(57)【要約】【課題】高い位置精度で複数の分離溝を形成する。【解決手段】基板１０上に堆積された第１層における所定数の被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅ内の各々に、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅと一対一の対応関係となるように所定数と同数の第１レーザヘッドを使用して複数の第１分離溝１を形成し、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅ内の各々にアライメント部ＭＡ〜ＭＥ，ＮＡ〜ＮＥを設ける。複数の第１分離溝１が形成された第１層の上に第２層１２を成膜する。第２層１２に、複数の第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅを使用して、複数の第２分離溝２を形成する。１つの被加工範囲３１Ａ内に形成された複数の第１分離溝１の各々に沿うように、この１つの被加工範囲３１Ａ内に形成されたアライメント部ＭＡ，ＮＡの位置に基づいて複数の第２分離溝２が形成される。【選択図】図２２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に堆積された第１層における所定数の被加工範囲内の各々に、前記被加工範囲と一対一の対応関係となるように前記所定数と同数の第１レーザヘッドを使用して複数の第１分離溝を形成し、前記所定数の前記被加工範囲内の各々にアライメント部を設ける第１レーザスクライブ工程と、
複数の前記第１分離溝が形成された前記第１層の上に第２層を成膜する成膜工程と、
前記第２層に、複数の第２レーザヘッドを使用して、複数の第２分離溝を形成する第２レーザスクライブ工程と、を備え、
前記第２レーザスクライブ工程においては、１つの前記被加工範囲内に形成された複数の前記第１分離溝の各々に沿うように、この１つの前記被加工範囲内に設けられた前記アライメント部の位置に基づいて複数の前記第２分離溝が形成される、
薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記第１レーザスクライブ工程において使用される前記第１レーザヘッドの数よりも、前記第２レーザスクライブ工程において使用される前記第２レーザヘッドの数の方が少ない、
請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記第１層に形成される前記第１分離溝の数よりも、前記第２層に形成される前記第２分離溝の数の方が少ない、
請求項１または２に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】
複数の前記第２分離溝が形成された前記第２層の上に第３層を成膜する他の成膜工程と、
前記第３層に、複数の第３分離溝を形成する第３レーザスクライブ工程とをさらに備え、
前記第３レーザスクライブ工程においては、１つの前記被加工範囲内に形成された複数の前記第１分離溝の各々に沿うように、この１つの前記被加工範囲内に設定された前記アライメント部の位置に基づいて複数の前記第３分離溝が形成される、
請求項１から３のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】
基板上に堆積された第１層における所定数の被加工範囲内の各々に、前記被加工範囲と一対一の対応関係となるように使用されることによって複数の第１分離溝を形成し、前記所定数の前記被加工範囲内の各々にアライメント部を設ける前記所定数と同数の第１レーザヘッドと、
複数の前記第１分離溝が形成された前記第１層の上に第２層を成膜する成膜装置と、
前記第２層に複数の第２分離溝を形成する複数の第２レーザヘッドと、を備え、
複数の前記第２分離溝が形成される際には、１つの前記被加工範囲内に形成された複数の前記第１分離溝の各々に沿うように、この１つの前記被加工範囲内に設けられた前記アライメント部の位置に基づいて複数の前記第２分離溝が形成される、
薄膜太陽電池の製造装置。
【請求項６】
前記第１レーザヘッドの数よりも、前記第２レーザヘッドの数の方が少ない、
請求項５に記載の薄膜太陽電池の製造装置。
【請求項７】
前記第１層に形成される前記第１分離溝の数よりも、前記第２層に形成される前記第２分離溝の数の方が少ない、
請求項５または６に記載の薄膜太陽電池の製造装置。
【請求項８】
複数の前記第２分離溝が形成された前記第２層の上に第３層を成膜する他の成膜装置と、
前記第３層に、複数の第３分離溝を形成する複数の第３レーザヘッドと、をさらに備え、
複数の前記第３分離溝が形成される際には、１つの前記被加工範囲内に形成された複数の前記第１分離溝の各々に沿うように、この１つの前記被加工範囲内に設けられた前記アライメント部の位置に基づいて複数の前記第３分離溝が形成される、
請求項５から７のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜太陽電池の製造方法および製造装置に関し、特に、基板上に形成された層に複数の分離溝を形成する薄膜太陽電池の製造方法および製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００７−０４８８３５号公報（特許文献１）、特開２０１０−１１８６９４号公報（特許文献２）、および特開２０１０−２５１６６４号公報（特許文献３）に開示されるように、基板上に形成された層に複数の分離溝を形成する薄膜太陽電池の製造方法および製造装置が知られている。
【０００３】
薄膜太陽電池は、透明基板、透明電極層、半導体光電変換層、および裏面電極層を含む。透明電極層、半導体光電変換層、および裏面電極層は、透明基板の上に順次積層される。これらの各層には、複数の太陽電池セルを構成するために、レーザ光を用いて複数の分離溝（スクライブラインともいう）が形成される。基板上の各層に複数の分離溝が形成される際には、各層においてレーザ光が良好に吸収されるように、各層に適したレーザ光が使用される。
【０００４】
各層に形成される複数の分離溝は、各層にて所定の間隔をあけてライン状に並べて形成される。薄膜太陽電池としての出力特性を向上させるために、これらの分離溝同士の間隔（より具体的には、透明電極層に形成された分離溝と半導体光電変換層に形成された分離溝との間隔、および、半導体光電変換層に形成された分離溝と裏面電極層に形成された分離溝との間隔）は、互いに接触しない範囲で可能な限り狭くすることが望まれる。
【０００５】
一般的には、これらの分離溝同士の間隔を狭くするために、基板上に形成された層に位置決めの基準となるアライメントマーク等が形成される。薄膜太陽電池の製造装置（レーザ加工装置）は、アライメントマーク等の位置に基づいてレーザ光の照射位置を補正しながら、各層に複数の分離溝を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−０４８８３５号公報
【特許文献２】特開２０１０−１１８６９４号公報
【特許文献３】特開２０１０−２５１６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来では、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に複数の分離溝を形成する際、各レーザスクライブ工程におけるレーザ加工速度の違い、使用される複数のレーザヘッド毎のレーザ加工線数の違い、または、各レーザスクライブ工程において使用されるレーザヘッド個数の違いなどに起因して、各層に形成された複数の溝の位置精度が低下し、その結果、薄膜太陽電池の出力特性にばらつきが生じるということがあった。
【０００８】
本発明は、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能な薄膜太陽電池の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に基づく薄膜太陽電池の製造方法は、基板上に堆積された第１層における所定数の被加工範囲内の各々に、上記被加工範囲と一対一の対応関係となるように上記所定数と同数の第１レーザヘッドを使用して複数の第１分離溝を形成し、上記所定数の上記被加工範囲内の各々にアライメント部を設ける第１レーザスクライブ工程と、複数の上記第１分離溝が形成された上記第１層の上に第２層を成膜する成膜工程と、上記第２層に、複数の第２レーザヘッドを使用して、複数の第２分離溝を形成する第２レーザスクライブ工程と、を備え、上記第２レーザスクライブ工程においては、１つの上記被加工範囲内に形成された複数の上記第１分離溝の各々に沿うように、この１つの上記被加工範囲内に設けられた上記アライメント部の位置に基づいて複数の上記第２分離溝が形成される。
【００１０】
好ましくは、上記第１レーザスクライブ工程において使用される上記第１レーザヘッドの数よりも、上記第２レーザスクライブ工程において使用される上記第２レーザヘッドの数の方が少ない。好ましくは、上記第１層に形成される上記第１分離溝の数よりも、上記第２層に形成される上記第２分離溝の数の方が少ない。好ましくは、本発明に基づく上記の薄膜太陽電池の製造方法は、複数の上記第２分離溝が形成された上記第２層の上に第３層を成膜する他の成膜工程と、上記第３層に、複数の第３分離溝を形成する第３レーザスクライブ工程とをさらに備え、上記第３レーザスクライブ工程においては、１つの上記被加工範囲内に形成された複数の上記第１分離溝の各々に沿うように、この１つの上記被加工範囲内に設定された上記アライメント部の位置に基づいて複数の上記第３分離溝が形成される。
【００１１】
本発明に基づく薄膜太陽電池の製造装置は、基板上に堆積された第１層における所定数の被加工範囲内の各々に、上記被加工範囲と一対一の対応関係となるように使用されることによって複数の第１分離溝を形成し、上記所定数の上記被加工範囲内の各々にアライメント部を設ける上記所定数と同数の第１レーザヘッドと、複数の上記第１分離溝が形成された上記第１層の上に第２層を成膜する成膜装置と、上記第２層に複数の第２分離溝を形成する複数の第２レーザヘッドと、を備え、複数の上記第２分離溝が形成される際には、１つの上記被加工範囲内に形成された複数の上記第１分離溝の各々に沿うように、この１つの上記被加工範囲内に設けられた上記アライメント部の位置に基づいて複数の上記第２分離溝が形成される。
【００１２】
好ましくは、上記第１レーザヘッドの数よりも、上記第２レーザヘッドの数の方が少ない。好ましくは、上記第１層に形成される上記第１分離溝の数よりも、上記第２層に形成される上記第２分離溝の数の方が少ない。好ましくは、本発明に基づく上記の薄膜太陽電池の製造装置は、複数の上記第２分離溝が形成された上記第２層の上に第３層を成膜する他の成膜装置と、上記第３層に、複数の第３分離溝を形成する複数の第３レーザヘッドと、をさらに備え、複数の上記第３分離溝が形成される際には、１つの上記被加工範囲内に形成された複数の上記第１分離溝の各々に沿うように、この１つの上記被加工範囲内に設けられた上記アライメント部の位置に基づいて複数の上記第３分離溝が形成される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能な薄膜太陽電池の製造方法および製造装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施の形態における薄膜太陽電池を示す平面図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿った矢視断面図である。
【図３】図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った矢視断面図である。
【図４】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法を示すフロー図である。
【図５】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程ＳＴ１を説明するための平面図である。
