Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年11月11日(2015.11.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英ガラスから成る炉ライニングによって取り囲まれた、加熱すべき加熱素材が導入されるプロセス室と、加熱装置と、熱放射線を反射させる反射体とを備えた熱処理用の装置であって、
前記炉ライニングは、複数の壁エレメントを有し、該壁エレメントは、プロセス室に面した側と、プロセス室とは反対に向けられた側とを有し、前記壁エレメントのうちの少なくとも１つの壁エレメントは、複数の石英ガラス管を有しており、該石英ガラス管はＳｉＯ２含有の結合材料を介して互いに結合されており、
前記石英ガラス管のうち少なくとも１つの石英ガラス管内に、加熱装置の部品である加熱エレメントが配置されていることを特徴とする、熱処理用の装置。
【請求項２】
前記ＳｉＯ２含有の結合材料は、同時に反射体としても結合手段としても機能する、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記ＳｉＯ２含有の結合材料は、壁エレメントの、前記プロセス室に面した側に塗布されている、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
前記ＳｉＯ２含有の結合材料は、壁エレメントの、前記プロセス室とは反対の側に塗布されている、請求項１または２記載の装置。
【請求項５】
前記石英ガラス管は、円形の横断面を有しており、該石英ガラス管の外径は、４〜５０ｍｍの範囲にある、請求項１から４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６】
１つの壁エレメントの全ての石英ガラス管に加熱エレメントが割り当てられている、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
前記加熱エレメントは、放射器管と加熱フィラメントとを有している赤外線放射器である、請求項６記載の装置。
【請求項８】
前記石英ガラス管は、前記赤外線放射器の前記放射器管である、請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記加熱エレメントは、中波の赤外線放射のために設計されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１０】
前記壁エレメントは直方体形の中空体を形成していて、該中空体の内部にプロセス室が存在している、請求項１から９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１１】
前記直方体形の中空体は、底部プレートを形成する壁エレメントと、カバープレートを形成する壁エレメントと、中空体の側壁を形成する４つの壁エレメントとを有している、請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
少なくとも２つの壁エレメントは、２つの壁エレメントが角部においてほぞ継ぎによって互いに結合されており、かつ／または第１および第２の壁エレメントの石英ガラスシリンダが角部において交互に突出していることによって、ブロック構造形式で互いに結合されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１３】
突出している前記壁エレメントは、該壁エレメントを位置固定するために、前記炉ライニングを取り囲む炉ケースに結合されている、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記炉ライニングは、円筒状に形成されており、円筒周面を形成する、環状に湾曲された複数の石英ガラス管を備える壁エレメント、前記カバープレートを形成する壁エレメントおよび前記底部プレートを形成する壁エレメントを有している、請求項１から９までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１５】
前記底部プレートおよび／または前記カバープレートは、複数の石英ガラスシリンダを有しており、該石英ガラスシリンダは、ＳｉＯ２含有の結合材料により互いに結合されている、請求項１１または１４記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月9日(2016.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加熱している間、基板（Ｗ）、特に半導体基板の温度を測定する装置であって、
基板を加熱する少なくとも１つの第一放射源（８）と、
基板（Ｗ）から放射された放射線と少なくとも１つの放射源（８）の放射線であって基板（Ｗ）で反射した放射線の第一の部分とが第一放射線検出器（２０）に入射するように、少なくとも１つの放射源（８）に面している基板（Ｗ）の第一表面領域に向いている第一放射線検出器（２０）と、
基板（Ｗ）から放射された放射線と任意的な少なくとも１つの放射源（８）の放射線であって基板（Ｗ）で反射した放射線の第二の部分とが第二放射線検出器（２１）に入射するように、少なくとも１つの放射源（８）に面している基板（Ｗ）の第二表面領域に向いている第二放射線検出器（２１）とを備え、
基板（Ｗ）で反射され、各放射線検出器に入射する第一放射源（８）の放射線の第一部分と第二部分は互いに異なっており、第一表面領域と第二表面領域は実質的に同一温度を有している基板領域であり、
第一及び第二放射線検出器（２０，２１）により検出された放射線と、第一放射源（８）の駆動電力及び第一放射源（８）の放射線強度のうち少なくとも一つによって、直接的に基板（Ｗ）の温度を測定するように構成されている温度測定ユニットをさらに備えることを特徴とする基板の温度を測定する装置。
【請求項２】
第一放射源の放射線強度を測定するために、少なくとも１つの第一放射源（８）に向いている第三放射線検出器（２５）を備えたことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
第一表面領域及び第二表面領域は、基板の中心に対して共通円上に配置されていることを特徴とする請求項１及び２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項４】
第一表面領域及び第二表面領域は、直接的に互いに隣接して配置されるか、又は少なくとも部分的に重なり合っていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
少なくとも１つの放射源の放射線であって基板で反射される放射線の割合に影響を与える少なくとも１つの光学的な要素を備え、少なくとも１つの光学的要素は、好ましくは基板と少なくとも１つの放射線検出器との間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
少なくとも１つの光学的要素は、開口及びフィルターの少なくとも１つであることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
