Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月19日(2016.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大腿骨の機能軸を特定するよう構成された大腿骨機能軸ファインダーであって、第１ピンを配置するための第１ガイドと、第２ピンを配置するための第２ガイドとを含む大腿骨機能軸ファインダーと、
脛骨の機能軸を特定するよう構成された脛骨機能軸ファインダーであって、第３ピンを配置するための第３ガイドと、第４ピンを配置するための第４ガイドとを含む脛骨機能軸ファインダーと、
大腿骨寸法測定器と、
前記第１ピンおよび前記第２ピンとの係合のための少なくとも２つの開口を含む大腿骨切断ブロックアライメント治具と、
前記大腿骨切断ブロックアライメント治具と係合可能であり、前記大腿骨寸法測定器によって提供可能な少なくとも１つの測定と関連づけるよう構成された大腿骨切断ブロックであって、少なくとも１つの大腿骨切断ガイドを含む大腿骨切断ブロックと、
前記第３ピンおよび前記第４ピンとの係合のための少なくとも２つの開口を含む脛骨切断治具と、
少なくとも１つの脛骨切断ガイドを含む脛骨切断ブロックであって、前記脛骨切断ブロックに対して前記大腿骨切断ブロックのアライメントのための接続部材を介して前記大腿骨切断ブロックに取付可能である脛骨切断ブロックと、を備えることを特徴とする、患者における全人工膝関節置換術を行うためのシステム。
【請求項２】
前記大腿骨機能軸ファインダーは、患者の膝の中心から予め定められた距離に前記第１ピンを配置するための手段を含むことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記脛骨機能軸ファインダーは、少なくとも１つの伸縮部材を含み、該伸縮部材は、前記伸縮部材に対して回転可能なポインタ部材を有することを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記大腿骨寸法測定器は、
ポストと、
前記ポストから放射状に延伸し、前記第１ピンおよび前記第２ピンのうちの１つと係合可能である遠位先端部を含む上部部材と、
前記ポストから放射状に延伸し、前記上部部材との間の間隔を変更するよう前記ポストに対してスライド可能な下部部材と、を備えることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記接続部材は、一般的にＣ字形状クリップを有することを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記Ｃ字形状クリップは、
ベース部材と、
前記ベース部材から第１方向に延伸する第１延伸部材と、
前記第１延伸部材から離間し、前記ベース部材から前記第１方向に第２延伸部材と、を有することを特徴とする、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１ピンに対して前記大腿骨切断ブロックを選択的に配置するために、前記第１延伸部材は、前記大腿骨切断ブロックと係合可能であり、前記第２延伸部材は、前記脛骨切断ブロックと係合可能であることを特徴とする、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記大腿骨機能軸ファインダーの前記第２ガイドは、前記第１ピンに対して所定の位置に前記第２ピンを配置するよう構成されることを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記第１ピンをスライド可能なガイドスロットと前記第２ピンをスライド可能なガイド孔とを有するロッドアライメントガイドを含むことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記脛骨機能軸ファインダーは、前記第１ピンと係合可能な第１開口と前記第２ピンと係合可能な第２開口とを含むことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記大腿骨切断ブロックの前記少なくとも１つの大腿骨切断ガイドは、少なくとも１つのスロットを有することを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
患者の大腿骨に対する所望の位置に前記大腿骨切断ブロックを向けるときの使用のためのスプレッダ装置を含むことを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記スプレッダ装置は、共通回転ポイントにおいて回転可能に接続された第１アームおよび第２アームを有し、前記第１アームおよび前記第２アームの近位端部は、互いに近づいたり遠ざかったりすることが可能であることを特徴とする、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記スプレッダ装置は、前記第１アームの遠位端部から延伸するラチェット部材であって、前記第２アームに対して所望の位置において、前記第１アームを固定するために前記第２アームの遠位端部と係合可能であるラチェット部材をさらに含むことを特徴とする、請求項１３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月19日(2016.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）シロスタゾールと（ii）メタクリル酸コポリマーＳおよび／またはメタクリル酸コポリマーＬを含み、その重量比が１：１〜１：３であり、熱溶融生成物または加熱混練溶融生成物である、固体分散体。
【請求項２】
シロスタゾールがメタクリル酸コポリマー中に非晶質状態で分散されていることを特徴とする、請求項１の固体分散体。
【請求項３】
加熱混練溶融生成物である請求項１または２の固体分散体。
【請求項４】
（ii）メタクリル酸コポリマーＳおよび／またはメタクリル酸コポリマーＬがメタクリル酸コポリマーＳである請求項１〜３のいずれかに記載の固体分散体。
【請求項５】
（ii）メタクリル酸コポリマーＳおよび／またはメタクリル酸コポリマーＬがメタクリル酸コポリマーＬである請求項１〜３のいずれかに記載の固体分散体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の固体分散体を含む医薬組成物。
【請求項７】
更にポリエチレンオキサイドを含む請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項８】
請求項６または７に記載の医薬組成物を含む経口製剤。
【請求項９】
一層目に請求項７の医薬組成物を含み、二層目に粉砕されたシロスタゾールを含む医薬組成物を含む二層錠。
【請求項１０】
（ｉ）シロスタゾールと（ii）メタクリル酸コポリマーＳおよび／またはメタクリル酸コポリマーＬを、その重量比が１：１〜１：３で熱溶融または加熱混練溶融した後、冷却及び粉砕することを特徴とする固体分散体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月4日(2016.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
神経変性の治療のための不均質な骨髄細胞の亜集団を調製する方法であって、
