【手続補正書】
【提出日】平成27年12月4日(2015.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光材料の上面に複数のナイフエッジ構造を具備する、マルチ荷電粒子ビームリソグラフィシステムにおけるウェーハレベルでの複数の荷電粒子ビームのスポットサイズ測定のための装置において、
前記Ｓｉウェーハの上面が、マルチ荷電粒子ビームリソグラフィシステムの焦点面に実質的に配置されたとき、ナイフエッジとして使用するのに適したアンダーカット角度を備えた少なくとも１つのエッジを有する、前記Ｓｉウェーハのエッチングされた貫通開口によりナイフエッジ構造の各々が、形成されるように、前記複数のナイフエッジ構造は、Ｓｉウェーハに使用さているＳｉの（１ １ ０）面に対して鋭角をなす前記上面を有するミスカットのＳｉウェーハに配置されている、ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記鋭角は、２ないし４度の範囲にある請求項１の装置。
【請求項３】
前記鋭角は、２．９ないし３．１度の範囲にある請求項２の装置。
【請求項４】
Ｓｉ結晶の［０ ０ １］方向が、前記上面と前記（１ １ ０）面との間に前記鋭角を与えるための回転軸として使用される請求項１、２又は３の装置。
【請求項５】
前記ナイフエッジ構造における、及び前記ナイフエッジ構造の周囲の前記Ｓｉウェーハの厚さが減少されている請求項１ないし４のいずれか１の装置。
【請求項６】
前記ナイフエッジ構造における、及び前記ナイフエッジ構造の周囲の前記Ｓｉウェーハの厚さは、１０ないし２０マイクロメートルの範囲にある請求項５の装置。
【請求項７】
前記ウェーハは、Ｓｉの薄い上層で覆われたＳｉのバルク層を有するＳＯＩウェーハであり、ＳｉＯ２の層が、前記バルク層と前記薄い上層との間に配置されており、
前記ナイフエッジ構造は、前記Ｓｉの薄い上層に配置されている請求項５又は６の装置。
【請求項８】
前記ナイフエッジ構造は、１以上の細長いトレンチを有する請求項１ないし７のいずれか１の装置。
【請求項９】
前記Ｓｉウェーハには、少なくとも２つのトレンチが設けられ、
第１のトレンチのナイフエッジは、第２のトレンチのナイフエッジに対して約１０９°の角度で配置されている請求項８の装置。
【請求項１０】
前記１以上のトレンチは、マルチ荷電粒子ビームリソグラフィシステム内の２つの隣接している荷電粒子ビーム間の距離を超えた長さを備えた長いナイフエッジを有する請求項８又は９の装置。
【請求項１１】
前記ナイフエッジ構造は、前記蛍光材料から距離をおいて配置されている請求項１ないし１０のいずれか１の装置。
【請求項１２】
前記ナイフエッジ構造は、前記蛍光材料から離れて面している前記Ｓｉウェーハの側面に配置されている請求項１１の装置。
【請求項１３】
前記貫通開口の第１のエッジは、ナイフエッジとして適しており、
前記第１のエッジに向かい合い、かつ平行な第２のエッジが、前記貫通開口を通過するように荷電粒子ビームの開口角を制限するために、前記第１のエッジに近接して配置されている請求項１ないし１２のいずれか１の装置。
【請求項１４】
前記第１及び第２のエッジは、前記開口角を５°未満に制限するために配置されている請求項１３の装置。
【請求項１５】
マルチ荷電粒子ビームリソグラフィシステムにおけるウェーハレベルでの複数の荷電粒子ビームの同時のスポットサイズ測定のための装置を製造するための方法であって、この方法は、
前記Ｓｉウェーハのために使用されているＳｉの（１ １ ０）面に対して鋭角をなす上面を有するミスカットの前記Ｓｉウェーハを設ける工程と、
前記Ｓｉウェーハに複数の貫通開口をエッチングする工程と、
蛍光材料の上面に複数の貫通開口を備えた前記Ｓｉウェーハを配置する工程とを具備する方法。
【請求項１６】
前記エッチングプロセスの少なくとも一部は、ＫＯＨのようなウェットエッチング剤を用いて行われる請求項１５の方法。
【請求項１７】
前記エッチングプロセスは、前記貫通開口を形成するためのドライエッチングプロセスを使用する第１の工程と、ウェットエッチング剤を使用する後続の第２の工程とを含む請求項１５又は１６の方法。 
【請求項１８】
請求項１ないし１４のいずれか１による、ウェーハレベルで複数の荷電粒子ビームのスポットサイズを測定するための装置を具備するマルチ荷電粒子ビームリソグラフィシステムシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
なお、上の説明は、好ましい実施の形態の動作を説明するために含まれ、本発明の範囲を限定することを意図していないことが理解されるべきである。上の説明から、多くの変形例が本発明の意図及び範囲に包含されることが当業者に明らかである。