少なくとも１つの光学的要素は各放射線検出器に割り当てられ、基板で反射され、且つ、各放射線検出器に到達する少なくとも１つの放射源の放射線の割合に影響を与えるために、複数の光学的要素は、放射線検出器の視野のための異なった開口角を形成し、及び／又は基板から異なった距離で配置されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の装置。
【請求項８】
少なくとも１つの放射源の放射線が基板に当たる前に、放射線検出器の測定波長の範囲内である少なくとも１つの放射源の放射線を除去するために、複数の第一放射源のうち少なくとも１つの放射源と基板との間に配置された少なくとも１つのフィルターを備えていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
少なくとも１つの第一放射源はランプ、特にロッドランプであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
基板、特に半導体ウエハを熱的に処理する方法であって、
少なくとも１つの第一放射源から放射された第一放射線によって基板を加熱し、第一放射源の放射線は基板の第一側に向き、且つ、それによって少なくとも部分的に反射され、
基板の第一側の第一表面領域から来る第一放射線を検出し、検出された第一放射線は第一基板放射線部と第一反射放射線部からなり、第一基板放射線部は基板自身の温度によって基板から放射される放射線からなり、第一反射放射線部は基板で反射される第一放射源の放射線からなり、
基板の第一側の第二表面領域から来る第二放射線を検出し、検出された第二放射線は少なくとも第二基板放射線部と第二反射放射線部からなり、第二基板放射線部は基板自身の温度によって基板から放射される放射線からなり、第二反射放射線部は基板で反射される少なくとも１つの第一放射源の放射線からなり、第一表面領域と第二表面領域は、実質的に基板の同一温度を備えている領域であり、第一反射放射線部と第二反射放射線部は異なっており、
第一及び第二の検出された放射線と、少なくとも１つの第一放射源の駆動電力及び少なくとも１つの放射源の放射線強度の少なくとも１つとに基づいて基板の温度を測定することを特徴とする基板を熱的に処理する方法。
【請求項１１】
第一放射線及び第二放射線は、異なった放射線検出器によって検出されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
基板は、第一側に対して実質的に垂直に延びる軸線の周りに回転され、第一表面領域及び第二表面領域は、基板の中心点に対して回転する共通円上に実質的に位置することを特徴とする請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
第一表面領域及び第二表面領域は、互いに直接的に隣接しているか又は少なくとも部分的に重なっていることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
第一反射放射線部と第二反射放射線部の少なくとも一方は、基板と反射放射線を検出する放射線検出器との間に位置する少なくとも１つの光学的要素の影響を受けることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
各検出された反射放射線部に影響を与えるために、少なくとも１つの放射源の放射線が基板に入射する前に、放射線検出器の測定波長の範囲内の放射線は、複数の第一放射源の少なくとも１つの放射源と基板との間の放射線経路においてフィルターをかけて除去されることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの放射源から来る放射線強度は、少なくとも１つの第一放射源に向いている放射線検出器を用いて検出され、この検出結果は基板の温度を測定する際に使用されることを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年3月1日(2016.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポンプにおいて、
実質的に円筒形のポンプ壁、および流体を収容するために２つの端壁によって閉じられた側壁を有するポンプ本体と、
前記２つの端壁間に配設されたアクチュエータであって、第１のキャビティおよび第２のキャビティを形成する共通端壁の第１の部分であり、前記各キャビティが、高さ（ｈ）および半径（ｒ）を有し、前記半径（ｒ）の前記高さ（ｈ）に対する比が約１．２よりも大きく、前記アクチュエータが、前記共通端壁の中心部分に機能的に結合し、周波数（ｆ）で前記共通端壁を共振運動させ、これにより、前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティの両方の中で前記流体の径方向圧力振動を生じさせるように構成されている、アクチュエータと、
前記共通端壁の第２の部分として前記アクチュエータの外周部から前記側壁まで延びた、前記アクチュエータを柔軟に支持するアイソレータと、
前記第１のキャビティに関連した前記端壁内の所定の位置に配設された、前記ポンプ壁を貫通している第１の開口と、
前記第１のキャビティに関連した前記端壁内の別の位置に配設された、前記ポンプ壁を貫通している第２の開口と、
使用中に前記流体を、前記第１のキャビティを介して一方向に流すことができる、前記第１の開口および前記第２の開口の一方に配設された第１の弁と、
前記第２のキャビティに関連した前記端壁内の所定の位置に配設された、前記ポンプ壁を貫通している第３の開口と、
使用中に前記流体を前記第２のキャビティを介して両方向に流すことができる、前記第３の開口に配設された第２の弁と、を備えることを特徴とするポンプ。
【請求項２】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記径方向圧力振動が、前記アクチュエータに送られる駆動信号に応答して少なくとも１つの環状波節を有することを特徴とするポンプ。
【請求項３】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記第１の弁がフラップ弁であることを特徴とするポンプ。
【請求項４】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記第２の弁が２つのフラップ弁を含むことを特徴とするポンプ。
【請求項５】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記第１の弁および前記第２の弁の少なくとも一方がフラップ弁であり、前記フラップ弁が、
第１の開口が概ね垂直に貫通している第１のプレートと、
第１の開口が概ね垂直に貫通している第２のプレートであって、前記第１の開口が、前記第１のプレートの前記第１の開口から実質的にずれている、第２のプレートと、
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に配設された側壁であって、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートの外周部で閉じられて、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートの前記第１の開口に流体連通したキャビティを前記第１のプレートと前記第２のプレートどの間に形成している、側壁と、