【図６】図５中のＶＩ−ＶＩ線に沿った矢視断面図である。
【図７】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程ＳＴ２を説明するための平面図である。
【図８】図７中のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿った矢視断面図である。
【図９】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法に用いられる製造装置を示す斜視図である。
【図１０】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法に用いられる第１レーザスクライブ処理装置を示す斜視図である。
【図１１】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程ＳＴ３（最初の走査時）を説明するための平面図である。
【図１２】図１１中のＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿った矢視断面図である。
【図１３】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程ＳＴ３（第２回目の走査時）を説明するための平面図である。
【図１４】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程ＳＴ３（第４回目の走査時）を説明するための平面図である。
【図１５】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程ＳＴ４を説明するための平面図である。
【図１６】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程ＳＴ４の変形例を説明するための平面図である。
【図１７】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程ＳＴ６を説明するための平面図である。
【図１８】図１７中のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿った矢視断面図である。
【図１９】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法に用いられる第２レーザスクライブ処理装置を示す斜視図である。
【図２０】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程ＳＴ８（最初の走査時）を説明するための平面図である。
【図２１】図２０中のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿った矢視断面図である。
【図２２】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程ＳＴ８（第４回目の走査時）を説明するための平面図である。
【図２３】図２２中のＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿った矢視断面図である。
【図２４】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程ＳＴ９を説明するための平面図である。
【図２５】図２４中のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿った矢視断面図である。
【図２６】実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程ＳＴ１０を説明するための平面図である。
【図２７】図２６中のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に沿った矢視断面図である。
【図２８】実施の形態に対する比較例Ａに関する加工条件を示す図である。
【図２９】実施の形態における加工条件を示す図である。
【図３０】実施の形態に対する比較例Ｂに関する加工条件を示す図である。
【図３１】実施の形態に対する比較例Ｃに関する加工条件を示す図である。
【図３２】実施の形態に基づく実施例Ａに関する加工条件を示す図である。
【図３３】実施の形態に基づく実施例Ｂに関する加工条件を示す図である。
【図３４】実施の形態に基づく実施例Ｃに関する加工条件を示す図である。
【図３５】実施の形態に基づく実施例Ｄに関する加工条件を示す図である。
【図３６】実施の形態に基づく実験例に関する実験結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明に基づいた実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
【００１６】
（薄膜太陽電池１００）
以下、実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法および製造装置について説明する。まず、その製造方法および製造装置によって製造される薄膜太陽電池１００について説明する。図１は、薄膜太陽電池１００を示す平面図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿った矢視断面図である。図３は、図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った矢視断面図である。
【００１７】
図１〜図３に示すように、薄膜太陽電池１００は、透明基板１０、透明電極層１１、半導体光電変換層１２、裏面電極層１３、および、電極１４を備える。透明基板１０上には、透明電極層１１、半導体光電変換層１２、および裏面電極層１３が、この順序で積層される。透明基板１０は、たとえばガラス製の基板である。透明基板１０は、ｘ方向（図１参照）およびｙ方向（図１参照）の各々に平行な辺を有する長方形の形状を有している。
【００１８】
図３に示すように、透明電極層１１には、複数の第１分離溝１が形成される。複数の第１分離溝１は、半導体光電変換層１２によって埋められる。複数の第１分離溝１は、ｘ方向に互いに略一定の間隔を空け、かつｙ方向に沿って延在する。複数の第１分離溝１が透明電極層１１に設けられることによって、透明電極層１１は複数の領域に分離される。
【００１９】
半導体光電変換層１２には、複数の第２分離溝２（コンタクトラインともいう）が形成される。複数の第２分離溝２は、裏面電極層１３によって埋められる。複数の第２分離溝２は、ｘ方向に互いに略一定の間隔を空け、かつｙ方向に沿って延在する。複数の第２分離溝２が半導体光電変換層１２に設けられることによって、半導体光電変換層１２は複数の領域に分離される。
【００２０】
半導体光電変換層１２および裏面電極層１３には、複数の第３分離溝３が形成される。複数の第３分離溝３および裏面電極層１３の表面は、樹脂（図示せず）などによって必要に応じて封止される。複数の第３分離溝３は、ｘ方向に互いに略一定の間隔を空け、かつｙ方向に沿って延在する。複数の第３分離溝３が半導体光電変換層１２および裏面電極層１３に設けられることによって、裏面電極層１３および半導体光電変換層１２は、複数の領域に分離される。
【００２１】
複数の領域に分離された透明電極層１１、半導体光電変換層１２、および裏面電極層１３によって、複数（複数段）の太陽電池セル１５が形成される。隣り合う太陽電池セル１５同士は、第２分離溝２（コンタクトライン）を通して電気的に直列接続されている。電極１４は、直列接続された複数（複数段）の太陽電池セル１５の出力端子として、両端に位置する裏面電極層１３上にそれぞれ設けられる。薄膜太陽電池１００は、以上のように構成される。
【００２２】
（薄膜太陽電池１００の製造方法および製造装置）
次に、実施の形態における薄膜太陽電池１００の製造方法および製造装置について説明する。図４は、実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法を示すフロー図である。図４に示すように、実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法は、工程ＳＴ１〜ＳＴ１１を備える。以下、工程ＳＴ１〜ＳＴ１１について、図４に加えて図５〜図２７も参照しつつ順に説明する。
【００２３】
（工程ＳＴ１：透明基板の準備工程）
図４〜図６を参照して、工程ＳＴ１においては、透明基板１０（基板）が準備される。透明基板１０は、たとえばガラス製の基板である。透明基板１０は、ｘ方向（図５参照）およびｙ方向（図５参照）の各々に平行な辺を有する長方形の形状を有している。透明基板１０の長辺の寸法はたとえば１．４ｍであり、透明基板１０の短辺の寸法はたとえば１．０ｍである。
【００２４】
（工程ＳＴ２：透明電極層の形成工程）
図４、図７および図８を参照して、工程ＳＴ２においては、たとえばＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法またはスパッタリング法を使用することによって、透明基板１０上に第１層としての透明電極層１１が堆積される。透明電極層１１の材料は、たとえば、ＳｎＯ２（酸化スズ）、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）、またはＺｎＯ（酸化亜鉛）である。
【００２５】
透明基板１０上に堆積された透明電極層１１には、所定数（ここでは５つ）の被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅが規定される。被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅとは、次述する工程ＳＴ３において複数の第１分離溝１がその各々の内部に形成されることが予定されている範囲である。
【００２６】
（第１レーザスクライブ工程）
（工程ＳＴ３：第１分離溝の形成工程）
図４および図９を参照して、工程ＳＴ３（図４参照）においては、薄膜太陽電池の製造装置２０（図９参照）のうちの第１レーザスクライブ処理装置２０Ａ（図９参照）が使用される。図９に示すように、薄膜太陽電池の製造装置２０は、順に並べられた第１レーザスクライブ処理装置２０Ａ、成膜装置２０Ｂ、および、第２レーザスクライブ処理装置２０Ｃを含む。
【００２７】
透明電極層１１が堆積された透明基板１０は、搬送手段２７によって、第１レーザスクライブ処理装置２０Ａの内部、成膜装置２０Ｂの内部、および、第２レーザスクライブ処理装置２０Ｃの内部に、搬送方向ＡＲに沿って順に搬送される。透明基板１０の搬送方向は一直線に限られず、透明基板１０が搬送される途中、透明基板１０の搬送経路がたとえば９０度〜２７０度回転するように構成されてもよい。この場合、後述する各処理装置２０Ａ、２０Ｂ、および２０Ｃの構造は、搬送される透明基板１０の向きに応じて適宜回転したものとすれば良い。透明電極層１１には、第１レーザスクライブ処理装置２０Ａの内部において、複数の第１分離溝１が形成される（詳細は図１１〜図１４を参照して後述する）。
【００２８】
図１０を参照して、第１レーザスクライブ処理装置２０Ａは、所定数（ここでは５つ）の第１レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅ、画像認識手段２３Ａ〜２３Ｅ、および、ＸＹロボット２５Ａ〜２５Ｅを有する。画像認識手段２３Ａ〜２３Ｅの各々は、第１レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅの各々に一対一の対応関係で設けられる。ＸＹロボット２５Ａ〜２５Ｅの各々も、第１レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅの各々に一対一の対応関係で設けられる。
【００２９】