ａ）未処理骨髄から骨髄細胞の集団を採取し；
ｂ）前記骨髄細胞の集団を低密度でプラスチック表面に播種し；
ｃ）前記播種した細胞集団を洗浄して、付着していない細胞を除去し；
ｄ）前記洗浄した細胞集団からの付着した細胞を血清含有培地中でほぼ集密状態まで培養し；
ｅ）前記培養細胞を約７連続継代以下で連続継代し、各継代において前記培養細胞を低密度で播種し；
ｆ）不均質な骨髄細胞の亜集団を採取すること
を含み、
不均質な骨髄細胞の亜集団により神経変性が治療される、方法。
【請求項２】
前記未処理骨髄が、化学療法剤で前処理されていない対象から採取される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記化学療法剤が５−フルオロウラシルである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記骨髄細胞の集団が密度分画又はＡＣＫ溶解により分離できない、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記密度分画がＦｉｃｏｌｌ（商標）又はＰｅｒｃｏｌｌ（商標）勾配を必要とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記神経変性が虚血による、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
さらに、前記不均質な骨髄細胞の亜集団を神経変性の実験モデルにおいて試験することを含み、神経変性を治療する能力を示す集団のみが選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記実験モデルが虚血の実験モデルである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記虚血の実験モデルが、酸素／グルコース枯渇（ＯＧＤ）細胞培養モデルである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記実験モデルが脳卒中の動物モデルである、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
神経変性を治療する細胞集団を分離するための実験プロトコルを最適化する方法であって、実験プロトコルに従って細胞集団を分離することを含み、
前記細胞集団で神経変性を治療し、
前記プロトコルの各段階の最適パラメーターが、前記分離した細胞集団が神経変性の実験動物モデルにおいて神経変性を治療する効力に対して各パラメーターが及ぼす作用を試験することにより決定される、
方法。
【請求項１２】
前記神経変性が脳梗塞により生じたものである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記パラメーターが、播種時の細胞密度、細胞継代数、培養培地組成、又は細胞分画を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記神経変性の実験モデルが虚血の実験モデルである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記虚血の実験動物モデルが、酸素／グルコース枯渇（ＯＧＤ）細胞培養モデルである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記虚血の実験動物モデルが脳卒中の動物モデルである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記虚血の実験モデルが、中大脳動脈閉塞（ＭＣＡＯ）動物モデルである、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】神経変性の治療のための不均質な骨髄細胞の亜集団を調製する方法
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月26日(2016.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
骨格成長遅延障害の予防または処置のための、単離された可溶性線維芽細胞増殖因子受容体３（ｓＦＧＦＲ３）ポリペプチドまたはそのフラグメントおよび薬学的に許容される担体を含む医薬組成物であって、該単離されたｓＦＧＦＲ３ポリペプチドまたはそのフラグメントが、配列番号１のアミノ酸配列と少なくとも約８５％のアミノ酸配列同一性を有するＦＧＦＲ３の細胞外領域の少なくとも３００の連続するアミノ酸を含む、医薬組成物。
【請求項２】
骨格成長遅延障害が、特発性発育遅延障害である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
骨格成長遅延障害が、ＦＧＦＲ３関連骨系統疾患である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
ＦＧＦＲ３関連骨系統疾患が、タナトフォリック骨異形成症Ｉ型、タナトフォリック骨異形成症ＩＩ型、発育遅延および黒色表皮症を伴う重度の軟骨無形成症、軟骨低形成症、軟骨無形成症および頭蓋骨縫合早期癒合症からなる群より選択される、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
ＦＧＦＲ３関連骨系統疾患が軟骨無形成症である、請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項６】
頭蓋骨縫合早期癒合症が、ミュエンク症候群（Muenke syndrome）および黒色表皮症を伴うクルーゾン症候群からなる群より選択される、請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項７】
ＦＧＦＲ３関連骨系統疾患が、対象における構成的に活性化されたＦＧＦＲ３変異体の発現に起因する、請求項３〜６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
構成的に活性化されたＦＧＦＲ３変異体が、配列番号１のアミノ酸配列の３８０位のグリシン残基のアルギニン残基でのアミノ酸置換（Ｇ３８０Ｒ）を含む、請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
単離されたｓＦＧＦＲ３ポリペプチドまたはそのフラグメントが、配列番号１のアミノ酸配列と少なくとも約９０％のアミノ酸配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
単離されたｓＦＧＦＲ３ポリペプチドまたはそのフラグメントが、配列番号１のアミノ酸配列と少なくとも約９５％のアミノ酸配列同一性を有するアミノ酸配列を含む、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
単離されたｓＦＧＦＲ３ポリペプチドまたはそのフラグメントが、配列番号１のアミノ酸配列を含む、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
単離されたｓＦＧＦＲ３ポリペプチドまたはそのフラグメントが、配列番号１のアミノ酸配列から構成される、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