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に移動可能に配設されたフラップであって、前記第１のプレートの前記第１の開口から実質的にずれ、かつ前記第２のプレートの前記第１の開口に実質的に整合している開口を有する、フラップとを備え、
前記フラップが、前記フラップ弁の外部の流体の差圧の方向の変化に応答して前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間で移動することを特徴とするポンプ。
【請求項６】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティが、並列のポンピング動作用に構成されていることを特徴とするポンプ。
【請求項７】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティが、直列のポンピング動作用に構成されていることを特徴とするポンプ。
【請求項８】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記アクチュエータが、第１の圧電ディスクおよび鋼製ディスクまたは第２の圧電ディスクを備えることを特徴とするポンプ。
【請求項９】
請求項８に記載のポンプにおいて、前記アイソレータが、前記第１の圧電ディスクと前記鋼製ディスクまたは前記第２の圧電ディスクとの間に結合されていることを特徴とするポンプ。
【請求項１０】
請求項１に記載のポンプにおいて、アイソレータが環状形であることを特徴とするポンプ。
【請求項１１】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記アクチュエータがディスク形であることを特徴とするポンプ。
【請求項１２】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記アクチュエータが、前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティの直径よりも小さい直径を有することを特徴とするポンプ。
【請求項１３】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記側壁が、前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティを形成する端壁間に連続して延在することを特徴とするポンプ。
【請求項１４】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記アイソレータをスライド可能に受容する前記側壁の凹部をさらに備え、これにより、前記アクチュエータが振動するときに前記アイソレータが前記凹部内で自由に運動することを特徴とするポンプ。
【請求項１５】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記アイソレータが、プラスチック層および１つ以上の金属層を備えることを特徴とするポンプ。
【請求項１６】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記アイソレータが、約１０ミクロン〜約２００ミクロンの厚さを有することを特徴とするポンプ。
【請求項１７】
請求項１に記載のポンプにおいて、比ｒ／ｈが約２０よりも大きいことを特徴とするポンプ。
【請求項１８】
請求項１に記載のポンプにおいて、主キャビティの容積が約１０ｍｌ未満であることを特徴とするポンプ。
【請求項１９】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記振動運動の前記周波数が、使用中の前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティ内の径方向圧力振動の最低共振周波数に等しいことを特徴とするポンプ。
【請求項２０】
請求項１に記載のポンプにおいて、使用中の前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティ内の径方向流体圧力振動の最低共振周波数が、約５００Ｈｚよりも高いことを特徴とするポンプ。
【請求項２１】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記端壁の運動が、前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティ内の圧力振動に一致したモード形であることを特徴とするポンプ。
【請求項２２】
請求項１に記載のポンプにおいて、前記第１の弁を備えていない前記第１の開口および前記第２の開口の一方が、前記第１のキャビティに関連した前記端壁の中心に０．６３ｒ加えた距離または前記中心から０．２ｒ減じた距離に位置することを特徴とするポンプ。
【請求項２３】
請求項１に記載のポンプにおいて、比
2015513033.tif 000001
が、１０−７メートルよりも大きいことを特徴とするポンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月21日(2016.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テラヘルツ（ＴＨｚ）放射を発するまたは検出するための光伝導装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に作製されたアンテナ組立体と、
前記半導体基板上に作製され、前記アンテナ組立体に結合された光伝導体組立体とを備え、前記光伝導体組立体は、１つ以上のプラズモン接触電極を含み、
前記光伝導装置は、少なくとも１つの光源からの光入力を受光し、前記光伝導装置の量子効率を改善するために前記プラズモン接触電極を用いる、光伝導装置。
【請求項２】
前記光伝導装置は、前記半導体基板上に形成された誘電性パッシベーション層をさらに備え、
前記誘電性パッシベーション層は、前記１つ以上のプラズモン接触電極の少なくとも一部を封入し、前記半導体基板への光ポンプの伝送を増強する、請求項１に記載の光伝導装置。
【請求項３】
前記１つ以上のプラズモン接触電極は、サブ波長の周期性、電極幅および電極間隔を有し、前記周期性、前記電極幅および前記電極間隔はすべて前記少なくとも１つの光源からの前記光入力の波長よりも小さい、請求項１または請求項２に記載の光伝導装置。
【請求項４】
前記１つ以上のプラズモン接触電極は、前記少なくとも１つの光源からの前記光入力の強度を前記プラズモン接触電極の付近に集中させることによって、高濃度の光生成電子−正孔対が前記プラズモン接触電極のすぐ近傍に位置するように、配置される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光伝導装置。
【請求項５】
前記１つ以上のプラズモン接触電極は、幅寸法または長さ寸法よりも小さい高さ寸法を有する二次元電極である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光伝導装置。
