【手続補正書】
【提出日】平成28年9月23日(2016.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体デバイスを覆って形成された非共形有機層と、
前記非共形有機層を覆って形成され、金属酸化物、金属窒化物、または金属酸窒化物を含む無機層と、
前記無機層を覆って形成され、１つまたは複数の酸化物層または窒化物層を備え、各酸化物層または窒化物層が金属を含む、ＡＬＤ（原子層堆積）層であって、各酸化物層または窒化物層の前記金属が、Ａｌ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、およびＳｉからなるグループから個々に選択される、ＡＬＤ層と、
前記ＡＬＤ層を覆って形成された第２の有機層と
を備える薄型多層バリア構造。
【請求項２】
前記無機層が、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、またはそれらの組合せを含む、請求項１に記載の薄型多層バリア構造。
【請求項３】
前記ＡＬＤ層が、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウムボロン（ＨｆＢＯ）、２酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、２酸化チタン（ＴｉＯ２）、２酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、またはそれらの組合せを含む、請求項１に記載の薄型多層バリア構造。
【請求項４】
前記第２の有機層を覆って形成され、金属酸化物、金属窒化物、または金属酸窒化物を含む第２の無機層をさらに備える、請求項１に記載の薄型多層バリア構造。
【請求項５】
前記無機層が約９０％を超える透明度を有する、請求項１に記載の薄型多層バリア構造。
【請求項６】
前記非共形有機層と前記無機層と前記ＡＬＤ層が合わさって約７０％を超える透明度を有する、請求項１に記載の薄型多層バリア構造。
【請求項７】
前記ＡＬＤ層が２つ以上の酸化物層または窒化物層を備えたナノ薄層スタックである、請求項１に記載の薄型多層バリア構造。
【請求項８】
有機半導体デバイスを覆って形成され、金属酸化物、金属窒化物、または金属酸窒化物を含む無機層と、
前記無機層を覆って形成され、２つ以上の金属酸化物層または金属窒化物層を備え、各金属酸化物層または金属窒化物層が金属を含む、金属層であって、各金属酸化物層または金属窒化物層の前記金属が、Ａｌ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、およびＳｉからなるグループから選択される、金属層と、
前記金属層を覆って形成された有機層と、
前記有機層を覆って形成され、１つまたは複数の金属酸化物層または金属窒化物層を備え、各金属酸化物層または金属窒化物層が金属を含む、第２の金属層であって、各金属酸化物層または金属窒化物層の前記金属が、Ａｌ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、およびＳｉからなるグループから選択される、第２の金属層と
を備える薄型多層バリア構造。
【請求項９】
前記有機層と前記第２の金属層との間に形成され、金属酸化物、金属窒化物、または金属酸窒化物を含む第２の無機層をさらに備える、請求項８に記載の薄型多層バリア構造。
【請求項１０】
前記第２の金属層を覆って形成され、金属酸化物、金属窒化物、または金属酸窒化物を含む第２の無機層をさらに備える、請求項８に記載の薄型多層バリア構造。
【請求項１１】
前記無機層が、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、またはそれらの組合せを含む、請求項８に記載の薄型多層バリア構造。
【請求項１２】
前記無機層が約９０％を超える透明度を有する、請求項８に記載の薄型多層バリア構造。
【請求項１３】
前記無機層と前記金属層と前記有機層と前記第２の金属層が合わさって約７０％を超える透明度を有する、請求項８に記載の薄型多層バリア構造。
【請求項１４】
薄型多層バリア構造を堆積する方法であって、
基板の露出面上に有機半導体デバイスを形成することと、
プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）を使用して、前記有機半導体デバイスがその上に形成された前記基板を覆って、金属酸化物、金属窒化物、または金属酸窒化物を含む無機層を堆積することと、
原子層堆積によって、前記無機層を覆って、１つまたは複数の金属酸化物層または金属窒化物層を備える金属層を堆積することであり、前記金属酸化物層または金属窒化物層のそれぞれが金属を含み、前記金属が、アルミニウム、ハフニウム、チタン、ジルコニウム、シリコン、またはそれらの組合せからなるグループから選択される、金属層を堆積することと、
前記金属層、および前記基板の表面を覆って有機層を堆積することと
を含む方法。
【請求項１５】
ＰＥＣＤ（プラズマ化学気相堆積）を使用して前記有機層を覆って第２の無機層を堆積することと、
原子層堆積（ＡＬＤ）によって、前記第２の無機層を覆って、１つまたは複数の金属酸化物層または金属窒化物層を備える第２の金属層を堆積することと
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記無機層または第２の無機層のどちらかがマイクロ波ＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相体積）によって堆積される、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記金属層が、少なくとも１つの酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の層を備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記金属層または第２の金属層のどちらかが、プラズマＡＬＤによって堆積される、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記無機層、前記金属層、および前記有機層が、摂氏１００度未満の温度で堆積される、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記有機層がナノ粒子を含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１は、一実施形態によるＡＬＤまたは連続層堆積に適合する、ガス供給システム１３０を備えるプロセスチャンバ１００の概略断面図である。プロセスチャンバ１００は、側壁１０４および底部１０６を有するチャンバ本体１０２を備える。プロセスチャンバ１００のスリットバルブ１０８は、２００ｍｍ、３００ｍｍ、またはそれ以上の半導体ウエハまたはガラス基板などの基板１１０をプロセスチャンバ１００に送り込み、またはそこから回収する自動装置（図示せず）用の通路を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