第１レーザスクライブ処理装置２０Ａの内部においては、搬送手段２７によって搬送経路２８が形成される。第１レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅは、搬送経路２８に沿って搬送される透明基板１０に対向するように配置される。第１レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅの各々は、透明電極層１１に規定された被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅ（図７参照）の各々に一対一の対応関係となるように設けられている。第１レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅは、透明電極層１１にレーザ光を照射することによって、透明電極層１１に対して複数の第１分離溝１を形成する。
【００３０】
画像認識手段２３Ａ〜２３Ｅは、たとえばＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）カメラからそれぞれ構成される。画像認識手段２３Ａ〜２３Ｅは、所望の位置に第１分離溝１（図１１〜図１４参照）を形成するために、透明基板１０およびその上に形成された透明電極層１１を画像認識する。画像認識手段２３Ａ〜２３Ｅは、第１レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅの各々にそれぞれ固定されていることが好ましい。画像認識手段２３Ａ〜２３Ｅと第１レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅとの相対位置が固定され、相対位置の変動に伴うアライメント誤差の発生を防止することが可能となる。なお、画像認識手段２３Ａ〜２３Ｅは、必要に応じて設けられるとよい。
【００３１】
ＸＹロボット２５Ａ〜２５Ｅは、ｘｙｚ直交座標系において透明基板１０の厚さ方向をｚ方向とすると、ｘ方向およびｙ方向に移動可能に構成される。ＸＹロボット２５Ａ〜２５Ｅは、搬送経路２８上の透明基板１０に対してｘ方向およびｙ方向の各々に相対的に変位することができる。
【００３２】
第１レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅは、ＸＹロボット２５Ａ〜２５Ｅにそれぞれ支持される。第１レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅは、ＸＹロボット２５Ａ〜２５Ｅの各々に駆動されることによって、互いに独立した状態で、搬送経路２８上の透明基板１０（透明電極層１１）に対してｘ方向およびｙ方向の各々に相対的に変位することができる。
【００３３】
図１１および図１２を参照して、工程ＳＴ３においては、透明電極層１１に規定された所定数（ここでは５つ）の被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々に対して、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅと一対一の対応関係となるように所定数と同数（ここでは５つ）の第１レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅが使用される。
【００３４】
具体的には、まず、第１レーザヘッド２１Ａから出射されたレーザ光が、透明電極層１１の被加工範囲３１Ａ内の所定の部分に対して略直線状に照射される。透明電極層１１の被加工範囲３１Ａ内の一部が除去されることによって、被加工範囲３１Ａ内に１本の第１分離溝１が形成される。
【００３５】
第１レーザヘッド２１Ａから出射されたレーザ光が透明電極層１１に対して照射されるのと併せて、第１レーザヘッド２１Ｂ〜２１Ｅから出射されたレーザ光も、透明電極層１１の被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅ内の所定の部分に対して略直線状にそれぞれ照射される。透明電極層１１の被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅ内の一部が除去されることによって、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅ内に１本の第１分離溝１がそれぞれ形成される。
【００３６】
図１３を参照して、その後、第１レーザヘッド２１Ａから出射されたレーザ光は、透明電極層１１の被加工範囲３１Ａ内の他の所定の部分に対して略直線状に照射される。図１１および図１２を参照して説明した場合と同様に、透明電極層１１の被加工範囲３１Ａ内の他の一部が除去されることによって、被加工範囲３１Ａ内に他の１本の第１分離溝１が形成される。これと併せて、第１レーザヘッド２１Ｂ〜２１Ｅから出射されたレーザ光も、透明電極層１１の被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅ内の他の所定の部分に対して略直線状にそれぞれ照射される。透明電極層１１の被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅ内の他の一部が除去されることによって、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅ内に他の１本の第１分離溝１がそれぞれ形成される。
【００３７】
図１４に示すように、工程ＳＴ３（第１分離溝の形成工程）においては、以上のようなレーザスクライブが計４回行なわれることによって、被加工範囲３１Ａ内に計４本の第１分離溝１が形成される。同様に、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅ内にも、計４本の第１分離溝１がそれぞれ形成される。透明電極層１１の全体としては、計２０本（４×５）の第１分離溝１が形成される。
【００３８】
工程ＳＴ３におけるレーザスクライブは、たとえば透明電極層１１に透明基板１０を通してレーザ光が入射されることによって行なわれる。また、工程ＳＴ３におけるレーザスクライブは、透明基板１０を通さず透明電極層１１に直接レーザ光が入射されることによって行ってもよい。第１分離溝１の形成のために使用されるレーザ光の波長は、たとえば１０６４ｎｍである。それぞれの第１分離溝１は、ｘ方向に沿って並び、かつｘ方向と交差するｙ方向に沿って各々が延在するように形成される。第１分離溝１の数および隣り合う第１分離溝１同士の間隔は特に限定されず、薄膜太陽電池の仕様に応じて任意に設定される。
【００３９】
（工程ＳＴ４：アライメント部の形成工程）
図４および図１５を参照して、工程ＳＴ４においては、複数の第１分離溝１が形成された透明電極層１１に対して、アライメント部ＭＡ〜ＭＥ，ＮＡ〜ＮＥが形成される。
【００４０】
具体的には、透明電極層１１内のｙ方向における一方の端部近傍において、ｘ方向に沿って延びるようにアライメント溝１Ｍが形成される。アライメント溝１Ｍは、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部における少なくとも１つの第１分離溝１の一方の端部と交差するように形成される。同様に、透明電極層１１のｙ方向における他方の端部近傍において、ｘ方向に沿って延びるようにアライメント溝１Ｎが形成される。アライメント溝１Ｎは、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部における少なくとも１つの第１分離溝１の他方の端部と交差するように形成される。アライメント溝１Ｍ，１Ｎは、第１レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅ（図１０参照）のうちのいずれかを用いて形成されてもよいし、他のレーザヘッド（図示せず）を用いて形成されてもよい。
【００４１】
アライメント溝１Ｍ，１Ｎの形成によって、被加工範囲３１Ａ内の１つの第１分離溝１とアライメント溝１Ｍとが互いに交差する部分に、アライメント部ＭＡが構成され、被加工範囲３１Ａ内の１つの第１分離溝１とアライメント溝１Ｎとが互いに交差する部分に、アライメント部ＮＡが構成される。
【００４２】
同様に、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅの各々の内部における１つの第１分離溝１とアライメント溝１Ｍとが互いに交差する部分に、アライメント部ＭＢ〜ＭＥがそれぞれ構成され、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅの各々の内部における１つの第１分離溝１とアライメント溝１Ｎとが互いに交差する部分に、アライメント部ＮＢ〜ＮＥがそれぞれ構成される。
【００４３】
アライメント溝１Ｍおよびアライメント溝１Ｎのｙ方向における位置は、互いに異なる。このため、アライメント部ＭＡ〜ＭＥおよびアライメント部ＮＡ〜ＮＥは、ｙ方向における位置が互いに異なる。好ましくは、アライメント溝１Ｍおよびアライメント溝１Ｎの各々が、同じ第１分離溝１に交差するように形成される。この場合、アライメント部ＭＡ〜ＭＥの各々からアライメント部ＮＡ〜ＮＥの各々に向かう方向は、ｙ方向に対して平行となる。
【００４４】
本実施の形態においては、アライメント溝１Ｍは、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部における複数の第１分離溝１（本実施の形態においては、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部におけるすべての第１分離溝１）と交差する。アライメント溝１Ｍと被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部における複数の第１分離溝１とが互いに交差した部分を、複数のアライメント部として用いてもよい。
【００４５】
本実施の形態においては、アライメント溝１Ｎは、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部における複数の第１分離溝１（本実施の形態においては、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部におけるすべての第１分離溝１）と交差する。アライメント溝１Ｎと被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部における複数の第１分離溝１とが互いに交差した部分を、複数のアライメント部として用いてもよい。
【００４６】
アライメント溝１Ｍおよびアライメント溝１Ｎは、第１分離溝１の形成前に形成されてもよい。アライメント溝１Ｍおよびアライメント溝１Ｎは、第１分離溝１の形成中に、第１分離溝１と合わせて形成されてもよい。アライメント溝１Ｍは、連続した１本の溝から形成されていていなくてもよく、互いに独立した複数の溝から形成されていてもよい。アライメント溝１Ｎも、連続した１本の溝から形成されていていなくてもよく、互いに独立した複数の溝から形成されていてもよい。
【００４７】
図１６に示すように、アライメント部としては、第１分離溝１とは別体として形成されていてもよい。図１６に示す場合においては、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部に、第１分離溝１とは別個に、アライメント部ＫＡ〜ＫＥがそれぞれ形成される。アライメント部ＫＡ〜ＫＥとしては、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部に１つずつ設けられていてもよく、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部に複数ずつ設けられていてもよい。
【００４８】
また、アライメント部としては、アライメント部ＭＡ〜ＭＥ（図１５参照）およびアライメント部ＮＡ〜ＮＥ（図１５参照）の代わりに、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部に形成された第１分離溝１そのものを用いてもよい。
【００４９】