【請求項６】
前記１つ以上のプラズモン接触電極は、幅寸法または長さ寸法よりも大きい高さ寸法を有する三次元電極である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光伝導装置。
【請求項７】
前記光伝導装置は、周波数可変であるテラヘルツ（ＴＨｚ）光伝導発生源として配置され、０．１ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数領域において少なくとも１ｍＷの出力パワーを有する放射を生成する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光伝導装置。
【請求項８】
光源と光検出器とを備え、前記光源および前記光検出器はテラヘルツ時間領域分光法（ＴＨｚ−ＴＤＳ）に従って動作し、前記光源または前記光検出器の少なくとも一つは請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の光伝導装置を含む、材料検出、化学的および／または生物学的検出に用いる装置。
【請求項９】
半導体基板と、アンテナ組立体と、１つ以上のプラズモン接触電極とを有する光伝導装置を動作させる方法であって、
（ａ）前記半導体基板において光源からの光入力を受光するステップと、
（ｂ）前記プラズモン接触電極を用いて表面プラズモン波または表面波の励起を促進するステップとを備え、前記表面プラズモン波または前記表面波は、より多くの前記光入力が前記半導体基板に吸収されて前記半導体基板において光電流をもたらすように、前記光源からの前記光入力に影響を与え、さらに、
（ｃ）前記半導体基板における前記光電流の第１の部分が第１のアンテナ端子に向かってドリフトし、前記半導体基板における前記光電流の第２の部分が第２のアンテナ端子に向かってドリフトするように、前記アンテナ組立体に電圧を印加するステップと、
（ｄ）前記光電流の前記第１および第２の部分が供給されている前記第１および第２のアンテナ端子に応答して前記光伝導装置からテラヘルツ（ＴＨｚ）放射を発するステップとを備える、方法。
【請求項１０】
半導体基板と、アンテナ組立体と、１つ以上のプラズモン接触電極とを有する光伝導装置を動作させる方法であって、
（ａ）前記半導体基板において光源からの光入力を受光するステップと、
（ｂ）前記プラズモン接触電極を用いて表面プラズモン波または表面波の励起を促進するステップとを備え、前記表面プラズモン波または前記表面波は、より多くの前記光入力が前記半導体基板に吸収されて前記半導体基板において光電流をもたらすように、前記光源からの前記光入力に影響を与え、さらに、
（ｃ）前記アンテナ組立体を介して入射するテラヘルツ放射を受け取るステップを備え、前記入射するテラヘルツ放射は前記プラズモン接触電極の間にテラヘルツ電界を誘起し、さらに、
（ｄ）前記入射するテラヘルツ放射の大きさに比例する出力光電流を発生する前記誘起されたテラヘルツ電場の結果として、前記プラズモン接触電極に向かって光電流をドリフトさせるステップを備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月10日(2016.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔性導電性材料の表面に共有結合したカリックス［ｎ］アレーン基を含む、廃液から放射性核種を抽出するための錯体形成システム。
【請求項２】
前記多孔性導電性材料が、導電性繊維材料である請求項１に記載の錯体形成システム。
【請求項３】
前記導電性繊維材料が、炭素繊維材料である請求項２に記載の錯体形成システム。
【請求項４】
前記炭素繊維材料が、炭素フェルトから選択される請求項３に記載の錯体形成システム。
【請求項５】
前記カリックス［ｎ］アレーン基が、前記多孔性導電性材料の表面にグラフトしている請求項１〜４のいずれか１つに記載の錯体形成システム。
【請求項６】
前記カリックス［ｎ］アレーン基が、共有結合−Ｃ(＝Ｏ)ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ(＝Ｏ)−または−Ｃ−Ｃを介して結合しているか、またはグラフトしている請求項１〜５のいずれか１つに記載の錯体形成システム。
【請求項７】
カリックス［ｎ］アレーン基が、カリックス［ｎ］アレーン−クラウンエーテル基、好ましくはカリックス［４］アレーン−クラウン−６−エーテル基、より好ましくは、１,
３−オールタネイトカリックス［４］アレーン−クラウン−６配座異性体基である請求項１〜６のいずれか１つに記載の錯体形成システム。
【請求項８】
錯体形成システムを製造する方法であって、前記方法が、次の：
ｉ）  ラジカル前駆体基をグラフト化させるために充分な電位を印加することによる多孔性導電性材料の活性化；
ｉｉ）  式（ＩＩ）：
Ｗ−Ｌ−Ｖ      （ＩＩ）
［式中、
Ｖは、ラジカル前駆体基であり；
Ｗは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＯＨ、ＮＨＲ１０、Ｃ（＝Ｏ）Ｈ、Ｃ（＝Ｏ）Ｈａｌ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ９から選択され；
Ｌは、間隔をあける基であり、−（ＣＨ２）ｒ−；Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルキレンまたはＣ３〜Ｃ１０アリレンから選択され；
Ｒ９およびＲ１０は、それぞれ独立して、Ｈまたは（Ｃ１〜Ｃ６）アルキルから選択され；
ｒは、１〜２０から選択される整数である］
の化合物と、前記の活性化された多孔性導電性材料を反応させ、その結果変性した多孔性導電性材料を得；
ｉｉｉ）  式（Ｉａ）：
【化１】
2015513082.tif 000001
［式中、
−  Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、前記式（Ａ）において規定したとおりであり；
−  Ｌ１、Ｌ２は、間隔をあける基であり、互いに独立して−（ＣＨ２）ｑ−、Ｃ３〜Ｃ１０シクロアルキレンまたはＣ３〜Ｃ１０アリレンから選択され；
−  Ｚ１、Ｚ２はグラフト基であり、互いに独立してＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＯＨ、ＮＨ２、Ｃ（＝Ｏ）Ｈ、Ｃ（＝Ｏ）Ｈａｌ、Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ８から選択され；
−  Ｒ８は、独立してＨまたは（Ｃ１〜Ｃ６）アルキルから選択され；
−  ｑは、１〜１２を範囲とする整数である］
の化合物と、変性した多孔性導電性材料とをグラフトさせ、
その結果、請求項１に記載の錯体形成システムを得ることを含む、請求項１〜７のいずれか１つに記載の錯体形成システムの製造方法。
【請求項９】
前記方法が、次の手順：
ｉ）  ラジカル前駆体基をグラフト化させるために充分な電位を印加することによる多孔性導電性材料の活性化；
ｉｉ）  式（Ｉｂ）：
【化２】
2015513082.tif 000002
［式中、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｌ１およびＬ２は、上記で定義したとおりであり；
