の短い鋭いマイクロパルスを生成するパルス駆動回路を具備し、
各マイクロパルスが正電圧部分と負電圧部分とを含み、
前記マイクロパルスが、正電圧および負電圧の大きさおよび振幅に関して非対称であり、
少なくとも１つの極の電圧の大きさがコロナしきい値を超えるようにした装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月5日(2016.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気接触端子であって、
コネクタハウジング内に前記電気接触端子を位置づけ、保持するためのベース部と、
前記ベース部から上方に延在し、且つ、導電体を受容して導電体と電気接触するための開口部を間に画定する一対の離間配置されたアームを備えている、絶縁変位接続部と、
前記ベース部から下方に延在し、且つ、前記電気接触端子がコネクタハウジング内に保持及び配置されているときに浮かぶように構成された、接触部と、を備え、前記接触部が、
前記ベース部に取り付けられた第１端、及び反対側の第２端を含む、下方に延在している第１アームと、
前記ベース部により近い自由な第１端、及び前記ベース部からより遠い反対側の第２端を含む、下方に延在している第２アームであり、嵌合式コンタクトピンと電気接触するときに撓むように構成されている第２アームと、
前記第１アームの前記第２端と前記第２アームの前記第２端とを接続する弓形ベース部と、を備えている、電気接触端子。
【請求項２】
前記撓みが、前記第１アームの長手方向軸線の周りの回転を含む、請求項１に記載の電気接触端子。
【請求項３】
前記第１アームが、コネクタハウジング内に前記電気接触端子を保持し位置づけるように構成された第３保持部を含む、請求項１に記載の電気接触端子。
【請求項４】
電気接触端子であって、
ベース部と、
前記ベース部から上方に延在し、且つ、導電体を受容して導電体と電気接触するための開口部を間に画定する一対の離間配置されたアームを備えている、絶縁変位接続部と、
前記ベース部から下方に延在し、且つ、前記電気接触端子がコネクタハウジング内に保持及び配置されているときに浮かぶように構成されている、接触部と、を備え、前記接触部が、
前記ベース部に取り付けられている前記接触部の第１端で前方に延在している、第１アームと、
前記接触部の反対側の第２端で前方に延在している第２アームと、を備え、
前記第１アーム及び前記第２アームは、嵌合式コンタクトピンと電気接触するときに撓むように構成されている、電気接触端子。
【請求項５】
前記第１アーム及び前記第２アームが、前記接触部の互いに反対側の側面に延在している、請求項４に記載の電気接触端子。
【請求項６】
前記第１アーム及び前記第２アームがそれぞれ、それぞれの主面から延在している曲線状接触部を含む、請求項４に記載の電気接触端子。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月4日(2016.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の体内の手術部位に体の切開を通してアクセスすることを容易にするように適合された手術用アクセス装置であって、前記手術用アクセス装置は、
第１の保持部材と、
折畳まれた構成および拡張された構成を有する第２の保持部材とを含み、第２の保持部材は少なくとも３つのリンク機構を含み、リンク機構の作動がリンク機構を互いに対して枢動させ、それにより第２の保持部材を拡張するかまたは折畳むように、前記少なくとも３つのリンク機構は枢動可能に互いに連結されており、前記手術用アクセス装置はさらに、
第１の保持部材と第２の保持部材との間に延在する柔軟な膜を含み、柔軟な膜は、第２の保持部材が拡張された構成になっている場合、手術部位へのアクセスを容易にするために切り口に係合して切り口を拡張するように構成されている、手術用アクセス装置。
【請求項２】
第２の保持部材は少なくとも４つのリンク機構を含む、請求項１に記載の手術用アクセス装置。
【請求項３】
第２の保持部材は拡張可能保持リングであり、リンク機構は閉じた形状でともに枢動可能に連結されている、請求項１または２に記載の手術用アクセス装置。
【請求項４】
第１の保持部材は、閉じた変形可能保持リングである、請求項１から３のいずれかに記載の手術用アクセス装置。
【請求項５】
第１の保持部材は、閉じた拡張可能保持リングである、請求項１から４のいずれかに記載の手術用アクセス装置。
【請求項６】
第２の保持部材は、第２の保持部材を拡張された構成に選択的に維持するように構成されたロッキング機構を含む、請求項１から５のいずれかに記載の手術用アクセス装置。
【請求項７】
ロッキング機構は、拡張された構成を選択的に維持するように構成された、第２の保持部材上のラチェット歯を含む、請求項６に記載の手術用アクセス装置。
【請求項８】
ロッキング機構は第２の保持部材上のラチェット爪を含み、ラチェット爪は、ラチェット歯の少なくとも一部を係合させることによって第２の保持部材を拡張された構成に選択的に維持するように構成されている、請求項６または７に記載の手術用アクセス装置。
【請求項９】
手術用アクセス装置は、第２の保持部材が拡張された構成から折畳まれた構成に戻ることができるように、ラチェット歯からラチェット爪を切離すように構成された解放機構を含む、請求項８に記載の手術用アクセス装置。
【請求項１０】
ラチェット歯の少なくとも１つに、またはラチェット爪に動作可能に連結されたユーザインターフェイスボタンをさらに含み、ユーザインターフェイスボタンの作動によって、ラチェット爪は、第２の保持部材が拡張された構成から折畳まれた構成に戻ることができるようにラチェット歯から切離される、請求項９に記載の手術用アクセス装置。