この場合、たとえば被加工範囲３１Ａについては、第１分離溝１上におけるアライメント部ＭＡに対応する部分とアライメント部ＮＡに対応する部分との間に位置する任意の箇所（好ましくは３以上の箇所）に、アライメント部として使用する部分を規定する。１つの第１分離溝１上の任意の３箇所（たとえば両端部および中央部）にアライメント部を規定することによって、第１分離溝１のＸ方向における変位（第１分離溝１の曲がり）に対しても精度良くアライメントを行なうことが可能となる。
【００５０】
第１分離溝１そのものがアライメント部として用いられる場合、本実施の形態におけるアライメント部ＭＡおよびアライメント部ＮＡは、アライメントのためには用いられなくなる。この場合、本実施の形態における工程ＳＴ４（アライメント部の形成工程）は、工程ＳＴ３をもって代用することが可能となる。
【００５１】
また、被加工範囲３１Ａ内に形成された１つの第１分離溝１そのものをアライメント部として用いるという態様に限られず、被加工範囲３１Ａ内に形成された複数の第１分離溝１を上記と同様にアライメント部として使用してもよい。１つまたは複数の第１分離溝１上の任意の部分をアライメント部として規定し、１つまたは複数の第１分離溝１のそのものをアライメント部として用いるという態様については、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅ内のアライメント部を規定する場合にも同様である。アライメント部を規定する工程としては、以上のように例示される各態様の中から、実施される製造装置および製造方法に応じて最適なものが選択されるとよい。
【００５２】
本実施の形態においては、複数の第１分離溝１を形成する工程ＳＴ３（図４参照）と、アライメント部（ＭＡ〜ＭＥ，ＮＡ〜ＮＥ）を形成する工程ＳＴ４（図４参照）とによって、本発明における第１レーザスクライブ工程が構成されている。
【００５３】
（工程ＳＴ５：洗浄工程）
図４を再び参照して、工程ＳＴ５においては、複数の第１分離溝１およびアライメント部（ＭＡ〜ＭＥ，ＮＡ〜ＮＥ）が形成された透明基板１０が洗浄される。当該洗浄によって、工程ＳＴ３および工程ＳＴ４において生じたダストが除去される。洗浄工程としての工程ＳＴ５は、工程ＳＴ３および工程ＳＴ４の各工程の完了後に実施される場合に限られず、工程ＳＴ３と同時に洗浄工程が実施されてもよいし、工程ＳＴ４と同時に洗浄工程が実施されてもよいし、工程ＳＴ３および工程ＳＴ４の双方の工程と同時に洗浄工程が実施されてもよい。
【００５４】
（工程ＳＴ６：半導体光電変換層の形成工程（成膜工程））
図４、図９、図１７、および図１８を参照して、工程ＳＴ６においては、薄膜太陽電池の製造装置２０（図９参照）のうちの成膜装置２０Ｂ（図９参照）が使用される。上記のように複数の第１分離溝１およびアライメント部（ＭＡ〜ＭＥ，ＮＡ〜ＮＥ）が形成された透明電極層１１の上に、第２層としての半導体光電変換層１２（図１７および図１８参照）が成膜される。
【００５５】
半導体光電変換層１２は、たとえばＣＶＤ法を使用することによって、非晶質シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層、およびｎ層が順次積層されることによって形成される。図１７および図１８に示すように、複数の第１分離溝１の内部は、半導体光電変換層１２によって埋められる。
【００５６】
（第２レーザスクライブ工程）
（工程ＳＴ７：アライメント部の検出工程）
図４および図９を再び参照して、工程ＳＴ７（図４参照）においては、薄膜太陽電池の製造装置２０（図９参照）のうちの第２レーザスクライブ処理装置２０Ｃ（図９参照）が使用される。半導体光電変換層１２が成膜された透明基板１０は、搬送手段２７によって、第２レーザスクライブ処理装置２０Ｃの内部に搬送される。
【００５７】
図１９を参照して、第２レーザスクライブ処理装置２０Ｃは、所定数（ここでは５つ）の第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅ、画像認識手段２４Ａ〜２４Ｅ、および、ＸＹロボット２６Ａ〜２６Ｅを有する。画像認識手段２４Ａ〜２４Ｅの各々は、第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅの各々に一対一の対応関係で設けられる。ＸＹロボット２６Ａ〜２６Ｅの各々も、第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅの各々に一対一の対応関係で設けられる。
【００５８】
第２レーザスクライブ処理装置２０Ｃの内部においては、搬送手段２７によって搬送経路２８が形成される。第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅは、搬送経路２８に沿って搬送される透明基板１０に対向するように配置される。第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅは、半導体光電変換層１２にレーザ光を照射することによって、半導体光電変換層１２に対して複数の第２分離溝２を形成する（詳細は図２０〜図２３を参照して後述する）。
【００５９】
画像認識手段２４Ａ〜２４Ｅは、たとえばＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）カメラからそれぞれ構成される。画像認識手段２４Ａ〜２４Ｅは、所望の位置に第２分離溝２（図２０〜図２３参照）を形成するために、アライメント部ＭＡ〜ＭＥ，ＮＡ〜ＮＥ（図２０参照）の位置を画像認識する。画像認識手段２４Ａ〜２４Ｅは、第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅの各々にそれぞれ固定されていることが好ましい。画像認識手段２４Ａ〜２４Ｅと第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅとの相対位置が固定され、相対位置の変動に伴うアライメント誤差の発生を防止することが可能となる。
【００６０】
ＸＹロボット２６Ａ〜２６Ｅは、ｘｙｚ直交座標系において透明基板１０の厚さ方向をｚ方向とすると、ｘ方向およびｙ方向に移動可能に構成される。ＸＹロボット２６Ａ〜２６Ｅは、搬送経路２８上の透明基板１０に対してｘ方向およびｙ方向の各々に相対的に変位することができる。
【００６１】
第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅは、ＸＹロボット２６Ａ〜２６Ｅにそれぞれ支持される。第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅは、ＸＹロボット２６Ａ〜２６Ｅの各々に駆動されることによって、互いに独立した状態で、搬送経路２８上の透明基板１０（半導体光電変換層１２）に対してｘ方向およびｙ方向の各々に相対的に変位することができる。
【００６２】
図４、図１７および図１９を再び参照して、工程ＳＴ７（アライメント部の検出工程）においては、まず、画像認識手段２４Ａ（図１９参照）によって、被加工範囲３１Ａ（図１７参照）内のアライメント部ＭＡ，ＮＡ（図１７参照）の位置が検出される。透明基板１０の表面上において、第２レーザヘッド２２Ａ（図１９参照）の加工基準位置が認識される。
【００６３】
同様に、画像認識手段２４Ｂ〜２４Ｅ（図１９参照）によって、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅ（図１７参照）内のアライメント部ＭＢ〜ＭＥ，ＮＢ〜ＮＥ（図１７参照）の位置が検出される。透明基板１０の表面上において、第２レーザヘッド２２Ｂ〜２２Ｅ（図１９参照）の加工基準位置が認識される。
【００６４】
（工程ＳＴ８：第２分離溝の形成工程）
図２０および図２１を参照して、工程ＳＴ８においても、薄膜太陽電池の製造装置２０（図９参照）のうちの第２レーザスクライブ処理装置２０Ｃ（図９参照）が使用される。工程ＳＴ８においては、複数（ここでは５つ）の第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅが使用される。第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅが半導体光電変換層１２にレーザ光を照射することによって、半導体光電変換層１２に対して複数の第２分離溝２が形成される。
【００６５】
具体的には、まず、工程ＳＴ７において検出されたアライメント部ＭＡ，ＮＡの位置を基準として第２レーザヘッド２２Ａの位置が制御された状態で、第２レーザヘッド２２Ａが半導体光電変換層１２に対して走査される。同様に、工程ＳＴ７において検出されたアライメント部ＭＢ〜ＭＥ，ＮＢ〜ＮＥの位置を基準として第２レーザヘッド２２Ｂ〜２２Ｅの位置が制御された状態で、第２レーザヘッド２２Ｂ〜２２Ｅが半導体光電変換層１２に対してそれぞれ走査される。
【００６６】
ここで、図２０に示すように、工程ＳＴ７における最初の走査においては、第２レーザヘッド２２Ａからはレーザ光が出射されない。工程ＳＴ７における最初の走査においては、第２レーザヘッド２２Ｂ〜２２Ｅからのみレーザ光が出射される。
【００６７】
アライメント部ＭＢ，ＮＢの位置を基準として第２レーザヘッド２２Ｂの位置が制御された状態で、第２レーザヘッド２２Ｂから半導体光電変換層１２に対してレーザ光が照射される。第２レーザヘッド２２Ｂから出射されたレーザ光によって、被加工範囲３１Ｂ内に位置する１本の第１分離溝１に沿う部分が略直線状に除去される。半導体光電変換層１２には、被加工範囲３１Ｂ内に位置する１本の第１分離溝１に沿うように、１本の第２分離溝２が形成される。
【００６８】
第２レーザヘッド２２Ｂから出射されたレーザ光が半導体光電変換層１２に対して照射されるのと併せて、アライメント部ＭＣ〜ＭＥ，ＮＣ〜ＮＥの位置を基準として第２レーザヘッド２２Ｃ〜２２Ｅの位置がそれぞれ制御された状態で、第２レーザヘッド２２Ｃ〜２２Ｅから半導体光電変換層１２に対してレーザ光が照射される。第２レーザヘッド２２Ｃ〜２２Ｅから出射されたレーザ光によって、被加工範囲３１Ｃ〜３１Ｅ内に位置する１本の第１分離溝１に沿う部分がそれぞれ略直線状に除去される。半導体光電変換層１２には、被加工範囲３１Ｃ〜３１Ｅの各々の内部に位置する１本の第１分離溝１に沿うように、１本の第２分離溝２がそれぞれ形成される。
【００６９】
すなわち、工程ＳＴ８（第２分離溝の形成工程）における最初の走査においては、アライメント部ＭＢ，ＮＢの位置を基準として位置制御された第２レーザヘッド２２Ｂによって、半導体光電変換層１２には、被加工範囲３１Ｂ内に位置する１本の第１分離溝１に沿うように、１本の第２分離溝２が形成される。アライメント部ＭＣ，ＮＣの位置を基準として位置制御された第２レーザヘッド２２Ｃによって、半導体光電変換層１２には、被加工範囲３１Ｃ内に位置する１本の第１分離溝１に沿うように、１本の第２分離溝２が形成される。
【００７０】
同様に、工程ＳＴ８（第２分離溝の形成工程）における最初の走査においては、アライメント部ＭＤ，ＮＤの位置を基準として位置制御された第２レーザヘッド２２Ｄによって、半導体光電変換層１２には、被加工範囲３１Ｄ内に位置する１本の第１分離溝１に沿うように、１本の第２分離溝２が形成される。アライメント部ＭＥ，ＮＥの位置を基準として位置制御された第２レーザヘッド２２Ｅによって、半導体光電変換層１２には、被加工範囲３１Ｅ内に位置する１本の第１分離溝１に沿うように、１本の第２分離溝２が形成される。
【００７１】
図２２および図２３を参照して、工程ＳＴ８（第２分離溝の形成工程）における２回目〜４回目の走査においては、第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅのすべてからレーザ光が出射される。
【００７２】