単離されたｓＦＧＦＲ３ポリペプチドまたはそのフラグメントが、配列番号２の核酸配列の全てまたは一部を含む核酸配列によりコードされる、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
必要とする対象に、１日当たり体重１ｋｇ当たり、約０．０００２ｍｇから約２０ｍｇの単離されたｓＦＧＦＲ３ポリペプチドまたはそのフラグメントを投与するための、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
必要とする対象に、１日当たり体重１ｋｇ当たり、約０．００１ｍｇから約７ｍｇの単離されたｓＦＧＦＲ３ポリペプチドまたはそのフラグメントを投与するための、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
単離されたｓＦＧＦＲ３ポリペプチドまたはそのフラグメントが、異種ポリペプチドをさらに含む、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
異種ポリペプチドがイムノアドヘシンである、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
異種ポリペプチドがＦｃ領域を含む、請求項１６に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
Ｆｃ領域が、ＩｇＧ−１、ＩｇＧ−２およびＩｇＧ−３からなる群より選択される免疫グロブリンの定常ドメインである、請求項１８に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
必要とする対象に、皮下、局所、経口、鼻腔内、眼内、静脈内または筋肉内投与される、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２１】
必要とする対象に皮下投与される、請求項２０に記載の医薬組成物。
【請求項２２】
ヒトに投与するための、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月31日(2016.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式 Ｇｄ３−ｘ−ｙ−ｚＲｘＤｙＥｚＡｌ５−ｓＧａｓＯ１２
（式中、ＲはＬｕ又はＹを表し、Ｄは少なくとも一つの三価ドーパントイオンを表し、Ｅは少なくとも一つの共ドーパントイオンを表し、0≦ｘ≦2； 0.0001≦ｙ≦0.15； 0.0001≦ｚ≦0.15；及び1≦ｓ≦4.0である。）で表される材料であって、この材料は単結晶、多結晶、又はセラミック材料であり、Ｅは、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ及びＧｅから成る群の元素以外の元素のイオンである材料。
【請求項２】
前記Ｅが、Ｂａ、Ｂ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｋ、Ｎａ、Ｓｒ及びＣｕから成る群から選択される元素のイオンである請求項１に記載の材料。
【請求項３】
前記Ｄが、Ｃｅ３＋又はＰｒ３＋である請求項１又は２に記載の材料。
【請求項４】
前記xが0ではない請求項１〜３のいずれか一項に記載の材料。
【請求項５】
前記Ｅが、Ｃａ２＋、Ｂ３＋又はＢａ２＋である請求項１に記載の材料。
【請求項６】
前記xが0であり、且つsが2又は3である請求項１に記載の材料。
【請求項７】
前記yが0.006である請求項１に記載の材料。
【請求項８】
前記zが0.006と0.012の間である請求項１に記載の材料。
【請求項９】
共ドーパントに対するドーパントイオンの比が、10：1から1：10の範囲である請求項１に記載の材料。
【請求項１０】
前記材料が、単結晶である請求項１に記載の材料。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の材料から成るシンチレータ。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の材料を含む放射線検出器。
【請求項１３】
請求項１２に記載の検出器を使用することから成る、ガンマ線、Ｘ線、宇宙線、及び1keV又はそれ以上のエネルギーを有する粒子を検出する方法。
【請求項１４】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の材料を製造する方法であって、この材料は単結晶であり、溶融物から結晶を得る工程を含む方法。
【請求項１５】
希土類元素・ガリウム・アルミニウム・ガーネット型シンチレータの１又はそれ以上のシンチレーション及び/又は光学特性を変化させる方法であって、ドーパントイオン及び共ドーパントイオンの存在下で、この希土類元素・ガリウム・アルミニウム・ガーネット型シンチレータを製造し、その結果共ドープされた希土類元素・ガリウム・アルミニウム・ガーネット型シンチレータを得る工程を含み、この共ドーパントイオンが、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ及びＧｅから成る群の元素以外の元素のイオンである方法。
【請求項１６】
前記希土類元素・ガリウム・アルミニウム・ガーネット型シンチレータが請求項１０に記載のシンチレータである請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記希土類元素・ガリウム・アルミニウム・ガーネット型シンチレータが単結晶であり、当該方法が、（a）このガーネット型シンチレータの成長のための混合物を形成する工程であって、この混合物を形成することが、所定量のドーパントイオンと所定量の少なくとも一つ共ドーパントイオンを提供する工程、（b）この混合物を溶融して溶融物を形成する工程、及び（c）この溶融物から結晶を成長させて、共ドープされた単結晶ガーネット型シンチレータを得る工程を含む請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ドーパントイオンが、Ｃｅ３＋であり、前記共ドーパントがＣａ２＋であり、当該方法が、共ドープされていない希土類元素・ガリウム・アルミニウム・ガーネット型シンチレータと比較して、速い減衰時間、短い立上り時間、及び低下した光感度のうちの１又はそれ以上を示す共ドープされた希土類元素・ガリウム・アルミニウム・ガーネット型シンチレータを提供する請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記ドーパントイオンが、Ｃｅ３＋であり、前記共ドーパントがＢａ２＋であり、当該方法が、共ドープされていない希土類元素・ガリウム・アルミニウム・ガーネット型シンチレータと比較して、高い光収率を示す共ドープされた希土類元素・ガリウム・アルミニウム・ガーネット型シンチレータを提供する請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記ドーパントイオンが、Ｃｅ３＋であり、前記共ドーパントがＢ３＋であり、当該方法が、共ドープされていない希土類元素・ガリウム・アルミニウム・ガーネット型シンチレータと比較して、良好なエネルギー解像度、高い光収率、長い減衰時間、短い立上り時間、良い比例性、及び低下した光感度のうちの１又はそれ以上を示す共ドープされた希土類元素・ガリウム・アルミニウム・ガーネット型シンチレータを提供する請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項２１】
