【手続補正書】
【提出日】平成28年1月12日(2016.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）少なくとも１つのチオール（−ＳＨ）、チオエーテル（−ＳＲ１）またはチオカルボニル（＞Ｃ＝Ｓ）基（式中、Ｒ１は、アルキル、アリール、アルキルアリールまたはアリールアルキルである）を含む少なくとも１種の化合物、
（Ｂ）エリスリトール、トレイトール、もしくはその立体異性体、またはこれらの混合物、
（Ｃ）水性媒体
を含む、ポスト化学機械研磨（ポストＣＭＰ）洗浄組成物。
【請求項２】
化合物（Ａ）が、少なくとも１つのチオール（−ＳＨ）、チオエーテル（−ＳＲ１）、またはチオカルボニル（＞Ｃ＝Ｓ）基および少なくとも１つのアミノ（−ＮＨ２、−ＮＨＲ２、または−ＮＲ３Ｒ４）基（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は、（互いに独立して）アルキル、アリール、アルキルアリールまたはアリールアルキルである）を含む化合物である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
化合物（Ａ）が、チオウレアまたはその誘導体である、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
化合物（Ａ）が、少なくとも１つのチオール（−ＳＨ）もしくはチオエーテル（−ＳＲ１）基を含むアミノ酸、またはこのアミノ酸の誘導体（式中、Ｒ１は、アルキル、アリール、アルキルアリールまたはアリールアルキルである）である、請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
化合物（Ａ）が、システイン、シスチン、グルタチオン、Ｎ−アセチルシステイン、またはその誘導体である、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
少なくとも１種の金属キレート剤（Ｄ）をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
プロパン−１，２，３−トリカルボン酸、クエン酸、ブタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸、ペンタン−１，２，３，４，５−ペンタカルボン酸、トリメリト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸、メリト酸ならびにオリゴマー性およびポリマー性ポリカルボン酸からなる群から選択される少なくとも１種の金属キレート剤（Ｄ）をさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
少なくとも１種の界面活性剤（Ｅ）をさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
（Ｅ１）（ｅ１１）５〜２０個の炭素原子を有する分枝のアルキル基からなる群から選択される少なくとも１つの疎水基、および
（ｅ１２）オキシエチレンモノマー単位からなる少なくとも１つの親水基
を有する、両親媒性非イオン性の水溶性または水分散性界面活性剤；
（Ｅ２）（ｅ２１）５〜２０個の炭素原子を有する分枝のアルキル基からなる群から選択される少なくとも１つの疎水基、ならびに
（ｅ２２）（ｅ２２１）オキシエチレンモノマー単位、および
（ｅ２２２）少なくとも１種類の置換オキシアルキレンモノマー単位（この置換基は、アルキル、シクロアルキル、アリール、アルキル−シクロアルキル、アルキル−アリール、シクロアルキル−アリールおよびアルキル−シクロアルキル−アリール基からなる群から選択される）
を含むポリオキシアルキレン基からなる群から選択される少なくとも１つの親水基であって、
（ｅ２２）の前記ポリオキシアルキレン基が、ランダム、交互、勾配および／またはブロック状の分布でモノマー単位（ｅ２２１）および（ｅ２２２）を含有する親水基
を有する、両親媒性非イオン性の水溶性または水分散性界面活性剤；ならびに
（Ｅ３）両親媒性非イオン性の水溶性または水分散性アルキルポリグルコシド界面活性剤
からなる群から選択される少なくとも１種の界面活性剤（Ｅ）をさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
マイクロエレクトロニクスデバイスを製造するのに有用な半導体基板の表面から残留物および汚染物質を除去するために、請求項１から９のいずれか一項に記載のポストＣＭＰ洗浄組成物を使用する方法。
【請求項１１】
ポストＣＭＰ洗浄組成物が、４〜８の範囲のｐＨ値を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
残留物および汚染物質が、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を含み、表面が銅含有表面である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
化学機械研磨後、洗浄組成物が、
−銅を含有する、または銅からなる導電層、
−低ｋまたは超低ｋ誘電体材料からなる電気絶縁性誘電層、および
−タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、コバルト、ニッケル、マンガン、ルテニウム、窒化ルテニウム、炭化ルテニウム、または窒化ルテニウムタングステンを含有する、またはこれらからなるバリア層
を含む半導体基板の表面から、残留物および汚染物質を除去するために使用される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
半導体基板を、請求項１から９のいずれか一項に記載のポストＣＭＰ洗浄組成物と少なくとも１回接触させることにより、半導体基板の表面から残留物および汚染物質を除去する工程を含む、半導体基板からマイクロエレクトロニクスデバイスを製造するための方法。
【請求項１５】
洗浄組成物が、４〜８の範囲のｐＨ値を有する、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