第２回目の走査においては、アライメント部ＭＡ，ＮＡの位置を基準として第２レーザヘッド２２Ａの位置が制御された状態で、第２レーザヘッド２２Ａから半導体光電変換層１２に対してレーザ光が照射される。第２レーザヘッド２２Ａから出射されたレーザ光によって、被加工範囲３１Ａ内に位置する１本の第１分離溝１に沿う部分が略直線状に除去される。半導体光電変換層１２には、被加工範囲３１Ａ内に位置する１本の第１分離溝１（図２２中の被加工範囲３１Ａ内に位置する左から２番目の第１分離溝１）に沿うように、１本の第２分離溝２が形成される。
【００７３】
同様に、第２回目の走査においては、第２レーザヘッド２２Ａから出射されたレーザ光が半導体光電変換層１２に対して照射されるのと併せて、アライメント部ＭＢ〜ＭＥ，ＮＢ〜ＮＥの位置を基準として第２レーザヘッド２２Ｂ〜２２Ｅの位置がそれぞれ制御された状態で、第２レーザヘッド２２Ｂ〜２２Ｅから半導体光電変換層１２に対してレーザ光が照射される。第２レーザヘッド２２Ｂ〜２２Ｅから出射されたレーザ光によって、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅ内に位置する他の１本の第１分離溝１に沿う部分がそれぞれ略直線状に除去される。半導体光電変換層１２には、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅの各々の内部に位置する１本の第１分離溝１（図２２中の被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅの各々の内部に位置する左から２番目の第１分離溝１）に沿うように、他の１本の第２分離溝２がそれぞれ形成される。
【００７４】
第３回目の走査においては、第２回目の走査と同様に、アライメント部ＭＡ〜ＭＥ，ＮＡ〜ＮＥの位置を基準として位置制御された第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅによって、半導体光電変換層１２には、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部に位置するさらに他の１本の第１分離溝１に沿うように、さらに他の１本の第２分離溝２が形成される。
【００７５】
第４回目の走査においても、第３回目の走査と同様に、アライメント部ＭＡ〜ＭＥ，ＮＡ〜ＮＥの位置を基準として位置制御された第２レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅによって、半導体光電変換層１２には、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部に位置する残りの１本の第１分離溝１に沿うように、最後の１本の第２分離溝２が形成される。
【００７６】
すなわち、工程ＳＴ８（第２分離溝の形成工程）におけるレーザスクライブにおいては、１つの被加工範囲３１Ａ内に形成された複数の第１分離溝１の各々（ここでは３本の各々）に沿うように、この１つの被加工範囲３１Ａ内に形成されたアライメント部ＭＡ，ＮＡの位置に基づいて、複数の第１分離溝１の各々と一対一の対応関係となるように複数の（ここでは３本の）第２分離溝２が第２レーザヘッド２２Ａによって形成される。１つの被加工範囲３１Ｂ内に形成された複数の第１分離溝１の各々（ここでは４本の各々）に沿うように、この１つの被加工範囲３１Ｂ内に形成されたアライメント部ＭＢ，ＮＢの位置に基づいて、複数の第１分離溝１の各々と一対一の対応関係となるように複数の（ここでは４本の）第２分離溝２が第２レーザヘッド２２Ｂによって形成される。
【００７７】
同様に、工程ＳＴ８（第２分離溝の形成工程）におけるレーザスクライブにおいては、１つの被加工範囲３１Ｃ内に形成された複数の第１分離溝１の各々（ここでは４本の各々）に沿うように、この１つの被加工範囲３１Ｃ内に形成されたアライメント部ＭＣ，ＮＣの位置に基づいて、複数の第１分離溝１の各々と一対一の対応関係となるように複数の（ここでは４本の）第２分離溝２が第２レーザヘッド２２Ｃによって形成される。１つの被加工範囲３１Ｄ内に形成された複数の第１分離溝１の各々（ここでは４本の各々）に沿うように、この１つの被加工範囲３１Ｄ内に形成されたアライメント部ＭＤ，ＮＤの位置に基づいて、複数の第１分離溝１の各々と一対一の対応関係となるように複数の（ここでは４本の）第２分離溝２が第２レーザヘッド２２Ｄによって形成される。１つの被加工範囲３１Ｅ内に形成された複数の第１分離溝１の各々（ここでは４本の各々）に沿うように、この１つの被加工範囲３１Ｅ内に形成されたアライメント部ＭＥ，ＮＥの位置に基づいて、複数の第１分離溝１の各々と一対一の対応関係となるように複数の（ここでは４本の）第２分離溝２が第２レーザヘッド２２Ｅによって形成される。
【００７８】
図２２に示すように、工程ＳＴ８（第２分離溝の形成工程）においては、以上のようなレーザスクライブが行なわれることによって、被加工範囲３１Ａに対応する半導体光電変換層１２の範囲内に、計３本の第２分離溝２が形成される。同様に、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅの各々に対応する半導体光電変換層１２の範囲内に、計４本の第２分離溝２がそれぞれ形成される。半導体光電変換層１２の全体としては、計１９本（３＋４×４）の第２分離溝２が形成される。
【００７９】
工程ＳＴ８におけるレーザスクライブは、たとえば半導体光電変換層１２に透明基板１０および透明電極層１１を通してレーザ光が入射されることによって行なわれる。また、工程ＳＴ８におけるレーザスクライブは、透明基板１０を通さず半導体光電変換層１２に直接レーザ光が入射されることによって行ってもよい。第２分離溝２の形成のために使用されるレーザ光の波長は、たとえば５３２ｎｍである。それぞれの第２分離溝２は、ｘ方向に沿って並び、かつｘ方向と交差するｙ方向に沿って各々が延在するように形成される。第２分離溝２の数および隣り合う第２分離溝２同士の間隔は特に限定されず、薄膜太陽電池の仕様に応じて任意に設定される。
【００８０】
本実施の形態においては、アライメント部を検出する工程ＳＴ７（図４参照）と、複数の第２分離溝２を形成する工程ＳＴ８（図４参照）とによって、本発明における第２レーザスクライブ工程が構成されている。
【００８１】
（工程ＳＴ９：裏面電極層の形成工程（他の成膜工程））
図４、図２４、および図２５を参照して、工程ＳＴ９においては、薄膜太陽電池の製造装置２０（図９参照）のうちの他の成膜装置（図示せず）が使用される。上記のように複数の第２分離溝２が形成された半導体光電変換層１２の上に、第３層としての裏面電極層１３（図２４および図２５参照）が成膜される。
【００８２】
裏面電極層１３は、たとえばＣＶＤ法またはスパッタリング法を使用することによって形成される。裏面電極層１３は、たとえばＺｎＯ層とＡｇ（銀）層との積層体である。図２４および図２５に示すように、複数の第２分離溝２の内部は、裏面電極層１３によって埋められる。第２分離溝２が形成されていた位置には、コンタクトラインが形成される。
【００８３】
（第３レーザスクライブ工程）
（工程ＳＴ１０：第３分離溝の形成工程）
図４、図２６、および図２７を参照して、工程ＳＴ１０（図４参照）においては、薄膜太陽電池の製造装置２０（図９参照）のうちの他のレーザスクライブ処理装置（図示せず）が使用される。裏面電極層１３が成膜された透明基板１０は、搬送手段２７によって、他のレーザスクライブ処理装置の内部に搬送される。
【００８４】
なお、工程ＳＴ１０（第３分離溝の形成工程）においては、上述の工程ＳＴ８において使用された第２レーザスクライブ処理装置２０Ｃが再び使用されてもよい。本実施の形態においては、透明基板１０が１つの搬送経路２８（製造ライン）上に沿って順次搬送されつつ連続的に処理されるため、当該工程ＳＴ１０においては第２レーザスクライブ処理装置２０Ｃとは異なる他のレーザスクライブ処理装置が使用される。当該工程ＳＴ１０において使用される他のレーザスクライブ処理装置は、上述の工程ＳＴ８において使用される第２レーザスクライブ処理装置２０Ｃと略同一の構成を有するものが用いられる。
【００８５】
図２６を参照して、工程ＳＴ１０において使用される他のレーザスクライブ処理装置は、所定数（ここでは５つ）の第３レーザヘッド２９Ａ〜２９Ｅを有する。第３レーザヘッド２９Ａ〜２９Ｅの各々には、画像認識手段およびＸＹロボットが、上述の第２レーザスクライブ処理装置２０Ｃと同様に設けられる。第３レーザヘッド２９Ａ〜２９Ｅが半導体光電変換層１２および裏面電極層１３にレーザ光を照射することによって、半導体光電変換層１２および裏面電極層１３に対して複数の第３分離溝３が形成される。
【００８６】
具体的には、工程ＳＴ１０においては、まず、第３レーザヘッド２９Ａに対応する画像認識手段によって、被加工範囲３１Ａ内のアライメント部ＭＡ，ＮＡの位置が検出される。透明基板１０の表面上において、第３レーザヘッド２９Ａの加工基準位置が認識される。アライメント部ＭＡ，ＮＡの位置としては、上述の第２レーザスクライブ工程における工程ＳＴ７で検出されたアライメント部ＭＡ，ＮＡの位置データがそのまま当該工程ＳＴ１０に流用されてもよい。この場合、第３レーザヘッド２９Ａに対応する画像認識手段は設けられなくてもよいこととなる上に、製造工程の簡素化が図れる。
【００８７】
同様に、第３レーザヘッド２９Ｂ〜２９Ｅの各々に対応する画像認識手段によって、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅ内のアライメント部ＭＢ〜ＭＥ，ＮＢ〜ＮＥの位置が検出される。透明基板１０の表面上において、第３レーザヘッド２９Ｂ〜２９Ｅの加工基準位置が認識される。アライメント部ＭＢ〜ＭＥ，ＮＢ〜ＮＥの位置としては、上述の第２レーザスクライブ工程における工程ＳＴ７で検出されたアライメント部ＭＢ〜ＭＥ，ＮＢ〜ＮＥの位置データがそのまま当該工程ＳＴ１０に流用されてもよい。この場合、第３レーザヘッド２９Ａに対応する画像認識手段は設けられなくてもよいこととなる上に、製造工程の簡素化が図れる。
【００８８】
アライメント部ＭＡ，ＮＡの位置を基準として第３レーザヘッド２９Ａの位置が制御された状態で、第３レーザヘッド２９Ａが半導体光電変換層１２および裏面電極層１３に対して走査される。同様に、アライメント部ＭＢ〜ＭＥ，ＮＢ〜ＮＥの位置を基準として第３レーザヘッド２９Ｂ〜２９Ｅの位置が制御された状態で、第３レーザヘッド２９Ｂ〜２９Ｅが半導体光電変換層１２および裏面電極層１３に対してそれぞれ走査される。
【００８９】
工程ＳＴ１０における最初の走査においては、図２０を参照して上述した場合と同様に、第３レーザヘッド２９Ａからはレーザ光が出射されない。工程ＳＴ１０における最初の走査においては、第３レーザヘッド２９Ｂ〜２９Ｅからのみレーザ光が出射される。
【００９０】
アライメント部ＭＢ，ＮＢの位置を基準として第３レーザヘッド２９Ｂの位置が制御された状態で、第３レーザヘッド２９Ｂから半導体光電変換層１２および裏面電極層１３に対してレーザ光が照射される。第３レーザヘッド２９Ｂから出射されたレーザ光によって、被加工範囲３１Ｂ内（平面視）に位置する１本の第２分離溝２に沿う部分が略直線状に除去される。半導体光電変換層１２および裏面電極層１３には、被加工範囲３１Ｂ内（平面視）に位置する１本の第２分離溝２に沿うように、１本の第３分離溝３が形成される。
【００９１】
第３レーザヘッド２９Ｂから出射されたレーザ光が半導体光電変換層１２および裏面電極層１３に対して照射されるのと併せて、アライメント部ＭＣ〜ＭＥ，ＮＣ〜ＮＥの位置を基準として第３レーザヘッド２９Ｃ〜２９Ｅの位置がそれぞれ制御された状態で、第３レーザヘッド２９Ｃ〜２９Ｅから半導体光電変換層１２および裏面電極層１３に対してレーザ光が照射される。第３レーザヘッド２９Ｃ〜２９Ｅから出射されたレーザ光によって、被加工範囲３１Ｃ〜３１Ｅ内（平面視）に位置する１本の第２分離溝２に沿う部分がそれぞれ略直線状に除去される。半導体光電変換層１２および裏面電極層１３には、被加工範囲３１Ｃ〜３１Ｅの各々の内部（平面視）に位置する１本の第２分離溝２に沿うように、１本の第３分離溝３がそれぞれ形成される。
【００９２】