【請求項１１】
ロッキング機構は窪みと突起とを含み、突起は、第２の保持部材を拡張された構成に選択的にロックするために窪みに受けられる、請求項６から１０のいずれかに記載の手術用アクセス装置。
【請求項１２】
柔軟な膜はチューブ状の膜を含み、チューブ状の膜は第１の端と第２の端とを含み、第１の端は第１の保持部材に連結され、第２の端は第２の保持部材に連結されている、請求項１から１１のいずれかに記載の手術用アクセス装置。
【請求項１３】
第１の保持部材は切開を通って体内へと進むようにサイズ決めされ、第２の保持部材は体外に配置されるように構成されている、請求項１から１２のいずれかに記載の手術用アクセス装置。
【請求項１４】
柔軟な膜は多孔質膜である、請求項１から１３のいずれかに記載の手術用アクセス装置。
【請求項１５】
手術部位へのアクセスを提供するために柔軟な膜に沿って軸方向に延在する、径方向に拡張可能なチャネルを含む、請求項１から１４のいずれかに記載の手術用アクセス装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】手術用アクセス装置
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月4日(2016.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットとされた被験者の組織に届ける切除エネルギーを調節するための切除システムであって、
切除部材を介してターゲットとされた組織に届けられる切除エネルギーを生成するように構成された切除エネルギー源と、
プロセッサと；
を備え、
前記プロセッサは、放射計により生成された信号及び温度測定装置により生成された信号に少なくとも部分的に基づいて、前記ターゲットとされた組織の表面に関連する深さにおける前記被験者の前記ターゲットとされた組織の温度を算定するように構成され、
前記算定された温度に少なくとも基づいて、前記切除エネルギーを届けるための前記切除部材の操作を制御するよう構成された切除システム。
【請求項２】
ターゲットとされた被験者の組織に届ける切除エネルギーを調節するための切除システムであって、
切除部材を介してターゲットとされた組織に届けられる切除エネルギーを生成するように構成された切除エネルギー源と、
プロセッサと；
を備え、
前記プロセッサは、放射計により生成された信号及び温度測定装置により生成された信号に少なくとも部分的に基づいて、前記ターゲットとされた組織の表面に関連する深さにおける前記被験者の前記ターゲットとされた組織の温度を算定するように構成され、
前記算定された温度は、ターゲットとされた組織に配送する切除エネルギーの調節に利用される、切除システム。
【請求項３】
前記温度測定装置はサーモカップルからなる、
請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
前記切除部材はカテーテルのチップに沿って位置し、前記チップは前記カテーテルの遠端部に沿って位置する、
請求項１から３のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項５】
前記温度測定装置は前記カテーテルのチップに沿って位置する、
請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記カテーテルは流体通路を含み、
前記カテーテルのチップは、少なくとも一つの潅注流体口を含み、当該少なくとも一つの潅注流体口は前記カテーテルの流体通路と流体連通し、
前記カテーテルの流体通路は潅注ポンプと流体連通して配置するよう構成され、前記潅注ポンプは、前記カテーテルの流体通路及び前記カテーテルのチップの少なくとも一つの潅注流体口を通る潅注流体を選択的に配送するように構成される、
請求項４又は５に記載のシステム。
【請求項７】
前記切除部材は高周波電極を含む、
請求項１から６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項８】
前記切除部材は、マイクロ波切除部材、冷凍切除部材及び超音波切除部材のうちの一つを含む、
請求項１から６のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項９】
前記放射計及び前記温度測定装置のための操作パラメータを格納する非一時的なコンピュータ可読媒体を更に含む、
請求項１から８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
電気生理監視システムと操作上結合する、
請求項１から９のいずれか１項に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月2日(2016.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷重キャリアを骨に連結するように構成された動的骨固定要素であって、
第１方向に沿って細長いスリーブであって、前記スリーブは、近位端、前記第１方向に沿って前記近位端から離間配置されている遠位端、及び前記第１方向に沿って前記近位端を通じて前記遠位端に向かって延在しているチャネルを画定し、前記チャネルは、前記第１方向に対して垂直の方向に沿って測定される第１断面寸法を有し、前記スリーブは、骨と係合するように構成された外面を更に画定する、スリーブと、