Ｚ３、Ｚ４は、互いに独立して基Ｍ−Ｌ−Ｖであり、
Ｍは、独立してＯ、ＮＲ１０から選択され、
Ｌ、ＶおよびＲ１０は、前記式（ＩＩ）で定義したとおりである］
の化合物と、活性化された材料とをグラフトさせ、その結果、請求項１に規定したとおりの錯体形成システムを得ることを含む、請求項１〜７のいずれか１つに記載の錯体形成システムの製造方法。
【請求項１０】
請求項８または９のいずれかにより得られ得る錯体形成システム。
【請求項１１】
請求項８または９に規定したとおりの式（Ｉａ）または（Ｉｂ）の化合物。
【請求項１２】
前記方法が、次の：
ｉ）  請求項１〜７のいずれか１つに記載の錯体形成システムと、大量の廃液とを接触させ、任意に
ｉｉ）  酸性条件にある大量の除去用溶液と、手順ｉ）で得られた放射性核種の部分を含む錯体形成システムとを接触させ、その結果、再利用のために可能な錯体形成システムを製造するために、除去用溶剤中の前記の錯体形成システムから、錯化した放射性核種を除去し、そして任意に、
ｉｉｉ）  手順ｉ）およびｉｉ）を繰り返す
手順を含む、廃液からの放射性核種の抽出方法。
【請求項１３】
前記放射性核種が、セシウムおよび／またはストロンチウムである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記廃液が、競合するアルカリ金属カチオンでチャージされている請求項１２または１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
手順ｉｉ）における酸性条件が、錯体形成システムの多孔性導線性材料上の電位差をかけることにより得られる、請求項１２〜１４のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月18日(2016.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センシング光ファイバにおいて、
一方のコアセグメントが他方のコアセグメントに囲まれている、少数モード多セグメントコア、及び
前記コアを囲む少なくともとも１つのクラッド層、
を有し、
前記コアが、１００μｍ２から３５０μｍ２のＦ因子（μｍ２）を有し、
（ｉ）０.７より大きい基本光学導波モードと基本音響導波モードの間の重なり積分、及び
（ii）少なくとも０.４５のＬＰ１１光学導波モードと基本音響導波モードの間の重なり積分、
を与えるように構成されていている、
ことを特徴とするセンシング光ファイバ。
【請求項２】
センシング光ファイバにおいて、
第１のコアセグメントが別のコアセグメントで囲まれている、少数モード多セグメントコア、及び
前記コアを囲む少なくともとも１つのクラッド層、
を有し、
前記第１のコアセグメントの屈折率デルタが前記別のコアセグメントの屈折率デルタより小さく、
前記コアが、４μｍ≦ｒ≦２０μｍのコア半径及び１００μｍ２から３５０μｍ２のＦ因子（μｍ２）を有し、
（ｉ）０.７より大きい基本光学導波モードと基本音響導波モードの間の重なり積分、及び
（ii）少なくとも０.４５のＬＰ１１光学導波モードと基本音響導波モードの間の重なり積分、
を与えるように構成されている、
ことを特徴とするセンシング光ファイバ。
【請求項３】
ＬＰ１１光学導波モードと基本音響導波モードの間の前記重なり積分が少なくとも０.６であることを特徴とする請求項２に記載のセンシング光ファイバ。
【請求項４】
ＬＰ０１光学モードに対する１５５０ｎｍにおける実効面積Ａ実効が≧１００μｍ２であることを特徴とする請求項２または３に記載のセンシング光ファイバ。
【請求項５】
前記コア半径が４μｍから１０μｍであり、前記コアセグメントの屈折率デルタ間の差がΔ２−Δ１＞０.０５％であることを特徴とする請求項２に記載のセンシング光ファイバ。
【請求項６】
（ｉ） Δ１＜Δ２、
（ii） 前記クラッド層に対して、Δ１が０から０.５％の間にある、及び
（iii）Δ２が０.２から１％の間にある、
ような、最大屈折率デルタΔ１を前記第１のコアセグメントが有し、最大屈折率デルタΔ２を前記別のコアセグメントが有することを特徴とする請求項２に記載のセンシング光ファイバ。
【請求項７】
分布ブリルアン光ファイバセンシングシステムにおいて、
請求項１、２、または５に記載のセンシング光ファイバ、
ポンプ光導波モードを定めるために導波モードの１つに、ブリルアンダイナミックグレーティング（ＢＤＧ）を形成するポンプ光を導入するように構成されたポンプ光源、
及び
前記ＢＤＧからの反射プローブ光を生成するために前記ポンプ光導波モード以外の１つ以上の導波モードに入力プローブ光を導入するように構成されたプローブ光源、
を備え、前記反射プローブ光と前記入力プローブ光はブリルアン波長シフトによって周波数がシフトされることを特徴とする光ファイバセンシングシステム。
【請求項８】
前記センシング光ファイバ内の温度及び歪の内の少なくとも１つを前記センシング光ファイバに沿う距離の関数として決定するように構成されている受信器をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の光ファイバセンシングシステム。
【請求項９】
分布ブリルアン光ファイバセンシングシステムにおいて、
少なくとも第１の導波モード及び第２の導波モードをサポートするように構成されたセンシング光ファイバであって、
（ｉ）０.７より大きい基本光学導波モードと基本音響導波モードの間の重なり積分、及び
（ii）少なくとも０.４５のＬＰ１１光学導波モードと基本音響導波モードの間の重なり積分、
を与えるように構成されたコアを有するセンシング光ファイバ、
前記センシング光ファイバに光結合され、前記第１の導波モードで前記センシング光ファイバ内を進み、前記センシング光ファイバの局所ブリルアン周波数の情報を含むブリルアンダイナミックグレーティング（ＢＤＧ）を形成する、第１のポンプ光を発生するように構成された、第１のポンプ光源、
前記センシング光ファイバに光結合され、前記第２の導波モードで前記センシング光ファイバ内を進むパルスプローブ光であって、その少なくとも一部が前記ブリルアンダイナミックグレーティングから反射し、前記局所ブリルアン周波数及びプローブ光反射場所に関する情報を含むように選ばれた、波長を有するパルスプローブ光を発生するように構成された、プローブ光源、及び
前記センシング光ファイバに光結合され、前記反射プローブ光を受け取り、前記局所ブリルアン周波数、前記反射場所及び前記センシング光ファイバに沿う少なくとも１つの状態を決定するように構成された、受信器、
を備え、
前記少なくとも１つの状態は温度及び歪の内の少なくとも１つを前記センシング光ファイバの入力／出力端からの距離の関数として含む、
ことを特徴とする光ファイバセンシングシステム。
【請求項１０】
（ｉ）前記第１の導波モードが前記センシング光ファイバの基本導波モードであり、前記第２の導波モードが前記センシング光ファイバの高次導波モードである、及び／または
（ii）１ｃｍ≦ΔＺ≦１ｍの範囲にある空間分解能ΔＺで、前記少なくとも１つの状態をセンシングする、
ことをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の光ファイバセンシングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月24日(2015.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
図８Ｄは、定間隔列５１４，５３４の局所ピッチ、又はその他の局所情報を確認するためにデータチャンネル５５４を使用する実施形態を例示する。本実施形態の場合、同期化記号５７０を用いてデータ記号５８０が２つ先の位置にあることが判断され、これは第１ピッチを示す。続くフレーム同期化記号５７０Ａを用いて、データ記号５８２が１つ先の位置にあることが判断される。これは、本例においてより狭いピッチである第２ピッチを示す。なお、説明した以外のフレーム同期化技術も利用可能である。同様に、単一の定ピッチコードチャンネルだけを含む実施形態もある。
【手続補正書】
【提出日】平成27年12月15日(2015.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さおよび面積によって特徴付けられるＸ線放射の検出器であって、前記検出器は、
ａ．入射するＸ線放射のエネルギーを第１のシンチレーション光に変化するための第１の体積の第１のシンチレーション媒体と、
ｂ．前記第１のシンチレーション光から、かつ前記第１のシンチレーション光の波長より長い第１の波長で導出された光を誘導するために、前記第１の体積の第１のシンチレーション媒体と連続する第１のシンチレーション光抽出領域にわたって、相互に実質的に平行に整合された第１の複数の波長シフト光学導波路と、
ｃ．前記第１の体積を横断した入射するＸ線放射のエネルギーを第２のシンチレーション光に変化するための第２の体積の第２のシンチレーション媒体と、
ｄ．前記第２のシンチレーション光から、かつ前記第２のシンチレーション光の波長より長い波長で導出された光を誘導するために、前記第２の体積の第２のシンチレーション媒体と連続する第２のシンチレーション光抽出領域にわたって、相互に実質的に平行に整合された第２の複数の波長シフト光学導波路と、
ｅ．前記第１の複数の導波路によって誘導される光子を前記第１の波長で検出するため、および第１の検出器信号を発生させるための第１の光検出器と、
ｆ．前記第２の複数の導波路によって誘導される光子を第２のより長い波長で検出するため、および第２の検出器信号を発生させるための第２の光検出器と
を備える、検出器。
【請求項２】
規定された持続時間にわたって、前記検出器信号を積分するための積分回路をさらに備える、請求項１に記載の検出器。
【請求項３】
前記シンチレーション媒体は、バリウムフルオロクロライドを含む、請求項１に記載の検出器。
【請求項４】
前記光検出器は、光電子増倍管を含む、請求項１に記載の検出器。
【請求項５】
前記検出器の厚さを横断する少なくとも１つの寸法における前記検出器の範囲は、２４インチを超え、前記検出器の面積で除算した前記検出器の厚さの二乗は、０．００１未満である、請求項１に記載の検出器。
【請求項６】
前記複数の導波路のうちの少なくとも１つは、クラッディングを欠いており、前記シンチレーション媒体は、前記導波路を特徴付ける屈折率より低い値の屈折率によって特徴付けられる、請求項１に記載の検出器。
【請求項７】
前記複数の光学導波路は、複数の平行平面に配置され、前記平行平面のそれぞれは、前記複数の光学導波路のサブセットを含有する、請求項１に記載の検出器。
【請求項８】
連続的なシンチレータ媒体層は、入射ビームに対する固有のスペクトル感度によって特徴付けられる、請求項１に記載の検出器。
【請求項９】
交互するシンチレータ層は、ファイバ結合ＢａＦＣｌ（Ｅｕ）およびファイバ結合ＢａＦＩ（Ｅｕ）のうちの少なくとも１つと交互するＬｉ６Ｆ：ＺｎＳ（Ａｇ）を含む、請求項１に記載の検出器。
【請求項１０】
複数のシンチレータ媒体層の第１の層は、優先的に、より低いエネルギーのＸ線に敏感である波長シフトファイバ結合検出器であり、前記複数のシンチレータ媒体層の最後の層は、プラスチックシンチレータである、請求項１に記載の検出器。
【請求項１１】
入射ビームの伝搬方向に横断する平面に配置された複数のシンチレータ媒体セグメントをさらに備える、請求項１に記載の検出器。
【請求項１２】
前記複数のシンチレータ媒体セグメントは、光ファイバを介して、光検出器に固有に結合されている、請求項１１に記載の検出器。
【請求項１３】
シンチレーション検出器を製造するための方法であって、前記方法は、光学導波路と、前記光学導波路の周囲に共押出成形されたシンチレーション材料のシェルとを押出成形することを含む、方法。
【請求項１４】
前記光学導波路は、波長シフト光ファイバである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
散乱Ｘ線放射を検出するための方法であって、前記方法は、
ａ．複数の個々に読取装置を行なうセグメントによって特徴付けられる検出器を提供することと、
ｂ．前記個々に読取装置を行なうセグメントのサブセットからの信号を加算することであって、前記サブセットは、一次照射ビームの既知の位置に基づいて選択される、ことと
を含む、方法。
【請求項１６】
装置であって、前記装置は、前記装置に入射する放射を検出し、前記装置は、
ａ．複数の実質的に平行な能動的コリメーションベーンであって、前記複数の実質的に平行な能動的コリメーションベーンは、少なくとも第１の検出信号を発生させるために、各ベーンの両側にＸ線放射に高感度な波長シフトファイバ結合シンチレーション検出器を備える、複数の実質的に平行な能動的コリメーションベーンと、
ｂ．前記複数の能動的コリメータベーンの実質的に平行な能動的コリメーションベーン間を通過する放射を検出し、第２の検出信号を発生させるための後方の広面積検出器と、
ｃ．第１および第２の検出信号を受信および処理するためのプロセッサと
を備える、装置。
【請求項１７】
検査される車両の下側を検査するためのＸ線検査システムであって、前記Ｘ線検査システムは、
ａ．前記検査される車両の真下に操作されるように適応されたシャーシと、
ｂ．前記シャーシに結合された実質的に上向きに指向するＸ線源と、
ｃ．前記検査される車両によって、および前記検査される車両の下または内に隠された物体によって、散乱されるＸ線を検出するために、前記シャーシ上に配置された波長シフトファイバ結合シンチレータ検出器と
を備える、Ｘ線検査システム。
【請求項１８】
前記シャーシは、モータおよび手動制御のうちの少なくとも１つによって、前記車両下で操作されるように適応されている、請求項１７に記載のＸ線検査システム。
【請求項１９】
前記第１の体積の第１のシンチレーション媒体と前記第２の体積の第２のシンチレーション媒体との間に配置された受動的吸収体をさらに備える、請求項８に記載の検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月15日(2016.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体をスキャンするＸ線検査システムであって、
回転Ｘ線ビームを同時に放射するように構成された少なくとも２つの回転Ｘ線源であって、前記Ｘ線ビームの各々は、透過パスを確定する少なくとも２つの回転Ｘ線源と、