すなわち、工程ＳＴ１０（第３分離溝の形成工程）における最初の走査においては、アライメント部ＭＢ，ＮＢの位置を基準として位置制御された第３レーザヘッド２９Ｂによって、半導体光電変換層１２および裏面電極層１３には、被加工範囲３１Ｂ内（平面視）に位置する１本の第２分離溝２に沿うように、１本の第３分離溝３が形成される。アライメント部ＭＣ，ＮＣの位置を基準として位置制御された第３レーザヘッド２９Ｃによって、半導体光電変換層１２および裏面電極層１３には、被加工範囲３１Ｃ内（平面視）に位置する１本の第２分離溝２に沿うように、１本の第３分離溝３が形成される。
【００９３】
同様に、工程ＳＴ１０（第３分離溝の形成工程）における最初の走査においては、アライメント部ＭＤ，ＮＤの位置を基準として位置制御された第３レーザヘッド２９Ｄによって、半導体光電変換層１２および裏面電極層１３には、被加工範囲３１Ｄ内（平面視）に位置する１本の第２分離溝２に沿うように、１本の第３分離溝３が形成される。アライメント部ＭＥ，ＮＥの位置を基準として位置制御された第３レーザヘッド２９Ｅによって、半導体光電変換層１２および裏面電極層１３には、被加工範囲３１Ｅ内（平面視）に位置する１本の第２分離溝２に沿うように、１本の第３分離溝３が形成される。
【００９４】
工程ＳＴ１０（第３分離溝の形成工程）における２回目〜４回目の走査においては、第３レーザヘッド２９Ａ〜２９Ｅのすべてからレーザ光が出射される。
【００９５】
第２回目の走査においては、アライメント部ＭＡ，ＮＡの位置を基準として第３レーザヘッド２９Ａの位置が制御された状態で、第３レーザヘッド２９Ａから半導体光電変換層１２および裏面電極層１３に対してレーザ光が照射される。第３レーザヘッド２９Ａから出射されたレーザ光によって、被加工範囲３１Ａ内（平面視）に位置する１本の第２分離溝２に沿う部分が略直線状に除去される。半導体光電変換層１２および裏面電極層１３には、被加工範囲３１Ａ内（平面視）に位置する１本の第２分離溝２（図２６中の被加工範囲３１Ａ内に位置する左から２番目の第２分離溝２）に沿うように、１本の第３分離溝３が形成される。
【００９６】
同様に、第２回目の走査においては、第３レーザヘッド２９Ａから出射されたレーザ光が半導体光電変換層１２および裏面電極層１３に対して照射されるのと併せて、アライメント部ＭＢ〜ＭＥ，ＮＢ〜ＮＥの位置を基準として第３レーザヘッド２９Ｂ〜２９Ｅの位置がそれぞれ制御された状態で、第３レーザヘッド２９Ｂ〜２９Ｅから半導体光電変換層１２および裏面電極層１３に対してレーザ光が照射される。第３レーザヘッド２９Ｂ〜２２Ｅから出射されたレーザ光によって、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅ内（平面視）に位置する他の１本の第２分離溝２に沿う部分がそれぞれ略直線状に除去される。半導体光電変換層１２および裏面電極層１３には、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅの各々の内部（平面視）に位置する１本の第２分離溝２（図２６中の被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅの各々の内部に位置する左から２番目の第２分離溝２）に沿うように、他の１本の第３分離溝３がそれぞれ形成される。
【００９７】
第３回目の走査においては、第２回目の走査と同様に、アライメント部ＭＡ〜ＭＥ，ＮＡ〜ＮＥの位置を基準として位置制御された第３レーザヘッド２９Ａ〜２９Ｅによって、半導体光電変換層１２および裏面電極層１３には、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部（平面視）に位置するさらに他の１本の第２分離溝２に沿うように、さらに他の１本の第３分離溝３が形成される。
【００９８】
第４回目の走査においても、第３回目の走査と同様に、アライメント部ＭＡ〜ＭＥ，ＮＡ〜ＮＥの位置を基準として位置制御された第３レーザヘッド２９Ａ〜２９Ｅによって、半導体光電変換層１２および裏面電極層１３には、被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅの各々の内部（平面視）に位置する残りの１本の第２分離溝２に沿うように、最後の１本の第３分離溝３が形成される。
【００９９】
すなわち、工程ＳＴ１０（第３分離溝の形成工程）におけるレーザスクライブにおいては、１つの被加工範囲３１Ａ内（平面視）に形成された複数の第２分離溝２の各々（ここでは３本の各々）に沿うように、この１つの被加工範囲３１Ａ内に形成されたアライメント部ＭＡ，ＮＡの位置に基づいて、複数の第２分離溝２の各々と一対一の対応関係となるように複数の（ここでは３本の）第３分離溝３が第３レーザヘッド２９Ａによって形成される。１つの被加工範囲３１Ｂ内（平面視）に形成された複数の第２分離溝２の各々（ここでは４本の各々）に沿うように、この１つの被加工範囲３１Ｂ内に形成されたアライメント部ＭＢ，ＮＢの位置に基づいて、複数の第２分離溝２の各々と一対一の対応関係となるように複数の（ここでは４本の）第３分離溝３が第３レーザヘッド２９Ｂによって形成される。
【０１００】
同様に、工程ＳＴ１０（第３分離溝の形成工程）におけるレーザスクライブにおいては、１つの被加工範囲３１Ｃ内（平面視）に形成された複数の第２分離溝２の各々（ここでは４本の各々）に沿うように、この１つの被加工範囲３１Ｃ内に形成されたアライメント部ＭＣ，ＮＣの位置に基づいて、複数の第２分離溝２の各々と一対一の対応関係となるように複数の（ここでは４本の）第３分離溝３が第３レーザヘッド２９Ｃによって形成される。１つの被加工範囲３１Ｄ内（平面視）に形成された複数の第２分離溝２の各々（ここでは４本の各々）に沿うように、この１つの被加工範囲３１Ｄ内に形成されたアライメント部ＭＤ，ＮＤの位置に基づいて、複数の第２分離溝２の各々と一対一の対応関係となるように複数の（ここでは４本の）第３分離溝３が第３レーザヘッド２９Ｄによって形成される。１つの被加工範囲３１Ｅ内（平面視）に形成された複数の第２分離溝２の各々（ここでは４本の各々）に沿うように、この１つの被加工範囲３１Ｅ内に形成されたアライメント部ＭＥ，ＮＥの位置に基づいて、複数の第２分離溝２の各々と一対一の対応関係となるように複数の（ここでは４本の）第３分離溝３が第３レーザヘッド２９Ｅによって形成される。
【０１０１】
図２６に示すように、工程ＳＴ１０（第３分離溝の形成工程）においては、以上のようなレーザスクライブが行なわれることによって、被加工範囲３１Ａに対応する半導体光電変換層１２および裏面電極層１３の範囲内に、計３本の第３分離溝３が形成される。同様に、被加工範囲３１Ｂ〜３１Ｅの各々に対応する半導体光電変換層１２および裏面電極層１３の範囲内に、計４本の第３分離溝３がそれぞれ形成される。半導体光電変換層１２および裏面電極層１３の全体としては、計１９本（３＋４×４）の第３分離溝３が形成される。
【０１０２】
工程ＳＴ１０におけるレーザスクライブは、たとえば半導体光電変換層１２および裏面電極層１３に透明基板１０および透明電極層１１を通してレーザ光が入射されることによって行なわれる。また、工程ＳＴ１０におけるレーザスクライブは、透明基板１０および透明電極層１１を通さず半導体光電変換層１２および裏面電極層１３に直接レーザ光が入射されることによって行ってもよい。第３分離溝３の形成のために使用されるレーザ光の波長は、たとえば５３２ｎｍである。それぞれの第３分離溝３は、ｘ方向に沿って並び、かつｘ方向と交差するｙ方向に沿って各々が延在するように形成される。第３分離溝３の数および隣り合う第３分離溝３同士の間隔は特に限定されず、薄膜太陽電池の仕様に応じて任意に設定される。
【０１０３】
以上の各工程によって複数の領域に分離された透明電極層１１、半導体光電変換層１２、および裏面電極層１３によって、複数（複数段）の太陽電池セル１５が形成される。隣り合う太陽電池セル１５同士は、第２分離溝２（コンタクトライン）を通して電気的に直列接続されている。
【０１０４】
（工程ＳＴ１１：電極の形成工程）
図４（および図１、図３）を再び参照して、工程ＳＴ１１においては、ｘ方向の両端の裏面電極層１３の表面上に、ｙ方向に延在する電極１４が形成される。その後、樹脂封止、端子箱の取り付け、および枠体の取り付けなどが行なわれることによって、図１〜図３に示す薄膜太陽電池１００が得られる。
【０１０５】
（作用・効果）
上述のとおり、本実施の形態においては、透明電極層１１に形成される第１分離溝１の数（１６本）よりも、半導体光電変換層１２に形成される第２分離溝２の数（１５本）および第３分離溝３の数（１５本）の方が少ない。特開２０１０−１１８６９４号公報（特許文献２）および特開２０１０−２５１６６４号公報（特許文献３）にも開示されるように、第１分離溝１の数よりも第２分離溝２の数および第３分離溝の数の方が少なくなる場合がある。
【０１０６】
（比較例Ａ）
図２８は、上述の実施の形態に対する比較例Ａに関する加工条件を示す図である。本比較例においては、図２８に示すように、第１レーザスクライブ工程において、レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅが使用される。各レーザヘッド２１Ａ〜２１Ｅは、透明電極層１１（図１４参照）中の被加工範囲３１Ａ〜３１Ｅ（図１４参照）の各々の内部に、４本ずつレーザスクライブを行なう。第１レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１（図１４参照）の加工段数は、計２０段である。
【０１０７】
比較例Ａの第２レーザスクライブ工程においては、レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅが使用されるとともに、計１９段の第２分離溝２が形成される。具体的には、レーザヘッド２２Ａ〜２２Ｄの各々によって、４段の第２分離溝２（計１６段の第２分離溝２）が半導体光電変換層１２に形成され、レーザヘッド２２Ｅによって３段の第２分離溝２が半導体光電変換層１２に形成される。
【０１０８】
ここで、レーザヘッド２２Ａは、レーザヘッド２１Ａによって被加工範囲３１Ａ（図１４参照）内に形成されたアライメント部ＭＡ，ＮＡ（図１４参照）の位置に基づいて、加工段数が２〜５段目である第１分離溝１のそれぞれに対応するように第２分離溝２を形成する。レーザヘッド２２Ｂは、レーザヘッド２１Ｂによって被加工範囲３１Ｂ（図１４参照）内に形成されたアライメント部ＭＢ，ＮＢ（図１４参照）の位置に基づいて、加工段数が６〜９段目である第１分離溝１のそれぞれに対応するように第２分離溝２を形成する。
【０１０９】
同様に、レーザヘッド２２Ｃは、レーザヘッド２１Ｃによって被加工範囲３１Ｃ（図１４参照）内に形成されたアライメント部ＭＣ，ＮＣ（図１４参照）の位置に基づいて、加工段数が１０〜１３段目である第１分離溝１のそれぞれに対応するように第２分離溝２を形成する。レーザヘッド２２Ｄは、レーザヘッド２１Ｄによって被加工範囲３１Ｄ（図１４参照）内に形成されたアライメント部ＭＤ，ＮＤ（図１４参照）の位置に基づいて、加工段数が１４〜１７段目である第１分離溝１のそれぞれに対応するように第２分離溝２を形成する。
【０１１０】
すなわち、レーザヘッド２２Ａによって形成される４本の第２分離溝２のうち、加工段数が５段目である第１分離溝１に対応する第２分離溝２は、レーザヘッド２１Ａによって被加工範囲３１Ａ（図１４参照）内に形成されたアライメント部ＭＡ，ＮＡ（図１４参照）の位置に基づいて形成される。上述のとおり、加工段数が５段目である第１分離溝１は、レーザヘッド２１Ｂによって被加工範囲３１Ｂ（図１４参照）内に形成されるものである。
【０１１１】
レーザヘッド２２Ｂによって形成される４本の第２分離溝２のうち、加工段数が９段目である第１分離溝１に対応する第２分離溝２は、レーザヘッド２１Ｂによって被加工範囲３１Ｂ（図１４参照）内に形成されたアライメント部ＭＢ，ＮＢ（図１４参照）の位置に基づいて形成される。上述のとおり、加工段数が９段目である第１分離溝１は、レーザヘッド２１Ｃによって被加工範囲３１Ｃ（図１４参照）内に形成されるものである。
【０１１２】