更に、前記共ドープされたガーネット型シンチレータをアニーリングする工程を含む請求項１５又は１６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
いくつかの実施態様において、本発明は、一般式
Ｇｄ３−ｘ−ｙ−ｚＲｘＤｙＥｚＡｌ５−ｓＧａｓＯ１２
（式中、ＲはＬｕ又はＹを表し、Ｄは少なくとも一つの三価ドーパントイオンを表し、Ｅは少なくとも一つの共ドーパントイオンを表し、0≦ｘ≦2； 0.0001≦ｙ≦0.15； 0.0001≦ｚ≦0.15；及び1≦ｓ≦4.0である。）で表される材料を提供し、この材料は、単結晶、多結晶、又はセラミック材料である。任意に、Ｅは、Ｓｃ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ及びＧｅから成る群の１又はそれ以上から選択される元素のイオンではない。
いくつかの実施態様において、上記少なくとも一つの三価ドーパントイオンは、Ｃｅ３＋又はＰｒ３＋である。いくつかの実施態様において、Ｅは、Ｂａ、Ｂ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｎｂ、Ｋ、Ｎａ、Ｓｒ及びＣｕ又はこれらの任意のサブセットから選択される元素のイオンである。いくつかの実施態様において、上記少なくとも一つの共ドーパントイオンは、Ｃａ２＋、Ｂ３＋又はＢａ２＋である。
いくつかの実施態様において、xは0であり、且つsは2又は3である。またいくつかの実施態様において、yは約0.006である。またいくつかの実施態様において、zは約0.006と約0.012の間である。またいくつかの実施態様において、共ドーパントに対するドーパントイオンの比は、約10：1から約1：10の範囲である。
いくつかの実施態様において、その材料は単結晶である。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月21日(2016.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に装着されたコンフォーマルセンサデバイスを使用して前記表面をモニタリングするシステムであって、
ディスプレイ装置と、
処理装置及び関連するメモリであって、前記処理装置は前記メモリにアクセスしてそこに記憶されている前記処理装置で実行可能な命令を実行するものである、処理装置及びメモリと、
前記コンフォーマルセンサデバイスからデータを受信するように構成された通信モジュールであって、前記データは、前記コンフォーマルセンサデバイスのセンサコンポーネントに入射する紫外線電磁放射量を表す、通信モジュールと、
分析エンジンを備えるアプリケーションであって、前記アプリケーションは前記処理装置によって実行されることにより、前記分析エンジンに前記データの分析を開始させて１つ又は複数のパラメータを決定させ、前記１つ又は複数のパラメータはＵＶ曝露量パーセンテージの計算値を含む、アプリケーションと
を備えるシステム。
【請求項２】
前記曝露量パーセンテージの計算値のパラメータは、前記ディスプレイ装置においてＵＶ曝露量ホイールの形態で表示される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ディスプレイ装置は、前記曝露量パーセンテージの計算値を数値及びＵＶ曝露量ホイールの形態で表示するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ディスプレイ装置は、前記分析エンジンによって決定された前記１つ又は複数のパラメータを表示するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記１つ又は複数のパラメータは、安全なＵＶ曝露量のための推奨残り時間を更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記安全なＵＶ曝露量のための推奨残り時間は、特定日の累積ＵＶＩ−分曝露量、ならびに測定されたＵＶＡ及びＵＶＢレベルに基づく、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記１つ又は複数のパラメータは、曝露の経過時間、ＳＰＦの推奨値、ＵＶＡに関する値、ＵＶＢに関する値、又はこれらの任意の組合せを更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
受信される前記データは、前記表面の一部分の温度を更に表す、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
スマートフォンである、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記通信モジュールにデータを送信するように構成されたコンフォーマルセンサデバイスを更に備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記コンフォーマルセンサデバイスは柔軟かつ伸縮自在の基板を含み、前記センサコンポーネントは前記柔軟かつ伸縮自在の基板上に配置されている、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記コンフォーマルセンサデバイスはさらに、前記センサコンポーネントを前記コンフォーマルセンサデバイスの少なくとも１つの他のコンポーネントと電気的に結合する少なくとも１つの伸縮自在な相互接続を備え、前記少なくとも１つの他のコンポーネントは、バッテリ、送信機、送受信機、増幅器、処理装置、バッテリ用充電レギュレータ、無線周波数部品、メモリ、およびアナログセンシングブロックのうちの少なくとも１つである、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記通信モジュールは、前記データを受信するための近距離無線通信（ＮＦＣ）対応コンポーネントを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記表面は、組織、布地、植物、芸術作品、紙、木、機械道具、または機器の一部分である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
表面に装着されたコンフォーマルセンサデバイスを使用して前記表面をモニタリングするシステムであって、
ディスプレイ装置と、
処理装置及び関連するメモリであって、前記処理装置は前記メモリにアクセスしてそこに記憶されている前記処理装置で実行可能な命令を実行するものである、処理装置及びメモリと、
前記コンフォーマルセンサデバイスからデータを受信するように構成された通信モジュールであって、前記データは前記表面の一部分の温度を表す、通信モジュールと、
分析エンジンを備えるアプリケーションであって、前記アプリケーションは前記処理装置によって実行されることにより、前記分析エンジンに前記データの分析を開始させて１つ又は複数のパラメータを決定させ、前記１つ又は複数のパラメータは前記皮膚の一部分の最新の測定温度を含む、アプリケーションと
を備えるシステム。
【請求項１６】