各々が前記２つのＸ線源の１つと対向して配置されてスキャンニング領域を形成する少なくとも２つの検出器アレイと、
前記Ｘ線源の各々を制御して、調整された方法で前記物体をスキャンする少なくとも１つのコントローラと
を有することを特徴とするＸ線検査システム。
【請求項２】
放射されたＸ線ビームの各々は、ペンシルビームであり、
前記Ｘ線源の各々は、所定の回転角度に亘って回転することを特徴とする請求項１に記載のＸ線検査システム。
【請求項３】
前記検出器の各々は、非画素化検出器であることを特徴とする請求項１又は２に記載のＸ線検査システム。
【請求項４】
第１、第２及び第３の回転Ｘ線源が、同時に回転Ｘ線ビームを放射するように構成され、
前記第１の回転Ｘ線源は、実質的に垂直位置で始動して時計回りに移動することによって前記物体をスキャンし、
前記第２の回転Ｘ線源は、実質的に下方の垂直位置で始動して時計回りに移動することによって前記物体をスキャンし、
前記第３の回転Ｘ線源は、実質的に水平位置で始動して時計回りに移動することによって前記物体をスキャンすることを特徴とする請求項１から３の何れか一に記載のＸ線検査システム。
【請求項５】
前記コントローラによって、前記Ｘ線源の各々は、他の前記Ｘ線源の初期スキャンニング方向のいずれとも重畳しない一の方向に前記物体のスキャンニングを開始し、よって、前記Ｘ線源の間のクロストークを排除することを特徴とする請求項１から４の何れか一に記載のＸ線検査システム。
【請求項６】
前記物体の複数のスキャンされたビューは同時に収集され、検出器の各々は、適宜の時刻に唯一のＸ線ビームによって照射されていることを特徴とする請求項１から５の何れか一に記載のＸ線検査システム。
【請求項７】
前記検出器の容量は、得られた前記物体のスキャンされたビューの個数とは独立であることを特徴とする請求項１から６の何れか一に記載のＸ線検査システム。
【請求項８】
前記Ｘ線検査システムは、固有の空間分解能を有し、前記固有の空間分解能は、Ｘ線ビームのコリメーションの度合いによって決定されることを特徴とする請求項１から７の何れか一に記載のＸ線検査システム。
【請求項９】
前記１つ以上の検出器は、１つ以上のフォトマルチプライヤ管を有するシンチレータ検出器のアレイを有し、前記フォトマルチプライヤ管は、前記検出器アレイの端部から現れて、隣接するＸ線源からのＸ線ビームを前記フォトマルチプライヤ管と対向する前記検出器アレイの遮るもののない面を通過可能とすることを特徴とする請求項１から８の何れか一に記載のＸ線検査システム。
【請求項１０】
前記１つ以上の検出器は、高い光出力効率、高速応答時間を有するシンチレーション材料のバーから形成され、前記バーは、環境条件の変化に対する反応が小さく大容量に亘って機械的に安定していることを特徴とする請求項１から９の何れか一に記載のＸ線検査システム。
【請求項１１】
前記１つ以上の検出器は、キセノン又は適宜の圧縮ガスを有するガスイオン化検出器であることを特徴とする請求項１から１０の何れか一記載のＸ線検査システム。
【請求項１２】
前記１つ以上の検出器は、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＩ、Ｓｉ及びＧｅなどの半導体材料から形成されるが、これらに限定されないことを特徴とする請求項１から１１の何れか一に記載のＸ線検査システム。
【請求項１３】
前記Ｘ線検査システムは、前記Ｘ線源をオフにして、前記検出器を現在の積算モードからパルスカウントモードに切り替えることによってガンマ線を検出するように構成されていることを特徴とする請求項１から１２の何れか一に記載のＸ線検査システム。
【請求項１４】
物体をスキャンするＸ線検査システムであって、
前記物体を照射するために回転Ｘ線ビームを同時に放射するように構成された少なくとも２つの回転Ｘ線源であって、前記Ｘ線ビームの各々は透過パスを確定する少なくとも２つの回転Ｘ線源と、
少なくとも２つの後方散乱検出器の間に配置される少なくとも１つの透過検出器を含む検出器アレイであって、前記後方散乱検出器の各々は、前記物体の第１の側部に配置される第１のＸ線源によって放射される後方散乱Ｘ線を検出し、前記透過検出器は、前記物体の対向する側部に配置される第２のＸ線源によって放射される透過Ｘ線を検出する検出器アレイと、
前記Ｘ線源の各々を制御して、調整された方法で前記物体を同時にスキャンする少なくとも１つのコントローラと
を有することを特徴とするＸ線検査システム。
【請求項１５】
前記検出器アレイは、少なくとも２つの長方形プロフィール後方散乱検出器と、前記少なくとも２つの長方形プロファイル後方散乱検出器の間に配置される正方形プロフィール透過検出器とを含むことを特徴とする請求項１４に記載のＸ線検査システム。
【請求項１６】
前記検出器アレイは、２つの後方散乱検出器の間に配置される透過検出器を含み、前記検出器は、スキャンされる前記物体と対向する単一面内に配置され、前記透過検出器は、前記後方散乱検出器の各々よりは小さい露出面を有することを特徴とする請求項１４又は１５に記載のＸ線検査システム。
【請求項１７】
前記少なくとも２つの後方散乱検出器の１つと前記透過検出器との間に配置される対をなす固定コリメータをさらに含むことを特徴とする請求項１４から１６の何れか一に記載のＸ線検査システム。
【請求項１８】
前記Ｘ線源の各々は、拡張アノードＸ線管、回転コリメータアセンブリ、ベアリング、ドライブモータ、及びロータリーエンコーダを有することを特徴とする請求項１４から１７の何れか一に記載のＸ線検査システム。
【請求項１９】
前記Ｘ線源の各々は、
アノードが接地電位に接続され且つ冷却回路に結合された拡張アノードＸ線管と、
周縁部に所定の角度でスロットが切り欠かれた少なくとも１つのコリメートリングを含む回転コリメータアセンブリであって、各スロットの長さはスロットの回転軸及び幅よりも大きく、スロットの前記幅はスキャンニング方向の前記Ｘ線検査システムの固有空間分解能を画定する回転コリメータアセンブリと、
前記回転コリメータアセンブリの重量をサポートし、且つドライブシャフトを前記回転コリメータアセンブリからドライブモータに伝達するベアリングと、
前記Ｘ線ビームの絶対回転角度を測定するロータリーエンコーダと、
垂直スキャンニング方向に空間分解能を改善する第２のコリメータセットと
を有することを特徴とする請求項１４から１８の何れか一に記載のＸ線検査システム。
【請求項２０】
前記コントローラは、前記物体の速度を含む速度データを受け取り、前記速度データに基づいて、Ｘ線源のコリメータ回転速度、データ獲得レート、又は前記速度データに基づいてＸ線管電流の少なくとも１つを調整することを特徴とする請求項１９に記載のＸ線検査システム。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月17日(2016.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊星歯車列を有する減速歯車装置にして、回転軸（４）を中心に回転移動されることが可能なプラネットピニオン（１１）と、前記プラネットピニオンによって駆動され、プラネットキャリア（１３）によって担持されるプラネットシャフト（１６）を中心に回転移動されることが可能な衛星型プラネットピニオン（１２）とを備え、前記衛星型プラネットピニオンは固定リング歯車（１４）上で進行し、前記プラネットキャリアは、前記リング歯車に対して軸方向に側方に位置決めされ、プラネット（１２）のピニオンとリング歯車（１４）によって形成された歯車対は、潤滑油を使用後に軸方向に噴出するように形状化される、減速歯車装置であって、