固定部材であって、ヘッド、前記ヘッドから第２方向に沿って延在するシャフト、及び前記シャフトから延在する当接部材を有し、前記当接部材の少なくとも一部分は前記ヘッドに面しており、前記当接部材は中実であり、前記シャフトは、前記スリーブの少なくとも一部分が前記当接部材と前記ヘッドとの間に捕捉されることにより前記固定部材を前記スリーブと連結するように前記チャネル内に延出するように構成される、固定部材と、を備え、
前記チャネル内に存在するように構成された前記シャフトの少なくとも一部分は、前記第２方向に対して垂直の方向に沿って第２断面寸法を有し、前記第２断面寸法は、前記第１方向に対して横断方向の方向成分を有する方向に沿って前記固定部材が前記スリーブに対して移動可能なように前記第１断面寸法より小さい、動的骨固定要素。
【請求項２】
前記固定部材が前記スリーブに連結されたときに、（ｉ）前記スリーブと前記ヘッドとの間及び（ｉｉ）前記スリーブと前記当接部材との間の少なくとも一方に隙間が画定される、請求項１に記載の動的固定要素。
【請求項３】
前記ヘッドがショルダを画定し、前記固定部材が前記第１方向に沿って前記スリーブに対して移動可能なように前記スリーブ全体が前記当接部材と前記ショルダとの間に捕捉されるように構成される、請求項１〜２のいずれか一項に記載の動的骨固定要素。
【請求項４】
前記固定部材が前記スリーブに連結されたときに前記固定部材が複数の方向に沿って前記スリーブに対して移動可能であり、前記複数の方向の各方向が前記第１方向に対して横断方向の方向成分を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の動的骨固定要素。
【請求項５】
前記固定部材が前記スリーブに連結されたときに前記固定部材の回転により前記スリーブを回転させるように、前記チャネルの断面が非円形であり、前記シャフトの断面が非円形である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の動的骨固定要素。
【請求項６】
前記当接部材が、前記第１断面寸法より大きい第３断面寸法を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の動的骨固定要素。
【請求項７】
前記スリーブが、前記当接部材が前記チャネルを通過する際に外方に撓むように構成された複数の可とう性の脚部を画定する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の動的骨固定要素。
【請求項８】
前記固定部材の遠位端が、前記固定部材が前記スリーブに連結されたときに前記スリーブに対して移動可能である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の動的骨固定要素。
【請求項９】
前記ヘッドが、前記スリーブと接触する大きさを有する対応する当接面を画定して、前記第１方向に沿った前記スリーブに対する前記固定部材の平行移動を制限する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の動的骨固定要素。
【請求項１０】
前記ヘッドの前記当接面が前記スリーブの前記近位端と当接するように構成され、前記当接部材の前記当接面が前記スリーブの前記遠位端と当接するように構成される、請求項９に記載の動的骨固定要素。
【請求項１１】
前記当接部材が、前記第２方向に対して垂直の方向に、前記チャネルの断面寸法より大きい断面寸法を有し、前記当接部材が、前記当接部材の周りに連続的に延びる外周を更に有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の動的骨固定要素。
【請求項１２】
前記当接部材が、前記第２方向に対して垂直の方向に、前記チャネルの断面寸法より大きい断面寸法を有し、前記当接部材が、前記断面寸法に沿って中実である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の動的骨固定要素。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月3日(2016.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イベント中に第1の参加者によって携行されるように適合される、第1の参加者に関連付けられたフィードバック情報を提示するためのデバイスであって、
前記イベントの第1のコース沿いに置かれた第1のチェックポイントにあるチェックポイントデバイスから、第1のチェックポイント通信を受信するように構成された第1の無線機であって、前記第1のチェックポイント通信が、第1のチェックポイント識別子、および前記第1の参加者が前記第1のチェックポイントを超えたときを反映する第1のイベント時間を含む、第1の無線機と、
前記無線機に結合されたプロセッサであって、第1の参加者イベント開始時間および前記第1のイベント時間に基づいて、第1の参加者経過時間を判断するための動作を実行するようにプロセッサ実行可能命令を用いて構成されたプロセッサと、
前記プロセッサに結合される第2の無線機であって、前記第1の参加者経過時間を、第1のチェックポイントデバイスを迂回して第2の通信ネットワークを経由して、前記デバイスからイベントサーバに送信するように構成される、第2の無線機と、
前記プロセッサに結合されるとともに、前記第1の参加者経過時間を提示するように構成されたディスプレイとを備えるデバイス。
【請求項２】