前記皮膚の一部分の最新の測定温度は、前記ディスプレイ装置において温度計グラフィックの形態で表示される、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記ディスプレイ装置は、前記皮膚の一部分の最新の測定温度を数値及び温度計グラフィックの形態で表示するように構成されている、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
前記ディスプレイ装置は、前記分析エンジンによって決定された前記１つ又は複数のパラメータを表示するように構成されている、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１９】
前記１つ又は複数のパラメータは、前記皮膚の一部分の平均温度、前記皮膚の一部分の最低温度、及び前記皮膚の一部分の最高温度を更に含む、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２０】
受信される前記データは、前記コンフォーマルセンサデバイスのセンサコンポーネントに入射する紫外線電磁放射量を更に表す、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２１】
スマートフォンである、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２２】
前記通信モジュールにデータを送信するように構成されたコンフォーマルセンサデバイスを更に備える、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２３】
前記コンフォーマルセンサデバイスは柔軟かつ伸縮自在の基板を含み、前記センサコンポーネントは前記柔軟かつ伸縮自在の基板上に配置されている、請求項２２に記載のシステム。
【請求項２４】
前記コンフォーマルセンサデバイスはさらに、前記センサコンポーネントを前記コンフォーマルセンサデバイスの少なくとも１つの他のコンポーネントと電気的に結合する少なくとも１つの伸縮自在な相互接続を備え、前記少なくとも１つの他のコンポーネントは、バッテリ、送信機、送受信機、増幅器、処理装置、バッテリ用充電レギュレータ、無線周波数部品、メモリ、およびアナログセンシングブロックのうちの少なくとも１つである、請求項２３に記載のシステム。
【請求項２５】
前記通信モジュールは、前記データを受信するための近距離無線通信（ＮＦＣ）対応コンポーネントを備える、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２６】
前記表面は、組織、布地、植物、芸術作品、紙、木、機械道具、または機器の一部分である、請求項１５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年11月8日(2016.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオストリームのノイズ低減のためのデバイスであって、前記デバイスは、
関心のあるピクセルに近隣する複数のピクセルのための最大値と、前記関心のあるピクセルに近隣する複数のピクセルのための最小値との間の範囲が、前記ビデオストリームの第１の画像を符号化するために使用される量子化パラメータとしきい値との積を超える場合、デリンギングのための前記ビデオストリーム中に含まれる前記第１の画像中の前記関心のあるピクセルを決定するための手段と、
前記ビデオストリーム中に含まれる前記画像中のブロックパターンを識別するための手段と、ここにおいて、前記ブロックパターンを識別することが、所定のサイズのブロックパターンと、任意のサイズのブロックパターンとを識別することを含む、
前記第１の画像と、前記決定された関心のあるピクセルと、前記ブロックパターンとに基づいて、第２の画像を生成するために前記第１の画像をフィルタ処理するための手段とを備える、デバイス。
【請求項２】
関心のあるピクセルを決定するための前記手段は、リンギングノイズ検出器であり、
ブロックパターンを識別するための前記手段は、ブロック検出器であり、
フィルタ処理するための前記手段は、ノイズ低減器である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記画像の前記識別されたブロックパターンを記憶するように構成されたメモリをさらに備え、前記ノイズ低減器が、前記記憶されたブロックパターンに基づいて前記画像をフィルタ処理するように構成された、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記画像をフィルタ処理することが、水平フィルタ処理および垂直フィルタ処理のうちの少なくとも１つを含む、および／または、
前記画像をフィルタ処理することが、前記画像をデブロックすることと、前記画像をデリングすることのうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載のデバイス。
【請求項５】
デブロックすることは、前記ブロックパターンが識別されたときに前記画像全体をデブロックすることと、さもなければ前記画像の一部分をデブロックすることとを含む、および／または、
デブロックすることが、前記画像のブロック特性としきい値との比較に基づいて、前記画像全体をデブロックすることを含む、請求項４に記載のデバイス。
【請求項６】
デリングすることが、
前記関心のあるピクセルの値に基づいて第２のピクセル値を生成することを備える、請求項４に記載のデバイス。
【請求項７】
前記近隣する複数のピクセルが、
隣接ピクセルの第１のセットと、
隣接ピクセルの第２のセットとを備え、ここにおいて、少なくとも１つのピクセルが、ピクセルの前記第１のセットとピクセルの前記第２のセットとの間に位置し、前記少なくとも１つのピクセルが、ピクセルの前記第１のセット中にもピクセルの第２のセット中にも含まれない、請求項２に記載のデバイス。
【請求項８】
ビデオストリームのノイズ低減のための方法であって、前記方法は、
関心のあるピクセルに近隣する複数のピクセルのための最大値と、前記関心のあるピクセルに近隣する複数のピクセルのための最小値との間の範囲が、前記ビデオストリームの第１の画像を符号化するために使用される量子化パラメータとしきい値との積を超える場合、デリンギングのための前記ビデオストリーム中に含まれる前記第１の画像中の前記関心のあるピクセルを決定することと、
前記ビデオストリーム中に含まれる前記画像中のブロックパターンを識別することと、ここにおいて、前記ブロックパターンを識別することが、所定のサイズのブロックパターンと、任意のサイズのブロックパターンとを識別することを含む、
前記第１の画像と、前記決定された関心のあるピクセルと、前記ブロックパターンとに基づいて、第２の画像を生成するために前記第１の画像をフィルタ処理することとを備える、方法。
【請求項９】
前記画像の前記識別されたブロックパターンを記憶することをさらに備え、ここにおいて、前記画像をフィルタ処理することが、前記記憶されたブロックパターンに基づく、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記画像をフィルタ処理することが、水平フィルタ処理および垂直フィルタ処理のうちの少なくとも１つを含む、および／または、
前記画像をフィルタ処理することが、前記画像をデブロックすることと、前記画像をデリングすることのうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