残留物および汚染物質がベンゾトリアゾールまたはその誘導体を含み、表面が銅含有表面である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
半導体基板が、
−銅を含有する、または銅からなる導電層、
−低ｋまたは超低ｋ誘電体材料からなる電気絶縁性誘電層、および
−タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、コバルト、ニッケル、マンガン、ルテニウム、窒化ルテニウム、炭化ルテニウム、または窒化ルテニウムタングステンを含有する、またはこれらからなるバリア層
を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
（Ａ）システイン、グルタチオン、Ｎ−アセチルシステイン、チオウレアまたはその誘導体、
（Ｌ）少なくとも１種のオリゴマー性またはポリマー性ポリカルボン酸、および
（Ｃ）水性媒体
を含む、ポスト化学機械研磨（ポストＣＭＰ）洗浄組成物。
【請求項１９】
（Ｌ）が、アクリル酸モノマー単位を含有するオリゴマー性またはポリマー性ポリカルボン酸である、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
（Ｌ）が、少なくとも２０個のカルボン酸基を有する、オリゴマー性またはポリマー性ポリカルボン酸である、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２１】
オリゴマー性またはポリマー性ポリカルボン酸（Ｌ）の質量平均分子量が、ゲル浸透クロマトグラフィーで求めた場合、２，０００ダルトン超である、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２２】
（Ｌ）が、
（ｉ）アクリル酸モノマー単位、および
（ｉｉ）フマル酸、マレイン酸、イタコン酸、アコニット酸、メサコン酸、シトラコン酸、メチレンマロン酸または無水マレイン酸から誘導されるモノマー単位
を含有するコポリマーであるオリゴマー性またはポリマー性ポリカルボン酸である、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２３】
（Ｌ）が、マレイン酸／アクリル酸コポリマーである、オリゴマー性またはポリマー性ポリカルボン酸である、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２４】
少なくとも１種の界面活性剤（Ｅ）をさらに含む、請求項１８から２３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２５】
（Ｅ１）（ｅ１１）５〜２０個の炭素原子を有する分枝のアルキル基からなる群から選択される少なくとも１つの疎水基、および
（ｅ１２）オキシエチレンモノマー単位からなる少なくとも１つの親水基
を有する両親媒性非イオン性の水溶性または水分散性界面活性剤；
（Ｅ２）（ｅ２１）５〜２０個の炭素原子を有する分枝のアルキル基からなる群から選択される少なくとも１つの疎水基、ならびに
（ｅ２２）（ｅ２２１）オキシエチレンモノマー単位、および
（ｅ２２２）少なくとも１種類の置換オキシアルキレンモノマー単位（この置換基は、アルキル、シクロアルキル、アリール、アルキル−シクロアルキル、アルキル−アリール、シクロアルキル−アリールおよびアルキル−シクロアルキル−アリール基からなる群から選択される）
を含むポリオキシアルキレン基からなる群から選択される少なくとも１つの親水基であって、
（ｅ２２）の前記ポリオキシアルキレン基が、ランダム、交互、勾配および／またはブロック状の分布でモノマー単位（ｅ２２１）および（ｅ２２２）を含有する親水基
を有する、両親媒性非イオン性の水溶性または水分散性界面活性剤；ならびに
（Ｅ３）両親媒性非イオン性の水溶性または水分散性アルキルポリグルコシド界面活性剤
からなる群から選択される少なくとも１種の界面活性剤（Ｅ）をさらに含む、請求項１８から２３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２６】
マイクロエレクトロニクスデバイスを製造するのに有用な半導体基板の表面から残留物および汚染物質を除去するために、請求項１８から２５のいずれか一項に記載のポストＣＭＰ洗浄組成物を使用する方法。
【請求項２７】
残留物および汚染物質が、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を含み、表面が銅含有表面である、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
化学機械研磨後に、洗浄組成物が、
−銅を含有する、または銅からなる導電層、
−低ｋまたは超低ｋ誘電体材料からなる電気絶縁性誘電層、および
−タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、コバルト、ニッケル、マンガン、ルテニウム、窒化ルテニウム、炭化ルテニウム、または窒化ルテニウムタングステンを含有する、またはこれらからなるバリア層
を含む半導体基板の表面から残留物および汚染物質を除去するために使用される、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
半導体基板を、請求項１８から２５のいずれか一項に記載のポストＣＭＰ洗浄組成物に少なくとも１回接触させることにより、半導体基板の表面から残留物および汚染物質を除去する工程を含む、半導体基板からマイクロエレクトロニクスデバイスを製造するための方法。
【請求項３０】
残留物および汚染物質が、ベンゾトリアゾールまたはその誘導体を含み、表面が銅含有表面である、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
半導体基板が、
−銅を含有する、または銅からなる導電層、
−低ｋまたは超低ｋ誘電体材料からなる電気絶縁性誘電層、および
−タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、コバルト、ニッケル、マンガン、ルテニウム、窒化ルテニウム、炭化ルテニウム、または窒化ルテニウムタングステンを含有するまたはこれらからなるバリア層
を含む、請求項２９に記載の方法。