プラネットキャリア（１３）は、前記歯車対に対向して位置決めされた、前記油を端部の遠心分離作用によって噴出するようにその軸方向から半径方向に案内および方向付けする手段を形成する表面部分（１４）と、半径方向に前記プラネットキャリア（１３）を超えて延在し、半径方向延長部の軸方向に対向して位置決めされる少なくとも１つの固定油収集排溝（４０）とを備えることを特徴とする、減速歯車装置。
【請求項２】
前記半径方向延長部が部分的トーラス（４４）の形態である、請求項１に記載の減速歯車装置。
【請求項３】
前記半径方向延長部が、プラネットキャリアの円周上に規則的に配置されて、トーラスの内側に延在する回転羽根（４２）を担持する、請求項２に記載の減速歯車装置。
【請求項４】
回転羽根が、共通の回転軸（４）に関する半径方向断面でプラネットキャリア（１３）の回転方向の反対方向に内向きに湾曲される、請求項３に記載の減速歯車装置。
【請求項５】
前記半径方向延長部に対向して位置付けられた前記排溝の部分が円錐状の形態である、請求項４に記載の減速歯車装置。
【請求項６】
円錐状部分が、前記円錐状部分の円周にわたって規則的に分配される、共通の回転軸（４）に関する半径方向断面で、プラネットキャリア（１３）の回転方向の反対方向に延在する内向きに湾曲した形状を有する固定羽根（４３）を担持する、請求項５に記載の減速歯車装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の減速歯車によって駆動されるファンシャフト（３）を備えるバイパスターボジェットエンジンのファンモジュール。
【請求項８】
請求項７に記載のファンモジュールを備えるバイパスターボジェットエンジン。
【手続補正書】
【提出日】平成28年1月14日(2016.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉ基合金（１７）から形成された表面への、セラミック層（１８）の製造方法であって、以下の工程：
ＺｒＯ２を主成分として含有するセラミック層（１８）を、該表面に製造する、
４００〜９００℃の範囲の温度を有するガス相を製造する、ここにおいて、成分アルカリ塩化物、アルカリ硫酸塩およびＺｎＣｌ２を有する塩溶解物（８）から形成される蒸気が、０．５〜１０重量％のＨＣｌを付加した不活性ガスから形成されるキャリアガス中に含有される、および、
少なくとも０．１μｍの厚さを有する中間層（１９）が該セラミック層（１８）と該表面との間に形成されるのに十分な期間、該セラミック層（１８）を該ガス相に接触させる、
を含む、前記方法。
【請求項２】
Ｎｉ基合金（１７）が、１５〜２５重量％の分量でＣｒを含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
セラミック層（１８）が、ＰＶＤにより、または溶射により製造される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
セラミック層（１８）が、二次成分としてＹ２Ｏ３を含有して、ＺｒＯ２を安定させる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
セラミック層（１８）が、さらなる主成分としてＡｌ２Ｏ３を含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
Ｎ２が、不活性ガスとして使用される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
キャリアガスが、１．０〜４．０重量％のＨＣｌを含有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
塩溶解物（８）が、さらなる成分としてＺｎＳＯ４を含有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
塩溶解物（８）が、以下の成分：
ＫＣｌ−Ｋ２ＳＯ４−ＺｎＣｌ２−ＺｎＳＯ４
を含有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
成分が、実質的に等モル組成で塩溶解物（８）中に含有される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
０．５〜５．０μｍの厚さを有する中間層（１９）が、セラミック層（１８）と表面との間に形成されるのに十分な期間、該セラミック層（１８）をガス相に接触させる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
期間が、１〜１００時間、好ましくは２０〜７５時間である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
Ｎｉ基合金（１７）から形成された表面を有する物体であって、該表面は、中間層（１９）が中間に配置されて、主成分としてＺｒＯ２を含有するセラミック層（１８）、該セラミック層の多孔性は、該中間層に隣接する第１層部において０．５〜３．０％であり、層表面に隣接する第２層部においては２．５〜６．０％である、で被覆され、および該セラミック層（１８）は少なくとも１０ＭＰａの接着性を有する、前記物体。
【請求項１４】
Ｎｉ基合金（１７）から形成された表面を有する物体であって、該表面は、中間層（１９）が中間に配置されて、主成分としてＺｒＯ２を含有するセラミック層（１８）、該セラミック層の多孔性は、該中間層に隣接する第１層部において０．５〜３．０％であり、該セラミック層（１８）の層表面に隣接する第２層部においては２．５〜６．０％である、で被覆され、および該セラミック層（１８）は、４より多い熱サイクル安定性を有し、および物体は、１１００℃の温度に加熱されて、３０分間この温度で保持され、その後、室温まで空気中で冷却されて、該サイクル安定性を決定する、前記物体。
【請求項１５】
中間層（１９）が、少なくとも０．１μｍ、好ましくは０．５〜５．０μｍの厚さを有する、請求項１３または１４に記載の物体。
【請求項１６】
セラミック層（１８）内の多孔性が、中間層（１９）との接触面から該セラミック層（１８）の層表面の方向へと増大する、請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の物体。
【請求項１７】
Ｎｉ基合金（１７）が、１５〜２５重量％の分量でＣｒを含有する、請求項１３〜１６のいずれか一項に記載の物体。
【請求項１８】
セラミック層（１８）が、二次成分としてＹ２Ｏ３を含有して、ＺｒＯ２を安定させる、請求項１３〜１７のいずれか一項に記載の物体。
【請求項１９】
セラミック層（１８）が、さらなる主成分としてＡｌ２Ｏ３を含有する、請求項１３〜１８のいずれか一項に記載の物体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】Ｎｉ基合金から形成された表面への、セラミック層の製造方法