出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を以下に付記する。
［１］蛍光材料の上面にナイフエッジ構造を具備する、マルチ荷電粒子ビームリソグラフィシステムにおけるウェーハレベルでのスポットサイズ測定のための装置において、前記ナイフエッジ構造は、Ｓｉの（１ １ ０）面に対して鋭角をなす上面を有するＳｉウェーハに配置されていることを特徴とする装置。
［２］前記鋭角は、２ないし４度の範囲にある［１］の装置。
［３］前記鋭角は、２．９ないし３．１度の範囲にある［２］の装置。
［４］Ｓｉ結晶の［０ ０ １］方向が、前記上面と前記（１ １ ０）面との間に前記鋭角を与えるための回転軸として使用される［１］、［２］又は［３］の装置。
［５］前記ナイフエッジ構造における、及び前記ナイフエッジ構造の周囲の前記Ｓｉウェーハの厚さが減少されている［１］ないし［４］のいずれか１の装置。
［６］前記ナイフエッジ構造における、及び前記ナイフエッジ構造の周囲の前記Ｓｉウェーハの厚さは、１０ないし２０マイクロメートルの範囲にある［５］の装置。
［７］前記ウェーハは、Ｓｉの薄い上層で覆われたＳｉのバルク層を有するＳＯＩウェーハであり、ＳｉＯ２の層が、前記バルク層と前記薄い上層との間に配置されている［５］又は［６］の装置。
［８］前記ナイフエッジ構造は、前記Ｓｉの薄い上層に配置されている［７］の装置。
［９］前記ナイフエッジ構造における、及び前記ナイフエッジ構造の周囲の前記Ｓｉウェーハには、支持壁が設けられている［１］ないし［８］のいずれか１の装置。
［１０］前記支持壁は、前記ウェーハの前記上面に垂直な方向で測定されたとき、１３０ないし３００マイクロメートルの範囲の高さを有する［９］の装置。
［１１］前記ナイフエッジ構造は、１以上の細長いトレンチを有する［１］ないし［１０］のいずれか１の装置。
［１２］前記Ｓｉウェーハには、少なくとも２つのトレンチが設けられ、第１のトレンチのＫＥは、第２のトレンチのＫＥに対して約１０９°の角度で配置されている［１１］の装置。
［１３］前記１以上のトレンチは、マルチ荷電粒子ビームリソグラフィシステム内の２つの隣接している荷電粒子ビーム間の距離を超えた長さを備えた長いＫＥを有する［１１］又は［１２］の装置。
［１４］前記蛍光材料は、イットリウム−アルミニウム−ガーネット（ＹＡＧ）を含む［１］ないし［１３］のいずれか１の装置。
［１５］前記ナイフエッジ構造は、前記蛍光材料から距離をおいて配置されている［１］ないし［１４］のいずれか１の装置。
［１６］前記ナイフエッジ構造と前記蛍光材料との間の距離は、Ｓｉウェーハの厚さにほぼ等しい［１５］の装置。
［１７］前記ナイフエッジ構造は、前記蛍光材料から離れて面している前記Ｓｉウェーハの側面に配置されている［１５］又は［１６］の装置。
［１８］前記Ｓｉウェーハと前記蛍光材料との間に層が配置され、前記層には、前記蛍光材料に達するように、荷電粒子ビームの開口角を制限するために配置された絞り開口が設けられている［１５］、［１６］又は［１７］の装置。
［１９］前記層は、前記蛍光材料の上面に配置されたタングステン層を含む［１８］の装置。
［２０］前記Ｓｉウェーハには、貫通開口が設けられ、前記貫通開口の第１のエッジは、ＫＥとして適しており、前記第１のエッジに向かい合い、かつ平行な第２のエッジが、前記貫通開口を通過するように荷電粒子ビームの開口角を制限するために、前記第１のエッジに近接して配置されている［１］ないし［１９］のいずれか１の装置。
［２１］前記第１及び第２のエッジは、前記開口角を５°未満に、好ましくは２°未満に、より好ましくは約１．５°の角度に制限するために配置されている［２０］の装置。
［２２］マルチ荷電粒子ビームリソグラフィシステムにおけるウェーハレベルでのスポットサイズ測定のための装置を製造するための方法であって、この方法は、前記Ｓｉの（１ １ ０）面に対して鋭角をなす上面を有するＳｉウェーハを設ける工程と、前記Ｓｉウェーハに貫通開口をエッチングする工程と、蛍光材料の上面に貫通開口を備えた前記Ｓｉウェーハを配置する工程とを具備する方法。
［２３］前記エッチングプロセスの少なくとも一部は、ＫＯＨのようなウェットエッチング剤を用いて行われる［２２］の方法。
［２４］前記エッチングプロセスは、前記貫通開口を形成するためのドライエッチングプロセスを使用する第１の工程と、ウェットエッチング剤を使用する後続の第２の工程とを含む［２２］又は［２３］の方法。 
［２５］［１］ないし［２１］のいずれかによる、ウェーハレベルで荷電粒子ビームのスポットサイズを測定するための装置を具備するマルチ荷電粒子ビームリソグラフィシステムシステム。