前記第2の無線機が、前記第1の参加者のランク付け、および少なくとも1人の第2の参加者に関する情報のうち少なくとも1つを含むイベントフィードバックを受信するように構成され、前記ディスプレイが、前記イベントフィードバックの少なくとも一部分を提示するように構成された、第2の無線機をさらに備える、請求項1に記載のデバイス。
【請求項３】
前記プロセッサが、
前記受信されたイベントフィードバックに基づき、公式参加者経過時間が前記第1の参加者経過時間と異なるか否かを判断すること、および
前記公式参加者経過時間が前記第1の参加者経過時間とは異なるという判断に応答して、前記第1の参加者経過時間を提示する前記ディスプレイを変更すること、
を行うための動作を実行するようにプロセッサ実行可能命令を用いて構成される、請求項2に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第2の無線機が、前記デバイスが第2のチェックポイント通信を受信することなく、第2のチェックポイントを通過したという判断に応答して、第2のチェックポイントイベント時間についての要求を送信するように構成される、請求項1に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第1の無線機が、前記第1のチェックポイント識別子および前記第1のイベント時間を、前記イベント中に前記第1の参加者によって携行されるように適合された第2のデバイスに受信するように構成され、前記第2のデバイスが、第1のデバイスから離れた前記第1の参加者に配設される、請求項1に記載のデバイス。
【請求項６】
前記プロセッサが、前記第2の無線機に、前記イベントの前記第1のコース沿いに置かれた第2のチェックポイントから前記第1の無線機によって第2のチェックポイント通信が受信されるまで、前記第1の参加者経過時間を定期的に送信させるようにプロセッサ実行可能命令を用いて構成される、請求項1に記載のデバイス。
【請求項７】
前記第1の無線機が、第2のチェックポイントが所定の距離内にあるという判断に応答して、前記第2のチェックポイントにある第2のチェックポイントデバイスからの第2のチェックポイント通信を走査するように適合される、請求項1に記載のデバイス。
【請求項８】
イベント参加者に関連付けられたフィードバック情報を提示する方法であって、
第1の参加者によって携行される第1のデバイスの第1の無線機によって、イベントの第1のコース沿いに置かれた第1のチェックポイントにあるチェックポイントデバイスから、第1のチェックポイント通信を受信するステップであって、前記第1のチェックポイント通信が、第1のチェックポイント識別子、および前記第1の参加者が前記第1のチェックポイントを超えたときを反映する第1のイベント時間を含む、ステップと、
第1の参加者イベント開始時間および前記第1のイベント時間に基づいて、第1の参加者経過時間を判断するステップと、
前記第1の参加者経過時間を、第1のチェックポイントデバイスを迂回して第2の通信ネットワークを経由して、前記第1のデバイスからイベントサーバに送信するステップと、
前記第1の参加者経過時間を前記第1のデバイスに表示するステップとを含む方法。
【請求項９】
前記第1の参加者のランク付け、および少なくとも1人の第2の参加者に関する情報のうち少なくとも1つを含むイベントフィードバックを受信するステップと、
前記イベントフィードバックの少なくとも一部分を前記第1のデバイスに表示するステップとをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記受信されたイベントフィードバックに基づき、公式参加者経過時間が前記第1の参加者経過時間と異なるか否かを判断するステップと、
前記公式参加者経過時間が前記第1の参加者経過時間とは異なるという判断に応答して、前記第1のデバイスに表示される前記第1の参加者経過時間を変更するステップとをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記第1のデバイスが、第2のチェックポイント通信を受信することなく、第2のチェックポイントを通過したという判断に応答して、第2のチェックポイントイベント時間についての要求を送信するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１２】
前記第1のチェックポイント識別子および前記第1のイベント時間を、前記イベント中に前記第1の参加者によって携行される第2のデバイスから受信するステップであって、前記第2のデバイスが、前記第1のデバイスとは離れた前記第1の参加者上に配設される、ステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１３】
第2のチェックポイント通信が、前記イベントの前記第1のコース沿いに置かれた第2のチェックポイントから、前記第1のデバイスによって受信されるまで、前記第1の参加者経過時間が、定期的に送信される、請求項8に記載の方法。
【請求項１４】
第2のチェックポイントが、前記第1のデバイスから所定の距離内にあるという判断に応答して、前記第1の無線機を用いて前記第2のチェックポイントにある第2のチェックポイントデバイスからの第2のチェックポイント通信を走査するステップをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１５】
参加者デバイスプロセッサに、請求項8から14のいずれか一項に記載の方法に基づく動作を実施させるように構成されたプロセッサ実行可能命令を記憶した非一時的コンピュータ可読媒体。