基板支持体１１２は、プロセスチャンバ１００内で、基板受け面１１１上に基板１１０を支持する。基板支持体１１２は、基板支持体１１２およびその上に配置された基板１１０を上昇および下降させるリフトモータ１１４に搭載されている。リフトモータ１１４に連結されたリフトプレート１１６が、プロセスチャンバ１００内に搭載され、基板支持体１１２を貫通して移動可能に配置されたリフトピン１２０を上昇および下降させる。リフトピン１２０は、基板支持体１１２の表面上で基板１１０を上昇および下降させる。基板支持体１１２は、処理中、基板１１０を基板支持体１１２に固定するために、真空チャック（図示せず）、静電チャック（図示せず）、またはクランプリング（図示せず）を備えてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
基板支持体１１２は、その上に配置された基板１１０を加熱するために、加熱することができる。たとえば、基板支持体１１２は、抵抗型ヒータ（図示せず）などの埋込式加熱要素を使用して加熱してもよく、基板支持体１１２上方に配置された加熱ランプ（図示せず）など、輻射熱を使用して加熱してもよい。パージリング１２２を基板支持体１１２上に配置して、基板１１０の周縁部分上への堆積を防止するためにその部分へパージガスを供給するパージチャネル１２４を形成してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ガス供給システム１３０をチャンバ本体１０２の上部に配置して、プロセスガスおよび／またはパージガスなどのガスをプロセスチャンバ１００に供給することができる。真空システム１７８をポンプ吸気チャネル１７９と連通させて、プロセスチャンバ１００からあらゆる所望のガスを排出し、プロセスチャンバ１００のポンプ吸気ゾーン１６６内部を所望の圧力または所望の圧力範囲に維持するのを補助することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
一実施形態では、ガス供給システム１３０は、チャンバリッドアセンブリ１３２を有する。チャンバリッドアセンブリ１３２は、チャンバリッドアセンブリ１３２の中心部分から延出する拡張チャネル１３４と、拡張チャネル１３４からチャンバリッドアセンブリ１３２の周縁部分まで延在する下面１６０とを備えることができる。下面１６０は、基板支持体１１２上に配置される基板１１０を実質的に覆うような寸法および形状に設定されている。拡張チャネル１３４は、類似した２対のバルブ１４２ａ／１５２ａ、１４２ｂ／１５２ｂからのガス流を供給するガス入口１３６ａ、１３６ｂを有し、それらバルブは、一体にかつ／または分離して設けてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
一構成では、バルブ１４２ａとバルブ１４２ｂとは、別々の反応ガス源に結合されるが、他方で、好ましくは同じパージガス源に結合される。たとえば、バルブ１４２ａは反応ガス源１３８に結合され、バルブ１４２ｂは反応ガス源１３９に結合され、かつ、両バルブ１４２ａ、１４２ｂともパージガス源１４０に結合されている。各バルブ１４２ａ、１４２ｂはデリバリライン１４３ａ、１４３ｂを備え、各バルブ１５２ａ、１５２ｂは、パージライン１４５ａ、１４５ｂを備える。デリバリライン１４３ａ、１４３ｂは、反応ガス源１３８、１３９と流体連通し、拡張チャネル１３４のガス入口１３６ａ、１３６ｂと流体連通している。パージライン１４５ａ、１４５ｂは、パージガス源１４０と流体連通し、デリバリライン１４３ａ、１４３ｂのバルブシートアセンブリ１４４ａ、１４４ｂの下流でデリバリライン１４３ａ、１４３ｂと交わる。反応ガス源１３８、１３９から反応ガスを供給するためにキャリアガスが使用される場合、好ましくは、キャリアガスおよびパージガスとして同じガスが使用される（すなわち、アルゴンガスがキャリアガスおよびパージガスとして使用される）。各バルブ対１４２ａ／１５２ａ、１４２ｂ／１５２ｂは、反応ガスとパージガスとの複合ガス流および／または別々のガス流を形成するように適合させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
バルブ１４２ａ、１４２ｂのデリバリライン１４３ａ、１４３ｂは、ガス導管１５０ａ、１５０ｂを通してガス入口１３６ａ、１３６ｂに結合することができる。ガス導管１５０ａ、１５０ｂは、バルブ１４２ａ、１４２ｂと一体でもよく、分かれていてもよい。一態様では、バルブ１４２ａ、１４２ｂは、バルブ１４２ａ、１４２ｂとガス入口１３６ａ、１３６ｂとの間のデリバリライン１４３ａ、１４３ｂおよびガス導管１５０ａ、１５０ｂの不必要な容積を減らすために、拡張チャネル１３４に極めて接近して結合されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の一実施形態は、基板２０２上に堆積された多層バリア構造２０４が、無機層２２４、金属層２２６、および有機層２２８の組合せを含む、バリア／封入材の１つまたは複数の層を備えることを示す。無機層２２４は、金属酸化物、金属窒化物、または金属酸窒化物でもよい。無機層２２４の実施形態は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、または酸窒化ケイ素を含むことができる。無機層２２４は、ＣＣＰ−ＰＥＣＶＤ（容量結合型放電プラズマ化学気相堆積）またはＭＷ−ＰＥＣＶＤ（マイクロ波プラズマ化学気相堆積）などのＰＥＣＶＤ、ＰＶＤ（物理気相堆積）、または他の既知の堆積技法を使用して堆積することができる。無機層２２４は、１００ｎｍ〜５μｍの厚さを有することができる。一実施形態では、無機層２２４は、１００ｎｍ〜１μｍの厚さを有する。無機層２２４の透明度は、９５％を超えるなど、９０％を超えることができる。