レーザヘッド２２Ｃによって形成される４本の第２分離溝２のうち、加工段数が１３段目である第１分離溝１に対応する第２分離溝２は、レーザヘッド２１Ｃによって被加工範囲３１Ｃ（図１４参照）内に形成されたアライメント部ＭＣ，ＮＣ（図１４参照）の位置に基づいて形成される。上述のとおり、加工段数が１３段目である第１分離溝１は、レーザヘッド２１Ｄによって被加工範囲３１Ｄ（図１４参照）内に形成されるものである。
【０１１３】
同様に、レーザヘッド２２Ｄによって形成される４本の第２分離溝２のうち、加工段数が１７段目である第１分離溝１に対応する第２分離溝２は、レーザヘッド２１Ｄによって被加工範囲３１Ｄ（図１４参照）内に形成されたアライメント部ＭＤ，ＮＤ（図１４参照）の位置に基づいて形成される。上述のとおり、加工段数が１７段目である第１分離溝１は、レーザヘッド２１Ｅによって被加工範囲３１Ｅ（図１４参照）内に形成されるものである。
【０１１４】
以上の態様については、第３レーザスクライブ工程におけるレーザヘッド２９Ａ〜２９Ｅについても同様である。
【０１１５】
比較例Ａにおいては、第２および第３レーザスクライブ工程においてレーザスクライブの基準となるアライメント部が、一部の分離溝の形成においては隣の被加工範囲内に形成されたものが使用されている。換言すると、比較例Ａの第２レーザスクライブ工程においては、第１レーザスクライブ工程における一の第１レーザヘッドが加工したアライメント部によって位置合わせをしつつ、その隣の他の第１レーザヘッドが加工した第１分離溝１に沿うように、いくつかの第２分離溝２が形成される。比較例Ａの第３レーザスクライブ工程においても、第１レーザスクライブ工程における一の第１レーザヘッドが加工したアライメント部によって位置合わせをしつつ、その隣の他の第１レーザヘッドが加工した第１分離溝１に対応する第２分離溝２に沿うように、いくつかの第３分離溝３が形成される。
【０１１６】
一の第１レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第１レーザヘッドが加工した第１分離溝１に沿うように形成された第２分離溝２は、位置合わせがずれてしまい、分離溝同士の間隔にはばらつきが生じ易くなる。同様に、一の第１レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第１レーザヘッドが加工した第１分離溝１に対応する第２分離溝２に沿うように形成された第３分離溝３も、位置合わせがずれてしまい、分離溝同士の間隔にはばらつきが生じ易くなる。
【０１１７】
この理由は、各レーザスクライブ工程において使用される複数のレーザヘッドの取付位置には取り付け誤差などが内在していること、各レーザスクライブ工程において使用されるレーザヘッド同士の間隔にはばらつきが存在していること、位置合わせのための画像認識手段およびＸＹロボットなどはそれぞれのレーザヘッドとは別体として設けられていること、経時的な要因によって各レーザヘッドの位置がランダムに変化すること、および、各レーザヘッドの位置変化（ばらつき）が各レーザスクライブ工程において使用される複数のレーザヘッド毎に生じること、などに起因する。
【０１１８】
図２９を参照して、図２８に示す比較例Ａに対して、上述の実施の形態の第２および第３レーザスクライブ工程においては、１つの被加工範囲内に形成された複数の第１分離溝１の各々に沿うように、この１つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第２分離溝２および複数の第３分離溝３が形成される。比較例Ａの場合とは異なり、一の第１レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第１レーザヘッドが加工した第１分離溝１に沿うように第２分離溝２および第３分離溝３が形成されることは、いずれのレーザヘッド２２Ａ〜２２Ｅ，２９Ａ〜２９Ｅにおいても行なわれない。
【０１１９】
したがって、上述の実施の形態における薄膜太陽電池１００の製造方法および製造装置においては、第２および第３レーザスクライブ工程における処理レシピ（条件）が上記のように設定されることにより、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能となる。
【０１２０】
（比較例Ｂ）
図３０は、上述の実施の形態に対する比較例Ｂに関する加工条件を示す図である。本比較例においては、図３０に示すように、第１レーザスクライブ工程において、レーザヘッド１−１〜１−６の計６つが使用される。レーザヘッド１−１，１−２は、透明電極層１１（図１４参照）中のレーザヘッド１−１，１−２の各々に一対一で対応する被加工範囲の内部に、９本ずつレーザスクライブを行ない、レーザヘッド１−３〜１−６は、透明電極層１１（図１４参照）中のレーザヘッド１−３〜１−６の各々に一対一で対応する被加工範囲の内部に、８本ずつレーザスクライブを行なう。第１レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１（図１４参照）の加工段数は、計５０段である。
【０１２１】
比較例Ｂの第２レーザスクライブ工程においては、レーザヘッド２−１〜２−５が使用されるとともに、計４８段の第２分離溝２が形成される。レーザヘッド２−１，２−２は、１０本ずつレーザスクライブを行ない、レーザヘッド２−３〜２−５は、９本ずつレーザスクライブを行なう。
【０１２２】
ここで、レーザヘッド２−１は、レーザヘッド１−１によってレーザヘッド１−１に対応する被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて、加工段数が３〜１２段目である第１分離溝１のそれぞれに対応するように第２分離溝２を形成する。レーザヘッド２−２は、レーザヘッド１−２によってレーザヘッド１−２に対応する被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて、加工段数が１３〜２２段目である第１分離溝１のそれぞれに対応するように第２分離溝２を形成する。レーザヘッド２−３は、レーザヘッド１−３によってレーザヘッド１−３に対応する被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて、加工段数が２３〜３２段目である第１分離溝１のそれぞれに対応するように第２分離溝２を形成する。
【０１２３】
レーザヘッド２−４は、レーザヘッド１−４によってレーザヘッド１−４に対応する被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて、加工段数が３３〜４１段目である第１分離溝１のそれぞれに対応するように第２分離溝２を形成する。レーザヘッド２−５は、レーザヘッド１−５によってレーザヘッド１−５に対応する被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて、加工段数が４２〜５０段目である第１分離溝１のそれぞれに対応するように第２分離溝２を形成する。
【０１２４】
すなわち、本比較例においては、第１レーザスクライブ工程において使用されるレーザヘッドの数（６つ）よりも、第２レーザスクライブ工程において使用されるレーザヘッド（５つ）の数の方が少なく構成されることによって、上述の比較例Ａにおいて説明したようなアライメント基準の位置ずれがより発生しやすくなっている。これは、第３レーザスクライブ工程におけるレーザヘッド３−１〜３−５についても同様である。
【０１２５】
第１レーザスクライブ工程において使用されるレーザヘッドの数よりも、第２レーザスクライブ工程において使用されるレーザヘッドの数の方が少なくなる理由については種々のものが挙げられるが、たとえば、第１レーザスクライブ工程におけるレーザ加工の対象は、ＺｎＯまたはＳｎＯ２などから構成される透明電極層１１であるのに対して、第２レーザスクライブ工程におけるレーザ加工の対象は、半導体光電変換層１２である。
【０１２６】
透明電極層１１に対するレーザ光の透過率に比べて、半導体光電変換層１２に対するレーザ光の透過率は小さい。換言すると、透明電極層１１に対して照射されたレーザエネルギーは、透明電極層１１においては吸収されにくい。第１レーザスクライブ工程においては、第１分離溝１を形成するために透明電極層１１の中の所定箇所が十分に除去される必要があるため、レーザの照射時間としては、第２および第３レーザスクライブ工程に比べて長くなりやすい。したがって、第１レーザスクライブ工程におけるレーザ加工速度は第２および第３レーザスクライブ工程におけるレーザ加工速度に比べて遅く、第１レーザスクライブ工程には、第２および第３レーザスクライブ工程に比べて多くの時間を必要とする。
【０１２７】
上述の実施の形態のように、各レーザスクライブ処理装置２０Ａ，２０Ｃおよび成膜装置２０Ｂなどの複数の処理装置を並べてなる薄膜太陽電池の製造ライン（搬送経路２８）においては、製造する薄膜太陽電池（透明基板１０）が製造ライン上の途中で滞留しないようにすることが、製造効率の向上のためには重要となる。このためには、各工程での処理時間を可能な限り等しくすることが必要となる。
【０１２８】
したがって、第１レーザスクライブ工程には第２および第３レーザスクライブ工程に比べて多くの時間を必要とするような実情が存在している中では、各工程での処理時間を可能な限り等しくするために、第１レーザスクライブ工程に使用されるレーザヘッドの数を増やして、レーザヘッド一つあたりの加工段数（加工線数）を低減するということが行なわれる。よって、特に、第１レーザスクライブ工程に使用されるレーザヘッドの数が、第２および第３レーザスクライブと比較して多くなりやすい。その結果として、上述の比較例Ａにおいて説明したようなアライメント基準の位置ずれがより発生しやすくなる。
【０１２９】
（比較例Ｃ）
図３１は、上述の実施の形態に対する比較例Ｃに関する加工条件を示す図である。本比較例においては、図３１に示すように、第１レーザスクライブ工程においてレーザヘッド１−１〜１−７の計７つが使用され、第２レーザスクライブ工程においてレーザヘッド２−１〜２−６の計６つが使用され、第３レーザスクライブ工程においてレーザヘッド３−１〜３−６の計６つが使用される。
【０１３０】
第１レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１の加工段数は、計５０段である。一方、第２および第３レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１の加工段数は、計４６段である。図３１に示すように、１つの透明基板１０内に２つの薄膜太陽電池モジュールを形成する場合には、透明基板１０の略中心位置で、第２および第３レーザスクライブが不要となる。
【０１３１】
このような場合においても、第１レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１の加工段数よりも第２および第３レーザスクライブ工程において形成される各分離溝２，３の加工段数の方が少なくなることによって、上述の比較例Ａにおいて説明したようなアライメント基準の位置ずれがより発生しやすくなる。
【０１３２】
（実施例Ａ）
図３２は、上述の実施の形態に基づく実施例Ａに関する加工条件を示す図である。本実施例においては、図３２に示すように、第１レーザスクライブ工程においてレーザヘッド１−１〜１−６の計６つが使用され、第２レーザスクライブ工程においてレーザヘッド２−１〜２−５の計５つが使用され、第３レーザスクライブ工程においてレーザヘッド３−１〜３−５の計５つが使用される。
【０１３３】