デブロックすることは、前記ブロックパターンが識別されたときに前記画像全体をデブロックすることと、さもなければ前記画像の一部分をデブロックすることとを含む、および／または、
デブロックすることが、前記画像のブロック特性としきい値との比較に基づいて、前記画像全体をデブロックすることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
デリングすることが、前記関心のあるピクセルの値に基づいて第２のピクセル値を生成することを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数のピクセルが、
隣接ピクセルの第１のセットと、
隣接ピクセルの第２のセットとを備え、ここにおいて、少なくとも１つのピクセルが、ピクセルの前記第１のセットとピクセルの前記第２のセットとの間に位置し、前記少なくとも１つのピクセルが、ピクセルの前記第１のセット中にもピクセルの第２のセット中にも含まれない、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
ビデオデータが、第１のコーデックを使用して符号化された第１の部分と、第２のコーデックを使用して符号化された第２の部分とを含む、請求項１に記載のデバイス、または請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
ビデオストリームのノイズ低減のための装置のプロセッサによって実行可能な命令を備えるコンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令は、前記装置に、請求項８乃至１４のうちのいずれか１項に記載の方法を実行させる、コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月24日(2016.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＤＤＲ型ゼオライト結晶を含む吸着剤又は膜と、第１成分及び第２成分を含有するインプットガス流とを接触させて、前記インプットガス流と比べて、前記第１成分に富む第１ガス流を形成すること；及び
前記インプットガス流と比べて、前記第２成分に富む第２ガス流を集めること
を含む、ガス分離を行う方法であって、
前記ＤＤＲ型ゼオライト結晶が、少なくとも約０．０１のアルカリ金属とシリカとの比を有する合成混合物を使用して合成され、前記吸着剤が、約０．０５重量％以下のアルカリ金属不純物含有量の結晶から構成され；合成したままの前記ＤＤＲ型ゼオライト結晶が、少なくとも約０．１重量％のアルカリ金属不純物含有量を有し、前記吸着剤を接触させる前に、前記ＤＤＲ型ゼオライト結晶をアルカリ金属不純物除去プロセスに曝すことによって、前記アルカリ金属不純物含有量が低減される、ガス分離を行う方法。
【請求項２】
前記吸着剤がスイング吸着器ユニット中にあり、前記吸着剤が前記接触中に前記第２成分の少なくとも一部を吸着する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記スイング吸着器ユニットが、迅速サイクル圧力スイング吸着器ユニットまたは迅速サイクル温度スイング吸着剤ユニットである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１ガス流が保持流れであり、前記第２ガス流が透過流れである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＤＤＲ型ゼオライトが、Ｓｉｇｍａ−１、ＺＳＭ−５８、ＳＳＺ−２８、またはそれらの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
合成されたままの前記ＤＤＲ型ゼオライト結晶についてのＣＯ２吸着等温線が、アルカリ金属不純物除去プロセス後の少なくとも約４０ｋＰａのＣＯ２分圧でのＤＤＲ型ゼオライト結晶についてのＣＯ２吸着等温線より、ゼオライトの１グラム当たり少なくとも約０．０５ミリモル大きいＣＯ２の吸着取り込みを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記合成混合物中の前記アルカリ金属がナトリウムを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＤＤＲ型結晶が、約０．０５重量％以下のアルミナ含有量を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１成分が、ＣＨ４であり、前記第２成分が、ＣＯ２、Ｎ２、Ｈ２Ｓ、又はそれらの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１成分が、ＣＨ４とＨ２Ｓの組み合わせであり、前記第２成分が、ＣＯ２、Ｎ２、又はそれらの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年10月28日(2016.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
手首着用チャージ受信デバイスであって、
無線周波数（ＲＦ）充電エネルギを受信するのに好適するアンテナコイルであって、前記アンテナコイルは非一様な巻線を備え、ここにおいて、前記非一様な巻線は第１の領域および第２の異なる領域を備え、前記第１の領域における前記巻線の空間は前記第２の領域における前記巻線の空間より狭く、前記第１の領域は、前記第２の領域が配置される平面とは異なる平面に配置され、前記非一様な巻線および前記アンテナコイルの形状は、デカルト座標系に関して傾斜した複数の充電面を形成する、アンテナコイルと、
前記アンテナコイルに接続された再充電可能な電源であって、前記アンテナコイルは、前記再充電可能な電源に前記ＲＦ充電エネルギを供給するのに好適する再充電可能な電源と、を備える手首着用チャージ受信デバイス。
【請求項２】
前記アンテナコイルは、“Ｃ”形状の位置を備える請求項１に記載の手首着用チャージ受信デバイス。
【請求項３】
前記アンテナコイルは、ループ形状の位置を備え、前記ループ形状の位置と前記Ｃ形状の位置間で移動するように構成される請求項２に記載の手首着用チャージ受信デバイス。
【請求項４】
前記手首着用チャージ受信デバイスはさらに手首バンドを備え、前記手首バンドは前記アンテナコイルと前記再充電可能な電源を含む請求項１に記載の手首着用チャージ受信デバイス。
【請求項５】
前記手首バンドは、ループ形状の位置とＣ形状の位置間で移動するように構成される請求項４に記載の手首着用チャージ受信デバイス。
【請求項６】
手首着用デバイスを無線で充電するためのシステムであって、
無電周波数（ＲＦ）充電エネルギ生成要素と、
前記ＲＦ充電エネルギを放射するように構成された送信アンテナであって、第１のコイルと第２のコイルとを備え、前記第１のコイルと前記第２のコイルはそれぞれ複数の巻線を備え、前記第１のコイルの巻線は前記第２のコイルの巻線の方向と逆の方向に巻かれ、ここにおいて、前記第２のコイルは前記第１のコイル周辺に配置され、および前記第１および第２のコイルは、前記第１のコイルおよび前記第２のコイル間の領域に集束される磁界を生成するように構成される、送信アンテナと、
前記第１のコイルおよび前記第２のコイル間に配置されたチャージ受信デバイスであって、前記チャージ受信デバイスは、受信アンテナコイルと前記受信アンテナコイルに接続された再充電可能な電源とを備え、前記受信アンテナコイルは、前記ＲＦ充電エネルギを受信するとともに、当該ＲＦ充電エネルギを前記再充電可能な電源に供給するのに適した非一様な巻線を備え、ここにおいて、前記非一様な巻線は第１の領域および第２の異なる領域を備え、前記第１の領域における前記巻線の空間は前記第２の領域における前記巻線の空間より狭く、前記第１の領域は、前記第２の領域が配置される平面とは異なる平面に配置され、前記非一様な巻線および前記アンテナコイルの形状は、デカルト座標系に関して傾斜した複数の充電面を形成する、チャージ受信デバイスと、を備えるシステム。
【請求項７】
前記受信アンテナコイルは“Ｃ”形状の位置を備える請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記受信アンテナコイルはループ形状の位置を備え、前記ループ形状の位置と前記Ｃ形状の位置間で移動するように構成される請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記チャージ受信デバイスはさらに、手首バンドを備え、前記手首バンドは前記受信アンテナコイルと前記再充電可能な電源とを含む請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
前記手首バンドは、ループ形状の位置とＣ形状の位置間で移動するように構成される請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月21日(2016.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加圧された液体を提供する飲料機内で飲料を生成する際の使用のためのカートリッジであって、前記カートリッジは、
外面および内部空間を有する容器と、
前記容器に取り付けられ、かつ前記内部空間に向けた開口部を規定する枠と、
前記枠に取り付けられ、かつ前記容器の開口部を塞ぐ蓋と、
前記内部空間内に配置され、かつ前記内部空間内において第１チャンバおよび第２チャンバを規定する膜であって、前記膜は、前記第１チャンバおよび前記第２チャンバを選択的に隔離するように構成されている、膜と、
前記第２チャンバ内に貯蔵される流体と、
前記第１チャンバ内に配置されたフィルタであって、前記フィルタは、第１飲料媒体を包含するように整えられており、前記フィルタは、透過性でありかつ前記第１飲料媒体と前記膜との間に配置されている、フィルタと、
を備える、カートリッジ。
【請求項２】
前記膜は、前記第１チャンバから前記第２チャンバ内への前記加圧液体の流れを可能にし、かつ前記第２チャンバから前記第１チャンバ内への流れを防止するように整えられた一方向弁を含む、請求項１に記載のカートリッジ。
【請求項３】
前記膜は、流体不透過性であり、前記第１チャンバと前記第２チャンバの間に配置された脆弱な接合部を含み、前記脆弱な接合部の破損に応じて前記第１チャンバおよび前記第２チャンバを接合するように構成されている、請求項１に記載のカートリッジ。
【請求項４】
前記膜は、前記容器の外面に印加される所定の閾値を上回る圧力が前記脆弱な接合部の破損を引き起こすように前記容器に結合される、請求項３に記載のカートリッジ。
【請求項５】
前記脆弱な接合部を前記容器の外面に結合する構造梁をさらに備える、請求項３に記載のカートリッジ。
【請求項６】
前記膜は、前記フィルタに隣接する少なくとも一部を有する、請求項１に記載のカートリッジ。
【請求項７】
前記フィルタと前記膜との間に第３チャンバをさらに備える、請求項１に記載のカートリッジ。
【請求項８】
前記フィルタは、前記蓋に取り付けられている、請求項１に記載のカートリッジ。
【請求項９】
前記フィルタは、前記容器に取り付けられている、請求項１に記載のカートリッジ。
【請求項１０】
前記膜は、前記蓋に取り付けられている、請求項１に記載のカートリッジ。
【請求項１１】
前記膜は、前記第１チャンバから前記第２チャンバ内への前記加圧液体の流れを可能にし、かつ前記第２チャンバから前記第１チャンバ内への流れを防止するように整えられた一方向弁を含む、請求項１０に記載のカートリッジ。
【請求項１２】
前記膜は、流体不透過性であり、前記第１チャンバと前記第２チャンバの間に配置された脆弱な接合部を含み、前記脆弱な接合部の破損に応じて前記第１チャンバおよび前記第２チャンバを接合するように構成されている、請求項１０に記載のカートリッジ。
【請求項１３】
前記膜は、前記容器の外面に印加される所定の閾値を上回る圧力が前記脆弱な接合部の破損を引き起こすように前記容器に結合される、請求項１２に記載のカートリッジ。
【請求項１４】
前記脆弱な接合部を前記容器の外面に結合する構造梁をさらに備える、請求項１２に記載のカートリッジ。
【請求項１５】
前記膜は、前記容器に取り付けられている、請求項１に記載のカートリッジ。
【請求項１６】
前記膜は、前記第１チャンバから前記第２チャンバ内への前記加圧液体の流れを可能にし、かつ前記第２チャンバから前記第１チャンバ内への流れを防止するように整えられた一方向弁を含む、請求項１５に記載のカートリッジ。
【請求項１７】
前記膜は、流体不透過性であり、前記第１チャンバと前記第２チャンバの間に配置された脆弱な接合部を含み、前記脆弱な接合部の破損に応じて前記第１チャンバおよび前記第２チャンバを接合するように構成されている、請求項１５に記載のカートリッジ。
【請求項１８】
前記膜は、前記容器の外面に印加される所定の閾値を上回る圧力が前記脆弱な接合部の破損を引き起こすように前記容器に結合される、請求項１７に記載のカートリッジ。
【請求項１９】
前記脆弱な接合部を前記容器の外面に結合する構造梁をさらに備える、請求項１７に記載のカートリッジ。
【請求項２０】
加圧された液体を提供する飲料機内で飲料を生成する際の使用のためのカートリッジであって、前記カートリッジは、
外面および内部空間を有する容器と、
前記容器に取り付けられ、かつ前記内部空間に向けた開口部を規定する枠と、
前記枠に取り付けられ、かつ前記容器の開口部を塞ぐ蓋であって、前記蓋は、前記飲料を生成するために前記内部空間への前記加圧液体の流入流を収容するために前記飲料機により穿刺可能である、蓋と、
前記内部空間内に配置され、かつ前記内部空間内において第１チャンバおよび第２チャンバを規定する膜であって、前記膜は、前記第１チャンバおよび前記第２チャンバを選択的に隔離するように構成されている、膜と、
前記第２チャンバ内に貯蔵される流体であって、前記流体は、前記飲料を生成するために前記容器に導入された加圧液体と相互作用するように整えられている、流体と、
前記第１チャンバ内に配置されたフィルタであって、前記フィルタは、前記飲料を生成するために前記容器に導入された加圧液体と相互作用するように整えられた第１飲料媒体を包含するように整えられており、前記フィルタは、透過性でありかつ前記第１飲料媒体と前記膜との間に配置されている、フィルタと、
を備える、カートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月21日(2016.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力供給バスシステムであって、
直流（ＤＣ）出力を提供する電力源と、