第１レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１の加工段数は、計５０段である。一方、第２および第３レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１の加工段数は、計４８段である。本実施例の第２および第３レーザスクライブ工程においては、１つの被加工範囲内に形成された複数の第１分離溝１の各々に沿うように、この１つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第２分離溝２および複数の第３分離溝３が形成される。上述の比較例Ｂ（図３０参照）の場合とは異なり、一の第１レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第１レーザヘッドが加工した第１分離溝１に沿うように第２分離溝２および第３分離溝３が形成されることは、いずれのレーザヘッド２−１〜２−５，３−１〜３−５においても行なわれない。
【０１３４】
したがって、本実施例における薄膜太陽電池の製造方法および製造装置によっても、第２および第３レーザスクライブ工程における処理レシピ（条件）が上記のように設定されることにより、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能となる。
【０１３５】
（実施例Ｂ）
図３３は、上述の実施の形態に基づく実施例Ｂに関する加工条件を示す図である。本実施例においては、図３３に示すように、第１レーザスクライブ工程においてレーザヘッド１−１〜１−７の計７つが使用され、第２レーザスクライブ工程においてレーザヘッド２−１〜２−６の計６つが使用され、第３レーザスクライブ工程においてレーザヘッド３−１〜３−６の計６つが使用される。
【０１３６】
第１レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１の加工段数は、計５０段である。一方、第２および第３レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１の加工段数は、計４６段である。本実施例の第２および第３レーザスクライブ工程においては、１つの被加工範囲内に形成された複数の第１分離溝１の各々に沿うように、この１つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第２分離溝２および複数の第３分離溝３が形成される。上述の比較例Ｃ（図３１参照）の場合とは異なり、一の第１レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第１レーザヘッドが加工した第１分離溝１に沿うように第２分離溝２および第３分離溝３が形成されることは、いずれのレーザヘッド２−１〜２−６，３−１〜３−６においても行なわれない。
【０１３７】
したがって、本実施例における薄膜太陽電池の製造方法および製造装置によっても、第２および第３レーザスクライブ工程における処理レシピ（条件）が上記のように設定されることにより、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能となる。
【０１３８】
（実施例Ｃ）
図３４は、上述の実施の形態に基づく実施例Ｃに関する加工条件を示す図である。本実施例においては、図３４に示すように、第１レーザスクライブ工程においてレーザヘッド１−１〜１−６の計６つが使用され、第２レーザスクライブ工程においてレーザヘッド２−１〜２−５の計５つが使用され、第３レーザスクライブ工程においてレーザヘッド３−１〜３−５の計５つが使用される。
【０１３９】
第１レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１の加工段数は、計５０段である。一方、第２および第３レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１の加工段数は、計４８段である。本実施例の第２および第３レーザスクライブ工程においては、１つの被加工範囲内に形成された複数の第１分離溝１の各々に沿うように、この１つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第２分離溝２および複数の第３分離溝３が形成される。
【０１４０】
特に、レーザヘッド２−１については、レーザヘッド１−１に対応する１つの被加工範囲内に形成された複数の第１分離溝１の各々に沿うように、この１つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第２分離溝２が形成される。次いで、レーザヘッド２−１がレーザヘッド１−２に対応する１つの被加工範囲内に複数の第２分離溝２を形成する際には、レーザヘッド１−２に対応するこの１つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第２分離溝２が形成される。１つの被加工範囲内に複数の第２分離溝２を形成する際に、この１つの被加工範囲の隣の被加工範囲内に形成されたアライメント部が使用されることはない。これは、レーザヘッド３−１についても同様である。
【０１４１】
上述の比較例Ｂ（図３０参照）の場合とは異なり、一の第１レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第１レーザヘッドが加工した第１分離溝１に沿うように第２分離溝２および第３分離溝３が形成されることは、いずれのレーザヘッド２−１〜２−５，３−１〜３−５においても行なわれない。
【０１４２】
したがって、本実施例における薄膜太陽電池の製造方法および製造装置によっても、第２および第３レーザスクライブ工程における処理レシピ（条件）が上記のように設定されることにより、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能となる。
【０１４３】
（実施例Ｄ）
図３５は、上述の実施の形態に基づく実施例Ｄに関する加工条件を示す図である。本実施例においては、図３５に示すように、第１レーザスクライブ工程においてレーザヘッド１−１〜１−７の計６つが使用され、第２レーザスクライブ工程においてレーザヘッド２−１〜２−６の計６つが使用され、第３レーザスクライブ工程においてレーザヘッド３−１〜３−６の計６つが使用される。
【０１４４】
第１レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１の加工段数は、計５０段である。一方、第２および第３レーザスクライブ工程において形成される第１分離溝１の加工段数は、計４６段である。本実施例の第２および第３レーザスクライブ工程においては、１つの被加工範囲内に形成された複数の第１分離溝１の各々に沿うように、この１つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第２分離溝２および複数の第３分離溝３が形成される。
【０１４５】
特に、レーザヘッド２−１については、レーザヘッド１−１に対応する１つの被加工範囲内に形成された複数の第１分離溝１の各々に沿うように、この１つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第２分離溝２が形成される。次いで、レーザヘッド２−１がレーザヘッド１−２に対応する１つの被加工範囲内に複数の第２分離溝２を形成する際には、レーザヘッド１−２に対応するこの１つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて複数の第２分離溝２が形成される。１つの被加工範囲内に複数の第２分離溝２を形成する際に、この１つの被加工範囲の隣の被加工範囲内に形成されたアライメント部が使用されることはない。これは、レーザヘッド３−１およびレーザヘッド２−４，３−４についても同様である。
【０１４６】
上述の比較例Ｃ（図３１参照）の場合とは異なり、一の第１レーザヘッドが加工したアライメント部に基づいて、その隣の他の第１レーザヘッドが加工した第１分離溝１に沿うように第２分離溝２および第３分離溝３が形成されることは、いずれのレーザヘッド２−１〜２−６，３−１〜３−６においても行なわれない。
【０１４７】
したがって、本実施例における薄膜太陽電池の製造方法および製造装置によっても、第２および第３レーザスクライブ工程における処理レシピ（条件）が上記のように設定されることにより、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能となる。
【０１４８】
（実験例）
図３６は、上述の実施の形態に基づいて行なった実験例の結果を示す図であり、約９０段のレーザスクライブを行なった際の、各加工段の位置における第１分離溝１と第２分離溝２との相対的な位置関係を示している。プロットＰＬＴ０で示される黒塗りの菱形形状および白抜きの菱形形状は、透明基板１０上の透明電極層１１上に形成されたアライメントラインの位置（基準位置）を示している。プロットＰＬＴ１で示される黒塗りの丸型形状および白抜きの丸型形状は、上述の実施の形態と同様に、１つの被加工範囲内に形成された複数の第１分離溝１の各々に沿うように、この１つの被加工範囲内に形成されたアライメント部の位置に基づいて形成された第２分離溝２の位置を示している。
【０１４９】
一方、プロットＰＬＴ２で示される黒塗りの三角形状および白抜きの三角形状は、上述の実施の形態とは異なり、１つの被加工範囲内に複数の第２分離溝２を形成する際に、この１つの被加工範囲の隣の被加工範囲内に形成されたアライメント部が使用されて形成された第２分離溝２の位置を示している。図中の矢印ＷＲで示される範囲は、レーザスクライブ位置のスペックを示す範囲である。
【０１５０】
図３６に示すように、基準となるプロットＰＬＴ０の一に対して、上述の実施の形態に基づくプロットＰＬＴ１の方が、プロットＰＬＴ２よりもばらつきが少ないことがわかる。したがって、上述の実施の形態に基づく薄膜太陽電池の製造方法および製造装置によれば、複数のレーザヘッドから出射されるレーザ光を用いて基板上の各層に効率良く複数の分離溝を形成する場合であっても、高い位置精度で複数の分離溝を形成することが可能となることがわかる。
【０１５１】
以上、本発明に基づいた実施の形態、実施例、および実験例について説明したが、今回開示された実施の形態、実施例、および実験例はすべての点で例示であって制限的なものではない。たとえば、上述の実施の形態、実施例、および実験例の説明においては、各レーザスクライブ工程を実施して各層に分離溝またはアライメント部などを形成する際、透明基板１０が搬送され、各レーザヘッドに対して透明基板１０が移動するという態様に基づき説明したが、本発明はこの態様に限定されるものではない。本発明は、各レーザスクライブ工程を実施して各層に分離溝またはアライメント部を形成する際、透明基板１０が固定配置され、その透明基板１０に対して各レーザヘッドが移動するという態様にも適用することが可能であるし、さらに、透明基板１０および各レーザヘッドの双方が相互に移動するという態様にも適用することが可能である。これらについては、上述の第１〜第３の各レーザスクライブ工程および上述のアライメント部の形成工程について共通して言えるものである。したがって、本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１５２】
１  第１分離溝、１Ｍ，１Ｎ  アライメント溝、２  第２分離溝、３  第３分離溝、１０  透明基板（基板）、１１  透明電極層（第１層）、１２  半導体光電変換層（第２層）、１３  裏面電極層（第３層）、１４  電極、１５  太陽電池セル、２０  薄膜太陽電池の製造装置、２０Ａ  第１レーザスクライブ処理装置、２０Ｂ  成膜装置、２０Ｃ  第２レーザスクライブ処理装置、２１Ａ〜２１Ｅ  第１レーザヘッド、２２Ａ〜２２Ｅ  第２レーザヘッド、２３Ａ〜２３Ｅ，２４Ａ〜２４Ｅ  画像認識手段、２５Ａ〜２５Ｅ，２６Ａ〜２６Ｅ  ＸＹロボット、２７  搬送手段、２８  搬送経路、２９Ａ〜２９Ｅ  第３レーザヘッド、３１Ａ〜３１Ｅ  被加工範囲、１００  薄膜太陽電池、ＡＲ  搬送方向、ＫＡ〜ＫＥ，ＭＡ〜ＭＥ，ＮＡ〜ＮＥ  アライメント部、ＷＲ  矢印。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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