電気的に絶縁されたキャリア、前記電気的に絶縁されたキャリアに取り付けられ、前記電気的に絶縁されたキャリアの表面に露出された一対の導電性レール、および、前記電気的に絶縁されたキャリアと関連する強磁性レールを備える導電性のコンダクティブバスであって、前記一対の導電性レールおよび前記強磁性レールは、前記電気的に絶縁されたキャリアの長さの大部分に沿って、互いに平行に伸びており、前記強磁性レールは、前記一対の導電性レールの間に等間隔で配置され、少なくとも１つの前記一対の導電性レールが、前記電力源と電気的に接続されている導電性のコンダクティブバスと、
磁石および一対の電気接点を有する少なくとも１つの装置であって、前記強磁性レールに電気的に接続された前記磁石を用いて、前記装置が前記電気的に絶縁されたキャリアの表面上に配置されるとき、前記一対の電気接点のそれぞれが、前記一対の導電性レールの１つに接続する装置と、を含んでおり、
前記少なくとも１つの装置は、前記コンダクティブバスに対して複数の方向に、前記コンダクティブバスに電気的、機械的に取り付け可能であり、前記少なくとも１つの装置は、１回の動作で、前記コンダクティブバスに対して複数の方向のうちの１つの方向に、前記コンダクティブバスへ取り付け可能であることを特徴とする電力供給バスシステム。
【請求項２】
前記強磁性レールは前記電気的に絶縁されたキャリアの前記表面上に露出されることを特徴とする請求項１に記載の電力供給バスシステム。
【請求項３】
前記強磁性レールは前記電気的に絶縁されたキャリア内に埋め込まれることを特徴とする請求項１に記載の電力供給バスシステム。
【請求項４】
電力供給バスシステムであって、
直流（ＤＣ）出力を提供する電力源と、
電気的に絶縁されたキャリア、前記電気的に絶縁されたキャリアに取り付けられ、前記電気的に絶縁されたキャリアの第１の表面に露出された一対の導電性レール、および、前記電気的に絶縁されたキャリアと関連する一対の強磁性レールを備える、導電性のコンダクティブバスであって、前記一対の導電性レールおよび前記一対の強磁性レールは、前記電気的に絶縁されたキャリアの長さの大部分に沿って、互いに平行に伸びており、前記強磁性レールは、前記一対の導電性レールの間に配置され、少なくとも１つの前記導電性レールが、前記電力源と電気的に接続されている導電性のコンダクティブバスと、
一対の磁石および一対の電気接点を有する少なくとも１つの装置であって、前記一対の強磁性レールの１つに電気的に接続された前記一対の磁石のそれぞれを用いて、前記装置が前記電子的に絶縁されたキャリアの第１の表面上に配置されるとき、前記一対の電気接点のそれぞれが、前記一対の導電性レールの１つに電気的に接続する装置と、を含んでおり、
前記少なくとも１つの装置は、前記コンダクティブバスに対して複数の方向に、前記コンダクティブバスへ電気的、機械的に取り付け可能であり、
前記少なくとも１つの装置は、１回の動作で、前記コンダクティブバスに対して複数の方向のうちの１つの方向に、前記コンダクティブバスへ取り付け可能であることを特徴とする電力供給バスシステム。
【請求項５】
前記一対の強磁性レールは、前記電気的に絶縁されたキャリアの前記第１の表面と反対側の、電子的に絶縁されたキャリアの第２の表面上に露出されることを特徴とする請求項４に記載の電子供給バスシステム。
【請求項６】
前記強磁性レールは前記電気的に絶縁されたキャリア内に埋め込まれていることを特徴とする請求項４に記載の電子供給バスシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月30日(2016.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造であって、
互いに垂直である第１の孤立線及び第２の孤立線、
を含み、
前記検査構造は更に、
各々が前記第１の孤立線の一方の側に位置して互いに対向する２つの図形を含む第１のフィールド領域パターン、
を含むことを特徴とする検査構造。
【請求項２】
前記２つの図形から前記第１の孤立線までの距離が同じであることを特徴とする請求項１に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
【請求項３】
前記第１のフィールド領域パターンの個数が、少なくとも２つであり、異なる第１のフィールド領域パターン内の前記図形から前記第１の孤立線までの距離が等しくないことを特徴とする請求項２に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
【請求項４】
前記図形は、矩形であり、該矩形の１対の対向する辺が、前記第１の孤立線と平行であることを特徴とする請求項３に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
【請求項５】
前記第１の孤立線と平行であり、かつ該第１の孤立線に近い前記対向する辺の対の一方の辺から該第１の孤立線までの距離が、１μｍから５μｍの範囲であることを特徴とする請求項４に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
【請求項６】
前記第１の孤立線及び前記第２の孤立線は、直角折れ線を形成し、
スクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造が、第２のフィールド領域パターンを更に含み、該第２のフィールド領域パターンは、前記第１の孤立線と前記第２の孤立線とによって形成される直角の内側であり、該第２のフィールド領域パターンは、該第２の孤立線に平行な１対の矩形図形を含む、
ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
【請求項７】
前記第２のフィールド領域パターンは、前記第２の孤立線に対して垂直である該第２のフィールド領域パターンの矩形図形の辺に平行であるストリップ状図形を更に含むことを特徴とする請求項６に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
【請求項８】
前記第２のフィールド領域パターンの個数が、少なくとも２つであり、該第２のフィールド領域パターンの各々において、前記ストリップ状図形の長さが、前記矩形図形の辺に等しく、前記第２の孤立線までの各第２のフィールド領域パターンの距離が同じであることを特徴とする請求項７に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査構造。
【請求項９】
スクライビングスロットのストリップ幅のための検査方法であって、
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の前記スクライビングスロットの前記ストリップ幅のための検査構造のマスクを提供する段階と、
フォトリソグラフィ工程を実施することにより、前記スクライビングスロットの前記ストリップ幅のための前記検査構造をウェーハ上のスクライビングスロットに転写する段階と、
前記ウェーハ上の前記スクライビングスロットの前記ストリップ幅のための前記検査構造の線幅を検査する段階と、
を含むことを特徴とする検査方法。
【請求項１０】
前記スクライビングスロットの前記ストリップ幅のための前記検査構造は、フォトリソグラフィによってウェーハの単結晶シリコンソース領域の面に転写されることを特徴とする請求項９に記載のスクライビングスロットのストリップ幅のための検査方法。